(57)【要約】【課題】帯電手段の汚染を抑制し、安定した画像特性を高水準で維持可能な画像形成方法。【解決手段】帯電工程、静電潜像形成工程、現像工程、及びクリーニング工程を有する画像形成方法であって、トナーは外添剤を有し、該外添剤は個数平均粒子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満で一次粒子の平均円形度０．７００〜０．９２０のチタン酸ストロンチウム粒子を有し、該チタン酸ストロンチウム粒子はＣｕＫα特性Ｘ線回折において特定範囲に最大ピーク（ａ）を有し、該最大ピーク（ａ）の半値幅が０．２３〜０．５０ｄｅｇであり、該最大ピーク（ａ）の強度（Ｉａ)と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における特定範囲の最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（１）を満たし、該チタン酸ストロンチウム粒子は、酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量の合計が９８．０質量％以上である画像形成方法。    （Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．０１０      （１）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯電ローラを感光体に接触させ、放電を伴い該感光体の表面の帯電を行う帯電工程、
帯電された該感光体に静電潜像を形成する静電潜像形成工程、
該静電潜像をトナーによって現像してトナー画像を形成する現像工程、及び
該感光体にクリーニングブレードを当接し、該感光体上の残留トナーを除去するクリーニング工程
を有する画像形成方法であって、
該トナーは、トナー粒子及び該トナー粒子表面の外添剤を有し、
該外添剤は、個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満のチタン酸ストロンチウム粒子を有し、
該チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度が、０．７００以上０．９２０以下であり、
該チタン酸ストロンチウム粒子は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）の３２．００ｄｅｇ以上３２．４０ｄｅｇ以下に最大ピーク（ａ）を有し、
該最大ピーク（ａ）の半値幅が、０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下であり、
該最大ピーク（ａ）の強度（Ｉａ)と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）
の２４．００ｄｅｇ以上２８．００ｄｅｇ以下の範囲における最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（１）を満たし、
該チタン酸ストロンチウム粒子は、蛍光Ｘ線分析により検出される元素が全て酸化物であるとみなして、全酸化物の総量を１００質量％としたときの酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量の合計が、９８．０質量％以上であることを特徴とする画像形成方法。
（Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．０１０      ・・・（１）
【請求項２】
前記帯電ローラの１０点平均表面粗さ（Ｒｚ）が、２．０μｍ以上４０．０μｍ以下である請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記感光体と前記クリーニングブレードとの当接ニップ幅が、２０μｍ以上１５０μｍ以下であり、
前記感光体と前記クリーニングブレードとの平均当接面圧が、０．０５Ｎ／ｍｍ２以上、０．５Ｎ／ｍｍ２以下である請求項１又は２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
前記外添剤が、個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ１）５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第一のシリカ粒子を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記外添剤が、個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ２）８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である第二のシリカ粒子を有する請求項４に記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記チタン酸ストロンチウム粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）、前記第一のシリカ粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ１）及び前記第二のシリカ粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ２）が下記式（２）の関係を満たす請求項５に記載の画像形成方法。
Ｄ１Ｓ２＞Ｄ１Ｔ＞Ｄ１Ｓ１      ・・・（２）
【請求項７】
前記トナーの個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）が、３．０μｍ以上６．０μｍ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項８】
前記帯電工程が、直流電圧のみが印加される帯電部材により行なわれる請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式を利用した画像形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、複写機及びプリンターのような画像形成装置が広く普及するに従い、画像形成装置に要求される性能としては、高速化、長寿命化に加えて、更なる高画質化が求められており、その達成手段として、トナーの小粒径化が進んでいる。
トナーの粒径が小さくなると、クリーニング工程では、トナーがクリーニングブレードに掻き取られにくくなり、クリーニングブレードをすり抜けやすくなる、いわゆるクリーニング不良が起こりやすくなる。
また、現像剤には流動性付与剤として、シリカなどの微小粒子が外添されていることが多く、クリーニング手段をすり抜けて、帯電手段に付着してしまうことがある。これらの微小粒子は、一旦付着すると、清掃部材やバイアスなどで除去することが困難であり、多量、かつ不均一に付着すると、帯電手段における帯電が不均一となり、結果画像不良が起こる場合がある。
【０００３】
クリーニング不良を改善するため、特許文献１に、トナー粒子にチタン酸ストロンチウム粉体を添加する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３８７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に用いるようなチタン酸ストロンチウム粉体は、優れた研磨効果があり、感光体上のトナーによるフィルミングや融着を防止するのには効果的であるが、帯電手段に付着したシリカなどの除去には不十分であることがわかった。
本発明の目的は、帯電手段の汚染を抑制し、安定した画像特性を高水準で維持可能な画像形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、帯電手段の汚染を抑制し、安定した画像特性を高水準で維持するためには、下記の構成が重要であることを見出し、本発明に至った。
すなわち本発明は、帯電ローラを感光体に接触させ、放電を伴い該感光体の表面の帯電を行う帯電工程、
帯電された該感光体に静電潜像を形成する静電潜像形成工程、
該静電潜像をトナーによって現像してトナー画像を形成する現像工程、及び
該感光体にクリーニングブレードを当接し、該感光体上の残留トナーを除去するクリーニング工程
を有する画像形成方法であって、
該トナーは、トナー粒子及び該トナー粒子表面の外添剤を有し、
該外添剤は、個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満のチタン酸ストロンチウム粒子を有し、
該チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度が、０．７００以上０．９２０以下であり、
該チタン酸ストロンチウム粒子は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）の３
２．００ｄｅｇ以上３２．４０ｄｅｇ以下に最大ピーク（ａ）を有し、
該最大ピーク（ａ）の半値幅が、０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下であり、
該最大ピーク（ａ）の強度（Ｉａ)と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）
の２４．００ｄｅｇ以上２８．００ｄｅｇ以下の範囲における最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（１）を満たし、
該チタン酸ストロンチウム粒子は、蛍光Ｘ線分析により検出される元素が全て酸化物であるとみなして、全酸化物の総量を１００質量％としたときの酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量の合計が、９８．０質量％以上であることを特徴とする画像形成方法に関する。
（Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．０１０      ・・・（１）
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、帯電手段の汚染を抑制し、安定した画像特性を高水準で維持可能な画像形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】画像形成装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、帯電ローラを感光体に接触させ、放電を伴い該感光体の表面の帯電を行う帯電工程、
帯電された該感光体に静電潜像を形成する静電潜像形成工程、
該静電潜像をトナーによって現像してトナー画像を形成する現像工程、及び
該感光体にクリーニングブレードを当接し、該感光体上の残留トナーを除去するクリーニング工程
を有する画像形成方法であって、
該トナーは、トナー粒子及び該トナー粒子表面の外添剤を有し、
該外添剤は、個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満のチタン酸ストロンチウム粒子を有し、
該チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子の平均円形度が、０．７００以上０．９２０以下であり、
該チタン酸ストロンチウム粒子は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）の３２．００ｄｅｇ以上３２．４０ｄｅｇ以下に最大ピーク（ａ）を有し、
該最大ピーク（ａ）の半値幅が、０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下であり、
該最大ピーク（ａ）の強度（Ｉａ)と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）
の２４．００ｄｅｇ以上２８．００ｄｅｇ以下の範囲における最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（１）を満たし、
該チタン酸ストロンチウム粒子は、蛍光Ｘ線分析により検出される元素が全て酸化物であるとみなして、全酸化物の総量を１００質量％としたときの酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量の合計が、９８．０質量％以上であることを特徴とする画像形成方法である。
（Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．０１０      ・・・（１）
【００１０】
上記トナーを用いることで、帯電手段の汚染を抑制し、安定した画像特性を高水準で維持可能な画像形成方法を提供することができる。
外添剤が、上記個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満、及び一次粒子の平均円形度０．７００以上、０．９２０以下のチタン酸ストロンチウム粒子を有することが必要である。これにより、クリーニングブレード付近でトナーから外れたチタン酸ストロンチウム粒子が、クリーニングブレードをすり抜けることができる。
チタン酸ストロンチウム粒子の平均粒子径と一次粒子の平均円形度が上記の範囲である
ことは、形状が従来のチタン酸ストロンチウムよりも小さく、角が丸みを帯びた形状であることを表している。これにより、従来のチタン酸ストロンチウムよりもクリーニングブレードをすり抜けやすい形状となっている。
【００１１】
クリーニングブレードをすり抜けたチタン酸ストロンチウム粒子は、帯電ローラ付近まで到達し、帯電ローラへの付着物、例えば流動性を付与する微小粒子であるシリカなどを物理的に掻き取るため、該付着物による汚染を抑制できる。また、チタン酸ストロンチウム粒子は、放電生成物を吸着する機能があり、帯電ローラ付近で発生した放電生成物を吸着、除去するため、帯電ローラの付着力が低下し、帯電ローラが付着物に汚染されにくくなる。
個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）は、２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。一次粒子の平均円形度は、０．７５０以上０．８５５以下であることが好ましい。
また、チタン酸ストロンチウム粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）と一次粒子の平均円形度は、製造工程の粉砕工程により制御することができる。
【００１２】
チタン酸ストロンチウム粒子は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）の３２．００ｄｅｇ以上３２．４０ｄｅｇ以下に最大ピーク（ａ）を有し、該最大ピーク（ａ）の半値幅が、０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下であることが必要である。該最大ピーク（ａ）はチタン酸ストロンチウム粒子の結晶の（１，１，０）面ピークに起因する。
本発明者らは鋭意検討を行った結果、前記半値幅を０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下に制御することが非常に重要であることを見出した。
一般的に、Ｘ線回折における回折ピークの半値幅はチタン酸ストロンチウムの結晶子径と関係がある。一次粒子の一個の粒は、複数の結晶子によって構成されており、結晶子径とは、一次粒子を構成する個々の結晶子の大きさの事である。
本発明において結晶子とは、粒子を構成する個々の結晶粒のことを指し、結晶子が集まって粒子になる。結晶子の大きさと粒径は無関係である。チタン酸ストロンチウムの結晶子径が小さいと半値幅が大きくなり、チタン酸ストロンチウムの結晶子径が大きいと半値幅が小さくなる。
【００１３】
チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折における回折ピークの半値幅は、０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下であり、これは従来のチタン酸ストロンチウムよりも結晶子径が小さい事を表している。
チタン酸ストロンチウムの結晶子径が小さくなると、一次粒子の中に存在する結晶子と結晶子の粒界（結晶粒界）が多くなる。
上述の放電生成物を吸着する能力は一次粒子の中に存在する結晶子と結晶子の粒界（結晶粒界）に起因していると考えられるため、前記半値幅を０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下に制御することで、従来のチタン酸ストロンチウムでは得られなかった放電生成物の吸着性能を得ることができる。
チタン酸ストロンチウム粒子のＸ線回折における回折ピークの半値幅は、０．２３ｄｅｇ以上０．５０ｄｅｇ以下であることが重要であり、好ましくは０．２５ｄｅｇ以上０．４５ｄｅｇ以下であり、より好ましくは０．２８ｄｅｇ以上０．４０ｄｅｇ以下である。
【００１４】
前記最大ピーク（ａ）の強度（Ｉａ)と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ
）の２４．００ｄｅｇ以上２８．００ｄｅｇ以下の範囲における最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（１）を満たすことが重要である。
（Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．０１０      ・・・（１）
（Ｉｘ）は、チタン酸ストロンチウムの原料に由来するＳｒＣＯ３やＴｉＯ２のピークを表す。
（Ｉｘ）／（Ｉａ）が式（１）を満たさない場合、チタン酸ストロンチウムの純度が低いことを意味する。例えば、チタン酸ストロンチウムの原料由来のＳｒＣＯ３やＴｉＯ２
が不純物として残っている場合、これらの最大ピーク強度（Ｉｘ）が大きくなり、式（１）を満たさなくなる。この場合、不純物が結晶粒界に局在しやすく、上述の放電生成物を吸着する能力は小さくなる。
【００１５】
式（１）は、（Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．０１０であることが重要であり、好ましくは（Ｉｘ）／（Ｉａ） ≦ ０．００８である。（Ｉｘ）／（Ｉａ）の下限は特に制限されないが、好ましくは０以上である。不純物に由来する（Ｉｘ）のピークは存在しないことが好ましい。
（Ｉｘ）／（Ｉａ）は、チタン原料とストロンチウム原料の混合比、反応温度、反応時間によって制御する事ができる。さらに、反応後にチタン酸ストロンチウムスラリーを酸洗浄することにより制御することができる。
【００１６】
チタン酸ストロンチウム粒子は、蛍光Ｘ線分析により検出される元素が全て酸化物であるとみなして、全酸化物の総量を１００質量％としたときの酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量が９８．０質量％以上であることが重要である。
前記含有量が９８．０質量％未満であるということは、チタン酸ストロンチウム以外の不純物が結晶内部に多いことを意味する。チタン酸ストロンチウムの結晶内部に不純物が多い場合、不純物が結晶に歪を与え、その効果により、半値幅が大きくなる。この場合、半値幅を大きくすることはできるが、結晶子径を小さく制御することは難しいため、結晶粒界が少なくなり、放電生成物の吸着能力が弱くなる。
酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量を９８．０質量％以上にすることで、チタン酸ストロンチウム粒子の結晶子径を小さく制御することができるため、放電生成物の吸着能力が向上する。酸化ストロンチウム及び酸化チタンの含有量は、９８．２質量％以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが１００質量％以下であることが好ましい。当該含有量は、チタン原料を精製し、不純物を低減することにより制御することができる。
【００１７】
帯電ローラの１０点平均表面粗さ（Ｒｚ）は、２．０μｍ以上４０．０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１５．０μｍ以上２５．０μｍ以下である。帯電ローラの１０点平均表面粗さ（Ｒｚ）がこの範囲であることで、帯電ローラへの付着物による汚染を抑制することができる。
【００１８】
感光体とクリーニングブレードとの当接ニップ幅は、２０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは６０μｍ以上１００μｍ以下である。また、感光体とクリーニングブレードとの平均当接面圧は０．０５Ｎ／ｍｍ２以上０．５Ｎ／ｍｍ２以下が好ましく、より好ましくは、０．１Ｎ／ｍｍ２以上、０．３Ｎ／ｍｍ２以下である。
当接ニップ幅と平均当接面圧が上記範囲であることで、チタン酸ストロンチウム粒子が、クリーニングブレードをすり抜けやすくなる。
【００１９】
外添剤は、個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ１）が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第一のシリカ粒子を有することが好ましい。個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ１）は、より好ましくは８ｎｍ以上１２ｎｍ以下である。第一のシリカ粒子の個数平均粒子径がこの範囲であることで、帯電ローラでの本件のチタン酸ストロンチウムの掻き取り効果がもっとも発揮される。
第一のシリカ粒子の含有量は、トナー粒子１００質量部に対し、好ましくは０．２質量部以上２．０質量部以下である。
【００２０】
外添剤は、個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ２）が８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である第二のシリカ粒子を有することが好ましい。個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ２）は、より好ましくは９０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。第二のシリカ粒子の個数平均粒子径がこの範囲にあることで、クリーニングブレードで第二のシリカ粒子が阻止層を形成し、チタン酸ストロンチ
ウムのすり抜け量を制御することができる。
第二のシリカ粒子の含有量は、トナー粒子１００質量部に対し、好ましくは０．２質量部以上５．０質量部以下である。
【００２１】
チタン酸ストロンチウム粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｔ）と、第一のシリカ粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ１）と、第二のシリカ粒子の個数平均粒子径（Ｄ１Ｓ２）との関係が下記式（２）を満たすことが好ましい。
Ｄ１Ｓ２＞Ｄ１Ｔ＞Ｄ１Ｓ１      ・・・（２）
上述のように粒子径の大きな第二のシリカは、主にクリーニングブレードにおける阻止層の形成に寄与するため、チタン酸ストロンチウム粒子より大きいことが好ましい。これにより、チタン酸ストロンチウム粒子はクリーニングブレードをすり抜けることができる。さらに第一のシリカはチタン酸ストロンチウム粒子よりも小さいことで、帯電ローラでのチタン酸ストロンチウム粒子の掻き取り効果が発揮される。
【００２２】
トナーの個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）が、３．０μｍ以上６．０μｍ以下であることが好ましく、４．０μｍ以上５．８μｍ以下であることがより好ましい。本件のチタン酸ストロンチウムはトナーが小粒径になり、クリーニングブレードのすり抜けが厳しくなるほどその効果を発揮する。
【００２３】
次に、好ましい態様などを記載する。
チタン酸ストロンチウム粒子は、必要に応じ、疎水化、摩擦帯電性コントロールの目的で、表面処理されていることが好ましい。すなわち、処理剤としては、未変性のシリコーンワニス、各種変性シリコーンワニス、未変性のシリコーンオイル、各種変性シリコーンオイル、シランカップリング剤、官能基を有するシラン化合物又は、その他の有機ケイ素化合物などが挙げられる。種々の処理剤を併用してもよい。
この中でも特にシランカップリング剤で処理されていることが好ましい。すなわち、チタン酸ストロンチウム粒子がシランカップリング剤による表面処理微粒子であることが好ましい。
【００２４】
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、トリフロロプロピルトリメトキシシラン及びこれらの加水分解物等を挙げることができる。
【００２５】
このなかでも、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、トリフロロプロピルトリメトキシシランが好ましく、イソブチルトリメトキシシランがより好ましい。また、これらの処理剤は、一種類を単独で使用してもよいし二種類以上を併用してもよい。
表面処理により、チタン酸ストロンチウム粒子の表面を化学修飾することができるが、チタン酸ストロンチウム粒子の結晶構造には影響を与えない。即ち、表面処理は、チタン
酸ストロンチウムの前記最大ピーク（ａ）の半値幅に影響を与えない。そのため、本発明では、結晶構造に影響を与える不純物元素の測定を行うために、チタン酸ストロンチウムの蛍光Ｘ線測定は、表面処理前に行う。
【００２６】
チタン酸ストロンチウム粒子は、その調製法は特に制限はないが、例えば、以下の方法で製造される。
例えば、硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーのｐＨを調整して得たチタニアゾルの分散液に、硝酸ストロンチウム、塩化ストロンチウム等を添加して、反応温度まで加温した後、アルカリ水溶液を添加することで合成することができる。なお、反応温度は６０〜１００℃が好ましい。
【００２７】
前記最大ピーク（ａ）の半値幅を制御するために、アルカリ水溶液を添加する工程において、アルカリ水溶液の添加にかける時間は６０分以下にすることが好ましい。アルカリ水溶液の添加速度を６０分以下にすることで、結晶子径が小さな粒子を得ることができる。
さらに、アルカリ水溶液を添加する工程において、超音波振動を加えながら添加を行うことが半値幅を制御する上で好ましい。反応工程において、超音波振動を加えることで、結晶の析出速度が速くなり、結晶子径が小さな粒子を得ることができる。
【００２８】
また、アルカリ水溶液を添加して反応を終えた水溶液を急冷することが半値幅を制御する上で好ましい。急冷する方法としては、例えば１０℃以下に冷やした純水を所望の温度になるまで添加する方法等が挙げられる。急冷することで、冷却工程で結晶子径が大きくなることを抑制することができる。
一方で、半値幅を制御する方法として、強加工法（無機微粒子に機械的に強い力を加える手法）を用いてもよい。強加工としては、ボールミル法、高圧化のねじり、落錘加工、粒子衝撃、エア式ショットピーニング等の方法を用いることができる。
チタン酸ストロンチウム粒子の含有量は、トナー粒子１００質量部に対して０．１質量部以上５．０質量部以下が好ましく、０．２質量部以上２．０質量部以下がより好ましい。
【００２９】
シリカは、必要に応じ、疎水化、摩擦帯電性コントロールの目的で未変性のシリコーンワニス、各種変性シリコーンワニス、未変性のシリコーンオイル、各種変性シリコーンオイル、シランカップリング剤、官能基を有するシラン化合物又は、その他の有機ケイ素化合物などの処理剤で、あるいは種々の処理剤を併用して表面処理されていることも好ましい。
【００３０】
トナー粒子には、必要に応じてチタン酸ストロンチウム粒子やシリカ以外の外添剤を添加してもよい。このような外添剤としては、例えば、帯電補助剤、導電性付与剤、流動性付与剤、ケーキング防止剤、熱ローラ定着時の離型剤、滑剤、研磨剤等の働きをする樹脂微粒子や無機微粒子が挙げられる。滑剤としては、ポリフッ化エチレン粉末、ステアリン酸亜鉛粉末、ポリフッ化ビニリデン粉末が挙げられる。研磨剤としては、酸化セリウム粉末、炭化ケイ素粉末、が挙げられる。
【００３１】
トナーは、トナー粒子及び外添剤を有する。トナー粒子は結着樹脂を含んでいてもよい。結着樹脂としては、以下のものが挙げられる。
スチレン系樹脂、スチレン系共重合樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、フェノール樹脂、天然樹脂変性フェノール樹脂、天然樹脂変性マレイン酸樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ酢酸ビニル、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、キシレン樹脂、ポリビニルブチラール、テルペン樹脂、クマロンインデン樹脂、石油系樹脂。
好ましくは、スチレン系共重合樹脂、ポリエステル樹脂、及びポリエステル樹脂とスチレン系共重合樹脂が混合又は両者が一部反応したハイブリッド樹脂が挙げられる。さらに好ましくは、結着樹脂は、ポリエステル樹脂を含む。
【００３２】
トナーに離型性を与えるために、離型剤（ワックス）を用いてもよい。
ワックスの一例としては、次のものが挙げられる。
低分子量ポリエチレン、低分子量ポリプロピレン、オレフィン共重合体、マイクロクリスタリンワックス、パラフィンワックス、フィッシャートロプシュワックスなどの脂肪族炭化水素系ワックス；酸化ポリエチレンワックスなどの脂肪族炭化水素系ワックスの酸化型ワックス；カルナバワックス、ベヘン酸ベヘニル、モンタン酸エステルワックスなどの脂肪酸エステルを主成分とするワックス類；及び脱酸カルナバワックスのような脂肪酸エステルを一部又は全部を脱酸化したものなどが挙げられる。
【００３３】
さらに、パルミチン酸、ステアリン酸、モンタン酸などの飽和直鎖脂肪酸類；ブランジン酸、エレオステアリン酸、バリナリン酸などの不飽和脂肪酸類；ステアリルアルコール、アラルキルアルコール、ベヘニルアルコール、カルナウビルアルコール、セリルアルコール、メリシルアルコールなどの飽和アルコール類；ソルビトールなどの多価アルコール類；リノール酸アミド、オレイン酸アミド、ラウリン酸アミドなどの脂肪酸アミド類；メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスカプリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、ヘキサメチレンビスステアリン酸アミドなどの飽和脂肪酸ビスアミド類；エチレンビスオレイン酸アミド、ヘキサメチレンビスオレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジオレイルセバシン酸アミドなどの不飽和脂肪酸アミド類；ｍ−キシレンビスステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリルイソフタル酸アミドなどの芳香族系ビスアミド類；ステアリン酸カルシウム、ラウリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪族金属塩（一般に金属石けんといわれているもの）；脂肪族炭化水素系ワックスにスチレンやアクリル酸などのビニル系共重合モノマーを用いてグラフト化させたワックス類；ベヘニン酸モノグリセリドなどの脂肪酸と多価アルコールの部分エステル化物；植物性油脂の水素添加などによって得られるヒドロキシル基を有するメチルエステル化合物などが挙げられる。
【００３４】
好ましく用いられるワックスは、脂肪族炭化水素系ワックスである。例えば、アルキレンを高圧下でラジカル重合あるいは低圧下でチーグラー触媒、メタロセン触媒で重合した低分子量の炭化水素；石炭又は天然ガスから合成されるフィッシャートロプシュワックス；高分子量のオレフィンポリマーを熱分解して得られるオレフィンポリマー；一酸化炭素及び水素を含む合成ガスからアーゲ法により得られる炭化水素の蒸留残分から得られる合成炭化水素ワックス、あるいはこれらを水素添加して得られる合成炭化水素ワックスが好ましい。
さらにプレス発汗法、溶剤法、真空蒸留の利用や分別結晶方式により炭化水素ワックスの分別を行ったものが、より好ましく用いられる。特にアルキレンの重合によらない方法により合成されたワックスがその分子量分布からも好ましい。
ワックスを添加するタイミングは、トナー製造時でもよいし、結着樹脂の製造時でもよい。また、これらワックスは、一種類を単独で使用してもよいし二種類以上を併用してもよい。ワックスは、結着樹脂１００質量部に対して、１質量部以上２０質量部以下添加することが好ましい。
【００３５】
トナーは、磁性１成分トナー、非磁性１成分トナー、非磁性２成分トナーのいずれのトナーとしても使用できる。
磁性１成分トナーとして用いる場合、着色剤としては、磁性酸化鉄粒子が好ましく用いられる。磁性１成分トナーに含まれる磁性酸化鉄粒子としては、マグネタイト、マグヘマイト、フェライトのような磁性酸化鉄、及び他の金属酸化物を含む磁性酸化鉄；Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉのような金属、あるいは、これらの金属とＡｌ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｐｂ，Ｍｇ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｓｅ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖのような金属との合金、及びこれらの混合物が挙げられる。
磁性酸化鉄粒子の含有量は、結着樹脂１００質量部に対し、３０質量部以上１００質量部以下が好ましい。
【００３６】
非磁性１成分トナー、及び非磁性２成分トナーとして用いる場合の着色剤としては、以下のものが挙げられる。
黒色の顔料としては、ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラック等のカーボンブラックが用いられ、また、マグネタイト、フェライト等の磁性粉も用いられる。
イエロー色に好適な着色剤としては、顔料又は染料を用いることができる。顔料としては、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１，２，３，４，５，６，７，１０，１１，１２、１３、１４、１５、１７、２３、６２、６５、７３、７４、８１、８３、９３、９４、９５、９７、９８、１０９、１１０、１１１、１１７、１２０、１２７、１２８、１２９、１３７、１３８、１３９、１４７、１５１、１５４、１５５、１６７、１６８、１７３、１７４、１７６、１８０、１８１、１８３、１９１、Ｃ．Ｉ．バットイエロー１，３，２０が挙げられる。染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、４４、７７、７９、８１、８２、９３、９８、１０３、１０４、１１２、１６２等が挙げられる。これらのものを単独又は２以上を併用して用いる。
【００３７】
シアン色に好適な着色剤としては、顔料又は染料を用いることができる。顔料としては、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、７、１５、１５；１、１５；２、１５；３、１５；４、１６、１７、６０、６２、６６等、Ｃ．Ｉ．バットブルー６、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー４５が挙げられる。染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、３６、６０、７０、９３、９５等が挙げられる。これらのものを単独又は２以上を併用して用いる。
マゼンタ色に好適な着色剤としては、顔料又は染料を用いることができる。顔料としては、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２１，２２，２３，３０，３１，３２，３７，３８，３９，４０，４１，４８，４８；２、４８；３、４８；４、４９，５０，５１，５２，５３，５４，５５，５７，５７；１、５８，６０，６３，６４，６８，８１，８１；１、８３，８７，８８，８９，９０，１１２，１１４，１２２，１２３，１４４、１４６，１５０，１６３，１６６、１６９、１７７、１８４，１８５，２０２，２０６，２０７，２０９，２２０、２２１、２３８、２５４等、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット１９；Ｃ．Ｉ．バットレッド１，２，１０，１３，１５，２３，２９，３５が挙げられる。
マゼンタ用染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１，３，８，２３，２４，２５，２７，３０，４９，５２、５８、６３、８１，８２，８３，８４，１００，１０９，１１１、１２１、１２２等、Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９、Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８，１３，１４，２１，２７等、Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１等の油溶染料、Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１，２，９，１２，１３，１４，１５，１７，１８，２２，２３，２４，２７，２９，３２，３４，３５，３６，３７，３８，３９，４０等、Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１，３，７，１０，１４，１５，２１，２５，２６，２７，２８等の塩基性染料等が挙げられる。これらのものを単独又は２以上を併用して用いる。
着色剤の含有量は、結着樹脂１００質量部に対し、１質量部以上２０質量部以下が好ましい。
【００３８】
トナーには、荷電制御剤を用いてもよい。荷電制御剤としては既知のものを用いることができ、例えば、アゾ系鉄化合物、アゾ系クロム化合物、アゾ系マンガン化合物、アゾ系コバルト化合物、アゾ系ジルコニウム化合物、カルボン酸誘導体のクロム化合物、カルボ
ン酸誘導体の亜鉛化合物、カルボン酸誘導体のアルミ化合物、カルボン酸誘導体のジルコニウム化合物が挙げられる。
前記カルボン酸誘導体は、芳香族ヒドロキシカルボン酸が好ましい。また、荷電制御樹脂も用いることもできる。荷電制御剤や荷電制御樹脂を使用する場合、結着樹脂１００質量部に対して０．１質量部以上１０質量部以下使用することが好ましい。
【００３９】
トナーは、キャリアと混合して２成分現像剤として使用してもよい。キャリアとしては、通常のフェライト、マグネタイト等のキャリアや樹脂コートキャリアを使用することができる。また、樹脂中に磁性粉が分散されたバインダー型のキャリアコアも用いることができる。
樹脂コートキャリアは、キャリアコア粒子とキャリアコア粒子表面を被覆（コート）する樹脂である被覆材からなる。被覆材に用いられる樹脂としては、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体等のスチレン−アクリル系樹脂；アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体等のアクリル系樹脂；ポリテトラフルオロエチレン、モノクロロトリフルオロエチレン重合体、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素含有樹脂；シリコーン樹脂；ポリエステル樹脂；ポリアミド樹脂；ポリビニルブチラール；アミノアクリレート樹脂が挙げられる。その他には、アイオモノマー樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は複数を併用して用いることができる。
【００４０】
トナーの製造方法は特に限定されず、粉砕法、懸濁重合法、乳化凝集法など公知の方法を用いることができる。以下に、トナーの製造方法について粉砕法を例に説明するが、これに限定される訳ではない。
例えば、結着樹脂、並びに必要に応じて、着色剤、及びその他の添加剤を、ヘンシェルミキサー又は、ボールミルのような混合機により十分混合してから加熱ロール、ニーダー、エクストルーダーのような熱混練機を用いて溶融混練し、冷却固化後粉砕及び分級を行い、トナー粒子を得る。さらに、該トナー粒子にチタン酸ストロンチウム及び必要に応じてシリカ粒子等をヘンシェルミキサーのような混合機により十分混合することでトナーを得る。
【００４１】
混合機としては、以下のものが挙げられる。ヘンシェルミキサー（三井鉱山社製）；スーパーミキサー（カワタ社製）；リボコーン（大川原製作所社製）；ナウターミキサー、タービュライザー、サイクロミックス（ホソカワミクロン社製）；スパイラルピンミキサー（太平洋機工社製）；レーディゲミキサー（マツボー社製）。
混練機としては、以下のものが挙げられる。ＫＲＣニーダー（栗本鉄工所社製）；ブス・コ・ニーダー（Ｂｕｓｓ社製）；ＴＥＭ型押し出し機（東芝機械社製）；ＴＥＸ二軸混練機（日本製鋼所社製）；ＰＣＭ混練機（池貝鉄工所社製）；三本ロールミル、ミキシングロールミル、ニーダー（井上製作所社製）；ニーデックス（三井鉱山社製）；ＭＳ式加圧ニーダー、ニダールーダー（森山製作所社製）；バンバリーミキサー（神戸製鋼所社製）。
【００４２】
粉砕機としては、以下のものが挙げられる。カウンタージェットミル、ミクロンジェット、イノマイザ（ホソカワミクロン社製）；ＩＤＳ型ミル、ＰＪＭジェット粉砕機（日本ニューマチック工業社製）；クロスジェットミル（栗本鉄工所社製）；ウルマックス（日曹エンジニアリング社製）；ＳＫジェット・オー・ミル（セイシン企業社製）；クリプトロン（川崎重工業社製）；ターボミル（ターボ工業社製）；スーパーローター（日清エンジニアリング社製）。
分級機としては、以下のものが挙げられる。クラッシール、マイクロンクラッシファイアー、スペディッククラシファイアー（セイシン企業社製）；ターボクラッシファイアー（日清エンジニアリング社製）；ミクロンセパレータ、ターボプレックス（ＡＴＰ）、Ｔ
ＳＰセパレータ、ＴＴＳＰセパレータ（ホソカワミクロン社製）；エルボージェット（日鉄鉱業社製）、ディスパージョンセパレータ（日本ニューマチック工業社製）；ＹＭマイクロカット（安川商事社製）。
粗粒子をふるい分けるために用いられる篩い装置としては、以下のものが挙げられる。ウルトラソニック（晃栄産業社製）；レゾナシーブ、ジャイロシフター（徳寿工作所社）；バイブラソニックシステム（ダルトン社製）；ソニクリーン（新東工業社製）；ターボスクリーナー（ターボ工業社製）；ミクロシフター（槙野産業社製）；円形振動篩い。
【００４３】
＜画像形成工程＞
図１に画像形成装置の一例の概略構成を示す。
本画像形成装置はデジタル方式の電子写真複写機である。本複写機は、像担持体としてドラム型の電子写真感光体１を備えている。感光体１は、中心軸部１１を中心にして駆動手段（不図示）によって矢印の時計方向に所定の速度で回転駆動される。感光体１の周囲には、その回転方向に沿って順に、帯電装置（帯電手段）２、レーザスキャナ（露光手段）３、現像装置（現像手段）４、転写装置（転写手段）５、ブレードクリーニング装置（クリーニング手段）６が対向設置されている。
また、転写装置５よりも転写材搬送方向上流側にはレジストローラ対７が、下流側には転写材分離用帯電器（分離手段）８が配設されている。また、転写材分離用帯電器８よりも転写材搬送方向下流側には定着装置（定着手段）９が配設されている。
【００４４】
帯電装置２は感光体１の表面を所定の極性・電位に１次帯電する（帯電工程）。本例における帯電装置２は、帯電部材として帯電ローラ２１を用いた接触帯電装置である。帯電ローラ２１は、芯金２２と、芯金周りに同心一体に形成した導電性弾性層２３と、弾性層２３をカバーした表面層２４を有する導電性弾性ローラであり、感光体１に対してほぼ並行に配列して、弾性に抗して所定の押圧力で圧接させてある。
感光体１と帯電ローラ２１の圧接部位が感光体１の帯電部位（帯電ニップ部）ａである。帯電ローラ２１は感光体１の回転に従動して矢印の反時計方向に回転する。電源部Ｓ１から帯電ローラ２１の芯金２２に対して所定の制御タイミングで所定の帯電電圧が印加される。
これにより、回転する感光体１の表面が帯電ローラ２１により所定の極性・電位に一様に接触帯電される。
【００４５】
レーザスキャナ３は感光体１の帯電面に露光により静電潜像を形成する（潜像形成工程）。レーザスキャナ３は、画像処理部３１から入力する画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調した発光を行うレーザ発光手段、回転ポリゴンミラー等で構成されている。画像処理部３１は、不図示の原稿画像光電読取り装置や、外部ホスト装置（パーソナルコンピュータ・ファクシミリ等）から入力する電気的画像情報を所定に処理してレーザスキャナ３に出力する。スキャナ３は回転する感光体１の一様帯電処理面を露光部位ｂにおいて変調レーザ光Ｌにより走査露光する。これにより、感光体面のレーザ光照射部分の電荷が除去されて、走査露光した画像パターンに対応した静電潜像が感光体面に形成される。
現像装置４は上記の静電潜像をトナー像として現像する（現像工程）。本例における現像装置４は、現像剤として磁性トナーを用いた現像装置である。４１は現像容器、４２は現像容器内に配設した現像部材としての非磁性現像スリーブ、４３は現像スリーブ内に挿入したマグネットローラ（磁気発生手段）、４４は現像スリーブ４３にエッジ部を所定に接近させて配設した現像剤層厚規制ブレードである。４５・４６は現像容器４１内に現像スリーブ４２にほぼ並行に配列して配設した現像剤攪拌搬送スクリュー軸である。現像容器４１内には現像剤として磁性トナーＴを収容させてある。
【００４６】
現像スリーブ４２は感光体１に対してほぼ並行に配列され、且つ所定の僅少な隙間を存
して感光体１に対向させてある。マグネットローラ４３は非回転の固定部材であり、現像スリーブ４２はこのマグネットローラ４３の外回りを不図示の駆動機構部により矢印の反時計方向に所定の速度で回転駆動される。現像容器４１内の磁性トナーＴ（＋Ｙ＋Ｚ）は現像剤攪拌搬送スクリュー軸４５・４６が回転駆動されることで現像容器４１内をスクリュー軸長手に沿って循環的に搬送されながら攪拌されて所定の極性に摩擦帯電される。その磁性トナーＴ（＋Ｙ＋Ｚ）の一部が現像スリーブ４２の外面にマグネットローラ４３の磁気力により磁気ブラシとして吸着して担持され、現像スリーブ４２の回転に伴い搬送され、ブレード４４により層厚が所定に規制される。そして、引き続く現像スリーブ４２の回転により搬送される磁性トナーＴ（＋Ｙ＋Ｚ）の磁気ブラシが、感光体１と現像スリーブ４２の対向部である現像部位ｃにおいて感光体１の面に接触する。また、現像スリーブ４２には電源部Ｓ２から所定の制御タイミングで所定の現像電圧が印加される。これにより、感光体面の静電潜像がトナー像として現像される。感光体面に形成されたトナー像には現像剤に外添してある潤滑剤としての無機粒子Ｙ及び研磨剤としての無機粉体粒子Ｚも含まれる。
【００４７】
転写装置５は上記のトナー像を感光体１の表面から被転写部材としての転写材（記録材）Ｐに転写する（転写工程）。本例における転写装置５は、転写部材として転写ローラ５１を用いた接触転写装置である。転写ローラ５１は、芯金５１と、芯金周りに同心一体に形成した導電性弾性層５２と、弾性層５２をカバーした表面層５３を有する導電性弾性ローラであり、感光体１に対してほぼ並行に配列して、弾性に抗して所定の押圧力で圧接させてある。感光体１と転写ローラ５１の圧接部位が感光体の転写部位（転写ニップ部）ｄである。この転写ローラ５１は矢印の反時計方向に感光体１の回転周速度に対応した周速度で回転駆動される。
記録材分離用帯電器８はコロナ帯電器である。この帯電器８は転写部位ｄの次位の転写後部位ｅにおいて、転写部位ｄを出て感光体面に静電的に密着している転写材Ｐの背面に感光体面との電気的吸引力を弱める除電電流を与えて、転写材Ｐを感光体面から分離させるものである。
転写部位ｄを出て感光体面から分離された転写材Ｐは定着装置９に搬送される。本例における定着装置９は、回転する加熱ローラ（定着ローラ）９１と加圧ローラ９２との圧接ローラ対を基本構成とする熱定着装置である。転写材Ｐは、このローラ対９１・９２の圧接部である定着ニップ部に導入されて挟持搬送されることで加熱・加圧を受けて未定着トナー像が記録材面に固着画像として定着され（定着工程）、画像形成物として不図示の排紙部に送り出される。
転写材Ｐに対するトナー画像転写後（転写材分離後）の感光体１の表面には、転写残トナー、現像剤に外添してある潤滑剤としての無機粒子Ｙや研磨剤としての無機粉体粒子Ｚ、紙粉等の残留物が存在する。感光体１は、転写材分離後にブレードクリーニング装置６で清掃され（クリーニング工程）、繰り返して画像形成に供される。
【００４８】
ブレードクリーニング装置６は、感光体１に感光体回転方向に対してカウンターに当接させたクリーニング部材としてのクリーニングブレード６１を有する。このクリーニングブレード６１の先端エッジ部と感光体１との接触部がクリーニング部位（当接ニップ部）ｇである。クリーニングブレード６１の当接エッジ部により感光体面を摺擦して、転写工程後の感光体の表面から転写後残留物を掻き取って回収除去する。
クリーニングブレード６１は、例えば、主にポリウレタンゴムからなる弾性ブレードである。掻き取られたトナーや潤滑剤はすくいシートにより受け取られ、トナー送り羽根やブラシローラ、スクリュー等によって廃トナーボックス（不図示）に送られる。
さらに、本発明者らの検討によると、本発明の効果が最大限発揮できるのは、帯電方式が、ＤＣ帯電方式であることが分かった。すなわち、感光体の表面の帯電を行なう帯電工程が、直流電圧のみが印加される帯電部材により行なわれることが好ましい。
ＤＣ帯電方式は、帯電部材の汚損による帯電特性への影響が少ないＡＣ帯電方式と比較
すると、トナーや外添剤が帯電部材に付着しやすく、帯電特性が変化し、画像濃度の不均一性や、かぶり等の画像不良を生じやすい。このため、本件の画像形成方法を用いることで、帯電部材の汚染性の改善効果が十分に発揮できるものと考えている。
【００４９】
次に、本発明に係る各物性の測定方法に関して記載する。
＜Ｘ線回折測定＞
測定はＭｉｎｉＦｌｅｘ６００（リガク社製）を用いて、以下の条件で行う。
測定サンプルは、測定範囲内に回折ピークを持たない無反射試料板（リガク製）に無機微粒子（チタン酸ストロンチウム）を粉末のまま平らになるように軽く押さえながら乗せる。平らになったら、試料板ごと装置へセットする。
［Ｘ線回折の測定条件］
管球：Ｃｕ
平行ビーム光学系
電圧：４０ｋＶ
電流：１５ｍＡ
開始角度：３°
終了角度：６０°
サンプリング幅：０．０２°
スキャンスピード：１０．００°／ｍｉｎ
発散スリット：０．６２５ｄｅｇ
散乱スリット：８．０ｍｍ
受光スリット：１３．０ｍｍ（Ｏｐｅｎ）
得られたＸ線回折ピークの半値幅、ピーク強度の算出は、リガク製解析ソフト「ＰＤＸＬ」を用いて行う。
（トナーからのチタン酸ストロンチウムの単離）
以下の方法にてトナーからチタン酸ストロンチウムを単離して、分析することもできる。
トナーを有機溶剤に溶かし、ろ過することで外添剤のみを分離する。分離した外添剤の比重差を利用し、遠心分離によって外添剤を分離する。この際、比重の小さいシリカは上澄み液に残るのでチタン酸ストロンチウムを単離することができる。
【００５０】
＜蛍光Ｘ線測定＞
無機微粒子の蛍光Ｘ線測定は、シランカップリング剤などで表面処理を行う場合は、表面処理前に測定を行う。
波長分散型蛍光Ｘ線分析装置Ａｘｉｏｓ ａｄｖａｎｃｅｄ（スペクトリス社製）を用
いてＨｅ雰囲気下、無機微粒子におけるＮａからＵまでの元素を直接測定する。装置付属の液体試料用カップを使用し、ＰＰ（ポリプロピレン）フィルムを底面に張り、試料を十分量入れ、底面に均一厚に層を形成させて、ふたをする。出力が２．４ｋＷの条件で測定する。解析には、ＦＰ（ファンダメンタルパラメーター）法を用いる。その際、検出された元素全てが酸化物であると仮定し、それらの総質量を１００質量％とする。ソフトウエアＵｎｉＱｕａｎｔ５（ｖｅｒ．５．４９）（スペクトリス社製）にて総質量に対する酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）及び酸化チタン（ＴｉＯ２）の含有量（質量％）を酸化物換算値として求める。
【００５１】
＜平均円形度の測定方法＞
平均円形度は、フロー式粒子像分析装置「ＦＰＩＡ−３０００」（シスメックス社製）によって、校正作業時の測定及び解析条件で測定する。
フロー式粒子像分析装置「ＦＰＩＡ−３０００」（シスメックス社製）の測定原理は、流れている粒子を静止画像として撮像し、画像解析を行うというものである。試料チャンバーへ加えられた試料は、試料吸引シリンジによって、フラットシースフローセルに送り
込まれる。フラットシースフローに送り込まれた試料は、シース液に挟まれて扁平な流れを形成する。フラットシースフローセル内を通過する試料に対しては、１／６０秒間隔でストロボ光が照射されており、流れている粒子を静止画像として撮影することが可能である。また、扁平な流れであるため、焦点の合った状態で撮像される。粒子像はＣＣＤカメラで撮像され、撮像された画像は５１２×５１２画素の画像処理解像度（一画素あたり０．３７×０．３７μｍ）で画像処理され、各粒子像の輪郭抽出を行い、粒子像の投影面積Ｓや周囲長Ｌ等が計測される。
次に、上記面積Ｓと周囲長Ｌを用いて円相当径と円形度を求める。円相当径とは、粒子像の投影面積と同じ面積を持つ円の直径のことであり、円形度Ｃは、円相当径から求めた円の周囲長を粒子投影像の周囲長で割った値として定義され、次式で算出される。
円形度Ｃ＝２×（π×Ｓ）１／２／Ｌ
粒子像が円形の時に円形度は１．０００になり、粒子像外周の凹凸の程度が大きくなればなるほど円形度は小さい値になる。各粒子の円形度を算出後、円形度０．２００以上１．０００以下の範囲を８００分割し、得られた円形度の相加平均値を算出し、その値を平均円形度とする。
具体的な測定方法は、以下の通りである。
まず、ガラス製の容器中に予め不純固形物などを除去したイオン交換水約２０ｍＬを入れる。この中に分散剤として「コンタミノンＮ」（非イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、有機ビルダーからなるｐＨ７の精密測定器洗浄用中性洗剤の１０質量％水溶液、和光純薬工業社製）をイオン交換水で約３質量倍に希釈した希釈液を約０．２ｍＬ加える。
さらに測定試料を約０．０２ｇ加え、超音波分散器を用いて２分間分散処理を行い、測定用の分散液とする。その際、分散液の温度が１０℃以上４０℃以下となる様に適宜冷却する。超音波分散器としては、発振周波数５０ｋＨｚ、電気的出力１５０Ｗの卓上型の超音波洗浄器分散器（「ＶＳ−１５０」（ヴェルヴォクリーア社製））を用い、水槽内には所定量のイオン交換水を入れ、この水槽中に該コンタミノンＮを約２ｍＬ添加する。
測定には、標準対物レンズ（１０倍）を搭載した該フロー式粒子像分析装置を用い、シース液にはパーティクルシース「ＰＳＥ−９００Ａ」（シスメックス社製）を使用する。該手順に従い調製した分散液を該フロー式粒子像分析装置に導入し、ＨＰＦ測定モードで、トータルカウントモードにて３０００個のチタン酸ストロンチウム粒子を計測する。
そして、粒子解析時の２値化閾値を８５％とし、解析粒子径を円相当径１．９８μｍ以上３９．９６μｍ以下とし、チタン酸ストロンチウムの平均円形度を求める。
測定にあたっては、測定開始前に標準ラテックス粒子（例えば、Ｄｕｋｅ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製の「ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＡＮＤ  ＴＥＳＴ  ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ  Ｌａｔｅｘ  Ｍｉｃｒｏｓｐｈｅｒｅ  Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎｓ  ５２００Ａ」をイオン交換水で希釈）を用いて自動焦点調整を行う。その後、測定開始から２時間毎に焦点調整を実施することが好ましい。
【００５２】
＜無機微粒子の一次粒子の個数平均粒径（Ｄ１）の測定方法＞
外添剤の一次粒子の個数平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）「ＪＥＭ２８００」（日本電子製）を用いて測定する。
まず、測定サンプルの調整を行う。外添剤約５ｍｇに対し、イソプロパノール１ｍｌを加え、超音波分散機（超音波洗浄機）で５分間分散させる。次に、ＴＥＭ用の支持膜付きマイクログリッド（１５０メッシュ）に上記分散液を１滴たらし、乾燥させることで測定サンプルを準備した。
次に、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により、加速電圧２００ｋＶの条件のもと、視野中の外添剤が十分に測長できる倍率（例えば２００ｋ〜１Ｍ倍）にて画像を取得し、ランダムに１００個の外添剤の一次粒子の粒径を測定して個数平均粒径を求める。一次粒子の粒径の測定は手動でもよいし、計測ツールを用いてもよい。
【００５３】
＜トナー粒子表面上の無機微粒子の一次粒子の粒径の測定＞
トナー粒子表面上の無機微粒子の一次粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）「Ｓ−４７００」（日立製作所製）を用いて、トナー粒子表面の無機微粒子を観察して求める。
観察倍率は微粒子の大きさによって適宜調整するが、最大２０万倍に拡大した視野において、１００個の一次粒子の長径を測定して、その平均値を個数平均粒径とする。
なお、トナー粒子表面における無機微粒子（チタン酸ストロンチウム、第一のシリカ粒子及び第二のシリカ粒子）は、例えば以下のように形状によって区別することができる。第一のシリカ粒子の形状は、不定形であるのに対し、第二のシリカ粒子は球状であり、チタン酸ストロンチウム粒子は、角がとれた直方体や立方体形状をしている。
【００５４】
＜トナーの個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）の測定＞
本発明のトナーの個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）は走査型電子顕微鏡による二次電子像の観察と、続く画像処理により求めることができる。
トナーの個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）の測定は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、Ｓ−４８００（日立製作所社製）を用いて行う。
具体的には、電子顕微鏡観察用の試料台上にカーボンテープでトナーを一層になるように固定し、白金による蒸着を行い、以下の条件にて、走査電子顕微鏡Ｓ−４８００（日立製作所社製）で観察する。フラッシング操作を行ってから観察を行う。
ＳｉｇｎａｌＮａｍｅ＝ＳＥ（Ｕ，ＬＡ８０）
ＡｃｃｅｌｅｒａｔｉｎｇＶｏｌｔａｇｅ＝２０００Ｖｏｌｔ
ＥｍｉｓｓｉｏｎＣｕｒｒｅｎｔ＝１００００ｎＡ
ＷｏｒｋｉｎｇＤｉｓｔａｎｃｅ＝６０００ｕｍ
ＬｅｎｓＭｏｄｅ＝Ｈｉｇｈ
Ｃｏｎｄｅｎｃｅｒ１＝５
ＳｃａｎＳｐｅｅｄ＝Ｓｌｏｗ４（４０秒）
Ｍａｇｎｉｆｉｃａｔｉｏｎ＝５００００
ＤａｔａＳｉｚｅ＝１２８０×９６０
ＣｏｌｏｒＭｏｄｅ＝Ｇｒａｙｓｃａｌｅ
二次電子像は、走査電子顕微鏡Ｓ−４８００の制御ソフト上で‘コントラスト５、ブライトネス−５’に明るさを調整し、キャプチャスピード／積算枚数‘Ｓｌｏｗ４を４０秒’、画像サイズ１２８０×９６０ｐｉｘｅｌｓの８ｂｉｔの２５６階調グレースケール画像としてトナーの投影像を得る。画像上のスケールから、１ｐｉｘｅｌの長さは０．０２μｍ、１ｐｉｘｅｌの面積は０．０００４μｍ２となる。
続いて、得られた二次電子による投影像を用いて、トナー１００粒について投影面積円相当径を算出する。解析するトナー１００粒の選択方法の詳細は後述する。
次に、トナー粒群の部分を抽出し、抽出されたトナー１粒のサイズをカウントする。具体的には、まず、解析するトナー粒群を抽出するため、トナー粒群と背景部分を分離する。Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  Ｐｌｕｓ５．１Ｊの「測定」−「カウント／サイズ」を選択する。「カウント／サイズ」の「輝度レンジ選択」で、輝度レンジを５０〜２５５の範囲に設定して、背景として写りこんでいる輝度の低いカーボンテープ部分を除外し、トナー粒群の抽出を行う。
カーボンテープ以外の方法でトナー粒群を固定した際には、必ずしも背景が輝度の低い領域とならない、あるいは、部分的にトナー粒群と同じような輝度となる可能性は皆無ではない。しかし、トナー粒群と背景の境界については、二次電子観察像から容易に区別できる。抽出を行う際、「カウント／サイズ」の抽出オプションで、４連結を選択し、平滑度５を入力、穴埋めるにチェックを入れ、画像の全ての境界（外周）上に位置するトナーや他のトナーと重なっているトナーについては、計算から除外するものとする。
次に「カウント／サイズ」の測定項目で、面積とフェレ径（平均）を選択し、面積の選別レンジを最小１００ｐｉｘｅｌ、最大１００００ｐｉｘｅｌとして、画像解析するトナーを抽出する。抽出されたトナー粒群からトナー１粒を選択し、その粒子に由来する部分
の大きさ（ｐｉｘｅｌ数）を（ｊａ）を求める。得られたｊａより下記式を用いて、投影面積円相当径ｄ１を得る。
ｄ１＝｛（４×ｊａ×０．３０８８）／３．１４｝１／２
次に、Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  Ｐｌｕｓ５．１Ｊの「カウント／サイズ」の「輝度レンジ選択」で、輝度レンジを１４０〜２５５の範囲に設定して、トナー１粒上の輝度の高い部分の抽出を行う。
次いで、抽出された粒子群の各粒子に対して、選択されるトナー粒の数が１００となるまで同様の処理を行う。一視野中のトナー粒の数が１００に満たない場合には、別視野のトナー投影像について同様の操作を繰り返す。
得られたトナー１００粒について、投影面積円相当径の昇順に並べ、５０個目にあたるトナーの投影面積円相当径を、本発明のトナーの個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）とする。
【００５５】
＜１０点平均表面粗さ（Ｒｚ）の測定＞
平均粗さＲｚの測定は、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００１）に基づき、サーフコーダーＳ
Ｅ−３５００（小坂研究所製）にて、カットオフを０．８ｍｍ、測定長さを８ｍｍとして測定する。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例に基づいて具体的に本願発明について説明する。しかしながら、本願発明は何らこれに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部は、特に断りのない限り質量基準である。
【００５７】
＜チタン酸ストロンチウムＡ−１の製造例＞
硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーをアルカリ水溶液で上澄み液の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍになるまで洗浄して、不純物を低減、精製した。次に、前記含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを７．０に調整してチタニアゾル分散液を得た。
前記チタニアゾル分散液２．２モル（酸化チタン換算）に対し、１．３倍モル量の塩化ストロンチウム水溶液を加えて反応容器に入れ、窒素ガス置換した。さらに、酸化チタン換算で１．１モル／Ｌになるように純水を加えた。
次に、撹拌混合し、９０℃に加温した後、超音波振動を加えながら、１０モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液４４０ｍＬを１５分かけて添加し、その後、２０分間反応を行った。反応後のスラリーに５℃の純水を加えて３０℃以下になるまで急冷した後、上澄み液を除去した。さらに、前記スラリーにｐＨ５．０の塩酸水溶液を加えて１時間撹拌し、炭酸ストロンチウムを溶解、除去した後、純水で洗浄を繰り返し、得られたケーキの一部をサンプリングして、乾燥後、Ｘ線回折及び蛍光Ｘ線の測定を行った。結果を表１に示す。
次いで、前記スラリーに、ｐＨ３．０の塩酸水溶液を加えた後、スラリーの固形分に対して７．０質量％のｎ−オクチルトリエトキシシランを添加して１０時間撹拌した。その後、水酸化ナトリウム水溶液にて中和して、ヌッチェで濾過を行い、純水で洗浄した。得られたケーキを乾燥した後、これを粉砕してチタン酸ストロンチウムＡ−１を得た。物性を表１に示す。
【００５８】
＜チタン酸ストロンチウムＡ−２〜８の製造例＞
上記、硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーの上澄み液の電気伝導度、チタニアゾル分散液のモル数（酸化チタン換算）、塩化ストロンチウム水溶液のモル数、酸化チタン濃度、反応温度と時間、水酸化ナトリウム水溶液の濃度、スラリーに添加する塩酸水溶液のｐＨ、ｎ−オクチルトリエトキシシランの添加量、粉砕条件などを変化させて、チタン酸ストロンチウムＡ−２〜８を得た。物性を表１に示す。
【００５９】
【表１】
2020030353.tif 000002
チタン酸ストロンチウムはＡ−１〜Ａ−８は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ）の３２．００ｄｅｇ以上３２．４０ｄｅｇ以下に最大ピーク（ａ）を有していた。
【００６０】
＜結着樹脂の製造例＞
（ポリエステル樹脂Ａの製造例）
・ポリオキシプロピレン（２．２）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン：
多価アルコール総モル数に対して８０．０ｍｏｌ％
・ポリオキシエチレン（２．２）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン：多価アルコール総モル数に対して２０．０ｍｏｌ％
・テレフタル酸：多価カルボン酸総モル数に対して８０．０ｍｏｌ％
・無水トリメリット酸：多価カルボン酸総モル数に対して２０．０ｍｏｌ％
冷却管、攪拌機、窒素導入管、及び、熱電対のついた反応槽に、上記材料を投入した。そして、モノマー総量１００部に対して、触媒として２−エチルヘキサン酸錫（エステル化触媒）を１．５部添加した。次にフラスコ内を窒素ガスで置換した後、撹拌しながら徐々に昇温し、２００℃の温度で撹拌しつつ、２．５時間反応させた。
さらに、反応槽内の圧力を８．３ｋＰａに下げ、１時間維持した後、１８０℃まで冷却し、そのまま反応させＡＳＴＭ  Ｄ３６−８６に従って測定した軟化点が１１０℃に達したのを確認してから温度を下げて反応を止めた。
【００６１】
＜トナー１の製造例＞
・ポリエステル樹脂Ａ                                        １００．０部
・３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸アルミニウム化合物            ０．１部
・フィッシャートロプシュワックス（最大吸熱ピーク温度９０℃）    ５．０部
・Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３                              ５．０部
上記処方で示した原材料をヘンシェルミキサー（ＦＭ７５Ｊ型、日本コークス（株）製）を用いて、回転数２０ｓ−１、回転時間５ｍｉｎで混合した後、温度１３０℃、バレル回転数２００ｒｐｍに設定した二軸混練機（ＰＣＭ−３０型、株式会社池貝製）にて混練した。得られた混練物を冷却し、ハンマーミルにて１ｍｍ以下に粗粉砕し、粗砕物を得た。得られた粗砕物を、機械式粉砕機（Ｔ−２５０、ターボ工業（株）製）にて微粉砕した。慣性分級方式のエルボージェット（日鉄鉱業（株）製）を用い、分級を行い、トナー粒子１を得た。得られたトナー粒子１は、個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）は４．５μｍであった。個数基準におけるメジアン径（Ｄ５０）は粉砕と分級の条件の変更により調整される。
・トナー粒子１                                            １００．０部
・第一のシリカ粒子                                            １．０部
・第二のシリカ粒子                                            １．０部
・チタン酸ストロンチウムＡ−１                                ０．５部
上記処方で示した原材料をヘンシェルミキサー（ＦＭ−１０Ｃ型、日本コークス（株）製）を用いて、回転数６７ｓ−１（４０００ｒｐｍ）、回転時間２ｍｉｎで混合した後、目開き５４μｍの超音波振動篩を通過させ、トナー１を得た。
【００６２】
トナー１の製造において、粉砕条件と分級条件を変化させることによりトナーのメジアン径を制御し、表２のように外添剤処方を変化させ、トナー２〜トナー２４を得た。物性を表２に示す。
【００６３】
【表２】
2020030353.tif 000003
【００６４】
＜磁性コア粒子１の製造例＞
・工程１（秤量及び混合工程）：
Ｆｅ２Ｏ３                                ６２．７部
ＭｎＣＯ３                                ２９．５部
Ｍｇ（ＯＨ）２                              ６．８部
ＳｒＣＯ３                                  １．０部
上記材料を上記組成比となるようにフェライト原材料を秤量した。その後、直径１／８インチのステンレスビーズを用いた乾式振動ミルで５時間粉砕及び混合した。
・工程２（仮焼成工程）：
得られた粉砕物をローラーコンパクターにて、約１ｍｍ角のペレットにした。このペレットを目開き３ｍｍの振動篩にて粗粉を除去し、次いで目開き０．５ｍｍの振動篩にて微粉を除去した後、バーナー式焼成炉を用いて、窒素雰囲気下（酸素濃度０．０１体積％）で、温度１０００℃で４時間焼成し、仮焼フェライトを作製した。得られた仮焼フェライトの組成は、下記の通りである。
（ＭｎＯ）ａ（ＭｇＯ）ｂ（ＳｒＯ）ｃ（Ｆｅ２Ｏ３）ｄ
上記式において、ａ＝０．２５７、ｂ＝０．１１７、ｃ＝０．００７、ｄ＝０．３９３・工程３（粉砕工程）：
クラッシャーで０．３ｍｍ程度に粉砕した後に、直径１／８インチのジルコニアビーズを用い、仮焼フェライト１００部に対し、水を３０部加え、湿式ボールミルで１時間粉砕した。そのスラリーを、直径１／１６インチのアルミナビーズを用いた湿式ボールミルで４時間粉砕し、フェライトスラリー（仮焼フェライトの微粉砕品）を得た。
・工程４（造粒工程）：
フェライトスラリーに、仮焼フェライト１００部に対して分散剤としてポリカルボン酸アンモニウム１．０部、バインダーとしてポリビニルアルコール２．０部を添加し、スプレードライヤー（製造元：大川原化工機）で、球状粒子に造粒した。得られた粒子を粒度調整した後、ロータリーキルンを用いて、６５０℃で２時間加熱し、分散剤やバインダーの有機成分を除去した。
・工程５（焼成工程）：
焼成雰囲気をコントロールするために、電気炉にて窒素雰囲気下（酸素濃度１．００体積％）で、室温から温度１３００℃まで２時間で昇温し、その後、温度１１５０℃で４時間焼成した。その後、４時間をかけて、温度６０℃まで降温し、窒素雰囲気から大気に戻し、温度４０℃以下で取り出した。
・工程６（選別工程）：
凝集した粒子を解砕した後に、磁力選鉱により低磁力品をカットし、目開き２５０μｍの篩で篩分して粗大粒子を除去し、体積分布基準の５０％粒径（Ｄ５０）３７．０μｍの磁性コア粒子１を得た。
【００６５】
＜被覆樹脂１の調整＞
シクロヘキシルメタクリレートモノマー                ２６．８質量％
メチルメタクリレートモノマー                          ０．２質量％
メチルメタクリレートマクロモノマー                    ８．４質量％
（片末端にメタクリロイル基を有する重量平均分子量５０００のマクロモノマー）
トルエン                                            ３１．３質量％
メチルエチルケトン                                  ３１．３質量％
アゾビスイソブチロニトリル                            ２．０質量％
上記材料のうち、シクロヘキシルメタクリレートモノマー、メチルメタクリレートモノマー、メチルメタクリレートマクロモノマー、トルエン、及びメチルエチルケトンを、還流冷却器、温度計、窒素導入管及び攪拌装置を取り付けた四つ口のセパラブルフラスコに入れ、窒素ガスを導入して充分に窒素雰囲気にした後、８０℃まで加温した。その後、アゾビスイソブチロニトリルを添加して５時間還流し重合した。得られた反応物にヘキサンを注入して共重合体を沈殿析出させ、沈殿物を濾別後、真空乾燥して被覆樹脂１を得た。
得られた３０部の被覆樹脂１を、トルエン４０部、及びメチルエチルケトン３０部に溶解して、重合体溶液１（固形分３０質量％）を得た。
【００６６】
＜被覆樹脂溶液１の調製＞
重合体溶液１（樹脂固形分濃度３０％）                      ３３．３質量％
トルエン                                                  ６６．４質量％
カーボンブラック（Ｒｅｇａｌ３３０；キャボット社製）        ０．３質量％
（一次粒径２５ｎｍ、窒素吸着比表面積９４ｍ２／ｇ、ＤＢＰ吸油量７５ｍｌ／１００ｇ）
上記材料を、直径０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて、ペイントシェーカーで１時間分散した。得られた分散液を、５．０μｍのメンブランフィルターで濾過し、被覆樹脂溶液１を得た。
【００６７】
＜磁性キャリア１の製造例＞
（樹脂被覆工程）：
常温で維持されている真空脱気型ニーダーに被覆樹脂溶液１を、１００部の磁性コア粒子１に対して、樹脂成分として２．５部になるように投入した。投入後、回転速度３０ｒｐｍで１５分間撹拌し、溶媒が一定以上（８０質量％）揮発した後、減圧混合しながら８０℃まで昇温し、２時間かけてトルエンを留去した後冷却した。
得られた磁性キャリアを、磁力選鉱により低磁力品を分別し、開口７０μｍの篩を通した後、風力分級器で分級し、体積分布基準の５０％粒径（Ｄ５０）３８．２μｍの磁性キャリア１を得た。
磁性キャリア１に対し、各トナーを、トナー濃度が８．０質量％になるように添加し、Ｖ型混合機（Ｖ−１０型：株式会社徳寿製作所）を用い０．５ｓ−１、回転時間５ｍｉｎの条件で混合し、表３のような二成分系現像剤１〜２４を得た。
【００６８】
＜帯電ローラの耐久試験および評価方法の説明＞
次に、帯電ローラの耐久試験及び画像評価に用いた電子写真装置の説明を行う。本試験で、電子写真式複写機は、キヤノン（株）製フルカラー複写機ｉｍａｇｅＲＵＮＮＥＲ 
ＡＤＶＡＮＣＥ Ｃ５５００の改造機を用いた。（ステーションはＣｙステーションを使
用）
Ａ３横出力用のマシンで、記録メディアの出力スピードは、２６４ｍｍ／ｓｅｃで画像解像度は６００ｄｐｉである。感光体はアルミニウムシリンダーにＯＰＣ層をコートし、更にその上にＯＣＬ層をコートした反転現像方式の感光ドラムである。感光体の帯電方式は直流帯電方式（ＤＣ帯電方式）である。
また、このときの帯電ローラの１０点平均粗さ（Ｒｚ）を２０．０μｍとし、感光体とクリーニングブレードとの当接ニップ幅を８５．０μｍ、感光体とクリーニングブレードとの平均当接面圧を０．３０Ｎとした。
本実施例／比較例では、帯電ローラの１０点平均粗さ（Ｒｚ）と、感光体とクリーニングブレードとの当接ニップ幅、感光体とクリーニングブレードとの平均当接面圧を表２のように変化させて評価を行った。
画像評価を行う複写機は低温低湿（Ｎ／Ｌ：２３℃／５％ＲＨ）の環境下で画像比率３０％の画像を出力して１０万枚の連続耐久を行った。
評価画像は以下の２種類を用いた。１つは帯電ローラにより感光体１の表面に形成する暗部電位ＶＤに直接現像させたものである（以下アナログＨＴ（ハーフトーン）と称す）。具体的には感光体ドラム表面を暗部電位ＶＤとして約−７００Ｖに帯電させ、現像スリーブ電位を約−７２０Ｖに設定することで暗部電位ＶＤに現像させる。この条件だと帯電ローラの汚れにより発生する帯電ムラが直接画像に反映するので、厳しい条件で汚れを評価できる。
もう１つは通常の像露光を経て画像形成する方法を用いた（以下デジタルＨＴ（ハーフトーン）と称す）。具体的には感光体ドラム表面を暗部電位ＶＤとして約−７００Ｖに帯電させた後、全面像露光により明部電位ＶＬとして約−６００Ｖにする。そして現像スリーブ電位を約−６００Ｖに設定することで明部電位ＶＬに現像させる。上記画像は共にＸ−ｒｉｔｅで測定した反射濃度が０．３〜０．６の範囲のハーフトーン画像になるよう調整した。評価ランクは以下の様に判断した。
ランクＡ：アナログＨＴでも画像に帯電ムラが出ない。
ランクＢ：アナログＨＴではスジ状にムラが発生するが、デジタルＨＴでは画像に出ない。
ランクＣ：デジタルＨＴではうっすらムラが発生する。
ランクＤ：デジタルＨＴではっきりとムラ、スジが確認できる。
評価結果を表３に示す。
【００６９】
＜帯電ローラの評価結果＞
本発明の画像形成方法を用いることにより、帯電手段の汚染を抑制し、安定した画像特
性を高水準で維持可能であった。
【００７０】
【表３】
2020030353.tif 000004
【符号の説明】
【００７１】
１電子写真感光体、２帯電装置（帯電手段）、３レーザスキャナ（露光手段）、４現像装置（現像手段）、５転写装置（転写手段）、６ブレードクリーニング装置（クリーニング手段）、７レジストローラ対、８転写材分離用帯電器（分離手段）、９定着装置（定着手段）、１１中心軸部、帯電ローラ２１、２２芯金、２３導電性弾性層、２３弾性層、２４表面層、画像処理部３１、４１現像容器、４２非磁性現像スリーブ、４３マグネットローラ（磁気発生手段）、４４現像剤層厚規制ブレードである。４５・４６現像剤攪拌搬送スクリュー軸、５１転写ローラ、５１芯金、５２導電性弾性層、５３表面層、９１加熱ローラ（定着ローラ）、９２加圧ローラ、６１クリーニングブレード
ａ帯電部位（帯電ニップ部）、ｂ露光部位、ｃ現像部位、ｄ転写部位（転写ニップ部、）ｅ転写後部位、Ｐ転写材、Ｌ変調レーザ光、Ｓ１電源部、Ｓ２電源、部Ｔ（＋Ｙ＋Ｚ）磁性トナー、Ｙ無機粒子、Ｚ研磨剤
【図１】
2020030353.tif 000005