(57)【要約】      （修正有）【課題】３Ｄ基板をコーティングする場合のコーティングコンフォーマル性を改善する基板処理装置、及び３Ｄ基板をコーティングする方法の提供。【解決手段】好適な実施形態に従う基板処理装置１００は、反応室１３０と、前記反応室に対する少なくとも１つのコーティング材入口１２１と、コーティング対象の３Ｄ基板を支持する可動基板支持体１１０と、基板処理の間、前記３Ｄ基板の向きを変えるように前記基板支持体を動かすように構成されたアクチュエータ１５０とを備える。３Ｄ基板をコーティングする、好適な実施形態に従う方法は、反応室内において基板支持体上に３Ｄ基板を設けることと、前記反応室に少なくとも１つのコーティング材を供給することと、前記基板支持体の動きを生じさせることによって、基板処理中に、前記３Ｄ基板の向きを変えることとを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室と、
前記反応室に対する少なくとも１つのコーティング材入口と、
コーティング対象の１つまたは複数の３Ｄ基板を支持する可動基板支持体と、
基板処理の間、前記１つまたは複数の３Ｄ基板の向きを変えるように前記基板支持体を動かすように構成されたアクチュエータと、
を備える、基板処理装置。
【請求項２】
高感度基板の損傷を防ぐための高感度モードを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記高感度モードを前記基板支持体の穏やかな動きにより実施するように構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記基板支持体は、基板非損傷特性を有する、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記基板非損傷特性は、前記３Ｄ基板と接触する非硬質表面を有する前記基板支持体によって提供される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記基板支持体は可撓性である、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記基板支持体は無端ベルトである、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記アクチュエータは、少なくとも１つの回転点を中心に前記基板支持体を動かすように構成され、これにより前記１つまたは複数の基板の向きを確実に変える、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
自己飽和表面反応によって前記基板の表面に材料を堆積するように構成される、請求項１から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
１つまたは複数の３Ｄ基板をコーティングする方法であって、
反応室内において基板支持体上に少なくとも１つの３Ｄ基板を設けることと、
前記反応室に少なくとも１つのコーティング材を供給することと、
前記基板支持体の動きを生じさせることによって、基板処理中に、前記少なくとも１つの３Ｄ基板の向きを変えることと、
を含む方法。
【請求項１１】
高感度基板の損傷を防ぐための高感度モードを提供することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板支持体は、基板非損傷特性を有する、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板支持体自体に内包される構造によって、前記基板支持体の動きを生じさせることを含む、請求項１０から１２のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、コーティングおよびその製造方法に関する。
【背景】
【０００２】
本項は、有用な背景情報を示すが、本書に記載されたいかなる技術も先行技術を示すものであると認めるものではない。
【０００３】
医療用インプラント等のコーティング三次元（３Ｄ）部品は、コーティングコンフォーマル性の問題を生じる場合がある。一般的に、原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）はアスペクト比が３０００：１までのコンフォーマルコーティングを生成可能であるが、これは処理対象の化学物質が適した流れで供給される理想的なケースに限ったことである。一部の前駆体や処理条件（低い要求温度等）では、成長挙動が純粋なＡＬＤよりもむしろ化学真空蒸着（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）型の堆積となる。さらに、プラズマエンハンストＡＬＤ（Plasma-Enhanced ALD：ＰＥＡＬＤ）および光ＡＬＤは、一般に、プラズマ源や光子源に向いた面のみに堆積することが知られている。また、基板および基板ホルダーの対向する面が平滑であることにより、反応性化学物質がコーティングしたい全ての面を被覆するように当該対向面を貫くことができない場合がある。
【摘要】
【０００４】
本発明の特定の実施形態は、３Ｄ基板をコーティングする場合のコーティングコンフォーマル性を改善することを目的とする。
【０００５】
本発明の第１の例示的態様によると、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、
反応室と、
前記反応室に対する少なくとも１つのコーティング材入口と、
コーティング対象の１つまたは複数の３Ｄ基板を支持する可動基板支持体と、
基板処理の間、前記１つまたは複数の３Ｄ基板の向きを変えるように前記基板支持体を動かすように構成されたアクチュエータと、
を備える。
【０００６】
これにより、前記装置は、少なくとも１つの３Ｄ基板を処理する。特定の実施形態では、前記基板支持体の動きは揺れる動きを含む。特定の実施形態では、前記基板支持体は繊維ウェブである。特定の実施形態では、前記基板支持体は繊維材料を含む。特定の実施形態では、前記基板支持体は、布地であるか、または布地を含む。特定の実施形態では、前記基板支持体は、ポリマー製であるか、ポリマーを含む。特定の実施形態では、前記基板支持体は、金属製であるか、金属を含む。特定の実施形態では、前記基板支持体は、セラミック製であるか、セラミックを含む。
【０００７】
前記基板支持体の動きは、必ずしも連続的でなくてもよい。特定の実施形態では、前記基板支持体は、前記少なくとも１つの３Ｄ基板の向きを変えるように少なくとも時折動かされる。特定の実施形態では、前記基板支持体の動きは、少なくとも１つの可動部、または場合によっては特にローラー等の回転部によって生じる。特定の実施形態では、前記基板支持体は無端ベルトである。特定の実施形態では、前記基板支持体は、直線ワイヤまたは（鎖帷子のような）ループ状のリングのメッシュである。
【０００８】
特定の実施形態では、前記装置は、前記少なくとも１つの基板を、基本的な動きによって、また特定の実施形態では追加の動きによっても、動かすように構成されている。特定の実施形態では、前記基本的な動きは、並進、回転、または揺れる動きであり、前記追加の動きは、例えば振動する動き、震える動き、または持ち上げる動きである。
【０００９】
特定の実施形態では、前記アクチュエータは、基板処理の間、前記前記基板支持体上の前記少なくとも１つの３Ｄ基板の向きを変えるように前記基板支持体を動かすように構成される。
【００１０】
特定の実施形態では、前記装置は、高感度基板の損傷を防ぐための高感度モードを含む。特定の実施形態では、前記高感度モードは、前記基板支持体の穏やかな動きにより実施される。前記動きの穏やかさの定義は、コーティング対象の基板（複数可）の特性によって異なる。
【００１１】
特定の実施形態では、前記基板支持体は、基板非損傷特性を有する。本明細書に記載される損傷とは、例えば、基板の縁部のつぶれ等の機械的損傷を指してもよい。
【００１２】
特定の実施形態では、前記基板非損傷特性は、前記３Ｄ基板と接触する非硬質表面（すなわち、軟質表面）を有する前記基板支持体によって提供される。特定の実施形態では、前記非損傷特性は、少なくとも部分的に分割された、または少なくとも部分的に囲い込まれたポケットによって実現される。特定の実施形態では、前記基板支持体は可撓性である。特定の実施形態では、前記基板支持体はウェブである。
【００１３】
特定の実施形態では、前記基板支持体は、吊り下げられた揺動体等の吊り下げ構造である。特定の実施形態では、前記吊り下げ構造は布地を含む。
【００１４】
特定の実施形態では、前記基板処理装置は、自己飽和表面反応によって前記基板の表面に材料を堆積するように構成される。特定の実施形態では、前記装置は原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）反応炉である。
【００１５】
本発明の第２の例示的態様によると、１つまたは複数の３Ｄ基板をコーティングする方法が提供される。この方法は、
反応室内において基板支持体上に少なくとも１つの３Ｄ基板を設けることと、
前記反応室に少なくとも１つのコーティング材を供給することと、
前記基板支持体の動きを生じさせることによって、基板処理中に、前記少なくとも１つの３Ｄ基板の向きを変えることと、
を含む。
【００１６】
特定の実施形態では、前記方法は、高感度基板の損傷を防ぐための高感度モードを提供することを含む。特定の実施形態では、前記高感度モードでは、前記基板支持体の穏やかな動き（すなわち、基板を壊すことはないが、その向きを変えるには十分な動き）を生じさせる。
【００１７】
特定の実施形態では、前記基板支持体は、基板非損傷特性を有する。
【００１８】
特定の実施形態では、前記方法は、前記基板支持体自体に内包される構造によって、前記基板支持体の動きを生じさせることを含む。
【００１９】
特定の実施形態では、前記基板支持体は、限定数の基板が互いに接触することを防ぐための複数の囲いを有する。特定の実施形態では、前記基板支持体は、１つの基板に対して１つ以上の囲いを有する。
【００２０】
特定の実施形態では、前記基板支持体は、基板（複数可）の向きを確実に変えるように少なくとも１つの回転点を中心に回転するウェブである。
【００２１】
ここまで、本発明を限定しない様々な例示的態様および実施形態を例示してきた。上記の実施形態および下記の実施形態は、本発明の実施に利用されうる選択された態様またはステップを説明するためにのみ使用される。対応する実施形態は他の例示的態様にも適用できることを理解されるべきである。これら実施形態は、任意かつ適切に組み合わされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
ここで添付の図面を参照して、単なる例として本発明を説明する。
【図１】図１は、特定の実施形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図２】図２は、特定の実施形態に係る別の基板処理装置を示す図である。
【図３】図３は、特定の実施形態に係る向きを変えた３Ｄ基板を示す図である。
【図４】図４は、特定の実施形態に係る基板（複数可）を支持する別の配置を示す図である。
【詳細説明】
【００２３】
以下の説明においては、原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）技術を例として用いる。ただし、本発明はＡＬＤ技術に限定されるものではなく、例えば、化学真空蒸着（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）反応炉や、原子層エッチング（Atomic Layer Etching：ＡＬＥ）反応炉等のエッチング反応炉といった、各種基板処理装置に利用可能である。
【００２４】
ＡＬＤの成長メカニズムの基礎は、当業者に知られている。ＡＬＤは、少なくとも１つの基板に対して、少なくとも２つの反応性前駆体種を順次導入することに基づく特殊な化学的堆積方法である。ただし、例えばフォトンエンハンストＡＬＤまたはプラズマアシストＡＬＤ（例えばプラズマエンハンスト原子層堆積（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition：ＰＥＡＬＤ））を使用する場合、これら反応性前駆体の内の１つをエネルギーに置き換え可能であり、これにより単一前駆体ＡＬＤプロセスをもたらすことを理解されたい。例えば、金属のような純元素の堆積の場合、前駆体は１つのみでよい。酸化物のような二成分化合物も、堆積する２材料のいずれの元素も含む前駆体化学物質であれば、その前駆体化学物質１つで生成可能である。ＡＬＤによって成長した薄膜は、緻密でピンホールがなく、均一な厚さを有する。
【００２５】
これにより、逐次的自己飽和表面反応によって基板表面に材料を堆積するために、少なくとも１つの基板が、典型的に、反応容器中で時間的に分離された前駆体パルスに曝露される。本出願の文脈では、ＡＬＤという用語は、全ての適用可能なＡＬＤによる技術と、そのあらゆる等価な、または関連性の高い技術を包含する。この例として、分子層堆積（Molecular Layer Deposition：ＭＬＤ）、プラズマアシストＡＬＤ（例えばＰＥＡＬＤ）、フォトンエンハンスト原子層堆積（光ＡＬＤまたはフラッシュエンハンストＡＬＤとも知られる）等のＡＬＤのサブタイプが挙げられる。プロセスは、ＡＬＥプロセス等のエッチングプロセスであってもよい。
【００２６】
基本的なＡＬＤ堆積サイクルとして、パルスＡ、パージＡ、パルスＢ、パージＢという４つのステップが順次実行される。パルスＡは、第１前駆体蒸気で構成され、パルスＢは別の前駆体蒸気で構成される。パージＡおよびパージＢ期間中に、ガス状の反応副産物と残留反応物分子とを反応空間からパージするために、不活性ガスと真空ポンプとが典型的に用いられる。１つの堆積シーケンスは、少なくとも１つの堆積サイクルを含む。堆積シーケンスによって所望の厚さの薄膜すなわちコーティングが生成されるまで、堆積サイクルが繰り返される。ただし、堆積サイクルはより簡潔なもの、またはより複雑なものにすることもできる。例えば、これらのサイクルは、パージ工程を間に挟んで、３つ以上の反応蒸気パルスを含んでもよいし、あるいは特定のパージ工程は省略可能である。一方、光エンハンストＡＬＤは、活性前駆体を１つのみにする等、様々な選択肢があり、パージについても多様な選択肢がある。これらの堆積サイクルの全てによって、論理演算装置またはマイクロプロセッサによって制御される時限式堆積シーケンスが形成される。
【００２７】
図１は、特定の実施形態に係る基板処理装置１００を示す。装置１００は、反応室１３０と、反応室１３０に対する少なくとも１つのコーティング材入口１２１とを備える。装置１００は、ポンプ（ガス排出用）へのフォアライン１２２をさらに備える。図１に示す実施形態では、コーティング材（すなわち、反応性化学物質）の入口１２１が反応室１３０の頂部に、フォアライン１２２が底部に位置し、これにより反応室１３０内のおおよその流れ方向は（下向きの）垂直である。
【００２８】
複数の３Ｄ基板１０１を支持または搬送する可動基板支持体１１０（例えば、トレイまたはキャリア）が、反応室１３０へと、例えば側面から搬入される。アクチュエータ１５０が、基板処理（例えばＡＬＤ堆積）の間、前記３Ｄ基板１０１の向きを変えるように基板支持体１１０を動かすよう構成される。アクチュエータ１５０は、基板支持体１１０に機械的に接触して、基板支持体１１０に対して動きを生じさせてもよい。これは、例えば、反応室１３０の外側から基板支持体１１０へと延びるアクチュエータロッドまたは導波管１５１によって実現されてもよい。基板支持体の動きは、図１に小矢印で示されているように略ｘ、ｙ、ｚ方向のいずれに沿ったものでも、これら全てに沿ったものであってもよい。
【００２９】
図２は、特定の実施形態に係る別の基板処理装置２００を示す。装置２００は、反応室２３０と、反応室２３０に対する少なくとも１つのコーティング材入口２２１とを備える。装置２００は、ポンプ（ガス排出用）へのフォアライン２２２をさらに備える。図２に示す実施形態では、コーティング材（すなわち、反応性化学物質）の入口２２１が反応室２３０の頂部に、フォアライン２２２が底部に位置し、これにより反応室２３０内のおおよその流れ方向は（下向きの）垂直である。
【００３０】
複数の３Ｄ基板（または１つの３Ｄ基板）１０１を支持または搬送する可動基板支持体２１０（例えば、ベルトまたはウェブ）が、第１側から入口スリットを通って反応室２３０に入り、反対側の出口スリットを通って反応室を出る。したがって、可動基板支持体２１０には並進運動が生じる。
【００３１】
基板支持体２１０に統合されていてもよいアクチュエータ２５０が、基板支持体２１０に対して追加的な動きを生じさせる。この追加的な動きは、例えば、基板支持体２１０の震える動き、または振動する動きであってもよい。アクチュエータ２５０は、基板支持体２１０に統合されていてもよく、反応室１３０内で基板支持体２１０に隣接して設けられてもよく（アクチュエータ２５０'参照）、または図１に示すアクチュエータ１５０のように反応室の部分的に外側に配置されてもよい。
【００３２】
アクチュエータは、（図２に示すアクチュエータ２５０'のように）基板支持体２１０に機械的に接触してもよく、またはアクチュエータは、（図２に示すアクチュエータ２５０のように）基板支持体２１０の内側から追加的な動きを生じさせてもよい。基板支持体の（追加的な）動きは、図２に小矢印で示されているように略ｘ、ｙ、ｚ方向のいずれに沿ったものでも、これら全てに沿ったものであってもよい。
【００３３】
図３は、特定の実施形態に係る向きを変えた３Ｄ基板を示す。上述のように、基板支持体１１０／２１０は、特定の実施形態ではある動き（実施形態によっては、追加の動き）が加えられる。この動きは、ＡＬＤ堆積等の実施されるプロセスステップが３Ｄ基板の各面に施されるように、処理中の３Ｄ基板の向きを変えることを目的とする。基板支持体１１０／２１０に接触する基板表面は例えば、３Ｄ基板のその他の（接触していない）表面領域ほど均一にコーティングされていない場合がある。向きを変えることにより（基板支持体に接触するのが３Ｄ基板の同じ部分ではないようにすることにより）、堆積の均一性が向上する。
【００３４】
図３の例示では、５つの３Ｄ基板Ａ〜Ｅが、支持体１１０／２１０を作動することによって発生する外部からの動きによって、上側の図の最初のステージから、下側の図の次のステージへと向きを変えている。
【００３５】
特定の実施形態では、装置１００／２００は、高感度基板の損傷を防ぐための高感度モードを含む。特定の実施形態では、高感度モードは、基板支持体１１０／２１０の穏やかな動きにより実施される。
【００３６】
特定の実施形態では、基板支持体１１０／２１０は、基板非損傷特性を有する。本明細書に記載される損傷とは、例えば、基板の縁部のつぶれ等の機械的損傷を指してもよい。
【００３７】
特定の実施形態では、基板非損傷特性は、３Ｄ基板１０１と接触する非硬質表面（すなわち、軟質表面）を有する基板支持体１１０／２１０によって実現される。特定の実施形態では、基板支持体１１０／２１０は可撓性である。特定の実施形態では、基板支持体は、上述のようにウェブまたはベルトである。特定の実施形態では、基板支持体は、布地等の繊維状の材料（複数可）からなる。特定の実施形態では、基板支持体は、シリコーンポリマー等のポリマーからなり、この場合、いずれのＡＬＤ反応によってもコーティングされない利点がある。別の実施形態では、基板支持体は、キャリアまたはトレイであってもよい。基板支持体は、縁部が立ち上がっていてもよい。特定の実施形態では、基板支持体は、メッシュ状である。特定の実施形態では、このメッシュは（複数本の直線ワイヤを用いた）金属製である。別の実施形態では、メッシュは（例えば、鎖帷子状のような）金属リングまたはセラミックリング製である。
【００３８】
特定の実施形態では、基板支持体は、限定数の基板が互いに接触することを防ぐための複数の囲いを有する。特定の実施形態では、基板支持体は、１つの基板に対して１つ以上の囲いを有する。
【００３９】
特定の実施形態では、基板支持体は、基板（複数可）の向きを確実に変えるように少なくとも１つの回転点を中心に回転するウェブである。
【００４０】
図４は、特定の実施形態に係る基板（複数可）を支持する別の配置を示す。基板支持体１１０／２１０は、少なくとも１つの循環要素によって動かされる、または循環される無端ベルトである。特定の実施形態では、基板支持体１１０／２１０は所望の形で振動される。外部または内蔵のアクチュエータを使用してもよい。基板支持体１１０／２１０の材料および特徴は、上述のものと同様であってもよい。
【００４１】
図４に示す実施形態では、（循環要素として）少なくとも２つの回転点４４１および４４２が設けられ、その内の少なくとも１つは回転しているか、機械的に動いている。これらの回転点は、基板支持体１１０／２１０を循環させる。この構成は反応室（反応室１３０、２３０、または同様のもの）内に収まっていてもよい。この構成による動きは、基板（複数可）が例えば基板支持体１１０／２２０によって支持されながら、要素４４１または４４２から下向きに回転する連続的な動きであってもよい。この構成による動きは、要素４４１および４４２によって促進される前後方向の動きであってもよい。この動きは、基板支持体１１０／２１０上にある３Ｄ基板１０１（１つの基板のみ図示されているが、１つではなく複数の３Ｄ基板であってもよい）の向きを変えようとするものである。これに代えて、またはこれに加えて、前記構成は、基板支持体１１０／２１０の他の動きまたは追加の動きを生じさせるアクチュエータを備える。これの作動は、他の実施形態と同様に実施されてもよい。このように、外部の、または内蔵されたアクチュエータによって、震える動き、振動する動き、または持ち上げる動きを生じさせうる。この追加のまたは他の動きは、短期間の非連続的な動きであってもよい（他の実施形態でも同様である）。
【００４２】
例えば、ＡＬＤは従来、コンフォーマル性があるが、ＰＥＡＬＤやＵＶ−ＡＬＤ（紫外線ＡＬＤ、または光ＡＬＤ）、さらにＨｆＯ２の使用やＣＶＤ等の「困難な」各種プロセスにおいては必ずしもそうではないことが確認されている。従来、３Ｄコーティングは、材料を過量に必要とする場合があり、一部の化学物質が頂部でＣＶＤモードにおいて既に成長し始める（付着等の低品質、低特性をもたらす）ことがある。特定の実施形態では、基板ホルダー（または支持体）がサンプルを動かし、これが接しうる任意の材料との接触によって陰になる領域やふさがれた領域を最小限にとどめる。これにより、材料の過量使用を回避する。
【００４３】
サンプルホルダー（基板支持体）は、震える、振動する、垂直に動かされる、または回転されるウェブであってもよい。
【００４４】
特定の実施形態では、機械的作動による動きが実施される。これは、例えば反応室壁／ポンプフォアラインによって生じてもよい。特定の実施形態では、無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）、磁気作動、ガス流の変化、熱変化（形状記憶合金効果）、または例えば人工的な筋力手段（例えば、エラストマ内のピエゾ等）によるウェブに対する作動が実施される。高感度の３Ｄ基板（複数可）を損傷しないように、基板のゆっくりとした、穏やかな動きで十分である。
【００４５】
特定の実施形態では、サンプルホルダー（基板支持体）は、低周波または機械的振動子（単一パルスから超音波振動を生成する振動子が適用されてもよい）に接続される。特定の実施形態では、装置は、ＰＯＣＡ（パウダーコーティングカートリッジ、ピコサンＯｙ（フィンランド、エスポー））アセンブリと、反応室とを備える。特定の実施形態では、基板支持体は、ソフトメッシュ状、ニット織物状、プラスティック材料、３Ｄ印刷された形状または薄膜を含む。特定の実施形態では、基板支持体は、周波数に応じて駆動される、キャップ付きの折り畳み式、または非折り畳み式の基板であってもよい。特定の実施形態では、基板支持体は、テフロン（登録商標）またはケイ素ポリマー等、その上でのＡＬＤ成長を促進しない材料からなる。特定の実施形態では、基板支持体は、堆積されたコーティング（すなわち薄膜）を損傷しない程度に軟質になるよう、その特性を変質させている。特定の実施形態では、基板支持体は、サンプル（複数可）（基板（複数可））を内部に保持するカップ型である。特定の実施形態では、基板支持体は、任意の機械的ツールによってサンプル（基板）を取り出すことなく、パッキングや搬送するために使用される。特定の実施形態では、基板支持体は、開いた、または閉じられたバッグ状である。特定の実施形態では、このバッグは、ガス入口および出口のための少なくとも１つの開口部、または２つ以上の開口部もしくは孔（入口（複数可）、出口）を有する閉鎖系（ガス不浸透性）を形成する。特定の実施形態では、入口／出口は、真空状態にある場合のみ（あるいは支配的な温度に応じて（形状記憶合金を含む））開くように調整される。したがって、周囲空気は基板に到達しない（例えば、閉鎖ベローズにより弁等を作動する）。
【００４６】
特定の実施形態では、方法は、入荷、搬入、コーティング、および出荷の工程が、基板に接触することなく実施される。
【００４７】
特定の実施形態では、取扱い対象、または処理対象の基板（複数可）は、医療用基板である。特定の実施形態では、基板は、医療用装置または電子装置（いずれも複数可）である。特定の実施形態では、基板はインプラント（複数可）である。特定の実施形態では、基板は、粉末や粒子状材料以外の基板である。
【００４８】
特許請求項の範囲や解釈はなんら限定されることなく、本明細書に開示された１つまたは複数の例示的実施形態の技術的効果を以下に挙げる。１つの技術的効果として、医療用ＡＬＤツールを実施可能とする。別の技術的効果として、基板の取扱いおよび製造を迅速化することが挙げられる。さらに別の技術的効果として、無菌状態を改善し、管理についての選択肢を増やすことが挙げられる。別の技術的効果は、３Ｄ部品の処理についての選択肢をより多く提供することである。
【００４９】
前述の説明では、本発明の特定の実施や実施形態の非制限的な例として、発明者らによって現在検討される本発明を実施するための最良の方法の完全かつ有益な説明を行った。ただし、当該技術分野の当業者であれば、本発明が上記実施形態の詳細に限定されず、別の実施形態では本発明の特徴から逸脱することなく均等の手段を用いて実施可能であることが理解されよう。
【００５０】
さらに、本発明の上記実施形態の特徴の一部は、これに対応して他の特徴を用いることなく、有利に利用されてもよい。よって、前述の説明は、本発明の原則を制限するものではなく、単に例示するものととらえるべきである。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図１】
2020164995.tif 000003
【図２】
2020164995.tif 000004
【図３】
2020164995.tif 000005
【図４】
2020164995.tif 000006
【外国語明細書】
2020164995000001.pdf