(57)【要約】  光ポンピング磁力計は、光ポンピングを利用して計測対象の磁場を計測する光ポンピング磁力計であって、アルカリ金属が少なくとも封入され、光透過性及び耐熱性を有する非磁性のセルと、レーザ光を前記セルに照射し、少なくとも前記アルカリ金属を光ポンピングするレーザ光照射部と、前記セルを透過した透過レーザ光を受光し、前記磁場に関する検出信号を検出する検出部と、前記セルに設けられた一対の印加部に高周波電圧を印加し、前記セルを誘電加熱によって加熱する高周波電圧印加部と、を備えている。
2012120732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ポンピングを利用して計測対象の磁場を計測する光ポンピング磁力計であって、
アルカリ金属が少なくとも封入され、光透過性及び耐熱性を有する非磁性のセルと、
レーザ光を前記セルに照射し、少なくとも前記アルカリ金属を光ポンピングするレーザ光照射部と、
前記セルを透過した透過レーザ光を受光し、前記磁場に関する検出信号を検出する検出部と、
前記セルに設けられた一対の印加部に高周波電圧を印加し、前記セルを誘電加熱によって加熱する高周波電圧印加部と、を備えた光ポンピング磁力計。
【請求項２】
前記一対の印加部は、
前記セルにおける一の外面に対し当該一の外面全域に拡がるよう電気的に接続された第１電極と、
前記セルにおける前記一の外面に対向する他の外面に対し当該他の外面全域に拡がるよう電気的に接続された第２電極と、を含む請求項１記載の光ポンピング磁力計。
【請求項３】
前記一対の印加部は、光透過性を有する請求項１又は２記載の光ポンピング磁力計。
【請求項４】
前記検出部及び前記高周波電圧印加部の動作を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記検出部で前記検出信号を検出するとき、前記高周波電圧印加部による前記高周波電圧の印加を停止させる請求項１〜３の何れか一項記載の光ポンピング磁力計。
【請求項５】
外部磁場を遮蔽するように前記計測対象及び前記セルを覆う外部磁場遮蔽部を備えた請求項１〜４の何れか一項記載の光ポンピング磁力計。
【請求項６】
前記検出部は、
前記レーザ光照射部により照射され前記セルを透過した前記レーザ光を前記透過レーザ光として受光し、前記セルの透過前後における前記レーザ光の光強度変化に基づいて前記検出信号を検出する、又は、
前記レーザ光照射部とは別の他のレーザ光照射部により照射され前記セルを透過した直線偏光レーザ光を前記透過レーザ光として受光し、前記セルの透過前後における前記直線偏光レーザ光の偏光状態変化に基づいて前記検出信号を検出する請求項１〜５の何れか一項記載の光ポンピング磁力計。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項記載の光ポンピング磁力計を具備した脳磁計。
【請求項８】
請求項１〜６の何れか一項記載の光ポンピング磁力計を具備したＭＲＩ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ポンピング磁力計、脳磁計及びＭＲＩ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＱＵＩＤセンサに代わる高感度磁力計として、アルカリ金属を利用した光ポンピング磁力計が開発されている。光ポンピング磁力計は、冷却機能が不要であり、ＳＱＵＩＤセンサに対して大幅なランニングコスト削減が可能となることからも、脳磁計やＭＲＩ装置等への適用が期待されている。【０００３】
このような光ポンピング磁力計においては、アルカリ金属が封入されたセルにレーザ光が照射され、これにより、セル内のアルカリ金属がスピン偏極される。そして、この状態でセルを透過した透過レーザ光を受光することにより、計測対象の磁場に関する検出信号が検出される。ここで、アルカリ金属をスピン偏極する際には、アルカリ金属を気化させるべくセルを所定温度以上に加熱することが要されるため、例えば下記特許文献１に記載されているように、セルにヒータを直接設置し、このヒータを作動させることによってセルを加熱する場合がある。また、ヒータに代えて熱風発生装置を設け、この熱風発生装置から熱風を吹き付けることによってセルを加熱する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１０５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のようにヒータによってセルを加熱する場合、セルにおいて透過レーザ光が透過する箇所にはヒータを設置困難であることから、セルを均一に加熱できないおそれがあり、その結果、磁場計測の感度が悪化してしまうことがある。一方、上記のように熱風発生装置によってセルを加熱する場合には、熱風発生装置が別途必要であることから、磁力計が大型化ひいては複雑化してしまうおそれがある。さらにこの場合、熱風発生装置からノイズが発生するおそれがあるため、当該ノイズを除去する構成が必要となる。【０００６】
そこで、本発明は、セルを簡便に均等加熱することができる光ポンピング磁力計、脳磁計及びＭＲＩ装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の一側面に係る光ポンピング磁力計は、光ポンピングを利用して計測対象の磁場を計測する光ポンピング磁力計であって、アルカリ金属が少なくとも封入され、光透過性及び耐熱性を有する非磁性のセルと、レーザ光をセルに照射し、少なくともアルカリ金属を光ポンピングするレーザ光照射部と、セルを透過した透過レーザ光を受光し、磁場に関する検出信号を検出する検出部と、セルに設けられた一対の印加部に高周波電圧を印加し、セルを誘電加熱によって加熱する高周波電圧印加部と、を備えている。【０００８】
この光ポンピング磁力計では、高周波電圧印加部によりセルに印加部を介して高周波電圧を印加することで、セルを誘電加熱によって加熱する、すなわち、セルの誘電損失によってセルそのものを発熱させて当該セルを加熱することが可能となる。従って、セルを簡便に均等加熱することが可能となる。【０００９】
また、一対の印加部は、セルにおける一の外面に対し当該一の外面全域に拡がるよう電気的に接続された第１電極と、セルにおける一の外面に対向する他の外面に対し当該他の外面全域に拡がるよう電気的に接続された第２電極と、を含んでもよい。この場合、セルを一層精度よく均等加熱することができる。【００１０】
また、一対の印加部は、光透過性を有してもよい。これにより、透過レーザ光の光路上に一対の印加部を設けた場合でも、磁場計測の精度悪化を抑制することができる。【００１１】
また、検出部及び高周波電圧印加部の動作を制御する制御部を備え、制御部は、検出部で検出信号を検出するとき、高周波電圧印加部による高周波電圧の印加を停止させてもよい。この場合、高周波電圧印加部の作動で発生してしまう磁場等による悪影響が磁場計測に及ぶのを抑制することが可能となる。【００１２】
また、外部磁場を遮蔽するように計測対象及びセルを覆う外部磁場遮蔽部を備えてもよい。この場合、外部磁場による悪影響が磁場計測に及ぶのを抑制することが可能となる。【００１３】
また、上記作用効果を好適に奏する構成として、具体的には、検出部は、レーザ光照射部により照射されセルを透過したレーザ光を透過レーザ光として受光し、セルの透過前後におけるレーザ光の光強度変化に基づいて検出信号を検出する、又は、レーザ光照射部とは別の他のレーザ光照射部により照射されセルを透過した直線偏光レーザ光を透過レーザ光として受光し、セルの透過前後における直線偏光レーザ光の偏光状態変化に基づいて検出信号を検出する構成が挙げられる。【００１４】
また、本発明の一側面に係る脳磁計は、上記光ポンピング磁力計を具備している。この本発明の脳磁計においても、セルを簡便に均等加熱するという上記作用効果が奏される。【００１５】
また、本発明の一側面に係るＭＲＩ装置は、上記光ポンピング磁力計を具備している。この本発明のＭＲＩ装置においても、セルを簡便に均等加熱するという上記作用校効果が奏される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、セルを簡便に均等加熱することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ポンピング磁力計を示す概略構成図である。
【図２】図１の光ポンピング磁力計におけるガラスセルを示す概略斜視図である。
【図３】図１の光ポンピング磁力計の変形例におけるガラスセルを示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係る光ポンピング磁力計を示す概略構成図であり、図２は、図１の光ポンピング磁力計におけるガラスセルを示す概略斜視図である。図１，２に示すように、本実施形態の光ポンピング磁力計１は、光ポンピング（スピン偏極）を利用して微弱な磁場源（計測対象）Ｐの磁場を計測するものであり、例えば脳磁計やＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置に高感度磁力計として用いられている。
【００２０】
脳磁計は、脳活動に伴って脳から発生される極めて微弱な磁場を脳外から非接触で検出することにより、脳内の活動部位や脳の働き（機能）等を測定する装置である。ＭＲＩ装置は、核磁気共鳴現象を利用して人体構成物質の大部分を占める水素原子核（プロトン）の空間分布状態を検出することにより、体内の画像を非接触で撮影する装置である。このＭＲＩ装置は、核磁気共鳴画像法装置とも称される。
【００２１】
この光ポンピング磁力計１は、ガラスセル（セル）２、レーザ光光源３、検出器（検出部）４、高周波電源（高周波電圧印加部）５、及びコントローラ６を備えている。
【００２２】
ガラスセル２は、内部空間２ａを有する中空体であり、例えば厚さ２〜３ｍｍ、縦４０ｍｍ、横４０ｍｍ、高さ４０ｍｍの立方体外形を呈している。このガラスセル２は、耐熱ガラスで形成されており、これにより、ガラスセル２は、光透過性及び耐熱性を有する非磁性のものとされている。ガラスセル２の内部空間２ａには、アルカリ金属１０及びバッファガス１１が少なくとも封入されて外部に対し気密になるよう封止されている。
【００２３】
アルカリ金属１０としては、カリウム、ルビジウム又はセシウム等が挙げられる。ここでは、好ましいとしてアルカリ金属１０にルビジウムが用いられている。このアルカリ金属１０は、常温時では固形又は半固形状とされ、所定温度（例えば、約２００℃）以上のときに気化する。バッファガス１１としては、ヘリウム等の希ガスが用いられている。なお、ガラスセル２の内部空間２ａには、窒素等のクエンチガスを封入する場合もある。
【００２４】
このガラスセル２は、断熱材Ｄで覆われており、その熱が外部へ放熱されないように構成されている。断熱材Ｄにおいてレーザ光Ｌ１（後述）の光路上には、開口部Ｄａが形成されており、この開口部Ｄａにより、断熱材Ｄでレーザ光Ｌ１が遮られないよう構成されている。
【００２５】
レーザ光光源３は、ガラスセル２内のアルカリ金属１０を光ポンピングする所謂ポンプ光をガラスセル２に向けて照射するものである。このレーザ光光源３は、アルカリ金属１０をポンピング可能な波長を有するレーザ光Ｌ０を出射する。
【００２６】
このレーザ光光源３から出射されたレーザ光Ｌ０の光路上には、レーザ光Ｌ０の偏光方向を制御してレーザ光Ｌとするラムダ板７が配置されている。レーザ光Ｌの光路上には、レーザ光Ｌをガラスセル２向けてレーザ光Ｌ１として反射させると共に、レーザ光Ｌ２としてそのまま透過させて進行させるハーフミラー８が配置されている。
【００２７】
また、レーザ光Ｌ１の光路上においてガラスセル２の下流側には、ガラスセル２を透過したレーザ光Ｌ１を適宜反射させて検出器４に入射させるミラ−９ａが配置されている。一方、レーザ光Ｌ２の光路上には、レーザ光Ｌ２を適宜反射させて検出器４に入射させるミラー９ｂ，９ｃが配置されている。
【００２８】
検出器４は、磁場源Ｐの磁場に関する検出信号を検出するものであり、受光部４ａ，４ｂを含んでいる。受光部４ａは、ガラスセル２を透過した透過レーザ光としてのレーザ光Ｌ１を受光する。受光部４ｂは、ガラスセル２を透過しない参照レーザ光としてのレーザ光Ｌ２を受光する。これら受光部４ａ，４ｂとしては、例えばフォトダイオードが用いられている。また検出器４は、コントローラ６に接続されており、当該コントローラ６によりその動作が制御される。
【００２９】
このように構成された検出器４は、受光したレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光強度差からガラスセル２の透過前後におけるレーザ光Ｌ１の光強度変化を検出し、この光強度変化に基づき磁場源Ｐの磁場の強度を測定する。そして、検出器４は、測定した磁場の強度を、検出信号としてコントローラ６へ出力する。
【００３０】
高周波電源５は、ガラスセル２に設けられた一対の電極（印加部）１２に高周波電圧を印加し、ガラスセル２を誘電加熱によって加熱するものである。また高周波電源５は、コントローラ６に接続されており、当該コントローラ６によりその動作が制御される。
【００３１】
コントローラ６は、光ポンピング磁力計１を制御するものであり、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭ等から構成されている。このコントローラ６は、制御装置（制御部）６ａ及び記憶装置６ｂを含んでいる。制御装置６ａは、検出器４から入力された検出信号を記憶装置６ｂへ格納する。また、制御装置６ａは、検出器４及び高周波電源５の動作を制御する。
【００３２】
ここで、図２に示すように、本実施形態のガラスセル２において、レーザ光Ｌ１の光路と交差せず且つ互いに対合する一対の側面２１，２２には、上記電極１２としての第１電極１２ａ及び第２電極１２ｂがそれぞれ設けられている。つまり、電極１２ａ，１２ｂは、レーザ光Ｌ１を遮らないようにガラスセル２の外面に設けられている。
【００３３】
第１電極１２ａは、側面（一の外面）２１の全域に広がるように当該側面２１に電気的に固定されている。第２電極１２ｂは、側面（他の外面）２２の全域に広がるように当該側面２２に電気的に固定されている。これら第１及び第２電極１２ａ，１２ｂは、非磁性の金属で形成され、薄板状を呈している。また、第１及び第２電極１２ａ，１２ｂは、白金等からなるリード線５ａを介して高周波電源５（図１参照）に電気的に接続されている。
【００３４】
また、ガラスセル２において、レーザ光Ｌ１の光路と交差せず且つ側面２１，２２以外の側面２３には、製造時に内部空間２ａを封止する際に形成される封止跡として、外側に凸状の封止切２４が設けられている。つまり、電極１２ａ，１２ｂは、封止切２４が存在しない側面２１，２２に設けられている。
【００３５】
図１に戻り、本実施形態の光ポンピング磁力計１は、計測時に外部磁場を遮蔽するためのものとして、磁気シールド１３及びヘルムホルツコイル１４を備えている。磁気シールド１３は、磁場源Ｐ、ガラスセル２及び断熱材Ｄを覆う板状の部材であり、例えば高い透磁率を有するパーマロイ等で形成されている。この磁気シールド１３においてレーザ光Ｌ１の光路上には、開口部１３ａが形成されている。この開口部１３ａにより、磁気シールド１３でレーザ光Ｌ１が遮られることが防止されている。
【００３６】
ヘルムホルツコイル１４は、磁場源Ｐ、ガラスセル２、断熱材Ｄ及び磁気シールド１３を覆うように、すなわち、これらがコイル内に配置されるように設けられている。このヘルムホルツコイル１４には、例えば直流電源等のヘルムホルツコイル用電源１５が接続されている。
【００３７】
以上のように構成された光ポンピング磁力計１では、初期状態において、ガラスセル２内のアルカリ金属１０が固形又は半固形状で存在している。そして、磁場源Ｐの磁場を計測する場合、まず、制御装置６ａにより高周波電源５を作動させ、第１及び第２電極１２ａ，ｂに高周波電圧を印加し、ガラスセル２自体が熱源となるようにして当該ガラスセル２を誘電加熱によって所定温度まで加熱（昇温）する。これにより、ガラスセル２内のアルカリ金属１０を気化させる。
【００３８】
続いて、制御装置６ａにより高周波電源５を制御して第１及び第２電極１２ａ，ｂに印加する高周波電圧をオンオフ制御等し、例えばガラスセル２が所定温度で一定になるよう温度制御する。この状態で、レーザ光光源３からレーザ光Ｌ０を出射する。出射したレーザ光Ｌ０は、ラムダ板７によりレーザ光Ｌとされた後、ハーフミラー８によって、ガラスセル２向けて反射されるレーザ光Ｌ１と、そのまま進行するレーザ光Ｌ２と、に分岐される。
【００３９】
レーザ光Ｌ１は、ガラスセル２に入射されて透過される。このとき、ガラスセル２内のアルカリ金属１０の電子がレーザ光Ｌ１により選択的に励起され、電子スピンの向きが揃えられる（光ポンピング）。これと共に、揃えられた電子スピンの向きが磁場源Ｐの影響によりずれるため、レーザ光Ｌ１は、当該ずれが元に戻ろうとする際に磁場源Ｐの磁場の大きさに応じて光吸収される。
【００４０】
ガラスセル２を透過したレーザ光Ｌ１は、ミラ−９ａにより反射されて検出器４の受光部４ａに入射される。一方、レーザ光Ｌ２は、ミラー９ｂ，９ｃにより反射されて検出器４の受光部４ｂに直接入射される。
【００４１】
続いて、制御装置６ａにより高周波電源５の作動を停止させ、第１及び第２電極１２ａ，ｂに高周波電圧を印加しない状態する。この状態で、検出器４により、ガラスセル２を透過したレーザ光Ｌ２の光強度を測定すると共に、レーザ光Ｌ２の光強度を測定する。
【００４２】
続いて、検出器４により、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の光強度差を算出し、これにより、ガラスセル２の透過前後におけるレーザ光Ｌ１の光強度変化を検出して磁場源Ｐの磁場の強度を測定する。そして、測定した磁場源Ｐの磁場の強度を、検出信号として制御装置６ａを介して記憶装置６ｂに伝送し、記憶装置６ｂに格納する。
【００４３】
なお、本実施形態では、磁場源Ｐの磁場を計測する前に、予め検出器４をキャリブレーション（計測校正）する場合がある。具体的には、高周波電源５の作動前でアルカリ金属１０が気化していない状態において、レーザ光光源３からレーザ光Ｌ０を出射して検出器４によりレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光強度差を算出し、このときの光強度差を０に校正する場合がある。
【００４４】
以上、本実施形態の光ポンピング磁力計１では、高周波電源５により電極１２ａ，１２ｂを介してガラスセル２に高周波電圧を印加することで、ガラスセル２を誘電加熱によって加熱することができる。すなわち、ガラスセル２の誘電損失によってガラスセル２そのものを発熱させて、当該ガラスセル２を均一に加熱することができる。従って、ガラスセル２を簡便に均等加熱することが可能となり、磁場源Ｐの磁場計測の感度を簡便に高めることができる。
【００４５】
また、光ポンピング磁力計１では、ＳＱＵＩＤセンサで必要とされる冷却機能を不要にでき、ランニングコストを削減することも可能となる。
【００４６】
また、本実施形態では、上述したように、ガラスセル２の対向する側面２１，２２のそれぞれに対し、第１電極１２ａ及び第２電極１２ｂが全域に拡がるよう電気的に接続されている。これにより、ガラスセル２の誘電損失をガラスセル２全体にて均一に生じさせることで、ガラスセル２を一層精度よく均等加熱することが可能となる。
【００４７】
また、本実施形態では、制御装置６ａにより、検出信号を検出器４で検出するとき及び記憶装置６ｂに記憶するとき、高周波電源５による高周波電圧の印加を停止させている。これにより、高周波電源５の作動で発生してしまう磁場（例えば、リード線５ａから発生する磁場）等による悪影響が、磁場源Ｐの磁場計測に及ぶのを抑制することが可能となる。
【００４８】
また、本実施形態では、上述したように、磁場源Ｐ及びガラスセル２が磁気シールド１３及びへルムホルツコイル１４で覆われており、外部からの磁気的ノイズが遮断（キャンセル）されている。よって、外部磁場による悪影響が磁場源Ｐの磁場計測に及ぶのを抑制することが可能となる。
【００４９】
また、本実施形態では、上述したように、レーザ光Ｌ０の偏光方向を制御して成るレーザ光Ｌを、光強度変化するレーザ光Ｌ１と、参照レーザ光としてのレーザ光Ｌ２とにハーフミラー８で分光して検出部４で検出している。そして、検出器４では、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の光強度差から、ガラスセル２の透過前後におけるレーザ光Ｌ１の光強度変化を検出している。よって、出射されるレーザ光Ｌ０の光強度が安定せずに微変動する場合でも、当該微変動に追従するようにしてレーザ光Ｌ１の光強度変化を検出することができ、磁場測定を精度よく行うことができる。
【００５０】
また、本実施形態では、ガラスセル２の周囲に断熱材Ｄが設置されているため、外部に対しガラスセル２の熱を逃げないよう遮断することが可能となる。
【００５１】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。
【００５２】
例えば、上記実施形態の光ポンピング磁力計１は、ガラスセル２の外面にグラファイト等の導電物質を直接塗布し、この導電物質を印加部として高周波電源５から高周波電圧を印加してもよい。また、この印加部は、光透過性を有していてもよく、例えば図３に示すように、電極１２ａ，１２ｂ（図２参照）に代えて、光透過性を有するＩＴＯ等の透明導電膜１２ａ’，１２ｂ’を備えていてもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、ガラスセル２を透過したレーザ光Ｌ１を透過レーザ光として受光し、ガラスセル２の透過前後におけるレーザ光Ｌの光強度変化に基づき磁場源Ｐの磁場の強度を測定したが、本発明にあっては、このような光の吸収による磁場源Ｐの磁場測定に限定されるものではなく、例えばファラデー回転を利用した磁場源Ｐの磁場測定を採用することもできる。
【００５４】
具体的には、例えば図３に示すように、レーザ光光源３とは別の他のレーザ光光源（不図示）により、ガラスセル２内でレーザ光Ｌ１と交差するように、所謂プローブ光である直線偏光レーザ光Ｌ’をガラスセル２に向けて別途に照射する。これと共に、ガラスセル２を透過した直線偏光レーザ光Ｌを透過レーザ光として受光する。そして、ガラスセル２の透過前後における直線偏光レーザ光Ｌ’の偏光状態変化（偏光方向の変化）に基づいて、磁場源Ｐの磁場の強度としての検出信号を検出してもよい。これは、レーザ光Ｌ１で光ポンピングされたアルカリ金属１０中に直線偏光レーザ光Ｌ’を入射すると、透過した直線偏光レーザ光Ｌ’においては、ファラデー回転による磁気光学効果のために偏光方向が磁場の大きさに応じた角度だけ回転することによるものである。
【００５５】
なお、このように直線偏光レーザ光Ｌ’をガラスセル２に照射する場合、直線偏光レーザ光Ｌ’の光路は封止切２４を通らないよう構成することが好ましい。これにより、封止切２４の存在で直線偏光レーザ光Ｌ’の偏光状態に悪影響が及ぶのを抑制できる。さらに、この場合、印加部が光透過性を有することが好ましく、例えば図示するように、光透過性を有するＩＴＯ等の透明導電膜１２ａ’，１２ｂ’を印加部とすることが好ましい。これにより、直線偏光レーザ光Ｌ’の光路上に印加部が設けられる場合でも、当該印加部による磁場計測の精度悪化を抑制することができる。
【００５６】
また、上記実施形態では、電極１２ａ，１２ｂを側面２１，２２にそれぞれ固定したが、電極１２ａ，１２ｂを側面２１，２２に単に載せる等の場合もあり、要は、電極１２ａ，１２ｂを側面２１，２２に電気的接続できればよい。また、上記実施形態では、磁場源Ｐが複数存在する場合、これら複数の磁場源Ｐに近接するようにガラスセル２に複数のレーザ光Ｌ１を照射してもよい。
【００５７】
また、レーザ光Ｌ，Ｌ１，Ｌ２の光路に係る構成は、上記に限定されず、例えば光ポンピング磁力計１の他の部位との配置関係に応じて、適宜構成することができる。また、上記ガラスセル２は、立方体外形を呈しているが、これに限定されず、多面体外径、球体外形を呈していてもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、互いに対向する側面２１，２２全域に電極１２ａ，１２ｂを印加部として設けているが、側面２１，２２の一部に設けてもよい。セルを好適に均等加熱する際には、セルが有する複数の外面のうち互いに最も離れた一対の外面に印加部が設けられていればよく、要は、セルの外面において対向するように設けられていればよい。上記において、レーザ光光源３及びラムダ板７がレーザ光照射部を構成し、磁気シールド１３及びへルムホルツコイル１４が外部磁場遮蔽部を構成する。なお、例えば上記作用効果を奏するため、上記レーザ光Ｌは円偏光又は直線偏光のレーザ光であることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、セルを簡便に均等加熱することが可能となる。
【符号の説明】
【００６０】
１…光ポンピング磁力計、２…ガラスセル（セル）、３…レーザ光光源（レーザ光照射部）、４…検出器（検出部）、５…高周波電源（高周波電圧印加部）、６ａ…制御装置（制御部）、７…ラムダ板（レーザ光照射部）、１０…アルカリ金属、１２ａ…第１電極（印加部）、１２ｂ…第２電極（印加部）、１２ａ’，１２ｂ’…透明導電膜（印加部）、１３…磁気シールド（外部磁場遮蔽部）、１４…へルムホルツコイル（外部磁場遮蔽部）、２１…側面（一の外面）、２２…側面（他の外面）、Ｌ，Ｌ２…レーザ光、Ｌ１…レーザ光（透過レーザ光）、Ｌ’…直線偏光レーザ光（透過レーザ光）、Ｐ…磁場源（計測対象）。
【図１】
2012120732.tif 000003
【図２】
2012120732.tif 000004
【図３】
2012120732.tif 000005
【国際調査報告】
2012120732.tif 000006
2012120732.tif 000007