(57)【要約】【課題】基板上の溶液の乾燥時間を基板の面内でより均一にする。【解決手段】基板上に塗布された溶液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板から気化した前記溶液中の溶媒を一時的に捕集する溶媒捕集部を備え、前記溶媒捕集部は、前記基板に対向するように配設され、複数の領域に区画され、前記複数の領域それぞれに開口が形成され、前記複数の領域それぞれの単位面積当たりの熱容量が、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布された溶液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板から気化した前記溶液中の溶媒を一時的に捕集する溶媒捕集部を備え、
前記溶媒捕集部は、
前記基板に対向するように配設され、
複数の領域に区画され、
前記複数の領域それぞれに開口が形成され、
前記複数の領域それぞれの単位面積当たりの熱容量が、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている、減圧乾燥装置。
【請求項２】
前記溶媒捕集部は、前記複数の領域それぞれの開口率が、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている、請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項３】
前記溶媒捕集部は、前記複数の領域それぞれの厚さが、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている、請求項１または２に記載の減圧乾燥装置。
【請求項４】
前記溶媒捕集部は、基板角部と対向する領域と、基板中央部と対向する領域とに区画されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項５】
前記基板は、乾燥後に複数のパネルに分割されるものであり、
前記溶媒捕集部は、
前記基板におけるパネル角部に相当する部分と対向する領域と、
前記基板におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域とに、区画されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項６】
前記基板は、乾燥後に複数のパネルに分割されるものであり、
前記溶媒捕集部は、
基板中央部におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域と、
基板中央部におけるパネル角部に相当する部分または基板角部におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域と、
基板角部におけるパネル角部に相当する部分と対向する領域と、に区画されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項７】
当該減圧乾燥装置は、
前記溶媒捕集部を複数備え、
前記基板は、乾燥後に複数のパネルに分割されるものであり、
複数の前記溶媒捕集部は、
積層されて配設され、
基板角部と対向する領域と、基板中央部と対向する領域とに、区画された前記溶媒捕集部と、前記基板におけるパネル角部に相当する部分と対向する領域と、前記基板におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域とに、区画された前記溶媒捕集部とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項８】
前記開口の平面視形状は、六角形、円形、四角形及び三角形のいずれか１つ、またはいずれか２以上の組み合わせである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、チャンバ内に収納された基板上の溶液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置が開示されている。この減圧乾燥装置には、溶媒捕集網が設けられている。溶媒捕集網は、網状板からなり、基板から気化した溶液中の溶媒を一時的に捕集するものであり、チャンバ内において基板に対向するように設けられている。特許文献１に開示の減圧乾燥装置では、この溶媒捕集網を設けることにより、乾燥時間が基板の面内で均一となるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−５９５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板上の溶液の乾燥時間を基板の面内でより均一にする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板上に塗布された溶液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板から気化した前記溶液中の溶媒を一時的に捕集する溶媒捕集部を備え、前記溶媒捕集部は、前記基板に対向するように配設され、複数の領域に区画され、前記複数の領域それぞれに開口が形成され、前記複数の領域それぞれの単位面積当たりの熱容量が、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、基板上の溶液の乾燥時間を基板の面内でより均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】従来技術の課題を説明するための、溶液が塗布された状態の基板の平面図である。
【図２】従来技術の課題を説明するための、溶液が塗布された状態の基板の平面図である。
【図３】第１実施形態に係る減圧乾燥装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係る減圧乾燥装置の概略構成を示す上面図である。
【図５】溶媒捕集網の取り付け構造を説明するための図であり、減圧乾燥装置内の部分側面図である。
【図６】溶媒捕集網の取り付け構造を説明するための図であり、減圧乾燥装置における溶媒捕集網とその周囲の下面図である。
【図７】図３の溶媒捕集網の中央領域の部分拡大平面図である。
【図８】図３の溶媒捕集網の周縁領域の部分拡大平面図である。
【図９】第２実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる溶媒捕集網を説明するための平面図である。
【図１０】第２実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる溶媒捕集網の他の例を説明するための平面図である。
【図１１】第３実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる溶媒捕集網を説明するための図であり、減圧乾燥装置内の部分側面図である。
【図１２】溶媒捕集網に形成された開口の形状の他の例を説明するための、溶媒捕集網の部分拡大平面図である。
【図１３】溶媒捕集網に形成された開口の形状の他の例を説明するための、溶媒捕集網の部分拡大平面図である。
【図１４】溶媒捕集網に形成された開口の形状の他の例を説明するための、溶媒捕集網の部分拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
従来、有機ＥＬ（Electroluminescence）の発光を利用した発光ダイオードである有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic  Light  Emitting  Diode）が知られている。かかる有機発光ダイオードを用いた有機ＥＬディスプレイは、薄型軽量かつ低消費電力であるうえ、応答速度や視野角、コントラスト比の面で優れているといった利点を有していることから、次世代のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）として近年注目されている。
【０００９】
有機発光ダイオードは、基板上の陽極と陰極の間に有機ＥＬ層を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ層は、例えば陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層されて形成される。これらの有機ＥＬ層の各層（特に正孔注入層、正孔輸送層及び発光層）を形成するにあたっては、例えばインクジェット方式で有機材料の液滴を基板上に離散的に配置された各色の画素に対応するバンクに吐出することにより、バンク内にその画素の有機材料の膜を塗布するといった方法が用いられる。
【００１０】
インクジェット方式で基板上に吐出された有機材料中には、多量の溶媒が含まれている。そのため、溶媒を除去することを目的として、基板上の溶液を減圧状態で乾燥する減圧乾燥処理が行われている。
【００１１】
減圧乾燥処理を行う減圧乾燥装置として、特許文献１には、気密に構成され排気装置により減圧されるチャンバと、チャンバ内において基板に対向するように設けられ基板上の有機材料膜から揮発する溶媒を捕集する溶媒捕集網とを備える装置が開示されている。
特許文献１のように溶媒捕集網を設けることで、基板上の溶液の乾燥時間を基板の面内で略均一にすることができるが、以下に説明するように、基板上の溶液の乾燥時間の面内均一性には改善の余地がある。
【００１２】
例えば、１枚の基板全体を１枚のＦＰＤ用のパネルとして使用する場合、図１に示すように、基板Ｗの周縁部を除いた略全面に有機材料Ｍが塗布される。このように塗布される場合、特許文献１のように溶媒捕集網を設けたとしても、基板角部ＷＰより基板中央部ＷＣの方が、溶媒の乾燥時間が長くなってしまうことがある。
【００１３】
また、１枚の基板を分割して複数枚（例えば４枚）のＦＰＤ用のパネルとして使用する場合もある。この場合、図２に示すように、基板Ｗを分割したパネルＰの周縁部を除いた略全面に有機材料Ｍが塗布される。このように塗布される場合、特許文献１のように溶媒捕集網を設けたとしても、パネル角部ＰＰよりパネル中央部ＰＣの方が、溶媒の乾燥時間が長くなってしまうことがある。
【００１４】
上述のように溶媒の乾燥時間に差が生じていると、例えば、乾燥が完了していない基板中央部ＷＣやパネル中央部ＰＣで気化した溶媒によって、先に乾燥が完了して基板角部ＷＰやパネル角部ＰＰに形成された塗布膜が溶けてしまう。
なお、上述のように溶媒の乾燥時間に差が生じてしまう理由としては、有機材料Ｍの塗布領域における非塗布領域との境界部分では、その周囲の雰囲気中の溶媒の濃度が薄いため、溶媒が揮発しやすいことが挙げられる。
【００１５】
そこで、本開示にかかる技術は、基板上の溶液の乾燥時間を基板の面内でより均一にする。
【００１６】
以下、本実施形態にかかる減圧乾燥装置を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
図３及び図４は、第１実施形態にかかる減圧乾燥装置の概略構成を示す図であり、図３は断面図、図４は上面図である。図３では後述の溶媒捕集網を支持するための構造体の図示は省略され、図４では後述の天板等の図示は省略されている。図５及び図６は、溶媒捕集網の取り付け構造を説明するための図であり、図５は減圧乾燥装置内の部分側面図、図６は減圧乾燥装置における溶媒捕集網とその周囲の下面図である。
【００１８】
図３の減圧乾燥装置１は、基板上に例えばインクジェット方式で塗布された溶液を、減圧状態で乾燥するものである。また、減圧乾燥装置１の処理対象の基板は例えば有機ＥＬディスプレイ用のガラス基板であり、図１に示したものと同様に、１枚の基板全体で１枚のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものである。なお、処理対象の基板は、大型基板であるであり、その幅が例えば２１５ｍｍである。
【００１９】
処理対象の基板に塗布されている溶液は、溶質と溶媒からなり、減圧乾燥処理の対象となる成分は主に溶媒である。溶媒に含まれる有機化合物としては、高沸点のものが多く、例えば、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（1,3-dimethyl-2-imidazolidinone、沸点220℃、融点8℃）、４−tert-ブチルアニソール（4-tert-Butylanisole、沸点222℃、融点18℃）、Trans−アネトール（Trans-Anethole、沸点235℃、融点20℃）、１，２−ジメトキシベンゼン（1,2-Dimethoxybenzene、沸点206.7℃、融点22.5℃）、２−メトキシビフェニル（2-Methoxybiphenyl、沸点274℃、融点28℃）、フェニルエーテル（Phenyl Ether、沸点258.3℃、融点28℃）、２−エトキシナフタレン（2-Ethoxynaphthalene、沸点282℃、融点35℃）、ベンジルフェニルエーテル（Benzyl Phenyl Ether、沸点288℃、融点39℃）、２，６−ジメトキシトルエン（2,6-Dimethoxytoluene、沸点222℃、融点39℃）、２−プロポキシナフタレン（2-Propoxynaphthalene、沸点305℃、融点40℃）、１，２，３−トリメトキシベンゼン（1,2,3-Trimethoxybenzene、沸点235℃、融点45℃）、シクロヘキシルベンゼン（cyclohexylbenzene、沸点237.5℃、融点5℃）、ドデシルベンゼン（dodecylbenzene、沸点288℃、融点-7℃）、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン（1,2,3,4-tetramethylbenzene、沸点203℃、融点76℃）等を挙げることができる。これらの高沸点有機化合物は、２種以上が組み合わされて溶液中に配合されている場合もある。
【００２０】
減圧乾燥装置１は、チャンバ１０と、載置台２０と、を備え、排気装置３０に接続されている。
【００２１】
チャンバ１０は、減圧可能に構成された処理容器であり、例えばステンレス等の金属材料から形成される。チャンバ１０は、角筒状の本体部１１と、本体部１１の上側に取り付けられる天板１２と、本体部１１の下側に取り付けられる底板１３と、を有する。
【００２２】
本体部１１は、その側面に、基板Ｗをチャンバ１０内に搬入出するための搬入出口（図示せず）が設けられている。
天板１２は、本体部１１の上側の開口を塞ぐと共に、後述の溶媒捕集網４０を支持する。
【００２３】
底板１３は、本体部１１の下側の開口を塞ぐものである。底板１３の上側の中央には載置台２０が配設されている。また、底板１３には、載置台２０の外周を囲うように排気口スリット１３ａが設けられ、排気口スリット１３ａには排気管３１を介して排気装置３０が接続されている。この排気口スリット１３ａを介して、減圧乾燥装置１のチャンバ１０内を減圧することができる。
【００２４】
載置台２０は、基板Ｗが載置されるものである。載置台２０には、当該載置台２０を貫通するように昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは、チャンバ１０の外部から当該チャンバ１０内に挿入される基板搬送装置（図示せず）との間で基板Ｗを受け渡すためのものである。この昇降ピンは昇降機構（図示せず）により自在に上下動可能に構成されている。
【００２５】
排気装置３０は、真空ポンプから構成され、具体的には、例えばターボ分子ポンプとドライポンプとが上流側からこの順に直列に接続されて構成される。
排気管３１における排気口スリット１３ａと排気装置３０との間の部分には自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ（Adaptive Pressure Control）バルブ）３２が設けられている。減圧乾燥装置１では、排気装置３０の真空ポンプを作動させた状態で、ＡＰＣバルブ３２の開度を調節することにより、減圧排気の際のチャンバ１０内の真空度を制御することができる。
なお、ＡＰＣバルブ３２による上記真空度の制御のため、チャンバ１０内の圧力を測定する圧力計（図示せず）が減圧乾燥装置１に設けられている。上記圧力計での計測結果は電気信号としてＡＰＣバルブ３２に入力される。
【００２６】
また、減圧乾燥装置１は、制御部（図示せず）を有する。この制御部は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、減圧乾燥装置１における減圧乾燥処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から上記制御部にインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェハ（回路基板）で実現してもよい。
【００２７】
さらに、減圧乾燥装置１は、載置台２０に載置された基板Ｗから気化した溶液中の溶媒を一時的に捕集する溶媒捕集部としての溶媒捕集網４０を備える。具体的には、溶媒捕集網４０は、基板Ｗ上にインクジェット方式により塗布された溶液から気化した溶媒を捕集する。溶媒捕集網４０をチャンバ１０内に設けることにより、当該チャンバ１０内の雰囲気中の溶媒濃度を調節することができる。
【００２８】
溶媒捕集網４０は、当該溶媒捕集網４０の上部の構造物であって溶媒捕集網４０に最も近い構造物である天板１２と基板Ｗとの間の位置に支持される。また、溶媒捕集網４０は、基板Ｗと正対するように、すなわち基板Ｗと略平行となるように、天板１２に支持される。なお、溶媒捕集網４０は、基板Ｗまでの距離が例えば７５ｍｍとなる位置に支持される。
【００２９】
天板１２による溶媒捕集網４０の支持は、図５に示すように、枠体５０と脚部５１を介して行われる。例えば、溶媒捕集網４０を角筒状の枠体５０に溶接等により固定し、枠体５０の外側に設けられた耳部５０ａを、天板１２から下方向に延出する脚部５１に、ネジ等を用いて固定することにより、溶媒捕集網４０が天板１２に支持される。
なお、枠体５０や脚部５１は例えばステンレス等の金属材料から形成される。
また、枠体５０や脚部５１は基板Ｗとは溶媒捕集網４０を間に挟んで反対側に位置している。したがって、基板Ｗ側から見て、溶媒捕集網４０が枠体５０や脚部５１に覆われていないため、基板Ｗから溶媒捕集網４０の方向への気化した溶媒の流れは枠体５０や脚部５１には阻害されない。
【００３０】
続いて、溶媒捕集網４０の形状等の詳細について、図６を参照し、図７及び図８を用いて説明する。図７は溶媒捕集網４０の中央領域の部分拡大平面図、図８は溶媒捕集網４０の周縁領域の部分拡大平面図である。
【００３１】
溶媒捕集網４０は、複数の領域に区画され、上記複数の領域それぞれに開口が形成されている。例えば、溶媒捕集網４０は、図６に示すように、中央領域Ｒ１と周縁領域Ｒ２とに区画され、図７及び図８に示すように、中央領域Ｒ１には平面視正六角形状の開口４１が形成され、周縁領域Ｒ２には開口４２が形成されている。なお、開口４１、４２は、例えば、溶媒捕集網４０の厚さ方向に当該溶媒捕集網４０を貫通する貫通孔である。
【００３２】
そして、溶媒捕集網４０は、複数の領域それぞれの平面視における単位面積当たり熱容量が、当該領域と対向する基板Ｗの部分に応じて異なるように形成されている。本実施形態では、溶媒捕集網４０において、基板中央部ＷＣと対向する中央領域Ｒ１と、基板角部ＷＰと対向する領域を含む周縁領域Ｒ２とで開口率が異なっており、これにより中央領域Ｒ１と周縁領域Ｒ２とで平面視における単位面積当たりの熱容量が異なっている。より具体的には、溶媒捕集網４０は、中央領域Ｒ１の開口率が、周縁領域Ｒ２の開口率より大きくなるように形成され、中央領域Ｒ１の平面視における単位面積当たりの熱容量が周縁領域Ｒ２の同熱容量より小さくなっている。
【００３３】
例えば、中央領域Ｒ１の開口４１及び周縁領域Ｒ２の開口４２は共に、平面視において、規則的に格子状に形成されており、開口４１と開口４２とではそのピッチが等しい。ただし、平面視において、開口４１の内径が、開口４２の内径より大きい。言い換えると、平面視において、隣接する開口４１間を隔てる隔壁部４１ａの幅が、隣接する開口４２間を隔てる隔壁部４２ａの幅より小さい。このような形状の差により、溶媒捕集網４０は、中央領域Ｒ１の開口率が、周縁領域Ｒ２の開口率より大きくなっている。
なお、開口率とは、平面視における、溶媒捕集網４０の単位面積に対する溶媒捕集網４０の開口４１または開口４２の面積の割合をいう。中央領域Ｒ１における開口率及び周縁領域Ｒ２における開口率は例えば６０％〜８０％の範囲で設定される。
【００３４】
溶媒捕集網４０は、上述のような開口４１、４２を有する網状板から構成される。網状板とは、厚さ方向に貫通する開口が平面視において格子状に規則的に形成された板状部材である。また、溶媒捕集網４０は、ステンレスやアルミ、銅、金といった金属材料等の熱伝導性の良い材料から形成される。溶媒捕集網４０の開口４１、４２は、例えばレーザ加工によって形成される。
【００３５】
なお、溶媒捕集網４０は薄く、その厚さは例えば０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍである。また、溶媒捕集網４０の水平方向の寸法は、基板Ｗの水平方向の寸法と略同一である。ただし、溶媒捕集網４０の水平方向の寸法は、気化した溶媒の吸着量を増やすために、基板Ｗの水平方向の寸法よりも大きくしてもよい。
【００３６】
なお、溶媒捕集網４０は、上述のように領域によって開口率が異なるものの何れの領域においても開口率が６０％〜８０％と大きく、０．０５〜０．２ｍｍと薄いため、平面視における単位面積当たりの熱容量が小さい。
【００３７】
続いて、減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥処理について説明する。
減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥処理では、まず、インクジェット方式で溶液が塗布された基板Ｗが載置台２０に載置される。
次いで、排気装置３０のドライポンプが作動されチャンバ１０内が減圧排気される。ドライポンプによる減圧排気はチャンバ１０内の圧力が例えば１０Ｐａとなるまで行われる。
この減圧排気の際、断熱膨張によりチャンバ１０内の気体は冷却される。このようにチャンバ１０内の気体が冷却されたとしても、基板Ｗの温度は、該基板Ｗの熱容量が大きいこと等から、室温の２３℃からほとんど変化しない。しかし、熱容量の小さい溶媒捕集網４０の温度は低下する。
【００３８】
その後、排気装置３０のターボ分子ポンプが作動され、さらに減圧排気される。この減圧排気に伴って、上述と同様に溶媒捕集網４０の温度は低下し、その時点でのチャンバ１０内の圧力における露点以下（例えば８〜１５℃）となる。
また、溶媒捕集網４０の温度は、基板Ｗ上の溶媒の蒸発が完了するまでの間、各時点でのチャンバ１０内の圧力における溶媒の露点以下に維持される。
したがって、基板Ｗから気化した溶媒は、溶媒捕集網４０により高効率で捕集されるため、チャンバ１０内の気体状の溶媒の濃度は低く維持される。したがって、基板Ｗ上の溶媒を速く除去することができる。
【００３９】
さらに、溶媒捕集網４０が、前述のように、中央領域Ｒ１の開口率が、周縁領域Ｒ２の開口率より大きくなるように形成され、中央領域Ｒ１の平面視における単位面積当たりの熱容量が周縁領域Ｒ２の同熱容量より小さくなっている。そのため、上述の減圧排気の過程の冷却で、溶媒捕集網４０の中央領域Ｒ１が周縁領域Ｒ２よりも早く、各時点でのチャンバ１０内の圧力における露点以下に到達し、また、上記冷却の結果、溶媒捕集網４０の中央領域Ｒ１の到達温度が周縁領域Ｒ２よりも低くなる。つまり、溶媒捕集網４０は、中央領域Ｒ１が周縁領域Ｒ２よりも溶媒の吸着能力が高い。したがって、溶媒捕集網４０を用いることで、従来の溶媒捕集網を用いた場合に基板角部ＷＰよりも溶媒の乾燥時間が長くなる基板中央部ＷＣからの溶媒を、基板角部ＷＰからの溶媒よりも高効率で捕集することができる。よって、基板Ｗ上の溶液の乾燥が完了するタイミングを、基板中央部ＷＣと基板角部ＷＰとで等しくすることができる。
【００４０】
基板Ｗ上の溶媒の除去が完了した後も排気装置３０のターボ分子ポンプでの排気は継続される。溶媒捕集網４０により捕集された溶媒を該溶媒捕集網４０から除去するためである。
例えばターボ分子ポンプが作動されてから所定時間が経過するまで、ターボ分子ポンプでの排気を継続することにより、溶媒捕集網４０から溶媒を除去する溶媒捕集網４０の乾燥工程が終了する。
【００４１】
溶媒捕集網４０の乾燥工程終了後、排気装置３０が停止される。その後、チャンバ１０内の圧力が大気圧まで戻された後、基板Ｗがチャンバ１０から搬出される。これで、減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥処理が終了する。
【００４２】
以上のように本実施形態では、溶媒捕集網４０が、チャンバ１０内の基板Ｗに対向するように設けられ、複数の領域に区画され、複数の領域それぞれに開口が形成され、複数の領域それぞれの平面視における単位面積当たりの熱容量が、当該領域と対向する基板Ｗの部分に応じて異なるように形成されている。したがって、溶媒捕集網４０の複数の領域それぞれの溶媒吸着能力が、当該領域と対向する部分に応じて異なるため、基板Ｗ上の溶液の乾燥時間を基板Ｗの面内で均一にすることができる。よって、画素内膜形状の基板Ｗ内でのばらつきや、基板Ｗ内での膜厚分布のばらつき、一画素内における膜厚分布のばらつきが生じるのを防ぐことができる。
溶媒の乾燥時間の基板面内における不均一性は、基板Ｗが大型化するとさらに顕著となる。したがって、本実施形態に係る減圧乾燥装置１は、大型の基板Ｗを乾燥処理対象とする場合に特に有用である。
【００４３】
本実施形態では、溶媒捕集網４０が、中央領域Ｒ１と周縁領域Ｒ２に区画され、中央領域Ｒ１と周縁領域Ｒ２にそれぞれに開口４１、４２が形成されている。そして、この溶媒捕集網４０が、中央領域Ｒ１と周縁領域Ｒ２とで、単位面積当たりの熱容量が異なっている。乾燥処理対象の基板Ｗが、基板１枚全体で１枚のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものである場合に、基板Ｗ上の溶液の乾燥時間を基板Ｗの面内で均一にすることができる。
【００４４】
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる溶媒捕集網を説明するための平面図である。
第１実施形態にかかる減圧乾燥装置の乾燥処理対象の基板は、基板１枚全体で１枚のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものであった。それに対し、本実施形態にかかる減圧乾燥装置の乾燥処理対象の基板Ｗは、図２に示したものと同様に、基板１枚を分割して４枚のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものである。
【００４５】
本実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる図９の溶媒捕集網１００は、基板Ｗにおけるパネル中央部ＰＣに相当する部分と対向するパネル対応中央領域Ｒ１１と、基板Ｗにおけるパネル角部ＰＰに相当する部分と対向するパネル対応周縁領域Ｒ１２とに区画されている。そして、パネル対応中央領域Ｒ１１には、図７の開口４１と同様な開口が設けられ、パネル対応周縁領域Ｒ１２には、図８の開口と同様な開口が設けられている。つまり、溶媒捕集網１００は、パネル対応中央領域Ｒ１１の開口率が、パネル対応周縁領域Ｒ１２の開口率より大きくなるように形成されている。これにより、溶媒捕集網１００において、パネル対応中央領域Ｒ１１の平面視における単位面積当たりの熱容量がパネル対応周縁領域Ｒ１２の同熱容量より小さくなっている。
【００４６】
そのため、減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の減圧排気の過程で、溶媒捕集網１００のパネル対応中央領域Ｒ１１がパネル対応周縁領域Ｒ１２よりも早く、各時点でのチャンバ１０内の圧力における露点以下に到達し、また、パネル対応中央領域Ｒ１１の到達温度がパネル対応周縁領域Ｒ１２よりも低くなる。つまり、溶媒捕集網１００は、パネル対応中央領域Ｒ１１がパネル対応周縁領域Ｒ１２よりも溶媒の吸着能力が高い。したがって、溶媒捕集網１００を用いることで、従来の溶媒捕集網を用いた場合にパネル角部ＰＰよりも溶媒の乾燥時間が長くなるパネル中央部ＰＣからの溶媒を、パネル角部ＰＰからの溶媒よりも高効率で捕集することができる。よって、基板Ｗ上の溶液の乾燥が完了するタイミングを、パネル中央部ＰＣとパネル角部ＰＰとで等しくすることができる。
【００４７】
本実施形態によれば、乾燥処理対象の基板Ｗが基板１枚を分割して４枚のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものである場合に、基板Ｗ上の溶液の乾燥時間をパネル面内で均一にすることができる。
【００４８】
図１０は、第２実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる溶媒捕集網の他の例を説明するための平面図である。
乾燥処理対象の基板Ｗが基板１枚を分割して４枚のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものである場合に用いられる溶媒捕集網は、図９の例に限られず、図１０に示すようなものであってもよい。
【００４９】
図１０の溶媒捕集網１１０は、第１〜第３領域Ｒ２１〜Ｒ２３に区画されている。第１領域Ｒ２１は、基板中央部ＷＣにおけるパネル中央部ＰＣに相当する部分と対向する領域である。第２領域Ｒ２２は、基板中央部ＷＣにおけるパネル角部ＰＰに相当する部分または基板角部ＷＰにおけるパネル中央部ＰＣに相当する部分と対向する領域である。第３領域Ｒ２３は、基板角部ＷＰにおけるパネル角部ＰＰに相当する部分と対向する領域である。そして、溶媒捕集網１１０は、以下の関係が満たされるように、第１〜第３領域Ｒ２１〜Ｒ２３に開口が形成されている。
第１領域Ｒ２１の開口率＞第２領域Ｒ２２の開口率＞第３領域Ｒ２３の開口率
【００５０】
これにより、溶媒捕集網１１０において、平面視における単位面積当たりの熱容量が以下のような関係となっている。
第１領域Ｒ２１＜第２領域Ｒ２２＜第３領域Ｒ２３
【００５１】
そのため、減圧乾燥処理におけるチャンバ１０内の減圧排気の過程で、第１領域Ｒ２１、第２領域Ｒ２２、第３領域Ｒ２３の順で、各時点でのチャンバ１０内の圧力における露点以下に到達する。また、上記減圧排気の過程での到達温度が、第１領域Ｒ２１、第２領域Ｒ２２、第３領域Ｒ２３の順となる。つまり、溶媒捕集網１１０では、溶媒の吸着能力が、高い方から順に、第１領域Ｒ２１、第２領域Ｒ２２、第３領域Ｒ２３である。そして、従来の溶媒捕集網を用いた場合、溶媒の乾燥時間は、長い方から順に挙げると、基板Ｗにおける溶媒捕集網１１０の第１領域Ｒ２１に対向する部分、第２領域Ｒ２２に対向する部分、第３領域Ｒ２３に対向する部分である。したがって、溶媒捕集網１１０を用いることで、基板Ｗ上の溶液の乾燥が完了するタイミングを、基板Ｗの面内及びパネル面内で等しくすることができる。つまり、基板Ｗ上の溶液の乾燥時間を基板Ｗの面内及びパネル面内でより正確に均一にすることができる。よって、画素内膜形状の基板Ｗ内でのばらつき、基板Ｗ内での膜厚分布のばらつき、一画素内における膜厚分布のばらつきだけでなく、画素内膜形状のパネル内でのばらつきや、パネル内での膜厚分布のばらつきが生じるのを防ぐことができる。
【００５２】
なお、溶媒捕集網１１０の第２領域Ｒ２２は、基板中央部ＷＣにおけるパネル角部ＰＰに対向する領域と、基板角部ＷＰにおけるパネル中央部ＰＣに相当する部分と対向する領域とに分け、各領域の平面視における単位面積当たりの熱容量を区画された他の領域のものと異ならせるようにしてもよい。
【００５３】
（第３実施形態）
図１１は、第３実施形態にかかる減圧乾燥装置に設けられる溶媒捕集網を説明するための図であり、減圧乾燥装置内の部分側面図である。
以上の例の減圧乾燥装置では、１枚の溶媒捕集網を用いていたが、形状が互いに異なる複数枚の溶媒捕集網を積層して用いるようにしてもよい。
【００５４】
図１１の例の減圧乾燥装置には、図６の溶媒捕集網４０と図９の溶媒捕集網１００とが積層されて配設されている。溶媒捕集網４０と溶媒捕集網１００は、積層方向に隙間なく互いに密着しており、溶接等により互いに接合されている。溶媒捕集網４０及び溶媒捕集網１００の積層順は問わず、溶媒捕集網４０と溶媒捕集網１００とのいずれが基板Ｗ側（下側）に配設されてもよい。
【００５５】
前述のように、溶媒捕集網４０は、中央領域Ｒ１と周縁領域Ｒ２に区画されており、溶媒捕集網１００は、パネル対応中央領域Ｒ１１とパネル対応周縁領域Ｒ１２とに区画されている。
【００５６】
本実施形態によっても、図１０の溶媒捕集網１１０を用いた場合と同様に、乾燥処理対象の基板Ｗが基板１枚を分割して複数枚（例えば４枚）のＦＰＤ用のパネルとして使用されるものである場合に、基板Ｗ上の溶液の乾燥時間を基板Ｗの面内及びパネル面内でより正確に均一にすることができる。
【００５７】
図１２〜図１４は、溶媒捕集網に形成された開口の形状の他の例を説明するための平面図であり、溶媒捕集網を部分拡大して示している。
以上の例では、溶媒捕集網に形成された開口の形状は、平面視六角形であったが、この例に限られない。
例えば、図１２に示すように、開口１２０の形状は平面視円形状であってもよい。
また、図１３に示すように、開口１２０の形状は平面視四角形状、より具体的には、平面視長方形状であってもよい。
さらに、図１４に示すように、開口１２０の形状は、平面視三角形状、より具体的には、平面視正三角形状であってもよい。
【００５８】
また、溶媒捕集網に形成された開口の平面視形状は、六角形、円形、四角形及び三角形のいずれか２以上の組み合わせであってもよい。
【００５９】
なお、以上の説明では、溶媒捕集網において、区画された領域毎に開口率が異なっており、これにより、区画された領域毎に平面視における単位面積当たりの熱容量が異なっていた。これに代えて、溶媒捕集網において、区画された領域毎に板厚を異ならせ、これにより、区画された領域毎に平面視における単位面積当たりの熱容量が異ならせるようにしてもよい。
また、溶媒捕集網において、区画された領域毎に開口率と板厚の両方を異ならせるようにしてもよい。
【００６０】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００６１】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板上に塗布された溶液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板から気化した前記溶液中の溶媒を一時的に捕集する溶媒捕集部を備え、
前記溶媒捕集部は、
前記基板に対向するように配設され、
複数の領域に区画され、
前記複数の領域それぞれに開口が形成され、
前記複数の領域それぞれの単位面積当たりの熱容量が、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている、減圧乾燥装置。
前記（１）によれば、基板上の溶液の乾燥時間を基板面内で均一にすることができる。
【００６２】
（２）前記溶媒捕集部は、前記複数の領域それぞれの開口率が、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている、前記（１）に記載の減圧乾燥装置。
【００６３】
（３）前記溶媒捕集部は、前記複数の領域それぞれの厚さが、当該領域と対向する基板の部分に応じて異なるように形成されている、前記（１）または（２）に記載の減圧乾燥装置。
【００６４】
（４）前記溶媒捕集部は、基板角部と対向する領域と、基板中央部と対向する領域とに区画されている、前記（１）〜（３）のいずれか１に記載の減圧乾燥装置。
前記（４）によれば、乾燥処理対象の基板が、基板１枚全体で１枚のパネルとして使用されるものである場合に、基板上の溶液の乾燥時間を基板面内で均一にすることができる。
【００６５】
（５）前記基板は、乾燥後に複数のパネルに分割されるものであり、
前記溶媒捕集部は、
前記基板におけるパネル角部に相当する部分と対向する領域と、
前記基板におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域とに、区画されている、前記（１）〜（３）のいずれか１に記載の減圧乾燥装置。
前記（５）によれば、乾燥処理対象の基板が、基板１枚を複数枚のパネルに分割して使用されるものである場合に、基板上の溶液の乾燥時間をパネル面内で均一にすることができる。
【００６６】
（６）前記基板は、乾燥後に複数のパネルに分割されるものであり、
前記溶媒捕集部は、
基板中央部におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域と、
基板中央部におけるパネル角部に相当する部分または基板角部におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域と、
基板角部におけるパネル角部に相当する部分と対向する領域と、に区画されている、前記（１）〜（３）のいずれか１に記載の減圧乾燥装置。
前記（６）によれば、乾燥処理対象の基板が、基板１枚を複数枚のパネルに分割して使用されるものである場合に、基板上の溶液の乾燥時間を基板面内で均一且つパネル面内で均一にすることができる。
【００６７】
（７）当該減圧乾燥装置は、
前記溶媒捕集部を複数備え、
前記基板は、乾燥後に複数のパネルに分割されるものであり、
複数の前記溶媒捕集部は、
積層されて配設され、
基板角部と対向する領域と、基板中央部と対向する領域とに、区画された前記溶媒捕集部と、前記基板におけるパネル角部に相当する部分と対向する領域と、前記基板におけるパネル中央部に相当する部分と対向する領域とに、区画された前記溶媒捕集部とを含む、前記（１）〜（３）のいずれか１に記載の減圧乾燥装置。
前記（７）によれば、乾燥処理対象の基板が、基板１枚を複数枚のパネルに分割して使用されるものである場合に、基板上の溶液の乾燥時間を基板面内で均一且つパネル面内で均一にすることができる。
【００６８】
（８）前記開口の平面視形状は、六角形、円形、四角形及び三角形のいずれか１つ、またはいずれか２以上の組み合わせである、前記（１）〜（７）のいずれか１に記載の減圧乾燥装置。
【符号の説明】
【００６９】
１                    減圧乾燥装置
４０、１００、１１０  溶媒捕集網
４１、４２、１２０    開口
Ｗ                    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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