(57)【要約】  導電層が貫通孔１０１内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、貫通孔１０１内に予め設けておき、基板１００主表面に導電層を形成する。導電層を形成した後、貫通孔１０１内の導電層形成防止部材を除去することで実現する。
2012073759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス中において電子を増幅させることにより放射線の検出を行う放射線検出器に用いられる基板であって、前記基板主表面に密着する層を有する導電層及び貫通孔が基板に形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面に前記導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の導電層形成防止部材を除去する除去工程とを備えること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板は感光性ガラス基板であり、前記貫通孔は紫外線を照射することで形成されること
を特徴とする請求項１記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板は表裏面を有し、前記導電層は前記基板の表裏面に形成されていること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項５】
前記導電層形成防止部材は熱硬化性樹脂であること
を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項６】
前記導電層は、前記基板上に密着する密着層と、前記密着層を覆うように形成された金属層と含むこと
を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項７】
前記密着層はクロムからなり、前記金属層は銅からなり、前記密着層及び前記金属層は連続的に成膜されること
を特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項８】
前記予防工程後且つ前記導電層形成工程前に、前記導電層形成防止部材及び前記基板を揃えて平坦化する工程を更に備えること
を特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項９】
感光性ガラスからなる基板に密着する層を有する導電層が形成され、且つ紫外線を照射することで貫通孔が形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する熱硬化性樹脂を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面にクロム層を、そして前記クロム層を覆うように銅層を連続的に成膜し、導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の熱硬化性樹脂を除去する除去工程とを備え、
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の方法で製造された電子増幅用基板を用いること
を特徴とする電子増幅器の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いること
を特徴とする放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス中にて電子を雪崩式に増幅させることで放射線を検出する電子増幅器に関し、詳しくは、この電子増幅器に用いる電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、荷電粒子、ガンマ線、Ｘ線、紫外光または中性子等の電離放射線を検出するガス電子増幅器（Ｇａｓ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  略してＧＥＭ  ）が使用されている。これらの検出装置は、検出対象の放射線がチャンバ内に侵入すると、ガス電子増幅器が電子雪崩効果による電子増幅を行い、放射線を検出する構成となっている。【０００３】
近年、特に中性子を用いた技術が多くの分野において注目されつつある。例えば、物質の構造解析や機能研究、物質の表面・界面や液体・非晶質・ガラス・高温超伝導体等のように物質の状態に応じた構造解析や機能研究、生体高分子の水素・水和構造解析による創薬への貢献、物質中の原子や分子の運動状態と機能研究など、多くの分野で中性子を用いた技術が利用されている。【０００４】
中性子を発生させた後、この中性子を解析対象となる物質に衝突させる必要がある。そのため、中性子発生源とともに、中性子検出器も必要となる。なぜなら、中性子検出器によって、中性子が衝突する位置そしてその中性子の飛行時間を判別することができるためである。この中性子検出器によって判別された所望の位置と飛行時間とに基づき、解析対象となる物質に対し構造解析を行うことになる。【０００５】
ここで用いられる中性子検出器としては、貫通孔が複数形成されたポリイミド等の板状部材（ポリマーフィルム）の両面に銅が被覆されたものを用いた電子増幅器用基板である検出器が知られている（例えば、特許文献１参照）。このタイプの検出器では、装置内のガスに中性子を接触させることにより、ガス中にて電子を雪崩式に増幅させ、この電子を検出することにより、中性子が衝突する位置や飛行時間を判別している。【０００６】
一方、上記以外の検出器としては、中性子をシンチレータに接触させ、それによって発生したシンチレーション光を波長変換ファイバーに伝達する。そして、この伝達された光を、フォトマルチプライアーにより電子に変換し、この電子を検出することにより、中性子が衝突する位置や飛行時間を判別している。（例えば、特許文献２乃至４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−３０２８４４号公報
【特許文献２】特開２００５−０７７２３５号公報
【特許文献３】特開２００５−２００４６１号公報
【特許文献４】特開２００５−３００４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１で開示されているＧＥＭは、Ｘ線の検出用として用いられているが、ＧＥＭによって中性子を検出するためには、Ｘ線を検出する場合と比較して高真空状態にする必要がある。また、効率よく雪崩式に電子を増幅させるためには、ポリイミド等の板状部材を複数枚、所定のギャップを保ちながら配置させる必要がある。しかしながら、ポリイミド等の板状部材は、ポリマーフィルムであるため高真空状態にした場合に歪みが生じてしまうため、ギャップを保つことができず正確に中性子を検出することができないといった問題がある。【０００９】
また、このようなポリマーフィルムといった有機フィルムの場合、アウトガスが電子雪崩を妨げてしまうことから、中性子の検出ができなくなるといった問題もある。【００１０】
また、特許文献２乃至４で開示されているシンチレータと光ファイバーとを組み合わせた中性子の検出器は、装置が高価であるとともに、中性子の検出効率が５０％程度と非常に非効率的であるといった問題がある。【００１１】
そこで、本発明は上述した課題を解決するために提案されたものであり、低コストでありながら、高い放射線検出効率を実現することができる電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様は、
ガス中において電子を増幅させることにより放射線の検出を行う放射線検出器に用いられる基板であって、前記基板主表面に密着する層を有する導電層及び貫通孔が基板に形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面に前記導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の導電層形成防止部材を除去する除去工程とを備
えること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法である。【００１３】
本発明の第２の態様は、
前記基板は感光性ガラス基板であり、前記貫通孔は紫外線を照射することで形成されること
を特徴とする前記第１の態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００１４】
本発明の第３の態様は、
前記基板は表裏面を有し、前記導電層は前記基板の表裏面に形成されていること
を特徴とする前記第１又は第２の態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００１５】
本発明の第４の態様は、
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする前記第１乃至第３の態様のいずれか１態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００１６】
本発明の第５の態様は、
前記導電層形成防止部材は熱硬化性樹脂であること
を特徴とする前記第１乃至第４の態様のいずれか１態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００１７】
本発明の第６の態様は、
前記導電層は、前記基板上に密着する密着層と、前記密着層を覆うように形成された金属層と含むこと
を特徴とする前記第１乃至第５の態様のいずれか１態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００１８】
本発明の第７の態様は、
前記密着層はクロムからなり、前記金属層は銅からなり、前記密着層及び前記金属層は連続的に成膜されること
を特徴とする第１乃第６の態様のいずれか１態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００１９】
本発明の第８の態様は、
前記予防工程後且つ前記導電層形成工程前に、前記導電層形成防止部材及び前記基板を揃えて平坦化する工程を更に備えること
を特徴とする第１乃至第７の態様のいずれか１態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。【００２０】
本発明の第９の態様は、
感光性ガラスからなる基板に密着する層を有する導電層が形成され、且つ紫外線を照射することで貫通孔が形成された電子増幅器用基板の製造方法において、
前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する熱硬化性樹脂を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、
前記予防工程後、前記基板主表面にクロム層を、そして前記クロム層を覆うように銅層を連続的に成膜し、導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の熱硬化性樹脂を除去する除去工程とを備え、
前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていること
を特徴とする電子増幅器用基板の製造方法である。【００２１】
本発明の第１０の態様は、
第１乃至第９の態様のいずれか１態様に記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いること
を特徴とする電子増幅器の製造方法である。【００２２】
本発明の第１１の態様は、
第１乃至第９の態様のいずれか１態様に記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いること
を特徴とする放射線検出器の製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、低コストでありながら高い放射線検出効率を実現することを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】電子増幅器用基板で用いる感光性ガラスからなる基板について説明するための図である。
【図２】感光性ガラスからなる基板に貫通孔を形成する工程に説明するための図である。
【図３】貫通孔を形成した基板に対して金属膜を成膜することで電子増幅器用基板を製造する工程について説明するための図である。
【図４】中性子の検出結果について示した図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明するための図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明するための図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明をする。
本発明は、ガス電子増幅器（以下、単に電子増幅器とも呼ぶ。）による電子雪崩効果による電子増幅を行い、荷電粒子、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、Ｘ線、紫外光または中性子などの電離放射線、さらに近紫外線、可視光線などの非電離放射線といった放射線を検出する放射線検出器に適用される。また、上述したような問題点を解決すべく、放射線検出器の電子増幅器で用いる電子増幅器用基板の基板としてポリマーフィルムに代えて感光性ガラスを用いる。
【００２６】
＜感光性ガラスについて＞
電子増幅器用基板の基板として用いる感光性ガラスについて説明をする。感光性ガラスは、安価でありながらウェットエッチングによる加工が可能であるなど非常に優れた加工性を有している。また、ポリマーフィルムとは異なり、高真空状態にした場合であっても、歪みを生じることなく、ギャップを保つことができるため、上述した放射線を検出する放射線検出器の電子増幅器に用いる電子増幅器用基板の基板として非常に有効である。
【００２７】
＜電子増幅器用基板について＞
続いて、電子増幅器において、電子雪崩効果による電子増幅を発生させる感光性ガラスを基板として用いた電子増幅器用基板について説明する。電子増幅器において電子雪崩効果による電子増幅を発生させるためには、基板となる感光性ガラスに複数の貫通孔を形成する必要がある。
【００２８】
図１に示すように感光性ガラスである基板１００に形成する複数の貫通孔１０１は、基板１００を平面視した際に各々が円形形状を有し、互いに一定の間隔で形成されている。
【００２９】
次に図２を用いて、感光性ガラスである基板１００に貫通孔を形成するプロセスについて説明をする。まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の一方主面上にフォトマスク２００を配置する。このフォトマスク２００は、基板１００に形成する貫通孔形成部位２０１のみが開口している。
【００３０】
フォトマスク２００を配置した後、フォトマスク２００側から紫外線を照射すると、貫通孔形成部位２０１の基板１００に選択的に紫外線が照射される。これにより、基板１００には、図２（ａ）に示すように結晶化されることとなる部分である露光部１００ａが形成される。
【００３１】
続いて、露光部１００ａが形成された基板１００を電気炉などに入れて熱処理を行い露光部１００ａを結晶化する。この熱処理された基板１００は、希フッ化水素酸に浸漬させることで、露光部１００ａのみをエッチングすることができる。これにより、図２（ｂ）に示すように、露光部１００ａのみが選択的に溶解除去されるため、基板１００に貫通孔１０１が形成されることになる。
【００３２】
次に、図３を用いて、感光性ガラスである基板１００を用いた電子増幅器用基板の形成プロセスについて説明をする。図３（ａ）、（ｂ）は、図１に示した基板１００の一部を、貫通孔１０１を通過するように切断した様子を示した断面図である。図３（ａ）に示すように複数の貫通孔１０１が形成された基板１００の表裏面に対して、図３（ｂ）に示すように、クロム、銅を連続的にスパッタして成膜することでクロム層４１、銅層４２を形成する。このようにして、図３（ｂ）に示すような電子増幅器用基板４０が形成されることになる。
【００３３】
なお、導電層である銅層４２は、感光性ガラスである基板１００との密着性が低いため、基板１００、銅層４２とも密着性の高いクロムを用いた密着層であるクロム層４１を形成する必要がある。このような密着層であるクロム層４１に対して、銅層４２を金属層とする。導電層を基板１００と密着性の高い金属で形成した場合には、特に密着層を形成しなくともよい。
【００３４】
図３（ｂ）に示すように、電子増幅器用基板４０の貫通孔１０１の側壁１０１ａには、スパッタによってクロム層４１、銅層４２が形成された状態となっている。このような電子増幅器用基板４０を用いた電子増幅器により、上述した放射線のうち、例えば、中性子を検出する放射線検出器を形成した場合、図４に示すように、十分な電子の増幅率にも関わらず所望の中性子を検出することができないことが分かった。
【００３５】
発明者らは鋭意検討を重ねた結果、所望の放射線を検出することができない原因として、図３（ｂ）に示した電子増幅器用基板４０の複数の貫通孔１０１の側壁１０１ａにクロム層４１、銅層４２が形成されてしまっているのではという結論を得た。
【００３６】
そこで、発明者らは、基板１００の貫通孔１０１の側壁１０１ａにクロム層４１、銅層４２が形成されていない状態の電子増幅器用基板を製造する手法を考案した。以下、その手法について説明をする。
【００３７】
＜本願発明の電子増幅器用基板の製造方法について＞
{第１の実施の形態：基板の片面への樹脂塗布による製造方法}
図５を用いて、本願発明の第１の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図５（ａ）〜（ｅ）は、図１に示した基板１００をＸ−Ｘ線で切断した様子を示した断面図である。なお、図１に示したように基板１００には複数の貫通孔１０１が形成されているが、以下においては説明のため１つの貫通孔１０１に着目するようにした。
【００３８】
まず、図５（ａ）に示すような、貫通孔１０１を形成した感光性ガラスからなる基板１００を用意する。このときの基板１００の厚みは約０．５ｍｍ程度である。
【００３９】
続いて、図５（ａ）に示すように、所定の粘度の樹脂５０、例えば熱硬化性樹脂など、をスピンコーターにより基板１００の片面全体へと塗布する。貫通孔１０１内へと樹脂５０を侵入させ、それに伴い塗布した樹脂５０を熱により硬化させる。これにより、樹脂５０は、貫通孔１０１を塞ぎ、貫通孔１０１内へ後述する導電層が形成されることのないような導電層形成防止部材となる。
【００４０】
図５（ａ）に示すように、塗布された樹脂５０は、ある温度まで流動するため、これにより貫通孔１０１内へと侵入していく。このとき貫通孔１０１内に入っている空気は、下側へと押し出される。これにより、貫通孔１０１は、気孔（ボイド）のない樹脂５０によって充填された状態となる。なお、樹脂５０は、貫通孔１０１の下面に達したところで樹脂５０の表面張力により充填が止まることになる。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように、プラズマ処理を施すことで、基板１００の片面に塗布した際に貫通孔１０１内へと侵入しなかった樹脂５０のみを除去する。これにより、貫通孔１０１内には樹脂５０が充填され、基板１００の表裏面は感光性ガラスが露出した状態となる。この後、導電層形成防止部材である樹脂５０が充填された貫通孔１０１を含めた基板１００の表裏面を揃えて平坦化処理する。この平坦化処理により、後述するスパッタにより形成する層の均一性を保つことができる。
【００４２】
このように、基板１００の表裏面の感光性ガラスが露出した状態において、クロムをスパッタすることでクロム層を形成した後、基板１００の表裏面に連続的に銅をスパッタして銅層を形成することで導電層を形成することになる。
【００４３】
しかしながら、貫通孔１０１には樹脂５０を充填しているため、樹脂５０を除去する必要がある。このまま、クロム、銅を連続的にスパッタすると複数の貫通孔１０１に充填された樹脂５０上にも導電層が形成されることになり、樹脂５０の除去が困難になる。そこで、樹脂５０上にも形成された導電層を容易に除去することができるように、例えば、リフトオフ加工を利用する。
【００４４】
リフトオフ加工とは、目的とするパターンの逆パターンを金属、フォトレジストなどで構成し、目的薄膜をスパッタした後、不用部分の薄膜を金属、フォトレジストと共に除去し目的とするパターンを残す手法である。
【００４５】
例えば、上述したようなリフトオフ加工を利用し、樹脂５０が充填された複数の貫通孔１０１に対応したパターンをフォトレジストにより形成する。そして、クロム、銅を連続的にスパッタしてクロム層、銅層を形成する。これにより、感光性ガラスである基板１００の露出した表裏面には、互いに密着性の高いクロム層、銅層が形成されることになる。
【００４６】
一方、クロム層、銅層を形成した後、フォトレジストによるパターンを除去することで、樹脂５０を充填した複数の貫通孔１０１上に形成されたクロム層、銅層も同時に除去されることになる。
【００４７】
また、図示しないが、基板１００の表裏面に樹脂５０を充填した貫通孔１０１を開口するようにマスキングして、銅層、クロム層を直接エッチングすることで貫通孔１０１内に充填された樹脂５０を露出するようにしてもよい。
【００４８】
これにより、図５（ｃ）に示すように、感光性ガラスの基板１００の樹脂５０が充填された貫通孔１０１以外の表裏面にだけ、クロム層１１、銅層１２による導電層が形成されることになる。
【００４９】
続いて、クロム層１１、銅層１２が形成されていない貫通孔１０１内に充填された導電層形成防止部材である樹脂５０を除去する。貫通孔１０１内に充填された樹脂５０を除去する手法としては、例えば、プラズマ処理による除去、有機溶剤と超音波を併用した除去、アルカリ薬品と超音波を併用した除去などが考えられる。
【００５０】
このようにして、貫通孔１０１内に充填された樹脂５０を除去すると、図５（ｄ）に示すように、貫通孔１０１の側壁１０１ａにクロム層１１、銅層１２を形成させることなく、基板１００の表裏面にだけクロム層１１、銅層１２を形成させることができる。
【００５１】
最後に、図５（e）に示すように、基板１００の表裏面に形成されたクロム層１１、銅層１２の上に電気銅メッキを施し電気銅メッキ層１３を形成することで、本願発明の電子増幅器用基板１０が形成されることになる。
【００５２】
このようにして形成された電子増幅器用基板１０は、電子増幅器に適用し、放射線検出器に利用した場合に良好に放射線を検出することができる。特に、基板１００に感光性ガラスを採用したことにより、ポリマーフィルムでは困難であった放射線を安価な材料を用いた電子増幅器用基板１０を用いて良好に検出することができる。
【００５３】
{第２の実施の形態：基板両面への樹脂塗布による製造方法}
続いて、図６を用いて、本願発明の第２の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図６（ａ）〜（ｃ）は、図１に示した基板１００をＸ−Ｘ線で切断した様子を示した断面図である。なお、図１に示したように基板１００には複数の貫通孔１０１が形成されているが、以下においては説明のため１つの貫通孔１０１に着目するようにした。
【００５４】
まず、図６（ａ）に示すような、貫通孔１０１を形成した感光性ガラスからなる基板１００を用意する。このときの基板１００の厚みは約０．５ｍｍ程度である。
【００５５】
続いて、図６（ａ）に示すように、所定の粘度の樹脂５１、５２例えば熱硬化性樹脂などをスピンコーターにより基板１００の表裏面全体へそれぞれ塗布する。塗布した樹脂５１、５２を熱により硬化させることで、貫通孔１０１の２つの開口部へと樹脂５１、５２を侵入させる。これにより、樹脂５１、５２は、それぞれ貫通孔１０１の２つの開口部を塞ぎ、貫通孔１０１内へ後述する導電層が形成されることのないように導電層形成防止部材となる。
【００５６】
次に、図６（ｂ）に示すように、プラズマ処理を施すことで、基板１００の表裏面全体に塗布した際に２つの貫通孔１０１内へと侵入しなかった樹脂５１、５２のみを除去する。これにより、貫通孔１０１の２つの開口部は樹脂５１、５２で塞がれ、基板１００の表裏面は感光性ガラスが露出した状態となる。この後、導電層形成防止部材である樹脂５１、５２で塞がれた貫通孔１０１を含めた基板１００の表裏面を揃えて平坦化処理する。この平坦化処理により、後述するスパッタにより形成する層の均一性を保つことができる。
【００５７】
以下、スパッタによるクロム層、銅層の形成、導電層形成防止部材である樹脂５１、５２の除去処理手法は、上述した第１の実施の形態と全く同様の手法を適用できるため説明を省略する。
【００５８】
これにより、図６（ｃ）に示すように、感光性ガラスの基板１００の樹脂５１、５２で覆われた貫通孔１０１の２つの開口部以外の表裏面にだけ、クロム層１１、銅層１２による導電層が形成されることになる。
【００５９】
以下、電気銅メッキ層１３の形成手法については、第１の実施の形態において、図５（ｄ）、（ｅ）を用いて説明した手法を適用できるため説明を省略する。
【００６０】
このようにして、貫通孔１０１の２つの開口部を塞いでいた樹脂５１、５２を除去することで、第１の実施の形態の図５（ｄ）を用いて説明したように、貫通孔１０１の側壁１０１ａにクロム層１１、銅層１２の形成させることなく、基板１００の表裏面にだけクロム層１１、銅層１２を形成させることができる。
【００６１】
このようにして形成された電子増幅器用基板は、第１の実施の形態の図５（ｅ）に示した電子増幅器用基板１０と同等の機能を有し、電子増幅器に適用し、放射線検出器に利用した場合に良好に放射線を検出することができる。特に、基板１００に感光性ガラスを採用したことにより、ポリマーフィルムでは困難であった放射線を安価な材料を用いた電子増幅器用基板を用いて良好に検出することができる。
【００６２】
｛第３の実施の形態：貫通孔壁面への樹脂塗布による製造方法｝
続いて、図７を用いて、本願発明の第３の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図７（ａ）〜（ｃ）は、図１に示した基板１００をＸ−Ｘ線で切断した様子を示した断面図である。なお、図１に示したように基板１００には複数の貫通孔１０１が形成されているが、以下においては説明のため１つの貫通孔１０１に着目するようにした。
【００６３】
上述した第１の実施の形態、第２の実施の形態においては、感光性ガラスである基板１００に形成された複数の貫通孔１０１内全体へ樹脂を充填させる、貫通孔１０１の２つの開口部を完全に樹脂で塞ぐことで貫通孔１０１の壁面への導電層形成を防止するようにしていた。
【００６４】
これに対して、第３の実施の形態は、基板１００に形成された複数の貫通孔１０１の側壁１０１ａを、スパッタにより基板１００の表裏面に対して導電層を形成した際に侵入することがない程度に覆うという思想に基づき提案されたものである。
【００６５】
まず、図７（ａ）に示すような、貫通孔１０１を形成した感光性ガラスからなる基板１００を用意する。このときの基板１００の厚みは約０．５ｍｍ程度である。
【００６６】
次に、図７（ａ）に示すように、基板１００の表裏面に貫通孔１０１と一致するように形成された開口部を有するマスク２０を配置する。マスク２０を配置した後、基板１００に形成された貫通孔１０１の側壁１０１ａをターゲットにして導電層形成防止部材である樹脂５３、５４を侵入させるようにする。マスク２０を介して貫通孔１０１に対して樹脂５３、５４を侵入させる手法は、どのような手法でもかまわないが、例えば、上述した第２の実施の形態のように、所定の粘度の樹脂５３、５４、例えば熱硬化性樹脂などをスピンコーターにより、マスク２０の表裏面全体へそれぞれ塗布する。
【００６７】
その際、図７（ａ）に示すように、空隙があってもよく、貫通孔１０１の中を完全に充填する必要はない。また、図７（ａ）に示すように、貫通孔１０１の側壁１０１ａを完全に樹脂５３、５４で覆う必要もない。具体的には、後段で実行するスパッタにより導電層を形成した際に貫通孔１０１の側壁１０１ａへと直接、金属が付着することがない程度に側壁１０１ａが、樹脂５３、５４で覆われてさえいればよい。
【００６８】
図７（ｂ）に示すように、マスク２０を外すと、基板１００の貫通孔１０１の側壁１０１ａにだけ樹脂５３、５４が付着されていることになる。この後、導電層形成防止部材である樹脂５３、５４が付着された貫通孔１０１を含めた基板１００の表裏面を揃えて平坦化処理する。この平坦化処理により、後述するスパッタにより形成する層の均一性を保つことができる。
【００６９】
次に、図７（ｃ）に示すように、クロム、銅を連続的にスパッタしてクロム層１１、銅層１２を形成する。これにより、感光性ガラスである基板１００の露出した表裏面には、互いに密着性の高いクロム層１１、銅層１２が形成されることになる。また、貫通孔１０１の側壁１０１ａは、導電層形成防止部材である樹脂５３、５４によって保護されているため、直接、クロム層１１、銅層１２が形成されてしまうことがない。
【００７０】
この後、上述した第１の実施の形態、第２の実施の形態でも説明した手法を用いて樹脂５３、５４を除去する。これにより、樹脂５３、５４上に形成されているクロム層１１、銅層１２も同時に除去することができる。したがって、基板１００の貫通孔１０１以外の表裏面にだけ、クロム層１１、銅層１２よる導電層が形成されることになる。
【００７１】
以下、電気銅メッキ層１３の形成手法については、第１の実施の形態において、図５（ｄ）、（ｅ）を用いて説明した手法を適用できるため説明を省略する。
【００７２】
このようにして、貫通孔１０１の側壁１０１ａに対してだけ形成した樹脂５３、５４を除去することで、第１の実施の形態の図５（ｄ）を用いて説明したように、貫通孔１０１の側壁１０１ａにクロム層１１、銅層１２を形成させることなく、基板１００の表裏面にだけクロム層１１、銅層１２を形成させることができる。
【００７３】
このようにして形成された電子増幅器用基板は、第１の実施の形態の図５（ｅ）に示した電子増幅器用基板１０と同等の機能を有し、電子増幅器に適用し、放射線検出器に利用した場合に良好に放射線を検出することができる。特に、基板１００に感光性ガラスを採用したことにより、ポリマーフィルムでは困難であった放射線を安価な材料を用いた電子増幅器用基板を用いて良好に検出することができる。
【００７４】
＜導電層として使用できる材料について＞
第１乃至第３の実施の形態では、密着層としてクロムをスパッタしてクロム層１１を形成し、金属層として銅をスパッタして銅層１２を形成することで導電層とした。この場合には、感光性ガラスと金属層との密着性を考慮してクロム層１１を、銅層１２を形成する前段に連続的に成膜するようにした。
【００７５】
もちろん、導電層として感光性ガラスとの密着性の高いＩＴＯをスパッタしてＩＴＯ層を直接形成することもできる。この場合、金属層である銅層１２を形成する前段に、密着層であるクロム層１１を形成するというような工程を省くことができるため製造工程の短縮化を図ることができる。
【００７６】
また、導電層は、ＩＴＯのように、感光性ガラスである基板１００との密着性が高い金属であればどのようなものでもよく、例えば、チタン、タングステン、モリブデン、ニッケル／銅、電気銀メッキ、電気金メッキ、電気銅メッキなどの金属を使用することができる。
【００７７】
なお、本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【符号の説明】
【００７８】
１１      クロム層
１２      銅層
１３      電気銅メッキ層
５０      樹脂
５１      樹脂
５２      樹脂
５３      樹脂
５４      樹脂
１００    基板
１０１    貫通孔
１０１ａ  側壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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