(57)【要約】本発明は、高い透過率及び良好な表示品位が得られる液晶表示パネル及び液晶表示装置を提供する。本発明の液晶表示パネルは、第一基板、第二基板、及び、液晶層を備える液晶表示パネルであって、上記液晶層は、第一基板と第二基板との間に挟持され、上記第一基板は、第二基板に対向し、ソースバスライン、ゲートバスライン、及び、第一電極を有し、上記第一基板及び第二基板は、少なくとも一方に線状の配向規制構造体を有し、上記第一電極は、線状の開口部を有し、該線状の開口部は、基板主面を平面視したときに、該線状の配向規制構造体に沿っており、上記第一電極のエッジの少なくとも一部は、ソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して斜めである液晶表示パネルである。
2012124501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板、第二基板、及び、液晶層を備える液晶表示パネルであって、
該液晶層は、第一基板と第二基板との間に挟持され、
該第一基板は、第二基板に対向し、ソースバスライン、ゲートバスライン、及び、第一電極を有し、
該第一基板及び第二基板は、少なくとも一方に線状の配向規制構造体を有し、
該第一電極は、線状の開口部を有し、該線状の開口部は、基板主面を平面視したときに、該線状の配向規制構造体に沿っており、
該第一電極のエッジの少なくとも一部は、ソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して斜めである
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記第一電極のエッジの少なくとも一部は、前記線状の開口部及び前記線状の配向規制構造体に対して垂直方向に沿っている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記ソースバスライン及び前記ゲートバスラインの少なくとも一方は、その長手方向の少なくとも一部が、前記第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記第一基板及び前記第二基板の少なくとも一方は、ブラックマトリクスを有し、
該ブラックマトリクスは、前記第一電極に対応する開口部を有し、該開口部の輪郭線の少なくとも一部が、前記第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記第一基板は、前記第一電極の前記液晶層側とは反対側に形成された第二電極を有し、
該第二電極は、そのエッジの少なくとも一部が、前記第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記液晶層は、電圧印加時に基板主面に対して水平方向に配向する液晶材料を含む
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記第一電極は、画素電極である
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
前記線状の配向規制構造体は、ソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して平行ではない
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
前記線状の配向規制構造体は、リブである
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記第二基板は、第三電極を有し、
前記線状の配向規制構造体は、該第三電極に設けられた開口部である
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶表示パネルを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル及び液晶表示装置に関する。より詳しくは、液晶の配向を制御するためのスリット構造を有する電極等を備えた液晶表示パネル及び液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、近年、パーソナルコンピュータ、テレビジョン、カーナビゲーション、携帯電話等の携帯情報端末のディスプレイ等に薄型軽量の利点から幅広く利用され、種々の表示手段において欠くことのできないものとなっている。このような液晶表示パネルを備える液晶表示装置において、その表示方式はセル内で液晶をどのように配列させるかによって決定される。従来、液晶表示装置の表示方式としては、縦方向電界駆動方式（縦電界モード）及び横方向電界駆動方式（横電界モード）が知られている。具体的には、縦方向電界駆動方式としては、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モードが知られている。横方向電界駆動方式としては、例えば、ＩＰＳ（In-plane Switching）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等が知られている。【０００３】
そして、このような表示方式を用いた液晶表示装置は大量に生産されている。例えば、ＴＮモードの液晶表示装置は、広く一般的に用いられている。しかしながら、ＴＮモードの液晶表示装置は、視野角が狭い等の点で改善の余地がある。【０００４】
これに対し、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置は、櫛歯構造の電極やスリットが設けられた電極を用いて、液晶層と平行な方向（言い換えれば、基板主面に対して水平な方向、又は、横方向）に電界を印加して液晶の配向状態のスイッチングを行う。横方向電界駆動方式は、原理的に視野角が広く、広視野角を実現している（例えば、特許文献１〜３参照。）。【０００５】
また、ＶＡモードは、広視野角の特性を得るのに有利な方式であり、その適用用途が拡大している。これら各種のモードにおいて、視野角特性等を満足させるための様々な工夫がなされている。中でも、この分野における近年の重要な技術の１つとして、液晶分子の配向方向を１つの画素内で異なるように画素内の領域を分ける配向分割の手法があり、これによって視野角特性を向上させることができる。特に、そのような配向分割がなされて優れた広視野角の特性を満足できるＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モードが注目されている。【０００６】
従来のＭＶＡモードの液晶表示装置の１つとして、相互に対向して配置された第一基板及び第二の基板と、前記第一の基板及び前記第二の基板の間に封入された垂直配向型液晶と、前記第一の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、前記第一の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域毎に形成されたスイッチング素子及び画素電極と、前記第一の基板の画素領域に設けられて前記スイッチング素子と接続された制御電極と、前記第二の基板に設けられたコモン電極とを有し、前記画素電極が複数の副画素電極に分割され、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも一部の副画素電極が前記制御電極と容量結合し、前記制御電極に電圧が印加されると、前記制御電極に容量結合した副画素電極に、前記制御電極との間で形成される容量と前記液晶を介して前記コモン電極との間で形成される容量との比に応じた電圧が印加される液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献４参照。）。【０００７】
ところで、液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通常、複数の電極や半導体及び絶縁膜が露光工程及びエッチング工程の繰り返しによってパターン形成されるが、Ｇ４サイズ（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ）以上の大型基板に対しては、スループットなどの要求から従来使用されていたステッパー方式による分割露光では無く大型マスクを使用したスキャン露光が主流となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１０１１０号公報
【特許文献２】特開２００３−２８００１７号公報
【特許文献３】特開２００３−１５１４６号公報
【特許文献４】特開２００５−２９２３９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図２３は、特許文献１に係る液晶表示装置の電極を示す平面模式図であり、図２４は、もう一つの従来の横方向電界駆動方式の液晶表示装置の顕微鏡写真であり、透過表示時の画素の一部を示す。特許文献１に係る液晶表示装置は、ＩＰＳモードでカラーシフト現象を防止して画質特性を改善することを目的としたものであり、図２３に示すように、櫛歯状に形成された画素電極１２５とスリットが設けられた共通電極１２８とが組み合わされ、斜め方向のスリット（開口）が形成される。これにより、液晶層と平行な方向（基板主面に対して水平な方向、又は、横方向）に電界を印加して液晶の配向状態のスイッチングを行うことができる。しかし、図２３中の破線で囲まれた領域においては、画素電極１２５のエッジのゲートバスラインに沿う部分は、ゲートバスラインと平行に形成され、また、画素電極１２５が断線しない一定の幅を有するようにスリットの先端部の形状が決定される。しかしながら、画素電極の形状が適切に液晶分子に電界を印加して液晶分子の配向を安定化し、応答速度の低下、残像、ザラツキ等の表示品位の低下を充分に防止する点で工夫の余地があった。【００１０】
また従来のもう一つの横方向電界駆動方式の液晶表示装置においても、特許文献１に係る液晶表示装置と同様に、画素電極の形状が適切に液晶分子に電界を印加できるものとなっていないため、図２４に示すように、液晶分子の配向が乱れてしまうおそれがあった。【００１１】
図２５は、特許文献２に係る液晶表示装置の電極を示す平面模式図である。上記した点に関して、図２５に示すように、特許文献２に係る液晶表示装置は、櫛歯状に形成された画素電極１２５′とスリットが設けられた共通電極１２８′とが組み合わされ、特許文献１に係る液晶表示装置と比較して、画素電極のスリットの先端部は適切に液晶分子に電界を印加でき、液晶分子の配向を安定化できるような形状に形成されている。しかし、図２５中の破線で囲まれた領域において、先端の形状がストレートから斜めになり、ライン（電極幅）及びスペース（電極間隔）が一定である部分の距離が短くなっているため、開口率（透過率）が低下する点、また、透過率低下により輝度が低下するという点で、改善の余地があった。また、特許文献３に記載の液晶表示装置においても、同様に、透過率及び輝度を向上させるための改善の余地があった。【００１２】
特許文献４に係る液晶表示装置は、ＭＶＡモードの液晶表示装置に係るものであり、走査信号が供給されるゲートバスラインに沿って画素エッジが形成されているが、このような画素の形状においては、透過率及び輝度を向上させるための工夫の余地があった。【００１３】
なお、上述したスキャン露光においては、スキャン方向に依存した線幅変化や重ねズレが原因となって表示ムラ（スキャンムラ）が発生してしまうおそれがある。更に、ステッパー方式による分割露光及びスキャン露光のいずれの露光方式においても、ブロック単位で露光を行う場合、アライメントズレによってソースバスラインと画素電極との距離がブロック単位毎に異なることとなり、ブロック分かれと呼ばれる顕著な表示ムラが発生しやすくなる。なお、電極の開口部の仕上がり幅がブロック単位で異なる場合も、ブロック分かれが発生してしまう。【００１４】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、高い透過率及び良好な表示品位が得られる液晶表示パネル及び液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、高い透過率及び良好な表示品位が得られる液晶表示パネル及び液晶表示装置について鋭意検討を行ったところ、液晶分子の配向に大きく影響する電極の形状に着目した。そして、第一電極（例えば、画素電極）のエッジに斜め成分を有する部分を一か所以上設けることにより、開口率を向上させることができること、このような斜め成分をもたせるという思想は、第一電極（例えば、画素電極）のエッジ以外に、信号線のエッジ、ブラックマトリクス（ＢＭ）の開口部の輪郭線、下層電極エッジのいずれか、又は、これらの全てにおいて適用することができること、これにより、更に開口率を向上したり、ゲート電界の影響を少なくして配向を安定化し、ざらつきを抑制して表示品位を向上したりすることができることを見出した。ここで、画素内へのゲート電界の影響が少なくなると、同じＢＭ設計であれば配向乱れ領域が画素内に現れにくくなる（配向安定）ことを見出した。そして、特にＭＶＡ構造において、開口率を向上したり配向乱れを改善したりできる液晶表示パネルを実現できることを見出し、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。【００１６】
すなわち、本発明は、第一基板、第二基板、及び、液晶層を備える液晶表示パネルであって、上記液晶層は、第一基板と第二基板との間に挟持され、上記第一基板は、第二基板に対向し、ソースバスライン、ゲートバスライン、及び、第一電極を有し、上記第一基板及び第二基板は、少なくとも一方に線状の配向規制構造体を有し、上記第一電極は、線状の開口部を有し、該線状の開口部は、基板主面を平面視したときに、該線状の配向規制構造体に沿っており、上記第一電極のエッジの少なくとも一部は、ソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して斜めである液晶表示パネルである。【００１７】
上記第一電極のエッジの少なくとも一部が、ソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して斜めであるとは、上記第一電極のエッジ（外側端）がソースバスラインに隣接する部分の少なくとも一部と、ソースバスラインとのなす角が０°以外であること、及び／又は、上記第一電極のエッジがゲートバスラインに隣接する部分の少なくとも一部と、ゲートバスラインとのなす角が０°以外であることをいう。上記なす角は、例えば５°以上が好ましい。また、６０°以下が好ましい。また、上記第一電極のエッジの少なくとも一部が、第一電極の中心側から外側に向かって突出するように斜めになっていることが好ましい。言い換えれば、上記第一電極が、上記第一電極が配置される画素と隣接する画素のいずれかに向かって突出する部分を有することが好ましい。これにより、好適に透過率を向上することができる。また、上記第一電極のエッジは、一直線にはならず、その一部が、バスラインの少なくとも一方に対して０°以外の角度を形成することが好ましい。【００１８】
上記第一電極のエッジの少なくとも一部は、上記線状の開口部及び上記線状の配向規制構造体に対して垂直方向に沿っていることが好ましい。上記第一電極のエッジの少なくとも一部が、上記線状の開口部及び上記線状の配向規制構造体に対して垂直方向に沿っているとは、本発明の技術分野において、上記第一電極のエッジの少なくとも一部の方向が、基板主面を平面視したときに、上記線状の開口部に対する垂直方向、及び、上記線状の配向規制構造体に対する垂直方向にそれぞれ近似している（例えば、それぞれ垂直に対して１５°以下であることが好ましい。例えば、線状の配向規制構造体とゲートバスラインのなす角が４５°の場合、第一電極のエッジの少なくとも一部とゲートバスラインのなす角は４５°がより好ましい。）といえることをいう。また、上記第一電極のエッジの少なくとも一部は、基板主面を平面視したときに、上記線状の開口部に対する垂直方向に実質的に平行であり、及び／又は、上記線状の配向規制構造体に対する垂直方向に実質的に平行であることが好ましい。このような形態により、液晶分子の配向を安定化したうえで、透過率を更に向上することができる。【００１９】
上記線状の配向規制構造体は、配向規制の観点等からは、リブであることが本発明の好ましい形態の１つである。上記リブは、第一基板が有するリブであってもよく、第二基板が有するリブであってもよい。また、上記第二基板は、第三電極（対向電極）を有し、上記線状の配向規制構造体は、該第三電極に設けられた開口部であることもまた本発明の好ましい形態の１つである。なお、上記画素電極は、通常は画素ごとに設けられたものである。一方、上記対向電極は、通常は第二基板の全面にわたって設けられたものである。上記線状の配向規制構造体が、上記対向電極に設けられた開口部である形態では、当該開口部が、第一電極が有する線状の開口部とともに液晶分子の配向を規制して、例えば液晶表示パネルにおける画素が４ドメインを形成する。より好ましい形態としては、基板主面を平面視したときに、第一電極の線状の開口部が対向電極の線状の開口部と沿っている形態である。上記開口部は、基板主面を平面視したときに、通常は上記線状の配向規制構造体として上記開口部の代わりにリブが配置されていた場合に当該リブに相当する部分、言い換えれば、当該リブと重畳する部分に設けられる。例えば、上記対向電極は、透明電極（例えば、ＩＴＯ〔酸化インジウム錫〕）、ＩＺＯ〔酸化インジウム亜鉛〕等であり、この透明電極に開口部（抜き）を設けることができる。上記線状の配向規制構造体が、第二基板が有する対向電極に設けられた開口部である形態により、リブによる光漏れがなくなり、コントラスト比（ＣＲ）を向上することができる。また上記第二基板にリブ、スリット等の配向規制構造体が設けられることが好ましい。なお、本明細書中では、原則として「線状の配向規制構造体」を第一電極が有する線状の開口部とは別個のものとして記載しているが、第一電極が有する線状の開口部も通常は配向規制構造体としての機能を有する。【００２０】
更に、本明細書において、上記線状の開口部が、基板主面を平面視したときに、上記線状の配向規制構造体に沿っているとは、本発明の技術分野において、該開口部が配向規制構造体に沿っているといえるものであればよく、ここでは、上記線状の開口部が、基板主面を平面視したときに、線状の配向規制構造体に対向するように配置されるとともに、その方向も線状のリブの方向と近似している（例えば、１０°以下）ことをいう。また、上記線状の開口部は、基板主面を平面視したときに、線状の配向規制構造体に実質的に平行であることが好ましい。このように線状の開口部、線状の配向規制構造体等の線状の配向制御用パターンが形成されていることにより、電圧無印加時には、 配向膜の影響により基板面近くの液晶分子は基板面に対して略垂直な方向に配向し、電圧印加時には、液晶分子が配向制御用パターンに向かって横並びに配向する。【００２１】
上記ソースバスライン及び／又はゲートバスラインは、表示領域において直線状に設けられていることが好ましい。直線状に設けられているとは、ここではバスラインの中心線が概ね直線状である限り、バスラインのエッジが直線状でなくてもよい。上記ソースバスライン及び／又はゲートバスラインが表示領域において直線状に設けられていることにより、その総長が短くなる分、抵抗が低くなり、液晶表示装置の駆動電圧が高くなることを充分に抑制することができる。また、上記総長が短くなることで、断線の発生率が低下し、歩留まりを充分に高いものとすることができる。【００２２】
また、本明細書において、第一電極の開口部とは、第一電極の内側端を輪郭線とすると認識し得るものであればよく、外側に向かって開口しているものであってもよい。例えば、第一電極が互いに電気的に結合していない主電極とサブ電極とから構成される場合に、主電極とサブ電極との間の線状の開口もまた第一電極の開口部である。なお、本明細書中、線状とは、一方向に延在していると認識し得る形状から構成されるものであればよく、例えばＶ字形状、直線形状等が挙げられる。【００２３】
また、上記第一電極のエッジのみが上記したように斜めに配置されるのでなく、バスラインのエッジ、ブラックマトリクス（ＢＭ）、第二電極のエッジもまた、上記第一電極のエッジと平行に形成されていることが好適である。以下に詳細に説明する。【００２４】
上記ソースバスライン及び上記ゲートバスラインの少なくとも一方は、その長手方向の少なくとも一部が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っていることが好ましい。上記「第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っている」とは、基板主面を平面視したときに、上記ソースバスライン及び上記ゲートバスラインの少なくとも一方における、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に隣接する部分の長手方向が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部の方向と近似する（例えば、上記ソースバスライン及び上記ゲートバスラインの少なくとも一方の部分の長手方向と、上記第一電極のエッジの少なくとも一部とのなす角が１５°以下であることが好ましい。より好ましくは、１０°以下である。）ことをいう。これにより、第一電極のエッジを隣接するバスラインのエッジから離すことができるため、このバスラインに起因する電界が第一電極に影響するのを抑制できる。すなわち、このバスラインと第一電極との間に発生する容量を低減できる。その結果、液晶分子の配向が乱れるのをより効果的に抑制でき、かつ、スキャンムラの発生を抑制することができる。また、上記ソースバスライン及び上記ゲートバスラインの少なくとも一方は、その長手方向の少なくとも一部が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に実質的に平行であることが好ましい。【００２５】
上記第一基板及び上記第二基板の少なくとも一方は、ブラックマトリクスを有し、上記ブラックマトリクスは、上記第一電極に対応する開口部を有し、該開口部の輪郭線の少なくとも一部が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っていることが好ましい。上記「第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っている」とは、基板主面を平面視したときに、上記ブラックマトリクスの開口部の輪郭線における、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に隣接する部分が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部の方向と近似する（例えば、上記ブラックマトリクスの開口部の輪郭線の少なくとも一部と、上記第一電極のエッジの少なくとも一部とのなす角が１５°以下であることが好ましい。より好ましくは、１０°以下である。）ことをいう。これにより、液晶分子の配向が良好な箇所がブラックマトリクスによって遮光されないため、残像、応答速度の低下等の表示品位の低下も充分に抑制したうえで、開口率及び輝度を向上させることができる。【００２６】
上記第一基板は、上記第一電極の上記液晶層側とは反対側に形成された第二電極を有し、該第二電極は、そのエッジの少なくとも一部が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っていることが好ましい。上記「第一電極のエッジの少なくとも一部に沿っている」とは、基板主面を平面視したときに、上記第二電極のエッジにおける、上記第一電極のエッジの少なくとも一部に隣接する部分の方向が、上記第一電極のエッジの少なくとも一部の方向と近似する（例えば、上記第二電極のエッジの少なくとも一部と、上記第一電極のエッジの少なくとも一部とのなす角が１５°以下であることが好ましい。より好ましくは、１０°以下である。）ことをいう。第二電極の形状は、例えば、面状形状とすることができる。第二電極は、本明細書中、下層電極とも言う。【００２７】
上記第一基板は、補助容量信号線を有することが好ましい。また、上記補助容量信号線は、上記第二電極に接触していることが特に好ましい。これにより、Ｃｓ容量が増え、スキャンムラを低減することができる。【００２８】
上記液晶層は、電圧印加時に基板主面に対して水平方向に配向する液晶材料を含むことが好ましい。また、上記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含むことが好ましい。【００２９】
上記第一電極は、画素電極であることが好ましい。また、上記第二電極は、共通電極であることが好ましい。第一電極を画素電極、第二電極を共通電極とすることで、共通電極がゲートバスライン及びソースバスラインと重畳するのを防ぎ、ゲートバスライン及びソースバスラインの容量を小さくすることができる。その結果、ゲートバスライン及びソースバスラインの信号遅延を抑え、本発明の液晶表示装置を高精細及び／又は大型の液晶表示装置として好適に利用することができる。なお、液晶表示装置は、一般的に、高精細及び大型になるほど、信号遅延の影響を受けやすくなる。【００３０】
上記線状の配向規制構造体は、ソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して平行ではないことが好ましい。第一電極のエッジがソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対しての斜め成分を有することにより、線状の配向規制構造体と画素電極との間の配向をより好適に制御でき、このように配向規制構造体におけるソースバスライン及びゲートバスラインの少なくとも一方に対して平行な部分（例えば、補助リブの一部）を設けなくても、液晶分子の配向を充分に制御することができる。これにより、開口率（透過率）を更に向上させることができる。配向規制構造体がリブであるときに補助リブの一部を設けない形態とすることにより、開口率向上効果を特に発揮できる。【００３１】
本発明の液晶表示装置の表示モードとしては、縦方向電界駆動方式が好適に用いられる。また、本発明の液晶表示装置の表示モードとしては、ＭＶＡモードがより好適に用いられる。【００３２】
なお、上記画素電極とは、各画素領域毎に形成される透明電極であり、スイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）に接続される透明電極（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等）である。また、上記第一電極は、容量成分により電圧降下をうける透明電極であり、スイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）に直接接続されていないサブ画素電極であってもよい。サブ画素電極については、図２４及び図２５を用いて後に詳述する。なお、上記第二電極の材料も、上記画素電極と同様のものとすることができる。【００３３】
本発明の液晶表示パネルは、一部の画素において、第一電極等の各部材が上記したように構成されるものであればよいが、実質的にすべての画素において、第一電極等の各部材が上記したように構成されるものであることが好ましい。【００３４】
本発明はまた、本発明の液晶表示パネルを備える液晶表示装置でもある。本発明の液晶表示装置としては、例えば、パーソナルコンピュータ、テレビジョン、カーナビゲーション、携帯電話等の携帯情報端末等が好適なものとして挙げられる。なお、本発明の液晶表示装置が備える液晶表示パネルの好ましい形態は、本発明の液晶表示パネルの好ましい形態と同様である。【００３５】
本発明の液晶表示パネル及び液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではなく、液晶表示パネル及び液晶表示装置に通常用いられるその他の構成を適宜適用することができる。【００３６】
上述した各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、高い透過率及び良好な表示品位が得られる液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】図１に示す線分Ａ１−Ａ２にて切断した状態における液晶表示パネルの断面模式図である。
【図４】実施形態１の変形例に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図５】実施形態２に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図６】図５の一部を拡大した図である。
【図７】実施形態２の変形例に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図８】実施形態３に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図９】図８の一部を拡大した図である。
【図１０】実施形態３の変形例に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図１１】実施形態４に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図１２】図１１の一部を拡大した図である。
【図１３】実施形態４の変形例に係る液晶表示パネルの画素の一部を拡大した図である。
【図１４】実施形態５に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図１５】実施形態５に係るＣＦ基板側の電極のみを示す平面模式図である。
【図１６】実施形態５に係るＣＦ基板側の電極の９画素（絵素）分を概略的に示す平面模式図である。
【図１７】実施形態６に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図１８】図１７の一部を拡大した図である。
【図１９】実施形態１〜６における液晶表示パネルの構造を示す分解斜視模式図である。
【図２０】図１９に示した液晶表示パネルを備える液晶表示装置の構造を示す分解斜視模式図である。
【図２１】従来の液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図２２】従来の液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
【図２３】特許文献１に係る液晶表示装置の電極を示す平面模式図である。
【図２４】従来の横方向電界駆動方式の液晶表示装置の顕微鏡写真である。
【図２５】特許文献２に係る液晶表示装置の電極を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。なお、実施形態２以降において、前述の実施形態と同様の機能を発揮する部材及び部分は図面に同様に示したうえで符号等の記載や説明を適宜省略する。
【００４０】
本明細書中、画素とは、一つのスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ〔ＴＦＴ〕）によって駆動が制御される領域を言う。言い換えれば、表示に必要な機能を実現できる最小単位であり、通常は、表示領域内において、表示のために一つのスイッチング素子によって駆動が制御される領域を言う。また、実施形態における、薄膜トランジスタ〔ＴＦＴ〕を有する基板をＴＦＴ基板と言い、ＴＦＴ基板に対向する、カラーフィルタ（ＣＦ）を有する基板をＣＦ基板と言う。そして、本明細書中、ドレイン電極とコンタクトホールを介して接続された画素電極を主画素電極といい、ドレイン電極と直接接続されない画素電極をサブ画素電極という。本明細書中、斜め成分は、０°以外の角を有する箇所ともいう。
【００４１】
実施形態１
図１は、実施形態１に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図であり、より正確には、表示領域内の１つの画素及びその周辺を示す。図２は、図１の一部を拡大した図である。実施形態１に係る液晶表示パネルの電極エッジ（主画素電極１５ａのエッジ）は、ゲートバスラインと隣接する箇所に最低一か所の斜め成分を有する。ここで、画素電極エッジは、ゲートバスライン１６の近傍において、全て直線形状とはならず、少なくとも一部（図２における破線で示した楕円部分内）が、ゲートバスライン１６に対して斜めに配置される。言い換えれば、画素エッジの少なくとも一部と、ゲートバスライン１６とのなす角がそれぞれ、０°以外となる。具体的には、図２中、実線で示した楕円部分内は、直線形状であるが、破線で示した楕円部分内は、ゲートバスライン１６に対して斜めになっている。画素エッジの少なくとも一部と、当該画素エッジの少なくとも一部に隣接する信号線であるゲートバスライン１６とのなす角は、５°以上が好ましい。また、６０°以下が好ましい。なお、ソースバスライン１９と隣接する画素エッジの少なくとも一部がソースバスライン１９に対して斜めに配置される形態であってもよい。画素エッジの少なくとも一部と、当該画素エッジの少なくとも一部に隣接する信号線であるソースバスライン１９とのなす角の好ましい範囲は、上記したのと同様である。
【００４２】
画素電極エッジ（主画素電極１５ａのエッジ）の一部は、基板主面を平面視したときに、線状のリブ３３及び画素電極の線状の開口部６１に対して垂直方向に沿っている。画素電極エッジの少なくとも一部が、線状のリブ３３及び画素電極の線状の開口部６１に対する垂直方向に対してなす角が、それぞれ１５°以下であることが好ましい。より好ましくは、１０°以下であり、更に好ましくは、実質的に０°である。すなわち、図１及び図２に示すように、主画素電極１５ａのエッジの一部が、線状のリブ３３に対する垂直方向、及び、画素電極の線状の開口部６１に対する垂直方向と平行である形態が更に好ましい。なお、線状の配向制御用突起において、画素の中をバスラインに対して通常４５°の角度で配置されている部分をリブともいい、画素電極エッジ近傍において画素電極エッジ部分に水平に配置されている部分を補助リブともいう。
【００４３】
実施形態１の液晶表示パネルによれば、画素電極エッジが部分的に斜め成分を有することにより、その付近において、適切に液晶分子に電圧を印加することができる開口部を広げることができる。その結果、透過率を向上できる。
【００４４】
実施形態１に係る液晶表示パネルは、ＭＶＡモードの液晶表示装置に用いられる構造（ＭＶＡ構造）を有する。画素電極は、開口部（スリット）６１を有する。言い換えれば、主画素電極１５ａとサブ画素電極１５ｂとの間に開口部（スリット）６１がある。また、ＣＦ基板は、リブ３３を有する。
【００４５】
図１では、主画素電極１５ａ及びサブ画素電極１５ｂの下層に、下層電極１８を有しているが、下層電極１８を有さなくてもよい。下層電極１８を有する場合、補助容量信号線２４の上面に接触して下層電極１８を構成することにより、下層電極１８は補助容量信号線２４の電位を直接供給する構造となる。このような下層電極１８がある場合は、Ｃｓ容量が増え、スキャンムラに対して強い構造となる点で好ましい。なお、下層電極１８を有する場合、主画素電極１５ａ、サブ画素電極１５ｂ及び下層電極１８で液晶の配向を制御する。
【００４６】
実施形態１に係る液晶表示パネルは、サブ画素電極１５ｂを備える（サブ画素電極構造）。図１に示すように、ソースバスライン１９とゲートバスライン１６とで区画された領域に、主画素電極１５ａとサブ画素電極１５ｂとが設けられる。当該区画された領域が画素に相当する。ソースバスライン１９とゲートバスライン１６とはいずれも表示領域において直線状に形成されている。主画素電極１５ａは、コンタクトホール７１を介してドレイン電極５２と接続され、ＴＦＴ３０からの信号が直接入力されるのに対して、サブ画素電極１５ｂは、いずれの電極にも接続されず、ＴＦＴ３０からの信号が直接入力されない。サブ画素電極１５ｂは、ドレイン電極５２に電位が与えられたとき、ドレイン電極５２とサブ画素電極１５ｂとの間にある絶縁体による電界効果により電位が変化する。すなわち、ＴＦＴ３０から信号が入力されたとき、主画素電極１５ａとサブ画素電極１５ｂとは、互いに異なる電位となる。図１に示す液晶表示パネルにおいては、主画素電極１５ａの対向する位置にＶ字型に形成されたリブ３３が備えられ、主画素電極１５ａによって配向制御される領域は４つに分けられる。これにより液晶表示パネルの視野角を広くすることができる。また、サブ画素電極１５ｂによって配向制御される領域も、主画素電極１５ａと同様に４つに分けられるが、主画素電極１５ａとサブ画素電極１５ｂとは、上記のように電位が異なるから、配向制御される領域（ドメイン）はあわせて８つに分けられる。したがって、第一電極が主画素電極１５ａ及びサブ画素電極１５ｂを含むことにより、非常に視野角の広い液晶表示パネルが得られる点で好ましい。また、これらの領域における電圧−透過率曲線（Ｖ−Ｔ曲線）が異なるものとなることにより、実施形態１のようなサブ画素電極１５ｂを備える液晶表示パネルにおいては、画素全体のＶ−Ｔ曲線はなだらかになるため、線幅変化、重ねズレ、アライメントズレ、及び、電極の開口部の仕上がり幅差の少なくとも１つが多少発生しても、画素毎の透過率に大きな差は生じなくなる。その結果、液晶表示パネルにおけるスキャンムラ、ブロック分かれ等の表示ムラを抑制することができる。この効果は、サブ画素電極無構造に係る実施形態においても、ＭＶＡ構造にもとづいてある程度は発揮されることとなる。
【００４７】
主画素電極１５ａ及びサブ画素電極１５ｂは、ＩＴＯ等の透明導電膜をスパッタリングにより成膜し、その透明導電膜をパターニングして形成される。下層電極１８も同様に、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成される。下層電極１８は、基板主面を平面視したときに、主画素電極１５ａ及びサブ画素電極１５ｂと重畳するように配置される。これらは、画素の形状にあわせて適当な形状に形成される。なお、ＩＴＯ以外の、ＩＺＯ等の透明電極を用いてもよい。
【００４８】
図１においては、主画素電極１５ａのエッジの少なくとも一部がバスラインに対して斜めに配置されていたが、サブ画素電極１５ｂのエッジの少なくとも一部がバスラインに対して斜めに配置される形態であってもよい。また、主画素電極１５ａがサブ画素電極１５ｂの外側に配されていたが、サブ画素電極が、主画素電極の外側に配されてもよい。更に、実施形態１における画素は、縦長画素であるが、横長画素（１画素における走査信号線の長さが、映像信号線より長い構造）でもよい。
【００４９】
なお、ソースバスライン１９及びゲートバスライン１６を直線状に形成することにより、ソースバスライン１９又はゲートバスライン１６をＶ字型に形成するのに比べ、ソースバスライン１９又はゲートバスライン１６の総長が短くなることから、抵抗を低くすることができる。すなわち、駆動電圧が上昇するのを防止することができる。また、総長を短くすることで、断線する確率を下げることができるため、歩留まりが向上する。
【００５０】
図３は、図１に示す線分Ａ１−Ａ２にて切断した状態における液晶表示パネルの断面模式図である。
実施形態１の液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された複数のＴＦＴ３０を有するＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に貼り合わされた対向基板としてのＣＦ基板２５とがシール材により貼り合わされている。そして、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２５との間には、負の誘電率異方性を有する液晶分子（ネガ型の液晶材料）を含有する液晶層２３が封入されている。
【００５１】
ＴＦＴ基板１０は、透明なガラス基板１１（上記第一基板に相当）を有し、ガラス基板１１上には、第一配線層（ゲートバスライン１６、ゲート電極５３及び補助容量信号線２４）、第二電極（下層電極１８）、ゲート絶縁膜５９、半導体層（ｎ＋）５８、第二配線層（ソースバスライン１９、ソース電極５１及びドレイン電極５２）、絶縁層５７、コンタクトホール、第一電極（主画素電極１５ａ及びサブ画素電極１５ｂ）、及び、配向膜５５がこの順に形成されている。なお、ソースバスライン１９、ソース電極５１及びドレイン電極５２と、ゲートバスライン１６及びゲート電極５３とは、ゲート絶縁膜５９によって電気的に絶縁されている。半導体層５８は、ゲート絶縁膜５９を介して、ゲート電極５３上に形成されている。ソース電極５１とドレイン電極５２とは、半導体層５８を介して、電気的に接続され得る。  
【００５２】
ＣＦ基板２５は、透明のガラス基板２１（上記第二基板に相当）を有し、ガラス基板２１上には、ブラックマトリクス２０が設けられている。ブラックマトリクス２０は、ＴＦＴ基板１０のソースバスライン１９、ＴＦＴ３０、ゲートバスライン１６、及び、これらの周辺の領域を遮光するように形成されている。更に、ガラス基板２１上には、色層２６が設けられている。色層２６は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３種類の着色層が所定の画素配列に基づいて各画素毎に択一的に配置されている。なお、着色層を構成するものとしては、ＲＧＢの組合せ以外に、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の補色を用いてもよいし、４色以上の組合せ（例えば、ＲＧＢＹ）を用いてもよい。また、ＣＦ基板２５と液晶層２３との界面には配向膜５６が設けられている。更に、配向膜５６上には、対向するＴＦＴ基板１０へ向かって伸びるように形成された柱状スペーサ（図示せず）が形成されている。なお、ブラックマトリクス２０は、ＴＦＴ基板１０上に形成してもよい。また、ＴＦＴ基板１０の液晶層２３とは反対側には、偏光板３５が設けられ、ＣＦ基板２５の液晶層２３とは反対側には、偏光板３６が設けられている。
【００５３】
図４は、実施形態１の変形例に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。実施形態１に係る液晶表示パネルは、図１に示したように、各画素領域毎に主画素電極１５ａとサブ画素電極１５ｂとを備えていたが、実施形態１の変形例に係る液晶表示パネルは、各画素領域毎に１つの画素電極１５′のみを備える（サブ画素電極無構造）。なお、実施形態１の変形例においては、画素電極１５′の開口部６１′は外に対して開かれていない。実施形態１の変形例においても、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極エッジの斜め成分と同様の特徴を有し、当該特徴にもとづく効果を得ることができる。実施形態１の変形例の好ましい形態は、上述した実施形態１の好ましい形態と同様である。
【００５４】
実施形態２
図５は、実施形態２に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図であり、より正確には、１つの画素及びその周辺を示す。図６は、図５の一部を拡大した図である。実施形態１の液晶表示パネルでは、ゲートバスライン１６のエッジ及び下層電極１８のエッジは、直線状に形成されていたが、実施形態２の液晶表示パネルにおいては、図５及び図６（図６の破線で示した楕円部分内）に示すように、ゲートバスライン１１６のエッジ及び下層電極１１８のエッジが、それぞれ主画素電極１１５ａの斜め成分に沿って形成された部分を含む。言い換えれば、画素電極エッジがゲートバスライン１１６に対して０°以外の角度を有する箇所で、ゲートバスライン１６のエッジ、下層電極のエッジも、画素電極エッジに沿っている。ゲートバスライン１６のエッジ及び下層電極のエッジが、画素電極エッジとほぼ平行に形成される形態が好ましい。それ以外は、実施形態２の液晶表示パネルは、実施形態１の液晶表示パネルと同様である。
【００５５】
実施形態２の液晶表示パネルによれば、ゲートバスライン１６が画素電極エッジに沿っている（ゲートバスライン１６のエッジが斜め成分を含む）ことにより、主画素電極１１５ａのエッジをゲートバスライン１１６のエッジから更に離すことができるため、ゲートバスライン１１６に起因する電界が主画素電極１１５ａに影響するのをより抑制できる。すなわち、ゲートバスライン１１６と主画素電極１１５ａとの間に発生する容量をより低減できる。その結果、液晶分子の配向が乱れるのを更に効果的に抑制でき、ざらつき等を低減して表示品位を向上できる。また、スキャンムラの発生をいっそう抑制することができる。なお、画素電極エッジの少なくとも一部（斜め成分）とゲートバスラインのエッジの少なくとも一部（斜め成分）とのなす角は、１５°以下であることが好ましい。より好ましくは、１０°以下であり、更に好ましくは、実質的に０°である。すなわち、画素電極エッジの少なくとも一部（斜め成分）とゲートバスラインのエッジの少なくとも一部（斜め成分）とは実質的に平行であることが好ましい。
【００５６】
また、実施形態２においては、ゲートバスライン１１６が画素電極エッジの斜め成分に沿って形成されているが、ソースバスライン１１９が画素電極エッジ（例えば、サブ画素電極１１５ｂのエッジ）の斜め成分に隣接する場合は、ソースバスライン１１９のエッジが画素電極エッジの斜め成分に沿って形成された部分を含んでもよい。これにより、ソースバスライン１１９と画素電極（例えば、サブ画素電極１１５ｂ）との間に発生する容量を低減することができる。
【００５７】
また、下層電極１１８が画素電極エッジに沿っていると、画素電極との重なり面積が増え、Ｃｓ容量が増加する。これにより、保持容量が増える為、スキャンムラに強い構造となる。
【００５８】
実施形態２では、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極のエッジの斜め成分と同じ特徴を有し、当該特徴にもとづく効果を得ることができる。
【００５９】
図７は、実施形態２の変形例に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。実施形態２に係る液晶表示パネルは、図５に示したように、各画素領域毎に主画素電極１１５ａとサブ画素電極１１５ｂとを備えていたが、実施形態２の変形例に係る液晶表示パネルは、各画素領域毎に１つの画素電極１１５′のみを備える（サブ画素電極無構造）。なお、実施形態２の変形例においては、画素電極１１５′の開口部１６１′は外に対して開かれていない。実施形態２の変形例においても、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極エッジの斜め成分と同様の特徴を有し、下層電極エッジの斜め成分、走査信号線エッジの斜め成分が、実施形態２における下層電極エッジの斜め成分、走査信号線エッジの斜め成分と同じ特徴を有し、当該特徴にもとづく効果を得ることができる。実施形態２の変形例の好ましい形態は、上述した実施形態２の好ましい形態と同様である。
【００６０】
実施形態３
図８は、実施形態３に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。図８は、１つの画素及びその周辺を示す。図９は、図８の一部を拡大した図である。実施形態１及び２の液晶表示パネルは、ブラックマトリクス（ＢＭ）が矩形状に形成されていたが、実施形態３の液晶表示パネルは、図８に示すように、ＢＭが、画素電極に対応する開口部を有し、該開口部の輪郭線の少なくとも一部が、画素電極のエッジの少なくとも一部（斜め成分）に沿っている。言い換えれば、画素電極エッジ部、下層電極、ゲートバスライン、ＢＭが最低一か所斜め成分を有する。それ以外は実施形態３の液晶表示パネルは、実施形態２の液晶表示パネルと同様である。
【００６１】
実施形態３の液晶表示パネルによれば、ＢＭの開口部の輪郭線の少なくとも一部が画素電極エッジに沿っている（ＢＭの開口部の輪郭線が画素電極エッジの斜め成分に隣接して斜め成分を含む）ことにより、開口面積が増え、開口率を向上させることができる。なお、画素電極エッジの少なくとも一部（斜め成分）とＢＭの開口部の輪郭線の少なくとも一部（斜め成分）とのなす角は、１５°以下であることが好ましい。より好ましくは、１０°以下であり、更に好ましくは、実質的に０°である。すなわち、画素電極エッジの少なくとも一部（斜め成分）とＢＭの開口部の輪郭線の少なくとも一部（斜め成分）とは実質的に平行であることが好ましい。
【００６２】
実施形態３においても、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極エッジの斜め成分と同様の特徴を有し、下層電極の斜め成分、ゲートバスラインの斜め成分が、実施形態２における下層電極の斜め成分、ゲートバスラインの斜め成分と同様の特徴を有し、当該特徴にもとづく効果を得ることができる。実施形態３の好ましい形態は、上述した実施形態１、実施形態２の好ましい形態と同様である。
【００６３】
ゲートバスライン、ＢＭ、下層電極の全てが上記のように特定されたものであることが好ましいが、これらのうち、いずれか１つ、又は、いずれか２つの組み合わせであってもよく、それぞれが本発明の好ましい形態である。
【００６４】
図１０は、実施形態３の変形例に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。実施形態３に係る液晶表示パネルは、図８に示したように、各画素領域毎に主画素電極２１５ａとサブ画素電極２１５ｂとを備えていたが、実施形態３の変形例に係る液晶表示パネルは、各画素領域毎に１つの画素電極２１５′のみを備える（サブ画素電極無構造）。なお、実施形態３の変形例においては、画素電極２１５′の開口部２６１′は外に対して開かれていない。実施形態３の変形例においても、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極エッジの斜め成分と同様の特徴を有し、下層電極エッジの斜め成分、走査信号線エッジの斜め成分が、実施形態２における下層電極エッジの斜め成分、走査信号線エッジの斜め成分と同じ特徴を有し、実施形態３の変形例におけるＢＭの開口部の輪郭線の斜め成分が、実施形態３におけるＢＭの開口部の輪郭線の斜め成分と同じ特徴を有し、当該特徴にもとづく効果を得ることができる。実施形態３の変形例の好ましい形態は、上述した実施形態３の好ましい形態と同様である。
【００６５】
実施形態４
図１１は、実施形態４に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。図１２は、図１１の一部を拡大した図である。実施形態１〜３の液晶表示パネルは、図１２における実線で囲まれた部分（矩形部分）に画素電極等の斜め成分が存在し、破線で囲まれた部分（楕円部分）にリブから延びた補助リブが該画素電極のエッジと平行に設けられ、言い換えればゲートバスラインと平行に設けられていたが、実施形態４に係る液晶表示パネルは、図１１及び図１２に示すように、破線で囲まれた部分（楕円部分）に、画素電極のエッジの斜め成分が存在し、かつ画素電極のエッジの斜め成分以外のエッジと平行な補助リブ（言い換えれば、ゲートバスラインと平行な補助リブ）が設けられていない。また、実施形態４では、図１２に示されるように、基板主面を平面視したときに画素電極エッジからリブ３３ａ先端が突き出している。勘合ズレ（ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのアライメントズレ）が生じた時には、画素電極エッジからリブ３３ａの先端が突き出す形態が配向に有利な構造となる。すなわち、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのアライメントズレが生じた場合であっても、ＴＦＴ基板の画素電極とＣＦ基板のリブ３３ａとの位置的な関係のズレに起因する液晶分子の配向への影響をより小さなものとすることができる。具体的には、画素電極とリブで配向を規制しているが、例えば、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とのアライメントズレが生じると、リブが画素内に引っ込んでしまい、配向を規制する為のリブが無くなり、液晶分子の配向に影響が生じる場合があるが、このような影響を充分に防止することができる。それ以外は実施形態４の液晶表示パネルは、実施形態１の液晶表示パネルと同様である。破線で囲まれた部分において、画素電極等の斜め成分を設けることにより、リブと画素電極との間の液晶分子をより好適に制御することができ、ゲートバスライン及び／又はソースバスラインと平行な補助リブが延びていないリブ（例えば、リブ３３ａ）としても良くなる。このようにゲートバスライン及びソースラインの少なくとも一方と平行な補助リブを設けないことにより、更に開口率を向上することができる。
【００６６】
画素電極のエッジ等の斜め成分は、従来補助リブが配置されていた箇所の近傍であることが好ましく、これにより斜め成分の近傍（参照番号３５で示した箇所の付近）において補助リブを設けなくても液晶分子を好適に制御することができる。このような補助リブは、例えば、図１等に示されるように基板主面を平面視したときにリブとともに第一電極の開口部を取り囲むように、第一電極のエッジ近傍に配置され、液晶分子の配向を好適に制御するものである。
【００６７】
なお、実施形態４においても、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極エッジの斜め成分と少なくとも同様の特徴を有し、その好ましい形態も実施形態１における画素電極エッジの斜め成分の好ましい形態と同様である。
【００６８】
図１１及び図１２においては、下層電極、ゲートバスライン、ＢＭにおいて、実施形態２、３に示したような斜め成分を示していないが、実施形態４に係る液晶表示パネルにおいても、実施形態２、３と同様に、下層電極、ゲートバスライン、ＢＭの、一つ又は全てで斜め成分を設ける形態であってもよく、当該形態が好ましい。また、当該斜め成分の好ましい形態、及び、その他の部分、部材の好ましい形態も、上述した実施形態２、実施形態３における好ましい形態と同様である。
なお、図１１及び図１２では、ＴＦＴをソースバスラインの右側に設けているが、ＴＦＴをソースバスラインの左側に設ける構造であってもよく、当該構造では、ＴＦＴと画素電極との干渉を充分小さくすることができる。
また、図１１では各画素領域毎に主画素電極とサブ画素電極とを備える液晶表示パネルを示しているが、画素電極の開口部が外に対して開かれておらず、液晶表示パネルが各画素領域毎に１つの画素電極のみを備える構造（サブ画素電極無構造）であってもよい。
【００６９】
図１３は、実施形態４の変形例に係る液晶表示パネルの画素の一部を拡大した図である。図１２では、画素電極エッジからリブ先端が突き出している形態を示したが、図１３では、画素電極エッジからリブ３３ａ′先端が突き出しておらず、画素電極エッジとリブ３３ａ′の先端とが実質的に同じである形態を示す。このような形態であってもよく、本発明の効果を充分に発揮することができる。
【００７０】
実施形態５
図１４は、実施形態５に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。実施形態１〜４の液晶表示パネルは、対向基板にリブ及び補助リブを有していたが、実施形態５に係る液晶表示パネルは、対向基板がリブ及び補助リブを有さないとともに、対向基板が面状のＩＴＯ電極を有し、ＩＴＯ電極は、一点鎖線で囲まれた部分（すなわち、基板主面を平面視したときに、実施形態１〜４におけるリブに相当する部分、言い換えれば、当該リブと重畳する部分）に、開口部を有する。このような開口部により、液晶分子の配向を好適に規制し、画素において４ドメインを形成することができる。このように配向制御構造体としてリブ及び補助リブの代わりに対向基板に設けられたＩＴＯ電極の開口部を用いることにより、リブ等による光漏れがなくなるので、コントラスト比が向上するという効果がある。
【００７１】
また実施形態５においても、画素電極エッジの斜め成分が、実施形態１における画素電極エッジの斜め成分と同様の特徴を有し、その好ましい形態も実施形態１における画素電極エッジの斜め成分の好ましい形態と同様である。
【００７２】
図１４においては、下層電極、ゲートバスライン、ブラックマトリクス（ＢＭ）において、実施形態２、３に示したような斜め成分を示していないが、実施形態５に係る液晶表示パネルにおいても、実施形態２、３と同様に、下層電極、ゲートバスライン、ＢＭの、一つ又は全てで斜め成分を設けてよく、当該形態が好ましい。また、当該斜め成分の好ましい形態、及び、その他の部分、部材の好ましい形態も上述した実施形態２、実施形態３における好ましい形態と同様である。
【００７３】
また、図１４では各画素領域毎に主画素電極とサブ画素電極とを備える液晶表示パネルを示しているが、画素電極の開口部が外に対して開かれておらず、液晶表示パネルが各画素領域毎に１つの画素電極のみを備える構造（サブ画素電極無構造）であってもよい。
【００７４】
図１５は、実施形態５に係るＣＦ基板側の電極のみを示す平面模式図である。図１６は、実施形態５に係るＣＦ基板側の電極の９画素（絵素）分を概略的に示す平面模式図である。図１５は、図１４に対応して１画素分のＣＦ基板側の電極のみを示す。図１５及び図１６の一点鎖線は、図１４と同様に、対向電極の開口部を示す。実施形態５におけるＣＦ基板側の電極は、第二基板の全面にわたって形成されたものである。実施形態１〜４におけるリブに相当する部分のみＣＦ基板側の電極が切り欠けられている。
【００７５】
実施形態６
図１７は、実施形態６に係る液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。図１７は、１つの画素及びその周辺を示す。図１８は、図１７の一部を拡大した図である。実施形態６の液晶表示パネルは、画素電極３１５のエッジの少なくとも一部が、ゲートバスライン３１６と隣接する箇所にゲートバスライン３１６に対して斜めである箇所（画素電極エッジが斜め成分を有する箇所）が複数存在する（実施形態６は、ゲートバスライン３１６に隣接する画素電極３１５のエッジ１辺当たり２箇所存在する）。これにより、透過率を更に向上することができる。画素ピッチが広くなると、このように斜め成分が１か所ではなく、複数箇所存在する形態が特に好適となる。例えば、短辺８５μｍ以上の画素ピッチで斜め成分が複数存在する設計が可能になることから、本願発明では、短辺における画素ピッチが８５μｍ以上の画素において斜め成分が複数箇所存在する形態を適用することが好ましい。
【００７６】
実施形態６に係る液晶表示パネルの画素電極３１５のエッジは、ゲートバスライン３１６と隣接する箇所に最低一か所の斜め成分を有する。ここで、画素電極エッジは、ゲートバスライン３１６の近傍において、全て直線形状とはならず、少なくとも一部（図１８における実線で示した円内）が、ゲートバスライン３１６に対して斜めに配置される。言い換えれば、画素エッジの少なくとも一部と、ゲートバスライン３１６とのなす角がそれぞれ、０°以外となる。画素電極３１５のエッジの少なくとも一部と、当該画素電極３１５のエッジの少なくとも一部に隣接する信号線であるゲートバスライン３１６とのなす角は、５°以上が好ましい。また、６０°以下が好ましい。なお、ソースバスライン１９と隣接する画素エッジの少なくとも一部がソースバスライン１９に対して斜めに配置される形態であってもよい。画素エッジの少なくとも一部と、当該画素エッジの少なくとも一部に隣接する信号線であるソースバスライン１９とのなす角の好ましい範囲は、上記したのと同様である。
【００７７】
実施形態６に係る液晶表示パネルは、ＭＶＡモードの液晶表示装置に用いられる構造（ＭＶＡ構造）を有する。画素電極は、開口部（スリット）３６１を有する。言い換えれば、画素電極３１５に開口部（スリット）３６１がある。また、ＣＦ基板は、リブ３３３を有する。
【００７８】
図１７では、画素電極３１５の下層に、下層電極（図示せず）を有しているが、下層電極を有さなくてもよい。下層電極を有する場合、補助容量信号線３２４の上面に接触して下層電極を構成することにより、下層電極は補助容量信号線３２４の電位を直接供給する構造となる。このような下層電極がある場合は、Ｃｓ容量が増え、スキャンムラに対して強い構造となる点で好ましい。なお、下層電極を有する場合、画素電極３１５及び下層電極で液晶の配向を制御する。
【００７９】
実施形態６に係る液晶表示パネルは、図１７に示すように、ソースバスライン３１９とゲートバスライン３１６とで区画された領域に、画素電極３１５が設けられる。当該区画された領域が画素に相当する。ソースバスライン３１９とゲートバスライン３１６とはいずれも表示領域において直線状に形成されている。画素電極３１５は、コンタクトホール（図示せず）を介してドレイン電極と接続され、ＴＦＴからの信号が直接入力される。
【００８０】
画素電極３１５は、ＩＴＯ等の透明導電膜をスパッタリングにより成膜し、その透明導電膜をパターニングして形成される。下層電極も同様に、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成される。下層電極は、基板主面を平面視したときに、画素電極３１５と重畳するように配置される。これらは、画素の形状にあわせて適当な形状に形成される。
【００８１】
図１７においては、画素電極３１５のエッジの少なくとも一部がバスラインに対して斜めに配置されていたが、画素電極が主画素電極及びサブ画素電極から構成される場合、主画素電極のエッジの少なくとも一部とサブ画素電極のエッジの少なくとも一部とがそれぞれバスラインに対して斜めに配置される形態であってもよい。例えば、斜め成分が、主画素電極のエッジ１辺当たり１箇所存在し、サブ画素電極のエッジ１辺当たり１箇所存在する形態であってもよい。また、実施形態６における画素は、縦長画素であるが、横長画素（１画素における走査信号線の長さが、映像信号線より長い構造）でもよい。
【００８２】
なお、ソースバスライン３１９及びゲートバスライン３１６を直線状に形成することにより、ソースバスライン３１９又はゲートバスライン３１６をＶ字型に形成するのに比べ、ソースバスライン３１９又はゲートバスライン３１６の総長が短くなることから、抵抗を低くすることができる。すなわち、駆動電圧が上昇するのを防止することができる。また、総長を短くすることで、断線する確率を下げることができるため、歩留まりが向上する。
【００８３】
実施形態６の液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された複数のＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に貼り合わされた対向基板としてのＣＦ基板とがシール材により貼り合わされている。そして、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間には、負の誘電率異方性を有する液晶分子（ネガ型の液晶材料）を含有する液晶層２３が封入されている。
【００８４】
ＴＦＴ基板は、透明なガラス基板（上記第一基板に相当）を有し、ガラス基板上には、第一配線層（ゲートバスライン３１６、ゲート電極及び補助容量信号線３２４）、第二電極（下層電極）、ゲート絶縁膜、半導体層（ｎ＋）、第二配線層（ソースバスライン３１９、ソース電極及びドレイン電極）、絶縁層、コンタクトホール、第一電極（画素電極３１５）、及び、配向膜がこの順に形成されている。なお、ソースバスライン３１９、ソース電極及びドレイン電極と、ゲートバスライン３１６及びゲート電極とは、ゲート絶縁膜によって電気的に絶縁されている。半導体層は、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極上に形成されている。ソース電極とドレイン電極とは、半導体層を介して、電気的に接続され得る。  
【００８５】
ＣＦ基板は、透明のガラス基板（上記第二基板に相当）を有し、ガラス基板上には、ブラックマトリクスが設けられている。ブラックマトリクスは、ＴＦＴ基板のソースバスライン３１９、ＴＦＴ、ゲートバスライン３１６、及び、これらの周辺の領域を遮光するように形成されている。更に、ガラス基板上には、色層が設けられている。色層は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３種類の着色層が所定の画素配列に基づいて各画素毎に択一的に配置されている。なお、着色層を構成するものとしては、ＲＧＢの組合せ以外に、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の補色を用いてもよいし、４色以上の組合せ（例えば、ＲＧＢＹ）を用いてもよい。また、ＣＦ基板と液晶層との界面には配向膜が設けられている。配向膜の表面は、ラビング処理されており、近傍の液晶分子の配向方向を規定する。更に、配向膜上には、対向するＴＦＴ基板へ向かって伸びるように形成された柱状スペーサ（図示せず）が形成されている。なお、ブラックマトリクスは、ＴＦＴ基板上に形成してもよい。また、ＴＦＴ基板の液晶層とは反対側には、偏光板が設けられ、ＣＦ基板の液晶層とは反対側には、偏光板が設けられている。
【００８６】
実施形態６は、画素電極エッジのみが斜め成分を有する実施例であるが、実施形態２、３と同様に下層電極、走査信号線、ＢＭも同様に対応するパターンが存在してもよく、そのような形態が実施形態２、３と同様の効果を発揮できる点で好ましい。
【００８７】
実施形態１〜６において、下層電極は画素電極の液晶層とは反対側に形成されていた。すなわち、画素電極が第一電極に対応し、下層電極が第二電極に対応していたが、逆に、下層電極が第一電極に対応し、画素電極が第二電極に対応していてもよく、すなわち、下層電極のエッジが斜め成分を有する形態であってもよい。
【００８８】
図１９は、実施形態１〜６における液晶表示パネルの構造を示す分解斜視模式図である。図１９に示されるように、液晶表示パネル１００のＣＦ側の基板２５とＴＦＴ基板１０とは液晶層２３を挟持する。また、液晶表示パネル１００の背面に、バックライト７３を備えたものを、バックライト付き液晶表示パネル２００とする。バックライト７３の光は、偏光板３５、ＴＦＴ基板１０、液晶層２３、ＣＦ側の基板２５、及び、偏光板３６をこの順に通過し、液晶の配向制御により光の通過・非透過を制御する。
【００８９】
図２０は、図１９に示した液晶表示パネルを備える液晶表示装置９００の構造を示す分解斜視模式図である。図１９に示されるように、バックライト付き液晶表示パネル２００は、固定パネル４００上に固定され、前部キャビネット３００及び後部キャビネット５００により封じられる。そして、後部キャビネット５００と上部スタンド７００とが金具６００を介して固定される。また上部スタンド７００と下部スタンド８００とが嵌め合わせされる。
【００９０】
上述した実施形態に係る液晶表示パネルは、ＭＶＡモードの液晶表示装置に好適に用いられる。また、上述した実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【００９１】
図２１及び図２２は、従来の液晶表示パネルの画素を示す平面模式図である。
図２１に示した液晶表示パネルは、実施形態１と異なり、画素電極エッジが斜め成分を有さない。それ以外は、実施形態１に示した構成と同様である（サブ画素電極構造）。なお、図２２に示した液晶表示パネルは、画素電極エッジが斜め成分を有さない以外は、実施形態１の変形例と同様である（サブ画素電極構造）。このような従来の液晶表示パネルにおいては、本発明に係る液晶表示パネルのように開口率を充分に高めることができないものであった。
【００９２】
上述した実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【００９３】
なお、本願は、２０１１年３月１１日に出願された日本国特許出願２０１１−０５４５３６号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
【符号の説明】
【００９４】
１０：ＴＦＴ基板
１１、２１：ガラス基板
１５′、１１５′、２１５′、３１５、４１５′：画素電極
１５ａ、１１５ａ、２１５ａ、４１５ａ：主画素電極
１５ｂ、１１５ｂ、２１５ｂ、４１５ｂ：サブ画素電極
１６、１１６、２１６、３１６、４１６：ゲートバスライン
１８、１１８、２１８、４１８：下層電極
１９、１１９、２１９、３１９、４１９：ソースバスライン
２０、１２０、２２０、４２０：ブラックマトリクス
２３：液晶層
２４、１２４、２２４、３２４、４２４：補助容量信号線
２５：ＣＦ基板
２６：色層
３０：ＴＦＴ
３３、３３ａ、３３ａ′、１３３、２３３、３３３、４３３：リブ
３５、３６：偏光板
５１：ソース電極
５２、１５２、２５２、４５２：ドレイン電極
５３：ゲート電極
５５、５６：配向膜
５７：絶縁層
５８：半導体層（ｎ＋）
５９：ゲート絶縁膜
６１、６１′、１６１、１６１′、２６１、２６１′、３６１、４６１、４６１′：開口部
７１、１７１、２７１、４７１：コンタクトホール
７３：バックライト
１００：液晶表示パネル
１２５、１２５′：櫛歯状に形成された画素電極
１２８、１２８′：スリットが設けられた共通電極
２００：バックライト付き液晶表示パネル
３００：前部キャビネット
４００：固定パネル
５００：後部キャビネット
６００：金具
７００：上部スタンド
８００：下部スタンド
９００：液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【国際調査報告】
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