(57)【要約】本発明により、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が良好で、かつ離型性、連続成形性にも優れた封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を含む。（Ｄ）硬化促進剤は、平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が１質量％以下である。また、（Ｄ）硬化促進剤は、特定構造を有するホスホベタイン化合物、特定構造を有するホスフィン化合物とキノン化合物との付加物及び特定構造を有するホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選ばれる少なくとも１種の硬化促進剤を含む。前記封止エポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品が封止されている電子部品装置が提供される。
2012102336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を含む封止用エポキシ樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）硬化促進剤が、平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が１質量％以下であり、
前記（Ｄ）硬化促進剤が、
下記一般式（１）：
【化１】
2012102336.tif 000015
（ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜３の整数である。）
で表される化合物、
下記一般式（２）：
【化２】
2012102336.tif 000016
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ８とＲ９とが結合して環状構造となっていてもよい。）
で表される化合物及び
下記一般式（３）：
【化３】
2012102336.tif 000017
（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。式中Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。基Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の硬化促進剤を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
下記の測定実験における酸化銅との接着強度が１４Ｎ以上である、請求項１記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
＜測定実験＞
大気下で２２０℃、１２０秒、加熱処理することにより、表面の酸化を進行させた酸化銅基材とタブレット化した前記エポキシ樹脂組成物を１７５℃、６．９ＭＰａ、２分の条件で一体成形して、酸化銅基材（直径３．６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）上に円錐台状の成形品（上径３ｍｍ×下径３．６ｍｍ×厚さ３ｍｍ、酸化銅基材と樹脂硬化物の接触面積１０ｍｍ２）を得た後、前記エポキシ樹脂組成物の硬化部位を横方向から押し、そのトルク（Ｎ）を測定する。
【請求項３】
前記封止用エポキシ樹脂組成物が銅表面または酸化銅表面に適用するためのものである請求項１または２に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）無機充填材が、平均粒径１０〜３０μｍの溶融球状シリカを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記溶融球状シリカが全樹脂組成物中に８２質量％以上、９２質量％以下の割合で含まれることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ａ）エポキシ樹脂が二官能の結晶性エポキシ樹脂を含むものである、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品が封止されていることを特徴とする電子部品装置。
【請求項８】
前記電子部品が銅製リードフレームのダイパッド上に搭載され、前記電子部品の電極パッドと前記銅製リードフレームのインナーリードとがボンディングワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項７記載の電子部品装置。
【請求項９】
前記銅製リードフレームのダイパッド上に２以上の前記電子部品が積層して搭載されていることを特徴とする請求項８記載の電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止用エポキシ樹脂組成物、及び電子部品装置に関する。より具体的には、銅製リードフレームを使用する場合において、酸化が進行した銅に対する接着性及び成形金型との離型性に優れた封止用エポキシ樹脂組成物、及びその封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品が封止されている電子部品装置に関する。
本願は、２０１１年１月２８日に日本に出願された特願２０１１−０１６３８４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品装置（以下、「パッケージ」とも称す。）の組立工程において、半導体素子（以下、「半導体チップ」とも称す。）のアルミニウム電極とリードフレームのインナーリードとの間に、ボンディングワイヤを熱圧着することで電気的に接続する手法が現在は主流となっている。また近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向に伴い、電子部品の高集積化、多ピン化が年々進んできている。そのため、以前より複雑なワイヤーボンディング工程が要求されようになっており、銅製リードフレームを使用する場合、２００〜２５０℃の高温状態に長時間曝されることで、銅表面の酸化がより進行するようになってきている。【０００３】
このような状況下、従来の未酸化の銅表面に対する接着性が優れている封止材を用いると、表面状態の異なる酸化が進行した銅に対しては接着性が劣る場合が多いことから、樹脂封止成形後の型抜き時や半田リフロー時に、封止樹脂硬化物とリードフレームとの界面で剥離を起こす問題が出てきている。【０００４】
このような剥離を抑制するためにリードフレーム等のインサート品と封止樹脂硬化物との接着性を向上させることは、封止樹脂硬化物の成形金型に対する離型性を向上させることと相反するものであるため、リードフレーム等のインサート品との接着性を向上させると成形金型からの離型性が劣ることとなり、成形性が低下するといった問題があった。【０００５】
電子部品の高集積化による、銅製リードフレームの酸化が問題になる以前は、硬化性および半田耐熱性の観点から、特定の四級ホスホニウム塩からなる粉末を硬化促進剤として使用する手法が提案されている。（例えば、特許文献１、２参照。）この手法によれば、未酸化の銅に対する接着性と離型性には優れるものの、酸化された銅フレームに対する封止樹脂の接着力が低下する問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２８５５９２号公報
【特許文献２】特開２００２−２８４８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性が良好で、かつ離型性、連続成形性にも優れた封止用エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物により電子部品が封止されている電子部品装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、封止用エポキシ樹脂組成物に、特定のホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及びホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選ばれる少なくとも１種の硬化促進剤を、特定の粒度分布に調整して使用することにより上記の目的を達成しうることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００９】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を含む封止用エポキシ樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）硬化促進剤が、平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が１質量％以下であり、
前記（Ｄ）硬化促進剤が、
下記一般式（１）：
【化１】
2012102336.tif 000003
（ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜３の整数である。）
で表される化合物、
下記一般式（２）：
【化２】
2012102336.tif 000004
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ８とＲ９とが結合して環状構造となっていてもよい。）
で表される化合物及び
下記一般式（３）：
【化３】
2012102336.tif 000005
（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。式中Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。基Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の硬化促進剤を含むことを特徴とする。【００１０】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、下記の測定実験における酸化銅との接着強度が１４Ｎ以上であるものとすることができる。
＜測定実験＞
大気下で２２０℃、１２０秒、加熱処理することにより、表面の酸化を進行させた酸化銅基材とタブレット化した前記エポキシ樹脂組成物を１７５℃、６．９ＭＰａ、２分の条件で一体成形して、酸化銅基材（直径３．６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）上に円錐台状の成形品（上径３ｍｍ×下径３．６ｍｍ×厚さ３ｍｍ、酸化銅基材と樹脂硬化物の接触面積１０ｍｍ２）を得た後、前記エポキシ樹脂組成物の硬化部位を横方向から押し、そのトルク（Ｎ）を測定する。【００１１】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、銅表面または酸化銅表面に適用することができる。【００１２】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、前記（Ｃ）無機充填材が、平均粒径１０〜３０μｍの溶融球状シリカを含むことを特徴とすることができる。【００１３】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、前記溶融球状シリカが全樹脂組成物中に８２質量％以上、９２質量％以下の割合で含まれることを特徴とすることができる。【００１４】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）エポキシ樹脂が二官能の結晶性エポキシ樹脂を含むものとすることができる。【００１５】
本発明の電子部品装置は、上述の封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品が封止されていることを特徴とする。【００１６】
本発明の電子部品装置は、前記電子部品が銅製リードフレームのダイパッド上に搭載され、前記電子部品の電極パッドと前記銅製リードフレームのインナーリードとがボンディングワイヤによって接続されているものとすることができる。【００１７】
本発明の電子部品装置は、前記銅製リードフレームのダイパッド上に２以上の前記電子部品が積層して搭載されているものとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性、及び成形時の離型性、連続成形性に優れた封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。また、この封止用エポキシ樹脂組成物によりＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品が封止されている、信頼性に優れた電子部品装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物を用いた電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）無機充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を含む封止用エポキシ樹脂組成物であって、（Ｄ）硬化促進剤が、平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が１質量％以下であり、（Ｄ）硬化促進剤が、一般式（１）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物及び一般式（３）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の硬化促進剤を含むことを特徴とする。これにより、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性、及び成形時の離型性、連続成形性に優れた封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。また、本発明の電子部品装置は、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物によりＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品が封止されていることを特徴とする。これにより、信頼性に優れた電子部品装置を得ることができる。以下、本発明について詳細に説明する。
【００２１】
先ず、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物について説明する。本発明の封止用エポキシ樹脂組成物において用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＡ／Ｄ等のジグリシジルエーテル、アルキル置換又は無置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルもしくはビスハロパラキシレン又はビスハロメチルビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物であるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、１−アルケン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、及びこれらのエポキシ樹脂をシリコーン、アクリロニトリル、ブタジエン、イソプレン系ゴム、ポリアミド系樹脂等により変性したエポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラアルキル置換ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラアルキル置換ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等の二官能の結晶性エポキシ樹脂が好ましく、特に酸化が進行した銅との密着性の観点では、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
【００２２】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂組成物全体の配合割合としては、特に限定されないが、全封止用エポキシ樹脂組成物中に、１質量％以上、１５質量％以下であることが好ましく、２質量％以上、１０質量％以下であることがより好ましい。（Ａ）成分のエポキシ樹脂全体の配合割合が上記下限値以上であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。（Ａ）成分のエポキシ樹脂全体の配合割合が上記上限値以下であると、耐半田性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００２３】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物において用いられる（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤は、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルもしくはビスハロパラキシレン又はビスハロメチルビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、酸化が進行した銅との密着性の観点では、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。
【００２４】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤の配合割合は、特に限定されないが、全封止用エポキシ樹脂組成物中に、０．５質量％以上、１２質量％以下であることが好ましく、１質量％以上、９質量％以下であることがより好ましい。（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤の配合割合が上記下限値以上であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤の配合割合が上記上限値以下であると、耐半田性の低下等を引き起こす恐れが少ない。
【００２５】
（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数／フェノール樹脂系硬化剤中の水酸基数の比は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．５の範囲に設定されることがより好ましい。また、成形性、耐リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂組成物を得るためには０．８〜１．４の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００２６】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物において用いられる（Ｃ）成分の無機充填材は、吸湿性低減、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上等のために封止用エポキシ樹脂組成物に配合されるものであり、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填材としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。これらの無機充填材は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記の無機充填材の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、充填材形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。
【００２７】
無機充填材（Ｃ）の配合量は、成形性、吸湿性、線膨張係数の低減及び強度向上の観点から、封止用エポキシ樹脂組成物に対して８０質量％以上、９６質量％以下の範囲が好ましく、８２質量％以上、９２質量％以下の範囲がより好ましく、８６質量％以上、９０質量％以下の範囲がさらに好ましい。下限値未満では信頼性が低下する傾向があり、上限値を超えると成形性が低下する傾向がある。
【００２８】
本発明に用いられる（Ｄ）成分の硬化促進剤は、平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が全体の１質量％以下であるものが好ましい。平均粒径が１０μｍを超える場合や、粒径２０μｍを超える粒子の割合が全体の１質量％を超える場合には、硬化促進剤の配合量を増やさなければ硬化性の向上効果が充分ではなく、逆に充分な硬化性が得られる程度まで硬化促進剤の配合量を増やすと保存安定性や流動性が劣ることとなり、硬化性と流動性とのバランスをとるのが困難となる。硬化促進剤の平均粒径を１０μｍ以下とし、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合を全体の１質量％以下にするには、発熱、融解しないような粉砕装置を用いて微粉砕すればよい。このような粉砕装置としては、例えば、ジェットミル等の気流式粉砕機、振動ボールミル、連続式回転ボールミル、バッチ式ボールミル等のボールミル、パルペライザー、ハンマーミル、湿式ポットミル、遊星ポットミル等のポットミル、ローラーミル等の粉砕機を用いることができる。これらの中でも、ジェットミル、ボールミル、ハンマーミル及びポットミルが好ましく、特にジェットミルが好ましい。これにより、特に硬化促進剤を効率良く微粉砕することができる。
【００２９】
硬化促進剤を微粉砕するのに、ジェットミルを用いる場合は、その粉砕条件は特に限定されないが、空気圧０．５〜１．０ＭＰａが好ましく、特に０．６〜０．８ＭＰａが好ましい。第２組成分の供給速度は、特に限定されないが、１〜１００ｋｇ／ｈが好ましく、特に３〜５０ｋｇ／ｈが好ましい。
【００３０】
また、硬化促進剤を微粉砕する際、作業性の観点から、硬化促進剤に離型剤及び／又は無機質充填材の一部（微量）を添加して硬化促進剤の微粉砕を行うことができる。これにより、硬化促進剤の融点が比較的低い場合であっても、粉砕装置の壁面等への硬化促進剤の付着を防止することができる。
【００３１】
尚、硬化促進剤の粒径は、市販のレーザー式粒度分布計（例えば、（株）島津製作所製、ＳＡＬＤ−７０００等）など用いて測定することができる。
【００３２】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物においては、（Ｄ）成分の硬化促進剤が、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物及びホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選ばれる少なくとも１種の硬化促進剤を含むことが好ましい。これらの硬化促進剤を、平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が全体の１質量％以下となるように調整して使用することにより、硬化性と流動性のバランスに特に優れ、かつ酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性、及び成形時の離型性、連続成形性に優れた封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００３３】
ホスホベタイン化合物としては、下記一般式（１）で表される化合物などが挙げられる。
【化４】
2012102336.tif 000006
（ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜３の整数である。）
【００３４】
一般式（１）で表される化合物の基Ｘ１としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプルピル基等が挙げられる。また、一般式（１）で表される化合物の基Ｙ１としては、例えば、ヒドロキシ基等が挙げられる。硬化性の観点からは、ｆが０、ｇが０である無置換の場合が好ましく、さらにＰ＋の結合位置に対するＯ−の結合位置がｏ−位である構造がより好ましい。
【００３５】
一般式（１）で表される化合物は、例えば以下のようにして得ることができる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００３６】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（２）で表される化合物などが挙げられる。
【化５】
2012102336.tif 000007
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ８とＲ９とが結合して環状構造となっていてもよい。）
【００３７】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィンなどの芳香環に無置換（すなわち水素）又はアルキル基、アルコキシル基などの置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基などの置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。一般式（２）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ５、Ｒ６及びＲ７がフェニル基であり、かつＲ８、Ｒ９及びＲ１０が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低く維持できる点で好ましい。
【００３８】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトンなどのケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
【００３９】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（３）で表される化合物などが挙げられる。
【００４０】
【化６】
2012102336.tif 000008
（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ２は、基Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。式中Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。基Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【００４１】
一般式（３）において、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基などが挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基など、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
【００４２】
また、一般式（３）において、Ｘ２は、Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ２及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（３）中の−Ｙ２−Ｘ２−Ｙ３−、及び−Ｙ４−Ｘ３−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものである。プロトン供与体としては、一分子内に水酸基またはカルボキシル基を２個以上有する化合物が好ましく、一分子内に水酸基またはカルボキシル基を２個以上有する芳香族化合物がより好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素上の置換基として水酸基またはカルボキシル基を２個以上有する芳香族化合物がさらに好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素上の置換基として水酸基を２個以上有する芳香族化合物が最も好ましい。このような事例として例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリンなどが挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【００４３】
また、一般式（３）中のＺ１は、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表す。これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基などの脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基などの芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基、スチリル基などのアルキル基または芳香族基にグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基などが置換した反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が、一般式（３）で表される化合物の熱安定性を向上させることができるという点で、より好ましい。
【００４４】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシランなどのシラン化合物、カテコールなどのプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらに予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイドなどのテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下でフラスコに滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、製造方法はこれに限定されるものではない。
【００４５】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物全体における（Ｄ）成分の硬化促進剤の配合量は、樹脂組成物全体に対して、０．１質量％以上、１質量％以下であることが好ましい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、充分な流動性、保存性及び硬化性を得ることができる。
【００４６】
本発明の樹脂成形体を構成する樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）無機質充填材、（Ｄ）硬化促進剤を含むものであるが、必要によって通常の封止材料に用いられている臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、燐酸エステル、ホスファゼン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の難燃剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン等の着色剤；カルナバワックスなどの天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；シランカップリング剤等を適宜含んでいてもよい。
【００４７】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、先ず、（Ｄ）成分の硬化促進剤を単独で用いて、あるいは、必要に応じて離型剤及び／又は無機質充填材の一部（微量）を硬化促進剤に添加して、硬化促進剤の平均粒径が１０μｍ以下であり、かつ粒径２０μｍを超える粒子の割合が全体の１質量％以下となるように、発熱、融解しないような粉砕装置を用いて予め微粉砕する。その後、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、ニーダ、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を用いることができる。成形条件に合うような寸法及び質量でタブレット化すると使いやすい。
【００４８】
また、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、各種有機溶剤に溶かして液状封止用エポキシ樹脂組成物として使用することもできる。この場合、液状封止用エポキシ樹脂組成物を板又はフィルム上に薄く塗布し、樹脂の硬化反応が余り進まないような条件で有機溶剤を飛散させることによって、シートあるいはフィルム状の封止用エポキシ樹脂組成物を得て、これを使用することもできる。
【００４９】
次に、本発明の電子部品装置について、図１に基づき説明する。本発明で得られる封止用エポキシ樹脂組成物６により電子部品１を封止して得られる電子部品装置としては、銅製リードフレームの支持部材（ダイパッド３）に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の電子部品１を搭載し、必要な部分を本発明の封止用エポキシ樹脂組成物６で封止した、電子部品装置などが挙げられる。このような電子部品装置としては、例えば、銅製リードフレーム上に電子部品１を固定し、ボンディングパッド等の電子部品１の端子部（電極パッド８）とリード部５のインナーリード９をボンディングワイヤ４やバンプで接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物６を用いてトランスファー成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｌｅａｄｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｊ−ｌｅａｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣが挙げられる。また、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等のチップが多段に積層されたパッケージも挙げられる。
【００５０】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて電子部品を封止する方法としては、低圧トランスファー成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。封止用エポキシ樹脂組成物が常温で液状又はペースト状の場合は、ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等が挙げられる。
【００５１】
また、電子部品を直接樹脂封止する一般的な封止方法ばかりではなく、電子部品に直接封止用エポキシ樹脂組成物が接触しない形態である中空パッケージの方式もあり、この方式は中空パッケージ用の封止用エポキシ樹脂組成物としても好適に使用できる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明について実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。【００５３】
実施例及び比較例で用いた硬化促進剤の構造を、以下に示す。
尚、各硬化促進剤の平均粒径、最大粒径及び粒径２０μｍを超える粒子の割合は、レーザー式粒度分布計（（株）島津製作所製、ＳＡＬＤ−７０００）により測定した。【００５４】
硬化促進剤（Ｄ−１Ｂ）：下記式（Ｄ−１）で表される１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物（平均粒径３６μｍ、最大粒径８５μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合６８質量％）
硬化促進剤（Ｄ−１Ａ）：硬化促進剤（Ｄ−１Ｂ）を、空気圧０．６ＭＰａ、原料供給速度３ｋｇ／ｈの条件でジェットミル（日本ニューマチック（株）製、ＰＪＭ２００ＳＰ）を用いて微粉砕することによって得た。得られた硬化促進剤（Ｄ−１Ａ）は、平均粒径が３μｍ、最大粒径が２４μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合が０．５質量％であった。
【化７】
2012102336.tif 000009
【００５５】
硬化促進剤（Ｄ−２Ｂ）：下記式（Ｄ−２）で表される２−トリフェニルホスホニオフェノラート（平均粒径２８μｍ、最大粒径７７μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合６４質量％）
硬化促進剤（Ｄ−２Ａ）：硬化促進剤（Ｄ−２Ｂ）を、空気圧０．６ＭＰａ、原料供給速度３ｋｇ／ｈの条件でジェットミル（日本ニューマチック（株）製、ＰＪＭ２００ＳＰ）を用いて微粉砕することによって得た。得られた硬化促進剤（Ｄ−２Ａ）は、平均粒径が４μｍ、最大粒径が２４μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合が０．８質量％であった。
【化８】
2012102336.tif 000010
【００５６】
硬化促進剤（Ｄ−３Ｂ）：下記式（Ｄ−３）で表されるホスホニウムシリケート化合物（平均粒径３２μｍ、最大粒径１０５μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合７１質量％）
硬化促進剤（Ｄ−３Ａ）：硬化促進剤（Ｄ−３Ｂ）を、回転数６０ｒｐｍ、粉砕時間６０分の条件でポットミル（（株）森田鉄工製、ポットミルII型）を用いて微粉砕することによって得た。得られた硬化促進剤（Ｄ−３Ａ）は、平均粒径が８μｍ、最大粒径が２７μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合が０．６質量％であった。
【化９】
2012102336.tif 000011
【００５７】
硬化促進剤（Ｄ−４Ｂ）：下記式（Ｄ−４）で表されるテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（平均粒径２０μｍ、最大粒径５６μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合５２質量％）
硬化促進剤（Ｄ−４Ａ）：硬化促進剤（Ｄ−４Ｂ）を、空気圧０．６ＭＰａ、原料供給速度３ｋｇ／ｈの条件でジェットミル（日本ニューマチック（株）製、ＰＪＭ２００ＳＰ）を用いて微粉砕することによって得た。得られた硬化促進剤（Ｄ−４Ａ）は、平均粒径が５μｍ、最大粒径が２４μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合が０．７質量％であった。
【化１０】
2012102336.tif 000012
【００５８】
硬化促進剤（Ｄ−５Ｂ）：下記式（Ｄ−５）で表されるホスホニウム・スルフォニルジフェノラート化合物（平均粒径３０μｍ、最大粒径６９μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合５６質量％）
硬化促進剤（Ｄ−５Ａ）：硬化促進剤（Ｄ−５Ｂ）を、空気圧０．６ＭＰａ、原料供給速度３ｋｇ／ｈの条件でジェットミル（日本ニューマチック（株）製、ＰＪＭ２００ＳＰ）を用いて微粉砕することによって得た。得られた硬化促進剤（Ｄ−５Ａ）は、平均粒径が３μｍ、最大粒径が２４μｍ、粒径２０μｍを超える粒子の割合が０．４質量％であった。
【化１１】
2012102336.tif 000013
【００５９】
実施例１
エポキシ樹脂（Ａ−１）：三菱化学（株）製、ＹＸ−４０００（エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ、融点１０５℃）                                  ４４質量部
フェノール樹脂（Ｂ−１）：三井化学（株）製、ＸＬ−２２５（水酸基当量１６５ｇ／ｅｑ、軟化点７５℃）                                    ３８質量部
溶融球状シリカ（平均粒径２４μｍ）                      ９００質量部
硬化促進剤（Ｄ−１Ａ）                                      ５質量部
シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）                                ５質量部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、♯５）                  ３質量部
カルナバワックス（日興ファイン（株）製、ニッコウカルナバ）  ５質量部
をミキサーで混合し、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表１に示す。【００６０】
評価方法
スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＡＮＳＩ／ＡＳＴＭ  Ｄ  ３１２３−７２に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、硬化時間１２０秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が流動性が良好である。単位はｃｍ。【００６１】
離型性：スパイラルフロー測定時の金型からの離型のしやすさで評価した。渦巻状の硬化物がきれいに取れるものを○、途中で折れるものを△、金型キャビティに付着するものを×とした。【００６２】
硬化性:キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。この値の大きい方が硬化性は良好である。単位はＮ・ｍ。【００６３】
連続成形性（エアベントブロック）：低圧トランスファー自動成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間７０秒で、８０ピンクワッドフラットパッケージ（８０ｐＱＦＰ；Ｃｕ製リードフレーム、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）を、連続で４００ショットまで封止成形した。エアベントブロックの評価は、５０ショット毎に金型を目視により観察することで、エアベントブロック（エアベント（幅０．５ｍｍ、厚さ５０μｍ）部に樹脂硬化物が固着してエアベントを塞いだ状態）の有無を確認することにより、次の４段階で評価した。好ましい順は、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・の順であるが、Ｃランク以上であれば実用可能範囲である。評価結果を下記に示した。
Ａ：４００ショットまで問題なし
Ｂ：３００ショットまでにエアベントブロック発生
Ｃ：２００ショットまでにエアベントブロック発生
Ｄ：１００ショットまでにエアベントブロック発生【００６４】
酸化銅との接着強度：大気下で２２０℃、１２０秒、加熱処理することにより、表面の酸化を進行させた酸化銅基材とタブレット化したエポキシ樹脂組成物を１７５℃、６．９ＭＰａ、２分の条件で一体成形して、酸化銅基材（直径３．６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）上に円錐台状の成形品（上径３ｍｍ×下径３．６ｍｍ×厚さ３ｍｍ、酸化銅基材と樹脂硬化物の接触面積１０ｍｍ２）を得た。その後、得られた各成形品の基材を固定し、エポキシ樹脂組成物の硬化部位を横方向から押し、そのトルク（Ｎ）を測定した。本評価は、半導体における耐半田リフロー性とある程度の相関を有するものであり、判定結果として、１４Ｎ以上を○、１２Ｎ以上１４Ｎ未満を△、１２Ｎ未満を×とした。【００６５】
耐半田性：低圧トランスファー成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップのサイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは銅製と酸化銅製）を、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、硬化時間２分でトランスファー成形し、１７５℃、８時間で後硬化した。８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡と超音波探傷装置で観察することにより、外部クラックと内部剥離の発生個数（１０個中）で表した。尚、酸化銅製リードフレームとしては、スタックドパッケージにおける熱履歴を想定して、銅製リードフレームを大気下で２２０℃で１２０秒、加熱処理することにより、表面の酸化を進行させたリードフレームを使用した。【００６６】
実施例２〜６、比較例１〜８
実施例２〜６及び比較例１〜８について、表１の配合に従い、実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を調製し評価した。結果を表１に示す。【００６７】
【表１】
2012102336.tif 000014
【００６８】
実施例１〜６のエポキシ樹脂組成物は、流動性（スパイラルフロー）、離型性、硬化性、連続成形性が極めて良好であり、かつ酸化銅との接着強度が高いため、このエポキシ樹脂組成物の硬化物でシリコンチップが封止された半導体装置は、通常の銅製リードフレームを用いた場合だけでなく、酸化が進行した銅製リードフレームを用いた場合においても、加湿処理後のＩＲリフロー処理による耐半田性に優れる結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明によれば、実施例で示したように、流動性、離型性、硬化性、連続成形性、酸化が進行した銅製リードフレームに対する接着性等に優れた封止用エポキシ樹脂組成物、ならびに、酸化が進行した銅製リードフレームを用いた場合においても耐半田性に優れる信頼性の高い電子部品装置を得ることができる。このため、ＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品、とりわけ、チップが多段に積層されたＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等のように、銅製リードフレームの酸化が進行し易いパッケージに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００７０】
１                電子部品
２                ダイアタッチ材
３                支持部材（ダイパッド）
４                ボンディングワイヤ
５                リード
６                封止樹脂（エポキシ樹脂組成物）
８                電極パッド
９                インナーリード
【図１】
2012102336.tif 000018
【国際調査報告】
2012102336.tif 000019
2012102336.tif 000020
2012102336.tif 000021
2012102336.tif 000022