(57)【要約】  シャドウマスクを用いずに蒸着法によって基板上に複数のライン状薄膜を効率よく塗り分けすることを課題とする。この蒸着装置は、基本構成として、処理対象のガラス基板Ｓを出し入れ可能に収容する処理室（チャンバ）１０と、この処理室１０内で基板Ｓを保持して水平な一方向（Ｘ方向）に移動させる移動機構１２と、複数種類（たとえば７種類）の有機物層の原料または成膜材料をそれぞれ個別に蒸発させて原料ガスを生成する蒸発機構１４と、この蒸発機構１４から上記複数種類（７種類）の原料ガスを受け取り、移動する基板Ｓに向けてそれらの原料ガスを噴き出す原料ガス噴き出し部１６と、装置内の各部および全体のステータス、モードまたは動作を制御するコントローラ１８とを有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の基板を収容する処理室と、
前記処理室内で前記基板を第１の方向に移動させる移動機構と、
第１の成膜原料を蒸発させて第１の原料ガスを生成する第１の蒸発源と、
第１の噴出口を有し、前記第１の蒸発源より前記第１の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第１の噴出口より前記第１の原料ガスを噴き出す第１のノズルと、
第２の成膜原料を蒸発させて第２の原料ガスを生成する第２の蒸発源と、
前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている第２の噴出口を有し、前記第２の蒸発源より前記第２の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す第２のノズルと、
を有し、
前記基板上において、前記第１の原料ガスが堆積して、前記第１の方向に延びる第１のライン状薄膜が形成されるとともに、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスが堆積して、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜が形成される、
蒸着装置。
【請求項２】
前記第１および第２のノズルは、いずれも前記第２の方向に延びる長尺型のノズルであって、前記第１の方向においてそれぞれの配置位置を互いにずらし、
前記第１および第２のノズルにおいて、前記第１および第２の噴出口が前記第２の方向に一定の間隔を置いてそれぞれ複数設けられる、
請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記第１のノズルにおいて、前記第１の噴出口が前記第１の方向に一列に並んで複数設けられる、請求項１または請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記第２のノズルにおいて、前記第２の噴出口が前記第１の方向に一列に並んで複数設けられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記第１および第２のノズルの噴出口の近傍に、それらのノズルから放出される輻射熱を吸収して遮断する遮熱部をそれぞれ設ける、請求項１〜４のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記第１のライン状薄膜のライン幅設定値をＷ1とすると、前記第１の噴出口の口径Ｋ1はＫ1＝０．１〜１．０Ｗ1に選ばれる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記第２のライン状薄膜のライン幅設定値をＷ2とすると、前記第２の噴出口の口径Ｋ2はＫ2＝０．１〜１．０Ｗ2に選ばれる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記第１および第２の噴出口は、前記第１および第２のノズルに共有される一体的な板体に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記第１および第２の蒸発源により生成される前記第１および第２の原料ガスをキャリアガスに混合して所望の圧力または流量で前記第１および第２のノズルへそれぞれ供給する第１および第２のキャリアガス供給部を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
前記第１および第２のライン状薄膜はいずれも発光層である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１１】
前記第１および第２の成膜材料はいずれも有機物質である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
第３の成膜原料を蒸発させて第３の原料ガスを生成する第３の蒸発源と、
前記第２の方向において前記第１および第２の噴出口からオフセットしている第３の噴出口を有し、前記第３の蒸発源より前記第３の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す第３のノズルと、
を有し、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜から離間した位置に、前記第３の原料ガスが堆積して、前記第１の方向に延びる第３のライン状薄膜が形成される、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記第３のノズルは、前記第２の方向に延びる長尺型のノズルであって、前記第１の方向において前記第１および第２のノズルと異なる位置に配置され、
前記第３のノズルにおいて、前記第３の噴出口が前記第２の方向に一定の間隔を置いて複数設けられる、
請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記第３のノズルにおいて、前記第３の噴出口が前記第１の方向に一列に並んで複数設けられる、請求項１２または請求項１３に記載の蒸着装置。
【請求項１５】
前記第３のライン状薄膜のライン幅設定値をＷ3とすると、前記第３の噴出口の口径Ｋ3はＫ3＝０．１〜１．０Ｗ3に選ばれる、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１６】
前記第１、第２および第３の噴出口は、前記第１、第２および第３のノズルに共有される一体的な板体に形成されている、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１７】
前記第３のライン状薄膜は発光層である、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１８】
第３の成膜原料を蒸発させて第３の原料ガスを生成する第３の蒸発源と、
前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の下流側にオフセットしている第３の噴出口を有し、前記第３の蒸発源より前記第３の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す第３のノズルと、
を有し、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜の上に前記第３の原料ガスが堆積して、面状の薄膜が形成される、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１９】
前記第１および第２のライン状薄膜はいずれも蛍光層または燐光層であり、前記面状薄膜は発光層である、請求項１８に記載の蒸着装置。
【請求項２０】
第３の成膜原料を蒸発させて第３の原料ガスを生成する第３の蒸発源と、
前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の上流側にオフセットしている第３の噴出口を有し、前記第３の蒸発源より前記第３の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す第３のノズルと、
を有し、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜が形成されるのに先立って、前記第３の原料ガスが堆積して、面状の薄膜が形成される、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２１】
前記第３のノズルにおいて、前記第３の噴出口が前記第２の方向にスリット状に延びる、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２２】
前記第３のノズルにおいて、前記第３の噴出口が前記第２の方向に一定の間隔を置いて複数設けられる、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２３】
前記第３の噴出口は、前記第１および第２の噴出口よりも前記基板との距離間隔が大きい位置に配置される、請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２４】
前記第３の蒸発源により生成される前記第３の原料ガスをキャリアガスに混合して所望の圧力または流量で前記第３のノズルへ送る第３のキャリアガス供給部を有する、請求項１２〜２３のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２５】
第３の成膜原料を蒸発させて第３の原料ガスを生成する第３の蒸発源と、
前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の上流側にオフセットしている第３の噴出口を有し、前記第３の蒸発源より前記第３の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す第３のノズルと、
を有し、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜がそれぞれ形成される領域の間を埋めるように前記第３の原料ガスが堆積して、前記第１の方向に延びる隔壁が形成される、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２６】
前記第１、第２および第３の成膜材料はいずれも有機物質である、請求項１１〜２５のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項２７】
処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、
第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、
前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、
第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と
を有する蒸着方法。
【請求項２８】
前記第１および第２の噴出口が、前記第２の方向にそれぞれ一定の間隔を置いて複数設けられ、
前記基板上に前記第１および第２のライン状薄膜が前記第２の方向で繰り返し交互に形成される、
請求項２７に記載の蒸着方法。
【請求項２９】
処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、
第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、
前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、
第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている前記第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、
第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１および第２の噴出口からオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜から離間した位置に、前記第３の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第３のライン状薄膜を形成する工程と
を有する蒸着方法。
【請求項３０】
前記第１、第２および第３の噴出口が前記第２の方向にそれぞれ一定の間隔を置いて複数設けられ、
前記基板上に前記第１、第２および第３のライン状薄膜が前記第２の方向で繰り返し交互に形成される、
請求項２９に記載の蒸着方法。
【請求項３１】
前記第３の噴出口が、前記第１の方向に一列に並んで複数設けられ、
前記基板上において、前記第３のライン状薄膜が複数の重ね蒸着によって形成される、
請求項２９または請求項３０に記載の蒸着方法。
【請求項３２】
前記第３のライン状薄膜のライン幅設定値をＷ3とすると、前記第３の噴出口の口径Ｋ3はＫ3＝０．１〜１．０Ｗ3に選ばれる、請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項３３】
前記第３のライン状薄膜は発光層である、請求項２９〜３２のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項３４】
処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、
第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、
前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、
第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、
第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の下流側にオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜の上に、前記第３の原料ガスを堆積させて、第１の面状薄膜を形成する工程と
を有する蒸着方法。
【請求項３５】
前記第１および第２のライン状薄膜はいずれも蛍光層または燐光層であり、前記第１の面状薄膜は発光層である、請求項３４に記載の蒸着方法。
【請求項３６】
第４の成膜原料を蒸発させて、第４の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向において前記第３の噴出口から前記基板の移動の下流側にオフセットしている第４の噴出口より前記第４の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１の面状薄膜の上に、前記第４の原料ガスを堆積させて、第２の面状薄膜を形成する工程と
を有する請求項３４または請求項３５に記載の蒸着方法。
【請求項３７】
処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、
第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、
前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、
第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、
第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の上流側にオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜が形成されるのに先立って、前記第３の原料ガスを堆積させて、第１の面状薄膜を形成する工程と
を有する蒸着方法。
【請求項３８】
第４の成膜原料を蒸発させて、第４の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向において前記第３の噴出口から前記基板の移動の上流側にオフセットしている第４の噴出口より前記第４の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１の面状薄膜が形成されるのに先立って、前記第４の原料ガスを堆積させて、第２の面状薄膜を形成する工程と
を有する請求項３７に記載の蒸着方法。
【請求項３９】
前記第４の噴出口は、前記第１および第２の噴出口よりも前記基板との距離間隔が大きい位置に配置される、請求項３６または請求項３８に記載の蒸着方法。
【請求項４０】
前記第４の原料ガスをキャリアガスと混合して所望の圧力または流量で前記第４の噴出口よりそれぞれ噴き出す、請求項３６、３８、３９のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４１】
前記第４の成膜材料は有機物質である、請求項３６、３７、３９、４０のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４２】
前記第３の噴出口は、前記第１および第２の噴出口よりも前記基板との距離間隔が大きい位置に配置される、請求項３４〜４１のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４３】
処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、
第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、
前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、
第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている前記第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、
第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、
前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１および第２の噴出口からオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、
前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜がそれぞれ形成される領域の間を埋めるように前記第３の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる隔壁を形成する工程と
を有する蒸着方法。
【請求項４４】
前記第３の原料ガスをキャリアガスと混合して所望の圧力または流量で前記第３の噴出口よりそれぞれ噴き出す、請求項２９〜４３のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４５】
前記第３の成膜材料は有機物質である、請求項２９〜４４のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４６】
前記第１の噴出口が、前記第１の方向に一列に並んで複数設けられ、
前記基板上において、前記第１のライン状薄膜が複数の重ね蒸着によって形成される、
請求項２７〜４５のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４７】
前記第２の噴出口が、前記第１の方向に一列に並んで複数設けられ、
前記基板上において、前記第２のライン状薄膜が複数の重ね蒸着によって形成される、
請求項２７〜４６のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４８】
前記第１のライン状薄膜のライン幅設定値をＷ1とすると、前記第１の噴出口の口径Ｋ1はＫ1＝０．１〜１．０Ｗ1に選ばれる、請求項２７〜４７のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項４９】
前記第２のライン状薄膜のライン幅設定値をＷ2とすると、前記第２の噴出口の口径Ｋ2はＫ2＝０．１〜１．０Ｗ2に選ばれる、請求項２７〜４７のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項５０】
前記第１および第２の原料ガスをキャリアガスと混合して所望の圧力または流量で前記第１および第２の噴出口よりそれぞれ噴き出す、請求項２７〜４９のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項５１】
前記第１および第２のライン状薄膜はいずれも発光層である、請求項２７〜３３，３６〜５０のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項５２】
前記第１および第２の成膜材料はいずれも有機物質である、請求項２７〜５１のいずれか一項に記載の蒸着方法。
【請求項５３】
請求項１〜２６のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造された有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５４】
請求項１〜２６のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造された照明装置。
【請求項５５】
請求項２７〜５２のいずれか１項に記載の蒸着方法を用いて製造された有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５６】
請求項２７〜５２のいずれか１項に記載の蒸着方法を用いて製造された照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜材料を蒸発させて基板上に薄膜として堆積させる蒸着技術に係り、特にライン状の薄膜パターンを形成する蒸着装置、蒸着方法、有機ＥＬディスプレイ、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイが、次世代を担うフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）として大きな期待を寄せられている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型でバックライトが不要なことから、薄型・軽量化が容易であり、視野角、解像度、コントラスト、応答速度、消費電力、可撓性などの面でも非常に優れている。ただし、後述する理由から、大型化と量産性が大きな課題となっている。【０００３】
有機ＥＬの発光原理は、有機物からなる発光層を２枚の電極（陽極、陰極）で挟み、通電することにより、つまり陽極側から正孔を注入すると同時に陰極側から電子を注入し、注入された正孔と電子が発光層で再結合し（発光層を励起し）、その励起状態から再び基底状態に戻る際に光を発生するというものである。【０００４】
従来より、有機ＥＬディスプレイにおいて、フルカラーの画像を表示するための発光方式の１つとして、基板上にＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３原色画素を並べて配置する並置方式が知られている。この並置方式では、基板上でＲ、Ｇ、Ｂの各色発光層が塗り分けされる。この各色発光層の塗り分けを行う成膜方法として、マスク蒸着法が現在の主流になっている。【０００５】
マスク蒸着法は、基板上の成膜材料を付着させたい部位に対応する箇所に穴が開いている金属製のマスク、いわゆるシャドウマスクを用いて蒸着を行う。要するに、基板の手前にシャドウマスクを配置し、シャドウマスクの開口部を通して成膜材料を蒸着させる。上記のようなカラー化の並置方式の場合は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層のパターンが同じであるため、同一シャドウマスクの位置を基板と平行にずらすことによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層を蒸着法により塗り分けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３２５４２５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のようなマスク蒸着法は、多くの問題点があり、有機ＥＬディスプレイの製造において大きな足枷になっている。【０００８】
とりわけ、シャドウマスクに関連する問題点が多くある。高精細なシャドウマスクは非常に高価である。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層に用いられる有機材料も非常に高価である。しかるに、シャドウマスクの開口がマスク全体の面積の中で占める割合はわずかであり、蒸発物質の大部分（一般に９５％以上）がマスクに付着し、基板上に発光層として付着する割合つまり有機材料の利用効率が５％以下に止まっている。【０００９】
さらに、シャドウマスクのアライメント（位置合わせ）には非常に高い精度が要求される。アライメントが正しく行われないと、たとえばＲの発光層とＧの発光層とが重なってしまい、歩留まり低下の原因になる。一方で、アライメントは正確であっても、成膜処理中に加熱されて蒸発した高温のガスから熱輻射を受けるシャドウマスクの熱膨張によって、マスク精度に誤差（開口パターンの寸法誤差、合わせ誤差等）が生じることがある。さらには、シャドウマスクの裏面が基板の表面を擦って、基板上の薄膜（発光層）に傷を付けることがある。  【００１０】
また、マスク蒸着法は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色別に基板表面の全体にマスク越しの蒸着を行うため、このやり方でスループットを可及的に上げるには、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色毎に独立した成膜室（処理室）を用意し、基板をシャドウマスクと一緒に各色用の成膜室に順次移送することになる。しかし、シャドウマスクに堆積した蒸着物が搬送中あるいはアライメント作業中にはがれてパーティクルの原因になることが問題になっている。【００１１】
また、そのようにＲ、Ｇ、Ｂの各色毎に独立した成膜室を必要とすることは、当然に有機ＥＬディスプレイ製造装置のスペース効率（フットプリント）やコストの面で大きな不利点になっている。しかも、通常の有機ＥＬディスプレイは、陽極と陰極の間に、発光層だけでなく、電子輸送層および正孔輸送層、さらには電子注入層、正孔注入層等の有機薄膜も挟んでいる。Ｒ、Ｇ、Ｂの各色発光層の塗り分けにマスク蒸着法を用いる場合は、これらの有機薄膜を蒸着するプロセスにも上記と同様にスループット上の要請から個別の成膜室が必要になる。したがって、実際の製造装置における上記のようなフットプリントやコスト高の問題はより深刻になっている。【００１２】
その他にも、基板自体が自重で撓んだときにシャドウマスクと接触しやすいこと（したがって、蒸着プロセスにおける基板保持形態として常用のフェイスダウン方式を採るのが難しいこと）、シャドウマスクのクリーニングが非常に面倒であることなども問題になっている。総じて、有機ＥＬディスプレイの大画面化に伴って、シャドウマスクも同様に大型化するため、シャドウマスクに関連した上記の問題点は顕著になってくる。【００１３】
このように、有機ＥＬディスプレイの大画面化および量産性を推進する上で、シャドウマスクを用いるマスク蒸着法は大きな足枷になっている。【００１４】
本発明は、上記従来技術の課題を解決するものであり、シャドウマスクを用いずに基板上に複数のライン状薄膜を効率よく塗り分けできる蒸着装置および蒸着方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の蒸着装置は、処理対象の基板を収容する処理室と、前記処理室内で前記基板を第１の方向に移動させる移動機構と、第１の成膜原料を蒸発させて第１の原料ガスを生成する第１の蒸発源と、第１の噴射口を有し、前記第１の蒸発源より前記第１の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第１の噴射口より前記第１の原料ガスを噴射する第１のノズルと、第２の成膜原料を蒸発させて第２の原料ガスを生成する第２の蒸発源と、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴射口からオフセットしている第２の噴射口を有し、前記第２の蒸発源より前記第２の原料ガスを受け取り、前記処理室内で移動する前記基板に向けて前記第２の噴射口より前記第２の原料ガスを噴射する第２のノズルとを有し、前記基板上において、前記第１の原料ガスが堆積して、前記第１の方向に延びる第１のライン状薄膜が形成されるとともに、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスが堆積して、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜が形成される。【００１６】
上記構成の蒸着装置においては、処理室内で基板を第１の方向に１回走査移動させながら第１および第２のノズルに第１および第２の原料ガスをそれぞれ噴出させることにより、シャドウマスクを使わずに、当該基板上に第１および第２のライン上薄膜を適当に離して、つまり塗り分けて形成することができる。【００１７】
本発明の第１の観点における蒸着方法は、処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴射口より噴射する工程と、前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴射口からオフセットしている第２の噴射口より前記第２の原料ガスを噴射する工程と、前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程とを有する。【００１８】
上記第１の観点における蒸着方法によれば、処理室内で基板を第１の方向に１回走査移動させながら第１および第２のノズルに第１および第２の原料ガスをそれぞれ噴出させることにより、シャドウマスクを使わずに、当該基板上に第１および第２のライン状薄膜を適当に離して、つまり塗り分けて形成することができる。【００１９】
本発明の第２の観点における蒸着方法は、処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている前記第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１および第２の噴出口からオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜から離間した位置に、前記第３の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第３のライン状薄膜を形成する工程とを有する。【００２０】
上記第２の観点における蒸着方法によれば、処理室内で基板を第１の方向に１回走査移動させながら第１、第２および第３のノズルに第１、第２および第３の原料ガスをそれぞれ噴出させることにより、シャドウマスクを使わずに、当該基板上に第１、第２および第３のライン上薄膜を適当に離して、つまり塗り分けて形成することができる。【００２１】
本発明の第３の観点における蒸着方法は、処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の下流側にオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜の上に、前記第３の原料ガスを堆積させて、第１の面状薄膜を形成する工程とを有する。【００２２】
上記第３の観点における蒸着方法によれば、処理室内で基板を第１の方向に１回走査移動させながら第１、第２および第３のノズルに第１、第２および第３の原料ガスをそれぞれ噴出させることにより、シャドウマスクを使わずに、当該基板上に第１および第２のライン上薄膜を適当に離して、つまり塗り分けて形成するとともに、第１および第２のライン上薄膜の間を埋め、かつそれらの上に覆い被さる第１の面状薄膜を形成することができる。【００２３】
本発明の第４の観点における蒸着方法は、処理室内で基板を第１の方向に移動させる工程と、第１の成膜原料を蒸発させて、第１の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の原料ガスを第１の噴出口より噴き出す工程と、前記基板上に前記第１の原料ガスを堆積させて、前記第１方向に延びる第１のライン状薄膜を形成する工程と、第２の成膜原料を蒸発させて、第２の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の噴出口からオフセットしている第２の噴出口より前記第２の原料ガスを噴き出す工程と、前記基板上において、前記第１のライン状薄膜から離間した位置に、前記第２の原料ガスを堆積させて、前記第１の方向に延びる第２のライン状薄膜を形成する工程と、第３の成膜原料を蒸発させて、第３の原料ガスを生成する工程と、前記処理室内で移動する前記基板に向けて、前記第１の方向において前記第１および第２の噴出口から前記基板の移動の上流側にオフセットしている第３の噴出口より前記第３の原料ガスを噴き出す工程と、前記基板上において、前記第１および第２のライン状薄膜が形成されるのに先立って、前記第３の原料ガスを堆積させて、第１の面状薄膜を形成する工程とを有する。【００２４】
上記第４の観点における蒸着方法によれば、処理室内で基板を第１の方向に１回走査移動させながら第１、第２および第３のノズルに第１、第２および第３の原料ガスをそれぞれ噴出させることにより、シャドウマスクを使わずに、当該基板上に第１および第２のライン上薄膜を適当に離して、つまり塗り分けて形成するとともに、第１および第２のライン上薄膜の下地膜として第１の面状薄膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の蒸着装置または蒸着方法によれば、上記のような構成と作用により、シャドウマスクを用いずに基板上に複数のライン状薄膜を効率よく塗り分けすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態における蒸着装置の全体構成を示す図である。
【図２】上記蒸着装置の要部（原料ガス噴き出し部）の構成を示す図である。
【図３Ａ】実施形態における噴出口のレイアウト設計で用いるコサイン法を説明するための図である。
【図３Ｂ】上記コサイン法を説明するための図である。
【図４】上記蒸着装置における原料ガス噴き出し部の構成および作用を示す側面図である。
【図５】上記蒸着装置において並置型のＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ライン状薄膜）が形成される様子を示す斜視図である。
【図６】上記蒸着装置において並置型のＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ライン状薄膜）が形成される様子およびパターンを示す平面図である。
【図７】本発明の適用可能な有機ＥＬカラーディスプレイのデバイス構造の一例を示す縦断面図である。
【図８】実施形態によって得られる図７のデバイス構造にパッシブマトリクス方式の駆動法を適用した例を示す斜視図である。
【図９】ライン状薄膜を形成するノズルの噴出口に関する別の実施例を示す斜視図である。
【図１０】図９の実施例において並置型のＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ライン状薄膜）が形成される様子およびパターンを示す平面図である。
【図１１】ライン状薄膜を形成するノズルの噴出口に関する別の実施例を示す斜視図である。
【図１２】ライン状薄膜を形成するノズルの噴出口に関する別の実施例を示す平面図である。
【図１３】面状薄膜を形成するノズルの噴出口に関する別の実施例を示す平面図である。
【図１４】本発明の適用可能な有機ＥＬカラーディスプレイのデバイス構造の別の例を示す縦断面図である。
【図１５】図１４のデバイス構造を作成するのに好適な原料ガス噴き出し部の実施例を示す斜視図である。
【図１６】図１５の原料ガス噴き出し部の構成および作用を示す側面図である。
【図１７Ａ】ノズルに遮熱板を取り付ける一実施例を示す部分拡大断面図である。
【図１７Ｂ】ノズルに遮熱板を取り付ける別の実施例を示す部分拡大断面図である。
【図１８Ａ】各色発光層をバンク（隔壁）によって分離するデバイス構造の一例を示す断面図である。
【図１８Ｂ】各色発光層をバンク（隔壁）によって分離するデバイス構造の別の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２８】
この実施形態の蒸着装置は、たとえば有機ＥＬカラーディスプレイの製造において、透明基板たとえばガラス基板上に発光層を含む複数種類の有機物層を積層形成するプロセスに用いられる。
【００２９】
一例として、図７に示すように、有機ＥＬカラーディスプレイにおいて、ガラス基板Ｓ上に透明の陽極、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、並置型のＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）および陰極を積層形成するデバイス構造が知られている。このデバイスの製造において、この実施形態の蒸着装置は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、Ｒ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）および電子注入層（ＥＩＬ）の全部で７種類の薄膜を１つの処理室内での１回の蒸着プロセスで同時に形成することができる。その場合、透明の陽極は、たとえばＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）からなり、別の成膜装置たとえばスパッタ装置により前工程で作成される。また、陰極は、たとえばアルミ合金からなり、別の成膜装置たとえばスパッタ装置により後工程で作成される。
【００３０】
［実施形態における装置構成］
図１に、本発明の一実施形態における蒸着装置の構成を示す。図２に、この蒸着装置の要部（原料ガス噴き出し部）の構成を示す。
【００３１】
図１に示すように、この蒸着装置は、基本構成として、処理対象のガラス基板Ｓを出し入れ可能に収容する処理室（チャンバ）１０と、この処理室１０内で基板Ｓを保持して水平な一方向（Ｘ方向）に移動させる移動機構１２と、上記複数種類（７種類）の有機物層の原料または成膜材料をそれぞれ個別に蒸発させて原料ガスを生成する蒸発機構１４と、この蒸発機構１４から上記複数種類（７種類）の原料ガスを受け取り、移動する基板Ｓに向けてそれらの原料ガスを噴き出す原料ガス噴き出し部１６と、装置内の各部および全体のステータス、モードまたは動作を制御するコントローラ１８とを有する。
【００３２】
処理室１０は、減圧可能に構成されており、その側壁または底面に形成されている排気口２０を介して真空ポンプなどの排気装置（図示せず）に接続されている。処理室１０の側壁には、ゲートバルブ２２によって開閉される基板搬入／搬出用の開口２４も形成されている。
【００３３】
移動機構１２は、基板Ｓをフェイスダウンで（基板の被処理面を下に向けて）保持する基板保持台またはステージ２６と、このステージ２６に結合され、処理室１０の天井に沿ってＸ方向に一定速度でスライド移動する走査部２８とを有している。ステージ２６には、高圧の直流電源（図示せず）にスイッチを介して電気的に接続され、基板Ｓを静電吸着力によって着脱可能に保持する静電チャック（図示せず）が埋め込まれている。さらに、ステージ２６には、基板Ｓを所定温度に冷却するための温調機構も設けられている。一般的には、ステージ２６の内部に冷却通路が形成され、外のチラー装置（図示せず）より所定温度の冷却水が循環供給されるようになっている。走査部２８は、スライド移動の駆動手段として、たとえばリニアモータ（図示せず）を備えている。
【００３４】
蒸発機構１４は、処理室１０の外に、この蒸着装置において基板Ｓ上に形成される薄膜の種類（７種類）に応じた個数（７個）の蒸発源３０(1)〜３０(7)を設けている。ここで、ＨＩＬ蒸発源３０(1)は、容器たとえばルツボの中で正孔注入層（ＨＩＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＨＩＬ原料ガスを生成する。ＨＴＬ蒸発源３０(2)は、ルツボの中で正孔輸送層（ＨＴＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＨＴＬ原料ガスを生成する。
【００３５】
また、ＲＥＬ蒸発源３０(3)は、ルツボの中でＲ発光層（ＲＥＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＲＥＬ原料ガスを生成する。ＧＥＬ蒸発源３０(4)は、ルツボの中でＧ発光層（ＧＥＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＧＥＬ原料ガスを生成する。ＢＥＬ蒸発源３０(5)は、ルツボの中でＢ発光層（ＢＥＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＢＥＬ原料ガスを生成する。
【００３６】
そして、ＥＴＬ蒸発源３０(6)は、ルツボの中で電子輸送層（ＥＴＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＴＬ原料ガスを生成する。ＥＩＬ蒸発源３０(7)は、ルツボの中で電子注入層（ＥＩＬ）の原料となる有機物の成膜材料を加熱、蒸発させてＥＩＬ原料ガスを生成する。
【００３７】
各蒸発源３０(1)〜３０(7)は、各成膜材料を加熱するためのヒータとして、たとえば高融点材料からなる抵抗発熱素子３２(1)〜３２(7)をルツボに内蔵または取付している。ヒータ電源部３４は、各抵抗発熱素子３２(1)〜３２(7)に電流を個別に供給して、各蒸発源３０(1)〜３０(7)における加熱温度（たとえば２００℃〜５００℃）を独立に制御するようになっている。
【００３８】
蒸発機構１４は、各蒸発源３０(1)〜３０(7)において生成される原料ガスをキャリアガスに混合して原料ガス噴き出し部１６まで搬送するためのキャリアガス供給機構３６を備えている。このキャリアガス供給機構３６は、キャリアガスとして不活性ガス（たとえばアルゴンガス、ヘリウムガス、クリプトンガスまたは窒素ガス）を送出するキャリアガス供給源３８と、このキャリアガス供給源３８を蒸発源３０(1)〜３０(7)に個別に接続する複数本（７本）のガス管４０(1)〜４０(7)と、これらのガス管４０(1)〜４０(7)に設けられる複数個（７個）の開閉弁４２(1)〜４２(7)およびマス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(1)〜４４(7)とを有している。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(1)〜４４(7)は、ガス管４０(1)〜４０(7)を流れるキャリアガスの圧力または流量をコントローラ１８の制御の下でそれぞれ独立に制御するようになっている。
【００３９】
原料ガス噴き出し部１６は、処理室１０内に、上記複数（７個）の蒸発源３０(1)〜３０(7)にそれぞれ対応する複数（７個）のノズル４６(1)〜４６(7)を備えている。これらのノズル４６(1)〜４６(7)は、いずれも長尺型のノズルであって、処理室１０内で走査方向（Ｘ方向）に一列に並んで配置され、各々が走査方向（Ｘ方向）と直角に交差する水平方向（Ｙ方向）に長く延びており、各々の上面に形成された噴出口より原料ガスを上方に噴き出すようになっている。
【００４０】
ここで、ＨＩＬノズル４６(1)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(1)を介してＨＩＬ蒸発源３０(1)に接続されており、移動機構１２による基板走査または蒸着走査のスタート位置に最も近い最上流の位置に配置されている。ＨＴＬノズル４６(2)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(2)を介してＨＴＬ蒸発源３０(2)に接続されており、蒸着走査の順番で２番目の位置つまりＨＩＬノズル４６(1)の下流側隣りの位置に配置されている。
【００４１】
また、ＲＥＬノズル４６(3)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(3)を介してＲＥＬ蒸発源３０(3)に接続されており、蒸着走査の順番で３番目の位置つまりＨＴＬノズル４６(2)の下流側隣りの位置に配置されている。ＧＥＬノズル４６(4)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(4)を介してＧＥＬ蒸発源３０(4)に接続されており、蒸着走査の順番で４番目の位置つまりＲＥＬノズル４６(3)の下流側隣りの位置に配置されている。ＢＥＬノズル４６(5)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(5)を介してＲＥＬ蒸発源３０(5)に接続されており、蒸着走査の順番で５番目の位置つまりＧＥＬノズル４６(5)の下流側隣りの位置に配置されている。
【００４２】
そして、ＥＴＬノズル４６(6)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(6)を介してＥＴＬ蒸発源３０(6)に接続されており、蒸着走査の順番で６番目の位置つまりＢＥＬノズル４６(5)の下流側隣りの位置に配置されている。ＥＩＬノズル４６(7)は、処理室１０の底壁を貫通するガス管４８(7)を介してＥＩＬ蒸発源３０(7)に接続されており、蒸着走査の順番で最後尾の位置つまりＥＴＬノズル４６(6)の下流側隣りの位置に配置されている。
【００４３】
ガス管４８(1)〜４８(7)には、開閉弁５０(1)〜５０(7)がそれぞれ設けられている。これらの開閉弁５０(1)〜５０(7)は、コントローラ１８の制御の下で独立に開閉（オン／オフ）するようになっている。なお、ガス管４８(1)〜４８(7)内で蒸着原料の凝着を防止するために、その周囲からヒータ（図示せず）で加熱するのが望ましい。キャリアガス用のガス管４０(1)〜４０(7)も同様である。
【００４４】
図２に示すように、ノズル４６(1)〜４６(7)は、噴出口５２(1)〜５２(7)をそれぞれ有している。より詳細には、ＨＩＬノズル４６(1)、ＨＴＬノズル４６(2)、ＥＴＬノズル４６(6)およびＥＩＬノズル４６(7)の上面には、ノズル長手方向（Ｙ方向）にスリット状に延びる噴出口５２(1)，５２(2)，５２(6)，５２(7)がそれぞれ形成されている。これらのノズル４６(1)，４６(2)、４６(6)，４６(7)は、それぞれのスリット状噴出口５２(1)，５２(2)，５２(6)，５２(7)が蒸着プロセス中にそれらの真上を通過する基板Ｓに対して面状薄膜を形成するのに適した比較的遠い距離ＤL（通常１０〜２０ｍｍ）を隔てるような高さ位置（図４）にそれぞれ配置されている。
【００４５】
一方、ＲＥＬノズル４６(3)、ＧＥＬノズル４６(4)およびＢＥＬノズル４６(5)の上面には、真上を通過する基板Ｓに対してライン状薄膜を形成するのに適した相当短い距離ＤS（通常１ｍｍ以下）を隔てるような高さ位置（図４）に、ノズル長手方向（Ｙ方向）に同一の一定間隔Ｐを置いて一列（または複数列）に配置される多孔状の噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)がそれぞれ形成されている。ノズル４６(3)，４６(4)，４６(5)の間で、それぞれの噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)は同一の口径Ｋを有し、ノズル長手方向（Ｙ方向）において互いにＰ／３だけオフセットしている（図６）。
【００４６】
ここで、各噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)におけるノズル長手方向（Ｙ方向）の間隔またはピッチＰは、有機ＥＬディスプレイにおける画素のサイズに略一致している。また、各噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)の口径Ｋおよび上記距離間隔ＤSは、図３Ａおよび図３Ｂに示すコサイン法にしたがい、並置型のＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）のライン幅Ｗに依存した値に選定される。口径Ｋの特に好ましい範囲は、０．１〜１Ｗである。したがって、たとえばＷ＝１００μｍの場合、Ｋ＝１０〜１００μｍに選ばれる。
【００４７】
このように、ライン状薄膜（Ｒ・Ｇ・Ｂ発光層）を形成するためのＲＥＬノズル４６(3)、ＧＥＬノズル４６(4)およびＢＥＬノズル４６(5)は、それぞれの噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)より原料ガスを非常に細く絞って至近距離ＤSの基板被処理面に向けて噴き出すので、それらの噴き出された原料ガスが四方、特に基板走査方向（Ｘ方向）に拡散しない。これに対して、面状薄膜（ＨＩＬ，ＨＴＬ，ＥＴＬ，ＥＩＬ）を形成するためのＨＩＬノズル４６(1)、ＨＴＬノズル４６(2)、ＥＴＬノズル４６(6)およびＥＩＬノズル４６(7)は、それぞれの噴出口５２(1)，５２(2)，５２(6)，５２(7)より原料ガスを大きな広がり角で遠距離ＤLの基板被処理面に向けて噴き出すので、それらの噴き出された原料ガスが四方、特に基板走査方向（Ｘ方向）に拡散する。このことから、基板走査方向（Ｘ方向）において、これら広角遠距離噴出型ノズル４６(1)，４６(2)，４６(6)，４６(7)の前後（図１では左右両側）には、処理室１０の底壁からノズル噴出口を超える高さまで垂直上方に延びる隔壁板５２が設けられており、隣接するノズル側への原料ガスの侵入または混入を防止するようにしている。
【００４８】
［実施形態における作用］
次に、図４〜図６を参照して、この実施形態の蒸着装置における作用を説明する。ゲートバルブ２２が開いて外部搬送装置（図示せず）により処理対象の基板Ｓが処理室１０の中に搬入されると、コントローラ１８は、移動機構１２を制御してステージ２６に基板Ｓをフェイスダウンで装着させる。この際、ステージ２６を搬入／搬出口２４の近くに寄せて基板Ｓのローディングを行い、次いでステージ２６を搬入／搬出口２４から遠い走査開始位置まで移動させる。基板Ｓのローディングが完了した後、ゲートバルブ２２は閉じて、排気装置により処理室１０の室内が所定の真空圧力まで減圧される。なお、処理室１０内に搬入された基板Ｓの被処理面には、別の成膜装置（たとえばスパッタ装置）により前工程で陽極（ＩＴＯ）が形成されている。
【００４９】
コントローラ１８は、基板Ｓを搬入するタイミングに合わせて、蒸着機構１４をスタンバイ状態に制御する。たとえば、基板Ｓが搬入される直前に、ヒータ電源部３４をオンにして、各蒸発源３０(1)〜３０(7)における各成膜材料の加熱、蒸発を準備させる。ただし、開閉弁５０(1)〜５０(7)は閉めておいて、原料ガス噴き出し部１６を止めておく。
【００５０】
コントローラ１８は、当該基板Ｓに対する蒸着プロセスを実行するために、移動機構１２にステージ２６の走査移動を開始させる。そして、走査移動において基板Ｓの前端部がＨＩＬノズル４６(1)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(1)の開閉弁４２(1)および原料ガス供給管４８(1)の開閉弁５０(1)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＨＩＬノズル４６(1)は、ＨＩＬ原料ガス（正確にはＨＩＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＨＩＬノズル４６(1)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(1)，５０(1)を開（オン）状態に保持して、ＨＩＬノズル４６(1)にＨＩＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(1)は、キャリアガス供給管４０(1)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＨＩＬノズル４６(1)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００５１】
ＨＩＬノズル４６(1)は、そのスリット型噴出口５２(1)よりＨＩＬ原料ガスを真上に向けて帯状に噴き出す。帯状に噴き出されたＨＩＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に帯状に当たり、その帯状に当たった位置で凝縮して堆積する。こうして、図４および図５に示すように、基板ＳがＨＩＬノズル４６(1)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって基板被処理面の全体を覆うように正孔注入層（ＨＩＬ）の薄膜が一定の膜厚で面状に形成されていく。
【００５２】
また、走査移動において基板Ｓの前端部がＨＴＬノズル４６(2)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(2)の開閉弁４２(2)および原料ガス供給管４８(2)の開閉弁５０(2)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＨＴＬノズル４６(2)は、ＨＴＬ原料ガス（正確にはＨＴＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＨＴＬノズル４６(2)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(2)，５０(2)を開（オン）状態に保持して、ＨＴＬノズル４６(2)にＨＴＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(2)は、キャリアガス供給管４０(2)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＨＴＬノズル４６(2)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００５３】
ＨＴＬノズル４６(2)は、そのスリット型噴出口５２(2)よりＨＴＬ原料ガスを真上に向けて帯状に噴き出す。帯状に噴き出されたＨＴＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に帯状に当たり、その帯状に当たった位置で凝縮して堆積する。こうして、図４および図５に示すように、基板ＳがＨＴＬノズル４６(2)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）の後を追うように、その上に重なって、正孔輸送層（ＨＴＬ）の薄膜が一定の膜厚で面状に形成されていく。
【００５４】
さらに、走査移動において基板Ｓの前端部がＲＥＬノズル４６(3)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(3)の開閉弁４２(3)および原料ガス供給管４８(3)の開閉弁５０(3)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＲＥＬノズル４６(3)は、ＲＥＬ原料ガス（正確にはＲＥＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＲＥＬノズル４６(3)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(3)，５０(3)を開（オン）状態に保持して、ＲＥＬノズル４６(3)にＲＥＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(3)は、キャリアガス供給管４０(3)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＲＥＬノズル４６(3)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００５５】
ＲＥＬノズル４６(3)は、その多孔型噴出口５２(3)よりＲＥＬ原料ガスを真上に向けて櫛歯状に噴き出す。櫛歯状に噴き出されたＲＥＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に離散的に当たり、その離散的に当たった各位置で凝縮して堆積する。こうして、図４、図５および図６に示すように、基板ＳがＲＥＬノズル４６(3)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）および正孔輸送層（ＨＴＬ）の後を追うように、正孔輸送層（ＨＴＬ）の上に一部（ライン状に）重なって、Ｒ発光層（ＲＥＬ）の薄膜が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に多数本形成されていく。
【００５６】
同様にして、走査移動において基板Ｓの前端部がＧＥＬノズル４６(4)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(4)の開閉弁４２(4)および原料ガス供給管４８(4)の開閉弁５０(4)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＧＥＬノズル４６(4)は、ＲＥＬ原料ガス（正確にはＧＥＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＧＥＬノズル４６(4)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(4)，５０(4)を開（オン）状態に保持して、ＧＥＬノズル４６(4)にＧＥＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(4)は、キャリアガス供給管４０(4)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＧＥＬノズル４６(4)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００５７】
ＧＥＬノズル４６(4)は、その多孔型噴出口５２(4)よりＧＥＬ原料ガスを真上に向けて櫛歯状に噴き出す。櫛歯状に噴き出されたＧＥＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に離散的に当たり、その離散的に当たった各位置で凝縮して堆積する。こうして、図４、図５および図６に示すように、基板ＳがＧＥＬノズル４６(4)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）およびＲ発光層（ＲＥＬ）の後を追うように、Ｒ発光層（ＲＥＬ）の隣に一定のギャップｇを空けて、正孔輸送層（ＨＴＬ）の上に一部（ライン状に）重なって、Ｇ発光層（ＧＥＬ）の薄膜が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に多数本形成されていく。なお、ライン上塗布膜間のギャップｇは、ｇ＝（Ｐ−３Ｗ）／３で与えられる（図６）。
【００５８】
同様にして、走査移動において基板Ｓの前端部がＢＥＬノズル４６(5)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(5)の開閉弁４２(5)および原料ガス供給管４８(5)の開閉弁５０(5)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＢＥＬノズル４６(5)は、ＢＥＬ原料ガス（正確にはＢＥＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＢＥＬノズル４６(5)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(5)，５０(5)を開（オン）状態に保持して、ＢＥＬノズル４６(5)にＢＥＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(5)は、キャリアガス供給管４０(5)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＢＥＬノズル４６(5)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００５９】
ＢＥＬノズル４６(5)は、その多孔型噴出口５２(5)よりＢＥＬ原料ガスを真上に向けて櫛歯状に噴き出す。櫛歯状に噴き出されたＢＥＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に離散的に当たり、その離散的に当たった各位置で凝縮して堆積する。こうして、図４、図５および図６に示すように、基板ＳがＢＥＬノズル４６(5)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、Ｒ発光層（ＲＥＬ）およびＧ発光層（ＲＥＬ）の後を追うように、Ｒ発光層（ＲＥＬ）およびＧ発光層（ＧＥＬ）の隣にギャップｇを空けて、正孔輸送層（ＨＴＬ）の上に一部（ライン状に）重なって、Ｂ発光層（ＢＥＬ）の薄膜が一定の膜厚および一定の間隔Ｐでライン状に多数本形成されていく。
【００６０】
そして、走査移動において基板Ｓの前端部がＥＴＬノズル４６(6)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(6)の開閉弁４２(6)および原料ガス供給管４８(6)の開閉弁５０(6)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＥＴＬノズル４６(6)は、ＥＴＬ原料ガス（正確にはＥＴＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＥＴＬノズル４６(6)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(6)，５０(6)を開（オン）状態に保持して、ＥＴＬノズル４６(6)にＥＴＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(6)は、キャリアガス供給管４０(6)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＥＴＬノズル４６(2)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００６１】
ＥＴＬノズル４６(6)は、そのスリット型噴出口５２(6)よりＥＴＬ原料ガスを真上に向けて帯状に噴き出す。帯状に噴き出されたＥＴＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に帯状に当たり、その帯状に当たった位置で凝縮して堆積する。こうして、図４に示すように、基板ＳがＥＴＬノズル４６(6)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）およびＲＧＢ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）の後を追うように、正孔輸送層（ＨＴＬ）およびＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）の上に重なって、電子輸送層（ＥＴＬ）の薄膜が一定の膜厚で面状に形成されていく。
【００６２】
最後に、走査移動において基板Ｓの前端部がＥＩＬノズル４６(7)の手前に差し掛かると、コントローラ１８は、所定のタイミングでキャリアガス供給管４０(7)の開閉弁４２(7)および原料ガス供給管４８(7)の開閉弁５０(7)をそれまでの閉（オフ）状態から開（オン）状態に切り換える。これによって、ＥＩＬノズル４６(7)は、ＥＩＬ原料ガス（正確にはＥＩＬ原料ガスとキャリアガスとの混合ガス）の噴き出しを開始する。以後、基板Ｓの後端部がＥＩＬノズル４６(7)の頭上を通り過ぎるまで、開閉弁４２(7)，５０(7)を開（オン）状態に保持して、ＥＩＬノズル４６(7)にＥＴＬ原料ガスの噴き出しを持続させる。マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）４４(7)は、キャリアガス供給管４０(7)を流れるキャリアガスの圧力または流量の制御を通じて、ＥＩＬノズル４６(7)のガス噴出圧力または流量を設定値に制御する。
【００６３】
ＥＩＬノズル４６(7)は、そのスリット型噴出口５２(7)よりＲＥＬ原料ガスを真上に向けて帯状に噴き出す。帯状に噴き出されたＥＩＬ原料ガスは、その真上を通過する基板Ｓの被処理面に帯状に当たり、その帯状に当たった位置で凝縮して堆積する。こうして、図４に示すように、基板ＳがＥＩＬノズル４６(7)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、Ｒ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）および電子輸送層（ＥＴＬ）の後を追うように、電子輸送層（ＥＴＬ）の上に重なって、電子注入層（ＥＩＬ）の薄膜が一定の膜厚で面状に形成されていく。
【００６４】
こうして、基板Ｓの後端がＥＩＬノズル４６(7)の頭上を通過すると、コントローラ１８は、移動機構１２を制御してステージ２８を停止させる。また、蒸着機構１４および原料ガス噴き出し部１６を制御して、キャリアガス供給管４０(7)の開閉弁４２(7)および原料ガス供給管４８(7)の開閉弁５０(7)を開（オン）状態から閉（オフ）状態に切り換える。次いで、パージング機構（図示せず）を制御して、処理室１０内の雰囲気を減圧状態から大気圧状態に置換する。しかる後、ゲートバルブ２２が開いて、外部搬送装置が処理済みの基板Ｓを処理室１０の外へ取り出す。この後、基板Ｓは、電子注入層（ＥＩＬ）の上に陰極を形成するために、別の成膜装置（たとえばスパッタ装置）へ移される。
【００６５】
上記のように、この実施形態の蒸着装置においては、処理室１０内で基板Ｓを一水平方向（Ｘ方向）に１回走査移動させるだけで、当該基板Ｓ上に複数種類の有機物の薄膜、すなわち正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＩＬ）、Ｒ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）および電子注入層（ＥＩＬ）を積層して形成し、その中でＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）については平行なライン状パターンに並置して形成することができる。こうして、シャドウマスクを一切使わずに、１つの処理室１０内の１回の蒸着プロセスにより、図７に示すようなデバイス構造の有機ＥＬカラーディスプレイを製作することができる。したがって、シャドウマスクに関連した従来技術の問題点を全部一挙に解決し、有機材料の利用効率、塗り分け効率、多層成膜効率、製造歩留まり、スペース効率、コストを大幅に改善し、大画面化や量産化にも難なく対応することができる。
【００６６】
なお、図７に示すようなデバイス構造を有する有機ＥＬカラーディスプレイの駆動方式として、たとえば図８に示すようなパッシブマトリクス方式を用いることができる。この場合、陽極および陰極は互いに直交するライン状電極（行電極／列電極）として形成され、両者が交差する位置（交点）の画素（Ｒ・Ｇ・Ｂサブピクセル）に電圧が印加されると、そのサブピクセルが発光する。
【００６７】
アクティブマトリクス方式も勿論可能である。アクティブマトリクス方式の場合は、図示省略するが、陽極（ＩＴＯ）側にＲ・Ｇ・Ｂのサブピクセル毎のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）および画素電極、さらには走査線、信号線が形成される。一方、陰極は、共通電極となり、一枚の面状薄膜として形成される。
【００６８】
［他の実施形態または変形例］
以上本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内で他の実施形態または種種の変形が可能である。
【００６９】
たとえば、図９に示すように、原料ガス噴き出し部１６において、並置型のＲ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）を形成するためのＲＥＬノズル４６(3)、ＧＥＬノズル４６(4)およびＢＥＬノズル４６(5)のそれぞれの噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)を、それらのノズル４６(3)，４６(4)，４６(5)に共通して取り付けられる一体的な板体または噴出口プレート６０に設ける構成を好適に採ることができる。
【００７０】
かかる構成によれば、図１０に示すように、それらの異なるノズル４６(3)，４６(4)，４６(5)の間で、ノズル長手方向（Ｙ方向）における噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)の位置ずれまたはオフセット量を正確に設定値（Ｐ／３）に合わせることが可能であり、面倒なアライメント調整が要らなくなる。
【００７１】
また、ＲＥＬノズル４６(3)、ＧＥＬノズル４６(4)およびＢＥＬノズル４６(5)の噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)に関する別の実施例として、図１１に示すように、各ノズル４６(3)，４６(4)，４６(5)の噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)を走査移動方向（Ｘ方向）において一列に複数（図示の例は４個）並べる構成を好適に採ることができる。
【００７２】
かかる構成によれば、各ライン状薄膜（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）について、１個の噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)によって形成される膜厚の数倍の膜厚を得ることが可能となる。別な見方をすれば、１個の噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)より噴き出す原料ガスの圧力または流量を数分の１に低減することができる。
【００７３】
更に別の実施例として、図１２に示すように、各ノズル４６(3)，４６(4)，４６(5)においてそれぞれの噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)を千鳥状に配置する構成を好適に採ることができる。かかる構成においては、各噴出口５２(3)，５２(4)，５２(5)におけるノズル長手方向（Ｙ方向）の配列間隔を２倍に拡張することができる。
【００７４】
また、面状薄膜を形成するためのＨＩＬノズル４６(1)、ＨＴＬノズル４６(2)、ＥＴＬノズル４６(6)およびＥＩＬノズル４６(7)において、図１３に示すように、それぞれの噴出口５２(3)，５２(4)，５２(6)，５２(7)を一列または複数列の多孔型に形成することも可能である。この場合、上方を通過する基板Ｓに対して、ＨＩＬ原料ガス、ＨＴＬ原料ガス、ＥＴＬ原料ガスおよびＥＩＬ原料ガスをそれぞれ実質的に帯状に噴き出すように各噴出口５２(3)，５２(4)，５２(6)，５２(7)の口径、ピッチおよび離間距離ＤLが選ばれる。
【００７５】
なお、本発明の蒸着装置において、各原料ガスを噴出する長尺型ノズルの基板移動方向（Ｘ方向）に対する配置の向き、つまりノズル長手方向の向きは、通常は上記実施形態のように直交方向（Ｙ方向）であるが、必要に応じて同方向（Ｙ方向）から水平面内で斜めに傾いていてもよい。また、蒸着プロセスを受ける基板の姿勢もフェイスダウン方式に限るものではなく、たとえフェイスアップ方式あるいは基板の被処理面を横方向に向ける方式等も可能である。各ノズルにおいて原料ガスを噴出する方向も、被処理基板の向きまたは姿勢に応じて任意の向きを採ることができる。
【００７６】
また、有機ＥＬディスプレイにおけるカラー発光方式として、図１４に示すように、Ｂ発光層（ＢＥＬ）とＲ蛍光層（ＲＦＬ）およびＧ蛍光層（ＧＦＬ）を組み合わせる変形的な並置方式が知られている。このデバイス構造においては、正孔輸送層（ＨＴＬ）の上に有機物質のＲ蛍光層（ＲＦＬ）およびＧ蛍光層（ＧＦＬ）がそれぞれ上記Ｒ発光層（ＲＥＬ）およびＧ発光層（ＧＥＬ）と同様に相隣接するライン状薄膜として形成される。そして、Ｂ発光層（ＢＥＬ）は、Ｂのサブピクセル位置を埋めるだけでなく、Ｒ蛍光層（ＲＦＬ）およびＧ蛍光層（ＧＦＬ）の上にも覆い被さる面状薄膜として形成される。
【００７７】
かかるデバイス構造の製作に本発明を適用する場合は、図１５および図１６に示すように、ＢＥＬノズル４６(5)の噴出口５２(5)をスリット状（または実質的に帯状のガス噴出を行える多孔状）に形成するとともに、その噴出口５２(5)をその真上を通過する基板Ｓに対して面状薄膜を形成するのに適した比較的遠い距離ＤL（通常１０〜２０ｍｍ）を隔てるような高さ位置に配置する。
【００７８】
蒸着プロセスにおいて、他のノズル４６(1)〜４６(4)，４６(6)，４６(7)による成膜の作用は上記実施形態と実質的に同じであり、ＢＥＬノズル４６(5)による成膜の作用だけが上記実施形態と大きく異なる。すなわち、ＢＥＬノズル４６(3)は、そのスリット状（または多孔状）噴出口５２(5)よりＢＥＬ原料ガスを真上に向けて帯状に噴き出す。帯状に噴き出されたＢＥＬ原料ガスは、真上を通過する基板Ｓの被処理面に帯状に当たり、その帯状の位置で凝縮して堆積する。こうして、図１６に示すように、基板ＳがＢＥＬノズル４６(5)の上方を走査移動方向（Ｘ方向）に一定速度で通過する間に、基板Ｓの前端から後端に向かって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、Ｒ蛍光層（ＲＦＬ）およびＧ蛍光層（ＧＦＬ）の後を追うように、Ｒ蛍光層（ＲＦＬ）およびＧ蛍光層（ＧＦＬ）の隣および上に重なって、Ｇ発光層（ＧＥＬ）の薄膜が一定の膜厚で面状に形成されていく。
【００７９】
なお、この実施例においては、上記有機物質のＲ蛍光層（ＲＦＬ）およびＧ蛍光層（ＧＦＬ）を有機物質のＲ燐光層（ＲＰＬ）およびＧ燐光層（ＧＰＬ）にそれぞれ置き換えてもよい。
【００８０】
図１５の原料ガス噴き出し部１６においては、ＲＥＬノズル４６(3)とＧＥＬノズル４６(4)との間にも隔壁板５２を設けている。このように隣り合うライン状薄膜形成用ノズルの間に隔壁板５２を設けることにより、有機分子（原料ガス分子）の反跳をより効果的に防止することができる。上述した他の実施例の原料ガス噴き出し部１６（たとえば図１）においても、同様の目的で、ＲＥＬノズル４６(3)とＧＥＬノズル４６(4)との間およびＧＥＬノズル４６(4)とＢＥＬノズル４６(5)との間にそれぞれ隔壁板５２を設けることができる。
【００８１】
また、本発明の蒸着装置においては、基板の被処理面に対してライン状薄膜形成用ノズルの噴出口を至近距離に置くので、ノズルの輻射熱が基板上の有機膜に影響を与えるのを防止する手段を好適に備えることができる。たとえば、図１７Ａに示すように、ノズルの噴出口の周囲に板状の遮熱部６２を設けることができる。この遮熱部６２は、熱伝導率の高い部材からなり、冷却媒体（たとえば冷却水）ｃｗを流す流路６２ａを内部に有しており、ノズルから放射される熱を吸収して遮断する。
【００８２】
また、図１７Ｂに示すように、ノズルの先端部を噴出口に向かってテーパ状に細くする構成を採ることにより、遮熱部６２をノズル噴出口の前方ではなく横に配置することも可能である。この構成によれば、ノズルの噴出口を基板（図示せず）に可及的に近づけることができる。
【００８３】
本発明の蒸着装置は、基板上で各色発光層の間にサブピクセル分離用の隔壁またはバンクを設けるデバイス構造の製作にも有利に適用できる。このサブピクセル分離方式によれば、たとえば図１８Ａに示すように、Ｒ・Ｇ・Ｂ発光層（ＲＥＬ／ＧＥＬ／ＢＥＬ）だけでなく、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）および電子注入層（ＥＩＬ）も、バンク（隔壁）６４によって各色別に分離される。この場合、第１層（ＨＩＬ）、第２層（ＨＴＬ）、・・の各層において有機薄膜の膜厚を同じにしつつ、各色の発光特性を各々独立に最適化するように各層の膜質または材質を個別に選ぶこともできる。さらには、図１８Ｂに示すように、各薄膜の膜厚を各色の発光特性に応じて各色毎に独立した膜厚に制御することも可能である。たとえば、Ｒ発光層（ＲＥＬ）、Ｇ発光層（ＧＥＬ）、Ｂ発光層（ＢＥＬ）の膜厚をそれぞれ１４０±２０ｎｍ、１２０±２０ｎｍ、１００±２０ｎｍに選ぶことができる。
【００８４】
本発明の蒸着装置においてライン状有機薄膜を蒸着形成する際には、上述したようにシャドウマスクは不要である。しかし、後工程において、たとえばスパッタ工程において最上層の陰極をライン状に形成するときは、シャドウマスクを用いることがあり、その場合にバンク６４がそれよりも一段低い各色別の有機薄膜をシャドウマスクとの接触から護る役目をする。
【００８５】
バンク６４は、たとえばアクリル樹脂、ノボラック樹脂、ボリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物を材質とし、たとえばインクジェット法あるいは印刷法等により前工程でも作製できるが、本発明の蒸着装置において蒸着法により発光層等と一緒に基板Ｓ上に作製することもできる。
【００８６】
本発明の蒸着装置において、上記のようなテバイス構造を製作する場合は、蒸発機構１４、原料ガス噴き出し部１６およびキャリアガス供給機構３６に、バンク６４を形成するための蒸発源、ノズル、キャリアガス供給部（専用のガス管、開閉弁、ＭＦＣ等）をそれぞれ増設する。バンク形成用のノズルは、好ましくはＨＩＬノズル４６(1)よりも上流側の位置つまり最上流の位置に配置される。また、バンク形成用のノズルや発光層形成用のノズル４６(3)，４６(4)，４６(5)はもちろん、注入層形成用のノズル４６(1)，４６(7)および輸送層形成用のノズル４６(2)，４６(6)のいずれも、ライン状薄膜を形成するために、口径の小さい多孔型噴出口を有し、かつ基板Ｓに対して各々のノズルが至近距離ＤSから原料ガスを噴き付けるような高さ位置に配置される。各ライン状薄膜またはライン状バンクの膜厚は、各原料ガスの流量やノズル噴出口の口径、多重数（図１０の場合）等によって個別に制御または調節することができる。
【００８７】
この実施例のように、ＨＩＬノズル４６(1)、ＨＴＬノズル４６(2)、ＥＴＬノズル４６(6)およびＥＩＬノズル４６(7)のいずれかまたは全部を各色別に複数本ずつ設けることも可能である。
【００８８】
上記の実施形態ないし実施例では、蒸着走査において、Ｒ発光層（ＲＥＬ）、Ｇ発光層（ＧＥＬ）およびＢ発光層（ＢＥＬ）の順序で基板Ｓ上にライン状の各色発光層を形成した。しかし、この順序に限るものではなく、任意の順序でライン状の各色発光層を形成することが可能である。したがって、原料ガス噴き出し部１６において、ＲＥＬノズル４６(3)、ＧＥＬノズル４６(4)およびＢＥＬノズル４６(5)の配置順序を任意に選ぶことができる。
【００８９】
また、上記の実施形態ないし実施例では、透明陽極（ＩＴＯ）を下地層として正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、・・の順に各有機層を重ねて蒸着形成した。しかし、逆方向に、つまり陰極を下地層として電子注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、・・の順に各有機層を重ねて蒸着形成することも可能である。
【００９０】
なお、有機ＥＬディスプレイにおいては、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＨＩＬ）の一部を省くデバイス構造もある。そのようなデバイス構造の製作にも本発明を適用できることは無論である。
【００９１】
また、上記した実施形態では有機ＥＬディスプレイを構成する多層膜のすべてに有機物質を用いたが、有機物薄膜の一部または全部を無機物質の薄膜に置き換えるデバイス構造の製造にも本発明を適用することができる。さらに、マルチフォトン発光構造を有する有機ＥＬの製作にも本発明を適用することができる。
【００９２】
上記した実施形態は、有機ＥＬディスプレイに係るものであったが、本発明は蒸着法を用いて基板上で複数種類のライン状薄膜を塗り分ける任意の成膜プロセスまたはアプリケーションに適用可能である。したがって、たとえば各ライン状薄膜のライン幅Ｗ、各ノズルの噴出口の口径および離間距離Ｄをライン状薄膜の種類別に独立に設定することも可能である。
【００９３】
本実施形態の蒸着装置及び蒸着方法は、これを用いることによって照明装置を製造することができる。すなわち、本実施形態の蒸着装置及び蒸着方法は、これを用いることによって基板上にＲ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層をライン状に成膜し、各発光層を発光させることにより、白色発光の照明装置を製造することができる。また、例えば、本実施形態の蒸着装置及び蒸着方法は、これを用いることによって基板上にＲ発光層、Ｇ発光層及びＢ発光層をライン状に成膜し、各発光層の発光強度を調整可能にすることにより、発光の色味を調整可能な照明装置を製造することができる。
【符号の説明】
【００９４】
１０    処理室
１２    移動機構
１４    蒸着機構
１６    原料ガス噴き出し部
１８    コントローラ
２０    排気口
２６    ステージ
２８    走査部
３０(1)〜３０(7)    蒸発源
３４    ヒータ電源部
３８    キャリアガス供給源
４４(1)〜４４(7)    マス・フロー・コントローラ（ＭＦＣ）
４６(1)〜４６(7)    ノズル
４８(1)〜４８(7)    ガス管
５０(1)〜５０(7)    開閉弁
５２(1)〜５２(7)    噴出口
６０    噴出口プレート
６２    遮熱部
６４    バンク（隔壁）
【図１】
2012118199.tif 000003
【図２】
2012118199.tif 000004
【図３Ａ】
2012118199.tif 000005
【図３Ｂ】
2012118199.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【国際調査報告】
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