(57)【要約】  基板の表面にレジストパターンが形成され、基板の外周部において基板の基体表面が露出している基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、基板を支持する支持部６と、支持部６に支持されている基板の外周部を覆うように設けられており、プラズマが基板の外周部に回り込むことを防止するカバー部材５と、高周波電力の印加とエッチング用の処理ガスの供給とを制御することにより生成したプラズマによって、外周部がカバー部材５に覆われた状態で、支持部に支持されている基板にエッチングを行い、該エッチング後、高周波電力の印加とアッシング用の処理ガスの供給とを制御することにより生成したプラズマによって、エッチングが行われた基板のレジストパターンのアッシングを行う照射部２、１６とを有する。
2012133585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記基板の外周部において前記基板の基体表面が露出している前記基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、
前記基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持されている前記基板の前記外周部を覆うように設けられており、プラズマが前記基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材と、
高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材に覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記基板にエッチングを行い、該エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記基板の前記レジストパターンのアッシングを行う制御部と
を有する、プラズマエッチング装置。
【請求項２】
複数の基板が接着剤を介して貼り合わされた、貼り合わせ基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記貼り合わせ基板の外周部において前記接着剤が露出している前記貼り合わせ基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、
前記貼り合わせ基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板の前記外周部を覆うように設けられており、プラズマが前記貼り合わせ基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材と、
高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材に覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板にエッチングを行い、該エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記貼り合わせ基板の前記レジストパターンのアッシングを行う制御部と
を有する、プラズマエッチング装置。
【請求項３】
前記基板は、円板状であるとともに、前記基板の外縁から第１の所定幅の領域において前記基体表面が露出しているものであり、
前記カバー部材は、リング形状を有するとともに、前記カバー部材の内径が、前記基板の外径と、前記第１の所定幅とに基づいて定められたものである、請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記カバー部材は、前記カバー部材の内径が、前記基板の外径と、前記第１の所定幅と、前記カバー部材に対する前記基板の相対位置の位置決め精度に応じた第２の所定幅とに基づいて定められたものである、請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記基板の外周部において前記基板の基体表面が露出している前記基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、
前記基板を支持部により支持する工程と、
プラズマが前記基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材を、前記支持部に支持されている前記基板の前記外周部を覆うように配置する工程と、
高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材に覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記基板にエッチングを行う工程と、
前記エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記基板の前記レジストパターンのアッシングを行う工程と
を有する、プラズマエッチング方法。
【請求項６】
複数の基板が接着剤を介して貼り合わされた、貼り合わせ基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記貼り合わせ基板の外周部において前記接着剤が露出している前記貼り合わせ基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、
前記貼り合わせ基板を支持部により支持する工程と、
プラズマが前記貼り合わせ基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材を、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板の前記外周部を覆うように配置する工程と、
高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材により覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板にエッチングを行う工程と、
前記エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記貼り合わせ基板の前記レジストパターンのアッシングを行う工程と
を有する、プラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記基板は、円板状であるとともに、前記基板の外縁から第１の所定幅の領域において前記基体表面が露出しているものであり、
前記カバー部材は、リング形状を有するとともに、前記カバー部材の内径が、前記基板の外径と、前記第１の所定幅とに基づいて定められたものである、請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
前記カバー部材は、前記カバー部材の内径が、前記基板の外径と、前記第１の所定幅と、前記カバー部材に対する前記基板の相対位置の位置決め精度に応じた第２の所定幅とに基づいて定められたものである、請求項７に記載のプラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造分野では、微細化によって集積度を上げる試みが多く行われてきた。また、近年では三次元実装と呼ばれる半導体装置の積層によって単位面積あたりの集積度を上げる試みが盛んに行われている。【０００３】
縦方向に積層された半導体装置は、例えばシリコンよりなる基板を貫通して形成された電極を具備しており、この電極を介して電気的に接続されるようになっている。このような基板を貫通する電極を形成する際には、塗布装置を用いて基板にレジストを塗布し、露光装置を用いて露光を行った後、現像装置により現像を行ってレジストパターンを形成する。そして、形成したレジストパターンをマスクとして、プラズマエッチング装置を用いて基板をエッチングすることによって、貫通孔又はビアホールを形成する。また、基板に貫通孔又はビアホールを形成した後は、基板に残存するレジストをアッシングして除去する。【０００４】
上記したエッチングをプラズマエッチング装置を用いて行う際、基板の外周部にまでレジストが塗布されていると、基板の搬送中に基板のキャリアや搬送アームと接触して剥がれてしまい、ダストが発生するおそれがある。そのため、基板にレジストを塗布した後、塗布装置に備えられた有機溶剤によるバックリンス機構やベベルリンス機構によって、裏面、ベベルを含めた外周部のレジストを除去する。これにより、基板の外周部におけるレジストの剥がれによるダストの発生を防止することができる（例えば特許文献１参照。）。【０００５】
あるいは、基板の外周部におけるレジストの剥がれによるダストの発生を防止するために、レジストを基板上に成膜し、基板全面にパターン露光を行った後、基板の外周部におけるレジストを現像液により不溶化する処理を行うことがある（例えば特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２９５６３６号公報
【特許文献２】特開２０００−３３１９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記のような、外周部におけるレジストが除去された基板を用いて、レジストパターンをマスクとしてエッチングし、基板に残存するレジストをアッシングして除去する場合、次のような問題がある。【０００８】
プラズマエッチング装置によりエッチングを行う際、基板のベベル領域において基板の基体表面が露出しているため、露出した基体表面がプラズマに曝されることによって表面荒れが生ずる、いわゆるブラックシリコンが発生することがある。例えば、基板の表面に塗布されたレジストが基板の外縁から所定幅の領域において除去されているとき、その領域において、基板の表面及び裏面の両面にブラックシリコンが発生することがある。【０００９】
ブラックシリコンの発生を抑制するためには、特許文献１、２に示すように、基板の外縁から所定幅の領域をレジストにより保護すればよいとも考えられる。しかし、所定幅の領域をレジストにより保護するときは、前述したように、基板の搬送中にレジストが剥がれてダストが発生するおそれがある。【００１０】
また、上記した課題は、１枚の基板をエッチングする場合に限られない。例えば、複数の基板を接着剤により貼り合わせた、貼り合わせ基板をエッチングする場合、貼り合わせ基板の外縁では接着剤が露出している。そのため、露出した接着剤がプラズマに曝されることによって、接着剤が剥がれてダストが発生するか、又は、基板同士が剥がれるおそれがある。更には、貼り合わせ基板の外周部が脆性化するか、又は、クラックが発生するおそれがある。【００１１】
上記課題に対して、本発明の目的とするところは、レジストパターンが形成された基板をエッチングする際に、基板の外周部を保護することができるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のある態様によれば、基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記基板の外周部において前記基板の基体表面が露出している前記基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記基板を支持する支持部と、前記支持部に支持されている前記基板の前記外周部を覆うように設けられており、プラズマが前記基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材と、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材に覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記基板にエッチングを行い、該エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記基板の前記レジストパターンのアッシングを行う制御部とを有する、プラズマエッチング装置が提供される。【００１３】
また、本発明の他の態様によれば、複数の基板が接着剤を介して貼り合わされた、貼り合わせ基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記貼り合わせ基板の外周部において前記接着剤が露出している前記貼り合わせ基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記貼り合わせ基板を支持する支持部と、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板の前記外周部を覆うように設けられており、プラズマが前記貼り合わせ基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材と、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材に覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板にエッチングを行い、該エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記貼り合わせ基板の前記レジストパターンのアッシングを行う制御部とを有する、プラズマエッチング装置が提供される。【００１４】
また、本発明の他の態様によれば、基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記基板の外周部において前記基板の基体表面が露出している前記基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、前記基板を支持部により支持する工程と、プラズマが前記基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材を、前記支持部に支持されている前記基板の前記外周部を覆うように配置する工程と、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材に覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記基板にエッチングを行う工程と、前記エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記基板の前記レジストパターンのアッシングを行う工程とを有する、プラズマエッチング方法が提供される。【００１５】
また、本発明の他の態様によれば、複数の基板が接着剤を介して貼り合わされた、貼り合わせ基板の表面にレジストパターンが形成されているとともに、前記貼り合わせ基板の外周部において前記接着剤が露出している前記貼り合わせ基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、前記貼り合わせ基板を支持部により支持する工程と、プラズマが前記貼り合わせ基板の前記外周部に回り込むことを防止するカバー部材を、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板の前記外周部を覆うように配置する工程と、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第1の処理ガス供給源からのエッチング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、前記外周部が前記カバー部材により覆われた状態で、前記支持部に支持されている前記貼り合わせ基板にエッチングを行う工程と、前記エッチング後、高周波電力源からの高周波電力の印加と、第２の処理ガス供給源からのアッシング用の処理ガスの供給とを制御することによりプラズマを生成し、生成したプラズマにより、エッチングが行われた前記貼り合わせ基板の前記レジストパターンのアッシングを行う工程とを有する、プラズマエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、レジストパターンが形成された基板をエッチングする際に、基板の外周部を保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】ベベルカバーリングの周辺を拡大して模式的に示す断面図である。
【図３】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図４】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図５】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その３）である。
【図６】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その４）である。
【図７】上側リング部材の庇部により覆われた状態で静電チャックに支持されているウェハの状態を拡大して示す断面図である。
【図８】ウェハの外周部を覆う上側カバー部材が設けられていない場合に、ウェハの外周部においてウェハの基体表面に表面荒れが生ずる様子を説明するための断面図である。
【図９】ウェハに形成される貫通孔が傾斜する様子を説明するための断面図である。
【図１０】エッチングにより形成された貫通孔の中心軸の垂直方向からの傾斜角を、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。
【図１１】実施例１、２の異なる条件を用いてアッシングしたときのレジストのアッシングレートを、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。
【図１２】アッシングの前後におけるレジスト膜の厚さを、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。
【図１３】貼り合わせウェハの構成を模式的に示す断面図である。
【図１４Ａ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図１４Ｂ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図１４Ｃ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図１５Ａ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図１５Ｂ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図１５Ｃ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図１６】形成される貫通孔Ｖの水平方向に対する角度θをウェハの中心からの距離の異なる各点で測定した結果を示した表である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置について説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す概略断面図である。
【００２０】
プラズマエッチング装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。この処理チャンバー１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）Ｗを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。この載置台２は、導体の支持台４に支持され、絶縁板３を介して処理チャンバー１の底部に載置されている。また、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
【００２１】
載置台２の上方の外周には、ベベルカバーリング５が設けられている。ベベルカバーリング５の詳細な構成については、後述する。なお、ベベルカバーリング５は、プラズマが基板の外周部に回り込むことを防止するカバー部材に相当する。
【００２２】
載置台２には、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用のものであり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定周波数（２７ＭＨｚ以上例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）のものであり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い所定周波数（１３．５６ＭＨｚ以下、例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられており、シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能するようになっている。
【００２３】
なお、上部電極であるシャワーヘッド１６から処理チャンバ１内に導入されるエッチング用の処理ガスから、下部電極である載置台２に印加された高周波電力を用いてプラズマを生成し、生成されたプラズマにより外周部がカバー部材に覆われた状態でウエハＷにエッチング処理が施される。また、エッチング処理後、処理チャンバ１内に導入されるアッシング用の処理ガスから、下部電極に印加された高周波電力を用いてプラズマを生成し、生成されたプラズマにより外周部がカバー部材に覆われた状態でウエハＷにアッシング処理が施される。これらの処理は、制御部９０により制御される。
【００２４】
載置台２の上面には、ウェハＷを静電吸着することによって支持する静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして、電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、電極６ａとウェハＷとの間にクーロン力が発生し、発生したクーロン力によってウェハＷが吸着されるように構成されている。このようにして、ウェハＷは静電チャック６に支持される。
【００２５】
なお、載置台２及び静電チャック６は、基板を支持する基板支持部に相当する。
【００２６】
支持台４の内部には、冷媒流路４ａが形成されており、冷媒流路４ａには、冷媒入口配管４ｂ、冷媒出口配管４ｃが接続されている。そして、冷媒流路４ａの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、支持台４及び載置台２を所定の温度に制御可能となっている。また、載置台２等を貫通するように、ウェハＷの裏面側にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのバックサイドガス供給配管３０が設けられており、このバックサイドガス供給配管３０は、図示しないバックサイドガス供給源に接続されている。これらの構成によって、載置台２の上面に静電チャック６によって吸着保持されたウェハＷを、所定の温度に制御可能となっている。
【００２７】
前述したシャワーヘッド１６は、処理チャンバー１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材１７を介して処理チャンバー１の上部に支持されている。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
【００２８】
本体部１６ａの内部には、ガス拡散室１６ｃが設けられ、このガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、本体部１６ａの底部には、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。また、上部天板１６ｂには、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、上記したガス通流孔１６ｄと端部にて連通するように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理チャンバー１内にシャワー状に分散されて供給されるようになっている。なお、本体部１６ａ等には、冷媒を循環させるための図示しない配管が設けられており、プラズマエッチング処理中にシャワーヘッド１６を所望温度に冷却できるようになっている。
【００２９】
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへエッチング用の処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｆが形成されている。このガス導入口１６ｆにはガス供給配管１４ａが接続されており、このガス供給配管１４ａの他端には、エッチング用の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給源１４が接続されている。ガス供給配管１４ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１４ｂ、及び開閉弁Ｖ１が設けられている。そして、第１の処理ガス供給源１４からプラズマエッチングのための処理ガスが、ガス供給配管１４ａを介してガス拡散室１６ｃに供給され、このガス拡散室１６ｃから、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理チャンバー１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００３０】
また、本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへアッシング用の処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。このガス導入口１６ｇにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、アッシング用の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給源１５が接続されている。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。そして、第２の処理ガス供給源１５からプラズマアッシングのための処理ガスが、ガス供給配管１５ａを介してガス拡散室１６ｃに供給され、このガス拡散室１６ｃから、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理チャンバー１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００３１】
前述した上部電極としてのシャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能となっている。可変直流電源７２の電流電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、後述する制御部９０によって制御されるようになっている。なお、後述のように、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ７３がオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
【００３２】
処理チャンバー１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
【００３３】
処理チャンバー１の底部には、排気口８１が形成されており、この排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理チャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバー１の側壁には、ウェハＷの搬入出口８４が設けられており、この搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
【００３４】
図中８６、８７は、着脱自在とされたデポシールドである。デポシールド８６は、処理チャンバー１の内壁面に沿って設けられ、処理チャンバー１にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する役割を有する。このデポシールド８６のウェハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。
【００３５】
次に、ベベルカバーリング５の詳細な構成について説明する。
【００３６】
図２は、ベベルカバーリング５の周辺を拡大して模式的に示す断面図である。
【００３７】
図１及び図２に示すように、ベベルカバーリング５は、上側リング部材５１、下側リング部材５２、リフトピン５３及び駆動機構５４を有する。
【００３８】
上側リング部材５１は、本体部５１ａ及び庇部５１ｂを有する。本体部５１ａは、リング形状を有している。庇部５１ｂは、リング形状を有する本体部５１ａの全周に亘り、本体部５１ａよりも径方向内側に突出するように設けられている。庇部５１ｂにより、静電チャック６に支持されているウェハＷの外周部ＷＥが庇部５１ｂにより覆われるように設けられている。上側リング部材５１は、庇部５１ｂにより、プラズマがウェハＷの外周部ＷＥに回り込むことを防止するためのものである。
【００３９】
上側リング部材５１として、石英、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を用いることができる。このうち、耐プラズマ性に優れている点で、イットリアを用いることが好ましい。また、後述する貫通孔の傾斜角の抑制の効果についても、図１６を用いて後述するように、イットリアを用いても、石英と略同等かそれ以上の効果を有する。
【００４０】
下側リング部材５２は、上側リング部材５１に対応したリング形状を有している。下側リング部材５２の上面には、リング形状の溝５２ａが形成されている。上側リング部材５１は、下側リング部材５２の上面に形成されたリング形状の溝５２ａに本体部５１ａが嵌合することによって、水平方向に拘束される。
【００４１】
下側リング部材５２は、周方向に沿って複数箇所（例えば３箇所）に、下側リング部材５２を上下に貫通する貫通孔５２ｂが形成されている。上側リング部材５１の貫通孔５２ｂに対応する部分には、突起部５１ｃが形成されている。上側リング部材５１は、下側リング部材５２に形成された貫通孔５２ｂに突起部５１ｃが嵌合することによって下側リング部材５２に対する周方向に沿った移動が拘束される。下側リング部材５２として、石英を用いることができる。
【００４２】
上側リング部材５１の突起部５１ｃの下面には、穴部５１ｄが形成されている。
【００４３】
リフトピン５３は、上側リング部材５１に形成された穴部５１ｄに対応して静電チャック６に形成された穴部６ｃ内に、上下動可能に設けられており、駆動機構５４により上下駆動される。リフトピン５３が上昇するとき、リフトピン５３の先端が、上側リング部材５１の穴部５１ｄの上面を押し上げることによって、上側リング部材５１が上昇する。
【００４４】
なお、静電チャック６は、リフトピン６１及び駆動機構６２を有する。リフトピン６１２は、静電チャック６に形成された穴部６ｄ内に、上下動可能に設けられており、駆動機構６２により上下駆動される。リフトピン６１が上昇するとき、リフトピン６１の先端が、ウェハＷを押し上げることによって、ウェハＷが上昇する。
【００４５】
上記構成のプラズマエッチング装置は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部９０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置の各部を制御するプロセスコントローラ９１と、ユーザインターフェース９２と、記憶部９３とが設けられている。
【００４６】
ユーザインターフェース９２は、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００４７】
記憶部９３には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ９１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。プロセスコントローラ９１は、ユーザインターフェース９２からの指示等に応じて、任意のレシピを記憶部９３から呼び出して実行する。これにより、プラズマエッチング装置は、プロセスコントローラ９１の制御下で、所望の処理を行う。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したりすることも可能である。或いは、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００４８】
次に、本実施の形態に係るプラズマエッチング方法について説明する。
【００４９】
図３から図６は、静電チャック６にウェハＷが支持される際の、ウェハＷ及びベベルカバーリング５の状態を模式的に示す断面図である。
【００５０】
始めに、静電チャック６にウェハＷが支持されていない状態で（図３参照）、リフトピン５３が駆動機構５４により上昇し、上昇したリフトピン５３が上側リング部材５１を押し上げることにより上側リング部材５は上昇する（図４参照）。
【００５１】
次いで、ゲートバルブ８５が開かれ、表面にレジストパターンが形成されているウェハＷが、図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して搬入出口８４から処理チャンバー１内の静電チャック６上に搬入される。すると、リフトピン６１が駆動機構６２により上昇し、上昇したリフトピン６１によりウェハＷが搬送ロボットから受け取られる（図５参照）。
【００５２】
次いで、搬送ロボットを処理チャンバー１外に退避させ、ゲートバルブ８５を閉じる。そして、リフトピン６１が駆動機構６２により下降し、ウェハＷが静電チャック６に載置される（図６参照）。更に、直流電源１２から静電チャック６の電極６ａに所定の直流電圧が印加され、ウェハＷはクーロン力により静電吸着され、支持される。
【００５３】
次いで、リフトピン５３が駆動機構５４により下降するのに伴って、上側リング部材５１が下降し、リング形状の溝５２ａ内に再び収められる。このときの状態は、図２に示した状態と同じである。これにより、ウェハＷの外周部ＷＥが、上側リング部材５１の庇部５１ｂにより覆われる。
【００５４】
なお、本実施の形態では、上側リング部材５１の下降の前に、静電チャック６によるウェハＷの静電吸着を行う例について説明した。しかし、上側リング部材５１が下降した後に、静電チャック６によるウェハＷの静電吸着を行ってもよい。
【００５５】
図７は、上側リング部材５１の庇部５１ｂにより覆われた状態で静電チャック６に支持されているウェハＷの状態を拡大して示す断面図である。
【００５６】
図７に示すように、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌの領域において、ウェハＷは上側カバー部材５１により覆われているものとする。また、ウェハＷの表面にはレジストパターンが形成されているものの、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌ１の領域において、レジストＰＲは除去されており、ウェハＷの基体表面が露出しているものとする。従って、下記式（１）
Ｌ＞Ｌ１                                                （１）
に示すように、所定幅Ｌは、少なくとも所定幅Ｌ１よりも大きいことが好ましい。
【００５７】
なお、所定幅Ｌ１は、式（１）の要件を満たす予め定められた第1の所定幅の一例である。
【００５８】
ここで、上側リング部材５１の内径をＤＩとし、ウェハＷの外径をＤＯとするとき（図２参照）、ＤＩ、ＤＯ、Ｌは、下記式（２）
Ｌ＝（ＤＯ−ＤＩ）／２                                  （２）
の関係を満たす。従って、式（１）、式（２）に基づいて、下記式（３）
ＤＩ＜ＤＯ−２Ｌ１                                      （３）
の関係を満たすことが好ましい。すなわち、上側リング部材５１の庇部５１ｂの内径ＤＩは、ウェハＷの外径ＤＯと、所定幅Ｌ１とに基づいて定められたものであることが好ましい。
【００５９】
次いで、排気装置８３の真空ポンプにより排気口８１を介して処理チャンバー１内が排気される。そして、エッチング用の処理ガスを処理チャンバー１内に導入してプラズマを生成することによりウェハＷにエッチング処理を行う。
【００６０】
エッチング処理は、処理チャンバー１内が所定の真空度になり、所定の圧力に保持された状態で、第１の処理ガス供給源１４から処理チャンバー１内に所定の処理ガス（エッチングガス）を導入する。レジストパターンをマスクとしてウェハＷの基体であるシリコンＳｉをエッチングするときは、処理ガスとして、例えばＣｌ２、Ｃｌ２＋ＨＢｒ、Ｃｌ２＋Ｏ２、ＣＦ４＋Ｏ２、ＳＦ６、Ｃｌ２＋Ｎ２、Ｃｌ２＋ＨＣｌ、ＨＢｒ＋Ｃｌ２＋ＳＦ６等のいわゆるハロゲン系ガスを用いることができる。あるいは、ウェハＷの表面にＳｉＯ２、ＳｉＮ等のハードマスク膜が単層又は複数層形成されており、レジストパターンをマスクとしてそれらのハードマスク膜をエッチングするときは、処理ガスとして、例えばＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２等のＣＦ系ガスと、Ａｒガス等の混合ガス、またはこの混合ガスに必要に応じて酸素を添加したガス等を用いることができる。このような処理ガスを導入した状態で、第１のＲＦ電源１０ａから載置台２に、周波数が例えば１００ＭＨｚの高周波電力が供給される。また、第２のＲＦ電源１０ｂからは、イオン引き込みのため、載置台２に周波数が例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力（バイアス用）が供給される。
【００６１】
そして、下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。ウェハＷが存在する処理空間には放電が生じ、この放電によって処理ガスからプラズマが生成される。ウェハＷは、プラズマにより、外周部ＷＥが上側カバー部材５１により覆われた状態でウェハＷの表面に形成されたレジストパターンをマスクとして異方性エッチングされる。
【００６２】
そして、上記したエッチング処理が終了すると、引続いて、残存するレジストを除去するアッシング処理が行われる。すなわち、アッシング用の処理ガスから生成されたプラズマによりウェハＷにアッシング処理を行う。
【００６３】
アッシング処理は、処理チャンバー１内が所定の真空度になり、所定の圧力に保持された状態で、第２の処理ガス供給源１５から処理チャンバー１内に所定の処理ガス（アッシングガス）を導入する。処理ガスとして、例えばＯ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガス、Ｈ２Ｏガス、Ｏ３ガス等のガスを用いることができる。このような処理ガスを導入した状態で、第１のＲＦ電源１０ａから載置台２に、周波数が例えば１００ＭＨｚの高周波電力が供給される。また、第２のＲＦ電源１０ｂからは、イオン引き込みのため、載置台２に周波数が例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力（バイアス用）が供給される。
【００６４】
そして、下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。ウェハＷが存在する処理空間には放電が生じ、この放電によって処理ガスからプラズマが生成される。ウェハＷの外周部ＷＥが、上側カバー部材５１により覆われた状態でウェハＷの表面に残存するレジストは、プラズマによりアッシングされ、除去される。
【００６５】
このようにして、エッチング処理とアッシング処理が行われた後、高周波電力の供給、直流電圧の供給及び処理ガスの供給が停止され、前述の手順とは逆の手順で、ウェハＷが処理チャンバー１内から搬出される。
【００６６】
次に、本実施の形態によれば、レジストパターンが形成されたウェハＷをエッチングする際に、ウェハＷの外周部ＷＥにおいて表面荒れが発生しないことについて、比較例と対比しながら説明する。
【００６７】
比較例として、ウェハＷの外周部ＷＥを覆う上側カバー部材５１が設けられていない場合を考える。すると、プラズマは、ウェハＷの外周部ＷＥにも暴露される。前述したように、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌ１の領域において、レジストＰＲは除去されており、ウェハＷの基体表面が露出している。そのため、露出したウェハＷの基体表面がプラズマに曝されることによって、図８に示すように、ウェハＷの外周部ＷＥにおいてウェハＷの基体表面に表面荒れが生ずる、いわゆるブラックシリコンが発生することがある。
【００６８】
一方、本実施の形態では、前述したように、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌの領域において、ウェハＷは上側カバー部材５１により覆われている。これにより、エッチング処理において、ウェハＷの外周部ＷＥにプラズマが回り込むのを防止することができる。そのため、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌ１の領域において露出しているウェハＷの基体表面がプラズマに曝されず、ウェハＷの外周部ＷＥにおいてウェハＷの基体表面に表面荒れが発生することを防止できる。すなわち、ウェハＷの外周部ＷＥを保護することができる。
【００６９】
また、本実施の形態によれば、レジストパターンが形成されたウェハＷをエッチングして貫通孔Ｖを形成する際に、ウェハＷの外周部ＷＥにおいて、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角の発生を抑制できる。以下では、この垂直方向からの傾斜角の発生の抑制について説明する。
【００７０】
ウェハＷの外周部ＷＥを覆う上側カバー部材５１が設けられているとき、上側カバー部材５１の庇部５１ｂの先端付近では、ウェハＷに形成される貫通孔Ｖが傾斜することがある。すなわち、図９に示すように、貫通孔Ｖの中心軸は、水平方向となす角をθとするとき、垂直方向から傾斜角（９０−θ）で傾斜する。これは、庇部５１ｂによりプラズマがウェハＷの外周部ＷＥに回り込むことが防止される一方、プラズマの照射方向も傾くためであると考えられる。
【００７１】
図１０は、ＤＯ＝３００ｍｍとし、Ｌ＝１．７ｍｍ（ＤＩ＝２９６．６ｍｍ）又はＬ＝１．０ｍｍ（ＤＩ＝２９８ｍｍ）とした例において、エッチングにより形成された貫通孔Ｖの中心軸の垂直方向からの傾斜角（９０−θ）を、ウェハＷの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。黒抜きの点がＬ＝１．０ｍｍのときを示し、白抜きの点がＬ＝１．７ｍｍのときを示す。なお、図１０では、傾斜角（９０−θ）＝０のときに中心軸が全く傾斜していないことを意味し、傾斜角（９０−θ）が大きいときに中心軸も大きく傾斜することを意味する。
【００７２】
Ｌ＝１．７ｍｍ及びＬ＝１．０ｍｍのいずれの場合でも、ウェハＷの外縁からの距離が大きい領域、すなわちウェハＷの中心部側の領域では、（９０−θ）が０に略等しいため、貫通孔Ｖは略垂直方向に沿って形成されており、ほとんど傾斜していない。そして、Ｌ＝１．７ｍｍ及びＬ＝１．０ｍｍのいずれの場合においても、ウェハＷの外縁からの距離が小さい領域、すなわちウェハＷの外周部側の領域では、上側カバー部材５１の庇部５１ｂの先端に近づくにつれて、貫通孔Ｖの傾斜角（９０−θ）は増加する。
【００７３】
また、Ｌ＝１．０ｍｍのときは、Ｌ＝１．７ｍｍのときに比べ、ウェハＷの外縁からの距離が等しい位置では、傾斜角（９０−θ）が小さい。すなわち、所定幅Ｌが小さいほど、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）は小さくなる。これは、上記した式（２）によれば、上側カバー部材５１の庇部５１ｂの内径ＤＩが大きいほど、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）は小さくなることを意味する。
【００７４】
ここで、上側カバー部材５１に対するウェハＷの相対位置の位置決め精度を±ａ０とする。また、前述した搬送ロボット又はリフトピン６１等のウェハＷの搬送系に起因するウェハＷの位置決め精度を±ａ１とし、リフトピン５３又はベベルカバーリング５の形状精度に起因するベベルカバーリング５の位置決め精度を±ａ２とする。すると、下記式（４）
ａ０＝ａ１＋ａ２                                        （４）
に示すように、上側カバー部材５１に対するウェハＷの相対位置の位置決め精度±ａ０の絶対値ａ０は、ウェハＷの位置決め精度±ａ１の絶対値ａ１と、ベベルカバーリング５の位置決め精度±ａ２の絶対値ａ２との和に等しくなる。
【００７５】
このとき、所定幅Ｌは、位置決め精度に起因する変動を加味した場合でも所定幅Ｌ１未満にならないような値に設計されることが好ましい。もし仮に所定幅Ｌが所定幅Ｌ１未満になると、ウェハＷの外周部ＷＥであってレジストが除去されており、ウェハＷの基体表面が露出している領域がプラズマに曝されるからである。従って、位置決め精度に起因する変動を加味したときの所定幅Ｌの範囲（Ｌ±ａ０）における最小値（Ｌ−ａ０）が所定幅Ｌ１に等しくなるときに、ウェハＷの外周部ＷＥを保護して表面荒れの発生を抑制しつつ、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）を最小にすることができる。
【００７６】
なお、図７では、位置決め精度に起因する変動を加味したときの所定幅Ｌの最小値（Ｌ−ａ０）が、幅寸法Ｌ１に等しくなる場合を示している。
【００７７】
あるいは、位置決め精度に起因する変動を加味したときの所定幅Ｌの最小値（Ｌ−ａ０）が、所定幅Ｌ１に所定のマージンαを加味した値（Ｌ１＋α）に等しくなるようにしてもよい。すなわち、下記式（５）
Ｌ＝Ｌ１＋（ａ０＋α）                                  （５）
に示すように、所定幅Ｌが、所定幅Ｌ１と、上側カバー部材５１に対するウェハＷの相対位置の位置決め精度ａ０及びマージンαに基づく所定幅（ａ０＋α）との和になるように定められたものであってもよい。従って、式（５）、式（２）に基づいて、下記式（６）
ＤＩ＝ＤＯ−２（Ｌ１＋ａ０＋α）                        （６）
の関係を満たすことが好ましい。すなわち、上側リング部材５１の庇部５１ｂの内径ＤＩは、ウェハＷの外径ＤＯと、所定幅Ｌ１と、位置決め精度ａ０に応じた所定幅（ａ０＋α）に基づいて定められたものであることが好ましい。これにより、ウェハＷの外周部ＷＥを保護して表面荒れの発生を抑制しつつ、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）を最小にすることができる。なお、上記位置決め精度ａ０に応じた所定幅（ａ０＋α）は、カバー部材に対する基板の相対位置の位置決め精度に応じた第２の所定幅の一例である。
【００７８】
次に、Ｌ＝１．７ｍｍとし、上側リング部材５１として石英又はイットリア（Ｙ２Ｏ３）を用いた場合、及び、Ｌ＝１．０ｍｍとし、上側リング部材５１としてイットリア（Ｙ２Ｏ３）を用いた場合の３つの例について、形成される貫通孔Ｖの水平方向に対する角度θ（°）を、ウェハの中心からの距離の異なる各点で測定した結果を図１６に示す。
【００７９】
図１６の上段と中段に示す結果を比較すると、イットリア（Ｙ２Ｏ３）よりなる上側リング部材５１を用いた場合には、等しい内径（ＤＩ＝２９６．６ｍｍ）を有し、石英よりなる上側リング部材５１を用いた場合と略等しく、９０°に略近い角度θが得られる。イットリアが石英よりもプラズマ耐性に優れている点を考慮すると、上側リング部材５１としてイットリアを用いることによって、ウェハＷの外周部ＷＥを保護するとともに、上側リング部材５１を長寿命化することができる。
【００８０】
一方、図１６の中段と下段に示す結果を比較すると、イットリア（Ｙ２Ｏ３）よりなり、互いに異なる内径（ＤＩ＝２９６．６ｍｍ）を有する上側リング部材５１を用いた場合には、上側リング部材５１の内径ＤＩが大きいほど、９０°により近い角度θが得られる。従って、上側リング部材５１の内径ＤＩが大きいほど、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角の発生を抑制できる。
【００８１】
また、本実施の形態によれば、ウェハＷに残存するレジストをアッシングする際に、ウェハＷの外周部ＷＥにおいて、アッシングレートが低下することを抑制できる。以下では、このアッシングレートの低下の抑制について説明する。
【００８２】
図１１は、実施例１、２の異なる条件を用いてアッシングしたときのレジストのアッシングレートを、ウェハＷの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。実施例１、２の条件は、以下の通りである。
（実施例１）
成膜装置内圧力      ：３００ｍＴｏｒｒ
高周波電源パワー（上部電極／下部電極）：０／１５００Ｗ
処理ガスの流量      ：Ｏ２＝３００ｓｃｃｍ
処理時間            ：３０秒
（実施例２）
成膜装置内圧力      ：１００ｍＴｏｒｒ
高周波電源パワー（上部電極／下部電極）：０／２０００Ｗ
処理ガスの流量      ：Ｏ２＝１３００ｓｃｃｍ
処理時間            ：３０秒
図１１に示すように、ウェハＷの外縁からの距離が小さくなるほど、すなわちウェハ外周側ほど、アッシングレートが低下する。これは、上側カバー部材５１によりプラズマがウェハＷの外周部ＷＥに回り込むことが防止される一方で、上側カバー部材５１の近傍でアッシングレートが低下することを示している。実施例１では、外縁から３ｍｍの位置におけるアッシングレートに対する外縁から０．３ｍｍの位置におけるアッシングレートの比は、１０％程度である。
【００８３】
しかしながら、実施例２では、実施例１に比べ、全領域でアッシングレートが増加している。また、外縁から３ｍｍの位置におけるアッシングレートに対する外縁から０．３ｍｍの位置におけるアッシングレートの比は、５０％程度まで増加している。従って、プロセス条件を最適化することにより、上側カバー部材５１に覆われているウェハＷの外周部ＷＥにおいても、アッシングレートの低下を抑制することができる。
【００８４】
図１２は、上側カバー部材５１の内径がＤＩ＝２９６．６ｍｍ及びＤＩ＝２９８ｍｍの場合について、アッシングの前後におけるレジスト膜の厚さを、ウェハＷの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。なお、上側カバー部材５１の内径がいずれの値であるときも、アッシング前のレジスト膜の厚さは、等しいものとする。
【００８５】
ウェハＷの外縁からの距離が０．５ｍｍの位置において、ＤＩ＝２９８ｍｍのときのアッシング後のレジスト膜の厚さは、ＤＩ＝２９６．６ｍｍのときのアッシング後のレジスト膜の厚さよりも小さい。すなわち、上側カバー部材５１の内径を大きくすることによって、上側カバー部材５１に覆われているウェハＷの外周部ＷＥにおいても、アッシングレートの低下を抑制することができる。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法について説明する。
【００８６】
本実施の形態に係るプラズマエッチング方法においては、第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置と同一の装置を用いることができる。従って、本実施の形態に係るエッチング装置については、説明を省略する。
【００８７】
また、本実施の形態に係るプラズマエッチング方法は、三次元実装される半導体装置に貫通電極を形成するために、ＴＳＶ（Through-Silicon Via）技術を用いてウェハに貫通孔を形成するものである。従って、本実施の形態に係るプラズマエッチング方法は、貫通孔を形成するためのウェハ（以下、「デバイスウェハ」ともいう。）がサポートウェハに接着剤を介して貼り合わされた、貼り合わせウェハをエッチングする点で、第１の実施の形態と相違する。
【００８８】
図１３は、貼り合わせウェハＬＷの構成を模式的に示す断面図である。
【００８９】
貼り合わせウェハＬＷは、デバイスウェハＷと、サポートウェハＳＷを有する。デバイスウェハＷは、表面Ｗａにトランジスタ等の半導体装置が形成された基板である。サポートウェハＳＷは、デバイスウェハＷを、裏面Ｗｂを研削して薄化したときに、薄化されたデバイスウェハＷを補強するための基板である。デバイスウェハＷは、接着剤Ｇを介してサポートウェハＳＷに貼り合わされている。
【００９０】
図１４及び図１５は、本実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図である。
【００９１】
始めに、シリコンウェハ等よりなるデバイスウェハＷの表面にトランジスタ１０１を形成し、トランジスタ１０１が形成されたデバイスウェハＷ上に層間絶縁膜１０２を形成する（図１４Ａ）。
【００９２】
次いで、層間絶縁膜１０２上に、配線構造１０３を形成する。層間絶縁膜１０２上に、配線層１０４、絶縁膜１０５を交互に積層するとともに、絶縁膜１０５を貫通して上下の配線層１０４間を電気的に接続するビアホール１０６を形成する（図１４Ｂ）。
【００９３】
次いで、デバイスウェハＷを上下反転させ、接着剤Ｇを介してサポートウェハＳＷと貼り合わせることによって貼り合わせウェハＬＷを準備する。サポートウェハＳＷは、デバイスウェハＷを、裏面Ｗｂを研削して薄化したときに、薄化されたデバイスウェハＷを補強し、反りを防ぐ支持体となる基板であり、例えばシリコンウェハ等よりなる。そして、貼り合わせウェハＬＷを、例えば研削装置に備えられた支持部に支持し、ウェハＷの裏面Ｗｂ側を研削し、研削前の厚さＴ１が所定厚さＴ２になるように薄化する（図１４Ｃ）。所定厚さＴ２を、例えば５０〜２００μｍとすることができる。
【００９４】
なお、図１４では、図示を容易にするために、層間絶縁膜１０２及び配線構造１０３の厚さが誇張して描かれているが、実際は、層間絶縁膜１０２及び配線構造１０３の厚さは、ウェハＷの基体自体の厚さに比べ極めて小さい（図１５においても同様）。
【００９５】
また、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥにおいて接着剤Ｇが露出している。
【００９６】
次いで、ウェハＷの裏面Ｗｂにレジストを塗布し、露光し、現像することによって、図示しないレジストパターンを形成する。そして、ウェハＷの裏面Ｗｂにレジストパターンが形成された、貼り合わせウェハＬＷを、第１の実施の形態に係るプラズマエッチング方法と同様にエッチングして貫通孔Ｖを形成する。そして、貫通孔Ｖが形成された、貼り合わせウェハＬＷのウェハＷの裏面Ｗｂに残存するレジストを、第１の実施の形態に係るプラズマエッチング方法と同様にアッシングして除去する（図１５Ａ）。第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
）。貫通孔Ｖの径を、例えば１〜１０μｍとすることができる。また、貫通孔Ｖの深さは、ウェハＷの裏面Ｗｂを研削して薄化した後のウェハＷの基体自体の厚さに相当するものであり、前述したように例えば５０〜２００μｍとすることができる。
【００９７】
次いで、貫通孔Ｖの内周面を被覆するように、例えばポリイミド等の絶縁膜１０７を形成し、内周面が絶縁膜１０７で被覆された貫通孔Ｖ内に、電解めっき法等により貫通電極１０８を形成する（図１５Ｂ）。
【００９８】
次いで、サポートウェハＳＷをウェハＷから剥がすことによって、薄化され、貫通電極１０８が形成されたウェハＷを得る。例えば紫外光（ＵＶ光）を照射することによって、光反応性の接着剤Ｇの接着力を低下させて剥がすことができる（図１５Ｃ）。
【００９９】
本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、貼り合わせウェハＬＷは、外周部ＷＥにおいて、外縁から所定幅の外周領域が、上側カバー部材により覆われている。これにより、エッチング処理において、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥに、プラズマが回り込むのを防止することができる。そのため、貼り合わせウェハＬＷのウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅の領域において露出しているウェハＷの基体表面がプラズマに曝されず、ウェハＷの外周部ＷＥにおいてウェハＷの基体表面に表面荒れが発生することを防止できる。
【０１００】
また、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥにおいて、ウェハＷとサポートウェハＳＷとの間には、接着剤Ｇが露出している。そのため、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥにおいて露出した接着剤Ｇがプラズマに曝されず、接着剤Ｇが剥がれてダストが発生すること、及び、ウェハ同士が剥がれることを防止できる。更に、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥが脆性化すること、及び、クラックが発生することを防止できる。すなわち、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥを保護することができる。
【０１０１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１０２】
本国際出願は、２０１１年３月２９日に出願された日本国特許出願２０１１−７３１９１号に基づく優先権を主張するものであり、その全内容を本国際出願に援用する。
【符号の説明】
【０１０３】
１  処理チャンバー
２  載置台
４  支持台
５  ベベルカバーリング
６  静電チャック
１６  シャワーヘッド
５１  上側リング部材
５２  下側リング部材
９０  制御部
【図１】
2012133585.tif 000003
【図２】
2012133585.tif 000004
【図３】
2012133585.tif 000005
【図４】
2012133585.tif 000006
【図５】
2012133585.tif 000007
【図６】
2012133585.tif 000008
【図７】
2012133585.tif 000009
【図８】
2012133585.tif 000010
【図９】
2012133585.tif 000011
【図１０】
2012133585.tif 000012
【図１１】
2012133585.tif 000013
【図１２】
2012133585.tif 000014
【図１３】
2012133585.tif 000015
【図１４Ａ】
2012133585.tif 000016
【図１４Ｂ】
2012133585.tif 000017
【図１４Ｃ】
2012133585.tif 000018
【図１５Ａ】
2012133585.tif 000019
【図１５Ｂ】
2012133585.tif 000020
【図１５Ｃ】
2012133585.tif 000021
【図１６】
2012133585.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１】第１の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】ベベルカバーリングの周辺を拡大して模式的に示す断面図である。
【図３】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図４】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図５】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その３）である。
【図６】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その４）である。
【図７】上側リング部材の庇部により覆われた状態で静電チャックに支持されているウェハの状態を拡大して示す断面図である。
【図８】ウェハの外周部を覆う上側リング部材が設けられていない場合に、ウェハの外周部においてウェハの基体表面に表面荒れが生ずる様子を説明するための断面図である。
【図９】ウェハに形成される貫通孔が傾斜する様子を説明するための断面図である。
【図１０】エッチングにより形成された貫通孔の中心軸の垂直方向からの傾斜角を、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。
【図１１】実施例１、２の異なる条件を用いてアッシングしたときのレジストのアッシングレートを、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。
【図１２】アッシングの前後におけるレジスト膜の厚さを、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。
【図１３】貼り合わせウェハの構成を模式的に示す断面図である。
【図１４Ａ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図１４Ｂ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図１４Ｃ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図１５Ａ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図１５Ｂ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図１５Ｃ】第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法を含む半導体装置の製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図１６】形成される貫通孔Ｖの水平方向に対する角度θをウェハの中心からの距離の異なる各点で測定した結果を示した表である。
【発明を実施するための形態】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
なお、静電チャック６は、リフトピン６１及び駆動機構６２を有する。リフトピン６１は、静電チャック６に形成された穴部６ｄ内に、上下動可能に設けられており、駆動機構６２により上下駆動される。リフトピン６１が上昇するとき、リフトピン６１の先端が、ウェハＷを押し上げることによって、ウェハＷが上昇する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
始めに、静電チャック６にウェハＷが支持されていない状態で（図３参照）、リフトピン５３が駆動機構５４により上昇し、上昇したリフトピン５３が上側リング部材５１を押し上げることにより上側リング部材５１は上昇する（図４参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図７に示すように、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌの領域において、ウェハＷは上側リング部材５１により覆われているものとする。また、ウェハＷの表面にはレジストパターンが形成されているものの、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌ１の領域において、レジストＰＲは除去されており、ウェハＷの基体表面が露出しているものとする。従って、下記式（１）
Ｌ＞Ｌ１                                                （１）
に示すように、所定幅Ｌは、少なくとも所定幅Ｌ１よりも大きいことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
そして、下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。ウェハＷが存在する処理空間には放電が生じ、この放電によって処理ガスからプラズマが生成される。ウェハＷは、プラズマにより、外周部ＷＥが上側リング部材５１により覆われた状態でウェハＷの表面に形成されたレジストパターンをマスクとして異方性エッチングされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
そして、下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。ウェハＷが存在する処理空間には放電が生じ、この放電によって処理ガスからプラズマが生成される。ウェハＷの外周部ＷＥが、上側リング部材５１により覆われた状態でウェハＷの表面に残存するレジストは、プラズマによりアッシングされ、除去される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
比較例として、ウェハＷの外周部ＷＥを覆う上側リング部材５１が設けられていない場合を考える。すると、プラズマは、ウェハＷの外周部ＷＥにも暴露される。前述したように、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌ１の領域において、レジストＰＲは除去されており、ウェハＷの基体表面が露出している。そのため、露出したウェハＷの基体表面がプラズマに曝されることによって、図８に示すように、ウェハＷの外周部ＷＥにおいてウェハＷの基体表面に表面荒れが生ずる、いわゆるブラックシリコンが発生することがある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
一方、本実施の形態では、前述したように、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌの領域において、ウェハＷは上側リング部材５１により覆われている。これにより、エッチング処理において、ウェハＷの外周部ＷＥにプラズマが回り込むのを防止することができる。そのため、ウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅Ｌ１の領域において露出しているウェハＷの基体表面がプラズマに曝されず、ウェハＷの外周部ＷＥにおいてウェハＷの基体表面に表面荒れが発生することを防止できる。すなわち、ウェハＷの外周部ＷＥを保護することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ウェハＷの外周部ＷＥを覆う上側リング部材５１が設けられているとき、上側リング部材５１の庇部５１ｂの先端付近では、ウェハＷに形成される貫通孔Ｖが傾斜することがある。すなわち、図９に示すように、貫通孔Ｖの中心軸は、水平方向となす角をθとするとき、垂直方向から傾斜角（９０−θ）で傾斜する。これは、庇部５１ｂによりプラズマがウェハＷの外周部ＷＥに回り込むことが防止される一方、プラズマの照射方向も傾くためであると考えられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
Ｌ＝１．７ｍｍ及びＬ＝１．０ｍｍのいずれの場合でも、ウェハＷの外縁からの距離が大きい領域、すなわちウェハＷの中心部側の領域では、（９０−θ）が０に略等しいため、貫通孔Ｖは略垂直方向に沿って形成されており、ほとんど傾斜していない。そして、Ｌ＝１．７ｍｍ及びＬ＝１．０ｍｍのいずれの場合においても、ウェハＷの外縁からの距離が小さい領域、すなわちウェハＷの外周部側の領域では、上側リング部材５１の庇部５１ｂの先端に近づくにつれて、貫通孔Ｖの傾斜角（９０−θ）は増加する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
また、Ｌ＝１．０ｍｍのときは、Ｌ＝１．７ｍｍのときに比べ、ウェハＷの外縁からの距離が等しい位置では、傾斜角（９０−θ）が小さい。すなわち、所定幅Ｌが小さいほど、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）は小さくなる。これは、上記した式（２）によれば、上側リング部材５１の庇部５１ｂの内径ＤＩが大きいほど、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）は小さくなることを意味する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
ここで、上側リング部材５１に対するウェハＷの相対位置の位置決め精度を±ａ０とする。また、前述した搬送ロボット又はリフトピン６１等のウェハＷの搬送系に起因するウェハＷの位置決め精度を±ａ１とし、リフトピン５３又はベベルカバーリング５の形状精度に起因するベベルカバーリング５の位置決め精度を±ａ２とする。すると、下記式（４）
ａ０＝ａ１＋ａ２                                        （４）
に示すように、上側リング部材５１に対するウェハＷの相対位置の位置決め精度±ａ０の絶対値ａ０は、ウェハＷの位置決め精度±ａ１の絶対値ａ１と、ベベルカバーリング５の位置決め精度±ａ２の絶対値ａ２との和に等しくなる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
あるいは、位置決め精度に起因する変動を加味したときの所定幅Ｌの最小値（Ｌ−ａ０）が、所定幅Ｌ１に所定のマージンαを加味した値（Ｌ１＋α）に等しくなるようにしてもよい。すなわち、下記式（５）
Ｌ＝Ｌ１＋（ａ０＋α）                                  （５）
に示すように、所定幅Ｌが、所定幅Ｌ１と、上側リング部材５１に対するウェハＷの相対位置の位置決め精度ａ０及びマージンαに基づく所定幅（ａ０＋α）との和になるように定められたものであってもよい。従って、式（５）、式（２）に基づいて、下記式（６）
ＤＩ＝ＤＯ−２（Ｌ１＋ａ０＋α）                        （６）
の関係を満たすことが好ましい。すなわち、上側リング部材５１の庇部５１ｂの内径ＤＩは、ウェハＷの外径ＤＯと、所定幅Ｌ１と、位置決め精度ａ０に応じた所定幅（ａ０＋α）に基づいて定められたものであることが好ましい。これにより、ウェハＷの外周部ＷＥを保護して表面荒れの発生を抑制しつつ、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角（９０−θ）を最小にすることができる。なお、上記位置決め精度ａ０に応じた所定幅（ａ０＋α）は、カバー部材に対する基板の相対位置の位置決め精度に応じた第２の所定幅の一例である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
一方、図１６の中段と下段に示す結果を比較すると、イットリア（Ｙ２Ｏ３）よりなり、互いに異なる内径（ＤＩ＝２９６．６ｍｍ、２９８ｍｍ）を有する上側リング部材５１を用いた場合には、上側リング部材５１の内径ＤＩが大きいほど、９０°により近い角度θが得られる。従って、上側リング部材５１の内径ＤＩが大きいほど、貫通孔Ｖの垂直方向からの傾斜角の発生を抑制できる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
図１１は、実施例１、２の異なる条件を用いてアッシングしたときのレジストのアッシングレートを、ウェハＷの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。実施例１、２の条件は、以下の通りである。
（実施例１）
成膜装置内圧力      ：３００ｍＴｏｒｒ
高周波電源パワー（上部電極／下部電極）：０／１５００Ｗ
処理ガスの流量      ：Ｏ２＝３００ｓｃｃｍ
処理時間            ：３０秒
（実施例２）
成膜装置内圧力      ：１００ｍＴｏｒｒ
高周波電源パワー（上部電極／下部電極）：０／２０００Ｗ
処理ガスの流量      ：Ｏ２＝１３００ｓｃｃｍ
処理時間            ：３０秒
図１１に示すように、ウェハＷの外縁からの距離が小さくなるほど、すなわちウェハ外周側ほど、アッシングレートが低下する。これは、上側リング部材５１によりプラズマがウェハＷの外周部ＷＥに回り込むことが防止される一方で、上側リング部材５１の近傍でアッシングレートが低下することを示している。実施例１では、外縁から３ｍｍの位置におけるアッシングレートに対する外縁から０．３ｍｍの位置におけるアッシングレートの比は、１０％程度である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
しかしながら、実施例２では、実施例１に比べ、全領域でアッシングレートが増加している。また、外縁から３ｍｍの位置におけるアッシングレートに対する外縁から０．３ｍｍの位置におけるアッシングレートの比は、５０％程度まで増加している。従って、プロセス条件を最適化することにより、上側リング部材５１に覆われているウェハＷの外周部ＷＥにおいても、アッシングレートの低下を抑制することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図１２は、上側リング部材５１の内径がＤＩ＝２９６．６ｍｍ及びＤＩ＝２９８ｍｍの場合について、アッシングの前後におけるレジスト膜の厚さを、ウェハＷの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。なお、上側リング部材５１の内径がいずれの値であるときも、アッシング前のレジスト膜の厚さは、等しいものとする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
ウェハＷの外縁からの距離が０．５ｍｍの位置において、ＤＩ＝２９８ｍｍのときのアッシング後のレジスト膜の厚さは、ＤＩ＝２９６．６ｍｍのときのアッシング後のレジスト膜の厚さよりも小さい。すなわち、上側リング部材５１の内径を大きくすることによって、上側リング部材５１に覆われているウェハＷの外周部ＷＥにおいても、アッシングレートの低下を抑制することができる。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマエッチング方法について説明する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
次いで、ウェハＷの裏面Ｗｂにレジストを塗布し、露光し、現像することによって、図示しないレジストパターンを形成する。そして、ウェハＷの裏面Ｗｂにレジストパターンが形成された、貼り合わせウェハＬＷを、第１の実施の形態に係るプラズマエッチング方法と同様にエッチングして貫通孔Ｖを形成する。そして、貫通孔Ｖが形成された、貼り合わせウェハＬＷのウェハＷの裏面Ｗｂに残存するレジストを、第１の実施の形態に係るプラズマエッチング方法と同様にアッシングして除去する（図１５Ａ）。
貫通孔Ｖの径を、例えば１〜１０μｍとすることができる。また、貫通孔Ｖの深さは、ウェハＷの裏面Ｗｂを研削して薄化した後のウェハＷの基体自体の厚さに相当するものであり、前述したように例えば５０〜２００μｍとすることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、貼り合わせウェハＬＷは、外周部ＷＥにおいて、外縁から所定幅の外周領域が、上側リング部材により覆われている。これにより、エッチング処理において、貼り合わせウェハＬＷの外周部ＷＥに、プラズマが回り込むのを防止することができる。そのため、貼り合わせウェハＬＷのウェハＷの外周部ＷＥであってウェハＷの外縁から所定幅の領域において露出しているウェハＷの基体表面がプラズマに曝されず、ウェハＷの外周部ＷＥにおいてウェハＷの基体表面に表面荒れが発生することを防止できる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】要約書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【要約】
基板の表面にレジストパターンが形成され、基板の外周部において基板の基体表面が露出している基板にプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置において、基板を支持する支持部６と、支持部６に支持されている基板の外周部を覆うように設けられており、プラズマが基板の外周部に回り込むことを防止するカバー部材５と、高周波電力の印加とエッチング用の処理ガスの供給とを制御することにより生成したプラズマによって、外周部がカバー部材５に覆われた状態で、支持部に支持されている基板にエッチングを行い、該エッチング後、高周波電力の印加とアッシング用の処理ガスの供給とを制御することにより生成したプラズマによって、エッチングが行われた基板のレジストパターンのアッシングを行う制御部９０とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【国際調査報告】
2012133585.tif 000023
2012133585.tif 000024