(57)【要約】【課題】小型化が可能な波長可変フィルターを提供する。【解決手段】第１基板１１と、第１基板１１に対向する第２基板１２と、第２基板１２において、第１基板１１と反対に位置する第３基板１３と、を備え、第２基板１２は第１可動部１２２と、第１可動部１２２を囲み、第３基板１３側の面に凹みを有する第１薄肉部１２１と、第１薄肉部１２１を囲む第３接合面１２４と、を有し、第３基板１３は第１可動部１２２と対向する第２可動部１３２と、第２可動部１３２を囲む凹みを有する第２薄肉部１３１と、第２薄肉部１３１を囲む第４接合面１３３と、を有し、第１可動部１２２と第２可動部１３２との少なくとも一部が接合され、第３接合面１２４と第４接合面１３３の少なくとも一部が接合されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第２基板において、前記第１基板が設けられる側とは反対側に位置する第３基板と、
を備え、
前記第１基板は前記第２基板側に配置された第１反射膜と、
第１駆動電極と、を有し、
前記第２基板は前記第１反射膜と対向する位置に形成された第１可動部と、
前記第１可動部の前記第１基板側に配置された第２反射膜と、
前記第１可動部を囲み、前記第３基板側の面に凹みを有する第１薄肉部と、
前記第１薄肉部を囲む第１外周部と、
前記第１駆動電極と対向して配置された第２駆動電極と、を有し、
前記第３基板は前記第１可動部と対向する位置に形成された第２可動部と、
前記第２可動部を囲む凹みを有する第２薄肉部と、
前記第２薄肉部を囲む第２外周部と、を有し、
前記第１可動部と前記第２可動部との少なくとも一部が接合され、
前記第１外周部と前記第２外周部との少なくとも一部が接合されていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２薄肉部の構造が前記第２基板と前記第３基板との接合面に対して、前記第１薄肉部と対称な構造となっている波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１または２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第３基板の、前記第２基板との接合面とは反対側の面に、
前記第３基板の厚み方向から見た際に前記第２駆動電極と対向する位置に模擬電極を形成している波長可変干渉フィルター。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第１反射膜と前記第２反射膜とが形成された領域内に光を透過させるミラー領域が位置し、
前記ミラー領域以外の場所に前記第２基板と前記第３基板とを接合する第２基板接合層が形成されている波長可変干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２基板と前記第３基板との接合にオプティカルコンタクトを使用している波長可変干渉フィルター。
【請求項６】
請求項４に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２基板接合層は遮光材料を含む波長可変干渉フィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルターに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を対向配置した波長可変干渉フィルターが知られている。このような波長可変干渉フィルターでは、一対の反射膜間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光のみを透過させている。このような波長可変干渉フィルターが特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１の波長可変干渉フィルターでは、第１基板としての上部基板と第２基板としての下部基板が対向配置されている。また、第２基板の第１基板に対向しない面には、円環状の凹みが形成されており、この凹みが形成されることで第２基板中心部に円柱状の可動部と、可動部と同軸で円環状に形成される薄肉部が形成される。そして、第１基板と第２基板とには一対の電極が対向配置され、可動部の第１基板に対向する面及び第１基板に反射膜が対向配置される。ここで、一対の電極に電圧を印加することで、静電引力により薄肉部が変形して、可動部が基板厚み方向に移動し、一対の反射膜の間隔に応じた特定波長の光のみを透過させることが可能となる。
【０００４】
ところで、静電駆動型の波長可変干渉フィルターでは、薄肉部の厚さが薄いほど反射膜間の間隔を変化させるために必要な印加電圧を低く抑えることができることから、薄肉部はできるだけ厚さが薄いことが望ましい。しかし、薄肉部を薄くした場合は可動部の変位時に薄肉部の端へ応力が集中するため、薄肉部の破壊につながる恐れがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１９７３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の波長可変干渉フィルターでは、変位時に発生する薄肉部としてのダイアフラム部の凹みとしての溝の端部への集中応力を緩和させ、薄肉部の強度を向上させるために、ウェットエッチングによって薄肉部の凹みの端部の断面形状を曲面としている。この場合、等方性ウェットエッチングにより凹みを所望の深さまでエッチングしているが、サイドエッチングにより凹みの外側の面が大きくエッチングされ、凹みの開口端縁が第２基板の平面方向に拡がる。第２基板には薄肉部に加えて基板同士を接合する接合部が必要になる。そのため、薄肉部が拡がると第２基板が大きくなるので、波長可変干渉フィルターが大型化するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の波長可変干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第２基板において、前記第１基板が設けられる側とは反対側に位置する第３基板と、を備え、前記第１基板は前記第２基板側に配置された第１反射膜と、第１駆動電極と、を有し、前記第２基板は前記第１反射膜と対向する位置に形成された第１可動部と、前記第１可動部の前記第１基板側に配置された第２反射膜と、前記第１可動部を囲み、前記第３基板側の面に凹みを有する第１薄肉部と、前記第１薄肉部を囲む第１外周部と、前記第１駆動電極と対向して配置された第２駆動電極と、を有し、前記第３基板は前記第１可動部と対向する位置に形成された第２可動部と、前記第２可動部を囲む凹みを有する第２薄肉部と、前記第２薄肉部を囲む第２外周部と、を有し、前記第１可動部と前記第２可動部との少なくとも一部が接合され、前記第１外周部と前記第２外周部との少なくとも一部が接合されていることを特徴とする。
【０００８】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第２薄肉部の構造が前記第２基板と前記第３基板との接合面に対して、前記第１薄肉部と対称な構造となっていることが好ましい。
【０００９】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第３基板の、前記第２基板との接合面とは反対側の面に、前記第３基板の厚み方向から見た際に前記第２駆動電極と対向する位置に模擬電極を形成していることが好ましい。
【００１０】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第１反射膜と前記第２反射膜とが形成された領域内に光を透過させるミラー領域が位置し、前記ミラー領域以外の場所に前記第２基板と前記第３基板とを接合する第２基板接合層が形成されていることが好ましい。
【００１１】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板と前記第３基板との接合にオプティカルコンタクトを使用していることが好ましい。
【００１２】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板接合層は遮光材料を含むことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１に係る波長可変干渉フィルターの構成を示す模式平面図。
【図２】波長可変干渉フィルターの構成を示す模式側断面図。
【図３】第１基板の構造を示す模式平面図。
【図４】第２基板の構造を示す模式平面図。
【図５】第３基板の構造を示す模式平面図。
【図６】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図７】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図８】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図９】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１０】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１１】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１２】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１３】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１４】波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１５】実施形態２に係る波長可変干渉フィルターの構成を示す模式側断面図。
【図１６】実施形態３に係る波長可変干渉フィルターの構造を示す模式側断面図。
【図１７】変形例４に係る波長可変干渉フィルターの模式側断面図。
【図１８】比較例に係る波長可変干渉フィルターの構造を示す模式側断面図。
【図１９】比較例に係る波長可変干渉フィルターの構造を示す模式側断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１５】
（実施形態１）
（波長可変干渉フィルターの構成）
図１は、波長可変干渉フィルターの構成を示す模式平面図である。図２は、波長可変干渉フィルターの構成を示す模式側断面図であり、図１のＡ−Ａ’線に沿う面側から見た断面図である。
【００１６】
図１に示すように、波長可変干渉フィルター１は、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。図２に示すように、この波長可変干渉フィルター１は、第１基板１１、第１基板１１に対向する第２基板１２を備えている。さらに、第２基板１２において、第１基板１１が設けられる側とは反対側に位置する第３基板１３とを備えている。第１基板１１、第２基板１２、及び第３基板１３は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。
【００１７】
そして、第１基板１１の第１接合面１１３と第２基板１２の第２接合面１２３とが第１接合層１４によって接合される。ここで、第１接合面１１３は、第１基板１１の第２基板１２に対向する面であり、第２接合面１２３は第２基板１２の第１基板１１に対向する面である。また、第２基板１２と第３基板１３とは、第２基板１２の第３基板１３に対向する第１外周部としての第３接合面１２４と、第３基板１３の第２基板１２に対向する第２外周部としての第４接合面１３３との少なくとも一部が、第２基板接合層としての第２接合層１５によって接合されている。つまり、第３接合面１２４と第４接合面１３３とは一部が接合していても良く、すべての面が接合していても良い。
【００１８】
そして、第１基板１１と、第２基板１２との間には、第１反射膜１７、及び第２反射膜１８が設けられる。ここで、第１反射膜１７は第１基板１１の第２基板１２側に配置され、第２反射膜１８は第２基板１２の第１基板１１側に配置されている。また、これらの第１反射膜１７と第２反射膜１８とは、ミラー間ギャップ２１を介して対向配置されている。さらに、第１基板１１と第２基板１２の間には、第１反射膜１７及び第２反射膜１８のミラー間ギャップ２１の寸法を調整するための静電アクチュエーター１６が設けられている。なお、ミラー間ギャップ２１は第１反射膜１７と第２反射膜１８の間隔であり、ミラー間ギャップ２１が変化することで透過する光の波長が変化する。
【００１９】
（第１基板の構成）
図３は、第１基板の構造を示す模式平面図であり、第１基板１１を第２基板１２側から見た平面図である。第１基板１１は、厚みが例えば５００μｍのガラス基材をウェットエッチングにより加工することで形成されている。具体的には、図２及び図３に示すように、第１基板１１では、エッチングによりミラー固定部１１１及び電極形成溝１１２が形成される。ミラー固定部１１１は、第１基板１１の基板厚み方向から第１基板１１を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。電極形成溝１１２は、第１基板１１の平面視において、ミラー固定部１１１と同心円でミラー固定部１１１よりも径寸法が大きい円環状に形成されている。
ここで、図２では尺度が実際と異なっており、電極形成溝１１２の深さ寸法は例えば１μｍと、第１基板１１の基板厚さ、例えば５００μｍと比較して非常に浅い。そのため、第１基板１１をウェットエッチングによって加工する際に生じる電極形成溝１１２の角の曲面は小さく、図中では電極形成溝１１２の端部の曲面を省略している。
【００２０】
ミラー固定部１１１は、第１基板１１の第１接合面１１３からエッチングされ、深さが、例えば５００ｎｍに形成されている。ミラー固定面１１１Ａには、円形状の第１反射膜１７が形成されている。この第１反射膜１７は、高反射率が得られるＡｇ合金やＡｌ合金などの金属合金膜であり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面１１１Ａに形成されている。なお、本実施形態では、第１反射膜１７はＡｇ合金やＡｌ合金などの金属合金膜を用いるが、これに限定されず。例えば、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系誘電体多層膜や、ＡｇＣ単層の反射膜を用いる構成としてもよい。
【００２１】
電極形成溝１１２は、第１基板１１の第１接合面１１３からエッチングされ、深さが、例えば１μｍに形成されている。電極形成溝１１２には、ミラー固定部１１１の外周縁から、当該電極形成溝１１２の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面１１２Ａが形成され、この電極固定面１１２Ａのミラー固定部１１１側には、第１駆動電極１６１が形成される。すなわち、第１駆動電極１６１は第１基板１１の第２基板１２側に配置される。この第１駆動電極１６１は、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）を用いる。また、Ａｕ／Ｃｒなどの金属積層体を用いてもよい。
【００２２】
図３に示す第１基板１１の平面視において、第１駆動電極１６１の外周縁の一部からは、第１基板１１の図中左上方向に向かって、第１駆動電極引出部１６１Ｌが延出して形成されている。さらに、第１駆動電極引出部１６１Ｌの先端には、第１駆動電極パッド１６１Ｐが形成され、第１駆動電極パッド１６１Ｐが外部電源に接続される。そして、静電アクチュエーター１６を駆動時には、外部電源により、第１駆動電極パッド１６１Ｐに電圧が印加される。
【００２３】
第１駆動電極引出部１６１Ｌ及び第１駆動電極パッド１６１Ｐは、第１基板１１に形成された配線溝２３Ａに形成されている。従って、第１駆動電極引出部１６１Ｌ及び第１駆動電極パッド１６１Ｐは、第１基板１１と第２基板１２の接合に干渉しないようになっている。
【００２４】
（第２基板の構成）
図４は、第２基板の構造を示す模式平面図であり、第２基板１２を第１基板１１側から見た平面図である。第２基板１２は、厚みが例えば２５０μｍのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図２及び図４に示すように、第２基板１２の形成素材である平板状のガラス基材を、ＨＦ（フッ化水素）などで等方性ウェットエッチングする。これにより、第２基板１２の、第３基板１３側の面に凹みを有する第１薄肉部１２１が形成される。その結果、第１薄肉部１２１の内側に、第１反射膜１７に対向する円柱状の第１可動部１２２と、第１薄肉部１２１の外周側に第２接合面１２３及び第３接合面１２４が形成される。第１薄肉部１２１は第３接合面１２４に囲まれている。第２基板１２の平面視で第１薄肉部１２１は円環状に形成され、第１可動部１２２を第２基板１２の厚み方向に移動可能に保持する。
【００２５】
第１可動部１２２は第１薄肉部１２１よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第１可動部１２２の厚み寸法は第２基板１２の厚み寸法と同一寸法である２５０μｍに形成されている。この第１可動部１２２の径寸法は、第１基板１１のミラー固定部１１１の径寸法よりも大きく形成されている。また、第１可動部１２２は、第１基板１１と対向する面に第１基板１１のミラー固定面１１１Ａに略平行な可動面１２２Ａを備えている。この可動面１２２Ａには、第１反射膜１７に対向する第２反射膜１８及び第２駆動電極１６２が形成されている。すなわち、第２反射膜１８は、第１可動部１２２の第１基板１１側に形成されている。
ここで、第２反射膜１８は、第１反射膜１７と同様に円形状に形成されている。また、第２反射膜１８は、第１反射膜１７と同一の薄膜が用いられ、本実施形態では、Ａｇ合金やＡｌ合金などの金属合金膜が用いられている。
【００２６】
第１薄肉部１２１は、第１可動部１２２の周囲を囲うダイアフラムであり、例えば厚み寸法が２５μｍに形成されている。そして、第１可動部１２２の第１基板１１に対向する面には、静電ギャップ２２を介して第１駆動電極１６１と対向する第２駆動電極１６２が配置されている。ここで、静電ギャップ２２は、第１駆動電極１６１と第２駆動電極１６２の間隔を示す。静電ギャップ２２の大きさは第１基板１１の電極形成溝１１２の深さ寸法、第１駆動電極１６１，第２駆動電極１６２の厚み、及び第１接合層１４の厚みにより決定される。第２駆動電極１６２は、本実施形態では、ＩＴＯを用いる。また、Ａｕ／Ｃｒなどの金属積層体を用いてもよい。
【００２７】
第１駆動電極１６１及び第２駆動電極１６２間に静電引力を発生させることで、第１可動部１２２が基板厚み方向に変位し、ミラー間ギャップ２１が変化する。そして、ミラー間ギャップ２１に応じた特定波長の光を透過させることができる。
【００２８】
また、ミラー固定部１１１及び電極形成溝１１２の深さ寸法は、ミラー間ギャップ２１の寸法、静電ギャップ２２の寸法、第１反射膜１７や第２反射膜１８の厚み寸法により適宜設定される。さらに、ミラー固定部１１１は、波長可変干渉フィルター１を透過させる光の波長域をも考慮して、深さが設計されることが好ましい。
【００２９】
図４に示す第２基板１２の平面視において、第２駆動電極１６２の外周縁の一部からは、第２基板１２の図中左下方向に向かって、第２駆動電極引出部１６２Ｌが延出して形成されている。さらに、第２駆動電極引出部１６２Ｌの先端には、第２駆動電極パッド１６２Ｐが形成され、第１駆動電極パッド１６１Ｐと同様に、外部電源に接続される。そして、静電アクチュエーター１６の駆動時には、外部電源により、第２駆動電極パッド１６２Ｐに電圧が印加される。
【００３０】
図３に示すように、第１基板１１の、第２駆動電極引出部１６２Ｌ及び第２駆動電極パッド１６２Ｐに対向する位置には、配線溝２３Ｂが形成されている。従って、第２駆動電極引出部１６２Ｌ及び第２駆動電極パッド１６２Ｐは、第１基板１１と第２基板１２の接合に干渉しないようになっている。
【００３１】
図２に戻って、第１基板１１の電極形成溝１１２の外側に形成される第１接合面１１３と、第２基板１２の第２接合面１２３とが、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた第１接合層１４によって接合されている。
【００３２】
（第３基板の構成）
図５は、第３基板の構造を示す模式平面図であり、第３基板１３を、第４接合面１３３とは反対側から見た平面図である。第３基板１３は、第１基板１１及び第２基板１２と同様に厚みが、例えば、２５０μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図２及び図５に示すように、第３基板１３を等方性エッチングして第２薄肉部１３１を形成する。第２薄肉部１３１は第２基板１２と第３基板１３との接合面である第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第１薄肉部１２１と対称な構造になっている。そして、第２薄肉部１３１は凹みを有し第２可動部１３２を囲んでいる。これにより、第２薄肉部１３１に囲まれた、第１可動部１２２に対向する第２可動部１３２が形成される。また、第２薄肉部１３１の外側には、第２薄肉部１３１を囲う第２外周部としての第４接合面１３３が形成される。
【００３３】
第２薄肉部１３１が第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第１薄肉部１２１と対称な構造となっている場合、温度変化による第２基板１２と第３基板１３の平面方向の伸縮が等しくなる。従って、第２薄肉部１３１が第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第１薄肉部１２１と非対称である場合と比較して、熱膨張による第２基板１２の変形を抑制できる。
【００３４】
また、第２基板１２と第３基板１３の厚さとが同じ場合はさらに好ましい。この場合、温度変化による第２基板１２と第３基板１３の、基板厚み方向への反りが等しくなる。従って、第２基板１２の厚さと第３基板１３の厚さとが異なる場合と比較して、温度変化による第２基板１２の反りを抑制できる。
【００３５】
第２基板１２の第３接合面１２４と、第３基板１３の第４接合面１３３とが、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた第２接合層１５によって接合される。また、第１可動部１２２の第５接合面１２５と第２可動部１３２の第６接合面１３４とが、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた第３接合層１９によって接合される。ここで、第５接合面１２５は、第１可動部１２２の第２可動部１３２に対向する面であり、第６接合面１３４は、第２可動部１３２の第１可動部１２２に対向する面である。さらに、第２基板接合層としての第２接合層１５及び第３接合層１９はミラー領域２０以外の場所に形成される。ここで、ミラー領域２０は第１反射膜１７と第２反射膜１８が形成された領域内に位置し、光を透過させる領域である。
【００３６】
光を透過させるミラー領域２０に第２接合層１５及び第３接合層１９があると、第２接合層１５及び第３接合層１９によって透過光が吸収されてしまい、透過光の強度が低下してＳ／Ｎ比が悪化し、波長可変干渉フィルター１の分解能が悪化する。また、第２基板１２と第２接合層１５及び第３接合層１９の屈折率差が大きい場合、第２基板１２と第２接合層１５及び第３接合層１９の界面での反射による透過光の強度の低下も懸念される。従って、ミラー領域２０に第２接合層１５及び第３接合層１９を配置しないことで、第２接合層１５及び第３接合層１９による透過光の吸収や反射の影響を抑制できる。
【００３７】
また、第３基板１３には、第２基板１２との接合面とは反対側の面の、第３基板１３の厚み方向から見た際に第２駆動電極１６２と対向する位置に模擬電極１６３が形成されている。さらに、図５に示すように、第３基板１３には、第２基板１２との接合面とは反対側の面の、第３基板１３の厚み方向から見た際に、第２駆動電極引出部１６２Ｌと対向する位置に模擬電極引出部１６３Ｌが形成されている。さらに、第３基板１３には、第２基板１２との接合面とは反対側の面の、第３基板１３の厚み方向から見た際に、第２駆動電極パッド１６２Ｐと対向する位置に模擬電極パッド１６３Ｐが形成されている。
【００３８】
温度変化が生じると、電極材料と基板材料の熱膨張係数の違いから第２基板１２が撓み、ミラー間ギャップ２１が不均一になってしまうため、波長可変干渉フィルター１の分解能が悪化してしまう。第３接合層１９に対して第２基板１２の第２駆動電極１６２の構造と対称になるような模擬電極１６３を第３基板１３にも形成するため、第２基板１２と第３基板１３の内部応力を同じにして、つり合わせることができる。その結果、電極材料と基板材料の熱膨張係数の違いによる第２基板１２の変形を低減できる。
【００３９】
（波長可変干渉フィルターの製造方法）
次に、上述したような波長可変干渉フィルター１の製造方法について、図６〜図１４を用いて説明する。図６〜図１４は波長可変干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図である。波長可変干渉フィルター１を製造するためには、第１基板１１、第２基板１２及び第３基板１３をそれぞれ製造する。その後、形成された第１基板１１と、第２基板１２と、第３基板１３とを貼り合わせる。
【００４０】
（第１基板製造工程）
まず、第１基板１１の形成素材である厚み寸法が５００μｍの石英ガラス基板を用意し、第１基板１１の第２基板１２に対向する面に電極形成溝１１２形成用のレジスト３１を塗布する。そして、塗布されたレジスト３１をフォトリソグラフィ法により露光・現像して、図６に示すように、電極形成溝１１２が形成される箇所をパターニングする。次に、第１基板１１をＨＦ等のエッチング液に浸漬し、等方性ウェットエッチングを行う。これにより、第１基板１１の第２基板１２に対向する面が所定の位置までウェットエッチングされて、ミラー固定面１１１Ａが形成される。その後、ミラー固定面１１１Ａにレジストを形成し、電極形成溝１１２が所望の深さ寸法となるようにエッチングして、図７に示すように、第１基板１１の第２基板１２に対向する面に電極固定面１１２Ａが形成される。そして、レジスト３１及びミラー固定面１１１Ａ上のレジストを除去する。
【００４１】
次に、第１基板１１の第２基板１２に対向する側の面の電極固定面１１２ＡにＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜する。そして、ＩＴＯ膜の上に、第１駆動電極１６１の形状にレジストを形成し、ＩＴＯ膜をフォトエッチングすることで、図８に示すように、電極固定面１１２Ａに第１駆動電極１６１が形成される。この後、第１駆動電極１６１上に残ったレジストを除去する。
【００４２】
次に、ミラー固定面１１１Ａに第１反射膜１７が形成される領域のみが露出するパターンのレジストを形成し、金属合金膜の薄膜をスパッタリング法または蒸着法により成膜する。そして、レジストを除去することで、図９に示すように、ミラー固定面１１１Ａに第１反射膜１７が形成される。
以上により、第１基板１１が完成する。
【００４３】
（第２基板製造工程）
第２基板１２の形成素材である厚み寸法が２５０μｍの石英ガラス基板を用意し、図１０に示すように、第２基板１２の表裏及び側面の全面にレジスト３２を塗布する。次に、塗布されたレジスト３２をフォトリソグラフィ法により露光・現像して、図１１に示すように第１薄肉部１２１が形成される箇所をパターニングする。
【００４４】
そして、第２基板１２をＨＦなどのエッチング液に浸漬し、図１２に示すように、第１薄肉部１２１の深さが所定の寸法となるまでウェットエッチングを行う。ここで、第２基板１２では特許文献１の下部基板より厚みの寸法が薄い基板を用いているため、サイドエッチングが小さくなっている。次に、レジスト３２を除去することで、厚さ２５μｍの第１薄肉部１２１が形成されるとともに、第１可動部１２２が形成される。
【００４５】
次に、第２基板１２の第１面１２Ａの第２駆動電極１６２形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を形成する。そして、ＩＴＯ層をスパッタリング法により成膜する。そして、レジストを除去する。これにより、図１３に示すように、第１可動部１２２の可動面１２２Ａに第２駆動電極１６２が形成される。次に、第１可動部１２２の可動面１２２Ａの第２反射膜１８を形成する部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を形成する。そして、金属合金膜の薄膜をスパッタリング法により成膜する。そして、レジストを除去することで、図１４に示すように、第１可動部１２２の可動面１２２Ａに直径が約３ｍｍの円形状の第２反射膜１８が形成される。
以上により、第２基板１２が完成する。
【００４６】
（第３基板製造工程）
第３基板１３の製造工程は第２基板１２の製造工程から第２反射膜１８を形成する工程を除いた工程となる。ここでは第３基板１３の製造工程の詳しい説明を省略する。
【００４７】
（接合工程）
図２に示すように、第１基板１１、第２基板１２及び第３基板１３をそれぞれ接合する。第１接合面１１３と第２接合面１２３とは、第１接合層１４によって接合される。さらに、第３接合面１２４と第４接合面１３３とは、第２接合層１５によって接合される。さらに、第１可動部１２２と第２可動部１３２とは、第３接合層１９によって接合される。ここで、第１接合層１４、第２接合層１５、及び第３接合層１９には、例えばプラズマ重合膜が用いられる。具体的には、第１基板１１，第２基板１２，及び第３基板１３は、第１接合面１１３、第２接合面１２３、第３接合面１２４、第４接合面１３３、第５接合面１２５、第６接合面１３４にプラズマ重合法などによりプラズマ重合膜を形成し、プラズマ重合膜に紫外線の照射、またはプラズマ処理をした後に、第１基板１１，第２基板１２，及び第３基板１３を重ね合わせることで接合される。プラズマ重合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として用いるのが好ましく、その平均厚みは、約１０ｎｍから約１００ｎｍである。なお、第１基板１１，第２基板１２，及び第３基板１３の接合では、上記の接合方法以外にも、例えば、粘着性薄膜（接着剤）による接合方法や、金属膜による接合方法などを利用することもできる。
【００４８】
図１９は比較例の波長可変干渉フィルター７の構造を示す模式側断面図である。比較例の波長可変干渉フィルター７は、１枚の可動基板７２に対して、固定基板７１に対向する面とその反対の面の両面に凹みを形成して薄肉部７３が形成されている。この構造でも可動基板７２の一方の面のみに凹みを形成して薄肉部７３を形成する場合より、薄肉部７３を形成する凹みの深さ寸法を小さくできるため、波長可変干渉フィルター７の小型化が可能である。
【００４９】
固定基板７１には第１駆動電極７４１が配置され、可動基板７２には第２駆動電極７４２が配置されている。そして、第１駆動電極７４１と第２駆動電極７４２とは対向して配置されている。第１駆動電極７４１及び第２駆動電極７４２などにより静電アクチュエーター７４が構成されている。比較例に示した波長可変干渉フィルター７の静電アクチュエーター７４を駆動するためには、外部電源と接続する端子を端部に設ける必要があり、その端子と可動基板７２に形成される第２駆動電極７４２をつなぐ配線７５を形成しなければならない。この場合、図１９で示した可動基板７２の両面に凹みを形成する構造では、可動基板７２の端部に位置する端子と第２駆動電極７４２とをつなぐ配線７５が凹部を経由するため、配線７５の形成が難しい。一方、本波長可変干渉フィルター１の構造では、第２駆動電極１６２を形成する第２基板１２の第１基板１１に対向する面には凹みを形成しないため、配線の形成が容易である。
【００５０】
図１８は比較例の波長可変干渉フィルター６の構造を示す模式側断面図である。比較例の波長可変干渉フィルター６の第２基板６２の厚さを本実施形態の波長可変干渉フィルター１の第２基板１２と第３基板１３との厚さの合計である５００μｍであるとする。また、比較例の波長可変干渉フィルター６における第２基板６２の薄肉部６３の厚さを本実施形態の波長可変干渉フィルター１の第１薄肉部１２１と第２薄肉部１３１との厚みの合計である５０μｍとする。このとき、本実施形態の波長可変干渉フィルター１は第１薄肉部１２１の凹み及び第２薄肉部１３１の凹みの深さ寸法を小さくできる。つまり、凹みが浅い場合、可動部の大きさを保ったまま凹みの内側面のサイドエッチングを小さくできるため、凹みの開口端縁の広がりを抑制できる。従って、第１薄肉部１２１及び第２薄肉部１３１が占める領域を薄肉部６３より小さくでき、波長可変干渉フィルター１を小型化できる。
【００５１】
（実施形態１の作用効果）
以上述べたように、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター１によれば、以下の効果を得ることができる。
【００５２】
（１）比較例の波長可変干渉フィルター６の第２基板６２の厚さと、本実施形態の波長可変干渉フィルター１の第２基板１２と第３基板１３との厚さの合計とが、同じであるとする。また、比較例の波長可変干渉フィルター６における第２基板６２の薄肉部６３の厚さと、本実施形態の波長可変干渉フィルター１の第１薄肉部１２１と第２薄肉部１３１との厚みの合計とが、同じであるとする。このとき、第１薄肉部１２１の凹み及び第２薄肉部１３１の凹みの深さ寸法を小さくできる。凹みが浅い場合、可動部の大きさを保ったまま凹みの内側面のサイドエッチングを小さくできるため、凹みの開口端縁の広がりを抑制できる。従って、第１薄肉部１２１及び第２薄肉部１３１が占める領域を小さくでき、波長可変干渉フィルター１を小型化できる。
【００５３】
（２）第２薄肉部１３１が第２基板１２と第３基板１３との接合面である第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第１薄肉部１２１と対称な構造となっている。このとき、温度変化による第２基板１２と第３基板１３の平面方向の伸縮が近くなる。従って、第２基板１２と第３基板１３との接合面である第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第２薄肉部１３１が第１薄肉部１２１と非対称である場合と比較して、熱膨張による第２基板１２の変形を抑制できる。
【００５４】
（３）温度変化が生じるとき、第２駆動電極１６２の電極材料と第２基板１２の基板材料の熱膨張係数の違いから第２基板１２が撓む。このため、模擬電極１６３が配置されていないときには第１反射膜１７と第２反射膜１８との間隔であるミラー間ギャップ２１が不均一になってしまうので、波長可変干渉フィルター１の分解能が悪化してしまう。本波長可変干渉フィルター１の構造によれば、第２基板１２と第３基板１３の接合面である第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第２基板１２の第２駆動電極１６２と対称になるような模擬電極１６３が第３基板１３にも形成されているため、第２基板１２と第３基板１３の内部応力を同じにしてつり合せることができる。その結果、第２駆動電極１６２の電極材料と第２基板１２の基板材料の熱膨張係数の違いによる第２基板１２の変形を低減できる。
【００５５】
（４）第１反射膜１７と第２反射膜１８の領域内に光を透過させるミラー領域２０が位置する。このミラー領域２０に第１可動部１２２と第２可動部１３２を接合する第３接合層１９があると、第３接合層１９によって透過光が吸収されてしまい、透過光の強度が低下してＳ／Ｎ比（ｓｉｇｎａｌ−ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）が悪化し、波長可変干渉フィルター１の分解能が悪化する。また、第２基板１２と第３接合層１９の屈折率差が大きい場合、第２基板１２と第３接合層１９の界面で透過光が反射して透過光の強度が低下することが懸念される。波長可変干渉フィルター１の構造によれば、光が透過するミラー領域２０には第３接合層１９が配置されない為、第３接合層１９による透過光の吸収や反射の影響を抑制できる。
【００５６】
（実施形態２）
以下、本実施形態に波長可変干渉フィルターについて、図１５を参照して説明する。図１５は、実施形態２に係る波長可変干渉フィルターの構成を示す模式側断面図であり、図１のＡ−Ａ´線に沿う面側から見た断面図に相当する図である。
【００５７】
本実施形態の波長可変干渉フィルター２は、前記実施形態１の波長可変干渉フィルター１と同様の構成を備えるが、前記波長可変干渉フィルター１では、第２基板１２と第３基板１３とが、第２接合層１５及び第３接合層１９によって接合されていた。これに対し、本実施形態の波長可変干渉フィルターは第２基板１２と第３基板１３の接合に接合層を使用せず、オプティカルコンタクトによって第２基板１２と第３基板１３を直接接合する点で相違する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００５８】
図１５に示すように、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター２は、第２基板１２の第３接合面１２４と、第３基板１３の第４接合面１３３とが、オプティカルコンタクトによって接合されている。さらに、第１可動部１２２の第３基板１３に対向する第５接合面１２５Ｂと、第２可動部１３２の第２基板１２に対向する第６接合面１３４Ｂとが、オプティカルコンタクトによって接合されている。つまり、第２基板１２と第３基板１３の接合に、オプティカルコンタクトが使用されている。
【００５９】
オプティカルコンタクトはガラス板とガラス板とを接合する方法の１つである。各ガラス板の接合する面を研磨して活性化した後、各ガラス板を合わせて密着させる。このとき、２枚のガラス板の表面に結合力が発生する。その後、加熱を行うことで２枚のガラス板が溶着し接合される。オプティカルコンタクトはこのようにしてガラス板の接合する面を研磨して接合する方法である。
【００６０】
以上述べたように、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター２によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
本実施形態によれば、オプティカルコンタクトにより第２基板１２と第３基板１３が直接接合されている。このため、第２基板１２と第３基板１３の間に接合層や空気の層が配置されないので、第２基板１２と第３基板１３の間での透過光の反射や吸収を抑制できる。
【００６１】
（実施形態３）
以下、本実施形態に波長可変干渉フィルターについて、図１６を参照して説明する。図１６は、実施形態３に係る波長可変干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、図１のＡ−Ａ´線に沿う面側から見た断面図に相当する図である。
【００６２】
本実施形態の波長可変干渉フィルター３は、前記実施形態１の波長可変干渉フィルター１と同様の構成を備えるが、前記波長可変干渉フィルター１では、第２接合層１５及び第３接合層１９に遮光材料が含まれていない例を示した。ここで、波長可変干渉フィルター１では第２接合層１５は第２基板１２の第３接合面１２４と第３基板１３の第４接合面１３３とを接合し、第３接合層１９は第１可動部１２２と第２可動部１３２とを接合した。これに対し、本実施形態の波長可変干渉フィルター３は第２基板１２と第３基板１３を接合する接合層に遮光材料が含まれている点で相違する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
【００６３】
図１６に示すように、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター３は、第２基板１２の第３基板１３に対向する第１面１２４Ｃと、第３基板１３の第２基板１２に対向する第２面１３３Ｃとの間に、遮光材料を含む第２基板接合層としての接合層１５Ｃが配置されている。そして第２基板１２と第３基板１３とは、接合層１５Ｃによって接合されている。ここで、接合層１５Ｃはミラー領域２０以外の場所に形成される。
【００６４】
以上述べたように、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター３によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
ミラー領域２０の外側から大きな入射角を持った光がミラー領域２０に侵入する場合がある。このとき、接合層１５Ｃに遮光材料を含んでいない際は、ミラー間ギャップ２１に応じた特定波長の光とは異なる波長を持つ光が波長可変干渉フィルター３を透過するため、波長可変干渉フィルター３の分解能が悪化する。波長可変干渉フィルター３の構造によれば、接合層１５Ｃは遮光材料を含んでいる為、接合層１５Ｃが入射光を絞る役割を果たし、角度を持った光を抑制できる。
【００６５】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００６６】
（変形例１）
図２、図１５、及び図１６に示すように、上記各実施形態では、第３基板１３に模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、模擬電極パッド１６３Ｐが形成されている構成であるものとして説明したが、この構成に限定するものではない。
上記各実施形態では、第３基板１３の、第２基板１２との接合面とは反対側の面に、模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、及び模擬電極パッド１６３Ｐが形成されていた。ここで、模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、及び模擬電極パッド１６３Ｐは、基板の厚み方向から見た際にそれぞれ第２駆動電極１６２、第２駆動電極引出部１６２Ｌ及び第２駆動電極パッド１６２Ｐと対向する。しかし、第２駆動電極１６２の電極材料と第２基板１２の基板材料の熱膨張係数の違いにより第２基板１２の撓みが小さい場合には、第３基板１３に模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、模擬電極パッド１６３Ｐを形成しなくてもよい。
【００６７】
以上述べたように、本変形例に係る波長可変干渉フィルターによれば、上記各実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
第３基板１３に模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、模擬電極パッド１６３Ｐを形成する工程を省略することができ、製造にかかる時間を短縮できる。
【００６８】
（変形例２）
図２に示すように、上記実施形態１では、第１可動部１２２と、第２可動部１３２とを接合する第３接合層１９はミラー領域２０以外の場所に形成されている構成であるものとして説明したが、この構成に限定するものではない。
上記実施形態１では、第１可動部１２２と、第２可動部１３２とを接合する第３接合層１９はミラー領域２０以外の場所に形成されている。しかし、第３接合層１９によるミラー領域２０を透過した光の吸収及び、第２基板１２と第３接合層１９との界面での光の反射が小さい場合は、第３接合層１９はミラー領域２０内に形成されてもよい。このとき、第１可動部１２２と第２可動部１３２との接する面のすべてが接合されても良い。
【００６９】
（変形例３）
図２、図１５及び図１６に示すように、上記各実施形態では、第２基板１２の厚さと第３基板１３の厚さを同じ厚さであるものとして説明したが、この構成に限定するものではない。第２基板１２の厚さと第３基板１３の厚さは同じ厚さではなく、異なってもよい。
【００７０】
（変形例４）
図１７は、変形例４に係る波長可変干渉フィルターの模式側断面図である。図２、図１５、及び図１６に示すように、上記各実施形態では、第２薄肉部１３１は、第２基板１２と第３基板１３の接合面である第３接合面１２４及び第４接合面１３３に対して第１薄肉部１２１と対称な構造であるものとして説明したが、変形例１に示すように第３基板１３に模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、模擬電極パッド１６３Ｐを形成しない場合は、この構成に限定するものではない。
【００７１】
図１７に示すように、波長可変干渉フィルター４の第３基板１３に模擬電極１６３、模擬電極引出部１６３Ｌ、模擬電極パッド１６３Ｐを形成しない場合は、第２薄肉部１３１を形成する凹み１３１Ａが、第３基板１３の第２基板１２の接合面の反対側に位置するように第２基板１２と第３基板１３を接合してもよい。
【００７２】
以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。
【００７３】
波長可変干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第２基板において、前記第１基板が設けられる側とは反対側に位置する第３基板と、を備え、前記第１基板は前記第２基板側に配置された第１反射膜と、第１駆動電極と、を有し、前記第２基板は前記第１反射膜と対向する位置に形成された第１可動部と、前記第１可動部の前記第１基板側に配置された第２反射膜と、前記第１可動部を囲み、前記第３基板側の面に凹みを有する第１薄肉部と、前記第１薄肉部を囲む第１外周部と、前記第１駆動電極と対向して配置された第２駆動電極と、を有し、前記第３基板は前記第１可動部と対向する位置に形成された第２可動部と、前記第２可動部を囲む凹みを有する第２薄肉部と、前記第２薄肉部を囲む第２外周部と、を有し、前記第１可動部と前記第２可動部との少なくとも一部が接合され、前記第１外周部と前記第２外周部との少なくとも一部が接合されていることを特徴とする。
【００７４】
この構造によれば、第１基板と第２基板が対向配置されており、第１基板と第２基板との互いに対向するそれぞれの面に第１反射膜及び第２反射膜が配置されている。第２基板には第３基板に対向する面に凹みを持つ第１薄肉部が形成され、第３基板には第２薄肉部が形成されている。また、第２基板には第１反射膜と対向する位置に第１可動部が形成され、第３基板の第１可動部に対向する位置に第２可動部が形成されている。そして、第１可動部と第２可動部が接合されている。さらに、第２基板と第３基板は第１薄肉部を囲う第１外周部と第２薄肉部を囲う第２外周部が接合されている。第１基板に配置された第１駆動電極と、第２基板の第１駆動電極に対向する位置に配置された第２駆動電極に電圧を印加することで、静電引力により第１薄肉部と第２薄肉部が変形し、可動部が基板厚み方向に変位する。これにより、第１基板と第２基板の互いに対向する面に配置された第１反射膜と第２反射膜との間隔が変化し、所望の波長を持つ光を透過させる。
【００７５】
従来構造の波長可変干渉フィルターの第２基板の厚さと、本実施形態の波長可変干渉フィルターの第２基板と第３基板との厚さの合計とが、同じであるとする。また、従来構造の波長可変干渉フィルターにおける第２基板の薄肉部の厚さと、本実施形態の波長可変干渉フィルターの第１薄肉部と第２薄肉部との厚さの合計とが、同じであるとする。このとき、第１薄肉部の凹み及び第２薄肉部の凹みの深さ寸法を小さくできる。凹みが浅い場合、可動部の大きさを保ったまま凹みの内側面のサイドエッチングを小さくできるため、凹みの開口端縁の広がりを抑制できる。従って、第１薄肉部及び第２薄肉部が占める領域を小さくでき、波長可変干渉フィルターを小型化できる。
【００７６】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第２薄肉部の構造が前記第２基板と前記第３基板との接合面に対して、前記第１薄肉部と対称な構造となっていることが好ましい。
【００７７】
この構造によれば、第２薄肉部が第２基板と第３基板の接合面に対して第１薄肉部と対称な構造となっている。このため、温度変化による第２基板と第３基板の平面方向の伸縮が等しくなる。従って、第２薄肉部が第２基板と第３基板の接合面に対して第１薄肉部と非対称である場合と比較して、熱膨張による第２基板の変形を抑制できる。
【００７８】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第３基板の、前記第２基板との接合面とは反対側の面に、前記第３基板の厚み方向から見た際に前記第２駆動電極と対向する位置に模擬電極を形成していることが好ましい。
【００７９】
この構造によれば、第３基板の、第２基板との接合面とは反対側の面に、第３基板の厚み方向から見た際に第２駆動電極と対向する位置に模擬電極が形成されている。模擬電極がないときには温度の変化が生じるときに、電極材料と基板材料の熱膨張係数の違いから第２基板が撓み、反射膜の間隔が不均一になってしまう。このため、波長可変干渉フィルターの分解能が悪化してしまう。本波長可変干渉フィルターの構造では、第２基板と第３基板の接合面に対して第２基板の第２駆動電極の構造と対称になるような模擬電極を第３基板にも形成する為、電極材料と基板材料の熱膨張係数の違いによる第２基板の変形を低減できる。
【００８０】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第１反射膜と前記第２反射膜とが形成された領域内に光を透過させるミラー領域が位置し、前記ミラー領域以外の場所に前記第２基板と前記第３基板を接合する第２基板接合層が形成されていることが好ましい。
【００８１】
この構造によれば、第１反射膜と第２反射膜の領域内に光を透過させるミラー領域が位置する。このミラー領域に第２基板と第３基板とを接合する第２基板接合層があると、第２基板接合層によって透過光が吸収されてしまい、透過光の強度が低下してＳ／Ｎ比が悪化し、波長可変干渉フィルターの分解能が悪化する。また、第２基板と第２基板接合層の屈折率差が大きい場合、第２基板と第２基板接合層の界面での透過光の反射により透過光の強度が低下する。本波長可変干渉フィルターの構造では、光が透過するミラー領域には第２基板接合層が配置されない為、第２基板接合層による透過光の吸収や反射の影響を抑制できる。
【００８２】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板と前記第３基板との接合にオプティカルコンタクトを使用していることが好ましい。
【００８３】
この構造によれば、第２基板と第３基板の接合にオプティカルコンタクトが使用されている。オプティカルコンタクトでは第２基板と第３基板が直接接合されている。このため、第２基板と第３基板の間に接合層や空気の層が配置されないので、第２基板と第３基板の間での透過光の反射や吸収を抑制できる。
【００８４】
上記の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板接合層は遮光材料を含むことが好ましい。
【００８５】
この構造によれば、第２基板接合層は遮光材料を含んでいる。ミラー領域の外側から大きな入射角を持った光がミラー領域内に侵入する場合がある。このとき、第１反射膜と第２反射膜との間の距離に応じた特定波長の光とは異なる波長を持つ光が波長可変干渉フィルターを透過するため、波長可変干渉フィルターの分解能が悪化する。本波長可変干渉フィルターの構造によれば、第２基板接合層は遮光材料を含んでいる為、第２基板接合層が入射光を絞る役割を果たし、角度を持った光が波長可変干渉フィルターを通過することを低減できる。
【符号の説明】
【００８６】
１，２，３，４，６，７…波長可変干渉フィルター、１１…第１基板、１２…第２基板、１３…第３基板、１５…第２基板接合層としての第２接合層、１５Ｃ…第２基板接合層としての接合層、１７…第１反射膜、１８…第２反射膜、２０…ミラー領域、１２１…第１薄肉部、１２２…第１可動部、１２４…第１外周部としての第３接合面、１３１…第２薄肉部、１３２…第２可動部、１３３…第２外周部としての第４接合面、１６１…第１駆動電極、１６２…第２駆動電極、１６３…模擬電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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