(57)【要約】【課題】反射特性を１０ＧＨｚ以上の高周波領域でも改善することを可能とする。【解決手段】終端器４０において、信号電極４１−１と４１−２との間に中点電極４２−１を設け、信号電極４１−１と中点電極４２−１との間に抵抗体４４−１を接続し、信号電極４１−２と中点電極４２−１との間に抵抗体４４−２を接続し、ＧＮＤ電極４３−１を信号電極４１−１を挾んで抵抗体４４−１が設けられている側とは反対側に設け、ＧＮＤ電極４３−２を信号電極４１−２を挾んで抵抗体４４−２が設けられている側とは反対側に設け、信号電極４１−１と中点電極４２−１との間、信号電極４１−２と中点電極４２−１との間、信号電極４１−１とＧＮＤ電極４３−１との間および信号電極４１−２とＧＮＤ電極４３−２との間で、終端器４０における容量を形成する。【選択図】  図２
2020052100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号の伝送線路とされる電極対と光信号の導波路とされる光導波路とを備えたマッハツェンダ変調器チップと、前記電極対の一端部に電気的に接続されるドライバＩＣと、前記電極対の他端部に電気的に接続される終端器とを備え、前記電気信号によって前記光信号を変調する光変調器モジュールにおいて、
前記終端器は、
基板と、
前記電極対の一方の電極に接続される、前記基板上に設けられた第１の信号電極と、
前記電極対の他方の電極に接続される、前記基板上に設けられた第２の信号電極と、
前記第１の信号電極と前記第２の信号電極との間の前記基板上に設けられた中点電極と、
前記基板上に設けられ、前記第１の信号電極と前記中点電極との間に接続された第１の抵抗体と、
前記基板上に設けられ、前記第２の信号電極と前記中点電極との間に接続された第２の抵抗体と、
前記第１の信号電極を挾んで前記第１の抵抗体が設けられている側とは反対側の前記基板上に設けられた第１のＧＮＤ電極と、
前記第２の信号電極を挾んで前記第２の抵抗体が設けられている側とは反対側の前記基板上に設けられた第２のＧＮＤ電極と
を備えることを特徴とする光変調器モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載された光変調器モジュールにおいて、
前記第１の信号電極および前記第２の信号電極は、
前記第１の信号電極、前記第２の信号電極、前記中点電極の並び方向を幅方向とし、この幅方向に対して直交する方向につながった第１の電極部と第２の電極部との組み合わせを備え、
前記第１の電極部の幅は、
前記第２の電極部の幅よりも狭い
ことを特徴とする光変調器モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載された光変調器モジュールにおいて、
前記第１の信号電極および前記第２の信号電極のそれぞれについて前記第１の電極部および前記第２の電極部の位置は、
前記第１の電極部の幅方向の中心の位置が前記第２の電極部の幅方向の中心の位置よりも前記中点電極側に寄っている
ことを特徴とする光変調器モジュール。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された光変調器モジュールにおいて、
前記マッハツェンダ変調器チップは、
長さが異なる前記電極対を複数備え、
前記終端器は、
前記電極対毎に設けられた前記第１の信号電極および前記第２の信号電極を備え、
前記電極対毎に設けられた前記第１の信号電極および前記第２の信号電極は、
その第１の信号電極および第２の信号電極に接続されている前記電極対の長さが長いほど前記第１の電極部と前記第２の電極部との組み合わせの数が多い
ことを特徴とする光変調器モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載された光変調器モジュールにおいて、
前記第１の信号電極および前記第２の信号電極は、
その電極の形状を調整可能な構造とされている
ことを特徴とする光変調器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号によって光信号を変調する光変調器モジュールに関し、より詳細には、終端器での反射が抑制された光変調器モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
１００ｋｍを超す長距離伝送の光通信用システムの送信器側の光変調器として、半導体マッハツェンダ変調器（以下、「ＭＺ変調器」ともいう。）の研究開発が進んでいる。このＭＺ変調器を駆動するには電気信号を増幅するためのドライバＩＣも必要となる。
【０００３】
近年、このドライバＩＣと、ＭＺ変調器が形成されたチップ（ＭＺ変調器チップ）は、小型化、広帯域化、低消費電力化の観点から、モジュール内に集積する構造が検討されている。
【０００４】
このドライバＩＣとＭＺ変調器チップとを集積したモジュール（光変調器モジュール）の内部には、ＭＺ変調器チップに形成されている進行波型電極対の出口側に、ＭＺ変調器チップの特性インピーダンスに応じた抵抗体を終端抵抗として備えた終端器を設けることが一般的である（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
図８に、従来の光変調器モジュール２００の要部を示す。この光変調器モジュール２００は、ＭＺ変調器チップ１０と、ドライバＩＣ２０と、終端器３０とを備えている。
【０００６】
ＭＺ変調器チップ１０には、電気信号の伝送線路とされる進行波型電極対１１および１２と、進行波型電極対１１および１２の伝送線路を挾むようにして設けられたＧＮＤ電極１３−１〜１３−３と、光信号の導波路とされる光導波路１６とが形成されている。
【０００７】
ＭＺ変調器チップ１０上において、光導波路１６は２つの光導波路１４，１５に分岐されており、光導波路１４は、進行波型電極対１１の電極１１−１と１１−２との間で２つの経路１４−１，１４−２に分かれ、光導波路１５は、進行波型電極対１２の電極１２−１と１２−２との間で２つの経路１５−１，１５−２に分かれている。
【０００８】
ドライバＩＣ２０は、差動増幅器２１と２２を備えており、差動増幅器２１はＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１１の一端部（入口側の端部）に電気的に接続され、差動増幅器２２はＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１２の一端部（入口側の端部）に電気的に接続されている。
【０００９】
終端器３０は、図９にその拡大図を示すように、基板３５上に設けられた、信号電極３１−１〜３１−４と、中点電極３２−１，３２−２と、ＧＮＤ電極３３−１〜３３−３と、抵抗体（薄膜抵抗体）３４−１〜３４−４とを備えている。
【００１０】
この終端器３０において、信号電極３１−１，３１−２はＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１１の電極１１−１，１１−２の他端部（出口側の端部）にワイヤによって電気的に接続されており、信号電極３１−３，３１−４はＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１２の電極１２−１，１２−２の他端部（出口側の端部）にワイヤによって電気的に接続されている。
【００１１】
また、この終端器３０において、中点電極３２−１はＧＮＤ電極３３−１と３３−２との間に設けられており、中点電極３２−２はＧＮＤ電極３３−２と３３−３との間に設けられている。また、信号電極３１−１，３１−２は中点電極３２−１の下方に設けられており、信号電極３１−３，３１−４は中点電極３２−２の下方に設けられている。
【００１２】
また、抵抗体３４−１〜３４−４は、同一の抵抗値とされており、抵抗体３４−１が信号電極３１−１と中点電極３２−１との間に、抵抗体３４−２が信号電極３１−２と中点電極３２−１との間に、抵抗体３４−３が信号電極３１−３と中点電極３２−２との間に、抵抗体３４−４が信号電極３１−４と中点電極３２−２との間に接続されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】K. Tsuzuki et. al., “0.3 Vpp single-drive push-pull InP Mach-Zehnder modulator module for 43-Gbit/s systems,” in Proc. OFC2006 OWC2.
【非特許文献２】S. Nakano et. al., “A 2.25-mW/Gb/s 80-Gb/s-PAM4 Linear Driver with a Single Supply using Stacked Current-Mode Architecture in 65-nm CMOS,” in Proc. VLSI symposium 2017 C25-3.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この光変調器モジュール２００では、１０ＧＨｚ以下の低い周波数領域では終端器３０とＭＺ変調器チップ１０とのマッチングがとれるため反射特性が十分に小さくできるが、１０ＧＨｚを超える領域では、ＭＺ変調器チップ１０の持つ容量性、インダクタンス性が強くなるため、終端器３０とのマッチングがとれなくなり、反射特性が悪化するという課題があった。
【００１５】
また、近年では、低消費電力化のためにオープンコレクタ型と呼ばれるドライバＩＣを集積したモジュールの検討も進められているが（例えば、非特許文献２参照）、オープンコレクタ型のドライバＩＣは終端器で反射された信号が入射されると全反射するため、特に、反射特性の悪化に敏感であり、周波数応答特性にリップルが発生するという課題があった。
【００１６】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、反射特性を１０ＧＨｚ以上の高周波領域でも改善することが可能な光変調器モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような目的を達成するために本発明は、電気信号の伝送線路とされる電極対（１１）と光信号の導波路とされる光導波路（１４）とを備えたマッハツェンダ変調器チップ（１０）と、前記電極対の一端部に電気的に接続されるドライバＩＣ（２０）と、前記電極対の他端部に電気的に接続される終端器（４０）とを備え、前記電気信号によって前記光信号を変調する光変調器モジュール（１００）において、前記終端器は、基板（４５）と、前記電極対の一方の電極（１１−１）に接続される、前記基板上に設けられた第１の信号電極（４１−１）と、前記電極対の他方の電極（１１−２）に接続される、前記基板上に設けられた第２の信号電極（４１−２）と、前記第１の信号電極と前記第２の信号電極との間の前記基板上に設けられた中点電極（４２−１）と、前記基板上に設けられ、前記第１の信号電極と前記中点電極との間に接続された第１の抵抗体（４４−１）と、前記基板上に設けられ、前記第２の信号電極と前記中点電極との間に接続された第２の抵抗体（４４−２）と、前記第１の信号電極を挾んで前記第１の抵抗体が設けられている側とは反対側の前記基板上に設けられた第１のＧＮＤ電極（４３−１）と、前記第２の信号電極を挾んで前記第２の抵抗体が設けられている側とは反対側の前記基板上に設けられた第２のＧＮＤ電極（４３−２）とを備えることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、第１の信号電極と中点電極との間、第２の信号電極と中点電極との間、第１の信号電極と第１のＧＮＤ電極との間、および第２の信号電極と第２のＧＮＤ電極との間で、容量が形成されるものとなり、終端器における容量成分を増やして、終端器での反射を抑制することができる。
【００１９】
なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の構成要素を、括弧を付した参照符号によって示している。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、終端器における容量成分を増やすことによって、反射特性を１０ＧＨｚ以上の高周波領域でも改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る光変調器モジュールの要部を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る光変調器モジュールにおける終端器の拡大図である。
【図３】図３は、終端器における幅狭の電極部と幅広の電極部との組み合わせを１つとした信号電極のパラメータを例示した図ある。
【図４】図４は、終端器における幅狭の電極部と幅広の電極部との組み合わせを２つとした信号電極のパラメータを例示した図である。
【図５】図５は、シミュレーションによりＥ／Ｏ応答特性（モジュール特性）を推測した結果を示す図である。
【図６】図６は、終端器における信号電極の形状の調整前の状態を示す図である。
【図７】図７は、終端器における信号電極の形状の調整後の状態を示す図である。
【図８】図８は、従来の光変調器モジュールの要部を示す図である。
【図９】図９は、従来の光変調器モジュールにおける終端器の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
図１に、本発明の実施の形態に係る光変調器モジュール１００の要部を示す。同図において、図８を参照して説明した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００２４】
この光変調器モジュール１００は、図８に示した従来の光変調器モジュール２００における終端器３０に代えて、１０ＧＨｚ以上の高周波領域でも特性がマッチングするように、最適な容量、インダクタとなるように電極パターンを設計した終端器４０を設けている。
【００２５】
終端器４０は、図２にその拡大図を示すように、基板４５上に設けられた、信号電極４１−１〜４１−４と、中点電極４２−１，４２−２と、ＧＮＤ電極４３−１〜４３−３と、抵抗体（薄膜抵抗体）４４−１〜４４−４とを備えている。
【００２６】
なお、図２において、Ｘ方向（各電極の並び方向）を各電極の幅方向、Ｙ方向（各電極の並び方向に直交する方向）を各電極の長さ方向とする。また、信号電極４１−１〜４１−４、中点電極４２−１，４２−２、ＧＮＤ電極４３−１〜４３−３の材質は金，アルミなどとされ、抵抗体４４−１〜４４−４の材質は窒化タンタル、クロムなどとされている。
【００２７】
この終端器４０において、信号電極４１−１，４１−２はＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１１の電極１１−１，１１−２の出口側の端部にワイヤによって電気的に接続されており、信号電極４１−３，４１−４はＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１２の電極１２−１，１２−２の出口側の端部にワイヤによって電気的に接続されている。
【００２８】
また、この終端器４０において、中点電極４２−１は、Ｙ方向につながった矩形状の下側中点電極部４２−１ａと上側中点電極部４２−１ｂとの組み合わせからなり、下側中点電極部４２−１ａの幅は上側中点電極部４２−１ｂの幅よりも狭くされている。
【００２９】
また、信号電極４１−１は、Ｙ方向につながった矩形状の上側信号電極部４１−１ａと下側信号電極部４１−１ｂとの組み合わせからなり、上側信号電極部４１−１ａの幅は下側信号電極部４１−１ｂの幅よりも狭くされている。
【００３０】
また、信号電極４１−２も、信号電極４１−１と同様、Ｙ方向につながった矩形状の上側信号電極部４１−２ａと下側信号電極部４１−２ｂとの組み合わせからなり、上側信号電極部４１−２ａの幅は下側信号電極部４１−２ｂの幅よりも狭くされている。
【００３１】
中点電極４２−１は、信号電極４１−１の下側信号電極部４１−１ｂ（幅広の信号電極部）と信号電極４１−２の下側信号電極部４１−２ｂ（幅広の信号電極部）との間に下側中点電極部４２−１ａ（幅狭の中点電極部）を位置させて、信号電極４１−１の上側信号電極部４１−１ａ（幅狭の信号電極部）と信号電極４１−２の上側信号電極部４１−２ａ（幅狭の信号電極部）との間に上側中点電極部４２−１ｂ（幅広の中点電極部）を位置させて、信号電極４１−１と信号電極４１−２との間に設けられている。
【００３２】
また、この終端器４０において、中点電極４２−２は、Ｙ方向につながった矩形状の１組目の下側中点電極部４２−２ａと上側中点電極部４２−２ｂとの組み合わせと、同じくＹ方向につながった矩形状の２組目の下側中点電極部４２−２ｃと上側中点電極部４２−２ｄとの組み合わせとからなり、１組目の下側中点電極部４２−２ａと２組目の下側中点電極部４２−２ｃの幅は等しく、１組目の上側中点電極部４２−２ｂと２組目の上側中点電極部４２−２ｄの幅は等しく、下側中点電極部４２−２ａ，４２−２ｃの幅は上側中点電極部４２−２ｂ，４２−２ｄの幅よりも狭くされている。
【００３３】
また、信号電極４１−３は、Ｙ方向につながった１組目の矩形状の上側信号電極部４１−３ａと下側信号電極部４１−３ｂとの組み合わせと、同じくＹ方向につながった２組目の矩形状の上側信号電極部４１−３ｃと下側信号電極部４１−３ｄとの組み合わせとからなり、１組目の上側信号電極部４１−３ａと２組目の上側信号電極部４１−３ｃの幅は等しく、１組目の下側信号電極部４１−３ｂと２組目の下側信号電極部４１−３ｄの幅は等しく、上側信号電極部４１−３ａ，４１−３ｃの幅は下側信号電極部４１−３ｂ，４１−３ｄの幅よりも狭くされている。
【００３４】
また、信号電極４１−４も、信号電極４１−３と同様、Ｙ方向につながった１組目の矩形状の上側信号電極部４１−４ａと下側信号電極部４１−４ｂとの組み合わせと、同じくＹ方向につながった矩形状の２組目の上側信号電極部４１−４ｃと下側信号電極部４１−４ｄとの組み合わせとからなり、１組目の上側信号電極部４１−４ａと２組目の上側信号電極部４１−４ｃの幅は等しく、１組目の下側信号電極部４１−４ｂと２組目の下側信号電極部４１−４ｄの幅は等しく、上側信号電極部４１−４ａ，４１−４ｃの幅は下側信号電極部４１−４ｂ，４１−４ｄの幅よりも狭くされている。
【００３５】
中点電極４２−２は、信号電極４１−３の２組目の下側信号電極部４１−３ｄ（幅広の信号電極部）と信号電極４１−４の２組目の下側信号電極部４１−４ｄ（幅広の信号電極部）との間に１組目の下側中点電極部４２−２ａ（幅狭の中点電極部）を位置させて、信号電極４１−３の２組目の上側信号電極部４１−３ｃ（幅狭の信号電極部）と信号電極４１−４の２組目の上側信号電極部４１−４ｃ（幅狭の信号電極部）との間に１組目の上側中点電極部４２−２ｂ（幅広の中点電極部）を位置させて、信号電極４１−３の１組目の下側信号電極部４１−３ｂ（幅広の信号電極部）と信号電極４１−４の１組目の下側信号電極部４１−４ｂ（幅広の信号電極部）との間に２組目の下側中点電極部４２−２ｃ（幅狭の中点電極部）を位置させて、信号電極４１−３の１組目の上側信号電極部４１−３ａ（幅狭の信号電極部）と信号電極４１−４の１組目の上側信号電極部４１−４ａ（幅狭の信号電極部）との間に２組目の上側中点電極部４２−２ｄ（幅広の中点電極部）を位置させて、信号電極４１−３と信号電極４１−４との間に設けられている。
【００３６】
また、この終端器４０において、抵抗体４４−１〜４４−４は、同一の抵抗値とされており、抵抗体４４−１が信号電極４１−１の下側信号電極部４１−１ｂと中点電極４２−１の下側中点電極部４２−１ａとの間に、抵抗体４４−２が信号電極４１−２の下側信号電極部４１−２ｂと中点電極４２−１の下側中点電極部４２−１ａとの間に、抵抗体４４−３が信号電極４１−３の２組目の下側信号電極部４１−３ｄと中点電極４２−２の１組目の下側中点電極部４２−２ａとの間に、抵抗体４４−４が信号電極４１−４の２組目の下側信号電極部４１−４ｄと中点電極４２−２の１組目の下側中点電極部４２−２ａとの間に接続されている。
【００３７】
また、ＧＮＤ電極４３−１は、信号電極４１−１を挾んで抵抗体４４−１が設けられた側とは反対側に設けられており、ＧＮＤ電極４３−２は、信号電極４１−２と信号電極４１−３との間（信号電極４１−２，４１−３を挾んでそれぞれ抵抗体４４−２，４４−３が設けられた側とは反対側）に設けられており、ＧＮＤ電極４３−３は、信号電極４１−４を挾んで抵抗体４４−４が設けられた側とは反対側に設けられている。
【００３８】
なお、この光変調器モジュール１００では、ドライバＩＣ２０をオープンコレクタ型ドライバＩＣとし、ＭＺ変調器チップ１０とドライバＩＣ２０と終端器４０のそれぞれの上面の高さが±０．１ｍｍ以内の高さ差となるようにしている。その理由は、実装機の搭載性能から、終端器４０上の信号電極４１−１〜４１−４に接続されるワイヤ始点と、ＭＺ変調器チップ１０上の電極対１１，１２に接続されるワイヤ終点の距離は最大で２８０ｕｍ程度離れる可能性があるため、ワイヤ長３００ｕｍ以下にするためには高さ±０．１ｍｍ以内が必要となるからである。
【００３９】
この光変調器モジュール１００では、信号電極４１−１と中点電極４２−１との間、信号電極４１−２と中点電極４２−１との間、信号電極４１−１とＧＮＤ電極４３−１との間、信号電極４１−２とＧＮＤ電極４３−２との間で、容量が形成される。また、信号電極４１−３と中点電極４２−２との間、信号電極４１−４と中点電極４２−２との間、信号電極４１−３とＧＮＤ電極４３−２との間、信号電極４１−４とＧＮＤ電極４３−３との間で、容量が形成される。これにより、終端器４０における容量成分が増え、終端器４０での反射が抑制されるものとなる。
【００４０】
また、この光変調器モジュール１００では、信号電極４１−１，４１−２が１つの幅狭の信号電極部（４１−１ａ，４１−２ａ）と幅広の信号電極部（４１−１ｂ，４１−２ｂ）との組み合わせからなる形状とされ、信号電極４１−３，４１−４が２つの幅狭の信号電極部（４１−３ａ，４１−４ａ、４１−３ｃ，４１−４ｃ）と幅広の信号電極部（４１−３ｂ，４１−４ｂ、４１−３ｄ，４１−４ｄ）との組み合わせからなる形状とされている。このような構造とすることで、小さな終端器の中で効率的に容量を増加させることができる。すなわち、幅狭の信号電極部と幅広の信号電極部との組み合わせを増やすほど、信号電極の外周は長くなるため、終端器における容量成分をより増やせることになる。
【００４１】
本実施の形態に係る光変調器モジュール１００では、ＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１１（伝送線路が短い電極対）と接続される信号電極４１−１，４１−２を１つの幅狭の信号電極部と幅広の信号電極部との組み合わせからなる形状とし、ＭＺ変調器チップ１０における進行波型電極対１２（伝送線路が長い電極対）に接続される信号電極４１−３，４１−４を２つの幅狭の信号電極部と幅広の信号電極部との組み合わせからなる形状としている。このように、変調器チップ１０における進行波型電極対の伝送線路の長さが長くなるのに従って、この進行波型電極対に接続される信号電極における幅狭の信号電極部と幅広の信号電極部との組み合わせの数を増やすことで、１０ＧＨｚ以上の高周波領域でも反射を抑制することが可能となる。
【００４２】
本実施の形態では、図３に示すように、終端器４０における信号電極４１−１，４１−２のパラメータをａ，ｂ，ｗ，Ｗ，Ｈ，ｈとして定めた場合、ａ＝９０ｕｍ，ｂ＝８０ｕｍ，ｗ＝５０ｕｍ，Ｗ＝２２０ｕｍ，Ｈ＝２５０ｕｍ，ｈ＝８０ｕｍとした。
【００４３】
また、図４に示すように、終端器４０における信号電極４１−３，４１−４のパラメータをａ，ｂ，ｗ，Ｗ，Ｈ１，ｈ１，Ｈ２，ｈ２として定めた場合、ａ＝９０ｕｍ，ｂ＝８０ｕｍ，ｗ＝５０ｕｍ，Ｗ＝２２０ｕｍ，Ｈ１＝５０ｕｍ，ｈ１＝１４０ｕｍ，Ｈ２＝１４０ｕｍ，ｈ２＝１１０ｕｍとした。
【００４４】
ａ＞ｂとすることで、すなわち、幅狭の信号電極部の幅方向の中心の位置Ｐ１を幅広の信号電極部の幅方向の中心の位置Ｐ２よりも中点電極側に寄せることにより、終端器のサイズを変えずに（終端器を大型化することなく）、実効的な容量を増やすことができる。また、実効的な容量を増やすことができることから、終端器の小型化も可能となる。
【００４５】
図５に、本実施の形態に係る光変調器モジュール２００（本願）と図８に示した従来の光変調器モジュール１００（従来）とについて、シミュレーションによりＥ／Ｏ応答特性（モジュール特性）を推測した結果を示す。同図において、Ｉは本願のモジュール特性を示し、IIは従来のモジュール特性を示す。この図からわかるとおり、本願のモジュール特性Ｉは従来のモジュール特性IIと比較して、終端抵抗での反射が抑制された結果、Ｅ／Ｏ応答におけるリップルが抑制されていることがわかる。
【００４６】
本結果から、終端器４０を用いた本実施の形態に係る光変調器モジュール１００は、十分に反射特性を抑制できるために、Ｅ／Ｏ応答特性のリップル抑制に効果的であることが示された。
【００４７】
なお、上述した実施の形態において、信号電極４１−１〜４１−４は、その電極の形状を調整することが可能な構造とされている。例えば、信号電極４１−１，４１−２の上側信号電極部４１−１ａ，４１−２ａの調整前の長さをｈ＝１００μｍとした場合（図６参照）、ＭＺ変調器チップ１０の反射特性の測定結果を踏まえて信号電極４１−１，４１−２の上側信号電極部４１−１ａ，４１−２ａの長さを短くトリミングすることによって（図７参照）、上側信号電極部４１−１ａ，４１−２ａの長さを例えばｈ＝５０ｕｍとすることができるような構造とされている。
【００４８】
信号電極の形状を調整する前（図６）と調整した後（図７）について反射特性を測定した。この結果、３０ＧＨｚまでの周波数領域で、調整前の終端器４０を用いた光変調器モジュール１００では、反射応答の値が最大−１０ｄＢであった。これに対して、調整後の終端器４０を用いた光変調器モジュール１００では、最大で−１１．５  ｄＢであった。本結果から、信号電極の形状の調整を行うことは、反射特性の改善に効果的であることが示された。
【００４９】
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１０…ＭＺ変調器チップ、１１，１２…進行波型電極対、１１−１，１１−２，１２−１，１２−２…電極、１３−１〜１３−３…ＧＮＤ電極、１４，１５，１６…光導波路、２０…ドライバＩＣ、４０…終端器、４１−１〜４１−４…信号電極、４１−１ａ，４１−２ａ，４１−３ａ，４１−４ａ，４１−３ｃ，４１−４ｃ…上側信号電極部（幅狭の信号電極部）、４１−１ｂ，４１−２ｂ，４１−３ｂ，４１−４ｂ，４１−３ｄ，４１−４ｄ…下側信号電極（幅広の信号電極部）、４２−１，４２−２…中点電極、４３−１〜４３−３…ＧＮＤ電極、４４−１〜４４−４…抵抗体、４５…基板、１００…光変調器モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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