(57)【要約】  発熱量が小さく、小型で、低コストのアンチヒューズ回路を提供する。  本発明のアンチヒューズ回路は、相互に並列に接続された、検出回路とバイパス回路とを備え、検出回路は、過電圧により不可逆に低抵抗化するアンチヒューズ素子と、抵抗素子との直列回路を含み、バイパス回路は、アンチヒューズ素子と抵抗素子との接続点における電圧によって導通するトランジスタを含む構成とした。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に並列に接続された、検出回路とバイパス回路とを備えたアンチヒューズ回路であって、
前記検出回路は、アンチヒューズ素子と、当該アンチヒューズ素子に直列に接続された抵抗素子を含み、
前記バイパス回路は、前記アンチヒューズ素子と前記抵抗素子との接続点に、ベースが接続されたトランジスタを含む、アンチヒューズ回路。
【請求項２】
前記アンチヒューズ素子が、絶縁体薄膜層と、当該絶縁体薄膜層の両面にそれぞれ形成された下部電極層および上部電極層とを備え、過電圧が印加された場合に、前記絶縁体薄膜層の絶縁が破壊されるとともに、前記下部電極層と前記上部電極層とが溶融し、当該溶融した下部電極層と上部電極層とが融着して電気的に接続される、請求項１に記載されたアンチヒューズ回路。
【請求項３】
直列に接続された複数の発光素子を備えた発光回路であって、
前記発光素子のそれぞれと並列に、請求項１または２に記載されたアンチヒューズ回路が接続され、
前記アンチヒューズ回路の検出回路は、並列に接続された前記発光素子がオープン故障となった場合に、当該オープン故障を検出し、
前記発光素子がオープン故障となった状態を、前記検出回路が検出した場合に、前記アンチヒューズ回路のバイパス回路の前記トランジスタが導通する、発光回路。
【請求項４】
直列に接続された複数の発光素子を備えた発光回路であって、
前記複数の発光素子は複数の発光素子群に区分され、
前記発光素子群のそれぞれと並列に、請求項１または２に記載されたアンチヒューズ回路が接続され、
前記アンチヒューズ回路の検出回路は、並列に接続された前記発光素子群の中の少なくとも１つの発光素子がオープン故障となった場合に、当該オープン故障を検出し、
前記発光素子がオープン故障となった状態を、前記検出回路が検出した場合に、前記アンチヒューズ回路のバイパス回路の前記トランジスタが導通する、発光回路。
【請求項５】
前記発光素子がＬＥＤ素子である、請求項３または４に記載された発光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンチヒューズ回路に関し、さらに詳しくは、発熱量が小さく、小型で、低コストのアンチヒューズ回路に関する。【０００２】
また本発明は、上記アンチヒューズ回路を用いた発光回路に関する。
【背景技術】
【０００３】
近時、大電流（数百ｍＡ以上）を流せるＬＥＤ素子が開発され、これを用いた非常に明るい発光回路が実用化されている。そして、この発光回路において、電力を効率的に利用するためには、複数のＬＥＤ素子を直列に接続することが有効である。【０００４】
しかしながら、複数のＬＥＤ素子を直列に接続した発光回路においては、複数のＬＥＤ素子のうちの１つのＬＥＤ素子がオープン故障となった場合においても、全てのＬＥＤ素子が消灯してしまうという問題があった。【０００５】
この問題を解決する方法として、直列に接続された複数のＬＥＤ素子のそれぞれと並列に、ＬＥＤ素子がオープン故障となった場合に機能するアンチヒューズ回路を接続する方法が考えられる。すなわち、ＬＥＤ素子がオープン故障となった場合、そのＬＥＤ素子と並列に接続されたアンチヒューズ回路に電流を迂回させ、直列に接続された他のＬＥＤ素子の発光を維持するものである。【０００６】
そして、そのアンチヒューズ回路に、たとえば、特許文献１（特許第３８９５０９９号公報）や特許文献２（特許第３２５６６０３号公報）に開示されるような、半導体デバイス（ＦＰＧＡ；Field Programmable Gate Array）用アンチヒューズ素子を用いることが考えられる。このアンチヒューズ素子は、過電圧が印加されると不可逆に低抵抗化し、バイパス回路として機能する。【０００７】
しかしながら、このアンチヒューズ素子は、数十ｍＡ以上の電流を安定的に通電することができず、数十〜数百ｍＡ以上の電流量のＬＥＤ素子に対するアンチヒューズ回路には用いることができなかった。【０００８】
そこで、特許文献３（特開２００８−１３１００７号公報）に開示された発光回路では、ＬＥＤ素子のオープン故障を検出する検出回路と、ＬＥＤ素子のオープン故障の場合に電流を迂回させるバイパス回路とでアンチヒューズ回路を構成し、そのアンチヒューズ回路を各ＬＥＤ素子と並列に接続するようにしている。【０００９】
図４に、特許文献３に開示された発光回路３００を示す。【００１０】
発光回路３００は、複数のＬＥＤ素子１０１が直列に接続され、各ＬＥＤ素子１０１それぞれと並列に、アンチヒューズ回路１０２が接続されている。【００１１】
アンチヒューズ回路１０２は、相互に並列に接続された、検出回路１０３とバイパス回路１０４とで構成されている。そして、検出回路１０３は、抵抗１０３Ｒ1と抵抗１０３Ｒ2との直列回路と、抵抗１０３Ｒ1と抵抗１０３Ｒ2との接続点に一端が接続された抵抗１０３Ｒ3とで構成されている。また、バイパス回路１０４は、制御整流素子としてのサイリスタ１０４Ｔで構成されている。そして、検出回路１０３の抵抗１０３Ｒ3の他端が、バイパス回路１０４のサイリスタ１０４Ｔのゲートに接続されている。【００１２】
なお、抵抗１０３Ｒ1に代えて、ツェナダイオードを用いることもできる。また、サイリスタ１０４Ｔに代えて、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタとを組合せて、サイリスタと同様の機能をもたせることもできる。また、サイリスタ１０４Ｔに代えて、双方向サイリスタを用いても良い。なお、抵抗１０３Ｒ3は、サイリスタ１０４Ｔの破壊を防止するためのものである。【００１３】
発光回路３００において、ＬＥＤ素子１０１がオープン故障を起こすと、そのＬＥＤ素子１０１と並列に接続された検出回路１０３の抵抗１０３Ｒ1と抵抗１０３Ｒ2との接続点における電圧が上昇し、バイパス回路１０４のサイリスタ１０４Ｔのゲートに電流が流入する。この結果、サイリスタ１０４Ｔはオンし、アノードとカソードとの間を通電させる。【００１４】
サイリスタ１０４Ｔは、ゲート電流がゼロになってもオン状態を維持し、アノードとカソードとの間がゼロ電圧または逆電圧になるまで、大電流を通電し続けることができる。したがって、サイリスタ１０４Ｔがオンした後は、ＬＥＤ素子１０１の順方向電圧よりも低い電圧で大電流を流し続けることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許第３８９５０９９号公報
【特許文献２】特許第３２５６６０３号公報
【特許文献３】特開２００８−１３１００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上述した従来の発光回路３００には、次のような問題があった。【００１７】
まず、発光回路３００には、アンチヒューズ回路１０２のバイパス回路１０４に使用される、サイリスタ１０４Ｔの形状が大きく、かつ高コストであるため、バイパス回路１０４、アンチヒューズ回路１０２、ひいては発光回路３００が大きく、かつ高コストになってしまうという問題があった。【００１８】
すなわち、サイリスタ１０４Ｔは、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタとを組合せた複合回路と等価であり、一般に、トランジスタと比較して形状が大きく高価である。発光回路３００においては、ＬＥＤ素子１０１と同数のサイリスタ１０４Ｔが使用されているため、発光回路３００全体として大型化、高コスト化をまねく原因となっていた。【００１９】
また、発光回路３００には、ＬＥＤ素子１０１の通電中（オープン故障していない状態）に静電気などが印加されると、検出回路１０３が過電圧として検出してしまい、サイリスタ１０４Ｔがオンし、誤作動してしまうという問題があった。【００２０】
上述のとおり、サイリスタ１０４Ｔは、ゲート電流がゼロになってもオン状態を維持し、アノードとカソードとの間を通電させる。この結果、サイリスタ１０４Ｔと並列に接続されたＬＥＤ素子１０１は、定格電圧を得ることができなくなり、オープン故障していないにもかかわらず消灯してしまうという、深刻な問題が生じていた。【００２１】
これらの問題を解決する方法として、発光回路３００のサイリスタ１０４Ｔを、トランジスタに置き換えることが考えられる。上述のとおり、トランジスタは、サイリスタ１０４Ｔに比較して、形状が小さく安価である。また、トランジスタは、ベース電流を変化させると、コレクタとエミッタとの間の抵抗値が自在に変化する素子であり、ベースから微小電流を投入すると、コレクタとエミッタとの間に、その数百倍の電流が発生するものである。したがって、静電気などが印加された場合、その瞬間にオンすることがあっても、すぐにターンオフするため、オープン故障していないＬＥＤ素子１０１が定格電圧を得られなくなり、消灯してしまうことがない。【００２２】
しかしながら、サイリスタ１０４Ｔをトランジスタに置き換えると、発熱量が大きくなるという別の問題が発生する。上述のとおり、トランジスタは、ベース電流に応じてコレクタとエミッタとの間の抵抗が変化する素子であることから、コレクタとエミッタとの間に電流を流し続けるためには、常にトランジスタをオンした状態（検出回路１０３にＬＥＤ素子１０１の定格電圧以上の電圧がかかった状態）を維持し続ける必要がある。この場合、ＬＥＤ素子１０１の順方向電圧よりも高い電圧を印加し続けることで通電状態を維持するアンチヒューズ回路となるため、その発熱量が１個のＬＥＤ素子の発熱量よりも大きくなってしまうという、新たな問題が発生するのである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明は、上述した、従来技術の有する問題点を解決するためになされたものである。その手段として、本発明のアンチヒューズ回路は、相互に並列に接続された、検出回路とバイパス回路とを備え、検出回路は、アンチヒューズ素子と、そのアンチヒューズ素子に直列に接続された抵抗素子を含み、バイパス回路は、前記アンチヒューズ素子と前記抵抗素子との接続点に、ベースが接続されたトランジスタを含む構成とした。この結果、本発明のアンチヒューズ回路は、形状が小さく、低コストで、作動した場合の発熱量を小さく抑えることができる。【００２４】
なお、アンチヒューズ素子は、絶縁体薄膜層と、当該絶縁体薄膜層の両面にそれぞれ形成された下部電極層および上部電極層とを備え、過電圧が印加された場合に生じる発熱により、絶縁体薄膜層の絶縁が破壊されるとともに、下部電極層と上部電極層とが溶融し、溶融した下部電極層と上部電極層とが融着して電気的に接続される構造とすることができる。この場合には、静電気などによる誤作動を回避することができる。【００２５】
また、本発明のアンチヒューズ回路を用いて、発光回路を構成することができる。この場合には、本発明のアンチヒューズ回路の利点を備えた発光回路となる。
【発明の効果】
【００２６】
上記構成からなる本発明のアンチヒューズ回路は、バイパス回路に、サイリスタに替えてトランジスタを使用しているため、形状が小さく、低コストである。【００２７】
また、検出回路に使用されるアンチヒューズ素子は、一度低抵抗化すると不可逆なものであり、発光素子（ＬＥＤなど）のオープン故障を検出し、作動した後は、発光素子の定格電圧以下でも一定の電流を通電し、トランジスタにコレクタ‐エミッタ間の電流を維持し続けるためのベース電流を供給することができる。すなわち、本発明のアンチヒューズ回路は、発光素子の定格電圧以下でトランジスタのオン状態を維持するように設計することが可能であり、作動時の発熱量を、発光素子の発熱量よりも小さく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる発光回路１００を示す回路図である。
【図２】図１に示す本発明の第１実施形態にかかる発光回路に使用されるアンチヒューズ素子の一例を示し、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の矢印Ｘ‐Ｘ部分の断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる発光回路２００を示す回路図である。
【図４】従来の発光回路３００を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態にかかる発光回路１００の回路図を示す。
【００３１】
発光回路１００は、複数のＬＥＤ素子１が直列に接続され、各ＬＥＤ素子１それぞれと並列に、アンチヒューズ回路２が接続されている。
【００３２】
アンチヒューズ回路２は、相互に並列に接続された、検出回路３とバイパス回路４とで構成されている。そして、検出回路３は、アンチヒューズ素子３ＡＦと抵抗３Ｒ1との直列回路と、アンチヒューズ素子３ＡＦと抵抗３Ｒ1との接続点に一端が接続された抵抗３Ｒ2とで構成されている。また、バイパス回路４は、制御整流素子としてのトランジスタ４Ｔｒで構成されている。そして、検出回路３の抵抗３Ｒ2の他端が、バイパス回路４のトランジスタ４Ｔｒのベースに接続されている。
【００３３】
トランジスタ４Ｔｒは、アンチヒューズ素子３ＡＦを通じてベースから投入される電流の数百倍の電流を、コレクタ‐エミッタ間に発生させる。
【００３４】
抵抗３Ｒ1は、ＬＥＤ素子１両端にかかる電圧を、アンチヒューズ素子３ＡＦと分圧することで、アンチヒューズ素子３ＡＦを安定して作動させ、アンチヒューズ素子３ＡＦの作動後には、アンチヒューズ素子３ＡＦの通電電流を抑制する機能を有する。
【００３５】
抵抗３Ｒ2は、トランジスタ４Ｔｒの破壊を防止する機能を有する。
【００３６】
本実施形態においては、電源（図示せず）に、１Ａの定電流電源（電圧の上限は２０Ｖ以上）を用いた。また、抵抗３Ｒ1に３３０Ωの抵抗素子を、抵抗３Ｒ2に１０Ωの抵抗素子をそれぞれ用いた。さらに、トランジスタ４Ｔｒに、ベース‐エミッタ間の電圧が０．６Ｖで、１ｍＡの電流がベース‐エミッタ間に流れるものを用いた。
【００３７】
本実施形態の発光回路１００のアンチヒューズ回路２は、次のように作動する。
【００３８】
まず、ＬＥＤ素子１が正常に作動している場合には、たとえばＬＥＤ素子１のＶＦ値を３Ｖとすると、アンチヒューズ素子３ＡＦ（数ＭΩ）と抵抗３Ｒ1（３３０Ω）とで３Ｖの電圧が分圧されるが、ほぼ全ての電圧がアンチヒューズ素子３ＡＦ側に印加される。この時、アンチヒューズ素子３ＡＦにはわずかにリーク電流が発生するが、トランジスタ４Ｔｒのベース‐エミッタ間の抵抗と比べると抵抗３Ｒ1の抵抗の方が低いので、このリーク電流は抵抗３Ｒ1側に流れる。そのため、トランジスタ４Ｔｒはオン状態にはならず、コレクタ‐エミッタ間に電流はほとんど流れない。
【００３９】
一方、ＬＥＤ素子１がオープン故障となり、このＬＥＤ素子１の両端に２０Ｖ以上の電圧が印加された場合、アンチヒューズ素子３ＡＦにもほぼ同等の２０Ｖ以上の電圧が印加される。アンチヒューズ素子３ＡＦは、２０Ｖ以上の電圧が印加されると作動し、不可逆に低抵抗化（数Ω）する。その結果、トランジスタ４Ｔｒのベース‐エミッタ間に印加される電圧が増大し、トランジスタ４Ｔｒがオン状態になるので、ベースに投入された電流量に応じて、コレクタ‐エミッタ間電流が発生し、ベース電流とコレクタ‐エミッタ間電流の和が１Ａ（電源の最大電流量）となるように、両者の電流量が調整される。本実施形態においては、アンチヒューズ素子３ＡＦに通電する電流量が約８．６ｍＡ、コレクタ‐エミッタ間電流が約９９０ｍＡであり、ＬＥＤ素子１の両端電圧は１．１８Ｖであった。
【００４０】
アンチヒューズ素子３ＡＦには、たとえば、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す構造からなるアンチヒューズ素子１３ＡＦを用いることができる。ただし、図２（Ａ）は、アンチヒューズ素子１３ＡＦを示す平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の矢印Ｘ‐Ｘ部分の断面図である。（図２（Ａ）、（Ｂ）においては、便宜上、アンチヒューズ素子を示す符号を「１３ＡＦ」とした。）
アンチヒューズ素子１３ＡＦは、絶縁体薄膜層２１と、その両面に形成された下部電極層２２および上部電極層２３とを基本要素とする。そして、過電圧が印加されると、発熱により、絶縁体薄膜層２１の絶縁が破壊されるとともに、下部電極層２２および上部電極層２３とが溶融し、下部電極層２２および上部電極層２３とが融着して電気的に接続され、不可逆に低抵抗化するものである。以下、アンチヒューズ素子１３ＡＦの、より具体的な構造について説明する。
【００４１】
アンチヒューズ素子１３ＡＦは、基板２４を備える。基板２４には、たとえばＳｉ単結晶基板が用いられる。基板２４の表面には、絶縁性を確保するため、酸化物層２５が形成されている。酸化物層２５には、たとえばＳｉＯ2が用いられる。さらに、酸化物層２５上には、密着層２６が形成されている。密着層２６は、酸化物層２５と、次に説明する下部電極層２２との密着性を確保するためのものであり、たとえば次に説明する絶縁体薄膜層２１と同じ材質が用いられる。
【００４２】
そして、密着層２６上に、下部電極層２２、絶縁体薄膜層２１、上部電極層２３が順に形成されている。下部電極層２２、上部電極層２３には、たとえばＰｔＡｕなどが用いられる。下部電極層２２、上部電極層２３の厚みは、たとえば１００〜５００ｎｍ程度である。また、絶縁体薄膜層２１には、たとえば（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ3（以下「ＢＳＴ」という）、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15などが用いられる。絶縁体薄膜層２１の厚みは、たとえば５０〜２００ｎｍ程度である。
【００４３】
そして、上部電極層２３上には、必要に応じて、上部絶縁層２７が形成されている。上部絶縁層２７は、上部電極層２３などからのリーク電流を低減するためのものであり、ここにも、たとえば絶縁体薄膜層２１と同じ材質が用いられる。
【００４４】
そして、これらの上に、さらに、無機保護層２８、有機保護層２９が形成されている。無機保護層２８、有機保護層２９は、両者で、内部に水分が侵入するのを防ぐなどのために形成されたものであり、無機保護層２８には、たとえばＳｉＮX、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2などが、有機保護層２９には、たとえばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが用いられる。
【００４５】
そして、下部電極層２２は、ビアホール３１ａ、引出電極３２ａを経由して外部電極３３ａに、上部電極層２３は、ビアホール３１ｂ、引出電極３２ｂを経由して外部電極３３ｂに引出されている。なお、引出電極３２ａ、３２ｂは有機保護層２９上に形成され、外部電極３３ａ、３３ｂは引出電極３２ａ、３２ｂ上に形成されている。
【００４６】
そして、外部電極３３ａ、３３ｂを外部に露出させて、全体に第２の有機保護層３０が形成されて、アンチヒューズ素子１３ＡＦは構成されている。第２の有機保護層３０にも、たとえばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが用いられる。
【００４７】
かかる構造からなるアンチヒューズ素子１３ＡＦは、たとえば次の方法で製造される。なお、以下の説明において、各要素に用いる材質や材料は一例である。
【００４８】
まず、たとえば、表面にＳｉＯ2からなる酸化物層２５が形成された、ＳｉＯ2からなる基板２４を用意する。
【００４９】
次に、酸化物層２５上に、化学溶液堆積法（ＣＳＤ：Chemical  Solution  Deposition）で、ＢＳＴからなる密着層２６を形成する。具体的には、ＢＳＴを含む誘電体原料溶液をスピンコートにより塗布し、乾燥させ、加熱処理して形成する。
【００５０】
次に、密着層２６上に、スパッタリング法により、Ｐｔからなる下部電極層２２を形成する。
【００５１】
次に、下部電極層２２上に、密着層２６と同様の方法で、ＢＳＴからなる絶縁体薄膜層２１を形成する。
【００５２】
次に、絶縁体薄膜層２１上に、下部電極層２２と同様の方法で、Ｐｔからなる上部電極層２３を形成する。
【００５３】
次に、上部電極層２３上に、密着層２６や絶縁体薄膜層２１と同様の方法で、ＢＳＴからなる上部絶縁層２７を形成する。
【００５４】
次に、上部絶縁層２７、上部電極層２３をエッチングして所定の形状とし、続いて絶縁体薄膜層２１、下部電極層２２、密着層２６をエッチングして所定の形状とする。なお、このとき、上部絶縁層２７、上部電極層２３には、ビアホール３１ａを通すための開口を設けておく。
【００５５】
次に、これらの積層構造に熱処理をおこなう。
【００５６】
次に、これらの積層構造上に、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ：Plasma  Enhanced  Chemical  Vapor Deposition）で、ＳｉＯXからなる無機保護層２８を形成する。
【００５７】
次に、無機保護層２８上に、ポリイミド樹脂からなる有機保護層２９を形成する。具体的には感光性ポリイミドをスピンコートし、露光、現像、キュアすることにより形成する。
【００５８】
次に、有機保護層２９をマスクパターンとして利用し、ＣＨＦ3ガスを用いて無機保護層２８をパターニングする。このとき、開口を形成し、下側電極層２２および上側電極層２３をそれぞれ露出させておく。
【００５９】
次に、無機保護層２８、有機保護層２９に形成された開口にビアホール３１ａ、３１ｂ、有機保護層２９上に引出電極３２ａ、３２ｂを形成する。具体的には、たとえば、マグネトロンスパッタを用いて、Ｔｉ層、Ｃｕ層を連続的に形成し、開口を埋めてビアホール３１ａ、３１ｂを形成するとともに、有機保護層２９上全面に金属膜を形成する。そして、その金属膜を、レジスト塗布、露光、現像によって形成したレジストパターンをマスクにして、イオンミリングを用いて所定のパターンにして引出電極３２ａ、３２ｂを形成する。
【００６０】
次に、開口により、引出電極３２ａ、３２ｂをそれぞれ部分的に露出させて、第２の有機保護層３０を形成する。具体的には、感光性樹脂材料をスピンコートで塗布し、露光、現像、キュアすることにより、エポキシ樹脂層を得る。
【００６１】
最後に、第２の有機保護層３０の開口から露出した引出電極３２ａ、３２ｂ上に、たとえば電解めっきにより、Ｎｉ層、Ａｕ層を順に形成し、外部電極３３ａ、３３ｂを形成して、アンチヒューズ素子１３ＡＦを完成させる。
【００６２】
上述した構造からなり、上述した方法で製造し得るアンチヒューズ素子１３ＡＦは、１〜１００ｎＦ程度と静電容量が大きく、静電気が印加されても、一時的に電荷を蓄えることができるため、作動しない。したがって、このアンチヒューズ素子１３ＡＦを、本実施形態にかかる発光回路１００のアンチヒューズ素子３ＡＦとして用いれば、ＬＥＤ素子１通電中（オープン故障となっていない状態）に静電気が印加されても、作動することがない。すなわち、静電気により誤作動することがない。
【００６３】
以上、第１実施形態にかかる発光回路１００について説明した。しかしながら、本発明が上記の内容に限定されることはなく、発明の主旨に沿って設計変更をなすことができる。たとえば、抵抗３Ｒ1、抵抗３Ｒ1の抵抗値、トランジスタ４Ｔｒの特性などは上記には限定されず、変更をなすことができる。また、使用するアンチヒューズ素子も、符号１３ＡＦとして示した構造のものには限定されず、過電圧により不可逆に低抵抗化するものであれば、他の構造のものも使用することができる。
【００６４】
（第２実施形態）
図３に、本発明の第２実施形態にかかる発光回路２００の回路図を示す。
【００６５】
発光回路２００では、２つのＬＥＤ素子１Ａと１Ｂとで１つのＬＥＤ素子群が構成され、このＬＥＤ素子群のそれぞれと並列に、アンチヒューズ回路２が接続されている。なお、アンチヒューズ回路２は、上述した第１実施形態にかかる発光回路１００で使用したものと同じものである。
【００６６】
発光回路２００においては、ＬＥＤ素子の総数に対して、使用するアンチヒューズ回路２の個数を１／２にすることができる。ただし、ＬＥＤ素子１Ａ、１Ｂのいずれか一方がオープン故障となった場合であっても、ＬＥＤ素子群として、ＬＥＤ素子１Ａ、１Ｂの両方が消灯する。もちろん、この場合においても、他のＬＥＤ素子群の点灯は維持できる。
【符号の説明】
【００６７】
１：ＬＥＤ素子
２：アンチヒューズ回路
３：検出回路（アンチヒューズ回路の一部）
３ＡＦ、１３ＡＦ：アンチヒューズ素子
３Ｒ1、３Ｒ2：抵抗
４：バイパス回路（アンチヒューズ回路の一部）
４Ｔｒ：トランジスタ
２１：絶縁体薄膜層
２２：下部電極層
２３：上部電極層
２４：基板
２５：酸化物層
２６：密着層
２７：上部絶縁層
２８：無機保護層
２９：有機保護層
３０：第２の有機保護層
３１ａ、３１ｂ：ビアホール
３２ａ、３２ｂ：引出電極
３３ａ、３３ｂ：外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2012144432.tif 000008
2012144432.tif 000009