(57)【要約】【課題】再配線層がモールド樹脂から剥がれ難いパッケージデバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】パッケージデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインによって区画された複数の領域のそれぞれに再配線パターンを有する再配線層を、第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する支持部材の第１面側に形成する再配線層形成ステップと、再配線層を分割する分割溝を分割予定ラインに形成する分割溝形成ステップと、再配線層の複数の領域のそれぞれにデバイスチップを配置して再配線パターンとデバイスチップとを接続するデバイスチップ接続ステップと、分割溝にモールド樹脂を充填しつつデバイスチップと再配線層とをモールド樹脂で覆うモールドステップと、分割溝の内側を通り分割溝より幅の狭い領域でモールド樹脂を切断してパッケージデバイスチップを形成するモールド樹脂切断ステップと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインによって区画された複数の領域のそれぞれに再配線パターンを有する再配線層を、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する支持部材の該第１面側に形成する再配線層形成ステップと、
該再配線層形成ステップを実施した後、該再配線層を分割する分割溝を該分割予定ラインに形成する分割溝形成ステップと、
該再配線層の複数の該領域のそれぞれにデバイスチップを配置して該再配線パターンと該デバイスチップとを接続するデバイスチップ接続ステップと、
該分割溝形成ステップと該デバイスチップ接続ステップとを実施した後、該分割溝にモールド樹脂を充填しつつ該デバイスチップと該再配線層とを該モールド樹脂で覆うモールドステップと、
該モールドステップを実施した後、該分割溝の内側を通り該分割溝より幅の狭い領域で該モールド樹脂を切断して、該デバイスチップが該モールド樹脂で被覆されたパッケージデバイスチップを形成するモールド樹脂切断ステップと、を備え、
該再配線層の側面は、該モールド樹脂で覆われることを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項２】
該モールドステップを実施した後、該再配線層と該モールド樹脂とを該支持部材から剥離して、該再配線層と該デバイスチップとが該モールド樹脂で一体化されたモールドプレートを形成する支持部材剥離ステップを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【請求項３】
該モールド樹脂切断ステップでは、該モールド樹脂と該支持部材とを切断することを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスチップがモールド樹脂によって封止されてなるパッケージデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路等のデバイスを備えるデバイスチップは、例えば、パッケージ用の基板に設けられた電極に対してフェイスダウンで接続（フリップチップボンディング）された後に、モールド樹脂によって封止される。このように、モールド樹脂によってデバイスチップを封止してパッケージデバイスチップを形成することで、衝撃、光、熱、水等の外的な要因からデバイスチップを保護できるようになる。
【０００３】
近年では、デバイスを構成する配線の微細化に伴い、デバイスチップの電極や、電極間の距離等も縮小されており、これらに対応する外部接続用の端子を基板側の同程度の領域に形成するのが現実的ではなくなってきている。そこで、ウェーハレベルの再配線技術を用いてデバイスチップより広い領域に外部接続用の端子を形成するファンアウト（Fan-Out）パッケージ技術の開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−６０９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のようなファンアウトパッケージ技術では、例えば、支持部材の表面に再配線層を形成し、この再配線層に対してデバイスチップをフェイスダウンで接続する。その後、デバイスチップをモールド樹脂によって封止し、再配線層とともにモールド樹脂を切断してパッケージデバイスチップを得る。
【０００６】
しかしながら、レーザービームや切削ブレード等を用いてモールド樹脂と再配線層とを一度に切断すると、モールド樹脂と再配線層との界面に負荷が掛かって再配線層がモールド樹脂から剥がれ易い。再配線層がモールド樹脂から剥がれると、この剥がれた部分から水等が侵入してデバイスに不具合が発生してしまう。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、再配線層がモールド樹脂から剥がれ難いパッケージデバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、分割予定ラインによって区画された複数の領域のそれぞれに再配線パターンを有する再配線層を、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する支持部材の該第１面側に形成する再配線層形成ステップと、該再配線層形成ステップを実施した後、該再配線層を分割する分割溝を該分割予定ラインに形成する分割溝形成ステップと、該再配線層の複数の該領域のそれぞれにデバイスチップを配置して該再配線パターンと該デバイスチップとを接続するデバイスチップ接続ステップと、該分割溝形成ステップと該デバイスチップ接続ステップとを実施した後、該分割溝にモールド樹脂を充填しつつ該デバイスチップと該再配線層とを該モールド樹脂で覆うモールドステップと、該モールドステップを実施した後、該分割溝の内側を通り該分割溝より幅の狭い領域で該モールド樹脂を切断して、該デバイスチップが該モールド樹脂で被覆されたパッケージデバイスチップを形成するモールド樹脂切断ステップと、を備え、該再配線層の側面は、該モールド樹脂で覆われることを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の一態様において、該モールドステップを実施した後、該再配線層と該モールド樹脂とを該支持部材から剥離して、該再配線層と該デバイスチップとが該モールド樹脂で一体化されたモールドプレートを形成する支持部材剥離ステップを更に備えても良い。
【００１０】
本発明の一態様において、該モールド樹脂切断ステップでは、該モールド樹脂と該支持部材とを切断しても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、再配線層を分割する分割溝を形成し、この分割溝にモールド樹脂を充填しつつデバイスチップと再配線層とをモールド樹脂で覆った後に、分割溝の内側を通り分割溝より幅の狭い領域でモールド樹脂を切断して、パッケージデバイスチップを形成するので、モールド樹脂と再配線層とが一度に切断されることはない。
【００１２】
これにより、モールド樹脂と再配線層とを一度に切断する場合に比べて、モールド樹脂と再配線層との界面に掛かる負荷が小さくなるので、再配線層はモールド樹脂から剥がれ難い。また、再配線層の側面は、モールド樹脂で覆われるので、形成されるパッケージデバイスチップの信頼性も高くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（Ａ）は、実施形態１で支持部材に再配線層が形成された状態を示す断面図であり、図１（Ｂ）は、再配線層を分割する分割溝が形成された状態を示す断面図であり、図１（Ｃ）は、再配線層に含まれる再配線パターンとデバイスチップとが接続された状態を示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、実施形態１でデバイスチップと再配線層とがモールド樹脂によって覆われた状態を示す断面図であり、図２（Ｂ）は、再配線層とモールド樹脂とを支持部材から剥離して形成されるモールドプレートにバンプが設けられた状態を示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、実施形態１でモールドプレートがダイシングテープを介してフレームに支持された状態を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、モールド樹脂が切断された状態を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、実施形態２で支持部材に再配線層が形成された状態を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、再配線層を分割する分割溝が形成された状態を示す断面図であり、図４（Ｃ）は、再配線層に含まれる再配線パターンとデバイスチップとが接続された状態を示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、実施形態２でデバイスチップと再配線層とがモールド樹脂によって覆われた状態を示す断面図であり、図５（Ｂ）は、モールド樹脂と支持部材とが切断された状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下の実施形態１では、支持部材が除去されて最終的に残らないパッケージデバイスチップの製造方法を説明し、実施形態２では、支持部材が除去されずに残るパッケージデバイスチップの製造方法を説明する。
【００１５】
（実施形態１）
本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、まず、支持部材の一方の面側に再配線層を形成する（再配線層形成ステップ）。図１（Ａ）は、支持部材１に再配線層５が形成された状態を示す断面図である。図１（Ａ）に示すように、本実施形態の支持部材１は、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、金属、半導体等の材料で板状又は膜状に形成されており、第１面１ａと、この第１面１ａとは反対側の第２面１ｂと、を有する。
【００１６】
第１面１ａ（又は第２面１ｂ）に対して垂直な方向から見た支持部材１の形状（すなわち、第１面１ａ（又は第２面１ｂ）の形状）は、例えば、矩形又は円形である。ただし、第１面１ａ及び第２面１ｂの形状に特段の制限はない。第１面１ａ及び第２面１ｂは、楕円形や任意の多角形等でも良い。この支持部材１としては、例えば、ガラスキャリアや樹脂プレート、保護テープ、メタルプレート、シリコンウェーハ等が用いられる。
【００１７】
本実施形態では、支持部材１の第１面１ａに仮接着層３を形成した上で、この仮接着層３の露出する表面３ａ（つまり、支持部材１とは反対側の面）に再配線層５を形成する。仮接着層３は、例えば、支持部材１の第１面１ａに液状の樹脂（有機材料）を塗布した上で、この液状の樹脂を乾燥又は硬化させることによって形成され、表面３ａに設けられる再配線層５等を剥離できる程度の強さで固定する。
【００１８】
液状の樹脂は、例えば、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、インクジェット法等の任意の方法で支持部材１の第１面１ａに塗布される。ただし、仮接着層３の材質や製法等に特段の制限はない。仮接着層３は、金属や無機材料等で構成されることもある。この場合には、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）等の方法で仮接着層３が形成される。
【００１９】
支持部材１の第１面１ａに仮接着層３を形成した後には、この仮接着層３の露出する表面３ａに再配線層５を形成する。再配線層５は、例えば、配線等として機能する導電体層７と、配線等の間を絶縁する絶縁体層９と、を重ねることによって形成される。つまり、再配線層５は、導電体層７と絶縁体層９との積層構造を含む。
【００２０】
再配線層５を構成する導電体層７や絶縁体層９は、例えば、ＣＶＤやＰＶＤ等の方法で形成される金属膜や絶縁体膜を、フォトリソグラフィやエッチング等の方法で加工することによって得られる。ただし、再配線層５の製法等に特段の制限はない。例えば、めっきやＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の方法を用いて再配線層５が形成されることもある。
【００２１】
再配線層５の露出する表面５ａ（つまり、仮接着層３とは反対側の面）側は、例えば、この表面５ａに対して概ね平行な分割予定ライン５ｂによって複数の領域に区画されている。各領域には、導電体層７と絶縁体層９とでなる再配線パターン５ｃが含まれている。すなわち、導電体層７や絶縁体層９は、分割予定ライン５ｂによって区画される複数の領域のそれぞれが再配線パターン５ｃを含むように形成される。なお、再配線パターン５ｃを構成する導電体層７の一部は、再配線層５の表面５ａ側に露出する。
【００２２】
支持部材１に再配線層５を形成した後には、この再配線層５を分割する分割溝を分割予定ライン５ｂに形成する（分割溝形成ステップ）。図１（Ｂ）は、再配線層５を分割する分割溝１１が形成された状態を示す断面図である。本実施形態では、例えば、複数の砥粒が結合材で固定されてなる切削ブレード（不図示）を回転させて、再配線層５の分割予定ライン５ｂと重なる位置に切り込ませる。
【００２３】
より具体的には、例えば、再配線層５をカメラ（不図示）等で撮像して分割予定ライン５ｂの位置を検出し、この分割予定ライン５ｂに沿って仮接着層３と再配線層５との界面に相当する深さまで切削ブレードを切り込ませる。これにより、仮接着層３が底部に露出する分割溝１１を分割予定ライン５ｂに形成できる。すなわち、再配線層５を複数の再配線層１３に分割する分割溝１１が分割予定ライン５ｂに形成される。このようにして形成される複数の再配線層１３には、それぞれ、再配線パターン５ｃが含まれることになる。
【００２４】
ただし、分割溝１１を形成する方法に特段の制限はない。例えば、再配線層５に吸収される波長（吸収され易い波長）のレーザービームを照射してアブレーション加工する方法で分割溝１１を形成しても良い。この場合には、再配線層５を分割する分割溝１１を形成できるように、レーザービームのパワーや照射回数等が調整される。
【００２５】
分割溝１１を形成した後には、複数の再配線層１３（再配線層５の複数の領域）のそれぞれにデバイスチップを配置して、各再配線層１３に含まれる再配線パターン５ｃとデバイスチップとを接続する（デバイスチップ接続ステップ）。図１（Ｃ）は、再配線層１３に含まれる再配線パターン５ｃとデバイスチップ１５とが接続された状態を示す断面図である。
【００２６】
デバイスチップ１５は、例えば、シリコン等の半導体でなる基板１７を含んでいる。基板１７の表面１７ａ側には、集積回路等のデバイス（不図示）が形成されており、このデバイスの電極１９が表面１７ａに露出している。本実施形態では、再配線層１３の表面５ａに露出する導電体層７（再配線パターン５ｃ）に対してデバイスの電極１９が接続されるように、複数の再配線層１３（再配線層５の複数の領域）のそれぞれにデバイスチップ１５を配置し、固定する。
【００２７】
具体的には、例えば、ノンコンダクティブフィルムによる接合、超音波接合、熱圧接、Ｃ４（Controlled Collapsed Chip Connection）等の方法を用いて、導電体層７と電極１９とを接続し、デバイスチップ１５を再配線層１３に固定する。ただし、導電体層７と電極１９とを接続する方法（デバイスチップ１５を再配線層１３に固定する方法）に特段の制限はない。また、デバイスチップ１５の材質、形状、構造、大きさ等にも制限はない。
【００２８】
再配線層５を分割する分割溝１１を形成し、再配線パターン５ｃとデバイスチップ１５とを接続した後には、分割溝１１にモールド樹脂を充填しつつ、デバイスチップ１５と再配線層１３とをこのモールド樹脂で覆う（モールドステップ）。図２（Ａ）は、デバイスチップ１５と再配線層１３とがモールド樹脂２１によって覆われた状態を示す断面図である。
【００２９】
デバイスチップ１５と再配線層１３とをモールド樹脂２１で覆う際には、例えば、支持部材１の第１面１ａ側に型枠（不図示）を配置し、この型枠の内側の空間に液状のモールド樹脂２１を充填する。その結果、分割溝１１に液状のモールド樹脂２１が充填され、また、デバイスチップ１５と再配線層１３とが液状のモールド樹脂２１によって覆われる。液状のモールド樹脂２１としては、例えば、光の照射や熱の付与等によって硬化する性質を持つ硬化型の樹脂を用いると良い。
【００３０】
型枠の内側の空間に液状のモールド樹脂２１を充填した後には、この液状のモールド樹脂２１を硬化させる。これにより、硬化したモールド樹脂２１によってデバイスチップ１５が覆われ、衝撃、光、熱、水等の外的な要因からデバイスチップ１５を保護できるようになる。また、硬化したモールド樹脂２１が分割溝１１に充填された状態となる。
【００３１】
デバイスチップ１５と再配線層１３とを覆うモールド樹脂２１を形成した後には、再配線層１３とモールド樹脂２１とを支持部材１から剥離して、再配線層１３とデバイスチップ１５とがモールド樹脂２１で一体化されたモールドプレートを形成する（支持部材剥離ステップ）。図２（Ｂ）は、再配線層１３とモールド樹脂２１とを支持部材１から剥離して形成されるモールドプレート２３にバンプ２５が設けられた状態を示す断面図である。
【００３２】
再配線層１３とモールド樹脂２１とを支持部材１から剥離する際には、例えば、モールド樹脂２１の露出する表面２１ａ側（つまり、仮接着層３とは反対側）を保持して、このモールド樹脂２１から離れる向きの力を支持部材１に作用させる。上述のように、仮接着層３は、表面３ａに設けられた再配線層１３やモールド樹脂２１等を剥離できる程度の強さで固定（保持）している。
【００３３】
そのため、モールド樹脂２１から離れる向きの力を支持部材１に作用させると、再配線層１３とモールド樹脂２１とが仮接着層３の表面３ａから剥離される。つまり、仮接着層３が設けられた支持部材１から再配線層１３とモールド樹脂２１とが剥離され、再配線層１３とデバイスチップ１５とがモールド樹脂２１で一体化されたモールドプレート２３が形成される。
【００３４】
再配線層１３とモールド樹脂２１とが仮接着層３（支持部材１）から剥離されると、仮接着層３に密着していた再配線層１３の裏面５ｄやモールド樹脂２１の裏面２１ｂが露出する。再配線層１３の裏面５ｄには、導電体層７の一部が設けられている。よって、再配線層１３とモールド樹脂２１とを仮接着層３から剥離すると、この導電体層７の一部も露出する。
【００３５】
モールドプレート２３が形成された後には、導電体でなるバンプ２５が再配線層１３の裏面５ｄに設けられる。このバンプ２５は、代表的には、金、銀、銅、錫、ニッケル等の金属で形成され、再配線層１３の裏面５ｄで露出する導電体層７に接続される。これにより、バンプ２５や導電体層７を介してデバイス（デバイスチップ１５）の電極１９に電圧を印加できるようになる。
【００３６】
モールドプレート２３にバンプ２５を設けた後には、このモールドプレート２３を構成するモールド樹脂２１の表面２１ａ側を支持して、再配線層１３の裏面５ｄ側（モールド樹脂２１の裏面２１ｂ側）を露出させる（支持ステップ）。図３（Ａ）は、モールドプレート２３がダイシングテープ２７を介してフレーム２９に支持された状態を示す断面図である。
【００３７】
図３（Ａ）に示すように、モールド樹脂２１の表面２１ａには、この表面２１ａよりも大型のダイシングテープ２７を貼付する。また、ダイシングテープ２７の外縁部には、モールドプレート２３を囲む環状のフレーム２９を固定する。その結果、モールドプレート２３は、ダイシングテープ２７を介してフレーム２９に支持される。なお、再配線層１３の裏面５ｄ側（モールド樹脂２１の裏面２１ｂ側）は、ダイシングテープ２７で覆われずに露出する。
【００３８】
モールドプレート２３がダイシングテープ２７を介してフレーム２９に支持された後には、モールド樹脂２１を切断して、デバイスチップ１５がモールド樹脂２１で被覆されたパッケージデバイスチップを形成する（モールド樹脂切断ステップ）。図３（Ｂ）は、モールド樹脂２１が切断された状態を示す断面図である。
【００３９】
具体的には、カメラ（不図示）等でモールドプレート２３を撮像して分割溝１１の位置（代表的には、分割溝１１の幅方向の中央の位置）を検出し、この分割溝１１の内側を通り分割溝１１より幅の狭い領域でモールド樹脂２１を切断する。また、モールドプレート２３の再配線層１３が露出する側（つまり、再配線層１３の裏面５ｄ側、モールド樹脂２１の裏面２１ｂ側）からモールド樹脂２１を切断する。
【００４０】
例えば、複数の砥粒が結合材で固定されてなる切削ブレード（不図示）を回転させて、分割溝１１の内側を通る領域に切り込ませることで、モールド樹脂２１を切断できる。ここでは、分割溝１１よりも幅の狭い切削ブレード（例えば、分割溝１１を形成する際に使用された切削ブレードよりも幅の狭い切削ブレード）を使用する必要がある。
【００４１】
ただし、モールド樹脂２１を切断する方法に特段の制限はない。例えば、モールド樹脂２１に吸収される波長（吸収され易い波長）のレーザービームを照射してアブレーション加工する方法でモールド樹脂２１を切断しても良い。この場合には、モールド樹脂２１を適切に切断できるように、レーザービームのパワーや照射回数等が調整される。
【００４２】
分割溝１１の内側を通る領域でモールド樹脂２１を切断すると、モールドプレート２３は、この切断時の切り口（カーフ）３１に沿って複数のパッケージデバイスチップ３３へと分割される。本実施形態では、分割溝１１の内側を通る領域でモールド樹脂２１を切断するので、切り口３１には再配線層１３が露出しない。つまり、再配線層１３の側面は、モールド樹脂２１によって覆われた状態のまま維持される。
【００４３】
なお、本実施形態では、パッケージデバイスチップ３３に不要なモールドプレート２３の外縁部を除去するために、分割溝１１が形成されていない領域（モールドプレート２３の外縁部に相当する領域）でモールド樹脂２１を切断している。このように、分割溝１１が形成されていない領域でモールド樹脂２１を切断する際には、再配線層５（再配線層１３）を切断しないことが重要である。以上により、デバイスチップ１５がモールド樹脂２１で被覆されたパッケージデバイスチップ３３が完成する。
【００４４】
本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、再配線層５を複数の再配線層１３に分割する分割溝１１を形成し、この分割溝１１にモールド樹脂２１を充填しつつデバイスチップ１５と再配線層１３とをモールド樹脂２１で覆った後に、分割溝１１の内側を通り分割溝１１より幅の狭い領域でモールド樹脂２１を切断して、パッケージデバイスチップ３３を形成するので、モールド樹脂２１と再配線層５とが一度に切断されることはない。
【００４５】
これにより、モールド樹脂２１と再配線層５とを一度に切断する場合に比べて、モールド樹脂２１と再配線層５（再配線層１３）との界面に掛かる負荷が小さくなるので、再配線層１３はモールド樹脂２１から剥がれ難い。また、再配線層１３の側面は、モールド樹脂２１で覆われるので、形成されるパッケージデバイスチップ３３の信頼性も高くなる。
【００４６】
（実施形態２）
本実施形態では、主に、実施形態１とは異なる部分について説明する。本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、まず、支持部材の一方の面側に再配線層を形成する（再配線層形成ステップ）。図４（Ａ）は、支持部材１０１に再配線層１０５が形成された状態を示す断面図である。本実施形態で使用される支持部材１０１は、例えば、実施形態１の支持部材１と同じで良い。ただし、支持部材１０１として、集積回路等のデバイスが形成されたＴＳＶ（Through-Silicon Via）基板や、インターポーザー基板等を用いることもできる。
【００４７】
本実施形態では、支持部材１０１の第１面１０１ａに再配線層１０５を形成する。つまり、支持部材１０１の第１面１０１ａには、仮接着層を形成しない。再配線層１０５の製法や構造等は、例えば、実施形態１にかかる再配線層５の製法や構造等と同じで良い。すなわち、再配線層１０５は、導電体層１０７と絶縁体層１０９との積層構造を含む。
【００４８】
また、再配線層１０５の露出する表面１０５ａ（つまり、支持部材１０１とは反対側の面）側は、例えば、この表面１０５ａに対して概ね平行な分割予定ライン１０５ｂによって複数の領域に区画されている。各領域には、導電体層１０７と絶縁体層１０９とでなる再配線パターン１０５ｃが含まれている。再配線層１０５の表面１０５ａ側には、再配線パターン１０５ｃを構成する導電体層１０７の一部が露出している。
【００４９】
支持部材１０１に再配線層１０５を形成した後には、この再配線層１０５を分割する分割溝を分割予定ライン１０５ｂに形成する（分割溝形成ステップ）。図４（Ｂ）は、再配線層１０５を分割する分割溝１１１が形成された状態を示す断面図である。分割溝１１１を形成する方法は、例えば、実施形態１で分割溝１１を形成する方法と同じで良い。
【００５０】
分割溝１１１によって、再配線層１０５は複数の再配線層１１３に分割される。なお、本実施形態では、切削ブレードを切り込ませる深さや、照射するレーザービームのパワー等を調整して、支持部材１０１の第１面１０１ａより深い位置（第１面１０１ａより第２面１０１ｂ側の位置）に底部を有する分割溝１１１を形成する。
【００５１】
これにより、例えば、第１面１０１ａと同じ深さに底部を有する分割溝を形成する場合に比べて、後に形成されるモールド樹脂と支持部材１０１とを広い面積で接触させることができるようになるので、モールド樹脂は支持部材１０１から剥がれ難くなる。ただし、分割溝１１１の底部の深さは、この底部に支持部材１０１が露出する範囲で任意に変更できる。
【００５２】
分割溝１１１を形成した後には、複数の再配線層１１３（再配線層１０５の複数の領域）のそれぞれにデバイスチップを配置して、各再配線層１１３に含まれる再配線パターン１０５ｃとデバイスチップとを接続する（デバイスチップ接続ステップ）。図４（Ｃ）は、再配線層１１３に含まれる再配線パターン１０５ｃとデバイスチップ１１５とが接続された状態を示す断面図である。
【００５３】
本実施形態で使用されるデバイスチップ１１５は、例えば、実施形態１のデバイスチップ１５と同じで良い。すなわち、デバイスチップ１１５は、シリコン等の半導体でなる基板１１７を含む。基板１１７の表面１１７ａ側には、デバイスの電極１１９が露出している。
【００５４】
本実施形態でも、再配線層１１３の表面１０５ａに露出する導電体層１０７（再配線パターン１０５ｃ）に対してデバイスの電極１１９が接続されるように、複数の再配線層１３（再配線層１０５の複数の領域）のそれぞれにデバイスチップ１１５を配置し、固定する。なお、導電体層１０７と電極１１９とを接続する方法（デバイスチップ１１５を再配線層１１３に固定する方法）に特段の制限はない。
【００５５】
再配線層１０５を分割する分割溝１１１を形成し、再配線パターン１０５ｃとデバイスチップ１１５とを接続した後には、分割溝１１１にモールド樹脂を充填しつつ、デバイスチップ１１５と再配線層１１３とをこのモールド樹脂で覆う（モールドステップ）。図５（Ａ）は、デバイスチップ１１５と再配線層１１３とがモールド樹脂１２１によって覆われた状態を示す断面図である。デバイスチップ１１５と再配線層１１３とをモールド樹脂１２１で覆う方法等は、例えば、実施形態１にかかる方法等と同じで良い。
【００５６】
デバイスチップ１１５と再配線層１１３とを覆うモールド樹脂１２１を形成した後には、このモールド樹脂１２１を切断して、デバイスチップ１１５がモールド樹脂１２１で被覆されたパッケージデバイスチップを形成する（モールド樹脂切断ステップ）。なお、本実施形態では、モールド樹脂１２１と支持部材１０１とがともに切断される。図５（Ｂ）は、モールド樹脂１２１と支持部材１０１とが切断された状態を示す断面図である。
【００５７】
モールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断する際には、例えば、支持部材１０１の第２面１０１ｂにダイシングテープ１２７を貼付する。また、ダイシングテープ１２７の外縁部に、環状のフレーム１２９を固定する。その結果、支持部材１０１は、ダイシングテープ１２７を介してフレーム１２９に支持される。なお、モールド樹脂１２１の表面１２１ａ側（支持部材１０１とは反対側）は、ダイシングテープ１２７で覆われずに露出する。
【００５８】
支持部材１０１が、ダイシングテープ１２７を介してフレーム１２９に支持された後には、分割溝１１１の内側を通り分割溝１１１より幅の狭い領域でモールド樹脂１２１と支持部材１０１とをともに切断する。また、モールド樹脂１２１の露出する表面１２１ａ側から、このモールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断する。
【００５９】
例えば、複数の砥粒が結合材で固定されてなる切削ブレード（不図示）を回転させて、分割溝１１１の内側を通る領域に切り込ませることで、モールド樹脂１２１を支持部材１０１とともに切断できる。ここでは、分割溝１１１よりも幅の狭い切削ブレード（例えば、分割溝１１１を形成する際に使用された切削ブレードよりも幅の狭い切削ブレード）を使用する必要がある。
【００６０】
ただし、モールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断する方法に特段の制限はない。例えば、モールド樹脂１２１や支持部材１０１に吸収される波長（吸収され易い波長）のレーザービームを照射してアブレーション加工する方法でモールド樹脂１２１を切断しても良い。この場合には、モールド樹脂１２１と支持部材１０１とを適切に切断できるように、レーザービームのパワーや照射回数等が調整される。
【００６１】
分割溝１１１の内側を通る領域でモールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断すると、これらは、切断時の切り口（カーフ）１３１に沿って複数のパッケージデバイスチップ１３３へと分割される。本実施形態でも、分割溝１１１の内側を通る領域でモールド樹脂１２１を切断するので、切り口１３１には再配線層１１３が露出しない。つまり、再配線層１１３の側面は、モールド樹脂１２１によって覆われた状態のまま維持される。
【００６２】
また、本実施形態でも、パッケージデバイスチップ１３３からモールド樹脂１２１や支持部材１０１の外縁部を除去するために、分割溝１１１が形成されていない領域（モールド樹脂１２１や支持部材１０１の外縁部に相当する領域）でモールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断している。
【００６３】
このように、分割溝１１１が形成されていない領域でモールド樹脂１２１を切断する際には、再配線層１０５（再配線層１１３）を切断しないことが重要になる。以上により、デバイスチップ１１５がモールド樹脂１２１で被覆されたパッケージデバイスチップ１３３が完成する。
【００６４】
本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、再配線層１０５を複数の再配線層１１３に分割する分割溝１１１を形成し、この分割溝１１１にモールド樹脂１２１を充填しつつデバイスチップ１１５と再配線層１１３とをモールド樹脂１２１で覆った後に、分割溝１１１の内側を通り分割溝１１１より幅の狭い領域でモールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断して、パッケージデバイスチップ１３３を形成するので、モールド樹脂１２１と再配線層１０５とが一度に切断されることはない。
【００６５】
これにより、モールド樹脂１２１と再配線層１０５とを一度に切断する場合に比べて、モールド樹脂１２１と再配線層１０５（再配線層１１３）との界面に掛かる負荷が小さくなるので、再配線層１１３はモールド樹脂１２１から剥がれ難い。また、再配線層１１３の側面は、モールド樹脂１２１で覆われるので、形成されるパッケージデバイスチップ１３３の信頼性も高くなる。
【００６６】
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、再配線層５（再配線層１０５）を再配線層１３（再配線層１１３）に分割する分割溝１１（分割溝１１１）を分割予定ライン５ｂ（分割予定ライン１０５ｂ）に形成した後に、再配線パターン５ｃ（再配線パターン１０５ｃ）とデバイスチップ１５（デバイスチップ１１５）とを接続しているが、これらの順序を入れ替えることもできる。すなわち、デバイスチップ接続ステップを実施した後に分割溝形成ステップを実施しても良い。
【００６７】
また、上述した実施形態２では、モールド樹脂１２１の表面１２１ａ側から、このモールド樹脂１２１を支持部材１０１とともに切断しているが、支持部材１０１の第２面１０１ｂ側から、支持部材１０１とともにモールド樹脂１２１を切断しても良い。なお、この場合には、モールド樹脂１２１の表面１２１ａにダイシングテープ１２７を貼付し、このダイシングテープ１２７の外縁部に環状のフレーム１２９を固定すると良い。
【００６８】
支持部材１０１が可視光に対して不透明な場合には、例えば、赤外線カメラ（不図示）等を用いることで、支持部材１０１の第２面１０１ｂ側から分割溝１１１の位置（代表的には、分割溝１１１の幅方向の中央の位置）を検出できる。よって、支持部材１０１が可視光に対して不透明な場合でも、支持部材１０１の第２面１０１ｂ側から適切な領域（分割溝１１１の内側を通り分割溝１１１より幅の狭い領域）でモールド樹脂１２１と支持部材１０１とを切断できる。
【００６９】
同様に、実施形態１では、モールドプレート２３の再配線層１３が露出する側（モールド樹脂２１の裏面２１ｂ側）からモールド樹脂２１を切断しているが、例えば、バンプ２５等が問題にならない場合には、モールド樹脂２１の表面２１ａ側からモールド樹脂２１を切断することもできる。
【００７０】
更に、パッケージデバイスチップ３３（パッケージデバイスチップ１３３）が形成された後（モールド樹脂切断ステップの後）には、電磁波を遮断するための金属層（電磁波シールド層）をモールド樹脂２１（モールド樹脂１２１）の露出した面に形成しても良い（金属層形成ステップ）。この金属層は、例えば、スパッタ等の方法を用いて形成される。
【００７１】
その他、上述した実施形態や変形例等にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７２】
１        ：支持部材
１ａ      ：第１面
１ｂ      ：第２面
３        ：仮接着層
３ａ      ：表面
５        ：再配線層
５ａ      ：表面
５ｂ      ：分割予定ライン
５ｃ      ：再配線パターン
５ｄ      ：裏面
７        ：導電体層
９        ：絶縁体層
１１      ：分割溝
１３      ：再配線層
１５      ：デバイスチップ
１７      ：基板
１７ａ    ：表面
１９      ：電極
２１      ：モールド樹脂
２１ａ    ：表面
２１ｂ    ：裏面
２３      ：モールドプレート
２５      ：バンプ
２７      ：ダイシングテープ
２９      ：フレーム
３１      ：切り口（カーフ）
３３      ：パッケージデバイスチップ
１０１    ：支持部材
１０１ａ  ：第１面
１０１ｂ  ：第２面
１０５    ：再配線層
１０５ａ  ：表面
１０５ｂ  ：分割予定ライン
１０５ｃ  ：再配線パターン
１０７    ：導電体層
１０９    ：絶縁体層
１１１    ：分割溝
１１３    ：再配線層
１１５    ：デバイスチップ
１１７    ：基板
１１７ａ  ：表面
１１９    ：電極
１２１    ：モールド樹脂
１２１ａ  ：表面
１２７    ：ダイシングテープ
１２９    ：フレーム
１３１    ：切り口（カーフ）
１３３    ：パッケージデバイスチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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