(57)【要約】 【課題】めっき配線からの腐食が内部配線へ進行することを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は、第１面と、該第１面の反対側の第２面と、第１面と第２面との間にある側面とを有する基板を備える。パッド電極は、基板の第１面に設けられている。内部配線は、基板内に設けられ、パッド電極に電気的に接続されている。第１配線は、基板内に設けられ、側面において基板から露出されている。絶縁物は、第１配線と内部配線との間に設けられ、第１配線と内部配線との間を分離する。半導体チップは、基板上に設けられ、パッド電極に電気的に接続されている。第１樹脂は、半導体チップを被覆する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面の反対側の第２面と、前記第１面と前記第２面との間にある側面とを有する基板と、
前記基板の第１面に設けられたパッド電極と、
前記基板内に設けられ、前記パッド電極に電気的に接続され内部配線と、
前記基板内に設けられ、前記側面において前記基板から露出されている第１配線と、
前記第１配線と前記内部配線との間に設けられ、前記第１配線と前記内部配線との間を分離する絶縁物と、
前記基板上に設けられ、前記パッド電極に電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップを被覆する第１樹脂とを備えた半導体装置。
【請求項２】
前記パッド電極は、電極材料上に設けられた金属膜を有し、
前記第１配線は、前記パッド電極の表面に前記金属膜を電解めっき処理するために用いられるめっき配線である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線は、電気的に浮遊状態である、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板は、前記第１配線と前記内部配線との間に凹部を有し、
前記第１配線は、前記凹部内の切断面において前記絶縁物と接触している、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１配線は、前記第２面よりも前記第１面の近くに設けられており、
前記絶縁物は、前記第１樹脂である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１面、該第１面の反対側の第２面、前記第１面と前記第２面との間にある側面とを有する基板と、
前記基板の第１面に設けられたパッド電極と、
前記基板内に設けられ、前記パッド電極に電気的に接続され内部配線と、
前記基板内に設けられ、前記側面において前記基板から露出されている第１配線と、
前記第１配線と前記内部配線との間に設けられ、前記第１配線と前記内部配線との間を分離する絶縁物と、
前記基板上に設けられ、前記パッド電極に電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップを被覆する第１樹脂とを備え、
前記第１配線は、前記第１面よりも前記第２面の近くに設けられており、
前記基板は、前記第１配線と前記内部配線との間に凹部を有している、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡパッケージ等の半導体パッケージは、配線基板上に半導体チップを搭載して半導体チップと配線基板とを接続し、半導体チップを樹脂で被覆して形成される。このような半導体パッケージにおいて、配線基板のボンディングパッドの表面は、金属材料でめっき処理されている。電解めっき法を用いて、ボンディングパッドの表面をめっき処理する場合、ボンディングパッドに電圧を印加するために、ボンディングパッドに電気的に接続されためっき配線を設ける必要がある。
【０００３】
めっき配線は、個片化前の複数の配線基板に共通に設けられており、複数の配線基板に同時にめっき処理を行う際に電極として用いられる。めっき処理後、配線基板を個片化したときに、ダイシングラインにあるめっき配線は除去されるが、一部のめっき配線は、配線基板に残り、配線基板の外側面から露出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許公開第２０１３−２５６８５４号公報
【特許文献２】特開２００５−２５６１２８号公報
【特許文献３】米国特許公開第２００５−２５８４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
めっき配線からの腐食が内部配線へ進行することを抑制することができる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態による半導体装置は、第１面と、該第１面の反対側の第２面と、第１面と第２面との間にある側面とを有する基板を備える。パッド電極は、基板の第１面に設けられている。内部配線は、基板内に設けられ、パッド電極に電気的に接続されている。第１配線は、基板内に設けられ、側面において基板から露出されている。絶縁物は、第１配線と内部配線との間に設けられ、第１配線と内部配線との間を分離する。半導体チップは、基板上に設けられ、パッド電極に電気的に接続されている。第１樹脂は、半導体チップを被覆する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態による半導体装置の構成例を示す断面図。
【図２】ボンディングパッドおよびその周辺の構成を示す断面図。
【図３】第１実施形態による樹脂基板の構成例を示す平面図。
【図４】第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す図。
【図５】基板パネルの製造方法を示す断面図。
【図６】図５に続く、基板パネルの製造方法を示す断面図。
【図７】図６に続く、基板パネルの製造方法を示す断面図。
【図８】図７に続く、基板パネルの製造方法を示す断面図。
【図９】図８に続く、基板パネルの製造方法を示す断面図。
【図１０】図９に続く、基板パネルの製造方法を示す断面図。
【図１１】第２実施形態による半導体装置の構成例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。以下の実施形態において、基板の上下方向は、半導体チップが設けられる面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による半導体装置の構成例を示す断面図である。本実施形態の半導体装置１は、面実装型の半導体パッケージであり、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array package）、ＭＡＰ（Mold Array Package）、ＬＧＡ（Land Grid Array Package） またはＣＳＰ（Chip Size Package）等でよい。半導体装置１は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の半導体記憶装置でもよい。
【００１０】
半導体装置１は、樹脂基板１０と、半導体チップ４１、４２と、モールド樹脂５０と、金属ボール６０とを備えている。
【００１１】
樹脂基板１０は、第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１の反対側の第２面Ｆ２と、第１面Ｆ１と第２面Ｆ２との間にある側面Ｆ３とを有する。樹脂基板１０の平面形状は、特に限定しないが、略長方形あるいは略正方形でよい。樹脂基板１０は、例えば、複数の絶縁層１１と複数の配線層１２とを積層して一体化した多層配線基板でよい。絶縁層１１には、例えば、ガラスエポキシ樹脂、有機高分子材料またはセラミックス材料（例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３））等を用いる。内部配線としての配線層１２は、樹脂基板１０内に設けられ、ボンディングパッドＢＰに電気的に接続されている。配線層１２には、例えば、銅などの低抵抗の導電性材料を用いている。尚、配線層１２のレイアウトは、任意であり、半導体装置１によって設計変更可能である。
【００１２】
樹脂基板１０の第１面Ｆ１には、ソルダレジストＳＲと、パッド電極としてのボンディングパッドＢＰとが設けられている。ボンディングパッドＢＰ上にはソルダレジストＳＲは設けられておらず、第１面Ｆ１上において、ボンディングパッドＢＰはソルダレジストＳＲから露出されている。ボンディングパッドＢＰの電極材料は、配線層１２と同様の材料（例えば、銅）で主に構成されているが、その表面は、図２に示すように、金属膜１３、１４でめっき処理されている。
【００１３】
図２は、図１の破線枠ＢのボンディングパッドＢＰおよびその周辺の構成を示す断面図である。金属膜１３、１４には、例えば、ニッケル、金等の低抵抗な導電性材料が用いられる。金属膜１３をニッケルとし、金属膜１４を金とすると、金属膜１３、１４は、ニッケルおよび金の積層膜となる。金属膜１３、１４は、例えば、電解めっき法を用いて、ボンディングパッドＢＰの電極材料（例えば、銅）の表面に成膜される。金属膜１３のニッケルは、金属膜１４としての金と電極材料としての銅との間を比較的強く接合する。金属膜１４の金は、金属ワイヤ２０がボンディングされたときに、金属ワイヤ２０をボンディングパッドＢＰに低抵抗で接合するために設けられている。金属ワイヤ２０には、金属膜１４と同一材料（例えば、金）が用いられている。これにより、金属ワイヤ２０は、金属膜１４に比較的強く接合することができる。
【００１４】
樹脂基板１０の側面Ｆ３には、第１配線としてのめっき配線１５が設けられている。めっき配線１５は、樹脂基板１０内に設けられ、側面Ｆ３において樹脂基板１０から露出されている。めっき配線１５は、配線層１２の一部として配線層１２と同一材料で構成されている。例えば、めっき配線１５には、銅が用いられる。めっき配線１５は、ボンディングパッドＢＰの表面に金属膜１３、１４をめっき処理するために用いられる配線であり、めっき処理を行う際には配線層１２を介してボンディングパッドＢＰに電気的に接続されている。めっき処理後、凹部１６がめっき配線１５と配線層１２との間に設けられ、めっき配線１５と配線層１２との間を電気的かつ物理的に分離する。このため、完成した半導体装置１では、めっき配線１５は、配線層１２から分断されており、電気的に浮遊状態となっている。このように、めっき配線１５は、樹脂基板１０の側面Ｆ３から露出されつつ、配線層１２からは分断されている。
【００１５】
半導体チップ４１、４２は、接着層（ＤＡＦ（Die Attachment Film））３０を介して樹脂基板１０の第１面Ｆ１上に接着されている。半導体チップ４１は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのコントローラチップでよい。半導体チップ４２は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリチップでよい。半導体チップ４１、４２は、金属ワイヤ２０を介して樹脂基板１０のボンディングパッドＢＰに電気的に接続されている。尚、半導体チップ４１、４２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのコントローラチップやメモリチップに限定されず、任意の半導体チップでもよい。
【００１６】
第１樹脂としてのモールド樹脂５０は、樹脂基板１０の第１面Ｆ１上において、半導体チップ４１、４２および金属ワイヤ２０を被覆し、これらを半導体装置１の外部から保護している。また、樹脂基板１０の第１面Ｆ１には、凹部１６が設けられており、モールド樹脂５０は、凹部１６内に入り込み、充填されている。凹部１６内のモールド樹脂５０は、めっき配線１５と配線層１２との間を絶縁している。よって、凹部１６内において、めっき配線１５の切断面は、モールド樹脂５０で被覆されており、モールド樹脂５０に接触している。
【００１７】
本実施形態において、めっき配線１５は、第２面Ｆ２よりも第１面Ｆ１の近くに設けられている。従って、凹部１６は、樹脂基板１０の第１面Ｆ１に形成され、めっき配線１５と配線層１２との間を分離する。また、凹部１６が設けられているめっき配線１５と配線層１２との間の領域上には、めっき配線１５だけでなく、ソルダレジスト膜も取り除かれている。その凹部１６には、モールド樹脂５０が充填されている。
【００１８】
樹脂基板１０の第２面Ｆ２上には、金属ボール６０が設けられている。図示しないが、金属ボール６０は、第２面Ｆ２側にある配線層１２に接続されており、配線層１２を介して半導体チップ４１、４２のいずれかに電気的に接続される。金属ボール６０には、例えば、はんだ等の導電性金属を用いている。尚、金属ボール６０に代えて、平坦なランド部であってもよい。
【００１９】
図３は、第１実施形態による樹脂基板１０の構成例を示す平面図である。図３の平面図は、第１面Ｆ１側から見た平面図である。配線層１２＿１は、第１信号線であり、配線層１２＿２は、第２信号線であり、配線層１２＿３は、第３信号線である。また、配線層１２＿４は、グランド配線または電源配線である。以下、１２＿１〜１２＿３は、第１〜第３信号線と呼び、１２＿４はグランド／電源配線と呼ぶ。
【００２０】
第１〜第３信号線１２＿１〜１２＿３は、コントローラチップ４１またはＮＡＮＤ型メモリチップ４２へ制御信号やデータを伝達する配線である。グランド／電源配線１２＿４は、グランドまたは電源に接続される配線であり、コントローラチップ４１またはＮＡＮＤ型メモリチップ４２のグランドまたは電源として用いられる。第１〜第３信号線１２＿１〜１２＿３およびグランド／電源配線１２＿４は、第１面Ｆ１上に設けられたソルダレジストＳＲによって被覆されている。
【００２１】
ボンディングパッドＢＰは、第１〜第３信号線１２＿１〜１２＿３およびグランド／電源配線１２＿４のいずれかに接続されており、金属ワイヤ２０をボンディングするためにソルダレジストＳＲから露出されている。
【００２２】
ここで、ボンディングパッドＢＰの表面を電解めっき処理するためには、めっき処理時に、ボンディングパッドＢＰは、外部電極（図示せず）に電気的に接続されなければならない。めっき処理時において、凹部１６、１８はまだ形成されておらず、グランド／電源配線１２＿４は、めっき配線１５＿１に接続されている。これにより、めっき配線１５＿１を介して外部電極に電気的に接続される。第３信号線１２＿３は、めっき配線１５＿２に接続されており、めっき配線１５＿２を介して外部のめっき用電極に電気的に接続される。さらに、第１信号線１２＿１は、めっき配線１７＿１を介してグランド／電源配線１２＿４に電気的に接続される。第２信号線１２＿２は、めっき配線１７＿２を介してグランド／電源配線１２＿４に電気的に接続される。これにより、第１および第２信号線１２＿１、１２＿２は、めっき配線１７＿１、１７＿２およびグランド／電源配線１２＿４を介してめっき配線１５＿１に電気的に接続される。その結果、めっき処理時において、全てのボンディングパッドＢＰは、めっき配線１５＿１、１５＿２のいずれかに電気的に接続され、電解めっき処理され得る。
【００２３】
一方、電解めっき処理の後、凹部１６が形成されると、側面Ｆ３から露出されるめっき配線１５＿１、１５＿２がグランド／電源配線１２＿４および第３信号線１２＿３から分離される。凹部１６には、後の工程においてモールド樹脂５０が充填される。従って、めっき配線１５＿１とグランド／電源配線１２＿４との間およびめっき配線１５＿２と第３信号線１２＿３との間には、モールド樹脂５０が設けられる。これにより、めっき配線１５＿１、１５＿２の露出部から進行する腐食は、モールド樹脂５０において阻止され、グランド／電源配線１２＿４および第３信号線１２＿３まで進行しない。よって、凹部１６およびその内部のモールド樹脂５０は、グランド／電源配線１２＿４および第３信号線１２＿３を腐食から保護することができる。
【００２４】
また、凹部１８が形成されると、第１および第２信号線１２＿１、１２＿２は、グランド／電源配線１２＿４から電気的に切断される。これに伴い、第１および第２信号線１２＿１、１２＿２も互いに電気的に分離される。これにより、第１および第２信号線１２＿１、１２＿２は、それぞれ個別の信号（制御信号またはデータ）をコントローラチップ４１またはＮＡＮＤ型メモリチップ４２へ伝達することができる。また、グランド／電源配線１２＿４は、コントローラチップ４１またはＮＡＮＤ型メモリチップ４２へグランド電圧または電源電圧を与えることができる。
【００２５】
次に、本実施形態による半導体装置１の製造方法について説明する。
【００２６】
図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、第１実施形態による半導体装置１の製造方法の一例を示す図である。まず、樹脂基板１０を形成するために、図４（Ａ）に示すような複数の樹脂基板１０が連なった基板パネル１００を形成する。基板パネル１００内において、隣接する複数の樹脂基板１０は、めっき配線１５で接続されている。即ち、隣接する複数の樹脂基板１０のめっき配線１５は、複数の樹脂基板１０間に亘って設けられており、複数の樹脂基板１０間において接続されている。また、隣接する樹脂基板１０間のダイシングエリアＤＡに沿って共通めっき配線１５ｍが設けられており、隣接する樹脂基板１０のそれぞれのめっき配線１５は、その共通めっき配線１５ｍに接続されている。共通めっき配線１５ｍは、基板パネル１００の外周まで延在しており、共通めっき配線１５ｍの一端部は、基板パネル１００の側面から露出されている。共通めっき配線１５ｍは、基板パネル１００内の複数の樹脂基板１０のボンディングパッドＢＰ（図３参照）に電気的に接続される。これにより、基板パネル１００の外部から共通めっき配線１５ｍを介してボンディングパッドＢＰに電圧を印加することができ、基板パネル１００の状態で、複数の樹脂基板１０のボンディングパッドＢＰを同時にめっき処理することができる。
【００２７】
めっき処理の後、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図３の凹部１６、１８を形成し、めっき配線１５＿１、１５＿２を配線層１２＿１〜１２＿４から切断する。凹部の形成工程は、図５（Ａ）〜図１０を参照して後でより詳細に説明する。
【００２８】
次に、ダイシングブレードを用いて、基板パネル１００をダイシングする。このとき、ダイシングブレードは、隣接する樹脂基板１０間のダイシングエリアＤＡを、共通めっき配線１５ｍとともに除去する。ダイシング工程では、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示すように、複数の樹脂基板１０を含むブロック９９に基板パネル１００を切断し、さらに、そのブロック９９を切断することによって樹脂基板１０に個片化する。これにより、隣接するブロック９９間の共通めっき配線１５ｍおよび隣接する樹脂基板１０間のめっき配線１５が切断される。ただし、めっき配線１５は、樹脂基板１０のそれぞれの端部において幾分残っており、側面Ｆ３において露出される。樹脂基板１０は、図１に示すように、コントローラチップ４１およびメモリチップ４２の実装基板として用いられる。
【００２９】
図５（Ａ）〜図１０は、図４（Ａ）の基板パネル１００の製造方法を示す断面図である。図５（Ａ）〜図１０は、図４（Ａ）に示す基板パネル１００の１つの樹脂基板１０に対応する端面を示している。
【００３０】
まず、図５（Ａ）に示すように、例えば、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁層（プリプレグ）１１の両面に配線層（例えば、銅膜）１２を形成する。絶縁層１１および配線層１２の積層構造１０９は支持基板１０１上に搭載される。
【００３１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、積層構造１０９の上面にある配線層１２を所望の配線パターンに加工する。さらに、図６（Ａ）に示すように、積層構造１０９上に他の絶縁層１１および他の配線層１２を積層する。このように、複数の絶縁層１１と複数の配線層１２とを積層して一体化した積層構造１０９を形成する。
【００３２】
積層構造１０９を支持基板１０１から分離した後、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図６（Ｂ）に示すように、内部の配線層１２に達するＶＩＡホールを積層構造１０９の上面および裏面に形成する。
【００３３】
ＶＩＡホールに導電体（例えば、銅）を充填した後、図７（Ａ）に示すように、さらに他の配線層１２を積層構造１０９の上面および裏面に積層する。
【００３４】
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図７（Ｂ）に示すように、積層構造１０９の上面および裏面にある配線層１２を加工する。
【００３５】
次に、図８（Ａ）に示すように、積層構造１０９の表面および裏面に、ソルダレジストＳＲが形成され、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ボンディングパッドＢＰおよびはんだボール６０の形成領域ＲｂｐのソルダレジストＳＲを除去する。同時に、図３に示す凹部１６、１８の形成領域ＲｃのソルダレジストＳＲも除去する。
【００３６】
次に、図８（Ｂ）に示すように、リソグラフィ技術を用いて領域Ｒｃにマスク１２０を形成する。
【００３７】
次に、図９（Ａ）に示すように、ボンディングパッドＢＰおよびはんだボール６０を形成する領域Ｒｂｐに電解めっき処理を行う。このとき、配線層１２は、めっき配線１５と電気的に接続されており、電解めっきにより金属膜１３、１４を領域Ｒｂｐに形成することができる。このとき、領域Ｒｃにはマスク１２０が設けられているので、凹部１６、１８の形成領域Ｒｃには、金属膜１３、１４はめっきされない。
【００３８】
次に、図９（Ｂ）に示すように、マスク１２０を除去した後、図１０に示すように、ソルダレジストＳＲをマスクとして用いて、領域Ｒｃの配線層１２をエッチングする。これにより、凹部１６、１８が形成され、めっき配線１５が配線層１２から切断される。また、図３の配線１７＿１、１７＿２も切断される。このとき、金属膜１３、１４も幾分エッチングされるが、例えば、金のようにエッチングされ難い材料を用いることによって、残置させることができる。
【００３９】
このような積層構造１０９は、図４（Ａ）の基板パネル１００の状態で形成され、その後、ダイシングされて図４（Ｃ）に示す樹脂基板１０へ個片化される。
【００４０】
さらに、図１（Ａ）に示すように、樹脂基板１０上に半導体チップ４１、４２を接着層３０で接着し、半導体チップ４１、４２のパッド（図示せず）と樹脂基板１０のボンディングパッドＢＰとの間を金属ワイヤ２０で接合する。
【００４１】
次に、樹脂基板１０の第１面Ｆ１上にモールド樹脂５０を形成し、半導体チップ４１、４２および金属ワイヤ２０をモールド樹脂５０で被覆する。このとき、図１０の凹部１６、１８は、モールド樹脂５０で充填される。これにより、モールド樹脂５０は、半導体チップ４１，４２を封止するとともに、めっき配線１５と配線層１２との間に設けられ、めっき配線１５と配線層１２との間を電気的に分離する。
【００４２】
めっき配線１５と配線層１２との間が接続されている場合、半導体パッケージを高温多湿の環境下で使用すると、樹脂基板１０の外側面に露出されためっき配線１５から腐食が生じるおそれがある。腐食が進行すると、めっき配線１５に接続されたボンディングパッドや、さらにボンディングパッドに接続された信号配線、電源配線、グランド配線等の配線層１２まで腐食するおそれがある。ボンディングパッド、信号配線、電源配線、グランド配線等の腐食は不良等の原因となる。
【００４３】
これに対し、本実施形態によれば、モールド樹脂５０をめっき配線１５と配線層１２との間に設けることによって、めっき配線１５の露出部から進行する腐食は、モールド樹脂５０において阻止され、内部の配線層１２（例えば、図３のグランド／電源配線１２＿４および信号線１２＿３）まで進行することを抑制することができる。
【００４４】
（第２実施形態）
図１１は、第２実施形態による半導体装置の構成例を示す断面図である。第２実施形態では、めっき配線１５が第１面Ｆ１側だけでなく、第２面Ｆ２側にも設けられている。例えば、図１１のめっき配線１５ａは、第２面Ｆ２よりも第１面Ｆ１の近くに設けられている。しかし、めっき配線１５ｂは、第１面Ｆ１よりも第２面Ｆ２の近くに設けられている。この場合、めっき配線１５ａを配線層１２から切断するために凹部１６が第１面Ｆ１に設けられている。めっき配線１５ｂを配線層１２から切断するために凹部２６が第２面Ｆ２に設けられている。このように、第２実施形態は、第２面Ｆ２にも凹部２６を有する点で第１実施形態と異なる。第２面Ｆ２に設けられた凹部２６には、樹脂基板１０と半導体装置１を実装する実装基板２００との間に供給されるアンダーフィル樹脂３００が充填される。第２実施形態のその他の構成は、対応する第１実施形態の構成と同様でよい。
【００４５】
凹部２６は、半導体装置１の製造時には、空洞となっており、大気に晒されている。半導体装置１が実装基板２００に実装される際に、半導体装置１の第２面Ｆ２と実装基板２００との間に、アンダーフィル樹脂３００が供給される。アンダーフィル樹脂３００は、半導体装置１を実装基板２００上に接着するとともに、凹部２６内に充填される。これにより、アンダーフィル樹脂３００がめっき配線１５ｂと配線層１２との間を電気的に分離する。このように、アンダーフィル樹脂３００をめっき配線１５ｂと配線層１２との間に設けることによって、樹脂基板１０の側面Ｆ３におけるめっき配線１５ｂの露出部から進行する腐食が、配線層１２まで進行することを抑制できる。
【００４６】
めっき配線１５ａは、第１実施形態と同様に、凹部１６および該凹部１６に充填されたモールド樹脂５０によって配線層１２から電気的に分離されている。よって、第２実施形態は、第１実施形態の効果も得ることができる。
【００４７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体装置、１０  樹脂基板、４１、４２  半導体チップ、５０  モールド樹脂、６０  金属ボール、Ｆ１  第１面、Ｆ２  第２面、Ｆ３  側面、１１  絶縁層、１２（１２＿１〜１２＿４）  配線層、１３，１４  金属膜、１５  （１５＿１，１５＿２，１５ａ，１５ｂ）  めっき配線、１６，２６  凹部、ＢＰ  ボンディングパッド、２０  金属ワイヤ、３０  接着層、４１、４２  半導体チップ、５０  モールド樹脂、６０  金属ボール
【図１】
2020025019.tif 000003
【図２】
2020025019.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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