(57)【要約】  複数に分割した発光セグメントを直列接続させた構成を有する有機発光装置の有機発光層及び上部電極を形成する際に蒸着マスクを省略して製造効率を向上する。  本発明は、基板１と、第一の下部電極２ａ、第一の有機発光層３ａ及び第一の上部電極４ａをこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極２ｂ、第二の有機発光層３ｂ及び第二の上部電極４ｂをこの順に積層した第二の有機発光素子とを備えた有機発光装置において、第二の下部電極２ｂの表面には非対称バンク６ｂが設けてあり、第一の有機発光素子及び第二の有機発光素子は、基板１の表面に配置し、第一の有機発光素子と第二の有機発光素子とは電気的に直列に接続してあり、第一の有機発光素子に対向する非対称バンク６ｂの側面部と第一の有機発光層３ａとの間であって第二の下部電極２ｂの表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極２ｂの表面と当該側面部との間の領域には、第一の上部電極４ａが設けてあり、当該領域にて第一の上部電極４ａと第二の下部電極２ｂとが電気的に接触していることを特徴とする。
2012102218.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子は、前記基板の表面に配置し、前記第一の有機発光素子と前記第二の有機発光素子とを電気的に直列に接続した有機発光装置であって、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域には、前記第一の上部電極が設けてあり、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記側面部は、逆テーパ部を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部は、順テーパ部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第二の下部電極及び前記第二の上部電極は電気的に切り離されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記領域は、空隙部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第一の下部電極と前記第二の下部電極との間には、前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極の端部を覆う端部隠しバンクを設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記端部隠しバンク及び前記非対称バンクは同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項６記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記領域には、前記第二の下部電極の開口部を設けたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触している接触面の幅は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記第一の有機発光層と前記側面部の上端部との最短距離は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記非対称バンクは、その上面部に段差を有し、この段差により前記第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、３０〜８８度であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、９０〜１５０度であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記第二の下部電極の表面に対する前記側面部の上端部の直交射影は、前記第二の下部電極の表面にあることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子を含む有機発光素子群を複数備え、これらの有機発光素子群は、電気的に並列に接続してあり、複数の前記有機発光素子群のそれぞれから異なる光を出射可能としたことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面に非対称バンクを設けた有機発光装置の製造方法であって、前記基板の表面に前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極を形成する工程と、前記第二の下部電極の表面に前記非対称バンクの下層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極、前記第二の下部電極及び前記下層部分を設けた前記基板を熱処理する工程と、前記下層部分の表面に前記非対称バンクの上層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極の表面に前記第一の有機発光層を形成するとともに、前記第二の下部電極の表面に前記第二の有機発光層を形成する工程と、前記第一の有機発光層の表面に前記第一の上部電極を形成するとともに、前記第二の有機発光層の表面に前記第二の上部電極を形成する工程とを含み、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域に前記第一の上部電極を設けることにより、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とを電気的に接続することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記上層部分は、紫外線を用いた露光により形成することを特徴とする請求項１６記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第一の有機発光層及び第二の有機発光層は、真空蒸着法によって形成することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第一の上部電極及び第二の上部電極は、スパッタリング法、化学蒸着法又はイオンプレーティング法によって形成することを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来例として、特許文献１には次のような技術が開示されている。即ち、蒸着マスクを用いて有機ＥＬ発光層を塗り分ける操作を省略することで、複数に分割した発光セグメントを直列接続させた構成の有機ＥＬ発光装置を効率よく製造することを目的とし、隣接する発光セグメントの境界部における第１電極上に、導体部がそれぞれ形成され、各第１電極上に有機ＥＬ発光層と第２電極とがそれぞれ積層され、導体部は隣接する発光セグメントにおける第１電極と第２電極とを電気的に接続する機能を果たし、この結果、各発光セグメントが直列に接続されている有機ＥＬ発光素子である。【０００３】
又、特許文献２には次のような技術が開示されている。即ち、直列抵抗及び短絡欠陥による有害作用の少ない有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）装置を提供することを目的とし、基板を含み、基板の上に間隔を置いて並べられた底部電極を含む複数のＯＬＥＤを含み、ＯＬＥＤの各々が、その対応する間隔を置いて並べられた底部電極の一縁を越えて延在する少なくとも１つの有機層を含み、更にＯＬＥＤの各々が、他の上部電極から間隔を置いて並べられた上部電極であって、隣接するＯＬＥＤの該間隔を置いて並べられた底部電極と電気接触するように延在する上部電極を含むことにより、ＯＬＥＤが直列接続され、そして各ＯＬＥＤの該間隔を置いて並べられた上部電極と底部電極との間に電流が流れ、かつ、当該ＯＬＥＤの間隔を置いて並べられた底部電極から隣のＯＬＥＤの間隔を置いて並べられた上部電極へ電流が流れ、よって直列抵抗による電力損が減少するとされている有機発光デバイス装置である。又、マスクを用いずに上部電極及び有機層を形成するためのビルトイン式シャドーマスクが開示されている（特許文献２の図７）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４３５６８９９号公報
【特許文献２】特開２００４−７１５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の構成では、導体部を形成する必要があるため、新たな材料及びプロセスが必要となる。また、特許文献２に記載の構成を形成するには、有機層に斜め蒸着のプロセスが必要である。斜め蒸着は蒸着源の改良が必要である。また、一方向にのみパターニングされるため、別方向へのパターニングが困難である。さらに、膜厚均一性を高める基板回転を行うことも困難である。その上、大型基板の全面に均一方向へ斜め蒸着することも困難であるなどの課題がある。【０００６】
本発明は、複数に分割した発光セグメントを直列接続させた構成を有する有機発光装置の有機発光層及び上部電極を形成する際に蒸着マスクを省略して製造効率を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備えた有機発光装置において、第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、第一の有機発光素子に対向する非対称バンクの側面部と第一の有機発光層との間であって第二の下部電極の表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極の表面と当該側面部との間の領域には、第一の上部電極が設けてあり、当該領域にて第一の上部電極と第二の下部電極とが電気的に接触していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、有機発光装置の有機発光層及び上部電極を形成する際に蒸着マスクを省略することができ、複数に分割した発光セグメントを直列接続した構成を有する有機発光装置を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例の有機発光装置を示す模式上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３（ａ）】実施例の有機発光装置の下部電極をパターニングした状態を示す断面図である。
【図３（ｂ）】実施例の有機発光装置の非対称バンクの下層部分を形成した状態を示す断面図である。
【図３（ｃ）】実施例の有機発光装置の非対称バンクの上層部分を形成した状態を示す断面図である。
【図３（ｄ）】実施例の有機発光装置の有機発光層を形成した状態を示す断面図である。
【図３（ｅ）】実施例の有機発光装置の上部電極を形成した状態を示す断面図である。
【図４（ａ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図４（ｂ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図４（ｃ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図４（ｄ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図４（ｅ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図４（ｆ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図４（ｇ）】非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。
【図５】実施例の有機発光装置の変形例を示す断面図である。
【図６】実施例の有機発光装置の寸法等のパラメータを模式的に示す要部断面図である。
【図７】実施例の有機発光装置の構成を示す模式上面図である。
【図８】図７の有機発光装置を作製するために用いる成膜マスクを示す模式上面図である。
【図９】図７の有機発光装置を作製するために用いる成膜マスクを示す模式上面図である。
【図１０】図７の有機発光装置を作製するために用いる成膜マスクを示す模式上面図である。
【図１１】非対称バンクを用いない従来例で用いる成膜マスクを示す模式上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る有機発光装置及びその製造方法について説明する。
【００１１】
前記有機発光装置は、基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、第一の有機発光素子及び第二の有機発光素子は、基板の表面に配置し、第一の有機発光素子と第二の有機発光素子とは電気的に直列に接続してあり、第一の有機発光素子に対向する非対称バンクの側面部と第一の有機発光層との間であって第二の下部電極の表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極の表面と当該側面部との間の領域には、第一の上部電極が設けてあり、当該領域にて第一の上部電極と第二の下部電極とが電気的に接触している。ここで、上記の領域は、三次元の空間領域であり、その境界面も含むものとする。
【００１２】
前記有機発光装置において、上記の側面部は、逆テーパ部を有することが望ましい。
【００１３】
前記有機発光装置において、上記の側面部の反対側に位置する非対称バンクの反対側面部は、順テーパ部を有することが望ましい。
【００１４】
前記有機発光装置において、第二の下部電極及び第二の上部電極は、電気的に切り離されていることが望ましい。
【００１５】
前記有機発光装置において、上記の領域は、空隙部を有することが望ましい。ここで、空隙部とは、固体の部材が存在しない気相部分をいう。
【００１６】
前記有機発光装置において、第一の下部電極と第二の下部電極との間には、第一の下部電極及び第二の下部電極の端部を覆う端部隠しバンクを設けたことが望ましい。
【００１７】
前記有機発光装置において、端部隠しバンク及び非対称バンクは同じ材料で形成されていることが望ましい。
【００１８】
前記有機発光装置において、上記の領域には、第二の下部電極の開口部を設けたことが望ましい。
【００１９】
前記有機発光装置において、第一の上部電極と第二の下部電極とが電気的に接触している接触面の幅は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることが望ましい。
【００２０】
前記有機発光装置において、第一の有機発光層と上記の側面部の上端部との最短距離は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることが望ましい。
【００２１】
前記有機発光装置において、非対称バンクは、その上面部に段差を有し、この段差により第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることが望ましい。
【００２２】
前記有機発光装置において、上記の側面部と第二の下部電極とのなす角度は、３０〜８８度であることが望ましい。
【００２３】
前記有機発光装置において、上記の側面部の反対側に位置する非対称バンクの反対側面部と第二の下部電極とのなす角度は、９０〜１５０度であることが望ましい。
【００２４】
前記有機発光装置において、第二の下部電極の表面に対する上記の側面部の上端部の直交射影は、第二の下部電極の表面にあることが望ましい。
【００２５】
前記有機発光装置は、第一の有機発光素子及び第二の有機発光素子を含む有機発光素子群を複数備え、これらの有機発光素子群は、電気的に並列に接続してあり、複数の有機発光素子群のそれぞれから異なる光を出射可能としたものであることが望ましい。
【００２６】
前記有機発光装置の製造方法は、基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、第二の下部電極の表面に非対称バンクを設けた有機発光装置の製造方法であって、基板の表面に第一の下部電極及び第二の下部電極を形成する工程と、第二の下部電極の表面に非対称バンクの下層部分を形成する工程と、第一の下部電極、第二の下部電極及び下層部分を設けた基板を熱処理する工程と、下層部分の表面に非対称バンクの上層部分を形成する工程と、第一の下部電極の表面に第一の有機発光層を形成するとともに、第二の下部電極の表面に第二の有機発光層を形成する工程と、第一の有機発光層の表面に第一の上部電極を形成するとともに、第二の有機発光層の表面に第二の上部電極を形成する工程とを含み、第一の有機発光素子に対向する非対称バンクの側面部と第一の有機発光層との間であって第二の下部電極の表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極の表面と当該側面部との間の領域に第一の上部電極を設けることにより、当該領域にて第一の上部電極と第二の下部電極とを電気的に接続することを特徴とする。
【００２７】
前記有機発光装置の製造方法において、非対称バンクの上層部分は、紫外線を用いた露光により形成することが望ましい。
【００２８】
前記有機発光装置の製造方法において、第一の有機発光層及び第二の有機発光層は、真空蒸着法によって形成することが望ましい。
【００２９】
前記有機発光装置の製造方法において、第一の上部電極及び第二の上部電極は、スパッタリング法、化学蒸着法又はイオンプレーティング法によって形成することが望ましい。
【００３０】
前記有機発光装置の特徴は、以下のように言い換えることもできる。
【００３１】
（１）前記有機発光装置は、基板と、基板の表面に形成された第一の下部電極と、第一の下部電極の表面に形成された第一の有機発光層と、第一の有機発光層の表面に形成された第一の上部電極と、を有する第一の有機発光素子と、基板の表面に形成された第二の下部電極と、第二の下部電極の表面に形成された第二の有機発光層と、第二の有機発光層の表面に形成された第二の上部電極と、第二の下部電極の表面に形成された非対称バンクと、を有する第二の有機発光素子と、を有し、第一の有機発光素子および第二の有機発光素子は直列に接続されており、非対称バンクの第一の有機発光素子が存在する側の側面は逆テーパとなっており、非対称バンクの第一の有機発光素子が存在しない側の側面は順テーパとなっており、非対称バンクの逆テーパ側において、第一の上部電極および第二の上部電極は電気的に切り離されており、非対称バンクの逆テーパ側において、第一の上部電極および第二の下部電極は電気的に導通しており、非対称バンクの順テーパ側において、第二の下部電極および第二の上部電極は電気的に切り離されており、非対称バンクの逆テーパ部端部より非対称バンクが存在する側に第一の上部電極が回り込んでいる。
【００３２】
（２）上記（１）において、さらに、端部隠しバンクを有し、この端部隠しバンクは、第一の下部電極および第二の下部電極の端部を覆い、端部隠しバンクの材料と非対称バンクの材料とが同じであることが望ましい。
【００３３】
（３）上記（１）において、非対称バンクの庇の下方および第二の下部電極の表面には開口部が形成され、第一の上部電極と第二の下部電極との接触部の幅が３００ｎｍ以上１ｍｍ以下であることが望ましい。ここで、「３００ｎｍ以上１ｍｍ以下」は、範囲を上限値及び下限値を表すものであり、「３００ｎｍ〜１ｍｍ」と言い換えてもよい。以下の記載においても同様である。
【００３４】
（４）上記（１）において、基板の法線方向における第一の有機発光層と非対称バンクの逆テーパ部端部との距離が３００ｎｍ以上１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００３５】
（５）上記（１）において、非対称バンクの逆テーパより非対称バンクが存在する側に空間が形成されることが望ましい。
【００３６】
（６）上記（１）において、非対称バンク上の段差により、第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることが望ましい。
【００３７】
（７）上記（１）において、非対称バンクの逆テーパ部と第二の下部電極とのなす角度は、３０〜８８度であることが望ましい。
【００３８】
（８）上記（１）において、非対称バンクの順テーパ部と第二の下部電極とのなす角度が、９０〜１５０度であることが望ましい。
【００３９】
（９）上記（１）において、非対称バンクの逆テーパ部端部が第二の下部電極の逆テーパ側端部よりも非対称バンクが存在する側にあることが望ましい。
【００４０】
（１０）上記（１）において、第一の有機発光層以外は第一の有機発光素子と同様の構造を有する第三の有機発光素子と、第二の有機発光層以外は第二の有機発光素子と同様の構造を有する第四の有機発光素子と、を有し、第一の有機発光素子および第二の有機発光素子で第一の有機発光素子群が構成され、第三の有機発光素子および第四の有機発光素子で第二の有機発光素子群が構成され、第一の有機発光素子群および第二の有機発光素子群は並列に接続されており、第一の有機発光層および第二の有機発光層からは同一色の光が出射され、第三の有機発光層および第四の有機発光層からは同一色の光が出射され、第一の有機発光層の発光色と第三の有機発光層の発光色とは異なることが望ましい。
【００４１】
以下、図面等を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の実施例は本願発明の内容の具体例を示すものであり、本願発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。また、実施例を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００４２】
図１、図２及び図３（ａ）〜図３（ｅ）は、実施例１に係る有機発光装置の図である。【００４３】
図１は、３つに分割した有機発光素子ａ，ｂ，ｃを備えた有機発光装置の積層構造の例を模式的に示す要部上面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ′断面にて矢印方向から見た断面図である。図３（ａ）〜図３（ｅ）は、図１及び図２に示す有機発光装置の成膜工程の例を順に示す断面図である。【００４４】
図１において、基板１の表面には、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成されている。そして、下部電極２ａの表面には、下部電極２ａから近い順に有機発光層３ａ及び上部電極４ａが積層されている。同様に、下部電極２ｂの表面には、下部電極２ｂから近い順に有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂが積層され、下部電極２ｃの表面には、下部電極２ｃから近い順に有機発光層３ｃ及び上部電極４ｃが積層されている。また、下部電極２ｂ，２ｃの表面には、非対称バンク６ｂ，６ｃが形成されている。直流電源Ｅの正極端子（＋）は下部電極２ａに接続され、直流電源Ｅの負極端子（−）は上部電極４ｃに接続されている。【００４５】
図２に示すように、有機発光素子ａの下部電極２ａの表面には、断面が台形状の直列最端部短絡抑制バンク６ａ′が形成してある。有機発光層３ａ及び上部電極４ａは、下部電極２ａ、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′及び下部電極２ｂの一部に積層されている。有機発光素子ａは、下部電極２ａ、有機発光層３ａ及び上部電極４ａが積層された部位に発光領域ＬＡａを有する。上部電極４ａは、発光領域ＬＡａではない部位であるコンタクト部５ａｂ（接触面）において下部電極２ｂに接触している。【００４６】
下部電極２ｂの表面には、断面の有機発光素子ａ側に逆テーパ部ＲＴｂを有し、有機発光素子ａの反対側に下部電極２ｂから近い順に順テーパ部ＦＴｂ及び逆テーパ部を有する非対称バンク６ｂが形成してある。すなわち、非対称バンク６ｂの断面形状は、順テーパ部ＦＴｂ及び逆テーパ部ＲＴｂを有する四辺形と逆テーパ部ＲＴｂを有する台形とを積層した形状である。ここで、非対称バンク６ｂにおいて有機発光素子ａ側に位置する側面部を「側面部」と呼び、有機発光素子ａの反対側の側面部を「反対側面部」と呼ぶ。下部電極２ｃの表面に形成された非対称バンク６ｃも、非対称バンク６ｂと同様の断面形状を有する。【００４７】
本図においては、非対称バンク６ｂの表面（上面部）にも有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂが積層されている。同様に、非対称バンク６ｃの表面（上面部）にも有機発光層３ｃ及び上部電極４ｃが積層されている。有機発光素子ｂは、下部電極２ｂ、有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂが積層された部位に発光領域ＬＡｂを有する。上部電極４ｂは、発光領域ＬＡｂではない部位であるコンタクト部５ｂｃにおいて下部電極２ｃに接触している。また、有機発光素子ｃは、下部電極２ｃ、有機発光層３ｃ及び上部電極４ｃが積層された部位に発光領域ＬＡｃを有する。【００４８】
直流電源Ｅの正極端子（＋）は、発光領域ＬＡａではない部位において下部電極２ａに接続されている。また、直流電源Ｅの負極端子（−）は、発光領域ＬＡｃではない部位において上部電極４ｃに接続されている。【００４９】
逆テーパ部端部１４ｂから下部電極２ｂまでの逆テーパ部ＲＴｂと下部電極２ｂとの間の領域には、有機発光層３ｂは形成されていない。この領域には、上部電極４ａの端部が形成され、コンタクト部５ａｂにおいて上部電極４ａと下部電極２ｂとが接触している。開口部７ｂは、下部電極２ｂが露出した部位である。【００５０】
逆テーパ部端部１４ｃから下部電極２ｃまでの逆テーパ部ＲＴｃと下部電極２ｃとの間の領域も同様の構成を有する。開口部７ｃは、下部電極２ｃが露出した部位である。【００５１】
下部電極２ｂ、２ｃの表面に対する側面部の上端部（逆テーパ部端部１４ｂ）の直交射影はそれぞれ、下部電極２ｂ、２ｃの表面にある。【００５２】
図１及び図２に示すように、基板１の表面には下部電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成されている。下部電極２ａ，２ｂ，２ｃは、蒸着等により成膜される。その後、例えばフォトリソグラフィ法により図２に下部電極２ａ，２ｂ，２ｃとして示すように、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃは、３つに分割（パターニング）されている。なお、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの成膜及び分割（パターニング）は、マスクを用いた蒸着により同時に行ってもよい。【００５３】
有機発光素子ａの下部電極２ａの表面に、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′が形成される。直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の目的は、下部電極２ａと上部電極４ａ（後述）との短絡防止である。【００５４】
各有機発光素子ａ，ｂ，ｃの境界部における下部電極２ｂ，２ｃの表面に、それぞれ非対称バンク６ｂ，６ｃが形成される。非対称バンク６ｂ，６ｃは、一例として各有機発光素子ａ，ｂ，ｃの境界部に沿って紙面奥行き方向に連続するよう形成されている。非対称バンク６ｂ，６ｃの役割については後述する。【００５５】
３つに分割された下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの表面には、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃが下部電極２ａ，２ｂ，２ｃに重畳されるようにして、夫々３つに分割された状態で蒸着等により成膜される。図２では、非対称バンク６ｂの表面（逆テーパ部端部１４ｂ側の上面部）に形成された有機発光層３ｂと下部電極２ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとは、非対称バンク６ｂの上面部に形成された段差により二つに電気的に分離されている。これにより、有機発光層３ａ又は上部電極４ａと非対称バンク６ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとが短絡しても、有機発光層３ａ又は上部電極４ａと下部電極２ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとの短絡を防止することができる。なお、これらの二つの有機発光層３ｂが繋がっていても、有機発光層３ａ又は上部電極４ａと非対称バンク６ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとが短絡しなければ問題は生じない。【００５６】
さらに、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの表面には、上部電極４ａ，４ｂ，４ｃが、夫々３つに分割された状態で成膜される。図２では、非対称バンク６ｂの表面に形成された有機発光層３ｂ上の上部電極４ｂおよび下部電極２ｂの表面に形成された有機発光層３ｂ上の上部電極４ｂは、非対称バンク６ｂの段差により分離されているが、繋がっていてもよい。二つの上部電極４ｂが分離されていることにより、二つの上部電極４ｂを電気的に絶縁できる。【００５７】
尚、後述する非対称バンク６ｂ，６ｃの効果により例えば有機発光素子ｂ内において、有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂは一部接続が切れている。しかし、この接続切れは本発明について本質的なものではないため、同一符号で示す。【００５８】
発光領域ＬＡａを有する第１の有機発光素子ａは、下部電極２ａ，有機発光層３ａ，上部電極４ａ及び直列最端部短絡抑制バンク６ａ′で構成される。発光領域ＬＡｂを有する第２の有機発光素子ｂは、下部電極２ｂ，有機発光層３ｂ，上部電極４ｂ及び非対称バンク６ｂで構成される。発光領域ＬＡｃを有する第３の有機発光素子ｃは、下部電極２ｃ，有機発光層３ｃ，上部電極４ｃ及び非対称バンク６ｃで構成される。このとき、上部電極４ａの端部は、下部電極２ｂの端部に対してコンタクト部５ａｂを介して電気的に導通されるように成膜される。上部電極４ｂの端部は、下部電極２ｃの端部にコンタクト部５ｂｃを介して電気的に導通されるように成膜される。これにより、第１の有機発光素子〜第３の有機発光素子は電気的に直列に接続される。【００５９】
そして、下部電極２ａと上部電極４ｃとの間には、発光駆動源として機能する直流電源Ｅが接続される。即ち、図１及び図２に示す構成において、直流電源Ｅの正極端子（＋）が下部電極２ａに、又直流電源Ｅの負極端子（−）が上部電極４ｃに接続されている。これにより、直列接続された第１の有機発光素子〜第３の有機発光素子には、直流電源Ｅより発光駆動電流が供給される。【００６０】
このような構成では、広い面積の有機発光素子を複数（図の例では３つ）に分割して直列接続しているため、例えばＩＴＯに代表される透明電極の高い電気抵抗率の影響を受けて、輝度むらが発生する度合いを効果的に低減させることができる。【００６１】
次に、非対称バンク６ｂ，６ｃについて述べる。【００６２】
非対称バンク６ｂは、その一つの側面部と下部電極２ｂの一部との間であって下部電極２ｂの表面における法線と当該側面部とが交わる下部電極２ｂの表面と当該側面部との間の領域を設けた形状を有している。すなわち、非対称バンク６ｂは、庇（ひさし）を有している。非対称バンク６ｃも同様である。【００６３】
典型的な例として、非対称バンク６ｂは、逆テーパ部ＲＴｂおよび順テーパ部ＦＴｂを有する。非対称バンク６ｃは、逆テーパ部ＲＴｃおよび順テーパ部ＦＴｃを有する。つまり、非対称バンク６ｂの第一の有機発光素子ａが存在する側の側面が逆テーパ部ＲＴｂとなり、非対称バンク６ｂの第一の有機発光素子ａが存在しない側の側面が順テーパ部ＦＴｂとなる。また、非対称バンク６ｃの第二の有機発光素子ｂが存在する側の側面が逆テーパ部ＲＴｃとなり、非対称バンク６ｃの第二の有機発光素子ｂが存在しない側の側面が順テーパ部ＦＴｃとなる。【００６４】
第二の有機発光素子ｂに対して、第一の有機発光素子ａが存在する側および第一の有機発光素子ａが存在しない側の方向は、図２の紙面左右方向を基準にする。非対称バンク６ｂ，６ｃが形成された後に、有機発光層が全面に成膜される。この際、逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃがマスクの役割を果たすことにより、有機発光層は、各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して夫々有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの３つに分離される。又、逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃの下、下部電極２ｂ，２ｃの表面には有機発光層３ｂ，３ｃが成膜されず、下部電極２ｂ，２ｃが露出した開口部７ｂ，７ｃが形成される。換言すれば、逆テーパ部端部１４ｂに対応する基板法線ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃよりも非対称バンク６ｂ，６ｃの側に形成される有機発光層の量は僅かであるために、上部電極４ａおよび下部電極２ｂのコンタクト，上部電極４ｂおよび下部電極２ｃのコンタクトを行うための開口部７ｂ，７ｃを形成することができる。【００６５】
更に、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの表面に、上部電極が全面に成膜される。この際、逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃがマスクの役割を果たすため、上部電極は各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して夫々上部電極４ａ，４ｂ，４ｃで示すように３つに分離され、上部電極４ａ，４ｂ，４ｃは互いに電気的に絶縁された状態で成膜される。【００６６】
そして、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃよりも回り込みの強い成膜方法を用いることにより、図２に示されるように、上部電極４ａと下部電極２ｂとの間、上部電極４ｂと下部電極２ｃとの間に開口部７ｂ，７ｃを通じてコンタクト部５ａｂ及び５ｂｃが形成され、有機発光素子ａ，ｂ，ｃは電気的導通を取ることができる。【００６７】
ここで記した「回り込み」とは、逆テーパ部端部１４ｂに対応する基板法線ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃよりも非対称バンク６ｂ，６ｃの側に上部電極４ａ，４ｂが延在して形成される状態を意味する。これは、逆テーパ部端部１４ｂ，１４ｃに対応する基板法線ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃ近傍まで形成される有機発光層３ａ，３ｂよりも、開口部７ｂ，７ｃの非対称バンク６ｂ，６ｃ側にて上部電極４ａおよび下部電極２ｂ，上部電極４ｂおよび下部電極２ｃ上が接触するためである。ここで、非対称バンク６ｂ，６ｃが順テーパ部ＦＴｂ，ＦＴｃを有するため、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間には有機発光層３ｂ，３ｃが存在し、有機発光素子ｂ，ｃにおいて、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間において短絡が抑制される。【００６８】
以上により、非対称バンク６ｂ，６ｃ及び上部電極４ａ，４ｂの回り込みにより、有機発光素子ａ，ｂ，ｃが直列接続された有機発光装置を得ることができる。【００６９】
なお、回り込みは、成膜に用いる材料の粒子が残留ガスやイオンなどと衝突することによって散乱され、粒子の進行方向が変わることにより、対象部材の上面部だけでなく、その側面部などの陰になっている部位にもある程度付着する現象である。蒸着を超高真空で行う場合は、回り込みが弱く（少なく）なることが多い。これに対して、成膜の際の真空度が低い（圧力が高い）場合は、回り込みが強く（多く）なる。このため、残留ガス又は残留イオン濃度が比較的高い（成膜に用いる材料の粒子の平均自由工程が大きい）条件となりやすい化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法等は、回り込みの強い成膜方法といえる。ただし、回り込みの強弱（多寡）は、成膜方法だけでは決まらず、上記の真空度や成膜の際の磁場の印加方法、放電の発生方法等の成膜方法固有のプロセス条件にも依存する。さらに、材料の種類にも依存する。【００７０】
［順テーパ部及び逆テーパ部の定義，形状］
ここで、順テーパ部及び逆テーパ部の定義，形状について図４（ａ）を用いて、有機発光素子ｂ及びその周辺に基づき記す。図４（ａ）は、図２の有機発光素子ｂ及びその周辺の要部断面図である。非対称バンク６ｂにおける開口部７ｂ側の底部端部８ｂから下部電極２ｂに沿って非対称バンク６ｂが存在しない側に伸ばした半直線９ｂを基準（０度）とする。下部電極２ｂより図中上側に半直線９ｂを回転させ、初めて非対称バンク６ｂに接する点１０ｂまでの半直線９ｂの回転角をθｏと定義し、「逆テーパ部（側面部）と下部電極２ｂとのなす角度」と称する。このとき、０度＜θｏ＜９０度の場合を逆テーパとする。この場合、非対称バンク６ｂは開口部７ｂ側に逆テーパ部ＲＴｂを有する、と定義する（図４（ａ）に相当）。また、９０度≦θｏ＜１８０度の場合を順テーパと定義する。この場合、非対称バンク６ｂは開口部７ｂ側に順テーパ部を有する、と定義する。θｏ＝９０度のときには、非対称バンク６ｂの側面は垂直に切り立つ状態であるが、本発明における役割は９０度＜θｏの場合と同様なため、順テーパと定義する。なお、図４（ａ）における接点１０ｂは、上記の図２の逆テーパ部端部１４ｂと（今の場合は）同一構成である。逆テーパ部端部１４ｂの正確な定義は後述する。３０度≦θｏ≦８８度が望ましい。θｏが８８度より大きいと、逆テーパ部ＲＴｂに沿って上部電極４ｂが形成され、意図しない電極間における電気的導通が発生してしまう可能性が高くなる。例えば、図３（ｅ）における上部電極４ｂが、上部電極４ａや下部電極２ｂと電気的に導通してしまう可能性が高くなる。θｏが３０度より小さいと、非対称バンク６ｂの紙面水平方向のサイズが大きくなり、発光領域ＬＡｂが狭くなってしまうために、光源としての輝度が低下してしまう。【００７１】
同様に、非対称バンク６ｂにおける発光領域Ｌａｂ側の底部端部１１ｂから下部電極２ｂに沿って非対称バンク６ｂが存在しない側に伸ばした半直線１２ｂを基準（０度）とする。下部電極２ｂより図中上側に半直線１２ｂを回転させ、初めて非対称バンク６ｂに接する点１３ｂまでの半直線１２ｂの回転角をθＬと定義する。このとき、０度＜θＬ＜９０度の場合を逆テーパとする。この場合、非対称バンク６ｂは発光領域ＬＡｂ側に逆テーパ部を有する、と定義する。また、９０度≦θＬ＜１８０度の場合を順テーパと定義し、「順テーパ部（反対側面部）と下部電極２ｂとのなす角度」と称する。この場合、非対称バンク６ｂは発光領域ＬＡｂ側に順テーパ部ＦＴｂを有する、と定義する（図４（ａ）に相当）。θＬ＝９０度のときには、非対称バンク６ｂの側面は垂直に切り立つ状態であるが、本発明における役割は９０度＜θＬの場合と同様なため、順テーパと定義する。９０度≦θＬ≦１５０度が望ましい。θＬが１５０度より大きいと、非対称バンク６ｂの紙面水平方向のサイズが大きくなり、発光領域ＬＡｂが狭くなってしまうために、光源としての輝度が低下してしまう。【００７２】
本実施例では、非対称バンク６ｂは開口部７ｂが存在する側に逆テーパ部ＲＴｂを有し、発光領域ＬＡｂが存在する側に順テーパ部ＦＴｂを有することが重要である。この条件を満たす非対称バンク６ｂの形状として、図４（ａ）以外にも例えば、図４（ｂ）〜図４（ｆ）のような形状でもよい。各構成の作製方法は後述するが、各々作製方法が異なるため、適当な構成を選択することにより、様々なプロセスにおける制約条件（現像液とレジストの相性等）に対応できる。特に、図４（ｃ），図４（ｄ）及び図４（ｅ）では、非対称バンク６ｂの開口部７ｂが存在する側における逆テーパ部ＲＴｂより非対称バンク６ｂが存在する側に深く空間（切り込み）が形成されているため、上部電極同士の絶縁をより確実に行うことができる。【００７３】
また、上記定義では適切な定義が難しい例として、図４（ｇ）のように、非対称バンク６ｂの開口部７ｂ側の底部端部８ｂから下に凸な、なだらかな曲線である場合や、非対称バンク６ｂの発光領域ＬＡｂ側の底部端部１１ｂから上に凸な、なだらかな曲線である場合が考えられる。この場合には、本実施例に必要な機能を考慮して、底部端部８ｂ及び底部端部１１ｂから非対称バンク６ｂに引いた接線を考える。半直線９ｂ及び半直線１２ｂのなす角を持ってθｏ′及びθＬ′を定義する。θｏ′＜θｏの場合には、開口部７ｂ側についてθｏ′を用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。同様に、θＬ′＜θＬの場合には、発光領域ＬＡｂ側についてθＬ′を用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。また、θｏ′≧θｏの場合には、開口部７ｂ側についてθｏを用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。同様に、θＬ′≧θＬの場合には、発光領域ＬＡｂ側についてθＬを用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。【００７４】
又、上記の逆テーパ部端部１４ｂを定義する。逆テーパ部端部１４ｂは非対称バンク６ｂに対して、基板法線を半直線９ｂに平行な方向の無限遠点から近づけたときに一番初めに接する非対称バンク６ｂの点である。逆テーパ部端部１４ｂは、有機発光層成膜においてマスクされる領域をおおよそ規定する。図４（ａ）〜図４（ｆ）において、逆テーパ部端部１４ｂは上記の接点１０ｂ（非対称バンク６ｂにおける開口部７ｂ側底部端部８ｂから下部電極２ｂに沿って非対称バンク６ｂが存在しない側に伸ばした半直線９ｂを基準（０度）として、下部電極２ｂより図中上側に半直線９ｂを回転させ、初めて非対称バンク６ｂに接する点）に等しい。また、図４（ｇ）においては、図中の点１４ｂが逆テーパ端部に対応する。【００７５】
［成膜プロセス］
図１及び図２に示した構成の有機発光装置を得るための成膜工程及び具体的な材料について、図３（ａ）〜図３（ｅ）に基づき説明する。【００７６】
［下部電極形成工程］
まず、図３（ａ）は、ガラス等の透明な素材により形成された基板１の表面に下部電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成した状態を示している。具体的には、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜からなる下部電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成した。【００７７】
本実施例では、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃとしてＡｌ膜を用いたが、これに限定されない。例えば、金，銀，銅，インジウム，モリブデン，ニッケル等の金属、これらの合金，ポリシリコン，アモルファスシリコンの無機材料が挙げられる。また、上記の金属または合金の表面に、錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜を形成した積層膜が挙げられる。膜厚は透明性および導電性の確保のために、８０〜４００ｎｍに設定され、より好ましくは１００〜２００ｎｍに設定される。【００７８】
基板１としては、ガラス基板，金属基板，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，Ａｌ２Ｏ３等の無機材料を形成したプラスチック基板等が挙げられる。金属基板材料としては、ステンレス，４２アロイなどの合金が挙げられる。プラスチック基板材料としては、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等が挙げられる。図３（ａ）では基板１は単一となっているが、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃごとに分割して形成されていても良い。【００７９】
下部電極２ａ，２ｂ，２ｃはスパッタリング法やイオンプレーティング法，蒸着法などの通常用いられる方法で基板１の表面に成膜できる。基板１上の全面にわたって成膜した後において、例えばフォトリソグラフィ法を用いることで、図３（ａ）に下部電極２ａ，２ｂ，２ｃとして示すように３つにパターニングできる。【００８０】
［非対称バンク形成工程］
続いて、図３（ｂ）に示すように、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′が形成される。非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′は、隣接する有機発光素子ａ，ｂ，ｃの境界部における下部電極２ｂ，２ｃの表面に、境界部に沿って紙面奥行き方向に連続するようにして形成される。下層部分は次の工程と合わせて形成する非対称バンクの一部であるため、順テーパを有する構造でも逆テーパを有する構成でもよい。非対称バンクの下層部分６ｂ′と下部電極２ｂとが接する部分の非対称バンクの下層部分６ｂ′の幅は、１μｍ〜１ｍｍであることが望ましい。【００８１】
本実施例では、ポジ型ノボラック系フォトレジスト（ＴＦＲ‐９７０：東京応化工業株式会社製）をスピンコーティングした。このときの膜厚は約２μｍであった。この後、露光及び現像を行い、パターンに従って順テーパを有する直列最端部短絡抑制バンク６ａ′及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′を形成した。更に、その後に２００℃のクリーンオーブンで３０分加熱した。これにより、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の耐薬品性が高まり、この後の非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′の現像工程で、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′が溶解することを防ぐことができる。【００８２】
続いて、図３（ｃ）に示すように非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′に対して、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を加える。これにより例えば非対称バンク６ｂについて、開口部７ｂ側に逆テーパ部ＲＴｂ，発光領域ＬＡｂ側に順テーパ部ＦＴｂを有する非対称な形状となる。非対称バンクの上層部分６ｂ′′と非対称バンクの下層部分６ｂ′とが接しない部分の非対称バンクの上層部分６ｂ′′の幅は、１μｍ〜１ｍｍであることが望ましい。非対称バンクの上層部分６ｂ′′と非対称バンクの下層部分６ｂ′とが接しない部分の非対称バンクの上層部分６ｂ′′の表面の平均粗さで１０μｍ以下であることが望ましい。非対称バンクの上層部分６ｂ′′の高さは、１μｍ〜１ｍｍであることが望ましい。【００８３】
本実施例では、ネガ形フォトレジスト（ＺＰＮ１１５０：日本ゼオン株式会社製）を、スピンコーティングしプリベークした。非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′は、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′よりアルカリ現像液に対する溶解速度の大きいものであることが望ましい。【００８４】
この場合の膜厚は５μｍ程度とした。次に、光透過スリットを備えたマスクを介して、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を形成させる位置に対してＵＶ光（紫外線）を投射し露光した。そして、フォトレジストがプリベークされた基板１にアルカリ現像液をスプレーシャワーすることにより現像の進行性の差によって、図３（ｃ）に示すように逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃを有する非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を形成した。ここでは、逆テーパ形状のバンクを作製するために、故意にＵＶ光の透過性を低くしたネガ感光型のフォトレジストを用いて、深さ方向において現像液に対する溶解性の差が生ずることを利用した。すなわち、まず、ネガ感光型フォトレジストを塗布し、非対称バンクを形成したい場所のみに光が当たるようにフォトマスクで遮光した上でＵＶ露光を行った。この際、ＵＶ光が当たった部位は現像液耐性となる。露光側に近いフォトレジストの表面は、フォトレジストの底面（基板１側）に比べて露光量（ＵＶ光の吸収量）が大きいため、より現像しにくい（現像速度が遅い）。したがって、現像工程においてフォトレジストの露光部の上下で現像速度に差が生じる。これにより、現像後に逆テーパ形状を形成することができる。【００８５】
本実施例では、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′を、順テーパを有する形状とし、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を、逆テーパ形状を有する形状とした。しかし、本発明の目的を達成するためには、最終的に開口部側が逆テーパ、発光領域側が順テーパ形状を有すればよいため、例えば、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′を、逆テーパを有する形状とし、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を、順テーパ形状を有する形状としてもよい。このようにして形成したものが図４（ｂ）に対応する。また、図４（ｂ）の構成において、非対称バンクの下層部分をレジスト剥離液などで溶解することにより、図４（ｃ）の構成を形成できる。さらに、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′および非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を共に順テーパ形状を有する形状とした上で、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の下層部分をレジスト剥離液などで溶解することにより、図４（ｄ）の構成を形成できる。【００８６】
非対称バンク６ｂ，６ｃの形成に必要な順テーパ形状及び逆テーパ形状の形成に用いることのできる材料は、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等の金属窒化物，非感光性ポリイミド，感光性ポリイミド，フォトレジスト（ノボラック系，感光性環化ゴム系，科学増幅型）等の感光性樹脂などの有機物が挙げられる。非対称バンク６ｂ，６ｃが金属酸化物であれば、マスクを用いたリアクティブイオンエッチング等の手法を用いて、非感光性ポリイミドであればマスクを用いたドライエッチング，ウェットエッチング等の手法を用いて、感光性材料であればマスクを用いたフォトリソグラフィ等の手法によりパターニングできる。逆テーパ部を用いた隣接有機発光素子間における上部電極と下部電極の接続を有効に行うためには、非対称バンクの逆テーパ部端部１４ｂは下部電極の逆テーパ側端部２ｂ′（図３（ｃ））よりも発光領域ＬＡｂ側（紙面右側）、つまり、非対称バンクが存在する側にあることが望ましい。【００８７】
［有機発光層の形成工程］
図３（ｄ）は、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの表面に有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃを成膜した状態を示す。この場合、有機発光層を全面にわたって成膜することで、非対称バンク６ｂ，６ｃの存在により、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃは各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して夫々３ａ，３ｂ，３ｃで示したように３つに分離される。このとき、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′の表面には、有機発光層３ｂ，３ｃが形成されている。斜め蒸着のプロセスを用いずに真空蒸着法等により有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃを作製することにより、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′上の有機発光層３ｂ，３ｃは矩形となる。なお、本実施例では、下部電極２ａと下部電極２ｂとの間，及び下部電極２ｂと下部電極２ｃとの間であって、基板１の表面にも有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃが形成されている。【００８８】
有機発光層は、正孔輸送層，発光層，電子輸送層，バッファ層などからなる。ただし、バッファ層はなくてもよい。また、有機発光層には後述する正孔注入層または電子注入層が含まれる場合がある。【００８９】
本実施例では、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの表面に、真空蒸着法により膜厚５９ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、α−ＮＰＤとする。）の蒸着膜を形成した。この蒸着膜は正孔輸送層として機能する。【００９０】
本実施例では、正孔輸送層としてα−ＮＰＤの蒸着膜を用いたが、これに限定されない。正孔輸送層は、正孔を輸送し、発光層へ注入するものである。そのため、正孔輸送層は正孔移動度が高い正孔輸送性材料からなることが望ましい。また、正孔輸送層として、化学的に安定で、イオン化ポテンシャルが小さく、電子親和力が小さく、ガラス転移温度が高いことが望ましい。【００９１】
正孔輸送層としては、例えば、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４′，４′′−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、４，４′，４′′−トリス（Ｎ−カルバゾール）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（２−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｏ−ＭＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｍｍＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｐ−ＭＴＤＡＢ）、４，４′，４′′−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４′，４′′−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４′，４′′−トリス［ビフェニル−４−イル−（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｐ−ＰＭＴＤＡＴＡ）、４，４′，４′′−トリス［９，９−ジメチルフルオレン−２−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ＴＦＡＴＡ）、４，４′，４′′−トリス（Ｎ−カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ｐ−ＢＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルフルオレン−２，７−ジアミン（ＰＦＦＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＦＦＤ），４−４′−ビス［Ｎ，Ｎ′−（３−トリル）アミノ］−３−３′−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）等が望ましく、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。【００９２】
必要に応じて、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃと正孔輸送層との間には正孔注入層を配置してもよい。下部電極２ａ，２ｂ，２ｃと正孔輸送層との注入障壁を下げるため、正孔注入層は適当なイオン化ポテンシャルを有する材料により形成されることが望ましい。また、正孔注入層は下地層の表面の凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。正孔注入層としては、例えば、銅フタロシアニン，スターバーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン，酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウム等が挙げられる。【００９３】
また、正孔輸送性材料に酸化剤を含有してもよい。これにより、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃと正孔輸送層との障壁を低下させる、または、電気伝導度を向上させることができる。酸化剤としては、例えば、塩化第二鉄，塩化アンモニウム，塩化ガリウム，塩化インジウム，五塩化アンチモン等のルイス酸化合物，トリニトロフルオレン等の電子受容性化合物，正孔注入材料として挙げられる酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウムなどを用いることができ、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。【００９４】
次に、正孔輸送層の表面に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのＣＢＰ及びイリジム錯体（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とする。）を共蒸着した膜を形成した。このＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の蒸着速度は、それぞれ０．２０ｎｍ／ｓｅｃ及び０．０２ｎｍ／ｓｅｃとした。Ｉｒ（ｐｐｙ）３が発光色を決定するドーパントとして機能する。ＣＢＰおよびＩｒ（ｐｐｙ）３との共蒸着膜は、中心波長５２０ｎｍの緑色の光を発する緑色発光層として機能する。【００９５】
緑色発光層において、注入された正孔及び電子が再結合し励起状態が形成され、励起状態が基底状態に緩和する際、材料固有の波長で発光する。緑色発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合と、ホストに微量添加したドーパント材料が発光する場合がある。ホスト材料としては、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２），フェナンスレン基を有するペリノン誘導体（Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ），ペリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリパラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリパラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポリアセチレン誘導体等が挙げられ、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。【００９６】
次に、ドーパント材料としては、例えば、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルブレン，４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体，ポルフィリン白金錯体（ＰｔＯＥＰ），イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等が挙げられ、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。【００９７】
次に、緑色発光層の表面に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３とする。）を蒸着した膜を形成した。この蒸着膜は電子輸送層として機能する。【００９８】
電子輸送層は、電子を輸送し、緑色発光層へ注入する。そのため、電子輸送層は電子移動度が高い電子輸送性材料からなることが望ましい。電子輸送層としては、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体，バソキュプロイン（ＢＣＰ）等が望ましく、１種単独、または、２種以上を併用することもできる。【００９９】
また、電子輸送層は、上記の電子輸送性材料に還元剤を含有して、バッファ層と電子輸送層との障壁を低くすること、または、電子輸送層の電気伝導度を向上させることが望ましい。還元剤としては、例えば、アルカリ金属，アルカリ土類金属，アルカリ金属酸化物，アルカリ土類酸化物，希土類酸化物，アルカリ金属ハロゲン化物，アルカリ土類ハロゲン化物，希土類ハロゲン化物，アルカリ金属，芳香族化合物等で形成される錯体が挙げられる。特に、好ましいアルカリ金属はＣｓ，Ｌｉ，Ｎａ及びＫである。これらの材料に限られず、これらの材料を１種単独、または、２種以上併用してもよい。【０１００】
次に、電子輸送層の表面に、バッファ層としてＭｇとＡｇとの混合膜を形成した。この場合、２元同時真空蒸着法を用いてＭｇ及びＡｇの蒸着速度をそれぞれ０．１４ｎｍ／ｓｅｃ及び０．０１ｎｍ／ｓｅｃに設定し、膜厚１０ｎｍの膜を蒸着した。【０１０１】
また、電子注入層を、上部電極またはバッファ層と電子輸送層との間に挿入して、電子注入効率を向上させてもよい。電子注入層としては、例えば、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウム等が望ましい。これらの材料に限られず、これらの材料を１種単独、または、２種以上併用してもよい。【０１０２】
［上部電極の形成工程］
続いて、図３（ｅ）に示すように、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの表面に上部電極が全面にわたって成膜される。この際、非対称バンク６ｂ，６ｃの存在により、上部電極は各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して、夫々上部電極４ａ，４ｂ，４ｃで示すように３つに分離され、互いに絶縁された状態で成膜される。さらに有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃよりも回り込みの強い成膜方法を用いることにより、図３（ｅ）に示されるように、上部電極４ａと下部電極２ｂとの間、上部電極４ｂと下部電極２ｃとの間に、開口部７ｂ，７ｃを通じてコンタクト部５ａｂ及び５ｂｃが形成され、有機発光素子ａ，ｂ，ｃは電気的導通を取ることができる。この結果、有機発光素子ａ，ｂ，ｃは直列接続された構成となる。【０１０３】
非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′の表面に形成された有機発光層３ｂ，３ｃの表面には上部電極４ｂ，上部電極４ｃが形成されている。斜め蒸着のプロセスを用いずにスパッタリング法等により上部電極４ａ，４ｂ，４ｃを作製することにより、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′上の上部電極４ｂ，４ｃは矩形となる。非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の表面に形成された有機発光層３ｂ，３ｃの端部は上部電極４ｂ，４ｃで覆われている。【０１０４】
ここで、非対称バンク６ｂ，６ｃが順テーパ部ＦＴｂ，ＦＴｃを有するため、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間には有機発光層３ｂ，３ｃが存在し、有機発光素子ｂ，ｃにおいて、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間において短絡が抑制される。【０１０５】
本実施例では、スパッタリング法により膜厚５０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した。このＩＺＯ膜は上部透明電極として機能する。ＩＺＯ膜は非晶質酸化物膜である。このときのターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３を満たすものを用いる。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ２混合ガスを雰囲気として、真空度０．２Ｐａ、スパッタリング出力を２Ｗ／ｃｍ２とした。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ積層膜の透過率は６５％であった。上部電極４ａ，４ｂ，４ｃは、仕事関数の小さい金属，合金，導電性化合物により構成される。例えば、アルミニウム，アルミニウム−リチウム合金，マグネシウム−銀合金などが挙げられる。そして上部電極の膜厚は１０〜５００ｎｍ程度に設定され、好ましくは５０〜２００ｎｍになされる。また、上部電極において、スパッタリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオンプレーティング法等の回り込みの強い方法により成膜することができる。【０１０６】
以上に述べた有機発光層及び上部電極の膜厚は、各層同士の適用性や求められる全体の膜厚を考慮して適宜状況に応じて定められるが、３つに分離される有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃ及び上部電極４ａ，４ｂ，４ｃのそれぞれの基板１の法線方向の高さは、すでに説明した非対称バンク６ｂ，６ｃの高さよりも低くなるように設定される。【０１０７】
［封止工程］
次に、有機発光素子を形成した基板１を大気に曝すことなく、高純度窒素ガスを循環させて高露点を保った封止室に移動させた。【０１０８】
次に、封止室にガラス基板を導入した。このガラス基板は封止基板である。封止基板のエッジ部分に、周知のシールディスペンサ装置を用いて光硬化樹脂を描画した（図示省略）。封止室内で、封止基板と基板１とを貼り合せて圧着させた。封止基板の外側に、有機発光素子全体にＵＶ光が当たらないよう周知の遮光板を置き、封止基板側からＵＶ光を照射させて光硬化樹脂を硬化させた。【０１０９】
このようにして本実施例の有機発光装置が得られた。【０１１０】
以上のように、本実施例にかかる有機発光装置によると、隣接する有機発光素子の境界部における下部電極の表面に非対称バンクを形成し、かつ回り込みの強い成膜方法により、逆テーパ部端部に対応する基板法線よりも内側に上部電極を回り込ませることにより、従来のように有機発光層を蒸着マスクを用いて塗り分ける操作を行うことなく、また上部電極形成の際にもマスクを用いて塗り分ける操作を行うことなく、有機発光素子を直列接続させた構成の有機発光装置を提供することができる。【０１１１】
従って、上記の構成の有機発光装置を採用することにより、複数に分割した有機発光素子を直列接続させた構成の有機発光装置を効率よく製造することが可能となる。【０１１２】
尚、本実施例では、下部電極を可視光反射率の高い材料、上部電極を可視光透過率の高い材料とした。これは有機発光層からの発光を上部電極側に取出す構成をとったためである。このような構成はトップエミッション構造と呼ばれる。本発明は直列構造形成に関わるものであるため、トップエミッション構造に限定される必要はなく、下部電極を可視光透過率の高い材料、上部電極を可視光反射率の高い材料として、下部電極側から発光を取出してもよい。このような構造はボトムエミッション構造として知られている。【０１１３】
本実施例では、発光層として緑色の光を発する緑色発光層を用いているが、発光層に青色発光層及び赤色発光層を積層することにより白色発光する有機発光装置としてもよい。例えば、発光層として下部電極側から青色発光層，緑色発光層及び赤色発光層の順に配置することで白色発光する発光層を得ることができる。白色発光を得る別の発光層の構成として、各色発光層が電荷発生層で挟まれて積層されるマルチフォトンエミッション（ＭＰＥ）構造を用いてもよい。
【実施例２】
【０１１４】
図５は、本発明に関わる実施形態の第２の実施例を模式的に示す要部断面図である。以下で説明する内容以外は前述した実施例１と同様である。【０１１５】
図５に示すように、本実施例では端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃが、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの端部を覆うように配置されている。また、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の輪郭（下層部分６ｂ′，６ｃ′形成後にできている部分）を明示した。また、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の下層部分の高さが揃っている。端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃの高さ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の高さが完全に同一である必要はなく、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′各々の基板からの高さの差が基板１からの高さの平均値に対して１０％以下であることが望ましい。さらに、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′は同じ材料で形成されていることが特徴である。【０１１６】
非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′及び端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃの目的は、下部電極や有機膜の膜厚が不均一になり易い箇所で、各有機発光素子において、上部電極と下部電極が短絡することを防ぐことである。本構成では、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の高さ及び材料が同じであることにより、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′を同一プロセスで形成することができる。これにより、直列ＯＬＥＤの形成に必要なプロセスを削減し、より容易にマスクレスで直列構造を形成することができる。
【実施例３】
【０１１７】
図６は、本発明に関わる実験パラメータを模式的に示す要部断面図である。以下で説明する内容以外は前述した実施例１と同様である。【０１１８】
ｘは、開口部７ｂに隣接する上部電極４ａと下部電極２ｂとの接触面（上部電極４ａと下部電極２ｂとの間の電気的導通部の接触面）の幅である。ここで、電気的導通部は、体積を有するものとする。また、ｈは、有機発光層３ａと逆テーパ部端部１４ｂ（非対称バンク６ｂの側面部の上端部）との最短距離であり、本図においては、逆テーパ部端部１４ｂに対応する基板法線ＲＴＥｂ上における有機発光層３ａと逆テーパ部端部１４ｂとの距離である。【０１１９】
ｈは３００ｎｍ〜１ｍｍが望ましく、ｘは３００ｎｍ〜１ｍｍが望ましい。ｈ，ｘ共に３００ｎｍ以上であれば、実用的なコンタクト抵抗の値が得られ、オーミック接触となった。ｈ＜３００ｎｍであると、上部電極の十分な回り込みが発生しない。また、ｘ＜３００ｎｍであると、有機層端部の膜厚不均一性の影響を受け、安定な電気的導通を得られない。なお、これらの実験結果は、開口部７ｂにおける上部電極４ａ及び下部電極２ｂの接触領域の奥行き幅を１μｍから１０ｃｍまで変化させても変わらなかった。従って、この結果は接触領域の面積に依るものではなく、上記した要因によるものと考えられる。
【実施例４】
【０１２０】
図７は、本発明に関わる実施形態の第４の実施例を示す有機発光装置の構造例を上面から見た要部模式図である。図８〜図１０はそれぞれ図７の構成の作製に用いるための成膜マスクを上面から見た模式図、図１１は本発明の非対称バンクを用いない場合の図８に対応する成膜マスクを上面から見た模式図である。以下で説明する内容以外は、前述した実施例１と同様である。【０１２１】
本実施例は、有機発光装置から白色光を出すための、実施例１と異なる構成である。図７のように、電気的に直列に接続された有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃ（…はｂ，ｃの繰り返し）には赤緑青のいずれか一色の光（例えば赤色光）を出射する発光層が含まれる。有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃ（…はｂ，ｃの繰り返し）と並列に形成された有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′…，ｂ′，ｃ′（…はｂ′，ｃ′の繰り返し）には、有機発光素子ａ，ｂ，ｃに用いられた発光層と別の光（例えば緑色光）を出射する発光層が含まれる。有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′に並列に形成された有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′，…，ｂ′′，ｃ′′（…はｂ′′，ｃ′′の繰り返し）には有機発光素子ａ，ｂ，ｃに用いられた発光層および有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′に用いられた発光層と別の光（例えば青色光）を出射する発光層が含まれる。有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′，有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′は、有機発光層以外は有機発光素子ａ，ｂ，ｃと同様の構造を有する。本実施例では、有機発光素子ａ′が第三の有機発光素子，有機発光素子ｂ′が第四の有機発光素子となる。有機発光素子ａ，ｂ，ｃで第一の有機発光素子群が構成され、有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′で第二の有機発光素子群が構成される。有機発光素子ａ，ｂ，ｃと有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′と有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′とは電気的に並列に接続されている。【０１２２】
この構成により、発光の総和として白色光を出射できる。この各色の発光層を形成する工程を以下に示す。まず、有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃ（…はｂ，ｃの繰り返し）を図８で示す成膜マスク１７を用いて成膜する。成膜マスク１７には、有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃに対応した開口部１６ａｂｃが設けられている。この成膜マスク１７を図７に示す有機発光装置の表面に、配置した状態で、その上方から成膜を行うことにより、有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃに選択的に成膜を行うことができる。各有機発光素子ａ，ｂ，ｃ間には非対称バンクが存在するため、直列方向に対して、図１１で示すような有機発光素子毎に分割されたマスクを用いる必要がない。同様にして、有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′…，ｂ′，ｃ′（…はｂ′，ｃ′の繰り返し）を図９で示す成膜マスク１７′を用いて成膜する。成膜マスク１７′には、有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′，…，ｂ′，ｃ′に対応した開口部１６ａ′ｂ′ｃ′が設けられている。また、有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′，…，ｂ′′，ｃ′′（…はｂ′′，ｃ′′の繰り返し）を図１０で示す成膜マスク１７′′を用いて成膜する。成膜マスク１７′′には、有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′，…，ｂ′′，ｃ′′に対応した開口部１６ａ′′ｂ′′ｃ′′が設けられている。【０１２３】
以上のプロセスを用いれば、成膜マスク１７，１７′，１７′′は必要であるが、各色を並列方向に塗り分けた上で、直列方向に各色のマスクレス成膜が可能となる。従って、マスクの位置合わせ精度の要求を下げられ、マスクの耐久性を向上できる。【０１２４】
なお、本実施例では一般的に用いられる３色で白色を形成する構成としたが、同様の考え方で白色を形成すれば３色に限らない。例えば、青及び黄色の２色で白色を形成してもよく、また、青，緑，黄色及び赤の４色で白色を形成してもよい。さらに、複数色により形成される色は白色である必要もなく、例えば、緑及び赤の発光層をもつ２種の有機発光層を用いることにより黄色の発光をする有機発光装置を形成してもよい。
【符号の説明】
【０１２５】
１：基板、２ａ，２ｂ，２ｃ：下部電極、２ｂ′：下部電極の逆テーパ側端部、３ａ，３ｂ，３ｃ：有機発光層、４ａ，４ｂ，４ｃ：上部電極、５ａｂ，５ｂｃ：コンタクト部、６ａ′：直列最端部短絡抑制バンク、６ｂ，６ｃ：非対称バンク、６ｂ′，６ｃ′：非対称バンクの下層部分、６ｂ′′，６ｃ′′：非対称バンクの上層部分、７ｂ，７ｃ，１６ａｂｃ，１６ａ′ｂ′ｃ′，１６ａ′′ｂ′′ｃ′′：開口部、８ｂ，１１ｂ：底部端部、９ｂ，１２ｂ：半直線、１０ｂ，１３ｂ：非対称バンクに接する点、１４ｂ：逆テーパ部端部、１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ：端部隠しバンク、１７，１７′，１７′′：成膜マスク、１８：有機発光装置、Ｅ：直流電源、ＬＡａ，ＬＡｂ，ＬＡｃ：発光領域、ＦＴｂ，ＦＴｃ：順テーパ部、ＲＴｂ，ＲＴｃ：逆テーパ部、ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃ：基板法線。
【図１】
2012102218.tif 000003
【図２】
2012102218.tif 000004
【図３（ａ）】
2012102218.tif 000005
【図３（ｂ）】
2012102218.tif 000006
【図３（ｃ）】
2012102218.tif 000007
【図３（ｄ）】
2012102218.tif 000008
【図３（ｅ）】
2012102218.tif 000009
【図４（ａ）】
2012102218.tif 000010
【図４（ｂ）】
2012102218.tif 000011
【図４（ｃ）】
2012102218.tif 000012
【図４（ｄ）】
2012102218.tif 000013
【図４（ｅ）】
2012102218.tif 000014
【図４（ｆ）】
2012102218.tif 000015
【図４（ｇ）】
2012102218.tif 000016
【図５】
2012102218.tif 000017
【図６】
2012102218.tif 000018
【図７】
2012102218.tif 000019
【図８】
2012102218.tif 000020
【図９】
2012102218.tif 000021
【図１０】
2012102218.tif 000022
【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子は、前記基板の表面に配置し、前記第一の有機発光素子と前記第二の有機発光素子とを電気的に直列に接続した有機発光装置であって、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域には、前記第一の上部電極が設けてあり、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触しており、前記側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、３０〜８８度であることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記側面部は、逆テーパ部を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部は、順テーパ部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第二の下部電極及び前記第二の上部電極は電気的に切り離されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記領域は、空隙部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第一の下部電極と前記第二の下部電極との間には、前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極の端部を覆う端部隠しバンクを設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記端部隠しバンク及び前記非対称バンクは同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項６記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記領域には、前記第二の下部電極の開口部を設けたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触している接触面の幅は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記第一の有機発光層と前記側面部の上端部との最短距離は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記非対称バンクは、その上面部に段差を有し、この段差により前記第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
（削除）
【請求項１３】
前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、９０〜１５０度であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記第二の下部電極の表面に対する前記側面部の上端部の直交射影は、前記第二の下部電極の表面にあることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子を含む有機発光素子群を複数備え、これらの有機発光素子群は、電気的に並列に接続してあり、複数の前記有機発光素子群のそれぞれから異なる光を出射可能としたことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面に非対称バンクを設けた有機発光装置の製造方法であって、前記基板の表面に前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極を形成する工程と、前記第二の下部電極の表面に前記非対称バンクの下層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極、前記第二の下部電極及び前記下層部分を設けた前記基板を熱処理する工程と、前記下層部分の表面に前記非対称バンクの上層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極の表面に前記第一の有機発光層を形成するとともに、前記第二の下部電極の表面に前記第二の有機発光層を形成する工程と、前記第一の有機発光層の表面に前記第一の上部電極を形成するとともに、前記第二の有機発光層の表面に前記第二の上部電極を形成する工程とを含み、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域に前記第一の上部電極を設けることにより、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とを電気的に接続することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記上層部分は、紫外線を用いた露光により形成することを特徴とする請求項１６記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第一の有機発光層及び第二の有機発光層は、真空蒸着法によって形成することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第一の上部電極及び第二の上部電極は、スパッタリング法、化学蒸着法又はイオンプレーティング法によって形成することを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の有機発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子は、前記基板の表面に配置し、前記第一の有機発光素子と前記第二の有機発光素子とを電気的に直列に接続した有機発光装置であって、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域には、前記第一の上部電極が設けてあり、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触しており、前記側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、３０〜８８度であり、前記非対称バンクは、その上面部に段差を有し、この段差により前記第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記側面部は、逆テーパ部を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部は、順テーパ部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第二の下部電極及び前記第二の上部電極は電気的に切り離されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記領域は、空隙部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第一の下部電極と前記第二の下部電極との間には、前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極の端部を覆う端部隠しバンクを設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記端部隠しバンク及び前記非対称バンクは同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項６記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記領域には、前記第二の下部電極の開口部を設けたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触している接触面の幅は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記第一の有機発光層と前記側面部の上端部との最短距離は、３００ｎｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、９０〜１５０度であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記第二の下部電極の表面に対する前記側面部の上端部の直交射影は、前記第二の下部電極の表面にあることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子を含む有機発光素子群を複数備え、これらの有機発光素子群は、電気的に並列に接続してあり、複数の前記有機発光素子群のそれぞれから異なる光を出射可能としたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記非対称バンクは、左右に非対称な形状であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１５】
基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面に非対称バンクを設けた有機発光装置の製造方法であって、前記基板の表面に前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極を形成する工程と、前記第二の下部電極の表面に前記非対称バンクの下層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極、前記第二の下部電極及び前記下層部分を設けた前記基板を熱処理する工程と、前記下層部分の表面に前記非対称バンクの上層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極の表面に前記第一の有機発光層を形成するとともに、前記第二の下部電極の表面に前記第二の有機発光層を形成する工程と、前記第一の有機発光層の表面に前記第一の上部電極を形成するとともに、前記第二の有機発光層の表面に前記第二の上部電極を形成する工程とを含み、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域に前記第一の上部電極を設けることにより、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とを電気的に接続することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記上層部分は、紫外線を用いた露光により形成することを特徴とする請求項１５記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第一の有機発光層及び第二の有機発光層は、真空蒸着法によって形成することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第一の上部電極及び第二の上部電極は、スパッタリング法、化学蒸着法又はイオンプレーティング法によって形成することを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の有機発光装置の製造方法。
【国際調査報告】
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