(57)【要約】【課題】デバイスチップと樹脂との間の段差を抑制すること。【解決手段】パッケージ基板の製造方法は、個片化されたデバイスチップを固定するための粘着性部材が積層される基板を準備する基板準備ステップＳＴ１と、複数のデバイスチップを粘着性部材に押しつけ基板に固定するデバイスチップ固定ステップＳＴ３と、デバイスチップを樹脂で封止する樹脂封止ステップＳＴ４と、樹脂封止ステップＳＴ４の実施後に基板を剥離する基板除去ステップＳＴ５と、を備える。パッケージ基板の製造方法は、樹脂封止ステップＳＴ４の実施前に、デバイスチップ固定ステップＳＴ３においてデバイスチップの外縁に生じる粘着性部材の盛り上がりを相殺する深さ及び幅の溝を、基板の各デバイスチップを囲繞する位置に形成する溝形成ステップＳＴ２を更に備え、デバイスチップ固定ステップＳＴ３において、溝で区画された領域にデバイスチップを固定する。【選択図】図２
2020025011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板の製造方法であって、
個片化されたデバイスチップを固定するための粘着性部材が積層される基板を準備する基板準備ステップと、
該基板に該粘着性部材を積層し複数の該デバイスチップを該粘着性部材に押しつけ該基板に固定するデバイスチップ固定ステップと、
該デバイスチップを樹脂で封止する樹脂封止ステップと、
該樹脂封止ステップの実施後に該基板を剥離する基板除去ステップと、を備え、
該デバイスチップ固定ステップにおいて該デバイスチップの外縁に生じる該粘着性部材の盛り上がりを相殺する深さ及び幅の溝を、該基板の各デバイスチップを囲繞する位置に形成する基板の溝形成ステップを更に備え、
該デバイスチップ固定ステップにおいて、
該溝で区画された領域に該デバイスチップを固定することを特徴とする、
パッケージ基板の製造方法。
【請求項２】
パッケージ基板の製造方法であって、
個片化されたデバイスチップを固定するための粘着層が基材層に積層された粘着性部材を準備する粘着性部材準備ステップと、
複数の該デバイスチップを該粘着層に押しつけ該粘着性部材に固定するデバイスチップ固定ステップと、
該デバイスチップを樹脂で封止する樹脂封止ステップと、
該樹脂封止ステップの実施後に該粘着性部材を剥離する粘着性部材除去ステップと、を備え、
該デバイスチップ固定ステップにおいて該デバイスチップの外縁に生じる該粘着層の盛り上がりを相殺する深さ及び幅の溝を、該粘着層の各デバイスチップを囲繞する位置に形成する粘着性部材の溝形成ステップを更に備え、
該デバイスチップ固定ステップにおいて、
該粘着性部材の溝で区画された領域にデバイスチップを固定することを特徴とする、
パッケージ基板の製造方法。
【請求項３】
表面に積層される粘着性部材に複数の個片化されたデバイスチップが押しつけられて、該デバイスチップを固定する基板であって、
該表面の該デバイスチップを囲繞する位置に該表面から凹の溝が形成されていることを特徴とする基板。
【請求項４】
基材層と、基材層に積層された粘着層とを備え、かつ複数の個片化されたデバイスチップが該粘着層に押しつけられて、該デバイスチップを固定する粘着性部材であって、
該粘着層の表面の該デバイスチップを囲繞する位置に該表面から凹の溝が形成されていることを特徴とする粘着性部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板の製造方法、基板及び粘着性部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスチップを含むパッケージデバイスのサイズを小さくするために、ｅＷＬＢ（Embedded  Wafer  Level  Ball  Grid  Array）と呼ばれる半導体パッケージ技術が注目されている（例えば、特許文献１参照）。ｅＷＬＢ技術は、粘着テープが設置されたステンレス鋼等からなる基板にデバイスチップを固定する際に、後工程でのデバイスチップのずれを防止するために、粘着テープにデバイスチップのデバイス面を押しつけて固定するのが一般的である。
【０００３】
ｅＷＬＢ技術は、デバイスチップを粘着テープを介して基板に固定した後、デバイスチップを樹脂でモールドし、粘着テープとともに基板をデバイスチップから剥離した後、デバイスチップのデバイス面に再配線層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１６−５４０３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ｅＷＬＢ技術は、デバイスチップを粘着テープを介して基板に固定した際に、粘着テープにデバイスチップがめり込んで、デバイスチップがめり込んだ分の粘着テープがデバイスチップの外縁に盛り上がり、樹脂で封止した際にデバイスチップのエッジとモールドした樹脂の上面高さとの間に段差が生じるという現象が起きている。
【０００６】
ｅＷＬＢ技術は、樹脂で封止した際にデバイスチップのエッジとモールドした樹脂の上面高さとの間に段差が生じた場合、その後の再配線層を形成する工程において、再配線層を厚くして段差を解消する必要が生じ、コストがかかる上に再配線層の微細化も妨げられる。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスチップと樹脂との間の段差を抑制することができるパッケージ基板の製造方法、基板及び粘着性部材を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージ基板の製造方法は、パッケージ基板の製造方法であって、個片化されたデバイスチップを固定するための粘着性部材が積層される基板を準備する基板準備ステップと、該基板に該粘着性部材を積層し複数の該デバイスチップを該粘着性部材に押しつけ該基板に固定するデバイスチップ固定ステップと、該デバイスチップを樹脂で封止する樹脂封止ステップと、該樹脂封止ステップの実施後に該基板を剥離する基板除去ステップと、を備え、該デバイスチップ固定ステップにおいて該デバイスチップの外縁に生じる該粘着性部材の盛り上がりを相殺する深さ及び幅の溝を、該基板の各デバイスチップを囲繞する位置に形成する基板の溝形成ステップを更に備え、該デバイスチップ固定ステップにおいて、該溝で区画された領域に該デバイスチップを固定することを特徴とする。
【０００９】
本発明のパッケージ基板の製造方法は、パッケージ基板の製造方法であって、個片化されたデバイスチップを固定するための粘着層が基材層に積層された粘着性部材を準備する粘着性部材準備ステップと、複数の該デバイスチップを該粘着層に押しつけ該粘着性部材に固定するデバイスチップ固定ステップと、該デバイスチップを樹脂で封止する樹脂封止ステップと、該樹脂封止ステップの実施後に該粘着性部材を剥離する粘着性部材除去ステップと、を備え、該デバイスチップ固定ステップにおいて該デバイスチップの外縁に生じる該粘着層の盛り上がりを相殺する深さ及び幅の溝を、該粘着層の各デバイスチップを囲繞する位置に形成する粘着性部材の溝形成ステップを更に備え、該デバイスチップ固定ステップにおいて、該粘着性部材の溝で区画された領域にデバイスチップを固定することを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板は、表面に積層される粘着性部材に複数の個片化されたデバイスチップが押しつけられて、該デバイスチップを固定する基板であって、該表面の該デバイスチップを囲繞する位置に該表面から凹の溝が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明のパッケージ基板の粘着性部材は、基材層と、基材層に積層された粘着層とを備え、かつ複数の個片化されたデバイスチップが該粘着層に押しつけられて、該デバイスチップを固定する粘着性部材であって、該粘着層の表面の該デバイスチップを囲繞する位置に該表面から凹の溝が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本願発明は、デバイスチップと樹脂との間の段差を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法により製造されるパッケージ基板の要部の断面図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の基板準備ステップを示す断面図である。
【図４】図４は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の基板の要部の断面図である。
【図５】図５は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の基板の要部の平面図である。
【図６】図６は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法のデバイスチップ固定ステップの粘着性部材を積層した状態を示す断面図である。
【図７】図７は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法のデバイスチップ固定ステップのデバイスチップを固定した状態を示す断面図である。
【図８】図８は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の樹脂封止ステップを示す断面図である。
【図９】図９は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の基板除去ステップを示す断面図である。
【図１０】図１０は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の再配線層形成ステップを示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の粘着性部材準備ステップを示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の粘着性部材の要部の断面図である。
【図１４】図１４は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の粘着性部材の要部の平面図である。
【図１５】図１５は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法のデバイスチップ固定ステップを示す断面図である。
【図１６】図１６は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の樹脂封止ステップを示す断面図である。
【図１７】図１７は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の粘着性部材除去ステップを示す断面図である。
【図１８】図１８は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の再配線層形成ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１５】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法及び基板を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法により製造されるパッケージ基板の要部の断面図である。図２は、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００１６】
実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、図１に示すパッケージ基板１を製造する方法である。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法により製造されるパッケージ基板１は、図１に示すように、複数のデバイスチップ２と、樹脂３と、再配線層４とを有する。
【００１７】
複数のデバイスチップ２は、平面形状が正方形状に形成され、互いに直交するニ方向に沿って間隔２３をあけて配列されている。実施形態１では、互いに隣り合うデバイスチップ２の間の間隔２３は、全て等しい。デバイスチップ２は、高集積度半導体であり、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする半導体ウェーハや光デバイスウェーハが分割されて、個片化されて、各種メモリまたはＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等を構成するものである。デバイスチップ２は、図１中の下面２１に電極２２を複数設け、下面２１を除く外表面が樹脂３により封止されている。
【００１８】
再配線層４は、図１に示すように、デバイスチップ２の下面２１に配設されている。再配線層４は、複数のデバイスチップ２に共通して設けられている。再配線層４は、デバイスチップ２の電極２２とデバイスチップ２が搭載されるプリント配線基板との間を電気的に接続する配線が設けられた層である。なお、図１は、再配線層４を一つの層で示しているが、本発明では、再配線層４は、デバイスチップ２の電極２２とプリント配線基板の配線パターンとを所望のパターンで接続する形状に形成されている。
【００１９】
図１に示すパッケージ基板１は、デバイスチップ２毎に分割されて、個々のパッケージデバイスに分割される。パッケージデバイスは、実施形態１において、プリント基板上に単体のデバイスチップ２を表面実装する時に小さな占有面積で済ませられる半導体部品のパッケージの一形態であるｅＷＬＢ（Embedded  Wafer  Level  Ball  Grid  Array）と呼ばれる半導体パッケージ技術が用いられたものである。
【００２０】
実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、図２に示すように、基板準備ステップＳＴ１と、溝形成ステップＳＴ２と、デバイスチップ固定ステップＳＴ３と、樹脂封止ステップＳＴ４と、基板除去ステップＳＴ５と、再配線層形成ステップＳＴ６とを備える。
【００２１】
（基板準備ステップ）
図３は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の基板準備ステップを示す断面図である。基板準備ステップＳＴ１は、図３に示す基板１０を準備するステップである。
【００２２】
実施形態１において、基板１０は、平面形状がパッケージ基板１の平面形状と等しくもしくはパッケージ基板の平面形状より大きく形成され、かつ両表面１０１，１０２が互いに平行に形成された板状に形成されている。実施形態１において、基板１０は、可撓性を有することが無い硬質な材料で構成されている。基板１０は、一方の表面１０１に図６に示す粘着性部材１１が積層される。基板１０は、粘着性部材１１を介してデバイスチップ２の下面２１が一方の表面１０１上に配設される。なお、平面視において、基板１０に対するデバイスチップ２が配設される位置は、予め定められている。即ち、基板１０上における互いに隣り合うデバイスチップ２間の間隔２３は、予め定められている。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、基板準備ステップＳＴ１において、基板１０を準備すると、溝形成ステップＳＴ２に進む。
【００２３】
（溝形成ステップ）
図４は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の基板の要部の断面図である。図５は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の基板の要部の平面図である。溝形成ステップＳＴ２は、樹脂封止ステップＳＴ４の実施前に、基板１０の平面視において、溝１２を基板１０の一方の表面１０１の各デバイスチップ２を囲繞する位置に形成するステップである。
【００２４】
溝形成ステップＳＴ２は、レーザービームを一方の表面１０１に照射するアブレーション加工、切削ブレードを一方の表面１０１に切り込ませる切削加工、又は基板１０の一方の表面１０１の互いに隣り合うデバイスチップ２間の位置をエッチングするエッチング加工により、図４に示すように、溝１２を形成する。また、実施形態１において、溝形成ステップＳＴ２は、図５に示すように、基板１０の一方の表面１０１上に溝１２を格子状に形成して、平面視において一方の表面１０１上における互いに隣り合うデバイスチップ２間に溝１２を形成する。なお、実施形態１では、溝１２の幅１２２は、デバイスチップ２間の間隔２３と等しい。
【００２５】
また、溝形成ステップＳＴ２では、仮に基板１０に溝１２を形成することなく一方の表面１０１に粘着性部材１１を積層した場合にデバイスチップ固定ステップＳＴ３においてデバイスチップ２の外縁に生じる粘着性部材１１の盛り上がりを相殺する深さ１２１及び幅１２２の溝１２を形成する。即ち、溝形成ステップＳＴ２において形成される溝１２の深さ１２１及び幅１２２は、仮に基板１０に溝１２を形成することなく一方の表面１０１に粘着性部材１１を積層した場合にデバイスチップ固定ステップＳＴ３においてデバイスチップ２の外縁に生じる粘着性部材１１の盛り上がりを相殺する値である。実施形態１では、溝１２の深さ１２１及び幅１２２は、仮に基板１０に溝１２を形成することなく一方の表面１０１に粘着性部材１１を積層した場合にデバイスチップ固定ステップＳＴ３においてデバイスチップ２の外縁に生じる粘着性部材１１の盛り上がりの下面２１からの突出量及び幅と同等の値に定められている。
【００２６】
このように、溝形成ステップＳＴ２後の基板１０は、一方の表面１０１に積層される粘着性部材１１に複数の個片化されたデバイスチップ２が押しつけられて、デバイスチップ２を固定するものであって、一方の表面１０１のデバイスチップ２を囲繞する位置に一方の表面１０１から凹の溝１２が形成されている。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、溝形成ステップＳＴ２において、基板１０の一方の表面１０１に溝１２を形成すると、デバイスチップ固定ステップＳＴ３に進む。
【００２７】
（デバイスチップ固定ステップ）
図６は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法のデバイスチップ固定ステップの粘着性部材を積層した状態を示す断面図である。図７は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法のデバイスチップ固定ステップのデバイスチップを固定した状態を示す断面図である。
【００２８】
デバイスチップ固定ステップＳＴ３は、基板１０の一方の表面１０１に粘着性部材１１を積層し、複数のデバイスチップ２を粘着性部材１１に押しつけ、基板１０に固定するステップである。
【００２９】
粘着性部材１１は、個片化されたデバイスチップ２を基板１０に固定するためのものである。実施形態１において、粘着性部材１１は、合成樹脂からなる基材層と、基材層の両表面に積層された粘着層とを備えるが、本発明では、粘着性部材１１の構成は、これに限定されない。粘着性部材１１は、平面形状がパッケージ基板１の平面形状と等しくもしくはパッケージ基板１の平面形状より大きく、一方の粘着層が基板１０の一方の表面１０１に貼着する。
【００３０】
デバイスチップ固定ステップＳＴ３では、粘着性部材１１の一方の粘着層を一方の表面１０１に貼着して、一方の粘着層全体を一方の表面１０１全体に密に貼着する。基板１０の一方の表面１０１に積層された粘着性部材１１は、一方の表面１０１に溝１２が形成されているので、図６に示すように、溝１２に倣って変形して、他方の粘着層に溝１３が形成されることとなる。粘着性部材１１の一方の粘着層が一方の表面１０１全体に密に貼着するので、溝１３の深さ１３１は、溝１２の深さ１２１と同等となり、溝１３の幅１３２は、溝１２の幅１２２と同等となる。
【００３１】
デバイスチップ固定ステップＳＴ３では、平面視において、基板１０の一方の表面１０１の予め定められたデバイスチップ２が配設される位置上の粘着性部材１１の他方の粘着層に各デバイスチップ２の下面２１を押し付けて、図７に示すように、粘着性部材１１を介して基板１０の一方の表面１０１上にデバイスチップ２を固定する。また、実施形態１では、デバイスチップ固定ステップＳＴ３において、基板１０の溝１２上の溝１３で区画された粘着性部材１１の領域にデバイスチップ２の下面２１を押しつけて、各デバイスチップ２を基板１０に固定する。
【００３２】
基板１０に積層された粘着性部材１１の他方の粘着層に溝１３が形成されており、溝１２，１３の深さ１２１，１３１及び幅１２２，１３２が前述した値に形成されているので、粘着性部材１１の他方の粘着層にデバイスチップ２を押し付けると、図７に示すように、デバイスチップ２間の粘着性部材１１がデバイスチップ２の下面２１と面一になる。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、デバイスチップ固定ステップＳＴ３において、パッケージ基板１を構成するすべてのデバイスチップ２を基板１０に固定すると、樹脂封止ステップＳＴ４に進む。
【００３３】
（樹脂封止ステップ）
図８は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の樹脂封止ステップを示す断面図である。樹脂封止ステップＳＴ４は、基板１０に固定された複数のデバイスチップ２を樹脂３で封止するステップである。
【００３４】
樹脂封止ステップＳＴ４では、図８に示すように、基板１０全体上を樹脂３で被覆して、デバイスチップ２の下面２１以外の外表面を樹脂３で覆って、樹脂３内に複数のデバイスチップ２を埋設して、樹脂３を硬化させる。樹脂封止ステップＳＴ４では、硬化した樹脂３は、デバイスチップ固定ステップＳＴ３において、デバイスチップ２間の粘着性部材１１がデバイスチップ２の下面２１と面一になっているので、デバイスチップ２間の樹脂３がデバイスチップ２の下面２１と面一になる。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、樹脂封止ステップＳＴ４において、基板１０に固定されたすべてのデバイスチップ２を樹脂３で封止すると、基板除去ステップＳＴ５に進む。
【００３５】
（基板除去ステップ）
図９は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の基板除去ステップを示す断面図である。基板除去ステップＳＴ５は、樹脂封止ステップＳＴ４の実施後に、基板１０を剥離するステップである。
【００３６】
基板除去ステップＳＴ５では、図９に示すように、基板１０とともに粘着性部材１１をデバイスチップ２の下面２１及びデバイスチップ２間の樹脂３から剥離して、デバイスチップ２の下面２１及び電極２２を露出させる。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、基板除去ステップＳＴ５において、基板１０とともに粘着性部材１１をデバイスチップ２及び樹脂３から剥離すると、再配線層形成ステップＳＴ６に進む。
【００３７】
（再配線層形成ステップ）
図１０は、図２に示されたパッケージ基板の製造方法の再配線層形成ステップを示す断面図である。再配線層形成ステップＳＴ６は、基板除去ステップＳＴ５の実施後に、デバイスチップ２の下面２１に再配線層４を積層するステップである。
【００３８】
再配線層形成ステップＳＴ６では、図１０に示すように、樹脂３により封止されたデバイスチップ２の下面２１及び樹脂３に導電性を有する金属からなる再配線層４を積層する。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、再配線層形成ステップＳＴ６において、デバイスチップ２の下面２１に再配線層４を積層して、パッケージ基板１を得ると、終了する。なお、本発明は、再配線層形成ステップＳＴ６において、再配線層４をデバイスチップ２の電極２２とプリント配線基板の配線パターンとを所望のパターンで接続する形状に形成しても良い。
【００３９】
以上説明したように、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、溝形成ステップＳＴ２において、基板１０の一方の表面１０１のデバイスチップ２間の位置に溝１２を形成するので、デバイスチップ固定ステップＳＴ３において、粘着性部材１１の一方の粘着層にデバイスチップ２を押し付けても、デバイスチップ２間において粘着性部材１１の表面がデバイスチップ２の下面２１と面一になる。その結果、パッケージ基板の製造方法は、パッケージ基板１のデバイスチップ２と樹脂３との間の段差を抑制することができるという効果を奏する。
【００４０】
また、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、溝１２の深さ１２１及び幅１２２が粘着性部材１１の盛り上がりを相殺する値であるため、樹脂３とデバイスチップ２との段差をより抑制することが出来る。
【００４１】
また、実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップＳＴ２後の基板１０は、デバイスチップ２を囲繞する位置に一方の表面１０１から凹の溝１２が形成されているので、パッケージ基板１のデバイスチップ２と樹脂３との間の段差を抑制することができるという効果を奏する。
【００４２】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法及び基板を図面に基づいて説明する。図１１は、実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、実施形態２において、実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４３】
実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、実施形態１と同様に、パッケージ基板１を製造する方法であり、図１１に示すように、粘着性部材準備ステップＳＴ１１と、溝形成ステップＳＴ１２と、デバイスチップ固定ステップＳＴ１３と、樹脂封止ステップＳＴ１４と、粘着性部材除去ステップＳＴ１５と、再配線層形成ステップＳＴ１６とを備える。
【００４４】
（粘着性部材準備ステップ）
図１２は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の粘着性部材準備ステップを示す断面図である。粘着性部材準備ステップＳＴ１１は、図１２に示す粘着性部材である粘着テープ１５を準備するステップである。
【００４５】
実施形態２において、粘着テープ１５は、平面形状がパッケージ基板１の平面形状と等しい板状に形成され、平板状の基材層１６と、基材層１６に積層された粘着層１７とを備えて、粘着層１７が基材層１６に積層されている。基材層１６は、可撓性を有する合成樹脂により構成され、粘着層１７は、粘着性を有する合成樹脂により構成されている。基材層１６の表面１６１と、粘着層１７の表面１７１とは、互いに平行に形成されている。粘着層１７は、個片化された複数のデバイスチップ２を粘着テープ１５に固定するためのものである。なお、平面視において、粘着テープ１５に対するデバイスチップ２が配設される位置は、予め定められている。即ち、粘着テープ１５における互いに隣り合うデバイスチップ２間の間隔２３は、予め定められている。実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、粘着性部材準備ステップＳＴ１１において、粘着テープ１５を準備すると、溝形成ステップＳＴ１２に進む。なお、本発明は、粘着テープ１５が、基材層１６の両側に粘着層１７を備え、実施形態１のように基板１０上に固定された状態を粘着性部材準備ステップＳＴ１１としても良い。
【００４６】
（溝形成ステップ）
図１３は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の粘着性部材の要部の断面図である。図１４は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップ後の粘着性部材の要部の平面図である。溝形成ステップＳＴ１２は、樹脂封止ステップＳＴ１４の実施前に、粘着テープ１５の平面視において、溝１８を粘着層１７の表面１７１の各デバイスチップ２を囲繞する位置に形成するステップである。
【００４７】
溝形成ステップＳＴ１２は、レーザービームを粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１に照射するアブレーション加工、切削ブレードを粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１に切り込ませる切削加工、又は粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１の互いに隣り合うデバイスチップ２間の位置をエッチングするエッチング加工により、図１３に示すように、溝１８を形成する。また、実施形態２において、溝形成ステップＳＴ１２は、図１４に示すように、粘着層１７の表面１７１上に溝１８を格子状に形成して、平面視において表面１７１上における互いに隣り合うデバイスチップ２間の位置に溝１８を形成する。なお、実施形態２では、溝１８の幅１８２は、デバイスチップ２間の間隔２３と等しい。
【００４８】
また、溝形成ステップＳＴ１２では、仮に粘着層１７の表面１７１に溝１８を形成しない場合にデバイスチップ固定ステップＳＴ１３においてデバイスチップ２の外縁に生じる粘着層１７の盛り上がりを相殺する深さ１８１及び幅１８２の溝１８を形成する。即ち、溝形成ステップＳＴ１２において形成される溝１８の深さ１８１及び幅１８２は、仮に粘着層１７の表面１７１に溝１８を形成しない場合にデバイスチップ固定ステップＳＴ１３においてデバイスチップ２の外縁に生じる粘着層１７の盛り上がりを相殺する値である。実施形態２では、溝１８の深さ１８１及び幅１８２は、仮に粘着層１７の表面１７１に溝１８を形成しない場合にデバイスチップ固定ステップＳＴ１３においてデバイスチップ２の外縁に生じる粘着層１７の盛り上がりの下面２１からの突出量及び幅と同等の値に定められている。
【００４９】
このように、溝形成ステップＳＴ１２後の粘着性部材である粘着テープ１５は、基材層１６と、基材層１６に積層された粘着層１７とを備え、かつ複数の個片化されたデバイスチップ２が粘着層１７に押しつけられて、デバイスチップ２を固定する粘着性部材であって、粘着層１７の表面１７１のデバイスチップ２を囲繞する位置に表面１７１から凹の溝１８が形成されている。実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、溝形成ステップＳＴ１２において、粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１に溝１８を形成すると、デバイスチップ固定ステップＳＴ１３に進む。
【００５０】
（デバイスチップ固定ステップ）
図１５は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法のデバイスチップ固定ステップを示す断面図である。デバイスチップ固定ステップＳＴ１３は、複数のデバイスチップ２を粘着層１７に押しつけ、粘着テープ１５に固定するステップである。
【００５１】
デバイスチップ固定ステップＳＴ１３では、平面視において、粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１の予め定められたデバイスチップ２が配設される位置に各デバイスチップ２の下面２１を押し付けて、図１５に示すように、粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１上にデバイスチップ２を固定する。また、実施形態２では、デバイスチップ固定ステップＳＴ１３において、粘着テープ１５の溝１８で区画されかつ溝１８で囲まれた領域にデバイスチップ２の下面２１を押しつけて、各デバイスチップ２を粘着テープ１５に固定する。
【００５２】
溝形成ステップＳＴ１２において、粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１に溝１８が形成されており、溝１８の深さ１８１及び幅１８２が前述した値に形成されているので、粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１にデバイスチップ２を押し付けると、図１５に示すように、デバイスチップ２間の粘着層１７がデバイスチップ２の下面２１と面一になる。実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、デバイスチップ固定ステップＳＴ１３において、パッケージ基板１を構成するすべてのデバイスチップ２を粘着テープ１５に固定すると、樹脂封止ステップＳＴ１４に進む。
【００５３】
（樹脂封止ステップ）
図１６は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の樹脂封止ステップを示す断面図である。樹脂封止ステップＳＴ１４は、粘着テープ１５に固定された複数のデバイスチップ２を樹脂３で封止するステップである。
【００５４】
樹脂封止ステップＳＴ１４では、図１６に示すように、粘着テープ１５の粘着層１７全体上を樹脂３で被覆して、デバイスチップ２の下面２１以外の外表面を樹脂３で覆って、樹脂３内に複数のデバイスチップ２を埋設して、樹脂３を硬化させる。樹脂封止ステップＳＴ１４では、硬化した樹脂３は、デバイスチップ固定ステップＳＴ１３において、デバイスチップ２間の粘着層１７がデバイスチップ２の下面２１と面一になっているので、デバイスチップ２間の樹脂３がデバイスチップ２の下面２１と面一になる。実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、樹脂封止ステップＳＴ１４において、基板１０に固定されたすべてのデバイスチップ２を樹脂３で封止すると、粘着性部材除去ステップＳＴ１５に進む。
【００５５】
（粘着性部材除去ステップ）
図１７は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の粘着性部材除去ステップを示す断面図である。粘着性部材除去ステップＳＴ１５は、樹脂封止ステップＳＴ１４の実施後に、粘着テープ１５を剥離するステップである。
【００５６】
粘着性部材除去ステップＳＴ１５では、図１７に示すように、粘着テープ１５をデバイスチップ２の下面２１及びデバイスチップ２間の樹脂３から剥離して、デバイスチップ２の下面２１及び電極２２を露出させる。実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、粘着性部材除去ステップＳＴ１５において、粘着テープ１５をデバイスチップ２及び樹脂３から剥離すると、再配線層形成ステップＳＴ１６に進む。
【００５７】
（再配線層形成ステップ）
図１８は、図１１に示されたパッケージ基板の製造方法の再配線層形成ステップを示す断面図である。再配線層形成ステップＳＴ１６は、基板除去ステップＳＴ５の実施後に、デバイスチップ２の下面２１に再配線層４を積層するステップである。
【００５８】
再配線層形成ステップＳＴ１６では、図１８に示すように、樹脂３により封止されたデバイスチップ２の下面２１及び樹脂３に導電性を有する金属からなる再配線層４を積層する。実施形態１に係るパッケージ基板の製造方法は、再配線層形成ステップＳＴ１６において、デバイスチップ２の下面２１に再配線層４を積層すると、終了する。なお、本発明は、再配線層形成ステップＳＴ１６において、再配線層４をデバイスチップ２の電極２２とプリント配線基板の配線パターンとを所望のパターンで接続する形状に形成しても良い。
【００５９】
以上説明したように、実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、溝形成ステップＳＴ１２において、粘着テープ１５の粘着層１７の表面１７１のデバイスチップ２間の位置に溝１８を形成するので、デバイスチップ固定ステップＳＴ３において、粘着テープ１５の粘着層１７にデバイスチップ２を押し付けても、デバイスチップ２間において粘着層１７の表面１７１がデバイスチップ２の下面２１と面一になる。その結果、パッケージ基板の製造方法は、パッケージ基板１のデバイスチップ２と樹脂３との間の段差を抑制することができるという効果を奏する。
【００６０】
また、実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法は、溝１８の深さ１８１及び幅１８２が粘着層１７の盛り上がりを相殺する値であるため、樹脂３とデバイスチップ２との段差をより抑制することが出来る。
【００６１】
また、実施形態２に係るパッケージ基板の製造方法の溝形成ステップＳＴ２後の粘着テープ１５は、粘着層１７の表面１７１のデバイスチップ２を囲繞する位置に表面１７１から凹の溝１８が形成されているので、パッケージ基板１のデバイスチップ２と樹脂３との間の段差を抑制することができるという効果を奏する。
【００６２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  パッケージ基板
２  デバイスチップ
３  樹脂
１０  基板
１１  粘着性部材
１２，１８  溝
１５  粘着テープ（粘着性部材）
１６  基材層
１７  粘着層
１０１  一方の表面（表面）
１２１，１８１  深さ
１２２，１８２  幅
１７１  表面
ＳＴ１  基板準備ステップ
ＳＴ２，ＳＴ１２  溝形成ステップ
ＳＴ３，ＳＴ１３  デバイスチップ固定ステップ
ＳＴ４，ＳＴ１４  樹脂封止ステップ
ＳＴ５  基板除去ステップ
ＳＴ１１  粘着性部材準備ステップ
ＳＴ１５  粘着性部材除去ステップ
【図１】
2020025011.tif 000003
【図２】
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【図３】
2020025011.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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