(57)【要約】【課題】導線路間で、絶縁層を配置させることなく、接触させても、相互の電気的干渉（例えば、電気的接続および電気的導通等）を防止することができる回路基板を提供すること。【解決手段】メビウス化合物を含む第１導電線路１と、非メビウス化合物を含む第２導電線路２と、を備える回路基板であって、前記第１導電線路１および前記第２導電線路２は相互に接している、回路基板。【選択図】図１
2020181895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メビウス化合物を含む第１導電線路と、
非メビウス化合物を含む第２導電線路と、
を備える回路基板であって、
前記第１導電線路および前記第２導電線路は相互に接している、回路基板。
【請求項２】
前記メビウス化合物および前記非メビウス化合物は相互に構造異性体の関係を有する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１導電線路は前記メビウス化合物を主成分として含み、
前記第２導電線路は前記非メビウス化合物を主成分として含む、請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１導電線路の少なくとも一部は前記第２導電線路と重なっている、請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１導電線路は前記第２導電線路と交差している、請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１導電線路と前記第２導電線路は互いに極性が異なる、請求項１〜５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも、０．２８ｅＶ以上大きい、請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
前記非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位は、前記非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも、０．６ｅＶ以上大きい、請求項１〜７のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
前記メビウス化合物は、一方の端と他方の端との結合前の分子を分子帯とみなしたとき、該分子帯の一方の端を、１８０°だけ回転させながら、他方の端に結合させて得られる、半回転ねじれループ形状を有する有機化合物分子であり、
前記非メビウス化合物は、前記分子帯の一方の端を、回転させることなく、他方の端にそのまま結合させて得られる、標準ループ形状を有する有機化合物分子、前記分子帯の一方の端を、３６０°×ｎ（ｎは正の整数）回転させながら、他方の端に結合させて得られる、整数回転ねじれループ形状を有する有機化合物分子、またはこれらの混合物である、請求項１〜８のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１０】
前記メビウス化合物は、ポリアセチレン誘導体の一方の端を、１８０°回転させながら、他方の端に結合させて得られる、半回転ねじれループ形状を有する、化学式（１Ａ）で表されるメビウス化合物（１Ａ）であり、
前記非メビウス化合物は、ポリアセチレン誘導体の一方の端を、回転させることなしに、そのまま他方の端に結合させて得られる、標準ループ形状を有する、化学式（１Ｂ）で表される非メビウス化合物（１Ｂ）である、請求項１〜８のいずれかに記載の回路基板。
【化１Ａ】
2020181895.tif 000009
【化１Ｂ】
2020181895.tif 000010
【請求項１１】
前記メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）を構成するポリアセチレン誘導体において、該ポリアセチレン誘導体を構成する炭素原子の一部は、窒素原子、ホウ素原子、および酸素原子からなる群より選択された少なくとも１種の原子で置換されており、かつ／または該ポリアセチレン誘導体を構成する水素原子の一部は、ハロゲン原子およびアルキル基からなる群より選択された少なくとも１種の有機基で置換されている、請求項１０に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記メビウス化合物は化学式（２Ａ）で表されるメビウス化合物（２Ａ）であり、
前記非メビウス化合物は化学式（２Ｂ）で表される非メビウス化合物（２Ｂ）である、請求項１１に記載の回路基板。
【化２Ａ】
2020181895.tif 000011
【化２Ｂ】
2020181895.tif 000012
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかの回路基板を備えた電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路等のような従来の回路は通常、２つ以上の導線を有している。このような回路基板においては、隣接する２つの導線間において、一方の導線の電流または電圧の信号を、他方の電線へ分岐または伝播させたくない場合、それらの導線間に絶縁層を配置する必要があった（特許文献１〜２）。例えば、図８に示すように、基板１１０上において、第１導電線路１０１と第２導電線路１０２との間には、絶縁層１０３を配置する必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２８３０１２号公報
【特許文献２】特開２０１５−０３５４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の発明者等は、絶縁層１０３を積載（または形成）する工程は、絶縁層厚みのばらつきなどの不安定要素を含むだけでなく、工程数増加に伴うコスト増ならびに回路基板およびデバイス全体の厚み増が問題となることを見い出した。
【０００５】
本開示は、導線路間で、絶縁層を配置させることなく、接触させても、相互の電気的干渉（例えば、電気的接続（electrical connection）および電気的導通（electrical conduction）等）を防止することができる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示は、
メビウス化合物を含む第１導電線路と、
非メビウス化合物を含む第２導電線路と、
を備える回路基板であって、
前記第１導電線路および前記第２導電線路は相互に接している、回路基板に関する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の回路基板によれば、導線路間で、絶縁層を配置させることなく、接触させても、相互の電気的干渉（例えば、電気的接続および電気的導通等）を防止することができる。このため、本開示の回路基板は、自由度がより十分に高い設計および／またはバリエーションがより十分に広いレイアウトが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本開示に係る回路基板の一例の模式的斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、メビウス化合物および非メビウス化合物を説明するための分子帯を説明するための模式的概念図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、メビウス化合物が有する半回転ねじれループ形状を説明するための模式的概念図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、メビウス化合物が有する半回転ねじれループ形状を説明するための模式的概念図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、非メビウス化合物が有する標準ループ形状を説明するための模式的概念図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、非メビウス化合物が有する標準ループ形状を説明するための模式的概念図である。
【図３Ａ】図３Ａは、メビウス化合物および非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位を示す模式的概念図であって、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する正孔の、非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位への移動（または遷移）が制限されることを示す概念図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、電場がかけられている条件下で第１導電線路に正孔が残る確率を、変数△Ｅとしてシミュレーションする方法を説明するための、模式的斜視図を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、シミュレーションの結果を示すグラフであって、「電場がかけられている条件下で第１導電線路に正孔が残る確率」の「△Ｅ」に対する関係を示すグラフを示す。
【図４Ａ】図４Ａは、メビウス化合物および非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位を示す模式的概念図であって、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子の、非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位への移動（または遷移）が制限されることを示す概念図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、電場がかけられている条件下で第１導電線路に電子が残る確率を、変数△Ｅとしてシミュレーションする方法を説明するための、模式的斜視図を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、シミュレーションの結果を示すグラフであって、「電場がかけられている条件下で第１導電線路に電子が残る確率」の「△Ｅ」に対する関係を示すグラフを示す。
【図５Ａ】図５Ａは、メビウス化合物（１Ａ）の３次元構造式である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、非メビウス化合物（１Ｂ）の３次元構造式である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、メビウス化合物（２Ａ）の３次元構造式である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、非メビウス化合物（２Ｂ）の３次元構造式である。
【図６Ａ】図６Ａは、メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）の波長−吸収スペクトルのグラフである。
【図６Ｂ】図６Ｂは、メビウス化合物（２Ａ）および非メビウス化合物（２Ｂ）の波長−吸収スペクトルのグラフである。
【図７Ａ】図７Ａは、メビウス化合物から成る導線Ａの端に位置する分子のＨＯＭＯ準位に注入された正孔が、非メビウス化合物から成る導線Ｂとの交点において、導線Ｂへ移動（または遷移）せずに、導線Ａ中を移動することを示す、導線Ａと導電Ｂとの交点の模式的概念図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、メビウス化合物から成る導線Ａの端に位置する分子のＨＯＭＯ準位に注入された正孔は、メビウス化合物から成る導線Ｃとの交点において、導線Ｃへ移動（または遷移）することを示す、導線Ａと導電Ｃとの交点の模式的概念図である。
【図８】図８は、従来技術に係る回路基板の一例の模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［回路基板］
本開示の回路基板は、例えば図１に示すように、基板１０上に、第１導電線路１および第２導電線路２を備えている。本開示の回路基板においては、第１導電線路１および第２導電線路２は相互に接しているにもかかわらず、相互の電気的干渉が防止されている。例えば、第１導電線路１および第２導電線路２は相互に接しているにもかかわらず、電気的接続（electrical connection）も電気的導通（electrical conduction）も回避されている。第１導電線路１と第２導電線路２とは、それらの間で、絶縁層を介在させることなく、直接的に接している。
【００１０】
第１導電線路１はメビウス化合物を含み、第２導電線路２は非メビウス化合物を含む。
【００１１】
「メビウス」は、形状を表す用語であり、帯状の長方形の一方の端を１８０°回転させながら、他方の端に結合させて得られる、半回転ねじれループ形状のことである。
【００１２】
「メビウス化合物」は、例えば、メビウス芳香族性化合物とも称され得る有機化合物分子を含む。メビウス化合物は、一方の端と他方の端との結合前の分子（または分子鎖もしくは分子のつながり）を図２Ａに示すような分子帯とみなしたとき、当該分子帯の一方の端を、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、１８０°だけ回転（またはねじれ）させながら、他方の端に結合させて得られる、半回転ねじれループ形状を有する有機化合物分子である。半回転ねじれループ形状は、メビウス化合物分子の全体として１つのループ形状を有する。図２Ａは、メビウス化合物および非メビウス化合物を説明するための分子帯を説明するための模式的概念図である。図２Ｂおよび図２Ｃは、メビウス化合物が有する半回転ねじれループ形状を説明するための模式的概念図である。
【００１３】
「非メビウス化合物」は、ねじれを有さないこと、またはねじれを有していても３６０°×ｎ（ｎは正の整数）の回転のねじれを有すること以外、「メビウス化合物」と同様である。すなわち、「非メビウス化合物」は、分子帯の一方の端を、図２Ｄおよび図２Ｅに示すように、回転（またはねじれ）させることなく、他方の端にそのまま結合させて得られる、標準ループ形状（無回転ループ形状ともいう）を有する有機化合物分子、または分子帯の一方の端を、３６０°×ｎ（ｎは正の整数）だけ回転（またはねじれ）させながら、他方の端に結合させて得られる、整数回転ねじれループ形状を有する有機化合物分子、もしくはこれらの混合物を包含する。標準ループ形状および整数回転ループ形状は各々、非メビウス化合物分子の全体として１つのループ形状を有する。非メビウス化合物は、電気的干渉のさらなる防止と当該化合物の入手容易性とのバランスの観点から、標準ループ形状を有する有機化合物分子であることが好ましい。図２Ｄおよび図２Ｅは、非メビウス化合物が有する標準ループ形状を説明するための模式的概念図である。
【００１４】
本開示に係る好ましい実施態様においては、第１導電線路１に含まれるメビウス化合物は、第２導電線路２に含まれる非メビウス化合物のメビウス体（メビウス化合物）である。
【００１５】
本開示のメビウス化合物および非メビウス化合物において、一方の端と他方の端との結合前の分子帯は、詳しくは、図２Ａに示すように、二重結合と単結合とが交互に繰り返されてなる主鎖を含む有機化合物分子の面状体であって、当該二重結合と単結合との繰り返し方向の全長を分子長Ｌ１、当該繰り返し方向に対して垂直方向の全長を分子幅Ｗ１としたとき、Ｌ１＞Ｗ１の関係を有する有機化合物分子の面状体である。少なくとも当該主鎖における一方の端と他方の端との結合により、メビウス化合物および非メビウス化合物それぞれにおいて、半回転ねじれループ形状および標準ループ形状（および整数回転ループ形状）のループ形状が形成される。当該有機化合物分子は、典型元素を含む。図２Ａにおいて、当該有機化合物分子の主鎖を構成する二重結合および単結合の全ては、２つの炭素原子間で形成されているが、それぞれ独立して、２つの炭素原子間で形成されていてもよいし、または炭素原子−窒素原子間、炭素原子−酸素原子間もしくは炭素原子−硫黄原子間で形成されてもよい。分子帯は、当該有機化合物分子の主鎖の各二重結合を形成する少なくとも一方の原子（好ましくは両方の原子）を通る面状体であってもよい分子帯において、例えば図２Ａに示すＲ１〜Ｒ６等のような置換基（または側鎖）は、必ずしも、分子帯の面状体（またはその平面）上に配置されなければならないというわけではない。分子帯において、当該置換基（または側鎖）は、例えば、分子帯の面状体（またはその平面）に対して、ある一定の角度（例えば、鋭角）をなして主鎖と結合していてもよい。詳しくは、図２ＡにおいてＲ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、分子帯の面状体（またはその平面）を基準に、当該図の表裏方向で、おもて側に配置されていてもよいし、または、うら側に配置されていてもよい。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素原子であってもよいし、またはあらゆる有機基であってもよい。Ｒ１〜Ｒ６のうち、隣接する２つの基（例えば、Ｒ１とＲ３、Ｒ３とＲ５、Ｒ２とＲ４、およびＲ４とＲ６）は、互いに結合して、主鎖における当該２つの基が結合する原子（例えば、炭素原子、窒素原子、硫黄原子等）とともに、芳香族環または非芳香族環を形成してもよい。ここで芳香族環とは、ヒュッケル則に基づく芳香族性を有する炭素環またはヘテロ環のことであり、例えば、ベンゼン環等の芳香族炭素環；ピロール環、チオフェン環、フラン環等の芳香族ヘテロ環等が挙げられる。非芳香族環とは、ヒュッケル則に基づく芳香族性を有さない炭素環またはヘテロ環のことであり、例えば、シクロペンテン環、シクロオクタテトラエン環、シクロヘキサン環等の非芳香族炭素環、等の非芳香族ヘテロ環等が挙げられる。
【００１６】
本開示のメビウス化合物は、詳しくは、図２Ａに示すように、分子帯を特徴づける４つの隅を点Ａ、点Ｂ、点Ａ’および点Ｂ’とした場合に、区別可能であった分子帯の表裏が区別されなくなるように、以下のように形成された有機化合物分子である：
図２Ｂに示すように分子帯の一方の端（図２Ｂでは右側の端）を１８０°回転（またはねじれ）させつつ、図２Ｃに示すように、点Ａ’と点Ｂを重ね合わせ（または結合し）、かつ点Ａと点Ｂ’を重ね合わせ（または結合）する。
【００１７】
メビウス化合物は、二重結合と単結合との繰り返しが、主鎖に沿って、１つのループを１周する構造を有している。本開示において、メビウス化合物（特にその主鎖）は通常、π電子の数が４ｎで表されるπ電子系を有する。換言すると、当該メビウス化合物（特にその主鎖）において、上記１つのループを構成する原子のπ電子系に含まれるπ電子の数は通常、４ｎで表される。ｎは１以上、特に２以上の整数であり、電気的干渉のさらなる防止の観点から、好ましくは４〜２５、より好ましくは４〜２０、さらに好ましくは４〜１５の整数である。π電子は、二重結合に由来するπ電子および炭素原子以外の原子（例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子）が有する非共有電子対に由来するπ電子を含む。メビウス化合物は通常、主鎖に沿った１つのループにおいて、４個以上の二重結合を有し、電気的干渉のさらなる防止の観点から、好ましくは８〜５０個、より好ましくは８〜４０個、さらに好ましくは８〜３０個の二重結合を有する。
【００１８】
本開示の非メビウス化合物は、詳しくは、図２Ａに示すように、分子帯を特徴づける４つの隅を点Ａ、点Ｂ、点Ａ’および点Ｂ’とした場合に、分子帯の表裏の区別がなくならないように、以下のように形成された有機化合物分子である：
図２Ｄおよび図２Ｅに示すように、分子帯の端を回転（またはねじれ）させることなく、そのまま、点Ａと点Ａ’を重ね合わせ（または結合し）、かつ点Ｂと点Ｂ’を重ね合わせ（または結合）する。または、分子帯の端を３６０×ｋ°回転（またはねじれ）させ、そのまま、点Ａと点Ａ’を重ね合わせ（または結合し）、かつ点Ｂと点Ｂ’を重ね合わせ（または結合）する。この場合、分子帯の表裏の区別はなくならない。但し、ｋは０以上の整数である。
【００１９】
非メビウス化合物もまた、メビウス化合物と同様に、二重結合と単結合との繰り返しが、主鎖に沿って、１つのループを１周する構造を有している。ただし、非メビウス化合物は、メビウス化合物が有するような１８０°のねじれは有さない。詳しくは非メビウス化合物は、ねじれを有さないか、またはねじれを有していても、３６０°×ｎ（ｎは正の整数）の回転のねじれを有する。以下、非メビウス化合物についてより詳しく説明する。非メビウス化合物は、メビウス化合物と同様に、二重結合と単結合との繰り返しが、主鎖に沿って、１つのループを１周する構造を有している。本開示において、非メビウス化合物（特にその主鎖）は通常、π電子の数が４ｎで表されるπ電子系を有する。換言すると、当該非メビウス化合物（特にその主鎖）において、上記１つのループを構成する原子のπ電子系に含まれるπ電子の数は通常、４ｎで表される。ｎは１以上、特に２以上の整数であり、電気的干渉のさらなる防止の観点から、好ましくは４〜２５、より好ましくは４〜２０、さらに好ましくは４〜１５の整数である。非メビウス化合物は通常、主鎖に沿った１つのループにおいて、４個以上の二重結合を有し、電気的干渉のさらなる防止の観点から、好ましくは８〜５０個、より好ましくは８〜４０個、さらに好ましくは８〜３０個の二重結合を有する。
【００２０】
非メビウス化合物においては、エネルギー障壁により、主鎖をなす単結合と二重結合は結合軸周りに回転しない。換言すると、図２Ｅにおいて、非メビウス化合物を形成する表裏の区別が可能な分子帯は、エネルギー障壁により、そのおもて側（外側）とうら側（内側）の配置が逆の配置となるような反転はしない。なお、結合軸とは、図２Ａを参考にすると、分子長Ｌ１方向に略平行で、かつ主鎖（またはその近傍）を通る軸のことである。よって、図２Ｅに示す非メビウス化合物においては、図２Ａに示すＲ１、Ｒ３およびＲ５と、Ｒ２、Ｒ４およびＲ６とは分子幅Ｗ１方向に主鎖を境界に区別され、それらが主鎖の結合軸周りの回転でそれらの区別を失わない。
【００２１】
メビウス化合物を含む第１導電線路および非メビウス化合物を含む第２導電線路は、以下のメカニズムに基づいて、それらの間で、絶縁層を配置させることなく、接触させても、相互の電気的干渉を防止できるものと考えられる。
【００２２】
図３Ａおよび図４Ａに示すように、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位は非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも適度に高く、かつ非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位はメビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも適度に高い。すなわち、非メビウス化合物の標準ループ形状に「ねじれ」を付与し、半回転ねじれループ形状のメビウス化合物とすることにより、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位は、非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも適度に高く、かつ非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位よりも適度に低くなる。その結果、以下の理由（１）および（２）により、第１導電線路および第２導電線路がそれらの間で絶縁層を配置させることなく、接触させても、相互の電気的干渉を防止できるものと考えられる。図３Ａは、メビウス化合物および非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位を示す模式的概念図であって、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する正孔の、非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位への移動（または遷移）が制限されることを示す概念図である。図４Ａは、メビウス化合物および非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位を示す模式的概念図であって、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子の、非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位への移動（または遷移）が制限されることを示す概念図である。図３Ａおよび図４Ａにおいて、メビウス化合物を含む第１導電線路および非メビウス化合物を含む第２導電線路が形成する価電子帯をそれぞれ、符号「２１」および「３１」で示す。メビウス化合物を含む第１導電線路および非メビウス化合物を含む第２導電線路が形成する伝導帯をそれぞれ、符号「２２」および「３２」で示す。メビウス化合物および非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子をそれぞれ、符号「２３」および「３３」で示す。メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する正孔を、符号「２４」で示す。メビウス化合物および非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位をそれぞれ、符号「２５」および「３５」で示す。
【００２３】
理由（１）：
図３Ａに示すように、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位は非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも適度に高いため、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する正孔２４の、非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位への移動（または遷移）が制限される。その結果、メビウス化合物を含む第１導電線路から、非メビウス化合物を含む第２導電線路への電流の漏れが防止される。
【００２４】
・シミュレーション１
図３Ｂに示す方法により、シミュレーション１を行った。すなわち、電場がかけられている条件下で第１導電線路１に正孔が残る確率を、変数△Ｅとしてシミュレーションし、その結果を図３Ｃに示した。△Ｅは、図３Ａに示す△Ｅと同様であり、すなわちメビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位と非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位との差（ｅＶ）を示す。図３Ｂは、電場がかけられている条件下で第１導電線路１に正孔が残る確率を、変数△Ｅとしてシミュレーションする方法を説明するための、模式的斜視図を示す。
【００２５】
詳しくは、図３Ｂに示すように、第１導電線路１および第２導電線路２に電場をかけたとき、第１導電線路に含まれるメビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する正孔２４（図３Ａ参照）が、非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位に移動（または遷移）することなく、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位に残る確率を、様々な△Ｅに関して、シミュレーションした。
このようなシミュレーションを、後述のシミュレーション２のように、様々なＥｇ２（例えば、０．５ｅＶ、０．６ｅＶ、０．７ｅＶ、０．８ｅＶ、０．９ｅＶおよび１．０ｅＶ）についても行ったところ、図３Ｃと同様のグラフを示した。Ｅｇ２は、非メビウス化合物が有するＬＵＭＯエネルギー準位とＨＯＭＯエネルギー準位との差（ｅＶ）である。）
【００２６】
シミュレーション１の条件を以下に示す：
発明者らは、モンテカルロ法による正孔の移動経路の予測を実施した。
電子経路の計算方法は、Ｔａｈｅｒｅｈ  Ｇｈａｎｅ他、Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆＰｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｃ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  １１９  （２０１５）  ６３４４に記載の方法を適用した。
正孔の移動経路の計算にあたって、対象となるメビウス化合物６４０個の分子と非メビウス化合物６４０個の分子を分子間の距離が３Å（オングストローム）の間隔になるように格子状にならべた。図３Ｂの１のメビウス化合物からなる導線は、その分子をｘ方向に４個、ｙ方向に２０個、ｚ方向に８個並べてできている。図３Ｂの２の非メビウス化合物からなる導線は、その分子をｘ方向に４個、ｙ方向に８個、ｚ方向に２０個並べてできている。図７Ａは、図３Ｂの導線１にメビウス化合物を、図３Ｂの導線２に非メビウス化合物を配置したデバイスの模式的斜視図を示す。
【００２７】
ある分子ｉから他の分子ｊへの正孔の遷移確率ｋｉｊは、以下の式（ｐ１）で与えられる。
【数１】
2020181895.tif 000003
式中、βは減衰因子、ｒｉ，ｊは分子ｉから他の分子ｊへの距離である。
ｋＢはボルツマン定数である。
Ｔは温度、Ａは比例定数である。
ΔＥ１は分子ｊのＨＯＭＯ準位のエネルギーから分子ｉのＨＯＭＯ準位のエネルギーを差し引いた値である。
【００２８】
ある分子ｉからどの分子に正孔が移動するかは、分子ｉに隣接するすべての分子間の遷移確率を計算し、モンテカルロ法により正孔が移る先の分子を抽選することにより決定される。
正孔がある分子ｉからほかの分子ｊに移ったら、次は分子ｊからの正孔の移り先を先ほどと同様の手法で決定する。この過程を繰り返すことにより、正孔の伝導パスを決定した。
【００２９】
図３Ｂの１の導線のｙ方向の末端に存在する分子のＨＯＭＯ準位に正孔を注入し、負のｙ方向に０．０８７７Ｖ/ｎｍ、負のｚ方向に０．０８７７Ｖ/ｎｍの電場をかけた場合の上記の手法で正孔の電荷移動経路を決定した。図７Ａは、左斜め下方向、つまり−y方向かつ−z方向に電場がかけられた場合に、図３Ｂの導線１の導線のｙ方向の末端に存在する分子のＨＯＭＯ準位に注入された正孔が、経由した軌跡の１００パターンを示している。
【００３０】
シミュレーション１の結果、図３Ｃに示すように、△Ｅが０．２８ｅＶ以上（特に０．３０ｅＶ以上）のとき、第１導電線路１に正孔が残る確率は限りなく１００％に近く、第１導電線路１から第２導電線路２への電流の漏れがほぼ確実に防止されることが明らかとなった。図３Ｃは、シミュレーション１の結果を示すグラフであって、「電場がかけられている条件下で第１導電線路に正孔が残る確率」の「△Ｅ」に対する関係を示すグラフを示す。なお、図３Ｃのグラフ（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する。
【００３１】
理由（２）：
図４Ａに示すように、非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位はメビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位よりも適度に高いため、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子２３の、非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位への移動（または遷移）が制限される。その結果、メビウス化合物を含む第１導電線路から、非メビウス化合物を含む第２導電線路への電流の漏れが防止される。
【００３２】
・シミュレーション２
図４Ｂに示す方法により、シミュレーション２を行った。すなわち、電場がかけられている条件下で第１導電線路１に電子が残る確率を、変数△Ｅとしてシミュレーションし、その結果を図４Ｃに示した。なお、このようなシミュレーションは、様々なＥｇ２について行った。Ｅｇ２は、非メビウス化合物が有するＬＵＭＯエネルギー準位とＨＯＭＯエネルギー準位との差（ｅＶ）である。△Ｅは、図４Ａに示す△Ｅと同様であり、すなわちメビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位と非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位との差（ｅＶ）を示す。図４Ｂは、電場がかけられている条件下で第１導電線路１に電子が残る確率を、変数△Ｅとしてシミュレーションする方法を説明するための、模式的斜視図を示す。
【００３３】
詳しくは、図４Ｂに示すように、第１導電線路１および第２導電線路２に電場をかけたとき、第１導電線路に含まれるメビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子２３（図４Ａ参照）が、非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位に移動（または遷移）することなく、メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位に残る確率を、様々な△ＥおよびＥｇ２に関して、シミュレーションした。
【００３４】
シミュレーション２の条件を以下に示す：
発明者らは、モンテカルロ法による電子の移動経路の予測を実施した。
電子経路の計算方法は、Ｔａｈｅｒｅｈ  Ｇｈａｎｅ他、Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆＰｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｃ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  １１９  （２０１５）  ６３４４に記載の方法を適用した。
電子の移動経路の計算にあたって、対象となるメビウス化合物６４０個の分子と非メビウス化合物６４０個の分子を分子間の距離が３Å（オングストローム）の間隔になるように格子状にならべた。図４Ｂの１のメビウス化合物からなる導線は、その分子をｘ方向に４個、ｙ方向に２０個、ｚ方向に８個並べた。図４Ｂの２の非メビウス化合物からなる導線は、その分子をｘ方向に４個、ｙ方向に８個、ｚ方向に２０個並べた。図７Ａは、図４Ｂの導線１にメビウス化合物を、図４Ｂの導線２に非メビウス化合物を配置したデバイスの模式的斜視図に相当する。
【００３５】
ある分子ｉから他の分子ｊへの電子の遷移確率ｋｉｊは式（ｐ２）で与えられる。
【数２】
2020181895.tif 000004
式中、βは減衰因子、ｒｉ，ｊは分子ｉから他の分子ｊへの距離である。
ｋＢはボルツマン定数である。
Ｔは温度、Ａは比例定数である。
ΔＥ２は分子ｊのＬＵＭＯ準位のエネルギーから分子ｉのＨＯＭＯ準位のエネルギーを引いた値である。
【００３６】
ある分子ｉからどの分子に電子が移動するかは、分子ｉに隣接するすべての分子間の遷移確率を計算し、モンテカルロ法により正孔が移る先の分子を抽選することにより決定される。
電子がある分子ｉからほかの分子ｊに移ったら、次は分子ｊからの電子の移り先を先ほどと同様の手法で決定する。この過程を繰り返すことにより、電子の伝導パスを決定した。
【００３７】
図４Ｂの１の導線の正のｙ方向の末端に存在する分子のＨＯＭＯ準位に電子を注入し、負のｙ方向に０．０８７７Ｖ/ｎｍ、負のｚ方向に０．０８７７Ｖ/ｎｍの電場をかけ、場合の上記の手法で電子の電荷移動経路を決定した。
【００３８】
シミュレーション２の結果、図４Ｃに示すように、Ｅｇ２が０．６ｅＶ以上の場合、第１導電線路１に電子が残る確率が１００％に限りなく近づく（９９．９９９９９・・・％）ことができ、第１導電線路１から第２導電線路２への電流の漏れがほぼ確実に防止できることが明らかとなった。
詳しくは、Ｅｇ２が０．５ｅＶの場合、第１導電線路１に電子が残る確率が１００％となる△Ｅの範囲は存在しなかった。
Ｅｇ２が０．６ｅＶの場合、△Ｅが０．２８〜０．３２ｅＶ（特に０．３０〜０．３２ｅＶ）のとき、第１導電線路１に電子が残る確率が限りなく１００％に近かった。
Ｅｇ２が０．７ｅＶの場合、△Ｅが０．２８〜０．４２ｅＶ（特に０．３０〜０．４２ｅＶ）のとき、第１導電線路１に電子が残る確率が限りなく１００％に近かった。
Ｅｇ２が０．８ｅＶの場合、△Ｅが０．２８〜０．５２ｅＶ（特に０．３０〜０．５２ｅＶ）のとき、第１導電線路１に電子が残る確率が限りなく１００％に近かった。
Ｅｇ２が０．９ｅＶの場合、△Ｅが０．２８〜０．６２ｅＶ（特に０．３０〜０．６２ｅＶ）のとき、第１導電線路１に電子が残る確率が限りなく１００％に近かった。
Ｅｇ２が１．０ｅＶの場合、△Ｅが０．２８〜０．７２ｅＶ（特に０．３０〜０．７２ｅＶ）のとき、第１導電線路１に電子が残る確率が限りなく１００％に近かった。
これらの結果より、Ｅｇ２がｘ（ｅＶ）（ｘ＝０．６ｅＶ以上、特に０．６〜５．０ｅＶ）の場合、△Ｅが０．２８〜「ｘ−０．２８」ｅＶ（特に０．３０〜「ｘ−０．２８」ｅＶ）のとき、第１導電線路１に電子が残る確率が１００％であり、第１導電線路１から第２導電線路２への電流の漏れが完全かつ確実に防止されることが明らかとなった。図４Ｃは、シミュレーション２の結果を示すグラフであって、「電場がかけられている条件下で第１導電線路に電子が残る確率」の「△Ｅ」に対する関係を示すグラフを示す。
【００３９】
メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位は通常、−６．０〜−１．０ｅＶ、特に−５．５〜−１．０ｅＶである。
メビウス化合物のＥｇ１は通常、１．０〜５．０ｅＶ、特に１．５〜５．０ｅＶである。Ｅｇ１は、メビウス化合物が有するＬＵＭＯエネルギー準位とＨＯＭＯエネルギー準位との差（ｅＶ）である。
非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位は通常、−６．５〜−１．０ｅＶ、特に−５．５〜−１．０ｅＶである。
非メビウス化合物のＥｇ２は通常、０．６〜５．０ｅＶ、特に０．６〜４．０ｅＶである。
△Ｅは０．２８ｅＶ以上（特に０．３０ｅＶ以上）であり、通常は０．２８〜２．０ｅＶ、特に０．２８〜１．０ｅＶである。
【００４０】
メビウス化合物および非メビウス化合物の具体例を以下に示す。
【００４１】
化学式（１Ａ）で表されるメビウス化合物（以下、メビウス化合物（１Ａ）ということがある）（当該化合物の３次元構造式を図５Ａに示す；なお、図５Ａの３次元構造式（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する）；
【化１Ａ】
2020181895.tif 000005
【００４２】
化学式（１Ｂ）で表される非メビウス化合物（以下、非メビウス化合物（１Ｂ）ということがある）（当該化合物の３次元構造式を図５Ｂに示す；なお、図５Ｂの３次元構造式（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する）；
【化１Ｂ】
2020181895.tif 000006
【００４３】
化学式（２Ａ）で表されるメビウス化合物（以下、メビウス化合物（２Ａ）ということがある）（当該化合物の３次元構造式を図５Ｃに示す；なお、図５Ｃの３次元構造式（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する）；
【化２Ａ】
2020181895.tif 000007
【００４４】
化学式（２Ｂ）で表される非メビウス化合物（以下、非メビウス化合物（２Ｂ）ということがある）（当該化合物の３次元構造式を図５Ｄに示す；なお、図５Ｄの３次元構造式（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する）；
【化２Ｂ】
2020181895.tif 000008
【００４５】
上記したメビウス化合物および非メビウス化合物の具体例について、ＨＯＭＯエネルギー準位、Ｅｇ１、Ｅｇ２および△Ｅは以下の通りであった。なお、これらの値は、後述のシミュレーション３を行うことによって得られた値を用いている：
【００４６】
メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）：Ｅｇ１＝３．１０ｅＶ、Ｅｇ２＝３．７８ｅＶ、メビウス化合物（１Ａ）のＨＯＭＯエネルギー準位＝−５．０４ｅＶ、非メビウス化合物（１Ｂ）のＨＯＭＯエネルギー準位＝−５．３２ｅＶ、および△Ｅ＝０．２９ｅＶ。
【００４７】
メビウス化合物（２Ａ）および非メビウス化合物（２Ｂ）：Ｅｇ１＝３．１０ｅＶ、Ｅｇ２＝３．７８ｅＶ、メビウス化合物（２Ａ）のＨＯＭＯエネルギー準位＝−４．９８ｅＶ、非メビウス化合物（２Ｂ）のＨＯＭＯエネルギー準位＝−５．２８ｅＶ、および△Ｅ＝０．２９ｅＶ。
【００４８】
・シミュレーション３
メビウス化合物と非メビウス化合物の構造最適化とＨＯＭＯ準位の計算には、密度汎関数の計算ソフトであるＧａｕｓｓｉａｎ（Ｇａｕｓｓｉａｎ  ０９，  Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｅ．０１，  Ｍ．  Ｊ．  Ｆｒｉｓｃｈ，  Ｇ．  Ｗ．  Ｔｒｕｃｋｓ，  Ｈ．  Ｂ．  Ｓｃｈｌｅｇｅｌ，  Ｇ．  Ｅ．  Ｓｃｕｓｅｒｉａ，  Ｍ．  Ａ．  Ｒｏｂｂ，  Ｊ．  Ｒ．  Ｃｈｅｅｓｅｍａｎ，  Ｇ．  Ｓｃａｌｍａｎｉ，  Ｖ．  Ｂａｒｏｎｅ，  Ｂ．  Ｍｅｎｎｕｃｃｉ，  Ｇ．  Ａ．  Ｐｅｔｅｒｓｓｏｎ，  Ｈ．  Ｎａｋａｔｓｕｊｉ，  Ｍ．  Ｃａｒｉｃａｔｏ，  Ｘ．  Ｌi,  Ｈ．  Ｐ．  Ｈｒａｔｃｈｉａｎ，  Ａ．  Ｆ．  Ｉｚｍａｙｌｏｖ，  Ｊ．  Ｂｌｏｉｎｏ，  Ｇ．  Ｚｈｅｎｇ，  Ｊ．  Ｌ．  Ｓｏｎｎｅｎｂｅｒｇ，  Ｍ．  Ｈａｄａ，  Ｍ．  Ｅｈａｒａ，  Ｋ．  Ｔｏｙｏｔａ，  Ｒ．  Ｆｕｋｕｄａ，  Ｊ．  Ｈａｓｅｇａｗａ，  Ｍ．  Ｉｓｈｉｄａ，  Ｔ．  Ｎａｋａｊｉｍａ，  Ｙ．  Ｈｏｎｄａ，  Ｏ．  Ｋｉｔａｏ，  Ｈ．  Ｎａｋａｉ，  Ｔ．  Ｖｒｅｖｅｎ，  Ｊ．  Ａ.  Ｍｏｎｔｇｏｍｅｒｙ，  Ｊｒ．，  Ｊ．  Ｅ．  Ｐｅｒａｌｔａ，  Ｆ．  Ｏｇｌｉａｒｏ，  Ｍ．  Ｂｅａｒｐａｒｋ，  Ｊ．  Ｊ．  Ｈｅｙｄ，  Ｅ．  Ｂｒｏｔｈｅｒｓ，  Ｋ．  Ｎ．  Ｋｕｄｉｎ，  Ｖ．  Ｎ．  Ｓｔａｒｏｖｅｒｏｖ，  Ｒ．  Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，  Ｊ．  Ｎｏｒｍａｎｄ，  Ｋ．  Ｒａｇｈａｖａｃｈａｒｉ，  Ａ．  Ｒｅｎｄｅｌｌ，  Ｊ．  Ｃ．  Ｂｕｒａｎｔ，  Ｓ．  Ｓ．  Ｉｙｅｎｇａｒ，  Ｊ．  Ｔｏｍａｓｉ，  Ｍ．  Ｃｏｓｓｉ，  Ｎ．  Ｒｅｇａ，  Ｊ．  Ｍ．  Ｍｉｌｌａｍ，  Ｍ．  Ｋｌｅｎｅ，  Ｊ．  Ｅ．  Ｋｎｏｘ，  Ｊ．  Ｂ．  Ｃｒｏｓｓ，  Ｖ．  Ｂａｋｋｅｎ，  Ｃ．  Ａｄａｍｏ，  Ｊ．  Ｊａｒａｍｉｌｌｏ，  Ｒ．  Ｇｏｍｐｅｒｔｓ，  Ｒ．  Ｅ．  Ｓｔｒａｔｍａｎｎ，  Ｏ．  Ｙａｚｙｅｖ，  Ａ．  Ｊ．  Ａｕｓｔｉｎ，  Ｒ．  Ｃａｍｍｉ，  Ｃ．  Ｐｏｍｅｌｌｉ，  Ｊ．  Ｗ．  Ｏｃｈｔｅｒｓｋｉ，  Ｒ．  Ｌ．  Ｍａｒｔｉｎ，  Ｋ．  Ｍｏｒｏｋｕｍａ，  Ｖ．  Ｇ．  Ｚａｋｒｚｅｗｓｋｉ，  Ｇ．  Ａ．  Ｖｏｔｈ，  Ｐ．  Ｓａｌｖａｄｏｒ，  Ｊ．  Ｊ．  Ｄａｎｎｅｎｂｅｒｇ，  Ｓ．  Ｄａｐｐｒｉｃｈ，  Ａ．  Ｄ．  Ｄａｎｉｅｌｓ，  Ｏ．  Ｆａｒｋａｓ，  Ｊ．  Ｂ．  Ｆｏｒｅｓｍａｎ，  Ｊ．  Ｖ．  Ｏｒｔｉｚ，  Ｊ．  Ｃｉｏｓｌｏｗｓｋｉ，  ａｎｄ  Ｄ．  Ｊ．  Ｆｏｘ，  Ｇａｕｓｓｉａｎ，  Ｉｎｃ．，  Ｗａｌｌｉｎｇｆｏｒｄ  ＣＴ，  ２００９．）を使用した。密度汎関数にはＢ３ＬＹＰ法（Ａ．Ｄ．  Ｂｅｃｋｅ，  Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．  １９９３，  ９８，  ５６４８−５６５２．）を用い、既定関数には６−３１Ｇ＊を利用した。
【００４９】
第１導電線路１に含まれるメビウス化合物および第２導電線路２に含まれる非メビウス化合物は通常、相互に構造異性体の関係を有している。本明細書中、構造異性体の関係は、第１導電線路と第２導電線路との間で、相互の接触によっても、相互の電気的干渉が防止される限り特に限定されない。構造異性体の関係は、例えば、以下の関係１だけでなく、以下の関係２を包含してもよい：
関係１：第１導電線路１に含まれるメビウス化合物と第２導電線路２に含まれる非メビウス化合物との間で、分子全体の組成式が相互に等しいが、原子間の結合関係が相互に異なる関係；
関係２：第１導電線路１に含まれるメビウス化合物と第２導電線路２に含まれる非メビウス化合物との間で、分子の主鎖（または骨格）の組成式は相互に等しいが、側鎖（または置換基）の種類が相互に異なる関係。
第１導電線路１に含まれるメビウス化合物と第２導電線路２に含まれる非メビウス化合物とが有する構造異性体の関係は、上記関係１であることが好ましい。
【００５０】
メビウス化合物および非メビウス化合物はそれぞれ、電気的干渉のさらなる防止の観点から、メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）であることが好ましい。
メビウス化合物（１Ａ）は、換言すると、ポリアセチレン誘導体の一方の端を、１８０°回転させながら、他方の端に結合させて得られる、半回転ねじれループ形状を有する有機化合物分子である。
非メビウス化合物（１Ｂ）は、換言すると、ポリアセチレン誘導体の一方の端を、回転させることなしに、そのまま他方の端に結合させて得られる、標準ループ形状を有する有機化合物分子である。
メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）を構成するポリアセチレン誘導体において、当該ポリアセチレン誘導体を構成する炭素原子の一部は、窒素原子、ホウ素原子、および酸素原子からなる群より選択された少なくとも１種の原子で置換されていてもよい。また、当該ポリアセチレン誘導体を構成する水素原子の一部は、ヨウ素原子、フッ素原子、塩素原子および臭素原子等のハロゲン原子ならびにアルキル基からなる群より選択された少なくとも１種の有機基で置換されていてもよい。アルキル基は炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５のアルキル基であってもよい。アルキル基の具体例として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）において、ポリアセチレン誘導体を構成する炭素原子の一部および／または水素原子の一部が上記原子で置換されていることにより、第１導電線路と第２導電線路の作製が容易となる。このような置換により、メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）の溶媒に対する溶解性を向上させることができるため、結果として、第１導電線路と第２導電線路の作製が容易となる。
【００５１】
メビウス化合物および非メビウス化合物は通常、導電性を有している。
メビウス化合物が導電性を有しているとは、メビウス化合物の含有量１００重量％の第１導電線路１を形成したとき、当該第１導電線路１は導電性を有する、という意味である。このとき、第１導電線路１の導電率は、例えば、１０-１Ω・ｃｍ以下、特に１０-１２〜１０-１Ω・ｃｍであり、好ましくは１０-１２〜１０-８Ω・ｃｍである。
非メビウス化合物が導電性を有しているとは、非メビウス化合物の含有量１００重量％の第２導電線路２を形成したとき、当該第２導電線路２は導電性を有する、という意味である。このとき、第２導電線路２の導電率は、例えば、１０-１Ω・ｃｍ以下、特に１０-１２〜１０-１Ω・ｃｍであり、好ましくは１０-１２〜１０-８Ω・ｃｍである。
【００５２】
メビウス化合物の含有量は通常、第１導電線路の全量に対して、１０重量％以上であり、電気的干渉のさらなる防止の観点から、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上、最も好ましくは１００重量％である。第１導電線路はメビウス化合物を主成分として含むことが好ましい。主成分とは、第１導電線路を構成する成分（すなわち材料）の中で重量として最も多く含まれる成分（特に５０重量％以上含まれる成分）という意味である。
【００５３】
非メビウス化合物の含有量は通常、第２導電線路の全量に対して、１０重量％以上であり、電気的干渉のさらなる防止の観点から、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上、最も好ましくは１００重量％である。第２導電線路は非メビウス化合物を主成分として含むことが好ましい。主成分とは、第２導電線路を構成する成分（すなわち材料）の中で重量として最も多く含まれる成分（特に５０重量％以上含まれる成分）という意味である。
【００５４】
第１導電線路および第２導電線路がそれぞれメビウス化合物および非メビウス化合物の他に含んでもよい材料として、例えば、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップの大きいＨ２Ｏ、Ｏ２，Ｎ２，およびＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップの大きいポリアルカンであるエタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、またはメビウス化合物のＨＯＭＯ準位よりも０．４０ｅＶ以上低いＨＯＭＯ準位を持ち、メビウス化合物のＨＯＭＯ準位よりも０．６０ｅＶ以上高いＬＵＭＯ準位を持つ非導電性のポリマー（例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル）等が挙げられる。
【００５５】
本開示の回路基板は、基板１０上に、第１導電線路１および第２導電線路２を形成することにより、製造することができる。図１において、第１導電線路１は第２導電線路２の上に直接的に接触して形成されているが、第２導電線路２が第１導電線路１の上に直接的に接触して形成されていてもよい。
【００５６】
第１導電線路１は、メビウス化合物、溶媒およびその他の所望の材料を含むペーストを、所定の配置で塗布し、乾燥することにより、形成することができる。第１導電線路１は、メビウス化合物およびその他の所望の材料を含む混合物を、マスク等を用いて、所定の配置に蒸着することによっても形成することができる。第１導電線路１の厚みおよび幅は特に限定されず、例えば、それぞれ独立して、１μｍ〜１０ｍｍ、特に１０μｍ〜１ｍｍであってもよい。
【００５７】
第２導電線路２は、非メビウス化合物、溶媒およびその他の所望の材料を含むペーストを、所定の配置で塗布し、乾燥することにより、形成することができる。第２導電線路２は、非メビウス化合物およびその他の所望の材料を含む混合物を、マスク等を用いて、所定の配置に蒸着することによっても形成することができる。第２導電線路２の厚みおよび幅は特に限定されず、例えば、それぞれ独立して、１μｍ〜１０ｍｍ、特に１０μｍ〜１ｍｍであってもよい。
【００５８】
基板１０は、非導電性を有する限り、いかなる材料から構成されていてもよい。基板１０の導電率は、例えば、１０３Ω・ｃｍ以上、特に１０３〜１０１０Ω・ｃｍであり、好ましくは１０４〜１０１０Ω・ｃｍである。基板を構成する材料としては、非導電性を有する限り特に限定されず、例えば、ガラス、非導電性のポリマー（例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル）等が挙げられる。
【００５９】
本開示の回路基板において、第１導電線路１は第２導電線路２と重なっている。換言すると、第１導電線路１の少なくとも一部は第２導電線路２の少なくとも一部と、それらの間に絶縁層を介在させることなく、相互に接しつつ、上面視において重なっている。第１導電線路１の一部が第２導電線路２の一部と重なっていてもよいし、または第１導電線路１の全部が第２導電線路２の全部と重なっていてもよい。第１導電線路１の一部が第２導電線路２の一部と重なるとは、例えば、図１に示すように、第１導電線路が第２導電線路と交差していることである。第１導電線路１の全部が第２導電線路２の全部と重なるとは、第１導電線路１または第２導電線路２の一方の上のみに、他方が形成されている態様のことである。
【００６０】
本開示の回路基板においては、第１導電線路１は第２導電線路２と、それらの間に絶縁層を介在させることなく、相互に接しつつ重なっても、相互の電気的干渉（例えば、電気的接続および電気的導通等）を防止することができる。このため、本開示の回路基板は、自由度がより十分に高い設計および／またはバリエーションがより十分に広いレイアウトが可能である。レイアウトは、配線引き回しなどの回路レイアウトのことである。
【００６１】
本開示の回路基板においては、第１導電線路１と第２導電線路２との間に絶縁層を介在させることなく、相互に接触させても、相互の電気的干渉（例えば、電気的接続および電気的導通等）を防止することができる。このため、第１導電線路１と第２導電線路２が互いに極性が異なっていても、第１導電線路１と第２導電線路２の短絡を防止できる。例えば、電池等において、正極または負極の一方の電極に電気的に接続された第１導電線路１と、他方の電極に電気的に接続された第２導電線路２とが、接触しても、第１導電線路１と第２導電線路２の短絡は防止される。
【００６２】
本開示の回路基板は、あらゆる電子デバイスに具備されていてもよい。本開示の回路基板において第１導電線路と第２導電線路の作製が容易となるため、電子デバイスの作製も容易となる。電子デバイスは、回路基板を備えた電子デバイスであれば特に限定されず、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が挙げられる。
【００６３】
第１導電線路１および第２導電線路２は、ＴＦＴにおいて、ゲート電極、ソース電極および／またはドレイン電極として使用することもできる。
【００６４】
［メビウス化合物および非メビウス化合物の合成］
メビウス化合物および非メビウス化合物は以下の方法により合成することができる。例えば、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、光異性化反応等の公知の化学反応を用いて、ねじれのあるメビウス化合物とねじれのない非メビウス化合物の合成を行った後、得られた混合合成物を、カラムクロマトグラフィー等の公知の分離方法に従って、精製および分離することにより、主生成物としての非メビウス化合物および副生成物としてのメビウス化合物を得ることができる。非メビウス化合物が市販品として入手できる場合、当該非メビウス化合物を、上記と同様の公知の分離方法に従って、精製および分離することにより、主生成物としての非メビウス化合物および副生成物としてのメビウス化合物を得ることができる。このとき、副生成物としてのメビウス化合物の収率は通常、全量に対して、１重量％以下、特に０．１重量％以下であってもよい。
【００６５】
例えば、メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）はＤ．Ａｊａｍｉ他、Ｎａｔｕｒｅ  ４２６  （２００３）  ８２０に記載の方法に従って合成することができる。まず、ベンゼン溶媒中でテトラデヒドロジアントラセンとsyn-トリシクロオクタジエン（tricyclooctadiene）をＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応により結合させ、高圧水銀ランプで紫外線を照射することにより、合成物を得る。次いで、得られた合成物を、液クロマトグラフィーにより精製および分離することにより、副生成物としてのメビウス化合物（１Ａ）および主生成物としての非メビウス化合物（１Ｂ）を得ることができる。
【００６６】
また例えば、メビウス化合物（２Ａ）および非メビウス化合物（２Ｂ）は以下の方法に従って合成することができる。まず、ベンゼン溶媒中で２，６‘−ジメチル−９，９’、１０，１０‘−テトラデヒドロジアントラセンとsyn-トリシクロオクタジエン（tricyclooctadiene）をＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応により結合させ、高圧水銀ランプで紫外線を照射することにより、合成物を得る。次いで、得られた合成物を、液クロマトグラフィーにより精製および分離することにより、副生成物としてのメビウス化合物（２Ａ）および主生成物としての非メビウス化合物（２Ｂ）を得ることができる。
【００６７】
［メビウス化合物および非メビウス化合物の同定］
例えば、メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）は、図６Ａに示す吸収スペクトルに従って、同定することができる。赤色のピークはメビウス化合物（１Ａ）に由来するピークであり、緑色のピークは非メビウス化合物（１Ｂ）に由来するピークである。詳しくは、４９０ｎｍ付近の吸収スペクトルがあれば、メビウス化合物１Ａを同定できる。
【００６８】
また例えば、メビウス化合物（２Ａ）および非メビウス化合物（２Ｂ）は、図６Ｂに示す吸収スペクトルに従って、同定することができる。緑色のピークはメビウス化合物（２Ａ）に由来するピークであり、赤色のピークは非メビウス化合物（２Ｂ）に由来するピークである。詳しくは、４９０ｎｍ付近の吸収スペクトルがあれば、メビウス化合物２Ａを同定できる。
【００６９】
なお、図６Ａおよび図６Ｂのグラフ（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する。
【実施例】
【００７０】
（実施例１）
カイネティック・モンテカルロ法による正孔の伝導パス解析により、メビウス化合物から成る導線Ａの端に位置する分子のＨＯＭＯ準位に注入された正孔は、非メビウス化合物から成る導線Ｂとの交点において、導線Ｂへ移動（または遷移）せずに、導線Ａ中を移動することが計算により求められた。
【００７１】
図７Ａおよび図７Ｂを用いて詳しく説明する。
図７Ａは、メビウス化合物から成る導線Ａの端に位置する分子のＨＯＭＯ準位に注入された正孔は、非メビウス化合物から成る導線Ｂとの交点において、導線Ｂへ移動（または遷移）せずに、導線Ａ中を移動することを示す、導線Ａと導電Ｂとの交点の模式的概念図（シミュレーション結果）である。図７Ａのシミュレーション結果を示す模式的概念図（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する。
図７Ｂは、メビウス化合物から成る導線Ａの端に位置する分子のＨＯＭＯ準位に注入された正孔は、メビウス化合物から成る導線Ｃとの交点において、導線Ｃへ移動（または遷移）することを示す、導線Ａと導電Ｃとの交点の模式的概念図（シミュレーション結果）である。図７Ｂのシミュレーション結果を示す模式的概念図（現物：カラーコピー）を参考資料として物件提出書で提出する。
【００７２】
図７Ａでは、ｙ軸方向と平行なメビウス化合物からなる導線Ａが、ｚ軸方向と平行な非メビウス化合物（水色の点で表示）からなる導線Ｂにかぶさっていて、交点を形成している。当該交点においては、導線Ａと導線Ｂは相互に直接的に接触している。
図７Ｂでは、ｙ軸方向と平行なメビウス化合物（青色の点で表示）からなる導線Ａが、ｚ軸方向と平行なメビウス化合物からなる導線Ｃにかぶさっていて、交点を形成している。当該交点においては、導線Ａと導線Ｃは相互に直接的に接触している。
【００７３】
図７Ａおよび図７Ｂにおいて、赤色あるいは青色の線は、左斜め下方向、つまり−ｚ方向かつ−ｙ方向の方向に電場がかけられた場合に、上部の導線Ａの右端に注入された正孔が経由した軌跡の１００パターンを示している。すなわち、赤色あるいは青色の線は、１００回の注入を行ったときの１００回の軌跡を示している。赤色の線は、注入されて間もない正孔の軌跡を示し、青色の線は正孔の軌跡の終点付近を示す。従って、赤色の線および青色の線は電流の流れ（通電）を示唆する。
【００７４】
図７Ａおよび図７Ｂにおいて、左斜め下方向、つまり−ｚ方向かつ−ｙ方向の方向に電場がかけられた場合、図７Ｂの同種のメビウス化合物からなる導線ＡおよびＣで形成された交点では、注入された正孔の進路は、印加された電場により、ｙ軸に平行な方向から、ｚ軸に平行な方向へと変わる。
【００７５】
図７Ａのメビウス化合物と非メビウス化合物それぞれからなる導線ＡおよびＢで形成された交点においては、注入された正孔は、斜め下方向に電場が印加されているにもかかわらず、メビウス化合物のＨＯＭＯ軌道に滞在する正孔のエネルギー準位が、非メビウス化合物のＨＯＭＯ軌道に滞在する正孔のエネルギー準位よりもエネルギー的に高い準位に位置する。その結果、正孔はメビウス化合物からなる導線Ａから、非メビウス化合物からなる導線Ｂへと遷移できずに、そのままメビウス化合物からなる導線Ａ内を−ｙ軸方向へと進行する。つまり、メビウス化合物からなる導線Ａは、絶縁層なしで、非メビウス化合物からなる導線Ｂと接触していても、−ｙ軸方向へと進行する。
【００７６】
本実施例におけるカイネティック・モンテカルロ法による正孔の伝導パス解析(図７Ａに該当)においては、以下の条件を用いた：
ΔＥ＝０．２９ｅＶ、Ｔ＝３００Ｋ、β＝１．０/Å、Ａ＝１．０；
使用した材料：メビウス化合物（１Ａ）および非メビウス化合物（１Ｂ）。
【００７７】
また、本実施例におけるカイネティック・モンテカルロ法による正孔の伝導パス解析（図７Ｂに該当）においては、以下の条件を用いた：
ΔＥ＝０．０ｅＶ、Ｔ＝３００Ｋ、β＝１．０/Å、Ａ＝１．０；
使用した材料：メビウス化合物（１Ａ）。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本開示の回路基板は、集積回路、電池回路等のような電気回路として有用である。
【符号の説明】
【００７９】
１：第１導電線路
２：第２導電線路
１０：基板
２１：第１導電線路が形成する価電子帯
２２：第１導電線路が形成する伝導帯
２３：メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子
２４：メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する正孔
２５：メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位
３１：第２導電線路が形成する価電子帯
３２：第２導電線路が形成する伝導帯
３３：非メビウス化合物のＨＯＭＯエネルギー準位を占有する電子
３５：非メビウス化合物のＬＵＭＯエネルギー準位
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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