(57)【要約】【課題】配線部の表面を流れる半田の拡散をより確実に抑制することが可能な立体配線回路基板を得る。【解決手段】立体配線回路基板１は、基体部２と３次元形状の配線部３とを備えている。また、配線部３は、Ｎｉメッキ層３２とＡｕメッキ層３３とを有する積層体３０を備えている。また、配線部３の露出面３５は、Ａｕ露出領域Ａ１とＮｉ露出領域Ａ２とを備えている。また、Ａｕ露出領域Ａ１は、実装予定領域Ａ３と流入防止希望領域Ａ４とを備えている。そして、Ｎｉ露出領域Ａ２は、実装予定領域Ａ３から流入防止希望領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるように配置されており、Ｎｉ露出領域Ａ２の全体が配線部３の輪郭線３４よりも内側に形成されている。【選択図】図３
2020181856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元形状の表面が形成される立体形状部を有する基体部と、
前記基体部の表面に形成される３次元形状の配線部と、
を備え、
前記配線部は、Ｎｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上部に積層されるＡｕメッキ層と、を有する積層体を備えており、
前記配線部の露出面は、前記Ａｕメッキ層が露出するＡｕ露出領域と、前記Ｎｉメッキ層が露出するＮｉ露出領域と、を備えており、
前記Ａｕ露出領域は、実装部品の半田付けが予定される実装予定領域と、前記半田の流入を防止したい流入防止希望領域と、を備えており、
前記Ｎｉ露出領域は、前記実装予定領域から前記流入防止希望領域へと向かう前記半田の流向を変化させるように配置されており、
前記Ｎｉ露出領域の全体が前記配線部の輪郭線よりも内側に形成されていることを特徴とする立体配線回路基板。
【請求項２】
前記Ｎｉ露出領域は、境界線が前記実装予定領域側に形成される閉じた内側境界線を有し、前記内側境界線で囲まれた領域に前記実装予定領域が存在する第１のＮｉ露出領域を備えていることを特徴とする請求項１に記載の立体配線回路基板。
【請求項３】
前記第１のＮｉ露出領域が帯状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の立体配線回路基板。
【請求項４】
前記第１のＮｉ露出領域が３次元形状をしていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の立体配線回路基板。
【請求項５】
前記Ｎｉ露出領域は、閉じた境界線で囲まれた領域を前記Ｎｉメッキ層が露出する領域とした第２のＮｉ露出領域を備えていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の立体配線回路基板。
【請求項６】
前記第２のＮｉ露出領域が帯状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の立体配線回路基板。
【請求項７】
前記第２のＮｉ露出領域は、前記実装予定領域の周囲を囲うように形成されており、
前記実装予定領域は、少なくとも前記流入防止希望領域側の半分が前記第２のＮｉ露出領域によって囲われていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の立体配線回路基板。
【請求項８】
前記実装予定領域内の点を点Ｐ１とし、点Ｐ１から前記流入防止希望領域までの前記Ａｕ露出領域上の最短経路を最短経路Ｒ１とし、点Ｐ１から前記流入防止希望領域までの前記配線部の露出面上の最短距離を最短距離Ｄ１とし、最短経路Ｒ１上の点Ｐ１以外の点から前記流入防止希望領域までの前記配線部の露出面上の最短距離を最短距離Ｄ２とした場合に、前記実装予定領域内の任意の点Ｐ１において、前記最短経路Ｒ１が、前記最短距離Ｄ２が前記最短距離Ｄ１よりも長くなる点を有するように、前記実装予定領域の周囲が前記第２のＮｉ露出領域によって囲われていることを特徴とする請求項５〜７のうちいずれか１項に記載の立体配線回路基板。
【請求項９】
前記実装予定領域の周囲が複数の前記第２のＮｉ露出領域によって囲われており、
前記実装予定領域内の点を点Ｐ１とし、点Ｐ１から前記流入防止希望領域までの前記Ａｕ露出領域上の最短経路を最短経路Ｒ１とし、前記半田が点Ｐ１から前記流入防止希望領域まで最短経路Ｒ１上を流れた場合に、前記実装予定領域内の任意の点Ｐ１における前記最短経路Ｒ１が、前記流入防止希望領域から離れる方向に前記半田が流れる部位を有するように、前記実装予定領域の周囲が前記複数の第２のＮｉ露出領域によって囲われていることを特徴とする請求項５〜８のうちいずれか１項に記載の立体配線回路基板。
【請求項１０】
前記第２のＮｉ露出領域が３次元形状をしていることを特徴とする請求項５〜９のうちいずれか１項に記載の立体配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、立体配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、立体配線回路基板として、３次元形状の表面が形成される立体形状部を有する基体部と、基体部の表面に形成される３次元形状の配線部と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１では、射出成形品の表面に立体的な電気回路を直接的に形成するＭＩＤ（Molded Interconnected Device）技術を用いることで、すり鉢状の凹部を有する基体部の表面に配線部を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１２８０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基体部の表面に形成される配線部は、一般的に、Ｃｕメッキ層、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層を順次積層することで形成されている。
【０００６】
したがって、一般的な立体配線回路基板では、Ａｕメッキ層の表面が配線部の露出面となっており、このＡｕメッキ層の表面上で電子部品などの実装部品の半田付けが行われている。
【０００７】
しかしながら、Ａｕ（金）は、半田に対する濡れ性が比較的良好な物質であるため、Ａｕメッキ層の表面上で半田付けを行うと、半田がＡｕメッキ層の表面上を流れて広範囲に拡散してしまうおそれがある。
【０００８】
そして、Ａｕメッキ層の広範囲に半田が拡散すると、配線部の半田流入を予定していない領域に半田が流れて何らかの不具合が生じてしまうおそれがある。特に、小型化された立体配線回路基板を用いた場合に、このような問題が顕著になる。
【０００９】
そこで、本開示は、配線部の表面を流れる半田の拡散をより確実に抑制することが可能な立体配線回路基板を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示にかかる立体配線回路基板は、３次元形状の表面が形成される立体形状部を有する基体部と、前記基体部の表面に形成される３次元形状の配線部と、を備えている。また、前記配線部は、Ｎｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上部に積層されるＡｕメッキ層と、を有する積層体を備えている。また、前記配線部の露出面は、前記Ａｕメッキ層が露出するＡｕ露出領域と、前記Ｎｉメッキ層が露出するＮｉ露出領域と、を備えている。また、前記Ａｕ露出領域は、実装部品の半田付けが予定される実装予定領域と、前記半田の流入を防止したい流入防止希望領域と、を備えている。そして、前記Ｎｉ露出領域は、前記実装予定領域から前記流入防止希望領域へと向かう前記半田の流向を変化させるように配置されており、前記Ｎｉ露出領域の全体が前記配線部の輪郭線よりも内側に形成されている。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、配線部の表面を流れる半田の拡散をより確実に抑制することが可能な立体配線回路基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態にかかる立体配線回路基板を模式的に示す斜視図である。
【図２】第１実施形態にかかる立体配線回路基板を模式的に示す図であって、（ａ）は一方向に沿って視た側面図、（ｂ）は一方向と交差する方向に沿って視た側面図、（ｃ）は裏面図である。
【図３】第１実施形態にかかる立体配線回路基板を模式的に示す平面図である。
【図４】第１実施形態にかかる立体配線回路基板を模式的に示す側断面図である。
【図５】第１実施形態にかかる配線部の積層体を模式的に示す断面図である。
【図６】比較例にかかる配線部を模式的に示す平面図である。
【図７】比較例にかかる配線部を模式的に示す断面図である。
【図８】第１実施形態にかかる配線部を模式的に示す平面図である。
【図９】第１実施形態にかかる配線部を模式的に示す平面図である。
【図１０】第１実施形態の変形例にかかる立体配線回路基板を模式的に示す斜視図である。
【図１１】第１実施形態の変形例にかかる立体配線回路基板を模式的に示す平面図である。
【図１２】第２実施形態にかかる立体配線回路基板を模式的に示す斜視図である。
【図１３】第２実施形態にかかる立体配線回路基板を模式的に示す平面図である。
【図１４】第２実施形態にかかる配線部を模式的に示す平面図である。
【図１５】第２実施形態の変形例にかかる配線部を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
本実施形態にかかる立体配線回路基板１は、図１および図２に示すように、基体部２を備えている。
【００１５】
基体部２は、樹脂やセラミック等の材料を用いて形成されており、３次元形状の表面２１が形成される立体形状部２０を有している。すなわち、立体形状部２０は、突部や凹部、貫通孔などを有する３次元立体形状をしている。
【００１６】
本実施形態では、基体部２は、上方に開口する凹部２４を有する箱形に形成されている。すなわち、基体部２は、略矩形板状の底壁２２と、底壁２２の外周端の４辺からそれぞれ上方に立ち上がるように連設され、底壁２２の外周の全周を囲うように形成された周壁２３と、を備えている。
【００１７】
また、凹部２４は、底壁２２の上面２２１と周壁２３の内側面２３１とで画成されており、この上面２２１および内側面２３１が凹部２４の内面２４１となっている。なお、本実施形態では、内側面２３１は、上方かつ外方に傾斜する傾斜面となっている（図３および図４参照）。
【００１８】
そして、周壁２３の上面２３２が内側面２３１（内面２４１）の上端縁に連設されており、周壁２３の外側面２３３が上面２３２の外周端縁に連設されている。また、周壁２３の外側面２３３の下端縁が底壁２２の下面２２２に連設されている。
【００１９】
このように、基体部２は、外面２１１と外面２１１に連設される内面２１２とで形成される３次元形状の表面２１を有している。本実施形態では、外面２１１は、周壁２３の上面２３２を有しており、内面２１２は、凹部２４の内面２４１（底壁２２の上面２２１および周壁２３の内側面２３１）を有している。
【００２０】
そして、基体部２の全体が、３次元形状の表面２１が形成される立体形状部２０を形成している。
【００２１】
この基体部２の形状は、用途などに応じて様々な形状とすることが可能である。例えば、矩形板状の基板の一部を突出させることで、基体部２の一部が立体形状部２０となるようにすることも可能である。なお、突出させる部分の形状としては、例えば、山型（錐状、錘台状など）、柱状、半球状などがある。
【００２２】
そして、基体部２の表面２１には３次元形状の配線部３が形成されており、この配線部３と基体部２とで立体配線回路基板１を形成している。この配線部３は、例えば、ＭＩＤ（Molded Interconnect Devices）技術を用いて基体部２の表面２１に直接形成することができる。ここで、ＭＩＤとは、射出成形品等の立体成形品の表面に電気回路を一体形成した３次元成形回路部品のことで、このＭＩＤ技術を用いることで、従来の２次元回路とは異なり、傾斜面、垂直面、曲面、成形体内部の貫通孔等にも回路を付加することができるようになる。
【００２３】
なお、このＭＩＤとしては、特に特開２００８−１５９９４２号公報（段落０００２〜０００３）、特開２０１１−１３４７７７号公報（段落０００３）に開示されているＭＩＰＴＥＣ（登録商標）（微細複合加工技術）を用いることができる。ＭＩＰＴＥＣ（登録商標）によれば、射出成形品の表面に電気回路を形成するＭＩＤ技術に、成形表面活性化処理技術とレーザパターニング工法等を用いることで、微細パターニング、かつ、ベアチップ実装が可能な３Ｄ実装デバイスを実現することができる。
【００２４】
本実施形態では、図３および図４に示すように、８本の配線部３が、立体形状部２０（基体部２）の内面２１２から外面２１１にかけて延在するように形成されている。具体的には、それぞれの配線部３は、底壁２２の上面２２１から内側面２３１および上面２３２を通って周壁２３の外側面２３３の下端まで延在するように形成されている。このように、本実施形態では、８本の配線部３は、いずれも、内面２１２から外面２１１にかけて延在する３次元形状をしている。
【００２５】
また、配線部３は、平面視で、端点を持たない閉じた輪郭線３４を有しており、それぞれの配線部３は、輪郭線３４が、他の配線部３の輪郭線３４とは交わらないように形成されている。すなわち、８本の配線部３は、それぞれ電気的に絶縁された状態で、立体形状部２０（基体部２）の表面２１に形成されている。
【００２６】
そして、いずれか２つの配線３の間を架け渡すように電子部品（実装部品）を実装することで、電子部品が架け渡された２つの配線３が、電子部品を介して電気的に接続されるようにしている。
【００２７】
本実施形態では、配線３における底壁２２の上面２２１（凹部２４の内底面）に形成された部位で、電子部品（実装部品）が半田付けにより実装されるようにしている。すなわち、配線３における底壁２２の上面２２１に形成された部位に、電子部品の半田付けが予定される実装予定領域Ａ３が形成されるようにしている（図３参照）。なお、実装予定領域Ａ３で半田付けされる電子部品としては、例えば、ＬＥＤ素子などの発光素子、抵抗やコンデンサ等があげられる。
【００２８】
また、配線部３は、複数のメッキ層が積層された積層構造をしている。本実施形態では、立体形状部２０（基体部２）の表面２１側から順に、Ｃｕメッキ層３１、Ｎｉメッキ層３２、Ａｕメッキ層３３を積層することで、積層体３０を有する配線部３が形成されている（図５参照）。このような配線部３は、例えば、電解メッキや、無電解メッキ等、従来公知の技術を用いて形成することができる。
【００２９】
このように、本実施形態では、配線部３が３層構造をしており、最内層がＣｕメッキ層３１で、最外層がＡｕメッキ層３３となっている。そして、Ｃｕメッキ層３１とＡｕメッキ層３３との間に挟まれるようにＮｉメッキ層３２が積層されている。すなわち、最外に積層されたＡｕメッキ層３３の表面が配線部３の露出面３５となっており、配線部３の露出面３５は、Ａｕメッキ層３３が露出するＡｕ露出領域Ａ１を有している。
【００３０】
そして、電子部品の半田付けは、一般的に、このＡｕメッキ層３３が露出するＡｕ露出領域Ａ１において行われる。すなわち、Ａｕメッキ層３３の表面上で電子部品の半田付けが行われる。
【００３１】
このＡｕ（金）は、上述したように、半田に対する濡れ性が比較的良好な物質であるため、Ａｕ露出領域Ａ１は、電子部品の半田付けに適した領域となっている。しかしながら、Ａｕ露出領域Ａ１（Ａｕメッキ層３３の表面上）で半田付けを行うと、Ａｕ（金）が比較的良好な半田濡れ性を有するために、半田がＡｕメッキ層３３の表面上を流れて広範囲に拡散してしまうおそれがある。
【００３２】
このとき、Ａｕ露出領域Ａ１の一部に、半田が流れてしまうと何らかの不具合が生じるおそれのある領域（後述する半田流入ＮＧ領域Ａ４）が存在している場合、そのような領域に半田が流れてしまうことを防止できるようにする必要がある。すなわち、電子部品の実装のために用いた半田が、半田流入ＮＧ領域Ａ４にまで拡散してしまうことを抑制できるようにする必要がある。
【００３３】
本実施形態では、Ａｕ露出領域Ａ１の一部に、半田の流入を防止したい流入防止希望領域としての半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する配線部３を例示している。具体的には、底壁２２の上面２２１に形成されたＡｕ露出領域Ａ１に実装予定領域Ａ３が形成されており、周壁２３の上面２３２に形成されたＡｕ露出領域Ａ１の全体が、半田流入ＮＧ領域（流入防止希望領域）Ａ４となる配線部３を例示している。
【００３４】
本実施形態では、便宜上、周壁２３の上面２３２に配置されたＡｕ露出領域Ａ１は半田流入ＮＧ領域Ａ４となる配線部３を例示したが、半田流入ＮＧ領域Ａ４は、基体部２の形状や配線部３の形状、立体配線回路基板１を用いる場所等を考慮して適宜決められるものである。
【００３５】
ここで、実装予定領域Ａ３からＡｕ露出領域Ａ１を伝って拡散される半田が、半田流入ＮＧ領域Ａ４まで到達してしまうことを防止するためには、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの距離を十分にとることが考えられる。また、実装予定領域Ａ３において電子部品の実装のために使用する半田の量を少なくすることも考えられる。
【００３６】
しかしながら、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの距離を、半田が流入しない程度に大きくすると、立体配線回路基板１が大型化してしまうという問題がある。また、電子部品の実装のために使用する半田の量を少なくすると、電子部品の実装強度が低下してしまうおそれがある。
【００３７】
そこで、本実施形態では、立体配線回路基板１を大型化してしまうことを抑制しつつ、電子部品の実装強度の低下を抑制することができ、さらに、半田流入ＮＧ領域Ａ４への半田の拡散をより確実に抑制することができるような構成とした。
【００３８】
具体的には、配線部３の露出面３５が、Ｎｉメッキ層３２が露出するＮｉ露出領域Ａ２を備えるようにした。すなわち、配線部３の露出面３５の一部に、Ｎｉメッキ層３２が露出するＮｉ露出領域Ａ２が存在するようにした。
【００３９】
Ｎｉ（ニッケル）は、半田に対する濡れ性があまり良好ではない物質であり、Ｎｉ露出領域Ａ２を伝っての半田の拡散が起こりにくいという特性を有している。そこで、Ａｕ露出領域Ａ１を伝って拡散される半田をＮｉ露出領域Ａ２に到達させることで、半田のその先への拡散が制限されるようにした。
【００４０】
このとき、図６に示すように、配線部３の輪郭線３４の一端から他端にかけて直線状にＮｉメッキ層３２を露出させるようにすることが考えられる。すなわち、両端部が実装予定領域Ａ３と半田流入ＮＧ領域Ａ４との間の輪郭線３４と交わるように、Ｎｉ露出領域Ａ２を配線部３の露出面３５に形成することで、Ａｕメッキ層３３を、実装予定領域Ａ３が存在する部位と半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する部位とに分断させることが考えられる。このように、Ａｕ露出領域Ａ１を、Ｎｉ露出領域Ａ２によって、実装予定領域Ａ３側の領域と半田流入ＮＧ領域Ａ４側の領域とに分割させることができれば、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４への半田の拡散を遮断することが可能となる。
【００４１】
しかしながら、配線部３の露出面３５にＮｉ露出領域Ａ２を形成する方法としては、Ａｕ露出領域Ａ１に真上からレーザーを照射して、レーザー照射された部位のＡｕメッキ層３３を除去する（拡散させる）方法がある。
【００４２】
このようなレーザー照射によりＡｕメッキ層３３を除去、拡散等することで、Ｎｉメッキ層３２を露出させる方法は、より容易に配線部３の露出面３５にＮｉ露出領域Ａ２を形成することができる方法である。
【００４３】
しかしながら、配線部３の積層体３０を構成する各メッキ層は、中央部分においては順次上側に積層されるが、境界部分（輪郭線３４が形成される部位）においては、下側のメッキ層に上側から回り込んで側部を覆うように積層される（図５参照）。すなわち、上側の層は、一部（境界側の一部の層）が、下側の層の下方に存在するように積層されるものである。言い換えると、上側に積層される層は、平面視（積層体３０の積層方向の上側から視た状態）で、下側の層によって覆われる部位が存在するように積層されている。
【００４４】
そのため、配線部３の輪郭線３４の一端から他端にかけてレーザーを真上から照射することでＡｕメッキ層３３を除去、拡散等し、Ｎｉメッキ層３２を露出させるようにした場合、図７に示すように、境界部分のＡｕメッキ層３３が除去されずに残ってしまう。
【００４５】
このように、境界部分のＡｕメッキ層３３が除去されずに残ってしまうと、Ａｕ露出領域Ａ１は、Ｎｉ露出領域Ａ２によっては分断されず、残存するＡｕメッキ層３３によってＮｉ露出領域Ａ２の両端部で連結されることになる。
【００４６】
そのため、図６に示す構成とした場合、Ａｕ露出領域Ａ１上に、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４まで連続する経路が形成されたままとなる。また、図６に示す構成とした場合、実装予定領域Ａ３内の任意の点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路Ｒ２が、ほぼ直線状となってしまう。
【００４７】
このように、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路Ｒ２がほぼ直線状になっていると、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れた半田が、Ｎｉ露出領域Ａ２で塞き止められず、そのまま半田流入ＮＧ領域Ａ４まで流れてきてしまうおそれがある。
【００４８】
そこで、本実施形態では、Ｎｉ露出領域Ａ２の全体が配線部３の輪郭線３４よりも内側に形成されるようにすることで、Ｎｉ露出領域Ａ２にＡｕメッキ層３３が残存してしまうことをより確実に抑制できるようにした。
【００４９】
そして、このようなＮｉ露出領域Ａ２を配線部３の露出面３５に形成することで、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるようにした。具体的には、少なくとも一部が実装予定領域Ａ３と半田流入ＮＧ領域Ａ４との間に位置するようにＮｉ露出領域Ａ２を形成した。そして、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流れをＮｉ露出領域Ａ２によって半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かわない方向へと変化させるようにした。
【００５０】
このように、本実施形態では、配線部３の輪郭線３４よりも内側で、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるように、Ｎｉ露出領域Ａ２を形成している。こうすれば、より確実に、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の経路を長くすることができる。
【００５１】
さらに、本実施形態では、Ｎｉ露出領域Ａ２が第１のＮｉ露出領域Ａ６を備えるようにした。この第１のＮｉ露出領域Ａ６は、平面視における境界線Ｂ６が、内側に位置して閉じた線となる内側境界線Ｂ６ａを有するものである。そして、第１のＮｉ露出領域Ａ６の内側境界線Ｂ６ａで囲まれた領域に、実装予定領域Ａ３が存在するようにしている。
【００５２】
このように、本実施形態では、内側に存在して端点を持たない閉じた線状の内側境界線Ｂ６ａを有し、この内側境界線Ｂ６ａが実装予定領域Ａ３の全周を囲うようにしたＮｉ露出領域Ａ２のことを、第１のＮｉ露出領域Ａ６としている。
【００５３】
したがって、本実施形態では、第１のＮｉ露出領域Ａ６は、底壁２２の上面２２１に形成されたＡｕ露出領域Ａ１に形成されている。
【００５４】
このとき、第１のＮｉ露出領域Ａ６は、領域の全てが配線部３の輪郭線３４よりも内側に存在するように形成されている。具体的には、第１のＮｉ露出領域Ａ６の境界線Ｂ６は、第１のＮｉ露出領域Ａ６の外側を画成する外側境界線Ｂ６ｂを備えている。そして、この外側境界線Ｂ６ｂの全体が、配線部３の輪郭線３４よりも内側に存在するように形成している。こうすることで、第１のＮｉ露出領域Ａ６の全体を、配線部３の輪郭線３４よりも内側に存在させている。
【００５５】
さらに、外側境界線Ｂ６ｂも、端点を持たない閉じた線状に形成されており、平面視における内側境界線Ｂ６ａの外側かつ外側境界線Ｂ６ｂの内側の領域（内側境界線Ｂ６ａと外側境界線Ｂ６ｂとの間の領域）が、第１のＮｉ露出領域Ａ６となっている。
【００５６】
このように、本実施形態では、第１のＮｉ露出領域Ａ６は、内側に存在する閉じた境界線である内側境界線Ｂ６ａと、外側に存在する閉じた境界線である外側境界線Ｂ６ｂとで区画されており、平面視で環状となるように形成されている。そして、内側境界線Ｂ６ａおよび外側境界線Ｂ６ｂの両方とも、配線部３の輪郭線３４と交わる（重なり合う）ことなく閉じられた境界線となるように形成されている。
【００５７】
さらに、本実施形態では、内側境界線Ｂ６ａと外側境界線Ｂ６ｂとが同心状に形成されている。したがって、第１のＮｉ露出領域Ａ６は、平面視で帯状となるように形成されている。
【００５８】
この帯状かつ環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６は、Ａｕ露出領域Ａ１にレーザーを照射し、Ａｕメッキ層３３を除去、拡散等することにより形成することができる。なお、レーザー照射によりＮｉ露出領域Ａ２を形成するようにすれば、湾曲した形状や屈曲した形状をより容易に形成することができるようになる。すなわち、様々な形状のＮｉ露出領域Ａ２をより容易に形成することができる。
【００５９】
このように、本実施形態では、第１のＮｉ露出領域Ａ６は、全ての領域が配線部３の輪郭線３４よりも内側に存在するように形成されている。より具体的には、立体形状部２０（基体部２）の表面２１側から、Ｃｕメッキ層３１、Ｎｉメッキ層３２、Ａｕメッキ層３３の順に正しく積層されている領域内に第１のＮｉ露出領域Ａ６を形成している。
【００６０】
こうすれば、第１のＮｉ露出領域Ａ６を形成する際に、正しく積層されている領域のみにレーザーを照射させることができるため、Ａｕメッキ層３３が除去されずに残存してしまうことをより確実に抑制することができる。
【００６１】
したがって、内側境界線Ｂ６ａで囲まれる領域に実装予定領域Ａ３が存在する環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって、より確実に、Ａｕ露出領域Ａ１を実装予定領域Ａ３側の領域と半田流入ＮＧ領域Ａ４側の領域とに分割することができる（図９参照）。すなわち、Ａｕメッキ層３３を、実装予定領域Ａ３が存在する部位と半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する部位とに完全に分断させることができるようになる。なお、実装予定領域Ａ３が存在する部位と半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する部位とに完全に分断させるとは、実装予定領域Ａ３が存在する部位と半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する部位とがＡｕメッキ層３３によって連続的に連結されていない状態となるように、第１のＮｉ露出領域Ａ６を形成することを意味するものである。
【００６２】
こうすることで、実装予定領域Ａ３内の半田が、Ａｕ露出領域Ａ１を伝って半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れてしまうことを、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって防止できるようにしている。
【００６３】
なお、本実施形態では、それぞれの配線３に、内側が実装予定領域Ａ３となる環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６を１つずつ形成したものを例示している。すなわち、１つの配線３に１つのＮｉ露出領域Ａ２を形成したものを例示している。
【００６４】
しかしながら、１つの配線３に複数のＮｉ露出領域Ａ２を形成することも可能である。この場合、１つの配線３に形成される全てのＮｉ露出領域Ａ２が、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４への半田の流入防止に寄与するものでなくてもよい。
【００６５】
また、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって囲まれた領域にも、Ｎｉ露出領域Ａ２が形成されていてもよい。このとき、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって囲まれた領域に形成されるＮｉ露出領域Ａ２が、実装予定領域Ａ３となるＡｕメッキ層３３を複数の領域に分割するものであってもよいし、複数の領域に分割しないものであってもよい。
【００６６】
また、図１０および図１１に示すように、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６が３次元形状を有するようにしてもよい。
【００６７】
図１０および図１１では、３次元形状を有する環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６として、底壁２２の上面２２１上に配置されたＡｕメッキ層３３に形成された帯状のＮｉ露出領域Ａ２と、周壁２３の内側面２３１上に配置されたＡｕメッキ層３３に形成された帯状のＮｉ露出領域Ａ２と、を上面２２１と内側面２３１との境界部分で連結させたものを例示している。
【００６８】
このように、図１０および図１１に示す環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６は、水平面（底壁２２の上面２２１）から立面（周壁２３の内側面２３１）にかけて形成されており、一部を立面に沿うように折り曲げたような形状をしている。すなわち、図１０および図１１に示す環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６は、内側境界線Ｂ６ａおよび外側境界線Ｂ６ｂのいずれも、水平面（底壁２２の上面２２１）から立面（周壁２３の内側面２３１）にかけて閉じた線となるように形成されている。
【００６９】
そして、Ａｕメッキ層３３の内側境界線Ｂ６ａで囲まれた領域に実装予定領域Ａ３が存在するようにしている。したがって、図１０および図１１では、実装予定領域Ａ３も、水平面（底壁２２の上面２２１）から立面（周壁２３の内側面２３１）にかけて形成されており、一部を立面に沿うように折り曲げたような形状をしている。
【００７０】
このように、図１０および図１１に示す立体配線回路基板１においても、実装予定領域Ａ３の周囲の全周に環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６が存在しているため、実装予定領域Ａ３内の半田が、Ａｕ露出領域Ａ１を伝って半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れてしまうことを、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって防止することができる。
【００７１】
なお、内側境界線Ｂ６ａを、水平面（底壁２２の上面２２１）で閉じた線となるように形成し、外側境界線Ｂ６ｂを、水平面（底壁２２の上面２２１）から立面（周壁２３の内側面２３１）にかけて閉じた線となるように形成することで、３次元形状を有する環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６としてもよい。この場合、実装予定領域Ａ３は、水平面（底壁２２の上面２２１）のみに形成されることとなる。
【００７２】
また、図１０および図１１に示す立体配線回路基板１においても、それぞれの配線３に、内側が実装予定領域Ａ３となる環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６を１つずつ形成したものを例示しているが、１つの配線３に複数のＮｉ露出領域Ａ２を形成することも可能である。この場合、１つの配線３に形成される全てのＮｉ露出領域Ａ２が、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４への半田の流入防止に寄与するものでなくてもよい。
【００７３】
また、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって囲まれた領域にも、Ｎｉ露出領域Ａ２が形成されていてもよい。このとき、環状の第１のＮｉ露出領域Ａ６によって囲まれた領域に形成されるＮｉ露出領域Ａ２が、実装予定領域Ａ３となるＡｕメッキ層３３を複数の領域に分割するものであってもよいし、複数の領域に分割しないものであってもよい。
【００７４】
また、２次元形状のＮｉ露出領域Ａ２が形成された配線３と、３次元形状のＮｉ露出領域Ａ２が形成された配線３と、を有する立体配線回路基板１とすることも可能である。
【００７５】
（第２実施形態）
本実施形態にかかる立体配線回路基板１は、基本的に上記第１実施形態で示した立体配線回路基板１とほぼ同様の構成をしている。すなわち、立体配線回路基板１は、図１２および図１３に示すように、基体部２を備えている。
【００７６】
基体部２は、樹脂やセラミック等の材料を用いて形成されており、３次元形状の表面２１が形成される立体形状部２０を有している。本実施形態においても、基体部２は上方に開口する凹部２４を有する箱形に形成されている。
【００７７】
そして、基体部２の全体が、３次元形状の表面２１が形成される立体形状部２０を形成している。
【００７８】
また、基体部２の表面２１には３次元形状の配線部３が形成されており、この配線部３と基体部２とで立体配線回路基板１を形成している。
【００７９】
本実施形態においても、図１２および図１３に示すように、８本の配線部３が、立体形状部２０（基体部２）の内面２１２から外面２１１にかけて延在するように形成されており、それぞれの配線部３は、輪郭線３４が、他の配線部３の輪郭線３４とは交わらないように形成されている。すなわち、８本の配線部３は、それぞれ電気的に絶縁された状態で、立体形状部２０（基体部２）の表面２１に形成されている。
【００８０】
そして、２つの配線３の間を架け渡すように電子部品（実装部品）を実装することで、２つの配線３が電子部品を介して電気的に接続されるようにしている。
【００８１】
また、本実施形態においても、配線部３は、立体形状部２０（基体部２）の表面２１側から順に、Ｃｕメッキ層３１、Ｎｉメッキ層３２、Ａｕメッキ層３３を積層することで形成されている。
【００８２】
そして、Ａｕメッキ層３３の表面上で電子部品の半田付けが行われるようにしている。
【００８３】
また、本実施形態においても、Ａｕ露出領域Ａ１の一部に、半田の流入を防止したい流入防止希望領域としての半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する配線部３を例示している。
【００８４】
そして、本実施形態においても、電子部品の実装のために用いた半田が、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４にまで拡散してしまうことを抑制できるようにしている。
【００８５】
具体的には、配線部３の露出面３５が、Ｎｉメッキ層３２が露出するＮｉ露出領域Ａ２を有するようにしている。
【００８６】
また、本実施形態においても、Ｎｉ露出領域Ａ２の全体が配線部３の輪郭線３４よりも内側に形成されるようにすることで、Ｎｉ露出領域Ａ２にＡｕメッキ層３３が残存してしまうことをより確実に抑制できるようにしている。
【００８７】
そして、このようなＮｉ露出領域Ａ２を配線部３の露出面３５に形成することで、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるようにしている。具体的には、少なくとも一部が実装予定領域Ａ３と半田流入ＮＧ領域Ａ４との間に位置するようにＮｉ露出領域Ａ２を形成している。そして、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流れをＮｉ露出領域Ａ２によって半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かわない方向へと変化させるようにしている。
【００８８】
このように、本実施形態においても、配線部３の輪郭線３４よりも内側で、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるように、Ｎｉ露出領域Ａ２を形成している。こうすることで、より確実に、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の経路を長くすることができるようにしている。
【００８９】
ここで、本実施形態では、Ｎｉ露出領域Ａ２が第２のＮｉ露出領域Ａ７を備えるようにした。
【００９０】
この第２のＮｉ露出領域Ａ７は、境界線Ｂ７が平面視で閉じた線となるように形成されており、この閉じた境界線Ｂ７で囲まれた領域が、Ｎｉメッキ層３２が露出する領域となるようにしたものである。
【００９１】
本実施形態では、第２のＮｉ露出領域Ａ７の境界線Ｂ７が、内側（実装予定領域Ａ３側）に位置する内側境界線Ｂ７ａと、内側境界線Ｂ７ａよりも外側（実装予定領域Ａ３側とは反対側）に位置する外側境界線Ｂ７ｂと、内側境界線ｂ７ａの端点と外側境界線Ｂ７ｂの端点とを連結する連結境界線Ｂ７ｃと、を有している。そして、内側境界線ｂ７ａ、外側境界線Ｂ７ｂおよび連結境界線Ｂ７ｃで囲まれた領域（閉じた境界線Ｂ７で囲まれた領域）が、第２のＮｉ露出領域Ａ７となっている。
【００９２】
さらに、本実施形態では、内側境界線Ｂ７ａと外側境界線Ｂ７ｂとが同心状に形成されており、第２のＮｉ露出領域Ａ７は、平面視で帯状となるように形成されている。このように、本実施形態では、第２のＮｉ露出領域Ａ７は、平面視で、連結境界線Ｂ７ｃによって両端が仕切られた帯状となるように形成されている。
【００９３】
この第２のＮｉ露出領域Ａ７の境界線Ｂ７も、全体が配線部３の輪郭線３４と交わる（重なり合う）ことなく閉じられた境界線となるように形成されている。
【００９４】
なお、帯状の第２のＮｉ露出領域Ａ７も、Ａｕ露出領域Ａ１にレーザーを照射し、Ａｕメッキ層３３を除去、拡散等することにより形成することができる。
【００９５】
ここで、本実施形態では、帯状の第２のＮｉ露出領域Ａ７は、実装予定領域Ａ３を囲うように形成されている。すなわち、第２のＮｉ露出領域Ａ７は、底壁２２の上面２２１に形成されたＡｕ露出領域Ａ１に形成されている。
【００９６】
そして、少なくとも一部が実装予定領域Ａ３と半田流入ＮＧ領域Ａ４との間に位置するように第２のＮｉ露出領域Ａ７を形成し、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流れをＮｉ露出領域Ａ２によって半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かわない方向へと変化させるようにしている。
【００９７】
このとき、実装予定領域Ａ３の少なくとも半田流入ＮＧ領域Ａ４の半分が第２のＮｉ露出領域Ａ７によって囲われるようにしている。本実施形態では、実装予定領域Ａ３のほぼ全周を囲うように第２のＮｉ露出領域Ａ７を形成している。そして、図１３に示すように、半田流入ＮＧ領域Ａ４から最も離れた位置で、Ａｕメッキ層３３の実装予定領域Ａ３が存在する部位と半田流入ＮＧ領域Ａ４が存在する部位とが連結領域Ａ５によって連結されるように、第２のＮｉ露出領域Ａ７を形成している。
【００９８】
こうすれば、図１４に示すように、実装予定領域Ａ３内の任意の点Ｐ１における最短経路Ｒ１に、最短距離Ｄ１よりも長くなる最短距離Ｄ２を有する点Ｐ２が存在することとなる。
【００９９】
なお、点Ｐ１は、実装予定領域Ａ３内の点のことであり、最短経路Ｒ１は、点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路のことである。また、最短距離Ｄ１は、点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの配線部３の露出面３５上の最短距離のことであり、点Ｐ２は、最短経路Ｒ１上の点Ｐ１以外の点のことである。そして、最短距離Ｄ２は、点Ｐ２から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの配線部３の露出面３５上の最短距離のことである。
【０１００】
こうすることで、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの半田が流れる距離（Ａｕ露出領域Ａ１上の長さ）を大きくすることができるようにしている。さらに、実装予定領域Ａ３内に存在する半田が、半田流入ＮＧ領域Ａ４まで流れる間に、少なくとも一度は半田流入ＮＧ領域Ａ４から離れる方向に向けて流れるようにしている。
【０１０１】
そして、このような構成とすることで、実装予定領域Ａ３から流出して半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かう半田の量を比較的少なくして、半田流入ＮＧ領域Ａ４に半田が流入してしまうことを、より確実に抑制することができるようにしている。
【０１０２】
このように、本実施形態においても、立体形状部２０（基体部２）の表面２１側から、Ｃｕメッキ層３１、Ｎｉメッキ層３２、Ａｕメッキ層３３の順に正しく積層されている領域内に第２のＮｉ露出領域Ａ７を形成している。
【０１０３】
こうすれば、第２のＮｉ露出領域Ａ７を形成する際に、正しく積層されている領域のみにレーザーを照射させることができるため、Ａｕメッキ層３３が除去されずに残存してしまうことをより確実に抑制することができる。その結果、境界線Ｂ７で囲まれる領域におけるＡｕメッキ層３３の短絡をより確実に抑制することができるようになる。
【０１０４】
こうすることで、実装予定領域Ａ３内の半田が、Ａｕ露出領域Ａ１を伝って半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れてしまうことを、第２のＮｉ露出領域Ａ７によってより確実に抑制できるようにしている。
【０１０５】
なお、本実施形態においても、それぞれの配線３に、第２のＮｉ露出領域Ａ７を１つずつ形成したものを例示している。すなわち、１つの配線３に１つのＮｉ露出領域Ａ２を形成したものを例示している。
【０１０６】
しかしながら、１つの配線３に複数のＮｉ露出領域Ａ２を形成することも可能である。この場合、１つの配線３に形成される全てのＮｉ露出領域Ａ２が、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４への半田の流入防止に寄与するものでなくてもよい。
【０１０７】
また、第２のＮｉ露出領域Ａ７も３次元形状を有するようにしてもよい。３次元形状を有する第２のＮｉ露出領域Ａ７は、例えば、図１０および図１１に示す第１のＮｉ露出領域Ａ６やその変形例として説明した第１のＮｉ露出領域Ａ６を、本実施形態で説明した第２のＮｉ露出領域Ａ７に置き換えることで得ることができる。すなわち、図１０および図１１に示す第１のＮｉ露出領域Ａ６等の半田流入ＮＧ領域Ａ４から最も離れた位置が、連結領域Ａ５となるようにしたものを、３次元形状を有する第２のＮｉ露出領域Ａ７とすることができる。
【０１０８】
また、２次元形状のＮｉ露出領域Ａ２が形成された配線３と、３次元形状のＮｉ露出領域Ａ２が形成された配線３と、を有する立体配線回路基板１とすることも可能である。このとき、Ｎｉ露出領域Ａ２は、第１のＮｉ露出領域Ａ６および第２のＮｉ露出領域Ａ７のうち少なくともいずれか一方のＮｉ露出領域を備えていればよい。
【０１０９】
また、複数の第２のＮｉ露出領域Ａ７を用いて、電子部品の実装のために用いた半田が、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４にまで拡散してしまうことを抑制できるようにすることも可能である。
【０１１０】
例えば、図１５に示すように、実装予定領域Ａ３の周囲が複数の第２のＮｉ露出領域Ａ７によって囲われるようにしてもよい。
【０１１１】
このとき、複数の第２のＮｉ露出領域Ａ７は、実装予定領域Ａ３内の任意の点Ｐ１における最短経路Ｒ１が、半田流入ＮＧ領域Ａ４から離れる方向に半田が流れる部位を有するように、実装予定領域Ａ３の周囲を囲うようにするのが好ましい。
【０１１２】
なお、点Ｐ１は、実装予定領域Ａ３内の点のことであり、最短経路Ｒ１は、点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路のことである。
【０１１３】
こうすることでも、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの半田が流れる距離（Ａｕ露出領域Ａ１上の長さ）を大きくすることができる。さらに、実装予定領域Ａ３内に存在する半田が、半田流入ＮＧ領域Ａ４まで流れる間に、少なくとも一度は半田流入ＮＧ領域Ａ４から離れる方向に向けて流れるようにすることができる。
【０１１４】
（作用、効果）
以下では、上記各実施形態およびその変形例で示した立体配線回路基板１の特徴的構成およびそれにより得られる効果を説明する。
【０１１５】
立体配線回路基板１は、３次元形状の表面２１が形成される立体形状部２０を有する基体部２と、基体部２の表面２１に形成される３次元形状の配線部３と、を備えている。
【０１１６】
また、配線部３は、Ｎｉメッキ層３２と、Ｎｉメッキ層３２の上部に積層されるＡｕメッキ層３３と、を有する積層体３０を備えている。
【０１１７】
また、配線部３の露出面３５は、Ａｕメッキ層３３が露出するＡｕ露出領域Ａ１と、Ｎｉメッキ層３２が露出するＮｉ露出領域Ａ２と、を備えている。
【０１１８】
また、Ａｕ露出領域Ａ１は、実装部品の半田付けが予定される実装予定領域Ａ３と、半田の流入を防止したい半田流入ＮＧ領域（流入防止希望領域）Ａ４と、を備えている。
【０１１９】
また、Ｎｉ露出領域Ａ２は、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるように配置されており、Ｎｉ露出領域Ａ２の全体が配線部３の輪郭線３４よりも内側に形成されている。
【０１２０】
このように、Ｎｉ露出領域Ａ２の全体が配線部３の輪郭線３４よりも内側に形成されるようにすれば、レーザー照射によりＮｉ露出領域Ａ２を形成する場合であっても、Ｎｉ露出領域Ａ２にＡｕメッキ層３３が残存してしまうことをより確実に抑制することができる。
【０１２１】
また、配線部３の輪郭線３４よりも内側で、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させるように、Ｎｉ露出領域Ａ２を形成すれば、より確実に、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の経路を長くすることができる。
【０１２２】
その結果、配線部３の表面３５を流れる半田の拡散をより確実に抑制することが可能になる。
【０１２３】
また、Ｎｉ露出領域Ａ２が、境界線Ｂ６が実装予定領域Ａ３側に形成される閉じた内側境界線Ｂ６ａを有し、内側境界線Ｂ６ａで囲まれた領域に実装予定領域Ａ３が存在する第１のＮｉ露出領域Ａ６を備えていてもよい。
【０１２４】
こうすれば、第１のＮｉ露出領域Ａ６によって、より確実に、Ａｕ露出領域Ａ１を実装予定領域Ａ３側の領域と半田流入ＮＧ領域Ａ４側の領域とに分割することができる。その結果、実装予定領域Ａ３内の半田が、Ａｕ露出領域Ａ１を伝って半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れてしまうことをより確実に防止できるようになる。
【０１２５】
また、第１のＮｉ露出領域Ａ６が帯状に形成されていてもよい。
【０１２６】
このように帯状をした第１のＮｉ露出領域Ａ６とすれば、レーザー照射により容易に形成することができるようになる。
【０１２７】
また、第１のＮｉ露出領域Ａ６が３次元形状をしていてもよい。
【０１２８】
こうすれば、実装予定領域Ａ３が形成される位置の自由度をより向上させることができ、実装部品の実装箇所の自由度をより向上させることができるようになる。
【０１２９】
また、Ｎｉ露出領域Ａ２が、閉じた境界線Ｂ７で囲まれた領域をＮｉメッキ層が露出する領域とした第２のＮｉ露出領域Ａ７を備えていてもよい。
【０１３０】
こうすれば、第２のＮｉ露出領域Ａ７によって、配線部３の輪郭線３４よりも内側で、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４へと向かう半田の流向を変化させることができ、より確実に、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の経路を長くすることができる。その結果、配線部３の表面３５を流れる半田の拡散をより確実に抑制することが可能になる。
【０１３１】
また、第２のＮｉ露出領域Ａ７が帯状に形成されていてもよい。
【０１３２】
このように帯状をした第２のＮｉ露出領域Ａ７とすれば、レーザー照射により容易に形成することができるようになる。
【０１３３】
また、第２のＮｉ露出領域Ａ７が、実装予定領域Ａ３の周囲を囲うように形成されていてもよい。
【０１３４】
そして、実装予定領域Ａ３の少なくとも半田流入ＮＧ領域Ａ４側の半分が、第２のＮｉ露出領域Ａ７によって囲われていてもよい。
【０１３５】
こうすれば、実装予定領域Ａ３において半田流入ＮＧ領域Ａ４側に存在する半田が、直接半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れてしまうことを、第２のＮｉ露出領域Ａ７によって防止することができる。その結果、実装予定領域Ａ３内の半田が、Ａｕ露出領域Ａ１を伝って半田流入ＮＧ領域Ａ４に向けて流れてしまうことを、より確実に抑制することができるようになる。
【０１３６】
また、実装予定領域Ａ３内の任意の点Ｐ１において、最短経路Ｒ１が、最短距離Ｄ２が最短距離Ｄ１よりも長くなる点Ｐ２を有するように、実装予定領域Ａ３の周囲が第２のＮｉ露出領域Ａ７によって囲われていてもよい。
【０１３７】
なお、点Ｐ１は、実装予定領域Ａ３内の点のことであり、最短経路Ｒ１は、点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路のことである。また、最短距離Ｄ１は、点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの配線部３の露出面３５上の最短距離のことであり、点Ｐ２は、最短経路Ｒ１上の点Ｐ１以外の点のことである。そして、最短距離Ｄ２は、点Ｐ２から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの配線部３の露出面３５上の最短距離のことである。
【０１３８】
こうすれば、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの半田が流れる距離（Ａｕ露出領域Ａ１上の長さ）を大きくすることができる。さらに、実装予定領域Ａ３内に存在する半田が、半田流入ＮＧ領域Ａ４まで流れる間に、少なくとも一度は半田流入ＮＧ領域Ａ４から離れる方向に向けて流れるようにすることができる。
【０１３９】
その結果、実装予定領域Ａ３から流出して半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かう半田の量を比較的少なくすることができ、半田流入ＮＧ領域Ａ４に半田が流入してしまうことを、より確実に抑制することができるようになる。
【０１４０】
また、実装予定領域Ａ３の周囲が複数の第２のＮｉ露出領域Ａ７によって囲われていてもよい。
【０１４１】
このとき、実装予定領域Ａ３内の任意の点Ｐ１における最短経路Ｒ１が、半田流入ＮＧ領域Ａ４から離れる方向に半田が流れる部位を有するように、実装予定領域Ａ３の周囲が複数の第２のＮｉ露出領域Ａ７によって囲われるようにするのが好ましい。
【０１４２】
なお、点Ｐ１は、実装予定領域Ａ３内の点のことであり、最短経路Ｒ１は、点Ｐ１から半田流入ＮＧ領域Ａ４までのＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路のことである。
【０１４３】
こうすれば、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４までの半田が流れる距離（Ａｕ露出領域Ａ１上の長さ）を大きくすることができる。さらに、実装予定領域Ａ３内に存在する半田が、半田流入ＮＧ領域Ａ４まで流れる間に、少なくとも一度は半田流入ＮＧ領域Ａ４から離れる方向に向けて流れるようにすることができる。
【０１４４】
その結果、実装予定領域Ａ３から流出して半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かう半田の量を比較的少なくすることができ、半田流入ＮＧ領域Ａ４に半田が流入してしまうことを、より確実に抑制することができるようになる。
【０１４５】
また、第２のＮｉ露出領域Ａ７が３次元形状をしていてもよい。
【０１４６】
こうすれば、実装予定領域Ａ３が形成される位置の自由度をより向上させることができ、実装部品の実装箇所の自由度をより向上させることができるようになる。
【０１４７】
以上、本開示の好適な実施形態について説明したが、本開示は上記各実施形態およびその変形例には限定されず、種々の変形が可能である。
【０１４８】
例えば、上記各実施形態およびその変形例で示した構成を適宜組み合わせた構成とすることが可能である。
【０１４９】
また、上記各実施形態およびその変形例では、円環状や矩形の環状をしたＮｉ露出領域Ａ２を例示したが、Ｎｉ露出領域Ａ２の形状は、このような形状に限られるものではなく、星形や長円形等、様々な形状とすることができる。
【０１５０】
また、複数の第２のＮｉ露出領域Ａ７を、実装予定領域Ａ３の周囲を囲うように配置させる必要はない。例えば、複数の帯状の第２のＮｉ露出領域Ａ７を用いて、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かうＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路を、複数回屈曲または湾曲させるようにすることも可能である。
【０１５１】
このような構成は、例えば、以下のようにして形成することができる。まず、複数の帯状の第２のＮｉ露出領域Ａ７を、長手方向が実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かう方向と交差する交差方向に延在させた状態で、隣り合う端部の間に所定の隙間が形成されるように配置することで、一列の第２のＮｉ露出領域群を形成する。
【０１５２】
そして、このような第２のＮｉ露出領域群を、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かう方向に複数配置する。このとき、複数の第２のＮｉ露出領域群を、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かう方向で隣り合う第２のＮｉ露出領域群が有する第２のＮｉ露出領域Ａ７の端部が交差方向に位置ずれした状態となるように配置する。
【０１５３】
こうすれば、実装予定領域Ａ３から半田流入ＮＧ領域Ａ４に向かうＡｕ露出領域Ａ１上の最短経路を、複数回屈曲させたクランク状とすることができる。
【０１５４】
また、基体部や配線部その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【０１５５】
１  立体配線回路基板
２  基体部
２０  立体形状部
２１  表面
３  配線部
３０  積層体
３２  Ｎｉメッキ層
３３  Ａｕメッキ層
３４  輪郭線
３５  露出面
Ａ１  Ａｕ露出領域
Ａ３  実装予定領域
Ａ４  半田流入ＮＧ領域（流入防止希望領域）
Ａ２  Ｎｉ露出領域
Ａ６  第１のＮｉ露出領域
Ｂ６  境界線
Ｂ６ａ  内側境界線
Ｂ６ｂ  外側境界線
Ａ７  第２のＮｉ露出領域
Ｂ７  閉じた境界線
【図１】
2020181856.tif 000003
【図２】
2020181856.tif 000004
【図３】
2020181856.tif 000005
【図４】
2020181856.tif 000006
【図５】
2020181856.tif 000007
【図６】
2020181856.tif 000008
【図７】
2020181856.tif 000009
【図８】
2020181856.tif 000010
【図９】
2020181856.tif 000011
【図１０】
2020181856.tif 000012
【図１１】
2020181856.tif 000013
【図１２】
2020181856.tif 000014
【図１３】
2020181856.tif 000015
【図１４】
2020181856.tif 000016
【図１５】
2020181856.tif 000017