(57)【要約】【課題】耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な電子部品のシンタリング装置および方法の提供。【解決手段】基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部３と、予熱部３において予熱された電子部品１０をシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部４とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、前記接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部と、
前記予熱部において予熱された電子部品を前記シンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部と
を含む電子部品のシンタリング装置。
【請求項２】
前記シンタリング処理温度は、２５０〜３００℃であり、
前記予熱温度は、８０〜１２０℃である
請求項１記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項３】
前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を、前記シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する冷却部
を含む請求項１または２に記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項４】
前記冷却温度は、８０〜１２０℃である請求項３記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項５】
前記接合材を含む前記電子部品の材料の種類に応じた前記シンタリング処理温度と前記予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルと、
前記テーブルを参照し、前記電子部品の材料の種類に応じて前記シンタリングプレス部および前記予熱部の動作を制御する制御部と
を含む請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項６】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品がトレイ上に載置された状態で前記トレイごと前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送する搬送部
を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項７】
前記搬送部は、前記シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構を有する請求項６記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項８】
前記搬送部は、前記トレイ上の電子部品に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を有する請求項６または７に記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項９】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を加熱、加圧してシンタリング処理する電子部品のシンタリング方法であって、
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、前記接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱すること、
前記予熱された電子部品を前記シンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理すること
を含む電子部品のシンタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀ナノペーストなどの接合材を用いてシンタリング（焼結法）により電子部品を接合する電子部品のシンタリング装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エアーコンディショナー、エレベーター、ハイブリット自動車や電気自動車などの電動機器では、電源電圧と駆動電圧とが異なることが多い。そのため、これらの電動機器には、インバーターやコンバーターなどの電力変換装置が搭載されている。これらの中でパワー半導体を用いて電力を変換する機器をパワーモジュールと呼ぶ。一般的に、パワー半導体は絶縁基板に半田接合されている。
【０００３】
パワー半導体を絶縁基板に半田接合させる方法として、例えば、特許文献１には、インテリジェントパワーモジュールなどの半導体装置の自動化組立において、あらかじめ金属ベース板にパワー回路、制御回路ブロックを搭載した回路組立体を主チャンバーに送り込む搬送途上でその接合面が半田溶融点より３０〜５０℃高い温度となるように予熱し、この予熱された回路組立体の上に端子一体型の外囲樹脂ケースをドッキングして重ね合わせ、この状態で外部導出端子と主回路、制御回路ブロックとの間のはんだ付け、および樹脂ケースと金属ベース板との間の接着を同時に行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２３３４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パワー半導体は、１０ｍｍ角程度の小さなチップ１枚当たりに５０Ａから家庭数世帯分に相当する数百Ａ程度の電流が流れるため、動作中はチップから多くの熱が発生する。現行のＳｉパワー半導体の動作温度の上限は１７５℃程度である。この温度を越えないようにするため、チップから発生した熱は、チップ裏面から半田接合された基板を経由し、ヒートシンクを通じて速やかに排出される必要がある。したがって、パワー半導体チップと絶縁基板とを接合するダイボンド部には、熱伝導率の高い材料を用いることが望ましい。
【０００６】
近年、２００℃以上の高温動作が可能なＳｉＣパワー半導体の開発と製品化が進められている。しかし、現在ダイボンド部に多く用いられている錫−銀（Ｓｎ−ＡＧ）系や錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の鉛（Ｐｂ）フリー半田は２２０℃近傍に融点を持つため、ＳｉＣパワー半導体の特徴を生かすことができない。また、Ｐｂを多く含む半田は２９０℃以上の高い融点を持つが、環境への影響を考慮した場合、適用は避けるべきである。さらに、周辺部材の耐熱性や冷却時の残留応力の観点から、接合温度は３００℃以下が望ましい。
【０００７】
そこで、本発明においては、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な電子部品のシンタリング装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子部品のシンタリング装置は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部と、予熱部において予熱された電子部品をシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部とを含むものである。
【０００９】
本発明の電子部品のシンタリング方法は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を加熱、加圧してシンタリング処理する電子部品のシンタリング方法であって、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱すること、予熱された電子部品をシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理することを含むことを特徴とする。
【００１０】
これらの発明によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱することで、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリング処理することができる。また、シンタリング処理温度よりも低い予熱温度まで予熱しておくことにより、シンタリングプレス部における加熱時間を短縮することができる。
【００１１】
本発明の電子部品のシンタリング装置は、シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を、シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する冷却部を含むものであることが望ましい。これにより、シンタリング処理後の残熱による酸化の進行を防止するとともに、熱膨張により拡大した電子部品等の寸法を早期に室温寸法へ戻すことが可能となる。
【００１２】
本発明の電子部品のシンタリング装置は、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じたシンタリング処理温度と予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルと、テーブルを参照し、電子部品の材料の種類に応じてシンタリングプレス部および予熱部の動作を制御する制御部とを含むものであることが望ましい。これにより、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じて生産に適した処理条件で予熱およびシンタリング処理を行うことが可能となる。
【００１３】
本発明の電子部品のシンタリング装置は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品がトレイ上に載置された状態でトレイごと予熱部からシンタリングプレス部へ搬送する搬送部を含むものであることが望ましい。これにより、電子部品をトレイに載置した状態のままで搬送し、予熱およびシンタリング処理を行うことが可能となる。
【００１４】
搬送部は、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構を有することが望ましい。これにより、予熱部からシンタリングプレス部までの搬送途上において電子部品を予熱し、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度に維持して、電子部品の温度が低下するのを防止することが可能となる。
【００１５】
また、搬送部は、トレイ上の電子部品に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を有することが望ましい。これにより、電子部品の搬送中にトレイ上の電子部品に不活性ガスを供給し、予熱や残熱による酸化を防止することができる。
【発明の効果】
【００１６】
（１）基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱することで、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリング処理することができるので、シンタリング処理を安定させることが可能となり、電子部品の品質を向上させることができる。また、シンタリングプレス部における加熱時間を短縮することができるため、シンタリング処理時間を短縮することが可能となる。
【００１７】
（２）シンタリング処理後、シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する構成により、シンタリング処理後の残熱による酸化の進行を防止することができ、電子部品の品質をさらに向上させることができる。また、熱膨張により拡大した電子部品等の寸法を早期に室温寸法へ戻すことが可能となるため、その後の搬送、収納動作への影響を防止することができる。
【００１８】
（３）接合材を含む電子部品の材料の種類に応じたシンタリング処理温度と予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルを参照し、電子部品の材料の種類に応じてシンタリングプレス部および予熱部の動作を制御する構成により、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じて生産に適した処理条件で予熱およびシンタリング処理を行い、生産効率を上げることが可能となる。
【００１９】
（４）基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品がトレイ上に載置された状態でトレイごと予熱部からシンタリングプレス部へ搬送する構成により、電子部品をトレイに載置した状態のままで搬送し、予熱およびシンタリング処理を行うことが可能となり、処理の動作効率化が可能となる。また、電子部品の管理が容易となる。
【００２０】
（５）搬送部がシンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構を有する構成により、予熱部からシンタリングプレス部までの搬送途上において電子部品の温度が低下するのを防止することができ、シンタリング処理をさらに安定させ、電子部品の品質を向上させることができる。
【００２１】
（６）搬送部がトレイ上の電子部品に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を有する構成により、電子部品の搬送中の予熱や残熱による酸化を防止することができ、電子部品の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置の概略構成図である。
図１において、本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置１は、電子部品１０を供給する供給部２と、供給部２により供給される電子部品１０を予熱する予熱部３と、予熱部３による予熱後の電子部品１０をシンタリング処理するシンタリングプレス部４と、シンタリングプレス部４によるシンタリング処理後の電子部品を冷却する冷却部５と、冷却部５による冷却後の電子部品を収納する収納部６と、電子部品１０を供給部２から予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５を経て収納部６まで搬送する搬送部７とを有する。
【００２４】
電子部品１０は、絶縁基板等の基板上に接合材を介して半導体チップが載置されたものである。接合材は、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどのシンタリング（焼結法）用接合材である。半導体チップは、パワーモジュールに用いられるパワー半導体チップである。電子部品は１つまたは複数個がトレイ１１上に載置された状態のままでシンタリング装置１内を搬送部７により搬送される。
【００２５】
シンタリングプレス部４では、予熱部３において予熱された電子部品１０を接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理する。シンタリングプレス部４では、搬送部７により予熱部３から搬送された電子部品１０をトレイ１１ごと型枠４１により挟み込み、チャンバー４０内においてシンタリング処理温度で処理時間加熱および加圧する。接合材が銀ナノペーストの場合、シンタリング処理温度２５０〜３００℃で加熱し、５〜２０ＭＰａの圧力で加圧する。
【００２６】
予熱部３は、シンタリングプレス部４の前段に配設されている。予熱部３では、電子部品１０をシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度（以下、「第１予熱温度」と称す。）で予熱する。予熱部３は、第１予熱温度を所定の温度に維持する加熱機構、温度センサおよび温度制御部を備える。予熱部３では、搬送部７により供給部２から搬送された電子部品１０をトレイ１１ごとチャンバー３０内で予熱する。接合材が銀ナノペーストの場合、第１予熱温度１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）で予熱する。
【００２７】
冷却部５は、シンタリングプレス部４の後段に配設されている。冷却部５では、電子部品１０をシンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する。冷却部５は、冷却温度を所定の温度に維持する冷却機構、温度センサおよび温度制御部を備える。冷却部５では、搬送部７によりシンタリングプレス部５から搬送された電子部品１０をトレイ１１ごとチャンバー５０内で冷却する。冷却温度は１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）以下とする。冷却部５で冷却後の電子部品１０はトレイ１１ごと搬送部７により収納部６へ搬送され、収納される。
【００２８】
また、本実施形態におけるシンタリング装置１は、不活性ガス１２を予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５へそれぞれ供給する管路１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを備える。不活性ガス１２は、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５において電子部品１０の酸化を防止するものであり、例えば窒素ガスを用いることができる。管路１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは、それぞれ予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５の温度と同一温度、あるいは、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５の温度よりも所定温度だけ高いまたは低い温度に設定することで、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５との温度差による悪影響を与えないようにすることが可能である。
【００２９】
搬送部７は、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構（図示せず。）を備えたものとすることができる。第２予熱温度は、第１予熱温度と同じく、接合材が銀ナノペーストの場合、第２予熱温度は１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）であるが、第１予熱温度と異なる温度とすることもできる。搬送部７がチャンバー（図示せず。）を備えている場合、予熱機構はこのチャンバー内にて電子部品１０を予熱する。
【００３０】
また、搬送部７は、トレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構（図示せず。）を備えたものとすることができる。不活性ガスは、搬送部７における電子部品の搬送中に電子部品１０の酸化を防止するものであり、例えば窒素ガスを用いることができる。供給機構は、トレイ１１上の電子部品１０へ向けて不活性ガスを噴射することにより供給するか、搬送部７がチャンバー（図示せず。）を備えている場合にはこのチャンバー内へ供給する。このとき、不活性ガスは第２予熱温度と同一温度、あるいは、第２予熱温度よりも所定温度だけ高いまたは低い温度に設定することで、第２予熱温度との温度差による悪影響を与えないようにすることが可能である。
【００３１】
また、本実施形態におけるシンタリング装置１は、接合材を含む電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件を予め記憶するテーブル８と、テーブル８を参照し、電子部品の材料の種類に応じて予熱部３、シンタリングプレス部４や冷却部５等の動作を制御する制御部９とを備える。
【００３２】
テーブル８には、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じ、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５について以下の各項目の処理条件が予め記憶される。これらの各処理条件は、シンタリング装置１のモニター画面（図示せず。）、もしくは有線または無線のリモート端末（ハンディプログラマブルターミナル、パーソナルコンピュータ、タブレットなど）（図示せず。）から設定することが可能となっている。
【００３３】
〔予熱部３〕
・予熱：する／しない
・第１予熱温度：所定温度（１００℃前後で範囲有）
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
〔シンタリングプレス部４〕
・シンタリング処理温度：所定温度（２５０〜３００℃程度）
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
〔冷却部５〕
・冷却温度：所定温度（１００℃前後で範囲有）以下
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
〔搬送部７〕
・予熱：する／しない
・第２予熱温度：所定温度（１００℃前後で範囲有）
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
【００３４】
上記構成のシンタリング装置１では、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０が供給部２から搬送部７によって予熱部３に搬送される。予熱部３では、この搬送された電子部品１０が１００℃前後の所定の第１予熱温度にて予熱される。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件により予熱部３を制御する。第１予熱温度は、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い温度であり、接合材の焼結が進むことなく、接合材の水分や溶媒等が除去される。
【００３５】
なお、生産効率最適化のためには、第１予熱温度をできるだけシンタリングプレス部４におけるシンタリング処理温度に近付けることが望ましいが、シンタリングプレス部４におけるシンタリング処理の前段階で焼結が進まないように適切な温度で予熱を行う。また、接合材を含む電子部品の材料が加熱すると酸化しやすい材料の場合、不活性ガス１２を予熱部３へ供給することで酸化を防止することができる。
【００３６】
予熱部３により予熱された電子部品１０は搬送部７によってシンタリングプレス部４に搬送される。搬送部７が予熱機構を備えている場合、予熱部３からシンタリングプレス部４までの搬送途上において電子部品１０の温度を予熱し、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度に維持して、電子部品１０の温度が低下するのを防止することができる。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件により搬送部７の予熱機構を制御する。
【００３７】
シンタリングプレス部４では、この搬送された電子部品１０が２５０〜３００℃程度の所定のシンタリング処理温度で所定時間加熱され、所定の圧力で加圧されて、シンタリング処理される。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件によりシンタリングプレス部４を制御する。なお、シンタリング処理中においても不活性ガス１２をシンタリングプレス部４へ供給することで酸化を防止することができる。
【００３８】
シンタリングプレス部４によりシンタリング処理された電子部品１０は搬送部７によって冷却部５に搬送される。冷却部５では、このシンタリング処理された電子部品１０がシンタリング処理温度よりも低い１００℃前後の所定の冷却温度以下まで冷却される。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料に応じた処理条件により冷却部５を制御する。なお、冷却部５においても不活性ガス１２を供給することで酸化を防止することができる。冷却部５により冷却された電子部品１０は搬送部７によって収納部６へ搬送され、収納される。
【００３９】
なお、搬送部７がトレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を備えている場合、搬送部７による電子部品１０の搬送中に、不活性ガス供給機構により、トレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件により搬送部７の不活性ガス供給機構を制御する。これにより、電子部品１０の搬送中における予熱や残熱による酸化を防止することができる。
【００４０】
本実施形態におけるシンタリング装置１によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０を、予熱部３において接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い第１予熱温度で予熱することで、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリング処理することができるので、シンタリング処理を安定させることが可能であり、電子部品の品質が向上する。また、シンタリングプレス部４の前段で予熱することで、シンタリングプレス部４における加熱時間が短縮される。
【００４１】
また、搬送部７が予熱機構を備えている場合には、予熱部３からシンタリングプレス部４までの搬送途上において電子部品１０を予熱し、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度に維持して、電子部品１０の温度が低下するのを防止することができるので、シンタリング処理がさらに安定し、電子部品の品質が向上する。特に、装置稼働中のトラブル発生等により、搬送部７が電子部品１０を保持した状態のまま動作停止した状態が続く場合に有効である。
【００４２】
また、このシンタリング装置１では、シンタリングプレス部４においてシンタリング処理された電子部品１０を、冷却部５においてシンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却するので、シンタリング処理後の残熱による酸化の進行が防止され、電子部品の品質がさらに向上する。また、熱膨張により拡大した電子部品等の寸法が早期に室温寸法へ戻されるため、その後の搬送、収納動作への影響が防止されている。
【００４３】
また、このシンタリング装置１では、接合材を含む電子部品１０の材料の種類に応じたシンタリング処理温度と第１予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブル８を参照し、制御部９が電子部品１０の材料の種類に応じて予熱部３やシンタリングプレス部４等の動作を制御するので、接合材を含む電子部品１０の材料の種類に応じて生産に適した処理条件で予熱やシンタリング処理等が行われ、生産効率が向上している。
【００４４】
また、このシンタリング装置１では、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０がトレイ１１上に載置された状態でトレイ１１ごと搬送部７により搬送されるので、処理の動作効率化が可能となっており、電子部品１０の管理も容易である。また、搬送部７がトレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を備えている場合には、搬送部７による電子部品１０の搬送中に不活性ガスを供給し、電子部品１０の搬送中における予熱や残熱による酸化を防止することができ、電子部品の品質がさらに向上する。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の電子部品のシンタリング装置および方法は、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な装置および方法として有用である。
【符号の説明】
【００４６】
１  シンタリング装置
２  供給部
３  予熱部
４  シンタリングプレス部
５  冷却部
６  収納部
７  搬送部
８  テーブル
９  制御部
１０  電子部品
１１  トレイ
１２  不活性ガス
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ  管路
３０，４０，５０  チャンバー
４１  型枠
【図１】
2020181907.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月14日(2020.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、前記接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部と、
前記予熱部において予熱された電子部品を前記シンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部と、
前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を、前記シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する冷却部と、
不活性ガスを前記予熱部、前記シンタリングプレス部および前記冷却部へそれぞれ供給する複数の管路であり、それぞれ前記予熱部、前記シンタリングプレス部および前記冷却部の温度と同一温度に設定された複数の管路と、
前記電子部品がトレイ上に載置された状態で前記電子部品を前記トレイごと前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送する搬送部であり、前記電子部品を前記シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構と、前記トレイ上の電子部品に前記第２予熱温度と同一温度に設定された不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構とを有する搬送部と、
を含む電子部品のシンタリング装置。
【請求項２】
前記シンタリング処理温度は、２５０〜３００℃であり、
前記予熱温度は、８０〜１２０℃である
請求項１記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項３】
前記冷却温度は、８０〜１２０℃である請求項１または２に記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項４】
前記接合材を含む前記電子部品の材料の種類に応じた前記シンタリング処理温度と前記予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルと、
前記テーブルを参照し、前記電子部品の材料の種類に応じて前記シンタリングプレス部および前記予熱部の動作を制御する制御部と
を含む請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品のシンタリング装置。
【請求項５】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をシンタリングプレス部において加熱、加圧してシンタリング処理する電子部品のシンタリング方法であって、
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、予熱部において、当該予熱部の温度と同一温度に設定された管路から不活性ガスを供給しつつ、前記接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱すること、
前記電子部品がトレイ上に載置された状態で前記電子部品を前記トレイごと前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送する際、前記トレイ上の電子部品に前記シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度と同一温度に設定された不活性ガスを供給しつつ、前記電子部品を前記第２予熱温度で予熱すること、
前記予熱部において予熱された電子部品を、前記シンタリングプレス部において、当該シンタリングプレス部の温度と同一温度に設定された管路から不活性ガスを供給しつつ、前記シンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理すること、
前記シンタリング処理された電子部品を、冷却部において、当該冷却部の温度と同一温度に設定された管路から不活性ガスを供給しつつ、前記シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却すること
を含む電子部品のシンタリング方法。