(57)【要約】【課題】窒化物半導体レーザ素子における光学特性を向上させ、低コンタクト抵抗および高効率の窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板１上に、窒化物系化合物半導体からなるｎ型窒化物半導体層２と、活性層３と、ｐ型窒化物半導体層４とを順に成長させる工程と、ｐ型窒化物半導体層４上にコンタクト電極膜を形成する工程と、コンタクト電極膜を除去してリッジ導波路５を形成する工程と、リッジ導波路５上に透明導電膜６を形成する工程とを含み、ｐ型窒化物半導体層４とコンタクト電極膜とを反応させた反応層４ａを設けた窒化物半導体レーザ素子１０を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板の上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が設けられた窒化物半導体レーザ素子であって、
前記ｐ型窒化物半導体層の上部にリッジ導波路が備えられ、前記リッジ導波路の上部には透明導電膜が備えられ、
前記リッジ導波路は前記透明導電膜との間に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、またはＴｉのいずれか１つ以上の金属が拡散反応された反応層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子において、
前記反応層は、前記ｐ型窒化物半導体層と、前記金属を含むコンタクト電極膜との反応により形成され、前記コンタクト電極膜が除去されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子において、
前記透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＧＺＯのいずれか１つ以上の材料膜とされたことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
窒化物半導体基板上に、窒化物系化合物半導体からなるｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層とを順に成長させる工程と、
前記ｐ型窒化物半導体層上にリッジ導波路を形成する工程と、
前記リッジ導波路上に透明導電膜を形成する工程とを含み、
前記リッジ導波路と前記透明導電膜との間に反応層を設けることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記リッジ導波路を形成する工程の前に、前記ｐ型窒化物半導体層上にコンタクト電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記コンタクト電極膜を除去する工程とを含み、
前記電極膜形成工程では、前記ｐ型窒化物半導体層と前記コンタクト電極膜とを反応させて反応層を設けることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記電極膜形成工程では、前記コンタクト電極膜を、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、またはＴｉのいずれか１つ以上の金属により形成することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記ｐ型窒化物半導体層に対するイオン注入法により前記反応層を設けることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれか１つの請求項に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記透明導電膜の上にパッド電極を形成することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ光源は、ＤＶＤに代表される光ディスクへの高密度記録、画像処理、医療機器、計測機器などの分野で活用されるようになってきている。このようなレーザ光源には、例えば、ＧａＮ基板を用いた窒化物半導体レーザ素子を適用することができる。
【０００３】
従来、窒化物半導体レーザ素子のｐ型窒化物半導体層とのコンタクトを取る手段として、コンタクト電極膜（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ）や透明導電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ）が適用されたものがある。例えば、特許文献１には、窒化物半導体レーザ素子において、半導体層上に設けられたリッジ部の側面と半導体層の表面を覆う埋め込み絶縁膜と、リッジ部表面にコンタクトし、埋め込み絶縁膜上の一部でリッジ部に隣接する領域上を覆うｐ電極と、ｐ電極の端部上および埋め込み絶縁膜上の一部を覆う絶縁性保護膜と、ｐ電極上から絶縁性保護膜上の一部に跨がる領域に形成されたパッド電極と、半導体層の下層部に連なるｎ電極とを具備して、埋め込み絶縁膜とｐ電極との界面および絶縁性保護膜とパッド電極の界面にＩＴＯ膜を介在させた構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許５０９８１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記従来の構成にみられるコンタクト電極膜のような金属膜は、透明導電膜に比べ仕事関数が大きいことから、低コンタクト抵抗化によって駆動電圧を低下させるメリットがある。その一方で、半導体層内の発生光がコンタクト電極膜に吸収されることに伴ってレーザ発振電流値の悪化や効率低下といったデメリットもあった。
【０００６】
また、透明導電膜は、前記金属膜に比べて半導体層内の発生光を吸収しにくく、レーザ発振電流値や効率を改善するメリットがある。一方で、透明導電膜は前記金属膜に比べて仕事関数が小さくなることから、高コンタクト抵抗化による駆動電圧の悪化といったデメリットがあった。
【０００７】
そのため、前記従来の窒化物半導体レーザ素子では、ｐ型窒化物半導体層上にコンタクト電極膜と、厚膜の透明導電膜が順に形成された構成であることによって、コンタクト電極膜による半導体層との低コンタクト抵抗を確保しながら、半導体層内の発生光の吸収低減による閾値電流低下や効率の向上が意図されている。しかしながら、ｐ型窒化物半導体層の上にコンタクト電極膜を形成した場合には、そのコンタクト電極膜が薄膜であったとしても、発生光の吸収を完全に抑えることが難しいという問題点があった。
【０００８】
本発明は、上記のような従来の問題点にかんがみてなされたものであり、その目的とするところは、窒化物半導体レーザ素子における光学特性を向上させ、低コンタクト抵抗化と高効率化との両方を実現し得る窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明は、窒化物半導体基板の上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が設けられた窒化物半導体レーザ素子であって、前記ｐ型窒化物半導体層の上部にリッジ導波路が備えられ、前記リッジ導波路の上部には透明導電膜が備えられ、前記リッジ導波路は前記透明導電膜との間に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、またはＴｉのいずれか１つ以上の金属が拡散反応された反応層を有することを特徴としている。また、前記反応層は前記ｐ型窒化物半導体層と除去されたコンタクト電極膜との反応により形成されたものであることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は前記窒化物半導体レーザ素子を製造する製造方法もその技術的思想の範疇にあり、窒化物半導体基板上に、窒化物系化合物半導体からなるｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層とを順に成長させる工程と、前記ｐ型窒化物半導体層上にリッジ導波路を形成する工程と、前記リッジ導波路上に透明導電膜を形成する工程とを含み、前記リッジ導波路と前記透明導電膜との間に反応層を設けることを特徴としている。
【００１１】
このような特定事項により、前記コンタクト電極膜によるデメリットを排除し得て、光吸収を抑制しつつ低コンタクト抵抗化を実現するとともに、レーザ特性を安定化させた高効率の窒化物半導体レーザ素子とすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ｐ型窒化物半導体層上の反応層によって低コンタクト抵抗化を実現しつつ、透明導電膜により光吸収を低減させることが可能となり、閾値電流の低下および効率向上を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３】図２の次工程を示す断面図である。
【図４】図３の次工程を示す断面図である。
【図５】図４の次工程を示す断面図である。
【図６】図５の次工程を示す断面図である。
【図７】図６の次工程を示す断面図である。
【図８】図７の次工程を示す断面図である。
【図９】図８の次工程を示す断面図である。
【図１０】図９の次工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０の概略構造を示す断面図である。なお、本実施形態において参照する図面では、明瞭化のために断面を示すハッチングを省略して記載している。また、各図において、長さ、幅、および厚さなどは、図面の明瞭化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表しているものではない。
【００１６】
（窒化物半導体レーザ素子の全体構造）
図１に示すように、本実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１上に、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４が、この順に積層されている。
【００１７】
窒化物半導体基板１は、ＧａＮ基板であることが好ましく、ｎ型不純物としてＳｉが添加されて導電性を有する基板などを用いることができる。窒化物半導体レーザ素子１０において、Ｓｉを含む構成の窒化物半導体基板１を有することにより、各層の積層方向に電流を動かし、直列抵抗を下げ、チップ構造を簡略化することが可能となる。
【００１８】
ｎ型窒化物半導体層２、活性層３およびｐ型窒化物半導体層４は、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）により構成することができ、従来公知の適宜の構造および厚さとすることが可能とされる。活性層３としては、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）とすることが好ましい。
【００１９】
ｐ型窒化物半導体層４の上部には、ストライプ状（細長状）のリッジ導波路５が設けられている。リッジ導波路５は、Ｘ方向（リッジ導波路５の延在方向Ｙと直交する横方向）の屈折率差を利用してＸ方向の光閉じ込めを行うとともに、ｐ型窒化物半導体層４等へ注入される電流を狭窄する。活性層３のうち、リッジ導波路５の直下の部分は、電流注入領域に対応しており、この電流注入領域が発光領域となる。
【００２０】
このリッジ導波路５の上部には透明導電膜６が設けられ、その上に絶縁膜７が設けられている。透明導電膜６は、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、またはＧＺＯ膜とされている。このような透明導電膜６により、絶縁膜７との界面の密着性を向上させることができる。また、透明導電膜６としてＩＴＯ膜等を用いた場合、活性層３からの光を透明導電膜６の界面で反射させるミラー効果が得られ、光の閉じ込め効果を向上させることができる。
【００２１】
リッジ導波路５は透明導電膜６との間に、反応層４ａを有している。反応層４ａは、ｐ型窒化物半導体層４と、後述するコンタクト電極膜との反応によって形成されている。反応層４ａは、コンタクト電極膜を構成する金属（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、またはＴｉのいずれか１つ以上の金属）が、ｐ型窒化物半導体層４の表面に拡散されて構成されている。そのため、反応層４ａはｐ型窒化物半導体層４上のリッジ導波路５上において極めて薄い表面層を構成し、コンタクト層として機能する。
【００２２】
絶縁膜７は、例えばＳｉＯ２などの絶縁性膜により構成され、リッジ導波路５の側面およびリッジ導波路５の外側領域（ｐ型窒化物半導体層４の平坦部上）を覆うように設けられている。
【００２３】
絶縁膜７および透明導電膜６の上面には、リッジ導波路５からキャリアを注入するためのｐ型パッド電極８が設けられている。ｐ型パッド電極８は、絶縁膜７の一部と透明導電膜６を覆うように形成されている。また、窒化物半導体基板１の裏面には、基板下からキャリアを注入するためのｎ型パッド電極９が設けられている。
【００２４】
このような積層構造を有する窒化物半導体レーザ素子１０は、以下に示す製造方法によって好適に形成することができる。
【００２５】
（窒化物半導体レーザ素子の製造方法）
図２〜図１０は、前記のような窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法における各工程を順に示す断面図である。本実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法は、次の工程を備えて構成されている。
【００２６】
すなわち、窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法としては、少なくとも、窒化物半導体基板１上に、窒化物系化合物半導体からなるｎ型窒化物半導体層２と、活性層３と、ｐ型窒化物半導体層４とを順に成長させる第１工程と、次いで、ｐ型窒化物半導体層４上にコンタクト電極膜２０を形成する第２工程（電極膜形成工程）と、次いで、コンタクト電極膜２０を除去してリッジ導波路５を形成する第３工程と、リッジ導波路５上に透明導電膜６を形成する第４工程とを含んで構成されている。
【００２７】
第１工程では、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属化学気相成長）法などのエピタキシャル成長法により、窒化物半導体基板１上に各層を成長させてレーザ素子を製造するためのウエハを構成する。
【００２８】
図２に示すように、窒化物半導体基板１の上には、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４を順に形成する。ｎ型窒化物半導体層２としては、不純物として主にＳｉをドープしたＡｌＧａＮ層、ＳｉをドープしたＧａＮ層、ＳｉをドープしたＡｌＩｎＧａＮ層、またはＳｉをドープしたＩｎＧａＮ層を用いることができる。窒化物半導体にドープされたＳｉは、窒化物半導体のｎ型として機能する。ｎ型窒化物半導体層２は、単層からなる構成であっても、また、前記の複数の層からなる構成であってもよい。
【００２９】
活性層３は、井戸層と障壁層が交互に構成される多重量子井戸構造であることが好ましい。例えば、活性層３は、障壁層から始まり障壁層で終了する、障壁層３層および井戸層２層の二重量子井戸構造とすることができる。活性層３は、複数層の井戸層から発光するので、単色性を保つためにはＩｎ組成比および層厚は複数層ともに同じであることが望ましい。障壁層の層厚は複数層でそれぞれ変更することができる。
【００３０】
ｐ型窒化物半導体層４は、不純物として主にＭｇをドープしたＡｌＧａＮ層、ＭｇをドープしたＧａＮ層、ＭｇをドープしたＡｌＩｎＧａＮ層、またはＭｇをドープしたＩｎＧａＮ層などを用いることができる。窒化物半導体にドープされたＭｇは、窒化物半導体のｐ型として機能する。ｐ型窒化物半導体層４は、単層からなる構成であっても、前記の複数の層からなる構成であってもよい。
【００３１】
次いで、第２工程では、図３に示すように、ｐ型窒化物半導体層４上にコンタクト電極膜２０を形成する（電極膜形成工程）。この工程では、熱伝導率および電気伝導率が比較的高い金属である、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、またはＴｉのいずれか１つ以上の金属を、ｐ型窒化物半導体層４の表面に拡散させることによって、コンタクト電極膜２０を形成する。コンタクト電極膜２０は、例えば、電解メッキ、蒸着等の方法により形成することができ、その厚みを例えば１０Å〜５０００Åとして形成することが好ましい。
【００３２】
この電極膜形成工程では、さらに前記のように形成したコンタクト電極膜２０と、ｐ型窒化物半導体層４とを反応させて、ｐ型窒化物半導体層４の表面に反応層４ａを形成する。
【００３３】
次いで、第３工程として、コンタクト電極膜２０を、ウェットエッチング法によりエッチングする。図４に示すように、コンタクト電極膜２０は、このエッチングによって窒化物半導体レーザ素子１０のレーザ構造には残らず、全面除去される。コンタクト電極膜２０は、窒化物半導体レーザ素子１０の積層構造として最終的な構造に含まれないものとなる。
【００３４】
コンタクト電極膜２０を除去した後のｐ型窒化物半導体層４の表面には、コンタクト電極膜２０によって反応層４ａが形成されている。反応層４ａは、ｐ型窒化物半導体層４の表面に前記金属が拡散された層であって、コンタクト電極膜２０に比べて極めて薄い層とされている。
【００３５】
次いで、図５に示すように、表面に反応層４ａを有するｐ型窒化物半導体層４の一部に、リッジ形状のリッジ導波路５を形成する。リッジ導波路５は、窒化物半導体レーザ素子１０の端面に直交する方向（図１に示すＹ方向）に延びるストライプ状に形成される。
【００３６】
このリッジ導波路５は、レジストフォトマスク１１を用いて、ドライエッチング装置によりｐ型窒化物半導体層４の一部をエッチング加工して形成する。リッジ導波路５を形成した後、レジストフォトマスク１１を除去する。
【００３７】
次いで、第４工程として、図６に示すように、リッジ導波路５上に透明導電膜６を形成する。透明導電膜６は、可視光に対する透過率が高く、高い透光性を有している。図示する形態では、例えば透明導電膜６は酸化インジウムに錫をドープしたＩＴＯ膜とされており、ｐ型窒化物半導体層４およびリッジ導波路５を覆うように形成されている。この状態で、リッジ導波路５の側面も、透明導電膜６に覆われている。
【００３８】
第４工程に続く工程として、図７に示すように、透明導電膜６を、リッジ導波路５の上部にだけ残すようにしてエッチングする。すなわち、例えば、リッジ導波路５の上部に対応させて配置したレジストマスク１２を用いて、透明導電膜６をエッチングする。このようなエッチングの後、レジストマスク１２を除去する。
【００３９】
さらに、図８に示すように、透明導電膜６、リッジ導波路５、およびｐ型窒化物半導体層４を覆うように、絶縁膜７を形成する。絶縁膜７としては、例えばＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成することが好ましい。その後、このように形成した透明導電膜６の上の絶縁膜７の一部を除去する。
【００４０】
図９に示すように、フォトマスク１３を用いてリッジ導波路５の上部から絶縁膜７を除去し、透明導電膜６を露出させる。絶縁膜７の除去には、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いることができる。リッジ導波路５および透明導電膜６の上面は、Ｘ方向の両端部が絶縁膜７に覆われ、中央部の透明導電膜６は絶縁膜７から露出している。露出する透明導電膜６の部分は、リッジ導波路５の上面のＸ方向の幅よりも狭い幅により形成され、Ｙ方向に延びるように設けられている。
【００４１】
次いで、図１０に示すように、絶縁膜７の上部に、フォトリソグラフィ技術などによって透明導電膜６と絶縁膜７の一部に接触するようにｐ型パッド電極８を形成する。ｐ型パッド電極８として、ここでは、Ｔｉ／Ａｕ構造を用いた。
【００４２】
また、窒化物半導体基板１の裏面を研削または研磨することによって、窒化物半導体基板１の厚みを薄くし、真空蒸着法などを用いて窒化物半導体基板１の裏面にｎ型パッド電極９を形成する。これにより、図１に示される窒化物半導体レーザ素子１０が得られる。
【００４３】
このように構成される窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法では、ｐ型窒化物半導体層４上に透明導電膜６を形成するとともに、コンタクト電極膜２０による反応層４ａを形成し、そのコンタクト電極膜２０を除去している。
【００４４】
これにより、ｐ型窒化物半導体層４の表面の反応層４ａは、極めて薄い層であるが、これをコンタクト層として利用することができる。透明導電膜６は、高透過率を有するので、コンタクト電極膜２０のような金属膜を設けた場合に比べて、光吸収を抑えることが可能となる。したがって、コンタクト抵抗を改善することができ、レーザ発振電流値を低減するとともに閾値電流を低下させて、効率を格段に向上させることが可能となる。
【００４５】
（他の実施形態）
図１１は、本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【００４６】
本発明に係る窒化物半導体レーザ素子１０の製造方法として、前記方法のほか、ｐ型窒化物半導体層４上にコンタクト電極膜２０を形成する第２工程（電極膜形成工程）およびコンタクト電極膜２０を除去してリッジ導波路５を形成する第３工程にかえて、イオン注入法によって反応層４ａを形成する方法が用いられてもよい。
【００４７】
すなわち、図２に示すように、窒化物半導体基板１の上には、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４を順に形成した後、例えば図１１に示すように、レジストマスク１４をイオン注入マスクとして用いて、コンタクト電極イオン種３０をｐ型窒化物半導体層４の表面に注入して反応層４ａを形成する。このようなイオン注入法は、注入イオンのエネルギーを変化させることにより、所望の深さまでの層にほぼ一様にイオンを打ち込むことが可能とされる。
【００４８】
コンタクト電極イオン種３０としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、またはＴｉから選択された少なくとも１種の電極物質イオンであることが好ましい。注入イオンおよびイオン濃度は、イオン注入エネルギーおよびドーズ量などによって制御することができる。その後、レジストマスク１４をすべて除去する。
【００４９】
イオン注入法によって反応層４ａを形成した後、前記実施形態と同様に、反応層４ａを有するｐ型窒化物半導体層４の一部にリッジ導波路５を形成し、リッジ導波路５上に透明導電膜６を形成する。このような方法によっても、窒化物半導体レーザ素子１０を好適に形成することができる。
【００５０】
以上のように、本発明の各実施形態に係る窒化物半導体レーザ素子１０においては、ｐ型窒化物半導体層４の表面の反応層４ａにより、コンタクト電極膜と同等の低コンタクト抵抗化を実現しつつ、透明導電膜６の高透過率により光吸収を低減し、立ち上がり電流の低減や効率向上を達成することが可能となる。
【００５１】
なお、本発明に係る窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法は、前記実施形態に示す構成に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法は、ＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子やＣＣＤなどの受光素子等に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  窒化物半導体レーザ素子
１    窒化物半導体基板
２    ｎ型窒化物半導体層
３    活性層
４    ｐ型窒化物半導体層
４ａ  反応層
５    リッジ導波路
６    透明導電膜
７    絶縁膜
８    ｐ型パッド電極
９    ｎ型パッド電極
２０  コンタクト電極膜
３０  コンタクト電極イオン種
【図１】
2020181875.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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