(57)【要約】      （修正有）【課題】クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供する。または、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルの作製方法を提供する。【解決手段】一方の発光素子の第１の電極１５１ａと、他方の発光素子の第１の電極１５１ｂと、２つの第１の電極を隔てる絶縁性の隔壁１４０ａを有し、隔壁１４０ａの側面と重なる部分に発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄い厚さＡ１の部分を含み、第２の電極１５２の隔壁１４０ａの側面と重なる部分の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電極１５２の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、前記隔壁上に薄い領域を有する表示装置。
【請求項２】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重ならない領域と前記隔壁と重なる領域とを有し、
前記隔壁と重なる領域は、前記隔壁と重ならない領域よりも薄い領域を有する表示装置。
【請求項３】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、前記第１の陽極と重なり、かつ、前記隔壁と重ならない厚さＡ０の領域を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重なる領域において、前記厚さＡ０よりも薄い厚さＡ１の領域を有する表示装置。
【請求項４】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁上に薄い領域を有する表示装置。
【請求項５】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重ならない領域と前記隔壁と重なる領域とを有し、
前記隔壁と重なる領域は、前記隔壁と重ならない領域よりも薄い領域を有する表示装置。
【請求項６】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記ＥＬ層は、前記第１の陽極と重なり、かつ、前記隔壁と重ならない厚さＡ０の領域を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重なる領域において、前記厚さＡ０よりも薄い厚さＡ１の領域を有する表示装置。
【請求項７】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記高分子材料を含む層は、正孔輸送性を有し高分子材料を含む層と、高分子のホスト材料を含む発光層と、を有し、
前記低分子材料を含む層は、電子輸送性を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁上に薄い領域を有する表示装置。
【請求項８】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記高分子材料を含む層は、正孔輸送性を有し高分子材料を含む層と、高分子のホスト材料を含む発光層と、を有し、
前記低分子材料を含む層は、電子輸送性を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重ならない領域と前記隔壁と重なる領域とを有し、
前記隔壁と重なる領域は、前記隔壁と重ならない領域よりも薄い領域を有する表示装置。
【請求項９】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記高分子材料を含む層は、正孔輸送性を有し高分子材料を含む層と、高分子のホスト材料を含む発光層と、を有し、
前記低分子材料を含む層は、電子輸送性を有し、
前記ＥＬ層は、前記第１の陽極と重なり、かつ、前記隔壁と重ならない厚さＡ０の領域を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重なる領域において、前記厚さＡ０よりも薄い厚さＡ１の領域を有する表示装置。
【請求項１０】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記高分子材料を含む層は、高分子のホスト材料を含む発光層を有し、
前記低分子材料を含む層は、電子輸送性を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁上に薄い領域を有する表示装置。
【請求項１１】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記高分子材料を含む層は、高分子のホスト材料を含む発光層を有し、
前記低分子材料を含む層は、電子輸送性を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重ならない領域と前記隔壁と重なる領域とを有し、
前記隔壁と重なる領域は、前記隔壁と重ならない領域よりも薄い領域を有する表示装置。
【請求項１２】
第１の陽極の端部と第２の陽極の端部とを覆う絶縁性の隔壁をまたぐようにＥＬ層と陰極とが配置された表示装置であって、
前記ＥＬ層は、高分子材料を含む層と、前記高分子材料を含む層上の低分子材料を含む層と、を有し、
前記高分子材料を含む層は、高分子のホスト材料を含む発光層を有し、
前記低分子材料を含む層は、電子輸送性を有し、
前記ＥＬ層は、前記第１の陽極と重なり、かつ、前記隔壁と重ならない厚さＡ０の領域を有し、
前記ＥＬ層は、前記隔壁と重なる領域において、前記厚さＡ０よりも薄い厚さＡ１の領域を有する表示装置。
【請求項１３】
請求項３、請求項６、請求項９、及び請求項１２のいずれか一において、
前記陰極は、前記第１の陽極と重なり、かつ、前記隔壁と重ならない厚さＢ０の領域を有し、
前記陰極は、前記隔壁と重なる領域において、厚さＢ１の領域を有し、
前記厚さＢ０に対する前記厚さＢ１の比（Ｂ１／Ｂ０）は、前記厚さＡ０に対する前記厚さＡ１の比（Ａ１／Ａ０）に比べて大きい表示装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記厚さＢ１は、前記厚さＢ０より厚い表示装置。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４において、
前記ＥＬ層は、前記第２の陽極と重なり、かつ、前記隔壁と重ならない厚さＡ２の領域を有し、
前記厚さＢ０に対する前記厚さＢ１の比（Ｂ１／Ｂ０）は、前記厚さＡ２に対する前記厚さＡ１の比（Ａ２／Ａ１）に比べて大きい表示装置。
【請求項１６】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一において、
前記発光層はイリジウムを含む表示装置。
【請求項１７】
請求項４乃至請求項１２のいずれか一において、
前記高分子材料を含む層は、湿式法を用いて形成された層であり、
前記低分子材料を含む層は、乾式法を用いて形成された層である表示装置。
【請求項１８】
請求項４乃至請求項１２のいずれか一において、
前記高分子材料を含む層は、塗布法を用いて形成された層であり、
前記低分子材料を含む層は、蒸着法を用いて形成された層である表示装置。
【請求項１９】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記正孔輸送性を有し高分子材料を含む層は、アクセプター性を有する表示装置。
【請求項２０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記正孔輸送性を有し高分子材料を含む層は、導電性ポリマーを有し、
前記導電性ポリマーはスルホン酸骨格を含む表示装置。
【請求項２１】
請求項４乃至請求項１２、請求項１７、及び請求項１８のいずれか一において、
前記低分子材料を含む層はアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む表示装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル、発光パネルを用いた発光装置および発光パネルの作製方法に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、電子ブックなどの普及が進み、生
活の中で表示装置を使用する時間が長くなっている。これらの電子機器が身辺に置かれる
ようになった結果、従来は紙と文具が用いられてきたような単純な用途にも、これらの電
子機器が用いられるようになってきた。具体的には、従来は手帳を用いて行っていたスケ
ジュール管理、住所録、メモ等が、スマートフォンに代表される多機能な電子機器を用い
て行われるようになってきた。
【０００３】
これらの電子機器の多くには、表示素子がマトリクス状に配置された表示パネルが用いら
れる。表示素子としては、光の透過を制御する素子（例えば、液晶表示素子）や、光の反
射を制御する素子（例えば、電気泳動方式を用いる素子）や、自ら光を発する発光素子等
が用いられている。
【０００４】
また、一対の電極の間に膜状に広がる発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層ともいう）を
備える発光素子が知られている。このような発光素子は例えば有機ＥＬ素子と呼ばれ、一
対の電極間に電圧を印加すると、発光性の有機化合物を含む層から発光が得られる。そし
て、有機ＥＬ素子を照明や、表示に用いる発光装置が知られている。有機ＥＬ素子を用い
た発光装置の一例が、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３２４６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本明細書では、発光素子が互いに隣接して設けられたものを発光パネルという。特に、一
対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子が互いに隣接して設けられ
た発光パネルを、ＥＬパネルという。ＥＬパネルは表示装置の他、照明装置への応用が検
討されている。
【０００７】
異なる色を呈する光を発する発光素子が高精細に配置された多色のＥＬパネルは、作製が
困難である。例えば、シャドーマスク（メタルマスクともいう）を用いて、異なる色を呈
する光を発する発光素子をマトリクス状に形成する方法が知られているが、高精細なＥＬ
パネルの作製には不向きである。
【０００８】
他の方法としては、白色を呈する光を発する発光素子に重ねてカラーフィルタを設けた発
光モジュールを、高精細に配置する方法が知られている。例えば、フォトリソグラフィ法
を用いて高精細な第１の電極を、マトリクス状に複数形成し、該第１の電極とそれと重な
る第２の電極の間に白色を呈する光を発する層を設けて、白色を呈する光を発する高精細
な発光素子をマトリクス状に配置する。次いで、当該発光素子の各々に、赤色、緑色また
は青色等を呈する光を透過するカラーフィルタを重ねて設けて、発光色が異なる複数の発
光モジュールを備える発光パネルを作製する方法がある。
【０００９】
しかし、第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素
子が隣接して設けられた発光パネルにおいて、一の発光素子に与えた電力が隣接する他の
発光素子に分配されて、意図せず他の発光素子が発光してしまう現象（所謂クロストーク
現象）が生じてしまう場合がある。このようなクロストーク現象が生じる発光パネルが適
用された表示装置は高精細な画像の表示ができない。または、多色の発光パネルにおいて
所望の色を呈する光が得られなくなってしまうという問題が生じる。
【００１０】
なお、断面が逆テーパ状の絶縁性の隔壁を隣接する複数の発光素子の間に設けて、第１の
電極だけでなく、発光性の有機化合物を含む層と第２の電極を分断する構成が、例えばパ
ッシブマトリクス型の発光パネルに用いられている。当該隔壁が間に設けられた２つの画
素においては、クロストークの発生を防ぐことができる。しかし、断面が逆テーパ状の隔
壁が発光素子を囲むように設けられると、第２の電極が隣接する第２の電極から電気的に
孤立し、孤立した第２の電極に電力を供給できなくなってしまう。このような理由から、
断面が逆テーパ状の隔壁の配置は隣接する発光素子の第２の電極が少なくとも一方向に連
続するような配置に限定される。その結果、第２の電極が連続する画素の方向においては
、クロストークが発生してしまう場合がある。
【００１１】
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、ク
ロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供することを課題の一とする。または
、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルの作製方法を提供することを課題の一
とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一態様は、第１の電極と第２の電極の間に発光性の
有機化合物を含む層が挟持された発光素子が隣接して設けられた発光パネルの構成であっ
て、一方の発光素子の第１の電極と他方の発光素子の第１の電極を隔てる絶縁性の隔壁と
第２の電極との間に発光性の有機化合物を含む層が挟持される構成に着目した。また、当
該発光性の有機化合物を含む層を介して、一方の発光素子の第１の電極と他方の発光素子
の第２の電極の一部分間を流れる電流に着目した。
【００１３】
そして、発光性の有機化合物を含む層が、絶縁性の隔壁の側面と重なる部分に、第１の電
極と接する部分の厚さＡ０より薄い厚さＡ１の部分を含み、且つ隔壁の側面と重なる部分
の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電極の厚さＢ０から求めた
比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成に想到し、上記課題の解決に至った。
好ましくは、厚さＡ１が厚さＡ０の１／２より薄い。
【００１４】
すなわち、本発明の一態様は、基板上に一方の発光素子と他方の発光素子が隣接して設け
られた発光パネルであって、一方の発光素子の第１の電極と、他方の発光素子の第１の電
極と、当該２つの第１の電極を隔てる隔壁と、当該２つの第１の電極および隔壁に重なる
第２の電極と、当該２つの第１の電極および隔壁と接して、第２の電極との間に挟持され
る発光性の有機化合物を含む層と、を有する。加えて、発光性の有機化合物を含む層が、
隔壁の側面と重なる部分に、第１の電極と重なる部分の厚さＡ０の１／２より薄い厚さＡ
１の部分を含み、且つ隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と
重なる部分の第２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大
きい発光パネルである。
【００１５】
上記本発明の一態様の発光パネルは、一方の発光素子の第１の電極と、他方の発光素子の
第１の電極と、２つの第１の電極を隔てる絶縁性の隔壁を有し、発光性の有機化合物を含
む層が、隔壁の側面と重なる部分に、第１の電極と接する部分の厚さＡ０の１／２より薄
い厚さＡ１の部分を含み、第２の電極の隔壁の側面と重なる部分の厚さＢ１と、第１の電
極と重なる部分の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成
を有する。なお、本明細書において一の層の隔壁の側面と重なる部分の厚さとは、一の層
の当該隔壁の側面に対し鉛直な方向についての厚さをいう。
【００１６】
これにより、一方の発光素子と他方の発光素子の間に設けられた隔壁に重なる発光性の有
機化合物を含む層の厚さを薄くして、電気抵抗を高くでき、一方の発光素子と他方の発光
素子の間にある当該発光性の有機化合物を含む層を流れる電流を抑制できる。特に、発光
性の有機化合物を含む層が、隔壁の側面と重なる部分に、第１の電極と接する部分の厚さ
の１／２より薄い部分を含む構成においてその効果が顕著となり、その結果、クロストー
ク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。
【００１７】
また、本発明の一態様は、絶縁性の隔壁が基板に対し５５°以上１００°以下の角度をな
す側面を有する上述の発光パネルである。
【００１８】
上記本発明の一態様の発光パネルは、発光性の有機化合物を含む層の隔壁の側面と重なる
部分の厚さを、第１の電極と接する部分の厚さＡ０の１／２より薄くできる。これにより
、発光性の有機化合物を含む層の隔壁の側面と重なる部分に、導電性が抑制された領域が
形成され、一方の発光素子と他方の発光素子の間にある発光性の有機化合物を含む層を流
れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提
供できる。
【００１９】
また、本発明の一態様は、第２の電極が、隔壁の側面と重なる部分に、厚さが、第１の電
極と重なる部分より厚い部分を含む発光パネルである。
【００２０】
上記本発明の一態様の発光パネルは、第２の電極が、隔壁と重なる部分に、厚さが厚い部
分を含む。これにより、隔壁と重なる部分に、導電性が高められた領域が形成され、面状
に拡がる第２の電極の導電性を高める効果、所謂補助配線としての効果を奏する。その結
果、第２の電極の電気抵抗に起因する電圧降下を抑制して、電流が不均一に流れる現象を
防止し、均一な発光が得られる発光パネルを提供できる。
【００２１】
また、本発明の一態様は、正孔輸送性の高い物質および該正孔輸送性の高い物質に対する
アクセプター性物質を含む電荷発生領域と、発光ユニットと、を備える発光性の有機化合
物を含む層を有し、電荷発生領域は発光ユニットと第１の電極の間に設けられている、上
述の発光パネルである。
【００２２】
上記本発明の一態様の発光パネルは、正孔輸送性の高い物質と該正孔輸送性の高い物質に
対するアクセプター性物質を含む電荷発生領域を備える。また、電荷発生領域の隔壁の側
面と重なる部分の厚さが薄い。これにより、導電性が抑制され、当該電荷発生領域を介し
て一方の発光素子の第１の電極と他方の発光素子の発光ユニットの間に流れる電流を抑制
できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。
【００２３】
また、本発明の一態様は、電子輸送性の高い物質および該電子輸送性の高い物質に対する
ドナー性物質を含む電子注入バッファーと、発光ユニットと、を備える発光性の有機化合
物を含む層を有し、電子注入バッファーは発光ユニットと第１の電極の間に設けられてい
る、上述の発光パネルである。
【００２４】
上記本発明の一態様の発光パネルは、電子輸送性の高い物質および該電子輸送性の高い物
質に対するドナー性物質を含む電子注入バッファーを備える。また、電子注入バッファー
の隔壁の側面と重なる部分の厚さが薄い。これにより、導電性が抑制され、当該電子注入
バッファーを介して一方の発光素子の第１の電極と他方の発光素子の発光ユニットの間に
流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを
提供できる。
【００２５】
また、本発明の一態様は、複数の発光ユニットと、発光ユニットに挟まれた中間層と、を
備える発光性の有機化合物を含む層を有し、中間層が電子輸送性の高い物質と該電子輸送
性の高い物質に対するドナー性物質を含む電子注入バッファーを備える上述の発光パネル
である。
【００２６】
上記本発明の一態様の発光パネルは、発光ユニットに挟まれた中間層を有し、その中間層
は電子輸送性が高い物質と該電子輸送性の高い物質に対するドナー性物質を含む電子注入
バッファーを備える。これにより、一中間層に設けられた電子注入バッファーの隔壁の側
面と重なる部分の厚さが薄くなり、導電性が抑制されるため、中間層に設けられた電子注
入バッファーを介して一方の発光素子の第１の電極と他方の発光素子の発光ユニットの間
に流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネル
を提供できる。
【００２７】
また、本発明の一態様は、上述の発光パネルを備える発光装置である。
【００２８】
上記本発明の一態様の発光装置は、一方の発光素子の第１の電極と、他方の発光素子の第
１の電極と、当該２つの第１の電極を隔てる隔壁と、当該２つの第１の電極および隔壁と
接して、当該２つの第１の電極と第２の電極の間に挟持される発光性の有機化合物を含む
層と、を有する。加えて、発光性の有機化合物を含む層が、第１の電極と接する部分の厚
さＡ０の１／２より薄い厚さＡ１の部分を隔壁の側面と重なる部分に含み、且つ第２の電
極の隔壁の側面と重なる部分の厚さＢ１と、第２の電極の第１の電極と重なる部分の厚さ
Ｂ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を有して、クロストー
クが低減された発光パネルを備える。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発
光装置を提供できる。
【００２９】
また、本発明の一態様は、基板上に隣接する２つの第１の電極と、基板に対し５５°以上
１００°以下の角度をなす側面を備えて２つの第１の電極を隔てる絶縁性の隔壁と、を形
成する第１のステップと、基板に鉛直な方向に堆積する指向性を有する成膜方法を用いて
、発光性の有機化合物を含む層を形成する際に、発光性の有機化合物を含む層の隔壁の側
面と重なる部分の厚さＡ１が、発光性の有機化合物を含む層の第１の電極と重なる部分の
厚さＡ０の１／２より薄くなるように形成する第２のステップと、隔壁の側面に堆積する
成膜方法を用いて第２の電極を形成する際に、第２の電極の第１の電極と重なる部分の厚
さＢ０に対する、第２の電極の隔壁の側面と重なる部分の厚さＢ１の比（Ｂ１／Ｂ０）が
、（Ａ１／Ａ０）より大きくなるように形成する第３のステップと、を有する発光パネル
の作製方法である。
【００３０】
上記本発明の一態様の発光パネルの作製方法によれば、２つの第１の電極と、２つの第１
の電極を隔てる絶縁性の隔壁を形成できる。そして、発光性の有機化合物を含む層が、隔
壁の側面と重なる部分に、第１の電極と重なる部分の厚さＡ０の１／２より薄い厚さＡ１
の部分を形成できる。また、第２の電極の隔壁の側面と重なる部分の厚さＢ１と、第１の
電極と重なる部分の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きくで
きる。
【００３１】
これにより、一方の発光素子と他方の発光素子の間に設けられた隔壁に重なる発光性の有
機化合物を含む層の厚さを薄くして、一方の発光素子と他方の発光素子の間にある発光性
の有機化合物を含む層を流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発生が
抑制された発光パネルの作製方法を提供できる。
【００３２】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すもの
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一
態様である。
【００３３】
また、本明細書において、一対の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層において
、電子と正孔が再結合する領域を１つ含む層または積層体を発光ユニットという。
【００３４】
また、本明細書において、少なくとも電荷発生領域を有し、陰極側に隣接する層に正孔を
注入し、陽極側に隣接する層に電子を注入する層を中間層という。例えば、発光性の有機
化合物を含む層が、複数の発光ユニットを備える場合、発光ユニットの間には中間層が設
けられる。
【００３５】
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マ
トリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲス
ト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても
良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
【００３６】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けら
れたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓ
ｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むもの
とする。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の一態様によれば、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる
。または、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルの作製方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施の形態に係る発光パネルの構成を説明する図。
【図２】実施の形態に係る発光パネルの構成を説明する図。
【図３】実施の形態に係る発光パネルの作製方法を説明する図。
【図４】実施の形態に係る発光パネルの作製方法を説明する図。
【図５】実施の形態に係る発光素子の構成を説明する図。
【図６】実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。
【図７】実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。
【図８】実施例に係る発光パネルの構成を説明する図。
【図９】実施例に係る発光パネルおよび比較例に係る比較パネルの発光状態を説明する図。
【図１０】実施例に係る発光パネルおよび比較例に係る比較パネルの発光状態を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形
態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成にお
いて、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して
用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、隔壁の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ１が
、第１の電極と接する部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄く、
隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電
極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を備える発光
パネルについて図１および図２を参照して説明する。具体的には、表示装置に適用可能な
ＥＬパネルについて説明する。
【００４１】
本発明の一態様のＥＬパネルの構成を図１に示す。図１（Ａ）は本発明の一態様のＥＬパ
ネル１９０の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｊ−Ｋにおける断面図であ
る。
【００４２】
図１（Ａ）に例示するＥＬパネル１９０は、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１
５０ｂとの間に隔壁１４０を有する。また、図１（Ｂ）に示すように、ＥＬパネル１９０
は基板１００に設けられた絶縁層１０７上に一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１
５０ｂを有する。さらに、ＥＬパネル１９０は、第２の電極と、一方の発光素子１５０ａ
の第１の電極１５１ａ及び他方の発光素子１５０ｂの第１の電極１５１ｂに挟持された、
発光性の有機化合物を含む層１５３を有する。
【００４３】
一方の発光素子１５０ａは第１の電極１５１ａと、第２の電極の一部分１５２ａと、発光
性の有機化合物を含む層の一部分１５３ａと、を有し、他方の発光素子１５０ｂは第１の
電極１５１ｂと、第２の電極の一部分１５２ｂと、発光性の有機化合物を含む層の一部分
１５３ｂと、を有する。
【００４４】
第１の電極１５１ａと第１の電極１５１ｂは、絶縁層１０７上に形成された島状の導電層
であり、基板１００と絶縁層１０７の間に設けられた電極１０６ａ、または電極１０６ｂ
と電気的に接続されている。なお、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂに
適用可能な発光素子の構成は実施の形態３において詳細に説明する。
【００４５】
隔壁１４０は、第１の電極１５１ａと第１の電極１５１ｂの端部を覆い、第１の電極１５
１ａと重なる開口部と、第１の電極１５１ｂと重なる開口部を有する。隔壁１４０の側面
は基板１００に対し角度θを有する。また、隔壁１４０の端部を角度θより小さい角で第
１の電極１５１ａと接するように形成すると、隔壁１４０の端部における第１の電極１５
１ａと第２の電極１５２ａの短絡を防ぐことができるため、好ましい。
【００４６】
隔壁１４０は絶縁性であり、有機絶縁材料または無機絶縁材料である。特に感光性の樹脂
材料を用いると、第１の電極上に形成する開口部の側面の角度を容易に調整できるため好
ましい。
【００４７】
隔壁１４０の側面上には発光性の有機化合物を含む層の一部分１５３ｃが形成され、発光
性の有機化合物を含む層の一部分１５３ｃ上には第２の電極の一部分１５２ｃが形成され
ている。
【００４８】
隔壁１４０上に形成される第２の電極の一部分１５２ｃは、一方の発光素子１５０ａの第
２の電極の一部分１５２ａと、他方の発光素子１５０ｂの第２の電極の一部分１５２ｂを
電気的に接続している。
【００４９】
隔壁１４０の側面上に形成される発光性の有機化合物を含む層の一部分１５３ｃの厚さは
他の部分よりも薄いため、当該発光性の有機化合物を含む層の電気抵抗は隔壁１４０の側
面において他の領域より高い。電気抵抗が高い領域が隔壁１４０の側面に沿って形成され
るため、発光性の有機化合物を含む層１５３ｃを介して一方の発光素子と他方の発光素子
の間を流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パ
ネルを提供できる。
【００５０】
本発明の一態様の側面の角度が異なる隔壁の形態を図２に例示する。側面の角度が異なる
隔壁の各々について、以下に説明する。
【００５１】
＜隔壁の形態１．＞
本発明の一態様の隔壁の形態を図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）に示す隔壁１４０ａは、一
方の発光素子１５０ａの第１の電極１５１ａと、他方の発光素子１５０ｂの第１の電極１
５１ｂの端部を覆い、第１の電極１５１ａと重なる開口部と、第１の電極１５１ｂと重な
る開口部を有する。隔壁１４０ａの側面は基板１００に対し５５°以上１００°以下の角
度をなす側面を有し、具体的にはおよそ６５°の角度θａを有する。
【００５２】
隔壁１４０ａの側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さＡ１は、第
１の電極１５１ａと接する部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さＡ０の１／２
に比べ薄い。
【００５３】
また、隔壁１４０ａの側面と重なる部分の第２の電極１５２の厚さＢ１と第１の電極１５
１ａと重なる部分の第２の電極１５２の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）は、（Ａ１
／Ａ０）より大きく、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの第２の電極の
一部分は隔壁１４０ａの側面上に形成される第２の電極の一部分を介して互いに電気的に
接続される。
【００５４】
以上の構成により、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間に設けられた
隔壁１４０ａの側面に重なる部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さを薄くして
、電気抵抗を高くでき、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間にある発
光性の有機化合物を含む層１５３を流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現
象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。また、面状に広がる第２の電極１５２が
、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂを電気的に接続しているため、第１
の電極を選択して電圧を印加することにより、それぞれの発光素子を駆動できる。
【００５５】
＜隔壁の形態２．＞
本発明の一態様の隔壁の形態を図２（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）に示す隔壁１４０ｂは、一
方の発光素子１５０ａの第１の電極１５１ａと、他方の発光素子１５０ｂの第１の電極１
５１ｂの端部を覆い、第１の電極１５１ａと重なる開口部と、第１の電極１５１ｂと重な
る開口部を有する。隔壁１４０ｂの側面は基板１００に対し５５°以上１００°以下の角
度をなす側面を有し、具体的にはおよそ９０°の角度θｂを有する。
【００５６】
隔壁１４０ｂの側面には発光性の有機化合物を含む層が形成されないため、一方の発光素
子１５０ａの発光性の有機化合物を含む層１５３ａと他方の発光素子１５０ｂの発光性の
有機化合物を含む層１５３ｂは、隔壁１４０ｂにより分断される。
【００５７】
また、隔壁１４０ｂの側面と重なる部分には第２の電極１５２が形成され、一方の発光素
子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの第２の電極の一部分が隔壁１４０ｂの側面上に形
成される第２の電極の一部分を介して電気的に接続される。
【００５８】
これにより、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間を流れる電流を抑制
できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。また
、面状に広がる第２の電極１５２が一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂを
電気的に接続しているため、第１の電極を選択して電圧を印加することにより、それぞれ
の発光素子を駆動できる。
【００５９】
＜隔壁の形態３．＞
本発明の一態様の隔壁の形態を図２（Ｃ）に示す。図２（Ｃ）に示す隔壁１４０ｃは、一
方の発光素子１５０ａの第１の電極１５１ａと、他方の発光素子１５０ｂの第１の電極１
５１ｂの端部を覆い、第１の電極１５１ａと重なる開口部と、第１の電極１５１ｂと重な
る開口部を有する。隔壁１４０ｃの側面は基板１００に対し５５°以上１００°以下の角
度をなす側面を有し、具体的には１００°の角度θｃを有する。なお、図２（Ｃ）に示す
ように、隔壁１４０ｃの脚部とその上部の間に、上部の幅および脚部の幅より狭い部分を
設けることで、第１の電極と第２の電極が短絡する現象を防止できるため好ましい。
【００６０】
隔壁１４０ｃの側面には発光性の有機化合物を含む層が形成されないため、一方の発光素
子１５０ａの発光性の有機化合物を含む層１５３ａと他方の発光素子１５０ｂの発光性の
有機化合物を含む層１５３ｂは、隔壁１４０ｃにより分断される。
【００６１】
また、隔壁１４０ｃの側面と重なる部分には第２の電極１５２が形成され、一方の発光素
子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの第２の電極の一部分が隔壁１４０ｃの側面上に形
成される第２の電極の一部分を介して電気的に接続される。
【００６２】
これにより、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間を流れる電流を抑制
できる。その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。また
、面状に広がる第２の電極１５２が一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂを
電気的に接続しているため、第１の電極を選択して電圧を印加することにより、それぞれ
の発光素子を駆動できる。
【００６３】
上記本発明の一態様の発光パネルは、一方の発光素子の第１の電極と、他方の発光素子の
第１の電極と、２つの第１の電極を隔てる絶縁性の隔壁を有し、当該隔壁の側面と重なる
部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ１が、第１の電極と接する部分の発光性の有
機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄く、隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の
厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０
）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を有する。
【００６４】
これにより、一方の発光素子と他方の発光素子の間に設けられた隔壁の側面に重なる発光
性の有機化合物を含む層の厚さを薄くして、電気抵抗を高くでき、一方の発光素子と他方
の発光素子の間にある発光性の有機化合物を含む層を流れる電流を抑制できる。特に、隔
壁の側面に重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さが第１の電極と接する部分の
発光性の有機化合物を含む層の厚さの１／２より薄くなると、その効果が顕著となり、そ
の結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。
【００６５】
なお、発光素子が狭い間隔で配置された発光パネルは開口率が高まり、開口率が低いもの
に比べて、駆動電圧を低減できるため消費電力を低減できる。また、発光素子が狭い間隔
で配置された発光パネルを表示装置に用いると、高精細な画像を表示することが可能にな
る。しかしながら、一方の発光素子と他方の発光素子の間隔が小さいほど、クロストーク
現象は発生し易い。すなわち、高開口率の発光パネルや、高精細な発光パネルほど、クロ
ストーク現象が発生し易くなる。具体的には、隣接する発光素子の間隔が７μｍ以下であ
ると発生し易くなる。また、一インチあたり３５０以上の画素を含む（水平解像度が３５
０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ））場合にクロストーク現象が発生し易くな
り、特に４００ｐｐｉ以上の場合に顕著となる。
【００６６】
本発明の一態様の発光パネルは、このような高開口率な発光パネルや、高精細な発光パネ
ルであっても、クロストーク現象の発生を抑制できる。なお、本実施の形態は、本明細書
で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００６７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、隔壁の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ１が
、第１の電極と接する部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄く、
隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電
極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を備える発光
パネルの作製方法について図３を参照して説明する。
【００６８】
＜第１のステップ＞
基板１００の絶縁表面上に電極１０６ａを含む配線層を形成し、電極１０６ａを含む配線
層上に絶縁層１０７を形成する。次いで絶縁層１０７に、電極１０６ａに達する開口部を
形成し、第１の電極となる導電膜を成膜して電極１０６ａと電気的に接続する。次いで、
導電膜を島状に加工して、第１の電極１５１ａ、第１の電極１５１ｂを形成する。
【００６９】
次いで、絶縁性の隔壁１４０ａを形成する。隔壁１４０ａは、第１の電極１５１ａと第１
の電極１５１ｂの端部を覆い、第１の電極１５１ａと重なる開口部と、第１の電極１５１
ｂと重なる開口部を有するように形成する。また、隔壁１４０ａの側面が基板１００に対
し５５°以上１００°以下の角度θを備えるように形成する。
【００７０】
隔壁１４０ａの側面の角度θを調整する方法としては、例えばポジ型のフォトレジストを
用いて、ポジ型のフォトレジストの露光条件を適宜調節することにより、５５°以上およ
そ９０°以下の範囲で、側面の角度θを調節して隔壁を形成できる。
【００７１】
または、ネガ型のフォトレジストを用いることができ、マスクギャップを適宜調整するこ
とにより、およそ９０°以上１００°以下の範囲で、側面の角度θを調節して隔壁を形成
できる。
【００７２】
なお、絶縁性の隔壁１４０ａの側面の角度θを調節する方法はこれに限定されず、エッチ
ング法、アッシング法など、既知の方法を単独で、または組み合わせて適用できる（図３
（Ａ）参照）。
【００７３】
＜第２のステップ＞
次いで、発光性の有機化合物を含む層１５３を、一方の発光素子１５０ａの第１の電極１
５１ａと他方の発光素子１５０ｂの第１の電極１５１ｂおよび絶縁性の隔壁１４０ａの上
部に接して形成する。ここで、該２つの第１の電極に鉛直な方向に堆積する指向性を有す
る成膜方法１９１を用いて、発光性の有機化合物を含む層１５３を形成する。第１の電極
に鉛直な方向に堆積する指向性を有する成膜方法１９１を用いると、隔壁の側面と比較し
て、第１の電極の表面に優先的に成膜できる。
【００７４】
第１の電極に鉛直な方向に堆積する指向性を有する成膜方法としては、第１の電極の表面
に堆積する速度に比べて、第１の電極の表面と鉛直に交差する平面に堆積する速度が１／
１０以下である成膜方法が好ましい。第１の電極に鉛直な方向に堆積する指向性を有する
成膜方法１９１として、抵抗加熱法をその例に挙げることができる。
【００７５】
なお、絶縁性の隔壁１４０ａの側面が基板１００に対し５５°以上１００°以下の角度θ
を備えるため、第１の電極１５１ａに鉛直な方向に堆積する指向性を有する成膜方法１９
１を用いて発光性の有機化合物を含む層１５３を形成すると、隔壁１４０ａの側面に重な
る部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さＡ１は、第１の電極１５１ａと接する
部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さＡ０の１／２に比べ薄い（図３（Ｂ）参
照）。
【００７６】
これにより、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間に設けられた隔壁１
４０ａの側面に重なる部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さを薄くし、電気抵
抗を高くできるため、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間にある発光
性の有機化合物を含む層１５３を流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象
の発生が抑制された発光パネルを提供できる。
【００７７】
＜第３のステップ＞
次いで、第２の電極１５２を形成する。第２の電極１５２は、第１の電極１５１ａ、第１
の電極１５１ｂおよび絶縁性の隔壁１４０ａと重なり、且つ発光性の有機化合物を含む層
１５３と接するように形成する。なお、第２の電極１５２は、発光性の有機化合物を含む
層１５３の上だけでなく、絶縁性の隔壁１４０ａの側面にも充分な速度で堆積する成膜方
法１９２を用いる。絶縁性の隔壁１４０ａの側面にも堆積する成膜方法１９２を用いると
、隔壁１４０ａの側面にも第２の電極１５２が形成され、一方の発光素子１５０ａと他方
の発光素子１５０ｂの第２の電極を電気的に接続できる。
【００７８】
絶縁性の隔壁１４０ａの側面にも堆積する成膜方法１９２としては、第１の電極が設けら
れた基板と鉛直に交差する平面に堆積する速度が、基板と平行な表面に堆積する速度に対
して１／２以上１以下である成膜方法が好ましい。堆積する速度の比が１／２より小さい
と、隔壁の側面に重なる部分の第２の電極の厚さを厚くすることが困難になり、１より大
きいと第１の電極に重なる部分の第２の電極の成膜速度が遅くなってしまう。隔壁１４０
ａの側面にも堆積する成膜方法１９２としては、スパッタリング法をその例に挙げること
ができる（図３（Ｃ）参照）。
【００７９】
なお、絶縁性の隔壁１４０ａの側面にも堆積する成膜方法１９２を用いて第２の電極１５
２を形成すると、隔壁１４０ａの側面に重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電
極と重なる部分の第２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）を（Ａ１／Ａ０）よ
り大きくできる。その結果、隔壁１４０ａの側面に重なる部分の発光性の有機化合物を含
む層１５３の厚さを薄くして、電気抵抗を高くしながらも、一方の発光素子１５０ａと他
方の発光素子１５０ｂの第２の電極を電気的に接続できる。
【００８０】
＜発光パネルの作製方法の変形例＞
本発明の一態様の発光パネルの作製方法の変形例を、図４を参照して説明する。
【００８１】
上述の第１のステップにより、絶縁性の隔壁１４０ａの側面を、基板１００に対し５５°
以上、１００°以下の角度θとなるように形成する。
【００８２】
次いで、上述の第２のステップにより、発光性の有機化合物を含む層１５３を形成する。
これにより、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間に設けられた隔壁１
４０ａの側面に重なる部分の発光性の有機化合物を含む層１５３の厚さを薄く、電気抵抗
を高くして、一方の発光素子１５０ａと他方の発光素子１５０ｂの間にある発光性の有機
化合物を含む層１５３を流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発生が
抑制された発光パネルを提供できる。
【００８３】
次いで、本変形例では第３のステップとして、第２の電極１５２を、絶縁性の隔壁１４０
ａの側面に鉛直な方向に堆積する指向性を有する成膜方法１９３を用いて成膜する。
【００８４】
例えば、基板に対し６０°の角度θをなす隔壁の一方の側の側面にＢ１の厚さの第２の電
極を成膜すると、第１の電極上の第２の電極の厚さＢ０はＢ１×ｃｏｓ６０°となり、Ｂ
１のおよそ１／２倍となる（図４（Ｃ）参照）。このように、指向性を有する成膜方法を
隔壁の側面に向けると、隔壁の側面に優先して堆積できる。
【００８５】
本変形例では、指向性を有する成膜方法１９３を用いて隔壁１４０ａの一方（左側）の側
面に成膜を行う（図４（Ａ）参照）。続いて、指向性を有する成膜方法１９４を用いて隔
壁１４０ａの他方（右側）の側面に成膜を行う（図４（Ｂ）参照）。なお、第２の電極１
５２中にある点線は、成膜方法１９３を用いて形成された部分を表している。この方法に
よれば、第１の電極上より優先して隔壁１４０ａの両側面に第２の電極１５２を堆積でき
る。
【００８６】
なお、隔壁の側面が基板に対し６０°の角度θを有するとき、両側面に成膜を行うと、第
１の電極１５１ａまたは第１の電極１５１ｂ上の第２の電極１５２の厚さＢ０は、側面と
重なる部分の厚さＢ１と、およそ等しくなる。
【００８７】
そして、絶縁性の隔壁１４０ａの側面を基板１００に対し６０°より大きく９０°より小
さい角度θとなるように形成し、当該側面に鉛直な方向に堆積する指向性を有する成膜方
法を用いて成膜すると、隔壁１４０ａの側面に重なる部分の第２の電極を、第１の電極と
重なる部分より厚く成膜できる。
【００８８】
上記の本発明の一態様の発光パネルは、隔壁の側面と重なる部分において第２の電極の厚
さが厚い。これにより、第２の電極の隔壁の側面と重なる部分に、導電性が高められた領
域が形成され、面状に拡がる第２の電極の導電性を高める効果、所謂補助配線としての効
果を奏する。その結果、第２の電極の電気抵抗に起因する電圧降下を抑制して、電流が不
均一に流れる現象を防止し、均一な発光が得られる発光パネルを提供できる。
【００８９】
上記本発明の一態様の発光パネルの作製方法によれば、一方の発光素子の第１の電極と、
他方の発光素子の第１の電極と、２つの第１の電極を隔てる絶縁性の隔壁を形成できる。
そして、当該隔壁の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ１を、第１
の電極と接する部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄くできる。
また、隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第
２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）を（Ａ１／Ａ０）より大きくできる。
【００９０】
これにより、一方の発光素子と他方の発光素子の間に設けられた隔壁の側面に重なる部分
の発光性の有機化合物を含む層の厚さを薄くして、電気抵抗を高くでき、一方の発光素子
と他方の発光素子の間にある発光性の有機化合物を含む層を流れる電流を抑制できる。特
に、隔壁の側面に重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さが第１の電極と接する
部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さの１／２より薄くなると、その効果が顕著とな
り、その結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光パネルの作製方法を提供できる
。
【００９１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【００９２】
（実施の形態３）
本発明の一態様の発光パネルには、様々な構成の発光性の有機化合物を含む層を用いるこ
とができる。本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルに用いることができる一対
の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層の構成の一例について図５を参照して説
明する。
【００９３】
本実施の形態で説明する発光性の有機化合物を含む層を構成する層において、特に電気抵
抗が低い領域になりやすい層は、正孔輸送性の高い物質と該正孔輸送性の高い物質に対す
るアクセプター性物質を含む電荷発生層および／または電子輸送性の高い物質と該電子輸
送性の高い物質に対するドナー性物質を含む電子注入バッファーである。いずれの層もキ
ャリアを生成する物質（具体的にはアクセプター性物質またはドナー性物質）を含むこと
で、電気抵抗が低減されるからである。
【００９４】
一方の発光素子の第１の電極と、他方の発光素子の第１の電極が互いに分離されていても
、このように電気抵抗が低減された層が、発光ユニットよりも第１の電極側に設けられる
と、当該電気抵抗が低減された層を介して、一方の発光素子の第１の電極から他方の発光
素子に、または他方の発光素子の第１の電極から一方の発光素子に電流が流れ、クロスト
ークが発生してしまう。
【００９５】
よって、本発明の一態様には、一方の発光素子と他方の発光素子の間に設けられた隔壁の
側面に重なる部分の正孔輸送性の高い物質と該正孔輸送性の高い物質に対するアクセプタ
ー性物質を含む電荷発生層、および／または電子輸送性の高い物質と該電子輸送性の高い
物質に対するドナー性物質を含む電子注入バッファーの厚さが、他の部分より薄い構成も
含まれる。このような構成とすることにより、電荷発生層や電子注入バッファーに代表さ
れる層の電気抵抗を高くすることができ、一方の発光素子と他方の発光素子の間にある発
光性の有機化合物を含む層を流れる電流を抑制できる。その結果、クロストーク現象の発
生が抑制された発光パネルを提供できる。
【００９６】
また、上述の電荷発生層や電子注入バッファーに代表される電気抵抗が低い領域の厚さは
、薄い方が好ましい。具体的には、電気抵抗が低い領域の厚さは、第１の電極と重なる部
分において１００ｎｍ以下が好適であり、特に１０ｎｍ以下が好ましい。
【００９７】
このような構成とすると、電気抵抗が低い領域の厚さは、絶縁性の隔壁の側面と重なる部
分において５０ｎｍ以下、特に好ましくは５ｎｍ以下となる。その結果、当該隔壁の側面
に電気抵抗が高められた部分が形成される。特に厚さが５ｎｍ以下になると、層が広がる
方向において層が分断されて不連続になり、電気抵抗が急激に高まる。その結果、クロス
トーク現象の発生が抑制された発光パネルを提供できる。
【００９８】
本実施の形態で例示する発光素子は、第１の電極、第２の電極および第１の電極と第２の
電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。第１の電極また
は第２の電極のいずれか一方は陽極、他方が陰極として機能する。ＥＬ層は第１の電極と
第２の電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は第１の電極と第２の電極の材質に合わせて
適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれ
に限定されないことはいうまでもない。
【００９９】
＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図５（Ａ）に示す。図５（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１０１
と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。
【０１００】
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、Ｅ
Ｌ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。
注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する
。
【０１０１】
本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層ま
たは積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例１は発光ユニットを１
つ備えるということができる。
【０１０２】
発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく
、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）
物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子および
正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。
【０１０３】
発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図５（Ｂ）に示す。図５（Ｂ）に示す発光
ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子
輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されてい
る。
【０１０４】
＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の一例を図５（Ｃ）に示す。図５（Ｃ）に例示する発光素子は、陽極
１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。さら
に、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられている。
なお、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１
が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成
例１の記載を参酌できる。
【０１０５】
中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域
以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電
子リレー層１１０４ｂ、および電子注入バッファー１１０４ａが陰極１１０２側から順次
積層された構造を適用することができる。
【０１０６】
中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０
２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４
ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２へ移動し、電子は電子リレー層１
１０４ｂへ移動する。電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域
１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファー１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入
バッファー１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニ
ット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生
した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファー１１０４ａを経て、発光ユニ
ット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。
【０１０７】
また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子
注入バッファー１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしま
う等の相互作用を防ぐことができる。
【０１０８】
当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極
に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間
層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからであ
る。
【０１０９】
＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図５（Ｄ）に示す。図５（Ｄ）に例示する発光素子は、陽極
１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備えている。さ
らに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間
層１１０４が設けられている。
【０１１０】
なお、陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図５（Ｅ）に例
示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発
光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発
光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の
発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設
ける構成とする。
【０１１１】
また、当該発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１
と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例３の中間層１１０
４には、上述の発光素子の構成例２と同様の構成が適用可能である。よって、詳細につい
ては、発光素子の構成例１、または発光素子の構成例２の記載を参酌できる。
【０１１２】
発光ユニットの間に設けられた中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明す
る。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると
、中間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光
ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けら
れた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光
ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入
された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光
物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異な
る発光ユニットにおいて発光に至る。
【０１１３】
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成され
る場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの
一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発
生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
【０１１４】
発光素子の構成例１乃至構成例３は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、
発光素子の構成例３の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
【０１１５】
＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極
、陰極、並びにＥＬ層の順に説明する。
【０１１６】
＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金
、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、
例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若し
くは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚ
ｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が
挙げられる。
【０１１７】
これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル
法などを応用して作製しても構わない。例えば、インジウム−亜鉛酸化物膜は、酸化イン
ジウムに対し１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッ
タリング法により形成することができる。また、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有
した酸化インジウム膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％以上５
ｗｔ％以下、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下含有したターゲットを用いてスパ
ッタリング法により形成することができる。
【０１１８】
この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（
Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブ
デン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化
物、チタン酸化物等が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）
／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレン
スルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いても良い。
【０１１９】
但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せず
に様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大き
い材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を
構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。
【０１２０】
＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域１１０４ｃを、発光ユニット１１０３との間に
設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることが
できる。
【０１２１】
なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電
膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含む
インジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、Ｉ
ＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物など
を挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下
程度）の金属薄膜を用いることもできる。
【０１２２】
＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下
に具体例を示す。
【０１２３】
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、
例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物
、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）
や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３
，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１２４】
なお、第２の電荷発生領域を用いて正孔注入層を形成してもよい。正孔注入層に第２の電
荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いる
ことができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１
の電荷発生領域と共に後述する。
【０１２５】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正
孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性
の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、
発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１２６】
正孔輸送性の高い物質としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミ
ン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリ
フェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９
−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリ
ス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：Ｍ
ＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−
Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物が挙げら
れる。または、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−
フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール
（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾ
ール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）などが
挙げられる。または、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、
１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）
、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール
（略称：ＣｚＰＡ）、などのカルバゾール誘導体が挙げられる。
【０１２７】
これ以外にも、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルト
リフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフ
ェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミ
ド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’
−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を正孔
輸送層に用いることができる。
【０１２８】
＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層
以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることがで
きる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好まし
い。
【０１２９】
発光物質として用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４
−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４
，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’
−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−
（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）
トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０
−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：Ｐ
ＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：
ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２
−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、
Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−
ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フ
ェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ
’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−
テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−ア
ントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰ
Ａ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−
Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ
−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４
−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフ
ェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェ
ニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−
２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルア
ントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアント
ラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル
−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［
４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデ
ン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，
６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］
−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’
，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ
−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチル
フェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−
ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル
−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）
エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、
２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６
，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−
４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６
−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリ
デン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メ
トキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−
ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロ
パンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、ＳＤ１（商品名；ＳＦＣ  Ｃｏ．，  Ｌｔ
ｄ製）などが挙げられる。
【０１３０】
発光物質として用いることができる燐光性化合物としては、例えば、ビス［２−（４’，
６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス
（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロ
フェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒ
ｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ
，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉ
ｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェ
ニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２−フ
ェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ
）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，４−ジフェニル
−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル
）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラ
ト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）２
（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ
，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａ
ｃａｃ）］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）
アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセト
ナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２
，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）
２（ａｃａｃ）］）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ
，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（アセチルアセトナ
ト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈ
ｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナント
ロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１
−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）
ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（２，３，５−
トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）などが挙げられる。
【０１３１】
発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励
起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
【０１３２】
ホスト材料として用いることができる材料としては、ＮＰＢ（略称）、ＴＰＤ（略称）、
ＴＣＴＡ（略称）、ＴＤＡＴＡ（略称）、ＭＴＤＡＴＡ（略称）、ＢＳＰＢ（略称）、な
どの芳香族アミン化合物、ＰＣｚＰＣＡ１（略称）、ＰＣｚＰＣＡ２（略称）、ＰＣｚＰ
ＣＮ１（略称）、ＣＢＰ（略称）、ＴＣＰＢ（略称）、ＣｚＰＡ（略称）、９−フェニル
−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略
称：ＰＣｚＰＡ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）などのカルバゾール誘導体を用いるこ
とができる。または、ＰＶＫ（略称）、ＰＶＴＰＡ（略称）、ＰＴＰＤＭＡ（略称）、Ｐ
ｏｌｙ−ＴＰＤ（略称）などの高分子化合物を含む正孔輸送性の高い物質を用いることが
できる。または、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（
４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒド
ロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、
キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体を用いることができる。または
、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（Ｂ
ＯＸ）２）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：
Ｚｎ（ＢＴＺ）２）、などのオキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体を用
いることができる。または、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略
称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イ
ル）フェニル］カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェ
ニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡ
Ｚ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）
などの電子輸送性の高い物質を用いることができる。
【０１３３】
＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電
子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性
の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、
発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１３４】
電子輸送性の高い物質としては、例えばＡｌｑ（略称）、Ａｌｍｑ３（略称）、ＢｅＢｑ
２（略称）、ＢＡｌｑ（略称）などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金
属錯体等を用いることができる。または、Ｚｎ（ＢＯＸ）２（略称）、Ｚｎ（ＢＴＺ）２
（略称）などのオキサゾール系や、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いるこ
とができる。または、ＰＢＤ（略称）、ＯＸＤ−７（略称）、ＣＯ１１（略称）、ＴＡＺ
（略称）、ＢＰｈｅｎ（略称）、ＢＣＰ（略称）、２−［４−（ジベンゾチオフェン−４
−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＤＢＴＢＩｍ−
ＩＩ）などが挙げられる。
【０１３５】
これ以外にも、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピ
リジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオ
レン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称
：ＰＦ−ＢＰｙ）、などの高分子化合物を電子輸送層に用いることができる。
【０１３６】
＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電
子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成
とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減で
きるため好ましい。
【０１３７】
電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウ
ム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム
（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。
また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属またはアルカリ土類金属または、マグネシ
ウム（Ｍｇ）、またはそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム
（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。
【０１３８】
＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、および第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質と
該正孔輸送性の高い物質に対するアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生
領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質と該正孔輸送性の高い物質に対するアクセプタ
ー性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物
質を含む層とが積層されていても良い。但し、第１の電荷発生領域を陰極側に設ける積層
構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となり、第
２の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が
陽極１１０１と接する構造となる。
【０１３９】
なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．
０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。
【０１４０】
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表におけ
る第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリ
ブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している
。
【０１４１】
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カル
バゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー
等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ
以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の
高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１４２】
＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質
がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１
０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷
発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー
層が接する発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ
−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。
【０１４３】
電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合
芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため
電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物
のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電
子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。
【０１４４】
ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルー３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシルー
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ  ＰＴＣ）等が挙
げられる。
【０１４５】
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］
フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。
【０１４６】
その他にも、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４
，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロ
ペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’
−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８，ペンタデカフ
ルオロオクチル−１、４、５、８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣ
ＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，
５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン（略称：ＤＣＭＴ）、メタ
ノフラーレン（例えば［６，６］−フェニルＣ６１酪酸メチルエステル）等を電子リレー
層１１０４ｂに用いることができる。
【０１４７】
＜電子注入バッファーに用いることができる材料＞
電子注入バッファー１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１
０３への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー１１０４ａを第１の電荷
発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を
緩和することができる。
【０１４８】
電子注入バッファー１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、お
よびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭
酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩
を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０１４９】
また、電子注入バッファー１１０４ａが、電子輸送性の高い物質と該電子輸送性の高い物
質に対するドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質
量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。な
お、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれ
らの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウ
ムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物
、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）
）の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセ
ン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説
明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材
料を用いて形成することができる。
【０１５０】
＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第１の電極上にこれらの層を適宜組み合
わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾
式法や湿式法等）を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法または
スピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成しても
よい。ＥＬ層上に第２の電極を形成し、発光素子を作製する。
【０１５１】
以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製するこ
とができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は
発光物質の種類を変えることにより選択できる。
【０１５２】
また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて
、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含
む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈す
る光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、
あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
【０１５３】
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるも
のとする必要があり、例えば、青色、緑色、赤色を呈する光を発する層を備える構成とす
ればよい。
【０１５４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【０１５５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光パネルを用いた発光装置について図６を参照し
て説明する。具体的には、隔壁の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さ
Ａ１が、第１の電極と接する部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より
薄く、隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第
２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を備え
、発光が第２の電極側に取り出されるアクティブマトリクス型およびパッシブマトリクス
型の発光装置（トップエミッション方式ともいう）について説明する。
【０１５６】
＜アクティブマトリクス型の発光装置＞
アクティブマトリクス型の発光装置に適用した場合の構成を図６に示す。なお、図６（Ａ
）は、発光装置の上面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面
図である。
【０１５７】
アクティブマトリクス型の発光装置１４００は、駆動回路部（ソース側駆動回路）１４０
１、画素部１４０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１４０３、封止基板１４０４、シ
ール材１４０５を備える（図６（Ａ）参照）。なお、シール材１４０５で囲まれた内側は
、空間になっている。
【０１５８】
発光装置１４００は外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１４
０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。
なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）
が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく
、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５９】
次に、発光装置１４００の構成について図６（Ｂ）に示す断面図を用いて説明する。発光
装置１４００は、素子基板１４１０上に図示されたソース側駆動回路１４０１を含む駆動
回路部および、図示された画素を含む画素部１４０２を備える。また、ソース側駆動回路
１４０１およびゲート側駆動回路１４０３に入力される信号を伝送するための引き回し配
線１４０８を備える。
【０１６０】
なお、本実施の形態ではソース側駆動回路１４０１がｎチャネル型トランジスタ１４２３
とｐチャネル型トランジスタ１４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む構成について
例示するが、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路また
はＮＭＯＳ回路で構成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成し
たドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に
形成することもできる。
【０１６１】
＜トランジスタの構成＞
なお、トランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることが
できる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコンの他、酸化物半導体などを用
いることができる。
【０１６２】
また、トランジスタのチャネルが形成される領域に、単結晶半導体を用いることができる
。単結晶半導体をチャネル形成領域に用いると、トランジスタサイズを微細化することが
可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。
【０１６３】
半導体層を構成する単結晶半導体としては、代表的には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲ
ルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第１４族元素でなる単結晶半導
体基板、化合物半導体基板（ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＧａＮ基板等）などの半導体
基板を用いることができる。好適には、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ
（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。
【０１６４】
ＳＯＩ基板の作製方法としては、鏡面研磨ウェハーに酸素イオンを注入した後、高温加熱
することにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠
陥を消滅させて作る方法、水素イオン照射により形成された微小ボイドの熱処理による成
長を利用して半導体基板を劈開する方法や、絶縁表面上に結晶成長により単結晶半導体層
を形成する方法等を用いることができる。
【０１６５】
本実施の形態では、単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、単結晶半導体基
板の一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、単結晶半導体基板の一つの面上、また
は素子基板１４１０上のどちらか一方に絶縁層を形成する。単結晶半導体基板と素子基板
１４１０を、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆弱化層に亀裂を生じさせ、単結晶半
導体基板を脆弱化層で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より半導体層として単結
晶半導体層を素子基板１４１０上に形成する。なお、素子基板１４１０としては、ガラス
基板を用いることができる。
【０１６６】
また、半導体基板に絶縁分離領域を形成し、絶縁分離された半導体領域を用いてトランジ
スタ１４１１、１４１２を形成してもよい。
【０１６７】
単結晶半導体をチャネル形成領域として用いることで、結晶粒界における結合の欠陥に起
因する、トランジスタのしきい値電圧等の電気的特性のばらつきを軽減できるため、本発
明の一態様の表示装置は、各画素にしきい値電圧補償用の回路を配置しなくても正常に発
光素子を動作させることができる。したがって、一画素における回路要素を削減すること
が可能となるため、レイアウトの自由度が向上する。よって、表示装置の高精細化を図る
ことができる。例えば、マトリクス状に配置された複数の画素を一インチあたり３５０以
上含む（水平解像度が３５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）以上である）、
さらに好ましくは４００以上含む（水平解像度が４００ｐｐｉ以上である）構成とするこ
とが可能となる。
【０１６８】
さらに、単結晶半導体をチャネル形成領域として用いたトランジスタは、高い電流駆動能
力を維持したまま、微細化が可能である。該微細なトランジスタを用いることで表示に寄
与しない回路部の面積を縮小することができるため、表示部においては表示面積が拡大し
、かつ表示装置の狭額縁化が達成できる。
【０１６９】
＜画素部の構成＞
また、画素部１４０２は複数の画素を備える。画素は発光素子１４１８と、発光素子１４
１８の第１の電極１４１３にドレイン電極が接続された電流制御用トランジスタ１４１２
と、スイッチング用トランジスタ１４１１と、を有する。画素部１４０２には、例えば実
施の形態１で例示した構成を適用できる。
【０１７０】
発光パネルに設けられた発光素子１４１８は、第１の電極１４１３と、第２の電極１４１
７と、発光性の有機化合物を含む層１４１６と、を有する。なお、隔壁１４１４が第１の
電極１４１３の端部を覆って形成されている。
【０１７１】
隔壁１４１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面が形成されるようにする。隔
壁１４１４は、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射
によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。例えば、
隔壁１４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁１４１４の上端部
のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。ここで
は、ポジ型の感光性ポリイミド膜を用いることにより形成する。
【０１７２】
なお、隔壁を遮光性とすると、発光パネルに設けられた反射性の膜による外光の反射を抑
制できる。発光素子１４１８の外側に延在する反射膜が、外光を反射すると発光装置のコ
ントラストが低下してしまうため、鮮やかな発光を得られない。隔壁を遮光性とする場合
は、黒色に着色した樹脂層を用いて形成できる。
【０１７３】
発光素子１４１８の構成としては、例えば実施の形態３で例示した発光素子の構成を適用
できる。
【０１７４】
具体的には、発光性の有機化合物を含む層１４１６に白色を呈する光を発する構成を適用
できる。
【０１７５】
また、カラーフィルタ１４３４を発光素子１４１８と重なる位置に設けることができる。
また、遮光性の膜１４３５（ブラックマトリクスともいう）を隣接する発光素子の間の隔
壁に重ねて設けることができる。なお、カラーフィルタ１４３４および遮光性の膜１４３
５は、いずれも封止基板１４０４に設けることができる。
【０１７６】
また、発光素子１４１８の第１の電極１４１３と第２の電極１４１７を用いて、微小共振
器（マイクロキャビティともいう）を構成できる。例えば、第１の電極１４１３に発光性
の有機化合物を含む層１４１６が発する光を反射する導電膜を用い、第２の電極１４１７
に、当該光の一部を反射し、一部を透過する半透過・半反射性の導電膜を用いて構成でき
る。
【０１７７】
また、光学調整層を第１の電極と第２の電極の間に設けることができる。光学調整層は反
射性の第１の電極１４１３と半透過・半反射性の第２の電極１４１７の間の光学距離を調
整する層であり、光学調整層の厚さを調整することにより、第２の電極１４１７から優先
的に取り出す光の波長を調整できる。
【０１７８】
光学調整層に用いることができる材料としては、発光性の有機化合物を含む層を適用でき
る。例えば、電荷発生領域を用いて、その厚さを調整してもよい。特に正孔輸送性の高い
物質と該正孔輸送性の高い物質に対するアクセプター性物質を含む領域を光学調整層に用
いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
【０１７９】
また、光学調整層に用いることができる他の材料としては、発光性の有機化合物を含む層
１４１６が発する光を透過する透光性の導電膜を適用できる。例えば、反射性の導電膜の
表面に該透光性を有する導電膜を積層して、第１の電極１４１３を構成できる。この構成
によれば、隣接する第１の電極の光学調整層の厚さを変えることが容易であるため好まし
い。
【０１８０】
＜封止構造＞
本実施の形態で例示する発光装置１４００は、素子基板１４１０、封止基板１４０４、お
よびシール材１４０５で囲まれた空間１４０７に、本発明の一態様の発光パネルに設けら
れた発光素子１４１８を封止する構造になっている。なお、空間１４０７には、充填材が
充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１４
０５で充填される場合もある。また、乾燥剤など不純物の吸着材を設けても良い。
【０１８１】
シール材１４０５および封止基板１４０４は、大気中の不純物（例えば水分や酸素）をで
きるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材１４０５にはエポキシ系樹脂や
、ガラスフリット等を用いることができる。
【０１８２】
封止基板１４０４に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板
や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をそ
の例に挙げることができる。
【０１８３】
隔壁１４１４上にスペーサ１４３３を設けることができる。スペーサ１４３３は球状であ
っても、柱状であってもよく、湾曲した上面を有していてもよい。また、スペーサ１４３
３は電気的に絶縁している材料を用いて形成してもよい。スペーサ１４３３を隔壁１４１
４上に設けると、外力が加わり撓んだ封止基板１４０４が発光素子１４１８を傷つける現
象を防止できる。
【０１８４】
上述した本発明の一態様のアクティブマトリクス型の発光装置は、隔壁の側面と重なる部
分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ１が、第１の電極と接する部分の発光性の有機
化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄く、隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚
さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）
が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を備える本発明の一態様の発光パネルを搭載する。その
結果、クロストーク現象の発生が抑制された発光装置を提供できる。
【０１８５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、隔壁の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ１が
、第１の電極と接する部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０の１／２より薄く、
隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重なる部分の第２の電
極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大きい構成を備える本発
明の一態様の発光パネルを搭載した発光装置の一例について、図７を用いて説明する。
【０１８６】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビ
ジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデ
オカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置
ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲー
ム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図７に示す。
【０１８７】
図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐
体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示す
ることが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは
、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１８８】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー
７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機
７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１８９】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１９０】
図７（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キー
ボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。
なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１９１】
図７（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成され
ており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７
３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図７
（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、
ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１
１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学
物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えて
いる。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３
０４および表示部７３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付
属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記
録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、
他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図７（Ｃ）に
示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１９２】
図７（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に
組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピ
ーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装
置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１９３】
図７（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１９４】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１９５】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
【０１９６】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表
示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１９７】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、または筐体７４０１の操
作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１９８】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１９９】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０２００】
図７（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光源
として本発明の一態様の発光装置７５０３ａ〜７５０３ｄが組み込まれている。照明装置
７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。
【０２０１】
また、本発明の一態様の発光装置は、発光パネルが薄膜状であるため、曲面を有する基体
に貼り付けることで、曲面を有する発光装置とすることができる。また、その発光装置を
、曲面を有する筐体に配置することで、曲面を有する電子機器または照明装置を実現する
ことができる。
【０２０２】
上述した本発明の一態様の発光装置は、隔壁の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を
含む層の厚さＡ１が、第１の電極と接する部分の発光性の有機化合物を含む層の厚さＡ０
の１／２より薄く、隔壁の側面と重なる部分の第２の電極の厚さＢ１と、第１の電極と重
なる部分の第２の電極の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が（Ａ１／Ａ０）より大き
い構成を備える本発明の一態様の発光パネルを搭載する。その結果、クロストーク現象の
発生が抑制された発光装置を提供できる。
【０２０３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
【実施例】
【０２０４】
＜発光パネルの構成＞
本実施例で例示する発光パネルの構造を図８に示す。発光パネル２９０はガラス製の基板
２００上に層間膜２０７を介して一方の発光素子２５０ａと、他方の発光素子２５０ｂが
形成されている。また、隔壁２４０が、一方の発光素子２５０ａの第１の電極２５１ａと
他方の発光素子２５０ｂの第１の電極２５１ｂの間に形成されている（図８（Ａ）参照）
。
【０２０５】
基板２００としてＳＯＩ基板を用いた。ＳＯＩ基板は、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラ
スの表面に成膜された厚さ１００ｎｍの酸化珪素膜上に、厚さ５０ｎｍの単結晶シリコン
層を形成して用いた。なお、基板２００には、該単結晶シリコン層を用いてトランジスタ
（図示しない）が形成されている。トランジスタは該単結晶シリコン層をチャネル形成領
域に備え、４０ｎｍの酸化窒化珪素膜をゲート絶縁膜に、３０ｎｍの窒化タンタル層と３
７０ｎｍのタングステン層の積層体をゲート電極に備える。また、単結晶シリコン層のチ
ャネル形成領域を挟む領域に形成された不純物が添加された領域を、ソース電極およびド
レイン電極とする。該トランジスタは５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を封止膜に備え、さらに
その上に２８０ｎｍの窒化酸化珪素膜と６００ｎｍの酸化窒化珪素膜を絶縁膜に備える。
【０２０６】
該絶縁膜上には、１００ｎｍのチタン層と、９００ｎｍのアルミニウム層と、１００ｎｍ
のチタン層と、がこの順に積層された配線層が設けられている。また、厚さが１．４μｍ
のポリイミド膜が層間膜２０７として該配線層を覆って形成されている（図８（Ａ）参照
）。
【０２０７】
一方の発光素子２５０ａの第１の電極２５１ａは、２００ｎｍのアルミニウム−チタン合
金膜とその上に厚さ６ｎｍのチタン膜を積層した積層体を反射電極とし、その上に光学調
整層として厚さ９０ｎｍの酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜が積
層されている。
【０２０８】
また、他方の発光素子２５０ｂの第１の電極２５１ｂは、２００ｎｍのアルミニウム−チ
タン合金膜とその上に厚さ６ｎｍのチタン膜が積層されている。
【０２０９】
隔壁２４０は、第１の電極２５１ａと第１の電極２５１ｂに重なる開口部を有し、第１の
電極２５１ａと第１の電極２５１ｂの端部を覆う厚さ１．４μｍのポリイミド膜で形成さ
れている。
【０２１０】
＜発光性の有機化合物を含む層の構成＞
図８（Ｃ）に発光性の有機化合物を含む層２５３の構成を示す。発光性の有機化合物を含
む層２５３は、中間層（１５０４）を挟んで２つのＥＬ層（第１のＥＬ層１５０３ａと第
２のＥＬ層１５０３ｂ）が設けられた構造（タンデム構造ともいう）を備える。
【０２１１】
第１のＥＬ層１５０３ａは、第１の電極２５１上に正孔注入層１５１１、第１の正孔輸送
層１５１２、第１の発光層１５１３、第１の電子輸送層１５１４ａ、および第２の電子輸
送層１５１４ｂをこの順に備える。
【０２１２】
中間層１５０４は、電子輸送層１５１４ｂ上に、電子注入バッファー１５０４ａ、電子リ
レー層１５０４ｂ、および電荷発生領域１５０４ｃをこの順に備える。
【０２１３】
第２のＥＬ層１５０３ｂは、中間層１５０４上に、第２の正孔輸送層１５２２、第２の発
光層１５２３ａ、第３の発光層１５２３ｂ、第３の電子輸送層１５２４ａ、第４の電子輸
送層１５２４ｂ、および電子注入層１５２５をこの順に備える。
【０２１４】
上記のＥＬ層を構成する材料の詳細を表１に示す。
【表１】
2020194791.tif 000003
【０２１５】
第２の電極２５２は、１５ｎｍの銀・マグネシウム合金膜上に７０ｎｍのインジウム錫酸
化物（ＩＴＯともいう）を積層した導電膜を用いた。銀・マグネシウム合金膜は重量比１
０：１（＝Ａｇ：Ｍｇ）で共蒸着して形成した。
【０２１６】
また、本実施例で用いる一部の有機化合物の構造式を以下に示す。
【０２１７】
【化１】
2020194791.tif 000004
【０２１８】
【化２】
2020194791.tif 000005
【０２１９】
（発光パネルの作製）
次に、発光パネル２９０の作製方法について説明する。
【０２２０】
まず、ガラス基板上に厚さ１００ｎｍの酸化珪素膜を形成し、その上に単結晶シリコン層
を形成して、ＳＯＩ基板を形成する。単結晶シリコン層が形成されたＳＯＩ基板上に、ト
ランジスタを形成する方法としては、既知の方法を用いることができる。
【０２２１】
次いで、層間膜２０７にスパッタリング法を用いて反射膜を形成した。本実施例では、ア
ルミニウム−チタン合金膜２００ｎｍとその上にチタン膜６ｎｍを積層した積層膜を反射
膜に用いた。
【０２２２】
次に、該積層膜上に光学調整層となる酸化珪素を含むインジウムスズ酸化物（略称：ＩＴ
ＳＯ）膜を必要に応じて所望の膜厚となるようにスパッタリング法にて成膜し、一方の発
光素子２５０ａの第１の電極２５１ａおよび他方の発光素子２５０ｂの第１の電極２５１
ｂを形成した。
【０２２３】
次に、一方の発光素子２５０ａおよび他方の発光素子２５０ｂの第１の電極上に開口部を
有する隔壁２４０を形成した。ポジ型の感光性のポリイミドを塗布し、フォトマスクを介
して露光し、不要な部分を現像により除去し、その後、焼成して隔壁２４０を形成した。
なお、焼成はあらかじめ２５０℃に設定された焼成炉に基板を投入し、焼成炉を降温する
ことなく焼成後の基板を取り出した。
【０２２４】
次に、反射膜が形成された面を下方に向けて、ガラス製の基板２００を真空蒸着装置内に
設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した。
【０２２５】
次に、正孔注入層１５１１を第１の電極上に形成した。正孔注入層１５１１は９−フェニ
ル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（
略称：ＰＣｚＰＡ）と酸化モリブデンとを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合
物とを複合してなる複合材料を含む層を用いた。複合材料を含む層の膜厚は２０ｎｍとし
、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、重量比で２：１（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデ
ン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源を用い
て、複数の材料を同時に蒸着する方法を指す。
【０２２６】
次に、正孔輸送層１５１２を正孔注入層１５１１上に形成した。正孔輸送層１５１２は抵
抗加熱を用いた蒸着法により、ＰＣｚＰＡを２０ｎｍの膜厚となるように成膜した。
【０２２７】
次に、第１の発光層１５１３を正孔輸送層１５１２上に形成した。第１の発光層１５１３
は９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略
称ＣｚＰＡ）およびＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９
−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略
称１，６−ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）を３０ｎｍの膜厚となるように共蒸着して形成した
。ＣｚＰＡおよび１，６−ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎの重量比は、１：０．０５（＝ＣｚＰ
Ａ：１，６−ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）となるように蒸着レートを調整した。
【０２２８】
次に、電子輸送層を第１の発光層１５１３上に形成した。電子輸送層は、第１の電子輸送
層１５１４ａと第２の電子輸送層１５１４ｂからなる。なお、第１の電子輸送層１５１４
ａとしてＣｚＰＡを５ｎｍ、その上に第２の電子輸送層１５１４ｂとしてバソフェナント
ロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を１５ｎｍの膜厚となるように成膜した。
【０２２９】
次に、電子注入バッファー１５０４ａを電子輸送層１５１４上に形成した。電子注入バッ
ファー１５０４ａは、カルシウムを１ｎｍの膜厚となるように成膜した。
【０２３０】
次に、電子リレー層１５０４ｂを電子注入バッファー１５０４ａ上に形成した。電子リレ
ー層１５０４ｂは、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍの膜厚となる
ように成膜した。
【０２３１】
次に、電荷発生領域１５０４ｃを電子リレー層１５０４ｂ上に形成した。電荷発生領域１
５０４ｃは、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンとを共蒸着することにより、有機化合物と無機
化合物とを複合してなる複合材料を含む層を用いた。複合材料を含む層の膜厚は３０ｎｍ
とし、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、重量比で２：１（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリ
ブデン）となるように調節した。
【０２３２】
次に、正孔輸送層１５２２を電荷発生領域１５０４ｃ上に形成した。正孔輸送層１５２２
は抵抗加熱を用いた蒸着法により、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９
−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜
した。
【０２３３】
次に、第２の発光層１５２３ａを正孔輸送層１５２２上に形成した。第２の発光層１５２
３ａは２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノ
キサリン（略称２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称ＰＣＢＡ１ＢＰ）および（アセ
チルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２ａｃａｃ）を２０ｎｍの膜厚となるように共蒸着して形成し
た。２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰおよびＩｒ（ｍｐｐｍ）２ａｃａｃの重
量比は、０．８：０．２：０．０６（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉ
ｒ（ｍｐｐｍ）２ａｃａｃ）となるように蒸着レートを調整した。
【０２３４】
次に、第３の発光層１５２３ｂを第２の発光層１５２３ａ上に形成した。第３の発光層１
５２３ｂは２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩおよび（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５
−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２ｄｐｍ）
を２０ｎｍの膜厚となるように共蒸着して形成した。２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩおよびＩ
ｒ（ｔｐｐｒ）２ｄｐｍの重量比は、１：０．０２（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２ｄｐｍ）となるように蒸着レートを調整した。
【０２３５】
次に、電子輸送層を第３の発光層１５２３ｂ上に形成した。電子輸送層は、第３の電子輸
送層１５２４ａと第４の電子輸送層１５２４ｂからなる。なお、第３の電子輸送層１５２
４ａとして２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを１５ｎｍ、その上に第４の電子輸送層１５２４ｂ
としてＢＰｈｅｎを１５ｎｍの膜厚となるように成膜した。
【０２３６】
次に、電子注入層１５２５を第４の電子輸送層１５２４ｂ上に形成した。電子注入層１５
２５としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、１ｎｍの膜厚となるように蒸着した。
【０２３７】
最後に、第２の電極２５２を電子注入層１５２５上に形成した。第２の電極２５２は、抵
抗加熱を用いた蒸着法により、銀（Ａｇ）およびマグネシウム（Ｍｇ）を１０ｎｍの膜厚
となるように共蒸着し、さらにインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＯ）を７０ｎｍの膜厚と
なるようにスパッタリング法を用いて形成して、発光パネル２９０を作製した。ＡｇとＭ
ｇの体積比は、１０：１（＝Ａｇ：Ｍｇ）となるように蒸着レートを調整した。
【０２３８】
以上により得られた発光パネル２９０を大気に曝さないように窒素雰囲気のグローブボッ
クス内において封止した。
【０２３９】
次いで、この発光素子がマトリクス状に配設された発光パネル２９０から、一方の発光素
子２５０ａを含む列のみを駆動して、隣接する発光素子へのクロストークを確認した結果
を示す。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２４０】
＜評価結果＞
隔壁２４０の側面と重なる部分の発光性の有機化合物を含む層２５３の厚さＡ１が、第１
の電極２５１ａと接する部分の発光性の有機化合物を含む層２５３の厚さＡ０の１／２よ
り薄く、その厚さの比（Ａ１／Ａ０）は４２％であった（図８（Ｂ）参照）。
【０２４１】
また、隔壁２４０の側面と重なる部分の第２の電極２５２の厚さＢ１と、第１の電極２５
１ａと重なる部分の第２の電極２５２の厚さＢ０から求めた比（Ｂ１／Ｂ０）が５８％で
あり、（Ａ１／Ａ０）に相当する４２％より大きかった。
【０２４２】
なお、基板２００に対する隔壁２４０の側面の角度は、５６°であった。
【０２４３】
本実施例で作製した発光パネルの発光状態を、光学顕微鏡とＣＣＤカメラを用いて観察し
た結果を図９（Ａ）に示す。図には画像信号により選択され、駆動回路により電力が供給
された一行の青色の画素と一列の青色の画素が、交差する部分が示されている。なお、青
色の画素の左側には赤色の画素が配置され、右側には緑色の画素が配置されている。図９
（Ａ）から、選択された青色の画素に隣接する赤色または緑色の画素は、ほとんど発光し
ておらず、クロストーク現象の発生が抑制されていた。
【０２４４】
また、図９（Ａ）に示す切断線Ａ１−Ｂ１においてＣＣＤカメラが捉えた明るさを、その
位置に対しプロットしたものを図１０に実線で示す。なお、横軸の位置情報は、ＣＣＤカ
メラの画素を単位とする相対的な値である。また、ＣＣＤカメラが捉える明るさは、黒を
０、白を２５５に段階的に分別して数値化した。
【０２４５】
相対的な位置（１００）から（１２３）にかけての観測した明るさは、青色の画素に対応
するものである。また、（８３）から（９３）にかけて観測した明るさは赤色の画素、（
１２３）から（１３３）にかけて観測した明るさは緑色の画素に対応するものである。こ
のプロットから、クロストーク現象が抑制されていることが確認できる。
【０２４６】
（比較例）
＜比較パネルの構成＞
本比較例で例示する比較パネルは、隔壁の構成を除いて上述の発光パネルと同じ構成を有
する。具体的には、隔壁の側面の形態を除いて、基板、層間膜、一方の発光素子、他方の
発光素子の構成は同様である。よって、構成を同じくする部分の詳細については、上述の
発光パネルの記載を参酌することができる。
【０２４７】
比較パネルの隔壁の構成について説明する。隔壁は、一方の発光素子の第１の電極と他方
の発光素子の第１の電極に重なる開口部を有し、一方の発光素子の第１の電極と他方の発
光素子の第１の電極の端部を覆う厚さ１．４μｍのポリイミド膜で形成されている。
【０２４８】
比較パネルの隔壁の作製方法について説明する。ポジ型の感光性のポリイミドを塗布し、
フォトマスクを介して露光し、不要な部分を現像により除去した。次いで、フォトマスク
を用いずに露光して、その後焼成して隔壁を形成した。このような方法を用いることで、
隔壁が第１の電極に接する部分における隔壁の側面と基板のなす角度を、なだらかな角度
にすることができる。なお、焼成はあらかじめ２５０℃に設定された焼成炉に基板を投入
し、焼成炉を降温することなく焼成後の基板を取り出した。具体的には３５°程度の角度
で接するように形成できる。
【０２４９】
＜比較結果＞
本比較例で作製した比較パネルの発光状態を、光学顕微鏡とＣＣＤカメラを用いて観察し
た結果を図９（Ｂ）に示す。図には画像信号により選択され、駆動回路により電力が供給
された一行の青色の画素と一列の青色の画素が、交差する部分が示されている。なお、青
色の画素の左側には赤色の画素が配置され、右側には緑色の画素が配置されている。図９
（Ｂ）から、選択された青色の画素に隣接する赤色および緑色の画素が発光して、クロス
トーク現象が発生していることが確認できた。
【０２５０】
また、図９（Ｂ）に示す切断線Ａ２−Ｂ２においてＣＣＤカメラが捉えた明るさを、その
位置に対しプロットしたものを図１０に破線で示す。なお、横軸の位置情報は、ＣＣＤカ
メラの画素を単位とする相対的な値である。
【０２５１】
相対的な位置（１００）から（１２３）にかけての観測した明るさは、青色の画素に対応
するものである。しかし、（８１）から（９７）にかけて観測した明るさは赤色の画素に
よるものであり、（１２４）から（１３４）にかけて観測した明るさは緑色の画素による
ものであり、青色の画素を選択したにもかかわらず、いずれも無視できない明るさで発光
しており、クロストーク現象が発生していることが確認できた。
【０２５２】
（参考例）
本参考例では、実施例で用いた材料について説明する。
【０２５３】
＜１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎの合成例＞
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フル
オレン−９−イル）フェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬ
ＰＡＰｒｎ）を合成する例を示す。
【０２５４】
［ステップ１：３−メチルフェニル−３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル
）フェニルアミン（略称：ｍＭｅｍＦＬＰＡ）の合成法］
【０２５５】
９−（３−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレン３．２ｇ（８．１ｍｍｏｌ）、ナ
トリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド２．３ｇ（２４．１ｍｍｏｌ）を２００ｍＬ三口フラス
コに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン４０．０ｍＬ、ｍ−トルイ
ジン０．９ｍＬ（８．３ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンの１０％ヘキ
サン溶液０．２ｍＬを加えた。この混合物を６０℃にし、ビス（ジベンジリデンアセトン
）パラジウム（０）４４．５ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）を加え、この混合物を８０℃にして
２．０時間攪拌した。攪拌後、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５
４０−００１３５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８
５５）、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮し得た固体を、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒はヘキサン：トルエン＝１：１）により
精製し、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶し、目的の白色固体２．８ｇを、収率８
２％で得た。上記ステップ１の合成スキームを下記（Ｊ−１）に示す。
【０２５６】
【化３】
2020194791.tif 000006
【０２５７】
［ステップ２：Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フ
ェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略称：
１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）の合成法］
【０２５８】
１，６−ジブロモピレン０．６ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、３−メチルフェニル−３−（９−
フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニルアミン１．４ｇ（３．４ｍｍｏｌ）、
ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド０．５ｇ（５．１ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラス
コに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン２１．０ｍＬ、トリ（ｔｅ
ｒｔ−ブチル）ホスフィンの１０％ヘキサン溶液０．２ｍＬを加えた。この混合物を６０
℃にし、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）３４．９ｍｇ（０．１ｍｍｏ
ｌ）を加え、この混合物を８０℃にして３．０時間攪拌した。攪拌後、トルエンを４００
ｍＬ加えて加熱し、熱いまま、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５
４０−００１３５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８
５５）、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮し得た固体を、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒はヘキサン：トルエン＝３：２）により
精製し、黄色固体を得た。得られた黄色固体をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶し
、目的の黄色固体を１．２ｇ、収率６７％で得た。
【０２５９】
得られた黄色固体１．０ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製条件は、圧力２．２Ｐａ、アルゴンガスを流量５．０ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３１
７℃で黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体１．０ｇを、収率９３％で得
た。上記ステップ２の合成スキームを下記（Ｊ−２）に示す。
【０２６０】
【化４】
2020194791.tif 000007
【０２６１】
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＮ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フ
ェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）であるこ
とを確認した。
【０２６２】
得られた化合物の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００
ＭＨｚ）：δ＝２．２１（ｓ，６Ｈ）、６．６７（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）、６．７
４（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．１７−７．２３（ｍ，３４Ｈ）、７．６２（ｄ，
Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ）、７．７４（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．８６（ｄ，Ｊ＝
９．０Ｈｚ，２Ｈ）、８．０４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）
【０２６３】
＜２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩの合成例＞
２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリ
ン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）を合成する例を示す。
【０２６４】
［２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩの合成］
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩの合成スキームを（Ｃ−１）に示す。
【０２６５】
【化５】
2020194791.tif 000008
【０２６６】
２Ｌ三口フラスコに２−クロロジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン５．３ｇ（２０ｍｍｏｌ
）、３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニルボロン酸６．１ｇ（２０ｍｍｏｌ）
、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）４６０ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ
）、トルエン３００ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液２０ｍＬを加
えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この
混合物を窒素気流下、１００℃で７．５時間攪拌した。室温まで冷ました後、得られた混
合物を濾過して白色の濾物を得た。得られた濾物を水、エタノールの順で洗浄した後、乾
燥させた。得られた固体を約６００ｍＬの熱トルエンに溶かし、セライト（和光純薬工業
株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会社
、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引濾過し、無色透明の濾液を得た。得
られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。クロマトグラフ
ィーは、熱トルエンを展開溶媒に用いて行った。ここで得られた固体にアセトンとエタノ
ールを加えて超音波を照射した後、生じた懸濁物を濾取して乾燥させたところ、目的物の
白色粉末を収量７．８５ｇ、収率８０％で得た。
【０２６７】
上記目的物は、熱トルエンには比較的可溶であったが、冷めると析出しやすい材料であっ
た。また、アセトン、エタノールなど他の有機溶剤には難溶であった。そのため、この溶
解性の差を利用して、上記の様に、簡便な方法で収率よく合成することができた。具体的
には、反応終了後、室温に戻して析出させた固体を濾取することで、大部分の不純物を簡
便に除くことができた。また、熱トルエンを展開溶媒とした、カラムクロマトグラフィー
により、析出しやすい目的物も簡便に精製することができた。
【０２６８】
得られた白色粉末４．０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製
は、圧力５．０Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を３００℃で加熱
して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を３．５ｇ、収率８８％で得た。
【０２６９】
核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である２−［３−（ジベンゾチオ
フェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤ
Ｂｑ−ＩＩ）であることを確認した。
【０２７０】
得られた物質の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００Ｍ
Ｈｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．４５−７．５２（ｍ，２Ｈ），７．５９−７．６５（ｍ，２
Ｈ），７．７１−７．９１（ｍ，７Ｈ），８．２０−８．２５（ｍ，２Ｈ），８．４１（
ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），８．７７−８．
７８（ｍ，１Ｈ），９．２３（ｄｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１．５Ｈｚ，１Ｈ），９．４２（
ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１．５Ｈｚ，１Ｈ），９．４８（ｓ，１Ｈ）。
【０２７１】
＜［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の合成例＞
（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）を合成する例を示す。
【０２７２】
［ステップ１；４−メチル−６−フェニルピリミジン（略称：Ｈｍｐｐｍ）の合成］
まず、４−クロロ−６−メチルピリミジン４．９０ｇとフェニルボロン酸４．８０ｇ、炭
酸ナトリウム４．０３ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリ
ド（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２）０．１６ｇ、水２０ｍＬ、アセトニトリル１０ｍ
Ｌを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマ
イクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。ここでさら
にフェニルボロン酸２．２８ｇ、炭酸ナトリウム２．０２ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２
０．０８２ｇ、水５ｍＬ、アセトニトリル１０ｍＬをフラスコに入れ、再度マイクロ波（
２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を
加え、ジクロロメタンにて抽出した。得られた抽出液を飽和炭酸ナトリウム水溶液、水、
次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液を濾過し
た。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン：酢酸エチル＝９：
１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピ
リミジン誘導体Ｈｍｐｐｍを得た（橙色油状物、収率４６％）。なお、マイクロ波の照射
はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製  Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）を用いた。以下にステップ１の
合成スキーム（ｂ−１）を示す。
【０２７３】
【化６】
2020194791.tif 000009
【０２７４】
［ステップ２；ジ−μ−クロロ−ビス［ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）
イリジウム（ＩＩＩ）］（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２Ｃｌ］２）の合成］
次に、２−エトキシエタノール１５ｍＬと水５ｍＬ、上記ステップ１で得たＨｍｐｐｍ１
．５１ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ）１．２６ｇを、還流管を付けた
ナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４
５ＧＨｚ  １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣を
エタノールで洗浄し、濾過することにより複核錯体［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２Ｃｌ］２を得た
（暗緑色粉末、収率７７％）。以下にステップ２の合成スキーム（ｂ−２）を示す。
【０２７５】
【化７】
2020194791.tif 000010
【０２７６】
［ステップ３；（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）の合成］
さらに、２−エトキシエタノール４０ｍＬ、上記ステップ２で得た複核錯体［Ｉｒ（ｍｐ
ｐｍ）２Ｃｌ］２１．８４ｇ、アセチルアセトン０．４８ｇ、炭酸ナトリウム１．７３ｇ
を、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、
マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を６０分間照射し、反応させた。溶媒を留去し
、得られた残渣をジクロロメタンに溶解して濾過し、不溶物を除去した。得られた濾液を
水、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液を濾
過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン：酢酸エチル＝
４：１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。そ
の後、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶化することにより、目的物を黄色
粉末として得た（収率４４％）。以下にステップ３の合成スキーム（ｂ−３）を示す。
【０２７７】
【化８】
2020194791.tif 000011
【０２７８】
上記ステップ３で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果
を下記に示す。この結果から、この化合物が目的物である（アセチルアセトナト）ビス（
６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐ
ｍ）２（ａｃａｃ）］）が得られたことがわかった。
【０２７９】
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．７８（ｓ，６Ｈ），２．８１（ｓ，６Ｈ），５．
２４（ｓ，１Ｈ），６．３７（ｄ，２Ｈ），６．７７（ｔ，２Ｈ），６．８５（ｔ，２Ｈ
），７．６１−７．６３（ｍ，４Ｈ），８．９７（ｓ，２Ｈ）．
【符号の説明】
【０２８０】
１００    基板
１０６ａ    電極
１０６ｂ    電極
１０７    絶縁層
１４０    隔壁
１４０ａ    隔壁
１４０ｂ    隔壁
１４０ｃ    隔壁
１５０ａ    発光素子
１５０ｂ    発光素子
１５１ａ    第１の電極
１５１ｂ    第１の電極
１５２    第２の電極
１５２ａ    第２の電極
１５２ｂ    第２の電極
１５２ｃ    第２の電極
１５３    発光性の有機化合物を含む層
１５３ａ    発光性の有機化合物を含む層
１５３ｂ    発光性の有機化合物を含む層
１５３ｃ    発光性の有機化合物を含む層
１９０    ＥＬパネル
１９１    成膜方法
１９２    成膜方法
１９３    成膜方法
１９４    成膜方法
２００    基板
２０７    層間膜
２４０    隔壁
２５０ａ    発光素子
２５０ｂ    発光素子
２５１ａ    第１の電極
２５１ｂ    第１の電極
２５２    第２の電極
２５３    発光性の有機化合物を含む層
２９０    発光パネル
１１０１    陽極
１１０２    陰極
１１０３    発光ユニット
１１０３ａ    発光ユニット
１１０３ｂ    発光ユニット
１１０４    中間層
１１０４ａ    電子注入バッファー
１１０４ｂ    電子リレー層
１１０４ｃ    電荷発生領域
１１１３    正孔注入層
１１１４    正孔輸送層
１１１５    発光層
１１１６    電子輸送層
１１１７    電子注入層
１４００    発光装置
１４０１    ソース側駆動回路
１４０２    画素部
１４０３    ゲート側駆動回路
１４０４    封止基板
１４０５    シール材
１４０７    空間
１４０８    配線
１４０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１４１０    素子基板
１４１１    スイッチング用トランジスタ
１４１２    電流制御用トランジスタ
１４１３    第１の電極
１４１４    隔壁
１４１６    発光性の有機化合物を含む層
１４１７    第２の電極
１４１８    発光素子
１４２３    ｎチャネル型トランジスタ
１４２４    ｐチャネル型トランジスタ
１４３３    スペーサ
１４３４    カラーフィルタ
１４３５    遮光性の膜
１５０３ａ    ＥＬ層
１５０３ｂ    ＥＬ層
１５０４    中間層
１５０４ａ    電子注入バッファー
１５０４ｂ    電子リレー層
１５０４ｃ    電荷発生領域
１５１１    正孔注入層
１５１２    正孔輸送層
１５１２ａ    正孔輸送層
１５１３    発光層
１５１４    電子輸送層
１５１４ａ    電子輸送層
１５１４ｂ    電子輸送層
１５２１    正孔輸送層
１５２２    正孔輸送層
１５２３ａ    発光層
１５２３ｂ    発光層
１５２４ａ    電子輸送層
１５２４ｂ    電子輸送層
１５２５    電子注入層
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    表示部
７１０９    操作キー
７１１０    リモコン操作機
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    表示部
７３０５    表示部
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７５００    照明装置
７５０１    筐体
７５０３ａ〜７５０３ｄ    発光装置
【図１】
2020194791.tif 000012
【図２】
2020194791.tif 000013
【図３】
2020194791.tif 000014
【図４】
2020194791.tif 000015
【図５】
2020194791.tif 000016
【図６】
2020194791.tif 000017
【図７】
2020194791.tif 000018
【図８】
2020194791.tif 000019
【図９】
2020194791.tif 000020
【図１０】
2020194791.tif 000021