(57)【要約】  本発明は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、沸点が８０〜１６０℃である第１の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第２の溶媒を含み、第１の溶媒及び第２の溶媒の合計含有量に対する第１の溶媒の含有量の質量比が、０．３〜０．７であるインクジェット用シリカ系被膜形成組成物に関する。式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。  Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（Ｉ）【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、
前記溶媒は、沸点が８０〜１６０℃である第１の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第２の溶媒を含み、
前記第１の溶媒及び前記第２の溶媒の合計含有量に対する前記第１の溶媒の含有量の質量比が、下記条件Ａ、Ｂ又はＣで表される関係を満足する、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
条件Ａ：前記第１の溶媒の沸点が８０〜１００℃の場合、前記質量比が０．３〜０．５である。
条件Ｂ：前記第１の溶媒の沸点が１００〜１３０℃の場合、前記質量比が０．４〜０．６である。
条件Ｃ：前記第１の溶媒の沸点が１３０〜１６０℃の場合、前記質量比が０．５〜０．７である。
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
インクジェット法により、請求項１又は２に記載の組成物を基板上に吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、
前記描画パターン膜を硬化させてパターンを有するシリカ系被膜を得る工程と、
を備えるシリカ系被膜の形成方法。
【請求項４】
基板と、請求項３に記載の方法により前記基板上に形成されたパターンを有するシリカ系被膜と、を備える半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリカ系被膜は、絶縁性、耐熱性、透明性、耐磨耗性等に優れていることから、様々な分野で適用されている。例えば、半導体デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性、バリア性の点から、配線間の絶縁膜用途、素子分離膜やマスク材として適用されており、液晶デバイスにおいては、絶縁性・耐熱性・透明性の点から、素子の保護膜等として適用されている。【０００３】
従来、シリカ系被膜を得る一般的な方法として、気層成長法及び塗布法が知られている。半導体分野では、気層成長法が広く適応されており、緻密なシリカ膜が得られる等の特長がある。しかし、特殊な装置が必要であること、近年の処理基材の大型化に伴う装置コストの増大等の課題がある。一方、塗布法は比較的簡便な装置で成膜でき、大型基材への成膜も比較的容易である等の特長がある。塗布法にはスピンコート法、スプレー法、浸漬法、ロールコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。【０００４】
ところで、パターン化されたシリカ系被膜を形成する方法としては、フォトリソグラフィー法が主流となっている。しかし、フォトリソグラフィー法によるパターン化は、工程が複雑であり、コスト的に高いという欠点がある。そこで、近年、簡便に安くパターンを形成できる手法としてインクジェット法が検討されている（特許文献１）。インクジェット法は、所望のパターンを所望の位置に形成可能であることから、フォトリソグラフィー法のように基板全面にシリカ被膜を形成する必要がなく、使用する材料量を大きく削減できるため、コスト的にも環境的にも大きなメリットがある。【０００５】
インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物を得る方法としては、アルコキシシランを原料としたゾルーゲル法が知られている（特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２７９１３４号公報
【特許文献２】特開２００９−２３９９８３号公報
【特許文献３】特開２００９−２５３１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２に記載されているように、溶媒としてエタノール若しくは水を用いる場合、又は、特許文献３に記載されているように１００℃以下の溶媒が組成全体の７０〜９０重量％占めるような場合には、インクジェット描画で未吐出と吐出の操作を繰り返すと、ノズル目詰まりを引き起こしやすい。量産時においては、このような吐出と未吐出が繰り返されるため、前記従来のシリカ系被膜形成組成物は、実用に供し得るものとしては未だ充分ではない。【０００８】
さらに、インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物には、これを用いてパターンを描画したときに、描画時のパターンが滲みにくいという特性が要求される。ここで、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさず、その一方で、描画時のパターンを滲みにくくするためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物のノズル先端部での非乾燥性とパターン描画時の即乾性の両立が必要となる。しかし、これらの相反する特性を満足することは非常に困難である。【０００９】
本発明は、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、描画時のパターンが滲みにくいインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明は、下記（１）及び（２）に記載のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、下記（３）に記載のシリカ系被膜の形成方法、下記（４）に記載の半導体デバイス並びに下記（５）に記載の太陽電池システムを提供する。
（１）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合（加水分解縮合）して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、沸点が８０〜１６０℃である第１の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第２の溶媒を含み、第１の溶媒及び第２の溶媒の合計含有量に対する第１の溶媒の含有量の質量比が、下記条件Ａ、Ｂ又はＣで表される関係を満足するインクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
条件Ａ：第１の溶媒の沸点が８０〜１００℃の場合、前記質量比が０．３〜０．５である。
条件Ｂ：第１の溶媒の沸点が１００〜１３０℃の場合、前記質量比が０．４〜０．６である。
条件Ｃ：第１の溶媒の沸点が１３０〜１６０℃の場合、前記質量比が０．５〜０．７である。
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（２）表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、（１）記載の組成物。
（３）インクジェット法により、（１）又（２）に記載の組成物を基板上に吐出してパターン描画を行い、描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を硬化させてパターンを有するシリカ系被膜を得る工程と、を備えるシリカ系被膜の形成方法。
（４）基板と、（３）に記載の方法により基板上に形成された、パターンを有するシリカ系被膜と、を備える半導体デバイス。
（５）（４）に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、描画時のパターンが滲みにくいインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムが提供される。【００１２】
なお、本発明によって前記の効果が奏される理由について、本発明者らは以下のように推察する。【００１３】
すなわち、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさず且つ描画時のパターンを滲みにくくするためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物のノズル先端部での非乾燥性とパターン描画時の即乾性の両立が必要となる。この相反する特性を満足するためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の溶媒として、低沸点成分である第１の溶媒と高沸点成分である第２の溶媒とを含有する混合溶媒を用いることが重要である。そして、この混合溶媒において、第１の溶媒と第２の溶媒の合計含有量に対する第１の溶媒の含有量の質量比が特定の数値範囲になるようにそれぞれの含有量を調整することが極めて重要である。これにより、主として第２の溶媒の作用によりノズル先での非乾燥性が、また、主として第１の溶媒の作用により描画時の即乾性が、それぞれ高水準で達成されるものと考えられる。なお、本発明のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物に含有される溶媒は、第１の溶媒及び第２の溶媒の合計含有量に対する第１の溶媒の含有量の質量比が上記条件Ａ〜Ｃのいずれか一つを満たすものである。これは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物のノズル先端部での非乾燥性とパターン描画時の即乾性の両立の点から、これらの条件が好適であるという本発明者らの知見に基づくものである。【００１４】
さらに、描画時のパターンが滲みにくいという効果が奏されるのは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物が表面調整剤を含有することも一因であると考えられる。これにより、基板への濡れ性やシリカ系樹脂の流動性が制御されることによって、描画パターンの滲みが抑制されると考えられる。より具体的には、描画パターンの滲みは、インクの被塗布物への濡れ不均一性（ハジキ等）や、吐出時のインクの溶媒蒸発の不均一性による、局所的なインク粘度増大や表面張力変化によって引き起こされると考えられる。そこで、本発明における表面調整剤とは、（１）乾燥過程の塗膜の表面張力を均一化し、被塗物への濡れを改良する作用を有する化合物、（２）塗膜表面から溶剤の蒸発を均一化し、局所的な粘度増大や表面張力変化を小さくする作用を有する化合物、から選択される少なくとも一種の化合物として定義される。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
［インクジェット用シリカ系被膜形成組成物］
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、下記の（ａ）〜（ｃ）成分を含有する。
（ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（ｂ）沸点が８０〜１６０℃である第１の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第２の溶媒を含有し、第１の溶媒及び第２の溶媒の合計含有量に対する第１の溶媒の含有量の質量比が、下記条件Ａ、Ｂ又はＣで表される関係を満足する溶媒。
条件Ａ：第１の溶媒の沸点が８０〜１００℃の場合、前記質量比が０．３〜０．５である。
条件Ｂ：第１の溶媒の沸点が１００〜１３０℃の場合、前記質量比が０．４〜０．６である。
条件Ｃ：第１の溶媒の沸点が１３０〜１６０℃の場合、前記質量比が０．５〜０．７である。
（ｃ）表面調整剤。
【００１７】
以下、（ａ）成分、（ｂ）成分及び（ｃ）成分のそれぞれについて詳述する。
【００１８】
（ａ）成分：ケイ素化合物
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物を必須成分とする。
【００１９】
なお、本明細書において、前記「加水分解・重縮合」とは、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解し、脱水（Ｈ２Ｏ）しながら縮合して重合することを意味する。
【００２０】
前記一般式（Ｉ）のＸとしては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられ、中でもアルコキシ基とすることが好ましい。Ｘをアルコキシ基とすることにより、得られるケイ素化合物の液状安定性や得られる組成物中のハロゲン濃度を抑制することが可能となる。
【００２１】
Ｘがアルコキシ基である場合、アルコキシシランとしては、下記一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、下記一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシラン、下記一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシラン等が挙げられる。アルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
Ｓｉ（ＯＲ２）４  …（Ｉ−１）
［式中、Ｒ２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
Ｒ３Ｓｉ（ＯＲ４）３  …（Ｉ−２）
［式中、Ｒ３はアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
Ｒ５２Ｓｉ（ＯＲ６）２  …（Ｉ−３）
［式中、Ｒ５は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
【００２２】
前記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）において、アルコキシ基のＲ（Ｒ２、Ｒ４及びＲ６）の炭素数は特に制限はないが、通常炭素数１〜１０であり、入手容易性の点から、炭素数１〜５が好ましく、炭素数１〜３がより好ましい。また、アルコキシ基のＲ（Ｒ２、Ｒ４及びＲ６）は、水素原子の一部がフッ素に置換されたものであってもよい。
【００２３】
一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラブトキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の点から、テトラエトキシシランを用いることが好ましい。
【００２４】
一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の点から、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシランを用いることが好ましい。
【００２５】
一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランとしては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。
【００２６】
前記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）で表されるアルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。前記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）で表されるアルコキシシランを２種以上を組み合わせて用いる場合、混合比は特に限定されない。ただし、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の室温下での安定性（粘度安定性）が確保しやすいこと、及びインクジェット後に得られるシリカ系被膜の耐クラック性が向上することから、一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル量Ｍ１に対する、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル量Ｍ２及び一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランのモル量Ｍ３の合計量の比（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が０．１以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．８以上であることが極めて好ましい。また、下地基板との濡れ性が良好である観点で、（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が４．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、１．５以下であることが極めて好ましい。
【００２７】
アルコキシシランを加水分解・重縮合する際には、（ｂ）成分を溶媒として用いてもよく、又は、（ｂ）成分以外の溶媒を用いてもよい。アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に用いる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のケトン系溶媒；
ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン等のエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のアルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ｉｓｏ−プロピル、酢酸ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒；
Ｎ―メチルピロリジノン、Ｎ―エチルピロリジノン、Ｎ―プロピルピロリジノン、Ｎ―ブチルピロリジノン、Ｎ―ヘキシルピロリジノン、Ｎ―シクロヘキシルピロリジノン等のピロリジノン系溶媒；
メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール（ｉｓｏ−ブタノール）、２−ブタノール（ｓｅｃ−ブタノール）、２−メチルー２ープロパノール（ｔｅｒｔ−ブタノール）、１−ペンタノール、２−ペンタノール、２−メチルブタノール、２−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール（ｔｅｒｔ−ペンタノール）、３−メトキシブタノール、１−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、２−ヘキサノール、２−エチルブタノール、２−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサノール、２−オクタノール、１−ノニルアルコール、１−デカノール、２−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、２−テトラデシルアルコール、２−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール系溶媒；
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００２８】
なお、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に（ｂ）成分以外の溶媒を用いた場合には、反応後に留去等によって溶媒を除去し、得られるシロキサン樹脂をインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の調製に供することができる。
【００２９】
前記の溶媒を用いて一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式〜（Ｉ−３）を加水分解・重縮合する際の溶媒量は、反応の均一性等の点から、ＳｉＯ２換算濃度が５質量％〜３５質量％の範囲になるようにすることが好ましく、下限としては１０質量％以上の範囲が、上限としては３０質量％以下の範囲が、それぞれより好ましい。
【００３０】
また、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際、反応時間の短縮、反応の均一化のため、触媒を添加することができる。触媒としては、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物等が挙げられるが、得られるインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の安定性確保の点から、酸触媒を用いることが好ましい。
【００３１】
酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸及びトリフルオロエタンスルフォン酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸及びフッ酸が挙げられる。これらの中で特に有機酸としてはマレイン酸、無機酸としては硝酸を用いることが好ましい。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３２】
触媒の使用量は、アルコキシシランの種類及び使用量、触媒の種類等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用い、かつ、触媒として酸触媒を用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、酸触媒の使用量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１０］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１００］の範囲が更に好ましい。酸触媒の使用量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象を抑制することができる。
【００３３】
また、アルコキシシランを加水分解・重縮合させる際、使用する水の量は、アルコキシシランの種類及び使用量等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、水の量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／２］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×２］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／２］〜［４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×１］の範囲が更に好ましい。水の量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象を抑制することができる。
【００３４】
（ａ）成分であるケイ素化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、溶媒への溶解性、インクジェット吐出性等の観点から、５００〜２００００であることが好ましく、５００〜１００００であるとより好ましい。当該重量平均分子量が前記範囲内であると、シリカ系被膜の成膜性と、ケイ素化合物と溶媒との相溶性とを高水準で達成できる。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）により測定され且つ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。
【００３５】
＜重量平均分子量の測定＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件によるＧＰＣにより測定することができる。
（条件）
試料：インクジェット用シリカ系被膜形成組成物  １０μＬ
標準ポリスチレン：東ソー株式会社製標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
検出器：株式会社日立製作所製、ＲＩ−モニター、商品名「Ｌ−３０００」
インテグレーター：株式会社日立製作所製、ＧＰＣインテグレーター、商品名「Ｄ−２２００」
ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−６０００」
デガス装置：昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ  ＤＥＧＡＳ」
カラム：日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ−Ｒ４４０」、「ＧＬ−Ｒ４３０」、「ＧＬ−Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
測定温度：２３℃
流速：１．７５ｍＬ／分
測定時間：４５分
【００３６】
本実施形態において、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中の（ａ）成分の含有量は、５〜３５質量％であることが好ましく、５〜３０質量％であることがより好ましい。（ａ）成分の含有量が５質量％以上であれば、形成されるシリカ系被膜の膜厚が薄過ぎず適度な厚さとなるため、所望の膜厚を得るために複数回の重ね描画が必要となる可能性を低減できる。これにより、プロセス時間の増大や重ね描画による描画パターンの滲み発生を抑制しやすくなる。一方、（ａ）成分の含有量が３５質量％以下であれば、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の保管安定性を良好にすることができる傾向がある。
【００３７】
（ｂ）成分：溶媒
本実施形態に係る（ｂ）成分は、沸点が８０〜１６０℃である第１の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第２の溶媒を含有し、第１の溶媒の含有量（以下、「Ｃ１」という。）及び第２の溶媒の含有量（以下、「Ｃ２」という。）の合計含有量（Ｃ１＋Ｃ２）に対するＣ１の質量比Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）が、下記条件Ａ、Ｂ又はＣで表される関係を満足する混合溶媒である。なお、本明細書において、「沸点」とは常圧での沸点を意味する。
条件Ａ：第１の溶媒の沸点が８０〜１００℃の場合、０．３≦Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）≦０．５。
条件Ｂ：第１の溶媒の沸点が１００〜１３０℃の場合、０．４≦Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）≦０．６。
条件Ｃ：第１の溶媒の沸点が１３０〜１６０℃の場合、０．５≦Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２≦０．７。
【００３８】
第１の溶媒は、沸点が８０〜１６０℃の範囲内であれば、特に制限はない。また、組成物に含まれる第１の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。
【００３９】
条件（Ａ）を満足する沸点が８０〜１００℃である第１の溶媒としては、１−プロパノール、２−プロパノール、２−ブタノール等が挙げられる。これらの溶媒の中で、得られるシロキサン樹脂及び第２溶媒との相溶性から、２−プロパノールを用いることが好ましい。
【００４０】
条件を（Ｂ）を満足する沸点が１００〜１３０℃である第１の溶媒としては、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。条件（Ｂ）における第１の溶媒の沸点は、１１０〜１３０℃であることが好ましい。これらの溶媒の中で、得られるシロキサン樹脂及び第２溶媒との相溶性から、酢酸イソブチルを用いることが好ましい。
【００４１】
条件を（Ｃ）を満足する沸点が１３０〜１６０℃である第１の溶媒としては、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、乳酸エチル、シクロヘキサノンなどが挙げられる。条件（Ｃ）における第１の溶媒の沸点は、１４０〜１６０℃であることが好ましい。これらの溶媒の中で、得られるシロキサン樹脂及び第２溶媒との相溶性から、プロピレングリコールモノプロピルエーテルを用いることが好ましい。
【００４２】
第２の溶媒は、沸点が１８０℃〜２３０℃であるが、１８０℃〜２００℃であることが好ましい。沸点がこのような範囲内であれば、特に制限はない。第２の溶媒としては、γ−ブチロラクトンやエーテル類及びグリコール類を用いることができ、例えば、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルやプロピレングリコールが挙げられる。なお、組成物に含まれる第２の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。
【００４３】
本実施形態に係る組成物において、質量比Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）が、第１の溶媒の沸点に応じて、上述の条件Ａ、条件Ｂ又は条件Ｃで表される関係を満足することで、組成物を吐出する際のノズル先端部での非乾燥性とパターン描画時の即乾性を両立でき、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさず且つ描画時のパターンを滲みにくくできる。
【００４４】
（ｃ）成分：表面調整剤
本実施形態に係る（ｃ）成分は表面調整剤である。組成物が表面調整剤を含有することによって、インクの基板表面への濡れ性制御及びパターンの断面形状制御が可能となり、パターンの滲み防止に有効となる。（ｃ）成分としては、表面調整剤として市販されている化合物を特に制限なく使用することができ、具体的には、フッ素系表面調整剤、シリコーン系表面調整剤、ノニオン系表面調整剤等を用いることができる。中でも、特にシリコーン系表面調整剤を用いることがパターン滲みを抑制する上で効果的である。
【００４５】
（ｃ）成分の含有量は、（ａ）成分に対して、０．１質量％以上が好ましく、０．２質量％以上がより好ましい。また、（ｃ）成分の含有量は、（ａ）成分に対して、１．０質量％以下が好ましく、０．８質量％以下がより好ましい。なお、（ｃ）成分は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
［シリカ系被膜の形成方法］
本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法は、インクジェット法により、前記の組成物を基板上に吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を予備硬化させる工程と、描画パターン膜を硬化させてパターンを有するシリカ系被膜を得る工程と、を備える。
【００４７】
＜描画パターン膜を形成する工程＞
インクジェット法によるパターン描画は、インクジェット装置を用いて行うことができる。インクジェット装置は、一般的にコンティニュアス型（連続吐出型）とオンデマンド型の２種類の型式に大別されるが、本実施形態においてはオンデマンド型を用いることが好ましい。コンティニュアス型は、基板上にパターンを描画しないときであってもインクは常に連続して吐出する方式である。一方、オンデマンド型は、必要な時に必要な量だけインクを吐出し、基板上にパターンを描画する方式である。
【００４８】
オンデマンド型には、電圧を加えると変形するピエゾ素子を用いたインクジェット装置と加熱によって生じる気泡を利用して吐出するサーマル方式のインクジェット装置がある。本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、基本的にはどちらの方式を用いても構わないが、インクの組成変化を抑制する点からピエゾ素子を用いたインクジェット装置を用いることが好ましい。
【００４９】
インクジェット法にてパターン描画する際に、パターンが描画される基板を５０〜１００℃の範囲で加熱しながら描画してもよい。基板加熱によって、基板上でのインクの即乾性を更に向上でき、描画パターンの乱れを防止できる。
【００５０】
＜描画パターン膜を予備硬化させる工程＞
本実施形態においては、描画パターン膜を硬化させる工程の前に、描画パターン膜を予備硬化させる工程を備えていてもよい。予備硬化させる際には、一段目ベイク：８０〜１４０℃、二段目ベイク：１８０〜２５０℃の温度のホットプレート等にて、描画パターン膜中のシロキサン樹脂の重縮合反応促進と有機溶媒の乾燥とを段階的に行ってもよい。また、前記一段目、二段目ベイク内をさらに多段化してもよい。多段ベイクによって、シロキサン樹脂は均一に硬化され、溶媒除去時の熱対流に伴う描画パターンの乱れが防止できる。
【００５１】
＜描画パターン膜を硬化させる工程＞
本工程において、最終硬化は、例えば、描画パターン膜（予備硬化していなくてもよい）を、３５０〜１０００℃の加熱温度で焼成して行う。なお、最終硬化の加熱温度が３５０℃以上であれば、充分な硬化が達成され易く、１０００℃以下であれば、基板に悪影響が生じ難い。
【００５２】
最終硬化の際の加熱時間は、２〜６０分が好ましく、２〜３０分であるとより好ましい。この加熱時間が６０分以下であれば、入熱量が過度に増大することがないため、徐々に基板の劣化が生じてしまうことが抑制される。また、加熱装置としては、石英チューブ炉、その他の炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）、ＵＶ照射アニール、ＥＢ照射アニール等の加熱処理装置を用いることができる。
【００５３】
最終硬化時のガスの雰囲気は、基板に悪影響を及ぼさなければ、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスの雰囲気下でも、酸素やオゾン等の活性ガスの雰囲気下のどちらであってもよい。
【００５４】
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物及びシリカ系被膜の形成方法の用途は特に制限されないが、例えば、半導体デバイス（素子）や多層配線板等の絶縁膜を備えるデバイスへの使用が挙げられる。さらに具体的には、半導体デバイスにおいては、表面保護膜（パッシベーション膜）、バッファーコート膜、層間絶縁膜、拡散防止膜等として使用することができる。一方、多層配線板においては、層間絶縁膜として好適に使用することができる。
【００５５】
［半導体デバイス］
本実施形態の半導体デバイスは、基板と、前記シリカ系被膜の形成方法により基板上に形成された、所定のパターンを有するシリカ系被膜と、を備えている。このような半導体デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子が挙げられる。
【００５６】
また、多層配線板としては、例えば、ＭＣＭ等の高密度配線板が挙げられる。
【００５７】
［太陽電池システム］
本実施形態の太陽電池システムは、前記半導体デバイスを備えている。前述の半導体デバイスの中で、光電変換素子は太陽電池システムに使用される半導体デバイスであり、昨今の環境問題の影響もあって開発が活発になされている。代表的な光電変換素子としては、半導体のＳｉウェハにドーパントと呼ばれる不純物を拡散させて、ｐ−ｎ接合を形成したものが挙げられる。このような光電変換素子においては、太陽電池の高効率化のため、ドーパントの非拡散領域と拡散領域が１枚のＳｉウェハ上に混在するような素子を作製する場合がある。そのような場合、非拡散領域に拡散防止マスクを形成する必要が生じる。これまで、拡散防止マスクはＣＶＤ等で形成したシリカ系被膜をフォトリソグラフィー法でパターン化して得ていた。しかし、本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を用いれば、インクジェットによってパターン化したシリカ系被膜を得ることができ、工程数の削減や必要材料の削減が可能なため、有用である。
【００５８】
また、本実施形態に係るシリカ系被膜は、液晶用部品、光導波路、フォトレジスト等の用途としても使用することができるが、使用用途はこの限りではない。
【実施例】
【００５９】
以下、実験例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に何ら制限されるものではない。【００６０】
（ケイ素化合物Ａの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ａを得た。この時点でのケイ素化合物Ａのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６１】
（ケイ素化合物Ｂの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、トリエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２１６℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでトリエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｂを得た。この時点でのケイ素化合物Ｂのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６２】
（ケイ素化合物Ｃの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでテトラエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６３】
［実験例１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成株式会社製、商品名。ディスパロンは登録商標）を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を１７．２ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．３であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−１を作製した。【００６４】
［実験例２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−２を作製した。【００６５】
［実験例３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−３を作製した。【００６６】
［実験例４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１−プロパノール（沸点９７℃）を１７．２ｇ添加した。この時点で、１−プロパノール（沸点９７℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する１−プロパノールの含有量の質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．３であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−４を作製した。【００６７】
［実験例５］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を１７．２ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．３であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−５を作製した。【００６８】
［実験例６］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−６を作製した。【００６９】
［実験例７］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１−プロパノール（沸点９７℃）を１７．２ｇ添加した。この時点で、１−プロパノール（沸点９７℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対する１−プロパノールの含有量の質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．３であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ａ−７を作製した。【００７０】
［実験例８］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を１０．０ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．２であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ａ−１を作製した。【００７１】
［実験例９］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を６０．０ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３８％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．６であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ａ−２を作製した。【００７２】
［実験例１０］
前記ケイ素化合物Ａに、２−プロパノール（沸点８２℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ａ−３を作製した。【００７３】
［実験例１１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を１７．２ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．３であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ａ−４を作製した。【００７４】
［実験例１２］
前記ケイ素化合物Ｃに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とテトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ａ−５を作製した。【００７５】
［実験例１３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点溶媒の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−１を作製した。【００７６】
［実験例１４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−２を作製した。【００７７】
［実験例１５］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を６０．０ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３８％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．６であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−３を作製した。【００７８】
［実験例１６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸ブチル（沸点１２６℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、酢酸ブチル（沸点１２６℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸ブチルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−４を作製した。【００７９】
［実験例１７］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成）を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−５を作製した。【００８０】
［実験例１８］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を６０．０ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３８％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．６であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−６を作製した。【００８１】
［実験例１９］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸ブチル（沸点１２６℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、酢酸ブチル（沸点１２６℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対する酢酸ブチルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｂ−７を作製した。【００８２】
［実験例２０］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を１７．２ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．３であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｂ−１を作製した。【００８３】
［実験例２１］
上記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を９３．５ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．７であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｂ−２を作製した。【００８４】
［実験例２２］
前記ケイ素化合物Ａに、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｂ−３を作製した。【００８５】
［実験例２３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を６０．０ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３８％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．６であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｂ−４を作製した。【００８６】
［実験例２４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｂ−５を作製した。【００８７】
［実験例２５］
前記ケイ素化合物Ｃに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を６０．０ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）含有量とテトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３８％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．６であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｂ−６を作製した。【００８８】
［実験例２６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−１を作製した。【００８９】
［実験例２７］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を６０．０ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３８％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．６であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−２を作製した。【００９０】
［実験例２８］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を９３．５ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．７であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−３を作製した。【００９１】
［実験例２９］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、シクロヘキサノン（沸点１５６℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、シクロヘキサノン（沸点１５６℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するシクロヘキサノンの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−４を作製した。【００９２】
［実験例３０］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成）を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−５を作製した。【００９３】
［実験例３１］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を９３．５ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．７であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−６を作製した。【００９４】
［実験例３２］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、シクロヘキサノン（沸点１５６℃）を４０．０ｇ添加した。この時点で、シクロヘキサノン（沸点１５６℃）含有量とジメチルトリグリコール（沸点２１６℃）の含有量の合計量に対するシクロヘキサノンの含有量の質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．５であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物Ｃ−７を作製した。【００９５】
［実験例３３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｃ−１を作製した。【００９６】
［実験例３４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を１６０．０ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．８であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．８であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｃ−２を作製した。【００９７】
［実験例３５］
前記ケイ素化合物Ａに、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を２６．７ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．４であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｃ−３を作製した。【００９８】
［実験例３６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２−プロパノール（沸点８２℃）を９３．５ｇ添加した。この時点で、２−プロパノール（沸点８２℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する２−プロパノールの含有量の質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．７であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｃ−４を作製した。【００９９】
［実験例３７］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）を９３．５ｇ添加した。この時点で、酢酸イソブチル（沸点１１８℃）の含有量とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）の含有量の合計量に対する酢酸イソブチルの含有量の質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．７であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｃ−５を作製した。【０１００】
［実験例３８］
前記ケイ素化合物Ｃに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を９３．５ｇ添加した。この時点で、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）の含有量とテトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）の含有量の合計量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの含有量の質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が２０％になるまで、高沸点成分と低沸点成分の合計含有量に対する低沸点成分の含有量の質量比が０．７であるこの混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物ｃ−６を作製した。【０１０１】
このようにして得られた実験例１〜３８のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物について、以下の評価を実施した。【０１０２】
［再吐出時のノズル目詰まり評価］
再吐出時のノズル目詰まり評価においては、（株）マイクロジェット社製のＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００  Ｓｔａｎｄａｒｄのインクジェット吐出機を用いた。
＜目詰まり評価Ａ＞
室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（２０分）、吐出（３０秒）、未吐出（２０分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。
＜目詰まり評価Ｂ＞
室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（１０分）、吐出（３０秒）、未吐出（１０分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。
＜目詰まり評価Ｃ＞
室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。【０１０３】
［描画パターンの滲みの評価］
描画パターンの滲みは以下のようにして評価した。まず、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００  Ｓｔａｎｄａｒｄのインクジェット吐出機を用いてインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）を吐出し、７０℃に加熱した鏡面Ｓｉウェハ上に所定のパターンを描画した。この時、装置の描画条件を「幅８００μｍ、長さ２００００μｍ、膜厚１．２μｍ」に設定した。そして、描画したパターン実寸法幅が、前記８００μｍの１２０％である９６０μｍ以下である場合をＡ評価、前記８００μｍの１２５％である１０００μｍ以下である場合をＢ評価、前記８００μｍの１３０％である１０４０μｍ以下である場合をＣ評価、１０４０μｍを超える場合をＤ評価として滲みの評価を行った。【０１０４】
実験例１〜３８のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の組成、並びに前記の評価結果を、表１〜表６に示す。【０１０５】
【表１】
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【０１０６】
【表２】
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【０１０７】
【表３】
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【０１０８】
【表４】
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【０１０９】
【表５】
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【０１１０】
【表６】
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【国際調査報告】
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2012108072.tif 000009
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