(57)【要約】  電磁波による局所加熱を適用してガラス基板と高熱伝導性基板との間を気密封止するにあたって、封着層の高熱伝導性基板に対する接着性やその信頼性を高めることを可能にした気密部材の製造方法を提供する。  封止領域に電磁波吸収能を有する封着材料層９を設けたガラス基板２と、封止領域にガラス層７を形成した高熱伝導性基板３とを、封着材料層９とガラス層７とを接触させつつ積層する。ガラス基板２を通して封着材料層９に電磁波を照射し、封着材料層を加熱、溶融してガラス層７に固着させることにより、ガラス基板２と熱伝導性基板３との間の間隙を気密に封止する封着層８を形成する。
2012117978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の封止領域と、前記第１の封止領域に形成され、電磁波吸収能を有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを備える第１の表面を有するガラス基板を用意する工程と、
前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域に形成されたガラス層とを備える第２の表面を有する高熱伝導性基板を用意する工程と、
前記第１の表面と前記第２の表面とを対向させ、かつ前記封着材料層と前記ガラス層とを接触させつつ、前記ガラス基板と前記高熱伝導性基板とを積層する工程と、
前記ガラス基板を通して前記封着材料層に電磁波を照射して局所的に加熱し、前記封着材料層を溶融して前記ガラス層に固着させることにより、前記ガラス基板と前記高熱伝導性基板との間の間隙を気密に封止する封着層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする気密部材の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス層は２０μｍ以上の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の気密部材の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス層の表面粗さは算術平均粗さＲａで０．８μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の気密部材の製造方法。
【請求項４】
前記封着材料層の幅をＷ１１、前記ガラス層の幅をＷ２としたとき、前記ガラス層の幅Ｗ２はＷ１１＜Ｗ２の条件を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の気密部材の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス層の幅Ｗ２は１．１Ｗ１１≦Ｗ２の条件を満足することを特徴とする請求項４に記載の気密部材の製造方法。
【請求項６】
前記封着材料層９の幅方向の両端部は、ガラス層７の幅方向の両端部の内側に位置するようにしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の気密部材の製造方法。
【請求項７】
前記高熱伝導性基板は、金属基板、セラミックス基板、又は半導体基板であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の気密部材の製造方法。
【請求項８】
前記封着用ガラス材料は、低融点ガラスからなる封着ガラスと、０．１〜４０体積％の電磁波吸収材と、０．１〜５０体積％の低膨張充填材とを含有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の気密部材の製造方法。
【請求項９】
前記電磁波としてレーザ光を、前記封着材料層に沿って走査しながら照射することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の気密部材の製造方法。
【請求項１０】
前記ガラス層と前記高熱伝導性基板との熱膨張係数の差［（ガラス層の熱膨張係数）−（高熱伝導性基板の熱膨張係数）］を、（−８０）〜（＋４０）（×１０−７／℃）の範囲とすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の気密部材の製造方法。
【請求項１１】
第１の封止領域と、前記第１の封止領域に電磁波吸収能を有する封着用ガラス材料により形成された封着材料層とを備える第１の表面を有するガラス基板と、
前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域に形成されたガラス層とを備える第２の表面を有し、前記第２の表面が前記第１の表面と対向するように、前記ガラス基板上に所定の間隙を持って配置された高熱伝導性基板と、
前記ガラス基板と前記高熱伝導性基板との間の間隙を気密封止するように、前記ガラス基板の前記封着材料層を溶融させて前記高熱伝導性基板の前記ガラス層に固着させてなる封着層とを具備し、
前記封着層の幅をＷ１２、前記ガラス層の幅をＷ２としたとき、前記ガラス層の幅Ｗ２はＷ１２＜Ｗ２の条件を満足することを特徴とする気密部材。
【請求項１２】
前記ガラス層は２０μｍ以上の厚さを有することを特徴とする請求項１１に記載の気密部材。
【請求項１３】
前記ガラス層の幅Ｗ２は１．１Ｗ１２≦Ｗ２の条件を満足することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の気密部材。
【請求項１４】
前記高熱伝導性基板は、金属基板、セラミックス基板、又は半導体基板であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の気密部材。
【請求項１５】
前記封着用層は、低融点ガラスからなる封着ガラスと、０．１〜４０体積％の電磁波吸収材と、０．１〜５０体積％の低膨張充填材とを含有する前記封着用ガラス材料の溶融固着層であることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の気密部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は気密部材とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子、圧電素子、フィルタ素子、センサ素子、撮像素子、有機ＥＬ素子、太陽電池素子等の電子素子を気密封止するパッケージには、例えば電子素子を形成もしくは実装するベース基板にガラス基板を使用すると共に、電子素子を気密封止するカバー基板に放熱性に優れる金属材料やセラミックス材料等からなる高熱伝導性基板を使用したパッケージ構造が適用されている。また、撮像素子等の受光素子や有機ＥＬ素子等の発光素子を気密封止するパッケージにおいては、ベース基板に高熱伝導性基板を使用すると共に、カバー基板に透明なガラス基板を使用したパッケージ構造等も適用されている。【０００３】
金属材料やセラミックス材料等からなる高熱伝導性基板とガラス基板との間を気密封止する封着材料としては、封着樹脂や封着ガラスが用いられている。封着樹脂は封着ガラスに比べて耐湿性や耐候性等に劣るため、電子素子の気密封止性等の高める必要があるような用途では、耐湿性等に優れる封着ガラスが適用されている。特許文献１には、低融点ガラスからなる封着材料を用いて、ガラス基板等からなるベース基板と金属製の蓋体とを封着することが記載されている。ここでは、低融点ガラスからなる封着材料層にガラス基板を介してレーザ光等を照射し、封着材料層を局所的に加熱して溶融させることによって、ベース基板と金属製蓋体とを封着材料の溶融固着層（封着層）を介して封着している。【０００４】
ガラス基板と高熱伝導性基板との間の気密封止にレーザ光等による局所加熱を適用した場合、金属基板やセラミックス基板等の高熱伝導性基板はガラス基板に比べて熱伝導率が高いため、低融点ガラスを含む封着材料層にレーザ光等を照射した際に生じる熱が高熱伝導性基板側に逃げるので、封着材料層を高熱伝導性基板に良好に接着することができない。また、封着材料層の溶融固着層（封着層）と高熱伝導性基板とを接着することができたとしても、封着材料層の主成分である低融点ガラスと高熱伝導性基板との熱伝導差に基づく熱膨張によりガラス基板や封着層に加わる応力が大きくなる。ガラス基板や封着層に加わる応力は、封着層やガラス基板にクラックや割れ等を生じさせたり、またガラス基板と高熱伝導性基板との封着部の強度や信頼性を低下させる要因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本特開２００３−０４６０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、レーザ光等による局所加熱を適用してガラス基板と高熱伝導性基板との間を気密封止するにあたって、封着用ガラス材料の溶融固着層である封着層の高熱伝導性基板に対する接着性やその信頼性を高めることを可能にした気密部材の製造方法、並びにそのような製造方法を適用した気密部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の気密部材の製造方法は、第１の封止領域と、前記第１の封止領域に形成され、電磁波吸収能を有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを備える第１の表面を有するガラス基板を用意する工程（工程Ａともいう。）と、前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域に形成されたガラス層とを備える第２の表面を有する高熱伝導性基板を用意する工程（工程Ｂともいう。）と、前記第１の表面と前記第２の表面とを対向させ、かつ前記封着材料層と前記ガラス層とを接触させつつ、前記ガラス基板と前記高熱伝導性基板とを積層する工程と（工程Ｃともいう。）、前記ガラス基板を通して前記封着材料層に電磁波を照射して局所的に加熱し、前記封着材料層を溶融して前記ガラス層に固着させることにより、前記ガラス基板と前記熱伝導性基板との間の間隙を気密に封止する封着層を形成する工程（工程Ｄともいう。）とを具備することを特徴としている。
上記した本発明の気密部材の製造方法において、工程Ａと工程Ｂとは、その順を問わないものであり、どちらが先でも、同時並行に進めてもよい。工程Ｃにおいては、工程Ａおよび工程Ｂにより得られたガラス基板と高熱伝導性基板とを積層し、工程Ｄは工程Ｃに続いて行なわれる。【０００８】
本発明の気密部材は、第１の封止領域を備える第１の表面を有するガラス基板と、前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域に形成されたガラス層とを備える第２の表面を有し、前記第２の表面が前記第１の表面と対向するように、前記ガラス基板上に所定の間隙を持って配置された高熱伝導性基板と、前記ガラス基板と前記高熱伝導性基板との間の間隙を気密封止するように、前記ガラス基板の前記第１の封止領域と前記ガラス層との間に形成され、電磁波吸収能を有する封着用ガラス材料の溶融固着層からなる封着層とを具備し、前記封着層の幅をＷ１２、前記ガラス層の幅をＷ２としたとき、前記ガラス層の幅Ｗ２はＷ１２＜Ｗ２の条件を満足することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の気密部材とその製造方法によれば、電磁波による局所加熱を適用してガラス基板と高熱伝導性基板との間を気密封止する際に、封着層の高熱伝導性基板に対する接着性やその信頼性を高めることができる。従って、ガラス基板と高熱伝導性基板との間の気密封止した気密部材を再現性並びに信頼性よく提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態による気密部材を示す断面図である。
【図２】図１に示す気密部材の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態による気密部材の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に示す気密部材の製造工程で使用するガラス基板を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図６】図３に示す気密部材の製造工程で使用する高熱伝導性基板を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態による気密部材の構成を示す図、図２は図１に示す気密部材の一部を拡大して示す図である。図３は本発明の実施形態による気密部材の製造工程を示す図、図４及び図５は気密部材の製造工程で使用するガラス基板の構成を示す図、図６及び図７は気密部材の製造工程で使用する高熱伝導性基板の構成を示す図である。
【００１２】
図１に示す気密部材１は、ガラス基板２と高熱伝導性基板３とを具備している。ガラス基板２の構成材料は特に限定されるものではなく、例えば各種公知の組成を有するソーダライムガラス、無アルカリガラス、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス等を適用することが可能である。これらのガラス基板２は、例えば０．５〜１Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率を有する。また、ソーダライムガラスは８０〜９０（×１０−７／℃）程度の熱膨張係数を有し、無アルカリガラスは３５〜４０（×１０−７／℃）程度の熱膨張係数を有している。
上記した数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用され、特段の定めがない限り、以下本明細書において「〜」は、同様の意味をもって使用される。
【００１３】
高熱伝導性基板３としては、例えば金属基板、セラミックス基板、半導体基板等が挙げられる。高熱伝導性基板３は、熱伝導率が少なくともガラス基板２より高い基板であり、特に２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する基板であることが好ましい。高熱伝導性基板３には、気密部材１の用途等に応じて各種の金属基板を適用することができ、例えばアルミニウム、銅、鉄、ニッケル、クロム、亜鉛等の単体金属やこれらのいずれか１種以上を含む組み合わせよりなる合金からなる基板が例示される。セラミックス基板や半導体基板も同様であり、特に構成材料に限定されるものではない。例えば、セラミックス基板としてはアルミナ焼結体、窒化ケイ素焼結体、窒化アルミニウム焼結体、炭化ケイ素焼結体、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）等からなる基板が例示され、また半導体基板としてはシリコン基板等が例示される。
本発明の気密部材の製造方法及びその製造方法においては、ガラス基板２として、特に０．５〜１Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有し、一方、高熱伝導性基板３として、熱伝導率がガラス基板２より高い基板であって、特に１．２〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する態様の気密部材に対して最適である。
【００１４】
ガラス基板２の表面２ａの外周領域には、図４に示すように、枠状の第１の封止領域４が設けられている。高熱伝導性基板３の表面３ａの外周領域には、図６に示すように、第１の封止領域４に対応する枠状の第２の封止領域５が設けられている。上記した枠状の第１の封止領域４と枠状の第２の封止領域５とは、ガラス基板２と高熱伝導性基板３の外周領域において全周に渡り形成されるのが好ましい。ガラス基板２と高熱伝導性基板３とは、第１の封止領域４を有する表面２ａと第２の封止領域５を有する表面３ａとが対向するように、所定の間隔を持って配置されている。ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隔は、気密部材１の用途等に応じて適宜に設定されものであるが、例えば１０〜２００μｍ程度の間隔を設けることができる。
【００１５】
ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙は、封着部６により封止されている。すなわち、封着部６はガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙を気密封止するように、ガラス基板２の封止領域４と高熱伝導性基板３の封止領域５との間に形成されている。封着部６は、高熱伝導性基板３の封止領域５に予め設けられたガラス層７と、ガラス基板２の封止領域４に予め設けられた封着層８とで、層状に構成されている。封着層８は、後に詳述する封着用ガラス材料の溶融固着層からなり、ガラス基板２に対しては第１の封止領域４と直接接着（すなわち、固着）しており、また高熱伝導性基板３に対しては第２の封止領域５に予め設けられたガラス層７と接着（すなわち、固着）している。
【００１６】
封着層８は、図３から図５に示すようにガラス基板２の封止領域４に形成された封着材料層９に、レーザ光や赤外線等の電磁波を照射して局所的に加熱させ、これにより封着材料層９を溶融させてガラス基板２の封止領域４及びガラス層７に固着させた溶融固着層からなる。封着層８は、ガラス基板２上に設けられた封着材料層９（図４及び図５参照）と高熱伝導性基板３上に形成されたガラス層７（図６及び図７参照）とが接するように、ガラス基板２と高熱伝導性基板３とを積層した後、封着材料層９にガラス基板２を通してレーザ光や赤外線等の電磁波を照射することにより形成されるものである。
【００１７】
ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙をレーザ光や赤外線等の電磁波による局所加熱を適用して気密封止するにあたって、封着材料層９が高熱伝導性基板３と接していると、電磁波の照射時に封着材料層９に生じた熱が高熱伝導性基板３に直接的に伝わることになる。このため、封着材料層９を高熱伝導性基板３に良好に接着することができない。また、封着材料層９と高熱伝導性基板３との熱伝導差に基づく熱膨張によりガラス基板２や封着層８に加わる応力が大きくなり、ガラス基板２や封着層８にクラックや割れ等を生じやすくなる。これは封着部の強度や信頼性を低下させる原因となる。
【００１８】
そこで、この実施形態の気密部材１においては、高熱伝導性基板３の封止領域５に予めガラス層７を形成しておき、封着材料層９の高熱伝導性基板３側の端部をガラス層７と接触させている。そして、図２に示すように、封着材料層９の幅方向の両端部は、ガラス層７の幅方向の両端部の内側に位置するようにするのが好ましい。これによって、電磁波の照射時に封着材料層９に生じた熱は高熱伝導性基板３に直接伝わることなく、封着材料層９と同程度の熱伝導率を有するガラス層７で遮られる。このため、電磁波の照射時に封着材料層９を良好に加熱、溶融させることができる。従って、封着材料層９の溶融固着層からなる封着層８と高熱伝導性基板３の封止領域５に形成されたガラス層７とを良好に接着することが可能となる。
【００１９】
また、この実施形態の気密部材１においては、高熱伝導性基板３と封着材料層９（もしくは封着層８）との間に、ガラス基板２や封着材料層９（もしくは封着層８）と同程度の熱伝導率を有するガラス層７を形成しているため、ガラス基板２や封着材料層９（もしくは封着層８）と高熱伝導性基板３との間の熱伝導差を小さくすることができる。これによって、ガラス基板２と高熱伝導性基板３との熱伝導性等に起因して、ガラス基板２に比べて高熱伝導性基板３側が過度に熱膨張することによって、ガラス基板２や封着層８に生じる応力を低減することができる。従って、ガラス基板２や封着層８のクラックや割れ等を抑制することが可能となる。
【００２０】
このように、ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙（気密空間）を電磁波による局所加熱を適用して気密封止するにあたって、高熱伝導性基板３の封止領域５に予めガラス層７を形成しておくことによって、ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙をガラス層７と封着層８とで構成された封着部６で再現性よく気密封止することが可能となる。さらに、電磁波による封着時にガラス基板２と高熱伝導性基板３との熱伝導差とそれに基づく熱膨張により生じるガラス基板２や封着層８のクラックや割れ等を抑制することができる。従って、ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙を気密封止した気密部材の生産性を高めると共に、気密封止性やその信頼性を向上させることが可能となる。
【００２１】
上述したガラス層７による高熱伝導性基板３への伝熱を抑制する効果を得る上で、ガラス層７は２０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。ガラス層７の厚さが薄すぎると、高熱伝導性基板３への伝熱を十分に抑制することができないおそれがある。ガラス層７の厚さは２５μｍ以上であることがより好ましい。また、ガラス層７の幅（すなわち、枠状の封止領域５の線幅に対応する幅）Ｗ２は、封着層８の線幅Ｗ１２（及び後述する封着材料層９の線幅Ｗ11）より広いことが好ましい。これによって、高熱伝導性基板３への伝熱を抑制する効果を高めることが可能となる。
【００２２】
ガラス層７の線幅Ｗ２は、封着層８の線幅Ｗ１２の１．１倍以上（１．１Ｗ１２≦Ｗ２）であることがより好ましい。また、ガラス層７の線幅Ｗ２は、後述する封着材料層９の線幅Ｗ１１の１．１倍以上（１．１Ｗ１１≦Ｗ２）であることがより好ましい。また、ガラス層７の幅方向の中央線からの線幅をＷ２／２とし、封着層８（封着材料層９）の幅方向の中央線からの線幅をＷ１／２としたとき、（Ｗ２／２）＞（Ｗ１／２）とし、封着層８（封着材料層９）の幅方向の両端がガラス層の幅方向の内側に位置するようにするのが好ましい。これによって、高熱伝導性基板３への伝熱の抑制効果をより一層高めることができる。ここで、ガラス層７の線幅Ｗ２の上限値は特に限定されるものではなく、場合によっては高熱伝導性基板３の表面３ａ全体に形成してもよい。ただし、ガラス層７による伝熱抑制効果のみを期待する場合には、ガラス層７の線幅Ｗ２をあまり広くしても、それ以上の効果が期待できないだけでなく、製造コスト等を上昇させる要因となる。このような場合には、ガラス層７の線幅Ｗ２は、封着層８の線幅Ｗ１２（及び後述する封着材料層９の線幅Ｗ１１）の５倍以下（Ｗ２≦５Ｗ１２）とすることが好ましい。また、ガラス層７の線幅Ｗ２は、後述する封着材料層９の線幅Ｗ１１の５倍以下（Ｗ２≦５Ｗ１１）とすることが好ましい。
【００２３】
図１に示す気密部材１において、ガラス基板２と高熱伝導性基板３と封止部６とで気密封止される空間、すなわち気密空間１０には、例えば水晶振動子、圧電素子、フィルタ素子、センサ素子、撮像素子、有機ＥＬ素子、太陽電池素子等の電子素子、あるいは反射鏡を構成する反射膜等が配置される。気密空間１０に電子素子を配置した場合、気密部材１は電子素子の気密パッケージとして機能するものであり、全体的には電子デバイスを構成するものである。また、ガラス基板２の表面２ａに銀膜等の反射膜を形成して、これを気密空間１０に配置した場合、気密部材１は反射膜の気密パッケージとして機能するものであり、全体的には反射鏡を構成するものである。なお、気密部材１は各種部材の気密パッケージに限られるものではなく、気密空間１０を有する複層部品として使用してもよい。
【００２４】
気密部材１を電子素子の気密パッケージとして使用する場合において、電子素子はそれ自体の構造や特性等に応じて、ガラス基板２及び高熱伝導性基板３の少なくとも一方に設けられる。例えば、有機ＥＬ素子は発光面がガラス基板２側となるように高熱伝導性基板３上に形成される。また、太陽電池素子は受光面がガラス基板２側となるように、ガラス基板２又は高熱伝導性基板３上に形成される。太陽電池素子の構造によっては、ガラス基板２及び高熱伝導性基板３上にそれぞれ素子膜等が形成される。気密部材１内に配置される電子素子の構造は特に限定されるものではなく、各種公知の構造が適用される。
【００２５】
次に、実施形態の気密部材１の製造工程について、図３を参照して説明する。まず、封着材料層９の形成材料となる封着用ガラス材料を用意する。封着用ガラス材料は、低融点ガラスからなる封着ガラス（すなわち、ガラスフリット）に、電磁波吸収材（すなわち、レーザ光や赤外線等の電磁波を吸収して発熱する材料）及び低膨張充填材のような充填材を添加したものである。封着ガラス自体が電磁波吸収能を有する場合には、電磁波吸収材の添加を省略することができる。封着用ガラス材料はこれら以外の添加材を必要に応じて含有していてもよい。
【００２６】
封着ガラス（ガラスフリット）としては、例えば、錫−リン酸系ガラス、ビスマス系ガラス、バナジウム系ガラス、鉛系ガラス、ホウ酸亜鉛アルカリガラス等の低融点ガラスが用いられる。これらのうち、ガラス基板２やガラス層７に対する接着性やその信頼性（接着信頼性や気密封止性）、さらには環境や人体に対する影響等を考慮して、錫−リン酸系ガラスやビスマス系ガラスからなる封着ガラスを使用することが好ましい。
【００２７】
錫−リン酸系ガラス（ガラスフリット）は、下記酸化物換算のモル％表示で、５５〜６８モル％のＳｎＯ、０．５〜５モル％のＳｎＯ2、及び２０〜４０モル％のＰ2Ｏ5（基本的には合計量を１００モル％とする）の組成を有することが好ましい。ＳｎＯはガラスを低融点化させるための成分である。ＳｎＯの含有量が５５モル％未満であるとガラスの粘性が高くなって封着温度が高くなりすぎ、６８モル％を超えるとガラス化しなくなる。
【００２８】
ＳｎＯ2はガラスを安定化するための成分である。ＳｎＯ2の含有量が０．５モル％未満であると封着作業時に軟化溶融したガラス中にＳｎＯ2が分離、析出し、流動性が損なわれて封着作業性が低下する。ＳｎＯ2の含有量が５モル％を超えると低融点ガラスの溶融中からＳｎＯ2が析出しやすくなる。Ｐ2Ｏ5はガラスの網目を形成するための成分である。Ｐ2Ｏ5の含有量が２０モル％未満であるとガラス化せず、その含有量が４０モル％を超えるとリン酸塩ガラス特有の欠点である耐候性の悪化を引き起こすおそれがある。
【００２９】
ここで、ガラスフリット中のＳｎＯ及びＳｎＯ2の割合（モル％）は以下のようにして求めることができる。まず、ガラスフリット（低融点ガラス粉末）を酸分解した後、ＩＣＰ発光分光分析によりガラスフリット中に含有されているＳｎ原子の総量を測定する。次に、Ｓｎ2+（ＳｎＯ）は酸分解したものをヨウ素滴定法により求められるので、そこで求められたＳｎ2+の量をＳｎ原子の総量から減じてＳｎ4+（ＳｎＯ2）を求める。
【００３０】
上記した３成分で形成されるガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、ＳｉＯ2等のガラスの網目を形成する成分やＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等のガラスを安定化させる成分等を任意成分として含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は３０モル％以下とすることが好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には１００モル％となるように調整される。
【００３１】
ビスマス系ガラス（ガスフリット）は、下記酸化物換算の質量％表示で、７０〜９０質量％のＢｉ2Ｏ3、１〜２０質量％のＺｎＯ、及び２〜１２質量％のＢ2Ｏ3（基本的には合計量を１００質量％とする）の組成を有することが好ましい。Ｂｉ2Ｏ3はガラスの網目を形成する成分である。Ｂｉ2Ｏ3の含有量が７０質量％未満であると低融点ガラスの軟化点が高くなり、低温での封着が困難になる。Ｂｉ2Ｏ3の含有量が９０質量％を超えるとガラス化しにくくなると共に、熱膨張係数が高くなりすぎる傾向がある。
【００３２】
ＺｎＯは熱膨張係数等を下げる成分である。ＺｎＯの含有量が１質量％未満であるとガラス化が困難になる。ＺｎＯの含有量が２０質量％を超えると低融点ガラス成形時の安定性が低下し、失透が発生しやすくなる。Ｂ2Ｏ3はガラスの網目を形成してガラス化が可能となる範囲を広げる成分である。Ｂ2Ｏ3の含有量が２質量％未満であるとガラス化が困難となり、１２質量％を超えると軟化点が高くなりすぎて、封着時に荷重をかけたとしても低温で封着することが困難となる。
【００３３】
上記した３成分で形成されるガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、Ａｌ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＳｉＯ2、Ａｇ2Ｏ、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｇａ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＷＯ3、Ｐ2Ｏ5、ＳｎＯx（ｘは１又は２である）等の任意成分を含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は３０質量％以下とすることが好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には１００質量％となるように調整される。
【００３４】
低膨張充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、コージェライト、リン酸ジルコニウム系化合物、ソーダライムガラス、及び硼珪酸ガラスからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。リン酸ジルコニウム系化合物としては、（ＺｒＯ）2Ｐ2Ｏ7、ＮａＺｒ2（ＰＯ4）3、ＫＺｒ2（ＰＯ4）3、Ｃａ0.5Ｚｒ2（ＰＯ4）3、ＮｂＺｒ（ＰＯ4）3、Ｚｒ2（ＷＯ3）（ＰＯ4）2、又はこれらの複合化合物が挙げられる。低膨張充填材とは封着ガラスより低い熱膨張係数を有するものである。低膨張充填材の含有量は、封着ガラスの熱膨張係数がガラス基板２のそれに近づくように適宜に設定される。低膨張充填材は封着ガラスやガラス基板２の熱膨張係数にもよるが、封着用ガラス材料に対して０．１〜５０体積％の範囲で含有させることが好ましい。
【００３５】
電磁波吸収材としては、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＣｕから選ばれる少なくとも１種の金属（合金も含む）、又は前記金属の少なくとも１種の金属を含む酸化物、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｕＯ等の化合物の少なくとも１種が用いられる。これら以外の顔料であってもよい。電磁波吸収材の含有量は、封着用ガラス材料に対して０．１〜４０体積％の範囲とすることが好ましい。電磁波吸収材の含有量が０．１体積％未満であると封着材料層９を十分に溶融させることができないおそれがある。電磁波吸収材の含有量が４０体積％を超えるとガラス層７との界面近傍で局所的に発熱するおそれがあり、また封着用ガラス材料の溶融時の流動性が劣化してガラス層７との接着性が低下するおそれがある。
【００３６】
次に、上記した封着用ガラス材料をそれぞれビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製する。ビヒクルは、バインダ成分である樹脂を溶剤に溶解したものである。ビヒクル用の樹脂としては、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート等のアクリル系モノマーの１種以上を重合して得られるアクリル系樹脂等の有機樹脂が用いられる。溶剤としては、セルロース系樹脂の場合はターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の溶剤が、アクリル系樹脂の場合はメチルエチルケトン、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の溶剤が用いられる。
【００３７】
封着材料ペーストの粘度は、ガラス基板２に塗布する装置に対応した粘度に合わせればよく、樹脂（すなわち、バインダ成分）と溶剤の割合や封着用ガラス材料の成分とビヒクルの割合により調整することができる。封着材料ペーストには、消泡剤や分散剤のようにガラスペーストで公知の添加物を加えてもよい。封着材料ペーストの調製には、撹拌翼を備えた回転式の混合機やロールミル、ボールミル等を用いた公知の方法を適用することができる。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、封着材料ペーストをガラス基板２の封止領域４に塗布し、これを乾燥させて封着材料ペーストの塗布層を形成する。封着材料ペーストは、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を適用して封止領域４に塗布したり、あるいはディスペンサ等を用いて封止領域４に沿って塗布する。封着材料ペーストの塗布層は、例えば１２０℃以上の温度で１０分以上乾燥させることが好ましい。乾燥工程は塗布層内の溶剤を除去するために実施するものである。塗布層内に溶剤が残留していると、焼成工程でバインダ成分を十分に除去できないおそれがある。
【００３９】
次いで、封着材料ペーストの塗布層を焼成して封着材料層９を形成する。焼成工程は、塗布層を封着ガラス（ガラスフリット）のガラス転移点以下の温度に加熱し、塗布層内のバインダ成分等を除去した後、封着ガラス（ガラスフリット）の軟化点以上の温度に加熱し、封着用ガラス材料を溶融してガラス基板３に焼き付ける。このようにして、ガラス基板２の封止領域４に封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層９を形成する。
前記封着材料層と前記ガラス基板との熱膨張係数の差［（封着材料層の熱膨張係数）−（ガラス基板の熱膨張係数）］は、（−３０）〜（＋７０）（×１０−７／℃）の範囲となるようにするのが、大きな反りやクラック等を抑制する面から好ましい。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、高熱伝導性基板３の封止領域５にガラス層７を形成する。ガラス層７の形成用のガラス材料としては、上述した封着ガラスを用いてもよいし、それ以外のガラスフリットを用いてもよい。このようなガラスフリットとしては、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＥＯ（ＲＥ：アルカリ土類金属、ＲＥＯ：アルカリ土類金属酸化物）系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＰｂＯ系、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＲＥＯ系、ＳｉＯ2−ＲＥＯ系、ＳｉＯ2−ＰｂＯ系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ（Ｒ：アルカリ金属）系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系、Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂｉ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｒ2Ｏ系、Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系等が挙げられる。
【００４１】
ガラス層７は、焼成時における高熱伝導性基板３の大きな反りやクラック等を抑制する上で、高熱伝導性基板３と熱膨張係数が近似していることが好ましい。ガラス層７と高熱伝導性基板３との熱膨張係数の差、すなわち［（ガラス層７の熱膨張係数）−（高熱伝導性基板３の熱膨張係数）］は、ガラス層７の厚さにもよるが、ガラス層７の厚さが２０μｍ〜５０μｍの範囲において、（−８０）〜（＋４０）（×１０−７／℃）の範囲であることが好ましく、（−６０）〜（＋１５）（×１０−７／℃）の範囲であることがより好ましい。例えば、ガラス層７の厚さが２０μｍの場合、熱膨張差は（−８０）〜（＋４０）（×１０−７／℃）の範囲であることが好ましく、ガラス層７の厚さが２５μｍの場合、（−７０）〜（＋３０）（×１０−７／℃）の範囲であることが好ましい。ガラス層７の厚さが薄い場合には、熱膨張差が大きくても反り等を抑制できることがある。高熱伝導性基板３として金属基板を使う場合、熱膨張係数はガラス層７の方が高熱伝導性基板３より低い値となる場合が多い。高熱伝導性基板３としてアルミナ等のセラミックス基板を使う場合、熱膨張係数はガラス層７と高熱伝導性基板３とが同等、あるいはガラス層７の方が高熱伝導性基板３より高い値となる場合が多い。本明細書において、ガラス基板、高熱伝導性基板、封着材料層、封着層、ガラス層の各熱膨張係数は、５０〜２５０℃の範囲における平均熱膨張係数を示し、単に熱膨張係数（５０〜２５０℃）とも表記する。
高熱伝導基板はガラス基板に比べ一般的に熱膨張係数が高い。熱膨張マッチングの観点から、封着材料層９とガラス層７の熱膨張係数の関係は、［封着材料層９の熱膨張係数］＜［ガラス層７の熱膨張係数］となることが好ましい。
【００４２】
ガラス層７は電磁波吸収材を含有していてもよい。これによって、封着層８との接着性が向上する。ただし、ガラスペーストが電磁波吸収材のような充填材を含有していると、ガラス層７の表面平滑性が低下するおそれがある。ガラス層７の表面平滑性は、後述するように封着層８との密着性に影響するため、このような点からは電磁波吸収材のような充填材を含有しないことが好ましい。これらの点を総合的に考慮して、充填材の添加の有無を決めることが好ましい。
【００４３】
ガラス層７の形成用のガラス材料としては、上述したガラスフリットを、封着材料ペーストの作製工程と同様にビヒクルと混合してガラスペーストを調製する。ガラスペーストには、熱膨張係数を調整するための充填材を添加してもよい。このようなガラスペーストを高熱伝導性基板３の封止領域５に塗布し、これを乾燥させてガラスペーストの塗布層を形成する。ガラスペーストの塗布は、封着材料ペーストの塗布工程と同様にして実施する。また、塗布後に乾燥工程を実施することが好ましい。次いで、ガラスペーストの塗布層をガラスフリットのガラス転移点以下の温度に加熱し、塗布層内のバインダ成分を除去した後、ガラスフリットの軟化点以上の温度に加熱し、ガラスフリットを溶融して高熱伝導性基板３に焼き付ける。このようにして、高熱伝導性基板３の封止領域５にガラスフリットの焼成層からなるガラス層７を形成する。
【００４４】
高熱伝導性基板３がアルミナ基板等の耐熱性を有するセラミックス基板である場合には、ガラスペーストの塗布層を焼き付ける際の焼成温度を高く設定することができる。例えば、アルミナ基板を使用した場合には、１０００℃付近の温度で焼成することができる。このため、高融点のガラスフリットを使用することができる。一方、高熱伝導性基板３が金属基板である場合には、焼成時の反りを抑制するために、比較的低温で焼成することが好ましい。このため、ガラスフリットの軟化点は低い方が好ましい。具体的には、ガラスフリットの軟化点は６００℃以下が好ましく、さらに４００℃以下がより好ましい。
【００４５】
ガラス層７は、前述したように２０μｍ以上の厚さを有することが好ましい。また、ガラス層７の線幅Ｗ２は、封着材料層９の線幅Ｗ１１より広いこと（すなわち、Ｗ１１＜Ｗ２であること）が好ましく、さらに封着材料層９の線幅Ｗ１１の１．１倍以上であること（すなわち、１．１Ｗ１１≦Ｗ２であること）がより好ましい。これらによって、電磁波を封着材料層９に照射した際に、封着材料層９に生じた熱が高熱伝導性基板３に伝わることを効果的に抑制することができる。
【００４６】
また、ガラス層７は封着層８との密着性を高める上で、表面が平滑であることが好ましい。ガラス層７の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．８μｍ以下であることが好ましい。ガラス層７の表面を平滑化する上で、ガラスペーストの塗布を複数回に分けて実施したり、またガラスペーストの塗布後にレベリング処理を実施することが好ましい。レベリング処理は、例えば乾燥工程の前にガラスペーストの塗布膜を所定時間放置することにより実施する。ガラスペーストの塗布を複数回に分けて実施することによって、比較的厚いガラス層７を安定的に形成しつつ、表面を平滑化することができる。
【００４７】
次に、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板２と高熱伝導性基板３とを、それらの表面２ａ、３ａ同士が対向するように封着材料層９を介して積層する。封着材料層９はガラス層７と接触するように配置される。次いで、図３（ｄ）に示すように、ガラス基板２の上方からガラス基板２を通して封着材料層９にレーザ光や赤外線等の電磁波１１を照射する。電磁波１１としてレーザ光を使用する場合、レーザ光は枠状の封着材料層９に沿って走査しながら照射される。レーザ光は特に限定されず、半導体レーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＨｅＮｅレーザ等からのレーザ光が使用される。電磁波１１として赤外線を使用する場合には、例えば封着材料層９の形成部位以外を赤外線反射膜等でマスキングすることによって、封着材料層９に赤外線を選択的に照射することが好ましい。
【００４８】
電磁波１１としてレーザ光を使用した場合、封着材料層９は、封着材料層９に沿って走査されるレーザ光が照射された部分から順に溶融し、レーザ光の照射終了と共に急冷固化されてガラス層７に固着する。電磁波１１として赤外線を使用した場合、封着材料層９は赤外線の照射に基づいて局所的に加熱されて溶融し、赤外線の照射終了と共に急冷固化されて高熱伝導性基板３に固着する。このようにして、図３（ｅ）に示すようにガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙（すなわち、気密空間１０）を気密封止する封着層８が封止領域の全周に渡って形成される。
【００４９】
この実施形態の気密部材１とその製造工程によれば、ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙（すなわち、気密空間１０）を、ガラス層７と封着層８とで構成した封着部６で良好に気密封止することができる。さらに、電磁波１１の照射時におけるガラス基板２と高熱伝導性基板３との熱伝導差が抑制されるため、この熱伝導差に基づく熱膨張と応力によるガラス基板２や封着層８のクラックや割れ等を抑制することができる。これらによって、ガラス基板２と高熱伝導性基板３との間の間隙を気密封止した気密部材の生産性を高めると共に、気密封止性やその信頼性を向上させることが可能となる。
【実施例】
【００５０】
次に、本発明の具体的な実施例及びその評価結果について述べる。なお、以下の説明は本発明を限定するものではく、本発明の趣旨に沿った形での改変が可能である。【００５１】
（実施例１）
まず、酸化物換算表示で、Ｂｉ2Ｏ3    ８３質量％、Ｂ2Ｏ3    ５質量％、ＺｎＯ  １１質量％、Ａｌ2Ｏ3    １質量％の組成を有し、平均粒径（Ｄ５０）が１．０μｍのビスマス系ガラスフリット（軟化点：４１０℃）と、低膨張充填材として平均粒径（Ｄ５０）が０．９μｍのコージェライト粉末と、Ｆｅ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＭｎＯ−ＣｕＯ組成を有し、平均粒径（Ｄ５０）が０．８μｍのレーザ吸収材とを用意した。平均粒径は、レーザ回折・散乱式粒子径測定装置（日機装社製：マイクロトラックＨＲＡ）を用いて測定した。【００５２】
上述したビスマス系ガラスフリット６７．０体積％とコージェライト粉末１９．１体積％とレーザ吸収材１３．９体積％とを混合して封着材料層用の封着用ガラス材料（以下、これを低融点ガラス材料１と記す）を作製した。次いで、この封着用ガラス材料８０質量％をビヒクル２０質量％と混合して封着材料ペーストを調製した。ビヒクルはバインダ成分としてのエチルセルロース（２．５質量％）をターピネオールからなる溶剤（９７．５質量％）に溶解したものである。【００５３】
次に、無アルカリガラス（熱膨張係数（５０〜２５０℃）：３８×１０−７／℃、熱伝導率：０．７Ｗ／ｍ・Ｋ）からなるガラス基板（寸法：外形１００×１００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）を用意し、このガラス基板の封止領域の全周に封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布した。その後、ガラス基板を焼成炉内に入れ、１２０℃×１０分の条件で乾燥させた。次いで、焼成炉内の雰囲気温度を昇温して、この封着材料ペーストの塗布層を４８０℃×１０分の条件で焼成することによって、線幅が０．７５ｍｍ、膜厚が１０μｍの封着材料層をガラス基板に形成した。封着材料層の熱膨張係数（５０〜２５０℃）は７２×１０−７／℃、熱伝導率は０．９Ｗ／ｍ・Ｋである。【００５４】
上述したビスマス系ガラスフリット  ７７．８体積％とコージェライト粉末  ２２．２体積％とを混合してガラス層用の低融点ガラス材料（以下、これを低融点ガラス材料２と記す）を作製した。低融点ガラス材料  ８０質量％をビヒクル  ２０質量％と混合してガラス材料ペーストを調製した。次いで、高熱伝導性基板としてガラス基板と同形状のアルミナ基板（熱膨張係数（５０〜２５０℃）：７７×１０−７／℃、熱伝導率：３０Ｗ／ｍ・Ｋ）を用意した。上記ガラス材料ペーストを用いて、アルミナ基板の封止領域の全周にガラス層を形成した。【００５５】
ガラス層は以下のようにして形成した。まず、ガラス材料ペーストをアルミナ基板の封止領域に２５０メッシュのスクリーン（表１及び表２において、印刷に用いたこのスクリーンを＃２５０と表記する）を用いて印刷した後、２５℃×１０分の条件でレベリングし、さらに１２０℃×１０分の条件で乾燥させた。次いで、ガラス材料ペーストの塗布層上にガラス材料ペーストを２５０メッシュのスクリーンを用いて再度印刷した後、２５℃×１０分の条件でレベリングし、さらに１２０℃×１０分の条件で乾燥させた。この後、ガラス材料ペーストを二度塗りした塗布層を４９０℃×１０分の条件で焼成することによって、線幅が１ｍｍ、膜厚が３０μｍ、表面粗さＲａが０．５μｍのガラス層を形成した。ガラス層の熱膨張係数（５０〜２５０℃）は７２×１０−７／℃、熱伝導率は０．９Ｗ／ｍ・Ｋである。なお、ガラス材料のペーストの乾燥と塗布層との焼成は、焼成炉で行った。【００５６】
上述した封着材料層を有するガラス基板とガラス層を有するアルミナ基板とを、封着材料層とガラス層とが接するように積層した。次いで、ガラス基板の上方より、ガラス基板を通して封着材料層に対して、波長９４０ｎｍ、出力５２Ｗのレーザ光（半導体レーザ）を１０ｍｍ／秒の走査速度で照射して加熱することによって、封着層を形成した。レーザ照射時の封着材料層の加熱温度（放射温度計で測定）は６２０℃であった。【００５７】
レーザ封着後にガラス基板や封着層の状態の外観を観察したところ、封着層はガラス層に良好に接着しており、剥がれの発生等は認められなかった。また、ガラス基板や封着層にクラックや割れ等の発生も認められなかった。ガラス基板とアルミナ基板との間の間隙を封着部で封止した気密部材の気密性をヘリウム・リークテストで評価したところ、良好な気密性が得られていることが確認された。【００５８】
（実施例２〜７）
表１及び表２に示す封着用ガラス材料、ガラス層を形成するためのガラス材料、高熱伝導性基板を使用し、表１に示すガラス層の製造条件とレーザ照射条件とを適用する以外は、実施例１と同様にして気密部材を作製した。これら気密部材の外観検査と気密性試験を実施例１と同様にして実施した。それらの結果を表１に併せて示す。【００５９】
表１において、ガラス層形成用のガラス材料３はＳｉＯ2    ５５質量％、Ｂ2Ｏ3    ３質量％、ＣａＯ  １１質量％、ＳｒＯ  １８質量％、ＢａＯ  １０．５質量％、Ｎａ2Ｏ  ０．５質量％、ＺｒＯ2    ２質量％の組成を有するガラスフリットからなり、他の充填材を含有しないものである。また、ガラス層形成用のガラス材料４は、ＳｉＯ2    ２７質量％、Ｂ2Ｏ3    ９質量％、ＰｂＯ  ６４質量％の組成を有するガラスフリットからなり、他の充填材を含有しないものである。【００６０】
（比較例１〜３）
表２に示す高熱伝導性基板にガラス層を形成しない高熱伝導性基板を使用し、表２に示すレーザ照射条件を適用する以外は、実施例１と同様に気密部材を作製した。これら気密部材の外観検査と気密性試験を実施例１と同様にして実施した。それらの結果を表２に併せて示す。【００６１】
【表１】
2012117978.tif 000003
【００６２】
【表２】
2012117978.tif 000004
【００６３】
表１及び表２から明らかなように、実施例１〜７によれば封着層をガラス層を介して高熱伝導性基板に良好に接着することができる。これによって、ガラス基板と高熱伝導性基板との間の間隙をガラス層と封着層とで気密封止した気密部材を、信頼性高くかつ再現性よく作製することが可能となる。これに対して、比較例１〜３ではレーザの出力を２０〜６０Ｗの範囲内で変えたサンプルで試験したが、封着層を高熱伝導性基板に良好に接着することができず、また接着できたとしても封着層やガラス基板にクラックや割れ等が生じることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の気密部材の製造方法によれば、ガラス基板と高熱伝導性基板との間の気密封止した気密部材を再現性よく、かつ信頼性よく提供することができ、水晶振動子、圧電素子、フィルタ素子、センサ素子、撮像素子、有機ＥＬ素子、太陽電池素子等の各種電子素子を気密封止するパッケージに対し、有用である。
なお、２０１１年２月２８日に出願された日本特許出願２０１１−０４１４１６号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
【符号の説明】
【００６５】
１…気密部材、２…ガラス基板、２ａ…表面、３…高熱伝導性基板、３ａ…表面、４…第１の封止領域、５…第２の封止領域、６…封着部、７…ガラス層、８…封着層、９…封着材料層、１０…気密空間、１１…電磁波。
【図１】
2012117978.tif 000005
【図２】
2012117978.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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