(57)【要約】  バナジウムの添加による絶縁抵抗の劣化を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供する。  第１の絶縁層３２，３４，３６，３８が互いに積層された第１の絶縁層群３０の積層方向両側に第２の絶縁層２０，２２が積層され、第１の絶縁層３２，３４，３６，３８の主面に内部電極１４が配置される。内部電極１４のうち少なくとも１つ１４ｘが、第１の絶縁層３２と第２の絶縁層２０との間に配置される。第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少なくとも１つを“Ａ”で表し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１つを“Ｂ”で表し、酸素を“Ｏ”で表したときに、化学式“ＡＢＯ３”で表されるペロブスカイト系化合物を主成分とする。第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２のうち第１の絶縁層３２，３４，３６，３８のみにＶが添加されている。
2012114877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された複数の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の主面に配置された内部電極と、
互いに積層された前記第１の絶縁層を含む第１の絶縁層群の積層方向両側にそれぞれ積層された第２の絶縁層と、
を備え、
前記内部電極のうち少なくとも１つが、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置され、
前記第１及び第２の絶縁層は、
Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少なくとも１つを“Ａ”で表し、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１つを“Ｂ”で表し、
酸素を“Ｏ”で表したときに、
化学式“ＡＢＯ３”で表されるペロブスカイト系化合物を主成分とし、
前記第１及び第２の絶縁層のうち前記第１の絶縁層のみにＶが添加されていることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
少なくとも一つの前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層群とは反対側の主面が外部に露出することを特徴とする、請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記第１及び第２の絶縁層には、それぞれ、Ｓｉと、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる少なくとも一種と、
が添加されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記第１及び第２の絶縁層の材料の組成の違いは、
前記第２の絶縁層の材料にはＶが添加されず、前記第１の絶縁層の材料にはＶが添加されている点のみであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記第１及び第２の絶縁層は、ＡＢＯ３粉末を含むセラミックグリーンシートを焼成することにより形成され、
前記第１の絶縁層を形成するための前記セラミックグリーンシートに含まれる前記ＡＢＯ３粉末の比表面積をβで表し、
前記第２の絶縁層を形成するための前記セラミックグリーンシートに含まれる前記ＡＢＯ３粉末の比表面積をαで表したとき、
前記第１及び第２の絶縁層を形成するための前記セラミックグリーンシートにそれぞれ含まれる前記ＡＢＯ３粉末の比表面積の関係は、
１．００＜β／α≦１．３０
となることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、誘電体セラミック層がチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等のペロブスカイト系化合物を主成分とする積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系化合物が好んで用いられており、各種特性（誘電率、誘電率の温度特性、絶縁抵抗（ＩＲ）、負荷試験時の寿命特性など）を満足するために、様々な副成分が添加される。例えば、特許文献１には、Ｖ（バナジウム）を添加することが開示されている。電気特性に対してバナジウムの添加は効果的であり、適量を添加することでより幅の広いアイテム設計が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３１１８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
積層セラミックコンデンサは、セラミックグリーンシートを積層し、焼成することにより製造される。焼成の際には、内層（内部電極に挟まれ、静電容量を形成する部分）の温度は、外層（保護層の役割をなす最外層）の温度よりも遅れて上昇する。バナジウムを添加するとセラミックが焼結しやすい状態となるため、外層と内層の焼結状態の差が拡大する。そのため、外層と内層の境界部付近の内部電極において球状化（部分的に球形状になる現象）が発生し、局所的な絶縁抵抗不良を招き、積層セラミックコンデンサの信頼性が低下する場合がある。【０００５】
本発明は、かかる実情に鑑み、バナジウムの添加による絶縁抵抗の劣化を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した積層セラミックコンデンサを提供する。【０００７】
積層セラミックコンデンサは、（ａ）互いに積層された複数の第１の絶縁層と、（ｂ）前記第１の絶縁層の主面に配置された内部電極と、（ｃ）互いに積層された前記第１の絶縁層を含む第１の絶縁層群の積層方向両側にそれぞれ積層された第２の絶縁層とを備える。前記内部電極のうち少なくとも１つが、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置される。前記第１及び第２の絶縁層は、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｃａ（カルシウム）のうち少なくとも１つを“Ａ”で表し、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）のうち少なくとも１つを“Ｂ”で表し、酸素を“Ｏ”で表したときに、化学式“ＡＢＯ３”で表されるペロブスカイト系化合物を主成分とする。前記第１及び第２の絶縁層のうち前記第１の絶縁層のみにＶ（バナジウム）が添加されている。前記第２の絶縁層にはＶが添加されていない。ここで、前記第２の絶縁層のセラミック成分中において、Ｂ成分１００モル部に対してＶが０．０１モル部以下の場合、「Ｖが添加されていない」とする。【０００８】
上記構成において、化学式“ＡＢＯ３”で表されるペロブスカイト系化合物を主成分とする絶縁層は、バナジウムを添加すると焼結が進みやすい。なお、主成分ＡＢＯ３は、化学量論組成ではない場合がある。具体的には、ＡとＢのｍｏｌ比Ａ／Ｂが０．９８〜１．０５の範囲であることが好ましい。【０００９】
上記構成によれば、第２の絶縁層の内側に第１の絶縁層が配置されるので、焼成の際に、第２の絶縁層は相対的に温度上昇が早く、第１の絶縁層は相対的に温度上昇が遅い。温度上昇が早いほど焼結しやすいが、相対的に温度上昇が遅い第１の絶縁層にのみバナジウムが添加され、第１の絶縁層だけがバナジウムの添加により焼結が促進されるので、焼成の際に第１及び第２の焼結状態の差をできるだけ小さくすることができる。その結果、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に配置された内部電極の玉化を抑制でき、絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。【００１０】
好ましくは、少なくとも一つの前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層群とは反対側の主面が外部に露出する。【００１１】
この場合、主面が外部に露出する第２の絶縁層は、最外層となる。【００１２】
好ましくは、前記第１及び第２の絶縁層には、それぞれ、（ｉ）Ｓｉ（ケイ素）と、（ii）Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）及びＹ（イットリウム）から選ばれる少なくとも一種とが添加されている。【００１３】
この場合、各種特性（誘電率、誘電率の温度特性、絶縁抵抗（ＩＲ）、負荷試験時の寿命特性など）を満足するように調整できる。【００１４】
好ましくは、前記第１及び第２の絶縁層の材料の組成の違いは、前記第２の絶縁層の材料にはＶ（バナジウム）が添加されず、前記第１の絶縁層の材料にはＶ（バナジウム）が添加されている点のみである。【００１５】
この場合、第１及び第２の絶縁層の材料の作製が容易である。【００１６】
好ましくは、前記第１及び第２の絶縁層は、ＡＢＯ３粉末を含むセラミックグリーンシートを焼成することにより形成される。前記第１の絶縁層を形成するための前記セラミックグリーンシートに含まれる前記ＡＢＯ３粉末の比表面積をβで表し、前記第２の絶縁層を形成するための前記セラミックグリーンシートに含まれる前記ＡＢＯ３粉末の比表面積をαで表したとき、前記第１及び第２の絶縁層を形成するための前記セラミックグリーンシートにそれぞれ含まれる前記ＡＢＯ３粉末の比表面積の関係は、
１．００＜β／α≦１．３０
となる。【００１７】
この場合、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に配置される内部電極の被覆率が向上し、絶縁抵抗の劣化をさらに抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、バナジウムの添加による絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】積層セラミックコンデンサの断面図である。（実施例１）
【図２】積層セラミックコンデンサの本体の分解斜視図である。（実施例１）
【図３】積層セラミックコンデンサの断面図である。（実施例１の変形例）
【図４】積層セラミックコンデンサの本体の分解斜視図である。（実施例１の変形例）
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態として実施例を説明する。
【００２１】
＜実施例１＞  実施例１の積層セラミックコンデンサ１０について、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は、積層セラミックコンデンサ１０の断面図である。図１に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、本体１２の内部に内部電極１４が形成され、本体１２の外部に外部電極１６が形成されている。
【００２３】
図２は、本体１２の構成を模式的に示す分解斜視図である。図２に示すように、本体１２は、互いに積層された第１の絶縁層３２，３４，３６，３８を含む第１の絶縁層群３０の積層方向両側に、１層又は２層以上（図２では、１層のみを図示）の第２の絶縁層２０，２２が積層されている。外部に露出する本体１２の上面１２ｓ及び下面１２ｔ（図１参照）は、最外層の第２の絶縁層２０，２２により形成される。
【００２４】
第１の絶縁層３２，３４，３６，３８の主面には、斜線を付した内部電極１４が形成されている。図２において最上層の第１の絶縁層３２の主面（上面）に形成された内部電極１４ｘは、第１の絶縁層３２と第２の絶縁層２０との間に配置される。他の内部電極１４は、第１の絶縁層３２，３４，３６，３８の間に配置される。
【００２５】
図３の断面図及び図４の分解斜視図に示す変形例の積層セラミックコンデンサ１０ａのように、最下層の第２の絶縁層２２の主面（上面）に内部電極を形成してもよい。この場合には、最下層の第２の絶縁層２２の主面（上面）に形成された内部電極は、第１の絶縁層３８と第２の絶縁層２２との間に配置される。
【００２６】
第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２は、誘電体セラミック層であり、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等のペロブスカイト系化合物を主成分とする。
【００２７】
ペロブスカイト系化合物は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少なくとも１つを“Ａ”で表し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１つを“Ｂ”で表し、酸素を“Ｏ”で表したときに、化学式“ＡＢＯ３”で表される。
【００２８】
第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２のうち第１の絶縁層３２，３４，３６，３８のみにバナジウムが添加されている。そのため、第１の絶縁層３２，３４，３６，３８と第２の絶縁層２０，２２とは組成が異なる。バナジウムの添加により、第１の絶縁層３２，３４，３６，３８は、焼成の際に、焼結が進みやすくなる。
【００２９】
第２の絶縁層２０，２２の内側に第１の絶縁層３２，３４，３６，３８が配置されるので、焼成の際に、第２の絶縁層２０，２２は相対的に温度上昇が早く、第１の絶縁層３２，３４，３６，３８は相対的に温度上昇が遅い。温度上昇が早いほど焼結が進みやすいが、相対的に温度上昇が遅い第１の絶縁層３２，３４，３６，３８にのみバナジウムが添加され、第１の絶縁層３２，３４，３６，３８だけがバナジウムの添加により焼結の進行が促進される。これにより、焼成の際に第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２の焼結状態（焼結の進み具合）の差をできるだけ小さくすることができる。その結果、第１の絶縁層３２と第２の絶縁層２０との間に配置された内部電極１４ｘの玉化を抑制でき、絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。
【００３０】
第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２には、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｉ、希土類元素などの様々な副成分を添加しても構わない。副成分の添加により、各種特性（誘電率、誘電率の温度特性、絶縁抵抗（ＩＲ）、負荷試験時の寿命特性など）を満足するように調整できる。
【００３１】
例えば、第１及び第２の絶縁層３２，３４，３６，３８；２０，２２には、それぞれ、（ｉ）Ｓｉと、（ii）Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる少なくとも一種とを添加する。
【００３２】
次に、具体的な作製例について説明する。
【００３３】
Ａ）  誘電体原料配合物の作製
積層セラミックコンデンサの本体を作製するための材料を準備する。ここでは、第２の絶縁層を形成するための材料をα材料と言い、第１の絶縁層を形成するための材料をβ材料と言う。
【００３４】
α材料の主成分は、ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト系化合物である。ここで“Ａ”はＢａ以外にＳｒ，Ｃａの１種以上を含んでよいことを表し、“Ｂ”はＴｉ以外にＺｒ，Ｈｆの１種以上を含んでよいことを表し、“Ｏ”は酸素を表す。
【００３５】
α材料は、添加成分として、少なくとも、（ａ）Ｓｉ、（ｂ）Ｒ（“Ｒ”はＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ及びＹのうち少なくとも１種）を含有する。α材料は、Ｍ（“Ｍ”はＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種）を含んでよい。α材料は、誘電体セラミックである。
【００３６】
β材料は、α材料に添加成分としてＶ（バナジウム）を添加した誘電体セラミックである。
【００３７】
材料は、次の手順で準備した。
【００３８】
まず、出発原料としてＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２及びＨｆＯ２の各粉末を準備して、Ｂａ、ＳｒおよびＣａの合計含有量に対するＢａ、Ｓｒ、Ｃａの各含有量比が、後掲の表１ａ及び表１ｂのモル部となるように、また、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの合計含有量に対するＴｉ、ＺｒおよびＨｆの各含有量比が表１ａ及び表１ｂのモル部となるように、さらに、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの合計含有量１モル部に対してＢａ、ＳｒおよびＣａの合計含有量がｍモル部となるように秤量した後、ボールミルにより混合し、１１５０℃で熱処理し、主成分粉末を得た。この主成分粉末の平均粒径は０．１５μｍであった。表１ａ及び表１ｂに各実施例におけるｍの値を示す。
【００３９】
上記主成分粉末に加え、Ｓｉ、Ｒ、Ｍ、Ｖを、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの合計含有量１００モル部に対してＳｉ、Ｒ、ＭおよびＶの添加量が後述する表１ａ及び表１ｂに示すモル部となるよう秤量した後、ボールミルにより混合・乾燥し、誘電体原料配合物とした。ここでは、ＳｉはＳｉＯ２粉末、ＶはＶ２Ｏ５粉末、ＲおよびＭは酸化物粉末として添加しているが、炭酸化合物、有機金属などの形態でも同様の効果が得られる。
【００４０】
なお、得られた誘電体原料配合物をＩＣＰ発光分光分析したところ、表１ａ及び表１ｂに示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
【００４１】
なお、主成分粉末は固相合成法により作製し、所望の粒径が得られる温度で熱処理したものであるが、水熱合成法、加水分解法などで作製しても問題ない。また、主成分粉末作製用の素材、添加成分の化合物形態は、酸化物、炭酸物に限らず、塩化物、金属有機化合物など、適宜に選択すればよい。また、主成分ＡＢＯ３は、化学量論組成ではない場合がある。具体的にはＡとＢのｍｏｌ比Ａ／Ｂが０．９８〜１．０５の範囲であることが好ましい。
【００４２】
Ｂ）  積層セラミックコンデンサの作製
積層セラミックコンデンサは、次の手順で作製した。
【００４３】
前記配合物にポリビニールブチラール系バインダ及びエタノール等の有機溶媒を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリを作製した。この際にＶを添加しないセラミックスラリをα材料、Ｖを添加したセラミックスラリをβ材料とする。ただし、後述する比較例１−２のα材料には、表１ｂに示す分量のＶが添加されている。α材料のセラミックスラリとβ材料のセラミックスラリに含まれるセラミック粒子の比表面積は同値とした。このセラミックスラリをドクターブレード法により、焼成後の誘電体素子厚が３．０μｍになるようにシート成形し、矩形のグリーンシートを得た。
【００４４】
次に、上記β材料セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストをスクリーン印刷し、内部電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
【００４５】
α材料セラミックグリーンシートを複数枚積層し、その後導電ペースト層が形成されたβ材料セラミックグリーンシートを導電ペーストの引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、その後α材料セラミックグリーンシートを複数枚積層することで積層体を得た。
【００４６】
この積層体をＮ２雰囲気中にてバインダを燃焼させた後、酸素分圧１０−１０ＭＰａのＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気中にて１２００℃で焼成し、焼結済みセラミック積層体を得た。
【００４７】
焼成後得られた焼結済みセラミック積層体の両端面に、Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯガラスフリットを含有するＣｕペーストを塗布し、Ｎ２雰囲気中において８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００４８】
上記のように得られた積層コンデンサの外形寸法は、幅；１．２５ｍｍ、長さ；２．０ｍｍ、厚さ；１．０ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層（第１の絶縁層）の厚みは３．０μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の総数は１０であり、１層当たりの対向電極面積は１．６ｍｍ２であった。
【００４９】
得られた焼結体の端面にＣｕ電極を焼き付けて測定試料（積層セラミックコンデンサ）を得た。
【００５０】
上記のようにして得られた測定試料にて、電気分解を利用した電解剥離により最外層部Ｎｉ電極部、及びセラミック積層体中央部付近Ｎｉ電極部に沿ってＮｉ内部電極の剥離を行い、Ｎｉ内部電極の被覆率を画像解析により測定した。測定サンプル数は１０個とし、その被覆率の平均値を求めた。
【００５１】
得られた測定試料をL方向（長さ方向）1/2の位置で積層方向に切断し、セラミック積層体の垂直断面（ＷＴ断面）を露出させた。
【００５２】
この露出断面において、第１の絶縁層である内層部および第２の絶縁層である外層部の組成分析をレーザーアブレーション法を用いたＩＣＰ分析にて行ったところ、表１ａ及び表１ｂに示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
【００５３】
次の表１ａ及び表１ｂに各実施例および比較例の絶縁層の材料の組成と、焼成温度と、被覆率と、被覆率の差を示す。
【表１ａ】
2012114877.tif 000003
【表１ｂ】
2012114877.tif 000004
なお、表中の「内層部」は第１の絶縁層であり、「外層部」は第２の絶縁層である。
【００５４】
表１ａ及び表１ｂに示した実施例１−１〜実施例１−２８は、内層部（第１の絶縁層）にはＶが添加され、外層部（第２の絶縁層）にはＶが添加されていない。なお、実施例１−２は、外層部のＶが０．０１モル部以下であるので、「Ｖが添加されていない」ことになる。
【００５５】
実施例１−１〜実施例１−２８は、内層部（第１の絶縁層）と外層部（第２の絶縁層）のＮｉ内部電極被覆面積の差が１０％以内に収まる。これにより、外層部の内部電極（図１において符号１４ｘで示す内部電極）での絶縁劣化を抑制できることが分かる。また、表１ａ及び表１ｂにおいて外層部Ｖ量が０モル部である実施例１−１は、外層部Ｖ量が０．０１モル部である実施例１−２と比較して、さらに良好な被覆率差が得られた。
【００５６】
表１ａ及び表１ｂに示す比較例１−１は、内層部（第１の絶縁層）と外層部（第２の絶縁層）のいずれにもＶが添加されていない。比較例１−２は、内層部（第１の絶縁層）と外層部（第２の絶縁層）の両方にＶが添加されている。いずれの場合も、内層部と外層部のＮｉ内部電極被覆面積の差が１０％以上となる。これは、焼結の際に、内層部（第１の絶縁層）と外層部（第２の絶縁層）の焼結の進行具合の差が大きすぎるため、内部電極の球状化が発生したためである。
【００５７】
＜実施例２＞  実施例２の積層セラミックコンデンサについて説明する。
【００５８】
実施例２の積層セラミックコンデンサは、実施例１と略同じ構成であるが、第１の絶縁層の材料（β材料）の比表面積と、第２の絶縁層の材料（α材料）の比表面積が異なる値である点で、実施例１とは異なる。
【００５９】
以下、具体的な作製例を説明する。
【００６０】
まず、実施例１と同様の方法で誘電体原料配合物を得た。表２に各実施例の調合組成を示す。
【００６１】
なお、得られた誘電体原料配合物をＩＣＰ発光分光分析したところ、表２に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
【００６２】
次に、実施例１で示した製法中でセラミックスラリの調合条件を調整することで、セラミック粒子の解砕、粉砕状態をコントロールし、適切な比表面積をもつα材料セラミックシートを作製して、実施例１と同様の設計の測定試料（積層セラミックコンデンサ）を得た。この際、α材料の比表面積をα、β材料の比表面積をβとすると、両者の関係は、
１．００＜β／α≦１．３０  ・・・（１）
となる。
【００６３】
実施例１と同様の方法で、第１の絶縁層である内層部および第２の絶縁層である外層部の組成分析をレーザーアブレーション法を用いたＩＣＰ分析にて行ったところ、表２に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
【００６４】
セラミックの比表面積は流動法ＢＥＴ一点法により測定を行った。また、積層セラミックコンデンサ焼結後のセラミック粒子粒径については、シート調合後の比表面積と相関がある。
【００６５】
次の表２に各実施例の絶縁層の材料の組成と、α材料とβ材料の比表面積の比と、焼成温度と、実施例１と同様に求めた被覆率と、被覆率の差を示す。
【表２】
2012114877.tif 000005
なお、表中の「内層部」は第１の絶縁層であり、「外層部」は第２の絶縁層である。
【００６６】
実施例２−１〜実施例２−８は、比表面積の比が式（１）の関係式を満たす。表１ａ及び表１ｂに示した実施例１と比較すると、内層部（第１の絶縁層）と外層部（第２の絶縁層）のＮｉ内部電極被覆面積の差について、表１ａ及び表１ｂに示した実施例１よりも高い効果が得られ、外層部（第２の絶縁層）のＮｉ内部電極被覆率が向上することが分かる。
【００６７】
＜まとめ＞  以上に説明したように、第１の絶縁層にのみＶを添加することにより、バナジウムの添加による絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。
【００６８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０，１０ａ  積層セラミックコンデンサ
１２  本体
１４  内部電極
１６  外部電極
２０，２２  第２の絶縁層
３０  第１の絶縁層群
３２，３４，３６，３８  第１の絶縁層
【図１】
2012114877.tif 000006
【図２】
2012114877.tif 000007
【図３】
2012114877.tif 000008
【図４】
2012114877.tif 000009
【国際調査報告】
2012114877.tif 000010
2012114877.tif 000011
2012114877.tif 000012
2012114877.tif 000013