(57)【要約】  大型化するのを抑制しながら、接続信頼性が低下するのを抑制することが可能な半導体素子を提供する。この半導体素子（１０）は、長辺（１１ａおよび１１ｂ）に沿ってそれぞれ配列される長辺側電極列（２１および２２）と、短辺（１１ｃ）に沿って配列される短辺側電極列（２３）と、短辺側電極列よりも外側に配置され、短辺側電極列に沿って配列される複数のサブ電極（１７）と、を備える。サブ電極は短辺側電極列のバンプ電極（１６）に電気的に接続され、または、ダミー電極により形成されている。
2012117959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの長辺および２つの短辺を有する長方形状の主表面と、
前記２つの長辺に沿ってそれぞれ配列され、複数の機能電極を含む２つの長辺側電極列と、
前記２つの短辺のうちの一方に沿って配列され、複数の機能電極を含む短辺側電極列と、
前記短辺側電極列よりも外側に配置され、前記短辺側電極列の少なくとも一部に沿って配列される複数のサブ電極と、
を備え、
前記サブ電極は前記短辺側電極列の前記機能電極に電気的に接続され、または、ダミー電極により形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記複数のサブ電極は前記短辺側電極列の少なくとも端部に沿って配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記サブ電極は前記短辺側電極列の機能電極に比べて小さい面積を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記サブ電極の配列方向の幅は前記短辺側電極列の機能電極の配列方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記サブ電極の配列方向と交差する方向の長さは前記短辺側電極列の機能電極の配列方向と交差する方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記サブ電極は前記短辺側電極列の機能電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記機能電極および前記サブ電極は前記主表面から突出したバンプ電極を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記機能電極および前記サブ電極は素子実装部材に異方性導電層を介して接続されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体素子を備えることを特徴とする表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子および表示パネルに関し、特に、列状に配置される複数の電極を備えた半導体素子および表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、様々な装置に表示パネルが用いられている。表示パネルは画像を表示するパネルと、パネルに実装されパネルを駆動するドライバ（半導体素子）とを含んでいる。なお、本明細書中において半導体素子とは半導体基板上に配線、回路素子および電極などが形成されたものをいう。パネルに実装される半導体素子（ドライバ）には、通常、２辺（２つの長辺）または４辺（２つの長辺および２つの短辺）に沿って配列された電極が設けられている。図１１は、従来の一例による半導体素子を備えた表示パネルの構造を示した断面図である。図１２は、図１１の半導体素子の構造を示した平面図である。【０００３】
従来の一例による表示パネル１０１は図１１に示すように、半導体素子１１０と、半導体素子１１０が実装された透明基板からなるパネル（素子実装部材）１２０とを備えている。この半導体素子１１０は図１２に示すように、２つの長辺１１１ａおよび１１１ｂと、２つの短辺１１１ｃおよび１１１ｄとを有する長方形状の主表面１１１を含んでいる。主表面１１１上には、長辺１１１ａおよび１１１ｂに沿って複数のバンプ電極１１２および複数のバンプ電極１１３がそれぞれ配列されている。【０００４】
また、半導体素子１１０とパネル１２０との間には導電粒子を含有するＡＣＦ（異方性導電フィルム）（図示せず）が配置されており、熱圧着により半導体素子１１０がパネル１２０に実装されている。【０００５】
しかしながら、半導体素子１１０には図１１に示すように、熱圧着後の熱収縮により反りが発生する。この反りは半導体素子１１０のコーナー部（特に短辺部分）で最も大きくなり、導電粒子に対する押圧力が小さくなるとともに導電粒子の変形（圧縮）率が不足する。このため、半導体素子１１０とパネル１２０との間で十分な接続が得られない場合がある。【０００６】
ところで、近年、タッチパネル方式の液晶モジュールが実用化されている。そして、モジュール構造の簡素化およびノイズ対策のために、液晶駆動用の液晶ドライバ（半導体素子）にタッチパネル駆動用の回路を組み込んだＴＰ（タッチパネル）駆動用回路一体型の液晶ドライバが開発されている。ここで、２つの長辺に沿って液晶駆動用のバンプ電極が配列された液晶ドライバに、タッチパネル駆動用の回路を組み込む場合、タッチパネル駆動用のバンプ電極を１つの短辺に沿って配列する場合がある。すなわち、ＴＰ駆動用回路一体型の液晶ドライバでは、主表面の３辺（２つの長辺および１つの短辺）に沿ってバンプ電極が配列される場合がある。【０００７】
このように３辺に沿ってバンプ電極が配列されていると、残りの１辺にバンプ電極が形成されていないためバンプ電極の形成密度に偏りが生じる。このため、半導体素子をパネルに熱圧着する際の圧力が不均一になり、短辺部分のバンプ電極の導電粒子への加圧が不十分になりやすい。これにより、特に、３辺に沿ってバンプ電極が形成された半導体素子では、熱収縮により半導体素子に反りが発生した場合に、半導体素子（短辺部分のバンプ電極）とパネルとの間で十分な接続が得られにくい。【０００８】
そこで、バンプ電極の形成密度の偏りを抑制するために、バンプ電極が形成されていない１辺（短辺）にダミーバンプ電極を設け、４辺にバンプ電極を配置することが考えられる。このように構成すれば、バンプ電極の形成密度の偏りを抑制でき、半導体素子とパネルとの間の接続信頼性が低下するのをある程度抑制することが可能である。【０００９】
なお、バンプ電極の形成密度の偏りを抑制するためにダミーバンプ電極を設け、４辺にバンプ電極を配置した半導体素子は、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平９−６８７１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、バンプ電極が形成されていない１辺にバンプ電極を新たに設ける場合、バンプ電極を設けるための領域が必要になるので、半導体素子が大型化するという問題点がある。【００１２】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、大型化するのを抑制しながら、接続信頼性が低下するのを抑制することが可能な半導体素子および表示パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、この発明の半導体素子は、２つの長辺および２つの短辺を有する長方形状の主表面と、２つの長辺に沿ってそれぞれ配列され、複数の機能電極を含む２つの長辺側電極列と、２つの短辺のうちの一方に沿って配列され、複数の機能電極を含む短辺側電極列と、短辺側電極列よりも外側に配置され、短辺側電極列の少なくとも一部に沿って配列される複数のサブ電極と、を備え、サブ電極は短辺側電極列の機能電極に電気的に接続され、または、ダミー電極により形成されている。【００１４】
この半導体素子では、短辺側電極列に沿って複数のサブ電極を配列することによって、短辺側電極列の周辺における電極（機能電極およびサブ電極）と素子実装部材の電極との間の接着面積が大きくなる。【００１５】
また、複数のサブ電極を短辺側電極列よりも外側に配置することによって、短辺側電極列と短辺との間のスペースにサブ電極を配置することができる。【００１６】
上記半導体素子において、好ましくは、複数のサブ電極は短辺側電極列の少なくとも端部に沿って配列されている。このように構成すれば、短辺側電極列の少なくとも端部周辺における電極（機能電極およびサブ電極）と素子実装部材の電極との間の接着面積が大きくなる。【００１７】
上記半導体素子において、好ましくは、サブ電極は短辺側電極列の機能電極に比べて小さい面積を有する。【００１８】
上記サブ電極が短辺側電極列の機能電極に比べて小さい面積を有する半導体素子において、好ましくは、サブ電極の配列方向の幅は短辺側電極列の機能電極の配列方向の幅よりも小さい。このように構成すれば、サブ電極同士の間の距離が小さくなるのを抑制することができる。【００１９】
上記サブ電極が短辺側電極列の機能電極に比べて小さい面積を有する半導体素子において、好ましくは、サブ電極の配列方向と交差する方向の長さは短辺側電極列の機能電極の配列方向と交差する方向の長さよりも小さい。このように構成すれば、短辺側電極列と短辺との間のスペースに、サブ電極を容易に配置することができる。【００２０】
上記半導体素子において、好ましくは、サブ電極は短辺側電極列の機能電極に電気的に接続されている。【００２１】
上記半導体素子において、好ましくは、機能電極およびサブ電極は主表面から突出したバンプ電極を含む。【００２２】
上記半導体素子において、好ましくは、機能電極およびサブ電極は素子実装部材に異方性導電層を介して接続される。【００２３】
この発明の表示パネルは、上記の構成の半導体素子を備える。
【発明の効果】
【００２４】
以上のように、本発明によれば、短辺側電極列に沿って複数のサブ電極を配列することによって、短辺側電極列の周辺における電極（機能電極およびサブ電極）と素子実装部材の電極との間の接着面積が大きくなる。これにより、短辺側電極列の周辺における電極と素子実装部材の電極との間の接着強度を大きくすることができるので、半導体素子と素子実装部材との間の接続信頼性が低下するのを抑制することができる。【００２５】
また、短辺側電極列（複数の機能電極）の外側にサブ電極を配列することによって、短辺側電極列の機能電極とサブ電極との間に隙間を形成することができる。これにより、サブ電極の接続部分に剥がれや亀裂が生じた場合に、その剥がれや亀裂が短辺側電極列の機能電極に伝わるのを抑制することができる。このため、単に短辺側電極列の機能電極を大きくするよりも機能電極の外側にサブ電極を配置した方が、機能電極の接続が劣化するのを抑制することができる。また、機能電極とサブ電極との間に樹脂が存在することにより、アンカー効果が働きそれぞれの電極での接続部の密着性が向上し、信頼性低下を抑制することができる。【００２６】
また、複数のサブ電極を短辺側電極列よりも外側に配置することによって、短辺側電極列と短辺との間のスペースにサブ電極を配置することができる。これにより、半導体素子が大型化するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体素子を備えた液晶表示パネルの構造を示した側面図である。
【図２】図１の半導体素子の構造を示した平面図である。
【図３】図１の半導体素子の構造を示した拡大平面図である。
【図４】図１の半導体素子のサブ電極周辺の構造を示した拡大平面図である。
【図５】図１のＡＭ基板の構造を示した平面図である。
【図６】第１実施形態による半導体素子の効果を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態による半導体素子の構造を示した拡大平面図である。
【図８】図７のサブ電極周辺の構造を示した拡大平面図である。
【図９】本発明の第３実施形態による半導体素子の構造を示した拡大平面図である。
【図１０】本発明の変形例による半導体素子のサブ電極周辺の構造を示した拡大平面図である。
【図１１】従来の一例による半導体素子を備えた表示パネルの構造を示した断面図である。
【図１２】図１１の半導体素子の構造を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２９】
（第１実施形態）
図１〜図５を参照して、本発明の第１実施形態による半導体素子１０を備えた液晶表示パネル１の構造について説明する。
【００３０】
本発明の第１実施形態による液晶表示パネル（表示パネル）１は液晶表示装置（図示せず）に用いられるものである。また、液晶表示パネル１は図１に示すように、半導体素子１０と、半導体素子１０が実装されたパネル（素子実装部材）４０とを備えている。パネル４０は、いずれもガラス基板からなるＡＭ基板（アクティブマトリックス基板）４１と対向基板４２とを合わせて構成されている。また、ＡＭ基板４１と対向基板４２との間には、図示しない液晶が封入されている。ＡＭ基板４１は対向基板４２よりも面積が大きく、一部が対向基板４２からはみ出している。ＡＭ基板４１のはみ出し部分に半導体素子１０が実装されている。半導体素子１０とパネル４０との間には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム（異方性導電層））７０が配置されている。対向基板４２はタッチパネルとして機能し、対向基板４２の主表面４２ａには図示しない電極が形成されている。
【００３１】
半導体素子１０は液晶駆動用の液晶ドライバにタッチパネル駆動用の回路を組み込んだＴＰ（タッチパネル）駆動用回路一体型の液晶ドライバである。半導体素子１０には図示しない配線や回路素子などが形成されており、この回路素子に後述するバンプ電極（１２〜１６）が電気的に接続されている。また、半導体素子１０は図２に示すように、２つの長辺１１ａおよび１１ｂと２つの短辺１１ｃおよび１１ｄとを有する長方形状の主表面１１を含んでいる。
【００３２】
主表面１１上には、長辺１１ａに沿って（隣接して）配列された複数の出力バンプ電極１２および複数のバンプ電極１３が設けられている。また、主表面１１上には、長辺１１ｂに沿って配列された複数の複数の入力バンプ電極１４および複数のバンプ電極１５が設けられている。また、主表面１１上には、短辺１１ｃに沿って配列された複数のバンプ電極１６が設けられている。すなわち、出力バンプ電極１２、バンプ電極１３、入力バンプ電極１４、バンプ電極１５および１６は、主表面１１の周縁部に配置されているとともに、３辺（１１ａ〜１１ｃ）のみに沿って配列されている。なお、出力バンプ電極１２、バンプ電極１３、入力バンプ電極１４、バンプ電極１５および１６は本発明の「機能電極」および「バンプ電極」の一例である。
【００３３】
出力バンプ電極１２および入力バンプ電極１４は液晶駆動用の電極であり、バンプ電極１３、１５および１６はタッチパネル駆動用の電極である。
【００３４】
バンプ電極（１２〜１６）は主表面１１から突出するように形成されている。また、バンプ電極（１２〜１６）は狭ピッチで配置されており、バンプ電極同士の間の距離は例えば１５μｍ程度である。
【００３５】
また、複数の出力バンプ電極１２および複数のバンプ電極１３により長辺側電極列２１が構成されており、複数の入力バンプ電極１４および複数のバンプ電極１５により長辺側電極列２２が構成されている。また、複数のバンプ電極１６により短辺側電極列２３が構成されている。
【００３６】
ここで、主表面１１上には、短辺側電極列２３（複数のバンプ電極１６）に沿って複数のサブ電極１７が配列されている。具体的には、複数のサブ電極１７は、短辺側電極列２３と短辺１１ｃとの間のスペースに配列されている。すなわち、複数のサブ電極１７は、短辺側電極列２３の外側に配列されている。なお、サブ電極１７も、主表面１１から突出したバンプ電極により形成されている。
【００３７】
また、サブ電極１７は隣接するバンプ電極１６に電気的に接続されている。なお、サブ電極１７はダミー電極（液晶表示パネル１の駆動に寄与しない電極）であってもよい。
【００３８】
サブ電極１７は図３に示すように、バンプ電極１６と同じピッチで配列されている。また、サブ電極１７はバンプ電極１６と同じ面積（幅、長さ）に形成されている。また、サブ電極１７は長辺側電極列２１および２２よりも辺の近くに配置されている。すなわち、サブ電極１７と短辺１１ｃとの間の距離Ｄ１は、長辺側電極列２１と長辺１１ａとの間の距離Ｄ２、および、長辺側電極列２２と長辺１１ｂとの間の距離Ｄ３よりも小さい。
【００３９】
また、図４に示すように、サブ電極１７とバンプ電極１６との間の距離Ｄ４は、バンプ電極１６同士の間の距離Ｄ５よりも小さい。
【００４０】
また、半導体素子１０には図２に示すように、回路形成領域１０ａが設けられている。この回路形成領域１０ａはバンプ電極（１２〜１６）や主表面１１の辺（１１ａ〜１１ｄ）から所定の距離を隔てて設けられている。
【００４１】
パネル４０のＡＭ基板４１には図５に示すように、半導体素子１０の電極に対応する複数のパッド電極が設けられている。具体的には、ＡＭ基板４１には、出力バンプ電極１２、バンプ電極１３、入力バンプ電極１４、バンプ電極１５、１６およびサブ電極１７にそれぞれ対応する位置に、パッド電極５１、５２、５３、５４、５５および５６が設けられている。パッド電極５１は出力バンプ電極１２と例えば同じピッチ、同じ幅、同じ面積で形成されている。パッド電極５２〜５６も同様である。なお、半導体素子１０はフェイスダウンでＡＭ基板４１に実装されるので、パッド電極５１〜５６は半導体素子１０の電極（１２〜１７）を反転した位置に形成されている。
【００４２】
また、パッド電極５２、５４および５５には引出し配線が接続されており、引出し配線には図示しない電極が接続されている。この図示しない電極はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などを介して対向基板４２の主表面４２ａの電極に接続されている。
【００４３】
なお、ＡＭ基板４１（パネル４０）に半導体素子１０を実装する場合、半導体素子１０とＡＭ基板４１との間にＡＣＦ７０を挟み込んで熱圧着する。このとき、ＡＣＦ７０に含有される導電粒子の一部は、半導体素子１０に押圧されることにより、バンプ電極（１２〜１６）同士の間やサブ電極１７同士の間を通過して外側に押し出される。
【００４４】
本実施形態では、上記のように、短辺側電極列２３に沿って複数のサブ電極１７を配列する。これにより、短辺側電極列２３の周辺における電極（バンプ電極１６およびサブ電極１７）とパネル４０の電極（パッド電極５５および５６）との間の接着面積を大きくすることができるとともに接着強度を大きくすることができる。その結果、半導体素子１０とパネル４０との間の接続信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００４５】
また、サブ電極１７を短辺側電極列２３よりも外側に配置することによって、短辺側電極列２３と短辺１１ｃとの間のスペースにサブ電極１７を配置することができる。これにより、半導体素子１０が大型化するのを抑制することができる。具体的には図６に示すように、短辺１１ｃ側にサブ電極１７を設けない場合に比べて、半導体素子１０の短辺１１ｃ側を距離Ｄ１０だけ大きくすればよい。その一方、半導体素子２１０のように、バンプ電極の形成密度の偏りを抑制するためにサブ電極１７を短辺１１ｄ側に配置した場合、半導体素子２１０の短辺１１ｄ側を距離Ｄ１０よりも大きい距離Ｄ２１０だけ大きくする必要がある。なお、距離Ｄ２１０はサブ電極１７の長さ（配列方向と交差する方向の長さ）よりも当然大きくなる。
【００４６】
また、サブ電極１７を短辺側電極列２３よりも外側に配置することによって、サブ電極１７とパネル４０との間の接続が劣化する前に、バンプ電極１６とパネル４０との間の接続が劣化するのを抑制することができる。なお、バンプ電極１６とパネル４０との間の接続が劣化しなければ、サブ電極１７とパネル４０との間の接続が劣化しても問題ない。このため、サブ電極１７の一部が例えば欠けてもよいので、サブ電極１７を短辺１１ｃに近づけることができる。その結果、半導体素子１０が大型化するのをより抑制することができる。
【００４７】
また、バンプ電極１６の外側にサブ電極１７を配置することによって、バンプ電極１６とサブ電極１７との間に隙間を形成することができる。これにより、サブ電極１７の接続部分に剥がれや亀裂が生じた場合に、その剥がれや亀裂がバンプ電極１６の接続部分に伝わるのを抑制することができる。このため、単にバンプ電極１６を大きくするよりもバンプ電極１６の外側にサブ電極１７を配置した方が、バンプ電極１６の接続が劣化するのを抑制することができる。また、バンプ電極１６とサブ電極１７との間に樹脂（ＡＣＦ７０）が存在することにより、アンカー効果が働きそれぞれの電極での接続部の密着性が向上し、信頼性低下を抑制することができる。
【００４８】
また、半導体素子１０とパネル４０との間の接続は特に半導体素子１０のコーナー部（短辺側電極列２３の端部）から劣化しやすい。このため、サブ電極１７を短辺側電極列２３の少なくとも端部に沿って配列することによって、短辺側電極列２３の端部の接続の劣化を抑制することができ、効果的である。
【００４９】
また、サブ電極１７はバンプ電極１６に電気的に接続されている。これにより、サブ電極１７およびバンプ電極１６の一方の、パネル４０に対する接続が劣化したとしても、他方がパネル４０に電気的に接続されていれば、液晶表示パネル１が誤動作するのを抑制することができる。
【００５０】
なお、サブ電極１７がバンプ電極１６に電気的に接続されている場合であっても、ダミー電極により形成されている場合であっても、導電粒子によりバンプ電極１６とサブ電極１７とが電気的につながることによって半導体素子１０が誤動作することはない。このため、サブ電極１７をバンプ電極１６に近づけて形成することができるので、半導体素子１０の短辺１１ｃ側が大きくなるのを抑制できる。
【００５１】
（第２実施形態）
この第２実施形態では図７および図８を参照して、上記第１実施形態と異なり、サブ電極１７がバンプ電極１６よりも小さい面積を有する場合について説明する。
【００５２】
本発明の第２実施形態による半導体素子１０では図７に示すように、サブ電極１７はバンプ電極１６よりも小さい面積を有する。具体的には図８に示すように、サブ電極１７の配列方向（Ａ方向）の幅Ｗ１７はバンプ電極１６の配列方向（Ａ方向）の幅Ｗ１６よりも小さい。また、サブ電極１７の配列方向と交差する方向（Ｂ方向）の長さＬ１７はバンプ電極１６の配列方向と交差する方向（Ｂ方向）の長さＬ１６よりも小さい。
【００５３】
なお、第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５４】
本実施形態では、上記のように、サブ電極１７の幅Ｗ１７をバンプ電極１６の幅Ｗ１６よりも小さくすることによって、サブ電極１７同士の間の距離が小さくなるのを抑制することができる。これにより、ＡＣＦ７０を介して半導体素子１０をパネル４０に熱圧着する際に、ＡＣＦ７０に含有された導電粒子がサブ電極１７同士の間を通過しにくくなるのを抑制することができる。このため、バンプ電極１６同士の間やサブ電極１７同士の間で導電粒子の流動性が低下して凝集するのを抑制することができる。その結果、バンプ電極１６同士の間やサブ電極１７同士の間で短絡が発生するのを抑制することができるので、半導体素子１０の接続信頼性が低下するのをより抑制することができる。なお、図８の破線の矢印はＡＣＦ７０に含有される導電粒子の、熱圧着時の動きを示している。
【００５５】
また、サブ電極１７の長さＬ１７をバンプ電極１６の長さＬ１６よりも小さくすることによって、第２実施形態では、短辺１１ｃ側を大きくする必要がなく、上記第１実施形態に比べて半導体素子１０を小型化することができる。
【００５６】
また、サブ電極１７の長さＬ１７をバンプ電極１６の長さＬ１６よりも小さくすることによって、熱圧着の際に導電粒子が通過する領域（バンプ電極１６同士の間およびサブ電極１７同士の間）が長くなるのを抑制することができる。これにより、バンプ電極１６同士の間やサブ電極１７同士の間で導電粒子の流動性が低下して凝集するのをより抑制することができる。
【００５７】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５８】
（第３実施形態）
第３実施形態による半導体素子１０では図９に示すように、サブ電極１７は短辺側電極列２３（複数のバンプ電極１６）の端部のみに沿って配列されている。このように、サブ電極１７を短辺側電極列２３の端部のみに沿って配列した場合であっても、短辺側電極列２３の端部の接続が劣化するのを容易に抑制することが可能である。なお、サブ電極１７は上記第１実施形態と同様にバンプ電極１６と同じ面積を有してもよいし、上記第２実施形態と同様にバンプ電極１６よりも小さい面積を有してもよい。
【００５９】
第３実施形態のその他の構造および効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００６０】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく請求の範囲によって示され、さらに請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６１】
たとえば、上記実施形態では、表示パネルを液晶表示パネルに適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、液晶表示パネル以外の表示パネルに適用してもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、半導体素子をパネルに実装する例について示したが、本発明はこれに限らない。半導体素子をパネル以外の素子実装部材に実装してもよい。
【００６３】
また、上記第２実施形態では、サブ電極の幅および長さをバンプ電極の幅および長さよりも小さくした例について示したが、本発明はこれに限らない。サブ電極の幅および長さの一方のみを、バンプ電極の幅および長さの一方よりも小さくしてもよい。
【００６４】
また、上記実施形態では、バンプ電極１６（１２〜１５も同様）が１列状に配列されている例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば図１０に示した本発明の変形例による半導体素子のように、バンプ電極１６が２列状に配列されている場合にも適用可能である。
【００６５】
また、上記実施形態では、サブ電極１７がバンプ電極１６と同じ面積または小さい面積を有する例について示したが、本発明はこれに限らず、サブ電極１７がバンプ電極１６に比べて大きい面積を有してもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、サブ電極を短辺側電極列のみに沿って配列した例について示したが、本発明はこれに限らない。すなわち、短辺側電極列に沿って配列されるサブ電極と、長辺側電極列に沿って配列されるサブ電極とを設けてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態では、半導体素子をパネルに実装する場合にＡＣＦを用いた例について示したが、本発明はこれに限らない。半導体素子をパネルに実装する場合にＡＣＰ（異方性導電ペースト（異方性導電層））を用いてもよい。
【００６８】
また、上記実施形態では、半導体素子にバンプ電極を設け、パネル（素子実装部材）にパッド電極を設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体素子にパッド電極を設け、素子実装部材にバンプ電極を設けてもよい。なお、半導体素子にバンプ電極を形成する方がパネルにパッド電極を形成するよりも簡単にできるので、半導体素子にバンプ電極を形成する方が好ましい。
【符号の説明】
【００６９】
１  液晶表示パネル（表示パネル）
１０  半導体素子
１１  主表面
１１ａ、１１ｂ  長辺
１１ｃ、１１ｄ  短辺
１２  出力バンプ電極（機能電極、バンプ電極）
１３、１５、１６  バンプ電極（機能電極）
１４  入力バンプ電極（機能電極、バンプ電極）
１７  サブ電極（ダミー電極、バンプ電極）
２１、２２  長辺側電極列
２３  短辺側電極列
４０  パネル（素子実装部材）
７０  ＡＣＦ（異方性導電層）
Ｌ１６、Ｌ１７  長さ
Ｗ１６、Ｗ１７  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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