(57)【要約】      （修正有）【課題】表示品位の劣化を抑制した表示装置を提供する。【解決手段】表示装置において、共通電極ＣＯＭＬは、第１方向Ｄｘに隣り合う第１共通電極と第２共通電極とを備え、これら一対の共通電極の間には第２方向Ｄｙに延びる電極間スリットＳＬＴＩが設けられている。画素電極は、第１共通電極に重畳する第１画素電極と、第２共通電極に重畳する第２画素電極とを備え、第１画素電極は第１信号線ＳＧＬから画素信号が供給され、第２画素電極は第２信号線ＳＧＬから画素信号が供給される。これら一対の第１画素電極と第２画素電極とは平面視で電極間スリットを介して隣り合って設けられており、電極間スリットは、平面視で、第２信号線と重畳しており、表示動作において、第２信号線の極性は、第１画素電極の極性及び第２画素電極の極性と同じである。【選択図】図７Ａ
2020095106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１方向に延在する複数の走査線と、
前記基板の前記第１方向とは交差する第２方向に延在する複数の信号線と、
前記基板に設けられた複数の共通電極と、
前記共通電極と、平面視で重畳する複数の画素電極と、を備え、
前記共通電極は、第１方向に隣り合う第１共通電極と第２共通電極とを備え、これら一対の共通電極の間には第２方向に延びる電極間スリットが設けられており、
前記画素電極は、前記第１共通電極に重畳する第１画素電極と、前記第２共通電極に重畳する第２画素電極とを備え、前記第１画素電極は第１信号線から画素信号が供給され、前記第２画素電極は第２信号線から画素信号が供給され、これら一対の前記第１画素電極と前記第２画素電極とは平面視で前記電極間スリットを介して隣り合って設けられており、
前記電極間スリットは、平面視で、前記第２信号線と重畳しており、
表示動作において、前記第２信号線の極性は、前記第１画素電極の極性及び前記第２画素電極の極性と同じである、
表示装置。
【請求項２】
前記表示動作において、前記第１信号線の極性と前記第２信号線の極性が同じである
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
表示動作において、前記第２信号線の極性と、前記第１画素電極の極性及び前記第２画素電極の極性とは、所定の周期で反転する、
請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、前記第２共通電極に重畳する第３画素電極と第４画素電極とをさらに備え、
前記信号線は、前記第３画素電極に画素信号を供給する第３信号線と、前記第４画素電極に画素信号を供給する第４信号線とを備え、
前記第２共通電極は、前記第２方向に延びる電極内スリットを有し、
前記電極内スリットは、平面視で、前記第４信号線の１つと重畳しており、
表示動作において、前記第４信号線の極性は、前記第３画素電極の極性及び前記第４画素電極の極性と同じである、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示動作において、前記第３信号線と前記第４信号線の極性が同じである
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
表示動作において、前記第４信号線の極性と、前記第３画素電極の極性及び前記第４画素電極の極性とは、所定の周期で反転する、
請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１方向に前記第１信号線、前記第２信号線、前記第３信号線、前記第４信号線がこの順で隣り合って配置されており、前記第１信号線及び前記第２信号線が正極性であり、前記第３信号線及び前記第４信号線が負極性である、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１スリットと重畳するシールド電極を備え、前記シールド電極は、前記第２電極と同層に形成されている、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１スリットの一部と重畳する補助電極を備え、前記補助電極は、金属層で形成されている、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記共通電極は、前記第２方向に延在し、
前記第１方向及び前記第２方向とは異なる第３方向において複数の前記第１電極と対向し、かつ前記第１方向に延在して、複数の前記第１電極と容量結合する、複数の検出電極をさらに備える、
請求項１から９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
複数の前記第１電極は、行列状に配置されている、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１及び特許文献２には、表示領域に接触又は近接する物体を検出する機能を備えた表示装置が記載されている。
【０００３】
また、画像表示パネルの駆動方式として、カラム反転、ライン反転、ドット反転及びフレーム反転などの駆動方式が知られている。カラム反転は、副画素又は副画素が組み合わされた画素の隣り合う１ライン（列）が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。これにより、ドット反転の駆動方式に比較して、カラム反転の駆動方式は信号線における充放電が少なく低消費電力になることが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１５１７０２号公報
【特許文献２】特開２０１４−１３２４４６号公報
【特許文献３】特公平５−４３１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１及び特許文献２において、電極の間に、走査信号線の延在方向に延びるスリットがある。カラム反転の駆動により、正極性又は負極性に印加された走査線の電界がスリットを介して漏れると、表示品位が低下する可能性がある。
【０００６】
本発明は、表示品位の劣化を抑制した表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板の第１方向に延在する複数の走査線と、前記基板の前記第１方向とは交差する第２方向に延在する複数の信号線と、前記基板に設けられた複数の共通電極と、前記共通電極と、平面視で重畳する複数の画素電極と、を備え、前記共通電極は、第１方向に隣り合う第１共通電極と第２共通電極とを備え、これら一対の共通電極の間には第２方向に延びる電極間スリットが設けられており、前記画素電極は、前記第１共通電極に重畳する第１画素電極と、前記第２共通電極に重畳する第２画素電極とを備え、前記第１画素電極は第１信号線から画素信号が供給され、前記第２画素電極は第２信号線から画素信号が供給され、これら一対の前記第１画素電極と前記第２画素電極とは平面視で前記電極間スリットを介して隣り合って設けられており、前記電極間スリットは、平面視で、前記第２信号線と重畳しており、表示動作において、前記第２信号線の極性は、前記第１画素電極の極性及び前記第２画素電極の極性と同じである。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態１に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る表示装置の第１基板の平面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る表示装置の第２基板の平面図である。
【図５】図５は、図４に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。
【図６】図６は、実施形態１の共通電極を模式的に説明するための平面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、実施形態１の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、実施形態１の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、実施形態１の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、実施形態１の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【図９】図９は、比較例として１列ごとに異なる極性となるようにカラム反転駆動をする表示動作において、画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、実施形態１の変形例１の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、実施形態１の変形例１の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、実施形態１の変形例２の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、実施形態１の変形例２の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１の変形例３において、シールド電極を模式的に説明する断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態１の変形例４において、補助電極を模式的に説明する断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態２態に係る表示装置の第１基板の平面図である。
【図１５】図１５は、実施形態２態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図１６】図１６は、実施形態２の共通電極を模式的に説明するための平面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、実施形態２の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、実施形態２の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、実施形態２の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、実施形態２の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【図１９】図１９は、実施形態３の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
（実施形態１）
図１は、表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。表示装置１は、さらに、対向基板３に設けられたカバー部材１０１を備える。カバー部材１０１は、対向基板３の偏光板３５の上に接着層１０２を介して貼り合わされる。
【００１１】
画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、共通電極ＣＯＭＬと、偏光板６５とを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）等のスイッチング素子Ｔｒや、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図１では省略して示す）が設けられる。
【００１２】
共通電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して共通電極ＣＯＭＬの上側に設けられる画素電極である。画素電極２２は、共通電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳して配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板６５は、接着層６６を介して第１基板２１の下側に設けられる。画素電極２２及び共通電極ＣＯＭＬには、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、本実施形態では、画素電極２２が共通電極ＣＯＭＬの上側に設けられる例について説明したが、共通電極ＣＯＭＬが画素電極２２の上側に設けられていてもよい。
【００１３】
また、第１基板２１には、集積回路１９と、フレキシブル基板７２が設けられる。集積回路１９は、制御部として機能する。
【００１４】
なお、本開示において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向からみた場合を示す。
【００１５】
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、検出電極ＴＤＬと、保護層３８と、接着層３９と、偏光板３５とを有する。検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。検出電極ＴＤＬは、表示領域に接触又は近接する物体に応じた静電容量の変化を検出する検出電極である。第２基板３１にはフレキシブル基板７１が接続されている。フレキシブル基板７１には、検出用ＩＣ１８が搭載されている。検出電極ＴＤＬは、端子部３６を介して、検出用ＩＣ１８に電気的に接続される。
【００１６】
検出電極ＴＤＬは、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを有している（図４参照）。さらに、検出電極ＴＤＬの上には、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを含む検出電極ＴＤＬを保護するための保護層３８が設けられている。保護層３８は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。
【００１７】
図１に示すように、第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間の空間は、シール部６１により封止される。第１基板２１、第２基板３１、及びシール部６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（In-Plane  Switching：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図１に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設される。本実施形態では、画素電極２２と共通電極ＣＯＭＬとの間に発生する横電界により、液晶層６が駆動される。
【００１８】
第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００１９】
カバー部材１０１は、画素基板２及び対向基板３を覆って設けられ、画素基板２及び対向基板３を保護する。カバー部材１０１は、例えば、ガラス基板や樹脂基板が用いられる。また、カバー部材１０１は、フィルム状の樹脂材料を用いることもできる。カバー部材１０１の平面視での外形形状は、第１基板２１及び第２基板３１よりも大きい。
【００２０】
次に表示装置１の表示動作について説明する。図３は、実施形態１に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図１参照）には、図３に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、走査線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。走査線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。
【００２１】
図３に示すように、複数の副画素ＳＰｉｘは、マトリクス状に配列されている。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と共通電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図３に示す保持容量６ｂが形成される。
【００２２】
図２に示すゲートドライバ１２は、走査線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択された走査線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、図２に示すソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。ゲートドライバ１２が走査線ＣＧＬを非選択とすると、図３に示すスイッチング素子Ｔｒのゲートがオフ状態となり、液晶素子６ａ及び保持容量６ｂに、画素信号Ｖｐｉｘに応じた電荷が蓄えられる。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【００２３】
ソースドライバ１３は、画像信号に多重化された画素信号Ｖｐｉｘを分離するために必要なスイッチ制御信号を生成し、画素信号Ｖｐｉｘとともにセレクタ回路ＳＥＬに供給する。
【００２４】
この表示動作を行う際、図２に示す駆動電極ドライバ１４は、共通電極ＣＯＭＬに対して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる直流の電圧信号である。これにより、各共通電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、駆動電極ドライバ１４は、表示領域１０ａの全ての共通電極ＣＯＭＬに対して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。また、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは、所定の周期を有する交流信号を採用することも可能である。
【００２５】
図３に示すように、ソースドライバ１３は、正極性アンプＳＩＧＡＭＰ１と、負極性アンプＳＩＧＡＭＰ２とを備える。ここで、表示動作における共通電極ＣＯＭＬの電位（表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが印加された電位）を基準電位とする。正極性アンプＳＩＧＡＭＰ１は、画素信号Ｖｐｉｘを伝送するにあたり、基準電位に対して高い電位（以下、正極性といい、（＋）で図示することがある。）の駆動電圧で信号線ＳＧＬを充電する回路である。負極性アンプＳＩＧＡＭＰ２は、画素信号Ｖｐｉｘを伝送するにあたり、基準電位に対して低い電位（以下負極性といい、（−）で図示することがある。）の駆動電圧で信号線ＳＧＬを充電する回路である。
【００２６】
セレクタ回路ＳＥＬは、ソースドライバからのスイッチ制御信号に基づいて、信号線ＳＧＬに正極性アンプＳＩＧＡＭＰ１を接続した場合、所定時間後に、信号線ＳＧＬに負極性アンプＳＩＧＡＭＰ２を接続する。あるいは、セレクタ回路ＳＥＬは、ソースドライバからのスイッチ制御信号に基づいて、信号線ＳＧＬに負極性アンプＳＩＧＡＭＰ２を接続した場合、所定時間後に、信号線ＳＧＬに正極性アンプＳＩＧＡＭＰ１を接続する。これにより、１つの信号線ＳＧＬでは、正極性と負極正とが所定の周期で反転する。
【００２７】
図１に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図３に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【００２８】
次に、共通電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬの構成と、静電容量の検出動作について説明する。図２は、実施形態１に係る表示装置の第１基板の平面図である。図４は、実施形態１に係る表示装置の第２基板の平面図である。図５は、図４に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。
【００２９】
図２に示すように、第１基板２１は、表示領域１０ａと、周辺領域１０ｂとに対応する領域が形成されている。周辺領域１０ｂは、表示領域１０ａの外側の領域である。集積回路１９は第１基板２１の周辺領域１０ｂに搭載されている。集積回路１９は、駆動電極ドライバ１４、ソースドライバ１３の機能の一部等、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。なお、周辺領域１０ｂは表示領域１０ａを囲っていてもよく、その場合は、周辺領域１０ｂは額縁領域ともいえる。
【００３０】
ゲートドライバ１２、マルチプレクサ等のソースドライバ１３の残りの部分は、ガラス基板である第１基板２１に形成される。なお、集積回路１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵せず、第１基板２１基板上に配置されていてもよい。駆動電極ドライバ１４が表示用ＩＣに内蔵されている場合、周辺領域１０ｂを狭くすることが可能である。フレキシブル基板７２は、集積回路１９と接続されており、フレキシブル基板７２を介して、外部から映像信号や、電源電圧が集積回路１９に供給される。
【００３１】
図２に示すように、第１基板２１の表示領域１０ａに重畳する領域に複数の共通電極ＣＯＭＬが設けられている。複数の共通電極ＣＯＭＬは、それぞれ、表示領域１０ａの長辺に沿った方向（第２方向Ｄｙ）に延出しており、表示領域１０ａの短辺に沿った方向（第１方向Ｄｘ）において、間隔を設けて配列されている。複数の共通電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。後述するが、第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙの平面に垂直な、厚み方向である。
【００３２】
本実施形態において、共通電極ＣＯＭＬは、走査線ＧＣＬと交差する方向に延出する。言い換えると、共通電極ＣＯＭＬは、信号線ＳＧＬと平行な方向に延出する。これにより、共通電極ＣＯＭＬに接続される配線や駆動電極ドライバ１４を、集積回路内に形成することができる。具体的には、例えば、図２に示すように、ゲートドライバ１２は周辺領域１０ｂの長辺に設けられ、駆動電極ドライバ１４及びソースドライバ１３は、周辺領域１０ｂの短辺のうち、フレキシブル基板７２が接続された辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１は、共通電極ＣＯＭＬに沿った部分の周辺領域１０ｂの狭額縁化に有利である。
【００３３】
図４に示すように、表示部１０において、第２基板３１の表示領域１０ａと重畳する領域に複数の検出電極ＴＤＬが設けられている。複数の検出電極ＴＤＬは、それぞれ、図２に示す共通電極ＣＯＭＬの延出方向と交差する方向（第１方向Ｄｘ）に延出している。また、図４に示すように、複数の検出電極ＴＤＬは、共通電極ＣＯＭＬの延出方向（第２方向Ｄｙ）において間隔ＳＰを設けて配列されている。つまり、複数の共通電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとは、平面視で交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。
【００３４】
表示装置１は、検出動作の際に、駆動電極ドライバ１４から共通電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｄｅｔを順次印加することにより、１検出ラインずつ順次走査を行う。つまり、表示部１０は、センシングの走査を、表示部１０の一辺に沿った第１方向Ｄｘと平行に行う。
【００３５】
そして、検出電極ＴＤＬは、検出部４０に検出信号を出力する。これにより、１検出ブロックの静電容量検出が行われるようになっている。つまり、共通電極ＣＯＭＬは、上述した特許文献２で示した相互静電容量の検出において、駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応する（特許文献２の図４）。互いに交差した検出電極ＴＤＬ及び共通電極ＣＯＭＬは、静電容量式タッチセンサをマトリクス状に構成している。よって、検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触又は近接が生じた位置の検出が可能となっている。ここに、本開示の一部を構成するものとして、特開２０１４−１３２４４６号公報の内容が援用される。
【００３６】
表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、検出動作（検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。
【００３７】
なお、本実施形態において、共通電極ＣＯＭＬは、画素電極２２に対して、共通電極としても機能するので、表示動作期間においては、全部の共通電極ＣＯＭＬに、表示用の共通電極電位である表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが駆動電極ドライバ１４を介して供給される。
【００３８】
検出期間に共通電極ＣＯＭＬを用いず、検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、自己静電容量の検出原理に基づいて静電容量の検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、検出電極ＴＤＬに検出用の駆動信号Ｖｄｅｔを供給してもよい。
【００３９】
図４及び図５に示すように、本実施形態の検出電極ＴＤＬは、複数の第１細線３３Ｕ及び複数の第２細線３３Ｖを有している。第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。第１細線３３Ｕは第１方向Ｄｘと第１の角度をなし、第２細線３３Ｖは第１方向Ｄｘと第２の角度をなす。
【００４０】
複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、それぞれ導電性を有する細幅の金属配線である。表示領域１０ａにおいて、複数の第１細線３３Ｕは、すなわち第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置される。また、複数の第２細線３３Ｖは、第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置されている。
【００４１】
検出電極ＴＤＬは、少なくとも１つの第１細線３３Ｕと、第１細線３３Ｕと交差する少なくとも１つの第２細線３３Ｖと、を含む。第１細線３３Ｕと、第２細線３３Ｖとは、接続部３３Ｘで電気的に接続されている。複数の第１細線３３Ｕと、複数の第２細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、検出電極ＴＤＬの１つの網目の形状が平行四辺形となる。
【００４２】
複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖの延出方向の両端は、周辺領域１０ｂに配置された接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。検出電極ＴＤＬの主検出部である第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、細線３３ａを介して接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。これにより、複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。
【００４３】
第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。又は、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成される。
【００４４】
図５に示すように、検出電極ＴＤＬは、センサ部ＴＤＬｓと、ダミー部ＴＤＬｄとを含む。センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに交互に配置されている。センサ部ＴＤＬｓは、図４に示す接続配線３４ａ、３４ｂに接続され、主として検出電極として機能する。ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓ及び接続配線３４ａ、３４ｂと電気的に離隔して設けられる。ダミー部ＴＤＬｄは、検出電極として機能しないダミー電極である。
【００４５】
センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、上述した第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを含み、互いに類似したメッシュ状の構成である。これにより、表示領域１０ａにおける透光率のばらつきを抑制して、良好な視認性を得ることができる。センサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとは、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖに設けられたスリットＳＬＭにより、電気的に離隔される。ダミー部ＴＤＬｄの１つの網目を構成する第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖに、それぞれ、スリットＳＬＭが設けられている。このような構成により、静電容量の検出において、ダミー部ＴＤＬｄは、電圧信号が供給されず電位が固定されないフローティング状態となる。
【００４６】
図４に示すように、複数の接続配線３４ａには、それぞれ第１配線３７ａが接続される。また複数の接続配線３４ｂには、それぞれ第２配線３７ｂが接続される。つまり、本実施形態において、検出電極ＴＤＬの一端側に第１配線３７ａが接続され、他端側に第２配線３７ｂが接続される。第１配線３７ａは、周辺領域１０ｂの長辺の一方に沿って設けられる。また、第２配線３７ｂは、周辺領域１０ｂの長辺の他方に沿って設けられる。
【００４７】
１つの検出電極ＴＤＬに接続された第１配線３７ａと第２配線３７ｂとは、一つの端子部３６に接続される。つまり、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６は、ループ状に接続される。検出電極ＴＤＬは、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６を介してフレキシブル基板７１と接続される。 
【００４８】
なお、１つの検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａ又は第２配線３７ｂのいずれか一方が接続される構成であってもよい。また、検出電極ＴＤＬは、メッシュ状の金属細線に限定されず、例えば、ジグザグ線状あるいは、波線状の金属細線を複数含む構成であってもよい。図５では、１つの検出電極ＴＤＬに含まれるセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄを示したが、検出電極ＴＤＬ同士の間隔ＳＰにダミー電極を配置してもよい。
【００４９】
次に共通電極ＣＯＭＬについて説明する。図６は、実施形態１の共通電極を模式的に説明するための平面図である。なお、図６は、３つの共通電極ＣＯＭＬを拡大して示している。
【００５０】
隣り合う共通電極ＣＯＭＬの間には、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴ（電極間スリット）が設けられる。各共通電極ＣＯＭＬの内部には、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴＩ（電極内スリット）が設けられる。スリットＳＬＴＩは、スリットＳＬＴを不可視化するためのダミースリットと呼ばれる。このため、スリットＳＬＴＩの第２方向Ｄｙ端部は、導電性材料で接続されている。２つのスリットＳＬＴＩ間の距離と、スリットＳＬＴＩとスリットＳＬＴとの距離が同じであると、スリットＳＬＴが目立ちにくくなる。スリットＳＬＴの第１方向Ｄｘの幅は、１μｍ以上５μｍ以下程度である。同様に、スリットＳＬＴＩの第１方向Ｄｘの幅は、１μｍ以上５μｍ以下程度である。
【００５１】
図７Ａは、実施形態１の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。図７Ｂは、実施形態１の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。図８Ａは、実施形態１の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。図８Ａは、図７ＡのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’断面の模式図である。図８Ｂは、実施形態１の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。
【００５２】
本実施形態では、信号線ＳＧＬは、図７Ａ、図７Ｂに示す第１方向Ｄｘ右側の画素電極２２（図８Ａ、図８Ｂ参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する。実際には、図３に示すように、画素信号Ｖｐｉｘは、スイッチング素子Ｔｒを介して、信号線ＳＧＬから、図７Ａ、図７Ｂに示す第１方向Ｄｘ右側の画素電極２２に供給される。ここで図７Ａ、図７Ｂでは、スイッチング素子Ｔｒの図示が省略されている。そして、表示動作中は、図７Ａに示す第１駆動状態と、図７Ｂに示す第２駆動状態とが所定の周期で交互に生じている。
【００５３】
図９は、比較例として１列ごとに異なる極性となるようにカラム反転駆動をする表示動作において、画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。なお、図８Ａ、図８Ｂ及び図９において、第１絶縁層２４ａと、第２絶縁層２４ｂとが積層され、絶縁層２４となっている。１列ごとに異なる極性となるようにカラム反転駆動すると、信号線ＳＧＬは、正極性の駆動と、負極性の駆動とが第１方向Ｄｘに交互に並ぶことになる。なお、第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙの平面に垂直な方向である。
【００５４】
比較例のスリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、一方が正極性で駆動され、他方が負極性で駆動される。ここで、信号線ＳＧＬの電界がスリットＳＬＴを介して画素電極側に漏れる。これにより、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬと同じ極性で駆動される画素電極２２と当該信号線ＳＧＬとの間の電界分布と、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬと異なる極性で駆動される画素電極２２と当該信号線ＳＧＬとの間の電界分布とに差が生じる。
【００５５】
同様に、比較例のスリットＳＬＴＩに近接する画素電極２２は、一方が正極性で駆動され、他方が負極性で駆動される。ここで、信号線ＳＧＬの電界がスリットＳＬＴＩを介して漏れる。スリットＳＬＴＩと重畳する信号線ＳＧＬと同じ極性で駆動される画素電極２２と当該信号線ＳＧＬとの間の電界分布と、スリットＳＬＴＩと重畳する信号線ＳＧＬと異なる極性で駆動される画素電極２２と当該信号線ＳＧＬとの間の電界分布とに差が生じる。
【００５６】
比較例で生じる電界分布の差が液晶層に電気的対流を形成し、その結果、液晶層６（図１参照）中に存在するイオンが一部に集積してしまう可能性がある。そして、イオンが集積した部分と、イオンが集積していない部分との差が表示品位の低下として視認されてしまう可能性がある。
【００５７】
これに対して、実施形態１の表示装置１は、図７Ａ及び図８Ａに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬが負極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、両方とも負極性で駆動される。ここで、信号線ＳＧＬの電界がスリットＳＬＴを介して漏れても、スリットＳＬＴと隣接する画素電極２２は、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬと同じ極性で駆動される。
【００５８】
実施形態１の表示装置１は、反転駆動して、図７Ｂ及び図８Ｂに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬが正極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、両方とも正極性で駆動される。
【００５９】
以上説明したように、実施形態１の表示装置１は、第１基板２１と、複数の走査線ＧＣＬと、複数の信号線ＳＧＬと、共通電極ＣＯＭＬと、画素電極２２とを備える。走査線ＧＣＬは、第１基板２１の第１方向Ｄｘに延在する。信号線ＳＧＬは、第１基板２１の第１方向Ｄｘとは交差する第２方向Ｄｙに延在する。共通電極ＣＯＭＬが第１基板２１に設けられ、画素電極２２は、共通電極ＣＯＭＬと、平面視で重畳する。隣り合う共通電極ＣＯＭＬの間であり、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴ（第１スリット）は、平面視で、信号線ＳＧＬの１つと重畳する。そして、表示動作において、スリットＳＬＴに重なる信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性は、当該スリットＳＬＴの第１方向Ｄｘに隣接する２つの画素電極２２の駆動電圧の極性と同じである。
【００６０】
このように、実施形態１の表示装置１において、スリットＳＬＴを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、スリットＳＬＴの周辺では、イオンの集積が生じにくい。実施形態１の表示装置１は、表示品位の劣化を抑制できる。
【００６１】
共通電極ＣＯＭＬの内部には、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴＩ（第２スリット）を有している。スリットＳＬＴＩは、平面視で、信号線ＳＧＬの１つと重畳している。そして、表示動作において、スリットＳＬＴＩに重なる信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性は、当該スリットＳＬＴＩに隣接する２つの画素電極２２の駆動電圧の極性と同じである。
【００６２】
実施形態１の表示装置１において、スリットＳＬＴＩを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴＩと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、スリットＳＬＴＩの周辺では、イオンの集積が生じにくい。実施形態１の表示装置１は、表示品位の劣化を抑制できる。
【００６３】
表示動作において、スリットＳＬＴに重なる信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性と、当該スリットＳＬＴに隣接する２つの画素電極２２の極性とは、所定の周期で反転する。また、スリットＳＬＴＩに重なる信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性と、当該スリットＳＬＴＩに隣接する２つの画素電極２２の極性とは、所定の周期で反転する。これにより、液晶層６のいわゆる焼き付きと呼ばれる表示不良を抑制できる。
【００６４】
図７Ａ又は図７Ｂに示すように、第１方向Ｄｘに並ぶ４つの信号線ＳＧＬのうち、２つの隣り合う信号線ＳＧＬの駆動電圧が正極性であり、２つの隣り合う信号線ＳＧＬの駆動電圧が負極性である。これにより、極性の反転による充放電が少なく、表示装置１は、低消費電力化される。
【００６５】
また、第１方向Ｄｘに並ぶ４つの信号線ＳＧＬのうち、２つの信号線ＳＧＬが、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳する。また、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳する２つの信号線ＳＧＬが、第１方向Ｄｘに隣接している。そして、スリットＳＬＴと、スリットＳＬＴＩとの間にある信号線ＳＧＬは、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳する。共通電極ＣＯＭＬで覆われた信号線ＳＧＬからの電界は、画素電極２２に到達しにくい。このため、共通電極ＣＯＭＬで覆われた信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性と、当該信号線ＳＧＬに隣接する画素電極２２の駆動電圧の極性とが異なっても、表示品位の低下は抑制される。
【００６６】
共通電極ＣＯＭＬは、第２方向Ｄｙに延在している。表示装置１は複数の検出電極ＴＤＬを備え、これら複数の検出電極ＴＤＬは、第３方向Ｄｚ方向（厚み方向）において複数の共通電極ＣＯＭＬと対向し、かつ第１方向Ｄｘに延在して、複数の共通電極ＣＯＭＬと容量結合する。これにより、表示装置１は、表示領域に接触又は近接する物体を検出することができる。
【００６７】
（実施形態１の変形例１）
図１０Ａは、実施形態１の変形例１の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。図１０Ｂは、実施形態１の変形例１の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。ここで図１０Ａ、図１０Ｂでは、スイッチング素子Ｔｒの図示が省略されている。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００６８】
表示動作中は、図１０Ａに示す第１駆動状態と、図１０Ｂに示す第２駆動状態とが所定の周期で交互に生じている。実施形態１の変形例１では、第１方向Ｄｘにおいて、スリットＳＬＴと、スリットＳＬＴＩの間には、２つの副画素がある。また、第１方向Ｄｘにおいて、隣り合うスリットＳＬＴＩの間には、２つの副画素がある。
【００６９】
また、第１方向Ｄｘに並ぶ４つの信号線ＳＧＬのうち、２つの信号線ＳＧＬが、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳する。そして、スリットＳＬＴと、スリットＳＧＬＩとの間にある信号線ＳＧＬは、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳する。言い換えると、平面視で、共通電極ＣＯＭＬと重畳する２つの信号線ＳＧＬが、スリットＳＬＴ又はスリットＳＧＬＩと平面視で重畳する信号線ＳＧＬに隣接している。共通電極ＣＯＭＬで覆われた信号線ＳＧＬからの電界は、画素電極２２に到達しにくい。このため、共通電極ＣＯＭＬで覆われた信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性と、当該信号線ＳＧＬに隣接する画素電極２２の駆動電圧の極性とが異なっても、表示品位の低下は抑制される。
【００７０】
実施形態１の表示装置１は、反転駆動して、図１０Ａに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬが正極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、両方とも正極性で駆動される。このため、スリットＳＬＴを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、駆動電圧の極性が反転しても、スリットＳＬＴの周辺では、イオンの集積が生じにくい。
【００７１】
実施形態１の表示装置１は、反転駆動して、図１０Ｂに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬが負極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、両方とも負極性で駆動される。このため、スリットＳＬＴを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、駆動電圧の極性が反転しても、スリットＳＬＴの周辺では、イオンの集積が生じにくい。
【００７２】
（実施形態１の変形例２）
図１１Ａは、実施形態１の変形例２の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。図１１Ｂは、実施形態１の変形例２の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。ここで図１１Ａ、図１１Ｂでは、スイッチング素子Ｔｒの図示が省略されている。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００７３】
表示動作中は、図１１Ａに示す第１駆動状態と、図１１Ｂに示す第２駆動状態とが所定の周期で交互に生じている。実施形態１の変形例２では、スリットＳＬＴＩがない。
【００７４】
実施形態１の表示装置１は、反転駆動して、図１１Ａに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬが負極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、両方とも負極性で駆動される。このため、スリットＳＬＴを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、駆動電圧の極性が反転しても、スリットＳＬＴの周辺では、イオンの集積が生じにくい。
【００７５】
実施形態１の表示装置１は、反転駆動して、図１１Ｂに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬが正極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴに隣接する画素電極２２は、両方とも正極性で駆動される。このため、スリットＳＬＴを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、駆動電圧の極性が反転しても、スリットＳＬＴの周辺では、イオンの集積が生じにくい。
【００７６】
（実施形態１の変形例３）
図１２は、実施形態１の変形例３において、シールド電極を模式的に説明する断面図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００７７】
図１２に示すように、シールド電極２２Ｓは、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴと重畳する。図示を省略するが、シールド電極２２Ｓは、平面視でみると、スリットＳＬＴ又はスリットＳＬＴＩと沿う方向に延びている。シールド電極２２Ｓは、第１方向Ｄｘに隣り合う画素電極２２の間にあり、画素電極２２と同層に形成されている。シールド電極２２Ｓには、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。シールド電極２２Ｓには、表示動作中において、例えば共通電極ＣＯＭＬと同じ電圧が印加されている。これにより、シールド電極２２Ｓは、信号線ＳＧＬの電界がスリットＳＬＴ又はスリットＳＬＴＩを介して漏れることを抑制する。
【００７８】
（実施形態１の変形例４）
図１３は、実施形態１の変形例４において、補助電極を模式的に説明する断面図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００７９】
図１３に示すように、補助電極ＭＬは、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴ又はスリットＳＬＴＩの一部と重畳する。補助電極ＭＬは、共通電極ＣＯＭＬの上に形成され、共通電極ＣＯＭＬと電気的に接続されている。補助電極ＭＬは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。補助電極ＭＬには、表示動作中において、例えば共通電極ＣＯＭＬと同じ電圧が印加されている。補助電極ＭＬは、共通電極ＣＯＭＬよりも単位面積あたりのシート抵抗値が小さい。これにより、表示動作時においては、複数の共通電極ＣＯＭＬの電圧が一定になりやすい。また、静電容量の検出動作において、駆動信号の時定数を小さくすることができる。そして、共通電極ＣＯＭＬを駆動する駆動信号の周波数に高い周波数を使用することができる。その結果、表示装置１は、静電容量の検出の精度が高まる。
【００８０】
（実施形態２）
図１４は、実施形態２態に係る表示装置の第１基板の平面図である。図１５は、実施形態２態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１６は、実施形態２の共通電極を模式的に説明するための平面図である。図１７Ａは、実施形態２の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。図１７Ｂは、実施形態２の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する平面図である。図１８Ａは、実施形態２の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。図１８Ｂは、実施形態２の表示動作において、第２駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。ここで図１７Ａ、図１７Ｂでは、スイッチング素子Ｔｒの図示が省略されている。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００８１】
図１４に示すように、本実施形態の表示装置１において、共通電極ＣＯＭＬＡは、第１基板２１の表示領域１０ａに行列状に複数配置される。言い換えると、共通電極ＣＯＭＬＡは、第１方向Ｄｘに複数配列されるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。１つの共通電極ＣＯＭＬＡに重畳して、複数の画素電極２２が配列される。なお、図１４では、一部の共通電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２を示しているが、共通電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２は、表示領域１０ａの全領域に行列状に配置される。
【００８２】
共通電極ＣＯＭＬＡは、それぞれ配線３７を介して駆動電極ドライバ１４に接続される。表示動作において、駆動電極ドライバ１４は、セレクタ回路ＴＳＥＬを介して全ての共通電極ＣＯＭＬＡに表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、静電容量の検出において、駆動電極ドライバ１４は、セレクタ回路ＴＳＥＬを介して共通電極ＣＯＭＬＡに対して、同時又は順次に駆動信号Ｖｄｅｔを供給する。共通電極ＣＯＭＬＡは、共通電極ＣＯＭＬＡの静電容量変化に応じた検出信号を集積回路１９に出力する。各共通電極ＣＯＭＬＡからの検出信号に基づいて、検出面の静電容量の検出が行われる。つまり、共通電極ＣＯＭＬＡは、表示動作の際に共通電極として機能するとともに、自己静電容量の検出の際に検出電極として機能する。
【００８３】
図１８Ａに示すように、配線３７は、共通電極ＣＯＭＬＡと絶縁層２４ｂを介して異なる層に設けられ、平面視で共通電極ＣＯＭＬＡ及びスリットＳＬＴＹと重畳して設けられる。
【００８４】
隣り合う共通電極ＣＯＭＬＡの間には、第１方向Ｄｘに延びるスリットＳＬＴＸが設けられる。隣り合う共通電極ＣＯＭＬＡの間には、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴＹが設けられる。各共通電極ＣＯＭＬＡの内部には、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴＩが設けられる。スリットＳＬＴＩは、スリットＳＬＴＹを不可視化するためのダミースリットと呼ばれる。このため、スリットＳＬＴＩの第２方向Ｄｙ端部は、導電性材料で接続されている。２つのスリットＳＬＴＩ間の距離と、スリットＳＬＴＩとスリットＳＬＴＹとの距離が同じであると、スリットＳＬＴＹが目立ちにくくなる。スリットＳＬＴＹの第１方向Ｄｘの幅は、１μｍ以上５μｍ以下程度である。同様に、スリットＳＬＴＩの第１方向Ｄｘの幅は、１μｍ以上５μｍ以下程度である。
【００８５】
実施形態２の表示装置１は、図１７Ａ及び図１８Ａに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴＹと重畳する信号線ＳＧＬが負極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴＹに隣接する画素電極２２は、両方とも負極性で駆動される。ここで、信号線ＳＧＬの電界がスリットＳＬＴＹを介して漏れても、スリットＳＬＴＹと隣接する画素電極２２は、スリットＳＬＴＹと重畳する信号線ＳＧＬと同じ極性で駆動される。このため、スリットＳＬＴＹを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴＹと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、スリットＳＬＴＹの周辺では、イオンの集積が生じにくい。
【００８６】
実施形態２の表示装置１は、反転駆動して、図１７Ｂ及び図１８Ｂに例示するように、第３方向ＤｚにみてスリットＳＬＴＹと重畳する信号線ＳＧＬが正極性の駆動電圧で駆動されている。スリットＳＬＴＹに隣接する画素電極２２は、両方とも正極性で駆動される。このため、スリットＳＬＴＹを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴＹと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、駆動電圧の極性が反転しても、スリットＳＬＴの周辺では、イオンの集積が生じにくい。
【００８７】
以上説明したように、実施形態２の表示装置１は、第１基板２１と、複数の走査線ＧＣＬと、複数の信号線ＳＧＬと、共通電極ＣＯＭＬＡと、画素電極２２とを備える。走査線ＧＣＬは、第１基板２１の第１方向Ｄｘに延在する。信号線ＳＧＬは、第１基板２１の第１方向Ｄｘとは交差する第２方向Ｄｙに延在する。共通電極ＣＯＭＬＡが第１基板２１に設けられ、画素電極２２は、共通電極ＣＯＭＬＡと、平面視で重畳する。隣り合う共通電極ＣＯＭＬＡの間であり、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴＹ（第１スリット）は、平面視で、信号線ＳＧＬの１つと重畳する。そして、表示動作において、スリットＳＬＴＹに重なる信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性は、当該スリットＳＬＴＹの第１方向Ｄｘに隣接する２つの画素電極２２の駆動電圧の極性と同じである。
【００８８】
このように、実施形態２の表示装置１において、スリットＳＬＴＹを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴＹと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、スリットＳＬＴＹの周辺では、イオンの集積が生じにくい。実施形態２の表示装置１は、表示品位の劣化を抑制できる。
【００８９】
共通電極ＣＯＭＬの内部には、第２方向Ｄｙに延びるスリットＳＬＴＩ（第２スリット）を有している。スリットＳＬＴＩは、平面視で、信号線ＳＧＬの１つと重畳している。そして、表示動作において、スリットＳＬＴＩに重なる信号線ＳＧＬの駆動電圧の極性は、当該スリットＳＬＴＩに隣接する２つの画素電極２２の駆動電圧の極性と同じである。
【００９０】
実施形態２の表示装置１において、スリットＳＬＴＩを挟んで隣り合う画素電極２２は、スリットＳＬＴＩと重畳する信号線ＳＧＬに対して同程度の電界分布を生じる。これにより、スリットＳＬＴＩの周辺では、イオンの集積が生じにくい。実施形態２の表示装置１は、表示品位の劣化を抑制できる。
【００９１】
（実施形態３）
図１９は、実施形態３の表示動作において、第１駆動状態の画素電極及び信号線の極性を模式的に説明する断面図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００９２】
実施形態３では、実施形態１のようにゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、ガラス基板である第１基板２１に形成されるのではなく、上述したフレキシブル基板７２を介して、第１基板２１とは別の場所に配置されていてもよい。例えば、図１９のように、第１基板２１とは別の場所に配置された駆動電極ドライバ１４が、シールド電極２２Ｓに、表示動作中において、例えば共通電極ＣＯＭＬと同じ電圧を印加する。これにより、シールド電極２２Ｓは、信号線ＳＧＬの電界がスリットＳＬＴ又はスリットＳＬＴＩを介して漏れることを抑制する。
【００９３】
以上、本開示の好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。
【００９４】
例えば、実施形態１の変形例１から４の態様は、実施形態２又は実施形態３の表示装置１の態様に適用してもよい。
【００９５】
例えば、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の面と平行としたが、第１基板２１の面が湾曲していてもよい。この場合、表示装置１が最大面積でみる方向からみて、所定の方向が第１方向となり、その第１方向と交差する方向が第２方向となる。表示装置１が最大面積でみる方向は、第１方向及び第２方向に直交する第３方向が規定されればよい。
【符号の説明】
【００９６】
１  表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  表示部
１４  駆動電極ドライバ
１８  検出用ＩＣ
１９  集積回路
２１  第１基板
２２  画素電極
２２Ｓ  シールド電極
３１  第２基板
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬＡ  共通電極
ＭＬ  補助電極
ＳＥＬ  セレクタ回路
ＳＧＬ  信号線
ＳＬＴ、ＳＬＴＩ、ＳＬＴＸ、ＳＬＴＹ  スリット
ＴＤＬ  検出電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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