(57)【要約】【課題】レーザーリフトオフする際に、移設部材への光デバイスの転写率が低くなることを抑制することが可能な光デバイス層を移設する移設方法を提供すること。【解決手段】光デバイス層を移設する移設方法は、移設部材接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層転写ステップＳＴ１３と、接着剤除去ステップＳＴ１４と、光デバイス層移設ステップＳＴ１５と、を含む。移設部材接合ステップＳＴ１１では、光デバイスウエーハと移設部材とを接着剤を介して接合し、光デバイスウエーハのチップサイズに分割された光デバイス層と光デバイス層の隙間に接着剤を充填する。接着剤除去ステップＳＴ１４では、移設部材接合ステップＳＴ１１で接着剤層に埋設された光デバイス層が接着剤層から突出するように、光デバイス層と光デバイス層の隙間に充填された接着剤の少なくとも一部を除去する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップサイズに分割された光デバイス層がバッファ層を介してエピタキシー基板の表面に積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設する移設方法であって、
該光デバイスウエーハと移設部材とを接着剤を介して接合し、該光デバイスウエーハのチップサイズに分割された光デバイス層と光デバイス層の隙間に該接着剤を充填する移設部材接合ステップと、
該移設部材接合ステップを実施した後、該移設部材が接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をバッファ層に照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、
該バッファ層破壊ステップを実施した後、該エピタキシー基板を該光デバイス層から剥離して、該エピタキシー基板に積層されていた光デバイス層を該移設部材に転写する光デバイス層転写ステップと、
該光デバイス層転写ステップの後、該移設部材接合ステップで接着剤層に埋設された該光デバイス層が該接着剤層から突出するように、光デバイス層と光デバイス層の隙間に充填された接着剤の少なくとも一部を除去する接着剤除去ステップと、
該接着剤除去ステップの後、該接着剤層から突出した光デバイス層を実装基板へと移設する光デバイス層移設ステップと、
を含むことを特徴とする、光デバイス層を移設する移設方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス層を移設する移設方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）などの光デバイスは、例えば、ｐｎ接合を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をサファイア基板の表面上にエピタキシャル成長させることにより形成される。このように形成された光デバイス層をサファイア基板から剥離して移設部材へ転写するレーザーリフトオフという剥離技術が知られている（特許文献１及び２参照）。近年では、マイクロＬＥＤと呼ばれる極小サイズのＬＥＤの製造技術も発展しており、エッチングにより半導体層を分割して多数のＬＥＤを作製する技術が知られている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−０７２０５２号公報
【特許文献２】特開２０１６−０２１４６４号公報
【特許文献３】特開２０１８−１０７４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記のマイクロＬＥＤをレーザーリフトオフする際に、移設部材へのＬＥＤの転写率が低くなってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザーリフトオフする際に、移設部材への光デバイスの転写率が低くなることを抑制することが可能な光デバイス層を移設する移設方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光デバイス層を移設する移設方法は、チップサイズに分割された光デバイス層がバッファ層を介してエピタキシー基板の表面に積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設する移設方法であって、該光デバイスウエーハと移設部材とを接着剤を介して接合し、該光デバイスウエーハのチップサイズに分割された光デバイス層と光デバイス層の隙間に該接着剤を充填する移設部材接合ステップと、該移設部材接合ステップを実施した後、該移設部材が接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をバッファ層に照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、該バッファ層破壊ステップを実施した後、該エピタキシー基板を該光デバイス層から剥離して、該エピタキシー基板に積層されていた光デバイス層を該移設部材に転写する光デバイス層転写ステップと、該光デバイス層転写ステップの後、該移設部材接合ステップで接着剤層に埋設された該光デバイス層が該接着剤層から突出するように、光デバイス層と光デバイス層の隙間に充填された接着剤の少なくとも一部を除去する接着剤除去ステップと、該接着剤除去ステップの後、該接着剤層から突出した光デバイス層を実装基板へと移設する光デバイス層移設ステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明は、レーザーリフトオフする際に、移設部材への光デバイスの転写率が低くなることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハの斜視図である。
【図２】図２は、図１の光デバイスウエーハの断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る移設方法を示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３の移設部材接合ステップの一状態を示す断面図である。
【図５】図５は、図３の移設部材接合ステップの図４後の一状態を示す断面図である。
【図６】図６は、図３のバッファ層破壊ステップの一例を示す斜視図である。
【図７】図７は、図３の光デバイス層転写ステップの一例を示す斜視図である。
【図８】図８は、図３の接着剤除去ステップの一例を示す斜視図である。
【図９】図９は、図３の光デバイス層移設ステップの一状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図３の光デバイス層移設ステップの図９後の一状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１０】
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係る移設方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハ１の斜視図である。図２は、図１の光デバイスウエーハ１の断面図である。なお、図１及び図２は、本実施形態の説明のため、実際よりも光デバイスウエーハ１に対して光デバイス層５等を大きく模式的に示しており、以降の図面についても同様である。光デバイスウエーハ１は、図２に示すように、エピタキシー基板２と、エピタキシー基板２の表面３側にバッファ層４を介して積層された光デバイス層５と、を含む。
【００１１】
エピタキシー基板２は、本実施形態では、直径が２インチ（約５０ｍｍ）程度で厚みが３００μｍ程度の円板形状を有するサファイア基板である。光デバイス層５は、本実施形態では、図２に示すように、エピタキシー基板２の表面３にエピタキシャル成長法によって合計６μｍ程度の厚さで形成されるｎ型窒化ガリウム半導体層５−１及びｐ型窒化ガリウム半導体層５−２であり、例えば、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）として使用されるものである。バッファ層４は、実施形態１では、エピタキシー基板２に光デバイス層５を積層する際に、エピタキシー基板２の表面３と光デバイス層５のｐ型窒化ガリウム半導体層５−２との間に形成される厚みが１μｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）層である。
【００１２】
光デバイス層５は、本実施形態では、図１に示すように、格子状に交差した複数のストリート６によって区画された複数の領域に、チップサイズに分割されて積層され、光デバイス７を形成している。光デバイス層５同士の間隔、すなわち、光デバイス７同士の間隔は、ストリート６の幅と同じであり、本実施形態では、５μｍ程度である。また、光デバイス層５の大きさ、すなわち、光デバイス７の大きさは、ストリート６同士の間隔と同じであり、本実施形態では、１０μｍ以上２０μｍ以下である。すなわち、光デバイス層５は、本実施形態では、直径が２インチのエピタキシー基板２に２００万個程度の、マイクロＬＥＤとして使用される光デバイス７が形成されている。
【００１３】
次に、実施形態に係る移設方法を説明する。図３は、実施形態に係る移設方法を示すフローチャートである。移設方法は、光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法であって、図３に示すように、移設部材接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層転写ステップＳＴ１３と、接着剤除去ステップＳＴ１４と、光デバイス層移設ステップＳＴ１５と、を含む。
【００１４】
図４は、図３の移設部材接合ステップＳＴ１１の一状態を示す断面図である。図５は、図３の移設部材接合ステップＳＴ１１の図４後の一状態を示す断面図である。移設部材接合ステップＳＴ１１は、図４及び図５に示すように、光デバイスウエーハ１と移設部材１１とを接着剤１２を介して接合し、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に接着剤１２を充填するステップである。
【００１５】
移設部材接合ステップＳＴ１１では、具体的には、図４に示すように、まず、移設部材１１としてエピタキシー基板２と同様の大きさを有する移設基板を準備し、移設部材１１の一方の面に、光デバイス層５と光デバイス層５との隙間に相当するストリート６の総体積以上の体積を有する接着剤１２を塗布する。
【００１６】
なお、移設部材１１は、本実施形態では、エピタキシー基板２と同程度の０．３ｍｍ程度の厚みを有するガラス基板が好適な基板として用いられるが、本発明はこれに限定されず、有機化合物を含んで構成される接着剤１２との間で接着可能なものであれば、金属製の基板等のその他の種々の材料の基板を用いることができる。
【００１７】
また、接着剤１２は、有機化合物を含んで構成されるもの、例えば、粘着テープに使用される糊が好適なものとして用いられる。接着剤１２は、加熱されることで軟化して粘性が低下し、更に加熱するか、または紫外線を照射することで、硬化反応等の化学反応が起きて硬化して粘性がさらに低下する性質を有する。
【００１８】
移設部材接合ステップＳＴ１１では、次に、エピタキシー基板２に積層された光デバイス層５と移設部材１１に塗布された接着剤１２とを対向させて、接近させ、接触させる。移設部材接合ステップＳＴ１１では、さらに、エピタキシー基板２の表面３とは反対側の面である裏面８側から移設部材１１に向かって、または、移設部材１１の接着剤１２が塗布された側とは反対側の面からエピタキシー基板２に向かって、押圧することで、図５に示すように、光デバイス層５に沿って接着剤１２を変形させて、光デバイス層５を完全に接着剤１２にめり込ませる。このようにして、移設部材接合ステップＳＴ１１では、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に接着剤１２を充填する。
【００１９】
ここで、移設部材接合ステップＳＴ１１では、押圧力が、光デバイスウエーハ１及び移設部材１１が破壊しない程度に強ければ強いほど好ましく、この場合、接着剤１２がより好適に光デバイス層５に沿って変形することで、より好適に光デバイス層５と光デバイス層５との隙間を充填することができる。また、移設部材接合ステップＳＴ１１では、エピタキシー基板２の裏面８側または移設部材１１側から、接着剤１２が硬化反応等の化学反応が起きない程度に加熱することが好ましく、この場合、接着剤１２の粘性が低下するため、接着剤１２がより好適に光デバイス層５に沿って変形することで、より好適に光デバイス層５と光デバイス層５との隙間を充填することができる。
【００２０】
図６は、図３のバッファ層破壊ステップＳＴ１２の一例を示す斜視図である。バッファ層破壊ステップＳＴ１２は、図６に示すように、移設部材接合ステップＳＴ１１を実施した後、移設部材１１が接合された光デバイスウエーハ１のエピタキシー基板２の裏面８側からエピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線３４をバッファ層４に照射し、バッファ層４を破壊するステップである。
【００２１】
バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、具体的には、図６に示すように、まず、移設部材接合ステップＳＴ１１で接合した光デバイスウエーハ１と移設部材１１との接合体の移設部材１１側の面を、不図示の真空源に接続したチャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持する。
【００２２】
バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、次に、レーザー光線照射手段３０により、チャックテーブル２０で保持した光デバイスウエーハ１と移設部材１１との接合体のエピタキシー基板２の裏面８側から、エピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線３４をバッファ層４に照射することで、バッファ層４を破壊する。バッファ層破壊ステップＳＴ１２は、本実施形態では、エピタキシー基板２の全面に対してパルスレーザー光線３４の照射を実行しているが、本発明はこれに限定されず、エピタキシー基板２のバッファ層４が形成されている位置のみに対してパルスレーザー光線３４の照射を実行しても良い。
【００２３】
ここで、レーザー光線照射手段３０は、図６に示すように、レーザー光線発振手段３１により上記した所定の波長のパルスレーザー光線３４を発振し、光学ミラー３２によりレーザー光線発振手段３１からのパルスレーザー光線３４をチャックテーブル２０で保持した接合体のエピタキシー基板２の裏面８に直交する方向に向きを変更し、集光レンズ３３により光学ミラー３２からのパルスレーザー光線３４を集光してパルスレーザー光線３４のスポット径及びデフォーカスを調整することで、バッファ層破壊ステップＳＴ１２におけるパルスレーザー光線３４の照射条件を調整する。
【００２４】
バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、例えば、繰り返し周波数が５０ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下であり、平均出力が０．１Ｗ以上２．０Ｗ以下であり、パルス幅が２０ｐｓ以下の波長約２５７ｎｍの紫外線レーザー光をパルスレーザー光線３４として用いて、スポット径を１０μｍ以上５０μｍ以下とし、デフォーカスを約１．０ｍｍに調整して、バッファ層４の破壊処理を実行する。
【００２５】
図７は、図３の光デバイス層転写ステップＳＴ１３の一例を示す斜視図である。光デバイス層転写ステップＳＴ１３は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２を実施した後、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して、エピタキシー基板２に積層されていた光デバイス層５を移設部材１１に転写するステップである。
【００２６】
光デバイス層転写ステップＳＴ１３では、具体的には、バッファ層破壊ステップＳＴ１２でバッファ層４が破壊された接合体のエピタキシー基板２の裏面８側から、不図示の超音波振動手段が配設されたホーンにより超音波振動を付与することで、破壊されたバッファ層４を起点として、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して光デバイス層５を移設部材１１に転写する。
【００２７】
このようにして、バッファ層破壊ステップＳＴ１２及び光デバイス層転写ステップＳＴ１３によるいわゆるレーザーリフトオフを実施することで、移設部材１１の一方の面に塗布して形成された接着剤１２に光デバイス層５（光デバイス７）が埋設されて転写された図７に示す光デバイス層転写基板１０を得る。
【００２８】
図８は、図３の接着剤除去ステップＳＴ１４の一例を示す斜視図である。接着剤除去ステップＳＴ１４は、図８に示すように、光デバイス層転写ステップＳＴ１３の後、移設部材接合ステップＳＴ１１で接着剤１２の層である接着剤層に埋設された光デバイス層５が接着剤層から突出するように、光デバイス層５と光デバイス層５との隙間に充填された接着剤１２の少なくとも一部を除去するステップである。
【００２９】
接着剤除去ステップＳＴ１４では、具体的には、まず、図６に示すように、光デバイス層転写ステップＳＴ１３で得られた光デバイス層転写基板１０の移設部材１１側の面を、チャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持する。接着剤除去ステップＳＴ１４では、次に、チャックテーブル２０の保持面２１で保持された光デバイス層転写基板１０とレーザー光線照射手段４０によるレーザー光線４１の照射位置との位置合わせを行うアライメントを遂行する。
【００３０】
なお、本実施形態では、接着剤除去ステップＳＴ１４で使用するレーザー光線照射手段４０と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２で使用するレーザー光線照射手段３０とは異なるものであるが、本発明ではこれに限定されず、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と接着剤除去ステップＳＴ１４とで同じレーザー光線照射手段を使用してもよい。
【００３１】
接着剤除去ステップＳＴ１４では、次に、光デバイス層転写基板１０の接着剤１２に光デバイス層５（光デバイス７）が転写された側から、光デバイス層５（光デバイス７）へのレーザー光線４１の照射を避けて、光デバイス層５（光デバイス７）同士の間の接着剤１２の少なくとも一部へレーザー光線４１を照射して、この接着剤１２を選択的にレーザーアブレーション加工することで除去する。
【００３２】
接着剤除去ステップＳＴ１４では、例えば、繰り返し周波数が１００ｋＨｚ以上１０００ｋＨｚ以下であり、平均出力が０．２Ｗ以上１．５Ｗ以下であり、波長約２５７ｎｍ以上約５１５ｎｍ以下の紫外線領域から可視光領域のレーザー光をレーザー光線４１として用いて、スポット径を０．５μｍ以上３μｍ以下と絞って、このようなレーザー光線４１を１００ｍｍ／ｓ以上６００ｍｍ／ｓ以下で接着剤１２上を走査することで、接着剤１２の除去処理を実行する。
【００３３】
接着剤除去ステップＳＴ１４では、接着剤１２の除去厚み１２−１を光デバイス層５（光デバイス７）の厚みの半分以上とすることが好ましく、この場合、後述する光デバイス層移設ステップＳＴ１５で、光デバイス層５（光デバイス７）を接着剤１２から好適にピックアップすることを可能にする。なお、接着剤除去ステップＳＴ１４では、接着剤１２の除去厚み１２−１を移設部材１１に到達する深さ分未満とすることが好ましく、この場合、移設部材１１をレーザー光線４１でアブレーション加工してしまう可能性を抑制することができる。
【００３４】
また、接着剤除去ステップＳＴ１４では、接着剤１２の除去厚み１２−１を所定の範囲内にすることが好ましく、一定にすることがより好ましく、これらの場合、後述する光デバイス層移設ステップＳＴ１５で、光デバイス層５（光デバイス７）を所定の範囲内の力で安定して接着剤１２からピックアップすることを可能にする。
【００３５】
本実施形態では、光デバイス層５（光デバイス７）が転写された領域が１０μｍ以上２０μｍ以下のスケールであり、接着剤１２が露出した領域がストリート６の幅と同様の５μｍ程度のスケールであり、接着剤１２の除去厚み１２−１が光デバイス層５（光デバイス７）の厚みの半分程度と同様の３μｍ程度のスケールである。接着剤除去ステップＳＴ１４では、レーザー光線４１によりレーザーアブレーション加工するので、本実施形態のようなμｍ単位のスケールの接着剤１２の除去領域１２−２及び除去厚み１２−１を制御することができる。
【００３６】
本実施形態では、光デバイス層５（光デバイス７）が転写された領域と、接着剤１２が露出した領域とが、周期的に配列されている。このため、接着剤除去ステップＳＴ１４では、設定した周期でレーザー光線４１のＯＮ及びＯＦＦを繰り返しながらレーザーアブレーション加工する所謂ＨａｓｅｎＣｕｔ（登録商標）や、ガルバノスキャナー、レゾナントスキャナー、音響光学偏向素子又はポリゴンミラー等を備えるスキャニング手段によるレーザー光線４１の走査等によって、接着剤１２を除去することが好ましい。接着剤除去ステップＳＴ１４では、具体的には、レーザー光線４１をＯＮ及びＯＦＦを繰り返しながら照射する。例えば、接着剤１２が露出した領域においてはレーザー光線４１をＯＮで照射して、光デバイス層５（光デバイス７）が転写された領域においては、レーザー光線４１をＯＦＦにして通過させる。
【００３７】
図９は、図３の光デバイス層移設ステップＳＴ１５の一状態を示す断面図である。図１０は、図３の光デバイス層移設ステップＳＴ１５の図９後の一状態を示す断面図である。光デバイス層移設ステップＳＴ１５は、図９及び図１０に示すように、接着剤除去ステップＳＴ１４の後、接着剤層から突出した光デバイス層５を実装基板１００へと移設するステップである。
【００３８】
光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、具体的には、まず、ピックアップユニット５０の光デバイス層５（光デバイス７）と対向する位置に配列して設けられたピックアップ部５１でそれぞれの光デバイス層５（光デバイス７）をピックアップする前に、光デバイス層５（光デバイス７）を支持する接着剤１２の粘着性を低下させる粘着性低下処理を実施することが好ましい。粘着性低下処理は、例えば、接着剤１２を加熱することで接着剤１２の粘性を低下させる処理や、接着剤１２に紫外線を照射したりさらに加熱したりすることで重合反応等の硬化反応を引き起こすことで接着剤１２の粘着性を低下させる処理であり、ピックアップユニット５０による光デバイス層５（光デバイス７）をより低い力でピックアップすることを可能にし、ピックアップする確率を高めるとともに、光デバイス層５（光デバイス７）に接着剤１２が残存することを低減、抑制するものである。
【００３９】
光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、次に、図９に示すように、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１で、各光デバイス層５（光デバイス７）を把持または吸着保持することで、ピックアップする。光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、その後、図１０に示すように、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１でピックアップした各光デバイス層５（光デバイス７）を、実装基板１００上に光デバイス層５（光デバイス７）と同様の形状、サイズ及び間隔等で配列して設けられた接合層１１０上に移動させて載置する。
【００４０】
光デバイス層移設ステップＳＴ１５で実装基板１００の接合層１１０上に移設された各光デバイス層５（光デバイス７）は、接合層１１０を介して実装基板１００に接合されて実装される。
【００４１】
このようにして、光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、本実施形態では、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１で、接着剤１２から突出した各光デバイス層５（光デバイス７）を、全面一度に、実装基板１００へと移設するので、効率よく光デバイス層５（光デバイス７）を移設することができる。なお、本発明ではこれに限定されず、１つのピックアップ部５１で、接着剤１２から突出した各光デバイス層５（光デバイス７）を１つずつ実装基板１００へと移設してもよく、この場合、各光デバイス層５（光デバイス７）の移設精度を高めることができる。
【００４２】
実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法は、移設部材接合ステップＳＴ１１で、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に接着剤１２を充填させた状態にして、光デバイスウエーハ１と移設部材１１とを接着剤１２を介して接合するので、レーザーリフトオフする際に、移設部材１１への光デバイス７（光デバイス層５）の転写率が低くなることを抑制することができるという作用効果を奏する。
【００４３】
また、実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法は、接着剤除去ステップＳＴ１４で、光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に充填された接着剤１２の少なくとも一部を除去することで、移設部材接合ステップＳＴ１１で接着剤層に埋設された光デバイス層５を接着剤層から突出させるので、光デバイス層５（光デバイス７）を実装基板１００に移設する移設効率及び移設精度が低くなることを抑制することができるという作用効果を奏する。
【００４４】
〔変形例〕
本発明の実施形態の変形例に係る移設方法を説明する。変形例に係る移設方法は、接着剤除去ステップＳＴ１４が異なること以外、実施形態と同じである。
【００４５】
変形例に係る接着剤除去ステップＳＴ１４は、実施形態に係るレーザー光線４１の照射に代えて、エッチング処理やスクライバー加工処理で、接着剤１２を選択的に除去する。
【００４６】
変形例に係る接着剤除去ステップＳＴ１４では、例えば、接着剤１２との間で化学反応を起こすことで接着剤１２を除去し、なおかつ、光デバイス層５との間で顕著な化学反応をほとんど起こさない液体又は気体の化合物を含有するエッチング剤を、光デバイス層５及び接着剤１２に向けて供給することで、エッチング処理により接着剤１２を選択的に除去する。
【００４７】
また、変形例に係る接着剤除去ステップＳＴ１４では、例えば、先端の直径が接着剤１２の露出領域及びストリート６の幅と同様もしくはそれより小さい数μｍ以下程度のスケールの金属製又はダイヤモンド製等の工具のスクライバーを用いて、ストリート６に沿って接着剤１２の露出領域を削ることで、スクライバー加工処理により接着剤１２を選択的に除去する。
【００４８】
これらの変形例に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法は、実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法と同様の作用効果を奏するものとなる。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  光デバイスウエーハ
２  エピタキシー基板
３  表面
４  バッファ層
５  光デバイス層
７  光デバイス
８  裏面
１１  移設部材
１２  接着剤
１００  実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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