(57)【要約】  研磨用組成物は、砥粒を含まずにシリコンウェハを研磨する研磨用組成物であって、ｐＨ緩衝剤と、研磨促進剤と、水溶性高分子と、ブロック型化合物とを含む。その結果、研磨用組成物を用いてシリコンウェハを研磨することによって、０．１μｍ／ｍｉｎよりも大きい研磨速度が得られる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒を含まずにシリコンウェハを研磨する研磨用組成物であって、
アミン化合物または無機アルカリ化合物からなる研磨促進剤と、
水溶性高分子と、
オキシエチレン基およびオキシプロピレン基がブロック型ポリエーテルに含まれるブロック型化合物とを含む、研磨用組成物。
【請求項２】
炭酸塩と炭酸水素塩とからなるｐＨ緩衝剤を更に含む、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウェハを研磨する研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコンウェハを研磨する研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウェハの研磨において、一般的に多段研磨が行なわれている。即ち、１次研磨でシリコンウェハを平坦にし、その後の２次研磨以降で、シリコンウェハの表面をより精密に仕上げる多段研磨が行なわれている。【０００３】
１次研磨においては、高い研磨レートとシリコンウェハの平坦性が求められる。従来の１次研磨用の研磨組成物には、研磨レートを得るために、砥粒が用いられている。そして、この砥粒としてナノメートルオーダーのコロイド状粒子等が用いられる。【０００４】
近年、ウェハ品質の要求精度が高まるにつれ、１次研磨においても、スクラッチ、およびＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｆｅｃｔ）の防止・対策が必要となってきた。【０００５】
砥粒を用いた研磨組成物による機械的研磨は、高い研磨レートを得ることができるが、同時に、スクラッチの発生およびＬＰＤを生み出す要因となり得る。【０００６】
スクラッチの発生およびＬＰＤの低減対策として、砥粒に着目し、砥粒を含まずにシリコンウェハを研磨する研磨用組成物Ａが知られている（特許文献１）。この研磨用組成物Ａは、水溶性ケイ酸成分とアルカリ成分とを含有し、ｐＨが８．５〜１３であるアルカリ性水溶液からなる。【０００７】
そして、この研磨用組成物Ａは、砥粒を含む研磨用組成物Ｂでシリコンウェハを研磨した後の研磨に用いられる。即ち、研磨用組成物Ａは、シリコンウェハの２段研磨における後段の研磨に用いられる。従って、実質的な無砥粒の研磨用組成物による研磨を実現できていない。また、研磨レートを得るために、通常、用いられている３００ｇｆ／ｃｍ２前後の高い研磨圧を要するため、スクラッチの増加や、ふちだれ等のウェハの形状悪化の問題がある。更に、高い研磨圧による研磨は、研磨温度の上昇を伴うため、ケミカル成分の反応性が局所的に高まることにより、ウェハの面内の厚みがばらつくと言った平坦性の問題が生じる。【０００８】
また、シリコンウェハの多段研磨においては、後段の研磨は、より微細な粗さ、スクラッチおよびナノメートルオーダーの欠陥、ＬＰＤの除去・低下が主な課題となる。
【特許文献１】特開平９−３０６８８１号公報
【発明の開示】
【０００９】
しかし、シリコンウェハの１次研磨において、砥粒を除いた組成にて研磨を行なうと、一般に機械的研磨作用が低下し、研磨レートが低下するという問題がある。また、研磨後のウェハにおけるＨａｚｅおよびＬＰＤのバラツキが大きいという問題もあった。
【００１０】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、砥粒を含まず、かつ、シリコンウェハの１次研磨に適用可能な研磨レートが得られる研磨用組成物を提供することである。
【００１１】
また、この発明の別の目的は、砥粒を含まず、かつ、シリコンウェハの１次研磨に適用可能な研磨レートが得られる研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することである。
【００１２】
この発明によれば、研磨用組成物は、砥粒を含まずにシリコンウェハを研磨する研磨用組成物であって、研磨促進剤と、水溶性高分子と、オキシエチレン基およびオキシプロピレン基がブロック型ポリエーテルに含まれるブロック型化合物とを含む。研磨促進剤は、アミン化合物または無機アルカリ化合物からなる。
【００１３】
また、この発明によれば、研磨方法は、請求項１または請求項２に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウェハを研磨する研磨方法である。
【００１４】
この発明の実施の形態によれば、研磨用組成物は、砥粒を含まずにシリコンウェハを研磨する研磨用組成物であって、研磨促進剤と、水溶性高分子と、ブロック型化合物とを含む。その結果、研磨用組成物を用いてシリコンウェハを研磨することによって、０．１μｍ／ｍｉｎよりも大きい研磨速度が得られる。
【００１５】
また、この水溶性高分子とブロック型化合物の効果によって、ＨａｚｅおよびＬＰＤを低減させることができる。特に、ブロック型化合物は、１つの高分子鎖の中に親水性と疎水性の基を持ち、且つ、共存する水溶性高分子に比べ、分子量が小さいことから、分子鎖・液中での立体サイズがより小さい。これにより、シリコンウェハ表面への吸着速度が速く、立体障害も生じにくいことから、シリコンウェハ表面に高密度に結合することが可能となる。更に、親水性と疎水性の基を持つブロック共重合体は、研磨された直後のシリコンウェハ表面、即ち、反応性の高いシリコンと親水性の基が速やかな結合を生じる。逆に、疎水性の部位は、分子鎖が吸着した後のシリコンウェハ表面に位置し、研磨環境下に存在する異物の吸着を防ぐことができる。また、水溶性高分子は、水素結合により水分子を含む立体の高分子鎖を形成することで、シリコンウェハ表面を親水性に保つことができる。これら水溶性高分子とブロック型化合物の両方を含むことで、それぞれ単体で用いる場合より、より良い効果を得ることができる。
【００１６】
従って、この発明の実施の形態による研磨用組成物をシリコンウェハの１次研磨に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】相対研磨レートとブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。
【図２】ＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。
【図３】ＬＰＤとブロック型化合物の濃度との他の関係を示す図である。
【図４】Ｈａｚｅとブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。
【図５】ＬＰＤの分布とブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。
【図６】ＬＰＤの分布とブロック型化合物の濃度との他の関係を示す図である。
【図７】Ｈａｚｅの分布とブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。【００１９】
この明細書においては、研磨に関連する説明を記載する場合には、「シリコンウェハ」を用い、化学反応に関連する説明を記載する場合には、「シリコン」を用いる。【００２０】
この発明の実施の形態による研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、砥粒を含まずにシリコンウェハを研磨する研磨用組成物であって、ｐＨ緩衝剤と、研磨促進剤と、水溶性高分子と、下記一般式（１）で示される２つの窒素を有するアルキルアミン構造を含み、かつ、少なくとも１つのブロック型ポリエーテルがアルキルアミン構造の２つの窒素のいずれかに結合された化合物であって、オキシエチレン基およびオキシプロピレン基がブロック型ポリエーテルに含まれる化合物とを含む。【００２１】
【化１】
2012105651.tif 000002
【００２２】
なお、この発明の実施の形態においては、オキシエチレン基およびオキシプロピレン基がブロック型ポリエーテルに含まれる化合物を「ブロック型化合物」と言う。【００２３】
研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、酸化層が表面に形成されたシリコンウェハの研磨、即ち、シリコンウェハの１次研磨に用いられる。また、研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、シリコンウェハの片面研磨またはシリコンウェハの両面研磨に用いられる。【００２４】
ｐＨ緩衝剤は、例えば、炭酸塩および炭酸水素塩を含む。緩衝作用としては、炭酸塩と炭酸水素塩とを混合、もしくはそれぞれ単体でも用いることができる。炭酸塩は、アルカリ金属元素のように１価イオンの炭酸塩からなり、例えば、炭酸カリウムおよび炭酸ナトリウムのいずれかからなる。また、アルカリ土類金属元素のように２価の金属イオンから成る炭酸塩およびアンモニウム塩およびアミン炭酸塩のように窒素基および有機化合物からなる炭酸塩も含まれる。例えば、アミン炭酸塩としては、グアニジン炭酸塩、アミノグアニジン炭酸塩、ビグアニド炭酸塩などからなる。また、炭酸水素塩は、炭酸塩と同様にアルカリ・アルカリ土類金属元素の塩、アンモニウム塩、アミン化合物による塩のように無機化合物および有機化合物の塩からなる。例えば、１価のアルカリ金属の炭酸水素化合物としては、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウムのいずれかからなる。【００２５】
ｐＨ緩衝剤は、炭酸塩と炭酸水素塩とを含む。炭酸塩は、１価イオンの炭酸塩からなり、例えば、炭酸カリウムおよび炭酸ナトリウムのいずれかからなる。炭酸水素塩は、１価イオンの炭酸水素塩からなり、例えば、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウムのいずれかからなる。【００２６】
研磨促進剤は、アミン化合物または無機アルカリ化合物からなる。この発明の実施の形態においては、アミン化合物とは、窒素基を含む第１級から第４級のアミンを含むものである。そして、アミン化合物は、炭素数が１〜６であるアミンからなり、例えば、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールからなる。炭素数が６を超えれば、研磨促進剤としてシリコンとの錯体形成能が低下し、単位濃度当たりの効果が低下するからである。【００２７】
無機アルカリ化合物は、例えば、水酸化カリウムからなる。【００２８】
水溶性高分子は、セルロース構造を持つ高分子化合物からなり、例えば、ヒドロキシエチルセルロースからなる。また、水溶性高分子は、ノニオン性高分子化合物からなり、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールおよびポリエチレンオキシドのいずれかからなる。【００２９】
ブロック型化合物は、オキシエチレン基およびオキシプロピレン基がブロック型ポリエーテル１つの高分子鎖の中に親水性と疎水性の基を持つブロック型化合物、例えば、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレンからなる。【００３０】
研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、ｐＨ緩衝剤、研磨促進剤、水溶性高分子およびブロック型化合物を適宜混合して水を加えることによって作製される。また、研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、ｐＨ緩衝剤、研磨促進剤、水溶性高分子およびブロック型化合物を、順次、水に混合することによって作製される。そして、これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、および超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。【００３１】
研磨用組成物ＣＯＭＰ１が上述したｐＨ緩衝剤を含む結果、研磨用組成物ＣＯＭＰ１のｐＨは、１０．５に制御される。【００３２】
この発明の実施の形態においては、研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、キレート剤を更に含んでいてもよい。【００３３】
キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸（EDTA: Ethylene Diamine Tetraacetic Acid）、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸（HEDTA: Hydroxyethyl Ethylene Diamine Triacetic Acid）、ジエチレントリアミン５酢酸（DTPA: Diethylene Triamine Pentaacetic Acid）、ニトリロ三酢酸（NTA: Nitrilo Triacetic Acid）、トリエチレンテトラミン６酢酸（TTHA: Triethylene Tetramine Hexaacetic Acid）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（HIDA: Hydroxyethyl Imino Diacetic Acid）、ジヒドロキシエチルグリシン（DHEG: Dihydroxy Ethyl Glycine）、エチレングリコールビス２アミノエチルエーテル四酢酸（EGTA: Ethylene Glycol bis(2-aminoethylether) Tetraacetic Acid）、および１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸（CDTA:1,2-Cyclohexane Diamine Tetraacetic Acid）のいずれかからなる。また、キレート剤は、これらの置換体および誘導体からなる群から選択される少なくとも１種類の化合物からなる。更に、キレート剤は、有機酸からなっていてもよく、例えば、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸カリウム、クエン酸、クエン酸三ナトリウム、クエン酸一ナトリウム、クエン酸三カリウム、乳酸、およびＤＬ−リンゴ酸のいずれかからなる。【００３４】
そして、キレート剤は、研磨対象物であるシリコンウェハが金属に汚染されるのを防止する。また、キレート剤は、金属汚染防止に対する効果以外に基本的には研磨レートの向上、およびシリコンウェハの表面粗さ等に影響を与えないが、その濃度に応じて研磨用組成物のｐＨが変化する。このため、キレート剤は、ｐＨ調整剤として機能することもある。【００３５】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。【００３６】
実施例１における研磨用組成物の成分および研磨レートを表１に示す。【００３７】
【表１】
2012105651.tif 000003
【００３８】
実施例１の研磨用組成物は、４．７５重量％のＫ２ＣＯ３と、１．１５重量％のＫＨＣＯ３と、０．５０重量％の２−（２−アミノエチルアミン）エタノールと、０．０２５重量％のヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）と、０．０２５重量％のエチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレンと、０．３７５重量％のジエチレントリアミン５酢酸とを含む。【００３９】
実施例１の研磨用組成物は、２種類のｐＨ緩衝剤を含む。【００４０】
（研磨速度評価）
研磨装置（ＤＳＭ２０Ｂ−５Ｐ−４Ｄ（スピードファム社製））を用い、研磨パッド（ウレタン製パッド（ニッタ・ハース株式会社製））に実施例１の２５倍希釈した研磨用組成物を５．０リットル／分の割合で供給し、かつ、直径３００ｍｍのシリコンウェハに１７５（ｇ／ｃｍ２）の圧力を印加しながら研磨定盤を上定盤−１１．９ｒｐｍ／下定盤３５．０ｒｐｍの回転速度で回転させ、キャリアを−８．３ｒｐｍの回転速度で回転させながら、３０〜１２０分間、両面研磨を行なった。【００４１】
研磨終了後、研磨によって除去されたシリコンウェハの厚みの差を黒田精工株式会社製
ウェハ用平坦度検査装置ナノメトロ・３００ＴＴによって測定した。研磨速度は、単位時間当たりに研磨によって除去されたシリコンウェハの厚み（μｍ／分）で評価した。【００４２】
表１に示すように、実施例１の研磨用組成物を用いたときの研磨速度は、０．１４〜０．１５（μｍ／ｍｉｎ）であり、０．１（μｍ／ｍｉｎ）よりも大きい。【００４３】
上述したように、研磨用組成物ＣＯＭＰ１を用いてシリコンウェハを研磨することによって、０．１（μｍ／ｍｉｎ）よりも大きい研磨速度が得られる。【００４４】
従って、研磨用組成物ＣＯＭＰ１をシリコンウェハの１次研磨に適用できる。【００４５】
実施例２，３における研磨用組成物の成分を表２に示す。【００４６】
【表２】
2012105651.tif 000004
【００４７】
実施例２の研磨用組成物は、０．２００重量％のＫ２ＣＯ３と、０．０５０重量％のＫＨＣＯ３と、０．０２０重量％の２−（２−アミノエチルアミン）エタノールと、重量平均分子量が５００，０００であり、濃度が１０ｐｐｍであるヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）と、０．１〜１０ｐｐｍのエチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレンと、０．０１５重量％のジエチレントリアミン５酢酸とを含む。【００４８】
実施例３の研磨用組成物は、０．２００重量％のＫ２ＣＯ３と、０．０５０重量％のＫＨＣＯ３と、０．０２０重量％の２−（２−アミノエチルアミン）エタノールと、重量平均分子量が１，３００，０００であり、濃度が１０ｐｐｍであるヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）と、０．１〜１０ｐｐｍのエチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレンと、０．０１５重量％のジエチレントリアミン５酢酸とを含む。【００４９】
実施例３の研磨用組成物は、実施例２の研磨用組成物におけるヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）の重量平均分子量を５００，０００（Ｍｗ）から１，３００，０００（Ｍｗ）に変えたものである。【００５０】
研磨後のシリコンウェハのＬＰＤおよびＨａｚｅは、日立電子エンジニアリング株式会社製ＬＳ６６００にて測定した。ＬＰＤは、１３０ｎｍより大きいサイズと、９０ｎｍより大きいサイズをそれぞれ測定した。【００５１】
図１は、相対研磨レートとブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。図１において、縦軸は、相対研磨レートを表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、白菱形は、実施例２の研磨用組成物を用いたときの相対研磨レートを示し、白丸は、実施例３の研磨用組成物を用いたときの相対研磨レートを示す。【００５２】
なお、相対研磨レートは、砥粒を含む研磨用組成物を用いたときの研磨レートを１．０としたときの研磨レートを示す。そして、砥粒を含む研磨用組成物は、５重量％のコロイダルシリカと、０．０６重量％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）と、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）とを含み、ｐＨが１１．２である。【００５３】
図１を参照して、相対研磨レートは、０．１〜１０ｐｐｍのブロック型化合物の濃度の全範囲において、１．０よりも大きい。即ち、実施例２，３の研磨用組成物を用いたときの研磨レートは、砥粒を含む研磨用組成物を用いたときの研磨レートよりも大きい。【００５４】
図２は、ＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。図２においては、縦軸は、１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤを表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、白菱形は、実施例２の研磨用組成物を用いたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示し、白丸は、実施例３の研磨用組成物を用いたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示す。更に、黒菱形は、実施例２の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤを示し、黒丸は、実施例３の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤを示す。【００５５】
なお、図２における１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤは、実施例２の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤ（＝黒菱形）を基準として示されている。【００５６】
図２を参照して、実施例２，３の研磨用組成物を用いたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤは、１〜１０ｐｐｍのブロック型化合物の濃度において、ブロック型化合物の濃度が０ｐｐｍである場合よりも小さくなる。【００５７】
図３は、ＬＰＤとブロック型化合物の濃度との他の関係を示す図である。図３においては、縦軸は、９０ｎｍよりも大きいＬＰＤを表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、白菱形は、実施例２の研磨用組成物を用いたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示し、白丸は、実施例３の研磨用組成物を用いたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示す。更に、黒菱形は、実施例２の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤを示し、黒丸は、実施例３の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤを示す。【００５８】
なお、９０ｎｍよりも大きいＬＰＤは、実施例２の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤ（＝黒菱形）を基準として示されている。【００５９】
図３を参照して、実施例２，３の研磨用組成物を用いたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤは、１〜１０ｐｐｍのブロック型化合物の濃度において、ブロック型化合物の濃度が０ｐｐｍである場合よりも小さくなる。【００６０】
図４は、Ｈａｚｅとブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。図４において、縦軸は、Ｈａｚｅ（相対値）を表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、白菱形は、実施例２の研磨用組成物を用いたときのＨａｚｅ（相対値）とブロック型化合物の濃度との関係を示し、白丸は、実施例３の研磨用組成物を用いたときのＨａｚｅ（相対値）とブロック型化合物の濃度との関係を示す。更に、黒菱形は、実施例２の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときのＨａｚｅ（相対値）を示し、黒丸は、実施例３の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときのＨａｚｅ（相対値）を示す。【００６１】
なお、Ｈａｚｅは、実施例２の研磨用組成物においてブロック型化合物の濃度を０ｐｐｍにしたときのＨａｚｅ（＝黒菱形）を基準として示されている。【００６２】
図４を参照して、実施例２，３の研磨用組成物を用いたときのＨａｚｅは、１〜１０ｐｐｍのブロック型化合物の濃度において、ブロック型化合物の濃度が０ｐｐｍである場合よりも小さくなる。【００６３】
従って、ブロック型化合物の濃度は、１〜１０ｐｐｍの範囲が好適である。【００６４】
図５は、ＬＰＤの分布とブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。図５においては、縦軸は、１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤを表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、黒四角は、実施例２の研磨用組成物を用いたときの１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示す。更に、図５中の直線によって示される範囲がＬＰＤの分布範囲を示す。【００６５】
図５を参照して、１３０ｎｍよりも大きいＬＰＤの分布は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を１〜１０ｐｐｍに増加すると、小さくなる。【００６６】
図６は、ＬＰＤの分布とブロック型化合物の濃度との他の関係を示す図である。図６においては、縦軸は、９０ｎｍよりも大きいＬＰＤを表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、黒四角は、実施例３の研磨用組成物を用いたときの９０ｎｍよりも大きいＬＰＤとブロック型化合物の濃度との関係を示す。更に、図６中の直線によって示される範囲がＬＰＤの分布範囲を示す。【００６７】
図６を参照して、９０ｎｍよりも大きいＬＰＤの分布は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を１〜１０ｐｐｍに増加すると、極端に小さくなる。【００６８】
図７は、Ｈａｚｅの分布とブロック型化合物の濃度との関係を示す図である。図７において、縦軸は、Ｈａｚｅ（相対値）を表し、横軸は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を表す。また、黒四角は、実施例３の研磨用組成物を用いたときのＨａｚｅとブロック型化合物の濃度との関係を示す。更に、図７中の直線によって示される範囲がＨａｚｅの分布範囲を示す。【００６９】
図７を参照して、Ｈａｚｅの分布は、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度が１〜１０ｐｐｍに増加すると、極端に小さくなる。【００７０】
このように、ブロック型化合物（＝エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン）の濃度を１〜１０ｐｐｍに増加することによってＬＰＤの分布およびＨａｚｅの分布を小さくすることができる。【００７１】
上述した研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、ｐＨ緩衝剤を含むが、研磨用組成物ＣＯＭＰ１を循環しない場合、研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、ｐＨ緩衝剤を含まなくてもよい。【００７２】
研磨用組成物ＣＯＭＰ１を循環する場合、シリコンウェハの表面に供給される研磨用組成物ＣＯＭＰ１のｐＨが時間の経過とともに変化する。そこで、研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、研磨用組成物ＣＯＭＰ１を循環する場合、ｐＨ緩衝剤を含む。【００７３】
従って、研磨用組成物ＣＯＭＰ１は、研磨用組成物ＣＯＭＰ１を循環する場合、ｐＨ緩衝剤を含み、研磨用組成物ＣＯＭＰ１を循環しない場合、ｐＨ緩衝剤を含まない。【００７４】
なお、この発明の実施の形態においては、ブロック型化合物は、上記の一般式（１）によって表される２つの窒素を有するアルキルアミン構造を含んでいなくてもよく、オキシエチレン基およびオキシプロピレン基がブロック型ポリエーテルに含まれる化合物であればよい。【００７５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
この発明は、シリコンウェハの研磨に用いられる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法に適用される。
【図１】
2012105651.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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