(57)【要約】  本発明は、基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板において、前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されており、該基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板に関する。
2012121159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板において、
前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されており、
該基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板。
【請求項２】
前記基準マークは、凹状に形成され、前記多層膜のうち、少なくとも前記最表層を貫通して形成されている、請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記基準マークは、凸状に形成され、前記多層膜の前記最表層上に、該最表層とは異なる材料を積層して形成されている、請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
前記多層基板は、ＥＵＶＬ用のマスクブランクであって、前記多層膜は、前記基板側から、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とをこの順で有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の多層基板。
【請求項５】
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板の製造方法において、
前記多層膜の前記基板側と反対側の表面に、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークを形成する工程を有し、
該基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記基準マークは、凹状に形成され、前記多層膜のうち、少なくとも前記最表層を貫通して形成されている、請求項５に記載の多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記基準マークは、凸状に形成され、前記多層膜の前記最表層上に、該最表層とは異なる材料を積層して形成されている、請求項５に記載の多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記多層基板は、ＥＵＶＬ用のマスクブランクであって、前記多層膜は、前記基板側から、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とをこの順で有する、請求項５〜７のいずれか一項に記載の多層基板の製造方法。
【請求項９】
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板であって、前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されている多層基板の品質管理方法であって、
前記基板上に前記多層膜を成膜する前に、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記基板上にある欠陥位置を特定する、および／または、前記多層膜の成膜の途中で、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記多層膜のうちの少なくとも一層の欠陥位置を特定する特定工程と、
前記仮基準マークと前記基準マークの位置関係を検出する検出工程と、
前記特定工程において特定した欠陥位置を、前記検出工程の結果に基づいて、前記基準マークの位置を基準位置とする位置に換算する換算工程とを有し、
前記基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板の品質管理方法。
【請求項１０】
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板であって、前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されている多層基板の品質管理方法であって、
前記基板上に前記多層膜を成膜する前に、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記基板上にある欠陥位置を特定する、および／または、前記多層膜の成膜の途中で、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記多層膜のうちの少なくとも一層の欠陥位置を特定する特定工程を有し、
前記基準マークは、平面視にて、前記仮基準マークと重なるように形成されており、前記基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板の品質管理方法。
【請求項１１】
前記基準マークは、凹状に形成され、前記多層膜のうち、少なくとも前記最表層を貫通して形成されている、請求項９または１０に記載の多層基板の品質管理方法。
【請求項１２】
前記基準マークは、凸状に形成され、前記多層膜の前記最表層上に、該最表層とは異なる材料を積層して形成されている、請求項９または１０に記載の多層基板の品質管理方法。
【請求項１３】
前記多層基板は、ＥＵＶＬ用のマスクブランクであって、前記多層膜は、前記基板側から、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とをこの順で有する、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の多層基板の品質管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板、多層基板の製造方法、多層基板の品質管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、従来のＡｒＦレーザの代わりに、より短波長のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅａｍｅ  Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光を用いたリソグラフィ技術（ＥＵＶＬ）が有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光を意味し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、リソグラフィ光源として波長が１３．５ｎｍ付近の光の使用が主に検討されている。【０００３】
また、半導体デバイスの微細化に伴い、リソグラフィ技術で用いられるフォトマスクの欠陥の問題が顕在化している。特に、フォトマスクはマスクブランクをパターン加工して作製されるので、マスクブランクの欠陥の問題が顕在化している。【０００４】
マスクブランクの欠陥の問題を回避するため、マスクブランクの欠陥位置を特定し、欠陥位置に応じて加工パターンの位置や方向を変える技術が開発されている。また、マスクブランクの欠陥位置を特定するため、マスクブランクの基準位置を示す凹状の基準マークを形成する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。【０００５】
マスクブランクは、基板上に多層膜を成膜してなる多層基板である。ＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、多層膜は、基板側から、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収層をこの順で有する。【０００６】
従来の手法では、基板上の欠陥位置は、基板上に形成された基準マークの位置を基準位置として特定される。また、基準マークは基板上に成膜される多層膜に転写されるので、転写された基準マークの位置を基準位置として、多層膜を構成する各機能層の欠陥位置が特定される（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１１０２３７号
【特許文献２】日本国特開２００４−１９３２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、フォトマスクの製造工程で用いられる電子線描画装置は、反射電子線を用いて、多層膜の最上層に転写された基準マークの位置を検出する。またフォトマスクの製造工程で用いられる座標測定装置やマスク外観検査装置は、波長１９０〜４００ｎｍの反射紫外線を検出して、多層膜の最上層に転写された基準マークの位置を検出する。【０００９】
しかしながら、従来の基準マークでは、反射電子線や反射紫外線を用いて、凹状の基準マークの位置を検出することが困難であった。機能層が一層ずつ積層される度に、機能層に転写される基準マークのエッジが丸くなるためである。また、多層膜の最上層に転写された基準マークの内底面と、多層膜の最上層とが同一の材料で構成されるため、基準マークのある部分と、その周辺部分とで、反射電子線の強度や反射紫外線の強度の差が小さいからである。特許文献２には、超平滑基板の表面の一部に、予め凹部を設け、さらに多層膜を堆積してなる、基準マークが設けられた多層膜マスクブランクスが記載され、当該基板上に形成された基準マークは、電子線によるパターン検出が可能と記載されている。しかしながら、基板上にマークを作成した場合検出信号は低くなり、要求される検出位置精度を得られにくい問題があった。【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、反射電子線や反射紫外線によって基準位置を精度良く検出できる多層基板、多層基板の製造方法、および多層基板の品質管理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を解決するため、本発明は、
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板において、
前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されており、
該基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板を提供する。【００１２】
また、本発明は、
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板の製造方法において、
前記多層膜の前記基板側と反対側の表面に、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークを形成する工程を有し、
該基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板の製造方法を提供する。【００１３】
さらに、本発明は、
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板であって、前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されている多層基板の品質管理方法であって、
前記基板上に前記多層膜を成膜する前に、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記基板上にある欠陥位置を特定する、および／または、前記多層膜の成膜の途中で、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記多層膜のうちの少なくとも一層の欠陥位置を特定する特定工程と、
前記仮基準マークと前記基準マークの位置関係を検出する検出工程と、
前記特定工程において特定した欠陥位置を、前記検出工程の結果に基づいて、前記基準マークの位置を基準位置とする位置に換算する換算工程とを有し、
前記基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板の品質管理方法を提供する。【００１４】
さらにまた、本発明は、
基板と、該基板上に設けられる多層膜とを有する多層基板であって、前記多層膜の前記基板側と反対側の表面には、前記多層基板の基準位置を示す凹状または凸状の基準マークが形成されている多層基板の品質管理方法であって、
前記基板上に前記多層膜を成膜する前に、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記基板上にある欠陥位置を特定する、および／または、前記多層膜の成膜の途中で、前記基板上にある凹状または凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記多層膜のうちの少なくとも一層の欠陥位置を特定する特定工程を有し、
前記基準マークは、平面視にて、前記仮基準マークと重なるように形成されており、前記基準マークの表面の少なくとも一部の材料と、前記多層膜の前記基板側と反対側の最表層の材料とが異なる、多層基板の品質管理方法を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、反射電子線や反射紫外線によって基準位置を精度良く検出できる多層基板、多層基板の製造方法、および多層基板の品質管理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態によるＥＵＶＬ用のマスクブランクの断面図である。
【図２】図２は、マスクブランクをパターン加工してなるフォトマスクの一例の断面図である。
【図３】図３は、基板および仮基準マークの一例の平面図である。
【図４】図４は、凹状の基準マークの断面プロファイル、および、多層膜の最上層に転写された凹状の仮基準マークの断面プロファイルの一例を示す図である。
【図５】図５は、マスクブランクおよび基準マークの一例の平面図である。
【図６】図６は、材料の違いによる反射電子像（ＳＥＭ写真）のコントラストの違いの説明図である。
【図７】図７は、材料の違いによる紫外域反射率スペクトルの違いの説明図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態によるＥＵＶ用のマスクブランクの断面図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施形態によるマスクブランクの製造方法のフローチャートである。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施形態によるマスクブランクの品質管理方法のフローチャートである。
【図１１】図１１は、本発明の第５の実施形態によるＥＵＶＬ用のマスクブランクの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、各図面において、同一のまたは対応する構成については同一のまたは対応する符号を付して説明を省略する。
【００１８】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態によるＥＵＶＬ用のマスクブランクの断面図である。図２は、マスクブランクをパターン加工してなるフォトマスクの一例の断面図である。
【００１９】
ＥＵＶＬ用のマスクブランク１０は、例えば図１に示すように、基板２０と、基板２０上に形成される多層膜３０とを有している。多層膜３０は、基板２０側から、ＥＵＶ光を反射する反射層３１、反射層３１を保護する保護層３２、パターン加工のためのバッファー層３３、ＥＵＶ光を吸収する吸収層３４、および検査光に対して吸収層３４よりも低い反射率を有する低反射層３５をこの順で有している。なお、保護層３２、バッファー層３３、低反射層３５は任意の構成であって、多層膜３０は保護層３２、バッファー層３３、低反射層３５を有していなくてもよい。多層膜３０は、他の機能層をさらに有していてもよい。
【００２０】
ＥＵＶＬ用のマスクブランク１０は、一般的なマスク作製プロセスに準拠してパターン加工され、フォトマスク１００（図２参照）となる。例えば、マスクブランク１０の多層膜３０上にレジスト膜を塗布し、加熱した後、電子線や紫外線による描画を行う。このとき、描画パターンの位置や向きを、多層膜３０のうちの少なくとも一層の欠陥位置や基板表面に存在する欠陥位置に応じて調整する。続いて、現像・エッチングにより吸収層３４や低反射層３５の不要な部分、およびレジストが除去されてフォトマスク１００を得る。
【００２１】
フォトマスク１００は、図１に示す低反射層３５、吸収層３４をパターン加工してなる低反射層１３５、吸収層１３４を有している。フォトマスク１００に照射されたＥＵＶ光は、吸収層１３４のある部分では吸収され、吸収層１３４のない部分では反射層３１で反射される。反射層３１で反射されたＥＵＶ光は、凹面ミラーなどから構成される結像光学系などによって、露光材料の表面上に結像される。
【００２２】
次に、マスクブランク１０の各構成について説明する。
【００２３】
基板２０は、多層膜３０を成膜するためのものである。基板２０の表面粗さを表すＲＭＳ（Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）は例えば０．１５ｎｍ以下であり、基板２０の平坦度は例えば１００ｎｍ以下である。基板２０は、マスクブランクスとして用いられる温度域において熱膨張係数が０に近いことが求められ、例えば０±０．０５×１０−７／℃の範囲内が好ましく、０±０．０３×１０−７／℃の範囲内がさらに好ましい。
【００２４】
基板２０は、耐薬液性、耐熱性に優れ、熱膨張係数の小さいガラスで構成される。ガラスとしては、例えばＳｉＯ２を主成分とする石英ガラスが用いられる。石英ガラスは、ＴｉＯ２を含有するものであってよい。ＴｉＯ２の含有量は、例えば１〜１２質量％である。なお、基板２０は、ガラス以外のシリコンや金属などで構成されてもよい。
【００２５】
基板２０の裏面２１（前記多層膜が形成される側の面と反対側の面）には、静電吸着用の導電層２２が形成されている。導電層２２は、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電層２２の構成材料としては、例えば、Ｓｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＴａＳｉなどが用いられる。これらの中でも、導電層２２表面の表面粗さが小さいことからチャック面との密着性に優れ、且つ、導電層２２のシート抵抗が低いことからチャック力に優れるＣｒＮ膜が好ましい。
【００２６】
導電層２２の厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍである。
【００２７】
導電層２２の成膜方法としては、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法などが用いられる。
【００２８】
基板２０の表面２３（前記多層膜が形成される側の面）には、多層膜３０が成膜されるが、多層膜３０を成膜する前に、基板２０の基準位置を示す凹状または凸状の仮基準マーク（本実施形態では、凹状の仮基準マーク）４０が形成されている。よって、多層膜３０を成膜する前に（より詳細には、最初の層、すなわち反射層３１を成膜する前に）、仮基準マーク４０の位置を基準位置として、基板２０の欠陥位置を特定し、磁気記録媒体、光記録媒体、電子記録媒体、紙などの記録媒体に記録することができる。
【００２９】
図３は、基板および仮基準マークの一例の平面図である。図３に示すように、仮基準マーク４０は、３つ以上（図３では４つ）形成されている。３つ以上の仮基準マーク４０は、同一直線上に配置されていない。３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸およびＹ軸は、互いに直交していてよい。
【００３０】
仮基準マーク４０は、後工程で使用されない領域（例えば、フォトマスクの製造工程において、パターン加工しない領域）に形成され、具体的には、基板２０の外周部に形成される。
【００３１】
仮基準マーク４０は、図１に示すように、基板２０上に順次成膜される反射層３１、保護層３２、バッファー層３３、吸収層３４、低反射層３５に転写される。よって、転写された仮基準マーク４１〜４５の位置を基準位置として、各層３１〜３５の欠陥位置（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定し、記録媒体に記録することが可能である。
【００３２】
記録された欠陥位置情報は、フォトマスク１００の製造工程に供される。なお、詳しくは後述するが、仮基準マーク４０の位置（より詳細には、仮基準マーク４０〜４５の位置）を基準位置として特定した欠陥位置は、基準マーク５０の位置を基準位置とする位置に換算（座標変換）されたうえで、フォトマスク１００の製造工程に供される。
【００３３】
フォトマスク１００の製造工程では、提供された情報に基づいて、マスクブランク１０の欠陥位置（深さを含む）を知ることができ、例えば吸収層３４の加工パターンの位置や方向を変えることなどによって、品質の高いフォトマスク１００を製造することができる。また、従来であれば、マスクブランク１０の一部に欠陥を含むために廃棄していたものであっても、フォトマスク１００の製造工程に供することができる。
【００３４】
仮基準マーク４０の形状は、平面視にて（基板２０の表面２３と直交する方向から見て）、例えば図３に示すように四角形、又は三角形、円形、楕円形もしくは菱型などであり、側面視にて、例えば図１に示すように四角形、又は三角形もしくは半円形などである。
【００３５】
仮基準マーク４０のサイズは、例えば、平面視にて、最大長さが２００ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下であり、最小長さは１０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上である。凹状の仮基準マーク４０の最大深さは、２０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以下であり、凹状の仮基準マーク４０の最小深さは、１ｎｍ以上、好ましくは２ｎｍ以上である。この範囲のサイズを有する仮基準マーク４０であれば、紫外光や可視光を光源に用いた市販のマスクブランクやガラス基板の自動欠陥検査装置（たとえばレーザテック社製Ｍ７３６０など）にて仮基準マーク４０の位置を精度良く検出することができ、多層膜３０のうちの少なくとも一層の欠陥位置や基板２０の表面２３に存在する欠陥位置を十分な精度で特定することができる。
【００３６】
凹状の仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３の一部を除去して形成される。除去方法としては、レーザアブレーション法、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）法、ナノインデンテーション法、マイクロマシーニング法（例えば、Ｒａｖｅ社製ｎｍ４５０を用いた機械的な微細加工法）、レジストのパターニングとエッチングを用いたリソグラフィ法などが用いられる。特に、ＦＩＢ法、マイクロマシーニング法、レーザアブレーション法が好適に用いられる。
【００３７】
凹状の仮基準マーク４０として、基板２０の表面２３に存在する実欠陥、例えば研磨や洗浄により生じたピットなどの凹欠陥を用いることもできる。
【００３８】
なお、凸状の仮基準マークの形成方法については、第２の実施形態で説明する。
【００３９】
反射層３１は、ＥＵＶ光を反射する層である。フォトマスク１００において吸収層１３４のない部分に照射されたＥＵＶ光は、反射層３１で反射される。その反射率（波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率）の最大値は、例えば６０％以上、好ましくは６５％以上である。
【００４０】
反射層３１は、例えば高屈折層と低屈折率層を交互に繰り返し積層させた多層構造を有している。高屈折率層にはＭｏ層、低屈折率層にはＳｉ層がそれぞれ使用されてよい。すなわち、反射層３１は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射層であってよい。Ｍｏ層の厚さ、Ｓｉ層の厚さ、および繰り返し回数は、それぞれ適宜設定されるが、例えば、Ｍｏ層の厚さが２．３±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さが４．５±０．１ｎｍ、繰り返し回数が３０〜６０である。
【００４１】
なお、反射層３１は、特に限定されず、例えばＲｕ／Ｓｉ多層反射層、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射層、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射層、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射層、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射層、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射層などであってもよい。
【００４２】
反射層３１の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射層を形成する場合、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜する工程と、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜する工程が交互に繰り返し行われる。
【００４３】
保護層３２は、反射層３１の酸化を防止する役割を果たす層である。保護層３２の材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃ、ＳｉＣ、又はこれら元素・化合物の混合物、あるいはこれら元素・化合物にＮ、ＯやＢなどを添加したものなどが使用できる。
【００４４】
保護層３２の材料としてＲｕを用いた場合、保護層の層厚は２〜３ｎｍと薄くでき、後述するバッファー層３３の機能を兼用できるため、特に好ましい。また反射層３１がＭｏ／Ｓｉ多層反射層の場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層を保護層として機能させることができる。この場合、最上層のＳｉ層の層厚は、通常の４．５ｎｍより厚い、５〜１５ｎｍであることが好ましい。また、この場合、最上層のＳｉ層上に保護層とバッファー層とを兼ねるＲｕ膜を成膜してもよい。なお、保護層３２は、必ずしも１層である必要はなく、２層以上であってもよい。
【００４５】
保護層３２の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。
【００４６】
バッファー層３３は、詳しくは後述するが、フォトマスク１００の製造工程における、吸収層３４のエッチングプロセス（通常、ドライエッチングプロセス）によって、反射層３１がダメージを受けるのを防止する、所謂エッチングストッパーとしての役割を果たす。
【００４７】
バッファー層３３の材質としては、吸収層３４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層３４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ、ＣｒＮおよびＳｉＯ２が好ましく、ＣｒＮおよびＲｕがより好ましく、保護層３２とバッファー層３３の機能を兼ね備えるため特にＲｕが好ましい。
【００４８】
バッファー層３３の膜厚は１〜６０ｎｍであることが好ましい。
【００４９】
バッファー層３３の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法が用いられる。
【００５０】
吸収層３４は、ＥＵＶ光を吸収する層である。吸収層３４に特に要求される特性は、ＥＵＶ用のフォトマスク１００上に形成されたパターンが、ＥＵＶＬ露光機の投影光学系を介してウェハー上のレジスト膜に正確に転写されるように、吸収層３４からの反射光の強度、位相を調整することである。
【００５１】
この具体的な方法は２種類あり、一つ目は、吸収層３４からの反射光の強度を極力小さくする方法であり、吸収層３４表面からのＥＵＶ光の反射率を１％以下、特に０．７％以下となるように、吸収層３４の膜厚および材料を調整する。また２つ目は、反射層３１からの反射光と吸収層３４（吸収層表面に低反射層が形成されている場合は低反射層）からの反射光の干渉効果を利用する方法であり、吸収層３４（吸収層表面に低反射層が形成されている場合は低反射層）からのＥＵＶ光の反射率を５〜１５％とし、かつ反射層３１からの反射光と吸収層３４（吸収層表面に低反射層が形成されている場合は低反射層）からの反射光の位相差が１７５〜１８５度となるように、吸収層３４（吸収層表面に低反射層が形成されている場合は低反射層）の膜厚および材料を調整する。
【００５２】
いずれの方法においても、吸収層３４を構成する材料としては、Ｔａを４０ａｔ％以上、好ましくは５０ａｔ％以上、より好ましくは５５ａｔ％以上含有する材料が好ましい。吸収層３４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にＨｆ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐｄ、Ｈ及びＮのうち少なくとも１種以上の元素を含有することが好ましい。
【００５３】
Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮなどが挙げられる。ただし、吸収層３４中には、酸素を含まないことが好ましい。
【００５４】
具体的には、吸収層３４中の酸素の含有率は２５ａｔ％未満が好ましい。マスクブランクの吸収層３４にマスクパターンを形成してＥＵＶ用のフォトマスク１００を作製する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素ガス（混合ガスを含む）あるいはフッ素系ガス（混合ガスを含む）が通常使用される。
【００５５】
エッチングプロセスによる反射層３１のダメージ防止目的で、反射層３１上に保護層３２としてＲｕまたはＲｕ化合物を含む膜を形成する場合、保護層３２のダメージが少ないことから、吸収層３４のエッチングガスとして主に塩素ガスが使われる。しかしながら、塩素ガスを用いて吸収層３４のドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収層３４が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジスト膜のダメージが大きくなり好ましくない。吸収層３４中の酸素の含有率としては、１５ａｔ％以下がより好ましく、１０ａｔ％以下がさらに好ましく、５ａｔ％以下が特に好ましい。
【００５６】
吸収層３４の厚さは、前述の一つ目の方法の場合、すなわち吸収層３４表面からのＥＵＶ光の反射率を１％以下、特に０．７％以下とするためには、６０ｎｍ以上であることが好ましく、特に７０ｎｍ以上であることが好ましい。また前述の２つ目の方法の場合、４０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲が好ましく、特に４５ｎｍ〜５５ｎｍの範囲が好ましい。
【００５７】
吸収層３４の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。
【００５８】
吸収層３４は、フォトマスク１００の製造工程において、パターン加工され、吸収層１３４となる。
【００５９】
低反射層３５は、図２に示す吸収層１３４のパターン形状を検査する検査光に対して、吸収層３４よりも低い反射率を有する層である。検査光としては、通常２５７ｎｍ程度の波長の光が使用される。
【００６０】
吸収層１３４のパターン形状の検査は、吸収層１３４がある部分と、吸収層１３４がない部分とで検査光の反射率が異なることを利用して行われる。吸収層１３４のない部分では、通常、保護層３２が露出している。
【００６１】
吸収層１３４がある部分に、低反射層１３５が積層されていると、吸収層１３４のある部分と、吸収層１３４のない部分とで、検査光の反射率の差が大きくなるので、検査精度が向上する。
【００６２】
低反射層３５は、検査光の波長での屈折率が吸収層３４よりも低い材料で構成される。具体的には、Ｔａを主成分とする材料が挙げられる。また、Ｔａ以外にＨｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｈ、及びＯのうち少なくとも１種以上の元素を含有することが好ましい。具体例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＢＯ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等が挙げられる。
【００６３】
吸収層３４上に低反射層３５を形成する場合、吸収層３４および低反射層３５の厚さの合計が１０〜６５ｎｍであると好ましく、３０〜６５ｎｍであるとより好ましく、３５〜６０ｎｍであるとさらに好ましい。また、低反射層３５の層厚が吸収層３４の層厚よりも厚いと、吸収層３４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層３５の層厚は吸収層３４の層厚よりも薄いことが好ましい。このため、低反射層３５の厚さは１〜２０ｎｍであることが好ましく、３〜１５ｎｍであることがより好ましく、５〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００６４】
低反射層３５の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。
【００６５】
また、多層膜３０は、ハードマスクなどの機能層を有してもよい。ハードマスクは、吸収層３４（吸収層３４上に低反射層３５が形成されており、かつハードマスクが低反射層３５の機能を有していない場合は、低反射層３５）の面上に形成するものであり、前述のドライエッチング速度が、吸収層３４及び／或いは低反射層３５と比べて遅いために、レジスト膜の膜厚を薄くでき、より微細なパターンを作製できる。このようなハードマスクの材料としては、Ｃｒ２Ｏ３、Ｒｕ、Ｃｒ（Ｎ、Ｏ）などが使用でき、その膜厚は２〜１０ｎｍが好ましい。
【００６６】
上記構成の多層膜３０の表面３６（基板２０側と反対側の面）には、マスクブランク１０の基準位置を示す凹状または凸状（本実施形態では凹状）の基準マーク（Ｆｉｄｕｃｉａｌ  Ｍａｒｋ）５０が形成されている。基準マーク５０は、多層膜３０の成膜後に形成されるので、多層膜３０の最上層（基板２０側と反対側の最表層）に転写した仮基準マーク４５に比べて、エッジが鋭く側壁角度も急峻であるため、精度良く検出することができる。
【００６７】
図４は、凹状の基準マークの断面プロファイル、および、多層膜の最上層に転写された凹状の仮基準マークの断面プロファイルの一例を示す図である。図４において、実線は凹状の基準マークの断面プロファイルの一例を示し、破線は多層膜の最上層に転写された凹状の仮基準マークの断面プロファイルの一例を示す。図４に示す例では、ＴｉＯ２をドープした石英ガラス基板上に、反射層（Ｍｏ／Ｓｉを４０層積層、厚み約２８０ｎｍ）、保護層（厚み２．５ｎｍのＲｕ層）、吸収層（厚み５１ｎｍのＴａＮ層）、低反射層（厚み７ｎｍのＴａＯＮ層）がこの順で積層されている。基板上に形成される仮基準マークの深さ、および、低反射層上に形成される基準マークの深さは、それぞれ、約８０ｎｍとした。図４から、凹状の基準マークの断面プロファイルは、多層膜の最上層に転写された凹状の仮基準マークの断面プロファイルよりも急峻であることがわかる。
【００６８】
図５は、マスクブランクおよび基準マークの一例の平面図である。
【００６９】
基準マーク５０は、目的に応じた形状に形成されるが、例えば、図５に示すように、平面視にて（表面３６と直交する方向から見て）、十字状に形成されている。１つの直線状部分の中心線と、残りの直線状部分の中心線との交点が基準点となる。各直線状部分は、例えば４．５〜５．５μｍの幅Ｗ、および１００〜５００μｍの長さＬを有している。
【００７０】
基準マーク５０は、３つ以上形成されている。３つ以上の基準マーク５０は、同一直線上に配置されていない。３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸およびＹ軸は、互いに直交していてよい。
【００７１】
基準マーク５０は、多層膜３０の表面３６のうち、後工程で使用されない領域（例えば、フォトマスクの製造工程において、パターン加工しない領域）に形成され、具体的には、多層膜３０の外周部に形成される。
【００７２】
凹状の基準マーク５０は、エッジが鋭くなるよう、多層膜３０の表面３６と略垂直な段差面５１と、多層膜３０の表面３６と略平行なオフセット面（内底面）５２を有していることが好ましい。
【００７３】
凹状の基準マーク５０は、多層膜３０の表面３６の一部を除去して形成される。除去方法としては、レーザアブレーション法、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）法、レジストのパターニングとエッチングを用いたリソグラフィ法、ナノインデンテーション法、マイクロマシーニング法（例えば、Ｒａｖｅ社製ｎｍ４５０を用いた機械的な微細加工法）などが用いられる。特に、ＦＩＢ法やリソグラフィ法が好適に用いられる。
【００７４】
なお、凸状の基準マークの形成方法については、第２の実施形態で説明する。
【００７５】
凹状の基準マーク５０は、図１に示すように、多層膜３０のうち、少なくとも、最上層（基板２０側と反対側の最表層）を貫通するように形成されている。よって、凹状の基準マーク５０の表面（段差面５１及びオフセット面５２）の一部（オフセット面５２）が、多層膜３０の最上層と異なる材料で構成されるので、基準マーク５０の位置を精度良く検出することができる。この効果は、反射電子線や反射紫外線を用いて基準マーク５０の位置を検出する場合に特に顕著である。反射電子像の強度は、２次電子像に比べて、材料の違いによるコントラストが強いためである。また反射紫外線の強度は材料の種類などに依存し、材料の違いにより強いコントラストが得られる。
【００７６】
図６は、材料の違いによる反射電子像（ＳＥＭ写真）のコントラストの違いの説明図である。図６に示す多層基板は、基板上に反射層を形成し、反射層上に吸収層を形成したものである。基板はＴｉＯ２をドープした石英ガラス基板、反射層はＭｏ／Ｓｉ多層反射層、吸収層はＴａＮ層である。図６において、左上部分２０１は反射層上に吸収層が積層されておらず反射層が露出している部分の反射電子像、左下部分２０２は反射層上に厚さ３５ｎｍの吸収層が積層された部分の反射電子像である。また、図６において、右上部分２０３は反射層上に厚さ７７ｎｍの吸収層が積層された部分の反射電子像、右下部分２０４は反射層上に厚さ１１２ｎｍの吸収層が積層された部分の反射電子像である。図６から、反射電子像では、材料の違いによるコントラストが、凹凸によるコントラストよりも強いことがわかる。
【００７７】
反射電子像におけるコントラストが強くなるよう、凹状の基準マーク５０の内底面５２を構成する材料の陽子数と、多層膜３０の最上層を構成する材料の陽子数との差が十分に大きいことが好ましい。
【００７８】
図７は、材料の違いによる紫外域反射率スペクトルの違いの説明図である。図７において、Ａは基板上に反射層（Ｍｏ／Ｓｉを４０層積層）を形成した多層基板のスペクトル、Ｂは基板上に反射層（Ｍｏ／Ｓｉを４０層積層）・吸収層（厚み７７ｎｍのＴａＮ層）を積層した多層基板のスペクトル、Ｃは基板上に反射層（Ｍｏ／Ｓｉを４０層積層、厚み約２８０ｎｍ）・吸収層（厚み７７ｎｍのＴａＮ層）・低反射層（厚み７ｎｍのＴａＯＮ層）を積層した多層基板のスペクトルを表わす。３種類の多層基板の紫外域反射率は互いに異なっており、凹状の基準マーク５０の内底面５２を構成する材料が多層膜３０の最上層を構成する材料と異なる場合、紫外域反射率の差異によるコントラストを利用して、反射紫外線により基準マーク５０を検出し易くなることがわかる。
【００７９】
凹状の基準マーク５０は、図１に示すように、低反射層３５に加えて、吸収層３４を貫通するように形成されていてもよい。低反射層３５と吸収層３４が類似の材料で構成されることが多いためである。
【００８０】
凹状の基準マーク５０は、図１に示すように、低反射層３５および吸収層３４に加えて、バッファー層３３を貫通するように形成されてもよいし、バッファー層３３および保護層３２を貫通するように形成されていてもよい。なお、凹状の基準マーク５０は、保護層３２にさらに加えて、反射層３１を貫通するように形成されてもよい。
【００８１】
凹状の基準マーク５０の内底面５２は、本実施形態では、反射層３１にあるが、吸収層３４、バッファー層３３、保護層３２、および基板２０のいずれにあってもよく、複数の機能層に亘っていてもよい。
【００８２】
凹状の基準マーク５０の深さは、低反射層３５、吸収層３４、バッファー層３３、保護層３２、および反射層３１の厚さなどに応じて適宜設定されるが、例えば２〜３００ｎｍ、好ましくは７〜１５０ｎｍ、より好ましくは４０〜１２０ｎｍである。
【００８３】
なお、本実施形態では、多層膜３０の最上層が低反射層３５である場合について説明したが、低反射層３５がなく、吸収層３４が最上層であってもよい。この場合、凹状の基準マーク５０は、吸収層３４を貫通するように形成され、吸収層３４に加えて保護層３２や反射層３１を貫通するように形成されてもよく、凹状の基準マーク５０の内底面５２は、バッファー層３３、保護層３２、反射層３１、および基板２０のいずれかを含んでいればよく、複数の機能層に亘っていてもよい。
【００８４】
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、仮基準マークおよび基準マークが、凹状に形成されている。
【００８５】
これに対し、本実施形態では、仮基準マークおよび基準マークが、凸状に形成されている。
【００８６】
以下、本実施形態によるマスクブランクの構成について説明するが、仮基準マークおよび基準マークの形状以外の構成については、第１の実施形態と同じ構成であるので、説明を省略する。
【００８７】
図８は、本発明の第２の実施形態によるＥＵＶＬ用のマスクブランクの断面図である。
【００８８】
凸状の仮基準マーク４０Ａは、基板２０の表面２３に、多層膜３０を成膜する前に形成されている。よって、多層膜３０を成膜する前に（より詳細には、最初の層、すなわち反射層３１を成膜する前に）、基板２０の欠陥位置を、仮基準マーク４０Ａの位置を基準位置として特定し、磁気記録媒体、光記録媒体、電子記録媒体、紙などの記録媒体に記録することができる。
【００８９】
凸状の仮基準マーク４０Ａの形状は、平面視にて（基板２０の表面２３と直交する方向から見て）、例えば四角形、又は三角形、円形、楕円形もしくは菱型などであり、側面視にて、例えば図８に示すように四角形、又は三角形もしくは半円形などである。
【００９０】
凸状の仮基準マーク４０Ａのサイズは、例えば、平面視にて、最大長さが２００ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下であり、最小長さは１０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上である。仮基準マーク４０Ａの最大高さは、２０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以下であり、また仮基準マーク４０Ａの最小高さは、１ｎｍ以上、好ましくは２ｎｍ以上である。この範囲のサイズを有する仮基準マーク４０Ａであれば、紫外光や可視光を光源とする市販のマスクブランクやガラス基板の自動欠陥検査装置（たとえばレーザテック社製Ｍ７３６０など）にて仮基準マーク４０Ａの位置を精度良く検出することができ、多層膜３０のうちの少なくとも一層の欠陥位置や基板２０の表面２３に存在する欠陥位置を十分な精度で特定することができる。
【００９１】
凸状の仮基準マーク４０Ａは、基板２０の表面２３に局所的に膜を成膜して形成される。具体的な方法としては、堆積したい材料によって適当なガスを選び、白金やタングステンなどの金属化合物（例えばヘキサカルボニルタングステン）や炭化水素化合物（ナフタレンやフェナントレンなど）を含有する雰囲気でイオンビームや電子線を照射することで、金属化合物の分解反応を促進し、局所的に金属膜を堆積する方法がある。
【００９２】
なお、凸状の仮基準マーク４０Ａとして、基板２０の表面２３に存在する実欠陥、例えば洗浄や環境由来の表面に付着したパーティクルなどの凸欠陥を用いることもできる。
【００９３】
仮基準マーク４０Ａは、図８に示すように、基板２０上に順次成膜される反射層３１、保護層３２、バッファー層３３、吸収層３４、低反射層３５に転写される。よって、転写された仮基準マーク４１Ａ〜４５Ａの位置を基準位置として、各層３１〜３５の欠陥位置（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定し、記録媒体に記録することが可能である。
【００９４】
記録された欠陥位置情報は、フォトマスクの製造工程に供される。なお、詳しくは第４の実施形態で説明するが、仮基準マーク４０Ａの位置（より詳細には、仮基準マーク４０Ａ〜４５Ａの位置）を基準位置として特定した欠陥位置は、基準マーク５０Ａの位置を基準位置とする位置に換算されたうえで、フォトマスクの製造工程に供される。
【００９５】
フォトマスクの製造工程では、提供された情報に基づいて、マスクブランク１０Ａの欠陥位置（深さを含む）を知ることができ、例えば吸収層３４の加工パターンの位置や方向を変えることなどによって、品質の高いフォトマスクを製造することができる。また、従来であれば、マスクブランク１０Ａの一部に欠陥を含むために廃棄していたものであっても、フォトマスクの製造工程に供することができる。有していることが好ましい。
【００９６】
凸状の基準マーク５０Ａは、多層膜３０の表面（基板２０側と反対側の面）３６に形成されている。基準マーク５０Ａは、多層膜３０の成膜後に形成されるので、多層膜３０の最上層に転写した仮基準マーク４５Ａに比べて、エッジが鋭く、精度良く検出することができる。
【００９７】
凸状の基準マーク５０Ａは、目的に応じた形状に形成されるが、第１の実施形態と同様に、例えば、平面視にて（表面３６と直交する方向から見て）、十字状に形成されている。１つの直線状部分の中心線と、残りの直線状部分の中心線との交点が基準点となる。
【００９８】
凸状の基準マーク５０Ａは、３つ以上形成されている。３つ以上の基準マーク５０は、同一直線上に配置されていない。３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸およびＹ軸は、互いに直交していてよい。
【００９９】
凸状の基準マーク５０Ａは、多層膜３０の表面３６のうち、後工程で使用されない領域（例えば、フォトマスクの製造工程において、パターン加工しない領域）に形成され、具体的には、多層膜３０の外周部に形成される。
【０１００】
凸状の基準マーク５０Ａは、エッジが鋭く側壁角度が急峻となるよう、多層膜３０の表面３６と略垂直な段差面５１Ａと、多層膜３０の表面３６と略平行なオフセット面５２Ａを有していることが好ましい。
【０１０１】
凸状の基準マーク５０Ａの高さは、多層膜３０の最上層の材料や厚さなどに応じて適宜設定されるが、例えば２〜３００ｎｍ、好ましくは７〜１５０ｎｍ、より好ましくは４０〜１２０ｎｍである。
【０１０２】
凸状の基準マーク５０Ａは、多層膜３０の最上層上に、該最上層と異なる材料を積層して形成される。具体的には、最上層と異なる材料の膜を最上層上に成膜し、リソグラフィを用いて加工する方法、最上層と異なる材料を最上層上に局所的に成膜する方法がある。後者の方法としては、堆積したい材料によって適当なガスを選び、白金やタングステンなどの金属化合物（例えばヘキサカルボニルタングステン）や炭化水素化合物（ナフタレンやフェナントレンなど）を含有する雰囲気でイオンビームや電子線を照射することで、金属化合物の分解反応を促進し、局所的に金属膜を堆積する方法がある。
【０１０３】
よって、基準マーク５０Ａの表面５１Ａ、５２Ａが、多層膜３０の最上層と異なる材料で構成されるので、基準マーク５０Ａの位置を精度良く検出することができる。この効果は、反射電子線や反射紫外線を用いて基準マーク５０Ａの位置を検出する場合に特に顕著である。反射電子線の強度は、２次電子像に比べて、材料の違いによるコントラストが強いためである。また、反射紫外線の強度は材料の種類などに依存し、材料の違いにより強いコントラストが得られるからである。
【０１０４】
なお、本実施形態では、多層膜３０の最上層が低反射層３５である場合について説明したが、低反射層３５がなく、吸収層３４が最上層であってもよい。
【０１０５】
［第３の実施形態］
本実施形態は、上記のマスクブランク１０の製造方法に関する。なお、上記のマスクブランク１０Ａの製造方法も同様である。
【０１０６】
図９は、本発明の第３の実施形態によるマスクブランクの製造方法のフローチャートである。
【０１０７】
マスクブランク１０の製造方法は、基板２０を用意する工程Ｓ１０１、基板２０の表面２３に仮基準マーク４０を形成する工程Ｓ１０２、基板２０の裏面２１に導電層２２を成膜する工程Ｓ１０３、基板２０の表面２３に多層膜３０を成膜する工程Ｓ１０４〜Ｓ１０８、多層膜３０の表面３６に基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０９を有している。各工程Ｓ１０１〜Ｓ１０９の間には、洗浄工程や乾燥工程などがあってよい。
【０１０８】
多層膜３０を成膜する工程は、例えば、基板２０の表面２３に反射層３１を形成する工程Ｓ１０４、反射層３１上に保護層３２を形成する工程Ｓ１０５、保護層３２上にバッファー層３３を形成する工程Ｓ１０６、バッファー層３３上に吸収層３４を形成する工程Ｓ１０７、吸収層３４上に低反射層３５を形成する工程Ｓ１０８を有している。
【０１０９】
なお、マスクブランク１０の製造方法は、仮基準マーク４０を形成する工程Ｓ１０２を有していなくてもよい。この場合、仮基準マークとして、基板２０の表面２３に存在する凹状または凸状の欠陥が代用される。
【０１１０】
また、導電層２２を形成する工程Ｓ１０３は、多層膜３０を成膜する工程Ｓ１０４〜Ｓ１０８の後に行われてもよく、その順序に制限はない。
【０１１１】
［第４の実施形態］
本実施形態は、上記のマスクブランク１０の品質管理方法に関する。なお、上記のマスクブランク１０Ａの品質管理方法も同様である。
【０１１２】
図１０は、本発明の第４の実施形態によるマスクブランクの品質管理方法のフローチャートである。
【０１１３】
マスクブランク１０の品質管理方法は、仮基準マーク４０の位置を基準位置として、基板２０の表面２３の欠陥位置を特定する第１の特定工程Ｓ２０１を有する。
【０１１４】
第１の特定工程Ｓ２０１は、特定精度を向上するため、基板２０の表面２３に多層膜３０を成膜する工程Ｓ１０４〜Ｓ１０８（図９参照）の前（より詳細には、最初の層を成膜する工程Ｓ１０４の前）に行われる。なお、第１の特定工程Ｓ２０１は、仮基準マーク４０を利用するので、仮基準マーク４０を形成する工程Ｓ１０２（図９参照）の後に行われる。
【０１１５】
第１の特定工程Ｓ２０１では、欠陥位置を特定すると共に、欠陥の種類（例えば、凹状、凸状の別）を特定してもよい。欠陥に関する情報は、記録媒体に記録される。なお、欠陥が無い場合、欠陥が無いという内容の情報が、記録媒体に記録される。
【０１１６】
欠陥位置を特定する方法は、一般的なものであってよく、例えば試験体（基板２０）の表面で紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などのスポット光を走査し、試験体からの散乱光を受光して、欠陥位置を特定する方法などがある。散乱光の代わりに、反射光または透過光が用いられてもよい。
【０１１７】
マスクブランク１０の品質管理方法は、多層膜３０の成膜の途中で、仮基準マーク４０の位置を基準位置として、多層膜３０のうちの少なくとも一層の欠陥位置を特定する第２の特定工程Ｓ２０２をさらに有してよい。
【０１１８】
第２の特定工程Ｓ２０２は、例えば図１０に示すように、反射層３１、保護層３２およびバッファー層３３の欠陥位置を特定する工程であってよい。この場合、仮基準マーク４０の位置として、バッファー層３３に転写した仮基準マーク４３の位置が用いられる。
【０１１９】
第２の特定工程Ｓ２０２は、反射層３１、保護層３２およびバッファー層３３を形成する工程Ｓ１０４、Ｓ１０５、Ｓ１０６（図９参照）の後であって、吸収層３４を形成する工程Ｓ１０７（図９参照）の前に行われる。
【０１２０】
なお、反射層３１、保護層３２およびバッファー層３３は、一般的に、連続的に成膜されることが多いので、欠陥位置をまとめて特定するとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、反射層３１の欠陥位置を、保護層３２の形成前に特定してもよいし、保護層３２の欠陥位置を、バッファー層３３の形成前に特定してもよい。
【０１２１】
第２の特定工程Ｓ２０２では、欠陥位置を特定すると共に、欠陥の種類（例えば、凹状、凸状の別）を特定してもよい。欠陥に関する情報は、記録媒体に記録される。なお、欠陥が無い場合、欠陥が無いという内容の情報が、記録媒体に記録される。
【０１２２】
欠陥位置を特定する方法は、第１の特定工程Ｓ２０１で用いられる方法と同様の方法であってよい。
【０１２３】
マスクブランク１０の品質管理方法は、仮基準マーク４０の位置を基準位置として、多層膜３０のうちの別の層の欠陥位置を特定する第３の特定工程Ｓ２０３をさらに有してよい。
【０１２４】
第３の特定工程Ｓ２０３は、例えば図１０に示すように、吸収層３４および低反射層３５の欠陥位置を特定する工程であってよい。この場合、仮基準マーク４０の位置として、低反射層３５に転写した仮基準マーク４５の位置が用いられる。
【０１２５】
第３の特定工程Ｓ２０３は、低反射層３５を形成する工程Ｓ１０８（図９参照）の後であって、基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０９（図９参照）の前に行われる。
【０１２６】
なお、吸収層３４と低反射層３５は、一般的に、連続的に成膜されることが多いので、欠陥位置をまとめて特定するとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、吸収層３４の欠陥の位置を、低反射層３５の形成前に特定してもよい。
【０１２７】
第３の特定工程Ｓ２０３では、欠陥位置を特定すると共に、欠陥の種類（例えば、凹状、凸状の別）を特定してもよい。欠陥に関する情報は、記録媒体に記録される。なお、欠陥が無い場合、欠陥が無いという内容の情報が、記録媒体に記録される。
【０１２８】
欠陥位置を特定する方法は、第１の特定工程Ｓ２０１で用いられる方法と同様の方法であってよい。
【０１２９】
マスクブランク１０の品質管理方法は、仮基準マーク４０の位置（より詳細には、多層膜３０の最上層に転写した仮基準マーク４５の位置）と、基準マーク５０の位置との位置関係を検出する検出工程Ｓ２０４をさらに有する。検出工程Ｓ２０４は、基準マーク５０を利用するので、基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０９（図９参照）の後に行われる。
【０１３０】
仮基準マーク４５の位置と、基準マーク５０の位置との位置関係を検出する方法は、第１の特定工程Ｓ２０１で用いられる欠陥位置の特定方法と同様であってよい。
【０１３１】
マスクブランク１０の品質管理方法は、第１〜第３の特定工程Ｓ２０１〜Ｓ１０３で特定された欠陥位置を、検出工程Ｓ２０４での検出結果に基づいて、基準マーク５０の位置を基準位置とする位置に換算する換算工程Ｓ２０５をさらに有する。基準マーク５０の位置を基準位置として特定された欠陥位置情報は、記録媒体に記録され、フォトマスク１００の製造工程で使用される。
【０１３２】
このように、本実施形態では、第１の特定工程Ｓ２０１において、基板２０の欠陥位置を、基板２０上に多層膜３０を成膜する前に特定するので、特定精度が良い。また、第２の特定工程Ｓ２０２において、多層膜３０のうちの少なくとも一層の欠陥位置を、多層膜３０の成膜の途中で特定するので、特定精度が良い。
【０１３３】
なお、本実施形態の品質管理方法は、第１の特定工程Ｓ２０１と、第２の特定工程Ｓ２０２の両方を有するとしたが、いずれか片方のみを有しても良い。いずれか片方を有していれば、特定精度が向上する。
【０１３４】
特定された欠陥位置は、仮基準マーク４０と基準マーク５０の位置関係に基づいて、基準マーク５０の位置を基準位置とする位置に換算され、フォトマスク１００の製造工程に供される。
【０１３５】
フォトマスク１００の製造工程で用いられる電子線描画装置、座標測定装置やマスク外観検査装置は、反射電子線や反射紫外線を検出して、基準マーク５０の位置を精度良く検出することができ、マスクブランク１０の供給元から提供された情報に基づいて、欠陥位置を精度よく知ることができる。
【０１３６】
なお、本実施形態の品質管理方法では、吸収層３４および低反射層３５の欠陥位置を特定する第３の特定工程Ｓ２０３が、基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０９（図９参照）の前に実施されるとしたが、工程Ｓ１０９の後に実施されてもよい。この場合、第３の特定工程Ｓ２０３では、仮基準マーク４０の代わりに、基準マーク５０の位置を基準位置として、欠陥位置を特定することができ、特定精度が向上する。
【０１３７】
［第５の実施形態］
上記第１の実施形態では、基準マーク５０が、仮基準マーク４０から十分に離れた位置に形成されている。
【０１３８】
これに対し、本実施形態では、基準マークが、平面視にて、仮基準マークと重なるように形成されている。
【０１３９】
以下、本実施形態によるマスクブランクの構成について説明するが、仮基準マークおよび基準マークの形状以外の構成については、第１の実施形態と同じ構成であるので、説明を省略する。
【０１４０】
図１１は、本発明の第５の実施形態によるＥＵＶＬ用のマスクブランクの断面図である。
【０１４１】
仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３に凹状または凸状（本実施形態では、凹状）に形成されている。また、基準マーク５０Ｂは、多層膜３０の表面３６に凹状または凸状（本実施形態では凹状）に形成されており、且つ、平面視にて、仮基準マーク４０と重なるように形成されている。
【０１４２】
そのため、マスクブランク１０Ａの品質管理方法において、仮基準マーク４０と基準マーク５０Ａの位置関係を検出する検出工程Ｓ２０４（図１０参照）、検出工程Ｓ２０４に続いて行われる換算工程Ｓ２０５（図１０参照）が不要となる。
【０１４３】
凹状の基準マーク５０Ｂは、図１１に示すように、多層膜３０のうち、少なくとも、最上層（基板２０側と反対側の最表層）を貫通するように形成されている。よって、上記第１の実施形態と同様に、基準マーク５０Ｂの表面５１Ｂ、５２Ｂの一部５２Ｂが、多層膜３０の最上層と異なる材料で構成されるので、基準マーク５０Ｂの位置を反射電子線や反射紫外線で精度良く検出することができる。
【０１４４】
凹状の基準マーク５０Ｂの内底面５２Ｂには、仮基準マーク４０の影響で、反射層３１、保護層３２、バッファー層３３、および吸収層３４が露出していてもよい。
【０１４５】
以上、本発明の第１〜第５の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に制限されない。本発明の範囲を逸脱することなく、上記の実施形態に種々の変形や置換を加えることができる。
【０１４６】
例えば、上記実施形態の多層基板は、ＥＵＶＬ用のマスクブランクであるとしたが、反射電子線、反射紫外線、軟Ｘ線などを用いて基準位置を検出するものであれば、特に限定されない。
【０１４７】
また、上記実施形態において、仮基準マークの形状と、基準マークの形状の組合せに制限はなく、凸状の仮基準マークと、凹状の基準マークを組み合わせて用いてもよいし、凹状の仮基準マークと、凸状の基準マークを組み合わせて用いてもよい。
【０１４８】
本出願は、２０１１年３月７日出願の日本特許出願２０１１−０４９４１４に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  多層基板（ＥＵＶＬ用のマスクブランク）
２０  基板
３０  多層膜
３１  反射層
３２  保護層
３３  バッファー層
３４  吸収層
３５  低反射層
３６  多層膜表面
４０  仮基準マーク
５０  基準マーク
５１  基準マークの段差面
５２  基準マークのオフセット面（内底面）
１００  フォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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