(57)【要約】厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在しないことを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔。銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔の製造に際し、ニッケルと銅との接合強度を向上させることのできる、エッチングにより電子回路の形成に適した複合銅箔とその製造方法を得ることを課題とする。【選択図】図１
2012132574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在しないことを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔。
【請求項２】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔。
【請求項３】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔。
【請求項４】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成することを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔の製造方法。
【請求項５】
前記銅層（Ｃ）の上に、Ｃｒ含有量が１０〜５０μｇ／ｄｍ２である防錆層を形成することを特徴とする請求項４記載の複合銅箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチングにより電子回路の形成に適した複合銅箔とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子・電気機器に印刷回路用銅箔が広く使用されているが、この印刷回路用銅箔は、一般に合成樹脂ボードやフイルム等の基材に接着剤を介して、あるいは接着剤を用いずに高温高圧下で接着して銅張積層板を製造し、その後、目的とする回路を形成するためにレジスト塗布及び露光工程により回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を経て、また、さらに各種の素子が半田付けされてエレクトロデバイス用の印刷回路が形成されている。【０００３】
近年、印刷配線板は、配線密度が高くなり、電子部品の接続端子の間隔が小さくなっている。必然的に、銅張り積層板の銅箔の厚さを薄くすることが要求されている。また、積層板の多層構造化も時代の流れとして、銅箔には厚銅箔／バリア層/薄銅箔のような複合銅箔が要求されてきている。このような構造を有する銅張り積層板を製作する場合の出発材料となる銅箔が重要な機能を備える必要があることは言うまでもない。【０００４】
厚銅箔／ニッケル層/薄銅箔との３層構造を有する銅箔としては、ベース（担持体）の材料として厚手の圧延銅箔又は電解銅箔を使用すること、その上に薄いニッケル被膜を形成すること、さらにその上に薄い銅層を形成することが知られている（特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５参照）。【０００５】
担持体付き銅箔は、薄い銅層がエッチングにより回路を形成する基本材料とするため、最終的には、圧延銅箔又は電解銅箔のベースとなる銅層はエッチングにより除去され、ニッケル層も除去される。そして薄い銅層側に電子回路を形成される。
この場合の圧延銅箔又は電解銅箔のベースとなる銅層は回路構成用の薄い銅箔の取扱を助ける役割をするもので、ニッケル層は中間層の役割を果たすものであるため、回路形成時に除去される。【０００６】
したがって、これらの目的を有する厚銅箔／ニッケル層/薄銅箔との３層構造である複合銅箔には、ニッケル層と薄い銅箔との間の密着性は、取扱い中に剥離したりしなければ良いレベルでよく、あまり重要と考えられていなかった。
一方、銅層とニッケル層との密着性に着目した文献もある。特許文献６では、このため、ニッケル層と接触する銅層の表面粗さを特定の条件として、耐剥離性を向上させるという提案がなされている。【０００７】
ニッケル層の上にはわずかでも酸化膜が形成されるために、その上に銅をめっきした場合に、ニッケル層とその上に形成された銅層との密着性は、表面を粗くしてもこの酸化膜が原因で剥離しやすさを大きくは向上しない。
さらに、ニッケル層の上に薄く密着性向上層として、例えば銅層を形成し、その銅層と厚手の銅箔とを圧接する提案がなされている（特許文献４参照）。【０００８】
この他、ニッケルを中間に挟んだ銅の圧延によるクラッド材（特許文献７、特許文献８参照）が提案されている。しかしながら、めっき工程と圧延工程の異種工程が組み合わさる場合には、製造コストが大きくなり、また、このような機械的な方法では、均一な厚みでかつ出来るだけ薄い銅の積層構造を得ることが難しいという問題がある。また、圧延することで、圧延ロールと接する銅箔表面は滑らかになるため、樹脂との密着が必要な場合には粗化処理を施すことが必要となる。【０００９】
いずれにしても、今日、印刷配線板の配線密度が高くなり、電子部品の接続端子の間隔を小さくすることが要求され、さらにこれらを低コストで作製するという課題を解決することは、現在のところ無いと考えられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭５８−１０８７８５号公報
【特許文献２】特許第３６８０３２１号公報
【特許文献３】特許第３５４３３４８号公報
【特許文献４】特開２００５−７２４２５号公報
【特許文献５】特許第４１９１９７７号公報
【特許文献６】特開平８−１８１４３２号公報
【特許文献７】国際公開ＷＯ００−０５９３４号公報
【特許文献８】特許第４１９５１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔の製造に際し、ニッケルと銅との接合強度を向上させることのできる、エッチングにより電子回路の形成に適した複合銅箔とその製造方法を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、銅とニッケルめっきの工程を工夫することにより、従来の複合銅箔の弱点であるニッケルと銅の接合強度不足を改善でき、これにより従来の問題を解決できるとの知見を得た。【００１３】
本発明はこの知見に基づいて、
（１）厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と前記銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在しないことを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔、を提供する。【００１４】
また、本発明は、
（２）厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔、を提供する。【００１５】
また、本発明は、
（３）厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする上記（１）記載の銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔、を提供する。【００１６】
また、本発明は、
（４）厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成することを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔の製造方法、を提供する。【００１７】
また、本発明は、
（５）前記銅層（Ｃ）の上に、Ｃｒ含有量が１０〜５０μｇ／ｄｍ２である防錆層を形成することを特徴とする上記（４）記載の複合銅箔の製造方法、を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔の製造に際し、ニッケルと銅との接合強度を向上させることができ、エッチングにより電子回路の形成に適した複合銅箔とその製造方法を得ることができるという著しい効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造する場合に使用する九十九折（つづらおり）式の電気めっき装置の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造するには、図１に示すような九十九折（つづらおり）式の電気めっき装置を用いることができる。出発材料となる銅箔としては、厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）を使用する。この箔（Ａ）の両面又は片面に、電気ニッケルめっきを施す。
【００２１】
図１において、図１の左側からめっき層に入り、右に移行して所定厚さのニッケルめっき層、すなわち厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を形成する。この場合、ニッケル層の下限値である０．５μｍ未満では、ピンホールが発生し易くなり、また上限値である３μｍを超えると、最終的にニッケル層を剥離又は溶解する際の負担が大きくなり、生産効率が悪くなるからである。
【００２２】
図１に示すように、このニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ１〜１２μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成する。銅層（Ｃ）層の下限値１μｍとする。この銅層（Ｃ）は、回路を形成する材料となるものであるが、下限値は回路としての特性を維持するために必要な厚さである。また、銅層（Ｃ）の上限値は１２μｍとする。この層が１２μｍを超える厚さになった場合には、めっき方法（九十九折式めっき法）の制限から膜の厚さの調整が難しくなり、不均一な膜が形成された場合には、回路を形成するためのエッチング性が悪化するためである。
【００２３】
この銅層は、ニッケルめっきに連続して形成することが重要である。従来は、ニッケルめっきの後に連続して銅めっきを行うと、被めっき物に付着したニッケルめっき液が銅めっき液に混入するという懸念から、避けるというのが、当業者間の常識と考えられてきた。しかし、実際には汚染は少ないということが分かった。
そして、さらにこのように連続しためっき方法を採ることにより、ニッケル層の酸化が無くなるという極めて著しい効果があることが分かった。
ニッケル層の酸化が抑制されると、ニッケルと銅の密着性を良好にする大きな効果を生ずる。なお、銅層自体は、耐酸化性に富む材料であり、銅めっき層が形成された段階では、酸化膜の形成は殆ど見られなくなる。
【００２４】
前記銅層（Ｃ）の上に、さらにＣｒ含有量が１０〜５０μｇ／ｄｍ２である防錆層を形成することができる。これは、一般にクロム層若しくはクロメート層と言われているものである。図１では、この防錆層を形成する工程も図示しているが、この工程は必須ではない。しかし、銅めっき層の若干の酸化を抑制すること、又は腐食性物質の付着を予防する意味では効果がある。
したがって、この防錆工程は、好ましい形態である。Ｃｒ含有量が１０μｇ／ｄｍ２未満では、防錆層の制御が難しくなるので、これ以上とする。また、Ｃｒ含有量が５０μｇ／ｄｍ２を超えると、効果が飽和し、工程増による負荷が大きくなるので、上限値を前記の通りとするのが望ましい。
【００２５】
銅層（Ｃ）は、エッチングにより電子回路を形成する銅部分であり、薄い層なので、その厚みの制御が重要である。また、上記のように、ニッケル層（Ｂ）の上の銅層（Ｃ）の剥離は全く見られない。これが、本願発明の大きな特徴である。
【００２６】
一般に、該複合銅箔においては、エッチングに、アルカリ系エッチング液が用いられている。これは、回路のニッケル層エッチングを止める目的である。しかし、ニッケル層でエッチングが止まる系ならアルカリ系でなくとも良く、他のエッチング液の使用を妨げるものではない。必要に応じて、エッチング液を替えることが可能である。
【００２７】
このエッチング方法については、本願発明に直接関係するものではないが、周辺の技術の理解の参考となるものである。これによって、銅の回路間を銅層の厚みに応じた幅に調整することができる。
【００２８】
下記に代表的かつ好適なめっき条件の例を示す。
（銅めっき：九十九折式）
銅：１０〜５０ｇ／ｌ
硫酸：５０〜１００ｇ／ｌ
温度：４０〜６０℃
電流密度：１〜５Ａ／ｄｍ２
【００２９】
（ニッケルめっき）
硫酸ニッケル：２５０〜３００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ
酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ
クエン酸三ナトリウム：１５〜３０ｇ／Ｌ
光沢剤：サッカリン、ブチンジオールなど
ドデシル硫酸ナトリウム：３０〜１００ｐｐｍ
ｐＨ：４〜６
浴温：５０〜７０°Ｃ
【００３０】
（クロメート処理の条件）
（Ａ）浸漬クロメート処理
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７或いはＣｒＯ３）：０．１〜５g/リットル
ｐＨ ：２〜１３
温度 ：常温〜６０℃
時間 ：５〜３０秒
【００３１】
（Ｂ）電解クロメート処理
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７或いはＣｒＯ３）：２〜１０ｇ／リットル
ＮａＯＨ或いはＫＯＨ ：１０〜５０ｇ／リットル
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０°Ｃ
電流密度Ｄk ：０．０５〜５Ａ／ｄｍ２
時間：５〜３０秒
アノード：Ｐｔ-Ｔｉ 板、鉛板等
【００３２】
（アルカリエッチングの条件）
ＮＨ４ＯＨ：６モル／リットル
ＮＨ４Ｃｌ：５モル／リットル
ＣｕＣｌ２：２モル／リットル
液温：５０℃
【００３３】
（ニッケル等の付着量分析方法）
ニッケル処理面を分析するため、たとえば５ｃｍ角にサンプルを切り出し、そのサンプルを濃度３０％の硝酸にて溶解させ、ビーカー中の溶解液を５０００倍に稀釈し、原子吸光分析によりニッケルの定量分析を行う。
【００３４】
（クロムの付着量分析方法）
処理面を分析するため、反対面をＦＲ−４樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度１０％の塩酸にて３分間煮沸して処理層を溶解させ、その溶液を原子吸光分析により、クロムの定量分析を行う。
【００３５】
上記複合銅箔を用いて銅張り積層板を作製し、この銅張り積層板を用いた回路形成に際しては、銅層（Ｃ）および前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）上に回路形成用のレジストパターンを形成し、さらにアルカリエッチング液を用いて、前記レジストパターンが付された部分以外の前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び銅層（Ｃ）の不必要部分を除去する。
次にレジスト除去を行い、必要であればさらにソフトエッチング等により残部のニッケル層（Ｂ）を除去する。このレジストパターンの形成から不要な銅箔の除去は、一般的に行われている手法なので、多くを説明する必要はないので省略する。
【００３６】
銅箔を使用する場合、電解銅箔の粗化面（Ｍ面）又は光沢面（Ｓ面）にも同様に適用できるが、エッチングされる面は、通常光沢面側を使用する。圧延銅箔を使用する場合は、高純度圧延銅箔又は強度を向上させた圧延合金銅箔を使用することもできる。本件発明はこれらの銅箔の全てを包含する。
また、本願発明の実施に際しては、本願発明に矛盾しない限り、上記に述べた公知の技術は全て利用できるものである。
【実施例】
【００３７】
次に、本発明の実施例及び比較例について説明する。なお、本実施例は理解を容易にするための例であり、下記の例に制限されるものではない。すなわち、本発明は、本明細書に記載する技術思想の範囲内で、下記に示す実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。【００３８】
（実施例１）
ベース箔として、７０μｍ厚の電解銅箔（Ａ）を用いた。この電解銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して０．７μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、このニッケルめっき層（Ｂ）上に、連続して１０μｍの電気銅めっき層（Ｃ）を形成した。これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。【００３９】
このようにして製造した複合銅箔の密着性について、薄銅箔側に１５０℃以上で基材に積層し、剥離強度を測定した。剥離が可能で剥離強度が０．５ｋｇ／ｃｍ未満で剥離した場合には「×」とした。剥離しない、或いは剥離強度が０．５ｋｇ／ｃｍ以上の場合には「○」とした。
ニッケル層のバリア効果を確認するため、極薄銅箔の表面に樹脂を貼付けて銅張積層板とした後、圧延銅箔又は電解銅箔表面にレジスト塗布及び露光工程により１０本の回路を印刷し、銅専用のエッチング液にて銅箔の不要部分を除去し、バリア効果を確認した。【００４０】
ニッケル層でエッチングがとまっている場合を「○」、銅層（Ｃ）までエッチングされた場合には「×」とした。さらに、ニッケル層でエッチングがとまっている場合には、ニッケル専用のエッチング液にてニッケル層を除去することでニッケル層の除去性を確認した。きれいに除去できた場合を「○」、出来なかった場合を「×」とした。
以上の結果、密着性、ニッケル層のバリア性、及び除去性はいずれも良好であった。この結果を、同様に表１に示す【００４１】
【表１】
2012132574.tif 000003
【００４２】
（実施例２）
ベース箔として、１２μｍ厚の圧延銅箔（Ａ）を用いた。この圧延銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して０．６μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、このニッケルめっき層（Ｂ）上に、連続して５μｍの電気銅めっき層（Ｃ）を形成した。
これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００４３】
以上の結果、密着性、ニッケル層のバリア性、及び除去性はいずれも良好であった。この結果を、同様に表１に示す。【００４４】
（実施例３）
ベース箔として、１８μｍ厚の電解銅箔（Ａ）を用いた。この電解銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して１μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、このニッケルめっき層（Ｂ）上に、連続して１０μｍの電気銅めっき層（Ｃ）を形成した。
これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００４５】
以上の結果、密着性、ニッケル層のバリア性、及び除去性はいずれも良好であった。この結果を、同様に表１に示す。【００４６】
（実施例４）
ベース箔として、３５μｍ厚の圧延銅箔（Ａ）を用いた。この圧延銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して３μｍのニッケルめっき層（Ｂ）を施した。次に、このニッケルめっき層（Ｂ）上に、連続して２０μｍの電気銅めっき層（Ｃ）を形成した。さらに、上記浸漬条件を用いてクロメート処理をした。
これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００４７】
以上の結果、密着性、ニッケル層のバリア性、及び除去性はいずれも良好であった。この結果を、同様に表１に示す。【００４８】
（実施例５）
ベース箔として、１８μｍ厚の圧延銅箔（Ａ）を用いた。この圧延銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して１μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、このニッケルめっき層（Ｂ）上に、連続して１０μｍの電気銅めっき層（Ｃ）を形成した。さらに、上記浸漬条件を用いてクロメート処理をした。
これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００４９】
以上の結果、密着性、ニッケル層のバリア性、及び除去性はいずれも良好であった。この結果を、同様に表１に示す。【００５０】
（比較例１）
ベース箔として、１８μｍ厚の電解銅箔（Ａ）を用いた。この電解銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して１μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、一旦めっきを中断し、再度図１に示すような九十九折式のめっき装置を用いて、この層（Ｂ）上に１０μｍの電気銅めっき層を形成した。これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００５１】
以上の結果、ニッケル層のバリア性、及び除去性は良好であったが、強度が０．５ｋｇ／ｃｍ未満でニッケル層と薄銅箔との間で剥離した。この結果を、同様に表１に示す。
一旦めっきを中断し、銅めっきした場合には、ニッケルめっきと銅めっきの間にめっきの中断がより、ニッケル層に酸化膜が形成された可能性が高く、これが、密着性に影響を与えたと考えられる。【００５２】
（比較例２）
ベース箔として、３５μｍ厚の電解銅箔（Ａ）を用いた。この電解銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して１０μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、一旦めっきを中断し、再度図１に示すような九十九折式のめっき装置を用いて、この層（Ｂ）上に、７μｍの電気銅めっき層を形成した。これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００５３】
以上の結果、密着性、ニッケル層のバリア性は良好であったが、ニッケル層が厚いために、ニッケル除去のエッチングにおいてきれいに除去できなかった。この結果を、同様に表１に示す。【００５４】
（比較例３）
ベース箔として、７０μｍ厚の圧延銅箔（Ａ）を用いた。この圧延銅箔を、図１に示すめっき装置を使用し、上記めっき条件を使用して０．３μｍのニッケルめっき（Ｂ）を施した。次に、一旦めっきを中断し、再度図１に示すような九十九折式のめっき装置を用いて、この層（Ｂ）上に、１０μｍの電気銅めっき層を形成した。これにより、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔を製造した。他の試験条件は、実施例１と同様である。【００５５】
以上の結果、密着性は良好であったが、ニッケル層が薄いために、銅箔の除去の際に、ニッケルも除去され、銅層（Ｃ）までエッチングされてしまった。この結果を、同様に表１に示す。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、銅／ニッケル／銅からなる複合銅箔の製造に際し、ニッケルと銅との接合強度を向上させることのでき、エッチングにより電子回路の形成に適した複合銅箔とその製造方法を得ることができるという著しい効果を有する。
【図１】
2012132574.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在せず、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項２】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在せず、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び前記銅層（Ｃ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項３】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在せず、かつ前記銅層（Ｃ）の表面が粗化処理されていないことを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項４】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であり、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項５】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であり、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び前記銅層（Ｃ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項６】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であり、かつ前記銅層（Ｃ）の表面が粗化処理されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項７】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項８】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成し、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔の製造方法。
【請求項９】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成し、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び前記銅層（Ｃ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔の製造方法。
【請求項１０】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成し、前記銅層（Ｃ）の表面を粗化処理せずに回路を形成する材料とすることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔の製造方法。
【請求項１１】
前記銅層（Ｃ）の上に、Ｃｒ含有量が１０〜５０μｇ／ｄｍ２である防錆層を形成することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の回路形成用複合銅箔の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在せず、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項２】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在せず、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び前記銅層（Ｃ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項３】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備え、前記ニッケル層（Ｂ）と銅層（Ｃ）の間に酸化物層が介在せず、かつ前記銅層（Ｃ）の表面が粗化処理されていないことを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項４】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であり、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項５】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であり、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び前記銅層（Ｃ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項６】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であり、かつ前記銅層（Ｃ）の表面が粗化処理されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項７】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）、該箔（Ａ）の両面又は片面に形成された厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）、該ニッケル層（Ｂ）の上に形成された厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を備える複合銅箔であって、剥離強度が、０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔。
【請求項８】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成し、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔の製造方法。
【請求項９】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成し、前記圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）及び前記銅層（Ｃ）の少なくとも一部を回路として用いることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔の製造方法。
【請求項１０】
厚さが１０〜１５０μｍの圧延銅箔又は電解銅箔（Ａ）の両面又は片面に、厚さ０．５〜３μｍのニッケル層（Ｂ）を電気めっきにより形成し、該ニッケル層（Ｂ）のめっき直後に、連続して厚さ５〜２０μｍの銅層（Ｃ）を電気めっきにより形成し、前記銅層（Ｃ）の表面を粗化処理せずに回路を形成する材料とすることを特徴とする銅／ニッケル／銅からなる回路形成用複合銅箔の製造方法。
【請求項１１】
前記銅層（Ｃ）の上に、Ｃｒ含有量が１０〜５０μｇ／ｄｍ２である防錆層を形成することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の回路形成用複合銅箔の製造方法。
【国際調査報告】
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