(57)【要約】【課題】型が所望の位置からずれることを低減するインプリント装置を提供する。【解決手段】型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、型の形状と倍率を補正する補正機構と、型と基板との形状と倍率の差に基づいて補正機構を制御する制御部と、を有し、制御部は、閉ループ制御による倍率の補正量に掛ける係数である倍率係数に基づいて、補正機構による型への合力およびモーメントが釣り合うように形状の補正量に掛ける形状係数を変化させる。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型の形状と倍率を補正する補正機構と、
前記型と前記基板との形状と倍率の差に基づいて前記補正機構を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、閉ループ制御による前記倍率の補正量に掛ける係数である倍率係数に基づいて、前記補正機構による前記型への合力およびモーメントが釣り合うように前記形状の補正量に掛ける形状係数を変化させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記形状係数は、閉ループ制御によって前記型の第１の形状を補正するための第１の形状補正量に掛ける第１の係数と、開ループ制御によって前記型の第２の形状を補正するための第２の形状補正量に掛ける第２の係数と、を含み、
前記制御部は、前記第１の係数と、前記第２の係数と、をそれぞれ変化させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１の係数を、前記倍率係数と前記倍率の補正量に基づいて求められる前記補正機構の出力値と前記補正機構の出力上限値および出力下限値との差分から、決定することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第２の係数を、前記倍率係数と前記倍率の補正量、および、前記第１の係数と前記第１の形状補正量に基づいて求められる前記補正機構の出力値と前記補正機構の出力上限値および出力下限値との差分から、決定することを特徴とする請求項２または３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記第１の形状は、ひし形形状および台形形状のいずれか一方を含むことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第２の形状は、ひし形形状および台形形状のいずれか一方を含み、前記第１の形状とは異なることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板を加熱して変形させる加熱機構を有し、
前記制御部は、前記加熱機構による前記基板への加熱変形と併せて開ループ制御によって前記型の第３の形状を補正する第３の形状補正量に掛ける第３の係数を変化させることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第３の係数を、前記倍率係数と前記倍率の補正量、前記第１の係数と前記第１の形状補正量、および、前記第２の係数と前記第２の形状補正量から求められる前記補正機構の出力値と前記補正機構の出力上限値および出力下限値との差分から、決定することを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第２の係数と前記第３の係数を同じ値とすることを特徴とする請求項７または８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第３の係数を、前記加熱機構の加熱量に掛けることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記第３の形状は、少なくともひし形形状、台形形状、および、高次形状の内の一つを含み、前記第１の形状および前記第２の形状とは異なることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記形状係数を０から１の間で変化させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記倍率係数を１とすることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記基板との形状の差に基づいて前記型の形状と倍率を補正し、
閉ループ制御による前記倍率の補正量に掛ける係数である倍率係数に基づいて、前記型の補正時における前記型への合力およびモーメントが釣り合うように前記形状の補正量に掛ける形状係数を変化させることを特徴とするインプリント方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工する工程と、を有し、
加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用なのリソグラフィ技術の一つとして提案されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（型）と基板上の硬化性組成物（インプリント材）とを接触させた状態で組成物を硬化させ、硬化した組成物から型を引き離すことで基板上にパターンを形成する。インプリント装置では、樹脂硬化方法として、紫外線などの光の照射によって基板上の組成物を硬化させる光硬化法が採用されている。
【０００３】
インプリント装置では、デバイスの性能を維持するために、基板上のパターン（所定の形状）に対して、型のパターンを高精度に転写する必要がある。この際、型保持機構に備えられる倍率・形状補正機構で、型の形状を変化させて、基板上のパターンと型のパターンの相対形状を合わせる技術がある。
【０００４】
特許文献１では、複数のアクチュエータによって型に対して力を加えて型の形状を調整し、基板上のショット領域と型のパターン部との形状誤差を低減させている。特許文献２では、型に力を加え、型のパターン領域を変形させる型形状補正機構と、基板側パターン領域を加熱し、基板側パターン領域を変形させるウエハ加熱機構と、によって型のパターン領域と基板側パターン領域との形状の差を低減している。これらの技術では、型に力を加える機構の複数の駆動機構の出力を組み合わせることで、型の倍率だけでなく、形状も補正することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−７９２４２号公報
【特許文献２】特開２０１３−１０２１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の技術では、前記複数の駆動機構の出力は、型の倍率・形状補正のみを目的としているため、例えば、アクチュエータなどの出力上限や、原理上負の力、つまり引っ張り方向の力を出せないことによる出力下限が存在する。そのため、一部の駆動機構が出力上限または出力下限に到達した場合、合力およびモーメントの釣り合いが崩れ、型保持機構における型の保持位置がずれうる。
【０００７】
本発明は、例えば、型が所望の位置からずれることを低減するインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記型の形状と倍率を補正する補正機構と、前記型と前記基板との倍率と形状の差に基づいて前記補正機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、閉ループ制御による前記倍率の補正量に掛ける係数である倍率係数に基づいて、前記補正機構による前記型への合力およびモーメントが釣り合うように前記形状の補正量に掛ける形状係数を変化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、型が所望の位置からずれることを低減するインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】基板の一例を示す模式図である。
【図３】変形機構の構成を示す概略図である。
【図４】変形機構による補正の第１例を説明する図である。
【図５】変形機構による補正の第２例を説明する図である。
【図６】変形機構による補正の第３例を説明する図である。
【図７】アクチュエータの出力値の一例を示す図である。
【図８】図７における補正時のそれぞれの補正量を示す図である。
【図９】第１の実施形態に係るメイン処理の一例を示すフロー図である。
【図１０】第１の実施形態に係る第３例の各補正成分をそれぞれ分けた状態を示す図である。
【図１１】倍率係数の決定について説明する図である。
【図１２】第１の係数の決定について説明する図でである。
【図１３】第２の係数の決定について説明する図である。
【図１４】第３の係数の決定について説明する図である。
【図１５】各係数の決定処理を説明するフロー図である
【図１６】第２の実施形態に係る第３例の各補正成分をそれぞれ分けた状態を示す図である。
【図１７】第２の実施形態に係る第２の係数および第３の係数の決定について説明する図である。
【図１８】物品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
図１は、第１の実施形態のインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、半導体デバイス製造工程に使用される、基板に型のパターンを転写する加工装置であり、ここでは一例として光硬化法を採用している。
【００１３】
インプリント装置１００は、インプリント処理によって基板Ｓの上にインプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンを形成する。インプリント処理は、接触処理、アライメント処理、硬化処理、分離（離型）処理を含みうる。接触処理は、基板Ｓのショット領域の上のインプリント材ＩＭに型Ｍのパターン領域Ｐを接触させる処理である。アライメント処理は、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとのアライメントを行う処理である。インプリント処理におけるアライメント処理は、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差が低減されるように型Ｍのパターン領域Ｐを変形させる変形処理を含む場合がある。硬化処理は、インプリント材ＩＭを硬化させる処理である。分離処理は、インプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンと型Ｍのパターン領域Ｐとを分離（離型）する処理である。
【００１４】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。
【００１５】
基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１６】
図２は、基板Ｓの一例を示す模式図である。本図には、基板Ｓにおける複数のショット領域ＳＲの配列例が示されている。図２中に示された番号は、複数のショット領域ＳＲを相互に識別するために与えられた番号（ショット番号）である。複数のショット領域ＳＲに対するインプリント処理は、予め決定された順番に従って実行されうる。
【００１７】
本明細書および添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。
【００１８】
図１に戻り、インプリント装置１００は、基板Ｓを保持し駆動する基板駆動機構ＳＤＭ、基板駆動機構ＳＤＭを支持するベースフレームＢＦ、型Ｍを保持し駆動する型駆動機構ＭＤＭ、および、型駆動機構ＭＤＭを支持する構造体ＳＴを備えうる。基板駆動機構ＳＤＭは、基板Ｓを保持する基板チャックＳＣを含む基板ステージＳＳと、基板ステージＳＳを位置決めすることによって基板Ｓを位置決めする基板位置決め機構ＳＡとを含みうる。型駆動機構ＭＤＭは、型Ｍを保持する型チャックＭＣと、型チャックＭＣを位置決めすることによって型Ｍを位置決めする型位置決め機構ＭＡとを含みうる。型駆動機構ＭＤＭは、接触工程および／または分離工程において型Ｍに加えられる力を検出するロードセルＬＣを含んでもよい。型駆動機構ＭＤＭは、更に、接触処理において、型Ｍのパターン領域Ｐが基板Ｓに向かって凸形状になるように型Ｍのパターン領域Ｐを変形させるようにパターン領域Ｐの反対側の面に圧力を加える圧力機構を備えうる。
【００１９】
基板駆動機構ＳＤＭおよび型駆動機構ＭＤＭは、基板Ｓと型Ｍとの相対位置が変更されるように基板Ｓおよび型Ｍの少なくとも一方を駆動する駆動機構ＤＭを構成する。駆動機構ＤＭによる相対位置の変更は、基板Ｓの上のインプリント材に対する型Ｍのパターン領域Ｐの接触、および、硬化したインプリント材（硬化物のパターン）からの型の分離のための駆動を含む。換言すると、駆動機構ＤＭによる相対位置の変更は、接触処理および分離処理が行われるように基板Ｓと型Ｍとの相対位置を変更することを含む。基板駆動機構ＳＤＭは、基板Ｓを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。型駆動機構ＭＤＭは、型Ｍを複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。
【００２０】
インプリント装置１００は、更に、型Ｍのパターン領域Ｐを変形させる変形機構ＭＡＧを備えうる。変形機構ＭＡＧは、ＸＹ平面に平行な面内におけるパターン領域Ｐの形状（大きさを含む）が変更されるようにパターン領域Ｐを変形させうる。変形機構ＭＡＧは、例えば、型Ｍの４つの側面に力を加えることによってパターン領域Ｐを変形させうる。
【００２１】
インプリント装置１００は、更に、ディスペンサＤＳＰを備えうる。ただし、ディスペンサＤＳＰは、インプリント装置１００の外部装置として構成されてもよい。ディスペンサＤＳＰは、基板Ｓのショット領域にインプリント材ＩＭを供給（塗布）または配置する。基板Ｓのショット領域へのインプリント材ＩＭの配置は、基板駆動機構ＳＤＭによって基板Ｓが駆動されている状態で、該駆動と同期してディスペンサＤＳＰがインプリント材ＩＭを吐出することによってなされうる。ここで、ディスペンサＤＳＰが基板Ｓの上の１つのショット領域にインプリント材ＩＭを配置する度に接触処理、アライメント処理、硬化処理および分離処理が実行されうる。あるいは、ディスペンサＤＳＰが基板Ｓの上の複数のショット領域にインプリント材ＩＭを配置した後に、該複数のショット領域の各々に対して接触処理、アライメント処理、硬化処理および分離処理が実行されてもよい。
【００２２】
インプリント装置１００は、更に、硬化部ＣＵを備えうる。硬化部ＣＵは、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭに型Ｍのパターン領域Ｐが接触した状態でインプリント材ＩＭに硬化用のエネルギーを照射することによってインプリント材ＩＭを硬化させる。これによって、インプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンが基板Ｓの上に形成される。
【００２３】
インプリント装置１００は、更に、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫの位置、型ＭのマークＭＭＫの位置、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫと型ＭのマークＭＭＫとの相対位置等を検出（計測）するアライメントスコープ（計測部）ＡＳを備えうる。インプリント装置１００は、更に、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫの位置を検出（計測）するオフアクシススコープＯＡＳを備えうる。
【００２４】
インプリント装置１００は、更に、制御部ＣＮＴを備えうる。制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭ、変形機構ＭＡＧ、ディスペンサＤＳＰ、硬化部ＣＵ、アライメントスコープＡＳ、オフアクシススコープＯＡＳを制御しうる。制御部ＣＮＴは、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
【００２５】
制御部ＣＮＴは、アライメントスコープＡＳによって検出される結果、例えば、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫの位置に基づいて当該ショット領域の形状を演算することができる。また、制御部ＣＮＴは、アライメントスコープＡＳによって検出される結果、例えば、型ＭのマークＭＭＫの位置に基づいて型Ｍのパターン領域Ｐの形状を演算することができる。制御部ＣＮＴは、このようにして得られたショット領域の形状とパターン領域Ｐの形状とに基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差を演算して取得しうる。換言すると、制御部ＣＮＴは、ショット領域の形状とパターン領域Ｐの形状とに基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの形状の差を演算して取得しうる。あるいは、制御部ＣＮＴは、アライメントスコープＡＳによって検出される結果、例えば、基板ＳのマークＳＭＫと型ＭのマークＭＭＫとの相対位置に基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差を演算しうる。換言すると、制御部ＣＮＴは、アライメントスコープＡＳの出力に基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差を演算しうる。重ね合わせ誤差は、例えば、倍率成分、および、歪み成分（例えば、ひし形形状、台形形状等の成分、または、より高次の成分）を含みうる。
【００２６】
次に、図３を参照して、変形機構ＭＡＧの詳細な構成の一例について説明する。図３は、変形機構ＭＡＧの構成例を示す概略図である。変形機構ＭＡＧは、型Ｍの４つの側面ＭＳに力を加えることによって型Ｍのパターン領域Ｐを変形させうる。変形機構ＭＡＧは、型Ｍの側面から外力を加えて型を物理的に変形させる補正機構である。型Ｍの側面に力を加えることにより、型Ｍのパターン領域Ｐの形状が補正される。この補正によりパターン領域Ｐを所望の形状にすることで、基板上に形成されているパターン（ショット領域）の形状と型に形成されているパターン領域Ｐの形状との差を低減させることができる。それにより、基板上に形成されているパターンと、新たに基板の上に形成されるインプリント材のパターンとの重ね合わせ精度を向上させることができる。
【００２７】
変形機構ＭＡＧによって制御可能なパターン領域Ｐの形状（大きさを含む）の成分は、例えば、倍率成分、および、歪み成分（例えば、ひし形、台形等の成分、または、より高次の成分）を含みうる。変形機構ＭＡＧは、複数のユニット２０を含みうる。各ユニット２０は、型Ｍの側面ＭＳに接触する接触部２１と、接触部２１を駆動するアクチュエータ２２とを含みうる。アクチュエータ２２は、例えば、ピエゾ素子を含みうるが、他の素子を含んでもよい。
【００２８】
図４は、変形機構ＭＡＧによる補正の第１例を説明する図である。本図は、補正倍率と補正形状の一例として、ひし形形状、台形形状および高次形状を補正する場合、各倍率および形状の補正指令値から、変形機構ＭＡＧへの指令値およびアクチュエータ出力値がどのように決まるかを示した図である。なお、ここで、高次形状とは、ひし形および台形よりも高次な関数で表される辺を有する形状であり、例えば、弓なり、糸巻き等である。本図において、各指令値成分で合力およびモーメントの釣り合いは取れている。また、本例では、形状補正指令値に負の指令値（図内ドット模様の矢印）があるが、すべての倍率補正量および形状補正量を足し合せた変形機構ＭＡＧへの指令値においてはすべての駆動機構で駆動力の上下限の範囲内に収まっている。そのため、指令値がそのままアクチュエータ出力値となる。
【００２９】
図５は、変形機構ＭＡＧによる補正の第２例を説明する図である。本図は、補正倍率と補正形状の一例として、ひし形、台形および高次形状を補正する場合、各倍率および形状の補正指令値から、変形機構ＭＡＧへの指令値およびアクチュエータ出力値がどのように決まるかを示した図である。各指令値成分で合力およびモーメントの釣り合いは取れている。また、本例では、形状補正指令値に負の指令値（図内ドット模様の矢印）があり、すべての倍率補正量および形状補正量を足し合せた変形機構ＭＡＧへの指令値においても、負の指令値が一部のアクチュエータに与えられる。一方で変形機構ＭＡＧではその構造から原理的に負の出力を出すことができないため、負の指令値を受け取ったアクチュエータにおいては、零およびアクチュエータの出力下限値を出力する。この場合、アクチュエータ出力の合力およびモーメントの釣り合い関係が崩れ、型Ｍが型チャックＭＣからずれる可能性がある。
【００３０】
図６は、変形機構ＭＡＧによる補正の第３例を説明する図である。本図は、補正倍率と補正形状の一例として、ひし形、台形および高次形状を補正する場合、各倍率および形状の補正指令値から、変形機構ＭＡＧへの指令値およびアクチュエータ出力値がどのように決まるかを示した図である。各指令値成分で合力およびモーメントの釣り合いは取れている。また、本例では、形状補正指令値に負の指令値（図内ドット模様の矢印）がある。また、倍率補正量が大きいため、すべての倍率補正量及び形状補正量を足し合せた変形機構ＭＡＧへの指令値においては、負の指令値はないものの、アクチュエータの出力上限値以上の指令値（図内ハッチングの矢印）が一部のアクチュエータに与えられる。アクチュエータの出力上限値以上の指令値を受け取ったアクチュエータにおいては、アクチュエータの出力上限値を出力する。この場合、アクチュエータ出力の合力およびモーメントの釣り合い関係が崩れ、型Ｍと型チャックＭＣとの間で型がずれる可能性がある。
【００３１】
図７は、アクチュエータの出力値の一例を示す図である。本図では、基板上のマークと型上のマークの相対位置の計測結果から相対倍率・相対形状をリアルタイムに変形機構ＭＡＧを閉ループ制御しながらインプリントするときの、あるアクチュエータの出力値を時系列で示している。上記閉ループ制御で倍率・形状補正をする場合、ヒステリシスの影響を軽減するために、補正開始時に変形機構ＭＡＧを上限、下限あるいは予測される最終到達補正量に対して相対的に決定される量に事前駆動する方法がある。図７においては、事前に変形機構ＭＡＧを下限に開放する場合を示しているが、本実施形態は事前駆動の量については限定しない。
【００３２】
図８は、図７における補正時のそれぞれの補正量を示す図である。本図は、図７で示した閉ループ制御による補正時の、開ループ補正による形状も含めた各補正成分を示している。すなわち閉ループ制御による倍率補正量、閉ループ制御による形状補正量、開ループ制御による形状補正量および基板への加熱（入熱）変形と併せた開ループ制御での形状補正量を時系列で表している。
【００３３】
図４、図５および図６での説明のように、倍率補正は変形機構ＭＡＧへの指令値が正の値であるのに対し、形状補正は制御方法によらず正の指令値と負の指令値を含む。このことは、変形機構ＭＡＧは形状のみを補正することはできず、倍率補正による出力値が与えられている前提で負の出力を含む形状補正が可能になることを意味する。つまり、図８に示すように、閉ループ制御による倍率補正により変形機構ＭＡＧへの正の出力値が与えられ、その正の出力値に基づいて、負の形状補正可能量が割り当てられることとなる。また、倍率補正量が大きくなると、アクチュエータ出力の上限値までの残量が減少するため、これに応じて正の形状補正可能量も減少する。
【００３４】
図８の第iショット領域において、事前に補正量が決定されている開ループ制御で補正される形状指令値については、第ｉショット領域準備処理（第１処理）および第ｉショット領域インプリント処理（接触処理）の間に各アクチュエータに与えられる。第ｉショット領域インプリント処理（アライメント処理）が開始される前までには各アクチュエータに前記形状指令値がセットされている。
【００３５】
一方で、閉ループ制御による倍率補正はヒステリシスの影響を軽減するために、事前駆動として各アクチュエータへ開放の指令値を与え、アライメント開始から倍率補正量を与え始める。そのため、アライメントのごく初期の状態は、図５に示す第２例のように倍率指令値が小さくなり、すべての倍率・形状指令値を足し合せた指令値においては、負の指令値が発生し、アクチュエータ出力の合力およびモーメントの釣り合い関係が崩れうる。すると、型Ｍと型チャックＭＣとがずれる可能性がある。また、補正可能レンジに鑑みて、基板に対する型の倍率が極端に大きい場合または型に対する基板の倍率が極端に小さい場合は、閉ループ制御の終盤では、図６のように補正指令値がアクチュエータの出力上限値を超えうる。すると、アクチュエータ出力の合力およびモーメントの釣り合い関係が崩れ、型Ｍと型チャックＭＣとがずれる可能性がある。
【００３６】
上記のような型Ｍに与えられる合力およびモーメントの釣り合いが崩れた際に発生する型のずれを回避するための処理を図９から図１４を用いて説明する。
【００３７】
図９は、第１の実施形態に係るインプリント装置のメイン処理の一例を示すフロー図である。図９（Ａ）は、第１の実施形態に係るインプリント装置のメイン処理の一例を示すフロー図である。このフローチャートで示す各動作（ステップ）は、制御部ＣＮＴによる各部の制御により実行されうる。
【００３８】
まず、例えば、不図示の型搬入装置によって、型Ｍをインプリント装置内に搬入し、型駆動機構ＭＤＭの型チャックＭＣに型Ｍをセットする（Ｓ１０１）。次に、制御部ＣＮＴは、インプリント条件を設定する（Ｓ１０２）。インプリント条件は、インプリント処理を行う際の条件であり、例えば、インプリント処理されるショットの順番、基板Ｓへのインプリント材の供給量および配置などが含まれうる。また、型Ｍと基板上のインプリント材ＩＭとを接触させる時間である充填時間や、硬化部ＣＵから硬化用エネルギーを照射し、インプリント材ＩＭを硬化させる時間である露光時間などが含まれても良い。
【００３９】
次に、例えば、不図示の基板搬入装置によって基板Ｓをインプリント装置内に搬入し、基板駆動機構ＳＤＭの基板チャックＳＣに基板Ｓを載置して、基板を搬入（ロード）する（Ｓ１０３）。その後、基板Ｓの状態を検出するために、例えば、不図示の基板計測センサによって、基板Ｓの表面の傾きや高さを計測する（Ｓ１０４）。そして、基板Ｓに対してインプリント処理を行い（Ｓ１０５）、基板を搬出（アンロード）する（Ｓ１０６）。全ての基板に対してインプリント処理が終了するまで、Ｓ１０３〜Ｓ１０６を繰りかえし、全ての基板に対しインプリント処理が終了した場合（Ｓ１０７、ＹＥＳ）に、処理を終了する。
【００４０】
ここで、図９（Ｂ）を用いて、インプリント処理と変形機構ＭＡＧの駆動の詳細なフローについて説明する。図９（Ｂ）は、第１の実施形態に係るインプリント装置のインプリント処理の一例を示すフロー図である。このフローチャートで示す各動作（ステップ）は、制御部ＣＮＴによる各部の制御により実行されうる。
【００４１】
インプリント処理を行うショット領域（例えば、第ｉショット領域）がパターン領域Ｐの直下となるように、基板ステージＳＳを移動させる（Ｓ１１１）。その後、準備処理（第１処理）を行う（Ｓ１１２）。本実施形態では、一例としてヒステリシスの影響を軽減するため、準備処理において、事前駆動として変形機構ＭＡＧの出力値を下限に開放する。このとき、事前駆動位置への駆動開始から事前駆動開始までの変形機構ＭＡＧの出力値は以下の式により求めることができる。
【数１】
2020194893.tif 000003
上記式において、Ｆｎは変形機構ＭＡＧの出力値を示している。ｔは、時刻、ｔ０は事前駆動位置への駆動開始時刻、ｔ１は、事前駆動開始時刻を示している。ｆｎ直前ショット領域（例えば、第（ｉ−１）ショット領域）へのインプリント処理時における最終の変形機構ＭＡＧの出力値、ｎは変形機構ＭＡＧの識別番号を示している。Ｄｎは事前駆動目標値を示している。
【００４２】
また、事前駆動開始から事前駆動終了まで、換言すると事前駆動中の変形機構ＭＡＧ出力値は以下の式により求めることができる。
【数２】
2020194893.tif 000004
上記式において、ｔ２は事前駆動終了時刻、を示している。本実施形態では、事前駆動として変形機構ＭＡＧを下限に開放するため、事前駆動中の変形機構ＭＡＧ出力値は、変形機構ＭＡＧの下限値と同じとなる。なお、変形機構ＭＡＧの出力制限は以下の式で示すことができる。
【数３】
2020194893.tif 000005
【００４３】
その後、基板Ｓ上のインプリント材ＩＭと、型Ｍのショット領域ＳＲとを接触させる接触処理を行う（Ｓ１１３）。このときの変形機構ＭＡＧ出力値、すなわち、事前駆動終了時刻から次工程のアライメント処理を開始するまでの変形機構ＭＡＧ出力値は、以下の式で示すことができる。
【数４】
2020194893.tif 000006
上記式において、ｔ３はアライメント処理の開始時刻を示している。また、アライメント処理開始時刻における変形機構ＭＡＧの出力値は以下の式で示すことができる。
【数５】
2020194893.tif 000007
上記式において、Ｃｎ（Ｓｘ，Ｓｙ，Ｓｋ，Ｔｘ，Ｔｙ）は、補正形状から変形機構ＭＡＧへの出力変換行列を示している。ＳｘはＸ倍率、ＳｙはＹ倍率、Ｓｋはひし形、ＴｘはＸ台形、ＴｙはＹ台形のそれぞれの補正指令値を示している。Ｈｎは高次形状の変形ＭＡＧへの補正指令値を示している。ｋｍは倍率係数、ｋ1は第１の係数、ｋ2は第２の係数、ｋ3は第３の係数を示している。
【００４４】
その後、基板Ｓ上のインプリント材ＩＭと、型Ｍのショット領域ＳＲとを接触させた状態で、パターン領域Ｐの形状とショット領域ＳＲの形状とが互いに近づくようにパターン領域やショット領域の変形させるアライメント処理を行う（Ｓ１１４）。アライメント処理時における変形機構ＭＡＧ出力値は、以下の式で示すことができる。
【数６】
2020194893.tif 000008
【００４５】
その後、基板Ｓ上のインプリント材ＩＭと、型Ｍのショット領域ＳＲとを接触させた状態で、型Ｍを介して硬化部ＣＵから硬化エネルギーをインプリント対象のショット領域上のインプリント材に照射する。そして、硬化したインプリント材と型Ｍとを引き離す（離型）（Ｓ１１５）。これにより、基板Ｓのインプリント対象のショット領域には、型Ｍのパターン領域Ｐのパターンに対応するインプリント材パターンが残る。すなわち、型Ｍのパターン領域のパターンに対応したパターンが基板Ｓのインプリント対象のショット領域に形成される。基板上の全てのショット領域に対してインプリント処理が終了するまで、Ｓ１１１〜Ｓ１１５を繰りかえす。そして、全てのショット領域に対しインプリント処理が終了した場合（Ｓ１１６、ＹＥＳ）に、対象基板に対するインプリント処理を終了し、Ｓ１０６へ処理を進める。
【００４６】
第１の実施形態としては、図１０のように各倍率・形状補正量を、閉ループ制御で補正する倍率、閉ループ形状、開ループ制御で補正する形状、および基板への加熱変形と併せて開ループ制御で補正する形状に分ける。そして、制御部ＣＮＴは、閉ループ制御によってリアルタイムで変化する補正指令値がアクチュエータ出力の上下限の範囲内となるように、リアルタイムでそれぞれの補正指令値にかける係数を０から１の間で変化をさせ、各補正指令値にかける係数を決定する。より具体的な係数の決定方法について説明するために、例として図６のように閉ループ制御による倍率補正で補正指令値がアクチュエータ出力上限値に到達する場合を説明する。
【００４７】
図１０は、第１の実施形態に係る第３例の各補正成分をそれぞれ分けた状態を示す図である。すなわち、本図では、図６に示す各補正成分を閉ループ制御で補正する倍率、閉ループで制御する形状、開ループ制御で補正する形状、および基板への加熱変形と併せて開ループ制御で補正する形状に分けた状態である。制御部ＣＮＴは、これらの各補正量に基づいて、閉ループ制御による倍率の補正量に掛ける係数である倍率係数、形状補正量に掛ける形状係数である第１の係数、第２の係数および第３の係数を決定する。制御部ＣＮＴは、アクチュエータ出力の上下限の範囲内となるように、それぞれの補正指令値に掛ける係数を決定する。また、各係数は、例えば、倍率係数、第１の係数、第２の係数、第３の係数の順で決定される。
【００４８】
図１１は、倍率係数の決定について説明する図である。本図は、図１０の閉ループ制御で補正する倍率を示している。閉ループ制御の倍率補正に掛ける倍率係数は１であることが好ましい。第１の理由としては、重ね合わせ精度に対する影響度が他の形状と比較して大きい場合が多いためである。第２の理由としては、倍率成分においては基板Ｓのショット領域と型Ｍの相対倍率差が補正レンジ外で指令値が上下限に到達したとしても、指令値の合力およびモーメントの釣り合いは崩れにくいからである。図１１においては、倍率補正指令値のみでは、アクチュエータの出力上下限の範囲に入っているが、仮に範囲外であった場合も、合力およびモーメントは釣り合い、出力上下限の範囲内で最大限に補正できる補正量となる。よって、本実施形態では、倍率係数は１とする。
【００４９】
図１２は、第１の係数の決定について説明する図である。本図は、倍率係数と図１０の閉ループ制御で補正する倍率、および図１０の閉ループ制御で補正する形状を示している。ここでは、一例として、閉ループ制御でひし形を補正する。閉ループ制御の形状補正に掛ける第１の係数は、倍率係数（＝１）と閉ループ制御で補正する倍率の補正指令値、および、アクチュエータの出力上下限に基づいて、合計の補正指令値がすべてのアクチュエータで上下限範囲内になるように決定される。図１２の例では第１の係数を０．６７としている。その結果として、合計の補正指令値はすべてのアクチュエータ出力値で上下限の範囲内となっている。
【００５０】
図１３は、第２の係数の決定について説明する図である。図１３は、倍率係数、図１０の閉ループ制御で補正する倍率、第１の係数、図１０の閉ループ制御で補正する形状、および、図１０の開ループ制御で補正する形状を示している。ここでは、一例として、開ループ制御で台形を補正する。第２の係数は、倍率係数（＝１）を掛けた閉ループ制御の倍率補正指令値、第１の係数（＝０．６７）を掛けた閉ループ制御の形状補正指令値、および、アクチュエータの出力上下限に基づいて決定される。これらに基づき、合計の補正指令値がすべてアクチュエータの上下限範囲内になるように、第２の係数が決定される。図１３の例では第２の係数を０としている。その結果として、合計の補正指令値はすべてアクチュエータ出力値の上下限の範囲内となっている。
【００５１】
図１４は、第３の係数の決定について説明する図である。図１４は、倍率係数と図１０の閉ループ制御で補正する倍率、第１の係数、図１０閉ループ制御で補正する形状、第２の係数、図１０の開ループ制御で補正する形状、および、図１１の基板への加熱変形と併せて開ループ制御で補正する形状を示している。ここでは、一例として、加熱変形と併せて開ループ制御で高次形状を補正する。第３の係数は、基板への加熱変形と併せて開ループ制御で補正する形状に掛ける係数である。第３の係数は、倍率係数（＝１）を掛けた開ループ制御の倍率補正指令値、第１の係数（＝０．６７）を掛けた閉ループ制御の形状補正指令値、第２の係数（＝０）を掛けた開ループ制御の形状補正指令値、および、アクチュエータの出力上下限に基づいて決定される。これらに基づき、合計の補正指令値がすべてアクチュエータの上下限範囲内になるように、第３の係数が決定される。図１４の例では第３の係数は０．６７としている。その結果として、合計の補正指令値はすべてアクチュエータの出力値の上下限の範囲内となっている。上記、図１１から図１４は閉ループ制御の中でリアルタイムに計算が繰り返される。
【００５２】
図１５は、各係数の決定処理を説明するフロー図である。このフローチャートで示す各動作（ステップ）は、制御部ＣＮＴによる各部の制御により実行されうる。まず、制御部ＣＮＴは、倍率成分を算出し（Ｓ２０１）、倍率係数を決定する（Ｓ２０２）。上述の通り、ここでは、倍率係数は、１とする。次に、制御部ＣＮＴは、アクチュエータ出力の上限値および下限値までの残量が閾値以上であるか否かを判定する（Ｓ２０３）。言い換えると、制御部ＣＮＴは、倍率補正のための指令値に倍率係数を掛けたアクチュエータの出力値と、アクチュエータ出力の上限値及び下限値との差分が閾値以上であるか否かを判定する。残量が閾値以上でない場合（ＮＯ）、第１の係数、第２の係数、および第３の係数をそれぞれ０に決定し（Ｓ２０４）、処理を終了する。
【００５３】
一方、アクチュエータ出力への上限値および下限値までの残量が閾値以上である場合（Ｓ２０３、ＹＥＳ）、第１の係数を決定する（Ｓ２０５）。第１の係数は、倍率補正のための指令値に倍率係数を掛けたアクチュエータの出力値と、アクチュエータ出力の上限値及び下限値との差分に基づいて、決定される。次に、アクチュエータ出力への上限値および下限値までの残量が閾値以上であるか否かを判定する（Ｓ２０６）。残量が閾値以上でない場合（ＮＯ）、第２の係数、および第３の係数をそれぞれ０に決定し（Ｓ２０７）、処理を終了する。
【００５４】
一方、アクチュエータ出力への上限値および下限値までの残量が閾値以上である場合（Ｓ２０６、ＹＥＳ）、第２の係数を決定する（Ｓ２０８）。第２の係数は、倍率補正のための指令値に倍率係数を掛けた値と、閉ループ制御による形状補正のための指令値に第１の係数を掛けた値とを加算したアクチュエータの出力値と、アクチュエータ出力の上限値及び下限値との差分に基づいて、決定される。次に、アクチュエータ出力への上限値および下限値までの残量が閾値以上であるか否かを判定する（Ｓ２０９）。残量が閾値以上でない場合（ＮＯ）、第３の係数をそれぞれ０に決定し（Ｓ２１０）、処理を終了する。
【００５５】
一方、アクチュエータ出力への上限値および下限値までの残量が閾値以上である場合（Ｓ２０９、ＹＥＳ）、第３の係数を決定し（Ｓ２１１）、処理を終了する。第３の係数は、まず、倍率補正のための指令値に倍率係数を掛けた値と、閉ループ制御による形状補正のための指令値に第１の係数を掛けた値と、開ループ制御による形状補正のための指令値に第２の係数を掛けた値とを加算したアクチュエータの出力値を求める。そして、第３の係数は、求められたアクチュエータの出力値と、アクチュエータ出力の上限値及び下限値との差分に基づいて、決定される。
【００５６】
このようにして、リアルタイムで係数の変更がされることにより、変形機構ＭＡＧにおける出力値の合力およびモーメントが崩れることを低減することができ、型Ｍが型チャックＭＣからずれることを低減することが可能となる。
【００５７】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について説明をする。第２の実施形態としては、第１の実施形態の第２の係数と第３の係数が同じ場合について説明する。第２の実施形態では、図１０のように各倍率・形状補正量を、閉ループ制御で補正する倍率、閉ループ制御で補正する形状、開ループ制御で補正する形状、および基板への加熱変形と併せて開ループ制御で補正する形状に分ける。そして、それぞれに倍率係数、第１の係数、第２の係数および第３の係数を閉ループ制御によってリアルタイムで変化する補正指令値がアクチュエータ出力の上下限の範囲内となるようにリアルタイムで各係数を０から１の間で変化をさせる。このとき、第２の係数と第３の係数は同じとする。
【００５８】
より具体的な係数の制御方法について説明するために、例として図６に示す第３例のように閉ループ制御による倍率補正で補正指令値がアクチュエータ出力上限値に到達する場合を説明する。
【００５９】
図１６は、第１の実施形態に係る第３例の各補正成分をそれぞれ分けた状態を示す図である。すなわち、本図では、図６に示す各補正成分を閉ループ制御で補正する倍率、閉ループ制御で補正する形状、開ループ制御で補正する形状、および基板への加熱変形と併せて開ループ制御で補正する形状に分けた状態である。ただし、第２の実施形態では、第２の係数と第３の係数は同じとする。これらの各補正量から倍率係数、第１の係数および第２の係数を決定し、補正指令値がアクチュエータ出力の上下限の範囲内となるようにする。また、前記各係数は、倍率係数、第１の係数、第２の係数の順で決定される。
【００６０】
倍率係数の決定については、第１の実施形態と同様で図１２のとおりである。本実施形態では倍率係数は１とする。第１の係数の決定については、第１の実施形態と同様で図１３のとおりである。本実施形態では第１の係数は０．６７とし、その時の合計の補正指令値はすべてアクチュエータで上下限の範囲内となっている。
【００６１】
図１７は、第２の実施形態に係る第２の係数および第３の係数の決定について説明する図である。第２の係数および第３の係数は、倍率係数（＝１）を掛けた閉ループ制御の倍率補正指令値、第１の係数（＝０．６７）を掛けた閉ループ制御の形状補正指令値、および、アクチュエータの出力上下限に基づいて決定される。これらに基づき、合計の補正指令値がすべてアクチュエータの上下限範囲内になるように、第２の係数および第３の係数は決定される。図１８の例では第２の係数および第３の係数を０としている。その結果として、合計の補正指令値はすべてアクチュエータ出力値の上下限の範囲内となっている。上述の処理は、閉ループ制御の中でリアルタイムに計算が繰り返される。
【００６２】
本実施形態によれば、第２の係数と第３の係数を同じとするため、処理時間を短縮することができ、スループットを向上させることが可能となる。
【００６３】
＜第３の実施形態＞
上記第１の実施形態または第２の実施形態はショット領域を限定しない。例えば、基板外周部における欠けショット領域においては、基板縁の影響や重ね合わせ計測領域が小さいことから基板中央ショット領域と比較して、より大きい形状補正量が必要になる場合がある。その場合においては、型ずれが発生する可能性が高まるため、本発明はかけショット領域で特に効果を発揮する。なお、欠けショット領域とは、図２に示す、例えば、ショット番号１、２、６、および７などのショット領域である。
【００６４】
よって、本実施形態では、欠けショット領域へインプリント処理を行う場合にのみ、上述の第１の実施形態または第２の実施形態の各係数の決定処理を行う。
【００６５】
本実施形態によれば、欠けショット領域へインプリント処理時のみ係数の決定処理を行うため、処理時間をさらに短縮することができ、スループットを向上させることが可能となる。
【００６６】
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態では、第１の実施形態または第２の実施形態で決定された第３の係数を、基板への入熱機構への加熱量（入熱量）に掛ける。これにより、基板への加熱変形と併せて開ループで形状補正をする形状補正量の精度悪化を最低限に抑えることもできる。
【００６７】
＜第５の実施形態＞
上記第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態および第４の実施形態においては、型Ｍが型チャックＭＣからずれる型ずれの発生を低減することを第一の目的としている。このため、上記倍率係数、第１の係数、第２の係数および第３の係数が１以外の場合、適用される補正量は本来適用すべき補正量に到達しないという課題もある。一方で、合力およびモーメントの釣り合いが崩れても、前記合力およびモーメントが、型Ｍの裏面と型チャックＭＣの摩擦力以下であれば、型Ｍが型チャックＭＣからずれることを低減することが可能である。
【００６８】
そこで、第５の実施形態では、例えば、型Ｍを型チャックＭＣに吸着させた状態で、事前に変形機構ＭＡＧによって合力およびモーメントを意図的に発生させる。これにより、型ずれを検知することで、型Ｍの裏面と型チャックＭＣとの摩擦力を測定する。
【００６９】
上記倍率係数、第１の係数、第２の係数および第３の係数を算出する際に、摩擦力以下の合力およびモーメントを許容することで、補正量の制限を緩和する方法も考えられる。
【００７０】
（物品製造方法の実施形態）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型等が挙げられる。
【００７１】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。ウエハの加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００７２】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１８（Ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等のウエハ１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚがウエハ上に付与された様子を示している。
【００７３】
図１８（Ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側をウエハ上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１８（Ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与されたウエハ１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００７４】
図１８（Ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚとウエハ１ｚを引き離すと、ウエハ１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００７５】
図１８（Ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１８（Ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００７６】
（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【００７７】
また、本発明における制御の一部または全部を上述した実施形態の機能を実現するコンピュータプログラムをネットワーク又は各種記憶媒体を介して撮像装置や情報処理装置に供給するようにしてもよい。そしてその撮像装置や情報処理装置におけるコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ等）がプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。その場合、そのプログラム、及び該プログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することとなる。
【符号の説明】
【００７８】
１００    インプリント装置
ＭＡＧ    変形機構
ＣＮＴ    制御部
Ｓ        基板
Ｍ        型
【図１】
2020194893.tif 000009
【図２】
2020194893.tif 000010
【図３】
2020194893.tif 000011
【図４】
2020194893.tif 000012
【図５】
2020194893.tif 000013
【図６】
2020194893.tif 000014
【図７】
2020194893.tif 000015
【図８】
2020194893.tif 000016
【図９】
2020194893.tif 000017
【図１０】
2020194893.tif 000018
【図１１】
2020194893.tif 000019
【図１２】
2020194893.tif 000020
【図１３】
2020194893.tif 000021
【図１４】
2020194893.tif 000022
【図１５】
2020194893.tif 000023
【図１６】
2020194893.tif 000024
【図１７】
2020194893.tif 000025
【図１８】
2020194893.tif 000026