(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁基板を形成するための組成物を提供する。【解決手段】式、2020015886.tif 000013の構造を有し、Ａｒは、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、２，６−ナフタレン基又は４，４′−ビフェニレン基であり、Ｙは、−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、且つＸは、カルボキサミド基、イミド基、アミジノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノノチカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基又はそれらの組み合せ１００wt部の変性液晶ポリマーと、０．５〜８５wt部の誘電体フィラーと、を含む組成物。【選択図】図１
2020015886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板を形成するための組成物において、
下記構造の繰り返し単位を有し、
【化１】
2020015886.tif 000012
又はそれらの組み合わせであり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はＣｎＨ２ｎ＋１であり、且つｎは、正整数である１００重量部の変性液晶ポリマーと、
０．５重量部〜８５重量部である誘電体フィラーと、
を含む組成物。
【請求項２】
前記誘電体フィラーは、セラミック材料、変性セラミック材料、導電性粒子、変性導電性粒子、有機材料及び変性有機材料からなる群から選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記セラミック材料は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、酸化チタン、酸化鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ペロブスカイト立方晶構造（ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２、ＣＣＴＯ）及びマグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）からなる群から選ばれる請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記変性セラミック材料は、シリル基を含有する変性基を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記導電性粒子は、炭素類粒子及び金属粒子を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項６】
前記炭素類粒子は、カーボン６０（Ｃ６０）、グラフェン、カーボンブラック、炭素繊維及びカーボンナノチューブからなる群から選ばれる請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記金属粒子は、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛及び鉄からなる群から選ばれる請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記変性導電性粒子は、アミノ基、アニリノ基、カルボキサミド基、カルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる変性基を含有する変性炭素類粒子を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
前記有機材料は、導電性ポリアニリン及び銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる群から選ばれる請求項２に記載の組成物。
【請求項１０】
前記変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項１１】
前記誘電体フィラーの平均粒径は、０．１〜２０μｍである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１に記載の前記絶縁基板を形成するための組成物を含む少なくとも１つの絶縁基板と、
前記絶縁基板に位置する少なくとも１つの再配線層と、
を備える回路板構造。
【請求項１３】
前記絶縁基板と前記再配線層との間に位置する接着層を更に備える請求項１２に記載の回路板構造。
【請求項１４】
前記接着層は、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム系樹脂、ポリ−ｐ−キシレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる請求項１３に記載の回路板構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板を形成するための組成物及び回路板構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンシューマ電子製品に対して、システムインパッケージ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＳＩＰ）技術は、主に、コスト削減と小型化の特徴を示すべきである。素子を統合するためのプラットフォームとしての基板には、２つの方向がある。その一方は、よく見られる有機材料基板又は多層プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ；ＰＷＢ）を使用するが、他方は、シリコン基板等の無機材料基板を使用する。後者は、通常、チップ回路やプロセスに組み合わせた小型化の利点を有するが、コストが考慮指標の1つである。前者の場合、低コストの機能に加えて、高密度相互接続（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ；ＨＤＩ）技術のような現時の高度なプロセス技術によって、また特殊材料に組み合わせて、システムインパッケージを達成させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
また、情報通信製品の高速化、高周波化につれて、無線通信ネットワーク、衛星通信機器、高出力及び広帯域製品、高速コンピュータ及びコンピュータワークステーション等の次世代製品の開発に必要な基板材料としては、高ガラス転移温度（Ｇｌａｓｓ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）、低損失係数（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ  Ｆａｃｔｏｒ；Ｄｆ）及び低誘電率（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ；Ｄｋ）を有するものでなければならない。現在、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）に使用される銅箔基板は、量的にも技術的にも、主にエポキシ樹脂からなるＦＲ−４板である。しかし、ＦＲ−４は、その誘電率や損失係数等の電気的特性が既に高周波の要求を満たすことができなくなっている。従って、高誘電率を有し、低損失係数を維持することのできる基板材料が業界で必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様は、絶縁基板を形成するための組成物を提供する。この組成物の組成成分を調整することで、絶縁基板の誘電定数値を制御することができる。
【０００５】
前記絶縁基板を形成するための組成物において、
【化１】
2020015886.tif 000003
【化２】
2020015886.tif 000004
【化３】
2020015886.tif 000005
【０００６】
本発明のある実施形態によれば、誘電体フィラーは、セラミック材料、変性セラミック材料、導電性粒子、変性導電性粒子、有機材料及び変性有機材料からなる群から選ばれる。
【０００７】
本発明のある実施形態によれば、セラミック材料は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、酸化チタン、酸化鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ペロブスカイト立方晶構造（ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２、ＣＣＴＯ）及びマグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）からなる群から選ばれる。
【０００８】
本発明のある実施形態によれば、変性セラミック材料は、シリル基を含有する変性基を含む。
【０００９】
本発明のある実施形態によれば、導電性粒子は、炭素類粒子及び金属粒子を含む。
【００１０】
本発明のある実施形態によれば、炭素類粒子は、カーボン６０（Ｃ６０）、グラフェン、カーボンブラック、炭素繊維及びカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ；ＣＮＴ）からなる群から選ばれる。
【００１１】
本発明のある実施形態によれば、金属粒子は、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛及び鉄からなる群から選ばれる。
【００１２】
本発明のある実施形態によれば、変性導電性粒子は、アミノ基、アニリノ基、カルボキサミド基、カルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる変性基を含有する変性炭素類粒子を含む。
【００１３】
本発明のある実施形態によれば、有機材料は、導電性ポリアニリン及び銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる群から選ばれる。
【００１４】
本発明のある実施形態によれば、変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む。
【００１５】
本発明のある実施形態によれば、変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む。
【００１６】
本発明の別の態様は、回路板構造を提供することにある。この回路板構造は、少なくとも１つの絶縁基板と、少なくとも１つの再配線層と、を備える。この少なくとも１つの絶縁基板は、絶縁基板を形成するための上記のような組成物を含む。この少なくとも１つの再配線層は、絶縁基板に位置する。
【００１７】
本発明のある実施形態によれば、この回路板構造は、絶縁基板と再配線層との間に位置する接着層を更に備える。
【００１８】
本発明のある実施形態によれば、接着層は、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム系樹脂、ポリ−ｐ−キシレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる。
【００１９】
下記添付図面の説明は、本発明の上記及び他の目的、特徴、メリット及び実施形態をより分かりやすくするためのものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【図２】図２は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【図３】図３は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【図４】図４は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の内容についての記述をより詳細且つ完全にするために、以下、本発明の実施態様と具体的な実施例について説明的な叙述を提出するが、これは本発明の具体的な実施例を実施又は運用する唯一の形式ではない。下記で開示する各実施例において、有益な場合には互いに組み合わせ又は取り替わってもよいし、更なる記載又は説明をせずに、１つの実施例において他の実施例を加えてもよい。
【００２２】
本開示内容の記述をより詳細化し充実させるためには、添付図面及び以下に述べられる各種の実施形態を参考することができ、図面において同じ番号は、同じ又は類似の素子を示す。
【００２３】
本明細書で使用される用語は、一般的に、その通常の意味を表し、実践者を更にガイドするために、以下、特別な用語について具体的に定義する。便宜上、ある用語を例えばイタリック体及び／又は引用符等によって特別に標示することがある。その用語は、特別に標示されるかにかかわらず、その範囲や意味が如何なる影響も受けず、通常の用語の範囲や意味と同じである。同じことが1以上の形態で説明されてもよいことは、理解される。従って、本明細書では、1つ又は複数の用語に用いられる代替の言語と同義語が本明細書で使用されることがあるが、その用語が本明細書で論じられる内容において如何なる特殊の意味を有することを示唆することを意図するものではない。ある用語の同義語が使用されるが、１つ又は複数の同義語を繰り返し使用しても、他の同義語の使用が妨げられることはない。本明細書で論じられる如何なる例も、説明するためのものであり、如何なる形態により範囲や意義を限定することを意図するものではない。同様に、本発明は、本明細書に記載された各種の実施形態に限定されない。
【００２４】
内容に特に明記されない限り、本明細書で使用される単数の用語は、複数の指示対象を含む。「一実施形態」のような特定の指示を参照することで、本開示の実施形態の少なくとも一方において、特定の特徴、構造や特性を示すので、各所の「一実施形態において」のような用語が特別な指示として現われる場合、同じ実施形態を参照する必要がなく、更に、１つ又は複数の実施形態では、これらの特定な特徴、構造や特性を状況に応じて適宜に組み合わせてもよい。
【００２５】
本発明の一態様は、絶縁基板を形成するための組成物において、下記式（１）の構造の繰り返し単位を有する１００重量部の変性液晶ポリマーと、０．５重量部〜８５重量部の誘電体フィラーと、を含む組成物を提供する。
【化４】
2020015886.tif 000006
【００２６】
【化５】
2020015886.tif 000007
【００２７】
【化６】
2020015886.tif 000008
【００２８】
【化７】
2020015886.tif 000009
【化８】
2020015886.tif 000010
【００２９】
本発明の各種の実施例によれば、上記Ａｒのいずれか１つは、任意のＹ及び任意のＸと互いに組み合わせてよい。異なる組み合わせにおいて、同じ又は異なる技術的効果を有することがある。
【００３０】
より詳しくは、上記の変性液晶ポリマーは、特定の溶剤に溶解して、変性液晶ポリマー溶液を形成することができる。例として、この特定の溶剤は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール及び２−エトキシエタノールからなる群から選ばれてよい。従来の液晶ポリマーと比べると、可溶性液晶ポリマーの特定溶剤への溶解度はより高い。理解すべきなのは、変性液晶ポリマー溶液は、コーティング等の類似なプロセスによって支持プレート上に形成し、また加熱プロセスによって溶剤を乾燥するまで蒸発させて変性液晶ポリマーを含む絶縁基板を形成することができる。
【００３１】
例として、変性液晶ポリマー溶液は、上記溶剤の１つ及び芳香族液晶ポリエステルを含む芳香族液晶ポリエステル溶液であってもよい。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量百分率は、１ｗｔ％〜８５ｗｔ％であり、例えば、５ｗｔ％、１５ｗｔ％、２５ｗｔ％、３５ｗｔ％、４５ｗｔ％、５５ｗｔ％、６５ｗｔ％又は７５ｗｔ％であってもよい。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量百分率がある数値よりも小さい場合、例えば１ｗｔ％よりも小さい場合、絶縁基板を必要な厚さにするために、複数回のコーティングプロセスが必要であり、かなり時間やコストがかかる。逆に、芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量百分率がある数値よりも大きい場合、例えば８５ｗｔ％よりも大きい場合、芳香族液晶ポリエステルの固形分は、溶剤に溶解しにくく糊化（ｇｅｌａｔｉｎｉｚａｔｉｏｎ）が生じる。具体的には、芳香族液晶ポリエステルは、以下のような繰り返し単位を有し、
【化９】
2020015886.tif 000011
Ａｒは、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、２，６−ナフタレン基又は４，４′−ビフェニレン基であり、Ｙは、−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、且つＸは、カルボキサミド基、イミド基、アミジノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノノチカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基又はそれらの組み合わせである。
【００３２】
誘電体フィラーの含有量がある数値、例えば８５重量部よりも大きい場合、誘電体フィラーの間は互いに連通するので、材料が絶縁体から導電体に変わり、材料の誘電率や導電率が激しく変わり、更に絶縁基板としての性能を失う。複数の実施形態において、誘電体フィラーは、セラミック材料、変性セラミック材料、導電性粒子、変性導電性粒子、有機材料及び変性有機材料からなる群から選ばれる。より具体的には、複数の例示において、セラミック材料は、チタン酸バリウム（Ｂａｒｉｕｍ  Ｔｉｔａｎａｔｅ；ＢＴ）、チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム（Ｂａｒｉｕｍ  Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ  Ｔｉｔａｎａｔｅ；ＢＳＴ）、酸化チタン、酸化鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３；ＰＺＴ）、ペロブスカイト立方晶構造（ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２；ＣＣＴＯ）及びマグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）からなる群から選ばれる。複数の例示において、変性セラミック材料は、変性基を含む、変性セラミック材料の変性基がシリル基を含む。複数の例示において、導電性粒子は、炭素類粒子及び金属粒子を含む。例として、炭素類粒子は、カーボン６０（Ｃ６０）、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）、カーボンブラック、炭素繊維及びカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ；ＣＮＴ）からなる群から選ばれる。金属粒子は、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛及び鉄からなる群から選ばれる。複数の例示において、変性導電性粒子は、変性基を含む変性炭素類粒子を含む。変性炭素類粒子の変性基は、アミノ基、アニリノ基、カルボキサミド基、カルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる。複数の例示において、有機材料は、導電性ポリアニリン及び銅フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）からなる群から選ばれる。複数の例示において、変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む。理解すべきなのは、誘電体フィラーは、上記変性液晶ポリマーの溶液に加えてコーティング等の類似なプロセスによって支持プレート上に形成し、また加熱プロセスによって溶剤を乾燥するまで蒸発させて誘電率が高められた絶縁基板を形成する。注意すべきなのは、誘電体フィラーは、変性液晶ポリマーの溶液に溶解するものではなく、変性液晶ポリマーの溶液に均一に分散される。
【００３３】
ある実施形態において、誘電体フィラーの平均粒径は、０．１〜２０μｍである。複数の実施例によれば、誘電体フィラーの平均粒径がある数値、例えば０．１μｍよりも小さい場合、誘電率の向上効果が著しくない。逆に、誘電体フィラーの平均粒径がある数値、例えば２０μｍよりも大きい場合、誘電体フィラー粒子の分散性を制御しにくく、且つ誘電体フィラー粒子の間にある互いの連通を容易にし、更に後の絶縁基板がその絶縁性能を失う。従って、誘電体フィラーの平均粒径は、例えば０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ、４．５μｍ、５．０μｍ、５．５μｍ、６．０μｍ、６．５μｍ、７．０μｍ、７．５μｍ、８．０μｍ、８．５μｍ、９．０μｍ、９．５μｍ、１０．０μｍ、１２．０μｍ、１４．０μｍ、１６．０μｍ又は１８．０μｍであってよい。
【００３４】
一般的に、変性液晶ポリマー自体が優れた加工性、耐熱性、低吸水率、低い誘電率（Ｄｋ）（例えば、２〜４にある）及び低い損失係数（Ｄｆ）（例えば、０．００３〜０．００８にある）の特性を有するので、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、上記誘電率を高めることができる誘電体フィラーを含み、誘電率を３〜２００の間に高め、且つ損失係数を０．００３〜０．００８にあるようにしてよい。典型的に、誘電体材料は、誘電率の高低によって高誘電率（例えば、４よりも大きい）や低誘電率（例えば、４以下）に分けられる。高誘電体材料は、主に、電子製品の消費電力を削減するように、ゲート誘電体材料、エネルギー貯蔵材料及び無線通信材料等の分野に用いられるが、低誘電体材料は、主に、抵抗器の遅延（ＲＣ  ｄｅｌａｙ）による悪影響を低減するように、電子パッケージング材料の調製に使用される。
【００３５】
他の代替的な実施形態において、絶縁基板を形成するための組成物は、変性ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）及び誘電体フィラーを含んでよい。具体的には、変性ポリイミドは、芳香族モノマーや／又は他の吸水性を低下させるのに役立つ官能性モノマーを含む。例として、芳香族モノマーは、芳香族ジアミン、芳香族二無水物、芳香族ポリアミド、ポリフェニレンテレフタルアミド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ；ＰＰＴＡ）、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾオキサゾール（（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−２，６−ｂｅｎｚｏｂｉｓｏｘａｚｏｌｅ；ＰＢＯ）及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体（ｐｏｌｙ（ｐ−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ−ｃｏ−２−ｈｙｄｒｏｘｙ  −６−ｎａｐｈｔｈｏｉｃ  ａｃｉｄ））を含んでよい。誘電体フィラーの特徴や実施例については、上記において詳しく説明したので、ここで繰り返して説明しない。
【００３６】
本発明の別の態様は、回路板構造１０を提供する。図１〜図４は、本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。まず図１を参照されたい。回路板構造１０は、少なくとも１つの絶縁基板１２と、少なくとも１つの再配線層１４と、を含む。この少なくとも１つの絶縁基板１２は、上記に記載の絶縁基板を形成するための組成物を含む。つまり、この少なくとも１つの絶縁基板１２を形成する組成物は、１００重量部の変性液晶ポリマーと、０．５重量部〜８５重量部の誘電体フィラーと、を含む。変性液晶ポリマー及び誘電体フィラーの両者の特徴及び実施例については、上記において詳しく説明したので、ここで繰り返して説明しない。この少なくとも１つの再配線層１４は、絶縁基板に位置する。
【００３７】
ある実例において、再配線層１４の材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、金、錫、鉛又はステンレス、或いはそれらの少なくとも２種を混合させてなる合金を含んでよい。より詳しくは、再配線層１４は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔又は／及び金箔のような金属箔（ｍｅｔａｌ  ｆｏｉｌ）をエッチングすることで形成する。ある実施例において、再配線層１４の表面は、コーティング処理によって、例えばニッケル金層、亜鉛層又はコバルト層のような被覆層（未図示）を再配線層１４の表面に覆うようにする。
【００３８】
図２を参照すると、複数の実施例において、回路板構造１０は、絶縁基板１２と再配線層１４との間に位置する接着層１６を更に含んでよい。より具体的には、接着層１６は、再配線層１４と同じパターンを有する。接着層１６の形成により、絶縁基板１２と再配線層１４との間により優れた結合力を持つようになる。複数の例示において、接着層１６は、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＯ／ＰＰＥ）、アラルキルエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム系樹脂、ポリ−ｐ−キシレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる。例として、フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ；ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ；ＦＥＰ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｔｅｔｒａ−ｆｌｕｏｒｏ−ｅｔｈｙｌｅｎ；ＥＴＦＥ）を含んでよい。アラルキルエポキシ樹脂は、ビフェニル型エポキシ樹脂を含んでよい。図１及び図２に示す回路板構造１０の模式図は、片面回路板（ｓｉｎｇｌｅ  ｓｉｄｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）構造である。
【００３９】
しかしながら、本発明は、上記の片面回路板に限定されない。回路板構造１０は、必要なラインレイアウトによって絶縁基板１２及び再配線層１４のそれぞれの層数を決定する多層回路基板（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）構造であってもよい。図３に示す回路板構造１０は、２層の絶縁基板１２及び３層の再配線層１４を有し、且つこの２層の絶縁基板１２がそれぞれ隣接する２つの再配線層１４の間に挟まれることに、図１に示す回路板構造１０と異なる。理解すべきなのは、任意の２層の再配線層１４の間の信号伝送は、絶縁基板１２に設けられる導電性ブラインドホール１８によって実施される。従って、回路板構造１０は、絶縁基板１２を貫通する少なくとも１つの導電性ブラインドホール１８を更に含んでもよい。ある実施例において、導電性ブラインドホール１８の材料は、再配線層１４の材料と類似してよい。
【００４０】
図４を参照されたい。複数の実施例において、回路板構造１０は、絶縁基板１２と再配線層１４との間に位置する接着層１６を更に含んでよい。より具体的には、導電性ブラインドホール１８は、接着層１６を貫通し、隣接する２層の再配線層１４に電気的接続される。接着層１６の特徴や実施例については、上記において詳しく説明したので、ここで繰り返して説明しない。本発明の他の実施例において、回路板構造は、２層以上の絶縁基板、及び絶縁基板の間にある再配線層を含んでもよい。
【００４１】
要するに、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、変性液晶ポリマー及び誘電体フィラーを含み、この組成物の組成成分を調整して絶縁基板の誘電率を大幅に高めることで、高誘電率（例えば、４〜２００）の絶縁基板が高周波信号伝送でも低誘電損失係数（例えば、０．００３〜０．００８）を有し、信号伝送の遅延又は損失を低減させ、それにより、信号伝送の速度及び／又は周波数を増加させる。更に、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、高温高湿である厳しい環境での信号伝送の品質及び安定性を確保することができる。また、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、低誘電率（例えば、４以下）を有する絶縁基板を形成することもできる。この低誘電率を有する絶縁基板は、上記の高誘電率を有する絶縁基板と組み合わせて、新たな多機能電子製品として積層することができる。
【００４２】
本発明を実施例により前述の通りに開示したが、これは本発明を限定するものではなく、当業者なら誰でも、本発明の精神と領域から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えることができる。従って、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。
【符号の説明】
【００４３】
１０  回路板構造
１２  絶縁基板
１４  再配線層
１６  接着層
１８  導電性ブラインドホール
【図１】
2020015886.tif 000014
【図２】
2020015886.tif 000015
【図３】
2020015886.tif 000016
【図４】
2020015886.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月13日(2019.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板を形成するための組成物において、  下記構造の繰り返し単位を有し、
2020015886.tif 000018
又はそれらの組み合わせであり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はＣｎＨ２ｎ＋１であり、且つｎは、正整数である１００重量部の変性液晶ポリマーと、  ０．５重量部〜８５重量部である誘電体フィラーと、  を含む組成物。
【請求項２】
前記誘電体フィラーは、セラミック材料、変性セラミック材料、導電性粒子、変性導電性粒子、有機材料及び変性有機材料からなる群から選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記セラミック材料は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、酸化チタン、酸化鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ペロブスカイト立方晶構造（ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２、ＣＣＴＯ）及びマグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）からなる群から選ばれる請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記変性セラミック材料は、シリル基を含有する変性基を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記導電性粒子は、炭素類粒子及び金属粒子を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項６】
前記炭素類粒子は、カーボン６０（Ｃ６０）、グラフェン、カーボンブラック、炭素繊維及びカーボンナノチューブからなる群から選ばれる請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記金属粒子は、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛及び鉄からなる群から選ばれる請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記変性導電性粒子は、アミノ基、アニリノ基、カルボキサミド基、カルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる変性基を含有する変性炭素類粒子を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
前記有機材料は、導電性ポリアニリン及び銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる群から選ばれる請求項２に記載の組成物。
【請求項１０】
前記変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む請求項２に記載の組成物。
【請求項１１】
前記誘電体フィラーの平均粒径は、０．１〜２０μｍである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１に記載の前記絶縁基板を形成するための組成物を含む少なくとも１つの絶縁基板と、  前記絶縁基板に位置する少なくとも１つの再配線層と、  を備える回路板構造。
【請求項１３】
前記絶縁基板と前記再配線層との間に位置する接着層を更に備える請求項１２に記載の回路板構造。
【請求項１４】
前記接着層は、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム系樹脂、ポリ−ｐ−キシレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる請求項１３に記載の回路板構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板を形成するための組成物及び回路板構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンシューマ電子製品に対して、システムインパッケージ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＳＩＰ）技術は、主に、コスト削減と小型化の特徴を示すべきである。素子を統合するためのプラットフォームとしての基板には、２つの方向がある。その一方は、よく見られる有機材料基板又は多層プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ；ＰＷＢ）を使用するが、他方は、シリコン基板等の無機材料基板を使用する。後者は、通常、チップ回路やプロセスに組み合わせた小型化の利点を有するが、コストが考慮指標の1つである。前者の場合、低コストの機能に加えて、高密度相互接続（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ；ＨＤＩ）技術のような現時の高度なプロセス技術によって、また特殊材料に組み合わせて、システムインパッケージを達成させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
また、情報通信製品の高速化、高周波化につれて、無線通信ネットワーク、衛星通信機器、高出力及び広帯域製品、高速コンピュータ及びコンピュータワークステーション等の次世代製品の開発に必要な基板材料としては、高ガラス転移温度（Ｇｌａｓｓ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）、低損失係数（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ  Ｆａｃｔｏｒ；Ｄｆ）及び低誘電率（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ；Ｄｋ）を有するものでなければならない。現在、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）に使用される銅箔基板は、量的にも技術的にも、主にエポキシ樹脂からなるＦＲ−４板である。しかし、ＦＲ−４は、その誘電率や損失係数等の電気的特性が既に高周波の要求を満たすことができなくなっている。従って、高誘電率を有し、低損失係数を維持することのできる基板材料が業界で必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様は、絶縁基板を形成するための組成物を提供する。この組成物の組成成分を調整することで、絶縁基板の誘電定数値を制御することができる。
【０００５】
前記絶縁基板を形成するための組成物において、
【化１】
2020015886.tif 000019
【化２】
2020015886.tif 000020
【化３】
2020015886.tif 000021
【０００６】
本発明のある実施形態によれば、誘電体フィラーは、セラミック材料、変性セラミック材料、導電性粒子、変性導電性粒子、有機材料及び変性有機材料からなる群から選ばれる。
【０００７】
本発明のある実施形態によれば、セラミック材料は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、酸化チタン、酸化鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ペロブスカイト立方晶構造（ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２、ＣＣＴＯ）及びマグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）からなる群から選ばれる。
【０００８】
本発明のある実施形態によれば、変性セラミック材料は、シリル基を含有する変性基を含む。
【０００９】
本発明のある実施形態によれば、導電性粒子は、炭素類粒子及び金属粒子を含む。
【００１０】
本発明のある実施形態によれば、炭素類粒子は、カーボン６０（Ｃ６０）、グラフェン、カーボンブラック、炭素繊維及びカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ；ＣＮＴ）からなる群から選ばれる。
【００１１】
本発明のある実施形態によれば、金属粒子は、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛及び鉄からなる群から選ばれる。
【００１２】
本発明のある実施形態によれば、変性導電性粒子は、アミノ基、アニリノ基、カルボキサミド基、カルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる変性基を含有する変性炭素類粒子を含む。
【００１３】
本発明のある実施形態によれば、有機材料は、導電性ポリアニリン及び銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる群から選ばれる。
【００１４】
本発明のある実施形態によれば、変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む。
【００１５】
本発明の別の態様は、回路板構造を提供することにある。この回路板構造は、少なくとも１つの絶縁基板と、少なくとも１つの再配線層と、を備える。この少なくとも１つの絶縁基板は、絶縁基板を形成するための上記のような組成物を含む。この少なくとも１つの再配線層は、絶縁基板に位置する。
【００１６】
本発明のある実施形態によれば、この回路板構造は、絶縁基板と再配線層との間に位置する接着層を更に備える。
【００１７】
本発明のある実施形態によれば、接着層は、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム系樹脂、ポリ−ｐ−キシレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる。
【００１８】
下記添付図面の説明は、本発明の上記及び他の目的、特徴、メリット及び実施形態をより分かりやすくするためのものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【図２】図２は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【図３】図３は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【図４】図４は本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の内容についての記述をより詳細且つ完全にするために、以下、本発明の実施態様と具体的な実施例について説明的な叙述を提出するが、これは本発明の具体的な実施例を実施又は運用する唯一の形式ではない。下記で開示する各実施例において、有益な場合には互いに組み合わせ又は取り替わってもよいし、更なる記載又は説明をせずに、１つの実施例において他の実施例を加えてもよい。
【００２１】
本開示内容の記述をより詳細化し充実させるためには、添付図面及び以下に述べられる各種の実施形態を参考することができ、図面において同じ番号は、同じ又は類似の素子を示す。
【００２２】
本明細書で使用される用語は、一般的に、その通常の意味を表し、実践者を更にガイドするために、以下、特別な用語について具体的に定義する。便宜上、ある用語を例えばイタリック体及び／又は引用符等によって特別に標示することがある。その用語は、特別に標示されるかにかかわらず、その範囲や意味が如何なる影響も受けず、通常の用語の範囲や意味と同じである。同じことが1以上の形態で説明されてもよいことは、理解される。従って、本明細書では、1つ又は複数の用語に用いられる代替の言語と同義語が本明細書で使用されることがあるが、その用語が本明細書で論じられる内容において如何なる特殊の意味を有することを示唆することを意図するものではない。ある用語の同義語が使用されるが、１つ又は複数の同義語を繰り返し使用しても、他の同義語の使用が妨げられることはない。本明細書で論じられる如何なる例も、説明するためのものであり、如何なる形態により範囲や意義を限定することを意図するものではない。同様に、本発明は、本明細書に記載された各種の実施形態に限定されない。
【００２３】
内容に特に明記されない限り、本明細書で使用される単数の用語は、複数の指示対象を含む。「一実施形態」のような特定の指示を参照することで、本開示の実施形態の少なくとも一方において、特定の特徴、構造や特性を示すので、各所の「一実施形態において」のような用語が特別な指示として現われる場合、同じ実施形態を参照する必要がなく、更に、１つ又は複数の実施形態では、これらの特定な特徴、構造や特性を状況に応じて適宜に組み合わせてもよい。
【００２４】
本発明の一態様は、絶縁基板を形成するための組成物において、下記式（１）の構造の繰り返し単位を有する１００重量部の変性液晶ポリマーと、０．５重量部〜８５重量部の誘電体フィラーと、を含む組成物を提供する。
【化４】
2020015886.tif 000022
【００２５】
【化５】
2020015886.tif 000023
【００２６】
【化６】
2020015886.tif 000024
【００２７】
【化７】
2020015886.tif 000025
【化８】
2020015886.tif 000026
【００２８】
本発明の各種の実施例によれば、上記Ａｒのいずれか１つは、任意のＹ及び任意のＸと互いに組み合わせてよい。異なる組み合わせにおいて、同じ又は異なる技術的効果を有することがある。
【００２９】
より詳しくは、上記の変性液晶ポリマーは、特定の溶剤に溶解して、変性液晶ポリマー溶液を形成することができる。例として、この特定の溶剤は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール及び２−エトキシエタノールからなる群から選ばれてよい。従来の液晶ポリマーと比べると、可溶性液晶ポリマーの特定溶剤への溶解度はより高い。理解すべきなのは、変性液晶ポリマー溶液は、コーティング等の類似なプロセスによって支持プレート上に形成し、また加熱プロセスによって溶剤を乾燥するまで蒸発させて変性液晶ポリマーを含む絶縁基板を形成することができる。
【００３０】
例として、変性液晶ポリマー溶液は、上記溶剤の１つ及び芳香族液晶ポリエステルを含む芳香族液晶ポリエステル溶液であってもよい。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量百分率は、１ｗｔ％〜８５ｗｔ％であり、例えば、５ｗｔ％、１５ｗｔ％、２５ｗｔ％、３５ｗｔ％、４５ｗｔ％、５５ｗｔ％、６５ｗｔ％又は７５ｗｔ％であってもよい。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量百分率がある数値よりも小さい場合、例えば１ｗｔ％よりも小さい場合、絶縁基板を必要な厚さにするために、複数回のコーティングプロセスが必要であり、かなり時間やコストがかかる。逆に、芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量百分率がある数値よりも大きい場合、例えば８５ｗｔ％よりも大きい場合、芳香族液晶ポリエステルの固形分は、溶剤に溶解しにくく糊化（ｇｅｌａｔｉｎｉｚａｔｉｏｎ）が生じる。具体的には、芳香族液晶ポリエステルは、以下のような繰り返し単位を有し、
【化９】
2020015886.tif 000027
Ａｒは、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、２，６−ナフタレン基又は４，４′−ビフェニレン基であり、Ｙは、−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、且つＸは、カルボキサミド基、イミド基、アミジノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノノチカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基又はそれらの組み合わせである。
【００３１】
誘電体フィラーの含有量がある数値、例えば８５重量部よりも大きい場合、誘電体フィラーの間は互いに連通するので、材料が絶縁体から導電体に変わり、材料の誘電率や導電率が激しく変わり、更に絶縁基板としての性能を失う。複数の実施形態において、誘電体フィラーは、セラミック材料、変性セラミック材料、導電性粒子、変性導電性粒子、有機材料及び変性有機材料からなる群から選ばれる。より具体的には、複数の例示において、セラミック材料は、チタン酸バリウム（Ｂａｒｉｕｍ  Ｔｉｔａｎａｔｅ；ＢＴ）、チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム（Ｂａｒｉｕｍ  Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ  Ｔｉｔａｎａｔｅ；ＢＳＴ）、酸化チタン、酸化鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３；ＰＺＴ）、ペロブスカイト立方晶構造（ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２；ＣＣＴＯ）及びマグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛（ＰＭＮ−ＰＴ）からなる群から選ばれる。複数の例示において、変性セラミック材料は、変性基を含む、変性セラミック材料の変性基がシリル基を含む。複数の例示において、導電性粒子は、炭素類粒子及び金属粒子を含む。例として、炭素類粒子は、カーボン６０（Ｃ６０）、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）、カーボンブラック、炭素繊維及びカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ；ＣＮＴ）からなる群から選ばれる。金属粒子は、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛及び鉄からなる群から選ばれる。複数の例示において、変性導電性粒子は、変性基を含む変性炭素類粒子を含む。変性炭素類粒子の変性基は、アミノ基、アニリノ基、カルボキサミド基、カルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群から選ばれる。複数の例示において、有機材料は、導電性ポリアニリン及び銅フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）からなる群から選ばれる。複数の例示において、変性有機材料は、スルホン酸基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミノ基及び（ｐ−クロロメチルベンゼン）ビニル基からなる群から選ばれる変性基を含む。理解すべきなのは、誘電体フィラーは、上記変性液晶ポリマーの溶液に加えてコーティング等の類似なプロセスによって支持プレート上に形成し、また加熱プロセスによって溶剤を乾燥するまで蒸発させて誘電率が高められた絶縁基板を形成する。注意すべきなのは、誘電体フィラーは、変性液晶ポリマーの溶液に溶解するものではなく、変性液晶ポリマーの溶液に均一に分散される。
【００３２】
ある実施形態において、誘電体フィラーの平均粒径は、０．１〜２０μｍである。複数の実施例によれば、誘電体フィラーの平均粒径がある数値、例えば０．１μｍよりも小さい場合、誘電率の向上効果が著しくない。逆に、誘電体フィラーの平均粒径がある数値、例えば２０μｍよりも大きい場合、誘電体フィラー粒子の分散性を制御しにくく、且つ誘電体フィラー粒子の間にある互いの連通を容易にし、更に後の絶縁基板がその絶縁性能を失う。従って、誘電体フィラーの平均粒径は、例えば０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ、４．５μｍ、５．０μｍ、５．５μｍ、６．０μｍ、６．５μｍ、７．０μｍ、７．５μｍ、８．０μｍ、８．５μｍ、９．０μｍ、９．５μｍ、１０．０μｍ、１２．０μｍ、１４．０μｍ、１６．０μｍ又は１８．０μｍであってよい。
【００３３】
一般的に、変性液晶ポリマー自体が優れた加工性、耐熱性、低吸水率、低い誘電率（Ｄｋ）（例えば、２〜４にある）及び低い損失係数（Ｄｆ）（例えば、０．００３〜０．００８にある）の特性を有するので、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、上記誘電率を高めることができる誘電体フィラーを含み、誘電率を３〜２００の間に高め、且つ損失係数を０．００３〜０．００８にあるようにしてよい。典型的に、誘電体材料は、誘電率の高低によって高誘電率（例えば、４よりも大きい）や低誘電率（例えば、４以下）に分けられる。高誘電体材料は、主に、電子製品の消費電力を削減するように、ゲート誘電体材料、エネルギー貯蔵材料及び無線通信材料等の分野に用いられるが、低誘電体材料は、主に、抵抗器の遅延（ＲＣ  ｄｅｌａｙ）による悪影響を低減するように、電子パッケージング材料の調製に使用される。
【００３４】
他の代替的な実施形態において、絶縁基板を形成するための組成物は、変性ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）及び誘電体フィラーを含んでよい。具体的には、変性ポリイミドは、芳香族モノマーや／又は他の吸水性を低下させるのに役立つ官能性モノマーを含む。例として、芳香族モノマーは、芳香族ジアミン、芳香族二無水物、芳香族ポリアミド、ポリフェニレンテレフタルアミド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ；ＰＰＴＡ）、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾオキサゾール（（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−２，６−ｂｅｎｚｏｂｉｓｏｘａｚｏｌｅ；ＰＢＯ）及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体（ｐｏｌｙ（ｐ−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ−ｃｏ−２−ｈｙｄｒｏｘｙ  −６−ｎａｐｈｔｈｏｉｃ  ａｃｉｄ））を含んでよい。誘電体フィラーの特徴や実施例については、上記において詳しく説明したので、ここで繰り返して説明しない。
【００３５】
本発明の別の態様は、回路板構造１０を提供する。図１〜図４は、本発明の複数の実施形態による回路板構造を示す断面模式図である。まず図１を参照されたい。回路板構造１０は、少なくとも１つの絶縁基板１２と、少なくとも１つの再配線層１４と、を含む。この少なくとも１つの絶縁基板１２は、上記に記載の絶縁基板を形成するための組成物を含む。つまり、この少なくとも１つの絶縁基板１２を形成する組成物は、１００重量部の変性液晶ポリマーと、０．５重量部〜８５重量部の誘電体フィラーと、を含む。変性液晶ポリマー及び誘電体フィラーの両者の特徴及び実施例については、上記において詳しく説明したので、ここで繰り返して説明しない。この少なくとも１つの再配線層１４は、絶縁基板に位置する。
【００３６】
ある実例において、再配線層１４の材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、金、錫、鉛又はステンレス、或いはそれらの少なくとも２種を混合させてなる合金を含んでよい。より詳しくは、再配線層１４は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔又は／及び金箔のような金属箔（ｍｅｔａｌ  ｆｏｉｌ）をエッチングすることで形成する。ある実施例において、再配線層１４の表面は、コーティング処理によって、例えばニッケル金層、亜鉛層又はコバルト層のような被覆層（未図示）を再配線層１４の表面に覆うようにする。
【００３７】
図２を参照すると、複数の実施例において、回路板構造１０は、絶縁基板１２と再配線層１４との間に位置する接着層１６を更に含んでよい。より具体的には、接着層１６は、再配線層１４と同じパターンを有する。接着層１６の形成により、絶縁基板１２と再配線層１４との間により優れた結合力を持つようになる。複数の例示において、接着層１６は、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＯ／ＰＰＥ）、アラルキルエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム系樹脂、ポリ−ｐ−キシレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる。例として、フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ；ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ；ＦＥＰ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｔｅｔｒａ−ｆｌｕｏｒｏ−ｅｔｈｙｌｅｎ；ＥＴＦＥ）を含んでよい。アラルキルエポキシ樹脂は、ビフェニル型エポキシ樹脂を含んでよい。図１及び図２に示す回路板構造１０の模式図は、片面回路板（ｓｉｎｇｌｅ  ｓｉｄｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）構造である。
【００３８】
しかしながら、本発明は、上記の片面回路板に限定されない。回路板構造１０は、必要なラインレイアウトによって絶縁基板１２及び再配線層１４のそれぞれの層数を決定する多層回路基板（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）構造であってもよい。図３に示す回路板構造１０は、２層の絶縁基板１２及び３層の再配線層１４を有し、且つこの２層の絶縁基板１２がそれぞれ隣接する２つの再配線層１４の間に挟まれることに、図１に示す回路板構造１０と異なる。理解すべきなのは、任意の２層の再配線層１４の間の信号伝送は、絶縁基板１２に設けられる導電性ブラインドホール１８によって実施される。従って、回路板構造１０は、絶縁基板１２を貫通する少なくとも１つの導電性ブラインドホール１８を更に含んでもよい。ある実施例において、導電性ブラインドホール１８の材料は、再配線層１４の材料と類似してよい。
【００３９】
図４を参照されたい。複数の実施例において、回路板構造１０は、絶縁基板１２と再配線層１４との間に位置する接着層１６を更に含んでよい。より具体的には、導電性ブラインドホール１８は、接着層１６を貫通し、隣接する２層の再配線層１４に電気的接続される。接着層１６の特徴や実施例については、上記において詳しく説明したので、ここで繰り返して説明しない。本発明の他の実施例において、回路板構造は、２層以上の絶縁基板、及び絶縁基板の間にある再配線層を含んでもよい。
【００４０】
要するに、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、変性液晶ポリマー及び誘電体フィラーを含み、この組成物の組成成分を調整して絶縁基板の誘電率を大幅に高めることで、高誘電率（例えば、４〜２００）の絶縁基板が高周波信号伝送でも低誘電損失係数（例えば、０．００３〜０．００８）を有し、信号伝送の遅延又は損失を低減させ、それにより、信号伝送の速度及び／又は周波数を増加させる。更に、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、高温高湿である厳しい環境での信号伝送の品質及び安定性を確保することができる。また、本発明の絶縁基板を形成するための組成物は、低誘電率（例えば、４以下）を有する絶縁基板を形成することもできる。この低誘電率を有する絶縁基板は、上記の高誘電率を有する絶縁基板と組み合わせて、新たな多機能電子製品として積層することができる。
【００４１】
本発明を実施例により前述の通りに開示したが、これは本発明を限定するものではなく、当業者なら誰でも、本発明の精神と領域から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えることができる。従って、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。
【符号の説明】
【００４２】
１０  回路板構造
１２  絶縁基板
１４  再配線層
１６  接着層
１８  導電性ブラインドホール