(57)【要約】  本発明は、支持板と、樹脂層と、基板の表面上にインジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含む導電性金属酸化物膜を有する導電性金属酸化物膜付き基板と、をこの順で備え、前記導電性金属酸化物膜が前記樹脂層と剥離可能に密着するように、前記導電性金属酸化物膜付き基板が前記樹脂層上に配置され、前記樹脂層と前記支持板との間の剥離強度が前記樹脂層と前記導電性金属酸化物膜付き基板との間の剥離強度よりも高い、積層体に関する。
2012060199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板と、
樹脂層と、
基板の表面上にインジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含む導電性金属酸化物膜を有する導電性金属酸化物膜付き基板と、をこの順で備え、
前記導電性金属酸化物膜が前記樹脂層と剥離可能に密着するように、前記導電性金属酸化物膜付き基板が前記樹脂層上に配置され、
前記樹脂層と前記支持板との間の剥離強度が前記樹脂層と前記導電性金属酸化物膜付き基板との間の剥離強度よりも高い、積層体。
【請求項２】
前記酸化物中に、さらに、アルミニウム、モリブデン、銅、バナジウム、ニオブ、タンタル、ホウ素、およびフッ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素が含まれる、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記樹脂層がシリコーン樹脂層である、請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
前記樹脂層がオルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの付加反応型硬化物で構成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項５】
前記オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体と、
前記積層体中の前記導電性金属酸化物膜付き基板の前記樹脂層と密着する表面とは反対側の表面上に設けられた表示装置用パネルの構成部材と、を有する、支持板付き表示装置用パネル。
【請求項７】
請求項６に記載の支持板付き表示装置用パネルを用いて形成される表示装置用パネル。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置用パネルを有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体、支持板付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いる基板の薄板化が進行している。薄板化により基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、基板のハンドリング性が低下する。【０００３】
そこで、従来から、最終厚さよりも厚い基板上にデバイス用部材（例えば、薄膜トランジスタ）を形成した後、基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。しかしながら、この方法では、例えば、１枚の基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々の基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。【０００４】
また、上記の化学エッチングによる基板の薄板化方法においては、基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。【０００５】
最近では、上記の課題に対応するため、基板と補強板とを積層した積層体を用意し、積層体の基板上にデバイス用部材を形成した後、基板から補強板を剥離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、ガラス板と、該ガラス板上に固定される樹脂層とを有し、樹脂層と基板とが剥離可能に密着される。補強板は、基板から剥離された後、新たな基板と積層され、積層体として再利用することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第０７／０１８０２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の構成の積層体では、補強板を基板から剥離する際に、樹脂層の一部が製品側である基板に付着してしまうことがあった。特に、積層体に対して高温条件で加熱処理を行った後に、樹脂層の一部が製品側である基板へ付着することが頻繁に発生する。これは、高温条件下において、樹脂層が劣化したり、樹脂層と基板との密着強度が上昇したりするためと考えられる。
そのため、高温処理が施されるデバイス製造に上記積層体を適用すると、基板に樹脂層の一部が付着してしまい、結果として歩留まりの低下を招く懸念があった。【０００８】
さらに、上記積層体から基板を剥離した後には、ゴミや塵などが基板表面に付着しやすく、そのような基板を使用してデバイスを製造すると、デバイスの故障などを生じるおそれがあった。このようなゴミや塵の付着は、剥離帯電によって生じるものと考えられる。【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温加熱処理が施された後であっても、樹脂層と基板とを剥離する際に樹脂層の一部が製品側である基板へ付着するのを抑制することができ、かつ、剥離される基板表面上の剥離帯電を抑制することができる積層体を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、該積層体を含む支持板付き表示装置用パネル、支持板付き表示装置用パネルを用いて形成される表示装置用パネルおよび表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討を重ね、本発明を完成した。
すなわち、上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、支持板と、樹脂層と、基板の表面上にインジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含む導電性金属酸化物膜を有する導電性金属酸化物膜付き基板と、をこの順で備え、前記導電性金属酸化物膜が前記樹脂層と剥離可能に密着するように、前記導電性金属酸化物膜付き基板が前記樹脂層上に配置され、前記樹脂層と前記支持板との間の剥離強度が前記樹脂層と前記導電性金属酸化物膜付き基板との間の剥離強度よりも高い、積層体である。【００１１】
第１の態様においては、前記酸化物中に、さらに、アルミニウム、モリブデン、銅、バナジウム、ニオブ、タンタル、ホウ素、およびフッ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素が含まれることが好ましい。
また、第１の態様においては、前記樹脂層がシリコーン樹脂層であることが好ましい。
また、前記樹脂層がオルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの付加反応型硬化物で構成されることが好ましい。
さらに、前記オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２であることが好ましい。【００１２】
本発明の第２の態様は、第１の態様の積層体と、前記積層体中の前記導電性金属酸化物膜付き基板の前記樹脂層と密着する表面とは反対側の表面上に設けられた表示装置用パネルの構成部材と、を有する、支持板付き表示装置用パネルである。
本発明の第３の態様は、第２の態様の支持板付き表示装置用パネルを用いて形成される表示装置用パネルである。
本発明の第４の態様は、第３の態様の表示装置用パネルを有する表示装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高温加熱処理が施された後であっても、樹脂層と基板とを剥離する際に樹脂層の一部が製品側である基板へ付着するのを抑制することができ、かつ、剥離される基板表面上の剥離帯電を抑制することができる積層体を提供することができる。
さらに、本発明によれば、該積層体を含む支持板付き表示装置用パネル、支持板付き表示装置用パネルを用いて形成される表示装置用パネル、および表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明に係る積層体の一実施形態の模式的断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る支持板付き表示装置用パネルの一実施形態の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００１６】
なお、本発明において樹脂層を支持板に固定するとは、樹脂層と支持板との間の剥離強度が樹脂層と導電性金属酸化物膜付き基板との間の剥離強度よりも高くなるように結合させることを意味する。
【００１７】
図１は、本発明に係る積層体の一例の模式的断面図である。
図１に示すように、積層体１０は、導電性金属酸化物膜付き基板２４と支持板３１とそれらの間に樹脂層３２が存在する積層体である。
【００１８】
導電性金属酸化物膜付き基板２４は、基板２０と、基板２０の表面上に設けられる導電性金属酸化物膜２２とを備える。導電性金属酸化物膜付き基板２４は、導電性金属酸化物膜２２が樹脂層３２と剥離可能に密着するように、樹脂層３２上に配置される。
【００１９】
また、樹脂層３２は、支持板３１上に固定されると共に、導電性金属酸化物膜付き基板２４の導電性金属酸化物膜２２に剥離可能に密着されている。支持板３１および樹脂層３２からなる補強板３０は、液晶ディスプレイなどのデバイス（電子機器）を製造する工程において、導電性金属酸化物膜付き基板２４を補強する。
【００２０】
この積層体１０は、デバイスの製造工程の途中まで使用される。即ち、この積層体１０は、導電性金属酸化物膜付き基板２４の樹脂層３２とは反対側の表面上に薄膜トランジスタなどのデバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、補強板３０は、導電性金属酸化物膜付き基板２４から剥離され、デバイスを構成する部材とはならない。導電性金属酸化物膜付き基板２４から剥離された補強板３０は、新たな導電性金属酸化物膜付き基板２４と積層され、積層体１０として再利用することができる。
【００２１】
本発明においては、導電性金属酸化物膜２２と樹脂層３２とが接するように、導電性金属酸化物膜付き基板２４を樹脂層３２上に設けることにより、所望の効果が得られることを見出した。
【００２２】
以下、各構成（導電性金属酸化物膜付き基板、支持板、樹脂層）について詳説する。
【００２３】
＜導電性金属酸化物膜付き基板＞
はじめに、導電性金属酸化物膜付き基板２４について説明する。
導電性金属酸化物膜付き基板２４は、基板２０と、基板２０の表面上に設けられる導電性金属酸化物膜２２とを備える。導電性金属酸化物膜２２は、後述する樹脂層３２と剥離可能に密着するように、導電性金属酸化物膜付き基板２４中の最表面に配置される。
【００２４】
以下に、基板２０、および、導電性金属酸化物膜２２について詳述する。
【００２５】
（基板）
基板２０は、樹脂層３２側の第１主面２０１に導電性金属酸化物膜２２を備え、樹脂層３２とは反対側の第２主面２０２にデバイス用部材が形成されてデバイスを構成する。ここで、デバイス用部材とは、後述する表示装置用パネルの構成部材のように、デバイスの少なくとも一部を構成する部材をいう。具体例としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、カラーフィルタ（ＣＦ）が挙げられる。デバイスとしては、太陽電池（ＰＶ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）などが例示される。
【００２６】
基板２０の種類は、一般的なものであってよく、例えば、シリコンウエハ、ガラス基板、樹脂基板、ＳＵＳ基板や銅基板などの金属基板であってよい。これらの中でも、ガラス基板が好ましい。ガラス基板は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低いからである。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ  Ｒ  ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。
【００２７】
基板２０の線膨張係数が大きいと、デバイスの製造工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、基板２０上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成された基板２０を冷却すると、基板２０の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。
【００２８】
ガラス基板は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。
【００２９】
ガラス基板のガラスは、特に限定されないが、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
【００３０】
ガラス基板のガラスとしては、デバイスの種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶ディスプレイ用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる。このように、ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
【００３１】
ガラス基板の厚さは、特に限定されないが、ガラス基板の薄型化および／または軽量化の観点から、通常０．８ｍｍ未満であり、好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ以上の場合、ガラス基板の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板をロール状に巻き取ることが可能である。また、ガラス基板の厚さは、ガラス基板の製造が容易であること、ガラス基板の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３２】
樹脂基板の樹脂の種類は、特に限定されない。具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアクリル樹脂、各種液晶ポリマー樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーン樹脂などが例示される。なお、樹脂基板は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。また、樹脂基板は、表面に保護層などの機能層が形成されてなるものであってもよい。
【００３３】
樹脂基板の厚さは、特に限定されないが、薄型化および／または軽量化の観点から、０．７ｍｍ以下であることが好ましく、０．３ｍｍ以下であることがより好ましく、０．１ｍｍ以下であることが特に好ましい。また、取扱い性の観点から、１．０μｍ以上であることが好ましい。
【００３４】
なお、基板２０は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「基板２０の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
【００３５】
（導電性金属酸化物膜）
導電性金属酸化物膜２２は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含む。
例えば、基板２０が無アルカリガラス基板の場合、当該無アルカリガラス基板の表面上に存在するマグネシウム、カルシウム、バリウムなどアルカリ土類金属成分に比べて、導電性金属酸化物膜２２に含まれる上記アルカリ土類金属成分は電気陰性度が小さい。そのため、無アルカリガラス基板と樹脂層３２とを直接接触させて高温条件に曝す場合と比較して、本発明の積層体１０を高温条件に曝しても、導電性金属酸化物膜２２と樹脂層３２との間での上記アルカリ土類金属成分の脱離による化学反応の進行があまりない。結果として、重剥離化による樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４への付着を生じることなく、導電性金属酸化物膜付き基板２４を剥離することができる。
【００３６】
ここで、重剥離化とは、導電性金属酸化物膜２２と樹脂層３２の密着強度が、支持板３１の表面と樹脂層３２との密着強度、及び、樹脂層３２の（バルク）強度のいずれかよりも大きくなることをいう。
【００３７】
さらに、該導電性金属酸化物膜２２は、優れた導電性を示す。そのため、剥離される導電性金属酸化物膜付き基板２４表面上の剥離帯電を抑制することができる。また、イオナイザまたは噴霧水を併用すれば、更に剥離帯電を抑制することができる。あるいは、イオナイザまたは噴霧水の負荷を軽減させても、従来と同様の剥離帯電抑制の効果が得られる。
【００３８】
導電性金属酸化物膜２２は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含む。つまり、導電性金属酸化物膜２２は、上記金属元素と酸素元素とから構成される金属酸化物を含有する。
具体的には、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）などが挙げられる。
【００３９】
また、導電性金属酸化物膜２２は、上記列挙される金属を２種以上含む酸化物を含有していてもよい。具体的には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００４０】
上記酸化物中に、さらに、アルミニウム、モリブデン、銅、バナジウム、ニオブ、タンタル、ホウ素、およびフッ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。該元素はいわゆるドーパントの役割を果たす。
該元素が含まれる上記金属の酸化物としては、例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）、モリブデン添加酸化インジウム（ＩＭＯ）、ニオブ添加酸化チタン、タンタル添加酸化チタン、ニオブ添加酸化スズ、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）、ホウ素添加酸化亜鉛（ＢＺＯ）、アルミニウム・銅添加酸化亜鉛、アルミニウム・バナジウム添加酸化亜鉛、ニオブ・タンタル添加酸化スズなどが挙げられる。
【００４１】
なかでも、導電性金属酸化物膜付き基板と樹脂層との剥離性がより優れると共に、導電性がより優れる点で、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）、ニオブ添加酸化チタンが好ましく、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）がより好ましい。
【００４２】
導電性金属酸化物膜２２は、上記の金属の酸化物が主成分として含まれていることが好ましく、具体的には上記金属の酸化物の含有量が、導電性金属酸化物膜全量に対して、９８質量％以上であることが好ましく、９９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９９質量％以上であることが特に好ましい。
導電性金属酸化物膜２２には、本発明の効果を損なわない範囲で、他の金属の酸化物が含まれていてもよい。また、導電性金属酸化物膜２２には、本発明の効果を損なわない範囲で、金属の酸化物以外の成分（例えば、金属）が含まれていてもよい。
【００４３】
導電性金属酸化物膜２２の厚みは特に制限されないが、重剥離化による樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４への付着をより抑制し、かつ耐擦傷性を維持する点では、５〜５０００ｎｍが好ましく、１０〜５００ｎｍがより好ましい。
【００４４】
上記所定の金属の酸化物を含む導電性金属酸化物膜２２は、優れた導電性を示す。より具体的には、剥離される基板表面上の剥離帯電をより抑制することができる点で、導電性金属酸化物膜２２のシート抵抗値は０．１〜１０００Ω／□であることが好ましく、１〜５００Ω／□であることがより好ましい。なお、測定方法は、公知の方法（例えば、ＪＩＳ  Ｒ  １６３７（１９９８年制定）に規定されている四探針抵抗測定法）が採用される。
【００４５】
導電性金属酸化物膜２２の樹脂層３２と接する表面２２１に存在する極性基の密度が適切であることは、密着前に表面２２１の水接触角を測定して判断される。一般的に、表面に存在する親水性などの極性基の密度が高いほど、水接触角が小さくなる傾向がある。ここで、水接触角とは、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７（１９９９年制定）に規定されている接触角のことである。
【００４６】
導電性金属酸化物膜２２の表面２２１の密着前の水接触角は、重剥離化による樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４への付着をより抑制する点で、２０°以上であることが好ましく、３０〜９０°であることがより好ましく、４０〜７０°であることがさらに好ましい。
【００４７】
導電性金属酸化物膜２２の樹脂層３２と接する側の表面２２１には、微細な凹凸構造が予め形成されていてもよい。この場合、凹凸構造の程度は、導電性金属酸化物膜２２の表面２２１と樹脂層３２の密着面３２１とがアンカー効果による重剥離化によって、樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４への過度の付着を生じない範囲であることが好ましい。
【００４８】
なお、導電性金属酸化物膜２２の表面２２１の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１〜５０ｎｍであることが好ましく、０．５〜５ｎｍであることがより好ましい。ＲａはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２００１年改正）に従って測定される。
【００４９】
導電性金属酸化物膜２２は、導電性金属酸化物膜付き基板２４をデバイス用途に使用する点を考慮すると、透明であることが好ましい。具体的には、波長３８０〜７８０ｎｍにおける透過率、すなわち導電性金属酸化物膜付き基板２４の可視光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
【００５０】
導電性金属酸化物膜２２は、図１において単層として記載されているが、２層以上の積層であってもよい。例えば、導電性金属酸化物膜が２層である場合、基板２０に接する第１の導電性金属酸化物膜と、第１の導電性金属酸化物膜の上に設けられた第２の導電性金属酸化物層が設けられる。２層の場合、第１の導電性金属酸化物膜と第２の導電性金属酸化物膜との成分は異なっていてもよい。
【００５１】
導電性金属酸化物膜２２は、本発明の効果を損なわない範囲で、基板２０表面上に一部に設けられていてもよい。例えば、導電性金属酸化物膜２２が、基板２０表面上に、島状や、ストライプ状に設けられていてもよい。
より具体的には、導電性金属酸化物膜２２の基板２０表面上の被覆率は、重剥離化による樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４への付着をより抑制する点では、５０〜１００％が好ましく、７５〜１００％がより好ましい。
【００５２】
（導電性金属酸化物膜の製造方法）
導電性金属酸化物膜２２の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、蒸着法、または、スパッタリング法により、基板２０上に所定の金属酸化物を設ける方法が挙げられる。
製造条件は、使用される金属の酸化物に応じて、適宜最適な条件が選択される。
【００５３】
導電性金属酸化物膜付き基板２４は、上述した基板２０と導電性金属酸化物膜２２とを備えるが、本発明の効果を損なわない範囲で、基板２０と導電性金属酸化物膜２２との間に他の部材を有していてもよい。
他の部材としては、例えば、基板２０から導電性金属酸化物膜２２へのアルカリイオンの拡散を防止するアルカリバリア層、導電性金属酸化物膜２２の表面を平坦化させる平坦化層などが挙げられる。
【００５４】
＜支持板＞
支持板３１は、樹脂層３２と協働して、導電性金属酸化物膜付き基板２４を支持して補強し、デバイスの製造工程において、導電性金属酸化物膜付き基板２４の変形、傷付き、破損などを防止する。また、従来よりも厚さが薄い導電性金属酸化物膜付き基板２４を使用する場合、従来の基板と同じ厚さの積層体１０とすることにより、デバイスの製造工程において、従来の厚さの基板に適合した製造技術や製造設備を使用可能にすることも、支持板３１を使用する目的の１つである。
【００５５】
支持板３１としては、例えば、ガラス板、樹脂板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。支持板３１は、デバイスの製造工程が熱処理を伴う場合、基板２０との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、基板２０と同一材料で形成されることがより好ましい。基板２０がガラス基板である場合、支持板３１はガラス板であることが好ましい。特に、支持板３１は、基板２０のガラス基板と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
【００５６】
支持板３１の厚さは、基板２０よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、導電性金属酸化物膜付き基板２４の厚さ、樹脂層３２の厚さ、および積層体１０の厚さに基づいて、支持板３１の厚さが選択される。例えば、現行のデバイスの製造工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、導電性金属酸化物膜付き基板２４の厚さと樹脂層３２の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持板３１の厚さを０．４ｍｍとする。支持板３１の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。
【００５７】
支持板３１がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
基板２０と支持板３１との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０−７／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０-7／℃以下である。差が大き過ぎると、デバイスの製造工程における加熱冷却時に、積層体１０が激しく反ったり、導電性金属酸化物膜付き基板２４と補強坂３０とが剥離したりする可能性がある。基板２０の材料と支持板３１の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。
【００５９】
＜樹脂層＞
樹脂層３２は、支持板３１上に固定されており、また、導電性金属酸化物膜付き基板２４に剥離可能に密着されている。樹脂層３２は、剥離操作が行われるまで導電性金属酸化物膜付き基板２４の位置ずれを防止すると共に、剥離操作によって導電性金属酸化物膜付き基板２４から容易に剥離し、導電性金属酸化物膜付き基板２４などが剥離操作によって破損するのを防止する。
【００６０】
樹脂層３２の大きさは、特に限定されない。樹脂層３２の大きさは、基板２０や支持板３１よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
【００６１】
樹脂層３２の導電性金属酸化物膜２２と接する表面３２１（以下、「密着面３２１」ともいう）は、一般的な粘着剤が有するような粘着力ではなく、固体分子間におけるファンデルワールス力に起因する力によって、導電性金属酸化物膜２２の表面２２１に貼り付いていることが好ましい。これは、導電性金属酸化物膜付き基板２４を容易に剥離することができるからである。本発明では、この樹脂層表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。
【００６２】
一方、樹脂層３２の支持板３１の表面に対する結合力は、樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４の表面（導電性金属酸化物膜２２の表面２２１に該当）に対する結合力よりも相対的に高い。このため、樹脂層３２と支持板３１との間の剥離強度は、樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４との間の剥離強度よりも高くなっている。本発明では、樹脂層表面の基板表面に対する結合を密着といい、樹脂層表面と支持板表面に対する結合を固定という。樹脂層３２と支持板３１との間は、粘着力や接着力で結合していることが好ましい。ただしこれに限られるものではなく、樹脂層３２の導電性金属酸化物膜付き基板２４に対する結合力よりも相対的に高い限り、樹脂層３２と支持板３１との間は、上記ファンデルワールス力に起因する力によって貼り付いていてもよい。
【００６３】
樹脂層３２の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層３２の厚さがこのような範囲であると、樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４との密着が十分になるからである。また、樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４との間に気泡や異物が介在しても、導電性金属酸化物膜付き基板２４のゆがみ欠陥の発生を抑制することができるからである。また、樹脂層３２の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではない。
【００６４】
なお、樹脂層３２は２層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層３２の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
【００６５】
また、樹脂層３２が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂の種類が異なってもよい。
【００６６】
樹脂層３２は、ガラス転移点が室温（２５℃程度）よりも低い、またはガラス転移点を有しない材料からなることが好ましい。非粘着性の樹脂層となり、より容易に導電性金属酸化物膜付き基板２４と剥離することができ、同時に導電性金属酸化物膜付き基板２４との密着も十分になるからである。
【００６７】
また、樹脂層３２は、デバイスの製造工程において加熱処理されることが多いので、耐熱性を有していることが好ましい。
【００６８】
また、樹脂層３２の弾性率が高すぎると導電性金属酸化物膜付き基板２４との密着性が低くなる傾向にある。一方、樹脂層３２の弾性率が低すぎると剥離性が低くなる。
【００６９】
樹脂層３２を形成する樹脂の種類は、特に限定されない。例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、またはシリコーン樹脂が挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でもシリコーン樹脂が好ましい。シリコーン樹脂は、耐熱性や剥離性に優れるためである。また、支持板３１がガラス板である場合、ガラス板表面のシラノール基との縮合反応によって、ガラス板に固定し易いからである。シリコーン樹脂層は、支持板３１と導電性金属酸化物膜付き基板２４との間に介装されている状態では、例えば大気中２００℃程度で１時間程度処理しても、剥離性がほぼ劣化しない点も好ましい。
【００７０】
樹脂層３２は、シリコーン樹脂の中でも剥離紙用に使用されるシリコーン樹脂（硬化物）からなることが好ましい。剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性樹脂組成物を支持板３１の表面に硬化させて形成した樹脂層３２は、優れた剥離性を有するので好ましい。また、柔軟性が高いので、樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４との間へ気泡や塵介などの異物が混入しても導電性金属酸化物膜付き基板２４のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。
【００７１】
このような剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンは、その硬化機構により縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーンが好ましい。これは、硬化反応のしやすさ、樹脂層３２を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。
【００７２】
付加反応型シリコーンは、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物である。付加反応型シリコーンの硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーンの主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーンの架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーンは、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。
【００７３】
また、剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンは形態的に溶剤型、エマルジョン型および無溶剤型があり、いずれの型も使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。生産性、安全性、環境特性の面が優れるからである。また、樹脂層３２を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層３２中に気泡が残留しにくいからである。
【００７４】
また、剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンとして、具体的には市販されている商品名または型番としてＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７（いずれも信越シリコーン社製）、ＴＰＲ６７００（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）、ビニルシリコーン「８５００」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６４」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６５」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせなどが挙げられる。
【００７５】
なお、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７およびＴＰＲ６７００は、あらかじめ主剤と架橋剤とを含有している硬化性シリコーンである。
【００７６】
また、樹脂層３２を形成するシリコーン樹脂は、シリコーン樹脂層中の低分子量のシリコーン等の成分が導電性金属酸化物膜付き基板２４に移行しにくい性質、すなわち低シリコーン移行性を有することが好ましい。また、架橋構造に由来する耐熱性の観点で、オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２であることが好ましい。
【００７７】
（樹脂層の製造方法）
樹脂層３２を支持板３１上に固定する方法は、特に限定されないが、例えばフィルム状の樹脂を支持板３１の表面に固定する方法が挙げられる。具体的には、支持板３１の表面に、フィルムの表面に対する高い固定力（高い剥離強度）を付与するために、支持板３１の表面に表面改質処理（プライミング処理）を行い、支持板３１上に固定する方法が挙げられる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）、プラズマ照射やフレーム（火炎）処理のようにＳｉＯＨ基、ＳｉＯ基といった表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。
【００７８】
また、例えば、支持板３１表面上に樹脂層３２となる硬化性樹脂組成物の層を形成し、次いで、該硬化性樹脂組成物を硬化して樹脂層３２を形成する方法で支持板３１上に固定された樹脂層３２を形成することもできる。支持板３１表面上に硬化性樹脂組成物の層を形成する方法としては、例えば硬化性樹脂組成物を支持板３１上にコートする方法が挙げられる。コートする方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。このような方法の中から、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択することができる。
【００７９】
また、樹脂層３２となる硬化性樹脂組成物を支持板３１上にコートする場合、その塗布量は１〜１００ｇ／ｍ2であることが好ましく、５〜２０ｇ／ｍ2であることがより好ましい。
【００８０】
例えば、付加反応型シリコーンの硬化性樹脂組成物から樹脂層３２を形成する場合、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンと触媒との混合物からなる硬化性樹脂組成物を、上記のスプレーコート法などの公知の方法により支持板３１上に塗布し、その後に加熱硬化させる。加熱硬化条件は、触媒の配合量によっても異なるが、例えば、オルガノアルケニルポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンの合計量１００質量部に対して、白金系触媒を２質量部配合した場合、大気中で５０℃〜２５０℃、好ましくは１００℃〜２００℃で反応させる。また、この場合の反応時間は５〜６０分間、好ましくは１０〜３０分間とする。
【００８１】
硬化性樹脂組成物を加熱硬化させることによって、硬化反応の際にシリコーン樹脂が支持板３１と化学的に結合する。また、アンカー効果によってシリコーン樹脂層が支持板３１と結合する。これらの作用によって、シリコーン樹脂層が支持板３１に強固に固定される。なお、シリコーン樹脂以外の樹脂からなる樹脂層を硬化性樹脂組成物から形成する場合も、上記と同様の方法で支持板に固定された樹脂層を形成することができる。
【００８２】
＜積層体およびその製造方法＞
本発明の積層体１０は、上述したように、導電性金属酸化物膜付き基板２４と支持板３１とそれらの間に樹脂層３２が存在する積層体である。
本発明の積層体の製造方法は特に制限されないが、通常、上述した方法によって表面上に樹脂層３２が固定された支持板３１を作製し、その後樹脂層３２上に導電性金属酸化物膜付き基板２４を、導電性金属酸化物膜２２が樹脂層３２と剥離可能に密着するように、配置する。
【００８３】
樹脂層３２を導電性金属酸化物膜付き基板２４上に剥離可能に密着させる方法は特に限定されず、公知の方法であってよい。例えば、常圧環境下で樹脂層３２の剥離性表面に導電性金属酸化物膜付き基板２４を重ねた後、ロールやプレスを用いて樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４とを圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
【００８４】
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保がより好ましく行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、導電性金属酸化物膜付き基板２４のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
【００８５】
樹脂層３２を導電性金属酸化物膜付き基板２４上に剥離可能に密着させる際には、樹脂層３２および導電性金属酸化物膜付き基板２４の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。樹脂層３２と導電性金属酸化物膜付き基板２４との間に異物が混入しても、樹脂層３２が変形するので導電性金属酸化物膜付き基板２４の表面の平坦性に影響を与えることはないが、クリーン度が高いほどその平坦性は良好となるので好ましい。
【００８６】
なお、樹脂層３２を支持板３１上に固定する工程と、樹脂層３２を導電性金属酸化物膜付き基板２４上に剥離可能に密着させる工程との順序に制限はなく、例えば略同時であってもよい。
【００８７】
本発明の積層体は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、積層体が高温条件（例えば、３２０℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）シャッターパネル等が含まれる。
【００８８】
＜支持板付き表示装置用パネルおよびその製造方法＞
本発明においては、上述した積層体を用いて、支持板付き表示装置用パネルが製造される。
図２は、本発明に係る支持板付き表示装置用パネルの一例の模式的断面図である。
支持板付き表示装置用パネル４０は、上記積層体１０と、表示装置用パネルの構成部材５０から構成される。
【００８９】
（表示装置用パネルの構成部材）
表示装置用パネルの構成部材５０とは、例えば、ガラス基板を使用したＬＣＤ、ＯＬＥＤ等の表示装置において、ガラス基板上に形成された部材やその一部をいう。例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ等の表示装置においては、基板の表面にＴＦＴアレイ（以下、単に「アレイ」という。）、保護層、カラーフィルタ、液晶、ＩＴＯからなる透明電極等、各種回路パターン等の部材、またはこれらを組み合わせたものが形成される。また、例えば、ＯＬＥＤからなる表示装置においては、基板上に形成された透明電極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層等が挙げられる。
【００９０】
上述した支持板付き表示装置用パネル４０の製造方法は特に限定されず、表示装置用パネルの構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１０の導電性金属酸化物膜付き基板２４表面上に、表示装置用パネルの構成部材５０を形成する。
例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、積層体１０の導電性金属酸化物膜付き基板２４の樹脂層３２と密着する表面とは反対側の表面上（基板の第２主面２０２に該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。これら構成部材の形成は、表示装置用パネルに必要な全構成部材の形成の一部であってもよい。その場合、その一部の構成部材を形成した導電性金属酸化物膜付き基板２４を樹脂層３２から剥離した後、残りの構成部材を導電性金属酸化物膜付き基板２４上に形成して表示装置用パネルを製造する。
【００９１】
＜表示装置用パネルおよびその製造方法＞
本発明に係る表示装置用パネル６０は、図２に示すように、導電性金属酸化物膜付き基板２４と表示装置用パネルの構成部材５０とから構成される。
表示装置用パネル６０は、支持板付き表示装置用パネル４０から、導電性金属酸化物膜付き基板２４と支持板３１に固定されている樹脂層３２とを剥離して得ることができる。
【００９２】
なお、剥離時の導電性金属酸化物膜付き基板２４上の構成部材が表示装置用パネルに必要な全構成部材の形成の一部である場合には、その後残りの構成部材を導電性金属酸化物膜付き基板２４上に形成して表示装置用パネルを製造する。
【００９３】
導電性金属酸化物膜２２と樹脂層３２の剥離性表面とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、導電性金属酸化物膜２２と樹脂層３２との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。
【００９４】
なお、支持板付き表示装置用パネル４０から表示装置用パネル６０を剥離した後、必要に応じて、表示装置用パネル６０中の導電性金属酸化物膜付き基板２４の導電性金属酸化物膜２２上に、別途表示装置用パネルの構成部材を設けてもよい。
【００９５】
＜表示装置＞
また、このような表示装置用パネル６０から表示装置を得ることができる。表示装置としてはＬＣＤ、ＯＬＥＤが挙げられる。ＬＣＤとしてはＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型が挙げられる。
ここで表示装置を得る操作は特に限定されず、例えば、従来公知の方法で表示装置を製造することができる。
【実施例】
【００９６】
以下に、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。【００９７】
なお、後述する実施例および比較例において、水接触角は、接触角計（クルス社製、ＤＲＯＰ  ＳＨＡＰＥ  ＡＮＡＬＹＳＩＳ  ＳＹＳＴＥＭ  ＤＳＡ  １０Ｍｋ２）を用いて測定した。また、表面粗さＲａは、原子間カ顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製、ＳＰＡ３００／ＳＰＩ３８００）を用いて測定した。【００９８】
薄板ガラス積層体の加熱後の剥離性は、後述する所定の条件で加熱処理後、薄板ガラス基板と樹脂層を剥離し、薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上を目視にて観察することにより評価した。樹脂層の残渣がないものが良く、樹脂層の残渣があるものが悪い評価である。【００９９】
更に、剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、さらに偏光フィルム（日東電工社製、アクリル系粘着剤）を貼り付け、剥がれの発生有無を評価した。剥がれが発生しないものは、樹脂層の残渣がないことを示す。剥がれが発生するものは、樹脂層の残渣があることを示す。【０１００】
＜実施例１＞
初めに、縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．４ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃の支持ガラス基板（無アルカリガラス、旭硝子株式会社製ＡＮ１００）を純水洗浄した後、さらにＵＶ洗浄して清浄化した。【０１０１】
次に、支持ガラス基板の第１主面上に、無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーン（信越シリコーン社製、ＫＮＳ−３２０Ａ、粘度：０．４０Ｐａ・ｓ、溶解パラメータ（ＳＰ値）：７．３）１００質量部と白金系触媒（信越シリコーン社製、ＣＡＴ−ＰＬ−５６）２質量部との混合液を、縦７０５ｍｍ、横５９５ｍｍの大きさで長方形にスクリーン印刷機にて塗工した（塗工量３０ｇ／ｍ2）。【０１０２】
次に、これを１８０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、支持ガラス基板の第１主面に厚さ２０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。【０１０３】
なお、上記無溶剤付加反応型剥離紙用シリコーンは、ケイ素原子に結合したビニル基とメチル基とを有する直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサン（主剤）と、ケイ素原子に結合した水素原子をメチル基とを有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（架橋剤）とを含むものである。【０１０４】
次に、縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃の薄板ガラス基板（旭硝子株式会社製ＡＮ１００）のシリコーン樹脂と接触させる側の面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度０．５Ｗ／ｃｍ2）により、厚さ１０ｎｍのＩＴＯを形成し（シート抵抗３００Ω／□）、薄板ガラス基板（導電性金属酸化物膜付き薄板ガラス基板）を得た。導電性金属酸化物膜表面の水接触角は、４５°であった。また、導電性金属酸化物膜の表面粗さＲａは、０．７ｎｍであった。【０１０５】
その後、薄板ガラス基板のＩＴＯ成膜面と、支持ガラス基板のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより張り合わせ、薄板ガラス積層体Ａ１を得た。【０１０６】
得られた薄板ガラス積層体Ａ１においては、両ガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。【０１０７】
（加熱後の剥離性評価）
薄板ガラス積層体Ａ１に対して、大気酸素が０．１％以下の窒素雰囲気中にて、３２０℃で１時間加熱処理を施した。【０１０８】
次に、剥離試験を行った。具体的には、まず、薄板ガラス積層体Ａ１における薄板ガラスの第２主面を固定台上に固定した。一方、支持ガラス基板の第２主面を吸着パッドで吸着した。次に、薄板ガラス積層体Ａ１が有する４つの角部のうちの１つであって薄板ガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．４ｍｍのナイフを挿入して、薄板ガラス基板を僅かに剥離し、剥離のきっかけを与えた。次に、吸着パッドを固定台から離れる方向へ移動させて、薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とを剥離した。【０１０９】
剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の残渣はなかった。また、剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）の帯電電位は、静電気測定器により＋１．２ｋＶであった。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれは発生しなかった。【０１１０】
＜実施例２＞
実施例１と同様に、薄板ガラス基板のＩＴＯ成膜面と、支持ガラス基板のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより張り合わせ、薄板ガラス積層体Ａ１を得た。次に、加熱処理を行わずに実施例１と同様に剥離試験を行った。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の残渣はなかった。また、剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）の帯電電位は、静電気測定器により＋１．３ｋＶであった。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれは発生しなかった。【０１１１】
＜実施例３＞
実施例１と同様に、薄板ガラス基板のＩＴＯ成膜面と、支持ガラス基板のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより張り合わせ、薄板ガラス積層体Ａ１を得た。その後、薄板ガラス積層体Ａ１に対して実施例１と同様に加熱処理を行った。次に、剥離試験を行った。具体的には、まず、薄板ガラス積層体Ａ１における薄板ガラス基板の第２主面を固定台上に固定した。一方、支持ガラス基板の第２主面を吸着パッドで吸着した。次に、薄板ガラス積層体Ａ１が有する４つの角部のうちの１つであって薄板ガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．４ｍｍのナイフを挿入して、薄板ガラス基板を僅かに剥離し、剥離のきっかけを与えた。ここでナイフの挿入は、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。【０１１２】
次に、形成した空隙へ向けて、イオナイザから引き続き除電性流体を吹き付けながら吸着パッドを固定台から離れる方向へ移動させて、薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とを剥離した。【０１１３】
剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の残渣はなかった。また、剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）の帯電電位は、静電気測定器により＋０．１ｋＶであった。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれは発生しなかった。【０１１４】
＜実施例４＞
初めに、縦７６０ｍｍ、横６４０ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃の薄板ガラス基板（無アルカリガラス、旭硝子株式会社製ＡＮ１００）を純水洗浄した後、さらにＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した第１主面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度０．５Ｗ／ｃｍ2）により、厚さ１０ｎｍのＩＴＯを形成し（シート抵抗３００Ω／□）、薄板ガラス基板（導電性金属酸化物膜付き薄板ガラス基板）を得た。導電性金属酸化物膜表面の水接触角は、４５°であった。また、導電性金属酸化物膜の表面粗さＲａは、０．７ｎｍであった。次に、薄板ガラス基板の第１主面の導電性金属酸化物膜面上に、実施例１と同様に両末端にビニル基を有する直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサン（ビニルシリコーン、荒川化学工業社製、８５００）と、分子内にハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサン（荒川化学工業社製、１２０３１）と、白金系触媒（荒川化学工業社製、ＣＡＴ１２０７０）との混合液を、縦７５０ｍｍ、横６３０ｍｍの大きさで長方形にスクリーン印刷機にて塗工し、未硬化の硬化性シリコーンを含む層を形成した（塗工量３５ｇ／ｍ2）。【０１１５】
次に、縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．４ｍｍの支持ガラス基板のシリコーン樹脂と接触させる側の面（第１主面）を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。その後、キャリア基板の第１主面と、未硬化の硬化性シリコーンを含む層とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、３０Ｐａで５分間静置して、未硬化の硬化性シリコーンを含む層の脱泡処理を行い、硬化前積層体Ａ０を得た。その際、未硬化の硬化性シリコーンを含む層にキャリア基板と接触しない周縁領域が残るように、キャリア基板を未硬化の硬化性シリコーンを含む層上に積層した。なお、キャリア基板の外周縁から未硬化の硬化性樹脂組成物層の外周縁までの長さは約１５ｍｍ以上であった。【０１１６】
次に、これを２５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ１０μｍの硬化したシリコーン樹脂層を含む硬化後積層体Ａ０を得た。【０１１７】
続いて、位置決め冶具を取り付けた定盤上に硬化後積層体Ａ０の支持ガラス基板を固定し、定盤の上面から支持ガラス基板の外周縁のうち一つの辺と重なるように、薄板ガラス基板の第２主面上にダイヤモンドホイールカッタで切線を刻んだ後、挟持冶具にて薄板ガラスの切線の外側を挟み込み、割断した。同様に、支持ガラス基板の外周縁の残りの３辺と重なる薄板ガラス基板の外側についても割断した後、曲面を有する砥石で薄板ガラス基板の割断面を研磨し面取を施して、切断後積層体Ａ１を得た。【０１１８】
次に実施例３と同様に、剥離試験を行った。薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とに剥離され、剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の残渣はなかった。また、剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）の帯電電位は、静電気測定器により＋０．１ｋＶであった。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれは発生しなかった。【０１１９】
＜実施例５＞
薄板ガラス基板および支持ガラス基板として、ソーダライムガラスからなるガラス板を使用した以外は実施例３と同様の方法により、薄板ガラス積層体Ｂ１を得た。【０１２０】
次に、実施例３と同様に剥離試験を行った。薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とに剥離され、剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の残渣はなかった。また、剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）の帯電電位は、静電気測定器により＋０．１ｋＶであった。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれは発生しなかった。【０１２１】
＜実施例６＞
薄板ガラス基板および支持ガラス基板として、化学強化されたガラス板を使用した以外は実施例３と同様の方法により、薄板ガラス積層体Ｃ１を得た。【０１２２】
次に、実施例３と同様に剥離試験を行った。薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とに剥離され、剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の残渣はなかった。また、剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）の帯電電位は、静電気測定器により＋０．１ｋＶであった。剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）に、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマ照射を施し、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれは発生しなかった。【０１２３】
なお、上記実施例１〜６で使用された薄板ガラス積層体Ａ１に関しては、上記の剥離試験において、シリコーン樹脂層と支持ガラス基板の間ではなく、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板（導電性金属酸化物膜付き薄板ガラス基板）との間で剥離が生じていた。この点から、シリコーン樹脂層と支持ガラス基板との間の密着力がシリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との間の密着力よりも大きい、言い換えると、シリコーン樹脂層と支持ガラス基板との間の剥離強度が、シリコーン樹脂層と薄板ガラス基板との間の剥離強度よりも高いことが確認された。【０１２４】
＜比較例１＞
実施例１で使用した導電性金属酸化物膜付き薄板ガラス基板の代わりに、縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃の薄板ガラス基板（旭硝子株式会社製ＡＮ１００）を使用した以外は、実施例１と同じ手順により、薄板ガラス積層体Ｃ１を得た。薄板ガラス積層体Ｃ１には、導電性金属酸化物膜が含まれていない。【０１２５】
なお、薄板ガラス基板のシリコーン樹脂と接触させる側の面は、純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。清浄化された薄板ガラス基板表面の水接触角は、８°であった。また、清浄化された薄板ガラス基板の表面粗さＲａは、０．４ｎｍであった。【０１２６】
次に、実施例１と同様の手順に従って、加熱処理を行った後、薄板ガラス積層体Ｃ１中の薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とを剥離した。【０１２７】
剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上には、樹脂層の一部が付着し、支持ガラス基板上の樹脂層の相当する部分に破損が確認された。樹脂層が付着した薄板ガラス基板に対して、常圧リモートプラズマ装置（積水化学社製）を用いてプラズマを照射したが、付着した樹脂は除去できずに残存した。剥離後の剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上の帯電電位は−１０．５ｋＶであった。その後、薄板ガラス基板のプラズマ照射を施した面に、偏光フィルム（日東電工社製、アクリル粘着系剤）を貼り付けすると、剥がれが発生した。【０１２８】
＜比較例２＞
縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃の薄板ガラス基板（旭硝子株式会社製ＡＮ１００）のシリコーン樹脂と接触させる側の面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（非加熱、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度５Ｗ／ｃｍ2）により、厚さ５０ｎｍの酸化クロム膜、および厚さ１００ｎｍの金属クロム膜を順次形成し、薄板ガラス基板（金属クロム膜付き薄板ガラス基板）を得た。金属クロム膜表面の水接触角は、２５°であった。また、金属クロム膜の表面粗さＲａは、２．５ｎｍであった。【０１２９】
実施例１と同様に、その手順に従って、薄板ガラス基板の金属クロム膜面と、支持ガラス基板のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより張り合わせ、薄板ガラス積層体Ｂ１を得た。【０１３０】
次に、実施例１と同様の手順に従って、加熱処理を行った後、薄板ガラス積層体Ｂ１中の薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とを剥離した。【０１３１】
比較例１と同様に、剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（金属クロム膜上）には、樹脂層の一部が付着し、支持ガラス基板上の樹脂層の相当する部分に破損が確認された。【０１３２】
＜比較例３＞
実施例１と同様に、支持ガラス基板の第１主面に厚さ２０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。次に、縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃の薄板ガラス基板（旭硝子株式会社製ＡＮ１００）を使用した以外は、実施例１と同じ手順により、薄板ガラス積層体Ｃ２を得た。なお、薄板ガラス基板のシリコーン樹脂と接触させる側の面は、純水洗浄して清浄化した。清浄化された薄板ガラス基板表面の水接触角は、３０°であった。また、清浄化された薄板ガラス基板の表面粗さＲａは、０．４ｎｍであった。なお、該比較例では、比較例１とは異なり、薄板ガラス基板にはＵＶ洗浄を行わなかった。【０１３３】
その後、実施例１と同様の手順に従って加熱処理を行った後、薄板ガラス積層体Ｃ２中の薄板ガラス基板と、樹脂層を有する支持ガラス基板とを剥離した。【０１３４】
比較例１と同様に、剥離された薄板ガラス基板の樹脂層と接触していた面上（導電性金属酸化物膜上）には、樹脂層の一部が付着し、支持ガラス基板上の樹脂層の相当する部分に破損が確認された。【０１３５】
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１０年１１月５日出願の日本特許出願２０１０−２４８２９４に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【０１３６】
１０    積層体
２０    基板
２２    導電性金属酸化物膜
２４    導電性金属酸化物膜付き基板
２０１  基板の第１主面
２０２  基板の第２主面
２２１  導電性金属酸化物膜の表面
３０    補強板
３１    支持板
３２    樹脂層
３２１  樹脂層の密着面
４０    支持板付き表示装置用パネル
５０    表示装置用パネルの構成部材
６０    表示装置用パネル
【図１】
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【図２】
2012060199.tif 000004
【国際調査報告】
2012060199.tif 000005
2012060199.tif 000006
2012060199.tif 000007
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