(57)【要約】  プラズマディスプレイ装置において、表示画像のコントラストを向上するとともに安定に書込み放電を発生する。そのために、放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を初期化期間に行う。そして、特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを１フィールド内に設ける。そして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くする。
2012090451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルに、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調を表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記初期化期間においては、前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を行い、
１フィールド内には、特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドと、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する選択初期化サブフィールドとを設け、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルでは、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くする
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
時間的に連続した複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続した複数の走査電極で１つの走査電極群を構成し、
前記走査電極群を構成する各走査電極には、１つの前記フィールド群の中の１つのフィールドでのみ前記強制初期化動作のための強制初期化波形を印加し、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を、前記強制初期化動作を行った初期化期間から時間的に離れたサブフィールドほど長くする
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記書込み期間において、前記書込みパルスのパルス幅を前記走査パルスのパルス幅と同等以上に設定し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、前記走査パルスを前記放電セルに印加している期間は前記書込みパルスも前記放電セルに印加し、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルには、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い走査パルスを印加する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記書込み期間において、前記走査パルスのパルス幅を前記書込みパルスのパルス幅と同等以上に設定し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、前記書込みパルスを前記放電セルに印加している期間は前記走査パルスも前記放電セルに印加し、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルには、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い書込みパルスを印加する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて前記プラズマディスプレイパネルに階調を表示する駆動回路とを有するプラズマディスプレイ装置であって、
前記駆動回路は、
前記初期化期間においては、前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を行い、
１フィールド内には、特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドと、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する選択初期化サブフィールドとを設け、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルでは、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くする
ことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、
時間的に連続した複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続した複数の走査電極で１つの走査電極群を構成し、
前記走査電極群を構成する各走査電極には、１つの前記フィールド群の中の１つのフィールドでのみ前記強制初期化動作のための強制初期化波形を印加し、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を、前記強制初期化動作を行った初期化期間から時間的に離れたサブフィールドほど長くする
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、
前記書込み期間において、前記書込みパルスのパルス幅を前記走査パルスのパルス幅と同等以上にして発生し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、前記走査パルスを前記放電セルに印加している期間は前記書込みパルスも放電セルに印加し、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルには、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い走査パルスを印加する
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、
前記書込み期間において、前記走査パルスのパルス幅を前記書込みパルスのパルス幅と同等以上にして発生し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、前記書込みパルスを前記放電セルに印加している期間は前記走査パルスも放電セルに印加し、
前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルには、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い書込みパルスを印加する
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流面放電型のプラズマディスプレイパネルを用いた画像表示装置であるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面基板と背面基板との間に多数の放電セルが形成されている。前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面側のガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。【０００３】
背面基板は、背面側のガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。【０００４】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように、前面基板と背面基板とを対向配置して密封する。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスを封入し、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルを形成する。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生し、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光してカラーの画像表示を行う。【０００５】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光にすることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００６】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生する初期化動作を行う。これにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成するとともに、書込み放電を安定して発生するためのプライミング粒子（放電を発生させるための励起粒子）を発生する。【０００７】
初期化動作には、強制初期化動作と、選択初期化動作とがある。強制初期化動作では、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに強制的に初期化放電を発生する。選択初期化動作では、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み放電を発生した放電セルだけに選択的に初期化放電を発生する。【０００８】
書込み期間では、走査電極に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号にもとづき選択的に書込みパルスを印加する。これにより、発光を行うべき放電セルの走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生し、その放電セル内に壁電荷を形成する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。【０００９】
維持期間では、サブフィールド毎に定められた輝度重みにもとづく数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。これにより、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルの蛍光体層を発光させる（以下、放電セルを維持放電により発光させることを「点灯」、発光させないことを「非点灯」とも記す）。これにより、各放電セルを、輝度重みに応じた輝度で発光させる。このようにして、パネルの各放電セルを画像信号の階調値に応じた輝度で発光させて、パネルの画像表示領域に画像を表示する。【００１０】
維持放電による蛍光体層の発光は階調表示に関係する発光である。一方、初期化期間の強制初期化動作にともなう発光は階調表示に関係しない発光である。【００１１】
パネルに表示される画像の品質を高める上で重要な要因の１つにコントラストの向上がある。そして、サブフィールド法によるパネルの駆動方法の１つとして、階調表示に関係しない発光を極力減らし、パネルに表示される画像のコントラストを向上させる駆動方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。【００１２】
この駆動方法では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作を行う。また、他のサブフィールドの初期化期間では選択初期化動作を行う。【００１３】
また、強制初期化動作を行う際には、電圧が徐々に増加する緩やかな傾斜部分と、電圧が徐々に減少する緩やかな傾斜部分とを持つ傾斜波形電圧を走査電極に印加する。これにより、強制初期化動作を行う際に、放電セルに強い放電が発生して強い発光が発生することを防止する。【００１４】
維持放電を発生しない黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は、階調値の大きさに関係なく生じる発光によって変化する。この発光には、例えば、強制初期化動作によって生じる発光がある。【００１５】
上述した特許文献１に記載された駆動方法では、強制初期化動作は１フィールドに１回であり、黒表示領域における発光は、強制初期化動作を行うときの微弱発光だけとなる。これにより、サブフィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う場合と比較して、パネルに表示される画像の黒輝度を低減し、コントラストの高い画像をパネルに表示することが可能となる。【００１６】
また、表示電極対をｎ分割し、強制初期化動作を行う回数をｎフィールドに１回とすることで、階調表示に関係しない発光をさらに減らして黒輝度をさらに下げ、コントラストをさらに向上させる駆動方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。【００１７】
特許文献２に記載の駆動方法を用いれば、特許文献１に記載の駆動方法よりも、単位時間（例えば、１秒間）あたりの強制初期化動作の回数を低減し、黒輝度をさらに下げることができる。【００１８】
しかしながら、強制初期化動作には、続く書込み期間において書込み放電を発生するために必要な壁電荷を放電セル内に蓄積する働きがある。また、放電遅れ時間を短くして書込み放電を確実に発生させるためのプライミング粒子を発生する働きもある。この放電遅れ時間とは、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから実際に放電が発生するまでに要する時間のことであり、放電遅れ時間が長くなるほど放電の発生は不安定となる。【００１９】
したがって、強制初期化動作の発生頻度を低減すると、書込み放電を発生するために必要な壁電荷やプライミング粒子が不足し、書込み放電の放電遅れ時間が長くなって、書込み動作が不安定になったり、あるいは、書込み放電が発生しない等の動作不良が発生するおそれがある。特に、黒を表示する放電セルでは維持放電が発生しないため、プライミング粒子が不足しやすく、書込み動作が不安定になりやすい。そして、書込み動作が不安定になり、発光すべき放電セルで維持放電が発生しなくなると、正常な画像をパネルに表示ができなくなる。【００２０】
近年では、パネルの大画面化、高精細化にともない、画像表示品質の更なる向上が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００６−０９１２９５号公報
【発明の概要】
【００２２】
本発明は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルに、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調を表示するパネルの駆動方法である。この駆動方法では、初期化期間において、放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を行う。そして、１フィールド内には、特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドと、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する選択初期化サブフィールドとを設ける。そして、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くする。
【００２３】
これにより、パネルに表示される画像のコントラストを向上するとともに安定に書込み放電を発生して、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を向上することができる。
【００２４】
また、この駆動方法では、時間的に連続した複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続した複数の走査電極で１つの走査電極群を構成し、走査電極群を構成する各走査電極には、１つのフィールド群の中の１つのフィールドでのみ強制初期化動作のための強制初期化波形を印加し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を、強制初期化動作を行った初期化期間から時間的に離れたサブフィールドほど長くしてもよい。
【００２５】
また、この駆動方法では、書込み期間において、書込みパルスのパルス幅を走査パルスのパルス幅と同等以上に設定し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、走査パルスを放電セルに印加している期間は書込みパルスも放電セルに印加し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルには、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い走査パルスを印加してもよい。
【００２６】
また、この駆動方法では、書込み期間において、走査パルスのパルス幅を書込みパルスのパルス幅と同等以上に設定し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、書込みパルスを放電セルに印加している期間は走査パルスも放電セルに印加し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルには、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い書込みパルスを印加してもよい。
【００２７】
また、本発明は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルと、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けてパネルに階調を表示する駆動回路とを有するプラズマディスプレイ装置である。このプラズマディスプレイ装置において、駆動回路は、初期化期間において、放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を行う。そして、１フィールド内には、特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドと、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を有する選択初期化サブフィールドとを設ける。そして、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くする。
【００２８】
これにより、パネルに表示される画像のコントラストを向上するとともに安定に書込み放電を発生して、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を向上することができる。
【００２９】
また、このプラズマディスプレイ装置における駆動回路を、時間的に連続した複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続した複数の走査電極で１つの走査電極群を構成し、走査電極群を構成する各走査電極には、１つのフィールド群の中の１つのフィールドでのみ強制初期化動作のための強制初期化波形を印加し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を、強制初期化動作を行った初期化期間から時間的に離れたサブフィールドほど長くするように構成してもよい。
【００３０】
また、このプラズマディスプレイ装置における駆動回路を、書込み期間において、書込みパルスのパルス幅を走査パルスのパルス幅と同等以上にして発生し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、走査パルスを放電セルに印加している期間は書込みパルスも放電セルに印加し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルには、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い走査パルスを印加するように構成してもよい。
【００３１】
また、このプラズマディスプレイ装置における駆動回路を、書込み期間において、走査パルスのパルス幅を書込みパルスのパルス幅と同等以上にして発生し、書込み放電を発生すべき放電セルに関しては、書込みパルスを放電セルに印加している期間は走査パルスも放電セルに印加し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルには、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、パルス幅の広い書込みパルスを印加するように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるコーディングテーブルの一例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を概略的に示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置を構成する回路ブロックの一例を概略的に示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いる走査電極駆動回路の一構成例を概略的に示す回路図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるデータ電極駆動回路の一構成を概略的に示す回路図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間および書込み期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態２における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００３４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。
【００３５】
ガラス製の前面基板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして、走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００３６】
この保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料で形成されている。
【００３７】
保護層２６は、一つの層で構成されていてもよく、あるいは複数の層で構成されていてもよい。また、層の上に粒子が存在する構成であってもよい。
【００３８】
背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）に発光する蛍光体層３５Ｒ、緑色（Ｇ）に発光する蛍光体層３５Ｇ、および青色（Ｂ）に発光する蛍光体層３５Ｂが設けられている。以下、蛍光体層３５Ｒ、蛍光体層３５Ｇ、蛍光体層３５Ｂをまとめて蛍光体層３５とも記す。
【００３９】
これら前面基板２１と背面基板３１とを、微小な空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置し、前面基板２１と背面基板３１との間隙に放電空間を設ける。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。その放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスを放電ガスとして封入する。
【００４０】
放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成される。
【００４１】
そして、これらの放電セルで放電を発生し、放電セルの蛍光体層３５を発光（放電セルを点灯）することにより、パネル１０にカラーの画像を表示する。
【００４２】
なお、パネル１０においては、表示電極対２４が延伸する方向に配列された連続する３つの放電セルで１つの画素を構成する。この３つの放電セルとは、蛍光体層３５Ｒを有し赤色（Ｒ）に発光する放電セル（赤の放電セル）と、蛍光体層３５Ｇを有し緑色（Ｇ）に発光する放電セル（緑の放電セル）と、蛍光体層３５Ｂを有し青色（Ｂ）に発光する放電セル（青の放電セル）である。
【００４３】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えば垂直方向に延長されたストライプ状の隔壁だけを備えたものであってもよい。
【００４４】
図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の電極配列図である。
【００４５】
パネル１０には、水平方向（行方向、ライン方向）に延長されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、垂直方向（列方向）に延長されたｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。
【００４６】
そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した領域に１つの放電セルが形成される。すなわち、１対の表示電極対２４上には、ｍ個の放電セルが形成され、ｍ／３個の画素が形成される。そして、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成され、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の画像表示領域となる。例えば、画素数が１９２０×１０８０個のパネルでは、ｍ＝１９２０×３となり、ｎ＝１０８０となる。
【００４７】
なお、本実施の形態においては、ｎ＝７６８とするが、本発明は何らこの数値に限定されるものではない。
【００４８】
次に、パネル１０を駆動するときの動作の概要について説明する。
【００４９】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によってパネル１０を駆動する。サブフィールド法では、画像信号の１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。したがって、各フィールドは輝度重みが異なる複数のサブフィールドを有する。
【００５０】
それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。そして、画像信号にもとづき、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御する。すなわち、画像信号にもとづき、発光するサブフィールドと非発光のサブフィールドとを組合せることによって、画像信号にもとづく複数の階調をパネル１０に表示する。
【００５１】
初期化期間では、放電セルに初期化放電を発生し、続く書込み期間における書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化動作を行う。
【００５２】
この初期化動作には、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する「強制初期化動作」と、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み放電を発生し維持期間で維持放電を発生した放電セルだけに選択的に初期化放電を発生する「選択初期化動作」とがある。強制初期化動作では上昇する傾斜波形電圧および下降する傾斜波形電圧を走査電極２２に印加し、画像表示領域内の全ての放電セルに初期化放電を発生する。
【００５３】
書込み期間では、走査電極２２に走査パルスを印加するとともにデータ電極３２に選択的に書込みパルスを印加し、後続の維持期間で発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生する書込み動作を行う。書込み放電が発生することにより、維持放電を発生するための壁電荷がその放電セル内に形成される。
【００５４】
維持期間では、それぞれのサブフィールドに設定された輝度重みに所定の比例定数を乗じた数の維持パルスを走査電極２２および維持電極２３に交互に印加し、直前の書込み期間に書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルを発光する維持動作を行う。この比例定数が輝度倍数である。例えば、輝度倍数が２倍のとき、輝度重み「２」のサブフィールドの維持期間では、走査電極２２と維持電極２３とにそれぞれ４回ずつ維持パルスを印加する。そのため、その維持期間で発生する維持パルスの数は８となる。
【００５５】
輝度重みとは、各サブフィールドで表示する輝度の大きさの比を表すものであり、各サブフィールドでは輝度重みに応じた数の維持パルスを維持期間に発生する。そのため、例えば、輝度重み「８」のサブフィールドは、輝度重み「１」のサブフィールドの約８倍の輝度で発光し、輝度重み「２」のサブフィールドの約４倍の輝度で発光する。
【００５６】
したがって、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（サブフィールドＳＦ１、サブフィールドＳＦ２、サブフィールドＳＦ３、サブフィールドＳＦ４、サブフィールドＳＦ５、サブフィールドＳＦ６、サブフィールドＳＦ７、サブフィールドＳＦ８）で構成し、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８の各サブフィールドにそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを設定すれば、各放電セルは、階調値「０」から階調値「２５５」までの２５６通りの階調値を表示することができる。
【００５７】
こうして、画像信号に応じた組合せでサブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御して各サブフィールドを選択的に発光することにより、様々な階調値で各放電セルを発光し、画像をパネル１０に表示することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、１フィールドをサブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１０までの１０のサブフィールドで構成し、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１０までの各サブフィールドにそれぞれ（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを設定する例を説明する。
【００５９】
なお、本実施の形態では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では「特定セル初期化動作」を行い、他のサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルで選択初期化動作を行う。
【００６０】
特定セル初期化動作とは、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化動作のことである。したがって、特定セル初期化動作を行う初期化期間では、特定の放電セルには強制初期化動作を行うための初期化波形を印加し、他の放電セルには選択初期化動作を行うための初期化波形を印加する。
【００６１】
以下、強制初期化動作を行うための初期化波形を「強制初期化波形」と呼称し、選択初期化動作を行うための初期化波形を「選択初期化波形」と呼称する。また、特定セル初期化動作を行う初期化期間を「特定セル初期化期間」と呼称し、特定セル初期化期間を有するサブフィールドを「特定セル初期化サブフィールド」と呼称する。また、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を「選択初期化期間」と呼称し、選択初期化期間を有するサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する。
【００６２】
そして、本実施の形態では、各フィールドの最初のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１）を特定セル初期化サブフィールドとし、他のサブフィールド（サブフィールドＳＦ２からサブフィールドＳＦ１０）は選択初期化サブフィールドとする。
【００６３】
なお、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数、各サブフィールドが有する輝度重み等が上述した数値に限定されるものではない。
【００６４】
強制初期化動作の発生パターン（強制初期化動作を行う走査電極２２とフィールドとの関係）については後述する。
【００６５】
次に、パネル１０に階調を表示する方法について説明する。
【００６６】
本実施の形態では、上述したように、あらかじめ輝度重みが設定された複数のサブフィールドで１フィールドを構成する。そして、放電セルに表示する階調値の大きさに応じてサブフィールドを選択的に発光させることで、階調値に応じた明るさで各放電セルを発光させ、パネル１０に画像を表示する。以下、発光させるサブフィールドを「点灯サブフィールド」、非発光のサブフィールドを「非点灯サブフィールド」とも記す。
【００６７】
１フィールドにおける点灯サブフィールドと非点灯サブフィールドとの組合せは複数ある。以下、１フィールドにおける点灯サブフィールドと非点灯サブフィールドとの組合せのことを「コーディング」と呼称する。そして、本実施の形態では、それら複数のコーディングの中から、階調を表示するために用いるコーディング（表示用コーディング）を複数選択し、表示用組合せ集合を作成する。以下、表示用組合せ集合を「コーディングテーブル」と呼称する。
【００６８】
そして、コーディングテーブルに属するコーディングにもとづき各サブフィールドの発光・非発光を制御し、放電セルを階調値の大きさに応じた輝度で発光させて、パネル１０に画像を表示する。
【００６９】
次に、本実施の形態において用いるコーディングテーブルについて説明する。
【００７０】
なお、以下の説明では、黒を表示するときの階調値（維持放電が発生しないときの階調値）を「０」とする。また、輝度重み「Ｎ」に対応する階調値を階調値「Ｎ」と表記する。
【００７１】
したがって、例えば、輝度重み「１」のサブフィールドＳＦ１だけが発光する放電セルが表示する階調値は階調値「１」となる。また、輝度重み「１」のサブフィールドＳＦ１と輝度重み「２」のサブフィールドＳＦ２だけが発光する放電セルが表示する階調値は、１＋２＝３なので階調値「３」となる。
【００７２】
図３は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるコーディングテーブルの一例を示す図である。
【００７３】
図３に示すコーディングテーブルにおいて各サブフィールドを示す表記の直下に記された数値は、各サブフィールドの輝度重みを表す。
【００７４】
なお、図３には、説明をわかりやすくするために、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ５までの５つのサブフィールドを１フィールドに有し、各サブフィールドはそれぞれ「１」、「２」、「４」、「８」、「１６」の輝度重みを有するコーディングテーブルを示す。
【００７５】
図３に示すコーディングテーブルには、発光するサブフィールドを「○」、非発光のサブフィールドを空欄で示し、最も左の列には、各コーディングにおいて表示する階調の値を表す。
【００７６】
例えば、図３に示すコーディングテーブルにもとづけば、階調値「３」を表示する放電セルではサブフィールドＳＦ１およびサブフィールドＳＦ２が発光する。また、階調値「２３」を表示する放電セルでは、サブフィールドＳＦ１、サブフィールドＳＦ２、サブフィールドＳＦ３およびサブフィールドＳＦ５が発光する。
【００７７】
図３に示すコーディングテーブルは、「階調値「１」以上を表示する放電セルでは必ずサブフィールドＳＦ１が発光する」という規則を有するコーディングの集合である。この規則は、「サブフィールドＳＦ１で発光しなかった放電セルはサブフィールドＳＦ２以降でも発光しない」と言い換えることができる。
【００７８】
すなわち、図３に示すコーディングテーブルは、サブフィールドＳＦ１が発光しなければサブフィールドＳＦ１以降のサブフィールドも発光しないように、発光するサブフィールドと非発光のサブフィールドとを組合せたコーディングテーブルである。
【００７９】
したがって、図３に示すコーディングテーブルでは、階調値「１」以上を表示する放電セルでは必ずサブフィールドＳＦ１が発光する。本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、この規則に従ってコーディングテーブルを構成し、この規則に従って点灯サブフィールドと非点灯サブフィールドとを組合せ、パネル１０に階調を表示する。
【００８０】
なお、図３に示したコーディングテーブルにもとづきパネル１０に画像を表示するときには、階調値「２」、階調値「４」、階調値「６」等の偶数値の階調値を用いることができない。しかし、これらの階調値は、一般に知られたディザ処理や誤差拡散処理等の技術を用いて擬似的にパネル１０に表示することができる。
【００８１】
次に、本実施の形態におけるパネル１０を駆動するための駆動電圧波形の一例とその動作の概要について説明する。
【００８２】
図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形を概略的に示す図である。
【００８３】
図４には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００８４】
また、図３には、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２およびサブフィールドＳＦ３を示す。サブフィールドＳＦ１と、サブフィールドＳＦ２〜サブフィールドＳＦ１０とでは、初期化期間に走査電極２２に印加する駆動電圧の波形形状が異なる。
【００８５】
なお、サブフィールドＳＦ４以降のサブフィールドは図示していないが、サブフィールドＳＦ１を除く各サブフィールドは選択初期化サブフィールドであり、維持パルスの発生数を除き、各期間でほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。また、図４には、走査電極ＳＣ１を有する放電セルで強制初期化動作を行い、走査電極ＳＣ２を有する放電セルでは強制初期化動作を行わず選択初期化動作だけを行うフィールドを示す。図４に示すフィールドと、後続のフィールドとは、各フィールドにおけるサブフィールドＳＦ１の初期化期間に強制初期化波形を印加する走査電極２２が異なるだけであり、それ以外はほぼ同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。以下、図４に示すフィールドを「第１のフィールド」と呼称する。
【００８６】
まず、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１について説明する。
【００８７】
本実施の形態において、第１のフィールドの特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、配置的に見て上から１番目、６番目、１１番目、・・・、というように、（１＋５×Ｎ）番目（Ｎは０以上の整数）の走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）に、強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加する。そして、他の走査電極２２、すなわち（２＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）、（３＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）、（４＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）、および（５＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）には、選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。図３には、走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）の代表例として走査電極ＳＣ１を示し、他の走査電極２２の代表例として走査電極ＳＣ２を示す。
【００８８】
特定セル初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１の初期化期間の前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにも電圧０（Ｖ）を印加する。強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ１）には、電圧０（Ｖ）を印加した後に電圧Ｖｉ１を印加し、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約１．３Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ電圧Ｌ１」と呼称する）を印加する。このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）に対して放電開始電圧よりも低い電圧（すなわち、放電セルに放電が発生しない電圧）に設定し、電圧Ｖｉ２は、維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧（すなわち、それ以前の放電の有無にかかわらず放電セルに放電が発生する電圧）に設定する。
【００８９】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。そして、走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上および維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）上には正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、書込み放電の放電遅れ時間（放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから、放電セルに放電が発生するまでの時間長のこと）を短くするプライミング粒子も発生する。なお、電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層２５上、保護層２６上、蛍光体層３５上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００９０】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間の後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）には、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−１．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する下り傾斜波形電圧（以下、「下りランプ電圧Ｌ２」と呼称する）を印加する。電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）に対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Ｖｉ４は、維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００９１】
この下りランプ電圧Ｌ２を走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）に印加する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が発生する。これにより、走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）上の負極性の壁電圧、維持電極ＳＵ（１＋５×Ｎ）上の正極性の壁電圧、および走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正極性の壁電圧は、書込み期間での書込み動作に適した電圧に調整される。さらに、書込み放電の放電遅れ時間を短くするプライミング粒子も発生する。
【００９２】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形である。そして、強制初期化波形を走査電極２２に印加する動作が強制初期化動作である。そして、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１において、配置的に見て上から（１＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）上に形成された放電セルにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作となる。
【００９３】
一方、サブフィールドＳＦ１の初期化期間前半部において、他の走査電極２２、すなわち（２＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ２）、（３＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ３）、（４＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ４）、および（５＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ５）には、電圧Ｖｉ１を印加せず、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｉ５に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を印加する。この上りランプ電圧Ｌ１’は、上りランプ電圧Ｌ１と同じ勾配で、上りランプ電圧Ｌ１と同じ時間だけ上昇を続ける電圧波形である。したがって、電圧Ｖｉ５は、電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ１を引いた電圧に等しい電圧となる。このとき、電圧Ｖｉ５は維持電極ＳＵ（２＋５×Ｎ）、維持電極ＳＵ（３＋５×Ｎ）、維持電極ＳＵ（４＋５×Ｎ）および維持電極ＳＵ（５＋５×Ｎ）、に対して放電開始電圧未満の電圧となるように各電圧および上りランプ電圧Ｌ１’を設定する。これにより、上りランプ電圧Ｌ１’を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。
【００９４】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）、走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）、走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）および走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）には、走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）と同様に、下りランプ電圧Ｌ２を印加する。
【００９５】
この下りランプ電圧Ｌ２を、走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）、走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）、走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）および走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）に印加する間に、直前のサブフィールド（図４では、サブフィールドＳＦ１０）の維持期間に維持放電を発生した放電セルでは、微弱な初期化放電が発生する。そして、この初期化放電により、走査電極２２の負極性の壁電圧、維持電極２３上の正極性の壁電圧、およびデータ電極３２上の正極性の壁電圧は、書込み期間での書込み動作に適した電圧に調整される。こうして、放電セル内の壁電圧は書込み動作に適した壁電圧に調整される。さらに、書込み放電の放電遅れ時間を短くするプライミング粒子も発生する。
【００９６】
一方、直前のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１０）の維持期間に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、それ以前の壁電圧が保たれる。
【００９７】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み動作を行った放電セルで選択的に初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を走査電極２２に印加する動作が選択初期化動作である。そして、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１において、配置的に見て上から（２＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）上、（３＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）上、（４＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）上、および（５＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）上に形成された放電セルにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み動作を行った放電セルで選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作となる。
【００９８】
以上により、特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の初期化期間における特定セル初期化動作が終了する。そして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間では、強制初期化動作を行う放電セルと選択初期化動作を行う放電セルとが混在する。
【００９９】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには電圧Ｖｃを印加する。
【０１００】
次に、配置的に見て上から１番目（１行目）の走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａの負極性の走査パルスを印加する。そして、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうちの１行目において発光するべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正の電圧Ｖｄの正極性の書込みパルスを印加する。
【０１０１】
書込みパルスの電圧Ｖｄを印加したデータ電極Ｄｋと走査パルスの電圧Ｖａを印加した走査電極ＳＣ１との交差部にある放電セルでは、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との電圧差が放電開始電圧を超えてから放電遅れ時間の後、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。
【０１０２】
また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電に誘発されて、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間にも放電が発生する。こうして、走査パルスの電圧Ｖａと書込みパルスの電圧Ｖｄとが同時に印加された放電セル（発光するべき放電セル）に書込み放電が発生する。
【０１０３】
書込み放電が発生した放電セルでは、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【０１０４】
このようにして、１行目の放電セルにおける書込み動作が終了する。なお、書込みパルスを印加しなかった放電セルでは、書込み放電は発生せず、初期化期間終了後の壁電圧が保たれる。
【０１０５】
次に、配置的に見て上から２番目（２行目）の走査電極ＳＣ２に電圧Ｖａの走査パルスを印加するとともに、２行目に発光するべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。これにより、走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ２との電圧差が放電開始電圧を超えてから放電遅れ時間の後、書込み放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ２上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ２上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。書込みパルスを印加しなかった放電セルでは、書込み放電は発生しない。こうして、２行目の放電セルにおける書込み動作が終了する。
【０１０６】
同様の書込み動作を、走査電極ＳＣ３、走査電極ＳＣ４、・・・、走査電極ＳＣｎという順番で、ｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、サブフィールドＳＦ１の書込み期間が終了する。このようにして、書込み期間では、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生し、その放電セルに維持放電のための壁電荷を形成する。
【０１０７】
本実施の形態では、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を「書込み時間」とし、特定セル初期化期間において強制初期化動作を行った放電セルでは、その直後の書込み期間（すなわち、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間）における書込み時間をＴ０とする。また、特定セル初期化期間において選択初期化動作を行った放電セルでは、その直後の書込み期間（特定セル初期化サブフィールドの書込み期間）における書込み時間をＴ１とする。そして、本実施の形態では、書込み時間Ｔ１を書込み時間Ｔ０よりも長い時間幅に設定する。
【０１０８】
なお、走査パルスと書込みパルスの発生タイミングにずれが生じたり、あるいは、走査パルスと書込みパルスとが互いに異なるパルス幅であることが想定されるため、厳密には、走査パルスのパルス幅または書込みパルスのパルス幅と書込み時間とは異なる。しかし、本実施の形態では、説明をわかりやすくするために、書込みパルスのパルス幅を少なくとも走査パルスのパルス幅と同等か、またはそれ以上に設定し、走査パルスを放電セルに印加している期間は書込みパルスも放電セルに印加するものとする。これにより、走査パルスのパルス幅と書込み時間とは互いに等しいと見なすことができる。したがって、以下、走査パルスのパルス幅は書込み時間に等しいものとする。
【０１０９】
したがって、本実施の形態では、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルでは、その直後の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅をＴ０とし、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、その直後の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅をＴ１とする。そして、パルス幅Ｔ１を、パルス幅Ｔ０よりも長い時間に設定する。
【０１１０】
例えば、図４に示す例では、サブフィールドＳＦ１の書込み期間において、走査電極ＳＣ１に印加される走査パルスのパルス幅はＴ０であり、走査電極ＳＣ２に印加される走査パルスのパルス幅はＴ１である。そして、走査電極ＳＣ２に印加される走査パルスのパルス幅Ｔ１は、走査電極ＳＣ１に印加される走査パルスのパルス幅Ｔ０よりも長い。
【０１１１】
これは、以下のような理由による。
【０１１２】
特定セル初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルでは、強制初期化動作にともない発生したプライミング粒子が放電セル内に十分に残留している。
【０１１３】
一方、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、その直前の維持期間（例えば、サブフィールドＳＦ１０の維持期間）に維持放電を発生した放電セルには初期化放電が発生し、維持放電を発生しなかった放電セルには初期化放電が発生しない。したがって、初期化放電が発生しない放電セルでは、初期化放電を発生する放電セルと比較してプライミング粒子が不足しやすい。そして、プライミング粒子が不足した放電セルでは、プライミング粒子が十分に残留した放電セルと比較して書込み放電の放電遅れ時間が長くなりやすく、書込み放電が不安定になりやすい。
【０１１４】
初期化放電の発生によりプライミング粒子が十分に放電セル内に残留し、書込み放電の放電遅れ時間が相対的に短い放電セルでは、書込み時間を相対的に短く設定することができる。
【０１１５】
一方、初期化放電が発生せず、プライミング粒子が相対的に減少し、書込み放電の放電遅れ時間が相対的に長くなった放電セルで書込み放電を安定に発生するためには、書込み時間を相対的に長く設定することが望ましい。
【０１１６】
これらのことから、本実施の形態では、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、特定セル初期化期間の直後の書込み期間における書込み時間を長くする。
【０１１７】
すなわち、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、その直後の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅をＴ１とし、パルス幅Ｔ１を、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルにおいてその直後の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅Ｔ０よりも長くする。
【０１１８】
これにより、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルにおいても、安定に書込み放電を発生することが可能となる。
【０１１９】
なお、走査パルスのパルス幅を少なくとも書込みパルスのパルス幅と同等か、またはそれ以上に設定し、書込みパルスを放電セルに印加している期間は走査パルスも放電セルに印加するものとすれば、書込みパルスのパルス幅と書込み時間とは互いに等しいと見なすこともできる。
【０１２０】
なお、初期化期間後半に維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する電圧Ｖｅと、書込み期間に維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する電圧Ｖｅとは互いに異なる電圧値であってもよい。
【０１２１】
サブフィールドＳＦ１の維持期間では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。
【０１２２】
この維持パルスの印加により、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電圧差は、維持パルスの電圧Ｖｓに、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差を加算したものとなる。これにより、直前の書込み期間に書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電圧差が放電開始電圧を超え、維持放電が発生する。そして、この放電により発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。また、この放電により、走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらに、データ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。
【０１２３】
ただし、直前の書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは、壁電圧が低いため、走査電極２２と維持電極２３との電圧差は放電開始電圧を超えず、維持放電は発生しない。
【０１２４】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。これにより、直前に維持放電を発生した放電セルでは再び維持放電が発生する。そして、この放電セルでは、その維持放電により発生した紫外線により蛍光体層３５が発光し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
【０１２５】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに所定の輝度倍数を乗じた数の維持パルスを交互に印加する。こうして、直前の書込み期間において書込み放電を発生した放電セルは、輝度重みに応じた回数の維持放電を発生し、輝度重みに応じた輝度で発光する。
【０１２６】
そして、維持期間における維持パルスの発生後（維持期間の最後）に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒまで緩やかに（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜波形電圧（以下、「消去ランプ電圧Ｌ３」と呼称する）を印加する。
【０１２７】
電圧Ｖｒを放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへ印加する消去ランプ電圧Ｌ３が放電開始電圧を超えて上昇する間に、維持放電を発生した放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電（消去放電）が持続して発生する。
【０１２８】
この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積される。これにより、データ電極Ｄｋ上の正極性の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。こうして、放電セル内における不要な壁電荷が消去される。
【０１２９】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧が電圧Ｖｒに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧を電圧０（Ｖ）まで下降する。こうして、サブフィールドＳＦ１の維持期間における維持動作が終了する。
【０１３０】
以上により、サブフィールドＳＦ１が終了する。
【０１３１】
なお、維持期間に発生する維持パルスの数が「０」に設定されたサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎおよび維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに維持パルスを印加せず、消去ランプ電圧Ｌ３だけを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。その場合、直前の書込み期間に書込み放電を発生した放電セルだけに消去放電が発生する。
【０１３２】
次に、選択初期化サブフィールドについてサブフィールドＳＦ２を例に挙げて説明する。
【０１３３】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに正極性の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加する。
【０１３４】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧（例えば、電圧０（Ｖ））から負極性の電圧Ｖｉ４に向かって、下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配で下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。電圧Ｖｉ４は、放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【０１３５】
この下りランプ電圧Ｌ４を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する間に、直前のサブフィールド（図４では、サブフィールドＳＦ１）の維持期間に維持放電を発生した放電セルでは、微弱な初期化放電が発生する。
【０１３６】
そして、この初期化放電により、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。また、データ電極Ｄｋ上に蓄積された壁電圧の過剰な部分が放電される。こうして、放電セル内の壁電圧は書込み動作に適した壁電圧に調整される。
【０１３７】
一方、直前のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の維持期間に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、それ以前の壁電圧が保たれる。
【０１３８】
上述の波形が、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み動作を行った放電セルで選択的に初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を走査電極２２に印加する動作が選択初期化動作である。
【０１３９】
以上により、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２の初期化期間における選択初期化動作が終了する。
【０１４０】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間に発生する選択初期化波形と、サブフィールドＳＦ２の初期化期間に発生する選択初期化波形とは、波形形状が互いに異なる。しかし、サブフィールドＳＦ１の初期化期間に発生する選択初期化波形は、初期化期間前半部では放電が発生せず、初期化期間後半部の動作はサブフィールドＳＦ２の初期化期間における選択初期化動作と実質的に同等である。したがって、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１の初期化期間に発生する、上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する初期化波形を、選択初期化波形としている。
【０１４１】
サブフィールドＳＦ２の書込み期間では、サブフィールドＳＦ１の書込み期間と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。ただし、サブフィールドＳＦ２の書込み期間における書込み時間は、サブフィールドＳＦ１の書込み期間における書込み時間とは異なり、どの放電セルに対しても一定である。すなわち、サブフィールドＳＦ２の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅は、どの走査電極２２に対しても一定であり、そのパルス幅は、例えばＴ０である。
【０１４２】
続くサブフィールドＳＦ２の維持期間も、サブフィールドＳＦ１の維持期間と同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に印加する。
【０１４３】
サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドでは、維持期間に発生する維持パルスの数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０１４４】
以上が、本実施の形態においてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【０１４５】
なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、例えば、電圧Ｖｉ１＝１５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ２＝３５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ３＝２００（Ｖ）、電圧Ｖｉ４＝−１８０（Ｖ）、電圧Ｖｉ５＝２０２（Ｖ）、電圧Ｖｃ＝−５０（Ｖ）、電圧Ｖａ＝−２００（Ｖ）、電圧Ｖｓ＝２００（Ｖ）、電圧Ｖｒ＝２００（Ｖ）、電圧Ｖｅ＝１６０（Ｖ）、電圧Ｖｄ＝６０（Ｖ）である。
【０１４６】
また、例えば、書込み時間Ｔ０＝１．１５μｓｅｃ（パルス幅Ｔ０＝１．１５μｓｅｃ）であり、書込み時間Ｔ１＝１．４μｓｅｃ（パルス幅Ｔ１＝１．４μｓｅｃ）である。
【０１４７】
しかし、上述した電圧値や時間、勾配等の具体的な数値は単なる一例に過ぎず、本発明は、各電圧値や時間、勾配等が上述した数値に限定されるものではない。各電圧値や時間、勾配等は、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづき最適に設定することが望ましい。例えば、電圧Ｖｉ５＝電圧Ｖｉ３であってもよい。
【０１４８】
なお、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１を強制初期化動作を行う特定セル初期化サブフィールドとし、他のサブフィールド（サブフィールドＳＦ２〜サブフィールドＳＦ１０）を選択初期化動作を行う選択初期化サブフィールドとする例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、サブフィールドＳＦ１を選択初期化サブフィールドとしたり、あるいは複数のサブフィールドを特定セル初期化サブフィールドとしてもよい。
【０１４９】
次に、強制初期化動作を行う走査電極２２とフィールドとの関係について説明する。以下、走査電極２２に強制初期化波形を印加し、その走査電極２２上に形成された放電セルで強制初期化動作を行うことを、「走査電極２２で強制初期化動作を行う」とも記す。
【０１５０】
本実施の形態においては、特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加する走査電極２２を以下の規則にもとづき設定する。以下、特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加する走査電極２２を「特定の走査電極」とも記す。
【０１５１】
１つの走査電極２２に対して、時間的に連続するＮ個のフィールド（Ｎは自然数）のうち１つのフィールドで１回だけ強制初期化動作を行う場合、時間的に連続するＮ個のフィールドを１つのフィールド群とする。そして、連続して配置されたＮ本の走査電極２２を１つの走査電極群とする。
【０１５２】
その条件の下に、次のように規則１、規則２を定める。
【０１５３】
（規則１）１つの走査電極２２において、強制初期化動作を行うフィールドは、各フィールド群の中で１つである。これは、次のように言い換えることができる。各走査電極２２には、各フィールド群のそれぞれにおいて、１つのフィールドの特定セル初期化期間でのみ強制初期化波形を印加し、他のフィールドの特定セル初期化期間では選択初期化波形を印加する。
【０１５４】
（規則２）１つのフィールドで強制初期化動作を行う走査電極２２は、各走査電極群の中で１つである。これは、次のように言い換えることができる。１つのフィールドの特定セル初期化期間において、強制初期化波形を印加するのは各走査電極群のそれぞれにおいて１つの走査電極２２だけであり、他の走査電極２２には選択初期化波形を印加する。
【０１５５】
さらに、Ｎが５以上のとき、すなわち、１つのフィールド群を５つまたはそれ以上のフィールドで構成するときには、次の規則３を定める。
【０１５６】
（規則３）１つのフィールドの特定セル初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘに隣接する走査電極ＳＣｘ−１および走査電極ＳＣｘ＋１には、少なくともそのフィールドの特定セル初期化期間と、そのフィールドの次のフィールドの特定セル初期化期間では、強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。
【０１５７】
次に、この規則にもとづく強制初期化動作の発生パターンについて説明する。
【０１５８】
図５は、本発明の実施の形態１における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。図５において、横軸はフィールドを表し、縦軸は走査電極２２を表す。
【０１５９】
図５には、Ｎ＝５とし、時間的に連続する５つのフィールドを１つのフィールド群とし、配置的に連続する５つの走査電極２２を１つの走査電極群とするときの一例を示している。例えば、図５に示す例では、フィールドＦｊ、フィールドＦｊ＋１、フィールドＦｊ＋２、フィールドＦｊ＋３、およびフィールドＦｊ＋４で１つのフィールド群を構成し、走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１、走査電極ＳＣｉ＋２、走査電極ＳＣｉ＋３、および走査電極ＳＣｉ＋４で１つの走査電極群を構成している。
【０１６０】
なお、図５に示す「○」は、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行う（すなわち、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行う）ことを表し、「×」は、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行わない（すなわち、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行う）ことを表す。
【０１６１】
なお、図５に示す例では、フィールドＦｊを第１のフィールドとし、フィールドＦｊ＋１を第２のフィールドとし、フィールドＦｊ＋２を第３のフィールドとし、フィールドＦｊ＋３を第４のフィールドとし、フィールドＦｊ＋４を第５のフィールドとする。
【０１６２】
そして、第１のフィールド（例えば、フィールドＦｊ）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、特定セル初期化期間において、配置的に見て上から（１＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ）には、強制初期化動作のための強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２には、強制初期化波形ではなく、選択初期化動作のための選択初期化波形を印加する。
【０１６３】
また、第２のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋１）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、特定セル初期化期間において、配置的に見て上から（４＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋３）には強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２には、選択初期化波形を印加する。
【０１６４】
また、第３のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋２）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、特定セル初期化期間において、配置的に見て上から（２＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋１）には強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２には選択初期化波形を印加する。
【０１６５】
また、第４のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋３）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、初期化期間において、配置的に見て上から（５＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋４）には強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２には選択初期化波形を印加する。
【０１６６】
また、第５のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋４）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、初期化期間において、配置的に見て上から（３＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋２）には強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２には選択初期化波形を印加する。
【０１６７】
このように、本実施の形態では、１つの走査電極２２において、強制初期化動作を行うフィールドは、各フィールド群の中で１つである（規則１）。
【０１６８】
例えば、図５に示す例では、走査電極ＳＣｉには、各フィールド群における第１のフィールドの特定セル初期化期間でのみ強制初期化波形を印加する。走査電極ＳＣｉ＋１には、各フィールド群における第３のフィールドの特定セル初期化期間でのみ強制初期化波形を印加する。走査電極ＳＣｉ＋２には、各フィールド群における第５のフィールドの特定セル初期化期間でのみ強制初期化波形を印加する。走査電極ＳＣｉ＋３には、各フィールド群における第２のフィールドの特定セル初期化期間でのみ強制初期化波形を印加する。走査電極ＳＣｉ＋４には、各フィールド群における第４のフィールドの特定セル初期化期間でのみ強制初期化波形を印加する。これは、他のフィールド群についても同様である。
【０１６９】
これにより、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う場合と比較して、強制初期化動作の回数は５分の１に低減する。したがって、強制初期化動作により生じる発光も５分の１に低減する。
【０１７０】
本実施の形態においては、このようにパネル１０を駆動することで、黒輝度を上昇させる要因となる発光を極力減らして黒輝度を低減し、表示画像のコントラスト比を向上する。
【０１７１】
黒輝度を上昇させる要因の１つに、初期化放電による発光がある。ただし、選択初期化動作は、直前のサブフィールドで維持放電を発生しなかった放電セルでは放電が発生しないので、黒輝度の明るさに実質的に影響を与えない。しかし、強制初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電が発生するので、黒輝度の明るさに影響を与える。すなわち、強制初期化動作の発生頻度が大きくなるほど黒輝度は上昇する。したがって、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減すれば、表示画像の黒輝度を低減し、コントラストを向上することができる。
【０１７２】
本実施の形態では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う場合と比較して、強制初期化動作の回数を５分の１に低減するので、その分、表示画像の黒輝度を低くすることができ、表示画像のコントラスト比を向上することができる。
【０１７３】
そして、本実施の形態では、１つのフィールドで強制初期化動作を行う走査電極２２は、各走査電極群の中で１つである（規則２）。
【０１７４】
例えば、図５に示す例では、フィールドＦｊでは、配置的に見て上から（１＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ）に強制初期化波形を印加する。フィールドＦｊ＋１では、配置的に見て上から（４＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（４＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋３）に強制初期化波形を印加する。フィールドＦｊ＋２では、配置的に見て上から（２＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋１）に強制初期化波形を印加する。フィールドＦｊ＋３では、配置的に見て上から（５＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（５＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋４）に強制初期化波形を印加する。フィールドＦｊ＋４では、配置的に見て上から（３＋５×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（３＋５×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋２）に強制初期化波形を印加する。これは、他の走査電極群についても同様である。
【０１７５】
これにより、強制初期化動作を行う走査電極２２が各フィールドに分散するので、強制初期化動作を行う走査電極２２が１フィールドに集中する場合と比較して、フリッカー（画面がちらついて見える現象）を低減することができる。
【０１７６】
なお、「強制初期化動作を行う走査電極２２が１フィールドに集中する」とは、例えば、各特定セル初期化期間において、フィールド群の中の１つのフィールドでは全ての走査電極２２に対して強制初期化動作を行い、他のフィールドでは全ての走査電極２２に対して選択初期化動作を行うような場合のことである。
【０１７７】
さらに、本実施の形態では、１つのフィールドの特定セル初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘに隣接する走査電極ＳＣｘ−１および走査電極ＳＣｘ＋１には、少なくともそのフィールドの特定セル初期化期間と、そのフィールドの次のフィールドの特定セル初期化期間では、強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する（規則３）。
【０１７８】
例えば、図５に示す例では、走査電極ＳＣｉにはフィールドＦｊの特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉに隣接する走査電極ＳＣｉ−１および走査電極ＳＣｉ＋１には、フィールドＦｊおよびその次のフィールドＦｊ＋１の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。同様に、走査電極ＳＣｉ＋３にはフィールドＦｊ＋１の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉ＋３に隣接する走査電極ＳＣｉ＋２および走査電極ＳＣｉ＋４には、フィールドＦｊ＋１およびその次のフィールドＦｊ＋２の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。同様に、走査電極ＳＣｉ＋１にはフィールドＦｊ＋２の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉ＋１に隣接する走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋２には、フィールドＦｊ＋２およびその次のフィールドＦｊ＋３の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。同様に、走査電極ＳＣｉ＋４にはフィールドＦｊ＋３の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉ＋４に隣接する走査電極ＳＣｉ＋３および走査電極ＳＣｉ＋５には、フィールドＦｊ＋３およびその次のフィールドＦｊ＋４の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。同様に、走査電極ＳＣｉ＋２にはフィールドＦｊ＋４の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉ＋２に隣接する走査電極ＳＣｉ＋１および走査電極ＳＣｉ＋３には、フィールドＦｊ＋４およびその次のフィールドＦｊ＋５の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。
【０１７９】
これにより、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および空間的な連続性が低減するので、強制初期化動作にともなう発光が使用者に認識されにくくなる。
【０１８０】
そして、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置においては、上述したように、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、特定セル初期化期間の直後の書込み期間における書込み時間を長くする。
【０１８１】
図５に示す例では、「○」を記したフィールドでは特定セル初期化期間の直後の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅をＴ０とし、「×」を記したフィールドでは特定セル初期化期間の直後の書込み期間に発生する走査パルスのパルス幅をＴ１とする。そして、パルス幅Ｔ１をパルス幅Ｔ０よりも長い時間幅とする。
【０１８２】
これにより、特定セル初期化期間に初期化放電が発生せず、プライミング粒子が相対的に不足し、書込み放電の放電遅れ時間が相対的に長くなった放電セルにおいても、初期化放電が発生してプライミング粒子が十分に残留している放電セルと同様に、安定に書込み放電を発生することができる。
【０１８３】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。
【０１８４】
図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０を構成する回路ブロックの一例を概略的に示す図である。
【０１８５】
プラズマディスプレイ装置４０は、パネル１０と、パネル１０を駆動する駆動回路とを備えている。駆動回路は、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【０１８６】
画像信号処理回路４１に入力される画像信号は、赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号である。画像信号処理回路４１は、赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号にもとづき、各放電セルに赤、緑、青の各階調値（１フィールドで表現される階調値）を設定する。なお、画像信号処理回路４１は、入力される画像信号が輝度信号（Ｙ信号）および彩度信号（Ｃ信号、またはＲ−Ｙ信号およびＢ−Ｙ信号、またはｕ信号およびｖ信号等）を含むときには、その輝度信号および彩度信号にもとづき赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号を算出し、その後、各放電セルに赤、緑、青の各階調値を設定する。そして、各放電セルに設定した赤、緑、青の階調値を、サブフィールド毎の点灯・非点灯を示す画像データ（発光・非発光をデジタル信号の「１」、「０」に対応させたデータのこと）に変換する。すなわち、画像信号処理回路４１は、赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号を、赤の画像データ、緑の画像データ、青の画像データに変換して出力する。
【０１８７】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号および垂直同期信号にもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種の制御信号を発生する。そして、発生した制御信号をそれぞれの回路ブロック（データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、および画像信号処理回路４１等）へ供給する。
【０１８８】
走査電極駆動回路４３は、初期化波形発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路（図６には示さず）を備え、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに印加する。初期化波形発生回路は、タイミング信号にもとづき、初期化期間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する強制初期化波形および選択初期化波形を発生する。維持パルス発生回路は、タイミング信号にもとづき、維持期間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。
【０１８９】
走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動ＩＣ（走査ＩＣ）を備え、タイミング信号にもとづくパルス幅で、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを書込み期間に発生する。例えば、特定セル初期化期間に強制初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間にパルス幅Ｔ０の走査パルスを発生する。また、特定セル初期化期間に選択初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間に、パルス幅Ｔ０よりも広いパルス幅Ｔ１の走査パルスを発生する。
【０１９０】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生する回路（図６には示さず）を備え、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎのそれぞれに印加する。維持期間では、タイミング信号にもとづいて維持パルスを発生し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。初期化期間および書込み期間では、タイミング信号にもとづいて電圧Ｖｅを発生し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。
【０１９１】
データ電極駆動回路４２は、画像信号処理回路４１から出力される各色の画像データおよびタイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづき、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する書込みパルスを発生する。このとき、データ電極駆動回路４２は、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづくパルス幅で書込みパルスを発生する。例えば、特定セル初期化期間に強制初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間に、パルス幅Ｔ０と同等かそれ以上のパルス幅の書込みパルスを発生する。また、特定セル初期化期間に選択初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間に、パルス幅Ｔ１と同等かそれ以上のパルス幅の書込みパルスを発生する。そして、データ電極駆動回路４２は、その書込みパルスを書込み期間に各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに印加する。
【０１９２】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【０１９３】
図７は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０に用いる走査電極駆動回路４３の一構成例を概略的に示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生する維持パルス発生回路５０と、初期化波形を発生する傾斜波形電圧発生回路６０と、走査パルスを発生する走査パルス発生回路７０とを備える。そして、走査パルス発生回路７０の各出力端子は、パネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。
【０１９４】
なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路７０に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。なお、図７では、各回路に入力される制御信号（タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号）の信号経路の詳細は省略する。
【０１９５】
維持パルス発生回路５０は、電力回収回路５１とクランプ回路とを備え、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。
【０１９６】
電力回収回路５１は、電力回収用のコンデンサ、複数のスイッチング素子、複数の逆流防止用ダイオード、および複数の共振用のインダクタを有する。電力回収用のコンデンサはパネル１０の電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路５１の電源として働くように、電圧値Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。そして、電力回収回路５１は、パネル１０の電極間容量Ｃｐに蓄えられた電力をＬＣ共振を利用して電力回収用のコンデンサに回収し、電力回収用のコンデンサに蓄えられた電力を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動するときに再利用する。
【０１９７】
クランプ回路は、スイッチング素子Ｑ５５と、スイッチング素子Ｑ５６と、スイッチング素子Ｑ５９とを有する。スイッチング素子Ｑ５５は走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプし、スイッチング素子Ｑ５６は走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧０（Ｖ）にクランプする。スイッチング素子Ｑ５９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路４３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止するために設けられている。
【０１９８】
そして、維持パルス発生回路５０は、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき各スイッチング素子を切り換えて維持パルスを発生する。
【０１９９】
傾斜波形電圧発生回路６０は、ミラー積分回路６１、ミラー積分回路６２、およびミラー積分回路６３を有する。図７には、ミラー積分回路６１の入力端子を入力端子ＩＮ６１、ミラー積分回路６２の入力端子を入力端子ＩＮ６２、ミラー積分回路６３の入力端子を入力端子ＩＮ６３と示している。なお、ミラー積分回路６１およびミラー積分回路６２は上昇する傾斜波形電圧を発生し、ミラー積分回路６３は下降する傾斜波形電圧を発生する。
【０２００】
ミラー積分回路６１は、トランジスタＱ６１とコンデンサＣ６１と抵抗Ｒ６１とを有し、電圧Ｖｔに向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。ミラー積分回路６１は、例えば初期化動作時に、走査電極駆動回路４３の基準電位Ａを電圧Ｖｉ５（例えば、電圧Ｖｉ５＝電圧Ｖｔ）までランプ状に緩やかに（例えば、１．３Ｖ／μｓｅｃで）上昇させて上りランプ電圧Ｌ１’を発生する。
【０２０１】
ミラー積分回路６２は、トランジスタＱ６２、コンデンサＣ６２、抵抗Ｒ６２、および逆流防止用のダイオードＤｉ６２を有する。そして、維持期間の最後に、基準電位Ａを上りランプ電圧Ｌ１’よりも急峻な勾配（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）で電圧Ｖｒまで上昇させて消去ランプ電圧Ｌ３を発生する。
【０２０２】
ミラー積分回路６３は、トランジスタＱ６３、コンデンサＣ６３、および抵抗Ｒ６３を有する。そして、初期化動作時に、基準電位Ａを電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに（例えば、−１．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降させて下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４を発生する。
【０２０３】
なお、図７に示すスイッチング素子Ｑ６９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路４３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止するために設けられている。スイッチング素子Ｑ６９は、例えば、負極性の電圧Ｖｉ４を用いたミラー積分回路６３が動作しているときに、ミラー積分回路６３と、維持パルス発生回路５０、電圧Ｖｔを用いたミラー積分回路６１、および電圧Ｖｒを用いたミラー積分回路６２とを電気的に分離する。
【０２０４】
走査パルス発生回路７０は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎ、スイッチング素子Ｑ７２、電圧源ＶPを備えている。
【０２０５】
スイッチング素子Ｑ７１Ｈｊ（ｊ＝１〜ｎ）の一方の端子とスイッチング素子Ｑ７１Ｌｊの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路７０の出力端子となって、走査電極ＳＣｊに接続されている。また、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎの他方の端子は電圧源ＶPの高圧側に接続され、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎの他方の端子は電圧源ＶPの低圧側（基準電位Ａ）に接続されている。
【０２０６】
なお、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎは複数の出力毎にまとめられ、ＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。
【０２０７】
スイッチング素子Ｑ７２は、書込み期間において基準電位Ａを負極性の電圧Ｖａに接続する。
【０２０８】
電圧源ＶPは、電圧Ｖｐを発生し、基準電位Ａに重畳する。したがって、電圧源ＶPの高圧側の電圧は基準電位Ａに電圧Ｖｐを重畳した電圧となり、電圧源ＶPの低圧側の電圧は基準電位Ａに等しい。
【０２０９】
このように構成された走査パルス発生回路７０では、書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ７２をオンにして基準電位Ａを負極性の電圧Ｖａに等しくし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎの入力端子には負極性の電圧Ｖａを印加し、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎの入力端子には電圧Ｖａ＋電圧Ｖｐとなった電圧Ｖｃを印加する。そして、画像データにもとづき、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｉをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｉをオンにすることで、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｉを経由して走査電極ＳＣｉに負極性の走査パルス電圧Ｖａを印加する。走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｈをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｈをオンにすることで、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖａ＋電圧Ｖｐ（＝電圧Ｖｃ）を印加する。
【０２１０】
そして、本実施の形態における走査パルス発生回路７０は、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎのオン・オフをタイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき制御する。これにより、特定セル初期化期間に強制初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間にパルス幅Ｔ０の走査パルスを発生し、特定セル初期化期間に選択初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間に、パルス幅Ｔ０よりも広いパルス幅Ｔ１の走査パルスを発生する。
【０２１１】
また、走査パルス発生回路７０は、特定セル初期化期間において、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘに対しては、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｘをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘをオンにする。こうすることで、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘを経由して、傾斜波形電圧発生回路６０から出力される上りランプ電圧Ｌ１’に電圧Ｖｐを重畳した上りランプ電圧Ｌ１を走査電極ＳＣｘに印加する。特定セル初期化期間において、選択初期化波形を印加する走査電極ＳＣｙに対しては、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｙをオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｙをオンにすることで、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｙを経由して走査電極ＳＣｙに上りランプ電圧Ｌ１’を印加する。
【０２１２】
なお、走査パルス発生回路７０は、維持期間においては、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオンにして、維持パルス発生回路５０の出力電圧をそのまま出力し走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０２１３】
次に、データ電極駆動回路４２について説明する。
【０２１４】
図８は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０に用いるデータ電極駆動回路４２の一構成を概略的に示す回路図である。
【０２１５】
なお、図８には、各回路に入力される制御信号（タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号、および画像信号処理回路４１から供給される画像データ）の信号経路の詳細は省略する。
【０２１６】
データ電極駆動回路４２は、スイッチング素子Ｑ９１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ９１Ｈｍ、スイッチング素子Ｑ９１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ９１Ｌｍを有する。そして、書込み期間においては、画像データにもとづき（図面では、画像データの詳細は省略）、データ電極Ｄｊに電圧０（Ｖ）を印加するときには、スイッチング素子Ｑ９１Ｌｊをオンにしスイッチング素子Ｑ９１Ｈｊをオフにする。また、データ電極Ｄｊに電圧Ｖｄを印加するときには、スイッチング素子Ｑ９１Ｌｊをオフにしスイッチング素子Ｑ９１Ｈｊをオンにする。
【０２１７】
そして、本実施の形態におけるデータ電極駆動回路４２は、スイッチング素子Ｑ９１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ９１Ｈｍ、スイッチング素子Ｑ９１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ９１Ｌｍのオン・オフをタイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき制御する。これにより、特定セル初期化期間に強制初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間にパルス幅Ｔ０またはそれ以上のパルス幅の書込みパルスを発生し、特定セル初期化期間に選択初期化波形を発生したフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間に、パルス幅Ｔ１またはそれ以上のパルス幅の書込みパルスを発生する。
【０２１８】
なお、これらのスイッチング素子およびトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。またこれらのスイッチング素子およびトランジスタは、タイミング発生回路４５で発生したそれぞれのスイッチング素子およびトランジスタに対応するタイミング信号により制御される。
【０２１９】
次に、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化波形および非初期化波形を発生し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において走査パルスを発生する際の走査電極駆動回路４３の動作を図９を用いて説明する。
【０２２０】
図９は、本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間および書込み期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、図９では、強制初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｘ」と表し、強制初期化波形ではなく選択初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｙ」と表す。
【０２２１】
また、図９では、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎの内、走査電極ＳＣｘに対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｈｘと表し、走査電極ＳＣｙに対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｈｙと表す。同様に、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎの内、走査電極ＳＣｘに対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｌｘと表し、走査電極ＳＣｙに対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｌｙと表す。
【０２２２】
また、以下、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｐに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｔ＋電圧Ｖｐに等しいものとし、電圧Ｖｉ３は維持パルスを発生するときに用いる電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ５は電圧Ｖｔに等しいものとし、電圧Ｖｃは電圧Ｖａ＋電圧Ｖｐに等しいものとして説明する。
【０２２３】
なお、図９には、電圧Ｖｔが電圧Ｖｓよりも高い電圧値に設定された例を示しているが、電圧Ｖｔと電圧Ｖｓとは互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Ｖｓの方が電圧Ｖｔｃよりも高い電圧値であってもかまわない。
【０２２４】
以下、特定セル初期化期間の動作、書込み期間の動作の順で説明する。
【０２２５】
特定セル初期化期間の前半部では、まず、スイッチング素子Ｑ５６、スイッチング素子Ｑ６９、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｘ、およびスイッチング素子Ｑ７１Ｌｙをオンにし、スイッチング素子Ｑ５５、スイッチング素子Ｑ５９、スイッチング素子Ｑ７２、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘ、およびスイッチング素子Ｑ７１Ｈｙをオフにして、走査電極ＳＣｘ、走査電極ＳＣｙに電圧０（Ｖ）を印加する。
【０２２６】
次に、スイッチング素子Ｑ５６をオフにするとともに、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｘをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘをオンにして、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘに電圧Ｖｐを印加する。スイッチング素子Ｑ７１Ｌｙはオンを維持し、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｙはオフを維持して、走査電極ＳＣｙには電圧０（Ｖ）を印加したままにする。
【０２２７】
次に、上りランプ電圧Ｌ１’を発生するミラー積分回路６１の入力端子ＩＮ６１（図７において、ミラー積分回路６１の入力端子として示される２つの端子）の端子間に所定の電圧差（例えば、５（Ｖ））を与える。
【０２２８】
これにより、コンデンサＣ６１に向かって一定の電流が流れ、トランジスタＱ６１のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ６１の端子間に所定の電圧差を与えている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｔに到達するまで継続することができる。
【０２２９】
こうして、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ５（本実施の形態では、電圧Ｖｔに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を発生する。
【０２３０】
スイッチング素子Ｑ７１Ｈｙはオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｙはオンなので、走査電極ＳＣｙには、この上りランプ電圧Ｌ１’がそのまま印加される。
【０２３１】
一方、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘはオン、スイッチング素子Ｑ７１Ｌｘはオフなので、走査電極ＳＣｘには、この上りランプ電圧Ｌ１’に電圧Ｖｐが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｐに等しい）から電圧Ｖｉ２（本実施の形態では、電圧Ｖｔ＋電圧Ｖｐに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１が印加される。
【０２３２】
特定セル初期化期間の後半部に入る直前に、入力端子ＩＮ６１の端子間の電圧差を０（Ｖ）にする。これにより、ミラー積分回路６１の動作は停止する。
【０２３３】
特定セル初期化期間の後半部では、スイッチング素子Ｑ５５およびスイッチング素子Ｑ５９をオンにして、基準電位Ａを電圧Ｖｓにする。そして、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）を印加する。
【０２３４】
次に、スイッチング素子Ｑ６９をオフにし、下りランプ電圧Ｌ２を発生するミラー積分回路６３の入力端子ＩＮ６３（図７において、ミラー積分回路６３の入力端子として示される２つの端子）の端子間に所定の電圧差（例えば、５（Ｖ））を与える。
【０２３５】
これにより、コンデンサＣ６３に向かって一定の電流が流れ、トランジスタＱ６３のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ６３の端子間に所定の電圧差を与えている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｉ４に到達するまで継続することができる。
【０２３６】
そして、走査電極駆動回路４３の出力電圧が負の電圧Ｖｉ４に到達したら、入力端子ＩＮ６３の端子間の電圧差を０（Ｖ）にする。これにより、ミラー積分回路６３の動作は停止する。
【０２３７】
こうして、電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）から負の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ２を発生し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０２３８】
続く書込み期間では、スイッチング素子Ｑ７２をオンにして、基準電位Ａを電圧Ｖａにする。
【０２３９】
合わせて、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオン、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオフにする。こうして、基準電位Ａに電圧Ｖｐを重畳した電圧Ｖｃ（本実施の形態では、電圧Ｖａ＋電圧Ｖｐに等しい）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０２４０】
次に、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１をオンにして、走査電極ＳＣ１に電圧Ｖａを印加する。所定の時間の後、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１をオンにして、走査電極ＳＣ１に電圧Ｖａ＋電圧Ｖｐを印加する。このようにして走査電極ＳＣ１に走査パルスを印加する。以下同様の動作を走査電極ＳＣ２から走査電極ＳＣｎに到るまで順次行い、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルスを順次印加する。
【０２４１】
このとき、強制初期化波形を印加した走査電極ＳＣｘにはパルス幅Ｔ０の走査パルスを印加する。具体的には、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘをオフにしスイッチング素子Ｑ７１Ｌｘをオンにしてから、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｘをオンに戻しスイッチング素子Ｑ７１Ｌｘをオフに戻すまでの期間をＴ０にする。こうして、パルス幅Ｔ０の走査パルスを発生し、走査電極ＳＣｘに印加する。
【０２４２】
また、強制初期化波形ではなく選択初期化波形を印加した走査電極ＳＣｙにはパルス幅Ｔ１の走査パルスを印加する。具体的には、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｙをオフにしスイッチング素子Ｑ７１Ｌｙをオンにしてから、スイッチング素子Ｑ７１Ｈｙをオンに戻しスイッチング素子Ｑ７１Ｌｙをオフに戻すまでの期間をＴ１にする。こうして、パルス幅Ｔ１の走査パルスを発生し、走査電極ＳＣｙに印加する。
【０２４３】
書込み期間が終了したら、スイッチング素子Ｑ７２およびスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ５６、スイッチング素子Ｑ６９、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオンにして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加して、続く維持期間に備える。
【０２４４】
本実施の形態では、このようにして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形を発生して走査電極ＳＣｘに印加し、選択初期化波形を発生して走査電極ＳＣｙに印加する。また、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間では、強制初期化波形を印加した走査電極ＳＣｘにはパルス幅Ｔ０の走査パルスを印加し、選択初期化波形を印加した走査電極ＳＣｙにはパルス幅Ｔ１の走査パルスを印加する。
【０２４５】
なお、本実施の形態では、各放電セルで５フィールドに１回の割合で強制初期化波形による強制初期化動作を行う構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。各放電セルで強制初期化動作を行う頻度は、５フィールドに１回以上であってもよく、それ以下の頻度であってもよい。
【０２４６】
なお、本実施の形態は、１フィールドを構成するサブフィールドの数、各サブフィールドの輝度重み等が上述した数値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【０２４７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、（規則１）、（規則２）にもとづき強制初期化波形を印加する走査電極２２を設定し、さらに、１つのフィールド群を構成するフィールドの数が５以上のときには（規則３）を加えて強制初期化波形を印加する走査電極２２を設定する例を説明した。しかし、本発明は、強制初期化波形を印加する走査電極２２が何らこれらの規則に限定されるものではない。本実施の形態では、実施の形態１に示した規則とは異なる規則にもとづき強制初期化波形を印加する走査電極２２を設定する例を説明する。
【０２４８】
本実施の形態においては、１つの走査電極２２に対して、時間的に連続するＮ個のフィールド（Ｎは自然数）のうち１つのフィールドで１回だけ強制初期化動作を行う場合、時間的に連続するＮ個のフィールドを１つのフィールド群とする。そして、連続して配置されたＭ本の走査電極２２を１つの走査電極群とする。そして、Ｍ≦Ｎとする。
【０２４９】
その条件の下に、強制初期化波形を印加する走査電極２２を以下の規則にもとづき設定する。
【０２５０】
（規則１）１つの走査電極２２において、強制初期化動作を行うフィールドは、各フィールド群の中で１つである。
【０２５１】
（規則２’）１つのフィールドで強制初期化動作を行う走査電極２２は、各走査電極群の中で１つまたは０である。
【０２５２】
さらに、Ｎが４以上のとき、すなわち、１つのフィールド群を４つまたはそれ以上のフィールドで構成するときには、次の規則３を定める。
【０２５３】
（規則３）１つのフィールドの特定セル初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘに隣接する走査電極ＳＣｘ−１および走査電極ＳＣｘ＋１には、少なくともそのフィールドの特定セル初期化期間と、そのフィールドの次のフィールドの特定セル初期化期間では、強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。
【０２５４】
このように、本実施の形態における規則１は、実施の形態１に示した規則１と同じであるが、本実施の形態における規則２’は、実施の形態１に示した規則２とは異なる。また、規則３を適用する際の１つのフィールド群を構成するフィールドの数が、本実施の形態と実施の形態１とでは異なる。
【０２５５】
図１０は、本発明の実施の形態２における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。図１０において、横軸はフィールドを表し、縦軸は走査電極２２を表す。
【０２５６】
図１０には、時間的に連続する４つのフィールドを１つのフィールド群とし、配置的に連続する２つの走査電極２２を１つの走査電極群とするときの一例を示している。例えば、図１０に示す例では、フィールドＦｊ、フィールドＦｊ＋１、フィールドＦｊ＋２およびフィールドＦｊ＋３で１つのフィールド群を構成し（Ｎ＝４）、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋１で１つの走査電極群を構成している（Ｍ＝２）。
【０２５７】
なお、図１０に示す「○」は、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行う（すなわち、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行う）ことを表し、「×１」、「×２」、「×３」は、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において強制初期化動作を行わない（すなわち、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行う）ことを表す。
【０２５８】
なお、図１０に示す例では、フィールドＦｊを第１のフィールドとし、フィールドＦｊ＋１を第２のフィールドとし、フィールドＦｊ＋２を第３のフィールドとし、フィールドＦｊ＋３を第４のフィールドとする。
【０２５９】
そして、第１のフィールド（例えば、フィールドＦｊ）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、特定セル初期化期間において、配置的に見て上から（１＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ）には、強制初期化動作のための強制初期化波形を印加する。配置的に見て上から（２＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋１）には、強制初期化波形ではなく、選択初期化動作のための選択初期化波形を印加する。
【０２６０】
また、第２のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋１）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、全ての走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、強制初期化波形ではなく選択初期化波形を印加する。
【０２６１】
第３のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋２）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、特定セル初期化期間において、配置的に見て上から（２＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ＋１）には、強制初期化動作のための強制初期化波形を印加する。配置的に見て上から（１＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣｉ）には、強制初期化波形ではなく選択初期化波形を印加する。
【０２６２】
また、第４のフィールド（例えば、フィールドＦｊ＋３）の特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、全ての走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、強制初期化波形ではなく選択初期化波形を印加する。
【０２６３】
このように、本実施の形態では、１つの走査電極２２において、強制初期化動作を行うフィールドは、各フィールド群の中で１つである（規則１）。
【０２６４】
これにより、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う場合と比較して、強制初期化動作の回数は４分の１に低減する。したがって、強制初期化動作により生じる発光も４分の１に低減し、その分、表示画像の黒輝度を低くして表示画像のコントラスト比を向上することができる。
【０２６５】
そして、本実施の形態では、１つのフィールドで強制初期化動作を行う走査電極２２は、各走査電極群の中で１つまたは０である（規則２’）。
【０２６６】
これにより、強制初期化動作を行う走査電極２２が各フィールドに分散するので、強制初期化動作を行う走査電極２２が１フィールドに集中する場合と比較して、フリッカー（画面がちらついて見える現象）を低減することができる。
【０２６７】
さらに、本実施の形態では、１つのフィールドの特定セル初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘに隣接する走査電極ＳＣｘ−１および走査電極ＳＣｘ＋１には、少なくともそのフィールドの特定セル初期化期間と、そのフィールドの次のフィールドの特定セル初期化期間では、強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する（規則３）。
【０２６８】
例えば、図１０に示す例では、走査電極ＳＣｉにはフィールドＦｊの特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉに隣接する走査電極ＳＣｉ−１および走査電極ＳＣｉ＋１には、フィールドＦｊおよびその次のフィールドＦｊ＋１の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。同様に、走査電極ＳＣｉ＋１にはフィールドＦｊ＋２の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加するが、走査電極ＳＣｉ＋１に隣接する走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋２には、フィールドＦｊ＋２およびその次のフィールドＦｊ＋３の特定セル初期化期間に強制初期化波形を印加せず、選択初期化波形を印加する。
【０２６９】
これにより、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および空間的な連続性が低減するので、強制初期化動作にともなう発光が使用者に認識されにくくなる。
【０２７０】
そして、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置においては、実施の形態１と同様に、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行った放電セルでは、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行った放電セルよりも、特定セル初期化期間の直後の書込み期間における書込み時間を長くする。
【０２７１】
ただし、本実施の形態では、実施の形態１とは異なり、４種類の書込み時間を設定し、フィールドに応じて書込み時間を変更する。この、４種類の書込み時間とは、書込み時間Ｔ０、書込み時間Ｔ１、書込み時間Ｔ２、および書込み時間Ｔ３である。そして、書込み時間Ｔ１を書込み時間Ｔ０よりも長くし、書込み時間Ｔ２を書込み時間Ｔ１よりも長くし、書込み時間Ｔ３を書込み時間Ｔ２よりも長くしている。
【０２７２】
具体的には、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行う第１のフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、書込み時間をＴ０とする。特定セル初期化期間に選択初期化動作を行うとともに第１のフィールドの次に発生する第２のフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、書込み時間をＴ１とする。特定セル初期化期間に選択初期化動作を行うとともに第２のフィールドの次に発生する第３のフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、書込み時間をＴ２とする。そして、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行うとともに第３のフィールドの次に発生する第４のフィールドでは、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、書込み時間をＴ３とする。
【０２７３】
図１０では、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において書込み時間をＴ０とするフィールドは、欄内に「○」を記したフィールド（すなわち、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行うフィールド）である。そして、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において書込み時間をＴ１とするフィールドは、欄内に「×１」を記し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において書込み時間をＴ２とするフィールドは、欄内に「×２」を記し、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において書込み時間をＴ３とするフィールドは、欄内に「×３」を記している。
【０２７４】
このように、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間における書込み時間を、強制初期化動作を行った特定セル初期化期間から時間的に離れたサブフィールドほど長くする。
【０２７５】
なお、実施の形態１で説明したように、厳密には、走査パルスのパルス幅または書込みパルスのパルス幅と書込み時間とは異なる。しかし、本実施の形態では、実施の形態１と同様に、書込みパルスのパルス幅を少なくとも走査パルスのパルス幅と同等か、またはそれ以上に設定し、走査パルスを放電セルに印加している期間は書込みパルスも放電セルに印加するものとする。これにより、走査パルスのパルス幅は書込み時間に等しいものとする。
【０２７６】
したがって、図１０に示す例では、特定セル初期化期間に強制初期化動作を行う第１のフィールド（欄内に「○」を記したフィールド）では、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、パルス幅Ｔ０の走査パルスを発生して書込み動作を行う。
【０２７７】
また、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行うとともに第１のフィールドの次に発生する第２のフィールド（欄内に「×１」を記したフィールド）では、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、パルス幅Ｔ１の走査パルスを発生して書込み動作を行う。
【０２７８】
また、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行うとともに第２のフィールドの次に発生する第３のフィールド（欄内に「×２」を記したフィールド）では、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、パルス幅Ｔ２の走査パルスを発生して書込み動作を行う。
【０２７９】
そして、特定セル初期化期間に選択初期化動作を行うとともに第３のフィールドの次に発生する第４のフィールド（欄内に「×３」を記したフィールド）では、特定セル初期化期間の直後の書込み期間において、パルス幅Ｔ３の走査パルスを発生して書込み動作を行う。
【０２８０】
上述したように、初期化放電によって発生したプライミング粒子は、時間の経過とともに減少する。したがって、強制初期化動作からの経過時間が長くなるほどプライミング粒子はより多く減少し、書込み動作時における放電遅れ時間も相対的に長くなる。
【０２８１】
しかし、本実施の形態では、それぞれのフィールド群において、特定セル初期化サブフィールドの書込み期間における書込み時間（すなわち、走査パルスのパルス幅）を、強制初期化動作を行った特定セル初期化期間から時間的により離れたサブフィールドほど長くする。
【０２８２】
これにより、特定セル初期化期間に初期化放電が発生せず、プライミング粒子が相対的に減少し、書込み放電の放電遅れ時間が相対的に長くなった放電セルにおいて、書込み放電を安定に発生することが可能となる。
【０２８３】
なお、本実施の形態において、例えば、書込み時間Ｔ０＝１．０μｓｅｃ（パルス幅Ｔ０＝１．０μｓｅｃ）であり、書込み時間Ｔ１＝１．１μｓｅｃ（パルス幅Ｔ１＝１．１μｓｅｃ）であり、書込み時間Ｔ２＝１．３μｓｅｃ（パルス幅Ｔ２＝１．３μｓｅｃ）であり、書込み時間Ｔ３＝１．６μｓｅｃ（パルス幅Ｔ３＝１．６μｓｅｃ）である。しかし、本発明は、書込み時間が何ら上述した数値に限定されるものではなく、各書込み時間はパネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適に設定することが望ましい。
【０２８４】
なお、本実施の形態では、選択初期化サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ２からのサブフィールドＳＦ１０）の書込み期間では、実施の形態１と同様に、どの放電セルに対しても一定のパルス幅の走査パルスを印加する。そのパルス幅は、例えばＴ０である。
【０２８５】
なお、本実施の形態では、各放電セルで４フィールドに１回の割合で強制初期化波形による強制初期化動作を行う構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。各放電セルで強制初期化動作を行う頻度は、４フィールドに１回以上であってもよく、それ以下の頻度であってもよい。
【０２８６】
なお、図４、図９に示した駆動電圧波形は本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらの駆動電圧波形に限定されるものではない。
【０２８７】
また、図６、図７、図８に示した回路構成も本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらの回路構成に限定されるものではない。
【０２８８】
なお、本発明における実施の形態に示した各回路ブロックは、実施の形態に示した各動作を行う電気回路として構成されてもよく、あるいは、同様の動作をするようにプログラミングされたマイクロコンピュータ等を用いて構成されてもよい。
【０２８９】
なお、本発明における実施の形態では、１つのフィールドを１０のサブフィールドで構成する例を説明した。しかし、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数が何ら上記の数に限定されるものではない。例えば、サブフィールドの数をより多くすることで、パネル１０に表示できる階調の数をさらに増加することができる。あるいは、サブフィールドの数をより少なくすることで、パネル１０の駆動に要する時間を短縮することができる。
【０２９０】
なお、本発明における実施の形態では、選択初期化サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ２からのサブフィールドＳＦ１０）の書込み期間では、どの放電セルに対してもパルス幅Ｔ０の走査パルスを印加する例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。選択初期化サブフィールドの書込み期間に発生する走査パルスは、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じた最適なパルス幅で発生することが望ましい。
【０２９１】
なお、本発明における実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドをサブフィールドＳＦ１とする例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。特定セル初期化サブフィールドは、サブフィールドＳＦ１以外のサブフィールドであってもかまわない。
【０２９２】
なお、本発明における実施の形態では、１画素を赤、緑、青の３色の放電セルで構成する例を説明したが、１画素を４色あるいはそれ以上の色の放電セルで構成するパネルにおいても、本発明における実施の形態に示した構成を適用することは可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０２９３】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な数値は、画面サイズが５０インチ、表示電極対２４の数が１０２４のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネルの仕様やパネルの特性、およびプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適な数値に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、１フィールドを構成するサブフィールドの数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明における実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２９４】
本発明は、表示画像のコントラストを向上するとともに安定に書込み放電を発生してプラズマディスプレイ装置における画像表示品質を向上することができるので、プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２９５】
１０    パネル
２１    前面基板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面基板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５，３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ    蛍光体層
４０    プラズマディスプレイ装置
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５０    維持パルス発生回路
５１    電力回収回路
６０    傾斜波形電圧発生回路
６１，６２，６３    ミラー積分回路
７０    走査パルス発生回路
Ｑ５５，Ｑ５６，Ｑ５９，Ｑ６９，Ｑ７２，Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈｎ，Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌｎ，Ｑ９１Ｈ１〜Ｑ９１Ｈｍ，Ｑ９１Ｌ１〜Ｑ９１Ｌｍ    スイッチング素子
ＩＮ６１，ＩＮ６２，ＩＮ６３    入力端子
Ｑ６１，Ｑ６２，Ｑ６３    トランジスタ
Ｃ６１，Ｃ６２，Ｃ６３    コンデンサ
Ｒ６１，Ｒ６２，Ｒ６３    抵抗
Ｄｉ６２    ダイオード
ＶP    電圧源
Ｌ１，Ｌ１’    上りランプ電圧
Ｌ２，Ｌ４    下りランプ電圧
Ｌ３    消去ランプ電圧
【図１】
2012090451.tif 000003
【図２】
2012090451.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2012090451.tif 000007
【図６】
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【図７】
2012090451.tif 000009
【図８】
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【図９】
2012090451.tif 000011
【図１０】
2012090451.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルに、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調を表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記初期化期間においては、前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を行い、
特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルでは、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くし、前記特定セル初期化サブフィールドを有するフィールドにおいて、前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間で発光しない前記放電セルは、それ以降の前記サブフィールドの書込み期間でも発光しない
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて前記プラズマディスプレイパネルに階調を表示する駆動回路とを有するプラズマディスプレイ装置であって、
前記駆動回路は、
前記初期化期間においては、前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドにおいて書込み放電を発生した放電セルに選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とのいずれかの初期化動作を行い、
特定の放電セルで強制初期化動作を行い他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドの書込み期間において、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記選択初期化動作を行った放電セルでは、前記特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に前記強制初期化動作を行った放電セルよりも、走査パルスと書込みパルスとが同時に放電セルに印加されている期間を長くし、前記特定セル初期化サブフィールドを有するフィールドにおいて、前記特定セル初期化サブフィールドの書込み期間で発光しない前記放電セルは、それ以降の前記サブフィールドの書込み期間でも発光しない
ことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【国際調査報告】
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