(57)【要約】 放熱性が向上し、かつ絶縁性が向上する半導体装置を得ることを目的とする。 半導体素子（１ａ）と、半導体素子（１ａ）に接続されたリードフレーム（４ａ）と、リードフレーム（４ａ）に第１の絶縁層（５）を介して配置された金属ベース板（６）と、金属ベース板（６）における第１の絶縁層（５）が配置された面とは反対側に第２の絶縁層（７）を備え、第１の絶縁層（５）は、第２の絶縁層（７）より放熱性の高い絶縁層であり、第２の絶縁層（７）は、その絶縁性が第１の絶縁層（５）の絶縁性と同一または第１の絶縁層（５）の絶縁性より高い絶縁層である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに第１の絶縁層を介して配置された金属ベース板と、前記金属ベース板における前記第１の絶縁層が配置された面とは反対側に第２の絶縁層を備えた半導体装置であって、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より放熱性の高い絶縁層であり、
前記第２の絶縁層は、その絶縁性が前記第１の絶縁層の絶縁性と同一または前記第１の絶縁層の絶縁性より高い絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と、前記半導体素子に接続されたリードフレームと、前記リードフレームに第１の絶縁層を介して配置された金属ベース板と、前記金属ベース板における前記第１の絶縁層が配置された面とは反対側に第２の絶縁層を備えた半導体装置であって、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層より絶縁性の高い絶縁層であり、
前記第１の絶縁層は、その放熱性が前記第２の絶縁層の放熱性と同一または前記第２の絶縁層の放熱性より高い絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より放熱性の高い絶縁層であり、かつ前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層より絶縁性の高い絶縁層であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、フィラーを含み、
前記第１の絶縁層のフィラー粒径は、前記第２の絶縁層のフィラー粒径より大きいことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、フィラーを含み、
前記第１の絶縁層のフィラーにおける比誘電率は、前記第２の絶縁層のフィラーにおける比誘電率より高いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁層における単位体積当たりのボイド含有率であるボイド率は、前記第２の絶縁層における前記ボイド率より高いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、フィラーを含み、
前記第１の絶縁層のフィラー充填量は、前記第２の絶縁層のフィラー充填量より多いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁層の厚さは、前記第２の絶縁層の厚さより薄いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項９】
前記金属ベース板に接続された冷却器を有し、
前記冷却器は、前記金属ベース板における前記第２の絶縁層が配置され面と同じ側の面に前記第２の絶縁層を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層は、粉体塗装または電着塗装により形成されたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記金属ベース板は、前記半導体素子に接地電位を供給する接地電位電極に接続されないことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＧＢＴやダイオードなどの半導体素子を実装した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、動作により熱を発生する半導体素子を実装した半導体装置は、放熱性を向上させるために、例えば銅などの熱伝導性に優れた金属からなる金属ベース板を設けている。従来の半導体装置では、半導体素子の発生熱を有機絶縁シートやセラミック基板により、冷却器に接続された金属ベース板に逃がしている。昨今、半導体素子の高密度集積化にともない放熱特性の向上が必要とされている。【０００３】
特許文献１には、金属ベース板上に、半田を介してセラミック絶縁基板が配置されており、さらに、セラミック絶縁基板上に、半田を介してパワーチップ等の半導体素子が搭載されている半導体装置が開示されている。半導体素子の発生熱は、セラミック基板を介して金属ベース板へ伝わり、金属ベース板に接続された冷却器から放熱している。セラミック基板は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化アルミニウム（ＡＬ２Ｏ３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）等の無機物を焼結させたことにより製造され放熱性を高めている。【０００４】
半導体素子と金属ベース間に有機絶縁シートを配置する場合には、その有機絶縁シートの放熱性を高めることが必要である。放熱性を高めるための高熱伝導性無機粉末が、例えば特許文献２に開示されている。この高熱伝導性無機粉末は、平均粒子径が1〜２０μｍ、最大粒径が４５μｍ以下の無機粉末からなり、粒度域３〜４０μｍの構成粒子である無機粉末Ｘの真円度が０．８０以上の球状でしかも熱伝導率１０Ｗ／ｍＫ以上であり、粒度域０．１〜１．５μｍの構成粒子である無機粉末Ｙの真円度が０．３０以上０．８０未満の球状又は非球状でしかも熱伝導率が無機粉末Ｘと同等以下であり、Ｘ／Ｙの質量比が１〜３０である。これにより、樹脂に高充填しても容易に高粘度化せず、しかも放熱性に優れた樹脂組成物を調製しようとしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０３０８６号公報（図１）
【特許文献２】特開２００３−１３７６２７号公報（０００４段〜０００６段）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置に適用する有機絶縁シートやセラミック基板には放熱性とともに、半導体装置を安定に駆動するための絶縁性が求められる。特に昨今では、炭化ケイ素（ＳｉＣ）素子など大電流化、高周波動作可能な半導体素子が半導体装置に搭載されると、素子発熱が大きくなることや定格電圧の上昇化、半導体装置の小型化への対応が必要になる。したがって、有機絶縁シートやセラミック基板には絶縁信頼性を低下させることなく、半導体素子による発熱を金属ベース板に効率よく放熱させた半導体装置を製造する必要がある。【０００７】
しかしながら、放熱性を向上させるために必要な熱伝導率と絶縁性を向上させるために必要な耐電圧や耐部分放電電圧はトレードオフの関係にあるため、例えば特許文献２では無機粉末の粒径を規定することで高充填化と放熱性の向上をはかっているが、無機充填材による充填材近傍の電界集中を考慮しておらず、絶縁性能が低下するという問題があった。また、特許文献１などセラミック基板を適用した場合、セラミック基板の厚肉化により高耐圧化を満足させているが、絶縁層となるセラミック基板が厚くなることにより高熱抵抗化してしまい、これによる放熱性が悪化する問題がある。【０００８】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、放熱性が向上し、かつ絶縁性が向上する半導体装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、半導体素子に接続されたリードフレームと、リードフレームに第１の絶縁層を介して配置された金属ベース板と、金属ベース板における第１の絶縁層が配置された面とは反対側に第２の絶縁層を備えた。第１の絶縁層は、第２の絶縁層より放熱性の高い絶縁層であり、第２の絶縁層は、その絶縁性が第１の絶縁層の絶縁性と同一または第１の絶縁層の絶縁性より高い絶縁層である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、金属ベース板の両側に２つの絶縁層を有し、２つの絶縁層は特性が異なるので、放熱性が向上し、かつ絶縁性が向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による絶縁層の放熱特性と絶縁特性を示した相関図である。
【図３】本発明の実施の形態１による絶縁層の電界増倍率を示した図である。
【図４】絶縁層のボイド率と絶縁耐圧の関係を示した相関図である。
【図５】比較例の半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による半導体装置を示す断面図である。図１に示した半導体装置３０は、２つの半導体素子１ａ、１ｂが実装された例である。半導体装置３０は、半導体素子１ａ、１ｂを搭載するリードフレーム（導電部材）４ａ、４ｂと、半導体素子１ａ、１ｂの発熱を放熱する冷却器９ａ、９ｂと、冷却器９ａ、９ｂに接続された金属ベース板６を備える。半導体素子１ａ、１ｂはそれぞれリードフレーム４ａ、４ｂに搭載され、半導体素子１ａはリードフレーム４ａに接続され、半導体素子１ｂはリードフレーム４ｂに接続される。半導体素子１ａ、１ｂは、それぞれ半田３ａ、３ｂによりリードフレーム４ａ、４ｂに接着される。半導体素子１ａ、１ｂは、ワイヤ８により電気的に接続されている。また、半導体素子１ａ、１ｂは、ワイヤ（図示せず）により、外部端子（図示せず）と電気的に接続されている。半導体素子１ａ、１ｂの発熱を放熱するための冷却器９ａ、９ｂに接続された金属ベース板６とリードフレーム４ａ、４ｂとの間に放熱性の高い絶縁層（以降、適宜、高放熱性絶縁層と呼ぶ）５を設置している。金属ベース板６における高放熱性絶縁層５の逆側には絶縁性の高い絶縁層（以降、適宜、高絶縁性絶縁層と呼ぶ）７を配置している。半導体装置３０は、必要に応じて、半導体素子１ａ、１ｂ及びリードフレーム４ａ、４ｂをエポキシ樹脂やシリコーンゲル、エラストマ等の封止材１０で封止される。
【００１３】
半導体装置３０に用いる絶縁層５、７について説明する。半導体装置の絶縁層には二つの機能、すなわち絶縁性及び放熱性が求められる。特許文献１の半導体装置では、セラミック絶縁基板が上記絶縁層に相当し、第一外部電極部が上記リードフレームに相当する。特許文献１の半導体装置において、セラミック絶縁基板を上記絶縁層に置き換え、第一外部電極部を上記リードフレーム置き換えて、簡略化した図を図５に示す。図５は比較例の半導体装置を示す図である。図５において、通常の配置位置である金属ベース板６の裏面側に、冷却器９を配置した。図５に示すような絶縁層がひとつしかない比較例の半導体装置の場合は、ひとつの絶縁層により前記の二つの機能の両立が必要である。
【００１４】
ここで、絶縁特性及び放熱特性について考える。図２は、本発明の実施の形態１による絶縁層の放熱特性と絶縁特性を示した相関図である。横軸は放熱特性であり、縦軸は絶縁特性である。図２の相関特性２０に示すように、放熱特性と絶縁特性とは相関関係が存在する。すなわち、放熱特性と絶縁特性は、一方を高めると他方が低くなる関係となっている。半導体素子は他の素子等と絶縁され、かつ素子性能を発揮できる温度範囲で動作させなければならない。動作により熱を大量に発生する半導体素子や高温にて動作する半導体素子を実装した半導体装置は、半導体素子を所望の動作をさるためには、絶縁性及び放熱性を両立が必要である。ひとつの絶縁層によって絶縁性及び放熱性を両立が必要である比較例の半導体装置は、絶縁層の特性として図２の破線円ｂに示すような範囲を選択しなければならない。
【００１５】
一般的に有機絶縁シートはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に窒化アルミ、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化ホウ素および炭化ケイ素などの無機物のフィラーを充填した構造となっている。放熱性を向上するためにはフィラー粒径の大径化、フィラーの高比誘電率化、フィラー充填量を多くすることで絶縁材料の熱伝導率を高めればよい。しかし、放熱性を向上するための第１の方法、すなわちフィラー粒径の大径化を行う場合には、図３に示すように粒径が大きいほど電界増倍率（無機充填材近傍部の局所電界を平均電界で割った指数）は高くなり、その結果、耐電圧特性や耐部分放電特性等の絶縁性が急激に低下してしまう。図３は、本発明の実施の形態１による絶縁層の電界増倍率を示した図である。横軸は無機充填材の粒径であり、縦軸は電界増倍率である。特性１１は無機充填材が高比誘電率の場合の特性であり、特性１２は無機充填材が低比誘電率の場合の特性である。
【００１６】
また、放熱性を向上するための第２の方法、すなわちフィラーの高比誘電率化を行う場合には、無機充填材である無機フィラーの比誘電率を高めた場合である特性１１の方が特性１２よりも電界増倍率が高くなり、その結果、耐電圧特性や耐部分放電特性等の絶縁性が急激に低下してしまう。無機フィラーの比誘電率を高めた場合である特性１１の方が特性１２よりも電界増倍率が高くなるのは、エポキシ樹脂の比誘電率とフィラーの比誘電率との差が大きくなることで、フィラー先端部の電界が高くなるからである。
【００１７】
したがって、放熱性を向上するための第１の方法と第２の方法を併用してさらに放熱性を向上させると、図３における特性１１の右側のように急峻に電界増倍率が高くなり、絶縁性が急激に低下するので、半導体素子が動作するのに必要な絶縁性を維持することは困難である。よって、特性１２に示すように無機フィラーの比誘電率を低く（エポキシ樹脂の比誘電率に近づける）し、電界増倍率を下げることで、所定の絶縁性を確保する必要がある。
【００１８】
また、放熱性を向上するための第３の方法、すなわちエポキシ樹脂にフィラー充填量を多くする場合には、単位体積辺りのボイド含有率（ボイド率と呼ぶ）が大きくなる。図４は、エポキシ樹脂に無機フィラーを充填した場合の絶縁シート（絶縁層）中の単位堆積あたりのボイド率と絶縁耐圧の関係を示した相関図である。横軸はボイド率であり、縦軸は規格化した耐圧である。規格化した耐圧は、例えば任意のボイド率における絶縁耐圧との比を用いて表わすことができる。図４の場合は、ボイド率０．４％の絶縁耐圧を基準に規格化したものである。フィラー充填量を多くするとボイド率が大きくなるので、この場合、図４の特性１４に示すように、耐電圧特性や耐部分放電特性等の絶縁性が急激に低下してしまう。
【００１９】
また、絶縁層を薄くして熱抵抗を下げることで放熱性を上げることも考えられる。しかし、絶縁層を薄くして熱抵抗を下げることで放熱性を上げると、絶縁層の表面と裏面との間における電界が高くなるために、放熱性を向上するための第１〜３の方法の場合と同様に、耐電圧特性や耐部分放電特性等の絶縁性が低下してしまう。
【００２０】
以上のように、絶縁層がひとつしかない比較例の半導体装置の場合は、フィラー形状や充填率、フィラー種類、絶縁層の厚さを厳密に決めねばならず適用可能な材料の使用裕度や構造設計裕度が狭められる。高温にて動作する半導体素子（高温動作対応の半導体素子）を搭載した場合であっても、これを搭載した半導体装置は、充分な絶縁性及び放熱性を達成できない可能性がある。したがって、絶縁層がひとつしかない比較例の半導体装置は、動作により熱を大量に発生する半導体素子や高温にて動作する半導体素子が搭載された場合に、絶縁性及び放熱性を充分に向上することはできない。
【００２１】
比較例の半導体装置とは異なり、実施の形態１による半導体装置３０は、ひとつの絶縁層ではなく、二つの絶縁層に分割したので、適用する場所に応じて絶縁層の特性を最適化することができる。半導体素子１ａ、１ｂの発熱を金属ベース板６に効率よく伝達することが必要な高放熱性絶縁層５には、図２の破線円ｃに示すように放熱性が高い材料を適用する。さらに、放熱特性が必要ない、または必要性が低いが、外部との絶縁が必要な高絶縁性絶縁層７には、図２の破線円ａに示すように絶縁性が高い材料を適用する。したがって、実施の形態１による半導体装置３０は、金属ベース板６とリードフレーム４ａ、４ｂとの間に高絶縁性絶縁層７を配置し、金属ベース板６における高放熱性絶縁層５の逆側に高絶縁性絶縁層７を配置することで、半導体装置の放熱性が向上し、かつ半導体装置と外部との絶縁性が向上することができる。
【００２２】
高放熱性絶縁層５は、図３で示すようなフィラー形状（粒径）が大きく、比誘電率が高い材料が使用できるし、充填量を増やすことも可能である。また、高放熱性絶縁層５は、絶縁性が低くてもよいため薄肉化することができ、熱抵抗を下げることで熱伝達を浴することも可能となる。但し、複数の半導体素子を配置した場合には、半導体素子の駆動電圧以上の耐電圧が必要であることはいうまでも無い。
【００２３】
高絶縁性絶縁層７は、熱伝導性が必要でなくなるために、エポキシ樹脂中にフィラーを充填する必要が無い。エポキシ樹脂中にフィラーを充填しない場合は、絶縁欠陥となるフィラーによる電界集中やボイドの発生がなくなり、図４に示したように絶縁耐圧が向上するので、高絶縁性絶縁層７の厚さは必要な絶縁耐圧を満足すればよい。つまり、高絶縁性絶縁層７の厚さを薄くすることができる。したがって、結果として高絶縁性絶縁層７の薄肉化も可能となる。
【００２４】
高放熱性絶縁層５と高絶縁性絶縁層７の特性を次のようにすることもできる。放熱特性は、高放熱性絶縁層５の方が高絶縁性絶縁層７より大きく、かつ絶縁特性は、高放熱性絶縁層５の方が高絶縁性絶縁層７より小さくする。記号＞、＜を用いて表わせば、高放熱性絶縁層５の放熱特性＞高絶縁性絶縁層７の放熱特性、かつ高放熱性絶縁層５の絶縁特性＜高絶縁性絶縁層７の絶縁特性（条件１）となる。条件１の関係にした構成によれば、フィラー形状や充填率、フィラー種類、絶縁層の厚さ等に幅を持たせることができ、適用可能な材料の使用裕度や構造設計裕度を広く取りつつ、高熱伝導性を有しつつ高絶縁信頼性を有した半導体装置を得られる。
【００２５】
また、高絶縁性絶縁層７は、放熱性が高くなくてもよいため、特許文献１の厚肉化したセラミック基板の様な高価な基板を使用せずに、例えば粉体塗装や電着塗装といった従来の半導体装置に適用していない安価で絶縁信頼性の高い膜形成手法を適用することができる。高絶縁性絶縁層７を粉体塗装や電着塗装等の膜形成手法を適用することで、金属ベース板に直接ポリイミドやポリアミドイミド、エポキシ樹脂等の絶縁膜を形成することが可能となる。図１に示すように、金属ベース板６における高絶縁性絶縁層７が配置さる面と同じ側の冷却器９ａ、９ｂの面に高絶縁性絶縁層７を有するように、金属ベース板６と冷却器９ａ、９ｂとに膜形成手法を適用して粉体塗装や電着塗装等を行うこともできる。実施の形態１の半導体装置３０は、特許文献１の半導体装置が厚肉化したセラミック基板を用いることで発生する高コスト化の問題を解決することができる。尚、冷却器９ａ、９ｂに形成される高絶縁性絶縁層７は、絶縁したい一部にある場合でも構わない。
【００２６】
また、実施の形態１の半導体装置３０は、金属ベース板６を非接地電位にすることもできる。すなわち、半導体素子１ａ、１ｂに接地電位を供給する接地電位電極（図示せず）に接続されないようにすることができる。金属ベース板６を非接地電位にすることにより、半導体素子１ａ、１ｂに対するノイズを抑制することができる。したがって、半導体素子１ａ、１ｂの安定動作に富んだ半導体装置を得られる。
【００２７】
実施の形態１の半導体装置によれば、半導体素子１ａと、半導体素子１ａに接続されたリードフレーム４ａと、リードフレーム４ａに第１の絶縁層５を介して配置された金属ベース板６と、金属ベース板６における第１の絶縁層５が配置された面とは反対側に第２の絶縁層７を備え、第１の絶縁層５及び第２の絶縁層７の特性が以下のいずれかであって、第１の絶縁層５は、第２の絶縁層７より放熱性の高い絶縁層であり、第２の絶縁層７は、その絶縁性が第１の絶縁層５の絶縁性と同一もしくは第１の絶縁層５の絶縁性より高い絶縁層であるか、または第２の絶縁層７は、第１の絶縁層５より絶縁性の高い絶縁層であり、第１の絶縁層５は、その放熱性が第２の絶縁層７の放熱性と同一もしくは第２の絶縁層７の放熱性より高い絶縁層であるので、放熱性が向上し、かつ絶縁性が向上することができる。
【００２８】
尚、実施の形態１においては、理解を容易にするために半導体素子を２つにしているが、用途にあった個数にしてよい。また電気接続手段としてワイヤを用いた例を示しているが、電気接続手段としては、球電極やインターポーザやプリント配線基板やダイレクトリード方式を使用していても、実施の形態１と同様の効果が得られることは言うまでもない。また、トランスファーモールド型の半導体装置例にて説明しているが、例えば一例として特許文献１の半導体装置のようにケースに取り付けられたケース型の半導体装置など製法が異なる半導体装置についても同様に適用でき、同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００２９】
また、ヒートシンク一体型および分離型いずれの半導体装置においても実施の形態１と同様に構成することが可能であり、実施の形態１と同様の効果を奏することが可能である。また、半導体素子はケイ素（Ｓｉ）に限らず炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム半導体などの化合物半導体などすべての半導体素子で同様の効果が得られるし、ダイオード（Ｄｉ）やＩＧＢＴ以外のトランジスタや集積回路（ＩＣ）等でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３０】
特に、高温動作対応の半導体素子は、炭化ケイ素以外に、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを用いることができる。たとえば、スイッチング素子や整流素子として機能する半導体素子に、炭化ケイ素や、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを用いた場合、従来から用いられてきたケイ素（Ｓｉ）で形成された素子よりも電力損失が低いため、電力用半導体装置等の高温動作対応の半導体装置の高効率化が可能となる。また、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、半導体装置の小型化が可能となる。さらにワイドバンドギャップ半導体素子は、耐熱性が高いので、高温動作が可能であり、ヒートシンクの放熱フィンの小型化や、水冷部の空冷化も可能となるので、半導体装置の一層の小型化が可能になる。
【００３１】
また、電極と半導体チップや絶縁基板等とを半田などで電気的に接続した接合型や、電極と半導体チップや絶縁基板等とを電極外側方向から内側方向に向けて弾性体やボルト締めなどにより加圧し、電気的に接続した圧接型やそれらの複合型のいずれの半導体装置においても、実施の形態１と同様に構成することが可能であり、実施の形態１と同様の効果を奏することが可能である。また、無機充填材の種類として上記にあげた窒化アルミ、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化ホウ素および炭化ケイ素以外でも、比誘電率の大小関係を満たしている物であれば、適用可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３２】
１、１ａ、１ｂ…半導体素子、４ａ、４ｂ…リードフレーム、５…高放熱性絶縁層（第１の絶縁層）、６…金属ベース板、７…高絶縁性絶縁層（第２の絶縁層）、９ａ、９ｂ…冷却器、３０…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
比較例の半導体装置とは異なり、実施の形態１による半導体装置３０は、ひとつの絶縁層ではなく、二つの絶縁層に分割したので、適用する場所に応じて絶縁層の特性を最適化することができる。半導体素子１ａ、１ｂの発熱を金属ベース板６に効率よく伝達することが必要な高放熱性絶縁層５には、図２の破線円ｃに示すように放熱性が高い材料を適用する。さらに、放熱特性が必要ない、または必要性が低いが、外部との絶縁が必要な高絶縁性絶縁層７には、図２の破線円ａに示すように絶縁性が高い材料を適用する。したがって、実施の形態１による半導体装置３０は、金属ベース板６とリードフレーム４ａ、４ｂとの間に高放熱性絶縁層５を配置し、金属ベース板６における高放熱性絶縁層５の逆側に高絶縁性絶縁層７を配置することで、半導体装置の放熱性が向上し、かつ半導体装置と外部との絶縁性が向上することができる。
【国際調査報告】
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