(57)【要約】【課題】基板の上の膜質除去効率が高い基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、回転する前記基板にパルスレーザーを照射して前記基板の上の膜質を除去し、除去しようとする前記膜質の厚さを測定し、測定された前記膜質の厚さ値に基づいて前記パルスレーザーのパルスエネルギーを選択することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法において、
回転する前記基板にパルスレーザーを照射して前記基板の上の膜質を除去し、
除去しようとする前記膜質の厚さを測定し、測定された前記膜質の厚さ値に基づいて前記パルスレーザーのパルスエネルギーを選択する基板処理方法。
【請求項２】
前記膜質の厚さ値に応じて前記膜質が完全に除去されるアブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを選択する請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記パルスエネルギーは、前記アブレーションエネルギーに対応する請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記膜質は、
第１膜、及び前記第１膜と異なる膜質である第２膜含み、
前記第１膜と前記第２膜は、互いに積層され、
前記第１膜を除去する時、前記第１膜の厚さ値に応じて前記第１膜が完全に除去される第１アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを選択し、
前記第２膜を除去する時、前記第２膜の厚さ値に応じて前記第２膜が完全に除去される第２アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを選択する請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第１膜を除去する時、前記第１アブレーションエネルギーに対応する前記パルスエネルギーを選択し、
前記第２膜を除去する時、前記第２アブレーションエネルギーに対応する前記パルスエネルギーを選択する請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記パルスレーザーの出力及び／又は反復率を制御して前記パルスエネルギーを調節する請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記パルスレーザーが照射される領域は、前記基板のエッジ領域である請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記膜質の厚さを測定する領域は、前記基板のエッジ領域である請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射は、順次的に遂行される請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射は、同時に遂行される請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
基板を処理する装置において、
内部空間を有するハウジングと、
前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板の上の膜質を除去するパルスレーザーを照射するレーザーユニットと、
基板の上の膜質の厚さを測定する測定ユニットと、
前記レーザーユニットと前記測定ユニットを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は、
基板の上の膜質を除去するための処理条件が記録されたレシピ記憶部と、
前記処理条件を読み出し、読み出された処理条件に基づいて前記パルスレーザーのパルスエネルギーを制御する制御信号を出力する実行部と、を含み、
前記実行部は、
前記測定ユニットが測定した前記膜質の厚さ値に応じて前記処理条件を前記レシピ記憶部から読み出し、
前記レシピ記憶部から読み出された前記処理条件に基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力する基板処理装置。
【請求項１２】
前記実行部は、
前記処理条件の中で前記測定ユニットが測定した前記膜質の厚さ値に応じて前記膜質が完全に除去されるアブレーションエネルギーを前記レシピ記憶部から読み出し、
前記レシピ記憶部で読み出された前記アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力する請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記実行部は、
前記パルスエネルギーが前記アブレーションエネルギーに対応するエネルギーを有するように制御信号を出力する請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記膜質は、
第１膜、及び前記第１膜と異なる膜質である第２膜含み、
前記第１膜と前記第２膜は、互いに積層され、
前記実行部は、
前記第１膜を除去する時、前記処理条件の中で前記測定ユニットが測定した前記第１膜の厚さ値に応じて前記第１膜が完全に除去される第１アブレーションエネルギーを前記レシピ記憶部から読み出し、前記レシピ記憶部が読み出した前記第１アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力し、
前記第２膜を除去する時、前記処理条件の中で前記測定ユニットが測定した前記第２膜の厚さ値に応じて前記第２膜が完全に除去される第２アブレーションエネルギーを前記レシピ記憶部から読み出し、前記レシピ記憶部が読み出した前記第２アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力する請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記実行部は、
前記第１膜を除去する時、前記パルスエネルギーが前記第１アブレーションエネルギーに対応するエネルギーを有するように制御信号を出力し、
前記第２膜を除去する時、前記パルスエネルギーが前記第２アブレーションエネルギーに対応するエネルギーを有するように制御信号を出力する請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記実行部は、
前記パルスレーザーの出力及び／又は反復率を制御する制御信号を出力して前記パルスエネルギーを調節する請求項１２乃至請求項１５のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記制御器は、
前記パルスレーザーが基板のエッジ領域に照射されるように前記レーザーユニットを制御する請求項１２乃至請求項１５のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記制御器は、
前記膜質の厚さを測定する領域が基板のエッジ領域がされるように前記測定ユニットを制御する請求項１２乃至請求項１５のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記制御器は、
前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射が順次的に遂行されるように前記レーザーユニットと前記測定ユニットを制御する請求項１２乃至請求項１５のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記制御器は、
前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射が同時に遂行されるように前記レーザーユニットと前記測定ユニットを制御する請求項１２乃至請求項１５のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理方法及び基板処理装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
基板、例えば半導体ウエハ又はフラットパネルディスプレイを製造するのに使用されることのようなガラスパネルを処理する時、塗布、写真、蒸着、アッシング、蝕刻、及びイオン注入等のような多様な工程が遂行される。基板に対する処理工程が遂行されながら、基板の表面には硬化された薄膜がコーティング又は蒸着される。そして、基板の縁、即ち、基板のエッジ（Ｅｄｇｅ）で生産収率を高めるためにエッジビーズ除去（Ｅｄｇｅ  Ｂｅａｄ  Ｒｅｍｏｖａｌ）工程が要求される。エッジビーズ除去（Ｅｄｇｅ  Ｂｅａｄ  Ｒｅｍｏｖａｌ）工程は基板のエッジ領域で不要な薄膜と付着された副産物ポリマーを除去する。
【０００３】
図１は一般的な基板処理装置でエッジビーズ除去工程を遂行する形態を示す図面である。図１を参照すれば、一般的な基板処理装置１は回転チャック２及びノズル４を有する。回転チャック２は基板Ｗを支持及び回転させる。ノズル４は基板Ｗのエッジ領域にケミカルＣを噴射する。ノズル４は基板Ｗの上部及び下部に各々提供されて基板Ｗの上面及び底面にケミカルＣを噴射する。噴射されたケミカルＣは基板Ｗのエッジ領域上に提供された薄膜Ｆを除去する。しかし、ケミカルＣを噴射してエッジビーズ除去工程を遂行する場合、基板Ｗのエッジ領域での薄膜Ｆの除去が適切に遂行されない。例えば、図２に図示されたように基板Ｗのエッジ領域での膜Ｆは基板Ｗの半径方向に行くほど、下方に傾くように除去されることができる。これは、基板Ｗが回転される状態で液状のケミカルＣが供給されるためである。基板Ｗのエッジ領域での薄膜Ｆの除去が適切に遂行されなければ、生産工程の収率を低下させる。また、工程の後、基板Ｗの表面にピンマーク（Ｐｉｎ  Ｍａｒｋ）が生成されて追加的に汚染される恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本国特許公開第２０１９−５０６７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は基板の上の膜質除去効率が高い基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の目的はパルスレーザーを基板の上の膜質に照射して膜質除去効率を高めることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的はパルスレーザーを基板の上の膜質に照射して膜質除去領域を微細化することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の目的は基板の上の膜質の厚さ値に応じて膜質が完全に除去されるようにして基板処理効率を高めることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の目的は基板の上の膜質を除去しながら、オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  ｅｔｃｈ）によって基板が損傷されるか、或いはアンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  ｅｔｃｈ）によって膜質が適切に除去されないことを最小化することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、回転する前記基板にパルスレーザーを照射して前記基板の上の膜質を除去し、除去しようとする前記膜質の厚さを測定し、測定された前記膜質の厚さ値に基づいて前記パルスレーザーのパルスエネルギーを選択することができる。
【００１２】
一実施形態によれば、前記膜質の厚さ値に応じて前記膜質が完全に除去されるアブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを選択することができる。
【００１３】
一実施形態によれば、前記パルスエネルギーは前記アブレーションエネルギーに対応することができる。
【００１４】
一実施形態によれば、前記膜質は、第１膜、及び前記第１膜と異なる膜質である第２膜を含み、前記第１膜と前記第２膜は互いに積層され、前記第１膜を除去する時、前記第１膜の厚さ値に応じて前記第１膜が完全に除去される第１アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを選択し、前記第２膜を除去する時、前記第２膜の厚さ値に応じて前記第２膜が完全に除去される第２アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを選択することができる。
【００１５】
一実施形態によれば、前記第１膜を除去する時、前記第１アブレーションエネルギーに対応する前記パルスエネルギーを選択し、前記第２膜を除去する時、前記第２アブレーションエネルギーに対応する前記パルスエネルギーを選択することができる。
【００１６】
一実施形態によれば、前記パルスレーザーの出力及び／又は反復率を制御して前記パルスエネルギーを調節することができる。
【００１７】
一実施形態によれば、前記パルスレーザーが照射される領域は前記基板のエッジ領域である。
【００１８】
一実施形態によれば、前記膜質の厚さを測定する領域は前記基板のエッジ領域である。
【００１９】
一実施形態によれば、前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射は順次的に遂行されることができる。
【００２０】
一実施形態によれば、前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射は同時に遂行されることができる。
【００２１】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、内部空間を有するハウジングと、前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の上の膜質を除去するパルスレーザーを照射するレーザーユニットと、基板の上の膜質の厚さを測定する測定ユニットと、  前記レーザーユニットと前記測定ユニットを制御する制御器と、を含み、前記制御器は、基板の上の膜質を除去するための処理条件が記録されたレシピ記憶部と、前記処理条件を読み出し、読み出された処理条件に基づいて前記パルスレーザーのパルスエネルギーを制御する制御信号を出力する実行部と、を含み、      前記実行部は、前記測定ユニットが測定した前記膜質の厚さ値に応じて前記処理条件を前記レシピ記憶部から読み出し、前記レシピ記憶部から読み出された前記処理条件に基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力することができる。
【００２２】
一実施形態によれば、前記実行部は、前記処理条件の中で前記測定ユニットが測定した前記膜質の厚さ値に応じて前記膜質が完全に除去されるアブレーションエネルギーを前記レシピ記憶部から読み出し、前記レシピ記憶部で読み出された前記アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力することができる。
【００２３】
一実施形態によれば、前記実行部は、前記パルスエネルギーが前記アブレーションエネルギーに対応するエネルギーを有するように制御信号を出力することができる。
【００２４】
一実施形態によれば、前記膜質は、第１膜、及び前記第１膜と異なる膜質である第２膜を含み、前記第１膜と前記第２膜は互いに積層され、前記実行部は、前記第１膜を除去する時、前記処理条件の中で前記測定ユニットが測定した前記第１膜の厚さ値に応じて前記第１膜が完全に除去される第１アブレーションエネルギーを前記レシピ記憶部から読み出し、  前記レシピ記憶部が読み出した前記第１アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力し、前記第２膜を除去する時、前記処理条件の中で前記測定ユニットが測定した前記第２膜の厚さ値に応じて前記第２膜が完全に除去される第２アブレーションエネルギーを前記レシピ記憶部から読み出し、  前記レシピ記憶部が読み出した前記第２アブレーションエネルギーに基づいて前記パルスエネルギーを制御する制御信号を出力することができる。
【００２５】
一実施形態によれば、前記実行部は、前記第１膜を除去する時、前記パルスエネルギーが前記第１アブレーションエネルギーに対応するエネルギーを有するように制御信号を出力し、前記第２膜を除去する時、前記パルスエネルギーが前記第２アブレーションエネルギーに対応するエネルギーを有するように制御信号を出力することができる。
【００２６】
一実施形態によれば、前記実行部は、前記パルスレーザーの出力及び／又は反復率を制御する制御信号を出力して前記パルスエネルギーを調節することができる。
【００２７】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記パルスレーザーが基板のエッジ領域に照射されるように前記レーザーユニットを制御することができる。
【００２８】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記膜質の厚さを測定する領域が基板のエッジ領域がされるように前記測定ユニットを制御することができる。
【００２９】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射が順次的に遂行されるように前記レーザーユニットと前記測定ユニットを制御することができる。
【００３０】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記膜質の厚さ測定と前記パルスレーザーの照射が同時に遂行されるように前記レーザーユニットと前記測定ユニットを制御することができる。
【００３１】
一実施形態によれば、前記レーザーユニットは、前記パルスレーザーを照射するレーザー光源と、基板のエッジ領域を撮像して、前記パルスレーザーの照射位置と設定位置との間のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定するビジョン部材と、前記オフセット値に基づいて前記照射位置を変更する調節部と、を含むことができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の一実施形態によれば、膜質除去効率を極大化することができる。
【００３３】
また、本発明の一実施形態によれば、複数の単位パルスレーザーを基板の上の膜質に照射して膜質除去効率を高めることがきる。
【００３４】
また、本発明の一実施形態によれば、膜質除去領域を微細化し、膜質除去領域を多様に変形することができる。
【００３５】
また、本発明は基板の上の膜質の厚さ値に応じて膜質が完全に除去されるようにして基板処理効率を高めることがきる。
【００３６】
また、本発明は基板の上の膜質を除去しながら、オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  ｅｔｃｈ）で基板が損傷されるか、或いはアンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  ｅｔｃｈ）で膜質が適切に除去されないことを最小化することができる。
【００３７】
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】一般的な基板処理装置でエッジビーズ除去工程を遂行する形態を示す図面である。
【図２】図１の‘Ａ’領域を拡大して示す図面である。
【図３】本発明の一実施形態による基板処理設備を示す平面図である。
【図４】図３の基板処理装置を示す断面図である。
【図５】図４の測定ユニットが基板の上の膜質の厚さを測定する形態を示す図面である。
【図６】図４のレーザーユニットを示す断面図である。
【図７】図６のビジョン部材が基板のエッジ領域を撮像する映像の一例を示す図面である。
【図８】図４の制御器の構成を示す図面である。
【図９】本発明の一実施形態に係る処理条件の一例を図示する表である。
【図１０】パルスレーザーのパルスエネルギーに応じて基板の上の膜質が除去される深さが変化される関係を示す表である。
【図１１】本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の他の実施形態による基板処理方法を示す図面である。
【図１３】本発明の他の実施形態による基板処理方法を示す図面である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示す図面である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示す図面である。
【図１６】本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示す図面である。
【図１７】本発明のその他の実施形態による基板処理方法を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体に亘って同一な符号を使用する。
【００４０】
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は部が可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
【００４１】
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
【００４２】
以下、図３乃至図１７を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００４３】
図３は本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。図３を参照すれば、基板処理設備１０はインデックスモジュール１００と工程処理モジュール２００を有する。インデックスモジュール１００はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００が配列された方向を第１の方向１２とし、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４がとし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面と垂直である方向を第３方向１６とする。
【００４４】
ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が安着される。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２００の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板がＷを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｅｄ  Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
【００４５】
工程処理モジュール２００はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、液処理チャンバー２６０、及びレーザー処理チャンバー２８０を含む。移送チャンバー２４０はその横方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバー２４０の両側には各々液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０が配置される。移送チャンバー２４０の一側及び他側で液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２６０は移送チャンバー２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー２４０の一側には複数の液処理チャンバー２６０が提供される。液処理チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の横方向に沿って配置される。また、液処理チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には液処理チャンバー２６０がＡＸＢの配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された液処理チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された液処理チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に液処理チャンバー２６０が４つ又は６つが提供される場合、液処理チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。液処理チャンバー２６０の数は増加するか、又は減少してもよい。また、レーザー処理チャンバー２８０は液処理チャンバー２６０と類似な方式に移送チャンバー２４０の他側に配置されることができる。上述したことと異なりに、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０の配置は多様な方式に変形されることができる。例えば、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。
【００４６】
バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と対向する面及び移送チャンバー２４０と対向する面が開放される。
【００４７】
移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその横方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２００からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２００に基板Ｗを搬送する時に使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。
【００４８】
移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と液処理チャンバー２６０との間に、バッファユニット２２０とレーザー処理チャンバー２８０との間に、液処理チャンバー２６０との間に、レーザー処理チャンバー２８０との間に、そして液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０との間に基板Ｗを搬送する。即ち、移送チャンバー２４０は基板を搬送する搬送ユニットとして提供される。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその横方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、本体２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは本体２４４ｂに結合され、これは本体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。
【００４９】
液処理チャンバー２６０は基板Ｗに対して処理液を供給して液処理する工程を遂行する。処理液はケミカル、リンス液、及び有機溶剤である。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、リン酸（Ｐ２Ｏ５）、フッ酸（ＨＦ）、及び水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を含むことができる。ケミカルはＤＳＰ（Ｄｉｌｕｔｅｄ  Ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）混合液である。リンス液は純水（Ｈ２０）である。有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液である。
【００５０】
液処理チャンバー２６０は洗浄工程を遂行することができる。液処理チャンバー２６０に提供される基板処理装置は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の液処理チャンバー２６０に提供される基板処理装置は同一な構造を有することができる。選択的に液処理チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する液処理チャンバー２６０内の基板処理装置は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する液処理チャンバー２６０内に提供された基板処理装置の構造は互いに異なりに提供されることができる。また、液処理チャンバー２６０は写真、アッシング、及び蝕刻等の多様な工程を遂行することもできる。
【００５１】
レーザー処理チャンバー２８０は基板Ｗにレーザーを照射して基板を処理する工程を遂行することができる。また、レーザー処理チャンバー２８０には基板処理装置３００が提供されることができる。基板処理装置３００は基板Ｗ上にレーザーを照射することができる。基板処理装置３００は基板Ｗのエッジ領域にレーザーを照射することができる。基板処理装置３００は基板Ｗのエッジ領域にレーザーを照射して、基板Ｗ上の膜質を除去する工程を遂行することができる。
【００５２】
以下には、レーザー処理チャンバー２８０に提供される基板処理装置３００に対して詳細に説明する。図４は図３の基板処理装置を示す断面図である。図４を参照すれば、基板処理装置３００はハウジング３１０、支持ユニット３２０、測定ユニット３３０、レーザーユニット４００、及び制御器６００を含むことができる。
【００５３】
ハウジング３１０は内部空間３１２を有する。内部空間３１２は基板Ｗが処理される空間に提供されることができる。ハウジング３１０の一側には開口（図示せず）が形成される。開口は基板Ｗが搬出入される入口として機能する。開口にはドア（図示せず）が設置され、ドアは開口を開閉する。ドアは基板処理工程が進行されれば、開口を遮断してハウジング３１０の内部空間３１２を密閉する。ハウジング３１０の底面には排気口３１４が形成される。排気口３１４は排気ライン３１６と連結される。このため、内部空間３１２で基板Ｗが処理されながら、発生される副産物を基板処理装置３００の外部に排気することができる。また、ハウジング３１０には内部空間３１２にガスを供給するガス供給ライン（図示せず）が連結されることができる。ガスは窒素等の非活性ガスである。ガス供給ラインが供給するガスは内部空間３１２に気流を提供することができる。内部空間３１２に提供される気流は基板Ｗが処理されながら、発生される副産物をさらに効率的に排気するようにする。
【００５４】
支持ユニット３２０は基板Ｗを支持及び回転させる。支持ユニット３２０は支持板３２２及び回転軸３２６を含むことができる。支持板３２２は基板を支持する。支持板３２２は円形の板形状を有するように提供される。支持板３２２は上面が底面より大きい直径を有することができる。支持板３２２の上面及び底面をつなぐ側面は中心軸に近くなるほど、下方に傾いた方向に向かうことができる。支持板３２２の上面は基板Ｗが安着される案着面として提供される。安着面は基板Ｗより小さい面積を有する。一例によれば、安着面の直径は基板Ｗの半径より小さいことができる。安着面は基板Ｗの中心領域を支持する。案着面には複数の吸着ホール３２３が形成される。吸着ホール３２３は案着面に置かれる基板Ｗを減圧して基板を吸着させるホールである。吸着ホール３２３には真空部材３２５が連結される。真空部材３２５は吸着ホール３２３を減圧するポンプである。しかし、真空部材３２５はポンプであることに限定されることではなく、吸着ホール３２３に減圧を提供する公知の装置等に多様に変形されることができる。
【００５５】
回転軸３２６はその横方向が上下方向に向かう筒形状を有するように提供される。回転軸３２６は支持板３２２の底面に結合される。駆動器（図示せず）は回転軸３２６に回転力を伝達する。回転軸３２６は駆動器から提供された回転力によって中心軸を中心に回転可能である。支持板３２２は回転軸３２６と共に回転可能である。回転軸３２６は駆動器によってその回転速度が調節されて基板Ｗの回転速度を調節可能である。例えば、駆動器はモーターである。しかし、駆動器はモーターであることに限定されることではなく、回転軸３２６に回転力を提供する公知の機材等で多様に変形されることができる。
【００５６】
測定ユニット３３０は基板Ｗ上の膜質の厚さを測定することができる。例えば、測定ユニット３３０は基板Ｗ上のエッジ領域に提供される膜質Ｆの厚さを測定することができる。測定ユニット３３０は基板Ｗ上の膜質Ｆの厚さを測定し、測定された膜質Ｆの厚さ値を後述する制御器６００に伝達することができる。測定ユニット３３０は支持ユニット３２０に支持される基板Ｗの上部に配置されることができる。一例として、測定ユニット３３０は支持ユニット３２０に支持される基板Ｗのエッジ領域上部に配置されることができる。また、測定ユニット３３０が提供される位置は多様に変更されることができる。例えば、測定ユニット３３０は水平方向及び／又は垂直方向に多様に位置が変更されることができる。
【００５７】
図５は図４の測定ユニットが基板の上の膜質の厚さを測定する形態を示す図面である。図５を参照すれば、測定ユニット３３０は基板Ｗのエッジ領域上部に配置されることができる。測定ユニット３３０は基板Ｗ上のエッジ領域に設定された波長を有する光を照射することができる。測定ユニット３３０は基板Ｗ上のエッジ領域に照射された光が反射される程度に基づいて基板Ｗ上の膜質Ｆの厚さ値を測定することができる。また、測定ユニット３３０が基板Ｗ上のエッジ領域の厚さを測定する時、支持ユニット３２０は基板Ｗを回転させることができる。このため、測定ユニット３３０の位置を変更させなくとも基板Ｗのエッジ領域全体の厚さ値を測定することができる。また、測定ユニット３３０は膜質Ｆの厚さ値と共に膜質Ｆの種類も測定することができる。
【００５８】
上述した例では、測定ユニット３３０が設定された波長を有する光を照射して基板Ｗ上の膜質Ｆの厚さ値を測定することを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、測定ユニット３３０は基板Ｗ上の膜質Ｆの厚さを測定する公知の機材等で多様に変形されることができる。
【００５９】
図６は図４のレーザーユニットを示す断面図である。図６を参照すれば、レーザーユニット４００は支持ユニット３２０に支持された基板Ｗ上にレーザーを照射することができる。レーザーユニット４００は基板Ｗ上にパルスレーザーを照射することができる。また、レーザーユニット４００は基板Ｗ上のエッジ領域にパルスレーザーを照射することができる。レーザーユニット４００が照射するパルスレーザーは基板Ｗのエッジ領域に提供された膜質Ｆを除去することができる。レーザーユニット４００はレーザー光源４１０、調節部４２０、及びビジョン部材４３０を含むことができる。
【００６０】
レーザー光源４１０はパルスレーザーを照射することができる。レーザー光源４１０は基板Ｗに照射されるレーザーＬのソース（Ｓｏｕｒｃｅ）である。また、レーザー光源４１０はパルスレーザーＬの波長を多様に変更することができる。例えば、レーザー光源４１０はパルスレーザーＬが１５０ｎｍ乃至１２００ｎｍ範囲の波長を有するようにパルスレーザーＬ波長を変更することができる。パルスレーザーＬが１５０ｎｍ以下の波長を有する場合、基板Ｗ上の膜質Ｆのみならず、基板Ｗまで蝕刻され、１２００ｎｍ以上の波長を有する場合、基板Ｗ上の膜質Ｆが除去されないためである。
【００６１】
また、レーザー光源４１０が照射するパルスレーザーは極超短パルスレーザーである。例えば、パルスレーザーはそのパルス幅が数十ｎｓ〜数百ｆｓであるレーザーである。極超短パルスレーザーが非熱−非接触式工程で基板Ｗ上の膜質に照射されれば、膜質に即刻的なアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）現象が発生されることができる。このため、基板Ｗのエッジ領域で不必要な部分での膜質除去が可能である。
【００６２】
また、レーザー光源４１０はパルスレーザーＬの形状を変更することができる。例えば、レーザー光源４１０はパルスレーザーＬが円形状を有するように変更することができる。また、レーザー光源４１０はレーザー光源４１０で照射されるパルスレーザーＬが方形状を有するように変更することができる。四角形状は正方形、又は長方形の形状を有することができる。また、レーザー光源４１０はパルスレーザーＬが角部分がラウンド（Ｒｏｕｎｄ）になった方形状を有するように変更することができる。
【００６３】
調節部４２０はレーザー光源４１０で照射するパルスレーザーＬの照射位置を変更することができる。調節部４２０は後述するビジョン部材４３０が測定するオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値に基づいてパルスレーザーＬの照射位置を変更することができる。調節部４２０はボディー４２１、光反射部４２２、光スプリッタ４２３、駆動機材４２４、及び照明部４２５を含むことができる。
【００６４】
ボディー４２１の内部には光反射部４２２が提供されることができる。光反射部４４２はレーザー光源４１０で照射されるパルスレーザーの照射方向を変更することができる。例えば、光反射部４２２はレーザー光源４１０で照射されるパルスレーザーの照射方向とビジョン部材４３０の撮像方向を銅軸に変更することができる。また、光反射部４２２は複数に提供されてパルスレーザーの照射方向をより精密に制御することができる、  例えば、光反射部４２２は第１光反射部４２２−１と第２光反射部４２２を含むことができる。第１光反射部４２２−１はレーザー光源４１０で照射されるパルスレーザーが伝達されることができる。第１光反射部４２２−１が伝達されたパルスレーザーは、第１光反射部４２２−１によって反射されて第２光反射部４２２−２に伝達されることができる。第２光反射部４２２−２が伝達されたパルスレーザーは、第２光反射部４２２−２によって反射されて基板Ｗ上のエッジ領域に伝達されることができる。
【００６５】
光スプリッタ３６３は特定波長の光を透過させ、他の波長の光は反射させることができる。一例として、光スプリッタ４２３はレーザー光源４１０で照射されるパルスレーザーを透過させて光反射部４２２に伝達することができる。
【００６６】
ボディー４２１の下部には照明部４２５が提供されることができる。照明部４２５は基板Ｗのエッジ領域に光Ｂを照射することができる。照明部４２５は発光ダイオード（ＬＥＤ）で提供されることができる。しかし、これに限定されることではなく、光Ｂを照射する多様な公知の機材に変形されることができる。また、照明部４２５の中央には光Ｂを集積させるためのレンズ４２６が配置されることができる。照明部４２５はリング形状に提供されて、レンズ４２６の周辺を囲むように提供されることができる。
【００６７】
照明部４２５で照射する光Ｂは基板Ｗと衝突して反射されることができる。基板Ｗから反射された光Ｂは光反射部４２２に伝達されることができる。光反射部４２２に伝達された光Ｂは光スプリッタ４２３に伝達されることができる。照明部４２５で照射する光Ｂは光スプリッタ４２３で反射させる波長を有することができる。このため、光スプリッタ４２３に伝達された光はビジョン部材４３０に伝達されることができる。
【００６８】
図７は図６のビジョン部材が基板のエッジ領域を撮像する映像Ｖの一例を示す図面である。図７を参照すれば、ビジョン部材４３０は照明部４２５で照射された光Ｂを受光することができる。上述したように、照明部４２５で照射した光Ｂは、光反射部４２２、光スプリッタ４２３に順次的に伝達されることができる。光スプリッタ４２３に伝達された光Ｂはビジョン部材４３０に伝達されることができる。これによって、ビジョン部材４３０は基板Ｗのエッジ領域を撮像することができる。また、ビジョン部材４３０は照射位置Ｐ１と設定位置Ｐ２との間のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定することができる。照射位置Ｐ１はレーザー光源４１０が照射したパルスレーザーＬが照射される位置であり、設定位置Ｐ２はパルスレーザーＬの照射が要求される位置を意味する。即ち、ビジョン部材４３０は照射位置Ｐ１と設定位置Ｐ２との間のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定し、測定されたオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を制御器６００に伝達することができる。オフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値が制御器６００に伝達されれば、制御器６００は駆動機材４２４を制御する制御信号を出力することができる。制御信号が伝達される駆動機材４２４はボディー４２１の位置を移動させることができる。また、制御信号が伝達された駆動機才４２４はボディー４２１の勾配を変化させることができる。このため、照射位置Ｐ１と設定位置Ｐ２を一致させることができる。照射位置Ｐ１と設定位置Ｐ２が一致されれば、レーザーユニット４００は基板Ｗ上にパルスレーザーＬを照射することができる。
【００６９】
再び図４を参照すれば、制御器６００は基板処理設備１０を制御することができる。例えば、制御器６００は液処理チャンバー２６０の間に、レーザー処理チャンバー２８０の間に、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０との間に基板Ｗが搬送されることを制御することができる。また、制御器６００は基板処理装置３００を制御することができる。例えば、制御器６００は支持ユニット３２０、測定ユニット３３０、及びレーザーユニット４００を制御することができる。また、制御器６００はパルスレーザーが基板の上のエッジ領域に照射されるようにレーザーユニット４００を制御することができる。また、制御器６００は測定ユニット３３０が基板のエッジ領域に提供される膜質の厚さを測定するように測定ユニット３３０を制御することができる。また、制御器６００は後述する膜質除去方法又は基板処理方法を遂行できるように基板処理装置３００を制御することができる。
【００７０】
図８は図４の制御器６００の構成を示す図面である。図８を参照すれば、制御器６００はレシピ記憶部６１０、及び実行部６２０を含むことができる。
【００７１】
レシピ記憶部６１０には図９に図示されたように基板Ｗ上の膜質Ｆを除去するための処理条件が記録されていることができる。例えば、レシピ記憶部６１０に記録された処理条件は膜質Ｆの種類、及び膜質Ｆの厚さ値に応じるアブレーションエネルギーのサイズである。ここで、アブレーションエネルギーは膜質Ｆの種類、及び膜質Ｆの厚さ値に応じて膜質Ｆが完全に除去されるのに要求されるエネルギーを意味することができる。一例として、基板Ｗ上に提供された膜質が第１膜Ｆ１であり、第１膜Ｆ１の厚さが第１厚さＤ１である場合、第１膜Ｆ１が完全に除去されるのに要求されるアブレーションエネルギーは第１−１アブレーションエネルギーＥ１１である。その他の例として、基板Ｗ上に提供された膜質が第２膜Ｆ２であり、第２膜Ｆ２の厚さが第３厚さＤ３である場合、第２膜Ｆ２が完全に除去されるするのに要求されるアブレーションエネルギーは第２−３アブレーションエネルギーＥ２３である。また、レシピ記憶部６１０に記録されたアブレーションエネルギー値は多数の実験に基づいて予めレシピ記憶部６１０に記録された処理条件である。
【００７２】
実行部６２０は制御信号を出力することができる。実行部６２０が出力する制御信号は基板処理装置３００の構成を制御することができる。また、実行部６２０はレシピ記憶部６１０に記録された処理条件を読み出し、読み出された処理条件に基づいて基板処理装置３００を制御する制御信号を出力することができる。
【００７３】
以下では実行部６２０が制御信号を出力する一例を説明する。測定ユニット３３０が基板Ｗ上の膜質Ｆの種類、膜質Ｆの厚さ値を測定すれば、測定値を制御器６００に伝達することができる。測定ユニット３３０が測定した測定値が制御器６００に伝達されれば、実行部６２０はレシピ記憶部６１０に記録された処理条件の中で適切な処理条件を読み出すことができる。そして、実行部６２０は処理条件に対応する制御信号を出力することができる。一例として、測定ユニット３３０が膜質Ｆの種類を第１膜Ｆ１として測定し、第１膜Ｆ１の厚さを第１厚さＤ１として測定した場合、実行部６２０はレシピ記憶部６１０に記録されたアブレーションエネルギーの中で第１−１アブレーションエネルギーＥ１１を読み出すことができる。その後、実行部６２０はレーザーユニット４００が照射するパルスレーザーが第１−１アブレーションエネルギーＥ１１に対応するパルスエネルギーを有するようにレーザーユニット４００を制御することができる。実行部６２０が制御信号を出力することは上述した例に限定されることではなく、基板Ｗ上に提供される膜質Ｆの種類、及び膜質Ｆの厚さに応じて多様に変形されることができる。
【００７４】
以下には実行部６２０が出力する制御信号によってパルスエネルギーを制御する方法に対して詳細に説明する。図１０はパルスレーザーのパルスエネルギーに応じて基板の上の膜質が除去される深さが変化される関係を示す表である。図１０を参照すれば、基板Ｗに照射されるパルスレーザーのパルスエネルギーが大きくなるほど、基板Ｗ上に提供される膜質Ｆが蝕刻され、深さが大きくなる。即ち、除去しようとする膜質Ｆの厚さが大きいほど、基板Ｗ上に照射されるパルスレーザーのパルスエネルギーを大きくしなければならない。
【００７５】
パルスエネルギー、パルスレーザーの出力、及び単位パルス間の反復率の関係は次の通りである。
【数１】
2020203314.tif 000003
【００７６】
即ち、実行部６２０は基板Ｗ上で除去しようとする膜質Ｆの厚さが大きいほど、パルスエネルギーを大きくする制御信号を出力することができる。例えば、パルスレーザーのパルスエネルギーを大きくしようとする場合、実行部６２０はパルスレーザーの出力を大きくする制御信号を出力することができる。また、パルスレーザーのパルスエネルギーを大きくしようとする場合、パルスレーザーの反復率を小さくする制御信号を出力することができる。また、実行部６２０はパルスレーザーの出力及び反復率を制御する制御信号を出力してパルスレーザーのパルスエネルギーを調節することができる。
【００７７】
以下では本発明の一実施形態による基板を処理する方法に対して詳細に説明する。基板を処理する方法は基板Ｗ上のエッジ領域に複数の単位パルスレーザーを照射して基板Ｗ上の膜質を除去する方法である。基板Ｗ上の膜質は蒸着工程で形成された膜質である。例えば、基板Ｗ上の膜質はＴｉＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、タングステン、オキサイド等である。しかし、本発明の一実施形態による基板処理方法は、膜質を除去する方法であることに限定されることではなく、レーザーを基板Ｗに照射して基板を処理する多様な処理方法にも同様に適用されることができる。
【００７８】
図１１は本発明の一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートであり、図１２と図１３は本発明の一実施形態に係る基板処理方法を示す図面である。図１１乃至図１３を参照すれば、本発明の一実施形態に係る基板処理方法は膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）、レシピ読出し段階（Ｓ２０）、及びレーザー照射段階（Ｓ３０）を含むことができる。膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）、レシピ読出し段階（Ｓ２０）、及びレーザー照射段階（Ｓ３０）は順次的に遂行されることができる。
【００７９】
膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）は基板Ｗ上に提供される膜質Ｆの厚さを測定する段階である。例えば、膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）は図１２に図示されたように測定ユニット３３０が基板Ｗのエッジ領域の上部に位置されることができる。厚さ測定段階（Ｓ１０）には測定ユニット３３０が基板Ｗ上に設定波長を有する光を照射して、基板Ｗ上に提供される膜質Ｆの厚さを測定することができる。また、厚さ測定段階（Ｓ１０）には支持ユニット３２０が基板Ｗを回転させることができる。また、厚さ測定段階（Ｓ１０）には基板Ｗ上に提供される膜質Ｆの種類も検出することができる。
【００８０】
レシピ読出し段階（Ｓ２０）は膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）で測定された測定値に基づいて、基板Ｗを処理するのに適切な処理条件を読み出す段階である。例えば、レシピ読出し段階（Ｓ２０）には膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）で測定した膜質Ｆの厚さ値に応じて膜質Ｆが完全に除去されるアブレーションエネルギーに対する条件を読み出すことができる。
【００８１】
レーザー照射段階（Ｓ３０）はレシピ読出し段階（Ｓ２０）で読み出された処理条件に基づいて、基板Ｗにパルスレーザーを照射する段階である。レーザー照射段階（Ｓ３０）ではレシピ読出し段階（Ｓ２０）で読み出したアブレーションエネルギーに基づいてパルスレーザーのパルスエネルギーを選択することができる。例えば、レーザー照射段階（Ｓ３０）ではレシピ読出し段階（Ｓ２０）で読み出したアブレーションエネルギーに対応するパルスエネルギーを選択することができる。また、レーザー照射段階（Ｓ３０）は図１３に図示されたようにレーザーユニット４００が基板Ｗのエッジ領域の上部に位置されることができる。また、レーザー照射段階（Ｓ３０）では基板Ｗのエッジ領域にレーザーが照射される間に、支持ユニット３２０が基板Ｗを回転させることができる。また、レーザー照射段階（Ｓ３０）では基板Ｗの半径方向に沿ってパルスレーザーＬの照射位置を変更することができる。このため、基板Ｗで膜質Ｆが除去される縁領域を拡張するか、又は縮小する等に変更することができる。
【００８２】
一般的に基板の縁領域にケミカル等の薬液を噴射して膜質を除去する場合、膜質除去が適切に行われない。一例として、基板の上の膜質は基板の半径方向に沿って下方に傾くように除去されることができる。これは膜質を除去する薬液の不均一な選択比によることである。このように膜質の除去が適切に行われない場合、半導体素子の生産収率を低下させる。また、基板の表面にピンマーク（Ｐｉｎ  Ｍａｒｋ）等が形成されて追加的な汚染可能性を発生させる。しかし、本発明の一実施形態によれば、基板Ｗに対してパルスレーザーを照射して基板Ｗ上の膜質を除去する。このため、基板Ｗ上の膜質の即刻的なアブレーションが発生して均一であり、高い選択比に膜質を除去することができる。また、本発明の一実施形態によれば、パルスレーザーを利用して基板Ｗ上の膜質を除去するので、基板Ｗで膜質が除去される領域を多様に変更することができる。また、基板Ｗで膜質が除去される領域をさらに微細化することができる。膜質が除去される領域を多様に変更することができ、さらに微細化することは最近、基板エッジで膜質が除去される領域を縮小しようとする最近の傾向にも合致する。
【００８３】
また、パルスレーザーを照射して基板Ｗ上の膜質Ｆを除去する場合、オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  Ｅｔｃｈ）又はアンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象が発生されることができる。オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象は膜質Ｆと共に基板Ｗが蝕刻されて基板Ｗが損傷される現象である。オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象はパルスレーザーのパルスエネルギーがアブレーションエネルギーを超過して基板Ｗに照射される時に発生する。アンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象は基板Ｗ上に提供される膜質Ｆが完全に除去されなく、基板Ｗ上に残留する現象である。アンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象はパルスレーザーのパルスエネルギーがアブレーションエネルギーより小さいサイズに基板Ｗに照射される時に発生する。即ち、オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  Ｅｔｃｈ）又はアンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象は基板Ｗを損傷させるか、或いは基板Ｗ処理効率を低下させる。しかし、本発明の一実施形態によれば、基板Ｗ上に提供される膜質Ｆの厚さを測定し、測定値に基づいてパルスレーザーのパルスエネルギーを選択する。即ち、パルスエネルギーがアブレーションエネルギーに対応するエネルギーに基板Ｗ上に照射されるので、オーバーエッチ（Ｏｖｅｒ  Ｅｔｃｈ）又はアンダーエッチ（Ｕｎｄｅｒ  Ｅｔｃｈ）現象が発生されることを最小化することができる。
【００８４】
以下では本発明の他の実施形態に係る基板処理方法に対して説明する。以下では上述した本発明の一実施形態と相違点を中心に説明し、同一又は類似な事項に対しては説明を省略する。図１４乃至図１６は本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示す図面である。図１４乃至図１６を参照すれば、基板Ｗ上に提供される膜質Ｆは第１膜Ｆ１、及び第２膜Ｆ２を含むことができる。第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２は互いに異なる膜質である。また、第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２は互いに積層されるように提供されることができる。本発明の他の実施形態に係る基板処理方法によれば、測定ユニット３３０は基板Ｗのエッジ領域に光を照射して、第１膜Ｆ１、及び第２膜Ｆ２の厚さ値を測定することができる。また、測定ユニット３３０は第１膜Ｆ１、及び第２膜Ｆ２の種類を検出することができる。測定ユニット３３０が第１膜Ｆ１、及び第２膜Ｆ２に対する情報を測定又は検出すれば、測定ユニット３３０は測定又は検出した情報を制御器６００に伝達することができる。第１膜Ｆ１を除去する時、制御器６００は、レーザーユニット４００が照射するパルスレーザーＬ１が第１アブレーションエネルギーに対応するパルスエネルギーを有するように制御信号を出力することができる。第１アブレーションエネルギーは第１膜Ｆ１の厚さ値に応じて第１膜Ｆ１が完全に除去されるのに要求されるエネルギーを意味する。また、第２膜Ｆ２を除去する時、制御器６００は、レーザーユニット４００が照射するパルスレーザーＬ２が第２アブレーションエネルギーに対応するパルスエネルギーを有するように制御信号を出力することができる。第２アブレーションエネルギーは第２膜Ｆ２の厚さ値に応じて第２膜Ｆ２が完全に除去されるのに要求されるエネルギーを意味する。本発明の他の実施形態によれば、基板Ｗ上に多様な種類の膜質Ｆが提供されても、各々の膜質Ｆを除去するのに適切なパルスレーザーを照射することができるので、基板処理効率をさらに高くすることがきる。
【００８５】
上述した例では、膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）、レシピ読出し段階（Ｓ２０）、及びレーザー照射段階（Ｓ３０）が順次的に遂行されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、図１７に図示されたように膜質厚さ測定段階（Ｓ１０）、レシピ読出し段階（Ｓ２０）、及びレーザー照射段階（Ｓ３０）は同時に遂行されることができる。
【００８６】
上述した例では、測定ユニット３３０、レーザーユニット４００がレーザー処理チャンバー２８０に提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、測定ユニット３３０とレーザーユニット４００は液処理チャンバー２６０に提供されることができる。この場合、液処理チャンバー２６０では基板Ｗに対する液処理とレーザー処理を共に遂行することができるので、基板処理設備１０のフットプリント（Ｆｏｏｔ−ｐｒｉｎｔ）を最小化することができる。
【００８７】
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
【符号の説明】
【００８８】
３００    基板処理装置
３１０    ハウジング
３２０    支持ユニット
４００    レーザーユニット
４１０    レーザー光源
４２０    調節部
４３０    ビジョン部材
Ｓ１０    膜質厚さ測定段階
Ｓ２０    レシピ読出し段階
Ｓ３０    レーザー照射段階
【図１】
2020203314.tif 000004
【図２】
2020203314.tif 000005
【図３】
2020203314.tif 000006
【図４】
2020203314.tif 000007
【図５】
2020203314.tif 000008
【図６】
2020203314.tif 000009
【図７】
2020203314.tif 000010
【図８】
2020203314.tif 000011
【図９】
2020203314.tif 000012
【図１０】
2020203314.tif 000013
【図１１】
2020203314.tif 000014
【図１２】
2020203314.tif 000015
【図１３】
2020203314.tif 000016
【図１４】
2020203314.tif 000017
【図１５】
2020203314.tif 000018
【図１６】
2020203314.tif 000019
【図１７】
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