(57)【要約】      （修正有）【課題】原版と基板とのアライメントに有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】基板上に２次元状に配列されたショット領域のそれぞれに原版のパターンを転写する処理を行うリソグラフィ装置であって、基板又は原版を保持して移動するステージと、原版に設けられたマークとショット領域に設けられたマークとの位置ずれ量を計測する計測部と、ショット領域のうち、第１行に含まれる複数の第１ショット領域のそれぞれに対して連続的に処理が行われた後、第１行に隣接する第２行に含まれる複数の第２ショット領域のそれぞれに対して連続的に処理を行う制御部とを有し、制御部は最初の第２ショット領域に処理が行われる際に、複数の第１ショット領域のうち最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域に処理が行われたときに計測部が計測した位置ずれ量に基づいて、ステージの目標位置を補正することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に２次元状に配列されたショット領域のそれぞれに原版のパターンを転写する処理を行うリソグラフィ装置であって、
前記基板又は前記原版を保持して移動するステージと、
前記処理を行う際に、前記原版に設けられたマークと前記ショット領域に設けられたマークとの位置ずれ量を計測する計測部と、
前記ショット領域のうち、第１行に含まれる複数の第１ショット領域のそれぞれに対して連続的に前記処理が行われた後、前記第１行に隣接する第２行に含まれる複数の第２ショット領域のそれぞれに対して連続的に前記処理が行われるように、前記ショット領域に対する前記処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記複数の第２ショット領域のうち最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際に、前記複数の第１ショット領域のうち前記最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の第１ショット領域のそれぞれと前記最初の第２ショット領域との間のショット間距離を取得し、当該ショット間距離に基づいて、前記最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域を決定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数の第１ショット領域のうち前記ショット間距離が最も短い第１ショット領域を、前記最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域として決定することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際に、前記複数の第１ショット領域のうち、前記複数の第２ショット領域が配列されている方向に直交する方向において前記最初の第２ショット領域に隣接する第１ショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際に、前記最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域に前記処理が行われたときに移動させた前記ステージの移動量にも基づいて、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記複数の第１ショット領域のうち最初の第１ショット領域を除く残りの第１ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、当該第１ショット領域よりも前に前記処理が行われた第１ショット領域に対する前記処理において前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記残りの第１ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正し、
前記複数の第２ショット領域のうち前記最初の第２ショット領域を除く残りの第２ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、当該第２ショット領域よりも前に前記処理が行われた第２ショット領域に対する前記処理において前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記残りの第２ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記残りの第１ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、当該第１ショット領域に隣接する第１ショット領域に対する前記処理において前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記残りの第１ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正し、
前記残りの第２ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、当該第２ショット領域に隣接する第２ショット領域に対する前記処理において前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記残りの第２ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記複数の第１ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、前記基板とは異なる基板上に２次元状に配列されたショット領域のうち、当該第１ショット領域と同一位置のショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量にも基づいて、当該第１ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正し、
前記複数の第２ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、前記基板とは異なる前記基板上に２次元状に配列されたショット領域のうち、当該第２ショット領域と同一位置のショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量にも基づいて、当該第２ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項６又は７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記基板は、前記異なる基板に続いて前記処理が行われる基板であることを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記計測部が計測した前記位置ずれ量と、当該位置ずれ量を計測したショット領域とを対応付けて記憶する記憶部を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記制御部は、
前記複数の第２ショット領域に対して順番に処理する方向と、前記複数の第１ショット領域に対して順番に処理する方向とが同じ方向である場合に、前記複数の第１ショット領域のうち前記最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
基板上に２次元状に配列されたショット領域のそれぞれに原版のパターンを転写する処理を行うリソグラフィ装置であって、
前記基板又は前記原版を保持して移動するステージと、
前記処理を行う際に、前記原版に設けられたマークと前記ショット領域に設けられたマークとの位置ずれ量を計測する計測部と、
前記ショット領域のそれぞれに対する前記処理を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記ショット領域のそれぞれに前記処理が行われる際に、前記基板とは異なる基板上に２次元状に配列された第１ショット領域のうち、当該ショット領域と同一位置の第１ショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、当該ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記原版は、モールドを含み、
前記処理は、前記モールドを用いて前記基板上のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を含むことを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化が進むにつれて、微細加工技術として、基板上のインプリント材とモールドとを接触させて、モールドに形成された微細なパターンに対応するインプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント技術が注目されている。このようなインプリント技術を用いたインプリント装置は、数ｎｍの微細なパターンを基板上に形成することができる。
【０００３】
インプリント装置は、インプリント処理の工程として、供給工程と、充填工程と、アライメント工程と、硬化工程と、離型工程とを含む。供給工程では、基板上にインプリント材を供給（塗布）する。充填工程では、基板上のインプリント材とモールドとを接触させてモールドのパターンにインプリント材を充填する。アライメント工程では、モールドと基板とをアライメント（位置合わせ）する。硬化工程では、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させる。離型工程では、基板上の硬化したインプリント材からモールドを引き離す。
【０００４】
インプリント装置では、アライメント工程において、モールドに設けられたマークと基板に設けられたマークとを位置合わせするために、基板上のショット領域ごとに、モールドに設けられたマークと基板に設けられたマークとのずれ量を計測する。そして、かかるずれ量が低減されるように、モールドと基板とを位置決めすることで、モールドと基板とを高精度にアライメントすることが可能となる。このようなアライメント工程に関する技術については、従来から提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−７６６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インプリント装置において、インプリント処理の速度を向上させるためには、基板を保持するステージを高速化（高速度化や高加速度化）する必要がある。
但し、ステージを高速化して連続的に駆動すると、ステージのモータの発熱量が増加してステージ構造体が変形し、ステージ構造体に設けられているステージの位置計測システム（エンコーダなど）も変形する。その結果、ステージの位置制御（駆動制御）の精度が低下し、アライメント工程において、モールド（に設けれれたマーク）と基板（に設けられたマーク）との初期ずれ量が大きくなり、モールドと基板との位置合わせに長時間を要してしまう。また、所定の時間内にモールドと基板との位置合わせが完了しない場合には、モールドと基板との位置がずれた状態でパターンが形成されることになる。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、原版と基板とのアライメントに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上に２次元状に配列されたショット領域のそれぞれに原版のパターンを転写する処理を行うリソグラフィ装置であって、前記基板又は前記原版を保持して移動するステージと、前記処理を行う際に、前記原版に設けられたマークと前記ショット領域に設けられたマークとの位置ずれ量を計測する計測部と、前記ショット領域のうち、第１行に含まれる複数の第１ショット領域のそれぞれに対して連続的に前記処理が行われた後、前記第１行に隣接する第２行に含まれる複数の第２ショット領域のそれぞれに対して連続的に前記処理が行われるように、前記ショット領域に対する前記処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の第２ショット領域のうち最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際に、前記複数の第１ショット領域のうち前記最初の第２ショット領域からの距離が設定距離内にある第１ショット領域に前記処理が行われたときに前記計測部が計測した前記位置ずれ量に基づいて、前記最初の第２ショット領域に前記処理が行われる際の前記ステージの目標位置を補正することを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、原版と基板とのアライメントに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】Ｘスケールに伸びが発生した場合に、基板ステージの位置計測に生じる誤差を説明するための図である。
【図４】第１実施形態における基板ステージの目標位置の補正を説明するための図である。
【図５】Ｘスケールが徐々に変形して伸びた状態を模式的に示す図である。
【図６】１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域での初期位置ずれ量を示す図である。
【図７】第２実施形態における基板ステージの目標位置の補正を説明するための図である。
【図８】第３実施形態における基板ステージの目標位置の補正を説明するための図である。
【図９】第２実施形態で説明した補正を行った後に第１実施形態で説明した補正を行った場合の補正の順序を模式的に表す図である。
【図１０】第３実施形態における基板ステージの目標位置の補正を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態で説明した補正を行った後に第２実施形態で説明した補正を行った場合の補正の順序を模式的に表す図である。
【図１２】物品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１３】
＜第１実施形態＞
図１（ａ）、図１（ｂ）及び図１（ｃ）は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。図１（ａ）は、インプリント装置１００の正面図であり、図１（ｂ）は、インプリント装置１００の上面図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示すインプリント装置１００のＡ−Ａ断面図である。
【００１４】
インプリント装置１００は、半導体デバイスや液晶表示素子の製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板上に２次元状に配列されたショット領域のそれぞれに原版のパターンを転写（形成）する処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、原版としてのモールドを用いて基板上のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。本実施形態では、インプリント装置１００は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。
【００１５】
なお、本発明は、リソグラフィ装置をインプリント装置に限定するものではなく、ダイバイダイアライメントを採用する露光装置にも適用することができる。露光装置は、原版としてのマスクのパターンの像を、投影光学系を介して、基板に投影し、マスクのパターンを基板に転写する。
【００１６】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。
【００１７】
硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１８】
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１９】
基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。
【００２０】
基板１は、チャック２を介して基板ステージ３に保持される。基板ステージ３は、ＸＹ方向に駆動可能（移動可能）なＸＹ駆動部４と、Ｙ方向に駆動可能なＹ駆動部５と、ＸＹ駆動部４とＹ駆動部５とを支持するステージ定盤６とを含み、基板１を保持して移動するステージである。
【００２１】
ＸＹ駆動部４は、その上面でチャック２を支持し、ステージ定盤６の上面をガイド面として、ＸＹ底エアーガイド２１によって浮上している。また、ＸＹ駆動部４は、Ｙ駆動部５に対して、ＸＹ横エアーガイド２４及びＸリニアモータ可動部２５によってＸ方向に駆動することが可能である。
【００２２】
Ｙ駆動部５には、Ｘスケール３０が配置され、ＸＹ駆動部４には、Ｘスケール３０に対向するようにＸ検出部３１が配置されている。Ｘ検出部３１とＸスケール３０とは、Ｘエンコーダを構成し、Ｙ駆動部５に対するＸＹ駆動部４のＸ位置を計測する。
【００２３】
Ｙ駆動部５は、上述したように、ＸＹ駆動部４をＸ方向に駆動するためのガイド面３６及びＸリニアモータ固定部２６を構成している。また、Ｙ駆動部５は、ステージ定盤６に対して、Ｙ底エアーガイド２２、Ｙ横エアーガイド２３及び２つのＹリニアモータ可動部２７によってＹ方向に駆動することが可能である。
【００２４】
ステージ定盤６には、Ｙリニアモータ固定部２８、Ｙスケール（Ｒ）３２及びＹスケール（Ｌ）３４が配置され、Ｙ駆動部５には、Ｙスケール３２及び３４のそれぞれに対向するようにＹ検出部（Ｒ）３３及びＹ検出部（Ｌ）３５が配置されている。Ｙ検出部３３とＹスケール３２とは、Ｙエンコーダ（Ｒ）を構成し、Ｙ検出部３５とＹスケール３４とは、Ｙエンコーダ（Ｌ）を構成する。Ｙエンコーダ（Ｒ）及びＹエンコーダ（Ｌ）は、ステージ定盤６に対するＹ駆動部５のＹ位置及びθ位置を計測する。
【００２５】
ステージ定盤６に対するＹ駆動部５のＹ位置は、Ｙエンコーダ（Ｒ）の計測値又はＹエンコーダ（Ｌ）の計測値から求めてもよいし、Ｙエンコーダ（Ｒ）の計測値とＹエンコーダ（Ｌ）の計測値との平均値から求めてもよい。また、ステージ定盤６に対するＹ駆動部５のＹ位置は、Ｙエンコーダ（Ｒ）の計測値とＹエンコーダ（Ｌ）の計測値とを加算した値と、Ｘエンコーダの位置の比率とから求めてもよい。ステージ定盤６に対するＹ駆動部５のθ位置は、Ｙエンコーダ（Ｒ）の計測値とＹエンコーダ（Ｌ）の計測値との差分を、Ｙエンコーダ（Ｒ）とＹエンコーダ（Ｌ）との間の距離で割ることで求めることができる。このように、Ｘエンコーダ、Ｙエンコーダ（Ｒ）及びＹエンコーダ（Ｌ）によって、ステージ定盤６に対するＸＹ駆動部４のＸ、Ｙ及びθ位置を３軸方向で計測することができる。
【００２６】
モールド１０は、基板１に転写すべきパターン（凹凸パターン）を有する型（原版）であって、モールドチャック１１に保持（固定）される。モールドチャック１１は、モールドステージ１２に支持される。モールドステージ１２は、モールド昇降用のアクチュエータ１５に接続されている。アクチュエータ１５を介してモールドステージ１２をＺ方向に駆動することで、モールドチャック１１に保持されたモールド１０を基板上のインプリント材に接触させたり、基板上のインプリント材からモールド１０を引き離したりすることができる。また、モールドステージ１２は、基板１（の表面）に対するモールド１０の傾きを補正するための機能も有している。
【００２７】
モールドチャック１１及びモールドステージ１２のそれぞれには、光源（不図示）からコリメータレンズ１３を介して照射される光（例えば、紫外光）を通過させる開口（不図示）が設けられている。モールドステージ１２には、基板上のインプリント材にモールド１０を接触させたときの力（モールド１０を押し付けたときの押印力）を検出するためのロードセル（不図示）が配置されている。また、モールドステージ１２には、基板ステージ３に保持された基板１の高さを計測するためのギャップセンサ１４が配置されている。
【００２８】
スルー・ザ・モールド（ＴＴＭ）アライメント計測系１６は、例えば、モールドステージ１２に配置されている。ＴＴＭアライメント計測系１６は、モールド１０に設けられたマーク（アライメントマーク）、ＸＹ駆動部４に設けられた基準マーク、基板１に設けられたマーク（アライメントマーク）などを検出するための光学系及び撮像系を含む。ＴＴＭアライメント計測系１６は、チャック２に保持された基板１とモールド１０とが近接した状態で、基板１に設けられたマークとモールド１０に設けられたマークとのＸ方向及びＹ方向の相対的な位置ずれ量を計測する。
【００２９】
供給部１７は、基板上にインプリント材（本実施形態では、光硬化型のインプリント材）を滴下（吐出）するノズルを含むディスペンサで構成され、基板上（のショット領域）にインプリント材を供給（塗布）する。供給部１７は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用して、基板上に微小な容積のインプリント材の液滴を供給する。供給部１７からインプリント材を供給しながら基板ステージ３を移動させることで、基板上にインプリント材を塗布することが可能となる。供給部１７は、モールドステージ１２（モールドチャック１１）からＸ方向に離れた位置に配置されている。
【００３０】
オフアクシス計測系１８は、天板２０に支持され、モールド１０を介さずに、ＸＹ駆動部４に設けられた基準マークや基板１に設けられたマーク（アライメントマーク）を検出するための光学系及び撮像系を含む。オフアクシス計測系１８は、ＸＹ駆動部４に設けられた基準マークに対する基板１のＸＹ平面におけるマークの位置を計測する。
【００３１】
インプリント装置１００において、ＴＴＭアライメント計測系１６は、モールド１０と基板ステージ３との位置関係を求めることが可能であり、オフアクシス計測系１８は、基板ステージ３と基板１との位置関係を求めることが可能である。従って、ＴＴＭアライメント計測系１６及びオフアクシス計測系１８の両方を用いることで、モールド１０と基板１との相対的なアライメント（位置合わせ）を行うことができる。
【００３２】
制御部１９は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、インプリント装置１００に設けられた記憶部、例えば、記憶部１９Ａに記憶されたプログラムに従ってインプリント装置１００の各部を統括的に制御してインプリント装置１００を動作させる。制御部１９は、モールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの相対的な位置ずれ量が低減するようにモールド１０と基板１との位置関係を調整してインプリント処理が行われるように、基板１に対するインプリント処理を制御する。この際、制御部１９は、モールド１０と基板１との位置ずれ量、特に、供給部１７の下からモールド１０の下に基板ステージ３を移動されたときの初期位置ずれ量（飛び込み誤差）が低減するように、基板ステージ３の目標位置を補正する。制御部１９は、有線又は無線で工場内の他の装置と通信可能に構成されていてもよい。制御部１９は、ユーザーインターフェース又は通信によって、レシピ情報を取得することができる。
【００３３】
本実施形態では、制御部１９は、基板上のショット領域のうち、第１行に含まれる複数の第１ショット領域のそれぞれに対して連続的にインプリント処理が行われるように、インプリント処理を制御する。また、制御部１９は、複数の第１ショット領域に対するインプリント処理が行われた後、第１行に隣接する第２列に含まれる複数の第２ショット領域のそれぞれに対して連続的にインプリント処理が行われるように、インプリント処理を制御する。
【００３４】
記憶部１９Ａは、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスクドライブなどの記憶デバイスを含む。記憶部１９Ａは、インプリント装置１００を動作させるために必要なプログラム、情報及びデータやＴＴＭアライメント計測系１６、オフアクシス計測系１８、エンコーダなどによる各種の計測値を記憶する。記憶部１９Ａは、本実施形態では、ＴＴＭアライメント計測系１６が計測したモールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの位置ずれ量（特に、初期位置ずれ量）を、それを計測したショット領域に対応付けて記憶する。
【００３５】
図２を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。かかるインプリント処理は、上述したように、制御部１９がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。
【００３６】
Ｓ２０１では、インプリント装置１００に基板１を搬入する。具体的には、基板搬送系（不図示）によって、インプリント装置１００の外部から基板ステージ３に基板１を搬入し、かかる基板１をチャック２で真空吸着することで基板ステージ３に保持させる。
【００３７】
Ｓ２０２では、基板上にインプリント材を供給する。具体的には、供給部１７の下に基板１が位置するように基板ステージ３を位置決めし、供給部１７からインプリント材を供給しながら基板ステージ３を移動させることで、基板上にインプリント材を供給する。
【００３８】
Ｓ２０３では、基板上のインプリント材とモールド１０とを接触させる。具体的には、モールド１０の下に基板１が位置するように基板ステージ３を位置決めし、アクチュエータ１５でモールドステージ１２を降下させることで、基板上のインプリント材とモールド１０とを接触させる。これにより、基板上のインプリント材は、モールド１０のパターンに充填される。
【００３９】
Ｓ２０４では、モールド１０と基板１とをアライメント（位置合わせ）する。具体的には、まず、基板上のインプリント材とモールド１０とを接触させた状態において、ＴＴＭアライメント計測系１６を用いて、モールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの位置ずれ量（初期位置ずれ量）を計測する。次いで、ＴＴＭアライメント計測系１６で計測した位置ずれ量に基づいて、基板ステージ３を移動させてモールド１０と基板１とをアライメントする。
【００４０】
Ｓ２０５では、基板上のインプリント材を硬化させる。具体的には、モールド１０と基板１とをアライメントした状態で、光源（コリメータレンズ１３）からの光を、モールド１０を介して基板上のインプリント材に照射することで、かかるインプリント材を硬化させる。基板上のインプリント材とモールド１０とを接触させた状態でインプリント材を硬化させているため、モールド１０のパターンがインプリント材に転写される。
【００４１】
Ｓ２０６では、基板上の硬化したインプリント材からモールド１０を引き離す。具体的には、アクチュエータ１５でモールドステージ１２を上昇させることで、基板上の硬化したインプリント材からモールド１０を引き離す。これにより、基板上にインプリント材のパターン（モールド１０のパターンが転写されたパターン）が形成される。
【００４２】
Ｓ２０７では、インプリント装置１００から基板１を搬出する。具体的には、基板搬送系によって、基板ステージ３からインプリント装置１００の外部に基板１を搬出する。
【００４３】
このように、インプリント装置１００におけるインプリント処理は、Ｓ２０１乃至Ｓ２０７の工程を含むが、Ｓ２０４の工程で計測される初期位置ずれ量が大きいと、モールド１０と基板１とのアライメントに長時間を要してしまう。本実施形態では、上述したように、３つのエンコーダでステージ定盤６に対する基板ステージ３（ＸＹ駆動部４）の３軸方向の位置を計測している。従って、エンコーダの位置が変動すると、ステージ基準で基板ステージ３を移動させたときのモールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの初期位置ずれ量が大きくなってしまう。エンコーダの位置の変動は、例えば、インプリント処理を連続的に行うなどして、基板ステージ３の３つのリニアモータの発熱が大きくなると発生しやすい。そして、リニアモータの発熱に起因して基板ステージ３が変形し、それに伴って、エンコーダを構成するスケールや検出部の位置が変動することで、基板ステージ３の位置計測（計測値）に誤差が生じてしまう。
【００４４】
図３（ａ）、図３（ｂ）及び図３（ｃ）を参照して、例えば、Ｘスケール３０に伸び（変形）が発生した場合に、基板ステージ３の位置計測に生じる誤差について説明する。図３（ａ）は、Ｘスケール３０がリニアモータの発熱などで変形して伸びた状態４０を模式的に示している。図３（ｂ）は、基板上の複数のショット領域に対してインプリント処理を行う順番を示している。本実施形態では、第１行（１〜７ショット目）に対して順番に処理する方向と、第２行（８〜１４ショット目）に対して順番に処理する方向が同じ方向である例を説明するが、これに限定されるものではない。図３（ｃ）は、基板上の各ショット領域でのモールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの初期位置ずれ量を示している。
【００４５】
図３（ａ）に示すように、Ｘスケール３０が伸びた状態４０では、Ｘスケール３０にＸ方向の伸びが発生しているため、基板ステージ３の位置計測にＸ方向の誤差が生じてしまう。また、基板ステージ３の位置計測のＸ方向の誤差（位置計測誤差）は、基板ステージ３のＸ座標（Ｘ位置）が原点から離れる（大きくなる）につれて、大きくなる。例えば、Ｘスケール３０の伸び係数をＭＸとし、基板ステージ３のＸ座標をＬとすると、基板ステージ３のＸ方向の位置計測誤差は、ＭＸ×Ｌで表すことができる。
【００４６】
このように、基板ステージ３のＸ座標Ｌが大きくなるにつれて、基板ステージ３のＸ方向の位置計測誤差も大きくなる。従って、図３（ｃ）に示すように、１ショット目（最初のショット領域）から７ショット目（７番目のショット領域）までは初期位置ずれ量が徐々に大きくなる。そして、８ショット目（８番目のショット領域）になると、基板ステージ３のＸ座標Ｌが０に戻るため、初期位置ずれ量は０となり、１４ショット目（１４番目のショット領域）まで初期位置ずれ量が徐々に大きくなる。
【００４７】
そこで、本実施形態では、Ｘスケール３０がリニアモータの発熱などで変形して伸びた状態４０となっても、モールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの初期位置ずれ量を低減するために、基板ステージ３の目標位置を補正する。例えば、各ショット領域にインプリント処理が行われる際に、それよりも前のショット領域にインプリント処理が行われたときにＴＴＭアライメント計測系１６（計測部）が計測した位置ずれ量を用いて、基板ステージ３の目標位置を補正する。
【００４８】
なお、本実施形態では、モールド１０と基板１とをアライメントする際に、モールド１０に対して基板１、即ち、基板ステージ３を移動させるため、基板ステージ３の目標位置を補正する。従って、モールド１０と基板１とをアライメントする際に、基板１に対してモールド１０、即ち、モールドステージ１２を移動させる場合には、モールドステージ１２の目標位置を補正すればよい。
【００４９】
図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、本実施形態における基板ステージ３の目標位置の補正について説明する。図４（ａ）は、各ショット領域での初期位置ずれ量を低減するために、基板ステージ３の目標位置を補正する際に参照するショット領域を矢印で示している。図４（ａ）に示すように、本実施形態では、２ショット目（２番目のショット領域）にインプリント処理が行われる際には、２ショット目に一番近い最近傍ショットである１ショット目（最初のショット領域）を参照する。同様に、３〜７ショット目（３番目〜７番目のショット領域）までは、それぞれ、最近傍ショットである２〜６ショット目（２番目〜６番目のショット領域）を参照する。そして、８ショット目（８番目のショット領域）にインプリント処理が行われる際には、８ショット目に一番近い最近傍ショットである１ショット目（最初のショット領域）を参照する。換言すれば、８番目のショット領域に関しては、８番目〜１４番目のショット領域が配列されている方向に直交する方向において８番目のショット領域に隣接する１番目のショット領域（最初のショット領域）を参照する。
【００５０】
本実施形態では、インプリント処理が行われる各ショット領域からの距離が最も短いショット領域を、基板ステージ３の目標位置を補正する際に参照するショット領域として決定しているが、これに限定されるものではない。例えば、インプリント処理が行われる各ショット領域からの距離が設定距離内にあるショット領域を、基板ステージ３の目標位置を補正する際に参照するショット領域として決定してもよい。具体的には、まず、インプリント処理が行われるショット領域（例えば、８番目のショット領域）と、その他の複数のショット領域（例えば、１番目のショット領域から７番目のショット領域）との間のショット間距離を取得する。そして、かかるショット間距離に基づいて、インプリント処理が行われる各ショット領域からの距離が設定距離内にあるショット領域を決定する。
【００５１】
本実施形態では、各ショット領域で計測された初期位置ずれ量と、各ショット領域で初期位置ずれ量を補正するために移動させた基板ステージ３の移動量（補正駆動量）とを、初期位置ずれ量を計測したショット領域と対応付けて記憶部１９Ａに記憶させている。ここで、「補正駆動量」は、上述したように、初期位置ずれ量を低減するための基板ステージの目標位置の補正量を意味する。従って、「補正駆動量」は、Ｓ２０３で説明したような最終的なアライメントを意味するものではない。そして、各ショット領域にインプリント処理が行われる際に、各ショット領域の最近傍ショットであるショット領域での初期位置ずれ量及び補正駆動量を、基板ステージ３の目標位置に加算する。これにより、図４（ｂ）に示すように、各ショット領域での初期位置ずれ量（Ｘ方向の位置計測誤差）を、ＭＸ×Ｌ１（１つのショット領域のＸ方向の距離分）に低減させることができる。
【００５２】
本実施形態における基板ステージ３の目標位置の補正について具体的に説明する。例えば、１ショット目のモールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとのＸ方向の初期位置ずれ量、及び、１ショット目の補正駆動量を０とする。実際には、構造体の熱変形とは異なる要因での飛び込み誤差が生じうる。このような誤差は、経時的に変動しない誤差であれば、事前にインプリント装置を用いて転写した結果を計測し、ショット毎にオフセット量をテーブルとして記憶して補正してもよい。本実施形態では、説明を簡易にするために初期位置ずれ量を０としているが、初期位置ずれ量が０であるものに限定されるものではない。
【００５３】
２ショット目では、１ショット目の初期位置ずれ量と１ショット目の補正駆動量とが０であるため、基板ステージ３は、Ｘスケール３０が伸びた状態４０であることに起因して、ＭＸ×Ｌ１だけずれてしまう。
【００５４】
３ショット目では、２ショット目の初期位置ずれ量がＭＸ×Ｌ１であり、２ショット目の補正駆動量が０であるため、本実施形態では、基板ステージ３の目標位置にＭＸ×Ｌ１を加算する。従来技術であれば、Ｘスケール３０が伸びた状態４０であることに起因して、基板ステージ３は、ＭＸ×Ｌ２（２つのショット領域のＸ方向の距離分）だけずれることになる。但し、本実施形態では、基板ステージ３の目標位置にＭＸ×Ｌ１が加算されているため、３ショット目の初期位置ずれ量は、ＭＸ×Ｌ１となる。
【００５５】
４ショット目では、３ショット目の初期位置ずれ量がＭＸ×Ｌ１であり、３ショット目の補正駆動量がＭＸ×Ｌ１であるため、本実施形態では、基板ステージ３の目標位置にＭＸ×Ｌ２（＝ＭＸ×Ｌ１＋ＭＸ×Ｌ１）を加算する。従来技術であれば、Ｘスケール３０が伸びた状態４０であることに起因して、基板ステージ３は、ＭＸ×Ｌ３（３つのショット領域のＸ方向の距離分）だけずれることになる。但し、本実施形態では、基板ステージ３の目標位置にＭＸ×Ｌ２が加算されているため、４ショット目の初期位置ずれ量は、ＭＸ×Ｌ１となる。
【００５６】
このように、本実施形態では、７ショット目までは、最近傍ショットであるショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量を加算した値を基板ステージ３の目標位置に加算することで、各ショット領域での初期位置ずれ量をＭＸ×Ｌ１に低減することができる。
【００５７】
また、８ショット目では、最近傍ショットが１ショット目であるため、本実施形態では、１ショット目の初期位置ずれ量及び補正駆動量を基板ステージ３の目標位置に加算する。１ショット目の初期位置ずれ量と１ショット目の補正駆動量とが０であるため、基板ステージ３の目標位置に加算される値は０となる。但し、Ｘスケール３０が伸びた状態４０での変形も０であるため、８ショット目の初期位置ずれ量は０となる。
【００５８】
９ショット目以降は、２ショット目以降と同様に、最近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量を用いて、９ショット目以降の基板ステージ３の目標位置を補正することで、９ショット目以降の初期位置ずれ量を低減することができる。
【００５９】
このように、本実施形態では、図４（ｂ）に示すように、各ショット領域での初期位置ずれ量を低減することができる。なお、最近傍ショットの初期位置ずれ量と補正駆動量とを加算した値は、最近傍ショットで上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量であり、以下では、これを戻し初期位置ずれ量と称する。本実施形態では、最近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量から戻し初期位置ずれ量を求めて基板ステージ３の目標位置の補正に用いることで、初期位置ずれ量を低減している。これにより、インプリント装置１００は、インプリント処理の速度の向上とインプリント処理の精度の向上とを同時に実現することができる。
【００６０】
本実施形態では、最近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正する場合を例に説明した。但し、最近傍ショットに対するインプリント処理が正常に終了してない場合も考えられる。このような場合には、上述したように、インプリント処理が行われる各ショット領域からの距離が設定距離内にあるショット領域、例えば、次の近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正すればよい。換言すれば、インプリント処理が行われる各ショット領域からの距離が設定距離内にあるショット領域のうち、有効なデータとして記憶部１９Ａに記憶されているショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正すればよい。ここで、インプリント処理が正常に行われたかどうかの判断に関しては、例えば、ＴＴＭアライメント計測系１６による計測エラーが生じたショット領域をインプリント処理が正常に行われないと判断してもよい。また、制御部１９が取得したレシピ情報に格納されているショット順番やショット座標位置に基づいてショット領域間の距離を求めうる。
【００６１】
また、本実施形態では、Ｘエンコーダに関して説明したが、Ｙエンコーダ（Ｒ）及びＹエンコーダ（Ｌ）に関しても同様に、上述したように、最近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正すればよい。Ｙエンコーダ（Ｒ）及びＹエンコーダ（Ｌ）が変形して伸びた状態になったとしても、最近傍ショットのＹ方向の初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正することで、各ショット領域のＹ方向の初期位置ずれ量を低減することができる。本実施形態では、供給部１７がモールドステージ１２からＸ方向に離れた位置に配置されているため、１枚の基板の複数のショット領域にインプリント処理をする際にはＸ方向の移動距離が長くなる。本実施形態は、このような供給部１７とモールドステージ１２との往復移動に起因して大きく発熱するＸエンコーダによる位置ずれの影響を低減するのに有利である。
【００６２】
また、本実施形態では、エンコーダで基板ステージ３の位置を計測する場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、Ｘ方向及びＹ方向に関して１軸方向に計測を行う計測系であればよく、例えば、直動型の変位センサやレーザー変位系でもよい。
【００６３】
また、本実施形態では、Ｘエンコーダ、Ｙエンコーダ（Ｒ）及びＹエンコーダ（Ｌ）のそれぞれが１軸方向の計測を行う場合を例に説明したが、２軸方向を計測（測長）可能なセンサを用いてもよい。２軸方向を計測可能なセンサを用いる場合には、例えば、スケールの伸びの変化だけではなく、スケールの傾きの変化も基板ステージ３の位置計測誤差の要因となるため、初期位置ずれ量の誤差につながる。Ｘ方向を長手方向、Ｙ方向を短手方向として計測可能な２軸のセンサを考えると、スケールの伸びがＸ方向の位置計測誤差となり、スケールの傾きがＹ方向の位置計測誤差となる。このような場合にも、最近傍ショットのＹ方向の初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正することで、各ショット領域のＹ方向の初期位置ずれ量を低減することができる。２軸方向を計測する手法としては、例えば、エンコーダで計測する手法やエンコーダと静電容量センサとを組み合わせる手法がある。
【００６４】
また、基板ステージ３の駆動方式（移動方式）として、本実施形態では、エアベアリングとリニアモータとの組み合わせを採用しているが、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ方向及びＹ方向に直動で駆動する方式を組み合わせ、且つ、各方向を、１軸方向を計測可能なセンサ、或いは、２軸方向を計測可能なセンサで計測する基板ステージ３であればよい。また、基板ステージ３は、本実施形態では、Ｘ方向及びＹ方向の２軸方向に移動可能なステージとしたが、Ｘ方向の１軸方向に移動可能なステージであってもよく、直動の組み合わせで１軸以上の方向に移動可能なステージであればよい。
【００６５】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、リニアモータの発熱に起因するエンコーダ（スケールや検出部）の位置の変動が一定である場合について説明した。本実施形態では、リニアモータの発熱に起因して、エンコーダの位置が徐々に変動する場合について説明する。
【００６６】
図５は、Ｘスケール３０がリニアモータの発熱などで徐々に変形して伸びた状態を模式的に示している。図５において、「３０」は、Ｘスケール３０の初期の長さも示している。１枚目の基板上の各ショット領域に対してインプリント処理を連続的に行うと、基板ステージ３の駆動に伴うリニアモータの発熱に起因して、Ｘスケール３０が徐々に変形していく。従って、２枚目の基板上の各ショット領域に対するインプリント処理を開始する際には、Ｘスケール３０は変形して伸びた状態４５となる。同様に、２枚目の基板上の各ショット領域に対してインプリント処理を連続的に行うと、基板ステージ３の駆動に伴うリニアモータの発熱に起因して、Ｘスケール３０が更に変形していく。従って、３枚目の基板上の各ショット領域に対するインプリント処理を開始する際には、Ｘスケール３０は更に伸びた状態４６となる。
【００６７】
図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、それぞれ、１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域でのモールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの初期位置ずれ量を示す図である。図６（ａ）を参照するに、１枚目の基板上の１ショット目から７ショット目までについては、Ｘスケール３０の伸び量が小さいため、初期位置ずれ量も小さい。但し、各ショット領域に対するインプリント処理が進むにつれて、Ｘスケール３０の伸び量が大きくなるため、４２ショット目の初期位置ずれ量は、７ショット目の初期位置ずれ量よりも大きくなってしまう。このように、インプリント処理が進むにつれて、各ショット領域の初期位置ずれ量は大きくなる。
【００６８】
図６（ｂ）及び図６（ｃ）を参照するに、２枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量や３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量も同様に、インプリント処理が進むにつれて大きくなる。また、２枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量は、１枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量よりも大きい。これは、２枚目の基板上の各ショット領域に対するインプリント処理を開始する際には、Ｘスケール３０が変形して伸びた状態４５となることに起因している。同様に、３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量は、２枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量よりも大きい。これは、３枚目の基板上の各ショット領域に対するインプリント処理を開始する際には、Ｘスケール３０が更に伸びた状態４６となることに起因している。
【００６９】
図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）及び図７（ｄ）を参照して、本実施形態における基板ステージ３の目標位置の補正について説明する。図７（ａ）は、２枚目及び３枚目のそれぞれの基板上の各ショット領域での初期位置ずれ量を低減するために、基板ステージ３の目標位置を補正する際に参照する、１枚目及び２枚目の基板上のショット領域を矢印で示している。図７（ａ）に示すように、本実施形態では、２枚目の基板上の各ショット領域にインプリント処理が行われる際には、２枚目の基板とは異なる１枚目の基板上（直前の基板上）の同一位置（同一のショット番号）の各ショット領域を参照する。同様に、３枚目の基板上の各ショット領域にインプリント処理が行われる際には、３枚目の基板とは異なる２枚目の基板上の同一位置の各ショット領域を参照する。
【００７０】
本実施形態では、各基板の各ショット領域で計測された初期位置ずれ量と、各基板の各ショット領域の補正駆動量とを、各基板の各ショット領域と対応付けて記憶部１９Ａに記憶させている。そして、各基板の各ショット領域にインプリント処理が行われる際に、直前の基板の各ショット領域での初期位置ずれ量及び補正駆動量を、基板ステージ３の目標位置に加算する。これにより、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域での初期位置ずれ量（Ｘ方向の位置計測誤差）を低減させることができる。
【００７１】
本実施形態における基板ステージ３の目標位置の補正について具体的に説明する。１枚目の基板上の各ショット領域では、基板ステージ３の目標位置を補正せずに、インプリント処理を行う。従って、図７（ｂ）に示すように、１枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量は、図６（ａ）に示す初期位置ずれ量と同一である。
【００７２】
２枚目の基板上の各ショット領域に対してインプリント処理を行う際に、本実施形態では、１枚目の基板上の同一位置の各ショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量を、基板ステージ３の目標位置に加算する。例えば、２枚目の基板上の７ショット目では、１枚目の基板上の７ショット目の初期位置ずれ量及び補正駆動量を基板ステージ３の目標位置に加算する。これにより、２枚目の基板上の７ショット目の初期位置ずれ量を、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量から１枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量を差し引いた値まで低減することができる。同様に、２枚目の基板上のＮショット目の初期位置ずれ量を、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量から１枚目の基板上の同一位置のＮショット目の補正駆動量を差し引いた値まで低減することができる。従って、図７（ｃ）に示すように、２枚目の基板上の各ショット領域での初期位置ずれ量は、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量（図６（ｂ））よりも小さくなる。
【００７３】
３枚目の基板上の各ショット領域に対してインプリント処理を行う際に、本実施形態では、２枚目の基板上の同一位置の各ショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量を、基板ステージ３の目標位置に加算する。例えば、３枚目の基板上の７ショット目では、２枚目の基板上の７ショット目の初期位置ずれ量及び補正駆動量を基板ステージ３の目標位置に加算する。２枚目の基板上の７ショット目の初期位置ずれ量は、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量から１枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量を差し引いた値である。また、２枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量は、１枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量である。従って、３枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量は、２枚目の基板上の７ショット目の初期位置ずれ量及び補正駆動量を加算した値となるため、上述した補正を行わなかった場合の２枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量となる。これにより、３枚目の基板上の７ショット目の初期位置ずれ量を、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量から２枚目の基板上の７ショット目の補正駆動量を差し引いた値まで低減することができる。同様に、３枚目の基板上のＮショット目の初期位置ずれ量を、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量から２枚目の基板上の同一位置のＮショット目の補正駆動量を差し引いた値まで低減することができる。従って、図７（ｄ）に示すように、３枚目の基板上の各ショット領域での初期位置ずれ量は、上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量（図６（ｃ））よりも小さくなる。
【００７４】
このように、本実施形態では、２枚目以降の基板上の各ショット領域にインプリント処理を行う際に、直前の基板上の同一位置の各ショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量に基づいて、基板ステージ３の目標位置を補正する。これにより、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、２枚目以降の基板上の各ショット領域での初期位置ずれ量を低減することができる。なお、直前の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量と補正駆動量とを加算した値は、直前の基板上の各ショット領域で上述した補正を行わなかった場合の初期位置ずれ量であり、以下では、これを戻し初期位置ずれ量と称する。本実施形態では、直前の基板上の同一位置の各ショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量から戻し初期位置ずれ量を求めて基板ステージ３の目標位置の補正に用いることで、初期位置ずれ量を低減している。これにより、インプリント装置１００は、インプリント処理の速度の向上とインプリント処理の精度の向上とを同時に実現することができる。
【００７５】
本実施形態では、直前の基板上の同一位置の各ショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正する場合を例に説明した。但し、直前の基板上の同一位置の各ショット領域に対するインプリント処理が正常に終了してない場合も考えられる。このような場合には、直前の基板上の同一位置のショット領域からの距離が設定距離内にある近傍のショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正すればよい。換言すれば、直前の基板上の同一位置のショット領域からの距離が設定距離内にあるショット領域のうち、有効なデータとして記憶部１９Ａに記憶されているショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量から基板ステージ３の目標位置を補正すればよい。
【００７６】
また、本実施形態では、インプリント処理が進むにつれてＸスケール３０が均一に伸びる（伸びが継続する）と仮定しているため、初期位置ずれ量は、図７（ｃ）や図７（ｃ）に示すように、同様な傾向を示すことになる。但し、実際には、一定の発熱に対して、Ｘスケール３０の伸び量は徐々に減少し、ある伸び量で飽和する。これは、Ｘスケール３０の伸び量が温度に依存し、且つ、一定の発熱量に対する物体の温度は放熱との関係で、ある一定の温度で飽和することと同様である。Ｘスケール３０の伸び量が徐々に減少した場合には、インプリント処理を行うごとに直前の基板上の同一位置のショット領域との初期位置ずれ量の差が小さくなるため、補正後の初期位置ずれ量は徐々に小さくなる。
【００７７】
＜第３実施形態＞
本実施形態では、第２実施形態と同様に、リニアモータの発熱に起因して、エンコーダの位置が徐々に変動する場合について説明する。本実施形態は、モールド１０に設けられたマークと基板１に設けられたマークとの初期位置ずれ量の更なる低減を図るために、第１実施形態と第２実施形態とを複合して適用する。
【００７８】
図８（ａ）乃至図８（ｉ）を参照して、本実施形態における基板ステージ３の目標位置の補正、具体的には、第２実施形態を適用した後に第１実施形態を適用する場合について説明する。図８（ａ）、図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態や第２実施形態で説明した補正を行わなかった場合の１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量を示している（図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）と同様）。図８（ｄ）、図８（ｅ）及び図８（ｆ）は、それぞれ、第２実施形態で説明した補正を行った場合の１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量を示している（図７（ｂ）、図７（ｃ）及び図７（ｄ）と同様）。図８（ｇ）、図８（ｈ）及び図８（ｉ）は、それぞれ、第２実施形態で説明した補正を行った後に第１実施形態で説明した補正を行った場合の１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量を示している。
【００７９】
第１実施形態で説明した補正では、最近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量を基板ステージ３の目標位置に加算する。従って、本実施形態では、図８（ｇ）乃至図８（ｉ）に示すように、各ショット領域での初期位置ずれ量を、第１実施形態と同様に、１つのショット領域のＸ方向の距離分まで低減させることができる。
【００８０】
具体的には、Ｎ枚目の基板上のＭショット目では、上述した補正を行わない場合のＮ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの初期位置ずれ量を求める。Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正後の初期位置ずれ量に、Ｎ枚目の直前（Ｍ−１枚目）の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量と、Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量を加算する。これが、Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの初期位置ずれ量（Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの戻し初期位置ずれ量）となる。「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの戻し初期位置ずれ量」から「Ｎ枚目の直前の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量」を差し引く。これにより、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットに第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」を求めることができる。「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットに第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」は、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量」に用いる。
【００８１】
また、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットに第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」は、「Ｎ＋１枚目の直前の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量」に用いる。従って、「Ｎ枚目の直前の基板上のＭショット目の駆動補正量」は、「Ｎ−１枚目の基板上のＭショット目に第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」を用いる。
【００８２】
「Ｎ−１枚目の基板上のＭショット目に第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」をＮ枚目の直前の基板上のＭショット目の駆動補正量として用いる。また、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットに第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」をＮ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの駆動補正量として用いる。これにより、第２実施形態と第１実施形態とを複合して適用することが可能となり、初期位置ずれ量の更なる低減を図ることができる。
【００８３】
本実施形態のように、第２実施形態と第１実施形態とを複合して適用する場合には、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の戻し初期位置ずれ量」と「Ｎ枚目の直前の基板上のＭショット目に第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」とを求める。そして、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の戻し初期位置ずれ量」と「Ｎ枚目の直前の基板上のＭショット目に第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」とを、記憶部１９Ａに記憶させる必要がある。
【００８４】
図９は、第２実施形態で説明した補正を行った後に第１実施形態で説明した補正を行った場合の補正の順序を模式的に表す図である。「直前の基板上の各ショット領域の駆動補正量」、「第２実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」、「最近傍ショットの駆動補正量」、「戻し初期位置ずれ量」及び「初期位置ずれ量」から第２実施形態と第１実施形態とを複合して適用する。また、これらの値は、記憶部１９Ａにテーブルとして記憶させる必要がある。
【００８５】
図１０（ａ）乃至図１０（ｉ）を参照して、本実施形態における基板ステージ３の目標位置の補正、具体的には、第１実施形態を適用した後に第２実施形態を適用する場合について説明する。図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態や第２実施形態で説明した補正を行わなかった場合の１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量を示している（図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）と同様）。図１０（ｄ）、図１０（ｅ）及び図１０（ｆ）は、それぞれ、第１実施形態で説明した補正を行った場合の１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量を示している。第１実施形態で説明した補正では、最近傍ショットの初期位置ずれ量及び補正駆動量を基板ステージ３の目標位置に加算する。従って、各ショット領域での初期位置ずれ量を、第１実施形態と同様に、１つのショット領域のＸ方向の距離分まで低減させることができる。図１０（ｇ）、図１０（ｈ）及び図１０（ｉ）は、それぞれ、第１実施形態で説明した補正を行った後に第２実施形態で説明した補正を行った場合の１枚目、２枚目及び３枚目の基板上の各ショット領域の初期位置ずれ量を示している。第２実施形態で説明した補正では、直前の基板上の同一位置の各ショット領域の初期位置ずれ量及び補正駆動量を基板ステージ３の目標位置に加算する。従って、各ショット領域での初期位置ずれ量を、第２実施形態と同様に、基板間の初期位置ずれ量の差分まで低減させることができる。
【００８６】
具体的には、Ｎ枚目の基板上のＭショット目では、上述した補正を行わない場合のＮ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの初期位置ずれ量を求める。Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正後の初期位置ずれ量に、Ｎ枚目の直前の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量と、Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量を加算する。これが、上述した補正を行わない場合のＮ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの初期位置ずれ量（Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの戻し初期位置ずれ量）となる。「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの戻し初期位置ずれ量」は、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの駆動補正量」に用いる。
【００８７】
「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの戻し初期位置ずれ量」から「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量」を差し引く。これにより、「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットに第１実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」を求めることができる。「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットに第１実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」は、「Ｎ＋１枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの補正駆動量」に用いる。従って、「Ｎ枚目の直前の基板上のＭショット目の補正駆動量」は、「Ｎ−１枚目の基板上のＭショット目に第１実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」を用いる。
【００８８】
「Ｎ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの戻し初期位置ずれ量」をＮ枚目の基板上のＭショット目の最近傍ショットの駆動補正量として用いる。また、「Ｎ−１枚目の基板上のＭショット目に第１実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」を直前の基板上のＭショット目の最近傍ショットの駆動補正量として用いる。これにより、第１実施形態と第２実施形態とを複合して適用することが可能となり、初期位置ずれ量の更なる低減を図ることができる。
【００８９】
図１１は、第１実施形態で説明した補正を行った後に第２実施形態で説明した補正を行った場合の補正の順序を模式的に表す図である。「直前の基板上の各ショット領域の駆動補正量」、「第１実施形態を適用した場合の初期位置ずれ量」、「最近傍ショットの駆動補正量」、「戻し初期位置ずれ量」及び「初期位置ずれ量」から第１実施形態と第２実施形態とを複合して適用する。また、これらの値は、記憶部１９Ａにテーブルとして記憶させる必要がある。
【００９０】
＜第４実施形態＞
インプリント装置１００を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。
【００９１】
硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。
【００９２】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１２（ａ）に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板１を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。
【００９３】
図１２（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド１０を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図１２（ｃ）に示すように、インプリント材が付与された基板１とモールド１０とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、モールド１０と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド１０を介して照射すると、インプリント材は硬化する。
【００９４】
図１２（ｄ）に示すように、インプリント材を硬化させた後、モールド１０と基板１を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールド１０の凹部が硬化物の凸部に、モールド１０の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材にモールド１０の凹凸のパターンが転写されたことになる。
【００９５】
図１２（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図１２（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。
【００９６】
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【００９７】
１００：インプリント装置    １：基板    ３：基板ステージ    １０：モールド    １２：モールドステージ    １６：ＴＴＭアライメント計測系    １９：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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