(57)【要約】【課題】長期間使用しても画像流れの発生を抑制する電子写真感光体を提供する。【解決手段】円筒状の導電性基体上に少なくとも光導電層と表面層とを含む感光体膜が形成された電子写真感光体であって、電子写真感光体に一定の電荷を付与したときの電子写真感光体の表面電位を帯電能とした場合、感光体膜が形成された部分の電子写真感光体の軸方向において、帯電能の高い領域の電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、帯電能の低い領域の電子写真感光体の外表面の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする。【選択図】図１
2020194088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の導電性基体上に少なくとも光導電層と表面層とを含む感光体膜が形成された電子写真感光体であって、
前記電子写真感光体に一定の電荷を付与したときの前記電子写真感光体の表面電位を帯電能とした場合、前記感光体膜が形成された部分の前記電子写真感光体の軸方向において、前記帯電能の高い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、前記帯電能の低い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記感光体膜が形成された部分の前記電子写真感光体を軸方向に２等分して２つの領域に分け、前記電子写真感光体の帯電能の平均値が高い側を第１の領域とし、低い側を第２の領域としたとき、前記第１の領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さの平均値が、前記第２の領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さの平均値よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記第１の領域の前記帯電能の平均値をＶ１、前記第２の領域の前記帯電能の平均値をＶ２、前記第１の領域の前記算術平均粗さの平均値をＲａ１、前記第２の領域の前記算術平均粗さの平均値をＲａ２としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満たすことを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体。
【数１】
2020194088.tif 000012
【数２】
2020194088.tif 000013
【請求項４】
前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、０．０４μｍ以上０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光体膜が形成された部分の前記電子写真感光体の軸方向において、前記感光体膜の膜厚の厚い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、前記感光体膜の膜厚の薄い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
円筒状の導電性基体上に少なくとも光導電層と表面層を含む感光体膜が形成された電子写真感光体の製造方法であって、
前記電子写真感光体に一定の電荷を付与したときの前記電子写真感光体の表面電位を帯電能とした場合、前記感光体膜が形成された部分の前記電子写真感光体の軸方向において、前記帯電能の高い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、前記帯電能の低い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さよりも大きくなるように粗面化処理をすることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に接触または近接配置され、かつ、電圧を印加して前記電子写真感光体を帯電させる帯電部材と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法ならびに画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置はデジタル化、カラー化へのシフトが進み、出力画像の高画質化（高解像であること、高精細であること、濃度ムラがないこと、画像欠陥（白抜けや黒点など）がない等）の要求が高まっている。
【０００３】
高画質化の要因である高解像度の一例としては、繰り返し画像形成を行うことで発生する、画像流れを低減することが挙げられる。画像流れが発生すると、細線の再現性等が低下するため、人の目で見ても判別が容易となるため、画像流れの低減に対する要求は極めて高いものとなっている。
【０００４】
画像流れの原因は様々であるが、電子写真形成装置内に発生するオゾンや印加される電流電圧に起因して、電子写真感光体表面の表面層が酸化することにより放電生成物が形成され、表面の抵抗が低下することが発生要因として知られている。
【０００５】
そこで、クリーニングブレードやクリーニングローラーなどのクリーニング手段を感光体表面に押し当てることで、感光体表面の廃トナーを除去すると同時に、クリーニング手段によって感光体の表面を研磨することで、表面の放電生成物を低減または除去し、画像流れの発生を抑制している。
【０００６】
一方、クリーニング手段の押し圧を上昇させる等で表面の放電生成物の除去効率を向上させると、感光体表面とクリーニング手段との間の摩擦抵抗が上昇する。
【０００７】
その結果、表面摩擦が大きくなり、感光体表面およびブレードの消耗が著しくなる場合が存在した。さらに、感光体ドラムの回転トルクが上昇し、クリーニング手段への負荷増大により、例えばクリーニングブレードのめくれ等が発生し、トナー外添剤のすり抜け、感光体ドラムに接触する帯電ローラの汚染や、これに起因する帯電不良が発生する場合が有った。
【０００８】
そこで、特許文献１に示すように、感光体ドラムとクリーニングブレードやトナーとの接触面積を小さくするために感光体ドラム表面を粗面化する方法が提案されている。
【０００９】
これらの技術により、感光体の表面を研磨することで画像流れの発生を抑制しつつ、感光体表面とクリーニング手段との間の摩擦抵抗を低減させることで、感光体表面およびブレードの消耗ならびにクリーニング不良の発生抑制可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−１４３０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし近年、例えば、オフィスのネットワーク化が進み、デジタル化された情報を大量に出力する場合が生じている。また、電子写真方式の画像形成装置は印刷分野でも利用されるようになり、前述のように高画質化が求められると同時に、安定して繰り返し画像形成する高安定化も求められている。
【００１２】
前述の技術により、ある程度安定して画像形成を行えることが可能となった。しかし、長期間使用した場合に、画像流れが発生する場合が存在するため、いまだ改善の余地を有しているのが現状である。
【００１３】
本発明は上記に鑑みて提案されたものであり、感光体表面およびブレードの消耗ならびに、クリーニング不良の発生を抑制すると同時に、長期間使用しても画像流れの発生を抑制する電子写真感光体を提供することにある。また、本発明の電子写真感光体を用い、従来よりも高画質、高安定な画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
すなわち、上述した目的を達成するため、本発明は、円筒状の導電性基体上に少なくとも光導電層と表面層とを含む感光体膜が形成された電子写真感光体であって、前記電子写真感光体に一定の電荷を付与したときの前記電子写真感光体の表面電位を帯電能とした場合、前記感光体膜が形成された部分の前記電子写真感光体の軸方向において、前記帯電能の高い領域の前記電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、前記帯電能の低い領域よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
また、上述した目的を達成するため、本発明に係る画像形成装置は、前記電子写真感光体を用い、前記電子写真感光体に接触または近接配置され、電圧を印加して前記電子写真感光体を帯電させる帯電部材を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、長期間使用しても画像流れの発生を抑制する電子写真感光体を提供することが可能となる。また、本発明の電子写真感光体を用い、従来よりも高画質、高安定な画像形成装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の電子写真感光体の構成を示す模式的な構成図である。（ａ）は、電子写真感光体の一例を示す図である。（ｂ）は、電子写真感光体の帯電能の軸方向の分布の一例を示す図である。（ｃ）は、電子写真感光体の算術平均粗さの軸方向の分布の一例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の構成の一例を示す模式的な構成図である。
【図３】本発明の他の電子写真感光体の構成の一例を示す模式的な構成図である。
【図４】アモルファスシリコン感光体の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な縦断面図である。
【図５】本発明の電子写真装置の一例を示す模式図である。
【図６】本発明の他の電子写真装置の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
（電子写真感光体）
図１は、本発明の電子写真感光体を説明するための模式的構成図である。図１（ａ）は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図を示す。ここで、電子写真感光体１００は、円筒状の導電性基体１０１の上に、例えば下部電荷注入阻止層、光導電層、および表面層から構成される、感光体膜１１０が積層されている。電子写真感光体１００は、外表面１１１を有する。電子写真感光体１００は、中央で２等分して図中向かって左側を第１の領域、向かって右側を第２の領域に分けている。
【００１９】
図１（ｂ）は、本発明の電子写真感光体１００の帯電能の軸方向の分布を示すグラフである。横軸は電子写真感光体１００の軸方向の位置を示し、縦軸は帯電能を示す。図中実線は各軸位置における帯電能を示したグラフである。
【００２０】
図中Ｖａは、軸方向において帯電能の高い領域の表面電位を示し、Ｖｂは、帯電能の低い領域の表面電位を示している。また、図中Ｖ１およびＶ２は、電子写真感光体１００を中央で２等分して、向かって左側を第１の領域とし、向かって右側を第２の領域として分けた時の各領域での平均値であり、第１の領域の平均値をＶ１、第２の領域の平均値をＶ２で示す。
【００２１】
本発明における帯電能とは、電子写真感光体１００の表面に一定の電荷を付与した場合の電子写真感光体１００の表面電位を示す。
【００２２】
次に、電子写真感光体１００の図１（ｂ）に示した帯電能の軸方向の分布をもとに、電子写真感光体１００の外表面１１１の表面粗さを制御した状態を図１（ｃ）に示す。
【００２３】
図１（ｃ）は、本発明の電子写真感光体１００の算術平均粗さの軸方向の分布を示すグラフである。横軸は電子写真感光体１００の軸方向の位置を示し、縦軸は算術平均粗さを示す。
【００２４】
図中実線は各軸位置における算術平均粗さを示したグラフである。図中Ｒａａは、前述の軸方向において帯電能の高い領域の表面電位Ｖａに対応する部分の算術平均粗さを示し、Ｒａｂは、前述の軸方向において帯電能の低い領域の表面電位Ｖｂに対応する部分の算術平均粗さを示している。また、図中Ｒａ１およびＲａ２は、電子写真感光体１００を中央で２等分して、向かって左側を第１の領域とし、向かって右側を第２の領域として分けた時の各領域での算術平均粗さの平均値であり、第１の領域の平均値をＲａ１、第２の領域の平均値をＲａ２で示す。
【００２５】
電子写真感光体１００の外表面１１１は、図１（ｂ）に示した帯電能の軸方向の分布に基づいて、帯電能の低い領域（Ｖｂの位置）に対して帯電能の高い領域（Ｖａの位置）の算術平均粗さを大きくしている（Ｒａａ＞Ｒａｂ）。
本発明における算術平均粗さとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定されている表面粗さに基づいている。
【００２６】
上記構成によって長期間使用しても画像流れの発生を抑制することができる理由について、本発明者らは以下のように考えている。
【００２７】
図１に示すように、帯電能に軸方向ムラが有る電子写真感光体１００を用いて電子写真装置により画像を出力する場合、軸方向の画像の濃度のムラを低減させるために、電子写真感光体１００の表面電位のムラを低減することが一般に行われる。
【００２８】
例えば、電子写真感光体１００を帯電させる手段としてコロナ帯電器を用いるコロトロン帯電方式を利用する場合は、帯電器内の両端部で帯電ワイヤーと電子写真感光体１００の表面との距離を変化させることで、画像形成時の電子写真感光体１００の表面電位の軸方向ムラを低減するように調整が行われる。
【００２９】
また、電子写真感光体１００を帯電させる手段として接触帯電方式を利用する場合は、帯電部材に直流（ＤＣ）電圧のみを印加するのではなく、交流（ＡＣ）電圧を重畳してすることで、帯電と除電とを繰り返すことにより、画像形成時の電子写真感光体１００の表面電位の軸方向ムラを低減するように調整が行われる。
【００３０】
いずれの場合においても、電子写真感光体１００の表面電位は軸方向で均一化の方向に調整されるが、そのために、電子写真感光体１００の表面に付与される電荷量は軸方向で不均一となってしまう。例えば、帯電能の低い部分は、表面の電位を帯電能の高い部分に近づけるために、帯電能の高い部分に比べ、表面の電荷量を多くする必要がある。そのために、帯電手段から電子写真感光体１００の表面方向に流れる電流が増加させることになる。
【００３１】
その結果、帯電能の高い領域に比べ、帯電能の低い領域で生成されるオゾン量は増加することになる。
【００３２】
このように、電子写真感光体１００の帯電能にムラが有る場合、画像の均一性を目的として、画像形成時の電子写真感光体１００の表面電位の均一化を行うために、電子写真感光体１００に流れる電流や、オゾンの発生量に軸方向のムラが発生する。その結果、電子写真感光体１００の表面での放電生成物に軸方向のムラが発生してしまう。
【００３３】
つまり、帯電能の低い領域は、帯電能の高い領域に比べて、電子写真感光体１００の表面での放電生成物が相対的に増加した状況で、連続して画像形成が実施されることになる。
【００３４】
一般に、放電生成物は水分等が吸着することで表面抵抗を低下させることが知られている。よって、放電生成物が多い領域は、抵抗の低下が大きくなり、その結果、電子写真感光体１００に流れる電流が増加し、それにより、放電生成物が増えてしまうという現象が生じてしまう。
【００３５】
つまり、放電生成物にムラが生じると、長期間使用した場合、放電生成物の多い領域はさらに、放電生成物が増加するので、放電生成物のムラが増大してくる。
【００３６】
その結果、クリーニング手段による放電生成物の除去が不充分となり、画像ながれが発生してしまう場合が有ると推測される。
【００３７】
本発明は、帯電能の低い領域の算術平均粗さを、帯電能の高い領域の算術平均粗さに比べて小さくしている。それにより、帯電能の低い領域は、クリーニング手段との摩擦係数が帯電能の高い領域に比べて高くなるため、帯電能の高い領域に比べて放電生成物の除去効率が良化する。
【００３８】
その結果、電子写真感光体１００の表面での放電生成物のムラが大幅に低減し、放電生成物のムラが有ることにより生じていた、放電生成物のムラが増大してくることが抑制されるので、長期間使用しても画像流れの発生が抑制されると推測される。
【００３９】
本発明において、電子写真感光体１００の外表面１１１の算術平均粗さＲａは、０．０４μｍ以上０．２μｍ以下であると、ブレードの消耗および、クリーニング不良の発生を抑制すると同時に、長期間使用しても画像流れの発生を抑制するのに好ましい。
算術平均粗さＲａが０．０４μｍより小さいと、感光体ドラムとクリーニング手段との動摩擦係数が増加するので、クリーニング手段の耐久性が低下する場合が有る。さらに、クリーニング手段としてクリーニングブレードを用いた場合には、ブレードのめくれが発生し、クリーニング不良が発生する場合が有る。
算術平均粗さＲａが０．２μｍより大きいと、感光体ドラムとクリーニング手段との接触面積が低下するので、効率的に電子写真感光体１００の表面の放電生成物を除去できなくなり、使用中に画像流れが発生する場合が有る。
【００４０】
図１（ｂ）に示すように、電子写真感光体１００の軸方向の帯電能の形状は、多少の変曲点は有するが、軸方向の全般に渡って概ねなだらかに変化している。
【００４１】
例えば、後述するように、アモルファスシリコン電子写真感光体や、有機電子写真感光体においては、製造方法の性質上、軸方向の帯電能の変化は図１（ｂ）に示すようになだらかに変化するのが一般的であり、局所的に大きく変化するようなことはない。
【００４２】
従って、図１（ｂ）に示すように、電子写真感光体を軸方向に２等分して２つの領域（第１の領域と第２の領域）に分け、第１の領域と第２の領域のそれぞれの範囲で電子写真感光体１００の帯電能を平均化し、帯電能の平均値の絶対値をもって、電子写真感光体１００の帯電能の絶対値の大小関係を決定することができる。
【００４３】
電子写真感光体１００の外表面１１１は、図１（ｂ）に示した帯電能の軸方向の分布に基づいて、帯電能の低い第２の領域に対して、帯電能の高い第１の領域の算術平均粗さの平均値を大きくしている（Ｒａ１＞Ｒａ２）。
【００４４】
本発明において、前述のように第１の領域の帯電能の平均値をＶ１、第２の領域の帯電能の平均値をＶ２、第１の領域の算術平均粗さの平均値をＲａ１、第２の領域の算術平均粗さの平均値をＲａ２としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満たすことが好ましい。
【数１】
2020194088.tif 000003
【数２】
2020194088.tif 000004
【００４５】
第１の領域と第２の領域の帯電能の差｜Ｖ１−Ｖ２｜の、電子写真感光体１００の全体（第１の領域＋第２の領域）の帯電能の平均値（Ｖ１＋Ｖ２）／２に対する割合が、１０％より大きくなると、軸方向の帯電能のムラが大きくなり画像の均一性が不充分になる場合が有る。
【００４６】
さらに、算術平均粗さの軸方向のムラの大きさΔＲａを、第１の領域と第２の領域の算術平均粗さの差｜Ｒａ１−Ｒａ２｜の、電子写真感光体１００の全体（第１の領域＋第２の領域）の算術平均粗さの平均値（Ｖ１＋Ｖ２）／２に対する割合とする。帯電能の軸方向のムラの大きさΔＶを、第１の領域と第２の領域の帯電能の差｜Ｖ１−Ｖ２｜の、電子写真感光体１００の全体（第１の領域＋第２の領域）の帯電能の平均値（Ｖ１＋Ｖ２）／２に対する割合とする。
【００４７】
ここで、ΔＲａがΔＶより５％を超えて小さい、つまり算術平均粗さの軸方向の差が足りない場合は、本発明の骨子であるところの放電生成物のムラの低減が充分に実施されない場合が有り好ましくない。また、ΔＲａがΔＶより５％を超えて大きい、つまり算術平均粗さの軸方向の差が大き過ぎる場合は、クリーニングブレードのビビり等が発生する場合が有り好ましくない。
【００４８】
（感光体の製造方法）
次に、本発明の電子写真感光体１００の製造方法について、図面を用いて説明する。図２および図３は、図１において示した電子写真感光体１００の断面の一部を示した模式図である。
【００４９】
図２において、電子写真感光体２００は、一例として、アモルファスシリコン感光体を示す。円筒状の導電性基体２０１の上に、下部電荷注入阻止層２０２、光導電層２０３、および表面層２０４から構成される、感光体膜２１０が積層されている。電子写真感光体２００は、外表面２１１を有する。導電性基体２０１は、外表面２１２を有する。
【００５０】
図３において、電子写真感光体３００は、一例として、有機感光体を示す。円筒状の導電性基体３０１の上に、下引き層３０２、電荷発生層３０３、電荷輸送層３０４、および保護層３０５から構成される、感光体膜３１０が積層されている。電子写真感光体３００は、外表面３１１を有する。導電性基体３０１は、外表面３１２を有する。
【００５１】
図２においては、導電性基体２０１の外表面２１２が粗面化されており、その結果、導電性基体２０１上に堆積した感光体膜２１０の外表面２１１が粗面化されることになる。
【００５２】
粗面化の方法としては、特に制限はなく、例えばウエットブラスト、ドライブラスト、ウエットエッチング、ドライエッチング、研磨、切削加工などで、導電性基体２０１の外表面２１２を粗面化すればよい。
【００５３】
そして、帯電能の高い領域と帯電能の低い領域、同じく第１の領域と第２の領域で粗面化の条件を変更することにより、それぞれ異なるように粗面化すればよい。
【００５４】
また、帯電能の高い領域と低い領域の間もまた、第１の領域と第２の領域の境界においては、境界で処理条件を急峻に変更させてもよく、ある程度の範囲内で徐々に処理条件を変更させてもよい。
【００５５】
次に、このように外表面２１２が粗面化された導電性基体２０１を後述の堆積膜形成装置に投入して、導電性基体２０１上に感光体膜２１０を堆積する。この時、導電性基体２０１の算術平均粗さの大きい側と、算術平均粗さの小さい側との位置関係を所定の位置関係になるように投入する必要がある。
【００５６】
具体的には、前もって堆積膜形成装置で作成された電子写真感光体２００の帯電能の軸方向の分布を測定しておく。そして、帯電能が高い部分と帯電能が低い部分が決定される。これにより、帯電能が高い部分と堆積膜形成装置の位置関係が決定される。その後は、前述のように作成された電子写真感光体２００の外表面２１１の、算術平均粗さの大きい側が、堆積膜形成装置の位置関係で帯電能が高い部分と同じになるように堆積膜形成装置に投入する。
【００５７】
図４に示す堆積膜形成装置４００を用いて説明する。図４は、アモルファスシリコン感光体２００を作製するための、高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の堆積膜形成装置４００の一例を模式的に示した図である。この装置は大別すると、反応容器４０１を有する堆積装置４８０、原料ガス供給装置４９０、および、反応容器４０１内を減圧する為の排気装置（図示せず）から構成されている。
【００５８】
堆積装置４８０中の反応容器４０１内には、アースに接続された導電性基体１０１、基体加熱用ヒータ４０２、および、原料ガス導入管４０３が設置されている。さらに、カソード電極４０４には、高周波マッチングボックス４０５を介して高周波電源４０６が接続されている。
【００５９】
原料ガス供給装置４９０は、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＯ、Ｂ２Ｈ６などの原料ガスボンベ（図示せず）が設けられている。各原料ガスを封入したガスのボンベは、補助バルブ４０７を介して反応容器４０１内の原料ガス導入管４０３に接続されている。
【００６０】
次にこの装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。前述のように、あらかじめ外表面２１２が粗面化された導電性基体２０１を、外表面２１２の算術平均粗さの大きい領域が、堆積膜形成装置４００内の位置関係で帯電能が高い領域と同じになるように、反応容器４０１に受け台４０８を介して設置する。
【００６１】
例えば、図４の堆積膜形成装置４００を用いて、アモルファスシリコン感光体を作成した場合、受け台４０８側に帯電能が低い領域が形成され、受け台４０８と反対側に帯電能の高い領域が形成される。よって、導電性基体２０１上で外表面２１２の算術平均粗さの大きい領域が受け台４０８と反対側になるように、反応容器４０１内に設置する。
【００６２】
次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器４０１内を排気する。真空計４０９の表示を見ながら、反応容器４０１内の圧力が例えば１Ｐａ以下の所定の圧力になった領域で、基体加熱用ヒータ４０２に電力を供給し、導電性基体２０１を例えば５０℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、原料ガス供給装置４９０より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器４０１に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００６３】
次に、原料ガス供給装置４９０より堆積膜形成に用いるガスを反応容器４０１に供給する。すなわち、必要に応じマスフローコントローラ（図示せず）を用いて流量設定を行う。各マスフローコントローラ（図示せず）の流量が安定した領域で、真空計４０９の表示を見ながらメインバルブ４１０を操作し、反応容器４０１内の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られた領域で高周波電源４０６より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス４０５を操作し、反応容器４０１内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
【００６４】
所定の堆積膜の形成が終わった領域で、高周波電力４０６の印加を停止し、補助バルブ４０７を閉じ、原料ガスの供給を終える。同時に、メインバルブ４１０を全開にし、反応容器４０１内を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
【００６５】
以上で、堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すればよい。原料ガス流量や、圧力などを感光体膜形成用の条件に一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。
【００６６】
すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ４１０を閉じ、反応容器４０１内に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、導電性基体１０１を取り出す。
【００６７】
次に別の製造方法に関して、図３を用いて説明する。
まず、導電性基体３０１上に、感光体膜３１０を形成する。そして、作成された電子写真感光体３００の帯電能の軸方向の分布を測定する。これにより、帯電能の高い領域あるいは高い第１の領域と、帯電能の低い領域あるいは低い第２の領域が決定される。その結果、電子写真感光体３００の外表面３１１の算術平均粗さが、帯電能の高い第１の領域が、帯電能の低い領域より大きくなるように粗面化される。同じく帯電能の高い第１の領域が、帯電能の低い第２の領域より大きくなるように粗面化される。
【００６８】
この場合、電子写真感光体３００の外表面３１１の粗面化の方法としては、特に制限はない。例えば、ドライブラスト、研磨や、微細な凹凸形状を有するモールドに電子写真感光体３００を加圧接触させて、微細な凹凸形状を外表面３１１に転写することで、外表面３１１で粗面化すればよい。
【００６９】
そして、帯電能の高い領域と帯電能の低い領域、同じく第１の領域と第２の領域で粗面化の条件を変更することにより、それぞれ異なるように粗面化すればよい。
【００７０】
また、帯電能の高い領域と低い領域の間もまた、第１の領域と第２の領域の境界においては、境界で処理条件を急峻に変更させてもよく、ある程度の範囲内で徐々に処理条件を変更させてもよい。さらに、上記の方法を組み合わせて、電子写真感光体１００を作成してもよい。
【００７１】
図２を用いて説明する。まず、外表面２１２が粗面化されている導電性基体２０１上に感光体膜２１０を形成する。この時、粗面化は導電性基体２０１全域で算術平均粗さがほぼ等しくなるように加工する。作成された電子写真感光体２００の帯電能の軸方向の分布を測定する。これにより、帯電能の高い領域と帯電能の低い領域が決定される。その結果、電子写真感光体２００の外表面２１１を、算術平均粗さが、帯電能の高い領域が、帯電能の低い領域より大きくなるように粗面化される。
【００７２】
この時の粗面化は、帯電能の高い領域のみを行って、帯電能の高い領域の算術平均粗さが、帯電能の低い領域より大きくなるようにしてもよい。さらに帯電能の低い領域のみを行って、帯電能の低い領域の算術平均粗さが、帯電能の高い領域より小さくなるようにしてもよい。
【００７３】
また、電子写真感光体１００の帯電能の測定は、電子写真感光体１００を形成する毎に実施してもよいが、同一条件で電子写真感光体１００を作成する場合には、一度測定をしたら、その後は同一条件で電子写真感光体１００の粗面化を実施してもよい。
【００７４】
（電子写真装置）
次に、本発明の電子写真感光体１００を用いた電子写真装置に関して、図面を用いて説明する。
【００７５】
図５は本発明の電子写真感光体１００を用いた電子写真装置５００の一例を示す図である。図５に示す電子写真装置５００による電子写真画像の形成は以下のように行われる。図５において、矢印の方向に回転駆動される電子写真感光体１００の表面は、帯電装置５０１によって帯電される。電子写真感光体１００の表面の帯電電位は、帯電装置５０１内の帯電ワイヤー５０２に流す電流値によって調整される。この時、電子写真感光体１００の表面の帯電電位が均一に近づくように、帯電ワイヤー５０２と電子写真感光体１００の表面との距離が予め調整されている。
【００７６】
次いで、電子写真感光体１００の表面には、画像露光装置（不図示）から画像露光光５０３が照射され、電子写真感光体１００の表面に静電潜像が形成される。その後、電子写真感光体１００の表面に形成された静電潜像は、現像装置５０４から供給されるトナーによって現像され、電子写真感光体１００の表面にトナー像が形成される。その後、電子写真感光体１００の表面に形成されたトナー像は、転写装置５０５によって転写材５０６に転写される。次いで、電子写真感光体１００の表面から転写材５０６が分離され、その後、転写材５０６に転写されたトナー像は、定着装置（不図示）によって転写材５０６に定着される。
【００７７】
一方、転写材５０６に転写されずに電子写真感光体１００の表面に残留したトナーは、クリーニング装置５０７内のクリーニングブレード５０８によって除去される。その後、電子写真感光体１００の表面には、前露光装置（不図示）から前露光光５０９が照射され、電子写真感光体２００の表面は除電される。この一連のプロセスを繰り返すことで、連続的に画像形成（画像出力）が行われる。
【００７８】
さらに、本発明の電子写真感光体１００を用いた別の電子写真装置に関して図面を用いて説明する。
【００７９】
図６は本発明の電子写真感光体用１００を用いた電子写真装置６００の一例を示す図である。図６に示す電子写真装置６００による電子写真画像の形成は以下のように行われる。図６において、矢印の方向に回転駆動される電子写真感光体１００の表面は、帯電ローラ６０１によって帯電される。
【００８０】
帯電ローラ６０１は、電子写真感光体１００と平行に配置されて電子写真感光体１００と逆方向に回転（同図中では反時計回り）し、電子写真感光体１００の外表面１１１に接触または近接配置される。そして、電源６１０に接続されて電圧が印加され、帯電ローラ６０１から電子写真感光体１００への放電によって、前露光光６０９で除電された電子写真感光体１００の表面が、所定の極性・電位になるように帯電される。電子写真感光体１００の表面の帯電電位は、帯電ローラ６０１に印加するＤＣ電圧およびＡＣ電圧によって、調整される。
【００８１】
次いで、電子写真感光体１００の表面には、画像露光装置（不図示）から画像露光光６０３が照射され、電子写真感光体１００の表面に静電潜像が形成される。その後、電子写真感光体１００の表面に形成された静電潜像は、現像装置６０４から供給されるトナーによって現像され、電子写真感光体１００の表面にトナー像が形成される。その後、電子写真感光体１００の表面に形成されたトナー像は、転写装置６０５によって転写材６０６に転写される。次いで、電子写真感光体１００の表面から転写材６０６が分離され、その後、転写材６０６に転写されたトナー像は、定着装置（不図示）によって転写材６０６に定着される。
【００８２】
一方、転写材６０６に転写されずに電子写真感光体１００の表面に残留したトナーは、クリーニング装置６０７内のクリーニングブレード６０８によって除去される。その後、電子写真感光体１００の表面には、前露光光６０９が照射され、電子写真感光体１００の表面は除電される。この一連のプロセスを繰り返すことで、連続的に画像形成（画像出力）が行われる。
【実施例】
【００８３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したものと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。
【００８４】
＜実施例１＞
図２に示す円筒状の導電性基体２０１として、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのものを用い、アモルファスシリコン電子写真感光体２００を以下のように作成した。
【００８５】
導電性基体２０１の外表面２１２には、鏡面切削加工、ウエットブラスト加工を行い、さらにそれぞれの加工終了時には、導電性基体２０１の洗浄を行った。
【００８６】
まず、鏡面切削加工として、円筒状の導電性基体２０１の振動防止のため、内部にウレタンゴム製の円筒を、導電性基体２０１の内側に密着させるように挿入し、導電性基体２０１の内周を主軸ヤトイと芯押しヤトイのテーパー面で左右から挟持して切削装置に設置した。
【００８７】
その後、導電性基体２０１を１０００〜８０００ｒｐｍにて高速回転させ、導電性基体２０１への１回転あたりの送りピッチを０．０５〜０．３ｍｍとして、荒切削用のダイヤモンドバイトの切込み量、仕上げ切削用ダイヤモンドバイトの切込み量を設定し、切削終了後の導電性基体２０１の外径が、所定の外径になるようにダイヤモンドバイトを押し当てて切削した。切削が終了したら、導電性基体２０１を切削装置から外し、洗浄機に移動させ、脱脂洗浄を行った。
【００８８】
次に、導電性基体２０１をウエットブラスト加工装置に、導電性基体２０１の内面の両端を保持させて設置する。その後導電性基体２０１を１０〜１００ｒｐｍで回転させ、その表面に、投射ノズルから研磨剤の濃度が５〜２０Ｖｏｌ％になるように、アルミナからなる研磨剤と水とが混合した溶液を、圧縮空気と混合させて、導電性基体２０１の外表面２１２に投射した。この時の投射時のエアーの圧力は０．１０〜０．３０ＭＰａとし、投射ノズルの移動速度を１０〜０．１ｍｍ／ｓｅｃとした。
そして、導電性基体２０１のウエットブラスト加工開始端部から、導電性基体２０１の中央に達するまでの投射時のエアーの圧力に対して、中央から残りの導電性基体２０１の端部までのエアーの圧力を低下させて、導電性基体２０１の外表面２１２の算術平均粗さを変化させた。加工処理が終了したら、導電性基体２０１をウエットブラスト加工装置から外し、洗浄機に移動させ純水と超音波を用いた洗浄を行った。
【００８９】
その後、前述のウエットブラスト加工開始端部が、受け台４０８と反対側になるように、反応容器４０１に導電性基体２０１を設置した。そして、前述の様に堆積膜形成装置４００を用いて、表１に示した条件で図２に示したように、円筒状の導電性基体２０１の上に、下部電荷注入阻止層２０２、光導電層２０３、および表面層２０４から構成される、感光体膜２１０を形成して、アモルファスシリコン感光体２００を作成した。
【００９０】
【表１】
2020194088.tif 000005
【００９１】
作製されたアモルファスシリコン感光体２００に関して、「帯電能」、「感光体膜の膜厚」、「算術平均粗さ」、「画像流れ」、「クリーニング性」の評価を以下のように実施した。
【００９２】
「帯電能」
作成した電子写真感光体を、キヤノン社製ｉＲＣ６８００をマイナス帯電方式に改造した改造機に設置し感光体の帯電能について評価を行った。プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）光量を４μＪ／ｃｍ２とし、主帯電器の電流値を１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。この時、表面電位計（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４）により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。暗部表面電位は周方向の平均値とし、この暗部表面電位の平均値をもって帯電能とする。測定位置は電子写真感光体の軸方向については、中央を０ｍｍとして、±５０ｍｍ、±１００ｍｍ、±１５０ｍｍの７点を行った。そして、軸方向において、最も帯電能の高い領域と、最も低い領域を抽出した。
【００９３】
「感光体膜の膜厚」
本発明において感光体膜の膜厚の測定は、膜厚計（フィッシャーインストルメンツ社ＦＩＳＣＨＥＲ  ＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ）を用いて測定した。測定位置は感光体の軸方向については、中央を０ｍｍとして、±５０ｍｍ、±１００ｍｍ、±１５０ｍｍの７点と、周方向については、上述した各軸方向位置において周方向に９０度間隔の４点とした。計測箇所は合計２８点である。各軸位置の感光体膜の膜厚は、周方向の平均値とした。そして、軸方向において、感光体膜の膜厚の厚い領域と、最も薄い領域を抽出した。
【００９４】
「算術平均粗さ」
本発明において算術平均粗さＲａの測定は、ＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に準拠したフォームトレーサー  ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（株式会社ミツトヨ）を用いて測定した。用いた触針の形状はＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に従った。すなわち、先端形状は球状の先端をもつ円錐とし、先端半径２μｍ、円錐のテーパー角度６０゜、測定力は０．７５ｍＮとした。
また、基準長さ、評価長さ、λｓ輪郭曲線フィルタ（粗さ成分とそれより短い波長成分との境界を定義するフィルタ）、λｃ輪郭曲線フィルタ（粗さ成分とうねり成分との境界を定義するフィルタ）の設定はＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１、及びＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に従った。
なお、スキャン速度は０．１ｍｍ／ｓｅｃ、測定環境は気温２５℃、湿度６５％とした。その他、特に記載していない条件に関しては、全てＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１、ＪＩＳ  Ｂ０６３３：２００１、及びＪＩＳ  Ｂ０６５１：２００１に基づいて行った。また、具体的なフォームトレーサー  ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４による測定手順は、全て装置付属の取扱説明書に従って行った。
感光体の軸方向における測定位置は、中央を０ｍｍとして、±５０ｍｍ、±１００ｍｍ、±１５０ｍｍの７点と、周方向における測定位置は、上述した各軸方向位置において周方向に９０度間隔の４点とした。計測箇所は合計２８点であった。そして、各軸位置の算術平均粗さは、周方向の平均値とした。そして、軸方向において、帯電能の最も高い所の算術平均粗さと、帯電能の最も低い領域の算術平均粗さを抽出した。
【００９５】
「画像流れ」
画像流れの評価は、キヤノン社製ｉＲＣ６８００をマイナス帯電方式に改造した改造機を用いて行った。まず電子写真感光体を設置し、軸方向の帯電ムラの調整を行った。主帯電器の電流値を１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電させ、この時表面電位計（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４）により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。そして、暗部表面電位の軸方向のムラが小さくなるように、主帯電器内の帯電ワイヤーと電子写真感光体の表面との距離を調整した。具体的には前述の最も帯電能の低い側に位置する帯電ワイヤーと電子写真感光体の表面との距離を近づけた。そして、軸方向の暗部表面電位のムラを１５Ｖ以下に調整した。
【００９６】
次に、１２００ｄｐｉの解像度において、４５度１７０ｌｐｉ（１インチあたり１７０線）の線密度で面積階調ドットスクリーンを用い、全階調範囲を１７段階に均等配分した階調データを作成した。このとき最も濃い階調を１７、最も薄い階調を０として各階調に番号を割り当て、階調段階とした。
そして、前述の階調データを用いて、テキストモードを用いてＡ３用紙に出力した。このとき、高湿流れが発生すると画像流れの評価に影響が出るため、温度２２℃、相対湿度５０％の環境下で、感光体ヒータをＯＮにして、電子写真用感光体の表面を約４０℃に保った条件で出力した。
【００９７】
次に、１０万枚の耐久試験を実施した。耐久後、前述の階調データを用いテキストモードを用いてＡ３用紙出力し、得られた画像のうち、０〜８階調の各階調ごとに反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４  分光濃度計）により画像濃度を測定した。なお、反射濃度測定では各々の階調ごとに３枚の画像を出力し、それらの濃度の平均値を評価値とした。こうして得られた評価値と階調段階との線形近似した時の決定係数Ｒ２値を算出した。このとき、評価基準は下記の通りである。
Ａ・・・Ｒ２が０．９９６以上
Ｂ・・・Ｒ２が０．９９０以上０．９６未満
Ｃ・・・Ｒ２が０．９９０未満
【００９８】
「クリーニング性」
前述と同様に、１０万枚の耐久試験を実施したのちに、全面ハーフトーン画像をＡ３用紙に出力し、得られた画像で電子写真感光体の回転方向の筋の有無により、クリーニング不良の有無を評価した。筋が目視で認識されればクリーニング不良ありとした。このとき、評価基準は下記の通りである。
Ａ・・・クリーニング不良の無い状態
Ｂ・・・感光体の回転方向の筋が幅３ｍｍ以内、かつ２本以内
Ｃ・・・感光体の回転方向の筋が幅３ｍｍ以内のものが２本以上、３ｍｍ以上のものが１本以上。
得られた結果を表２に示す。
【００９９】
＜比較例１＞
本比較例においては、実施例１と同様に電子写真感光体を作成した。但し、本比較例においては、ウエットブラスト加工時、導電性基体のウエットブラスト加工開始端部から、導電性基体の他の端部までのエアーの圧力を変化させずウエットブラスト加工を行った。つまり、導電性基体の外表面の算術平均粗さを軸方向で変化させなかった以外は、すべて実施例１と同様に行った。そして、実施例１と同様の評価を行った。得られた結果を表２に示す。
【０１００】
【表２】
2020194088.tif 000006
【０１０１】
表２から明らかなように、帯電能の高い領域の電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、帯電能の低い領域よりも大きくすることで、長期間使用しても良好なクリーニング性を維持して画像流れの発生を抑制することが可能であることが判った。
【０１０２】
比較例１においては、帯電能の低い軸方向の位置で−１５０ｍｍ近傍に画像流れが発生していた。この時の電子写真感光体の外表面を確認した領域−１５０ｍｍ辺りに表面に放電生成物が他の場所に比べて多くなっていることが確認できた。
【０１０３】
同様に、実施例１の本発明の電子写真感光体２００の外表面２１１を確認した領域、放電生成物は電子写真感光体の全面でほとんど確認が出来なかった。
【０１０４】
また、感光体膜の膜厚の厚い領域の電子写真感光体の外表面の算術平均粗さが、感光体膜の膜厚の薄い領域よりも大きくすることで、長期間使用しても良好なクリーニング性を維持して画像流れの発生を抑制する電子写真感光体を提供することが可能となる。
【０１０５】
感光体膜の膜厚が薄い領域は、膜厚の厚い領域にくらべて、感光体膜の静電容量は大きくなる。そのため、同じ電荷を付与した場合には、膜厚の薄い領域表面電位が厚い領域にくらべ低下する。よって、同じ表面電位を得るためには、付与する電荷も多くする必要がある。そのため、膜厚の厚い領域にくらべ、薄い領域の方が、放電生成物が多くなる。よって、本発明の感光体膜の膜厚の厚い領域の電子写真感光体の外表面の算術平均粗さを、感光体膜の膜厚の薄い領域よりも大きくすることで、長期間使用しても良好なクリーニング性を維持して画像流れの発生を抑制する電子写真感光体を提供することが可能となる。
【０１０６】
＜実施例２＞
本実施例においては、実施例１と同様に電子写真感光体を作成した。但し、本実施例においては、ウエットブラスト加工時、導電性基体２０１のウエットブラスト加工開始端部から、導電性基体２０１の中央に達するまでの投射時のエアーの圧力に対して、中央から残りの導電性基体２０１の端部までのエアーの圧力を変化させて、導電性基体２０１の外表面２１２の算術平均粗さを変化させた。続いて、以下のような評価を行った。
【０１０７】
「帯電能」
実施例１と同様に測定を行った。但し、本実施例においては、感光体膜２１０が形成された部分を軸方向に２等分して２つの領域に分けて、それぞれの領域で帯電能の平均値を求めるときは、０ｍｍ位置を除いた＋側と−側のそれぞれの領域の軸方向３点を平均して求めた。そして、帯電能の平均値が高い側を第１の領域、低い側を第２の領域とし、第１の領域の帯電能の平均値をＶ１、第２の領域の帯電能の平均値をＶ２とした。また、帯電能のムラΔＶ（％）を下記式（３）より算出した。
【数３】
2020194088.tif 000007
【０１０８】
「算術平均粗さ」
実施例１と同様に測定を行った。但し、本実施例においては、感光体膜２１０が形成された部分を軸方向に２等分して２つの領域に分けて、それぞれの領域で算術平均粗さの平均値を求めるときは、０ｍｍ位置を除いた＋側と−側のそれぞれの領域の軸方向３点×周方向４点の合計１２点を平均して求めた。そして、前述の帯電能の平均値が高い第１の領域の、算術平均粗さの平均値をＲａ１、前述の帯電能の平均値が低い第２の領域の、算術平均粗さの平均値をＲａ２とした。また、算術平均粗さのムラΔＲａ（％）を下記式（４）より算出した。
【数４】
2020194088.tif 000008
さらに、帯電能のムラΔＶ（％）と算術平均粗さのムラΔＲａ（％）との差を下記式（５）とし、算術平均粗さを算出した。
ΔＶ−ΔＲａ      式（５）
【０１０９】
「画像流れおよびクリーニング性」
実施例１と同様の評価を行った。得られた結果を表３に示す。
【０１１０】
＜比較例２＞
本比較例においては、実施例２と同様に電子写真感光体を作成した。但し、本比較例においては、ウエットブラスト加工時、導電性基体２０１のウエットブラスト加工開始端部から、導電性基体２０１の他の端部までのエアーの圧力を変化させずウエットブラスト加工を行った。つまり、導電性基体２０１の外表面２１２の算術平均粗さを軸方向で変化させなかった以外は、すべて実施例２と同様に行った。そして、実施例２と同様の評価を行った。得られた結果を表３に示す。
【０１１１】
【表３】
2020194088.tif 000009
【０１１２】
表３から明らかなように、感光体膜が形成された部分の電子写真感光体を軸方向に２等分して２つの領域に分け、電子写真感光体の帯電能の平均値が高い側を第１の領域、低い側を第２の領域としたとき、第１の領域の電子写真感光体の外表面の算術平均粗さの平均値を、第２の領域よりも大きくすることで、長期間使用しても良好なクリーニング性を維持して画像流れの発生を抑制する電子写真感光体を提供することが可能となる。
さらに、下記式（６）および下記式（７）を満たすことがより好ましいことが判った。
【数５】
2020194088.tif 000010
【数６】
2020194088.tif 000011
【０１１３】
帯電能のムラΔＶ（％）に対して、算術平均粗さのムラΔＲａ（％）が５％より小さい、つまり算術平均粗さの軸方向の差が余りない場合は、帯電能の低い領域で僅かではあるが画像流れが発生する場合が有った。
【０１１４】
算術平均粗さに軸方向の差が余りないということは、放電生成物の付着が相対的に多くなる帯電能の低い領域の算術平均粗さが、放電生成物の付着が相対的に少ない帯電能の高い領域に対して、充分に小さくなっていない。その為に、放電生成物の付着のムラの増大を充分に抑制できなくなるためと考えられる。
【０１１５】
一方、帯電能のムラΔＶ（％）に対して、算術平均粗さのムラΔＲａ（％）が５％より大きい、つまり算術平均粗さの軸方向の差が大きい場合は、僅かであるがクリーニング不足が発生する場合が有った。発生原因を調査したところ、帯電能の小さい領域＝算術平均粗さの小さい領域で、クリーニングブレードのビビりが発生していることが判った。
【０１１６】
これは、軸方向でクリーニングブレードと感光体表面との間の摩擦抵抗に差が生じ、算術平均粗さの小さい方で動摩擦抵抗が上昇したために発生したと考えられる。
【０１１７】
そこでクリーニングブレードの押し圧を低下させることで、クリーニングブレードのビビりを解消できたが、帯電能の大きい領域＝算術平均粗さの大きい領域の電子写真感光体の中央付近で、僅かではあるが画像流れが発生する場合が有ることが判った。これは、クリーニングブレードの押し圧を低下させたことで、放電生成物の除去が充分に実施できない場合が有ると考えられる。
【０１１８】
よって、帯電能のムラΔＶ（％）に対して、算術平均粗さのムラΔＲａ（％）を±５（％）に制御することが好ましい。
【０１１９】
＜実施例３＞
本実施例においては、実施例１と同様に電子写真感光体を作成した。そして、キヤノン社製ｉＲＣ６８００を、図５のコロナ帯電方式から、図６のような帯電ローラ６０１が電子写真感光体に接触してマイナス帯電する接触帯電方式に改造した改造機を用いて行った。電子写真感光体を帯電させるために、帯電ローラ６０１に直流（ＤＣ）電圧を印加し、交流（ＡＣ）電圧を重畳し電圧を印加した。
まず電子写真感光体１００を設置し、電子写真感光体１００の中央（０ｍｍ）位置における暗部表面電位の一周の平均が５００Ｖになるように帯電ローラに印加する電圧を調整した。その後、実施例１と同様に、１０万枚の耐久試験を実施し、画像流れとクリーニング性の評価を行ったところ、画像流れの発生はなく、クリーニング性も良好であった。
【０１２０】
＜実施例４＞
図３に示す円筒状の導電性基体３０１として、アルミニウムよりなる直径３０ｍｍ、長さ３７０ｍｍ、肉厚７．５ｍｍを用い、図３に示したように、円筒状の導電性基体３０１の上に、下引き層３０２、電荷発生層３０３、電荷輸送層３０４、保護層３０５から構成される、感光体膜３１０を形成して、有機感光体３００を作成した。有機感光体３００の各構成要素は、以下のように作成した。実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【０１２１】
「下引き層」
以下の成分からなる溶液を約２０時間、ボールミルで分散し塗料を調製した。
・酸化スズの被覆層を有する硫酸バリウム粒子からなる粉体  ６０部
（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業株式会社製）
・酸化チタン  １５部
（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ株式会社製）
・レゾール型フェノール樹脂  ４３部
（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業株式会社製、固形分７０％）
・シリコーンオイル  ０．０１５部
（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン株式会社製）
・シリコーン樹脂  ３．６部
（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン株式会社製）
・２−メトキシ−１−プロパノール  ５０部
・メタノール  ５０部
このようにして調製した塗料を導電性基体上に浸漬法によって塗布し、温度１４０℃のオーブンで１時間加熱硬化することにより、膜厚が１５μｍの樹脂層を形成した。
【０１２２】
次に、以下の成分をメタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合液に溶解した溶液を、上述の樹脂層の上に浸漬塗布し、温度１００℃のオーブンで３０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．６０μｍの中間層を形成した。
・共重合ナイロン樹脂  １０部（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ株式会社製）
・メトキシメチル化６ナイロン樹脂  ３０部
（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学株式会社製）
このように、樹脂層の上に中間層を形成し、樹脂層と中間層を合わせて下引き層とした。
【０１２３】
「電荷発生層」
以下の成分を、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミル装置で４時間分散した後、酢酸エチル７００部を加えて電荷発生層用分散液を調製した。
・ヒドロキシガリウムフタロシアニン  ２０部
（ＣｕＫα特性Ｘ線回折において、７．４°及び２８．２°（ブラッグ角２θ±０．２°）に強いピークを有するもの）
・カリックスアレーン化合物  ０．２部
・ポリビニルブチラール  １０部
（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学株式会社製）
・シクロヘキサノン  ６００部
これを下引き層上に浸漬コーティング法で塗布し、温度８０℃のオーブンで１５分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．１７０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１２４】
「電荷輸送層」
以下の成分をモノクロルベンゼン６００部及びメチラール２００部の混合溶媒中に溶解して電荷輸送層用塗料を調製した。これを用いて、上記電荷発生層上に電荷輸送層を浸漬塗布し、温度９０℃のオーブンで１時間加熱乾燥することにより、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。
・正孔輸送性化合物  １２０部
・ポリカーボネート樹脂  １００部
（ユーピロンＺ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社社製）
【０１２５】
「保護層」
重合性官能基を有する正孔輸送性化合物  ３０部を、１−プロパノール３５部および１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（商品名：ゼオローラーＨ、日本ゼオン株式会社製）３５部の混合溶媒に溶解させた後、これをポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製の０．５μｍメンブレンフィルターで加圧濾過することによって、表面層用塗布液を調製した。この表面層用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布した後、被塗布体を１００℃で５分間保持して溶媒を蒸発させ、形成された塗布膜を風乾させた。
その後、上記被塗布体に、窒素雰囲気（酸素濃度１０ｐｐｍ）下で電子線（加速電圧８０ｋＶ、線量１．５×１０４Ｇｙ）を照射し、その後、同雰囲気下で電子写真感光体（電子線の被照射体）の温度が１２０℃になる条件で９０秒間硬化処理を行い、被塗布体上に形成された塗布膜の硬化を行った。続いて、得られた有機感光体３００の感光体膜３１０の軸方向のムラを測定した。膜厚の測定は、実施例１と同様に行った。
【０１２６】
続いて、軸方向において、感光体膜の膜厚の厚い領域と、最も薄い領域を抽出した。膜厚の厚い領域は、＋１５０ｍｍ位置で３６．２μｍ、薄い領域は−１５０ｍｍ位置で３５．６μｍあった。
【０１２７】
次に、有機感光体３００の外表面３１１の粗面化を以下のように行った。粗面化は、回転している有機感光体３００に対し、有機感光体３００の回転方向と同一方向に研磨テープを送り、バックアップローラーで、研磨テープを有機感光体３００の外表面３１１に押し当てることで実施した。まず、有機感光体３００全面に下記の条件で粗面化処理を実施した。
・研磨シ−ト：品名「ＧＣ（レフライト株式会社製）」
・研磨砥粒の番手：１５００以上４０００以下
・研磨砥粒：ＳｉＣ（平均粒径：１μｍ以上１５μｍ以下）
・研磨シート送りスピード：１０ｍｍ／ｍｉｎ以上５００ｍｍ／ｍｉｎ以下
・押し当て圧：０．００５Ｎ／ｍ２以上１５Ｎ／ｍ２以下
【０１２８】
その後、膜厚の厚い領域が含まれるように、有機感光体３００の中心（０ｍｍ）から、＋１５０ｍｍ側の半分だけ上記条件で追加の粗面化処理を実施し、追加部分の表面粗さを大きくした。＋１５０ｍｍの位置で、算術平均粗さは０．０５７μｍ、−１５０ｍｍの位置で、算術平均粗さは０．０５０μｍであった。
【０１２９】
粗面化の処理が終了した有機感光体３００を、キヤノン株式会社製ｉＲＣ４５７０（電子写真感光体に接触配置された帯電部材から直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加して電子写真感光体を帯電させるＡＣ／ＤＣ帯電方式）に設置し、電子写真感光体１００の中央（０ｍｍ）位置における暗部表面電位の一周の平均が−７００Ｖになるように帯電ローラに印加する電圧を調整した。
【０１３０】
その後、実施例１と同様に、５万枚の耐久試験を実施し、画像流れとクリーニング性の評価を行ったところ、画像流れの発生はなく、クリーニング性も良好であった。
【符号の説明】
【０１３１】
１００，２００，３００  電子写真感光体
１０１，２０１，３０１  導電性基体
１１０，２１０，３１０  感光体膜
１１１，２１１，３１１  感光体の外表面
２０２                  下部電荷注入阻止層
２０３                  光導電層
２０４                  表面層
２１２，３１２          基体の外表面
３０２                  下引き層
３０３                  電荷発生層
３０４                  電荷輸送層
３０５                  保護層
４００                  堆積形成装置
４０１                  反応容器
４０２                  加熱用ヒータ
４０３                  原料ガス導入管
４０４                  カソード電極
４０５                  高周波マッチングボックス
４０６                  高周波電源
４０７                  補助バルブ
４０８                  受け台
４０９                  真空計
４１０                  メインバルブ
４８０                  堆積装置
４９０                  原料ガス供給装置
５００                  電子写真装置
５０１                  帯電装置
５０２                  帯電ワイヤー
５０３，６０３          画像露光光
５０４，６０４          現像装置
５０５，６０５          転写装置
５０６，６０６          転写材
５０７，６０７          クリーニング装置
５０８，６０８          クリーニングブレード
５０９，６０９          前露光光
６０１                    帯電ローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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