(57)【要約】【課題】転写部材を用いて、複数種のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に強固に固定する。【解決手段】転写部材２０は、保持部材３０と、保持部材３０に保持された複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ及び複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、を有する。保持部材３０は、基材３１と、複数の突出部３６と、粘着性を有する粘着層３７と、を有する。複数の突出部３６は、基材３１の一方の面上に規則的に二次元配列されている。粘着層３７は、突出部３６の先端に設けられている。第１発光ダイオードチップ５０Ｒ及び第２発光ダイオードチップ５０Ｇは、保持部材３０の各突出部３６に粘着層３７を介して保持されている。第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、第１波長の光を発光する。第２発光ダイオードチップ５０Ｇは、第１波長とは異なる第２波長の光を発光する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出部と、前記突出部の先端に設けられた粘着性を有する粘着層と、を有する保持部材と、
前記保持部材の各突出部に前記粘着層を介して保持された、第１波長の光を発光する複数の第１発光ダイオードチップ及び前記第１波長とは異なる第２波長の光を発光する複数の第２発光ダイオードチップと、を備える、転写部材。
【請求項２】
各突出部は、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップのいずれか１つのみを保持している、請求項１に記載の転写部材。
【請求項３】
前記第１発光ダイオードチップを保持する前記突出部は、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列されており、
前記第２発光ダイオードチップを保持する前記突出部は、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列されている、請求項２に記載の転写部材。
【請求項４】
前記第１発光ダイオードチップを保持する前記突出部に隣り合う少なくとも１つの前記突出部は、前記第２発光ダイオードチップを保持する、請求項２または３に記載の転写部材。
【請求項５】
前記第２発光ダイオードチップを保持する前記突出部の数は、前記第１発光ダイオードチップを保持する前記突出部の数より多い、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の転写部材。
【請求項６】
各突出部は、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップの両方を保持している、請求項１に記載の転写部材。
【請求項７】
各突出部は、１つの前記第１発光ダイオードチップ及び複数の前記第２発光ダイオードチップを保持している、請求項１に記載の転写部材。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の転写部材の製造方法であって、
ダイシングされた第１波長の光を発光する第１発光ダイオードチップを有する第１チップ基板を、第１保持部材の第１突出部に接触させて、複数の前記第１発光ダイオードチップを前記第１保持部材に保持させる工程と、
ダイシングされた前記第１波長とは異なる第２波長の光を発光する第２発光ダイオードチップを有する第２チップ基板を、第２保持部材の第２突出部に接触させて、複数の前記第２発光ダイオードチップを前記第２保持部材に保持させる工程と、
前記第１保持部材に保持された複数の前記第１発光ダイオードチップを前記保持部材の前記突出部に転写する工程と、
前記第２保持部材に保持された複数の前記第２発光ダイオードチップを前記保持部材の前記突出部に転写する工程と、を備える、転写部材の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の転写部材の前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップが回路基板の回路に電気的に接続するように、複数の前記第１発光ダイオードチップ及び複数の前記第２発光ダイオードチップを前記転写部材の前記保持部材から前記回路基板に一括で転写する工程を備える、発光基板の製造方法。
【請求項１０】
前記転写部材から前記回路基板に前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを転写する工程は、
前記回路基板を加熱して、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記回路に電気的に接続させる工程と、
前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させる工程と、を含む、請求項９に記載の発光基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記回路に電気的に接続させる工程は、前記転写部材を前記回路基板に押圧した状態で、前記回路基板を加熱する工程を含む、請求項１０に記載の発光基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させる工程は、前記転写部材を加熱する工程、前記転写部材を冷却する工程、または前記転写部材に紫外線照射する工程のいずれかを含む、請求項１０または１１に記載の発光基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写部材、転写部材の製造方法、及び転写部材を用いた発光基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路を有する回路基板に複数のマイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを配置した発光基板を用いた表示装置、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイが開発されている。マイクロＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイ等に比べて、輝度、消費電力、応答速度、信頼性等の面で優れており、次世代の軽量且つ薄型のディスプレイとして注目されている。
【０００３】
従来、マイクロＬＥＤディスプレイに用いられる発光基板を製造する際に、ウエハをダイシングして形成された複数のマイクロ発光ダイオードチップを、ピックアンドプレイス工程により、１つずつ回路基板に配置していた。このような発光基板の製造方法では、ピックアンドプレイス工程を数百万回以上繰り返すことになるため、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に時間がかかり、それに伴って製造コストが上昇してしまう。すなわち、低い生産性でしか発光基板を製造することができない。
【０００４】
そこで、特許文献１のように、粘着スタンプによって、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することが考えられた。特許文献１の粘着スタンプは、複数のマイクロ発光ダイオードチップを保持することができるため、１回のピックアンドプレイス工程で複数のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置することができる。したがって、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に要する時間を短縮し、製造コストを削減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１７−５３１９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の粘着スタンプは、ピックアンドプレイス工程を繰り返し行うと、粘着力が低下してしまう。粘着スタンプの粘着力が低下すると、ピックアンドプレイス工程を行う際に粘着スタンプがマイクロ発光ダイオードチップを保持する確実性が低下してしまう。このため、粘着スタンプに粘着力を付与する工程や、粘着スタンプを交換する工程を要することになり、発光基板の製造の生産性を高めにくい。
【０００７】
そこで、本件発明者らは検討を行い、ピックアンドプレイス工程を繰り返し行うことなく、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することを可能とする、さらには回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを一括で配置することを可能とする、マイクロ発光ダイオードチップを保持した保持部材を有する転写部材を見出した。
【０００８】
このような転写部材には、同じウエハのマイクロ発光ダイオードチップが保持部材に保持されている。すなわち、１つの転写部材の保持部材には、１種のマイクロ発光ダイオードチップが保持されている。このため、例えばフルカラー表示を可能とする発光基板を製造するためには、３種のマイクロ発光ダイオードチップを転写部材から回路基板へ転写することになる。したがって、転写部材から回路基板へマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を、少なくとも３回行う必要がある。
【０００９】
ところで、発光基板には、マイクロ発光ダイオードチップを回路基板に対して固定するための異方性導電性粘着層が設けられている。マイクロ発光ダイオードチップが接触した状態で異方性導電性粘着層を硬化させることで、マイクロ発光ダイオードチップが回路基板に強固に固定され、マイクロ発光ダイオードチップが転写部材から回路基板に転写される。このような異方性導電性粘着層は、例えば加熱されることで硬化する。１種のマイクロ発光ダイオードチップを保持した転写部材からマイクロ発光ダイオードチップを転写する際に異方性導電性粘着層が加熱されると、他の種のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に固定するための異方性導電性粘着層も加熱されてしまう。このため、１種のマイクロ発光ダイオードチップを固定するための異方性導電性粘着層だけでなく、他の種のマイクロ発光ダイオードチップを固定するための異方性導電性粘着層も硬化してしまう。硬化した異方性導電性粘着層にマイクロ発光ダイオードチップを接触させても、マイクロ発光ダイオードチップを強固に固定することはできない。このように、転写部材から回路基板へマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を複数回行うと、複数種のマイクロ発光ダイオードチップのすべてを回路基板に強固に固定することが困難である。
【００１０】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、転写部材を用いて、複数種のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に強固に固定することを可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の転写部材は、
基材と、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出部と、前記突出部の先端に設けられた粘着性を有する粘着層と、を有する保持部材と、
前記保持部材の各突出部に前記粘着層を介して保持された、第１波長の光を発光する複数の第１発光ダイオードチップ及び前記第１波長とは異なる第２波長の光を発光する複数の第２発光ダイオードチップと、を備える。
【００１２】
本発明の転写部材において、各突出部は、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップのいずれか１つのみを保持していてもよい。
【００１３】
本発明の転写部材において、
前記第１発光ダイオードチップを保持する前記突出部は、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列されており、
前記第２発光ダイオードチップを保持する前記突出部は、前記基材の一方の面上に規則的に二次元配列されていてもよい。
【００１４】
本発明の転写部材において、前記第１発光ダイオードチップを保持する前記突出部に隣り合う少なくとも１つの前記突出部は、前記第２発光ダイオードチップを保持してもよい。
【００１５】
本発明の転写部材において、前記第２発光ダイオードチップを保持する前記突出部の数は、前記第１発光ダイオードチップを保持する前記突出部の数より多くてもよい。
【００１６】
本発明の転写部材において、各突出部は、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップの両方を保持していてもよい。
【００１７】
本発明の転写部材において、各突出部は、１つの前記第１発光ダイオードチップ及び複数の前記第２発光ダイオードチップを保持していてもよい。
【００１８】
本発明の転写部材の製造方法は、上述したいずれかの転写部材の製造方法であって、
ダイシングされた第１波長の光を発光する第１発光ダイオードチップを有する第１チップ基板を、第１保持部材の第１突出部に接触させて、複数の前記第１発光ダイオードチップを前記第１保持部材に保持させる工程と、
ダイシングされた前記第１波長とは異なる第２波長の光を発光する第２発光ダイオードチップを有する第２チップ基板を、第２保持部材の第２突出部に接触させて、複数の前記第２発光ダイオードチップを前記第２保持部材に保持させる工程と、
前記第１保持部材に保持された複数の前記第１発光ダイオードチップを前記保持部材の前記突出部に転写する工程と、
前記第２保持部材に保持された複数の前記第２発光ダイオードチップを前記保持部材の前記突出部に転写する工程と、を備える。
【００１９】
本発明の発光基板の製造方法は、上述したいずれかの転写部材の前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップが回路基板の回路に電気的に接続するように、複数の前記第１発光ダイオードチップ及び複数の前記第２発光ダイオードチップを前記転写部材の前記保持部材から前記回路基板に一括で転写する工程を備える。
【００２０】
本発明の発光基板の製造方法において、
前記転写部材から前記回路基板に前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを転写する工程は、
前記回路基板を加熱して、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記回路に電気的に接続させる工程と、
前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させる工程と、を含んでもよい。
【００２１】
本発明の発光基板の製造方法において、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記回路に電気的に接続させる工程は、前記転写部材を前記回路基板に押圧した状態で、前記回路基板を加熱する工程を含んでもよい。
【００２２】
本発明の発光基板の製造方法において、前記第１発光ダイオードチップ及び前記第２発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させる工程は、前記転写部材を加熱する工程、前記転写部材を冷却する工程、または前記転写部材に紫外線照射する工程のいずれかを含んでもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、転写部材を用いて、複数種のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に強固に固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板を用いた表示装置を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板の平面図である。
【図３】図３は、図２の発光基板の一部を拡大して示す図である。
【図４】図４は、マイクロ発光ダイオードチップを有する発光基板の縦断面図である。
【図５】図５は、転写部材の縦断面図である。
【図６】図６は、保持部材の縦断面図である。
【図７】図７は、保持部材の平面図である。
【図８】図８は、第１転写部材の縦断面図である。
【図９】図９は、第１保持部材の縦断面図である。
【図１０】図１０は、第１保持部材の平面図である。
【図１１】図１１は、第２転写部材の縦断面図である。
【図１２】図１２は、第３転写部材の縦断面図である。
【図１３】図１３は、ダイシングされたマイクロ発光ダイオードチップを有するチップ基板を示す平面図である。
【図１４】図１４は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１５】図１５は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１７】図１７は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１８】図１８は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図１９】図１９は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図２０】図２０は、第１保持部材に第１発光ダイオードチップを保持させる工程を説明するための図である。
【図２１】図２１は、第１転写部材から保持部材に第１発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２２】図２２は、第１転写部材から保持部材に第１発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２３】図２３は、第１転写部材から保持部材に第１発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２４】図２４は、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２５】図２５は、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２６】図２６は、転写部材から回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを転写する工程を説明するための図である。
【図２７】図２７は、転写部材及び保持部材の一変形例を説明するための図である。
【図２８】図２８は、転写部材及び保持部材の他の変形例を説明するための図である。
【図２９】図２９は、転写部材及び保持部材のさらに他の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００２６】
また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。
【００２７】
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００２８】
図１は、表示装置１を概略的に示す分解斜視図である。表示装置１は、表示面５に画像等を表示する。図１に示された例において、表示装置１は、発光基板１０と、発光基板１０に対向して配置された拡散層７と、を有している。図示された例において、拡散層７の発光基板１０に対向する側とは逆側の面が、表示装置１の表示面５となっている。表示装置１は、複数のマイクロ発光ダイオードチップから発光した光を１つの画素として用いている、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイである。図１に示された例では、１つの画素として、３種のマイクロ発光ダイオードチップから発光した光を用いている。図示された例において、発光基板１０で発光した光は、拡散層７で拡散される。ただし、図示された例に限らず、表示装置１において、拡散層７が省略されてもよい。
【００２９】
発光基板１０は、表示面５に表示する画像を形成する光を発光する。図２は、発光基板１０の一部を示す平面図であり、図３は、図２の発光基板１０の一部を拡大して示す平面図であり、図４は、発光基板１０の一部を示す縦断面図である。図２に示すように、発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に規則的に二次元配列された複数のマイクロ発光ダイオードチップ（単に「発光ダイオードチップ」とも呼ぶ）５０と、発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着させて固定するための異方性導電性粘着層１５と、を有している。
【００３０】
図３に示すように、回路基板１１は、回路１３を有している。回路基板１１は、回路１３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を接続させる。回路基板１１は、薄板状の部材である。回路基板１１は、例えばガラスエポキシ等の絶縁体上に銅等からなる回路１３の配線が配置されることで形成されている。
【００３１】
また、回路基板１１は、後述する転写部材２０からマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写される工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０を有する転写部材２０と位置決めするための位置決め手段を有している。図２に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ１である。ただし、十字型の位置決めマークＭ１は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ１を用いることができる。
【００３２】
異方性導電性粘着層１５は、マイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に対して固定する。異方性導電性粘着層１５は、回路基板１１の発光ダイオードチップ５０が配置される位置に形成されている。異方性導電性粘着層１５は、典型的には、微細な金属粒子を含む熱硬化性樹脂の層であって、初期状態では導電性を有さない層であり、熱圧着に用いられると、圧力がかかった部分のみが、金属粒子同士が接続することにより、導電性を有するようになる材料である。この異方性導電性粘着層１５として、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）又は異方性導電接着剤（ＡＣＡｓ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ）を用いることができる。異方性導電性粘着層１５は、例えば異方性導電フィルムの場合は、通常、ラミネートにより積層され、異方性導電ペースト又は異方性導電接着剤の場合は、通常、塗布により塗膜として積層される。
【００３３】
図４に示すように、各マイクロ発光ダイオードチップ５０は、２つの電極５１を有している。マイクロ発光ダイオードチップ５０は、電極５１を介して、回路１３に電気的に接続している。回路１３に流れる電流を制御して２つの電極５１の間に電圧を印加することで、任意のマイクロ発光ダイオードチップ５０を発光させることができる。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の発光の組み合わせにより、表示装置１が表示する画像を形成することができる。
【００３４】
マイクロ発光ダイオードチップ５０から発光する光の波長は、マイクロ発光ダイオードチップ５０を構成する半導体材料等によって決定される。マイクロ発光ダイオードチップ５０は、例えばＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＮ系化合物半導体等を含んでいる。平面視におけるマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法は、例えば１辺が３μｍ以上１０００μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上５００μｍ以下の矩形形状とすることができ、マイクロ発光ダイオードチップ５０の厚さは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００３５】
マイクロ発光ダイオードチップ５０は、互いに異なる波長の光を発光する複数種の発光ダイオードチップを含んでいる。図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、第１波長の光を発光する第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、第１波長とは異なる第２波長の光を発光する第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、第１波長及び第２波長とは異なる第３波長の光を発光する第３発光ダイオードチップ５０Ｂと、を含んでいる。具体的には、第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、波長域６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの赤色の光を発光し、第２発光ダイオードチップ５０Ｇは、波長域５３０ｎｍ〜５７０ｎｍの緑色の光を発光し、第３発光ダイオードチップ５０Ｂは、波長域４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色の光を発光する。互いの近傍に配置された第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂが、表示装置１の１つの画素を形成している。このため、発光基板１０は、フルカラーで表示する画像を形成する光を発光することができる。
【００３６】
発光基板１０は、回路基板１１の回路１３が形成された位置に異方性導電性粘着層１５を介してマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置されることで製造される。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置された発光基板１０を高い生産性で製造するために、図５に示すような保持部材３０、及び保持部材３０を有する転写部材２０が用いられる。
【００３７】
以下、保持部材３０及び保持部材３０を有する転写部材２０の一実施の形態について、図５乃至図７を参照しつつ説明する。
【００３８】
図５は、転写部材２０の一部を示す縦断面図である。転写部材２０は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で回路基板１１に転写することを可能にする部材である。とりわけ、転写部材２０は、複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で回路基板１１に転写することができる。図５に示された例では、転写部材２０は、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び複数の第３発光ダイオードチップ５０Ｂを一括で転写することができる。１回の転写のみで回路基板１１の全体にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置することができるよう、転写部材２０の平面視における寸法は、回路基板１１の平面視における寸法以上であることが好ましい。
【００３９】
転写部材２０は、保持部材３０と、保持部材３０に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０と、を有している。保持部材３０に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０は、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び複数の第３発光ダイオードチップ５０Ｂと、を含んでいる。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０は、転写部材２０において、当該マイクロ発光ダイオードチップ５０が転写される回路基板１１の対応するマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置に対応した位置に保持されるよう、配置されている。言い換えると、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の転写部材２０における配列間隔および配列パターンは、当該複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が回路基板１１上で配列されるべき配列間隔および配列パターンと同一となっている。
【００４０】
保持部材３０は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持することができる部材である。図６は、保持部材３０の一部を示す縦断面図であり、図７は、保持部材３０の一部を示す平面図である。図６及び図７に示すように、保持部材３０は、基材３１と、基材３１の一方の面上に設けられた複数の突出保持部３５と、を有している。
【００４１】
基材３１は、複数の突出保持部３５を適切に支持する部材である。基材３１は、後述する保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０を有する第１保持部材３０Ｒ、第２保持部材３０Ｇ及び第３保持部材３０Ｂと保持部材３０との位置決めや、後述する転写部材２０から回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写する工程において、転写部材２０と回路基板１１との位置決めの位置決め手段を有している。図７に示す例では、位置決め手段は、十字型の位置決めマークＭ２である。ただし、十字型の位置決めマークＭ２は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ２を用いることができる。また、位置決めマークＭ２の観察を容易にするために、基材３１は、透明であることが好ましい。
【００４２】
なお、透明とは、当該部材を介して当該部材の一方の側から他方の側を透視し得る程度の透明性を有していることを意味しており、例えば、３０％以上、より好ましくは７０％以上の可視光透過率を有していることを意味する。可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳ  Ｋ  ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。
【００４３】
基材３１の平面視における面積は、転写部材２０の平面視における寸法が回路基板１１の平面視における寸法以上となるよう、基材３１の平面視における寸法は、回路基板１１の平面視における寸法以上であることが好ましい。具体的には、基材３１の平面視における面積は、７０ｃｍ２以上となっていることが好ましい。
【００４４】
基材３１の厚さは、透明性や、突出保持部３５の適切な支持性等を考慮すると、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。このような基材３１の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂、ガラスを挙げることができる。
【００４５】
突出保持部３５は、突出保持部３５の本体となる突出部３６と、各突出部３６の先端に設けられた粘着層３７と、を有している。突出保持部３５は、粘着層３７を介して、マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する部分である。各突出保持部３５は、１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持している。すなわち、各突出保持部３５は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂのいずれか１つのみを保持している。突出保持部３５は、基材３１上において保持部材３０がマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する位置に設けられている。すなわち、突出保持部３５は、回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置に対応した位置に設けられている。
【００４６】
複数の突出保持部３５は、一群の突出保持部３４を形成している。一群の突出保持部３４は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出保持部３５と、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する突出保持部３５と、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持する突出保持部３５と、をそれぞれ少なくとも１つ含んでいる。図示された例では、一群の突出保持部３４は、３つの突出保持部３５によって形成されており、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出保持部３５と、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する突出保持部３５と、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持する突出保持部３５と、をそれぞれ１つずつ含んでいる。一群の突出保持部３４は、発光基板１０の画素の位置に対応して規則的に二次元配列されている。一群の突出保持部３４を形成する突出保持部３５は、それぞれ近傍に設けられている。転写部材２０から転写した各マイクロ発光ダイオードチップ５０が画素を形成するよう、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出保持部３５に隣り合う少なくとも１つの突出保持部３５は、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持しており、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出保持部３５に隣り合う他の少なくとも１つの突出保持部３５は、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持している。
【００４７】
突出保持部３５は、基材３１の一方の面上に、規則的に二次元配列されている。とりわけ、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出保持部３５は、基材３１の一方の面上に規則的に二次元配列されており、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する突出保持部３５は、基材３１の一方の面上に規則的に二次元配列されており、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持する突出保持部３５は、基材３１の一方の面上に規則的に二次元配列されている。突出保持部３５の規則的な二次元配列は、回路基板１１上に規則的に二次元配列される複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０に対応している。言い換えると、突出保持部３５の配列間隔および配列パターンは、回路基板１１上で配列されるべき複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列間隔および配列パターンと同一となっている。さらに言い換えると、突出保持部３５は、発光基板１０の画素に対応して配置されている。
【００４８】
突出部３６は、基材３１のシート面の法線方向に突出している。突出部３６が基材３１から突出している長さは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。また、突出部３６の先端側の平面視における寸法は、マイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法以下であることが好ましい。図示された例では、突出部３６の先端側の平面視における寸法は、マイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっている。さらに、突出部３６は、柔軟性を有している。具体的には、突出部３６のヤング率は、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、５ＧＰａ以下であることがより好ましい。このような突出部３６は、例えばアクリル樹脂からなり、フォトリソグラフィ技術やインプリント技術を利用して、形成することができる。
【００４９】
粘着層３７は、突出部３６にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができるよう、突出部３６の先端に設けられている。粘着層３７は、粘着性を有している。粘着層３７の粘着性は、例えば加熱、冷却又は紫外線照射によって、低下させることができる。なお、本明細書において、粘着性とは、粘り着く性質のことであり、接着性と区別しない。粘着層３７の材料としては、例えばアクリル系粘着剤が用いられる。粘着層３７の厚さは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００５０】
保持部材３０に第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させるために、図８乃至図１０に示すような第１保持部材３０Ｒ及び第１保持部材３０Ｒを有する第１転写部材２０Ｒが用いられる。同様に、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持部材３０に保持させるために、図１１に示すような第２保持部材３０Ｇ及び第２保持部材３０Ｇを有する第２転写部材２０Ｇが用いられ、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持部材３０に保持させるために、図１２に示すような第３保持部材３０Ｂ及び第３保持部材３０Ｂを有する第３転写部材２０Ｂが用いられる。以下、図８乃至図１０を参照して、第１転写部材２０Ｒについて説明する。なお、図８、図１１及び図１２に示すように、第１転写部材２０Ｒ、第２転写部材２０Ｇ及び第３転写部材２０Ｂは、保持しているマイクロ発光ダイオードチップ５０の種類を除いて同様の構成を有するため、ここでは第２転写部材２０Ｇ及び第３転写部材２０Ｂの説明を省略する。
【００５１】
図８は、第１転写部材２０Ｒの一部を示す縦断面図である。第１転写部材２０Ｒは、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒを一括で保持部材３０に転写することを可能にする部材である。１回の転写のみで保持部材３０の全体に第１発光ダイオードチップ５０Ｒを配置することができるよう、第１転写部材２０Ｒの平面視における寸法は、保持部材３０の平面視における寸法以上であることが好ましい。
【００５２】
第１転写部材２０Ｒは、第１保持部材３０Ｒと、第１保持部材３０Ｒに保持された複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、を有している。複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、第１転写部材２０Ｒにおいて、当該第１発光ダイオードチップ５０Ｒが転写される保持部材３０の対応する第１発光ダイオードチップ５０Ｒが配置される位置に対応した位置に保持されるよう、配置されている。言い換えると、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第１転写部材２０Ｒにおける配列間隔および配列パターンは、当該第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持部材３０上で保持される配列間隔および配列パターンと同一となっている。したがって、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第１転写部材２０Ｒにおける配列間隔および配列パターンは、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが回路基板１１上で配列される配列間隔および配列パターンと同一となっている。
【００５３】
第１保持部材３０Ｒは、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持することができる部材である。図９は、第１保持部材３０Ｒの一部を示す縦断面図であり、図１０は、第１保持部材３０Ｒの一部を示す平面図である。図９及び図１０に示すように、第１保持部材３０Ｒは、第１基材３１Ｒと、第１基材３１Ｒの一方の面上に設けられた複数の第１突出保持部３５Ｒと、を有している。
【００５４】
第１基材３１Ｒは、複数の第１突出保持部３５Ｒを適切に支持する部材である。第１基材３１Ｒは、後述する第１保持部材３０Ｒに第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させる工程において、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを有する第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとの位置決めするための位置決め手段を有している。図１０に示す例では、位置決め手段は、十字型の位置決めマークＭ３である。ただし、十字型の位置決めマークＭ３は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ３を用いることができる。位置決めマークＭ３は、保持部材３０を一定の間隔で区画する領域ごとに第１基材３１Ｒの一方または他方の面上に複数設けられている。また、位置決めマークＭ３の観察を容易にするために、第１基材３１Ｒは、透明であることが好ましい。
【００５５】
第１基材３１Ｒの平面視における面積は、後述する複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒを有する第１チップ基板４０Ｒより大きくなっている。具体的には、第１基材３１Ｒの平面視における面積は、７０ｃｍ２以上となっていることが好ましい。
【００５６】
第１基材３１Ｒの厚さは、透明性や、第１突出保持部３５Ｒの適切な支持性等を考慮すると、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。このような第１基材３１Ｒの材料としては、例えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂、ガラスを挙げることができる。
【００５７】
第１突出保持部３５Ｒは、第１突出保持部３５Ｒの本体となる第１突出部３６Ｒと、各第１突出部３６Ｒの先端に設けられた第１粘着層３７Ｒと、を有している。第１突出保持部３５Ｒは、第１粘着層３７Ｒを介して、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する部分である。第１突出保持部３５Ｒは、第１基材３１Ｒ上において保持部材３０が第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する位置に設けられている。すなわち、第１突出保持部３５Ｒは、保持部材３０の第１発光ダイオードチップ５０Ｒが配置される位置に対応した位置に設けられている。
【００５８】
第１突出保持部３５Ｒは、第１基材３１Ｒの一方の面上に、規則的に二次元配列されている。第１突出保持部３５Ｒの規則的な二次元配列は、保持部材３０に保持される複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒに対応している。言い換えると、第１突出保持部３５Ｒの配列間隔および配列パターンは、保持部材３０に保持されるべき複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒの配列間隔および配列パターンと同一となっている。第１突出保持部３５Ｒは、第１方向ｄ１にピッチｐ１ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ１ｙで配列されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００５９】
第１突出部３６Ｒは、第１基材３１Ｒのシート面の法線方向に突出している。第１突出部３６Ｒが第１基材３１Ｒから突出している長さは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。また、第１突出部３６Ｒの先端側の平面視における寸法は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒの寸法以下であることが好ましい。図示された例では、第１突出部３６Ｒの先端側の平面視における寸法は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒの寸法に等しくなっている。さらに、第１突出部３６Ｒは、柔軟性を有している。具体的には、第１突出部３６Ｒのヤング率は、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、５ＧＰａ以下であることがより好ましい。このような第１突出部３６Ｒは、例えばアクリル樹脂からなり、フォトリソグラフィ技術やインプリント技術を利用して、形成することができる。
【００６０】
第１粘着層３７Ｒは、第１突出部３６Ｒに第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができるよう、第１突出部３６Ｒの先端に設けられている。第１粘着層３７Ｒは、粘着性を有している。第１粘着層３７Ｒの粘着性は、例えば加熱、冷却又は紫外線照射によって、低下させることができる。第１粘着層３７Ｒの材料としては、例えばアクリル系粘着剤が用いられる。第１粘着層３７Ｒの厚さは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００６１】
次に、図１３乃至図２０を参照しながら、第１保持部材３０Ｒに第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させて、第１転写部材２０Ｒを製造する方法について説明する。
【００６２】
まず、図１３に示すように、一方の面上にダイシングされた複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒを有する第１チップ基板４０Ｒを用意する。第１チップ基板４０Ｒは、ダイシングされたウエハ自体であってもよいし、ダイシングされたウエハから第１発光ダイオードチップ５０Ｒを仮転写した基板であってもよい。第１チップ基板４０Ｒは、第１チップ基材４１Ｒと、第１チップ基材４１Ｒ上に配置された複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、を有している。また、第１チップ基板４０Ｒは、第１保持部材３０Ｒとの位置決めするための位置決め手段を有している。図１３に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ４である。ただし、十字型の位置決めマークＭ４は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ４を用いることができる。
【００６３】
各第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、第１チップ基材４１Ｒの側とは反対側に設けられた２つの電極５１を有している。また、第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、第１チップ基材４１Ｒ上において、第１方向ｄ１にピッチｐ２ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ２ｙで配列されている。すなわち、第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、ウエハを第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にダイシングすることで形成されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙは、例えば３μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００６４】
ここで、第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、第１保持部材３０Ｒの複数の第１突出保持部３５Ｒの第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘとなっている。同様に、第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、第１保持部材３０Ｒの複数の第１突出保持部３５Ｒの第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙとなっている。第１突出保持部３５Ｒの配列間隔および配列パターンが保持部材３０に保持される複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒの配列間隔および配列パターンと同一となっているため、第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、保持部材３０の第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第１方向ｄ１における配列のピッチの整数倍となっており、第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、保持部材３０の第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第２方向ｄ２における配列のピッチの整数倍となっている。
【００６５】
次に、図１４に示すように、第１チップ基板４０Ｒの第１チップ基材４１Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒが配置された側の面と、第１保持部材３０Ｒの第１基材３１Ｒの第１突出保持部３５Ｒが配列された面と、を対面させる。その後、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとの位置決めを行う。位置決めは、第１保持部材３０Ｒの第１基材３１Ｒが有する位置決め手段と、第１チップ基板４０Ｒが有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な例として、第１保持部材３０Ｒの第１領域Ｒ１において第１基材３１Ｒが有する位置決めマークＭ３と、第１チップ基板４０Ｒが有する位置決めマークＭ４とを一致させることで、位置決めが行われる。位置決めマークＭ３とＭ４とが一致していることは、例えば、第１保持部材３０Ｒの第１突出保持部３５Ｒが配列された面とは逆側に配置されたカメラ８１によって、確認することができる。第１基材３１Ｒが透明であるため、第１保持部材３０Ｒの第１突出保持部３５Ｒが配列された面とは逆側から、第１基材３１Ｒを介して、位置決めマークＭ３及びＭ４を確認することが可能である。
【００６６】
なお、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとの位置決めは、第１保持部材３０Ｒの第１基材３１Ｒが有する位置決め手段及び第１チップ基板４０Ｒが有する位置決め手段のいずれか一方のみによって行われてもよい。
【００６７】
次に、図１５に示すように、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとを接近させて、第１チップ基板４０Ｒを第１保持部材３０Ｒに接触させる。第１チップ基板４０Ｒが第１保持部材３０Ｒに接触すると、第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、第１保持部材３０Ｒの第１領域Ｒ１内の複数の第１突出保持部３５Ｒの先端に設けられた第１粘着層３７Ｒに接触する。第１発光ダイオードチップ５０Ｒが第１粘着層３７Ｒに粘着されることで、複数の第１突出保持部３５Ｒが第１粘着層３７Ｒを介して第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する。すなわち、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、第１チップ基板４０Ｒから第１保持部材３０Ｒの第１領域Ｒ１内の複数の第１突出保持部３５Ｒ上に保持される。
【００６８】
ここで、第１突出保持部３５Ｒの第１突出部３６Ｒが柔軟性を有しているため、具体的には第１突出部３６Ｒのヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、第１チップ基板４０Ｒが第１保持部材３０Ｒに接触すると、第１保持部材３０Ｒの第１突出部３６Ｒが第１チップ基板４０Ｒと第１突出部３６Ｒとの接触面に垂直な方向に変形し得る。このため、第１チップ基板４０Ｒを第１突出保持部３５Ｒに接触させる接触圧力は、第１チップ基板４０Ｒと接触している各第１突出保持部３５Ｒに均一にかかる。言い換えると、第１突出保持部３５Ｒの一部が高い接触圧力で第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒと接触することを回避することができる。第１突出保持部３５Ｒの一部が高い接触圧力で第１発光ダイオードチップＲと接触すると、当該第１突出保持部３５Ｒと第１発光ダイオードチップ５０Ｒとの粘着力が、他の第１突出保持部３５Ｒと他の第１発光ダイオードチップ５０Ｒとの粘着力と異なるようになり、製造される第１転写部材２０Ｒの取り扱いに不具合が生じたり、高い接触圧力によって第１発光ダイオードチップ５０Ｒが破壊されたりし得る。このため、第１突出保持部３５Ｒの一部が高い接触圧力で第１発光ダイオードチップ５０Ｒと接触することは、回避されていることが好ましい。
【００６９】
図１６は、図１５に示す第１チップ基板４０Ｒを第１保持部材３０Ｒの第１領域Ｒ１内の複数の第１突出保持部３５Ｒに接触させている状態を示す平面図である。第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとが位置決めされていること、及び第１突出保持部３５Ｒの平面視における寸法が第１発光ダイオードチップ５０Ｒの寸法に等しくなっていることで、第１領域Ｒ１内の１つの第１突出保持部３５Ｒに対して１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。さらに、図１６に示すように、第１保持部材３０Ｒの複数の第１突出保持部３５Ｒの第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘが第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍（図示された例では５倍）であることから、第１方向ｄ１において第１領域Ｒ１内の全ての第１突出保持部３５Ｒに対して１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。同様に、第１保持部材３０Ｒの複数の第１突出保持部３５Ｒの第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙが第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍（図示された例では２倍）であることから、第２方向ｄ２において第１領域Ｒ１内の全ての第１突出保持部３５Ｒに対してそれぞれ１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。
【００７０】
その後、図１７に示すように、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとを離間させ、加熱、冷却又は紫外線照射等によって、第１粘着層３７Ｒの粘着性を低下させる。その後、第１チップ基板４０Ｒに対して第１保持部材３０Ｒを相対移動させる。第１チップ基板４０Ｒに対して第１保持部材３０Ｒを相対移動させた後の位置は、第１基材３１Ｒが有する位置決め手段及び第１チップ基板４０Ｒが有する位置決め手段によって決定される。例えば、第１保持部材３０Ｒの第２領域Ｒ２において第１基材３１Ｒが有する位置決めマークＭ３と第１チップ基板４０Ｒが有する位置決めマークＭ４とを一致させることで、位置決めが行われる。なお、第１保持部材３０Ｒの第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１とは異なる領域であり、図示された例では、第１方向ｄ１において第１領域Ｒ１に隣り合う領域である。
【００７１】
次に、図１８に示すように、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとを接近させて、第１チップ基板４０Ｒを第１保持部材３０Ｒに接触させる。第１チップ基板４０Ｒが第１保持部材３０Ｒに接触すると、第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、第１保持部材３０Ｒの第２領域Ｒ２内の複数の第１突出保持部３５Ｒの先端に設けられた第１粘着層３７Ｒに接触する。第２領域Ｒ２内の第１粘着層３７Ｒに接触する第１発光ダイオードチップ５０Ｒは、第１領域Ｒ１内の第１粘着層３７Ｒに接触した第１発光ダイオードチップ５０Ｒとは異なる。複数の第１突出保持部３５Ｒが第１粘着層３７Ｒを介して複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する。すなわち、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、第１チップ基板４０Ｒから第１保持部材３０Ｒの第２領域Ｒ２内の複数の第１突出保持部３５Ｒ上に保持される。
【００７２】
図１９は、図１８に示す第１チップ基板４０Ｒを第１保持部材３０Ｒの第２領域Ｒ２内の複数の第１突出保持部３５Ｒに接触させている状態を示す平面図である。第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとが位置決めされていること、第１突出保持部３５Ｒの平面視における寸法が第１発光ダイオードチップ５０Ｒの寸法に等しくなっていること、及び第１保持部材３０Ｒの第１突出保持部３５Ｒの配列のピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙが第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの配列のピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙの整数倍であることから、第２領域Ｒ２内の全ての第１突出保持部３５Ｒに対してそれぞれ１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。
【００７３】
以上のように、第１チップ基板４０Ｒに対して第１保持部材３０Ｒを相対移動させる工程と、ある領域の第１突出保持部３５Ｒに第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させる工程と、を繰り返すことで、第１保持部材３０Ｒの複数の領域の各第１突出保持部３５Ｒに第１粘着層３７Ｒを介して第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。図２０に示すように、第１チップ基板４０Ｒに対して第１保持部材３０Ｒを、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に相対移動させることで、第１保持部材３０Ｒの全領域に亘って第１突出保持部３５Ｒに第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。以上の工程により、図８に示すような、第１保持部材３０Ｒと複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒとを有する第１転写部材２０Ｒが製造される。
【００７４】
上述した例では、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを第１保持部材３０Ｒに保持させて第１転写部材２０Ｒを製造する方法について説明したが、同様の工程によって、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを第２保持部材３０Ｇに保持させて図１１に示す第２転写部材２０Ｇを製造することができ、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを第３保持部材３０Ｂに保持させて図１２に示す第３転写部材２０Ｂを製造することができる。すなわち、ダイシングされた第２発光ダイオードチップ５０Ｇを有する第２チップ基板を、第２保持部材３０Ｇの第２突出部３６Ｇに接触させることで、複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇを第２保持部材３０Ｇに保持させて、第２転写部材２０Ｇを製造することができる。また、ダイシングされた第３発光ダイオードチップ５０Ｂを有する第３チップ基板を、第３保持部材３０Ｂの第３突出部３６Ｂに接触させることで、複数の第３発光ダイオードチップ５０Ｂを第３保持部材３０Ｂに保持させて、第３転写部材２０Ｂを製造することができる。
【００７５】
次に、保持部材３０に第１転写部材２０Ｒから第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持部材３０に転写する方法について、図２１乃至図２３を参照しながら説明する。
【００７６】
まず、図２１に示すように、保持部材３０の突出保持部３５が形成された側の面と、第１転写部材２０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持された側の面と、を対面させる。その後、保持部材３０と第１転写部材２０Ｒとの位置決めを行う。位置決めは、例えば保持部材３０が有する位置決め手段と、第１転写部材２０Ｒが有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な一例として、位置決めは、保持部材３０の基材３１が有する位置決めマークＭ２と、第１転写部材２０Ｒの第１基材３１Ｒが有する位置決めマークＭ３とを一致させることで、行われる。位置決めマークＭ２，Ｍ３が一致していることは、例えば第１転写部材２０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持された面とは逆側に配置されたカメラ８２によって、確認することができる。第１基材３１Ｒが透明であるため、第１転写部材２０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持された面とは逆側から、第１基材３１Ｒを介して、位置決めマークＭ２，Ｍ３を確認することができる。
【００７７】
なお、保持部材３０と第１転写部材２０Ｒとの位置決めに用いられる位置決め手段は、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとの位置決めに用いられた第１基材３１Ｒが有する位置決めマークＭ３と同一であってもよいし、位置決めマークＭ３とは異なる位置決め手段であってもよい。
【００７８】
次に、図２２に示すように、第１転写部材２０Ｒを保持部材３０に接触させる。保持部材３０と第１転写部材２０Ｒとが位置決めされているため、保持部材３０の突出保持部３５が、第１転写部材２０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒと接触する。したがって、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持部材３０の突出保持部３５の先端に設けられた粘着層３７に接触する。第１粘着層３７Ｒの粘着性が低下させられているため、保持部材３０の突出保持部３５が第１発光ダイオードチップ５０Ｒを容易に保持することができる。すなわち、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが第１転写部材２０Ｒから保持部材３０に容易に転写される。
【００７９】
ここで、突出部３６及び第１突出部３６Ｒが柔軟性を有しているため、具体的には突出部３６及び第１突出部３６Ｒのヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、第１転写部材２０Ｒが保持部材３０に接触すると、保持部材３０の突出部３６及び第１転写部材２０Ｒの第１突出部３６Ｒが突出部３６と第１突出部３６Ｒとの押圧面に垂直な方向に変形し得る。このため、第１転写部材２０Ｒを保持部材３０に接触させる圧力は、各突出部３６及び各第１突出部３６Ｒに均一にかかる。言い換えると、第１突出保持部３５Ｒの一部に保持された第１発光ダイオードチップ５０Ｒが高い圧力で突出保持部３５に接触することを回避することができる。突出保持部３５の一部が高い接触圧力で第１発光ダイオードチップ５０Ｒと接触すると、当該突出保持部３５と第１発光ダイオードチップ５０Ｒとの粘着力が、他の突出保持部３５と他の第１発光ダイオードチップ５０Ｒとの粘着力と異なるようになり、製造される転写部材２０の取り扱いに不具合が生じたり、高い接触圧力によって第１発光ダイオードチップ５０Ｒが破壊されたりし得る。このため、突出保持部３５の一部が高い圧力で第１突出保持部３５Ｒと接触することは、回避されていることが好ましい。
【００８０】
その後、図２３に示すように、第１保持部材３０Ｒを保持部材３０から離間させて、第１保持部材３０Ｒを除去する。以上の工程によって、第１転写部材２０Ｒの第１保持部材３０Ｒが保持する複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、保持部材３０に一括で転写、すなわちまとめて転写される。
【００８１】
以上の工程により、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持部材３０に一括で転写される。この工程と同様の工程によって、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する第２転写部材２０Ｇから第２発光ダイオードチップ５０Ｇが保持部材３０に一括で転写され、第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持する第３転写部材２０Ｂから第３発光ダイオードチップ５０Ｂが保持部材３０に一括で転写される。すなわち、図５に示すような保持部材３０に３種のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された転写部材２０が製造される。
【００８２】
なお、第１保持部材３０Ｒの基材３１から第１突出部３６Ｒが突出しているため、第１転写部材２０Ｒを用いて第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持部材３０に一括で転写した後に、第２転写部材２０Ｇを用いて第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持部材３０に転写する場合でも、第２発光ダイオードチップ５０Ｇの転写は、保持部材３０に既に転写されている第１発光ダイオードチップ５０Ｒによって阻害されにくい。
【００８３】
次に、転写部材２０を用いて回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置する方法、すなわち発光基板１０の製造方法について、図２４乃至図２６を参照しつつ説明する。
【００８４】
まず、図２４に示すように、回路基板１１の回路１３が形成された側の面と、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された側の面と、を対面させる。その後、回路基板１１と転写部材２０との位置決めを行う。位置決めは、例えば回路基板１１が有する位置決め手段と、転写部材２０が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な一例として、位置決めは、回路基板１１が有する位置決めマークＭ１と、転写部材２０の基材３１が有する位置決めマークＭ２とを一致させることで、行われる。位置決めマークＭ１，Ｍ２が一致していることは、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された面とは逆側に配置されたカメラ８３によって、確認することができる。基材３１が透明であるため、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された面とは逆側から、基材３１を介して、位置決めマークＭ１，Ｍ２を確認することができる。
【００８５】
なお、回路基板１１と転写部材２０との位置決めに用いられる位置決め手段は、第１乃至第３転写部材２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂと保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークＭ２と同一であってもよいし、この位置決めマークＭ２とは異なる位置決め手段であってもよい。
【００８６】
次に、図２５に示すように、転写部材２０を回路基板１１に接触させる。回路基板１１と転写部材２０とが位置決めされているため、回路基板１１の回路１３が設けられた位置にマイクロ発光ダイオードチップ５０を接触させることで、回路基板１１の回路１３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を電気的に接続させることができる。回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置には、マイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着するための異方性導電性粘着層１５が形成されている。
【００８７】
ここで、突出部３６が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３６のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、転写部材２０を回路基板１１に押圧すると、保持部材３０の突出部３６が回路基板１１と突出部３６との押圧面に垂直な方向に変形し得る。このため、転写部材２０を回路基板１１に押圧する圧力は、回路基板１１に押圧されている各突出保持部３５に均一にかかる。言い換えると、突出保持部３５の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されることを回避することができる。突出保持部３５の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されると、高い圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されたりし得る。このため、突出保持部３５の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されることは、回避されていることが好ましい。
【００８８】
回路１３にマイクロ発光ダイオードチップ５０が接触した状態で、回路基板１１を加熱して、異方性導電性粘着層１５に熱を伝達させる。異方性導電性粘着層１５に熱が加わることで、異方性導電性粘着層１５が硬化して、回路基板１１とマイクロ発光ダイオードチップ５０とが接着される。また、好ましくは、転写部材２０を回路基板１１に押圧している状態で、回路基板１１を加熱する。回路基板１１上に設けられた異方性導電性粘着層１５によれば、押圧方向に導電性を発現することができる。したがって、マイクロ発光ダイオードチップ５０の各電極５１を、押圧方向に対向する回路１３と異方性導電性粘着層１５を介して電気的に接続することができる。このため、マイクロ発光ダイオードチップ５０と回路１３とを、容易且つ確実に電気的に接続することができる。
【００８９】
また、転写部材２０を回路基板１１に押圧している状態で、粘着層３７の粘着性を低下させる。すなわち、転写部材２０の粘着層３７を加熱する、冷却する又は転写部材２０の粘着層３７に紫外線を照射する。なお、加熱により粘着層３７の粘着性を低下させる場合、上述した異方性導電性粘着層１５を加熱する際の熱を利用してもよい。粘着層３７の粘着性を低下させることで、マイクロ発光ダイオードチップ５０を粘着層３７から容易に剥離させることができる。
【００９０】
その後、図２６に示すように、保持部材３０を回路基板１１から離間させて、保持部材３０を除去する。以上の工程によって、転写部材２０の保持部材３０が保持する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、回路基板１１の回路１３に電気的に接続するようにして、転写部材２０の保持部材３０から回路基板１１に一括で転写、すなわちまとめて転写される。
【００９１】
転写部材２０は、複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０、図示された例では複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び複数の第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持している。複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び複数の第３発光ダイオードチップ５０Ｂが、転写部材２０によって回路基板１１に一括で転写される。このため、異方性導電性粘着層１５を加熱する工程や、粘着層３７の粘着性を低下させる工程を、１回のみ実施することで、発光基板１０を製造することができる。
【００９２】
上述したように、特許文献１の粘着スタンプは、発光基板の製造工程において、ウエハから回路基板へのピックアンドプレイス工程に繰り返し使用されることで、粘着力が低下してしまうため、マイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置して発光基板を製造する生産性を高めにくい。一方、本実施の形態の第１保持部材３０Ｒには、ウエハ自体又はウエハから第１発光ダイオードチップ５０Ｒを仮転写した基板である第１チップ基板４０Ｒから、第１保持部材３０Ｒの複数の領域に、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させることができる。第１保持部材３０Ｒが第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持した第１転写部材２０Ｒによって、複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒを一括で保持部材３０に転写することができる。同様の工程により、第２転写部材２０Ｇによって複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持部材３０に転写することができ、第３転写部材２０Ｂによって複数の第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持部材３０に転写することができる。そして、保持部材３０に複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させた転写部材２０を回路基板１１に押圧することで、回路基板１１に複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で転写することができる。このように、発光基板１０の製造工程において、第１保持部材３０Ｒの第１粘着層３７Ｒを介した第１発光ダイオードチップ５０Ｒの保持及び剥離や、保持部材３０の粘着層３７を介したマイクロ発光ダイオードチップ５０の保持及び剥離は、それぞれ１回のみ行われる。このため、粘着層の粘着力が発光基板の製造中に低下することにはならないため、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。さらには、転写部材２０によって回路基板１１に複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で転写することができるため、転写部材２０を用いることで発光基板１０を簡易に製造することができる。すなわち、発光基板１０の生産性を高めることができる。
【００９３】
また、特許文献１の粘着スタンプを用いてピックアンドプレイス工程を繰り返すことは、粘着スタンプをウエハと回路基板との間で往復させることになるため、発光基板の生産に時間がかかり、生産性が低くなってしまう。一方、本実施の形態の転写部材２０は、第１乃至第３チップ基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対して第１乃至第３保持部材３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂをそれぞれ相対移動させることによって第１乃至第３保持部材３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに第１乃至第３発光ダイオードチップ５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを保持させ、各発光ダイオードチップを保持した第１乃至第３転写部材２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂから保持部材３０に各発光ダイオードチップを転写することで、製造される。そして、マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持した転写部材２０を回路基板１１に押圧することで、発光基板１０を製造することができる。第１乃至第３チップ基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに対する第１乃至第３保持部材３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの相対移動は、粘着スタンプのウエハと回路基板との間の往復に比べて微小である。したがって、本実施の形態の転写部材２０の製造方法及び発光基板１０の製造方法によれば、発光基板１０を製造する時間を短くすることができる。すなわち、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。
【００９４】
さらに、本実施の形態の第１保持部材３０Ｒにおいて、第１基材３１Ｒは、位置決めマークＭ３を有している。この位置決めマークＭ３とチップ基板４０が有する位置決めマークＭ４とによって、第１保持部材３０Ｒへ第１発光ダイオードチップ５０Ｒを高精度で保持させることができる。また、位置決めマークＭ３と保持部材３０の基材３１が有する位置決めマークＭ２とによって、第１転写部材２０Ｒから保持部材３０へ第１発光ダイオードチップ５０Ｒを高精度で転写することができる。さらに、位置決めマークＭ２と回路基板１１が有する位置決めマークＭ１とによって、転写部材２０から回路基板１１へマイクロ発光ダイオードチップ５０を高精度で転写することができる。すなわち、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。
【００９５】
また、本実施の形態では、第１保持部材３０Ｒの第１突出保持部３５Ｒの配列のピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙが第１チップ基板４０Ｒの第１発光ダイオードチップ５０Ｒの配列のピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙの整数倍となっている。このため、第１チップ基板４０Ｒと第１保持部材３０Ｒとが位置決めされることで、第１保持部材３０Ｒの各第１突出保持部３５Ｒに１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒを高精度で配置して、第１転写部材２０Ｒを製造することができる。この第１転写部材２０Ｒを用いることで、高い生産性で転写部材２０を製造することができる。
【００９６】
さらに、本実施の形態の第１保持部材３０Ｒにおいて、第１突出部３６Ｒのヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。第１突出部３６Ｒがこのような柔軟性を有しているため、第１転写部材２０Ｒの製造工程において第１チップ基板４０Ｒが第１突出保持部３５Ｒに接触する際、第１突出保持部３５Ｒの一部が高い接触圧力で第１発光ダイオードチップ５０Ｒと接触してしまい、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが破壊されることを回避することができる。また、本実施の形態の保持部材３０において、突出部３６のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。突出部３６がこのような柔軟性を有しているため、発光基板１０の製造工程において転写部材２０を回路基板１１に押圧する際、突出保持部３５の一部が高い圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０に押圧されてしまい、マイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されることを回避することができる。すなわち、高い生産性で転写部材２０及び発光基板１０を製造することができる。
【００９７】
ところで、上述したように、第１乃至第３転写部材２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂから直接回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写する場合、各転写部材から回路基板１１へのマイクロ発光ダイオードチップ５０の転写工程を、マイクロ発光ダイオードチップ５０の種類ごとに３回行う必要がある。転写工程ごとに回路基板１１上に設けられたすべての異方性導電性粘着層１５を硬化させることになるため、３種のマイクロ発光ダイオードチップのすべてを回路基板に強固に固定することが困難である。
【００９８】
一方、本実施の形態の転写部材２０では、保持部材３０が複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持している。このため、転写部材２０から回路基板１１に複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で転写することができる。言い換えると、転写部材２０を用いることで、複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を１回で転写することができる。したがって、異方性導電性粘着層１５を硬化させる転写工程を１回のみとすることができる。すべての種類のマイクロ発光ダイオードチップ５０が異方性導電性粘着層１５に接着された状態で異方性導電性粘着層１５が硬化されるため、本実施の形態の転写部材２０を用いることで、複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０のすべてを回路基板１１に強固に固定することが可能となっている。
【００９９】
また、各突出部３６は、１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０のみを有している。１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０のみを有するよう、各突出部３６の平面視における大きさは、小さくなっている。このように、突出部３６が細くなっているため、突出部３６は、柔軟性を有しやすくなっている。したがって、突出部３６に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されることを容易に回避することができる。すなわち、高い生産性で転写部材２０及び発光基板１０を製造することができる。
【０１００】
さらに、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出部３６、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する突出部３６、及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持する突出部３６は、それぞれ基材３１の一方の面上に規則的に二次元配列されている。これらの配列の規則性は、転写部材２０からマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写される回路基板１１における画素の配列の規則性に対応している。すなわち、転写部材２０によって、画素を形成するように回路基板１１へマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写することができる。
【０１０１】
また、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出部３６に隣り合う少なくとも１つの突出部３６は、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持している。転写部材２０から転写した隣り合う各マイクロ発光ダイオードチップ５０によって画素が形成されるよう、突出部３６が設けられている。すなわち、転写部材２０によって、画素を形成するように回路基板１１へマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写することができる。
【０１０２】
以上のように、本実施の形態の転写部材２０は、基材３１と、基材３１の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出部３６と、突出部３６の先端に設けられた粘着性を有する粘着層３７と、を有する保持部材３０と、保持部材３０の各突出部３６に粘着層３７を介して保持された、第１波長の光を発光する複数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ及び第１波長とは異なる第２波長の光を発光する複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、を備える。このような転写部材２０によれば、複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に一括で転写することができる。したがって、回路基板１１における複数種のマイクロ発光ダイオードチップ５０の固定を１回で行うことができる。このため、複数種のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に強固に固定することができる。
【０１０３】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。
【０１０４】
例えば、突出部３６は、粘着性を有していてもよい。突出部３６が粘着性を有することで、突出部３６の先端に設けられる粘着層３７を省略することができる。したがって、粘着層３７を設けるコストを削減することができる。
【０１０５】
また、粘着層３７は、突出部３６の先端のみでなく、突出部３６の間にも設けられていてもよい。さらには、粘着層３７は、保持部材３０の突出部３６が形成された側の面の全体に設けられていてもよい。この場合、例えば保持部材３０の突出部３６が形成された側の面にコーティングすることによって、粘着層３７を容易に設けることができる。
【０１０６】
さらに、上述した実施の形態では、各突出部３６は、１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０のみを保持しているが、これに限らず、図２７に示すように、各突出部３６は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持していてもよい。とりわけ、図２７に示されている例では、各突出部３６は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持している。すなわち、各突出部３６は、回路基板１１における１つの画素を形成する３つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持している。このように１つの突出部３６が１つの画素を形成する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持できるよう、各突出部３６は、平面視において発光基板１０における１つの画素より大きくなっている。突出部３６が十分に大きくなっていることで、各突出部３６は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を安定して保持することができる。
【０１０７】
また、上述した実施の形態では、１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、１つの第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、１つの第３発光ダイオードチップ５０Ｂと、によって１つの画素が形成されている。しかしながら、任意の数の第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂによって、１つの画素が形成されていてもよい。あるいは、１つの画素が、２種類のマイクロ発光ダイオードチップ５０から形成されていてもよい。例えば、１つの画素は、１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、によって形成されていてもよい。この場合、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する突出部３６の数は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出部３６の数より多くなっている。図２８に示す例では、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する突出部３６の数は、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持する突出部３６の数の２倍になっている。
【０１０８】
さらに、上述したような、１つの画素が１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒと複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇとによって形成される場合でも、図２９に示すように、各突出部３６は、１つの画素を形成する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持していてもよい。
【０１０９】
なお、１つの画素が１つの第１発光ダイオードチップ５０Ｒと複数の第２発光ダイオードチップ５０Ｇとによって形成される場合、図５、図２８及び図２９に示した例では、各マイクロ発光ダイオードチップ５０が１つの方向（第１方向ｄ１）に沿って並んでいるが、これに限らず、１つの画素を形成するマイクロ発光ダイオードチップ５０は、２次元配列されるように配置されていてもよい。すなわち、一群の突出保持部３４における各マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する突出部３６は、２次元配列されていてもよい。
【０１１０】
上述した発光基板１０は、表示装置１以外にも、例えば照明装置に用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１１１】
１    表示装置
５    表示面
７    拡散層
１０    発光基板
１１    回路基板
１３    回路
１５    異方性導電性粘着層
２０    転写部材
３０    保持部材
３１    基材
３４    一群の突出保持部
３５    突出保持部
３６    突出部
３７    粘着層
２０Ｒ  第１転写部材
３０Ｒ  第１保持部材
３５Ｒ  第１突出保持部
３６Ｒ  第１突出部
３７Ｒ  第１粘着層
２０Ｇ  第２転写部材
３０Ｇ  第２保持部材
３５Ｇ  第２突出保持部
３６Ｇ  第２突出部
３７Ｇ  第２粘着層
２０Ｂ  第３転写部材
３０Ｂ  第３保持部材
３５Ｂ  第３突出保持部
３６Ｂ  第３突出部
３７Ｂ  第３粘着層
４０Ｒ  第１チップ基板
５０    マイクロ発光ダイオードチップ
５０Ｒ  第１発光ダイオードチップ
５０Ｇ  第２発光ダイオードチップ
５０Ｂ  第３発光ダイオードチップ
５１    電極
Ｒ１    第１領域
Ｒ２    第２領域
Ｒ３    第３領域
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４    位置決めマーク
Ｐ１ｘ、Ｐ１ｙ、Ｐ２ｘ、Ｐ２ｙ    ピッチ
【図１】
2020194089.tif 000003
【図２】
2020194089.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2020194089.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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