(57)【要約】  第一及び第二のシンチレータ基板にそれぞれ複数の溝を形成した後溝と直交する方向に切断することにより、セル部を有する第一及び第二のシンチレータスティックを形成し、複数組の第一及び第二のシンチレータスティックを、セル部を下向きにしてスペーサを介して支持プレート上に並べて固定し、第一及び第二のシンチレータスティックのそれぞれの連結部を研削除去することにより、第一及び第二のセルがそれぞれ一列に並ぶ第一及び第二のセルアレイを形成し、第一及び第二のセルアレイの溝及び隙間に反射材用樹脂を充填し、硬化させた後、支持プレートを除去することにより、一体的な樹脂硬化集合体を形成し、第一及び第二のセルアレイの隣接する組の間の樹脂層を切断することにより、樹脂硬化集合体を第一及び第二のセルアレイの組ごとに分割し、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する方法。
2012147747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する方法であって、
(1) 第一のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第一のシンチレータ基板を切断することにより、第一のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第一のシンチレータスティックを形成するステップと、
(2) 前記第一のシンチレータ基板と組成が異なる第二のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第二のシンチレータ基板を切断することにより、第二のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第二のシンチレータスティックを形成するステップと、
(3) 複数組の前記第一及び第二のシンチレータスティックを、前記第一及び第二のシンチレータセル部を下向きにして、支持プレート上に並べて固定するステップと、
(4) 前記第一及び第二のシンチレータスティックのそれぞれの連結部を研削除去することにより、前記第一及び第二のシンチレータスティックの溝を表面に露出させ、もって第一のシンチレータセルが一列に並ぶ第一のセルアレイと第二のシンチレータセルが一列に並ぶ第二のセルアレイとの組を複数平行に配列させるステップと、
(5) 前記第一及び第二のセルアレイの少なくとも溝及び隙間に反射材用樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、前記第一及び第二のセルアレイが並列した組を複数有する一体的な樹脂硬化集合体を形成するステップと、
(6) 前記第一及び第二のセルアレイの隣接する組の間の樹脂層を切断することにより、前記樹脂硬化集合体を前記第一及び第二のセルアレイの組ごとに分割するステップとを
有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項1に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記樹脂硬化集合体の両面を研削することにより、前記第一のセルアレイ及び前記第二のセルアレイが露出した所定の厚さの一体的なセルアレイ集合体を作製し、次いで前記セルアレイ集合体における前記第一及び第二のセルアレイの一方の露出面を反射材用樹脂で被覆することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項３】
請求項2に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記セルアレイ集合体における前記第一及び第二のセルアレイの一方の露出面を反射材用樹脂で被覆した後、前記反射材用樹脂の被覆層を所定の厚さに研削加工することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項４】
請求項1〜3のいずれかに記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第一及び第二のシンチレータスティックを熱処理することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項５】
請求項1〜4のいずれかに記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第一及び第二のシンチレータスティックの各々は前記溝の両側に一対の位置合せ溝を有し、前記第一及び第二のシンチレータスティックの前記位置合せ溝に第一のスペーサを嵌入し、各組の前記第一のシンチレータスティックと第二のシンチレータスティックとの間に第二のスペーサを配置し、前記第一のシンチレータスティック及び第二のシンチレータスティックの隣接する組の間に第三のスペーサを配置することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項６】
デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する方法であって、
(1) 第一のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第一のシンチレータ基板を切断することにより、第一のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第一のシンチレータスティックを形成するステップと、
(2) 前記第一のシンチレータ基板と組成が異なる第二のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第二のシンチレータ基板を切断することにより、第二のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第二のシンチレータスティックを形成するステップと、
(3) 複数組の前記第一及び第二のシンチレータスティックを、前記第一及び第二のシンチレータセル部を上向きにして、支持プレート上に並べて固定するステップと、
(4) 前記第一及び第二のシンチレータスティックの少なくとも溝及び隙間に反射材用樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、前記第一及び第二のシンチレータスティックを有する一体的な樹脂硬化集合体を形成するステップと、
(5) 前記第一及び第二のシンチレータスティックのそれぞれの連結部を研削除去し、もって前記第一のシンチレータセル部から得られた第一のセルアレイと前記第二のシンチレータセル部から得られた第二のセルアレイとが並列した組を複数有する一体的なセルアレイ集合体を作製するステップと、
(6) 前記第一及び第二のセルアレイの隣接する組の間の樹脂層を切断することにより、前記セルアレイ集合体を前記第一及び第二のセルアレイの組ごとに分割するステップとを
有することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項6に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記樹脂硬化集合体の両面を研削することにより、前記第一のセルアレイ及び前記第二のセルアレイが露出した所定の厚さのセルアレイ集合体を作製し、次いで前記セルアレイ集合体における前記第一及び第二のセルアレイの一方の露出面を反射材用樹脂で被覆することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項８】
請求項7に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記反射材用樹脂の被覆層を所定の厚さに研削加工することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項９】
請求項6〜8のいずれかに記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第一及び第二のシンチレータスティックを熱処理することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項１０】
請求項6〜9のいずれかに記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第一及び第二のシンチレータスティックの各々は前記溝の両側に一対の位置合せ溝を有し、前記第一及び第二のシンチレータスティックの前記位置合せ溝に第一のスペーサを嵌入し、各組の前記第一のシンチレータスティックと第二のシンチレータスティックとの間に第二のスペーサを配置し、前記第一のシンチレータスティック及び第二のシンチレータスティックの隣接する組の間に第三のスペーサを配置することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項１１】
請求項10に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第二及び第三のスペーサは、隣接するシンチレータスティックの間に配置される平坦な大面積部と、前記大面積部から前記第一及び第二のシンチレータスティックの上面を超えて突出する垂直部とを有し、前記第二のスペーサの垂直部は前記第三のスペーサの垂直部と異なる着色部を有することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項１２】
請求項10又は11に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第二及び第三のスペーサの垂直部は異なる高さ及び／又は幅を有することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器用のデュアルアレイ型のシンチレータアレイを高精度に効率良く製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検査装置の一つにコンピュータ断層撮影装置［Computed Tomography（CT）装置］がある。CT装置は、X線ファンビームを放射するX線管と、多数の放射線検出素子を併設した放射線検出器とを有する。X線管と放射線検出器は、測定対象を中心にして対向するように配置される。X線管から放射されたX線ファンビームは測定対象を透過し、放射線検出器で検出される。1回の照射ごとに照射角度を変えてX線吸収データを収集し、コンピュータ解析により測定対象の断層面における個々の位置のX線吸収率を算出し、X線吸収率に応じた画像を構成する。放射線検出素子は多数のシンチレータセルで構成される。放射線検出器として、シンチレータ及びシリコンフォトダイオードを組み合わせた検出器、又はシンチレータ及び光電子増倍管を組み合わせた検出器が用いられている。【０００３】
X線エネルギーの検出感度分布が異なる二種類のシンチレータを用いたデュアルエネルギーの検出器は、例えば米国特許4,511,799号及びWO 2006/114715（特表2008-538966号）に開示されている。米国特許4,511,799号は、一方のシンチレータの発光を一方のダイオードで受光し、他方のシンチレータの発光を他方のダイオードで受光するデュアルエネルギーの検出器を開示しているが、具体的な製造方法を開示していない。またWO 2006/114715もシンチレーションアレイの製造方法を具体的に開示していない。【０００４】
特開2002-236182号（米国特許6,793,857号）は、幅の異なるシンチレータセルを組合せた一次元又は多次元の検出器アレイを製造する方法開示している。この方法は、(a) 放射線に対して敏感な材料を含有するセンサ層及び基層からなる複合層を形成し、(b) センサ層を互いに絶縁された個々のエレメントに分割するために、基層と反対側から複合層の材料を切削することにより、隔壁をセンサ層に形成する。しかしこの方法では、セルの数が増えにつれて工数が増大し、組み立て精度が低下する。【０００５】
特開2001-174564号は、エネルギー分布が異なるX線を検出する二種類のシンチレータ素子がX線の透過方向に配置されており、各シンチレータ素子に対応する光検出素子がそのシンチレータ素子に垂直な方向に配置されており、複数のシンチレータ素子及び複数の光検出素子が列をなしているX線検出器アレイを開示している。複数のシンチレータ素子は光反射性物質で一体的にモールドされている。しかし、特開2001-174564号は、X線検出器アレイの製造方法を具体的に開示していない。【０００６】
特表2009-524015号は、シンチレーションセラミックのウェハを作製し、セラミックウェハの上面に直交する二方向の複数のスリットを形成し、セラミックウェハの表面の一部を酸化することにより反射層を形成することによりシンチレーションアレイを製造する方法を開示している。個々のピクセルの隙間を形成するスリットも同様に反射層で充填される。しかし、このシンチレーションアレイは一種類のシンチレーションセラミックにより形成するものである。従って、特表2009-524015号は二種類のシンチレーションセルを精度良く配列する技術を開示も示唆もしていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って本発明の目的は、X線エネルギーの検出感度分布が異なる二種類のシンチレータを用いたデュアルアレイ型のシンチレータアレイを高精度に効率良く製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する本発明の第一の方法は、
(1) 第一のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第一のシンチレータ基板を切断することにより、第一のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第一のシンチレータスティックを形成するステップと、
(2) 前記第一のシンチレータ基板と組成が異なる第二のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第二のシンチレータ基板を切断することにより、第二のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第二のシンチレータスティックを形成するステップと、
(3) 複数組の前記第一及び第二のシンチレータスティックを、前記第一及び第二のシンチレータセル部を下向きにして、支持プレート上に並べて固定するステップと、
(4) 前記第一及び第二のシンチレータスティックのそれぞれの連結部を研削除去することにより、前記第一及び第二のシンチレータスティックの溝を表面に露出させ、もって第一のシンチレータセルが一列に並ぶ第一のセルアレイと第二のシンチレータセルが一列に並ぶ第二のセルアレイとの組を複数平行に配列させるステップと、
(5) 前記第一及び第二のセルアレイの少なくとも溝及び隙間に反射材用樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、前記第一及び第二のセルアレイが並列した組を複数有する一体的な樹脂硬化集合体を形成するステップと、
(6) 前記第一及び第二のセルアレイの隣接する組の間の樹脂層を切断することにより、前記樹脂硬化集合体を前記第一及び第二のセルアレイの組ごとに分割するステップとを
有することを特徴とする。【０００９】
デュアルアレイ型のシンチレータアレイを製造する本発明の第二の方法は、
(1) 第一のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第一のシンチレータ基板を切断することにより、第一のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第一のシンチレータスティックを形成するステップと、
(2) 前記第一のシンチレータ基板と組成が異なる第二のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後、前記溝と直交する方向に前記第二のシンチレータ基板を切断することにより、第二のシンチレータセル部が櫛歯状に並ぶ第二のシンチレータスティックを形成するステップと、
(3) 複数組の前記第一及び第二のシンチレータスティックを、前記第一及び第二のシンチレータセル部を上向きにして、支持プレート上に並べて固定するステップと、
(4) 前記第一及び第二のシンチレータスティックの少なくとも溝及び隙間に反射材用樹脂を充填し、硬化させた後、前記支持プレートを除去することにより、前記第一及び第二のシンチレータスティックを有する一体的な樹脂硬化集合体を形成するステップと、
(5) 前記第一及び第二のシンチレータスティックのそれぞれの連結部を研削除去し、もって前記第一のシンチレータセル部から得られた第一のセルアレイと前記第二のシンチレータセル部から得られた第二のセルアレイとが並列した組を複数有する一体的なセルアレイ集合体を作製するステップと、
(6) 前記第一及び第二のセルアレイの隣接する組の間の樹脂層を切断することにより、前記セルアレイ集合体を前記第一及び第二のセルアレイの組ごとに分割するステップとを
有することを特徴とする。【００１０】
第一及び第二の方法において、前記樹脂硬化集合体の両面を研削することにより、前記第一のセルアレイ及び前記第二のセルアレイが露出した所定の厚さの一体的なセルアレイ集合体を作製し、次いで前記セルアレイ集合体における前記第一及び第二のセルアレイの一方の露出面を反射材用樹脂で被覆するのが好ましい。【００１１】
第一及び第二の方法において、前記セルアレイ集合体における前記第一及び第二のセルアレイの一方の露出面を反射材用樹脂で被覆した後、前記反射材用樹脂の被覆層を所定の厚さに研削加工するのが好ましい。【００１２】
第一及び第二の方法において、前記第一及び第二のシンチレータスティックの各々は前記溝の両側に一対の位置合せ溝を有し、前記第一及び第二のシンチレータスティックの前記位置合せ溝に第一のスペーサを嵌入し、各組の前記第一のシンチレータスティックと第二のシンチレータスティックとの間に第二のスペーサを配置し、前記第一のシンチレータスティック及び第二のシンチレータスティックの隣接する組の間に第三のスペーサを配置するのが好ましい。【００１３】
第一及び第二の方法において、前記第一及び第二のシンチレータスティックを熱処理するのが好ましい。【００１４】
第二の方法において、前記第二及び第三のスペーサは、隣接するシンチレータスティックの間に配置される平坦な大面積部と、前記大面積部から前記第一及び第二のシンチレータスティックの上面を超えて突出する垂直部とを有し、前記第二のスペーサの垂直部は前記第三のスペーサの垂直部と異なる着色部を有するのが好ましい。【００１５】
第二の方法において、前記第二及び第三のスペーサの垂直部は異なる高さ及び／又は幅を有するのが好ましい。【００１６】
第一及び第二のシンチレータの一方は高エネルギーのX線に対して高い検出感度を有し、他方は低エネルギーのX線に対して高い検出感度を有するのが好ましい。【００１７】
例えば、第一のシンチレータがイットリウム−ガドリニウム−アルミニウム−ガリウムガーネット（YGAG）からなり、第二のシンチレータがガドリニウムオキシサルファイド（GOS）からなると、第一のシンチレータより第二のシンチレータの方が検出するX線のエネルギー分布が高い。この場合、第一のシンチレータ用のYGAGは、例えば、Ce、Pr等の希土類元素で賦活した(Y1-xGdx)3＋a(GauAl1-u)5-aO12（ただし、xは0.10〜0.5であり、uは0.2〜0.6であり、aは−0.05〜＋0.15である。）により表される組成を有するのが好ましい。また、第二のシンチレータ用のGOSは、Pr、Ce及びTbから選ばれた少なくとも1種の元素で賦活したGd2O2Sにより表される組成を有するのが好ましい。【００１８】
また、第一のシンチレータがイットリウム−ガドリニウム−アルミニウム−ガリウムガーネット（YGAG）からなり、第二のシンチレータがガドリニウム−アルミニウム−ガリウムガーネット（GGAG）からなると、第一のシンチレータより第二のシンチレータの方が検出するX線のエネルギー分布が高い。この場合、第一のシンチレータ用のYGAGは、例えば、Ce、Pr等の希土類元素で賦活した(Y1-xGdx)3＋a(GauAl1-u)5-aO12（ただし、xは0.10〜0.5であり、uは0.2〜0.6であり、aは−0.05〜＋0.15である。）により表される組成を有するのが好ましい。また、第二のシンチレータ用のGGAGは、Ce、Pr等の希土類元素で賦活した(Gd1-xLux)3+a(GauAl1-u)5-aO12（ただし、xは0〜0.5であり、uは0.2〜0.6であり、aは−0.05〜＋0.15である。）により表される組成を有するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の方法によれば、X線のエネルギー分布に応じて検出感度が異なる二種のシンチレータからなるデュアルアレイ型のシンチレータアレイを、効率良く高精度で製造することができる。特に、第一及び第二のシンチレータ基板に複数の溝を形成した後で溝と直交する方向に切断することにより形成した第一及び第二のシンチレータスティックを支持プレート上に配列するので、第一及び第二のセルを簡単かつ正確に配列することができる。さらに第一〜第三のスペーサを用いれば、第一及び第二のセルを正確に位置決めできる。【００２０】
隣接するシンチレータスティックの間に配置される平坦な大面積部と、大面積部から第一及び第二のシンチレータスティックの上面を超えて突出する垂直部とを一体的に有する第二及び第三のスペーサを用いると、非常に高さ及び幅が小さい第一及び第二のシンチレータスティックの位置決めが容易になるだけでなく、位置決めの正確さの確認も容易になる。【００２１】
上記特徴を有する本発明の方法は、CT装置用又は手荷物検査用のセラミックスシンチレータアレイの製造に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第一の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図２（ａ）】第一の実施形態の方法におけるステップA2を概略的に示す斜視図である。
【図２（ｂ）】第一の実施形態の方法におけるステップa2を概略的に示す斜視図である。
【図３】第一の実施形態の方法におけるステップA3により得られたYGAGスティックを概略的に示す斜視図である。
【図４】第一の実施形態の方法におけるステップa3により得られたGOSスティックを概略的に示す斜視図である。
【図５（ａ）】第一の実施形態の方法におけるステップA5により第一の支持プレート上に接着材及び第一〜第三のスペーサを介して配置したYGAGスティック及びGOSスティックを概略的に示す斜視図である。
【図５（ｂ）】第一の実施形態の方法におけるステップA6により、YGAGスティック及びGOSスティックの背面側を研削してスティック連結部を除去した状態を概略的に示す斜視図である。
【図６】第一の実施形態の方法におけるステップA7を概略的に示す斜視図である。
【図７】第一の実施形態の方法におけるステップA7で形成した樹脂硬化集合体を概略的に示す斜視図である。
【図８】第一の実施形態の方法におけるステップA8により得られたセルアレイ集合体を概略的に示す斜視図である。
【図９】第一の実施形態の方法におけるステップA9を概略的に示す斜視図である。
【図１０（ａ）】第一の実施形態の方法におけるステップA9により樹脂を被覆したセルアレイ集合体を概略的に示す斜視図である。
【図１０（ｂ）】第一の実施形態の方法におけるステップA10により樹脂層を研削することにより得られたシンチレータアレイ集合体を概略的に示す斜視図である。
【図１１】第一の実施形態の方法におけるステップA11によりシンチレータアレイ集合体を分割することにより得られたデュアルアレイ型のシンチレータアレイを概略的に示す斜視図である。
【図１２】本発明の第三の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の第四の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図１４】第四の実施形態におけるステップA5-2により第一の支持プレート上に接着材及び第一〜第三のスペーサを介して配置したYGAGスティック及びGOSスティックを概略的に示す斜視図である。
【図１５】第一の支持プレート上のYGAGスティック及びGOSスティック、接着材及び第一〜第三のスペーサの配置を示す平面図である。
【図１６（ａ）】図15のA-A断面図である。
【図１６（ｂ）】図15のB-B断面図である。
【図１７】第四の実施形態におけるステップA7で形成した樹脂硬化集合体を概略的に示す斜視図である。
【図１８（ａ）】第四の実施形態の方法に用いる第二のスペーサの一例を示す断面図である。
【図１８（ｂ）】第四の実施形態の方法に用いる第三のスペーサの一例を示す断面図である。
【図１９（ａ）】第四の実施形態の方法に用いる第二のスペーサの別の例を示す断面図である。
【図１９（ｂ）】第四の実施形態の方法に用いる第三のスペーサの別の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施形態を図面を参照して以下詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。各実施形態の説明は、特に断りがなければ他の実施形態にも適用される。
【００２４】
[1] 第一の実施形態
図1は本発明の第一の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。まず、Ce元素で賦活したイットリウム−ガドリニウム−アルミニウム−ガリウムガーネット（YGAG）の組成を有するシンチレータ焼結体からなる矩形板状のYGAG基板10aを作製する（ステップA1）。次いで図2(a) に示すように、切削用回転砥石19を用いて、YGAG基板10aの一方の面に複数の平行な溝3aを形成する（ステップA2）。溝3aの深さはYGAG基板10aの厚さの60〜90％程度が好ましい。隣接する溝3aの間の部分はYGAGセル部2aとなる。図2(a) では、図示の簡単化のために各溝3aを線で描いているが、実際には図11に示すように各セル部2dに対して十分な幅を有する。各溝3aの幅は各セル部2aの幅の1〜10％程度であるのが好ましい。溝3aは矩形板状のYGAG基板10aの対向する辺5aに平行であるのが好ましい。YGAG基板10aにおいて、溝3aを有する面を表面faと呼び、反対側の面を背面baと呼ぶ。図2(a) に座標軸で示すように、YGAG基板10aの厚さはX方向であり、複数の平行な溝3aの方向はY方向であり、溝3aの配列方向（溝3aと直交する方向）はZ方向である。
【００２５】
複数の溝3aの両側（YGAG基板10aの対向辺5aの内側）に、それらと平行な一対の位置合せ溝4aを形成する。位置合せ溝4aは矩形板状のYGAG基板10aの対向する辺5aに平行であるのが好ましい。シンチレータアレイを構成するYGAGセル群とGOSセル群とは位置ズレがあってはならないので、YGAG基板10aの各位置合せ溝4aと最も外側の溝3aとの間隔Daを所定の値に正確に設定しなければならない。
【００２６】
複数の平行な溝3a及び一対の平行な位置合せ溝4aを形成した矩形板状のYGAG基板10aを溝3aと直角に所定の幅d1で切削し、図3に示す複数の溝付きの細長いYGAGスティック10bを得る（ステップA3）。複数の溝3a及び一対の位置合せ溝4aはそれぞれ切断により短くなり、溝3b及び位置合せ溝4bとなる。隣接する溝3bの間のYGAGセル部2aはそれぞれYGAGセル部2bとなる。YGAGスティック10bの表面fb及び背面bbはそれぞれ表面fa及び背面baに対応する。表面fb側には複数個のYGAGセル部2bが櫛歯状に並んでおり、YGAGセル部2bは背面bb側の連結部により一体的に連結している。
【００２７】
切断により蓄積された歪を緩和するために、YGAGスティック10bに必要に応じて熱処理を施すのが好ましい（ステップA4）。切断をできるだけ遅くするとYGAGスティック10bに蓄積される歪が少なくなるので、熱処理工程を省略しても良いが、切削速度が低下すると溝加工時間が長くなる。熱処理を行う場合、その条件は1000〜1600℃で5〜200分間が好ましい。
【００２８】
またPr及びCe元素で賦活したガドリニウムオキシサルファイドの組成を有するシンチレータ焼結体からなる矩形板状のGOS基板20aを作製する（ステップa1）。GOS基板20aはYGAG基板10aと同じ厚さを有する。次いでステップA2と同様に、図2(b) に示すように、切削用回転砥石19を用いて、GOS基板20aの一方の面に複数の平行な溝13aを形成する（ステップa2）。溝13aの深さはGOS基板20aの厚さの60〜90％程度が好ましい。隣接する溝13aの間の部分はGOSセル部12aとなる。図2(b) では、図示の簡単化のために各溝13aを線で描いているが、実際には図11に示すように各セル部12dに対して十分な幅を有する。各溝13aの幅は各セル部12aの幅の1〜10％程度であるのが好ましい。溝13aは矩形板状のGOS基板20aの対向する辺15aに平行であるのが好ましい。GOS基板20aにおいて、溝13aを有する面を表面Faと呼び、反対側の面を背面Baと呼ぶ。図2(b) に座標軸で示すように、GOS基板20aの厚さはX方向であり、複数の平行な溝13aの方向はY方向であり、溝13aの配列方向（溝13aと直交する方向）はZ方向である。
【００２９】
複数の溝13aの両側（GOS基板20aの対向辺15aの内側）に、それらと平行な一対の位置合せ溝14aを形成する。位置合せ溝14aは溝13aと同様に矩形板状のGOS基板20aの対向する辺15aに平行であるのが好ましい。シンチレータアレイを構成するYGAGセル群とGOSセル群とは位置ズレがあってはならないので、GOS基板20aの隣接する溝13aの間隔tb及び一対の位置合せ溝14aの間隔Tbはそれぞれ、YGAG基板10aの隣接する溝3aの間隔ta及び一対の位置合せ溝4aの間隔Taと正確に同じであるだけでなく、GOS基板20aにおける各位置合せ溝14aと最も外側の溝13aとの間隔Dbも、YGAG基板10aにおける各位置合せ溝4aと最も外側の溝3aとの間隔Daと正確に同じでなければならない。
【００３０】
複数の平行な溝13a及び一対の平行な位置合せ溝14aを形成した矩形板状のGOS基板20aを溝13aと直角に所定の幅d2で切削し、図4に示す複数の溝付きの細長いGOSスティック20bを得る（ステップa3）。GOSスティック20bの幅d2はYGAGスティック10bの幅d1より大きい。d2/d1は1.1〜10が好ましい。複数の溝13a及び一対の位置合せ溝14aはそれぞれ切断により短くなり、溝13b及び位置合せ溝14bとなる。隣接する溝13bの間のGOSセル部12aはそれぞれGOSセル部12bとなる。GOSスティック20bの表面Fb及び背面Bbはそれぞれ表面Fa及び背面Baに対応する。表面Fb側には複数個のGOSセル部12bが櫛歯状に並んでおり、GOSセル部12bは背面Bb側の連結部により一体的に連結している。
【００３１】
切断により蓄積された歪を緩和するために、GOSスティック20bに熱処理を施すのが好ましい（ステップa4）。切断をできるだけ遅くするとGOSスティック20bに蓄積される歪が少なくなるので、熱処理工程を省略しても良いが、切削速度が低下すると溝加工時間が長くなる。熱処理を行う場合、その条件は600〜1300℃で5〜200分間が好ましい。
【００３２】
YGAGスティック10b及びGOSスティック20bは単にYGAG基板10a及びGOS基板20aをそれぞれ幅d1及びd2で切断しただけであるので、GOSスティック20bの隣接する溝13bの間隔tb及び一対の位置合せ溝14bの間隔Tbはそれぞれ、YGAGスティック10bの隣接する溝3bの間隔ta及び一対の位置合せ溝4bの間隔Taと正確に同じになる。
【００３３】
図5(a) に示すように、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bを第一の支持プレート30の表面fs上に接着材（図示せず）を介して交互に配置し、位置決めする（ステップA5）。このためには、まず第一の支持プレート30の表面fs上に接着材を設け、次いでYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの位置合せ溝4b及び14bと同じ間隔で2つの第一のスペーサ（図示せず）を平行に配置する。第一のスペーサは、例えば位置合せ溝4b及び14bに受承される断面四角形状又は円形状の棒状ピンで良い。YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの固定の後で第一のスペーサを取り外す場合、第一のスペーサの断面は位置合せ溝4b及び14bに余裕をもって受承されるサイズでなければならない。これにより、後でプレス板によりYGAGスティック10b及びGOSスティック20bが接着材に対して押圧されても、第一のスペーサは接着材に接着せず、容易に取り外すことができる。また、第一のスペーサの断面サイズは位置合せ溝4b及び14bの断面サイズより僅かに小さいので、Z方向の位置決めには第一のスペーサの一面を位置合せ溝4b及び14bの一面に当接させる。
【００３４】
シンチレータアレイは平行に並んだYGAGセル群の列とGOSセル群の列とからなるので、1つのYGAGスティック10bと1つのGOSスティック20bが一組を構成し、各組におけるYGAGスティック10bと1つのGOSスティック20bとの間隔を正確に設定する必要がある。そのため、各組におけるYGAGスティック10bとGOSスティック20bとの間に第二のスペーサ（図示せず）を介在させ、それらの間隔を正確にg1とする。第二のスペーサは、一辺の長さがg1の断面正方形状の棒状ピン、又は直径がg1の断面円形の棒状ピンで良い。YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの位置決めの後で第二のスペーサを取り外す場合、第二のスペーサは接着材との接触面積が小さいのが好ましい。また、接触面積が大きい場合、第二のスペーサを位置合せ溝4b，14b付近の部分（後で切り落とす部分）に配置するのが好ましい。
【００３５】
隣接する組のYGAGスティック10bとGOSスティック20bとの間は後で切断するので、シンチレータアレイの外周部の幅の約2倍の間隔g3で良く、必ずしも間隔g1と同じである必要はない。従って、隣接する組のYGAGスティック10bとGOSスティック20bとの間には第三のスペーサ（図示せず）を配置する。第三のスペーサは第二のスペーサと同じか異なる長さの辺又は直径を有する。第三のスペーサも、一辺の長さがg3の断面正方形状の棒状ピン、又は直径がg3の断面円形の棒状ピンで良い。YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの位置決めの後で第三のスペーサを取り外す場合、第三のスペーサは接着材との接触面積が小さいのが好ましい。また、接触面積が大きい場合、第三のスペーサを位置合せ溝4b，14b付近の部分（後で切り落とす部分）に配置するのが好ましい。
【００３６】
第一〜第三のスペーサを介して全てのYGAGスティック10b及びGOSスティック20bを暫定的に位置決めした後、まず第一のスペーサを正確に位置決めし、外部の枠体（図示せず）に固定する。この状態でもYGAGスティック10b及びGOSスティック20bはY方向に移動自在であるので、第二及び第三のスペーサを介して配列したYGAGスティック10b及びGOSスティック20bをY方向から軽く押すことにより、Y方向の間隔を交互にg1及びg3とする。その後、全てのYGAGスティック10b及びGOSスティック20bをZ方向に軽く押し、各位置合せ溝4b及び14bの一面を第一のスペーサに当接させる。この手順を複数回繰り返すことにより、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bのY方向及びZ方向の位置決め精度を上げる。
【００３７】
接着材は、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bを固定し、後のステップでもそれらの位置を正確に保持できるものであれば特に限定されず、例えば接着剤、両面接着フィルム、両面接着テープ等を用いることができる。なかでも、位置決め精度及びハンドリング性の観点から感圧接着剤又は感圧両面接着フィルムが好ましい。
【００３８】
第一の支持プレート30の表面fs上に感圧接着剤又は感圧両面接着フィルムを設けた場合、第一〜第三のスペーサを介して正確に位置決めされた全てのYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの上面にプレス板（図示せず）を載置し、プレス板をX方向（スティック10b，20bに対して直角方向）に均等に押圧すると、感圧接着剤又は感圧両面接着フィルムが接着力を発現し、YGAGスティック10bの表面fb及びGOSスティック20bの表面Fbは第一の支持プレート30の表面fsに固着される。プレス板を取り外すと、YGAGスティック10bの背面bb及びGOSスティック20bの背面Bbが露出する。
【００３９】
YGAGスティック10bの溝3bの間隔ta及び各位置合せ溝4bと最も外側の溝3bとの間隔Daはそれぞれ、GOSスティック20bの溝13bの間隔tb及び各位置合せ溝14bと最も外側の溝13bとの間隔Dbと正確に同じであるので、第一のスペーサによるZ方向の位置決めにより、複数のYGAGセル部2bと複数のGOSセル部12bとの間にZ方向の位置ズレはない。また第二及び第三のスペーサの介在により、複数のYGAGセル部2b及びGOSセル部12bのY方向の位置を正確に合わせることができる。さらに、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bは同じ高さを有するので、均等な押圧によりこれらのスティック10b及び20bのX方向の位置も正確に合わせることができる。
【００４０】
第一〜第三のスペーサとして、棒状ピンの代わりに冶具、又は位置合せ用の枠又はピンを用いても良い。位置合せ用ピンとして、例えば直径0.2〜1 mmのステンレススチール製のピン等を用いることができる。位置合せ用の枠又はピンを用いる場合、棒状ピンを用いないので、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bに位置合せ用溝を形成しなくてもよい。
【００４１】
位置合せ用の枠として、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bが嵌合するスロット又はスリットを有する薄板を用いてもよい。位置合せ用枠の材料は、例えばステンレススチール又はシリコンである。位置合せ用枠を用いると、高い精度で効率良く、かつ歩留り良くシンチレータアレイを製造することができる。一体的な枠を用いると、位置合せ用溝と棒状ピンを組み合わせる方法より工数が少なくなり、更に効率が良い。
【００４２】
ステップA5の後、YGAGスティック10bの背面bb及びGOSスティック20bの背面Bbを同時に平面研削する。研削面が溝13b及び3bに到達すると、図5(b) に示すように、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの連結部で連結していたセル部2b，12bは分離し、それぞれYGAGセル2c及びGOSセル12cとなる（ステップA6）。YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの溝3b及び13bはそれぞれ溝3c，13cとなる（ステップA6）。平面研削後に第一〜第三のスペーサを取り外しても良い。第一〜第三のスペーサが棒状ピンであると接着材との接触面積が小さいので、プレス板を取り除いた後に容易に取り外すことができる。なお、第一〜第三のスペーサをYGAGスティック10b及びGOSスティック20bのうち後で切り落とす部分（最も外側の溝3b，13bと端面5b，15bとの間の部分）に配置した場合には、研削加工の前にそれらの部分を切り落とすので、第一〜第三のスペーサを取り外す必要がない。
【００４３】
図5(b) に示すように、YGAGスティック10bのセル2cはYGAGセルアレイ10cを構成し、GOSスティック20bのセル12cはGOSセルアレイ20cを構成する。YGAGセルアレイ10cの背面bbは背面bcとなり、GOSスティック20bの背面Bbは背面Bcとなる。
【００４４】
図6に示すように、第一の支持プレート30の4つの側面に樹脂堰止め用の幅広のフィルム31F，31R，31B，31Lを貼る。各フィルム31F，31R，31B，31Lの幅は第一の支持プレート30の側面の高さより十分に大きいので、第一の支持プレート30から上方に突出する4枚のフィルム31F，31R，31B，31Lは、YGAGセル2c及びGOSセル12cが発光する際に反射材として機能する樹脂32を堰止めるための空間を形成する。樹脂32として、例えば白色の酸化チタン微粒子を混合した樹脂を用いる。樹脂32は熱硬化性樹脂であるのが好ましい。樹脂32を前記空間内に充填し、硬化させる（ステップA7）。樹脂32は溝3c，13c内だけでなく、隣接するYGAGセル2c及びGOSセル12cの隙間にも進入するので、樹脂32の硬化により複数のYGAGセル2c及びGOSセル12cは一体化される。
【００４５】
フィルム31F，31R，31B，31Lの代わりに、型枠又は箱型容器を用いても良い。フィルムや型枠は樹脂の剥離が容易なプラスチックからなるのが好ましく、例えばフッ素樹脂、又はフッ素樹脂を被覆した金属シート等を用いることができる。フィルム、枠等を用いずに樹脂を直接YGAGセル2c及びGOSセル12cに塗布する場合、流れ出さない程度の粘度を有する樹脂を用いる必要があるが、粘度が高すぎると溝3c，13cへの進入性が低下する。従って、最適な粘度の樹脂を選択しなければならない。
【００４６】
フィルム31F，31R，31B，31L及び第一の支持プレート30を除去することにより、図7に示す一体的な樹脂硬化集合体33が得られる。樹脂硬化集合体33の下面（背面bs1と反対側の面）に対して、残留接着材を除去するために研削又は研磨加工を施す。また樹脂硬化集合体33の背面bs1も一様な厚さh1まで研削加工し、複数のYGAGセルアレイ10c及びGOSセルアレイ20cを露出させる（ステップA8）。図8に示すように、樹脂硬化集合体33の上下面を研削加工することにより、各セルの厚さを正確にh1とすることができ、厚さh1の一体的なセルアレイ集合体37dが得られる。YGAGスティック10b及びGOSスティック20bは接着材により第一の支持プレート30に固定されるので、それらの高さに僅かな差が生じるおそれがある。そこで、樹脂硬化集合体33を厚さh1まで両面研削することにより、接着材による固定で生じた高さの誤差を完全に除去することができる。
【００４７】
樹脂硬化集合体33の厚さh1への研削加工により、複数のYGAGセルアレイ10c及びGOSセルアレイ20cはそれぞれ複数のYGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20dとなり、複数のYGAGセル2c及びGOSセル12cはそれぞれYGAGセル2d及びGOSセル12dとなる。YGAGセルアレイ10dの溝3cは樹脂が充填された層（樹脂層）3dとなり、GOSセルアレイ20dの溝13cは樹脂が充填された層（樹脂層）13dとなる。各組内で隣接するYGAGセルアレイ10dとGOSセルアレイ20dとの隙間は幅g1の樹脂層35dとなり、隣接する組のYGAGセルアレイ10dとGOSセルアレイ20dとの隙間は幅g3の樹脂層39dとなる。また全てのYGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20dの外周を取り囲む樹脂層36dも形成される。
【００４８】
セルアレイ集合体37dの一面に反射材として機能する樹脂層を形成するために、図9に示すように、セルアレイ集合体37dと同面積の第二の支持プレート（例えば、ガラス板）40上にセルアレイ集合体37dを載置し、第二の支持プレート40の4つの側面に4枚の樹脂堰止め用フィルム41F，41R，41B，41Lを貼り、樹脂充填用の空間を形成する。この空間内に白色の酸化チタン微粒子を混合した樹脂42を流し込む（ステップA9）。樹脂42は樹脂32と同じ組成である。樹脂42の硬化により、セルアレイ集合体37dの一面に反射材となる樹脂層42aが形成される。
【００４９】
樹脂42の硬化後に樹脂堰止め用フィルム41F，41R，41B，41L及び第二の支持プレート40を取り外すことにより、図10(a) に示す樹脂被覆セルアレイ集合体43が得られる。YGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20dが露出しないように、樹脂被覆セルアレイ集合体43の樹脂層42aを所定の厚さh2まで研削加工する（ステップA10）。このようにして、図10(b) に示すように、所定の厚さh1のYGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20d、及び所定の厚さh2の樹脂層42dを有するシンチレータアレイ集合体44が得られる。
【００５０】
一対のYGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20dを有するデュアルアレイ型のシンチレータアレイを得るために、隣接する組のYGAGセルアレイ10dとGOSセルアレイ20dとの間の樹脂層39dをその中心線に沿って二等分するように切断し、シンチレータアレイ集合体44を一対のYGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20dからなるデュアルアレイに分割する。分割後のデュアルアレイの外周を所定の寸法まで研削加工し、図11に示すデュアルアレイ型のシンチレータアレイを得る（ステップA11）。なお、YGAGセルアレイ10dの端部5d及びGOSセルアレイ20dの端部15dを樹脂層3d，13dを残して切り落とした後、露出した樹脂層3d，13dの厚さを研削加工により調整する。
【００５１】
図11に示すように、一列に並んだ複数のYGAGセルと一列に並んだ複数のGOSセルとは樹脂層35dに由来する中間層35eを介して並列しており、対応する各YGAGセルと各GOSセルとは正確な配置に位置決めされている。セルの隙間、外周及び中間層35eは全て同じ組成の樹脂層である。図10(b) における下面に相当する表面だけはYGAGセル2d及びGOSセル12dが露出し、各セルの発光面を構成する。
【００５２】
[2] 第二の実施形態
本発明の第二の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法は、一部のステップを除いて第一の実施形態の方法と同じであるので、同じステップの説明は省略する。従って、説明を省略されたステップについては、第一の実施形態の説明を参照されたい。
【００５３】
ステップA1、A2及びa1、a2まで第一の実施形態と同じである。ステップA3及びa3では、回転砥石19によるYGAGスティック10bの切断幅を（d1＋削りしろ）とし、GOSスティック20bの切断幅を（d2＋削りしろ）とする。そこで、ステップA3及びa3で矩形板状のYGAG基板10a及びGOS基板20aを切断して得たYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの側面を研削加工し、それらの幅を正確にd1及びd2に調整する。また、ステップA3及びa3で矩形板状のYGAG基板10a及びGOS基板20aを切断して得たYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの側面を研削加工し、それらの幅を正確に（d1+削りしろ）及び（d2+削りしろ）に調整してもよい。この場合、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bをシールプレートに固定した後に、それらの幅を正確にd1及びd2に調整する。
【００５４】
ステップA5では、第一の実施形態より小径の第一のスペーサ（例えばピン）を用いて、各組のYGAGスティック10bとGOSスティック20bの間隔を、g1より小さいg2とする。感圧接着剤又は感圧両面接着フィルム上に第一〜第三のスペーサを介して全てのスティック10b，20bを配列した後に、スティック10b，20bの上面にプレス板を載置し、X方向に均等に押圧する。次いで、研削用の回転砥石を用いて、一対のYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの隙間（幅g2）を幅がg1となるまで研削加工する。その後、ステップA6以降の工程を第一の実施形態と同様に行い、シンチレータアレイを得る。第二の実施形態の方法では、回転砥石を用いた研削でg1の間隙を精度良く形成することができる。
【００５５】
[3] 第三の実施形態
図12は本発明の第三の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。第三の実施形態の方法は、ステップA7まで第一の実施形態の方法と同じであるが、ステップA8をステップA8-2に変更し、ステップA9及びステップA10を省略した点で、第一の実施形態の方法と異なる。
【００５６】
ステップA7の後で樹脂堰止め用フィルム31F，31R，31B，31L及び第一の支持プレート30を取り外すことにより、図7に示す樹脂硬化集合体33を得る。樹脂硬化集合体の下面に残留している薄い接着材を除去するために研削加工を施す。また樹脂硬化集合体の背面bs1にも研削加工を施し、厚さがh1＋h2となるように、背面の樹脂32を一部除去する(ステップA8-2)。この両面研削により、背面側に厚さh2の反射材を有する樹脂被覆セルアレイ集合体を得る。
【００５７】
次いで、樹脂被覆セルアレイ集合体を分割し、外周を所定の寸法に研削加工し、図11に示す一対のYGAGセルアレイ10d及びGOSセルアレイ20dを有するデュアルアレイ型のシンチレータアレイを得る（ステップA11-2）。
【００５８】
勿論、上記ステップA8-2及びステップA11-2を第二の実施形態の方法にも適用できる。第三の実施形態はステップの一部を省略することにより、第一の実施形態より工数を短くできる。
【００５９】
[4] 第四の実施形態
図13は本発明の第四の実施形態によるシンチレータアレイの製造方法を示すフローチャートである。第四の実施形態の方法は、YGAGスティック10bの作製及び熱処理、及びGOSスティック20bの作製及び熱処理まで（ステップA4及びステップa4まで）は第一の実施形態の方法と同じである。
【００６０】
図14及び図15に示すように、ステップA5-2では、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bを、溝3b及び13bを上に向けて、第一の支持プレート30の表面fs上に接着材を介して交互に配置する。すなわち、YGAGスティック10bの表面fb及びGOSスティック20bの表面Fbは上を向き、それぞれの溝3b及び13bは上方に開口している。YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの位置合せ溝4b及び14bをY方向に揃えた後、二列の位置合せ溝4b及び14bの各々に第一のスペーサ51を嵌入する。第一のスペーサ51は断面四角形状の棒状ピンである。
【００６１】
図15に示すように、各組のYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの間に第二のスペーサ52を配置し、隣接する組のYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの間に第三のスペーサ53を配置する。第二及び第三のスペーサ52，53は第一の実施形態で用いた第二及び第三のスペーサと同じ厚さg1，g3を有するが、樹脂硬化の後にYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの各々の連結部を研削により除去しなければならないので、溝3b及び13bがある連結部の領域に配置することはできない。従って、第一の実施形態で用いた棒状ピンの代わりに、図16(a) 及び図16(b) に示すようにYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの各々の最も外側の溝3b，13bと端面5b，15bとの間の部分（後で切り落とす部分）50に収容されるサイズのプレートを用いるのが好ましい。プレート状の第二及び第三のスペーサ52，53は、間隔決め精度を高めるために、できるだけ広い面積を有するのが好ましく、例えばL字状であるのが好ましい。
【００６２】
第一〜第三のスペーサを介して全てのYGAGスティック10b及びGOSスティック20bを暫定的に位置決めした後、まず第一のスペーサ51を正確に位置決めし、外部の枠体（図示せず）に固定する。この状態でもYGAGスティック10b及びGOSスティック20bはY方向に移動自在であるので、第二及び第三のスペーサ52，53を介して配列したYGAGスティック10b及びGOSスティック20bをY方向から軽く押すことにより、Y方向の間隔を交互にg1及びg3とする。その後、全てのYGAGスティック10b及びGOSスティック20bをZ方向に軽く押し、各位置合せ溝4b及び14bの一面を第一のスペーサ51の一面に当接させる。この手順を複数回繰り返すことにより、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bのY方向及びZ方向の位置決め精度を上げる。
【００６３】
第一の支持プレート30の表面fs上に感圧接着剤又は感圧両面接着フィルムを設けた場合、第一〜第三のスペーサ51〜53を介して正確に位置決めされた全てのYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの上面にプレス板（図示せず）を載置し、プレス板をX方向（スティック10b，20bに対して直角方向）に均等に押圧すると、感圧接着剤又は感圧両面接着フィルムが接着力を発現し、YGAGスティック10bの背面bb及びGOSスティック20bの背面Bbは第一の支持プレート30の表面fsに固着される。プレス板を取り外すと、YGAGスティック10bの表面fb及びGOSスティック20bの表面Fbが露出する。
【００６４】
位置合せ溝4b及び14bに受承されている第一のスペーサ51を取り外した後、図6に示すステップA7を行い、図17に示す一体的な樹脂硬化集合体63を得る。樹脂硬化集合体63の下面をYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの連結部が消失するまで研削し、かつ樹脂硬化集合体63の上面をYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの溝3b，13bが露出するまで研削し、かつ厚さをh1に調整する。また、図15及び図16において一点鎖線Lで示すように、溝3b，13b内の樹脂層3d，13dの端部に沿って樹脂硬化集合体63を切断するので、第二及び第三のスペーサ52，53はYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの端部とともに除去できる。このようにして、図8に示すのと同じ一体的なセルアレイ集合体が得られる。爾後のステップは第一の実施形態と同じでよい。なお、樹脂硬化集合体63をh1＋h2の厚さに研削することも考えられるが、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの位置決めに接着材を用いるためにX方向の精度が必ずしも高くないので、一旦h1の厚さのセルアレイ集合体を作製する方が好ましい。
【００６５】
図18(a) 及び図18(b) は第二及び第三のスペーサ52a，53aの別の例を示す。これらのスペーサ52a，53aはL字状で、隣接するシンチレータスティック10b，20bの間に配置される平坦な大面積部と、大面積部からシンチレータスティック10b，20bの上面を超えて突出する垂直部52b，53bとを一体的に有する。垂直部52b，53bはYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの上面より十分に突出する長さを有する。なお、図中18は接着材を示す。
【００６６】
YGAGスティック10b及びGOSスティック20bは非常に高さ及び幅が小さいので、図16(a) 及び図16(b) に示すような低い第二及び第三のスペーサ52，53をYGAGスティック10bとGOSスティック20bの隙間に配置するのに手間がかかる。また、第二及び第三のスペーサ52，53の厚さg1，g3が近い場合、両者を間違い易いので、YGAGスティック10bとGOSスティック20bの隙間に誤差が出易い。誤差をなくすためには、第二及び第三のスペーサ52，53の固定後に十分な隙間のチェックが必要であり、時間がかかる。ところが、十分に長い垂直部52b，53bを有する第二及び第三のスペーサ52a，53aを用い、かつ垂直部52b，53bを色分けしておくと、(a) ピンセットで垂直部52b，53bを把持して第二及び第三のスペーサ52a，53aをYGAGスティック10bとGOSスティック20bの隙間に配置するのが容易となり、かつ(b) 配置後に整列した垂直部52b，53bの色を見れば、第二及び第三のスペーサ52a，53aをYGAGスティック10bとGOSスティック20bの隙間に正確に配置したか否かを容易に確認できるという利点が得られる。
【００６７】
図19(a) 及び図19(b) に例示するように、垂直部52b，53bの色だけでなく、長さ及び／又は幅も変えれば、第二及び第三のスペーサ52a，53aが正確に配置されたか否かの確認がより容易になる。なお、図中18は接着材を示す。
【００６８】
垂直部52b，53bの着色はそれらの上部だけで良い。第二及び第三のスペーサ52a，53aはステンレススチール板などで形成し、垂直部52b，53bの上部に熱硬化性塗料などにより着色を施せば良い。爾後のステップA7で反射材用熱硬化性樹脂で被覆するときに、反射材用熱硬化性樹脂の液面より第二及び第三のスペーサ52a，53aの垂直部52b，53bの着色部が上方にあれば、反射材用熱硬化性樹脂に対する着色部の影響は全くない。着色部のある第二及び第三のスペーサ52a，53aも、上記の通り一点鎖線Lに沿って樹脂硬化集合体63を切断することにより、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの端部とともに除去できる。
【００６９】
第四の実施形態の方法では、YGAGスティック10b及びGOSスティック20bの平坦な背面bb，Bb（溝3b，13bがない。）が接着材に固着するので、高い接着強度が得られ、位置決め精度も高い。また樹脂で一体化した後でYGAGスティック10b及びGOSスティック20bの連結部を研削により除去するので、YGAGセル及びGOSセルの配列が崩れることがなく、高精度に配列されたデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製することができる。また、垂直部52b，53bを長くして上部に着色部を設ければ、配置の際のハンドリングが容易になるだけでなく、配置が正確か否かの確認作業も容易になる。
【００７０】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００７１】
実施例1
第一の実施形態の方法を用いて、(Y0.8Gd0.2Ce0.003)3.0(Ga0.5Al0.5)5.0O12の組成を有するYGAG焼結体からなるYGAG基板と、(Gd0.999Pr0.001Ce0.00001)2O2Sの組成を有するGOS焼結体からなるGOS基板とから、下記の条件で図11に示すデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。YGAGスティックの熱処理は大気中で1300℃で行い、GOSスティックの熱処理は酸素を含むアルゴン雰囲気中で1200℃で行った。第一及び第二の支持プレートとしてガラス板を用いた。接着材には感圧両面接着フィルムを用い、棒状ピン及びスペーサ用ピンとして、ステンレススチール製の丸棒を用いた。反射材用樹脂として、白色の酸化チタン粉末を含有する熱硬化性エポキシ樹脂を用いた。回転砥石としてダイヤモンド砥石を用いた。第一の実施形態の方法により得られたシンチレータアレイにおいて、セルアレイは十分に高い寸法精度を有していた。
【００７２】
実施例2
第二の実施形態の方法を用いて、接着材として感圧型接着剤を塗布した以外実施例1と同じ条件で、デュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。第二の実施形態の方法により得られたシンチレータアレイにおけるセルの配列は十分に高い寸法精度を有していた。
【００７３】
実施例3
第三の実施形態の方法を用いて、実施例1と同じ条件でデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。第三の実施形態の方法により得られたシンチレータアレイにおけるセルの配列は十分に高い寸法精度を有していた。
【００７４】
実施例4
第四の実施形態の方法を用いて、実施例1と同じ条件でデュアルアレイ型のシンチレータアレイを作製した。第四の実施形態の方法により得られたシンチレータアレイにおけるセルの配列は十分に高い寸法精度を有していた。
【図１】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図３】
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【図４】
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【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０（ａ）】
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【図１０（ｂ）】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６（ａ）】
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【図１６（ｂ）】
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【図１７】
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【図１８（ａ）】
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【図１８（ｂ）】
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【図１９（ａ）】
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【図１９（ｂ）】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項10に記載のシンチレータアレイの製造方法において、前記第二及び第三のスペーサは、隣接するシンチレータスティックの間に配置される平坦な大面積部と、前記大面積部から前記第一及び第二のシンチレータスティックの上面を超えて突出する垂直部とを有し、前記第二のスペーサの垂直部と前記第三のスペーサの垂直部とは互いに異なる色で色分けされた着色部を有することを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第二の方法において、前記第二及び第三のスペーサは、隣接するシンチレータスティックの間に配置される平坦な大面積部と、前記大面積部から前記第一及び第二のシンチレータスティックの上面を超えて突出する垂直部とを有し、前記第二のスペーサの垂直部と前記第三のスペーサの垂直部とが互いに異なる色で色分けされた着色部を有するのが好ましい。
【国際調査報告】
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