(57)【要約】  本発明は、高い移動度を持つ電界効果トランジスタを提供することを目的とする。本発明は、基板と、該基板上に形成された安価な金属よりなるソース電極３及びドレイン電極４と、アヌレン構造の有機半導体層６とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタであって、該ソース電極３及びドレイン電極４の少なくとも一方の該有機半導体層６と接する表面に酸化膜が不存在であることを特徴とする電界効果トランジスタに関する。該電界効果トランジスタは、基板上にそれぞれ金属よりなるソース電極３及びドレイン電極４を形成する工程と、アヌレン構造の有機半導体層６を形成する工程とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法において、該ソース電極３及びドレイン電極４を形成した後、各電極３、４の少なくとも一方の表面から酸化膜５を除去する酸化膜除去処理を行うことにより製造される。
2012086609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、アヌレン構造の有機半導体層とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタであって、
該ソース電極及び該ドレイン電極を構成する金属が、標準電極電位１．１０Ｖ以下の金属又は該金属の合金よりなり、
該ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の該有機半導体層と接する表面に酸化膜が不存在である電界効果トランジスタ。
【請求項２】
基板と、該基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、アヌレン構造の有機半導体層とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタであって、
該ソース電極及び該ドレイン電極を構成する金属が、Ａｕ及びＰｔ以外の金属又は該金属の合金よりなり、
該ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の該有機半導体層と接する表面に酸化膜が不存在である電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記酸化膜が不存在であるとは、前記電極の表面のイオン化ポテンシャルと当該電極を構成する金属が純金属である場合におけるイオン化ポテンシャルとの差、及び前記電極の表面のイオン化ポテンシャルと当該電極を構成する合金が純合金である場合におけるイオン化ポテンシャルとの差が、各々０．７ｅＶ未満であることを意味する、請求項１又は２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を構成する金属が白金族以外の金属又は該金属の合金である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記白金族以外の金属がＭｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ及びＷからなる群より選ばれる一種以上である請求項４に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の互いに対峙する側の端面は、該端面と前記基板の板面との挟角がそれぞれ９０°未満の傾斜面となっている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極との最短距離が０．１〜２０μｍである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
基板上にそれぞれ金属又は合金よりなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、アヌレン構造の有機半導体層を形成する工程とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法であって、
該ソース電極及び該ドレイン電極を形成した後、少なくとも一方の電極の表面から酸化膜を除去する酸化膜除去処理を行い、その後、前記有機半導体層を形成する電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記酸化膜除去処理は、表面に酸化膜を有した電極に対し、酸化膜が可溶である液を接触させて酸化膜を溶解除去する処理である請求項８に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記酸化膜が水溶性であり、前記液は水である請求項９に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記液は酸性である請求項９に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記液はアルカリ性である請求項９に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するに際し、該ソース電極及び該ドレイン電極の互いに対峙する側の端面と基板の板面との挟角がそれぞれ９０°未満の傾斜角となるように形成する請求項８ないし１２のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
請求項８ないし１３のいずれか１項に記載の製造方法により製造される電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１ないし７及び１４のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタを有する電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタに係り、特にアヌレン構造の有機半導体層を有する電界効果トランジスタに関する。また、本発明は、この電界効果トランジスタの製造方法及びこの電界効果トランジスタを有する電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電界効果トランジスタなどの電子デバイスは、蒸着法、ＰＶＤ（物理蒸着法）、ＣＶＤ（化学蒸着法）などの高真空下での素子作製プロセスを経て製造されている。しかしながら、高真空下での素子作製プロセスは、高価な製造設備を必要とすると共に、製造工程での消費エネルギーが多い。【０００３】
これに対し、塗布法により半導体層を形成する塗布プロセスは、大面積の電子デバイスであっても比較的簡易な設備によって製造することができると共に、製造工程での消費エネルギーも少ない。【０００４】
ところで、電界効果トランジスタの電極／半導体界面に生じるコンタクト抵抗は、電極表面のイオン化ポテンシャル（仕事関数）の影響を受けることが報告されている。そのため、電界効果トランジスタのソース電極及びドレイン電極としては、通常、イオン化ポテンシャル（仕事関数）の高いＡｕやＰｔが用いられている。しかしながら、ＡｕやＰｔは、高価であるなどの課題を有している。【０００５】
ソース及びドレイン電極の材質については、ＡｕやＰｔ以外の材質を用いた例も報告されている。電界効果トランジスタのソース及びドレインは、通常、酸化されやすい環境で作製される。ここで、ＡｕやＰｔ以外の金属を用いた場合、酸化膜が形成されることにより電界効果トランジスタの移動度が高くなることが知られている。具体的には、半導体として、ポリフェニレンビニレンを用いた場合について、ソース電極及びドレイン電極として、Ｍｏ電極表面にＭｏＯｘ層を形成したものを用いることにより、移動度が向上し、そのばらつきも小さくなること（特許文献１参照）が報告されている。また、半導体として、ペンタセンを用いた場合について、ソース電極及びドレイン電極として、Ｎｉ電極表面にＮｉＯｘ層を形成したものを用いることにより、移動度が向上すること（特許文献２参照）などが報告されている。【０００６】
一方、電界効果トランジスタの有機半導体としては、ポルフィリン、フタロシアニンなどのアヌレン系の半導体が知られており、アヌレン系の半導体を用いた場合についても、このように安価でありながら、移動度が高い電界効果トランジスタが求められている。また、このような電界効果トランジスタを簡便に製造できる製造方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国特開２００５−３２７７９７号公報
【特許文献２】日本国特開２００８−１０６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みて創案されたものであり、アヌレン系半導体を用いた場合について、安価でありながら、移動度が高い、電界効果トランジスタと、その簡便な製造方法と、この電界効果トランジスタを用いた電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、高い移動度を持つ電界効果トランジスタを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明の要旨は、下記に示すとおりである。【００１０】
（１）  基板と、該基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、アヌレン構造の有機半導体層とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタであって、該ソース電極及び該ドレイン電極を構成する金属が標準電極電位１．１０Ｖ以下の金属又は該金属の合金よりなり、該ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の該有機半導体層と接する表面に酸化膜が不存在である電界効果トランジスタ。
（２）  基板と、該基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、アヌレン構造の有機半導体層とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタであって、該ソース電極及び該ドレイン電極を構成する金属が、Ａｕ及びＰｔ以外の金属又は該金属の合金よりなり、該ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の該有機半導体層と接する表面に酸化膜が不存在である電界効果トランジスタ。
（３）  前記酸化膜が不存在であるとは、前記電極の表面のイオン化ポテンシャルと、当該電極を構成する金属が純金属である場合におけるイオン化ポテンシャルとの差又は当該電極を構成する合金が純合金である場合におけるイオン化ポテンシャルとの差が、各々が０．７ｅＶ未満であることを意味する、前記（１）又は（２）に記載の電界効果トランジスタ。
（４）  前記ソース電極及び前記ドレイン電極を構成する金属が白金族以外の金属又は該金属の合金であることを特徴とする前記（１）ないし（３）のいずれか１に記載の電界効果トランジスタ。
（５）  前記白金族以外の金属がＭｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ及びＷからなる群より選ばれる一種以上である前記（４）に記載の電界効果トランジスタ。
（６）  前記ソース電極及び前記ドレイン電極の互いに対峙する側の端面は、該端面と前記基板の板面との挟角がそれぞれ９０°未満の傾斜面となっている前記（１）ないし（５）のいずれか１に記載の電界効果トランジスタ。
（７）  前記ソース電極と前記ドレイン電極との最短距離が０．１〜２０μｍである前記（１）ないし（６）のいずれか１に記載の電界効果トランジスタ。
（８）  基板上にそれぞれ金属又は合金よりなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、アヌレン構造の有機半導体層を形成する工程とを有するボトムコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法であって、該ソース電極及び該ドレイン電極を形成した後、少なくとも一方の電極の表面から酸化膜を除去する酸化膜除去処理を行い、その後、前記有機半導体層を形成する電界効果トランジスタの製造方法。
（９）  前記酸化膜除去処理は、表面に酸化膜を有した電極に対し、酸化膜が可溶である液を接触させて酸化膜を溶解除去する処理である前記（８）に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
（１０）  前記酸化膜が水溶性であり、前記液は水である前記（９）に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
（１１）  前記液は酸性である前記（９）に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
（１２）  前記液はアルカリ性である前記（９）に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
（１３）  前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するに際し、該ソース電極及び該ドレイン電極の互いに対峙する側の端面と基板の板面との挟角がそれぞれ９０°未満の傾斜角となるように形成する前記（８）ないし（１２）のいずれか１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
（１４）  前記（８）ないし（１３）のいずれか１に記載の製造方法により製造される電界効果トランジスタの製造方法。
（１５）  前記（１）ないし（７）及び（１４）のいずれか１に記載の電界効果トランジスタを有する電子デバイス。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により提供される電界効果トランジスタは、電極（ソース電極、ドレイン電極）を構成する金属が廉価な金属又は廉価な金属の合金であるにも関わらず、アヌレン構造の有機半導体層と接する表面に酸化膜が不存在であるため、電界効果トランジスタの移動度が高い。また、このようにソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が存在しないところから、Ｏｆｆ電流や閾値電圧を小さくする効果も期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電界効果トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
ここで“重量％”及び“重量ｐｐｍ”と、“質量％”及び“質量ｐｐｍ”とは、それぞれ同義である。また、単に“ｐｐｍ”と記載した場合は、“重量ｐｐｍ”のことを示す。
【００１４】
本発明の電界効果トランジスタは、少なくとも基板、アヌレン構造の有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有するボトムコンタクト型の電界効果トランジスタであって、該ソース電極及び該ドレイン電極を構成する金属の少なくとも一方の表面に酸化膜が不存在であることを特徴とするものである。
【００１５】
以下に、かかる本発明の実施の形態に係るボトムコンタクト型電界効果トランジスタと、その製造方法の概略を、図面を用いて説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）はボトムコンタクト・ボトムゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法の一例を示しており、図１（ａ）の通り、ゲート電極１上にゲート絶縁膜２を形成し、該ゲート絶縁膜２上にソース電極３とドレイン電極４を形成する。次いで、このソース電極３及びドレイン電極４が表面酸化されて形成された酸化膜５を除去し、その後、図１（ｂ）の通り、アヌレン構造の有機半導体層６を形成する。
【００１６】
なお、ゲート電極１は、基板上に形成してもよい。また、導電性ｎ型シリコンウェハー等に基板とゲート電極を兼ねさせてもよい。また、本発明のボトムコンタクト型電界効果トランジスタは、ソース及び／又はドレイン電極上に有機半導体層が形成されていればよく、ソース電極とドレイン電極のどちらか一方のみが有機半導体層上に形成されているトップ・ボトムコンタクト型等の電界効果トランジスタであってもよい。また、ゲート電極はボトムゲート型でもトップゲート型でも良く、ソース電極及びドレイン電極の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型電界効果トランジスタであってもよい。
【００１７】
［基板］
基板としては、ガラス、石英等の無機材料；ポリイミド膜、ポリエステル膜、ポリエチレン膜、ポリフェニレンスルフィド膜、ポリパラキシレン膜等の絶縁性プラスチック及び無機材料、金属・合金板、絶縁性プラスチックを組み合わせたハイブリッド材料等の基板が使用可能である。なお、前述の通り、導電性ｎ型シリコンウェハー等よりなる基板をゲート電極としてもよい。
【００１８】
［ゲート電極］
ゲート電極としては、導電性ｎ型Ｓｉウェハーのほか、Ａｕ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｐｄ等の金属膜、これらの金属の合金膜、これらの金属又は合金の積層膜などが挙げられるが、これに限定されない。また、ゲート電極は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのような導電性高分子や、Ａｇ及びＡｕ等の金属のナノパーティクルを含んだペーストであっても良い。
【００１９】
ゲート電極が薄膜である場合、その膜厚は、１ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上が更に好ましく、また、一方、１０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下が更に好ましい。
【００２０】
［ゲート絶縁膜］
ゲート絶縁膜としては、具体的には、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリシスセスキオキサン、ポリシラザン、パーヒドロポリシラザン、エポキシ等の絶縁性ポリマーを塗布及び焼成して形成した膜等が挙げられる。また、ゲート絶縁膜は、ＣＶＤやスパッター法によって形成したＳｉＯ２やＳｉＮｘの膜、酸化アルミニウム、酸化タンタルの膜等を用いても良い。ゲート電極にタンタルやアルミニウム等を用いている場合は、ゲート電極にＵＶ処理、オゾン処理、陽極酸化処理等の処理を施すことにより、ゲート電極表面に形成される酸化タンタルや酸化アルミニウム等の膜をゲート絶縁膜としてもよい。また、ゲート絶縁膜の表面を、ＨＭＤＳ等のシランカップリング剤によって表面処理して、この表面処理膜をゲート絶縁膜としてもよい。また、シリコン基板を酸素雰囲気下で加熱することにより形成される熱酸化膜をゲート絶縁膜としてもよい。
【００２１】
［ソース電極、ドレイン電極］
ソース電極及びドレイン電極を構成する金属には、標準電極電位が１．１０Ｖ以下の金属又は該金属の合金が用いられる。すなわち、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属は、１種類の金属でも、２種類以上の金属の合金でもよい。また、該「金属の合金」は、本発明で規定する特定の金属を主成分とする合金を言う。ここで、「主成分」とは、電極を構成する全金属における重量の割合が最も多いことを意味する。なお、ソース電極とドレイン電極を構成する金属は、同一材料である方が簡便に作製できるため好ましいが、ソース電極とドレイン電極を構成する金属は、異なる材料であっても構わない。
【００２２】
本発明に係るソース電極及びドレイン電極を構成する金属又は合金の標準電極電位は、−５．００Ｖ以上であるのが好ましく、−３．００Ｖ以上であるのが更に好ましい。ここで、標準電極電位が１．１０Ｖ以下である金属には、Ａｕ及びＰｔが含まれない。すなわち、本発明の電界効果トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極に高価なＡｕやＰｔを用いなくても高移動度な電界効果トランジスタを得ることができる。
【００２３】
標準電極電位は、電気化学反応（電極反応）において、標準状態で且つ平衡状態となっている時の電極の電位であり、標準水素電極の電位を基準（０Ｖ）として表す。標準電極電位は、サイクリックボルタンメトリーにより、測定することができる。なお、代表的な金属（純金属）の標準電極電位は、各々以下のとおりである。Ｃａ（−２．８４Ｖ）、Ｍｇ（−２．３５６Ｖ）、Ｂｅ（−１．９７Ｖ）、Ａｌ（−１．６７６Ｖ）、Ｔｉ（−１．６３Ｖ）、Ｚｒ（−１．５５Ｖ）、Ｍｎ（−１．１８Ｖ）、Ｚｎ（−０．７６３Ｖ）、Ｃｒ（−０．７４Ｖ）、Ｆｅ（−０．４４Ｖ）、Ｃｏ（−０．２７７Ｖ）、Ｎｉ（−０．２５７Ｖ）、Ｍｏ（−０．２Ｖ）、Ｓｎ（−０．１３８Ｖ）、Ｐｂ（−０．１２６Ｖ）、Ｃｕ（＋０．３３７Ｖ）、Ａｇ（＋０．７９９Ｖ）、Ｐｄ（＋０．９１５Ｖ）、Ｐｔ（＋１．１８８Ｖ）、Ａｕ（＋１．５２Ｖ）。
【００２４】
ソース電極及びドレイン電極を構成する金属は、入手が容易で安価であること等から、白金族（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）以外の金属が好ましい。これらのうち、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属としては、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ等がその酸化物が導電性を有することから好ましい。そして、本発明に係るソース電極及びドレイン電極は、Ｍｏ又はＭｏを主成分とする合金が最も好ましい。
【００２５】
ソース電極及びドレイン電極を構成する金属又は合金のイオン化ポテンシャルは、半導体層がｐ型である場合は、高い方が好ましいが、半導体層がｎ型である場合は、低い方が好ましい。具体的には、後述のイオン化ポテンシャル測定装置により測定したイオン化ポテンシャルが、ｐ型半導体では４．５ｅＶ以上であるのが好ましく、４．６ｅＶ以上であるのが更に好ましく、また、一方、ｎ型半導体では５．３ｅＶ以下であるのが好ましく、５．０ｅＶ以下であるのが好ましい。なお、上述の方法により測定された各金属（純金属）のイオン化ポテンシャルは、各々以下のとおりである。Ｍｇ（３．６６ｅＶ）、Ｔｉ（４．３３ｅＶ）、Ｖ（４．３ｅＶ）、Ｃｒ（４．５ｅＶ）、Ｍｎ（４．１ｅＶ）、Ｆｅ（４．５ｅＶ）、Ｃｏ（５．０ｅＶ）、Ｎｉ（５．１５ｅＶ）、Ｃｕ（４．６５ｅＶ）、Ｚｎ（４．３３ｅＶ）、Ｇａ（４．２ｅＶ）、Ｇｅ（５．０ｅＶ）、Ｓｅ（５．９ｅＶ）、Ｎｂ（４．３ｅＶ）、Ｍｏ（４．６ｅＶ）、Ａｇ（４．２６ｅＶ）、Ｉｎ（４．１２ｅＶ）、Ｓｎ（４．４２ｅＶ）、Ｓｂ（４．５５ｅＶ）、Ｔａ（４．２５ｅＶ）、Ｗ（４．５５ｅＶ）、Ａｕ（５．１ｅＶ）、Ｐｔ（５．６５ｅＶ）。
【００２６】
電極表面の酸化膜を水との接触により除去しやすことから、該電極は、表面に水溶性の酸化膜を形成する金属又は合金であることが好ましい。具体的には、該酸化膜の２５℃における水に対する溶解度が１μｇ／ｄｍ３以上であることが好ましく、１ｍｇ／ｄｍ３以上であることが更に好ましい。水と接触させることによりその酸化膜を除去できることから好ましい金属としては、具体的には、Ｍｇ、Ｖ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｍｏ、Ａｇなどが挙げられる。これらの金属の酸化物の２５℃における水に対する溶解度は、各々以下の通りである。すなわち、ＭｇＯ：０．０８６ｇ／ｄｍ３、Ｖ２Ｏ５：１０ｇ／ｄｍ３、ＺｎＯ：１．６ｇ／ｄｍ３、Ｇｅ２Ｏ３：５．２ｇ／ｄｍ３、ＳｅＯ２：３８４ｇ／ｄｍ３、ＭｏＯ３：１．０６６ｇ／ｄｍ３、Ａｇ２Ｏ：０．０２５ｇ／ｄｍ３である。
【００２７】
本発明に係るソース電極及びドレイン電極における上述の好ましい金属の合計重量（割合）は、通常５０重量％以上、好ましくは７０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上、最も好ましくは１００重量％であるのがよい。
【００２８】
ソース電極及びドレイン電極の膜厚は、断線が起こり難く、配線抵抗が低い点では厚い方が好ましいが、生産速度やコストの点では薄い方が好ましい。具体的には、ソース電極及びドレイン電極の膜厚は、１ｎｍ以上であるのが好ましく、５０ｎｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、５００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。ソース電極とドレイン電極の組成及び膜厚は、同一であっても異なっていても構わないが、形成の容易さの点では、同一とするのが好ましい。
【００２９】
本発明の電界効果トランジスタにおいては、該ソース電極及びドレイン電極の互いに対峙する側の端面は、該端面と前記基板の板面との挟角θがそれぞれ９０°未満の傾斜面となっていることが好ましい。
【００３０】
このように電極端面を傾斜面とすることにより、塗布型の半導体層を有する電界効果トランジスタの移動度を向上させることができる。また、電極端面を傾斜面とすることにより、塗布型の半導体層を有する電界効果トランジスタの移動度のばらつきを小さくすることができる。これは、端面を傾斜面とすることにより、半導体層を塗布法により形成する時に、半導体層と電極が隙間なく接合されるようになり、また、半導体層形成後の結晶化や加熱による半導体層の収縮における電極と半導体層間の空隙生成を抑制することができるためと推定される。また、ソース電極及びドレイン電極の該端面を傾斜面とした場合、各電極の先端部に電界が集中し、ソース電極から半導体層への電荷注入が促進されることにより、表面酸化膜の除去によるイオン化ポテンシャル（仕事関数）の低下に由来する注入抵抗の上昇を抑制する（補う）事ができると推定される。
【００３１】
本発明において前記挟角θは、チャネル長方向に平行でかつ基板に対して垂直な断面において、各電極の先端部と、チャネル領域に面した各電極側面の底面から高さ１０ｎｍにおける点とを結んだ直線が、ゲート絶縁膜平面となす角度と定義される。具体的には、電極断面をＳＥＭ写真で撮影することにより、各電極の先端部と、上記各電極側の底から高さ１０ｎｍにおける点とを設定し、上記角度を測定することができる。ＳＥＭ写真の倍率は、挟角θを計測できれば特に制限は無いが、５万倍以上が好ましい。
【００３２】
上記の挟角θは、上述の理由から小さいことが好ましく、具体的には、７０°以下であるのが更に好ましく、４５°以下であるのが特に好ましく、３０°以下であるのが最も好ましい。但し、また、一方で、侠角θは、０．１°以上であるのが好ましく、０．５°以上であるのが更に好ましく、１°以上であるのが特に好ましい。
【００３３】
なお、「チャネル領域」とは、対向するソース電極とドレイン電極との間に挟まれる領域を言い、「チャネル長」とは、ソース電極とドレイン電極間の最短距離を言い、「チャネル長方向」とは、ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向を言う。
【００３４】
本発明では、チャネル長（ソース電極とドレイン電極間の最短距離）は、印加電圧に対する電流量の点では短い方が好ましい。一方で、特性のばらつきが生じ難く、閾値電圧やオフ電流を低くする点では、チャネル長は長い方が好ましい。具体的には、チャネル長は、０．１μｍ以上であるのが好ましく、１μｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、２０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのが更に好ましい。
【００３５】
［ソース電極及びドレイン電極を形成する工程］
このように対峙する端面が傾斜したソース電極及びドレイン電極は、例えば、以下（ａ）〜（ｆ）の方法等で形成することができる。（ａ）感光性を持たない下層レジスト上にフォトレジストを成膜し、露光後の現像時間を制御することによって上層のフォトレジストが庇のように張り出した形状を形成させた２層レジストを使用したリフトオフ法。（ｂ）単体でオーバーハング形状を作ることができるフォトレジストを用いたリフトオフ法。（ｃ）等方性のエッチング液を使用したウェットエッチング法。（ｄ）等方性のエッチングガスを使用したドライエッチング法。（ｅ）フォトレジストの末端をテーパー形状にしたり、レジストの膜減りを利用したドライエッチング法。（ｆ）インクの粘度及びゲート絶縁膜の表面エネルギー等を制御したインクジェット法等の印刷法等。
【００３６】
ここで、上述の（ａ）及び（ｂ）の方法の場合、挟角θは、リフトオフレジストの形状および電極材料の成膜方法および成膜条件等を変えることにより制御することができる。また、上述の（ｃ）〜（ｅ）の方法の場合、挟角θは、エッチングガスおよびエッチング液の組成等を変更することにより制御することができる。上述の（ｆ）の方法の場合、印刷プロセスにおいて、導電性インクの表面張力および粘性、絶縁膜の表面エネルギー等を制御することにより、挟角θを制御することができる。
なお、（ａ）〜（ｆ）の方法は、通常、大気雰囲気下で行なう工程を含むため、ソース電極及びドレイン電極が酸化されやすい金属の場合、通常、電極表面に酸化膜が形成される。特に、大気下でのベークや、ＵＶ／Ｏ３処理やＯ２プラズマ処理を使用したレジストの剥離工程を含む場合、電極表面は完全酸化された状態になりやすい。
【００３７】
［ソース電極及びドレイン電極表面の酸化膜除去処理］
本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、ソース電極及びドレイン電極を形成した後、各電極の少なくとも一方の表面から酸化膜を除去する酸化膜除去処理を行ない、その後、有機半導体層を形成する。酸化膜除去処理は、本発明の優れた効果が発現し易いことから、ソース電極に対して行なうことが好ましく、ソース電極とドレイン電極の両電極に対して行なうことが特に好ましい。
【００３８】
金属及び合金は、酸化されるとそのイオン化ポテンシャルが上昇する。本発明においてソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が不存在であるとは、ソース電極及びドレイン電極の表面のイオン化ポテンシャルと、当該電極を構成する金属が純金属である場合におけるイオン化ポテンシャルとの差又は当該電極を構成する合金が純合金である場合におけるイオン化ポテンシャルとの差が小さいことにより確認できる。なお、本発明においては、酸化されていない金属を純金属、酸化されていない合金を純合金とする。そして、該イオン化ポテンシャルの差は、具体的には、０．７ｅＶ未満であるのが好ましく、０．５ｅＶ以下であるのが更に好ましく、０．３ｅＶ以下であるのが特に好ましい。
また、電極表面のイオン化ポテンシャル（ＩＰｓ）、該電極を構成する金属又は合金が純金属又は純合金である場合のイオン化ポテンシャル（ＩＰｍ）、及び該電極を構成する金属又は純合金が完全酸化された場合のイオン化ポテンシャル（ＩＰｏｘ）について、（ＩＰｓ−ＩＰｍ）／（ＩＰｏｘ−ＩＰｍ）が１．０未満であることが好ましく、０．７以下であることが更に好ましく、０．４以下であることが特に好ましい。
【００３９】
イオン化ポテンシャルの測定は、光電子放出測定によって行うことができる。本発明におけるイオン化ポテンシャルは、イオン化ポテンシャル測定装置（ＯＰＴＥＬ社製、ＰＣＲ−１０１）によって測定した値とする。
【００４０】
本発明の電界効果トランジスタは、このように、ソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が不存在であることにより、電界効果トランジスタの移動度が高い。また、本発明の電界効果トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が不存在であることにより、Ｏｆｆ電流や閾値電圧も小さくなることが期待される。
ソース電極から有機半導体層への正孔の移動は、ソース電極のイオン化ポテンシャルが大きく、有機半導体層のイオン化ポテンシャルが小さいほど起こり易い。また、上述のとおり、金属は、通常、酸化によりそのイオン化ポテンシャルが大きくなる。そこで、ソース電極が酸化されると、電界効果トランジスタの移動度は高くなると考えられていた。それにも関わらず、本発明の電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が存在しないことにより、このような効果の発現が期待される理由は、以下のように推定される。
【００４１】
図１で、ソース電極３やドレイン電極４の表面に酸化膜５があると、ソース電極３やドレイン電極４の導電性が低下して抵抗層となってしまう。また、酸化膜５が水溶性である等、大気に対して不安定である場合、酸化膜５の成分の有機半導体層６への溶出によるドーピング効果のために、移動度の低下、Ｏｆｆ電流や閾値電圧の上昇などを引き起こすと考えられる。更に、酸化膜５の表面に「Ｍ（金属又は合金）−ＯＨ基」の様な極性基が生じると、これによる電荷のトラップの発生やＨ２Ｏの吸着により、電極表面における半導体の結晶性が低下して、移動度の低下、ヒステリシスや閾値電圧のシフト、Ｓ値の悪化などを引き起こすことが考えられる。
特に、ソース電極３及びドレイン電極４の端面が傾斜面形状である場合、電極表面に酸化膜５が存在すると、電界集中が生じると共に、チャンネル長が短いときには電圧勾配が急峻となるなどして、表面酸化膜に由来する不純物によって短チャンネル効果が生じ易くなると考えられる。これに対し、ソース電極３及びドレイン電極４の表面の酸化膜５を除去することにより、電極表面に酸化膜が存在しない状態で有機半導体層６を形成することにより、短チャンネル効果を抑制することが可能になるものと推定される。
このソース電極及びドレイン電極表面から酸化膜を除去することにより得られる効果は、後述の実施例で示すとおり、アヌレン構造の有機半導体層を用いた場合に特異的に認められる。その理由は、以下のように推定される。
【００４２】
先ず、アヌレン構造の有機半導体層を用いた場合、ソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が存在することによる優れた効果より、上述の酸化膜が存在することによるデメリットが上回っていると考えられる。
ソース電極及びドレイン電極の表面に酸化膜が存在すると、半導体の電極側界面の結晶性が低下して、導電性が下がり、移動度が低下する可能性がある。アヌレン構造は、対称性が高く、広い分子平面を有するため、このような現象が起こり易いと考えられる。なお、半導体材料として、後述の塗布変換型の材料を用いた場合、結晶化時に溶媒が殆ど存在しないため、他の塗布型の半導体材料を用いた場合と比較して、酸化膜の有無による電極表面の環境の変化が結晶性に与える影響が大きくなる可能性もあるため、本発明に係る有機半導体層は、塗布変換型の材料であることが好ましいと考えられる。
【００４３】
また、電極−有機半導体層間の界面電気二重層が影響していることも考えられる。通常、電極と半導体が接すると、半導体から電極に電子が移動し、電気二重層が生成され、半導体と電極との間に電荷注入に対する障壁ができる。特に、電極表面に吸電子的な酸素が付加した酸化物になっている場合、半導体から電極への電子の移動が促進され、電気二重層形成による電荷注入障壁が大きくなりやすいと推定される。ここで、アヌレン構造の有機半導体は、一般的に電子供与性が高く、分子間の相互作用が強いため、更に界面電気ニ重層が厚く（電荷注入障壁が高く）なりやすいと考えられるため、アヌレン構造の有機半導体層を用いた場合、ソース電極及びドレイン電極表面から酸化膜を除去する効果が大きく現れると考えられる。
【００４４】
酸化膜除去処理の方法としては、ウェットプロセス及びドライプロセスなどの各種方法が利用可能である。酸化膜除去処理の方法及びその処理条件は、ソース電極及びドレイン電極の材料や、基板、ゲート絶縁膜などの周辺材料等に合わせて選択される。これらの方法のうち、安価で処理速度が速いことから、酸化膜が可溶な液体と接触させることにより表面酸化膜を溶解除去する方法（ウェットプロセス）が好ましい。
【００４５】
ウェットプロセスで用いる溶解液は、酸化膜が除去できれば酸性、中性、アルカリ性の何れでもよい。また、酸及びアルカリは無機物でも有機物でもよい。電極表面に生じた酸化膜が酸溶解性である場合は、酸性の溶解液を用いることが好ましく、電極表面に生じた酸化膜がアルカリ溶解性である場合は、アルカリ性の溶解液を用いることが好ましい。具体的には、酸としては、例えば、フッ酸、塩酸、臭化水素酸、硝酸、硫酸、燐酸、ホウ酸、亜硫酸、クロム酸、次亜塩素酸、シアン化水素酸、フッ化珪素酸、などの無機酸、及びギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、クエン酸、ホスホン酸などの有機酸などを用いることができる。また、アルカリとしては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、珪酸ナトリウム、臭素酸アルカリなどの無機アルカリ、及びＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ピリジンなどの有機アルカリなどを用いることができる。
【００４６】
酸又はアルカリの濃度は、他の部材に悪影響が無く、除去したい酸化膜を除去することができれば特に制限は無いが、通常０．００１ｍｍｏｌ・ｄｍ−３〜３０ｍｏｌ・ｄｍ−３とする。
【００４７】
また、酸化膜が水溶性である場合は、水での除去が可能であり、このような場合、酸化物を常温ないし加温した水と接触させること等によって溶解除去可能である。酸化物が水溶性の金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｖ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｍｏ及びＡｇなどが挙げられる。なお、水との接触は、含水有機溶媒との接触でもよい。
【００４８】
また、酸化膜除去のための溶解液には、溶解した酸化膜の再付着防止などの為に、アルコールや界面活性剤、キレート剤などの添加剤を加えても良い。
【００４９】
ドライプロセスで酸化膜を除去する場合は、除去したい金属又は合金酸化物の種類に応じたエッチングガスを使用して行なうなどすればよい。
【００５０】
本発明においては、酸化膜の除去は、電極表面のイオン化ポテンシャル測定によって確認される。また、酸化膜除去後、できるだけ表面酸化膜が再生成されていない状態において有機半導体層の形成を行うことが好ましい。なお、大気中において酸化膜を除去処理する場合、再酸化によって酸化膜が生成してしまうので、酸化膜除去後、できるだけ短時間で有機半導体層を形成するのが好ましい。また、酸化膜の除去は、不活性雰囲気下又は真空下において行うのが好ましく、酸化膜の除去から有機半導体層の成膜まで一貫して不活性雰囲気下又は真空下でするのが更に好ましい。  
【００５１】
［有機半導体層］
本発明の電界効果トランジスタの有機半導体としては、ポルフィリン、フタロシアニン等のアヌレン構造のものが用いられる。本発明の電界効果トランジスタの有機半導体としては、ポルフィリンが好ましい。有機半導体はｐ型、ｎ型のいずれでもよいが、本発明の優れた効果がより発現し易いことから、ｐ型が好ましい。有機半導体層の膜厚は、半導体特性の安定性点では厚い方が好ましいが、オフ電流が低い点では、薄い方が好ましい。具体的には、有機半導体層の膜厚は、１ｎｍ以上であるのが好ましく、１０ｎｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、５００ｎｍ以下であるのが好ましく、２００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。
【００５２】
有機半導体層の形成方法としては、真空プロセス、塗布プロセスなどの各種の方法を採用可能であるが、塗布法によって半導体層が形成されることが好ましい。塗布法によって半導体層を形成することにより、真空プロセスによる半導体層の形成に比べ、低コストで電界効果トランジスタを製造することができる。また、真空蒸着法により半導体層を形成した場合に比べ、半導体の結晶化に対する下地の影響が小さくなり、絶縁膜上とソース電極及びドレイン電極上における結晶成長の違いが縮小する。そのため、ソース電極及びドレイン電極をテーパー形状とすることにより、ソース電極及びドレイン電極とゲート絶縁膜間に跨った結晶成長が促進され、電荷注入に重要な電極の先端部と有機半導体層との間に空隙が生じ難くなる。
【００５３】
塗布法としては、スピンコート、インクジェット、ノズルプリント、ディップコート、エアロゾルジェット印刷、マイクロコンタクトプリント、ディップペン法、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビアオフセット印刷等の方法が挙げられる。具体的には、特に以下の（ｇ）と（ｈ）の方法が好ましい。（ｇ）半導体を含む塗布液を塗布し、乾燥後半導体層とする方法。（ｈ）半導体の前駆体を含有する塗布液を塗布し、その後半導体に変換して半導体層とする方法。（ｇ）の方法においては、溶媒の乾燥と共に結晶化が生じる為、溶媒の乾燥条件等により結晶成長に変化が生じ易い。一方、（ｈ）の方法は一旦前駆体の膜を形成した後に、結晶化を起こす為、結晶化条件を一定にし易く、均一な結晶膜を得易いという利点がある。
【００５４】
（ｈ）の半導体の前駆体とは、変換することによって半導体特性を有する化合物である。前駆体としては、具体的には、加熱もしくは光照射により逆ディールス・アルダー反応を起こす熱・光変換型のビシクロ構造を有するアヌレン化合物などが挙げられる。好ましくは加熱により逆ディールス・アルダー反応を起こす熱変換型のビシクロ構造を有するアヌレン化合物であり、中でもビシクロポルフィリン化合物が好ましい。
【００５５】
＜ビシクロポルフィリン化合物＞
ビシクロポルフィリン化合物としては、特に、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表わされる構造を有するビシクロポルフィリン化合物が好ましい。
【００５６】
【化１】
2012086609.tif 000003
【００５７】
（式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ｒ５〜Ｒ１６は水素原子又は１価の原子又は１価の原子団を表わし、（Ｒ９，Ｒ１０）、（Ｒ１１，Ｒ１２）、（Ｒ１３，Ｒ１４）及び（Ｒ１５，Ｒ１６）のうちの少なくとも一つの組は一体となって下記式（ＩＩＩ）で表される基を形成したものを表わす。また、Ｍは金属原子を表わす。
【００５８】
【化２】
2012086609.tif 000004
【００５９】
式（ＩＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子又は炭素数１０以下のアルキル基を表わし、（Ｒ１，Ｒ２）及び（Ｒ３，Ｒ４）のうちの少なくとも一つの組はどちらも炭素数１０以下のアルキル基である。また、Ｒ１７〜Ｒ２０は水素原子又は１価の原子又は１価の原子団を表わす。）
【００６０】
式（Ｉ）、（ＩＩ）中、Ｒ５〜Ｒ８は、１価の原子又は１価の原子団を表わす。Ｒ５〜Ｒ８となる１価の原子及び１価の原子団は、任意である。ただし、Ｒ５〜Ｒ８は、各々ポルフィリン環が歪んで平面性が低下し難く、その原子又は原子団自体がπ共役系の重なりを阻害する原因になり難いことから、立体的な障害が小さな基であるのが好ましい。Ｒ５〜Ｒ８として好適な原子又は原子団としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子及び１価の有機基などが挙げられる。Ｒ５〜Ｒ８として好ましいものの具体例を挙げると、水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、プロパニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基などの１価の有機基などが挙げられる。中でも、特に水素原子、フッ素原子、塩素原子が好ましい。この際、これらのアルキル基及びアルケニル基は、ポルフィリン環に結合している炭素以外は、フッ素、塩素等のハロゲン原子、アルキル基等の置換基で置換されていてもよい。
【００６１】
式（Ｉ）、（ＩＩ）中、Ｒ９〜Ｒ１６は、１価の原子又は１価の原子団を表わす。この際、１価の原子団としては、例えば、１価の有機基等が挙げられる。（Ｒ９，Ｒ１０）、（Ｒ１１，Ｒ１２）、（Ｒ１３，Ｒ１４）及び（Ｒ１５，Ｒ１６）のうちの少なくとも一つの組、好ましくは２組以上、さらに好ましくは４組が、一体となって式（ＩＩＩ）で表される基（式（ＩＩＩ）で表わされるビシクロ構造を有するビシクロ基）を形成したものを表わす。
【００６２】
式（ＩＩＩ）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子又はアルキル基を表わす。ここで、Ｒ１〜Ｒ４がアルキル基である場合、脱離するエチレン誘導体の分子量が小さく、蒸気圧が高いために、脱離して系外に除去し易いことから、Ｒ１〜Ｒ４の炭素数は少ないのが好ましい。したがって、当該アルキル基の炭素数は、通常１０以下、好ましくは６以下、より好ましくは３以下である。
【００６３】
また、Ｒ１〜Ｒ４がアルキル基である場合、当該アルキル基は直鎖状でもよく、分岐鎖を有していてもよい。Ｒ１〜Ｒ４がアルキル基である場合の例を挙げると、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基等が挙げられる。なお、これらのアルキル基は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。
【００６４】
さらに、Ｒ１〜Ｒ４がアルキル基である場合、当該アルキル基は環を形成していてもよく、置換基を有していてもよい。Ｒ１〜Ｒ４の置換基としては任意であるが、例えば、フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子などが挙げられる。なお、これらの置換基は１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。
【００６５】
ただし、（Ｒ１，Ｒ２）及び（Ｒ３，Ｒ４）のうちの少なくとも一つの組は、どちらも炭素数１０以下のアルキル基である。この際、炭素数１０以下のアルキル基は、直鎖状でもよく、分岐鎖を有していてもよい。また、置換基を有していてもよく、環を形成してもよい。このように、ビシクロ構造中の１つの炭素に炭素数１０以下のアルキル基置換基を２個有することにより、多様な有機溶媒に対してビシクロポルフィリン化合物の溶解性を高めることが可能となっている。
【００６６】
また、式（ＩＩＩ）において、Ｒ１７〜Ｒ２０は１価の原子又は１価の原子団を表わす。Ｒ１７〜Ｒ２０となる１価の原子又は１価の原子団は任意である。ただし、ビシクロポルフィリン化合物から有機半導体を製造した場合に、得られる有機半導体の特性を発現するためのπ共役系の分子間の重なりを阻害し難いことから、Ｒ１７〜Ｒ２０は立体的な障害が小さく、置換基が小さいものが好ましい。
【００６７】
Ｒ１７〜Ｒ２０が１価の原子である場合の具体例としては、水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子などが挙げられる。
Ｒ１７〜Ｒ２０が１価の原子団である場合、１価の有機基が好ましい。１価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の、置換されていても良い炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の、置換されていても良い炭素数３〜１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の、置換されていても良い炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の、置換されていても良い炭素数３〜１８の環状アルケニル基；プロピニル基、ヘキシニル基等の、置換されていても良い炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルキニル基；２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の、置換されていても良い複素環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の、置換されていても良い炭素数６〜１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の、置換されていても良い炭素数７〜２０のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の、置換されていても良い炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルコキシ基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等の、置換されていても良い炭素数３〜１８の直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の、置換されていても良い炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキルチオ基などが挙げられる。
【００６８】
また、１価の原子団としては、ニトロ基；ニトロソ基；シアノ基；イソシアノ基；シアナト基；イソシアナト基；チオシアナト基；イソチオシアナト基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ヒドロキシアミノ基；ホルミル基；スルホン酸基；カルボキシル基；−ＣＯＲ２４で表されるアシル基、−ＮＲ２５Ｒ２６で表されるアミノ基、−ＮＨＣＯＲ２７で表されるアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ２８で表されるカーバメート基、−ＣＯＯＲ２９で表されるカルボン酸エステル基、−ＯＣＯＲ３０で表されるアシルオキシ基、−ＣＯＮＲ３１Ｒ３２で表されるカルバモイル基、−ＳＯ２Ｒ３３で表されるスルホニル基、−ＳＯ２ＮＲ３４Ｒ３５で表されるスルファモイル基、−ＳＯ３Ｒ３６で表されるスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ２Ｒ３７で表されるスルホンアミド基、−ＳＯＲ３８で表されるスルフィニル基も挙げられる。ここでＲ２４、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３３、Ｒ３６、Ｒ３７及びＲ３８は置換されていても良い炭化水素基又は置換されていても良い複素環基を表わし、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３４及びＲ３５は水素原子、置換されていても良い炭化水素基及び置換されていても良い複素環基のうちいずれかを表わす。
【００６９】
このＲ２４〜Ｒ３８で表される炭化水素基とは、例えば、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖又は分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、アラルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８のアリール基が挙げられる。
【００７０】
またＲ２４〜Ｒ３８で表される複素環基は、４−ピペリジル基、モルホリノ基、２−モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、２−フリル基、２−ピリジル基、２−チアゾリル基、２−キノリル基等の芳香族複素環でも良い。これらは複数のヘテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していても良く、また結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の単環及びその２縮合環の芳香族複素環である。
【００７１】
Ｒ１７〜Ｒ２０としては、有機半導体の製造（結晶化熱処理）の際に脱離するエチレン誘導体（エチレン化合物）が、通常は常圧２００℃、好ましくは常温常圧において、通常は気体又は液体、好ましくは気体となるものが好ましい。
【００７２】
さらに、Ｒ１７〜Ｒ２０は、任意の置換基で置換されていても良い。置換基の具体例を挙げると、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１２のアリール基（これらは任意の置換基でさらに置換されていても良い。）；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基などが例示される。
【００７３】
さらに、他の置換基として、２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基なども挙げられる。なお、これらの置換基は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。
【００７４】
立体的な障害が小さく、小さな置換基を有するものとする観点からは、上述したＲ１７〜Ｒ２０の中でも、例えば、水素原子、ハロゲン原子及び１価の有機基のいずれかが好ましい。好ましいものの具体例を挙げると、水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、プロパニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基などの１価の有機基などが挙げられる。中でも、特に水素原子、フッ素原子、塩素原子が好ましい。
【００７５】
また、Ｒ９〜Ｒ１６のうち、式（ＩＩＩ）で表されるビシクロ基を形成しないものは、１価の原子又は１価の原子団であれば、任意である。ただし、本発明のビシクロポルフィリン化合物から有機半導体を製造した場合に、得られる有機半導体の特性を発現するためのπ共役系の分子間の重なりを阻害する可能性が低いことから、Ｒ１７〜Ｒ２０と同様に、立体的な障害が小さく、小さな置換基を有するものが好ましい。
【００７６】
Ｒ９〜Ｒ１６のうち、式（ＩＩＩ）で表されるビシクロ基を形成しないものの例を挙げると、上述のＲ１７〜Ｒ２０と同様のものが挙げられる。また、Ｒ９〜Ｒ１６のうち式（ＩＩＩ）で表されるビシクロ基を形成しないものは、本発明の効果を著しく損なわない限り任意の置換基で置換されていても良い。その置換基の具体例としては、上述のＲ１７〜Ｒ２０の置換基として例示したものと同様の基が挙げられる。
【００７７】
式（ＩＩ）において、Ｍは金属原子を表わす。Ｍとしては、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ等の単一金属原子；ＡｌＣｌ、ＴｉＯ、ＦｅＣｌ、ＳｉＣｌ２等の３価以上の金属と他の元素とが結合して２価になっている原子団などが挙げられる。中でも、Ｍとしては、Ｃｕ、Ｚｎ及びＮｉからなる群より選ばれるいずれか１種が好ましい。特にＣｕ及びＺｎは半導体特性が良好である。また、Ｎｉは、ビシクロ基にアルキル基が置換していない場合、特に溶解性が低く、ビシクロ基にアルキル基を置換することで特に溶解性が向上するので特に好ましい。
【００７８】
特に好適なビシクロポルフィリン化合物を式（ＩＶ）〜（ＶＩ）に例示する。なお、以下の例示物ではＲ１＝Ｒ２＝Ｍｅ（Ｍｅはメチル基を表わす）、Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈの例を示しているが、Ｒ１及びＲ２は、メチル基と類似の基でもよい。メチル基と類似の基としては、メチル基より鎖長の長いアルキル基や枝分かれしたアルキル基、アルコキシ基などが挙げられる。なお、これらの置換基は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。また、合成上、（Ｒ１，Ｒ２）と（Ｒ３，Ｒ４）とが入れ替わったものも生じ、メチル基で置換された位置の異なる異性体あるいはそれらの混合物も合成時には得られる。
【００７９】
【化３】
2012086609.tif 000005
【００８０】
熱変換型のビシクロ構造を有するポルフィリンは、通常１５０℃以上、とりわけ１５０〜２５０℃程度に加熱されることにより、例えば以下の式（ＶＩＩ）から式（ＶＩＩＩ）の様に変換（エチレン化合物が脱離）され、結晶化し、高い移動度を有したアヌレン構造の有機半導体膜となる。
【００８１】
【化４】
2012086609.tif 000006
【００８２】
上記式中のＭは、金属原子を表し、上述のＭと同様な金属が好ましい。
ビシクロポルフィリン化合物は、非常に大きな結晶を形成し、高い移動度を示す半導体膜となる。そのため、上述の好ましいチャンネル長の電界効果トランジスタを形成した場合、電極−半導体層間の電荷注入が移動度向上のボトルネックとなり易い。また、ビシクロポルフィリン化合物はイオン化ポテンシャルが低く、特にポルフィリン環の中心に金属元素を有する場合、酸素との電子的相互作用や、酸化反応が生じ易いと考えられる。また、ソース電極及びドレイン電極の表面に酸化層が存在することにより、ソース電極及びドレイン電極と接する半導体が酸素と反応又は電子的相互作用することによって、低移動度又は低導電性となり、電界効果トランジスタの移動度を低下させることも考えられる。しかし、ソース電極及びドレイン電極表面の酸化層を除去することにより、移動度の低下を防止することができると考えられる。
【００８３】
［電界効果トランジスタの用途］
本発明の電界効果トランジスタは、電子デバイス、光電デバイスなどに利用することができる。本発明の電界効果トランジスタは、好ましくは電子デバイスに利用することができる。電子デバイスの具体例としては、表示素子、電子タグ、電磁波および圧力センサー等が挙げられる。
【実施例】
【００８４】
以下、実施例及び比較例について説明する。なお、以下の実施例及び比較例において、イオン化ポテンシャルはイオン化ポテンシャル測定装置（ＯＰＴＥＬ社製、ＰＣＲ−１０１）によって測定した。また、この実施例における作業は、物性測定も含め、２３℃、湿度５０〜６０％のクリーンルーム内で行った。【００８５】
［実施例１］
＜第１工程：ゲート絶縁膜の形成＞
図１のように、基板とゲート電極１を兼ねた導電性ｎ型シリコンウェハーの表面に、ゲート絶縁膜２として膜厚３００ｎｍの熱酸化シリコン膜を形成した。ゲート絶縁膜容量（Ｃｉ）は、誘電率を３．９とした場合、１．１５×１０−４Ｆ／ｍ２である。【００８６】
＜第２工程：ソース電極及びドレイン電極の形成＞
次に、熱酸化シリコン膜上にポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）レジスト（化薬マイクロケム株式会社製ＳＦ−９）を０．５μｍの厚さにスピンコートし、１８０℃、５分間加熱してレジスト膜を形成した。さらに、このレジスト膜上にネガ型のフォトレジスト（日本ゼオン株式会社社製ＺＰＮ−１１５０）を厚さ４μｍにスピンコートし、８０℃、１８０秒加熱した。その後、４０秒露光し、１１０℃、１２０秒加熱した。その後、有機アルカリ現像液（ナガセケムテックス社製ＮＰＤ−１８）によって現像し、レジストのパターンを得た。【００８７】
得られた２層レジストのパターン上に、Ｍｏを厚さ１００ｎｍとなるようにスパッター法によって成膜した。その後、リフトオフ法により上記２層レジストパターンごと、不要なＭｏを除去することによって、端面が傾斜したソース電極３及びドレイン電極４を形成した。この端面の傾斜角（挟角）θをＳＥＭによる５万倍の断面観察で測定したところ、１°であった。なお、ソース電極３及びドレイン電極４間のチャンネル長とチャンネル幅は、各々１１μｍと５００μｍであった。【００８８】
＜第３工程：電極表面の酸化膜の除去＞
この第２工程まで終えた基板に対し、アセトン中で５分間超音波洗浄を行った後、Ｍｏ表面のＭｏＯｘ層を除去するために、超純水中において５分間超音波洗浄を行い、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中で５分間超音波洗浄を行い、１分以内にＮ２雰囲気で満たされたグローブボックス（酸素濃度１ｐｐｍ未満、露点マイナス６５℃未満）内に移し、ホットプレート上で２１０℃、２０分間加熱し、基板を乾燥させた。【００８９】
＜第４工程：有機半導体層の形成＞
次いで、Ｎ２雰囲気で満たされたグローブボックス中で引き続き、前記式（ＶＩＩ）においてＭがＣｕである、加熱により逆ディールス・アルダー反応を起こす熱変換型のビシクロ構造を有したポルフィリン誘導体の０．７重量％クロロホルム（和光純薬工業株式会社製、∞Ｐｕｒｅ）溶液をスピンコートし、２１０℃、２０分間の加熱により変換および結晶化させて、有機半導体層を形成し、電界効果トランジスタを作製した。【００９０】
＜イオン化ポテンシャルの測定＞
ガラス基板上にＭｏを厚さ１００ｎｍとなるように、上述の第２工程と同一条件でスパッター法によって成膜し、その表面のイオン化ポテンシャルを測定したところ、５．３ｅＶであった。純Ｍｏのイオン化ポテンシャルが４．６ｅＶである（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．１１，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １９７７．Ｈｅｒｂｅｒｔ  Ｂ．Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ参照）こと及びＭｏＯ３のイオン化ポテンシャルが５．３ｅＶである（ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ  ８８，  ０７３５０８  （２００６）参照）ことから、上述の第２工程でも電極表面が、空気中の酸素によって表面が酸化を受けたことによりＭｏＯｘ層が生成し、イオン化ポテンシャルが上昇していることが間接的に確認された。【００９１】
また、この基板に対し、上述の第３工程と同様に、超音波洗浄を行い、１分以内にＮ２雰囲気で満たされたグローブボックス（酸素濃度１ｐｐｍ未満、露点マイナス６５℃未満）内に移し、ホットプレート上で２１０℃、２０分間加熱し、基板を乾燥させた。この基板を大気解放し、１分以内にイオン化ポテンシャル測定装置に設置し、減圧を開始して、電極表面のイオン化ポテンシャルを測定したところ、４．６ｅＶであり、表面酸化膜が除去されていることが認められた。【００９２】
＜移動度の測定＞
また、下記の実施例及び比較例において、「移動度」は、作製した半導体素子の出力特性を乾燥窒素中において、「Ａｇｉｌｅｎｔ４１５５ｃ半導体パラメータアナライザー」を使用して、ドレイン電圧が−３０Ｖで、ゲート電圧が＋１０Ｖ〜−３０Ｖでの条件で測定し、下記式を用いてＩｄｓａｔを求め、√ＩｄｓａｔとＶｇの直線の傾きから求めた。【００９３】
【数１】
2012086609.tif 000007
【００９４】
ここで、Ｉｄｓａｔはドレイン電流、Ｗはチャンネル幅、Ｃｉはゲート絶縁膜の電気容量、Ｌはチャンネル長、μｓａｔは移動度、Ｖｇはゲート電圧であり、Ｖｔｈは閾値電圧である。
上記のように（第４工程まで終了）して作製した４個の電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、平均２．２ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。【００９５】
［比較例１］
実施例１において、第３工程における超純水による超音波洗浄を行わず、ＭｏＯｘ層を除去しなかったこと以外は同様にして電界効果トランジスタを作製した。具体的には、第３工程として、第２工程まで終えた基板に対し、アセトン中で５分間超音波洗浄を行った後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中で５分間超音波洗浄を行い、１分以内にＮ２雰囲気で満たされたグローブボックス（酸素濃度１ｐｐｍ未満、露点マイナス６５℃未満）内に移し、ホットプレート上で２１０℃、２０分間加熱し、基板を乾燥させた。【００９６】
上記のように（第４工程まで終了）して作製した４個の電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、平均１．５ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。
また、以下のように、この第３工程終了後の電極と同様のＭｏ膜を作製し、そのイオン化ポテンシャルを測定したところ、５．３ｅＶであり、Ｍｏ電極表面の酸化層はＩＰＡ洗浄では除去されないことが確認された。イオン化ポテンシャル測定用のＭｏ膜は、ガラス基板上に、スパッター法により、上述の第２工程と同一条件でＭｏを厚さ１００ｎｍとなるように成膜した後、アセトン中で５分間超音波洗浄を行った後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中で５分間超音波洗浄を行い、１分以内にＮ２雰囲気で満たされたグローブボックス（酸素濃度１ｐｐｍ未満、露点マイナス６５℃未満）内に移し、ホットプレート上で２１０℃、２０分間加熱し、基板を乾燥させることにより作製した。【００９７】
［参考例１］
実施例１において、第３工程における前記ＩＰＡ洗浄後に、クリーンルーム内の空気雰囲気に３時間静置し、Ｍｏ電極表面にＭｏＯｘ層を再生成させ、その後、再度ＩＰＡ洗浄を行ったこと以外は同様にして、電界効果トランジスタを作製した。【００９８】
上記のようにして作製した４個の電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、平均１．３ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。【００９９】
また、以下のように、この第３工程終了後の電極と同様のＭｏ膜を作製し、そのイオン化ポテンシャルを測定したところ、５．３ｅＶであり、Ｍｏ電極表面に酸化層が形成されていることが分かった。イオン化ポテンシャル測定用のＭｏ膜は、ガラス基板上に、スパッター法により、上述の第２工程と同一条件でＭｏを厚さ１００ｎｍとなるように成膜した後、アセトン中で５分間超音波洗浄を行い、超純水中において５分間超音波洗浄を行い、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中での５分間超音波洗浄を行ってから、空気雰囲気に３時間静置し、再度、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中で５分間超音波洗浄を行い、１分以内にＮ２雰囲気で満たされたグローブボックス（酸素濃度１ｐｐｍ未満、露点マイナス６５℃未満）内に移し、ホットプレート上で２１０℃、２０分間加熱し、基板を乾燥させることにより作製した。【０１００】
［参考例２］
実施例１において、第３工程における前記ＩＰＡ洗浄後、空気雰囲気のクリーンルーム内において１５０℃、５分間加熱してＭｏ電極表面にＭｏＯｘ層を再生成させ、その後、再度ＩＰＡ洗浄を行ったこと以外は実施例１と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。【０１０１】
上記のようにして作製した４個の電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、平均１．５ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。
また、以下のように、この第３工程終了後の電極と同様のＭｏ膜を作製し、そのイオン化ポテンシャルを測定したところ、５．３ｅＶであり、Ｍｏ電極表面に酸化層が形成されていることが分かった。イオン化ポテンシャル測定用のＭｏ膜は、ガラス基板上に、スパッター法により、上述の第２工程と同一条件でＭｏを厚さ１００ｎｍとなるように成膜した後、アセトン中で５分間超音波洗浄を行い、超純水中において５分間超音波洗浄を行い、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中で５分間超音波洗浄を行ってから、空気雰囲気中で１５０℃、５分間加熱した後、再度、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中で５分間超音波洗浄を行い、１分以内にＮ２雰囲気で満たされたグローブボックス（酸素濃度１ｐｐｍ未満、露点マイナス６５℃未満）内に移し、ホットプレート上で２１０℃、２０分間加熱し、基板を乾燥させることにより作製した。【０１０２】
［考察］
Ｍｏ電極表面にＭｏＯｘ層が存在している比較例１及び参考例１〜２に比べ、表面に酸化膜が不存在である実施例１は移動度が高かった。【０１０３】
［参考例３］
Ｍｏ電極表面の大気中の酸素による酸化を明らかにする為に、スパッターでガラス基板上に１００ｎｍのＭｏ薄膜を形成し、そのイオン化ポテンシャル測定を行ったところ、成膜直後のＭｏ薄膜表面のイオン化ポテンシャルは４．６ｅＶであった。一方、クリーンルーム内に３０分間静置したＭｏ薄膜表面のイオン化ポテンシャルは５．０ｅＶであり、空気中の酸素によってＭｏ電極表面の酸化が進行していることが認められた。また、クリーンルーム内に１時間３０分間静置したＭｏ薄膜表面のイオン化ポテンシャルは５．２ｅＶであり、３時間静置したＭｏ薄膜表面のイオン化ポテンシャルは５．３ｅＶであり、各々、空気中の酸素によってＭｏ電極表面の酸化が更に進行していることが認められた。【０１０４】
また、成膜直後のＭｏ薄膜を１５０℃、５分間加熱したところ、Ｍｏ薄膜表面のイオン化ポテンシャルは５．３ｅＶになっており、加熱によって酸化が促進されることが認められた。また、基板にＵＶ／Ｏ３処理を５分間行った場合もＭｏ薄膜表面は酸化され、イオン化ポテンシャルは５．３ｅＶになった。【０１０５】
これらの酸化されたＭｏ薄膜を超純水中で５分間超音波洗浄したところ、Ｍｏ薄膜表面のイオン化ポテンシャルは４．６ｅＶになった。このことから、Ｍｏ表面に形成される酸化膜は、水洗浄により除去可能であることが認められた。【０１０６】
［比較例２］
実施例１の第４工程において、有機半導体層の形成をペンタセン（東京化成工業株式会社製、真空昇華精製品）を厚み１００ｎｍで真空蒸着した以外は実施例１と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。作製した電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、０．０６３ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。【０１０７】
［比較例３］
比較例１の第４工程において、有機半導体層の形成をペンタセン（東京化成工業株式会社製、真空昇華精製品）を厚み１００ｎｍで真空蒸着した以外は比較例１と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。作製した電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。【０１０８】
［考察］
有機半導体層がペンタセンである場合、Ｍｏ電極表面にＭｏＯｘ層が存在している比較例３に比べ、表面に酸化膜が不存在である比較例２の移動度が低かった。【０１０９】
［比較例４］
実施例１の第４工程において、有機半導体層の形成をポリ−３−ヘキシルチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ製）の１重量％クロロホルム（和光純薬工業株式会社製、∞Ｐｕｒｅ）溶液をスピンコートし、１２０℃、６０分間の加熱させることにより行なった以外は実施例１と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。作製した電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、０．０００３３ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。【０１１０】
［比較例５］
比較例１の第４工程において、有機半導体層の形成をポリ−３−ヘキシルチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ製）の１重量％クロロホルム（和光純薬工業株式会社製、∞Ｐｕｒｅ）溶液をスピンコートし、１２０℃、６０分間の加熱させることにより行なった以外は比較例１と同様にして、電界効果トランジスタを作製した。作製した電界効果トランジスタについて、その移動度を測定したところ、０．０００８３ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。【０１１１】
［考察］
有機半導体層がポリ−３−ヘキシルチオフェンである場合、Ｍｏ電極表面にＭｏＯｘ層が存在している比較例５に比べ、表面に酸化膜が不存在である比較例４の移動度が低かった。【０１１２】
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は２０１０年１２月２２日出願の日本特許出願（特願２０１０−２８６２６１）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【０１１３】
１  ゲート電極
２  ゲート絶縁膜
３  ソース電極
４  ドレイン電極
５  酸化膜
６  有機半導体層
【図１】
2012086609.tif 000008
【国際調査報告】
2012086609.tif 000009
2012086609.tif 000010
2012086609.tif 000011
2012086609.tif 000012
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