(57)【要約】【課題】電力供給特性に優れた配線基板を提供すること。【解決手段】搭載領域５ａを含む第１表面５、外部基板に接続する第２表面６を有する絶縁基体２と、搭載領域５ａ周囲の片側領域５ｂに位置する第１面状導体３ＰＦ、搭載領域５ａに櫛歯状態で突出する第１線状導体３ＰＬを有する電源用導体３Ｐと、搭載領域５ａ周囲の反対側領域５ｃに位置する第２面状導体３ＧＦ、第１線状導体３ＰＬと交互に隣接するように搭載領域５ａに櫛歯状態で突出する第２線状導体３ＧＬを有する接地用導体３Ｇと、第２表面６に平面透視で第１面状導体３ＰＦと重なる第１領域に位置している第１貫通導体を介して第１面状導体３ＰＦと電気的に接続している電源用端子１１と、第２面状導体３ＧＦと重なる第２領域に位置している第２貫通導体を介して第２面状導体３ＧＦと電気的に接続している接地用端子１２を有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路素子を搭載する搭載領域を含む第１表面、および外部基板に接続する第２表面を有しており、複数の絶縁層が積層された絶縁基体と、
前記第１表面において、前記搭載領域の周囲の片側領域に位置する第１面状導体、および該第１面状導体から前記搭載領域に櫛歯状態で突出し、前記半導体集積回路素子の複数の電源用電極がそれぞれ接続される複数の第１線状導体を有する電源用導体と、
前記第１表面において、前記搭載領域の周囲の前記片側領域と反対側領域に位置する第２面状導体、および該第２面状導体から前記第１線状導体と交互に隣接するように前記搭載領域に櫛歯状態で突出し、前記半導体集積回路素子の複数の接地用電極がそれぞれ接続される複数の第２線状導体を有する接地用導体と、
前記第２表面において、平面透視で前記第１面状導体と重なる第１領域に位置しているとともに、前記第１面状導体と前記第１領域との間において前記複数の絶縁層をそれぞれ貫通する第１貫通導体を介して前記第１面状導体と電気的に接続している複数の電源用端子と、
前記第２表面において、平面透視で前記第２面状導体と重なる第２領域に位置しているとともに、前記第２面状導体と前記第２領域との間において前記複数の絶縁層をそれぞれ貫通する第２貫通導体を介して前記第２面状導体と電気的に接続している複数の接地用端子と、
を有していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１線状導体および前記第２線状導体は、同じ幅を有しているとともに、互いに同じ間隔をあけて位置していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１面状導体と前記第２面状導体との境界は直線状であり、前記境界の延長線は、前記素子搭載領域を二分していることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１面状導体と前記第２面状導体との境界は曲線部分を含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２表面に、複数の前記電源用端子を包含する長尺形状の電源用端子導体を複数有しており、互いに隣接する前記電源用端子導体同士の間には、複数の前記接地用端子を包含する接地用端子導体の一部が位置していることを特徴とする請求項１乃至４に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、スーパーコンピューター等に代表される高速で演算処理を行う高機能な電子機器の開発が進められている。このような電子機器は、半導体集積回路素子が実装された複数の配線基板を有している。電子機器には、複数の配線基板が搭載されるため、配線基板は小型化が要求されている。それぞれの配線基板は、複数の絶縁層が積層された絶縁基体と、各絶縁層の表面に位置する電源用導体および接地用導体を含む配線導体と、絶縁基体の最上面に位置する半導体集積回路素子接続用の端子と、絶縁基体の最下面に位置する外部基板接続用の端子と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１８８３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記の半導体集積回路素子は、高速で演算処理を行うために多くの電力を必要とする。このような半導体集積回路素子を実装する配線基板は、優れた電力供給特性が求められる。電力供給特性を向上させるためには、例えば、電力供給経路である電源用導体および接地用導体を配線基板内に多く設けることが考えられる。しかし、このためには電力供給経路を設ける多くの領域が必要になるため、配線基板の小型化が困難になる虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の配線基板は、半導体集積回路素子を搭載する搭載領域を含む第１表面、および外部基板に接続する第２表面を有しており、複数の絶縁層が積層された絶縁基体と、第１表面において、搭載領域の周囲の片側領域に位置する第１面状導体、および第１面状導体から搭載領域に櫛歯状態で突出し、半導体集積回路素子の複数の電源用電極がそれぞれ接続される複数の第１線状導体を有する電源用導体と、第１表面において、搭載領域の周囲の片側領域と反対側領域に位置する第２面状導体、および第２面状導体から第１線状導体と交互に隣接するように搭載領域に櫛歯状態で突出し、半導体集積回路素子の複数の接地用電極がそれぞれ接続される複数の第２線状導体を有する接地用導体と、第２表面において、平面透視で第１面状導体と重なる第１領域に位置しているとともに、第１面状導体と第１領域との間において複数の絶縁層をそれぞれ貫通する第１貫通導体を介して第１面状導体と電気的に接続している複数の電源用端子と、第２表面において、平面透視で第２面状導体と重なる第２領域に位置しているとともに、第２面状導体と第２領域との間において複数の絶縁層をそれぞれ貫通する第２貫通導体を介して第２面状導体と電気的に接続している複数の接地用端子と、を有していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の配線基板によれば、小型で優れた電力供給特性を備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示に係る配線基板を説明するための概略断面図である。
【図２】図２は、本開示に係る配線基板を説明するための概略平面（上面）図である。
【図３】図３は、本開示に係る配線基板を説明するための概略平面（下面）図である。
【図４】図４は、本開示に係る配線基板の別の実施形態を説明するための概略平面（下面）図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１〜図３を基に、本開示の配線基板１の実施形態例を説明する。図１は、配線基板１の概略断面図を示している。図２は、絶縁基体２の概略上面図を示している。図３は、絶縁基体２の概略下面図を示している。
【０００９】
本実施形態の配線基板１は、絶縁基体２と、配線導体３と、ソルダーレジスト４とを備えている。配線基板１は、例えば、平面視において四角形状を有している。配線基板１の厚さは、例えば０．３〜１．５ｍｍに設定されている。
【００１０】
絶縁基体２は、半導体集積回路素子Ｓを搭載する搭載領域５ａを含む第１表面５、および外部基板に接続する第２表面６を有している。さらに第１表面５は、搭載領域５ａの周囲に位置する片側領域５ｂ、および反対側領域５ｃを有している。
【００１１】
搭載領域５ａは、例えば正方形状を有している。搭載領域５ａの形状は、半導体集積回路素子Ｓの形状に合わせて長方形状であっても構わない。
【００１２】
片側領域５ｂおよび反対側領域５ｃは、搭載領域５ａの一対の対辺から絶縁基体２の外周縁にかけて位置する直線状の境界を隔てて位置している。片側領域５ｂは、例えば、後で詳しく説明する電源用導体３Ｐの配置領域を確保する機能を有している。反対側領域５ｃは、例えば、後で詳しく説明する接地用導体３Ｇの配置領域を確保する機能を有している。
【００１３】
絶縁基体２は、本実施形態においては、１層のコア用絶縁層２ａおよびコア用絶縁層２ａの上面と下面とに１層ずつ位置するビルドアップ用絶縁層２ｂを有している。
【００１４】
コア用絶縁層２ａは、例えば、配線基板１の剛性を確保して配線基板１の平坦性を保持する等の機能を有している。コア用絶縁層２ａは、ガラスクロス、およびエポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料を含んでいる。
【００１５】
コア用絶縁層２ａは、その上面から下面にかけて貫通する複数のスルーホール７を有している。互いに隣接するスルーホール７同士は、所定の隣接間隔をあけて位置している。スルーホール７の直径は、例えば１００〜３００μｍに設定されている。スルーホール７の隣接間隔は、例えば１５０〜３５０μｍに設定されている。
【００１６】
このようなコア用絶縁層２ａは、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸した半硬化状態のプリプレグを、加熱しながら平板にてプレス加工することで平坦に形成される。
【００１７】
スルーホール７は、例えばブラスト加工やドリル加工により形成される。スルーホール７内には、配線導体３の一部により構成されているスルーホール導体８が位置している。スルーホール導体８は、コア用絶縁層２ａの上面および下面に位置する配線導体３同士を電気的につないでいる。
【００１８】
ビルドアップ用絶縁層２ｂは、コア用絶縁層２ａの上面および下面にそれぞれ１層ずつ位置している。ビルドアップ用絶縁層２ｂは、例えば、後で詳しく説明する配線導体３の
配置領域を確保する機能を有している。ビルドアップ用絶縁層２ｂは、絶縁粒子、およびエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁材料を含んでいる。
【００１９】
ビルドアップ用絶縁層２ｂは、コア用絶縁層２ａの上面または下面に位置する配線導体３を底部とする複数のビアホール９を有している。ビアホール９内には、配線導体３の一部により構成されているビアホール導体１０が位置している。ビアホール導体１０は、ビルドアップ用絶縁層２ｂを挟んで上側および下側に位置している配線導体３同士を電気的につないでいる。
【００２０】
ビアホール９の直径は、例えば３０〜１００μｍに設定されている。ビアホール９は、例えばレーザー加工により形成される。
【００２１】
このようなビルドアップ用絶縁層２ｂは、例えばシリカが分散したエポキシ樹脂を含む樹脂フィルムを、真空下でコア用絶縁層２ａの表面に貼着して熱硬化することで形成される。ビルドアップ用絶縁層２ｂは、上記機能を有しているため、コア用絶縁層２ａよりも薄い。
【００２２】
配線導体３は、コア用絶縁層２ａの上下面、ビルドアップ用絶縁層２ｂの上面または下面、スルーホール７内、およびビアホール９内に位置している。配線導体３は、電源用導体３Ｐ、接地用導体３Ｇ、信号用導体３Ｓを含んでいる。電源用導体３Ｐ、接地用導体３Ｇおよび信号用導体３Ｓは、互いに短絡しないようにそれぞれ所定の間隔をあけて位置している。
【００２３】
電源用導体３Ｐは、例えば配線基板１の上面に実装される半導体集積回路素子Ｓに対して外部電源からの電力を供給する機能を有している。電源用導体３Ｐは、半導体集積回路素子Ｓに素早くかつ外部電源からの損失を抑制して電力を供給するために、半導体集積回路素子Ｓの直下を含む近傍に広い面積を占有する状態で位置することが必要である。つまり、電源用導体３Ｐは、外部電源と半導体集積回路素子Ｓとの間を短い距離で、広い経路で結ぶことで電力の供給特性を向上させることが可能になる。
【００２４】
本例においては、電源用導体３Ｐは、第１面状導体３ＰＦおよび第１線状導体３ＰＬを有している。
【００２５】
第１面状導体３ＰＦは、半導体集積回路素子Ｓに最も近い絶縁層２ｂの第１表面５において、搭載領域５ａ周囲の片側領域５ｂに位置している。
【００２６】
つまり、第１面状導体３ＰＦは、半導体集積回路素子Ｓまでの距離が短い片側領域５ｂにおいて、面状の広い経路を有している。本実施形態においては、第１面状導体３ＰＦは、搭載領域５ｂの周囲のおよそ半分の領域を占有している。
【００２７】
なお、第１面状導体３ＰＦは、その直下に位置している第１貫通導体であるスルーホール導体８およびビアホール導体１０、さらに外部基板の電極と接続する電源用端子１１（詳細は後述）を介して外部電源と電気的に接続している。
【００２８】
言い換えれば、第１面状導体３ＰＦは、その直下に位置している配線導体３を介して外部電源と接続しているため、本例の配線基板１は、第１面状導体３ＰＦの直下においても電力の供給経路を短くすることが可能である。
【００２９】
第１線状導体３ＰＬは、半導体集積回路素子Ｓに最も近い絶縁層２ｂの第１表面５において、第１面状導体３ＰＦから搭載領域５ａに櫛歯状態で突出して位置している。それぞ
れの第１線状導体３ＰＬは、半導体集積回路素子Ｓの複数の電源用電極と接続される。
【００３０】
つまり、第１線状導体３ＰＬは、搭載領域５ａにおいて、その直上で半導体集積回路素子Ｓの電源用電極と接続されることから、電力の供給経路を短くすることが可能であるとともに、外部電源と短経路で接続する広い経路を有する第１面状導体３ＰＦから搭載領域５ａに突出することから、電力を低抵抗で効率よく供給することが可能である。
【００３１】
また、第１線状導体３ＰＬは、その直下に位置している第１貫通導体であるスルーホール導体８、およびビアホール導体１０、そして外部基板の電極と接続する電源用端子１１（詳細は後述）を介して外部電源と電気的に接続している。
【００３２】
言い換えれば、第１線状導体３ＰＬは、その直下に位置している配線導体３を介して外部電源と接続しているため、本例の配線基板１は、第１線状導体３ＰＬの直下においても電力の供給経路を短くすることが可能である。
【００３３】
第１線状導体３ＰＬは、搭載領域５ａにおいて、後述する第２線状導体３ＧＬと交互に隣接するように位置している。このように、電源用導体３Ｐと接地用導体３Ｇとが交互に隣接するように位置していることで、配線基板１におけるループインダクタンスを抑制することが可能になり、電力供給特性を向上できる点で有利である。
【００３４】
第１線状導体３ＰＬの幅は、半導体集積回路素子Ｓの電源用電極を接続することができるように、例えば５０〜１００μｍに設定されている。
【００３５】
接地用導体３Ｇは、電源用導体３Ｐとの間に電位差を設けることで、電源用導体３Ｐとともに半導体集積回路素子Ｓへの電力供給を実現させる機能を有している。このため、接地用導体３Ｇも電源用導体３Ｐと同じように、外部電源と半導体集積回路素子Ｓとの間を短い距離で、広い経路で結ぶことで電力の供給特性を向上させることが可能になる。この他、接地用導体３Ｇは、隣接する信号用導体３Ｓ同士の間に生じる浮遊容量の抑制や、信号用導体３Ｓから生じる放射ノイズを吸収する機能等を有している。
【００３６】
本例においては、接地用導体３Ｇは、第２面状導体３ＧＦおよび第２線状導体３ＧＬを有している。
【００３７】
第２面状導体３ＧＦは、半導体集積回路素子Ｓに最も近い絶縁層２ｂの第１表面５において、搭載領域５ａ周囲の片側領域５ｂと反対側にある反対側領域５ｃに位置している。
【００３８】
つまり、第２面状導体３ＧＦは、半導体集積回路素子Ｓまでの距離が短い反対側領域５ｃにおいて、面状の広い経路を確保する状態で位置している。本例においては、第２面状導体３ＧＦは、搭載領域５ａの周囲のおよそ半分の領域を占有している。
【００３９】
なお、第２面状導体３ＧＦは、その直下に位置している第２貫通導体であるスルーホール導体８、およびビアホール導体１０、そして外部基板の電極と接続する接地用端子１２（詳細は後述）を介して外部電源と電気的に接続している。
【００４０】
言い換えれば、第２面状導体３ＧＦは、その直下に位置している配線導体３を介して外部電源と接続しているため、本例の配線基板１は、第２面状導体３ＧＦの直下においても第２面状導体３ＧＦと外部電源との経路長を短くすることが可能である。
【００４１】
第２線状導体３ＧＬは、半導体集積回路素子Ｓに最も近い絶縁層２ｂの第１表面５において、第２面状導体３ＧＦから搭載領域５ａに櫛歯状態で突出して位置している。それぞ
れの第２線状導体３ＧＬは、半導体集積回路素子Ｓの複数の接地用電極と接続される。
【００４２】
つまり、第２線状導体３ＧＬは、搭載領域５ａにおいて、その直上で半導体集積回路素子Ｓの接地用電極と接続されることから、第２線状導体３ＧＬと半導体集積回路素子Ｓとの経路長を短くすることが可能であるとともに、外部電源と短経路で接続する広い経路を有する第２面状導体３ＧＦから搭載領域５ａに突出することから、電力を低抵抗で効率よく供給することが可能である。
【００４３】
また、第２線状導体３ＧＬは、その直下に位置している第２貫通導体であるスルーホール導体８、およびビアホール導体１０、そして外部基板の電極と接続する接地用端子１２（詳細は後述）を介して外部電源と電気的に接続している。
【００４４】
第２線状導体３ＧＬは、搭載領域５ａにおいて、第１線状導体３ＰＬと交互に隣接するように位置している。電源用導体３Ｐと接地用導体３Ｇとが交互に隣接するように位置していることで、先述のように、配線基板１におけるループインダクタンスを抑制することが可能になり、電力供給特性を向上できる点で有利である。
【００４５】
第２線状導体３ＧＬの幅は、半導体集積回路素子Ｓの接地用電極を接続することができるように、例えば５０〜１００μｍに設定されている。第２線状導体３ＧＬの幅は、第１線状導体３ＰＬの幅と同じ大きさに設定されている。
【００４６】
信号用導体３Ｓは、本例において、搭載領域５ａの外周部から片側領域５ｂ、および搭載領域５ａの外周部から反対側領域５ｃにかけてそれぞれ位置している。信号用導体３Ｓは、搭載領域５ａの外周部において、半導体集積回路素子Ｓの信号用電極と接続する。また、信号用導体３Ｓは、片側領域５ｂまたは反対側領域５ｃにおいて、貫通導体であるスルーホール導体８、およびビアホール導体１０、そして外部基板の電極と接続する信号用端子１３（詳細は後述）を介して外部基板と電気的に接続している。これにより、信号用導体３Ｓは、半導体集積回路素子Ｓと外部基板との間で電気信号の伝送を行う機能を有している。
【００４７】
信号用導体３Ｓの幅は、例えば５〜５０μｍに設定されている。
【００４８】
配線導体３は、絶縁基体２の第２表面６において、外部基板の電極と接続される電源用端子１１、接地用端子１２および信号用端子１３を有している。
【００４９】
電源用端子１１は、第２表面６において、平面透視で第１面状導体３ＰＦと重なる領域、および第１線状導体３ＰＬと重なる領域に位置している（これらの領域を第１領域とする）。そして、電源用端子１１は、第１面状導体３ＰＦおよび第１線状導体３ＰＬと、それぞれスルーホール導体８およびビアホール導体１０を介して電気的に接続されている。
【００５０】
言い換えれば、第２表面６に位置する電源用端子１１は、その直上において第１面状導体３ＰＦまたは第１線状導体３ＰＬと配線導体３を介して短経路で接続することが可能な個所に位置している。これにより、電源用端子１１と電源用導体３Ｐとの経路を短くすることが可能になる。
【００５１】
電源用端子１１は、例えば円形状を有しており、直径は例えば５００〜７００μｍに設定されている。各電源用端子１１は、それぞれ個別に設けられた円形状の電源用端子導体内に一個ずつ設けられている。
【００５２】
接地用端子１２は、第２表面６において、平面透視で第２面状導体３ＧＦと重なる領域
、および第２線状導体３ＧＬと重なる領域に位置している（これらの領域を第２領域とする）。そして、接地用端子１２は、第２面状導体３ＧＦおよび第２線状導体３ＧＬと、それぞれスルーホール導体８およびビアホール導体１０を介して電気的に接続されている。
【００５３】
言い換えれば、第２表面６に位置する接地用端子１２は、その直上において第２面状導体３ＧＦまたは第２線状導体３ＧＬと配線導体３を介して短経路で接続することが可能な個所に位置している。これにより、接地用端子１２と接地用導体３Ｇとの経路を短くすることが可能になる。
【００５４】
接地用端子１２は、例えば電源用端子１１および信号用端子１３の周囲に所定の間隔をあけて平面状態で位置している一つの接地用端子導体内に複数個が設けられており、例えば直径が５００〜７００μｍの円形状である。
【００５５】
信号用端子１３は、第２表面６に位置しており、スルーホール導体８およびビアホール導体１０を介して第１表面５に位置する信号用導体３Ｓと電気的に接続されている。
【００５６】
信号用端子１３は、例えば円形状を有しており、直径は例えば５００〜７００μｍに設定されている。各信号用端子１３は、それぞれ個別に設けられた円形状の信号用端子導体内に一個ずつ設けられている。
【００５７】
上記のような配線導体３は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法等の配線形成技術を用いて、銅等の良導電性金属により形成されている。
【００５８】
ソルダーレジスト４は、本開示において必ずしも必須の構成要素ではないが、本実施形態では、図１に示すように、最上層のビルドアップ用絶縁層２ｂの上面および最下層のビルドアップ用絶縁層２ｂの下面に位置している。ソルダーレジスト４は、例えば配線基板１に半導体集積回路素子Ｓを実装するときの熱から配線導体３を保護する機能を有している。上面のソルダーレジスト４は、第１線状導体３ＰＬおよび第２線状導体３ＧＬの一部を露出する開口４ａを有している。下面のソルダーレジスト４は、電源用端子１１、接地用端子１２および信号用端子１３を露出する開口４ｂを有している。
【００５９】
このようなソルダーレジスト４は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂のフィルムをビルドアップ用絶縁層２ｂの上面または下面に貼着して、所定のパターンに露光および現像した後、紫外線硬化および熱硬化させることにより形成される。
【００６０】
このように、本開示に係る配線基板１は、搭載領域５ａを含む第１表面５、および外部基板に接続する第２表面６を有する絶縁基体２と、搭載領域５ａ周囲の片側領域５ｂに位置する第１面状導体３ＰＦ、および第１面状導体３ＰＦから搭載領域５ａに櫛歯状態で突出する複数の第１線状導体３ＰＬを有する電源用導体３Ｐを有している。また、搭載領域５ａ周囲の片側領域５ｂと反対側にある反対側領域５ｃに位置する第２面状導体３ＧＦ、および第２面状導体３ＧＦから第１線状導体３ＰＬと交互に隣接するように搭載領域５ａに櫛歯状態で突出する複数の第２線状導体３ＧＬを有する接地用導体３Ｇを有している。
【００６１】
そして、第２表面６において、平面透視で第１面状導体３ＰＦと重なる第１領域に位置しているとともに、第１面状導体３ＰＦと第１領域との間において第１貫通導体を介して第１面状導体３ＰＦと電気的に接続している複数の電源用端子１１を有している。また、第２表面６において、平面透視で第２面状導体３ＧＦと重なる第２領域に位置しているとともに、第２面状導体３ＧＦと第２領域との間において第２貫通導体を介して第２面状導体３ＧＦと電気的に接続している複数の接地用端子１２を有している。
【００６２】
上記のように、第１面状導体３ＰＦは、半導体集積回路素子Ｓまでの距離が短い片側領域５ｂにおいて、面状の広い経路を確保する状態で位置している。さらに、第１面状導体３ＰＦは、その直下に位置している第１貫通導体および電源用端子１１を介して外部電源と接続しているため、第１面状導体３ＰＦと電源用端子１１との経路を短くすることが可能である。
【００６３】
また、第２面状導体３ＧＦは、半導体集積回路素子Ｓまでの距離が短い反対側領域５ｃにおいて、面状の広い経路を確保する状態で位置している。さらに、第２面状導体３ＧＦは、その直下に位置している第２貫通導体および接地用端子１２を介して外部電源と接続しているため、第２面状導体３ＧＦと接地用端子１２との経路を短くすることが可能である。
【００６４】
これにより、本開示の配線基板１によれば、半導体集積回路素子Ｓに素早く、かつ外部電源からの損失を抑制して電力を供給することが可能になる。
【００６５】
さらに、搭載領域５ａにおいて、第１線状導体３ＰＬおよび第２線状導体３ＧＬが交互に隣接するように位置していることから、配線基板１におけるループインダクタンスを抑制することが可能になり、電力供給特性の向上に有利である。
【００６６】
なお、本開示は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００６７】
例えば、本例においては、第１面状導体３ＰＦと第２面状導体３ＧＦとの境界は、直線状である場合を示したが、境界の全て、または一部が曲線部分を含んでいても構わない。このような場合、例えば信号用導体３Ｓの配置の自由度を向上させることが可能になる点で有利である。
【００６８】
また、本例においては、図３に示すように、電源用端子１１が設けられる電源用端子導体が個別の円形状を有している場合を示したが、円形状を有する複数の電源用端子１１を包含する長尺形状の電源用端子導体を複数有していても構わない。
【００６９】
図４に、電源用端子１１が、例えば長円形状を有している場合を示す。このような長円形状の端子１１ａは、例えば図３において互いに隣接する円形状の電源用端子１１同士を銅等の良導電性金属によりつないだ状態で第２表面６に位置している。このため、長円形状の端子１１ａは、円形状の電源用端子１１が個々に存在している状態と比較して広い導体面積を確保することが可能になる。これにより、電源用端子１１（すなわち長円形状の端子１１ａ）と、第１面状導体３ＰＦおよび第１線状導体３ＰＬとをつないでいる第１貫通導体を、より多く配置することが可能になる。
【００７０】
その結果、外部電源と半導体集積回路素子との間の抵抗値を抑制することができ電力の供給特性を向上させることが可能になる点で有利である。
【００７１】
上記のような長円形状の端子１１ａ同士の間には、接地用端子１２の一部が位置している。このように、長円形状の端子１１ａ同士の間に接地用端子１２が位置していることで、配線基板１におけるループインダクタンスを抑制する効果があり、電力供給特性を向上できる点で有利である。
【００７２】
なお、図４においては、それぞれの長円形状の端子１１ａの長手方向が、互いに平行になる状態で位置している場合を示したが、これに限定されない。長円形状の端子１１ａと
第１面状導体３ＰＦとをつないでいる第１貫通導体が、より多く配置できる構成となるように、それぞれの端子の長手方向を決めればよい。
【００７３】
また、図４においては、電源用端子１１が長円形状を有している場合を示したが、電気特性や生産性の観点から、適宜、矩形形状や楕円形状に設定しても構わない。
【符号の説明】
【００７４】
１              配線基板
２              絶縁基体
２ａ、２ｂ      絶縁層
３Ｐ            電源用導体
３ＰＦ          第１面状導体
３ＰＬ          第１線状導体
３Ｇ            接地用導体
３ＧＦ          第２面状導体
３ＧＬ          第２線状導体
５              第１表面
５ａ            搭載領域
５ｂ            片側領域
５ｃ            反対側領域
６              第２表面
１１            電源用端子
１２            接地用端子
Ｓ              半導体集積回路素子
【図１】
2020025061.tif 000003
【図２】
2020025061.tif 000004
【図３】
2020025061.tif 000005
【図４】
2020025061.tif 000006