(57)【要約】  下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランのエステル化又はエーテル化により得られる誘導体であり、有機溶剤を使用するゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にある結晶性高分子の造核剤である。2012153660.tif 000017
2012153660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランのエステル化又はエーテル化により得られる誘導体であり、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にあることを特徴とする結晶性高分子の造核剤。
【化１】
2012153660.tif 000014
【請求項２】
下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランのエステル化により得られる誘導体であり、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にあることを特徴とする結晶性高分子の造核剤。
【化２】
2012153660.tif 000015
【請求項３】
下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランを炭素数２〜１２のアルカノイル基によりエステル化して得られる誘導体であり、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にあることを特徴とする結晶性高分子の造核剤。
【化３】
2012153660.tif 000016
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の結晶性高分子の造核剤を含有してなることを特徴とする結晶性高分子組成物。
【請求項５】
結晶性高分子が、生分解性ポリエステル系高分子である請求項４に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項６】
結晶性高分子が、ポリ乳酸系高分子である請求項４に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項７】
結晶性高分子が、微生物産生ポリエステル系高分子である請求項４に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項８】
結晶性高分子が、ポリオレフィン系高分子である請求項４に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項９】
結晶性高分子が、ポリプロピレン系樹脂である請求項４に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項１０】
請求項１から３のいずれかに記載のキシラン誘導体の前駆体を含有してなることを特徴とする結晶性高分子組成物。
【請求項１１】
結晶性高分子が、生分解性ポリエステル系高分子である請求項１０に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項１２】
結晶性高分子が、ポリ乳酸系高分子である請求項１０に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項１３】
結晶性高分子が、微生物産生ポリエステル系高分子である請求項１０に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項１４】
結晶性高分子が、ポリオレフィン系高分子である請求項１０に記載の結晶性高分子組成物。
【請求項１５】
結晶性高分子が、ポリプロピレン系樹脂である請求項１０に記載の結晶性高分子組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、造核剤及び該造核剤を含有してなる結晶性高分子組成物に関し、この結晶性高分子組成物は、工業部品、容器、包装資材等の成形材料として用いられる。
【背景技術】
【０００２】
ポリエチレン、ポリプロピレン等のα−オレフィンを含むオレフィン系高分子化合物、テレフタル酸等の芳香族カルボン酸を含むポリエステル系高分子化合物、生分解性を有する脂肪族カルボン酸を含む生分解性を有するポリエステル系高分子は、加熱成形後の結晶化速度が遅く（低温でないと結晶化が開始しないなど）、加工時の成形サイクルの長期化、成形後の結晶化による変形の問題がある。【０００３】
これらの問題の解決手段としては、微細な結晶を急速に生成させる造核剤の添加が知られている。
しかしながら、既存の代表的な造核剤は、ナトリウムベンゾエート、４−第三ブチル安息香酸アルミニウム塩、アジピン酸ナトリウム等のカルボン酸金属塩、ナトリウムビス（４−第三ブチルフェニル）ホスフェート、ナトリウム−２，２’−メチレンビス（４，６−ジ第三ブチルフェニル）ホスフェート等のリン酸エステル金属塩、ジベンジリデンソルビトール、ビス（メチルベンジリデン）ソルビトール、ビス（ジメチルベンジリデン）ソルビトール等の多価アルコール誘導体などの化合物であり、前記結晶性高分子との相溶性不足及び比較的低分子量であることから、分子間相互作用が不十分で造核効果に改良の余地があり、また、分散不足、易ブリードアウト等から、期待される添加効果を十分に示さない場合がある。
また、生分解性脂肪族カルボン酸の生分解性を十分に発揮させるためには、造核剤も、バイオマス由来の材料から構成することが好ましい。【０００４】
上記問題を解決するには、従来の造核剤に比較して相溶性に富み、バイオマスを利用した造核剤の開発が必要である。【０００５】
先行する類似技術としては、ポリ乳酸等にキチン、キトサンを添加した結晶性高分子組成物（特許文献１参照）がある。しかしながら、キチン、キトサンには、熱可塑性がなく、また、繰り返し単位がグルコサミン（あるいはそのアセチル誘導体）であることから、多くの極性基、即ち、アミノ基（又は、アセタミド基）、水酸基を有することから、分散性と相溶性に問題があり、その効果は未だ満足できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７７２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、分散性、相溶性、耐ブリードアウトの問題が抑制された、バイオマス由来の造核剤、及び、前記造核剤を含有してなる、成形性に優れた結晶性高分子組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討した結果、以下のような知見を得た。
即ち、キシラン及びキシランの特定構造を有する誘導体が、優れた造核剤としての機能を有することを見出し、本発明の完成に至った。【０００９】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランのエステル化又はエーテル化により得られる誘導体であり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にあることを特徴とする結晶性高分子の造核剤である。
【化１】
2012153660.tif 000003
＜２＞  下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランのエステル化により得られる誘導体であり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にあることを特徴とする結晶性高分子の造核剤である。
【化２】
2012153660.tif 000004
＜３＞  下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシランを炭素数２〜１２のアルカノイル基によりエステル化して得られる誘導体であり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にあることを特徴とする結晶性高分子の造核剤である。
【化３】
2012153660.tif 000005
＜４＞  前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の結晶性高分子の造核剤を含有してなることを特徴とする結晶性高分子組成物である。
＜５＞  結晶性高分子が、生分解性ポリエステル系高分子である前記＜４＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜６＞  結晶性高分子が、ポリ乳酸系高分子である前記＜４＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜７＞  結晶性高分子が、微生物産生ポリエステル系高分子である前記＜４＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜８＞  結晶性高分子が、ポリオレフィン系高分子である前記＜４＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜９＞  結晶性高分子が、ポリプロピレン系樹脂である前記＜４＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜１０＞  前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のキシラン誘導体の前駆体を含有してなることを特徴とする結晶性高分子組成物である。
＜１１＞  結晶性高分子が、生分解性ポリエステル系高分子である前記＜１０＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜１２＞  結晶性高分子が、ポリ乳酸系高分子である前記＜１０＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜１３＞  結晶性高分子が、微生物産生ポリエステル系高分子である前記＜１０＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜１４＞  結晶性高分子が、ポリオレフィン系高分子である前記＜１０＞に記載の結晶性高分子組成物である。
＜１５＞  結晶性高分子が、ポリプロピレン系樹脂である前記＜１０＞に記載の結晶性高分子組成物である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、結晶性高分子の結晶化温度の向上等により結晶性高分子の成形サイクル短縮、成形品の安定性向上効果に優れた造核剤、及び該造核剤を含む結晶性高分子組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、キシランアセテートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】図２は、キシランプロピオネートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図３】図３は、キシランヘキサノエートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図４】図４は、キシランデカノエートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図５】図５は、キシランラウレートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図６】図６は、キシランブチレートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図７】図７は、キシランバレレートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、ポリ−Ｌ−乳酸（ＰＬＬＡ）とキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムの第２の昇温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図８Ｂ】図８Ｂはポリ−Ｄ−乳酸（ＰＤＬＡ）とキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＤＬＡのみからなるフィルムの第２の昇温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図９Ａ】図９Ａは、ＰＬＬＡとキシラン誘導体（キシランプロピオネート）との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムの第２の昇温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、ＰＬＬＡとキシラン誘導体（キシランブチレート）との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムの第２の昇温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１０Ａ】図１０Ａは、ＰＬＬＡとキシラン誘導体（キシランプロピオネート）との混合物（フィルム）の降温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、ＰＬＬＡとキシラン誘導体（キシランブチレート）との混合物（フィルム）の降温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、ＰＬＬＡのみからなるフィルムの降温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、ＰＤＬＡとキシラン誘導体（キシランプロピオネート）との混合物（フィルム）の降温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、ＰＤＬＡとキシラン誘導体（キシランブチレート）との混合物（フィルム）の降温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、ＰＤＬＡのみからなるフィルムの降温の際のＤＳＣ曲線の一例を示す図である。縦軸は、発熱の方向、横軸は、温度（℃）を表す。
【図１１Ａ】図１１Ａは、ＰＬＬＡとキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムを偏光顕微鏡で観察した図である。スケールバーは、１００μｍを表す。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、ＰＤＬＡとキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＤＬＡのみからなるフィルムを偏光顕微鏡で観察した図である。スケールバーは、１００μｍを表す。
【図１２】図１２は、アニーリング温度１００℃におけるＰＬＬＡとキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムのアニーリング時間と結晶化度との関係の一例を示すグラフである。縦軸は、結晶化度（％）、横軸は、アニーリング時間（分間）を表す。
【図１３】図１３は、アニーリング温度１００℃におけるＰＬＬＡとキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムのアニーリング時間とヘイズ値との関係の一例を示すグラフである。縦軸は、ヘイズ値（％）、横軸は、アニーリング時間（分間）を表す。
【図１４】図１４は、ＰＬＬＡとキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムの外観の一例を示す写真である。
【図１５】図１５は、アニーリング温度１００℃におけるＰＬＬＡとキシラン誘導体との混合物（フィルム）又はＰＬＬＡのみからなるフィルムのアニーリング時間と熱膨張率との関係の一例を示すグラフである。縦軸は、熱膨張率（％）、横軸は、アニーリング時間（分間）を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１３】
（造核剤）
本発明の造核剤は、下記構造式（１）で表される繰返し構造単位を有するキシラン（以下、「キシラン誘導体の前駆体」と称することがある。）のエステル化又はエーテル化により得られる誘導体であり、有機溶剤を使用するゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定されるポリスチレン（ＰＳ）換算数平均分子量が３，０００〜１５０，０００の範囲にある。
【化４】
2012153660.tif 000006
【００１４】
＜キシラン誘導体の前駆体の原料＞
前記キシラン誘導体の前駆体は、キシロースを利用して製造してもよいが、自然界、例えば、木材、草本類、ワラ、竹等のバイオマス中に大量に存在しているので、これらを利用することが好ましい。以下、これらのバイオマスの利用を、木材を例に記載する。
【００１５】
＜＜アルカリ抽出工程＞＞
木材を予め裁断し、５質量％以上、好ましくは、１６質量％以上の水酸化ナトリウム水溶液で抽出する。抽出時間は、１０時間以上が好ましく、１６時間以上がより好ましい。アルカリ溶液の使用量は、原料１００質量部に対して、２０質量部〜４００質量部が好ましく、１００質量部〜３２０質量部がより好ましい。
【００１６】
＜＜ｐＨ調整工程＞＞
前記アルカリ抽出工程後は、反応液のｐＨ調整を行う。ｐＨとしては、５〜８が好ましく、６〜７がより好ましい。ｐＨ調整に用いる試薬としては、塩酸、酢酸、ギ酸等の酸が好ましい。
【００１７】
＜＜沈殿工程＞＞
前記ｐＨ調整工程後は、必要に応じて、沈殿工程を行う。回収率の向上を行うためである。沈殿を促進させるためには、例えば、エタノール、メタノール等の低級アルコールを、前記アルカリ抽出物に対して、２倍容量〜１０倍容量添加することが好ましく、５倍容量〜１０倍容量添加することがより好ましい。
【００１８】
＜＜洗浄工程＞＞
前記沈殿工程後、得られた沈殿物を、必要に応じて、エタノール、メタノールなど、除去が容易な有機溶剤で洗浄し、不要物を除去する。更に、ろ過、遠心分離等で不要物を除去することは、その後のエステル化反応、エーテル化反応時の副生成物の生成を回避する点から有効である。
【００１９】
＜＜乾燥工程＞＞
前記沈殿工程で得られた沈殿物、あるいは、前記洗浄工程で得られた洗浄後の沈殿物は、乾燥工程において乾燥させることが好ましい。前記乾燥工程としては、特に制限はなく、凍結乾燥法、温風乾燥法、噴霧乾燥法、流動層乾燥法で行う。
【００２０】
上記手法で、「キシラン誘導体の前駆体」を得ることができる。
【００２１】
＜「キシラン誘導体の前駆体」のエステル誘導体、エーテル誘導体の製造＞
＜＜造核剤の製造＞＞
−エステル化、エーテル化の目的と効果−
本発明においては、「キシラン誘導体の前駆体」そのもの（キシラン）を造核剤とする。または、「キシラン誘導体の前駆体」を、エステル化又はエーテル化して、即ち、エステル誘導体又はエーテル誘導体として、造核剤とする。エステル化又はエーテル化は、「キシラン誘導体の前駆体」中の水酸基を、エステル基又はエーテル基に変換することにより、結晶性高分子との親和性を高め、結晶性高分子材料中での良好な分散を可能とし、優れた造核剤として機能を付与する目的で行う。
エステル化、エーテル化の度合いは、任意であるが、少なくとも、有機溶剤には不溶である「キシラン誘導体の前駆体」が、有機溶剤に溶解するまで行う。具体的には、有機溶剤を使用するゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で分子量測定が可能となるまでである。
あるいは、ＩＲスペクトルの水酸基吸収強度を基準に、「キシラン誘導体の前駆体」中の水酸基の吸収強度が５０％以上低下するまで、エーテル化又はエステル化を行う。
【００２２】
−エステル化反応、エーテル化反応の方法−
「キシラン誘導体の前駆体」中の水酸基は、キシロース中の水酸基と同様に、あるいは、糖鎖中の水酸基と同様に、単純なアルコールと同様の反応性を有する。「キシラン誘導体の前駆体」の水酸基は、糖鎖中に存在するが、エステル化又はエーテル化は、比較的容易に進行するので、有機合成化学の分野で広く用いられる反応から、任意に選択してよい。本発明者らは、「キシラン誘導体の前駆体」の分子量がセルロース等に比較して小さいこと、水酸基が２つで、共にエカトリアルに配座していることが関係していると考えている。
エステル化反応、エーテル化反応の比較においては、一般に、エステル化反応が、カルボン酸（無水カルボン酸、カルボン酸塩化物、を含む）、リン酸に対して温和な条件で進行するので、エステル化がより好ましい。
【００２３】
−エステル基、エーテル基の構造−
エステル基、エーテル基の構造には、特に制限はないが、「キシラン誘導体の前駆体」との反応性の容易性、結晶性高分子との親和性の観点からは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基；アセチル基、プロピオニル基、ヘキサノイル基、デカノイル基、ラウリル基等のアルカノイル基；フェニル基；ベンジル基等を含む構造が好ましい。
【００２４】
−分子量−
本発明に係る造核剤の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量で、３，０００〜１５０，０００の範囲である。
３，０００未満であると、結晶性高分子中での安定性に問題があり、１５０，０００を超えると、結晶性高分子材料での分散に問題がある。
本発明において、前記ＧＰＣ法で測定されるポリスチレン換算数平均分子量とは、以下の条件で測定して得られた値である。
［測定条件］
装置      ：Ｓｈｉｍａｄｚｕ  １０Ａ（株式会社島津製作所製）
カラム    ：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）  Ｋ−Ｇ／８０６Ｋ／８０２連結カラム（昭和電工株式会社製）
カラム温度：４０℃
移動層    ：クロロフォルム
流速      ：０．８ｍＬ／分間
アプライ  ：５０μＬ
【００２５】
（結晶性高分子組成物）
本発明に係る結晶性高分子組成物は、結晶性高分子及び上記した本発明に係る造核剤を含むことにより、ＤＳＣの降温測定時の結晶化温度の上昇に伴う、加工時の成形サイクルの短縮等の改良が行われた、結晶性高分子組成物である。
また、前記キシラン誘導体の前駆体及び結晶性高分子及びを少なくとも含有する結晶性高分子組成物も、本発明の結晶性高分子組成物である。
【００２６】
＜結晶性高分子＞
結晶性高分子を例示すれば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン系樹脂（プロピレンホモ重合体、プロピレンブロック共重合体、プロピレンランダム共重合体、更にこれらの中でアイソタクティック、シンジオタクティック、アタクティックの立体規則性の異なる（共）重合体などを含む）、ポリブテン−１、ポリ−３−メチル−１−ブテン、ポリ−３−メチル−１−ペンテン、ポリ−４−メチル−１−ペンテン等のα−オレフィン重合体（ポリオレフィン系高分子）；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリヘキサメチレンテレフタレート等の芳香族ポリエステル系高分子；ポリ乳酸系高分子（例えば、ポリ乳酸（ポリ−Ｌ−乳酸、ポリ−Ｄ−乳酸、ステレオコンプレックス型ポリ乳酸）、ポリカプロラクトン、ポリヒドロキシアルカノエートなど）、ポリブチレンサクシネート等の生分解性ポリエステル系高分子；ポリ−［（Ｒ）−３−ヒドロキシブチレート］、ポリ−［（Ｒ）−３−ヒドロキシブチレート−ｃｏ−（Ｒ）−３−ヒドロキシヘキサノエート］、ポリ−［（Ｒ）−３−ヒドロキシブチレート−ｃｏ−（Ｒ）−４−ヒドロキシブチレート］、ポリ−［（Ｒ）−３−ヒドロキシブチレート−ｃｏ−（Ｒ）−３−ヒドロキシバレレート］等の微生物産生ポリエステル系高分子などが挙げられる。
【００２７】
＜添加量＞
本発明に係る結晶性高分子組成物においては、上記造核剤を、必要に応じて、１種又は２種以上用いることができ、それぞれの造核剤の使用量は、結晶性高分子１００質量部に対して、０．０１質量部〜２０質量部が好ましく、０．１質量部〜１０質量部がより好ましい。０．０１質量部未満では、効果が得られない場合があり、また２０質量部を超えると、結晶性高分子材料自体の特性が失われることがある。
【００２８】
＜添加方法＞
前記造核剤の前記結晶性高分子への添加方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（１）前記結晶性高分子と前記造核剤とをそれぞれ固体（ペレット、粉末等）状態で混合（ドライブレンド）し、これを成形加工機で直接溶融成形する方法、（２）前記造核剤と前記結晶性高分子とを予め溶融混合し、該造核剤を最終組成物の濃度よりも高濃度に含む混合物（マスターバッチ）を製造し、このマスターバッチを該結晶性高分子に添加して成形加工する方法、（３）前記結晶性高分子と前記造核剤とを、最終濃度となるように予め溶融混練により混合して組成物を製造し、これを成形加工する方法、などが挙げられる。また、前記結晶性高分子及び前記造核剤を溶解し得る溶媒にこれらを溶解し、得られた溶解液から成形加工（溶媒キャスト法）してもよい。
なお、本造核剤の添加にあたっては、公知の、他の造核剤はもちろん、酸化防止剤、耐候剤、帯電防止剤、難燃剤、無機充填剤、有機充填剤、非結晶性高分子、エラストマー、ゴム等が並存していても構わない。
【実施例】
【００２９】
以下に本発明の実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。【００３０】
（調製例１：キシラン誘導体の前駆体の抽出）
広葉樹（ユーカリクラフトパルプ、日本製紙株式会社製）５０ｇに１０質量％水酸化ナトリウム水溶液１Ｌを添加し、２５℃にて２時間攪拌しながらアルカリ抽出を行った。次いで、これをろ紙（Ｎｏ．１、アドバンテック東洋株式会社製）を用いてろ過し、更に水で洗浄した。次いで、抽出物を酢酸でｐＨ７．０に調整し、これにエタノール（純度９９％、和光純薬工業株式会社製）１Ｌを添加し、２５℃にて１２時間放置した。次いで、１０，０００ｒｐｍにて１０分間遠心分離し、沈殿物としてキシランを回収した。該沈殿物に再度エタノールを添加し、同条件で遠心して沈殿物を洗浄した。この洗浄は合計２回行った。該沈殿物に再度蒸留水を添加し、同条件で遠心して沈殿物を洗浄した。この洗浄は合計３回行った。洗浄後の沈殿物を凍結乾燥により一晩乾燥させ、粉体状の広葉樹キシラン（キシラン誘導体の前駆体）２．４ｇを得た。収率は４．８質量％であった。【００３１】
（製造例１：キシランアセテートの合成）
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド（ＤＭＡｃ、和光純薬工業株式会社製）２ｍＬに、調製例１で得られたキシラン１００ｍｇを添加し、１２０℃で２時間攪拌混合した。この混合物を１００℃に冷却した後、塩化リチウム０．１７５ｇを添加し、室温（約２５℃）まで冷却した。次いで、ピリジン０．２４ｍＬと無水酢酸０．２８ｍＬとを添加し、５０℃にて６時間攪拌混合し、エステル化反応を行った。
エステル化後の反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、該反応液の５倍量（約１０ｍＬ）の１００質量％冷メタノール（４℃）に投入し、２５℃にて０．５時間放置した後、ろ紙（Ｎｏ．１、アドバンテック東洋株式会社製）によりろ過することにより沈殿物としてキシランアセテートを得た。収率は、８６質量％であった。【００３２】
＜同定及び置換度の確認＞
核磁気共鳴装置（ＪＮＭ−Ａ５００  ＦＴ−ＮＭＲ、ＪＥＯＬ社製）を用いて、５００ＭＨｚにおける重クロロフォルム中で、キシランアセテートのプロトン核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）の測定を行った。図１に、キシランアセテートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
図１より、キシランには存在しない、２ｐｐｍ付近にＣＨ３に由来するピークが出現し、キシランアセテートの存在が確認された。
また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）をＮＭＲの積分値より計算した結果、置換度（ＤＳ）は、２．０であった。【００３３】
＜分子量測定＞
キシランアセテート１０ｍｇをクロロフォルム１ｍＬに懸濁し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を以下の測定条件で測定した。なお、Ｍｎ及びＭｗはポリスチレン（ＰＳ）換算とした。
その結果、キシランアセテートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１７９であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、６９,０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、４０，５００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．７であった。
［測定条件］
装置      ：Ｓｈｉｍａｄｚｕ  １０Ａ（株式会社島津製作所製）
カラム    ：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）  Ｋ−Ｇ／８０６Ｋ／８０２連結カラム（昭和電工株式会社製）
カラム温度：４０℃
移動層    ：クロロフォルム
流速      ：０．８ｍＬ／分間
アプライ  ：５０μＬ【００３４】
＜１０質量％熱分解温度の測定＞
キシランアセテート２ｍｇを、示差熱天秤（ＴｈｅｒｍｏＰｌｕｓ  ＤＳＣ８３２０、株式会社リガク製）に入れ、窒素雰囲気下で、５０℃〜４５０℃まで２０℃／分間で昇温した。このＴＧ曲線から求めた１０質量％熱分解温度は、３０４℃であった。
なお、同様の方法で求めたキシランの１０質量％熱分解温度は、２１７℃であった。【００３５】
（製造例２：キシランプロピオネートの合成）
製造例１において、無水酢酸に代えて無水プロピオン酸を用い、エステル化反応時間を、６時間に変えて３６時間としたこと以外は、製造例１と同様の方法でキシランプロピオネートを得た。収率は、６２質量％であった。
得られたキシランプロピオネートの同定、置換度の確認、分子量測定、及び１０質量％熱分解温度の測定を製造例１と同様の方法で行った。【００３６】
図２に、キシランプロピオネートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル示す。図２より、キシランプロピオネートの存在が確認された。また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）は、２．０であった。
また、キシランプロピオネートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１６９であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、６２,０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、４１，３００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．５であり、１０質量％熱分解温度は、２９６℃であった。【００３７】
（製造例３：キシランヘキサノエートの合成）
製造例１において、無水酢酸に代えて無水ヘキサン酸を用い、エステル化反応時間を、６時間に変えて４８時間としたこと以外は、製造例１と同様の方法でキシランヘキサノエートを得た。収率は、６７質量％であった。
得られたキシランヘキサノエートの同定、置換度の確認、分子量測定、及び１０質量％熱分解温度の測定を製造例１と同様の方法で行った。【００３８】
図３に、キシランヘキサノエートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル示す。図３より、キシランヘキサノエートの存在が確認された。また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）は、２．０であった。
また、キシランヘキサノエートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１３２であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、６５,０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、４３，３００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．５であり、１０質量％熱分解温度は、３１４℃であった。【００３９】
（製造例４：キシランデカノエートの合成）
製造例１において、無水酢酸に代えてデカン酸クロリドを用い、ピリジンに代えてジメチルアミノピリジンを用い、エステル化反応時間を、６時間に変えて４８時間としたこと以外は、製造例１と同様の方法でキシランデカノエートを得た。収率は、７４質量％であった。
得られたキシランデカノエートの同定、置換度の確認、分子量測定、及び１０質量％熱分解温度の測定を製造例１と同様の方法で行った。【００４０】
図４に、キシランデカノエートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル示す。図４より、キシランデカノエートの存在が確認された。また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）は、２．０であった。
また、キシランデカノエートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１４３であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０１,０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、６３，１００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．６であり、１０質量％熱分解温度は、３０５℃であった。【００４１】
（製造例５：キシランラウレートの合成）
製造例１において、無水酢酸に代えてラウリン酸クロリドを、ピリジンに替えてジメチルアミノピリジンを用い、エステル化反応時間を、６時間に変えて４８時間としたこと以外は、製造例１と同様の方法でキシランラウレートを得た。収率は、７３質量％であった。
得られたキシランラウレートの同定、置換度の確認、分子量測定、及び１０質量％熱分解温度の測定を製造例１と同様の方法で行った。【００４２】
図５に、キシランラウレートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル示す。図５より、キシランラウレートの存在が確認された。また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）は、２．０であった。
また、キシランラウレートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１２３であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、９８,０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、６１，２００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．６であり、１０質量％熱分解温度は、２９５℃であった。【００４３】
（製造例６：キシランブチレートの合成）
製造例１において、無水酢酸に代えて無水ブタン酸を用い、エステル化反応時間を、６時間に変えて４８時間としたこと以外は、製造例１と同様の方法でキシランブチレートを得た。収率は、７２質量％であった。
得られたキシランブチレートの同定、置換度の確認、分子量測定、及び１０質量％熱分解温度の測定を製造例１と同様の方法で行った。【００４４】
図６に、キシランブチレートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル示す。図６より、キシランブチレートの存在が確認された。また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）は、２．０であった。
また、キシランブチレートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１７０であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、７３，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、４６，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．６であり、１０質量％熱分解温度は、３２０℃であった。【００４５】
（製造例７：キシランバレレートの合成）
製造例１において、無水酢酸に代えて無水吉草酸を用い、エステル化反応時間を、６時間に変えて４８時間としたこと以外は、製造例１と同様の方法でキシランバレレートを得た。収率は、７３質量％であった。
得られたキシランバレレートの同定、置換度の確認、分子量測定、及び１０質量％熱分解温度の測定を製造例１と同様の方法で行った。【００４６】
図７に、キシランバレレートの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル示す。図７より、キシランバレレートの存在が確認された。また、キシランに存在する２つの水酸基の水素原子の置換度（ＤＳ）は、２．０であった。
また、キシランバレレートにおける重合度（ＤＰｎ）は、１５６であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は、７７，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、４５，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは、１．７であり、１０質量％熱分解温度は、３２５℃であった。【００４７】
（実施例１〜２６：ソルベントキャストフィルムＦ１〜２６の作製）
製造例１〜７のキシラン誘導体及び下記構造式（Ａ）で表されるポリ−Ｌ−乳酸（ｐｏｌｙ−Ｌ−ｌａｃｔｉｃ  ａｃｉｄ；ＰＬＬＡ）を用いて、以下に示す方法で、下記表１に示すソルベントキャストフィルムＦ１〜２６を作製した。
ポリ−Ｌ−乳酸（商品名：ラクティー、株式会社島津製作所製）０．５ｇをクロロフォルム５０ｍＬに溶解し、前記ポリ−Ｌ−乳酸１００質量部に対して、製造例１〜７の各キシラン誘導体を、０．１質量部、０．５質量部、１質量部、３質量部、５質量部、及び１０質量部のいずれかの量で混合し、完全に溶解させた混合物を調製した。
これを、それぞれテフロン（登録商標）製のシャーレに流し込み、適当に穴を開けたアルミホイルで蓋をし、ドラフト内（２５℃）で１２時間乾燥させ、クロロフォルムを揮発させ、実施例１〜２６のソルベントキャストフィルムＦ１〜２６を作製した。
【化５】
2012153660.tif 000007
【００４８】
（比較例１：ソルベントキャストフィルムＦ２７の作製）
実施例１〜２６において、キシラン誘導体を添加せず、ポリ−Ｌ−乳酸（商品名：ラクティー、株式会社島津製作所製）のみを用いたこと以外は、実施例１〜２６と同様の方法で、ソルベントキャストフィルムＦ２７を作製した。【００４９】
（実施例２７〜３３：ソルベントキャストフィルムＦ２８〜３４の作製）
製造例１〜７のキシラン誘導体及び下記構造式（Ｂ）で表されるポリ−Ｄ−乳酸（ｐｏｌｙ−Ｄ−ｌａｃｔｉｃ  ａｃｉｄ；ＰＤＬＡ）を用いて、以下に示す方法で、下記表１に示すソルベントキャストフィルムＦ２８〜３４を作製した。
ＰＤＬＡ（帝人株式会社製）０．５ｇをクロロフォルム５０ｍＬに溶解し、前記ＰＤＬＡ１００質量部に対して、製造例１〜７の各キシラン誘導体をそれぞれ１質量部混合し、完全に溶解させた混合物を調製した。
これを、それぞれテフロン（登録商標）製のシャーレに流し込み、適当に穴を開けたアルミホイルで蓋をし、ドラフト内（２５℃）で１２時間乾燥させ、クロロフォルムを揮発させ、実施例２７〜３３のソルベントキャストフィルムＦ２８〜３４を作製した。
【化６】
2012153660.tif 000008
【００５０】
（比較例２：ソルベントキャストフィルムＦ３５の作製）
実施例２７〜３３において、キシラン誘導体を添加せず、ＰＤＬＡ（帝人株式会社製）のみを用いたこと以外は、実施例２７〜３３と同様の方法で、ソルベントキャストフィルムＦ３５を作製した。【００５１】
【表１】
2012153660.tif 000009
【００５２】
（試験例１：定速昇温による発熱ピーク（Ｔｃ）及び結晶化エネルギー（ΔＨ）の評価）
下記表２に示すソルベントキャストフィルムを用いて、以下に示す定速昇温による結晶化法で発熱ピーク（Ｔｃ）及び結晶化エネルギー（ΔＨ）の評価を行った。
各ソルベントキャストフィルムを、それぞれ示差熱天秤（ＴｈｅｒｍｏＰｌｕｓ  ＤＳＣ８３２０、株式会社リガク製）のアルミパンに入れ、室温から２００℃まで昇温速度２０℃／分間で昇温し（第１の昇温）、各ソルベントキャストフィルムを完全に溶解した。次いで、液体窒素で−５０℃まで一気に冷却した後、再び昇温速度２０℃／分間で昇温した（第２の昇温）。【００５３】
図８Ａに、ソルベントキャストフィルムＦ１、Ｆ５、Ｆ１１、Ｆ１５、Ｆ１９、Ｆ２３、及びＦ２７の第２の昇温の際のＤＳＣ曲線を、図８Ｂに、ソルベントキャストフィルムＦ２８〜３２、Ｆ３４、及びＦ３５の第２の昇温の際のＤＳＣ曲線を示す。また、下記表２に、第２の昇温の際の発熱ピーク（Ｔｃ）及び結晶化エネルギー（ΔＨ）の結果をまとめて示す。なお、図８Ａ及びＢにおいて、「発熱」は、相対的な熱流の変化であり、発熱の方向を矢印で表した。矢印方向に発熱がプラスであることを意味する。図９Ａ〜図１０Ｆにおいても同様の意味を示す。【００５４】
【表２】
2012153660.tif 000010
【００５５】
前記定速昇温による結晶化法により高分子化合物（ここでは、ＰＬＬＡ又はＰＤＬＡ）が結晶化したことは、第２の昇温時における結晶化の発熱ピーク（Ｔｃ）で確認できる。前記定速昇温による結晶化法においては、第２の昇温時における発熱ピーク（Ｔｃ）の位置が低温側にある程、結晶化しやすいことを示す。更に、第２の昇温時における発熱ピーク（Ｔｃ）のピーク面積から求められる結晶化エネルギー（ΔＨ）の絶対値が大きいほど、結晶性高分子組成物中の結晶化度が高いことを示す。
図８Ａ及びＢ、並びに表２の結果より、ポリ−Ｌ−乳酸からなるソルベントキャストフィルムＦ２７では、１２０℃に結晶化に由来する発熱ピーク（Ｔｃ）が観測され、ポリ−Ｄ−乳酸からなるソルベントキャストフィルムＦ３５では、１１９℃に結晶化に由来する発熱ピーク（Ｔｃ）が観測された。
これに対し、キシラン誘導体を添加したソルベントキャストフィルムＦ１、Ｆ５、Ｆ１１、Ｆ１５、Ｆ１９、Ｆ２３、Ｆ２８〜３２、及びＦ３４は、発熱ピーク（Ｔｃ）の位置が低温側にシフトしていた。これにより、キシラン誘導体は、造核剤として機能することが確認された。特に、キシランプロピオネートに関しては、発熱ピーク（Ｔｃ）の位置が９３℃にまでシフトしており、キシランブチレートに関しては、発熱ピーク（Ｔｃ）の位置が９７℃にまでシフトしていることから特にその機能は優れたものであった。また、ここでは、高分子化合物としてＰＬＬＡ又はＰＤＬＡを用いてキシラン誘導体の造核剤としての効果を見たが、該キシラン誘導体は、ＰＬＬＡ及びＰＤＬＡの両方に対して造核剤としての機能を奏したことから、該キシラン誘導体は、該ＰＬＬＡと該ＰＤＬＡとからなる複合体であるステレオコンプレックス型ポリ乳酸に対しても、造核剤としての機能を奏することが推察される。【００５６】
図９Ａに、ソルベントキャストフィルムＦ５〜８及びＦ２７の第２の昇温の際のＤＳＣ曲線を、図９Ｂに、ソルベントキャストフィルムＦ９〜１３及びＦ２７の第２の昇温の際のＤＳＣ曲線を示す。図９Ａ及びＢの結果より、キシラン誘導体の添加量を変えた場合、いずれの添加量においても造核剤として優れた機能を有していた。また、高分子化合物１００質量部に対し、キシラン誘導体０．１質量部という少量の添加で優れた造核作用を得ることができることがわかった。【００５７】
（試験例２：定速降温による発熱ピーク（Ｔｃ）及び結晶化エネルギー（ΔＨ）の評価）
下記表３に示すソルベントキャストフィルムを用いて、以下に示す定速降温による結晶化法で発熱ピーク（Ｔｃ）及び結晶化エネルギー（ΔＨ）の評価を行った。
各ソルベントキャストフィルムを示差熱天秤（ＴｈｅｒｍｏＰｌｕｓ  ＤＳＣ８３２０、株式会社リガク製）のアルミパンに入れ、室温から２００℃まで昇温速度２０℃／分間で昇温し、各ソルベントキャストフィルムを完全に溶解させた。次いで、降温速度２℃／分間、５℃／分間、１０℃／分間、又は２０℃／分間で降温した。【００５８】
図１０Ａに、ソルベントキャストフィルムＦ５の降温時のＤＳＣ曲線を、図１０ＢにソルベントキャストフィルムＦ１１の降温時のＤＳＣ曲線を、図１０ＣにソルベントキャストフィルムＦ２７の降温時のＤＳＣ曲線を、図１０ＤにソルベントキャストフィルムＦ２９の降温時のＤＳＣ曲線を、図１０ＥにソルベントキャストフィルムＦ３０の降温時のＤＳＣ曲線を、図１０ＦにソルベントキャストフィルムＦ３５の降温時のＤＳＣ曲線を示す。また、下記表３に、降温時の発熱ピーク（Ｔｃ）及び結晶化エネルギー（ΔＨ）の結果をまとめて示す。【００５９】
【表３】
2012153660.tif 000011
【００６０】
前記定速降温による結晶化法により高分子化合物（ここでは、ＰＬＬＡ又はＰＤＬＡ）が結晶化したことは、前記降温時における結晶化の発熱ピーク（Ｔｃ）で確認できる。前記定速降温結晶化においては、前記降温時における発熱ピーク（Ｔｃ）の位置が高温側にある程、結晶化しやすいことを示す。
図１０Ａ〜Ｆ及び表３の結果より、ソルベントキャストフィルムＦ２７において２℃／分間で降温した場合、発熱ピーク（Ｔｃ）１０４℃に小さな結晶化エネルギー（ΔＨ）しか観察されず、更にソルベントキャストフィルムＦ２７において２０℃／分間で降温した場合、発熱ピーク（Ｔｃ）は全く観察されなかった。この結果は、ソルベントキャストフィルムＦ３５においても同様の傾向であり、ソルベントキャストフィルムＦ３５においても、２０℃／分間で降温した場合、発熱ピーク（Ｔｃ）は全く観察されなかった。
これに対し、キシラン誘導体を添加したソルベントキャストフィルムＦ５、Ｆ１１、Ｆ２９、及びＦ３０は、いずれの降温速度においても発熱ピーク（Ｔｃ）と大きな結晶化エネルギー（ΔＨ）が観察された。これより、キシラン誘導体は、造核剤として機能することが確認された。【００６１】
（試験例３：半結晶化時間（ｔ１／２）、結晶化度、ヘイズ値、及び熱膨張率の評価）
下記表４に示すソルベントキャストフィルムを用いて、以下に示す等温による結晶化法で結晶化を行った。
各ソルベントキャストフィルムを示差熱天秤（ＴｈｅｒｍｏＰｌｕｓ  ＤＳＣ８３２０、株式会社リガク製）のアルミパンに入れ、室温から２００℃まで昇温速度２０℃／分間で昇温し、各ソルベントキャストフィルムを完全に融解させた。次いで、１００℃、１１０℃、１２０℃、又は１３０℃まで冷却し、それぞれの温度で結晶化するまで保持（アニーリング）した。【００６２】
＜半結晶化時間（ｔ１／２）の評価＞
保温時における各ソルベントキャストフィルムの半結晶化時間（ｔ１／２）を発熱ピークの半値幅の時間で求めた。結果を下記表４に示す。【００６３】
【表４】
2012153660.tif 000012
【００６４】
前記等温による結晶化法により高分子化合物（ここでは、ＰＬＬＡ又はＰＤＬＡ）が結晶化したことは、温度保持時の結晶化の発熱ピーク（Ｔｃ）で確認でき、半結晶化時間（ｔ１／２）が短い程、結晶化しやすいことを示す
表４の結果より、キシラン誘導体を添加したソルベントキャストフィルムＦ５、Ｆ１１、Ｆ２９、及びＦ３０は、ＰＬＬＡ又はＰＤＬＡからなるソルベントキャストフィルムＦ２７及びＦ３５と比較して、いずれの温度においても半結晶化時間（ｔ１／２）が大幅に短縮していることが確認された。
図１１Ａに１００℃又は１３０℃で保温したソルベントキャストフィルムＦ５、Ｆ１１、及びＦ２７を偏光顕微鏡で観察した結果を、図１１Ｂに１００℃又は１３０℃で保温したソルベントキャストフィルムＦ２９、Ｆ３０、及びＦ３５を偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
図１１Ａ及び図１１Ｂより、キシラン誘導体を添加したソルベントキャストフィルムＦ５、Ｆ１１、Ｆ２９、及びＦ３０は、ＰＬＬＡ又はＰＤＬＡからなるソルベントキャストフィルムＦ２７及びＦ３５比較して、結晶が小さくその数が多いことが明らかであった。これらの結果より、キシラン誘導体は、造核剤として機能することが確認された。【００６５】
＜結晶化度の評価＞
前記半結晶化時間（ｔ１／２）の評価において、１００℃で保持（アニーリング）した場合の、アニーリング時間と結晶化度との関係を調べた。
ここで、結晶化度（％）は、広角Ｘ線測定装置（ＲＩＮＴ２０００、株式会社リガク製）で測定した。【００６６】
図１２に結果を示す。図１２より、ソルベントキャストフィルムＦ５、Ｆ１１、及びＦ２７のいずれにおいても時間と共に結晶化度が高くなっていたが、ＰＬＬＡ単独のソルベントキャストフィルムＦ２７と比較して、キシラン誘導体を添加したソルベントキャストフィルムＦ５及びＦ１１では、結晶化が促進され、短時間でより高い結晶化度に到達していた。【００６７】
＜ヘイズ値の評価＞
前記半結晶化時間（ｔ１／２）の評価において、１００℃で保持（アニーリング）した場合の、アニーリング時間とヘイズ値との関係を調べた。
ここで、ヘイズ値（％）は、ヘイズメーター（ＨＺ−Ｖ３、スガ試験機株式会社製）で測定した。前記ヘイズ値は、フィルムの曇り度を示し、その値が小さいほど透明性が高いことを意味する。【００６８】
図１３に結果を示す。図１３より、キシラン誘導体を添加したソルベントキャストフィルムＦ５及びＦ１１では、熱処理時間（アニーリング時間）が長くなった場合であっても、即ち、結晶化度が高くなっても、高い透明性を維持していた。図１４に、１００℃、１０分間後のソルベントキャストフィルムＦ５、Ｆ１１、及びＦ２７の写真を示す。これは、図１１Ａ及びＢの結果からもわかるように、結晶が非常に小さくなっているためである。【００６９】
＜熱膨張率の評価＞
前記半結晶化時間（ｔ１／２）の評価において、１００℃で保持（アニーリング）した場合の、アニーリング時間と熱膨張との関係を調べた。
ここで、熱膨張率（％）は、熱機械測定装置（ＴＭＡ−６０、株式会社島津製作所製）で測定した。【００７０】
図１５に結果を示す。熱処理を行っていないものは、いずれも１００℃で１４％以上の熱膨張が生じたが、キシラン誘導体を添加し、数分間熱処理をすると、熱膨張は１％程度まで抑制された。【００７１】
（実施例３４：熱プレスフィルムの作製及び熱分析）
ポリプロピレン（ＰＰ）（密度０．９０、２３０℃／２．１６ｋｇ荷重におけるメルトフローレイト（ＭＦＲ）１．０、商品名：ＰＬ３００Ａ、サンアロマー株式会社製）１００質量部（３０ｇ）に対して、製造例５のキシランラウレート０．０３質量部（０．０８ｇ）、及びジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）１質量部（０．３ｇ）を混合し、プラストグラフ溶融混練機で２３０℃にて１分間溶融混練した。プラストグラフから溶融樹脂をかき出し、２３０℃にて加熱プレスを用いて熱プレスフィルムＦ３６を作製した。【００７２】
熱プレスフィルムＦ３６を、示差熱天秤（ＴｈｅｒｍｏＰｌｕｓ  ＤＳＣ８３２０、株式会社リガク製）のアルミパンに入れ、室温から２００℃まで昇温速度１０℃／分間で昇温し、熱プレスフィルムＦ３６を完全に溶解した。２００℃で５分間保持した後、降温速度２０℃／分間で２０℃まで降温した。更に２０℃から２００℃まで１０℃／分間で昇温した際の吸熱ピークの接線から、結晶から融点（Ｔｍ）を求めた。また吸熱ピークを仕込み重量で割り、溶融エネルギーを求めた。結果を下記表５に示す。【００７３】
（実施例３５：熱プレスフィルムの作製と熱分析）
実施例３４において、ＰＰの溶融混練の際に、キシランラウレート０．０３質量部（０．０８ｇ）に代えて、調製例１のキシラン０．０３質量部（０．０８ｇ）を使用したこと以外は、実施例３４と同様の方法で熱プレスフィルムＦ３７を作製し、実施例３４と同様の方法で熱分析を行った。結果を下記表５に示す。【００７４】
（比較例３：熱プレスィルムの作製と熱分析）
実施例３４において、ＰＰの溶融混練の際にキシランラウレートを使用しなかったこと以外は、実施例３４と同様の方法で熱プレスフィルムＦ３８を作製し、実施例３４と同様の方法で熱分析を行った。結果を下記表５に示す。【００７５】
【表５】
2012153660.tif 000013
【００７６】
表５の結果より、実施例３４及び３５では、比較例３と比較して、融点及び溶融エネルギーが高く、結晶化度が向上していることが明らかであった。【００７７】
以上の実施例及び試験例これらの結果より、キシラン（キシラン誘導体の前駆体）及びキシラン誘導体には、造核剤としての作用があることが確認された。
【図１】
2012153660.tif 000018
【図２】
2012153660.tif 000019
【図３】
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【図４】
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【図５】
2012153660.tif 000022
【図６】
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【図７】
2012153660.tif 000024
【図８Ａ】
2012153660.tif 000025
【図８Ｂ】
2012153660.tif 000026
【図９Ａ】
2012153660.tif 000027
【図９Ｂ】
2012153660.tif 000028
【図１０Ａ】
2012153660.tif 000029
【図１０Ｂ】
2012153660.tif 000030
【図１０Ｃ】
2012153660.tif 000031
【図１０Ｄ】
2012153660.tif 000032
【図１０Ｅ】
2012153660.tif 000033
【図１０Ｆ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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2012153660.tif 000042
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