(57)【要約】【課題】素子チップを高い生産性で製造する。【解決手段】基板をダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を介して、保持シートに貼着する貼着工程と、基板を被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程と、レーザ光により保護膜に開口を形成して分割領域における基板を露出させるレーザグルービング工程と、基板を第１のプラズマに晒して開口から露出する基板をエッチングし、基板から複数の素子チップを形成するとともに開口からＤＡＦを露出させる第１エッチング工程と、基板を第２のプラズマに晒して開口から露出するＤＡＦをエッチングし、ＤＡＦを素子チップに対応するように分断する第２エッチング工程と、素子チップを分断されたＤＡＦとともに保持シートから取り外すピックアップ工程とを備え、ＤＡＦは基板よりも大きく、レーザグルービング工程は、基板からはみ出したＤＡＦにレーザ光を照射する第１照射ステップを含む、素子チップの製造方法。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子領域および前記素子領域を画定する分割領域を備えるとともに、第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面を有する基板を準備する準備工程と、
前記基板を、前記第２の面に対向するダイアタッチフィルムを介して、フレームに固定された保持シートに貼着する貼着工程と、
前記保持シートに貼着された前記基板の前記第１の面を被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記分割領域に対応する前記保護膜にレーザ光を照射することにより前記保護膜に開口を形成して、前記分割領域における前記基板を露出させるレーザグルービング工程と、
前記基板を第１のプラズマに晒して前記開口から露出する前記基板をエッチングし、前記基板から複数の素子チップを形成するとともに、前記開口から前記ダイアタッチフィルムを露出させる第１エッチング工程と、
前記基板を第２のプラズマに晒して前記開口から露出する前記ダイアタッチフィルムをエッチングし、前記ダイアタッチフィルムを前記素子チップに対応するように分断する第２エッチング工程と、
前記素子チップを、分断された前記ダイアタッチフィルムとともに前記保持シートから取り外すピックアップ工程と、を備え、
前記貼着工程において用いられる前記ダイアタッチフィルムは、前記基板よりも大きく、
前記レーザグルービング工程は、前記基板からはみ出した前記ダイアタッチフィルムに前記レーザ光を照射する第１照射ステップを含む、素子チップの製造方法。
【請求項２】
前記第１照射ステップにおいて、前記レーザ光は、前記基板からはみ出した前記ダイアタッチフィルム上の点を始点とし、前記分割領域における前記基板を経由し、前記基板からはみ出した前記ダイアタッチフィルム上の他の点を終点とする第１経路で照射される、請求項１に記載の素子チップの製造方法。
【請求項３】
前記レーザグルービング工程は、さらに、前記基板の端部上の点を始点とし、前記分割領域上を経由し、前記基板の前記端部上の他の点を終点とする第２経路で前記レーザ光を照射する第２照射ステップを含み、
前記第１経路の前記分割領域上の軌跡と前記第２経路の前記分割領域上の軌跡とは、一致する、請求項２に記載の素子チップの製造方法。
【請求項４】
前記第１経路を走査する前記レーザ光において、
前記基板からはみ出した前記ダイアタッチフィルムに照射される前記レーザ光のパワー密度は、前記分割領域における前記基板に照射される前記レーザ光のパワー密度よりも小さい、請求項２に記載の素子チップの製造方法。
【請求項５】
前記第１経路を走査する前記レーザ光の出力は一定であり、
前記第１経路を走査する前記レーザ光の焦点は、前記分割領域における前記基板の前記第１の面上にあり、前記基板からはみ出した前記ダイアタッチフィルム上にはない、請求項４に記載の素子チップの製造方法。
【請求項６】
前記ピックアップ工程では、前記保持シートを拡張することにより前記素子チップ同士の間隔を広げた後、前記素子チップが前記保持シートから取り外される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子チップの製造方法に関し、詳細には、ダイアタッチフィルムに貼着された基板を、プラズマエッチングにより個片化する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１枚の基板から、例えばフラッシュメモリ等の多段積層される複数の素子チップを作製する際、基板をダイアタッチフィルム（ダイボンディングフィルムと称される場合もある。）に貼り付けた状態で、個片化が行われる場合がある（特許文献１）。ダイアタッチフィルムは、粘着性を有し、ダイシングテープとボンディング材としての機能を併せ持っている。これにより、ハンドリング性およびピックアップ性が向上するとともに、得られる複数の素子チップには、それぞれボンディング材が付与される。
【０００３】
通常、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）に貼り付けられた基板の個片化では、まず、基板をダイシング（あるいはハーフカット）し、その後、クールエキスパンド法等によりＤＡＦを分断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１１４９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
クールエキスパンド法では、ダイシングテープを伸張し、素子チップ同士の間隔を広げる。これにより、基板に貼着していたＤＡＦが分断される。
【０００６】
ＤＡＦは、位置合わせの容易性や汎用性の観点から、基板よりも大きな面積を有している場合が多い。そのため、ＤＡＦの周縁部は通常、基板からはみ出している。この状態でダイシングテープを伸張させると、ＤＡＦはダイシングテープに追随できずに、周縁部においてダイシングテープから剥離して浮き上がってしまう。素子チップのピックアップを行うボンディング装置等はカメラを備えており、カメラで素子チップを撮像して、その位置を特定しながらピックアップを行う。ダイシングテープが浮き上がっていると、その浮き上がり部分を素子チップと誤認してしまい、ピックアップエラーが発生し易い。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面は、複数の素子領域および前記素子領域を画定する分割領域を備えるとともに、第１の面および前記第１の面とは反対側の第２の面を有する基板を準備する準備工程と、前記第２の面を、ダイアタッチフィルムを介して、フレームに固定された保持シートに貼着する貼着工程と、前記保持シートに貼着された前記基板の前記第１の面を被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記分割領域に対応する前記保護膜にレーザ光を照射することにより前記保護膜に開口を形成して、前記分割領域における前記基板を露出させるレーザグルービング工程と、前記基板を第１のプラズマに晒して前記開口から露出する前記基板をエッチングし、前記基板から複数の素子チップを形成するとともに、前記開口から前記ダイアタッチフィルムを露出させる第１エッチング工程と、前記基板を第２のプラズマに晒して前記開口から露出する前記ダイアタッチフィルムをエッチングし、前記ダイアタッチフィルムを前記素子チップに対応するように分断する第２エッチング工程と、前記素子チップを、分断された前記ダイアタッチフィルムとともに前記保持シートから取り外すピックアップ工程と、を備え、前記貼着工程において用いられる前記ダイアタッチフィルムは、前記基板よりも大きく、前記レーザグルービング工程は、前記基板からはみ出した前記ダイアタッチフィルムに前記レーザ光を照射する第１照射ステップを含む、素子チップの製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、素子チップを高い生産性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る基板を模式的に示す断面図である。
【図３】保持シートおよびフレームを概略的に示す上面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る貼着工程後の基板を模式的に示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態に係る保護膜形成工程後の基板を模式的に示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態に係る保護膜形成工程後の他の基板を模式的に示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態に係る保護膜形成工程後のさらに他の基板を模式的に示す断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係るレーザグルービング工程における第１の方法を、基板の模式的な断面図を用いて説明する説明図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態に係るレーザグルービング工程における第１の方法を、基板の模式的な上面図を用いて説明する説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係るレーザグルービング工程における第２の方法を、基板の模式的な断面図を用いて説明する説明図である。
【図８】本発明の実施形態に係るレーザグルービング工程後の基板を模式的に示す上面図である。
【図９】プラズマ処理装置の構造を断面で示す概念図である。
【図１０】本発明の一実施形態で使用されるプラズマ処理装置のブロック図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る第１エッチング工程で作製された素子チップを、模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る第２エッチング工程後の素子チップを、模式的に示す断面図である。
【図１３】保護膜が除去された素子チップを、模式的に示す断面図である。
【図１４】本発明の実施形態に係るピックアップ工程における素子チップを、模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本実施形態では、レーザグルービング工程において、保護膜とともに、基板からはみ出したＤＡＦにもレーザ光を照射する。これにより、ＤＡＦに切り込みが入る。そのため、ピックアップ時にダイシングテープを伸張させると、ＤＡＦはこの切り込みから分断されて、ダイシングテープからの浮き上がりが抑制される。
【００１１】
以下、本実施形態に係る製造方法について、適宜図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係る製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態に係る素子チップの製造方法は、複数の素子領域および前記素子領域を画定する分割領域を備えるとともに、第１の面および第１の面とは反対側の第２の面を有する基板を準備する準備工程（Ｓ１）と、基板を、第２の面に対向するダイアタッチフィルムを介して、フレームに固定された保持シートに貼着する貼着工程（Ｓ２）と、保持シートに貼着された基板の第１の面を被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ３）と、分割領域に対応する保護膜にレーザ光を照射することにより護膜に開口を形成して、分割領域における基板を露出させるレーザグルービング工程（Ｓ４）と、基板を第１のプラズマに晒して開口から露出する基板をエッチングし、基板から複数の素子チップを形成するとともに、開口からダイアタッチフィルムを露出させる第１エッチング工程（Ｓ５）と、基板を第２のプラズマに晒して開口から露出するダイアタッチフィルムをエッチングし、ダイアタッチフィルムを素子チップに対応するように分断する第２エッチング工程（Ｓ６）と、素子チップを、分断されたダイアタッチフィルムとともに保持シートから取り外すピックアップ工程（Ｓ７）と、を備える。貼着工程において用いられるダイアタッチフィルムは、基板よりも大きく、レーザグルービング工程は、基板からはみ出したダイアタッチフィルムにレーザ光を照射する第１照射ステップを含む。
【００１２】
（１）準備工程
まず、ダイシングの対象となる基板を準備する。
【００１３】
（基板）
基板は、第１の面および第２の面を備えるとともに、複数の素子領域と素子領域を画定する分割領域とを備える。また基板は、例えば、第１の面側に配置される配線層と、第２の面側に配置される半導体層とを備える。分割領域における基板を厚み方向にエッチングすることにより、素子チップが得られる。
【００１４】
基板の大きさは特に限定されず、例えば、最大径５０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下程度である。基板の形状も特に限定されず、例えば、円形、角型である。また、基板には、オリエンテーションフラット（オリフラ）、ノッチ等の切欠きが設けられていてもよい。
【００１５】
半導体層は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を含む。素子チップにおける半導体層の厚みは特に限定されず、例えば、２０μｍ以上、１０００μｍ以下であり、１００μｍ以上、３００μｍ以下であってもよい。
【００１６】
配線層は、例えば、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等を構成しており、絶縁膜、金属材料、樹脂層（例えば、ポリイミド）、レジスト層、電極パッド、バンプ等を備えてもよい。絶縁膜は、配線用の金属材料との積層体（多層配線層あるいは再配線層）として含まれてもよい。多層配線層および再配線層の厚みは特に限定されず、例えば、それぞれ１μｍ以上、１０μｍ以下である。
【００１７】
分割領域の形状は、直線に限られず、所望の素子チップの形状に応じて設定されればよく、ジグザグであってもよいし、波線であってもよい。なお、素子チップの形状としては、例えば、矩形、六角形等が挙げられる。
【００１８】
分割領域の幅は特に限定されず、基板や素子チップの大きさ等に応じて、適宜設定すればよい。分割領域の幅は、例えば、１０μｍ以上、３００μｍ以下である。複数の分割領域の幅は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。分割領域は、通常、複数本、基板に配置されている。隣接する分割領域同士のピッチも特に限定されず、基板や素子チップの大きさ等に応じて、適宜設定すればよい。
【００１９】
図２は、基板を模式的に示す断面図である。
基板１０は、第１の面１０Ｘおよび第２の面１０Ｙを備えるとともに、複数の素子領域１０１と素子領域１０１を画定する分割領域１０２とを備える。基板１０は、半導体層１１と、半導体層１１の第１の面１０Ｘ側に積層される配線層１２と、を備える。配線層１２は、例えば、素子領域１０１においては多層配線層１２０１と絶縁膜１２０２とバンプ１２０３とを備え、分割領域１０２においては多層配線層１２０１を備える。
【００２０】
（２）貼着工程
基板の第２の面を、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を介して、フレームに固定された保持シートに貼着する。
【００２１】
（フレーム）
フレームは、基板の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレームは、保持シートおよび基板を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。フレームの開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレームには、位置決めのためのノッチやコーナーカットが設けられていてもよい。フレームの材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。
以下、フレームと、フレームに固定された保持シートとを併せて、搬送キャリアと称する。
【００２２】
（保持シート）
保持シートの材質は特に限定されない。なかでも、基板が貼着され易い点で、保持シートは、粘着層と柔軟性のある非粘着層とを含むことが好ましい。
【００２３】
非粘着層の材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等の熱可塑性樹脂が挙げられる。樹脂フィルムには、伸縮性を付加するためのゴム成分（例えば、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）等）、可塑剤、軟化剤、酸化防止剤、導電性材料等の各種添加剤が配合されていてもよい。また、上記熱可塑性樹脂は、アクリル基等の光重合反応を示す官能基を有していてもよい。非粘着層の厚みは特に限定されず、例えば、５０μｍ以上、３００μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以上、１５０μｍ以下である。
【００２４】
粘着層を備える面（粘着面）の外周縁は、フレームの一方の面に貼着しており、フレームの開口を覆っている。粘着面のフレームの開口から露出した部分に、基板の一方の主面（第２の面）がダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を介して貼着されることにより、基板は保持シートに保持される。
【００２５】
粘着層は、紫外線（ＵＶ）の照射によって粘着力が減少する粘着成分からなることが好ましい。これにより、ピックアップ工程において、ＵＶ照射を行うことにより、素子チップが粘着層から容易に剥離されて、ピックアップし易くなる。例えば、粘着層は、非粘着層の片面に、ＵＶ硬化型アクリル粘着剤を５μｍ以上、１００μｍ以下（好ましくは５μｍ以上、１５μｍ以下）の厚みに塗布することにより得られる。
【００２６】
（ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ））
ＤＡＦは、例えば、樹脂と無機フィラーとを含む樹脂組成物により形成される。
樹脂としては、例えば、フェノール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、キシレノール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、レゾルシノール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂等の感光性を有するフェノール樹脂が挙げられる。
【００２７】
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリカ等が挙げられる。
【００２８】
ＤＡＦの厚みは特に限定されない。ＤＡＦの厚みは、取り扱い性等の観点から、１０μｍ以上、１００μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上、５０μｍ以下であってもよい。
【００２９】
ＤＡＦは、基板よりも大きく、例えば、フレームの開口よりも小さい。そのため、基板の第１の面の法線方向から見たとき、ＤＡＦは、例えば、基板の外縁を取り囲むように、基板からはみ出している。以下、ＤＡＦの基板からはみ出した領域を、はみ出し領域と称す。
【００３０】
図３は、搬送キャリアを模式的に示す上面図である。図４は、貼着工程後の基板を、模式的に示す断面図である。
【００３１】
搬送キャリア２０は、フレーム２１とフレーム２１に固定された保持シート２２とを備える。フレーム２１には、位置決めのためのノッチ２１ａやコーナーカット２１ｂが設けられている。粘着面２２Ｘの外周縁は、フレーム２１の一方の面に貼着し、粘着面２２Ｘのフレーム２１の開口から露出した部分に、基板１０の一方の主面が貼着される。プラズマ処理の際、保持シート２２は、プラズマ処理装置内に設置されるステージと、粘着面２２Ｘとは反対の非粘着面２２Ｙとが接するように、ステージに載置される。
【００３２】
基板１０は、ＤＡＦ３０を介して保持シート２２に貼着されている。ＤＡＦ３０は、基板１０よりも大きく、フレーム２１の開口よりも小さい。そのため、ＤＡＦ３０は、基板１０の外縁を取り囲むように基板１０からはみ出した、はみ出し領域３０ａを有する。
【００３３】
（３）保護膜形成工程
基板を被覆する保護膜を形成する。
【００３４】
保護膜は、基板の素子領域をプラズマ等から保護するために設けられる。
保護膜は、例えば、ポリイミド等の熱硬化性樹脂、フェノール樹脂等のフォトレジスト、あるいは、アクリル樹脂等の水溶性レジスト等の、いわゆるレジスト材料を含む。
【００３５】
保護膜は、例えば、レジスト材料をシート状に成型した後、このシートを第１の面に貼り付けるか、あるいは、レジスト材料の原料液を、回転塗布やスプレー塗布等の方法を用いて、第１の面に塗布することにより形成される。原料液の塗布量を変えなから塗布することにより、保護膜の厚みを部分的に変えることができる。回転塗布とスプレー塗布とを併用して、塗布量を調整してもよい。
【００３６】
保護膜の厚みは特に限定されないが、第１エッチング工程および第２エッチング工程におけるプラズマエッチングにより完全には除去されない程度であることが好ましい。保護膜の厚みは、例えば、第１エッチング工程および第２エッチング工程において保護膜がエッチングされる量（厚み）を算出し、このエッチング量以上になるように設定される。保護膜のエッチング量は、第１エッチング工程でエッチングされる半導体層の厚み、第１エッチング工程で用いられるプラズマエッチング条件におけるマスク選択比（半導体層と保護膜のエッチング速度との比）、第２エッチング工程でエッチングされるＤＡＦの厚み、および、第２エッチング工程で用いられるエッチング条件におけるマスク選択比（ＤＡＦと保護膜とのエッチング速度の比）に基づいて算出することができる。例えば、半導体層が厚み３０μｍのシリコンであり、ＤＡＦの厚みが２０μｍであり、第１エッチング工程におけるマスク選択比が５０〜２００であり、第２エッチング工程におけるマスク選択比が０．５以上、１．０以下である場合、保護膜の厚みは、２３μｍ以上、５０μｍ以下であればよい。
【００３７】
保護膜は、少なくとも基板の第１の面を覆っていればよい。保護膜は、基板からはみ出したＤＡＦのはみ出し領域の少なくとも一部を被覆していてもよい。また、保護膜は、ＤＡＦのはみ出し領域全体と、保持シートの一部とを被覆していてもよい。
【００３８】
図５Ａは、本実施形態に係る保護膜形成工程後の基板を模式的に示す断面図である。図５Ｂは、本実施形態に係る保護膜形成工程後の他の基板を模式的に示す断面図である。図５Ｃは、本実施形態に係る保護膜形成工程後のさらに他の基板を模式的に示す断面図である。図５Ａの保護膜４０は、基板１０の第１の面１０Ｘを覆っている。図５Ｂの保護膜４０は、第１の面１０Ｘとともに、ＤＡＦ３０のはみ出し領域３０ａの一部を被覆している。図５Ｃの保護膜４０は、ＤＡＦ３０のはみ出し領域３０ａ全体と、保持シート２２の一部とを被覆している。
【００３９】
（４）レーザグルービング工程
分割領域に対応する保護膜にレーザ光を照射することにより保護膜の一部を除去して、基板の一部を露出させる開口を形成する。このとき、保護膜とともに、分割領域における配線層も除去することが好ましい。
【００４０】
さらに本工程では、ＤＡＦのはみ出し領域にもレーザ光を照射する。これにより、ＤＡＦのはみ出し領域に切り込みが入る。本工程において形成される切り込みは、ＤＡＦの厚み全部を分断してもよいし、厚みの一部を分離するハーフカットであってもよい。
【００４１】
はみ出し領域に照射されるレーザ光は、連続して、分割領域における基板にも照射されることが好ましい。つまり、はみ出し領域に向けて照射されるレーザ光を、基板上を経由させて、はみ出し領域の他の点にまで到達させることが好ましい。これにより、はみ出し領域に生じた切り込みと、基板に形成された開口とが同一線で繋がる。そのため、クールエキスパンド法によりピックアップ工程が行われる場合、基板の分割方向とＤＡＦの分断方向とが同じになって、ＤＡＦがより分断され易くなる。
【００４２】
ただし、本工程において、保持シートにレーザ光によるダメージを与えないようにすることが好ましい。特に、保持シートにその厚みを分断するような亀裂が生じていると、後のプラズマエッチングの際に冷却不足や異常放電が起こる等の不具合が生じる場合がある。この場合、所望のエッチングが実行できなくなったり、プラズマ処理装置が損傷したりする。そのため、本工程では、分割領域における保護膜とはみ出し領域におけるＤＡＦの少なくとも一部とが除去される一方で、はみ出し領域に対応する保持シートが除去されない条件で、レーザ光が照射されることが好ましい。
【００４３】
上記の観点から、レーザ光の照射開始点（始点）および照射終了点（終点）は、保持シート上にないことが好ましい。例えば、レーザグルービング工程は、はみ出し領域上の一点が始点であり、分割領域における基板を経由し、はみ出し領域上の他の点（例えば、始点とＤＡＦの中心に対して点対称な点）が終点である第１経路でレーザ光を照射する、第１照射ステップを含むことが好ましい。レーザ光の始点および終点は、それぞれＤＡＦの端部であってもよいし、端部から１〜５μｍ程度内側の点であってもよい。
【００４４】
ＤＡＦの端部は、例えば、カメラで撮像することにより確認することができる。レーザ加工機は、例えば、ＤＡＦの端部でレーザ照射を停止するように、例えばレーザパルス出力を制御するゲート信号を制御する。
【００４５】
上記のように、保持シートのダメージを抑制する方法として、例えば以下の方法が挙げられる。
（第１の方法）
第１の方法は、ＤＡＦのはみ出し領域および基板に連続的にレーザ光（第１レーザ光）を照射する第１照射ステップに加えて、基板のみにレーザ光（第２レーザ光）を照射する第２照射ステップを実行する方法である。これにより、基板上にある保護膜（さらには配線層）を確実に除去しつつ、保持シートのレーザ光照射によるダメージを抑制することができる。
【００４６】
第１照射ステップにおいて、第１レーザ光は、はみ出し領域上の一点を始点とし、分割領域における基板を経由し、はみ出し領域上の他の点を終点とする第１経路で照射される。
第２照射ステップにおいて、第２レーザ光は、基板の端部上の点を始点とし、分割領域上を経由し、基板の端部上の他の点（例えば、始点と基板の中心に対して点対称な点）を終点とする第２経路で照射される。このとき、第１照射ステップにおける第１経路の分割領域上の軌跡と、第２照射ステップにおける第２経路の分割領域上の軌跡と、を一致させることにより、レーザ光照射の効率が向上し、生産性がさらに高まる。
【００４７】
第１照射ステップで用いられる第１レーザ光は、例えば、少なくとも保護膜がアブレーションする条件で照射される。通常、無機フィラーを含むＤＡＦのアブレーションには、保護膜のアブレーションよりも高い照射エネルギーが必要である。そのため、第１レーザ光を、保護膜が厚み方向に全部アブレーションする一方で、ＤＡＦが厚み方向に一部アブレーションする条件で照射することができる。第１レーザ光の第１経路への照射は、１回以上（Ｎ１≧１）行われ、２回以上（Ｎ１≧２）行われてもよい。Ｎ１≧２の場合、第１レーザ光の照射は、同じ条件で行われてもよいし、条件を変えて行われてもよい。レーザ光の照射回数とは、ある経路に沿って走査させるレーザ光の走査回数のことであり、パルス数を意味するものではない。
【００４８】
第２照射ステップで用いられる第２レーザ光は、例えば、配線層がアブレーションする条件で照射される。通常、ＤＡＦは、配線層より低い照射エネルギーによりアブレーションされる。しかし、第２レーザ光ははみ出し領域におけるＤＡＦには照射されないため、第２レーザ光によるＤＡＦの下方にある保持シートへのダメージは考慮しなくてよい。第２レーザ光の第２経路への照射は、１回以上（Ｎ２≧１）行われ、２回以上（Ｎ２≧２）行われてもよい。Ｎ２≧２の場合、第２レーザ光の照射は、同じ条件で行われてもよいし、条件を変えて行われてもよい。
【００４９】
第１照射ステップおよび第２照射ステップを行う順序は特に限定されない。第１照射ステップの後、第２照射ステップを行ってもよいし、第２照射ステップの後、第１照射ステップを行ってもよい。あるいは、第１照射ステップと第２照射ステップとを交互に行ってもよいし、いずれか一方の照射ステップを複数回行う間に、他方の照射ステップを行ってもよい。
【００５０】
図６Ａは、本実施形態に係るレーザグルービング工程における第１の方法を、基板の模式的な断面図を用いて説明する説明図である。図６Ｂは、本実施形態に係るレーザグルービング工程における第１の方法を、基板の模式的な上面図を用いて説明する説明図である。図６Ｂは、基板を第１の面側から見たときの上面図であり、便宜的に、保護膜４０にハッチングを付している。図６Ａ、図６Ｂ、図7および図８では、保護膜が、第１の面とともにＤＡＦのはみ出し領域の一部を被覆している場合（図５Ｂ参照）を例示しているが、保護膜の配置はこれに限定されない。
【００５１】
第１レーザ光Ｌ１は、ＤＡＦ３０のはみ出し領域３０ａの一方の端部を始点とし、分割領域における基板１０を経由し、ＤＡＦ３０のはみ出し領域３０ａの他方の端部を終点とする第１経路Ｐ１で照射される。第２レーザ光Ｌ２は、基板１０の一方の端部を始点とし、分割領域上を経由し、基板１０の他方の端部を終点とする第２経路Ｐ２で照射される。第１照射ステップにおける第１経路Ｐ１の分割領域上の軌跡と、第２照射ステップにおける第２経路Ｐ２の分割領域上の軌跡とは、一致している。
【００５２】
（第２の方法）
第２の方法は、ＤＡＦのはみ出し領域および基板に連続的にレーザ光（第３レーザ光）を照射しながら、基板に照射される第３レーザ光のパワー密度と、ＤＡＦのはみ出し領域に照射される第３レーザ光のパワー密度とを変える方法である。具体的には、第１経路を走査する第３レーザ光において、ＤＡＦのはみ出し領域に照射される第３レーザ光のパワー密度を、分割領域における基板に照射される第３レーザ光のパワー密度より小さくする。これにより、基板上にある保護膜（さらには配線層）を確実に除去しつつ、保持シートへのレーザ光照射を抑制することができる。パワー密度は、単位面積あたりの光強度を意味し、単位は例えばＷ／ｃｍ２である。
【００５３】
はみ出し領域に照射される第３レーザ光のパワー密度を小さくするには、例えば、はみ出し領域に照射される第３レーザ光の出力を小さくすればよい。あるいは、第３レーザ光の出力を一定にして、第３レーザ光の焦点を、分割領域に対応する保護膜の表面あるいは分割領域における基板の除去対象層（例えば、配線層）の表面に合わせればよい。レーザ光の照射ヘッドからＤＡＦのはみ出し領域の表面までの距離は、通常、基板の除去対象層の表面までの距離よりも長い。例えば、保護膜および基板の配線層を除去する場合、レーザ光の照射ヘッドからＤＡＦのはみ出し領域の表面までの距離は、基板の除去対象層の表面までの距離より基板全体の厚み分、長くなる。そのため、第３レーザ光を一定の出力で照射すると、はみ出し領域の表面において、第３レーザ光はデフォーカス状態となってパワー密度が小さくなる。これにより、ＤＡＦのはみ出し領域の少なくとも一部が除去される一方で、保持シートへのダメージが抑制される。第３レーザ光の焦点は、除去対象層（例えば、配線層）の第１の面側の表面に合わせればよい。
【００５４】
第３レーザ光は、例えば、少なくとも保護膜がアブレーションする条件で照射される。この場合にも、第３レーザ光は、はみ出し領域へデフォーカス状態で照射されるため、保持シートの損傷は抑制される。第３レーザ光の第１経路への照射は、１回以上（Ｎ３≧１）行われ、２回以上（Ｎ３≧２）行われてもよい。Ｎ３≧２の場合、第３レーザ光の照射は、同じ条件で行われてもよいし、条件を変えて行われてもよい。
【００５５】
図７は、本実施形態に係るレーザグルービング工程における第２の方法を、基板の模式的な断面図を用いて説明する説明図である。
第３レーザ光Ｌ３の焦点は、分割領域における基板の配線層（多層配線層１２０１）の第１の面１０Ｘ側の表面に合っている。つまり、第３レーザ光Ｌ３のフォーカス面Ｆは、多層配線層１２０１の第１の面１０Ｘ側の表面である。そのため、はみ出し領域３０ａの表面において、第３レーザ光はデフォーカス状態であり、はみ出し領域３０ａに照射される第３レーザ光Ｌ３のパワー密度は、分割領域における多層配線層１２０１に照射される第３レーザ光Ｌ３のパワー密度より小さい。これにより、多層配線層１２０１およびはみ出し領域３０ａの少なくとも一部が除去される一方で、保持シート２２へのダメージが抑制される。
【００５６】
（その他の方法）
その他の保持シートのダメージを抑制する方法としては、例えば、はみ出し領域上を移動する照射ヘッドの速度を大きくする方法、はみ出し領域に照射される発振周波数を少なくする方法等が挙げられる。
【００５７】
図８は、本実施形態に係るレーザグルービング工程後の基板を模式的に示す上面図である。分割領域１０２における保護膜４０および配線層（多層配線層１２０１）が除去されて、開口Ｓが形成されている。
【００５８】
レーザスクライビングに使用されるレーザ光の周波数は特に限定されないが、例えば、１ｋＨｚ以上、２００ｋＨｚ以下であり、高周波になるほど高速加工が可能となる。レーザ光のレーザ発振機構は特に限定されず、レーザ発振の媒体として半導体を用いる半導体レーザ、媒体として炭酸ガス（ＣＯ２）等の気体を用いる気体レーザ、ＹＡＧ等を用いる固体レーザ、および、ファイバレーザ等が挙げられる。レーザ発振器も特に限定されないが、基板に与える熱影響が小さい点で、パルスレーザ光を発振するパルスレーザ発振器であってよい。レーザ光のパルス幅は特に限定されないが、熱影響がより小さくなる点で、５００ナノ秒以下であることが好ましく、２００ナノ秒以下であることがより好ましい。
【００５９】
各レーザ光のプロファイルは特に限定されない。レーザ光の幅方向プロファイルは、ガウシアン分布を有していてもよいし、トップハット分布を有していてもよい。ガウシアン分布とは正規分布である。トップハット分布は、分割領域の幅方向全体にわたって強度が同程度であり、端部（強度が急激に低くなり始めるショルダー部分）の強度は、中心強度と大きく変わらず、例えば中心強度の９０％以上、９８％以下である。
【００６０】
（５）第１エッチング工程
基板を第１のプラズマに晒して、開口から露出する基板をエッチングする。これにより、基板から複数の素子チップが形成されるとともに、開口からＤＡＦが露出する。
【００６１】
まず、図９を参照しながら、第１エッチング工程および第２エッチング工程のプラズマエッチングに使用されるプラズマ処理装置１００を具体的に説明する。プラズマ処理装置は、これに限定されるものではない。図９は、プラズマ処理装置１００の構造を概略的に示す断面図であり、便宜的に保護膜４０を省略している。
【００６２】
（プラズマ処理装置）
プラズマ処理装置１００は、ステージ１１１を備えている。搬送キャリア２０は、保持シート２２の基板１０を保持している面が上方を向くように、ステージ１１１に搭載される。ステージ１１１は、搬送キャリア２０の全体を載置できる程度の大きさを備える。ステージ１１１の上方には、フレーム２１を覆う本体部１２４Ｂと、基板１０の少なくとも一部を露出させるための窓部１２４Ｗとを有するカバー１２４が配置されている。カバー１２４には、フレーム２１がステージ１１１に載置されている状態のとき、フレーム２１を押圧するための押さえ部材１０７が配置されている。押さえ部材１０７は、フレーム２１と点接触できる部材（例えば、コイルバネや弾力性を有する樹脂）であることが好ましい。これにより、フレーム２１およびカバー１２４の熱が互いに影響し合うことを抑制しながら、フレーム２１の歪みを矯正することができる。
【００６３】
ステージ１１１およびカバー１２４は、真空チャンバ１０３内に配置されている。真空チャンバ１０３は、上部が開口した概ね円筒状であり、上部開口は蓋体である誘電体部材１０８により閉鎖されている。真空チャンバ１０３を構成する材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、表面をアルマイト加工したアルミニウム等が例示できる。誘電体部材１０８を構成する材料としては、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、石英（ＳｉＯ2）等の誘電体材料が例示できる。誘電体部材１０８の上方には、上部電極としての第１の電極１０９が配置されている。第１の電極１０９は、第１の高周波電源１１０Ａと電気的に接続されている。ステージ１１１は、真空チャンバ１０３内の底部側に配置される。
【００６４】
真空チャンバ１０３には、ガス導入口１０３ａが接続されている。ガス導入口１０３ａには、プラズマ発生用ガス（プロセスガス）の供給源であるプロセスガス源１１２およびアッシングガス源１１３が、それぞれ配管によって接続されている。また、真空チャンバ１０３には、排気口１０３ｂが設けられており、排気口１０３ｂには、真空チャンバ１０３内のガスを排気して減圧するための真空ポンプを含む減圧機構１１４が接続されている。真空チャンバ１０３内にプロセスガスが供給された状態で、第１の電極１０９に第１の高周波電源１１０Ａから高周波電力が供給されることにより、真空チャンバ１０３内にプラズマが発生する。
【００６５】
ステージ１１１は、それぞれ略円形の電極層１１５と、金属層１１６と、電極層１１５および金属層１１６を支持する基台１１７と、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７を取り囲む外周部１１８とを備える。外周部１１８は導電性および耐エッチング性を有する金属により構成されており、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７をプラズマから保護する。外周部１１８の上面には、円環状の外周リング１２９が配置されている。外周リング１２９は、外周部１１８の上面をプラズマから保護する役割をもつ。電極層１１５および外周リング１２９は、例えば、上記の誘電体材料により構成される。
【００６６】
電極層１１５の内部には、静電吸着（Electrostatic Chuck）用電極（以下、ＥＳＣ電極１１９と称す。）と、第２の高周波電源１１０Ｂに電気的に接続された第２の電極１２０とが配置されている。ＥＳＣ電極１１９には、直流電源１２６が電気的に接続されている。静電吸着機構は、ＥＳＣ電極１１９および直流電源１２６により構成されている。静電吸着機構によって、保持シート２２はステージ１１１に押し付けられて固定される。以下、保持シート２２をステージ１１１に固定する固定機構として、静電吸着機構を備える場合を例に挙げて説明するが、これに限定されない。保持シート２２のステージ１１１への固定は、図示しないクランプによって行われてもよい。
【００６７】
金属層１１６は、例えば、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により構成される。金属層１１６内には、冷媒流路１２７が形成されている。冷媒流路１２７は、ステージ１１１を冷却する。ステージ１１１が冷却されることにより、ステージ１１１に搭載された保持シート２２が冷却されるとともに、ステージ１１１にその一部が接触しているカバー１２４も冷却される。これにより、基板１０や保持シート２２が、プラズマ処理中に加熱されることによって損傷されることが抑制される。冷媒流路１２７内の冷媒は、冷媒循環装置１２５により循環される。
【００６８】
ステージ１１１の外周付近には、ステージ１１１を貫通する複数の支持部１２２が配置されている。支持部１２２は、搬送キャリア２０のフレーム２１を支持する。支持部１２２は、昇降機構１２３Ａにより昇降駆動される。搬送キャリア２０が真空チャンバ１０３内に搬送されると、所定の位置まで上昇した支持部１２２に受け渡される。支持部１２２の上端面がステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア２０は、ステージ１１１の所定の位置に載置される。
【００６９】
カバー１２４の端部には、複数の昇降ロッド１２１が連結しており、カバー１２４を昇降可能にしている。昇降ロッド１２１は、昇降機構１２３Ｂにより昇降駆動される。昇降機構１２３Ｂによるカバー１２４の昇降の動作は、昇降機構１２３Ａとは独立して行うことができる。
【００７０】
制御装置１２８は、第１の高周波電源１１０Ａ、第２の高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、アッシングガス源１１３、減圧機構１１４、冷媒循環装置１２５、第１の昇降機構１２３Ａ、第２の昇降機構１２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置１００を構成する要素の動作を制御する。図１０は、本実施形態で使用されるプラズマ処理装置のブロック図である。
【００７１】
基板１０のエッチングは、基板１０およびＤＡＦ３０が保持された搬送キャリア２０を真空チャンバ内に搬入し、基板１０がステージ１１１に載置された状態で行われる。
基板１０の搬入の際、真空チャンバ１０３内では、昇降ロッド１２１の駆動により、カバー１２４が所定の位置まで上昇している。図示しないゲートバルブが開いて搬送キャリア２０が搬入される。複数の支持部１２２は、上昇した状態で待機している。搬送キャリア２０がステージ１１１上方の所定の位置に到達すると、支持部１２２に搬送キャリア２０が受け渡される。搬送キャリア２０は、保持シート２２の粘着層２２ａが上方を向くように、支持部１２２の上端面に受け渡される。
【００７２】
搬送キャリア２０が支持部１２２に受け渡されると、真空チャンバ１０３は密閉状態に置かれる。次に、支持部１２２が降下を開始する。支持部１２２の上端面が、ステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア２０は、ステージ１１１に載置される。続いて、昇降ロッド１２１が駆動する。昇降ロッド１２１は、カバー１２４を所定の位置にまで降下させる。このとき、カバー１２４に配置された押さえ部材１０７がフレーム２１に点接触できるように、カバー１２４とステージ１１１との距離は調節されている。これにより、フレーム２１が押さえ部材１０７によって押圧されるとともに、フレーム２１が本体部１２４Ｂによって覆われ、基板１０はカバー１２４の窓部１２４Ｗから露出する。
【００７３】
カバー１２４の本体部１２４Ｂは、例えば、略円形の外形輪郭を有したドーナツ形であり、一定の幅および薄い厚みを備えている。本体部１２４Ｂの内径（窓部１２４Ｗの直径）はフレーム２１の内径よりも小さく、本体部１２４Ｂの外径はフレーム２１の外径よりも大きい。したがって、搬送キャリア２０をステージの所定の位置に搭載し、カバー１２４を降下させると、本体部１２４Ｂは、フレーム２１を覆うことができる。窓部１２４Ｗからは、基板１０の少なくとも一部が露出する。一方、ＤＡＦ３０はほとんど露出しない。そのため、各エッチング工程において、分断のきっかけになり得る切り込み等は、ＤＡＦ３０のはみ出し領域３０ａに形成され難い。
【００７４】
カバー１２４の本体部１２４Ｂは、例えば、セラミックス（例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなど）や石英などの誘電体や、アルミニウムあるいは表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの金属で構成される。押さえ部材１０７は、上記の誘電体や金属の他、樹脂材料で構成され得る。
【００７５】
搬送キャリア２０が支持部１２２に受け渡された後、直流電源１２６からＥＳＣ電極１１９に電圧を印加する。これにより、保持シート２２がステージ１１１に接触すると同時にステージ１１１に静電吸着される。なお、ＥＳＣ電極１１９への電圧の印加は、保持シート２２がステージ１１１に載置された後（接触した後）に、開始されてもよい。
【００７６】
エッチングが終了すると、真空チャンバ１０３内のガスが排出され、ゲートバルブが開く。複数の素子チップ２００を保持する搬送キャリア２０は、ゲートバルブから進入した搬送機構によって、プラズマ処理装置１００から搬出される。搬送キャリア２０が搬出されると、ゲートバルブは速やかに閉じられる。搬送キャリア２０の搬出プロセスは、上記のような搬送キャリア２０をステージ１１１に搭載する手順とは逆の手順で行われてもよい。すなわち、カバー１２４を所定の位置にまで上昇させた後、ＥＳＣ電極１１９への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア２０のステージ１１１への吸着を解除し、支持部１２２を上昇させる。支持部１２２が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア２０は搬出される。
【００７７】
第１エッチング工程では、基板を第１のプラズマに晒して、開口から露出する分割領域をエッチングして、ＤＡＦを露出させる。第１のプラズマの発生条件は、エッチングされる半導体層の材質などに応じて設定される。
【００７８】
半導体層をエッチングする第１のプラズマの発生条件は、半導体層の材質などに応じて設定される。
半導体層がＳｉを含む場合、半導体層は、例えば、ボッシュプロセスによりプラズマエッチングされる。ボッシュプロセスでは、堆積ステップと、堆積膜エッチングステップと、Ｓｉエッチングステップとを順次繰り返すことにより、半導体層を深さ方向に掘り進む。
【００７９】
堆積ステップは、例えば、プロセスガスとしてＣ４Ｆ８を１５０ｓｃｃｍ以上、２５０ｓｃｃｍ以下で供給しながら、真空チャンバ内の圧力を１５Ｐａ以上、２５Ｐａ以下に調整し、第１の高周波電源から第１の電極への投入電力を１５００Ｗ以上、２５００Ｗ以下として、第２の高周波電源から第２の電極への投入電力を０Ｗ以上、５０Ｗ以下として、２秒以上、１５秒以下、処理する条件で行われる。
【００８０】
堆積膜エッチングステップは、例えば、プロセスガスとしてＳＦ６を２００ｓｃｃｍ以上、４００ｓｃｃｍ以下で供給しながら、真空チャンバ内の圧力を５Ｐａ以上、１５Ｐａ以下に調整し、第１の高周波電源から第１の電極への投入電力を１５００Ｗ以上、２５００Ｗ以下として、第２の高周波電源から第２の電極への投入電力を３００Ｗ以上、１０００Ｗ以下として、２秒以上、１０秒以下、処理する条件で行われる。
【００８１】
Ｓｉエッチングステップは、例えば、プロセスガスとしてＳＦ６を２００ｓｃｃｍ以上、４００ｓｃｃｍ以下で供給しながら、真空チャンバ内の圧力を５Ｐａ以上、１５Ｐａ以下に調整し、第１の高周波電源から第１の電極への投入電力を１５００Ｗ以上、２５００Ｗ以下として、第２の高周波電源から第２の電極への投入電力を５０Ｗ以上、５００Ｗ以下として、１０秒以上、２０秒以下、処理する条件で行われる。
【００８２】
上記のような条件で、堆積ステップ、堆積膜エッチングステップ、および、Ｓｉエッチングステップを繰り返すことにより、Ｓｉを含む半導体層は、１０μｍ／分以上、２０μｍ／分以下の速度で深さ方向に垂直にエッチングされ得る。
【００８３】
図１１は、本実施形態に係る第１エッチング工程で作製された素子チップを、模式的に示す断面図である。基板の分割領域がエッチングされて、基板から複数の素子チップ２００が形成されるとともに、開口ＳからＤＡＦ３０が露出している。
【００８４】
（６）第２エッチング工程
基板を第２のプラズマに晒して、開口から露出するＤＡＦをエッチングし、ＤＡＦを素子チップに対応するように分断する。第２エッチング工程により、複数の素子チップが、素子チップ毎に分断されたＤＡＦを介して保持シートに保持された状態で得られる。
【００８５】
第２のプラズマの発生条件は、エッチングされるＤＡＦの材質に応じて設定される。ＤＡＦが、樹脂と無機フィラーとを含む樹脂組成物により形成される場合、第２のプラズマは、酸素およびフッ素を含むプロセスガスを用いて発生させることが好ましい。酸素を含むガスから発生する酸素ラジカルは、樹脂等の有機材料との反応性が高い。フッ素を含むガスから発生するフッ素ラジカルは、無機フィラーとの反応性が高い。そのため、酸素およびフッ素を含むプロセスガスを用いると、無機フィラーを含むＤＡＦを効率的にエッチングすることができるとともに、無機フィラーの飛散が抑制され易くなる。酸素およびフッ素を含むプロセスガスとしては、例えば、酸素ガス（Ｏ２）と、フッ素含有ガス（ＳＦ６、ＣＦ４）との混合ガスが挙げられる。上記混合ガスにおけるフッ素含有ガスの流量比は、例えば５％以上である。
【００８６】
第２のプラズマのその他の発生条件として、例えば、真空チャンバ内の圧力を５Ｐａ以上、１０Ｐａ以下にすることが好ましい。さらに、第２の電極に５００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の高周波電力を投入して、ステージに高いバイアス電圧をかけることが好ましい。ただし、バイアス電圧が高くなると、ステージ上のＤＡＦの温度が高くなり易い。そこで、ステージを例えば１５℃以下に冷却して、第２エッチング工程中のＤＡＦの温度を、５０℃以下に維持することが好ましい。
【００８７】
第２エッチング工程は、具体的には以下の条件で行われ得る。酸素ガス（流量３５０ｓｃｃｍ）とＳＦ６（流量５０ｓｃｃｍ）との混合ガスを、プロセスガスとして真空チャンバ内に供給しながら、真空チャンバ内の圧力を５Ｐａ以上、１０Ｐａ以下に維持する。第１の電極に３０００Ｗ以上、５０００Ｗ以下の高周波電力を投入するとともに、ステージに５００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の高周波電力を投入する。これにより、１．５μｍ／分以上、４μｍ／分以下程度のエッチング速度で、ＤＡＦがエッチングされる。
【００８８】
図１２は、本実施形態に係る第２エッチング工程後の素子チップを、模式的に示す断面図である。ＤＡＦ３０は、素子チップ２００に対応するように分断されている。
【００８９】
ＤＡＦがエッチングされた後、搬送キャリアを搬出する前に、アッシングを行ってもよい。これにより、基板の表面を覆う保護膜が除去される。図１３は、保護膜が除去された素子チップを、模式的に示す断面図である。
【００９０】
アッシングは、例えば、アッシングガスとしてＣＦ４とＯ２との混合ガス（流量比ＣＦ４：Ｏ２＝１：１０）を１５０ｓｃｃｍ以上、３００ｓｃｃｍ以下で供給しながら、真空チャンバ内の圧力を５Ｐａ以上、１５Ｐａ以下に調整し、第１の高周波電源から第１の電極への印加電力を１５００Ｗ以上、５０００Ｗ以下として、第２の高周波電源から第２の電極への印加電力を０Ｗ以上、３００Ｗ以下とする条件により行われる。なお、アッシング工程における第２の電極への印加電力は、第１エッチング工程における第２の電極への印加電力よりも小さくなるように設定することが望ましい。
【００９１】
なお、保護膜が水溶性である場合、アッシングに替えて、水洗により保護膜を除去してもよい。
【００９２】
（７）ピックアップ工程
素子チップを、分断されたＤＡＦとともに保持シートから取り外す。
ピックアップ工程では、例えば、保持シートを拡張することにより素子チップ同士の間隔を広げた後、保持シートの非粘着面側から、保持テープをＤＡＦとともに突き上げピンで突き上げる。これにより、素子チップの少なくとも一部は、保持シートから浮き上がる。その後、素子チップは保持シートから取り外される。
【００９３】
保持シートの拡張は、例えば、保持シートの非粘着面側に治具を押し当てながら、治具を上方（粘着面側）に移動させるか、搬送キャリアを非粘着面側に移動させることにより行われる。このとき、はみ出し領域において、ＤＡＦはレーザグルービング工程で形成された切り込みに沿うように分断される。そのため、保持シートからはみ出し領域が浮き上がることが抑制される。
【００９４】
図１４は、本実施形態に係るピックアップ工程における素子チップを、模式的に示す断面図である。保持シート２２が拡張されて、ＤＡＦ３０は、はみ出し領域３０ａにおいてレーザグルービング工程で形成された切り込みに沿うように分断されている。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明の製造方法は、ダイアタッチフィルムに貼着された基板から、プラズマエッチングにより素子チップを製造する方法として有用である。
【符号の説明】
【００９６】
１０：基板
１０Ｘ：第１の面
１０Ｙ：第２の面
１１：半導体層
１２：配線層
１２０１：多層配線層
１２０２：絶縁膜
１２０３：バンプ
２０：搬送キャリア
２１：フレーム
２１ａ：ノッチ
２１ｂ：コーナーカット
２２：保持シート
２２Ｘ：粘着面
２２Ｙ：非粘着面
３０：ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）
３０ａ：はみ出し領域
４０：保護膜
１００：プラズマ処理装置
１０３：真空チャンバ
１０３ａ：ガス導入口
１０３ｂ：排気口
１０８：誘電体部材
１０９：第１の電極
１１０Ａ：第１の高周波電源
１１０Ｂ：第２の高周波電源
１１１：ステージ
１１２：プロセスガス源
１１３：アッシングガス源
１１４：減圧機構
１１５：電極層
１１６：金属層
１１７：基台
１１８：外周部
１１９：ＥＳＣ電極
１２０：第２の電極
１２１：昇降ロッド
１２２：支持部
１２３Ａ、１２３Ｂ：昇降機構
１２４：カバー
１２４Ｂ：本体部
１２４Ｗ：窓部
１２５：冷媒循環装置
１２６：直流電源
１２７：冷媒流路
１２８：制御装置
１２９：外周リング
２００：素子チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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