(57)【要約】【課題】表示品位の低下を招くことなく、電気光学装置の高精細化を可能にする。【解決手段】データ転送線１４Ｇを介して画素回路１１０Ｇに階調電圧を供給するレベルシフト回路ＬＳＧと、データ転送線１４Ｂを介して画素回路１１０Ｂに階調電圧を供給するレベルシフト回路ＬＳＢと、レベルシフト回路ＬＳＧにおいてデータ転送線１４Ｇに接続される信号線１４０Ｇと、レベルシフト回路ＬＳＢにおいてデータ転送線１４Ｂに接続される信号線１４０Ｂと、配線層Ｓ２および配線層Ｓ４、を備え、レベルシフト回路ＬＳＧとレベルシフト回路ＬＳＢは列方向に並べて配置し、信号線１４０Ｇの少なくとも一部を信号線１４０Ｂとは異なる配線層に配線した電気光学装置を提供する。【選択図】図５
2020052427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１データ転送線を介して第１画素回路へ表示階調に応じたデータ信号を供給する第１回路と、
前記第１データ転送線と並んで配置される第２データ転送線を介して第２画素回路へ表示階調に応じたデータ信号を供給する第２回路と、
前記第１回路において前記第１データ転送線に接続される第１信号線と、
前記第２回路において前記第２データ転送線に接続される第２信号線と、を備え、
前記第１データ転送線が延在して設けられる方向に、前記第１回路と前記第２回路とを並べて配置し、
前記第１信号線と前記第２信号線とのうちの一方は、少なくとも一部が他方と異なる配線層に設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１データ転送線と前記第２データ転送線とのうちの一方は、少なくとも一部が他方と異なる配線層に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
第１配線層と第２配線層とを備え、
前記第１データ転送線は前記第２データ転送線よりも短く、
前記第１回路においては、前記第１データ転送線および前記第１信号線は前記第１配線層に設けられ、前記第２データ転送線は前記第１配線層に設けられ、
前記第２回路においては、前記第２データ転送線および前記第２信号線は前記第１配線層に設けられ、前記第１信号線は前記第２配線層に設けられる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
第１固定電位を与えられる金属層を前記第１配線層と前記第２配線層の間に有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記金属層と前記第２配線層との間に設けられた電極層を有し、
前記電極層は、前記金属層とともに、前記第１画素回路の表示階調に応じた電圧を保持する第１保持容量および前記第２画素回路の表示階調に応じた電圧を保持する第２保持容量を構成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
第２固定電位を与えられる第１シールド線を前記第１配線層において前記第１信号線と前記第２信号線との間に有し、前記第２固定電位を与えられる第２シールド線を前記第２配線層において前記第１信号線と第２信号線との間に有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１シールド線と前記第２シールド線とは前記金属層に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極を介して接続されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気光学装置、を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査線とデータ転送線とが交差する画素の位置に対応させてＯＬＥＤ（Organic Light-emitting Diode）などの発光素子とトランジスター等を含む画素回路を配列した表示パネルを有する電気光学装置が一般に普及している。特許文献１には、走査線の配線方向（以下、行方向）において互いに隣り合う画素回路へ表示階調に応じたデータ信号を供給する回路ブロックを、データ転送線の配線方向（以下、列方向）に並べて配置するレイアウトが開示されている。また、特許文献１には、隣接データ転送線間のクロストークを抑制するため、データ転送線間にシールド線を配置することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１８６１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、電気光学装置に対する高精細化の要求に伴い、画素の狭ピッチ化が進んでいる。画素の狭ピッチ化が進むとデータ転送線の行方向の配置間隔も狭くなり、データ転送線間にシールド線を配置することが困難になる。データ転送線間にシールド線を配置しないと、隣接データ転送線間のクロストークを十分に抑制することができない。この結果、所望の色や輝度で画素回路を発光させることができず、表示品位が低下する。すなわち、従来の電気光学装置は、画素の狭ピッチ化とクロストークの抑制がトレードオフの関係にあり、表示品位の低下を招くことなく、電気光学装置を高精細化することができないといった問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために本発明に係る電気光学装置は、第１データ転送線を介して第１画素回路へ表示階調に応じたデータ信号を供給する第１回路と、前記第１データ転送線と並んで配置される第２データ転送線を介して第２画素回路へ表示階調に応じたデータ信号を供給する第２回路と、前記第１回路において前記第１データ転送線に接続される第１信号線と、前記第２回路において前記第２データ転送線に接続される第２信号線と、前記第１回路と第２回路とを前記第１データ転送線の方向に並べて配置し、前記第１信号線と前記第２信号線とのうちの一方は、少なくとも一部が他方と異なる配線層に形成される、ことを特徴とする。
【０００６】
本態様によれば、第１回路と第２回路は、データ転送線の方向（すなわち、列方向）に並べて配置されるので、画素の狭ピッチ化、すなわち高精細化に対応可能である。また、本態様によれば、第１信号線と第２信号線とのうちの一方は、少なくとも一部が他方と異なる配線層に形成されるので、第１信号線と第２信号線とを一つの配線層に配線する態様に比較して、第１信号線と第２信号線との間のクロストークが抑制される。このため、本態様によれば、画素の狭ピッチ化とクロストークに起因する表示品位の低下を回避できる。つまり、本態様によれば、表示品位の低下を招くことなく、電気光学装置を高精細化することが可能になる。
【０００７】
上述した電気光学装置は、前記第１データ転送線と前記第２データ転送線とのうちの一方は少なくとも一部が他方と異なる配線層に形成される、ことを特徴としてもよい。
【０００８】
本態様によれば、第１データ転送線と第２データ転送線とのうちの一方は、少なくとも一部が他方と異なる配線層に形成されるので、第１データ転送線と第２データ転送線とを一つの配線層に配線する態様に比較して第１データ転送線と第２データ転送線の間にシールド線を設けなくても、第１データ転送線と第２データ転送線との間のクロストークが抑制される。
【０００９】
上述した電気光学装置は、第１配線層と第２配線層とを備え、前記第１データ転送線は前記第２データ転送線よりも短く、前記第１回路においては、前記第１データ転送線および前記第１信号線は前記第１配線層に形成される一方、前記第２データ転送線は前記第２配線層に形成され、前記第２回路においては、前記第２データ転送線および前記第２信号線は前記第１配線層に形成される一方、前記第１信号線は前記第２配線層に形成されること、を特徴としてもよい。
【００１０】
本態様によっても、第１データ転送線と第２データ転送線の間にシールド線を設けなくても第１データ転送線と第２データ転送線との間のクロストークが抑制され、第１信号線と第２信号線の間にシールド線を設けなくても第１信号線と第２信号線との間のクロストークが抑制される。
【００１１】
上述した電気光学装置は、第１固定電位を与えられる金属層を前記第１配線層と前記第２配線層の間に有することを特徴としてもよい。本態様によれば、第１固定電位を与えられる金属層がシールドの役割を果たすので、当該金属層を設けない態様に比較して第１データ転送線と第２データ転送線との間のクロストークがさらに抑制されるとともに、第１信号線と第２信号線との間のクロストークもさらに抑制される。
【００１２】
上述した電気光学装置は、前記第１画素回路の表示階調に応じた電圧を保持する第１保持容量および前記第２画素回路の表示階調に応じた電圧を保持する第２保持容量を前記金属層とともに形成する電極層を、前記金属層と前記第２配線層との間に有することを特徴としてもよい。本態様によれば電極層および第１配線層と第２配線層の間の金属層に、保持容量の役割を兼ねさせることができ、保持容量を別途設ける必要はない。
【００１３】
上述した電気光学装置は、第２固定電位を与えられる第１シールド線を前記第１配線層において前記第１信号線と前記第２信号線との間に有し、前記第２固定電位を与えられる第２シールド線を前記第２配線層において前記第１信号線と前記第２信号線との間に有すること、を特徴としてもよい。第１および第２シールド線は、第１信号線と第２信号線とのうちの一方から他方をシールドする。このため、本態様によれば、第１シールド線および第２シールド線を設けない態様に比較して第１信号線と第２信号線との間のクロストークがさらに抑制される。
【００１４】
上述した電気光学装置は、前記第１シールド線と前記第２シールド線とが前記金属層に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極を介して接続されていること、を特徴としてもよい。
【００１５】
また、本発明は、電気光学装置のほか、当該電気光学装置を備える電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図である。
【図２】電気光学装置１の電気的な構成を示す図である。
【図３】画素回路１１０、レベルシフト回路ＬＳおよびデマルチプレクサーＤＭの構成例を示す図である。
【図４】表示パネル１０における画素回路１１０およびレベルシフト回路ＬＳの配置例を示す図である。
【図５】表示パネル１０においてデマルチプレクサーＤＭからレベルシフト回路ＬＳを経て画素回路１１０へ至る配線の一例を示す図である。
【図６】画素回路１１０におけるデータ転送線１４および給電線１６の配線例を示す図である。
【図７Ａ】表示パネル１０の部分断面図である。
【図７Ｂ】表示パネル１０の部分断面図である。
【図８】表示パネル１０の部分断面図である。
【図９】表示パネル１０の部分断面図である。
【図１０】表示パネル１０の部分断面図である。
【図１１】表示パネル１０の部分断面図である。
【図１２】本発明に係るヘッドマウント・ディスプレイ３００の斜視図である。
【図１３】本発明に係るパーソナルコンピューター４００の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜Ａ．実施形態＞
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図である。電気光学装置１は、例えばヘッドマウント・ディスプレイにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。
【００１９】
図１に示すように、電気光学装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路３とを備える。表示パネル１０は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル１０が備える複数の画素回路および駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、電気光学素子の一例であるＯＬＥＤが用いられる。また、表示パネル１０は、例えば、表示部で開口する枠状のケース８２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板８４の一端が接続される。ＦＰＣ基板８４には、半導体チップの制御回路３が、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）技術によって実装されるとともに、複数の端子８６が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
【００２０】
図２は、実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置１は、表示パネル１０と、制御回路３と、を備える。制御回路３には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データＶｉｅｄｏが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶｉｄｅｏとは、表示パネル１０（厳密には、後述する表示部１００）で表示すべき画像の画素の表示階調を例えば８ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、および、ドットクロック信号を含む信号である。
【００２１】
制御回路３は、同期信号に基づいて、各種制御信号を生成し、これを表示パネル１０に対して供給する。具体的には、制御回路３は、制御信号Ｃtr１〜Ｃtr３、Ｇｉｎｉ、／Ｇｉｎｉ、Ｇｃｐｌ、／Ｇｃｐｌ、Ｓｅｌ（１）、Ｓｅｌ（２）、Ｓｅｌ（３）、／Ｓｅｌ（１）、／Ｓｅｌ（２）、／Ｓｅｌ（３）、を表示パネル１０に供給する。制御信号Ｃtr１〜制御信号Ｃtr３の各々は、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号を含む信号である。制御信号Ｇｉｎｉは正論理の制御信号であり、制御信号／Ｇｉｎｉは制御信号Ｇｉｎｉと論理反転の関係にある負論理の制御信号である。制御信号Ｇｃｐｌも正論理の制御信号であり、制御信号／Ｇｃｐｌは制御信号Ｇｃｐｌと論理反転の関係にある負論理の制御信号である。制御信号／Ｓｅｌ（１）は制御信号Ｓｅｌ（１）と論理反転の関係にある。同様に、制御信号／Ｓｅｌ（２）は制御信号Ｓｅｌ（２）と、制御信号／Ｓｅｌ（３）は制御信号Ｓｅｌ（３）と、それぞれ論理反転の関係にある。なお、制御信号Ｓｅｌ（１）、Ｓｅｌ（２）、Ｓｅｌ（３）を、制御信号Ｓｅｌと総称し、制御信号／Ｓｅｌ（１）、／Ｓｅｌ（２）、／Ｓｅｌ（３）を、制御信号／Ｓｅｌと総称する場合がある。電圧生成回路３１は、図示せぬ電源回路からの電力の供給を受け、表示パネル１０に対してリセット電位Ｖｏｒｓｔおよび初期電位Ｖｉｎｉ等を供給する。
【００２２】
さらに、制御回路３は、画像データＶｉｄｅｏに基づいて、アナログの画像信号Ｖｉｄを生成する。具体的には、制御回路３には、画像信号Ｖｉｄの示す電位、および、表示パネル１０が備える電気光学素子の輝度を対応付けて記憶したルックアップテーブルが設けられる。そして、制御回路３は、当該ルックアップテーブルを参照することで、画像データＶｉｄｅｏに規定される電気光学素子の輝度に対応した電位を示す画像信号Ｖｉｄを生成し、これを表示パネル１０に対して供給する。
【００２３】
図２に示すように、表示パネル１０は、表示部１００と、これを駆動する駆動回路（走査線駆動回路４、およびデータ転送線駆動回路５）とを備える。本実施形態では、駆動回路が、走査線駆動回路４、およびデータ転送線駆動回路５に分割されているが、これらを１つの回路に一体化して駆動回路を構成してもよい。図２に示すように、表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。図２では詳細な図示を省略したが、表示部１００には、Ｍ行の走査線１２が図において横方向（Ｘ方向）に延在して設けられ、また、３列毎にグループ化された（３Ｎ）列のデータ転送線１４が図において縦方向（Ｙ方向）に延在して設けられている。各走査線１２と各データ転送線１４は互いに電気的な絶縁を保って設けられている。画素回路１１０は、Ｍ行の走査線１２と、（３Ｎ）列のデータ転送線１４との交差に対応して設けられている。このため、本実施形態において画素回路１１０は、縦Ｍ行×横（３Ｎ）列でマトリクス状に配列されている。
【００２４】
ここで、Ｍ、Ｎは、いずれも自然数である。走査線１２および画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（Ｍ−１）、Ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ転送線１４および画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３Ｎ−１）、（３Ｎ）列と呼ぶ場合がある。ここで、データ転送線１４のグループを一般化して説明するために、１以上の任意の整数をｎと表すと、左から数えてｎ番目のグループには、（３ｎ−２）列目、（３ｎ−１）列目および（３ｎ）列目のデータ転送線１４が属している、ということになる。同一行の走査線１２と、同一グループに属する３列のデータ転送線１４とに対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応して、これらの３画素が表示すべきカラー画像の１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
【００２５】
また、図２に示すように、表示部１００には、（３Ｎ）列の給電線１６が、縦方向に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられる。各給電線１６には、電圧生成回路３１から所定のリセット電位Ｖｏｒｓｔが共通に給電される。給電線１６の列を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３Ｎ）列目の給電線１６と呼ぶ場合がある。１列目〜（３Ｎ）列目の給電線１６の各々は、１列目〜（３Ｎ）列目のデータ転送線１４に対応して設けられる。図２に示すように、第ｊ列（ｊ＝１〜３Ｎ）の給電線１６と第ｊ列のデータ転送線１４との間には、容量５０が設けられている。容量５０は、給電線１６とデータ転送線１４との間に発生する寄生容量であってもよい。あるいは、給電線１６に接続された一方の電極と、給電線１６に接続された他方の電極とを対向するように配置して、一方の電極と他方の電極とで容量５０を形成してもよい。
【００２６】
走査線駆動回路４は、１個のフレーム期間内にＭ行の走査線１２を１行毎に順番に選択するための走査信号Ｇｗｒを、制御信号Ｃtr１にしたがって生成する。図２では、１、２、３、…、Ｍ行目の走査線１２に供給される走査信号Ｇｗｒは、それぞれＧｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（Ｍ−１）、Ｇｗｒ（Ｍ）と表記されている。なお、走査線駆動回路４は、走査信号Ｇｗｒ（１）〜Ｇｗｒ（Ｍ）のほかにも、当該走査信号Ｇｗｒに同期した各種制御信号を行毎に生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。フレーム期間とは、電気光学装置１が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３ミリ秒の期間である。
【００２７】
図２に示すように、データ転送線駆動回路５は、（３Ｎ）列のデータ転送線１４の各々と１対１に対応して設けられる（３Ｎ）個のレベルシフト回路ＬＳと、各グループを構成する３列のデータ転送線１４毎に設けられるＮ個のデマルチプレクサーＤＭと、データ信号供給回路７０を備える。
【００２８】
データ信号供給回路７０は、制御回路３より供給される画像信号Ｖｉｄと制御信号Ｃtr２とに基づいて、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を生成する。すなわち、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を時分割多重した画像信号Ｖｉｄに基づいて、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を生成する。そして、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（Ｎ）を、１、２、…、Ｎ番目のグループに対応するデマルチプレクサーＤＭに対して、それぞれ供給する。
【００２９】
図３を参照して、画素回路１１０、レベルシフト回路ＬＳおよびデマルチプレクサーＤＭの構成を説明する。画素回路１１０が配列する行を一般的に示すために、１以上Ｍ以下の任意の整数をｍと表す。各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、ｍ行目に位置し、且つ、（３ｎ−２）列目に位置する、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０を例にとって説明する。ｍ行目の画素回路１１０には、走査線駆動回路４から、走査信号Ｇｗｒ（ｍ）、制御信号Ｇｃｍｐ（ｍ）、Ｇｅｌ（ｍ）、Ｇｏｒｓｔ（ｍ）が供給される。
【００３０】
図３では、ｍ行（３ｎ−２）列の画素回路１１０は符号「１１０（ｍ，３ｎ−２）」で示されており、（３ｎ−２）列目のデータ転送線１４は符号「１４（３ｎ−２）」で示されている。そして、図３では、データ転送線１４（３ｎ−２）に接続されるレベルシフト回路ＬＳが符号「ＬＳ（３ｎ−２）」で示されており、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）に接続されるデマルチプレクサーＤＭが符号「ＤＭ（ｎ）」で示されている。画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）はデータ転送線１４（３ｎ−２）に対して接続される。画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）には、接続先のデータ転送線１４（３ｎ−２）を介して表示階調に応じた階調電圧が供給される。画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）は、各々ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスターである第１トランジスター１２１、第２トランジスター１２２、第３トランジスター１２３、第４トランジスター１２４および第５トランジスター１２５と、ＯＬＥＤ１３０と、画素容量１３２と、を含む。以下では、第１トランジスター１２１、第２トランジスター１２２、第３トランジスター１２３、第４トランジスター１２４および第５トランジスター１２５を、「トランジスター１２１〜１２５」と総称する場合がある。
【００３１】
第２トランジスター１２２のゲートは走査線１２（画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）の場合、ｍ行目の走査線１２）に電気的に接続されている。また、第２トランジスター１２２のソースまたはドレインの一方はデータ転送線１４（画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）の場合、データ転送線１４（３ｎ−２））に電気的に接続され、他方は第１トランジスター１２１のゲートと、画素容量１３２の一方の電極とに、それぞれ電気的に接続されている。第２トランジスター１２２は、第１トランジスター１２１のゲートと、データ転送線１４（３ｎ−２）との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００３２】
第１トランジスター１２１のドレインは給電線１１６に電気的に接続されている。給電線１１６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが図示せぬ電源回路から給電される。第１トランジスター１２１は、ゲートおよびドレイン間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に流す駆動トランジスターとして機能する。
【００３３】
第３トランジスター１２３のソースまたはドレインの一方は第１トランジスター１２１のゲートに電気的に接続され、他方は第１トランジスターのソースに電気的に接続されている。第３トランジスター１２３のゲートには制御信号Ｇｃｍｐ（ｍ）が与えられる。第３トランジスター１２３は、第１トランジスター１２１のゲートおよびソースの間を導通させるためのトランジスターである。つまり、第３トランジスター１２３は、第１トランジスター１２１のゲートとソースとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００３４】
第４トランジスター１２４のドレインは第１トランジスター１２１のソースに電気的に接続されており、第４トランジスター１２４のソースはＯＬＥＤ１３０のアノードに電気的に接続されている。第４トランジスター１２４のゲートには制御信号Ｇｅｌ（ｍ）が与えられる。第４トランジスター１２４は、第１トランジスター１２１のソースと、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御する、スイッチングトランジスターとして機能する。
【００３５】
第５トランジスター１２５のソースまたはドレインの一方は（３ｎ−２）列目の給電線１６（以下、給電線１６（３ｎ−２））、すなわちリセット電位Ｖｏｒｓｔを給電する電位線に電気的に接続されており、他方はＯＬＥＤ１３０のアノードに接続されている。第５トランジスター１２５のゲートには制御信号Ｇｏｒｓｔ（ｍ）が供給される。第５トランジスター１２５は、給電線１６（３ｎ−２）と、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
【００３６】
本実施形態において表示パネル１０はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１〜１２５の基板電位については電位Ｖｅｌとしている。また、上記におけるトランジスター１２１〜１２５のソース、ドレインは、トランジスター１２１〜１２５のチャネル型、電位の関係に応じて入れ替わってもよい。また、トランジスターは薄膜トランジスターであっても電界効果トランジスターであってもよい。
【００３７】
画素容量１３２は、一方の電極が第１トランジスター１２１のゲートに電気的に接続され、他方の電極が給電線１１６に電気的に接続される。このため、画素容量１３２は、第１トランジスター１２１のゲート・ドレイン間の電圧を保持する保持容量として機能する。なお、画素容量１３２としては、第１トランジスター１２１のゲートに寄生する容量を用いてもよいし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。
【００３８】
ＯＬＥＤ１３０のアノードは、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、ＯＬＥＤ１３０のカソードは、画素回路１１０のすべてにわたって共通に設けられる共通電極であり、給電線６３に接続されている。給電線６３には、固定電位である電位Ｖｃｔが供給される。ここで、電位Ｖｃｔは、論理信号である走査信号や制御信号のＬレベルに相当するものであってもよい。ＯＬＥＤ１３０は、上記シリコン基板において、ＯＬＥＤ１３０のアノードと光透過性を有するカソードとで白色有機ＥＬ層を挟持した素子である。そして、ＯＬＥＤ１３０の出射側（カソード側）にはＲＧＢのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。なお、白色有機ＥＬ層を挟んで配置される２つの反射層間の光学距離を調整してキャビティ構造を形成し、ＯＬＥＤ１３０から発せられる光の波長を設定してもよい。この場合、カラーフィルターを有していてもよいし、有さなくてもよい。
【００３９】
ＯＬＥＤ１３０のアノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード）とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。
【００４０】
図３に示すように、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）は、列毎に設けられたトランスミッションゲート３４の集合体であり、各グループを構成する３列に、データ信号を順番に供給する。ｎ番目のグループに属する（３ｎ−２）、（３ｎ−１）、（３ｎ）列に対応したトランスミッションゲート３４の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Ｖｄ（ｎ）が供給される。（３ｎ−２）列に対応したトランスミッションゲート３４の出力端は信号線１４０（３ｎ−２）を介してレベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）に接続されている。図３では詳細な図示を省略したが、（３ｎ−１）列に対応したトランスミッションゲート３４の出力端は信号線１４０（３ｎ−１）を介してレベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−１）に接続されており、（３ｎ）列に対応したトランスミッションゲート３４の出力端は信号線１４０（３ｎ）を介してレベルシフト回路ＬＳ（３ｎ）に接続されている。ｎ番目のグループにおいて左端列である（３ｎ−２）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓｅｌ（１）がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓｅｌ（１）がＬレベルであるとき）にオン（導通）する。同様に、ｎ番目のグループにおいて中央列である（３ｎ−１）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓｅｌ（２）がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓｅｌ（２）がＬレベルであるとき）にオンし、ｎ番目のグループにおいて右端列である（３ｎ）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓｅｌ（３）がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓｅｌ（３）がＬレベルであるとき）にオンする。
【００４１】
レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）は、保持容量４１および４４と、トランスミッションゲート４２と、ＮチャンルＭＯＳ型のトランジスター４３と、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター４５を有し、３ｎ−２列のトランスミッションゲート３４の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトするものである。保持容量４４の一端は、対応する列のデータ転送線１４（３ｎ−２）とトランジスター４５のドレインとに接続される一方、保持容量４４の他端は、トランスミッションゲート４２の出力端とトランジスター４３のドレインとに接続される。
【００４２】
トランジスター４５のソースは、所定の初期電位Ｖｉｎｉを供給される給電線６１に接続される。制御回路３は、トランジスター４５のゲートに対して、制御信号／Ｇｉｎｉを供給する。トランジスター４５は、データ転送線１４（３ｎ−２）と給電線６１とを制御信号／ＧｉｎｉがＬレベルのときに電気的に接続し、制御信号／ＧｉｎｉがＨレベルのときに電気的に非接続とする。
【００４３】
トランジスター４３のソースは、電位Ｖｒｅｆを供給される給電線６２に接続される。トランジスター４３のゲートには、制御信号Ｇｒｅｆが供給される。トランジスター４３は、保持容量４４の他端と給電線６２とを、制御信号ＧｒｅｆがＨレベルのときに電気的に接続し、制御信号ＧｒｅｆがＬレベルのときに電気的に非接続とする。
【００４４】
保持容量４１の一方の電極は信号線１４０（３ｎ−２）に接続さており、信号線１４０（３ｎー２）はトランスミッションゲート４２の入力端に電気的に接続されている。各列の保持容量４１の他方の電極は給電線６４に共通に接続される。給電線６４には、固定電位である電位ＶＳＳが供給される。ここで、電位ＶＳＳは、論理信号である走査信号や制御信号のＬレベルに相当するものであってもよい。トランスミッションゲート３４がオンした際、保持容量４１の一方の電極には、信号線１４０（３ｎ−２）を介してトランスミッションゲート３４の出力端からデータ信号Ｖｄ（ｊ）が供給される。すなわち、保持容量４１は、一方の電極にデータ信号Ｖｄ（ｊ）が供給される。トランスミッションゲート４２には制御回路３から制御信号Ｇｃｐｌおよび制御信号／Ｇｃｐｌが供給される。トランスミッションゲート４２は、制御信号ＧｃｐｌがＨレベルであるとき（制御信号／ＧｃｐｌがＬレベルであるとき）にオンする。
【００４５】
図４は、ｎ番目のグループに属するｍ行目の画素回路１１０（画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）、１１０（ｍ，３ｎ−１）および１１０（ｍ，３ｎ））と、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の表示パネル１０における配置例を示す図である。図２、図３および図４に示すように、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）は表示部１００とデマルチプレクサーＤＭ（ｎ）との間に列方向に並べて配置される。より具体的には、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）から表示部１００へ向かう方向に、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ）、ＬＳ（３ｎ−１）、ＬＳ（３ｎ−２）の順に配置される。本実施形態では、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）から表示部１００へ向かう方向に、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ−２）を順に配置したが、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の順であっても良い。要は、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）を、表示部１００とデマルチプレクサーＤＭ（ｎ）との間に列方向に並べて配置する態様であれば良く、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の配置順は問わない。以下では、表示部１００から見て列方向（Ｙ方向）の遠い側を「上流側」、表示部１００に近い側を「下流側」と呼ぶ。
図４に示すように、本実施形態では、画素回路１１０（ｍ，３ｎ−２）、１１０（ｍ，３ｎ−１）および１１０（ｍ，３ｎ）の各々のＸ方向の長さはＷ１であり、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の各々のＸ方向の長さはＷ２である。なお、Ｗ１とＷ２の大小関係は、図４に示すように、Ｗ１＜Ｗ２＜３×Ｗ１であり、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の各々のＹ方向の長さはＷ２よりも長い。
図２および図３に示すように、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）については、ｎ番目のグループに属する画素回路１１０に対応させて表示部１００とデマルチプレクサーＤＭ（ｎ）との間に配置する必要がある。しかし、Ｗ１＜Ｗ２であるため、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）を行方向（Ｘ方向）に並べて配置することはできない。本実施形態では、Ｗ２＜３×Ｗ１であるため、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）を列方向に並べるのであれば、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）を表示部１００とデマルチプレクサーＤＭ（ｎ）との間に配置することができる。このため、本実施形態では、図４に示すように、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）は、表示部１００の上流側に列方向（Ｙ方向、すなわちデータ転送線１４の方向）に並べて設けられている。
【００４６】
図５は、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の各々から画素回路１１０（ｍ、３ｎ−２）、１１０（ｍ、３ｎ−１）および１１０（ｍ、３ｎ）の各々を至る配線の一例を示す図である。図５では、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）、ＬＳ（３ｎ−１）およびＬＳ（３ｎ）の各々の構成要素のうちトランスミッションゲート４２を形成する２つのトランジスターの一方（具体的には、Ｎチャネルトランジスター）のみが図示されている。また、図５では、図面が煩雑になることを避けるため、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−２）は符号ＬＳＲで、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ−１）は符号ＬＳＧで、レベルシフト回路ＬＳ（３ｎ）は符号ＬＳＢで示されている。画素回路１１０についても同様に、同様に画素回路１１０（ｍ、３ｎ−２）は符号１１０Ｒで、画素回路１１０（ｍ、３ｎ−１）は符号１１０Ｇで、画素回路１１０（ｍ、３ｎ）は符号１１０Ｂでそれぞれ示されている。データ転送線１４についても同様に、データ転送線１４（３ｎ−２）は符号１４Ｒで、データ転送線１４（３ｎ−１）は符号１４Ｇで、データ転送線１４（３ｎ）は符号１４Ｂでそれぞれ示されている。そして、給電線１６についても同様に、給電線１６（３ｎ−２）は符号１６Ｒで、給電線１６（３ｎ−１）は符号１６Ｇで、給電線１６（３ｎ）は符号１６Ｂでそれぞれ示されている。
【００４７】
図６は、画素回路１１０Ｒにおけるデータ転送線１４Ｒと給電線１６Ｒの配線例を示す図である。なお、図６では、画素回路１１０Ｒに含まれる５つのトランジスターのうち、ソースまたはドレインがデータ転送線１４Ｒに接続される第２トランジスター１２２と、ソースまたはドレインが給電線１６Ｒに接続される第５トランジスター１２５のみが模式的に図示されている。データ転送線１４Ｒは、第（３ｎ−２）列の複数の画素回路１１０にわたりＹ方向に沿って延在し、給電線１６Ｒも第（３ｎ−２）列の複数の画素回路１１０にわたりＹ方向に沿って延在する。図６に示すように、表示部１００において給電線１６Ｒは、データ転送線１４Ｒから所定の間隔を開けてデータ転送線１４Ｒと平行に形成されており、給電線１６Ｒには第２固定電位としてリセット電位Ｖｏｒｓｔが与えられる。このため、給電線１６Ｒは、データ転送線１４Ｒをシールドするシールド線の役割を果たす。同様に、給電線１６Ｇはデータ転送線１４Ｇから所定の間隔を開けてデータ転送線１４Ｇと平行に形成されており、給電線１６Ｂはデータ転送線１４Ｂから所定の間隔を開けてデータ転送線１４Ｂと平行に形成されている。したがって、給電線１６Ｇはデータ転送線１４Ｇをシールドするシールド線の役割を果たし、給電線１６Ｂはデータ転送線１４Ｂをシールドするシールド線の役割を果たす。
【００４８】
図７Ａ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９、図１０および図１１の各々は、図５におけるＡＡ´線、ａａ´線、ＢＢ´線、ＣＣ´線、ＤＤ´線、およびＥＥ´線に沿った断面図である。図５〜図１１では、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）からレベルシフト回路ＬＳＲに至る信号線１４０が符号１４０Ｒで示されている。同様に、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）からレベルシフト回路ＬＳＧに至る信号線１４０は符号１４０Ｇで示されており、レベルシフト回路ＬＳＢ）に至る信号線１４０は符号１４０Ｂで示されている。
【００４９】
図７Ａ〜図１１に示すように、表示パネル１０の形成されるシリコン基板は、それぞれ金属層である第１層Ｓ１、第２層Ｓ２、第３層Ｓ３、および第４層Ｓ４を有する。なお、図７Ａでは第４層Ｓ４の図示は省略されている。第２層Ｓ２と第３層Ｓ３の間、および第３層Ｓ３と第４層Ｓ４の間には、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料が充填される。詳細については後述するが、第１層Ｓ１には、トランスミッションゲート４２を形成する２つのトランジスターのうちの一方のゲートに接続される信号線１８０が形成される。この信号線１８０には、制御回路３から制御信号Ｇｃｐｌが与えられる。第１層Ｓ１の信号線１８０以外の部分には第１固定電位ＶＳＳが与えられる。第３層Ｓ３にも、第１固定電位ＶＳＳを与えられる。なお、第１固定電位ＶＳＳと上述した第２固定電位であるリセット電位Ｖｏｒｓｔは等しくてもよい。
【００５０】
第２層Ｓ２および第４層Ｓ４は、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）からレベルシフト回路ＬＳＲ、ＬＳＧおよびＬＳＢの各々を経て画素回路１１０Ｒ，１１０Ｇおよび１１０Ｂの各々に至る配線が形成される配線層の役割を果たす。図７Ａに示すように、切断線ＡＡ´付近では、信号線１４０Ｒ、信号線１４０Ｇおよび信号線１４０Ｂは第２層Ｓ２に形成されている。より詳細に説明すると、図５および図７Ａに示すように、切断線ＡＡ´付近では、第２層Ｓ２には、信号線１４０Ｒに沿って給電線１６Ｒが、信号線１４０Ｇに沿って給電線１６Ｇが、信号線１４０Ｂに沿って給電線１６Ｂが形成されている。給電線１６Ｒは信号線１４０Ｒをシールドするシールド線の役割を果たし、給電線１６Ｇは信号線１４０Ｇをシールドするシールド線の役割を果たし、給電線１６Ｂはデータ転送線１４Ｂをシールドするシールド線の役割を果たす。また、図８〜図１１と図７Ａとを比較すれば明らかなように、切断線ＡＡ´近傍では、第４層Ｓ４と第３層Ｓ３の間に電極層１９０が形成されている。本実施形態では、電極層１９０と第３層Ｓ３とで保持容量４１が形成される。
【００５１】
図７Ｂに示すように信号線１４０Ｒは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６０Ｒ（図５参照）を介して第２層Ｓ２から第４層Ｓ４へ引き出され、下流側へ延びている。同様に、信号線１４０Ｇは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６０Ｇを介して第２層Ｓ２から第４層Ｓ４へ引き出され、下流側へ延びている。また、給電線１６Ｒは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６１Ｒを介して第２層Ｓ２から第４層Ｓ４へ引き出され、下流側へ延びている。同様に、給電線１６Ｇは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６１Ｇを介して第２層Ｓ２から第４層Ｓ４へ引き出され、下流側へ延びている。
【００５２】
給電線１６Ｒおよび給電線１６Ｇには第２固定電位であるリセット電位Ｖｏｒｓｔが与えられるので、給電線１６Ｒおよび給電線１６Ｇはシールド線として機能する。切断線ａａ´より上流側の給電線１６Ｇを第１シールド線、切断線ａａ´より下流側の給電線１６Ｇを第２シールド線とすれば、第２固定電位を与えられる第１シールド線は第１配線層に相当する第２層Ｓ２において信号線１４０Ｒと信号線１４０Ｇとの間に位置する。また、第２固定電位を与えられる第２シールド線は第２配線層に相当する第４層Ｓ４において信号線１４０Ｒと信号線１４０Ｇとの間に位置する。すなわち、第１シールド線と第２シールド線は、第１信号線に相当する信号線１４０Ｒと第２信号線に相当する信号線１４０Ｇとの間をシールドする。
また、第１シールド線たる第２層Ｓ２に形成された給電線１６Ｇと第２シールド線たる第４層Ｓ４に形成された給電線１６Ｇとは、金属層である第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６１Ｇを介して接続されている。
【００５３】
図８に示すように第４層Ｓ４には、信号線１４０Ｒをシールドする給電線１６Ｒおよび信号線１４０Ｇをシールドする給電線１６Ｇが形成されている。第４層Ｓ４に形成された給電線１６Ｒおよび給電線１６Ｇはシールド線として機能する。信号線１４０Ｂは第２層Ｓ２においてレベルシフト回路ＬＳＢに向かって延び、図５および図８に示すように、レベルシフト回路ＬＳＢにおいてトランスミッションゲート４２の入力端に接続されている。レベルシフト回路ＬＳＢのトランスミッションゲート４２の出力端には、図５および図８に示すように、第２層Ｓ２に形成され下流側へ向かって延びるデータ転送線１４Ｂが接続されている。
【００５４】
中継電極１６０Ｇ（図５参照）を介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びる信号線１４０Ｇは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６２Ｇ（図５参照）を介して第２層Ｓ２に引き込まれ、下流側へ延びている。中継電極１６２Ｇを介して第２層Ｓ２に引き込まれ、下流側へ延びる信号線１４０Ｇは、図５および図９に示すように、レベルシフト回路ＬＳＧにおいてトランスミッションゲート４２の入力端に接続される。レベルシフト回路ＬＳＧのトランスミッションゲート４２の出力端には、図５および図９に示すように、第２層Ｓ２に形成され下流側へ向かって延びるデータ転送線１４Ｇが接続されている。第２層Ｓ２において下流側へ向かって延びるデータ転送線１４Ｇは画素回路１１０Ｇへ到達する（図５参照）。第４層Ｓ４において下流側へ延びる給電線１６Ｇは第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６３Ｇ（図５参照）を介して第２層Ｓ２に引き込まれ、画素回路１１０Ｇへ到達する（図５参照）。第２層Ｓ２において下流側へ延びるデータ転送線１４Ｂは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６２Ｂ（図５参照）を介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びている。第２層Ｓ２において下流側へ延びる給電線１６Ｂは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６３Ｂを介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びている（図５参照）。
【００５５】
中継電極１６０Ｒを介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びる信号線１４０Ｒは、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６４Ｒ（図５参照）を介して第２層Ｓ２に引き込まれ、下流側へ延びている。中継電極１６４Ｒを介して第２層Ｓ２に引き込まれ、上流側へ延びている信号線１４０Ｒは、図５および図１０に示すように、レベルシフト回路ＬＳＲのトランスミッションゲート４２の入力端に接続される。レベルシフト回路ＬＳＲのトランスミッションゲート４２の出力端には、第２層Ｓ２に形成され下流側へ向かって延びるデータ転送線１４Ｒが接続されている（図５および図１０参照）。データ転送線１４Ｒは、第２層Ｓ２において下流側へ延び、画素回路１１０Ｒに到達する（図５参照）。中継電極１６１Ｒを介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びる給電線１６Ｒも、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６５Ｒ（図５参照）を介して第２層Ｓ２に引き込まれ、第２層Ｓ２において下流側へ延び、画素回路１１０Ｒに到達する。
【００５６】
中継電極１６２Ｂを介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びているデータ転送線１４Ｂは、図５および図１１に示すように、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６６Ｂを介して第２層Ｓ２に引き込まれる。中継電極１６６Ｂを介して第２層Ｓ２に引き込まれたデータ転送線１４Ｂは下流側へ延び、画素回路１１０Ｂに到達する（図５参照）。中継電極１６３Ｂを介して第４層Ｓ４に引き出され、下流側へ延びている給電線１６Ｂも、図５および図１１に示すように、第３層Ｓ３に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極１６７Ｂを介して第２層Ｓ２に引き込まれる。中継電極１６７Ｂを介して第２層Ｓ２に引き込まれた給電線１６Ｂは下流側へ延び、画素回路１１０Ｂに到達する（図５参照）。
【００５７】
図７Ａ〜図１０に示すように、本実施形態では、信号線１４０Ｂは第２層Ｓ２にのみ形成されているものの、信号線１４０Ｒおよび信号線１４０Ｇの各々は一部が第４層Ｓ４に形成されている。具体的には、信号線１４０Ｒは、中継電極１６０Ｒから中継電極１６４Ｒに至る区間において第４層Ｓ４に形成されており、信号線１４０Ｇは、中継電極１６０Ｇから中継電極１６２Ｇまでの区間において第４層Ｓ４に形成されている。切断線ＢＢ´による切断面は、中継電極１６０Ｇから中継電極１６２Ｇに至る区間における切断面の一例である。この区間においては、図８に示すように、信号線１４０Ｒおよび信号線１４０Ｇは第４層Ｓ４に形成されており、信号線１４０Ｂとデータ転送線１４Ｂは第２層Ｓ２に形成されている。第２層Ｓ２と第４層Ｓ４の間には、第１固定電位ＶＳＳを与えられる金属層である第３層Ｓ３が設けられており、第３層Ｓ３はシールド機能を有する。このため、中継電極１６０Ｇから中継電極１６２Ｇまでの至る区間における信号線１４０Ｂ或いはデータ転送線１４Ｂと信号線１４０Ｒとの間のクロストークが抑制される。同様に、信号線１４０Ｂ或いはデータ転送線１４Ｂと信号線１４０Ｇとの間のクロストークも抑制される。
【００５８】
切断線ＣＣ´による切断面は、中継電極１６２Ｇから中継電極１６４Ｒまでの区間における切断面の一例である。この区間においては、図９に示すように、信号線１４０Ｒおよびデータ転送線１４Ｂは第４層Ｓ４に形成されており、信号線１４０Ｇおよびデータ転送線１４Ｇは第２層Ｓ２に形成されている。このため、中継電極１６２Ｇから中継電極１６４Ｒまでの区間における信号線１４０Ｇ或いはデータ転送線１４Ｇと信号線１４０Ｒとの間のクロストークが抑制され、信号線１４０Ｇ或いはデータ転送線１４Ｇとデータ転送線１４Ｂとの間のクロストークが抑制される。そして、切断線ＤＤ´による切断面は、中継電極１６４Ｒから中継電極１６６Ｂまでの区間における切断面の一例である。この区間では、図１０に示すように、データ転送線１４Ｂは第４層Ｓ４に形成されており、信号線１４０Ｒおよびデータ転送線１４Ｒは第２層Ｓ２に形成されている。このため、信号線１４０Ｒ或いはデータ転送線１４Ｒとデータ転送線１４Ｂとの間のクロストークが抑制される。データ転送線１４Ｒとデータ転送線１４Ｇは給電線１６Ｇによりシールドされる。
【００５９】
前述したように図５におけるＡＡ´線よりも上流側では、シールド線の役割を果たす給電線１６Ｒ，１６Ｇおよび１６Ｂの各々によって信号線１４０Ｒ、１４０Ｇおよび１４０Ｂの各々がシールドされ、信号線間のクロストークが抑制される。また、図５におけるＥＥ´線よりも下流側では、シールド線の役割を果たす給電線１６Ｒ，１６Ｇおよび１６Ｂの各々によってデータ転送線１４Ｒ、１４Ｇおよび１４Ｂの各々がシールドされ、クロストークが抑制される。本実施形態では、デマルチプレクサーＤＭ（ｎ）からレベルシフト回路ＬＳＲ、ＬＳＧおよびＬＳＢの各々を経て画素回路１１０Ｒ、１１０Ｇおよび１１０Ｂの各々へ至る区間の全てに亙ってクロストークが抑制されるので、表示品位の低下を招くことはない。また、本実施形態では、レベルシフト回路ＬＳＲ、ＬＳＧおよびＬＳＢは表示部１００の上流側に列方向に並べて配置されるので、画素回路１１０のＸ方向の狭ピッチ化に対応可能であり、電気光学装置１を高精細化することが可能になる。
【００６０】
なお、切断線ＥＥ´よりも下流側、すなわち表示部１００では、データ転送線１４Ｒ、１４Ｇおよび１４Ｂと、給電線１６Ｒ、１６Ｇおよび１６Ｂは第２層Ｓ２に形成されている。より詳細に説明すると、給電線１６Ｒはデータ転送線１４Ｒから所定の間隔を開けてデータ転送線１４Ｒと平行に形成されている（図６参照）。同様に、給電線１６Ｇはデータ転送線１４Ｇから所定の間隔を開けてデータ転送線１４Ｇと平行に形成されており、給電線１６Ｂはデータ転送線１４Ｂから所定の間隔を開けてデータ転送線１４Ｂと平行に形成されている。データ転送線１４Ｒと給電線１６Ｒとの間の容量５０は、第２層Ｓ２を構成する絶縁材料を介して、データ転送線１４Ｒとシールド線としての給電線１６Ｒとを所定の間隙で配置することによって形成される。データ転送線１４Ｇと給電線１６Ｇとの間の容量５０、およびデータ転送線１４Ｂと給電線１６Ｂとの間の容量５０についても同様である。すなわち、データ転送線１４Ｇと給電線１６Ｇとの間の容量５０は、第２層Ｓ２を構成する絶縁材料を介してデータ転送線１４Ｇとシールド線としての給電線１６Ｇとを所定の間隙で配置することによって形成される。データ転送線１４Ｂと給電線１６Ｂとの間の容量５０は、第２層Ｓ２を構成する絶縁材料を介してデータ転送線１４Ｂとシールド線としての給電線１６Ｂとを所定の間隙で配置することによって形成される。容量５０は、２本の平行な配線によって形成されるので、Ｙ方向において所定の長さを有することになり、所定の容量を確保することができる。また、容量５０は画素回路１１０の表示領域内に形成されるので、チップ面積の増大を防ぐことができる。
【００６１】
＜Ｂ．変形例＞
以上本発明の一実施形態について説明したが、この実施形態に以下の変形を加えてもよい。
（１）上記実施形態の電気光学装置１は、第１配線層である第２層Ｓ２と第２配線層である第４層Ｓ４の間に、シールド機能を有する第３層Ｓ３を有していた。しかし、レベルシフト回路ＬＳＧを第１回路、レベルシフト回路ＬＳＢを第２回路、信号線１４０Ｇを第１信号線、信号線１４０Ｂを第２信号線とした場合に、図８および図９に示すように、第１信号線の少なくとも１部を第２信号線とは異なる配線層に配線することで両信号線間のクロストークを十分に抑制できるのであれば、第３層Ｓ３を省略してもよい。また、シールド線の役割を果たす給電線１６についても同様であり、第１信号線の少なくとも１部を第２信号線とは異なる配線層に配線することで両信号線間のクロストークを十分に抑制できるのであれば、シールド線を省略してもよい。図８および図９に示す例では、第１データ転送線（例えば、データ転送線１４Ｇ）と並んで配置される第２データ転送線（例えば、データ転送線１４Ｂ）についても、少なくとも一部が第１データ転送線とは異なる配線層へ配線されている。なお、第１データ転送線は第１回路（レベルシフト回路ＬＳＧ）から第１画素回路（例えば、画素回路１１０Ｇ）へ表示階調を示すデータ信号を供給するための信号線であり、第２データ転送線は第２回路（レベルシフト回路ＬＳＢ）から第２画素回路（例えば、画素回路１１０Ｂ）へ表示階調を示すデータ信号を供給するための信号線である。
【００６２】
（２）上記実施形態の電気光学装置１は第２配線層（第４層Ｓ４）と第３層Ｓ３の間に電極１９０を有し、電極１９０と第３層Ｓ３とで保持容量４１が形成された。しかし、電極１９０を省略し、別箇に保持容量４１を設けてもよい。
【００６３】
（３）上記実施形態の電気光学装置１では、データ転送線１４と当該データ転送線１４から所定の間隔を開けて平行に形成された給電線１６とに容量５０の役割を担わせたが、容量５０を別箇に設けてもよい。
【００６４】
（４）上記実施形態の電気光学装置１では、第１配線層（第２層Ｓ２）においてシールド線の役割を果たす第１給電線（第２層Ｓ２に形成された給電線１６）と第２配線層（第４層Ｓ４）においてシールド線の役割を果たす第２給電線（第４層Ｓ４に形成された給電線１６）とが、金属層である第３層に形成され且つ周囲が絶縁されている中継電極を介して接続されていた。しかし、第１給電線と第２給電線とを中継電極を介して接続しなくてもよい。
【００６５】
＜Ｃ．応用例＞
上述した実施形態に係る電気光学装置は、各種の電子機器に適用することができ、特に特に２Ｋ２Ｋ以上の高精細な画像の表示を要求され、かつ小型であることを要求される電子機器に好適である。以下、本発明に係る電子機器について説明する。
【００６６】
図１２は本発明の電気光学装置を採用した電子機器としてのヘッドマウント・ディスプレイ３００の外観を示す斜視図である。図１２に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、テンプル３１０、ブリッジ３２０、投射光学系３０１Ｌ、および、投射光学系３０１Ｒを備える。そして、図１２において、投射光学系３０１Ｌの奥には左眼用の電気光学装置（図示省略）が設けられ、投射光学系３０１Ｒの奥には右眼用の電気光学装置（図示省略）が設けられる。
【００６７】
図１３は、本発明に係る電気光学装置１を採用した可搬型のパーソナルコンピューター４００の斜視図である。パーソナルコンピューター４００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、を備える。なお、本発明に係る電気光学装置１が適用される電子機器としては、図１２および図１３に例示した機器のほか、携帯電話機、スマートフォン、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラが挙げられる。他にも、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、テレビ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器（インパネ）、エレクトロニックビューファインダー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。さらに、本発明に係る電気光学装置は、プリンター、スキャナー、複写機、および、ビデオプレーヤー等の電子機器に設けられる表示部として適用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１…電気光学装置、１０…表示パネル、３…制御回路、３１…電圧生成回路、５…データ転送線駆動回路、４…走査線駆動回路、１２…走査線、１４…データ転送線、１６，６１，６２，６３，６４，および１１６…給電線、５０…シールド容量、ＬＳ…レベルシフト回路、ＤＭ…デマルチプレクサー、７０…データ信号供給回路、１００…表示部、１１０…画素回路、１２１…第１トランジスター、１２２…第２トランジスター、１２３…第３トランジスター、１２４…第４トランジスター、１２５…第５トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、１３２…画素容量、１４０および１８０…信号線、１６０，１６１，１６２，１６３，１６４，１６５，１６６、および１６７…中継電極、３００…ヘッドマウント・ディスプレイ、４００…パーソナルコンピューター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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