(57)【要約】【課題】電子注入効率の高い電子輸送性の層を形成し得る金属酸化物粒子およびインク組成物、ならびに発光効率に優れる発光素子を提供する。【解決手段】  本発明の金属酸化物粒子は、電子輸送性を有する層を形成するのに使用され、主金属と、該主金属に対して５〜１３原子％のアルカリ金属とを含有し、平均一次粒子径が１．５〜５ｎｍであることを特徴とする。本発明のインク組成物は、前記金属酸化物粒子と、該金属酸化物粒子を分散する分散媒とを含有することを特徴とする。また、本発明の発光素子は、陽極と、該陽極と対向して設けられた陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、該発光層と前記陰極との間に設けられ、前記金属酸化物粒子を含む電子輸送性を有する層とを備えることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子輸送性を有する層を形成するのに使用される金属酸化物粒子であって、
主金属と、該主金属に対して５〜１３原子％のアルカリ金属とを含有し、
平均一次粒子径が１．５〜５ｎｍであることを特徴とする金属酸化物粒子。
【請求項２】
前記主金属は、亜鉛を含む請求項１に記載の金属酸化物粒子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の金属酸化物粒子と、
該金属酸化物粒子を分散する分散媒とを含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項４】
前記インク組成物中における前記金属酸化物粒子の平均二次粒子径は、５〜３０ｎｍである請求項３に記載のインク組成物。
【請求項５】
前記インク組成物中における前記金属酸化物粒子の量は、１〜２０質量％である請求項３または４に記載のインク組成物。
【請求項６】
前記分散媒は、芳香族エーテル化合物およびアルコール化合物のうちの少なくとも一方を含有する請求項３〜５のいずれか１項に記載のインク組成物。
【請求項７】
陽極と、
該陽極と対向して設けられた陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、
該発光層と前記陰極との間に設けられ、請求項１または２に記載の金属酸化物粒子を含む電子輸送性を有する層とを備えることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
前記電子輸送性を有する層は、その前記発光層と反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が３ｎｍ以下である請求項７に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属酸化物粒子、インク組成物および発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ、有機ＥＬ素子のような電界発光を利用した素子は、各種表示装置等の光源として広く利用されている。発光性の有機材料で構成された発光層を陰極と陽極との間に設けた有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて駆動印加電圧を大幅に低下させることができるだけでなく、多彩な発光色の素子を作製することができる。
さらに発光効率の向上を目指して、陰極および陽極と発光層との間に、各種目的の層を設けたデバイス構造が提案されている。
例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けたり、さらに電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けたりする。かかる電子輸送層や電子注入層の性能は、素子特性（発光効率）に大きな影響を与えるため、その改良が急がれている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１２−５３３１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、電子注入効率の高い電子輸送性の層を形成し得る金属酸化物粒子およびインク組成物、ならびに発光効率に優れる発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の（１）〜（８）の本発明により達成される。
（１）  電子輸送性を有する層を形成するのに使用される金属酸化物粒子であって、
主金属と、該主金属に対して５〜１３原子％のアルカリ金属とを含有し、
平均一次粒子径が１．５〜５ｎｍであることを特徴とする金属酸化物粒子。
【０００６】
（２）  前記主金属は、亜鉛を含む上記（１）に記載の金属酸化物粒子。
【０００７】
（３）  上記（１）または（２）に記載の金属酸化物粒子と、
該金属酸化物粒子を分散する分散媒とを含有することを特徴とするインク組成物。
【０００８】
（４）  前記インク組成物中における前記金属酸化物粒子の平均二次粒子径（体積分布平均径）は、５〜３０ｎｍである上記（３）に記載のインク組成物。
【０００９】
（５）  前記インク組成物中における前記金属酸化物粒子の量は、１〜２０質量％である上記（３）または（４）に記載のインク組成物。
【００１０】
（６）  前記分散媒は、芳香族エーテル化合物およびアルコール化合物のうちの少なくとも一方を含有する上記（３）〜（５）のいずれか１つに記載のインク組成物。
【００１１】
（７）  陽極と、
該陽極と対向して設けられた陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、
該発光層と前記陰極との間に設けられ、上記（１）または（２）に記載の金属酸化物粒子を含む電子輸送性を有する層とを備えることを特徴とする発光素子。
【００１２】
（８）  前記電子輸送性を有する層は、その前記発光層と反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が３ｎｍ以下である上記（７）に記載の発光素子。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電子注入効率の高い電子輸送性の層を形成することができ、よって、発光効率の高い発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の発光素子の一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の金属酸化物粒子、インク組成物および発光素子について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜金属酸化物粒子＞
本発明の金属酸化物粒子は、電子輸送性を有する層を形成するのに使用される。電子輸送性を有する層としては、後述する電子輸送層や電子注入層が挙げられる。
この金属酸化物粒子は、主金属と、アルカリ金属とを含有する。主金属とは、金属酸化物を構成（結晶格子を形成）する主要な金属原子であり、アルカリ金属以外の金属原子である。なお、本発明の金属酸化物粒子において、アルカリ金属は、金属酸化物の結晶格子の一部を形成しても、形成しなくてもよい。
【００１６】
金属酸化物粒子の平均一次粒子径（電子顕微鏡観察による測長の平均径）は、１．５〜５ｎｍ程度であり、２〜４ｎｍ程度が好ましい。また、金属酸化物粒子は、主金属に対してアルカリ金属を５〜１３原子％で含有し、５〜１０原子％で含有することが好ましく、５〜６．５原子％で含有することがより好ましい。ここで、「金属酸化物粒子が主金属に対してアルカリ金属をＸ原子％で含有する。」とは、金属酸化物粒子が、主金属の原子１００個に対して、アルカリ金属の原子をＸ個含有することを意味する。なお、主金属に対するアルカリ金属の割合（含有率）は、原子吸光分光法（ＡＡＳ）、誘導結合プラズマ発光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）または誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって測定することができる。
かかる構成の金属酸化物粒子を用いることにより、電子注入効率の高く、かつ透明性が良好な電子輸送性の層を形成することができる。
なお、主金属に対するアルカリ金属の割合が５原子％未満であると、電子輸送性の層の電子注入効率を高めることができない。一方、主金属に対するアルカリ金属の割合が１３原子％を上回ると、金属酸化物粒子が凝集して平均二次粒子径（体積分布平均径）が大きくなる。その結果、形成される電子輸送性の層の表面粗さが大きくなり過ぎるとともに透明性が低下し、結果として、発光素子の発光効率が低下する。
【００１７】
金属酸化物を構成する主金属としては、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。なお、２種以上の主金属を使用する場合、それらの量比（組成比）も特に限定されない。
中でも、主金属としては、Ｚｎ（亜鉛）を含むこと（例えば、Ｚｎ単独、またはＺｎとＭｇとの組み合わせ等）が好ましい。亜鉛とアルカリ金属とを含有する金属酸化物を用いることにより、特に電子注入効率が高い電子輸送性の層を形成し易い。
このような金属酸化物粒子は、金属酸化物の原料を含有する溶液を調製し、ゾルゲル法により作製することができる。
具体的には、金属酸化物粒子は、主金属の塩を溶媒に溶解させた溶液と、別途アルカリ金属の塩を溶媒に溶解させた溶液とを調製し、目的とする粒子径に応じて一方の溶液をもう一方の溶液に素早く、または連続的に供給して混合する。溶液の供給方法としては、供給された溶液が瞬時に系内に均一拡散できるよう滴下法や注入法を用いることができる。ここでいう滴下法とは、供給する溶液の供給管を、供給される側の溶液上部の空間に配置し、供給する溶液を供給される側の溶液表面に滴状にして落としつつ反応させる方法を指す。一方、注入法とは、供給する溶液の供給管を供給される側の溶液中に設置し、供給する溶液を供給される側の溶液中に直接導入し、反応させる方法を指す。凝集した粗大粒子の生成を低減できる点から、注入法を用いることが好ましい。また、必要に応じて加熱、冷却することにより粒子を生成させることができる。
【００１８】
主金属が亜鉛の場合、使用可能な金属塩としては、例えば、塩化亜鉛、硝酸亜鉛、硫酸亜鉛のような無機亜鉛化合物、酢酸亜鉛、ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、亜鉛アセチルアセトナートのような有機亜鉛化合物等が挙げられる。
主金属がスズの場合、使用可能な金属塩としては、例えば、二塩化スズ、四塩化スズのような無機スズ化合物、ジメチルスズジクロリド、ジブチルスズジクロリド、ジブチルスズジアセタート、ジブチルスズジアセトナートのような有機スズ化合物等が挙げられる。
主金属がチタンの場合、使用可能な金属塩としては、例えば、四塩化チタン、硫酸チタニルのような無機チタン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタンのような有機チタン化合物等が挙げられる。
主金属がインジウムの場合、使用可能な金属塩としては、例えば、塩化インジウム、臭化インジウム、ヨウ化インジウム、硝酸インジウムのような無機インジウム化合物、酢酸インジウム、ラウリン酸インジウム、ステアリン酸インジウム、インジウムアセチルアセトナートのような有機インジウム化合物が挙げられる。
【００１９】
一方、金属酸化物粒子にアルカリ金属を導入（ドープ）するための金属塩としては、例えば、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸セシウムのような酢酸塩類、塩化リチウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、塩化セシウム、臭化セシウム、ヨウ化セシウムのようなハロゲン化物類、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムのような水酸化物類、メトキシリチウム、メトキシナトリウム、メトキシカリウムのようなアルコキシド類等が挙げられる。
なお、これらの金属塩として、主金属の塩から金属酸化物粒子が生成される速度と同等の反応速度を有する塩を選択すれば、アルカリ金属が金属酸化物粒子内に均一に取り込まれ易くなるので好ましい。
なお、混合溶液には、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドのような四級アンモニウム水酸化物、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンのようなアミン類、アンモニア等を添加するようにしてもよい。
【００２０】
使用可能な溶媒としては、特に限定されないが、金属酸化物粒子の分散性、混合溶液の撹拌効率を考慮して、粘度が５ｍＰａ・ｓ以下の化合物であることが好ましい。また、溶媒は、親水性溶媒が好ましい。
かかる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノールのような炭素数３以下のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類、アセトン、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
中でも、溶媒としては、メタノール、エタノール、ジメチルスルホキシドまたはこれらの組み合わせが好ましい。
【００２１】
また、金属酸化物粒子の表面には、分散剤（有機リガンド）が担持されていてもよい。分散剤としては、例えば、カルボン酸化合物、リン原子含有化合物、窒素原子含有化合物、硫黄原子含有化合物、有機ケイ素化合物等が挙げられる。
分散剤の具体例としては、例えば、オレイン酸；リン酸トリエチル、ＴＯＰ（トリオクチルホスフィン）、ＴＯＰＯ（トリオクチルホスフィンオキサイド）、ヘキシルホスホン酸（ＨＰＡ）、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）、オクチルホスフィン酸（ＯＰＡ）のようなリン原子含有化合物；モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、オレイルアミン、プロピルアミン、オクチルアミン、トリオクチルアミン、ヘキサデシルアミン、アミノピリダジンのような窒素原子含有化合物；１−デカンチオール、オクタンチオール、ドデカンチオール、アミルスルフィドのような硫黄原子含有化合物、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＳ）、トリメチルメトキシシラン（ＴＭＭＳ）、フェニルトリメトキシシラン（ＰｈＴＭＳ）、プロピルトリメトキシシラン（ＰＴＭＳ）のような有機ケイ素化合物等が挙げられる。
【００２２】
＜インク組成物＞
本発明のインク組成物は、上記金属酸化物粒子と、この金属酸化物粒子を分散する分散媒とを含有する。
なお、本発明のインク組成物は、必要に応じて、例えば、界面活性剤等を含有してもよい。
＜＜分散媒＞＞
分散媒としては、特に限定されないが、例えば、芳香族炭化水素化合物、芳香族エステル化合物、芳香族エーテル化合物、芳香族ケトン化合物、脂肪族炭化水素化合物、脂肪族エステル化合物、脂肪族エーテル化合物、脂肪族ケトン化合物、アルコール化合物、アミド化合物、チオール化合物、他の化合物等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
中でも、分散媒は、芳香族エーテル化合物およびアルコール化合物のうちの少なくとも一方を含有することが好ましい。かかる分散媒は、金属酸化物粒子にダメージを与え難いことから好ましい。
【００２３】
芳香族炭化水素化合物としては、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、メシチレン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、インダン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、１、２、３、４−テトラヒドロナフタレン、ナフタレン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、ビフェニル、２−エチルナフタレン、１−エチルナフタレン、オクチルベンゼン、ジフェニルメタン、１，４−ジメチルナフタレン、ノニルベンゼン、イソプロピルビフェニル、３−エチルビフェニル、ドデシルベンゼン等が挙げられる。
芳香族エステル化合物としては、例えば、酢酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、プロピオン酸フェニル、安息香酸イソプロピル、４−メチル安息香酸メチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、エチル  ｐ−アニセート、フタル酸ジメチル等が挙げられる。
【００２４】
芳香族エーテル化合物としては、例えば、ジメトキシベンゼン、メトキシトルエン、エチルフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、４−メチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、エチルフェニルエーテル、プロピルフェニルエーテル、２，５−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、４−エチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ｐ−ジメトキシベンゼン、ｐ−プロピルアニソール、ｍ−ジメトキシベンゼン、２−メトキシ安息香酸メチル、１，３−ジプロポキシベンゼン、ジフェニルエーテル、１−メトキシナフタレン、３−フェノキシトルエン、２−エトキシナフタレン、１−エトキシナフタレン等が挙げられる。
芳香族ケトン化合物としては、例えば、アセトフェノン、プロピオフェノン、４’−メチルアセトフェノン、４’−エチルアセトフェノン、ブチルフェニルケトン等が挙げられる。
脂肪族炭化水素化合物としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、テトラデカン、オクタデセン等が挙げられる。
【００２５】
脂肪族エステル化合物としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸ヘキシル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、アミルバレラート、エチルレブリレート、γ−バレロラクトン、オクタン酸エチル、γ−ヘキサラクトン、イソアミルヘキサネート、アミルヘキサネート、酢酸ノニル、デカン酸メチル、グルタル酸ジエチル、γ−ヘプタラクトン、ε−カプロラクトン、オクタラクトン、炭酸プロピレン、γ−ノナノラクトン、ヘキサン酸ヘキシル、アジピン酸ジイソプロピル、δ−ノナノラクトン、グリセロール三酢酸、δ−デカノラクトン、アジピン酸ジプロピル、δ−ウンデカラクトン、δ−トリデカノラクトン、δ−ドデカラクトン、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ブタンジオールジアセテート、１，４−ブタンジオールジアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。
【００２６】
脂肪族エーテル化合物としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジヘプチルエーテル、ジオクチルエーテル等が挙げられる。
脂肪族ケトン化合物としては、例えば、ジイソブチルケトン、シクロヘプタノン、イソホロン、６−ウンデカノン等が挙げられる。
【００２７】
アルコール化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、１−ヘプタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、プロピレングリコ−ル、エチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチル  ３−ヒドロキシヘキサネート、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、シクロヘキサノール、２−ブトキシエタノール等が挙げられる。
【００２８】
アミド化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
チオール化合物としては、例えば、１−ウンデカンチオール、１−ドデカンチオール等が挙げられる。
他の化合物としては、例えば、水、ジメチルスルホキシド、アセトン、クロロホルム、塩化メチレン等が挙げられる。
【００２９】
インク組成物中において、金属酸化物粒子の少なくとも一部は凝集体を形成している。インク組成物中における金属酸化物粒子（凝集体を含む）の平均二次粒子径は、５〜３０ｎｍ程度であることが好ましく、５〜１５ｎｍ程度であることがより好ましい。この場合、表面平滑性および透明性の高い電子輸送性の層を形成し易く、よって発光素子の発光効率をより高めることができる。
また、インク組成物中に含まれる金属酸化物粒子の量は、特に限定されないが、１〜２０質量％程度であることが好ましく、２〜１０質量％程度であることがより好ましい。かかる量で金属酸化物粒子を含むインク組成物であれば、均一な厚さを有する電子輸送性の層を形成し易い。
なお、金属酸化物粒子の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡により複数個の金属酸化物粒子について径を測定し、その平均値を算出することにより得られる。
また、金属酸化物粒子の平均二次粒子径は、粒度分布測定装置を用いた動的光散乱測定によって得られる。
【００３０】
＜＜界面活性剤＞＞
界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。中でも、電荷をトラップし難いことから、シリコーン系界面活性剤および／または炭化水素系界面活性剤が好ましい。
【００３１】
シリコーン系界面活性剤および炭化水素系界面活性剤としては、低分子型または高分子型の界面活性剤を用いることができる。
これらの具体例としては、例えば、ビックケミー社製のＢＹＫシリーズ、日信化学工業株式会社製のサーフィノール等が挙げられる。中でも、インク組成物を塗布した際に表面平滑性の高い塗膜が得られることから、有機変性シロキサンからなるシリコーン系界面活性剤を好適に用いることができる。
【００３２】
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極および陰極（一対の電極）と、これらの間に設けられた発光層と、発光層と陰極との間に設けられ、本発明の金属酸化物粒子で形成された電荷輸送性の層とを備えている。なお、本発明の発光素子は、さらに、封止部材等を備えてもよい。
図１は、本発明の発光素子の一実施形態を示す断面図である。
また、図１では、便宜上、各部の寸法およびそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。
【００３３】
以下では、説明の都合上、図１の上側を「上側」または「上方」と、上側を「下側」または「下方」と言う。また、図１では、図面が煩雑になることを避けるため、断面を示すハッチングの記載を省略している。
図１に示す発光素子１は、陽極２と、陰極３と、陽極２と陰極３との間に、陽極２側から順次積層された正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７および電子注入層８とを有している。以下、各層について順次説明する。
【００３４】
［陽極２］
陽極２は、外部電源から発光層６に向かって正孔を供給する機能を有する。
陽極２の構成材料（陽極材料）としては、特に限定されないが、例えば、金（Ａｕ）のような金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）のようなハロゲン化金属、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような金属酸化物等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
陽極２の厚さは、特に限定されないが、１０〜１，０００ｎｍ程度であることが好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であることがより好ましい。
陽極２は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法のような乾式成膜法により形成することができる。この際、フォトリソグラフィー法やマスクを用いた方法により、所定のパターンを有する陽極２を形成してもよい。
【００３６】
［陰極３］
陰極３は、外部電源から発光層６に向かって電子を供給する機能を有する。
陰極３の構成材料（陰極材料）としては、特に限定されないが、例えば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、銀、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、希土類金属等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
陰極３の厚さは、特に限定されないが、０．１〜１，０００ｎｍ程度であることが好ましく、１〜２００ｎｍ程度であることがより好ましい。
陰極３は、例えば、蒸着法やスパッタリング法のような乾式成膜法により形成することができる。
【００３８】
［正孔注入層４］
正孔注入層４は、陽極２から供給された正孔を受け取り、正孔輸送層５に注入する機能を有する。なお、正孔注入層４は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。
【００３９】
正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物；４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミンのようなトリフェニルアミン誘導体；１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタンのようなシアノ化合物；酸化バナジウム、酸化モリブデンのような金属酸化物；アモルファスカーボン；ポリアニリン（エメラルディン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリピロールのような高分子等が挙げられる。
中でも、正孔注入材料としては、高分子であることが好ましく、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳであることがより好ましい。
また、上述の正孔注入材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００４０】
正孔注入層４の厚さは、特に限定されないが、０．１〜５００ｍｍ程度であることが好ましく、１〜３００ｎｍ程度であることがより好ましく、２〜２００ｎｍ程度であることがさらに好ましい。
正孔注入層４は、単層構成であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような正孔注入層４は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
【００４１】
正孔注入層４を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の正孔注入材料を含有するインク組成物を各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、正孔注入層４を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等を好適に用いることができる。
【００４２】
［正孔輸送層５］
正孔輸送層５は、正孔注入層４から正孔を受け取り、発光層６まで効率的に輸送する機能を有する。また、正孔輸送層４は、電子の輸送を防止する機能を有していてもよい。
【００４３】
正孔輸送層５の構成材料（正孔輸送材料）としては、特に限定されないが、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）のような低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン］（ｐｏｌｙ−ＴＰＡ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（４，４’−（Ｎ−（ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン））（ＴＦＢ）、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）のような共役系化合物重合体；およびこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。
【００４４】
中でも、正孔輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体、置換基が導入されたトリフェニルアミン誘導体を重合することにより得られた高分子化合物であることが好ましく、置換基が導入されたトリフェニルアミン誘導体を重合することにより得られた高分子化合物であることがより好ましい。
また、上述の正孔輸送材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００４５】
正孔輸送層５の厚さは、特に限定されないが、１〜５００ｎｍ程度であることが好ましく、５〜３００ｎｍ程度であることがより好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であることがさらに好ましい。
正孔輸送層５は、単層構成であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような正孔輸送層５は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
【００４６】
正孔輸送層５を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の正孔輸送材料を含有するインク組成物を各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、正孔輸送層５を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等を好適に用いることができる。
【００４７】
［電子注入層８］
電子注入層８は、陰極３から供給された電子を受け取り、電子輸送層７に注入する機能を有する。
かかる電子注入層８は、本発明の金属酸化物粒子を含んで構成することができる他、以下の電子注入材料を含んで構成することもできる。
【００４８】
電子注入材料としては、例えば、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅのようなアルカリ金属カルコゲナイド；ＢａＳ、ＣａＳｅのようなアルカリ土類金属カルコゲナイド；ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌのようなアルカリ金属ハライド；８−ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）のようなアルカリ金属塩；ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２のようなアルカリ土類金属ハライド等が挙げられる。
中でも、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属ハライド、アルカリ金属塩であることが好ましい。
また、上述の電子注入材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００４９】
電子注入層８の厚さは、特に限定されないが、０．１〜１００ｎｍ程度であることが好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であることがより好ましく、０．５〜１０ｎｍ程度であることがさらに好ましい。
電子注入層８は、単層構成であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような電子注入層８は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
【００５０】
電子注入層８を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の金属酸化物粒子または電子注入材料を含有するインク組成物を各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、電子注入層８を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用され得る。
【００５１】
［電子輸送層７］
電子輸送層７は、電子注入層８から電子を受け取り、発光層６まで効率的に輸送する機能を有する。また、電子輸送層７は、正孔の輸送を防止する機能を有していてもよい。なお、電子輸送層７または前述の電子注入層８は、必要に応じて設けるようにすればよく、どちらか一方を省略することもできる。
かかる電子輸送層７は、本発明の金属酸化物粒子を含んで構成することができる他、以下の電子輸送材料を含んで構成することもできる。
【００５２】
電子輸送材料としては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム（ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（Ｚｎｑ）のようなキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＯＸ）２）のようなベンズオキサゾリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）のようなベンゾチアゾリン骨格を有する金属錯体；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（ＣＯ１１）のようなトリまたはジアゾール誘導体；２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）のようなイミダゾール誘導体；キノリン誘導体；ペリレン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）のようなピリジン誘導体；ピリミジン誘導体；トリアジン誘導体；キノキサリン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられる。
【００５３】
中でも、電子輸送材料としては、イミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、金属酸化物（無機酸化物）であることが好ましい。
また、上述の電子輸送材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
電子輸送層７の厚さは、特に限定されないが、５〜５００ｎｍ程度であることが好ましく、５〜２００ｎｍ程度であることがより好ましい。
電子輸送層７は、単層であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような電子輸送層７は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
【００５４】
電子輸送層７を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の金属酸化物粒子または電子輸送材料を含有するインク組成物を各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、電子輸送層７を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用され得る。
【００５５】
本発明の金属酸化物粒子で形成された電子輸送性を有する層（電子輸送層７または電子注入層８）は、その発光層６反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が３ｎｍ以下であることが好ましく、１〜２ｎｍ程度であることがより好ましい。この場合、電子輸送性を有する層の表面平滑性がより高まることで、電子注入効率がより向上する。
なお、「算術平均粗さ（Ｒａ）」は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３に基づいて測定される表面粗さである。
【００５６】
［発光層６］
発光層６は、発光層６に注入された正孔および電子の再結合により生じるエネルギーを利用して発光を生じさせる機能を有する。
発光層６の厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であることが好ましく、１０〜５０ｎｍ程度であることがより好ましい。
発光層６は、発光層形成用のインク組成物を各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥することにより形成することができる。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法（ピエゾ方式またはサーマル方式の液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
ここで、ノズルプリント印刷法とは、インクをノズル孔から液柱としてストライプ状に塗布する方法である。
【００５７】
発光層形成用のインク組成物は、インクジェット印刷法により好適に塗布することができる。特に、発光層形成用のインク組成物は、ピエゾ方式のインクジェット印刷法により塗布することが好ましい。これにより、インク組成物を吐出する際の熱負荷を小さくすることができ、発光材料自体に不具合が発生し難い。したがって、発光層形成用のインク組成物の塗布に用いる好適な装置は、ピエゾ方式のインクジェットヘッドを有するインクジェットプリンターである。
【００５８】
発光層６は、有機発光材料または無機発光材料（半導体ナノ結晶）を含み、さらにホスト材料を含んでいてもよい。
＜＜有機発光材料＞＞
［赤色ドーパント材料］
赤色ドーパント材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料および各種赤色燐光材料が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００５９】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発すれば、特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）］、ポリ［｛９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン｝オルト−コ−｛２，５−ビス（Ｎ,Ｎ’-ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン｝］、ポリ［｛２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）｝−コ−｛２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン｝］等が挙げられる。
【００６０】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発すれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム、ユーロピウム等を含有する金属錯体等が挙げられる他、配位子のうちの少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を有する金属錯体等も挙げられる。
赤色燐光材料の具体例としては、例えば、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
【００６１】
［青色ドーパント材料］
青色ドーパント材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料および各種青色燐光材料が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００６２】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発すれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。
【００６３】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発すれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等を含有する金属錯体等が挙げられる。
青色燐光材料の具体例としては、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
【００６４】
［緑色ドーパント材料］
緑色ドーパント材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料および各種緑色燐光材料が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発すれば、特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。
【００６６】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発すれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等を含有する金属錯体等が挙げられる。
緑色燐光材料の具体例としては、例えば、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。
以上のような有機発光材料の分子量は、溶媒中に有機発光材料を容易に溶解できることから、５，０００ｇ／ｍｏｌ以下であることが好ましく、２，０００ｇ／ｍｏｌ以下であることがより好ましく、３００〜２，０００ｇ／ｍｏｌであることがさらに好ましい。
【００６７】
＜＜無機発光材料（半導体ナノ結晶）＞＞
半導体ナノ結晶（以下、単に「ナノ結晶」と言うこともある。）は、励起光を吸収して蛍光または燐光を発光するナノサイズの結晶体（ナノ結晶粒子）であり、例えば、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡によって測定される最大粒子径が１００ｎｍ以下の結晶体である。
ナノ結晶は、例えば、所定の波長の光エネルギーや電気エネルギーにより励起され、蛍光または燐光を発することができる。
【００６８】
ナノ結晶は、６０５〜６６５ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する光（赤色光）を発する赤色発光性の結晶であってよく、５００〜５６０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する光（緑色光）を発する緑色発光性の結晶であってよく、４２０〜４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する光（青色光）を発する青色発光性の結晶であってもよい。また、一実施形態において、インク組成物は、これらのナノ結晶のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。
なお、ナノ結晶の発光ピークの波長は、例えば、紫外可視分光光度計を用いて測定される蛍光スペクトルまたは燐光スペクトルにおいて確認することできる。
【００６９】
赤色発光性のナノ結晶は、６６５ｎｍ以下、６６３ｎｍ以下、６６０ｎｍ以下、６５８ｎｍ以下、６５５ｎｍ以下、６５３ｎｍ以下、６５１ｎｍ以下、６５０ｎｍ以下、６４７ｎｍ以下、６４５ｎｍ以下、６４３ｎｍ以下、６４０ｎｍ以下、６３７ｎｍ以下、６３５ｎｍ以下、６３２ｎｍ以下または６３０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、６２８ｎｍ以上、６２５ｎｍ以上、６２３ｎｍ以上、６２０ｎｍ以上、６１５ｎｍ以上、６１０ｎｍ以上、６０７ｎｍ以上または６０５ｎｍ以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。
これらの上限値および下限値は、任意に組み合わせることができる。なお、以下の同様の記載においても、個別に記載した上限値および下限値は任意に組み合わせ可能である。
【００７０】
緑色発光性のナノ結晶は、５６０ｎｍ以下、５５７ｎｍ以下、５５５ｎｍ以下、５５０ｎｍ以下、５４７ｎｍ以下、５４５ｎｍ以下、５４３ｎｍ以下、５４０ｎｍ以下、５３７ｎｍ以下、５３５ｎｍ以下、５３２ｎｍ以下または５３０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、５２８ｎｍ以上、５２５ｎｍ以上、５２３ｎｍ以上、５２０ｎｍ以上、５１５ｎｍ以上、５１０ｎｍ以上、５０７ｎｍ以上、５０５ｎｍ以上、５０３ｎｍ以上または５００ｎｍ以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。
【００７１】
青色発光性のナノ結晶は、４８０ｎｍ以下、４７７ｎｍ以下、４７５ｎｍ以下、４７０ｎｍ以下、４６７ｎｍ以下、４６５ｎｍ以下、４６３ｎｍ以下、４６０ｎｍ以下、４５７ｎｍ以下、４５５ｎｍ以下、４５２ｎｍ以下または４５０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、４５０ｎｍ以上、４４５ｎｍ以上、４４０ｎｍ以上、４３５ｎｍ以上、４３０ｎｍ以上、４２８ｎｍ以上、４２５ｎｍ以上、４２２ｎｍ以上または４２０ｎｍ以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。
【００７２】
ナノ結晶が発する光の波長（発光色）は、井戸型ポテンシャルモデルのシュレディンガー波動方程式の解によれば、ナノ結晶のサイズ（例えば、粒子径）に依存するが、ナノ結晶が有するエネルギーギャップにも依存する。そのため、構成材料およびサイズを変更することにより、ナノ結晶の発光色を選択（調節）することができる。
【００７３】
ナノ結晶は、半導体材料で構成されていればよく、各種構造とすることができる。例えば、ナノ結晶は、第１の半導体材料で構成されるコアのみから構成されてもよく、第１の半導体材料で構成されるコアと、このコアの少なくとも一部を被覆し、第１の半導体材料と異なる第２の半導体材料で構成されるシェルとを有する構成でもよい。換言すれば、ナノ結晶の構造は、コアのみからなる構造（コア構造）であってもよく、コアとシェルとからなる構造（コア／シェル構造）であってもよい。
【００７４】
また、ナノ結晶は、第２の半導体材料で構成されるシェル（第１のシェル）の他に、このシェルの少なくとも一部を被覆し、第１および第２の半導体材料と異なる第３の半導体材料で構成されるシェル（第２のシェル）をさらに有していてもよい。換言すれば、ナノ結晶の構造は、コアと第１のシェルと第２のシェルとからなる構造（コア／シェル／シェル構造）であってもよい。
さらに、コアおよびシェルのそれぞれは、２種以上の半導体材料を含む混晶（例えば、ＣｄＳｅ＋ＣｄＳ、ＣＩＳ＋ＺｎＳ等）で構成されてもよい。
【００７５】
ナノ結晶は、ＩＩ−ＶＩ族半導体、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体、ＩＶ族半導体およびＩ−ＩＩ−ＩＶ−ＶＩ族半導体からなる群より選択される少なくとも１種の半導体材料で構成されることが好ましい。
【００７６】
具体的な半導体材料としては、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＣｄＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ；ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＳ２およびＣ等が挙げられる。
【００７７】
半導体材料は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＴｅ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＴｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＴｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、Ｓｉ、Ｃ、ＧｅおよびＣｕ２ＺｎＳｎＳ４からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
これらの半導体材料で構成されるナノ結晶は、発光スペクトルの制御が容易であり、信頼性を確保しつつ、生産コストを低減し、量産性を向上させることができる。
【００７８】
赤色発光性のナノ結晶としては、例えば、ＣｄＳｅのナノ結晶；ＣｄＳｅのロッド状のナノ結晶；ＣｄＳのシェルとＣｄＳｅのコアとを備えるロッド状のナノ結晶；ＣｄＳのシェルとＺｎＳｅのコアとを備えるロッド状のナノ結晶；ＣｄＳのシェルとＣｄＳｅのコアとを備えるナノ結晶；ＣｄＳのシェルとＺｎＳｅのコアとを備えるナノ結晶；ＺｎＳのシェルとＩｎＰのコアとを備えるナノ結晶；ＺｎＳのシェルとＣｄＳｅのコアとを備えるナノ結晶；ＣｄＳｅとＺｎＳとの混晶のナノ結晶；ＣｄＳｅとＺｎＳとの混晶のロッド状のナノ結晶；ＩｎＰのナノ結晶；ＩｎＰのロッド状のナノ結晶；ＣｄＳｅとＣｄＳとの混晶のナノ結晶；ＣｄＳｅとＣｄＳとの混晶のロッド状のナノ結晶；ＺｎＳｅとＣｄＳとの混晶のナノ結晶；ＺｎＳｅとＣｄＳとの混晶のロッド状のナノ結晶等が挙げられる。
【００７９】
緑色発光性のナノ結晶としては、例えば、ＣｄＳｅのナノ結晶；ＣｄＳｅのロッド状のナノ結晶；ＺｎＳのシェルとＩｎＰのコアとを備えるナノ結晶；ＺｎＳのシェルとＣｄＳｅのコアとを備えるナノ結晶；ＣｄＳｅとＺｎＳとの混晶のナノ結晶；ＣｄＳｅとＺｎＳとの混晶のロッド状のナノ結晶等が挙げられる。
【００８０】
青色発光性のナノ結晶としては、例えば、ＺｎＳｅのナノ結晶；ＺｎＳｅのロッド状のナノ結晶；ＺｎＳのナノ結晶；ＺｎＳのロッド状のナノ結晶；ＺｎＳｅのシェルとＺｎＳのコアとを備えるナノ結晶；ＺｎＳｅのシェルとＺｎＳのコアとを備えるロッド状のナノ結晶；ＣｄＳのナノ結晶；ＣｄＳのロッド状のナノ結晶等が挙げられる。
【００８１】
なお、ナノ結晶は、同一の化学組成であっても、それ自体の平均粒子径を設計することにより、ナノ結晶から発光させるべき色を赤色にも緑色にも変更することができる。
また、ナノ結晶は、それ自体として、人体等に対する悪影響が極力低いことが好ましい。したがって、カドミウム、セレン等が極力含まれないナノ結晶を選択して単独で用いるか、上記元素（カドミウム、セレン等）を含有するナノ結晶を用いる場合には、上記元素が極力少なくなるようにその他のナノ結晶と組み合わせて用いることが好ましい。
【００８２】
ナノ結晶の形状は、特に限定されず、任意の幾何学的形状であってもよく任意の不規則な形状であってもよい。ナノ結晶の形状としては、例えば、球状、正四面体状、楕円体状、角錐形状、ディスク状、枝状、網状、ロッド状等が挙げられる。しかしながら、ナノ結晶の形状としては、方向性の少ない形状（例えば、球状、正四面体状等）が好ましい。かかる形状のナノ結晶を用いることにより、インクの均一性および流動性をより高めることができる。
【００８３】
ナノ結晶の平均一次粒子径は、４０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。かかる平均一次粒子径を有するナノ結晶は、所望の波長の光を発し易いことから好ましい。
また、ナノ結晶の平均一次粒子径は、１ｎｍ以上であることが好ましく、１．５ｎｍ以上であることがより好ましく、２ｎｍ以上であることがさらに好ましい。かかる平均粒子径を有するナノ結晶は、所望の波長の光を発し易いのみならず、インクへの分散性および保存安定性を向上させ得ることからも好ましい。
なお、ナノ結晶の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡により複数個のナノ結晶について径を測定し、その平均値を算出することにより得られる。
【００８４】
ところで、ナノ結晶は、配位サイトとなり得る表面原子を有するため、高い反応性を有している。ナノ結晶は、このような高い反応性を有することや、一般の顔料に比べ大きい表面積を有することから、凝集を起こし易い。
ナノ結晶は、量子サイズ効果によって発光を生じる。このため、ナノ結晶は、凝集すると消光現象が生じ、蛍光量子収率の低下を招き、輝度および色再現性が低下する。すなわち、ナノ結晶を分散媒に分散してなる発光層形成用のインク組成物は、有機発光材料を溶媒に溶解してなる発光層形成用のインク組成物と異なり、凝集による発光特性の低下を生じ易い。このため、発光層形成用のインク組成物では、ナノ結晶の分散安定性を確保する観点からの調製が重要となる。
【００８５】
このようなことから、一実施形態では、ナノ結晶の表面に分散媒と相溶性のある分散剤（有機リガンド）が担持（保持）されて、換言すれば、ナノ結晶の表面が分散剤によって不活性化されていてもよい。この分散剤の存在により、ナノ結晶のインク組成物中での分散安定性を向上させることができる。
なお、この場合、分散剤は、ナノ結晶の表面に、例えば、共有結合、配位結合、イオン結合、水素結合、ファンデルワールス結合等により担持されている。本明細書中において、「担持」とは、分散剤がナノ結晶の表面に吸着、付着または結合された状態を総称する用語である。また、分散剤は、ナノ結晶の表面から脱離することができ、ナノ結晶による担持とナノ結晶からの脱離とが平衡状態となり、これらを繰り返すことができる。
【００８６】
分散剤は、ナノ結晶のインク組成物中での分散安定性を向上させ得る化合物であれば、特に限定されない。分散剤は、低分子分散剤と高分子分散剤とに分類される。本明細書中において、「低分子」とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００以下の分子を意味し、「高分子」とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００超の分子を意味する。
なお、本明細書中において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定された値を採用するものとする。
【００８７】
低分子分散剤としては、例えば、オレイン酸；リン酸トリエチル、ＴＯＰ（トリオクチルホスフィン）、ＴＯＰＯ（トリオクチルホスフィンオキサイド）、ヘキシルホスホン酸（ＨＰＡ）、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）、オクチルホスフィン酸（ＯＰＡ）のようなリン原子含有化合物；オレイルアミン、オクチルアミン、トリオクチルアミン、ヘキサデシルアミンのような窒素原子含有化合物；１−デカンチオール、オクタンチオール、ドデカンチオール、アミルスルフィドのような硫黄原子含有化合物等が挙げられる。
【００８８】
高分子分散剤としては、例えば、ナノ結晶に担持され得る官能基を有する高分子化合物を用いることができる。
このような官能基としては、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、リン酸基、リン酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン酸基、ホスフィン酸エステル基、チオール基、チオエーテル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、ヒドロキシル基、エーテル基、イミダゾリル基、トリアジニル基、ピロリドニル基、イソシアヌル酸基、ホウ酸エステル基、ボロン酸基等が挙げられる。
【００８９】
これらの中でも、複数の官能基を組み合わせ、ナノ結晶への担持能力を高めた高分子化合物を合成し易い点から、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、カルボン酸エステル基、ヒドロキシル基、エーテル基が、単独であっても十分なナノ結晶への担持能力を有する点から、リン酸基、リン酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、カルボン酸基が好ましい。
さらに、インク組成物中で適切にナノ結晶への高い担持能力を有する点から、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボン酸基がより好ましい。
【００９０】
１級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールアミン、ポリエステルアミン、ウレタン変性ポリエステルアミン、ポリアルキレングリコールジアミン、ポリエステルジアミン、ウレタン変性ポリエステルジアミンのような直鎖型アミン、（メタ）アクリル系重合体の側鎖にアミノ基を有する櫛型ポリアミン等が挙げられる。
２級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、多数の２級アミノ基を有する直鎖型ポリエチレンイミン骨格を含む主鎖と、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリウレタン等の側鎖とを有する櫛型ブロックコポリマー等が挙げられる。
【００９１】
３級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、トリ（ポリアルキレングリコール）アミンのような星型アミン等が挙げられる。
また、１級アミノ基、２級アミノ基および３級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、特開２００８−０３７８８４号公報、特開２００８−０３７９４９号公報、特開２００８−０３８１８号公報、特開２０１０−００７１２４号公報に記載された直鎖型または多分岐型ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックとを有する高分子化合物等が挙げられる。
【００９２】
リン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールモノリン酸エステル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテルモノリン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンリン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンリン酸エステル、アシッドホスホキシエチルモノ（メタ）アクリレート、アシッドホスホキシプロピルモノ（メタ）アクリレート、アシッドホスホキシポリオキシアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレートのようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー；特許４６９７３５６号公報に記載された方法で得られるリン酸基を有する（メタ）アクリル重合体等が挙げられる。
なお、リン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、ｐＨを調整することも可能である。
【００９３】
ホスホン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールモノアルキルホスホン酸エステル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテルモノアルキルホスホン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンアルキルホスホン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンアルキルホスホン酸エステル、ポリエチレンホスホン酸；ビニルホスホン酸、（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸、（メタ）アクリロイルオキシプロピルホスホン酸、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールホスホン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。
なお、ホスホン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、ｐＨを調整することも可能である。
【００９４】
ホスフィン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールジアルキルホスフィン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンジアルキルホスフィン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンジアルキルホスフィン酸エステル、ポリエチレンホスフィン酸；ビニルホスフィン酸、（メタ）アクリロイルオキシジアルキルホスフィン酸、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールジアルキルホスフィン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。  なお、ホスフィン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、ｐＨを調整することも可能である。
【００９５】
チオール基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリビニルチオール、ポリアルキレングリコールエチレンチオール等が挙げられる。
チオエーテル基を有する高分子分散剤としては、例えば、特開２０１３−６０６３７号公報に記載されたメルカプトプロピオン酸とグリシジル変性ポリアルキレングリコールとを反応させて得られるポリアルキレングリコールチオエーテル等が挙げられる。
【００９６】
スルホン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールモノアルキルスルホン酸エステル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテルモノアルキルスルホン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンアルキルスルホン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンアルキルスルホン酸エステル、ポリエチレンスルホン酸；ビニルスルホン酸、（メタ）アクリロイルオキシアルキルスルホン酸、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。
なお、スルホン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、ｐＨを調整することも可能である。
【００９７】
カルボン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールカルボン酸、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンカルボン酸、ポリエチレンカルボン酸、ポリエステルモノカルボン酸、ポリエステルジカルボン酸、ウレタン変性ポリエステルモノカルボン酸、ウレタン変性ポリエステルジカルボン酸；ビニルカルボン酸、（メタ）アクリロイルオキシアルキルカルボン酸、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールカルボン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。
なお、カルボン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、ｐＨを調整することも可能である。
【００９８】
エステル基を有する高分子分散剤は、前記カルボン酸基を有する高分子分散剤に、例えばモノアルキルアルコールを脱水縮合させることにより得ることができる。
ピロリドニル基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
【００９９】
なお、特定の官能基を有する高分子分散剤は、合成品であっても市販品であってもよい。
市販品としては、例えば、ビックケミー社製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫシリーズに含まれるＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０１３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０５０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０６０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−９０７０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−９０７７；エボニック社製のＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓシリーズに含まれるＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６１０、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６３０、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６５０、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６５１、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６５２、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６５５、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６６０Ｃ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６６２Ｃ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６７０、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ６８５、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７００、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７１０、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７１５Ｗ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７４０Ｗ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７５０Ｗ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７５２Ｗ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７５５Ｗ、ＴＥＧＯ  Ｄｉｓｐｅｒｓ  ７６０Ｗ；ＢＡＳＦ社製のＥＦＫＡシリーズに含まれるＥＦＫＡ−４４、ＥＦＫＡ−４６、ＥＦＫＡ−４７、ＥＦＫＡ−４８、ＥＦＫＡ−４０１０、ＥＦＫＡ−４０５０、ＥＦＫＡ−４０５５、ＥＦＫＡ−４０２０、ＥＦＫＡ−４０１５、ＥＦＫＡ−４０６０、ＥＦＫＡ−４３００、ＥＦＫＡ−４３３０、ＥＦＫＡ−４４００、ＥＦＫＡ−４４０６、ＥＦＫＡ−４５１０、ＥＦＫＡ−４８００；日本ルーブリゾール社製のＳＯＬＳＰＥＲＳＥシリーズに含まれるＳＯＬＳＰＥＲＳ−３０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−９０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−１６０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−１７０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−１８０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−１３９４０、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−２００００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−２４０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−３２５５０、ＳＯＬＳＰＥＲＳ−７１０００；味の素ファインテクノ社製のアジスパーシリーズに含まれるアジスパー（ＡＪＩＳＰＵＲ）ＰＢ−８２１、アジスパーＰＢ−８２２、アジスパーＰＢ−８２３；楠本化成製のＤＩＳＰＡＲＬＯＮシリーズに含まれるＤＩＳＰＡＲＬＯＮ  ＤＡ３２５、ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ  ＤＡ３７５、ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ  ＤＡ１８００、ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ  ＤＡ７３０１；共栄社化学社製のフローレンシリーズに含まれるフ��ーレン（ＦＬＯＲＥＮＥ）ＤＯＰＡ−１７ＨＦ、フローレンＤＯＰＡ−１５ＢＨＦ、フローレンＤＯＰＡ−３３、フローレンＤＯＰＡ−４４等が挙げられる。
なお、これら高分子分散剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１００】
以上のような分散剤は、その分子のほぼ全体がナノ結晶に接触した状態で担持されていてもよいし、その分子の一部のみがナノ結晶に接触した状態で担持されていてもよい。いずれの状態であっても、分散剤は、ナノ結晶を安定的に分散媒に分散させる分散機能を好適に発揮する。
かかる観点から、分散剤の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０，０００以下であることが好ましく、１００〜５０，０００程度であることがより好ましい。なお、低分子分散剤のうち重合体でない化合物の質量を表す場合には、「重量平均分子量」に代えて「分子量」を用いる。
【０１０１】
前記下限値以上の重量平均分子量を有する分散剤は、ナノ結晶に対する担持能力に優れるため、インク組成物中におけるナノ結晶の分散安定性を十分に確保することができる。一方、前記上限値以下の重量平均分子量を有する分散剤は、その単位重量あたりの官能基数が十分であり、結晶性が高くなり過ぎないため、インク組成物中におけるナノ結晶の分散安定性を高めることができる。また、分散剤の重量平均分子量が高か過ぎないため、得られる発光層において電荷移動が阻害されることも防止または抑制することができる。
【０１０２】
分散剤を用いる場合、ナノ結晶に対する分散剤（特に、高分子分散剤）の量は、ナノ結晶１００質量部に対して５０質量部以下であることが好ましい。これにより、ナノ結晶に分散剤を担持させる際に、ナノ結晶の表面に不要な有機物が残留または析出し難い。このため、分散剤による層が電荷の移動を阻害する絶縁層となり難く、発光特性の悪化を防止することができる。
一方、ナノ結晶に対する分散剤の量は、ナノ結晶１００質量部に対して１質量部以上であることが好ましく、３質量部以上であることがより好ましく、５質量部以上であることがさらに好ましい。これにより、インク組成物中におけるナノ結晶の十分な分散安定性を保持することができる。
【０１０３】
＜＜ホスト材料＞＞
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを有機発光材料または無機発光材料である半導体ナノ結晶に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、有機発光材料または半導体ナノ結晶を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、有機発光材料または半導体ナノ結晶をホスト材料にドープ（混合）して用いることができる。
【０１０４】
このようなホスト材料としては、用いる有機発光材料または半導体ナノ結晶に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ナフタセン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体のようなアセン誘導体（アセン系材料）、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）のようなキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体のようなトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、カルバゾール誘導体、ビスカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【０１０５】
発光層６中に含まれる発光材料の量は、ホスト材料に対して、０．１〜５０質量％であることが好ましく、０．１〜２０質量％であることがより好ましい。発光層６中に含まれる発光材料の量が０．１質量％以上であると、均一な厚さを有する発光層６を形成し得ることから好ましい。一方、発光層６中に含まれる発光材料の量が２０質量％以下であると、発光材料の濃度消光による発光効率の低下を抑制し得ることから好ましい。
【０１０６】
＜＜液状媒体＞＞
発光層形成用のインク組成物は、前述したような発光材料が液状媒体（溶媒または分散媒）に溶解または分散されている。
液状媒体としては、本発明のインク組成物の分散媒として挙げたのと同様の化合物を用いることができる。
【０１０７】
以上のような液状媒体の２５℃における粘度は、１〜２０ｍＰａ・ｓ程度であることが好ましく、１．５〜１５ｍＰａ・ｓ程度であることがより好ましく、２〜１０ｍＰａ・ｓ程度であることがさらに好ましい。液状媒体の常温下における粘度が前記範囲であれば、発光層形成用のインク組成物を液滴吐出法により吐出する場合には、液滴吐出ヘッドのノズル孔から吐出された液滴が主滴と小液滴とに分離される現象（サテライト現象）の発生を防止または抑制することができる。このため、液滴の被着体（支持体）に対する着弾精度を向上させることができる。
また、発光層形成用のインク組成物は、上述したような界面活性剤を含有してもよい。
【０１０８】
［バンク］
なお、発光素子１は、さらに、例えば、正孔注入層４、正孔輸送層５および発光層６を区画するバンク（隔壁）を有していてもよい。
バンクの高さは、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であることが好ましく、０．２〜４μｍ程度であることがより好ましく、０．２〜３μｍ程度であることがさらに好ましい。
【０１０９】
バンクの開口の幅は、１０〜２００μｍ程度であることが好ましく、３０〜２００μｍ程度であることがより好ましく、５０〜１００μｍ程度であることがさらに好ましい。
バンクの開口の長さは、１０〜４００μｍ程度であることが好ましく、２０〜２００μｍ程度であることがより好ましく、５０〜２００μｍ程度であることがさらに好ましい。
また、バンクの傾斜角度は、１０〜１００°程度であることが好ましく、１０〜９０°程度であることがより好ましく、１０〜８０°程度であることがさらに好ましい。
【０１１０】
インク組成物をインクジェット法により塗布して、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７および電子注入層８（以下、これらを総称して「ＥＬ層」と記載する。）を形成する場合、インク組成物の吐出量は、特に限定されないが、１〜５０ｐＬ／回であることが好ましく、１〜３０ｐＬ／回であることがより好ましく、１〜２０ｐＬ／回であることがさらに好ましい。
また、ノズル孔の開口径は、５〜５０μｍ程度であることが好ましく、１０〜３０μｍ程度であることがより好ましい。これにより、ノズル孔の目詰まりを防止しつつ、吐出精度を高めることができる。
【０１１１】
塗膜を形成する際の温度は、特に限定されないが、１０〜５０℃程度であることが好ましく、１５〜４０℃程度であることがより好ましく、１５〜３０℃程度であることがさらに好ましい。かかる温度で液滴を吐出するようにすれば、インク組成物中に含まれる各種成分の結晶化を抑制することができる。
【０１１２】
また、塗膜を形成する際の相対湿度も、特に限定されないが、０．０１ｐｐｍ〜８０％程度であることが好ましく、０．０５ｐｐｍ〜６０％程度であることがより好ましく、０．１ｐｐｍ〜１５％程度であることがさらに好ましく、１ｐｐｍ〜１％程度であることが特に好ましく、５〜１００ｐｐｍ程度であることが最も好ましい。
相対湿度が前記下限値以上であると、塗膜を形成する際の条件の制御が容易となることから好ましい。一方、相対湿度が前記上限値以下であると、得られるＥＬ層に悪影響を及ぼし得る塗膜に吸着する水分量を低減することができることから好ましい。
【０１１３】
得られた塗膜を乾燥することにより、目的のＥＬ層が得られる
乾燥は、室温（２５℃）で放置して行っても、加熱することにより行ってもよい。乾燥を加熱により行う場合、乾燥温度は、特に限定されないが、４０〜１５０℃程度であることが好ましく、４０〜１２０℃程度であることがより好ましい。
【０１１４】
また、乾燥は、減圧下で行うことが好ましく、０．００１〜１００Ｐａ程度の減圧下で行うことがより好ましい。
さらに、乾燥時間は、１〜９０分間程度であることが好ましく、１〜３０分間程度であることがより好ましい。
このような乾燥条件で塗膜を乾燥することにより、得られるＥＬ層から液状媒体を確実に除去することができる。
【０１１５】
なお、赤色（Ｒ）の光を発する赤色用の発光素子１と、緑色（Ｇ）の光を発する緑色用の発光素子１と、青色（Ｂ）の光を発する青色用の発光素子１とを１組（単位画素）とし、複数組を基板上にマトリクス状に配置することにより、カラー画像を表示可能な表示装置を構成することができる。この場合、例えば、基板上には、各陽極２に電気的接続されるスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ素子）と、ゲートバスラインおよびソースバスライン等とが設けられる。
また、本発明のインク組成物を用いれば、基板上に設けられる取出電極を覆うことなく（避けて）、電子輸送層７および電子注入層８を形成することができる。このため、基板１の全面を覆うように陰極３を形成すれば、陰極３と取出電極との電気的な接続を容易かつ確実に得ることができる。
【０１１６】
また、本発明の発光素子では、図１に示す層構成と逆の層構成とすることもできる。すなわち、本発明の発光素子は、下側から順に陰極３／電子注入層８／電子輸送層７／発光層６／正孔輸送層５／正孔注入層４／陽極２の層構成、下側から順に陰極３／電子輸送層７／発光層６／正孔輸送層５／正孔注入層４／陽極２の層構成等とすることができる。かかる層構成の場合、例えば、電子輸送層７および発光層６を湿式成膜法により形成するのが好ましい。
以上、本発明の金属酸化物粒子、インク組成物および発光素子について説明したが、本発明は、前述した実施形態の構成に限定されるものではない。
例えば、本発明の金属酸化物粒子、インク組成物および発光素子は、それぞれ、前述した実施形態の構成において、他の任意の構成を追加して有していてもよいし、同様の機能を発揮する任意の構成と置換されていてよい。
【実施例】
【０１１７】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
１．インク組成物の調製
（インク組成物１）
まず、３００ｍＬの三ツ口フラスコに、酢酸亜鉛二水和物５．２５ｇ（２３．９７ｍｍｏｌ）とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１８０ｍＬとを仕込み、溶液（Ａ液）を調製した。
別途、水酸化カリウム１．３４ｇ（２３．９７ｍｍｏｌ）を６０ｍＬのエタノールに溶解させた溶液（Ｂ液）を調製した。なお、Ｂ液には若干の濁りが見られたため、０．４５μｍのシリンジフィルタで濾過して使用した。
次に、Ａ液を機械撹拌しつつ三ツ口フラスコを水浴に浸漬し、液温を２０℃にした。ペリスタポンプ（アトー株式会社製）でＢ液を３０分間かけてＡ液に全量注入した。なお、反応中は液温が２０±１℃になるよう調節した。
【０１１８】
Ｂ液の注入終了後、同温度にて３０分間撹拌を継続することで熟成させ、反応液１を得た（反応液１中のＺｎ濃度０．１Ｍ）。
次いで、反応液１に４２０ｍＬのトルエンを添加して酸化亜鉛粒子１を凝集させ、遠心分離機にて５０００ｒｐｍで５分間処理した。
その後、上澄み液を廃棄し、２５℃で１５分間真空乾燥させた後、ブタノールを添加し、超音波洗浄機で１５分間処理して、分散液１を得た。
次いで、得られた分散液１を０．４５μｍのシリンジフィルタで濾過して、固形分濃度２．９質量％のインク組成物１を得た。
酸化亜鉛粒子１において、亜鉛（主金属）に対するカリウム（アルカリ金属）の割合はＩＣＰ−ＡＥＳ（パーキンエルマー製Ｏｐｔｉｍａ８００）による測定の結果、６．７原子％であり、電子顕微鏡（日本電子製ＪＥＭ２２００ＦＳ）観察から測長された平均一次粒子径は３．５ｎｍであり、インク組成物１中における酸化亜鉛粒子１の平均二次粒子径（動的光散乱測定（大塚電子製ＥＬＳＺ−２０００）による体積分布平均径）は１３．６ｎｍであった。
【０１１９】
（インク組成物２）
Ｂ液に使用する溶媒としてメタノールを使用したこと、Ｂ液を濾過しなかったこと、およびインク組成物に使用する分散媒としてエタノールを使用したこと以外は、インク組成物１と同様にして、固形分濃度５．６質量％のインク組成物２を得た。
酸化亜鉛粒子２において、亜鉛（主金属）に対するカリウム（アルカリ金属）の割合は５．３原子％であり、平均一次粒子径は２．５ｎｍであり、インク組成物２中における酸化亜鉛粒子２の平均二次粒子径は１２．２ｎｍであった。
【０１２０】
（インク組成物３）
インク組成物に使用する分散媒としてエタノールを使用したこと以外は、インク組成物１と同様にして、固形分濃度５．２質量％のインク組成物３を得た。
酸化亜鉛粒子３において、亜鉛（主金属）に対するカリウム（アルカリ金属）の割合は１０．３原子％であり、平均一次粒子径は３．４ｎｍであり、インク組成物３中における酸化亜鉛粒子３の平均二次粒子径は１１．９ｎｍであった。
【０１２１】
（インク組成物４）
まず、３００ｍＬの三ツ口フラスコに、酢酸亜鉛二水和物５．２５ｇ（２３．９７ｍｍｏｌ）とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１８０ｍＬとを仕込み、溶液（Ａ液）を調製した。
別途、水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物３．６９ｇ（２３．９７ｍｍｏｌ）を６０ｍＬのエタノールに溶解させた溶液（Ｂ液）を調製した。
次に、Ａ液を機械撹拌しつつ三ツ口フラスコを水浴に浸漬し、液温を２０℃にした。ペリスタポンプ（アトー株式会社製）でＢ液を３０分間かけてＡ液に全量注入した。なお、反応中は液温が２０±１℃になるよう調節した。
【０１２２】
Ｂ液の注入終了後、同温度にて３０分間撹拌を継続することで熟成させ、反応液４を得た（反応液４中のＺｎ濃度０．１Ｍ）。
次いで、反応液４に４２０ｍＬのトルエンを添加して酸化亜鉛粒子４を凝集させ、遠心分離機にて５０００ｒｐｍで５分間処理した。
その後、上澄み液を廃棄し、２５℃で１５分間真空乾燥させた後、ブタノールを添加し、超音波洗浄機で１５分間処理して、分散液を得た。
次いで、得られた分散液を０．４５μｍのシリンジフィルタで濾過して、固形分濃度３．３質量％のインク組成物４を得た。
酸化亜鉛粒子４中にアルカリ金属は検出されず、平均一次粒子径は３．６ｎｍであり、インク組成物４中における酸化亜鉛粒子４の平均二次粒子径は２３．５ｎｍであった。
【０１２３】
（インク組成物５）
まず、３００ｍＬの三ツ口フラスコに、酢酸亜鉛二水和物３．００ｇ（１３．７０ｍｍｏｌ）とメタノール１２０ｍＬとを仕込み、溶液（Ａ液）を調製した。
別途、水酸化カリウム１．５１ｇ（２６．９６ｍｍｏｌ）を６０ｍＬのメタノールに溶解させて、溶液（Ｂ液）を調製した。
次に、Ａ液を機械撹拌しつつ三ツ口フラスコを水浴に浸漬し、液温を６０℃にした。Ｂ液を３０分間かけてＡ液に全量滴下した。なお、反応中は液温が６０±２℃になるよう調節した。
【０１２４】
Ｂ液の滴下終了後、同温度にて２時間１５分間撹拌を継続することで熟成させ、反応液５を得た。
次いで、反応液５を遠心分離機にて４０００ｒｐｍで５分間処理した。その後、上澄み液を廃棄し、再度メタノールを添加した。この操作を２回繰り返した。
次いで、エタノールを加え、超音波洗浄機で１５分間処理して、固形分濃度２．８質量％のインク組成物５を得た。インク組成物５の外観は白濁しており、静置すると２４時間後には全ての酸化亜鉛粒子が沈殿した。
酸化亜鉛粒子５において、亜鉛（主金属）に対するカリウム（アルカリ金属）の割合は１５．８原子％であり、平均一次粒子径は６．７ｎｍ、インク組成物５中における酸化亜鉛粒子５の平均二次粒子径は１００ｎｍ以上であった。
【０１２５】
２．赤色発光性のナノ結晶の作製
２−１．ラウリン酸インジウム溶液の調製
まず、１−オクタデセン（ＯＤＥ）１０ｇ、酢酸インジウム１４６ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）およびラウリン酸３００ｍｇ（１．５ｍｍｏｌ）を、反応フラスコに添加して、混合物を得た。
次に、真空下において混合物を１４０℃にて２時間加熱することで、透明な溶液（ラウリン酸インジウム溶液）を得た。この溶液は、必要になるまで室温でグローブボックス中に維持した。
なお、ラウリン酸インジウムは、室温では溶解性が低く沈殿し易いため、ラウリン酸インジウム溶液を使用する際は、当該溶液（ＯＤＥ混合物）中の沈殿したラウリン酸インジウムを約９０℃に加熱して、透明な溶液を形成した後、所望量を計量して用いた。
【０１２６】
２−２．赤色発光性のナノ結晶コア（ＩｎＰコア）の作製
まず、トリオクチルホスフィンオキサイド（ＴＯＰＯ）５ｇ、酢酸インジウム１．４６ｇ（５ｍｍｏｌ）およびラウリン酸３．１６ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）を、反応フラスコに添加して、混合物を得た。
次に、窒素（Ｎ２）環境下において、混合物を１６０℃にて４０分間加熱した後、真空下で２５０℃にて２０分間加熱した。
次いで、反応温度（混合物の温度）を窒素（Ｎ２）環境の下で３００℃に昇温した。
この温度で、１−オクタデセン（ＯＤＥ）３ｇとトリス（トリメチルシリル）ホスフィン０．２５ｇ（１ｍｍｏｌ）との混合物を反応フラスコに迅速に導入し、反応温度を２６０℃に維持した。
【０１２７】
５分経過後、ヒーターの除去により反応を停止させ、得られた反応溶液を室温に冷却した。
次いで、トルエン８ｍＬおよびエタノール２０ｍＬを、グローブボックス中の反応溶液に添加した。
続いて、遠心分離を行ってナノ結晶を沈殿させた後、上澄みの傾瀉によってナノ結晶を回収した。
次いで、回収されたナノ結晶をヘキサンに分散させた。これにより、ナノ結晶を５質量％で含有する分散液（ヘキサン分散液）を得た。
【０１２８】
上記で得られたナノ結晶のヘキサン分散液およびラウリン酸インジウム溶液を反応フラスコに仕込んで、混合物を得た。
ナノ結晶のヘキサン分散液およびラウリン酸インジウム溶液の仕込量は、それぞれ、０．５ｇ（ナノ結晶が２５ｍｇ）、５ｇ（ラウリン酸インジウムが１７８ｍｇ）となるように調整した。
真空下、室温にて混合物を１０分間静置した後、窒素ガスでフラスコ内を常圧に戻し、混合物の温度を２３０℃に上げ、その温度で２時間保持してヘキサンをフラスコ内部から除去した。
【０１２９】
次いで、フラスコ内温を２５０℃まで昇温した後、１−オクタデセン（ＯＤＥ）３ｇおよびトリス（トリメチルシリル）ホスフィン０．０３ｇ（０．１２５ｍｍｏｌ）の混合物を反応フラスコに迅速に導入し、反応温度を２３０℃に維持した。
５分経過後、ヒーターの除去により反応を停止させ、得られた反応溶液を室温に冷却した。
次いで、トルエン８ｍＬおよびエタノール２０ｍＬをグローブボックス中の反応溶液に添加した。
続いて遠心分離を行い、ナノ結晶コア（ＩｎＰコア）を沈殿させた後、上澄みの傾瀉によって、ナノ結晶コア（ＩｎＰコア）を回収した。
次いで、回収されたナノ結晶コア（ＩｎＰコア）をヘプタンに分散させて、ナノ結晶コア（ＩｎＰコア）を５質量％で含有する分散液（ヘプタン分散液）を得た。
【０１３０】
２−３．赤色発光性のナノ結晶シェル（ＺｎＳｅＳ／ＺｎＳシェル）の形成
まず、上記で得られたナノ結晶コア（ＩｎＰコア）のヘプタン分散液を、反応フラスコに２．５ｇ加えた。
その後、室温にて、オレイン酸０．７ｇを反応フラスコに添加し、温度を８０℃に上げて２時間保持した。
次いで、この反応混合物中に、ＯＤＥ１ｍＬに溶解したジエチル亜鉛１４ｍｇ、ビス（トリメチルシリル）セレニド８ｍｇおよびヘキサメチルジシラチアン７ｍｇ（ＺｎＳｅＳ前駆体溶液）を滴下し、ヘプタンを留去しつつ、２００℃に昇温して１０分間保持した。
その後、室温に冷却することによって、厚さが０．５ｎｍの単層ＺｎＳｅＳシェルを形成した。
【０１３１】
次いで、温度を１４０℃に昇温して３０分間保持した。
次に、この反応混合物中に、ＯＤＥ２ｍＬにジエチル亜鉛６９ｍｇおよびヘキサメチルジシラチアン６６ｍｇを溶解して得られたＺｎＳ前駆体溶液を滴下し、温度を２００℃に昇温して３０分間保持した。これにより、厚さが２ｎｍの単層ＺｎＳシェルを形成した。
ＺｎＳ前駆体溶液の滴下終了１０分後に、ヒーターの除去により反応を停止させた。
次いで、反応混合物を室温に冷却し、生成した白色沈殿物を遠心分離によって除去した。これにより、赤色発光性のＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ／ＺｎＳナノ結晶が分散したナノ結晶分散液（ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ／ＺｎＳナノ結晶のＯＤＥ分散液）を得た。
【０１３２】
得られたＯＤＥ分散液に１０ｍＬのアセトンを加えて、赤色発光性のナノ結晶を凝集させ、遠心分離によって沈殿させた。
その後、上澄みの傾瀉によって赤色発光性のナノ結晶の固形物を得た。
これにヘプタンを加えて再分散させて、赤色発光性のナノ結晶を５重量％で含有する分散液を得た。
【０１３３】
３．発光素子の製造
（実施例１）
まず、洗浄したＩＴＯ基板に、ＵＶ／Ｏ３を照射し、スピンコートによりポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を成膜し、厚さが４５ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を大気中にて１８０℃で１５分間加熱し、正孔注入層を形成した。
次いで、ＴＦＢの０．６重量％キシレン溶液を、正孔注入層上にスピンコートにより成膜し、厚さが２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を窒素雰囲気下にて２００℃で３０分間乾燥させ、正孔輸送層を形成した。
【０１３４】
次に、上記で作製した赤色発光性のナノ結晶を含有する分散液を、正孔輸送層上にスピンコートにより成膜し、厚さが３０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を窒素雰囲気下にて１１０℃で１５分間乾燥させ、発光層を形成した。
次に、インク組成物１を発光層上にスピンコートにより成膜し、厚さが３０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を窒素雰囲気下にて１１０℃で１５分間乾燥させ、電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層まで形成されたＩＴＯ基板を真空蒸着機に搬送し、アルミニウムを蒸着した。これにより、厚さが１００ｎｍの陰極を形成した。
さらに、陰極まで形成されたＩＴＯ基板をグローブボックスに搬送し、エポキシ樹脂を塗布した封止ガラスをＩＴＯ基板に貼りあわせた。これにより、発光素子を製造した。
【０１３５】
（実施例２）
インク組成物１に代えてインク組成物２を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光素子を製造した。
（実施例３）
インク組成物１に代えてインク組成物３を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光素子を製造した。
【０１３６】
（比較例１）
インク組成物１に代えてインク組成物４を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光素子を製造した。
（比較例２）
インク組成物１に代えてインク組成物５を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光素子を製造した。
【０１３７】
４．発光素子の評価
各実施例および各比較例で得られた発光素子に対して、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加して発光させた際の輝度を輝度計（株式会社トプコン製、「ＢＭ−９」）にて測定した。
比較例１で得られた発光素子の輝度を１００％とし、各実施例および比較例２で得られた発光素子の輝度を相対値として求めた。
以上の結果を表１にまとめて示す。
【０１３８】
【表１】
2020181888.tif 000002
【０１３９】
各実施例で得られた発光素子は、電子注入性が良好であり、高い発光効率が得られた。また、酸化亜鉛粒子に含まれるアルカリ金属の量を調整することで、発光効率が向上する傾向を示した。
これに対して、比較例１で得られた発光素子は、電子注入性が不良であり、十分な発光効率が得られなかった。また、比較例２で得られた発光素子は、酸化亜鉛粒子に含まれるアルカリ金属の量が多過ぎるため、酸化亜鉛粒子の分散性が悪く凝集する結果、透明で平滑な電荷輸送層が得られず、十分な発光効率が得られなかった。
【符号の説明】
【０１４０】
１      発光素子
２      陽極
３      陰極
４      正孔注入層
５      正孔輸送層
６      発光層
７      電子輸送層
８      電子注入層
【図１】
2020181888.tif 000003