(57)【要約】  硫化ガス雰囲気中でも断線することが無く、硫化銀が表面に析出することがないチップ抵抗器を提供することを目的とする。本発明のチップ抵抗器は、基板の上面に設けられた抵抗層と、抵抗層の両端部に、電気的に接続して設けられた第１の上面電極層と、第１の上面電極層の上に設けられ、７５重量％以上８５重量％以下で、かつ、平均粒径が０．３μｍから２μｍの間の銀粒子と、１重量％以上１０重量％以下のカーボンと、樹脂を含む第２の上面電極層とを備えている。
2012114673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する基板と、
前記基板の上面に設けられた抵抗層と、
前記基板の上面であって、前記抵抗層の両端部に、前記抵抗層と電気的に接続して設けられた第１の上面電極層と、
前記第１の上面電極層の上に設けられ、７５重量％以上８５重量％以下で、かつ、平均粒径が０．３μｍから２μｍの間の銀粒子と、１重量％以上１０重量％以下のカーボンと、樹脂とを含む、第２の上面電極層と、
を備えたチップ抵抗器。
【請求項２】
前記抵抗層と、前記第２の上面電極層の一部とを覆うように設けられた保護層と、
前記基板の側面に設けられ、かつ前記第２の上面電極層に電気的に接続される側面電極層と、
をさらに備えた、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
前記第２の上面電極層および前記側面電極層３６の表面に設けられためっき層を、
さらに備えた、請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
基板の上面に第１の電極層を設けるステップと、
前記第1の電極層の上に、両端部において電気的に接続した抵抗層を設けるステップと、
前記第１の上面電極層の上に、７５重量％以上８５重量％以下で、かつ、平均粒径が０．３μｍから２μｍの間の銀粒子と、１重量％以上１０重量％以下のカーボンと、樹脂とを含む、第２の上面電極層を設けるステップと、
前記抵抗層と、前記第２の上面電極層の一部とを覆うように保護層を設けるステップと、
を備えたチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のチップ抵抗器としては、特許文献１に開示されたものが知られている。【０００３】
以下、従来のチップ抵抗器およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。【０００４】
図１は、従来のチップ抵抗器の断面図を示したものである（特許文献１）。この抵抗器は、絶縁基板１と、抵抗層３と、上面電極層２と、を有している。抵抗層３は、絶縁基板１の上面に設けられている。上面電極層２は、絶縁基板１の上面で、抵抗層３に接触するように、抵抗層３の左右両端部に設けられている。また、抵抗層３には、抵抗値を修正するためにトリミング溝４が設けられている。図１の抵抗器は、更に、保護層５、側面電極層６、ニッケルめっき層７、及びはんだめっき層８を有している。保護層５は、抵抗層３を覆うように設けられている。側面電極層６は、絶縁基板１の側面に設けられ、上面電極層２に電気的に接続されている。ニッケルめっき層７、及びはんだめっき層８は、前記上面電極層２および側面電極層６の表面に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５６−１４８８０４号公報
【特許文献２】特開２００２−１８４６０２号公報
【特許文献３】特開２００４−２５９８６４号公報
【特許文献４】特開２００４−２８８９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来のチップ抵抗器の構成においては、保護層５とはんだめっき層８およびニッケルめっき層７との境界において、チップ抵抗器を電子機器のプリント基板にはんだ付け実装したときに、はんだ付け時の熱ストレス等により隙間が生じる場合があった。そしてこのチップ抵抗器を実装した電子機器を温泉地等の硫化ガスを含み、かつ湿度の高い雰囲気中で使用した場合、硫化ガスがこの隙間から入り込み、上面電極層２と反応して硫化銀を形成する。そしてこの硫化銀は成長性があるため、保護層５の上面およびめっき層上に析出し続け、これによりチップ抵抗器の上面電極層２の境界部で断線を起こすという課題を有していた。【０００７】
この課題を解決するためには、上面電極層２を銀パラジウム合金電極にすれば、断線されるまでの時間は長くなるが完全ではない。また上面電極層２を金電極にすると断線することはないが、所定の抵抗値にするためトリミングする際にチェッカーで金電極を損傷させる。さらにはんだ付けを行ったときに金がはんだに溶食され断線する課題がある。【０００８】
そのため、特開２００２−１８４６０２号公報のように第２の上面電極層にニッケル系樹脂を用いる手法もあるが、この場合、側面電極めっきのニッケル層が付いているか識別するときに同じ材料系であるため識別し難いという課題がある。【０００９】
また特開２００４−２５９８６４号公報のように第２の上面電極層にカーボン系導電性材料を用いたり、特開２００４−２８８９５６号公報の側面電極層に用いているような銀とカーボンを含んだ材料を用いることはできる。しかし、これらの材料はカーボンで導電性を確保しており、銀量が少ないため側面電極層のニッケルめっき層は付着するが、ニッケルめっき層の密着力が弱いため、次工程中や熱ストレスで剥離し易いという課題を有している。【００１０】
本発明では、従来の上記問題を解決したものであって、硫化ガス雰囲気中でも断線することが無く、硫化銀が表面に析出することがないチップ抵抗器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明のチップ抵抗器は、上面を有する基板と、前記基板の上面に設けられた抵抗層と、前記基板の上面であって、前記抵抗層の両端部に、前記抵抗層と電気的に接続して設けられた第１の上面電極層と、前記第１の上面電極層の上に設けられた第２の上面電極層とを備えている。第２の上面電極層は、７５重量％以上８５重量％以下で、かつ、平均粒径が０．３μｍから２μｍの間の銀粒子と、１重量％以上１０重量％以下のカーボンと、樹脂を含んでいる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、硫化ガス雰囲気中でも断線することが無く、硫化銀が表面に析出することがないチップ抵抗器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、従来のチップ抵抗器の断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態のチップ抵抗器の斜視図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態のチップ抵抗器の図２のＩ-Ｉ断面における断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、第１の上面電極層形成後を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、抵抗層形成後を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、トリミング溝形成後を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、第２の上面電極層形成後を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、保護層形成後を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、横方向分割溝に沿って基板を分割し短冊状にした後の図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、側面電極層形成後を示す図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の実施形態のチップ抵抗器の製造方法を示し、縦方向分割溝に沿って基板を分割した後を示す図である。
【図７】図７は、従来の銀電極の硫化銀の状態を示す図である。
【図８】図８は、本発明の銀−カーボン電極の硫化銀の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図２は、本実施形態のチップ抵抗器１００の斜視図である。本実施形態のチップ抵抗器は、角形である。図３は、抵抗器１００を図２のＩ−Ｉで切断したときの断面図である。
【００１５】
本実施形態の抵抗器１００は、図２、図３に示すように、基板３１と、抵抗層３３と、第１の上面電極層３２と、第２の上面電極層３４を有している。基板３１は絶縁基板である。抵抗層３３は、基板３１の上面に設けられている。第１の上面電極層３２は、基板３１の上面で、抵抗層３３に接触するように、抵抗層３３の左右両端部に設けられている。第２の上面電極層３４は、第１の上面電極層の上に設けられている。また、抵抗層３３には、抵抗値を修正するためにトリミング溝３９が設けられている。
【００１６】
本実施形態の抵抗器１００は、さらに、保護層３５、側面電極層３６、ニッケルめっき層３７、及びはんだめっき層３８を有している。保護層３５は、抵抗層３３と第２の上面電極層３４の一部を覆うように設けられている。側面電極層３６は、基板３１の側面に設けられ、第２の上面電極層３４に電気的に接続されている。ニッケルめっき層３７は、前記第２の上面電極層３４および側面電極層３６の表面に設けられている。はんだめっき層３８は、ニッケルめっき層３７の表面に設けられている。なお、以下では、ニッケルめっき層３７およびはんだめっき層３８を、めっき層とも総称する。
【００１７】
第２の上面電極層３４は、銀粒子と、カーボンと、樹脂を含む。銀の組成は、７５重量％以上８５重量％以下である。カーボンの組成は、１重量％以上１０重量％以下である。また、銀粒子の平均粒径は、０．３μｍ以上、２μｍ以下である。
【００１８】
本実施形態の抵抗器１００は、第２の上面電極層３４に銀が最適量含有されているため、側面電極層３６はニッケルめっき層３７と銀との密着性が良く、剥離することがない。
【００１９】
図７は、従来の銀電極の硫化銀の状態を示す図である。１０１は銀粒子、１０２は硫化銀を示す。図７の様に、銀粒子１０１だけで導電性を確保している場合、銀が供給され続けるため、硫化銀１０２の結晶は成長し続ける。
【００２０】
図８は、本発明の銀−カーボン電極の硫化銀の状態を示す図である。１０１は銀粒子、１０２は硫化銀、１０３はカーボン粒子を示す。
【００２１】
本実施形態では図８に示すように、銀とカーボンが均一に分散されており、銀粒子１０１が独立して存在する。硫化ガスにより銀粒子１０１が硫化銀１０２となっても、続けて銀が供給されることがないため、保護層３５とめっき層の境界から硫化銀が析出して出てくることはない。
【００２２】
ニッケルめっき層３７と、はんだめっき層３８の厚みが１０μｍであり、硫化銀の体積から計算すると２μｍ以下の粒子であれば、１０μｍ以上の硫化銀に成長することは出来ないため、表面に硫化銀が出てくることはない。さらに側面電極層３６のめっき付け性については、第２の上面電極層３４にカーボンが配合されているため、導電性は確保された上で、めっき付け性を高めることができる。
【００２３】
これにより、チップ抵抗器を電子機器のプリント配線基板にはんだ付け実装した際に、はんだ付け時の熱ストレス等により保護層３５とめっき層の境界に隙間が生じることはない。そしてこのチップ抵抗器を実装した電子機器が硫化ガス雰囲気中で使用されても、この硫化ガスで断線を起こすことはなく、保護層３５とめっき層の隙間から硫化銀が表面に析出することはないという作用を有するものである。
【００２４】
第２の上面電極層３４の銀粒子の平均粒径としては０．３μｍから２μｍである。銀粒子がこれより小さい粒子であれば、導電性が低くなり第２の上面電極層３４の抵抗値が高くなる。またこれより大きい粒子であれば、銀粒子が１つでも硫化銀としての結晶長さは１０μｍ以上に成長し、保護層３５とめっき層の隙間から硫化銀が析出してくる。
【００２５】
さらに銀量は７５重量％から８５重量％である。銀量がこれより少なければ、側面電極層３６とニッケルめっき層３７との密着が悪く剥離が発生し、銀量がこれより多ければ、銀量が多いため銀粒子同士の接触が起こり、銀が共給し続けられるため硫化ガスでの硫化銀の析出が長くなり、保護層３５とめっき層の隙間から表面に出てきてしまう。
【００２６】
なお、コスト削減のため、第２の上面電極層３４の導電粉として平均粒径０．３μｍから２μｍの銅粒子に銀を被覆させた導電粉を用いることもできる。
【００２７】
カーボン量は１重量％から１０重量％である。カーボン量がこれより少なければ、導電性が低くなり第２の上面電極層３４の抵抗値が高くなる。カーボン量がこれより多ければ、銀とカーボンを含んだ電極材料の粘度が高くなり、印刷性が悪くなる。
【００２８】
なおカーボンとしては、ストラクチャー構造を持ち導電性のあるカーボンが好ましい。第２の上面電極層３４の電極材料の作成方法は次の通りである。まず、銀、カーボン、エポキシ樹脂をそれぞれの配合量で採取する。次に、それらを、混練機（シンキー製ＡＲ−２５０）で混練する。その後、混練したものを、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）で３回通し混練し、銀とカーボンを充分に分散させる。
【００２９】
また、第２の上面電極層３４の電極材料については、第１の上面電極層３２の電極材料との密着性を上げるために、カップリング剤などを添加しても良い。
【００３０】
なお図３のチップ抵抗器１００においては、第２の上面電極層３４が形成された後で、第１の上面電極層３２の一部を覆うように、抵抗層３３が形成されている。この構成に限らず、第１の上面電極層３２が形成された後で、抵抗層３３を形成し、その後で、抵抗層３３の一部を覆うように第２の上面電極層３４を設けても良い。
【００３１】
次に、本実施形態のチップ抵抗器の製造方法の一例を図４Ａ〜図４Ｃ、図５Ａ、５Ｂ、図６Ａ〜図６Ｃを用いて説明する。
【００３２】
まず、図４Ａに示すように、縦方向、横方向の分割溝４１ａ、４１ｂを有するアルミナ基板等からなるシート状の基板４２を準備する。基板４２の上面に、横方向の分割溝４１ｂを跨ぐように金とガラスの混合ペースト材料をスクリーン印刷して乾燥させる。そしてベルト式連続焼成炉により、約８５０℃の温度で約４５分間焼成することにより、複数対の第１の上面電極層４３を形成する。
【００３３】
次に、図４Ｂに示すように、第１の上面電極層４３間に電気的接続する抵抗層４４を形成する。抵抗層として、酸化ルテニウムとガラスの混合ペースト材料を第１の上面電極層４３の一部に重畳するようにスクリーン印刷して乾燥させる。そしてベルト式連続焼成炉により、約８５０℃の温度で約４５分間焼成することにより、複数の抵抗層４４を形成する。
【００３４】
次に、図４Ｃに示すように、複数の抵抗層４４の抵抗値を修正するために、レーザー等によりトリミングしてトリミング溝４５を形成する。この場合、トリミングする前にガラス等により抵抗層４４をプリコート（図示せず）した後、このプリコートおよび抵抗層４４をトリミングし、トリミング溝４５を形成しても良い。
【００３５】
次に、図５Ａに示すように、複数対の第１の上面電極層４３の上面に第２の上面電極層の材料をスクリーン印刷して乾燥させる。そして、約２００℃の温度で約３０分硬化させることにより、複数対の第２の上面電極層４６を形成する。
【００３６】
次に、図５Ｂに示すように、複数の抵抗層４４と複数対の第２の上面電極層４６の一部を覆うようにホウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。そしてベルト式連続焼成炉により、約６００℃の温度で４５分間焼成することにより、複数の保護層４７を形成する。
【００３７】
次に、図６Ａに示すように、複数対の第１の上面電極層４３と第２の上面電極層４６が基板側から露出するように、シート状の基板４２に設けた横方向の分割溝４１ｂに沿って分割することにより、短冊状基板４８を形成する。
【００３８】
次に、図６Ｂに示すように、複数対の第１、第２の上面電極層４３，４６と電気的に接続されるように、複数対の側面電極層４９を形成する。短冊状基板４８の側面に銀系樹脂ペースト材料をローラー転写により印刷し乾燥させる。そして、約１６５℃の温度で約４５分間硬化させることにより、複数対の側面電極層４９を形成する。
【００３９】
次に、図６Ｃに示すように、複数対の側面電極層４９を形成した短冊状基板４８を縦方向の分割溝４１ａに沿って分割することにより、個片状基板５０を形成する。
【００４０】
最後に第２の上面電極層４６および側面電極層４９を覆うようにニッケルめっき等からなる第１のめっき層（図示せず）を形成する。次に、この第１めっき層を覆うように、錫と鉛の合金めっきである第２のめっき層（図示せず）を形成して、チップ抵抗器を製造する。
【実施例】
【００４１】
次に、具体的に本発明のチップ抵抗器を製作し、その特性を評価した結果について説明する。【００４２】
（実施例１）
本実施例のチップ抵抗器は、図３において、基板３１として、アルミナ基板を用い、第１の上面電極層３２は、金とガラス混合材料から形成されている。抵抗層３３は酸化ルテニウムとガラスの混合材料から形成されている。第２の上面電極層３４は、球状粉で平均粒径が１μｍの銀粒子、カーボン、エポキシ系樹脂材料で構成されている。組成は、銀粒子７８重量％、カーボン５重量％である。保護層３５は、ホウケイ酸鉛系ガラス材料である。側面電極層３６は、銀とエポキシ系の樹脂材料である。また、この抵抗器１００には、ニッケルめっき層３７、錫と鉛の合金めっき層３８が設けられている。【００４３】
そして、第２の上面電極層３４の電極材料の製造方法は、次の通りである。【００４４】
原料としては、銀粉（フェロー製：Ｓ７０００−１４、平均粒径が１μｍ）４５ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣ６００ＪＤ）２．９ｇ、エポキシ系樹脂（三菱化学製：ＪＥＲ１０１０ブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、硬化剤（三菱化学製：Ｄｉｃｙ７）０．７ｇ、硬化触媒（サンアプロ製：Ｕｃａｔ−３５０２Ｔ）０．２ｇを用いた。この原料を、まず、混練機（シンキー製ＡＲ−２５０）で混練する。その後、三本ロール混練機（ＥＸＡＫＴ製Ｍ５０）で３回通し、混練し、銀とカーボンを充分に分散させた。【００４５】
なお、チップ抵抗器全体の製造方法は、前記実施形態で説明したとおりである。【００４６】
（実施例２）
実施例２のチップ抵抗器の構成は、基本的に実施例１と同じである。ただし、第２の上面電極層３４の組成と、保護層３５、めっき層３８の材料のみが異なる。本実施例の第２の上面電極層３４の組成は、銀粒子８３重量％、カーボン２．５重量％である。また、実施例１では、保護層３５はホウケイ酸鉛系ガラスペーストが使われているが、本実施例ではエポキシ系樹脂ペーストが用いられている。さらに、実施例１ではめっき層３８として錫と鉛の合金が使われているが、本実施例では、錫のみが用いられている。【００４７】
第２の電極材料の製造方法についても、原料を除いて製造工程は実施例１と同じである。原料は、銀粉（フェロー製：Ｓ７０００−１４、平均粒径が１μｍ）６１ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣＰ）１．８ｇ、エポキシ系樹脂（インケム製：ＰＫＨＨをブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、カップリング剤（東レダウ製：ＳＨ６０４０）０．５ｇである。【００４８】
チップ抵抗器全体の製造方法についても、基本的に実施例１と同様である。ただし、エポキシ系樹脂ペーストを用いているので、ベルト式連続焼成炉の温度は２００℃であり、硬化時間は３０分である。【００４９】
（参考例１）
参考例１のチップ抵抗器の構成は、基本的に実施例２と同じである。ただし、第２の上面電極層３４の組成のみが実施例２と異なる。本実施例の第２の上面電極層３４の組成は、銀粒子７３重量％、カーボン２．５重量％である。【００５０】
第２の上面電極層３４の電極材料の製造方法についても、原料を除いて製造工程は実施例１と同じである。原料は、銀粉（フェロー製：Ｓ７０００−１４、平均粒径が１μｍ）２９．５ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣ６００ＪＤ）１ｇ、エポキシ系樹脂（三菱化学製：ＪＥＲ１０１０をブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、硬化剤（三菱化学製：Ｄｉｃｙ７）０．７ｇ、硬化触媒（サンアプロ製：Ｕｃａｔ−３５０２Ｔ）０．２ｇである。【００５１】
チップ抵抗器全体の製造方法についても、実施例２と同様である。【００５２】
（参考例２）
参考例２のチップ抵抗器の構成は、基本的に実施例２と同じである。ただし、第２の上面電極層３４の組成のみが実施例２と異なる。本実施例の第２の上面電極層３４の組成は、銀粒子７５重量％、カーボン０．５重量％である。【００５３】
第２の上面電極層３４の電極材料の製造方法についても、原料を除いて製造工程は実施例１と同じである。原料は、銀粉（フェロー製：Ｓ７０００−１４、平均粒径が１μｍ）３０．３ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣ６００ＪＤ）０．２ｇ、エポキシ系樹脂（三菱化学製：ＪＥＲ１０１０をブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、硬化剤（三菱化学製：Ｄｉｃｙ７）０．７ｇ、硬化触媒（サンアプロ製：Ｕｃａｔ−３５０２Ｔ）０．２ｇである。【００５４】
チップ抵抗器全体の製造方法についても、実施例２と同様である。【００５５】
（参考例３）
参考例３のチップ抵抗器の構成は、基本的に実施例２と同じである。ただし、第２の上面電極層３４の組成のみが実施例２と異なる。本実施例の第２の上面電極層３４の組成は、銀粒子８７重量％、カーボン２重量％である。【００５６】
第２の上面電極層３４の電極材料の製造方法についても、原料を除いて製造工程は実施例１と同じである。原料は、銀粉（フェロー製：Ｓ７０００−１４、平均粒径が１μｍ）７８．３ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣ６００ＪＤ）１．８ｇ、エポキシ系樹脂（三菱化学製：ＪＥＲ１０１０をブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、硬化剤（三菱化学製：Ｄｉｃｙ７）０．７ｇ、硬化触媒（サンアプロ製：Ｕｃａｔ−３５０２Ｔ）０．２ｇである。【００５７】
チップ抵抗器全体の製造方法についても、実施例２と同様である。【００５８】
（参考例４）
参考例４のチップ抵抗器の構成は、第２の上面電極層３４の銀の粒径をのぞいて、実施例２と同じである。実施例２と異なり、第２の上面電極層３４の銀の粒径は、５μｍである。【００５９】
第２の上面電極層３４の電極材料の製造方法についても、原料を除いて製造工程は実施例１と同じである。原料は、銀粉（福田金属製：ＨＷＱ−５μｍ、平均粒径が５μｍ）６１ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣＰ）１．８ｇ、エポキシ系樹脂（インケム製：ＰＫＨＨをブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、カップリング剤（東レダウ製：ＳＨ６０４０）０．５ｇである。【００６０】
チップ抵抗器全体の製造方法についても、実施例２と同様である。【００６１】
（参考例５）
参考例５のチップ抵抗器の構成は、第２の上面電極層３４の銀粒子を除いて、実施例２と同じである。実施例２と異なり、第２の上面電極層３４の銀粒子はフレーク状の粉であり、粒径は、約７μｍである。【００６２】
第２の上面電極層３４の電極材料の製造方法についても、原料を除いて製造工程は実施例１と同じである。原料は、銀粉（徳力本店製：ＴＣ−２５Ａ、フレーク粒径が７μｍ）６１ｇ、カーボン（ライオン製：ＥＣＰ）１．８ｇ、エポキシ系樹脂（インケム製：ＰＫＨＨをブチルカルビトールアセテートで固形分３３ｗｔ％に溶解した樹脂）３０ｇ、カップリング剤（東レダウ製：ＳＨ６０４０）０．５ｇである。【００６３】
チップ抵抗器全体の製造方法についても、実施例２と同様である。【００６４】
（試料の評価）
本実施例で作成した試料について、硫化ガス試験、めっき密着試験、導電性評価を行った。【００６５】
硫化ガス試験は次の通り行った。試料は、各実施例のチップ抵抗器を、プリント基板にフローはんだ付けしたものを用いた。この試料を硫化ガスにさらした。硫化ガス試験の条件は、４０℃、９５％ＲＨ、硫化ガス濃度３ｐｐｍ雰囲気中に２０００時間放置というものである。この条件に試料を保持した後、保護層３５とめっき層の表面に硫化銀が析出してくるかを確かめた。【００６６】
めっき密着性試験では、試料として、各実施例のチップ抵抗器自体を用いた。チップ抵抗器のめっき部分にセロハンテープを貼り付け、引きはがした。このときにめっき層が第２の上面電極層３４と剥離するかを評価した。【００６７】
第２の上面電極層３４の導電性評価は、試料として、チップ抵抗器自体は用いず、その代わりに、ガラス基板に３ｍｍＸ７０ｍｍ幅で各実施例の第２の上面電極層３４の材料を印刷し、硬化させたものを用いた。この試料を１０μｍ厚みに換算したシート抵抗の抵抗値を計算した。【００６８】
【表１】
2012114673.tif 000003
【００６９】
上記試料の評価結果をまとめて表１に示す。表１より次のことが分かる。【００７０】
参考例４のように銀粒子の大きさが５μｍ以上と大きすぎると、硫化ガス試験において、硫化銀が発生しやすくなる。同様に、参考例３のように、銀の濃度が８７重量％以上と大きすぎる場合にも、硫化銀が発生しやすくなる。【００７１】
一方、参考例１のように、銀の濃度が７３重量％以下と小さすぎる場合には、めっきとの密着性が悪くなり、剥離が発生する。【００７２】
一方、参考例２のごとく、銀粒子に１μｍの球状粉を７５重量％のものを用いても、カーボンが０．５％では、導電性が不十分である。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、硫化ガス雰囲気中でも断線することが無く、硫化銀が表面に析出することがないチップ抵抗器として有用である。
【符号の説明】
【００７４】
１    絶縁基板
２    上面電極層
３    抵抗層
４    トリミング溝
５    保護層
６    側面電極層
７    ニッケルめっき層
８    はんだめっき層
３１    基板
３２    第１の上面電極層
３３    抵抗層
３４    第２の上面電極層
３５    保護層
３６    側面電極層
３７    ニッケルめっき層
３８    はんだめっき層
３９    トリミング溝
４１ａ    分割溝
４１ｂ    分割溝
４２    基板
４３    第１の上面電極層
４４    抵抗層
４５    トリミング溝
４６    第２の上面電極層
４７    保護層
４８    短冊状基板
４９    側面電極層
５０    個片状基板
１０１    銀粒子
１０２    硫化銀
１０３    カーボン粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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