(57)【要約】【課題】新規のカルバゾール誘導体を提供することにより、発光効率の高い発光素子を提供することを目的とする。さらに、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置および電子機器を提供することを目的とする。【解決手段】下記一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体を提供する。2020158528.tif 000217（式中、α１、α２、α３、α４は、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２は、環を形成する炭素数が１３以下のアリール基を表し、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０または１である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
【化１】
2020158528.tif 000199
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化２】
2020158528.tif 000200
【化３】
2020158528.tif 000201
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。）
【請求項２】
式（１）で表される化合物。
【化４】
2020158528.tif 000202
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、無置換のフェニレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、無置換のフェニル基を表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０である。）
【化５】
2020158528.tif 000203
【化６】
2020158528.tif 000204
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。）
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の化合物を含む発光素子。
【請求項４】
第１の電極と、第２の電極と、発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む層を有する発光素子。
【化７】
2020158528.tif 000205
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化８】
2020158528.tif 000206
【化９】
2020158528.tif 000207
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。）
【請求項５】
第１の電極と、
第２の電極と、
発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む層と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、を有し、
前記層は、前記絶縁物と重なる領域を有する発光装置。
【化１０】
2020158528.tif 000208
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化１１】
2020158528.tif 000209
【化１２】
2020158528.tif 000210
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。）
【請求項６】
第１の電極と、
第２の電極と、
発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む第１の層と、
前記第１の層と前記発光層との間の、式（１）で表される化合物を含む第２の層と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、を有し、
前記第１の層は、前記絶縁物と重なる領域を有し、
前記第２の層は、前記絶縁物と重なる領域を有する発光装置。
【化１３】
2020158528.tif 000211
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化１４】
2020158528.tif 000212
【化１５】
2020158528.tif 000213
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。）
【請求項７】
プラスチック基板と、画素部と、駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、
第１の電極と、
第２の電極と、
発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む第１の層と、
前記第１の層と前記発光層との間の、式（１）で表される化合物を含む第２の層と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
第１のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
前記第１の層は、前記絶縁物と重なる領域と、前記第１のトランジスタと重なる領域と、を有し、
前記第２の層は、前記絶縁物と重なる領域と、前記第１のトランジスタと重なる領域と、を有し、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、結晶性半導体膜を有する発光装置。
【化１６】
2020158528.tif 000214
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化１７】
2020158528.tif 000215
【化１８】
2020158528.tif 000216
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。）
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の発光装置と、外部接続ポート、操作キー、または、音声入力部を有する電子機器。
【請求項９】
請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルバゾール誘導体、カルバゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、お
よび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用
した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対
の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することに
より、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高
く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として
好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できること
も大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を形
成することにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やＬＥ
Ｄに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、
照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であ
るか、無機化合物であるかによって大別できるが、発光性の物質に有機化合物を用いる場
合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発
光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子お
よび正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起
状態が基底状態に戻る際に発光する。
【０００６】
このようなメカニズムから、このような発光素子は電流励起型の発光素子と呼ばれる。
なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態
が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼
ばれている。
【０００７】
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、物質に依存した問題
が多く、これらを克服するために素子構造の改良や物質開発等が行われている。（例えば
、非特許文献１）
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｍｅｎｇ−Ｈｕａｎ  Ｈｏ，Ｙａｏ−Ｓｈａｎ  Ｗｕ  ａｎｄ  Ｃｈｉｎ  Ｈ．  Ｃｈｅｎ，  ２００５  ＳＩＤ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，  Ｖｏｌ．ＸＸＸＶＩ．  ｐ８０２−８０５
【０００９】
非特許文献１に記載の発光素子では、発光層と接する層として、４，４’−ビス［Ｎ−
（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）が用いられている。しか
しながら、ＮＰＢは一重項励起エネルギーが低く、励起状態の発光材料からエネルギー移
動してしまう可能性がある。特に、短波長である青色を発光する発光材料の場合には、励
起状態のエネルギー準位が高いため、ＮＰＢへエネルギーが移動してしまう可能性がより
高い。ＮＰＢへエネルギーが移動してしまうと、発光素子の発光効率が低下してしまうと
いう問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明では、新規のカルバゾール誘導体を提供することにより、発光効率の高
い発光素子を提供することを目的とする。さらに、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発
光装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一は、下記一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体である。
【化１】
2020158528.tif 000002
（式中、α１、α２、α３、α４は、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表
し、Ａｒ１、Ａｒ２は、環を形成する炭素数が１３以下のアリール基を表し、Ｒ１は、水
素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフ
ェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌ、ｍ、ｎは、それ
ぞれ独立に０または１である。）
【００１２】
また、上記構成において、一般式（１）中のα１〜α４は、下記一般式（２−１）〜一
般式（２−１２）で表されるいずれか一であることを特徴とする。
【化２】
2020158528.tif 000003
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１６、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ３８、Ｒ４１〜Ｒ４５は、それぞ
れ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す
。Ｒ４６、Ｒ４７は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表
す。また、Ｒ４６とＲ４７は、互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ４８は、水素原子
、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す。）
【００１３】
また、上記構成において、一般式（１）中のＡｒ１およびＡｒ２は、一般式（３−１）
〜一般式（３−６）で表されるいずれか一であることを特徴とする。
【化３】
2020158528.tif 000004
（式中、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１〜Ｒ７０、Ｒ７１〜Ｒ７８、Ｒ８１〜Ｒ８５は、それぞ
れ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す
。Ｒ８６、Ｒ８７は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表
す。また、Ｒ８６とＲ８７は、互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ８８、Ｒ８９は、
水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す。）
【００１４】
さらに、上記構成において、前記一般式（１）中のＲ１は、一般式（４−１）〜一般式
（４−９）で表されるいずれか一であり、Ｒ２は、一般式（４−２）〜一般式（４−９）
で表されるいずれか一であることを特徴とする。
であることを特徴とする。
【化４】
2020158528.tif 000005
（式中、Ｒ５１〜Ｒ７０は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェ
ニル基のいずれかを表す。）
【００１５】
また、本発明の一は、下記構造式（５）〜（８）で表されるいずれか一であることを特
徴とする。
【００１６】
【化５】
2020158528.tif 000006
【００１７】
【化６】
2020158528.tif 000007
【００１８】
【化７】
2020158528.tif 000008
【００１９】
【化８】
2020158528.tif 000009
【００２０】
また、本発明の別の構成は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子であって、ＥＬ層
は、発光層と正孔輸送層とを少なくとも有し、発光層、正孔輸送層の少なくとも一に上記
記載のカルバゾール誘導体を含むことを特徴とする。
【００２１】
さらに、本発明の別の構成は、陽極と陰極との間にＥＬ層を有する発光素子であって、
ＥＬ層は、発光層、正孔輸送層、および正孔注入層とを少なくとも有し、正孔注入層は、
前記陽極と接して形成され、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の少なくとも一に上記記載
のカルバゾール誘導体を含むことを特徴とする。
【００２２】
また、上記構成において、正孔注入層が上記記載のカルバゾール誘導体と、前記カルバ
ゾール誘導体に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む構成としてもよい。なお、無
機化合物としては、遷移金属の酸化物を用いることができる。さらに、無機化合物として
は、チタン酸化物、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、
タンタル酸化物、銀酸化物のいずれか一種もしくは複数種を用いることができる。
【００２３】
さらに、本発明の別の構成は、上記に記載の発光素子を用いて形成されたことを特徴と
する発光装置である。また、発光装置を用いて形成されたことを特徴とする電子機器であ
る。
【００２４】
また、本発明は、上述した発光素子を有する発光装置および発光装置を有する電子機器
も範疇に含めるものである。本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光
デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えば
ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒ
ｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプ
リント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌ
ａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含む
ものとする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のカルバゾール誘導体は、高い正孔輸送性を示すことから、主に発光素子のＥＬ
層を構成する正孔輸送層に用いることができる。また、本発明のカルバゾール誘導体を正
孔輸送層に用いて発光素子を形成することにより、発光効率の高い発光素子を形成するこ
とができる。
【００２６】
さらにこの発光素子を用いることにより、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置
、および電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施の形態２における発光素子の積層構造を示す図。
【図２】実施の形態２における発光素子の発光の態様を示す図。
【図３】実施の形態３における発光素子の積層構造を示す図。
【図４】実施の形態４におけるアクティブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図５】実施の形態４におけるパッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図６】実施の形態５における電子機器を示す図。
【図７】本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置を示す図。
【図８】本発明の発光装置を用いた電気スタンドを示す図。
【図９】本発明の発光装置を用いた室内照明装置を示す図。
【図１０】ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図１１】ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。
【図１２】ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図１３】ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。
【図１４】ＰＣＢＡＦ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図１５】ＰＣＢＡＦ（略称）の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。
【図１６】ＰＣＢＡＳＦ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図１７】ＰＣＢＡＳＦ（略称）の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図。
【図１８】実施例５における発光素子の素子構造を示す図。
【図１９】発光素子１および発光素子２の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２０】発光素子１および発光素子２の電圧−輝度特性を示す図。
【図２１】発光素子１および発光素子２の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２２】発光素子１および発光素子２の電圧−電流特性を示す図。
【図２３】発光素子１および発光素子２の発光スペクトルを示す図。
【図２４】発光素子１および発光素子２の定電流駆動による連続点灯試験結果を示す図。
【図２５】発光素子１および発光素子３の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２６】発光素子１および発光素子３の電圧−輝度特性を示す図。
【図２７】発光素子１および発光素子３の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２８】発光素子１および発光素子３の電圧−電流特性を示す図。
【図２９】発光素子１および発光素子３の発光スペクトルを示す図。
【図３０】発光素子１および発光素子４の電流密度−輝度特性を示す図。
【図３１】発光素子１および発光素子４の電圧−輝度特性を示す図。
【図３２】発光素子１および発光素子４の輝度−電流効率特性を示す図。
【図３３】発光素子１および発光素子４の電圧−電流特性を示す図。
【図３４】発光素子１および発光素子４の発光スペクトルを示す図。
【図３５】発光素子１および発光素子４の定電流駆動による連続点灯試験結果を示す図。
【図３６】発光素子１および発光素子５の電流密度−輝度特性を示す図。
【図３７】発光素子１および発光素子５の電圧−輝度特性を示す図。
【図３８】発光素子１および発光素子５の輝度−電流効率特性を示す図。
【図３９】発光素子１および発光素子５の電圧−電流特性を示す図。
【図４０】発光素子１および発光素子５の発光スペクトルを示す図。
【図４１】ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）のＣＶ特性を示すグラフ。
【図４２】ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）のＣＶ特性を示すグラフ。
【図４３】ＰＣＢＡＦ（略称）のＣＶ特性を示すグラフ。
【図４４】ＰＣＢＡＳＦ（略称）のＣＶ特性を示すグラフ。
【図４５】ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図４６】ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図４７】ＰＣＢＡＮＢ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図４８】ＰＣＢＮＢＢ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図４９】ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５０】ＰＣＢＡＮＴ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５１】ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５２】ＢＣＢＡＮＢ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５３】ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５４】ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５５】ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図５６】発光素子１および発光素子６〜８の電圧−輝度特性を示す図。
【図５７】発光素子１および発光素子６〜８の輝度−電流効率特性を示す図。
【図５８】発光素子１および発光素子６〜８の電圧−電流特性を示す図。
【図５９】発光素子１および発光素子６〜８の発光スペクトルを示す図。
【図６０】発光素子６〜発光素子８の定電流駆動による連続点灯試験結果を示す図。
【図６１】ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図６２】ＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図６３】ＰＣＢＮＢＢβ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図６４】ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
【００２９】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明のカルバゾール誘導体について説明する。
【００３０】
本発明のカルバゾール誘導体は、一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体である。
【００３１】
【化９】
2020158528.tif 000010
【００３２】
（式中、α１、α２、α３、α４は、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を
表し、Ａｒ１、Ａｒ２は、環を形成する炭素数が１３以下のアリール基を表し、Ｒ１は、
水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換の
ビフェニル基のいずれかを表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌ、ｍ、ｎは、そ
れぞれ独立に０または１である。）
【００３３】
一般式（１）において、α１〜α４は、それぞれ環を形成する炭素数が１３以下のアリ
ーレン基を表す。具体的には、構造式（２−１）〜構造式（２−１２）に示す置換基が挙
げられる。
【００３４】
【化１０】
2020158528.tif 000011
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１６、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ３８、Ｒ４１〜Ｒ４５は、それ
ぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表
す。Ｒ４６、Ｒ４７は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを
表す。また、Ｒ４６とＲ４７は、互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ４８は、水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す。）
【００３５】
一般式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ環を形成する炭素数が１３以下の
アリール基を表す。具体的には、構造式（３−１）〜構造式（３−６）に示す置換基が挙
げられる。
【００３６】
【化１１】
2020158528.tif 000012
（式中、Ｒ５１〜Ｒ５６、Ｒ６１〜Ｒ７０、Ｒ７１〜Ｒ７８、Ｒ８１〜Ｒ８５は、それぞ
れ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す
。Ｒ８６、Ｒ８７は、それぞれ、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基のいずれかを表
す。また、Ｒ８６とＲ８７は、互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ８８、Ｒ８９は、
水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかを表す。）
【００３７】
一般式（１）において、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換または無
置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基のいずれかを表し、Ｒ２は、炭素数
１〜６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基
のいずれかを表す。具体的には、Ｒ１は、構造式（４−１）〜構造式（４−９）に示す置
換基、Ｒ２は、構造式（４−２）〜構造式（４−９）に示す置換基が挙げられる。
【００３８】
【化１２】
2020158528.tif 000013
（式中、Ｒ５１〜Ｒ７０は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェ
ニル基のいずれかを表す。）
【００３９】
一般式（１）に示される本発明のカルバゾール誘導体の具体例としては、構造式（９）
〜構造式（４２１）に示されるカルバゾール誘導体を挙げることができる。但し、本発明
はこれらに限定されない。
【００４０】
【化１３】
2020158528.tif 000014
【００４１】
【化１４】
2020158528.tif 000015
【００４２】
【化１５】
2020158528.tif 000016
【００４３】
【化１６】
2020158528.tif 000017
【００４４】
【化１７】
2020158528.tif 000018
【００４５】
【化１８】
2020158528.tif 000019
【００４６】
【化１９】
2020158528.tif 000020
【００４７】
【化２０】
2020158528.tif 000021
【００４８】
【化２１】
2020158528.tif 000022
【００４９】
【化２２】
2020158528.tif 000023
【００５０】
【化２３】
2020158528.tif 000024
【００５１】
【化２４】
2020158528.tif 000025
【００５２】
【化２５】
2020158528.tif 000026
【００５３】
【化２６】
2020158528.tif 000027
【００５４】
【化２７】
2020158528.tif 000028
【００５５】
【化２８】
2020158528.tif 000029
【００５６】
【化２９】
2020158528.tif 000030
【００５７】
【化３０】
2020158528.tif 000031
【００５８】
【化３１】
2020158528.tif 000032
【００５９】
【化３２】
2020158528.tif 000033
【００６０】
【化３３】
2020158528.tif 000034
【００６１】
【化３４】
2020158528.tif 000035
【００６２】
【化３５】
2020158528.tif 000036
【００６３】
【化３６】
2020158528.tif 000037
【００６４】
【化３７】
2020158528.tif 000038
【００６５】
【化３８】
2020158528.tif 000039
【００６６】
【化３９】
2020158528.tif 000040
【００６７】
【化４０】
2020158528.tif 000041
【００６８】
【化４１】
2020158528.tif 000042
【００６９】
【化４２】
2020158528.tif 000043
【００７０】
【化４３】
2020158528.tif 000044
【００７１】
【化４４】
2020158528.tif 000045
【００７２】
【化４５】
2020158528.tif 000046
【００７３】
【化４６】
2020158528.tif 000047
【００７４】
【化４７】
2020158528.tif 000048
【００７５】
【化４８】
2020158528.tif 000049
【００７６】
【化４９】
2020158528.tif 000050
【００７７】
【化５０】
2020158528.tif 000051
【００７８】
【化５１】
2020158528.tif 000052
【００７９】
【化５２】
2020158528.tif 000053
【００８０】
【化５３】
2020158528.tif 000054
【００８１】
【化５４】
2020158528.tif 000055
【００８２】
【化５５】
2020158528.tif 000056
【００８３】
【化５６】
2020158528.tif 000057
【００８４】
【化５７】
2020158528.tif 000058
【００８５】
【化５８】
2020158528.tif 000059
【００８６】
【化５９】
2020158528.tif 000060
【００８７】
【化６０】
2020158528.tif 000061
【００８８】
【化６１】
2020158528.tif 000062
【００８９】
【化６２】
2020158528.tif 000063
【００９０】
【化６３】
2020158528.tif 000064
【００９１】
【化６４】
2020158528.tif 000065
【００９２】
【化６５】
2020158528.tif 000066
【００９３】
【化６６】
2020158528.tif 000067
【００９４】
【化６７】
2020158528.tif 000068
【００９５】
【化６８】
2020158528.tif 000069
【００９６】
【化６９】
2020158528.tif 000070
【００９７】
【化７０】
2020158528.tif 000071
【００９８】
【化７１】
2020158528.tif 000072
【００９９】
【化７２】
2020158528.tif 000073
【０１００】
【化７３】
2020158528.tif 000074
【０１０１】
【化７４】
2020158528.tif 000075
【０１０２】
【化７５】
2020158528.tif 000076
【０１０３】
【化７６】
2020158528.tif 000077
【０１０４】
【化７７】
2020158528.tif 000078
【０１０５】
【化７８】
2020158528.tif 000079
【０１０６】
【化７９】
2020158528.tif 000080
【０１０７】
【化８０】
2020158528.tif 000081
【０１０８】
【化８１】
2020158528.tif 000082
【０１０９】
【化８２】
2020158528.tif 000083
【０１１０】
【化８３】
2020158528.tif 000084
【０１１１】
【化８４】
2020158528.tif 000085
【０１１２】
【化８５】
2020158528.tif 000086
【０１１３】
【化８６】
2020158528.tif 000087
【０１１４】
【化８７】
2020158528.tif 000088
【０１１５】
【化８８】
2020158528.tif 000089
【０１１６】
【化８９】
2020158528.tif 000090
【０１１７】
【化９０】
2020158528.tif 000091
【０１１８】
【化９１】
2020158528.tif 000092
【０１１９】
【化９２】
2020158528.tif 000093
【０１２０】
【化９３】
2020158528.tif 000094
【０１２１】
【化９４】
2020158528.tif 000095
【０１２２】
【化９５】
2020158528.tif 000096
【０１２３】
【化９６】
2020158528.tif 000097
【０１２４】
【化９７】
2020158528.tif 000098
【０１２５】
【化９８】
2020158528.tif 000099
【０１２６】
【化９９】
2020158528.tif 000100
【０１２７】
また、一般式（１）で表される本発明のカルバゾール誘導体は、以下に示す合成スキー
ム（Ａ−１）〜合成スキーム（Ａ−７）、合成スキーム（Ｂ−１）、合成スキーム（Ｃ−
１）〜合成スキーム（Ｃ−２）で表される合成方法によって合成することができる。
【０１２８】
［ハロゲン化２級アリールアミン（化合物Ａ）の合成法］
一般式（化合物Ａ）で表されるハロゲン化２級アリールアミンは、下記合成スキーム（
Ａ−１）のようにして合成することができる。すなわち、まず２級アリールアミン（化合
物Ａ１）をハロゲン化剤によりハロゲン化することで、ハロゲン化２級アリールアミン（
化合物Ａ）を得ることができる。なお、ハロゲン化剤としては、Ｎ−ブロモスクシンイミ
ド（ＮＢＳ）やＮ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）、臭素、ヨウ素、ヨウ化カリウム等
を用いることができる。また、Ｘ１はそれぞれハロゲン基を表し、好ましくはブロモ基ま
たはヨード基である。
【０１２９】
【化１００】
2020158528.tif 000101
【０１３０】
［ハロゲン化カルバゾール誘導体（化合物Ｂ２）の合成法］
一般式（化合物Ｂ２）で表されるハロゲン化カルバゾール誘導体は、下記合成スキーム
（Ａ−２）のようにして合成することができる。すなわち、まずカルバゾール誘導体（化
合物Ｂ１）をハロゲン化剤によりハロゲン化することで、ハロゲン化カルバゾール誘導体
（化合物Ｂ２）を得ることができる。なお、ハロゲン化剤としては、Ｎ−ブロモスクシン
イミド（ＮＢＳ）やＮ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）、臭素、ヨウ素、ヨウ化カリウ
ム等を用いることができる。また、Ｘ２はそれぞれハロゲン基を表し、好ましくはブロモ
基またはヨード基である。
【０１３１】
【化１０１】
2020158528.tif 000102
【０１３２】
［９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸又は、９Ｈ−カルバゾールの３位が有機ホウ素で置
換された化合物（化合物Ｂ）の合成］
一般式（化合物Ｂ）で表される９Ｈ−カルバゾールの３位がボロン酸または有機ホウ素
で置換された化合物は、下記合成スキーム（Ａ−３）のようにして合成することができる
。すなわち、ハロゲン化カルバゾール誘導体（化合物Ｂ２）にアルキルリチウム試薬とホ
ウ素試薬を用いてボロン酸化、または有機ホウ素化することにより、９Ｈ−カルバゾール
の３位がボロン酸または有機ホウ素で置換された化合物（化合物Ｂ）を得ることができる
。
【０１３３】
なお、スキーム（Ａ−３）におけるＲ９９は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ９８
は炭素数１〜６のアルキル基を表す。また、Ｒ１００、Ｒ１０１は、それぞれ水素または
炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１０２とＲ１０３は互いに結合して環を形成してい
ても良い。また、アルキルリチウム試薬としてはｎ−ブチルリチウム、メチルリチウム等
を用いることができる。ホウ素試薬としてはホウ酸トリメチル、ホウ酸イソプロピルなど
を用いることができる。
【０１３４】
【化１０２】
2020158528.tif 000103
【０１３５】
［２級アリールアミン（化合物Ｃ３）の合成法］
一般式（化合物Ｃ３）で表される２級アリールアミンは、下記合成スキーム（Ａ−４）
のようにして合成することができる。すなわち、ハロゲン化アリール（化合物Ｃ１）と１
級アリールアミン（化合物Ｃ２）とを、塩基存在下にて金属触媒を用いてカップリングさ
せることにより、２級アリールアミン（化合物Ｃ３）を得ることができる。
【０１３６】
【化１０３】
2020158528.tif 000104
【０１３７】
合成スキーム（Ａ−４）において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用
いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム
（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられるが、用いることができる触媒はこれらに
限られるものでは無い。合成スキーム（Ａ−４）において用いることができるパラジウム
触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）
ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができる配位
子はこれらに限られるものでは無い。
【０１３８】
合成スキーム（Ａ−４）において用いることができる塩基としては、ナトリウム  ｔｅ
ｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いる
ことができる塩基はこれらに限られるものでは無い。また、合成スキーム（Ａ−４）にお
いて用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフ
ラン等が挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い
。
【０１３９】
また、合成スキーム（Ａ−４）において、ウルマン反応を行う場合について説明する。
合成スキーム（Ａ−４）において、Ｒ１０４とＲ１０５は、それぞれ、ハロゲンやアセチ
ル基等を表し、ハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、Ｒ１０４がヨ
ウ素であるヨウ化銅（Ｉ）、又はＲ１０５がアセチル基である酢酸銅（ＩＩ）が好ましい
。反応に用いられる銅化合物はこれらに限られるものでは無い。また、銅化合物の他に銅
を用いることができる。合成スキーム（Ａ−４）において、用いることができる塩基とし
ては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。用いることができる塩基はこれらに限ら
れるものでは無い。
【０１４０】
合成スキーム（Ａ−４）において、用いることができる溶媒としては、１，３−ジメチ
ル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、トルエン、
キシレン、ベンゼン等が挙げられる。用いることができる溶媒はこれらに限られるもので
は無い。ウルマン反応では、反応温度が１００℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的
物が得られるため、沸点の高いＤＭＰＵ、キシレンを用いることが好ましい。また、反応
温度は１５０℃以上のより高い温度が更に好ましいため、より好ましくはＤＭＰＵを用い
る。
【０１４１】
［３級アリールアミン（化合物Ｃ５）の合成法］
一般式（化合物Ｃ５）で表される３級アリールアミンは、下記合成スキーム（Ａ−５）
のようにして合成することができる。すなわち、２級アリールアミン（化合物Ｃ３）とハ
ロゲン化アリール（化合物Ｃ４）とを、塩基存在下にて金属触媒を用いてカップリングさ
せることにより、３級アリールアミン（化合物Ｃ５）を得ることができる。
【０１４２】
【化１０４】
2020158528.tif 000105
【０１４３】
合成スキーム（Ａ−５）において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用
いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム
（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられるが、用いることができる触媒はこれらに
限られるものでは無い。合成スキーム（Ａ−５）において用いることができるパラジウム
触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）
ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができる配位
子はこれらに限られるものでは無い。
【０１４４】
合成スキーム（Ａ−５）において用いることができる塩基としては、ナトリウム  ｔｅ
ｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いる
ことができる塩基はこれらに限られるものでは無い。また、合成スキーム（Ａ−５）にお
いて用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフ
ラン等が挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い
。
【０１４５】
また、合成スキーム（Ａ−５）において、ウルマン反応を行う場合について説明する。
合成スキーム（Ａ−５）において、Ｒ１０４とＲ１０５は、それぞれ、ハロゲンやアセチ
ル基等を表し、ハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、Ｒ１０４がヨ
ウ素であるヨウ化銅（Ｉ）、又はＲ１０５がアセチル基である酢酸銅（ＩＩ）が好ましい
。反応に用いられる銅化合物はこれらに限られるものでは無い。また、銅化合物の他に銅
を用いることができる。合成スキーム（Ａ−５）において、用いることができる塩基とし
ては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。用いることができる塩基はこれらに限ら
れるものでは無い。
【０１４６】
合成スキーム（Ａ−５）において、用いることができる溶媒としては、１，３−ジメチ
ル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、トルエン、
キシレン、ベンゼン等が挙げられる。用いることができる溶媒はこれらに限られるもので
は無い。ウルマン反応では、反応温度が１００℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的
物が得られるため、沸点の高いＤＭＰＵ、キシレンを用いることが好ましい。また、反応
温度は１５０℃以上のより高い温度が更に好ましいため、より好ましくはＤＭＰＵを用い
る。
【０１４７】
［３級アリールアミン（化合物Ｃ５）の合成法］
一般式（化合物Ｃ５）で表される３級アリールアミンは、下記合成スキーム（Ａ−６）
のようにして合成することができる。すなわち、１級アリールアミン（化合物Ｃ２）とハ
ロゲン化アリール（化合物Ｃ１，Ｃ４）とを、塩基存在下にて金属触媒を用いてカップリ
ングさせることにより、３級アリールアミン（化合物Ｃ５）を得ることができる。ただし
Ａｒ１とＡｒ２が同一であり、かつβ１、β２が同一であり、かつｌ、ｍが同一であるほ
うが収率よく化合物Ｃ５を得ることができる。
【０１４８】
【化１０５】
2020158528.tif 000106
【０１４９】
合成スキーム（Ａ−６）において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用
いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム
（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられるが、用いることができる触媒はこれらに
限られるものでは無い。合成スキーム（Ａ−６）において用いることができるパラジウム
触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）
ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができる配位
子はこれらに限られるものでは無い。
【０１５０】
合成スキーム（Ａ−６）において用いることができる塩基としては、ナトリウム  ｔｅ
ｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いる
ことができる塩基はこれらに限られるものでは無い。また、合成スキーム（Ａ−６）にお
いて用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフ
ラン等が挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い
。
【０１５１】
また、合成スキーム（Ａ−６）において、ウルマン反応を行う場合について説明する。
合成スキーム（Ａ−６）において、Ｒ１０４とＲ１０５は、それぞれ、ハロゲンやアセチ
ル基等を表し、ハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、Ｒ１０４がヨ
ウ素であるヨウ化銅（Ｉ）、又はＲ１０５がアセチル基である酢酸銅（ＩＩ）が好ましい
。反応に用いられる銅化合物はこれらに限られるものでは無い。また、銅化合物の他に銅
を用いることができる。合成スキーム（Ａ−６）において、用いることができる塩基とし
ては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。用いることができる塩基はこれらに限ら
れるものでは無い。
【０１５２】
合成スキーム（Ａ−６）において、用いることができる溶媒としては、１，３−ジメチ
ル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、トルエン、
キシレン、ベンゼン等が挙げられる。用いることができる溶媒はこれらに限られるもので
は無い。ウルマン反応では、反応温度が１００℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的
物が得られるため、沸点の高いＤＭＰＵ、キシレンを用いることが好ましい。また、反応
温度は１５０℃以上のより高い温度が更に好ましいため、より好ましくはＤＭＰＵを用い
る。
【０１５３】
［ハロゲン化３級アリールアミン誘導体（化合物Ｃ）の合成法］
一般式（化合物Ｃ）で表されるハロゲン化３級アミンは、下記合成スキーム（Ａ−７）
のようにして合成することができる。すなわち、まず３級アリールアミン（化合物Ｃ５）
をハロゲン化剤によりハロゲン化することで、ハロゲン化３級アリールアミン（化合物Ｃ
）を得ることができる。なお、ハロゲン化剤としては、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢ
Ｓ）やＮ−ヨードスクシンイミド（ＮＩＳ）、臭素、ヨウ素、ヨウ化カリウム等を用いる
ことができる。また、Ｘ３はそれぞれハロゲン基を表し、好ましくはブロモ基またはヨー
ド基である。
【０１５４】
【化１０６】
2020158528.tif 000107
【０１５５】
［２級アリールアミン（化合物Ｄ）の合成法］
一般式（化合物Ｄ）で表されるカルバゾールを有する２級アリールアミンは、下記合成
スキーム（Ｂ−１）のようにして合成することができる。すなわち、ハロゲン化２級アリ
ールアミン（化合物Ａ）と９Ｈ−カルバゾールの３位がボロン酸または有機ホウ素で置換
された化合物（化合物Ｂ）とを、塩基存在下にて金属触媒を用いてカップリングさせるこ
とができる。これにより、カルバゾールを有する２級アリールアミン（化合物Ｄ）を得る
ことができる。
【０１５６】
【化１０７】
2020158528.tif 000108
【０１５７】
上記スキームにおいて、鈴木・宮浦反応を用いる場合について説明する。金属触媒とし
て用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（
トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられる。また上記パラジウム触媒の配位子としては、ト
リ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホ
スフィン等が挙げられる。また用いることができる上記塩基としては、ナトリウム  ｔｅ
ｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また用い
ることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアル
コールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコール
と水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の
混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒等が挙げ
られる。
【０１５８】
ただし、上記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られ
るものでは無い。
【０１５９】
また上記スキームにおいて、基質として、アリールボロン酸以外にも、有機アルミニウ
ムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリングでも
良い。しかし、これらに限定されるものではない。
【０１６０】
［カルバゾールを有する３級アリールアミン（化合物Ｅ）の合成］
一般式（化合物Ｅ）で表されるカルバゾールを有する３級アリールアミンは、下記合成
スキーム（Ｃ−１）のようにして合成することができる。すなわち、カルバゾールを有す
る２級アリールアミン（化合物Ｄ）とハロゲン化アリール（化合物Ｃ４）とを、塩基存在
下にて金属触媒を用いてカップリングさせることにより、最終生成物である、カルバゾー
ルを有する３級アリールアミン（化合物Ｅ）を得ることができる。
【０１６１】
【化１０８】
2020158528.tif 000109
【０１６２】
［他の合成方法でのカルバゾールを有する３級アリールアミン（化合物Ｅ）の合成］
一般式（化合物Ｅ）で表されるカルバゾールを有する３級アリールアミンは、下記合成
スキーム（反応式Ｃ−２）のようにして合成することができる。すなわち、まずハロゲン
化３級アリールアミン（化合物Ｃ）と９Ｈ−カルバゾールの３位がボロン酸または有機ホ
ウ素で置換された化合物（化合物Ｂ）とを、塩基存在下にて金属触媒を用いてカップリン
グさせることにより、最終生成物である、カルバゾールを有する３級アリールアミン（化
合物Ｅ）を得ることができる。
【０１６３】
【化１０９】
2020158528.tif 000110
【０１６４】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、実施の形態１で説明した本発明のカルバゾール誘導体を正孔輸送
層に用いて形成した発光素子について説明する。
【０１６５】
本実施の形態１における発光素子は、陽極として機能する第１の電極、陰極として機能
する第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に設けられたＥＬ層とから構成さ
れている。なお、本実施の形態２における発光素子は、第１の電極の方が第２の電極より
も電位が高くなるように、それぞれに電圧を印加したときに、発光が得られるものとする
。
【０１６６】
また、本実施の形態２における発光素子のＥＬ層は、第１の電極側から第１の層（正孔
注入層）、第２の層（正孔輸送層）、第３の層（発光層）、第４の層（電子輸送層）、第
５の層（電子注入層）を含む構成とする。
【０１６７】
本実施の形態１における発光素子の構造を図１を用いて説明する。基板１０１は、発光
素子の支持体として用いられる。基板１０１としては、例えばガラス、石英、プラスチッ
クなどを用いることができる。
【０１６８】
なお、上記基板１０１は、本発明の発光素子を利用する製品である発光装置あるいは電
子機器中に残存させてもよいが、最終製品中に残存せず発光素子の作製工程における支持
体としての機能のみを有していてもよい。
【０１６９】
基板１０１上に形成される第１の電極１０２には、仕事関数の大きい（具体的には４．
０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが
好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔ
ｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化
インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングス
テン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ
）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）
、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。但し、本発明におい
ては、第１の電極１０２と接して形成されるＥＬ層１０３のうちの第１の層１１１は、第
１の電極１０２の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて
形成される為、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、お
よびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）で
あれば、あらゆる公知の材料を用いることができる。
【０１７０】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−
酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲ
ットや、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに
対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲ
ットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着
法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【０１７１】
また、第１の電極１０２上に形成されるＥＬ層１０３のうち、第１の電極１０２に接し
て形成される第１の層１１１に用いる材料として、後述する複合材料を含む層を用いた場
合には、第１の電極１０２に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合
金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アル
ミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金（ＡｌＳｉ）等も用いることが
できる。
【０１７２】
また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、
すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（
Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこ
れらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ
）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【０１７３】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて第１の電極
１０２を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さら
に、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることがで
きる。
【０１７４】
第１の電極１０２上に形成されるＥＬ層１０３には、公知の物質を用いることができ、
低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１０
３を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含
む構成も含めるものとする。
【０１７５】
ＥＬ層１０３は、正孔注入性の高い物質を含んでなる正孔注入層、正孔輸送性の高い物
質を含んでなる正孔輸送層、発光性物質からなる発光層、電子輸送性の高い物質を含んで
なる電子輸送層、電子注入性の高い物質を含んでなる電子注入層などを適宜組み合わせて
積層することにより形成される。
【０１７６】
なお、図１（Ａ）に示すＥＬ層１０３は、第１の電極１０２側から第１の層（正孔注入
層）１１１、第２の層（正孔輸送層）１１２、第３の層（発光層）１１３、第４の層（電
子輸送層）１１４、および第５の層（電子注入層）１１５の順に積層されている。
【０１７７】
正孔注入層である第１の層１１１は、正孔注入性の高い物質を含む正孔注入層である。
正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、
レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸
化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いること
ができる。この他、低分子の有機化合物としては、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、
銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰ
ｃ）等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。
【０１７８】
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、
４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）
−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴ
ＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３
，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９
−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−
（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：
ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。なお、実施の形態１で示した
本発明のカルバゾール誘導体も同様に用いることができる。
【０１７９】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもでき
る。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリ
フェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェ
ニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド
］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳ
Ｓ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【０１８０】
また、第１の層１１１として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させ
た複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を
含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶ
ことができる。つまり、第１の電極１０２として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事
関数の小さい材料を用いることができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質と
アクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。なお、本明細書中に
おいて、複合とは、単に２つの材料を混合させるだけでなく、複数の材料を混合すること
によって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。
【０１８１】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳
香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化
合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の
高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移
動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であ
れば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機
化合物を具体的に列挙する。
【０１８２】
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＭＴＤＡＴＡ、ＴＤＡＴ
Ａ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣ
Ｎ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称
：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）等の芳香族ア
ミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３
，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−
［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ
）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェ
ニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を挙げることができる。なお、実施の形態１で示し
た本発明のカルバゾール誘導体も複合材料に用いることができる。
【０１８３】
また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ
−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、
９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０
−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン
（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセ
ン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラ
セン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の
芳香族炭化水素化合物を挙げることができる。
【０１８４】
さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン
、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０
，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビ
ス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、ア
ントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−
ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル
）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル
）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物も挙げること
ができる。
【０１８５】
また、アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６
−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や
、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に
属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、
酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レ
ニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定
であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１８６】
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合
物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、第１の層１１１に用いて
もよい。なお、実施の形態１で示した本発明のカルバゾール誘導体も上述したアクセプタ
ー性物質と組み合わせて複合材料を形成し、第１の層１１１に用いることができる。
【０１８７】
正孔輸送層である第２の層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。なお、本
実施の形態２における第２の層１１２には、実施の形態１で説明した本発明のカルバゾー
ル誘導体を用いることとする。
【０１８８】
また、第１の層１１１と第２の層１１２の両方に、実施の形態１で説明した本発明のカ
ルバゾール誘導体を用いることもできる。この場合、素子の作製が簡便となり、材料利用
効率を向上させることができる。また、第１の層１１１と第２の層１１２のエネルギーダ
イアグラムが同じか近い状態になる為、第１の層１１１と第２の層１１２との間における
キャリアの移動を容易にすることができる。
【０１８９】
第３の層１１３は、発光性の高い物質を含む発光層である。第３の層１１３には、次に
挙げる低分子の有機化合物を用いることができる。
【０１９０】
青色系の発光物質としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）
フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ
）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル
）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。
【０１９１】
緑色系の発光物質としては、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９
−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１
０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフ
ェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミ
ン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）
−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略
称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［
４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−ア
ミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン
（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
【０１９２】
黄色系の発光物質としては、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−
イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。さらに、
赤色系の発光物質として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テト
ラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオラン
テン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１９３】
また、第３の層１１３は、上述した発光性の高い物質を他の物質に分散させる構成とし
てもよい。なお、分散させる場合には、分散させる物質の濃度が、質量比で全体の２０％
以下になるようにするのが好ましい。また、発光性の物質を分散させる物質としては、公
知の物質を用いることができるが、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）
が深く（絶対値が大きく）、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が浅い（絶対値が小さ
い）物質を用いることが好ましい。
【０１９４】
具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、
トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）
、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢ
ｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ
ｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰ
ＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢ
ＴＺ）などの金属錯体を用いることができる。
【０１９５】
また、２−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７
）、３−（ビフェニル−４−イル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−
ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢ
Ｉ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）
などの複素環化合物を用いることができる。
【０１９６】
その他、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アン
トリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３
，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフ
チル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフ
チル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮ
Ｔ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ
）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２
）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ
３）などの縮合芳香族化合物を用いることもできる。
【０１９７】
また、発光性の物質を分散させるための物質は複数種用いることができる。例えば、結
晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。さら
に、発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ
等を添加してもよい。このように、発光性の高い物質を他の物質に分散させた構成とする
ことで、第３の層１１３の結晶化を抑制することができる。さらに、発光性の高い物質の
濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１９８】
また、上述した物質のうち、特に電子輸送性の物質を用いて発光性の物質を分散させて
第３の層１１３を形成することがより好ましい。具体的には、上述した金属錯体、複素環
化合物、縮合芳香族化合物のうちのＣｚＰＡ、ＤＮＡ、ｔ−ＢｕＤＮＡ、さらには、のち
に示す第４の層１１４に用いることのできる物質として挙げられる高分子化合物を用いる
こともできる。
【０１９９】
また、第３の層１１３には、次に挙げる高分子化合物を用いることもできる。
【０２００】
青色系の発光物質としては、、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル
）（略称：ＰＦＯ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ
−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ
｛（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−
ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げ
られる。
【０２０１】
緑色系の発光物質としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ
［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，
１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジ
オクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−
（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。
【０２０２】
橙色〜赤色系の発光物質としては、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキ
シ）−１，４−フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオ
フェン−２，５−ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，
７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ
，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（
２−エチルヘキシロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ
−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略
称：ＣＮ−ＰＰＶ−ＤＰＤ）などが挙げられる。
【０２０３】
第４の層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む電子輸送層である。第４の層１１４に
は、例えば、低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑ、
Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯
体以外にも、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＴＰＢＩ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなどの複素環
化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電
子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記
以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでな
く、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２０４】
第４の層１１４には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−
ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略
称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−
（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いるこ
とができる。
【０２０５】
また、第５の層１１５は、電子注入性の高い物質を含む電子注入層である。第５の層１
１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（
ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いる
ことができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、ま
たはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含
有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、第２の電極１０４からの電子注入
をより効率良く行うことができる。
【０２０６】
第２の電極１０４には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、
電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料
の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（
Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム
（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍ
ｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属お
よびこれらを含む合金等が挙げられる。
【０２０７】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて第２の電極１０４
を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペ
ーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０２０８】
なお、第５の層１１５を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、
ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料
を用いて第２の電極１０４を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリ
ング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０２０９】
また、第１の層（正孔注入層）１１１、第２の層（正孔輸送層）１１２、第３の層（発
光層）１１３、第４の層（電子輸送層）１１４、及び第５の層（電子注入層）１１５が順
次積層して形成されるＥＬ層１０３の作製方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々
の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコー
ト法など用いることができる。なお、各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成してもよい
。
【０２１０】
第２の電極１０４についても、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法だけでなく
、金属材料のペーストを用いてゾル−ゲル法等の湿式法により形成することができる。
【０２１１】
上述した本発明の発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に生じた電
位差により電流が流れ、ＥＬ層１０３において正孔と電子とが再結合することにより発光
する。そして、この発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方ま
たは両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０
４のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
【０２１２】
なお、第１の電極１０２のみが透光性を有する電極である場合には、図２（Ａ）に示す
ように、ＥＬ層１０３で生じた発光は第１の電極１０２を通って基板１０１側から取り出
される。また、第２の電極１０４のみが透光性を有する電極である場合には、図２（Ｂ）
に示すように、ＥＬ層１０３で生じた発光は第２の電極１０４を通って基板１０１と逆側
から取り出される。さらに、第１の電極１０２および第２の電極１０４がいずれも透光性
を有する電極である場合には、図２（Ｃ）に示すように、ＥＬ層１０３で生じた発光は第
１の電極１０２および第２の電極１０４を通って、基板１０１側および基板１０１と逆側
の両方から取り出される。
【０２１３】
なお、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に設けられる層の構成は、上記のも
のには限定されない。少なくとも正孔輸送層である第２の層１１２、および発光層である
第３の層１１３を有する構成であれば、上記以外のものでもよい。
【０２１４】
また、図１（Ｂ）に示すように、基板１０１上に陰極として機能する第２の電極１０４
、ＥＬ層１０３、陽極として機能する第１の電極１０２が順次積層された構造としてもよ
い。なお、この場合のＥＬ層１０３は、第２の電極１０４上に第５の層１１５、第４の層
１１４、第３の層１１３、第２の層１１２、第１の層１１１、第１の電極１０２が順次積
層された構造となる。
【０２１５】
なお、本発明の発光素子を用いることで、パッシブマトリクス型の発光装置や、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）によって発光素子の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発
光装置を作製することができる。
【０２１６】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合におけるＴＦＴの構造は、特
に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。ま
た、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるも
のでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであっ
てもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。
非晶質半導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いてもよい。
【０２１７】
本実施の形態２で示した発光素子では、第２の層（正孔輸送層）１１２は、本発明のカ
ルバゾール誘導体を用いて形成されることから、素子効率の向上だけでなく、駆動電圧の
上昇を最小限に抑えることができる。
【０２１８】
なお、本実施の形態２においては、実施の形態１に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができることとする。
【０２１９】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、実施の形態２で示した発光素子のＥＬ層を複数有する発光素子（
以下、積層型発光素子という）について、図３を用いて説明する。この発光素子は、第１
の電極３０１と第２の電極３０２との間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０３、第２の
ＥＬ層３０４）を有する積層型発光素子である。なお、本実施の形態３では、ＥＬ層が２
層の場合について示すが、３層以上としても良い。
【０２２０】
本実施の形態３において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２
の電極３０２は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１および第２の電
極３０２は、実施の形態２と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第
１のＥＬ層３０３、第２のＥＬ層３０４）としては、実施の形態２で示したＥＬ層と同様
な構成を用いることができる。なお、第１のＥＬ層３０３と第２のＥＬ層３０４は、同じ
構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２と同様なものを適用
することができる。
【０２２１】
また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０３、第２のＥＬ層３０４）の間には、電荷発生
層３０５が設けられている。電荷発生層３０５は、第１の電極３０１と第２の電極３０２
に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する
機能を有する。本実施の形態３の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０２よりも
電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層３０５から第１のＥＬ層３０３に電
子が注入され、第２のＥＬ層３０４に正孔が注入される。
【０２２２】
なお、電荷発生層３０５は、光の取り出し効率の点から、透光性を有することが好まし
い。また、電荷発生層３０５は、第１の電極３０１や第２の電極３０２よりも低い導電率
であっても機能する。
【０２２３】
電荷発生層３０５は、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質が添加された構成で
あっても、電子輸送性の高い物質にドナー性物質が添加された構成であってもよい。また
、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０２２４】
正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質が添加された構成とする場合において、正
孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミ
ン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェ
ニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビ
ス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］−１，
１’−ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる
。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である
。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わな
い。
【０２２５】
また、アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６
−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることが
できる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃
至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸
化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガ
ン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気
中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０２２６】
一方、電子輸送性の高い物質にドナー性物質が添加された構成とする場合において、電
子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム
（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニル
フェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベン
ゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２
’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２
）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：
Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども
用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（ビフェニル−４−イル）−５−
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や
、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（ビフェニル−４−イル）−４−フ
ェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：Ｔ
ＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ
）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電
子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記
以外の物質を用いても構わない。
【０２２７】
また、ドナー性物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属
または元素周期表における第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いること
ができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、
カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭
酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合
物をドナー性物質として用いてもよい。
【０２２８】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層３０５を形成することにより、ＥＬ層が積層さ
れた場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０２２９】
本実施の形態３では、２つのＥＬ層を有する発光素子について説明したが、同様に、３
つ以上のＥＬ層を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実
施の形態３に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を電荷発生層で仕切っ
て配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる
。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので
、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置
を実現することができる。
【０２３０】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所
望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第
１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光
素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合す
ると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から
得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。
【０２３１】
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の
発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色
である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
【０２３２】
なお、本実施の形態３においては、実施の形態１や実施の形態２に示した構成を適宜組
み合わせて用いることができることとする。
【０２３３】
（実施の形態４）
本実施の形態４では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図４を用い
て説明する。なお、図４（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＡ
−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。
【０２３４】
図４（Ａ）において、点線で示された４０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、４０
２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、４０４は封止基板
、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている
。
【０２３５】
なお、引き回し配線４０８はソース側駆動回路４０１及びゲート側駆動回路４０３に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。また、本明細書における発光装置には
、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含む
ものとする。
【０２３６】
次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板４１０上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路４０１
と、画素部４０２中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路４０１はＮチ
ャネル型ＴＦＴ４２３とＰチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成
される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で
形成しても良い。本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示す
が、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０２３７】
また、画素部４０２はスイッチング用ＴＦＴ４１１と、電流制御用ＴＦＴ４１２とその
ドレインに電気的に接続された第１の電極４１３とを含む複数の画素により形成される。
なお、第１の電極４１３の端部を覆って絶縁物４１４が形成される。
【０２３８】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物４１４の上端部または下端部に曲率を有
する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物４１４の材料としてポジ
型の感光性アクリルを用いることで、絶縁物４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ
〜３μｍ）を有する曲面を持たせることができる。また、絶縁物４１４として、光の照射
によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに
溶解性となるポジ型の感光性材料を用いることができる。
【０２３９】
第１の電極４１３上には、ＥＬ層４１６、および第２の電極４１７がそれぞれ形成され
る。ここで、第１の電極４１３に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導
性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。なお、具体的な材料としては、
実施の形態２において第１の電極に用いることができるとして示した材料を用いることが
できるものとする。
【０２４０】
また、ＥＬ層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート
法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層４１６は、実施の形態２で示した構成を有
している。また、ＥＬ層４１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分
子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。また、ＥＬ層に用いる材
料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。
【０２４１】
また、第２の電極４１７に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化
合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第２の電極４１７を陰極として用い
る場合には、その中でも、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電
気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期
表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等
のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（
Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）等が挙げ
られる。
【０２４２】
なお、ＥＬ層４１６で生じた光が第２の電極４１７を透過する構成とする場合には、第
２の電極４１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（酸化インジウム−酸化
スズ（ＩＴＯ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化イン
ジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム
等）との積層を用いることも可能である。
【０２４３】
さらに、シール材４０５で封止基板４０４を素子基板４１０と貼り合わせることにより
、素子基板４１０、封止基板４０４、およびシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光
素子４１８が備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、充填材が充填されて
おり、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填さ
れる場合もある。
【０２４４】
なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料
はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４
に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉ
ｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステル
またはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２４５】
以上のようにして、本発明の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置を得
ることができる。
【０２４６】
また、本発明の発光素子は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパ
ッシブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図５に本発明の発光素子を用いた
パッシブマトリクス型の発光装置の斜視図および断面図を示す。なお、図５（Ａ）は、発
光装置を示す斜視図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。
【０２４７】
図５において、基板５０１上の第１の電極５０２と第２の電極５０３との間にはＥＬ層
５０４が設けられている。第１の電極５０２の端部は絶縁層５０５で覆われている。そし
て、絶縁層５０５上には隔壁層５０６が設けられている。隔壁層５０６の側壁は、基板面
に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。
つまり、隔壁層５０６の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層５０５の面方向
と同様の方向を向き、絶縁層５０５と接する辺）の方が上辺（絶縁層５０５の面方向と同
様の方向を向き、絶縁層５０５と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層５０６を
設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。
【０２４８】
以上により、本発明の発光素子を有するパッシブマトリクス型の発光装置を得ることが
できる。
【０２４９】
なお、本実施の形態で示した発光装置（アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス
型）は、いずれも本発明の発光効率の高い発光素子を用いて形成されることから、消費電
力が低減された発光装置を得ることができる。
【０２５０】
なお、本実施の形態４においては、実施の形態１〜３に示した構成を適宜組み合わせて
用いることができることとする。
【０２５１】
（実施の形態５）
本実施の形態５では、実施の形態４に示す本発明の発光装置をその一部に含む電子機器
について説明する。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴー
グル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーデ
ィオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携
帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的に
は、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、
その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具
体例を図６に示す。
【０２５２】
図６（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体６１１、支持台６１２、表示部６１
３、スピーカー部６１４、ビデオ入力端子６１５等を含む。このテレビ装置において、表
示部６１３には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の発光装置は、高い
発光効率が得られるという特徴を有していることから、本発明の発光装置を適用すること
で消費電力の低減されたテレビ装置を得ることができる。
【０２５３】
図６（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体６２１、筐体６２２、表示部６２
３、キーボード６２４、外部接続ポート６２５、ポインティングデバイス６２６等を含む
。このコンピュータにおいて、表示部６２３には、本発明の発光装置を適用することがで
きる。本発明の発光装置は、高い発光効率が得られるという特徴を有していることから、
本発明の発光装置を適用することで消費電力の低減されたコンピュータを得ることができ
る。
【０２５４】
図６（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体６３１、筐体６３２、表示部６３３、
音声入力部６３４、音声出力部６３５、操作キー６３６、外部接続ポート６３７、アンテ
ナ６３８等を含む。この携帯電話において、表示部６３３には、本発明の発光装置を適用
することができる。本発明の発光装置は、高い発光効率が得られるという特徴を有してい
ることから、本発明の発光装置を適用することで消費電力の低減された携帯電話を得るこ
とができる。
【０２５５】
図６（Ｄ）は本発明に係るカメラであり、本体６４１、表示部６４２、筐体６４３、外
部接続ポート６４４、リモコン受信部６４５、受像部６４６、バッテリー６４７、音声入
力部６４８、操作キー６４９、接眼部６５０等を含む。このカメラにおいて、表示部６４
２には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の発光装置は、高い発光効率
が得られるという特徴を有していることから、本発明の発光装置を適用することで消費電
力の低減されたカメラを得ることができる。
【０２５６】
以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野
の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、消費電
力の低減された電子機器を得ることができる。
【０２５７】
また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。図７は、本発明の発
光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図７に示した液晶表示装
置は、筐体７０１、液晶層７０２、バックライト７０３、筐体７０４を有し、液晶層７０
２は、ドライバＩＣ７０５と接続されている。また、バックライト７０３は、本発明の発
光装置が用いられおり、端子７０６により、電流が供給されている。
【０２５８】
このように本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、
低消費電力のバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置で
あり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化も可能である。従って、低消費
電力であり、大面積化された液晶表示装置を得ることができる。
【０２５９】
図８は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例で
ある。図８に示す電気スタンドは、筐体８０１と、光源８０２を有し、光源８０２として
、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は発光効率の高い発光素子を有
しているため、低消費電力の電気スタンドとして用いることが可能となる。
【０２６０】
図９は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた例である。
本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることがで
きる。また、本発明の発光装置は、発光効率の高い発光素子を有しているため、低消費電
力の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を
、室内の照明装置９０１として用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明に係
るテレビ装置９０２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。
【０２６１】
なお、本実施の形態５においては、実施の形態１〜４に示した構成を適宜組み合わせて
用いることができることとする。
【実施例１】
【０２６２】
本実施例１では、構造式（５）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４−フェ
ニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略
称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）の合成方法について具体的に説明する。
【０２６３】
【化１１０】
2020158528.tif 000111
【０２６４】
［ステップ１：４−ブロモジフェニルアミンの合成］
【０２６５】
ステップ１における４−ブロモジフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｄ−１）に示
す。
【０２６６】
【化１１１】
2020158528.tif 000112
【０２６７】
ジフェニルアミンを５１ｇ（０．３ｍｏｌ）１Ｌ三角フラスコ中にて酢酸エチル７００
ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブロモこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）を５４ｇ（０．３
ｍｏｌ）加えた。約３００時間後、この混合液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加
えて水分を取り除いた。この混合液を濾過して濾液を濃縮して回収した。濃い茶色で油状
の目的物を得た。収量は７０ｇ、収率は９４％であった。
［ステップ２−１：３−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０２６８】
ステップ２−１における３−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールの合成スキー
ムを下記（Ｄ−２−１）に示す。
【０２６９】
【化１１２】
2020158528.tif 000113
【０２７０】
１０００ｍＬ三角フラスコ中にて、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを２４ｇ（１０
０ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモこはく酸イミドを１８ｇ（１００ｍｍｏｌ）、トルエン４５０
ｍＬ、酢酸エチル２００ｍＬを加えて、室温にて４５時間撹拌した。この懸濁液を、水で
洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液を濾過し、得られ
た濾液を濃縮、乾燥させた。キャラメル状の目的物である３−ブロモ−９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾールの収量は３２ｇ、収率は９９％であった。
［ステップ２−２：９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸の合成］
【０２７１】
ステップ２−２における９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸の合成スキ
ームを下記（Ｄ−２−２）に示す。
【０２７２】
【化１１３】
2020158528.tif 000114
【０２７３】
５００ｍＬ三口フラスコ中にて、３−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを２
９ｇ（９０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（略称；ＴＨＦ）を２００ｍＬ、−７８℃に
て撹拌し溶液とした後、ここにｎ−ブチルリチウムを（１．５７ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液
）１１０ｍＬ（６９ｍｍｏｌ）滴下し、同温度で２時間攪拌した。さらに、ここにホウ酸
トリメチルを１３ｍＬ（１４０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２４時間撹拌した。
【０２７４】
反応終了後、ここに１．０ｍｏｌ／Ｌ塩酸２００ｍＬを加え、室温で１時間撹拌した。
これを水、水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液を濾過し、得られた濾液を濃縮し、クロロホルムとヘキサンを加
えて超音波をかけた後、再結晶を行った。目的物である白色粉末の９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール−３−ボロン酸の収量は２１ｇ、収率は８０％であった。
【０２７５】
［ステップ３：４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ジフェニルアミ
ン（略称：ＰＣＢＡ）の合成］
【０２７６】
ステップ３における４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ジフェニル
アミン（略称：ＰＣＢＡ）の合成スキームを下記（Ｄ−３）に示す。
【０２７７】
【化１１４】
2020158528.tif 000115
【０２７８】
４−ブロモジフェニルアミン６．５ｇ（２６ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバ
ゾール−３−ボロン酸７．５ｇ（２６ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン４００
ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を５００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。
この混合物へトルエン１００ｍＬ、エタノール５０ｍＬ、炭酸カリウム水溶液（０．２ｍ
ｏｌ／Ｌ）１４ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、酢
酸パラジウム（ＩＩ）６７ｍｇ（３０ｍｍｏｌ）を加えた。
【０２７９】
この混合物を１００℃１０時間還流した。還流後、この混合物の水層をトルエンで抽出
し、抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムによ
り水分を取り除いた後、この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮したところ、淡褐
色の油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサ
ン：トルエン＝４：６）により精製し、精製後に得られた白色固体をジクロロメタン／ヘ
キサンにて再結晶し、目的物である白色固体を得た。なお、収量は４．９ｇ、収率は４５
％であった。
［ステップ４：４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル
）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）の合成］
【０２８０】
ステップ４における４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）の合成スキームを下記（Ｄ−４）に
示す。
【０２８１】
【化１１５】
2020158528.tif 000116
【０２８２】
４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ジフェニルアミン２．０ｇ（４
．９ｍｍｏｌ）、４−ブロモビフェニル１．１ｇ（４．９ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅ
ｒｔ−ブトキシド２．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ
内を窒素置換した。この混合物へ、トルエン５０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフ
ィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．３０ｍＬを加えた。
【０２８３】
この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ビス（ジベンジリデンアセトン
）パラジウム（０）０．１０ｇを加えた。次に、この混合物を、８０℃で５時間加熱撹拌
し、反応させた。反応後、反応混合物にトルエンを加え、この懸濁液をセライト、アルミ
ナ、フロリジルを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を飽和炭酸ナトリウム水
溶液、飽和食塩水の順に洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。乾燥後
、この混合物を吸引ろ過し、硫酸マグネシウムを除去してろ液を得た。
【０２８４】
得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーはまずトルエン：ヘキサン＝１：９の混合溶媒を展開
溶媒として用い、ついでトルエン：ヘキサン＝３：７の混合溶媒を展開溶媒として用いる
ことにより行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体をクロロホルムとヘキサン
の混合溶媒により再結晶したところ、白色粉末状固体の収量は２．３ｇ、収率は８４％で
あった。
【０２８５】
得られた白色固体１．２ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇
華精製は７．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を３ｍＬ／ｍｉｎとして２８０℃で２０時
間行った。収量は１．１ｇ、収率は８９％であった。
【０２８６】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図１０（ａ）（ｂ）に示す。測定
結果から、上述の構造式（５）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４−フェニ
ル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称
：ＰＣＢＡ１ＢＰ）が得られたことがわかった。
【０２８７】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．０５−７．２０
（ｍ，７Ｈ），７．２８−７．７８（ｍ，２１Ｈ），８．３４（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１
Ｈ），８．５７（ｓ，１Ｈ）。
【０２８８】
また、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）のトルエン溶液の吸収スペクトルを図１１（ａ）に示す
。また、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）の薄膜の吸収スペクトルを図１１（ｂ）に示す。測定に
は紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液のスペクトル
は石英セル中で測定した。薄膜サンプルは石英基板にＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）を蒸着する
ことで作製した。測定したサンプルのスペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて
得られた吸収スペクトルを図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示した。
【０２８９】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意
単位）を表す。トルエン溶液の場合では３３５ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場
合では３４１ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。また、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）のトルエ
ン溶液（励起波長３４６ｎｍ）の発光スペクトルを図１１（ａ）に示す。また、ＰＣＢＡ
１ＢＰ（略称）の薄膜（励起波長３８６ｎｍ）の発光スペクトルを図１１（ｂ）に示す。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単
位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９１ｎｍ（励起波長３４６ｎｍ）
、薄膜の場合で４１６ｎｍ（励起波長３８６ｎｍ）であった。
【０２９０】
また、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（Ｃ
Ｖ）測定によって調べた。測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製
、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。
【０２９１】
ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）ア
ルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製
、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さら
に測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極と
しては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白
金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参
照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電
極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温（２０〜２５℃）で行った。また、ＣＶ測定時
のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。
【０２９２】
（参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーの算出）
まず、本実施例で用いる参照電極（Ａｇ／Ａｇ＋電極）の真空準位に対するポテンシャ
ルエネルギー（ｅＶ）を算出した。つまり、Ａｇ／Ａｇ＋電極のフェルミ準位を算出した
。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して＋０．６１
０［Ｖ  ｖｓ．  ＳＨＥ］であることが知られている（参考文献；Ｃｈｒｉｓｔｉａｎ  
Ｒ．Ｇｏｌｄｓｍｉｔｈ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，  Ｖｏｌ．
１２４，  Ｎｏ．１，８３−９６，  ２００２）。一方、本実施例で用いる参照電極を用
いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、＋０．１１Ｖ［
ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋］であった。したがって、本実施例４で用いる参照電極のポテンシャ
ルエネルギーは、標準水素電極に対して０．５０［ｅＶ］低くなっていることがわかった
。
【０２９３】
ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは−４．４４ｅＶであ
ることが知られている（参考文献；大西敏博・小山珠美著、高分子ＥＬ材料（共立出版）
、ｐ．６４−６７）。以上のことから、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポ
テンシャルエネルギーは、−４．４４−０．５０＝−４．９４［ｅＶ］であると算出でき
た。
【０２９４】
酸化反応特性のＣＶ測定結果を図４１に示す。なお、酸化反応特性の測定は、参照電極
に対する作用電極の電位を０．０７Ｖから１．００Ｖまで走査した後、１．００Ｖから０
．０７Ｖまで走査して行った。
【０２９５】
まず、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）のＣＶ測定からのＨＯＭＯ準位の算出について詳述する
。図４１に示すように、酸化ピーク電位Ｅｐａは、０．５３６Ｖであった。また、還元ピ
ーク電位Ｅｐｃは０．４４６Ｖであった。したがって、半波電位（ＥｐａとＥｐｃの中間
の電位）は０．４９Ｖと算出できる。このことは、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）は０．４９［
Ｖ  ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋］の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエ
ネルギーはＨＯＭＯ準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例１で用いる参照電
極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、−４．９４［ｅＶ］であるため、ＰＣ
ＢＡ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、−４．９４−０．４９＝−５．４３［ｅＶ］であ
ることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。このこ
とから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった
。
【実施例２】
【０２９６】
本実施例２では、構造式（６）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４，４’
−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニ
ルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）の合成方法について具体的に説明する。
【０２９７】
【化１１６】
2020158528.tif 000117
【０２９８】
［ステップ１−１：４−フェニル−ジフェニルアミンの合成］
【０２９９】
ステップ１−１における４−フェニル−ジフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｅ−
１−１）に示す。
【０３００】
【化１１７】
2020158528.tif 000118
【０３０１】
三口フラスコ中にて、４−ブロモビフェニル２０．０ｇ（８５．８ｍｍｏｌ）、アニリ
ン１６．０ｇ（１７２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１９ｇ（０．８６ｍｍｏ
ｌ）、炭酸カリウム２３．７ｇ（１７２ｍｍｏｌ）の脱水キシレン懸濁液（１５０ｍＬ）
にトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）５．２ｇ（２．５ｍｍ
ｏｌ）を加え、その混合物を窒素雰囲気下１２０℃で１０時間還流した。反応終了後、反
応混合物を水で洗浄し、有機層と水層とに分け、水層をトルエンで抽出した。
【０３０２】
得られた上記トルエン層と上記有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムを加えることにより、有機層中の水分を取り除いた。この混合物を吸引ろ過し、得ら
れたろ液を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：
トルエン）により精製した。得られた溶液を濃縮して得られた４−フェニル−ジフェニル
アミンの白色固体の収量は１３．５ｇ、収率は６４％であった。
［ステップ１−２：４，４’−ジフェニルトリフェニルアミンの合成］
【０３０３】
ステップ１−２における４，４’−ジフェニルトリフェニルアミンの合成スキームを下
記（Ｅ−１−２）に示す。
【０３０４】
【化１１８】
2020158528.tif 000119
【０３０５】
４−フェニル−ジフェニルアミンを３．７ｇ（１５ｍｍｏｌ）、４−ブロモビフェニル
を３．５ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを２．５ｇ（２５ｍｍ
ｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１０ｍｇ（０．０２ｍｍｏ
ｌ）、１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、脱水
キシレン４０ｍＬ、を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ト
リ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．２ｍＬ（６０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。
【０３０６】
次に、この混合物を、１２０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物
にトルエンを加え、この懸濁液をセライト、アルミナ、フロリジルを通して吸引ろ過し、
ろ液を得た。得られたろ液を飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した。得
られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この混合物をセライト、ア
ルミナ、フロリジルを通して吸引ろ過し、得られたろ液を濃縮した。得られた残渣にアセ
トンとメタノールを加え、超音波を加えた後に再結晶したところ、白色粉末状固体を収量
５．４ｇ、収率９２％で得た。
［ステップ１’：４，４’−ジフェニルトリフェニルアミンの合成］
【０３０７】
上述したステップ１−１およびステップ１−２による合成法の他にステップ１’に示す
合成法を用いて４，４’−ジフェニルトリフェニルアミンを合成することもできる。なお
、ステップ１’における４，４’−ジフェニルトリフェニルアミンの合成スキームを下記
（Ｅ−１’）に示す。
【０３０８】
【化１１９】
2020158528.tif 000120
【０３０９】
アニリンを１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、４−ブロモビフェニルを９．３ｇ（４０ｍｍｏ
ｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを４．５ｇ（４５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム
を０．４ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略
称；ＤＰＰＦ）を１．１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）２００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ
内を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン７０ｍＬ、を加えた。この混合物を、減
圧下で攪拌しながら脱気し、１１０℃で３時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混
合物にトルエンを加え、この懸濁液をセライト、アルミナ、フロリジルを通して吸引ろ過
し、ろ液を得た。得られたろ液を飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した
。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この混合物をセライト
、アルミナ、フロリジルを通して吸引ろ過し、得られたろ液を濃縮した。得られた残渣に
アセトンとヘキサンを加え、超音波を加えた後に再結晶したところ、白色粉末状固体を収
量５．４ｇ、収率６７％で得た。
［ステップ２：４−ブロモ−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミンの合成］
【０３１０】
上述したステップ（１−１）およびステップ（１−２）、またはステップ１’に示す合
成法を用いて合成された４，４’−ジフェニルトリフェニルアミン用いて４−ブロモ−４
’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミンを合成する。なお、ステップ２における４−
ブロモ−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｅ−２）
に示す。
【０３１１】
【化１２０】
2020158528.tif 000121
【０３１２】
４，４’−ジフェニルトリフェニルアミンを４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）三角フラスコ中
にてトルエン５０ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬの混合溶媒に溶かした後、ここにＮ−ブロモ
こはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）を加えて１２０時間室温にて撹拌した。反応終了後、こ
の混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この混合液を濾過
し、得られた濾液を濃縮し、再結晶を行った。目的物の白色粉末の収量は４．５ｇ、収率
は９５％であった。
［ステップ３：４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバゾー
ル−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）の合成］
【０３１３】
ステップ３における４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバ
ゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）の合成スキームを下
記（Ｅ−３）に示す。
【０３１４】
【化１２１】
2020158528.tif 000122
【０３１５】
４−ブロモ−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン１．５ｇ（３．１ｍｍｏｌ
）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸０．９ｇ（３．１ｍｍｏｌ）、酢
酸パラジウム（ＩＩ）５０ｍｇ（０．０２３ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン
０．０５０ｇ（０．１７ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素
置換した。なお、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸の合成法については
、実施例１において説明した方法と同様であるので、そちらを参照することとし、ここで
の説明は省略する。この混合物へ、エチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＥ）３０
ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液１５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌
しながら脱気し、脱気後、この混合物を９０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０３１６】
反応後、反応混合物に酢酸エチルを加え、この懸濁液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水により洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。乾燥後、こ
の混合物を吸引ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し
て得た固体にトルエンを加えて溶解し、セライト、アルミナ、フロリジ−ルを通して吸引
ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
る精製を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーはまず、トルエン：ヘキサン＝１
：９の混合溶媒を展開溶媒として用い、ついでトルエン：ヘキサン＝３：７の混合溶媒を
展開溶媒として用いることにより行った。
【０３１７】
得られたフラクションを濃縮して得た固体をジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒で再
結晶したところ、目的物の白色固体を収量１．３ｇ、収率６６％で得た。得られた白色固
体１．１ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇華精製は７．０Ｐ
ａの減圧下、アルゴンの流量を４ｍＬ／ｍｉｎとして３０５℃で１５時間行ったところ、
収量は８４０ｍｇ、収率は７６％であった。
【０３１８】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図１２（ａ）（ｂ）に示す。測定
結果から、上述の構造式（６）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４，４’−
ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニル
アミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）が得られたことがわかった。
【０３１９】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．２５−７．６９（ｍ
，３２Ｈ），８．１９（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ），８．３５（ｓ，１Ｈ）。
【０３２０】
また、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）のトルエン溶液の吸収スペクトルを図１３（ａ）に示
す。また、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）の薄膜の吸収スペクトルを図１３（ｂ）に示す。測
定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液のスペク
トルは石英セル中で測定した。薄膜サンプルは石英基板にＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）を蒸
着することで作製した。測定したサンプルのスペクトルから石英の吸収スペクトルを差し
引いて得られた吸収スペクトルを図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示した。図１３（ａ
）および図１３（ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す
。トルエン溶液の場合では３４７ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では３５０
ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。また、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）のトルエン溶液（励
起波長３５８ｎｍ）の発光スペクトルを図１３（ａ）に示す。また、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（
略称）の薄膜（励起波長３６６ｎｍ）の発光スペクトルを図１３（ｂ）に示す。図１３（
ａ）および図１３（ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表
す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９９ｎｍ（励起波長３５８ｎｍ）、薄膜の
場合で４１７ｎｍ（励起波長３６６ｎｍ）であった。
【０３２１】
また、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（
ＣＶ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することと
する。
【０３２２】
酸化反応特性のＣＶ測定結果を図４２に示す。図４２に示すように、酸化ピーク電位Ｅ
ｐａは、０．５２１Ｖ、還元ピーク電位Ｅｐｃは＋０．４３１Ｖと読み取ることができる
。したがって、半波電位（ＥｐｃとＥｐａの中間の電位）は＋０．４８Ｖと算出できる。
実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４
２［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値と
なった。酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった
。
【０３２３】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．３４ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトル
のＴａｕｃプロットから吸収端は３．１５ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギー
ギャップは３．１５ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）のＬＵＭＯ
準位が−２．１９ｅＶであることを意味する。
【０３２４】
また、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（
ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パ
ーキンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラ
ス転移温度は１２３℃であることが分かった。このように、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）は
、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピ
ークは存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【実施例３】
【０３２５】
本実施例２では、構造式（７）で表される本発明のカルバゾール誘導体である９，９−
ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）
フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）の合成方法について具体的に
説明する。
【０３２６】
【化１２２】
2020158528.tif 000123
【０３２７】
［ステップ１：２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンの合成］
【０３２８】
ステップ１における２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンの合成スキームを下記（
Ｆ−１）に示す。
【０３２９】
【化１２３】
2020158528.tif 000124
【０３３０】
２−ブロモフルオレン１２．５ｇ（５１ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム８．５ｇ（５１ｍ
ｍｏｌ）、水酸化カリウム１４．３ｇ（０．５０ｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド２５０
ｍＬを５００ｍＬ三角フラスコに３０分間撹拌した。この混合物にヨウ化メチル１０ｍＬ
を少量ずつ加えた。この混合物を室温で４８時間撹拌した。反応後、反応溶液に４００ｍ
Ｌのクロロホルムを加えて撹拌した。この溶液を１Ｎ塩酸、飽和炭酸ナトリウム水溶液、
飽和食塩水の順に洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除い
た。
【０３３１】
この混合物を吸引ろ過、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精
製を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーはまず、ヘキサンを展開溶媒として用
い、ついで酢酸エチル：ヘキサン＝１：５の混合溶媒を展開溶媒として用いた。対応する
フラクションを濃縮し、乾燥させたところ、褐色油状物を収量１２ｇ、収率９７％で得た
。
【０３３２】
［ステップ２：９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）の
合成］
【０３３３】
ステップ２における９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ
）の合成スキームを下記（Ｆ−２）に示す。
【０３３４】
【化１２４】
2020158528.tif 000125
【０３３５】
４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ジフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡ）２．０ｇ（４．９ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレン１．３ｇ
（４．９ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド２．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を１
００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。なお、ＰＣＢＡ（略称）の合
成法については、実施例２において説明した方法と同様であるので、そちらを参照するこ
ととし、ここでの説明は省略する。この混合物にトルエン５０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブ
チル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．３０ｍＬを加えた。この混合物を、減
圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）
０．１０ｇを加えた。次に、この混合物を、８０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。反
応後、反応混合物にトルエンを加え、この懸濁液をセライト、アルミナ、フロリジルを通
して吸引ろ過し、ろ液を得た。
【０３３６】
得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーはまずトルエン：ヘキサン＝１：９の混合溶媒を展開
溶媒として用い、ついでトルエン：ヘキサン＝３：７の混合溶媒を展開溶媒として用いる
ことにより行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体をクロロホルムとヘキサン
の混合溶媒により再結晶したところ、目的の化合物の収量は１．３ｇ、収率は４４％であ
った。
【０３３７】
得られた淡黄色固体１．３ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。
昇華精製は７．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を３ｍＬ／ｍｉｎとして２７０℃で２０
時間行った。なお、収量は１．０ｇ、収率は７７％であった。
【０３３８】
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法により（１Ｈ  ＮＭＲ）測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図１４に示す。測定結果から、上
述の構造式（７）で表される本発明のカルバゾール誘導体である９，９−ジメチル−Ｎ−
フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フ
ルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）が得られたことがわかった。
【０３３９】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３９（ｓ，６Ｈ）
６．９８−７．８２（ｍ，２６Ｈ），８．３５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），８．５７
（ｓ，１Ｈ）。
【０３４０】
また、ＰＣＢＡＦ（略称）のトルエン溶液の吸収スペクトルを図１５（ａ）に示す。ま
た、ＰＣＢＡＦ（略称）の薄膜の吸収スペクトルを図１５（ｂ）に示す。測定には紫外可
視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液のスペクトルは石英セ
ル中で測定した。薄膜サンプルは石英基板にＰＣＢＡＦ（略称）を蒸着することで作製し
た。測定したサンプルのスペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて得られた吸収
スペクトルを図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示した。図１５（ａ）および図１５（ｂ
）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場
合では３３９ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では３４５ｎｍ付近に吸収ピー
クが見られた。また、ＰＣＢＡＦ（略称）のトルエン溶液（励起波長３４７ｎｍ）の発光
スペクトルを図１５（ａ）に示す。また、ＰＣＢＡＦ（略称）の薄膜（励起波長３７０ｎ
ｍ）の発光スペクトルを図１５（ｂ）に示す。図１５（ａ）および図１５（ｂ）において
横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液
の場合では３９４ｎｍ（励起波長３４７ｎｍ）、薄膜の場合で４０４ｎｍ（励起波長３７
０ｎｍ）であった。
【０３４１】
また、ＰＣＢＡＦ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）
測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする。
【０３４２】
酸化反応特性のＣＶ測定結果を図４３に示す。図４３に示すように、酸化ピーク電位Ｅ
ｐａは、０．４８１Ｖ、還元ピーク電位Ｅｐｃは＋０．３９３Ｖと読み取ることができる
。したがって、半波電位（ＥｐｃとＥｐａの中間の電位）は＋０．４４Ｖと算出できる。
実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＡＦ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．３８［ｅ
Ｖ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった
。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが
わかった。
【実施例４】
【０３４３】
本実施例４では、構造式（８）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＮ−フェ
ニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−スピロ
−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）の合成方法について具体
的に説明する。
【０３４４】
【化１２５】
2020158528.tif 000126
【０３４５】
［ステップ１−１：９−（ビフェニル−２−イル）−２−ブロモフルオレン−９−オール
の合成］
ステップ１−１における９−（ビフェニル−２−イル）−２−ブロモフルオレン−９−
オールの合成スキームを下記（Ｇ−１−１）に示す。
【０３４６】
【化１２６】
2020158528.tif 000127
【０３４７】
滴下ロート及びジムロートを接続した１００ｍＬ三口フラスコに、マグネシウム１．２
６ｇ（０．０５２ｍｏｌ）を入れ、系内を真空下にし、３０分加熱撹拌して、マグネシウ
ムを活性化した。室温にさましてから系内を窒素気流下にし、ジエチルエーテル５ｍＬ、
ジブロモエタン数滴を加え、滴下ロートよりジエチルエーテル１５ｍＬ中に溶かした２−
ブロモビフェニル１１．６５ｇ（０．０５０ｍｏｌ）をゆっくり滴下し、滴下終了後３時
間還流してグリニヤール試薬とした。
【０３４８】
滴下ロート及びジムロートを接続した２００ｍＬ三口フラスコに２−ブロモ−９−フル
オレノン１１．７ｇ（０．０４５ｍｏｌ）、ジエチルエーテル４０ｍＬを入れた。この反
応溶液に滴下ロートより合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下し、滴下終了後２時間
還流し、さらに室温で一晩撹拌した。反応終了後、溶液を飽和塩化アンモニア水で２回洗
浄し、水層と有機層とに分け、得られた水層を酢酸エチルで２回抽出し、この酢酸エチル
溶液と得られた有機層とをあわせて飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムにより水分
を取り除いた後、吸引濾過、濃縮したところ、９−（ビフェニル−２−イル）−２−ブロ
モ−９−フルオレノールの固体を収量１８．７６ｇ、収率９０％で得た。
［ステップ１−２：２−ブロモ−スピロ−９，９’−ビフルオレンの合成］
【０３４９】
ステップ１−２における２−ブロモ−スピロ−９，９’−ビフルオレンの合成スキーム
を下記（Ｇ−１−２）に示す。
【０３５０】
【化１２７】
2020158528.tif 000128
【０３５１】
２００ｍＬ三口フラスコに、合成した９−（ビフェニル−２−イル）−２−ブロモ−９
−フルオレノール１８．７６ｇ（０．０４５ｍｏｌ）、氷酢酸１００ｍＬを入れ、濃塩酸
数滴を加え２時間還流した。反応終了後、吸引濾過により回収し、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液および水で濾過洗浄した。得られた茶色固体をエタノールにより再結晶したとこ
ろ、薄茶色粉末状固体を得た。収量は１０．２４ｇ、収率は５７％であった。
【０３５２】
［ステップ２：Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル）フェニル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ
）の合成］
【０３５３】
ステップ２におけるＮ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−
３−イル）フェニル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡ
ＳＦ）の合成スキームを下記（Ｇ−２）に示す。
【０３５４】
【化１２８】
2020158528.tif 000129
【０３５５】
４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ジフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡ）２．０ｇ（４．９ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−スピロ−９，９’−ビフルオレン１．
９ｇ（４．９ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド２．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）
を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、トルエン
５０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．３０ｍ
Ｌを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ビス（ジベンジリデ
ンアセトン）パラジウム（０）０．１０ｇを加えた。
【０３５６】
次に、この混合物を、８０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物に
トルエンを加え、この懸濁液をセライト、アルミナ、フロリジルを通して吸引ろ過し、ろ
液を得た。得られたろ液を飽和炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した。有機
層に硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた後、この混合物を吸引ろ過し、硫酸マグ
ネシウムを除去してろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た固体をクロロホルムとヘキ
サンの混合溶媒により再結晶したところ、白色粉末状固体を収量３．４ｇ、収率９４％を
得た。得られた白色固体２．３ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った
。昇華精製は７．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を３ｍＬ／ｍｉｎとして３１０℃で２
０時間行った。収量は１．７ｇ、収率は７４％であった。
【０３５７】
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図１６に示す。測定結果から、上
述の構造式（８）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＮ−フェニル−Ｎ−［４
−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−スピロ−９，９’−ビ
フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）が得られたことがわかった。
【０３５８】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝６．６１−６．７０（ｍ
，２Ｈ），６．８３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），６．８８−７．７９（ｍ，３０Ｈ）
，８．１６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ），８．２６（ｓ，１Ｈ）。
【０３５９】
また、ＰＣＢＡＳＦ（略称）のトルエン溶液の吸収スペクトルを図１７（ａ）に示す。
また、ＰＣＢＡＳＦ（略称）の薄膜の吸収スペクトルを図１７（ｂ）に示す。測定には紫
外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液のスペクトルは石
英セル中で測定した。薄膜サンプルは石英基板にＰＣＢＡＳＦ（略称）を蒸着することで
作製した。測定したサンプルのスペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて得られ
た吸収スペクトルを図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示した。図１７（ａ）および図１
７（ｂ）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶
液の場合では３３８ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、薄膜の場合では３４５ｎｍ付近に吸
収ピークが見られた。また、ＰＣＢＡＳＦ（略称）のトルエン溶液（励起波長３５２ｎｍ
）の発光スペクトルを図１７（ａ）に示す。また、ＰＣＢＡＳＦ（略称）の薄膜（励起波
長３７１ｎｍ）の発光スペクトルを図１７（ｂ）に示す。図１７（ａ）および図１７（ｂ
）において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はト
ルエン溶液の場合では３９６ｎｍ（励起波長３５２ｎｍ）、薄膜の場合で４２７ｎｍ（励
起波長３７１ｎｍ）であった。
【０３６０】
また、ＰＣＢＡＳＦ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ
）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする
。
【０３６１】
酸化反応特性のＣＶ測定結果を図４４に示す。図４４に示すように、酸化ピーク電位Ｅ
ｐａは、０．５２Ｖ、還元ピーク電位Ｅｐｃは＋０．４２８Ｖと読み取ることができる。
したがって、半波電位（ＥｐｃとＥｐａの中間の電位）は＋０．４７Ｖと算出できる。実
施例１と同様の計算により、ＰＣＢＡＳＦ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４１［ｅ
Ｖ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった
。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが
わかった。
【実施例５】
【０３６２】
本実施例５では、実施例１〜実施例４で合成した本発明のカルバゾール誘導体である４
−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）を用いて形成した発光素子２、４，４’−ジフェニル−４’
’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＢｉ１ＢＰ）を用いて形成した発光素子３、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−
［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−
アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）を用いて形成した発光素子４、およびＮ−フェニル−Ｎ−［
４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−スピロ−９，９’−
ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）を用いて形成した発光素子５の作製方
法および素子特性の測定結果を示す。
【０３６３】
なお、本実施例における発光素子の素子構造は、図１８に示す構造であり、正孔輸送層
１５１２に上述した本発明のカルバゾール誘導体を用いて形成したものである。また、比
較発光素子である発光素子１は、正孔輸送層１５１２に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフ
チル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を用いて形成し、比較条件を
そろえるために発光素子２〜発光素子５が形成されたそれぞれの基板と同一基板上に発光
素子１を形成し、発光素子２〜発光素子５との比較を行った。本実施例５で用いる有機化
合物の構造式を以下に示す。
【０３６４】
【化１２９】
2020158528.tif 000130
【０３６５】
まず、ガラス基板である基板１５０１上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズ
をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１５０２を形成した。なお、その膜厚は１１
０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０３６６】
次に、第１の電極１５０２上に複数の層が積層されたＥＬ層１５０３を形成する。本実
施例において、ＥＬ層１５０３は、正孔注入層である第１の層１５１１、正孔輸送層であ
る第２の層１５１２、発光層である第３の層１５１３、電子輸送層である第４の層１５１
４、電子注入層である第５の層１５１５が順次積層された構造を有する。
【０３６７】
第１の電極１５０２が形成された面が下方となるように、第１の電極１５０２が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減
圧した後、第１の電極１５０２上に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着すること
により、正孔注入層である第１の層１５１１を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＮＰ
Ｂと酸化モリブデン（ＶＩ）の比率は、重量比で４：１＝（ＮＰＢ：酸化モリブデン）と
なるように蒸着レートを調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源
から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【０３６８】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の層１５１１上に正孔輸送性材料を１０ｎ
ｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層である第２の層１５１２を形成した。なお、発
光素子１を形成する場合には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を用い、発光素子２を形成する場合には、４−フェニ
ル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称
：ＰＣＢＡ１ＢＰ）を用い、発光素子３を形成する場合には、４，４’−ジフェニル−４
’’−（９−フェニル−９−Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）を用い、発光素子４を形成する場合には、９，９−ジメチル−Ｎ−フ
ェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フル
オレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）を用い、発光素子５を形成する場合には、Ｎ−
フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−ス
ピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）を用いてそれぞれ形
成した。
【０３６９】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第２の層１５１２上に、発光層である第３の層
１５１３を形成した。９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ
−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）と４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−
（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ
ＰＡ）とを共蒸着することにより第３の層１５１３を３０ｎｍの膜厚で形成した。ここで
、ＣｚＰＡとＰＣＢＡＰＡとの重量比は、１：０．１０（＝ＣｚＰＡ：ＰＣＢＡＰＡ）と
なるように蒸着レートを調節した。
【０３７０】
さらに、第３の層１５１３上に抵抗加熱による蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ、その上にバソフェナントロ
リン（略称：ＢＰｈｅｎ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層である第４
の層１５１４を形成した。
【０３７１】
第４の層１５１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚となるように成膜す
ることにより、電子注入層である第５の層１５１５を形成した。
【０３７２】
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
成膜することにより、第２の電極１５０４を形成し、発光素子１〜発光素子５を作製した
。
【０３７３】
以上により得られた発光素子１〜発光素子５を、窒素雰囲気のグローブボックス内にお
いて、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の
動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った
。
【０３７４】
発光素子１および発光素子２の電流密度−輝度特性を図１９に示す。また、電圧−輝度
特性を図２０、輝度−電流効率特性を図２１、電圧−電流特性を図２２にそれぞれ示す。
【０３７５】
発光素子２は、駆動電圧が３．４Ｖのとき、輝度１２７７ｃｄ／ｍ２、電流値は０．７
９ｍＡであった。第２の層１５１２にＮＰＢを用いた発光素子１と比較しても、第２の層
１５１２にＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）を用いた発光素子２は、低駆動電圧を示していること
がわかった。さらに電流効率が高いことがわかった。
【０３７６】
また、発光素子２では、図２３に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）を用いた発光素子２は、その構造において、良好
なキャリアバランスを実現していることがわかった。
【０３７７】
また、発光素子２に関し、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２として、定電流駆動による連
続点灯試験を行った結果を図２４に示す（縦軸は、１０００ｃｄ／ｍ２を１００％とした
時の相対輝度である）。図２４の結果から、発光素子３は１６０時間後でも初期輝度の９
２％の輝度を保っており、発光素子１と比較しても長寿命であることがわかった。よって
、本発明のＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）を適用することにより、長寿命な発光素子が得られる
。
【０３７８】
発光素子１および発光素子３の電流密度−輝度特性を図２５に示す。また、電圧−輝度
特性を図２６、輝度−電流効率特性を図２７、電圧−電流特性を図２８にそれぞれ示す。
【０３７９】
発光素子３は、駆動電圧が３．４Ｖのとき、輝度１３２８ｃｄ／ｍ２、電流値は０．７
８ｍＡであった。第２の層１５１２にＮＰＢを用いた発光素子１と比較しても、第２の層
１５１２にＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）を用いた発光素子３は、低駆動電圧を示しているこ
とがわかった。さらに、電流効率が高いことがわかった。
【０３８０】
また、発光素子３では、図２９に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のＰＣＢＢｉ１ＢＰ（略称）を用いた発光素子３は、その構造において、良
好なキャリアバランスを実現していることがわかった。
【０３８１】
発光素子１および発光素子４の電流密度−輝度特性を図３０に示す。また、電圧−輝度
特性を図３１、輝度−電流効率特性を図３２、電圧−電流特性を図３３にそれぞれ示す。
【０３８２】
発光素子４は、駆動電圧が３．８Ｖのとき、輝度１３２８ｃｄ／ｍ２、電流値は１．０
８ｍＡであった。第２の層１５１２にＮＰＢを用いた発光素子１と比較しても、第２の層
１５１２にＰＣＢＡＦ（略称）を用いた発光素子４は、低駆動電圧を示していることがわ
かった。
【０３８３】
また、発光素子４では、図３４に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のＰＣＢＡＦ（略称）を用いた発光素子４は、その構造において、良好なキ
ャリアバランスを実現していることがわかった。
【０３８４】
また、発光素子４に関し、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２として、定電流駆動による連
続点灯試験を行った結果を図３５に示す（縦軸は、１０００ｃｄ／ｍ２を１００％とした
時の相対輝度である）。図３５の結果から、発光素子３は１６０時間後でも初期輝度の９
２％の輝度を保っており、発光素子１と比較しても長寿命であることがわかった。よって
、本発明のＰＣＢＡＦ（略称）を適用することにより、長寿命な発光素子が得られる。
【０３８５】
発光素子１および発光素子５の電流密度−輝度特性を図３６に示す。また、電圧−輝度
特性を図３７、輝度−電流効率特性を図３８、電圧−電流特性を図３９にそれぞれ示す。
【０３８６】
発光素子５は、駆動電圧が３．８Ｖのとき、輝度１３９８ｃｄ／ｍ２、電流値は１．１
１ｍＡであった。第２の層１５１２にＮＰＢを用いた発光素子１と比較しても、第２の層
１５１２にＰＣＢＡＳＦ（略称）を用いた発光素子５は、低駆動電圧を示していることが
わかった。さらに、電流効率が高いことがわかった。
【０３８７】
また、発光素子５では、図４０に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のＰＣＢＡＳＦ（略称）を用いた発光素子５は、その構造において、良好な
キャリアバランスを実現していることがわかった。
【０３８８】
以上より、本発明のカルバゾール誘導体を用いて形成した発光素子２〜発光素子５は発
光素子１と同等レベルの効率を示すことがわかった。よって、本発明を適用することによ
り、高効率な発光素子が得られることがわかった。
【０３８９】
また、本実施例に示した発光素子１の構造において、第１の層１５１１を形成する際に
用いたＮＰＢ（略称）の代わりにＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）用い、酸化モリブデン（ＶＩ）
と共蒸着して第１の層１５１１を形成した発光素子の効率、約１０００ｃｄ／ｍ２におけ
る駆動電圧、および信頼性は、実施例１０においてＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）の共
蒸着膜を正孔注入層に用い、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発光
素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が３．８Ｖのとき、輝度９４９ｃｄ／ｍ２
、電流値は０．６５ｍＡであり、１５００時間駆動で初期輝度の６４％の輝度を保ってい
た）。
【０３９０】
このように、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）は、正孔注入材料としても良好な材料であること
がわかった。また酸化モリブデンとの共蒸着膜を正孔注入層として用いても良好な特性が
得られることがわかった。
【０３９１】
さらに、本実施例に示した発光素子２の構造において、第１の層１５１１を形成する際
に用いたＮＰＢ（略称）の代わりにＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）用い、酸化モリブデン（ＶＩ
）と共蒸着して第１の層１５１１を形成した発光素子の効率、約１０００ｃｄ／ｍ２にお
ける駆動電圧、および信頼性は、実施例１０においてＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）の
共蒸着膜を正孔注入層に用い、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発
光素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が３．６Ｖのとき、輝度８４３ｃｄ／ｍ
２、電流値は０．５３ｍＡであり、１５００時間駆動で初期輝度の６５％の輝度を保って
いた）。
【０３９２】
このように、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）は、正孔注入層である第１の層１５１１および正
孔輸送層である第２の層１５１２の両方へ同時に用いることができる良好な材料であるこ
とがわかった。そのことにより、素子の作製が簡便となり、材料利用効率も向上させるこ
とができた。
【実施例６】
【０３９３】
本実施例６では、構造式（１５）で表される本発明のカルバゾール誘導体である（ビフ
ェニル−４−イル）（フェニル）［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イ
ル）ビフェニル−４−イル］アミン（略称：ＰＣＴＡ１ＢＰ）の合成方法について具体的
に説明する。
【０３９４】
【化１３０】
2020158528.tif 000131
【０３９５】
［ステップ１：４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニル］アミノフェニルボ
ロン酸の合成］
【０３９６】
ステップ１における４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニル］アミノフェ
ニルボロン酸の合成スキームを下記（Ｈ−１）に示す。
【０３９７】
【化１３１】
2020158528.tif 000132
【０３９８】
４−ブロモ−４’−フェニルトリフェニルアミンを７．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）、３００
ｍＬ三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換したのち、テトラヒドロフラン（略
称：ＴＨＦ）８０ｍＬを加えて−７８℃で１０分撹拌した。この溶液に１．６３ｍｏｌ／
Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１３ｍＬ（２１ｍｍｏｌ）をシリンジにより滴下し
、−７８℃で１時間撹拌した。撹拌後、反応混合物にホウ酸トリメチル３．５ｍＬ（３１
ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で１時間、室温で２４時間撹拌した。反応後、反応溶液に１
Ｍ希塩酸１００ｍＬを加えて室温で１時間撹拌した。撹拌後、この溶液を酢酸エチルで抽
出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。洗浄後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥
した。乾燥後、吸引ろ過により硫酸マグネシウムを除去してろ液を得た。得られたろ液を
濃縮し、クロロホルムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物を収量３．６ｇ
、収率５６％で得た。
【０３９９】
［ステップ２：（ビフェニル−４−イル）（フェニル）［４’−（９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４−イル］アミン（略称：ＰＣＴＡ１ＢＰ）の合
成］
【０４００】
ステップ２における（ビフェニル−４−イル）（フェニル）［４’−（９−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４−イル］アミンの合成スキームを下記（
Ｈ−２）に示す。
【０４０１】
【化１３２】
2020158528.tif 000133
【０４０２】
４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニル］アミノフェニルボロン酸を２．
２ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾ
ールを２．０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を１０ｍｇ（０．０４５ｍ
ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを０．６９ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）、１００ｍ
Ｌ三口フラスコに入れ、２．０ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液１０ｍＬ、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル（略称：ＤＭＥ）２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で撹
拌しながら脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を９０℃で５時間加熱撹拌し
た。撹拌後、反応混合物にトルエンを加え９０℃で加熱した。
【０４０３】
加熱後、この懸濁液の有機層と水層を分離した。分離後、有機層を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、飽和食塩水により洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。
この混合物をセライト、アルミナ、フロリジ−ルを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得ら
れたろ液を濃縮し、固体を得た。得られた固体を溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーによる精製を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーはまずトルエン：ヘキ
サン＝１：９の混合溶媒を展開溶媒として用い、ついでトルエン：ヘキサン＝２：３の混
合溶媒を用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体をクロロホ
ルムに溶解し、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）（展開溶媒：クロロホルム）に
よる精製を行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体をクロロホルムとヘキサン
の混合溶媒を加えて再結晶したところ、目的の白色固体を収量１．７ｇ、収率４８％で得
た。
【０４０４】
得られた白色固体１．０ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇
華精製は７．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を４ｍＬ／ｍｉｎとして３００℃で１５時
間行ったところ、収量０．６２ｇ、収率６２％で得た。
【０４０５】
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図４５に示す。測定結果から、上
述の構造式１５で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）が
得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝
７．０２−７．７９（ｍ，３２Ｈ）、８．１９（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ）、８．３９
（ｓ，１Ｈ）。
【０４０６】
また、ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）
を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３４９ｎｍ付近に見られ
、薄膜の場合では３５７ｎｍ付近に見られた。
【０４０７】
また、ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）
を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４０５ｎｍ（励起波長３２０ｎｍ）
、薄膜の場合では４２０ｎｍ（励起波長２８４ｎｍ）であった。上記吸収スペクトルおよ
び発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする。
【０４０８】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＴＡ１ＢＰ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．４９ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．１０ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．１０ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）ＬＵＭＯ準位が
−２．３９ｅＶであることを意味する。
【０４０９】
また、ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（Ｃ
Ｖ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとす
る。実施例１と同様の計算により、ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．
４８［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値
となった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示
すことがわかった。
【０４１０】
また、ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（Ｄ
ＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パー
キンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス
転移温度は１１８℃であることが分かった。このように、ＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）は、高
いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピーク
は存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０４１１】
なお、実施例５と同様に本実施例６で合成したＰＣＴＡ１ＢＰ（略称）を正孔輸送層に
用いて形成した発光素子の効率、１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および信頼性は
、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良好
な値が得られた（駆動電圧が３．６Ｖのとき、輝度１０４４ｃｄ／ｍ２、電流値は０．６
７ｍＡであり、１１００時間駆動で初期輝度の５２％の輝度を保っていた）。
【実施例７】
【０４１２】
本実施例７では、構造式（１９０）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるビス
（ビフェニル−４−イル）［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビ
フェニル−４−イル］アミン（略称：ＰＣＴＢｉ１ＢＰ）の合成方法について具体的に説
明する。
【０４１３】
【化１３３】
2020158528.tif 000134
【０４１４】
［ステップ１：４−［ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］フェニルボロン酸の合成］
【０４１５】
ステップ１における４−［ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］フェニルボロン酸の
合成スキームを下記（Ｉ−１）に示す。
【０４１６】
【化１３４】
2020158528.tif 000135
【０４１７】
４−ブロモ−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミンを６．０ｇ（１３ｍｍｏｌ
）を３００ｍＬ三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換したのち、テトラヒドロ
フラン（略称：ＴＨＦ）８０ｍＬを加えて−７８℃で１０分撹拌した。この溶液に１．６
３ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１０ｍＬをシリンジにより滴下し、−７
８℃で１時間撹拌した。撹拌後、反応混合物にホウ酸トリメチル２．８ｍＬ（２５ｍｍｏ
ｌ）を加え、−７８℃で１時間撹拌し、さらに室温で２４時間撹拌した。撹拌後、反応混
合物に約５０ｍＬの希塩酸を加えて、室温で３０分撹拌した。撹拌後、この混合物に酢酸
エチルを加えて抽出した。抽出後、有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層に硫酸マグネシ
ウムを加えて乾燥した。乾燥後、この混合物を吸引ろ過してろ液を得た。得られたろ液を
濃縮し、クロロホルムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物の白色粉末状固
体を収量４．８ｇ、収率８６％で得た。
【０４１８】
［ステップ２：ビス（ビフェニル−４−イル）［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾ
ール−３−イル）ビフェニル−４−イル］アミン（略称：ＰＣＴＢｉ１ＢＰ）の合成］
【０４１９】
ステップ２におけるビス（ビフェニル−４−イル）［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）ビフェニル−４−イル］アミンの合成スキームを下記（Ｉ−２）
に示す。
【０４２０】
【化１３５】
2020158528.tif 000136
【０４２１】
４−［ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］フェニルボロン酸を２．０ｇ（４．５ｍ
ｍｏｌ）、３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを１．８ｇ
（４．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を１０ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）、トリ
（ｏ−トリル）ホスフィンを０．６９ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコ
に入れ、２．０ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液１０ｍＬ、エチレングリコールジメチルエ
ーテル（略称：ＤＭＥ）２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌しながら脱気し
、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を９０℃で５時間加熱撹拌した。撹拌後、反応
混合物にトルエンを加え９０℃で加熱した。
【０４２２】
加熱後、この懸濁液の有機層と水層を分離した。分離後、有機層を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、飽和食塩水により洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。
この混合物をセライト、アルミナ、フロリジ−ルを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得ら
れたろ液を濃縮し、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーによる精製を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーはトルエン
を展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体に
トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的の白色固体を収量２．４ｇ、収
率７４％で得た。
【０４２３】
得られた白色固体の昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇華精製は
７Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を３ｍＬ／ｍｉｎとして３４０℃で２０時間行った。仕
込量１．５ｇ、収量０．７０ｇで収率は４６％であった。
【０４２４】
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図４６に示す。測定結果から、上
述の構造式１９０で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称
）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．１８−７．８３（ｍ，３６Ｈ）、８．２１（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ）、８．
４０（ｓ，１Ｈ）。
【０４２５】
また、ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ
）を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３５０ｎｍ付近に見ら
れ、薄膜の場合では３５７ｎｍ付近に見られた。
【０４２６】
また、ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ
）を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４１０ｎｍ（励起波長３２０ｎｍ
）、薄膜の場合では４４７ｎｍ（励起波長３４０ｎｍ）であった。上記吸収スペクトルお
よび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする。
【０４２７】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．５０ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトル
のＴａｕｃプロットから吸収端は３．１４ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギー
ギャップは３．１４ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）ＬＵＭＯ準
位が−２．３６ｅＶであることを意味する。
【０４２８】
また、ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（
ＣＶ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することと
する。
【０４２９】
実施例１と同様の計算により、ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．
４６［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値
となった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示
すことがわかった。
【０４３０】
また、ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（
ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パ
ーキンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ））を用いて調べた。測定結果から、ガ
ラス転移温度は１３３℃であることが分かった。このように、ＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）
は、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表す
ピークは存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０４３１】
なお、実施例５と同様に本実施例７で合成したＰＣＴＢｉ１ＢＰ（略称）を正孔輸送層
に用いて形成した発光素子の効率、１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および信頼性
は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良
好な値が得られた（駆動電圧が３．６Ｖのとき、輝度８７３ｃｄ／ｍ２、電流値は０．５
６ｍＡであり、１１０時間駆動で初期輝度の８０％の輝度を保っていた）。
【実施例８】
【０４３２】
本実施例８では、構造式（３４３）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４−
（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）の合成方法について具体的に説明する。
【０４３３】
【化１３６】
2020158528.tif 000137
【０４３４】
［ステップ１：３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールの合成
］
【０４３５】
ステップ１における３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
の合成スキームを下記（Ｊ−１）に示す。
【０４３６】
【化１３７】
2020158528.tif 000138
【０４３７】
３−ヨード−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを３．７ｇ（９．９ｍｍｏｌ）、４−
ブロモフェニルボロン酸を２．０ｇ（９．９ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン
を０．６１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、２００ｍＬの三口フラスコへ入れ、この混合物へ、５
０ｍＬのエチレングリコールジメチルエーテル（略称：ＤＭＥ）と、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カ
リウム水溶液１０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、
フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。
【０４３８】
この混合物へ、０．１１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加えた。
この混合物を、８０℃で９．５時間攪拌した。攪拌後、この混合物を室温まで冷ました後
、水で２回洗浄した。得られた水層をトルエンで２回抽出し、抽出液と有機層を合わせて
、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、この混合物を自然ろ過し
てから、ろ液を濃縮した。
【０４３９】
得られた油状物を約２０ｍＬのトルエンに溶かし、この溶液をセライト、アルミナ、フ
ロリジールを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）により精製したところ
、目的物の白色粉末状固体を１．９ｇ、収率４９％で得た。
【０４４０】
［ステップ２：４−（１−ナフチル）ジフェニルアミンの合成］
【０４４１】
ステップ２における４−（１−ナフチル）ジフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｊ
−２）に示す。
【０４４２】
【化１３８】
2020158528.tif 000139
【０４４３】
４−ブロモジフェニルアミンを１２ｇ（５０ｍｍｏｌ）、１−ナフタレンボロン酸を８
．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を２２ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ
（ｏ−トリル）ホスフィンを６０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、２００ｍＬ三口フラスコへ入
れ、この混合物へ、トルエン５０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム
水溶液３５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲
気下、９０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。
【０４４４】
反応後、この反応混合物にトルエン１００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
とり除いた。この懸濁液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ト
ルエン：ヘキサン：酢酸エチル＝１：８：１）による精製を行った。得られたフラクショ
ンを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色
粉末を収量３．０ｇ、収率２０％で得た。
【０４４５】
［ステップ３：４（１−ナフチル）−４’（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イ
ル）−トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＡＮＢ）の合成］
【０４４６】
ステップ３における４（１−ナフチル）−４’（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−
３−イル）−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｊ−３）に示す。
【０４４７】
【化１３９】
2020158528.tif 000140
【０４４８】
３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを１．２ｇ（３．０
ｍｍｏｌ）、４−（１−ナフチル）ジフェニルアミンを０．９ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ナ
トリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを０．５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデン
アセトン）パラジウム（０）を６．０ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラスコ
へ入れ、この混合物へ、脱水キシレン１５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌し
ながら脱気し、脱気後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液
）０．０６ｍＬ（０．０３ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１２０℃
で４．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０４４９】
反応後、この反応混合物にトルエン２５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル
、セライトを通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、アセトンとメタノール
を加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．５ｇ、収
率８２％で得た。
【０４５０】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．３４、３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾールは０．４６、４−（１−ナフチル）ジフェニルアミンは０．２５だ
った。
【０４５１】
上記ステップ３で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図４７に示す。測定結果から、上
述の構造式（３４３）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＡＮＢ（略称
）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．０７  （ｔ，  Ｊ＝６．６Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．２５−７．６７  （ｍ，  ２
６Ｈ），  ７．８４  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．８９−７．９２  （ｍ
，  １Ｈ），  ８．０３−８．０７  （ｍ，  １Ｈ），  ８．１８  （ｄ，  Ｊ＝７．８
Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３５  （ｄ，  Ｊ＝０．９Ｈｚ，  １Ｈ）。
【０４５２】
また、ＰＣＢＡＮＢ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を
測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３３５ｎｍ付近に見られ、
薄膜の場合では３４１ｎｍ付近に見られた。
【０４５３】
また、ＰＣＢＡＮＢ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）を
測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４１０ｎｍ（励起波長３４５ｎｍ）、
薄膜の場合では４３３ｎｍ（励起波長３４１ｎｍ）であった。
【０４５４】
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０４５５】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＢＡＮＢ（略称）のＨＯＭＯ準位は−５．４４ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．２５ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．２５ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＡＮＢ（略称）ＬＵＭＯ準位が−
２．１９ｅＶであることを意味する。
【０４５６】
また、ＰＣＢＡＮＢ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ
）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする
。
【０４５７】
実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＡＮＢ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４４
［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値とな
った。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すこ
とがわかった。
【０４５８】
また、ＰＣＢＡＮＢ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳ
Ｃ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パーキ
ンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス転
移温度は１１５℃であることが分かった。このように、ＰＣＢＡＮＢ（略称）は、高いガ
ラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピークは存
在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０４５９】
また、実施例５と同様に、本実施例８で合成した本発明のカルバゾール誘導体であるＰ
ＣＢＡＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発光素子６の素子特性の測定結果を図
５６、図５７、図５８、および図５９に示す。発光素子１のＮＰＢと比較しても、発光素
子６の本発明のホール輸送材料は、低駆動電圧を示していることがわかった。なお、比較
発光素子である発光素子１は、実施例５と同様に正孔輸送層１５１２に４，４’−ビス［
Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を用いて形成
した。
【０４６０】
また、発光素子６では、図５９に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のホール輸送材料は、発光素子６の構造において、良好なキャリアバランス
を実現していることがわかった。
【０４６１】
また、発光素子６に関し、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２として、定電流駆動による連
続点灯試験を行った結果を図６０に示す（縦軸は、１０００ｃｄ／ｍ２を１００％とした
時の相対輝度である）。図６０の結果から、発光素子１と比較しても長寿命であることが
わかった。よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られる。
【実施例９】
【０４６２】
本実施例９では、構造式（２２９）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４、
４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）
トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）の合成方法について具体的に説明する。
【０４６３】
【化１４０】
2020158528.tif 000141
［ステップ１：４、４’−ジブロモトリフェニルアミンの合成］
【０４６４】
ステップ１における４、４’−ジブロモトリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｋ
−１）に示す。
【０４６５】
【化１４１】
2020158528.tif 000142
トリフェニルアミンを１２ｇ（５０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬ三角フラスコ中にて酢酸エ
チル２５０ｍＬの混合溶媒に溶かした後、ここにＮ−ブロモこはく酸イミド（略称；ＮＢ
Ｓ）１８ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加えて２４時間室温にて撹拌した。反応終了後、この混
合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この混合液をろ過し、
得られたろ液を濃縮乾固させ、目的物の白色固体を収量２０ｇ、収率９９％で得た。
【０４６６】
［ステップ２：４、４’−ジ（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成］
【０４６７】
ステップ２における４、４’−ジ（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成スキーム
を下記（Ｋ−２）に示す。
【０４６８】
【化１４２】
2020158528.tif 000143
【０４６９】
４、４’−ジブロモトリフェニルアミンを６．０ｇ（１５ｍｍｏｌ）、１−ナフタレン
ボロン酸を５．２ｇ（３０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を２．０ｍｇ（０．０１
ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを６．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１００
ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏ
ｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気
したのち、窒素雰囲気下、９０℃で４．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０４７０】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライトを通してろ過
してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結
晶したところ、目的物の白色粉末を収量６．４ｇ、収率８６％で得た。
【０４７１】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．５３、４、４’−ジブロモトリフェニルアミンは０
．６９だった。
【０４７２】
［ステップ３：４−ブロモ−４’、４’’−ジ（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合
成］
【０４７３】
ステップ３における４−ブロモ−４’、４’’−ジ（１−ナフチル）トリフェニルアミ
ンの合成スキームを下記（Ｋ−３）に示す。
【０４７４】
【化１４３】
2020158528.tif 000144
【０４７５】
４、４’−ジ−（１−ナフチル）トリフェニルアミンを６．４ｇ（１３ｍｍｏｌ）を３
００ｍＬ三角フラスコ中にて酢酸エチル１５０ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブロモこは
く酸イミド（略称；ＮＢＳ）２．３ｇ（１３ｍｍｏｌ）を加えて２４時間室温にて撹拌し
た。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた
。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮した。ここにメタノールを加えて超音波をか
けたのち、再結晶したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  トルエン
：ヘキサン＝１：５）による精製を行った。目的物の白色粉末を収量１．６ｇ、収率２２
％で得た。
【０４７６】
［ステップ４：４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバ
ゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＮＢＢ）の合成］
【０４７７】
ステップ４における４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｋ−４）に示す。
【０４７８】
【化１４４】
2020158528.tif 000145
【０４７９】
４−ブロモ−４’、４’’−ジ（１−ナフチル）トリフェニルアミンを１．４ｇ（２．
５ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル−ボロン酸を０．７ｇ（２
．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を４．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ
−トリル）ホスフィンを６．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラスコへ入れ
、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶
液２．５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲気
下、９０℃で６．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０４８０】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライトを通してろ過
してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し
、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量
．０４ｇ、収率２２％で得た。
【０４８１】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図４８に示す。測定結果から、上
述の構造式（２２９）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＮＢＢ（略称
）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．２８−７．７２  （ｍ，  ３０Ｈ），  ７．８５  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  
２Ｈ），  ７．９０−７．９３  （ｍ，  ２Ｈ），  ８．０６−８．０９  （ｍ，  ２Ｈ
），  ８．１９  （ｄ，  Ｊ＝７．５Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３８  （ｄ，  Ｊ＝１．５
Ｈｚ，  １Ｈ）。
【０４８２】
また、ＰＣＢＮＢＢ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を
測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３４５ｎｍ付近に見られ、
薄膜の場合では３５５ｎｍ付近に見られた。
【０４８３】
また、ＰＣＢＮＢＢ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）を
測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４１３ｎｍ（励起波長３５５ｎｍ）、
薄膜の場合では４２８ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）であった。
【０４８４】
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０４８５】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＢＮＢＢ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．４６ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルのＴ
ａｕｃプロットから吸収端は３．１５ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギャ
ップは３．１５ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＮＢＢ（略称）ＬＵＭＯ準位が−２
．３１ｅＶであることを意味する。
【０４８６】
また、ＰＣＢＮＢＢ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ
）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする
。実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＮＢＢ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４３
［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値とな
った。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すこ
とがわかった。
【０４８７】
また、ＰＣＢＮＢＢ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳ
Ｃ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パーキ
ンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス転
移温度は１３６℃であることが分かった。このように、ＰＣＢＮＢＢ（略称）は、高いガ
ラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピークは存
在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０４８８】
また、実施例５と同様に、本実施例９で合成した本発明のカルバゾール誘導体であるＰ
ＣＢＮＢＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発光素子７の素子特性の測定結果を図
５６〜図５９に示す。発光素子１のＮＰＢと比較しても、発光素子７の本発明のホール輸
送材料は、低駆動電圧を示していることがわかった。なお、比較発光素子である発光素子
１は、実施例５と同様に正孔輸送層１５１２に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を用いて形成した。
【０４８９】
また、発光素子７では、図５９に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のホール輸送材料は、発光素子７の構造において、良好なキャリアバランス
を実現していることがわかった。
【０４９０】
また、発光素子７に関し、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２として、定電流駆動による連
続点灯試験を行った結果を図６０に示す（縦軸は、１０００ｃｄ／ｍ２を１００％とした
時の相対輝度である）。図６０の結果から、発光素子１と比較しても長寿命であることが
わかった。よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られる。
【実施例１０】
【０４９１】
本実施例１０では、構造式（２２０）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４
−（１−ナフチル）−４’−フェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−
３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉＮＢ）の合成方法について具体的に説
明する。
【０４９２】
【化１４５】
2020158528.tif 000146
［ステップ１：４−フェニルトリフェニルアミンの合成］
【０４９３】
ステップ１における４−フェニルトリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｌ−１）
に示す。
【０４９４】
【化１４６】
2020158528.tif 000147
【０４９５】
４−ブロモビフェニルを９．３ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミンを６．８ｇ（４
０ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを５．０ｇ（５０ｍｏｌ）、ビス（ジ
ベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１０ｍｇ、３００ｍＬ三口フラスコへ入れ、
フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、キシレン１００ｍＬ、トリ（ｔｅｒ
ｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．６ｍＬを加えた。
【０４９６】
この混合物を減圧下で攪拌しながら脱気し、窒素置換した後、１３０℃で３．５時間加
熱撹拌した。撹拌後、反応混合物にトルエン２５０ｍＬを加え、この懸濁液をセライト、
アルミナ、フロリジ−ルを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムを加えて乾燥させた。この混合物をセライト、アルミナ、フロリジ−ルを通してろ過し
、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけて再結晶を行っ
た。目的の白色粉末を収量１１ｇ、収率８９％で得た。
【０４９７】
［ステップ２：４−ブロモ−４’−フェニルトリフェニルアミンの合成］
【０４９８】
ステップ２における４−ブロモ−４’−フェニルトリフェニルアミンの合成スキームを
下記（Ｌ−２）に示す。
【０４９９】
【化１４７】
2020158528.tif 000148
【０５００】
４−フェニルトリフェニルアミンを６．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸エチルを２５０ｍ
Ｌ、トルエンを１５０ｍＬ、５００ｍＬ三角フラスコに加えて撹拌し、ここにＮ−ブロモ
こはく酸イミド（ＮＢＳ）３．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加えて２７．５時間撹拌した。得
られた懸濁液を、水で洗浄したのち、硫酸マグネシウムで水分を取り除いた。この懸濁液
を濃縮乾固させ、目的物の白色粉末を収量７．７ｇ、収率９６％で得た。
【０５０１】
［ステップ３：４−（１−ナフチル）−４’−フェニルトリフェニルアミンの合成］
【０５０２】
ステップ３における４−（１−ナフチル）−４’−フェニルトリフェニルアミンの合成
スキームを下記（Ｌ−３）に示す。
【０５０３】
【化１４８】
2020158528.tif 000149
【０５０４】
４−ブロモ−４’−フェニルトリフェニルアミンを８．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、１−ナ
フタレンボロン酸を３．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を４４ｍｇ（０
．２ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを６０ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）、１００
ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール１０ｍＬ、２ｍ
ｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液１５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱
気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で２．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０５０５】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけ
たのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量８．６ｇ、収率９７％で得た。
【０５０６】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４３、４−ブロモ−４’−フェニルトリフェニルア
ミンは０．５０だった。
【０５０７】
［ステップ４：４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）−４’’−フェニル−トリフェニル
アミンの合成］
【０５０８】
ステップ４における４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）−４’’−フェニル−トリフ
ェニルアミンの合成スキームを下記（Ｌ−４）に示す。
【０５０９】
【化１４９】
2020158528.tif 000150
【０５１０】
４−（１−ナフチル）−４’−フェニルトリフェニルアミンを８．６ｇ（１９ｍｍｏｌ
）を３００ｍＬ三角フラスコ中にて酢酸エチル１５０ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブロ
モこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）３．４ｇ（１９ｍｍｏｌ）を加えて２４時間室温にて
撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り
除いた。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白
色粉末を収量８．１ｇ、収率８０％で得た。
【０５１１】
［ステップ５：４−（１−ナフチル）−４’−フェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ
−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＢｉＮＢ）の合成］
【０５１２】
ステップ５における４−（１−ナフチル）−４’−フェニル−４’’−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｌ−５）
に示す。
【０５１３】
【化１５０】
2020158528.tif 000151
【０５１４】
４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）−４’  ’−フェニル−トリフェニルアミンを１
．６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル−ボロン酸を
０．９ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を１２ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）
、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを３６ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラス
コへ入れ、この混合物へ、トルエン１５ｍＬ、エタノール１５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カ
リウム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素
雰囲気下、９０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。
【０５１５】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、
目的物の白色粉末を収量０．９ｇ、収率４４％で得た。
【０５１６】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．２６、４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）−４’
’−フェニルトリフェニルアミンは０．４５だった。
【０５１７】
上記ステップ５で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図４９に示す。測定結果から、上
述の構造式（２２０）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＢｉＮＢ（略
称）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐ
ｍ）＝７．２７−７．６９  （ｍ，  ３１Ｈ），  ７．８４  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，
１Ｈ），  ７．８９−７．９２  （ｍ，  １Ｈ），  ８．０４−８．０８  （ｍ，  １
Ｈ），  ８．１８  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３６  （ｄ，  Ｊ＝１．
５Ｈｚ  １Ｈ）。
【０５１８】
また、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）
を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３４２ｎｍ付近に見られ
、薄膜の場合では３５１ｎｍ付近に見られた。
【０５１９】
また、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）
を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４０９ｎｍ（励起波長３５５ｎｍ）
、薄膜の場合では４３３ｎｍ（励起波長３３６ｎｍ）であった。
【０５２０】
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０５２１】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＢＢｉＮＢ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．３５ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．１８ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．１８ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＢｉＮＢ（略称）ＬＵＭＯ準位が
−２．１７ｅＶであることを意味する。
【０５２２】
また、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（Ｃ
Ｖ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとす
る。
【０５２３】
実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４
２［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値と
なった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示す
ことがわかった。
【０５２４】
また、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（Ｄ
ＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パー
キンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス
転移温度は１４３℃であることが分かった。このように、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）は、高
いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピーク
は存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０５２５】
また、実施例５と同様に、本実施例１０で合成した本発明のカルバゾール誘導体である
ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発光素子８の素子特性について測
定した結果を図５６〜図５９に示す。発光素子１のＮＰＢと比較しても、発光素子８の本
発明のホール輸送材料は、低駆動電圧を示していることがわかった。なお、比較発光素子
である発光素子１は、実施例５と同様に正孔輸送層１５１２に４，４’−ビス［Ｎ−（１
−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を用いて形成した。
【０５２６】
また、発光素子８では、図５９に示す発光スペクトルより、青色発光材料であるＰＣＢ
ＡＰＡ由来の発光波長が観測され、ホール輸送材料由来の発光波長は観測されなかった。
よって本発明のホール輸送材料は、発光素子８の構造において、良好なキャリアバランス
を実現していることがわかった。
【０５２７】
また、発光素子８に関し、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２として、定電流駆動による連
続点灯試験を行った結果を図６０に示す（縦軸は、１０００ｃｄ／ｍ２を１００％とした
時の相対輝度である）。図６０の結果から、発光素子１と比較しても長寿命であることが
わかった。よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られる。
【０５２８】
さらに、本実施例に示した発光素子８の構造において、第１の層１５１１を形成する際
に用いたＮＰＢ（略称）の代わりにＰＣＢＢｉＮＢ（略称）用い、酸化モリブデン（ＶＩ
）と共蒸着して第１の層１５１１を形成した発光素子の効率、約１０００ｃｄ／ｍ２にお
ける駆動電圧、および信頼性は、実施例１０においてＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）の
共蒸着膜を正孔注入層に用い、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発
光素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が４．２Ｖのとき、輝度１０６２ｃｄ／
ｍ２、電流値は０．７５ｍＡであり、３５０時間駆動で初期輝度の８１％の輝度を保って
いた）。
【０５２９】
このように、ＰＣＢＢｉＮＢ（略称）は、正孔注入層である第１の層１５１１および正
孔輸送層である第２の層１５１２の両方へ同時に用いることができる良好な材料であるこ
とがわかった。そのことにより、素子の作製が簡便となり、材料利用効率も向上させるこ
とができた。
【実施例１１】
【０５３０】
本実施例１１では、構造式（３５５）で表される本発明のカルバゾール誘導体である［
４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］（フェニル）［４−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］アミン（略称：ＰＣＢＡＮＴ）の合成方法につ
いて具体的に説明する。
【０５３１】
【化１５１】
2020158528.tif 000152
【０５３２】
［ステップ１：４−（４−ブロモフェニル）−４’−フェニル−トリフェニルアミンの合
成］
【０５３３】
ステップ１における４−（４−ブロモフェニル）−４’−フェニル−トリフェニルアミ
ンの合成スキームを下記（Ｍ−１）に示す。
【０５３４】
【化１５２】
2020158528.tif 000153
【０５３５】
４，４’−ジブロモビフェニルを２２ｇ（７０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミンを８．５
ｇ（５０ｍｍｏｌ）、よう化銅（Ｉ）を１．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６
−エーテルを２．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウムを６．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）、１
，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（略称：Ｄ
ＭＰＵ）を５０ｍＬ、５００ｍＬ三口フラスコへ入れ、窒素雰囲気下、１８０℃で３７時
間撹拌した。
【０５３６】
反応後、この反応混合物にトルエン５００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、
シリカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウム
を加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライ
トを通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラク
ションを濃縮し、ヘキサンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ
、目的物の白色粉末を収量５．３ｇ、収率２７％で得た。
【０５３７】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．５、４，４’−ジブロモビフェニルは０．５９だっ
た。
【０５３８】
［ステップ２：［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］ジフェニルアミンの合
成］
【０５３９】
ステップ２における［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］ジフェニルアミ
ンの合成スキームを下記（Ｍ−２）に示す。
【０５４０】
【化１５３】
2020158528.tif 000154
【０５４１】
４−（４−ブロモフェニル）−４’−フェニル−トリフェニルアミンを４．０ｇ（１０
ｍｍｏｌ）、１−ナフタレンボロン酸を１．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（Ｉ
Ｉ）を１１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを１５ｍｇ（０．
０５ｍｍｏｌ）、１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エ
タノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液１０ｍＬを加えた。この混合物を、減
圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で７時間加熱撹拌し、反応させ
た。
【０５４２】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をシリカゲル、アル
ミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え
て水分を取り除いた。この懸濁液をシリカゲル、アルミナ、セライトを通してろ過してろ
液を得た。得られたろ液を濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶した
ところ、目的物の白色粉末を収量３．６ｇ、収率８０％で得た。
【０５４３】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．５８、４−ブロモフェニル−４’−フェニル−トリ
フェニルアミンは０．６５だった。
【０５４４】
［ステップ３：（４−ブロモフェニル）［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル
］フェニルアミンの合成］
【０５４５】
ステップ３における（４−ブロモフェニル）［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４
−イル］フェニルアミンの合成スキームを下記（Ｍ−３）に示す。
【０５４６】
【化１５４】
2020158528.tif 000155
【０５４７】
［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］ジフェニルアミンを３．６ｇ（８．
０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬ三角フラスコ中にて酢酸エチル１００ｍＬに溶かした後、ここ
にＮ−ブロモこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）１．４ｇ（８．０ｍｍｏｌ）を加えて７２
時間室温にて撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え
て水分を取り除いた。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮した。ここにメタノール
を加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量３．９ｇ、収
率９３％で得た。
【０５４８】
［ステップ４：［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］（フェニル）［４−（
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］アミン（略称；ＰＣＢＡＮＴ
）の合成］
【０５４９】
ステップ４における［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］（フェニル）［
４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］アミンの合成スキーム
を下記（Ｍ−４）に示す。
【０５５０】
【化１５５】
2020158528.tif 000156
【０５５１】
（４−ブロモフェニル）［４’−（１−ナフチル）ビフェニル−４−イル］フェニルア
ミンを１．６ｇ（３ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸を０
．８ｇ（３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を６．０ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、ト
リ（ｏ−トリル）ホスフィンを１８ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、１００ｍＬ三口フラスコ
へ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウ
ム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲
気下、８０℃で６．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０５５２】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過
してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し
、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量
１．２ｇ、収率６０％で得た。
【０５５３】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．２８、（４−ブロモフェニル）［４’−（１−ナフ
チル）ビフェニル−４−イル］フェニルアミンは０．４２だった。
【０５５４】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図５０に示す。測定結果から、上
述の構造式（３５５）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＡＮＴ（略称
）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．０８  （ｔ，  Ｊ＝７．５Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．２０−７．７３  （ｍ，  ３
０Ｈ），  ７．８７  （ｄ，  Ｊ＝８．１Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．９２  （ｄ，  Ｊ＝７
．２Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．００  （ｄ，  Ｊ＝８．４Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．１９  （
ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３５  （ｄ，  Ｊ＝１．８Ｈｚ，  １Ｈ）。
【０５５５】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量６８９．３０（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＰ
ＣＢＡＮＴ（略称）が得られたことを確認した。
【０５５６】
また、ＰＣＢＡＮＴ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を
測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３４２ｎｍ付近に見られ、
薄膜の場合では３５１ｎｍ付近に見られた。
【０５５７】
また、ＰＣＢＡＮＴ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）を
測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４１４ｎｍ（励起波長３５５ｎｍ）、
薄膜の場合では３４２ｎｍ（励起波長３６５ｎｍ）であった。
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０５５８】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｐ
ＣＢＡＮＴ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．３８ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルのＴ
ａｕｃプロットから吸収端は３．１１ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギャ
ップは３．１１ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＡＮＴ（略称）ＬＵＭＯ準位が−２
．２７ｅＶであることを意味する。
【０５５９】
また、ＰＣＢＡＮＴ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ
）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする
。
【０５６０】
実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＡＮＴ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４３
［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値とな
った。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すこ
とがわかった。
【０５６１】
また、ＰＣＢＡＮＴ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳ
Ｃ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パーキ
ンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス転
移温度は１３１℃であることが分かった。このように、ＰＣＢＡＮＴ（略称）は、高いガ
ラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピークは存
在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０５６２】
なお、実施例５と同様に本実施例１１で合成したＰＣＢＡＮＴ（略称）を正孔輸送層に
用いて形成した発光素子の効率、および１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は、実施例
１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良好な値が得
られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度１１８６ｃｄ／ｍ２、電流値は０．７３ｍＡで
あり、１８０時間駆動で初期輝度の６５％の輝度を保っていた）。
【実施例１２】
【０５６３】
本実施例１２では、構造式（６３）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４−
［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−４’−フェニル−
トリフェニルアミン（略称：ＢＣＢＡ１ＢＰ）の合成方法について具体的に説明する。
【０５６４】
【化１５６】
2020158528.tif 000157
【０５６５】
［ステップ１：９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０５６６】
ステップ１における９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾールの合成スキー
ムを下記（Ｎ−１）に示す。
【０５６７】
【化１５７】
2020158528.tif 000158
４−ブロモビフェニルを１２ｇ（５０ｍｍｏｌ）、カルバゾールを８．４ｇ（５０ｍｍ
ｏｌ）、酢酸パラジウム（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）（ＩＩ））を２３０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）
、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）を１．８ｇ（３
．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを１３ｇ（１８０ｍｍｏｌ）を２０
０ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キ
シレン８０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、窒素雰囲気下、
１２０℃で７．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０５６８】
反応終了後、この懸濁液に温めたトルエン約６００ｍＬを加え、これをフロリジール、
アルミナ、セライトを通した濾過を２回繰り返した。得られたろ液を濃縮し、ヘキサンを
加えて再結晶を行ったところ、目的物の白色粉末を収量１４ｇ、収率８７％で得た。
【０５６９】
［ステップ２：９−（ビフェニル−４−イル）−３−ブロモ−９Ｈ−カルバゾールの合成
法］
【０５７０】
ステップ２における９−（ビフェニル−４−イル）−３−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール
の合成スキームを下記（Ｎ−２）に示す。
【０５７１】
【化１５８】
2020158528.tif 000159
９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾールを３．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、２
００ｍＬ三角フラスコ中にてトクロロホルム１００ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブロモ
こはく酸イミドを（略称；ＮＢＳ）１．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えて２４時間室温にて
撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り
除いた。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮乾固させたところ、目的物の白色粉末
を収量３．７ｇ、収率９５％で得た。
【０５７２】
［ステップ３：［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］ボロ
ン酸の合成］
【０５７３】
ステップ３における［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル
］ボロン酸の合成スキームを下記（Ｎ−３）に示す。
【０５７４】
【化１５９】
2020158528.tif 000160
【０５７５】
９−（４−ビフェニル）−３−ブロモ−９Ｈ−カルバゾールを８．０ｇ（２０ｍｍｏｌ
）、５００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換したのち、テトラヒ
ドロフラン（略称：ＴＨＦ）２００ｍＬを加えて−７８℃にした。この混合液に１．６ｍ
ｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１６ｍＬ（２４ｍｍｏｌ）を滴下し、２時間
撹拌した。この混合物にホウ酸トリメチル４．０ｍＬ（４０ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃
で２時間、室温で１８時間撹拌した。反応後、この反応溶液に１Ｍ希塩酸５０ｍＬを加え
て３時間撹拌した。これをトルエンで抽出し、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した。
洗浄後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をろ過し、得
られたろ液を濃縮し、ヘキサンを加え超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の
白色粉末を収量６．６ｇ、収率９１％で得た。
【０５７６】
［ステップ４：４−［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］
−４’−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＣＢＡ１ＢＰの合成］
【０５７７】
ステップ４における４−［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル］−４’−フェニル−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｎ−４）に示す。
【０５７８】
【化１６０】
2020158528.tif 000161
【０５７９】
４−ブロモ−４’−フェニル−トリフェニルアミンを１．２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、［
９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］ボロン酸を１．１ｇ（
３．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を６．０ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、トリ（
ｏ−トリル）ホスフィンを１８ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラスコへ入れ
、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶
液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲気下、
９０℃で６．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０５８０】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライトを通してろ過
してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけた
のち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．５ｇ、収率７９％で得た。
【０５８１】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４５、４−ブロモ−４’−フェニル−トリフェニル
アミンは０．６８だった。
【０５８２】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図５１に示す。測定結果から、上
述の構造式６３で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）が
得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝
７．０６  （ｔ，  Ｊ＝７．２Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．２０−７．７２  （ｍ，  ２９Ｈ
），  ７．８３  （ｄ，  Ｊ＝８．４Ｈｚ，  ２Ｈ），  ８．１９  （ｄ，  Ｊ＝７．８
Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３５  （ｓ，  １Ｈ）。
【０５８３】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量６３８．２７（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＢ
ＣＢＡ１ＢＰ（略称）が得られたことを確認した。
【０５８４】
また、ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）
を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３３６ｎｍ付近に見られ
、薄膜の場合では３４２ｎｍ付近に見られた。
【０５８５】
また、ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）
を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９４ｎｍ（励起波長３５０ｎｍ）
、薄膜の場合では４０８ｎｍ（励起波長３０１ｎｍ）であった。
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０５８６】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｂ
ＣＢＡ１ＢＰ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．４８ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．１９ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．１９ｅＶと見積もられ、このことはＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）ＬＵＭＯ準位が
−２．２９ｅＶであることを意味する。
【０５８７】
また、ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（Ｃ
Ｖ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとす
る。
【０５８８】
実施例１と同様の計算により、ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４
３［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値と
なった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示す
ことがわかった。
【０５８９】
また、ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（Ｄ
ＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パー
キンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス
転移温度は１２２℃であることが分かった。このように、ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）は、高
いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピーク
は存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０５９０】
なお、実施例５と同様に本実施例１２で合成したＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）を正孔輸送層
に用いて形成した発光素子の効率、１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および信頼性
は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良
好な値が得られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度１０３１ｃｄ／ｍ２、電流値は０．
７２ｍＡであり、１８０時間駆動で初期輝度の８９％の輝度を保っていた）。
【実施例１３】
【０５９１】
本実施例１３では、構造式（３６４）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４−［
９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−４’−（１−ナフチ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＢＣＢＡＮＢ）の合成方法について具体的に説明する。
【０５９２】
【化１６１】
2020158528.tif 000162
【０５９３】
［ステップ１：４−ブロモトリフェニルアミンの合成］
【０５９４】
ステップ１における４−ブロモトリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｏ−１）に
示す。
【０５９５】
【化１６２】
2020158528.tif 000163
【０５９６】
トリフェニルアミン５４．０ｇ（２２０ｍｍｏｌ）の１．５Ｌ酢酸エチル溶液に、Ｎ−
ブロモこはく酸イミド（ＮＢＳ）３５．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）を加えて２４時間撹拌し
た。得られた懸濁液を、１Ｌまで濃縮した後、５％酢酸ナトリウム水溶液１Ｌで洗浄した
。洗浄後のこの溶液をさらに５０ｍＬ程度にまで濃縮し、メタノールを加えて析出させた
。得られた析出物を濾取、乾燥させ、目的物の白色粉末を４６．５ｇ、収率７３％で得た
。
【０５９７】
［ステップ２：４−（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成］
【０５９８】
ステップ２における４−（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成スキームを下記（
Ｏ−２）に示す。
【０５９９】
【化１６３】
2020158528.tif 000164
【０６００】
４−ブロモトリフェニルアミンを９．７ｇ（３０ｍｍｏｌ）、１−ナフタレンボロン酸
を５．７ｇ（３３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を６７ｍｇ（０．３ｍｍｏｌ）、
トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを９１ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、２００ｍＬ三口フラスコへ
入れ、この混合物へ、トルエン５０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウ
ム水溶液２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、窒素雰囲気下
、９０℃で２時間加熱撹拌し、反応させた。
【０６０１】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を炭酸水素ナトリウム水、水の順で
洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。乾燥後、この懸濁液をフロリジール、ア
ルミナ、シリカゲル、セライトを通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮、乾固
させた。  目的物の淡黄色固体を収量１１ｇ、収率９９％で得た。
【０６０２】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４８、４−ブロモトリフェニルアミンは０．５５だ
った。
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。測定結果から、上述の構造式３６４で表される本発明の化合物が
得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝
７．０７  （ｔ，  Ｊ＝７．５Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．２２−７．６１  （ｍ，  ２１Ｈ
），  ７．８３  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．８８−７．９１  （ｍ，  
１Ｈ），  ８．０２−８．０５  （ｍ，  １Ｈ）。
【０６０３】
［ステップ３：４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成］
【０６０４】
ステップ３における４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成ス
キームを下記（Ｏ−３）に示す。
【０６０５】
【化１６４】
2020158528.tif 000165
【０６０６】
４−（１−ナフチル）トリフェニルアミンを１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）、５００ｍＬなす
フラスコ中にて酢酸エチル３００ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブロモこはく酸イミド（
略称；ＮＢＳ）５．３ｇ（３０ｍｍｏｌ）を加えて１６８時間室温にて撹拌した。反応終
了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この混合
液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  
トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、メ
タノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量７．
８ｇ、収率４３％で得た。
【０６０７】
［ステップ４：４−［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］
−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：ＢＣＢＡＮＢ）の合成］
【０６０８】
ステップ４における４−［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル］−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｏ−４）に
示す。
【０６０９】
【化１６５】
2020158528.tif 000166
【０６１０】
４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミンを１．３５ｇ（３．０ｍｍｏ
ｌ）、［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］ボロン酸を１
．１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を６．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）
、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを９．０ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、１００ｍＬ三口フ
ラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸
カリウム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒
素雰囲気下、９０℃で３時間加熱撹拌し、反応させた。
【０６１１】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、
目的物の白色粉末を収量１．０ｇ、収率５０％で得た。
【０６１２】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４５、４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）トリフ
ェニルアミンは０．６６だった。
【０６１３】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図５２に示す。測定結果から、上
述の構造式３６４で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＢＣＢＡＮＢ（略称）が
得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝
７．０８  （ｔ，  Ｊ＝６．９Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．２８−７．７１  （ｍ，  ２８Ｈ
），  ７．８２−７．８６  （ｍ，  ３Ｈ），  ７．８９−７．９２  （ｍ，  １Ｈ），
８．０４−８．０７  （ｍ，  １Ｈ），  ８．２０  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ
）  ，  ８．３７  （ｄ，  Ｊ＝１．２Ｈｚ，  １Ｈ）。
【０６１４】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量５５６．５２（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＢ
ＣＢＡＮＢ（略称）が得られたことを確認した。
【０６１５】
また、ＢＣＢＡＮＢ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を
測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３３５ｎｍ付近に見られ、
薄膜の場合では３４４ｎｍ付近に見られた。
【０６１６】
また、ＢＣＢＡＮＢ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）を
測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４１０ｎｍ（励起波長３４５ｎｍ）、
薄膜の場合では４２２ｎｍ（励起波長３２８ｎｍ）であった。
【０６１７】
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０６１８】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｂ
ＣＢＡＮＢ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．４２ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルのＴ
ａｕｃプロットから吸収端は３．１９ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギャ
ップは３．１９ｅＶと見積もられ、このことはＢＣＢＡＮＢ（略称）ＬＵＭＯ準位が−２
．２３ｅＶであることを意味する。
【０６１９】
また、ＢＣＢＡＮＢ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ
）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする
。
【０６２０】
実施例１と同様の計算により、ＢＣＢＡＮＢ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４５
［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値とな
った。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すこ
とがわかった。
【０６２１】
また、ＢＣＢＡＮＢ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳ
Ｃ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パーキ
ンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス転
移温度は１３０℃であることが分かった。このように、ＢＣＢＡＮＢ（略称）は、高いガ
ラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピークは存
在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０６２２】
なお、実施例５と同様に本実施例１３で合成したＢＣＢＡＮＢ（略称）を正孔輸送層に
用いて形成した発光素子の効率、および１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は、実施例
１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良好な値が得
られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度８４８ｃｄ／ｍ２、電流値は０．５２ｍＡであ
った）。
【実施例１４】
【０６２３】
本実施例１４では、構造式（３６６）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４−［
９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−４’−（１−ナフチ
ル）４’’−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＣＢＢｉＮＢ）の合成方法につい
て具体的に説明する。
【０６２４】
【化１６６】
2020158528.tif 000167
【０６２５】
［ステップ１：４−［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］
−４’−（１−ナフチル）４’’−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＣＢＢｉＮ
Ｂ）の合成］
【０６２６】
ステップ１における４−［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル］−４’−（１−ナフチル）４’’−フェニル−トリフェニルアミンの合成スキーム
を下記（Ｐ−１）に示す。
【０６２７】
【化１６７】
2020158528.tif 000168
【０６２８】
４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）−４’  ’−フェニル−トリフェニルアミンを１
．６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、［９−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール−３
−イル］ボロン酸を１．１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を６．０ｍｇ
（０．０３ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを１８ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）
、１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ
、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液３ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しなが
ら脱気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で６．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０６２９】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、
目的物の白色粉末を収量１．４ｇ、収率６０％で得た。
【０６３０】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．２６、４−ブロモ−４’−（１−ナフチル）−４’
’−フェニル−トリフェニルアミンは０．４６だった。
【０６３１】
上記ステップ１で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図５３に示す。測定結果から、上
述の構造式３６６で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＢＣＢＢｉＮＢ（略称）
が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）
＝７．３０−７．７１  （ｍ，  ３３Ｈ），  ７．８２−７．８６  （ｍ，  ３Ｈ），  
７．９０−７．９３  （ｍ，  １Ｈ），  ８．０５−８．０８  （ｍ，１Ｈ），  ８．２
０  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３８  （ｄ，  Ｊ＝１．５Ｈｚ，  １Ｈ
）。
【０６３２】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量７６５．３２（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＢ
ＣＢＢｉＮＢ（略称）が得られたことを確認した。
【０６３３】
また、ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）
を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３４２ｎｍ付近に見られ
、薄膜の場合では３５１ｎｍ付近に見られた。
【０６３４】
また、ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）
を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４０９ｎｍ（励起波長３５５ｎｍ）
、薄膜の場合では４３３ｎｍ（励起波長３３６ｎｍ）であった。
【０６３５】
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０６３６】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｂ
ＣＢＢｉＮＢ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．３５ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．１８ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．１８ｅＶと見積もられ、このことはＢＣＢＢｉＮＢ（略称）ＬＵＭＯ準位が
−２．１７ｅＶであることを意味する。
【０６３７】
また、ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（Ｃ
Ｖ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとす
る。
【０６３８】
実施例１と同様の計算により、ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４
２［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値と
なった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示す
ことがわかった。
【０６３９】
また、ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（Ｄ
ＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パー
キンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス
転移温度は１４３℃であることが分かった。このように、ＢＣＢＢｉＮＢ（略称）は、高
いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピーク
は存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０６４０】
なお、実施例５と同様に本実施例１４で合成したＢＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層
に用いて形成した発光素子の効率、１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および信頼性
は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良
好な値が得られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度９９６ｃｄ／ｍ２、電流値は０．５
９ｍＡでであり、１８０時間駆動で初期輝度の８４％の輝度を保っていた）。
【実施例１５】
【０６４１】
本実施例１５では、構造式（３８６）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４−｛
９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−イル｝−４’−フェ
ニル−トリフェニルアミン（略称：ＮＢＣＢＡ１ＢＰ）の合成方法について具体的に説明
する。
【０６４２】
【化１６８】
2020158528.tif 000169
【０６４３】
［ステップ１：９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０６４４】
ステップ１における９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾールの合成スキーム
を下記（Ｑ−１）に示す。
【０６４５】
【化１６９】
2020158528.tif 000170
【０６４６】
１，４−ジブロモベンゼンを５６ｇ（２４０ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾールを３１ｇ
（１８０ｍｍｏｌ）、よう化銅（Ｉ）を４．６ｇ（２４ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６
−エーテルを２．１ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウムを６６ｇ（４８０ｍｍｏｌ）、
１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（略称：
ＤＭＰＵ）を８ｍＬ、３００ｍＬ三口フラスコへ入れ、窒素雰囲気下、１８０℃で６時間
撹拌した。
【０６４７】
反応後、この懸濁液をろ過し、ろ液を希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食
塩水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムにより水分を取り除いた。この懸濁液をろ過し、得
られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン：酢酸
エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、クロロホルムと
ヘキサンを加えて再結晶したところ、目的物の淡褐色プレート状結晶を収量２１ｇ、収率
３５％で得た。
【０６４８】
［ステップ２：９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０６４９】
ステップ２における９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールの合
成スキームを下記（Ｑ−２）に示す。
【０６５０】
【化１７０】
2020158528.tif 000171
【０６５１】
９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾールを４．８ｇ（１５ｍｍｏｌ）、１−
ナフタレンボロン酸を２．６ｇ（１５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を２．０ｍｇ
（０．０１ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを６．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ
）、１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール１０
ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液１０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌
しながら脱気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で９時間加熱撹拌し、反応させた。
【０６５２】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライトを通してろ過
してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけた
のち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量５．０ｇ、収率９０％で得た。
【０６５３】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４６、９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバ
ゾールは０．５４だった。
【０６５４】
［ステップ３：３−ブロモ−９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾー
ルの合成］
【０６５５】
ステップ３における３−ブロモ−９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カル
バゾールの合成スキームを下記（Ｑ−３）に示す。
【０６５６】
【化１７１】
2020158528.tif 000172
【０６５７】
９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールを５．０ｇ（１４ｍｍｏ
ｌ）、３００ｍＬ三角フラスコ中にてトルエン５０ｍＬ、酢酸エチル２５０ｍＬの混合溶
媒に溶かした後、ここにＮ−ブロモこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）２．５ｇ（１４ｍｍ
ｏｌ）を加えて１６８時間室温にて撹拌した。反応終了後、この混合液フロリジール、セ
ライトを通してろ過したのち、得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水
分を取り除いた。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮した。ここにヘキサンを加え
て超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量６．１ｇ、収率９９
％で得た。
【０６５８】
［ステップ４：９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロ
ン酸の合成］
【０６５９】
ステップ４における９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３
−ボロン酸の合成スキームを下記（Ｑ−４）に示す。
【０６６０】
【化１７２】
2020158528.tif 000173
【０６６１】
３−ブロモ−９−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾールを５．０ｇ
（１４ｍｍｏｌ）、５００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した
のち、テトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）２００ｍＬを加えて−７８℃にした。この混
合液に１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１１ｍＬ（１７ｍｍｏｌ）を
滴下し、４時間撹拌した。この混合物にホウ酸トリメチル２．７ｍＬ（２７ｍｍｏｌ）を
加え、−７８℃で２時間、室温で１６時間撹拌した。反応後、この反応溶液に１Ｍ希塩酸
５０ｍＬを加えて４時間撹拌した。これをトルエンで抽出し、得られた有機層を飽和食塩
水で洗浄した。洗浄後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁
液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、クロロホルムとヘキサンを加え超音波をかけたのち
、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量３．５ｇ、収率６３％で得た。
【０６６２】
［ステップ５：４−｛９−［４（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル｝−４’−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＮＢＣＢＡ１ＢＰの合成］
【０６６３】
ステップ５における４−｛９−［４（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール
−３−イル｝−４’−フェニル−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｑ−５）に
示す。
【０６６４】
【化１７３】
2020158528.tif 000174
【０６６５】
４−ブロモ−４’−フェニル−トリフェニルアミンを１．０ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、９
−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸を１．０ｇ（
２．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を４．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ（
ｏ−トリル）ホスフィンを６．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラスコへ入
れ、この混合物へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水
溶液２．５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲
気下、９０℃で１３時間加熱撹拌し、反応させた。
【０６６６】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超
音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．２ｇ、収率７０％で
得た。
【０６６７】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４１、４−ブロモ−４’−フェニル−トリフェニル
アミンは０．６２だった。
【０６６８】
上記ステップ５で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図５４に示す。測定結果から、上
述の構造式３８６で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称
）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．０６  （ｔ，  Ｊ＝６．６Ｈｚ，  １Ｈ），  ７．２１−７．７７  （ｍ，  ３
０Ｈ），  ７．９２−７．９８  （ｍ，  ２Ｈ），  ８．０４−８．０８  （ｍ，  １Ｈ
），  ８．２２  （ｄ，  Ｊ＝７．８Ｈｚ，  １Ｈ），  ８．３７  （ｄ，  Ｊ＝１．５
Ｈｚ，  １Ｈ）。
【０６６９】
また、ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ
）を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３３３ｎｍ付近に見ら
れ、薄膜の場合では３４０ｎｍ付近に見られた。
【０６７０】
また、ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ
）を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９３ｎｍ（励起波長３５０ｎｍ
）、薄膜の場合では４８８ｎｍ（励起波長３０２ｎｍ）であった。
【０６７１】
上記吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明
を省略することとする。
【０６７２】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｎ
ＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．５３ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトル
のＴａｕｃプロットから吸収端は３．２２ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギー
ギャップは３．２２ｅＶと見積もられ、このことはＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）ＬＵＭＯ準
位が−２．３１ｅＶであることを意味する。
【０６７３】
また、ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（
ＣＶ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することと
する。
【０６７４】
実施例１と同様の計算により、ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４
３［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値と
なった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示す
ことがわかった。
【０６７５】
また、ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（
ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パ
ーキンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラ
ス転移温度は１３２℃であることが分かった。このように、ＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）は
、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピ
ークは存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０６７６】
なお、実施例５と同様に本実施例１５で合成したＮＢＣＢＡ１ＢＰ（略称）を正孔輸送
層に用いて形成した発光素子の効率、および１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は、実
施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良好な値
が得られた（駆動電圧が３．６Ｖのとき、輝度７７３ｃｄ／ｍ２、電流値は０．４７ｍＡ
であった）。
【実施例１６】
【０６７７】
本実施例１６では、構造式（３９５）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４−［
９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−４’−フェニル−トリフェニ
ルアミン（略称：ＮＣＢＡ１ＢＰ）の合成方法について具体的に説明する。
【０６７８】
【化１７４】
2020158528.tif 000175
【０６７９】
［ステップ１：９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０６８０】
ステップ１における９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾールの合成スキームを下記
（Ｒ−１）に示す。
【０６８１】
【化１７５】
2020158528.tif 000176
【０６８２】
１−ブロモナフタレンを２１ｇ（１００ｍｍｏｌ）、カルバゾールを１７ｇ（１００ｍ
ｍｏｌ）、よう化銅（Ｉ）を０．１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテ
ルを０．７ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウムを３３ｇ（２４０ｍｍｏｌ）、１，３−
ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（略称：ＤＭＰＵ
）を８０ｍＬ、５００ｍＬ三口フラスコへ入れ、窒素雰囲気下、１７０℃で６時間撹拌し
た。この反応混合物にさらに１−ブロモナフタレンを１０ｇ（５０ｍｍｏｌ）、よう化銅
（Ｉ）を２．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテルを２．６ｇ（１０ｍ
ｍｏｌ）を加え、さらに１７０℃で７．５時間撹拌した。この反応混合物にさらに１−ブ
ロモナフタレンを１０ｇ（５０ｍｍｏｌ）加え、さらに１８０℃で６時間撹拌した。
【０６８３】
反応後、この反応混合物にトルエン約２００ｍＬと１ｍｏｌ／Ｌの塩酸約１００ｍＬを
加え、セライトを通してろ過した。得られたろ液をフロリジール、セライトを通してろ過
した。得られたろ液を有機層と水層とに分け、この有機層を１ｍｏｌ／Ｌの塩酸、水の順
番で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジー
ル、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮して得た油状物質に、ヘキサンを加
えて超音波かけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量２２ｇ、収率７５％
で得た。
【０６８４】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．６１、１−ブロモナフタレンは０．７４、カルバゾ
ールは０．２４だった。
【０６８５】
［ステップ２：３−ブロモ−９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０６８６】
ステップ２における３−ブロモ−９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾールの合成ス
キームを下記（Ｒ−２）に示す。
【０６８７】
【化１７６】
2020158528.tif 000177
【０６８８】
９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾールを５．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、５００ｍＬ
三角フラスコ中にてトルエン５０ｍＬ、酢酸エチル５０ｍＬの混合溶媒に溶かした後、こ
こにＮ−ブロモこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）３．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加えて１７
０時間室温にて撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加
えて水分を取り除いた。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮乾固させ、目的物の白
色粉末を収量７．４ｇ、収率９９％で得た。
【０６８９】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．４３、９−（１−ナフチル）９Ｈ−カルバゾールは
０．３５だった。
【０６９０】
［ステップ３：９−（１−ナフチル）９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸の合成］
【０６９１】
ステップ３における９−（１−ナフチル）９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸の合成ス
キームを下記（Ｒ−３）に示す。
【０６９２】
【化１７７】
2020158528.tif 000178
【０６９３】
９−（１−ナフチル）９Ｈ−カルバゾールを３．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）、５００ｍＬ三
口フラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換したのち、テトラヒドロフラン（略称
：ＴＨＦ）２００ｍＬを加えて−７８℃にした。この混合液に１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブ
チルリチウムヘキサン溶液７ｍＬ（１３ｍｍｏｌ）を滴下し、２時間撹拌した。この混合
物にホウ酸トリメチル２ｍＬ（２０ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で３時間、室温で１６時
間撹拌した。反応後、この反応溶液に１Ｍ希塩酸５０ｍＬを加えて４時間撹拌した。これ
を酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した。洗浄後、有機層に硫酸
マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、
クロロホルムとヘキサンを加え超音波をかけたのち、再結晶したところ、黄色粉末の目的
物を収量２．６ｇ、収率７８％で得た。
【０６９４】
［ステップ４：４−［９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−４’−
フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＮＣＢＡ１ＢＰの合成］
【０６９５】
ステップ４における４−［９−（１−ナフチル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−
４’−フェニル−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｒ−４）に示す。
【０６９６】
【化１７８】
2020158528.tif 000179
【０６９７】
４−ブロモ−４’−フェニル−トリフェニルアミンを１．２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、９
−（１−ナフチル）９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸を１．０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、
酢酸パラジウム（ＩＩ）を６．０ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフ
ィンを０．０３ｍｇ（１８ｍｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、ト
ルエン１５ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液３ｍＬを加えた。
この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で６．５時間
加熱撹拌し、反応させた。
【０６９８】
反応後、この反応混合物にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：３）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白
色粉末を収量０．５ｇ、収率２５％で得た。
【０６９９】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．３４、４−ブロモ−４’−フェニル−トリフェニル
アミンは０．５４だった。
【０７００】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図５５に示す。測定結果から、上
述の構造式３９５で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）
が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）
＝７．００−７．０７  （ｍ，  ３Ｈ），  ７．１９−８．００  （ｍ，  ２５Ｈ），  
８．０３−８．０７  （ｍ，  ２Ｈ），  ８．２２−８．２５  （ｍ，  １Ｈ），  ８．
４０  （ｄ，  Ｊ＝１．５，  １Ｈ）。
【０７０１】
また、ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）
を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３３３ｎｍ付近に見られ
、薄膜の場合では３４０ｎｍ付近に見られた。
【０７０２】
また、ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）の発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５０ｎｍ）
を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９２ｎｍ（励起波長３４５ｎｍ）
、薄膜の場合では４２６ｎｍ（励起波長３２８ｎｍ）であった。上記吸収スペクトルおよ
び発光スペクトルの測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする。
【０７０３】
また、薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、Ｎ
ＣＢＡ１ＢＰ（略称）ＨＯＭＯ準位は−５．４４ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．１９ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．１９ｅＶと見積もられ、このことはＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）ＬＵＭＯ準位が
−２．２５ｅＶであることを意味する。
【０７０４】
また、ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（Ｃ
Ｖ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとす
る。実施例１と同様の計算により、ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．
４３［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値
となった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示
すことがわかった。
【０７０５】
また、ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（Ｄ
ＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）（パー
キンエルマー製、型番：Ｐｙｒｉｓ１  ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス
転移温度は１２８℃であることが分かった。このように、ＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）は、高
いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有するものである。また、結晶化を表すピーク
は存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０７０６】
なお、実施例５と同様に本実施例１６で合成したＮＣＢＡ１ＢＰ（略称）を正孔輸送層
に用いて形成した発光素子の効率、および１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は、実施
例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を用いて形成した発光素子８と同等の良好な値が
得られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度１１９８ｃｄ／ｍ２、電流値は０．８２ｍＡ
であった）。
【実施例１７】
【０７０７】
本実施例１７では、構造式（４２２）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４，４
’−ジフェニル−４’’−（６，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリ
フェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ）の合成方法について具体的に説明する
。
【０７０８】
【化１７９】
2020158528.tif 000180
【０７０９】
［ステップ１：３−ブロモ−６，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾールの合成］
【０７１０】
ステップ１における３−ブロモ−６，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾールの合成スキ
ームを下記（Ｓ−１）に示す。
【０７１１】
【化１８０】
2020158528.tif 000181
【０７１２】
３，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール４．８ｇ（１５ｍｍｏｌ）を３００ｍＬエル
レンマイヤーフラスコに入れ、ここに酢酸エチル：トルエン＝４：１の混合溶媒２５０ｍ
Ｌを加えて３０分撹拌した。この溶液にＮ−ブロモコハク酸イミド（略称：ＮＢＳ）２．
７ｇ（１５ｍｍｏｌ）を少量ずつ加え、室温で４８時間撹拌した。
【０７１３】
撹拌後、この混合液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄した。洗
浄後、得られた有機層を硫酸マグネシウムにより水分を取り除いた後、この混合物を吸引
ろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮して得た油状物質に少量のメタノールを加えて
、超音波を照射したところ、固体が析出した。析出した固体を吸引ろ過により回収したと
ころ、白色粉末状固体を収量５．４ｇ、収率９０％で得た。
【０７１４】
［ステップ２：４，４’−ジフェニル−４’’−（６，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾ
ール−３−イル）トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ）の合成］
【０７１５】
ステップ２における４，４’−ジフェニル−４’’−（６，９−ジフェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｓ−２）に示す。
【０７１６】
【化１８１】
2020158528.tif 000182
【０７１７】
Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノフェニル−４−ボロン酸１．７ｇ（３．
８ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−６，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール１．５ｇ（３．８
ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）８．４ｍｇ（０．０３８ｍｍｏｌ）、トリ（オルト
−トリル）ホスフィン０．０８０ｇ（０．２６ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコに入
れた。この混合物へトルエン１０ｍＬ、エタノール２ｍＬ、２Ｍ炭酸カリウム水溶液１０
ｍＬを加えて、この混合物を減圧脱気した後、当該フラスコ内雰囲気を窒素置換した。こ
の混合物を１００℃で３時間加熱撹拌した。
【０７１８】
撹拌後、この混合物にトルエンを加え、この混合物を５０℃に加熱して撹拌した。この
懸濁液を室温に戻した後、有機層と水層を分離した。得られた有機層を飽和炭酸ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄した。洗浄後、得られた有機層に硫酸マグネシウムを加
えて水分を取り除いた。この混合物を吸引ろ過してろ液を得た。得られたろ液を、セライ
ト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光
純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、アルミナを通して吸引ろ過し
、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製
を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーはまずトルエン：ヘキサン＝１：４の混
合溶媒を展開溶媒として用い、次いでトルエン：ヘキサン＝１：１の混合溶媒を展開溶媒
として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して得た固体をクロロホル
ムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、白色粉末状固体を収量２．３ｇ、収率８７
％で得た。
【０７１９】
得られた白色固体２．３ｇの昇華精製をトレインサブリメーション法により行った。昇
華精製は７．０Ｐａの減圧下、アルゴンの流量を４ｍＬ／ｍｉｎとして３２０℃で１８時
間行った。収量１．８ｇで収率は７８％であった。
【０７２０】
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図６１に示す。測定結果から、上
述の構造式（４２２）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＢｉ１ＢＰＩ
ＩＩ（略称）が得られたことがわかった。  １Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）
：δ（ｐｐｍ）＝７．２２−７．７７（ｍ，３６Ｈ），８．３８−８．４２（ｍ，２Ｈ）
。
【０７２１】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量７１４．３０（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＰ
ＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）が得られたことを確認した。
【０７２２】
また、以下のとおり、ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）について種々の物性を測定した
。
【０７２３】
ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ
）を測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３４８ｎｍ付近に見ら
れ、薄膜の場合では３５２ｎｍ付近に見られた。発光スペクトル（測定範囲３９０ｎｍ〜
５５０ｎｍ）を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９７ｎｍ（励起波長
３５８ｎｍ）、薄膜の場合では４３９ｎｍ（励起波長３６９ｎｍ）であった。
【０７２４】
薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＰＣＢＢ
ｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）のＨＯＭＯ準位は−５．４６ｅＶであった。薄膜の吸収スペクト
ルのＴａｕｃプロットから吸収端は３．２１ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギ
ーギャップは３．２１ｅＶと見積もられ、このことはＬＵＭＯ準位が−２．２５ｅＶであ
ることを意味する。
【０７２５】
ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（
ＣＶ）測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することと
する。実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）のＨＯＭＯ準位は
、＝−４１［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同
様の値となった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特
性を示すことがわかった。
【０７２６】
ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（
ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は１３８℃であった。このよう
に、ＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）は、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有
することがわかった。また、結晶化を表すピークは存在せず、結晶化し難い物質であるこ
とが分かった。
【０７２７】
なお、実施例５と同様に本実施例１７で合成したＰＣＢＢｉ１ＢＰＩＩＩ（略称）を正
孔輸送層に用いて形成した発光素子の効率、約１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、お
よび信頼性は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成し
た発光素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が４．２Ｖのとき、輝度１０７０ｃ
ｄ／ｍ２、電流値は０．７５ｍＡであり、３６０時間駆動で初期輝度の７４％の輝度を保
っていた）。
【実施例１８】
【０７２８】
本実施例１８では、構造式（４２３）で表される本発明のカルバゾール誘導体で３，３
’−ジメチル−４’  ’−フェニル−４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イ
ル）−トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ）の合成方法について具体的に説
明する。
【０７２９】
【化１８２】
2020158528.tif 000183
【０７３０】
［ステップ１：３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−トリフェニルアミンの合成］
【０７３１】
ステップ１における３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−トリフェニルアミンの合
成スキームを下記（Ｔ−１）に示す。
【０７３２】
【化１８３】
2020158528.tif 000184
【０７３３】
４−ブロモビフェニルを５．８ｇ（２５ｍｍｏｌ）、ｍ，ｍ’−ジトリルアミンを４．
９ｇ（２５ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを３．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）
、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１４０ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）
、１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、
脱水キシレン５０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、
トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）１．０ｍＬ（０．５ｍ
ｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１３０℃で１．５時間加熱撹拌し、反
応させた。
【０７３４】
反応後、この反応混合液にトルエン８０ｍＬとヘキサン４２０ｍＬを加え、この懸濁液
をフロリジール、シリカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、
硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、セライトを通
してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたの
ち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量８．５ｇ、収率９７％で得た。
【０７３５】
上記ステップ１で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。  
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝２．２８  （ｓ，  ６Ｈ）
，  ６．８５  （ｄ，  Ｊ＝６．９，  ２Ｈ），  ６．９１−６．９５  （ｍ，  ４Ｈ）
，  ７．０９−７．１８  （ｍ，  ４Ｈ），  ７．２９  （ｔ，  Ｊ＝７．５，  １Ｈ）
，  ７．３８−７．４８  （ｍ，  ４Ｈ），  ７．５６−７．５９  （ｍ，  ２Ｈ）。
【０７３６】
［ステップ２：４−ブロモ−３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−トリフェニルアミ
ンの合成］
【０７３７】
ステップ２における４−ブロモ−３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−トリフェニ
ルアミンの合成スキームを下記（Ｔ−２）に示す。
【０７３８】
【化１８４】
2020158528.tif 000185
【０７３９】
３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−トリフェニルアミンを２．５ｇ（２４ｍｍｏ
ｌ）、２００ｍＬ三角フラスコ中にて酢酸エチル２００ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブ
ロモこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）４．３ｇ（２４ｍｍｏｌ）を加えて４８時間室温に
て撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取
り除いた。この混合液をろ過し、得られたろ液を濃縮、乾固させた。目的物の白色キャラ
メル状固体を収量９．１ｇ、収率８８％で得た。
【０７４０】
［ステップ３：３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−４−（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）−トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ）の合成］
【０７４１】
ステップ３における３，３’−ジメチル−４’’−フェニル−４−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｔ−３）に
示す。
【０７４２】
【化１８５】
2020158528.tif 000186
【０７４３】
４−ブロモ−３，３’−ジメチル−４’  ’−フェニル−トリフェニルアミンを１．７
ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸を１．４ｇ（
５．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を５．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ（
ｏ−トリル）ホスフィンを６．０ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、３００ｍＬなすフラスコへ
入れ、この混合物へ、トルエン３０ｍＬ、エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム
水溶液３．５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰
囲気下、９０℃で３時間加熱撹拌し、反応させた。
【０７４４】
反応後、この反応混合液にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライトを通してろ過
してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し
、ヘキサンとアセトンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉
末を収量１．０ｇ、収率４２％で得た。
【０７４５】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．５１、４−ブロモ−３，３’−ジメチル−４’  ’
−フェニル−トリフェニルアミンは０．６２だった。
【０７４６】
上記ステップ３で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図６２に示す。測定結果から、上
述の構造式（４２３）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ
（略称）が得られたことがわかった。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（
ｐｐｍ）＝２．２６  （ｓ，  ３Ｈ），  ２．３０  （ｓ，  ３Ｈ），  ６．８６  （ｄ
，  Ｊ＝７．８，  １Ｈ），  ６．９９−７．５９  （ｍ，  ２５Ｈ），  ８．０９−８
．１３  （ｍ，  ２Ｈ）。
【０７４７】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量５９１．２８（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＰ
ＣＢＡ１ＢＰＩＶ（略称）が得られたことを確認した。
【０７４８】
また、以下のとおり、ＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ（略称）について種々の物性を測定した。
【０７４９】
ＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を
測定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３２５ｎｍ付近に見られ、
薄膜の場合では３２９ｎｍ付近に見られた。発光スペクトル（測定範囲３７０ｎｍ〜５５
０ｎｍ）を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では３９３ｎｍ（励起波長３３
０ｎｍ）、薄膜の場合では４２２ｎｍ（励起波長３５７ｎｍ）であった。
【０７５０】
薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＰＣＢＡ
１ＢＰＩＶ（略称）のＨＯＭＯ準位は−５．５７ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルの
Ｔａｕｃプロットから吸収端は３．３６ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギ
ャップは３．３６ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ（略称）のＬＵＭＯ
準位が−２．２１ｅＶであることを意味する。
【０７５１】
ガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）を用いて調べた。測定結果
から、ガラス転移温度は１０５℃であった。このように、高いガラス転移温度を示し、良
好な耐熱性を有することがわかった。また、結晶化を表すピークは存在せず、結晶化し難
い物質であることが分かった。
【０７５２】
なお、実施例５と同様に本実施例１８で合成したＰＣＢＡ１ＢＰＩＶ（略称）を正孔輸
送層に用いて形成した発光素子の効率、約１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は、実施
例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発光素子８と同等
の良好な値が得られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度９２４ｃｄ／ｍ２、電流値は０
．６１ｍＡであった）。
【実施例１９】
【０７５３】
本実施例１９では、構造式（３４５）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４，４
’−ジ（２−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−
トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢβ）の合成方法について具体的に説明する。
【０７５４】
【化１８６】
2020158528.tif 000187
【０７５５】
［ステップ１：４，４’−ジ（２−ナフチル）−トリフェニルアミンの合成］
【０７５６】
ステップ１における４，４’−ジ（２−ナフチル）−トリフェニルアミンの合成スキー
ムを下記（Ｕ−１）に示す。
【０７５７】
【化１８７】
2020158528.tif 000188
【０７５８】
４，４’−ジブロモトリフェニルアミンを６．０ｇ（１５ｍｍｏｌ）、２−ナフタレン
ボロン酸を６．２ｇ（３６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を１６ｍｇ（０．１ｍｍ
ｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを２１ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、３００ｍＬ三口
フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン５０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ
炭酸カリウム水溶液２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したの
ち、窒素雰囲気下、９０℃で４．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０７５９】
反応後、この反応混合液にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけた
のち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量５．６ｇ、収率７５％で得た。
【０７６０】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．５３、４，４’−ジブロモトリフェニルアミンは０
．７８だった。
【０７６１】
［ステップ２：４−ブロモ−４’，４’’−ジ（２−ナフチル）−トリフェニルアミンの
合成］
【０７６２】
ステップ２における４−ブロモ−４’，４’’−ジ（２−ナフチル）−トリフェニルア
ミンの合成スキームを下記（Ｕ−２）に示す。
【０７６３】
【化１８８】
2020158528.tif 000189
【０７６４】
４，４’−ジ（２−ナフチル）−トリフェニルアミンを４．０ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、
５００ｍＬ三角フラスコ中にてトルエン２００ｍＬ、酢酸エチル２５０ｍＬの混合溶媒に
溶かした後、ここにＮ−ブロモこはく酸イミド（略称；ＮＢＳ）１．４ｇ（８ｍｍｏｌ）
を加えて９６時間室温にて撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過し
た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  トルエン
：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンと
ヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量３．
４ｇ、収率６１％で得た。
【０７６５】
上記ステップ２で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。  １Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝
７．０９  （ｄ，  Ｊ＝８．４，  ２Ｈ），  ７．２４  （ｄ，  Ｊ＝７．８，  ４Ｈ）
，  ７．４０  （ｄ，  Ｊ＝８．４，  ２Ｈ），  ７．４７−７．５１  （ｍ，  ４Ｈ）
，  ７．６６  （ｄ，  Ｊ＝８．１，  ４Ｈ），  ７．７３−７．７６  （ｍ，  ２Ｈ）
，  ７．８５−７．９３  （ｍ，  ６Ｈ），  ８．０３  （ｓ，  ２Ｈ）。
【０７６６】
［ステップ３：４，４’−ジ（２−ナフチル）−４’’（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾ
ール−３−イル）−トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＮＢＢβ）の合成］
【０７６７】
ステップ３における４，４’−ジ（２−ナフチル）−４’’（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｕ−３）に示す。
【０７６８】
【化１８９】
2020158528.tif 000190
【０７６９】
４−ブロモ−４’，４’’−ジ（２−ナフチル）−トリフェニルアミンを１．０ｇ（１
．７ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸を０．６ｇ（２．０
ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を２．２ｍｇ（１０μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル
）ホスフィンを３．０ｍｇ（１０μｍｏｌ）、５０ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物
へ、トルエン２０ｍＬ、エタノール３ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液２．０ｍＬ
を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で
１４時間加熱撹拌し、反応させた。
【０７７０】
反応後、この反応混合液にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った
。得られたフラクションを濃縮し、メタノールとクロロホルム、アセトン、ヘキサンを加
えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を収量１．５ｇ、収率
９５％で得た。
【０７７１】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．３１、４−ブロモ−４’，４’’−ジ−２−ナフチ
ル−トリフェニルアミンは０．５６だった。
【０７７２】
上記ステップ３で得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）により測定した。以
下に測定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図６３に示す。測定結果から、上
述の構造式３４５で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＮＢＢβ（略称）
が得られたことがわかった。  １Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．２９−７．９０  （ｍ，  ３４Ｈ），  ８．０３  （ｓ，  ２Ｈ），  ８．１６
（ｄ，  Ｊ＝７．２，  １Ｈ），  ８．３４  （ｄ，  Ｊ＝１．５，  １Ｈ）。
【０７７３】
上記化合物の分子量を、ＴＯＦ−ＭＳ検出器（Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ  Ｍｉｃ
ｒｏｍａｓｓ  ＬＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒ）により測定した。アセトニトリルと、０．１％
蟻酸水の混合液（混合比は８０／２０  ｖｏｌ／ｖｏｌ）を溶媒として用いた。これによ
り、分子量７３９．３２（モードはＥＳ＋）をメインとするピークを検出し、目的物のＰ
ＣＢＮＢＢβ（略称）が得られたことを確認した。
【０７７４】
また、以下のとおり、ＰＣＢＮＢＢβ（略称）について種々の物性を測定した。
【０７７５】
ＰＣＢＮＢＢβ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を測定
した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３５７ｎｍ付近に見られ、薄膜
の場合では３６６ｎｍ付近に見られた。ＰＣＢＮＢＢβ（略称）の発光スペクトル（測定
範囲３９０ｎｍ〜５５０ｎｍ）を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４１
５ｎｍ（励起波長３６０ｎｍ）、薄膜の場合では４４９ｎｍ（励起波長３７６ｎｍ）であ
った。
【０７７６】
薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＰＣＢＮ
ＢＢβ（略称）のＨＯＭＯ準位は−５．３６ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルのＴａ
ｕｃプロットから吸収端は３．０６ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギャッ
プは３．０６ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＮＢＢβ（略称）のＬＵＭＯ準位が−
２．３０ｅＶであることを意味する。
【０７７７】
ＰＣＢＮＢＢβ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測
定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする。実
施例１と同様の計算により、ＰＣＢＮＢＢβ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４１［
ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となっ
た。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すこと
がわかった。
【０７７８】
ＰＣＢＮＢＢβ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）
を用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は１２９℃であった。このように、ＰＣ
ＢＮＢＢβ（略称）は、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわかっ
た。また、結晶化を表すピークは存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった。
【０７７９】
なお、実施例５と同様に本実施例１９で合成したＰＣＢＮＢＢβ（略称）を正孔輸送層
に用いて形成した発光素子の効率、、約１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および信
頼性は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発光
素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が４．４Ｖのとき、輝度１１０４ｃｄ／ｍ
２、電流値は０．７４ｍＡであり、６５０時間駆動で初期輝度の７５％の輝度を保ってい
た）。
【実施例２０】
【０７８０】
本実施例２０では、構造式（４２４）で表される本発明のカルバゾール誘導体で４−フ
ェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−４’’−（９−フェ
ニルフルオレン−９−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉＦＬＰ）の合成方
法について具体的に説明する。（なお、上記化合物は、一般式（１）で表されるカルバゾ
ール誘導体の、Ｒ１は水素、Ｒ２はフェニル基、ｌは０、ｍは１、ｎは０、α２は１，４
−フェニレン基、α４は１，４−フェニレン基、Ａｒ１はビフェニル−４−イル基、Ａｒ
２はフルオレン−９−イル基であり、前記フルオレン−９−イル基の９位がフェニル基で
置換されたものである。）
【０７８１】
【化１９０】
2020158528.tif 000191
【０７８２】
［ステップ１：４−ブロモ−４’−フェニル−ジフェニルアミンの合成］
【０７８３】
ステップ１における４−ブロモ−４’−フェニル−ジフェニルアミンの合成スキームを
下記（Ｖ−１）に示す。
【０７８４】
【化１９１】
2020158528.tif 000192
【０７８５】
４−フェニル−ジフェニルアミンを３７ｇ（１５０ｍｍｏｌ）、１０００ｍＬ三角フラ
スコ中にて酢酸エチル４００ｍＬに溶かした後、ここにＮ−ブロモこはく酸イミド（略称
；ＮＢＳ）２７ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を加えて２４時間室温にて撹拌した。
【０７８６】
反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。
この混合液をフロリジール、シリカゲル、アルミナ、セライトを通してろ過し、得られた
ろ液を濃縮した。ここにトルエンとヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したと
ころ、目的物の白色粉末を収量４．０ｇ得た。またこの再結晶の際に得られた濾液のシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製
を行った。得られたフラクションを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再
結晶したところ、目的物の白色粉末を収量４．５ｇ得た。併せて目的物の白色粉末を収量
８．５ｇ、収率７３％で得た。
【０７８７】
［ステップ２：４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）
−ジフェニルアミンの合成］
【０７８８】
ステップ２における４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル）−ジフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｖ−２）に示す。
【０７８９】
【化１９２】
2020158528.tif 000193
【０７９０】
４−ブロモ−４’−フェニル−ジフェニルアミンを１６ｇ（５０ｍｍｏｌ）、９−フェ
ニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸を１６ｇ（５５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（
ＩＩ）を１１０ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを１５０ｍｇ（
０．４ｍｍｏｌ）、２００ｍＬ三口フラスコへ入れ、この混合物へ、トルエン７０ｍＬ、
エタノール５ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液２３ｍＬを加えた。この混合物を、
減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素雰囲気下、９０℃で７．５時間加熱撹拌し、反
応させた。
【０７９１】
反応後、この反応混合液にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加えて水分を取り除いた。この懸濁液をフロリジール、アルミナ、シリカゲル、セライト
を通してろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクシ
ョンを濃縮し、クロロホルムとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したとこ
ろ、目的物の淡黄色粉末を収量１０ｇ、収率４１％で得た。
【０７９２】
［ステップ３：９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレンの合成］
【０７９３】
ステップ３における９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレンの合成スキ
ームを下記（Ｖ−３）に示す。
【０７９４】
【化１９３】
2020158528.tif 000194
【０７９５】
マグネシウムを１．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）１００ｍＬ三口フラスコに入れ、減圧下で３
０分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした
後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル
１０ｍＬ中に溶かした２−ブロモビフェニルを１２ｇ（５０ｍｍｏｌ）ゆっくり滴下した
後、２．５時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。
【０７９６】
４−ブロモベンゾフェノンを１０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテルを１００ｍＬ
、を５００ｍＬ三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり
滴下した後、９時間加熱還流撹拌した。
【０７９７】
反応後、この混合液をろ過してろ物を得た。得られたろ物を酢酸エチル１５０ｍＬに溶
かし、１Ｎ−塩酸水を加えて２時間撹拌した。この液体の有機層の部分を水で洗浄し、硫
酸マグネシウムを加えて水分を取り除いた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し
アメ状の物質を得た。
【０７９８】
このアメ状物質と、氷酢酸５０ｍＬと、塩酸１．０ｍＬとを５００ｍＬなすフラスコに
入れ、窒素雰囲気下、１３０℃で１．５時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応
混合液をろ過してろ物を得た。得られたろ物を水、水酸化ナトリウム水、水、メタノール
の順で洗浄し、目的物の白色粉末を収量１１ｇ、収率６９％で得た。
【０７９９】
［ステップ４：４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）
−４’’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）−トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢ
ＢｉＦＬＰ）の合成］
【０８００】
ステップ４における４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−
イル）−４’’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）−トリフェニルアミンの合成ス
キームを下記（Ｖ−４）に示す。
【０８０１】
【化１９４】
2020158528.tif 000195
【０８０２】
９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルフルオレンを１．２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）
、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−ジフェニル
アミンを１．５ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを０．４ｇ（
４．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１７ｍｇ（０．
０３ｍｍｏｌ）、１００ｍＬ三口フラスコへ入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。
この混合物へ、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱
気し、脱気後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．２
ｍＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１３０℃で５．５時間
加熱撹拌し、反応させた。
【０８０３】
反応後、この反応混合液にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られたフラクション
を濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的
物の白色粉末を収量１．８ｇ、収率７６％で得た。
【０８０４】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１０）は、目的物は０．３５、９−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル
フルオレンは０．６５、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３
−イル）−ジフェニルアミンは０．１９だった。
【０８０５】
上記ステップ４で得られた化合物を核磁気共鳴法（ＮＭＲ）により測定した。以下に測
定データを示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図６４に示す。測定結果から、上述の構
造式（４２４）で表される本発明のカルバゾール誘導体であるＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）
が得られたことがわかった。  １Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ
）＝７．０２  （ｄ，Ｊ＝８．７，２Ｈ），  ７．１２  （ｄ，Ｊ＝８．７，２Ｈ），  
７．１７−７．６４  （ｍ，  ３６Ｈ），  ７．７７  （ｄ，  Ｊ＝６．９，  ２Ｈ）。
【０８０６】
また、以下のとおり、ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）について種々の物性を測定した。
【０８０７】
ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）の吸収スペクトル（測定範囲２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を測
定した。長波長側の吸収ピークは、トルエン溶液の場合では３３７ｎｍ付近に見られ、薄
膜の場合では３３９ｎｍ付近に見られた。ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）の発光スペクトル（
測定範囲３９０ｎｍ〜５５０ｎｍ）を測定した。最大発光波長はトルエン溶液の場合では
３９５ｎｍ（励起波長３４３ｎｍ）、薄膜の場合では４２５ｎｍ（励起波長３６１ｎｍ）
であった。
【０８０８】
薄膜を大気中にて光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、ＰＣＢＢ
ｉＦＬＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は−５．５３ｅＶであった。薄膜の吸収スペクトルのＴ
ａｕｃプロットから吸収端は３．２８ｅＶであった。従って、固体状態のエネルギーギャ
ップは３．２８ｅＶと見積もられ、このことはＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）のＬＵＭＯ準位
が−２．２５ｅＶであることを意味する。
【０８０９】
ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）の酸化還元反応特性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）
測定によって調べた。測定方法は、実施例１と同様なので、説明を省略することとする。
実施例１と同様の計算により、ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、＝−５．４
２［ｅＶ］であることがわかった。また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値と
なった。このことから、酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示す
ことがわかった。
【０８１０】
ＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）のガラス転移温度について、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ
）を用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は１５６℃であった。このように、Ｐ
ＣＢＢｉＦＬＰ（略称）は、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわ
かった。また、結晶化を表すピークは存在せず、結晶化し難い物質であることが分かった
。
【０８１１】
なお、実施例５と同様に本実施例２０で合成したＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）を正孔輸送
層に用いて形成した発光素子の効率、、約１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および
信頼性は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発
光素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が４．４Ｖのとき、輝度１１０４ｃｄ／
ｍ２、電流値は０．７４ｍＡであり、６５０時間駆動で初期輝度の７５％の輝度を保って
いた）。
【０８１２】
なお、実施例５と同様に本実施例２０で合成したＰＣＢＢｉＦＬＰ（略称）を正孔輸送
層に用いて形成した発光素子の効率、、約１０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧、および
信頼性は、実施例１０においてＰＣＢＢｉＮＢ（略称）を正孔輸送層に用いて形成した発
光素子８と同等の良好な値が得られた（駆動電圧が４．０Ｖのとき、輝度１１７１ｃｄ／
ｍ２、電流値は０．６５ｍＡであり、３６０時間駆動で初期輝度の７４％の輝度を保って
いた）。
【実施例２１】
【０８１３】
本実施例２１では、構造式（３４３）で表される本発明のカルバゾール誘導体である４
−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−トリフ
ェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）の実施例８とは異なる合成方法について具体的に説
明する。
【０８１４】
【化１９５】
2020158528.tif 000196
【０８１５】
［ステップ１：１−（４−ブロモフェニル）−ナフタレンの合成］
【０８１６】
ステップ１における１−（４−ブロモフェニル）−ナフタレンの合成スキームを下記（
Ｗ−１）に示す。
【０８１７】
【化１９６】
2020158528.tif 000197
【０８１８】
４−ブロモヨードベンゼンを４６ｇ（１６０ｍｍｏｌ）、１−ナフタレンボロン酸を２
４ｇ（１４０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）を４５ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、トリ
ス（ｏ−トリル）ホスフィンを６０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、５００ｍＬ三口フラスコへ
入れ、この混合物へ、トルエン１００ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリ
ウム水溶液１１ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気したのち、窒素
雰囲気下、９０℃で４時間加熱撹拌し、反応させた。
【０８１９】
反応後、この反応混合液にトルエン５００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セ
ライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を
取り除いた。この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過してろ液を得た。得られ
たろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）による精
製を行った。得られたフラクションを濃縮したところ、目的物の無色透明液体を収量２５
ｇ、収率６２％で得た。
【０８２０】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒  ヘキサン）は、
目的物は０．３８、４−ブロモヨードベンゼンは０．５７だった。
【０８２１】
［ステップ２：４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３
−イル）−トリフェニルアミン（略称；ＰＣＢＡＮＢ）の合成］
【０８２２】
ステップ２における４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−イル）−トリフェニルアミンの合成スキームを下記（Ｗ−２）に示す。
【０８２３】
【化１９７】
2020158528.tif 000198
【０８２４】
１−（４−ブロモフェニル）−ナフタレンを２．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−（９−フ
ェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−ジフェニルアミンを４．１ｇ（１０ｍｍｏｌ
）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリ
デンアセトン）パラジウム（０）を１１ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１００ｍＬ三口フラ
スコへ入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン３０ｍＬ
を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチ
ル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．１ｍＬ（０．０６ｍｍｏｌ）を加えた。
この混合物を、窒素雰囲気下、１１０℃で６時間加熱撹拌し、反応させた。
【０８２５】
反応後、この反応混合液にトルエン１５０ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、シ
リカゲル、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒  トルエン：ヘキサン＝１：４）による精製を行った。得られた
フラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶した
ところ、目的物の白色粉末を収量５．２ｇ、収率８５％で得た。
【０８２６】
なお、特に記載がない限り、上記本発明の実施例の各合成法に記載の、フロリジールは
和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５をいずれも用いており、セラ
イトは和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５をいずれも用いている
。
【符号の説明】
【０８２７】
１０１    基板
１０２    第１の電極
１０３    ＥＬ層
１０４    第２の電極
１１１    第１の層（正孔注入層）
１１２    第２の層（正孔輸送層）
１１３    第３の層（発光層）
１１４    第４の層（電子輸送層）
１１５    第５の層（電子注入層）
３０１    第１の電極
３０２    第２の電極
３０３    第１のＥＬ層
３０４    第２のＥＬ層
３０５    電荷発生層
４０１    駆動回路部（ソース側駆動回路）
４０２    画素部
４０４    封止基板
４０５    シール材
４０７    空間
４０８    引き回し配線
４０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０    素子基板
４１１    スイッチング用ＴＦＴ
４１２    電流制御用ＴＦＴ
４１３    第１の電極
４１４    絶縁物
４１６    ＥＬ層
４１７    第２の電極
４１８    発光素子
４２３    Ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４    Ｐチャネル型ＴＦＴ
５０１    基板
５０２    第１の電極
５０３    第２の電極
５０４    ＥＬ層
５０５    絶縁層
５０６    隔壁層
６１１    筐体
６１２    支持台
６１３    表示部
６１４    スピーカー部
６１５    ビデオ入力端子
６２１    本体
６２２    筐体
６２３    表示部
６２４    キーボード
６２５    外部接続ポート
６２６    ポインティングデバイス
６３１    本体
６３２    筐体
６３３    表示部
６３４    音声入力部
６３５    音声出力部
６３６    操作キー
６３７    外部接続ポート
６３８    アンテナ
６４１    本体
６４２    表示部
６４３    筐体
６４４    外部接続ポート
６４５    リモコン受信部
６４６    受像部
６４７    バッテリー
６４８    音声入力部
６４９    操作キー
６５０    接眼部
７０１    筐体
７０２    液晶層
７０３    バックライト
７０４    筐体
７０５    ドライバＩＣ
７０６    端子
８０１    筐体
８０２    光源
９０１    照明装置
９０２    テレビ装置
１５０１    基板
１５０２    第１の電極
１５０３    ＥＬ層
１５０４    第２の電極
１５１１    第１の層
１５１２    第２の層
１５１３    第３の層
１５１４    第４の層
１５１５    第５の層
【図１】
2020158528.tif 000218
【図２】
2020158528.tif 000219
【図３】
2020158528.tif 000220
【図４】
2020158528.tif 000221
【図５】
2020158528.tif 000222
【図６】
2020158528.tif 000223
【図７】
2020158528.tif 000224
【図８】
2020158528.tif 000225
【図９】
2020158528.tif 000226
【図１０】
2020158528.tif 000227
【図１１】
2020158528.tif 000228
【図１２】
2020158528.tif 000229
【図１３】
2020158528.tif 000230
【図１４】
2020158528.tif 000231
【図１５】
2020158528.tif 000232
【図１６】
2020158528.tif 000233
【図１７】
2020158528.tif 000234
【図１８】
2020158528.tif 000235
【図１９】
2020158528.tif 000236
【図２０】
2020158528.tif 000237
【図２１】
2020158528.tif 000238
【図２２】
2020158528.tif 000239
【図２３】
2020158528.tif 000240
【図２４】
2020158528.tif 000241
【図２５】
2020158528.tif 000242
【図２６】
2020158528.tif 000243
【図２７】
2020158528.tif 000244
【図２８】
2020158528.tif 000245
【図２９】
2020158528.tif 000246
【図３０】
2020158528.tif 000247
【図３１】
2020158528.tif 000248
【図３２】
2020158528.tif 000249
【図３３】
2020158528.tif 000250
【図３４】
2020158528.tif 000251
【図３５】
2020158528.tif 000252
【図３６】
2020158528.tif 000253
【図３７】
2020158528.tif 000254
【図３８】
2020158528.tif 000255
【図３９】
2020158528.tif 000256
【図４０】
2020158528.tif 000257
【図４１】
2020158528.tif 000258
【図４２】
2020158528.tif 000259
【図４３】
2020158528.tif 000260
【図４４】
2020158528.tif 000261
【図４５】
2020158528.tif 000262
【図４６】
2020158528.tif 000263
【図４７】
2020158528.tif 000264
【図４８】
2020158528.tif 000265
【図４９】
2020158528.tif 000266
【図５０】
2020158528.tif 000267
【図５１】
2020158528.tif 000268
【図５２】
2020158528.tif 000269
【図５３】
2020158528.tif 000270
【図５４】
2020158528.tif 000271
【図５５】
2020158528.tif 000272
【図５６】
2020158528.tif 000273
【図５７】
2020158528.tif 000274
【図５８】
2020158528.tif 000275
【図５９】
2020158528.tif 000276
【図６０】
2020158528.tif 000277
【図６１】
2020158528.tif 000278
【図６２】
2020158528.tif 000279
【図６３】
2020158528.tif 000280
【図６４】
2020158528.tif 000281
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
【化１】
2020158528.tif 000282
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化２】
2020158528.tif 000283
【化３】
2020158528.tif 000284
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項２】
式（１）で表される化合物。
【化４】
2020158528.tif 000285
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、無置換のフェニレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、無置換のフェニル基を表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０である。）
【化５】
2020158528.tif 000286
【化６】
2020158528.tif 000287
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の化合物を含む発光素子。
【請求項４】
第１の電極と、第２の電極と、発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む層を有する発光素子。
【化７】
2020158528.tif 000288
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化８】
2020158528.tif 000289
【化９】
2020158528.tif 000290
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項５】
第１の電極と、
第２の電極と、
発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む層と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、を有し、
前記層は、前記絶縁物と重なる領域を有する発光装置。
【化１０】
2020158528.tif 000291
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化１１】
2020158528.tif 000292
【化１２】
2020158528.tif 000293
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項６】
第１の電極と、
第２の電極と、
発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む第１の層と、
前記第１の層と前記発光層との間の、式（１）で表される化合物を含む第２の層と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、を有し、
前記第１の層は、前記絶縁物と重なる領域を有し、
前記第２の層は、前記絶縁物と重なる領域を有する発光装置。
【化１３】
2020158528.tif 000294
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化１４】
2020158528.tif 000295
【化１５】
2020158528.tif 000296
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項７】
プラスチック基板と、画素部と、駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、
第１の電極と、
第２の電極と、
発光層と、
前記第１の電極と前記発光層との間の、アクセプター物質および式（１）で表される化合物を含む第１の層と、
前記第１の層と前記発光層との間の、式（１）で表される化合物を含む第２の層と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
第１のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
前記第１の層は、前記絶縁物と重なる領域と、前記第１のトランジスタと重なる領域と、を有し、
前記第２の層は、前記絶縁物と重なる領域と、前記第１のトランジスタと重なる領域と、を有し、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、結晶性半導体膜を有する発光装置。
【化１６】
2020158528.tif 000297
（式（１）中、α１、α３、α４は、それぞれ、環を形成する炭素数が１３以下のアリーレン基を表し、α２は式（２−４）を表す。Ａｒ１は式（３−１）を表し、Ａｒ２は環を形成する炭素数が６〜１３のアリール基を表す。Ｒ１は、水素原子を表し、Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基、又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、ｌは０であり、ｍは１であり、ｎは０または１である。）
【化１７】
2020158528.tif 000298
【化１８】
2020158528.tif 000299
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ２６〜Ｒ２９、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４〜Ｒ５６は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の発光装置と、外部接続ポート、操作キー、または、音声入力部を有する電子機器。
【請求項９】
請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。