(57)【要約】導体パターン（１８）となるべき薄膜の導電層を準備し、前記導電層上に複数の実接続位置及び少なくとも１個のダミー接続位置を除き、前記導電層上にマスク層（３）を形成し、前記導電層から露出した前記実接続位置及び前記ダミー接続位置に半田を用いて実半田パッド（６）及びダミー半田パッド（７）をそれぞれ形成し、前記実半田パッド（６）に電気又は電子的な部品（８）の接続端子（９）を接続し、前記導電層に直接又は前記マスク層（３）を介して積層され、且つ、前記部品（８）を埋設させた樹脂製の絶縁基材（１６）を形成し、前記ダミー半田バッド（７）を基準として前記導電層の一部を除去し、前記導体パターン（１８）を形成する。
2012042667.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンとなるべき薄膜の導電層を準備し、
前記導電層上に複数の実接続位置及び少なくとも１個のダミー接続位置を除き、前記導電層上にマスク層を形成し、
前記導電層から露出した前記実接続位置及び前記ダミー接続位置に半田を用いて実半田パッド及びダミー半田パッドをそれぞれ形成し、
前記実半田パッドに電気又は電子的な部品の接続端子を接続し、
前記導電層に直接又は前記マスク層を介して積層され、且つ、前記部品を埋設させた樹脂製の絶縁基材を形成し、
前記ダミー半田バッドを基準として前記導電層の一部を除去し、前記導体パターンを形成することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記導体パターンを形成するに際し、前記ダミー半田パッド及びこれに接する前記導電層を貫通する基準孔を形成し、前記基準孔を基準として前記導電層の一部を除去することを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記ダミー半田パッドを基準とする際、Ｘ線照射装置を用いることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記実半田パッドに前記接続端子を接続する際、前記ダミー半田パッドの位置を基準として前記部品の位置合わせを行うことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法を用いた部品内蔵基板であって、
前記導体パターンと、前記絶縁基材と、前記部品とを備えたことを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項６】
前記絶縁基材に埋設され、前記ダミー接続位置を形成するためのマスク層とをさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵基板。
【請求項７】
前記絶縁基材に埋設され、前記ダミー半田パッドとをさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精度よくパターン形成できる部品内蔵基板の製造方法及びこれを用いた部品内蔵基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気又は電子的な部品を内蔵した部品内蔵基板が知られている(例えば特許文献１参照)。特許文献１に代表されるような部品内蔵基板は、部品をプリプレグ等の絶縁基材で積層した後、外側の導電層をエッチング等によりパターン形成する。このパターン形成時、部品の端子とパターンとの位置合わせが困難である。このため、部品を挿通可能な孔を有する絶縁基材からなるコア基板に銅等の導電性物質でマークを形成し、部品積層時にこのコア基板も積層する。これにより、内蔵されたマークをＸ線で検出してマーク部分に貫通孔を設け、この貫通孔を基準にしてパターン成形し、パターンの位置精度の向上を図っている。しかしながら、コア基板にマークを形成するのは通常のパターン形成と同様の手間がかかり、その工程が必要となってくる。【０００３】
一方で、予め銅箔等の導電層に孔を設け、この孔を基準にソルダレジストを形成し、積層後に孔を基準にしてＸ線孔開け加工し、さらにこのＸ線孔を基準にガイド孔加工をし、さらにこのガイド孔を基準にパターン形成して位置精度を向上させようとする方法がある。しかしながら、種々の孔を基準にする工程が多く、実際にはその精度が劣っている。また、現実的には、導電層の孔にプリプレグの樹脂が流れ込み、基板として形成することは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２７９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来技術を考慮したものであって、面倒な工程を必要とせず、内蔵された部品に対して精度よくパターン形成できる部品内蔵基板の製造方法及びこれを用いた部品内蔵基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明では、導体パターンとなるべき薄膜の導電層を準備し、前記導電層上に複数の実接続位置及び少なくとも１個のダミー接続位置を除き、前記導電層上にマスク層を形成し、前記導電層から露出した前記実接続位置及び前記ダミー接続位置に半田を用いて実半田パッド及びダミー半田パッドをそれぞれ形成し、前記実半田パッドに電気又は電子的な部品の接続端子を接続し、前記導電層に直接又は前記マスク層を介して積層され、且つ、前記部品を埋設させた樹脂製の絶縁基材を形成し、前記ダミー半田バッドを基準として前記導電層の一部を除去し、前記導体パターンを形成することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法を提供する。【０００７】
好ましくは、前記導体パターンを形成するに際し、前記ダミー半田パッド及びこれに接する前記導電層を貫通する基準孔を形成し、前記基準孔を基準として前記導電層の一部を除去する。【０００８】
また、好ましくは、前記ダミー半田パッドを基準とする際、Ｘ線照射装置を用いる。
また、好ましくは、前記実半田パッドに前記接続端子を接続する際、前記ダミー半田パッドの位置を基準として前記部品の位置合わせを行う。【０００９】
また、好ましくは、前記基準孔を形成する際、さらに前記絶縁基材を貫通させる。
さらに本発明では、請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法を用いた部品内蔵基板であって、前記導体パターンと、前記絶縁基材と、前記部品とを備えたことを特徴とする部品内蔵基板を提供する。【００１０】
好ましくは、前記絶縁基材に埋設され、前記ダミー接続位置を形成するためのマスク層とをさらに備えた。
また、好ましくは、前記絶縁基材に埋設され、前記ダミー半田パッドとをさらに備えた。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、実接続位置及びダミー接続位置が導電層に形成されるため、これらは同一面上に形成される。したがって、導電層が横方向にずれた場合でも、実接続位置及びダミー接続位置の間隔は保たれたままである。この実接続位置に半田を用いて実半田パッドを形成し、この実半田パッドに対して部品を接続する。一方、ダミー接続位置に半田を用いてダミー半田パッドを形成し、このダミー半田パッドを基準として導体パターンを形成する。したがって、上記実接続位置とダミー接続位置との相対的な位置関係が保持されていることと相俟って、部品と導体パターンとの相対的な位置精度を向上させることができる。また、このような位置精度向上のために用いるダミー半田パッドは、部品搭載のための実半田パッドの形成と同様の工程で形成することができる。すなわち、導体パターンの位置精度向上のために面倒な工程が必要となることはない。また、実半田パッドとダミー半田パッドは同一の工程で形成されるので、両者は同一の精度で形成される。このため、実半田パッドとダミー半田パッドとの相対的な位置精度はさらに向上する。【００１２】
また、ダミー半田パッドを貫通する基準孔を設けることにより、基準となる位置を明確にすることができる。
また、ダミー半田パッドをＸ線照射装置で検出することにより、ダミー半田パッドを正確に検出することができる。【００１３】
また、ダミー半田パッドの位置を基準として部品の位置合わせを行うことにより、位置精度の基準が導体パターンと同じになるので、両者の相対的な位置精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図２】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図３】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図４】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図５】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図６】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図７】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図８】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図９】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を順番に示す概略図である。
【図１０】本発明に係る部品内蔵基板の製造方法を用いた部品内蔵基板の一例を示す概略図である。
【図１１】ダミー半田パッドの例を示す概略平面図である。
【図１２】ダミー半田パッドの別の例を示す概略平面図である。
【図１３】ダミー半田パッドのさらに別の例を示す概略平面図である。
【図１４】ダミー半田パッドのさらに別の例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１に示すように、支持板１を用意する。支持板１は、例えばＳＵＳ板である。そして、図２に示すように、支持板１上に薄膜の導電層２を形成する。導電層２は、例えば銅めっきである。次に、図３に示すように、導電層２上にマスク層３を形成する。このマスク層３は、例えばソルダレジストであり、所定部分の導電層２を露出するようにして形成される。この露出した領域が実接続位置４及びダミー接続位置５となる。この実接続位置４及びダミー接続位置５の位置は、予め決められている。すなわち、実接続位置４は、導体パターン１８（図９参照）となるべき導電層２上に部品８（図５参照）を実装するための実半田パッド６（図４参照）を形成することを考慮してその位置が決定される。また、ダミー接続位置５は、導体パターン１８の位置精度向上のためとして用いるダミー半田パッド７（図４参照）を形成することを考慮してその位置が決定される。
【００１６】
次に、図４に示すように、実接続位置４に実半田パッド６を、ダミー接続位置にダミー半田パッド７を半田を用いて形成する。そして、図５に示すように、電気又は電子的な部品８を用意する。この部品８の接続端子９と、実半田パッド６とを接続する。これにより、導電層２と部品８とが電気的に接続される。
【００１７】
次に、図６に示すように、絶縁基材１０，１１及びコア基板１２を用意する。これら絶縁基材１０，１１及びコア基板１２は、互いに樹脂製である。絶縁基材１０，１１はいわゆるプリプレグである。絶縁基材１０及びコア基板１２は、それぞれ貫通孔１３，１４とを有している。この貫通孔１３，１４は、部品８が挿通可能な大きさに形成されている。貫通孔１３，１４は、絶縁基材１０及びコア基板１２を積層したときに連続するような位置に形成されている。この貫通孔１３，１４に部品８を通し、さらに上側に絶縁基材１１を重ね、さらにその上側に導電層２１を重ねて圧接する。
【００１８】
これにより、図７に示すように、支持板１と絶縁基材１０，１１、さらにコア基板１２が積層され、積層体１５が形成される。このとき、絶縁基材１０，１１は積層されて一体化し、貫通孔１３，１４の隙間に充填される。これにより、絶縁基材１０，１１及びコア基板１２からなる絶縁層１６が形成される。したがって、部品８は絶縁層１６に埋設される。また、予め貫通孔１０，１１が設けられているため、積層時に部品５にかかる圧力を抑制できる。このため、大型の部品５であっても絶縁層１６内に埋設することができる。なお、上記ではコア基板１２を用いたが、貫通孔を設けなくても積層が可能な場合は、プリプレグのみで積層してもよい。この場合は、絶縁層１６が絶縁基材そのものとなる。
【００１９】
そして、図８に示すように、支持板１を除去する。次に、ダミー半田パッド７の位置を検出し、導電層２とともにこのダミー半田パッド７を貫通する基準孔１７を形成する。ダミー半田パッド７の位置検出は、半田を容易に検出できるＸ線照射装置(不図示)を用いて行われる。このようにＸ線照射装置を用いることで、ダミー半田パッド７を正確に検出することができる。なお、ダミー半田パッド７の検出は、導電層２を削ってダミー半田パッド７を露出させ、これを直接カメラにて認識してもよいし、ダミー半田パッド７を絶縁層１６に埋設させずに、これを視認することで認識してもよい。
【００２０】
そして、図９で示したように、絶縁層１６を貫通し、絶縁層１６の両面に形成された導電層２を貫通する貫通孔２２を形成してもよい。これにより、貫通孔２２内にめっき処理を施して導電めっき２０を形成し、基板両面の導通を図ることができる。
そして、図１０に示すように、基準孔１７を基準として、導電層２の一部をエッチング等で除去し、導体パターン１８を形成する。以上の工程を経て、部品内蔵基板１９が形成される。
【００２１】
このようにして部品内蔵基板１９を製造することにより、導体パターン１８と部品８との互いの位置精度を高めることができる。すなわち、実接続位置４及びダミー接続位置５が導電層２に形成されるため、実接続位置４及びダミー接続位置５は同一面上に形成される。したがって、導電層２が横方向にずれた場合でも、実接続位置４及びダミー接続位置５の間隔は保たれたままである。この実接続位置４に形成された実半田パッド６に対して部品８を接続し、ダミー接続位置５に形成されたダミー半田パッド７（基準孔１７）を基準として導体パターン１８を形成する。したがって、上述した部品８と導体パターン１８との相対的な位置精度を向上させることができる。
【００２２】
また、このような位置精度向上のために用いるダミー半田パッド７は、部品５を搭載するための実半田パッド６の形成と同様の工程で同様の装置を用いて行うことができる。このため、導体パターン１８の位置精度向上のために面倒な工程が必要となることはない。また、実半田パッド６とダミー半田パッド７は同一の工程で形成されるので、両者は同一の精度で形成される。このため、実半田パッド６とダミー半田パッド７との相対的な位置精度はさらに向上する。これとともに、従来基準として用いていたマークのようなものを形成するための材料も不要であり、コスト的にも労力的にも負担がない。
【００２３】
また、上述した実半田パッド６に接続端子９を接続する際、ダミー半田パッド７の位置を基準として部品８の位置合わせを行ってもよい。このようにすれば、部品８の位置精度の基準が導体パターン１８と同一のダミー半田パッド７となるので、両者８，１８の相対的な位置精度が向上する。なお、ダミー半田パッド７は部品８の実装面、すなわち実半田パッド６と同一面上であればどのような位置に設けてもよい。
【００２４】
ダミー半田パッド７は、ソルダレジストと組み合わせて種々の形状を採用できる。例えば、図１１に示すように、平面視で円形でもよいし、図１２に示すように、平面視で十字形でもよい。また、図１３に示すように平面視で円と十字を重ねた形状でもよいし、図１４に示すように環状でもよい。もちろん、これ以外の形状も採用可能である。
【符号の説明】
【００２５】
１  支持板
２  導電層
３  マスク層
４  実接続位置
５  ダミー接続位置
６  実半田パッド
７  ダミー半田パッド
８  電気又は電子的な部品
９  接続端子
１０  絶縁基材
１１  絶縁基材
１２  コア基板
１３  貫通孔
１４  貫通孔
１５  積層体
１６  絶縁層
１７  基準孔
１８  導体パターン
１９  部品内蔵基板
２０  導電めっき
２１  導電層
２２  貫通孔
【図１】
2012042667.tif 000003
【図２】
2012042667.tif 000004
【図３】
2012042667.tif 000005
【図４】
2012042667.tif 000006
【図５】
2012042667.tif 000007
【図６】
2012042667.tif 000008
【図７】
2012042667.tif 000009
【図８】
2012042667.tif 000010
【図９】
2012042667.tif 000011
【図１０】
2012042667.tif 000012
【図１１】
2012042667.tif 000013
【図１２】
2012042667.tif 000014
【図１３】
2012042667.tif 000015
【図１４】
2012042667.tif 000016
【国際調査報告】
2012042667.tif 000017
2012042667.tif 000018
2012042667.tif 000019