(57)【要約】【課題】  あるフラッシュメモリの消去処理が終了してから近いタイミングで別のフラッシュメモリの消去処理を開始するような状況が発生した場合、情報処理装置のダウンタイムが２回の消去処理分、近いタイミングで発生する。つまり、ダウンタイムが長くなってしまい、パフォーマンスが低下するおそれがある。【解決手段】  第１半導体メモリの不要データの容量と予め設定された第１半導体メモリの閾値とを比較する比較手段と、第１半導体メモリの不要データの容量が第１半導体メモリの閾値よりも大きいことを示す比較結果に従って、第１半導体メモリに消去コマンドを送信する送信手段と、を有し、送信手段は、第１半導体メモリに消去コマンドを送信したことに基づいて、前記第２半導体メモリに消去コマンドを送信する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
消去コマンドに対応した第１半導体メモリと第２半導体メモリを少なくとも有する情報処理装置であって、
前記第１半導体メモリの不要データの容量と予め設定された前記第１半導体メモリの閾値とを比較する比較手段と、
前記第１半導体メモリの不要データの容量が前記第１半導体メモリの閾値よりも大きいことを示す比較結果に従って、前記第１半導体メモリに消去コマンドを送信する送信手段と、を有し、
前記送信手段は、前記第１半導体メモリに消去コマンドを送信したことに基づいて、前記第２半導体メモリに消去コマンドを送信することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記比較手段は、前記第１半導体メモリに消去コマンドを送ったことに従って、前記第２半導体メモリの不要データの容量と予め設定された第２半導体メモリの閾値とを比較し、
前記送信手段は、
前記第２半導体メモリの不要データの容量が前記第２半導体メモリの閾値よりも大きいことを示す比較結果に従って、前記第２半導体メモリに消去コマンドを送信することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
ユーザから指示を受け付ける受け付け手段を更に有し、
前記第１半導体メモリに記憶されたデータを削除する指示を受け付けることに基づいて、前記比較手段は、前記第１半導体メモリの不要データの容量と前記第１半導体メモリの閾値を比較することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
ジョブを受け付ける受け付け手段を更に有し、
前記ジョブを実行することで、前記第１半導体メモリに所定のデータを記憶し、
前記ジョブの実行が完了し、前記所定のデータを削除することに基づいて、前記比較手段は、前記第１半導体メモリの不要データの容量と前記第１半導体メモリの閾値を比較することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記比較手段が、前記第２半導体メモリの不要データの容量と、前記第２半導体メモリの閾値よりも大きい前記第２半導体メモリの異なる閾値とを比較し、
前記第２半導体メモリの不要データの容量が前記第２半導体メモリの異なる閾値以下であることを示す比較結果に従って、前記比較手段が、前記第１半導体メモリの不要データの容量と前記第１半導体メモリの閾値とを比較することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項６】
ユーザから指示を受け付ける受け付け手段を更に有し、
前記第２半導体メモリに記憶されたデータを削除する指示を受け付けることに基づいて、前記比較手段は、前記第２半導体メモリの不要データの容量と前記第２半導体メモリの異なる閾値を比較することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
ジョブを受け付ける受け付け手段を更に有し、
前記ジョブを実行することで、前記第２半導体メモリに所定のデータを記憶し、
前記ジョブの実行が完了し、前記所定のデータを削除することに基づいて、前記比較手段は、前記第２半導体メモリの不要データの容量と前記第２半導体メモリの異なる閾値を比較することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記第１半導体メモリの不要データの容量を前記第１半導体メモリから取得し、前記第２半導体メモリの不要データの容量を前記第２半導体メモリから取得する取得手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第１半導体メモリに記憶されたデータを削除することに従って、前記第１半導体メモリの不要データの容量を加算し、前記第２半導体メモリに記憶されたデータを削除することに従って、前記第２半導体メモリの不要データの容量を加算することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１半導体メモリはＳＳＤであり、前記第２半導体メモリはｅＭＭＣであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記第１半導体メモリの閾値は、前記第２半導体メモリの閾値よりも大きいことを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記第１半導体メモリはｅＭＭＣであり、前記第２半導体メモリはＳＳＤであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記第１半導体メモリの閾値は、前記第２半導体メモリの閾値よりも小さいことを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
消去コマンドに対応した第１半導体メモリと第２半導体メモリを少なくとも有する情報処理装置であって、
前記第１半導体メモリの不要データの容量と予め設定された前記第１半導体メモリの閾値とを比較する比較手段と、
前記第１半導体メモリの不要データの容量が前記第１半導体メモリの閾値よりも大きいことを示す比較結果に従って、前記第１半導体メモリおよび前記第２半導体メモリに消去コマンドを送信する送信手段を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１５】
ユーザから指示を受け付ける受け付け手段を更に有し、
前記第１半導体メモリに記憶されたデータを削除する指示を受け付けることに基づいて、前記比較手段は、前記第１半導体メモリの不要データの容量と前記第１半導体メモリの閾値を比較することを特徴とする請求項１４に記載の情報処理装置。
【請求項１６】
ジョブを受け付ける受け付け手段を更に有し、
前記ジョブを実行することで、前記第１半導体メモリに所定のデータを記憶し、
前記ジョブの実行が完了し、前記所定のデータを削除することに基づいて、前記比較手段は、前記第１半導体メモリの不要データの容量と前記第１半導体メモリの閾値を比較することを特徴とする請求項１４に記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記第１半導体メモリの不要データの容量を前記第１半導体メモリから取得し、前記第２半導体メモリの不要データの容量を前記第２半導体メモリから取得する取得手段を更に有することを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１８】
前記第１半導体メモリに記憶されたデータを削除することに従って、前記第１半導体メモリの不要データの容量を加算し、前記第２半導体メモリに記憶されたデータを削除することに従って、前記第２半導体メモリの不要データの容量を加算することを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１９】
前記第１半導体メモリはＳＳＤであり、前記第２半導体メモリはｅＭＭＣであることを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項２０】
前記第１半導体メモリはｅＭＭＣであり、前記第２半導体メモリはＳＳＤであることを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＮＡＮＤフラッシュメモリの微細化と大容量化にともないストレージデバイスとしてｅＭＭＣ、ＵＦＳ、ＳＳＤが使われている。ＰＣ、ＭＦＰのようなシステムでは、ブートや小容量の記憶スペースとしてｅＭＭＣ、大容量の記憶容量としてＳＳＤを使ったシステム構成のデバイスもある。
【０００３】
ｅＭＭＣ、ＵＦＳ、ＳＳＤ等のフラッシュメモリデバイスはデータライトを続けていくと、不要なデータの上書きができないというフラッシュメモリの構造的な問題で書き込み性能が低下する。不要なデータとは、ファイルシステム上では削除済みデータだが、フラッシュメモリデバイスの物理的な記憶領域には実体データがフラッシュメモリデバイスに残っている実体データである。この不要なデータを削除するためには、その実体データを消去する必要がある。
【０００４】
この書込み性能の低下を防ぐために、消去コマンド（Ｔｒｉｍコマンド）が存在する。消去コマンドは、ホスト（オペレーションシステム）からＳＳＤへ発行される。消去コマンドを受信したＳＳＤは、不要なデータ領域に対してブロック単位で電荷を抜き、ブロック内の全セルに電荷をチャージすることでブロックの初期化を行う。ＳＳＤはブロックの初期化を行うことで、ホストから書込みが行われるとすぐに書込みを行うことができる。
【０００５】
特許文献１はミラーリング用に２つのＳＳＤが搭載され、２つのＳＳＤがミラーリング装置で制御されるミラーリングシステムである。コントローラは、ミラーリングシステムを１つの記憶装置とみなす。つまり、コントローラがミラーリングシステムへ１つの消去コマンドを発行する。そして消去コマンドを受信したミラーリングシステムに含まれるメモリコントローラは、受け付けた消去コマンドに従って、２つのＳＳＤに対して同時に消去コマンドを発行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１８−０６３６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
情報処理装置には、２つ以上のフラッシュメモリのデバイス（ｅＭＭＣ、ＳＳＤ等）が存在する。例えば、情報処理装置がｅＭＭＣとＳＳＤを有する構成がある。ｅＭＭＣはブートや履歴データの書込みに使われ、ＳＳＤはコピーやプリント時のスプールデータの書込みに使われる。それぞれのフラッシュメモリのデバイス（ｅＭＭＣ，ＳＳＤ等）は使い方が異なるため、コントローラは各々のデバイスに対して各々のタイミングで消去コマンドを発行する。
【０００８】
そのため、各々のフラッシュメモリのデバイスへの消去コマンド（Ｔｒｉｍコマンド）の発行タイミングによっては、あるフラッシュメモリの消去処理が終了してから近いタイミングで別のフラッシュメモリの消去処理を開始するような状況が発生し得る。
【０００９】
消去処理中のフラッシュメモリの数に関わらずフラッシュメモリの消去処理の実行中は、情報処理装置が正常に動作しないおそれがある。そのため、あるフラッシュメモリの消去処理が終了してから近いタイミングで別のフラッシュメモリの消去処理を開始するような状況が発生した場合、情報処理装置のダウンタイムが２回の消去処理分、近いタイミングで発生する。つまり、ダウンタイムが長くなってしまい、パフォーマンスが低下するおそれがある。
【００１０】
本発明は、コントローラが複数のフラッシュメモリデバイスの各々に消去コマンドを発行する構成において、消去処理による情報処理装置のダウンタイムの低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、消去コマンドに対応した第１半導体メモリと第２半導体メモリを少なくとも有する情報処理装置であって、第１半導体メモリの不要データの容量と予め設定された第１半導体メモリの閾値とを比較する比較手段と、第１半導体メモリの不要データの容量が第１半導体メモリの閾値よりも大きいことを示す比較結果に従って、第１半導体メモリに消去コマンドを送信する送信手段と、を有し、送信手段は、第１半導体メモリに消去コマンドを送信したことに基づいて、第２半導体メモリに消去コマンドを送信することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、コントローラが複数のフラッシュメモリデバイスの各々に消去コマンドを発行する構成において、消去処理による情報処理装置のダウンタイムの低下を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】画像処理装置の簡易ブロック図
【図２】デバイスＡの記憶領域とデバイスＢの記憶領域の使用状況を示す図
【図３】実施例１のフローチャート
【図４】実施例２のフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して本発明の各実施例を詳しく説明する。ここでは、情報処理装置の例として画像形成装置を用いる。なお、以下の実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また各実施例で説明されている特徴の組み合わせのすべてが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。
【００１５】
（実施例１）
図１は、画像形成装置１０の簡略ブロック図である。
【００１６】
画像形成装置１０は、メインコントローラ部１００とスキャナ部２００とプリンタ部３００と操作部４００で構成される。
【００１７】
メインコントローラ部１００は、スキャナ部２００、およびプリンタ部３００、操作部４００と接続される。メインコントローラ部１００は、ＣＰＵ１１０、ＲＡＭ１２０、ｅＭＭＣ１３０、ＳＳＤ１４０、画像処理部１５０、ＬＡＮコントローラ１６０、電源制御部１７０、操作部Ｉ／Ｆ１９０を備えている。
【００１８】
ｅＭＭＣ１３０は、システムが起動するためのブートデータやコピー、コピー、ＰＤＬ等のジョブ履歴データ等が格納される。またＳＳＤ１４０は、操作部４００に表示するアプリケーション等が格納され、コピー、ＰＤＬのジョブ実行時に画像データのスプール領域として使用される。なお、ｅＭＭＣ１３０とＳＳＤ１４０は、後述の消去コマンドに対応する半導体メモリである。
【００１９】
ＣＰＵ１１０は、電源制御部１７０から電源が投入されるとブートデータをｅＭＭＣ１３０から読出し、ＳＳＤ１４０からアプリケーション等のデータをＲＡＭ１２０へ展開し起動する。
【００２０】
ＲＯＭ１８０は、例えばメインコントローラ部１００の起動に係る形成を実行させるプログラムや固定パラメータ、後述する閾値などを格納する。
【００２１】
ＲＡＭ１２０は、ＣＰＵ１１０が画像形成装置１０を制御する際に、プログラムや一時的なデータの格納などに使用される。なお、ＲＡＭ１２０に格納されるプログラムや一時的なデータは、ＲＯＭ１８０やＳＳＤ１４０等から読み出されたものである。
【００２２】
ＬＡＮコントローラ１６０は、ＣＰＵ１１０とシステムバスで接続されＰＣ等のデバイスからＥｔｈｅｒｎｅｔ  Ｉ／Ｆを介してプリントデータを受信する。受信したプリントデータは、ＣＰＵ１１０がＲＡＭ１２０経由でＳＳＤ１４０に一時的に保存し、画像処理部１５０で画像処理を実行した後、不図示のプリンタＩ／Ｆを介してプリンタ部３００でプリント処理が行われる。ＣＰＵ１１０は、画像処理部１５０からプリントＩ／Ｆへ画像処理後のデータをプリンタＩ／Ｆへ送信すると同時に、ｅＭＭＣ１３０へプリントデータの情報の書き込みを行う。
【００２３】
スキャナ部２００は原稿を読取り、読み取った原稿をデータ化し不図示のスキャナＩ／Ｆを介して画像処理部１５０へ送信する。画像処理部１５０で画像処理を実行した後、プリンタＩ／Ｆを介してプリンタ部３００でプリント処理が行われる。ＣＰＵ１１０は、画像処理部１５０からプリントＩ／Ｆへ画像処理後のデータをプリンタＩ／Ｆへ送信すると同時に、ｅＭＭＣ１３０へプリントデータの情報の書き込みを行う。
【００２４】
操作部４００は、操作部Ｉ／Ｆ１９０を介してＣＰＵ１１０から送信されたデータを表示し、ユーザから操作部４００へ入力があった場合、その入力内容をＣＰＵ１１０へ通知する。
【００２５】
ＣＰＵ１１０は、コピー、ＰＤＬ等のジョブ実行時に画像データの一次退避データ（スプールデータ）をＳＳＤ１４０のスプール領域へ書込みを行うが、ジョブ実行後はスプールデータが不要となるため削除を行う。ＳＳＤ１４０、ＣＰＵ１１０からスプールデータの削除のコマンドを受信すると、リンクテーブルの解除を行いシステムとしては削除されているが、不要となった実体データがＳＳＤ１４０の記憶領域に残っている状態となる。
【００２６】
この不要な実体データが多くなると、ＣＰＵ１１０はＳＳＤ１４０に対して消去コマンド（Ｔｒｉｍコマンド）を発行し、ＳＳＤ１４０の不要な実体データを削除する。ＳＳＤ１４０は、ＣＰＵ１１０から消去コマンドを受信すると、不要なデータ領域のブロック単位で電荷を抜き、ブロック内の全セルをチャージすることでブロックの初期化を行う。
【００２７】
図２は、半導体メモリであるデバイスＡの記憶領域と、半導体メモリであるデバイスＢの記憶領域の使用状況の一例を示す。
【００２８】
本実施例では、デバイスＡをｅＭＭＣ１３０、デバイスＢをＳＳＤ１４０として説明するが、その他のフラッシュメモリデバイスであってもよい。
【００２９】
デバイスＡであるｅＭＭＣ１３０は、ＳＳＤ１４０よりも容量が小さいデバイスであり、システムが起動するためのブータブルデータや、コピー・ＰＤＬ等のジョブ実行時に書き込まれたプリントデータの情報等が格納されている。
【００３０】
デバイスＢであるＳＳＤ１４０は、ｅＭＭＣ１３０よりも容量が大きいデバイスであり、コピー、ＰＤＦ実行時の画像データのスプールに使われる。
【００３１】
図２に示す例においてｅＭＭＣ１３０のデータの使用状況は、使用領域５０％、未使用領域３８％、不要データ１２％である。ｅＭＭＣ１３０の閾値は、閾値Ａが１０％、閾値Ａ’が５％とする。デバイスＡの不要データは、ｅＭＭＣ１３０の不要データが全体の１２％なので、閾値Ａ、閾値Ａ’を超えている。なお、閾値Ａおよび閾値Ａ’は予め設定されているが、変更可能であってもよい。
【００３２】
図２に示す例においてＳＳＤ１４０のデータ使用状況は、使用領域が７０％、未使用領域が３５％、不要データ領域が７％である。ＳＳＤ１４０の閾値は、閾値Ｂが１０％、閾値Ｂ’が５％とする。デバイスＢの不要データは、ＳＳＤ１４０の不要データが全体の７％なので、閾値Ｂよりも小さく閾値Ｂ’よりも大きい。なお、閾値Ｂおよび閾値Ｂ’は予め設定されているが、変更可能であってもよい。
【００３３】
図３は、実施例１の消去処理フローチャートの一例を示す。実施例１では、ＣＰＵ１１０がデバイスＡの不要なデータ量が閾値を超えたとき、デバイスＡへ消去コマンドを発行し、もう一方のデバイスＢの不要なデータ量の閾値がある範囲内であれば、デバイスＢへ消去コマンドを発行する。
【００３４】
本実施例では、デバイスＡがｅＭＭＣ１３０、デバイスＢがＳＳＤ１４０として説明する。本実施例では、２つのフラッシュメモリデバイスを例に説明したが２つ以上であればよい。
【００３５】
ステップＳ１０１において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０のファイルを削除する。ステップＳ１０１は、例えば、ユーザが操作部４００でファイル削除を指示し、ｅＭＭＣ１３０のデータが削除されることや、コピージョブやＰＤＬジョブの実行完了に伴うデータ削除等のケースがある。
【００３６】
ステップＳ１０１を終えるとステップＳ１０２に遷移する。
【００３７】
ステップＳ１０２において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０とＳＳＤ１４０の不要なデータ量（不要なデータ容量）を取得する。ステップＳ１０２を終えるとステップＳ１０３に遷移する。
【００３８】
ステップＳ１０３において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が閾値Ａを超えたか否かを判定する。つまり、ＣＰＵ１１０は、不要なデータ量と閾値を比較する。不要なデータとは、ファイルシステム上では削除済みデータだが、物理的には実体データがフラッシュメモリデバイスの記憶領域に残っているデータのことである。ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が閾値Ａを超えている場合（比較結果）には、ステップＳ１０４へ遷移する。
【００３９】
ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０に消去コマンドを発行する。ｅＭＭＣ１３０は、消去コマンドを受信すると不要なデータのブロックの電荷を抜き、ブロックの全セルをチャージすることで初期化する。ステップＳ１０４を終えるとステップＳ１０５に遷移する。
【００４０】
ステップＳ１０５において、ＣＰＵ１１０は、ＳＳＤ１４０の不要なデータ量が閾値Ｂ‘よりも大きい容量か否かを判断する。ステップＳ１０５において、ＳＳＤ１４０の不要なデータ量が、閾値Ｂ’よりも小さい容量であれば消去処理フローチャートを終了する。一方、ＳＳＤ１４０の不要なデータ量が、閾値Ｂ’よりも大きい容量であればステップＳ１０６に遷移する。
【００４１】
ステップＳ１０６において、ＣＰＵ１１０は、ＳＳＤ１４０に消去コマンドを発行する。ＳＳＤ１４０は、消去コマンドを受信すると不要なデータのブロックの電荷を抜き、ブロックの全セルをチャージすることで初期化する。ステップＳ１０６を終えると消去処理フローチャートを終了する。
【００４２】
ステップＳ１０３の説明に戻る。ステップＳ１０３において、ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が閾値以下である場合には、ステップＳ１０７へ移行する。
【００４３】
ステップＳ１０７において、ＳＳＤ１４０の不要なデータ量が、閾値Ｂを超えたか否かを判定する。ステップＳ１０７で閾値Ｂを超えていない場合（比較結果）には、消去処理フローチャートを終了する。一方、ステップＳ１０７で閾値Ｂを超えた場合（比較結果）には、ステップＳ１０８へ移行する。
【００４４】
ステップＳ１０８において、ＣＰＵ１１０は、ＳＳＤ１４０に消去コマンドを発行する。ＳＳＤ１４０は、消去コマンドを受信すると不要なデータのブロックの電荷を抜き、ブロックの全セルをチャージすることで初期化する。ステップＳ１０８を終えるとステップＳ１０９に遷移する。
【００４５】
ステップＳ１０９において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が閾値Ａ’よりも大きい容量かどうか確認する。ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が、閾値Ａ’よりも小さい容量であれば消去処理フローチャートを終了する。一方、ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が、閾値Ａ’よりも大きい容量であればＳ１１０へ遷移する。
【００４６】
ステップＳ１１０において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０に消去コマンドを発行する。ｅＭＭＣ１３０は、消去コマンドを受信すると不要なデータのブロックの電荷を抜き、ブロックの全セルをチャージすることで初期化する。ステップＳ１１０を終えると消去処理フローチャートを終了する。
【００４７】
以上のように本実施例の構成によれば、デバイスＡに消去コマンドを発行した際に、デバイスＢに対して消去コマンドを発行するべきか否かを確認することで、デバイスＡとデバイスＢの消去コマンド処理を同時期に行うことができる。このような構成によれば、システム全体のパフォーマンス低下を防ぐことが可能となる。
【００４８】
さらに、デバイスＡが閾値を超えていなくても、デバイスＢが閾値を超えており、デバイスＢに消去コマンドが発行された場合に、デバイスＡの閾値を下げることで、デバイスＡとデバイスＢの消去コマンド処理を同時期に行うことが出来る。このような構成によれば、システム全体のパフォーマンス低下を防ぐことが可能となる。
【００４９】
（実施例２）
本実施例の消去処理のフローチャートを図４に示す。本実施例は、実施例１の変形例であり、消去処理のフローチャートが異なる。それ以外の構成は実施例１と同様である。本実施例においても、デバイスＡをｅＭＭＣ１３０、デバイスＢをＳＳＤ１４０として説明するが逆でもよい。また、本実施例では、２つのフラッシュメモリデバイスを例に説明したが２つ以上であればよい。
【００５０】
本実施例は、ｅＭＭＣ１３０もしくはＳＳＤ１４０の不要データ量が閾値を超えたことによって、ＣＰＵ１１０がｅＭＭＣ１３０とＳＳＤ１４０に同時に消去コマンドを発行する点で実施例１と異なる。
【００５１】
ステップＳ２０１において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０のファイルを削除する。ステップＳ２０１において、例えば、ユーザが操作部４００でファイル削除を行い、ｅＭＭＣ１３０のデータが削除されたこととする。
【００５２】
ステップＳ２０２において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０とＳＳＤ１４０の不要なデータ量を取得する。なお、ここではｅＭＭＣ１３０とＳＳＤ１４０の不要なデータ量を取得する例を示したが、少なくともファイルの削除を行ったｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量を取得すればよい。
【００５３】
ステップＳ２０３において、ＣＰＵ１１０は、ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が閾値Ａを超えたか否かを判定する。つまり、ＣＰＵ１１０は、不要なデータ量と閾値を比較する。
【００５４】
ステップＳ２０３で、デバイスＡもしくはデバイスＢのどちらかの閾値を超えていた場合（比較結果）、ステップＳ２０４へ移行し、両方のデバイスがそれぞれ閾値を超えていない場合、終了する。
【００５５】
なお、ステップＳ２０３において、ファイルの削除を行っていないＳＳＤ１４０の不要なデータ量が閾値Ｂを超えたか否かを判定してもよい。例えば、ｅＭＭＣ１３０の不要なデータ量が閾値Ａを超えていないと判定された場合に、ＣＰＵ１１０は、ＳＳＤ１４０の不要なデータ量が閾値Ｂを超えたか否かを判定する。そして、ＳＳＤ１４０の不要なデータ量が閾値Ｂを超えたと判定された場合には、ステップＳ２０４に遷移する。
【００５６】
ステップＳ２０４において、ＣＰＵ１１０は、デバイスＡとデバイスＢに同時に消去コマンドを発行する。そしてｅＭＭＣ１３０およびＳＳＤ１４０は、消去コマンドを受信すると不要なデータのブロックの電荷を抜き、ブロックの全セルをチャージすることで初期化する。
【００５７】
以上のように本実施例の構成によれば、少なくとも一方のデバイスにおいて不要なデータ量が閾値を超えていることによって、デバイスＡとデバイスＢの消去コマンド処理を同時期に行うことができる。このような構成によれば、システム全体のパフォーマンス低下を防ぐことが可能となる。
【００５８】
なお、以下の記載は、実施例１および実施例２において共通である。
【００５９】
ステップＳ１０１およびステップＳ２０１でＳＳＤ１４０のファイルを削除した場合には、デバイスＡは、ＳＳＤ１４０となり、デバイスＢがｅＭＭＣ１３０となる。
【００６０】
また、ファイルが削除されることによって削除処理のフローチャートが開始する構成を示したがこれに限られない。例えば、ユーザが画像形成装置の電源をオフするタイミングでステップＳ１０２（Ｓ２０２）以降のフローチャートを実行してもよい。また、所定のタイミングで、デバイスＡまたはデバイスＢの空き容量の情報をＣＰＵ１１０が取得し、ステップＳ１０３（Ｓ２０３）以降のフローチャートを実行してもよい。
【００６１】
さらに、ステップＳ１０２およびＳ２０２において不要なデータ量を取得する構成を示したが、例えば、各デバイスから容量情報を取得し、その中に不要なデータ量が含まれる構成でもよい。また、例えば、ＣＰＵ１１０が、ファイルを削除した際に、削除したデータ容量を加算して不要データ量として管理してもよい。ＣＰＵ１１０で管理する場合には、管理情報をｅＭＭＣ１３０、ＳＳＤ１４０のいずれかに記憶する。
【００６２】
（その他の実施形態）
以上、本発明の様々な例と実施形態を示して説明したが、本発明の趣旨と範囲は、本明細書内の特定の説明に限定されるものではない。
【００６３】
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００６４】
１００  メインコントローラ
１１０  ＣＰＵ
１３０  ｅＭＭＣ
１４０  ＳＳＤ
【図１】
2020095388.tif 000003
【図２】
2020095388.tif 000004
【図３】
2020095388.tif 000005
【図４】
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