(57)【要約】  本発明は、テクスチャ形成面を有するシリコン基板のテクスチャを微細化することで、太陽電池用のシリコン基板を薄層化することを目的とする。本発明は、５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板であって、テクスチャが形成されたテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供する。このようなシリコン基板は、好ましくは５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板を準備する工程Ａと、前記準備したシリコン基板の基板表面に、フッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャを形成する工程Ｂとを含むプロセスで製造される。［公表図］  図１Ａ
2012140906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクスチャ形成面を有し、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板を準備する工程Ａと、
前記準備したシリコン基板の基板表面に、フッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャを形成する工程Ｂと、
を含む製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａは、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程ａ１と、
前記シリコンインゴットの、インゴット表面から深さ５０μｍ以下の領域にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程ａ２と、
前記イオン注入層を形成されたインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程ａ３とを含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｂにおけるシリコン基板のエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記テクスチャ形成面には、複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
テクスチャ形成面を有し、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄと、
前記イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む製造方法。
【請求項８】
テクスチャ形成面を有し、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む製造方法。
【請求項９】
テクスチャ形成面を有し、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'’と、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む製造方法。
【請求項１０】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
テクスチャ形成面を有し、かつスルーホールを有する５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層および前記ホールの内壁表面層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記テクスチャ形成面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅと、
前記イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む製造方法。
【請求項１５】
テクスチャ形成面を有し、かつスルーホールを有する５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む製造方法。
【請求項１６】
テクスチャ形成面を有し、かつスルーホールを有する５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'’と、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む製造方法。
【請求項１７】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２１】
請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の方法で得たシリコン基板を含むバックコンタクト型太陽電池セルであって、
前記スルーホールの内側面に成膜され、ＰＮ接合と接続している導電膜からなる電極と、テクスチャ形成面とは反対の面に成膜された導電膜からなる電極と、を含む太陽電池セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テクスチャ形成面を有するシリコン基板と、それを含む太陽電池、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン太陽電池（光電変換素子）などにおいて、シリコン基板の受光面にテクスチャと称される凹凸形状を設けて、入射光の反射を抑え、かつシリコン基板に取り込んだ光を外部に漏らさないようにしている。シリコン基板の表面へのテクスチャ形成は、一般的にアルカリ（ＫＯＨ）水溶液をエッチャントとするウェットプロセスにより行われている。ウェットプロセスによるテクスチャ形成は、後処理としてフッ化水素による洗浄工程や、熱処理工程などが必要とされる。そのため、シリコン基板表面を汚染する恐れがあるばかりか、コスト面からも不利な点があった。【０００３】
しかも、ウェットプロセスによりテクスチャ形成できるシリコン基板は、基板面方位（１００）のシリコン基板に限られ（特許文献１などを参照）；他の基板面方位を有するシリコン基板の表面に、ウェットプロセスによりテクスチャ形成することはできなかった。【０００４】
一方で、シリコン基板の表面へのテクスチャ形成をドライプロセスにて行う方法も提案されている。例えば、１）プラズマによる反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching）といわれる手法を用いる方法、２）シリコン基板のある大気圧雰囲気下の反応室に、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３およびＢｒＦ５のいずれかのガスを導入することで、シリコン基板表面をエッチングする方法（特許文献２、特許文献３および特許文献４を参照）、３）シリコン基板に酸素を含む雰囲気中でレーザービームを照射することで、シリコン基板表面に凹凸を形成する方法（特許文献５および６を参照）が提案されている。【０００５】
さらに、太陽電池のシリコン基板を薄層化して、シリコンの材料効率を高めようとする試みもなされている（引用文献７を参照）。つまり、従来のシリコン基板は、シリコンインゴットをウェハ状に切断することで得ていたので、その厚みが数百マイクロメートル以上とならざるを得なかった。ところが、太陽電池において光電変換に寄与するシリコン基板に必要な厚みは、１００μｍ以下であるため、それを薄層化することができればシリコンの材料効率が高まる。【０００６】
引用文献７には、シリコン基板の所定の深さにイオンを層状に注入し、イオンを注入したシリコン基板を加熱することで、シリコン基板を、上述の層状領域で切断して、薄層シリコン基板を得る手法が記載されている。同様に、シリコンインゴット基板の表面にイオンビームを照射して、基板の表面膜を剥離することが提案されている（特許文献８および９参照）。【０００７】
他方、太陽電池セルは、受光面とその裏面とに、それぞれｎ電極とｐ電極とを配置する両面電極型太陽電池セルと、受光面の裏面にｎ電極とｐ電極とを配置する裏面型太陽電池セルとに大別される。裏面型太陽電池セルの一態様として、受光面に設けたＰＮ接合と裏面に設けた電極とをスルーホールで連結した態様が知られており、「メタルラップスルー構造バックコンタクトセル」などと称される（例えば、特許文献１０および非特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１５０９３７号公報
【特許文献２】特開平１０−３１３１２８号公報
【特許文献３】特開２００５−１５０６１４号公報
【特許文献４】米国特許第２００５／０１２６６２７号公報
【特許文献５】特開２００９−１５２５６９号公報
【特許文献６】米国特許第２０１０／０１３６７３５号公報
【特許文献７】特開平９−３３１０７７号公報
【特許文献８】特開２００９−２９５９７３号公報
【特許文献９】米国特許第２００９／０２７７３１４号公報
【特許文献１０】特開平４−２２３３７８号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ichiro IKEDA, "High Efficiency Multi Crystalline Silicon Back Contact Photovoltaic Solar Cell" エレクトロニクス実装学会誌Vol.12 No.6 (2009) p.485
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述の通り、シリコン基板表面にテクスチャを形成するには、一般的にウェットプロセスにより行われていた。このようにして得られるテクスチャは、その凸部の高さ自体が１０μｍ以上あった。したがって、シリコン基板の厚みを薄くすると、例えば厚みを５０μｍ以下とすると、シリコン基板の厚みにおけるテクスチャの凸部の高さの割合が過剰に大きくなる。そのため、薄層化されたシリコン基板の強度が確保できない。即ち、テクスチャ形成面を有するシリコン基板の薄層化には、自ずと限界があった。【００１１】
そこで本発明の第一の態様は、テクスチャ形成面を有するシリコン基板のテクスチャを微細化することで、太陽電池用のシリコン基板を薄層化することを目的とする。それにより、太陽電池の設計自由度を高めることを目的とする。【００１２】
前述の通り、シリコン基板表面にテクスチャを形成するには、一般的にウェットプロセスにより行われていた。このようにして得られるテクスチャは、その凸部の高さ自体が１０μｍ以上あった。したがって、シリコン基板の厚みを薄くすると、例えば厚みを５０μｍ以下とすると、シリコン基板の厚みにおけるテクスチャの凸部の高さの割合が過剰に大きくなり、シリコン基板の強度が確保できない。そのため、テクスチャ形成面を有するシリコン基板の薄層化には、自ずと限界があった。【００１３】
特に、メタルラップスルー構造バックコンタクトセル用のシリコン基板は、スルーホールが形成されているので、その強度が低下しやすい。よって、シリコン基板を薄層化することはより困難である。【００１４】
そこで本発明の第二の態様は、テクスチャ形成面を有するシリコン基板のテクスチャを微細化することで、スルーホールを形成されたシリコン基板を薄層化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、特定の基板面方位を有するシリコン基板の表面に、特定のエッチングガスを供給してエッチングすることで、極めて微細なテクスチャを形成できることを見出した。その知見に基づいて、テクスチャ形成面を有しつつ、薄層化されたシリコン基板を得た。【００１６】
本発明の第一の特徴は、テクスチャ形成面を有し、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板を準備する工程Ａと、上述の準備したシリコン基板の基板表面に、フッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャを形成する工程Ｂと、を含む製造方法を要旨とする。【００１７】
本発明の第二の特徴は、５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板であって、テクスチャ形成面を有するシリコン基板を要旨とする。本発明によれば、係るシリコン基板を含み、テクスチャ形成面を受光面とする太陽電池が提供される。【００１８】
本発明の第三の特徴は、テクスチャ形成面を有し、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、テクスチャ形成面にドーパントを注入して、シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、テクスチャ形成面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄと、イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、を含む製造方法を要旨とする。【００１９】
本発明の第四の特徴は、テクスチャ形成面を有し、かつスルーホールを有する５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板の製造方法であって、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャを形成する工程Ｂと、テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、テクスチャ形成面にドーパントを注入して、シリコンインゴットの表層および前記ホールの内壁表面層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、テクスチャ形成面からイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅと、イオン注入層を形成されたシリコンインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でシリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、を含む製造方法を要旨とする。本発明によれば、係る方法で得たシリコン基板を含むバックコンタクト型太陽電池セルであって、スルーホールの内側面に成膜され、ＰＮ接合と接続している導電膜からなる電極と、テクスチャ形成面とは反対の面に成膜された導電膜からなる電極と、を含む太陽電池セルが提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第一の態様によれば、シリコン基板は薄層化されているにも係わらず、その表面にテクスチャが形成されている。好ましくは、そのテクスチャ形成面での光反射率を十分に抑制することができ、かつ取り込んだ光を外部に漏らさない。よって、本発明の第一の態様のシリコン基板は、そのテクスチャ形成面を受光面とすることで、太陽電池用のシリコン基板として特に好適に用いられる。【００２１】
本発明の第二の態様によれば、シリコン基板は、薄層化されているにも係わらず、その表面にテクスチャが形成され、かつスルーホールが形成されている。好ましくは、そのテクスチャ形成面での光反射率を十分に抑制することができ、かつ取り込んだ光を外部に漏らさない。よって、本発明の第二の態様のシリコン基板は、そのテクスチャ形成面を受光面とすることで、メタルラップスルー構造バックコンタクトセルと称される太陽電池用のシリコン基板として特に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板のテクスチャ形成面のテクスチャを構成する三角錘状の突起を概念的に説明する斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板のテクスチャ形成面のテクスチャを構成する三角錘状の突起を概念的に説明する断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板の製造フローを示す図である。
【図２Ｂ】図２２Ｂは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板の製造フローを示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは任意のシリコン基板の製造工程を示す図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、太陽電池とする工程を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板の製造フローを示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板の製造フローを示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板の製造フローを示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第一の実施形態に係る実施例において、シリコン基板の表面にテクスチャを形成するために用いたテクスチャ形成装置の外観斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、減圧チャンバ内を透視した斜視図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板のテクスチャ形成面のテクスチャの模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板のテクスチャ形成面のテクスチャの例を示す顕微鏡写真である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板のテクスチャ形成面のテクスチャの例を示す顕微鏡写真である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第一の製造方法のフローを示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第一の製造方法のフローを示す図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第一の製造方法のフローを示す図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第一の製造方法のフローを示す図である。
【図６Ｅ】図６６Ｅは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第一の製造方法のフローを示す図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、太陽電池とする工程を示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第二の製造方法のフローを示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第二の製造方法のフローを示す図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第二の製造方法のフローを示す図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第二の製造方法のフローを示す図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第二の製造方法のフローを示す図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、太陽電池とする工程を示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第三の製造方法のフローを示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第三の製造方法のフローを示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第三の製造方法のフローを示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第三の製造方法のフローを示す図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、本発明の第二の実施形態に係るシリコン基板の第三の製造方法のフローを示す図である。
【図８Ｆ】図８Ｆは、太陽電池とする工程を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第１の製造例を示すフロー図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第１の製造例を示すフロー図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第１の製造例を示すフロー図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第１の製造例を示すフロー図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第１の製造例を示すフロー図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、太陽電池とする工程を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第２の製造例を示すフロー図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第２の製造例を示すフロー図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第２の製造例を示すフロー図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第２の製造例を示すフロー図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第２の製造例を示すフロー図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、太陽電池とする工程を示す図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第３の製造例を示すフロー図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第３の製造例を示すフロー図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第３の製造例を示すフロー図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第３の製造例を示すフロー図である。
【図１１Ｅ】図１１Ｅは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第３の製造例を示すフロー図である。
【図１１Ｆ】図１１Ｆは、本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板の第３の製造例を示すフロー図である。
【図１２】図１２は本発明の第三の実施形態に係るシリコン基板を含むバックコンタクトセル型の太陽電池セルの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、実施形態を挙げて本発明の説明を行うが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。図中同一の機能又は類似の機能を有するものについては、同一又は類似の符号を付して説明を省略する。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００２４】
［第一の実施形態］１．テクスチャ形成面を有するシリコン基板について
本発明のシリコン基板は、その表面にテクスチャが形成されていることを特徴とする。テクスチャが形成された基板表面を、テクスチャ形成面という。
【００２５】
本発明のシリコン基板は、基板面方位（１１１）の単結晶シリコン基板である。従来の一般的なテクスチャ形成手法であるアルカリ溶液によるウェットエッチング法によれば、基板面方位（１００）のシリコン基板表面にテクスチャを形成することはできる。しかし、基板面方位（１１１）のシリコン基板表面にテクスチャを形成することはできず、等方的にエッチングされてしまう。これに対して、本発明では基板面方位（１１１）の単結晶シリコン基板にテクスチャが形成されている。
【００２６】
また、シリコン基板は、真性シリコンであってもよいし、ｐ型ドーピングされていてもよいし、ｎ型ドーピングされていてもよい。また、太陽電池用のシリコン基板として用いる場合には、ＰＮ接合が形成されていることが好ましい。
【００２７】
テクスチャ形成面とは、低反射表面を意味する。低反射表面とは、０．５〜１．０μｍの波長の光に対する鏡面の反射率を１００％とした場合の反射率が、約１０％以下の表面であることが好ましく、実質的に反射率が０％の表面がより好ましい。また、本発明のテクスチャ形成面を有するシリコン基板の吸光率は、８０％以上であることが好ましい。吸光率は、積分球分光光度計にて測定することができ；式「吸光率（％）＝１００×｛入射光強度−（反射光強度＋透過光強度）｝/入射光強度」で求めることができる。
【００２８】
図１Ａは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板５０のテクスチャ形成面のテクスチャを構成する三角錘状の突起１１’ａを概念的に説明する斜視図である。図１Ｂは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板５０のテクスチャ形成面１１’のテクスチャを構成する三角錘状の突起１１’ａを概念的に説明する断面図である。図１Ａ、１Ｂに示すように、本発明のテクスチャ形成面１１’は、シリコン基板５０の（１１１）方位面をエッチングすることにより得られた錐状の突起１１’ａを有する。テクスチャ形成面１１’に複数の錐状の突起が密集していることが好ましい。
【００２９】
錐状とは、典型的には三角錐状であるが、円錐状であっても、四角錐状であって、他の形状であっても構わない。三角錘状とは、底面が三角形の錐体であり、頭頂点を有していることが好ましい。また、三角錘状とは、正三角錐に近い形状であることが好ましいが、厳密な三角錐である必要はない。
【００３０】
錐状（典型的には三角錐状）の突起１１’ａの高さＨ（図１Ａ、１Ｂ参照）は、通常１００ｎｍ〜１．５μｍであり、好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。錐状（典型的には三角錘状）の突起の底面の対角線の長さＬ（図１Ａ参照）は、通常１００ｎｍ〜１．５μｍであり、好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。また、錐状の突起の頭頂点の角度θ（図１Ａ参照）は４０〜８０°であることが好ましい。
【００３１】
テクスチャ形成面１１’における突起１１’ａの密度は、単位面積（１００μｍ２）あたり１０〜１０００個であることが好ましい。
【００３２】
本発明のシリコン基板の特徴の一つは、テクスチャ形成面１１’に形成されたテクスチャを構成する突起１１’ａが微細であることである。テクスチャ構造が微細であるほど、テクスチャ形成面１１’での光反射は抑制される。例えば、テクスチャの加工精度を１μｍ以下とすれば、テクスチャ形成面での波長１μｍの光の反射をほぼ０にすることができる。
【００３３】
一方、これまでのウェットエッチング法やイオンプラズマエッチング法でシリコン基板表面に形成されたテクスチャの突起の高さは大きく、本発明のように微細な突起を形成することはできなかった。例えば、ウェットエッチング法で形成されたテクスチャの突起１１’ａの高さＨは１０〜２０μｍである。
【００３４】
本発明のテクスチャ形成面１１’を有するシリコン基板５０の更なる特徴は、シリコン基板の厚みＤが薄いことである。すなわち、テクスチャを構成する突起が微細であるが故に、シリコン基板の厚みを低減しても、シリコン基板の強度を保つことができる。
【００３５】
本発明のシリコン基板の厚みＤは、テクスチャの突起の高さを含めて、５０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下とすることもできる。シリコン基板の厚みの下限は特に限定されず、基板としての強度を保つことができればよく、通常は１０μｍ以上である。
【００３６】
シリコン基板表面の全面にテクスチャが形成されていてもよく、その一部にテクスチャが形成されていてもよい。例えば、本発明のシリコン基板を太陽電池用のシリコン基板として用いる場合に、受光面側に配置する表面電極（コネクタ電極,バー電極,グリッド電極などを含む）を配置する領域には、テクスチャを形成することなく、平坦状にされていることが好ましい。
【００３７】
また、本発明のシリコン基板を太陽電池用半導体基板として用いる場合には、ＰＮ接合を有することが好ましい。シリコン基板がｐ型にドープされている場合には、テクスチャ形成面の表層をｎ型にドーピングしてエミッタ層を形成することでＰＮ接合を形成すればよい。また、シリコン基板がｎ型にドープされている場合には、テクスチャ形成面の表層をｐ型にドーピングしてエミッタ層を形成することでＰＮ接合を形成すればよい。図１Ｂに示すように、ＰＮ接合は、テクスチャ形成面から深さＰＮが０．０１μｍ〜０．１μｍの領域に形成されることが好ましく、例えば、深さＰＮが約０．０５μｍの領域に形成されることが好ましいが、特に制限されるわけではない。
【００３８】
２．テクスチャ形成面を有するシリコン基板の製造方法について
本発明のテクスチャ形成面を有するシリコン基板の製法は特に限定されないが、以下に示される手法に基づいて製造することができる。
【００３９】
図２Ａ、図２Ｂは、本発明の第一の実施形態に係るシリコン基板の製造フローを示す図である。本発明のテクスチャ形成面を有するシリコン基板は、５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板を準備する工程Ａと（図２Ａ参照）、上述の準備したシリコン基板の基板表面（基板面方位（１１１））に、フッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャを形成する工程Ｂと（図２Ｂ参照）、を含む方法で製造されうる。任意の工程として、さらに、図２Ｃに示すドーピング工程を行ってもよい。以下、工程毎に説明する。
なお、さらに図２Ｄに示すように表面電極７０，裏面電極７５を形成する工程を経ることで、太陽電池が形成される。
【００４０】
［工程Ａ（シリコン基板を準備する工程）について］
５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）のシリコン基板を準備する。具体的には、図３Ａ〜図３Ｃに示される工程を行うことができる。即ち、工程Ａで準備するシリコン基板は、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程ａ１と（図３Ａ参照）、上述のシリコンインゴットの、インゴット表面から深さ５０μｍ以下の領域にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程ａ２と（図３Ｂ参照）、イオン注入層を形成されたインゴットに衝撃を与えて、イオン注入層でインゴットを切断して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程ａ３と（図３Ｃ参照）を含む方法で製造されうる。
【００４１】
工程ａ１で用意するシリコンインゴット１０は、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットである（図３Ａ参照）。シリコンインゴットは、真性シリコンであっても、ｐ型またはｎ型にドープされていてもよい。太陽電池用のシリコン基板を得る場合には、ドープされたシリコンインゴットを用意することが多い。通常の太陽電池用のシリコン基板はＰＮ接合を有しているが、シリコンインゴット１０がｐ型またはｎ型にドープされていると、ＰＮ接合を有するシリコン基板が製造しやすい。
【００４２】
工程ａ２において、シリコンインゴット１０の基板表面１１（１１１面）から、イオン４０を注入する（図３Ｂ参照）。注入するイオン４０は、水素イオン（プロトン）、窒素イオン、または希ガス（アルゴンなど）イオンなどでありうる。注入したイオン４０を、シリコンインゴット１０の基板表面１１から一定深さａの層状領域に存在させることで、イオン注入層２５を形成する（図３Ｂ参照）。一定深さａとは、５０μｍ以下の深さであり、好ましくは２０μｍ以下の深さである。この深さを調整することで、得られるシリコン基板の厚みを調整することができる。イオン注入層４５の厚みｂは特に制限されないが、約０．７μｍにすればよい。
【００４３】
工程ａ２において、シリコンインゴット１０の基板表面１１から一定深さａの層状領域にイオンを存在させるために、注入するイオンの加速エネルギーを調整したり、ドーズ量を調整したりする。
【００４４】
工程ａ３において、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与える（図３Ｃ参照）。衝撃を与える手段は、レーザ照射や、加熱処理でもよいが、大気圧プラズマ４０を照射することで達成してもよい。レーザ照射ではなく、大気圧プラズマ４０を照射することで、工程ａ２において注入されたイオン４０によってシリコンインゴット１０に生じうる欠陥を修復することができるという利点が得られる。
【００４５】
工程ａ３において、シリコンインゴット１０に衝撃を与えるために、大気圧プラズマ６０を照射してから、さらにドライ超音波６５を照射してもよい（図３Ｃ参照）。ドライ超音波６５の照射には、特別な設備が必要なく、プロセスコストを低下させるという利点がある。
【００４６】
工程ａ３において衝撃を与えられたシリコンインゴット１０は、イオン注入層４５を境界として分割される（図３Ｃ参照）。その結果、５０μｍ以下の厚みを有し、基板面方位（１１１）の基板表面１１を有するシリコン基板５０が得られる。なお、ここではイオン注入層４５がシリコンインゴット１０の表面に残るように図示した。しかし、イオン注入層４５がシリコン基板５０の底面（テクスチャ形成面の反対側）に残る場合や、シリコンインゴット１０の表面およびシリコン基板５０の底面に残存する場合もあり得る。
【００４７】
［工程Ｂ（テクスチャ形成面を形成する工程）について］
工程Ａで準備したシリコン基板５０の表面１１にテクスチャを形成して、テクスチャ形成面１１’を形成する（図２Ｂ参照）。テクスチャの形成は、シリコン基板５０の表面１１に（図２Ａ参照）、エッチングガス２０を吹きつけるガス（ドライ）エッチングにより行われることが好ましい（図２Ｂ参照）。シリコン基板５０の厚みが薄いため、テクスチャの大きさ（凹凸の突起の高さ）を小さくする必要があるためである。
従来の一般的なテクスチャ形成手法であるアルカリ溶液によるウェットエッチングや、プラズマによる反応性イオンエッチングなどによると、形成されるテクスチャの大きさが過大となり、シリコン基板５０を破壊してしまう。
【００４８】
これに対して本発明では、基板面方位（１１１）の表面１１に、特定のエッチングガス２０を吹き付けてガスエッチングすることで、微細なテクスチャを形成する。
【００４９】
エッチングガス２０には、フッ素含有ガスが含まれる。フッ素含有ガスの例には、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３などが含まれる。フッ素含有ガスは、これらのガスの２種以上の混合ガスであってもよい。
【００５０】
フッ素含有ガスの分子は、シリコン基板の表面に物理吸着して、エッチングサイトに移動する。エッチングサイトに到達したガス分子は分解し、シリコンと反応して揮発性のフッ素化合物を生成する。それにより、シリコンインゴット表面がエッチングされ、テクスチャが形成される。
【００５１】
エッチングガス２０には、フッ素含有ガスとともに、さらに不活性ガスが含まれていることが好ましい。不活性ガスとは、窒素ガス、アルゴンやヘリウムなどであり、シリコンとの反応性を有さないガスであればよい。エッチングガス２０に含まれる不活性ガスは、２種以上のガスの混合ガスであってもよい。
【００５２】
エッチングガス２０における不活性ガスの合計濃度（体積濃度）は、フッ素含有ガスの合計濃度に対して、３倍以上であることが好ましく、１０倍以上または２０倍以上であってもよい。エッチングガス２０におけるフッ素含有ガスの合計濃度が高いほど、三角錐状の突起（テクスチャの突起）が大きくなる（突起の高さが大きくなる）傾向がある。よって、突起を小さくしたい場合には、不活性ガスの濃度を高めてフッ素含有ガスの濃度を相対的に下げることが好ましい。一方、エッチングガス２０における不活性ガスの濃度が低く、フッ素含有ガスの濃度が相対的に高くなると、シリコンインゴットの表面を等方的にエッチングしやすくなる場合があり、シリコンインゴットの表面に所望のテクスチャを形成しにくいことがある。
【００５３】
エッチングガス２０における不活性ガスの濃度が低く、フッ素含有ガスの濃度が相対的に高くなると、シリコン基板表面を等方的にエッチングしやすくなる場合があり、シリコン基板表面に所望のテクスチャを形成しにくいことがある。
【００５４】
さらに、エッチングガス２０には、フッ素含有ガスとともに、その分子内に酸素原子を含有するガスが含まれていることが好ましい。酸素原子を含有するガスとは、典型的には酸素ガス（Ｏ２）であるが、二酸化炭素（ＣＯ２）や二酸化窒素（ＮＯ２）などであってもよい。
【００５５】
エッチングガス２０における酸素原子含有ガスの濃度（体積濃度）は、フッ素含有ガスの合計濃度の２倍超であることが好ましく、４倍以上であることがより好ましい。また、エッチングガス２０における酸素原子含有ガスの濃度（体積濃度）は、フッ素含有ガスと不活性ガスとの合計濃度に対して、３０〜８０％であることが好ましい。エッチングガス２０における酸素原子含有ガスの濃度が低すぎると、オーバーエッチングによって所望のテクスチャが得られない場合がある。
【００５６】
エッチングガス２０に酸素原子含有ガスを含ませることで、太陽電池のテクスチャとして適切な凹凸形状を、半導体基板表面に形成することができる。その理由は、特に限定されないが、例えばＣｌＦ３ガスがシリコン表面に物理吸着すると、シリコンと反応してＳｉＦ４となってガス化する。このとき、シリコンネットワーク構造のダングリングボンドに酸素原子がターミネートすることで、Ｓｉ−Ｏ結合が部分的に構成される。それにより、エッチングされやすい領域(Ｓｉ−Ｓｉ)と、エッチングされにくい領域(Ｓｉ−Ｏ)とができる。そのエッチングレートの差でケミカルな反応が促進され、形状制御が可能となると考えられる。
【００５７】
本発明のシリコン基板の製造方法の工程Ｂでは、ガスエッチング中のシリコン基板５０の温度を低温に維持することが重要である。シリコン基板５０の温度は、１３０℃以下に維持することが好ましく、１００℃以下に維持することがより好ましく、８０℃以下に維持することがさらに好ましい。シリコン基板５０の温度を低温に維持するために、シリコン基板５０を載置するステージの温度を室温程度（２５℃）以下に維持することが好ましい。
【００５８】
本発明のシリコン基板の製造方法の工程Ｂにおいて、シリコン基板に冷却ガスを吹き付けるステップを含んでいてもよい。冷却ガスとは、前述の不活性ガスと同様であり、窒素ガス、アルゴンやヘリウムなどを意味する。エッチングガスとの反応によって発熱したシリコン基板に冷却ガスを吹き付けることによって、発熱した基板を冷却する。
【００５９】
本発明のシリコン基板の製造方法の工程Ｂにおいて、シリコン基板５０にエッチングガスを吹き付けるステップと、冷却ガスを吹き付けるステップとを交互に繰り返してもよい。シリコン基板５０にエッチングガスを吹き付けるステップのプロセス時間を制御することで、基板温度を低温に維持する。プロセス時間は特に限定されないが、１分間〜１０分間程度であればよい。シリコン基板５０にエッチングガスを吹き付けるステップの後に、冷却ガスを吹き付けて基板温度を低下させて、再びシリコン基板５０にエッチングガスを吹き付ければよい。
【００６０】
エッチングガス２０によって、シリコン基板５０の表面１１を所望のテクスチャを有するテクスチャ形成面１１’（図２Ｂ参照）としたら、シリコン基板５０に残存したエッチングガスまたはその分解物を除去することが好ましい。例えば、シリコン基板５０を水素ガス雰囲気下において、残留したフッ素成分を除去してもよい。
【００６１】
［工程Ｃ（ＰＮ接合を形成する工程）について］
上述の工程Ａ、工程Ｂに加えて、任意の工程として、テクスチャ形成面１１’に、ドーパント３０をドーピングしてエミッタ層を形成してもよい。それにより、シリコン基板５０にＰＮ接合３５が形成される（図２Ｃ参照）。ＰＮ接合３５は、１）テクスチャ形成面１１’にリンガラス（ＰＳＧ）を塗布して、表層をＮ型にドープする手法（ガラス塗布方式）で、ドーピングを行って形成してもよく、２）オキシ塩化リンガス雰囲気中でテクスチャ形成面１１’を加熱して、テクスチャ形成面１１’にＮ型エミッタ層を形成してＰＮ接合を形成してもよい。しかしながら、シリコン基板５０が極めて薄いために、これらの手法によってはシリコン基板５０が反ってしまう恐れがある。
【００６２】
そこで、ＰＮ接合３５は、大気圧プラズマを用いてドーピングを行って形成することが好ましい。例えば、ボロンを大気圧プラズマでテクスチャ形成面１１’に注入することで、その表層をｐ型にドープすることができる。
【００６３】
３．テクスチャ形成面を有するシリコン基板の用途について
本発明のシリコン基板は、太陽電池用のシリコン基板として用いられることが好ましい。本発明のシリコン基板を太陽電池とするには、さらに、テクスチャ形成面である受光面に表面電極７０を配置し、非受光面に裏面電極７５を配置することで、太陽電池が得られる（図２Ｄ参照）。もちろん、太陽電池の態様が上述したものに限定されるわけではない。
【００６４】
また、テクスチャ形成面１１’には反射防止層が積層されていてもよい（不図示）。反射防止層は、太陽電池としての反射率をさらに低下させることができ、光電変換率を向上させる。反射防止層の例には、窒化シリコン膜や酸化チタン膜などが含まれる。
【００６５】
［第一の実施形態の実験例］
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面に、微細なテクスチャを形成した実験例を示す。
【００６６】
図４Ａは、実験例で用いたテクスチャ形成装置１００の外観斜視図である。図４Ｂは、減圧チャンバ１２０内を透視した斜視図である。図４Ａ、４Ｂに示されるテクスチャ形成装置１００は、減圧チャンバ１２０内に、エッチングガスを噴出すノズル１３０と、冷却ガスを噴出すノズル１４０と、シリコンインゴット（シリコン基板）１１０を載置するためのステージ１５０と、を有する。ノズル１３０は、エッチングガス供給配管１３１に接続されている。冷却ガスを噴出するノズル１４０は、冷却ガス供給配管１４１に接続されている。ステージ１５０に載置されたシリコンインゴット１１０に、エッチングガスと冷却ガスとを吹き付けることで、テクスチャ形成面を有するシリコンインゴットを製造した。
【００６７】
図４Ａ、４Ｂに示されるテクスチャ形成装置１００のステージ１５０に、基板面方位（１１１）のシリコンインゴット１１０を載置した。ノズル１３０とシリコンインゴット１１０との間隔を１０ｍｍにセットした。シリコンインゴット１１０の基板面の面積は、１２５ｍｍ×１２５ｍｍである。ステージ１５０の温度を２５℃に設定した。減圧チャンバ１２０内の圧力を３０ＫＰａに調整した後、ノズル１３０からのエッチングガスを３分間かけてシリコンインゴット１１０の表面全体に吹き付けた。吹き付けたエッチングガスの組成は「ＣｌＦ３/Ｏ２/Ｎ２＝５０〜１０００ｃｃ/２０００ｃｃ/２０００〜５０００ｃｃ」とした。
【００６８】
得られたシリコンインゴットのテクスチャ形成面を図５Ａ〜図５Ｃに示す。図５Ａはテクスチャ形成面の模式図である。図５Ｂはその顕微鏡写真であるが、三角錐状の突起が密集して形成されていることがわかる。そして、図５Ｃに示される通り、その突起の高さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍであることがわかる。
【００６９】
このように、本発明の手法によれば微細なテクスチャを形成できるので、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板であっても、その機械強度が保たれて、太陽電池用のシリコン基板として用いることができる。
【００７０】
［第二の実施形態］
第一の実施形態との相違点を中心に、第二の実施形態について説明する。
図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の第二の実施形態に係るテクスチャ形成面を有するシリコン基板の第一の製造方法のフロー図である。図６Ａ〜図６Ｆに示される。第一の製造方法は、シリコンインゴット１０を用意する工程Ａ（図６Ａ参照）と、シリコンインゴット１０の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする工程Ｂ（図６Ｂ参照）と、テクスチャ形成面１１’にドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する工程Ｃ（図６Ｃ参照）と、テクスチャ形成面１１’からイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する工程Ｄ（図６Ｄ参照）と、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与えて、シリコンインゴット１０を分割して、シリコン基板５０を得る工程Ｅ（図６Ｅ参照）と、を含む。以下各工程毎に説明する。なお、さらに図６Ｆに示すように表面電極７０，裏面電極７５を形成する工程を経ることで、太陽電池が形成される。
【００７１】
［工程Ａ（シリコンインゴットを用意する工程）について］
図６Ａに示すように、シリコンインゴット１０を用意する。工程Ａで用意するシリコンインゴット１０は、基板面方位（１１１）の単結晶シリコンインゴットである。本発明のシリコンインゴットの製造方法の特徴の一つは、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面にテクスチャを形成することである。従来の一般的なテクスチャ形成手法であるアルカリ溶液によるウェットエッチング法によれば、基板面方位（１００）のシリコンインゴットの表面にテクスチャを形成することはできるが；基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面にテクスチャを形成することはできず、等方的にエッチングされてしまう。これに対して、本発明では基板面方位（１１１）の単結晶シリコンインゴットにテクスチャを形成する。
【００７２】
また、シリコンインゴットは、ｐ型またはｎ型にドーピングされていることが好ましい。予めシリコンインゴットがドーピングされていれば、後述の工程Ｃにおいて、ＰＮ接合が形成しやすいからである。
【００７３】
［工程Ｂ（テクスチャ形成面を形成する工程）について］
図６Ｂに示すように、シリコンインゴット１０の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする。テクスチャの形成は、エッチングガス２０を吹きつけるガスエッチング（ドライエッチング）により行われることが好ましい。本発明で製造されるシリコン基板の厚みは薄いため、テクスチャの大きさ（凹凸の突起の高さ）も小さくする必要があるためである。テクスチャの大きさが小さいとは、例えば突起の高さが１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にあることを意味し、好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲にあることを意味する。
【００７４】
従来の一般的なテクスチャ形成手法であるアルカリ溶液によるウェットエッチングや、プラズマによる反応性イオンエッチングなどによると、形成されるテクスチャの大きさが過大となり（例えば、凹凸の突起の高さが約１０μｍとなる）、薄いシリコン基板を得ることが不可能であった。エッチングガス等としては第一の実施形態と同様のものを用いることができる。
【００７５】
工程Ｂにおけるエッチング中は、シリコンインゴットの温度を低温に維持することが重要である。シリコンインゴットの温度は、１３０℃以下に維持することが好ましく、１００℃以下に維持することがより好ましく、８０℃以下に維持することがさらに好ましい。シリコンインゴットの温度を低温に維持するために、シリコンインゴットを載置するステージの温度を室温程度（２５℃）以下に維持することが好ましい。
【００７６】
工程Ｂには、シリコンインゴットの表面に冷却ガスを吹き付けるステップが含まれていてもよい。冷却ガスとは、前述の不活性ガスと同様であり、窒素ガス、アルゴンやヘリウムなどを意味する。エッチングガスとの反応によって発熱したシリコンインゴットの表面に冷却ガスを吹き付けることによって、発熱したシリコンインゴットを冷却することができる。
【００７７】
工程Ｂにおいて、シリコンインゴットにエッチングガスを吹き付けるステップと、冷却ガスを吹き付けるステップとを交互に繰り返してもよい。シリコンインゴットにエッチングガスを吹き付けるステップのプロセス時間を制御することで、シリコンインゴットの温度を低温に維持する。プロセス時間は特に限定されないが、１分間〜１０分間程度であればよい。シリコンインゴットにエッチングガスを吹き付けるステップの後に、冷却ガスを吹き付けてシリコンインゴットの温度を低下させて、再びシリコンインゴットにエッチングガスを吹き付ければよい。
【００７８】
エッチングガスによって、シリコンインゴットの表面に所望のテクスチャを有するテクスチャ形成面１１’（図６Ｂ,図７Ｃおよび図８Ｂ参照）が形成されたら、シリコンインゴットに残存したエッチングガスまたはその分解物を除去することが好ましい。例えば、シリコンインゴットを水素ガス雰囲気下において、残留したフッ素成分を除去してもよい。
【００７９】
［工程Ｃ（ＰＮ接合を形成する工程）について］
図６Ｃに示すように、テクスチャ形成面１１’を通して、シリコンインゴットにドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する。シリコンインゴットがＰ型にドープされている場合には、テクスチャ形成面の表層をＮ型にドーピングしてエミッタ層を形成することでＰＮ接合を形成すればよい。シリコンインゴットが、Ｎ型にドープされている場合には、テクスチャ形成面の表層をＰ型にドーピングすることでエミッタ層を形成することでＰＮ接合を形成すればよい。ＰＮ接合は、テクスチャ形成面１１から深さ０．０１μｍ〜０．１μｍの領域に形成することが好ましく、例えば、深さ約０．０５μｍの領域に形成することが好ましい。
【００８０】
テクスチャ形成面１１の表層のドーピングは、ドーパントを含むガスを気相拡散させたり；ドーパントを含む溶液をテクスチャ形成面１１に塗布したのち熱拡散させたり、ドーパントを含む雰囲気中で大気圧プラズマを照射したりする手法で実現されうる。例えば、シリコンインゴットがＰ型にドープされている場合には、１）オキシ塩化リンガス中でテクスチャ形成面を加熱して、リンをテクスチャ形成面１１の表層に気相拡散させたり、２）リン成分を含む雰囲気中で大気圧プラズマを照射したりする。もちろん、ドーパントを拡散させた後、アニールを（例えば熱処理）することで活性化させてもよい。
【００８１】
［工程Ｄ（イオン注入層を形成する工程）について］
図６Ｄに示すように、テクスチャ形成面１１’からシリコンインゴット１０にイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する。
なお、第二の実施形態に係る製造方法において、イオン注入層４５を形成する工程（Ｄ工程）は、ＰＮ接合３５を形成した後に行った。しかし、イオン注入層４５を形成する工程は、特に制限されることはなく、他の工程の先もしくは後に行っても構わない。例えば、工程Ｄ’として、テクスチャを形成する前に行っても（図７Ｂ参照）、工程Ｄ''として、テクスチャを形成した後であって、ＰＮ接合を形成する前に行ってもよい（図８Ｃ参照）。
【００８２】
工程Ｄ（工程Ｄ’および工程Ｄ''）では、シリコンインゴット１０の表面（１１１面）を通じて、シリコンインゴットにイオン４０を注入する。ここで、シリコンインゴット１０の表面は、テクスチャ形成面１１’でもよいし（図６Ｄおよび図８Ｃ参照）、テクスチャ未形成の表面１１であってもよい（図７Ｂ参照）。注入するイオン４０の例には、水素イオン（プロトン）、窒素イオンまたは希ガス（アルゴンなど）イオンなどが含まれる。注入したイオンを、シリコンインゴットの基板表面から一定深さの層状領域に存在させることで、イオン注入層４５を形成する。一定深さａとは、５０μｍ以下の深さであり、好ましくは２０μｍ以下の深さである。この深さを調整することで、製造されるシリコン基板の厚みを調整することができる。
【００８３】
工程Ｄ（工程Ｄ’および工程Ｄ''）において、シリコンインゴットの基板面から一定深さａの層状領域にイオン注入層４５を形成するために、注入するイオンの加速エネルギーを調整したり、ドーズ量を調整したりする。イオン注入層４５のそれ自体の厚みｂは、特に限定されないが、約０．７μｍにすればよい。
【００８４】
［工程Ｅ（シリコンインゴットを分割する工程）について］
図６Ｅに示すように、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与える。衝撃を与える手段は、レーザ照射や、加熱処理でもよい。加熱とは、例えば５００℃に加熱することをいう。さらに、大気圧プラズマ６０を照射することで、シリコンインゴットに衝撃を与えてもよい。レーザ照射ではなく、大気圧プラズマ６０を照射することで、工程Ｄにおいて注入されたイオン４０によってシリコンインゴット１０に生じうる欠陥を修復することができるという利点が得られる。
【００８５】
さらに、工程Ｅにおいて、シリコンインゴットに衝撃を与えるために、大気圧プラズマ６０を照射してからドライ超音波６５を照射してもよい。ドライ超音波４５の照射には、特別な設備が必要なく、プロセスコストを低下させるという利点がある。
【００８６】
工程Ｅにおいて衝撃を与えられたシリコンインゴットは、イオン注入層４５を境界として分割される（図６Ｅ,図７Ｅ,図８Ｅを参照）。その結果、テクスチャ形成面１１’を有し、５０μｍ以下の厚みを有する基板面方位（１１１）のシリコン基板５０が得られる。
【００８７】
本発明により製造されるシリコン基板は、太陽電池用のシリコン基板として用いられることが好ましい。太陽電池用のシリコン基板とするには、エミッタ層に反射防止層を積層することが好ましい。反射防止層は、テクスチャ形成面での反射率をさらに低下させることができ、太陽電池の光電変換率を向上させるからである。反射防止層の例には、窒化シリコン膜や酸化チタン膜などが含まれる。
【００８８】
［電極を形成する工程について］
上述の工程に加え、さらに、任意の工程として、テクスチャ形成面である受光面に表面電極７０を配置し、非受光面に裏面電極７５を配置することで、太陽電池が得られる（図６Ｆ,図７Ｆ,図８Ｆを参照）。表面電極７０とは、例えば銀配線である。裏面電極７５とは、例えばアルミニウムの蒸着膜である。もちろん、太陽電池の態様がこれに限定されるわけではない。
【００８９】
以上、第二の実施形態について説明したが、第二の実施形態は上述の内容に制限されることはなく、種々の変形例が考えられる。例えば以下の第二、第三の製造方法が考えられる。
図７Ａ〜図７Ｆは、本発明の第二の実施形態に係るテクスチャ形成面を有するシリコン基板の第二の製造方法のフロー図である。第二の実施形態の第一の製造方法においては、図６Ｂ，６Ｃに示されるようにＰＮ接合３５を形成した後に、図６Ｄに示されるようにイオン注入層４５を形成した。しかしながら、図７Ｂ，図７Ｃ，図７Ｄに示されるように、イオン注入層４５を形成した後に、ＰＮ接合３５を形成してもよい。つまり、第二の製造方法は、シリコンインゴット１０を用意する工程Ａ（図７Ａ参照）と、シリコンインゴット１０のテクスチャ未形成の表面１１からイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する工程Ｄ’（図７Ｂ参照）と、シリコンインゴット１０のテクスチャ未形成の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする工程Ｂ（図７Ｃ参照）と、テクスチャ形成面１１’にドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する工程Ｃ（図７Ｄ参照）と、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与えて、シリコンインゴット１０を分割して、シリコン基板５０を得る工程Ｅ（図７Ｅ参照）と、を含む。
【００９０】
図８Ａ〜図８Ｆは、本発明の第二の実施形態に係るテクスチャ形成面を有するシリコン基板の第三の製造方法のフロー図である。第三の製造方法は、第一の製造方法における工程Ｄに相当する工程（イオン注入層を形成する工程）を、工程Ｃ（ＰＮ接合を形成する工程）の前に行うものである。つまり、シリコンインゴット１０を用意する工程Ａ（図８Ａ参照）と、シリコンインゴット１０の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする工程Ｂ（図８Ｂ参照）と、テクスチャ形成面１１’からイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する工程Ｄ''（図８Ｃ参照）と、テクスチャ形成面１１’にドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する工程Ｃ（図８Ｄ参照）と、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与えて、シリコンインゴット１０を分割して、シリコン基板５０を得る工程Ｅ（図８Ｅ参照）と、を含む。
【００９１】
［第二の実施形態の実験例］
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面に、微細なテクスチャを形成した実験例を示す。
【００９２】
図４Ａ、図４Ｂに示されるテクスチャ形成装置１００を用意した。そして、図４Ａ、図４Ｂに示されるテクスチャ形成装置１００のステージ１５０に、基板面方位（１１１）のシリコンインゴット１１０を載置した。ノズル１３０とシリコンインゴット１１０との間隔を１０ｍｍにセットした。シリコン基板１００の基板面の面積は、１２５ｍｍ×１２５ｍｍである。ステージ１５０の温度を２５℃に設定した。減圧チャンバ１２０内の圧力を３０ＫＰａに調整した後、ノズル１３０からのエッチングガスを３分間かけてシリコンインゴット１１０の表面全体に吹き付けた。吹き付けたエッチングガスの組成は「ＣｌＦ３/Ｏ２/Ｎ２＝５０〜１０００ｃｃ/２０００ｃｃ/２０００〜５０００ｃｃ」とした。
【００９３】
得られたシリコンインゴットのテクスチャ形成面には、図５Ａ〜図５Ｃの第一の実施形態の実施例と同様にして、三角錐状の突起が密集して形成された。またその突起の高さは１００ｎｍ〜２００ｎｍであった。
【００９４】
このように、本発明の手法によれば微細なテクスチャを形成できるので、５０μｍ以下の厚みを有するシリコン基板であっても、その機械強度が保たれて、太陽電池用のシリコン基板として用いることができる。
【００９５】
［第三の実施形態］
図９Ａ〜図９Ｆは、本発明の第三の実施形態に係るテクスチャ形成面を有するシリコン基板の第一の製造方法のフロー図である。図９Ａ〜図９Ｆに示される第一の製造方法は、シリコンインゴット１０を用意する工程Ａ（図９Ａ参照）と、シリコンインゴット１０の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする工程Ｂ（図９Ｂ参照）と、テクスチャ形成面１１’にホール１５を形成する工程Ｃ（図９Ｃ参照）と、ホール１５を形成されたテクスチャ形成面１１’にドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する工程Ｄ（図９Ｄ参照）と、テクスチャ形成面１１’からイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する工程Ｅ（図９Ｅ参照）と、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与えて、シリコンインゴット１０を分割して、シリコン基板５０を得る工程Ｆ（図９Ｆ参照）と、を含む。以下工程毎に説明する。
【００９６】
［工程Ａ（シリコンインゴットを用意する工程）について］
図９Ａに示すように、シリコンインゴット１０を用意する。工程Ａで用意するシリコンインゴット１０は、基板面方位（１１１）の単結晶シリコンインゴットである。本発明のシリコンインゴットの製造方法の特徴の一つは、基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面にテクスチャを形成することである。従来の一般的なテクスチャ形成手法であるアルカリ溶液によるウェットエッチング法によれば、基板面方位（１００）のシリコンインゴットの表面にテクスチャを形成することはできるが；基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面にテクスチャを形成することはできず、等方的にエッチングされてしまう。これに対して、本発明では基板面方位（１１１）の単結晶シリコンインゴットにテクスチャを形成することができる。
【００９７】
また、シリコンインゴットは、ｐ型またはｎ型にドーピングされていることが好ましい。予めシリコンインゴットがドーピングされていれば、後述の工程Ｃにおいて、ＰＮ接合が形成しやすいからである。
【００９８】
［工程Ｂ（テクスチャ形成面を形成する工程）について］
図９Ｂに示すように、シリコンインゴット１０の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’を形成する。シリコンインゴットの表面１１の全面にテクスチャを形成してもよく、その一部にテクスチャを形成してもよい。テクスチャ形成は、エッチングガス２０を吹きつけるガスエッチング（ドライエッチング）により行われることが好ましい。本発明で製造されるシリコン基板の厚みは薄い（例えば５０μｍ以下）ため、テクスチャの大きさ（凹凸の突起の高さ）も小さくする必要があるためである。テクスチャの大きさが小さいとは、例えば突起の高さが１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にあることを意味し、好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲にあることを意味する。
【００９９】
従来の一般的なテクスチャ形成手法であるアルカリ溶液によるウェットエッチングや、プラズマによる反応性イオンエッチングなどによると、形成されるテクスチャの大きさが過大となり（例えば、凹凸の突起の高さが約１０μｍとなる）、薄いシリコン基板を得ることが不可能であった。エッチングガス等は第一の実施形態と同様のものを用いることができる。
【０１００】
工程Ｂにおけるエッチング中は、シリコンインゴットの温度を低温に維持することが重要である。シリコンインゴットの温度は、１３０℃以下に維持することが好ましく、１００℃以下に維持することがより好ましく、８０℃以下に維持することがさらに好ましい。シリコンインゴットの温度を低温に維持するために、シリコンインゴットを載置するステージの温度を室温程度（２５℃）以下に維持することが好ましい。
【０１０１】
工程Ｂには、シリコンインゴットの表面に冷却ガスを吹き付けるステップが含まれていてもよい。冷却ガスとは、前述の不活性ガスと同様であり、窒素ガス、アルゴンやヘリウムなどを意味する。エッチングガスとの反応によって発熱したシリコンインゴットの表面に冷却ガスを吹き付けることによって、発熱したシリコンインゴットを冷却することができる。
【０１０２】
工程Ｂにおいて、シリコンインゴットにエッチングガスを吹き付けるステップと、冷却ガスを吹き付けるステップとを交互に繰り返してもよい。シリコンインゴットにエッチングガスを吹き付けるステップのプロセス時間を制御することで、シリコンインゴットの温度を低温に維持する。プロセス時間は特に限定されないが、１分間〜１０分間程度であればよい。シリコンインゴットにエッチングガスを吹き付けるステップの後に、冷却ガスを吹き付けてシリコンインゴットの温度を低下させて、再びシリコンインゴットにエッチングガスを吹き付ければよい。
【０１０３】
エッチングガスによって、シリコンインゴットの表面に所望のテクスチャを有するテクスチャ形成面１１’（図１Ｂ,図２Ｃおよび図３Ｂ参照）が形成されたら、シリコンインゴットに残存したエッチングガスまたはその分解物を除去することが好ましい。例えば、シリコンインゴットを水素ガス雰囲気下において、残留したフッ素成分を除去してもよい。
【０１０４】
［工程Ｃ（ホールを形成する工程）について］
図９Ｃに示すように、シリコンインゴット１０のテクスチャ形成面１１'にホール１５を形成する。ホール１５の直径は特に限定されないが、太陽電池としたときのバスバー電極（テクスチャ形成面に配置される）の配線幅よりも大きいことが好ましい。バスバー電極の配線幅は、通常約１ｍｍである。また、ホール１５の深さは、製造しようとするシリコン基板５０の厚みよりも大きければよい。例えば、製造しようとするシリコン基板５０の厚みが２０μｍであれば、ホール１５の深さは２０μｍ以上とすればよい。ホール１５の形状は特に限定されず、円柱状、円錐状、角柱状、角錐状など任意である。
【０１０５】
ホール１５の形成は、例えば、アルカリ溶液を用いるエッチングによって行ったり、テクスチャ形成面１１'にレーザを照射することによって行うことができるが、レーザ照射によって形成することが好ましい。
【０１０６】
ホール１５を、アルカリ溶液を用いるエッチングで形成する場合には、例えば、１）テクスチャ形成面１１'をマスク（例えば酸化シリコン膜）で被覆し、２）ホールを形成する部位のマスクを除去して窓を形成し、３）アルカリ溶液で窓の部分のシリコンインゴットにホールを形成し、４）マスクを除去すればよい。このようなアルカリ溶液を用いるエッチングは、後処理としてフッ化水素による洗浄工程や、熱処理工程などが必要とされる。そのため、シリコン基板表面を汚染する恐れがあるばかりか、コスト面からも不利な点がある。
【０１０７】
一方で、レーザ照射でのホール１５の形成は、ドライプロセスにて行うことができるので、シリコン基板の汚染が抑制される。レーザ照射でホール１５を形成する場合の条件は特に限定されないが、ＹＡＧレーザなどを用いて、ヘムト秒またはピコ秒のパルス幅のレーザ光を照射すればよい。特に、ホール１５の形成時に、アブレーションによるシリコンくずを抑制したい場合には、プラズマアシストレーザアブレーション法を採用すればよい。
【０１０８】
［工程Ｄ（ＰＮ接合を形成する工程程）について］
図９Ｄに示すように、ホール１５を形成したテクスチャ形成面１１'とホール１５の内壁面を通して、シリコンインゴット１０にドーパント３０を注入する。シリコンインゴット１０がＰ型にドープされている場合には、テクスチャ形成面１１'の表層とホール１５の内壁面の表層とをＮ型にドーピングしてエミッタ層を形成することでＰＮ接合３５を形成すればよい。シリコンインゴット１０が、Ｎ型にドープされている場合には、テクスチャ形成面１１'の表層とホール１５の内壁面の表層とをＰ型にドーピングすることでエミッタ層を形成することでＰＮ接合３５を形成すればよい。ＰＮ接合３５は、テクスチャ形成面１１'およびホール１５の内壁面から深さ０．０１μｍ〜０．１μｍの領域に形成することが好ましく、例えば、深さ約０．０５μｍの領域に形成することが好ましい。
【０１０９】
テクスチャ形成面１１'の表層とホール１５の内壁面の表層のドーピングは、ドーパントを含むガスを気相拡散させたり；ドーパントを含む溶液をテクスチャ形成面１１'に塗布したのち熱拡散させたり、ドーパントを含む雰囲気中で大気圧プラズマを照射したりする手法で実現されうる。例えば、シリコンインゴット１０がＰ型にドープされている場合には、１）オキシ塩化リンガス中でシリコンインゴットを加熱して、リンをテクスチャ形成面１１'の表層とホール１５の内壁面の表層に気相拡散させたり、２）リン成分を含む雰囲気中で大気圧プラズマを、テクスチャ形成面１１'の表層とホール１５の内壁面の表層に照射したりする。もちろん、ドーパントを拡散させた後、アニールを（例えば熱処理）することで活性化させてもよい。
【０１１０】
［工程Ｅ（イオン注入層を形成する工程）について］
図９Ｅに示すように、テクスチャ形成面１１’からシリコンインゴット１０にイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する。
なお、第三の実施形態に係る製造方法において、イオン注入層４５を形成する工程（Ｅ工程）は、ＰＮ接合３５を形成した後に行った。しかし、イオン注入層４５を形成する工程は、特に制限されることはなく、他の工程の先もしくは後に行っても構わない。例えば、工程Ｅ’として、テクスチャを形成する前に行っても（図１０Ｂ参照）。工程Ｅ''として、テクスチャを形成した後であって、ホール１５を形成する前に行ってもよい（図１１Ｃ参照）。即ち、工程Ｅ（工程Ｅ’および工程Ｅ''）においては、シリコンインゴット１０の表面（１１１面）を通じて、シリコンインゴット１０にイオン４０が注入されるのであれば、シリコンインゴット１０の表面は、テクスチャ形成面１１’でもよいし（図９Ｄおよび図１１Ｃ参照）、テクスチャ未形成の表面１１であってもよい（図１０Ｂ参照）。
【０１１１】
注入するイオン４０の例には、水素イオン（プロトン）、窒素イオンまたは希ガス（アルゴンなど）イオンなどが含まれる。注入したイオンを、シリコンインゴットの基板表面から一定深さの層状領域に存在させることで、イオン注入層４５を形成する。一定深さａとは、５０μｍ以下の深さであり、好ましくは２０μｍ以下の深さである。この深さを調整することで、製造されるシリコン基板５０の厚みを調整することができる。また、一定深さａは、ホール１５の深さよりも小さいことが求められる。製造しようとするシリコン基板に、貫通口（スルーホール）を設けるためである。
【０１１２】
工程Ｅ（工程Ｅ’および工程Ｅ''）において、シリコンインゴットの基板面から一定深さａの層状領域にイオン注入層４５を形成するために、注入するイオンの加速エネルギーを調整したり、ドーズ量を調整したりする。イオン注入層４５のそれ自体の厚みｂは、特に限定されないが、約０．７μｍにすればよい。
【０１１３】
［工程Ｆ（シリコンインゴットを分割する工程）について］
図９Ｆに示すように、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与える。衝撃を与える手段は、レーザ照射や、加熱処理でもよい。加熱とは、例えば５００℃に加熱することをいう。さらに、大気圧プラズマ６０を照射することで、シリコンインゴットに衝撃を与えてもよい。レーザ照射ではなく、大気圧プラズマ６０を照射することで、工程Ｄにおいて注入されたイオン４０によってシリコンインゴット１０に生じうる欠陥を修復することができるという利点が得られる。
【０１１４】
さらに、工程Ｆにおいて、シリコンインゴットに衝撃を与えるために、大気圧プラズマ６０を照射してからドライ超音波６５を照射してもよい。ドライ超音波４５の照射には、特別な設備が必要なく、プロセスコストを低下させるという利点がある。
【０１１５】
工程Ｆにおいて衝撃を与えられたシリコンインゴットは、イオン注入層４５を境界として分割される（図９Ｆ,図１０Ｆ,図１１Ｆを参照）。その結果、テクスチャ形成面１１’を有し、５０μｍ以下の厚みを有する基板面方位（１１１）のシリコン基板５０が得られる。そして、シリコン基板５０には、貫通口（スルーホール）１５が形成されている。
【０１１６】
本発明により製造されるシリコン基板５０は、その表面にテクスチャを形成されていることを特徴とする。テクスチャが形成された基板表面を、テクスチャ形成面という。
【０１１７】
［太陽電池セル］
シリコン基板５０は、太陽電池セル用のシリコン基板として用いられることが好ましく、より好ましくはバックコンタクトセル型のシリコン基板として用いられる。シリコン基板５０を含むバックコンタクトセル型の太陽電池セルの例を図６に示す。図６は、シリコン基板５０のスルーホール１５（図１Ｆなど参照）を通る断面を示している。図６に示される太陽電池セルは、１）スルーホール１５の内部に充填された電極７０と、２）シリコン基板５０のテクスチャ形成面１１'の裏面に形成された電極７５とを有する。電極７０は、ＰＮ接合３５と接続している。電極７０は、スルーホール１５の内部とともに、シリコン基板５０のテクスチャ形成面１１'の裏面にも形成されうるが、その場合には、テクスチャ形成面１１'の裏面と電極７０との間に絶縁膜７９を挟む。また、電極７０は、シリコン基板のテクスチャ形成面１１’に配設されるバスバー電極７８と電気接続している。バスバー電極は、フィンガー電極’（不図示）などと接続しており、太陽電池が発電した電力を集電する電極である。電極となる金属膜の成膜は、例えば蒸着法によって行えばよい。電極７０は、例えば銀である。電極７５は、例えば例えばアルミニウムの蒸着膜である。
【０１１８】
さらに、シリコン基板５０のテクスチャ形成面１１’には、反射防止層（不図示）を積層することが好ましい。反射防止層は、テクスチャ形成面での反射率をさらに低下させることができ、太陽電池の光電変換率を向上させるからである。反射防止層の例には、窒化シリコン膜や酸化チタン膜などが含まれる。
【０１１９】
以上、第三の実施形態について説明したが、第三の実施形態は上述の内容に制限されることはなく、種々の変形例が考えられる。例えば以下の第二、第三の製造方法が考えられる。
図１０Ａ〜図１０Ｆは、本発明の第三の実施形態に係るテクスチャ形成面を有するシリコン基板の第二の製造方法のフロー図である。図９Ｂ，９Ｃ、９Ｄに示されるようにＰＮ接合３５を形成した後に、図９Ｄ、９Ｅに示されるようにイオン注入層４５を形成した。しかしながら、図１０Ｂ，図１０Ｃ，図１０Ｄに示されるように、イオン注入層４５を形成した後に、ＰＮ接合３５を形成してもよい。つまり、シリコンインゴット１０を用意する工程Ａ（図１０Ａ参照）と、シリコンインゴット１０のテクスチャ未形成の表面１１からイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する工程Ｅ’（図１０Ｂ参照）と、シリコンインゴット１０のテクスチャ未形成の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする工程Ｂ（図１０Ｃ参照）と、テクスチャ形成面１１’にホール１５を形成する工程Ｃ（図１０Ｄ参照）と、ホール１５を形成されたテクスチャ形成面１１’にドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する工程Ｄ（図１０Ｅ参照）と、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与えて、シリコンインゴット１０を分割して、シリコン基板５０を得る工程Ｆ（図１０Ｆ参照）と、を含む。
【０１２０】
図１１Ａ〜図１１Ｆは、本発明の第三の実施形態に係るテクスチャ形成面を有するシリコン基板の第三の製造方法のフロー図である。第三の製造方法は、第一の製造方法における工程Ｅに相当する工程（イオン注入層を形成する工程）を、工程Ｃ（ホールを形成する工程）の前に行う。つまり、シリコンインゴット１０を用意する工程Ａ（図１１Ａ参照）と、シリコンインゴット１０の表面１１にテクスチャを形成してテクスチャ形成面１１’とする工程Ｂ（図１１Ｂ参照）と、テクスチャ形成面１１’からイオン４０を注入して、イオン注入層４５を形成する工程Ｅ''（図１１Ｃ参照）と、テクスチャ形成面１１’にホール１５を形成する工程Ｃ（図１１Ｄ参照）と、ホール１５を形成されたテクスチャ形成面１１’にドーパント３０を注入してＰＮ接合３５を形成する工程Ｄ（図１１Ｅ参照）と、イオン注入層４５を形成されたシリコンインゴット１０に衝撃を与えて、シリコンインゴット１０を分割して、シリコン基板５０を得る工程Ｆ（図１１Ｆ参照）と、を含む。
【０１２１】
［第三の実施形態の実験例］
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットの表面に、微細なテクスチャを形成した実験例を示す。
【０１２２】
図４Ａ、図４Ｂに示すテクスチャ形成装置１００を用意した。そして図４Ａ、図４Ｂのテクスチャ形成装置１００のステージ１５０に、基板面方位（１１１）のシリコンインゴット１１０を載置した。ノズル１３０とシリコンインゴット１１０との間隔を１０ｍｍにセットした。シリコン基板１００の基板面の面積は、１２５ｍｍ×１２５ｍｍである。ステージ１５０の温度を２５℃に設定した。減圧チャンバ１２０内の圧力を３０ＫＰａに調整した後、ノズル１３０からのエッチングガスを３分間かけてシリコンインゴット１１０の表面全体に吹き付けた。吹き付けたエッチングガスの組成は「ＣｌＦ３/Ｏ２/Ｎ２＝５０〜１０００ｃｃ/２０００ｃｃ/２０００〜５０００ｃｃ」とした。
【０１２３】
得られたシリコンインゴット１１０のテクスチャ形成面には、図５Ａ〜図５Ｃの第一の実施形態の実施例と同様にして、三角錐状の突起が密集して形成され、またその突起の高さは１００ｎｍ〜２００ｎｍであった。
【０１２４】
このように、本発明の手法によれば微細なテクスチャを形成できるので、５０μｍ以下の厚みを有し、スルーホールを有しているシリコン基板であっても、その機械強度が保たれて、太陽電池用のシリコン基板として用いることができる。
本出願は、同出願人により先にされた日本国特許出願、すなわち、２０１１−９１３７４号（出願日２０１１年４月１５日）、２０１１−９１３８２号（出願日２０１１年４月１５日）、及び２０１１−９１３８６号（出願日２０１１年４月１５日）、に基づく優先権主張を伴うものであって、これらの明細書を参照のためにここに組み込むものとする。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明のシリコン基板は、そのテクスチャ形成面を受光面とすることで、太陽電池用のシリコン基板として特に好適に用いられる。そして、太陽電池におけるシリコンの材料効率を飛躍的に高めることができる。
【符号の説明】
【０１２６】
１０  シリコンインゴット
１１  シリコンインゴットの表面
１１'  テクスチャ形成面
１５  （スルー）ホール
２０  エッチングガス
３０  ドーパント
３５  ＰＮ接合
４０  イオン
４５  イオン注入層
６０  大気圧プラズマ
６５  ドライ超音波
５０  シリコン基板
７０  表面電極
７５  裏面電極
１００  テクスチャ形成装置
１１０  シリコンインゴット（シリコン基板）
１２０  減圧チャンバ
１３０  エッチングガスを噴出するノズル
１３１  エッチングガス供給配管
１４０  冷却ガスを噴出するノズル
１４１  冷却ガス供給配管
１５０  ステージ
【図１Ａ】
2012140906.tif 000003
【図１Ｂ】
2012140906.tif 000004
【図２Ａ】
2012140906.tif 000005
【図２Ｂ】
2012140906.tif 000006
【図２Ｃ】
2012140906.tif 000007
【図２Ｄ】
2012140906.tif 000008
【図３Ａ】
2012140906.tif 000009
【図３Ｂ】
2012140906.tif 000010
【図３Ｃ】
2012140906.tif 000011
【図４Ａ】
2012140906.tif 000012
【図４Ｂ】
2012140906.tif 000013
【図６Ａ】
2012140906.tif 000014
【図６Ｂ】
2012140906.tif 000015
【図６Ｃ】
2012140906.tif 000016
【図６Ｄ】
2012140906.tif 000017
【図６Ｅ】
2012140906.tif 000018
【図６Ｆ】
2012140906.tif 000019
【図７Ａ】
2012140906.tif 000020
【図７Ｂ】
2012140906.tif 000021
【図７Ｃ】
2012140906.tif 000022
【図７Ｄ】
2012140906.tif 000023
【図７Ｅ】
2012140906.tif 000024
【図７Ｆ】
2012140906.tif 000025
【図８Ａ】
2012140906.tif 000026
【図８Ｂ】
2012140906.tif 000027
【図８Ｃ】
2012140906.tif 000028
【図８Ｄ】
2012140906.tif 000029
【図８Ｅ】
2012140906.tif 000030
【図８Ｆ】
2012140906.tif 000031
【図９Ａ】
2012140906.tif 000032
【図９Ｂ】
2012140906.tif 000033
【図９Ｃ】
2012140906.tif 000034
【図９Ｄ】
2012140906.tif 000035
【図９Ｅ】
2012140906.tif 000036
【図９Ｆ】
2012140906.tif 000037
【図１０Ａ】
2012140906.tif 000038
【図１０Ｂ】
2012140906.tif 000039
【図１０Ｃ】
2012140906.tif 000040
【図１０Ｄ】
2012140906.tif 000041
【図１０Ｅ】
2012140906.tif 000042
【図１０Ｆ】
2012140906.tif 000043
【図１１Ａ】
2012140906.tif 000044
【図１１Ｂ】
2012140906.tif 000045
【図１１Ｃ】
2012140906.tif 000046
【図１１Ｄ】
2012140906.tif 000047
【図１１Ｅ】
2012140906.tif 000048
【図１１Ｆ】
2012140906.tif 000049
【図１２】
2012140906.tif 000050
【図５Ａ】
2012140906.tif 000051
【図５Ｂ】
2012140906.tif 000052
【図５Ｃ】
2012140906.tif 000053
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項２】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項３】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'’と、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層および前記ホールの内壁表面層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項９】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項１０】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'’と、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法で得たシリコン基板を含むバックコンタクト型太陽電池セルであって、
前記ホールの内側面に成膜され、ＰＮ接合と接続している導電膜からなる電極と、テクスチャ形成面とは反対の面に成膜された導電膜からなる電極と、を含む太陽電池セル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項２】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項３】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'’と、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層および前記ホールの内壁表面層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項９】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項１０】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを供給して、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'’と、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、以下の太陽電池用シリコン基板の製造方法を提供する。
［１］基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄと、前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
［２］
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'と、前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
［３］基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'’と、前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［４］基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層および前記ホールの内壁表面層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅと、前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
［５］基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'と、前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
［６］基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'’と、前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項２】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項３】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｄ'’と、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｃと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｅと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層および前記ホールの内壁表面層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項９】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'と、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項１０】
基板面方位（１１１）のシリコンインゴットを用意する工程Ａと、
前記シリコンインゴットの表面にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを吹き付けて、テクスチャ形成面を形成する工程Ｂと、
前記テクスチャ形成面から前記シリコンインゴット内にイオンを注入して、イオン注入層を形成する工程Ｅ'’と、
前記テクスチャ形成面にレーザを照射してホールを形成する工程Ｃと、
前記テクスチャ形成面にドーパントを注入して、前記シリコンインゴットの表層にＰＮ接合を形成する工程Ｄと、
前記シリコンインゴットに衝撃を与えて、前記イオン注入層で前記シリコンインゴットを分割して、厚み５０μｍ以下のシリコン基板を得る工程Ｆと、
を含む太陽電池用シリコン基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フッ素含有ガスは、ＣｌＦ３，ＸｅＦ２，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５およびＮＦ３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチングガスには、分子中に酸素原子を含有するガスがさらに含まれる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記工程Ｂにおけるシリコンインゴットのエッチングは、減圧環境下にて行われる、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記テクスチャ形成面には複数の錘状の突起が形成され、かつ前記突起の高さは１００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲にある、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【国際調査報告】
2012140906.tif 000054
2012140906.tif 000055
2012140906.tif 000056
2012140906.tif 000057