(57)【要約】  原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したＣ粒子を有し、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。  高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にし、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図１
2012086335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したＣ粒子を有し、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−Ｙ−ＰｔＸ−ＣｕＹ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５、Ｙは０．５≦Ｙ≦１５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したＣ粒子を有し、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】
スパッタリングターゲットの切断面における研磨組織で、Ｃ粒子の平均面積が４μｍ２以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｃがグラファイトであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
スパッタリングターゲット中の酸素含有量が６００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
添加成分としてＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択した１種以上の元素の酸化物を２０ｍｏｌ％以下含み、該酸化物が合金中に分散した組織を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体におけるグラニュラー型の磁性薄膜の成膜に使用されるスパッタリングターゲットに関し、Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、磁気記録媒体中の磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜にはＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。【０００３】
一方、ハードディスクの記録密度は年々急速に増大しており、現状の６００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の面密度から将来は１ Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に達すると考えられている。１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に記録密度が達すると記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想され、現在、使用されている磁気記録媒体の材料、例えばＣｏ−Ｃｒ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料では十分ではないことが予想される。１０ｎｍ以下のサイズで安定的に強磁性として振る舞う磁性粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。【０００４】
上記のような理由から、Ｌ１０構造を持つＦｅＰｔ相が超高密度記録媒体用材料として注目されている。Ｌ１０ＦｅＰｔ相は高い結晶磁気異方性とともに、耐食性、耐酸化性に優れているため、磁気記録媒体としての応用に適した材料と期待されているものである。
そしてＦｅＰｔ相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したＦｅＰｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。【０００５】
このようなことから、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ磁性粒子を酸化物や炭素といった非磁性材料で孤立させたグラニュラー構造磁性薄膜が、熱アシスト磁気記録方式を採用した次世代ハードディスクの磁気記録媒体用として提案されている。このグラニュラー構造磁性薄膜は、磁性粒子同士が非磁性物質の介在により磁気的に絶縁される構造となっている。
グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５を挙げることができる。【０００６】
上記Ｌ１０ＦｅＰｔ相を有するグラニュラー構造磁性薄膜としては、非磁性物質としてＣを体積比率として１０〜５０％含有する磁性薄膜が、特にその磁気特性の高さから注目されている。このようなグラニュラー構造磁性薄膜は、Ｆｅターゲット、Ｐｔターゲット、Ｃターゲットを同時にスパッタリングするか、あるいは、Ｆｅ−Ｐｔ合金ターゲット、Ｃターゲットを同時にスパッタリングすることで作製されることが知られている。しかしながら、これらのスパッタリングターゲットを同時スパッタするためには、高価な同時スパッタ装置が必要となる。【０００７】
また、一般に、スパッタ装置で合金に非磁性材料の含まれるスパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、スパッタ時に非磁性材料の不用意な脱離やスパッタリングターゲットに内包される空孔を起点として異常放電が生じパーティクル（基板上に付着したゴミ）が発生するという問題がある。この問題を解決するには、非磁性材料と母材合金との密着性を高め、スパッタリングターゲットを高密度化させる必要がある。一般に、合金に非磁性材料が含まれるスパッタリングターゲットの素材は粉末焼結法により作製される。ところが、Ｆｅ−ＰｔにＣが大量に含まれる場合、Ｃが難焼結材料であるため高密度な焼結体を得ることが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３０６２２８号公報
【特許文献２】特開２０００−３１１３２９号公報
【特許文献３】特開２００８−５９７３３号公報
【特許文献４】特開２００８−１６９４６４号公報
【特許文献５】特開２００４−１５２４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にする、Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供することであり、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、非磁性材料であるＣ粒子を微細に母材金属に均一に分散させることによって、高密度なスパッタリングターゲットを作製できることを見出した。このようにして作られたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を非常に少なくすることが可能になる。すなわち、成膜時の歩留まりを向上できることを見出した。【００１１】
このような知見に基づき、本発明は、
１）原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したＣ粒子を有し、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット
２）原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−Ｙ−ＰｔＸ−ＣｕＹ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５、Ｙは０．５≦Ｙ≦１５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したＣ粒子を有し、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット
３）スパッタリングターゲットの切断面における研磨組織で、Ｃ粒子の平均面積が４μｍ２以下であることを特徴とする上記１）〜２）に記載のスパッタリングターゲット
４）Ｃがグラファイトであることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット
５）スパッタリングターゲット中の酸素含有量が６００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット
６）添加成分としてＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択した１種以上の元素の酸化物を２０ｍｏｌ％以下含み、該酸化物が合金中に分散した組織を有することを特徴とする上記１）〜５）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のＣ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットは、高価な同時スパッタ装置を用いることなく、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜を可能にし、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供できる優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例３のスパッタリングターゲットの研磨面を光学顕微鏡で観察したときの組織画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のＣ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットは、原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表され、強磁性母材合金中に非磁性のＣ粒子が均一に微細分散し、かつ相対密度が９０％以上である。これが、本発明の基本となるものである。
【００１５】
本発明では、Ｃ粒子の含有量は、スパッタリングターゲット組成中、好ましくは２０以上５０原子数比以下である。Ｃ粒子のターゲット組成中における含有量が、２０原子数比未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、５０原子数比を超えると、Ｃ粒子が凝集し、パーティクルの発生が多くなる場合がある。
【００１６】
また本発明では、Ｐｔの含有量は、Ｆｅ−Ｐｔ合金組成中、好ましくは３５以上５５原子数比以下である。ＰｔのＦｅ−Ｐｔ合金中における含有量が、３５原子数比未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、５５原子数比を超えても、同様に、良好な磁気特性が得られない場合がある。
【００１７】
相対密度が９０％以上であることは本発明の重要な要件である。相対密度が高いと、スパッタ時にスパッタリングターゲットからの脱ガスによる問題が少なく、また、合金とＣ粒子の密着性が向上するため、パーティクル発生を効果的に抑制できる。望ましくは相対密度で９５％以上である。
【００１８】
本発明において相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
式：計算密度＝シグマΣ（構成成分の分子量×構成成分の分子数比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分の分子数比／構成成分の文献値密度）
ここで、Σは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
【００１９】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、強磁性Ｆｅ-Ｐｔ-Ｃｕ合金を母材合金として用いることが出来る。すなわち、原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−Ｙ−ＰｔＸ−ＣｕＹ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５、Ｙは０．５≦Ｙ≦１５を満たす数）で表され、この母材合金中に非磁性のＣ粒子が均一に微細分散し、かつ相対密度が９０％以上である。
【００２０】
本発明では、Ｐｔの含有量は、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｃｕ合金組成中、好ましくは３５以上５５原子数比以下である。ＰｔのＦｅ−Ｐｔ−Ｃｕ合金中における含有量が、３５原子数比未満、５５原子数比超であると、良好な磁気特性が得られない場合がある。
また、Ｃｕの含有量は、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｃｕ合金組成中、好ましくは０．５原子数比以上１５原子数比以下である。ＣｕのＦｅ−Ｐｔ−Ｃｕ合金中における含有量が、０．５原子数比未満であると、成膜したグラニュラー構造磁性薄膜をＬ１０構造にするときの熱処理温度を十分に下げることができない場合があり、１５原子数比超であると良好な磁気特性が得られない場合がある。
【００２１】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、合金中に、平均面積が４μｍ２以下のＣ粒子を分散させることが、特に有効である。平均面積が４μｍ２を超えると、作製されたスパッタリングターゲットは、スパッタ時のパーティクル発生を効果的に抑制できない。なお、平均面積はスパッタリングターゲットを切り出した端材の研磨面において観察されたＣ粒子の面積をその個数で割り返した値として導出する。
【００２２】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、グラファイトからなるＣ粒子を用いることが望ましい。これは、Ｃ粒子がグラファイト状であると作製されたスパッタリングターゲットは、さらにパーティクル発生を効果的に抑制できるからである。
【００２３】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、酸素濃度が６００ｗｔｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｗｔｐｐｍ以下であることが、特に有効である。これは、本発明のスパッタリングターゲットをスパッタして作製された磁性薄膜において、Ｆｅ−Ｐｔ磁性粒子中の酸素量が減少することになるので、作製された磁性薄膜は良好な磁気特性が得られるからである。
【００２４】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、添加成分としてＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択した１種以上の元素の酸化物を２０ｍｏｌ％以下含ませることができる。これは、本発明のスパッタリングターゲットをスパッタして作製された磁性薄膜において、酸化物がＣとともに磁性粒子同士の磁気的な相互作用を絶縁する構造をとるため、作製された磁性薄膜は良好な磁気特性が得られるからである。またスパッタリング時のパーティクル発生を抑制するという観点から、酸化物もＣと同様に合金中に微細分散していることが望ましい。添加量の下限値は１ｍｏｌ％とするのが良い。この下限値未満であると、添加の効果がないからである。
【００２５】
本発明のスパッタリングターゲットは、粉末焼結法によって作製する。作製にあたり、各原料粉末（Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｕ粉末、Ｃ粉末、酸化物粉末）を用意する。これらの粉末は、粒径が０．５μｍ以上１０μｍ以下のものを用いることが望ましい。原料粉末の粒径が小さ過ぎると、原料粉末が凝集しやすいなどの問題があるため、０．５μｍ以上とすることが望ましい。一方、原料粉末の粒径が大きいと、Ｃ粒子を合金中に微細分散することが難しくなるため１０μｍ以下のものを用いることがさらに望ましい。
さらに原料粉末として、合金粉末（Ｆｅ−Ｐｔ粉、Ｆｅ−Ｃｕ粉、Ｐｔ−Ｃｕ粉、Ｆｅ−Ｐｔ−Ｃｕ粉）を用いてもよい。特にＰｔを含む合金粉末はその組成にもよるが、原料粉末中の酸素量を少なくするために有効である。合金粉末を用いる場合も、粒径が０．５μｍ以上１０μｍ以下のものを用いることが望ましい。
【００２６】
そして、上記の粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。
【００２７】
こうして得られた混合粉末をホットプレスで成型・焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度は、スパッタリングターゲットの組成にもよるが、多くの場合、１２００〜１４００°Ｃの温度範囲とする。
【００２８】
次に、ホットプレスから取り出した焼結体に等方熱間加圧加工を施す。等方熱間加圧加工は焼結体の密度向上に有効である。等方熱間加圧加工時の保持温度は焼結体の組成にもよるが、多くの場合、１２００〜１４００°Ｃの温度範囲である。また加圧力は１００Ｍｐａ以上に設定する。
このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットは作製できる。
【００２９】
以上により、合金中にＣ粒子が均一に微細分散し、且つ高密度なＣ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットを作製することができる。このようにして製造した本発明のスパッタリングターゲットは、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜に使用するスパッタリングターゲットとして有用である。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００３１】
（実施例１）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６０−Ｃ４０【００３２】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．６％であった。【００３３】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．９μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ５６０ｗｔｐｐｍであった。【００３４】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４１０個であった。【００３５】
（比較例１）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６０−Ｃ４０【００３６】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ８３．６％であった。【００３７】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．７μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ６２０ｗｔｐｐｍであった。【００３８】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は９６４０個であった。【００３９】
（比較例２）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２０５０ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）４０−Ｃ６０【００４０】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ８７．８％であった。【００４１】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、６．２μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ８２０ｗｔｐｐｍであった。【００４２】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は２００００個以上であった。【００４３】
（実施例２）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＣｕ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２３８０ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ４０−Ｐｔ４５−Ｃｕ１５）５５−Ｃ４５【００４４】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９５．８％であった。【００４５】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．７μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ５４０ｗｔｐｐｍであった。【００４６】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は３２０個であった。【００４７】
（比較例３）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＣｕ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２３８０ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ４０−Ｐｔ４５−Ｃｕ１５）５５−Ｃ４５【００４８】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ８５．７％であった。【００４９】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．５μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ５８０ｗｔｐｐｍであった。【００５０】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は１１２１０個であった。【００５１】
（実施例３）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６０−Ｃ４０【００５２】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．９％であった。【００５３】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、１．０μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ８７０ｗｔｐｐｍであった。【００５４】
図１に、断面の顕微鏡写真を示す。図１に示すように、白い部分の合金中に、黒い部分のＣ粒子が均一に分散していることが分かる。【００５５】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）にスパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は２３０個であった。【００５６】
（実施例４）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は真比重が２．２５ｇ／ｃｃのグラファイト粉末を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６０−Ｃ４０【００５７】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．６％であった。【００５８】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、３．２μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ６００ｗｔｐｐｍであった。【００５９】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は１７０個であった。【００６０】
（実施例５）
原料粉末として平均粒径１０μｍのＦｅ−Ｐｔ合金粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６０−Ｃ４０【００６１】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、８時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１３５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．１％であった。【００６２】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．６μｍ２であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ２８０ｗｔｐｐｍであった。【００６３】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）にスパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は３６０個であった。【００６４】
（実施例６）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃ粉末は真比重が２．２５ｇ／ｃｃのグラファイト粉末を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６９−Ｃ１０−Ｓｉ７−Ｏ１４【００６５】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１２００℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９８．６％であった。【００６６】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、８０μｍ×８０μｍの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたＣの元素分布画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．５μｍ２であった。【００６７】
次に焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１２０個であった。【００６８】
（比較例４）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径２０μｍのＣ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃ粉末は真比重が２．２５ｇ／ｃｃのグラファイト粉末を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ５０−Ｐｔ５０）６９−Ｃ１０−Ｓｉ７−Ｏ１４【００６９】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１２００℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９８．１％であった。【００７０】
次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、８０μｍ×８０μｍの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたＣの元素分布画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、１１．５μｍ２であった。【００７１】
次に、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は５１０個であった。【００７２】
（実施例７）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＣｕ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末、平均粒径２μｍのＭｇＯ粉末を用意した。Ｃ粉末は真比重が２．２５ｇ／ｃｃのグラファイト粉末を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２５００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ４５−Ｐｔ４５−Ｃｕ１０）６４−Ｃ１８−Ｍｇ９−Ｏ９【００７３】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００７４】
次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１２５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９８．２％であった。【００７５】
次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、８０μｍ×８０μｍの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたＣの元素分布画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．６μｍ２であった。【００７６】
次に、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３２０個であった。【００７７】
（実施例８）
原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。Ｃ粉末は真比重が２．２５ｇ／ｃｃのグラファイト粉末を用いた。
これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が２６００ｇとなるように秤量した。
原子数比：（Ｆｅ６０−Ｐｔ４０）６２．５−Ｃ１６．６７−Ｃｒ８．３３−Ｏ１２．５０【００７８】
次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。【００７９】
次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。
こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．７％であった。【００８０】
次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、８０μｍ×８０μｍの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたＣの元素分布画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、１．８μｍ２であった。【００８１】
次に、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２６０個であった。【００８２】
以上の結果をまとめたものが表１である。表１に示すように、本発明のスパッタリングターゲットの実施例はいずれの場合においても、スパッタリングターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは５００個以下であり、比較例に比べ常に少ないという結果が得られた。【００８３】
【表１】
2012086335.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、高価な同時スパッタ装置を用いることなく、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜を可能にし、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度な、Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供できる優れた効果を有する。したがってグラニュラー構造の磁性薄膜の成膜用スパッタリングターゲットとして有用である。
【図１】
2012086335.tif 000004
【国際調査報告】
2012086335.tif 000005
2012086335.tif 000006
2012086335.tif 000007
2012086335.tif 000008