(57)【要約】【課題】ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶ光やＤＵＶ光を遮断してＥＵＶ光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶリソグラフィープロセスに用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含むＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物であって、樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含む、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
2012053302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含む、ＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
【請求項２】
樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである、請求項１に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
【請求項３】
樹脂が式（１）で表される単位構造、又は、式（１）及び式（２）で表される単位構造を含む、請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。：
【化１】
2012053302.tif 000010
（上記式中、Ｒ1及びＲ3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。Ａｒ1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ０乃至６の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数である。但し、（ｎ１）、又は（ｎ１＋ｎ３）は少なくとも１である。）
【請求項４】
樹脂が式（３）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造を含む、請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。：
【化２】
2012053302.tif 000011
（式中、Ｔは単結合、又はエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。Ｒ7、Ｒ10、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ5、Ｒ8及びＲ11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ6及びＲ9は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。ｎ５及びｎ６はそれぞれ０乃至７の整数を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ０乃至５の整数を表す。但し、（ｎ５）、（ｎ５＋ｎ８）、（ｎ５＋ｎ１１）、又は（ｎ５＋ｎ８＋ｎ１１）は少なくとも１である。）
【請求項５】
溶剤がアルコール系溶剤である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
【請求項６】
更に酸化合物を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
【請求項７】
酸化合物がスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物である、請求項６に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
【請求項８】
酸化合物がヨードニウム塩系酸発生剤又はスルホニウム塩系酸発生剤である、請求項６に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物。
【請求項９】
基板上にＥＵＶレジスト膜を形成する工程、
該レジスト膜上に請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してＥＵＶレジスト上層膜を形成する工程、
該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、
露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
露光がＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）光により行われる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程に用いられるＥＵＶによって及ぼされる悪影響を低減し、良好なレジストパターンを得るのに有効なＥＵＶリソグラフィー用レジスト上層膜組成物、並びに該ＥＵＶリソグラフィー用レジスト上層膜組成物を用いる半導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体デバイスの製造において、フォトリソグラフィー技術を用いた微細加工が行われている。前記微細加工はシリコンウェハー等の被加工基板上にフォトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを保護膜としてシリコンウェハー等の被加工基板をエッチング処理する加工法である。近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）へと短波長化されていった。これに伴い活性光線の基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題となり、フォトレジストと被加工基板の間に反射を防止する役目を担うレジスト下層膜として、反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ、ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く採用されるようになってきた。
このような反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン等の無機反射防止膜や、吸光性物質と高分子化合物とからなる有機反射防止膜が知られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに対し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とされ数多くの検討が行われている。【０００３】
近年、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を用いたフォトリソグラフィー技術の後を担う次世代のフォトリソグラフィー技術として、水を介して露光するＡｒＦ液浸リソグラフィー技術が盛んに検討されている。しかし、光を用いるフォトリソグラフィー技術は限界を迎えつつあり、ＡｒＦ液浸リソグラフィー技術以降の新しいリソグラフィー技術として、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ、極端紫外）光を用いるＥＵＶリソグラフィー技術が注目されている。【０００４】
ＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程では、ＥＵＶレジストを被覆した基板にＥＵＶ光を照射して露光し、現像し、レジストパターンを形成する。このとき、ＥＵＶレジストを汚染物質からの保護や、好ましくない放射線、例えばＵＶ光やＤＵＶ（深紫外）光を遮断するために、ＥＵＶレジストの上層に、ベリリウム、硼素、炭素、珪素、ジルコニウム、ニオブ及びモリブデンからなる群から選択される一つ以上を包含するグループを含むポリマーを含む方法が開示されている（特許文献１、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４８１３３号公報
【特許文献２】特開２００８−１９８７８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はＥＵＶレジストの上層膜として、ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶ光やＤＵＶ光を遮断してＥＵＶ光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶリソグラフィープロセスに用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１観点として、主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含む、ＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する
第２観点として、樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである、第１観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
第３観点として、樹脂が式（１）で表される単位構造、又は、式（１）及び式（２）で表される単位構造を含む、第１観点又は第２観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。：
【化１】
2012053302.tif 000003
（上記式中、Ｒ1及びＲ3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。Ａｒ1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。ｎ１及びｎ２はそれぞれ０乃至６の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数である。但し、（ｎ１）、又は（ｎ１＋ｎ３）は少なくとも１である。）
第４観点として、樹脂が式（３）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造、又は、式（３）及び式（４）及び式（５）及び式（６）で表される単位構造を含む、第１観点又は第２観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。：
【化２】
2012053302.tif 000004
（式中、Ｔは単結合、又はエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。Ｒ7、Ｒ10、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ5、Ｒ8及びＲ11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ6及びＲ9は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。ｎ５及びｎ６はそれぞれ０乃至７の整数を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ０乃至５の整数を表す。但し、（ｎ５）、（ｎ５＋ｎ８）、（ｎ５＋ｎ１１）、又は（ｎ５＋ｎ８＋ｎ１１）は少なくとも１である。）
第５観点として、溶剤がアルコール系溶剤である、第１観点乃至第４観点のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
第６観点として、更に酸化合物を含む、第１観点乃至第５観点のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
第７観点として、酸化合物がスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物である、第６観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
第８観点として、酸化合物がヨードニウム塩系酸発生剤又はスルホニウム塩系酸発生剤である、第６観点に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に関する。
第９観点として、基板上にＥＵＶレジスト膜を形成する工程、
該レジスト膜上に請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してＥＵＶレジスト上層膜を形成する工程、
該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、
露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程、
を含む半導体装置の製造方法に関する。
第１０観点として、露光がＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）光により行われる、第９観点に記載の半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、ＥＵＶレジストの上層膜として、ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶ光やＤＵＶ光などの帯域外光放射（ｏｕｔ−ｏｆ−ＢＡＮＤ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を遮断してＥＵＶ光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶレジスト上層膜を形成可能なＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を提供することができる。
特に本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、ＥＵＶ露光光に含まれる帯域外光放射のなかでも、最も望ましくないとされる２００〜２４０ｎｍのＤＵＶ光を吸収できるレジスト上層膜を提供でき、これにより、ＥＵＶレジストの解像性の向上を行うことができる。
また本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、該組成物を半導体装置の製造に適用する際、下層に形成されるＥＵＶレジストとインターミキシングが起きず、またＥＵＶ露光後には、ＥＵＶレジストと共に現像液によって除去可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施例１〜実施例３及び比較例１で得られたレジスト上層膜形成組成物（溶液）を用いて形成したレジスト上層膜を、それぞれ分光光度計を用いて波長２００ｎｍ〜２４０nｍにおける透過率を測定したグラフを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明はＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜に好適な組成物を対象とする。
前述したように、ＥＵＶリソグラフィーを用いたデバイス作製工程では、ＥＵＶレジストを被覆した基板にＥＵＶ光を照射して露光させる。ここでＥＵＶレジストの露光に際し、ＥＵＶ光はＥＵＶ光以外に３００ｎｍ以下の波長の光（すなわちＵＶ光やＤＵＶ光）を５％程度含み得る。そして、例えば１９０〜３００ｎｍ、１９０〜２５０ｎｍ、特に２００〜２４０ｎｍ付近の波長光はＥＵＶレジストの感度低下やパターン形状の劣化につながる。特に線幅が２２ｎｍ以下になると、このＵＶ光やＤＵＶ光といった帯域外光放射（ｏｕｔ−ｏｆ−ＢＡＮＤ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）の影響が出始め、ＥＵＶレジストの解像性に悪影響を与える。こうした２００〜２４０ｎｍ付近の望ましくない波長光を除去するために、リソグラフィーシステムにフィルターを設置する方法もあるが工程上複雑になるという課題がある。
一方、ＥＵＶレジストの上層にＥＵＶレジスト上層膜を被覆する際に、ＥＵＶレジスト膜とＥＵＶレジスト上層膜とのインターミキシング（層の混合）を防止するために、ＥＵＶレジスト上層膜形成時に用いる溶剤として、ＥＵＶレジストの溶剤を避けて、例えばアルコール系溶剤を用いることがあり、ＥＵＶレジスト上層膜材料にはアルコール系溶剤への高い溶解性も求められる。
こうした事情を鑑み、本発明者らは、ＥＵＶレジスト上層膜に用いられるポリマーとして、２００〜２４０ｎｍ付近のＤＵＶ光を選択的に効率よく吸収するナフタレン環を含むポリマーを選択し、また、該ポリマーにおいて、アルコール溶剤への溶解性を高めるためヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基やこれらの基を含む有機基からなる親水性基を含めるものとすることにより、帯域外光放射の影響を抑制し且つアルコール系溶剤に対して高い溶解性を有するＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を完成させるに至った。
しかも本発明の組成物より形成されるＥＵＶレジスト上層膜は、その材料であるポリマーにヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基やこれらの基を含む有機基からなる親水性基を有することで、現像液（例えば、アルカリ性現像液）に溶解可能であるため、露光後の現像時にＥＵＶレジストと共に現像液による溶解除去が可能である。
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
本発明は主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂を含むＥＵＶリソグラフィー工程に用いるＥＵＶレジスト上層膜形成組成物である。
上記ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、ナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含有し、更に架橋剤、架橋触媒、界面活性剤を含むことができる。
【００１２】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物の固形分は、０．１〜５０質量％であり、好ましくは０．５〜３０質量％である。固形分とはＥＵＶレジスト上層膜形成組成物から溶剤成分を取り除いたものである。
上記樹脂のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物における含有量は、固形分中で２０質量％以上、例えば２０〜１００質量％、又は３０〜１００質量％、又は５０〜９０質量％、又は６０〜８０質量％である。
【００１３】
上記樹脂は親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むことができる。
【００１４】
上記樹脂は、前記式（１）で表される構造単位を含む樹脂であるか、又は、前記式（１）で表される構造単位と前記式（２）で表される単位構造の双方を含む樹脂とすることができる。
【００１５】
前記式（１）、式（２）においてＲ1及びＲ3は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ2及びＲ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。
Ａｒ1はベンゼン環又はアントラセン環を表す。
ｎ１及びｎ２はそれぞれ０乃至６の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０乃至ベンゼン環又はアントラセン環に置換し得る最大の整数（ベンゼン環：４、アントラセン環：８）を表す。但し（ｎ１）又は（ｎ１＋ｎ３）は少なくとも１である。少なくとも１とは例えば、１、２、３、又は４とすることができる。
なお、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４が２以上の整数を表す場合、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。
【００１６】
あるいは上記樹脂は、前記式（３）で表される構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（４）で表される構造単位の二種の構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位の二種の構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（４）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位の三種の構造単位を含む樹脂、式（３）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位と式（６）で表される構造単位の三種の構造単位を含む樹脂、又は式（３）で表される構造単位と式（４）で表される構造単位と式（５）で表される構造単位と式（６）で表される構造単位の四種の単位構造を含む樹脂とすることができる。
【００１７】
上記式（３）乃至式（６）中、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ5、Ｒ8及びＲ11は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を表し、Ｒ6及びＲ9は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基、又はそれらの２種以上の組み合わせを表す。
ｎ５及びｎ６はそれぞれ０乃至７の整数を表し、ｎ８及びｎ９はそれぞれ０乃至５の整数を表す。但し、（ｎ５）、（ｎ５＋ｎ８）、（ｎ５＋ｎ１１）、又は（ｎ５＋ｎ８＋ｎ１１）は少なくとも１を表す。少なくとも１とは例えば、１、２、３、又は４とすることができる。
なお、ｎ５、ｎ６、ｎ７、ｎ８が２以上の整数を表す場合、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8はそれぞれ同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。
Ｔは単結合、又はエーテル基（−Ｏ−）、エステル基（−（ＣＯ）Ｏ−）、カルボニル基（−（ＣＯ）−）、アミド基（−（ＣＯ）−（ＮＨ）−）を表すか、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基を表す。
【００１８】
Ｔにおける二価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、フェニル基等から誘導される二価の有機基において、上記エーテル基、エステル基、カルボニル基、アミド基のうち少なくとも一つの基を含む二価の有機基である。
Ｒ1及びＲ3における一価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、フェニル基等において、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである。
Ｒ5、Ｒ8及びＲ11における一価の有機基とは、下記に例示される炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、フェニル基において、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含むものである。
【００１９】
上記炭素原子数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、１−メチル−シクロプロピル基、２−メチル−シクロプロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、シクロペンチル基、１−メチル−シクロブチル基、２−メチル−シクロブチル基、３−メチル−シクロブチル基、１，２−ジメチル−シクロプロピル基、２，３−ジメチル−シクロプロピル基、１−エチル−シクロプロピル基、２−エチル−シクロプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、シクロヘキシル基、１−メチル−シクロペンチル基、２−メチル−シクロペンチル基、３−メチル−シクロペンチル基、１−エチル−シクロブチル基、２−エチル−シクロブチル基、３−エチル−シクロブチル基、１，２−ジメチル−シクロブチル基、１，３−ジメチル−シクロブチル基、２，２−ジメチル−シクロブチル基、２，３−ジメチル−シクロブチル基、２，４−ジメチル−シクロブチル基、３，３−ジメチル−シクロブチル基、１−ｎ−プロピル−シクロプロピル基、２−ｎ−プロピル−シクロプロピル基、１−ｉ−プロピル−シクロプロピル基、２−ｉ−プロピル−シクロプロピル基、１，２，２−トリメチル−シクロプロピル基、１，２，３−トリメチル−シクロプロピル基、２，２，３−トリメチル−シクロプロピル基、１−エチル−２−メチル−シクロプロピル基、２−エチル−１−メチル−シクロプロピル基、２−エチル−２−メチル−シクロプロピル基及び２−エチル−３−メチル−シクロプロピル基等が挙げられる。
【００２０】
上記炭素原子数２〜１０のアルケニル基としては、エテニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−メチル−１−エテニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ｎ−プロピルエテニル基、１−メチル−１−ブテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１−メチル−３−ブテニル基、２−エチル−２−プロペニル基、２−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、２−メチル−３−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−３−ブテニル基、１，１−ジメチル−２−プロペニル基、１−ｉ−プロピルエテニル基、１，２−ジメチル−１−プロペニル基、１，２−ジメチル−２−プロペニル基、１−シクロペンテニル基、２−シクロペンテニル基、３−シクロペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−メチル−１−ペンテニル基、１−メチル−２−ペンテニル基、１−メチル−３−ペンテニル基、１−メチル−４−ペンテニル基、１−ｎ−ブチルエテニル基、２−メチル−１−ペンテニル基、２−メチル−２−ペンテニル基、２−メチル−３−ペンテニル基、２−メチル−４−ペンテニル基、２−ｎ−プロピル−２−プロペニル基、３−メチル−１−ペンテニル基、３−メチル−２−ペンテニル基、３−メチル−３−ペンテニル基、３−メチル−４−ペンテニル基、３−エチル−３−ブテニル基、４−メチル−１−ペンテニル基、４−メチル−２−ペンテニル基、４−メチル−３−ペンテニル基、４−メチル−４−ペンテニル基、１，１−ジメチル−２−ブテニル基、１，１−ジメチル−３−ブテニル基、１，２−ジメチル−１−ブテニル基、１，２−ジメチル−２−ブテニル基、１，２−ジメチル−３−ブテニル基、１−メチル−２−エチル−２−プロペニル基、１−ｓ−ブチルエテニル基、１，３−ジメチル−１−ブテニル基、１，３−ジメチル−２−ブテニル基、１，３−ジメチル−３−ブテニル基、１−ｉ−ブチルエテニル基、２，２−ジメチル−３−ブテニル基、２，３−ジメチル−１−ブテニル基、２，３−ジメチル−２−ブテニル基、２，３−ジメチル−３−ブテニル基、２−ｉ−プロピル−２−プロペニル基、３，３−ジメチル−１−ブテニル基、１−エチル−１−ブテニル基、１−エチル−２−ブテニル基、１−エチル−３−ブテニル基、１−ｎ−プロピル−１−プロペニル基、１−ｎ−プロピル−２−プロペニル基、２−エチル−１−ブテニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−エチル−３−ブテニル基、１，１，２−トリメチル−２−プロペニル基、１−ｔ−ブチルエテニル基、１−メチル−１−エチル−２−プロペニル基、１−エチル−２−メチル−１−プロペニル基、１−エチル−２−メチル−２−プロペニル基、１−ｉ−プロピル−１−プロペニル基、１−ｉ−プロピル−２−プロペニル基、１−メチル−２−シクロペンテニル基、１−メチル−３−シクロペンテニル基、２−メチル−１−シクロペンテニル基、２−メチル−２−シクロペンテニル基、２−メチル−３−シクロペンテニル基、２−メチル−４−シクロペンテニル基、２−メチル−５−シクロペンテニル基、２−メチレン−シクロペンチル基、３−メチル−１−シクロペンテニル基、３−メチル−２−シクロペンテニル基、３−メチル−３−シクロペンテニル基、３−メチル−４−シクロペンテニル基、３−メチル−５−シクロペンテニル基、３−メチレン−シクロペンチル基、１−シクロヘキセニル基、２−シクロヘキセニル基及び３−シクロヘキセニル基等が挙げられる。
【００２１】
上記炭素原子数１〜１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブトキシ基、２−メチル−ｎ−ブトキシ基、３−メチル−ｎ−ブトキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−ｎ−プロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１−エチル−ｎ−ブトキシ基、２−エチル−ｎ−ブトキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシ基、及び１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシ基等が挙げられる。
【００２２】
上記炭素原子数１〜１０のアルキルチオ基としては、エチルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基等が挙げられる。
【００２３】
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
【００２４】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に用いられる上記樹脂の重量平均分子量は５００〜１，０００，０００、好ましくは７００〜５００，０００、更に好ましくは１０００〜３００，０００、更に好ましくは１，０００〜１００，０００である。
【００２５】
上記樹脂は、例えば以下に例示する式（７−１）〜式（７−５）に記載する単位構造を含む樹脂（主鎖にナフタレン環を含む樹脂）、或いは、式（８−１）〜式（８−７）に記載する単位構造を含む樹脂（側鎖にナフタレン環を含む樹脂）を用いることができる。
【化３】
2012053302.tif 000005
【化４】
2012053302.tif 000006
【化５】
2012053302.tif 000007
【００２６】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物に含まれる上記溶剤としては、アルコール系溶剤を好ましく用いることができる。これらアルコール系溶剤としては例えば、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−３−ペンタノール、シクロペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−１−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、２−ジエチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、４−メチル−３−ペンタノール、及びシクロヘキサノールが挙げられる。これらアルコール系溶剤を単独で又は混合物として用いることができる。
【００２７】
また、上記アルコール系溶剤と共に以下のその他の溶剤を併用することができる。その溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上の組合せで使用される。
これらその他の溶剤は、前記アルコール系溶剤に対して０．０１〜１０．００質量％の割合で含有させることができる。
【００２８】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で下層に存在するレジストとの酸性度を一致させる為に、更に酸化合物を含有させることができる。
酸化合物としては、例えばスルホン酸化合物又はスルホン酸エステル化合物を好適に使用可能である。
【００２９】
前記スルホン酸又はスルホン酸エステル化合物としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、スルホサリチル酸などの酸性化合物、及び／又は、ベンゾイントシラート、２−ニトロベンジルトシラート等の熱酸発生剤を挙げることができ、また、サリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン等も使用することができる。
【００３０】
また本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で下層に存在するレジストとの酸性度を一致させる為に、酸化合物として、ＥＵＶ照射により酸を発生する酸発生剤を添加することができる。
好ましい酸発生剤としては、例えば、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系酸発生剤類（例えばヨードニウム塩系酸発生剤、スルホニウム塩系酸発生剤）、フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等のハロゲン含有化合物系酸発生剤類、ベンゾイントシレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系酸発生剤類等が挙げられる。
【００３１】
これら酸化合物の配合量は、本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物の全固形分１００質量％当たり、０．０２〜１０質量％、好ましくは０．０４〜５質量％である。
【００３２】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物には、上記以外に必要に応じて更なるレオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。
【００３３】
レオロジー調整剤は、主にレジスト上層膜形成組成物の流動性を向上させるための目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、又はノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。
これらのレオロジー調整剤は、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物の全組成物１００質量％に対して通常３０質量％未満の割合で配合される。
【００３４】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤；エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ（現：三菱マテリアル電子化成（株））製、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３（ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳー３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤；オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。
これらの界面活性剤の配合量は、本発明のレジスト上層膜形成組成物の全組成物１００質量％当たり通常０．２質量％以下、好ましくは０．１質量％以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
【００３５】
本発明におけるＥＵＶレジスト上層膜の下層に塗布されるＥＵＶレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用できる。酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる化学増幅型レジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸発生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーと酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を変化させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、ＥＵＶ光によって分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる非化学増幅型レジスト、ＥＵＶ光によって切断されアルカリ溶解速度を変化させる部位を有するバインダーからなる非化学増幅型レジストなどがある。
【００３６】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を使用して形成したレジスト上層膜を有するポジ型レジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、現像液として、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。
【００３７】
本発明では、転写パターンを形成する加工対象膜を有する基板上に、ＥＵＶレジスト下層膜を用いるか又は用いずに、ＥＵＶレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上にＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を塗布し焼成してＥＵＶレジスト上層膜を形成する工程、該レジスト上層膜とレジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像し該レジスト上層膜とレジスト膜を除去する工程によって半導体装置を製造することができ、こうした工程を含む半導体装置の製造方法も本発明の対象である。
なお上記露光はＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）光により行われる。
【００３８】
本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を適用する半導体装置は、その製造工程中に、基板上に、パターンを転写する加工対象膜と、レジスト膜と、レジスト上層膜が順に形成された構成をとり得る。本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物より形成されるレジスト上層膜は、下地基板やＥＵＶによって及ぼされる悪影響を低減することができ、ＥＵＶ光の露光後にはストレート形状の良好なレジストパターンを形成し得、充分なＥＵＶ照射量に対するマージンを得ることができる。また、本発明のＥＵＶレジスト上層膜形成組成物より形成されるレジスト上層膜は、その下層に形成されるレジスト膜と同等の大きなウエットエッチング速度を有し得、このため、ウエットエッチング工程によって加工対象である下地膜（パターンを転写する加工対象膜）に容易にレジストパターンを転写することができる。
【実施例】
【００３９】
実施例１
ナフトールノボラック樹脂（１−ナフトール：フェノール＝５０：５０のモル比でホルムアルデヒドと反応しノボラック樹脂を合成した。この樹脂は、前述の式（７−２）に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は３，２００である。）１ｇを４−メチル−２−ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。【００４０】
実施例２
ナフトールノボラック樹脂（１−ナフトール：フェノール＝７０：３０のモル比でホルムアルデヒドと反応しノボラック樹脂を合成した。この樹脂は、前述の式（７−２）に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は２，８００である。）１ｇを４−メチル−２−ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。【００４１】
実施例３
ビニルナフタレン含有樹脂（２−ビニルナフタレン：ヒドロキシスチレン：メタクリル酸＝５０：２０：３０の質量比でラジカル重合した。この樹脂は、前述の式（８−４）に記載される構造単位を含む樹脂に相当する。重量平均分子量は５，８００である。）１ｇを４−メチル−２−ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。【００４２】
比較例１
ポリヒドロキシスチレン樹脂（市販品。重量平均分子量は８，０００）１ｇを４−メチル−２−ペンタノール９９ｇに溶解させ、ＥＵＶレジスト上層膜形成組成物（溶液）を得た。【００４３】
〔レジストとのインターミキシング試験〕
ＥＵＶレジスト溶液（メタクリル系レジスト）をスピナーを用いて塗布した。ホットプレート上で、１００℃で１分間加熱することによりレジスト膜を形成し、膜厚測定を行なった（膜厚Ａ：レジスト膜厚）。【００４４】
本発明の実施例１乃至実施例３、比較例１で調製されたレジスト上層膜形成組成物（溶液）を、スピナーを用いてレジスト膜上に塗布し、ホットプレート上で、１００℃で１分間加熱し、レジスト上層膜を形成し、膜厚測定を行なった（膜厚Ｂ：レジストとレジスト上層膜の膜厚の和）。
そのレジスト上層膜上に市販の現像液（東京応化工業（株）製、製品名：ＮＭＤ−３）を液盛りして６０秒放置し、３，０００ｒｐｍで回転させながら、３０秒間純水でリンスを行った。リンス後、１００℃で６０秒間ベークし、膜厚測定を行なった（膜厚Ｃ）。得られた結果を表１に示す。
膜厚Ａが膜厚Ｃに等しい場合、レジストとインターミキシングがないと言える。【００４５】
【表１】
2012053302.tif 000008
【００４６】
表１に示すように、実施例１乃至実施例３及び比較例１のいずれにおいても、膜厚Ａと膜厚Ｃの数値が等しく、これらＥＵＶレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜はレジストとのインターミキシングをおこさないものであるとする結果が得られた。【００４７】
〔光学パラメーター試験〕
本発明の実施例１乃至実施例３で調製されたレジスト上層膜形成組成物（溶液）、及び比較例１で示したレジスト上層膜形成組成物（溶液）を、それぞれスピナーを用いて石英基板上に塗布した。ホットプレート上で、１００℃で１分間加熱し、レジスト上層膜（膜厚０．０３μｍ）を形成した。そして、これら４種類のレジスト上層膜を、分光光度計を用い、波長１９０ｎｍ〜２４０ｎｍでの透過率を測定した。測定結果を図１に示す。【００４８】
ＤＵＶ光の遮光性に関しては、２００ｎｍ〜２４０ｎｍの波長域において、透過率の最大値が６０％以上を不良、６０％未満を良好と評価した。得られた結果を表２に示す。【００４９】
また、ＥＵＶ光（１３．５ｎｍ）の透過性につき、波長１３．５ｎｍでの透過率を元素組成比と膜密度の関係からシミュレーションにより計算した。そして、波長１３．５ｎｍにおいて８０％以上の透過率を良好と評価し、８０％未満を不良と評価した。得られた結果を表２に示す。なお実施例１乃至実施例３、比較例１での１３．５ｎｍの透過率はいずれも８８（％）であった。【００５０】
【表２】
2012053302.tif 000009
【００５１】
表２に示すように、実施例１乃至実施例３はＥＵＶ光の透過性が良好であり且つＤＵＶ光の遮光性に優れるとする結果を示し、一方、比較例１はＤＵＶ光の遮光性に劣るとする結果を得た。
さらに詳細には、図１に示すように、実施例１乃至実施例３のレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜は波長２２０ｎｍ〜２４０ｎｍの光の透過率が４０％を下回り、特に実施例１及び実施例２のレジスト上層膜形成組成物を用いて形成された膜にいたっては、波長２００ｎｍ〜２４０ｎｍに渡って光の透過率が４０％を下回り、ＤＵＶ光の遮光性が特に良好であるとする結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光に際して好ましくない露光光、例えばＵＶやＤＵＶを遮断してＥＵＶのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なＥＵＶリソグラフィープロセスに用いるＥＵＶレジスト上層膜を形成するための組成物である。
【図１】
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【国際調査報告】
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