(57)【要約】【課題】薄膜であっても、絶縁破壊電圧の高い誘電体膜を提供すること。【解決手段】一般式ｘＡＯ−ｙＢＯ−ｚＣ２Ｏ５で表される複合酸化物を主成分として含む誘電体膜であって、Ａは、バリウム、カルシウムおよびストロンチウムから選ばれる少なくとも１つであり、Ｂは、マグネシウムおよび亜鉛から選ばれる少なくとも１つであり、Ｃは、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも１つであり、ｘ、ｙおよびｚは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．３７５≦ｘ≦０．５６３、０．２５０≦ｙ≦０．５００、ｘ／３≦ｚ≦（ｘ／３）＋１／９である関係を満足し、誘電体膜のＸ線回折チャートにおいて、複合酸化物の（１１０）面の回折ピークの半値幅が０．４０°以上である誘電体膜である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ｘＡＯ−ｙＢＯ−ｚＣ２Ｏ５で表される複合酸化物を主成分として含む誘電体膜であって、
前記Ａは、バリウム、カルシウムおよびストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも１つであり、
前記Ｂは、マグネシウムおよび亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも１つであり、
前記Ｃは、ニオブおよびタンタルからなる群から選ばれる少なくとも１つであり、
前記ｘ、ｙおよびｚは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．３７５≦ｘ≦０．５６３、０．２５０≦ｙ≦０．５００、ｘ／３≦ｚ≦（ｘ／３）＋１／９である関係を満足し、
前記誘電体膜のＸ線回折チャートにおいて、前記複合酸化物の（１１０）面の回折ピークの半値幅が０．４０°以上である誘電体膜。
【請求項２】
（１１０）面の回折ピークの半値幅が０．４０°以上６．００°以下である請求項１に記載の誘電体膜。
【請求項３】
請求項１または２に記載の誘電体膜を備える電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体膜および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンに代表される移動体通信機器において、高速で大容量の通信を可能とするために、使用する周波数領域の数が増加している。使用する周波数領域はＧＨｚ帯のような高周波領域である。このような高周波領域において作動するバラン、カプラ、フィルタ、あるいは、フィルタを組み合わせたデュプレクサ、ダイプレクサ等の高周波部品のなかには、誘電体材料を共振器として利用しているものがある。このような誘電体材料には、高周波領域において、誘電損失が小さく、周波数の選択性が良好であることが求められる。
【０００３】
誘電損失の逆数は、品質係数Ｑ値として表すことができるので、換言すれば、高周波領域において品質係数Ｑ値が高い誘電体材料が望まれている。
【０００４】
特許文献１には、化学量論組成であるＢａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３から外れた組成を有する誘電体磁器が開示され、この誘電体磁器の１０ＧＨＺにおけるＱ値が４００００以上であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３１９１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された誘電体磁器は焼結体であるため、特許文献１に開示された誘電特性を示すには、十分な体積を有する焼結体とする必要がある。したがって、高周波領域において使用される高周波部品に適用される誘電体材料としてはサイズが大きすぎるという問題があった。
【０００７】
また、高周波部品に適用される誘電体材料のサイズを小さくした場合、すなわち、誘電体材料の厚みを薄くした場合、絶縁破壊電圧が低下する傾向にあった。絶縁破壊電圧が低下すると、リーク電流が増えるという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、薄膜であっても、絶縁破壊電圧の高い誘電体膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の態様は、
［１］一般式ｘＡＯ−ｙＢＯ−ｚＣ２Ｏ５で表される複合酸化物を主成分として含む誘電体膜であって、
Ａは、バリウム、カルシウムおよびストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも１つであり、
Ｂは、マグネシウムおよび亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも１つであり、
Ｃは、ニオブおよびタンタルからなる群から選ばれる少なくとも１つであり、
ｘ、ｙおよびｚは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．３７５≦ｘ≦０．５６３、０．２５０≦ｙ≦０．５００、ｘ／３≦ｚ≦（ｘ／３）＋１／９である関係を満足し、
誘電体膜のＸ線回折チャートにおいて、複合酸化物の（１１０）面の回折ピークの半値幅が０．４０°以上である誘電体膜である。
【００１０】
［２］（１１０）面の回折ピークの半値幅が０．４０°以上６．００°以下である［１］に記載の誘電体膜である。
【００１１】
［３］［１］または［２］に記載の誘電体膜を備える電子部品である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、薄膜であっても、絶縁破壊電圧の高い誘電体膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施形態に係る電子部品の一例としての薄膜コンデンサの模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を、具体的な実施形態に基づき、以下の順序で詳細に説明する。
１．薄膜コンデンサ
１．１．薄膜コンデンサの全体構成
１．２．誘電体膜
１．２．１．複合酸化物
１．３．基板
１．４．下部電極
１．５．上部電極
２．薄膜コンデンサの製造方法
３．本実施形態のまとめ
４．変形例
【００１５】
（１．薄膜コンデンサ）
まず、本実施形態に係る電子部品として、誘電体層が薄膜状の誘電体膜から構成される薄膜コンデンサについて説明する。
【００１６】
（１．１．薄膜コンデンサの全体構成）
図１に示すように、本実施形態に係る電子部品の一例としての薄膜コンデンサ１０は、基板１と、下部電極３と、誘電体膜５と、上部電極４とがこの順序で積層された構成を有している。下部電極３と誘電体膜５と上部電極４とはコンデンサ部を形成しており、下部電極３および上部電極４が外部回路に接続されて電圧が印加されると、誘電体膜５が所定の静電容量を示し、コンデンサとしての機能を発揮することができる。各構成要素についての詳細な説明は後述する。
【００１７】
また、本実施形態では、基板１と下部電極３との間に、基板１と下部電極３との密着性を向上させるために下地層２が形成されている。下地層２を構成する材料は、基板１と下部電極３との密着性が十分に確保できる材料であれば特に制限されない。たとえば、下部電極３がＣｕで構成される場合には、下地層２はＣｒで構成され、下部電極３がＰｔで構成される場合には、下地層２はＴｉで構成することができる。
【００１８】
また、図１に示す薄膜コンデンサ１０において、誘電体膜５を外部雰囲気から遮断するための保護膜が形成されていてもよい。
【００１９】
なお、薄膜コンデンサの形状に特に制限はないが、通常、直方体形状とされる。またその寸法にも特に制限はなく、厚みや長さは用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００２０】
（１．２．誘電体膜）
誘電体膜５は、後述する複合酸化物を主成分として含んでいる。本実施形態では、主成分とは、誘電体膜１００ｍｏｌ％に対して、５０ｍｏｌ％以上を占める成分である。
【００２１】
また、本実施形態では、誘電体膜５は、公知の成膜法により形成された薄膜である。このような薄膜は、通常、基板上に原子が堆積して形成されるので、誘電体膜は、誘電体堆積膜であることが好ましい。したがって、誘電体膜は、誘電体の原料粉末を成形した成形体を焼成して得られる（固相反応により得られる）焼結体は含まない。
【００２２】
誘電体膜５の厚みは、好ましくは１０ｎｍ〜４０００ｎｍ、より好ましくは５０ｎｍ〜３０００ｎｍである。誘電体膜５の厚みが薄すぎると、誘電体膜５の絶縁破壊が生じやすい傾向にある。絶縁破壊が生じると、コンデンサとしての機能を発揮できない。一方、誘電体膜５の厚みが厚すぎると、コンデンサの静電容量を大きくするために電極面積を広くする必要があり、電子部品の設計によっては小型化および低背化が困難となる場合がある。
【００２３】
なお、誘電体膜５の厚みは、誘電体膜５を含む薄膜コンデンサを、ＦＩＢ（集束イオンビーム）加工装置で掘削し、得られた断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察して測定することができる。
【００２４】
（１．２．１．複合酸化物）
複合酸化物は、Ａ元素、Ｂ元素およびＣ元素を含む酸化物であり、一般式ｘＡＯ−ｙＢＯ−ｚＣ２Ｏ５で表される。本実施形態では、Ａ元素およびＢ元素は２価の元素から構成されており、Ｃ元素は５価の元素から構成されている。
【００２５】
この一般式における「ｘ」は、複合酸化物１．０００モルにおける酸化物ＡＯのモル数割合を示す。同様に、上記の一般式における「ｙ」は、複合酸化物１．０００モルにおける酸化物ＢＯのモル数割合を示し、上記の一般式における「ｚ」は、複合酸化物１．０００モルにおける酸化物Ｃ２Ｏ５のモル数割合を示す。
【００２６】
本実施形態では、「ｘ」、「ｙ」および「ｚ」は、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．３７５≦ｘ≦０．５６３、０．２５０≦ｙ≦０．５００、ｘ／３≦ｚ≦（ｘ／３）＋１／９である関係を満足する。
【００２７】
「ｘ」が小さすぎると、Ｑ値が低下する傾向にある。一方、「ｘ」が大きすぎると、Ａ元素が過剰となり、大気中の二酸化炭素、水分等と反応しやすく、誘電体膜が変質し、形状を維持できない傾向にある。
【００２８】
「ｙ」が小さすぎると、相対的に、Ａ元素が過剰になりやすいので、上記の傾向を示す。「ｙ」が大きすぎると、誘電体膜にクラックが生じる傾向にある。
【００２９】
「ｚ」が小さすぎると、相対的に、Ａ元素が過剰になりやすいので、上記の傾向を示す。「ｚ」が大きすぎると、Ｃ元素が過剰になり、誘電体膜中に酸素欠陥が生じやすく、半導体化する傾向にある。
【００３０】
本実施形態では、Ａ元素は、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）およびストロンチウム（Ｓｒ）からなる群から選ばれる少なくとも１つである。Ａ元素は、少なくともバリウムを含むことが好ましく、この場合、Ａ元素は、バリウム、または、バリウムとカルシウムおよびストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも１つとである。Ａ元素として、少なくともバリウムが含まれることにより、絶縁破壊電圧およびＱ値が向上する傾向にある。
【００３１】
本実施形態では、Ｂ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選ばれる少なくとも１つである。Ｂ元素は、少なくともマグネシウムを含むことが好ましく、この場合、Ｂ元素は、マグネシウム、または、マグネシウムおよび亜鉛である。Ｂ元素として、少なくともマグネシウムが含まれることにより、絶縁破壊電圧およびＱ値が向上する傾向にある。
【００３２】
本実施形態では、Ｃ元素は、ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選ばれる少なくとも１つである。Ｂ元素は、少なくともタンタルを含むことが好ましく、この場合、Ｂ元素は、タンタル、または、タンタルおよびニオブである。Ｃ元素として、少なくともタンタルが含まれることにより、Ｑ値および絶縁破壊電圧が向上する傾向にある。
【００３３】
本実施形態では、誘電体膜のＸ線回折測定により得られるＸ線回折チャートにおいて、複合酸化物の（１１０）面の回折ピークの半値幅が０．４０°以上である。半値幅は、ピーク強度の半分の強度でのピークの広がり（ＦＷＨＭ）として算出される。
【００３４】
半値幅は、結晶性の指標である。半値幅が小さい場合、複合酸化物の結晶性が高いことを意味し、半値幅が大きい場合、複合酸化物の結晶性が低いことを意味する。本実施形態では、半値幅を上記の範囲とすることにより、複合酸化物の結晶性を制御し、誘電体膜の絶縁破壊電圧を向上させることができる。
【００３５】
（１１０）面の回折ピークの半値幅は、６．００°以下であることが好ましく、４．００°以下であることがより好ましい。（１１０）面の回折ピークの半値幅の上限値を上記の値とすることにより、誘電体膜の絶縁破壊電圧を高く維持しつつ、複合酸化物の過度なアモルファス化を抑制して、誘電体膜のＱ値を所定の値以上とすることができる。
【００３６】
なお、Ｘ線源として、Ｃｕ−Ｋα線を用いる場合、（１１０）面の回折ピークは回折角２θが３０°近傍にあらわれる。
【００３７】
複合酸化物の半値幅の制御は、たとえば、成膜法の種類、成膜時の基板温度、成膜時に与えるエネルギー、成膜時の雰囲気により行うことができる。
【００３８】
また、本実施形態に係る誘電体膜は、本発明の効果を奏する範囲内において、微量な不純物、副成分等を含んでいてもよい。
【００３９】
（１．３．基板）
図１に示す基板１は、その上に形成される下地層２、下部電極３、誘電体膜５および上部電極４を支持できる程度の機械的強度を有する材料で構成されていれば特に限定されない。たとえば、Ｓｉ単結晶、ＳｉＧｅ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＩｎＰ単結晶、ＳｒＴｉＯ３単結晶、ＭｇＯ単結晶、ＬａＡｌＯ３単結晶、ＺｒＯ２単結晶、ＭｇＡｌ２Ｏ４単結晶、ＮｄＧａＯ３単結晶等から構成される単結晶基板、Ａｌ２Ｏ３多結晶、ＺｎＯ多結晶、ＳｉＯ２多結晶等から構成されるセラミック多結晶基板、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｐｔ等の金属、それらの合金等から構成される金属基板等が例示される。本実施形態では、低コスト、加工性等の観点から、Ｓｉ単結晶を基板として用いる。
【００４０】
基板１の厚みは、たとえば、１０μｍ〜５０００μｍに設定される。厚みが小さすぎると、機械的強度が確保できない場合が生じることがあり、厚みが大きすぎると、電子部品の小型化に寄与できないといった問題が生じる場合がある。
【００４１】
上記の基板１は、基板の材質によってその抵抗率が異なる。抵抗率が低い材料で基板を構成する場合、薄膜コンデンサの作動時に基板側への電流のリークが生じ、薄膜コンデンサの電気特性に影響を及ぼすことがある。そのため、基板１の抵抗率が低い場合には、その表面に絶縁処理を施し、コンデンサ作動時の電流が基板１へ流れないようにすることが好ましい。
【００４２】
たとえば、Ｓｉ単結晶を基板１として使用する場合においては、基板１の表面に絶縁層が形成されていることが好ましい。基板１とコンデンサ部との絶縁が十分に確保されていれば、絶縁層を構成する材料およびその厚みは特に限定されない。本実施形態では、絶縁層を構成する材料として、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎｘ等が例示される。また、絶縁層の厚みは、０．０１μｍ以上であることが好ましい。
【００４３】
（１．４．下部電極）
図１に示すように、基板１の上には、下地層２を介して、下部電極３が薄膜状に形成されている。下部電極３は、後述する上部電極４とともに誘電体膜５を挟み、コンデンサとして機能させるための電極である。下部電極３を構成する材料は、導電性を有する材料であれば特に制限されない。たとえば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、それらの合金、または、導電性酸化物等が例示される。
【００４４】
下部電極３の厚みは、電極として機能する程度の厚みであれば特に制限されない。本実施形態では、厚みは０．０１μｍ以上であることが好ましい。
【００４５】
（１．５．上部電極）
図１に示すように、誘電体膜５の表面には、上部電極４が薄膜状に形成されている。上部電極４は、上述した下部電極３とともに、誘電体膜５を挟み、コンデンサとして機能させるための電極である。したがって、上部電極４は、下部電極３とは異なる極性を有している。
【００４６】
上部電極４を構成する材料は、下部電極３と同様に、導電性を有する材料であれば特に制限されない。たとえば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、それらの合金、又は、導電性酸化物等が例示される。
【００４７】
（２．薄膜コンデンサの製造方法）
次に、図１に示す薄膜コンデンサ１０の製造方法の一例について以下に説明する。
【００４８】
まず、基板１を準備する。基板１として、たとえば、Ｓｉ単結晶基板を用いる場合、当該基板の一方の主面に絶縁層を形成する。絶縁層を形成する方法としては、熱酸化法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の公知の成膜法を用いればよい。
【００４９】
続いて、形成された絶縁層上に、公知の成膜法を用いて下地層を構成する材料の薄膜を形成して下地層２を形成する。
【００５０】
下地層２を形成した後、当該下地層２上に、公知の成膜法を用いて下部電極を構成する材料の薄膜を形成して下部電極３を形成する。
【００５１】
下部電極３の形成後に、下地層２と下部電極３との密着性向上、および、下部電極３の安定性向上を図る目的で、熱処理を行ってもよい。熱処理条件としては、たとえば、昇温速度は好ましくは１０℃／分〜２０００℃／分、より好ましくは１００℃／分〜１０００℃／分である。熱処理時の保持温度は、好ましくは４００℃〜８００℃、その保持時間は、好ましくは０．１時間〜４．０時間である。熱処理条件が上記の範囲外である場合には、下地層２と下部電極３との密着不良、下部電極３の表面に凹凸が発生しやすくなる。その結果、誘電体膜５の誘電特性の低下が生じやすくなる。
【００５２】
続いて、下部電極３上に誘電体膜５を形成する。本実施形態では、公知の成膜法により、誘電体膜５を構成する材料を下部電極３上に薄膜状に堆積させた堆積膜としての誘電体膜５を形成する。
【００５３】
公知の成膜法としては、たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＰＬＤ（パルスレーザー蒸着法）、ＭＯ−ＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＭＯＤ（有機金属分解法）、ゾルゲル法、ＣＳＤ（化学溶液堆積法）が例示される。本実施形態では、コスト、高い絶縁破壊電圧が得られやすい等の観点から、スパッタリング法が好ましい。たとえば、ＰＬＤにより薄膜を形成する場合、成膜時にドロップレットが生じ、このドロップレットに起因して得られる誘電体膜の絶縁破壊電圧が低下する傾向にある。
【００５４】
なお、成膜時に使用する原料（蒸着材料、各種ターゲット材料、有機金属材料等）には微量の不純物、副成分等が含まれている場合があるが、所望の誘電特性が得られれば、特に問題はない。
【００５５】
スパッタリング法を用いる場合、所望の組成のターゲットを用いて、下部電極上に誘電体膜を形成する。本実施形態では、複合酸化物の半値幅を上記の範囲内とするために、たとえば、基板温度は比較的低い方が好ましく、スパッタリング時に投入する電力は大きすぎると半値幅が小さくなりすぎる傾向にあり、小さすぎると半値幅が大きくなりすぎる傾向にある。このような成膜条件を適宜組み合わせればよい。
【００５６】
次に、形成した誘電体膜５上に、公知の成膜法を用いて上部電極を構成する材料の薄膜を形成して上部電極４を形成する。
【００５７】
以上の工程を経て、図１に示すように、基板１上に、コンデンサ部（下部電極３、誘電体膜５および上部電極４）が形成された薄膜コンデンサ１０が得られる。なお、誘電体膜５を保護する保護膜は、少なくとも誘電体膜５が外部に露出している部分を覆うように公知の成膜法により形成すればよい。
【００５８】
（３．本実施形態のまとめ）
本実施形態では、成膜法により得られる誘電体膜の主成分として、バリウム、カルシウムおよびストロンチウムから選ばれるＡ元素と、マグネシウムおよび亜鉛から選ばれるＢ元素と、ニオブおよびタンタルから選ばれるＣ元素との複合酸化物に着目している。
【００５９】
この複合酸化物において、Ａ元素、Ｂ元素およびＣ元素の含有割合を上述した範囲内にする組成の最適化に加えて、複合酸化物の所定の回折ピークの半値幅を上記の範囲としている。その結果、誘電体膜の絶縁破壊電圧を向上させることができる。
【００６０】
成膜法により形成された薄膜では結晶配向性を容易に制御できるので、通常、成膜法により薄膜を形成する場合、結晶性が高い薄膜を形成する。すなわち、半値幅の小さい薄膜を形成する。
【００６１】
しかしながら、本発明者らは、結晶性が高い薄膜よりも、若干結晶性が低く、アモルファスの領域を含む薄膜の方が、絶縁破壊電圧が向上することを見出した。
【００６２】
また、絶縁破壊電圧とＱ値とを両立するために、半値幅の上限を規定することにより、アモルファスの領域が多くなりすぎるのを防止している。
【００６３】
（４．変形例）
上述した実施形態では、誘電体膜が本実施形態に係る誘電体膜のみで構成される場合を説明したが、本実施形態に係る誘電体膜と別の誘電体組成物から構成される膜とを組み合わせた積層構造を有する電子部品でもよい。たとえば、既存のＳｉ３Ｎｘ、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏｘ、ＺｒＯｘ、Ｔａ２Ｏｘ等のアモルファス誘電体膜や結晶膜との積層構造とすることで、誘電体膜５のインピーダンスや比誘電率の温度変化を調整することが可能となる。
【００６４】
また、本実施形態に係る誘電体膜を複数有する積層キャパシタであってもよい。
【００６５】
上述した実施形態では、基板と下部電極との密着性を向上させるために、下地層を形成しているが、基板と下部電極との密着性が十分確保できる場合には、下地層は省略することができる。また、基板を構成する材料として、電極として使用可能なＣｕ、Ｐｔ等の金属、それらの合金、酸化物導電性材料等を用いる場合には、下地層および下部電極は省略することができる。
【００６６】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の態様で改変しても良い。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６８】
（実施例１および比較例１）
まず、誘電体膜の形成に必要なターゲットを以下のようにして作製した。
【００６９】
Ａ元素の原料粉末として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）の各粉末を準備し、Ｂ元素の原料粉末として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の各粉末を準備し、Ｃ元素の原料粉末として、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）の各粉末を準備した。これらの粉末を、表１に示す実施例１および比較例１の各試料の組成となるように秤量した。
【００７０】
秤量したＢ元素の原料粉末とＣ元素の原料粉末と水とφ２ｍｍのＺｒＯ２ビーズとを、容積が１Ｌのポリプロピレン製広口ポットに入れて湿式混合を２０時間行った。その後、混合粉末スラリーを１００℃で２０時間乾燥させ、得られた混合粉末をＡｌ２Ｏ３坩堝に入れ、大気中１２５０℃で５時間保持する焼成条件で１次仮焼を行い、Ｂ元素とＣ元素との複合酸化物を含む１次仮焼粉末を得た。
【００７１】
得られた１次仮焼粉末とＡ元素の原料粉末と水とφ２ｍｍのＺｒＯ２ビーズとを、容積が１Ｌのポリプロピレン製広口ポットに入れて湿式混合を２０時間行った。その後、混合粉末スラリーを１００℃で２０時間乾燥させ、得られた混合粉末をＡｌ２Ｏ３坩堝に入れ、大気中１０５０℃で５時間保持する焼成条件で２次仮焼を行い、Ａ元素とＢ元素とＣ元素との複合酸化物を含む２次仮焼粉末を得た。
【００７２】
Ｂ元素を含まないＡＯ−Ｃ２Ｏ５系化合物は、目的とするＡＯ−ＢＯ−Ｃ２Ｏ５の生成を阻害してしまうが、このように２段階の仮焼を行うことで、ＡＯ−Ｃ２Ｏ５系化合物が生成することを抑制することができる。
【００７３】
得られた２次仮焼粉末を乳鉢に入れ、バインダとして濃度６ｗｔ％のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液を、２次仮焼粉末に対して１０ｗｔ％となるように添加し、乳棒を使用して造粒粉を作製した。作製した造粒粉を、厚みが５ｍｍ程度となるようにφ１００ｍｍの金型に投入し、一軸加圧プレス機を使用して加圧成形を行い成形体を得た。成形条件は、圧力を２．０×１０８Ｐａ、温度を室温とした。
【００７４】
その後、得られた成形体について、昇温速度を１００℃／時間、保持温度を４００℃、温度保持時間を４時間とし、常圧の大気中で脱バインダ処理を行った。続いて、昇温速度を２００℃／時間、保持温度を１６００℃〜１７００℃、温度保持時間を１２時間とし、常圧の大気中で焼成を行い、焼結体を得た。
【００７５】
得られた焼結体の厚さが４ｍｍとなるように、円筒研磨機で両面を研磨し、誘電体膜を形成するためのターゲットを得た。
【００７６】
続いて、３５０μｍ厚のＳｉ単結晶基板の表面に６μｍ厚の絶縁層としてのＳｉＯ２を備えた１０ｍｍ×１０ｍｍ角の基板を準備した。この基板の表面に、下地層としてのＴｉ薄膜を２０ｎｍの厚さとなるようにスパッタリング法で形成した。
【００７７】
次いで、上記で形成したＴｉ薄膜上に下部電極としてのＰｔ薄膜を１００ｎｍの厚さとなるようにスパッタリング法で形成した。
【００７８】
形成したＴｉ／Ｐｔ薄膜に対し、昇温速度を４００℃／分、保持温度を７００℃、温度保持時間を３０分、雰囲気を酸素雰囲気とし常圧下で熱処理を行った。
【００７９】
熱処理後のＴｉ／Ｐｔ薄膜上に誘電体膜を形成した。本実施例では、試料番号２６を除き、上記で作製したターゲットを用いて、下部電極上に１０００ｎｍの厚さとなるようにスパッタリング法で誘電体膜を形成した。スパッタリング法による成膜では、基板温度、スパッタリング時の投入電力および成膜圧力を表１に示す条件とした。また、下部電極の一部を露出させるために、メタルマスクを使用して、誘電体膜が成膜されない領域を形成した。
【００８０】
また、試料番号２６では、上記で作製したターゲットを用いて、下部電極上に１０００ｎｍの厚さとなるようにＰＬＤ法で誘電体膜を形成した。成膜条件は、酸素圧を１×１０−１ （Ｐａ）とし、基板温度を２００℃とした。また、試料番号１〜２５と同様に、下部電極の一部を露出させるために、メタルマスクを使用して、誘電体膜が一部成膜されない領域を形成した。
【００８１】
次いで、得られた誘電体膜上に、蒸着装置を使用して上部電極であるＡｇ薄膜を形成した。上部電極の形状を、メタルマスクを使用して直径１００μｍ、厚さ１００ｎｍとなるように形成することで、図１に示す構成を有する薄膜コンデンサの試料（試料番号１〜２６）を得た。
【００８２】
なお、誘電体膜の組成は、すべての試料について、ＸＲＦ（蛍光Ｘ線元素分析）を用いて分析を行い、表１に記載の組成と一致していることを確認した。また、誘電体膜の厚みは、薄膜コンデンサをＦＩＢで掘削し、得られた断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察して測長した値とした。
【００８３】
得られたすべての薄膜コンデンサ試料について、誘電体膜のＸＲＤ測定を下記に示す方法により行った。また、誘電体膜のＱ値および絶縁破壊電圧を下記に示す方法により測定した。
【００８４】
（ＸＲＤ測定）
誘電体膜に対してＸＲＤ測定を行い、得られるＸ線回折チャートにおいて、（１１０）面の回折ピークを特定して、その半値幅を算出した。結果を表１に示す。
【００８５】
ＸＲＤ測定では、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋα線を用い、その測定条件は、電圧が４５ｋＶ、電流が２００ｍＡで、２θ＝２０°〜９０°の範囲とした。
【００８６】
（絶縁破壊電圧）
絶縁破壊電圧（Ｖｂｄ）は、以下のようにして測定した。薄膜コンデンサに対し、下部電極が露出している領域と上部電極とに超絶縁計（ＨＩＯＫＩ  ＳＭ７１２０）を接続し、５Ｖ／秒のステップで電圧を印加して抵抗値を計測した。初期抵抗値から２桁低下したときの電圧値を破壊電圧値（Ｖ）とし、得られた破壊電圧値（Ｖ）を誘電体膜厚で除した数値を絶縁破壊電圧（Ｖｂｄ）（Ｖ／μｍ）とした。本実施例では、各試料について、５個の薄膜コンデンサの絶縁破壊電圧を測定し、その平均値を各試料の絶縁破壊電圧とした。本実施例では、絶縁破壊電圧は高い方が好ましく、絶縁破壊電圧が５００Ｖ／μｍ以上である試料を良好であると判断した。結果を表１に示す。
【００８７】
（Ｑ値）
Ｑ値は、薄膜コンデンサに対し、基準温度２５℃において、ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製４９９１Ａ）にて、周波数２ＧＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）０．５Ｖｒｍｓの条件下で測定された誘電損失（ｔａｎδ）の逆数とした。本実施例では、Ｑ値は高い方が好ましく、Ｑ値が３５０以上である試料を良好であると判断した。結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】
2020158344.tif 000003
【００８９】
表１より、「ｘ」、「ｙ」および「ｚ」の関係が上述した範囲内であり、かつ（１１０）面の回折ピークの半値幅が上述した範囲を満足する試料は、絶縁破壊電圧とＱ値とを両立できることが確認できた。
【００９０】
一方、「ｘ」、「ｙ」および「ｚ」の関係が上述した範囲内であっても、（１１０）面の回折ピークの半値幅が上述した範囲を満足しない場合には、絶縁破壊電圧が低いことが確認できた。また、「ｘ」、「ｙ」および「ｚ」の関係が上述した範囲外である試料は、Ｑ値が低いことが確認できた。
【００９１】
さらに、ＰＬＤ法で成膜した場合、表１に記載の条件では、（１１０）面の回折ピークの半値幅が上述した範囲を満足せず、かつ成膜時に生じるドロップレットの影響により絶縁破壊電圧が低いことが確認できた。
【００９２】
なお、試料番号１７〜１９について、成膜直後は膜の形態を有しているものの、時間が経つと膜が崩壊したため、半値幅、絶縁破壊電圧およびＱ値の測定を行うことができなかった。
【００９３】
（実施例２）
試料番号９について、誘電体膜の厚みを表２に示す厚みに変更した以外は、実施例１と同じ条件により誘電体膜を形成し、実施例１と同じ条件により誘電体膜を評価した。結果を表２に示す。
【００９４】
【表２】
2020158344.tif 000004
【００９５】
誘電体膜の厚みを表２に示す厚みにした場合であっても、同等の特性が得られることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明によれば、絶縁破壊電圧の高い誘電体膜が得られる。このような薄膜状の誘電体膜は、高周波用の電子部品、たとえば、バラン、カプラ、フィルタ、あるいは、フィルタを組み合わせたデュプレクサ、ダイプレクサ等に好適である。
【符号の説明】
【００９７】
１０…  薄膜コンデンサ
１…  基板
２…  下地層
３…  下部電極
４…  上部電極
５…  誘電体膜
【図１】
2020158344.tif 000005