(57)【要約】  本発明に係る蒸着装置（５０）は、被成膜基板（６０）に成膜を行う蒸着装置であって、蒸着粒子を射出する射出口（８１）を有する蒸着源（８０）と、蒸着粒子を蒸着源（８０）に供給する蒸着源坩堝（８２）と、蒸着源（８０）を回転させることにより、蒸着粒子の射出量の分布を変化させる回転モータ（８６）とを備える。
2012086568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、
蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源と、
上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、
上記蒸着粒子の射出量の分布を変化させる射出量制御手段とを備えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
上記射出口は、上記蒸着源の長手方向に沿って列状に複数配置され、
上記射出口の配列は、互いに並列に複数設けられ、
上記長手方向に沿った上記蒸着粒子の射出量の分布が、各配列間で互いに異なり、
上記射出量制御手段は、上記射出口の配列のいずれかを選択的に上記被成膜基板に対向させる配列選択手段であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
上記蒸着源は筒型であり、
上記射出口の各列は、上記蒸着源の側面に配置され、
上記配列選択手段は、その回転軸が上記長手方向と平行になるように、上記蒸着源を回転させる回転手段であることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
上記回転手段は、上記蒸着源の端部に取り付けられた第１のギアと、
回転モータによって回転する第２のギアと
第１のギアと第２のギアとの間に選択的に介在することにより、第１のギアと第２のギアとを連動させる第３のギアとを備えることを特徴とする請求項３に記載の蒸着装置。
【請求項５】
上記長手方向に沿った上記射出口の開口径の分布が、各配列間で互いに異なることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
上記長手方向に沿った上記射出口の間隔の分布が、各配列間で互いに異なることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項７】
上記長手方向に沿った上記射出口の密度の分布が、各配列間で互いに異なることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項８】
上記被成膜基板に対向していない配列の射出口から射出された上記蒸着粒子の被成膜基板への蒸着を防止する蒸着防止手段を備えていることを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項９】
上記射出口の配列のうち、上記被成膜基板に対向していない配列の射出口からの上記蒸着粒子の射出を防止する射出防止手段を備えていることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
上記射出防止手段は、筒型の防着板であり、
上記蒸着源は、上記防着板の内部に挿入され、
上記防着板の側面の上記被成膜基板と対向する位置に、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状の開口が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の蒸着装置。
【請求項１１】
上記射出口は、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状に形成されており、
上記射出量制御手段は、上記射出口の開口幅を変化させる開口幅制御手段であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
上記開口幅制御手段は、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状の開口が形成され、当該開口が上記蒸着源と上記被成膜基板との間に位置する防着板と、
上記射出口と上記開口との相対位置を変化させる移動手段とを備えることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着装置。
【請求項１３】
上記蒸着源は筒型であり、
上記移動手段は、その回転軸が上記長手方向と平行になるように、上記蒸着源を回転させる回転手段であることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項１４】
上記防着板は、筒型であり、
上記蒸着源は、上記防着板の内部に挿入され、
上記スリット状の開口は、上記防着板の側面の上記被成膜基板と対向する位置に形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の蒸着装置。
【請求項１５】
上記開口幅制御手段の開口の長辺と、上記射出口の長辺とは平行でないことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項１６】
上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる走査手段を備えることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項１７】
上記蒸着源の長手方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることを特徴とする請求項１６に記載の蒸着装置。
【請求項１８】
被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、
蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源における、上記蒸着粒子の射出量の分布を制御する射出量制御工程と、
上記蒸着源に蒸着粒子を供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する射出工程と、
上記射出量制御工程と上記射出工程とを複数回繰り返す繰返工程とを有していることを特徴とする蒸着方法。
【請求項１９】
ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、
上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、
第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、
上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、請求項１８に記載の蒸着方法の上記射出工程、上記射出量制御工程および上記繰返工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着法を用いた蒸着装置、蒸着方法、並びに、この蒸着装置および蒸着方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。【０００３】
そのような状況下、有機材料の電界発光（Electroluminescence：以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。【０００５】
有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。【０００６】
フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層を備えた有機ＥＬ素子がサブ画素として基板上に配列形成される。ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。【０００７】
有機ＥＬ表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子ごとに所定パターンで形成する必要がある。また、有機ＥＬ素子ごとにパターン形成が必要ない層については、有機ＥＬ素子で構成される画素領域全面に対して、一括して薄膜形成を行う。【０００８】
発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、真空蒸着法が用いられることが多い（例えば、特許文献１および２）。【０００９】
真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク（蒸着マスクまたはシャドウマスクとも称される）が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子（成膜材料）を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。【００１０】
ここで、真空蒸着法を用いた従来の蒸着装置の構成を、図１５および図１６に基づいて説明する。【００１１】
図１５は、従来の蒸着装置２５０の概略構成を示す側面図であり、図１６は、蒸着装置２５０の蒸着源２８０、蒸着源坩堝２８２および配管２８３の概略構成を示す斜視図である。【００１２】
図１５に示すように、蒸着装置２５０は、被成膜基板２６０に成膜を行う装置であり、シャドウマスク２７０、蒸着源２８０、蒸着源坩堝２８２および配管２８３を備えている。シャドウマスク２７０および蒸着源２８０は、真空チャンバ２９０内に配置され、蒸着源坩堝２８２は、図示しない支持台に固定されている。【００１３】
蒸着源２８０は、蒸着粒子を射出する複数の射出口（ノズル）２８１を有しており、図１５に示すように、射出口２８１は、１列に配置されている。【００１４】
蒸着源坩堝２８２には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。蒸着材料は、蒸着源坩堝２８２内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管２８３を通って蒸着源２８０に供給（導入）される。配管２８３は、蒸着源２８０の射出口２８１の列の一方端側の端部（供給側端部）に接続されており、蒸着源２８０に供給された蒸着粒子は、射出口２８１から射出される。なお、配管２８３は、蒸着粒子が付着しないような温度に加熱されている。【００１５】
被成膜基板２６０の蒸着面と蒸着源２８０とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク２７０が、被成膜基板２６０の蒸着面に密着固定されている。【００１６】
上記の構成において、射出口２８１から蒸着粒子を射出させながら、被成膜基板２６０およびシャドウマスク２７０を蒸着源２８０に対して相対移動（走査）させる。これにより、被成膜基板２６０に所定のパターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開平８−２２７２７６号公報（１９９６年９月３日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２０００−１８８１７９号公報（２０００年７月４日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上述のような従来技術は、蒸着膜の膜厚分布が不均一になるという問題がある。【００１９】
図１７は、射出口２８１の配列方向に沿った被成膜基板２６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。このグラフでは、蒸着源２８０の供給側端部に対向する位置をＡとし、蒸着源２８０の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をＢとしている。【００２０】
蒸着源２８０の内部では、供給経路内および射出口内の圧力差、内部形状、コンダクタンス等の影響を受けるため、各射出口２８１から射出される蒸着粒子の量が異なってくる。具体的には、供給側端部に近い射出口２８１から順に蒸着粒子が射出されるため、供給側端部から離れるほど蒸着粒子の密度が低くなり、蒸着源２８０の内部で圧力差が生じる。そのため、蒸着源２８０の供給側端部からの距離が大きいほど、射出口２８１からの蒸着粒子の射出量が減少する傾向がある。また、蒸着粒子の種類、射出口の開口のバラツキ、供給経路の形状のバラツキ、蒸着源の温度分布などにより、蒸着粒子の密度分布は複雑に変化する。【００２１】
それに伴い、様々な射出口２８１から射出された蒸着粒子の合成によって構成される被成膜基板２６０上の蒸着膜についても、図１７に示すように、基板面内の位置によって、蒸着粒子の量が異なってくる。このため、基板面内で膜厚分布の不均一が生じてしまう。【００２２】
特に、有機ＥＬ素子の発光特性は、蒸着される有機膜の膜厚に極めて敏感であり、有機ＥＬ表示装置の画面内での有機膜の膜厚差は、表示ムラや寿命特性の不均一に直結する。そのため、有機ＥＬ素子の発光層は、極力均一に蒸着することが望ましい。【００２３】
なお、射出口の開口量（直径）を変化させることによって、各射出口からの射出量を制御することも可能である。しかしながら、射出口の加工に高い精度が要求されるため、蒸着源の製造コストの上昇を招く。また、蒸着粒子の分布は動的に変化するため、射出口の開口量だけで各射出口からの射出量を均一にすることは難しい。【００２４】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源と、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着粒子の射出量の分布を変化させる射出量制御手段とを備えることを特徴としている。【００２６】
上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源における、上記蒸着粒子の射出量の分布を制御する射出量制御工程と、上記蒸着源に蒸着粒子を供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する射出工程と、上記射出量制御工程と上記射出工程とを複数回繰り返す繰返工程とを有していることを特徴としている。【００２７】
上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。ここで、１回の蒸着における蒸着粒子の膜厚分布は、通常不均一であるが、蒸着粒子の射出量の分布を変化させながら、被成膜基板への蒸着を複数回繰り返すことにより、膜厚分布を平均化することができる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。【００２８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記射出工程、上記射出量制御工程および上記繰返工程を有することを特徴としている。【００２９】
上記の構成によれば、本発明の蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源と、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着粒子の射出量の分布を変化させる射出量制御手段とを備える構成である。また、発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源における、上記蒸着粒子の射出量の分布を制御する射出量制御工程と、上記蒸着源に蒸着粒子を供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する射出工程と、上記射出量制御工程と上記射出工程とを複数回繰り返す繰返工程とを有している。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の一形態にかかる蒸着装置の構成を示す側面図である。
【図２】図１に示す蒸着装置の構成の一部を示す断面図である。
【図３】蒸着源の側面に形成される射出口の配列の例を示す平面図である。
【図４】被成膜基板への蒸着手順を示すフローチャートである。
【図５】射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。
【図６】ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。
【図８】図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図９】本発明の実施の一形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【図１０】射出口の配列の変形例を示す平面図である。
【図１１】蒸着装置の変形例を示す図である。
【図１２】本発明の実施の他の形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施のさらに他の形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示す断面図である。
【図１４】被成膜基板側から見た、防着板の開口と蒸着源の射出口との相対位置を示す図である。
【図１５】従来の蒸着装置の概略構成を示す側面図である。
【図１６】図１５に示す蒸着装置の蒸着源ユニットの概略構成を示す斜視図である。
【図１７】蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００３３】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図１１に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００３４】
本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。
【００３５】
まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。
【００３６】
図６は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図８は、図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００３７】
図６に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図８参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
【００３８】
図６に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
【００３９】
上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図７に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
【００４１】
有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
【００４２】
すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が画成されている。
【００４３】
画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。
【００４４】
各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。
【００４５】
これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂについては後述する。
【００４６】
これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
【００４７】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。
【００４８】
まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。
【００４９】
ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。
【００５０】
上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
【００５１】
層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
【００５２】
層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
【００５３】
また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
【００５４】
エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
【００５５】
エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１のパターン端部を被覆するように形成されている。
【００５６】
エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。
【００５７】
言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。
【００５８】
次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。
【００５９】
有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。
【００６０】
第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
【００６１】
第１電極２１と第２電極２６との間には、図８に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。
【００６２】
なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
【００６３】
正孔注入層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
【００６４】
なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
【００６５】
正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
【００６６】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
【００６７】
電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
【００６８】
電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００６９】
なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
【００７０】
第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００７１】
なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
【００７２】
上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。
【００７３】
また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
【００７４】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。
【００７５】
図９は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【００７６】
図９に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ１２）、発光層蒸着工程（Ｓ１３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ１４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ１５）、第２電極蒸着工程（Ｓ１６）、封止工程（Ｓ１７）を備えている。
【００７７】
以下に、図９に示すフローチャートに従って、図６および図８を参照して上記した各工程について説明する。
【００７８】
但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
【００７９】
また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。
【００８０】
まず、図８に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。
【００８１】
上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００〜５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００〜４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
【００８２】
層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図８に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。
【００８３】
上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。
【００８４】
次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。
【００８５】
次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。
【００８６】
次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。
【００８７】
なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。
【００８８】
また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
【００８９】
上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。
【００９０】
次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。
【００９１】
以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１１）。
【００９２】
次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
【００９３】
次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１２）。
【００９４】
具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。
【００９５】
ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。
【００９６】
正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
【００９７】
正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【００９８】
本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。
【００９９】
次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ１３）。
【０１００】
前記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。
【０１０１】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。
【０１０２】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０１０３】
本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。
【０１０４】
本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。
【０１０５】
次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ１２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１４）。
【０１０６】
続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ１２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１５）。
【０１０７】
電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
【０１０８】
具体的には、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン、およびこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ等が挙げられる。
【０１０９】
前記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１〜１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０〜２００ｎｍである。
【０１１０】
本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。
【０１１１】
次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ１２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１６）。
【０１１２】
第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍである。
【０１１３】
本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。
【０１１４】
次いで、図６に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。
【０１１５】
上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４〜１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
【０１１６】
なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。
【０１１７】
なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。
【０１１８】
また、上記第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。
【０１１９】
上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍである。
【０１２０】
上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。
【０１２１】
このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へ正孔が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。
【０１２２】
上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。
【０１２３】
次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。
【０１２４】
図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の構成を示す側面図である。蒸着装置５０は、被成膜基板６０に成膜を行う装置であり、シャドウマスク７０、蒸着源８０、蒸着源坩堝８２（蒸着粒子供給手段）、配管８３、防着板８４、ギア８５ａ〜８５ｃ（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）、回転モータ８６（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）およびギア可動機構８７（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）を備えている。
【０１２５】
シャドウマスク７０、蒸着源８０、防着板８４およびギア８５ａ〜８５ｃは、真空チャンバ９０内に配置され、蒸着源坩堝８２は、図示しない支持台に固定されている。なお、被成膜基板６０、シャドウマスク７０および蒸着源坩堝８２の構成は、図１５に示す被成膜基板２６０、シャドウマスク２７０および蒸着源坩堝２８２とそれぞれ同一である。
【０１２６】
蒸着源８０は、蒸着粒子を射出する射出口８１を有している。射出口８１は、蒸着源８０の一次元方向（蒸着源８０の長手方向）に沿って列状に複数配置され、射出口８１の配列は、蒸着源８０の側面に、互いに並列に複数設けられている。蒸着源８０のさらに詳細な構成は、後述する。
【０１２７】
蒸着源坩堝８２には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。また、蒸着源坩堝８２は、真空チャンバ９０の外部に配置されている。これにより、蒸着源坩堝８２への蒸着材料供給の度に真空チャンバ９０を大気開放する必要がなく、スループットを向上することができる。また、真空チャンバ９０内に空間的余裕ができ、真空チャンバ９０内の設計が容易となる。
【０１２８】
蒸着材料は、蒸着源坩堝８２内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管８３を通って蒸着源８０に供給（導入）される。配管８３は、蒸着源８０の射出口８１の列の一方端側の端面に接続されている。蒸着源８０に供給された蒸着粒子は、射出口８１から射出される。なお、配管８３の接続位置は、蒸着源８０の端部に限定されない。
【０１２９】
被成膜基板６０の蒸着面と蒸着源８０とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク７０が、被成膜基板６０の蒸着面に密着固定されている。そして、射出口８１から蒸着粒子を射出させながら、図示しない走査手段により、被成膜基板６０およびシャドウマスク７０を蒸着源８０に対して相対移動（走査）させる。具体的には、蒸着源８０が被成膜基板６０に蒸着粒子を射出している時に、移動手段は、被成膜基板６０およびシャドウマスク７０を、射出口８１の配列方向に垂直な方向（図面の奥側から手前側に向かう方向、およびその逆方向）に往復移動させる。これにより、被成膜基板６０に所定のパターンが形成される。
【０１３０】
図２は、被成膜基板６０、シャドウマスク７０、蒸着源８０および防着板８４を、射出口８１の配列方向に垂直な面で切った断面を示している。図２において、蒸着時に被成膜基板６０およびシャドウマスク７０は、左右方向に往復移動する。
【０１３１】
蒸着源８０は、円筒型であり、その中心部８０ａは、蒸着源坩堝８２から供給された蒸着粒子の通路となっている。また、蒸着源８０の側面には、蒸着源８０の長手方向に沿って、射出口８１ａからなる配列（図３の（ａ））と、射出口８１ｂからなる配列（図３の（ｂ））と、射出口８１ｃからなる配列（図３の（ｃ））とが形成されている。
【０１３２】
図３は、蒸着源８０の側面に形成される射出口の配列の例を示す平面図である。図３の（ａ）は、射出口８１ａからなる配列Ａを示しており、図３の（ｂ）は、射出口８１ｂからなる配列Ｂを示しており、図３の（ｃ）は、射出口８１ｃからなる配列Ｃを示している。なお、図３の（ａ）〜（ｃ）では、蒸着源８０の左側端部から蒸着粒子が供給される。
【０１３３】
図３の（ａ）に示すように、配列Ａを構成する射出口８１ａは、開口径が互いに等しくなっている。一方、図３の（ｂ）に示すように、配列Ｂでは、射出口８１ｂの開口径が、蒸着源８０の左側端部から右側端部にかけて徐々に大きくなっている。また、図３の（ｃ）に示すように、配列Ｃでは、射出口８１ｃの開口径が、蒸着源８０の左側端部から中間位置にかけて徐々に大きくなり、当該中間位置から右側端部では、互いに等しくなっている。このように、各配列Ａ〜Ｃでは、射出口の開口径の分布が互いに異なっている。
【０１３４】
図２では、射出口８１ａからなる配列Ａが被成膜基板６０に対向している。一方、射出口８１ｂからなる配列Ｂ、および射出口８１ｃからなる配列Ｃは、被成膜基板６０に対向していない。すなわち、射出口８１ａから射出される蒸着粒子のみが被成膜基板６０に蒸着される。
【０１３５】
なお、射出口８１ｂ・８１ｃから射出される蒸着粒子が被成膜基板６０上に達しないように、被成膜基板６０と蒸着源８０との間に防着板８４を設けることが望ましい。防着板８４には、射出口８１ａの配列方向に沿ってスリット状の開口８４ａが形成されており、射出口８１ａから射出された蒸着粒子のみが、開口８４ａを通って被成膜基板６０に蒸着する。これにより、防着板８４は、被成膜基板６０に対向していない配列の射出口から射出された蒸着粒子の被成膜基板６０への蒸着を防止する蒸着防止手段として機能する。したがって、より均一な成膜を行うことができる。
【０１３６】
なお、防着板８４に付着した蒸着粒子が再度脱離しないように、防着板８４は冷却されていることが好ましい。
【０１３７】
ここで、図１５に示す蒸着装置２５０では、蒸着源２８０が固定されていた。一方、図１に示す、本実施の形態にかかる蒸着装置５０では、その回転軸が蒸着源８０の長手方向と平行になるように蒸着源８０が回転可能となっている。そして、蒸着源８０を回転させることにより、被成膜基板６０に対向する射出口の配列を切り替えることが可能となっている。すなわち、蒸着源８０に形成された射出口の配列のいずれかを選択的に被成膜基板６０に対向させることができる。
【０１３８】
蒸着源８０を回転させる機構（回転手段）として、図１に示すように、ギア８５ａ〜８５ｃ、回転モータ８６およびギア可動機構８７が設けられている。
【０１３９】
ギア８５ａは、蒸着源８０の蒸着粒子が供給される側の端部と反対側の端部に取り付けられている。ギア８５ｂは、回転モータ８６によって回転する回転軸８６ａの先端部に取り付けられており、ギア８５ａと所定の距離を置いて離間している。また、ギア８５ｃは、ギア可動機構８７の回転軸８７ａの先端部に取り付けられている。回転軸８７ａは、ギア可動機構８７によって蒸着源８０の長手方向に伸縮可能となっている。なお、ギア８５ａ〜８５ｃの回転面は、互いに平行である。
【０１４０】
蒸着源８０を回転させる場合は、図１に示す状態において、ギア可動機構８７によってギア８５ｃを右方向に移動させ、ギア８５ａとギア８５ｂとの間に介在させて、回転モータ８６を駆動する。このとき、ギア８５ａとギア８５ｂとが連動するため、回転モータ８６の駆動力が蒸着源８０に伝達する。一方、蒸着源８０の回転を停止させる場合は、回転モータ８６を停止させて、ギア可動機構８７によってギア８５ｃを左方向に移動させることにより、図１に示す状態に戻す。
【０１４１】
このように、ギア８５ｃをギア８５ａとギア８５ｂとの間に選択的に介在させることにより、蒸着粒子の供給により高温となる蒸着源８０の熱が回転モータ８６に伝導して、回転モータ８６が損傷したり、蒸着源８０の温度が低下することを防止できる。
【０１４２】
なお、蒸着源８０から回転モータ８６への熱伝導の影響が軽微な場合は、ギア８５ａ〜８５ｃおよびギア可動機構８７を省略して、蒸着源８０と回転モータ８６とを常時接続してもよい。
【０１４３】
本実施の形態では、被成膜基板６０に対向する射出口の配列の切り替えを、被成膜基板６０の走査方向の切り替えに合わせて行っている。図４は、被成膜基板６０への蒸着手順を示すフローチャートである。
【０１４４】
まず、配列８１Ａを被成膜基板６０に対向させる（Ｓ１、射出量制御工程）。被成膜基板６０を図１の奥方向（往路方向とする）に走査させながら、射出口８１ａから被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（Ｓ２、射出工程）。
【０１４５】
被成膜基板６０の往路方向の走査が終了すると、蒸着源８０を回転させて、配列８１Ｂを被成膜基板６０に対向させる（Ｓ３、射出量制御工程）。その状態で、被成膜基板６０を図１の手前方向（復路方向とする）に走査させながら、射出口８１ｂから被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（Ｓ４、射出工程）。
【０１４６】
被成膜基板６０の復路方向の走査が終了すると、再度蒸着源８０を回転させて、配列８１Ｃを被成膜基板６０に対向させる（Ｓ５、射出量制御工程）。その状態で、被成膜基板６０を往路方向に走査させながら、射出口８１ｃから被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（Ｓ６、射出工程）。このように、射出量制御工程と射出工程とを複数回繰り返す（繰返工程）。本実施の形態では、射出量制御工程と射出工程とを３回繰り返し、計３回の蒸着を行う。
【０１４７】
なお、蒸着源８０の回転は、被成膜基板６０が蒸着源８０上を通過して蒸着粒子が被成膜基板６０に到達しない位置にあるときに行われる。また、蒸着源８０の回転中は、所望以外の空間に蒸着粒子が射出される虞があるため、バルブやシャッタなどによって、蒸着粒子の射出を停止しておくことが望ましい。
【０１４８】
ここで、図３に示すように、各配列８１Ａ〜８１Ｃでは、射出口の開口径の分布が互いに異なっている。そのため、蒸着源８０の長手方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布が、各配列８１Ａ〜８１Ｃ間で互いに異なる。したがって、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６の蒸着における、被成膜基板６０での膜厚分布も互いに異なることとなる。
【０１４９】
図５は、射出口の配列方向に沿った被成膜基板６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。実線は、配列８１Ａを被成膜基板６０に対向させた状態で、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合（１回目の蒸着）の蒸着粒子の分布を示している。破線は、配列８１Ｂを被成膜基板６０に対向させた状態で、被成膜基板６０が復路方向に走査した場合（２回目の蒸着）の蒸着粒子の分布を示している。一点鎖線は、配列８１Ｃを被成膜基板６０に対向させた状態で、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合（３回目の蒸着）の蒸着粒子の分布を示している。また、二点鎖線は、３回目の蒸着が終了した時点での蒸着粒子の分布を示している。
【０１５０】
各配列８１Ａ〜８１Ｃでは、射出口の開口径の分布が互いに異なっているため、実線、破線および一点鎖線で示される分布は、互いに異なっている。また、これらの分布は、蒸着粒子の種類、蒸着源８０内部の温度分布などの様々な要因により、複雑に変化する。そのため、１回の蒸着では、膜厚分布を均一にすることは困難である。
【０１５１】
一方、射出口の配列方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布が互いに異なる配列を用いて複数回蒸着を行うことにより、膜厚分布を平均化することができる。これにより、二点鎖線に示すように、均一な膜厚分布を得ることができる。
【０１５２】
なお、図４に示すフローチャートでは、計３回の蒸着を行ったが、蒸着の回数はこれに限定されない。また、当該フローチャートでは、各配列８１Ａ〜８１Ｃを１回ずつ被成膜基板への蒸着に用いていたが、各配列の使用比率を均等にしなくてもよい。各配列の使用比率を適宜変化させることにより、被成膜基板における膜厚分布を任意に可変できる。
【０１５３】
また、本実施の形態では、従来の蒸着装置において、蒸着源に射出口の配列を複数形成し、蒸着源を回転させる機構を加えるだけであるので、簡便に膜厚分布を調整できる。したがって、射出口の形成のために、高精度な加工は要求されない。
【０１５４】
また、本実施の形態では、各配列間で、射出口の開口径の分布を異ならせることにより、射出口の配列方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布を異ならせていたが、射出量の分布を異ならせる構成は、これに限定されない。例えば、図１０の（ａ）に示す配列８１Ｄのように、各射出口８１ｄの間隔を不均一としたり、図１０の（ｂ）に示す配列８１Ｅのように、各射出口８１ｅの形成密度を不均一にしてもよい。このように、蒸着源の長手方向に沿った射出口の間隔の分布や密度の分布を、各配列間で互いに異ならせることにより、蒸着粒子の射出量の分布を異ならせてもよい。
【０１５５】
また、本実施の形態では、被成膜基板とシャドウマスクとが密着していたが、被成膜基板とシャドウマスクとの間に空隙を設けて蒸着を行ってもよい。さらに、本実施の形態では、被成膜基板の全面を覆うシャドウマスクを用いていたが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、シャドウマスクとして、被成膜基板６０の蒸着領域よりも面積が小さいシャドウマスク１７０を用いてもよい。
【０１５６】
この場合、シャドウマスク１７０と蒸着源８０との相対的な位置を固定し、シャドウマスク１７０が被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように位置合わせを行う。そして、被成膜基板６０をシャドウマスク１７０および蒸着源８０に対して相対移動させて、蒸着粒子をシャドウマスク１７０の開口部１７１を介して被成膜基板６０の蒸着領域に順次蒸着させる。
【０１５７】
なお、蒸着源の形状は、円筒型でなくてもよい。例えば、断面が多角形の筒型であってもよい。
【０１５８】
また、射出口の個数や、配列の数も、上記に限定されない。
【０１５９】
また、本実施の形態では、蒸着源全体を回転させていたが、蒸着源をその長手方向に複数の部分に区切り、各部分ごとに回転可能とする構成であってもよい。この場合、各射出口に対応して回転用ギアを設け、その回転用ギアと回転モータとを逐次接続することで、出射口を個別に回転させる。当該構成によっても、蒸着粒子の射出量の分布を変化させることができる。
【０１６０】
〔実施の形態２〕
本発明の実施の他の形態について、図１２に基づいて説明すれば以下の通りである。説明の便宜上、前記実施の形態１において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１６１】
図１２は、本実施の形態にかかる蒸着装置５１の構成の一部を示す断面図である。蒸着装置５１は、図２に示す蒸着装置５０において、平板状の防着板８４の代わりにホットウォール型の防着板１８４（射出防止手段）を備えた構成である。
【０１６２】
防着板１８４は、円筒型である。また、防着板１８４の側面の被成膜基板６０と対向する位置に、蒸着源８０の長手方向に沿って、スリット状の開口１８４ａが形成されている。
【０１６３】
蒸着源８０は、防着板１８４の内部に回転可能に挿入されている。そして、図示しない回転手段により、蒸着源８０に形成された射出口の配列のいずれかを選択的に被成膜基板６０に対向させることができる。一方、防着板１８４は、開口１８４ａが被成膜基板６０と対向する位置で固定されている。
【０１６４】
蒸着時には、蒸着源８０の射出口の配列のうち、被成膜基板６０と対向する配列（図１２では、射出口８１ａからなる配列）が、開口１８４ａを介して外部に露出する一方、他の配列（図１２では、射出口８１ｂからなる配列、および射出口８１ｃからなる配列）は、防着板１８４の内壁１８４ｂによって閉塞される。これにより、被成膜基板６０と対向する射出口８１ａからは蒸着粒子が射出される一方、他の射出口８１ｂ・８１ｃからは蒸着粒子が射出されない。
【０１６５】
このように、防着板１８４は、被成膜基板６０に対向していない配列の射出口からの蒸着粒子の射出を防止する射出防止手段として機能する。これにより、蒸着装置５１では、被成膜基板６０と対向しない射出口から蒸着粒子が射出されないので、成膜に供されない蒸着粒子の射出を防止することができる。したがって、図２に示す蒸着装置５０に比べ、蒸着粒子をより有効に使用することができる。
【０１６６】
なお、防着板１８４に蒸着粒子が付着しないように、防着板１８４は蒸着粒子の昇華温度以上に加熱されていることが望ましい。
【０１６７】
また、蒸着源８０を回転させる回転手段は、実施の形態１におけるものと同様である。
【０１６８】
〔実施の形態３〕
本発明の実施のさらに他の形態について、図１３および図１４に基づいて説明すれば以下の通りである。説明の便宜上、前記実施の形態１および２において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１６９】
図１３は、本実施の形態にかかる蒸着装置５２の構成の一部を示す断面図である。蒸着装置５２は、図１２に示す蒸着装置５１において、蒸着源８０の代わりに蒸着源１８０を備えた構成である。
【０１７０】
蒸着源１８０は、図２に示す蒸着源８０と同様、円筒形であり、図示しない回転手段により、防着板１８４の内側に回転可能に挿入されている。蒸着源１８０の中心部１８０ａは、蒸着源坩堝から供給された蒸着粒子の通路となっている。また、蒸着源１８０の側面には、蒸着源１８０の長手方向に沿って、スリット状の射出口１８１が形成されている。
【０１７１】
射出口１８１と防着板１８４の開口１８４ａとが重なっていない場合は、射出口１８１は、防着板１８４の内壁１８４ｂによって閉塞される。そのため、射出口１８１から蒸着粒子は射出されない。
【０１７２】
射出口１８１と防着板１８４の開口１８４ａとの少なくとも一部が重なっている場合は、その重複領域から蒸着粒子が射出される。すなわち、当該重複領域が蒸着粒子の射出口となる。蒸着粒子の出射量は、射出口１８１と防着板１８４の開口１８４ａとの重複領域の開口幅に応じて変化する。
【０１７３】
ここで、防着板１８４の開口１８４ａは、長方形状に形成されている一方、射出口１８１は、長辺が非直線である非矩形状に形成されている。すなわち、開口１８４ａの長辺と射出口１８１の長辺とは平行ではない。
【０１７４】
図１４の（ａ）〜（ｄ）は、被成膜基板６０側から見た、開口１８４ａと射出口１８１との相対位置を示す図である。各図において、上方向が蒸着源１８０の回転方向である。
【０１７５】
図１４の（ａ）では、射出口１８１と開口１８４ａとが重なっていない。そのため、射出口１８１からは蒸着粒子は射出されない。
【０１７６】
図１４の（ｂ）は、開口１８４ａの一部が射出口１８１と重なっている状態を示しており、蒸着粒子は重複領域から射出される。ここで、開口１８４ａの長辺が直線であるのに対し、射出口１８１の長辺が非直線であるため、重複領域の開口幅は一定ではない。図１４の（ｂ）では、重複領域の中間部分が最も開口幅が大きく、中間部分から両端部分にかけて開口幅が次第に小さくなっている。
【０１７７】
図１４の（ｃ）は、開口１８４ａの全体が射出口１８１と重なっている状態を示している。開口１８４ａは長方形状であるため、重複領域の開口幅は一定である。
【０１７８】
図１４の（ｄ）は、開口１８４ａの一部が射出口１８１と重なっている状態を示している。同図では、重複領域の中間部分が最も開口幅が小さく、中間部分から両端部分にかけて開口幅が次第に大きくなっている。
【０１７９】
図１４の（ｂ）〜（ｄ）では、蒸着源１８０の長手方向に沿った重複領域の開口幅が、それぞれ異なっている。そのため、図１４の（ｂ）〜（ｄ）の各状態における、蒸着源１８０の長手方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布も、互いに異なっている。
【０１８０】
このように、本実施の形態では、蒸着中に蒸着源１８０を回転させ、蒸着源１８０の射出口１８１と防着板１８４の開口１８４ａとの重なり度合いを変化させることにより、蒸着源１８０の長手方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布を高精度に変化させることができる。すなわち、蒸着源１８０を回転させる回転手段と、開口１８４ａとで、蒸着粒子の射出口の開口幅を変化させる開口幅制御手段を構成している。したがって、被成膜基板６０の走査方向の切り替えに応じて、蒸着粒子の射出量の分布を変化させて、複数回蒸着を行うことにより、膜厚分布を平均化させて、均一な膜厚分布を得ることができる。
【０１８１】
なお、図１４では、蒸着源の射出口のほうが防着板の開口よりも大きく形成されていたが、防着板の開口を蒸着源の射出口よりも大きく形成してもよい。
【０１８２】
また、本実施の形態では、防着板の開口を長方形に形成し、蒸着源の射出口を非矩形に形成したが、両者の形状はこれに限定されない。例えば、防着板の開口を非矩形に形成し、蒸着源の射出口を長方形に形成してもよい。また、防着板の開口と蒸着源の射出口との両方を非矩形に形成してもよい。
【０１８３】
また、蒸着源にスリット状の射出口を複数設けてもよい。これにより、さらに自由な蒸着粒子の分布制御が可能となる。
【０１８４】
また、蒸着源１８０を回転させる回転手段は、実施の形態１におけるものと同様である。
【０１８５】
また、本実施の形態では、防着板が円筒形であったが、これに限定されず、例えば、実施の形態１における防着板のように、平板状であってもよい。
【０１８６】
また、本実施の形態では、蒸着源を回転させることにより、蒸着源の射出口と防着板の開口との相対位置を変化させていたが、これに限定されない。例えば、射出口が被成膜基板に対向した状態で、蒸着源の長手方向と垂直な水平方向に蒸着源または防着板を移動させることにより、防着板の開口と、蒸着源の射出口との相対位置を変化させ、両者の重複領域の開口幅を変化させてもよい。
【０１８７】
〔付記事項〕
上記実施の形態では、蒸着源の射出面が十分に大きく、被成膜基板が比較的小さい場合は、被成膜基板を蒸着源に対して相対移動させずに蒸着を行ってもよい。
【０１８８】
また、上記実施の形態では、蒸着源の長手方向が被成膜基板の走査方向に垂直であったが、被成膜基板の走査方向に垂直な方向から多少ずれていてもよい。但し、蒸着源の長手方向が被成膜基板の走査方向に垂直となるように構成することで、蒸着源を極力小型にし、ひいては蒸着装置を小型にすることができる。
【０１８９】
本発明は、被成膜基板とシャドウマスクとを密着させながら、被成膜基板を滑らせ蒸着するような密着型スキャン蒸着法についても、本発明は適用可能である。また、シャドウマスクを用いずに被成膜基板の全面に蒸着を行う場合も、本発明は適用できる。
【０１９０】
また、本発明は有機膜の蒸着だけでなく、第２電極の蒸着や封止膜の蒸着にも適用可能である。但し、有機膜の膜厚のバラツキのほうが有機ＥＬ表示装置の特性により大きく影響するため、本発明の適用効果は高い。
【０１９１】
一方、第２電極の膜厚バラツキは電気抵抗のバラツキに影響し、封止膜のバラツキは透湿度および酸素透過量のバラツキに影響する。それらのバラツキによる有機ＥＬ素子の特性への影響が軽微であるならば、蒸着装置の構造の複雑化に伴う設備コストの増加を鑑みて、本発明を有機膜の蒸着のみに適用してもよい。
【０１９２】
＜要点概要＞
以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源と、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着粒子の射出量の分布を変化させる射出量制御手段とを備えている。
【０１９３】
以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源における、上記蒸着粒子の射出量の分布を制御する射出量制御工程と、上記蒸着源に蒸着粒子を供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する射出工程と、上記射出量制御工程と上記射出工程とを複数回繰り返す繰返工程とを有している。
【０１９４】
上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。ここで、１回の蒸着における蒸着粒子の膜厚分布は、通常不均一であるが、蒸着粒子の射出量の分布を変化させながら、被成膜基板への蒸着を複数回繰り返すことにより、膜厚分布を平均化することができる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
【０１９５】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記射出口は、上記蒸着源の長手方向に沿って列状に複数配置され、上記射出口の配列は、互いに並列に複数設けられ、上記長手方向に沿った上記蒸着粒子の射出量の分布が、各配列間で互いに異なり、上記射出量制御手段は、上記射出口の配列のいずれかを選択的に上記被成膜基板に対向させる配列選択手段であることが好ましい。
【０１９６】
上記の構成によれば、配列選択手段によって、射出口の配列のいずれかを選択的に被成膜基板に対向させることにより、蒸着源の長手方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布を変化させることができる。
【０１９７】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源は筒型であり、上記射出口の各列は、上記蒸着源の側面に配置され、上記配列選択手段は、その回転軸が上記長手方向と平行になるように、上記蒸着源を回転させる回転手段であることが好ましい。
【０１９８】
上記の構成によれば、回転手段が筒型の蒸着源を回転させることにより、射出口の配列のいずれかを選択的に被成膜基板に対向させることができる。
【０１９９】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記回転手段は、上記蒸着源の端部に取り付けられた第１のギアと、回転モータによって回転する第２のギアと第１のギアと第２のギアとの間に選択的に介在することにより、第１のギアと第２のギアとを連動させる第３のギアとを備えることが好ましい。
【０２００】
上記の構成によれば、第３のギアを第１のギアと第２のギアとの間に介在させることにより、第１のギアと第２のギアとが連動し、蒸着源を回転させることができる。また、第３のギアが第１のギアと第２のギアとの間に介在していない場合は、蒸着源と回転モータとが離間しているので、蒸着源の熱が回転モータに伝導することを防止できる。
【０２０１】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記長手方向に沿った上記射出口の開口径の分布が、各配列間で互いに異なっていてもよい。
【０２０２】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記長手方向に沿った上記射出口の間隔の分布が、各配列間で互いに異なっていてもよい。
【０２０３】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記長手方向に沿った上記射出口の密度の分布が、各配列間で互いに異なっていてもよい。
【０２０４】
上記のように、射出口の開口径、間隔および密度の少なくともいずれかの分布を、各配列間で互いに異ならせることにより、蒸着粒子の射出量の分布を各配列間で互いに異ならせることができる。
【０２０５】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記被成膜基板に対向していない配列の射出口から射出された上記蒸着粒子の被成膜基板への蒸着を防止する蒸着防止手段を備えていることが好ましい。
【０２０６】
上記の構成によれば、被成膜基板に対向していない配列の射出口からの蒸着粒子の蒸着を防止できるので、より均一な成膜を行うことができる。
【０２０７】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記射出口の配列のうち、上記被成膜基板に対向していない配列の射出口からの上記蒸着粒子の射出を防止する射出防止手段を備えていることが好ましい。
【０２０８】
上記の構成によれば、成膜に供しない蒸着粒子の射出を防止できるので、蒸着粒子を有効に利用できる。
【０２０９】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記射出防止手段は、筒型の防着板であり、上記蒸着源は、上記防着板の内部に挿入され、上記防着板の側面の上記被成膜基板と対向する位置に、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状の開口が形成されていることが好ましい。
【０２１０】
上記の構成によれば、被成膜基板に対向する配列のみ、スリット状の開口と重なるので、被成膜基板に対向していない配列の射出口からの蒸着粒子の射出を防止できる。
【０２１１】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記射出口は、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状に形成されており、上記射出量制御手段は、上記射出口の開口幅を変化させる開口幅制御手段であることが好ましい。
【０２１２】
上記の構成によれば、射出量制御手段が射出口の開口幅を変化させることにより、蒸着粒子の射出量の分布を変化させることができる。
【０２１３】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記開口幅制御手段は、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状の開口が形成され、当該開口が上記蒸着源と上記被成膜基板との間に位置する防着板と、上記射出口と上記開口との相対位置を変化させる移動手段とを備えることが好ましい。
【０２１４】
上記の構成によれば、移動手段が蒸着源の射出口と防着板の開口との相対位置を変化させることにより、射出口と開口との重複領域の幅が相対移動に伴って変化し、蒸着粒子が射出する射出口の開口幅を変化させることができる。
【０２１５】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源は筒型であり、上記移動手段は、その回転軸が上記長手方向と平行になるように、上記蒸着源を回転させる回転手段であることが好ましい。
【０２１６】
上記の構成によれば、回転手段が蒸着源を回転させることにより、蒸着源の射出口と防着板の開口との相対位置を変化させることができる。
【０２１７】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記防着板は、筒型であり、上記蒸着源は、上記防着板の内部に挿入され、上記スリット状の開口は、上記防着板の側面の上記被成膜基板と対向する位置に形成されていることが好ましい。
【０２１８】
上記の構成によれば、蒸着源を防着板の内部で回転させることにより、射出口と開口との重複領域の幅が変化する。
【０２１９】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記開口幅制御手段の開口の長辺と、上記射出口の長辺とは平行でないことが好ましい。
【０２２０】
上記の構成によれば、射出口と開口との重複領域の開口幅が一定とならないので、蒸着源の長手方向に沿った蒸着粒子の射出量の分布を高精度に変化させることができる。
【０２２１】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる走査手段を備えることが好ましい。
【０２２２】
上記の構成によれば、蒸着源の射出面よりも蒸着領域が大きい被成膜基板に対して成膜を容易に行うことができる。
【０２２３】
本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の長手方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることが好ましい。
【０２２４】
上記の構成によれば、蒸着源と被成膜基板とのアライメントが容易になる。また蒸着源並びに蒸着装置を小型にすることができる。
【０２２５】
本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記射出工程、上記射出量制御工程および上記繰返工程を有している。
【０２２６】
上記の構成によれば、本発明の実施の形態に係る蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【０２２７】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２２８】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造における蒸着粒子の蒸着だけでなく、あらゆる被成膜対象への蒸着粒子の蒸着に適用できる。
【符号の説明】
【０２２９】
１    有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）
２    画素
２Ｂ    サブ画素
２Ｇ    サブ画素
２Ｒ    サブ画素
１０    ＴＦＴ基板
１１    絶縁基板
１２    ＴＦＴ
１３    層間膜
１３ａ  コンタクトホール
１４    配線
１５    エッジカバー
１５Ｒ  開口部
１５Ｇ  開口部
１５Ｂ  開口部
２０    有機ＥＬ素子
２１    第１電極
２２    正孔注入層兼正孔輸送層
２３Ｒ  発光層
２３Ｇ  発光層
２３Ｂ  発光層
２４    電子輸送層
２５    電子注入層
２６    第２電極
３０    接着層
４０    封止基板
５０    蒸着装置
５１    蒸着装置
５２    蒸着装置
６０    被成膜基板
７０    シャドウマスク
８０    蒸着源
８０ａ  中心部
８１    射出口
８１Ａ  配列
８１Ｂ  配列
８１Ｃ  配列
８１Ｄ  配列
８１Ｅ  配列
８１ａ  射出口
８１ｂ  射出口
８１ｃ  射出口
８１ｄ  射出口
８１ｅ  射出口
８２    蒸着源坩堝（蒸着粒子供給手段）
８３    配管
８４    防着板（蒸着防止手段）
８４ａ  開口
８５ａ  ギア（第１のギア、射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
８５ｂ  ギア（第２のギア、射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
８５ｃ  ギア（第３のギア、射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
８６    回転モータ（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
８６ａ  回転軸（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
８７    ギア可動機構（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
８７ａ  回転軸（射出量制御手段、配列選択手段、回転手段）
９０    真空チャンバ
１７０  シャドウマスク
１７１  開口部
１８０  蒸着源
１８０ａ  中心部
１８１  射出口
１８４  防着板（射出防止手段）
１８４ａ  開口
１８４ｂ  内壁
２５０  蒸着装置
２６０  被成膜基板
２７０  シャドウマスク
２８０  蒸着源
２８１  射出口
２８２  蒸着源坩堝
２８３  配管
２９０  真空チャンバ
【図１】
2012086568.tif 000003
【図２】
2012086568.tif 000004
【図３】
2012086568.tif 000005
【図４】
2012086568.tif 000006
【図５】
2012086568.tif 000007
【図６】
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【図７】
2012086568.tif 000009
【図８】
2012086568.tif 000010
【図９】
2012086568.tif 000011
【図１０】
2012086568.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、
蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源と、
上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、
上記蒸着粒子の射出量の分布を変化させる射出量制御手段とを備え、
上記射出口は、上記蒸着源の長手方向に沿って列状に複数配置され、
上記射出口の配列は、互いに並列に複数設けられ、
上記長手方向に沿った上記蒸着粒子の射出量の分布が、各配列間で互いに異なり、
上記射出量制御手段は、上記射出口の配列のいずれかを選択的に上記被成膜基板に対向させる配列選択手段であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
上記蒸着源は筒型であり、
上記射出口の各列は、上記蒸着源の側面に配置され、
上記配列選択手段は、その回転軸が上記長手方向と平行になるように、上記蒸着源を回転させる回転手段であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
上記回転手段は、上記蒸着源の端部に取り付けられた第１のギアと、
回転モータによって回転する第２のギアと、
第１のギアと第２のギアとの間に選択的に介在することにより、第１のギアと第２のギアとを連動させる第３のギアとを備えることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
上記長手方向に沿った上記射出口の開口径の分布が、各配列間で互いに異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
上記長手方向に沿った上記射出口の間隔の分布が、各配列間で互いに異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
上記長手方向に沿った上記射出口の密度の分布が、各配列間で互いに異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項７】
上記被成膜基板に対向していない配列の射出口から射出された上記蒸着粒子の被成膜基板への蒸着を防止する蒸着防止手段を備えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項８】
上記射出口の配列のうち、上記被成膜基板に対向していない配列の射出口からの上記蒸着粒子の射出を防止する射出防止手段を備えていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項９】
上記射出防止手段は、筒型の防着板であり、
上記蒸着源は、上記防着板の内部に挿入され、
上記防着板の側面の上記被成膜基板と対向する位置に、上記蒸着源の長手方向に沿ってスリット状の開口が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の蒸着装置。
【請求項１０】
上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる走査手段を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項１１】
上記蒸着源の長手方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることを特徴とする請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、
蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源における、上記蒸着粒子の射出量の分布を制御する射出量制御工程と、
上記蒸着源に蒸着粒子を供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する射出工程と、
上記射出量制御工程と上記射出工程とを複数回繰り返す繰返工程とを有していることを特徴とする蒸着方法。
【請求項１３】
ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、
上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、
第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、
上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、請求項１２に記載の蒸着方法の上記射出工程、上記射出量制御工程および上記繰返工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【国際調査報告】
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