(57)【要約】【課題】共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における抵抗を低減する。【解決手段】基板上の行方向に隣接する画素電極１１９の間隙の内に列方向に延伸して配された補助電極２００と、補助電極２００上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体２３０と、発光層１２３上および複数の柱状絶縁体２３０に跨って設けられた電子輸送層１２４と、共通電極１２５とを備え、補助電極２００は、少なくとも柱状絶縁体２３０が存在しない上面部分２０２ｂに、画素電極１１９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層２０２を含み、電子輸送層１２４は補助電極１００上の柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍に位置する一部分１２４ａが欠落しているか又は薄層化している。【選択図】図２
2020030933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸して配された補助電極と、
前記補助電極上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体と、
前記発光層上および複数の前記柱状絶縁体に跨って設けられた機能層と、
前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極と、を備え、
前記補助電極は、少なくとも前記柱状絶縁体が存在しない上面部分に、前記画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層を含み、
前記機能層は、前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化しており、
前記共通電極は、前記機能層の欠落により露出している前記接触層と接触するか、前記機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記補助電極に電気的に接続されている
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記柱状絶縁体が存在しない上面部分は、隣接する前記柱状絶縁体の間の間隙の底部である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記柱状絶縁体の厚みに対する隣接する前記柱状絶縁体の間隙の幅の比率は０．５以上２以下である
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記柱状絶縁体の側壁の接触層表面に対する傾斜角は９０°より大きく１４０°以下である
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記機能層は、前記柱状絶縁体の上面、及び前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍以外には存在しており、前記柱状絶縁体の側壁上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化している
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記補助電極は、前記画素電極の構成材料と同じ材料からなる下層と、前記下層の上面に列方向に延伸して配された前記接触層からなる、
請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記補助電極は、
前記柱状絶縁体が上方に配され、前記画素電極の構成材料と同じ材料からなる下層と、前記下層の上面における平面視において前記柱状絶縁体が存在しない部分に島状に配された前記接触層からなる、
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記補助電極は、列方向に延伸する前記接触層のみからなる
請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板上に複数の画素電極を行列状に配する工程と、
前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する補助電極を形成する工程と、
少なくとも前記補助電極上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体を形成する工程と、
各前記画素電極上に有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、
真空蒸着法により、前記発光層上および複数の前記柱状絶縁体に跨る機能層を形成する工程と、
スパッタリング法またはＣＶＤ法により、前記機能層上に連続して延伸する共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記補助電極を形成する工程では、少なくとも前記柱状絶縁体が存在しない上面部分に、前記画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層を形成する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙に列方向に延伸する列バンクを形成する工程を備え、
前記バンクを形成する工程の後に、前記接触層を形成する
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
さらに、前記柱状絶縁体を形成する工程の後に、前記接触層を形成する
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記機能層を形成する工程では、前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化するように前記機能層が形成され、
前記共通電極を形成する工程では、前記機能層の欠落により露出している前記接触層と前記共通電極とが直接接触するように、前記機能層が薄層化している部分ではそれ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗で前記共通電極が前記補助電極に電気的に接続されるように前記共通電極が形成される
請求項９から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記機能層を形成する工程では、前記柱状絶縁体の上面、及び前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍以外には存在し、前記柱状絶縁体の側壁上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化するように前記機能層が形成される
請求項９から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記柱状絶縁体の厚みに対する隣接する前記柱状絶縁体の間隙の幅の比率は０．５以上２以下である
請求項９から１３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記柱状絶縁体の側壁の接触層表面に対する傾斜角は９０°より大きく１４０°以下である
請求項９から１４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル、及びそれを用いたその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造をしている。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。
【０００４】
共通電極は、基板全面にわたって成膜することが多く、共通電極の電気抵抗が大きい場合、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して面内の輝度ムラが発生してしまう可能性がある。
そこで、共通電極の低抵抗化のために補助電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、補助電極を画素電極と同層に形成し、発光層をメタルマスクで塗り分けることで、共通電極と画素電極との間には電界発光層を、共通電極と補助電極とは電気的に接続された構成を備えた発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−２１２４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の手法では、複数層からなる有機層のうち特に発光層の上層に位置する電子輸送層を形成する際に、補助電極を避けて形成するためにマスク蒸着を行う必要があり、生産コストが増大するという課題がある。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに面内の輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸して配された補助電極と、前記補助電極上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体と、前記発光層上および複数の前記柱状絶縁体に跨って設けられた機能層と、前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極と、を備え、前記補助電極は、少なくとも前記柱状絶縁体が存在しない上面部分に、前記画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層を含み、前記機能層は、前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化しており、前記共通電極は、前記機能層の欠落により露出している前記接触層と接触しており、前記機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記補助電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに面内の輝度ムラを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の単位画素１００ｅに相当するバンク１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【図３】図１におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図４】図１におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。
【図５】図１におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図９】共通電極１２５の成膜に用いるスパッタ装置６００を示す模式図である。
【図１０】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１２】電子輸送層１２４の成膜に用いる蒸着装置５００を示す模式図である。
【図１３】共通電極１２５成膜後の図４に示した補助電極２００周辺の拡大図である。
【図１４】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図１５】有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図１６】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを図１のＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１７】変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂを図１のＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸して配された補助電極と、前記補助電極上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体と、前記発光層上および複数の前記柱状絶縁体に跨って設けられた機能層と、前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極と、を備え、前記補助電極は、少なくとも前記柱状絶縁体が存在しない上面部分に、前記画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層を含み、前記機能層は、前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化しており、前記共通電極は、前記機能層の欠落により露出している前記接触層と接触するか、前記機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記補助電極に電気的に接続されていることを特徴とする。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記柱状絶縁体が存在しない上面部分は、隣接する前記柱状絶縁体の間の間隙の底部である構成であってもよい。
【００１１】
係る構成により、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに面内の輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネルを提供することができる。また、補助電極のコンタクト面は、画素電極や補助電極の下層の構成材料よりも酸化されにくい材料から構成されているので、以降の製造プロセスにおいて補助電極の酸化が抑制され、欠落部を通した共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
【００１２】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記柱状絶縁体の厚みに対する隣接する前記柱状絶縁体の間隙の幅の比率は０．５以上２以下である構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記柱状絶縁体の側壁の接触層表面に対する傾斜角は９０°より大きく１４０°以下である構成であってもよい。
係る構成により、専用の工程を設けない簡易な製造プロセスにより、補助電極上の柱状絶縁体の側壁の近傍において機能層を段切れさせて欠落部を形成し、欠落部から補助電極の接触層のコンタクト面が露出する構造を実現できる。
【００１３】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記機能層は、前記柱状絶縁体の上面、及び前記補助電極上の前記柱状絶縁体が存在しない部分における前記柱状絶縁体の側壁近傍以外には存在しており、前記柱状絶縁体の側壁上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化している構成であってもよい。これより、前記補助電極は、前記画素電極の構成材料と同じ材料からなる下層と、前記下層の上面に列方向に延伸して配された前記接触層からなる構成が得られる。
【００１４】
係る構成により、補助電極の上に形成される電子輸送層の一部において途切れて（断切れして）一部分が欠落しているか欠落部か又は薄層化している薄層化部が形成されるとともに、共通電極は、この電子輸送層の欠落部に回り込むように、補助電極のコンタクト面に接触して形成される。あるいは、電子輸送層の薄層化部において、それ以外の電子輸送層の部分よりも低い抵抗にて補助電極に電気的に接続される。
【００１５】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記補助電極は、前記柱状絶縁体が上方に配され、前記画素電極の構成材料と同じ材料からなる下層と、前記下層の上面における平面視において前記柱状絶縁体が存在しない部分に島状に配された前記接触層からなる構成であってもよい。
係る構成により、簡易な製造プロセスを用いて製造でき共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗を低減するとともに、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属又はそれらを主成分とする合金から構成される接触層の構成材料の使用量を低減して、材料コストを低減することができる。
【００１６】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、記補助電極は、列方向に延伸する前記接触層のみからなる構成であってもよい。
係る構成により、簡易な製造プロセスを用いて製造でき共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減することができる。
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に複数の画素電極を行列状に配する工程と、前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する補助電極を形成する工程と、少なくとも前記補助電極上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体を形成する工程と、各前記画素電極上に有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、真空蒸着法により、前記発光層上および複数の前記柱状絶縁体に跨る機能層を形成する工程と、スパッタリング法またはＣＶＤ法により、前記機能層上に連続して延伸する共通電極を形成する工程とを含み、前記補助電極を形成する工程では、少なくとも前記柱状絶縁体が存在しない上面部分に、前記画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層を形成することを特徴とする。
【００１７】
係る構成により、発光層上の電子輸送層を共通層として成膜できるので、電子輸送層形成工程におけるマスク成膜などのパターニングが不要となり、簡易な製造プロセスを用いて、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記基板上の行方向に隣接する画素電極の間隙に列方向に延伸する列バンクを形成する工程を備え、前記バンクを形成する工程の後に、前記接触層を形成する構成であってもよい。
【００１８】
係る構成により、バンクの形成など焼成を伴うプロセスは、補助電極の接触層形成後に行われる工程順となるため、補助電極のコンタクト面が以降の製造プロセスにおいて酸化されることが抑制され、製造された表示パネルにおいて、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記柱状絶縁体を形成する工程の後に、前記接触層を形成する構成であってもよい。
【００１９】
係る構成により、柱状絶縁体の形成など焼成を伴うプロセスは、接触層形成後に行われる工程順となるため、補助電極のコンタクト面が以降の製造プロセスにおいて酸化されることがより一層抑制される。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記接触層は、前記画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金を含むインクを、前記画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する列状領域内に塗布し前記インクに含まれる溶媒を蒸発させることにより形成する構成であってもよい。
【００２０】
係る構成により、マスク成膜などのパターニングを用いることなく、少なくとも柱状絶縁体が存在しない下地の上面部分に選択的に接触層を形成することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記機能層を形成する工程では、前記補助電極上の前記柱状絶縁体が存在しない部分における前記柱状絶縁体の側壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化するように前記機能層が形成され、前記共通電極を形成する工程では、前記機能層の欠落により露出している前記接触層と前記共通電極とが直接接触するように、前記機能層が薄層化している部分ではそれ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗で前記共通電極が前記補助電極に電気的に接続されるように前記共通電極が形成される構成であってもよい。これより、前記機能層を形成する工程では、前記柱状絶縁体の上面、及び前記補助電極上の前記柱状絶縁体の側壁近傍以外には存在し、前記柱状絶縁体の側壁上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化するように前記機能層が形成される構成が得られる。
【００２１】
係る構成により、真空蒸着法などにより電子輸送層を成膜する際に、補助電極の接触層上面の隣接する柱状絶縁体の間隙の底部における、柱状絶縁体の側壁近傍に位置する一部分が欠落（段切れ）して、間隙底部の側壁近傍に電子輸送層が形成されない欠落部が生じ、欠落部より補助電極の間隙底部の一部が露出する。共通電極は、欠落部に回り込むよう、補助電極のコンタクト面に接触して形成させる構造を実現できる。あるいは、電子輸送層の薄層化部において、それ以外の電子輸送層の部分よりも低い抵抗にて補助電極に電気的に接続される構造を実現できる。
【００２２】
≪実施の形態１≫
以下、実施の形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法について図面を用いて説明する。
＜表示パネル１０の全体構成＞
本実施の形態に係る表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。図１は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図であって、後述するバンク１２２より下方を視した透視図である。図２は、有機ＥＬ表示パネル１０の単位画素１００ｅに相当するバンク１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
【００２３】
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
【００２４】
図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ｅから構成されている。本明細書では、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとを総称して「バンク１２２」とする。区画領域１０ｅは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されている領域である。
【００２５】
表示パネル１０の区画領域１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）には、有機ＥＬ素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図１に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００２６】
また、図１、２、３に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離δＸ及びδＹだけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。
【００２７】
さらに、表示パネル１０には、複数の補助電極２００が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。補助電極２００は、画素電極１１９と同じ光反射材料からなる。
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の行方向外縁１１９ａ３／１１９ａ４及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。行方向に隣接する画素電極１１９と補助電極２００の行方向外縁１１９ａ３／２００ａ２又は１１９ａ４／２００ａ１及びそれらの外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方にも列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
【００２８】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の列方向外縁１１９ａ１／１１９ａ２及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。
【００２９】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲに対応する間隙を赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する間隙を緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する間隙を青色間隙５２２ｚＢ、青色間隙５２２ｚＢと赤色間隙５２２ｚＲとに挟まれ補助電極２００が敷設されている補助間隙５２２ｚＡ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は「間隙５２２ｚ」）とする。
【００３０】
また、図１に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。
また、図１及び図２に示すように、表示パネル１０には、補助間隙５２２ｚＡに、複数の補助電極２００が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。補助間隙５２２ｚＡ内の補助電極２００上は上面側に接触層２０２を含み、接触層２０２の上面に行列状に複数の柱状絶縁体２３０が配されている。なお、詳細は後述するが、平面視において補助電極２００の上面における柱状絶縁体２３０が存在しない領域の一部において補助電極２００の接触層２０２と上層である共通電極１２５とが接触している。
【００３１】
＜表示パネル１０の各部構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、説明する。図３、図４及び図５は、それぞれ、図１におけるＡ１−Ａ１、Ａ２−Ａ２及びＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
【００３２】
［基板１００ｘ］
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
【００３３】
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ１ と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
【００３４】
［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するとともに、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００３５】
平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１  に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける領域１０ｅ上面に位置する平坦化層１１８上には、図２に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。
【００３６】
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部１１９ｃが形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１に接続される配線１１０とが接続される。
【００３７】
［補助電極２００］
補助電極２００Ｙは、図３、図５に示すように、列バンク５２２Ｙの補助間隙５２２ｚＡ内の平坦化層１１８上には列方向に延伸して設けられている。補助電極２００は、画素電極１１９間に行方向に間隔δＸをあけて配されている。補助電極２００Ｙは、共通電極１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。
【００３８】
補助電極２００は、画素電極１１９と同層に形成された下層２０１と下層２０１に形成された接触層２０２を含む。これより、補助電極２００は、少なくとも後述する柱状絶縁体２３０が存在しない間隙底部２００ｂに、画素電極１１９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層２０２を含む。補助電極２００の接触層２０２は、電子輸送層１２４が欠落しているか電子輸送層１２４の欠落部１２４ａを通して共通電極１２５と接触する。あるいは、電子輸送層１２４の欠落には至らないものの、電子輸送層１２４が薄層化している部分（薄層化部）において、それ以外の電子輸送層１２４の部分よりも低い抵抗にて補助電極２００に電気的に接続されている。電子輸送層１２４の欠落部１２４ａ又は薄層化部は接触層２０２の上面の柱状絶縁体２３０間の間隙底部２００ｂにおける柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの近傍のコンタクト面２００ｃに位置する。
【００３９】
ここで、補助電極２００の厚みは、給電を補助するための十分な断面積を得るために、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、補助電極２００の厚みは、例えば、４００ｎｍとした。
補助電極２００の幅は発光面積を広げるためできるだけ狭い方が好ましい。少なくとも副画素１００ｓｅのＸ方向の幅よりも狭い方が好ましい。補助電極２００の幅は、３０μｍ以上４０μｍ以下、補助電極２００上の柱状絶縁体２３０が存在しない間隙底部２０２ｂの幅は１０μｍ程度が好適である。また、配線抵抗低減のために、補助電極２００の幅を拡大する場合には、行方向に延伸する補助電極２００Ｘの幅の方が、列方向に延伸する補助電極２００Ｙの幅よりも、拡大したときに発光面積に与える影響は少ない。
【００４０】
さらに、補助電極は、行バンク１２２Ｘ間の平坦化層１１８上面に隣接する補助電極２００の間をつなぐように行方向に延伸して配されていてもよい。
なお、平面視したときの補助電極２００の形状は、列バンク５２２Ｙの補助間隙５２２ｚＡ内に列方向に延伸して設けられている形態には限られない。行方向に延伸され配されていてもよく、あるいは、行列方向に格子状の形態や、他のレイアウトであってもよい。
【００４１】
補助電極２００と電子輸送層１２４又は共通電極との接触態様の詳細については後述する。
［ホール注入層１２０］
画素電極１１９及上には、図２に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
【００４２】
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上及び補助電極２００上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ａを、それぞれホール注入層１２０ＡＢ、ホール注入層１２０ＡＧ及びホール注入層１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとする。
【００４３】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。補助間隙５２２ｚＡには、ホール注入層１２０Ｂは設けられていない。
［バンク１２２］
図３に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０Ａ、補助電極２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。
【００４４】
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００４５】
行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして行方向に設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００４６】
［柱状絶縁体２３０］
柱状絶縁体２３０は、図３、図５に示すように、列バンク５２２Ｙの補助間隙５２２ｚＡ内の補助電極２００の上において、少なくともそれぞれが列方向に離間した状態で複数配されている。さらに行方向に離間した状態で複数配されている構成であってもよい。本実施の形態では、１つの補助間隙５２２ｚＡ内の列方向の行バンク１２２Ｘ間において、一例として、行列方向にそれぞれ７×３個（２１個）の柱状絶縁体２３０が形成されている。
【００４７】
柱状絶縁体２３０の形状は、図２に示すように、例えば、矩形形状の上面２３０ａを有する柱状であり、行又は列方向に平行に切った断面は上方より下方が細くなる逆テーパー台形状である。柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの接触層２０２表面に対する傾斜角φ（図１３参照）は９０°より大きく１４０°以下であることが好ましい。このとき、柱状絶縁体２３０の厚みに対する隣接する柱状絶縁体２３０の間隙の幅の比率は０．５以上２以下であることが好ましい。
【００４８】
なお、上面２３０ａの形状上記に限られず、円形などであってもよい、また、行列方向における個数も上記には限定されない。例えば、列方向にのみ離間した状態で複数配されている構成としてもよい、また、補助間隙５２２ｚＡ内に行バンク１２２Ｘを設けず、例えば、図５において、行バンク１２２Ｘの存在する部分にも柱状絶縁体２３０を設ける構成としてもよい。
【００４９】
［ホール輸送層１２１］
図３に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。補助間隙５２２ｚＡには、ホール輸送層１２１は設けられていない。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。
【００５０】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
［発光層１２３］
図３に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。補助間隙５２２ｚＡには、発光層１２３は設けられていない。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００５１】
各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と共通電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて共通電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成され、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。
【００５２】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分が自己発光領域１００ａとなり、行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂの上方にある部分は非自己発光領域となる。
【００５３】
［電子輸送層１２４］
図３に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。
【００５４】
また、電子輸送層１２４は、図３、図５に示すように、補助電極２００の接触層２０２及び接触層２０２補助電極２００上を覆う柱状絶縁体２３０上にも形成される。電子輸送層１２４は、柱状絶縁体２３０の上面２３０ａに形成されている。電子輸送層１２４は、隣接する柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂ内における、間隙底部（補助電極２００の接触層２０２上の柱状絶縁体２３０が存在しない部分）２００ｂにも部分的に形成される。具体的には、電子輸送層１２４は、隣接する柱状絶縁体２３０の間隙底部２００ｂにおける柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの近傍のコンタクト面２００ｃ以外の部分２００ａ（遮蔽部）に形成されており、電子輸送層１２４の堆積部１２４ｂを構成する。柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの近傍のコンタクト面２００ｃに位置する部分は欠落している欠落部１２４ａとなる。あるいは、電子輸送層１２４のコンタクト面２００ｃに位置する部分は欠落には至らないものの、電子輸送層１２４が薄層化している薄層化部となる。電子輸送層１２４の欠落部１２４ａでは、補助電極２００の接触層２０２が露出している。また、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ上に位置する部分も欠落しているか又は薄層化している。
【００５５】
なお、電子輸送層１２４が薄層化しているとは、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍に位置する一部分が欠落するには至らないものの、電子輸送層１２４の一部分が１ｎｍ以下の膜厚に薄層化された薄層化部（不図示）が形成されていることを指す。
［共通電極１２５］
図３に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極１２５が形成されている。共通電極１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極１２５Ａは、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。共通電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
【００５６】
共通電極１２５は、図３、図５に示すように、補助電極２００上方の領域にも形成される。共通電極１２５は、隣接する柱状絶縁体２３０の間隙底部２００ｂにおける電子輸送層１２４の欠落部１２４ａにおいて露出している接触層２０２と直接接触している。あるいは、電子輸送層１２４の一部分が欠落するには至らないものの、電子輸送層１２４の欠落部１２４ａが薄層化している場合には、共通電極１２５は、補助電極２００上における電子輸送層１２４の薄層化している薄層化部において、薄層化部以外よりも低い電気抵抗にて補助電極２００に電気的に接続されている。
【００５７】
共通電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする共通電極１２５Ａと、共通電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる共通電極１２５Ｂとを含む（以後において、共通電極１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「共通電極１２５」と表記する）。
なお、共通電極１２５Ａ、１２５Ｂの積層順についてはは、光学調整のために１２５Ａと１２５Ｂの順番を入れ替える構成としてもよい。
【００５８】
［封止層１２６］
共通電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有することが必要である。
【００５９】
［接合層１２７］
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００６０】
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００６１】
［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。
【００６２】
［遮光層１３３］
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
【００６３】
＜各部の構成材料＞
各部の構成材料について、一例を示す。
［基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）］
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【００６４】
ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。
【００６５】
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
［画素電極１１９］
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有する。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０ｎΩｍ）と小さく、画素電極１１９の材料として好適である。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
【００６６】
金属層としては、アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀（Ａｇ）や銀を含む合金等を用いることができる。例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。
画素電極１１９がアルミニウムまたはアルミニウム合金から構成されるとき、酸化アルミニウム層が表面に形成される。
【００６７】
透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
［補助電極２００］
補助電極２００は、共通電極１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。そのため、補助電極２００の下層２０１は、シート抵抗が小さい材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０ｎΩｍ）と小さく、さらに、コスト面から補助電極２００の材料として好適である。補助電極２００の下層２０１は、画素電極１１９と同じ材料により構成されていてもよい。
【００６８】
補助電極２００の上面に位置する接触層２０２は、共通電極１２５との電気的な接続を図るとともに、発光素子の製造プロセスにおける補助電極２００の表面酸化を抑制するための層である。そのため、コンタクト抵抗が小さく、かつ、補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい材料から構成される。例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属又はそれらを主成分とする合金から構成されることが好ましい。補助電極２００の下層２０１が、画素電極１１９と同じ材料により構成される場合には、接触層２０２は画素電極１１９の構成材料よりも酸化されにくい材料からなることが好ましい。
【００６９】
［ホール注入層１２０］
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
【００７０】
ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
［バンク１２２］
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００７１】
あるいは、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００７２】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
なお、バンク１２２については、行方向に平行に切った断面を上方を先細りとする順テーパー台形状とするために、例えば、ポジ型の感光性材料が用いられる。ここで、感光性材料は光が当たった部分のみが化学変化を起こす樹脂であり、ポジ型の感光性材料では露光した部分が現像液に溶け順テーパー台形状のバンクが形成される。
【００７３】
［柱状絶縁体２３０］
柱状絶縁体２３０は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。柱状絶縁体２３０の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。柱状絶縁体２３０は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
【００７４】
あるいは、柱状絶縁体２３０は、無機材料を用いる場合には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、柱状絶縁体２３０は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００７５】
なお、柱状絶縁体２３０については、製造工程の途中で、行及び列方向に平行に切った断面を上方より下方が細くなる逆テーパー台形状とするために、例えば、ネガ型の感光性材料が用いられる。感光性材料は光が当たった部分のみが化学変化を起こす樹脂であり、ネガ型の感光性材料では露光した部分が現像液に溶けなくなる。そのため、ネガ型の感光性材料を用いると、柱状絶縁体２３０となるべき部分の中央部は、十分な光量により露光されるので、現像液に溶けなくなるが、その周辺部においては、光量は十分ではなく、周辺部の奥部では、光の強度が減衰する。このため、周辺部の奥部は、現像液に溶け、その結果、逆テーパー台形状の柱状絶縁体２３０が形成される。
【００７６】
［ホール輸送層１２１］
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene)）などを用いることができる。
【００７７】
［発光層１２３］
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７８】
［電子輸送層１２４］
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
【００７９】
また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
［共通電極１２５］
共通電極１２５Ａは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。
【００８０】
共通電極１２５Ｂは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。
［封止層１２６］
封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００８１】
封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
［接合層１２７］
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００８２】
［上部基板１３０］
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
［カラーフィルタ層１３２］
カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００８３】
［遮光層１３３］
遮光層１３３としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
【００８４】
＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図６〜１１を用いて説明する。図６〜８、１０、１１における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
［基板１００ｘの準備］
配線１１０を含む複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図６（ａ））。
【００８５】
［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図６（ｂ））。
平坦化層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い平坦化層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（不図示）。その後、現像によって、コンタクト孔１１８ａをパターニングした平坦化層１１８を形成する。コンタクト孔１１８ａの底部において配線１１０が露出する（不図示）。
【００８６】
［画素電極１１９及び補助電極２００の下層２０１の形成］
コンタクト孔１１８ａを開設した平坦化層１１８が形成された後、画素電極１１９及び補助電極２００の下層２０１を形成する（図６（ｃ））。
画素電極１１９及び補助電極２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
【００８７】
具体的には、先ず、平坦化層１１８の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９、補助電極２００を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘ気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写し、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、画素電極１１９、補助電極２００を形成する。
【００８８】
このとき、コンタクト孔１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより画素電極１１９の接続凹部１１９ｃを形成する（不図示）。これより、画素電極１１９は、コンタクト孔１１８ａの底部において露出した配線１１０と直接接触し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
画素電極１１９は、平坦化層１１８のコンタクト孔１１８ａの側面で段切れしないように、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により形成することが好ましい。また、ステップカバレッジの優れた成膜方法によっても画素電極１１９の膜厚が過度に薄いと、段切れが発生する可能性があるため、膜厚は、７０ｎｍ以上で形成することが好ましい。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
【００８９】
［ホール注入層１２０Ａの形成］
画素電極１１９及び補助電極２００を形成した後、画素電極１１９上に対して、ホール注入層１２０Ａを形成する（図６（ｄ））。
ホール注入層１２０Ａは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用いそれぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する構成とした。
【００９０】
ホール注入層１２０Ａの形成において、ドライエッチング処理を行う理由は、例えば、酸化タングステン膜からなる金属層１２０Ａ’と、例えば、アルミ系合金からなる金属膜１１９ｘとはウェットエッチングレートに大きな差があるため一括に処理することが困難であるため、酸化タングステンはアルゴンガス等でのドライエッチングを使用し、アルミ合金はウェットエッチングを本実施の形態では使用したがその限りではない。
【００９１】
本実施の形態の製造方法では、ホール注入層１２０Ａを所定条件で製膜及び焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０を成膜して上述の占有準位を形成する構成としている。
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、外形が同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する。
【００９２】
なお、製膜の順序は、金属膜１１９ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層１２０Ａ用の金属層１２０Ａ’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に製膜した後、ドライエッチングとウエットエッチングを順次行う構成としてもよい。
具体的には、先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９、補助電極２００を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘ気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する、さらに、ホール注入層１２０Ａを形成するためのホール注入層１２０Ａ用の金属層１２０Ａ’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に製膜する、その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写し、次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属層１２０Ａ’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａを形成する。続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａを介して、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、画素電極１１９、補助電極２００を形成する。
【００９３】
［バンク１２２の形成］
ホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する。
先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、行バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する（図６（ｅ））。
【００９４】
行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０Ａ上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する（図６（ｆ））。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
【００９５】
具体的には、列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像、によって列バンク５２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
【００９６】
ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。
【００９７】
製造上、バンク１２２Ｘの上限膜厚は、１５００ｎｍ以下で、製造時の膜厚バラツキがより小さくなると共にボトム線幅の制御が可能となる。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が２００ｎｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。したがって、バンク１２２の厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態ではバンク１２２Ｘの膜厚は、約５００ｎｍとした。
【００９８】
また、バンク５２２Ｙの上限膜厚は、製造上、コスト削減による生産性向上の観点から１５００ｎｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。また溶液塗布をともなうプロセスの場合、下地の凹凸が膜厚の均一性が向上する。このことよりＴＦＴの段差をできるだけ低減する必要があることより絶縁膜の下限膜厚が決定し５００ｎｍ以上が好ましい。したがって、バンク５２２Ｙの厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では約１０００ｎｍとした。
【００９９】
［補助電極２００の接触層２０２の形成］
補助電極２００の接触層２０２の形成は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい金属材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される補助間隙５２２ｚＡ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる（図７（ａ））。形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
【０１００】
補助電極２００の接触層２０２の厚みは、共通電極１２５とのコンタクト抵抗を低減するための十分な断面積を得るために、数十ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
［柱状絶縁体２３０の形成］
補助電極２００の接触層２０２を形成した後、接触層２０２の上面に複数の柱状絶縁体２３０を形成する。
【０１０１】
先ず、柱状絶縁体２３０の形成は、先ず、補助電極２００の接触層２０２が形成された基板１００ｘ上に、スピンコート法などを用い、柱状絶縁体２３０の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして柱状絶縁体２３０を形成する（図７（ｂ））（図７（ｃ））（図７（ｄ））。柱状絶縁体２３０のパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。具体的には、柱状絶縁体２３０の形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜２３０ｘを形成した後（図７（ｂ））、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し（図７（ｃ））、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。柱状絶縁体２３０を形成する際の露光量により調整することにより、側壁２３０ｃの傾斜角φを制御できる。なお、側壁がいわゆる逆テーパー形状に制御することが望ましいため、柱状絶縁体２３０の形成においてはネガ型感光性樹脂材料を用いることが好ましい
次に、感光性樹脂を現像によって上面２３０ａの形状をパターニングした絶縁体２３０ｘを、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより柱状絶縁体２３０を形成する（図７（ｄ））。
【０１０２】
製造上、柱状絶縁体２３０の上限膜厚は、製造上、コスト削減による生産性向上の観点から１５０００ｎｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。また溶液塗布をともなうプロセスの場合、下地の凹凸が膜厚の均一性が向上する。このことよりＴＦＴの段差をできるだけ低減する必要があることより絶縁膜の下限膜厚が決定し５００ｎｍ以上が好ましい。したがって、柱状絶縁体２３０の厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、５００ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１０３】
［補助電極２００の接触層２０２の形成］
補助電極２００の接触層２０２の形成は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい金属材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される補助間隙５２２ｚＡ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる（図７（ａ））。塗布に用いるインクには数ｎｍの金属微粒子を含むナノインクを用い、例えばインクジェット装置を用いてインクを塗布対象部分に向けて吐出することが好適である。しかしながら、形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。あるいは、スパッタリング法や蒸着法のような乾式法で成膜し、その後フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて接触層２０２を形成してもよい。
【０１０４】
［有機機能層の形成］
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図８（ａ））。
ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。補助間隙５２２ｚＡには、ホール注入層１２０Ｂは設けられていない。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【０１０５】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。補助間隙５２２ｚＡには、ホール輸送層１２１は形成されない。
【０１０６】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う。ここでも。補助間隙５２２ｚＡには、発光層１２３は形成されない。
【０１０７】
また、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。
【０１０８】
基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【０１０９】
［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、用い表示パネル１０の全面わたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図８（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜されるためである、
電子輸送層１２４は、柱状絶縁体２３０の上面２３０ａや柱状絶縁体２３０が設けられていない補助電極２００上面の柱状絶縁体２３０間の間隙底部２００ｂにも形成され、その際、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの近傍のコンタクト面２００ｃに位置する一部分が欠落（段切れ）して、電子輸送層１２４が形成されない欠落部１２４ａが生じる。そして、欠落部１２４ａより補助電極２００の接触層２０２の一部が露出する。欠落部１２４ａより補助電極２００の接触層２０２が露出している部分をコンタクト面２００ｃとする。
【０１１０】
あるいは、電子輸送層１２４の欠落には至らないものの、電子輸送層１２４が薄層化している部分において、それ以外の電子輸送層１２４の部分よりも低い抵抗にて補助電極２００に電気的に接続されている。
本明細書では、欠落部１２４ａより補助電極２００の接触層２０２が露出している部分の他、電子輸送層１２４が薄層化しそれ以外の電子輸送層１２４の部分よりも低い抵抗にて補助電極２００に電気的に接続されている部分をコンタクト面２００ｃとする
電子輸送層１２４の膜厚が過度に薄いと、共通電極１２５から発光層１２３へ電子が直接移動し、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を果たせない。従って、電子輸送層１２４の膜厚を１０ｎｍ以上に形成することが好ましい。一方、電子輸送層１２４の厚膜化は、電子輸送層１２４の透過率を低下させ、段切れの発生を阻害する。電子輸送層１２４を通過する光を過度に減衰させないため、かつ、補助電極２００の貫通孔１２２Ｙａ内の補助電極２００上において意図的に段切れを発生させるため、電子輸送層１２４の膜厚を４０ｎｍ以下に形成することが好ましい。電子輸送層１２４の膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
【０１１１】
欠落部１２４ａが生じる理由については後述する。
［共通電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極１２５を形成する（図８（ｄ））。共通電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする共通電極１２５Ａと、共通電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる共通電極１２５Ｂとを含む。
【０１１２】
このうち、先ず、共通電極１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。本例では、共通電極１２５Ａを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。
次に、共通電極１２５Ｂは、共通電極１２５Ａ上にスパッタリング法などにより形成する。本例では、共通電極１２５Ｂはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。
【０１１３】
共通電極１２５は、、柱状絶縁体２３０の上面２３０ａや側壁２３０ｃ上、圃場間隙５２２ｚＡ内の電子輸送層１２４上や補助電極２００上にも形成される。その際、共通電極１２５は、電子輸送層１２４の欠落部１２４ａ内に回り込み、電子輸送層１２４の欠落部分において露出している補助電極２００のコンタクト面２００ｃに直接接触するように成膜する。これより、補助間隙５２２ｚＡ内において列方向に延伸する電子輸送層１２４の一部が欠落した欠落部１２４ｃを通して、補助電極２００の一部と共通電極１２５とを確実にコンタクトされることができ、補助電極２００と共通電極１２５とを電気的な接続を確保することができる。
【０１１４】
あるいは、共通電極１２５は、電子輸送層１２４が薄層化している部分（薄層化部）に回り込み、それ以外の電子輸送層１２４の部分よりも低い抵抗にて補助電極２００に電気的に接続される。
共通電極１２５が過度に薄いと、段切れ発生の要因にもなるため、共通電極１２５は膜厚を２５ｎｍ以上に形成することが好ましい。一方、共通電極１２５の厚膜化は、共通電極１２５の透過率を低下させるため、共通電極１２５は膜厚を２５０ｎｍ以下に形成することが好ましい。
【０１１５】
ここで、共通電極１２５の形成方法について、さらに説明する。
まず、図９を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒが用いられる。
【０１１６】
スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０か
ら成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。
【０１１７】
成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１２では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、または、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。
【０１１８】
排気系６１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。
【０１１９】
なお、スパッタリングガスであるＡｒのガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
［封止層１２６の形成］
共通電極１２５を形成した後、共通電極１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図８（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【０１２０】
［カラーフィルタ基板１３１の形成］
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層の材料（１３３Ｘ）を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１０（ａ））。
【０１２１】
塗布した遮光層の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１０（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１３３を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１３３が完成する（図１０（ｃ））。
次に、遮光層１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図１０（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１０（ｅ））。
【０１２２】
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図１０（ｆ））。
この工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図１０（ｇ））。以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
【０１２３】
［カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１１（ｂ））。
【０１２４】
＜補助電極２００と共通電極１２５とを直接接触させる構成＞
［真空蒸着における段切れの発生］
以上、説明したように、表示パネル１０では、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を成膜する際に、補助電極２００の接触層２０２上面の隣接する柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂの底部２００ｂにおける、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍に位置する一部分が欠落（段切れ）して、間隙底部２００ｂの側壁２３０ｃ近傍に電子輸送層１２４が形成されない欠落部１２４ａが生じ、欠落部１２４ａより補助電極２００の間隙底部２００ｂの一部が露出する。以下、電子輸送層１２４を成膜する際に、欠落部１２４ａが生じる理由について説明する。
【０１２５】
図１２は、電子輸送層１２４の成膜に用いる蒸着装置５００を示す模式図である。図１２に示すように、蒸着装置５００は、チャンバ５１０を備えている。チャンバ５１０におけるチャンバ排気口５１０ａには真空ポンプ（不図示）が接続され、チャンバ５１０の中を真空に維持できるように構成されている。チャンバ５１０の内部空間は、仕切板５２０によって上下に仕切られ、仕切板５２０の上を基板１００ｘが搬送されるようになっている。チャンバ５１０の側壁には、基板１００ｘをチャンバ５１０内に搬入する搬入口５１１ｂと、基板１００ｘをチャンバ５１０から搬出する搬出口５１１ｃが設けられている。基板１００ｘは搬送手段５１２によって、搬入口５１１ｂから間欠的にチャンバ５１０内に搬入され、仕切板５２０上を通過して搬出口５１１ｃから搬出される。
【０１２６】
チャンバ５１０内における仕切板５２０の下方には、蒸着物質を噴出させる蒸着源５３０が設置されている。蒸着源５３０はヒータ５４０を備えており、加熱により蒸着源５３０から噴出させる蒸着物質は、例えば、有機ＥＬ素子の機能層を形成する物質であって、有機物、無機物あるいは金属である。有機物としては、例えば、有機ＥＬ素子の機能層を形成する材料であり、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などが挙げられる。無機物としては、例えば、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属が挙げられる。また、陽極を形成するためには、Ａｌをはじめとして、Ｂａ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料、ＭｇＦ2、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3などの金属酸化物材料が挙げられる。
【０１２７】
仕切板５２０には、この蒸着源５３０から放出される蒸着物質が通過する窓５２０ａが開設され、この窓５２０ａはシャッタ５２１によって開閉できるようになっている。このような蒸着装置５００において、シャッタ５２１を開いた状態で、蒸着源５３０から蒸着物質を噴出しながら、基板１００ｘを搬送することによって、蒸着源５３０から噴出される蒸着物質が窓５２０ａを通って、基板１００ｘの下面に蒸着される。このとき、蒸着源５３０と窓５２０ａとの位置関係は、蒸着源５３０の中心から窓５２０ａの中心を通る直線は基板１００ｘの法線に対し角度θだけ傾いた状態を保持している。これにより、蒸着物質は蒸着時間を通して平均角度θの入射角にて基板１００ｘに蒸着される。
【０１２８】
チャンバ５１０の内部には、蒸着源５３０から基板１００ｘに向けて蒸着物質が単位時間当たりに供給される量（蒸発レート）を測定するセンサ５５０が設置されている。センサ５５０によって測定される蒸着物質の蒸発レートを参照することによって、基板１００ｘを搬送する速度などが設定される。なお、蒸着物質を基板１００ｘにパターン蒸着する場合には、パターンが形成されたマスクを基板１００ｘの下面側に設けて蒸着が行われる。
【０１２９】
図１３は、共通電極１２５成膜後の図４に示した補助電極２００周辺の拡大図である。蒸着装置５００を用いた電子輸送層１２４の成膜工程では、図１２に示すように、基板１００ｘに対する法線から角度θだけ傾いた位置に中心が配された蒸着源５３０を用いて蒸着が行われる。真空度が高い雰囲気で蒸着を行う真空蒸着法では蒸着物質は雰囲気中を直進する。蒸着装置５００においては、蒸着物質は基板に対し角度θだけ傾いた蒸着源５３０の方向から蒸着物質が供給され基板１００ｘ上に堆積する。
【０１３０】
表示パネル１０では、上述のとおり、補助電極２００上面に掲載された隣接する柱状絶縁体２３０の間には間隙２３０ｂが形成されている。間隙２３０ｂの開口の幅は、柱状絶縁体２３０の底面における幅Ｗ0は柱状絶縁体２３０の上面の高さにおける幅Ｗ0´に対し、Ｗ0´＜Ｗ0であって、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの接触層２０２表面に対する傾斜角φは９０°より大きく１４０°以下となるよう構成されている。
【０１３１】
また、柱状絶縁体の厚みｈに対する隣接する柱状絶縁体２３０の間隙の幅ＷOの比率は０．５以上２以下となるよう構成されることが好ましい。
このように、柱状絶縁体２３０を配置することにより、補助電極２００の接触層２０２の上面における柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍に位置する一部分では電子輸送層１２４が欠落して、端部１２４ａ１、ａ２間に電子輸送層が形成されない欠落部１２４ａが形成される。欠落部１２４ａでは、補助電極２００の接触層２０２が露出している。
【０１３２】
また、電子輸送層１２４ｂは、柱状絶縁体２３０間の間隙２３０ｂの底面における補助電極２００上面の間隙底部２００ｂ内の欠落部１２４ａ下方を除く部分２００ａ（遮蔽部）には形成される。この部分は、端部１２４ａ２、ａ２間に位置する。
このように、電子輸送層１２４は、柱状絶縁体２３０間の間隙２３０ｂの底面における補助電極２００上面の間隙底部２００ｂ内において段切れしてコンタクト面２００ｃが露出するように、比較的ステップカバレッジの劣る成膜方法（例えば、真空蒸着法）により形成される。
【０１３３】
以上のとおり、実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法によると、共通電極１２５は電子輸送層１２４の欠落部１２４ａに回り込むよう、補助電極２００のコンタクト面２００ｃに接触して形成される。これにより、発光層上の電子輸送層を共通層として成膜できるので、電子輸送層形成工程におけるマスク成膜などのパターニングが不要となり、簡易な製造プロセスを用いて、共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
【０１３４】
また、電子輸送層１２４の欠落部１２４ａが欠落には至らず薄層化している薄層化部についても、欠落部１２４ａが生じる理由により電子輸送層１２４の一部分が欠落するには至らないものの段切れにより薄層化することにより生じる。この場合にも、共通電極１２５は、補助電極２００上における電子輸送層１２４の薄層化している薄層化部において、薄層化部以外よりも低い電気抵抗にて補助電極２００に電気的に接続される。
【０１３５】
ここで、上述のとおり、補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい材料から構成されているとともに、バンク１２２の形成や柱状絶縁体２３０の形成など焼成を伴うプロセスは、接触層２０２形成後に行われる工程順となる。そのため、補助電極２００のコンタクト面２００ｃが以降の製造プロセスにおいて酸化されることが抑制され、製造された表示パネル１０において、欠落部１２４ａを通した共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
【０１３６】
［スパッタリング法やＣＶＤ法における回り込みの発生］
共通電極１２５を、ＣＶＤ法、スパッタリング法などにより成膜する際に、共通電極１２５は、電子輸送層１２４の欠落部１２４ａ内に回り込み、電子輸送層１２４の欠落部分より露出している補助電極２００のコンタクト面２００ｃに直接接触する。以下、共通電極１２５の成膜について説明する。
【０１３７】
共通電極１２５は、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により成膜されることにより、電子輸送層１２４の欠落部１２４ａ（端部１２４ａ１、ａ２間）に回り込んで形成される。その結果、図１３に示すように、共通電極１２５は、柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂ内の補助電極２００上における電子輸送層１２４の欠落部１２４ａ（端部１２４ａ１、ａ２間）において露出している補助電極２００の接触層２０２と直接接触するように形成される。
【０１３８】
このとき、柱状絶縁体２３０の厚みｈは、５００ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下の範囲で形成される。また、間隙２３０ｂの底面における開口幅Ｗ0は、限定されないが２μｍ以上３０μｍ以下の範囲で形成される。本実施の形態では、厚みｈが約５μｍ、幅Ｗ0が６．５μｍとしに対し、Ｗ0／ｈが６．５μｍ／５μｍ（１．３）としている。
【０１３９】
したがって、柱状絶縁体２３０の柱状絶縁体２３０の厚みｈに対する間隙２３０ｂの開口幅Ｗ0の比率は０．５以上２以下に構成されることが好ましい。
このような形状により、補助電極２００の上に形成される電子輸送層１２４は、間隙２３０ｂ内の間隙底部２００ｂの一部において途切れて（断切れして）欠落部１２４ａが形成される。詳細には、電子輸送層１２４では、補助電極２００のコンタクト面２００ｃが露出するように、端部１２４ａ１、ａ２間が離れて配置される。共通電極１２５は、この電子輸送層１２４の端部１２４ａ１、ａ２間の欠落部１２４ａに回り込むように、補助電極２００のコンタクト面２００ｃに接触して形成される。あるいは、補助電極２００上における電子輸送層１２４の薄層化部において、薄層化部以外よりも低い電気抵抗にて補助電極２００に電気的に接続される。
【０１４０】
これにより、補助電極２００が、コンタクト面２００ｃを通した接続により補助電極２００と共通電極１２５との接続における電気抵抗を低減することができる。その結果、補助電極２００と共通電極１２５との接合部分での電圧効果が抑制して発光効率を向上させるとともに、画面中央部での輝度低下が抑えられ輝度ムラを低減することができる。
＜表示パネル１０の効果＞
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。
【０１４１】
本実施の形態に係る表示パネル１０は、基板上の行方向に隣接する画素電極１１９の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸して配された補助電極２００と、補助電極２００上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体２３０と、発光層１２３上および複数の柱状絶縁体２３０に跨って設けられた電子輸送層１２４と、電子輸送層１２４上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極１２５と、を備え、補助電極２００は、少なくとも柱状絶縁体２３０が存在しない上面部分２０２ｂに、画素電極１１９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層２０２を含み、電子輸送層１２４は、補助電極１００上の柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍に位置する一部分１２４ａが欠落しているか又は薄層化していることを特徴とする。
【０１４２】
また、共通電極１２５は、電子輸送層１２４の欠落により露出している接触層２０２と接触しているか、又は電子輸送層１２４が薄層化している部分において、それ以外の電子輸送層１２４の部分よりも低い抵抗にて補助電極２００に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、補助電極２００における柱状絶縁体２３０が存在しない上面部分２０２ｂは、隣接する柱状絶縁体２３０の間の間隙２３０ｂの底部である構成としてもよい。
【０１４３】
また、補助電極２００は、画素電極１１９の構成材料と同じ材料からなる下層２０１と、下層２０１の上面に列方向に延伸して配された接触層２０２からなる構成としてもよい。
係る構成により、補助電極２００の上に形成される電子輸送層１２４の一部において途切れて（断切れして）一部分が欠落しているか欠落部１２４ａ又は薄層化している薄層化部が形成されるとともに、共通電極１２５は、この電子輸送層１２４の欠落部１２４ａに回り込むように、補助電極２００のコンタクト面２００ｃに接触して形成される。あるいは、電子輸送層１２４の欠落には至らないものの、電子輸送層１２４が薄層化している部分において、それ以外の電子輸送層１２４の部分よりも低い抵抗にて補助電極２００に電気的に接続されている。
【０１４４】
そのため、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに面内の輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネルを提供することができる。
また、隣接する柱状絶縁体２３０の厚みに対する柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂの幅の比率は０．５以上２以下である構成であってもよい。また、電子輸送層１２４は、柱状絶縁体２３０の上面２３０ａ、及び補助電極２００上の柱状絶縁体２３０が存在しない部分における柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍以外には存在しており、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化している構成であってもよい。
【０１４５】
係る構成により、専用の工程を設けない簡易な製造プロセスにより、補助電極２００上の柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃの近傍に位置する間隙底部２００ｂ内において機能層１２４を段切れさせて欠落部１２４ａを形成し、欠落部１２４ａから補助電極２００の接触層２０２のコンタクト面２００が露出する構造を実現することができる。
また、補助電極２００のコンタクト面２００ｃは、コンタクト抵抗が小さく、かつ、補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい材料から構成されているので、欠落部１２４ｃを通した共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
【０１４６】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法は、基板１００ｘを準備する工程と、基板上に複数の画素電極１１９を行列状に配する工程と、基板上の行方向に隣接する画素電極１１９の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する補助電極２００を形成する工程と、少なくとも補助電極２００上にそれぞれが列方向に離間した状態で複数配された柱状絶縁体２３０を形成する工程と、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３を形成する工程と、真空蒸着法により、発光層１２３上および複数の柱状絶縁体２３０に跨る電子輸送層１２４を形成する工程と、スパッタリング法またはＣＶＤ法により、電子輸送層１２４上に連続して延伸する共通電極１２５を形成する工程とを含み、補助電極２００を形成する工程では、少なくとも柱状絶縁体２３０が存在しない部分２００ｂに、画素電極１２９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層２０２を選択的に形成することを特徴とする。
【０１４７】
係る構成により、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を成膜する際に、補助電極２００の接触層２０２上面の隣接する柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂの底部２００ｂにおける、柱状絶縁体２３０の側壁２３０ｃ近傍に位置する一部分が欠落（段切れ）して、間隙底部２００ｂの側壁２３０ｃ近傍に電子輸送層１２４が形成されない欠落部１２４ａが生じ、欠落部１２４ａより補助電極２００の間隙底部２００ｂの一部が露出する。
【０１４８】
共通電極１２５は、欠落部１２４ａに回り込むよう、補助電極２００のコンタクト面２００ｃに接触して形成される。これにより、発光層１２３上の電子輸送層１２４を共通層として成膜できるので、電子輸送層形成工程におけるマスク成膜などのパターニングが不要となり、簡易な製造プロセスを用いて、共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
【０１４９】
また、基板上の行方向に隣接する画素電極１１９の間隙に列方向に延伸するバンク１２２を形成する工程を備え、バンク１２２を形成する工程の後に、接触層２０２を形成する構成であってもよい。
係る構成により、バンク１２２の形成など焼成を伴うプロセスは、補助電極２００の接触層２０２形成後に行われる工程順となるため、補助電極２００のコンタクト面２００ｃが以降の製造プロセスにおいて酸化されることが抑制され、製造された表示パネル１０において、共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
【０１５０】
さらに、発光層１２３形成前に、補助電極２００の接触層２０２やバンク１２２を形成するため、接触層２０２やバンク１２２形成工程において発光層１２３の耐熱温度以上の熱負荷をかけることが可能となる。
また、発光層１２３形成前に、補助電極２００の接触層２０２やバンク１２２を形成するため、水分や酸素に脆弱な発光層が劣化しないように真空環境や窒素環境を用意することが不要となり、一般大気環境で補助電極２００形成が行える。
【０１５１】
また、従来、レーザー光を照射して電子輸送層１２４など有機機能層の一部を除去する際、除去すべき機能層にレーザー光を照射すると下地となる補助電極２００に透過光による損傷が生じ、有機ＥＬ素子の性能が低下するという課題があった。レーザー光の照射により補助電極２００が損傷した場合には、例えば、バリが出てバリの部分で後工程における封止に欠陥が生じて信頼性が低下したり、補助電極２００の膜厚が変化して補助電極２００の高抵抗化が生じたり、最悪のケースでは補助電極２００が消失して断線による機能低下が生じる場合があった。これに対し、上記製造方法では、レーザー加工等を用いないため、加工時における発塵の発生を防止できる。
【０１５２】
また、上部電極低抵抗化のための追加工程が補助電極２００の接触層２０２とバンク１２２形成の2工程だけであり、簡便に共通電極１２５の低抵抗化が図ることができる。
また、接触層は、画素電極の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金を含むインクを、画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する列状領域内に塗布しインクに含まれる溶媒を蒸発させることにより形成する構成としてもよい。
【０１５３】
係る構成により、マスク成膜などのパターニングを用いることなく、少なくとも柱状絶縁体２３０が存在しない下地の上面部分２０２ｂに選択的に接触層２０２を形成することができる。
補助電極２００の上に形成される電子輸送層１２４は、隣接する柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂの間隙底部２００ｂの側壁２３０ｃ近傍に電子輸送層１２４が形成されない欠落部１２４ａが形成されるとともに、共通電極１２５は、この電子輸送層１２４の欠落部１２４ａに回り込むように、補助電極２００のコンタクト面２００ｃに接触して形成される構造を実現できる。
【０１５４】
また、補助電極２００のコンタクト面２００ｃは、補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい材料から構成されているので、接触層２０２形成後の製造プロセスにおいて補助電極２００のコンタクト面２００ｃの酸化を抑制できる。その結果、製造された表示パネル１０において、欠落部１２４ｃを通した共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減できる。
【０１５５】
また、表示パネル１０の製造方法では、発光層１２３の形成においては、印刷法を用いて画素電極１１９にのみ発光層１２３を選択的に形成し、補助電極２００の上方には発光層１２３は形成されない構成としている。
表示パネル１０の製造方法では、各色の発光層１２３Ｒ、Ｇ、Ｂは印刷法によりそれぞれの副画素に対応する間隙５２２ｚＲ、Ｇ、Ｂのみに選択的に形成される構成を採る。さらに、発光層１２３以外に機能層であるホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１についても、同様に間隙５２２ｚＲ、Ｇ、Ｂのみに選択的に形成される構成を採る。したがって、補助電極２００が存在する補助間隙５２２ｚＡには発光層１２３が形成されない構成を採ることに対し、マスキング等特段の製造設備や工程を要しない。そのため、表示パネル１０の製造方法では、特段の製造コスト等を要することなく発光層１２３を補助電極２００の上方には形成しない構成を実現できる。
【０１５６】
＜表示装置１の回路構成＞
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１１を用い説明する。
図１４に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
【０１５７】
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
＜表示パネル１０の回路構成＞
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について説明する。図１５は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
【０１５８】
図１５に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ２のゲートＧ２は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２  のドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続されている。
【０１５９】
駆動トランジスタＴｒ１のドレインＤ１は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２及び駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【０１６０】
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【０１６１】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
（１）変形例１
変形例１に係る表示パネル１０Ａについて説明する。実施の形態に係る表示パネル１０では、補助電極２００は、画素電極１１９の構成材料と同じ材料からなる下層２０１と、下層２０１の上面に列方向に延伸して配された、画素電極１１９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層２０２からなり、柱状絶縁体２３０が接触層２０２の上方に配された構成としている。すなわち、平面視において柱状絶縁体２３０と接触層２０２とが重なっている構成を採る。
【０１６２】
しかしながら、平面視における補助電極２００の接触層２０２との位置関係については、実施の形態の態様に限定されるものでなく適宜変更した構成としてもよい。図１６は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを図１のＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。図１６に示すように、表示パネル１０Ａでは、補助電極２００Ａは、柱状絶縁体２３０が上方に配され、画素電極１１９の構成材料と同じ材料からなる下層２０１と、下層２０１の上面における平面視において柱状絶縁体２３０が存在しない部分に島状に配された接触層２０２Ａからなる構成を採る。すなわち、補助電極２００の接触層２０２Ａは、補助間隙５２２ＺＡにおいて柱状絶縁体２３０が設けられていない補助電極２００上面の柱状絶縁体２３０間の間隙底部２００ｂに島状に配されている。
【０１６３】
係る表示パネル１０Ａは、柱状絶縁体２３０を形成した後に、隣接する柱状絶縁体２３０の間隙２３０ｂ内に、補助電極２００Ａの下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい金属材料を含むインクを塗布した後、溶媒を揮発除去させ、焼成することにより容易に製造することができる。
また、変形例１に係る表示パネル１０Ａは、実施の形態と同様に、簡易な製造プロセスを用いて製造でき共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗を低減するとともに、接触層２０２の構成材料の使用量を低減できる。上述のとおり、接触層２０２Ａは、画素電極１１９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなり、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属又はそれらを主成分とする合金から構成される。そのため、接触層２０２Ａを間隙底部２００ｂにのみ設け柱状絶縁体２３０底部の共通電極１２５との接触が得られない部分には使用しない構造を採ることにより、材料コストを低減することができる。
【０１６４】
また、変形例１に係る表示パネル１０Ａの製造方法では、基板上の行方向に隣接する画素電極１１９の間隙に列方向に延伸するバンク１２２を形成する工程を備え、バンク１２２の形成及び柱状絶縁体２３０を形成する形成する工程の後に、接触層２０２を形成する構成を採る。
これより、柱状絶縁体２３０の形成など焼成を伴うプロセスは、接触層２０２形成後に行われる工程順となるため、補助電極２００のコンタクト面２００ｃが以降の製造プロセスにおいて酸化されることがより一層抑制される。その結果、製造された表示パネル１０において、共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗をさらに低減できる。
【０１６５】
（２）変形例２
平面視における補助電極２００の接触層２０２との位置関係については、別の構成を採ってもよい。図１７は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂを図１のＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。図１７に示すように、表示パネル１０Ｂでは、補助電極２００Ｂは、画素電極１１９の構成材料よりも酸化しにくい金属又はその合金からなる接触層のみから構成され、列方向に延伸して配され柱状絶縁体２３０が接触層の上方に配された構成としている。
【０１６６】
係る表示パネル１０Ｂは、バンク１２２及び柱状絶縁体２３０を形成する前に、平坦化層１１８の上面に補助電極２００の下層２０１の構成材料よりも酸化されにくい金属材料を気相成長法により製膜するか、あるいは、当該金属材料を含むインクを塗布した後、溶媒を揮発除去させ、焼成することにより容易に製造することができる。
係る構成により、実施の形態と同様に、簡易な製造プロセスを用いて製造でき共通電極１２５と補助電極２００との電気的接続における電気抵抗の低減することができる。
【０１６７】
＜その他の変形例＞
実施の形態１に係る表示パネル１０では、補助間隙５２２ｚＡに設けられた柱状絶縁体２３０は、図１、２に示すように、平面視において矩形の断面形状を有する複数の柱状絶縁体２３０が所定の間隔で列方向に３列に配されている構成としている。しかしながら、柱状絶縁体２３０は、一列に配されていてもよく、また、２列であってもよい。また、柱状絶縁体２３０の平面視における断面形状は矩形以外に他の形状であってもよい。
【０１６８】
また、表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１６９】
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１７０】
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１７１】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１７２】
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１７３】
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１７４】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。
実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１７５】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１７６】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１７７】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１７８】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  層間絶縁層
１１９  画素電極
１２０  ホール注入層
１２０Ａ  ホール注入層（下部層）
１２０Ｂ  ホール注入層（上部層）
１２１  ホール輸送層
１２２  絶縁層
１２２Ｘ  行絶縁層
１２２Ｘｂ  上面
１２２Ｙ  列絶縁層
５２２Ｙ  列バンク
１２３  発光層
１２４  電子輸送層
１２４ａ  欠落部
１２４ｂ  堆積部
１２５  共通電極
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８  カラーフィルタ層
１３０  上部基板
１３１  ＣＦ基板
２００  補助電極
２００ａ  遮蔽部
２００ｂ  間隙底部
２００ｃ  コンタクト面
２３０  柱状絶縁体
２３０ａ  上面
２３０ｂ  柱状絶縁体の間隙
２３０ｃ  側壁
５２２ｚ  列バンク間の間隙
５２２ｚＡ  補助間隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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