(57)【要約】【課題】開口率が高く、且つ容量値を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。【解決手段】容量素子を構成する一対の電極を、透光性を有する導電膜で構成する。容量素子の電極は、一方の電極として金属酸化物膜、他方の電極として透光性を有する導電膜で構成する。該構成とすることで、容量素子上に有機絶縁膜を設け、該有機絶縁膜上に発光素子を構成する画素電極を形成した際に、射出される光を容量素子側に射出する構成とすることができる。そのため、容量素子が光を透過し、且つ発光素子と重畳して設けることができるため、開口率を向上させ、且つ容量値を増大させることができる。【選択図】図１
2020052410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有する容量素子と、
前記トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、上記無機絶縁膜上に接して設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有し、
前記第１の電極は、前記無機絶縁膜に接して設けられた金属酸化物膜であり、
前記第２の電極は、前記無機絶縁膜上に設けられた、透光性を有する第１の導電膜であり、
前記発光素子が有する画素電極は、透光性を有する第２の導電膜であり、且つ前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜に設けられた開口部において前記トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に
、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの
駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、酸化物半導体を有する
半導体装置、表示装置、及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイの多くに用いられ
ているトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリコ
ンまたは多結晶シリコンなどのシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコ
ン半導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）などにも利用されている。
【０００３】
近年、シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用いる
技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物半
導体とよぶことにする。
【０００４】
例えば、酸化物半導体として、酸化亜鉛、またはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたトラ
ンジスタを作製し、該トランジスタを表示装置の画素のスイッチング素子などに用いる技
術が開示されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置の品質を向上するには、表示そのものの品質（表示品質）の向上、及び消費電力
の低減を図ることが有効である。
【０００７】
酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、経時変化やストレス試験により、トラン
ジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧が変動するという問題がある。また、トラン
ジスタがノーマリーオン特性を有すると、動作時に動作不良が発生し、例えば、非動作時
の消費電力の増大、または表示装置においてはコントラストの低下等の、様々な問題が生
じるため、表示品質の向上が達成できない。
【０００８】
また消費電力を低減するためには、開口率の向上を図ることが有効である。そのためには
素子の微細化を図り、開口部の面積を大きくすることが有効である。しかしながら、容量
素子の容量値を小さくするほど、電荷の保持が十分図れず、表示品質が低下する。そのた
め容量値を小さくして開口率の向上を図るには限界がある。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、表示品質の優れた表示装置を提供する。または、本発明の一
態様は、開口率が高く、且つ容量値を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置
を提供する。または、本発明の一態様は、消費電力が低減された表示装置を提供する。ま
たは、本発明の一態様は、電気特性の優れたトランジスタを有する表示装置を提供する。
または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供する。または、本発明の一態様は、少
ない工程数で、高開口率であり、広い視野角が得られる表示装置の作製方法を提供する。
または、本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供する。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、酸化物半導体膜を有するトランジスタと、第１の電極及び第２の電極
を有する容量素子と、トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜、該無機絶縁膜上に接して
設けられた有機絶縁膜上に形成された発光素子と、を有し、第１の電極は、無機絶縁膜に
接して設けられた金属酸化物膜であり、第２の電極は、無機絶縁膜上に設けられた、透光
性を有する第１の導電膜であり、発光素子が有する画素電極は、透光性を有する第２の導
電膜であり、且つ無機絶縁膜及び有機絶縁膜に設けられた開口部においてトランジスタと
電気的に接続されている表示装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様により、表示品質の優れた表示装置を提供することができる。または、本
発明の一態様により、開口率が高く、且つ容量値を増大させることが可能な容量素子を有
する表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減
された表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、電気特性の優れたトラ
ンジスタを有する表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、少
ない工程数で、高開口率であり、広い視野角が得られる表示装置を作製することができる
。または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。
【００１３】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図２】半導体装置の一形態を説明するブロック図及び回路図である。
【図３】半導体装置の一形態を説明する上面図である。
【図４】半導体装置の一形態を説明する回路図及びタイミングチャート図である。
【図５】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図６】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図７】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図８】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図９】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図１０】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図１１】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図１２】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図１３】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図１４】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図１５】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図１６】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図１７】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図１８】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図１９】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図２０】酸化物半導体の断面ＴＥＭ像および局所的なフーリエ変換像。
【図２１】酸化物半導体膜のナノビーム電子回折パターンを示す図、および透過電子回折測定装置の一例を示す図。
【図２２】透過電子回折測定による構造解析の一例を示す図、および平面ＴＥＭ像。
【図２３】表示装置の駆動方法の一例を示す概念図である。
【図２４】画素の構成例を示すブロック図である。
【図２５】表示モジュールを説明する図である。
【図２６】実施の形態に係る、電子機器の外観図を説明する図である。
【図２７】実施の形態に係る、電子機器の外観図を説明する図である。
【図２８】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図２９】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３０】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３１】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３２】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３３】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３４】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３５】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３６】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３７】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３８】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図３９】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図４０】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図４１】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図４２】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図４３】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図４４】半導体装置の一形態を説明する断面図である。
【図４５】抵抗率の温度依存性を説明する図である。
【図４６】ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、ペレットおよびＣＡＡＣ−ＯＳの断面図。
【図４７】ｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、およびペレットを示す図。
【図４８】ペレットを説明する図。
【図４９】被形成面においてペレットに加わる力を説明する図。
【図５０】被形成面におけるペレットの動きを説明する図。
【図５１】ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を説明する図。
【図５２】原子が衝突する前のＩｎＧａＺｎＯ４の構造などを説明する図。
【図５３】原子が衝突した後のＩｎＧａＺｎＯ４の構造などを説明する図。
【図５４】原子が衝突した後の原子の軌跡を説明する図。
【図５５】ＣＡＡＣ−ＯＳおよびターゲットの断面ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異な
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、
以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する
発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
【００１６】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模
式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズに
よる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、
若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
【００１７】
また本明細書等において、トランジスタとは、ゲート（ゲート端子又はゲート電極）と、
ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイ
ン（ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域
又はソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースと
を介して電流を流すことができるものである。
【００１８】
ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるため
、いずれがソース又はドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソースと
して機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼ばず、
ソースとドレインとの一方を第１端子と表記し、ソースとドレインとの他方を第２端子と
表記する場合がある。
【００１９】
なお本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同
を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００２０】
なお本明細書において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されてい
るものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的
に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在する
とき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
【００２１】
なお本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関
係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は
、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語
句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００２２】
なお図面における各回路ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定するものであり、
異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう図面で示していても、実際の回路や領域
では、同じ回路や同じ領域内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合もある
。また図面における各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するものであり、一
つの回路ブロックとして示していても、実際の回路や領域では、一つの回路ブロックで行
う処理を複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。
【００２３】
なお電圧とは、ある電位と、基準電位（例えばグラウンド電位）との電位差のことを示す
場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、電圧差と言い換えるこ
とが可能である。なお電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点に
おける静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のこ
とをいう。
【００２４】
なお、一般に、電位や電圧は、相対的なものである。したがって、グラウンド電位は、必
ずしも、０ボルトであるとは限定されない。
【００２５】
また本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で
配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂
直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従
って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００２６】
また本明細書等において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について、図面を用いて説明する。
【００２８】
図１（Ａ）に、半導体装置が有するトランジスタ１０３及び容量素子１０５の断面図を示
す。
【００２９】
図１（Ａ）に示すトランジスタ１０３は、基板３０２上に設けられるゲート電極として機
能する導電膜３０４ｃと、基板３０２及び導電膜３０４ｃ上に形成されるゲート絶縁膜５
１と、ゲート絶縁膜５１を介して、導電膜３０４ｃと重なる酸化物半導体膜３０８ｂと、
酸化物半導体膜３０８ｂに接する、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の導
電膜３１０ｄ、３１０ｅとを有する。
【００３０】
また、ゲート絶縁膜５１上には、金属酸化物膜３０８ｃが設けられる。なお、金属酸化物
膜３０８ｃは、導電膜３１０ｄ、３１０ｅと同層に設けられる導電膜３１０ｆと接続する
。また、トランジスタ１０３及び金属酸化物膜３０８ｃ上には無機絶縁膜５３が設けられ
る。無機絶縁膜５３上には導電膜３１６ｂが設けられる。金属酸化物膜３０８ｃ、無機絶
縁膜５３、及び導電膜３１６ｂにより容量素子１０５が構成される。
【００３１】
また、無機絶縁膜５３及び導電膜３１６ｂ上には、有機絶縁膜３１７が設けられる。また
、無機絶縁膜５３及び有機絶縁膜３１７に設けられた開口部において、導電膜３１０ｅと
接続する導電膜３１９が、有機絶縁膜３１７上に設けられる。導電膜３１９は、発光素子
３９４が有する画素電極（第１の電極）として機能する。
【００３２】
また、有機絶縁膜３１７及び導電膜３１９上には、絶縁層３９１が設けられる。また、絶
縁層３９１に設けられた開口部において、発光素子３９４が有する発光層３９２及び導電
膜３９３が、導電膜３１９上に設けられる。導電膜３９３は、発光素子３９４が有する共
通電極（第２の電極）として機能する。
【００３３】
金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８ｂと同時に形成された酸化物半導体膜に
、水素、ホウ素、リン、窒素、スズ、アンチモン、希ガス元素、アルカリ金属、アルカリ
土類金属等の不純物を添加し、酸素欠損を有せしめることで、導電性が向上し、導電性を
有する膜となる。なお、酸化物半導体膜は透光性を有するため、金属酸化物膜３０８ｃも
透光性を有する。
【００３４】
なお酸素欠損が形成された酸化物半導体は、酸素欠損サイトに水素が入ることで伝導帯近
傍にドナー準位が形成される。この結果、酸化物半導体は、導電性が高くなり、導電体化
する。導電体化された酸化物半導体を金属酸化物膜と呼ぶが、酸化物導電体という場合も
ある。一般に、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に対して透光
性を有する。一方、酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体であ
る。したがって、該ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体
と同程度の透光性を有する。
【００３５】
ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。金属酸化物膜３０８ｃは、
酸化物半導体膜３０８ｂと別の工程で成膜し、その後加工することで形成してもよい。し
たがって、金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８ｂとは別の材料を有していて
もよい。さらに、金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物以外の材料を用いることができる。一
例としては、金属元素でなる膜を用いてもよいし、一部に窒素を有する膜を用いてもよい
。さらに、金属酸化物膜３０８ｃは、発光素子が射出する光を反射する機能を有していて
もよい。
【００３６】
また、導電膜３１６ｂ及び導電膜３１９は透光性を有する導電膜で形成される。このため
、容量素子１０５は透光性を有する。このため、画素において、容量素子の面積を大きく
することが可能であり、容量素子の容量値及び画素の開口率を高めることが可能である。
なお導電膜３１９を発光素子３９４の陽極として用いる場合、導電膜３１９はインジウム
錫酸化物などの発光層３９２よりも仕事関数が大きく透光性を有する膜を用いるとよい。
【００３７】
無機絶縁膜５３は、少なくとも酸化物絶縁膜を有し、さらには酸化物絶縁膜及び窒化物絶
縁膜が積層されていることが好ましい。無機絶縁膜５３において、酸化物半導体膜３０８
ｂと接する領域において、酸化物絶縁膜が形成されることで、酸化物半導体膜３０８ｂと
無機絶縁膜５３との界面における欠陥量を低減することが可能である。
【００３８】
また、窒化物絶縁膜は、水、水素等のバリア膜として機能する。酸化物半導体膜３０８ｂ
に水、水素等が含まれると、酸化物半導体膜３０８ｂに含まれる酸素と、水、水素等とが
反応してしまい、酸素欠損が形成される。酸素欠損により、酸化物半導体膜３０８ｂ中に
はキャリアが生成され、トランジスタのしきい値電圧がマイナスシフトし、ノーマリーオ
ン特性となってしまう。このため、無機絶縁膜５３に窒化物絶縁膜を設けることで、外部
から酸化物半導体膜３０８ｂへの水、水素等の拡散量を低減することが可能であり、酸化
物半導体膜３０８ｂの欠陥量を低減することが可能である。このため、無機絶縁膜５３に
おいて、酸化物半導体膜３０８ｂ側から順に酸化物絶縁膜及び窒化物絶縁膜が積層されて
いることで、酸化物半導体膜３０８ｂ及び無機絶縁膜５３の界面における欠陥量、及び酸
化物半導体膜３０８ｂにおける酸素欠損量を低減することが可能であり、ノーマリーオフ
特性のトランジスタを作製することが可能である。
【００３９】
有機絶縁膜３１７は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂で形成
されるため、平坦性が高い。また、有機絶縁膜３１７の厚さは、５００ｎｍ以上５０００
ｎｍ以下、好ましくは１０００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下である。
【００４０】
また、有機絶縁膜３１７上に形成された導電膜３１９は、トランジスタ１０３と接続する
。導電膜３１９は、発光素子３９４が有する画素電極として機能し、無機絶縁膜５３及び
有機絶縁膜３１７に設けられた開口部でトランジスタ１０３と接続する。即ち、導電膜３
１９は、トランジスタ１０３との距離が離れているため、トランジスタ１０３の導電膜３
１０ｄの電位の影響を受けにくい。この結果、導電膜３１９をトランジスタ１０３と重畳
させることが可能である。
【００４１】
絶縁層３９１は、発光素子３９４を隣接する画素間で分離する機能、すなわち隔壁として
の機能を有する。絶縁層３９１としては、絶縁性を有していればよく、例えば、有機絶縁
膜または無機絶縁膜を用いることができる。有機絶縁膜としては、例えば、ポリイミド系
樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、または
フェノール系樹脂等を用いることができる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン、酸化窒
化シリコン等を用いることができる。特に、感光性の有機樹脂材料を用いることで、絶縁
層３９１の作製が容易となるため好ましい。
【００４２】
導電膜３９３を発光素子３９４の陰極として用いる場合、導電膜３９３は発光素子３９４
に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事
関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金
属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、イ
ンジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成しても
よい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネ
シウム−銀等の合金を用いることもできる。
【００４３】
発光素子３９４が有する発光層３９２は、少なくとも発光性の物質が含まれる発光層が形
成されていればよく、該発光層以外に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子
注入層、及び電荷発生層などの機能層が形成されていてもよい。発光層３９２は、一対の
電極（ここでは、導電膜３１９と導電膜３９３）から電子と正孔が注入され電流が流れる
。そして、該電子と正孔が再結合することによって発光性の物質が励起状態を形成し、そ
の励起状態が基底状態に戻る際に発光することができる。
【００４４】
ここで、比較例として無機絶縁膜５３上に有機絶縁膜３１７が形成されないトランジスタ
１０３を有する半導体装置において、トランジスタ１０３のゲート電極として機能する導
電膜３０４ｃに負の電圧を印加した場合について、説明する。
【００４５】
ゲート電極として機能する導電膜３０４ｃに負の電圧が印加されると、電界が発生する。
該電界は、酸化物半導体膜３０８ｂで遮蔽されず、無機絶縁膜５３にまで影響するため、
無機絶縁膜５３の表面に弱い正の電荷が帯電する。また、ゲート電極として機能する導電
膜３０４ｃに負の電圧が印加されると、空気中に含まれる正の荷電粒子が無機絶縁膜５３
の表面に吸着し、無機絶縁膜５３の表面に弱い正の電荷が帯電する。
【００４６】
無機絶縁膜５３の表面に正の電荷が帯電することにより、電場が生じ、該電場が酸化物半
導体膜３０８ｂ及び無機絶縁膜５３の界面まで影響する。この結果、酸化物半導体膜３０
８ｂ及び無機絶縁膜５３の界面において、実質的に正のバイアスが印加された状態となり
、トランジスタのしきい値電圧が負にシフトしてしまう。
【００４７】
一方、図１（Ａ）に示す本実施の形態に示すトランジスタ１０３は、無機絶縁膜５３上に
有機絶縁膜３１７を有する。有機絶縁膜３１７は厚いため、ゲート電極として機能する導
電膜３０４ｃに負の電圧が印加されることによって発生する電場の影響が有機絶縁膜３１
７の表面にまで影響せず、有機絶縁膜３１７の表面に正の電荷が帯電しにくい。また、空
気中に含まれる正の荷電粒子が、有機絶縁膜３１７の表面に吸着しても、有機絶縁膜３１
７は厚いため、有機絶縁膜３１７の表面に吸着した正の荷電粒子の電場は、酸化物半導体
膜３０８ｂ及び無機絶縁膜５３の界面まで影響しにくい。これらの結果、酸化物半導体膜
３０８ｂ及び無機絶縁膜５３の界面において、実質的に正のバイアスが印加された状態と
ならず、トランジスタのしきい値電圧の変動が少ない。
【００４８】
また、有機絶縁膜３１７において、水等が拡散しやすいが、無機絶縁膜５３が窒化物絶縁
膜を有することで、窒化物絶縁膜が水のバリア膜となり、有機絶縁膜３１７に拡散した水
が酸化物半導体膜３０８ｂに拡散することを防ぐことが可能である。
【００４９】
以上のことから、有機絶縁膜３１７をトランジスタ上に設けることで、トランジスタの電
気特性のばらつきを低減することが可能である。また、ノーマリオフ特性を有し、信頼性
の高いトランジスタを作製することができる。また、有機絶縁膜は、印刷法、塗布法等を
用いて形成することが可能であるため、作製時間を短縮することが可能である。
【００５０】
＜酸化物導電体（金属酸化物膜）について＞
ここで、酸化物半導体で形成される膜（以下、酸化物半導体膜（ＯＳ）という。）及び酸
化物導電体で形成される膜（以下、酸化物導電体膜（ＯＣ）という。）それぞれにおける
、抵抗率の温度依存性について、図４５を用いて説明する。図４５において、横軸に測定
温度を示し、縦軸に抵抗率を示す。また、酸化物半導体膜（ＯＳ）の測定結果を丸印で示
し、酸化物導電体膜（ＯＣ）の測定結果を四角印で示す。
【００５１】
なお、酸化物半導体膜（ＯＳ）を含む試料は、ガラス基板上に、原子数比がＩｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝１：１：１．２のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ
３５ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成し、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：４：
５のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ２０ｎｍのＩｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ酸化物膜を形成し、４５０℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、４５０℃の窒素及
び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理し、さらにプラズマＣＶＤ法で酸化窒化シリコン膜を
形成して、作製された。
【００５２】
また、酸化物導電体膜（ＯＣ）を含む試料は、ガラス基板上に、原子数比がＩｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝１：１：１のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ１０
０ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成し、４５０℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、
４５０℃の窒素及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理し、プラズマＣＶＤ法で窒化シリコ
ン膜を形成して、作製された。
【００５３】
図４５からわかるように、酸化物導電体膜（ＯＣ）における抵抗率の温度依存性は、酸化
物半導体膜（ＯＳ）における抵抗率の温度依存性より小さい。代表的には、８０Ｋ以上２
９０Ｋ以下における酸化物半導体膜（ＯＣ）の抵抗率の変化率は、±２０％未満である。
または、１５０Ｋ以上２５０Ｋ以下における抵抗率の変化率は、±１０％未満である。即
ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯端とフェルミ準位とが一致または略一致
していると推定される。このため、酸化物導電体膜を、配線、電極、画素電極等に用いる
ことが可能である。
【００５４】
＜変形例１＞
図１（Ａ）に示す構成の変形例について、図１（Ｂ）を用いて説明する。図１（Ｂ）に示
す半導体装置は、導電膜３１９を用いてトランジスタ１０３の導電膜３１０ｅと導電膜３
１６ｂとが接続されていることを特徴とする。
【００５５】
導電膜３１９を画素電極としての機能の他、導電膜間を接続するための配線として用いる
ことで、別の配線又はトランジスタを介することなく、トランジスタ１０３に容量素子１
０５を接続することができる。
【００５６】
＜変形例２＞
図１（Ａ）に示す構成の変形例について、図１（Ｃ）を用いて説明する。図１（Ｃ）に示
す半導体装置は、トランジスタ１０３の導電膜３１０ｅと金属酸化物膜３０８ｃとが直接
接するように設けることを特徴とする。
【００５７】
導電膜３１０ｅと導電膜３１６ｂとを直接接するように設けることで、別の配線又はトラ
ンジスタを介することなく、トランジスタ１０３に容量素子１０５を接続することができ
る。
【００５８】
＜変形例３＞
本実施の形態１に示すトランジスタの変形例について、図２９（Ａ）を用いて説明する。
本変形例に示すトランジスタ１０３ｃは、多階調マスク（ハーフトーンマスク、グレート
ーンマスク、位相差マスクなど）を用いて形成された酸化物半導体膜３０８ｅ及び一対の
導電膜３１０ｆ、３１０ｇを有することを特徴とする。また、トランジスタ１０３ｃ及び
容量素子１０５が、画素電極として機能する導電膜３１９で接続されていることを特徴と
する。
【００５９】
多階調マスクを用いることで、複数の厚さを有するレジストマスクを形成することが可能
であり、該レジストマスクを用い、酸化物半導体膜３０８ｅを形成した後、酸素プラズマ
等にレジストマスクを曝すことで、レジストマスクの一部が除去され、一対の導電膜を形
成するためのレジストマスクとなる。このため、酸化物半導体膜３０８ｅ及び一対の導電
膜３１０ｆ、３１０ｇの作製工程におけるフォトリソグラフィ工程数を削減することがで
きる。
【００６０】
なお、多階調マスクを用いて形成した酸化物半導体膜３０８ｅは、平面形状において一対
の導電膜３１０ｆ、３１０ｇの外側に一部が露出した形状となる。
【００６１】
また、図２９（Ａ）において、金属酸化物膜３０８ｆがゲート絶縁膜５１上に形成される
。また、金属酸化物膜３０８ｆ上に、導電膜３１０ｆ、３１０ｇと同時に導電膜３１０ｈ
が形成される。また、導電膜３１９が導電膜３１０ｇ及び導電膜３１０ｈと接続する。こ
の結果、トランジスタ１０３及び容量素子１０５が電気的に接続する。
【００６２】
＜変形例４＞
本実施の形態に示すトランジスタの変形例について、図２９（Ｂ）を用いて説明する。本
変形例に示すトランジスタ１０３ｄは、チャネル保護構造で形成されたトランジスタであ
ることを特徴とする。
【００６３】
チャネル保護構造のトランジスタ１０３ｄは、絶縁膜５３ａに開口部を有し、該開口部で
酸化物半導体膜３０８ｂと、一対の導電膜３１０ｉ、３１０ｊとが接続される形状となる
。該形状とすることで、酸化物半導体膜３０８ｂへのダメージを低減することができる。
【００６４】
＜変形例５＞
図１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す構成の変形例について、図３０（Ａ）乃至（Ｃ）を用いて説
明する。図３０（Ａ）乃至（Ｃ）に示す半導体装置は、容量素子１０５及び発光素子３９
４に重畳する領域に、導電膜３０４ｃと同層に形成した導電膜３０４ｄを設けることを特
徴とする。
【００６５】
導電膜３０４ｄを容量素子１０５が有する金属酸化物膜３０８ｃに重畳して設けることで
、金属酸化物膜３０８ｃとゲート絶縁膜５１と導電膜３０４ｄにより容量素子を構成し、
容量素子１０５の容量値をさらに増大させることができる。
【００６６】
＜変形例６＞
図２９（Ｂ）に示す構成の変形例について、図４３（Ａ）を用いて説明する。図４３（Ａ
）に示す半導体装置は、図２９（Ｂ）で設けた導電膜３１６ｂを設けずに、代わりに導電
膜３１０ｊ、導電膜３１０ｉと同じ層に設けた導電膜３１０ｋを設け、容量素子１０５を
構成することを特徴とする。導電膜３１０ｋは、一例としては、導電膜３１０ｊ、導電膜
３１０ｉなどと同時に成膜され、同時にエッチングされて、形成される。したがって、導
電膜３１０ｋは、一例としては、導電膜３１０ｊなどと同じ材料を有している。
【００６７】
なお本変形例を上記変形例５で示した構成と組み合わせてもよい。具体的には、図４３（
Ｂ）に示すように、容量素子１０５及び発光素子３９４に重畳する領域に、導電膜３０４
ｃと同層に形成した導電層３０４ｄを設ける構成とすることができる。導電膜３０４ｄは
、一例としては、導電膜３０４ｃと同時に成膜され、同時にエッチングされて、形成され
る。したがって、導電膜３０４ｄは、一例としては、導電膜３０４ｃと同じ材料を有して
いる。導電膜３０４ｄを用いることによって、容量素子１０５の一部として機能させるこ
とが出来る。したがって、導電膜３０４ｄは、容量素子１０５が有する電極の一つと接続
されていてもよい。
【００６８】
＜変形例７＞
図１（Ａ）に示す構成の変形例について、図３１（Ａ）を用いて説明する。図３１（Ａ）
に示す半導体装置は、図１（Ａ）中の酸化物半導体膜３０８ｂと金属酸化物膜３０８ｃと
が直接接するように設けることを特徴とする。当該構成では、酸化物半導体膜３０８ｂは
、一つの島状になるよう形成され、トランジスタ１０３の半導体層と、容量素子１０５の
一方の電極としての機能を兼ね備えたものにできる。
【００６９】
図１（Ａ）中の酸化物半導体膜３０８ｂと金属酸化物膜３０８ｃとを直接接するよう設け
た図３１（Ａ）の構成とすることで、有機絶縁膜３１７及び無機絶縁膜５３上での平坦性
の向上等を図ることができ、半導体装置を作製する際の歩留まりの向上を図ることができ
る。
【００７０】
なお本変形例を上記変形例５で示した構成と組み合わせてもよい。具体的には、図３１（
Ｂ）に示すように、容量素子１０５及び発光素子３９４に重畳する領域に、導電膜３０４
ｃと同層に形成した導電層３０４ｄを設ける構成とすることができる。
【００７１】
また図３１（Ａ）、（Ｂ）に示す構成において、酸化物半導体膜３０８ｂと、導電膜３１
０ｄや導電膜３１０ｅとを、多階調マスクを用いて構成する場合、導電膜３１０ｄや導電
膜３１０ｅの下層には、必ず、酸化物半導体膜３０８ｂが配置される。その一例を図４０
（Ａ）、（Ｂ）、図４１（Ａ）、（Ｂ）に示すが、他の変形例においても、同様に適用す
ることが出来る。なお、多階調マスクを用いない場合には、導電膜３１０ｄや導電膜３１
０ｅの下層に、酸化物半導体膜３０８ｂが配置されていない領域が存在してもよい。その
場合は、一例として、図４４（Ａ）、（Ｂ）に示す断面図の構成となる。
【００７２】
また本変形例を上記変形例３で示した構成と組み合わせてもよい。具体的には、図３４に
示すように設ければよい。
【００７３】
＜変形例８＞
図１（Ｂ）に示す構成の変形例について、図３２（Ａ）を用いて説明する。図３２（Ａ）
に示す半導体装置は、導電膜３１６ｂを無機絶縁膜５３に設けた開口部で導電膜３１０ｅ
と接続し、さらに有機絶縁膜３１７に設けた開口部で導電膜３１６ｂと導電膜３１９とが
直接接するように設けることを特徴とする。
【００７４】
図３２（Ａ）の構成とすることで、有機絶縁膜３１７及び無機絶縁膜５３での開口部の形
成に同じフォトマスクを用いることができ、マスク枚数の削減を図ることができる。
【００７５】
なお本変形例を上記変形例５で示した構成と組み合わせてもよい。具体的には、図３２（
Ｂ）に示すように、容量素子１０５及び発光素子３９４に重畳する領域に、導電膜３０４
ｃと同層に形成した導電層３０４ｄを設ける構成とすることができる。
【００７６】
なお図３３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、図３２（Ａ）、（Ｂ）で示した構成において、
有機絶縁膜３１７での開口部と無機絶縁膜５３での開口部とを異なるフォトマスクを用い
て形成し設ける構成としてもよい。
【００７７】
＜変形例９＞
上記列挙した変形例において説明した導電膜は、ゲート絶縁膜５１、有機絶縁膜３１７又
は無機絶縁膜５３に設けられる開口部で、各層の導電膜同士を接続する機能を有する。そ
の場合、様々な導電膜を介して、接続し、画素領域、駆動回路領域、保護回路領域、周辺
領域などで、接続端子や、保護回路として設けることができる。
【００７８】
一例として図３５（Ａ）、（Ｂ）は、ゲート電極と同層に設けられる導電膜と、容量素子
１０５の一方の電極として設けられる導電膜とを、画素電極と同層に設けられる導電膜を
介して接続する断面の構成例である。
【００７９】
一例として図３６（Ａ）、（Ｂ）は、ソース電極又はドレイン電極と同層に設けられる導
電膜と、容量素子１０５の一方の電極として設けられる導電膜とを、画素電極と同層に設
けられる導電膜を介して接続する断面の構成例である。
【００８０】
一例として図３７（Ａ）、（Ｂ）は、ソース電極又はドレイン電極と同層に設けられる導
電膜と、容量素子１０５の一方の電極として設けられる導電膜とを直接接続する断面の構
成例である。
【００８１】
一例として図３８（Ａ）、（Ｂ）は、ゲート電極と同層に設けられる導電膜と、容量素子
１０５の一方の電極として設けられる導電膜とを直接接続する断面の構成例である。
【００８２】
一例として図３９（Ａ）、（Ｂ）は、ゲート電極と同層に設けられる導電膜と、ソース電
極又はドレイン電極と同層に設けられる導電膜とを直接接続する断面の構成例である。
【００８３】
図３５、図３６、図３７、図３８、図３９で示す各断面の構成例は、画素領域、駆動回路
領域、保護回路領域、周辺領域など、様々な場所で適用できる。なお本変形例で説明した
断面図の構成では、一部の膜（導電膜、絶縁膜、半導体膜など）や基板などが省略されて
いる場合がある。
【００８４】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【００８５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置及びその作製方法について図面を参
照して説明する。
【００８６】
図２（Ａ）に、半導体装置の一例として表示装置を示す。図２（Ａ）に示す表示装置は、
画素部１１と、走査線駆動回路１４と、信号線駆動回路１６と、各々が平行または略平行
に配設され、且つ走査線駆動回路１４によって電位が制御されるｍ本（ｍは自然数）の走
査線１７と、各々が平行または略平行に配設され、且つ信号線駆動回路１６によって電位
が制御されるｎ本（ｎは自然数）の信号線１９と、を有する。さらに、画素部１１はマト
リクス状に配設された複数の画素３０１を有する。また、信号線１９に沿って、各々が平
行または略平行に配設された容量線２５を有する。なお、容量線２５は、走査線１７に沿
って、各々が平行または略平行に配設されていてもよい。また、走査線駆動回路１４及び
信号線駆動回路１６をまとめて駆動回路部という場合がある。
【００８７】
なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる駆動回路等を含む。また、表示装置は、別の
基板上に配置された制御回路、電源回路、信号生成回路及びバックライトモジュール等を
含み、表示モジュールとよばれることもある。
【００８８】
図２（Ｂ）、（Ｃ）は、図２（Ａ）に示す表示装置の画素３０１に用いることができる回
路構成の一例を示している。
【００８９】
図２（Ｂ）に一例として示す画素３０１は、液晶素子３１と、トランジスタ１０３と、容
量素子１０５と、を有する。
【００９０】
また、図２（Ｃ）に一例として示す画素３０１は、トランジスタ４３と、トランジスタ１
０３と、トランジスタ４５と、容量素子１０５と、発光素子４１と、を有する。
【００９１】
なお、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）では、表示素子として、液晶素子３１や発光素子４１を
用いた例を示したが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。様々な表示素
子を用いることも可能である。例えば、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物
及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色
ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジ
スタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバ
ルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレク
トロ・メカニカル・システム）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（
デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーショ
ン）素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノ
チューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変
化する表示媒体を有するものがある。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬデ
ィスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミ
ッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆ
ａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）
などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶
ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディス
プレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表
示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。
【００９２】
次に、表示装置に含まれる素子基板の具体的な構成について説明する。ここでは、表示装
置としてＥＬ素子を発光して表示を行う表示装置を用い、該表示装置に含まれる画素ｐｉ
ｘの上面図を図３に示す。また上面図に対応する回路構成を図４（Ａ）に示し、回路構成
のタイミングチャート図について図４（Ｂ）に示す。また図３の上面図における一点鎖線
Ｊ−Ｋ間、Ｌ−Ｍ間、及びＮ−Ｏ間における断面図について図５に示す。
【００９３】
図３において、走査線として機能する導電膜３０４ｃは、信号線として機能する導電膜に
略直交する方向（図中左右方向）に延伸して設けられている。信号線として機能する導電
膜３１０ｄは、走査線として機能する導電膜に略直交する方向（図中上下方向）に延伸し
て設けられている。なお、走査線として機能する導電膜３０４ｃは、走査線駆動回路１４
（図２（Ａ）を参照。）と電気的に接続されており、信号線として機能する導電膜３１０
ｄは、信号線駆動回路１６（図２（Ａ）を参照。）に電気的に接続されている。
【００９４】
図３に示す上面図では、画素ｐｉｘが有する、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ６、
容量素子Ｃ１、発光素子ＥＬの配置例を示している。また図３に示す上面図では、配線Ｇ
Ｌ１乃至ＧＬ３、配線ＳＬ、配線ＶＬ１、配線ＶＬ０、及び配線ＩＬの配置例を示してい
る。配線ＧＬ１乃至ＧＬ３、配線ＳＬ、配線ＶＬ１、配線ＶＬ０、及び配線ＩＬは、トラ
ンジスタＭ１乃至トランジスタＭ６のゲート、ソース、又はドレインとなる電極に接続さ
れる。なお各配線と、各トランジスタの接続関係については、図４（Ａ）に示す回路構成
を参照すればよい。
【００９５】
容量素子Ｃ１を構成する一対の電極を、透光性を有する一対の導電膜で構成することで、
発光素子ＥＬに重畳して設けることができる。そのため、画素ｐｉｘ内に容量素子Ｃ１を
大きく（大面積に）形成しても、開口率を低下させることはない。従って、開口率を高め
つつ、代表的には５０％以上、好ましくは６０％以上とすることが可能であると共に、容
量値を増大させた表示装置を得ることができる。例えば、解像度の高い表示装置、例えば
液晶表示装置においては、画素の面積が小さくなり、容量素子の面積も小さくなる。この
ため、解像度の高い表示装置において、容量素子に蓄積される容量量が小さくなる。しか
しながら、本実施の形態に示す容量素子Ｃ１は透光性を有するため、当該容量素子を画素
に設けることで、各画素において十分な容量値を得つつ、開口率を高めることができる。
代表的には、画素密度が１００ｐｐｉ以上、さらには２００ｐｐｉ以上、更には３００ｐ
ｐｉ以上である高解像度の表示装置に好適に用いることができる。
【００９６】
次いで、図３に示す画素ｐｉｘの上面図に対応する回路構成及び動作について説明する。
【００９７】
図４（Ａ）に、画素ｐｉｘの回路図の一例を示す。画素ｐｉｘは、トランジスタＭ１乃至
トランジスタＭ６と、容量素子Ｃ１と、発光素子ＥＬと、を有する。なおトランジスタＭ
１、トランジスタＭ３乃至トランジスタＭ６は、スイッチとしての機能があればよく、単
にスイッチに置き換えることが可能である。
【００９８】
発光素子ＥＬの画素電極は、画素ｐｉｘに入力される画像信号Ｓｉｇに従ってその電位が
制御される。また、発光素子ＥＬの輝度は、画素電極と共通電極の間の電位差によって定
まる。例えば、ＯＬＥＤを発光素子ＥＬとして用いる場合、陽極と陰極のいずれか一方が
画素電極として機能し、他方が共通電極として機能する。図４（Ａ）では、発光素子ＥＬ
の陽極を画素電極として用い、発光素子ＥＬの陰極を共通電極として用いた画素ｐｉｘの
構成を例示している。
【００９９】
トランジスタＭ１は、配線ＳＬと、容量素子Ｃ１の一対の電極のうちの一方との間の導通
状態を制御する機能を有する。容量素子Ｃ１の一対の電極のうちの他方は、トランジスタ
Ｍ２のソース及びドレインの一方に接続される。トランジスタＭ３は、配線ＶＬ０と、ト
ランジスタＭ２のゲートとの間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタＭ４は
、容量素子Ｃ１の一対の電極のうちの一方と、トランジスタＭ２のゲートとの間の導通状
態を制御する機能を有する。トランジスタＭ５は、トランジスタＭ２のソース及びドレイ
ンの一方と、発光素子ＥＬの陽極との間の導通状態を制御する機能を有する。トランジス
タＭ６は、トランジスタＭ２のソース及びドレインの一方と、配線ＶＬ１との間の導通状
態を制御する機能を有する。
【０１００】
さらに、図４（Ａ）では、トランジスタＭ２のソース及びドレインの他方は配線ＩＬに接
続されている。
【０１０１】
また、トランジスタＭ１におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタＭ１のゲートに
接続された配線ＧＬ１の電位に従って行われる。トランジスタＭ３におけるオンまたはオ
フの選択は、トランジスタＭ３のゲートに接続された配線ＧＬ１の電位に従って行われる
。トランジスタＭ４におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタＭ４のゲートに接続
された配線ＧＬ２の電位に従って行われる。トランジスタＭ５におけるオンまたはオフの
選択は、トランジスタＭ５のゲートに接続された配線ＧＬ２の電位に従って行われる。ト
ランジスタＭ６におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタＭ６のゲートに接続され
た配線ＧＬ３の電位に従って行われる。
【０１０２】
画素ｐｉｘが有するトランジスタには、酸化物半導体や、非晶質、微結晶、多結晶、又は
単結晶の、シリコン、又はゲルマニウムなどの半導体を用いることができる。トランジス
タＭ１、トランジスタＭ３及びトランジスタＭ４が酸化物半導体をチャネル形成領域に含
むことで、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３及びトランジスタＭ４のオフ電流を極め
て小さくすることができる。そして、上記構成を有するトランジスタＭ１、トランジスタ
Ｍ３及びトランジスタＭ４を画素ｐｉｘに用いることで、通常のシリコンやゲルマニウム
などの半導体で形成されたトランジスタをトランジスタＭ１、トランジスタＭ３及びトラ
ンジスタＭ４に用いる場合に比べて、トランジスタＭ２のゲートに蓄積された電荷のリー
クを防ぐことができる。
【０１０３】
よって、静止画のように、連続する幾つかのフレーム期間に渡って、画素部に同じ画像情
報を有する画像信号Ｓｉｇが書き込まれる場合などは、駆動周波数を低くする、言い換え
ると一定期間内における画素部への画像信号Ｓｉｇの書き込み回数を少なくしても、画像
の表示を維持することができる。例えば、高純度化された酸化物半導体をトランジスタＭ
１、トランジスタＭ３及びトランジスタＭ４の半導体膜に用いることで、画像信号Ｓｉｇ
の書き込みの間隔を１秒以上、好ましくは３秒以上、さらに好ましくは１０秒以上にする
ことができる。そして、画像信号Ｓｉｇが書き込まれる間隔を長くすればするほど、消費
電力をより低減することができる。
【０１０４】
また、画像信号Ｓｉｇの電位をより長い期間に渡って保持することができるため、トラン
ジスタＭ２のゲートの電位を保持するための容量素子Ｃ１を画素ｐｉｘに設けなくとも、
表示される画質が低下するのを防ぐことができる。よって、容量素子Ｃ１を設けないこと
によって、或いは容量素子Ｃ１のサイズを小さくすることによって、画素ｐｉｘの開口率
を高めることができるため、発光素子ＥＬの長寿命化を実現し、延いては、表示装置の信
頼性を高めることができる。
【０１０５】
なお、図４（Ａ）において、画素ｐｉｘは、必要に応じて、トランジスタ、ダイオード、
抵抗素子、容量素子、インダクタなどのその他の回路素子を、さらに有していても良い。
【０１０６】
また、図４（Ａ）において、各トランジスタは、ゲートを半導体膜の片側において少なく
とも有していれば良いが、半導体膜を間に挟んで存在する一対のゲートを有していても良
い。一対のゲートの一方をバックゲートとすると、通常のゲート及びバックゲートに同じ
高さの電位が与えられていても良いし、バックゲートにのみ接地電位などの固定の電位が
与えられていても良い。バックゲートに与える電位の高さを制御することで、トランジス
タの閾値電圧を制御することができる。また、バックゲートを設けることで、チャネル形
成領域が増え、ドレイン電流の増加を実現することができる。また、バックゲートを設け
ることで、半導体膜に空乏層ができやすくなるため、Ｓ値の改善を図ることができる。図
４（Ａ）では一例として、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３、トランジスタＭ６の
半導体膜を上下方向からゲート電極で囲むように配置するトランジスタとする。そのため
図４（Ａ）では、他の回路記号とは異なる記号で示している。
【０１０７】
また、図４（Ａ）では、トランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示している。画
素ｐｉｘ内のトランジスタが全て同じチャネル型である場合、トランジスタの作製工程に
おいて、半導体膜に一導電性を付与する不純物元素の添加などの工程を、一部省略するこ
とができる。ただし、本発明の一態様に係る表示装置では、必ずしも画素ｐｉｘ内のトラ
ンジスタが全てｎチャネル型である必要はない。発光素子ＥＬの陰極が配線ＣＬに接続さ
れている場合、少なくともトランジスタＭ２はｎチャネル型であることが望ましく、発光
素子ＥＬの陽極が配線ＣＬに接続されている場合、少なくともトランジスタＭ２はｐチャ
ネル型であることが望ましい。
【０１０８】
また、図４（Ａ）では、画素ｐｉｘ内のトランジスタが、単数のゲートを有することで、
単数のチャネル形成領域を有するシングルゲート構造である場合を例示しているが、本発
明の一態様はこの構成に限定されない。画素ｐｉｘ内のトランジスタのいずれかまたは全
てが、電気的に接続された複数のゲートを有することで、複数のチャネル形成領域を有す
る、マルチゲート構造であっても良い。
【０１０９】
図４（Ｂ）に、図４（Ａ）に示す画素ｐｉｘに接続される配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、配線
ＧＬ３の電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミングチャートを例
示する。なお、図４（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図４（Ａ）に示す画素ｐｉｘに
含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示するものである。
【０１１０】
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬ１にＬレベルの電位が与えられ、配線ＧＬ２にＬレベルの
電位が与えられ、配線ＧＬ３にＬレベルからＨレベルに切り替える信号の電位が与えられ
る。よって、トランジスタＭ５がオンからオフとなり、トランジスタＭ１、トランジスタ
Ｍ３、トランジスタＭ４はオフとなり、トランジスタＭ６がオフからオンとなる。トラン
ジスタＭ６がオンになることで、トランジスタＭ２のソース及びドレインの一方および容
量素子Ｃ１の一対の電極のうちの他方に、配線ＶＬ１の電位Ｖ０が与えられる。
【０１１１】
また、配線ＩＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
電位Ｖａｎｏは、電位Ｖ０に発光素子ＥＬの閾値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも高く
することが望ましい。また、電位Ｖ０は、電位Ｖｃａｔに発光素子ＥＬの閾値電圧Ｖｔｈ
ｅを加算した電位よりも、低いことが望ましい。電位Ｖ０を上記値に設定することで、期
間ｔ１において発光素子ＥＬに電流が流れるのを防ぐことができる。
【０１１２】
次いで、期間ｔ２では、配線ＧＬ１にＨレベルの電位が与えられ、配線ＧＬ２にＬレベル
の電位が与えられ、配線ＧＬ３にＬレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタＭ
１およびトランジスタＭ３がオンとなり、トランジスタＭ４、トランジスタＭ５及びトラ
ンジスタＭ６がオフとなる。
【０１１３】
なお、期間ｔ１から期間ｔ２に移行する際、配線ＧＬ１に与える電位をＬレベルからＨレ
ベルに切り替えた後に、配線ＧＬ３に与える電位をＨレベルからＬレベルに切り替えるこ
とが望ましい。このような動作を行うことによって、配線ＧＬ１に与えられる電位の切り
替えによる、トランジスタＭ２のソース及びドレインの一方および容量素子Ｃ１の一対の
電極のうちの他方の電位の変動を防ぐことができる。
【０１１４】
また、配線ＩＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
そして、配線ＳＬには画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられ、配線ＶＬ０には電位
Ｖ１が与えられる。電位Ｖ１は、電位ＶｃａｔにトランジスタＭ２の閾値電圧Ｖｔｈを加
算した電位よりも高く、電位ＶａｎｏにトランジスタＭ２の閾値電圧Ｖｔｈを加算した電
位より低いことが望ましい。
【０１１５】
なお、図４（Ａ）に示す画素構成では、電位Ｖ１を、発光素子ＥＬの閾値電圧Ｖｔｈｅを
電位Ｖｃａｔに加算した値より高くしても、トランジスタＭ５がオフである限り、発光素
子ＥＬは発光しない。そのため、電位Ｖ０として設定できる値の幅を広げることが可能と
なり、Ｖ１−Ｖ０として取りうる値の幅も広げることが可能となる。したがって、Ｖ１−
Ｖ０の値の設定の自由度が上がるため、トランジスタＭ２の閾値電圧の取得に要する時間
を短縮した場合、または閾値電圧の取得期間に制限がある場合においても、正確にトラン
ジスタＭ２の閾値電圧の取得を行うことができる。
【０１１６】
上記動作により、トランジスタＭ２のゲートに電位Ｖ１が入力され、トランジスタＭ２が
オンとなる。よって、トランジスタＭ２を介して容量素子Ｃ１の電荷が放出され、電位Ｖ
０だった、トランジスタＭ２のソース及びドレインの一方および容量素子Ｃ１の一対の電
極のうちの他方の電位が上昇を始める。そして、最終的にはトランジスタＭ２のソース及
びドレインの一方および容量素子Ｃ１の一対の電極のうちの他方の電位がＶ１−Ｖｔｈに
収束し、トランジスタＭ２のゲート電圧が閾値電圧Ｖｔｈに収束すると、トランジスタＭ
２がオフになる。
【０１１７】
また、容量素子Ｃ１の一対の電極のうちの一方には、配線ＳＬに与えられた画像信号Ｓｉ
ｇの電位Ｖｄａｔａが、トランジスタＭ１を介して与えられる。
【０１１８】
次いで、期間ｔ３では、配線ＧＬ１にＬレベルの電位が与えられ、配線ＧＬ２にＨレベル
の電位が与えられ、配線ＧＬ３にＬレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタＭ
４及びトランジスタＭ５がオンとなり、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３及びトラン
ジスタＭ６がオフとなる。
【０１１９】
なお、期間ｔ２から期間ｔ３に移行する際、配線ＧＬ１に与える電位がＨレベルからＬレ
ベルに切り替えられてから、配線ＧＬ２に与える電位をＬレベルからＨレベルに切り替え
ることが望ましい。このような動作を行うことによって、配線ＧＬ１に与える電位の切り
替えによる、トランジスタＭ２のソース及びドレインの一方および容量素子Ｃ１の一対の
電極のうちの他方における電位の変動を防ぐことができる。
【０１２０】
また、配線ＩＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
【０１２１】
上記動作により、トランジスタＭ２のゲートに電位Ｖｄａｔａが与えられるため、トラン
ジスタＭ２のゲート電圧がＶｄａｔａ−Ｖ１＋Ｖｔｈとなる。よって、トランジスタＭ２
のゲート電圧を、閾値電圧Ｖｔｈが加味された値に設定することができる。上記構成によ
り、トランジスタＭ２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきを抑制することができる。よって、発
光素子ＥＬに供給する電流値のばらつきを抑えることができ、表示装置の輝度ムラを低減
することができる。
【０１２２】
なお、配線ＧＬ２に与える電位の変動を大きくしておくことで、トランジスタＭ５の閾値
電圧のばらつきが発光素子ＥＬに供給する電流値に影響を及ぼすことを防ぐことができる
。つまり、配線ＧＬ２に与えるＨレベルの電位をトランジスタＭ５の閾値電圧よりも十分
大きく、また、配線ＧＬ２に与えるＬレベルの電位をトランジスタＭ５の閾値電圧よりも
十分小さくしてやることで、トランジスタＭ５のオンとオフの切り替えを確実に行い、ト
ランジスタＭ５の閾値電圧のばらつきが発光素子ＥＬの電流値に影響を及ぼすことを防ぐ
ことができる。
【０１２３】
次いで、期間ｔ４では、配線ＧＬ１にＬレベルの電位が与えられ、配線ＧＬ２にＬレベル
の電位が与えられ、配線ＧＬ３にＨレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタＭ
６がオンとなり、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３、トランジスタＭ４及びトランジ
スタＭ５がオフとなる。
【０１２４】
また、配線ＩＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＶＬ１は、モニター回路に接続される
。
【０１２５】
上記動作により、トランジスタＭ２のドレイン電流Ｉｄが、発光素子ＥＬではなく、トラ
ンジスタＭ６を介して配線ＶＬ１に流れる。モニター回路は、配線ＶＬ１に流れたドレイ
ン電流Ｉｄを用いて、当該ドレイン電流Ｉｄの値を情報として含む信号を生成する。この
ドレイン電流Ｉｄは、トランジスタＭ２の移動度やトランジスタＭ２のサイズ（チャネル
長、チャネル幅）などに依存した大きさとなっている。そして、本発明の一態様にかかる
表示装置では、上記信号を用いて、画素ｐｉｘに供給される画像信号Ｖｓｉｇの電位Ｖｄ
ａｔａの値を、補正することができる。つまり、トランジスタＭ２の移動度のばらつきの
影響を低減することが出来る。
【０１２６】
なお、図４（Ａ）に示す画素ｐｉｘを有する表示装置では、期間ｔ３の動作の後に期間ｔ
４の動作を常に行う必要はない。例えば、表示装置において、期間ｔ１乃至期間ｔ３の動
作を複数回繰り返した後に、期間ｔ４の動作を行うようにしても良い。また、一行の画素
ｐｉｘにおいて期間ｔ４の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を、当該
動作を行った一行の画素ｐｉｘに書き込むことで、発光素子ＥＬを非発光の状態にした後
、次の行の画素ｐｉｘにおいて、期間ｔ４の動作を行うようにしても良い。
【０１２７】
図４（Ａ）に示した画素ｐｉｘを有する表示装置では、トランジスタＭ２のソース及びド
レインの他方と、トランジスタＭ２のゲートとが電気的に分離しているので、それぞれの
電位を個別に制御することができる。よって、期間ｔ２において、トランジスタＭ２のソ
ース及びドレインの他方の電位を、トランジスタＭ２のゲートの電位に、閾値電圧Ｖｔｈ
を加算した電位よりも高い値に設定することができる。そのため、トランジスタＭ２がノ
ーマリーオンである場合に、すなわち閾値電圧Ｖｔｈがマイナスの値を有している場合に
、トランジスタＭ２において、ソースの電位がゲートの電位Ｖ１よりも高くなるまで、容
量素子Ｃ１に電荷を蓄積することができる。よって、本発明の一態様に係る表示装置では
、トランジスタＭ２がノーマリーオンであっても、期間ｔ２において閾値電圧を取得する
ことができ、期間ｔ３において、閾値電圧Ｖｔｈを加味した値になるよう、トランジスタ
Ｍ２のゲート電圧を設定することができる。
【０１２８】
次いで、図３の一点鎖線Ｊ−Ｋ間、Ｌ−Ｍ間、及びＮ−Ｏ間における断面図を図５に示す
。
【０１２９】
ゲート電極として機能する導電膜３０４ｃ、ゲート絶縁膜５１として機能する絶縁膜３０
５及び絶縁膜３０６、ゲート絶縁膜５１上に形成されたチャネル領域が形成される酸化物
半導体膜３０８ｂ、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜３１０ｄ、３１０
ｅによりトランジスタ１０３（図３におけるトランジスタＭ５に対応）を構成する。また
、導電膜３１０ｄ、３１０ｅ上には、無機絶縁膜５３である絶縁膜３１２、絶縁膜３１４
が保護膜として設けられている。
【０１３０】
また、一方の電極として機能する金属酸化物膜３０８ｃ、誘電体膜として機能する絶縁膜
３１４、他方の電極として機能する導電膜３１６ｂにより容量素子１０５（図３における
容量素子Ｃ１に対応）を構成する。金属酸化物膜３０８ｃは、ゲート絶縁膜５１上に設け
られる。トランジスタＭ６と金属酸化物膜３０８ｃは、トランジスタＭ６のソース電極及
びドレイン電極として機能する導電膜３１０ｆで接続される。
【０１３１】
無機絶縁膜５３上に有機絶縁膜３１７が形成される。また、有機絶縁膜３１７上には、画
素電極として機能する導電膜３１９が形成される。導電膜３１９は、無機絶縁膜５３及び
有機絶縁膜３１７に設けられる開口部で、導電膜３１０ｅと接続される。
【０１３２】
また、有機絶縁膜３１７及び導電膜３１９上には、絶縁層３９１が設けられる。また、絶
縁層３９１に設けられた開口部において、発光素子３９４が有する発光層３９２及び導電
膜３９３が、導電膜３１９上に設けられる。
【０１３３】
また図６では、図２（Ａ）で示した走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１６を含む駆
動回路部（上面図は省略）の断面図をＡ−Ｂに示し、加えて図５で示した画素の断面構造
の情報をＣ−Ｄで示す。
【０１３４】
駆動回路部において、ゲート電極として機能する導電膜３０４ａ、ゲート絶縁膜５１とし
て機能する絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜３
０８ａ、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜３１０ａ、３１０ｂによりト
ランジスタ１０２を構成する。酸化物半導体膜３０８ａは、ゲート絶縁膜５１上に設けら
れる。また、導電膜３１０ａ、３１０ｂ上には、無機絶縁膜５３である絶縁膜３１２、絶
縁膜３１４が保護膜として設けられている。
【０１３５】
また、駆動回路部において、導電膜３０４ａ、３０４ｃと同時に形成された導電膜３０４
ｂと、導電膜３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆと同時に形成された導
電膜３１０ｃとは、導電膜３１９と同時に形成された導電膜３１９ａで接続される。
【０１３６】
導電膜３０４ｂと導電膜３１９ａは、ゲート絶縁膜５１、無機絶縁膜５３、及び有機絶縁
膜３１７に設けられた開口部において接続する。また、導電膜３１０ｃと導電膜３１９ａ
は、絶縁膜３１２、絶縁膜３１４、及び有機絶縁膜３１７に設けられた開口部において接
続する。
【０１３７】
ここで、図５及び図６に示す表示装置の構成要素について、以下に説明する。
【０１３８】
基板３０２上には、導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃが形成されている。導電膜３０
４ａは、駆動回路部のトランジスタのゲート電極としての機能を有する。また、導電膜３
０４ｂは、駆動回路部に形成され、導電膜３１０ｃと接続する。また、導電膜３０４ｃは
、画素部１１に形成され、画素部のトランジスタのゲート電極として機能する。
【０１３９】
基板３０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板等を、基板３０２として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料
とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基
板、ＳＯＩ基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられ
たものを、基板３０２として用いてもよい。なお、基板３０２として、ガラス基板を用い
る場合、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００
ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００
ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の大面積基板を用いることで、大
型の表示装置を作製することができる。
【０１４０】
また、基板３０２として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタを形成
してもよい。または、基板３０２とトランジスタの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は
、その上に素子部を一部あるいは全部完成させた後、基板３０２より分離し、他の基板に
転載するのに用いることができる。その際、トランジスタは耐熱性の劣る基板や可撓性の
基板にも転載できる。
【０１４１】
導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃとしては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、
チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成
分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる
。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用い
てもよい。また、導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃは、単層構造でも、二層以上の積
層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム
膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒
化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングス
テン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニ
ウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニ
ウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウ
ムから選ばれた元素の一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよ
い。
【０１４２】
また、導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃは、インジウム錫酸化物、酸化タングステン
を含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを
含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用するこ
ともできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とするこ
ともできる。
【０１４３】
基板３０２、及び導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ上には、絶縁膜３０５、絶縁膜３
０６が形成されている。絶縁膜３０５、絶縁膜３０６は、駆動回路部のトランジスタのゲ
ート絶縁膜５１、及び画素部１１のトランジスタのゲート絶縁膜５１としての機能を有す
る。
【０１４４】
絶縁膜３０５としては、例えば窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒
化酸化アルミニウム等の窒化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。
【０１４５】
絶縁膜３０６としては、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ系金属
酸化物などを用いればよく、積層または単層で設ける。また、絶縁膜３０６としては、ハ
フニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳ
ｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸
化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでトランジスタの
ゲートリークを低減できる。
【０１４６】
絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６の合計の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好まし
くは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とすると
よい。
【０１４７】
絶縁膜３０６上には、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、金属酸化物膜３０８ｃが形成
されている。酸化物半導体膜３０８ａは、導電膜３０４ａと重畳する位置に形成され、駆
動回路部のトランジスタのチャネル領域として機能する。また、酸化物半導体膜３０８ｂ
は、導電膜３０４ｃと重畳する位置に形成され、画素部のトランジスタのチャネル領域と
して機能する。金属酸化物膜３０８ｃは、導電膜３１０ｆと接続し、且つ容量素子１０５
の電極として機能する。なお導電膜３１０ｆは、トランジスタ１０３とは別のトランジス
タにおけるソース電極及びドレイン電極として機能する。
【０１４８】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃは、代表的には、Ｉｎ−
Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎ、またはＨｆ）がある。なお、酸化物半導体膜３０８ａ、３
０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃは、透光性を有する。
【０１４９】
なお、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ
酸化物であるとき、ＺｎおよびＯを除いてのＩｎとＭの原子数比率は、ＩｎおよびＭの和
を１００ａｔｏｍｉｃ％としたときＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉ
ｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未
満とする。
【０１５０】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃは、エネルギーギャップ
が２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である。このよう
に、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を
低減することができる。
【０１５１】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃの厚さは、３ｎｍ以上２
００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０
ｎｍ以下とする。
【０１５２】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２、または３：１：２の原子数比のＩｎ
−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。なお、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、
及び金属酸化物膜３０８ｃの原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比のプラスマ
イナス２０％の変動を含む。
【０１５３】
また、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃは、例えば非単結
晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａ
ｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、
多結晶構造、後述する微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非
晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、ＣＡＡＣ−ＯＳは最も欠陥準位密度が低い。なお、
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃは、結晶性が同じである
。
【０１５４】
なお、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属酸化物膜３０８ｃが、非晶質構造の
領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域
の二種以上を有する混合膜であってもよい。また、混合膜は、例えば、非晶質構造の領域
、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のい
ずれか二種以上の領域の積層構造を有する場合がある。
【０１５５】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂにおいて、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素
が含まれると、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂにおいて酸素欠損が増加し、ｎ型化し
てしまう。このため、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂにおけるシリコンや炭素の濃度
（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０１５６】
また、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂにおいて、二次イオン質量分析法により得られ
るアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土
類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオ
フ電流が増大してしまうことがある。このため、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂのア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。
【０１５７】
また、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂに窒素が含まれていると、キャリアである電子
が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物
半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、当該酸化物半
導体膜において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、二次イオン
質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすること
が好ましい。
【０１５８】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂとしては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用い
る。例えば、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂは、キャリア密度が１×１０１７個／ｃ
ｍ３以下、好ましくは１×１０１５個／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３個／
ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１個／ｃｍ３以下の酸化物半導体膜を用いる。
【０１５９】
なお、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果
移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする
トランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂのキャリア
密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切な
ものとすることが好ましい。
【０１６０】
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂは、絶縁膜３０６及び絶縁膜３１２等の、酸化物半導
体膜との界面特性を向上させることが可能な材料で形成される膜と接しているため、酸化
物半導体膜３０８ａ、３０８ｂは、半導体として機能し、酸化物半導体膜３０８ａ、３０
８ｂを有するトランジスタは、優れた電気特性を有する。
【０１６１】
なお、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂとして、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低
い酸化物半導体膜を用いることで、優れた電気特性を有するトランジスタを作製すること
ができ好ましい。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない
）ことを高純度真性または実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性または実質的に高純度
真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすること
ができる場合がある。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジ
スタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になるこ
とが少ない場合がある。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体
膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度
真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、オフ電流が著しく小さく、チャ
ネル幅が１×１０６μｍでチャネル長が１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイ
ン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体
パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得る
ことができる。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは
、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる場合がある。なお、酸化物
半導体膜のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたか
も固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導
体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等がある。
【０１６２】
金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂと同時に形成された酸化物
半導体膜を加工して形成される。このため、金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３
０８ａ、３０８ｂと同様の金属元素を有する膜である。また、酸化物半導体膜３０８ａ、
３０８ｂと同様の結晶構造、または異なる結晶構造を有する膜である。しかしながら、酸
化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂと同時に形成された酸化物半導体膜に、不純物または酸
素欠損を有せしめることで、導電性を有する膜となり、容量素子の電極として機能する。
酸化物半導体膜に含まれる不純物としては、水素がある。なお、水素の代わりに不純物と
して、ホウ素、リン、スズ、アンチモン、希ガス元素、アルカリ金属、アルカリ土類金属
等が含まれていてもよい。または、金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８ａ、
３０８ｂと同時に形成された膜であり、プラズマダメージ等により酸素欠損が形成され、
導電性が高められた膜である。または、金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８
ａ、３０８ｂと同時に形成された膜であり、且つ不純物を含むと共に、プラズマダメージ
等により酸素欠損が形成され、導電性が高められた膜である。
【０１６３】
このため、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ及び金属酸化物膜３０８ｃは共に、絶縁膜
３０６上に形成されるが、不純物濃度が異なる。具体的には、酸化物半導体膜３０８ａ、
３０８ｂと比較して、金属酸化物膜３０８ｃの不純物濃度が高い。例えば、酸化物半導体
膜３０８ａ、３０８ｂに含まれる水素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好
ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×
１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、金属酸化物膜３０８ｃ含まれる水素濃度は、８
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、
より好ましくは５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。また、酸化物半導体膜３０
８ａ、３０８ｂと比較して、金属酸化物膜３０８ｃに含まれる水素濃度は２倍、好ましく
は１０倍以上である。
【０１６４】
また、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂと同時に形成された酸化物半導体膜をプラズマ
に曝すことにより、酸化物半導体膜にダメージを与え、酸素欠損を形成することができる
。例えば、酸化物半導体膜上に、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法で膜を成膜す
ると、酸化物半導体膜がプラズマに曝され、酸素欠損が生成される。または、絶縁膜３１
２を形成するためのエッチング処理において酸化物半導体膜がプラズマに曝されることで
、酸素欠損が生成される。または、酸化物半導体膜が水素、希ガス、アンモニア、酸素及
び水素の混合ガス等のプラズマに曝されることで、酸素欠損が生成される。この結果、酸
化物半導体膜は導電性が高くなり、導電性を有する膜となり、金属酸化物膜３０８ｃとし
て機能する。
【０１６５】
即ち、金属酸化物膜３０８ｃは、導電性の高い酸化物半導体膜で形成されるともいえる。
また金属酸化物膜３０８ｃは、導電性の高い金属酸化物膜で形成されるともいえる。
【０１６６】
また、絶縁膜３１４として、窒化シリコン膜を用いる場合、窒化シリコン膜は水素を含む
。このため、絶縁膜３１４の水素が酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂと同時に形成され
た酸化物半導体膜に拡散すると、該酸化物半導体膜において水素は酸素と結合し、キャリ
アである電子が生成される。また、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法またはスパッタリ
ング法で成膜すると、酸化物半導体膜がプラズマに曝され、酸素欠損が生成される。当該
酸素欠損に、窒化シリコン膜に含まれる水素が入ることで、キャリアである電子が生成さ
れる。これらの結果、酸化物半導体膜は導電性が高くなり、金属酸化物膜３０８ｃとなる
。
【０１６７】
金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂより抵抗率が低い。金属酸
化物膜３０８ｃの抵抗率が、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂの抵抗率の１×１０−８
倍以上１×１０−１倍未満であることが好ましく、代表的には１×１０−３Ωｃｍ以上１
×１０４Ωｃｍ未満、さらに好ましくは、抵抗率が１×１０−３Ωｃｍ以上１×１０−１
Ωｃｍ未満であるとよい。
【０１６８】
ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されず、金属酸化物膜３０８ｃは、場
合によっては、絶縁膜３１４と接していないことも可能である。
【０１６９】
また、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されず、金属酸化物膜３０８ｃは、場合
によっては、酸化物半導体膜３０８ａ、または、３０８ｂと別々の工程で形成されてもよ
い。その場合には、金属酸化物膜３０８ｃは、酸化物半導体膜３０８ａ、または、３０８
ｂと、異なる材質を有していても良い。例えば、金属酸化物膜３０８ｃは、インジウム錫
酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、または、インジウム亜鉛酸化物等を用いて形成しても
よい。
【０１７０】
本実施の形態に示す表示装置において、容量素子は、透光性を有する。この結果、発光素
子３９４と重畳して設けることができるため、容量素子の占有面積を大きくしつつ、画素
の開口率を高めることができる。
【０１７１】
導電膜３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆは、導電材料とし
て、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリ
ブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とす
る合金を単層構造または積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜
の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタ
ン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二
層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてア
ルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成す
る三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリ
ブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜ま
たは窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫また
は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
【０１７２】
絶縁膜３０６、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、金属酸化物膜３０８ｃ、及び導電膜
３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆ上には、無機絶縁膜５３
として、絶縁膜３１２及び絶縁膜３１４が形成されている。絶縁膜３１２は、絶縁膜３０
６と同様に、酸化物半導体膜との界面特性を向上させることが可能な材料を用いることが
好ましく、酸化物絶縁膜を用いて形成することができる。ここでは、絶縁膜３１２として
は、絶縁膜３１２ａ、３１２ｂを積層して形成する。
【０１７３】
絶縁膜３１２ａは、酸素を透過する酸化物絶縁膜である。なお、絶縁膜３１２ａは、後に
形成する絶縁膜３１２ｂを形成する際の、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び金属
酸化物膜３０８ｃへのダメージ緩和膜としても機能する。
【０１７４】
絶縁膜３１２ａとしては、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０
ｎｍ以下の酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。なお、本明細書中
において、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い膜
を指し、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い膜を
指す。
【０１７５】
また、絶縁膜３１２ａは、酸化物絶縁膜であり、該酸化物絶縁膜は、窒素を含み、且つ欠
陥量の少ないことが好ましい。
【０１７６】
窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜の代表例としては、酸化窒化シリコン膜、
酸化窒化アルミニウム膜等がある。
【０１７７】
欠陥の少ない酸化物絶縁膜は、１００Ｋ以下のＥＳＲで測定して得られたスペクトルにお
いてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．
００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナ
ルが観測される。なお、第１のシグナル及び第２のシグナルのスプリット幅、並びに第２
のシグナル及び第３のシグナルのスプリット幅は、ＸバンドのＥＳＲ測定において約５ｍ
Ｔである。また、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．０
０１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９６４以上１．９６６以下で
ある第３のシグナルのスピンの密度の合計が１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満であり
、代表的には１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満
である。
【０１７８】
なお、１００Ｋ以下のＥＳＲスペクトルにおいてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の
第１シグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．
９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルは、窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０以上２以下
、好ましくは１以上２以下）起因のシグナルに相当する。窒素酸化物の代表例としては、
一酸化窒素、二酸化窒素等がある。即ち、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１の
シグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、及びｇ値が１．９６
４以上１．９６６以下である第３のシグナルのスピンの密度の合計が少ないほど、酸化物
絶縁膜に含まれる窒素酸化物の含有量が少ないといえる。
【０１７９】
絶縁膜３１２ａが、上記のように、窒素酸化物の含有量が少ないと、絶縁膜３１２ａと酸
化物半導体膜との界面におけるキャリアのトラップを低減することが可能である。この結
果、表示装置に含まれるトランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であ
り、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。
【０１８０】
また、絶縁膜３１２ａは、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定される窒素濃度が６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である
ことが好ましい。この結果、絶縁膜３１２ａにおいて、窒素酸化物が生成されにくくなり
、絶縁膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂとの界面におけるキャリアのト
ラップを低減することが可能である。また、表示装置に含まれるトランジスタのしきい値
電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減するこ
とができる。
【０１８１】
なお、絶縁膜３１２ａにおいて、膜中に窒素酸化物及びアンモニアが含まれると、作製工
程における加熱処理において、窒素酸化物及びアンモニアが反応し、窒素酸化物が窒素ガ
スとなって脱離する。この結果、絶縁膜３１２ａの窒素濃度及び窒素酸化物の含有量を低
減することができる。また、絶縁膜３１２ａと、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂとの
界面におけるキャリアのトラップを低減することが可能である。また、表示装置に含まれ
るトランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電
気特性の変動を低減することができる。
【０１８２】
なお、絶縁膜３１２ａにおいては、外部から絶縁膜３１２ａに入った酸素が全て絶縁膜３
１２ａの外部に移動せず、絶縁膜３１２ａにとどまる酸素もある。また、絶縁膜３１２ａ
に酸素が入ると共に、絶縁膜３１２ａに含まれる酸素が絶縁膜３１２ａの外部へ移動する
ことで絶縁膜３１２ａにおいて酸素の移動が生じる場合もある。
【０１８３】
絶縁膜３１２ａとして酸素を透過する酸化物絶縁膜を形成すると、絶縁膜３１２ａ上に設
けられる、絶縁膜３１２ｂから脱離する酸素を、絶縁膜３１２ａを介して酸化物半導体膜
３０８ａ、３０８ｂに移動させることができる。
【０１８４】
絶縁膜３１２ａに接するように絶縁膜３１２ｂが形成されている。絶縁膜３１２ｂは、化
学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成する。化学
量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部
が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤ
Ｓ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以上、好ましくは３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物絶縁膜である。
なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、また
は１００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。
【０１８５】
絶縁膜３１２ｂとしては、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上
４００ｎｍ以下の、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。
【０１８６】
また、絶縁膜３１２ｂは、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定によ
り、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度
が１．５×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、更には１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以
下であることが好ましい。なお、絶縁膜３１２ｂは、絶縁膜３１２ａと比較して酸化物半
導体膜３０８ａ、３０８ｂから離れているため、絶縁膜３１２ａより、欠陥密度が多くと
もよい。
【０１８７】
絶縁膜３１４として、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキン
グ効果を有する窒化物絶縁膜を設けることで、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、及び
金属酸化物膜３０８ｃからの酸素の外部への拡散を防ぐことができる。窒化物絶縁膜とし
ては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等が
ある。
【０１８８】
なお、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効果を有する
窒化物絶縁膜上に、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けて
もよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜としては、酸化アル
ミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム
、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。また、容量素
子の容量値を制御するため、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロ
ッキング効果を有する窒化物絶縁膜上に窒化物絶縁膜または酸化絶縁膜を適宜設けてもよ
い。
【０１８９】
また、絶縁膜３１４上には導電膜３１６ｂが形成されている。導電膜３１６ｂは、容量素
子の電極として機能することができる。
【０１９０】
導電膜３１６ｂとしては、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。透
光性を有する導電性材料としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タン
グステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタン
を含むインジウム錫酸化物、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したイン
ジウム錫酸化物などがある。
【０１９１】
有機絶縁膜３１７としては、アクリル樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂等の有機樹脂を用
いることができる。なお、有機絶縁膜３１７は、５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、好ま
しくは１０００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とする。有機絶縁膜３１７の厚さを上記の厚さ
とすることで、導電膜３１６ｂ上の凹部に有機絶縁膜３１７を充填させることが可能であ
り、配向膜３２０が形成される領域の凹凸を低減することができる。
【０１９２】
有機樹脂を用いて有機絶縁膜３１７を形成することで、少なくとも画素電極として機能す
る導電膜３１６ｂの凹部を有機絶縁膜３１７で充填することが可能であり、発光素子３９
４の構成する部材を平坦な面に形成することができる。そのため発光素子３９４では、電
極間のショート等が低減され、歩留まりの向上を図ることができる。
【０１９３】
また、有機絶縁膜３１７上には、導電膜３１９、３１９ａが形成されている。導電膜３１
９は、画素電極として機能する。導電膜３１９ａは、ゲート絶縁膜５１、無機絶縁膜５３
及び有機絶縁膜３１７に設けられた開口部において導電膜３０４ｂと導電膜３１０ｃとを
電気的に接続する。即ち導電膜３１９ａは、導電膜３０４ｂ及び導電膜３１０ｃを接続す
る接続電極として機能する。
【０１９４】
有機絶縁膜３１７は、これに限定されない。例えば、有機絶縁膜３１７は、カラーフィル
タや、ブラックマトリックスの機能を有することも可能である。例えば、有機絶縁膜３１
７が、カラーフィルタの機能を有する場合には、例えば、赤色の画素、青色の画素、緑色
の画素に合わせて、各色ごとに、有色性を有する有機絶縁膜３１７を形成すればよい。
【０１９５】
導電膜３１９、３１９ａは、導電膜３１６ｂと同様に透光性を有する導電性材料を用いて
形成することができる。なお導電膜３１９を発光素子３９４の陽極として用いる場合、導
電膜３１９、３１９ａはインジウム錫酸化物などの発光層３９２よりも仕事関数が大きく
透光性を有する膜を用いるとよい。
【０１９６】
なお、導電膜３０４ａ及び導電膜３１０ｃが直接接するような接続構造とするには、導電
膜３１０ｃを形成する前に、絶縁膜３０５、絶縁膜３０６に開口部を形成するためにパタ
ーニングを行い、マスクを形成する必要がある。しかしながら、図６のように、導電膜３
１９ａにより、導電膜３０４ａ及び導電膜３１０ｃを接続することで、導電膜３０４ａ及
び導電膜３１０ｃが直接接する接続部を作製する必要が無くなり、フォトマスクを１枚少
なくすることができる。即ち、表示装置の作製工程を削減することが可能である。
【０１９７】
また、有機絶縁膜３１７及び導電膜３１９上には、発光素子３９４を隣接する画素間で分
離する機能、すなわち隔壁としての機能を有する絶縁層３９１が形成されている。絶縁層
３９１としては、絶縁性を有していればよく、例えば、有機絶縁膜または無機絶縁膜を用
いることができる。有機絶縁膜としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂
、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはフェノール系樹脂等を用
いることができる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いるこ
とができる。特に、感光性の有機樹脂材料を用いることで、絶縁層３９１の作製が容易と
なるため好ましい。
【０１９８】
また、導電膜３１９及び絶縁層３９１上には、発光層３９２が形成されている。発光層３
９２は、少なくとも発光性の物質が含まれる発光層が形成されていればよく、該発光層以
外に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び電荷発生層などの機
能層が形成されていてもよい。発光層３９２は、一対の電極（ここでは、導電膜３１９と
導電膜３９３）から電子と正孔が注入され電流が流れる。そして、該電子と正孔が再結合
することによって発光性の物質が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に
発光することができる。
【０１９９】
また、発光層３９２上には、導電膜３９３が形成されている。導電膜３９３を発光素子３
９４の陰極として用いる場合、導電膜３９３は発光素子３９４に電子を注入できる仕事関
数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の小さい金属単体では
なく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数ｎｍ形成した層を緩
衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、インジウム錫酸化物等の導電
性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成してもよい。また、緩衝層として
、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム−銀等の合金を用い
ることもできる。なお発光層３９２が発光する光は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ
）を用いることができる。他にも白色や黄色、又はその他の色を発光する発光素子を用い
ることができる。
【０２００】
なお発光層３９２が発光する光が白色の場合、図示していないが基板３０２上に有色性を
有する膜（有色膜）を形成してもよい。有色膜は、カラーフィルタとしての機能を有する
。また、有色膜に隣接する遮光膜が基板３０２上に形成することができる。遮光膜は、ブ
ラックマトリクスとして機能する。また、有色膜の代わりに色変換層を設ける構成として
もよいし、表示装置が白黒表示の場合は、特に設けなくてもよい。
【０２０１】
有色膜としては、特定の波長帯域の光を透過する有色膜であればよく、例えば、赤色の波
長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色
（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタな
どを用いることができる。
【０２０２】
また遮光膜としては、特定の波長帯域の光を遮光する機能を有していればよく、金属膜ま
たは黒色顔料等を含んだ有機絶縁膜などを用いることができる。
【０２０３】
また、基板３４２と基板３０２との間の空間には、水分による発光素子３９４の劣化を抑
制するため、乾燥剤を設けてもよい。また、液晶層や樹脂等で充填する構成としてもよい
。
【０２０４】
なお図２（Ｂ）に一例として示した画素３０１で液晶素子３１を用いる場合の断面図を図
４２に示す。図４２では、本実施の形態で説明した構成を有する素子基板に加えて、対向
基板９９７を有する。対向基板９９７は、対向電極９９８を有する。なお素子基板と対向
基板の間には、液晶９９９が充填され、対向電極と画素電極との間の液晶とで、液晶素子
を形成する。
【０２０５】
図６に示す表示装置に示す基板３０２上に設けられた素子部の作製方法について、図７乃
至図１２を用いて説明する。なお、ここでは、基板３０２上に設けられた素子部としては
、基板３０２と導電膜３９３に挟まれた領域のことをさす。
【０２０６】
トランジスタを構成する膜（絶縁膜、酸化物半導体膜、金属酸化物膜、導電膜等）は、ス
パッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ
）法を用いて形成することができる。あるいは、塗布法や印刷法で形成することができる
。成膜方法としては、スパッタリング法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法が代表
的であるが、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学堆
積）法やＡＬＤ（原子層成膜）法を使ってもよい。
【０２０７】
熱ＣＶＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、原料ガスと酸化剤を同時にチャ
ンバー内に送り、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
う。このように、熱ＣＶＤ法は、プラズマを発生させない成膜方法であるため、プラズマ
ダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
【０２０８】
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが順
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う。例えば、
それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブともよぶ）を切り替えて２種類以上の原料ガ
スを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原料ガスと
同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第２の原料
ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキャリアガ
スとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよい。また
、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後、第２の
原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の単原子層を成
膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が第１の単原子層上
に積層されて薄膜が形成される。
【０２０９】
このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性
に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によ
って調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作
製する場合に適している。
【０２１０】
まず、基板３０２を準備する。ここでは、基板３０２としてガラス基板を用いる。
【０２１１】
次に、基板３０２上に導電膜を形成し、該導電膜を所望の領域に加工することで、導電膜
３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃを形成する。なお、導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ
の形成は、所望の領域に第１のパターニングによるマスクの形成を行い、該マスクに覆わ
れていない領域をエッチングすることで形成することができる（図７（Ａ）参照。）。
【０２１２】
また、導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃは、代表的には、スパッタリング法、真空蒸
着法、ＰＬＤ法、熱ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。
【０２１３】
また、ＡＬＤを利用する成膜装置により導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃとしてタン
グステン膜を成膜することができる。この場合には、ＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを順次繰
り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを同時に導
入してタングステン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガスに代えてＳｉＨ４ガスを用いても
よい。
【０２１４】
次に、基板３０２、及び導電膜３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ上に、絶縁膜３０５を形成
し、絶縁膜３０５上に絶縁膜３０６を形成する（図５参照。）。
【０２１５】
絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法
、熱ＣＶＤ法等により形成することができる。なお、絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６は、
真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。
【０２１６】
絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６として酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成す
る場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いることが好
ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、
フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素
等がある。
【０２１７】
また、絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６として酸化ガリウム膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ
法を用いて形成することができる。
【０２１８】
また、絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６として、ＭＯＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法
を用いて、酸化ハフニウム膜を形成する場合には、溶媒とハフニウム前駆体化合物を含む
液体（ハフニウムアルコキシド溶液、代表的にはテトラキスジメチルアミドハフニウム（
ＴＤＭＡＨ））を気化させた原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを
用いる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］
４である。また、他の材料液としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムな
どがある。
【０２１９】
また、絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６として、ＭＯＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法
を用いて、酸化アルミニウム膜を形成する場合には、溶媒とアルミニウム前駆体化合物を
含む液体（トリメチルアルミニウムＴＭＡなど）を気化させた原料ガスと、酸化剤として
Ｈ２Ｏの２種類のガスを用いる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３
）３である。また、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリ
イソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオナート）などがある。
【０２２０】
また、絶縁膜３０５及び絶縁膜３０６として、ＭＯＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法
を用いて、酸化シリコン膜を形成する場合には、ヘキサジクロロジシランを被成膜面に吸
着させ、吸着物に含まれる塩素を除去し、酸化性ガス（Ｏ２、一酸化二窒素）のラジカル
を供給して吸着物と反応させる。
【０２２１】
次に、絶縁膜３０６上に酸化物半導体膜３０７を形成する（図７（Ｂ）参照。）。
【０２２２】
酸化物半導体膜３０７は、スパッタリング法、塗布法、パルスレーザー蒸着法、レーザー
アブレーション法、熱ＣＶＤ法等などを用いて形成することができる。
【０２２３】
スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素、希ガス及び酸素の混合ガ
スを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガス比
を高めることが好ましい。
【０２２４】
また、ターゲットは、形成する酸化物半導体膜の組成にあわせて、適宜選択すればよい。
【０２２５】
なお、酸化物半導体膜を形成する際に、例えば、スパッタリング法を用いる場合、基板温
度を１５０℃以上７５０℃以下、好ましくは１５０℃以上４５０℃以下、さらに好ましく
は２００℃以上３５０℃以下として、酸化物半導体膜を成膜することで、ＣＡＡＣ−ＯＳ
膜を形成することができる。
【０２２６】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【０２２７】
成膜時の不純物混入を抑制することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制でき
る。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素及び窒素など）を低
減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が−
８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【０２２８】
ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜、例えばＩｎＧａＺｎＯＸ（Ｘ＞０）膜
を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＩｎＯ２
層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを同時に導入してＧａＯ層を形成
し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスとＯ３ガスを同時に導入してＺｎＯ層を形成する。
なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてＩｎＧａＯ２
層やＩｎＺｎＯ２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合物層を
形成してもよい。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングしたＨ２Ｏガ
スを用いてもよいが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ３
）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いてもよい。また、Ｇａ（ＣＨ３）３ガ
スにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いてもよい。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスを用
いてもよい。
【０２２９】
次に、酸化物半導体膜３０７を所望の領域に加工することで、島状の酸化物半導体膜３０
８ａ、３０８ｂ、３０８ｄを形成する。なお、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０
８ｄは、所望の領域に第２のパターニングによるマスクの形成を行い、該マスクに覆われ
ていない領域をエッチングすることで形成することができる。エッチングとしては、ドラ
イエッチング、ウエットエッチング、または双方を組み合わせたエッチングを用いること
ができる（図７（Ｃ）参照。）。
【０２３０】
なお、この後、加熱処理を行って、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに含ま
れる水素、水等を脱離させ、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに含まれる水
素濃度及び水濃度を低減してもよい。この結果、高純度化された酸化物半導体膜３０８ａ
、３０８ｂ、３０８ｄを形成することができる。該加熱処理の温度は、代表的には、２５
０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下とする。なお、該加熱処理
の温度を、代表的には、３００℃以上４００℃以下、好ましくは３２０℃以上３７０℃以
下とすることで、大面積基板においても基板の反りやシュリンクを低減することが可能で
あり、歩留まりが向上する。
【０２３１】
当該加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いること
で、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱
処理時間を短縮することが可能であり、加熱処理中の基板の反りを低減することが可能で
あり、大面積基板において特に好ましい。
【０２３２】
また、加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは
１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム
等）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素
、水等が含まれないことが好ましい。また、窒素または希ガス雰囲気で加熱処理した後、
酸素または超乾燥空気雰囲気で加熱してもよい。この結果、酸化物半導体膜中に含まれる
水素、水等を脱離させると共に、酸化物半導体膜中に酸素を供給することができる。この
結果、酸化物半導体膜中に含まれる酸素欠損量を低減することができる。
【０２３３】
なお、後に形成される絶縁膜３１１ａの成膜温度を２８０℃以上４００℃以下とする場合
、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに含まれる水素、水等を脱離させること
が可能であるため、当該加熱処理は不要である。
【０２３４】
次に、絶縁膜３０６、及び酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄ上に導電膜３０
９を形成する（図８（Ａ）参照。）。
【０２３５】
導電膜３０９は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、熱ＣＶＤ法等を用いて形成
することができる。
【０２３６】
次に、導電膜３０９を所望の領域に加工することで、導電膜３１０ａ、３１０ｂ、３１０
ｃ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆを形成する。なお、導電膜３１０ａ、３１０ｂ、３１
０ｃ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆの形成は、所望の領域に第３のパターニングによる
マスクの形成を行い、該マスクに覆われていない領域をエッチングすることで、形成する
ことができる（図８（Ｂ）参照。）。
【０２３７】
次に、絶縁膜３０６、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄ、及び導電膜３１０
ａ、３１０ｂ、３１０ｃ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆ上を覆うように、絶縁膜３１１
ａ、３１１ｂが積層された絶縁膜３１１を形成する（図８（Ｃ）参照。）。絶縁膜３１１
は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等を用いて形成することができる。
【０２３８】
なお、絶縁膜３１１ａを形成した後、大気に曝すことなく、連続的に絶縁膜３１１ｂを形
成することが好ましい。絶縁膜３１１ａを形成した後、大気開放せず、原料ガスの流量、
圧力、高周波電力及び基板温度の一以上を調整して、絶縁膜３１１ｂを連続的に形成する
ことで、絶縁膜３１１ａ、３１１ｂにおける界面の大気成分由来の不純物濃度を低減する
ことができると共に、絶縁膜３１１ｂに含まれる酸素を酸化物半導体膜３０８ａ、３０８
ｂ、３０８ｄに移動させることが可能であり、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０
８ｄの酸素欠損量を低減することができる。
【０２３９】
絶縁膜３１１ａとしては、堆積性気体に対する酸化性気体を２０倍より大きく１００倍未
満、好ましくは４０以上８０以下とし、処理室内の圧力を１００Ｐａ未満、好ましくは５
０Ｐａ以下とするＣＶＤ法を用いることで、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁
膜を形成することができる。
【０２４０】
絶縁膜３１１ａの原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いる
ことが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリ
シラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二
酸化窒素等がある。
【０２４１】
上記条件を用いることで、絶縁膜３１１ａとして酸素を透過する酸化物絶縁膜を形成する
ことができる。また、絶縁膜３１１ａを設けることで、後に形成する絶縁膜３１１ｂの形
成工程において、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄへのダメージ低減が可能
である。
【０２４２】
絶縁膜３１１ｂとしては、プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基
板を１８０℃以上２８０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上２４０℃以下に保持し、
処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さ
らに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電極に０．１
７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上０．
３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸化窒化
シリコン膜を形成する。
【０２４３】
絶縁膜３１１ｂの原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いる
ことが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリ
シラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二
酸化窒素等がある。
【０２４４】
絶縁膜３１１ｂの成膜条件として、高周波電力を供給することで、プラズマ中で原料ガス
の分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加し、原料ガスの酸化が進むため、絶縁膜３１１
ｂ中における酸素含有量が化学量論比よりも多くなる。しかしながら、基板温度が、上記
絶縁膜３１１ｂの成膜温度であると、シリコンと酸素の結合力が弱いため、加熱により酸
素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、
加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を形成することができる。また、酸化物半
導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄ上に絶縁膜３１１ａが設けられている。このため、
絶縁膜３１１ｂの形成工程において、絶縁膜３１１ａが酸化物半導体膜３０８ａ、３０８
ｂ、３０８ｄの保護膜となる。この結果、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄ
へのダメージを低減しつつ、高いパワー密度の高周波電力を用いて絶縁膜３１１ｂを形成
することができる。
【０２４５】
なお、絶縁膜３１１ｂの成膜条件において、酸化性気体に対するシリコンを含む堆積性気
体の流量を増加することで、絶縁膜３１１ｂの欠陥量を低減することが可能である。代表
的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に
現れる信号のスピン密度が６×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、好ましくは３×１０１
７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である
欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。この結果トランジスタの信頼性を
高めることができる。
【０２４６】
次に、加熱処理を行う。該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満
、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０℃以下とす
る。なお、該加熱処理の温度を、代表的には、３００℃以上４００℃以下、好ましくは３
２０℃以上３７０℃以下とすることで、大面積基板においても基板の反りやシュリンクを
低減することが可能であり、歩留まりが向上する。
【０２４７】
該加熱処理は、電気炉、ＲＴＡ装置等を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで
、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱処
理時間を短縮することができる。
【０２４８】
加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐ
ｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等）の
雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等
が含まれないことが好ましい。
【０２４９】
当該加熱処理により、絶縁膜３１１ｂに含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜３０８ａ、
３０８ｂ、３０８ｄに移動させ、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに含まれ
る酸素欠損を低減することが可能である。この結果、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ
、３０８ｄに含まれる酸素欠損量をさらに低減することができる。
【０２５０】
また、絶縁膜３１１ａ、３１１ｂに水、水素等が含まる場合、水、水素等をブロッキング
する機能を有する絶縁膜３１３を後に形成し、加熱処理を行うと、絶縁膜３１１ａ、３１
１ｂに含まれる水、水素等が、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに移動し、
酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに欠陥が生じてしまう。しかしながら、当
該加熱により、絶縁膜３１１ａ、３１１ｂに含まれる水、水素等を脱離させることが可能
であり、トランジスタの電気特性のばらつきを低減すると共に、しきい値電圧の変動を抑
制することができる。
【０２５１】
なお、加熱しながら絶縁膜３１１ｂを絶縁膜３１１ａ上に形成することで、酸化物半導体
膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄに酸素を移動させ、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ
、３０８ｄに含まれる酸素欠損を低減することが可能であるため、当該加熱処理を行わな
くともよい。
【０２５２】
また、導電膜３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｄ、３１０ｅ、３１０ｆを形成する際、導電膜
のエッチングによって、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｄはダメージを受け
、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８ｂのバックチャネル（酸化物半導体膜３０８ａ、３０
８ｂにおいて、ゲート電極として機能する導電膜３０４ａ、３０４ｃと対向する面と反対
側の面）側に酸素欠損が生じる。しかし、絶縁膜３１１ｂに化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を適用することで、加熱処理によって当該バックチ
ャネル側に生じた酸素欠損を修復することができる。これにより、酸化物半導体膜３０８
ａ、３０８ｂに含まれる欠陥を低減することができるため、トランジスタの信頼性を向上
させることができる。
【０２５３】
なお、当該加熱処理は、後に形成される開口部３６２を形成した後に行ってもよい。
【０２５４】
次に、絶縁膜３１１ａ、３１１ｂを所望の領域に加工することで、絶縁膜３１２ａ及び絶
縁膜３１２ｂが積層された絶縁膜３１２、及び開口部３６２を形成する。なお、絶縁膜３
１２、及び開口部３６２の形成は、所望の領域に第４のパターニングによるマスクの形成
を行い、該マスクに覆われていない領域をエッチングすることで、形成することができる
（図９（Ａ）参照。）。
【０２５５】
なお、開口部３６２は、酸化物半導体膜３０８ｄの表面が露出するように形成する。開口
部３６２の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法を用いることができる。ドラ
イエッチング法により、絶縁膜３１１をエッチングすることが好ましい。この結果、酸化
物半導体膜３０８ｄはエッチング処理においてプラズマに曝されるため、酸化物半導体膜
３０８ｄの酸素欠損を増加させることが可能である。ただし、開口部３６２の形成方法と
しては、これに限定されず、ウエットエッチング法、またはドライエッチング法とウエッ
トエッチング法を組み合わせた形成方法としてもよい。
【０２５６】
次に、絶縁膜３１２及び酸化物半導体膜３０８ｄ上に絶縁膜３１４を形成する（図９（Ｂ
）参照。）。
【０２５７】
絶縁膜３１４としては、外部からの不純物、例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜へ拡散するのを防ぐ材料を用いることが好ましく、
更には水素を含むことが好ましく、代表的には窒素を含む無機絶縁材料、例えば窒化物絶
縁膜を用いることができる。絶縁膜３１４としては、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング
法を用いて形成することができる。
【０２５８】
絶縁膜３１４をプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法で成膜すると、酸化物半導体膜
がプラズマに曝され、酸化物半導体膜に酸素欠損が生成される。また、絶縁膜３１４は、
外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜
へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含む。このため、絶縁膜３
１４の水素が酸化物半導体膜３０８ｄに拡散すると、該酸化物半導体膜３０８ｄにおいて
水素は酸素と結合し、キャリアである電子が生成される。または、酸化物半導体膜に含ま
れる酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される。これらの結果、酸
化物半導体膜３０８ｄは、導電性が高くなり、金属酸化物膜３０８ｃとなる。
【０２５９】
また、上記窒化シリコン膜は、ブロック性を高めるために、高温で成膜されることが好ま
しく、例えば基板温度１００℃以上４００℃以下、より好ましくは３００℃以上４００℃
以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する場合は、酸化物半導
体膜３０８ａ、３０８ｂとして用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃度が上
昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。
【０２６０】
次に、絶縁膜３１４上に導電膜３１５を形成する（図１０（Ａ）参照。）。
【０２６１】
導電膜３１５は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０２６２】
次に、導電膜３１５を所望の領域に加工することで、導電膜３１６ｂを形成する。なお、
導電膜３１６ｂの形成は、所望の領域に第５のパターニングによるマスクの形成を行い、
該マスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成することができる（図１０（
Ｂ）参照。）。
【０２６３】
次に、絶縁膜３１４、導電膜３１６ｂを覆うように有機絶縁膜３１７を形成する（図１０
（Ｃ）参照。）。平坦化膜として機能する有機絶縁膜３１７は、絶縁膜３１３及び導電膜
３１６ｂのそれぞれ一部が露出されるように開口部を有する。
【０２６４】
有機絶縁膜３１７は、スピンコート法、ディップコート法等の塗布法を用いて感光性の組
成物を絶縁膜３１３及び導電膜３１６ｂ上に塗布した後、第６のフォトマスクを用いたフ
ォトリソグラフィ工程により組成物を露光及び現像し、その後加熱処理を行うことで形成
される。なお、非感光性の組成物を絶縁膜３１３及び導電膜３１６ｂ上に塗布した場合、
非感光性の組成物上にレジストを塗布し、第６のフォトマスクを用いたフォトリソグラフ
ィ工程によりレジストを加工してマスクを形成し、該マスクを用いて非感光性の組成物を
エッチングすることで、有機絶縁膜３１７を形成することができる。
【０２６５】
なお、有機絶縁膜３１７として、インクジェット法、印刷法等の湿式法を用いて形成する
ことで、フォトマスク枚数を削減することができる。
【０２６６】
次に、有機絶縁膜３１７をマスクとして、絶縁膜３０５、絶縁膜３０６、絶縁膜３１２、
及び絶縁膜３１４それぞれの一部をエッチングして、導電膜３０４ｂを露出する開口部３
６４ａ、導電膜３１０ｃを露出する開口部３６４ｂ、導電膜３１０ｅを露出する開口部３
６４ｃを形成する（図１１（Ａ）参照。）。
【０２６７】
次に、導電膜３１８を形成する（図１１（Ｂ）参照。）。
【０２６８】
導電膜３１８は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【０２６９】
次に、導電膜３１８を所望の領域に加工することで、導電膜３１９、３１９ａを形成する
。なお、導電膜３１９、３１９ａの形成は、所望の領域に第７のパターニングによるマス
クの形成を行い、該マスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成することが
できる（図１１（Ｃ）参照。）。
【０２７０】
次に、絶縁層を形成し、所望の領域に加工することで、絶縁層３９１を形成する。なお、
絶縁層３９１の形成は、所望の領域に第８のパターニングによるマスクの形成を行い、該
マスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成することができる（図１２（Ａ
）参照。）。
【０２７１】
なお隔壁として機能する絶縁層３９１は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持っ
て形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。絶縁層３９１の側壁をこのよ
うな形状とすることで、後に形成される発光層３９２や導電膜３９３の被覆性を良好なも
のとすることができる。
【０２７２】
次に、発光層３９２及び導電膜３９３を形成する。（図１２（Ｂ）参照。）。第１の電極
として機能する導電膜３１９と、発光層３９２及び導電膜３９３を積層して設けることで
、発光素子３９４を形成することができる。
【０２７３】
以上の工程で基板３０２上に、図５及び図６に示す、トランジスタを有する画素部及び駆
動回路部を有する表示装置を形成することができる。なお、本実施の形態に示す作製工程
においては、第１乃至第８のパターニング、すなわち８枚のフォトマスクで、トランジス
タ及び容量素子を同時に形成することができる。
【０２７４】
なお、本実施の形態では、絶縁膜３１４に含まれる水素を酸化物半導体膜３０８ｄに拡散
させて、酸化物半導体膜３０８ｄの導電性を高めたが、酸化物半導体膜３０８ａ、３０８
ｂをマスクで覆い、酸化物半導体膜３０８ｄに不純物、代表的には、水素、ホウ素、リン
、スズ、アンチモン、希ガス元素、アルカリ金属、アルカリ土類金属等を添加して、酸化
物半導体膜３０８ｄの導電性を高めてもよい。酸化物半導体膜３０８ｄに水素、ホウ素、
リン、スズ、アンチモン、希ガス元素等を添加する方法としては、イオンドーピング法、
イオン注入法等がある。一方、酸化物半導体膜３０８ｄにアルカリ金属、アルカリ土類金
属等を添加する方法としては、該不純物を含む溶液を酸化物半導体膜３０８ｄに塗布する
方法がある。
【０２７５】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２７６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２と異なるトランジスタを有する表示装置について、図１
３乃至図１９を用いて説明する。
【０２７７】
図１３に示す表示装置は、Ａ−Ｂに示す駆動回路部において、デュアルゲート構造のトラ
ンジスタ１０２ａを有することを特徴とする。
【０２７８】
駆動回路部に設けられたトランジスタ１０２ａは、基板３０２上に設けられるゲート電極
として機能する導電膜３０４ａと、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３０５、３０６と
、絶縁膜３０６上に形成される酸化物半導体膜３０８ａと、酸化物半導体膜３０８ａに接
する、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜３１０ａ、３１０ｂとを有する
。また、酸化物半導体膜３０８ａ及び導電膜３１０ａ、３１０ｂ上に絶縁膜３１２、３１
４が形成され、絶縁膜３１４上にゲート電極として機能する導電膜３１６ｄが形成される
。ゲート電極として機能する導電膜３１６ｄは、絶縁膜３０５、絶縁膜３０６、絶縁膜３
１２及び絶縁膜３１４に設けられた開口部（図示しない。）において、ゲート電極として
機能する導電膜３０４ａと接続する。即ち、導電膜３０４ａ及び導電膜３１６ｄは同電位
である。
【０２７９】
このため、トランジスタ１０２ａの各ゲート電極に同電位の電圧を印加することで、初期
特性バラつきの低減、−ＧＢＴストレス試験の劣化の抑制及び異なるドレイン電圧におけ
るオン電流の立ち上がり電圧の変動の抑制が可能である。また、酸化物半導体膜３０８ａ
においてキャリアの流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動
量が増加する。この結果、トランジスタ１０２ａのオン電流が大きくなる共に、電界効果
移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上となる。
【０２８０】
エッチング等で加工された酸化物半導体膜の端部においては、加工におけるダメージによ
り欠陥が形成される共に、不純物付着などにより汚染されるため、電界などのストレスが
与えられることによって活性化しやすく、それによりｎ型（低抵抗）となりやすい。その
ため、ゲート電極として機能する導電膜３０４ａと重なる酸化物半導体膜３０８ａの端部
において、ｎ型化しやすくなる。当該ｎ型化された端部が、ソース電極及びドレイン電極
として機能する導電膜３１０ａ、３１０ｂの間に設けられると、ｎ型化された領域がキャ
リアのパスとなってしまい、寄生チャネルが形成される。しかしながら、チャネル幅方向
において、ゲート電極として機能する導電膜３１６ｄが、設けられることで、ゲート電極
として機能する導電膜３１６ｄの電界の影響により、酸化物半導体膜３０８ａの側面、ま
たは側面及びその近傍を含む端部における寄生チャネルの発生が抑制される。この結果、
しきい値電圧におけるドレイン電流の上昇が急峻である、電気特性の優れたトランジスタ
となる。
【０２８１】
なお、ゲート電極として機能する導電膜３１６ｄは、実施の形態２に示す導電膜３１６ｂ
と同様の材料を適宜用いることができる。
【０２８２】
＜変形例１＞
本実施の形態の図１３に示す表示装置は、駆動回路部のトランジスタとして、デュアルゲ
ート構造のトランジスタを用いて作製されているが、図１４に示すように、Ａ−Ｂに示す
駆動回路にデュアルゲート構造のトランジスタ１０２ａを有するとともに、Ｃ−Ｄに示す
画素部にデュアルゲート構造のトランジスタ１０３ａを用いてもよい。
【０２８３】
トランジスタ１０３ａは、基板３０２上に設けられるゲート電極として機能する導電膜３
０４ｃと、ゲート絶縁膜５１として機能する絶縁膜３０５、３０６と、絶縁膜３０６上に
形成される酸化物半導体膜３０８ｂと、酸化物半導体膜３０８ｂに接する、ソース電極及
びドレイン電極として機能する導電膜３１０ｄ、３１０ｅとを有する。また、酸化物半導
体膜３０８ｂ及び導電膜３１０ｄ、３１０ｅ上に絶縁膜３１２、３１４が形成され、絶縁
膜３１４上にゲート電極として機能する導電膜３１６ｅが形成される。ゲート電極として
機能する導電膜３１６ｅは、絶縁膜３０５、３０６及び絶縁膜３１２、３１４に設けられ
た開口部（図示しない。）において、ゲート電極として機能する導電膜３０４ｃと接続す
る。即ち、導電膜３０４ｃ及び導電膜３１６ｅは同電位である。
【０２８４】
駆動回路部と共に画素部に、信頼性が高く、オン電流が大きく、電界効果移動度の高いデ
ュアルゲート構造のトランジスタを設けることで、表示品質の優れた表示装置を作製する
ことができる。
【０２８５】
＜変形例２＞
実施の形態２または実施の形態３に示す表示装置において、図１５に示すように、駆動回
路部に設けられたトランジスタ１０２ａと重なる領域であって、且つ有機絶縁膜３１７上
に、導電膜３１９と同時に形成された導電膜３１９ｂを設けてもよい。導電膜３１９ｂは
、共通電位、接地電位等の任意の電位とすることができる。デュアルゲート構造のトラン
ジスタ１０２ａと重なる導電膜３１９ｂを設けることで、トランジスタ１０２ａのゲート
電極として機能する導電膜３１６ｄに印加された電圧により発生する電界を導電膜３１９
ｂが遮蔽することが可能である。
【０２８６】
＜変形例３＞
実施の形態２または実施の形態３において、駆動回路部及び画素部に有機絶縁膜３１７を
有する表示装置を説明したが、図１６に示すように、画素部にのみ有機絶縁膜３１７ａを
設けてもよい。
【０２８７】
なお、図１６に示す表示装置において、図９（Ｂ）に示すように絶縁膜３１４を形成した
後、パターニングによるマスクの形成を行い、該マスクを用いて絶縁膜３０５、３０６、
３１２、３１４をそれぞれエッチングして、開口部を形成する。次に、図１０（Ａ）に示
す導電膜３１５を形成した後、図１０（Ｂ）に示す導電膜３１６ｂを形成すると同時に、
導電膜３０４ｂ及び導電膜３１０ｃを接続する導電膜３１９ａを形成する。こののち、有
機絶縁膜３１７及び導電膜３１９を形成する。
【０２８８】
なお、図１７に示すように、駆動回路部に有機絶縁膜３１７を設けない場合、デュアルゲ
ート構造のトランジスタ１０２ｂのゲート電極として機能する導電膜３１６ｄ上に、導電
膜３１９と同時に形成された導電膜３１９ｃを設けてもよい。
【０２８９】
なお、図１７の構成に加えて、実施の形態１の図１（Ｂ）で説明したように、導電膜３１
９を用いてトランジスタ１０３の導電膜３１０ｅと導電膜３１６ｂとを接続する図１８の
構成としてもよい。
【０２９０】
なお、図１７の構成に加えて、実施の形態１の図１（Ｃ）で説明したように、トランジス
タ１０３の導電膜３１０ｅと金属酸化物膜３０８ｃとが直接接する図１９の構成としても
よい。
【０２９１】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２９２】
（実施の形態４）
実施の形態２及び実施の形態３に示すトランジスタ１０２、１０２ａ、１０２ｂ、１０２
ｃ、１０３、１０３ａ、１０３ｂにおいて、必要に応じて、酸化物半導体膜を積層構造と
することができる。ここでは、トランジスタ１０３を用いて説明する。
【０２９３】
図２８に示すトランジスタは、絶縁膜３０６及び導電膜３１０ｄ、３１０ｅの間に、酸化
物半導体膜を含む多層膜３３６が形成されている。
【０２９４】
多層膜３３６は、酸化物半導体膜３３６ａ及び酸化物半導体膜３３６ｂを有する。即ち、
多層膜３３６は２層構造である。また、酸化物半導体膜３３６ａの一部がチャネル領域と
して機能する。また、多層膜３３６に接するように、絶縁膜３１２ａが形成されており、
絶縁膜３１２ａに接するように酸化物半導体膜３３６ｂが形成されている。即ち、酸化物
半導体膜３３６ａと絶縁膜３１２ａとの間に、酸化物半導体膜３３６ｂが設けられている
。
【０２９５】
酸化物半導体膜３３６ｂは、酸化物半導体膜３３６ａを構成する元素の一種以上から構成
される。酸化物半導体膜３３６ｂは、酸化物半導体膜３３６ａを構成する元素の一種以上
から構成されるため、酸化物半導体膜３３６ａと酸化物半導体膜３３６ｂとの界面におい
て、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害されない
ため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
【０２９６】
酸化物半導体膜３３６ｂは、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−
Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ
）であり、且つ酸化物半導体膜３３６ａよりも伝導帯の下端のエネルギーが真空準位に近
く、代表的には、酸化物半導体膜３３６ｂの伝導帯の下端のエネルギーと、酸化物半導体
膜３３６ａの伝導帯の下端のエネルギーとの差が、０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上
、０．１ｅＶ以上、または０．１５ｅＶ以上、且つ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ
以下、または０．４ｅＶ以下である。即ち、酸化物半導体膜３３６ｂの電子親和力と、酸
化物半導体膜３３６ａの電子親和力との差が、０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上、０
．１ｅＶ以上、または０．１５ｅＶ以上、且つ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ以下
、または０．４ｅＶ以下である。
【０２９７】
酸化物半導体膜３３６ｂは、Ｉｎを含むことで、キャリア移動度（電子移動度）が高くな
るため好ましい。
【０２９８】
酸化物半導体膜３３６ｂとして、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎ
またはＨｆをＩｎより高い原子数比で有することで、以下の効果を有する場合がある。（
１）酸化物半導体膜３３６ｂのエネルギーギャップを大きくする。（２）酸化物半導体膜
３３６ｂの電子親和力を小さくする。（３）外部からの不純物を遮蔽する。（４）酸化物
半導体膜３３６ａと比較して、絶縁性が高くなる。（５）Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆは酸素との結合力が強い金属元素であるため、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆをＩｎより高い原子数比で有
することで、酸素欠損が生じにくくなる。
【０２９９】
酸化物半導体膜３３６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物であるとき、ＺｎおよびＯを除いてのＩ
ｎとＭの原子数比率は、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたときＩｎが５０
ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以上、さらに好ましくは、Ｉｎが２５ａｔ
ｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上とする。
【０３００】
また、酸化物半導体膜３３６ａ、及び酸化物半導体膜３３６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の
場合、酸化物半導体膜３３６ａと比較して、酸化物半導体膜３３６ｂに含まれるＭの原子
数比が大きく、代表的には、酸化物半導体膜３３６ａに含まれる上記原子と比較して、１
．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上高い原子数比である。
【０３０１】
また、酸化物半導体膜３３６ａ、及び酸化物半導体膜３３６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の
場合、酸化物半導体膜３３６ｂをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、酸化
物半導体膜３３６ａをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］とすると、ｙ１／
ｘ１がｙ２／ｘ２よりも大きく、好ましくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも１．５倍以
上である。さらに好ましくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも２倍以上大きく、より好ま
しくは、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも３倍以上大きい。このとき酸化物半導体膜３３６
ｂにおいて、ｙ２がｘ２以上であると、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定
した電気特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ２がｘ２の３倍以上になると、当該
酸化物半導体膜を用いたトランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ２はｘ
２の３倍未満であると好ましい。
【０３０２】
例えば、酸化物半導体膜３３６ａとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１．２、または３：１：２の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いるこ
とができる。また、酸化物半導体膜３３６ｂとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：ｎ（ｎは
２以上８以下の整数）、１：６：ｍ（ｍは２以上１０以下の整数）、または１：９：６の
原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。なお、酸化物半導体膜３３６
ａ、及び酸化物半導体膜３３６ｂの原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比のプ
ラスマイナス２０％の変動を含む。なお、酸化物半導体膜３３６ａにおいて、Ｚｎの割合
がＧａ以上であるとＣＡＡＣ−ＯＳが形成されやすく好ましい。
【０３０３】
酸化物半導体膜３３６ｂは、後に形成される絶縁膜３１２ｂを形成する際の、酸化物半導
体膜３３６ａへのダメージ緩和膜としても機能する。
【０３０４】
酸化物半導体膜３３６ｂの厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上５
０ｎｍとする。
【０３０５】
また、酸化物半導体膜３３６ｂは、酸化物半導体膜３３６ａと同様に、例えば非単結晶構
造でもよい。非単結晶構造は、例えば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉ
ｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結
晶構造、後述する微結晶構造、または非晶質構造を含む。
【０３０６】
なお、酸化物半導体膜３３６ａ及び酸化物半導体膜３３６ｂによって、非晶質構造の領域
、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域の二
種以上を有する混合膜を構成してもよい。また、混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、
微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域、単結晶構造の領域のいず
れか二種以上の領域の積層構造を有する場合がある。
【０３０７】
ここでは、酸化物半導体膜３３６ａ及び絶縁膜３１２ａの間に、酸化物半導体膜３３６ｂ
が設けられている。このため、酸化物半導体膜３３６ｂと絶縁膜３１２ａの間において、
不純物及び欠陥によりトラップ準位が形成されても、当該トラップ準位と酸化物半導体膜
３３６ａとの間には隔たりがある。この結果、酸化物半導体膜３３６ａを流れる電子がト
ラップ準位に捕獲されにくく、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると
共に、電界効果移動度を高めることができる。また、トラップ準位に電子が捕獲されると
、該電子がマイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジスタのしきい値電圧
が変動してしまう。しかしながら、酸化物半導体膜３３６ａとトラップ準位との間に隔た
りがあるため、トラップ準位における電子の捕獲を低減することが可能であり、しきい値
電圧の変動を低減することができる。
【０３０８】
また、酸化物半導体膜３３６ｂは、外部からの不純物を遮蔽することが可能であるため、
外部から酸化物半導体膜３３６ａへ移動する不純物量を低減することが可能である。また
、酸化物半導体膜３３６ｂは、酸素欠損を形成しにくい。これらのため、酸化物半導体膜
３３６ａにおける不純物濃度及び酸素欠損量を低減することが可能である。
【０３０９】
なお、酸化物半導体膜３３６ａ及び酸化物半導体膜３３６ｂは、各膜を単に積層するので
はなく連続接合（ここでは特に伝導帯の下端のエネルギーが各膜の間で連続的に変化する
構造）が形成されるように作製する。すなわち、各膜の界面にトラップ中心や再結合中心
のような欠陥準位を形成するような不純物が存在しないような積層構造とする。仮に、積
層された酸化物半導体膜３３６ａ及び酸化物半導体膜３３６ｂの間に不純物が混在してい
ると、エネルギーバンドの連続性が失われ、界面でキャリアがトラップされ、あるいは再
結合して、消滅してしまう。
【０３１０】
連続接合を形成するためには、ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置
（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層すること
が必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、酸化物半導体膜にとって不
純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプ
を用いて高真空排気（５×１０−７Ｐａ乃至１×１０−４Ｐａ程度まで）することが好ま
しい。または、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバ
ー内に気体、特に炭素または水素を含む気体が逆流しないようにしておくことが好ましい
。
【０３１１】
なお、図２８において、多層膜３３６を酸化物半導体膜３３６ａ及び酸化物半導体膜３３
６ｂの２層構造としたが、絶縁膜３０６と酸化物半導体膜３３６ａの間に、さらに酸化物
半導体膜３３６ｂと同様の膜を設ける３層構造としてもよい。この場合、絶縁膜３０６及
び酸化物半導体膜３３６ａの間に設ける酸化物半導体膜の膜厚は、酸化物半導体膜３３６
ａより小さいと好ましい。酸化物半導体膜の厚さを１ｎｍ以上５ｎｍ以下、好ましくは１
ｎｍ以上３ｎｍ以下とすることで、トランジスタのしきい値電圧の変動量を低減すること
が可能である。
【０３１２】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３１３】
（実施の形態５）
実施の形態では、上記実施の形態で説明した表示装置に含まれているトランジスタにおい
て、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
【０３１４】
酸化物半導体膜は、単結晶構造の酸化物半導体（以下、単結晶酸化物半導体という。）、
多結晶構造の酸化物半導体（以下、多結晶酸化物半導体という。）、微結晶構造の酸化物
半導体（以下、微結晶酸化物半導体という。）、及び非晶質構造の酸化物半導体（以下、
非晶質酸化物半導体という。）の一以上で構成されてもよい。また、酸化物半導体膜は、
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜で構成されていてもよい。また、酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導
体及び結晶粒を有する酸化物半導体で構成されていてもよい。以下に、代表例として、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ及び微結晶酸化物半導体について説明する。
【０３１５】
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について説明する。
【０３１６】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。
【０３１７】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち結
晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０３１８】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観察
）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子
の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸
を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
【０３１９】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面ＴＥ
Ｍ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
【０３２０】
図２０（ａ）は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像である。また、図２０（ｂ）は、図２
０（ａ）をさらに拡大した断面ＴＥＭ像であり、理解を容易にするために原子配列を強調
表示している。
【０３２１】
図２０（ｃ）は、図２０（ａ）のＡ−Ｏ−Ａ’間において、丸で囲んだ領域（直径約４ｎ
ｍ）の局所的なフーリエ変換像である。図２０（ｃ）より、各領域においてｃ軸配向性が
確認できる。また、Ａ−Ｏ間とＯ−Ａ’間とでは、ｃ軸の向きが異なるため、異なるグレ
インであることが示唆される。また、Ａ−Ｏ間では、ｃ軸の角度が１４．３°、１６．６
°、２６．４°のように少しずつ連続的に変化していることがわかる。同様に、Ｏ−Ａ’
間では、ｃ軸の角度が−１８．３°、−１７．６°、−１５．９°と少しずつ連続的に変
化していることがわかる。
【０３２２】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、電子回折を行うと、配向性を示すスポット（輝点）が観
測される。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面に対し、例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の電
子線を用いる電子回折（ナノビーム電子回折ともいう。）を行うと、スポットが観測され
る（図２１（Ａ）参照。）。
【０３２３】
断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有して
いることがわかる。
【０３２４】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれるほとんどの結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体
内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎ
ｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。ただ
し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる複数の結晶部が連結することで、一つの大きな結晶領域
を形成する場合がある。例えば、平面ＴＥＭ像において、２５００ｎｍ２以上、５μｍ２
以上または１０００μｍ２以上となる結晶領域が観察される場合がある。
【０３２５】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装
置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜
のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【０３２６】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌ
ａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは
、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化
物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）と
して試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面に
帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを５
６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
【０３２７】
以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は不
規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
【０３２８】
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を行
った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形
状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面
または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
【０３２９】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中において、ｃ軸配向した結晶部の分布が均一でなくてもよい。
例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によ
って形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりもｃ軸配向した結晶部
の割合が高くなることがある。また、不純物の添加されたＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物が
添加された領域が変質し、部分的にｃ軸配向した結晶部の割合の異なる領域が形成される
こともある。
【０３３０】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法
による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れ
る場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍に
ピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【０３３１】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素、
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
【０３３２】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化物
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
【０３３３】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性または
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、当該
酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノー
マリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体膜
を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。
なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時
間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く
、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる
場合がある。
【０３３４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性
の変動が小さい。
【０３３５】
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
【０３３６】
微結晶酸化物半導体膜は、ＴＥＭによる観察像では、明確に結晶部を確認することができ
ない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下
、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ
以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔ
ａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘ
ｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、ＴＥ
Ｍによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
【０３３７】
ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上
３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従
って、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない場
合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ装
置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示
すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径（
例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を行う
と、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結
晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折
を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行う
と、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、ｎｃ
−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測
される場合がある（図２１（Ｂ）参照。）。
【０３３８】
ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも規則性の高い酸化物半導体膜である。その
ため、ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−Ｏ
Ｓ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０３３９】
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【０３４０】
酸化物半導体膜が複数の構造を有する場合、ナノビーム電子回折を用いることで構造解析
が可能となる場合がある。
【０３４１】
図２１（Ｃ）に、電子銃室７０と、電子銃室７０の下の光学系７２と、光学系７２の下の
試料室７４と、試料室７４の下の光学系７６と、光学系７６の下の観察室８０と、観察室
８０に設置されたカメラ７８と、観察室８０の下のフィルム室８２と、を有する透過電子
回折測定装置を示す。カメラ７８は、観察室８０内部に向けて設置される。なお、フィル
ム室８２を有さなくても構わない。
【０３４２】
また、図２１（Ｄ）に、図２１（Ｃ）で示した透過電子回折測定装置内部の構造を示す。
透過電子回折測定装置内部では、電子銃室７０に設置された電子銃から放出された電子が
、光学系７２を介して試料室７４に配置された物質８８に照射される。物質８８を通過し
た電子は、光学系７６を介して観察室８０内部に設置された蛍光板９２に入射する。蛍光
板９２では、入射した電子の強度に応じたパターンが現れることで透過電子回折パターン
を測定することができる。
【０３４３】
カメラ７８は、蛍光板９２を向いて設置されており、蛍光板９２に現れたパターンを撮影
することが可能である。カメラ７８のレンズの中央、および蛍光板９２の中央を通る直線
と、カメラ７８の蛍光板９２の上面と、の為す角度は、例えば、１５°以上８０°以下、
３０°以上７５°以下、または４５°以上７０°以下とする。該角度が小さいほど、カメ
ラ７８で撮影される透過電子回折パターンは歪みが大きくなる。ただし、あらかじめ該角
度がわかっていれば、得られた透過電子回折パターンの歪みを補正することも可能である
。なお、カメラ７８をフィルム室８２に設置しても構わない場合がある。例えば、カメラ
７８をフィルム室８２に、電子８４の入射方向と対向するように設置してもよい。この場
合、蛍光板９２の裏面から歪みの少ない透過電子回折パターンを撮影することができる。
【０３４４】
試料室７４には、試料である物質８８を固定するためのホルダが設置されている。ホルダ
は、物質８８を通過する電子を透過するような構造をしている。ホルダは、例えば、物質
８８をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸などに移動させる機能を有していてもよい。ホルダの移動機能は
、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上１００ｎｍ
以下、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１μｍ以下などの範囲で移動させる
精度を有すればよい。これらの範囲は、物質８８の構造によって最適な範囲を設定すれば
よい。
【０３４５】
次に、上述した透過電子回折測定装置を用いて、物質の透過電子回折パターンを測定する
方法について説明する。
【０３４６】
例えば、図２１（Ｄ）に示すように物質におけるナノビームである電子８４の照射位置を
変化させる（スキャンする）ことで、物質の構造が変化していく様子を確認することがで
きる。このとき、物質８８がＣＡＡＣ−ＯＳ膜であれば、図２１（Ａ）に示したような回
折パターンが観測される。または、物質８８がｎｃ−ＯＳ膜であれば、図２１（Ｂ）に示
したような回折パターンが観測される。
【０３４７】
ところで、物質８８がＣＡＡＣ−ＯＳ膜であったとしても、部分的にｎｃ−ＯＳ膜などと
同様の回折パターンが観測される場合がある。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の良否は、
一定の範囲におけるＣＡＡＣ−ＯＳ膜の回折パターンが観測される領域の割合（ＣＡＡＣ
化率ともいう。）で表すことができる場合がある。例えば、良質なＣＡＡＣ−ＯＳ膜であ
れば、ＣＡＡＣ化率は、５０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以
上、より好ましくは９５％以上となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と異なる回折パターンが
観測される領域の割合を非ＣＡＡＣ化率と表記する。
【０３４８】
一例として、成膜直後（ａｓ−ｓｐｕｔｔｅｒｅｄと表記。）、または酸素を含む雰囲気
における４５０℃加熱処理後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜を有する各試料の上面に対し、スキャン
しながら透過電子回折パターンを取得した。ここでは、５ｎｍ／秒の速度で６０秒間スキ
ャンしながら回折パターンを観測し、観測された回折パターンを０．５秒ごとに静止画に
変換することで、ＣＡＡＣ化率を導出した。なお、電子線としては、プローブ径が１ｎｍ
のナノビームを用いた。なお、同様の測定は６試料に対して行った。そしてＣＡＡＣ化率
の算出には、６試料における平均値を用いた。
【０３４９】
各試料におけるＣＡＡＣ化率を図２２（Ａ）に示す。成膜直後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜のＣＡ
ＡＣ化率は７５．７％（非ＣＡＡＣ化率は２４．３％）であった。また、４５０℃加熱処
理後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜のＣＡＡＣ化率は８５．３％（非ＣＡＡＣ化率は１４．７％）で
あった。成膜直後と比べて、４５０℃加熱処理後のＣＡＡＣ化率が高いことがわかる。即
ち、高い温度（例えば４００℃以上）における加熱処理によって、非ＣＡＡＣ化率が低く
なる（ＣＡＡＣ化率が高くなる）ことがわかる。また、５００℃未満の加熱処理において
も高いＣＡＡＣ化率を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜が得られることがわかる。
【０３５０】
ここで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と異なる回折パターンのほとんどはｎｃ−ＯＳ膜と同様の回折
パターンであった。また、測定領域において非晶質酸化物半導体膜は、確認することがで
きなかった。したがって、加熱処理によって、ｎｃ−ＯＳ膜と同様の構造を有する領域が
、隣接する領域の構造の影響を受けて再配列し、ＣＡＡＣ化していることが示唆される。
【０３５１】
図２２（Ｂ）および図２２（Ｃ）は、成膜直後および４５０℃加熱処理後のＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓ膜の平面ＴＥＭ像である。図２２（Ｂ）と図２２（Ｃ）とを比較することにより、４５
０℃加熱処理後のＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、膜質がより均質であることがわかる。即ち、高い
温度における加熱処理によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜質が向上することがわかる。
【０３５２】
このような測定方法を用いれば、複数の構造を有する酸化物半導体膜の構造解析が可能と
なる場合がある。
【０３５３】
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルについて説明する。
【０３５４】
図４６（Ａ）は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成膜
室内の模式図である。
【０３５５】
ターゲット１３０は、バッキングプレート上に接着されている。ターゲット１３０および
バッキングプレート下には、複数のマグネットが配置される。該複数のマグネットによっ
て、ターゲット１３０上には磁場が生じている。マグネットの磁場を利用して成膜速度を
高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
【０３５６】
ターゲット１３０は、多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。なお
、劈開面の詳細については後述する。
【０３５７】
基板１２０は、ターゲット１３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（ターゲ
ット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは
０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、
アルゴン、または酸素を５０体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐ
ａ以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、
ターゲット１３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマが確認さ
れる。なお、ターゲット１３０上の磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される。高
密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン１０１が生じる。イオン
１０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などである
。
【０３５８】
イオン１０１は、電界によってターゲット１３０側に加速され、やがてターゲット１３０
と衝突する。このとき、劈開面から平板状又はペレット状のスパッタ粒子であるペレット
１００ａおよびペレット１００ｂが剥離し、叩き出される。なお、ペレット１００ａおよ
びペレット１００ｂは、イオン１０１の衝突の衝撃によって、構造に歪みが生じる場合が
ある。
【０３５９】
ペレット１００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状又はペレット状のス
パッタ粒子である。また、ペレット１００ｂは、六角形、例えば正六角形の平面を有する
平板状又はペレット状のスパッタ粒子である。なお、ペレット１００ａおよびペレット１
００ｂなどの平板状又はペレット状のスパッタ粒子を総称してペレット１００と呼ぶ。ペ
レット１００の平面の形状は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が２個以
上６個以下合わさった形状となる場合がある。例えば、三角形（正三角形）が２個合わさ
った四角形（ひし形）となる場合もある。
【０３６０】
ペレット１００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが、ペ
レット１００の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みのないペ
レット状である方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。
【０３６１】
ペレット１００は、プラズマを通過する際に電荷を受け取ることで、側面が負または正に
帯電する場合がある。ペレット１００は、側面に酸素原子を有し、当該酸素原子が負に帯
電する可能性がある。例えば、ペレット１００ａが、側面に負に帯電した酸素原子を有す
る例を図４８に示す。このように、側面が同じ極性の電荷を帯びることにより、電荷同士
の反発が起こり、平板状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳが、
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に帯電する
可能性がある。または、インジウム原子、ガリウム原子又は亜鉛原子と結合した酸素原子
が負に帯電する可能性がある。
【０３６２】
図４６（Ａ）に示すように、例えば、ペレット１００は、プラズマ中を凧のように飛翔し
、ひらひらと基板１２０上まで舞い上がっていく。ペレット１００は電荷を帯びているた
め、ほかのペレット１００が既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる。ここで、
基板１２０の上面では、基板１２０の上面に平行な向きの磁場が生じている。また、基板
１２０およびターゲット１３０間には、電位差が与えられているため、基板１２０からタ
ーゲット１３０に向けて電流が流れている。したがって、ペレット１００は、基板１２０
の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ローレンツ力）を受ける（図４９
参照。）。このことは、フレミングの左手の法則によって理解できる。なお、ペレット１
００に与える力を大きくするためには、基板１２０の上面において、基板１２０の上面に
平行な向きの磁場が１０Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、
より好ましくは５０Ｇ以上となる領域を設けるとよい。または、基板１２０の上面におい
て、基板１２０の上面に平行な向きの磁場が、基板１２０の上面に垂直な向きの磁場の１
．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上、より好ましくは５倍以上
となる領域を設けるとよい。
【０３６３】
また、基板１２０は加熱されており、ペレット１００と基板１２０との間で摩擦などの抵
抗が小さい状態となっている。その結果、図５０（Ａ）に示すように、ペレット１００は
、基板１２０の上面を滑空するように移動する。ペレット１００の移動は、平板面を基板
１２０に向けた状態で起こる。その後、図５０（Ｂ）に示すように、既に堆積しているほ
かのペレット１００の側面まで到達すると、側面同士が結合する。このとき、ペレット１
００の側面にある酸素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の
酸素欠損が埋まる場合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−ＯＳとなる。
【０３６４】
また、ペレット１００が基板１２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、イオン
１０１の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレット１００は、ほ
ぼ単結晶となる。ペレット１００がほぼ単結晶となることにより、ペレット１００同士が
結合した後に加熱されたとしても、ペレット１００自体の伸縮はほとんど起こり得ない。
したがって、ペレット１００間の隙間が広がることで結晶粒界などの欠陥を形成し、クレ
バス化することがない。また、隙間には、伸縮性のある金属原子などが敷き詰められ、向
きのずれたペレット１００同士の側面を高速道路のように繋いでいると考えられる。
【０３６５】
以上のようなモデルにより、ペレット１００が基板１２０上に堆積していくと考えられる
。したがって、エピタキシャル成長とは異なり、被形成面が結晶構造を有さない場合にお
いても、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることがわかる。例えば、基板１２０の上面（
被形成面）の構造が非晶質構造であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可能である
。
【０３６６】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、平坦面に対してだけでなく、被形成面である基板１２０の上面
に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレット１００が配列することがわかる。例え
ば、基板１２０の上面が原子レベルで平坦な場合、ペレット１００はａｂ面と平行な平面
である平板面を下に向けて並置するため、厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性を有する層
が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なることで、ＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓを得ることができる（図４６（Ｂ）参照。）。
【０３６７】
一方、基板１２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット１００が
凸面に沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板１２０が
凹凸を有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット１００間に隙間が生じやすい場合がある
。ただし、ペレット１００間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間の隙間はなる
べく小さくなるように配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を有するＣＡＡ
Ｃ−ＯＳとすることができる（図４６（Ｃ）参照。）。
【０３６８】
したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板などで
あっても均一な成膜が可能である。
【０３６９】
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのない
ペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場合
、基板１２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合があ
る。
【０３７０】
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶性
を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０３７１】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット１００のほかに酸化亜鉛粒子を有する成膜モデルによ
っても説明することができる。
【０３７２】
酸化亜鉛粒子は、ペレット１００よりも質量が小さいため、先に基板１２０に到達する。
基板１２０の上面において、酸化亜鉛粒子は、水平方向に優先的に結晶成長することで薄
い酸化亜鉛層を形成する。該酸化亜鉛層は、ｃ軸配向性を有する。なお、該酸化亜鉛層の
結晶のｃ軸は、基板１２０の法線ベクトルに平行な方向を向く。該酸化亜鉛層は、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳを成長させるためのシード層の役割を果たすため、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶性を高
める機能を有する。なお、該酸化亜鉛層は、厚さが０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下、ほとんど
が１ｎｍ以上３ｎｍ以下となる。該酸化亜鉛層は十分薄いため、結晶粒界をほとんど確認
することができない。
【０３７３】
したがって、結晶性の高いＣＡＡＣ−ＯＳを成膜するためには、化学量論的組成よりも高
い割合で亜鉛を含むターゲットを用いることが好ましい。
【０３７４】
同様に、ｎｃ−ＯＳは、図４７に示す成膜モデルによって理解することができる。なお、
図４７と図４６（Ａ）との違いは、基板１２０の加熱の有無のみである。
【０３７５】
したがって、基板１２０は加熱されておらず、ペレット１００と基板１２０との間で摩擦
などの抵抗が大きい状態となっている。その結果、ペレット１００は、基板１２０の上面
を滑空するように移動することができないため、不規則に降り積もっていくことでｎｃ−
ＯＳを得ることができる。
【０３７６】
＜劈開面＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルにおいて記載のターゲットの劈開面について説明
する。
【０３７７】
まずは、ターゲットの劈開面について図５１を用いて説明する。図５１に、ＩｎＧａＺｎ
Ｏ４の結晶の構造を示す。なお、図５１（Ａ）は、ｃ軸を上向きとし、ｂ軸に平行な方向
からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。また、図５１（Ｂ）は、ｃ軸
に平行な方向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。
【０３７８】
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の各結晶面における劈開に必要なエネルギーを、第一原理計算に
より算出する。なお、計算には、擬ポテンシャルと、平面波基底を用いた密度汎関数プロ
グラム（ＣＡＳＴＥＰ）を用いる。なお、擬ポテンシャルには、ウルトラソフト型の擬ポ
テンシャルを用いる。また、汎関数には、ＧＧＡ  ＰＢＥを用いる。また、カットオフエ
ネルギーは４００ｅＶとする。
【０３７９】
初期状態における構造のエネルギーは、セルサイズを含めた構造最適化を行った後に導出
する。また、各面で劈開後の構造のエネルギーは、セルサイズを固定した状態で、原子配
置の構造最適化を行った後に導出する。
【０３８０】
図５１に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造をもとに、第１の面、第２の面、第３の面
、第４の面のいずれかで劈開した構造を作製し、セルサイズを固定した構造最適化計算を
行う。ここで、第１の面は、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（０
０１）面（またはａｂ面）に平行な結晶面である（図５１（Ａ）参照。）。第２の面は、
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（００１）面（またはａｂ
面）に平行な結晶面である（図５１（Ａ）参照。）。第３の面は、（１１０）面に平行な
結晶面である（図５１（Ｂ）参照。）。第４の面は、（１００）面（またはｂｃ面）に平
行な結晶面である（図５１（Ｂ）参照。）。
【０３８１】
以上のような条件で、各面で劈開後の構造のエネルギーを算出する。次に、劈開後の構造
のエネルギーと初期状態における構造のエネルギーとの差を、劈開面の面積で除すことで
、各面における劈開しやすさの尺度である劈開エネルギーを算出する。なお、構造のエネ
ルギーは、構造に含まれる原子と電子に対して、電子の運動エネルギーと、原子間、原子
−電子間、および電子間の相互作用と、を考慮したエネルギーである。
【０３８２】
計算の結果、第１の面の劈開エネルギーは２．６０Ｊ／ｍ２、第２の面の劈開エネルギー
は０．６８Ｊ／ｍ２、第３の面の劈開エネルギーは２．１８Ｊ／ｍ２、第４の面の劈開エ
ネルギーは２．１２Ｊ／ｍ２であることがわかった（下表参照。）。
【０３８３】
【表１】
2020052410.tif 000003
【０３８４】
この計算により、図５１に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造において、第２の面にお
ける劈開エネルギーが最も低くなる。即ち、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間
が最も劈開しやすい面（劈開面）であることがわかる。したがって、本明細書において、
劈開面と記載する場合、最も劈開しやすい面である第２の面のことを示す。
【０３８５】
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間である第２の面に劈開面を有するため、図５
１（Ａ）に示すＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、二つの第２の面と等価な面で分離することが
できる。したがって、ターゲットにイオンなどを衝突させる場合、もっとも劈開エネルギ
ーの低い面で劈開したウェハース状のユニット（我々はこれをペレットと呼ぶ。）が最小
単位となって飛び出してくると考えられる。その場合、ＩｎＧａＺｎＯ４のペレットは、
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｏ層およびＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の３層となる。
【０３８６】
また、第１の面（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（００１）面（
またはａｂ面）に平行な結晶面）よりも、第３の面（１１０）面に平行な結晶面）、第４
の面（（１００）面（またはｂｃ面）に平行な結晶面）の劈開エネルギーが低いことから
、ペレットの平面形状は三角形状または六角形状が多いことが示唆される。
【０３８７】
次に、古典分子動力学計算により、ターゲットとしてホモロガス構造を有するＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶を仮定し、当該ターゲットをアルゴン（Ａｒ）または酸素（Ｏ）によりスパ
ッタした場合の劈開面について評価する。計算に用いたＩｎＧａＺｎＯ４の結晶（２６８
８原子）の断面構造を図５２（Ａ）に、上面構造を図５２（Ｂ）に示す。なお、図５２（
Ａ）に示す固定層は、位置が変動しないよう原子の配置を固定した層である。また、図５
２（Ａ）に示す温度制御層は、常に一定の温度（３００Ｋ）とした層である。
【０３８８】
古典分子動力学計算には、富士通株式会社製Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｅｘｐｌｏｒｅｒ５．
０を用いる。なお、初期温度を３００Ｋ、セルサイズを一定、時間刻み幅を０．０１フェ
ムト秒、ステップ数を１０００万回とする。計算では、当該条件のもと、原子に３００ｅ
Ｖのエネルギーを与え、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａｂ面に垂直な方向からセルに原子を
入射させる。
【０３８９】
図５３（Ａ）は、図５２に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルにアルゴンが入射
してから９９．９ピコ秒（ｐｓｅｃ）後の原子配列を示す。また、図５３（Ｂ）は、セル
に酸素が入射してから９９．９ピコ秒後の原子配列を示す。なお、図５３では、図５２（
Ａ）に示した固定層の一部を省略して示す。
【０３９０】
図５３（Ａ）より、アルゴンがセルに入射してから９９．９ピコ秒までに、図５１（Ａ）
に示した第２の面に対応する劈開面から亀裂が生じる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の
結晶に、アルゴンが衝突した場合、最上面を第２の面（０番目）とすると、第２の面（２
番目）に大きな亀裂が生じることがわかる。
【０３９１】
一方、図５３（Ｂ）より、酸素がセルに入射してから９９．９ピコ秒までに、図５１（Ａ
）に示した第２の面に対応する劈開面から亀裂が生じることがわかる。ただし、酸素が衝
突した場合は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の第２の面（１番目）において大きな亀裂が生じ
ることがわかる。
【０３９２】
したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットの上面か
ら原子（イオン）が衝突すると、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は第２の面に沿って劈開し、平
板状の粒子（ペレット）が剥離することがわかる。また、このとき、ペレットの大きさは
、アルゴンを衝突させた場合よりも、酸素を衝突させた場合の方が小さくなることがわか
る。
【０３９３】
なお、上述の計算から、剥離したペレットは損傷領域を含むことが示唆される。ペレット
に含まれる損傷領域は、損傷によって生じた欠陥に酸素を反応させることで修復できる場
合がある。
【０３９４】
そこで、衝突させる原子の違いによって、ペレットの大きさが異なることについて調査す
る。
【０３９５】
図５４（Ａ）に、図５２に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルにアルゴンが入射
した後、０ピコ秒から０．３ピコ秒までにおける各原子の軌跡を示す。したがって、図５
４（Ａ）は、図５２から図５３（Ａ）の間の期間に対応する。
【０３９６】
図５４（Ａ）より、アルゴンが第１層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）のガリウム（Ｇａ）と衝突す
ると、当該ガリウムが第３層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の亜鉛（Ｚｎ）と衝突した後、当該亜
鉛が第６層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の近傍まで到達することがわかる。なお、ガリウムと衝
突したアルゴンは、外に弾き飛ばされる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むタ
ーゲットにアルゴンを衝突させた場合、図５２（Ａ）における第２の面（２番目）に亀裂
が入ると考えられる。
【０３９７】
また、図５４（Ｂ）に、図５２に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルに酸素が入
射した後、０ピコ秒から０．３ピコ秒までにおける各原子の軌跡を示す。したがって、図
５４（Ｂ）は、図５２から図５３（Ａ）の間の期間に対応する。
【０３９８】
一方、図５４（Ｂ）より、酸素が第１層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）のガリウム（Ｇａ）と衝突
すると、当該ガリウムが第３層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の亜鉛（Ｚｎ）と衝突した後、当該
亜鉛が第５層（Ｉｎ−Ｏ層）まで到達しないことがわかる。なお、ガリウムと衝突した酸
素は、外に弾き飛ばされる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットに酸
素を衝突させた場合、図５２（Ａ）における第２の面（１番目）に亀裂が入ると考えられ
る。
【０３９９】
本計算からも、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、原子（イオン）が衝突した場合、劈開面から
剥離することが示唆される。
【０４００】
また、亀裂の深さの違いを保存則の観点から検討する。エネルギー保存則および運動量保
存則は、式（１）および式（２）のように示すことができる。ここで、Ｅは衝突前のアル
ゴンまたは酸素の持つエネルギー（３００ｅＶ）、ｍＡはアルゴンまたは酸素の質量、ｖ
Ａは衝突前のアルゴンまたは酸素の速度、ｖ’Ａは衝突後のアルゴンまたは酸素の速度、
ｍＧａはガリウムの質量、ｖＧａは衝突前のガリウムの速度、ｖ’Ｇａは衝突後のガリウ
ムの速度である。
【０４０１】
【数１】
2020052410.tif 000004
【０４０２】
【数２】
2020052410.tif 000005
【０４０３】
アルゴンまたは酸素の衝突が弾性衝突であると仮定すると、ｖＡ、ｖ’Ａ、ｖＧａおよび
ｖ’Ｇａの関係は式（３）のように表すことができる。
【０４０４】
【数３】
2020052410.tif 000006
【０４０５】
式（１）、式（２）および式（３）より、ＶＧａを０とすると、アルゴンまたは酸素が衝
突した後のガリウムの速度ｖ’Ｇａは、式（４）のように表すことができる。
【０４０６】
【数４】
2020052410.tif 000007
【０４０７】
式（４）において、ｍＡにアルゴンの質量または酸素の質量を代入し、それぞれの原子が
衝突した後のガリウムの速度を比較する。アルゴンおよび酸素の衝突前に持つエネルギー
が同じである場合、アルゴンが衝突した場合の方が、酸素が衝突した場合よりも１．２４
倍ガリウムの速度が高いことがわかる。したがって、ガリウムの持つエネルギーもアルゴ
ンが衝突した場合の方が、酸素が衝突した場合よりも速度の二乗分だけ高くなる。
【０４０８】
アルゴンを衝突させた場合の方が、酸素を衝突させた場合よりも、衝突後のガリウムの速
度（エネルギー）が高くなることがわかる。したがって、アルゴンを衝突させた場合の方
が、酸素を衝突させた場合よりも深い位置に亀裂が生じたと考えられる。
【０４０９】
以上の計算により、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットを
スパッタすると、劈開面から剥離し、ペレットが形成されることがわかる。一方、劈開面
を有さないターゲットの他の構造の領域をスパッタしてもペレットは形成されず、ペレッ
トよりも微細な原子レベルの大きさのスパッタ粒子が形成される。該スパッタ粒子は、ペ
レットと比べて小さいため、スパッタリング装置に接続されている真空ポンプを介して排
気されると考えられる。したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を
含むターゲットをスパッタした場合、様々な大きさ、形状の粒子が基板まで飛翔し、堆積
することで成膜されるモデルは考えにくい。スパッタされたペレットが堆積してＣＡＡＣ
−ＯＳを成膜する図４６（Ａ）などに記載のモデルが道理に適っている。
【０４１０】
このようにして成膜されたＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、単結晶ＯＳと同程度の密度を有する
。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４のホモロガス構造を有する単結晶ＯＳの密度は６．３６ｇ／
ｃｍ３であるのに対し、同程度の原子数比であるＣＡＡＣ−ＯＳの密度は６．３ｇ／ｃｍ
３程度となる。
【０４１１】
図５５に、スパッタリング法で成膜したＣＡＡＣ−ＯＳであるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（
図５５（Ａ）参照。）、およびそのターゲット（図５５（Ｂ）参照。）の断面における原
子配列を示す。原子配列の観察には、高角散乱環状暗視野走査透過電子顕微鏡法（ＨＡＡ
ＤＦ−ＳＴＥＭ：Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ  Ａｎｎｕｌａｒ  Ｄａｒｋ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｃ
ａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）
を用いる。なお、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭでは、各原子の像強度は原子番号の二乗に比例す
る。したがって、原子番号の近いＺｎ（原子番号３０）とＧａ（原子番号３１）とは、ほ
とんど区別できない。ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭには、日立走査透過電子顕微鏡ＨＤ−２７０
０を用いる。
【０４１２】
図５５（Ａ）および図５５（Ｂ）を比較すると、ＣＡＡＣ−ＯＳと、ターゲットは、とも
にホモロガス構造を有しており、それぞれの原子の配置が対応していることがわかる。し
たがって、図４６（Ａ）などの成膜モデルに示したように、ターゲットの結晶構造が転写
されることでＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されることがわかる。
【０４１３】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【０４１４】
（実施の形態６）
実施の形態２で述べたように、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態におけ
る電流値（オフ電流値）を低く制御することができる。よって、画像信号等の電気信号の
保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。
【０４１５】
本実施の形態の表示装置は、オフ電流値の低いトランジスタを適用することで、少なくと
も２つの駆動方法（モード）で表示を行う表示装置とすることができる。第１の駆動モー
ドは、従来の表示装置の駆動方法であり、１フレームごとにデータを逐次書き換える駆動
方法である。第２の駆動モードは、データの書き込み処理を実行した後、データの書き換
えを停止する駆動方法である。すなわち、リフレッシュレートを低減した駆動モードであ
る。
【０４１６】
動画の表示は、第１の駆動モードにより行われる。静止画の表示は、フレームごとの画像
データに変化がないため、１フレームごとにデータの書き換えを行う必要がない。そこで
、静止画を表示する際は、第２の駆動モードで動作させると、画面のちらつきをなくすと
ともに、電力消費を削減することができる。
【０４１７】
また、本実施の形態の表示装置に適用される画素の容量素子は、容量素子で蓄積する電荷
量が大きい。このため、画素電極の電位を保持する時間を長くすることが可能であり、リ
フレッシュレートを低減する駆動モードを適用できる。さらに、表示装置においてリフレ
ッシュレートを低減する駆動モードを適用した場合であっても、画素で保持する電圧の変
化を長期間抑制することが可能であるため、使用者による画像のちらつきの知覚をより防
止することができる。したがって、低消費電力化と表示品質の向上を図ることができる。
【０４１８】
ここで、リフレッシュレートを低減する効果に関して説明する。
【０４１９】
目の疲労には、神経系の疲労と、筋肉系の疲労の２種類がある。神経系の疲労は、長時間
、表示装置の発光、点滅画面を見続けることで、その明るさが眼の網膜や神経、脳を刺激
して疲れさせるものである。筋肉系の疲労は、ピント調節のときに使用する毛様体の筋肉
を酷使することにより疲れさせるものである。
【０４２０】
図２３（Ａ）に、従来の表示装置の表示を表す模式図を示す。図２３（Ａ）に示すように
、従来の表示装置の表示では、１秒間に６０回の画像の書き換えが行われている。このよ
うな画面を長時間見続けることにより、使用者の眼の網膜や神経、脳を刺激して眼の疲労
が引き起こされるおそれがあった。
【０４２１】
本発明の一態様では、表示装置の画素部に、オフ電流の極めて低いトランジスタ、例えば
酸化物半導体を用いたトランジスタを適用する。また、表示装置の画素が有する容量素子
は、面積の大きい容量素子とすることができる。これらによって、容量素子に蓄積された
電荷のリークを抑制するとともに、電位の変化がゆるやかにすることが可能となるため、
フレーム周波数を下げても、表示装置の輝度を抑制することが可能となる。
【０４２２】
つまり、図２３（Ｂ）に示すように、例えば、５秒間に１回の画像の書き換えが可能とな
るため、極力同じ映像を見ることが可能となり、使用者に視認される画面のちらつきが低
減される。これにより、使用者の眼の網膜や神経、脳の刺激が低減され、神経系の疲労が
軽減される。
【０４２３】
本発明の一態様によれば、目に優しい表示装置を提供することができる。
【０４２４】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【０４２５】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置において、カラー表示を行う場合の画
素の構成例について図面を参照して説明する。なお本実施の形態において、カラー表示を
行うことのできる画素を画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒとして表し、画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒを
構成する画素をサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘとして説明する。なお本実施の形態におけるサブ
画素ｓｕｂ＿ｐｉｘが、上記実施の形態２で説明した画素ｐｉｘに相当する。
【０４２６】
図２４（Ａ）乃至（Ｄ）に、カラー表示を行うことのできる画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒの構
成例を示す。
【０４２７】
図２４（Ａ）にはＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の三原色でカラー表示を行う場合の画素ｐｉ
ｘ＿ｃｏｌｏｒの構成例を示す。各サブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘでは、発光素子としてそれぞ
れの色を呈する材料とする構成、もしくは白色光を射出し、カラーフィルタでＲＧＢの各
色に色変換する構成、又は色変換層を用いてＲＧＢの各色に変換する構成を用いればよい
。そして図２４（Ａ）に示すように画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒには、Ｒを発光するサブ画素
ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｒと、Ｇを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｇと、Ｂを発光するサブ
画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｂと、をストライプ状に配置すればよい。
【０４２８】
図２４（Ｂ）にはＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の三原色に白（Ｗ）を加えてカラー表示を行
う場合の画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒの構成例を示す。各サブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘでは、発光
素子としてそれぞれの色を呈する材料とする構成、もしくは白色光を射出し、カラーフィ
ルタでＲＧＢの各色に色変換する構成、又は色変換層を用いてＲＧＢＷの各色に変換する
構成を用いればよい。そして図２４（Ｂ）に示すように画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒには、Ｒ
を発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｒと、Ｇを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｇと
、Ｂを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｂと、Ｗを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿
Ｗと、をストライプ状に配置すればよい。Ｗを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘでは、カ
ラーフィルタを不要にできるため、消費電力の低減を図ることができる。
【０４２９】
図２４（Ｃ）にはＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の三原色に黄（Ｙ）を加えてカラー表示を行
う場合の画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒの構成例を示す。各サブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘでは、発光
素子としてそれぞれの色を呈する材料とする構成、もしくは白色光を射出し、カラーフィ
ルタでＲＧＢＹの各色に色変換する構成、又は色変換層を用いてＲＧＢＹの各色に変換す
る構成を用いればよい。そして図２４（Ｃ）に示すように画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒには、
Ｒを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｒと、Ｇを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｇ
と、Ｂを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｂと、Ｙを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ
＿Ｙと、をストライプ状に配置すればよい。Ｙを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘでは、
補色の関係にあるＢを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｂと同時に発光させることで白
色が得られるため、ＲＧＢの同時点灯を行う必要がない。２色のサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ
の発光で白色が得られる構成では、３色のサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘの発光で白色が得られ
る構成に比べ、消費電力の低減を図ることができる。
【０４３０】
図２４（Ｄ）にはＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の三原色に黄（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シア
ン（Ｃ）を加えてカラー表示を行う場合の画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒの構成例を示す。各サ
ブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘでは、発光素子としてそれぞれの色を呈する材料とする構成、もし
くは白色光を射出し、カラーフィルタでＲＧＢＹＭＣの各色に色変換する構成、又は色変
換層を用いてＲＧＢＹＭＣの各色に変換する構成を用いればよい。そして図２４（Ｄ）に
示すように画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒには、Ｒを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｒと、
Ｇを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｇと、Ｂを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｂ
と、Ｙを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｙと、Ｍを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ
＿Ｍと、Ｃを発光するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘ＿Ｃと、をストライプ状に配置すればよい
。該構成とすることで、彩度を向上させることができる。
【０４３１】
なお図２４（Ａ）乃至（Ｄ）において、各色に対応するサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘは、一例
として長方形となるように図示したが、これに限らず、三角形、楕円形、正方形等の形状
のサブ画素ｓｕｂ＿ｐｉｘを組み合わせて、画素ｐｉｘ＿ｃｏｌｏｒを構成すればよい。
【０４３２】
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。
【０４３３】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器の構成例について説
明する。また、本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用した表示モジュール
について、図２５を用いて説明を行う。
【０４３４】
図２５に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との
間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された
表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板
８０１０、バッテリー８０１１を有する。なお、バックライトユニット８００７、バッテ
リー８０１１、タッチパネル８００４などは、設けられない場合もある。
【０４３５】
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０４３６】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８
００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０４３７】
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８
００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板
）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。ま
たは、表示パネル８００６の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、容量型式のタッチパ
ネルとすることも可能である。
【０４３８】
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。光源８００８をバックライト
ユニット８００７の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
【０４３９】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレー
ム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０４４０】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号
処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても
良いし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。バッテリー８０１１
は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０４４１】
また、表示モジュール８０００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
【０４４２】
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｈ）、図２７（Ａ）乃至図２７（Ｄ）は、電子機器を示す図で
ある。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカー５００３、ＬＥ
Ｄランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続
端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離
、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線
、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフ
ォン５００８、等を有することができる。
【０４４３】
図２６（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９
、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２６（Ｂ）は記録媒体を備えた携
帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表
示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２６（Ｃ）はゴー
グル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２
、イヤホン５０１３、等を有することができる。図２６（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上
述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２６（Ｅ）は
テレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シ
ャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２６（Ｆ）は携
帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１
、等を有することができる。図２６（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、
チューナ、画像処理部、等を有することができる。図２６（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像
器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有すること
ができる。図２７（Ａ）はディスプレイであり、上述したものの他に、支持台５０１８、
等を有することができる。図２７（Ｂ）はカメラであり、上述したものの他に、外部接続
ポート５０１９、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる
。図２７（Ｃ）はコンピュータであり、上述したものの他に、ポインティングデバイス５
０２０、外部接続ポート５０１９、リーダ／ライタ５０２１、等を有することができる。
図２７（Ｄ）は携帯電話機であり、上述したものの他に、送信部、受信部、携帯電話・移
動端末向けの１セグメント部分受信サービス用チューナ、等を有することができる。
【０４４４】
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｈ）、図２７（Ａ）乃至図２７（Ｄ）に示す電子機器は、様
々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など
）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示す
る機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能
、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能
を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム
又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数
の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の
一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮し
た画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに
、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮
影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラ
に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができ
る。なお、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｈ）、図２７（Ａ）乃至図２７（Ｄ）に示す電子機
器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０４４５】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。
【０４４６】
次に、表示装置の応用例を説明する。
【０４４７】
図２７（Ｅ）に、表示装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図２７（Ｅ
）は、筐体５０２２、表示部５０２３、操作部であるリモコン装置５０２４、スピーカー
５０２５等を含む。表示装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペ
ースを広く必要とすることなく設置可能である。
【０４４８】
図２７（Ｆ）に、建造物内に表示装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示
す。表示モジュール５０２６は、ユニットバス５０２７と一体に取り付けられており、入
浴者は表示モジュール５０２６の視聴が可能になる。
【０４４９】
なお、本実施の形態において、建造物として壁、ユニットバスを例としたが、本実施の
形態はこれに限定されず、様々な建造物に表示装置を設置することができる。
【０４５０】
次に、表示装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。
【０４５１】
図２７（Ｇ）は、表示装置を、自動車に設けた例について示した図である。表示モジュ
ール５０２８は、自動車の車体５０２９に取り付けられており、車体の動作又は車体内外
から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナビゲーション機能
を有していてもよい。
【０４５２】
図２７（Ｈ）は、表示装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示した図で
ある。図２７（Ｈ）は、旅客用飛行機の座席上部の天井５０３０に表示モジュール５０３
１を設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示モジュール５０３１は、
天井５０３０とヒンジ部５０３２を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部５０３２
の伸縮により乗客は表示モジュール５０３１の視聴が可能になる。表示モジュール５０３
１は乗客が操作することで情報を表示する機能を有する。
【０４５３】
なお、本実施の形態において、移動体としては自動車車体、飛行機機体について例示し
たがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電車（モノ
レール、鉄道等を含む）、船舶等、様々なものに設置することができる。
【０４５４】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章にお
いて、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって
、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取
り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成す
ることが可能であるものとする。そのため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオー
ドなど）、配線、受動素子（容量素子、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有
機材料、無機材料、部品、装置、動作方法、製造方法などが単数又は複数記載された図面
または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であ
るものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有
して構成される回路図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容
量素子等）を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の例としては、
Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層
を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個
（Ｎは整数）の要素を有して構成されるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ
）の要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。
【０４５５】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章にお
いて、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すこと
は、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べ
る図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位
概念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが
可能である。
【０４５６】
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）
は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能
である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べてい
なくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を
構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様
として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
【符号の説明】
【０４５７】
Ｃ１    容量素子
ＧＬ１    配線
ＧＬ２    配線
ＧＬ３    配線
ＥＬ    発光素子
ＩＬ    配線
ＣＬ    配線
ＳＬ    配線
ｐｉｘ    画素
Ｍ１    トランジスタ
Ｍ２    トランジスタ
Ｍ３    トランジスタ
Ｍ４    トランジスタ
Ｍ５    トランジスタ
Ｍ６    トランジスタ
ｔ１    期間
ｔ２    期間
ｔ３    期間
ｔ４    期間
Ｖｄａｔａ    電位
Ｖａｎｏ    電位
Ｖｃａｔ    電位
Ｖ０    電位
Ｖ１    電位
ＶＬ０    配線
ＶＬ１    配線
１１    画素部
１４    走査線駆動回路
１６    信号線駆動回路
１７    走査線
１９    信号線
１９ｂ    画素電極
２５    容量線
２８    物質
３１    液晶素子
４１    発光素子
４３    トランジスタ
４５    トランジスタ
５１    ゲート絶縁膜
５３    無機絶縁膜
５３ａ    絶縁膜
７０    電子銃室
７２    光学系
７４    試料室
７６    光学系
７８    カメラ
８０    観察室
８２    フィルム室
８４    電子
８８    物質
９２    蛍光板
１０２    トランジスタ
１０２ａ    トランジスタ
１０２ｂ    トランジスタ
１０３    トランジスタ
１０３ａ    トランジスタ
１０３ｃ    トランジスタ
１０３ｄ    トランジスタ
１０５    容量素子
３０１    画素
３０２    基板
３０４ａ    導電膜
３０４ｂ    導電膜
３０４ｃ    導電膜
３０４ｄ    導電膜
３０５    絶縁膜
３０６    絶縁膜
３０７    酸化物半導体膜
３０８ａ    酸化物半導体膜
３０８ｂ    酸化物半導体膜
３０８ｃ    金属酸化物膜
３０８ｄ    酸化物半導体膜
３０８ｅ    酸化物半導体膜
３０８ｆ    金属酸化物膜
３０９    導電膜
３１０ａ    導電膜
３１０ｂ    導電膜
３１０ｃ    導電膜
３１０ｄ    導電膜
３１０ｅ    導電膜
３１０ｆ    導電膜
３１０ｇ    導電膜
３１０ｈ    導電膜
３１０ｉ    導電膜
３１０ｊ    導電膜
３１１    絶縁膜
３１１ａ    絶縁膜
３１１ｂ    絶縁膜
３１２    絶縁膜
３１２ａ    絶縁膜
３１２ｂ    絶縁膜
３１３    絶縁膜
３１４    絶縁膜
３１５    導電膜
３１６ｂ    導電膜
３１６ｄ    導電膜
３１６ｅ    導電膜
３１７    有機絶縁膜
３１７ａ    有機絶縁膜
３１８    導電膜
３１９    導電膜
３１９ａ    導電膜
３１９ｂ    導電膜
３１９ｃ    導電膜
３２０    配向膜
３３６    多層膜
３３６ａ    酸化物半導体膜
３３６ｂ    酸化物半導体膜
３４２    基板
３６２    開口部
３６４ａ    開口部
３６４ｂ    開口部
３６４ｃ    開口部
３９１    絶縁層
３９２    発光層
３９３    導電膜
３９４    発光素子
５０００    筐体
５００１    表示部
５００２    表示部
５００３    スピーカー
５００４    ＬＥＤランプ
５００５    操作キー
５００６    接続端子
５００７    センサ
５００８    マイクロフォン
５００９    スイッチ
５０１０    赤外線ポート
５０１１    記録媒体読込部
５０１２    支持部
５０１３    イヤホン
５０１４    アンテナ
５０１５    シャッターボタン
５０１６    受像部
５０１７    充電器
５０１８    支持台
５０１９    外部接続ポート
５０２０    ポインティングデバイス
５０２１    リーダ／ライタ
５０２２    筐体
５０２３    表示部
５０２４    リモコン装置
５０２５    スピーカー
５０２６    表示モジュール
５０２７    ユニットバス
５０２８    表示モジュール
５０２９    車体
５０３０    天井
５０３１    表示モジュール
５０３２    ヒンジ部
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００７    バックライトユニット
８００８    光源
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリー
【図１】
2020052410.tif 000008
【図２】
2020052410.tif 000009
【図３】
2020052410.tif 000010
【図４】
2020052410.tif 000011
【図５】
2020052410.tif 000012
【図６】
2020052410.tif 000013
【図７】
2020052410.tif 000014
【図８】
2020052410.tif 000015
【図９】
2020052410.tif 000016
【図１０】
2020052410.tif 000017
【図１１】
2020052410.tif 000018
【図１２】
2020052410.tif 000019
【図１３】
2020052410.tif 000020
【図１４】
2020052410.tif 000021
【図１５】
2020052410.tif 000022
【図１６】
2020052410.tif 000023
【図１７】
2020052410.tif 000024
【図１８】
2020052410.tif 000025
【図１９】
2020052410.tif 000026
【図２０】
2020052410.tif 000027
【図２１】
2020052410.tif 000028
【図２２】
2020052410.tif 000029
【図２３】
2020052410.tif 000030
【図２４】
2020052410.tif 000031
【図２５】
2020052410.tif 000032
【図２６】
2020052410.tif 000033
【図２７】
2020052410.tif 000034
【図２８】
2020052410.tif 000035
【図２９】
2020052410.tif 000036
【図３０】
2020052410.tif 000037
【図３１】
2020052410.tif 000038
【図３２】
2020052410.tif 000039
【図３３】
2020052410.tif 000040
【図３４】
2020052410.tif 000041
【図３５】
2020052410.tif 000042
【図３６】
2020052410.tif 000043
【図３７】
2020052410.tif 000044
【図３８】
2020052410.tif 000045
【図３９】
2020052410.tif 000046
【図４０】
2020052410.tif 000047
【図４１】
2020052410.tif 000048
【図４２】
2020052410.tif 000049
【図４３】
2020052410.tif 000050
【図４４】
2020052410.tif 000051
【図４５】
2020052410.tif 000052
【図４６】
2020052410.tif 000053
【図４７】
2020052410.tif 000054
【図４８】
2020052410.tif 000055
【図４９】
2020052410.tif 000056
【図５０】
2020052410.tif 000057
【図５１】
2020052410.tif 000058
【図５２】
2020052410.tif 000059
【図５３】
2020052410.tif 000060
【図５４】
2020052410.tif 000061
【図５５】
2020052410.tif 000062
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月23日(2019.12.23)
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を加工することで、島状の第１の酸化物半導体膜と、島状の第２の酸化物半導体膜と、を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜に不純物を添加し、
前記不純物は、希ガスである半導体装置の作製方法。