(57)【要約】【課題】基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置１０は、基板Ｗを処理するための処理室２０と、処理室２０内に設けられ、基板Ｗを保持して回転する回転テーブル４０と、処理室２０内に設けられ、回転テーブル４０により保持された基板Ｗに処理液を供給する液供給部６０と、処理室２０内に設けられ、回転テーブル４０により保持された基板Ｗの周囲を覆い、回転テーブル４０の回転によって基板Ｗから飛散する処理液を受けるカップ３０と、処理室２０内に設けられ、カップ３０内に連通してカップ３０内の気体を排出するための排気路２３と、排気路２３内に設けられ、前述の気体が排気路２３を流れる排気方向に沿って流れる流体を排気路２３内に供給する流体供給部７０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板を保持して回転する回転テーブルと、
前記処理室内に設けられ、前記回転テーブルにより保持された前記基板に処理液を供給する液供給部と、
前記処理室内に設けられ、前記回転テーブルにより保持された前記基板の周囲を覆い、前記回転テーブルの回転によって前記基板から飛散する前記処理液を受けるカップと、
前記処理室内に設けられ、前記カップ内に連通して前記カップ内の気体を排出するための排気路と、
前記排気路内に設けられ、前記気体が前記排気路を流れる排気方向に沿って流れる流体を前記排気路内に供給する流体供給部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記排気路は、前記処理室の下面から側面に沿って延伸して上面につながっており、
前記流体供給部は、前記回転テーブルの周囲に設けられている請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記流体供給部は、複数個、それぞれ同じ高さ位置又は異なる高さ位置に設けられている請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記流体供給部は、前記流体を吐出する吐出幅を変えることが可能に形成されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記流体供給部は、前記流体を吐出する吐出方向を変えることが可能に形成されている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記流体供給部により供給される前記流体の供給量を調整する調整部と、
前記回転テーブルの回転数に応じて前記調整部を制御する制御部と、
を備える請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を処理するための処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基板を保持して回転する回転テーブルと、前記処理室内に設けられ、前記回転テーブルにより保持された前記基板に処理液を供給する液供給部と、前記処理室内に設けられ、前記回転テーブルにより保持された前記基板の周囲を覆い、前記回転テーブルの回転によって前記基板から飛散する前記処理液を受けるカップと、前記処理室内に設けられ、前記カップ内に連通して前記カップ内の気体を排出するための排気路とを備える基板処理装置を用いて、前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記排気路内に設けられた流体供給部から、前記気体が前記排気路を流れる排気方向に沿って流れる流体を前記排気路内に供給する基板処理方法。
【請求項８】
前記回転テーブルの回転数に応じて前記流体の供給量を調整する請求項７に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の被処理面を薬液により処理し、薬液処理後に基板をリンス液により洗い流して、リンス後に基板を乾燥する装置である。この基板処理装置では、均一性や再現性の面から、基板を一枚ずつ専用の処理室で処理する枚葉方式が用いられる。
【０００３】
基板は回転テーブル上に載置され、回転する回転テーブル上の基板に薬液又はリンス液などの処理液が供給され、基板が処理液によって処理される。基板処理後、処理液の供給が停止され、回転テーブルの回転数が上げられて基板が乾燥される。乾燥時、基板上の処理液は、遠心力によって基板上から排出され、回転テーブルの周囲を覆うカップの内周面によって受けられる。
【０００４】
このとき、排出された処理液はカップの内周面と衝突し、カップ内にミスト（処理液ミスト）が発生するが、カップ内は排気路を介して排気されており、カップ内のミストは排気路に流れ込む。ところが、カップ内のミストが排気路に流れず、回転する回転テーブル上の基板に付着することがある。ミストが基板に付着すると、基板にウォーターマークなどが生じて基板が汚染されるため、基板品質（製品品質）が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４５６７１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板を処理するための処理室と、
処理室内に設けられ、基板を保持して回転する回転テーブルと、
処理室内に設けられ、回転テーブルにより保持された基板に処理液を供給する液供給部と、
処理室内に設けられ、回転テーブルにより保持された基板の周囲を覆い、回転テーブルの回転によって基板から飛散する処理液を受けるカップと、
処理室内に設けられ、カップ内に連通してカップ内の気体を排出するための排気路と、
排気路内に設けられ、気体が排気路を流れる排気方向に沿って流れる流体を排気路内に供給する流体供給部と、
を備える。
【０００８】
本発明の実施形態に係る基板処理方法は、
基板を処理するための処理室と、処理室内に設けられ、基板を保持して回転する回転テーブルと、処理室内に設けられ、回転テーブルにより保持された基板に処理液を供給する液供給部と、処理室内に設けられ、回転テーブルにより保持された基板の周囲を覆い、回転テーブルの回転によって基板から飛散する処理液を受けるカップと、処理室内に設けられ、カップ内に連通してカップ内の気体を排出するための排気路とを備える基板処理装置を用いて、基板を処理する基板処理方法であって、
排気路内に設けられた流体供給部から、気体が排気路を流れる排気方向に沿って流れる流体を排気路内に供給する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１の２−２線の断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る流体供給部の配置を示す図である。
【図４】第２の実施形態に係る流体供給部が流体を吐出する吐出幅の調整を説明するための図である。
【図５】第２の実施形態に係る流体供給部が流体を吐出する吐出方向（水平面内）の調整を説明するための図である。
【図６】第２の実施形態に係る流体供給部が流体を吐出する吐出方向（鉛直面内）の調整を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
発明者らは、カップに衝突して発生するミストが排気路に流れず、基板に付着する原因について調査したところ、次のことが判明した。カップ内のミストは、回転する回転テーブルの周辺の気流とともに回転し、順次、排気路から排気されることになる。ところが、ミストがカップの内周面から排気路に至るまでの経路途中に経路幅が狭い部分が存在すると、その部分でミストは、回転テーブルの周方向だけではなく、上方にも移動することが分かった。例えば、平面視で、処理室が矩形状で、カップが円形状だとすると、処理室の辺部分とカップの外周部分との間隔は、処理室のコーナー部分とカップの外周部分との間隔に比べて狭い。上方に移動するミストは、カップと排気路とを接続する部分の隙間からカップの上方に吹き上がり、その吹き上がったミストが再びカップ内に侵入し、回転テーブル上の基板に付着していたのである。さらに、このミストの吹き上がり現象は、排気路に作用する吸引力に起因することも分かった。なお、ミストが、カップと排気路とを接続する部分の隙間から上方に吹き上がる現象が生じる例として、平面視で、処理室が矩形状で、カップが円形状である場合を挙げたが、その他に、例えば処理室とカップの両者ともが円形状で、径の差が少ない場合であっても生じ得ることである。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１及び図２を参照して説明する。
【００１３】
（基本構成）
図１及び図２に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、処理室２０と、カップ３０と、回転テーブル４０と、回転機構５０と、液供給部６０と、二つの流体供給部７０と、制御部８０とを備えている。
【００１４】
処理室２０は、外装体２１と、内装体（仕切壁体）２２と、二本の排気路２３とを有している。この処理室２０は、被処理面Ｗａを有する基板Ｗを処理するための処理ボックスであり、カップ３０、回転テーブル４０、回転機構５０の一部、液供給部６０、各流体供給部７０などを収容する。基板Ｗとしては、例えば、ウェーハや液晶基板が用いられる。
【００１５】
外装体２１は、上面が開口した箱形状で、平面視で矩形状に形成されている。この外装体２１は、四つの側壁部２１ａと、床部（底壁部）２１ｂとを有している。各側壁部２１ａの一つには、入出口２１ａ１（図２参照）が形成されている。入出口２１ａ１は、処理室２０内に対する基板Ｗの搬入及び搬出を可能にするためのものであり、開閉可能なシャッタ（不図示）によって塞がれている。床部２１ｂには、排出管（不図示）が接続されている。この排出管は、基板Ｗの被処理面Ｗａから排出された処理液を処理室２０外に排出するためのものである。
【００１６】
内装体２２は、外装体２１内に設けられている。この内装体２２は、二つの側壁部２２ａと、床部（底壁部）２２ｂとを有している。側壁部２２ａは、外装体２１の対向する一対の側壁部２１ａに対し、その幅方向（図２の上下方向）全長にわたって所定間隔で離間して対向するように形成されている。床部２２ｂは、外装体２１の床部２１ｂに対し、上下方向において所定間隔で離間して対向するように形成されている。床部２２ｂには、取付孔２２ｂ１が形成されており、この取付孔２２ｂ１内にはカップ３０が設けられている。
【００１７】
前述の内装体２２の上面の開口には、四角枠形状のフランジ２４が設けられている。このフランジ２４の上面には、クリーンユニット２５が設けられている。このクリーンユニット２５は、基板処理装置１０が設置されるクリーンルームの天井から吹き降ろすダウンフローを浄化して処理室２０内に導入するものであり、例えば、ＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタのフィルタを有している。
【００１８】
二本の排気路２３は、外装体２１及び内装体２２により形成されている。すなわち、各排気路２３は、外装体２１の対向する一対の側壁部２１ａ及び床部２１ｂと、内装体２２の一対の側壁部２２ａ及び床部２２ｂとによって構成されている。これらの排気路２３は、カップ３０の下側からカップ３０内に連通してカップ３０内の気体を排出するための流路であり、処理室２０の下面から側面に沿って延伸して上面につながっている。各排気路２３は、それぞれ排気ダクト２６に接続されており、各排気ダクト２６に接続された排気ファン（不図示）の駆動によってカップ３０内の気体は各排気路２３及び各排気ダクト２６を介して排出される。
【００１９】
カップ３０は、円筒状に形成されており、本実施形態では図２に示すように、平面視で矩形状をなす外装体２１のほぼ中央部に配置され、回転テーブル４０により保持された基板Ｗの周囲（基板Ｗの外周面）を覆うように設けられている。このカップ３０の周壁の上部は、内側に向かって傾斜しており、また、回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａが露出するように開口している。このカップ３０は、回転テーブル４０の回転によって回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａから飛散する処理液を内周面で受ける。飛散した処理液は、カップ３０の内周面に衝突し、カップ３０の内周面に沿ってカップ３０の下方に流れ落ちる。
【００２０】
前述のカップ３０は、一対の昇降機構３１（図２参照）により上下方向に移動可能に形成されている。これらの昇降機構３１は、回転テーブル４０を挟んで対向する位置に設けられ、カップ３０を支持して上下方向に移動させる。昇降機構３１としては、例えば、シリンダが用いられる。例えば、カップ３０は、基板Ｗの搬入や搬出に応じて一対の昇降機構３１により上下方向に移動する。基板Ｗの搬入や搬出が行われる場合、カップ３０は下降し、ロボットハンド（不図示）の基板搬入や基板搬出動作を妨げない待機位置まで移動する。また、ロボットハンドが回転テーブル４０上に基板Ｗを載置し、回転テーブル４０の上方から退避すると、カップ３０は上昇し、回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａから飛散する処理液を内周面で受ける処理位置まで移動する。なお、図１に示すカップ３０は処理位置にある。
【００２１】
回転テーブル４０は、カップ３０内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構５０上に設けられている。この回転テーブル４０は、例えば、スピンテーブルと呼ばれる。回転テーブル４０は、複数の保持部材４１を有しており、それらの保持部材４１により基板Ｗを水平状態に保持する。このとき、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心は、回転テーブル４０の回転軸上に位置付けられる。
【００２２】
回転機構５０は、回転テーブル４０を支持するように設けられ、その回転テーブル４０を水平面内で回転させるように構成されている。例えば、回転機構５０は、回転テーブル４０の中央に連結された回転軸やその回転軸を回転させるモータ（いずれも不図示）などを有しており、モータの駆動により回転軸を介して回転テーブル４０を回転させる。この回転機構５０は制御部８０に電気的に接続されており、その駆動は制御部８０により制御される。
【００２３】
液供給部６０は、ノズル６１と、ノズル移動機構６２とを具備している。この液供給部６０は、ノズル移動機構６２によりノズル６１を移動させて回転テーブル４０の上方に位置付け、そのノズル６１から回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに処理液を供給する。
【００２４】
ノズル６１は、ノズル移動機構６２により回転テーブル４０の上方を回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って揺動可能に形成されている。このノズル６１は、回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中央付近に対向し、その被処理面Ｗａに向けて処理液（例えば、薬液又はリンス液）を供給する。なお、ノズル６１には、基板処理装置１０外のタンク（不図示）から処理液が供給される。
【００２５】
ノズル移動機構６２は、可動アーム６２ａと、アーム揺動機構６２ｂとを有している。可動アーム６２ａは、一端にノズル６１を保持し、アーム揺動機構６２ｂにより水平に支持されている。アーム揺動機構６２ｂは、可動アーム６２ａにおけるノズル６１と反対側の一端を保持し、その可動アーム６２ａを回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って揺動させる。このアーム揺動機構６２ｂは制御部８０に電気的に接続されており、その駆動は制御部８０により制御される。
【００２６】
例えば、ノズル６１は、ノズル移動機構６２により、回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中央付近に対向する処理位置と、回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置との間を移動する。なお、図１及び図２に示すノズル６１は処理位置にある。
【００２７】
流体供給部７０は、処理室２０内において回転テーブル４０を挟んで対向するようにカップ３０の下方であって回転テーブル４０の周囲に位置付けられ、排気路２３ごとに排気路２３内に設けられている。流体供給部７０は、カップ３０内の気体が排気路２３を流れる排気方向に沿わせて流体を吐出し、排気路２３の排気方向に沿って流れる流体を排気路２３内に供給する。例えば、流体供給部７０は、吐出ノズルを有し、回転テーブル４０の周囲から外装体２１における一対の側壁部２１ａに向けて流体を吐出する。このような流体の供給により、排気路２３の排気方向に向かう気流が強くなるため、カップ３０内のミストは滞留することなく排気路２３にスムーズに移動する。これにより、カップ３０内のミストが確実に排除されるので、カップ３０内のミストが基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを抑えることができる。
【００２８】
なお、各流体供給部７０の高さ位置は同じであるが、これに限るものではなく、それらの高さ位置は異なっていても良い。この高さ位置の調整は、カップ３０内のミストを排気路２３に沿ってスムーズに移動させるために必要に応じて行われる。また、流体供給部７０の個数は二個であるが、その個数は限定されるものではない。
【００２９】
各流体供給部７０には、それぞれ流体供給管７１が接続されており、個々の流体供給管７１を介して流体が供給される。これらの流体供給管７１の途中には、それぞれ調整部７２が設けられている。この調整部７２は、流体供給管７１を流れる流体の供給量を調整するものである。調整部７２としては、例えば、電磁弁などの調整弁が用いられる。調整部７２は電気的に制御部８０に接続されており、その駆動は制御部８０により制御される。
【００３０】
前述の流体としては、液体や気体、これらの混合物などが用いられ、例えば、超純水、空気、窒素ガス、液化ガス（液化二酸化炭素や液体窒素など）、これらの混合物が用いられる。流体として液体を用いる場合には、気体に比べて重量が大きい分、排気路２３の排気方向に向かう気流の速度が長時間維持されるので、気流の強さをより長く維持できることになる。
【００３１】
制御部８０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも不図示）を具備している。この制御部８０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、一対の昇降機構３１によるカップ３０の昇降動作や回転機構５０による回転テーブル４０の回転動作、液供給部６０による処理液の供給動作などの制御を行う。
【００３２】
また、制御部８０は、回転テーブル４０の回転数に応じて、個々の流体供給部７０が供給する流体の供給量（吐出量）を変えるように各調整部７２を制御する。例えば、制御部８０は、回転テーブル４０の回転数を上げると、回転テーブル４０の周辺の気流の量が増え、カップ３０内から排出される気体の量も増加するので、それに応じて個々の流体供給部７０から供給する流体の供給量を増加させるように調整部７２を制御し、回転テーブル４０の回転数を下げると、流体の供給量を減少させるように調整部７２を制御する。具体例としては、回転テーブル４０の回転数と個々の流体供給部７０が供給する流体の供給量（吐出量）との相関データを実験などで求めて予め制御部８０に格納しておき、制御部８０はその相関データに基づいて、回転テーブル４０の回転速度に応じた流体の供給量を導き出し、導き出した供給量に基づいて調整部７２を制御する。ただし、回転テーブル４０の回転数にかかわらず、流体の供給量を一定とすることも可能である。
【００３３】
（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程の流れについて説明する。なお、各排気ダクト２６には、排気ファン（不図示）による吸引力が既に付与されているものとする。
【００３４】
基板Ｗの搬入時には、カップ３０及びノズル６１が待機位置にある状態で、処理室２０の入出口２１ａ１を塞ぐシャッタ（不図示）が開かれる。ロボットハンドなどを有する搬送装置（不図示）により未処理の基板Ｗが処理室２０内に搬入され、回転テーブル４０の各保持部材４１上に載置され、それらの保持部材４１によって保持される。ロボットハンドが処理室２０から退避し、処理室２０の入出口２１ａ１がシャッタにより塞がれる。
【００３５】
基板Ｗの搬入後、カップ３０は一対の昇降機構３１により待機位置から処理位置に、ノズル６１はノズル移動機構６２により待機位置から処理位置に移動する。基板Ｗが回転テーブル４０の各保持部材４１により保持された状態で、回転テーブル４０が回転機構５０により所定の回転数（例えば、５００ｒｐｍ）で回転し、回転テーブル４０上の基板Ｗが回転する（低速回転）。なお、クリーンユニット２５により浄化された空気は、カップ３０内に流れ込み、そのカップ３０内から各排気路２３を通じて処理室２０外に排出されている。
【００３６】
次に、カップ３０及びノズル６１が処理位置にある状態で、ノズル６１から回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに処理液が供給される。ノズル６１から吐出された処理液は、回転する回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中央付近に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａ上には処理液の液膜が形成され、基板Ｗの被処理面Ｗａは処理液によって処理される。
【００３７】
前述の処理液の吐出開始から所定時間経過後、すなわち基板Ｗの処理完了後には、処理液の吐出が停止され、ノズル６１がノズル移動機構６２により処理位置から待機位置に移動する。そして、基板Ｗの回転数が制御部８０により所定の回転数（例えば、１２００ｒｐｍ）に上げられ（高速回転）、液の振り切りが所定時間継続され、液の振り切り開始から所定時間経過後、基板Ｗの回転が停止される。この振り切り乾燥によって基板Ｗが乾燥され、カップ３０は一対の昇降機構３１により処理位置から待機位置に移動する。
【００３８】
基板Ｗの乾燥後、基板Ｗの搬出時には、カップ３０及びノズル６１が待機位置にある状態で、処理室２０の入出口２１ａ１を塞ぐシャッタが開かれる。乾燥状態の処理済の基板Ｗは、回転テーブル４０の各保持部材４１上から前述の搬送装置（不図示）によって処理室２０外に搬出される。次いで、未処理の基板Ｗが前述のように処理室２０内に搬入され、処理が繰り返される。
【００３９】
このような基板処理工程では、基板Ｗの乾燥時、基板Ｗから遠心力によって飛散した処理液は、カップ３０の内周面に衝突して下方に流れ落ちる。このとき、カップ３０の内周面に衝突した処理液の一部がミストとなるため、カップ３０内にミスト（処理液ミスト）が発生する。一方、クリーンユニット２５により浄化された空気は、処理室２０内の上から下に向けて流れ、カップ３０内に流入して各排気路２３を流れ、処理室２０上部の各排気ダクト２６に排出される。この気流により、カップ３０内に浮遊するミストは各排気路２３に向かって流れる。これらの排気路２３には、その排気方向に流れる流体が各流体供給部７０から供給されている。この流体の供給により、排気路２３の排気方向に向かう気流が強くなるため、カップ３０内のミストは滞留することなく排気路２３にスムーズに移動し、カップ３０内のミスト排出が促される。これにより、カップ３０内のミストが確実に排除されるので、カップ３０内のミストが基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを抑えることができる。
【００４０】
ここで、カップ３０は上下方向に移動するため、カップ３０と排気路２３とを接続する部分、すなわち、カップ３０と内装体２２の床部２２ｂ（カップ３０の外周面と取付孔２２ｂ１の内周面）との間には微小であるが、隙間Ａ１が存在する。この隙間Ａ１は、円環形状の隙間である（図２参照）。各流体供給部７０が存在しない場合には、カップ３０内のミストが排気路２３に移動して隙間Ａ１からカップ３０の上方に吹き上がり、吹き上がったミストが再びカップ３０内に侵入し、回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することがある。この点については、前述したとおりである。このミスト付着を防止するためには、各流体供給部７０が必要となる。これらの流体供給部７０から吐出される流体により、排気路２３の排気方向に向かう気流が強くなるので、カップ３０内のミストが排気路２３に移動して隙間Ａ１から吹き上がることを抑制することが可能となる。これにより、吹き上がったミストが回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを抑えることができる。
【００４１】
前述の基板処理工程において、各流体供給部７０からの流体供給の開始は、基板Ｗが処理室２０に搬入される前からでも良いし、ノズル６１から処理液が供給される直前でも良い。また、各流体供給部７０からの流体供給の停止は、基板Ｗの乾燥処理が終了した時点でも良いし、基板Ｗが処理室２０から搬出された後でも良い。
【００４２】
なお、カップ３０内のミストを排除するため、排気ファンによる排気量を増やすことができれば良いが、その排気ファンによる排気量、すなわち排気ファンの回転数にも限界がある。排気ファンの回転数を最大としても、排気ファンだけでは十分な排気を実現することは難しい。そこで、各流体供給部７０を設けることで、排気路２３の排気方向に向かう気流を強くすることが可能になるので、カップ３０内のミストを排気路２３にスムーズに移動させ、カップ３０内から排除することができる。
【００４３】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、気体が排気路２３を流れる排気方向に沿って流れる流体を排気路２３内に供給する流体供給部７０が設けられている。この流体の供給により排気路２３の排気方向に向かう気流が強くなるため、カップ３０内のミストは滞留することなく排気路２３にスムーズに移動する。これにより、カップ３０内のミストを排除し、カップ３０内のミストが基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを抑えることが可能になるので、基板品質を向上させることができる。
【００４４】
また、図２の構成では、側壁部２１ａとカップ３０の外周部分との間隔が、外装体２１のコーナー部分とカップ３０の外周部分との間隔に比べて狭い。狭い部分では、ミストが上方にも移動し、カップ３０と排気路２３とを接続する部分の隙間Ａ１からカップ３０の上方に吹き上がり、その吹き上がったミストが再びカップ３０内に侵入し、回転テーブル４０上の基板Ｗに付着してしまう現象が生じる。この点は前述したとおりである。第１の実施形態では、図２に示したように、平面視で矩形状の外装体２１の、対向する一対の側壁部２１ａに沿ってそれぞれ排気路２３を設け、各排気路２３を流れる排気方向に各流体供給部７０から流体を供給するように構成した。このため、カップ３０と排気路２３とを接続する部分の隙間Ａ１からミスト吹き上がる現象を効率的に防止でき、基板品質をより向上させることができる。
【００４５】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図３から図６を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（流体供給部の配置）について説明し、その他の説明は省略する。
【００４６】
図３に示すように、第２の実施形態に係る流体供給部７０は、回転テーブル４０の周囲に六個設けられている。これらの流体供給部７０は、それぞれ排気路２３の排気方向に沿わせて流体を吐出し、その排気方向に沿って流れる流体を排気路２３内に供給する。供給された流体は排気路２３の排気方向に沿って流れるため、排気路２３の排気方向に向かう気流が強くなる。なお、流体供給部７０の個数は限定されるものではない。
【００４７】
図４に示すように、流体供給部７０は、流体を吐出する吐出幅を変えることが可能に形成されている。例えば、流体供給部７０が備える吐出ノズルの開口幅を変更することで、流体を吐出する吐出幅を変えることが可能である。
【００４８】
図５及び図６に示すように、流体供給部７０は、流体を吐出する吐出方向を変えることが可能に形成されている。例えば、流体供給部７０が備える吐出ノズルの向き（方向）を変更することで、流体を吐出する吐出方向を変えることが可能である。図５では、水平面内において吐出方向を変え、図６では、鉛直面内において吐出方向を変える。なお、それらを組み合わせて三次元で吐出方向を変えることが可能である。
【００４９】
このように、流体供給部７０において流体を吐出する吐出幅や吐出方向を調整することが可能である。これにより、回転テーブル４０の周囲に各流体供給部７０を設け、各流体供給部７０において流体を吐出する吐出幅や吐出方向を調整することで、回転テーブル４０の周囲全体に、排気路２３の排気方向に流れる流体を供給することができる。したがって、排気路２３の排気方向に向かう気流が回転テーブル４０の周囲全体で強くなるので、カップ３０内のミストは滞留することなく排気路２３にスムーズに移動する。これにより、カップ３０内のミストが確実に排除されるので、カップ３０内のミストが基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを確実に抑えることができる。
【００５０】
また、カップ３０と内装体２２の床部２２ｂとの隙間Ａ１においてミストの吹き上がりが生じやすい箇所に対応させて、流体供給部７０において流体を吐出する吐出幅や吐出方向を調整することが可能になるので、ミストが排気路２３に移動して隙間Ａ１から吹き上がることを確実に抑制することができる。これにより、吹き上がったミストが回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを確実に抑えることができる。
【００５１】
なお、各流体供給部７０の配置、また、吐出幅や吐出方向の調整は、各流体供給部７０が吐出した流体により乱流が発生しないように行われる。この乱流の発生を抑えることで、前述のミストの吹き上がりを確実に抑制することが可能になるので、吹き上がったミストが回転テーブル４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを確実に抑えることができる。
【００５２】
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、回転テーブル４０の周囲全体に流体を供給するように各流体供給部７０を設置することによって、回転テーブル４０の周囲全体で排気路２３の排気方向に向かう気流が強くなるので、カップ３０内のミストは滞留することなく排気路２３にスムーズに移動する。これにより、カップ３０内のミストを排除し、カップ３０内のミストが基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを確実に抑えることが可能になるので、基板品質を確実に向上させることができる。さらに、流体供給部７０において流体を吐出する吐出幅や吐出方向を調整することによって、排気路２３の排気方向に向かう気流を確実に強くし、カップ３０内のミストが基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することをより確実に抑えることが可能になるので、基板品質をより確実に向上させることができる。
【００５３】
＜他の実施形態＞
前述の説明においては、流体供給部７０を回転テーブル４０の周囲の排気路２３内に設けているが、これに限るものではなく、排気路２３の排気方向に向かう気流を強くすることが可能な位置、例えば、外装体２１の側壁部２１ａと内装体２２の側壁部２２ａとの間の排気路２３内に設けるようにしても良い。
【００５４】
また、前述の説明においては、流体供給部７０として吐出ノズルを有する流体供給部を用いているが、これに限るものではなく、例えば、小型の送風機を用いるようにしても良い。
【００５５】
また、前述の説明における流体供給部７０が供給する流体の温度を常温としても良いが、これに限るものではなく、例えば、温調機により流体の温度を２０℃以下に制御するようにしても良い。これは、通常、温度を低くすると流体の粘性が上がり、周りの気体をより多く巻き込みやすくなるからである。
【００５６】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１０  基板処理装置
２０  処理室
２３  排気路
３０  カップ
４０  回転テーブル
７０  流体供給部
７２  調整部
８０  制御部
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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