(57)【要約】【課題】基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、電荷排出層をカセッテ筐体等のグランドに接続する配線が、基板の辺の外部を通る場合に比べて、放射線画像にムラが生じる原因となる電荷を外部に効果的に排出することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線検出器１０は、可撓性かつ樹脂製の基材１４の第１の面１４Ａに画素領域１５を有するセンサ基板１２と、第１の面１４Ａの、画素領域１５を含む一部の領域に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、センサ基板１２と変換層３０とが積層された積層体３３における変換層３０側の面に設けられた接着層３５、及び第１の面１４Ａと反対側の第２の面１４Ｂに設けられた帯電防止層４０の少なくとも一方と、電荷排出層と電気的に接続された配線５０とを備え、基材１４は、一部の領域外の領域に対応する領域に貫通孔５２が設けられており、配線５０は貫通孔５２を通る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性かつ樹脂製の基材の第１の面に放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された画素領域を有する基板と、
前記基材の前記第１の面の、前記画素領域を含む一部の領域に設けられ、前記放射線を光に変換する変換層と、
前記基板と前記変換層とが積層された積層体における前記変換層側の面、及び前記基材の前記第１の面と反対側の第２の面の少なくとも一方の面に設けられた電荷排出層と、
前記電荷排出層と電気的に接続された配線と、
を備え、
前記基材は、前記一部の領域外の領域に対応する領域に貫通孔が設けられており、前記配線は、前記貫通孔を通る、
放射線検出器。
【請求項２】
前記電荷排出層は、帯電防止層及び導電層の少なくとも一方である、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記電荷排出層は、前記積層体における前記変換層側の面に設けられ、かつ前記基材よりも剛性が高い、
請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記電荷排出層は、前記積層体における前記変換層側の面に設けられ、かつ前記基材よりも厚い、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記電荷排出層は、前記積層体における前記変換層側の面に設けられた、前記配線と電気的に接続されている導電性を有する接着層であり、
前記接着層により前記積層体に接着される補強基板をさらに備える、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記補強基板は、前記基材よりも剛性が高い、
請求項５に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記補強基板は、前記積層体における前記変換層側の面に設けられ、かつ前記基材よりも厚い、
請求項５または請求項６に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記配線は、前記電荷排出層を貫通している、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項９】
前記基材の前記第１の面に設けられ、前記変換層を覆う保護層をさらに備え、
前記基材に設けられた貫通孔は、前記保護層が設けられている領域外に設けられている、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１０】
前記基材には、複数の貫通孔が設けられている、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
前記基板の一辺に電気的に接続され、制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部と、
前記基板の前記一辺と異なる辺に電気的に接続され、前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成する信号処理部と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
前記基材に設けられた貫通孔は、前記基材の、前記駆動部及び前記信号処理部が接続された辺と異なる辺に設けられている、
請求項１１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
前記放射線検出器、前記駆動部、及び前記信号処理部を収納する筐体をさらに備え、
前記配線は、前記筐体に電気的に接続されている、
請求項１１または請求項１２に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
【０００３】
放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、基材の画素領域に、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と、を備えたものがある。この種の放射線検出器において、外部からの電磁波ノイズ及び静電気等の影響を抑制するために、帯電防止層や導電層を設ける技術が知られている。例えば、特許文献１及び特許文献２に記載の技術では、基板の、変換層が設けられた面と反対側の面に、帯電防止層を設けることにより、放射線検出器の外部からの電磁波ノイズの影響を抑制している。また例えば、特許文献３に記載の技術では、変換層を覆う導電層と、基板の裏側に設けられた定電位を有する部材とを電気的に接続することにより、放射線検出器の外部からの電磁波ノイズや静電気等の影響を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−００３８４９号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１２７２６号公報
【特許文献３】特開２００６−２５８５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、放射線検出器の基板の基材として、可撓性の基材を用いたものが知られている。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
【０００６】
可撓性の基材を用いた放射線検出器では、非可撓性の基材を用いた放射線検出器に比べて、電荷が発生し易い傾向がある。特に、ガラス製の基材に比べて厚さが薄い基材を用いた場合には、電荷が滞留し易い傾向がある。このように発生した電荷は不均一に存在する場合があり、生成された放射線画像に、ムラが生じる等、放射線画像の画質が劣化する場合がある。しかしながら、特許文献１〜特許文献３に記載の技術では、可撓性の基材を用いた放射線検出器において発生した電荷を、放射線検出器の外部に効果的に排出できない場合があった。
【０００７】
本開示は、基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、電荷排出層をカセッテ筐体等のグランドに接続する配線が、基板の辺の外部を通る場合に比べて、放射線画像にムラが生じる原因となる電荷を外部に効果的に排出することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性かつ樹脂製の基材の第１の面に放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された画素領域を有する基板と、基材の第１の面の、画素領域を含む一部の領域に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、基板と変換層とが積層された積層体における変換層側の面、及び基材の第１の面と反対側の第２の面の少なくとも一方の面に設けられた電荷排出層と、電荷排出層と電気的に接続された配線と、を備え、基材は、一部の領域外の領域に対応する領域に貫通孔が設けられており、配線は、貫通孔を通る。
【０００９】
本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、電荷排出層は、帯電防止層及び導電層の少なくとも一方である。
【００１０】
本開示の第３の態様の放射線検出器は、第１の態様または第２の態様の放射線検出器において、電荷排出層は、積層体における変換層側の面に設けられ、かつ基材よりも剛性が高い。
【００１１】
本開示の第４の態様の放射線検出器は、第１の態様から第３の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、電荷排出層は、積層体における変換層側の面に設けられ、かつ基材よりも厚い。
【００１２】
本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、電荷排出層は、積層体における変換層側の面に設けられた、配線と電気的に接続されている導電性を有する接着層であり、接着層により積層体に接着される補強基板をさらに備える。
【００１３】
本開示の第６の態様の放射線検出器は、第５の態様の放射線検出器において、補強基板は、基材よりも剛性が高い。
【００１４】
本開示の第７の態様の放射線検出器は、第５の態様または第６の態様の放射線検出器において、補強基板は、積層体における変換層側の面に設けられ、かつ基材よりも厚い。
【００１５】
本開示の第８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、配線は、電荷排出層を貫通している。
【００１６】
本開示の第９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第８の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材の第１の面に設けられ、変換層を覆う保護層をさらに備え、基材に設けられた貫通孔は、保護層が設けられている領域外に設けられている。
【００１７】
本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材には、複数の貫通孔が設けられている。
【００１８】
本開示の第１１の態様の放射線画像撮影装置は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、基板の一辺に電気的に接続され、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部と、基板の一辺と異なる辺に電気的に接続され、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成する信号処理部と、を備える。
【００１９】
本開示の第１２の態様の放射線画像撮影装置は、第１１の態様の放射線画像撮影装置において、基材に設けられた貫通孔は、基材の、駆動部及び信号処理部が接続された辺と異なる辺に設けられている。
【００２０】
本開示の第１３の態様の放射線画像撮影装置は、第１１の態様または第１２の態様の放射線画像撮影装置において、放射線検出器、駆動部、及び信号処理部を収納する筐体をさらに備え、配線は、筐体に電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００２１】
本開示によれば、基板に可撓性の基材を用いた場合であっても、電荷排出層をカセッテ筐体等のグランドに接続する配線が、基板の辺の外部を通る場合に比べて、放射線画像にムラが生じる原因となる電荷を外部に効果的に排出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
【図３】図３に示した放射線検出器のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】第１実施形態の変換層における周縁部と中央部とを説明するための断面図である。
【図５】第１実施形態のセンサ基板における貫通孔（配線）が設けられた位置の一例を説明するための、放射線画像撮影装置を変換層が設けられた側からみた平面図である。
【図６】第１実施形態の放射線検出器の製造方法の一例を説明する図である。
【図７】第１実施形態の放射線検出器における電荷の排出の流れを説明するための断面である。
【図８】第２実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。
【図９】第２実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
【図１０】第３実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
【図１１】図１０に示した放射線検出器のＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】第３実施形態の放射線検出器における電荷の排出の流れを説明するための断面である。
【図１３】第３実施形態の放射線検出器の他の例の断面を表す断面図である。
【図１４】実施形態の放射線検出器における電荷排出層の他の例の断面を表す断面図である。
【図１５】実施形態の放射線検出器における電荷排出層の他の例の断面を表す断面図である。
【図１６】実施形態の放射線検出器の他の例の断面を表す断面図である。
【図１７】第３実施形態の放射線検出器の他の例の断面を表す断面図である。
【図１８】実施形態のセンサ基板における貫通孔（配線）が設けられた位置の他の例を説明するための、放射線画像撮影装置を変換層が設けられた側からみた平面図である。
【図１９】実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の一例の断面を表す断面図である。
【図２０】実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の他の例の断面を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
【００２４】
［第１実施形態］
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
【００２５】
まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
【００２６】
放射線検出器１０は、センサ基板１２（図２及び図３参照）と、放射線を光に変換する変換層３０（図２及び図３参照）と、を備える。センサ基板１２は、詳細を後述する可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。本実施形態のセンサ基板１２が、本開示の基板の一例である。
【００２７】
図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。
【００２８】
画素１６は、センサ基板１２の画素領域１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
【００２９】
また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれ駆動部１０２に電気的に接続される。駆動部１０２には、後述する制御部１００が接続されており、制御部１００から出力される制御信号に応じて駆動信号を出力する。複数の走査配線２６の各々は、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれ信号処理部１０４に電気的に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
【００３０】
信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
【００３１】
制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
【００３２】
なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１では、画像メモリ１０６及び制御部１００等は、制御基板１１０に形成されている。
【００３３】
また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に電気的に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
【００３４】
電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、及び画像メモリ１０６等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
【００３５】
さらに、図２及び図３を参照して本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を変換層３０が形成された側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。
【００３６】
図２及び図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０は、センサ基板１２と、変換層３０と、保護層３２と、接着層３５と、補強基板３６と、帯電防止層４０と、配線５０と、を備える。図３に示すように、帯電防止層４０、センサ基板１２、変換層３０、保護層３２、接着層３５、及び補強基板３６は、この順に積層されている。なお、以下では、放射線検出器１０の構造において「上」という場合、センサ基板１２側を基準とした位置関係において上であることを表している。本実施形態の接着層３５及び帯電防止層４０が、本開示の電荷排出層の一例であり、接着層３５が、本開示の導電層の一例である。
【００３７】
基材１４は、樹脂製、かつ、可撓性を有する。基材１４は、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シート等である。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。例えば、基材１４が樹脂シートの場合、厚みが５μｍ〜１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ〜５０μｍのものであればより好ましい。
【００３８】
なお、基材１４は、画素１６の製造に耐え得る特性を有しており、本実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ−Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１４が有する特性としては、３００℃〜４００℃における熱膨張率が、シリコン（Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましく、具体的には、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１４の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃におけるＭＤ（Machine Direction）方向の熱収縮率が０．５%以下であることが好ましい。また、基材１４の弾性率は、３００℃〜４００℃間の温度領域において、一般的なポリイミドが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。
【００３９】
なお、本実施形態における上記の厚み、熱膨張率、弾性率、及び平均粒子径等の測定方法は、特開２０１０−７６４３８号公報に記載されている評価方法を適用している。例えば、熱膨張率の測定方法は、下記条件にてＭＤ方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向の伸縮率を測定し、９０℃〜１００℃、１００℃〜１１０℃、・・・と、１０℃の間隔での伸縮率及び温度を測定し、この測定を４００℃まで行い、１００℃から３５０℃までの全測定値の平均値として導出した熱膨張率（ｐｐｍ／℃）を、（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定条件は、ＭＡＣサイエンス社製  ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ２、昇温開始温度を２５℃、昇温終了温度を４００℃、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。
【００４０】
図２及び図３に示すように、本実施形態の変換層３０は、センサ基板１２の基材１４の第１の面１４Ａに設けられた画素領域１５を含む一部の領域に設けられている。このように、本実施形態の変換層３０は、基材１４の第１の面１４Ａの外周部の領域上には設けられていない。
【００４１】
このように、変換層３０は、画素領域１５を覆っている。本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ〜７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【００４２】
図４に示すように、具体例として、本実施形態の変換層３０は、外周の領域は、全体的に見ると外側に向かうほど厚さが薄くなる傾向を有しており、そのため、外周の領域は、外側に向かうほど厚さが薄くなる傾斜を有している。本実施形態では、製造誤差及び測定誤差を無視すると厚さが略一定とみなせる、変換層３０の中央から予め定められた範囲内における変換層３０の厚さの平均値を基準とし、一例として図４に示したように、基準の厚さに対する相対的な膜厚（以下、「相対膜厚」という）が９０％以下の外周の領域を「周縁部（周縁部３０Ｃ）」という。また、周縁部３０Ｃに囲まれた変換層３０の領域を「中央部（中央部３０Ｂ）」という。換言すると、「中央部」とは、変換層３０の厚さが略一定の部分を少なくとも含み、相対膜厚が９０％を超える部分も含む領域のことをいう。なお、本実施形態では、図３及び図４に示すように、中央部３０Ｂよりも画素領域１５の方が小さく、中央部３０Ｂにより、画素領域１５が覆われている。
【００４３】
具体例として、本実施形態では、変換層３０の外周から５ｍｍ以内の領域内であり、かつ相対膜厚が９０％以下の外周の領域を「周縁部（周縁部３０Ｃ）」という。そのため、図３及び図４等に示すように、周縁部３０Ｃでは、変換層３０の厚さが外周（縁）に向けて徐々に薄くなる傾向にある。
【００４４】
なお、本実施形態では、変換層３０の厚さが外周に向けて薄くなる例として、傾斜角度がθの一定の傾斜を有し徐々に厚さが薄くなる形態を例示したが、この形態に限定されず、例えば、階段状に厚さが変化する形態であってもよい。
【００４５】
なお、上記傾斜角度θの測定方法は特に限定されないが、本実施形態では、一例として、傾斜角度θの測定方法は、矩形状の変換層３０の１辺における、等間隔な４箇所の位置において、変換層３０の端部の一部をセンサ基板１２から剥離して各々サンプルとした。４つのサンプルを研磨して断面出しを行った後、光学顕微鏡を用いて観察することにより測定を行った。４つのサンプルの測定値の平均値を、サンプルを作成した変換層３０の辺における傾斜角度θとした。
【００４６】
本実施形態では、センサ基板１２の上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０を形成している。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
【００４７】
なお、このように、センサ基板１２の上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層を形成した場合、センサ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられていてもよいし、粘着層等を介して設けてもよい。この場合の反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＴｉＯ２、ＡＬ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。
【００４８】
なお白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。また、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。
【００４９】
また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。
【００５０】
さらに、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。
【００５１】
また、図２及び図３に示すように本実施形態の保護層３２は、センサ基板１２の基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、センサ基板１２上の変換層３０を覆う。本実施形態の保護層３２は、変換層３０を湿気等の水分から保護する機能を有する。保護層３２の材料としては、例えば、有機膜が挙げられ、具体的には、ＰＥＴ、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate）、ＰＩ（PolyImide）等による単層膜または積層膜が挙げられる。また、保護層３２としては、パリレン（登録商標）膜、及びＰＥＴ等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート等を用いてもよい。
【００５２】
さらに、図２及び図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２と変換層３０とが積層された積層体３３における、変換層３０側の面に、接着層３５及び補強基板３６が設けられている。具体的には、図３に示すように、保護層３２を介して、変換層３０の上に接着層３５及び補強基板３６が積層されている。本実施形態の補強基板３６は、接着層３５により、変換層３０の中央部３０Ｂ（図４参照）部分において、保護層３２に固定されている。なお、補強基板３６は、保護層３２に単に押し当てて固定すると、衝撃等の発生に応じて、補強基板３６と保護層３２との摩擦により、界面で不要な電荷が発生する場合があるため、本実施形態の放射線検出器１０のように、接着層３５等により、保護層３２と固定することが好ましい。
【００５３】
補強基板３６は、基材１４よりも剛性が高く、第１の面１４Ａと対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１４の第１の面１４Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本実施形態の補強基板３６の厚みは、基材１４の厚みよりも厚い。このように、補強基板３６の剛性を基材１４よりも高くすることにより、放射線検出器１０において、基材１４（センサ基板１２）を撓み難くすることができる。また、補強基板３６の厚みを、基材１４の厚みよりも厚くすることにより、放射線検出器１０において、基材１４（センサ基板１２）を撓み難くすることができる。
【００５４】
また、図２及び図３に示すように、本実施形態の接着層３５及び補強基板３６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける、変換層３０及び保護層３２が設けられた領域よりも広い領域に設けられている。そのため、図２及び図３に示すように、接着層３５及び補強基板３６の端部は、変換層３０の外周部よりも外側（センサ基板１２の外周部側）に突出している。
【００５５】
補強基板３６は、プラスチックを材料とした絶縁性の層である。補強基板３６の材料となるプラスチックは、熱可塑性の樹脂であることが好ましく、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、ナイロン、ポリプロピレン、ＡＢＳ、エンプラ、ポリエチレンテレフタレート、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つが挙げられる。なお、補強基板３６は、これらのうち、ポリプロピレン、ＡＢＳ、エンプラ、ポリエチレンテレフタレート、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つであることが好ましく、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、及びナイロンの少なくとも一つであることがより好ましく、ポリカーボネート及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一つであることがより好ましい。
【００５６】
一方、接着層３５は、導電性を有しており、補強基板３６を、積層体３３に対して固定する機能を有する。接着層３５の材料は、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤等が挙げられる。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン−エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン−メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。本実施形態の接着層３５は、これらの材料に、導電性物質を混合することにより、導電性を得ている。混合する導電性物質としては、例えば、Ｃｕ（銅）及びＡｌ（アルミニウム）等の金属の粉末等、ポリアセチレン等の導電性高分子材料、及びカーボン等の導電性材料等や、これらの混合物が挙げられる。
【００５７】
一方、センサ基板１２の基材１４の第１の面１４Ａと反対側の第２の面１４Ｂには、帯電防止層４０が設けられている。換言すると、センサ基板１２における、変換層３０が設けられた面と反対側の面には、帯電防止層４０が設けられている。帯電防止層４０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）、ＰＥＴ、及びポリプロピレン等を用いた膜等を適用できる。なお、帯電防止層４０は、センサ基板１２に単に押し当てて固定すると、衝撃等の発生に応じて、帯電防止層４０とセンサ基板１２との摩擦により、界面で不要な電荷が発生する場合があるため、センサ基板１２の基材１４の第２の面１４Ｂに、帯電防止層４０を接着して固定することが好ましい。
【００５８】
また、センサ基板１２の外周部には、基材１４、接着層３５、補強基板３６、及び帯電防止層４０を貫通する配線５０が設けられている。一例として図２に示すように、本実施形態のセンサ基板１２は、外周が矩形状であり、この矩形の一つの角部に、帯電防止層４０も貫通する貫通孔５２が設けられている。また、接着層３５及び補強基板３６には、積層体３３を挟んでセンサ基板１２の貫通孔５２と対向する位置に、接着層３５及び補強基板３６を貫通する貫通孔５４が設けられている。配線５０は、接着層３５及び帯電防止層４０と電気的に接続されている。また、配線５０は、貫通孔５４及び貫通孔５２を通り、貫通孔５４とは反対側の端部が、詳細を後述する放射線検出器１０の筐体２００（図１９及び図２０参照）に接続されている。
【００５９】
図５を参照して、センサ基板１２における、配線５０（貫通孔５２）の位置について詳細に説明する。図５は、放射線画像撮影装置１を、変換層３０が設けられた側からみた平面図である。なお、図５では、保護層３２、接着層３５、及び補強基板３６の記載を省略している。
【００６０】
図５に示すように矩形状のセンサ基板１２の辺１２Ｌ１の近傍には、フレキシブルな（可撓性を有する）ケーブル１２６が接続されている。ケーブル１２６を介して、上述した走査配線２６（図１参照）に、駆動基板１２０、及びケーブル１２６に搭載された駆動回路部１２２が電気的に接続されている。本実施形態では、駆動基板１２０に搭載された回路及び素子と、駆動回路部１２２とにより、上述した駆動部１０２（図１参照）が実現される。駆動回路部１２２は、駆動部１０２を実現する各種回路及び素子のうち、駆動基板１２０に搭載されている回路を除く回路を含むＩＣ（Integrated Circuit）である。
【００６１】
一方、センサ基板１２の辺１２Ｌ２の近傍には、フレキシブルなケーブル１４６が接続されている。ケーブル１４６を介して、上述した信号配線２４に、信号処理基板１４０、及びケーブル１４６に搭載された信号処理回路部１４２が電気的に接続されている。本実施形態では、信号処理基板１４０に搭載された回路及び素子と、信号処理回路部１４２とにより、上述した信号処理部１０４（図１参照）が実現される。信号処理回路部１４２は、信号処理部１０４を実現する各種回路及び素子のうち、信号処理基板１４０に搭載されている回路を除く回路を含むＩＣである。
【００６２】
図５に示すように、貫通孔５２は、駆動部１０２が接続される辺１２Ｌ１、及び信号処理部１０４が接続される辺１２Ｌ２と異なる辺１２Ｌ３、及び辺１２Ｌ４により形成される角部に設けられている。換言すると、貫通孔５２は、駆動部１０２が接続される辺１２Ｌ１の近傍、及び信号処理部１０４が接続される辺１２Ｌ２の近傍には設けられていない。
【００６３】
このように、貫通孔５２を駆動部１０２及び信号処理部１０４から比較的離れた位置に設けることにより、配線５０の位置を、駆動部１０２及び信号処理部１０４から比較的離れた位置とすることができる。詳細を後述するが、配線５０には、放射線以外の原因により発生した電荷等、不要な電荷、換言すると放射線画像の形成に寄与しない電荷が流れる。駆動部１０２及び信号処理部１０４から比較的離れた位置に配線５０を設けることにより、配線５０を流れる不要な電荷がノイズとなり、放射線画像に与える悪影響を抑制することができる。
【００６４】
なお、センサ基板１２における、貫通孔５４（配線５０）の位置は、図５に示した位置に限定されないが、上述したように、配線５０を流れる電荷が放射線画像に与える悪影響を抑制するために、信号処理部１０４から離れた位置とするほど好ましく、また、駆動部１０２からも離れた位置とするほど好ましい。
【００６５】
本実施形態の放射線検出器１０の製造方法の一例としては、以下の方法が挙げられる。
予め、放射線検出器１０に合わせた所望の大きさとした補強基板３６に、接着層３５を塗布した補強基板３６を用意しておく。一方、図６に示すように、基材１４に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体７０に、剥離層７２を介して、例えば、ラミネート法等によりセンサ基板１２が形成される。さらに、センサ基板１２上には、直接、上述したように、気相堆積法によって変換層３０を形成し、センサ基板１２の基材１４の第１の面１４Ａに、変換層３０を覆う保護層３２を形成する。また、センサ基板１２には、ケーブル１２６及びケーブル１４６（いずれも、図６では図示省略）を上述したように電気的に接続しておく。
【００６６】
そして、補強基板３６を、変換層３０及び保護層３２が形成されたセンサ基板１２に接着層３５により貼り合わせる。なお、上記の貼り合わせを行う場合は、大気圧下または、減圧下（真空下）で行うが、貼り合わせた間に空気等が入り込むのを抑制するために、減圧下で行うことが好ましい。
【００６７】
その後、剥離層７２により、センサ基板１２を支持体７０から剥離する。剥離方法は特に限定されず、例えば、メカニカル剥離法では、センサ基板１２（基材１４）の四辺のいずれかを剥離の起点とし、起点となる辺から対向する辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体７０から引きはがせばよい。また、例えば、レーザ剥離（laser Lift Off）法では、支持体７０の裏面（センサ基板１２が設けられている面と反対側の面）からレーザを照射し、支持体７０を透過してレーザにより剥離層７２を分解させることにより、支持体７０からセンサ基板１２を剥離すればよい。
【００６８】
接着層３５及び補強基板３６が設けられた状態のセンサ基板１２を支持体７０から剥離した後、センサ基板１２の基材１４の第２の面１４Ｂに、帯電防止層４０を貼り合わせる。
【００６９】
さらにその後、帯電防止層４０及びセンサ基板１２の基材１４を貫通する貫通孔５２と、接着層３５及び補強基板３６を貫通する貫通孔５４とを形成し、貫通孔５２及び貫通孔５４に、配線５０を通す。そして、接着層３５と配線５０とを電気的に接続し、また、帯電防止層４０と配線５０とを電気的に接続する。
【００７０】
次に、図７を参照して、本実施形態の放射線検出器１０の作用を説明する。放射線検出器１０は、センサ基板１２の基材１４が可撓性を有しているため、基材１４（センサ基板１２）が撓む場合、摩擦等によって、電荷が発生し易い傾向がある。換言すると、本実施形態の放射線検出器１０は、放射線以外の原因による電荷が発生し易い傾向にある。このように発生した電荷は、接着層３５及び帯電防止層４０に滞留する。接着層３５及び帯電防止層４０の各々に滞留する電荷は、図７の矢印ｅに示すように移動し、配線５０によって、放射線検出器１０の外部に排出される。
【００７１】
本実施形態の放射線検出器１０では、配線５０が、センサ基板１２の貫通孔５２を通っている。このように、本実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２の基材１４に設けられた貫通孔５２を配線５０が通るため、基材１４が撓んだ場合でも、配線５０が帯電防止層４０から剥離し難くなり、配線５０と帯電防止層４０との電気的な接続が切断され難い。
【００７２】
また本実施形態の放射線検出器１０では、配線５０が貫通孔５４を通り、接着層３５と電気的に接続されているため、基材１４（センサ基板１２）が撓んだ場合でも、配線５０が接着層３５から剥離し難くなり、配線５０と接着層３５との電気的な接続が切断され難い。
【００７３】
このように、本実施形態の放射線検出器１０によれば、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備えた放射線検出器１０において、放射線以外の原因により発生した電荷を放射線検出器１０の外部に効果的に排出することができる。
【００７４】
また、本実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２内に設けられた貫通孔５２及び接着層３５及び補強基板３６内に設けられた貫通孔５４を配線５０が通るため、放射線検出器１０（センサ基板１２）の側面（センサ基板１２の辺１２Ｌ３及び１２Ｌ４等の外部）を配線が通る場合に比べて、配線５０を設けるスペースを省スペース化することができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線画像撮影装置１を小型化することができる。
【００７５】
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、補強基板３６が積層体３３における、変換層３０側の面に設けられているため、補強基板３６により、基材１４（センサ基板１２）を撓み難くすることができる。センサ基板１２が撓み難くなるため、配線５０と接着層３５及び帯電防止層４０との電気的な接続を切断され難くすることができる。また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２が撓むことにより変換層３０が破壊されるのを抑制することができるため、放射線画像の画質を向上させることができる。
【００７６】
また、本実施形態の放射線検出器１０では、配線５０は、保護層３２を貫通していない。保護層３２に貫通孔を設けた場合、貫通孔により変換層３０に対する防湿性が低下する懸念がある。そのため、本実施形態の放射線検出器１０のように、配線５０が、保護層３２を貫通しない形態とすることが好ましい。
【００７７】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明する。図８は、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図である。
【００７８】
図８に示すように、本実施形態の放射線検出器１０は、変換層３０が形成されたセンサ基板１２の基材１４の第１の面１４Ａと、接着層３５及び補強基板３６との間に、充填材６０が充填されている。すなわち、本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の放射線検出器１０（図３参照）において、変換層３０が形成されたセンサ基板１２と、接着層３５、及び補強基板３６との間に開いていた空間に、充填材６０が充填されている点で異なっている。
【００７９】
充填材６０の材料は特に限定されず、一般的な半導体材料の封止材等を用いることができる。また、充填材６０を設ける方法は特に限定されず、例えば、保護層３２に覆われた変換層３０が形成されたセンサ基板１２と、接着層３５及び補強基板３６との間（隙間）に、流動性を有する充填材６０を注入し、充填材６０を固化させることで充填材６０を設けてもよい。また例えば、センサ基板１２に変換層３０及び保護層３２が形成された状態で、充填材６０を充填すべき箇所に、流動性を有する充填材６０を載せておき、保護層３２に覆われた変換層３０及び充填材６０の上に、補強基板３６を接着層３５により貼り合わせることで、充填材６０を設けてもよい。
【００８０】
充填材６０には、貫通孔５２及び貫通孔５４に繋がる貫通孔５５が設けられている。配線５０は、貫通孔５４、貫通孔５５、及び貫通孔５２を通る状態に設けられており、接着層３５及び帯電防止層４０と電気的に接続されている。
【００８１】
このように、本実施形態の放射線検出器１０は、センサ基板１２と、接着層３５及び補強基板３６との間に、充填材６０を充填しており、配線５０は、貫通孔５４、貫通孔５５、及び貫通孔５２を通る。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、基材１４（センサ基板１２）が撓んだ場合でも、配線５０が接着層３５及び帯電防止層４０からより剥離し難くなり、配線５０と接着層３５及び帯電防止層４０との電気的な接続が切断され難い。
【００８２】
従って、本実施形態の放射線検出器１０においても、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備えた放射線検出器１０において、放射線以外の原因により発生した電荷を放射線検出器１０の外部に効果的に排出することができる。
【００８３】
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、充填材６０及び補強基板３６により、センサ基板１２が大きく撓むことを抑制することができるため、配線５０と接着層３５及び帯電防止層４０との電気的な接続を切断され難くすることができる。また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２が大きく撓むことにより変換層３０が破壊されるのを抑制することができるため、放射線画像の画質をより向上させることができる。
【００８４】
また、本実施形態の放射線検出器１０は、充填材６０によって、変換層３０の中央部３０Ｂから先に（センサ基板１２の端部側に）突出していた補強基板３６が支えられている。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、補強基板３６が安定的に設けられており、センサ基板１２及び変換層３０から剥離し難くなる。また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、補強基板３６と充填材６０とにより、変換層３０をセンサ基板１２に固定するため、センサ基板１２から変換層３０が剥離し難くなる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線画像の画質をより向上させることができる。
【００８５】
なお、図８に示した例では、変換層３０が形成されたセンサ基板１２と、接着層３５及び補強基板３６との間に、隙間無く充填材６０が充填されている形態を示したが、図８に示した形態に限定されず、例えば、変換層３０が形成されたセンサ基板１２と、接着層３５及び補強基板３６との間の一部に隙間（充填材６０が充填されていない領域）があってもよい。
【００８６】
また例えば、図９に示した放射線検出器１０のように、配線５０が通る領域、換言すると、貫通孔５２及び貫通孔５４を覆う領域に、充填材６０が充填されていない形態であってもよい。図９に示した形態では、配線５０は、充填材６０内を通らない。しかしながら、充填材６０により、センサ基板１２が撓み難くなるため、図９に示した放射線検出器１０においても、配線５０が接着層３５及び帯電防止層４０からより剥離し難くなり、配線５０と接着層３５及び帯電防止層４０との電気的な接続が切断され難い。
【００８７】
［第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明する。図１０は、本実施形態の放射線検出器１０を変換層３０が形成された側からみた平面図である。また、図１１は、図１０における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。
【００８８】
図１０及び図１１に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、接着層３５及び補強基板３６が設けられていない点で、第１実施形態の放射線検出器１０（図２及び図３参照）と異なっている。
【００８９】
図１１に示すように、本実施形態の放射線検出器１０における配線５０は、センサ基板１２に設けられた貫通孔５２を通り、帯電防止層４０と電気的に接続されている。
【００９０】
本実施形態の放射線検出器１０においても、図１２に示すように、放射線以外の原因により発生し、帯電防止層４０に滞留する電荷は、矢印ｅに示すように移動し、配線５０によって、放射線検出器１０の外部に排出される。
【００９１】
本実施形態の放射線検出器１０においても、センサ基板１２の基材１４に設けられた貫通孔５２を配線５０が通るため、基材１４が撓んだ場合でも、配線５０が帯電防止層４０から剥離し難くなり、配線５０と帯電防止層４０との電気的な接続が切断され難い。
【００９２】
従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備えた放射線検出器１０において、放射線以外の原因により発生した電荷を放射線検出器１０の外部に効果的に排出することができる。
【００９３】
なお、接着層３５及び補強基板３６を設けない場合、図１３に示した放射線検出器１０のように、貫通孔５２を通る配線５０の先端は、基材１４の第１の面１４Ａから先に突出していなくてもよい。
【００９４】
以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、可撓性かつ樹脂製の基材１４の第１の面１４Ａに放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された画素領域１５を有するセンサ基板１２と、基材１４の第１の面１４Ａの、画素領域１５を含む一部の領域に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、センサ基板１２と変換層３０とが積層された積層体３３における変換層３０側の面に設けられた接着層３５、及び基材１４の第１の面１４Ａと反対側の第２の面１４Ｂに設けられた帯電防止層４０の少なくとも一方である電荷排出層と、電荷排出層と電気的に接続された配線５０と、を備え、基材１４は、一部の領域外の領域に対応する領域に貫通孔５２が設けられており、配線５０は、貫通孔５２を通る。
【００９５】
上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、配線５０が基材１４に設けられた貫通孔５２を通るため、基材１４（センサ基板１２）が撓んだ場合でも、配線５０と帯電防止層４０との電気的な接続を切断され難くすることができる。上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、帯電防止層４０に滞留する電荷等、放射線画像に寄与しない、不要な電荷を効果的、かつ速やかに排出することができるため、生成される放射線画像の画質を向上させることができる。
【００９６】
従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２に可撓性の基材１４を用いた場合であっても、電荷排出層をグランドに接続する配線５０が、センサ基板１２の辺１２Ｌ３及び１２Ｌ４等の外部を通る場合に比べて、放射線画像にムラが生じる原因となる電荷を外部に効果的に排出することができる。
【００９７】
また、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、基材１４に設けられた貫通孔５２を配線５０が通る。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線検出器１０の外部を配線５０が通る場合、例えば、放射線検出器１０（センサ基板１２）の側面を配線５０が通る場合に比べて、センサ基板１２の辺の外部を通る場合に比べて、放射線画像撮影装置１を小型化することができる。
【００９８】
なお、放射線検出器１０において積層体３３における変換層３０側の面に、本開示の電荷排出層の機能を有する層を設ける形態は、上記第１及び第２実施形態で説明した接着層３５を設ける形態に限定されない。例えば、図１４に示した一例のように、上述した接着層３５及び補強基板３６（図３等参照）に代えて、本開示の導電層として機能する導電性樹脂フィルム３７を含む形態としてもよい。導電性樹脂フィルム３７としては、例えば、熱可塑性の樹脂に、導電性物質を混合したフィルム等が挙げられる。配線５０は、導電性樹脂フィルム３７に設けられた貫通孔５４及び貫通孔５２を通り、導電性樹脂フィルム３７及び帯電防止層４０に電気的に接続されている。導電性樹脂フィルム３７は、基材１４よりも高い剛性、及び基材１４よりも大きな厚みのいずれか一方を有指定いてもよく、この場合、上述した補強基板３６と同様に、基材１４を撓み難くすることができる。
【００９９】
また例えば、図１５に示した一例のように、本開示の電荷排出層の機能を有する導電性樹脂フィルム３７を、保護層３２及び第１の面１４Ａに接する状態で、保護層３２に覆われた変換層３０が設けられた、基材１４の第１の面１４Ａの全体に設けてもよい。図１５に示した一例では、導電性樹脂フィルム３７が、第１の面１４Ａの外縁及び保護層３２に密着した状態で設けられた状態を示している。配線５０は、導電性樹脂フィルム３７に設けられた貫通孔５４、及び基材１４に設けられた貫通孔５２を通り、導電性樹脂フィルム３７及び帯電防止層４０に電気的に接続されている。従って、図１４及び図１５に示した放射線検出器１０においても、第１実施形態の放射線検出器１０と同様の効果が得られる。
【０１００】
また、例えば、接着層３５を設ける形態として、接着層３５と配線５０との接続方法等は、上述した形態に限定されない。例えば、接着層３５及び補強基板３６に設けられた貫通孔５４（図３等参照）に配線５０を通すのに代えて、図１６に示した一例のように、接着層３５のセンサ基板１２に対向する面に、配線５０の端部を電気的に接着させる形態としてもよい。補強基板３６は、基材１４に比べて撓み難いため、図１６に示した一例の放射線検出器１０のように、貫通孔を通さずに配線５０を設けた場合でも、接着層３５と配線５０とが、基材１４と帯電防止層４０との接続に比べて、電気的に切断し難い。そのため、図１６に示すように、接着層３５及び補強基板３６には、貫通孔を設けなくてもよい。
【０１０１】
また、放射線検出器１０において帯電防止層４０を設ける形態も、上記各実施形態で説明した形態に限定されない。例えば、図１７に示した一例の放射線検出器１０のように、帯電防止層４０の大きさを基材１４（センサ基板１２）よりも大きくし、帯電防止層４０の外縁部の領域が、センサ基板１２の外縁部よりも突出した形態としてもよい。図１７に示した形態の放射線検出器１０では、帯電防止層４０の突出した外縁部の領域から、筐体２００（図１９及び図２０参照）等、定電位を供給する部位に接続することにより、いわゆるアースをとることにより、さらに、帯電防止層４０に滞留する電荷を排出することができる。また、図１７に例示した形態とは、逆に、帯電防止層４０の大きさを基材１４（センサ基板１２）よりも小さくしてもよい。
【０１０２】
また、配線５０（貫通孔５２）を設ける位置、及び数についても、上記各実施形態で説明した形態に限定されない。一例として、図１８には、３つの配線５０（貫通孔５２）を設けた放射線検出器１０を備えた放射線画像撮影装置１の平面図を示す。図１８に示した放射線検出器１０のように、配線５０（貫通孔５４）を複数設けることにより、帯電防止層４０に滞留する電荷をより排出し易くすることができる。
【０１０３】
また画素領域１５の大きさは、上記各実施形態に限定されない。例えば、上記各実施形態では、画素領域１５の大きさが変換層３０の中央部３０Ｂの大きさよりも小さく、画素領域１５の外周が中央部３０Ｂ内にある形態について説明した。しかしながら、上記形態に限定されず、画素領域１５の大きさは、変換層３０の中央部３０Ｂの大きさよりも大きく、画素領域１５の外周が変換層３０の周縁部３０Ｃに至る形態であってもよい。この場合、放射線検出器１０全体の大きさを小さくすることができる。なお、変換層３０で放射線から変換される光量は変換層３０の厚さが薄くなると減少する傾向にあるため、上記各実施形態の放射線検出器１０と同様に、画素領域１５の外周が中央部３０Ｂ内にある形態の方が、画素領域１５上の変換層３０の厚さがほぼ均一となるため、画素領域１５の感度特性が向上する。
【０１０４】
また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス上に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素領域１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
【０１０５】
また、変換層３０の形状等も上記各実施形態に限定されない。上記各実施形態では、変換層３０の形状が画素領域１５の形状と同様に矩形状である態様について説明したが、変換層３０の形状は、画素領域１５と同様の形状でなくてもよい。また、画素領域１５の形状が、矩形状ではなく、例えば、その他の多角形であってもよいし、円形であってもよい。
【０１０６】
なお、上記各実施形態の放射線検出器１０は、センサ基板１２側から放射線が照射される表面読取方式(ＩＳＳ：Irradiation Side Sampling方式)の放射線画像撮影装置に適用してもよいし、変換層３０側から放射線が照射される裏面読取方式（ＰＳＳ：Penetration Side Sampling方式）の放射線画像撮影装置に適用してもよい。
【０１０７】
図１９には、表面読取方式の放射線画像撮影装置１に第１実施形態の放射線検出器１０を適用した状態の一例の断面図を示す。
【０１０８】
図１９に示すように、筐体２００内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０、及び信号処理基板１４０が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体２００の撮影面２００Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向する状態に設けられている。
【０１０９】
駆動基板１２０及び信号処理基板１４０の各々は図示を省略した配線により制御基板１１０と電気的に接続されている。制御基板１１０は、電源線１１４により、制御基板１１０に形成された画像メモリや１０６及び制御部１００等（いずれも図１参照）に電源を供給する電源部１０８と接続されている。
【０１１０】
図１９に示した放射線画像撮影装置１の筐体２００内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１５０がさらに設けられている。シート１５０としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１５０は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うことが好ましい。
【０１１１】
図１９に示した放射線画像撮影装置１では、放射線検出器１０の接着層３５及び帯電防止層４０に電気的に接続されている配線５０と、筐体２００とが、電気的に接続されている。換言すると、接着層３５及び帯電防止層４０は、配線５０により、フレームグランドとなる筐体２００に接続されている。そのため、図１９に示した放射線検出器１０では、接着層３５及び帯電防止層４０に滞留する電荷が、配線５０を介して筐体２００に、効果的に速やかに排出される。
【０１１２】
なお、図１９では、電源部１０８、制御基板１１０、及び信号処理基板１４０を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域１５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８、制御基板１１０、及び信号処理基板１４０を設ける位置は図１９に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素アレイ３１の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
【０１１３】
また、図２０には、表面読取方式の放射線画像撮影装置１に第１実施形態の放射線検出器１０を適用した状態の他の例の断面図を示す。
【０１１４】
図２０に示すように、筐体２００内には、電源部１０８、制御基板１１０、及び信号処理基板１４０が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられている。
【０１１５】
また、図２０に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０、信号処理基板１４０、及び電源部１０８とシート１５０との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１５２が設けられている。基台１５２には、例えば、カーボン等が用いられる。
【０１１６】
図２０に示した放射線画像撮影装置１においても、図１９に示した放射線検出器１０と同様に、接着層３５及び帯電防止層４０は、配線５０により、フレームグランドとなる筐体２００に接続されている。そのため、図２０に示した放射線検出器１０においても、接着層３５及び帯電防止層４０に滞留する電荷が、配線５０を介して筐体２００に、効果的に速やかに排出される。
【０１１７】
その他、上記各実施形態で説明した放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１１８】
１  放射線画像撮影装置
１０  放射線検出器
１２  センサ基板
１２Ｌ１、１２Ｌ２、１２Ｌ３、１２Ｌ４  辺
１４  基材、１４Ａ  第１の面、１４Ｂ  第２の面
１５  画素領域
１６  画素
２０  ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２  センサ部
２４  信号配線
２６  走査配線
２８  共通配線
３０  変換層、３０Ｂ  中央部、３０Ｃ  周縁部
３２  保護層
３３  積層体
３５  接着層
３６  補強基板
３７  導電性樹脂フィルム
４０  帯電防止層
５０  配線
５２、５４、５５  貫通孔
６０  充填材
７０  支持体
７２  剥離層
１００  制御部、１００Ａ  ＣＰＵ、１００Ｂ  メモリ、１００Ｃ  記憶部
１０２  駆動部
１０４  信号処理部
１０６  画像メモリ
１０８  電源部
１１０  制御基板
１１４  電源線
１２０  駆動基板
１２２  駆動回路部
１２６、１４６  ケーブル
１４０  信号処理基板
１４２  信号処理回路部
１５０  シート
１５２  基台
２００  筐体、２００Ａ  撮影面
ｅ  矢印
θ  傾斜角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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