(57)【要約】【課題】ＯＬＥＤ表示装置の視認される輝度ムラを低減する。【解決手段】ＯＬＥＤ表示装置は、基板と、基板上の、それぞれが第１軸に沿って配列された同一色の複数の副画素からなる、複数の副画素ラインと、基板上の、複数の塗布分離開口を有する塗布材料分離層と、を含む。複数の塗布分離開口の各塗布分離開口は、一つの副画素ライン内で連続する副画素を含む同一色の複数の副画素を収容する。各塗布分離開口内において、同一色の複数の副画素の有機発光膜は、有機発光膜と同一材料の有機発光膜により連結されている。前複数の副画素ラインにおいて、各副画素ラインの塗布分離開口間のバンクと、隣接する副画素ラインの塗布分離開口間のバンクとは、第１軸に垂直な第２軸に沿って見て、ずれている。【選択図】図５
2020181783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ表示装置であって、
基板と、
前記基板上の、それぞれが第１軸に沿って配列された同一色の複数の副画素からなる、複数の副画素ラインと、
前記基板上の、複数の塗布分離開口を有する塗布材料分離層と、
を含み、
前記複数の塗布分離開口の各塗布分離開口は、一つの副画素ライン内で連続する副画素を含む同一色の複数の副画素を収容し、
各塗布分離開口内において、前記同一色の複数の副画素の有機発光膜は、前記有機発光膜と同一材料の有機発光膜により連結されており、
前記複数の副画素ラインにおいて、各副画素ラインの塗布分離開口間のバンクと、隣接する副画素ラインの塗布分離開口間のバンクとは、前記第１軸に垂直な第２軸に沿って見て、ずれている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素ラインは、前記第２軸に沿って代わる代わる配列された、赤の副画素ライン、青の副画素ライン及び緑の副画素ラインで構成され、
互いに隣接する副画素ラインの副画素は、前記第２軸に沿って見て、ずれている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
各塗布分離開口の副画素を連結する領域の前記第２軸に沿った寸法は、前記副画素を収容する領域の前記第２軸に沿った寸法よりも小さい、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素ラインにおいて、各副画素ラインの塗布分離開口間のバンクと、隣接する同一色の副画素ラインの塗布分離開口間のバンクとは、前記第２軸に沿って見て、ずれている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素ラインにおいて互いに隣接する同一色の副画素ラインのバンクは、前記第２軸に沿って見て、前記副画素ラインにおける副画素間距離以上ずれている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の塗布分離開口の各塗布分離開口に収容されている全ての副画素は、同一副画素ラインに含まれている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の塗布分離開口の同一色の副画素を収容する塗布分離開口間において、副画素収容数は共通である、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素ラインにおいて互いに隣接する副画素ラインのバンクは、前記第２軸に沿って見て、前記副画素ラインにおける副画素間距離以上ずれている、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項９】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の塗布分離開口の少なくとも一部の塗布分離開口のそれぞれは、同一色の異なる副画素ラインの副画素を収容している、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素ラインの各副画素ラインは、赤、青又は緑の副画素ラインであり、
前記複数の塗布分離開口の特定色の副画素を収容する塗布分離開口のそれぞれは、前記特定色の異なる副画素ラインの副画素を収容している、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の塗布分離開口において、一つの塗布分離開口に収容されている青副画素の数は、一つの塗布分離開口に収容されている緑副画素の数よりも少ない、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項１２】
ＯＬＥＤ表示装置の製造方法であって、
基板上に、それぞれが第１軸に沿って配列された複数の副画素電極からなる、複数の副画素電極ラインを形成し、
それぞれが、複数の副画素電極を収容する複数の塗布分離開口を有する、塗布材料分離層を形成し、前記複数の副画素電極ラインにおいて、各副画素電極ラインの塗布分離開口間のバンクと、隣接する副画素電極ラインの塗布分離開口間のバンクとは、前記第１軸に垂直な第２軸に沿って見て、ずれており、
前記複数の塗布分離開口それぞれに、有機ＥＬ発光材料インクを吐出する、
ことを含む、ＯＬＥＤ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＯＬＥＤ表示装置及びＯＬＥＤ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、広視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。
【０００３】
カラー表示装置の表示領域は、一般に、表示パネルの基板上に配列された、三原色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の副画素で構成されている。副画素の様々な配置（画素配置）が提案されおり、例えば、ＲＧＢ  Ｓｔｒａｉｐｅ配置やデルタナブラ配置（単にデルタ配置とも呼ぶ）等が知られている。
【０００４】
ＯＬＥＤ素子の製造方法として、有機ＥＬ発光材料を基板に蒸着する蒸着方式と、有機溶媒に溶解する有機ＥＬ発光材料を印刷により基板に塗布する印刷方式が知られている。一般的には、蒸着方式で用いられる有機ＥＬ材料は低分子材料であり、印刷方式で用いられる有機材料は高分子材料である。
【０００５】
蒸着方式で、異なる発光材料の各々を基板に蒸着するためにはメタルマスクが必要で材料の使用効率も悪い。一方、印刷方式はマスクが不要であり、有機ＥＬ発光材料の利用効率も高く大面積化にも有利である。しかし、ＯＬＥＤパネルの高精細化に伴い、副画素間のピッチも小さくなり、インクの混色リスクを低減する技術が重要である。
【０００６】
例えば、印刷方式の一つはインクジェット技術を利用する。インクジェット技術は、インクの液滴をノズルから吐出して基板に塗布する。インクジェット方式を使用するアクティブマトリックスＯＬＥＤ表示装置の製造は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイの形成後に、複数の開口（バンク開口）を有する絶縁性の塗布材料分離層を形成する。バンク開口内には、１又は複数の同一色の副画素の電極が収容されている。インクジェット方式は、バンク開口内にインクを吐出する。このように、塗布材料分離層により、インクの混色を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０１９７３９６号
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１７／００６９６９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
副画素の輝度は、インクの乾燥後の有機発光膜の膜厚に依存する。印刷方式のＯＬＥＤ素子の形成において、視認される輝度ムラを低減することが重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一態様は、ＯＬＥＤ表示装置であって、基板と、前記基板上の、それぞれが第１軸に沿って配列された同一色の複数の副画素からなる、複数の副画素ラインと、前記基板上の、複数の塗布分離開口を有する塗布材料分離層と、を含む。前記複数の塗布分離開口の各塗布分離開口は、一つの副画素ライン内で連続する副画素を含む同一色の複数の副画素を収容する。各塗布分離開口内において、前記同一色の複数の副画素の有機発光膜は、前記有機発光膜と同一材料の有機発光膜により連結されている。前記複数の副画素ラインにおいて、各副画素ラインの塗布分離開口間のバンクと、隣接する副画素ラインの塗布分離開口間のバンクとは、前記第１軸に垂直な第２軸に沿って見て、ずれている。
【００１０】
本開示の他の態様は、ＯＬＥＤ表示装置の製造方法であって、基板上に、それぞれが第１軸に沿って配列された複数の副画素電極からなる、複数の副画素電極ラインを形成し、それぞれが、複数の副画素電極を収容する複数の塗布分離開口を有する、塗布材料分離層を形成し、前記複数の副画素電極ラインにおいて、各副画素電極ラインの塗布分離開口間のバンクと、隣接する副画素電極ラインの塗布分離開口間のバンクとは、前記第１軸に垂直な第２軸に沿って見て、ずれており、前記複数の塗布分離開口それぞれに、有機ＥＬ発光材料インクを吐出する、ことを含む。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の一態様によれば、ＯＬＥＤ表示装置の視認される輝度ムラを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＯＬＥＤ表示装置の構成例を模式的に示す。
【図２Ａ】画素回路の構成例を示す。
【図２Ｂ】画素回路の他の構成例を示す。
【図３】ＯＬＥＤ表示装置の駆動ＴＦＴを含む部分の断面構造を模式的に示す。
【図４】デルタナブラ配置の副画素を模式的に示す。
【図５】塗布材料分離層における塗布分離開口のパターンの例を示す。
【図６】塗布分離開口内の副画素の輝度ムラ及びそれを視認されにくくする構成を説明する図である。
【図７】塗布材料分離層における塗布分離開口のパターンの他の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。
【００１４】
本実施形態のＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）表示装置は、複数の開口を有する塗布材料分離層を含み、各開口内に複数の同一色のＯＬＥＤ素子（副画素）が形成される。各開口内に、一つの色の有機ＥＬ発光材料が塗布される。塗布材料分離層の開口間の境界は、千鳥状に配置されている。これにより、ＯＬＥＤ表示装置の視認される輝度ムラを低減できる。
【００１５】
［全体構成］
図１は、ＯＬＥＤ表示装置１０の構成例を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＯＬＥＤ素子（有機発光素子）が形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１００と、ＯＬＥＤ素子を封止する封止構造部２００と、を含んで構成されている。
【００１６】
ＴＦＴ基板１００の表示領域１２５の外側のカソード電極形成領域１１４の周囲に、走査ドライバ１３１、保護回路１３３、ドライバＩＣ１３４、デマルチプレクサ１３６が配置されている。ドライバＩＣ１３４は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１３５を介して外部の機器と接続される。走査ドライバ１３１はＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する。ドライバＩＣ１３４は、例えば、異方性導電フィルムを用いて実装される。
【００１７】
ドライバＩＣ１３４は、走査ドライバ１３１に電源及びタイミング信号（制御信号）を与える。さらに、ドライバＩＣ１３４は、デマルチプレクサ１３６に、電源及びデータ信号を与える。デマルチプレクサ１３６は、ドライバＩＣ１３４の一つのピンの出力を、ｄ本（ｄは２以上の整数）のデータ線に順次出力する。デマルチプレクサ１３６は、ドライバＩＣ１３４からのデータ信号の出力先データ線を、走査期間内にｄ回切り替えることで、ドライバＩＣ１３４の出力ピン数のｄ倍のデータ線を駆動する。
【００１８】
［画素回路］
ＴＦＴ基板１００上には、複数の副画素のアノード電極（副画素電極）にそれぞれ供給する電流を制御する複数の画素回路が形成されている。図２Ａは、画素回路の構成例を示す。各画素回路は、駆動トランジスタＴ１と、選択トランジスタＴ２と、エミッショントランジスタＴ３と、保持容量Ｃ１とを含む。画素回路は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１の発光を制御する。トランジスタは、ＴＦＴである。
【００１９】
選択トランジスタＴ２は副画素を選択するスイッチである。図の例において、選択トランジスタＴ２はｐチャネル型ＴＦＴであり、ゲート端子は、走査線１０６に接続されている。ソース端子は、データ線１０５に接続されている。ドレイン端子は、駆動トランジスタＴ１のゲート端子に接続されている。
【００２０】
駆動トランジスタＴ１はＯＬＥＤ素子Ｅ１の駆動用のトランジスタ（駆動ＴＦＴ）である。図の例において、駆動トランジスタＴ１はｐチャネル型ＴＦＴであり、そのゲート端子は選択トランジスタＴ２のドレイン端子に接続されている。駆動トランジスタＴ１のソース端子は電源線１０８（Ｖｄｄ）に接続されている。ドレイン端子は、エミッショントランジスタＴ３のソース端子に接続されている。駆動トランジスタＴ１のゲート端子とソース端子との間に保持容量Ｃ１が形成されている。
【００２１】
エミッショントランジスタＴ３は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチである。図の例において、エミッショントランジスタＴ３はｐチャネル型ＴＦＴであり、ゲート端子はエミッション制御線１０７に接続されている。エミッショントランジスタＴ３のソース端子は駆動トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されている。エミッショントランジスタＴ３のドレイン端子は、ＯＬＥＤ素子Ｅ１に接続されている。
【００２２】
次に、画素回路の動作を説明する。走査ドライバ１３１が走査線１０６に選択パルスを出力し、選択トランジスタＴ２をオン状態にする。データ線１０５を介してドライバＩＣ１３４から供給されたデータ電圧は、保持容量Ｃ１に格納される。保持容量Ｃ１は、格納された電圧を、１フレーム期間を通じて保持する。保持電圧によって、駆動トランジスタＴ１のコンダクタンスがアナログ的に変化し、駆動トランジスタＴ１は、発光階調に対応した順バイアス電流をＯＬＥＤ素子Ｅ１に供給する。
【００２３】
エミッショントランジスタＴ３は、駆動電流の供給経路上に位置する。ドライバＩＣ１３４は、エミッション制御線１０７に制御信号を出力して、エミッショントランジスタＴ３のオンオフを制御する。エミッショントランジスタＴ３がオン状態のとき、駆動電流がＯＬＥＤ素子Ｅ１に供給される。エミッショントランジスタＴ３がオフ状態のとき、この供給が停止される。エミッショントランジスタＴ３のオンオフを制御することにより、１フィールド周期内の点灯期間（デューティ比）を制御することができる。
【００２４】
図２Ｂは、画素回路の他の構成例を示す。当該画素回路は、図２ＡのエミッショントランジスタＴ３に代えて、リセットトランジスタＴ４を有する。リセットトランジスタＴ４は、基準電圧供給線１１０とＯＬＥＤ素子Ｅ１のアノードとの電気的接続を制御する。リセットトランジスタＴ４のゲートにリセット制御線１０９からリセット制御信号が供給されることによりこの制御が行われる。
【００２５】
リセットトランジスタＴ４は、様々な目的で使用することができる。リセットトランジスタＴ４は、例えば、ＯＬＥＤ素子Ｅ１間のリーク電流によるクロストークを抑制するために、一旦、ＯＬＥＤ素子Ｅ１のアノード電極を黒信号レベル以下の十分低い電圧にリセットする目的で使用しても良い。
【００２６】
他にも、リセットトランジスタＴ４は、駆動トランジスタＴ１の特性を測定する目的で使用してもよい。例えば、駆動トランジスタＴ１を飽和領域、リセットトランジスタＴ４を線形領域で動作するようにバイアス条件を選んで、電源線１０８（Ｖｄｄ）から基準電圧供給線１１０（Ｖｒｅｆ）に流れる電流を測定すれば、駆動トランジスタＴ１の電圧・電流変換特性を正確に測定することができる。副画素間の駆動トランジスタＴ１の電圧・電流変換特性の違いを補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、均一性の高い表示画像を実現できる。
【００２７】
一方、駆動トランジスタＴ１をオフ状態にしてリセットトランジスタＴ４をリニア領域で動作させ、ＯＬＥＤ素子Ｅ１を発光させる電圧を基準電圧供給線１１０から印加すれば、ＯＬＥＤ素子Ｅ１の電圧・電流特性を正確に測定することができる。例えば、長時間の使用によってＯＬＥＤ素子Ｅ１が劣化した場合にも、その劣化量を補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、長寿命化を実現できる。
【００２８】
図２Ａ及び２Ｂの画素回路は例であって、画素回路は他の回路構成を有してよい。図３Ａ及び３Ｂの画素回路はｐチャネル型ＴＦＴを使用しているが、画素回路はｎチャネル型ＴＦＴを使用してもよい。
【００２９】
［画素構造］
次に、画素回路及び発光素子の構造の概略を説明する。図３は、ＯＬＥＤ表示装置１０の駆動ＴＦＴを含む部分の断面構造を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＴＦＴ基板１００と、ＴＦＴ基板１００に対向する封止構造部２００とを含む。また、以下の説明において、上下は、図面における上下を示す。
【００３０】
図３は、支持基板１４１から剥離前のフレキシブルＯＬＥＤパネルの例を示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＯＬＥＤパネルとドライバＩＣ１３４とを含み、ＯＬＥＤパネルはＴＦＴ基板１００と封止構造部２００とを含む。製造プロセスにおいて、ＯＬＥＤパネルは、ガラスの支持基板１４１に剥離層１４２により固着られている。プロセス完了後、支持基板１４１は剥離層１４２から物理的または化学的に分離させる。
【００３１】
ＯＬＥＤ表示装置１０（ＯＬＥＤパネル）は、絶縁性のフレキシブル基板１４３と、フレキシブル基板１４３と対向する封止構造部とを含む。封止構造部の一例は、可撓性又は不撓性の封止基板や、薄膜封止（ＴＦＥ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）構造である。図３は、ＴＦＥの例を示している。
【００３２】
フレキシブル基板１４３は例えばポリイミドで形成されている。フレキシブル基板１４３とＴＦＴアレイの下地膜１５２との間に、無機薄膜層１４４、１４６、１４８と有機薄膜層１４５、１４７とが交互に積層された多層膜が形成されている。無機薄膜層１４４、１４６、１４８は、水分や酸素の透過を防止し、主な材料は窒化ケイ素及び酸化アルミであり。有機薄膜層１４５、１４７は、傷防止や折り曲げの緩衝部として働く。
【００３３】
ＯＬＥＤ表示装置１０は、フレキシブル基板１４３と封止構造部との間に配置された、下部電極（例えば、アノード電極１６２）と、上部電極（例えば、カソード電極１６６）と、有機発光膜１６５（有機ＥＬデバイス）とを含む。
【００３４】
カソード電極１６６とアノード電極１６２との間に、有機発光膜１６５が配置されている。有機発光膜１６５は、典型的には有機多層膜であり、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含む。発光層以外の層は省略され得る。複数のアノード電極１６２は、同一面上（例えば、平坦化膜１６１の上）に配置され、１つのアノード電極１６２の上に１つの有機発光膜１６５が配置されている。図３の例において、一つの副画素のカソード電極１６６は、連続する導体膜の一部である。
【００３５】
ＯＬＥＤ表示装置１０は、それぞれが複数のトランジスタを含む複数の画素回路を有する。複数の画素回路の各々は、フレキシブル基板１４３とアノード電極１６２との間に形成され、複数のアノード電極１６２の各々に供給する電流を制御する。
【００３６】
図３は、トップエミッション型（ＯＬＥＤ素子）の画素構造の例である。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側（図面上側）に、複数の画素に共通のカソード電極１６６が配置される。カソード電極１６６は、表示領域１２５の全面を完全に覆う形状を有する。トップエミッション型の画素構造の特徴として、アノード電極１６２は光を反射し、カソード電極１６６は光透過性をもっている。これにより、有機発光膜１６５からの光を封止構造部に向けて出射させる。
【００３７】
トップエミッション型では、光をフレキシブル基板１４３側に取り出すボトムエミッション型と比べて、光取出しのための透過領域を画素領域内に設ける必要がないため、発光部を画素回路や配線の上にも形成することができるといった、画素回路のレイアウトにおいて高い自由度を有する。ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、フレキシブル基板１４３を介して外部に光を出射する。本開示の特徴は、ボトムエミッション型の画素構造にも適用できる。
【００３８】
副画素は、フルカラーＯＬＥＤ表示装置において一般に、赤、緑、又は青のいずれかの色を表示する。赤、緑、及び青の副画素により一つの主画素が構成される。複数のトランジスタを含む画素回路は、対応するＯＬＥＤ素子の発光を制御する。ＯＬＥＤ素子は、アノード電極、有機発光膜、及びカソード電極で構成される。
【００３９】
下地膜１５２の上にポリシリコン層が存在し、ポリシリコン層にはＴＦＴのトランジスタ特性をもたらすチャネル１５５が、後にゲート電極１５７が形成される位置に存在する。その両端には上部の配線層と電気的に接続をとるために高濃度不純物がドープされたソース／ドレイン領域１６８、１６９が存在する。
【００４０】
チャネル１５５とソース／ドレイン領域１６８、１６９の間には、低濃度の不純物をドープされた領域を形成する場合もある。当該領域は、図示を省略している。ポリシリコン層の上には、ゲート絶縁膜１５６を介して、ゲート電極１５７が形成されている。ゲート電極１５７の層上に層間絶縁膜１５８が形成されている。
【００４１】
表示領域１２５内において、層間絶縁膜１５８上にソース／ドレイン電極１５９、１６０が形成されている。ソース／ドレイン電極１５９、１６０は、例えば、高融点金属又はその合金で形成される。ソース／ドレイン電極１５９、１６０は、層間絶縁膜１５８およびゲート絶縁膜１５６に形成されたコンタクトホール１７０、１７１を介してポリシリコン層のソース／ドレイン領域１６８、１６９に接続されている。
【００４２】
ソース／ドレイン電極１５９、１６０の上に、絶縁性の平坦化膜１６１が形成される。絶縁性の平坦化膜１６１の上に、アノード電極１６２が形成されている。アノード電極１６２は、平坦化膜１６１のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によってドレイン電極１６０に接続されている。画素回路のＴＦＴは、アノード電極１６２の下側に形成されている。
【００４３】
アノード電極１６２の上に、ＯＬＥＤ素子を分離する絶縁性の画素定義層（Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）１６３が形成されている。画素定義層１６３は、有機ＥＬ発光材料を含むインク（有機ＥＬ発光材料インク）に対して親水性（ぬれ性が高い）の絶縁材料で形成され、例えば、窒化ケイ素で形成される。有機ＥＬ発光材料インクは、有機ＥＬ発光材料と溶媒を含む。画素定義層１６３は、複数の開口１６７（ＰＤＬ開口）からなる開口パターンを有する。ＰＤＬ開口１６７の底はアノード電極１６２であり、各ＯＬＥＤ素子は、画素定義層１６３の各ＰＤＬ開口１６７に形成されている。ＰＤＬ開口１６７の形状が、副画素（発光領域）の形状に対応する。
【００４４】
画素定義層１６３の上に、有機ＥＬ発光材料インクを分離するための絶縁性の塗布材料分離層１６４が形成されている。塗布材料分離層１６４は、有機ＥＬ発光材料インクに対して疎水性（ぬれ性が低い）の絶縁材料で形成され、例えば、感光性樹脂で形成される。塗布材料分離層１６４は、画素定義層１６３よりも厚い。塗布材料分離層１６４は、複数の開口１４９（塗布分離開口）からなる開口パターンを有する。塗布分離開口１４９間の絶縁部分をバンクと呼ぶ。各塗布分離開口１４９はバンクで囲まれており、塗布材料分離層１６４の塗布分離開口１４９はバンクで分離されている。
【００４５】
各塗布分離開口１４９内に、同一色の複数のＯＬＥＤ素子（副画素）が形成されている。つまり、各塗布分離開口１４９内に、複数のＰＤＬ開口１６７が存在する。図３の例においては、二つのＯＬＥＤ素子は、一つの塗布分離開口１４９内に存在する。後述するように、ＯＬＥＤパネルの製造は、各塗布分離開口１４９内に有機ＥＬ発光材料インクの液滴を吐出し、各塗布分離開口１４９内に有機ＥＬ発光材料インクを貯める。塗布分離開口１４９への吐出量は、有機ＥＬ発光材料インクが塗布分離開口１４９から溢れないように制御される。
【００４６】
塗布分離開口１４９の内壁は、ＰＤＬ開口１６７からセットバックしている。つまり、塗布分離開口１４９の内壁とＰＤＬ開口１６７の端との間に画素定義層１６３の部分が存在している。また、上述のように、画素定義層１６３は有機ＥＬ発光材料インクに対してぬれ性が高く、塗布材料分離層１６４は有機ＥＬ発光材料インクに対してぬれ性が低い。このため、塗布分離開口１４９内において、有機ＥＬ発光材料インクが全域に広がり、有機ＥＬ発光材料インクが付着していないアノード電極１６２表面が存在しないようにできる。
【００４７】
有機ＥＬ発光材料インクの溶媒が乾燥により揮発することで、有機発光膜１６５が形成される。有機発光膜１６５が複数層で構成される場合、発光層は塗布式により形成され、他の層は蒸着式又は塗布式で形成される。
【００４８】
各塗布分離開口１４９は、バンクにより他の塗布分離開口１４９から分離されているので、有機ＥＬ発光材料インクの混色を防ぐことができる。また、塗布材料分離層１６４は有機ＥＬ発光材料インクに低いぬれ性を有するので、より効果的に有機ＥＬ発光材料インクの混色を防ぐことができる。なお、設計上許される場合、画素定義層１６３と塗布材料分離層１６４のぬれ性は、上記のようになっていなくてもよい。
【００４９】
アノード電極１６２の上に、有機発光膜１６５が形成されている。有機発光膜１６５は、塗布分離開口１４９内で、画素定義層１６３及び塗布分離開口１４９の内壁に付着している。有機発光膜１６５の上にカソード電極１６６が形成されている。カソード電極１６６は、光透過性を有する電極である。カソード電極１６６は、有機発光膜１６５からの可視光の一部を透過させる。画素定義層１６３の開口１６７に形成された、アノード電極１６２、有機発光膜１６５及びカソード電極１６６の積層膜が、ＯＬＥＤ素子を構成する。
【００５０】
カソード電極１６６の上に、封止構造部が形成されている。封止構造部は、無機薄膜層１８２、１８４と有機薄膜層１８１、１８３、１８５とが交互に積層された多層膜が形成されている。無機薄膜層１８２、１８４は、水分や酸素の透過を防止し、主な材料は窒化ケイ素及び酸化アルミであり。有機薄膜層１８１、１８３、１８５は、傷防止や折り曲げの緩衝部として働く。封止構造部の光出射面（前面）に、λ／４位相差板１８７と偏光板１８８とが配置され、外部から入射した光の反射を抑制する。
【００５１】
［製造方法］
次に、ＯＬＥＤ表示装置１０の製造方法の一例を説明する。製造方法は、まず、剥離層１４２及び剥離層１４２上のフレキシブル基板１４３が形成されている支持基板１４１を用意する。次に、フレキシブル基板１４３上に、無機薄膜層１４４、１４６、１４８と有機薄膜層１４５、１４７とが交互に積層された多層膜を形成する。例えば、無機薄膜層は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって例えばシリコン窒化物を堆積して形成され、有機薄膜層は光感光性樹脂を堆積することで形成される。
【００５２】
次に、製造方法は、ＣＶＤ等によって例えばシリコン窒化物を堆積して、又は、光感光性樹脂を堆積することで、下地膜１５２を形成する。次に、チャネル１５５を含む層、例えばポリシシリコン層を、公知の低温ポリシリコンＴＦＴ製造技術を用いて形成する。具体的には、例えばＣＶＤ法によってアモルファスシリコンを堆積し、ＥＬＡにより結晶化して、ポリシリコン膜を形成する。ポリシリコン膜は島状に加工され、ソース電極１５９、ドレイン電極１６０と接続するためのソース・ドレイン領域１６８、１６９には高濃度に不純物をドープして低抵抗化する。同様に低抵抗化したポリシリコン層は表示領域１２５内において要素間の接続にも利用できる。
【００５３】
次に、製造方法は、チャネル１５５を含むポリシリコン層上に、ＣＶＤ法等によって、例えば酸化シリコン膜を付着してゲート絶縁膜１５６を形成する。更に、スパッタ法等により金属材料を堆積し、パターニングを行って、ゲート電極１５７を含む金属層を形成する。
【００５４】
金属層は、ゲート電極１５７の他、例えば、保持容量電極、走査線１０６、エミッション制御線等を含む。金属層として、例えばＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金からなる群より選択される一つの物質で単一層を形成する。または、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるＭｏ、Ｃｕ、Ａｌ又はＡｇから選択された１又は複数材料の２層構造またはそれ以上の多重構造を形成してもよい。
【００５５】
ゲート電極１５７の形成前に高濃度不純物をドーピングしておいたソース・ドレイン領域１６８、１６９とゲート電極１５７との間に、オフセット領域をもうけておいてもよい。このポリシリコン膜に、ゲート電極１５７をマスクとして追加不純物ドーピングを施してソース・ドレイン領域１６８、１６９とゲート電極直下のチャネル１５５の間に低濃度不純物層が形成される。
【００５６】
次に、製造方法は、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積して層間絶縁膜１５８を形成する。層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に、異方性エッチングを行い、コンタクトホールを開口する。ソース電極１５９、ドレイン電極１６０とソース・ドレイン領域１６８、１６９とを接続するコンタクトホール１７０、１７１が、層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に形成される。
【００５７】
次に、スパッタ法等によって、例えば、積層されたＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の導電膜を堆積し、パターニングを行って、金属層を形成する。金属層は、ソース電極１５９、ドレイン電極１６０及びコンタクトホール１７０、１７１の内側を含む。この他に同じ層で、データ線１０５や電源線１０８等も形成される。
【００５８】
次に、製造方法は、感光性の有機材料を堆積し、平坦化膜１６１を形成する。露光、現像によってＴＦＴのソース電極１５９、ドレイン電極１６０に接続するためのコンタクトホールを開口する。コンタクトホール１７２を形成した平坦化膜１６１上に、アノード電極１６２を形成する。アノード電極１６２のパターンは、副画素のパターンに対応し、副画素ラインそれぞれに対応するアノード電極ラインが形成される。
【００５９】
アノード電極１６２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等の透明膜、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ等の金属又はこれらの金属を含む合金の反射膜、前記した透明膜の３層を含む。なお、アノード電極１６２の３層構成は、一例であり２層でもよい。アノード電極１６２は、コンタクトホール１７２を介して、ドレイン電極１６０と接続される。
【００６０】
次に、製造方法は、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積し、パターニングを行うことで、画素定義層１６３を形成する。パターニングにより画素定義層１６３には複数のＰＤＬ開口１６７（ＰＤＬ開口パターン）が形成される。各副画素のアノード電極１６２形成されたＰＤＬ開口１６７の底で露出する。画素定義層１６３により、各副画素の発光領域が分離される。
【００６１】
次に、製造方法は、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って塗布材料分離層１６４を形成する。パターニングにより塗布材料分離層１６４には複数の塗布分離開口１４９（塗布分離開口パターン）が形成される。各塗布分離開口１４９内には、同一色の副画素のための複数のＰＤＬ開口１６７が含まれている。
【００６２】
次に、製造方法は、有機ＥＬ発光材料インクを各塗布分離開口１４９内に塗布する。製造方法の例は、インクジェット方式により、有機ＥＬ発光材料インクの液滴を各塗布分離開口１４９内に吐出する。例えば、各塗布分離開口１４９において、同一色の有機ＥＬ発光材料インクの所定数の液滴を、各ＰＤＬ開口１６７に向けて吐出する。有機ＥＬ発光材料インクの溶媒が乾燥することで、有機発光膜１６５が形成される。製造方法は、アノード電極１６２上にＲＧＢ各色の有機発光膜１６５を形成する。
【００６３】
有機発光膜１６５は、他の層と共に多層膜を形成することができる。例えば、有機発光膜１６５のアノード電極側に、正孔注入層及び正孔輸送層を形成することができ、有機発光膜１６５のカソード側に、電子輸送層及び電子注入層を形成できる。有機発光膜１６５（発光層）以外の層は、塗布式又は蒸着方式によって形成することができる。有機ＥＬ素子の積層構造は設計により決められる。
【００６４】
次に、製造方法は、画素定義層１６３、塗布材料分離層１６４及び有機発光膜１６５（画素定義層１６３の開口における）が露出した基板に対して、カソード電極１６６のための金属材料を付着する。一つの副画素の有機発光膜１６５上に付着した金属材料部は、画素定義層１６３の開口領域においてこの副画素のカソード電極１６６として機能する。
【００６５】
カソード電極１６６の層は、例えば、Ａｌ、Ｍｇ等の金属又はこれらの金属を含む合金を蒸着して、形成する。カソード電極１６６の抵抗が高く発光輝度の均一性が損なわれる場合には、さらに、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の材料で補助電極層を追加する。
【００６６】
次に、製造方法は、カソード電極１６６の層上に、有機薄膜層１８１、１８３、１８５と無機薄膜層１８２、１８４とが交互に積層された多層膜（封止構造部）を形成する。例えば、無機薄膜層は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって例えばシリコン窒化物を堆積して形成され、有機薄膜層は光感光性樹脂を堆積することで形成される。さらに、製造方法は、封止構造部上に、λ／４位相差板１８７と偏光板１８８とを形成する。
［デルタナブラパネルにおける副画素配置］
【００６７】
図４は、デルタナブラ配置の副画素を模式的に示す。表示領域１２５は、面内に配置されている、複数の赤副画素４１Ｒ、複数の緑副画素４１Ｇ、及び複数の青副画素４１Ｂで構成されている。図４において、一つの赤副画素、一つの緑副画素、及び一つの青副画素が、例として、符号で指示されている。図４において、同一のハッチングの（丸い角の）四角は、同一色の副画素を示す。図４において、副画素の形状は四角であるが、副画素の形状は任意であって、例えば、六角形又は八角形であってもよい。
【００６８】
表示領域１２５は、Ｘ軸（第１軸）に沿って延び、Ｙ軸（第２軸）に沿って配列されている、複数の副画素行で構成されている。図４において、例として、一つの赤の副画素行が符号４３Ｒで指示され、一つの緑の副画素行が符号４３Ｇで指示され、一つの青の副画素行が符号４３Ｂで指示されている。
【００６９】
Ｘ軸とＹ軸とは副画素が配置されている面内において垂直である。ここで、Ｘ方向は、Ｘ軸に沿った２方向において、図４において左から右に向かう方向である。Ｙ方向は、Ｙ軸に沿った２方向において、上から下に向かう方向である。
【００７０】
図４の例において、各副画素行は、所定ピッチで配列されている同一色の副画素で構成されている。具体的には、副画素行４３Ｒ、４３Ｇ及び４３Ｂは、それぞれ、Ｘ軸に沿って配列されている赤副画素４１Ｒ、緑副画素４１Ｇ及青副画素４１Ｂで構成されている。Ｙ軸に沿って、赤副画素行４３Ｒ、緑副画素行４３Ｇ及び青副画素行４３Ｂは、代わる代わる配列されている。
【００７１】
つまり、副画素行は、他の２色の副画素行に挟まれている。例えば、緑副画素行４３Ｇは、赤副画素行４３Ｒと青副画素行４３Ｂとの間に配置されている。図４の例において、赤副画素行４３Ｒ、緑副画素行４３Ｇ及び青副画素行４３Ｂは、この順で代わる代わる配列されている。代わる代わる配列される色の順序はこれと異なっていてもよい。
【００７２】
隣接する副画素行は、Ｘ軸に沿って（Ｙ軸に沿って見て）ずれて配置されている。つまり、各副画素行の各副画素は、Ｘ軸に沿って、隣接する副画素行の隣接する二つの副画素の間に位置する。図４の例において、隣接する副画素行は半ピッチずれている。１ピッチは、副画素行において隣接する副画素の重心間の距離である。一つの副画素行に含まれる副画素は、当該副画素行に隣接する副画素行に含まれる隣接する二つの副画素の中央に位置する。
【００７３】
表示領域１２５は、Ｙ軸に沿って延び、Ｘ軸に沿って配列されている、複数の副画素列で構成されている。図４において、三つの副画素列が、例として、符号４２Ａ、４２Ｂ及び４２Ｃで指示されている。副画素列は、Ｙ軸に沿って配列されている副画素で構成されている。
【００７４】
副画素列は、所定ピッチで代わる代わる配列された赤副画素４１Ｒ、緑副画素４１Ｇ及び青副画素４１Ｂで構成されている。図４の例において、赤副画素４１Ｒ、青副画素４１Ｂ、及び緑副画素４１Ｇは、この順でＹ方向（図４における上から下への方向）に配列されている。色の順序はこれと異なってもよい。
【００７５】
隣接する副画素列の位置は、Ｙ軸に沿って（Ｘ軸に沿って見て）ずれており、一つの副画素列に含まれる副画素は、当該副画素列に隣接する副画素列に含まれる他の二色の副画素の間にある。図４の例において、隣接する副画素列は半ピッチずれている。１ピッチは、同一色の副画素の間のＹ軸に沿った距離である。例えば、緑副画素４１Ｇは、Ｙ軸に沿って、隣接副画素列における赤副画素４１Ｒと青副画素４１Ｂの中央に位置している。
【００７６】
図４に示すデルタナブラ配置において、サブ画素の輝度中心が等間隔であり、リアル解像度表示を実現することができる。なお、本実施形態においては、便宜的に、Ｘ軸に沿って延びる副画素ラインを副画素行、Ｙ軸に沿って延びる副画素ラインを副画素列と呼ぶが、副画素行及び副画素列の方向は、これに限定されない。
【００７７】
［塗布分離開口］
図５は、塗布材料分離層１６４における塗布分離開口のパターンの例を示す。図５において、複数の赤副画素を（基板１００の法線に沿って見て）収容する塗布分離開口（赤塗布分離開口）の一つが例として符号１４９Ｒで指示されている。緑副画素を収容する塗布分離開口（緑塗布分離開口）の一つが例として符号１４９Ｇで指示されている。青副画素を収容する塗布分離開口（青塗布分離開口）の一つが例として符号１４９Ｂで指示されている。図５において、同一のハッチングの塗布分離開口は、同一色の塗布分離開口を示す。
【００７８】
同一色の複数の副画素が、各塗布分離開口内に存在している。図５の例において、各塗布分離開口内に存在する同一色の副画素は、同一の副画素行に含まれている。赤副画素行内で連続する６つの赤副画素が各赤塗布分離開口１４９Ｒ内に存在する。緑副画素行内で連続する６つの緑副画素が各緑塗布分離開口１４９Ｇ内に存在する。青副画素行内で連続する６つの青副画素が各青塗布分離開口１４９Ｂ内に存在する。
【００７９】
図５の例において、塗布分離開口１４９Ｒ、１４９Ｇ、１４９Ｂの形状は共通である。各塗布分離開口は、副画素（ＰＤＬ開口）を収容する領域（副画素領域）と、これら領域を連結する領域（連結領域）とを含む。各副画素は、各副画素領域内に存在している。図５は、例として、一つの赤塗布分離開口１４９Ｒの、一つの副画素領域を符号４９１で指示し、一つの連結領域を符号４９２で指示している。図５の例において、各塗布分離開口は、６つの副画素領域と、それぞれが隣接する副画素領域を連結する５つの連結領域で構成されている。
【００８０】
各副画素ラインにおいて、隣接する塗布分離開口の間にバンクが存在する。図５において、それぞれ異なる赤副画素行内で隣接する赤塗布分離開口１４９Ｒ間の２つのバンク（破線で囲まれている）が、例として、符号４９５Ｒで指示されている。緑副画素行内で隣接する緑塗布分離開口１４９Ｇ間の１つのバンク（破線で囲まれている）が、例として、符号４９５Ｇ指示されており、青副画素行内で隣接する青塗布分離開口１４９Ｂ間の１つのバンク（破線で囲まれている）が、例として、符号４９５Ｂ指示されている。
【００８１】
図５に示すように、互いに隣接する異なる色の副画素ラインの間において、隣接する塗布分離開口間のバンク（境界）は、Ｙ軸に沿って見て、ずれている（千鳥配置）。これにより、塗布分離開口内の端における輝度ムラが表示領域１２５内で視認されにくくできる。この点の詳細は後述する。
【００８２】
具体的には、赤副画素行内のバンク４９５Ｒは、それぞれ、隣接する緑副画素行内のバンク４９５ＧとＹ軸に沿って見てずれており、さらに、青副画素行内のバンク４９５ＢとＹ軸に沿って見てずれている。同様に、緑副画素行内のバンク４９５Ｇは、それぞれ、隣接する赤副画素行内のバンク４９５ＲとＹ軸に沿って見てずれており、さらに、青副画素行内のバンク４９５ＢとＹ軸に沿って見てずれている。
【００８３】
隣接する異なる色の副画素行の間におけるバンクのずれ量は、設計により決定される。輝度ムラを視認されにくくする観点から、一例において、隣接する異なる色の副画素行の塗布分離開口間のバンクの中心は、Ｘ軸に沿って、副画素ピッチ以上離れている。図５の例においては、隣接する副画素行の塗布分離開口間のバンクの中心は、Ｘ軸に沿って、副画素ピッチ（副画素重心間距離）の３．５倍又は２．５倍の距離だけ離れている。各塗布分離開口は、６つの副画素を含むように形成されており、隣接する副画素行の間において、バンクの距離を大きく離すことができる。
【００８４】
さらに、図５の例において、互いに隣接する同一色の副画素ラインの間において、隣接する塗布分離開口間のバンク（境界）は、Ｙ軸に沿って見て、ずれている（千鳥配置）。これにより、塗布分離開口内の端における輝度ムラが表示領域１２５内でさらに視認されにくくできる。赤副画素ライン、緑副画素ライン及び青副画素ラインは代わる代わるＹ軸に沿って配列されているため、同一色の副画素ラインの間には、異なる２色の副画素ラインが存在する。
【００８５】
隣接する同一色の副画素行の間におけるバンクのずれ量は、設計により決定される。輝度ムラを視認されにくくする観点から、一例において、隣接する同一色の副画素行の塗布分離開口間のバンクの中心は、Ｘ軸に沿って、副画素間距離以上離れている。図５の例においては、隣接する同一色の副画素行の塗布分離開口間のバンクの中心は、Ｘ軸に沿って、副画素ピッチの３．５倍又は２．５倍の距離だけ離れている。
【００８６】
なお、異なる色の塗布分離開口の形状は異なっていてもよく、同一色の塗布分離開口の形状が異なっていてもよい。例えば、赤塗布分離開口１４９Ｒ、緑塗布分離開口１４９Ｇ、青塗布分離開口１４９Ｂが収容する副画素の数は、異なっていてもよい。
【００８７】
図６は、塗布分離開口内の副画素の輝度ムラ及びそれを視認されにくくする構成を説明する図である。図６は、塗布材料分離層１６４内の塗布分離開口１４９及び画素定義層１６３内のＰＤＬ開口１６７示す平面図、平面図のＡ−Ａ切断線におけるＯＬＥＤパネルの一部の断面図、有機発光膜１６５（発光層）の膜厚、及び副画素の輝度、を模式的に示している。
【００８８】
塗布分離開口１４９の副画素領域４９１内に、ＰＤＬ開口１６７の全体が含まれている。副画素領域４９１を連結する連結領域４９２の幅Ｗ２（Ｙ軸に沿った寸法の最大値）は、副画素領域４９１の幅Ｗ１（Ｙ軸に沿った寸法の最大値）よりも小さい。隣接する副画素行間（隣接する塗布分離開口行間）の間において、副画素領域４９１は、Ｙ軸に沿って見てずれている。連結領域４９２の幅Ｗ２が副画素領域４９１の幅Ｗ１より小さいので、隣接行の塗布分離開口１４９から適切に分離して、連結領域４９２を形成することができる。
【００８９】
上述のように、ＯＬＥＤ表示装置の製造方法は、各塗布分離開口１４９内に有機ＥＬ発光材料インク６０１を塗布する。一例において、製造方法は、各副画素領域４９１（各ＰＤＬ開口１６７）に液滴を吐出する。図６に示すように、デルタナブラ配置における異なる色の副画素間の距離は、ＲＧＢストライプのような他の画素配置における距離と比較して大きい。そのため、混色リスクを低減することができる。
【００９０】
副画素領域４９１内に吐出された有機ＥＬ発光材料インク６０１は、連結領域４９２を介して塗布分離開口１４９内の全体に広がる。上述のように、画素定義層１６３のぬれ性が高く、塗布材料分離層１６４のぬれ性が低いため、有機ＥＬ発光材料インク６０１は、塗布分離開口１４９内で、アノード電極１６２の上に適切に広がることができる。
【００９１】
一つの塗布分離開口１４９内に複数の副画素が含まれるので、ヘッドのインク吐出量のばらつきによる有機発光膜厚のばらつきを低減できる。また、各色の副画素を複数の塗布分離開口１４９に分離することで、有機ＥＬ発光材料インクの乾燥に伴う副画素間の有機発光膜厚のばらつきを小さくすることができる。
【００９２】
有機ＥＬ発光材料インク６０１が塗布分離開口１４９内で乾燥し、有機発光膜１６５が形成される。連続した有機発光膜が、塗布分離開口１４９内で形成されており、各副画素の有機発光膜１６５は塗布分離開口１４９内で連続する有機発光膜の一部である。各副画素の有機発光膜１６５は、連結領域内の同一材料の有機発光膜により連結されている。
【００９３】
図６に示すように、塗布分離開口１４９内の両端において、有機発光膜厚が変化しやすい。そのため、塗布分離開口１４９内の両端の副画素の輝度は、内側の副画素の輝度よりも大きくなる傾向がある。上述のように、塗布分離開口１４９は、千鳥状に配置されている。そのため、塗布分離開口１４９内の両端の副画素の輝度ムラを視認されにくくすることができる。
【００９４】
図７は、塗布材料分離層１６４における塗布分離開口のパターンの他の例を示す。副画素の配置は、図５に示す例と同様に、デルタナブラ配置である。本例の塗布分離開口パターンは、複数の副画素行の副画素を収容する塗布分離開口を含む。異なる副画素行の副画素が一つの塗布分離開口内に存在することで、ヘッド間のインク吐出量のばらつき及びヘッド毎のインク吐出量のばらつきによる有機発光膜厚のばらつきを低減することができる。
【００９５】
図７において、１つの赤塗布分離開口、１つの緑塗布分離開口及び１つ青塗布分離開口が、それぞれ、例として符号１４９Ｒ、１４９Ｇ及び１４９Ｂで指示されている。図７において、同一のハッチングの塗布分離開口は、同一色の塗布分離開口を示す。同一色の複数の副画素が、各塗布分離開口内に存在している。塗布分離開口は、副画素領域と副画素領域を連結する連結領域とで構成されており、連結領域の幅は副画素領域の幅よりも小さい。各副画素（ＰＤＬ開口）は、各副画素領域内に存在している。
【００９６】
図７の例において、赤塗布分離開口１４９Ｒが包含する副画素の数は共通であり、それらの形状も共通である。赤塗布分離開口１４９Ｒは、隣接する２つの赤副画素行の副画素を含んでいる。具体的には、赤塗布分離開口１４９Ｒは、一つの赤副画素行の連続する６つの副画素と、隣接する赤副画素行の連続する３つの副画素を含む。
【００９７】
緑塗布分離開口１４９Ｇが包含する副画素の数は共通であり、それらの形状も共通である。緑塗布分離開口１４９Ｇは、隣接する３つの緑副画素行の副画素を含んでいる。具体的には、緑塗布分離開口１４９Ｇは、一つの緑副画素行の連続する２つの副画素と、他の一つの緑副画素行の連続する２つの副画素と、これら緑副画素行に挟まれている緑副画素行の連続する５つの副画素とを含む。
【００９８】
青塗布分離開口１４９Ｂが包含する副画素の数は共通であり、それらの形状も共通である。青塗布分離開口１４９Ｂは、一つの青副画素行の副画素を含んでいる。具体的には、青塗布分離開口１４９Ｂは、一つの青副画素行の連続する３つの副画素を含む。
【００９９】
図７において、例として、赤副画素行、緑副画素行及び青副画素行におけるバンク（境界）が、それぞれ破線で囲まれ、符号４９５Ｒ、４９５Ｇ、４９５Ｂで指示されている。図７の構成例において、図５の構成例と同様に、互いに隣接する異なる色の副画素ラインの間において、隣接する塗布分離開口間のバンク（境界）は、Ｙ軸に沿って見て、ずれている（千鳥配置）。これにより、これにより、塗布分離開口内の端における輝度ムラが表示領域１２５内で視認されにくくできる。
【０１００】
さらに、互いに隣接する同一色の副画素ラインの間において、隣接する塗布分離開口間のバンク（境界）は、Ｙ軸に沿って見て、ずれている（千鳥配置）。これにより、塗布分離開口内の端における輝度ムラが表示領域１２５内でさらに視認されにくくできる。
【０１０１】
図７の例において、緑塗布分離開口１４９Ｇが収容する副画素の数が最も多く、青塗布分離開口１４９Ｂが収容する副画素の数が最も少ない。緑の比視感度が最も高く、青の比視感度が最も低い。また、収容する副画素数を多くすることで、副画素間の輝度変化をより小さくすることができる。従って、緑塗布分離開口１４９Ｇが収容する副画素の数を最も多く、青塗布分離開口１４９Ｂが収容する副画素の数を最も少なくすることで、視認される輝度ムラを低減できる。赤塗布分離開口１４９Ｇの副画素収容数は、緑塗布分離開口１４９Ｇの副画素収容数以下であり、青塗布分離開口１４９Ｂの副画素収容数以上である。
【０１０２】
なお、各塗布分離開口１４９が収容する副画素の数は設計により決定され、上記構成例に限定されるものではない。同色の塗布分離開口が異なる形状を有してもよく、異なる数の副画素を収容してもよい。
【０１０３】
以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本開示の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。
【符号の説明】
【０１０４】
１０  ＯＬＥＤ表示装置、４１  副画素、４２  副画素列、４３  副画素行、１００  ＴＦＴ基板、１０５  データ線、１０６  走査線、１０７  エミッション制御線、１０８  電源線、１０９  リセット制御線、１１０  基準電圧供給線、１１４  カソード電極形成領域、１２５  表示領域、１３１  走査ドライバ、１３３  保護回路、１３６  デマルチプレクサ、１４１  支持基板、１４２  剥離層、１４３  フレキシブル基板、１４４  無機薄膜層、１４５  有機薄膜層、１４９  塗布分離開口、１５２  下地膜、１５５  チャネル、１５６  ゲート絶縁膜、１５７  ゲート電極、１５８  層間絶縁膜、１５９、１６０  ソース／ドレイン電極、１６１  平坦化膜、１６２  アノード電極、１６３  画素定義層、１６４  塗布材料分離層、１６５  有機発光膜、１６６  カソード電極、１６７  ＰＤＬ開口、１６８、１６９  ソース／ドレイン領域、１７０、１７２  コンタクトホール、１８１  有機薄膜層、１８２  無機薄膜層、１８７  位相差板、１８８  偏光板、２００  封止構造部、４９１  副画素領域、４９２  連結領域、４９５  バンク、６０１  有機ＥＬ発光材料インク、Ｗ１  副画素領域の幅、Ｗ２  連結領域の幅
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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