(57)【要約】【課題】赤外線反射特性に優れたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の提供。【解決手段】このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、水銀圧入法により測定した細孔分布において、モード径が１２．０μｍ以下であり、モード容積が１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である。好ましくは、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、全細孔容積が、０．７０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であり、かつ変曲点径が１５．０μｍ以下である。好ましくは、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、粒子内空隙量が０．５５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を用いて、遮熱塗料用添加物が得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水銀圧入法により測定した細孔分布において、モード径が、１２．０μｍ以下であり、かつモード容積が、１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末。
【請求項２】
水銀圧入法により測定した細孔分布において、全細孔容積が、０．７０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であり、かつ変曲点径が１５．０μｍ以下である、請求項１に記載のＡｌ４ＳｉＣ４粉末。
【請求項３】
水銀圧入法により測定した細孔分布において、粒子内空隙量が、０．５５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である、請求項１又は２に記載のＡｌ４ＳｉＣ４粉末。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のＡｌ４ＳｉＣ４粉末を含む遮熱塗料用添加剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末に関する。詳細には、本発明は、遮熱塗料等に用いるＡｌ４ＳｉＣ４粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、温暖化の影響により、太陽光（赤外線）等の熱線による構造物の温度上昇や劣化が問題となっている。建築物においては、その外壁や屋根に塗布して、直射日光による室内温度の上昇を防止するための遮熱塗料が多用されている。赤外線領域における反射率が高い遮熱塗料が求められている。赤外線反射性を付与するために、酸化チタン、酸化アルミニウム等の添加剤を添加した遮熱塗料が検討されている。
【０００３】
特許第６３０２５１８号公報（特許文献１）では、大径酸化チタン及び小径酸化チタンと、アクリルニトリル系樹脂からなる中空粒子とを含む遮熱塗料が提案されている。特開２０１７−１９４６３２号公報（特許文献２）には、太陽光による光学機器の温度上昇を抑制するための遮熱塗料が開示されている。この遮熱塗料は、所定の樹脂を溶剤に溶解した溶液中に、空孔含有粒子と高屈折率粒子とを含んでいる。
【０００４】
特許第６３１１１３５号公報（特許文献３）では、加熱炉等の内壁に用いられる耐火物に塗布するためのコーティング液が提案されている。このコーティング液は、輻射散乱材として、セラミックファイバー及び／又はセラミックス粉末を含有している。特許第５３１５５８９号公報（特許文献４）には、ＦｅとＣｏとＡｌを含有する複合酸化物からなる赤外線反射用黒色顔料が開示されている。特許第６１３１６２５号公報（特許文献５）では、特許文献３で、輻射散乱材としてあげられたＡｌ４ＳｉＣ４粉末が、耐火物の酸化防止剤として用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第６３０２５１８号公報
【特許文献２】特開２０１７−１９４６３２号公報
【特許文献３】特許第６３１１１３５号公報
【特許文献４】特許第５３１５５８９号公報
【特許文献５】特許第６１３１６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
遮熱塗料に赤外線反射性を付与するために、種々の材料が検討されているが、その性能は十分満足できるものではない。特許文献３で提案されたＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、耐火物の酸化防止剤としての検討がなされているが、赤外線反射特性を向上させるための検討は十分におこなわれていない。また、特許文献４で提案された黒色顔料は、レアメタルであるＣｏを含むため、原料の供給やコストの観点から好ましくないという問題もある。遮熱塗料に赤外線反射性を付与するための添加剤には、さらなる改良が求められている。
【０００７】
本発明の目的は、赤外線反射特性に優れたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、鋭意検討の結果、所定の細孔分布を有するＡｌ４ＳｉＣ４粉末によって、顕著に優れた赤外線反射特性が付与されうることを見出すことにより、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、水銀圧入法により測定した細孔分布において、モード径が、１２．０μｍ以下であり、かつモード容積が、１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である。
【００１０】
好ましくは、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、水銀圧入法により測定した細孔分布において、全細孔容積が、０．７０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であり、かつ変曲点径が１５．０μｍ以下である。
【００１１】
好ましくは、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、水銀圧入法により測定した細孔分布において、粒子内空隙量が、０．５５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である。
【００１２】
さらに、本発明は、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を含む遮熱塗料用添加物に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末による赤外線反射率は、高い。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を添加物として配合することにより、赤外線反射特性に優れた遮熱塗料が得られる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。
【００１５】
本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、多数の粒子からなる。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末の細孔分布は、適正である。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末では、適正な細孔分布により、高い赤外線反射率が達成される。
【００１６】
本願明細書において、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の細孔分布は水銀圧入法により測定される。具体的には、水銀圧入法による細孔分布測定により、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の細孔直径と累積細孔容積との関係を示す累積細孔容積曲線を求める。累積細孔容積曲線の横軸は、水銀圧入圧力から求めた細孔直径であり、縦軸は、累積細孔容積である。水銀圧入圧力から細孔直径への換算は、下記（Ｉ）式（Ｗａｓｈｂｕｒｎの式）を用いる。
Ｄ＝−（１／Ｐ）・４γ・ｃｏｓΨ            （Ｉ）
ここで、Ｄ：細孔直径（ｍ）、Ｐ：水銀の圧入圧力（Ｐａ）、γ：水銀の表面張力（４８５ｄｙｎｅ・ｃｍ−１（０．４８５Ｐａ・ｍ））、Ψ：水銀の接触角（１３０°＝２．２６８９３ｒａｄ）である。
【００１７】
本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、水銀圧入法により測定した細孔分布において、モード径が、１２．０μｍ以下であり、かつモード容積が、１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下である。モード容積は、ｌｏｇ微分細孔容積分布曲線の最大値を意味する。モード径は、ｌｏｇ微分細孔容積分布曲線の最大値に対応する細孔直径を示し、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末を構成している粒子同士の間の空隙の直径を意味する。
【００１８】
モード径が、１２．０μｍ以下であり、かつモード容積が、１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であるＡｌ４ＳｉＣ４粉末では、粒子同士の凝集が少なく、赤外線に接する表面積が大きい。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末による赤外線反射率は、高い。さらに、粒子同士の凝集が少ないＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、塗料との混合性に優れる。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、塗料に均一に分散される。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を配合して得られる遮熱塗料は、赤外線反射性に優れている。特に、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末によれば、波長５５００ｎｍ付近の遠赤外線領域において、高い反射率が達成される。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、遮熱塗料に赤外線反射性を付与する添加剤として、好適に用いられ得る。
【００１９】
赤外線反射性の観点から、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末は、モード径が０．５μｍ以上１１．５μｍ以下であり、かつモード容積が０．４×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以上１．３０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であることが好ましく、モード径が０．５μｍ以上１１．０μｍ以下、かつモード容積が０．４×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以上１．２５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であることがより好ましい。
【００２０】
さらに、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、全細孔容積が０．７０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であり、かつ変曲点径が１５．０μｍ以下であることが好ましい。全細孔容積は、全ての細孔容積の合計量を意味する。変曲点径は、累積細孔容積曲線が急激に立ち上がる変曲点のうち、最も細孔直径が大きい点における細孔直径を意味する。
【００２１】
全細孔容積が０．７０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であり、かつ変曲点径が１５．０μｍ以下であるＡｌ４ＳｉＣ４粉末では、その内部に存在する空隙が少なく、かつ、それぞれの空隙の直径が小さい。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末では、赤外線が各細孔の内部にまで入り込むことによる赤外線反射率の低下が、抑制される。この観点から、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末は、全細孔容積が０．６５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下、かつ変曲点径が０．７０μｍ以上１４．５μｍ以下であることがより好ましく、全細孔容積が０．６０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下、かつ変曲点径が０．７０μｍ以上１４．０μｍ以下であることがさらに好ましい。全細孔容積の下限は特に限定されないが、好ましくは、０．３×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以上である。
【００２２】
さらにまた、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、粒子内空隙量が０．５５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であることが好ましい。粒子内空隙量は、全細孔容積から変曲点における累積細孔容積を減じた容積であり、各粒子内部に存在する凝集粒子の粒子径よりも小さな空隙の量を示している。
【００２３】
粒子内空隙量が０．５５×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であるＡｌ４ＳｉＣ４粉末では、各粒子表面における細孔が少ない。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を構成する各粒子の表面は、平滑である。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末では、各粒子の平滑な表面により、赤外線反射率が向上する。この観点から、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末は、粒子内空隙量が０．５４×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であることがより好ましく、０．５３×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であることがさらに好ましい。粒子内空隙量の下限は特に限定されないが、好ましくは、０．１×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以上である。
【００２４】
好ましくは、このＡｌ４ＳｉＣ４粉末の体積基準累積５０％粒子径（メジアン径）は、1μｍ以上５０μｍ以下である。体積基準累積５０％粒子径が１μｍ以上のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、取り扱い性に優れる。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を配合した塗料では、粘度の過度な上昇が回避される。この観点から、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の体積基準累積５０％粒子径は、２μｍ以上がより好ましく、３μｍ以上がさらに好ましい。
【００２５】
また、体積基準累積５０％粒子径が５０μｍ以下のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、塗料中での分散性に優れる。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を配合した塗料では、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の沈降による塗膜の仕上がり性の悪化が抑制される。この観点から、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の体積基準累積５０％粒子径は、４０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。
【００２６】
なお、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の体積基準累積５０％粒子径は、レーザー回折散乱法により測定される。具体的には、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末をメタノールに投入した後、超音波ホモジナイザー（株式会社日本精機製作所製の商品名「ＵＳ−３００Ｔ」）にて、１２０Ｗで３分間分散処理して、測定試料とする。この測定試料を、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（日機装株式会社製の商品名「ＭＴ３３００」）を用いて測定することにより、体積基準の累積５０％粒子径を求める。
【００２７】
以下、本発明の好適な実施形態に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法について、説明する。前述した細孔分布が形成され、本発明の効果が得られる限り、Ａｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法は、特に限定されない。
【００２８】
本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、例えば、アルミニウム源、ケイ素源、炭素源及び炭化ケイ素を、それぞれ秤量した後、十分に混合して、得られた混合物を焼成し、粉砕することにより製造することができる。
【００２９】
アルミニウム源としては、金属Ａｌ、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物等を使用することができる。純度の面から好ましいアルミニウム源は、金属Ａｌである。
【００３０】
ケイ素源としては、金属Ｓｉや、二酸化ケイ素等のケイ素化合物等を使用することができる。純度の面から好ましいケイ素源は、金属Ｓｉである。
【００３１】
炭素源としては、鱗状黒鉛、合成黒鉛、カーボンブラック等を使用することができる。コスト及び入手しやすさの面から、好ましい炭素源は、鱗状黒鉛である。
【００３２】
これらアルミニウム源、ケイ素源、炭素源は、それぞれに含まれるアルミニウム、ケイ素及び炭素のモル比Ａｌ：Ｓｉ：Ｃが、４：１：４となるように秤量する。
【００３３】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、得られるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の耐水性を悪化させるＡｌ４Ｃ３の生成を抑制するために添加される。炭化ケイ素の添加により、原料全体におけるアルミニウムとケイ素とのモル比Ａｌ／Ｓｉは、前述した４．０よりも低い値となる。具体的には、アルミニウム源に含まれるアルミニウムと、ケイ素源及び炭化ケイ素に含まれるケイ素の総量とのモル比Ａｌ／Ｓｉが、３．７６以上３．９４以下の範囲となるように、炭化ケイ素の添加量を調整する。
【００３４】
秤量したアルミニウム源、ケイ素源、炭素源及び炭化ケイ素を混合する方法は、特に限定されず、既知の混合装置が適宜選択されて用いられる。その具体例としては、Ｖ型混合機等の容器回転型混合機、リボンミキサー、ヘンシェルミキサー、プロシェアミキサー、スーパーミキサー、乾式ボールミル等が挙げられる。できるだけ均一に混合することが好ましい。
【００３５】
アルミニウム源、ケイ素源、炭素源及び炭化ケイ素の混合条件は、使用する混合装置に応じて適宜選択される。例えば、乾式ボールミルを用いる場合、均一混合の観点から、常温で５時間以上実施することが好ましい。
【００３６】
次に、得られた混合原料を焼成してＡｌ４ＳｉＣ４を合成する。焼成に使用する装置は、不活性雰囲気中で１６５０℃〜１９００℃で焼成できるものであればよく、特に限定されない。箱型炉、坩堝炉、管状炉、トンネル炉、真空炉、炉底昇降炉、抵抗加熱炉、誘導加熱炉、直通電型電気炉等既知の焼成炉が用いられ得る。
【００３７】
焼成によるＡｌ４ＳｉＣ４の合成反応は、二段階で進行する。先ず、Ａｌ、Ｓｉ及びＣが反応して、Ａｌ４Ｃ３とＳｉＣとが生成する。次に、１３００℃以上の温度領域で、Ａｌ４Ｃ３とＳｉＣとが反応して、Ａｌ４ＳｉＣ４が合成される。焼成温度が１６５０℃未満では、二段階目の反応の進行が遅いため、反応後にＡｌ４Ｃ３が残存しやすい。そのため、焼成温度は１６５０℃以上とすることが好ましい。
【００３８】
一方、焼成温度が１９００℃を超えるとＡｌ４ＳｉＣ４の一部が熱分解する。このため、焼成温度は１９００℃以下が好ましく、１８００℃以下がより好ましく、１７５０℃以下がさらに好ましい。焼成時間は、焼成温度に応じて適宜調整すればよいが、１時間〜１０時間程度が好ましい。
【００３９】
焼成炉内の雰囲気中に窒素が存在すると、この窒素が金属Ａｌと反応し、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が副産物として生成する場合がある。窒化アルミニウムの生成抑制のため、焼成は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行なうことが好ましく、アルゴン等の不活性ガスを焼成炉内に流しながら焼成を行なうことがより好ましい。また、焼成前に、使用する焼成炉内にあらかじめ不活性ガスを充填して、残存する窒素及び炭素を除去しておくことが好ましい。
【００４０】
焼成により得られたＡｌ４ＳｉＣ４は、既知の粉砕手段を用いて粉末化される。前述した細孔分布及び粒度分布が得られるように、粉砕装置及び粉砕条件を調整することにより、本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末が得られる。
【００４１】
粉砕装置の例として、ジョークラッシャー、コーンクラッシャー、インパクトクラッシャー、ロールクラッシャー、カッターミル、スタンプミル、リングミル、ジェットミル、ハンマーミル、ピンミル、乾式ボールミル、振動ミル、ビーズミル、サイクロンミル等が挙げられる。
【００４２】
粉砕条件は、特に限定されず、使用する粉砕装置の種類等に応じて、粉砕時の回転数、処理時間等を適宜調整することで、所望の細孔分布及び粒度分布を達成することができる。例えば、乾式ボールミルを用いて粉砕する場合、好ましい粉砕時間は０．１時間以上２４時間以内である。粉砕時間が０．１時間より短いと、得られるＡｌ４ＳｉＣ４粉末の粒子径が大きくなるとともに、所望の細孔分布が得られない場合がある。所望の細孔分布及び粒度分布となるように、細孔分布及び粒度分布の異なる複数のＡｌ４ＳｉＣ４粉末を混合して調整することも可能である。複数のＡｌ４ＳｉＣ４粉末を混合する場合、その混合方法は特に限定されず、既知の混合装置が適宜選択されて用いられる。その具体例としては、Ｖ型混合機等の容器回転型混合機、リボンミキサー、ヘンシェルミキサー、プロシェアミキサー、スーパーミキサー、乾式ボールミル等が挙げられる。
【００４３】
以上の工程により、本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末を製造することができるが、本発明に係るＡｌ４ＳｉＣ４粉末の製造方法は、上記製造方法に限定されるものではない。
【００４４】
前述したＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、遮熱塗料用添加物として好適に用いられる。このＡｌ４ＳｉＣ４粉末を含む添加物を配合して得られる遮熱塗料では、適正な細孔分布を有するＡｌ４ＳｉＣ４粉末によって、高い赤外線反射性が発揮される。この遮熱塗料用添加物は、建築物のみならず、種々の分野で、赤外線による温度上昇や劣化を防ぐための遮熱塗料の製造に用いられうる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。なお、後述する合成例、実施例及び比較例において得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末の細孔分布は、以下の方法に従って測定した。
【００４６】
［細孔分布測定］
水銀圧入式細孔分布測定装置として、マイクロメリティックス社製の商品名「オートポアＩＶ９５１０」を使用した。水銀は、純度９９．５ｍａｓｓ％以上、密度１５．５３３５×１０３ｋｇ／ｍ３である特級の水銀試薬を用いた。測定セルは、セル内容積５×１０−６ｍ３、ステム容積０．３８×１０−６ｍ３の粉体試料用セルを用いた。測定試料である各Ａｌ４ＳｉＣ４粉末を、質量０．１０×１０−３〜０．１３×１０−３ｋｇの範囲で精密に秤量し、測定セルに充填した。この測定セルを装置に装着した後、セル内部を圧力５０μＨｇ（６．６７Ｐａ）以下で２０分間、減圧状態に保持した。次に、測定セル内に、圧力が１．５ｐｓｉａ（１０３４２Ｐａ）になるまで水銀を充填した。その後、圧力２ｐｓｉａ（１３７９０Ｐａ）から６００００ｐｓｉａ（４１３．７ＭＰａ）の範囲で水銀を圧入して、細孔分布を測定した。
【００４７】
水銀の圧入圧力を細孔直径に換算するには、下記（Ｉ）式を用いた。
Ｄ＝−（１／Ｐ）・４γ・ｃｏｓΨ            （Ｉ）
ここで、Ｄ：細孔直径（ｍ）、Ｐ：水銀の圧入圧力（Ｐａ）、γ：水銀の表面張力（４８５ｄｙｎｅ・ｃｍ−１（０．４８５Ｐａ・ｍ））、Ψ：水銀の接触角（１３０°＝２．２６８９３ｒａｄ）である。
【００４８】
［合成例１］
金属Ａｌ（純度９９％、粒度５０μｍ以下）、金属Ｓｉ（純度９８％、粒度５０μｍ以下）、及び鱗状黒鉛（純度９８％、粒度１００μｍ以下）からなる原料をモル換算でＡｌ：Ｓｉ：Ｃ＝４４．４４ｍｏｌ％：１１．１１ｍｏｌ％：４４．４４ｍｏｌ％となるように秤量した。さらに、原料全体におけるＡｌ／Ｓｉモル比が３．７６以上３．９４以下となるように、ＳｉＣ（純度９９％、粒度５０μｍ以下）を秤量した。
【００４９】
秤量した各原料を、スーパーミキサーを用いて０．５時間乾式混合した。得られた混合原料を焼成炉に投入し、アルゴンガスを流しながら、１８００℃で５時間焼成した。得られた焼成物を、乾式ボールミルを用いて粉砕した。乾式ボールミルによる粉砕は、容積２Ｌのポットにアルミナボール１．７ｋｇと焼成物０．５ｋｇとを投入し、回転数８０ｒｐｍでおこなった。モード径、モード容積、全細孔容積、変曲点径及び粒子内空隙量が、それぞれ下表１に示したものとなるように粉砕時間を調整することにより、合成例１のＡｌ４ＳｉＣ４粉末（Ｓ１）を得た。
【００５０】
［合成例２］
焼成後の乾式ボールミル粉砕の条件を、モード径、モード容積、全細孔容積、変曲点径及び粒子内空隙量が、それぞれ下表１に示したものとなるように調整した以外は、合成例１と同様にして、合成例２のＡｌ４ＳｉＣ４粉末（Ｓ２）を得た。
【００５１】
［合成例３］
焼成後の乾式ボールミル粉砕の条件を、モード径、モード容積、全細孔容積、変曲点径及び粒子内空隙量が、それぞれ下表１に示したものとなるように調整した以外は、合成例１と同様にして、合成例３のＡｌ４ＳｉＣ４粉末（Ｓ３）を得た。
【００５２】
【表１】
2020158374.tif 000002
【００５３】
［実施例１−３及び比較例１−２］
合成例１−３で得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末（Ｓ１）−（Ｓ３）を、下表２に示される配合比率（質量比）に従って配合し、実施例１−３及び比較例１−２のＡｌ４ＳｉＣ４粉末を得た。実施例２及び３については、配合時にミキサーによる混合をおこなった。実施例１−３及び比較例１−２のモード径、モード容積、全細孔容積、変曲点径及び粒子内空隙量が、下表２に示されている。
【００５４】
［赤外線反射率の測定］
ＪＩＳ  Ｒ１６９３−２：２０１２（ファインセラミックス及びセラミックス複合材料の放射率測定方法  第２部：ＦＴＩＲを用いた反射法による垂直放射率）に準じて、実施例１−３及び比較例１−２の赤外線反射率を測定した。測定には、ＦＴＩＲ装置（Ｐｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ製  Ｓｙｓｔｅｍ２０００型）を使用した。積分球（Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ製  ＲＳＡ−ＰＥ−２００−ＩＤ）を使用し、室温（２５℃）で、波長領域１６６７ｎｍ〜２５．０μｍの範囲における分光反射率スペクトルを測定し、得られたデータから反射率を算出した。波長５５００ｎｍにおける反射率が３０％以上の場合を◎とし、２０％以上の場合を○とし、２０％より低い場合を×とした。数値が大きい程、評価が高い。この結果が、下表２に示されている。
【００５５】
【表２】
2020158374.tif 000003
【００５６】
表２に示されるように、実施例１−３で得られたＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、水銀圧入法により測定した細孔分布におけるモード径が１２．０μｍ以下であり、かつモード容積が１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１以下であった。実施例１−３では、粒子同士の凝集が少なく、赤外線に対する表面積が大きいことから、高い赤外線反射率が達成された。
【００５７】
一方、比較例１−２のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、モード径が１２．０μｍを超えて大きく、かつモード容積も１．４０×１０−３ｍ３・ｋｇ−１を超えて大きいため、赤外線反射率に劣る結果となった。
【００５８】
表２に示されるように、実施例のＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、比較例のＡｌ４ＳｉＣ４粉末に比べて評価が高い。この評価結果から、本発明の優位性は明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上説明されたＡｌ４ＳｉＣ４粉末は、赤外線反射性を付与するための添加剤として、種々の分野で使用される。