(57)【要約】      （修正有）【課題】均一性の高い表示装置を製造するために、インクジェット法により各画素の色変換部に付与する量子ドット材料や光散乱材の量を、高いレベルで均一にできる表示装置の製造方法、製造装置を提供する。【解決手段】表示装置の色変換部を形成する方法は、吐出ヘッド４から色変換材を含んだインク４０１を基体１００上の画素を形成する位置に向けて吐出する吐出工程と、前記吐出ヘッドから吐出された前記インクに対して、光源５から所定波長の光を照射する光照射工程と、前記所定波長の光を照射された前記インクから放射される色変換された光の強度を計測する光強度計測工程と、前記光強度計測工程の計測結果に基づき、前記画素を形成する位置に向けての以後の吐出を制御する制御工程と、を有する。【選択図】図４
2020194018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出ヘッドから色変換材を含んだインクを基体上の画素を形成する位置に向けて吐出する吐出工程と、
前記吐出ヘッドから前記画素を形成する位置に向けて吐出された前記インクに対して、光源から所定波長の光を照射する光照射工程と、
前記所定波長の光を照射された前記インクから放射される色変換された光の強度を計測する光強度計測工程と、
前記光強度計測工程の計測結果に基づき、前記画素を形成する位置に向けてのその後の吐出を制御する制御工程と、
を有する、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記光照射工程は、前記吐出工程で吐出され前記画素を形成する位置に向けて飛翔中の前記インクに前記所定波長の光を照射させる工程である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記光照射工程は、前記吐出工程で吐出され前記画素を形成する位置に付与された前記インクに前記所定波長の光を照射させる工程である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記光照射工程は、前記基体に設けられた有機ＥＬ素子から前記所定波長の光を照射する工程である、
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記光照射工程は、前記基体を挟んで前記吐出ヘッドと反対側に配置されている前記光源から前記所定波長の光を照射する工程である、
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記光照射工程は、前記光源を所定位置に移動させて前記所定波長の光を照射する工程である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記光強度計測工程は、光強度計測部を所定位置に移動させて前記インクから放射される色変換された光の強度を計測する工程である、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記制御工程は、前記光強度計測工程の計測結果に基づき、前記吐出ヘッドが前記画素を形成する位置に向けてその後に吐出する回数を制御する工程である、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記制御工程は、前記光強度計測工程の計測結果に基づき、前記吐出ヘッドが前記画素を形成する位置に向けてその後に吐出する吐出量を制御する工程である、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記色変換材は量子ドット材料であり、前記光源は前記量子ドット材料の価電子帯の電子を伝導帯に励起させる前記所定波長の光を照射する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
色変換材を含んだインクを基体上の画素を形成する位置に向けて吐出可能な吐出ヘッドと、
光源を制御して、前記画素を形成する位置に向けて前記吐出ヘッドから吐出された前記インクに対して所定波長の光を照射させる光源制御部と、
前記所定波長の光を照射された前記インクから放射される色変換された光の強度を計測する光強度計測部と、
前記光強度計測部の計測結果に基づき、前記画素を形成する位置に向けての前記吐出ヘッドのその後の動作を制御する制御部と、
を有する、
ことを特徴とするインクジェット装置。
【請求項１２】
前記光源制御部は、前記吐出ヘッドから吐出され飛翔中の前記インクに前記所定波長の光を照射させる、
ことを特徴とする請求項１１に記載のインクジェット装置。
【請求項１３】
前記光源制御部は、前記吐出ヘッドから吐出され前記画素を形成する位置に付与された前記インクに前記所定波長の光を照射させる、
ことを特徴とする請求項１１に記載のインクジェット装置。
【請求項１４】
前記光源は、前記基体に設けられた有機ＥＬ素子である、
ことを特徴とする請求項１３に記載のインクジェット装置。
【請求項１５】
前記光源は、前記基体を挟んで、前記吐出ヘッドと反対側に配置されている、
ことを特徴とする請求項１３に記載のインクジェット装置。
【請求項１６】
前記光源は、前記基体の上を移動可能に支持されている、
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載のインクジェット装置。
【請求項１７】
前記光強度計測部は、前記基体の上を移動可能に支持されている、
ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載のインクジェット装置。
【請求項１８】
前記制御部は、前記光強度計測部の計測結果に基づき、前記吐出ヘッドが前記画素を形成する位置に向けてその後に吐出する回数を制御する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載のインクジェット装置。
【請求項１９】
前記制御部は、前記光強度計測部の計測結果に基づき、前記吐出ヘッドが前記画素を形成する位置に向けてその後に吐出する吐出量を制御する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか１項に記載のインクジェット装置。
【請求項２０】
前記色変換材は量子ドット材料であり、前記光源は前記量子ドット材料の価電子帯の電子を伝導帯に励起させる前記所定波長の光を照射する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１９のいずれか１項に記載のインクジェット装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、量子ドット材料を含んだ色変換部を備えた表示装置の製造方法と、それに用いるインクジェット装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の機能素子を製造する際に、インクジェット装置を用いて機能素子の材料を付与してパターンを形成することが試みられている。インクジェット装置を用いたパターニングは、オンデマンドパターニングが可能であるため材料の使用効率が高いこと、非真空プロセスであり製造装置が比較的小型になること、などのメリットを有している。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子をはじめとする機能素子の分野では、大面積の基体に非常に多数の機能素子を形成することが多いが、インクジェット装置を用いた材料の付与が不均一になると、各機能素子の特性がばらついてしまう。例えば、有機ＥＬ素子を多数配列した表示装置の場合、発光特性のばらつきが大きいと、駆動条件を素子毎に補正するための回路を付加する必要が生じたり、規格外となった表示パネルを廃棄せざるを得ない場合が生じたりする。そこで、インクジェット装置を用いて機能素子を製造する際には、材料を付与する際の制御性が重要になる。
【０００４】
一方、最近では、量子ドット材料を含んだ色変換部を備えた表示装置が注目されている。数ｎｍ程度のサイズの超微粒子に光が入射すると、電子が伝導体から価電子帯に転移しながら、超微粒子の材料とサイズにより決まる特定波長の光を放出する現象を利用して、入射光の色を変換して出射させるものである。
例えば、特許文献１には、表示装置の製造過程において、インクジェット法を用いて量子ドット材料を含んだ色変換部を作成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１９−２８４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、インクジェット装置を用いて大面積の基体上に非常に多数の機能素子を形成する場合には、インクを塗布する塗布領域とインクジェットヘッドとを相対的に走査して機能素子の材料を塗布してゆく。図１は、これを説明するための模式的な斜視図であり、１００は基体、１０１は基体１００の表面のうち機能素子を形成する面である基体表面、１０２は機能素子である。模式図であるため、７×５個の機能素子１０２が示されているにすぎないが、実際には非常に多数の機能素子が形成され得る。
基体表面１０１がＸＹ平面と平行だとすると、不図示のインクジェットヘッドを、基体表面１０１からＺ方向に所定の距離だけ離間させて、まず主走査方向であるＸ方向に沿って軌道１０３上を移動させて、Ａ列の機能素子１０２の材料を吐出する。そして、機能素子１０２を形成する領域すなわち塗布領域よりも外側まで移動すると、インクジェットヘッドを副走査方向であるＹ方向に軌道１０４に沿って所定距離移動させた後、移動方向をＸ方向マイナス側に変更する。そして、軌道１０５に沿って移動させながらＢ列の機能素子１０２の材料を吐出する。そして、塗布領域よりも外側まで移動すると、インクジェットヘッドの移動方向を再び副走査方向であるＹ方向に変更して軌道１０６に沿って所定距離移動させる。ここでは、説明を簡単化するため、インクジェットヘッドがノズルを１個だけ備える例を説明したが、複数のノズルを備える場合には、一回の主走査で複数列分の機能素子の材料を吐出することもできる。
かかる移動を繰返してインクジェットヘッドを主走査方向に往復移動させて走査し、（Ａ−１）→（Ａ−２）→（Ａ−３）→・・・（Ａ−７）→（Ｂ−７）→（Ｂ−６）→・・・（Ｂ−１）という順に、各位置での吐出を行っていく。
【０００７】
量子ドット材料を含んだ色変換部をインクジェット法により形成する際には、数ｎｍ程度のサイズの量子ドット材料や、光散乱材としてＴｉＯ２粒子等を分散させたインクを用いる。量子ドット材料等が分散されたインクの成分が常に一定で、しかもインクジェット装置の吐出特性が常に一定であれば、高い均一性で各画素の色変換部を形成することが可能である。
【０００８】
しかし、非常に多数の画素を含む表示装置を連続して量産する場合に、常に一定の条件を維持しながら上述した走査方法あるいは他の方法でインクジェット装置を駆動し続けるのは現実的には困難であり、各画素の色変換部の特性にばらつきが生じてしまう。
例えば、量子ドット材料や光散乱材の超微粒子を分散させたインクにおいては、重力による微粒子の沈降、あるいは吐出駆動による液室内のインク撹拌により、インク内における超微粒子の分布は絶えず変化する。
【０００９】
そこで、均一性の高い表示装置を製造するために、インクジェット法により各画素の色変換部に付与する量子ドット材料や光散乱材の量を、高いレベルで均一にできる方法や装置が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、吐出ヘッドから色変換材を含んだインクを基体上の画素を形成する位置に向けて吐出する吐出工程と、前記吐出ヘッドから前記画素を形成する位置に向けて吐出された前記インクに対して、光源から所定波長の光を照射する光照射工程と、前記所定波長の光を照射された前記インクから放射される色変換された光の強度を計測する光強度計測工程と、前記光強度計測工程の計測結果に基づき、前記画素を形成する位置に向けてのその後の吐出を制御する制御工程と、を有する、ことを特徴とする表示装置の製造方法である。
【００１１】
また、本発明は、色変換材を含んだインクを基体上の画素を形成する位置に向けて吐出可能な吐出ヘッドと、光源を制御して、前記画素を形成する位置に向けて前記吐出ヘッドから吐出された前記インクに対して所定波長の光を照射させる光源制御部と、前記所定波長の光を照射された前記インクから放射される色変換された光の強度を計測する光強度計測部と、前記光強度計測部の計測結果に基づき、前記画素を形成する位置に向けての前記吐出ヘッドのその後の動作を制御する制御部と、を有する、ことを特徴とするインクジェット装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、表示装置の各画素に各色変換部を形成するためインクジェット法により付与する量子ドット材料や光散乱材量を、高いレベルで均一にできる方法や装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】インクジェットヘッドの走査方法を示す模式図。
【図２】実施形態１にかかるインクジェット描画装置の構成を示す模式図。
【図３】量子ドット材料を含む色変換部を備えた表示装置の模式的な断面図。
【図４】（ａ）実施形態１にかかる色変換部の形成プロセスを説明するための模式図。（ｂ）量子ドットの量を均一化するため、追加の吐出を行う工程を説明するための模式図。
【図５】インク滴からの放射光の強度の積算値を画素毎に示した図。
【図６】（ａ）インクジェットヘッドの駆動電圧波形の一例。（ｂ）駆動電圧とインク滴の大きさ（吐出量）の関係を示すグラフ。
【図７】実施形態２にかかるインクジェット描画装置の構成を示す模式図。
【図８】実施形態３にかかるインクジェット描画装置の構成を示す模式図。
【図９】実施例２にかかる色変換部の形成プロセスを説明するための模式図。
【図１０】実施例３にかかる色変換部の形成プロセスを説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を参照して、本発明の実施形態にかかる製造装置、および表示装置の製造方法について説明する。尚、以下の実施形態及び実施例の説明において参照する図面においては、特に但し書きがない限り、同一の機能を有する部材については同一の参照番号を付して示すものとする。
【００１５】
［実施形態１］
［製造装置］
図２は、実施形態１の製造装置であるインクジェット描画装置１の構成を示す模式図である。尚、同図においては、装置の内部を示すために、外装カバー等の部材を除外して示している。
インクジェット描画装置１は、表示パネルの基板となる基体１００を固定するための描画ステージ２を備える。基体１００は、製造しようとする対象製品により、ガラス基板あるいはプラスチック基板等から適宜に選択されたものが用いられる。基体１００は、典型的には板状の部材であるが、基体として機能し得るものであれば形態が限られるわけではなく、たとえば変形可能なフィルムであってもよい。
【００１６】
インクジェット描画装置１は、量子ドット材料を含むインク滴を基体１００に向けて吐出可能な吐出ヘッドであるインクジェットヘッド４、およびインクジェットヘッド４を走査する走査部３を備える。走査部３は、インクジェットヘッド４を、例えば図１に示した走査手順により走査可能であり、色変換部を形成する位置に走査されたインクジェットヘッド４からは量子ドット材料を含むインク滴４０１が基体１００に向かって吐出される。
【００１７】
さらに、インクジェット描画装置１は、飛翔中のインク滴４０１に対して所定波長の光を照射可能な光源５と、光源５から照射された光がインク滴４０１において波長変換されて放出された光の強度を計測する光強度計測部６を備えている。インクジェットヘッド４がインク滴４０１を吐出する度に光の照射と放出光の強度計測を行えるようにするためには、光源５と光強度計測部６がインクジェットヘッド４に対して相対位置関係を維持したまま連動するように構成するのが好ましい。具体的には、光源５と光強度計測部６は、インクジェットヘッド４と同じ走査部３により連動して走査されるようにすればよい。
【００１８】
インクジェット描画装置１は、装置の動作を制御するためのコンピュータとして制御部５０を備え、制御部５０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏポート等を備えている。ＲＯＭには、インクジェット描画装置１の動作プログラムが記憶されている。
本実施形態における色変換部の製造方法にかかる各種処理を実行するためのプログラムは、他の動作プログラムと同様にＲＯＭに記憶させておいてもよいが、ネットワークを介して外部からＲＡＭにロードしてもよい。あるいは、プログラムを記録したコンピュータにより読み取り可能な記録媒体を介して、ＲＡＭにロードしてもよい。
Ｉ／Ｏポートは、外部機器やネットワークと接続され、たとえば表示装置の色変換部の製造に必要なデータの入出力を、外部のコンピュータとの間で行うことができる。また、Ｉ／Ｏポートは、不図示のモニターや入力装置と接続され、インクジェット描画装置１の動作状態情報を操作者に表示したり、操作者からの命令を受け付けたりすることができる。
制御部５０は、描画ステージ２、走査部３、インクジェットヘッド４、光源５、光強度計測部６等と信号線により接続されており、これらを制御して色変換部の製造処理を含めた表示装置の製造工程全般の処理を実行する。制御部５０は、吐出制御部８、光源制御部９、計測信号処理部７を機能ブロックとして備え、インク滴の吐出、インク滴への光照射、放射光の強度計測の各処理を、同期をとりながら実行する。尚、図示の便宜上、図２では、制御部５０が備える構成要素や機能ブロックのうち一部だけを模式的に示している。
【００１９】
［表示装置］
図３を参照して、量子ドット材料を含む色変換部を備えた表示装置の一例を説明する。ただし、本実施形態のインクジェット装置あるいは製造方法により製造される表示装置はこの例に限られるものではなく、量子ドット材料を含む色変換部を備える表示装置であればよい。
図３は、量子ドット材料を含む色変換部を備えた自発光型表示装置の模式的な断面図であり、図には左側から赤色画素、緑色画素、青色画素の３画素が示されている。
【００２０】
基体１００の上には、各画素を区画するための隔壁としてバンク１４が設けられている。図示のように各画素は複数の機能層が積層されて成るが、バンク１４は、各画素を形成する際に機能層の材料が隣接画素に混入するのを防止する壁の役割を果たしている。特に、インクジェット装置により量子ドット材料を含むインク滴を付与する際に、着弾したインク滴をターゲット画素内に安定的に位置させるガイドの役割を果たす。バンク１４は、画素の配列に応じて各種の格子状パターンやストライプ状パターンにすることができる。
【００２１】
図３左側の赤色画素は、青色発光のトップエミッション型有機ＥＬ素子の上に、青色光を赤色光に色変換する量子ドット材料を含む色変換部１２１を備えている。
基体１００には、当該赤色画素の発光輝度を制御するための駆動トランジスタであるトランジスタ１１Ｒと、これと電気的に接続された下部電極１２Ｒが設けられている。下部電極１２Ｒの上には、青色発光する有機ＥＬ素子の発光層１０が設けられ、さらにその上には上部透明電極１３が配置されている。
下部電極１２Ｒは、有機ＥＬ素子の片極で、例えば銀や銅のナノ粒子が分散された液をバンクで囲まれた領域に塗布し、その後高温に焼成することで形成されている。下部電極１２Ｒは、典型的には電子注入層として機能するとともに、発光層１０で発する青色光のうち基体１００側に向かう光を反射して光取り出し効率を向上させるためのミラーとして機能する。
【００２２】
発光層１０は、青色の発光能を有する材料であれば何でも良く、発光色が青色の蛍光性有機化合物若しくは燐光性有機化合物材料を含み得る。また発光層１０には、ゲスト材料、ホスト材料などの複数の材料が含まれていてもよい。発光材料としては、高分子材料、中分子材料または低分子材料などが挙げられ、塗布型として用いられ得る発光材料であれば特に限定されない。例えば、ポリフルオレン、ポリフルオレンの共重合体、ポリフェニレンビニレンなどの高分子材料、オリゴフルオレンなどの中分子材料が挙げられる。また、フルオレン系、ピレン系、フルオランテン系、アントラセン系などの縮合多環化合物、イリジウムを含む金属錯体などの低分子材料も挙げられる。
【００２３】
発光層１０は、単一の層で構成してもよいが、正孔注入層／正孔輸送層／発光層の３層構造や、正孔注入層／発光層／電子輸送層の３層構造や、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層の４層構造で構成してもよい。
正孔注入層は、発光層に正孔を注入するための層で、正孔注入性を有する材料であれば何でも良く、塗布型の有機ＥＬ素子に広く用いられるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが利用できるが、特にこれに限定されるものではない。
【００２４】
上部透明電極１３は、有機ＥＬ素子の片極で、たとえば金属酸化物等の光透過性を備えた導電材料が用いられる。典型的には、上部透明電極１３は、正孔を供給するとともに光取り出し窓として機能する。上部透明電極１３は、図示外の領域で、駆動回路と接続されている。上部透明電極１３は、例えばスパッタのような真空成膜か、あるいは塗布により形成することができる。
上部透明電極１３の上には、上部透明電極１３を介して入射する青色光を赤色光に色変換するための量子ドット材料を含む色変換部１２１が設けられている。
【００２５】
色変換部１２１に含まれる量子ドット材料は、青色光を照射されて吸収すると、電子が伝導帯から価電子帯に転移しながら赤色光を放出することができる。量子ドット材料は、コア−シェル構造を有していてもよく、コアは半導体ナノ結晶物質であり得る。コアの例としては、ケイ素（Ｓｉ）系ナノ結晶、ＩＩ−ＶＩ族系化合物ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物ナノ結晶などが挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。例えば、量子ドット材料は、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）のいずれかからなるコアと、硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなる外部シェルとを含むことができる。赤色光を放出する量子ドット材料には、例えば粒径が５．５ｎｍ以上、６．５ｎｍ以下の超微粒子を用いることができるが、これに限定されない。
【００２６】
また、色変換部１２１には、上部透明電極１３を介して入射する青色光を効率的に量子ドットに照射して吸収させるため、光散乱材を含有することができる。光散乱材は、光を散乱反射することができる物質であれば特に限定されないが、例えば、金属酸化物粒子または有機粒子などを用い得る。金属酸化物としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛または酸化スズなどを例示することができ、有機材料としては、アクリル系樹脂またはウレタン系樹脂などを例示することができる。例えば、粒径が１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の酸化チタン（ＴｉＯ２）の微粒子を好適に用いることができる。
【００２７】
色変換部１２１の上には、水分や衝撃等の外部要因から画素を保護するために、透明な封止部１５が設けられる。ガラス等の透湿性の低い材料を、ＵＶ硬化性樹脂やガラスフリット等の接着剤で接着して封止部として用いることができる。また、ＳｉＮやＳｉＯ等の透湿性の低い無機膜や、樹脂膜と透湿性の低い無機膜との積層膜等で画素を覆う構成の封止部を用いることもできる。この表示素子はトップエミッション構造なので、ガラスやＳｉＮ等の光透過率の高い材料が封止部１５に好適に用いられる。
尚、封止部１５の上または下には、不図示の赤色透過フィルターを付設してもよい。上部透明電極１３を介して色変換部１２１に入射した青色光の一部が、色変換部１２１では吸収しきれずに透過して漏れる場合に、これをカットして赤色画素の色純度を高めることができる。
【００２８】
次に、図３中央の緑色画素は、青色発光のトップエミッション型有機ＥＬ素子の上に、青色光を緑色光に色変換するための量子ドット材料を含む色変換部１２２を備えている。
基体１００には、当該緑色画素の発光輝度を制御するための駆動トランジスタであるトランジスタ１１Ｇと、これと電気的に接続された下部電極１２Ｇが設けられている。下部電極１２Ｇの上には、青色発光する有機ＥＬ素子の発光層１０が設けられ、さらにその上には上部透明電極１３が配置されている。青色発光のトップエミッション型有機ＥＬ素子の部分については、先に説明した赤色画素と同様であるため、説明を省略する。
【００２９】
緑色画素の上部透明電極１３の上には、上部透明電極１３を介して入射する青色光を緑色光に色変換するための量子ドット材料を含む色変換部１２２が設けられている。
色変換部１２２に含まれる量子ドット材料は、青色光を照射されて吸収すると、電子が伝導帯から価電子帯に転移しながら緑色光を放出することができる。量子ドット材料は、コア−シェル構造を有していてもよく、コアは半導体ナノ結晶物質であり得る。コアの例としては、ケイ素（Ｓｉ）系ナノ結晶、ＩＩ−ＶＩ族系化合物ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物ナノ結晶などが挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。例えば、量子ドット材料は、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）のいずれかからなるコアと、硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなる外部シェルとを含むことができる。緑色光を放出する量子ドット材料には、例えば粒径が２．５ｎｍ以上、３．５ｎｍ以下の超微粒子を用いることができるが、これに限定されない。
【００３０】
また、色変換部１２２には、上部透明電極１３を介して入射する青色光を効率的に量子ドットに照射するため、光散乱材を含有させることができる。光散乱材は、光を散乱反射することができる物質であれば特に限定されないが、例えば、金属酸化物粒子または有機粒子などであり得る。金属酸化物としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛または酸化スズなどを例示することができ、有機材料としては、アクリル系樹脂またはウレタン系樹脂などを例示することができる。
【００３１】
色変換部１２２の上には、水分や衝撃等の外部要因から画素を保護するために、透明な封止部１５が設けられる。ガラス等の透湿性の低い材料を、ＵＶ硬化性樹脂やガラスフリット等の接着剤で接着して封止部として用いることができる。また、ＳｉＮやＳｉＯ等の透湿性の低い無機膜や、樹脂膜と透湿性の低い無機膜との積層膜等で画素を覆う構成の封止部を用いることもできる。この表示素子はトップエミッション構造なので、ガラスやＳｉＮ等の光透過率の高い材料が封止部１５に好適に用いられる。
尚、封止部１５の上または下には、不図示の緑色透過フィルターを付設してもよい。上部透明電極１３を介して色変換部１２２に入射した青色光の一部が、色変換部１２２では吸収しきれずに透過して漏れる場合に、これをカットして緑色画素の色純度を高めることができる。
【００３２】
次に、図３右側の青色画素においては、青色発光のトップエミッション型有機ＥＬ素子の上に量子ドット材料を含む色変換部を設けずに、赤色画素や緑色画素よりも厚い封止部１５が設けられている。
基体１００には、当該青色画素の発光輝度を制御するための駆動トランジスタであるトランジスタ１１Ｂと、これと電気的に接続された下部電極１２Ｂが設けられている。下部電極１２Ｂの上には、青色発光する有機ＥＬ素子の発光層１０が設けられ、さらにその上には上部透明電極１３が配置されている。上部透明電極１３の上には、水分や衝撃等の外部要因から画素を保護するために、透明な封止部１５が設けられる。ガラス等の透湿性の低い材料を、ＵＶ硬化性樹脂やガラスフリット等の接着剤で接着して封止部として用いることができる。また、ＳｉＮやＳｉＯ等の透湿性の低い無機膜や、樹脂膜と透湿性の低い無機膜との積層膜等で画素を覆う構成の封止部を用いることもできる。この表示素子はトップエミッション構造なので、ガラスやＳｉＮ等の光透過率の高い材料が封止部１５に好適に用いられる。
【００３３】
［製造方法］
図を参照しながら、インクジェット描画装置１を用いて表示装置の色変換部を形成する方法について説明する。
図４（ａ）は、色変換部の形成プロセスを説明するための模式図である。描画ステージ２には、トランジスタ１１、下部電極１２、発光層１０、上部透明電極１３、各画素を隔てるバンク１４が形成された基体１００が固定されている。赤色画素あるいは緑色画素には、各々の色に合わせた量子ドット材を含むインク滴をインクジェットヘッド４から吐出して着弾させる。説明の便宜上、図４（ａ）に示すＰ１〜Ｐ６の６個の画素は同色の画素とし、同じ量子ドット材を含むインクを付与するものとするが、現実の画素の配列は、同色の画素が隣接して配置されるとは限らない。
【００３４】
インクジェットヘッド４を基体１００に対して相対的に移動させて走査し、バンク１４で囲まれた凹部内へインク滴４０１を打ちこんでいく。打ち込まれたインクは、自重によりバンク１４の形状にならって整形され、未硬化状態の色変換部４０３として画素内に配置される。一画素の色変換部を形成するのにインク滴を一個付与する方法でもよいが、色変換機能を十分に発揮するように色変換部の厚さを大きく設定した場合には、複数のインク滴を重ねて付与する方法がよい。
【００３５】
インクは、波長変換を行うためのコアシェル型量子ドット（色変換材料としての超微粒子）、ＴｉＯ２などの光散乱粒子の他、必要に応じて分散剤を含み、主剤にはアクリルなどのＵＶ硬化型の樹脂が用いられる。インクジェットヘッド４から安定的に吐出するために、インクの粘度は５〜１０ｍＰａ・ｓｅｃに調整されており、液滴の大きさ（吐出量）や飛翔速度と駆動信号の関係（吐出特性）については、あらかじめ計測されている。
【００３６】
使用する量子ドットは、目的とする波長の光に応じて自由に選択することができる。主たる材料としては、ＣｄやＩｎ系の半導体で、ＣｄＳやＣｄＳｅ、Ｉｎ−Ｐなどの球体である。色変換による発光波長は、量子ドットのサイズを選択することによってコントロールすることが可能であり、粒子の安定性とインクジェットによる吐出を考慮すると、１．０ｎｍ〜１０ｎｍ程度の粒径であることが望ましい。
【００３７】
株式会社リガクによるＣｄＳｅ粒子の発光スペクトル計測では、粒径４ｎｍのときの発光波長は約５６０ｎｍ、３ｎｍのときの発光波長は約５００ｎｍであった。材料と粒径は、製造しようとする表示装置の仕様に応じて適切なものを選択すればよい。例えば、赤色画素の色変換部を構成する量子ドットには、発光スペクトルの強度ピークが６００ｎｍ〜６５０ｎｍの粒子が選択され、緑色画素の色変換部を構成する量子ドットには、発光スペクトルの強度ピークが５００ｎｍ〜５５０ｎｍの粒子が選択される。例えば富士色素株式会社の製造による量子ドット材料として、ＩｎＰ／ＺｎＳを含む赤色発光の材料、ＺｎＳを含む緑色発光の材料、カーボン系の青色発光の材料が知られている。
光散乱材としては、屈折率の高い材料であるＴｉＯ２やＺｎＯが考えられ、１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度の粒径のものを用いる。
【００３８】
これらの粒子を分散させるインクの主剤たる光硬化型樹脂には、可視光の透過率が高く、インクジェットによる吐出が可能であるアクリル樹脂を用いるのが望ましい。硬化波長は２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲にあることが実用上望ましい。
【００３９】
図４（ａ）に戻り、本実施形態のインクジェット描画装置１は、インクジェットヘッド４から量子ドット材料を含むインク滴４０１を画素に向けて吐出すると、光源５から所定波長を含む光５１を飛翔中のインク滴４０１に照射する。所定波長とは、インク滴４０１に含まれる量子ドット材料を励起して色変換された光を放出させ得る波長である。量子ドットとして、有機ＥＬ素子部の青色発光を受けて赤色あるいは緑色を放射する材料が用いられているため、有機ＥＬ素子部の発光波長と同一か近接した波長の光を光源５から照射すればよい。
【００４０】
そして、飛翔中のインク滴４０１内の量子ドットによって波長変換されて放射された放射光５２の強度を、光強度計測部６によって計測する。
例えば、λ＝４７０ｎｍ程度の青色の光５１を照射し、赤（λ＝６１０ｎｍ）や緑（λ＝５３０ｎｍ）の光強度を計測するが、インクに含まれる量子ドットにより、計測すべき光の波長を適宜選択する。
【００４１】
本実施形態では、放射光５２の強度を計測することにより、インク滴４０１内に含まれる量子ドットの量を評価することができる。従来は、例えばインク滴の外形を撮影して画像処理することによりインク滴の体積を計測することはできたが、インクに含まれる量子ドットの濃度は必ずしも一定ではないため、量子ドットの量を高精度に計測することはできなかった。しかし、本実施形態は、量子ドットによって波長変換されて放射された放射光５２の強度を計測するため、インク滴の体積やインク滴に含まれる量子ドットの濃度が変動したとしても、量子ドットの付与量を高い精度で直接的に評価することができる。
【００４２】
このため、インク滴を吐出する度に光の照射と放射光の計測を行い、吐出した位置と対応させて計測結果を記憶すれば、各画素に付与された量子ドットの量を高い精度で評価することができる。そして、各画素に付与された量子ドットの量のばらつきに応じて、量子ドットの量を均一化するための追加の吐出を行い、各画素の表示特性のばらつきを大幅に低減させることができる。
【００４３】
図５は、インク滴からの放射光の強度の積算値を、インク滴が付与された画素毎に示した図である。各画素の色変換部に必要な量の量子ドットに対応する積算値が、必要光量として示されている。画素１〜画素９のうち、画素１〜画素５は積算値が必要光量に達していないため、追加のインク滴を付与する必要がある。ただし、不足量にはばらつきがあり、画素１〜画素３は不足量が比較的大きいのに対し、画素４〜画素５は不足量が比較的小さい。そこで、追加の付与に関しては、不足量の大小に応じて吐出の回数や、液滴の大きさ（吐出量）を調整するのが望ましい。
【００４４】
図４（ｂ）は、各画素に付与された量子ドットの量を均一化するため、計測した量子ドットの量のばらつきに応じて追加の吐出を行う工程を説明するための模式図である。同図では、図示の便宜上、計測した量子ドットの量の違いを、未硬化状態の色変換部４０３の厚さの違いとして示している。ただし、現実には量子ドットの濃度差が生じている場合もあり、未硬化状態の色変換部４０３の厚さと、そこに含まれる量子ドットの量が対応するとは限らない。
【００４５】
制御部５０は、各画素に付与された量子ドットの量の評価値、すなわち放射光の強度の積算値を記憶しており、図示のように、不足量が大きな画素Ｐ４には大きなインク滴４０１Ｌを、不足量が比較的小さな画素Ｐ５には小さなインク滴４０１Ｓを付与させる。制御部５０は、走査部３とインクジェットヘッド４に制御信号を送り、量子ドットの追加が必要な画素に対して必要な量のインク滴を吐出させる。
【００４６】
インクジェットヘッド４は、駆動電圧波形を制御することにより、吐出するインク滴の大きさ（吐出量）を変更することができる。図６（ａ）に、インクジェットヘッド４の駆動電圧波形の一例を示す。これは、駆動電圧（ピーク値）が３０Ｖの波形であるが、駆動電圧を変化させた時のインク滴の大きさ（吐出量）を図６（ｂ）に示す。この関係を利用することにより、インクジェットヘッド４は、量子ドットの追加が必要な画素に対して必要な大きさ（吐出量）のインク滴を吐出することができる。尚、液滴の大きさ（吐出量）を変更すると液滴の飛翔速度が変わる場合があるが、着弾位置がずれないように、制御部５０は走査部３とインクジェットヘッド４に制御信号を送り、吐出タイミングを調整するのが望ましい。
【００４７】
こうして、各画素の色変換部に付与する量子ドットの量を均一化した後、インクを硬化する処理や、封止部を形成する処理を行い、表示パネルを製造することができる。
本実施形態の製造装置および製造方法によれば、各画素の色変換部の特性差を小さくすることが可能なため、画素毎の輝度バラつきが小さな表示装置を製造することが可能である。
【００４８】
［実施形態２］
実施形態１のインクジェット描画装置１は、飛翔中のインク滴４０１に光源５から特定の波長を含む光５１を照射し、色変換された光の放射を光強度計測部６によって計測した。
これに対して、実施形態２は、インク滴が基体の所定位置に着弾した後、着弾したインク４０２に光源５から所定波長を含む光を照射し、色変換された光の放射を光強度計測部６によって計測する点が異なる。以下の説明では、実施形態１と共通する部分については記載を省略する。
【００４９】
図７は、実施形態２の製造装置であるインクジェット描画装置７１の構成を示す模式図である。尚、同図においては、装置の内部を示すために、外装カバー等の部材を除外して示している。
本実施形態では、インク液が着弾した後の画素に向けて光源５から光が照射され、波長変換されて出射された光を光強度計測部６によって計測する。図７に示す装置では、光源５と光強度計測部６の光軸を傾斜させて走査部３に装着し、インクジェットヘッド４の走査と連動して各画素に付与された量子ドットの量を計測する。ただし、光源５と光強度計測部６の配置はこの例に限る必要はなく、画素に着弾したインク４０２に光を照射し、波長変換された光を計測することができる位置関係であればよい。例えば、光源５と光強度計測部６はインクジェットヘッド４と連動させなくともよく、インクジェットヘッド４の走査部３とは独立して移動可能に支持する機構を設けてもよい。
【００５０】
本実施形態においては、各画素に光を照射し、波長変換された発光強度を計測するので、画素毎の量子ドット材料の積算付与量を高い精度で直接計測可能である。このため、各画素に付与すべき量子ドット材料の追加量を容易に算定できる。さらには、追加の吐出を行った後に再測定を行って、必要な量の量子ドット材が追加されたかを確認することも容易である。
【００５１】
こうして、各画素の色変換部に付与する量子ドットの量を均一化した後、インクを硬化する処理や、封止部を形成する処理を行い、表示パネルを製造することができる。
本実施形態の製造装置および製造方法によれば、各画素の色変換部の特性差を小さくすることが可能なため、画素毎の輝度バラつきが小さな表示装置を製造することが可能である。
【００５２】
［実施形態３］
実施形態１のインクジェット描画装置１は、飛翔中のインク滴４０１に光源５から所定波長を含む光５１を照射し、色変換された光の放射を光強度計測部６によって計測した。
これに対して、実施形態３は、インク滴が基体の所定位置に着弾した後、着弾したインク４０２に基体１００側から所定波長を含む光を照射し、色変換された光の放射を光強度計測手段によって計測する点が異なる。以下の説明では、実施形態１と共通する部分については記載を省略する。
【００５３】
図８は、実施形態３の製造装置であるインクジェット描画装置８１の構成を示す模式図である。尚、同図においては、装置の内部を示すために、外装カバー等の部材を除外して示している。
本実施形態では、基体１００に着弾したインク４０２を、基体を挟んで吐出ヘッドと反対側に配置されている光源１１０から短波長（例えば青色）の光で照射する。そして、基体１００の上部に配置された光強度計測部６０１あるいは光強度計測部６０２によって、色変換された光の放射を計測する。図８の例では、基体１００と描画ステージ２の間に光源１１０が配置されており、光源１１０としてはＬＥＤアレイや導光板等を含む種々の光源が用いられ得る。もっとも、着弾したインク滴を基体１００側から照射する光源の配置は、図８に示す例に限られるわけではない。例えば、基体１００上に設けられた各画素の青色発光のトップエミッション型有機ＥＬ素子を駆動して、実際の表示動作に近い条件で、形成中の色変換部を照明してもよい。
【００５４】
光強度計測部６０１および光強度計測部６０２は、基体１００の任意の画素の色変換部で発光強度を計測できるように配置されており、例えばインクジェットヘッド４と連動してインク滴が付与された画素上を走査してゆくことができる。もっとも、光強度計測手段はインクジェットヘッド４と連動させなくともよく、インクジェットヘッド４の走査部３とは独立して移動可能に支持する機構を設けてもよい。制御部５０は、光源１１０、光強度計測部６０１、光強度計測部６０２、走査部３、等の各部を制御して、各画素に付与された量子ドットの量を計測する。
【００５５】
本実施形態においては、各画素に光を照射し、波長変換された発光強度を計測するので、画素毎の量子ドット材料の積算付与量を高い精度で直接計測可能である。このため、各画素に追加すべき量子ドット材の量を容易に算定できる。さらには、追加の吐出を行った後に再測定を行って、必要な量の量子ドット材が追加されたか確認することも可能である。
【００５６】
こうして、各画素の色変換部に付与する量子ドットの量を均一化した後、インクを硬化する処理や、封止部を形成する処理を行い、表示パネルを製造することができる。
本実施形態の製造装置および製造方法によれば、各画素の色変換部の特性差を小さくすることが可能なため、画素毎の輝度バラつきが小さな表示装置を製造することが可能である。
【実施例】
【００５７】
［実施例１]
実施形態１の具体的な実施例を説明する。図２、図４（ａ）、図４（ｂ）は、本実施例にかかるインクジェット装置の模式図である。本実施例においては、画素Ｐ１から画素Ｐ６までの６か所の画素についての発光強度について比較するが、実際には、基体全面に多数の画素が存在している。
【００５８】
色変換部を形成するためのインクには、ＩｎＰ／ＺｎＳの粒子をアクリル樹脂に分散させたものを用いた。インクジェットヘッド４から安定的に吐出させるために、インク粘度を１０ｍＰａ・ｓｅｃに調整した。
インクジェットヘッドの駆動波形は、図６（ａ）に示す波形を用い、図６（ｂ）に示す駆動特性に準じてインク液滴の大きさ（吐出量）を調整した。
本実施例では、各画素においてバンクに囲まれた色変換部の容積が約６５ｐｌであるので、駆動電圧を２６Ｖとし、約１２ｐｌのインク滴を吐出した。各画素に対してインク滴を吐出する回数は５回を上限とし、各吐出動作ごとに発光強度を計測し、その積算光量が２０μＷ／ｃｍ２となるように、吐出回数や液滴の大きさ（吐出量）をコントロールした。
【００５９】
インクジェットヘッド４を挟むように光源５と光強度計測部６とを対向する位置に設置し、吐出液滴に対し光源５から波長４００ｎｍの光を照射した。光強度計測部６には、浜松ホトニクス製の測光量評価分光計測システムを用いた。使用した量子ドットの発光波長は約６６０ｎｍであり、この波長の積算強度を算出した。
【００６０】
まず、比較例１として、各吐出動作ごとに発光強度を計測するが、その積算光量が２０μＷ／ｃｍ２となるように吐出回数や液滴の大きさ（吐出量）をコントロールせずに、常に同一の駆動波形でインクジェットヘッドを駆動した結果を示す。
【００６１】
［比較例１における各画素の色変換された発光強度］
【表１】
2020194018.tif 000003
【００６２】
表１は、発光強度の積算値に関わらずに同じ吐出条件で５回液滴を滴下したときの各インク滴の発光強度と、画素Ｐ１〜画素Ｐ６の最終的な積算光量を示したものである。
表示装置としての特性を担保するための積算光量の目標値は２０μＷ／ｃｍ２、目標ばらつき範囲は±１％であったが、比較例１では積算光量は最大で＋２２．５％と目標値を大きく超えてしまい、標準偏差は１．０μＷ／ｃｍ２であった。
【００６３】
次に、実施例１として、各吐出動作ごとに色変換された発光強度を計測し、その積算光量が２０μＷ／ｃｍ２となるように吐出回数や液滴の大きさ（吐出量）をコントロールした結果を示す。
【００６４】
［実施例１における各画素の色変換された発光強度］
【表２】
2020194018.tif 000004
【００６５】
表２は、各画素に対し吐出を行うごとに発光強度を計測し、その積算値から以後の吐出の有無、液滴の大きさ（吐出量）の調整を行ったときの各インク滴の発光強度と、画素Ｐ１〜画素Ｐ６の最終的な積算光量を示したものである。
画素１、画素３および画素６については、３スキャン目までの積算光量が各々１３．２μＷ／ｃｍ２、１３．５μＷ／ｃｍ２、１３．５μＷ／ｃｍ２であった。基準となる駆動波形による一回の吐出で計測される光量が４〜５μＷ／ｃｍ２であるが、積算光量を目標値である２０μＷ／ｃｍ２に精度良く近づけるため、液滴の大きさ（吐出量）を７５％の９ｐｌに減らして４回目及び５回目の塗布を行った。
画素Ｐ２、画素Ｐ４、画素Ｐ５は、３スキャン目までの積算光量が各々１５．８μＷ／ｃｍ２、１４．４μＷ／ｃｍ２、１５．２μＷ／ｃｍ２であったので、駆動波形はそのままの設定で４回目の塗布を行った。
【００６６】
表示装置としての特性を担保するための積算光量の目標値は２０μＷ／ｃｍ２、目標ばらつき範囲は±１％であるが、画素１、画素３、画素５は吐出量を減らした４回目及び５回目の吐出で目標を満たすことができた。画素２、画素４、画素５は、４回の吐出で目標を満たすことができたため、５回目の吐出を行わなかった。
実施例１では、最終的に各画素の積算光量ばらつきは目標値に対して１％以内に抑制され、標準偏差は約０．１８μＷ／ｃｍ２であった。
以上のように、各液滴からの発光強度を計測し、積算光量から吐出の有無と液滴の大きさ（吐出量）を制御することによって、発光強度ばらつきの小さなディスプレイを提供することが可能である。
【００６７】
［実施例２]
実施形態２の具体的な実施例を説明する。図７、図９は、本実施例にかかるインクジェット装置による色変換部の形成プロセスの模式図である。本実施例においては、画素Ｐ１から画素Ｐ６までの６か所の画素についての発光強度について比較するが、実際には、基体全面に多数の画素が存在している。
本実施例では、図９に示すように、光源５と光強度計測部６とをインクジェットヘッド４のスキャン下流側に配置した。未硬化状態の色変換部４０３に塗布されたインクには、光源５から波長４００ｎｍの光が照射され、これによって波長変換された波長６６０ｎｍの光の強度を光強度計測部６により計測した。色変換部を形成するためのインクおよびインクジェットヘッドは、実施例１と同様のものを用いた。
【００６８】
実施例２において、各吐出動作ごとに発光強度を計測し、その積算光量が２０μＷ／ｃｍ２となるように吐出回数や液滴の大きさ（吐出量）をコントロールした結果を示す。
【００６９】
［実施例２における各画素の色変換された発光強度］
【表３】
2020194018.tif 000005
各画素に対し吐出を行うごとに発光強度を計測し、その計測値から前回の計測値を減算して、各回の塗布分に相当する発光強度を算出した。
表３は、以後の吐出の有無、液滴の大きさ（吐出量）の調整を行いながら画素Ｐ１〜画素Ｐ６に塗布した時の、各回の塗布分に相当する発光強度と、最終的な積算光量を示したものである。
【００７０】
画素Ｐ１、画素Ｐ２、画素Ｐ３、画素Ｐ５および画素Ｐ６では、３回目までの積算光量が各々１３．４μＷ／ｃｍ２、１３．５μＷ／ｃｍ２、１３．３μＷ／ｃｍ２、１３．３μＷ／ｃｍ２、１３．４μＷ／ｃｍ２であった。基準となる駆動波形による一回の吐出で計測される光量が４〜５μＷ／ｃｍ２であるが、積算光量を目標値である２０μＷ／ｃｍ２に精度良く近づけるため、液滴の大きさ（吐出量）を７５％の９ｐｌに減らして４回目及び５回目の塗布を行った。画素Ｐ４では、４回目の吐出終了時の積算光量が目標値である２０μＷ／ｃｍ２に対し±１％以下であったため、５回目のスキャン時には吐出を行わなかった。
【００７１】
その結果、実施例２では、各画素の積算光量ばらつきは目標値に対して１％以内に抑制され、標準偏差は約０．１７μＷ／ｃｍ２であった。
以上のように、着弾したインクからの発光強度を計測し、積算光量から吐出有無と液滴の大きさ（吐出量）を制御することによって、発光強度ばらつきの小さなディスプレイを提供することが可能である。
【００７２】
［実施例３］
実施形態３の具体的な実施例を説明する。図８、図１０は、本実施例にかかるインクジェット装置による色変換部の形成プロセスの模式図である。本実施例においては、画素Ｐ１から画素Ｐ６までの６か所の画素についての発光強度について比較するが、実際には、基体全面に多数の画素が存在している。
本実施例では、図１０に示すように、発光光源としては、ＴＦＴ回路とともに基体上に形成された有機ＥＬ素子の発光層１０を用い、光強度計測部６はインクジェットヘッド４のスキャン下流側に配置した。計測する画素の上に光強度計測部６を配置し、当該画素のトップエミッション型有機ＥＬ素子を駆動して、未硬化状態の色変換部４０３に塗布されたインクに対して青色光を照射し、色変換されて出射する波長６６０ｎｍの光の強度を計測した。
【００７３】
実施例３において、各吐出動作ごとに発光強度を計測し、その積算光量が２０μＷ／ｃｍ２となるように吐出回数や液滴の大きさ（吐出量）をコントロールした結果を示す。
【００７４】
［実施例３における各画素の色変換された発光強度］
【表４】
2020194018.tif 000006
各画素に対し吐出を行うごとに発光強度を計測し、その計測値から前回の計測値を減算して、各回の塗布分に相当する発光強度を算出した。
表４は、以後の吐出の有無、液滴の大きさ（吐出量）の調整を行いながら画素Ｐ１〜画素Ｐ６に塗布した時の、各回の塗布分に相当する発光強度と、最終的な積算光量を示したものである。
【００７５】
画素Ｐ１、画素Ｐ２、画素Ｐ３、画素Ｐ４、画素Ｐ６では、３回目までの積算光量が各々１３．４μＷ／ｃｍ２、１３．０μＷ／ｃｍ２、１３．４μＷ／ｃｍ２、１３．１μＷ／ｃｍ２、１３．２μＷ／ｃｍ２であった。基準となる駆動波形による一回の吐出で計測される光量が４〜５μＷ／ｃｍ２であるが、積算光量を目標値である２０μＷ／ｃｍ２に精度良く近づけるため、液滴サイズを５ｐｌに減らして４回目及び５回目の塗布を行った。画素Ｐ５では、４回目の吐出終了時の積算光量が目標値である２０μＷ／ｃｍ２に対し±１％以下であったため、５回目のスキャン時には吐出を行わなかった。
【００７６】
その結果、実施例３では、各画素の積算光量ばらつきは目標値に対して１％以内に抑制され、標準偏差は約０．１２μＷ／ｃｍ２であった。
以上のように、着弾した各液滴からの発光強度を計測し、積算光量から吐出有無と液滴の大きさ（吐出量）を制御することによって、発光強度ばらつきの小さなディスプレイを提供することが可能である。
【００７７】
［他の実施形態］
本発明の実施形態は、上述した実施形態および実施例に限られるものではなく、適宜変更したり、組み合わせたりすることが可能で、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
例えば、色変換材としては、種々の量子ドット材料の他、蛍光体の微粒子を用いても差し支えない。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・インクジェット描画装置／２・・・描画ステージ／３・・・走査部／４・・・インクジェットヘッド／５・・・光源／６・・・光強度計測部／１０・・・発光層／１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ・・・トランジスタ／１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ・・・下部電極／１３・・・上部透明電極／１４・・・バンク／１５・・・封止部／５０・・・制御部／５１・・・特定の波長を含む光／７１、８１・・・インクジェット描画装置／１００・・・基体／１２１、１２２・・・色変換部／４０１・・・インク滴／４０３・・・未硬化状態の色変換部／Ｐ１〜Ｐ６・・・画素
【図１】
2020194018.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020194018.tif 000013
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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