(57)【要約】【課題】バリスタ等の非線形素子やスイッチの選定範囲を拡大することで、スイッチの過剰仕様等を防ぐ。【解決手段】電源２００と負荷とを接続する主回路３００の主スイッチ１０１に対して並列接続される過電圧抑制回路１０２であって、主スイッチ１０１に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第１補助スイッチＳ１及び第１非線形素子Ｖ１と、主スイッチ１０１、第１補助スイッチＳ１、及び第１非線形素子Ｖ１に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第２補助スイッチＳ２及び第２非線形素子Ｖ２とを備え、第１非線形素子Ｖ１に所定の基準電流を流した場合に当該第１非線形素子に発生する電圧が、第２非線形素子Ｖ２に前記所定の基準電流を流した場合に当該第２非線形素子に発生する電圧よりも低くなるようにした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源と負荷とを接続する主回路の主スイッチに対して並列接続される過電圧抑制回路であって、
前記主スイッチに対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第１補助スイッチ及び第１非線形素子と、
前記主スイッチ、前記第１補助スイッチ、及び前記第１非線形素子に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第２補助スイッチ及び第２非線形素子とを備え、
前記第１非線形素子に所定の基準電流を流した場合に当該第１非線形素子に発生する電圧が、前記第２非線形素子に前記所定の基準電流を流した場合に当該第２非線形素子に発生する電圧よりも低い、過電圧抑制回路。
【請求項２】
前記主スイッチ、前記第１補助スイッチ、及び前記第２補助スイッチがオンしている状態から、前記主スイッチをオフすることにより前記第１非線形素子に発生する電圧が、前記主スイッチの定格電圧よりも低い、請求項１記載の過電圧抑制回路。
【請求項３】
前記主スイッチがオフしており、前記第１補助スイッチ及び前記第２補助スイッチがオンしている状態から、前記第１補助スイッチをオフすることにより前記第２非線形素子に発生する電圧が、前記主スイッチの定格電圧よりも低い、請求項１又は２記載の過電圧抑制回路。
【請求項４】
前記電源からの印加電圧により前記第２非線形素子に流れる電流が、前記電源からの印加電圧により前記第１非線形素子に流れる電流よりも小さい、請求項１乃至３のうち何れか一項に記載の過電圧抑制回路。
【請求項５】
前記第１補助スイッチ及び前記第２補助スイッチの正側に直列接続され、その順方向が前記第１補助スイッチ及び前記第補助スイッチを向くダイオードと、
前記ダイオードに並列接続された抵抗器とをさらに備える、請求項１乃至４のうち何れか一項に記載の過電圧抑制回路。
【請求項６】
電源と負荷とを接続する主回路に設けられた主スイッチと、
前記主スイッチに対して並列接続される過電圧抑制回路とを具備し、
前記過電圧抑制回路が、
前記主スイッチに対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第１補助スイッチ及び第１非線形素子と、
前記主スイッチ、前記第１補助スイッチ、及び前記第１非線形素子に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第２補助スイッチ及び第２非線形素子とを備え、
前記第１非線形素子に所定の基準電流を流した場合に当該第１非線形素子に発生する電圧が、前記第２非線形素子に前記所定の基準電流を流した場合に当該第２非線形素子に発生する電圧よりも低い、遮断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電圧抑制回路及びこの過電圧抑制回路を用いた遮断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の過電圧抑制回路としては、特許文献１に示すように、電源と負荷とを接続する主回路に設けられたスイッチを過電圧から保護するものがある。具体的にこの過電圧抑制回路は、スイッチに並列接続されたサージアブソーバたるバリスタを備えており、スイッチをオフすることにより生じる過電圧をバリスタが吸収するように構成されている。
【０００３】
ところで、一般にバリスタ等の非線形素子の特性として、連続的に印加（使用）できる最大の電圧である最大許容回路電圧Ｖ１と、サージ電圧を吸収して、ある程度低い電圧までサージ電圧を下げることができる最大の電圧である最大制限電圧Ｖ２との間に、Ｖ１×２＜Ｖ２といった関係があることが知られている。
【０００４】
このことから、例えば、主回路の回路電圧が７００Ｖであったとすると、この主回路に設けられたスイッチを過電圧から保護しようとする場合、バリスタとしては、まず最大許容回路電圧Ｖ１が７００Ｖより高いものを選定する必要がある。これにより、バリスタの最大制限電圧Ｖ２は１４００Ｖよりも高くなるので、スイッチとしては定格電圧が最大制限電圧Ｖ２よりも高い、例えば定格電圧が１７００Ｖ程度のものを選定する必要がある。その結果、スイッチの定格電圧は、主回路の回路電圧７００Ｖよりも過大となり、スイッチが過剰仕様となる。
【０００５】
一方、スイッチとして定格電圧が低いものを用いると、バリスタとして最大制限電圧Ｖ２が低いものを選定することとなり、バリスタの最大許容回路電圧Ｖ１が低くなる。その結果、バリスタの最大許容回路電圧Ｖ１が主回路の回路電圧を下回る場合には、バリスタが過熱等により破壊されてしまう。
【０００６】
このように、スイッチの定格電圧を下げようとすることと、回路電圧に対するバリスタの使用を担保しようとすることとは相反する関係にある。従って、スイッチやバリスタの選定範囲は制約されてしまい、スイッチの過剰仕様などによるコストの増大を招来する恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２３８３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、バリスタ等の非線形素子やスイッチの選定範囲を拡大することで、スイッチの過剰仕様等を防ぐことをその主たる課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明に係る過電圧抑制回路は、電源と負荷とを接続する主回路の主スイッチに対して並列接続される過電圧抑制回路であって、前記主スイッチに対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第１補助スイッチ及び第１非線形素子と、
前記主スイッチ、前記第１補助スイッチ、及び前記第１非線形素子に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第２補助スイッチ及び第２非線形素子とを備え、前記第１非線形素子に所定の基準電流を流した場合に当該第１非線形素子に発生する電圧が、前記第２非線形素子に前記所定の基準電流を流した場合に当該第２非線形素子に発生する電圧よりも低いことを特徴とするものである。
【００１０】
このように構成された過電圧抑制回路によれば、まず、主スイッチがオフしている状態において、第１補助スイッチ及び第２補助スイッチをオフしておけば、第１非線形素子及び第２非線形素子には主回路の電源からの電圧は印加されないので、第１非線形素子及び第２非線形素子の最大許容回路電圧を主回路の回路電圧よりも大きくする必要がない。これにより、第１非線形素子及び第２非線形素子の選定において、最大許容回路電圧の制約が緩和されるので、これらの非線形素子の選定範囲を拡大することができる。
そこで、第１非線形素子として、所定の基準電流を流した場合に当該第１非線形素子に発生する電圧が、同基準電流を流した場合に第２非線形素子に発生する電圧よりも低くなるものを選定することで、図２に示すように、主スイッチをオフすることにより生じる遮断電流Ｉ１は、第１非線形素子に流れることになる。つまり、主スイッチをオフすることにより生じる過電圧を、第１非線形素子により吸収することができる。このことから、第１非線形素子として最大制限電圧が低いものを用いることで、主スイッチとしても定格電圧が低いものを選定することができ、主スイッチの過剰仕様を防ぐことができる。
【００１１】
一方、第１非線形素子として最大制限電圧が低いものを用いることで、図２に示すように、第１非線形素子には、主回路の電源からの印加電圧（以下、回路電圧という）による電流が流れることになる。従って、第１補助スイッチをオフする際には、やはり過電圧が生じるが、この過電圧は第２非線形素子により吸収することができる。このことから、第２非線形素子の選定においては、図２に示すように、第１補助スイッチをオフすることにより生じる遮断電流Ｉ２が流れることで、当該第２非線形素子に発生する電圧が、主スイッチの定格電圧よりも小さくなるように選定すれば良い。すなわち、第２非線形素子としては、必ずしも最大制限電圧が主スイッチの定格電圧よりも低いものである必要はないので、主スイッチの定格電圧に制約されずに選定することができる。
【００１２】
このように、上述した過電圧抑制回路によれば、非線形素子や主スイッチの選定範囲を拡大することが可能となり、主スイッチの定格電圧を下げることができるので、主スイッチの過剰仕様等を防ぐことができる。
【００１３】
主スイッチをオフすることにより発生する過電圧から主スイッチを保護するためには、前記主スイッチ、前記第１補助スイッチ、及び前記第２補助スイッチがオンしている状態から、前記主スイッチをオフすることにより前記第１非線形素子に発生する電圧が、前記主スイッチの定格電圧よりも低いことが好ましい。
【００１４】
第１補助スイッチをオフすることにより発生する過電圧から主スイッチを保護するためには、前記主スイッチがオフしており、前記第１補助スイッチ及び前記第２補助スイッチがオンしている状態から、前記第１補助スイッチをオフすることにより前記第２非線形素子に発生する電圧が、前記主スイッチの定格電圧よりも低いことが好ましい。
【００１５】
第２補助スイッチをオフにすることにより発生する過電圧を可及的に小さくするためには、前記電源からの印加電圧により前記第２非線形素子に流れる電流が、前記電源からの印加電圧により前記第１非線形素子に流れる電流よりも小さいことが好ましい。
【００１６】
ところで、オフ状態にある第１補助スイッチや第２補助スイッチをオンすると、第１非線形素子や第２非線形素子の静電容量に蓄積された静電エネルギが放電され、主スイッチの定格を上回る突入電流が発生する恐れがある。
そこで、前記第１補助スイッチ及び前記第２補助スイッチの正側に直列接続され、その順方向が前記第１補助スイッチ及び前記第補助スイッチを向くダイオードと、前記ダイオードに並列接続された抵抗器とをさらに備えていることが好ましい。
このような構成であれば、第１補助スイッチや第２補助スイッチをオンすることにより生じる放電電流にとって、ダイオードは逆バイアスとなるため、当該放電電流は抵抗器に流れて消費される。これにより、第１補助スイッチや第２補助スイッチをオンする際に、主スイッチに定格を上回る突入電流が流れ込むことを防ぐことができる。
【００１７】
また、本発明に係る遮断装置は、電源と負荷とを接続する主回路に設けられた主スイッチと、前記主スイッチに対して並列接続される過電圧抑制回路とを具備し、前記過電圧抑制回路が、前記主スイッチに対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第１補助スイッチ及び第１非線形素子と、前記主スイッチ、前記第１補助スイッチ、及び前記第１非線形素子に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第２補助スイッチ及び第２非線形素子とを備え、前記第１非線形素子に所定の基準電流を流した場合に当該第１非線形素子に発生する電圧が、前記第２非線形素子に前記所定の基準電流を流した場合に当該第２非線形素子に発生する電圧よりも低いことを特徴とするものである。
このような遮断装置であれば、上述した過電圧抑制回路と同様の作用効果を発揮させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
このように構成した本発明によれば、主スイッチや非線形素子の選定範囲を広くすることが可能となり、主スイッチの定格電圧を下げることができるので、スイッチの過剰仕様等を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態の遮断装置の回路構成を模式的に示す図。
【図２】同実施形態の第１バリスタ及び第２バリスタの電圧特性を示すグラフ。
【図３】同実施形態の遮断装置の動作を説明するためのフローチャート。
【図４】同実施形態の遮断装置の動作や電流の流れを説明するためのグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係る遮断装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２１】
本実施形態の遮断装置１００は、図１に示すように、直流電源等の電源２００と負荷（不図示）とを接続する主回路３００に設けられ、負荷への直流電力の供給及び遮断を切り替えるものである。
【００２２】
具体的にこの遮断装置１００は、直流電力の供給及び遮断を切り替える主スイッチ１０１と、主スイッチ１０１に対して並列に設けられた過電圧抑制回路１０２とを具備している。
【００２３】
主スイッチ１０１は、電源２００と負荷とを接続する主回路３００に設けられた例えば半導体スイッチ素子等の遮断器であり、図示しない制御装置により制御されるゲート駆動回路によって開閉駆動される。主回路３００における主スイッチ１０１の両側（正側及び負側）には、ラインスイッチＳＷ等の開閉スイッチが設けられている。
【００２４】
過電圧抑制回路１０２は、主スイッチ１０１の遮断時に生じる過電圧を抑制するものであり、具体的には、第１転流回路１０、第２転流回路２０、及び過電流抑制回路３０を備えている。
【００２５】
第１転流回路１０は、主スイッチ１０１に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第１補助スイッチＳ１及び第１非線形素子Ｖ１を有している。第１補助スイッチＳ１は、例えば半導体スイッチである。第１非線形素子Ｖ１は、印加された電圧と当該素子に流れる電流とが比例しない素子であり、例えばＺｎＯなどのセラミックスを用いて構成されたバリスタである。以下、説明の便宜上、第１非線形素子Ｖ１を第１バリスタＶ１ともいう。
なお、第１補助スイッチＳ１及び第１バリスタＶ１は、上述したラインスイッチＳＷに対しては直列接続されており、ここでは第１補助スイッチＳ１が第１バリスタＶ１の正側に配置されている。
【００２６】
第２転流回路２０は、主スイッチ１０１、第１補助スイッチＳ１、及び第１バリスタＶ１に対して並列に設けられ、且つ、互いに直列に設けられた第２補助スイッチＳ２及び第２非線形素子Ｖ２を有している。第２補助スイッチＳ２は、例えば半導体スイッチである。第２非線形素子Ｖ２は、印加された電圧と当該素子に流れる電流とが比例しない素子であり、例えばＺｎＯなどのセラミックスを用いて構成されたバリスタである。以下、説明の便宜上、第２非線形素子Ｖ２を第２バリスタＶ２ともいう。
なお、第２補助スイッチＳ２及び第２バリスタＶ２は、上述したラインスイッチＳＷに対しては直列接続されており、ここでは第２補助スイッチＳ２が第２バリスタＶ２の正側に配置されている。
【００２７】
然して、本実施形態の過電圧抑制回路１０２は、第１バリスタＶ１のバリスタ電圧が、第２バリスタＶ２のバリスタ電圧よりも低いことを特徴とするものである。
なお、ここでいうバリスタ電圧とは、バリスタに所定の基準電流（例えば１ｍＡ）を流した場合に当該バリスタに発生する電圧である。
【００２８】
より詳細に説明すると、第１バリスタＶ１及び第２バリスタＶ２は、例えば図２に示す電圧特性を有している。すなわち、第１バリスタＶ１は、第２バリスタＶ２よりも電圧特性が低いものであり、同じ大きさの電流を流したときに発生する電圧が小さいものである。ここでは、流れる電流の大きさの変化に対する電圧の変化（図２に示す電圧特性の傾き）が、第１バリスタＶ１よりも第２バリスタＶ２の方が大きい。
また、電圧特性の一種である最大許容回路電圧、すなわち連続的に印加（使用）できる最大の電圧に関して言えば、第１バリスタＶ１よりも第２バリスタＶ２の方が大きい。
さらに、電圧特性の一種である最大制限電圧、すなわちサージ電圧を吸収して、ある程度低い電圧までサージ電圧を下げることができる最大の電圧に関して言えば、第１バリスタＶ１よりも第２バリスタＶ２の方が大きい。
なお、最大許容回路電圧と最大制限電圧との間には「最大許容回路電圧×２＜最大制限電圧」といった関係がある。
【００２９】
過電流抑制回路３０は、オフ状態にある第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２をオンすることにより生じる過電流を抑制するものであり、第１転流回路１０や第２転流回路２０よりも正側に設けられている。具体的にこの過電流抑制回路３０は、第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２の正側に直列接続され、その順方向が第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２を向くダイオード３１と、このダイオード３１に並列接続された抵抗器３２とを有している。なお、この過電流抑制回路３０は、受動素子のみから構成されている。
【００３０】
続いて、上述した各バリスタ等の選定方法の説明を兼ねて、本実施形態の遮断装置１００の動作説明を図３のフローチャートを参照しながら説明する。
【００３１】
まず、主スイッチ１０１、第１補助スイッチＳ１、及び第２補助スイッチＳ２がオンしており、電源２００からの電力を負荷に供給している状態において、電流検出器（不図示）によって例えば負荷の短絡等により生じる過電流を検出する（Ｓ１）。
【００３２】
過電流が検出された場合、制御装置（不図示）が主スイッチ１０１を遮断する（Ｓ２）。そうすると、主スイッチ１０１の遮断時において、主回路３００を構成する配電線のインピーダンスＬ（図１参照）に起因した過電圧が生じる。
【００３３】
このとき、本実施形態では、第１バリスタＶ１のバリスタ電圧が、第２バリスタＶ２のバリスタ電圧よりも低く、言い換えれば所定の基準電流を流した場合に発生する電圧が第１バリスタＶ１の方が第２バリスタＶ２よりも低いので、図２及び図４に示すように、上述した主スイッチ１０１の遮断により生じる遮断電流Ｉ１が第１バリスタＶ１に流れ込む。つまり、主スイッチ１０１の遮断時において生じる過電圧は、第１バリスタＶ１によって吸収される。
【００３４】
ここで、第１バリスタＶ１の選定において、図２に示すように、主スイッチ１０１の遮断により生じる遮断電流Ｉ１が流れることにより発生する電圧Ｖ１が主スイッチ１０１の定格電圧Ｖｘよりも低くなるように、第１バリスタＶ１を選定している。
逆に言えば、主スイッチ１０１の選定においては、選定した第１バリスタＶ１に遮断電流Ｉ１が流れることにより発生する電圧Ｖａよりも定格電圧Ｖｘが高くなるように、主スイッチ１０１を選定すれば良い。
【００３５】
主スイッチ１０１の遮断により生じる過電圧が第１バリスタＶ１によって吸収された後は、図２及び図４に示すように、第１バリスタＶ１には、主回路３００の電源２００からの印加電圧Ｖｙ（以下、回路電圧Ｖｙという）による電流Ｉ２が流れることになる。この電流Ｉ２は、第１バリスタＶ１として比較的電圧特性の低いものを選定していることから、零電流よりも大きい。従って、第１補助スイッチＳ１をオフすると（Ｓ３）、主スイッチ１０１をオフする場合と同様に過電圧が生じる。
【００３６】
そこで、本実施形態の過電圧抑制回路１０２は、第１補助スイッチＳ１をオフすることにより発生する過電圧を第２バリスタＶ２によって吸収できるように構成してある。
このことから、第２バリスタＶ２の選定においては、図２に示すように、第１補助スイッチＳ１をオフすることにより生じる遮断電流Ｉ２が流れることで発生する電圧Ｖｂが、主スイッチ１０１の定格電圧Ｖｘよりも小さくなるように選定すれば良い。すなわち、第２バリスタＶ２としては、必ずしも最大制限電圧が主スイッチ１０１の定格電圧Ｖｘよりも低いものを選定する必要はない。
【００３７】
このように、第１補助スイッチＳ１をオフすることにより生じる過電圧を第２バリスタＶ２によって吸収した後は、図２及び図４に示すように、第２バリスタＶ２には回路電圧による電流Ｉ３が流れることになる。この電流Ｉ３は、第２バリスタＶ２として少なくとも第１バリスタＶ１よりも電圧特性の高いものを選定することで、零電流又は零電流付近になる。
【００３８】
その後、第２バリスタＶ２に流れる電流が零電流又は零電流付近になった状態において、第２補助スイッチＳ２をオフすることで（Ｓ４）、過電圧を発生させることなく、主回路３００の遮断動作が完了する。
なお、保守などによる主スイッチ１０１の切り離しを行うべく、第２補助スイッチＳ２をオフした後にラインスイッチＳＷをオフにしても良い。
【００３９】
一方、主回路３００が遮断されている状態において、制御装置（不図示）が電力供給の開始を示す供給開始信号を取得すると（Ｓ５）、当該制御装置は、主スイッチ１０１をオンして（Ｓ６）、その後、第１補助スイッチＳ１及び第２補助スイッチＳ２をオンする（Ｓ７）。なお、このときラインスイッチＳＷは予めオンされている状態であり、第１補助スイッチＳ１及び第２補助スイッチＳ２のオンする順番は適宜選択して構わない。
【００４０】
このように第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２をオンする際、第１バリスタＶ１や第２バリスタＶ２を構成する図示しない静電容量に蓄積された静電エネルギが放電される。そこで本実施形態では、過電流抑制回路３０によって、第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２をオンする際に生じる過電流が主スイッチ１０１に流れ込むことを抑制するようにしてある。
具体的には、過電流抑制回路３０を構成するダイオード３１が、第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２をオンすることにより生じる放電電流にとって逆バイアスとなるため、当該放電電流は、過電流抑制回路３０の抵抗器３２に流れて消費される。
【００４１】
このように構成された遮断装置１００によれば、主回路３００の遮断動作により、主スイッチ１０１、第１補助スイッチＳ１、及び第２補助スイッチＳ２の全てがオフになるので、この状態における第１バリスタＶ１及び第２バリスタＶ２には回路電圧が印加されない。従って、第１バリスタＶ１や第２バリスタＶ２の最大許容回路電圧を回路電圧よりも大きくする必要がなく、第１バリスタＶ１や第２バリスタＶ２の選定において、最大許容回路電圧の制約が緩和されるので、これらのバリスタの選定範囲を拡大することができる。
【００４２】
また、主スイッチ１０１を遮断することにより生じる過電圧を、第１バリスタＶ１及び第２バリスタＶ２を用いて段階的に吸収しているので、主スイッチ１０１としては、第１バリスタＶ１の最大制限電圧よりも定格電圧が高いものであれば、その定格電圧は第２バリスタＶ２の最大制限電圧よりも高い必要はなく、主スイッチ１０１の過剰仕様を避けることができる。
【００４３】
第１バリスタＶ１としては、第１バリスタＶ１をオフすることにより生じる過電圧を第２バリスタＶ２によって吸収するので、主スイッチ１０１をオフすることにより生じる過電圧を吸収できるものであれば、比較的電圧特性が低いものであっても良い。
【００４４】
第２バリスタＶ２としては、第１補助スイッチＳ１をオフすることにより生じる遮断電流Ｉ２が流れることで電圧が、主スイッチ１０１の定格電圧よりも小さければ良いので、最大制限電圧が主スイッチ１０１の定格電圧よりも低いものである必要はない。
【００４５】
このように、上述した遮断装置１００によれば、主スイッチ１０１や第１バリスタＶ１や第２バリスタＶ２の選定範囲を広くすることが可能となり、主スイッチ１０１の定格電圧を下げることができるので、スイッチの過剰仕様を防ぐことができる。
【００４６】
さらに、過電流抑制回路３０を構成する抵抗器３２によって、第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２をオンすることにより生じる放電電流が消費されるので、第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２をオンする際において、主スイッチ１０１に定格を上回る突入電流が流れ込むことを防ぐことができる。
【００４７】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００４８】
例えば、前記実施形態の過電圧抑制回路１０２は、第１転流回路１０及び第２転流回路２０を備えていたが、これらの転流回路に対して並列な第３転流回路をさらに備えていても良い。つまり、過電圧抑制回路１０２が備える転流回路は２つに限らず、３つ以上であっても良い。
【００４９】
非線形素子としては、酸化亜鉛バリスタに限らず、例えば一対のツェナーダイオードを向かい合わせたものや、その他の構成のものを用いても良い。
【００５０】
主スイッチ１０１や第１補助スイッチＳ１や第２補助スイッチＳ２は、半導体スイッチに限らず、機械式のスイッチでも良い。
【００５１】
また、過電圧抑制回路１０２としては、必ずしも過電流抑制回路３０を備えていなくても良い。
【００５２】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５３】
１００・・・遮断装置
２００・・・電源
３００・・・主回路
１０１・・・主スイッチ
１０２・・・過電圧抑制回路
ＳＷ  ・・・ラインスイッチ
１０  ・・・第１転流回路
Ｓ１  ・・・第１補助スイッチ
Ｖ１  ・・・第１バリスタ（第１非線形素子）
２０  ・・・第２転流回路
Ｓ２  ・・・第２補助スイッチ
Ｖ２  ・・・第２バリスタ（第２非線形素子）
３０  ・・・過電流抑制回路
３１  ・・・ダイオード
３２  ・・・抵抗器
【図１】
2020030969.tif 000003
【図２】
2020030969.tif 000004
【図３】
2020030969.tif 000005
【図４】
2020030969.tif 000006