(57)【要約】      （修正有）【課題】シールド膜全体の電位が安定し、絶縁樹脂が湿度や温度等の外部環境に左右されにくい構造を持つ、薄型でシールドされたフラットケーブルとその製造方法を提供する。【解決手段】フラットケーブル１０１において、金属からなる導体２０４の両端部（端子部ともいう）以外の周囲に密着して絶縁体１０６を有し、該絶縁体の外表面の少なくとも一部に金属膜２０２（金属からなる層ともいう）を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールドされた薄型フラットケーブルであって、
金属からなる導体の両端部以外の周囲に密着して絶縁体を有し、
該絶縁体の外表面の少なくとも一部に金属膜を有することを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項２】
請求項１に記載されたシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記導体が多層であることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記シールドされた薄型フラットケーブルの厚さが、前記導体一層当たり１０マイクロメートルから５００マイクロメートルであることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記絶縁体の前記金属膜を有していない部分の面積が５％以下であることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記絶縁体の誘電率が３．５以下、誘電正接が０．００３以下および吸水率が０．０５％以上であることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記絶縁体の前記導体の両端部周辺の前記金属膜を有していない部分に防湿膜が形成されたことを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記金属膜が、前記絶縁体表面に設けられた溝の壁面に形成されていることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項８】
シールドされた薄型フラットケーブルの製造方法であって、
金属からなる導体の両端部以外の周囲に密着して絶縁体を設け、
該絶縁体の外表面の少なくとも一部に金属膜を設けることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載されたシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記導体を多層とすることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記シールドされた薄型フラットケーブルの厚さが、前記導体一層当たり１０マイクロメートルから５００マイクロメートルとすることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記絶縁体が前記金属膜を有していない部分の面積を５％以下とすることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記絶縁体の吸水率が０．０５％以上もしくは、熱変変形温度を６０℃から２５０℃の間とすることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記絶縁体の前記導体の両端部周辺の前記金属膜を有していない部分に防湿膜を形成することを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記金属膜を、前記絶縁体表面に設けた溝の壁面に形成することを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
シールド層となる前記金属膜を平行に複数形成したのち、個片に切り離すことを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１５のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記溝をレーザー光により形成し、前記溝の壁面を金属めっきにより金属膜を形成することを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１７】
請求項１４又は請求項１５のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記溝を露光、樹脂エッチングにより形成し、前記溝の壁面を金属めっきにより金属膜を形成することを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記金属膜が、前記導体の両端部周辺以外の外周面の全面を連続して被覆していることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項７又は請求項１８のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記絶縁体が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルの一つ以上の樹脂を含み、前記樹脂１００重量部に対し、前記絶縁体に含まれる充填剤として石英ガラス、酸化アルミニウム、中空ガラスバルーン、酸化マグネシウムの一つ以上を１０重量部から９００重量部含むことを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項７又は請求項１８乃至請求項１９のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記絶縁体と前記金属膜の間に防湿膜を設けることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項２１】
請求項２０に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記防湿膜が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデンの少なくとも１つからなることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項７又は請求項１８のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記絶縁体が、感光性物質を硬化させたものであることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項７又は請求項１８乃至請求項２２のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルにおいて、
前記金属膜が、金、銀、銅、アルミニウムのいずれか１つ以上からなる膜であることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブル。
【請求項２４】
請求項８乃至請求項１７のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記金属膜が前記導体の両端部周辺以外の外周面を連続して被覆していることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項２５】
請求項８乃至請求項１７又は請求項２４のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記絶縁体が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルの一つ以上の樹脂を含み、前記樹脂１００重量部に対し、前記絶縁体に含まれる充填剤として石英ガラス、酸化アルミニウム、中空ガラスバルーン、酸化マグネシウムの一つ以上を１０重量部から９００重量部含ませることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項２６】
請求項８乃至請求項１７又は請求項２４乃至請求項２５のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記絶縁体と前記金属膜の間に防湿膜があることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記防湿膜を、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデンの少なくとも１つとすることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項２８】
請求項８乃至請求項１７又は請求項２４のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記絶縁体が、感光性物質であることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【請求項２９】
請求項８乃至請求項１７および請求項２４乃至請求項２８のいずれか１項に記載のシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法において、
前記金属膜が、金、銀、銅、アルミニウムのいずれか１つ以上の膜であることを特徴とするシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明はシールドされた薄型フラットケーブルであって、用途としては、高密度実装が必要な通信機器や高周波、高速信号を使用する機器への利用が想定され、具体的には、スマートフォン、ＩｏＴ機器、ＡＤＡＳ関連機器等への利用が期待できる高密度実装の必要な機器の通信、配線に使用するシールドされた薄型フラットケーブルとその製造方法関する。
【背景技術】
【０００２】  主にテレビ受像機や無線機とアンテナを繋ぐ給電線、計測機器の接続用、音声信号や映像信号の伝送用、電子機器内部のＲＦ回路及びその周辺に代表される高周波部分や高速伝送線路部分（ＲＦ回路等ともいう）の配線には、芯材がシールド層で覆われた同軸ケーブルが多用されている。【０００３】  構造は一般的に、銅等でできた芯線をポリエチレン等の絶縁体で包み、さらに細い導線を編んだ網状の編組線と呼ばれるシールド層で包み、最後に外側をビニール等の保護被覆で覆っているものが多い。編組線が外からの電磁波を遮断するため、ノイズや減衰を抑えることができ、また、内部からの電磁波の漏れも少なくなる。周波数範囲は幅広く、直流からミリ波までの伝送ができる（非特許文献１参照）。【０００４】  他方、モバイル機器等では、電子機器等で部品を高密度実装するフレキシブル基板や、機器内部で狭隘な隙間などを通して配線を行うフラットケーブルなどの熱可塑性樹脂からなる樹脂多層基板において、高周波信号を伝送する信号線路としてトリプレート線路（例えば図９）が設けられることがある。トリプレート線路は、樹脂多層基板にライン導体とグランド導体とを設け、ライン導体よりも幅広なグランド導体を、ライン導体の両面に対向させた信号線路である（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。トリプレート線路は、両側にグランド導体が設けられているため、外部からのノイズに強く、また、不要放射（不要輻射）が生じにくいといった特徴がある。【０００５】  また、トリプレート線路が設けられていても折り曲げが容易であり、また、折り曲げても伝送特性の劣化が生じ難い樹脂多層基板、および電子機器を提供することが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。【０００６】  他方、シールド効果を向上させるため、フラットケーブルに金属箔テープを貼り付けて、フラットケーブルを包み込む方法も行われている（例えば、特許文献４参照）。フラットケーブルの短手方向は、絶縁材が外気に露出しており、その露出した絶縁材から水蒸気が浸入するため、絶縁材の内部までは水蒸気による吸湿が発生し、伝送特性に影響を及ぼす。吸湿率の高い絶縁材は水蒸気の影響を受けやすく、特に、高周波領域でその影響は顕著となり、伝送特性の変化をもたらす。【０００７】  また、長手方向のシールドの強化として、遮蔽テープを巻く方法（例えば、特許文献５および６参照）があるが、シールド層としてシールドフィルムを巻くものであり、シールドフィルムの重なりもしくは接触の部分で、隙間や接触抵抗が発生し、完全なシールドにはならない、また、シールドフィルムの重なりもしくは接触の部分は粘着層や接着層といった有機物が外気に露出するため、絶縁材は水蒸気による吸湿が発生する。【０００８】  上記のように吸湿により絶縁材は、電気特性が変化し、それによりケーブルの伝送特性が変化する．特に高周波や高速信号を扱う場合は、吸湿による伝送特性への影響が顕著である。【０００９】  長手方向を継ぎ目のないシールド膜を銅めっきで形成するフラットケーブルも提案されている（例えば、特許文献７）。しかし、短手方向は、切断して個片化するため、その断面はめっき処理がなく導体と絶縁材が露出する。すなわち短手方��の端面は湿度の影響を受けるため、そこから水蒸気が侵入する。そのため、この場合、伝送特性の安定が必要なフラットケーブルでは絶縁体のとして吸湿性の高い樹脂を使用するには制限が必要となる。また、他の部品と接続するためには、改めて端子の形成が必要となる。【００１０】  さらに、銅線を用いるフラットケーブルでは、長手方向に同じ形状しか形成できず、複数導体を持つフラットケーブルの場合、平面性を保持したまま折れ曲がった形状を形成することが困難である。昨今の、スマートフォンに代表されるモバイル機器は、フラットのまま曲線を形成できるフラットケーブルが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１１−７１４０３号公報
【特許文献２】特開２０１７−１８８３０７号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２０１４／１５６４２２号
【特許文献４】特開２０１０−１８２５７６号公報
【特許文献５】特開平５−２４２７３６号公報
【特許文献６】国際公開ＷＯ２０１６／１０４０６６号公報
【特許文献７】特開昭６１−１３１３０６号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】ダイヤトレンド株式会社、用語集、同軸ケーブル
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】  近年のスマートフォンに代表されるモバイル機器では、ディスプレイ、カメラ等の高機能化やアプリケーションの進化に伴うアプリケーションプロセッサーの回路規模の増大化や高速化に伴うバッテリーの大型化が進み、限ら得た筐体の内部にこれらの機能、部品を納めることが難しくなってきている。他方、スマートフォンで扱う無線の種類も増加しており、アンテナと危機をつなぐ配線や部品とメイン基板をつなぐ配線は、増加している。【００１４】  現在は、スマートフォンをふくむモバイル機器内部の配線は、カメラやディスプレイ等の部品とメイン基板との配線はフレキシブル配線板が多用されている。他方、ＲＦ部分は同軸ケーブルを使用するのが一般的である。特にスマートフォンに代表されるディスプレイを搭載する機器では、ディスプレイは大型化の傾向があるため、小型化、軽量化のためには、厚み方向の薄型化が重要になる。しかし、同軸ケーブルは薄型化が難しく、最近では、同軸ケーブルの太さが、機器の実装設計の障害になることが発生している。すなわち、厚みに制限のある機器に実装するためには、ケーブルの薄型化が必要である。【００１５】    この対応のため、液晶ポリマー（ＬＣＰともいう）に代表される低伝送損失の樹脂を使用したトリプレート線路やマイクロストリップ線路を持つ薄型の配線板も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。この配線板はフレキシブル配線板と同様の回路形成ができるため、複数の信号線を一つの配線板で処理できるため、今後のモバイル機器への貢献が期待されている。【００１６】  一方、上記低伝送損失材の樹脂を使用したトリプレート線路やマイクロストリップ線路を持つ薄型の配線板は、同軸ケーブルに対し、シールドが完全でなく、ビアで上下のグランドを接続するためグランド安定にも限界があり、更なる高周波化、高速化に向けては、伝送損失やＥＭＩシールド性に懸念がある。【００１７】  また、上記低伝送損失材の樹脂も外気からの影響があるため、例えば、低誘電ポリイミド樹脂は優れた伝送特性を持っているが、吸湿率が高く、伝送特性が湿度に影響されるため、現状のＲＦ部分での使用には向かない。
つまり、上記トリプレート線路やマイクロストリップ線路を持つ薄型の配線板では、湿度の影響が少ない樹脂の選択が必要で、使用できる樹脂に大きな制限がある。また、今後高周波領域の使用が進む場合、更なる伝送特性の安定化が求められるため、外気からの影響を極小化する必要がある。【００１８】  特に、低誘電率ポリイミドや空気を含むような樹脂では空気中の水蒸気による吸湿により電気特性が大きく変化するため、現状のＦＦＣ（Ｆｌａｔ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃａｂｌｅ）では使用が難しくもっぱらＰＴＦＥもしくはＬＣＰが使用されているが、それらの樹脂は材料費が高く、高温での加工が必要で、接着性にも乏しいため、生産性がよくなく用途が限られる。【００１９】  他方、ポリエチレンとその共重合体、ポリプロピレンとその共重合体、ポリスチレンとその共重合体は、誘電損失の小さい樹脂であり、熱可塑性で加工性もすぐれているが、耐熱性が低いため従来のフラットケーブルには樹脂単体では絶縁体に使用することができない。【００２０】  高周波ケーブルの絶縁体として上記誘電損失の小さい樹脂に、誘電損失の小さい充填剤を配合分散して、耐熱性を向上させ低損失の絶縁材をうることも可能であるが、その場合、上記樹脂と上記粉末に水蒸気が浸入し、電気特性に影響を及ぼす。すなわち、誘電損失の小さい樹脂に低損失である充填剤を配合分散して、高周波ケーブルの絶縁体として使用する場合は、外気から水蒸気による吸湿の影響を受けないフラットケーブルの構造と製法が必要である。【００２１】  フラットケーブルの短手方向は、絶縁材が外気に露出しており、その露出した絶縁材から水蒸気が浸入するため、絶縁材の内部までは水蒸気による吸湿が発生し、伝送特性に影響を及ぼす。吸湿率の高い絶縁材は水蒸気の影響を受けやすく、特に、高周波領域でその影響は顕著となり、伝送特性の変化をもたらす。【００２２】  また、長手方向のシールドの強化として、遮蔽テープを巻く方法（例えば、特許文献５および６参照）があるが、シールド層としてシールドフィルムを巻くものであり、シールドフィルムの重なりもしくは接触の部分で、隙間や接触抵抗が発生し、完全なシールドにはならない、また、シールドフィルムの重なりもしくは接触の部分は粘着層や接着層といった有機物が外気に露出するため、絶縁材は水蒸気による吸湿が発生する。【００２３】  上記のように、外気の水蒸気による吸湿により、絶縁材は電気特性が変化し、それによりケーブルの伝送特性が変化するため、特に高速伝送や高周波伝送用途にはフラットケーブルの絶縁材としては好ましくない。導体を被覆する絶縁材は水蒸気の影響をなくす必要がある。特に高周波や高速信号を扱う場合は、吸湿による伝送特性への影響が顕著である。【００２４】  長手方向を継ぎ目のないシールド膜を銅めっきで形成するフラットケーブルも提案されている（例えば、特許文献７）。しかし、短手方向は、切断して個片化するため、その断面はめっき処理がなく導体と絶縁材が露出する。すなわち短手方向の端面は湿度の影響を受けるため、そこから水蒸気が新入するため、吸湿性の高い樹脂を使用することはできない。また、他の部品と接続するためには、改めて端子の形成が必要となる。【００２５】  さらに、銅線を用いるフラットケーブルでは、長手方向に同じ形状しか形成できず、複数導体を持つフラットケーブルの場合、平面性を保持したまま折れ曲がった形状を形成することが困難である。昨今の、スマートフォンに代表されるモバイル機器は、フラットのまま曲線を形成できるフラットケーブルが望まれている。【００２６】  さらに、フラットケーブルは製品の実装時に、はんだ付け等による熱の影響をうける。通常は２５０℃程度の熱がフラットケーブルにもかかるため、フラットケーブルの絶縁体は、耐熱性が必要である。絶縁体が溶融しにくい構造もしくは、軟化しても変形しない構造であれば、耐熱性の低い絶縁体を使用することができ、これもまた、絶縁体の選択肢を広げることになる。【００２７】  フラットケーブルに金属箔テープを貼り付けて、シールド性を向上させる方法も行われているが、この方法では、フラットケーブルを完全に被覆することは難しく、勘合部やシールド膜の接着剤端面が露出するため、外気の影響を受けやすい。また、厚み方向や壁面での寸法が安定しないため、伝送特性への影響がある。さらに、モバイル機器では、二股に分かれたような複雑形状のフラットケーブルも必要な場合があるが、金属箔テープを貼り付ける方法では、例えば図８のような複雑な形状のフラットケーブルの製造は困難である。【００２８】  以上のことより、厚さ方向の実装スペースが限られた機器の実装に対応し、高周波、高速通信が可能なケーブルが求められている。本発明は、以上の課題を解決すべく、安定した伝送線路で、実装性の良い薄型で、かつシールド性の優れたフラットケーブルとその製造方法を提供するものである。さらに、絶縁樹脂の選択を広げることも求められている。本発明では、外部環境に左右されにくい構造を持つフラットケーブルを提供することで、絶縁樹脂の選択を大幅に広げるものである。【００２９】  また、金属テープを張り合わせる方法よりも困難な複雑な形状への対応が可能で、伝送特性が安定し、シールド性の優れた、薄型化が可能な方法が必要とされている。【００３０】  また、近年フラットケーブルの製造において、層間の接続をバンプを用いる方法が提唱されている。一括で複数の層の積層が可能であるが。高速伝送の場合、ある程度の導体からなる信号線と金属からなるシールド層の間隔が必要で、枚数か厚みのあるフィルムが必要である。バンプでの形成は、積層により絶縁層の接着とバンプとシールド層の接続を一度に行うため、導通信頼性の確保が難しく、高度な技術が必要である。この層間の接続にバンプを用いる方法も、トリプレート構造のため、前述と同じ課題がある。【００３１】  すなわち、高速伝送や高周波伝送用のフラットケーブルでは、薄型可撓性といったフラットケーブル本来の特性以外に、以下の内容が要求されている。
吸湿等の外気の影響をなくし、安定した伝送線路であること。電磁波シールド効果が高いこと。はんだ付け等に耐える耐熱性を有すること。生産性が良く、安価な材料が使用できること。本発明は、シールド性の優れた、外部環境からの影響を極力少なくした、複雑な形状にも対応が可能なフラットケーブルに関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００３２】  本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、金属からなる導体の両端部（端子部ともいう）以外の周囲に密着して絶縁体を有し、該絶縁体の外表面の少なくとも一部に金属膜（金属からなる層ともいう）を有することを特徴とする。【００３３】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、前記金属膜が多層であると好適である。【００３４】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、前記シールドされた薄型フラットケーブルの厚さが、前記導体一層当たり１０マイクロメートルから５００マイクロメートルであると好適である。【００３５】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、前記絶縁体の前記金属膜を有していない部分の面積が５％以下であると好適である。【００３６】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、前記絶縁体の誘電率が３．５以下、誘電正接が０．００３以下および吸水率が０．０５％以上であると好適である。【００３７】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、前記絶縁体の前記導体の両端部周辺の前記金属膜を有していない部分に防湿膜が形成されたと好適である。【００３８】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは、前記金属膜が、前記絶縁体表面に設けられた溝の壁面に形成されていると好適である。【００３９】  本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、金属からなる導体の両端部以外の周囲に密着して絶縁体を設け、該絶縁体の外表面の少なくとも一部に金属膜を設けることを特徴とする。【００４０】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記金属膜を多層とすると好適である。【００４１】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記シールドされた薄型フラットケーブルの厚さが、前記導体一層当たり１０マイクロメートルから５００マイクロメートルとすると好適である。【００４２】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記絶縁体の前記金属膜を有していない部分の面積が５％以下とすると好適である。【００４３】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記絶縁体の誘電率を３．５以下、誘電正接を０．００３以下および吸水率が０．０５％以上とすると好適である。【００４４】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記絶縁体の前記導体の両端部周辺の前記金属膜を有していない部分に防湿膜を形成すると好適である。【００４５】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記金属膜を、前記絶縁体表面に設けた溝の外面に形成すると好適である。【００４６】    また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、シールド層となる前記金属膜を形成したのち、個片に切り離すと好適である。【００４７】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記溝をレーザー光により形成し、前記溝の壁面を金属めっきにより金属膜を形成すると好適である。【００４８】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、前記溝を露光、樹脂エッチングにより形成し、前記溝の壁面を金属めっきにより金属膜を形成すると好適である。【００４９】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは  前記金属膜が、前記導体の両端部周辺以外の外周面の全面を連続して被覆していると好適である。【００５０】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは
前記絶縁体が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルの一つ以上の樹脂を含み、前記樹脂１００重量部に対し、前記絶縁体に含まれる充填剤として石英ガラス、酸化アルミニウム、中空ガラスバルーン、酸化マグネシウムの一つ以上を１０重量部から９００重量部であると好適である。【００５１】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは
前記絶縁体と前記金属膜の間に防湿膜を設けると好適である。【００５２】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは
前記防湿膜が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデンの少なくとも１つからなると好適である。【００５３】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは
前記絶縁体が、感光性物質であると好適である。【００５４】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルは
前記金属膜が、金、銀、銅、アルミニウムのいずれか１つ以上からなる膜であると好適である。【００５５】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、
前記金属膜が前記導体の両端部周辺以外の外周面を連続して被覆していると好適である。【００５６】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、
前記絶縁体が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルの１以上の樹脂を含み、前記樹脂１００重量部に対し、前記絶縁体に含まれる充填剤として石英ガラス、酸化アルミニウム、中空ガラスバルーン、酸化マグネシウムの一つ以上を１０重量部から９００重量部であると好適である。【００５７】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、
前記絶縁体と前記金属膜の間に防湿膜があると好適である。【００５８】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、
前記防湿膜が、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデンの少なくとも１つとするからなると好適である。【００５９】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、
前記絶縁体が、感光性絶縁体であると好適である。【００６０】  また、本発明に係るシールドされた薄型フラットケーブルの製造方法は、
前記金属膜が、金、銀、銅、アルミニウムのいずれか１つ以上の膜であると好適である。
【発明の効果】
【００６１】  本発明は、ＲＦ信号や高速伝送が必要な伝送線路において、シールドされた安定した低損失の信号を、薄型のケーブルで提供できる。また、本発明は、絶縁体が、ほとんど金属で覆われている構造を持つため、湿度や温度等の外部環境の影響を受けにくく、使用する樹脂の選択肢が広がり高性能化や低価格化の可能性を広げる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態にかかわる斜視図（Ａ）、導体部の斜視断面図（Ｂ）、端子部上面図（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）、拡大斜視図（ＡＷ）である。
【図２】本発明の第１の実施施形態にかかわる製造方法例（導体断面および端子部断面）
【図３】本発明の第２の実施施形態にかかわる製造方法例（導体断面および端子部断面）
【図４】本発明の第３の実施施形態にかかわる構造例（端子部断面）
【図５】本発明にかかわる構造例（端子部断面）
【図６】本発明の第４の実施施形態にかかわる構造例（導体断面および端子部断面）
【図７】本発明の積層体２０５Ｂ（上面図）
【図８】本発明のフラットケーブルの例（上面図）
【図９】トリプレート構造を用いたフラットケーブルの構造例（導体部の斜視断面図）
【図１０】本発明の実施例２にかかわる製造方法例（導体断面）
【図１１】本発明の実施例３にかかわる製造方法例（導体断面）
【図１２】本発明の実施例４にかかわる製造方法例（導体断面）
【図１３】本発明の実施例４にかかわる構造例（端子部断面）
【発明を実施するための形態】
【００６３】  高速伝送や高周波伝送用のフラットケーブルでは、薄型可撓性といったフラットケーブル本来の特性以外に、以下の内容が要求されている。吸湿等の外気の影響をなくし、安定した伝送線路であること。電磁波シールド効果が高いこと。はんだ付け等に耐える耐熱性を有すること。生産性が良く、安価な材料が使用できること。本発明は、上記の要求内容を大幅に改善するものである。
すなわち、本発明は、導体の両端部（端子部ともいう）を除き金属膜からなるシールド膜を一体で形成するため、吸湿等の外気の影響がほとんどなく安定した伝送線路であり、電磁波シールド効果も高い。
【００６４】  また、外気からの影響もほとんどないため、吸湿率の高い樹脂も使用が可能となり、樹脂の選択の幅が広くなる。
【００６５】  すなわち、低損失の要求される伝送線路では、誘電率および誘電正接が低くさらに、それらのドリフトを引き起こす吸湿率も低いことが要求さるが、本発明は絶縁体の吸湿率が高くても吸湿が少ない構造のため、低損失を要求する用途にも使用ができる。低損失用途では、絶縁体は、誘電率が３．５以下、誘電正接が０．００３以下が良く、吸水率が０．０５％以上で好適である。前述の一般のフラットケーブルでは、吸湿率は０．０５％より小さいことが求められるが、本発明は０．０５％以上でも良好に使用できる。
【００６６】  また、本発明は、耐熱性の低い樹脂に耐熱性向上の目的で、分散助剤なしに充填剤を配合し、はんだ耐熱性を向上させることができる。
樹脂に充填剤を分散する場合、通常、分散のため金属石鹸等の分散助剤を配合することが行われるが、その場合、分散助剤により伝送特性が低下してしまう問題がある。また、分散助剤を使用しない場合は、樹脂と充填剤の間に微小な隙間が発生し、フラットケーブルの絶縁体が外気に露出している場合、露出部を通って、水蒸気が樹脂と充填剤の隙間に浸入することで、経時的に伝送特性が変化する。
【００６７】  本発明では、分散助剤なしに樹脂に充填剤を分散しても、外気からの水蒸気の進入の心配がないため、比較的耐熱性の低い樹脂に耐熱性向上の目的で充填剤を配合し、耐熱性を向上させた配合物を使用することができる。
すなわち、樹脂および充填剤の選択範囲が広がるため、安価で生産性の良い材料を選択することができる。
【００６８】  また、導体の両端部（端子部ともいう）に防湿膜を形成することにより、さらに水蒸気や酸素等の影響はほとんど受けなくなるため、吸湿性の高い絶縁材や空気を含む絶縁材の使用も可能となる。
本発明では外気の影響を受けず高周波領域でも安定した伝送特性を得ることができ、高いシールド効果があり、実用に耐える耐熱性を有するフラットケーブルを得ることができる。
【００６９】  特に、低誘電率ポリイミドや空気を含むような樹脂では水蒸気による吸湿により電気特性が大きく変化するため、現状のＦＦＣ（Ｆｌａｔ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃａｂｌｅ）では使用が難しくもっぱらＰＴＦＥもしくはＬＣＰが使用されているが、それらの樹脂は材料費が高く、高温での加工が必要で、接着性にも乏しいため、生産性がよくなく用途が限られる。
【００７０】  他方、例えば、低誘電損失材料の一種である高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルは、熱可塑性で加工性もすぐれているが、耐熱性が低いため、はんだ付け等の耐熱性を必要とする用途では、従来のフラットケーブルには上記樹脂単体では絶縁体に使用することができない。
【００７１】  高周波ケーブルの絶縁体として上記誘電損失の小さい樹脂に、誘電損失の小さい充填剤を配合分散して、耐熱性を向上させ低損失の絶縁材をうることも可能であるが、その場合、上記樹脂と上記粉末に水蒸気が浸入し、電気特性に影響を及ぼす。
【００７２】  すなわち、伝送損失に影響する分散助剤を使用せずに、誘電損失の小さい樹脂に低損失である充填剤を配合分散して、高周波ケーブルの絶縁体として使用する場合は、外気からの影響を受けないフラットケーブルの構造と製法が必要である。本発明は、上述の通り、外気の影響をほとんど受けないため、水蒸気の吸湿を懸念することなく、樹脂と充填剤の組み合わせを選ぶことができる。上記誘電損失の小さい樹脂としては、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルが好適である。また、誘電損失の小さい充填剤としては、酸化マグネシウム、石英ガラス、酸化アルミニウム、中空ガラスバルーンが好適である。
【００７３】  本発明の前記絶縁体に含まれる前記樹脂１００重量部に対し、前記絶縁体に含まれる前記充填剤が１０重量部から９００重量部であると好適である。
【００７４】  前記充填剤が９００重量部より大きい場合は、樹脂と充填剤の分散が悪く保形性も悪いため加工が極端に悪くなる。前記充填剤の合計が１０重量部より小さい場合は、充填剤による耐熱性向上が不十分で、絶縁体としての耐熱性が十分でない。
【００７５】  また、上記樹脂と上記充填剤は各々一種類以上から選択せることが可能である。また、上記樹脂と上記充填剤以外に、粘度調整剤、滑り材、難燃材といった添加剤を誘電特性を低下させない範囲で適宜配合できる。
【００７６】  本発明に係るシールドされたフラットケーブルの第１の実施形態の構成を説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態にかかわるフラットケーブル１０１の斜視図である。図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態にかかわるフラットケーブル１０１の導体部１０２を拡大した斜視図である。図１（ＡＷ）は、本発明の第１の実施形態にかかわるフラットケーブル１０１の端面を拡大した斜視図である。短手方向の端面も金属膜で被覆されている。導体の両端部（端子部ともいう）１０３以外は、導体は絶縁体に包まれ、絶縁体１０６も端子部以外は、シールド層である金属膜に一体で完全に包まれている。端子部は、導体はビアホールを介して導体電極に接続されている。導体電極は、外部素子等との接続のためのもので、コネクター接続端子、コネクター固定用のはんだ付け端子やＡＣＦ接続のための端子として使用する。上記の目的を果たすため、導体電極の表面には、はんだ、金めっきやＯＳＰ等の表面処理を必要に応じて行ってもよい。
【００７７】  本発明の第１の実施形態にかかわる製造方法を図２を用いて説明する。
図２（Ｆ）は絶縁体２０３Ａの両面に金属膜２０２Ａ及び２０２Ｂを貼り合わせた積層体２０１Ａである。金属膜２０２は電気伝導度の良好なもの（例えば１マイクロオーム・メートル以下）が使用でき、特に、金、銀、銅、アルミニウムが好適であるが、銅がさらに良く好適である。屈曲性と導電性を考慮すると、圧延銅が最も好適である。
【００７８】  また、絶縁体２０３は熱硬化性や熱可塑性の樹脂といった市販の樹脂を使用できるが、特に高周波用配線の場合は、フッ素系樹脂、液晶ポリマー、ポリイミド、ＰＥＴ、ＰＥＥＫ、ＣＯＣ，ＣＯＢ、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルが例示できる。高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンエーテルが好適である。
【００７９】  さらに、味の素株式会社製ＡＢＦシリーズ、日立化成株式会社ＡＳシリーズ、積水化学工業株式会社製絶縁フィルム等も使用できる。
【００８０】  また、電気特性や物理特性の調整のため、上記熱硬化性や熱可塑性樹脂に無機充填剤や有機充填剤等を含んだ配合物でもよい。無機充填物としては、硫酸バリウム、石英ガラス、シリカ、タルク、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、酸化チタン、チタン酸バリウム、シリカバルーン、中空ガラスバルーン、窒化アルミニウムが好適であり、酸化マグネシウム、ガラスバルーン、窒化アルミニウムが例示でき、有機充填剤としては、ＰＰパウダー、ＰＥパウダー、ＰＰＥパウダー、エポキシパウダー、アクリルパウダーが例示できる。低伝送損失充填剤を考慮すると酸化マグネシウム、石英ガラス、酸化アルミニウム、中空ガラスバルーンが好適である。
【００８１】  積層体２０１Ａは、例えば、市販のＦＣＣＬ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃｕｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）やＣＣＬ（Ｃｕｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）の使用も可能である。例えば、新日鉄住金化学株式会社製エスパネックスやパナソニック株式会社製フェリオス等が使用できる。
【００８２】  金属膜２０２Ａもしくは金属膜２０２Ｂに絶縁ペーストや絶縁フィルムを塗布または貼り付け、さらにペースト面に銅箔を張り合わせる方法や、熱可塑性樹脂膜の両面に銅箔を熱圧着する方法で得ることができる。絶縁フィルムとして、日立化成株式会社製ＡＳシリーズや味の素株式会社製ＡＢＦシリーズ、積水化学工業株式会社製絶縁フィルム等も使用できる。伝送特性をさらに良くするため、後に導体２０４となる金属膜２０２Ｂの表面粗度は小さいほうが良い。
【００８３】  図２（Ｇ）は導体２０４を形成した図である。プリント配線板常用の工法が使用できる。エッチングマスク形成、形成、露光、現像、エッチング、エッチングマスク剥離といった手順で導体２０４を形成することができる。導体２０４の幅は伝送特性に大きな影響を与えるため、幅の管理は精密に行う必要がある。また、導体の線幅精度を向上させるため、ＭＳＡＰ工法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いることも可能である。導体２０４には、さらに伝送特性をよくするため、導体に金めっきや銀めっきを施すことも可能である。
【００８４】  図２（Ｈ）は、絶縁体２０３Ａおよび導体２０４の上に、絶縁体２０３Ｂと金属膜２０２Ｃを積層形成した図である。絶縁体２０３Ｂは絶縁体２０３Ａと同じ組成でもよく、他の絶縁体を使用してもよい。また、熱可塑性樹脂膜やＢステージ樹脂を熱圧着する方法や、樹脂塗布し熱硬化する方法も用いることができる。
【００８５】  金属膜２０２Ｃは金属膜２０２Ａと同様な金属を使用することが好ましい。積層方法は、絶縁体２０３Ｂを積層したのち金属膜２０２Ｃを形成する逐次積層方法でもよく、絶縁体２０３Ｂと金属膜２０２Ｃを一括して積層する一括積層方法でもよい。
【００８６】  図２（Ｉ）は、シールド面となる部分の端に沿って線状の溝（溝ともいう）２０６を形成し積層体２０５Ｂを形成した図である。
【００８７】  シールド面となる線状の溝を形成するには、下面の金属膜２０２Ａを貫通することなく金属膜２０２Ｃと絶縁体２０３を線状に切断できる装置であれば使用が可能で、エキシマレーザーや炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーといったレーザー加工機やプラズマ化工機やサンドブラストが使用できが、加工速度よりレーザー加工が好ましい。また、あらかじめ、エッチングにより金属膜２０２Ｃを除去した後、上記レーザー加工機等を使用して溝２０６を形成してもよい。
【００８８】  この時同時に、導体をシールド層である金属膜の外部に引き出すためのビアホールのための孔２０７を形成することができる。図２（Ｊ）は端子部の断面図で、溝２０６形成と同時に、レーザー加工等同様な方法で、電極引き出しのための孔２０７を形成することができる。図７は、図２（Ｊ）の上面図で、溝２０６と孔２０７を形成した図である。溝２０６の形成は、フラットケーブルの外周形状を決定し、長手短手を含むすべての端面を形成すため、本発明で重要な工程である。
【００８９】  図２（Ｋ）は、積層体２０５Ｂの全面を覆うように金属膜２０２Ｄを形成する。この時、同時に孔２０７に金属体からなる図２（Ｌ）のビアホール２０８を形成する。
【００９０】  金属膜２０２Ｄおよびビアホール２０８の形成は、金属めっき法が適しており、通常、金属面清浄化、絶縁他の表面に導電化、金属膜の順でおこなわれる。本発明の金属膜を形成する金属めっきにより、本発明のフラットケーブルの外周面の全体を連続被覆する金属膜を形成する。
【００９１】  例えば、デスミア処理、触媒形成、無電解めっき、電解めっきにより形成することができる。デスミア処理は、金属膜面にスミアとの異物が残った場合に必要で、金属膜面が清浄の場合は不要である。デスミア処理は、プラズマによる乾式方法と過マンガン酸等の酸化剤による湿式方法があるが、本発明では、吸水を防ぐ観点から乾式法のほうが優れている。
【００９２】  触媒形成、無電解めっき、電解めっきの方法は、例えば、ＡＴＯＴＥＣＨ社、株式会社ＪＣＵ、ＤＯＷ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ社、上村工業株式会社、奥野製薬工業株式会社、マクダーミッド・エンソン社等の薬液システムで行うことができる。また、吸湿を最小にするため、湿式の触媒形成の代わりに、スパッタ等の乾式で絶縁体表面の導電化を行うことも好適である。
【００９３】  図２（Ｍ）及び図２（Ｎ）は積層体２０５Ｃの金属体２０２に対し、電極パッド２１０形成および切断のための金属膜除去等所望の意匠を形成した積層体２０５Ｄである。意匠の形成は、図２（Ｇ）の導体２０４の形成と同様の方法で行うことができる。すなわち、エッチングマスク形成、形成、露光、現像、エッチング、エッチングマスク剥離といった手順で導体２０２に所望の意匠を形成することができる。
【００９４】  電極パッド２１０の周辺は、絶縁体が外気に露出する部分となる。本発明では、該露出部分の最小化が重要で、該露出部分が全体の表面積の最小にする必要がある。多い場合は、外気からの水蒸気による吸湿の影響を受けやすくなる。該露出部分が全体の表面積の５％にする必要がある。５％より多い場合は、外気からの水蒸気による吸湿の影響を受け約なる。
【００９６】  図２（Ｏ）および図２（Ｐ）は積層体２０５Ｄの表面に金属膜の絶縁体としてソルダーマスク２１１を形成し積層体２０５Ｅを形成した。ソルダーマスクには、導体電極２１２およびグランド電極２１３等必要に応じ開口を設けることができる。ソルダーマスクの形成方法は、プリント配線板製造で常用される方法が使用できる。具体的には、ソルダーマスクインクを写真法やシルクスクリーン印刷により形成する方法やフィルム状ソルダーマスクを印刷法で形成する方法等を用いることができる。ソルダーマスクインクの例としては、太陽インキ製造株式会社製ＰＳＲシリーズや株式会社タムラ製作所製ＰＡＦシリーズ及びＤＳＲシリーズやサンワ化学工業株式会社製ＳＰＳＲシリーズが、フィルム状ソルダーマスクとしては日立化成株式会社製レイテックや太陽インキ製造株式会社製ＰＳＲシリーズが使用できる。
【００９７】  次に、積層体２０５Ｅを切断し個片化することにより、図２（Ｑ）および図２（Ｒ）の本発明のシールドされた薄型シールドされた薄型フラットケーブル積層体２０５Ｆを得ることができる。個片への切断は、フレキシブル配線板の裁断方法が使用でき、金型による裁断、ルーターによる裁断、レーザー加工機による裁断が一般的である。本発明は集合体でシールドされたフラットケーブルを製造し、最後に個片にするため作業効率が良い。
【００９８】  本発明は、導体を包む絶縁材の上下、長手方向の端面だけでなく、ケーブルの断面である短手方向の端面も一体化された金属膜で形成されるため、高いシールド効果と密閉性が保つことができる。
【００９９】  また、電極パッド２１０はビアホール２０８を介して表層に形成できるため、新たに電極を形成することなく、直接、他の電子部品とはんだ付けやＡＣＦ接続が可能である。さらに、ＦＰＣ／ＦＦＣコネクターに対応する端子としても使用できる。電極パッド２１０は、ＯＳＰ、ＥＮＩＧ、はんだといったプリント配線板製造工程で常用される表面処理を行うこともできる。
【０１００】  溝２０６を形成し、銅めっきすることにより、端面を含む全体を連続してシールド膜である金属膜２０２を形成できること。本発明は、複数の配線において、薄く平坦を保ったままおり曲がった形状や複雑な形状も可能になる。
【０１０１】  また、本発明の製造工程は、フレキシブルプリント配線板の装置、工法を多く使用できるため、大判化、ロールツーロールが可能で、生産性もよい。
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。
【０１０２】  次に、製造方法において、絶縁体に感光性塗膜を用いた本発明の例示を、第２の実施形態にかかわる製造方法を図３により説明する。本実施形態は、製造方法にかかわる部分で、その他の形状、構造、追加加工等は第１の実施形態と共通する。絶縁体に感光性の塗膜を使用する場合は、露光、現像により、溝や端子部のビアホールをレーザー穴あけ機を使用せずに形成することができる。
【０１０３】  溝を含むシールド面の導体引き出しのためのビアホールのめっきには、プリント基板でスルーホールめっきの方法が使用できる。
【０１０４】  図３（Ｓ）の積層体３０１Ａは金属膜３０２Ａ上に感光性絶縁体３０３Ａが形成された図である。本発明の感光性樹脂とは、いわゆる液状フォトレジストや感光性ビルドアップフィルムが使用できる。液状フォトレジストとしては、太陽インキ製造株式会社製ＰＳＲシリーズ、株式会社タムラ製作所製ＰＡＦシリーズ及びＤＳＲシリーズ、サンワ化学工業株式会社製ＳＰＳＲシリーズ、日立化成株式会社製ＳＲシリーズが例示でき、感光性ビルドアップフィルムとしては、日立化成株式会社製レイテックシリーズ、ＰＶ−Ｆシリーズ、ＰＸシリーズ、太陽インキ製造株式会社製ＰＳＲシリーズが例示できる。溝の形成された積層体３０１Ｂの形成方法は、液状フォトレジストの場合は、金属膜３０２Ａ上に液状フォトレジストを塗布、乾燥し、露光機により露光、現像、硬化して形成する方法である。感光性ビルドアップフィルムの場合は、貼り合わせ、露光機により露光、現像、硬化して形成する方法である。
【０１０５】  図３（Ｔ）は、写真法により、シールド面となる部分の端に沿って溝を形成し積層体３０１Ｂを形成した図である。積層体３０１Ａに溝３０４Ａとなる部分が現像されるように露光機で露光照射し、現像液で現像したのち、熱やＵＶ光にて硬化し積層体３０１Ｂを得ることができる。
【０１０６】  図３（Ｕ）は積層体３０１Ｂの全面を覆うように、次工程のエッチングで導体となる金属膜３０２Ｂと溝に沿って金属膜３０５を形成したものである。金属膜３０２Ｂと溝に沿って金属膜３０５を形成は、金属めっき法が適しており、本発明の第１の実施形態にかかわる製造方法を図２（Ｋ）の積層体２０５Ｃを形成した場合と同様の方法を用いることができる。
【０１０７】  図３（Ｖ）は導体３０６を形成した図である。プリント配線板常用の工法が使用でき、本発明の第１の実施形態にかかわる製造方法を図２（Ｇ）の導体２０４を形成した場合と同様の方法を用いることができる。絶縁体に感光性塗膜を用いた本発明の第２の実施形態にかかわる製造方法では、導体３０６の形成において、ＳＡＰ工法（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いることができる。
【０１０８】  図３（Ｗ）は、絶縁体３０３Ａと導体３０６上に、感光性絶縁体３０３Ｂが形成された図である。感光性絶縁体３０３Ｂの形成は、図３（Ａ）の積層体３０１Ａの感光性絶縁体３０３Ａと同様な材料、同様な方法で形成することができる。
【０１０９】  図３（Ｘ）は、写真法により、シールド面となる部分の端に沿って溝を形成し積層体３０４Ｂを形成した図である。同時に、端子部の導体をシールド層の外部に引き出すためのビアホールのための孔を形成することができる。図３（ＦＡ）は端子部の断面図で、溝３０４Ｂ形成と同時に、電極引き出しのための孔３０８を形成することができる。溝３０４Ｂと孔３０８の形成の方法は、図３（Ｂ）の積層体３０２Ｂと同様な方法で形成することができる。
【０１１０】  図３（Ｚ）および端子部図３（ＡＡ）は、積層体３０７Ｃの全面を覆うように金属膜３０２Ｃ、溝に沿って金属膜３０５Ｂおよびビアホール３０９を形成する。金属膜３０２Ｃおよびビアホール３０５Ｂの形成方法は、図３（Ｕ）の積層体３０１Ｃと同様のめっき法が使用できる。
【０１１１】  図３（Ｚ）及び図３（ＡＡ）は、それぞれ本発明の第１の実施形態にかかわる製造方法の図２（Ｋ）および図２（Ｌ）と同様の構造であるため、これ以降は、本発明の第１の実施形態にかかわる製造方法図２にと同じ手順で形成することができる。すなわち、図２（Ｍ）及び図２（Ｎ）と同様の方法で、電極パッド形成および切断のための金属膜除去等所望の意匠の形成。図２（Ｏ）および図２（Ｐ）と同様の方法で積層体の表面に絶縁膜としてソルダーマスクの形成。
【０１１２】  図２（Ｑ）および図２（Ｒ）と同様に積層体を切断し個片の形成。以上の手順により、本発明のシールドされた薄型シールドされた薄型フラットケーブル積層体を本発明の第２の実施形態にかかわる製造方法で得ることができる。
【０１１３】  図４は、本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブルの電極部の断面図である。また、フラットケーブル内部の絶縁体への湿度の影響を極小化するため、絶縁体が外部に露出している部分に、防湿等のコーティング４０６をしてもよい。特に吸湿性の高い樹脂を使う場合は、コーティングをすることが望ましい。本発明の防湿膜としては、水蒸気透過率が１５ｇ／ｍ２２／２４ｈ以下の膜が良く、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデンが好適である。
【０１１４】  また、本発明では、内蔵される導体の本数は任意に選ぶことができ、図５のように、導体と導体の間は絶縁体だけでもよく、シールド膜としての金属膜を形成することもができる。
【０１１５】  図６は、本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの導体部（ＡＧ）電極部（ＡＨ）の断面図である。本発明の実施形態の繰り返しもしくは組み合わせにより、導体２０４は多層化することも可能である。
実施形態１の２層の場合を例示する。本発明のシールドされた薄型フラットケーブルの厚さは、導体一層当たり１０マイクロメートルから５００マイクロメートルであることが好適である。導体一層当たりのシールドされた薄型フラットケーブルの厚さとは、シールドされた薄型フラットケーブルの厚さを導体層数で除した数値である。薄すぎると伝送損失が大きくなり、厚すぎるとフラットケーブルとしての薄さの優位性がなくなり、実装性が悪くなる。
【実施例１】
【０１１６】  本発明の第１の実施形態にかかわるシールドされたフラットケーブルを構成する場合の具体的な例を実施例１として図２に示す。本実施例１では、導体及び金属膜が銅で、絶縁体がＬＣＰ樹脂フィルムからなり、厚さが１４０マイクロメートルの本発明のシールドされた薄型フラットケーブルを例示する。【０１１７】  図２（Ｆ）はＦＣＣＬの断面図である。ＦＣＣＬとして、パナソニック株式会社製のＦＥＬＩＯＳ  ＬＣＰ  Ｒ−Ｆ７０５Ｔ（銅箔１２マイクロメートル、樹脂膜厚２５マイクロメートル、寸法２５０ミリメートル×２５０ミリメートル）を使用した。【０１１８】  図２（Ｇ）は、銅箔表面処理、ＤＦＲ貼り合わせ、露光、現像、エッチング、ＤＦＲ剥離を順次行い導体を形成した図である。
表面が清浄な金属膜２０２Ａ及び２０２Ｂに、日立化成株式会社製ドライフィルム（ＤＦＲともいう）フォテックを貼り合わせ、所望の露光ツールを用いて高圧水銀ランプ使用のＯＲＣ社製手動露光機により露光し、ＤＦＲの保護フィルムをはがし、弱アルカリ性である炭酸ナトリウム溶液の入ったスプレイ式現像機で現像し、塩化第二鉄溶液を用いたエッチング装置でエッチングを行い、強アルカリ液である水酸ナトリウム溶液の入った槽でＤＦＲを剥離して、所望の導体２０４を得ることができる。【０１１９】  図２（Ｈ）は、絶縁層と銅箔を熱圧着した図である。絶縁膜として、ナミックス社製絶縁接着フィルムアドフレマＮＣ２０７（膜厚２５マイクロメートル）、銅箔として、古河電工株式会社製銅箔ＧＴＳ−ＭＰ（膜厚１２マイクロメートル）を使用し、北川精機株式会社製プレス機ＫＶＨＣ（２００℃６０分）で図２（Ｈ）を得た。【０１２０】  図２（Ｉ）のように、溝２０６と孔２０７を形成する。溝２０６と孔２０７となる部分の銅箔をエッチング法により除去する。導体２０４と同様な方法で、銅箔に開口を設けた。つぎに、炭酸ガスレーザー加工機を用いて、溝２０６と孔２０７を形成した。デスミア後、銅めっきを行い図２（Ｋ）、図２（Ｌ）の積層体２０５Ｃを得た。【０１２１】  次に、導体２０４と同様な方法で、導体パッド２１０を形成し、さらに、ソルダーマスクを形成し、個片に切断し所望の本発明のシールドされたフラットケーブルを形成した。上記の、導体２０４等の回路形成、積層方法、孔あけ方法、銅めっき、ソルダーマスク形成方法、切断方法は、当業者に公知である。
【実施例２】
【０１２２】  本発明の第１の実施形態にかかわるシールドされたフラットケーブルを構成する場合の具体的な例を実施例２として図１０に示す。本実施例２では、導体及び金属膜が銅で、絶縁体がポリイミド樹脂フィルムからなり、厚さが１４０マイクロメートルの本発明のシールドされた薄型フラットケーブルを例示する。【０１２３】  図１０（ＡＬ）はＦＣＣＬの断面図である。ＦＣＣＬとして、パナソニック株式会社製のＲ−Ｆ７７５（銅箔１２マイクロメートル、樹脂膜厚２５マイクロメートル、寸法２５０ミリメートル×２５０ミリメートル）を使用した。【０１２４】  図１０（ＡＮ）はレイアップの状態を示す図で、絶縁体２０３Ｂは、ポリポロピレン（住友化学株式会社製の−ブレン）１００重量部に、酸化マグネシウム（神島化学工業株式会社製スターマグ）平均粒径３．５ミクロンメートル１００重量部を溶融混錬したのち、押し出し成型で作成した絶縁体２０３Ｂを用いた。【０１２５】  図１０（ＡＯ）は、積層体２０５Ａ形成した図である。【０１２６】  本実施例の以降の工程は、実施例１と同様の工法で形成した。
【実施例３】
【０１２７】  本発明の第１の実施形態にかかわるシールドされたフラットケーブルを構成する場合の具体的な例を実施例３として図１１に示す。本実施例３では、導体及び金属膜が銅で、絶縁体がポリイミド樹脂フィルムからなる本発明のシールドされた薄型フラットケーブルを例示する。【０１２８】実施例２で用いた絶縁体２０３Ｂを銅箔に直接形成したＲＣＣ（樹脂付き銅箔）として、その他は実施例２と同様の方法で本発明のシールドされた薄型フラットケーブルを形成した。
【実施例４】
【０１２９】  本発明の第５の実施形態として、保護膜に保護フィルムを使用した例した具体的例を実施例４として図１２に示す。本実施例４では、銅箔からなる金属膜２０２Ｃと絶縁体２０３Ｂの間に防湿保護フィルム４０７を挿入し積層体２０５Ａを形成した。防湿保護シート４０７として、ポリ塩化ビニリデン（旭化成工業サラン）を使用した。本発明の防湿膜としては、水蒸気透過率が１５ｇ／ｍ２２／２４ｈ以下の膜が良く、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデンが好適である。水蒸気透過率が１５ｇ／ｍ２２／２４ｈ以上の膜であると、防湿効果が小さく、高温高湿下では絶縁体が吸湿し、誘電損失が大きくなるため、使用が難しい。【０１３０】  絶縁体２０３と防湿保護シート４０７をあらかじめ一体で形成することも可能である。【０１３１】  図１３は実施例４の完成した断面構造図である。
【符号の説明】
【０１３２】１０１・・フラットケーブル
１０２、１０３・・端子部
１０４・・シールド体
１０５・・電極
１０６・・絶縁体
２０１Ａ、２０１Ｂ・・積層体
２０２、２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ・・金属膜
２０３Ａ、２０３Ｂ・・絶縁体
２０４・・導体
２０５Ａ、２０５Ｂ、２０５Ｃ、２０５Ｄ・・積層体
２０６・・溝
２０７・・孔
２０８・・ビアホール
２１０・・電極パッド
２１１・・ソルダーマスク
２１２・・導体電極
２１３・・グランド電極
３０１Ａ、３０１Ｂ、３０１Ｃ、３０１Ｄ・・積層体
３０２Ａ、３０２Ｂ、３０２Ｃ・・金属膜
３０３Ａ、３０３Ｂ、３０３・・絶縁体
３０４Ａ、３０４Ｂ・・溝
３０５Ａ、３０５Ｂ・・金属膜
３０６・・導体
３０７Ａ、３０７Ｂ、３０７Ｃ・・積層体
３０８・・孔
３０９・・ビアホール
４０１・・導体
４０２・・金属膜
４０３・・ビアホール
４０４・・導体電極
４０５・・ソルダーマスク
４０６・・防湿保護膜
４０７・・防湿保護フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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