(57)【要約】      （修正有）【課題】容器に対する密着性が高く、容器の表面へのダメージを抑制可能な保護膜と、保護膜が容器の内面に成膜された保護膜付き容器を提供する。【解決手段】容器４の内面に形成された非晶質珪素膜２０１と、非晶質珪素膜２０１上に形成されたＤＬＣ膜２０２と、ＤＬＣ膜２０２上に形成されたフッ素含有ＤＬＣ膜２０３とを備え、前記非晶質珪素膜２０１が成膜される基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘと、前記非晶質珪素膜２０１の膜厚との関係が、式１を満たす、保護膜付き容器。１／２×Ｒｍａｘ≦前記非晶質珪素膜の膜厚…（式１）【選択図】図３
2020066797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜と、
前記非晶質珪素膜上に成膜される膜と
から構成される保護膜であって、
前記非晶質珪素膜が成膜される基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘと、前記非晶質珪素膜の膜厚との関係が、式１を満たす、保護膜。
１／２×Ｒｍａｘ  ≦  前記非晶質珪素膜の膜厚  …  （式１）
【請求項２】
前記膜は、ＤＬＣ膜である、請求項１に記載の保護膜。
【請求項３】
前記ＤＬＣ膜上にさらにフッ素含有ＤＬＣ膜が成膜される、請求項２に記載の保護膜。
【請求項４】
前記膜は、フッ素含有ＤＬＣ膜である、請求項１に記載の保護膜。
【請求項５】
容器の内面に形成された非晶質珪素膜と、
前記非晶質珪素膜上に形成されたＤＬＣ膜と、
前記ＤＬＣ膜上に形成されたフッ素含有ＤＬＣ膜と、
を備える保護膜付き容器。
【請求項６】
前記非晶質珪素膜が成膜される容器の表面粗さの最大高さＲｍａｘと、前記非晶質珪素膜の膜厚との関係が、式１を満たす、請求項５に記載の保護膜付き容器。
１／２×Ｒｍａｘ  ≦  前記非晶質珪素膜の膜厚  …  （式１）
【請求項７】
前記ＤＬＣ膜と、前記フッ素含有ＤＬＣ膜との膜厚比が（０．８〜１）：（０．８〜１）である、請求項５または６に記載の保護膜付き容器。
【請求項８】
材質がステンレスである、請求項５乃至７のうちのいずれか１項に記載の保護膜付き容器。
【請求項９】
前記ステンレスは、ＳＵＳ３０４である、請求項８に記載の保護膜付き容器。
【請求項１０】
保護膜の水の接触角が８０°以上である、請求項５乃至９のうちのいずれか１項に記載の保護膜付き容器。
【請求項１１】
容器を、アースシールドで覆われているカソード電極に収納するステップと、
前記アースシールドの開口部をアース電極で覆うステップと、
前記アース電極の開口部から原料ガスを導入するステップと、
前記カソード電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させて前記容器の内面に非晶質珪素膜と、ＤＬＣ膜と、フッ素含有ＤＬＣ膜とからなる保護膜を形成するステップと、
を備える保護膜付き容器の製造方法。
【請求項１２】
前記アース電極の開口部からＡｒ、Ｏ２、またはこれらの混合ガスを導入するステップと、
前記カソード電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させてイオンボンバードメント処理により前記容器の内面をクリーニングするステップと、
をさらに備える、請求項１１に記載の保護膜付き容器の製造方法。
【請求項１３】
アースシールドで覆われているカソード電極と、
前記アースシールドの開口部を覆うアース電極と、
前記カソード電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、原料ガスが前記アース電極の開口部から導入される、プラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護膜、保護膜付き容器、その製造方法及びプラズマＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、保護膜としてＤＬＣ（Diamond-Like Carbon：ダイヤモンドライクカーボン）膜が知られている。例えば、磁気記録媒体の保護膜としてＤＬＣ膜が用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
さらにＤＬＣ膜を改善して高機能化して、様々な用途に応じたＤＬＣ膜を含む保護膜が提案されている。例えば、フッ素を含有したＤＬＣ膜により、撥水性を高めることができる（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２６００２０号公報
【特許文献２】特開２０１２−０９１３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このＤＬＣ膜を容器の内側に成膜することができれば、容器内に存在する液体からのダメージを保護したり、容器の成分が容器内の液体に溶出するのを防ぐことができる。さらに、フッ素を含有したＤＬＣ膜を容器に成膜すれば、撥水性が高まり、容器の保護機能を高めることができる。しかし、保護膜の容器に対する密着性が弱いと剥離し、保護膜としての機能を果たせなくなる。また、保護膜があっても、容器内の液体に対して耐性がないと、保護の機能を果たすことができない。
【０００６】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、基材に対する密着性とダメージ耐性が高い保護膜、容器の内面に成膜された保護膜付き容器、その製造方法及びプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明に係る保護膜付き容器は、容器の内面に形成された非晶質珪素膜と、非晶質珪素膜上に形成されたＤＬＣ膜と、ＤＬＣ膜上に形成されたフッ素含有ＤＬＣ膜と、を備える。
【０００８】
本願発明に係る保護膜付き容器の製造方法は、容器を、アースシールドで覆われているカソード電極に収納するステップと、アースシールドの開口部をアース電極で覆うステップと、アース電極の開口部から原料ガスを導入するステップと、カソード電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させて容器の内面に非晶質珪素膜と、ＤＬＣ膜と、フッ素含有ＤＬＣ膜とからなる保護膜を形成するステップと、を備える。
【０００９】
本願発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、アースシールドで覆われているカソード電極と、アースシールドの開口部を覆うアース電極と、カソード電極に高周波電力を供給する高周波電源と、を備え、原料ガスがアース電極の開口部から導入される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様を適用することで、容器の内面に、密着性と耐性の高い保護膜を成膜して、容器に対するダメージや、容器の成分の溶出を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置を示す。
【図２】本発明の実施形態に係る電極を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態に係る保護膜の構成を説明するための図である。
【図４】本発明の実施例に係る成膜前の基材を示す。
【図５】本発明の実施例に係る成膜後の基材を示す。
【図６】本発明の比較例に係る成膜前の基材を示す。
【図７】本発明の比較例に係る成膜後の基材を示す。
【図８】本発明の実施例に係る基材を塩水浸漬した前後の様子を示す図である。
【図９】本発明の比較例に係る基材を塩水浸漬した前後の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１４】
（実施形態）
本実施形態では、プラズマＣＶＤ装置を用いて、円筒形状の容器の内面に密着性と耐性の高い保護膜を成膜する。容器の形状は円筒に限定されず、以下に説明するプラズマＣＶＤ装置の電極の形状を変更することにより、様々な容器の形状に対応して保護膜を成膜することができる。図１は、本発明に係る保護膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置１００の一例を示す図である。図１に示すように、プラズマＣＶＤ装置１００は、チャンバー１と、高周波電源２と、電極３と、を備える。
【００１５】
チャンバー１は、ガス導入排出機構として、不図示のガス導入口とガス排出口を備える。ガス導入口を介して原料ガス等をチャンバー１内に導入し、ガス排出口を介して原料ガス等をチャンバー１から排出することができる。ガス排出口は、例えば、排気ポンプと接続されている。ガス導入口は、例えば、原料ガス源に接続されている。
【００１６】
電極３には高周波電源２が電気的に接続されており、高周波電力が供給される。高周波電源２の周波数は、例えば、１０〜５００ｋＨｚとすることができる。また、工業用に割り当てられている１３．５６ＭＨｚを用いることもできる。電極３は、成膜対象となる容器の形状に合わせて様々な設計が可能である。本実施形態では容器４が円筒形状であるから、電極３も円筒形状になっている。
【００１７】
図２は電極３の構成を説明するための図である。電極３は、カソード電極１０と、アースシールド２０と、アース電極３０と、を備える。カソード電極１０は、部材１１と、部材１２とを備える。部材１１と部材１２はそれぞれ物理的に接触しており、また、部材１１と部材１２とはネジ等で固定させることができ、ネジを取り付けるかまたは取り外すことによりそれぞれ脱着することができる。部材１１と部材１２とを切り離し、容器４を収納することができる。容器４は、例えば導電性の材料であれば、アース電極３０と接することにより電極としても作用する。
【００１８】
アース電極３０の内部は容器４を収納できるよう、その内部は容器４の外形と略相似形になっている。
【００１９】
アースシールド２０は、導電性の部材から構成され、異常放電を防止することができる。アースシールド２０は、部材２１と、部材２２とを備える。部材２１と部材２２はそれぞれ物理的に接触しており、また、部材２１と部材２２とはネジ等で固定させることができ、ネジを取り付けるかまたは取り外すことによりそれぞれ脱着することができる。アースシールド２０は、アース電極３０とネジ等で固定させることができ、ネジを取り付けるかまたは取り外すことによりそれぞれ脱着することができる。
【００２０】
アース電極３０は、部材３１と、部材３２と、突起部３３とを備える。部材３１と部材３２はそれぞれ物理的に接触しており、また、部材３１と部材３２とはネジ等で固定させることができ、ネジを取り付けるかまたは取り外すことによりそれぞれ脱着することができる。部材３１は、プラズマをシールドする役割を果たす。これにより、容器４の開口部周辺に集中して膜が成膜するのを抑止し、容器４の内部に成膜される膜の膜厚を均一にすることができる。
【００２１】
部材３２は、突起部３３を備える。カソード電極１０に高周波電力を供給することにより、カソード電極１０と、突起部３３との間の一対の電極間でプラズマを発生させ、原料ガスをプラズマで分解して容器４に成膜することができる。
【００２２】
部材３２は、部材３１の開口部分よりも小さな穴部（不図示）を有する。この穴部を介して、ガス導入排気機構により導入される原料ガス等を容器４の内部に導入し、又は容器４内に導入された原料ガス等を排出することができる。
【００２３】
次に、本願発明に係る、容器４に保護膜を形成する方法について説明する。図３は、カソード電極１０の内部で、保護膜が容器４内に成膜された状態を示すものである。
【００２４】
まず、アース電極３０を構成する部材３１と部材３２とを、アースシールド２２を構成する一部品である部材２２から外す。次に、カソード電極１０を構成する部材１２を部材１１から取り外す。
【００２５】
部材１２に容器４をセットし、再び部材１１と部材１２とを固定して取り付ける。次に、アースシールド２０の開口部、より具体的には部材２２の開口部を覆うように部材３１と部材３２を部材２２に取り付ける。
【００２６】
次に、チャンバー１内を、排気ポンプで真空排気する。次に、ガス供給口から炭素と水素と珪素と窒素を含有する原料ガス（例えばＨＭＤＳ−Ｎを有する原科ガス）を供給する。原料ガスはアース電極３０の開口部から容器４に導入される。
【００２７】
次に、例えば周波数が１０〜５００ｋＨｚ の高周波電力をカソード電極１０に供給する。容器４内で、原料ガスがプラズマ化され、容器４の内壁面に非晶質珪素膜２０１を成膜する。なお、容器４内に導入するガスとしてＡｒ、Ｏ２、またはこれらの混合ガスを用いて、高周波電力をカソード電極１０に供給することによりプラズマ化して、イオンボンバードメント処理により容器４の内壁面をクリーニングすることができる。非晶質珪素膜２０１は、例えばＳｉａＣｂＨｃＮｄ膜である。但し、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。
【００２８】
非晶質珪素膜２０１を成膜するための原料ガスは、例えば、ＨＭＤＳＮ、ＨＭＤＳＯ、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ：ＳｉＣ４Ｈ１２Ｏ４）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：ＳｉＣ８Ｈ２０Ｏ４）、等である。非晶質珪素膜２０１は、次に成膜されるＤＬＣ膜２０２との密着性を高めるものであり、ＤＬＣ膜２０２を容器４から剥がれにくくすることができる。
【００２９】
次に、チャンバー１内を、排気ポンプで真空排気する。そして、炭化水素系ガスからなる原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、容器４の内壁面にＤＬＣ膜２０２を成膜する。なお、この原料ガスはアース電極３０の開口部から容器４に導入される。
【００３０】
炭化水素系ガスは、例えば、常温で気体又は液体の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類などとすることができる。例えば(１)メタン系として、メタンCH４、エタンC2H6、プロパンC3H6、ブタンC4H10、(２)エチレン系としてエチレンC2H4、プロピレンC3H6、ブチレンC4H8(3つの異性体)、（３）アセチレン系としてアセチレンC2H2、メチルアセチレンC3H4、エチルアセチレン（C4H6）、（４）その他としてノルマルヘキサンC6H14、シクロヘキサンC6H12、（５）芳香族としてベンゼンC6H6、トルエンC6H5CH3、キシレンC6H4（CH3）2が例示できる。特に炭素数が６以上のベンゼン，トルエン，o-キシレン，m-キシレン，p-キシレン，シクロヘキサン等である。
【００３１】
次に、チャンバー１内を、排気ポンプで真空排気する。そして、炭化水素系ガスおよびフルオロカーボン系ガスからなる原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、ＤＬＣ膜２０２の上にフッ素含有ＤＬＣ膜２０３を成膜する。なお、この原料ガスはアース電極３０の開口部から容器４に導入される。
【００３２】
フルオロカーボン系ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、Ｃ２４Ｆ５０、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、トリヘプタフルオロプロピルアミン、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、Ｃ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍ、及びＣ７Ｆ５ＮＯの少なくとも一つを用いることができる。
【００３３】
このように実施形態に従って容器４に成膜することにより、図３に示すように、非晶質珪素膜２０１、ＤＬＣ膜２０２、フッ素含有ＤＬＣ膜２０３が順次成膜された保護膜付きの容器が製造される。なお、保護膜の成膜方法はこの実施形態に限られるものではない。
【実施例】
【００３４】
次に、実施例に基づいて本願発明を詳細に説明する。なお、本願発明は、以下の実施例によって限定されるものではない。実施例のサンプルは、以下の条件で成膜したものである。成膜に使用したプラズマＣＶＤ装置は、実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置１００と同じ構成のものを使用した。膜厚および膜硬度を評価するために、図１に示す容器４の内部に下記の基材を耐熱テープで貼り付けて成膜した。なお、容器４の材質は、ステンレスであり、実施形態で説明したものと同じ円筒形状である。
＜実施例：成膜条件＞
基材：ＳＵＳ３０４板（２．０×５．０ｃｍ角、厚さ１．０ｍｍ）
成膜装置：プラズマＣＶＤ装置
高周波電源の周波数：３８０ｋＨｚ
原料ガス／高周波出力／成膜時間：表１参照
【表１】
2020066797.tif 000003
【００３５】
成膜前に、実施例に係る成膜前の基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘを測定したところ、４０ｎｍであった。図４は成膜前の基材を示し、図５は上記条件で成膜した後の基材を示す。保護膜の膜厚は、４ポイントの平均値で３９ｎｍであった。この測定にあたり、Tencor社製のAlpha-Step D-500を用いた。また、膜硬度は４ポイントの平均値で１３９０[ｍｇｆ／μｍ２]であった。この測定あたり、エリオニクス社製ENT-1100aを用いた。
【００３６】
この基材に成膜された保護膜について、密着性を評価した。評価方法は、縦横１ｃｍの領域内で、縦横１ｍｍ幅でカッターで保護膜を膜厚方向に切断し、この切断した積層膜の上に粘着テープを貼り付け、上方向に剥がした。その結果、１ｍｍ幅で切断された積層膜１００ヶ所のいずれも基材から剥がれることがなかった。これにより、上記成膜条件で作成した保護膜について良好な密着性が得られることが分かった。当成膜条件に従えば非晶質珪素膜の膜厚は２０〜３０ｎｍであり、式（１）を満たす非晶質珪素膜がＤＬＣ膜の下に形成されていれば、密着性の良い保護膜として機能することが分かった。
１／２×Ｒｍａｘ  ≦  非晶質珪素膜の膜厚  …  （式１）
【００３７】
基材よりも固い膜を保護膜として成膜しても、保護膜の方が固いために基材に密着せずに剥がれることがある。しかし、上記式１を満たすように基材の表面粗さに応じて非晶質珪素膜の膜厚を設定し、その上にさらに耐性のある膜、例えばＤＬＣ膜を成膜することで密着性を良くすることができることがわかった。
【００３８】
実施例において成膜した基材の水の接触角を５ポイント測定したところ、平均で８３°であった。一般的なＤＬＣ膜の接触角は６０〜７２°といわれているため、最表面のＤＬＣ膜にフッ素が含有させることにより最表面がＤＬＣ膜の場合と比べて撥水性が高まる保護膜を作成できることがわかった。
【００３９】
＜比較例＞
比較例では、基材として、実施例と同じＳＵＳ３０４板（２．０×５．０ｃｍ角、厚さ１．０ｍｍ）を用いているが、図６に示すように成膜面に紙やすりで無数のキズを入れている。それ以外の成膜条件は実施例と同じである。成膜前の基材の表面の粗さを測定したところ、キズを入れていない基材上の個所と、キズを入れた個所との差が１〜５μｍであり、基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘが５μｍであった。
【００４０】
比較例においては、図７のように基材上に成膜された。この比較例の基材に成膜された保護膜について、実施例と同じ方法で密着性を評価した。その結果、１ｍｍ幅で切断された保護膜１００ヶ所のうち３４か所基材から剥がれた。これにより、表面が荒いと、基材上に保護膜を成膜しても、剥離しやすいことがわかった。つまり式１を満たさないことにより密着性が低いといえる。
【００４１】
次に、実施例と比較例に従って保護膜が成膜された基材を、２５％食塩水に２４時間浸漬して、保護膜のダメージ耐性を確認した。溶液は、市販の超純水を用い、食塩は一般に流通している食塩を用いた。
【００４２】
図８は、本発明の実施例に係る基材を塩水浸漬した後の様子を示す図である。図８の左側は実施例に係る塩水浸漬前の基材であり、右側は、塩水浸漬後の基材である。図８に示すように、塩水浸漬後に保護膜の剥離がなく、密着性及び基材に対するダメージ耐性が高いことが分かった。
【００４３】
図９は、本発明の比較例に係る基材を塩水浸漬した後の様子を示す図である。図９の左側は実施例に係る塩水浸漬前の基材であり、右側は、塩水浸漬後の基材である。図９に示すように、塩水浸漬後に保護膜の剥離がみられた。式１を満たす非晶質珪素膜の膜厚が無いと保護膜が剥離し、ダメージ耐性が弱いことがわかった。
【符号の説明】
【００４４】
１      チャンバー
２      高周波電源
３      電極
４      容器
１０    カソード電極
２０    アースシールド
３０    アース電極
１００  プラズマＣＶＤ装置
２０１  非晶質珪素膜
２０２  ＤＬＣ膜
２０３  フッ素含有ＤＬＣ膜
【図１】
2020066797.tif 000004
【図２】
2020066797.tif 000005
【図３】
2020066797.tif 000006
【図４】
2020066797.tif 000007
【図５】
2020066797.tif 000008
【図６】
2020066797.tif 000009
【図７】
2020066797.tif 000010
【図８】
2020066797.tif 000011
【図９】
2020066797.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月4日(2019.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜と、
前記非晶質珪素膜上に成膜される膜と
から構成される保護膜であって、
前記非晶質珪素膜は、ＳｉａＣｂＨｃＮｄ（ａ、ｂ、ｃ、ｄは自然数）で構成され、
前記非晶質珪素膜の膜厚は、２０ｎｍ〜３０ｎｍであり、
前記非晶質珪素膜が成膜される基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘと、前記非晶質珪素膜の膜厚との関係が、式１を満たす、保護膜。
１／２×Ｒｍａｘ  ≦  前記非晶質珪素膜の膜厚  …  （式１）
【請求項２】
前記膜は、ＤＬＣ膜である、請求項１に記載の保護膜。
【請求項３】
前記ＤＬＣ膜上にさらにフッ素含有ＤＬＣ膜が成膜される、請求項２に記載の保護膜。
【請求項４】
前記ＤＬＣ膜と、前記フッ素含有ＤＬＣ膜との膜厚比が（０．８〜１）：（０．８〜１）である、請求項３に記載の保護膜。
【請求項５】
前記膜は、フッ素含有ＤＬＣ膜である、請求項１に記載の保護膜。
【請求項６】
前記保護膜の水の接触角が８０°以上である、請求項３乃至５のうちのいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項７】
請求項３又は４に記載の保護膜が内面に形成されている、保護膜付き容器。
【請求項８】
前記基材の材質がステンレスである、請求項７に記載の保護膜付き容器。
【請求項９】
前記ステンレスは、ＳＵＳ３０４である、請求項８に記載の保護膜付き容器。
【請求項１０】
容器を、アースシールドで覆われているカソード電極に収納するステップと、
前記アースシールドの開口部をアース電極で覆うステップと、
前記アース電極の開口部から原料ガスを導入するステップと、
前記カソード電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させて前記容器の内面に非晶質珪素膜と、前記非晶質珪素膜上に成膜されるＤＬＣ膜と、前記ＤＬＣ膜上に成膜されるフッ素含有ＤＬＣ膜とからなる保護膜を形成するステップと、
を備え、
前記非晶質珪素膜は、ＳｉａＣｂＨｃＮｄ（ａ、ｂ、ｃ、ｄは自然数）で構成され、
前記非晶質珪素膜の膜厚は、２０ｎｍ〜３０ｎｍであり、
前記非晶質珪素膜が成膜される前記容器の基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘと、前記非晶質珪素膜の膜厚との関係が、式１を満たす、保護膜付き容器の製造方法。
１／２×Ｒｍａｘ  ≦  前記非晶質珪素膜の膜厚  …  （式１）
【請求項１１】
前記アース電極の開口部からＡｒ、Ｏ２、またはこれらの混合ガスを導入するステップと、
前記カソード電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させてイオンボンバードメント処理により前記容器の内面をクリーニングするステップと、
をさらに備える、請求項１０に記載の保護膜付き容器の製造方法。
【請求項１２】
アースシールドで覆われている、容器を収納することができるカソード電極と、
前記アースシールドの開口部を覆うアース電極と、
前記カソード電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
原料ガスが前記アース電極の開口部から導入され、
前記カソード電極に前記高周波電力を供給してプラズマを発生させて前記容器の内面に非晶質珪素膜と、前記非晶質珪素膜上に成膜されるＤＬＣ膜と、前記ＤＬＣ膜上に成膜されるフッ素含有ＤＬＣ膜とからなる保護膜を形成し、
前記非晶質珪素膜は、ＳｉａＣｂＨｃＮｄ（ａ、ｂ、ｃ、ｄは自然数）で構成され、
前記非晶質珪素膜の膜厚は、２０ｎｍ〜３０ｎｍであり、
前記非晶質珪素膜が成膜される前記容器の基材の表面粗さの最大高さＲｍａｘと、前記非晶質珪素膜の膜厚との関係が、式１を満たす、プラズマＣＶＤ装置。
１／２×Ｒｍａｘ  ≦  前記非晶質珪素膜の膜厚  …  （式１）
【請求項１３】
前記アース電極は、前記カソード電極との間に発生するプラズマの集中を抑制する部材をさらに備える、請求項１２に記載のプラズマＣＶＤ装置。