(57)【要約】  本発明による半導体装置（１００Ａ）は、第１コンタクト領域（４ａ）および第２コンタクト領域（４ｂ）と、第１コンタクト領域（４ａ）と第２コンタクト領域（４ｂ）との間に位置するチャネル領域（４ｃ）とを有する酸化物半導体層（４）と、酸化物半導体層（４）上に、第１コンタクト領域（４ａ）と接するように形成されたソース電極（５）と、酸化物半導体層（４）上に、第２コンタクト領域（４ｂ）と接するように形成されたドレイン電極（６）とを備える。酸化物半導体層（４）の全ての側面はゲート電極（２）上にあり、ソース電極（５）の幅は、酸化物半導体層（４）の幅よりも大きく、ドレイン電極（６）の幅は、酸化物半導体層（４）の幅よりも大きい。
2012096208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、
前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、
前記基板に垂直で、かつ、前記第１コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ソース電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きく、
前記基板に垂直で、かつ、前記第２コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ドレイン電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きい、半導体装置。
【請求項２】
前記ソース電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第１コンタクト領域と前記第１コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っており、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第２コンタクト領域と前記第２コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面を除く全ての上面および側面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極によって覆われている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有する、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、
前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、
前記酸化物半導体層の前記チャネル領域の表面および側面以外の領域は、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われており、
前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない領域は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有する、半導体装置。
【請求項６】
前記基板の法線方向から見て、前記チャネル領域の側面を挟む前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の距離をＬとすると、前記第１凹部または前記第１切り欠き部のチャネル長方向の長さおよびチャネル幅方向の長さは、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下である、請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記酸素を含む絶縁膜は、ＳｉＯ2から形成されている、請求項４から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース電極は凹部を有し、前記ドレイン電極は前記凹部内にある、請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１コンタクト領域および前記第２コンタクト領域は、複数ある、請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む、請求項１から９のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物半導体層を備える薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:ＴＦＴ）を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）またはＧａ（ガリウム）などを含有する酸化物半導体層を有するＴＦＴの開発が盛んに行われている（例えば特許文献１〜４）。酸化物半導体層を有するＴＦＴ（以下、酸化物半導体ＴＦＴという）は、高い移動度、および高いオンオフ比特性を有する。【０００３】
特許文献４には、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含有するアモルファス酸化物半導体（ａ−ＩＧＺＯ）層に短波長側の可視光が当たらないように、遮光膜などを形成した半導体装置が開示されている。遮光膜を形成することによって、酸化物半導体ＴＦＴの特性が変化することを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９８３０５号公報
【特許文献２】特開２００９−２２４３５４号公報
【特許文献３】特開２００７−１５０１５７号公報
【特許文献４】特開２００７−１１５９０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献４に開示されている半導体装置の製造には、遮光膜を形成する工程が増えるという問題がある。また、特許文献４に開示されている構成においては、遮光膜はＴＦＴのバックライト側にのみ形成されているので、この遮光膜では、観察者側から酸化物半導体ＴＦＴに入射する光を遮光することはできず、短波長側の可視光が酸化物半導体ＴＦＴに当たり得る。また、観察者側から酸化物半導体ＴＦＴに入射する光を遮光するために遮光膜をさらに形成すると、製造工程の数がさらに増大する。【０００６】
本発明は上記課題に鑑みたものであり、その目的は、製造工程の数を増大させることなく製造が可能で、かつ、光によりＴＦＴの特性の変化が起こりにくい半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による実施形態における半導体装置は、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、前記基板に垂直で、かつ、前記第１コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ソース電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きく、前記基板に垂直で、かつ、前記第２コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ドレイン電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きい。【０００８】
ある実施形態において、前記ソース電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第１コンタクト領域と前記第１コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っており、前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第２コンタクト領域と前記第２コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っている。【０００９】
ある実施形態において、前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面を除く全ての上面および側面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極によって覆われている。【００１０】
ある実施形態において、前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有する。【００１１】
本発明による他の実施形態における半導体装置は、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、前記酸化物半導体層の前記チャネル領域の表面および側面以外の領域は、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われており、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない領域は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有する。【００１２】
ある実施形態において、前記基板の法線方向から見て、前記チャネル領域の側面を挟む前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の距離をＬとすると、前記第１凹部または前記第１切り欠き部のチャネル長方向の長さおよびチャネル幅方向の長さは、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下である。【００１３】
ある実施形態において、前記酸素を含む絶縁膜は、ＳｉＯ2から形成されている。【００１４】
ある実施形態において、前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース電極は凹部を有し、前記ドレイン電極は前記凹部内にある。【００１５】
ある実施形態において、前記第１コンタクト領域および前記第２コンタクト領域は、複数ある。【００１６】
ある実施形態において、前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、製造工程の数を増大させることなく製造が可能で、かつ、光によりＴＦＴの特性の変化が起こりにくい半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明による実施形態における半導体装置１００Ａの模式的な平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ’線に沿った半導体装置１００Ａの模式的な断面図である。
【図２】（ａ）は、特許文献４に記載の酸化物半導体ＴＦＴのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）特性を示すグラフであり、（ｂ）は、ＴＦＴ１０Ａのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）特性を示すグラフである。
【図３】（ａ）は、本発明による他の実施形態における半導体装置１００Ｂの模式的な平面図であり、（ｂ）は、半導体装置１００Ｂ’の模式的な平面図である。
【図４】ＴＦＴ１０Ｂのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）特性を示すグラフある。
【図５】（ａ）は、本発明によるさらに他の実施形態における半導体装置１００Ｃの模式的な平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩＩ−ＩＩ’線に沿った半導体装置１００Ｃの模式的な断面図である。
【図６】ＴＦＴ１０Ｃのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）特性を示すグラフである。
【図７】（ａ）は、本発明によるさらに他の実施形態における半導体装置１００Ｄの模式的な平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った半導体装置１００Ｄの模式的な断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明による実施形態における半導体装置が有するゲート端子９０Ａの模式的な平面図であり、（ｂ）は、本発明による実施形態における半導体装置が有するソース端子９０Ｂの模式的な平面図であり、（ｃ）は、（ａ）のＡ１−Ａ１’線に沿ったゲート端子９０Ａの模式的な断面図であり、（ｄ）は、（ｂ）のＡ２−Ａ２’線に沿ったソース端子９０Ｂの模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して本発明による実施形態における半導体装置（ＴＦＴ基板）を説明する。本実施形態における半導体装置は、例えば液晶表示装置に用いられる半導体装置である。ただし、本発明は、例示する実施形態に限定されない。
【００２０】
図１（ａ）は、本発明による実施形態における半導体装置１００Ａの模式的な平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ’線に沿った半導体装置１００Ａの模式的な断面図である。
【００２１】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、半導体装置１００Ａは、第１基板（例えば、ガラス基板）１上に形成されたＴＦＴ１０Ａと、ＴＦＴ１０Ａ上に形成された保護層７とを有する。ＴＦＴ１０Ａは、例えば酸化物半導体ＴＦＴである。ＴＦＴ１０Ａは、例えば画素用のＴＦＴである。ＴＦＴ１０Ａは、ゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された島状の酸化物半導体層４と、酸化物半導体層４上に形成されたソース電極５およびドレイン電極６とを有する。酸化物半導体層４は、第１コンタクト領域４ａと、第２コンタクト領域４ｂと、第１コンタクト領域４ａと第２コンタクト領域４ｂとの間に位置するチャネル領域４ｃとを有する。ソース電極５は、第１コンタクト領域４ａと接するように形成され、ドレイン電極６は、第２コンタクト領域４ｂと接するように形成されている。酸化物半導体層４の全ての側面は、ゲート電極２上にある。第１基板１に垂直で、かつ、第１コンタクト領域４ａをチャネル幅方向（図１（ａ）中のＩ−Ｉ’線に垂直な方向）に横切る断面において、ソース電極５の幅ｗ２は酸化物半導体層４の幅ｗ１より大きい。同様に、第１基板１に垂直で、かつ、第２コンタクト領域４ｂをチャネル幅方向に横切る断面において、ドレイン電極６の幅ｗ４は酸化物半導体層４の幅ｗ３より大きい。また、ソース電極５は、酸化物半導体層４の表面の内、第１コンタクト領域４ａと第１コンタクト領域４ａのチャネル幅方向にある側面とを覆っている。ドレイン電極６は、酸化物半導体層４の表面の内、第２コンタクト領域４ｂと第２コンタクト領域４ｂのチャネル幅方向にある側面とを覆っている。さらに、酸化物半導体層４の表面の内、チャネル領域４ｃの上面およびチャネル領域４ｃのチャネル幅方向にある側面を除く全ての上面および側面は、ソース電極５またはドレイン電極６によって覆われている。酸化物半導体層４の表面の内、チャネル領域４ｃの上面およびチャネル領域４ｃのチャネル幅方向にある側面は、酸素を含む絶縁膜（例えば保護層７）によって覆われ、かつ、酸素を含む絶縁膜と接触している。
【００２２】
このように、酸化物半導体層４の全ての側面が、ゲート電極２上にあると、特許文献４に開示されている遮光膜を形成することなく、第１基板１のＴＦＴ１０Ａ側とは反対側から入射する光を遮光し、その光が酸化物半導体層４に当たりにくくすることができる。また、チャネル領域４ｃの表面および側面以外の領域をソース電極５またはドレイン電極６で覆っているので、第１基板１のＴＦＴ１０Ａ側から入射した光が、例えば、液晶パネル内で乱反射しても、酸化物半導体層４に当たりにくくなる。さらに、半導体装置１００Ａは、特許文献４に開示されている半導体装置のように遮光膜を形成する必要がないので、製造工程の数を増大させることなく製造し得る。
【００２３】
図２（ａ）は、特許文献４に記載のＴＦＴと同じ構成を有する酸化物半導体ＴＦＴ（以下、ＴＦＴ５０という）のゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線を示すグラフであり、図２（ｂ）は、ＴＦＴ１０Ａのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線を示すグラフである。図２（ａ）および図２（ｂ）のグラフにおいて、曲線Ｃ１は、暗い環境下において、それぞれのＴＦＴを駆動させたときのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線であり、曲線Ｃ２は、明るい環境下（ハロゲン光照度：４ｋｌｘ）において、それぞれのＴＦＴを駆動させたときのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線である。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ５０では、明るい環境下においてＴＦＴを駆動させると、暗い環境下においてＴＦＴを駆動させた場合と比べて、オフ電流が増大し、閾値電圧が低電圧側にシフトしている。一方、図２（ｂ）から分かるように、ＴＦＴ１０Ａでは、明るい環境下でＴＦＴを駆動させても、ＴＦＴ５０よりオフ電流は増大せず、閾値電圧が低電圧側にあまりシフトしない。すなわち、ＴＦＴ１０Ａは、ＴＦＴ１０Ａの酸化物半導体層４に光が照射されにくい構造を有するので、ＴＦＴの特性が変化しにくい。
【００２５】
このように、半導体装置１００Ａは、酸化物半導体層４に光が当たりにくい構造を有しているので、光によりオフ電流が増大することが抑制され、かつ、閾値電圧が低電圧側にシフトすることも抑制されている。また、半導体装置１００Ａでは、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６を用いて酸化物半導体層４を遮光しているので、特許文献４に開示されている半導体装置のように遮光膜を別途設ける必要がないので、製造コストが増大することもない。
【００２６】
ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、例えば、上層をＡｌ（アルミニウム）層とし、下層をＴｉ（チタン）層とする積層構造を有する。上層は、Ａｌ層の代わりにＣｕ（銅）層であってもよい。この他、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）またはＣｒ（クロム）層から形成される単層構造を有してもよい。ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００２７】
ゲート絶縁層３および保護層７は、酸素を含む絶縁膜から形成されることが好ましい。ゲート絶縁層３および保護層７が、酸素を含む絶縁膜から形成されると、酸化物半導体層４に酸素を供給し、酸化物半導体層４の酸素欠損を防ぎ得る。ゲート絶縁層３および保護層７は、例えばＳｉＯ2（二酸化シリコン）から形成されている。なお、ゲート絶縁層３および保護層７は、ＳｉＮx（窒化シリコン）から形成されてもよい。また、ゲート絶縁層３および保護層７は、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）から形成されてもよい。さらに、ゲート絶縁層３および保護層７は、ＳｉＯ2、ＳｉＮx、またはＳｉＯＮを含有する積層構造を有してもよい。また、保護層７上に、感光性の有機絶縁膜を形成してもよい。ゲート絶縁層３の厚さは、例えば、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。保護層７の厚さは、例えば、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。また、酸化物半導体層４の上に、ソース電極５およびドレイン電極６と酸化物半導体層４とを電気的に接続させるコンタクトホールを有するエッチストッパ層を形成してもよい。このとき、エッチストッパ層は、例えばＳｉＯ2から形成される。
【００２８】
酸化物半導体層４は、例えば、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＺｎ（亜鉛）を含有するアモルファス酸化物半導体層（ａ−ＩＧＺＯ層）である。酸化物半導体層４は、例えば、ＩｎおよびＺｎを有し、Ｇａを有しないアモルファス酸化物半導体（ａ−ＩＺＯ）層、または、Ｚｎを有し、ＩｎおよびＧａを有しないアモルファス酸化物半導体（ａ−ＺｎＯ）層でもよい。酸化物半導体層４の厚さは、例えば、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
【００２９】
次に、半導体装置１００Ａと同じ効果を有する本発明による他の実施形態における半導体装置１００Ｂおよび１００Ｃを説明する。半導体装置１００Ａと共通する構成要素には、同じ参照符号を付し、説明の重複を避ける。
【００３０】
図３（ａ）は、半導体装置１００Ｂが有するＴＦＴ１０Ｂの模式的な平面図である。図３（ｂ）は、半導体装置１００Ｂの改変例の半導体装置１００Ｂ’が有するＴＦＴ１０Ｂ’の模式的な平面図である。なお、図３（ａ）および図３（ｂ）において、Ｉ−Ｉ’線に沿った断面図は図１（ｂ）に示した断面図と同じである。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ１０Ｂの酸化物半導体層４は、第１基板１（不図示）の法線方向から見たとき、ＴＦＴ１０Ａの酸化物半導体層４の内、ソース電極５およびドレイン電極６で覆われていない部分の酸化物半導体層４のチャネル方向と直交する方向（図１（ａ）中のＩ−Ｉ’線と垂直な方向）の側面に凹部９ａおよび９ｂが形成された構造を有する。ＴＦＴ１０Ｂは、例えば画素用のＴＦＴである。凹部９ａおよび９ｂは、いずれか一方のみ形成されてもよい。また、半導体装置１００Ｂの製造プロセスにおいて偶然（意図的ではなく）に、凹部９ａおよび９ｂが形成される場合もある。
【００３２】
また、図３（ｂ）に示すように、上述した凹部９ａおよび９ｂを形成する代わりに、切り欠き部９ａ’および９ｂ’を形成してもよい。具体的には、ＴＦＴ１０Ｂ’の酸化物半導体層４は、第１基板１（不図示）の法線方向から見たとき、ＴＦＴ１０Ａの酸化物半導体層４の内、ソース電極５およびドレイン電極６で覆われていない部分の酸化物半導体層４のチャネル方向と直交する方向（図１（ａ）中のＩ−Ｉ’線と垂直な方向）の側面に切り欠き部９ａ’および９ｂ’が形成された構造を有する。言い換えると、ＴＦＴ１０Ｂ’の酸化物半導体層４は、第１基板１（不図示）の法線方向から見たとき、ＴＦＴ１０Ａの酸化物半導体層４の内、ソース電極５およびドレイン電極６で覆われていない部分の酸化物半導体層４のチャネル方向と直交する方向（Ｉ−Ｉ’線と垂直な方向）の側面に凸部９ａ’’および９ｂ’’を有する。なお、切り欠き部９ａ’および９ｂ’は、凸部９ａ’’および９ｂ’’とソース電極５およびドレイン電極６との間にそれぞれ形成される。切り欠き部９ａ’および９ｂ’は、いずれか一方のみ形成されてもよい。また、図３（ｂ）では、切り欠き部９ａ’および９ｂ’は、それぞれ２つずつ形成されているが、切り欠き部９ａ’は１つでもよく、また切り欠き部９ｂ’も１つでもよい。
【００３３】
第１基板１（不図示）の法線方向から見たとき、チャネル領域４ｃの側面を挟むソース電極５とドレイン電極６との間の距離をＬとすると、凹部９ａおよび９ｂまたは切り欠き部９ａ’および９ｂ’のチャネル長方向（図３（ａ）、（ｂ）中のＩ−Ｉ’線と平行な方向）の長さＸ１、Ｘ１’と、凹部９ａおよび９ｂまたは切り欠き部９ａ’および９ｂ’のチャネル幅方向（図３（ａ）、（ｂ）中のＩ−Ｉ’線と垂直な方向）の長さＹ１、Ｙ１’とは、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下であることが好ましい。
【００３４】
このように凹部９ａおよび９ｂまたは切り欠き部９ａ’および９ｂ’を形成すると、第１基板１（不図示）のＴＦＴ１０ＢまたはＴＦＴ１０Ｂ’側から入射し、酸化物半導体層４に当たる光の面積を小さくすることができる。その結果、ＴＦＴ１０Ａよりも光によるＴＦＴ特性の変化がより生じにくい。さらに、酸化物半導体層４と保護層７との接触面積が大きくなるので、例えば酸素を含む保護層７から酸化物半導体層４への酸素の供給量が多くなり、酸化物半導体層４の酸素欠損を防ぎ得る。なお、上述した凹部９ａおよび９ｂならびに切り欠き部９ａ’および９ｂ’のそれぞれの長さＸ１、Ｘ１’、Ｙ１、Ｙ１’が、Ｌ／２よりも大きくなると、ＴＦＴの特性が悪くなるおそれがある。
【００３５】
図４は、ＴＦＴ１０Ｂのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線を示すグラフであり、図４のグラフにおいて、曲線Ｃ１は、暗い環境下において、ＴＦＴ１０Ｂを駆動させたときのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線であり、曲線Ｃ２は、明るい環境下（ハロゲン光照度：４ｋｌｘ）において、ＴＦＴ１０Ｂを駆動させたときのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線である。
【００３６】
図４から分かるように、ＴＦＴ１０ＢもＴＦＴ１０Ａと同様に、明るい環境下でＴＦＴを駆動させても、ＴＦＴ５０（図２（ａ）参照）に比べ、オフ電流は増加せず、閾値電圧も低電圧側にあまりシフトしない。また、凹部９ａおよび９ｂが形成されているＴＦＴ１０Ｂの方がＴＦＴ１０Ａ（図２（ｂ）参照）よりも、オフ電流の増加は少なく、かつ閾値電圧の低電圧側へのシフトも小さい。
【００３７】
次に、本発明によるさらに他の実施形態における半導体装置１００Ｃを図５を参照しながら説明する。
【００３８】
図５（ａ）は、半導体装置１００Ｃの模式的な平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＩＩ−ＩＩ’線に沿った半導体装置１００Ｃの模式的な断面図である。
【００３９】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、半導体装置１００Ｃは、第１基板（例えば、ガラス基板）１上に形成されたＴＦＴ１０Ｃと、ＴＦＴ１０Ｃ上に形成された保護層７とを有する。ＴＦＴ１０Ｃは、例えば酸化物半導体ＴＦＴである。ＴＦＴ１０Ｃは、例えば画素用のＴＦＴである。ＴＦＴ１０Ｃは、ゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された島状の酸化物半導体層４と、酸化物半導体層４上に形成されたソース電極５およびドレイン電極６とを有する。酸化物半導体層４の全ての側面は、ゲート電極２上にある。酸化物半導体層４は、第１コンタクト領域４ａと、第２コンタクト領域４ｂと、第１コンタクト領域４ａと第２コンタクト領域４ｂとの間に位置するチャネル領域４ｃとを有する。また、第１基板１の法線方向から見たとき、ソース電極５は、凹部５ａを有する。ドレイン電極６の一部は、凹部５ａ内にある。ソース電極５の凹部５ａは、第１コンタクト領域４ａと接するように形成されており、ドレイン電極６は、第２コンタクト領域４ｂと接するように形成されている。ソース電極５が、凹部５ａを有すると、チャネル幅を大きくすることができる。酸化物半導体層４のチャネル領域４ｃの表面および側面以外の領域は、ソース電極５およびドレイン電極６で覆われている。このような構造を有すると、酸化物半導体層４の光が照射される領域の面積を小さくすることができる。
【００４０】
酸化物半導体層４の内、ソース電極５の凹部５ａおよびドレイン電極６で覆われていない領域の酸化物半導体層４の側面に、凹部９ｃおよび９ｄが形成されている。凹部９ｃおよび凹部９ｄは、いずれか一方だけが形成されてもよい。また、半導体装置１００Ｃの製造プロセスにおいて偶然（意図的ではなく）に凹部９ｃおよび９ｄが形成される場合もある。
【００４１】
第１基板１（不図示）の法線方向から見たとき、チャネル領域４ｃの側面を挟むソース電極５とドレイン電極６との間の距離をＬとすると、凹部９ｃおよび９ｄのチャネル長方向（ＩＩ−ＩＩ’線と平行な方向）の長さＸ２と凹部９ｃおよび９ｄのチャネル幅方向（ＩＩ−ＩＩ’線と垂直な方向）の長さＹ２とは、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下である。
【００４２】
このように凹部９ｃおよび９ｄを形成すると、第１基板１（不図示）のＴＦＴ１０Ｃ側から入射し、酸化物半導体層４に光が照射される領域を小さくすることができる。その結果、凹部９ｃおよび９ｄが形成されていない酸化物半導体ＴＦＴと比べて、光によるＴＦＴ特性の変化がより生じにくくなる。さらに、酸化物半導体層４と保護層７との接触面積が大きくなるので、例えば酸素を含む保護層７から酸化物半導体層４への酸素の供給量が多くなり、酸化物半導体層４の酸素欠損を防ぎ得る。なお、上述した凹部９ｃおよび９ｄのそれぞれの長さＸ２、Ｙ２が、Ｌ／２よりも大きくなると、ＴＦＴの特性が悪くなることがある。
【００４３】
図６は、ＴＦＴ１０Ｃのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線を示すグラフであり、図６のグラフにおいて、曲線Ｃ１は、暗い環境下において、ＴＦＴ１０Ｃを駆動させたときのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線であり、曲線Ｃ２は、明るい環境下（ハロゲン光照度：４ｋｌｘ）において、ＴＦＴ１０Ｃを駆動させたときのゲート電圧（Ｖｇ）−ドレイン電流（Ｉｄ）曲線である。
【００４４】
図６から分かるように、ＴＦＴ１０ＣもＴＦＴ１０Ａと同様に、明るい環境下でＴＦＴを駆動させても、ＴＦＴ５０に比べオフ電流は増加せず、閾値電圧も低電圧側にあまりシフトしない。また、凹部９ｃおよび９ｄが形成されているＴＦＴ１０ＣもＴＦＴ１０Ｂ（図４参照）と同様に、オフ電流の増加は少なく、かつ閾値電圧の低電圧側へのシフトも小さい。
【００４５】
次に、本発明によるさらに他の実施形態における半導体装置１００Ｄを図７を参照しながら説明する。
【００４６】
図７（ａ）は、半導体装置１００Ｄの模式的な平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った半導体装置１００Ｄの模式的な断面図である。
【００４７】
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、半導体装置１００Ｄは、第１基板１（例えば、ガラス基板）と、第１基板上に形成されたＴＦＴ１０Ｄと、ＴＦＴ１０Ｄ上に形成された保護層７とを有する。ＴＦＴ１０Ｄは、例えば酸化物半導体ＴＦＴである。ＴＦＴ１０Ｄは、半導体装置１００Ｄの電気的検査を行う際に使用される検査配線用のＴＦＴである。具体的には、例えば、半導体装置１００Ｄの外周部に検査用配線を配置し、高い電圧および高い電流を用いて、電気的検査に用いられる電気信号のオン／オフを行い、半導体装置１００Ｄの電気的検査を行う。ＴＦＴ１０Ｄを用いて、その電気信号のオン／オフの切り替えを行う。上述したＴＦＴ１０Ａ〜１０Ｃは、表示領域に形成されるが、検査配線用のＴＦＴ１０Ｄは、例えば、表示領域の周辺に位置する周辺領域に形成される。ＴＦＴ１０Ｄは、ゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された島状の酸化物半導体層４と、酸化物半導体層４上に形成されたソース電極５およびドレイン電極６とを有する。酸化物半導体層４は、第１コンタクト領域４ａと、第２コンタクト領域４ｂと、第１コンタクト領域４ａと第２コンタクト領域４ｂとの間に位置するチャネル領域４ｃとを有する。第１コンタクト領域４ａおよび第２コンタクト領域４ｂは、複数ある。ソース電極５およびドレイン電極６は、櫛歯状構造を有する。ソース電極５は、第１コンタクト領域４ａと接するように形成されており、ドレイン電極６は、第２コンタクト領域４ｂと接するように形成されている。酸化物半導体層４の全ての側面は、ゲート電極２上にある。このように、酸化物半導体層４の全ての側面が、ゲート電極２上にあると、特許文献４に開示されている遮光膜を形成することなく、第１基板１のＴＦＴ１０Ｄ側とは反対側から入射する光を遮光し、その光が酸化物半導体層４に当たらないようにすることができる。
【００４８】
第１基板１に垂直で、かつ、第１コンタクト領域４ａをチャネル幅方向（図７（ａ）中のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に垂直な方向）に横切る断面において、ソース電極５の幅ｗ６は酸化物半導体層４の幅ｗ５より大きい。同様に、第１基板１に垂直で、かつ、第２コンタクト領域４ｂをチャネル幅方向に横切る断面において、ドレイン電極６の幅ｗ７は酸化物半導体層４の幅ｗ５より大きい。また、ソース電極５は、酸化物半導体層４の表面の内、第１コンタクト領域４ａと、第１コンタクト領域４ａのチャネル幅方向にある側面とを覆っている。ドレイン電極６は、酸化物半導体層４の表面の内、第２コンタクト領域４ｂと第２コンタクト領域４ｂのチャネル幅方向にある側面とを覆っている。さらに、酸化物半導体層４の表面の内、チャネル領域４ｃの上面およびチャネル領域４ｃのチャネル幅方向にある側面を除く全ての上面および側面は、ソース電極５またはドレイン電極６によって覆われている。酸化物半導体層４の表面の内、チャネル領域４ｃの上面およびチャネル領域４ｃのチャネル幅方向にある側面は、酸素を含む絶縁膜（例えば保護層７）によって覆われ、かつ、酸素を含む絶縁膜と接触している。
【００４９】
第１基板１の法線方向から見たとき、酸化物半導体層４の内、ソース電極５およびドレイン電極６で覆われていない部分の酸化物半導体層４のチャネル方向と直交する方向（図７（ａ）中のＩＩＩ−ＩＩＩ’線と垂直な方向）の側面には、凹部９ｅおよび９ｆが形成されている。凹部９ｅおよび９ｆは、いずれか一方のみ形成されてもよい。また、半導体装置１００Ｄの製造プロセスにおいて偶然（意図的ではなく）、凹部９ｅおよび９ｆが形成される場合もある。
【００５０】
第１基板１の法線方向から見たとき、チャネル領域４ｃの側面を挟むソース電極５とドレイン電極６との間の距離をＬとすると、凹部９ｅおよび９ｆのチャネル長方向（図７（ａ）中のＩＩＩ−ＩＩＩ’線と平行な方向）の長さＸ３およびチャネル幅方向（図７（ａ）中のＩＩＩ−ＩＩＩ’線と垂直な方向）の長さＹ３は、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下である。
【００５１】
このように凹部９ｅおよび９ｆを形成すると、第１基板１のＴＦＴ１０Ｄ側から入射し、酸化物半導体層４に当たる光の面積を小さくすることができる。その結果、光によるＴＦＴ特性の変化がより生じにくくなる。さらに、酸化物半導体層４と保護層７との接触面積が大きくなるので、例えば酸素を含む保護層７から酸化物半導体層４への酸素の供給量が多くなり、酸化物半導体層４の酸素欠損を防ぎ得る。なお、上述した凹部９ｅおよび９ｆのそれぞれの長さＸ３、Ｙ３が、Ｌ／２よりも大きくなると、ＴＦＴの特性が悪くなるおそれがある。
【００５２】
次に、半導体装置１００Ａ〜１００Ｄが有する端子９０Ａおよび９０Ｂについて図８を参照しながら説明する。
【００５３】
図８（ａ）は、端子９０Ａの模式的な平面図であり、図８（ｂ）は、端子９０Ｂの模式的な平面図である。図８（ｃ）は、端子９０Ａの模式的な断面図であり、図８（ｄ）は、端子９０Ｂの模式的な断面図である。端子９０Ａおよび９０Ｂは、例えば外部の回路と半導体装置１００Ａ〜１００Ｄとを接続する端子である。
【００５４】
図８（ａ）および図８（ｃ）に示すように、端子９０Ａは、第１基板１上に形成されている。端子９０Ａは、ゲート電極２と同じ材料から形成されたゲート端子部９２と、ゲート端子部９２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された島状の酸化物半導体層４と、酸化物半導体層４上に形成された画素電極部９８とを有する。酸化物半導体層４は画素電極部９８と接触している。画素電極部９８は、ゲート絶縁層３に形成されたコンタクトホール内でゲート端子部９２に電気的に接続されている。
【００５５】
図８（ｂ）および図８（ｄ）に示すように、端子９０Ｂは、第１基板１上に形成されている。端子９０Ｂは、ソース電極５と同じ材料から形成されたソース端子部９５と、ソース端子部９５上に形成された画素電極部９８とを有する。ソース端子部９５は、画素電極部９８に電気的に接続されている。画素電極部９８は、例えばＩＴＯ（Indium Tin  Oxide）から形成されている。
【００５６】
以上、本発明の実施形態によると、製造工程の数を増大させることなく製造が可能で、かつ、光によりＴＦＴの特性の変化が起こりにくい半導体装置が提供される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の適用範囲は極めて広く、ＴＦＴを備えた半導体装置、あるいは、そのような半導体装置を有するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置に用いることができる。このような表示装置は、例えば携帯電話や携帯ゲーム機の表示画面や、デジタルカメラのモニター等に利用され得る。従って、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置が組み込まれた電子機器全てに本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１      基板
２      ゲート電極
３      ゲート絶縁層
４      酸化物半導体層
４ａ      第１コンタクト領域
４ｂ      第２コンタクト領域
４ｃ      チャネル領域
５      ソース電極
６      ドレイン電極
７      保護層
１０Ａ      ＴＦＴ
１００Ａ      半導体装置
ｗ１〜ｗ４      幅
【図１】
2012096208.tif 000003
【図２】
2012096208.tif 000004
【図３】
2012096208.tif 000005
【図４】
2012096208.tif 000006
【図５】
2012096208.tif 000007
【図６】
2012096208.tif 000008
【図７】
2012096208.tif 000009
【図８】
2012096208.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、
前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、
前記基板に垂直で、かつ、前記第１コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ソース電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きく、
前記基板に垂直で、かつ、前記第２コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ドレイン電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きく、
前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有する、半導体装置。
【請求項２】
前記ソース電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第１コンタクト領域と前記第１コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っており、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第２コンタクト領域と前記第２コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面を除く全ての上面および側面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極によって覆われている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、
前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、
前記酸化物半導体層の前記チャネル領域の表面および側面以外の領域は、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われており、
前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない領域は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有する、半導体装置。
【請求項５】
前記基板の法線方向から見て、前記チャネル領域の側面を挟む前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の距離をＬとすると、前記第１凹部または前記第１切り欠き部のチャネル長方向の長さおよびチャネル幅方向の長さは、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下である、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記酸素を含む絶縁膜は、ＳｉＯ2から形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース電極は凹部を有し、前記ドレイン電極は前記凹部内にある、請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１コンタクト領域および前記第２コンタクト領域は、複数ある、請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む、請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、
前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、
前記基板に垂直で、かつ、前記第１コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ソース電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きく、
前記基板に垂直で、かつ、前記第２コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面において、前記ドレイン電極の幅は、前記酸化物半導体層の幅よりも大きく、
前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有し、
前記酸化物半導体層の内、前記基板の法線方向から見たときに前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分のチャネル幅方向に沿った幅は、前記第１コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る前記断面における前記ソース電極の幅、および、前記第２コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る前記断面における前記ドレイン電極の幅のいずれよりも小さい、半導体装置。
【請求項２】
前記ソース電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第１コンタクト領域と前記第１コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っており、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層の表面の内、前記第２コンタクト領域と前記第２コンタクト領域のチャネル幅方向にある側面とを覆っている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記酸化物半導体層の表面の内、前記チャネル領域の上面および前記チャネル領域のチャネル幅方向にある側面を除く全ての上面および側面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極によって覆われている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第１コンタクト領域および第２コンタクト領域と、前記第１コンタクト領域と前記第２コンタクト領域との間に位置するチャネル領域とを有する島状の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、前記第１コンタクト領域と接するように形成されたソース電極と、
前記酸化物半導体層上に、前記第２コンタクト領域と接するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の全ての側面は前記ゲート電極上にあり、
前記酸化物半導体層の前記チャネル領域の表面および側面以外の領域は、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われており、
前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない領域は、酸素を含む絶縁膜によって覆われ、かつ、前記酸素を含む絶縁膜と接触しており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層の内、前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分は、第１凹部または第１切り欠き部を有し、
前記酸化物半導体層の内、前記基板の法線方向から見たときに前記ソース電極および前記ドレイン電極で覆われていない部分のチャネル幅方向に沿った幅は、前記基板に垂直でかつ前記第１コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面における前記ソース電極の幅、および、前記基板に垂直でかつ前記第２コンタクト領域をチャネル幅方向に横切る断面における前記ドレイン電極の幅のいずれよりも小さい、半導体装置。
【請求項５】
前記基板の法線方向から見て、前記チャネル領域の側面を挟む前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の距離をＬとすると、前記第１凹部または前記第１切り欠き部のチャネル長方向の長さおよびチャネル幅方向の長さは、それぞれ独立に、０より大きくＬ／２以下である、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記酸素を含む絶縁膜は、ＳｉＯ2から形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース電極は凹部を有し、前記ドレイン電極は前記凹部内にある、請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１コンタクト領域および前記第２コンタクト領域は、複数ある、請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む、請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。
【国際調査報告】
2012096208.tif 000011
2012096208.tif 000012
2012096208.tif 000013
2012096208.tif 000014