(57)【要約】【課題】コンデンサの耐震性を向上させること。【解決手段】半導体装置１０は、コンデンサ基板４０と、コンデンサ基板４０に実装された複数のコンデンサ６０を備える。コンデンサ６０は、柱状の本体部６１と、本体部６１の軸線方向の両端面６２，６３のうち一方の端面である第１端面６２から突出するリード６４と、を備える。リード６４は、半田等の接合材によってコンデンサ基板４０に接合されている。半導体装置１０は、樹脂層６５と、ブラケット８０と、を備える。樹脂層６５は、本体部６１の第２端面６３に設けられている。ブラケット８０は樹脂層６５に密着して設けられており、樹脂層６５を介して第２端面６３と向かい合って設けられた支持部８１と、固定部９１と、を備える。固定部９１はコンデンサ基板４０の正極パターン４３に接触している。【選択図】図２
2020181919.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクと、
前記ヒートシンクに固定されており、パワー素子が実装されたパワー基板と、
前記パワー基板の板厚方向に前記パワー基板と間隔を空けて配置されたコンデンサ基板と、
柱状の本体部と、前記本体部の軸線方向の両端面のうちの一方の端面である第１端面から突出したリードと、を有し、前記本体部の軸線方向と前記コンデンサ基板の板厚方向とが一致した状態で前記コンデンサ基板に配置されており、かつ、前記リードが前記コンデンサ基板に接合されることで前記コンデンサ基板に実装された複数のコンデンサと、
前記本体部の前記両端面のうち前記第１端面とは異なる端面である第２端面に設けられた樹脂層と、
前記コンデンサを支える金属製のブラケットと、を備え、
前記ブラケットは、
前記樹脂層に密着して設けられており、前記樹脂層を介して前記第２端面と向かい合って設けられた支持部と、
前記支持部から前記コンデンサ基板に向けて延びて、前記ヒートシンク又は前記コンデンサ基板に固定される固定部と、を備える半導体装置。
【請求項２】
前記コンデンサ基板は、金属部材からなるパターンを備えており、
前記固定部は、前記パターンに接した状態で固定されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のコンデンサの全てが１つの前記ブラケットによって支えられている請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
直流電力を交流電力に変換して出力する半導体装置は、コンデンサと、コンデンサが実装されたコンデンサ基板と、を備える。コンデンサは、柱状の本体部と、本体部から突出するリードと、を備える。リードがコンデンサ基板に接合されることで、コンデンサはコンデンサ基板に実装されている。特許文献１に記載のように、半導体装置では、大型のコンデンサがコンデンサ基板に複数実装される。コンデンサは、本体部の軸線方向とコンデンサ基板の板厚方向とが一致するように配置されている。即ち、コンデンサは立設した状態でコンデンサ基板に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１５６７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
コンデンサは、リードの接合によってコンデンサ基板に実装されているため、リードに応力が集中しやすい。特に、コンデンサが立設した状態で配置されている場合、コンデンサが振動したときにリードに加わる応力は大きくなる。
【０００５】
本発明の目的は、コンデンサの耐震性を向上させることができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する半導体装置は、ヒートシンクと、前記ヒートシンクに固定されており、パワー素子が実装されたパワー基板と、前記パワー基板の板厚方向に前記パワー基板と間隔を空けて配置されたコンデンサ基板と、柱状の本体部と、前記本体部の軸線方向の両端面のうちの一方の端面である第１端面から突出したリードと、を有し、前記本体部の軸線方向と前記コンデンサ基板の板厚方向とが一致した状態で前記コンデンサ基板に配置されており、かつ、前記リードが前記コンデンサ基板に接合されることで前記コンデンサ基板に実装された複数のコンデンサと、前記本体部の前記両端面のうち前記第１端面とは異なる端面である第２端面に設けられた樹脂層と、前記コンデンサを支える金属製のブラケットと、を備え、前記ブラケットは、前記樹脂層に密着して設けられており、前記樹脂層を介して前記第２端面と向かい合って設けられた支持部と、前記支持部から前記コンデンサ基板に向けて延びて、前記ヒートシンク又は前記コンデンサ基板に固定される固定部と、を備える。
【０００７】
ブラケットは、支持部によって第２端面に設けられた樹脂層に密着し、固定部によってヒートシンク又はコンデンサ基板に固定されている。これにより、ブラケットの支持部は、樹脂層を介して第２端面を支えている。本体部の第１端面から突出したリードは、コンデンサ基板に接合されている。このため、コンデンサの本体部は、軸線方向の両側から支えられているといえる。本体部の軸線方向の両側が支えられることで、コンデンサが振動しにくい。従って、コンデンサの耐震性を向上させることができる。
【０００８】
上記半導体装置について、前記コンデンサ基板は、金属部材からなるパターンを備えており、前記固定部は、前記パターンに接した状態で固定されていてもよい。
ブラケットを介してコンデンサの発した熱をパターンに伝導させることができる。金属部材からなるパターンに熱を伝導させることで、コンデンサの放熱性を向上させることができる。
【０００９】
上記半導体装置について、前記複数のコンデンサの全てが１つの前記ブラケットによって支えられていてもよい。
複数のブラケットを用いてコンデンサを支える場合に比べて部品点数を少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、コンデンサの耐震性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態における半導体装置の分解斜視図。
【図２】実施形態における制御基板を省略した状態での半導体装置の断面図。
【図３】実施形態における制御基板を省略した状態での半導体装置の平面図。
【図４】実施形態におけるブラケットの斜視図。
【図５】変形例の半導体装置を示す斜視図。
【図６】変形例の半導体装置に用いられるブラケットの斜視図。
【図７】変形例の半導体装置に用いられるブラケットの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、半導体装置の一実施形態について説明する。なお、本実施形態の半導体装置は、フォークリフト等の産業車両に搭載されるインバータである。インバータは、バッテリから入力された直流電力を交流電力に変換して、三相モータに出力する。これにより、三相モータが駆動する。三相モータの駆動により産業車両は走行する。
【００１３】
図１及び図２に示すように、半導体装置１０は、ヒートシンク１１と、パワー基板２０と、コンデンサ基板４０と、制御基板７０と、を備える。ヒートシンク１１は、アルミニウム系金属や銅等の金属部材からなる。ヒートシンク１１は、板状の載置部１２と、載置部１２の板厚方向の一面から突出するフィン１３と、載置部１２の板厚方向に延びるネジ孔Ｈ１を形成している締結部１４と、を備える。締結部１４は、ネジ孔Ｈ１を囲む雌ネジ溝が設けられた部位である。
【００１４】
パワー基板２０は、載置部１２の板厚方向の両面のうちフィン１３が設けられた面の反対面に固定されている。本実施形態のパワー基板２０は、絶縁金属基板であり、金属製のベースに絶縁層を設けたものである。パワー基板２０は、パワー基板２０を板厚方向に貫通する第１貫通孔Ｈ２を形成している第１貫通孔形成面２１を備える。第１貫通孔形成面２１は、第１貫通孔Ｈ２を囲む環状の面である。第１貫通孔Ｈ２はネジ孔Ｈ１と向かい合って配置されている。
【００１５】
制御基板７０は、パワー基板２０の板厚方向に、パワー基板２０と間隔を空けて配置されている。コンデンサ基板４０は、パワー基板２０と、制御基板７０との間に配置されている。パワー基板２０の板厚方向と、制御基板７０の板厚方向と、コンデンサ基板４０の板厚方向とは一致している。ヒートシンク１１、パワー基板２０、コンデンサ基板４０及び制御基板７０は、層状に配置されている。
【００１６】
半導体装置１０は、複数のパワー素子２２と、正極入力端子２３と、負極入力端子２４と、３つの出力端子３０と、２つの内部端子３５と、を備える。パワー素子２２、正極入力端子２３、負極入力端子２４、出力端子３０及び内部端子３５は、パワー基板２０に実装されている。本実施形態のパワー素子２２は、ＭＯＳＦＥＴである。なお、パワー素子２２としては、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等を用いることもできる。複数のパワー素子２２は、６つのパワー素子群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６に分かれて配置されている。各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６において、各パワー素子２２は、一列に並んでいる。以下、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を構成するパワー素子２２の並ぶ方向を第１方向とする。
【００１７】
各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６は、間隔を空けて並んで配置されている。詳細にいえば、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６は、パワー基板２０の板厚方向の面に沿う方向のうち、第１方向に交差する方向に並んでいる。以下、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６の並ぶ方向を第２方向とする。各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６は、インバータにおける三相の上下アームを構成している。
【００１８】
正極入力端子２３と、負極入力端子２４と、３つの出力端子３０とは、第２方向に間隔を空けて並んでいる。正極入力端子２３と負極入力端子２４とは、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を挟んで配置されている。即ち、正極入力端子２３及び負極入力端子２４は、第２方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６よりもパワー基板２０の外縁に寄って配置されている。３つの出力端子３０は、正極入力端子２３と負極入力端子２４との間に配置されている。正極入力端子２３及び負極入力端子２４は、同一形状である。正極入力端子２３及び負極入力端子２４は、基部２６と、基部２６から突出する柱状部２７と、柱状部２７の周面から突出する台座部２８と、を備える。出力端子３０は、基部３１と、基部３１から突出する柱状部３２と、を備える。正極入力端子２３、負極入力端子２４及び出力端子３０は、アルミニウム系金属や銅などの金属製である。正極入力端子２３にはバッテリの正極が接続される。負極入力端子２４には、バッテリの負極が接続される。出力端子３０には、三相モータが接続される。２つの内部端子３５は、第２方向に間隔を空けて並んでいる。内部端子３５は、出力端子３０同士の間に配置されている。内部端子３５は、アルミニウム系金属や銅などの金属製である。
【００１９】
図１及び図３に示すように、コンデンサ基板４０は、正極入力端子２３の基部２６、負極入力端子２４の基部２６、出力端子３０の基部３１及び内部端子３５に重ねて配置されている。コンデンサ基板４０は、レジスト４１と、レジスト４１から露出する複数のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８と、を備える。パターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８は、銅等の金属部材からなる。
【００２０】
複数のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８は、２つの正極パターン４２，４３、２つの負極パターン４４，４５及び３つの出力パターン４６，４７，４８を含む。２つの正極パターン４２，４３のうちの一方である第１正極パターン４２は、正極入力端子２３の基部２６に重ねられることでバッテリの正極と電気的に接続されている。２つの正極パターン４２，４３のうち第１正極パターン４２とは異なる第２正極パターン４３は、内部端子３５に重ねられることでバッテリの正極と電気的に接続されている。２つの正極パターン４２，４３は、同電位のパターンである。
【００２１】
２つの負極パターン４４，４５のうちの一方である第１負極パターン４４は、負極入力端子２４の基部２６に重ねられることでバッテリの負極と電気的に接続されている。２つの負極パターン４４，４５のうち第１負極パターン４４とは異なる第２負極パターン４５は、内部端子３５に重ねられることでバッテリの負極と電気的に接続されている。２つの負極パターン４４，４５は、同電位のパターンである。
【００２２】
３つの出力パターン４６，４７，４８は、それぞれ、出力端子３０の基部３１に重ねられることで出力端子３０に電気的に接続されている。３つの出力パターン４６，４７，４８の電位は、それぞれ、異なる。複数のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８は、第２方向に並んで配置されている。
【００２３】
コンデンサ基板４０は、出力孔５０を形成している出力孔形成面５１と、第２貫通孔Ｈ３を形成している第２貫通孔形成面５２と、を備える。出力孔５０は、コンデンサ基板４０を板厚方向に貫通した孔であり、出力端子３０の柱状部３２が挿通される。第２貫通孔Ｈ３は、コンデンサ基板４０を板厚方向に貫通した孔である。第２貫通孔形成面５２は、第２貫通孔Ｈ３を囲む環状の面である。第２貫通孔Ｈ３は、パターン４２，４４，４６，４７，４８毎に第１方向に間隔を空けて２つずつ設けられている。また、第２貫通孔Ｈ３は、パターン４３，４５毎に第１方向に間隔を空けて３つずつ設けられている。
【００２４】
半導体装置１０は、コンデンサ基板４０に実装された複数のコンデンサ６０を備える。コンデンサ６０は、平滑コンデンサである。複数のコンデンサ６０は、第２方向に複数並べられることでコンデンサ列Ｃ１，Ｃ２を構成している。コンデンサ基板４０において、第１方向の両縁部Ｅ１，Ｅ２のうち一方の縁部Ｅ１に沿って配置された複数のコンデンサ６０によって第１コンデンサ列Ｃ１が構成されている。第１コンデンサ列Ｃ１に沿って配置された複数のコンデンサ６０によって第２コンデンサ列Ｃ２が構成されている。
【００２５】
図２に示すように、コンデンサ６０は、柱状の本体部６１と、本体部６１の軸線方向の両端面６２，６３のうち一方の端面である第１端面６２から突出したリード６４と、を備える。リード６４は、第１端面６２から直線状に延びている。リード６４は、半田等の接合材によってコンデンサ基板４０に接合されている。これにより、コンデンサ６０は、コンデンサ基板４０に実装されている。本体部６１は、本体部６１の軸線方向とコンデンサ基板４０の板厚方向とが一致するように配置されている。コンデンサ６０は、立設した状態でコンデンサ基板４０に配置されているといえる。なお、「本体部６１の軸線方向とコンデンサ基板４０の板厚方向とが一致する」とは、寸法公差や取付公差等による誤差を許容するものである。
【００２６】
図１に示すように、制御基板７０は、出力孔７１を形成する出力孔形成面７２を備える。出力孔７１は、制御基板７０を板厚方向に貫通した孔であり、出力端子３０の柱状部３２が挿通される。制御基板７０は、図示しない基板支持部材によってコンデンサ基板４０との間隔を維持した状態で固定されている。半導体装置１０は、制御基板７０に実装された複数の電子部品７３を備える。電子部品７３は、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を制御する制御回路を構成している。制御回路により各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６が制御されることで、電力変換が行われる。
【００２７】
半導体装置１０は、複数のコンデンサ６０の全てを支える一つのブラケット８０と、第２端面６３に設けられた樹脂層６５と、ネジＳ１，Ｓ２と、インシュレータＩと、を備える。樹脂層６５は、全てのコンデンサ６０の第２端面６３にポッティングされた樹脂である。樹脂層６５としては、例えば、樹脂に熱伝導性のフィラーを含ませたものが用いられる。ブラケット８０は、例えば、銅やアルミニウム系金属などの金属製である。
【００２８】
図３及び図４に示すように、ブラケット８０は、板状の支持部８１と、２つの固定部８２，９１と、を備える。本実施形態の支持部８１は、矩形状である。支持部８１の長手方向の寸法は、複数のコンデンサ６０のうち第２方向において最も外側に位置するコンデンサ６０間の離間距離Ｌ１よりも長い。２つの固定部８２，９１は、支持部８１のうち短手方向の一端に設けられている。
【００２９】
第１固定部８２は、支持部８１から支持部８１の板厚方向に延びる板状の第１部位８３と、第１部位８３から支持部８１と平行に延びる板状の第２部位８４と、第２部位８４に設けられた接触部８５と、第２部位８４及び接触部８５を第２部位８４の板厚方向に貫通する固定孔８６を形成する固定孔形成面８７と、を備える。第２部位８４は、第１部位８３から支持部８１の長手方向のうち第２固定部９１から離れる方向に延びている。接触部８５は、第２部位８４の板厚方向の両面のうち支持部８１側の面とは反対側の面に設けられている。接触部８５は、第２部位８４の板厚方向に突出している。固定孔形成面８７は、固定孔８６を囲む環状の面である。
【００３０】
第２固定部９１は、支持部８１から支持部８１の板厚方向に延びる板状の第１部位９２と、第１部位９２から支持部８１と平行に延びる板状の第２部位９３と、第２部位９３に設けられた接触部９４と、第２部位９３及び接触部９４を第２部位９３の板厚方向に貫通する固定孔９５を形成する固定孔形成面９６と、を備える。第１部位９２は、第１部位８３と同一方向に延びている。第２部位９３は、第１部位９２から支持部８１の短手方向のうち支持部８１から離れる方向に延びている。接触部９４は、第２部位９３の板厚方向の両面のうち支持部８１側の面とは反対側の面に設けられている。接触部９４は、第２部位９３の板厚方向に突出している。固定孔形成面９６は、固定孔９５を囲む環状の面である。
【００３１】
図１、図２及び図３に示すように、ブラケット８０は、コンデンサ基板４０と制御基板７０との間に配置されている。ブラケット８０は、支持部８１が樹脂層６５に密着するように配置されている。支持部８１は、樹脂層６５を介して本体部６１の第２端面６３に向かい合っている。樹脂層６５は、ブラケット８０とコンデンサ６０とを接着している。支持部８１の長手方向と第２方向とは一致している。ブラケット８０は、第１部位８３，９２が支持部８１からコンデンサ基板４０に向けて延びるように配置されている。第１固定部８２は、支持部８１からコンデンサ基板４０の第１正極パターン４２まで延びている。第１固定部８２の接触部８５は、第１正極パターン４２に接触している。第２固定部９１は、支持部８１からコンデンサ基板４０の第２正極パターン４３まで延びている。第２固定部９１の接触部９４は、第２正極パターン４３に接触している。本実施形態において、コンデンサ基板４０のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８のうち第１正極パターン４２及び第２正極パターン４３がブラケット８０に接触するパターンである。
【００３２】
ネジＳ１は、インシュレータＩ、第２貫通孔Ｈ３、第１貫通孔Ｈ２を挿通して締結部１４に締結されている。ネジＳ２は、インシュレータＩ、固定孔８６，９５、第２貫通孔Ｈ３及び第１貫通孔Ｈ２を挿通して締結部１４に締結されている。ネジＳ２によりヒートシンク１１、パワー基板２０、コンデンサ基板４０及びブラケット８０は共締めされている。
【００３３】
本実施形態の作用について説明する。
半導体装置１０の駆動による振動や半導体装置１０の外部から加わる力は、コンデンサ６０が振動する原因となる。ブラケット８０は、支持部８１によって第２端面６３に設けられた樹脂層６５に密着し、固定部８２，９１によってコンデンサ基板４０に固定されている。ブラケット８０の支持部８１は、樹脂層６５を介して第２端面６３を支えているといえる。本体部６１の第１端面６２に設けられたリード６４は、コンデンサ基板４０に接合されている。このため、コンデンサ６０の本体部６１は軸線方向の両側から支えられているといえる。本体部６１が軸線方向の両側から支えられることで、コンデンサ６０が振動しにくい。コンデンサ６０が振動しにくいため、リード６４に応力が加わりにくい。
【００３４】
コンデンサ６０を立設した状態で設けず、本体部６１の側面がコンデンサ基板４０に沿うようにコンデンサ６０を配置することも考えられる。この場合、リード６４に加わる応力を低減することはできる一方で、コンデンサ基板４０の大型化を招く場合がある。特に、半導体装置１０に用いられる平滑コンデンサは、大型のコンデンサ６０であり、これらのコンデンサ６０の全てについて本体部６１の側面がコンデンサ基板４０に沿うようにすると、コンデンサ基板４０は特に大型化しやすい。本実施形態のように、立設して配置されたコンデンサ６０の振動を抑制することで、コンデンサ基板４０の大型化を抑制しつつ、リード６４に応力が加わることを抑制することができる。
【００３５】
ブラケット８０を設けず、樹脂層６５によって複数のコンデンサ６０の第２端面６３同士を連結することも考えられる。この場合、個々のコンデンサ６０の振動は低減できるものの、樹脂層６５によって連結された複数のコンデンサ６０の全体が動くことで、リード６４に応力が加わることになる。本実施形態のように、ブラケット８０によりコンデンサ６０の第２端面６３を支えることで、コンデンサ６０全体が動くことを抑制して、リード６４に応力が加わることを抑制することができる。
【００３６】
ブラケット８０によって本体部６１の側面を支えることも考えられる。詳細にいえば、樹脂層６５を本体部６１の側面に設けて、この樹脂層６５に密着するように支持部８１を設けることで本体部６１の側面を支えることができる。しかしながら、この場合、コンデンサ６０の本体部６１を軸線方向から挟んで支えることができないため、実施形態に比べて耐震性に劣る。更に、本体部６１の側面を支えるように支持部８１を設ける場合、本実施形態のようにコンデンサ列Ｃ１，Ｃ２が複数列に亘って設けられていると、全てのコンデンサ６０を支えるように支持部８１を設けることが困難になる。
【００３７】
ブラケット８０は、コンデンサ６０の熱をヒートシンク１１に伝導させる伝熱経路としても機能する。半導体装置１０の駆動によりコンデンサ６０が発熱すると、コンデンサ６０の熱はリード６４を介してコンデンサ基板４０に伝導する。また、コンデンサ６０の熱は、樹脂層６５を介してブラケット８０に伝導し、ブラケット８０からコンデンサ基板４０に伝導する。コンデンサ基板４０に伝導した熱は、正極入力端子２３、負極入力端子２４、出力端子３０及び内部端子３５を介してパワー基板２０に伝導する。パワー基板２０に伝導した熱は、ヒートシンク１１によって放熱される。
【００３８】
仮に、ブラケット８０が設けられていない場合、コンデンサ６０の発した熱のコンデンサ基板４０への伝熱経路はリード６４のみとなる。リード６４は、細いため、熱抵抗が大きい。リード６４のみを伝熱経路とした場合、コンデンサ６０の発した熱を効率良くヒートシンク１１に伝導させることが困難である。これに対し、ブラケット８０を伝熱経路として用いることで、コンデンサ６０の発した熱を効率良くヒートシンク１１に伝導させることができる。
【００３９】
本実施形態の効果について説明する。
（１）コンデンサ基板４０と、ブラケット８０の支持部８１によって本体部６１の軸線方向の両側から本体部６１を挟んで支えている。従って、コンデンサ６０の耐震性を向上させることができる。
【００４０】
（２）ブラケット８０を正極パターン４２，４３に接触させることで、コンデンサ基板４０を介してヒートシンク１１に熱を伝導させることができる。コンデンサ６０の発した熱をヒートシンク１１に伝導させる伝熱経路が増えることで、コンデンサ６０の放熱性を向上させることができる。
【００４１】
（３）ブラケット８０をコンデンサ基板４０の第１正極パターン４２及び第２正極パターン４３に接触させている。第１正極パターン４２及び第２正極パターン４３をコンデンサ６０の発した熱を伝導させる部材として兼用することができる。ブラケット８０を接触させる部材としてヒートシンク１１を用いる場合、ヒートシンク１１に接触部８５，９４が接する領域を設ける必要があり、ヒートシンク１１が大型化するおそれがある。これに対して、第１正極パターン４２及び第２正極パターン４３にブラケット８０を接触させることで、接触部８５，９４を接触させるためにヒートシンク１１を大型化する必要がない。従って、ヒートシンク１１の大型化を抑制することができる。
【００４２】
（４）全てのコンデンサ６０が一つのブラケット８０によって支えられている。複数のブラケット８０を用いてコンデンサ６０を支える場合に比べて部品点数を少なくすることができる。また、ブラケット８０を１つにすることで、固定部８２，９１を増やしやすい。固定部８２，９１が増えることで、コンデンサ６０の耐震性を更に向上させることができる。
【００４３】
実施形態は、以下のように変更して実施することができる。実施形態及び以下の変形例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
○図５及び図６に示すように、ブラケット１００は複数設けられていてもよい。ブラケット１００は、支持部１０１と、固定部１０２と、を備える。固定部１０２は、支持部１０１から支持部１０１の板厚方向に延びる板状の第１部位１０３と、第１部位１０３から支持部１０１と平行に延びる板状の第２部位１０４と、第２部位１０４に設けられた接触部１０５と、第２部位１０４及び接触部１０５を第２部位１０４の板厚方向に貫通する固定孔１０６を形成する固定孔形成面１０７と、を備える。各ブラケット１００の接触部１０５は、それぞれ、第２正極パターン４３と、第２負極パターン４５に接した状態で固定されている。複数のブラケット１００を用いる場合、ブラケット１００同士の絶縁が確保されていれば、各ブラケット１００は異なる電位のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８に接触して設けられていてもよい。
【００４４】
また、図７に示すように、ブラケット１００として、第２部位１０４の途中位置から支持部１０１に向けて徐々に幅が広くなるブラケット１００を用いてもよい。この場合、ブラケット１００の幅を広げることでブラケット１００の熱抵抗が低下し、コンデンサ６０の放熱性を向上させることができる。
【００４５】
○ブラケット８０の支持部８１は、樹脂層６５を介して一部のコンデンサ６０の第２端面６３に向かい合っていてもよい。即ち、ブラケット８０の支持部８１は、全てのコンデンサ６０の第２端面６３に向かい合っていなくてもよい。この場合であっても、全てのコンデンサ６０の第２端面６３に樹脂層６５が設けられていれば、樹脂層６５に支持部８１が密着することで、コンデンサ６０の耐震性を向上させることができる。
【００４６】
○ブラケット８０は、ヒートシンク１１の載置部１２に固定されていてもよい。この場合、固定部８２，９１は支持部８１からヒートシンク１１の載置部１２まで延びて、ヒートシンク１１に固定される。ヒートシンク１１は、支持部８１よりもコンデンサ基板４０側に位置しているため、この場合であっても、固定部８２，９１はコンデンサ基板４０に向けて延びることになる。なお、ヒートシンク１１に固定部８２，９１を固定する場合であっても、固定部８２，９１は、コンデンサ基板４０のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８に接触する接触部８５，９４を備えていてもよい。
【００４７】
○固定部８２，９１を接触させるパターンは、パターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８から任意のパターンを選択してもよい。なお、ブラケット８０を複数のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８に接触させる場合、同電位のパターンに接触させればよい。
【００４８】
○ヒートシンク１１としては、フィン１３を有さないものであってもよい。なお、ヒートシンク１１としては、気体状の冷媒によって冷却されるものでもよいし、液状の冷媒によって冷却されるものでもよい。
【００４９】
○固定部８２，９１は、半田などの接合材によって正極パターン４２，４３に固定されていてもよい。
○固定部８２，９１は、コンデンサ基板４０のパターン４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８等の金属部材からなる部材に接していなくてもよい。例えば、固定部８２，９１は、コンデンサ基板４０のレジスト４１に接触した状態でコンデンサ基板４０に固定されていてもよい。
【００５０】
○半導体装置１０は、インバータ以外であってもよい。例えば、半導体装置１０は、コンバータなど、インバータ以外の電力変換装置であってもよい。また、パワー素子２２として例えば、ダイオード等を用いた半導体装置１０であってもよい。
【００５１】
○半導体装置１０は、産業車両に搭載されるものでなくてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０…半導体装置、１１…ヒートシンク、２０…パワー基板、２２…パワー素子、４０…コンデンサ基板、４２，４３…パターンとしての正極パターン、６０…コンデンサ、６１…本体部、６２…第１端面、６３…第２端面、６４…リード、６５…樹脂層、８０…ブラケット、８１…支持部、８２，９１…固定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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