(57)【要約】【課題】透過領域を有する表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  表示装置は、第１基板とディスプレイ部とを備え、ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、ディスプレイ部は、透過領域に対応して配置された補助層と、表示領域にのみ対応して配置された第２電極と、を含み、補助層は、第１材料を含み、第２電極は、第２材料を含み、第１材料及び第２材料は、下記数式１を満足し、  ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞数式１において、ＳＴ１は、２５℃での第１材料の表面エネルギーであり、ＳＴ２は、２５℃での第２材料の表面エネルギーである。【選択図】図２
2020181190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板とディスプレイ部とを備え、
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域にのみ対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである表示装置。
【請求項２】
前記透過領域には、第２電極が存在していないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ2より大きく３０ｍＪ／ｍ2以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１材料は、２０ａｔ％以上のフッ素を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１材料は、フッ素含有シラン化合物、フッ素系高分子化合物及びそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）及びそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
第１基板とディスプレイ部とを含み、
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域及び少なくとも一部の前記透過領域に対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである表示装置。
【請求項８】
前記第２電極が前記表示領域及び全ての前記透過領域に対応して配置され、
前記表示領域に対応して前記第２電極の第１部分が配置され、
前記透過領域に対応して前記第２電極の第２部分が配置され、
前記第１部分の厚さＴ1と前記第２部分の厚さＴ2とは、下記数式２を満足する、
Ｔ1＞Ｔ2      ＜数式２＞
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
Ｔ2は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極が前記表示領域及び一部の前記透過領域に対応して配置され、
前記一部の前記透過領域に対応して配置された前記第２電極の部分は、前記第２材料を含む複数個の粒子からなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示領域に対応して配置された前記第２電極の前記部分の厚さは、前記複数個の粒子の平均直径より大きいことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ2より大きく３０ｍＪ／ｍ2以下であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１材料は、２０ａｔ％以上のフッ素を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１材料は、フッ素含有シラン化合物、フッ素系高分子化合物及びそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）及びそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記表示装置は、第１電極及び中間層をさらに含み、
前記中間層は、前記第１電極と前記第２電極との間に介在することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１７】
第１基板を提供する段階と、
前記第１基板上に表示領域と透過領域とを含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、
前記ディスプレイ部を提供する段階は、前記透過領域にのみ補助層を提供する段階と、
前記表示領域上、または前記前記表示領域上及び前記透過領域上に第２電極を提供する段階と、を含み、
前記補助層は、第１材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである表示装置。
【請求項１８】
前記第２電極は、オープンマスクを用いて前記第２材料を蒸着することで提供されることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記表示装置は、第１電極及び中間層をさらに含み、
前記第１電極上に中間層を提供した後、
前記透過領域にのみ補助層を提供し、
前記中間層上、または前記中間層上及び前記補助層上に第２電極を提供することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記表示装置は、第１電極及び中間層をさらに含み、
前記透過領域にのみ補助層を提供した後、
前記第１電極上に中間層を提供し、前記中間層上、または前記中間層上及び前記補助層上に第２電極を提供することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、具体的に、透過領域を有する表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置は、その用途が多様になっている。また、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽く、その使用の範囲が広くなりつつある。
【０００３】
一例として、表示装置に対して透過性または、透明性を具現しようとする研究が持続されている。具体的に、装置内部の薄膜トランジスタや表示パネルを透明な形に作ることにより、透明表示装置として形成しようとする試みがある。
【０００４】
透明表示装置を具現するために、基板、電極、絶縁膜、キャッピング膜のような多様な材料の組成、配置、厚さなど多様な変数を最適化することが必要である。例えば、有機発光表示装置の場合、互いに異なる物質を含む多数の導電膜及び絶縁膜が積層され、これにより、光学的特性が低下して、所望の透過性または、透明性を獲得することが容易ではない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するために発案されたものであって、外光の透過率が高い表示装置及びその製造方法であり、本発明の実施例は、透過領域に実質的に共通電極が形成されていない表示装置を提供することができる。
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した技術的課題に限定されず、開示されていない他の技術的課題は、本発明の記載から当該分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例による表示装置は、第１基板とディスプレイ部とを含み、
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域にのみ対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【０００８】
前記実施例において、前記透過領域には、第２電極が存在していない。
【０００９】
前記実施例において、ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ2より大きく３０ｍＪ／ｍ2以下である。
【００１０】
前記実施例において、前記第１材料は、２０ａｔ％以上のフッ素を含む。
【００１１】
前記実施例において、前記第１材料は、フッ素含有シラン化合物、フッ素系高分子化合物及びそれらの組み合わせを含む。
【００１２】
前記実施例において、前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）及びそれらの組み合わせを含む。
【００１３】
本発明の他の実施例による表示装置は、第１基板とディスプレイ部とを含み、
前記ディスプレイ部は、表示領域と、透過領域と、を含み、
前記ディスプレイ部は、前記透過領域に対応して配置された補助層と、前記表示領域及び少なくとも一部の前記透過領域に対応して配置された第２電極と、を含み、
前記補助層は、第１材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【００１４】
前記実施例において、前記第２電極が前記表示領域及び全ての前記透過領域に対応して配置され、
前記表示領域に対応して前記第２電極の第１部分が配置され、
前記透過領域に対応して前記第２電極の第２部分が配置され、
前記第１部分の厚さＴ1と前記第２部分の厚さＴ2とは、下記数式２を満足する。
Ｔ1＞Ｔ2      ＜数式２＞
【００１５】
前記実施例において、Ｔ2は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下である。
【００１６】
前記実施例において、前記第２電極が前記表示領域及び一部の前記透過領域に対応して配置され、
前記一部の前記透過領域に対応して配置された前記第２電極の部分は、前記第２材料を含む複数個の粒子からなる。
【００１７】
前記実施例において、前記表示領域に対応して配置された前記第２電極の前記部分の厚さは、前記複数個の粒子の平均直径より大きくなる。
【００１８】
前記実施例において、ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ2より大きく３０ｍＪ／ｍ2以下である。
【００１９】
前記実施例において、前記第１材料は、２０ａｔ％以上のフッ素を含む。
【００２０】
前記実施例において、前記第１材料は、フッ素含有シラン化合物、フッ素系高分子化合物及びそれらの組み合わせを含む。
【００２１】
前記実施例において、前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）及びそれらの組み合わせを含む。
【００２２】
前記実施例において、前記表示装置は、第１電極及び中間層をさらに含み、
前記中間層は、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する。
【００２３】
本発明の一実施例による表示装置の製造方法は、第１基板を提供する段階と、
前記第１基板上に表示領域と透過領域とを含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、
前記ディスプレイ部を提供する段階は、前記透過領域にのみ補助層を提供する段階と、前記表示領域上、または前記前記表示領域上及び前記透過領域上に第２電極を提供する段階と、を含み、
前記補助層は、第１材料を含み、
前記第２電極は、第２材料を含み、
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足し、
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【００２４】
前記実施例において、前記第２電極は、オープンマスクを用いて前記第２材料を蒸着することで提供される。
【００２５】
前記実施例において、前記表示装置は、第１電極及び中間層をさらに含み、
前記第１電極上に中間層を提供した後、
前記透過領域にのみ補助層を提供し、
前記中間層上、または前記中間層上及び前記補助層上に第２電極を提供することができる。
【００２６】
前記実施例において、前記表示装置は、第１電極及び中間層をさらに含み、
前記透過領域にのみ補助層を提供した後、
前記第１電極上に中間層を提供し、前記中間層上、または前記中間層上及び前記補助層上に第２電極を提供する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の多様な実施例によれば、透過領域に実質的に共通電極が形成されないことから、相対的に高い透過率を有する表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【００２８】
しかし、前述した効果は、例示的なものであって、実施例による効果は、後述する内容を通じて詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す構造図である。
【図２】本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。
【図４】図２の表示装置の他の実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図５】図４のディスプレイ部をさらに詳細に示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。
【図８】図６の表示装置の他の実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】本発明の一実施例による電子機器の構成を概略的に示すブロック図である。
【図１８Ａ】本発明の一実施例による電子機器を概略的に示す斜視図である。
【図１８Ｂ】本発明の一実施例による電子機器を概略的に示す斜視図である。
【図１９】実施例１、比較例１及び２の波長による透過率グラフを示す図面である。
【図２０】実施例２及び比較例３の波長による透過率グラフを示す図面である。
【図２１Ａ】実施例２の透過電子顕微鏡(transmission electron microscope; TEM)イメージである。
【図２１Ｂ】比較例３のＴＥＭイメージである。
【図２１Ｃ】図２１Ａの一部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明は、多様な変換を加えることができ、多様な実施例を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示して詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そして、それらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、後述する実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現される。
【００３１】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明し、図面を参照して説明するとき、同一であるか、対応する構成要素は、同じ図面符号を付し、それについての重複説明は省略する。
【００３２】
以下の実施例において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的として用いられる。
【００３３】
以下の実施例において、単数表現は、文脈上、明白に異なることを意味しない限り、複数の表現を含む。
【００３４】
以下の実施例において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載の特徴、または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【００３５】
以下の実施例において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分上に、または上にあるというとき、他の部分の直上にある場合だけではなく、間に他の膜、領域、構成要素などが介在している場合も含む。
【００３６】
図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張または縮小される場合がある。例えば、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示されたので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【００３７】
ある実施例が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なって行われてもよい。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に行われてもよく、説明される順序とは逆順に進められてもよい。
【００３８】
以下の実施例において、膜、領域、構成要素などが接続されたとするとき、膜、領域、構成要素が直接的に接続された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の間に他の膜、領域、構成要素が介在して間接的に接続された場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されたとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続された場合だけではなく、間に他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的に接続された場合も含む。
【００３９】
図１は、本発明の一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。
【００４０】
図１を参照すれば、本発明の一実施例による表示装置１は、第１基板１０及びディスプレイ部２０を含む。ディスプレイ部２０は、画像が具現される表示領域１００と、外光が透過される透過領域２００とを含む。表示装置１において、外光は、第１基板１０及びディスプレイ部２０を透過して入射される。
【００４１】
ディスプレイ部２０は、表示領域１００を通じて画像が表示され、透過領域２００を通じて外光が透過される。ユーザ（Ｕ）は、透過領域２００を通じて外部のイメージを見ることができる。すなわち、表示装置１は、表示領域１００の透過率と透過領域２００の透過率が互いに異なるディスプレイとして具現される。
【００４２】
一実施例として、画像が表示される側に位置したユーザ（Ｕ）が第１基板１０の外側イメージを観察する前面発光型表示装置を例として説明しているが、本発明の表示装置は、それに限定されない。他の実施例として、ディスプレイ部２０から第１基板１０側に画像が表示される背面発光型であってもよい。
【００４３】
透過領域２００に薄膜トランジスタ、キャパシタなどを配置しないことにより、透過領域２００での外光透過率を高め、結果として、表示装置の外光透過率を高め、透過イメージが薄膜トランジスタ、キャパシタなどによって干渉されて歪曲が発生することを防止する。
【００４４】
表示装置１は、第１基板１０に対向された第２基板３０をさらに含む。この際、ディスプレイ部２０は、第１基板１０と第２基板３０との間に介在する。
【００４５】
第２基板３０は、透明なガラスまたはプラスチック基板によって形成され、ディスプレイ部２０からの画像が表示されるようにし、ディスプレイ部２０への外気及び水分の侵入を遮断する。第１基板１０及び第２基板３０は、それらの縁部が密封剤によって接続されて、第１基板１０及び第２基板３０の間の空間が密封される。空間には、吸湿剤や充填剤などが位置する。または、第１基板１０及びディスプレイ部２０の上に薄膜の第２基板３０を形成することで密封される。その場合、第１基板１０及び第２基板３０がいずれもフレキシブルに備えられる。
【００４６】
以下では、本発明の一実施例による表示装置１として、有機発光表示装置を例として説明するが、本発明の表示装置はその実施例に限定されない。他の実施例として、無機ＥＬ表示装置(Inorganic Light Emitting Display)、量子ドット発光表示装置(Quantum dot Light Emitting Display)のように多様な方式の表示装置が用いられる。
【００４７】
図２及び図３は、本発明の一実施例による表示装置１Ａを概略的に示す断面図及び平面図である。具体的に、図３は、互いに隣接した第１画素ＰＸ１、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂを示す平面図であり、図２は、図３のＡ−Ａ’に沿った断面図である。
【００４８】
図２を参照すれば、ディスプレイ部２０は、画像が表示される表示領域１００と、それと隣接して外光が透過される透過領域２００を含む。ここで、外光は、第１画素ＰＸ１の発光素子ＥＬ１が放出する光と区別される外光である。外光は、周辺光または他の電子素子が放出する光であってもよい。
【００４９】
前記透過領域２００には、不透明な物質を含む素子は配置されず、実質的に透明な補助層、絶縁膜などのみが配置され、表示装置１Ａ外部のイメージをそのまま透過させることができる。
【００５０】
透過領域２００は、第１外光６１及び第２外光６２が透過することができる。第１外光６１は、ディスプレイ部２０の外側から第１基板１０の外側に向かう方向（ディスプレイ部２０から第１基板１０に向かう方向）に透過する外光である。第２外光６２は、第１基板１０の外側からディスプレイ部２０の外側に向かい方向（第１基板１０からディスプレイ部２０に向かう方向）に透過する外光である。素子及び配線が透過領域２００を迂回して配置されることで、透過領域２００には、素子及び配線が配置されない。透過領域２００には、少なくとも第４絶縁膜１５が備えられない。透過領域２００に配置された第３絶縁膜１４は、透明絶縁物質を含む。
【００５１】
表示領域１００は、発光領域１０２及び回路領域１０１を含む。表示領域１００には、第１画素ＰＸ１が配置される。発光領域１０２には、第１画素ＰＸ１の発光素子ＥＬ１が配置される。回路領域１０１には、発光素子ＥＬ１と電気的に接続され、薄膜トランジスタＴＲ１を含む第１画素ＰＸ１の画素回路が配置される。回路領域１０１と発光領域１０２は、重畳しない。よって発光素子ＥＬ１と画素回路は、重畳しないように互いに隣接して配置される。回路領域１０１には、図示されたように、１つの薄膜トランジスタＴＲ１が配置されることに限定されず、多数の薄膜トランジスタ及びキャパシタがさらに含まれ、それらと接続された走査線、データ線及び電源線などの配線がさらに備えられる。
【００５２】
薄膜トランジスタＴＲ１は、バッファ膜１１上の半導体層１１１、ゲート電極１１２、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を含む。半導体層１１１とゲート電極１１２との間の第１絶縁膜１２がゲート絶縁膜として機能し、ゲート電極１１２とソース電極１１３及びドレイン電極１１４間の第２絶縁膜１３が層間絶縁膜として機能する。
【００５３】
発光素子ＥＬ１は、薄膜トランジスタＴＲ１を覆う第３絶縁膜１４上の第１電極１１６、第１電極１１６に対向する第２電極１３０、第１電極１１６と第２電極１３０との間の中間層１１７を含む。
【００５４】
第１電極１１６の縁部は、第４絶縁膜１５によって覆われ、第１電極１１６の中央部は露出される。第４絶縁膜１５は、表示領域１００を覆うように備えられるが、必ずしも表示領域１００全体を覆うように備えられるものではなく、少なくとも表示領域１００の一部、特に第１電極１１６の縁部を覆うことができれば十分である。
【００５５】
第４絶縁膜１５から露出された透過領域２００に対応する第３絶縁膜１４上には、補助層１１８が備えられる。すなわち、補助層１１８は、中間層１１７と重畳せずに配置される。
【００５６】
補助層１１８の厚さは、１ｎｍ以上２,０００ｎｍ以下であってもよい。具体的に、補助層１１８の厚さは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよいが、それに限定されるものではない。前記範囲を満足すれば、後述するように、第２電極がパターニングされる効果を十分に得つつも、透過領域２００の透過率が相対的に高く確保される。
【００５７】
補助層１１８は、第１材料を含む。
【００５８】
中間層１１７上に第２電極１３０が備えられる。第２電極１３０は、表示領域１００にのみ対応して配置され、透過領域２００には配置されない。
【００５９】
第２電極１３０は、第２材料を含む。
【００６０】
前記第１材料及び前記第２材料は、下記数式１を満足する。
ＳＴ２−ＳＴ１＞０ｍＪ／ｍ2      ＜数式１＞
前記数式１において、
ＳＴ１は、２５℃での前記第１材料の表面エネルギーであり、
ＳＴ２は、２５℃での前記第２材料の表面エネルギーである。
【００６１】
前記第１材料は、乾式工程、例えば、ファインメタルマスクを用いて透過領域２００に対応するように蒸着されるか、湿式工程を用いて透過領域２００に対応するようにコーティングされる。次いで、オープンマスクを用いて、表示領域１００及び透過領域２００にいずれも第２材料を蒸着させる。この際、前記第１材料及び前記第２材料の表面エネルギーが互いに異なって制御されることで、第１材料が配置された領域には、実質的に第２材料が配置されないように制御される。すなわち、前記第２材料は、中間層１１７上には、相対的に蒸着されやすいが、第１材料を含む補助層１１８上には、相対的に蒸着され難い。したがって、第１材料を含む補助層１１８が透過領域２００に対応して配置されることで、第２材料を含む第２電極１３０は、透過領域２００には実質的に提供されず、表示領域１００にのみ対応して配置される。
【００６２】
図２及び図３から分かるように、第２電極１３０が配置されてはならない領域に対して補助層１１８を配置し、第２電極１３０が配置されねばならない領域に対しては、補助層１１８を配置しない。それにより、第２材料を蒸着するときには、オープンマスクを用いて全画素の表示領域１００及び透過領域２００の両方に前記第２材料を蒸着しても、前記金属は、露出された中間層１１７の表面にのみ実質的に蒸着され、補助層１１８の表面には、実質的に蒸着されないので、第２電極１３０がパターニングされる効果が得られる。
【００６３】
透過領域２００の透過率を高くするためには、第２電極１３０が透過領域２００に実質的に配置されてはならないが、そうするために、表示領域１００にのみ配置された第２電極１３０を形成するために、ファインメタルマスクを使用する場合、蒸着温度が相当高いので、長期間使用時に、ファインメタルマスクに変形が起こる恐れがある。これにより、シャドー現象などの問題が起こるなどの工程的に非常に不安定な要素を生じる。しかし、本発明の実施例による表示装置１は、前述したように自動的に第２電極１３０のパターニング効果が得られるため、工程上、有利でもある。
【００６４】
また、透過領域２００には、第２電極１３０が実質的に配置されないので、透過領域２００の透過率が向上する。すなわち、前記第２電極１３０は、表示領域１００にのみ対応して配置され、透過領域２００には、第２電極１３０が存在していないことにより、透過領域２００の透過率が向上する。
【００６５】
例えば、ＳＴ２−ＳＴ１は３０ｍＪ／ｍ2以上であり、具体的に、５０ｍＪ／ｍ2以上であってもよい。前記範囲を満足すれば、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されない。
【００６６】
例えば、ＳＴ１は、０ｍＪ／ｍ2より大きく３０ｍＪ／ｍ2以下である。前記範囲を満足すれば、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されない。具体的に、ＳＴ１は、２０ｍＪ／ｍ2以下であってもよいが、それに限定されるものではない。
【００６７】
一実施例において、前記第１材料は、有機化合物からなる。具体的に、前記第１材料は、フッ素含有有機化合物からなる。さらに具体的に、前記第１材料は、フッ素含量が相対的に高い有機化合物であってもよい。
【００６８】
例えば、前記第１材料は、２０ａｔ％以上のフッ素を含む。前記範囲を満足すれば、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されないほどに前記第１材料の表面エネルギーが低くなる。前記第１材料のフッ素含量は、前記第１材料をＸ線光電子分光法(X-ray photoelectron spectroscopy、XPS)を用いて分析することで得られる。具体的に、前記第１材料は、５０ａｔ％以上のフッ素を含むが、それに限定されるものではない。
【００６９】
例えば、前記第１材料は、前述したように、有機化合物からなり、前記第１材料は、フッ素含有シラン化合物、フッ素系高分子化合物及びそれらの組み合わせを含む。
【００７０】
前記フッ素含有シラン化合物は、卜リクロロ(1H,1H,2H,2H-パーフルオロデシル）シラン[Trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyl)silane]、卜リクロロ(1H,1H,2H,2H-パーフルオロ−ｎ−オクチル）シラン[Trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluoro-n-octyl)silane]、トリエトキシ-1H,1H,2H,2H-パーフルオロデシルシラン(Triethoxy-1H,1H,2H,2H-perfluorodecylsilane)、1H,1H,2H,2H-ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン(1H,1H,2H,2H-Nonafluorohexyltriethoxysilane)、1H,1H,2H,2H-トリデカフルオロ−ｎ−オクチルトリエトキシシラン(1H,1H,2H,2H-Tridecafluoro-n-octyltriethoxysilane)、1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン(1H,1H,2H,2H-Heptadecafluorodecyltrimethoxysilane)、1H,1H,2H,2H-ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン(1H,1H,2H,2H-Nonafluorohexyltrimethoxysilane)、トリメトキシ（1H,1H,2H,2H-パーフルオロ−ｎ−オクチル）シラン[Trimethoxy(1H,1H,2H,2H-perfluoro-n-octyl)silane]、1,1,1-トリフルオロ−３−（トリメトキシシリル）プロパン[1,1,1-Trifluoro-3-(trimethoxysilyl)propane]、（トリエチルシリル）トリフルオロメタン[(Triethylsilyl)trifluoromethane]、トリエトキシ［5,5,6,6,7,7,7-ヘプタフルオロ−4,4-ビス（トリフルオロメチル）ヘプチル］シラン[Triethoxy[5,5,6,6,7,7,7-heptafluoro-4,4-bis(trifluoromethyl)heptyl]silane]、卜リクロロ（3,3,3-トリフルオロプロピル）シラン[Trichloro(3,3,3-trifluoropropyl)silane]、ジメトキシ（メチル）（3,3,3-トリフルオロプロピル）シラン[Dimethoxy(methyl)(3,3,3-trifluoropropyl)silane]、及びジクロロ（メチル）（3,3,3-トリフルオロプロピル）シラン[Dichloro(methyl)(3,3,3-trifluoropropyl)silane]を含むが、それらに限定されるものではない。
【００７１】
前記フッ素系高分子化合物は、ポリヘキサフルオロプロピレンオキサイド(poly(hexafluoropropyleneoxide))、ポリテトラフルオロ−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン(poly(tetrafluoroethylene-co-hexafluoropropylene)、ポリデカフルオロオクチルアクリレート(poly(decafluorooctyl acrylate))、ポリテトラフルオロ−３−（ヘプタフルオロプロポキシ）プロピルアクリレート(poly(tetrafluoro-3-(heptafluoropropoxy)propyl acrylate)、ポリテトラフルオロ−３−（ヘプタフルオロエトキシ）プロピルアクリレート（ｐｏｌｙ(poly(tetrafluoro-3-(heptafluoroethoxy)propyl acrylate)、ポリテトラフルオロエチレン(poly(tetrafluoroehtylene))、テトラフルオロエチレンヘキサフルオロプロピレンフッ化ビニリデン(tetrafluoroethylene hexafluoropropylene vinylidene fluoride)、ポリウンデカフルオロアクリレート(poly(undecafluorohexylacrylate))、ポリノナフルオロペンチルアクリレート(poly(nonafluoropentyl  acrylate))、ポリテトラフルオロ−３−（トリフルオロメトキシ）プロピルアクリレート(poly(tetrafluoro-3-(trifluoromethoxy)propyl  acrylate)、ポリペンタフルオロビニルプロピオネート(poly(pentafluorovinyl  propionate)、ポリヘプタフルオロブチルアクリレート(poly(heptafluorobutyl  acrylate))、ポリトリフルオロビニルアセテート(poly(trifluorovinyl  acetate))、ポリ1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアクリレート(poly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl acrylate)、ポリオクタフルオロペンチルアクリレート(poly(octafluoropentyl  acrylate))、ポリメチル3,3,3-トリフルオロプロピルシロキサン(poly(methyl3,3,3-trifluoropropyl  siloxane)、ポリ2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチルメタアクリレート(poly(2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl  methacrylate))、ポリペンタフルオロプロピルアクリレート(poly(pentafluoropropyl  acrylate)、ポリ2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルアクリレート(poly(2,2,3,3,3-pentafluoropropyl  acrylate))、ポリ２−ヘプタフルオロブトキシエチルアクリレート(poly(2-heptafluorobutoxy)ethylacrylate)、ポリクロロトリフルオロエチレン(poly(chlorotrifluoroethylene))及びポリ1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルメタアクリレート(poly(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl  methaacrylate)を含むが、それらに限定されるものではない。
【００７２】
ＳＴ２及びＳＴ１の差が大きいほど、第１材料上に第２材料が実質的に蒸着されないようにすることができるが、そうするために、ＳＴ２は、３０ｍＪ／ｍ2より大きくてもよい。または、ＳＴ２は、１００ｍＪ／ｍ2以上であってもよいが、それに限定されるものではない。
【００７３】
一実施例において、前記第２材料は、無機化合物からなる。具体的に、前記第２材料は、金属含有無機化合物からなる。
【００７４】
例えば、前記第２材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、インジウム（Ｉｎ）及びそれらの組み合わせを含む。具体的に、前記第２材料は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ及びそれらの組み合わせを含む。
【００７５】
第１画素ＰＸ１は、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂであってもよい。しかし、本発明は、それに制限されず、結合によって白色光を具現できるならば、如何なる色の組み合わせも可能である。
【００７６】
図４は、図２の表示装置の他の実施例による表示装置１Ｂを概略的に示す断面図である。図５は、図４のディスプレイ部２０をさらに詳細に示す断面図である。
【００７７】
補助層１１８は、パターニング用ファインメタルマスクを用いて透過領域２００にのみ配置される。一方、第２電極１３０は、図２と異なって、表示領域１００及び少なくとも一部の透過領域２００にいずれも対応して配置される。すなわち、第２電極１３０は、透過領域２００の全部または一部に対応して配置される。
【００７８】
以下、第２電極１３０が表示領域１００及び全ての透過領域２００に対応して配置された実施例を具体的に説明する。
【００７９】
第２材料をオープンマスクとして蒸着すれば、図５から分かるように、中間層１１７上には、表示領域１００に対応して第２電極１３０の第１部分１３０ａが配置され、補助層１１８上には、透過領域２００に対応して第２電極１３０の第２部分１３０ｂが配置される。第１部分１３０ａの厚さＴ1と第２部分１３０ｂの厚さＴ2は、下記数式２を満足する。
Ｔ1＞Ｔ2      ＜数式２＞
【００８０】
前記数式２を満足するので、第２部分１３０ｂによる透過率低下を減らすことができる。
【００８１】
ここで、Ｔ1は、すべての第１部分での第２電極の厚さの平均値を意味し、Ｔ2は、すべての第２部分での第２電極の厚さの平均値を意味する。ここで、第２材料がオープンマスクとして蒸着される領域は、すべての第１部分とすべての第２部分との和からなる。
【００８２】
但し、前述した内容が、第２電極が透過領域２００の一部に固まって(agglomeration)成膜される場合を排除するものではなく、第２電極が透過領域２００にアイランド形状に成膜されもする。
【００８３】
具体的に、Ｔ2は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下である。さらに具体的に、Ｔ2は、０ｎｍより大きく０．１ｎｍ以下である。前記範囲を満足すれば、透過領域２００には、実質的に第２電極１３０が配置されない。
【００８４】
以下では、第２電極１３０が表示領域１００及び一部の透過領域２００に対応して配置された実施例を具体的に説明する。すなわち、第２電極１３０は、透過領域２００の少なくとも一部には配置されない。
【００８５】
前記透過領域の一部に対応して配置された第２電極１３０の部分は、前記第２材料を含む複数個の粒子からなる。
【００８６】
具体的に、表示領域１００に対応して配置された第２電極１３０部分の厚さは、前記複数個の粒子の平均直径より大きくなる。さらに具体的に、表示領域１００に対応して配置された第２電極１３０の部分の厚さＴEと透過領域２００の一部に対応して配置された前記複数個の粒子の平均直径ＤMの比Ｒは、０．９以下である。さらに具体的に、Ｒは、０．０１以上、０．１以上、０．８以下、０．７以下、０．６以下、または０．５以下であってもよいが、それに限定されるものではない。Ｒが上述した範囲を満足すれば、所望のレベルの透過率を有する表示装置１を提供することができる。
Ｒ＝｛表示領域１００に対応して配置された第２電極１３０の部分の厚さＴE｝／｛透過領域２００の一部に対応して配置された複数個の粒子の平均直径ＤM｝
例えば、ＴEが１０ｎｍであるとき、ＤMは、約５ｎｍ以下であり、他の例として、ＴEが２０ｎｍであるとき、ＤMは、約１０ｎｍ以下である。
【００８７】
各構成要素は、前述した図２及び図３の実施例の対応する構成要素とその機能が同一または類似であるので、これについての具体的な説明は省略する。
【００８８】
図６及び図７は、本発明の他の実施例による表示装置２Ａを概略的に示す断面図及び平面図である。具体的に、図７は、互いに隣接した第１画素ＰＸ１、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂを示す平面図であり、図６は、図７のＡ−Ａ’に係わる断面図である。
【００８９】
図２及び３において図示された表示装置１Ａと異なって、図６及び７に図示された表示装置２Ａは、表示領域１００に含まれる回路領域１０１と発光領域１０２とは、平面上、互いに重畳するように配置される。
【００９０】
また、複数の第１画素ＰＸ１、例えば、第１赤色画素Ｐｒ、第１緑色画素Ｐｇ、及び第１青色画素Ｐｂに隣接した透過領域２００は、互いに連結されて共通の透過領域２００を形成する。その場合、図２及び図３の実施例よりも透過領域２００の面積が広くなる。これにより、表示装置２Ａの透過率を高めることができる。
【００９１】
各構成要素は、前述した図２及び図３の実施例の対応する構成要素とその機能が同一または類似であるので、これについての具体的な説明は省略する。
【００９２】
図８は、図６の表示装置の他の実施例による表示装置２Ｂを概略的に示す断面図である。
【００９３】
補助層１１８は、パターニング用ファインメタルマスクを用いて透過領域２００にのみ配置される。一方、第２電極１３０は、図６と異なって、表示領域１００及び少なくとも一部の透過領域２００にいずれも対応して配置される。すなわち、第２電極１３０は、透過領域２００の全部または一部に対応して配置される。
【００９４】
以下、第２電極１３０が表示領域１００及び全部の透過領域２００に対応して配置された実施例を具体的に説明する。
【００９５】
第２材料をオープンマスクとして蒸着すれば、中間層１１７上には、表示領域１００に対応して第２電極１３０の第１部分１３０ａが配置され、補助層１１８上には、透過領域２００に対応して第２電極１３０の第２部分１３０ｂが配置される。第１部分１３０ａの厚さは、第１厚さＴ1に表示され、第２部分１３０ｂの厚さは、第２厚さＴ2に表示され、第２厚さＴ2と第１厚さＴ1は、下記数式２を満足する。
Ｔ1＞Ｔ2      ＜数式２＞
前記数式２において、
Ｔ1は、前記表示領域の第２電極の厚さであり、
Ｔ2は、前記透過領域の第２電極の厚さである。
【００９６】
前記数式２を満足するので、第２部分１３０ｂによる透過率低下を減らすことができる。
【００９７】
具体的に、Ｔ2は、０ｎｍより大きく１ｎｍ以下である。さらに具体的に、Ｔ2は、０ｎｍより大きく０．１ｎｍ以下である。前記範囲を満足すれば、透過領域２００には、実質的に第２電極１３０が配置されない。
【００９８】
以下、第２電極１３０が表示領域１００及び一部の透過領域２００に対応して配置された実施例を具体的に説明する。すなわち、第２電極１３０は、透過領域２００の少なくとも一部には配置されない。
【００９９】
前記透過領域の一部に対応して配置された第２電極１３０の部分は、前記第２材料を含む複数個の粒子からなる。
【０１００】
具体的に、表示領域１００に対応して配置された第２電極１３０の部分の厚さは、前記複数個の粒子の平均直径より大きくなる。さらに具体的に、表示領域１００に対応して配置された第２電極１３０の部分の厚さＴEと透過領域２００の一部に対応して配置された前記複数個の粒子の平均直径ＤMの比Ｒは、０．９以下である。さらに具体的に、Ｒは、０．０１以上、０．１以上、０．８以下、０．７以下、０．６以下、または、０．５以下であってもよいが、それに限定されるものではない。Ｒが上述した範囲を満足すれば、所望のレベルの透過率を有する表示装置１を提供することができる。
Ｒ＝｛表示領域１００に対応して配置された第２電極１３０の部分の厚さＴE｝／｛透過領域２００の一部に対応して配置された複数個の粒子の平均直径ＤM｝
例えば、ＴEが１０ｎｍであるとき、ＤMは、約５ｎｍ以下であり、他の例として、ＴEが２０ｎｍであるとき、ＤMは、約１０ｎｍ以下である。
【０１０１】
各構成要素は、前述した図２乃至図４の実施例の対応する構成要素とその機能が同一または類似であるので、これについての具体的な説明は省略する。
【０１０２】
図９乃至図１４は、本発明の一実施例による表示装置１Ａの製造方法を断面図である。
【０１０３】
図９乃至図１４を参照すれば、本発明の一実施例による表示装置１Ａの製造方法は、第１基板を提供する段階と、前記第１基板上に表示領域と透過領域を含むディスプレイ部を提供する段階と、を含み、前記ディスプレイ部を提供する段階は、前記透過領域にのみ補助層を提供する段階と、前記表示領域上、または前記前記表示領域及び前記透過領域上に第２電極を提供する段階と、を含む。前記補助層は第１材料を含み、前記第２電極は第２材料を含み、第１材料及び第２材料についての説明は、前述したところを参照する。
【０１０４】
以下、図面を参照して、本発明の一実施例による表示装置１Ａの製造方法を具体的に説明する。
【０１０５】
図９を参照すれば、第１基板１０上にバッファ膜１１が提供され、バッファ膜１１上に薄膜トランジスタＴＲ１を含む画素回路が提供される。
【０１０６】
第１基板１０は、ガラス材、セラミック材、金属材、プラスチック材、またはフレキシブルまたはベンダブル特性を有する物質を含む。
【０１０７】
バッファ膜１１は、第１基板１０を介した不純元素の侵入を遮断し、表面を平坦化する機能を有し、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）のような無機物で単層または複数層で形成される。バッファ膜１１は省略されてもよい。
【０１０８】
バッファ膜１１上には、表示装置１Ａに第１画素ＰＸ１の半導体層１１１が提供される。半導体層１１１は、多様な物質を含む。例えば、半導体層１１１は、非晶質シリコンまたは結晶質シリコンのような無機半導体物質を含む。他の例として、半導体層１１１は、酸化物半導体を含むか、あるいは有機半導体物質を含む。
【０１０９】
半導体層１１１を覆うように第１絶縁膜１２がバッファ膜１１上に提供され、第１絶縁膜１２上に第１画素ＰＸ１のゲート電極１１２が提供される。
【０１１０】
第１絶縁膜１２は、SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZTのうち、選択された１つ以上の絶縁膜が単層または複数層で形成される。第１絶縁膜１２は、無機絶縁膜であってもよい。
【０１１１】
ゲート電極１１２は、多様な導電性物質で形成する。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち、選択された１つ以上の物質で単層または多層で形成される。例えば、ゲート電極１１２は、Ｍｏ／Ａｌ／ＭｏまたはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層で構成される。
【０１１２】
ゲート電極１１２を覆うように第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１３が提供され、第２絶縁膜１３上に第１画素ＰＸ１のソース電極１１３とドレイン電極１１４とが提供され、それぞれコンタクトホールを通じて半導体層１１１と電気的に接続される。
【０１１３】
第２絶縁膜１３は、無機絶縁膜であってもよい。第２絶縁膜１３は、SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZTのうち、選択された１つ以上の絶縁膜が単層または複数層で形成される。他の実施例において、第２絶縁膜１３は、有機絶縁膜であってもよい。
【０１１４】
ソース電極１１３及びドレイン電極１１４は、多様な導電性物質で形成される。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち、選択された１つ以上の物質で単層または多層で形成される。例えば、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４は、２層以上に構成される。
【０１１５】
薄膜トランジスタＴＲ１の構造は、必ずしも図示されたところに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタの構造が適用可能であるということは言うまでもない。
【０１１６】
第１画素ＰＸ１の薄膜トランジスタＴＲ１を覆うように第３絶縁膜１４が提供される。
【０１１７】
第３絶縁膜１４は、上面が平坦化された単層または複数層の有機絶縁膜で形成される。第３絶縁膜１４は、一般的な汎用ポリマー（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を有するポリマー誘導体、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー、アリールエーテル系ポリマー、アミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ｐ−キシレン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー及びそれらのブレンドなどを含む。例えば、第３絶縁膜１４は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂などを含む。
【０１１８】
一般的に、第３絶縁膜１４に含まれる化合物の表面エネルギーは、１００ｍＪ／ｍ2以上である。したがって、補助層１１８を透過領域２００に形成していない状態で、オープンマスクを用いて表示領域１００及び透過領域２００の両方の上に直接第２材料を蒸着すると、第３絶縁膜１４に含まれる化合物の表面エネルギーと前記第２材料の表面エネルギーが同一であるか、類似しているので、第２電極１３０がパターニングされる効果が全く得られない。
【０１１９】
第３絶縁膜１４上には、第１画素ＰＸ１の薄膜トランジスタＴＲ１と電気的に接続された発光素子ＥＬ１の第１電極１１６が提供される。第１電極１１６は、表示領域１００に対応して提供される。
【０１２０】
発光素子ＥＬ１が前面発光素子である場合、第１電極１１６は、反射電極として形成される。反射電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらの化合物などを含む反射層と、反射層上に形成された透明または半透明電極層を含む。発光素子ＥＬ１が背面発光素子である場合、第１電極１１６は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ2Ｏ3などの透明物質を含み、透明または半透明電極で構成される。
【０１２１】
図９に図示されたように、バッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４は、それぞれ表示領域１００及び透過領域２００の両方を覆うように提供される。しかし、本発明の実施例は、これに限定されず、バッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４のうち少なくとも１つが、透過領域２００に対応する位置に開口部（図示せず）を備えることで、透過領域２００の外光透過効率をさらに増加させることができる。
【０１２２】
外光は、透過領域２００を透過してユーザに認識される。したがって、透過領域２００には、透明な絶縁膜などのみが配置され、透過領域２００に配置された膜の境界面で発生する反射を最小化することで、透過領域２００の透過率を高めることができる。
【０１２３】
前記界面反射は、互いに接する膜間の屈折率差が大きいほど大きくなる。一実施例によれば、バッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４がいずれも実質的に同じ屈折率を有する単一の膜であってもよい。透過領域２００に配置されたバッファ膜１１、第１絶縁膜１２、第２絶縁膜１３及び第３絶縁膜１４の屈折率をいずれも同一に構成することで、膜間で発生する界面反射を最小化して透過領域２００の透過率を高めることができる。
【０１２４】
図１０を参照すれば、第３絶縁膜１４上に第１電極１１６の縁部を覆う第４絶縁膜１５が提供される。第４絶縁膜１５は、前記無機絶縁膜または有機絶縁膜で単層または複数層で形成される。
【０１２５】
第４絶縁膜１５は、表示装置１Ａの表示領域１００を覆うように備えられるが、必ずしも表示領域１００全体を覆うように備えられる必要はなく、少なくとも一部、特に、第１画素ＰＸ１の第１電極１１６の縁部だけ覆えば十分である。
【０１２６】
第４絶縁膜１５は、第１画素ＰＸ１の第１電極１１６の少なくとも一部を露出する第１開口１５ａと、透過領域２００に対応する位置の第２開口１５ｂとを備える。第４絶縁膜１５が透過領域２００には位置しない。よって透過領域２００の外光透過効率がさらに増加する。
【０１２７】
図１１を参照すれば、第１画素ＰＸ１の第１開口１５ａを通じて露出された第１電極１１６上に中間層１１７が提供される。
【０１２８】
中間層１１７は、光を放出する発光層を備え、その他に正孔注入層(HIL: hole injection layer)、正孔輸送層(HTL: hole transport layer)、電子輸送層(ETL: electron transport layer)及び電子注入層(EIL: electron injection layer)のうち、少なくとも１つの機能層をさらに含む。しかし、本実施例は、それに限定されず、第１電極１１６上には、多様な機能層がさらに配置される。
【０１２９】
発光層は、赤色発光層、緑色発光層または青色発光層である。または、発光層は、白色光を放出するように赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層された多層構造を有するか、赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質を含む単一層構造を有することができる。
【０１３０】
一実施例において、中間層１１７は、表示装置１Ａの発光領域１０２に対応する開口部Ｍ１１を有するマスク、例えば、FMM(Fine Metal Mask)を使用して発光領域１０２にのみ提供される。
【０１３１】
他の実施例において、中間層１１７のうち、発光層は、表示装置１Ａの発光領域１０２に対応する開口部Ｍ１１を有するFMM(Fine Metal Mask)を使用して発光領域１０２にのみ提供され、その他の機能層は、オープンマスクを使用して第１基板１０の前面に提供される。
【０１３２】
本発明の実施例において、表示装置１Ａの透過領域２００には、少なくとも発光層が提供されない。
【０１３３】
図１２を参照すれば、第２開口１５ｂを通じて露出された第３絶縁膜１４上に補助層１１８が提供される。
【０１３４】
一実施例において、補助層１１８は、乾式工程、例えば、透過領域２００に対応する開口部Ｍ２１を有するファインメタルマスクを用いて透過領域２００にのみ提供される。
【０１３５】
他の実施例において、補助層１１８は、湿式工程を用いて透過領域２００にのみコーティングされる。
【０１３６】
図１３を参照すれば、一実施例において、中間層１１７上、または中間層１１７及び補助層１１８上に第２電極１３０が提供される。
【０１３７】
第２電極１３０は、オープンマスクを用いて前記第２材料を蒸着することで提供される。この際、補助層１１８の第１材料と第２電極１３０の第２材料の表面エネルギーが互いに異なるように制御されることで、第１材料が提供された透過領域２００には実質的に第２材料が提供されない。すなわち、前記第２材料は、中間層１１７上には蒸着されやすいが、第１材料を含む補助層１１８上には蒸着され難い。したがって、第１材料を含む補助層１１８が透過領域２００に対応して配置されることで、第２材料を含む第２電極１３０は、透過領域２００には実質的に提供されず、表示領域１００にのみ対応して配置される。
【０１３８】
図１４を参照すれば、第１基板１０の上部にさらに第２基板３０をアライメントした後、第１基板１０と第２基板３０とを結合することができる。
【０１３９】
第２基板３０は、ガラス材、セラミック材、金属材、プラスチック材、またはフレキシブルまたはベンダブル特性を有する物質を含む。
【０１４０】
第２基板３０の第１基板１０を対向する面には、ブラックマットリックス（ＢＭ）とカラーフィルター（ＣＦ）が配置される。カラーフィルター（ＣＦ）は、表示装置１Ａの発光領域１０２に対応するように配置される。ブラックマットリックス（ＢＭ）は、表示装置１Ａの発光領域１０２と透過領域２００とを除いた領域に対応するように配置される。すなわち、表示装置１Ａの透過領域２００には、ブラックマットリックス（ＢＭ）が配置されない。
【０１４１】
図示されていないが、第２基板３０を第１基板１０に結合する前、第２電極１３０の上部に保護層がさらに配置される。保護層は、無機膜及び／または有機膜の単層または複数層であってもよい。
【０１４２】
また、図示されていないが、第２基板３０の上部には、多様な機能層がさらに備えられる。例えば、機能層は、第２基板３０の上面での反射を最小化する反射防止層、ユーザの手痕（例えば、指紋痕）のような汚染を防止する汚染防止層であってもよい。
【０１４３】
他の実施例において、上述した第２基板３０の代わりに薄膜封止層が第１基板１０の上部に配置される。薄膜封止層は、少なくとも１つの無機物からなる無機封止層及び少なくとも１つの有機物からなる有機封止層を含む。一部実施例において、薄膜封止層は、第１無機封止層／有機封止層／第２無機封止層が積層された構造に備えられる。
【０１４４】
図１５及び１６は、本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１４５】
他の実施例において、図１０に図示された工程後、図１５に図示された工程を行い、次いで、図１６に図示された工程を行い、図１３に図示されたように、中間層１１７及び補助層１１８上に第２電極１３０が共通層として第１基板１０の前面に提供されてもよい。具体的に、図１０に図示された工程後、図１５のように、第２開口１５ｂを通じて露出された第３絶縁膜１４上に補助層１１８が提供される。次いで、図１６のように、第１画素ＰＸ１の第１開口１５ａを通じて露出された第１電極１１６上に中間層１１７が提供される。
【０１４６】
補助層１１８が形成された後、第２電極１３０のみが形成されるならば、工程上の多様な変形が可能である。
【０１４７】
表示装置１は、携帯電話、ビデオフォン、スマートフォン(smart phone)、スマートパッド、スマートウォッチ、タブレットＰＣ、ノート型パソコン、コンピュータモニタ、テレビ、デジタル放送用端末機、PDA(Personal Digital Assistants)、PMP(Portable Multimedia Player)、ヘッドマウントディスプレイ装置(head mounted display、HMD)、車両用ナビゲーションのような電子機器１０００として具現される。
【０１４８】
図１７は、本発明の一実施例による電子機器の構成を概略的に示すブロック図である。図１８Ａ及び図１８Ｂは、本発明の一実施例による電子機器を概略的に示す斜視図である。
【０１４９】
図１７を参照すれば、電子機器１０００は、プロセッサ１０１０、メモリ装置１０２０、ストレージ装置１０３０、入出力装置１０４０、パワーサプライ１０５０及び表示装置１０６０を含む。この際、表示装置１０６０は、図１の表示装置１に相応する。電子機器１０００は、ビデオカード、サウンドカード、メモリカード、ＵＳＢ装置などと通信するか、または他のシステムと通信する多くのポート(port)をさらに含む。
【０１５０】
一実施例において、図１８Ａに図示されたように、電子機器１０００は、テレビとして具現される。他の実施例において、図１８Ｂに図示されたように、電子機器１０００は、スマートフォンとして具現される。但し、それらは、例示的なものであって、電子機器１０００がそれに限定されるものではない。
【０１５１】
次いで、図１９及び２０を参照して、補助層１１８の有無による第２電極１３０の形成について説明する。比較例１乃至３、実施例１及び実施例２の透過率が３００ｎｍ乃至１,０００ｎｍの波長で測定された。
【０１５２】
比較例１に表示されたグラフは、サンプル１の透過率グラフである。サンプル１は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板である。比較例２と表示されたグラフは、サンプル２の透過率グラフである。サンプル２は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上にＡｇＭｇ（重量比＝１０：１）を蒸着することで、９ｎｍ厚さのＡｇＭｇ薄膜を形成した基板である。実施例１に表示されたグラフは、サンプル３の透過率グラフである。サンプル３は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に１０ｎｍ厚さに補助層を形成した後、ＡｇＭｇを蒸着することで製造された基板である。比較例１の透過率グラフに近いほど第２電極が形成されていないことを意味する。
【０１５３】
図１９を参照すれば、実施例１のグラフが比較例２のグラフに比べて、比較例１のグラフに顕著に近いことを確認することができる。これにより、補助層を形成することで、第２電極が実質的に形成されていないことを確認することができる。
【０１５４】
比較例３と表示されたグラフは、サンプル４の透過率グラフである。サンプル４は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に３６ｎｍ厚さの混合電子輸送層を形成した後、１．３ｎｍ厚さのＹｂ薄膜を形成した基板である。実施例２と表示されたグラフは、サンプル５の透過率グラフである。サンプル５は、０．５ｍｍ厚さのガラス基板上に３６ｎｍ厚さの混合電子輸送層を形成した後、１０ｎｍ厚さに補助層を形成し、１．３ｎｍ厚さのＹｂ薄膜を形成した後、ＡｇＭｇ（重量比＝１０：１）を蒸着することで製造された基板である。比較例３の透過率グラフに近いほど、第２電極が形成されていないことを意味する。
【０１５５】
図２０を参照すれば、実施例２のグラフが比較例３のグラフに顕著に近いことを確認することができる。これにより、補助層を形成することで、第２電極が実質的に形成されていないことを確認することができる。また、実施例２の平均透過率は、８７．１５％であり、比較例３の平均透過率は、８７．４５％と非常に類似している。
【０１５６】
次いで、図２１Ａを参照すれば、実施例２の場合、補助層上に形成された第２電極が粒子形態を有していることを確認することができる。図２１Ｃは、図２１Ａの一部拡大図である。
【０１５７】
このように本発明は、図面に図示された実施例に基づいて説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当該分野で通常の知識を有する者であれば、これにより、多様な変形及び実施例の変形が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【符号の説明】
【０１５８】
１      表示装置
１０      第１基板
１１      バッファ膜
１２      第１絶縁膜
１３      第２絶縁膜
１４      第３絶縁膜
１５      第４絶縁膜
２０      ディスプレイ部
３０      第２基板
１Ａ      表示装置
６１      第１外光
６２      第２外光
１００      表示領域
１０１      回路領域
１０２      発光領域
１１１      半導体層
１１２      ゲート電極
１１３      ソース電極
１１４      ドレイン電極
１１６      第１電極
１１７      中間層
１１８      補助層
１３０      第２電極
２００      透過領域
ＴＲ１      薄膜トランジスタ
ＰＸ１      第１画素
ＥＬ１      発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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