(57)【要約】【課題】ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜を可能にするＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。【解決手段】Ｍｎと、Ｔａと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含むＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であり、かつ、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含有するスパッタリングターゲット。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｎと、Ｔａと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含むＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットであって、
相対密度が９０％以上であり、かつ、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含有するスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＴａとＷとを合わせた割合が６５原子％未満である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記成分組成にさらにＺｎを含む請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を、前記成分組成にさらに含む請求項１から３いずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の合計の含有率が、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、８原子％〜７０原子％である請求項４に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
請求項１から５いずれかに記載のＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットの製造方法であって、
マンガン含有粉末と、金属タンタル粉末と、タングステン含有粉末と、銅含有粉末と、を含む混合粉末を、１０時間以上湿式混合する混合工程と、
前記混合工程の後、前記混合粉末を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力を加えて７５０℃〜９５０℃の温度で焼結する焼結工程と、を含む製造方法。
【請求項７】
前記マンガン含有粉末がマンガン酸化物粉末であり、前記タングステン含有粉末が金属タングステン粉末であり、前記銅含有粉末が金属銅粉末である請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記混合粉末が亜鉛酸化物粉末をさらに含む請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記混合粉末が、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の単体又は化合物からなる粉末をさらに含む請求項６から８いずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、光情報記録媒体の記録層の形成に有用な、Ｍｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光情報記録媒体（光ディスク）の分野において、取り扱うデータの増大等に伴い、光ディスクの大容量化が求められている。光ディスクは、読み込み専用と記録型とに大別され、記録型はさらに追記型と書き換え型との２種類に細分される。追記型の記録層材料として、従来は有機色素材料が広く検討されてきたが、近年の大容量化に伴い、無機材料も広く検討されるようになっている。
【０００３】
無機材料を用いた有用な記録方式として、分解温度の低い無機酸化物を含む記録層にレーザー光を照射することにより、記録層の物性が変化し、それに伴い光学定数が変化することを利用した記録方式がある。無機酸化物材料としては、パラジウム酸化物が実用化されている。しかし、Ｐｄは貴金属であり材料コストが高いため、パラジウム酸化物に代わり安価な材料コストで実現できる記録層の開発が望まれている。
【０００４】
安価な材料コストで十分良好な記録特性が得られるものとして、マンガン酸化物系材料からなる記録層が開発されている。例えば、特許文献１では、マンガン酸化物とＷ等の複数種の無機元素とを含む記録層、並びにその記録層を形成するために用いるスパッタリングターゲットが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１８３２７７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、前述のマンガン酸化物とＷ等の複数の無機元素とからなる記録層を形成するためのスパッタリング法として、それぞれの元素からなる複数のスパッタリングターゲットを用いる多元スパッタ法と、複数の元素を含有する１枚の複合スパッタリングターゲットを用いる方法とがある。特許文献１では、多元スパッタ法が開示されているが、装置が大型化しコストアップ要因になる上、組成ずれが生じやすい欠点がある。そのため、１枚の複合スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングが好ましい。また、生産性の観点から、高周波スパッタリングよりも、直流（ＤＣ）スパッタリングを用いることが望ましい。
【０００７】
しかし、マンガン酸化物とＷ等の複数の無機元素とからなる複合スパッタリングターゲット中には、ＷＭｎＯ４等の絶縁粒が含まれやすい。ＤＣスパッタリングでは、複合スパッタリングターゲットに直流電圧をかけるため、複合スパッタリングターゲット中の絶縁粒の影響により十分な導電性が得られない場合、異常放電（アーキング）が発生するおそれがある。この成膜中の異常放電により、記録層にダメージが与えられ、歩留まり低下の原因となる。
【０００８】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜を可能にするＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明は、Ｍｎと、Ｔａと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含むＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であり、かつ、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含有するスパッタリングターゲットを提供する。
【００１０】
前記成分組成は、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＴａとＷとを合わせた割合が６５原子％未満であってもよい。
【００１１】
前記スパッタリングターゲットは、前記成分組成にさらにＺｎを含んでもよい。
【００１２】
前記スパッタリングターゲットは、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を、前記成分組成にさらに含んでもよい。
【００１３】
前記Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の合計の含有率は、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、８原子％〜７０原子％であってもよい。
【００１４】
また本発明は、前記Ｍｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットの製造方法であって、マンガン含有粉末と、金属タンタル粉末と、タングステン含有粉末と、銅含有粉末と、を含む混合粉末を、１０時間以上湿式混合する混合工程と、前記混合工程の後、前記混合粉末を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力を加えて７５０℃〜９５０℃の温度で焼結する焼結工程と、を含む製造方法を提供する。
【００１５】
前記マンガン含有粉末がマンガン酸化物粉末であり、前記タングステン含有粉末が金属タングステン粉末であり、前記銅含有粉末が金属銅粉末であってもよい。
【００１６】
前記混合粉末は、亜鉛酸化物粉末をさらに含んでもよい。
【００１７】
前記混合粉末は、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の単体又は化合物からなる粉末をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜を可能にするＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例１及び比較例１に係るスパッタリングターゲットのＸ線回折スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本実施形態について詳しく説明する。
【００２１】
［Ｍｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット］
本実施形態に係るＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」という。）は、Ｍｎと、Ｔａと、Ｗと、Ｃｕと、Ｏと、を成分組成に含み、相対密度が９０％以上であり、かつ、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含有する。
【００２２】
本実施形態に係るターゲットによれば、ＤＣスパッタリングに供した際に、異常放電が抑制され、かつ、安定した成膜が可能になる。
【００２３】
本実施形態に係るターゲットの成分比としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、Ｏ（酸素）を除いた構成元素の合計１００原子％に対して、Ｍｎが５原子％〜４０原子％であり、Ｔａが１０原子％〜３５原子％であり、Ｗが５原子％〜３０原子％であり、Ｃｕが５原子％〜３０原子％であってもよい。
【００２４】
本実施形態に係るターゲットは、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＴａとＷとを合わせた割合が６５原子％未満であることが好ましく、６０原子％未満であってもよく、５５原子％未満であってもよい。Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＴａとＷとを合わせた割合が６５原子％以上であるよりも６５原子％未満であるほうが、容易に相対密度を９０％以上に調整することができる傾向にある。下限については特に制限はないが、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、ＴａとＷとを合わせた割合が、２５原子％以上であることが好ましい。
【００２５】
本実施形態に係るターゲットは、成分組成にＺｎを含んでもよい。成分比については、特に制限なく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、Ｏを除いた構成元素の合計１００原子％に対して、Ｚｎが１原子％〜３５原子％であってもよい。
【００２６】
本実施形態に係るターゲットは、必要に応じて、その他の成分組成を含んでいてもよい。他の元素を適宜含有させることで、例えば、情報記録媒体の記録層形成のためにターゲットを用いる場合、記録層の透過率、反射率、及び記録感度を調整することができる。他の元素としては、例えば、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素が挙げられる。
【００２７】
上記Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含有する場合、その合計の含有率は、例えば、ターゲットの構成元素のうち、Ｏを除いた構成元素の合計１００％に対して、８原子％〜７０原子％とすることができる。
【００２８】
また、本実施形態に係るターゲットは、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含んでいる。
【００２９】
ターゲットに含まれる結晶相は、Ｘ線回折法により確認することができる。ターゲットのＸ線回折スペクトルの取得は、常法に従い行うことができる。例えば、株式会社リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いて、ターゲット表面をθ−２θスキャンして、スペクトルを取得すればよい。Ｘ線回折の測定条件はターゲットに応じて適宜定まり、例えば以下の条件の範囲内から選択することができる。
Ｘ線源：Ｃｕ−Ｋα線
出力設定：２０ｋＶ〜１００ｋＶ、１０ｍＡ〜１００ｍＡ
測角範囲：２θ＝５°〜８０°
スキャン速度：１°〜４°（２θ／ｍｉｎ）、連続スキャン
発散スリット：０．５°〜２°
散乱スリット：０．５°〜２°
受光スリット：０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ
【００３０】
ターゲットの主な結晶相の回折ピークは、以下の範囲で検出される。
Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の回折ピーク：３１．５°±０．３°
ＭｎＴａ２Ｏ６の回折ピーク：２９．７°±０．３°
Ｗの回折ピーク：４０．２６°±０．３°
ＭｎＯの回折ピーク：３５．１６°±０．３°、４０．９９°±０．３°、５９．１８°±０．３°
ＭｎＷＯ４の回折ピーク：２９．８°±０．３°、３０．２３°±０．３°
ＺｎＯの回折ピーク：３６．３°±０．３°
Ｃｕの回折ピーク：４３．４７°±０．３°、５０．６７°±０．３°
【００３１】
本実施形態に係るターゲットが高密度であることを示す指標として、本明細書では相対密度を用いることとする。ターゲットの相対密度は、９０％以上であり、高いほど好ましい。
【００３２】
なお、相対密度とは、ターゲットの原料粉が１００％充填されたと仮定して計算した場合の仮想密度に対する、原料分を焼結した後の実測密度の割合である。相対密度を計算するために、まず、ターゲットの寸法測定及び重量測定を行い、実測密度を算出する。次に、以下の計算式を用いて相対密度を算出する。
相対密度（％）＝（焼結体の実測密度／仮想密度）×１００
【００３３】
なお、本実施形態に係るターゲットの形状は何ら限定されることはなく、円盤状、円筒状、四角形板状、長方形板状、正方形板状等の任意の形状とすることができ、ターゲットの用途に応じて適宜選択することができる。また、ターゲットの幅及び奥行きの大きさ（円形の場合には直径）についても、ｍｍオーダー〜ｍオーダー程度の範囲で、ターゲットの用途に応じて適宜選択することができる。例えば、ターゲットが円形の場合、一般的には直径５０ｍｍ〜３００ｍｍ程度である。厚みについても同様であるが、一般的には１ｍｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００３４】
また、ターゲットは、特に、光情報記録媒体の記録層の形成に有用であるが、用途は何ら限定されるものではない。
【００３５】
［ターゲットの製造方法］
次に、本実施形態に係るターゲットの製造方法について説明する。本実施形態に係る製造方法は、混合工程と、焼結工程と、を含む。
【００３６】
まず、混合工程にて、マンガン含有粉末と、金属タンタル粉末と、タングステン含有粉末と、銅含有粉末とを含む混合粉末を、１０時間以上湿式混合する。
【００３７】
マンガン含有粉末としては、目的に応じて適宜選択することができ、Ｍｎの単体又は化合物からなる粉末等が挙げられる。中でも、マンガン酸化物が好ましい。マンガン酸化物としては、例えば、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、ＭｎＯ３、Ｍｎ２Ｏ７等を用いることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。上記マンガン酸化物の中でも、焼結温度と融点との関係よりＭｎ３Ｏ４が好ましい。
マンガン含有粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、３μｍ〜１５μｍ程度とすることができる。
【００３８】
金属タンタル粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、１μｍ〜５３μｍ程度とすることができる。
【００３９】
タングステン含有粉末としては、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｗの単体からなる金属タングステン粉末等が挙げられる。
タングステン含有粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、１μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
【００４０】
銅含有粉末としては、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｃｕの単体からなる金属銅粉末等が挙げられる。
銅含有粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、１μｍ〜５０μｍ程度とすることができる。
【００４１】
上記混合粉末に、亜鉛酸化物粉末を含ませてもよい。亜鉛酸化物粉末としては、例えば、ＺｎＯを用いることができる。
亜鉛酸化物粉末の平均粒径としては、特に限定されず、例えば、０．１μｍ〜３μｍ程度とすることができる。
【００４２】
また、製造するターゲットの所望の目的に応じて、上記マンガン含有粉末、金属タンタル粉末、タングステン含有粉末、銅含有粉末、及び亜鉛酸化物粉末以外のその他の粉末を、混合粉末に含ませてもよい。その他の粉末としては、例えば、Ｍｇ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｒ、及びＴｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素の単体又は化合物からなる粉末が挙げられる。
【００４３】
湿式混合の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、従来公知のボールミル装置を用いた湿式混合方法等が挙げられる。
【００４４】
湿式混合時間は、１０時間以上とする。混合時間を１０時間以上とすることにより、十分に混合粉末を混合することができる。特に、マンガン含有粉末としてマンガン酸化物を用いる場合、焼結中のマンガン酸化物の固相反応を促進して、焼結後の酸化マンガンの結晶相の残留を抑制することに繋がる。混合時間は、１２時間以上とすることが好ましく、１６時間以上とすることがより好ましく、２０時間以上とすることがさらに好ましい。２４時間混合すると、混合の効果は飽和する。
【００４５】
次に焼結工程にて、混合粉末を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上の圧力、７５０℃〜９５０℃の温度で焼結する。なお、１ｋｇｆ／ｃｍ２は、９８．１ｋＰａに相当する。
焼結法としては、特に制限なく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性ガス雰囲気中でのホットプレス、熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ法；Ｈｏｔ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）等が挙げられる。
【００４６】
焼結時に加える圧力については、５５０ｋｇｆ／ｃｍ２以上であればよい。６００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることが好ましく、７００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることがより好ましく、８００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることがさらに好ましい。ターゲットの成分組成等の他の焼結条件にもよるが、焼結時の圧力を５５０ｋｇｆ／ｃｍ２未満とするとターゲットの相対密度を９０％以上とすることが困難になる。
【００４７】
焼結温度については、７５０℃〜９５０℃であればよく、８００℃〜９００℃であってもよい。
【００４８】
焼結時間は特に限定されず、適宜選択することが可能であり、一般的に行われる１時間〜６時間程度の焼結時間とすればよい。
【００４９】
以上の工程を経て相対密度が９０％以上、かつ、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含有するＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットを製造することができる。
【００５０】
なお、本実施形態に係る製造方法は、上記混合工程及び焼結工程以外にも、他の工程を含んでもよい。他の工程としては、例えば、スパッタリングターゲットの形状を形成するために行われる、混合粉末の成形工程が挙げられる。
【実施例】
【００５１】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５２】
［スパッタリングターゲットの製造方法］
＜実施例１＞
実施例１では、原料粉末として、以下の粉末を用意した。
Ｍｎ３Ｏ４粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：１０μｍ）
Ｗ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：５μｍ）
Ｔａ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：６μｍ）
Ｃｕ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：３０μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２５：３０：２５：２０（原子％）となるように、上記原料粉末を秤量した。秤量した各原料粉末並びに各原料粉末の合計重量の０．５倍のジルコニアボール（直径５ｍｍ）及び０．５倍のエタノールを、容器に入れ、ボールミル装置にて、湿式混合を２０時間行った。混合した上記原料粉末を含んだスラリー溶液から、目開き２ｍｍの篩を使用し、ジルコニアボールを分離した。スラリー溶液を加熱乾燥させ、目開き２５０μｍの篩を用い解砕し、混合粉末を得た。次いで、上記混合粉末に対し、焼結温度８５０℃にて２時間、８００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を加えて、アルゴン雰囲気中でホットプレスを行い、スパッタリングターゲットを作製した。スパッタリングターゲットの形状は円盤状であり、サイズは直径５０ｍｍである。
【００５３】
＜実施例２＞
実施例２では、実施例１で用いた原料粉末に加え、以下の原料粉末を用いた。
ＺｎＯ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：２μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２０：３０：２５：１５：１０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、焼結温度を８００℃とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００５４】
＜実施例３＞
実施例３では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２５：２５：２５：２５（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００５５】
＜実施例４＞
実施例４では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２５：２０：２５：３０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００５６】
＜実施例５＞
実施例５では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝３０：２０：２０：３０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００５７】
＜実施例６＞
実施例６では、実施例２と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２５：２０：２０：２５：１０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、焼結温度を８００℃とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００５８】
＜実施例７＞
実施例７では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２０：３０：３０：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００５９】
＜実施例８＞
実施例８では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が実施例１と同様になるように、原料粉末を秤量し、焼結温度を８００℃とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６０】
＜実施例９＞
実施例９では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が実施例１と同様になるように、原料粉末を秤量し、焼結時の圧力を６００ｋｇｆ／ｃｍ２とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６１】
＜比較例１＞
比較例１では、実施例１で用いたＴａ粉末の代わりに、以下の原料粉末を用いた。
Ｔａ２Ｏ５粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：４μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２５：３０：２５：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、焼結温度を１０５０℃とし、焼結時の圧力を５００ｋｇｆ／ｃｍ２とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６２】
＜比較例２＞
比較例２では、比較例１で用いた原料粉末に加え、以下の原料粉末を用いた。
ＺｎＯ粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：２μｍ）
各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２０：３０：２５：１５：１０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、比較例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６３】
＜比較例３＞
比較例３では、比較例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２０：３０：３５：１５（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、比較例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６４】
＜比較例４＞
比較例４では、比較例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２０：３０：３０：２０（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、比較例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６５】
＜比較例５＞
比較例５では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が、Ｍｎ：Ｗ：Ｔａ：Ｃｕ＝２０：３０：３５：１５（原子％）となるように、原料粉末を秤量し、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６６】
＜比較例６＞
比較例６では、実施例１と同様の原料粉末を用いて、各含有金属の割合が実施例１と同様になるように、原料粉末を秤量し、焼結時の圧力を５００ｋｇｆ／ｃｍ２とした以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを作製した。
【００６７】
［評価］
上記の実施例１から９及び比較例１から６で作製したスパッタリングターゲットについて、結晶相に含まれるＴａ系複合酸化物の同定、相対密度測定、及び異常放電回数の測定を行った。各評価は、以下のように行った。得られた評価結果を表１に示した。
【００６８】
＜結晶相に含まれるＴａ系複合酸化物の同定＞
Ｘ線回折法により、スパッタリングターゲットの結晶相に含まれるＴａ系複合酸化物の同定を行った。Ｘ線回折にあっては、株式会社リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いて、θ−２θスキャンし、Ｘ線回折スペクトルを得た。代表例として、実施例１及び比較例１に係るスパッタリングターゲットのＸ線回折スペクトルを図１に示す。試験条件は以下の通りである。
Ｘ線源：Ｃｕ−Ｋα線
出力設定：３０ｋＶ、１５ｍＡ
測角範囲：２θ＝１５°〜７０°
スキャン速度：２°（２θ／ｍｉｎ）、連続スキャン
発散スリット：１°
散乱スリット：１°
受光スリット：０．３ｍｍ
【００６９】
＜相対密度＞
上記の実施例１から９及び比較例１から６で作製したスパッタリングターゲットの相対密度を計算するため、スパッタリングターゲットの寸法測定及び重量測定を行い、実測密度を算出した。次に、以下の計算式を用いて相対密度を算出した。
相対密度（％）＝（焼結体の実測密度／焼結体の仮想密度）×１００
【００７０】
＜異常放電回数の測定＞
上記の実施例１から９及び比較例１から６で作製したスパッタリングターゲットを、無酸素銅製のバッキングプレートにＩｎはんだで接着した。これらスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、１×１０−４Ｐａ以下まで真空排気を行った後、ＡｒガスとＯ２ガスとを導入し、装置内圧力を０．３Ｐａとした。酸素の割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）は７０％とした。ＤＣ電源にて電力５Ｗ／ｃｍ２を印加して、３０分間スパッタリングを行い、アーキングカウンターによりスパッタリング中の異常放電の回数を測定した。
【００７１】
【表１】
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【００７２】
以上の結果から、Ｍｎ４Ｔａ２Ｏ９の結晶相を含有し、かつ、相対密度が９０％以上であるＭｎ−Ｔａ−Ｗ−Ｃｕ−Ｏ系スパッタリングターゲットは、異常放電回数が抑制されることが確認された。
また、同じ原料粉末を用いて同じ焼結条件で作製された実施例１、５、７、及び比較例５を比較すると、Ｔａ及びＷの含有比が高いほど、相対密度が下がる傾向にあることが確認された。
さらに、焼結時の圧力以外は全て同じ条件により作製された実施例１、９、及び比較例６を比較すると、焼結時の圧力が高い方が、相対密度が高い傾向にあることが確認された。
【図１】
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