(57)【要約】      （修正有）【課題】電子伝導および正孔伝導基の特定の配列を有する環状化合物、その電子素子での使用とその製造法の提供。【解決手段】一般式（１６ａ）である化合物。2020015727.tif 000143２個のＧ１およびＧ２基の一方は、電子不足複素環式芳香族基の群から選ばれる有機電子輸送基（ＥＴＧ）であり、ＥＴＧは、ピリミジン、1,2,4-トリアジンもしくは1,3,5-トリアジン誘導体であり、他方は、正孔を伝導する電子リッチ有機基（ＬＴＧ）であり、ＬＴＧは、アリールアミン、トリアリールアミン、カルバゾール、ビスカルバゾール、インデノカルバゾールとインドロカルバゾール誘導体である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）の化合物：
【化１】
2020015727.tif 000133
式中、使用される記号と添え字は、以下のとおりである；
ＡおよびＡ'は、同一であるか異なり、互いに独立であってよい１以上のＲ１基により置換されてよい５もしくは６個の環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり；
Ｇ１、Ｇ２は、出現毎に同一であるか異なり、電子不足複素環式芳香族基の群から選ばれる有機電子輸送基（ＥＴＧ）であり、ＥＴＧは、好ましくは、５〜６０個の芳香族環原子を有するヘテロアリール基であり、Ｎ含有ヘテロアリール基が、非常に好ましく、もっとも好ましいＥＴＧは、トリアジン、ピリミジン、ピラジンおよびピリジンの基から選ばれるか；
または、正孔を伝導する電子リッチ有機基（ＬＴＧ）であり、ＬＴＧは、好ましくは、アリールアミン、トリアリールアミン、架橋アミンの基から選ばれ、好ましい架橋アミンは、ジヒドロアクリジン、ジヒドロフェナジン、フェノキサジンとフェノチアジン、カルバゾール、架橋カルバゾール、ビスカルバゾール、インデノカルバゾールとインドロカルバゾールであり；
ここで、Ｇ１およびＧ２基の少なくとも一つは、電子輸送基（ＥＴＧ）であらねばならず、Ｇ１およびＧ２基は、１以上の独立したＲ１基により置換されてよく；
Ａｒ１は、Ｇ１が電子輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する２価の芳香族または複素環式芳香族、好ましくは、芳香族の、環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＥＴＧともブリッジせず、Ａｒ１が、ピリジレン、ピリミジレン、フェニレン、ビフェニレンもしくはフルオレン、スピロ、テルフェニレン、チオフェンもしくはフラン基のときが好ましく、好ましくは、特に、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基であり、非常に特に、フェニレン基であり；
または、Ｇ１が正孔輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＬＴＧともブリッジせず、Ａｒ１がフェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基のときが好ましく、特に好ましくは、フェニレン基であり；
Ａｒ２は、Ｇ２が電子輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する２価の芳香族または複素環式芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＥＴＧともブリッジせず、Ａｒ２が、ピリジレン、ピリミジレン、フェニレン、ビフェニレンもしくはフルオレン、スピロ、テルフェニレン、チオフェンもしくはフラン基のときが好ましく、好ましくは、特に、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基であり、非常に特には、フェニレン基であり；
または、Ｇ２が正孔輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＬＴＧともブリッジせず、Ａｒ２がフェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基のときが好ましく、特に好ましくは、フェニレン基であり；
Ｖは、単結合、Ｃ=Ｏ、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＡｒ３、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ（Ｒ１）２、ＢＲ１、ＰＲ１、Ｐ（=Ｏ）Ｒ１、ＳＯもしくはＳＯ２であり、単結合の場合には、ＡおよびＡ'環の炭素原子は、単結合により互いに直接結合し、好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＡｒ３、ＯおよびＳであり、特に好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＯおよびＳであり、非常に特に好ましくは、ＯおよびＳであり、特別に好ましくは、Ｏであり；
Ｗは、単結合、Ｃ=Ｏ、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＲ１、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ（Ｒ１）２、ＢＲ１、ＰＲ１、Ｐ（=Ｏ）Ｒ１、ＳＯもしくはＳＯ２であり、単結合の場合には、ＡおよびＡ'環の炭素原子は、単結合により互いに直接結合し、好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＲ１、ＯおよびＳであり、特に、好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＯおよびＳであり、非常に、特に、好ましくは、ＯおよびＳであり、特別に好ましくは、Ｏであり；
Ｗが単結合でない場合には、Ｖは単結合であり、Ｖが単結合でない場合には、Ｗは単結合であることが、さらに好ましく；
ＷがＯもしくはＳである場合には、Ｖは単結合であり、ＶがＯもしくはＳである場合にはＷは単結合であることが、さらに非常に好ましく；
ＷがＯである場合には、Ｖは単結合であり、ＶがＯである場合にはＷは単結合であることが、さらに非常に特に好ましく；
ｍは、０もしくは１の何れかであり；
ｎは、０もしくは１の何れかであり；
ここで、ｍ＝ｎであり；
ｐは、０もしくは１の何れかであり；
ｑは、０もしくは１の何れかであり、ここで、ｐ＋ｑは、１もしくは２の何れかであり；
Ａｒ３は、１以上のＲ３基により置換されてよい１以上のＲ２基によりそれぞれ置換されてよい５〜３０個の環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環もしくは環構造であり、ここで、２以上のＲ２基は一緒に環を形成してよく；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ２基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ=ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上のＲ２基により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせ、または架橋可能Ｑ基であり；
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ３基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ=ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、各場合に、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上のＲ３基により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ２基は、一緒に、単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してよく；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族ヒドロカルビル基であって、ここで、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよく、同時に、２個以上のＲ３置換基は、一緒に単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
ただし、Ａ環中の１個を超えないＲ１置換基とＡ'環中の１個を超えないＲ１置換基は、５〜３０個の環原子を含む芳香族もしくは複素環式芳香族基を含む。
【請求項２】
一般式（２）であることを特徴とする、請求項１記載の化合物：
【化２】
2020015727.tif 000134
式中、追加的に使用される記号は、以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一であるか異なり、ＮまたはＣＲ１であり；
Ｑは、出現毎に同一であるか異なり、Ｘ=Ｘ、Ｓ、ＯまたはＮＲ１、好ましくは、Ｘ=Ｘ、ＳおよびＯ、非常に好ましくは、Ｘ=ＸおよびＳ、最も好ましくは、Ｘ=Ｘである。
【請求項３】
以下の一般式（３）〜（１１）の内の一つであることを特徴とする、請求項１または２記載の化合物：
【化３−１】
2020015727.tif 000135
【化３−２】
2020015727.tif 000136
【化３−３】
2020015727.tif 000137
【請求項４】
一般式（４）であることを特徴とする、請求項１〜３何れか１項記載の化合物。
【請求項５】
ＸがＣＲ１であり、ｍが１である一般式（４）であることを特徴とする、請求項１〜４何れか１項記載の化合物。
【化４】
2020015727.tif 000138
【請求項６】
ＸがＣＲ１であり、ｍが１であり、ｐが０であり、ｑが１である一般式（４）であることを特徴とする、請求項１〜５何れか１項記載の化合物。
【請求項７】
一般式（１３）であることを特徴とする、請求項１〜６何れか１項記載の化合物
【化５】
2020015727.tif 000139
式中、Ｖは、ＯまたはＳであり、ここで、芳香族環は、各々１個を超えないＲ１置換基を有し、すなわち、ｓは、０または１であり、ｔは、０または１であり、ここで、ｓ＋ｔは、０，１または２であってよい。
【請求項８】
一般式（１５）であることを特徴とする、請求項１〜７何れか１項記載の化合物。
【化６】
2020015727.tif 000140
【請求項９】
一般式（１６）であることを特徴とする、請求項１〜８何れか１項記載の化合物。
【化７】
2020015727.tif 000141
【請求項１０】
一般式（１６ａ）であることを特徴とする、請求項１〜９何れか１項記載の化合物。
【化８】
2020015727.tif 000142
【請求項１１】
２個のＧ１およびＧ２基の一方は、ＥＴＧであり、他方はＬＴＧであることを特徴とする、請求項１〜１０何れか１項記載の化合物。
【請求項１２】
請求項１〜１１何れか１項記載の少なくとも一つの追加的な化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる化合物を含む組成物。
【請求項１３】
追加的な化合物が、ホストまたはマトリックス材料であることを特徴とする、請求項１２記載の組成物。
【請求項１４】
追加的な化合物が、２．５ｅＶ以上、好ましくは、３．０ｅＶ以上、非常に好ましくは、３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項１２または１３記載の組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１１何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項１２〜１４何れか１項記載の少なくとも一つの組成物と少なくとも一つの溶媒とを含む調合物。
【請求項１６】
請求項１〜１１何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項１２〜１４何れか１項記載の少なくとも一つの組成物の、電子素子での、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子での、非常に好ましくは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）または有機発光電子化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＥＣ、ＬＥＣ）での、さらにより好ましくは、ＯＬＥＤでの、好ましくは、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）での、および正孔ブロック層（ＨＢＬ）での、非常に好ましくは、ＥＭＬおよびＥＴＬでの、最も好ましくは、ＥＭＬでの使用。
【請求項１７】
請求項１〜１１何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項１２〜１４何れか１項記載の少なくとも一つの組成物を、好ましくは、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）に、および正孔ブロック層（ＨＢＬ）に、非常に好ましくは、ＥＭＬおよびＥＴＬに、最も好ましくは、ＥＭＬに含む電子素子。
【請求項１８】
有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機エレクトロルミッセンス素子、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機光学検査素子、有機光受容体、好ましくは、有機エレクトロルミッセンス素子から選ばれる、請求項１７記載の電子素子。
【請求項１９】
有機エレクトロルミッセンス素子が、また、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機電場消光素子（ＯＦＱＤ）、有機発光電子化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＥＣ、ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、好ましくは、ＯＬＥＣおよびＯＬＥＤ、非常に好ましくは、ＯＬＥＤより成る群から選ばれる、請求項１７または１８記載の電子素子。
【請求項２０】
少なくとも一つの有機層が、気相堆積によりまたは溶液から適用されることを特徴とする、請求項１７〜１９何れか１項記載の電子素子の製造方法。
【請求項２１】
光治療のための、好ましくは、皮膚の光治療のための、医療用途での使用のための電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子伝導および正孔伝導基の特定の配列を有する環状化合物、その電子素子での使用とその製造法と電子素子に関する。
【０００２】
有機半導体が機能性材料として使用される有機エレクトロルミネセンス素子（たとえば、ＯＬＥＤ−有機発光ダイオードまたはＯＬＥＣ−有機発光電子化学電池）の構造は、たとえば、US 4539507、US 5151629、EP0676461およびWO98/27136に記載されている。ここで使用される発光材料は、蛍光発光ではなく燐光発光を示す有機金属錯体とますますなっている(M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6)。量子力学的理由により、４倍までのエネルギー効率とパワー効率が、燐光発光エミッターとして有機金属化合物を使用して可能である。一般的に、一重項発光を示すＯＬＥＤの場合と三重項発光を示すＯＬＥＤの場合の両方において、特に、効率、駆動電圧および寿命に関して、改善に対する必要性が未だ存在する。これは、特に、より短い波長範囲で、すなわち、緑色および特に、青色で発光するＯＬＥＤに、特にあてはまる。
【０００３】
有機エレクトロルミッセンス素子の特性は、使用されるエミッターによってのみ決定されるのではない。ここで、特に、ホストおよびマトリックス材料、正孔ブロック材料、電子輸送材料、正孔輸送材料および電子もしくは励起子ブロック材等の使用されるその他の材料が、また、特に重要である。これら材料における改善は、また、エレクトロルミッセンス素子に顕著な改善をもたらし得る。
【０００４】
先行技術によれば、ケトン（たとえば、2004/093207もしくはWO 2010/006680による）もしくはホスフィンオキシド（たとえば、WO 2005/003253による）が燐光エミッターのために使用されるマトリックス材料に含まれる。先行技術によるさらなるマトリックス材料は、トリアジンである（たとえば、WO 2008/056746、EP 0906947、EP 0908787、EP 0906948）。
【０００５】
先行技術によれば、蛍光ＯＬＥＤのために、特に、縮合芳香族、特に、アントラセン誘導体、特に、たとえば、9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン（US 5935721）が、青色発光エレクトロルミッセンス素子のためのホスト材料として使用される。WO 03/095445およびCN 1362464は、ＯＬＥＤでの使用のための9,10-ビス(1-ナフチル)アントラセン誘導体を開示する。さらなるアントラセン誘導体は、WO 01/076323に、WO 01/021729に、WO 2004/013073に、WO 2004/018588に、WO 2003/087023に、もしくはWO 2004/018587に開示されている。アリール置換ピレンおよびクリセン系ホスト材料は、WO 2004/016575に開示されている。ベンズアントラセン誘導体系ホスト材料は、WO 2008/145239に開示されている。
入手可能な改善されたホスト材料を有することが高付加価値用途に望ましい。
【０００６】
先行技術は、たとえば、WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527もしくはWO 2008/086851において知られる電子素子での一以上のカルバゾール基を含む化合物の使用を開示している。
【０００７】
先行技術は、さらに、たとえば、WO 2010/136109およびWO 2011/000455において知られる電子素子での一以上のインデノカルバゾール基を含む化合物の使用を開示している。
【０００８】
先行技術は、さらに、たとえば、WO 2010/015306、WO 2007/063754およびWO 2008/056746において知られる電子素子での一以上の電子不足複素環式芳香族６員環を含む化合物の使用を開示している。
【０００９】
WO 2009/069442は、電子不足複素環式芳香族（たとえば、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン）による高レベルの置換を有するカルバゾール、ジベンゾフランもしくはジベンゾチオフェン等の３環系を開示する。３環系は、正孔伝導基、すなわち、電子リッチ基により置換されていない。
【００１０】
JP 2009-21336は、マトリックス材料として、置換カルバゾールを開示し、ここで、カルバゾールは、電子伝導基と正孔伝導基により置換されている。しかしながら、化合物は、対面置換を全く有していない。
【００１１】
WO 2011/057706は、マトリックス材料として、置換カルバゾールを開示し、ここで、カルバゾールは、電子伝導基と正孔伝導基により置換されている。しかしながら、開示されたカルバゾールの大部分は、対面置換を全く有していない。しかし、開示された個々の対面置換においては、正孔もしくは電子伝導基は、３環系に直接結合する。
【００１２】
しかしながら、これらの材料の場合に、他の材料と同様に、特に、素子の効率と寿命に関して、改善の必要性が未だ存在する。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、蛍光もしくは、特に、燐光ＯＬＥＤでの、たとえば、ホスト材料および/またはマトリックス材料として、正孔輸送／電子ブロック材料もしくは励起子ブロック材料として、または電子輸送もしくは正孔ブロック材料としての使用に適し、ＯＬＥＤで使用されると良好な素子特性をもたらす化合物を提供することと、対応する電子素子を提供することである。
【００１４】
驚くべきことに、以下に詳細に説明される特定の化合物が、これらの目的を達成し、特に、寿命、効率と駆動電圧に関する有機エレクトロルミネッセンス素子の良好な特性をもたらすことが見出された。したがって、このような化合物と対応する好ましい化合物とを含む電子素子、特に、有機エレクトロルミッセンス素子が、本発明により提供される。驚くべき効果が、以下に挙げられた式の化合物において、電子伝導基と正孔伝導基の特定の配列（「対面」すなわち、基の相互に反対の配列）により達成される。理論に束縛されるものではないが、そこに分子のある種の短距離秩序が存在する、比較的良好に画定された（高度に秩序ある）分子の平行整列（対面配列）の理由により、迅速な電荷輸送が可能となる。基間の短距離に基づく分子間相互作用、たとえば、直接的π-π相互作用が、迅速な電荷輸送の原因の一つであり得る。
【００１５】
本発明の化合物は、また、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、電子素子製造時の化合物の処理の点で有利である。化合物の高いガラス転移温度は、また、薄い無定形の有機層での化合物の使用をも許容する。
【００１６】
さらに、本発明の化合物は、励起状態での電価キャリアーの安定化を可能とし、燐光素子の重要な前提である、十分に高い三重項エネルギーを有する。さらに、本発明の化合物は、先行技術からの化合物と比べて、ＯＬＥＤでの改善された特性を有する。
【００１７】
したがって、本発明は、一般式（１）の化合物を提供し、
【００１８】
【化１】
2020015727.tif 000002
【００１９】
式中、使用される記号と添え字は、以下のとおりである；
ＡおよびＡ'は、同一であるか異なり、互いに独立であってよい１以上のＲ１基により置換されてよい５もしくは６個の環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり；
Ｇ１、Ｇ２は、出現毎に同一であるか異なり、電子不足複素環式芳香族基の群から選ばれる有機電子輸送基（ＥＴＧ）であり、ＥＴＧは、好ましくは、５〜６０個の芳香族環原子を有するヘテロアリール基であり、Ｎ含有ヘテロアリール基が、非常に好ましいヘテロアリール基であり、もっとも好ましいＥＴＧは、トリアジン、ピリミジン、ピラジンおよびピリジンの基から選ばれるか；
または、正孔を伝導する電子リッチ有機基（ＬＴＧ）であり、ＬＴＧは、好ましくは、アリールアミン、トリアリールアミン、架橋アミンの基から選ばれ、好ましい架橋アミンは、ジヒドロアクリジン、ジヒドロフェナジン、フェノキサジンとフェノチアジン、カルバゾール、架橋カルバゾール、ビスカルバゾール、インデノカルバゾールとインドロカルバゾールであり；
ここで、Ｇ１およびＧ２基の少なくとも一つは、電子輸送基（ＥＴＧ）であらねばならず、ここで、Ｇ１およびＧ２基は、１以上の独立したＲ１基により置換されてよく；
Ａｒ１は、Ｇ１が電子輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する２価の芳香族または複素環式芳香族、好ましくは、芳香族の、環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＥＴＧともブリッジせず、Ａｒ１が、ピリジレン、ピリミジレン、フェニレン、ビフェニレンもしくはフルオレン、スピロ、テルフェニレン、チオフェンもしくはフラン基であることが好ましく、好ましくは、特に、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基であり、非常に特に、フェニレン基であり；
または、Ｇ１が正孔輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＬＴＧともブリッジせず、Ａｒ１がフェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基であることが好ましく、特に好ましくは、フェニレン基であり；
Ａｒ２は、Ｇ２が電子輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する２価の芳香族または複素環式芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＥＴＧともブリッジせず、Ａｒ２が、ピリジレン、ピリミジレン、フェニレン、ビフェニレンもしくはフルオレン、スピロ、テルフェニレン、チオフェンもしくはフラン基であることが好ましく、好ましくは、特に、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基であり、非常に特には、フェニレン基であり；
または、Ｇ２が正孔輸送基である場合は、５〜６０個の環原子を有する芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＬＴＧともブリッジせず、Ａｒ２がフェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基であることが好ましく、特に好ましくは、フェニレン基であり；
Ｖは、単結合、Ｃ=Ｏ、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＡｒ３、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ（Ｒ１）２、ＢＲ１、ＰＲ１、Ｐ（=Ｏ）Ｒ１、ＳＯもしくはＳＯ２であり、単結合の場合には、ＡおよびＡ'環の炭素原子は、単結合により互いに直接結合し、好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＡｒ３、ＯおよびＳであり、特に好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＯおよびＳであり、非常に特に好ましくは、ＯおよびＳであり、特別に好ましくは、Ｏであり；
Ｗは、単結合、Ｃ=Ｏ、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＲ１、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ（Ｒ１）２、ＢＲ１、ＰＲ１、Ｐ（=Ｏ）Ｒ１、ＳＯもしくはＳＯ２であり、単結合の場合には、ＡおよびＡ'環の炭素原子は、単結合により互いに直接結合し、好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＲ１、ＯおよびＳであり、特に好ましくは、単結合、Ｃ（Ｒ１）２、ＯおよびＳであり、非常に特に好ましくは、ＯおよびＳであり、特別に好ましくは、Ｏであり；
Ｗが単結合でない場合には、Ｖは単結合であり、Ｖが単結合でない場合には、Ｗは単結合であることが、さらに好ましく；
ＷがＯもしくはＳである場合には、Ｖは単結合であり、ＶがＯもしくはＳである場合にはＷは単結合であることが、さらに非常に好ましく；
ＷがＯである場合には、Ｖは単結合であり、ＶがＯである場合にはＷは単結合であることが、さらに非常に特に好ましく；
ｍは、０もしくは１の何れかであり；
ｎは、０もしくは１の何れかであり；
ここで、ｍ＝ｎであり；
ｐは、０もしくは１の何れかであり；
ｑは、０もしくは１の何れかであり、ここで、ｐ＋ｑは、１もしくは２の何れかであり；
Ａｒ３は、１以上のＲ３基により置換されてよい１以上のＲ２基によりそれぞれ置換されてよい５〜３０個の環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環もしくは環構造であり、ここで、２以上のＲ２基は一緒に環を形成してよく；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ２基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ=ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上のＲ２基により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせ、または架橋可能Ｑ基であり；
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ３基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ=ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、各場合に、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上のＲ３基により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ２基は、一緒に、単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してよく；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族ヒドロカルビル基であって、ここで、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよく、同時に、２個以上のＲ３置換基は、一緒に単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
ただし、Ａ環中の１個を超えないＲ１置換基とＡ'環中の１個を超えないＲ１置換基は、５〜３０個の環原子を含む芳香族もしくは複素環式芳香族基を含む。
【００２０】
したがって、たとえば、一般式（１）の化合物に対して、ｍ＝ｎ＝１で、Ｖ＝Ｗ＝単結合の場合には、一般式は、以下のとおりである。
【００２１】
【化２】
2020015727.tif 000003
【００２２】
さらに、たとえば、一般式（１）の化合物に対して、ｍ＝ｎ＝１で、Ｖ＝Ｎ-Ａｒ３でＷ＝単結合の場合には、一般式は、以下のとおりである。
【００２３】
【化３】
2020015727.tif 000004
【００２４】
さらに、たとえば、一般式（１）の化合物に対して、ｍ＝ｎ＝０の場合には、一般式は、以下のとおりである。
【００２５】
【化４】
2020015727.tif 000005
【００２６】
本発明の好ましい１態様では、Ｇ１およびＧ２基は、１種類の電荷輸送基のみを含む。
これは、たとえば、Ｇ１がＥＴＧならば、Ｇ１は正孔伝導性である如何なる基も含むことができないことを意味する。
【００２７】
トリアジンがＥＴＧとして使用されるならば、さらに好ましい１態様では、トリアジンは置換形態であり、ＥＴＧ中のトリアジンの何れもが、トリアジンに直接結合する水素原子を有さないことを意味する。トリアジンが、トリアジンに直接結合する水素原子を未だ有するならば、これは、トリアジンに直接結合する水素原子を全く有さないトリアジンと比べて、電子、特に、エレクトロルミッセンス素子のより劣る性能データをもたらす。
【００２８】
好ましい１態様では、化合物は、一般式（２）の化合物から選ばれ、
【００２９】
【化５】
2020015727.tif 000006
【００３０】
式中、追加的に使用される記号は、以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一であるか異なり、ＮまたはＣＲ１であり；
Ｑは、出現毎に同一であるか異なり、Ｘ=Ｘ、Ｓ、ＯまたはＮＲ１、好ましくは、Ｘ=Ｘ、ＳおよびＯ、非常に好ましくは、Ｘ=ＸおよびＳ、最も好ましくは、Ｘ=Ｘである。
【００３１】
したがって、非常に好ましい化合物は、一般式（３）〜（１１）であり、
【００３２】
【化６−１】
2020015727.tif 000007
【００３３】
【化６−２】
2020015727.tif 000008
【００３４】
【化６−３】
2020015727.tif 000009
【００３５】
非常に特に好ましくは、一般式（３）〜（８）の化合物であり、特別に好ましくは、一般式（４）の化合物である。
【００３６】
式（１）〜（１１）中のＸが、ＣＲ１であること、さらに非常に特に好ましい。
【００３７】
好ましい１態様では、本発明は、式（４）の化合物に関し、好ましくは、Ｘが、ＣＲ１であり、ｍ＝１である式（４）の化合物であり、非常に好ましくは、Ｘが、ＣＲ１であり、ｎ＝１で、ＶがＯである式（４）の化合物であり、ここで、上記定義と好ましい態様は、その他の記号と添え字に適用される。
【００３８】
さらに好ましい１態様では、本発明は、Ｘが、ＣＲ１であり、ｍ＝１で、ＶがＮ-Ａｒ３である式（４）の化合物であり、ここで、上記定義と好ましい態様は、その他の記号と添え字に適用される。
【００３９】
さらに好ましい１態様では、本発明は、一般式（１２）の化合物に関し、
【００４０】
【化７】
2020015727.tif 000010
【００４１】
式中、Ｖは、ＯもしくはＳであり、ここで、挙げられた定義と好ましい態様が、使用される記号と添え字に適用される。式（１２）の化合物中のＶがＯであることが、非常に好ましい。
【００４２】
さらに好ましい１態様では、本発明は、一般式（１３）の化合物に関し、
【００４３】
【化８】
2020015727.tif 000011
【００４４】
式中、Ｖは、ＯまたはＳであり、ここで、挙げられた定義と好ましい態様が、使用される記号と添え字に適用され、ここで、芳香族環ＡおよびＡ'は、各々１個を超えないＲ１置換基を有し、すなわち、ｓは、０または１であり、ｔは、０または１であり、ここで、ｓ＋ｔは、０、１または２であってよい。式（１３）の化合物中のＶがＯであることが、非常に好ましい。
【００４５】
非常に好ましい１態様では、本発明は、一般式（１４）の化合物に関し、
【００４６】
【化９】
2020015727.tif 000012
【００４７】
式中、挙げられた定義と好ましい態様が、使用される記号と添え字に適用され、ここで、芳香族環ＡおよびＡ'は、各々１個を超えないＲ１置換基を有する。
【００４８】
非常に好ましい１態様では、本発明は、一般式（１５）の化合物に関し、
【００４９】
【化１０】
2020015727.tif 000013
【００５０】
式中、挙げられた定義と好ましい態様が、使用される記号と添え字に適用され、ここで、芳香族環は、各々１個を超えないＲ１置換基を有する。
【００５１】
さらに非常に好ましい１態様では、本発明は、一般式（１６）の化合物に関し、
【００５２】
【化１１】
2020015727.tif 000014
【００５３】
式中、挙げられた定義と好ましい態様が、使用される記号と添え字に適用され、ここで、芳香族環は、各々１個を超えないＲ１置換基を有する。
【００５４】
式（１２）〜（１６）の化合物中の環ＡおよびＡ'中のＲ１は、Ｈであると、さらに特に好ましい。
【００５５】
好ましい１態様では、式（１２）〜（１６）中の２個の添え字ｐとｑの合計は、１である。
【００５６】
別の好ましい１態様では、式（１２）〜（１６）中の２個の添え字ｐとｑの合計は、２である。
【００５７】
二個以上の基が、一緒に環を形成してもよいという表現は、本出願の文脈では、特に、二個の基が化学結合により互いに結合することを意味すると理解されるべきである。これは、以下のスキームにより図解される。
【００５８】
【化１２】
2020015727.tif 000015
【００５９】
しかしながら、さらに、上記言及した表現は、二個の基の一つが水素である場合には、第二の基は、水素原子が結合した位置で結合して環を形成することを意味すると理解されるべきである。これは、以下のスキームにより図解される。
【００６０】
【化１３】
2020015727.tif 000016
【００６１】
縮合アリール基は、互いに縮合した２個以上の芳香族環を含むアリール基を意味すると理解され、それらは、一以上の芳香族端部を共有することを意味する。対応する定義が、ヘテロアリール基にあてはまる。縮合アリール基の例は、その環原子の数にかかわらず、ナフチル、アントラセニル、ピレニル、フェナントレニルおよびペリレニルである。縮合ヘテロアリール基の例は、キノリニル、インドリル、カルバゾリルおよびアクリジニルである。
【００６２】
本発明の文脈での化学基の一般的定義は以下のとおりである。
【００６３】
アリール基は、本発明の文脈では、６〜６０個の芳香族環原子を含有し、ヘテロアリール基は、本発明の文脈では、５〜６０個の芳香族環原子を含み、その中の少なくとも１つはヘテロ原子である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、ＯおよびＳから選択される。これが基本的な定義である。他の選好が、たとえば、芳香族環原子もしくはヘテロ原子の数に関して説明で述べられる場合には、これが、適用可能である。
【００６４】
アリール基またはヘテロアリール基は、簡単な芳香族環、すなわち、ベンゼン、または簡単な複素環式芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合（縮合環化）芳香族もしくは複素環式芳香族多環、たとえば、ナフタレン、フェナントレン、キノリンもしくはカルバゾール等のいずれかの意味であると理解される。縮合（縮合環化）芳香族もしくは複素環式芳香族多環は、本発明の文脈では、互いに縮合した２個以上の簡単な芳香族もしくは複素環式芳香族環から成る。
【００６５】
本発明の文脈で、電子不足ヘテロアリール基は、少なくとも２つのヘテロ原子を含む５員ヘテロアリール基、たとえば、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール等、または少なくとも１つのヘテロ原子を含む６員ヘテロアリール基、たとえば、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等と定義される。さらなる６員アリールもしくは６員ヘテロアリール基がこれらの基に縮合することも可能であり、たとえば、ベンズイミダゾール、キノリンもしくはフェナントロリンがその場合である。
【００６６】
アリールもしくはヘテロアリール基は、各々上記言及した基により置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して、芳香族または複素環式芳香族構造に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナンスロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナンスロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナンスロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味すると理解される。
【００６７】
本発明で定義されるアリールオキシ基は、酸素原子を介して結合する上記定義のとおりのアリール基を意味すると理解される。同様の定義が、ヘテロアリールオキシ基にあてはまる。
【００６８】
芳香族環構造は、本発明の文脈では、環構造中に６〜６０個の炭素原子を含有する。複素環式芳香族環構造は、本発明の文脈では、５〜６０個の芳香族環原子を含み、その中の少なくとも１つはヘテロ原子である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族または複素環式芳香族環構造は、本発明の文脈では、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含有するとは限らない構造であって２以上のアリールまたはヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくは、Ｈ以外の原子は１０％未満）、たとえば、ｓｐ３混成の炭素、シリコン、窒素もしくは酸素、ｓｐ２混成の炭素もしくは、窒素またはｓｐ混成の炭素原子などによって連結されていてもよい構造を意味すると理解される。たとえば9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の構造は、２つ以上のアリール基が、たとえば、直鎖あるいは環状アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基により、もしくはシリル基により連結される構造であるから、同様に、本発明の文脈での芳香族環構造とみなされるべきである。さらに、たとえば、ビフェニル、テルフェニルもしくはジフェニルトリアジン等の二個以上のアリールもしくはヘテロアリール基が、単結合を介して互いに結合する構造も、本発明の文脈での芳香族もしくは複素環式芳香族環構造とみなされるべきである。
【００６９】
５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環構造は、各場合に、上記した基により置換されていてもよく、任意の所望の位置で、芳香族または複素環式芳香族構造に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンズフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、クアテルフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、cis-またはtrans-インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナンスロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナンスロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5-ジアザアントラセン、2,7-ジアザピレン、2,3-ジアザピレン、1,6-ジアザピレン、1,8-ジアザピレン、4,5-ジアザピレン、4,5,9,10-テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナンスロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1, 2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールまたはこれら構造の組み合わせから得られる基を意味すると理解される。
【００７０】
本発明の文脈では、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル基または２〜４０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基は、ここで、加えて、個々の水素原子もしくはＣＨ２基は、基の定義の元で上記言及した基により置換されていてよく、好ましくは、メチル、エチル、ｎ-プロピル、ｉ-プロピル、ｎ-ブチル、ｉ-ブチル、ｓ-ブチル、ｔ-ブチル、２-メチルブチル、ｎ-ペンチル、ｓ-ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ-ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、ｎ-ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ-オクチル、シクロオクチル、２-エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２-トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味すると理解される。１〜４０個の炭素原子を有するアルコキシもしくはチオアルキル基は、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ-プロポキシ、ｉ-プロポキシ、ｎ-ブトキシ、ｉ-ブトキシ、ｓ-ブトキシ、ｔ-ブトキシ、n-ペントキシ、s-ペントキシ、２-メチルブトキシ、n-ヘキソキシ、シクロヘキシルオキシ、n-ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、n-オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシ、2,2,2-トリフルオロエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、ｎ-プロピルチオ、ｉ-プロピルチオ、ｎ-ブチルチオ、ｉ-ブチルチオ、ｓ-ブチルチオ、ｔ-ブチルチオ、ｎ-ペンチルチオ、ｓ-ペンチルチオ、ｎ-ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ｎ-ヘプチチオル、シクロヘプチルチオ、ｎ-オクチルチオ、シクロオクチルチオ、2-エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、2,2,2-トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオル、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオを意味すると理解される。
【００７１】
Ｇ１もしくはＧ２基が、電子輸送基（ＥＴＧ）であるならば、基は、好ましくは、１以上のＲ１基により置換されてよい電子不足複素環式芳香族基である。さらにより好ましくは、少なくとも１つが窒素原子である６個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族基または、少なくとも２つが窒素原子である５個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族基であり、好ましくは、それらの少なくとも一つは、Ｒ１により置換されてよい窒素原子であり、ここで、さらなるアリールもしくはヘテロアリール基が、これらの基の各々に縮合してもよい。
【００７２】
好ましい電子不足複素環式芳香族基は、以下の基から選ばれ、
【００７３】
【化１４】
2020015727.tif 000017
【００７４】
式中、破線の結合は付属する位置の印であり、Ｒ１は上記定義されるとおりであり、および
Ｑ'は、出現毎に同一であるか異なり、ＣＲ１またはＮであり；
Ｑ"は、ＮＲ１、ＯまたはＳであり；
ここで、少なくとも一つのＱ'は、Ｎであり、および/または少なくとも一つのＱ"は、ＮＲ１である。
【００７５】
電子不足複素環式芳香族基の好ましい例は、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、1,2,4-トリアジン、1,3,5-トリアジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ピラゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾールもしくはベンズオキサゾールであり、それぞれ、Ｒ１で置換されてよい。さらにより好ましくは、電子輸送基は、一以上のＲ１の基で置換されたピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジンおよび1,3,5-トリアジンである。
【００７６】
非常に好ましい電子不足複素環式芳香族基は、以下の基から選ばれる。
【００７７】
【化１５】
2020015727.tif 000018
【００７８】
ＥＴＧ中のＲ１置換基は、好ましくは、Ｈおよび各々一以上のＲ２基で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造より成る基から選ばれる。
【００７９】
Ｒ１基を有する非常に特に好ましいＥＴＧの例は、一以上の独立したＲ２基で置換されてよい以下の基であり、ここで、破線の結合は、Ａｒ１とＡｒ２基への結合位置を示す。
【００８０】
【化１６−１】
2020015727.tif 000019
【００８１】
【化１６−２】
2020015727.tif 000020
【００８２】
【化１６−３】
2020015727.tif 000021
【００８３】
電子輸送基は、好ましくは、−１．３ｅＶ未満の、非常に好ましくは、−２．５ｅＶ未満の、最も好ましくは、−２．７ｅＶ未満の、ＬＵＭＯ（最低非占分子軌道）エネルギーを有する。
【００８４】
材料のＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）とＬＵＭＯ（最低非占分子軌道）エネルギー準位と最低三重項状態のエネルギーＳ１と最低励起一重項状態のエネルギーＳ１とを量子化学計算によって決定することができる。この目的のために、「ガウシアン０９Ｗ」ソフトウェア（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．）を使用する。有機物質を計算するために、「基底状態／準実験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／電荷０／一重項スピン」法を使用して、最初に幾何学的な最適化を実施する。続いて幾何学的な最適化を基準にしてエネルギー計算を実施する。これは、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセットと共に「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法を使用してなされる（電荷０／一重項スピン）。ＨＯＭＯエネルギー準位ＨＥｈもしくはＬＵＭＯエネルギー準位ＬＥｈは、ハートリー単位でエネルギー計算により得られる。これは、以下のとおりに、サイクリックボルタンメトリ測定を参照して較正される電子ボルトにおけるＬＵＭＯの値を決定するために使用される：
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）−０．９８９９）／１．１２０６
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）−２．００４１）／１．３８５
これらの値は、本願の文脈で、材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位としてみなすべきである。
【００８５】
最低三重項準位Ｔ１を、上記量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーとして定義する。
【００８６】
最低励起一重項準位Ｓ１を、上記量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーとして定義する。
【００８７】
さらに好ましくは、電子輸送基は、電子移動度μが、１０−６ｃｍ２／（Ｖｓ）、非常に好ましくは、１０−５ｃｍ２／（Ｖｓ）、よりおよび最も好ましくは、１０−４ｃｍ２／（Ｖｓ）以上であることを特徴とする。
【００８８】
式（１）の化合物において、ＬＵＭＯは、好ましくは、電子輸送基に局在化される。ＬＵＭＯは、電子輸送基上で８０％以上局在化されると非常に好ましく、さらにより好ましくは、ＬＵＭＯは、ＬＴＧ（たとえば、アミンもしくはカルバゾール基）上で全く局在化されない。本発明の化合物のＨＯＭＯとＬＵＭＯが、全く重複しないことが、特に、好ましい。当業者は、軌道の重複を測定することに全く困難性を有さない。この目的のために、ここで特定された計算法が使用され、９０％の確率密度を有する軌道が仮定される。重複は、重複全体を測定することにより計算することができる。
【００８９】
正孔輸送基は、使用されるアノードの電子仕事関数（Φａｎｏｄｅ）プラス＋１．５ｅＶ以下の範囲のＨＯＭＯエネルギー（ＨＯＭＯＬＴＧ）を、好ましくは有する。
【００９０】
ＨＯＭＯＬＴＧ≦（Φａｎｏｄｅ＋１．５ｅＶ）
使用されるアノードが、−５ｅＶ以下の電子仕事関数を有すると、正孔輸送基のＨＯＭＯエネルギーは、−３．５ｅＶ未満（すなわち、−３．５ｅＶより負である。）である。
正孔輸送基が、アノードの電子仕事関数以下の、最も好ましくは、未満のＨＯＭＯエネルギーを有することが、非常に好ましい。
【００９１】
さらに好ましくは、正孔輸送基は、正孔移動度μ＋が、１０−６ｃｍ２／（Ｖｓ）以上、非常に好ましくは、１０−５ｃｍ２／（Ｖｓ）以上、より最も好ましくは、１０−４ｃｍ２／（Ｖｓ）以上であることを特徴とする。
【００９２】
式（１）の化合物において、ＨＯＭＯは、正孔輸送基上で著しく局在化される。ここで、「著しく」とは、ＨＯＭＯは、正孔輸送基上で８０％以上の範囲まで局在化されるか、または電子不足電子輸送基上で局在化されないことを意味する。
【００９３】
好ましくは、ＬＴＧは、以下の一般式の基であり、ここで、破線の結合により示される位置は、Ａｒ１とＡｒ２基への結合位置であり、ここで、基は、出現毎に同一であるか異なってよい一以上のＲ１基により置換されてよく、
【００９４】
【化１７】
2020015727.tif 000022
【００９５】
式中、
Ａｒ４は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜１３個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基から選ばれ；
Ａｒ５は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜１３個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基から選ばれ；
Ｘ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｃ（Ｒ２）２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｃ=Ｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２およびＮＲ２から選ばれ；
Ｙは、単結合であり；
ｎは、出現毎に同一であるか異なり、０、１、２、３もしくは４であり；
ｉは、出現毎に同一であるか異なり、０もしくは１であり；
ｋは、出現毎に同一であるか異なり、０もしくは１であり、ここで、環毎の少なくとも一つの添え字ｋは、１であらねばならず；
その他について、上記定義があてはまる。
【００９６】
式（Ｌ−１）の特に好ましい基は、以下の式（Ｌ−５）〜（Ｌ−１０）の基であり：
【００９７】
【化１８−１】
2020015727.tif 000023
【００９８】
【化１８−２】
2020015727.tif 000024
【００９９】
式中、出現する記号は、上記特定したとおりに定義される。本出願で特定した基の好ましい態様は、同様に好ましいと見なされる。
【０１００】
式（Ｌ−２）の特に好ましい基は、以下の式（Ｌ−１１）〜（Ｌ−１２）の基であり：
【０１０１】
【化１９】
2020015727.tif 000025
【０１０２】
式中、出現する記号は、上記特定したとおりに定義される。本出願で特定した基の好ましい態様は、同様に好ましいと見なされる。
【０１０３】
式（Ｌ−１１）〜（Ｌ−１２）において、Ａｒ４は、同一であるか異なり、フェニル、ナフチル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピラジニルおよびトリアジニルから選ばれ、それぞれ１以上のＲ２基により置換されてよい。Ｘ基が、出現毎に同一であるか異なり、Ｃ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｏ、ＳおよびＮＲ２から選ばれることがさらに好ましい。
【０１０４】
式（Ｌ−１１）が、特に好ましい。
【０１０５】
式（Ｌ−３）の特に好ましい基は、以下の式であり：
【０１０６】
【化２０】
2020015727.tif 000026
【０１０７】
式中、出現する記号は、上記特定したとおりに定義される。本出願で特定した基の好ましい態様は、同様に好ましいと見なされる。
【０１０８】
式（Ｌ−１３）〜（Ｌ−１６）において、Ａｒ４とＡｒ５は、同一であるか異なり、フェニル、ナフチル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピラジニルおよびトリアジニルから選ばれ、それぞれ１以上のＲ２基により置換されてよい。
【０１０９】
式（Ｌ−４）の特に好ましい基は、以下の式であり：
【０１１０】
【化２１】
2020015727.tif 000027
【０１１１】
式中、Ａｒ４は、同一であるか異なり、フェニル、ナフチル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピラジニルおよびトリアジニルから選ばれ、それぞれ１以上のＲ２基により置換されてよい。
【０１１２】
式（Ｌ−５）〜（Ｌ−１０）において、Ａｒ４とＡｒ５は、出現毎に同一であるか異なり、フェニル、ナフチル、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピラジニルおよびトリアジニルから選ばれ、それぞれ１以上のＲ２基により置換されてよいことが、特に好ましい。Ｘ２基は、出現毎に同一であるか異なり、Ｃ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｏ、ＳおよびＮＲ２から選ばれることが、さらに好ましい。
【０１１３】
特に、好ましいのは、式（Ｌ−５）と（Ｌ−６）である。
【０１１４】
Ｒ１基を有する非常に特に好ましいＬＴＧの例は、１以上の独立したＲ２基により置換されてよい以下の基であり、ここで、点線は、Ａｒ４とＡｒ５基への結合位置を示す。
【０１１５】
【化２２−１】
2020015727.tif 000028
【０１１６】
【化２２−２】
2020015727.tif 000029
【０１１７】
【化２２−３】
2020015727.tif 000030
【０１１８】
【化２２−４】
2020015727.tif 000031
【０１１９】
【化２２−５】
2020015727.tif 000032
【０１２０】
【化２２−６】
2020015727.tif 000033
【０１２１】
本発明の化合物は、スキーム１と２により調製され得る。
【０１２２】
対応するモノボロン酸をスズキカップリングと引き続くシリル化により調製することができる（スキーム１）。さらなる選択肢は、ブッフバルトカップリングと引き続くシリル化から進めて、対応するモノボロン酸を調製することである（スキーム２）。スズキカップリングを介するこれらのモノボロン酸と適当な臭素化アリールと塩素化アリールとの反応は、目標化合物をもたらす。
【０１２３】
【化２３】
2020015727.tif 000034
【０１２４】
式中、上記特定した定義とその好ましい態様とが、使用される記号と添え字に適用される。
【０１２５】
【化２４】
2020015727.tif 000035
【０１２６】
式中、Ｇ３-ＮＰ／Ｓ-Ｈ基は、Ｇ２基であり、ここで、Ｇ２基は、１級アミンもしくは２級アミンを含み、ＬＴＧである。この場合に、Ｇ１基は、ＥＴＧである。さらに、ｐは１である。上記特定した定義とその好ましい態様とが、使用される記号と添え字に適用される。スズキおよびブッフバルト反応は、当業者に周知であり、当業者は、当分野の技術常識を考慮して、クレームされた範囲の化合物を調製するために、本発明の化合物に対して反応とその公知の変形を適用することに何の困難性も有さない。さらに、スズキ反応およびブッフバルト反応の両者においては、化学官能基を、置換基とＡおよびＡ'環を含む構造との間で交換することができる。これは、Ｇ１とＧ２とを含む置換基が、ボロン酸を含んでもよく、ここでＡおよびＡ'環を含む構造がハロゲン化物を含むことを意味する。
以下のスキームは、より特別な場合を使用する例により、言及したプロセスの適用を例示し、上記定義が使用する記号と添え字に適用される。以下のスキーム中でＡｒ基は、出現毎に同一であるか異なり、ＥＴＧ、ＬＴＧと式（１）の一般的なそれに対する上記定義が満足されるように選択されてよい芳香族もしくは複素環式芳香族基である。
【０１２７】
【化２５】
2020015727.tif 000036
【０１２８】
式中、Ｎ（Ａｒ３）単位を含む基は、ＬＴＧであり、その他の基はＥＴＧである。
【０１２９】
【化２６】
2020015727.tif 000037
【０１３０】
本発明の化合物の調製のためのさらなる選択肢は、２ハロゲン化物（Ｈａｌ＝Ｂｒ、Ｉ）と１当量の対応するボロン酸との反応と引き続くスズキカップリングであり、スキーム１で示されるのと同様の工程を使用する合成手順により、所望の化合物をもたらす。
【０１３１】
さらなる選択肢は、２ハロゲン化物と２当量のＥＴＧのボロン酸との反応である。
【０１３２】
【化２７】
2020015727.tif 000038
【０１３３】
スキーム６
多くの２ハロゲン化物と２ボロン酸が、市販されているか、またはスキーム６で特定されるとおりに合成することができる。それらは、引き続き、スズキカップリングにより所望の生成物に変換することができる。
【０１３４】
【化２８】
2020015727.tif 000039
【０１３５】
スキーム７
本発明の化合物の調製のためのさらなる選択肢は、カルバゾール誘導体の変換と、引き続くウルマンもしくはブッフバルトカップリングである。
【０１３６】
【化２９】
2020015727.tif 000040
【０１３７】
本発明の化合物の合成のために示されるプロセスは、例として理解するべきである。当業者は、当分野の技術常識の範囲内で代替合成経路を開発することができるであろう。
【０１３８】
以下の概観は、ここで説明されたプロセスの一つにより調製することができる化合物の例を含む。
【０１３９】
【化３０−１】
2020015727.tif 000041
【０１４０】
【化３０−２】
2020015727.tif 000042
【０１４１】
【化３０−３】
2020015727.tif 000043
【０１４２】
【化３０−４】
2020015727.tif 000044
【０１４３】
【化３０−５】
2020015727.tif 000045
【０１４４】
【化３０−６】
2020015727.tif 000046
【０１４５】
【化３０−７】
2020015727.tif 000047
【０１４６】
【化３０−８】
2020015727.tif 000048
【０１４７】
【化３０−９】
2020015727.tif 000049
【０１４８】
【化３０−１０】
2020015727.tif 000050
【０１４９】
【化３０−１１】
2020015727.tif 000051
【０１５０】
【化３０−１２】
2020015727.tif 000052
【０１５１】
【化３０−１３】
2020015727.tif 000053
【０１５２】
【化３０−１４】
2020015727.tif 000054
【０１５３】
【化３０−１５】
2020015727.tif 000055
【０１５４】
【化３０−１６】
2020015727.tif 000056
【０１５５】
【化３０−１７】
2020015727.tif 000057
【０１５６】
【化３０−１８】
2020015727.tif 000058
【０１５７】
【化３０−１９】
2020015727.tif 000059
【０１５８】
【化３０−２０】
2020015727.tif 000060
【０１５９】
【化３０−２１】
2020015727.tif 000061
【０１６０】
【化３０−２２】
2020015727.tif 000062
【０１６１】
【化３０−２３】
2020015727.tif 000063
【０１６２】
【化３０−２４】
2020015727.tif 000064
【０１６３】
【化３０−２５】
2020015727.tif 000065
【０１６４】
【化３０−２６】
2020015727.tif 000066
【０１６５】
【化３０−２７】
2020015727.tif 000067
【０１６６】
【化３０−２８】
2020015727.tif 000068
【０１６７】
【化３０−２９】
2020015727.tif 000069
【０１６８】
【化３０−３０】
2020015727.tif 000070
【０１６９】
【化３０−３１】
2020015727.tif 000071
【０１７０】
【化３０−３２】
2020015727.tif 000072
【０１７１】
本発明は、さらに、式（１）の化合物の電子素子での、好ましくは、電子輸送層でのおよび/または発光層での使用を提供する。
【０１７２】
本発明の電子素子は、好ましくは、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機光学検査素子、有機光受容器、有機電場消光素子（ＯＦＱＤ）、有機発光電子化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＥＣ、ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）より成る群から選ばれる。特に好ましくは、有機エレクトロルミッセンス素子、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＣおよびＯＬＥＤ、特に好ましくは、ＯＬＥＤである。
【０１７３】
式（１）の化合物を含む有機層は、好ましくは、電子輸送機能を有する層である。より好ましくは、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層または発光層である。
【０１７４】
非常に特に好ましい１態様では、式（１）の化合物中のＧ１とＧ２の両者はＥＴＧであり、その場合、式（１）の化合物は、電子輸送機能を有する前記電子素子の層中に、最も好ましくは存在し、化合物は、特に好ましくは、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔ブロック層（ＨＢＬ）もしくは発光層（ＥＭＬ）に存在し、ＥＩＬおよびＥＴＬが、特に好ましく、ＥＴＬが、さらにより好ましい。
【０１７５】
さらに非常に特に好ましい１態様では、式（１）の化合物中の２つのＧ１とＧ２はＬＴＧであり、その他の基はＥＴＧであり、その場合、式（１）の化合物は、電子輸送機能を有する前記電子素子の層中に、最も好ましくは存在し、化合物は、特に好ましくは、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層もしくは発光層に存在し、この化合物が、発光層中に、特に、マトリックス材料として存在すると、さらにより好ましい。
【０１７６】
本出願による正孔輸送層は、アノードと発光層との間の正孔輸送機能を有する層である。
【０１７７】
本出願による電子輸送層は、カソードと発光層との間の電子輸送機能を有する層である。
【０１７８】
正孔注入層と正孔ブロック層は、本出願の文脈では、正孔輸送層の特別な態様であると理解される。正孔注入層は、アノードと発光層との間の複数の正孔輸送層の場合には、アノードに直接隣接する正孔輸送層であるか、またはアノードの単一被覆によってのみそこから分離される。電子ブロック層は、アノードと発光層との間の複数の正孔輸送層の場合には、アノード側の発光層に直接隣接する正孔輸送層である。
【０１７９】
既に上記言及したとおり、式（１）の化合物は、好ましい１態様では、特に、有機エレクトロルミッセンス素子で、たとえば、ＯＬＥＤもしくはＯＬＥＣで、有機電子素子の発光層でマトリックス材料として使用される。この場合、式（１）のマトリックス材料は、一以上のドーパント、好ましくは、燐光ドーパントと組み合わせて電子素子中に存在する。
【０１８０】
用語燐光ドーパントは、典型的には、発光が、スピン禁制遷移、たとえば、励起三重項状態または比較的より高いスピン量子数を有する状態、たとえば、五重項状態からの遷移により生じる化合物を包含する。
【０１８１】
適切な燐光発光ドーパントは、特に、適切な励起により、好ましくは、可視域で発光する化合物であり、加えて、２０より大きい原子番号、好ましくは、３８〜８４の原子番号、特に好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を含む。使用される燐光発光ドーパントは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含む化合物、特に、イリジウム、白金または銅を含む化合物である。
【０１８２】
本発明の文脈で、すべてのルミネッセントイリジウム、白金または銅錯体が、燐光化合物とみなされる。燐光ドーパントの例は、以下のセクションで示される。
【０１８３】
マトリックス材料とドーパントとを含む系中のドーパントは、混合物中でより少ない割合を有する成分を意味するものと理解される。対応して、マトリックス材料とドーパントとを含む系中のマトリックス材料は、混合物中でのより多い割合を有する成分を意味するものと理解される。
【０１８４】
発光層中のマトリックス材料の割合は、この場合、蛍光発光層に対しては、５０．０〜９９．９体積％、好ましくは、８０．０〜９９．５体積％、より好ましくは、９２．０〜９９．５体積％であり、燐光発光層に対しては、８５．０〜９７．０体積％である。
【０１８５】
対応して、ドーパントの割合は、蛍光発光層に対しては、０．１〜５０．０体積％、好ましくは、０．５〜２０．０体積％、より好ましくは、０．５〜８．０体積％であり、燐光発光層に対しては、３．０〜１５．０体積％である。
【０１８６】
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、また、複数のマトリックス材料（混合マトリックス系）および/または複数のドーパントを含んでもよい。この場合にも、ドーパントは、一般的には、系中でより少ない割合を有する材料であり、マトリックス材料は、系中でより多い割合を有する材料である。しかしながら、個々の場合では、系中の個々の単一のマトリックス材料の割合は、個々の単一のドーパントの割合よりも少なくてよい。
【０１８７】
本発明のさらに好ましい態様では、式（１）の化合物は、混合マトリックス系の成分として使用される。混合マトリックス系は、好ましくは、二または三種の異なるマトリックス材料、より好ましくは、二種の異なるマトリックス材料を含む。ここで、二種の材料の一つは、好ましくは、正孔輸送特性を有する材料であり、他方は電子輸送特性を有する材料である。しかしながら、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分中で主としてまたは完全に結合されてもよく、この場合には、さらなる混合マトリックス成分が他の機能を果たす。ここで、二種の異なるマトリックス材料は、１：５０〜１：１、好ましくは、１：２０〜１：１、より好ましくは、１：１０〜１：１、最も好ましくは、１：４〜１：１の比で存在してよい。混合マトリックス系は、好ましくは、燐光有機エレクトロルミッセンス素子中で用いられる。混合マトリックス系に関するより詳細な情報は、特に、出願WO 2010/108579で得られる。
【０１８８】
本発明の化合物と組み合わせて混合マトリックス系のマトリックス成分として使用することのできる特に適するマトリックス材料は、どの型のドーパントが混合マトリックス系に使用されるかに応じて、以下に示される燐光ドーパントのための好ましいマトリックス材料または蛍光ドーパントのための好ましいマトリックス材料から選ばれる。
【０１８９】
したがって、本発明は、また、少なくとも一つの式（１）の化合物と少なくとも一つのさらなるマトリックス材料とを含む組成物に関する。
【０１９０】
本発明は、また、少なくとも一つの式（１）の化合物と少なくとも一つの広帯域ギャップ材料とを含む組成物に関し、広帯域ギャップ材料は、US 7,294,849の開示の意味での材料を意味すると理解される。これらの系は、エレクトロルミッセンス素子で有利な性能データを特に呈する。
【０１９１】
本発明は、さらに、少なくとも一つの式（１）の化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる有機半導体材料とを含む組成物に関する。
【０１９２】
混合マトリックス系での使用のための好ましい燐光ドーパントは、以下に特定される好ましい燐光ドーパントである。
【０１９３】
燐光ドーパントの例は、出願WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373およびUS2005/0258742に見出すことができる。一般的には、燐光発光ＯＬＥＤのために先行技術にしたがって使用され、有機エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に知られるようなすべての燐光発光錯体が適切である。
【０１９４】
燐光ドーパントの明確な例が、以下の表により示される。
【０１９５】
【化３１−１】
2020015727.tif 000073
【０１９６】
【化３１−２】
2020015727.tif 000074
【０１９７】
【化３１−３】
2020015727.tif 000075
【０１９８】
【化３１−４】
2020015727.tif 000076
【０１９９】
【化３１−５】
2020015727.tif 000077
【０２００】
【化３１−６】
2020015727.tif 000078
【０２０１】
【化３１−７】
2020015727.tif 000079
【０２０２】
【化３１−８】
2020015727.tif 000080
【０２０３】
【化３１−９】
2020015727.tif 000081
【０２０４】
【化３１−１０】
2020015727.tif 000082
【０２０５】
好ましい蛍光ドーパントは、アリールアミンのクラスから選ばれる。本発明の文脈でのアリールアミンもしくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３個の置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造を含む化合物の意味であると理解される。好ましくは、これら芳香族もしくは複素環式芳香族環構造の少なくとも１個は、縮合環構造であり、より好ましくは、少なくとも１４個の芳香族環原子を有する。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンもしくは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、一個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9-位で結合する化合物の意味であると理解される。芳香族アントラセンジアミンは、二個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9.10-位で結合する化合物の意味であると理解される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、好ましくは、ピレンに、1位もしくは1.6-位で結合する。さらに好ましいドーパントは、たとえば、WO 2006/108497もしくはWO 2006/122630によるインデノフルオレンアミンあるいはインデノフルオレンジアミン、たとえば、WO 2008/006449によるベンゾインデノフルオレンアミンあるいはベンゾインデノフルオレンジアミン、および、たとえば、WO 2007/140847によるジベンゾインデノフルオレンアミンあるいはジベンゾインデノフルオレンジアミンおよびWO 2010/ 012328に開示された縮合アリール基を含むインデノフルオレン誘導体である。
【０２０６】
好ましくは、蛍光ドーパントのための適切なマトリックス材料は、式（１）の化合物に加えて、種々のクラスの物質からである。好ましいマトリックス材料は、オリゴアリーレン（たとえば、EP 676461による2,2’,7,7’-テトラフェニルスピロビフルオレンもしくはジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえば、ＤＰＶＢｉもしくはEP 676461によるスピロ-ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（たとえば、WO 2004/081017による）、正孔伝導化合物（たとえば、WO 2004/058911による）、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（たとえば、WO 2005/084081およびWO 2005/084082による）、アトロプ異性体（たとえば、WO 2006/048268による）、ボロン酸誘導体（たとえば、WO 2006/177052による）またはベンズアントラセン（たとえば、WO2008/145239による）のクラスから選択される。特に好ましいマトリックス材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドのクラスから選択される。非常に特に好ましいマトリックス材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体のクラスから選択される。本発明の文脈でのオリゴアリーレンは、少なくとも三個のアリールもしくはアリーレン基が互いに結合した化合物の意味であると理解される。
【０２０７】
燐光ドーパントのための好ましいマトリックス材料は、式（１）の化合物と同様に、芳香族アミン、特に、たとえば、US2005/0069729によるトリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（N,N-ビスカルバゾリルビフェニル）または、WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527もしくはWO2008/086851による化合物、たとえば、WO 2011/088877およびWO 2011/128017による架橋カルバゾール誘導体、WO2010/136109およびWO2011/000455によるインデノカルバゾール誘導体、たとえば、EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160によるアザカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2007/063754もしくはWO 2008/056746によるインドロカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2004/093207もしくはWO 2010/006680によるケトン、たとえば、WO 2005/003253によるホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、オリゴアリーレン、たとえば、WO 2007/137725によるバイポーラーマトリックス材料、たとえば、WO 2005/111172によるシラン、たとえば、WO2006/117052によるアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえば、WO2010/15306、WO2007/063754もしくはWO2008/056746によるトリアジン誘導体、たとえば、EP652273もしくはWO2009/062578による亜鉛錯体、アルミニウム錯体、たとえば、ＢＡｌｑ、たとえば、WO2010/054729によるジアザシロールもしくはテトラアザシロール誘導体、たとえば、WO2010/054730によるジアザホスホール誘導体、アルミニウム錯体、たとえば、ＢＡｌｑである。
【０２０８】
カソード、アノードおよび式（１）の化合物を含む層とは別に、電子素子は、さらなる層を含んでよい。これらは、たとえば、各場合に、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層、励起子ブロック層、中間層、電荷生成層（IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J.Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J.Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer)および/または有機あるいは無機ｐ／ｎ接合を含んでもよい。しかしながら、これら層の夫々は、必ずしも存在する必要はないことが指摘されねばならない。
【０２０９】
有機エレクトロルミッセンス素子での層配列は、好ましくは、以下のとおりである：アノード−−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−カソード。
【０２１０】
同時に、前記層の全てが必ずしも存在する必要がないことおよび/またはさらなる層が追加的に存在してもよいことを、ここで、再度指摘する必要がある。
【０２１１】
本発明の有機エレクトロルミッセンス素子は、２以上の発光層を含んでもよい。この場合に、これらの発光層は、より好ましくは、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ間に全体で複数の最大発光波長を有し、全体として、白色発光が生じるものであり、換言すれば、蛍光もしくは燐光を発し、青色もしくは黄色、オレンジ色もしくは赤色発光することができる種々の発光化合物を、発光層に使用することができる。特に、好ましいものは、３層構造であり、すなわち、３個の発光層を有する構造であり、ここで、その３層は青色、緑色およびオレンジ色もしくは赤色発光を呈する（基本構造については、たとえば、WO 2005/011013参照。）。白色光の生成のためには、広波長範囲で発光する個々に使用されるエミッター化合物が、色発光する複数のエミッター化合物に代えて適当である可能性があることに注意する必要がある。
【０２１２】
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の正孔注入もしくは正孔輸送層中で、または電子ブロック層中でまたは電子輸送層中で使用することができる適切な電荷輸送材料は、たとえば、Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010に開示された化合物または先行技術によりこれらの層に使用される他の材料である。
【０２１３】
電子輸送層のために使用される材料は、電子輸送層中で電子輸送材料として先行技術により使用されるとおりのすべての材料である。特に適切なものは、アルミニウム錯体、たとえば、Ａｌｑ３、ジルコニウム錯体、たとえば、Ｚｒｑ４、ベンズイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、芳香族ケトン、ラクタム、ボラーン、ジアザホスホール誘導体およびホスフィンオキシド誘導体である。さらに、適切な材料は、JP2000/053957、WO2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975およびWO 2010/072300に開示されたとおりの上記言及した化合物の誘導体である。
【０２１４】
正孔輸送、正孔注入もしくは電子ブロック層中で使用することができる好ましい正孔輸送材料は、インデノフルオレンアミン誘導体（たとえば、WO 06/122630もしくはWO06/100896)による）、EP1661888に開示されたアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（たとえば、WO 01/049806による）、縮合芳香族環を持つアミン誘導体（たとえば、US5, 061,569による）、WO95/09147に開示されたアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO08/006449による）、ジベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO 07/140847による）、スピロビフルオレンアミン（たとえば、WO2012/034627もしくは未公開EP12000929.5による）、フルオレンアミン（たとえば、未公開出願EP12005369.9、EP12005370.7およびEP12005371.5による）、スピロジベンゾピランアミン（たとえば、未公開出願EP 11009127.9による）およびジヒドロアクリジン誘導体（たとえば、未公開出願EP 11007067.9による）である。
【０２１５】
好ましい電子素子のカソードは、低い仕事関数を有する金属、種々の金属を含む金属合金もしくは多層構造、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属あるいはランタノイド金属（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）を含む。また、適切なのは、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含む合金と銀、たとえば、マグネシウムと銀とを含む合金である。多層構造の場合、たとえば、ＡｇあるいはＡｌのような比較的高い仕事関数を有するさらなる金属を前記金属に加えて使用することもでき、その場合、たとえば、Ｃａ/Ａｇ、Ｍｇ/ＡｇもしくはＢａ／Ａｇのような金属の組み合わせが一般的に使用される。高い誘電定数を有する材料の薄い中間層を金属カソードと有機半導体との間に挿入することも好ましい可能性がある。この目的のために有益な材料の例は、アルカリ金属フッ化物もしくはアルカリ土類金属フッ化物だけでなく対応する酸化物もしくは炭酸塩である（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）。リチウムキノリナート（ＬｉＱ）も、この目的のために使用することができる。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【０２１６】
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。アノードは、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶより高い仕事関数を有する。第１に、たとえば、Ａｇ、ＰｔもしくはＡｕのような高い還元電位を有する金属が、この目的に適切である。第２に、金属/金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ/Ｎｉ/ＮｉＯｘ、Ａｌ/ＰｔＯｘ）も好ましい可能性がある。いくつかの用途のためには、少なくとも一つの電極は、有機材料の照射（有機太陽電池）もしくは発光（ＯＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）の何れかを可能とするために、透明または部分的に透明でなければならない。ここで、好ましいアノード材料は、伝導性混合金属酸化物である。特に好ましいものは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）もしくはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）である。さらに好ましいものは、伝導性のドープされた有機材料、特に、伝導性のドープされたポリマーである。さらに、アノードは、２以上の層、たとえば、ＩＴＯの内部層と金属酸化物の外部層、好ましくは、タングステン酸化物、モリブデン酸化物またはバナジウムから成ってもよい。
【０２１７】
製造中に、電子素子は（用途により）適切に構造化され、接点を供され、本発明による素子の寿命が水および/または空気の存在で短くなることから、最後に封止される。
【０２１８】
好ましい１態様では、本発明の電子素子は、１以上の層が、昇華プロセスにより適用されることを特徴とする。この場合に、材料は、１０−５mbar未満、好ましくは、１０−６mbar未満の初期圧力で、真空昇華ユニット中で真空気相堆積される。しかしながら、この場合に、初期圧力は、さらにより低くても、たとえば、１０−７mbar未満でも可能である。
【０２１９】
同様に好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相堆積）法もしくはキャリアガス昇華により適用されることを特徴とする。この場合に、材料は、１０−５mbar〜１barの圧力で適用される。このプロセスの特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）法であり、材料はノズルにより直接適用され、そしてそれにより構造化される（たとえば、M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301）。
【０２２０】
追加的に好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、溶液から、たとえば、スピンコーティングにより、もしくは、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、ノズル印刷あるいはオフセット印刷、特に好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）、あるいはインクジェット印刷のような任意の所望の印刷プロセスにより製造されることを特徴とする。可溶性の式（１）の化合物が、この目的のために必要である。
高い溶解性は、化合物の適切な置換により成し遂げることができる。
【０２２１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一以上の層を溶液からまた一以上の層を昇華プロセスにより適用することにより製造されることが、さらに好ましい。
【０２２２】
したがって、本発明は、少なくとも一つの有機層が気相堆積により、または溶液から適用されることを特徴とする本発明の電子素子の製造方法に関する。
【０２２３】
本発明によると、一以上の式（Ｉ）の化合物を含む電子素子は、照明用途の光源として、医療および/または美容用途（たとえば、光治療）の光源として、表示装置において使用することができる。
【０２２４】
本発明は、また、少なくとも一つの式（Ｉ）の化合物もしくは少なくとも一つの上記言及した組成物と少なくとも一つの溶媒を含む調合物に関する。
【０２２５】
適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、o-、m-もしくはp-キシレン、メチルベンゾエート、メシチレン、テトラリン、ベラトール、ＴＨＦ、メチル-ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に、3-フェノキシトルエン、(-)-フェンコンヌ、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン、1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、1-メチルナフタレン、2-メチルベンゾチアゾール、2-フェノキシエタノール、2-ピロリジノン、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、アセトフェノン、α-テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾエート、インダン、メチルベンゾエート、ＮＭＰ、p-シメン、フェネトール、1,4-ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ−テル、トリプロピレングリコールジメチルエ−テル、テトラエチレングリコールジメチルエ−テル、2-イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタンもしくはこれら溶媒の混合物である。
【０２２６】
式（１）の化合物を含む素子を、非常に多用途で使用することができる。よって、たとえば式（１）の１以上の化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子を、テレビジョン、モバイル電話機、コンピュータ、カメラ用の表示装置で使用することができる。代替として、素子を照明用途にも使用することができる。さらに、たとえばＯＬＥＤまたはＯＬＥＣにおいて、式（１）の少なくとも１つの化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子を、医学あるいは美容における光線療法に利用できる。したがって、多数の病気（乾癬、アトピー性皮膚炎、炎症、にきび、皮膚癌等）、あるいは皮膚の皺、皮膚の発赤、皮膚の老化の予防または低減の処置をすることができる。さらに、飲料、食物または食品を新鮮に保つため、あるいは装置（例えば医療機器）を滅菌するために、発光素子を利用することができる。
【０２２７】
したがって、本発明は、医学での光線療法に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、最も好ましくは、ＯＬＥＤにも関する。
【０２２８】
したがって、本発明は、さらに、皮膚疾患の光線療法に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、最も好ましくは、ＯＬＥＤにも関する。
【０２２９】
したがって、本発明は、さらに、乾癬、アトピー性皮膚炎、炎症、にきび、皮膚癌の光線療法に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、最も好ましくはＯＬＥＤにも関する。
【０２３０】
したがって、本発明は、さらに、ニキビ、皮膚の老化の、およびセルライトの治療用に美容用に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、最も好ましくは、ＯＬＥＤにも関する。
【０２３１】
本発明の化合物と本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、先行技術より優れた以下の驚異的な利点により、先行技術とは異なる。
【０２３２】
１．本発明の化合物は、発光層での使用のための極めて良好な安定性を有し、先行技術からの化合物を超える改善された性能を示す。
【０２３３】
２．本発明の化合物は、比較的低い昇華温度、高い温度安定性を有し、分解することなく、残留物もなく昇華することができる。さらに、それらは、高い酸化安定性と高いガラス転移温度を有し、このことはたとえば溶液からのまたは気相からの加工能性と、電子素子での使用との両者について好都合である。
【０２３４】
３．電子素子における本発明の化合物の使用、特に、電子輸送または電子注入材料として、さらに発光材料として用いることは、高い効率、低い駆動電圧と長い寿命をもたらす。
【０２３５】
本発明で説明された態様の変形が、本発明の範囲に入ることが指摘されねばならない。
本発明で開示された各特長は、明確に除外されなければ、同じか、等価か、類似する目的に役立つ代替的特徴により置き代えられてよい。したがって、特に断らなければ、本発明で開示された各特長は、一般的な一連の例としてか、等価か類似する特長とみなされなければならない。
【０２３６】
本発明のすべての特長は、特定の特徴および/または工程が相互に排除しないならば、とにかく互いに組み合わせることができる。これは、特に、本発明の好ましい特徴にあてはまる。同様に、非本質的な組み合わせの特徴は、（組み合わせではなく）別に、使用することができる。
【０２３７】
多くの特徴、特に、本発明の好ましい態様の特徴は、それ自身で発明性があり、本発明の態様の単なる部分としてだけではないとみなされねばならない。現在クレームされた発明に加えてまたその代替として、独立した保護が、これらの特徴のために与えられてよい。
【０２３８】
本発明で開示された技術的機能に関する教示を抽出し、他の例と組み合わせることができる。
【０２３９】
本発明を、以下の例によってより詳細に説明するが、それにより本発明が制限されるものではない。
【０２４０】
例：
以下の合成を、別段の指定がない限り、無水溶媒中で保護ガス雰囲気下で実施する。溶媒及び試薬を、たとえば、Sigma-ALDRICHまたはABCRから購入することができる。文献から公知の化合物に対して示されている角括弧中の数字は、ＣＡＳ番号である。
【０２４１】
例１
3-ジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾールの合成
【０２４２】
【化３２】
2020015727.tif 000083
【０２４３】
２８．９ｇ（１３６ミリモル）のジベンゾフラン-4-ボロン酸と、４０ｇ（１２４．１ミリモル）の3-ブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールと、７８．９ｍＬ（１５８ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのトルエンと、１２０ｍＬのエタノールと、１００ｍＬの水との中に懸濁させる。２．６ｇ（２．２ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で、１６時間加熱する。冷却後、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、２００ｍＬの水で三度洗浄し、その後濃縮乾固させる。残留物をトルエンから再結晶化させる。収率は４９．７ｇ（１２１ミリモル）であり、理論値の９７％に対応する。
【０２４４】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２４５】
【化３３−１】
2020015727.tif 000084
【０２４６】
【化３３−２】
2020015727.tif 000085
【０２４７】
例２
ビス（ビフェニル-4-イル）ジベンゾフラン-4-イルアミンの合成
【０２４８】
【化３４】
2020015727.tif 000086
【０２４９】
６００ｍＬのトルエン中の、３６．６ｇ（１４７ミリモル）の4-ブロモジベンゾフランと、３９．５ｇ（１２３ミリモル）のビス（ビフェニル-4-イル）アミンとの脱気溶液を１時間、Ｎ２で飽和させる。その後、この溶液には、最初に２．０９ｍＬ（８．６ミリモル）のＰ（ｔＢｕ）３と、次いで１．３８ｇ（６．１ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）と、次いで、固体状態の１７．７ｇ（１８５ミリモル）のＮａＯｔＢｕとを、添加する。反応混合物を還流下で１時間加熱する。室温まで冷却後、５００ｍｌの水を慎重に添加する。水相を３×５０ｍＬのトルエンで洗浄し、ＭｇＳＯ４で脱水し、溶媒を減圧下で除去する。その後、粗生成物を、ヘプタン／酢酸エチル（２０：１）と共に、シリカゲルを使用して、クロマトグラフィーによって精製する。
【０２５０】
収率は５７．７ｇ（１１８ミリモル）であり、理論値の８０％に対応する。
【０２５１】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２５２】
【化３５】
2020015727.tif 000087
【０２５３】
例３
9-フェニル-3-（6-トリメチルシラニルジベンゾフラン-4-イル）-9H-カルバゾールの合成
【０２５４】
【化３６】
2020015727.tif 000088
【０２５５】
１０００ｍＬのＴＨＦ中、４９ｇ（１２１ミリモル）の3-ジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾールと、２８ｇ（２４２ミリモル）のＴＭＥＤＡとの、２０℃に冷却された溶液に対して、１２７ｍＬ（２２５．４ミリモル）のｎ-ブチルリチウム（ヘキサン中２．５Ｍ）を滴下する。反応混合物を室温で３時間撹拌し、次いで０℃に冷却し、２６ｇ（２４２ミリモル）のクロロトリメチルシランを３０分間以内に滴下し、その混合物を室温で８時間撹拌する。その後、溶媒を減圧下で除去し、残留物を溶離剤としてのクロロホルムと共に、シリカゲルを使用して、カラムクロマトグラフィーによって精製する。
収率：３４ｇ（７２ミリモル）、理論値の６０％。
【０２５６】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２５７】
【化３７−１】
2020015727.tif 000089
【０２５８】
【化３７−２】
2020015727.tif 000090
【０２５９】
【化３７−３】
2020015727.tif 000091
【０２６０】
例４
B-[6-(フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-4-ジベンゾフラニル]ボロン酸の合成
【０２６１】
【化３８】
2020015727.tif 000092
【０２６２】
保護ガス下で、２１ｇ（８６ミリモル）の三臭化臭素を、５００ｍｌのジクロロメタン中の３４ｇ（７２ミリモル）のN-フェニル-3-(6-トリメチルシラニルジベンゾフラン-4-イル)-9H-カルバゾールの溶液に滴下し、その混合物を室温で１０時間撹拌する。その後、少量の水を徐々にその混合物に添加し、沈殿した残留物を濾過し、ヘプタンで洗浄する。収率は２８ｇ（６２ミリモル）であり、理論値の８６％に対応する。
【０２６３】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２６４】
【化３９−１】
2020015727.tif 000093
【０２６５】
【化３９−２】
2020015727.tif 000094
【０２６６】
【化３９−３】
2020015727.tif 000095
【０２６７】
例５
B-[6-(フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-4-ジベンゾフラニル]ボロン酸の合成
【０２６８】
【化４０】
2020015727.tif 000096
【０２６９】
９ｇ(３２ミリモル)のB,B’-4,6-ジベンゾフランジイルビスボロン酸と、１５ｇ（３１．６ミリモル）の3-ブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールと、３１ｍＬ（６３ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのトルエンと、１２０ｍＬのエタノール中に懸濁させる。０．７３ｇ(０．６３ミリモル)のＰｄ（ＰＰｈ３）４をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で１６時間加熱する。冷却後、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、２００ｍｌの水で三度洗浄し、その後、濃縮乾固させる。残留物をトルエンから再結晶化させる。収率は１１．１ｇ（２４ミリモル）であり、理論値の７０％に対応する。
【０２７０】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２７１】
【化４１】
2020015727.tif 000097
【０２７２】
例６
3-(6-ブロモジベンゾフラン-4-イル）-9-フェニル-9H-カルバゾールの合成
【０２７３】
【化４２】
2020015727.tif 000098
【０２７４】
１０．４３ｇ(３２ミリモル)のB-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)ボロン酸と、８．９ｇ（３１．６ミリモル）の4,6-ジブロモジベンゾフランと、３１ｍＬ（６３ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのトルエンと、１２０ｍＬのエタノールとの中に懸濁させる。０．７３ｇ(０．６３ミリモル)のＰｄ（ＰＰｈ３）４をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で１６時間加熱する。冷却後、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、２００ｍＬの水で三度洗浄し、次いで、濃縮乾固させる。残留物をトルエンから再結晶化させる。収率は１１．４ｇ（２３ミリモル）であり、理論値の７３％に対応する。
【０２７５】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２７６】
【化４３−１】
2020015727.tif 000099
【０２７７】
【化４３−２】
2020015727.tif 000100
【０２７８】
【化４３−３】
2020015727.tif 000101
【０２７９】
同じような方法で、以下の化合物を、適切なボロン酸との第二の添加によって、得ることもできる：残留物をトルエンから再結晶化させ、最後に高真空下（ｐ＝５×１０−５ミリバール）で昇華させる。
【０２８０】
【化４４−１】
2020015727.tif 000102
【０２８１】
【化４４−２】
2020015727.tif 000103
【０２８２】
【化４４−３】
2020015727.tif 000104
【０２８３】
例７
3-｛6-[3-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)フェニル]ジベンゾフラン-4-イル｝-9-フェニル-9H-カルバゾールの合成
【０２８４】
【化４５】
2020015727.tif 000105
【０２８５】
３２．１ｇ（７０ミリモル）のB-[6-(フェニル-9H-カルバゾール-3-イル）-4-ジベンゾフラニル]ボロン酸と、２７ｇ（７０ミリモル）の2-(3-ブロモフェニル)-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンと、７８．９ｍＬ（１５８ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのエタノールと、１００ｍＬの水との中に懸濁させる。１．３ｇ（１．１ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で１６時間加熱する。冷却後、ジクロロメタンをこの混合物に添加し、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過する。収率は４４ｇ（６１ミリモル）であり、理論値の８７％に対応する。
残留物をトルエンから再結晶化させ、最後に高真空下（ｐ＝５×１０−５ミリバール）で昇華させる。純度は９９．９％である。
【０２８６】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２８７】
【化４６−１】
2020015727.tif 000106
【０２８８】
【化４６−２】
2020015727.tif 000107
【０２８９】
【化４６−３】
2020015727.tif 000108
【０２９０】
【化４６−４】
2020015727.tif 000109
【０２９１】
【化４６−５】
2020015727.tif 000110
【０２９２】
例８
9,9’-ジフェニル-8-(3-{4-フェニル-6-[(E)-((Z)-1-プロペニル)-ブタ-1,3-ジエニル] -[1,3,5]トリアジン-2-イル}-フェニル)-9H,9’H-[1,2’]ビカルバゾリルの合成
【０２９３】
【化４７】
2020015727.tif 000111
【０２９４】
５０ｇ（７０．５８ミリモル）の8-[3-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)-フェニル]-9’-フェニル)-9H,9’H-[1,2’]ビカルバゾリルと、１６．４ｇ（１０５．８７ミリモル）のブロモベンゼンとをトルエン中に溶解させ、保護ガスの導入により脱気させる。これに続いて、７ｍＬ（７ミリモル、トルエン中１Ｍ溶液）のトリ-tert-ブチルホスフィンと、６３３．８ｍｇ（２．８２ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４と、１０．２ｇ（１０５．８７ミリモル）のＮａＯｔＢｕとを添加する。固形物を前もって脱気しておき、反応混合物を事後脱気し、次いで還流下で３時間、撹拌する。温い反応溶液をＡｌｏｘ
Ｂ（活性レベル１）を通して濾過し、水で洗浄し、乾燥させ、濃縮させる。収率は４２ｇ（５３ミリモル）であり、理論値の７７％に対応する。残留物をトルエンから再結晶化させ、最後的に高真空下（ｐ＝５×１０−５ミリバール）で昇華させる。純度は９９．９％である。
【０２９５】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０２９６】
【化４８】
2020015727.tif 000112
【０２９７】
例９
2-{6-[4-(2,6-ジフェニルピリジン-4-イル)フェニル]ジベンゾフラン-4-イル}-4,6-ジフェニル[1,3,5]トリアジンの合成
【０２９８】
【化４９】
2020015727.tif 000113
【０２９９】
９ｇ（３２ミリモル）のB,B’-4,6-ジベンゾフランジイルビスボロン酸と、６．５ｇ（３１．６ミリモル）の2-クロロ-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンと、３１ｍＬ（６３ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのトルエンと１２０ｍＬのエタノールとの中に懸濁させる。０．７３ｇ（０．６３ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４を、この懸濁液に添加し、その反応混合物を還流下で８時間、加熱する。その後、６．５ｇ（３１．６ミリモル）の4-(4-ブロモフェニル)-2,6-ジフェニルピリジンを添加し、混合物を還流下で、さらに８時間加熱する。冷却後、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、２００ｍＬの水で三度洗浄し、次いで濃縮乾固させる。残留物をトルエンから再結晶化させる。収率は１９．１ｇ（２６ミリモル）であり、理論値の７７％に対応する。
【０３００】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
対称化合物の場合、最初の０．５当量の反応物２と、次いで０．５当量の反応物３とを添加する。
【０３０１】
【化５０−１】
2020015727.tif 000114
【０３０２】
【化５０−２】
2020015727.tif 000115
【０３０３】
例１０
2-{6-[4-(2,6-ジフェニル-[1,3,4]トリアジン-4-イル)フェニル]-ジベンゾフラン-4-イル}-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンの合成
ａ）  2-(6-ブロモジベンゾフラン-4-イル)-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンの調製
【０３０４】
【化５１】
2020015727.tif 000116
【０３０５】
８０ｇ（２４５ミリモル）の4,6-ジブロモジベンゾフランを、５００ｍＬの無水ＴＨＦに、ベークアウトフラスコ中で溶解させる。その反応混合物を−７８℃に冷却する。この温度で、ジブチルエーテル（１１５ミリモル）中、５７ｍＬのｎ−フェニルリチウムの１．９Ｍ溶液をゆっくりと滴下する。その混合物を−７３℃でさらに１時間、撹拌する。その後、６５ｇの2-クロロ-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン（２４５ミリモル）を１５０ｍＬのＴＨＦ中に溶解させ、−７０℃で滴下する。添加の完了後、反応混合物を徐々に室温まで温め、室温で終夜、撹拌し、水でさまし、次いで、ロータリーエバポレーターで濃縮させる。この期間に、白色の固形物が沈殿する。混合物を次いで、室温まで冷まし、沈殿した固形物を吸引濾過し、メタノールで洗浄する。収率は４０ｇ（８４ミリモル）であり、理論値の３４％に対応する。
【０３０６】
ｂ）  2-{6-[4-(2,6-ジフェニル-[1,3,4]トリアジン-4-イル)フェニル]-ジベンゾフラン-4-イル}-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンの調製
【０３０７】
【化５２】
2020015727.tif 000117
【０３０８】
３３．４ｇ（７０ミリモル）の2-(6-ブロモジベンゾフラン-4-イル)-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンと、２４．７ｇ（７０ミリモル）の4-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)フェニルボロン酸と、７８．９ｍＬ（１５８ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのエタノールと１００ｍＬの水との中に懸濁させる。１．３ｇ（１．１ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４を、この懸濁液に添加し、その反応混合物を還流下で１６時間、加熱する。冷却後、ジクロロメタンをこの混合物に添加し、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、トルエンから再結晶化させる。収率は４２ｇ（５９ミリモル）であり、理論値の８５％に対応する。
【０３０９】
例１１
2-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンの調製
【０３１０】
【化５３】
2020015727.tif 000118
【０３１１】
２４ｇ（７０ミリモル）の4-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イルフェニル)ボロン酸と、１７．３ｇ（７０ミリモル）の3-ブロモジベンゾフランと、７８．９ｍＬ（１５８ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのエタノールと１００ｍＬの水との中に懸濁させる。１．３ｇ（１．１ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４を、この懸濁液に添加し、その反応混合物を還流下で１６時間、加熱する。冷却後、ジクロロメタンをこの混合物に添加し、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、トルエンから再結晶化させる。収率は２８ｇ（５８ミリモル）であり、理論値の８６％に対応する。
【０３１２】
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
【０３１３】
【化５４】
2020015727.tif 000119
【０３１４】
例１２
2,4-ジフェニル-6-[4-(6-トリメチルシラニル-ジベンゾフラン-3-イル)フェニル]- [1, 3,5]トリアジンの調製
【０３１５】
【化５５】
2020015727.tif 000120
【０３１６】
１０００ｍｌのＴＨＦ中、５７．４ｇ（１２１ミリモル）の2-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジンと、２８ｇ（２４２ミリモル）のＴＭＥＤＡとの、２０℃に冷却された溶液に対して、１２７ｍＬ（２２５．４ミリモル）のｎ-ブチルリチウム（ヘキサン中２．５Ｍ）を滴下する。その反応混合物を室温で３時間撹拌し、次いで、０℃に冷却し、２６ｇ（２４２ミリモル）のクロロトリメチルシランを３０分間以内に滴下する。混合物を室温で８時間撹拌する。その後、溶媒を減圧下で除去し、残留物を溶離剤としてのクロロホルムと共に、シリカゲルを使用して、カラムクロマトグラフィーによって精製する。収率：４１ｇ（７４ミリモル）、理論値の６３％。
【０３１７】
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
【０３１８】
【化５６】
2020015727.tif 000121
【０３１９】
例１３
3-[4-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)フェニル]-ジベンゾフラン-6-ボロン酸の調製
【０３２０】
【化５７】
2020015727.tif 000122
【０３２１】
保護ガス下で、２１ｇ（８６ミリモル）の三臭化臭素を、５００ｍｌのジクロロメタン中の３９ｇの2,4-ジフェニル-6-[4-(6-トリメチルシラニルジベンゾフラン-3-イル)フェニル]-[1,3,5]トリアジンの溶液に滴下し、その混合物を室温で１０時間撹拌する。その後、少量の水を徐々にその混合物に添加し、沈殿した残留物を濾過し、ヘプタンで洗浄する。収率は３２ｇ（６２ミリモル）であり、理論値の８７％に対応する。
【０３２２】
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
【０３２３】
【化５８】
2020015727.tif 000123
【０３２４】
例１４
3-{7-[4-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)フェニル]-ジベンゾフラン-4-イル}-9-フェニル-9H-カルバゾールの調製
【０３２５】
【化５９】
2020015727.tif 000124
【０３２６】
３６ｇ（７０ミリモル）の3-[4-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)フェニル]-ジベンゾフラン-6ボロン酸と、２２．５ｇ（７０ミリモル）の3-ブロモジベンゾフランと、７８．９ｍＬ（１５８ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍＬのエタノールと１００ｍＬの水との中に懸濁させる。１．３ｇ（１．１ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４を、この懸濁液に添加し、その反応混合物を還流下で１６時間、加熱する。冷却後、ジクロロメタンをこの混合物に添加し、有機相を除去し、シリカゲルを通して濾過し、トルエンから再結晶化させる。残留物をトルエンから再結晶化させ、最後に高真空下（ｐ＝５×１０−５ミリバール）で昇華させる。収率は３９ｇ（５４ミリモル）であり、理論値の８０％に対応する。
【０３２７】
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
【０３２８】
【化６０】
2020015727.tif 000125
【０３２９】
例１５
ＯＬＥＤの製造および特性決定
以下の例Ｃ１〜Ｉ２２（表１と２を参照）では、種々のＯＬＥＤのデータが提示されている。厚さ５０ｎｍの構造化されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で被覆された、清浄にした（研究室の食器洗浄機、Merck Extran洗浄剤で洗浄した）ガラス薄板が、改善された加工のために、２０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（3, 4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレン・スルホン酸）で水溶液からのスピン、Heraeus Clevios Metals GmbH独国からCLEVIOS（登録商標）P VP AI 4083として購入）で被覆される。これらの被覆されたガラス薄板はＯＬＥＤが適用される基板を形成する。
【０３３０】
ＯＬＥＤは、基本的に、次の層構造を有する：基板／正孔輸送層（ＨＴＬ）／中間層（ＩＬ）／電子ブロック層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／随意に、正孔ブロック層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／随意に、電子注入層（ＥＩＬ）および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍ厚のアルミニウム層により形成される。ＯＬＥＤの正確な構造を、表１に見ることができる。ＯＬＥＤの製造のために必要な材料を、表３に示す。
【０３３１】
すべての材料は、真空室において、熱気相堆積により適用される。この場合、発光層は、常に、少なくとも一種のマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸発により特定の体積割合で一種または複数種のマトリックス材料に添加される発光ドーパント（エミッター）とから成る。ここでは、ＩＮＶ−１：ＩＣ３：ＴＥＧ１（６０％：３５％：５％）等の形で与えられている詳細は、材料ＩＮＶ−１が６０体積％の割合で層中に存在し、ＩＣ３が３５体積％の割合で層中に存在し、ＴＥＧ１が５体積％の割合で層中に存在することを意味する。同じように、電子輸送層も、二種の材料の混合物から成ってもよい。
【０３３２】
ＯＬＥＤは、標準方法により特性決定される。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、ランベルト発光特性を仮定して、電流-電圧-輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から計算した、輝度の関数としての電流効率（ｃｄ／Ａで測定）、パワー効率（Ｉｍ／Ｗで測定）、外部量子効率（ＥＱＥ、パーセントで測定）が測定される。エレクトロルミネセンススペクトルは、輝度１０００ｃｄ／ｍ２で測定され、ＣＩＥ１９３１ｘおよびｙ色座標はそこから計算される。表２でのパラメータＵ１０００は、輝度１０００ｃｄ／ｍ２に対して必要とされる電圧を示す。ＣＥ１０００とＰＥ１０００は、１０００ｃｄ／ｍ２で達成される電流およびパワー効率をそれぞれ示す。最後に、ＥＱＥ１０００は、駆動輝度１０００ｃｄ／ｍ２での外部量子効率を示す。
【０３３３】
種々のＯＬＥＤについてのデータを、表２に列挙する。例Ｃ１−Ｃ８は比較例であり、先行技術による材料を含むＯＬＥＤを示している。例Ｉ１−Ｉ２２は、本発明の材料を含むＯＬＥＤのデータを示している。
【０３３４】
いくつかの例を、本発明による化合物の優位性を証明するために、以下により詳細に説明する。しかしながら、これは、表２に示されるデータの単なる選択であることが指摘されねばならない。表から察することができるように、先行技術と比べて顕著な改善が、特に詳細には言及されていない本発明の化合物を使用するときでさえも、達成することもできるが、それらは、ある場合には、すべてのパラメータにおいて、ある場合には効率または電圧での改善のみを観察することができる。しかしながら、種々の用途が、異なるパラメータに関する最適化を必要とすることから、前記パラメータの一つの改善でさえも、著しい進歩である。
【０３３５】
電子輸送材料としての本発明の化合物の使用
先行技術による材料ＶＧ−６がＥＴＬで使用されるＯＬＥＤと比べて、本発明の材料ＩＮＶ−５、ＩＮＶ−７、ＩＮＶ−１５、ＩＮＶ−２１、ＩＮＶ−２０を使用するとき、電圧と効率の著しい改善が観察される。特に、物質ＩＮＶ−５を使用するとき、ＶＧ−６と比べて、１．５Ｖまでの改善された電圧が得られ、たとえば３５％のより良好な外部量子効率と、二倍を超える電力効率が得られる（例Ｃ６、Ｉ５）。
【０３３６】
燐光ＯＬＥＤでのマトリックス材料としての、本発明の化合物の使用
ピリミジンとジベンゾフランとの間にフェニル環を挿入することによって、１５％までのＥＱＥの改善と、０．１Ｖまでの電圧の改善が可能である（例Ｃ１、Ｉ１）。このことはトリアジンを含む化合物の同じような方法にもあてはまる（例Ｃ２、Ｉ２、Ｉ３）。
【０３３７】
さらに、トリアジンまたはカルバゾール基を、ジベンゾフランに関して対面で結合させるとき好都合である（例Ｃ４，Ｉ２、Ｉ３）。このことはカルバゾールとトリアジンとの間の基の接続がジベンゾフランではなく、カルバゾールであるとき同じような方法にあてはまる（例Ｃ５、Ｉ４）。
【０３３８】
【表１】
2020015727.tif 000126
【０３３９】
【表２】
2020015727.tif 000127
【０３４０】
【表３−１】
2020015727.tif 000128
【０３４１】
【表３−２】
2020015727.tif 000129
【０３４２】
【表３−３】
2020015727.tif 000130
【０３４３】
【表３−４】
2020015727.tif 000131
【０３４４】
【表３−５】
2020015727.tif 000132
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月30日(2019.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（２）の化合物：
【化１】
2020015727.tif 000144
式中、使用される記号と添え字は、以下のとおりである；
Ｘは、出現毎に同一であるか異なり、ＣＲ１であり；
Ｑは、出現毎に同一であるか異なり、Ｘ=Ｘであり；
ＡおよびＡ'は、同一であるか異なり、互いに独立であってよい１以上のＲ１基により置換されてよい５もしくは６個の環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり；
Ｇ１、Ｇ２は、出現毎に同一であるか異なり、電子不足複素環式芳香族基の群から選ばれる有機電子輸送基（ＥＴＧ）であり、ＥＴＧは、ピリミジン、1,2,4-トリアジンもしくは1,3,5-トリアジンであり、それぞれ、１以上のＲ１で置換されてよく；
または、正孔を伝導する電子リッチ有機基（ＬＴＧ）であり、ＬＴＧは、１以上のＲ１で置換されてよいアリールアミン、トリアリールアミン、カルバゾール、ビスカルバゾール、インデノカルバゾールとインドロカルバゾールであり；
ここで、Ｇ１およびＧ２基の少なくとも一つは、電子輸送基（ＥＴＧ）であらねばならず、Ｇ１およびＧ２基は、１以上の独立したＲ１基により置換されてよく；
Ａｒ１は、Ｇ１が電子輸送基である場合は、６〜６０個の環原子を有する２価の芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＥＴＧともブリッジせず、；
または、Ｇ１が正孔輸送基である場合は、６〜６０個の環原子を有する芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＬＴＧともブリッジせず；
Ａｒ２は、Ｇ２が電子輸送基である場合は、６〜６０個の環原子を有する２価の芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＥＴＧともブリッジせず；
または、Ｇ２が正孔輸送基である場合は、６〜６０個の環原子を有する芳香族環もしくは環構造であり、ここで、環もしくは環構造は、ＡおよびＡ'環を含む環構造とも、ＬＴＧともブリッジせず；
Ｖは、単結合、ＮＡｒ３、ＯまたはＳであり、単結合の場合には、ＡおよびＡ'環の炭素原子は、単結合により互いに直接結合し、；
Ｗは、単結合、Ｃ=Ｏ、Ｃ（Ｒ１）２、ＮＲ１、ＯまたはＳであり、単結合の場合には、ＡおよびＡ'環の炭素原子は、単結合により互いに直接結合し；
ｍは、０もしくは１の何れかであり；
ｎは、０もしくは１の何れかであり；
ここで、ｍ＝ｎであり；
ｐは、０もしくは１の何れかであり；
ｑは、０もしくは１の何れかであり、ここで、ｐ＋ｑは、１もしくは２の何れかであり；
Ａｒ３は、１以上のＲ３基により置換されてよい１以上のＲ２基によりそれぞれ置換されてよい５〜３０個の環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環もしくは環構造であり、ここで、２以上のＲ２基は一緒に環を形成してよく；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（夫々、１以上のＲ２基により置換されてよい。）、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい６〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造であり；
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ３基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ=ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、各場合に、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上のＲ３基により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ２基は、一緒に、単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してよく；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族ヒドロカルビル基であって、ここで、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよく、同時に、２個以上のＲ３置換基は、一緒に単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
ただし、Ａ環中の１個を超えないＲ１置換基とＡ'環中の１個を超えないＲ１置換基は、６〜３０個の環原子を含む芳香族基を含む。
【請求項２】
Ａｒ１は、Ｇ１が電子輸送基である場合は、６〜６０個の環原子を有する２価の芳香族の、環もしくは環構造である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ａｒ１は、Ｇ１が電子輸送基である場合は、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ａｒ１は、Ｇ１が電子輸送基である場合は、フェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項５】
Ａｒ１は、Ｇ１が正孔輸送基である場合は、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項６】
Ａｒ１は、Ｇ１が正孔輸送基である場合は、フェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項７】
Ａｒ２は、Ｇ２が電子輸送基である場合は、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項８】
Ａｒ２は、Ｇ２が電子輸送基である場合は、フェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項９】
Ａｒ２は、Ｇ２が正孔輸送基である場合は、フェニレン、ビフェニレンもしくはテルフェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
Ａｒ２は、Ｇ２が正孔輸送基である場合は、フェニレン基である請求項１記載の化合物。
【請求項１１】
以下の一般式（３）〜（１１）の内の一つであることを特徴とする、請求項１〜１０何れか１項記載の化合物：
【化２−１】
2020015727.tif 000145
【化２−２】
2020015727.tif 000146
【化２−３】
2020015727.tif 000147
【請求項１２】
一般式（４）であることを特徴とする、請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
ＸがＣＲ１であり、ｍが１である一般式（４）であることを特徴とする、請求項１２記載の化合物。
【化３】
2020015727.tif 000148
【請求項１４】
ＸがＣＲ１であり、ｍが１であり、ｐが０であり、ｑが１である一般式（４）であることを特徴とする、請求項１３記載の化合物。
【請求項１５】
一般式（１３）であることを特徴とする、請求項１〜１４何れか１項記載の化合物
【化４】
2020015727.tif 000149
式中、Ｖは、ＯまたはＳであり、ここで、芳香族環は、各々１個を超えないＲ１置換基を有し、すなわち、ｓは、０または１であり、ｔは、０または１であり、ここで、ｓ＋ｔは、０，１または２であってよい。
【請求項１６】
一般式（１５）であることを特徴とする、請求項１〜１５何れか１項記載の化合物。
【化５】
2020015727.tif 000150
【請求項１７】
一般式（１６）であることを特徴とする、請求項１〜１６何れか１項記載の化合物。
【化６】
2020015727.tif 000151
【請求項１８】
一般式（１６ａ）であることを特徴とする、請求項１〜１７何れか１項記載の化合物。
【化７】
2020015727.tif 000152
【請求項１９】
２個のＧ１およびＧ２基の一方は、ＥＴＧであり、他方はＬＴＧであることを特徴とする、請求項１〜１８何れか１項記載の化合物。
【請求項２０】
請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの追加的な化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる化合物を含む組成物。
【請求項２１】
追加的な化合物が、ホストまたはマトリックス材料であることを特徴とする、請求項２０記載の組成物。
【請求項２２】
追加的な化合物が、２．５ｅＶ以上のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項２０または２１記載の組成物。
【請求項２３】
請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２０〜２２何れか１項記載の少なくとも一つの組成物と少なくとも一つの溶媒とを含む調合物。
【請求項２４】
請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２０〜２２何れか１項記載の少なくとも一つの組成物の、電子素子での使用。
【請求項２５】
請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２０〜２２何れか１項記載の少なくとも一つの組成物を含む電子素子。
【請求項２６】
有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機エレクトロルミッセンス素子、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機光学検査素子、有機光受容体から選ばれる、請求項２５記載の電子素子。
【請求項２７】
有機エレクトロルミッセンス素子が、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機電場消光素子（ＯＦＱＤ）、有機発光電子化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＥＣ、ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）より成る群から選ばれる、請求項２６記載の電子素子。
【請求項２８】
少なくとも一つの有機層が、気相堆積によりまたは溶液から適用されることを特徴とする、請求項２５〜２７何れか１項記載の電子素子の製造方法。
【請求項２９】
光治療のための医療用途での使用のための請求項２５〜２７何れか１項記載の電子素子。
【外国語明細書】
2020015727000001.pdf