(57)【要約】【課題】配線基板の反りの抑制。【解決手段】実施形態の配線基板１は、コア絶縁層５と第１面側導体層３ａ及び第２面側導体層４ａとを含むコア基板１０と、第１層間絶縁層３２と第１導体層３１とが交互に積層された第１ビルドアップ層１１と、第２層間絶縁層４２と第２導体層４１とが交互に積層された第２ビルドアップ層１２と、を備えている。第１導体層３１の層数は第２導体層４１の層数と等しく、第１面側導体層３ａ及び第１導体層３１において導体が占める面積の総和は、第２面側導体層４ａ及び第２導体層４１において導体が占める面積の総和よりも大きく、配線基板１の厚さ方向における中心線が、第１ビルドアップ層１１内又は第１面側導体層３ａ内にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層及び第２面側導体層とを含むコア基板と、
前記コア基板の第１面上に設けられて第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、
前記コア基板の第２面上に設けられて第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、
を備える配線基板であって、
前記第１ビルドアップ層の内の第１導体層の数と前記第２ビルドアップ層の内の第２導体層の数とが等しく、
前記第１面側導体層及び前記第１導体層において導体が占める面積の総和は、前記第２面側導体層及び前記第２導体層において導体が占める面積の総和よりも大きく、
前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第１ビルドアップ層内又は前記第１面側導体層内にある。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層及び前記第２導体層の内のコア基板から同順位に位置する少なくとも１つの導体層同士の下に形成される層間絶縁層について、前記第１層間絶縁層の厚さが、前記第２層間絶縁層の厚みよりも厚い。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層が同一の樹脂材料により形成されている。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１面側導体層及び前記第２面側導体層同士の導体厚みが等しく、前記第１導体層及び前記第２導体層の内のコア基板から同順位に位置する導体層同士の導体厚みが等しい。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記第２面側導体層及び／又は前記第２導体層にアンテナを構成する放射素子を有する。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１導体層を覆う第１ソルダーレジスト層と前記第２導体層を覆う第２ソルダーレジスト層とを備えている。
【請求項７】
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層及び第２面側導体層とを含むコア基板を設けることと、
前記コア基板の第１面上に、第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層を設けることと、
前記コア基板の第２面上に、第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層を設けることと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記第１ビルドアップ層を設けること及び前記第２ビルドアップ層を設けることは、同一の数の前記第１導体層及び前記第２導体層を形成することと、前記第１面側導体層及び前記第１導体層において導体が占める面積の総和を、前記第２面側導体層及び前記第２導体層において導体が占める面積の総和よりも大きくすることと、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第１ビルドアップ層内又は前記第１面側導体層内に位置するように前記コア絶縁層、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層の厚さを調整することとを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、コア基板の上下面及びコア基板の上下面に積層された絶縁層に異なる占有面積率で被着された導体層を含む、半導体素子等を搭載するための配線基板が開示されている。導体層は、コア基板を挟んで反対側の対応する導体層と比較して、占有面積率の大きい導体層の導体厚みが占有面積率の小さい導体層の導体厚みよりも薄くなるように形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３９６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の導体層を含む配線基板では、コア基板の上下面の導体層ならびにコア基板を中心とした上面側及び下面側の導体層において、導体層は絶縁層に対する占有面積率に応じてその厚みが異なって形成される。コア基板の上面及び下面で、信号線の抵抗値が合わせにくくなるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層及び第２面側導体層とを含むコア基板と、前記コア基板の第１面上に設けられて第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、前記コア基板の第２面上に設けられて第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、を備えている。そして、前記第１ビルドアップ層の内の第１導体層の数と前記第２ビルドアップ層の内の第２導体層の数とが等しく、前記第１面側導体層及び前記第１導体層において導体が占める面積の総和は、前記第２面側導体層及び前記第２導体層において導体が占める面積の総和よりも大きく、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第１ビルドアップ層内又は前記第１面側導体層内にある。
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、コア絶縁層と第１面側導体層及び第２面側導体層とを含むコア基板を設けることと、前記コア基板の第１面上に、第１層間絶縁層と前記第１層間絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層を設けることと、前記コア基板の第２面上に、第２層間絶縁層と前記第２層間絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層を設けることと、を含んでいる。そして、前記第１ビルドアップ層を設けること及び前記第２ビルドアップ層を設けることは、同一の数の前記第１導体層及び前記第２導体層を形成することと、前記第１面側導体層及び前記第１導体層において導体が占める面積の総和を、前記第２面側導体層及び前記第２導体層において導体が占める面積の総和よりも大きくすることと、前記配線基板の厚さ方向における中心線が、前記第１ビルドアップ層内又は前記第１面側導体層内に位置するように前記コア絶縁層、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層の厚さを調整することとを含んでいる。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、コア基板の第１面側に設けられている導体層と、コア基板の第２面側に設けられている導体層とのあいだで、各導体層において導体が占める面積の総和が異なっていても、配線基板の反りが抑制され得ると考えられる。また、そのような信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。
【図３Ａ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図１に示されるように、配線基板１は、第１面１０Ｆと第１面１０Ｆとは反対側の第２面１０Ｂとを有するコア基板１０と、コア基板１０の第１面上の第１ビルドアップ層１１と、コア基板１０の第２面上の第２ビルドアップ層１２とを含んでいる。２つのビルドアップ層（第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２）は、互いに同数の導体層を含んでいる。第１ビルドアップ層１１は、第１層間絶縁層３２と第１層間絶縁層３２上の第１導体層３１とが交互に積層されて形成されている。図１の例では、第１ビルドアップ層１１は、２つの第１導体層３１及び２つの第１層間絶縁層３２を含んでいる。第２ビルドアップ層１２は、第２層間絶縁層４２と第２層間絶縁層４２上の第２導体層４１とが交互に積層されて形成されている。図１の例では、第２ビルドアップ層１２は、２つの第２導体層４１及び２つの第２層間絶縁層４２を含んでいる。なお、第１及び第２のビルドアップ層内の導体層及び層間絶縁層の数はそれぞれ２つに限定されず、任意の数の、例えば１つの、又は、３もしくはそれ以上の数の導体層及び層間絶縁層が設けられてもよい。しかしながら、第１ビルドアップ層内に積層される第１導体層及び第１層間絶縁層の数は、第２ビルドアップ層内に積層される第２導体層及び第２層間絶縁層の数とそれぞれ同一に形成される。
【００１０】
コア基板１０は、コア絶縁層５と、コア絶縁層５の両面上すなわちコア基板１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側にそれぞれ形成されている第１面側導体層３ａ及び第２面側導体層４ａを含んでいる。コア絶縁層５には、第１面側導体層３ａと第２面側導体層４ａとを接続するスルーホール導体５０が形成されている。
【００１１】
各導体層（第１面側導体層３ａ、第２面側導体層４ａ、第１導体層３１、及び第２導体層４１）は、図１において単層構造を有するように示されているが、２つ又は３つなどの複数の層を有し得る。これら各導体層は、例えば、金属箔層、無電解めっき膜層、及び、電解めっき膜層を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
【００１２】
コア絶縁層５、第１層間絶縁層３２、及び第２層間絶縁層４２は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの樹脂材料が例示される。これらの樹脂材料を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図１の例のように、各ビルドアップ層が複数の層間絶縁層を含んでいる場合、各ビルドアップ層内の各層間絶縁層は、同一の樹脂材料を用いて形成されてもよい。各層間絶縁層間の剥離が防止される場合がある。また、例えば、全ての層間絶縁層、すなわち第１ビルドアップ層１１内の第１層間絶縁層３２と第２ビルドアップ層１２内の第２層間絶縁層４２とが、同一の絶縁性の樹脂材料を用いて形成されてもよい。しかし、互いに異なる樹脂材料が用いられてもよい。
【００１３】
各層間絶縁層は、それぞれの層間絶縁層の両面に形成されている導体層同士を接続するビア導体５１、５２を含んでいる。第１層間絶縁層３２は、ビア導体５１を含み、第２層間絶縁層４２は、ビア導体５２を含んでいる。ビア導体５１、５２は、各層間絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。ビア導体５１、５２は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体５１、５２は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。なお、コア絶縁層５を貫通して形成されているスルーホール導体５０も、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
【００１４】
図１の例の配線基板１は、さらに、第１ビルドアップ層１１上に形成されている第１ソルダーレジスト層６、及び、第２ビルドアップ層１２上に形成されている第２ソルダーレジスト層７を含んでいる。第１ソルダーレジスト層６は最上層の第１導体層３１を覆っており、第２ソルダーレジスト層７は最上層の第２導体層４１を覆っている。第１及び第２のソルダーレジスト層６、７は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。
【００１５】
第１ビルドアップ層１１の最も外側の第１導体層３１は、例えば電子部品や外部の配線板（図示せず）がその上に実装される接続パッド３１ａを含んでいる。ソルダーレジスト層６は、接続パッド３１ａを露出させる開口を有している。第２ビルドアップ層１２の最も外側の第２導体層４１は、接続パッド４１ａを含んでいる。接続パッド４１ａは例えば、配線基板１が用いられる電子機器のマザーボードやパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。ソルダーレジスト層７は、接続パッド４１ａを露出させる開口を有している。
【００１６】
各導体層（第１面側導体層３ａ、第２面側導体層４ａ、第１導体層３１、及び第２導体層４１）には、それぞれ、所望の導体パターンが形成されている。配線基板１では、コア絶縁層５の第１面１０Ｆ側の導体層において導体が占める面積の和と第２面１０Ｂ側の導体層において導体が占める面積の和とが異なる（以下、残銅率差とも称される。各導体層の材料が銅に限定されるわけではないが、配線基板１の面積に対する、各導体層内の導体パターンの全面積の割合は、単に残銅率と称される）。図１の例では、第１面１０Ｆ側にある導体層において導体が占める導体面積の和、すなわち第１面側導体層３ａの面積及び第１導体層３１の面積の総和は、第２面１０Ｂ側にある導体層において導体が占める導体面積の和、すなわち第２面側導体層４ａの面積及び第２導体層４１の面積の総和よりも大きい。例えば、第１面１０Ｆ側の導体面積の和に対する第２面１０Ｂ側の導体面積の和の割合は、１より大きく、２以下程度である。
【００１７】
このような配線基板では、樹脂材料からなる絶縁層と、任意の金属からなる導体層との熱膨張率差に起因して、残銅率が小さい側のビルドアップ層（第２ビルドアップ層１２）の熱収縮量が、残銅率が大きい側のビルドアップ層（第１ビルドアップ層１１）と比較して相対的に大きくなったり、小さくなったりする。したがって、熱収縮の際、例えば第２ビルドアップ層１２が縮むように、すなわち上に凸の状態となるように応力が生じて、配線基板に反りが生じる可能性がある。反りによる実装性の低下が起こるおそれがある。
【００１８】
ビルドアップ層を形成する過程において生じ得る、コア基板１０の両側、すなわちコア基板１０からの第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側における残銅率差に起因する反りを抑制するために、配線基板１においては、配線基板１の厚さ方向における中心線ＣＣが第１ビルドアップ層１１内又は第１面側導体層３ａ内を通るように調整されている。このため、第１ビルドアップ層１１内の第１層間絶縁層３２の厚さが、第２ビルドアップ層１２内の第２層間絶縁層４２の厚さよりも厚く形成されている。好ましくは、第１導体層３１及び第２導体層４１の内のコア基板から同順位に位置する少なくとも１つの導体層同士の下に形成される層間絶縁層について、第１層間絶縁層３２の厚さが、第２層間絶縁層４２の厚みよりも厚く形成されている。ここで導体層同士がコア基板１０から同順位に位置するとは、コア基板１０から第１面１０Ｆ側の外側又は第２面１０Ｂ側の外側へ向かって各ビルドアップ層内の導体層に順序をつけた場合にそれぞれ同じ順位となる導体層同士を意味する。また、コア絶縁層５の厚さは、第２層間絶縁層４２の厚さよりも厚く形成されている。図１には、配線基板１の厚さ方向における中心線ＣＣがコア基板１０の第１面側導体層３ａ内を通っている例が示されている。この結果、配線基板１では、コア絶縁層５の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側における残銅率差によって生じ得る熱収縮量の差が、コア基板１０のコア絶縁層５の厚さ方向の中心からの両側の絶縁層の厚さの和の差すなわち両側の樹脂量のアンバランスによって相殺され得る。したがって、残銅率の違いから生じる反りの発生が抑制されると考えられる。
【００１９】
第１面側導体層３ａ、第２面側導体層４ａ、第１導体層３１及び第２導体層４１それぞれの厚さは、たとえば、５μｍ以上であって、２０μｍ以下である。好ましくは、第１面側導体層３ａの導体厚さと第２面側導体層４ａの導体厚さとが略等しい。また、好ましくは、第１導体層３１及び第２導体層４１のうち、コア基板１０から同順位に位置する導体層同士の導体厚さも略等しい。例えば、第１ビルドアップ層１１のうち最もコア基板１０側に近接して位置している第１層間絶縁層３２上に積層されている第１導体層３１の導体厚さは、第２ビルドアップ層１２のうち最もコア基板１０側に近接して位置している第２層間絶縁層４２上に積層されている第２導体層４１の導体厚さと等しくされている。また、第１ビルドアップ層１１の最も外側の第１導体層３１の導体厚さは、第２ビルドアップ層１２の最も外側の第２導体層４１の導体厚さと等しくされている。本実施形態の配線基板１では、反りの低減のために、コア絶縁層５の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側における導体面積の差を、導体層の厚さを調整することによって相殺する必要がない。配線基板１において、コア基板１０の第１面１０Ｆ側と第２面１０Ｂ側とで導体層の厚さの和に大きな差が生じない。配線基板１のコア基板１０の第１面１０Ｆ側と第２面１０Ｂ側とで導体層のパターンによって形成される信号線の抵抗値が合わせにくくなるといった問題が生じにくいと考えられる。
【００２０】
図２には、一実施形態の配線基板の他の例である配線基板１ａが示されている。図２の例では、配線基板１ａは、コア絶縁層５の第２面１０Ｂ側にアンテナ２を構成する第１放射素子２１及び第２放射素子２２を含んでいる。
【００２１】
配線基板１ａにおいて、第２面側導体層４ａは、第１放射素子２１を含んでいる。第２ビルドアップ層１２の最も外側の第２導体層４１１は、第２放射素子２２を含んでいる。第１放射素子２１は第２面側導体層４ａに形成された導体パターンによって構成されている。第２放射素子２２は第２導体層４１１に形成された導体パターンによって構成されている。第１放射素子２１と第２放射素子２２との間には第２層間絶縁層４２が介在している。第１放射素子２１と第２放射素子２２とは、アンテナ２を構成すべく、第２層間絶縁層４２を介して対向している。第１放射素子２１及び第２放射素子２２は、互いに電磁的に結合することによってアンテナ２を構成し得る。
【００２２】
第１放射素子２１には、アンテナ２から送信されるべき信号又はアンテナ２によって受信されるべき外来の信号が伝えられる。このように、第１放射素子２１は、アンテナ２において電気信号が供給されるべき、又は、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。
【００２３】
第２放射素子２２は、第２放射素子２２以外の導電体から絶縁されている。第２放射素子２２には、他の導電体からの通電は行われ得ない。第２放射素子２２は、図２の例のように、アンテナ２の使用時に通電されない無給電素子であってもよい。
【００２４】
図２の例において給電素子である第１放射素子２１は、コア基板１０の第２面側導体層４ａに含まれており、アンテナ２によって送信されるべき信号は、第１ビルドアップ層１１から第１放射素子２１へと伝送される。また、アンテナ２によって受信された信号は、第１放射素子２１から第１ビルドアップ層１１へと伝送される。第１放射素子２１は、スルーホール導体５０を介してコア基板１０の第１面側導体層３ａに電気的に接続されている。第１面側導体層３ａと第１導体層３１とは、第１ビア導体５１を介して電気的に接続されている。したがって、第１導体層３１と第１放射素子２１との間で、スルーホール導体５０及び第１ビア導体５１を介して、例えば高周波信号が双方向に伝送され得る。
【００２５】
第１ビルドアップ層１１の最も外側の第１導体層３１には、接続パッド３１ａが形成されている。例えば、接続パッド３１ａに実装された電子部品（図示せず）で生成される信号は、接続パッド３１ａを介して、第１ビルドアップ層１１内及び第１面側導体層３ａを伝送されてアンテナ２から送信され得る。また、アンテナ２によって受信された信号は伝送されて、接続パッド３１ａに実装される電子部品（図示せず）に入力され、且つ、この電子部品によって処理され得る。
【００２６】
図２の例の配線基板１ａは、第２ビルドアップ層１２上に形成されているソルダーレジスト層７１を含んでいる。ソルダーレジスト層７１は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層７１は、第２放射素子２２を覆っている。
【００２７】
図２に示されるように、第１放射素子２１と第２放射素子２２との間には、第２層間絶縁層４２だけが配置され、導体パターンは形成されていない。また、第１放射素子２１は、第２面側導体層４ａに形成され得る他の導体パターンと分離されている。すなわち、平面視において第１放射素子２１の周囲には、第２面側導体層４ａにおいて導体パターンの無い領域が設けられている。第２放射素子２２も、第２導体層４１１に形成され得る他の導体パターンと分離されており、平面視において第２導体層４１１の第２放射素子２２の周囲には、導体パターンの無い領域が設けられている。なお、「平面視」は、配線基板１ａを外部から見るときの見方に関し、配線基板１ａの厚さ方向と平行な視線で配線基板１ａを見ることを意味している。
【００２８】
すなわち、配線基板１ａにおいて、第２面側導体層４ａは、第１放射素子２１の周囲に導体パターンの無い領域を含んでいる。また、第２導体層４１１は、第２放射素子２２の周囲に導体パターンの無い領域を含んでいる。そして、第２面側導体層４ａ上の第２層間絶縁層４２においても、第１及び第２の放射素子２１、２２の周囲と重なる部分には導体パターンは形成されていない。したがって、配線基板１ａにおいてはコア絶縁層５の第１面１０Ｆ側と第２面１０Ｂ側とにおける導体面積の和の差（残銅率差）が、配線基板１の場合と比較してさらに大きくなっていると考えられる。しかしながら、配線基板１ａにおいても配線基板１と同様に、第１ビルドアップ層１１内の第１層間絶縁層３２の厚さが、第２ビルドアップ層１２内の第２層間絶縁層４２の厚さよりも厚く形成されている。また、コア絶縁層５の厚さは、第２層間絶縁層４２の厚さよりも厚く形成されている。したがって、配線基板１の厚さ方向における中心線ＣＣが第１ビルドアップ層１１内又は第１面側導体層３ａ内を通るように調整されている。この結果、片方のビルドアップ層内にアンテナ構造を含むような配線基板１ａにおいても、配線基板１の場合と同様に、コア絶縁層５の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側における残銅率差によって生じ得る熱収縮量の差は、コア基板１０のコア絶縁層５の厚さ方向の中心からの両側の絶縁層の厚さの和の差すなわち両側の樹脂量のアンバランスによって相殺されると考えられる。したがって、反りの発生が抑制されると考えられる。
【００２９】
つぎに、図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図３Ａ〜図３Ｄを参照して以下に説明される。
【００３０】
図３Ａに示されるように、コア基板１０を構成するコア絶縁層５、及びコア絶縁層５の両面に設けられた金属箔３ｅを有する積層板が用意される。例えば、銅からなる金属箔３ｅを有する両面銅張積層板が用意される。
【００３１】
図３Ｂに示されるように、貫通孔１０ｂが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えば銅箔を用いるセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する第１面側導体層３ａ及び第２面側導体層４ａがそれぞれコア基板１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側に形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜が貫通孔１０ｂ内に埋め込まれることによってスルーホール導体５０が形成される。
【００３２】
図３Ｃに示されるように、第１層間絶縁層３２及び第２層間絶縁層４２が形成される。また、第１導体層３１が第１層間絶縁層３２上に形成される。第１導体層３１の形成と共に、第２導体層４１が第２層間絶縁層４２上に形成される。第１導体層３１の形成において、第１ビア導体５１が第１層間絶縁層３２内に形成される。また、第２導体層４１の形成において、第２層間絶縁層４２内に第２ビア導体５２が形成される。
【００３３】
第１及び第２の層間絶縁層３２、４２は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板１０の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、第１及び第２のビア導体５１、５２を形成するための貫通孔３２ａ、４２ａが、第１及び第２の層間絶縁層３２、４２それぞれに形成される。
【００３４】
そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、所望の導体パターンを有する第１及び第２の導体層３１、４１、並びに、第１及び第２のビア導体５１、５２が形成される。
【００３５】
例えばセミアディティブ法を用いる一般的なビルドアップ配線板の製造方法を適用することにより、図３Ｃの第１導体層３１上及び第２導体層４１上に、さらに、第１層間絶縁層３２及び第１導体層３１、ならびに第２層間絶縁層４２及び第２導体層４１が形成されて、コア基板１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｂ上に第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２がそれぞれ形成される（図３Ｄ）。各層間絶縁層３２、４２にはビア導体５１、５２が形成されている。図３Ｄでは、それぞれ２層の層間絶縁層及び導体層からなる第１及び第２のビルトアップ層１１、１２がコア基板の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側に形成されている。
【００３６】
その後、第１ビルドアップ層１１上にソルダーレジスト層６が形成され、第２ビルドアップ層１２上にソルダーレジスト層７が形成される。ソルダーレジスト層６、７は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。
【００３７】
ソルダーレジスト層６、７の開口に露出する接続パッド３１ａ、４１ａには、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。
【００３８】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第１ビア導体５１などの各ビア導体は、コア基板１０側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。第２放射素子２２は、ソルダーレジスト層７の開口に露出していてもよく、ソルダーレジスト層６、７そのものが設けられなくてもよい。
【００３９】
また、実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。たとえば、コア基板１０は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。第１及び第２のビルドアップ層１１、１２内の各導体層は、フルアディティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１      配線基板
１ａ    配線基板
５      コア絶縁層
１０    コア基板
１０Ｆ  コア基板の第１面
１０Ｂ  コア基板の第２面
１１    第１ビルドアップ層
１２    第２ビルドアップ層
２      アンテナ
３ａ    第１面側導体層
４ａ    第２面側導体層
２１    第１放射素子
２２    第２放射素子
３１    第１導体層
３２    第１層間絶縁層
４１    第２導体層
４２    第２層間絶縁層
５１    第１ビア導体
５２    第２ビア導体
６、７  ソルダーレジスト層
【図１】
2020181867.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2020181867.tif 000006
【図３Ｃ】
2020181867.tif 000007
【図３Ｄ】
2020181867.tif 000008