(57)【要約】【課題】化学反応（化学結合）を利用した接着（例えば、分子接着）に好適なものとする為、材料表面に−ＯＨを効果的に生成できる技術を提供することである。【解決手段】基体Ａと基体Ｂとが接合される接合方法であって、前記基体Ａの表面に下記化合物（α）を含む剤が設けられる工程と、前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）に対向して前記基体Ｂが配置される工程と、前記基体Ａ及び／又は前記基体Ｂに力が加えられ、前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合する工程とを具備してなり、前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、前記基体Ａはポリマーが用いられて構成されてなる。
2012043631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体Ａと基体Ｂとが接合される接合方法であって、
前記基体Ａの表面に下記化合物（α）を含む剤が設けられる工程（Ｘ）と、
前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）に対向して前記基体Ｂが配置される工程（Ｙ）と、
前記基体Ａ及び／又は前記基体Ｂに力が加えられ、前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合する工程（Ｚ）
とを具備してなり、
前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、
前記基体Ａはポリマ−が用いられて構成されてなる
ことを特徴とする接合方法。
【請求項２】
前記工程（Ｚ）で加えられる力は、前記力によって、前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）のＯＨ基またはＯＨ生成基から生成したＯＨ基が前記基体Ｂの表面に接するようになる力である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項３】
前記工程（Ｚ）は０〜３００℃の温度下で行われる
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項４】
前記基体Ａの表面に存する前記化合物（α）に対して所定パタ−ンの光が照射される工程（Ｗ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項５】
前記工程（Ｗ）の光照射によって、前記基体Ａと前記化合物（α）のアジド基とが化学反応し、前記基体Ａの表面に前記化合物（α）が結合する
ことを特徴とする請求項４の接合方法。
【請求項６】
前記光は紫外線である
ことを特徴とする請求項４又は請求項５の接合方法。
【請求項７】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項８】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000042
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項９】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000043
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項１０】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000044
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項１１】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000045
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項１２】
前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［ＩＩ］
2012043631.tif 000046
［式中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。ＺはＡｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基である。ｎ，ｍは０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは０〜１００の整数である。］
【請求項１３】
前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項１４】
前記工程（Ｖ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１２の接合方法。
【請求項１５】
前記化合物（β）は下記一般式［Ｔ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１３又は請求項１４の接合方法。
一般式［Ｔ］
Ｌ−Ｓｉ（Ｍ’）ｎ（ＯＭ）３−ｎ
［式中、Ｌは、有機基（有機基は、炭素、水素以外の元素を含んでいても良い。有機基は、脂肪族、芳香族、鎖状、環状の如何なる形態のものでも良い。）である。Ｍ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ｍは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｍ’とＭとは、同一でも、異なるものでも良い。］
【請求項１６】
前記化合物（β）は下記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１３又は請求項１４の接合方法。
一般式［ＩＩＩ］
2012043631.tif 000047
［式中、Ｒ５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは１〜３の整数である。Ｍ１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
【請求項１７】
前記化合物（β）は下記一般式［ＩＶ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１３又は請求項１４の接合方法。
一般式［ＩＶ］
2012043631.tif 000048
［式中、Ｒ５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。全てのＸ’’及びＹ’’は同一でも異なっていても良い。ｎ，ｍは１〜３の整数である。Ｍ１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
【請求項１８】
請求項１〜請求項１７いずれかの接合方法によって前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合されてなる
ことを特徴とする接合体。
【請求項１９】
接着性向上剤であって、
前記剤は、
一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む
ことを特徴とする接着性向上剤。
【請求項２０】
ポリマ−が用いられて構成された基体Ａの表面に設けられる接着性向上剤である
ことを特徴とする請求項１９の接着性向上剤。
【請求項２１】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項１９の接着性向上剤。
【請求項２２】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１９の接着性向上剤。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000049
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２３】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１９の接着性向上剤。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000050
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２４】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１９の接着性向上剤。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000051
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２５】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１９の接着性向上剤。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000052
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２６】
基体表面の特性が改質される表面改質方法であって、
基体の表面に表面改質剤が設けられる工程を具備してなり、
前記表面改質剤は、
一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む
ことを特徴とする表面改質方法。
【請求項２７】
前記表面改質剤が設けられた後、光が照射される工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
【請求項２８】
前記光照射工程は所定パタ−ンで露光が行われる工程である
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
【請求項２９】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
【請求項３０】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000053
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３１】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000054
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３２】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000055
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３３】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２６の表面改質方法。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000056
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３４】
表面改質剤であって、
前記表面改質剤は、
一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む
ことを特徴とする表面改質剤。
【請求項３５】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項３４の表面改質剤。
【請求項３６】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項３４の表面改質剤。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000057
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３７】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項３４の表面改質剤。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000058
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３８】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項３４の表面改質剤。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000059
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３９】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項３４の表面改質剤。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000060
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項４０】
請求項２６〜請求項３３いずれかの表面改質方法が行われてなる基体。
【請求項４１】
下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする新規化合物。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000061
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項４２】
前記化合物が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項４１の新規化合物。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000062
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項４３】
前記化合物が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項４１の新規化合物。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000063
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合方法、接着性向上剤、表面改質方法、表面改質剤、及び新規化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
材料Ａと材料Ｂとを接合する技術には、
（１）  機械的手段（例えば、ボルトとナット、或いはリベット）を用いた接合技術、
（２）  溶接手段（例えば、ハンダ或いはロウ）を用いた接合技術、
（３）  接着剤を用いた接合技術
が有る。【０００３】
前記接合技術（３）は広範囲な分野で用いられている。しかしながら、材料Ａと材料Ｂとの接合（接着）に用いられる接着剤は、如何なるタイプの接着剤でも良いと言うものでは無い。材料Ａと材料Ｂとに適した接着剤が選定されることが大事である。接着条件も大事である。このことは、従来の接着技術（３）の採用は簡単で無いことを意味する。すなわち、これまでの接着剤を用いた接着技術には満足できてない。【０００４】
従来の接着剤による接着の基本（原点）は現象「濡れ」に基づいている。前記「濡れ」現象は、材料の種類、材料の表面状態（特性）、周囲の雰囲気などによって左右される。このことは、接着剤の選定や接着条件の選定が大事と言うことと共通性を有する。【０００５】
「濡れ」は、熱力学の法則から導き出される自由エネルギーの法則に従う。非流動体に対する流動体の濡れは、両者の相互作用定数χで表現される。濡れの範囲に有るχは０〜０．５である。χは、エントロピー項とエンタルピー項とからなる。高分子材料（ポリマー）では、実験的に、前記エントロピー項が約０．３４である。濡れ特性が良い場合には、前記χは０〜０．４５である。従って、濡れ特性が良い場合には、残りのエンタルピー項は、せいぜい、０．１１である。流動体と非流動体との相互作用定数χが０．５の場合、利用できる接着濡れは２２％だけの寄与である。このように、濡れと言っても、接着に寄与する濡れは、全体の濡れの２２％以下である。このことは、非常に狭い範囲でのみ、接着因子の操作が可能と言うことである。すなわち、従来の接着剤による接着は材料依存性が高い接着である。そして、「濡れ」に原点を持つ考えの接着技術は、材料依存性が高い。かつ、計画的な接着が困難である。更には、接着力は濡れ（即ち、分子間力）によるから、接着の信頼性にも課題が有る。例えば、接着剤による接着界面の存する環境が変化した場合、前記濡れ（即ち、分子間力：接着力）にも変動が起きる。このことは、接着の信頼性を低下せしめる。【０００６】
従来の濡れ（分子間力：物理的な力）を応用した接着剤に代わって、本発明者によって、化学結合（化学反応）を応用した接着剤（本明細書では「分子接着剤」と表現されることも有る。）が提案（特許文献１，２，３、非特許文献１，２，３，４，５）された。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２１３６７７号公報
【特許文献２】特開２００７−１７９２１号公報
【特許文献３】特開２００７−１１９７５２号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】日本接着学会誌「２１世紀の接着技術」  森邦夫  ｖｏｌ．４３（６）  ２４２−２４８（２００７）
【非特許文献２】表面技術誌「六価クロムフリー樹脂めっき」  森邦夫  阿部四郎  ｖｏｌ．５９（５）  ２９９−３０４（２００８）
【非特許文献３】分子接着剤を用いる樹脂とシリコーンゴムの直接架橋接着：高木和久  平原英俊  森克仁  成田榮一  大石好行  森邦夫  日本ゴム協会  ８１，８−１３（２００８）
【非特許文献４】分子接着剤を用いるエピクロルヒドリンゴムとポリアミド６の架橋接着  森克仁  松野祐亮  村岡宏樹  工藤孝廣  平原英俊  成田榮一  大石好行  森邦夫  日本ゴム協会誌  ８３（３）  ７１−７６（２０１０）
【非特許文献５】分子接着剤を用いるアルミニウムとＥＰＤＭの直接架橋接着  松野祐亮  工藤孝廣  庭亜子  平原英俊  成田榮一  大石好行  森邦夫  日本ゴム協会誌  ８３（４）  ８９−９４（２０１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記提案の技術においては、例えばコロナ放電処理（前処理）が行われていた。このコロナ放電処理によって、材料表面に−ＯＨが生成する。この材料表面に生成した−ＯＨと分子接着剤との間で化学反応が起こり、分子接着剤が材料に強固に結合（接着：接合）される。【００１０】
しかしながら、コロナ放電処理が行われても、−ＯＨの生成が十分では無い場合が多かった。【００１１】
しかも、材料が高分子材料（ポリマー）の場合、コロナ放電処理が行われると、材料が劣化（分解）する恐れが有る。この分解生成物が材料表面に残っていると、接着力が低下する。この為、コロナ放電処理後に、洗浄が必要となる。しかしながら、例えば溶剤で洗浄した場合、表面に生成した−ＯＨが減少する。従って、この場合には、コロナ放電処理の意味が低下する。【００１２】
かつ、コロナ放電処理は、接着対象の材料の大きさや形状などにも制約を引き起こす。更には、コロナ放電は処理性が良くない。【００１３】
従って、本発明が解決しようとする課題は、コロナ放電を行わずとも、材料表面に−ＯＨを効果的に導入できる技術を提供することである。特に、化学反応（化学結合）を利用した接着（例えば、分子接着）に好適なものとする為、材料表面に−ＯＨを効果的に導入できる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題は、
基体Ａと基体Ｂとが接合される接合方法であって、
前記基体Ａの表面に下記化合物（α）を含む剤が設けられる工程（Ｘ）と、
前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）に対向して前記基体Ｂが配置される工程（Ｙ）と、
前記基体Ａ及び／又は前記基体Ｂに力が加えられ、前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合する工程（Ｚ）
とを具備してなり、
前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、
前記基体Ａはポリマーが用いられて構成されてなる
ことを特徴とする接合方法によって解決される。【００１５】
好ましくは、前記接合方法であって、前記工程（Ｚ）で加えられる力は、前記力によって、前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）のＯＨ基またはＯＨ生成基から生成したＯＨ基が前記基体Ｂの表面に接するようになる力であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００１６】
好ましくは、前記接合方法であって、前記工程（Ｚ）は０〜３００℃の温度下で行われることを特徴とする接合方法によって解決される。【００１７】
好ましくは、前記接合方法であって、前記基体Ａの表面に存する前記化合物（α）に対して所定パターンの光が照射される工程（Ｗ）を更に具備することを特徴とする接合方法によって解決される。【００１８】
好ましくは、前記接合方法であって、前記工程（Ｗ）の光照射によって、前記基体Ａと前記化合物（α）のアジド基とが化学反応し、前記基体Ａの表面に前記化合物（α）が結合することを特徴とする接合方法によって解決される。【００１９】
好ましくは、前記接合方法であって、前記光は紫外線であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００２０】
好ましくは、前記接合方法であって、前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００２１】
好ましくは、前記接合方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００２２】
好ましくは、前記接合方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００２３】
好ましくは、前記接合方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００２４】
好ましくは、前記接合方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする接合方法によって解決される。【００２５】
好ましくは、前記接合方法であって、前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備することを特徴とする接合方法によって解決される。【００２６】
好ましくは、前記接合方法であって、前記工程（Ｘ）又は（Ｖ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナート基および／またはアルコキシチタナート基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備することを特徴とする接合方法によって解決される。前記化合物（β）は、好ましくは、下記一般式[Ｔ]、一般式［ＩＩＩ］又は一般式［ＩＶ］で表わされる化合物である。【００２７】
前記課題は、
前記接合方法によって前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合されてなることを特徴とする接合体によって解決される。【００２８】
前記課題は、
接着性向上剤であって、
前記剤は、
一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む
ことを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００２９】
好ましくは、前記接着性向上剤であって、ポリマーが用いられて構成された基体Ａの表面に設けられる接着性向上剤であることを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００３０】
好ましくは、前記接着性向上剤であって、前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）であることを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００３１】
好ましくは、前記接着性向上剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物であることを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００３２】
好ましくは、前記接着性向上剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００３３】
好ましくは、前記接着性向上剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００３４】
好ましくは、前記接着性向上剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする接着性向上剤によって解決される。【００３５】
前記課題は、
基体表面の特性が改質される表面改質方法であって、
基体の表面に表面改質剤が設けられる工程を具備してなり、
前記表面改質剤は、
一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む
ことを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００３６】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記表面改質剤が設けられた後、光が照射される工程を更に具備することを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００３７】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記光照射工程は所定パターンで露光が行われる工程であることを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００３８】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）であることを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００３９】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００４０】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００４１】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００４２】
好ましくは、前記表面改質方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質方法によって解決される。【００４３】
前記課題は、
表面改質剤であって、
前記表面改質剤は、
一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む
ことを特徴とする表面改質剤によって解決される。【００４４】
好ましくは、前記表面改質剤であって、前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）であることを特徴とする表面改質剤によって解決される。【００４５】
好ましくは、前記表面改質剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質剤によって解決される。【００４６】
好ましくは、前記表面改質剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質剤によって解決される。【００４７】
好ましくは、前記表面改質剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質剤によって解決される。【００４８】
好ましくは、前記表面改質剤であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする表面改質剤によって解決される。【００４９】
前記課題は、下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする新規化合物によって解決される。【００５０】
前記課題は、下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする新規化合物によって解決される。【００５１】
前記課題は、下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする新規化合物によって解決される。【００５２】
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000003
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000004
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000005
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000006
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［ＩＩ］
2012043631.tif 000007
［式中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。Ｚは、Ａｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基である。ｎ，ｍは、０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは、０〜１００の整数である。］
一般式［Ｔ］
Ｌ−Ｓｉ（Ｍ’）ｎ（ＯＭ）３−ｎ
［式中、Ｌは、有機基（有機基は、炭素、水素以外の元素を含んでいても良い。有機基は、置換基を含んでいても良い。有機基は、脂肪族、芳香族、鎖状、環状の如何なる形態のものでも良い。）である。Ｍ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ｍは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｍ’とＭとは、同一でも、異なるものでも良い。］
一般式［ＩＩＩ］
2012043631.tif 000008
［式中、Ｒ５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは、１〜３の整数である。Ｍ１は、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
一般式［ＩＶ］
2012043631.tif 000009
［式中、Ｒ５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。全てのＸ’’及びＹ’’は同一でも異なっていても良い。ｎ，ｍは、１〜３の整数である。Ｍ１は、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
【発明の効果】
【００５３】
プラズマ処理、コロナ放電処理が行われずとも、高分子材料表面に−ＯＨが効果的に導入される。【００５４】
化学反応（化学結合）を利用した接着（例えば、分子接着）が効果的に行われる。この為、接着強度が大きい。しかも、接着の耐久性が高い。例えば、環境変化による接着力の変動が小さい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】ＴＥ−ＤＡＺの1Ｈ−ＮＭＲのスペクトル図
【図２】ＴＥ−ＤＡＺの13Ｃ−ＮＭＲのスペクトル図
【発明を実施するための形態】
【００５６】
第１の本発明は接合方法である。特に、基体Ａと基体Ｂとが接合される接合方法である。この接合方法は、工程（Ｘ）と、工程（Ｙ）と、工程（Ｚ）とを具備する。前記工程（Ｘ）は、前記基体Ａの表面に化合物（α）を含む剤が設けられる工程である。前記工程（Ｙ）は、前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）に対向して前記基体Ｂが配置される工程である。前記工程（Ｚ）は、前記基体Ａ及び／又は前記基体Ｂに力（押圧力（加圧）あるいは引張力（減圧））が加えられ、前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合する工程である。前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する。前記基体Ａはポリマーが用いられて構成されてなる。
【００５７】
前記工程（Ｘ）は、前記化合物（α）を含む（例えば、溶解または分散）溶液中に、基体Ａを浸けることで達成される。前記溶液を基体Ａに吹き付けることでも達成される。この後、必要に応じて、乾燥が行われる。すなわち、溶媒が揮散することによって、基体Ａ表面に前記化合物（α）が残る。前記工程（Ｙ）は、前記基体Ａと前記基体Ｂとを重ねることで達成される。前記工程（Ｚ）は、前記工程（Ｙ）後に、前記基体Ａに前記基体Ｂ側に向けて押圧力を作用させることで達成される。或いは、前記基体Ｂに前記基体Ａ側に向けて押圧力を作用させることで達成される。勿論、前記基体Ａに前記基体Ｂ側に向けて、かつ、前記基体Ｂに前記基体Ａ側に向けて押圧力を作用させても良い。又は、前記基体Ａと前記基体Ｂとが近付くように引張力を作用させることでも達成される。
【００５８】
前記工程（Ｚ）で加えられる力は、特に、好ましくは、前記力によって、前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）のＯＨ基またはＯＨ生成基から生成したＯＨ基が前記基体Ｂの表面に接するようになる押圧力（引張力）である。この力は、押圧力（加圧）の場合には、好ましくは０．０１〜５０ＭＰａ（より好ましくは、０．１〜５ＭＰａ）である。引張力（減圧）の場合には、好ましくは０．００９９〜０．００００１Ｐａ（より好ましくは、０．００９〜０．０００１Ｐａ）である。力の作用時間は、例えば０．１〜２００ｍｉｎである。勿論、これに限られるものでは無い。圧力や時間は、適宜、選択される。これにより、基体Ｂの表面に微小凹凸が有ったとしても、これに応じて基体Ａが変形する。この結果、基体Ａ表面に存する前記化合物（α）のＯＨ基が前記基体Ｂの表面に届く。そして、ＯＨ基が前記基体Ｂの表面に結合する。すなわち、前記化合物（α）による化学結合（反応）によって、前記基体Ａと前記基体Ｂとが強固に結合する。前記（Ｚ）工程は、好ましくは、０〜３００℃の温度下で行われる。より好ましくは、２０〜２５０℃の温度下で行われる。これにより、前記化合物（α）のＯＨ基と前記基体Ｂとの化学反応が効率良く進む。
【００５９】
前記接合方法は、好ましくは、光照射工程を更に具備する。すなわち、光が前記基体Ａの表面に存する前記化合物（α）に向けて照射される。この結果、前記基体Ａと前記化合物（α）のアジド基とが化学反応する。そして、前記基体Ａ表面に前記化合物（α）が結合する。光が照射されなかった箇所では、化学反応が促進されない。従って、この後、洗浄したならば、光照射部位においてのみ、前記化合物（α）が前記基体Ａの表面に存した（結合した）ものになる。光が特定個所に照射されないようにするには、光照射（露光）時に、特定個所にマスクを配置しておけば良い。光照射時に、反射板や反射フィルムを用いることが出来る。これにより、照射効率が高まり、照射範囲が広がる。前記光は、好ましくは、紫外線である。尚、光照射の代わりに加熱手段を採用することも出来る。しかしながら、前記化合物（α）を励起状態のものとする為に採用される加熱手段と光照射手段とを比べたならば、光照射手段の方が好ましかった。
【００６０】
前記化合物（α）のＯＨ基またはＯＨ生成基は、好ましくは、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である。この場合、前記化合物（α）は、アルコキシシリル基とアジド基とを持つ。
【００６１】
前記化合物（α）は、好ましくは、トリアジン（中でも、１，３，５−トリアジン）に、少なくとも一個のアジド基と、少なくとも一個のアルコキシシリル基とが、直接または間接的に結合した構造を持つ。
【００６２】
前記化合物（α）は、好ましくは、前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である。より好ましくは、前記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である。更に好ましくは、前記一般式［Ｉａ］または［Ｉｂ］で表わされる化合物である。
【００６３】
前記一般式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。
【００６４】
前記一般式［Ｉａ］中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。前記炭素数が１〜２４の炭化水素基は、鎖状の炭化水素基、置換基（環状または鎖状）を有する鎖状の炭化水素基、環状基、又は置換基（環状または鎖状）を有する環状基である。例えば、−ＣｎＨ２ｎ＋１，−ＣｎＨ２ｎ−１，−Ｃ６Ｈ５，−ＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ５，−ＣＨ２Ｃ６Ｈ５，−Ｃ１０Ｈ７等である。前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎのＲは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣｎＨ２ｎ）である。前記Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣｎＨ２ｎ＋１）である。前記Ａは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣＨ３，−Ｃ２Ｈ５，−ＣＨ（ＣＨ３）２，−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２，−Ｃ（ＣＨ３）３）である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は、前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。本明細書で置換基を有する基（例えば、炭化水素基）とは、例えば前記基（例えば、炭化水素基）のＨが置換可能な適宜な官能基で置換されたものを意味する。
【００６５】
前記一般式［Ｉｂ］中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。前記炭素数が１〜２４の炭化水素基は、鎖状の炭化水素基、置換基（環状または鎖状）を有する鎖状の炭化水素基、環状基、又は置換基（環状または鎖状）を有する環状基である。例えば、−ＣｎＨ２ｎ＋１，−ＣｎＨ２ｎ−１，−Ｃ６Ｈ５，−ＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ５，−ＣＨ２Ｃ６Ｈ５，−Ｃ１０Ｈ７等である。前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎのＲは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣｎＨ２ｎ）である。前記Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣｎＨ２ｎ＋１）である。前記Ａは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣＨ３，−Ｃ２Ｈ５，−ＣＨ（ＣＨ３）２，−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２，−Ｃ（ＣＨ３）３）である。ｎは０〜２の整数である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。
【００６６】
前記接合方法は、好ましくは、前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、前記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備する。すなわち、前記一般式［ＩＩ］で表わされるポリマーが表面に存することで、表面に存する−ＯＨ基の数が増加し、接着性が改善された。
【００６７】
前記一般式［ＩＩ］中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。Ｚは、Ａｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基（例えば、−ＣＨ３，−Ｃ２Ｈ５，−ＣＨ＝ＣＨ２）、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基（例えば、−ＯＣＨ３，−ＯＣ２Ｈ５）である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基（例えば、−ＯＣＨ３，−ＯＣ２Ｈ５）である。ｎ，ｍは、０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは、０〜１００の整数である。好ましくは、ｎ≠１，ｍ≠１，ｐ≠１である。
【００６８】
前記接合方法は、好ましくは、前記工程（Ｘ）（又は、前記工程（Ｖ））の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナート基および／またはアルコキシチタナート基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する。すなわち、前記化合物（β）が表面に存することで、表面に存する−ＯＨ基の数が増加し、更に反応性官能基が導入され、接着性が改善された。ここで、前記化合物（β）は、好ましくは、前記一般式[Ｔ]，［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物である。
【００６９】
前記一般式［ＩＩＩ］［ＩＶ］中、Ｒ５，Ｒ７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。前記炭化水素基は、鎖状の炭化水素基または環状の炭化水素基である。より具体的には、飽和脂肪族炭化水素基である。或いは、不飽和脂肪族炭化水素基である。又は、芳香族炭化水素基である。前記脂肪族炭化水素基は、直鎖の炭化水素基であっても、分岐鎖を有する炭化水素基であっても良い。前記芳香族炭化水素基は、置換基を持たない場合と、置換基を持つ場合とがある。更に、前記Ｒ５，Ｒ７は、−ＮＨ−，−ＣＯ−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯＯ−等の基を持つ場合と、持たない場合とがある。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。この炭化水素基は、鎖状の炭化水素基である。より具体的には、飽和脂肪族炭化水素基である。或いは、不飽和脂肪族炭化水素基である。これ等の脂肪族炭化水素基は、環状基を持たないが、置換基として、環状基を持つ場合も有る。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは１〜３の整数である。Ｍ１は、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。
【００７０】
第２の本発明は接合体（複合体）である。特に、前記接合方法によって前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合（化学的結合）された接合体（複合体）である。
【００７１】
第３の本発明は接着性向上剤である。本明細書において、接着性向上剤は、文字通り、接着性が向上する剤である。接着性が向上したと言うことは、接着剤の役割を奏しているとも言える。本明細書において、「接着性向上剤」は「接着剤」をも含む意味として用いられる。前記接着性向上剤（接着剤）は、好ましくは、ポリマーが用いられて構成された基体Ａの表面に設けられる。
【００７２】
前記接着性向上剤（接着剤）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む。化合物（α）は、好ましくは、一分子内に、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）と、アジド基とを持つ。この化合物（α）は、好ましくは、トリアジン（中でも、１，３，５−トリアジン）に、少なくとも一個のアジド基と、少なくとも一個のアルコキシシリル基とが、直接または間接的に結合した構造を持つ。好ましくは、前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である。より好ましくは、前記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である。更に好ましくは、前記一般式［Ｉａ］または［Ｉｂ］で表わされる化合物である。
【００７３】
第４の本発明は表面改質方法である。特に、基体表面の特性が改質される表面改質方法である。前記表面改質方法は、基体の表面に表面改質剤が設けられる工程を具備する。前記表面改質剤は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む。化合物（α）は、好ましくは、一分子内に、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）と、アジド基と、トリアジン環とを持つ。この化合物（α）は、好ましくは、トリアジン（中でも、１，３，５−トリアジン）に、少なくとも一個のアジド基と、少なくとも一個のアルコキシシリル基とが、直接または間接的に結合した構造を持つ。好ましくは、前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である。より好ましくは、前記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である。更に好ましくは、前記一般式［Ｉａ］または［Ｉｂ］で表わされる化合物である。
【００７４】
前記表面改質方法は、好ましくは、前記表面改質剤が設けられた後、光が照射される工程を更に具備する。前記光照射工程は所定パターンで露光が行われる工程である。本表面改質方法は前記接合方法に準じて実施される。従って、本表面改質方法が実施された場合、表面には、アルコキシシリル基（又は、ＯＨ基）が存在している。これによって、表面が改質される。
【００７５】
第５の本発明は表面改質が行われた基体である。すなわち、前記表面改質方法が実施された基体である。
【００７６】
第６の本発明は表面改質剤である。この表面改質剤は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物（α）を含む。化合物（α）は、好ましくは、一分子内に、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）と、アジド基とを持つ。この化合物（α）は、好ましくは、トリアジン（中でも、１，３，５−トリアジン）に、少なくとも一個のアジド基と、少なくとも一個のアルコキシシリル基とが、直接または間接的に結合した構造を持つ。好ましくは、前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である。より好ましくは、前記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である。更に好ましくは、前記一般式［Ｉａ］または［Ｉｂ］で表わされる化合物である。本表面改質剤は前記接着性向上剤に準じて実施される。
【００７７】
第７の本発明は新規化合物である。この新規化合物は、前記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である。特に、前記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である。或いは、前記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である。
【００７８】
本発明においては、基体Ａの表面に、例えば前記一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］又は［Ｉｂ］で表わされる化合物（α）と、増幅剤（例えば、一般式［ＩＩ］[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物）とを共存させることが出来る。そして、この後、光（紫外線）が照射される。前記光照射に先立って加熱が行われても良い。本発明においては、基体Ａの表面に、前記一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］又は［Ｉｂ］で表わされる化合物（α）が設けられる。或いは、更に、増幅剤（例えば、一般式［ＩＩ］又は[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物）が設けられる。そして、光照射（又は、加熱後に光照射）が行われる。この後、好ましくは、酸性溶液中あるいはアルカリ性溶液中に浸漬される。
【００７９】
本発明においては、前記増幅剤と共に、或いは前記増幅剤の代わりに、アルコキシシリル基を有するシランカップリング剤やベンゾフェノン系等の光増感剤を用いることも出来る。
【００８０】
本発明において、基体Ａの構成材料として、ポリマー（高分子材料）を挙げた。基体Ｂに関しては、これまで、例示してない。基体Ｂの構成材料としては、金属材料、セラミック材料、有機材料が挙げられる。これ等の材料についても、基体Ａの表面改質技術と同様な技術が採用されても良い。その他にも、シランカップリング剤（例えば、ビニル基系シランカップリング剤、アリル基系シランカップリング剤、マロン酸無水物系シランカップリング剤、ハロゲノアルキル系シランカップリング剤、アミン系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル酸系シランカップリング剤、メタクリル酸系シランカップリング剤、燐酸系シランカップリング剤、又は硫黄系シランカップリング剤）を用いた表面改質が行われても良い。例えば、前記カップリング剤（０．００１〜２ｗｔ％）を含有する溶液中に浸けられる。浸漬時の温度は、好ましくは、２０〜２００℃である。時間は、好ましくは、１〜６０分である。この時、基体表面は、好ましくは、予め、清浄処理されている。
【００８１】
上記発明によれば、化合物（α）のアジド基と基体Ａとの化学反応（結合）により、例えばアルコキシシリル基が基体Ａ表面に導入されている。そして、アルコキシシリル基が変性されてＯＨ基が生成する。この結果、各種の材料からなる基体Ｂとの接着性が向上した。すなわち、基体Ａと基体Ｂとは、化学結合を介して連結されており、接合（接着）強度が大きい。しかも、コロナ放電処理やプラズマ処理が必要でなくなった。つまり、斯かる処理をしなくても、基体Ａ表面に簡単にＯＨ基を導入できた。従って、作業性が良い。かつ、基体Ａの表面層が分解し難い。
【００８２】
前記化合物（α）が基体Ａ表面に設けられる。この後、光が照射される。この時、前記化合物（α）と基体Ａとの間で化学反応が起きる。この結果、前記化合物（α）と基体Ａとが結合する。基体Ａはポリマーで構成されている。前記ポリマーは、硬化性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂）や熱可塑性樹脂が挙げられる。繊維強化樹脂も挙げられる。ゴム（加硫ゴム）も挙げられる。その他にも、表面にポリマーを含む塗膜が設けられたものであっても良い。
【００８３】
ところで、アジド化合物が架橋剤であることは知られている。すなわち、アジド化合物を含む組成物に紫外線照射が行われると、架橋構造のポリマーが得られる。しかしながら、ポリマー表面にアジド化合物が存在している状況下（混合されていない状況）において、紫外線が照射された場合、アジド基がポリマー（ポリマー表面の分子鎖）と化学結合するか否かは知られてなかった。
【００８４】
本発明者によって次の実験が試みられた。ポリマー表面に、前記化合物（α）（特に、一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表わされる化合物）が設けられた。この後、光が照射された。この結果、アジド基とポリマー（ポリマー表面の分子鎖）との間で化学反応が起きた。すなわち、化学結合が、前記化合物（α）と前記ポリマーとの間で起きた。そして、アルコキシシリル基がポリマー表面に存することが判った。このことは、従来からは想像できないものであった。そして、アルコキシシリル基で表面改質された基体Ａが、前記一般式［ＩＩ］[Ｔ]［ＩＩＩ］［ＩＶ］で表わされる化合物やシランカップリング剤で処理された。これにより、接着性が益々向上した。
【００８５】
以下、上記とは異なる視点から本発明が説明される。
【００８６】
［化合物α（接着性向上剤（接着剤）：分子接着剤）］
上記説明から判る通り、本発明の接着性向上剤（前記化合物（α））は、分子接着剤と表現される。
【００８７】
前記化合物（α）は、アルコキシシリル基とアジド基とを持つ。更にトリアジン環を持つ。アジド基は、好ましくは、トリアジン環（Ｃ原子）に、直接、結合している。トリアジン環に結合しているアジド基の数は、例えば一個または二個である。ＯＨ基またはＯＨ生成基（例えば、アルコキシシリル基）は、好ましくは、スペーサ（例えば、アミノ基、オキシ基および／または炭化水素基）を介して、間接的に、トリアジン環（Ｃ原子）に結合している。間接的に結合しているアルコキシシリル基は、一個または二個以上である。
【００８８】
トリアジン環（電子局在化共役系骨格）に結合したアジド基は、ナイトレンへの分解エネルギーが高いことが判った。従って、近紫外線、可視光による影響が起き難い。この為、紫外線露光の作業性が改善される。トリアジン環に結合したナイトレンは、そうではないナイトレンに比べて、安定であることも判った。ナイトレン同士の結合が抑制されることも判った。Ｃ−Ｈ結合に対する水素引抜き活性や不飽和結合に対する付加活性が増強することも判った。すなわち、少ない露光量で効果的な反応が可能であることが判った。
【００８９】
前記アルコキシシリル基は、トリアジン環（電子局在化共役系骨格）に対して、スペーサ（例えば、アミノ基、オキシ基および／または炭化水素基）を介して結合している。この為、前記化合物（α）がポリマー表面に結合した場合、諸材料との接触において、化学結合を生成する為のエントロピー効果が高まる。エントロピー効果の向上は、ポリマー（前記基体Ａ）と諸材料（前記基体Ｂ）との接触後、界面反応における頻度因子項を増大させる。この結果、界面反応の機会が増す。前記スペーサの長さは界面反応における頻度因子の増大に反映される。そして、スペーサの長さが長すぎると、コストが高くなる。かつ、分子接着剤の吸着量の減少が生ずる。従って、適度な長さのスペーサが好ましい。このような観点から、前記一般式［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表わされる化合物が好ましかった。
【００９０】
界面反応における頻度因子項の増大の観点から、１分子中に存在するアルコキシシリル基やアジド基の数は多い方が好ましい。しかしながら、コスト等の観点から、その数にも制約が有る。すなわち、前記一般式［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表わされる化合物が好ましかった。
【００９１】
前記一般式［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］におけるアルコキシシリル基は、殆どの場合、ＯＨ生成基（ＯＨ前駆体）である。ＯＨ生成基をＯＨ基に変性する為、例えば水（中性水、酸性水、アルカリ水）で処理される。その他にも、コロナ放電処理やプラズマ処理が考えられる。但し、水処理が好ましい。
【００９２】
化合物（α）は、下記反応式に沿って合成された。
2012043631.tif 000010
ヒドロキシル基を有するアミノ化合物（例えば、アミノアルコール）のアセトン（或いは、アルコール（例えば、メタノール又はエタノール等））溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのアセトン溶液に滴下された。この時の温度は０〜１０℃である。この後、ＮａＯＨ水溶液が滴下された。これによりＲＤＣが得られた。このＲＤＣのジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（或いは、アルコール）溶液に、ＮａＮ３のＤＭＦ水溶液が滴下された。この時の温度は４０〜６０℃である。これにより、ＤＡＺが得られた。
2012043631.tif 000011
ヒドロキシル基を有するアミノ化合物（例えば、アルコキシシリルアルキルアミン）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（或いは、アルコール（例えば、メタノール又はエタノール等））溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのＴＨＦ（或いは、アルコール（例えば、メタノール又はエタノール等））溶液に滴下された。この時の温度は０〜５０℃である。この後、ＮａＯＨ水溶液が滴下された。これによりＲＭＣが得られた。このＲＭＣのＤＭＦ（或いは、アルコール）溶液に、ＮａＮ３のＤＭＦ（或いは、アルコール）水溶液が滴下された。この時の温度は５０〜７０℃である。これにより、ＭＡＺが得られた。
2012043631.tif 000012
ＮａＮ３水溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのアセトン（或いは、アルコール（例えば、メタノール又はエタノール等））溶液に滴下された。この時の温度は０〜５℃である。これによりＡＤＣが得られた。このＡＤＣのアセトン（或いは、アルコール）溶液にヒドロキシル基を有するアミノ化合物の溶液が滴下された。この時の温度は４０〜６０℃である。これにより、ＭＡＺが得られた。
2012043631.tif 000013
ＮａＮ３水溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのアセトン（或いは、アルコール（例えば、メタノール又はエタノール等））溶液に滴下された。この時の温度は０〜６０℃である。これによりＡＭＣが得られた。このＡＭＣのアセトン（或いは、アルコール）溶液にヒドロキシル基を有するアミノ化合物の溶液が滴下された。この時の温度は０〜１０℃である。これにより、ＤＡＺが得られた。
【００９３】
本発明の分子接着剤（化合物α）は、アルコキシシリル基およびアジド基を持つトリアジン系の化合物である。このような化合物は、好ましくは、前記一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表される化合物である。この種の化合物として、例えば６−アジド−２，４−ビス（エタノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ヘキサノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（デカノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３，４−ビスヒドロキフェニル）アミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（２，２−ジヒドロキシメチル）エチルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（トリスメタノールメチル）メチルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−（１，２−ジヒドロキシプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリエトキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン（ＴＥ−ＭＡＺ）、６−アジド−２，４−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１,３,５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリアセトキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリイソプロペノオキシシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリベンゾキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ジエタノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ジヘキサノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ジデカノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（６−トリエトキシシリルへキシル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（１０−トリエトキシシリルドデシル）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジエタノール）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＤＥＡ−ＤＡＺ）、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジデカノール）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３，４−ビスヒドロキフェニル）アミノ）−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（２，２−ジヒドロキシメチル）エチルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（トリスメタノールメチル）メチルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（１，２−ジヒドロキシプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＴＥ−ＤＡＺ）、２，４−ジアジド−６−ビス（３−メチ��エチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリアセトキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリイソプロペノオキシシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリベンゾキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−ビス（ジヒドロキシエチル）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジヘキサノール）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジデカノール）アミノ−１,３,５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＢＴＥ−ＤＡＺ）、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ビス（６−トリエトキシシリルヘキシル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−（１１−トリエトキシシリルウンデシル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＵ−ＤＡＺ）、６−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＤＥＭ−ＤＡＺ）、６−（４−トリエトキシシリルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＢ−ＤＡＺ）等が挙げられる。
【００９４】
［基体Ａ（ポリマー）］
基体Ａはポリマー（樹脂）で構成される。前記ポリマーは、例えばＣ−Ｈ結合またはＳｉ−Ｏ結合を有する。特に、Ｃ−Ｈ結合を有する。前記ポリマーは、硬化性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂）である。又は、熱可塑性樹脂である。或いは、繊維強化樹脂である。若しくは、加硫ゴムや未加硫ゴムである。その他にも、ポリマー（バインダ樹脂）を含む塗膜が表面に設けられたものでも良い。前記ポリマーは二次元線状構造である。又は、三次元網目構造である。基体Ａの形状は用途によって決まる。例えば、フィルム状、シート状、板状、柱状、棒状、枠状、箱状、繊維状、糸状、布状、不織布状、発泡体状と言った形状である。
【００９５】
前記ポリマー等の具体例としては、例えばセルロース及びその誘導体、ヒドロキシエチルセルロース、デンプン、二酢酸セルロース、表面ケン化酢酸ビニル樹脂、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、石油樹脂、ポリスチレン、シンジオタクチック−ポリスチレン、スチレン共重合体、クロマン−インデン樹脂、テルペン樹脂、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリルニトリル、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリシアノアクリレート、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢ビ共重合体樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン−エチレン共重合体、フッ化ビニリデン−プロピレン共重合体、ポリ１，４−トランスポリブタジエン、ポリ１，２−トランスポリブタジエン、ポリオキシメチレン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、フェノール−ホルマリン樹脂、クレゾール−ホルマリン樹脂、レゾルシン樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、トルエン樹脂、グリプタル樹脂、変性グリプタル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート、アリルエステル樹脂、ポリカーボネート、６−ナイロン、６’，６−ナイロン、６’，１０−ナイロン、ポリイミド、ポリアミド、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズチアゾール、ポリアミドイミド、ケイ素樹脂、付加硬化型シリコーンゴム、重合硬化型シリコーンゴム、縮合硬化型シリコーンゴム、付加硬化型シリコーン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリジメチルフェニレンオキサイド、ポリフェニレンオキサイド又はポリジメチルフェニレンオキサイドとトリアリルイソシアヌレートとのブレンドポリマー（ポリマーアロイ）、ポリフェニレンオキサイド又はポリジメチルフェニレンオキサイドとトリアリルイソシアヌル酸パーオキサイドとのブレンドポリマー（ポリマーアロイ）、ポリキシレン、ポリフェニレンスルファイド、ポリシクロオレフィン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、液晶樹脂（ＬＣＰ）、天然ゴム、１，４−シスブタジエンゴム、イソプレンゴム、ポリクロロプレン、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、水素添加スチレン−ブタジエン共重合ゴム、アクリルニトリル−ブタジエン共重合ゴム、水素添加アクリルニトリル−ブタジエン共重合ゴム、ポリブテンゴム、ポリイソブチレンゴム、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、エチレンオキサイド−エピクロロヒドリン共重合体ゴム、塩素化ポリエチレンゴム、クロルスルホン化ポリエチレンゴム、アルキル化クロルスルフォン化ポリエチレンゴム、クロロプレンゴム、塩素化アクリルゴム、臭素化アクリルゴム、フッ素ゴム、エピクロルヒドリン共重合ゴム、塩素化エチレン−プロピレンゴム、塩素化ブチルゴム、臭素化ブチルゴム、テトラフロロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、フッ化ビニリデン及びテトラフルオロロエチレンなどの単独重合体ゴム及びこれらの二元及び三元共重合体ゴム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合ゴム、プロピレン−テトラフルオロエチレン共重合ゴム、エチレンアクリルゴム、パーオキサイド型シリコーンゴム、付加型シリコーンゴム、縮合型シリコーンゴム、エポキシゴム、ウレタンゴム、両末端不飽和基エラストマーなどが挙げられる。
【００９６】
前記基体Ａ（ポリマー）は、必要に応じて、各種の添加剤（例えば、架橋剤、架橋促進剤、架橋助剤、ラジカル開始剤、カチオン開始剤、光重合開始剤、スコーチ防止剤、安定剤、老化防止剤、紫外線防止剤、充填剤、補強剤、可塑剤、軟化剤、着色剤、粘度調整剤など）を含む。
【００９７】
前記三次元網目構造のポリマーは、例えば前記二次元線状ポリマーに架橋剤（更には、架橋促進剤や架橋助剤）を添加した組成物に対して、加熱または光照射を行うことで得られる。或いは、所定のモノマー（例えば、ビニル基、アクリレート基、メタアクリレート基、エポキシ基、イソシアナート基またはオキセタン基を、一分子中に１個又は２個以上有する低分子モノマー）に架橋剤（更には、架橋促進剤や架橋助剤）を添加した組成物に対して、加熱または光照射を行うことで得られる。
【００９８】
前記モノマーとしては、例えばウレタンアクリレート系、エポキシアクリレート系、エステルアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系、ビニルエ−テル系のモノマ−が挙げられる。具体的には、アクリレ−ト類（例えば、エチレングリコ−ルジ(メタ)アクリレ−ト、プロピレングリコ−ルジ(メタ)アクリレ−ト、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、１，４−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、（メタ）アクリル酸との付加反応により得られたエポキシ(メタ)アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとジオールとジイソシアネートとの反応により得られたポリウレタン(メタ)アクリレート、（メタ）アクリル酸とポリカルボン酸とポリオールとの反応により得られたポリエステル(メタ)アクリレートポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリオールアクリレート）や、メタクリレート類（例えば、ポリエステルメタクリレート、ウレタンメタクリレート、エポキシメタクリレート、ポリエーテルメタクリレート、ポリオールメタクリレート）が挙げられる。その他にも、ｎ−アルキルアクリレート、ｉ−プロピルアクリレート、ｉ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、β−ヒドロキシエチルアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、β−ヒドロキシプロピルアクリレート、グリシジルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジアルキルアミノエチルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、β−エトキシエチルアクリレート、アリールアクリレート、ベンゾイルオキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアルコールとε−カプロラクトンとの付加物アクリレート、ｉ−ボロニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトレエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、アセタールグリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールとε−カプロラクトンとの付加物ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパン・ポリエトキシレイト・トリアクリレート、トリメチロールプロパン・ポリプロポキシレイト・トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールとε−カプロラクトンとの付加物ヘキサアクリレート、アクリロキシエチルホスフェート、フロロアルキルアクリレート、スルホプロピルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ｉ−プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、オクチルメタクリレート、ｉ−オクチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、デシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ジメチルアミノエチルメタクリレート、２−ジエチルアミノエチルメタクリレート、２−ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ノニルフェニールメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ボルニルメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、グリセロールメタクリレート、メタクリロキシエチルフォスフェート、ビス・メタクリロキシエチルフォスフェート、アロオキセタン、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、３−エチル−３−（ヘキシロキシメチル）オキセタン、キシリレンジオキセタン、フェニルオキセタン、オキセタニルシルセスキオキサン、３−エチル−３−（ヘプチルオキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（オクチルオキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（ドデシルオキシメチル）オキセタン、ビスフェノールＡ型エポキシモノマー、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー、ノボラック型エポキシモノマー、トルエンジイソシアナート等も挙げられる。
【００９９】
前記重合開始剤、架橋剤、架橋促進剤や架橋助剤には、各種のものが用いられる。例えば、パーオキサイド類、カチオン重合開始剤、光重合開始剤、硫黄、硫黄系架橋促進剤、ポリオール系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、ポリチオール系架橋剤、アクリレート系架橋助剤、メタクリレート系架橋助剤、アリル系架橋助剤などである。具体的には、例えばアゾビスブチロニトリル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾインイソプロピルエーテル、クロロチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチルフェニルプロパンが挙げられる。アセトフェノン誘導体化合物（例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン）も挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物（例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル）も挙げられる。ベンジルジメチルケタールなどのケタール誘導体化合物も挙げられる。ハロゲン化ケトン、アシルフォスフィンオキシド、アシルフォスフォナート、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、フェニルジメチルスルホニュウムクロリド、トリアリールスルホニュウムヘキサフルオロフォスフェートも挙げられる。トリアジンジチオール系架橋剤、樹脂架橋剤、ポリオール架橋剤、Ｈ末端シロキサン系架橋剤、シラノール縮合系架橋剤も挙げられる。ジベンゾチアゾイルジスルフィド、４−モルホリノジチオベンゾチアゾール、Ｎ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−ｔ−ブチル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−オキシジエチレン−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−ジイソプロピル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−ジシクロヘキシル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、テトラメチルチューラムジスルフィド、テトラエチルチューラムジスルフィド、テトラブチルチューラムジスルフィド、テトラオクチルチューラムジスルフィド、アミン類、ヘキサメチレンテトラミン、ザリゲン、第四級アンモニュウム塩、ホスホニュウム塩、ジアルキルスズ有機酸塩、チタネート、ポリエチレングリコール、塩化白金酸、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、酸化鈴、酸化鉄、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、脂肪酸ナトリウム、オクチル酸カルシウム、イソオクチル酸カリウム、カリウムブトキサイド、オクチル酸セシウム、イソステアリン酸カリウム、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、ドデカンジオール、ヘキサメチレンジアミン、ドデカンジアミン、末端ジアミノポリエチレングリコール、末端ジアミノポリプロピレングリコール、ベンゼンジチオール、ヘキサンジチオール、１，１０−デカンジチオール、１，１２−ドデカンジチオール、ポリエチレングリコールジアク���レート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、ジアリルエーテル、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレートも挙げられる。
【０１００】
高分子材料である二次元線状構造ポリマー（熱可塑性樹脂、未架橋ゴム）と三次元網目構造のポリマー（熱硬化性樹脂、架橋ゴム）製の基体Ａは、１００重量部の二次元線状構造のポリマー（又は、モノマー）に、架橋剤未添加（二次元線状構造ポリマー,  熱可塑性樹脂）か、又は０．１〜２０重量部の架橋剤、０．１〜２０重量部の架橋促進剤、及び０．１〜２０重量部の架橋助剤を添加した組成物を、温度は２０〜３５０℃、加工時間は０．１秒〜２００分の条件で、ロールシーティング加工、カレンダーロール加工、プレス加工、押出加工、又は射出成形加工することで得られる。但し、加工機の特性により、架橋剤などの添加量、加工温度、加工時間は異なる。
【０１０１】
基体Ａが光硬化樹脂で構成される場合は、ＵＶ装置（例えば、高圧水銀ＵＶランプ、低圧水銀ＵＶランプ、蛍光式ＵＶランプ（ショートＡＲＣキセノンランプ、ケミカルランプ）、メタルハライドランプ）が用いられ、２００〜４５０ｎｍの紫外線が、所望の環境下（例えば、大気下、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、或いは減圧下）で照射することで得られる。
【０１０２】
加硫ゴムは、ガラス転移温度が−２０℃以下の線状重合体の群の中から選ばれる一種または二種以上のエラストマーと、添加剤（例えば、架橋剤、架橋促進剤など）とを含む組成物を、０．１〜１２００分の間、０〜３００℃の温度に保持することで得られる。付加型シリコーンゴムや縮合型シリコーンゴムなどは低温で長時間加熱して得られる場合がある。温度は、一般的には、６０〜１８０℃の場合が多い。
【０１０３】
前記基体Ａには、必要に応じて、各種の充填剤や補強剤が、適宜な量、含有される。例えば、必要に応じて、各種のカーボンブラック、炭酸カルシウム、タルク、クレー、カオリン、ガラス、湿式シリカ、乾式シリカが含まれる。必要に応じて、レーヨン、ナイロン、ポリエステル、ビニロン、スチール、ケブラー、炭素繊維、ガラス繊維、布が含まれる。必要に応じて、金属粒子（銅、ニッケル、銀、金、錫など）が含まれる。必要に応じて、カーボン粒子が含まれる。必要に応じて、導電性材料が含まれる。必要に応じて、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミナ、炭化珪素、ダイヤモンドなどの伝熱材が含まれる。含有量は、ポリマー１００重量部に対して、２００重量部以下である。一般的には、１００重量部以下である。
【０１０４】
前記基体Ａには、必要に応じて、安定剤が、適宜な量、含有される。安定剤は、例えば老化防止剤あるいは紫外線吸収剤である。例えば、ポリ（２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリン）、６−エトキシ−１，２−ジヒドロ−２，２，４−トリメチルキノリン等のアミン・ケトン系縮合物である。オクチルジフェニルアミン、４，４−ビス（α、α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−１，３−ジメチルブチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族第二級アミン化合物である。スチレン化フェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−フェノール、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，２−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン等のモノ又はビスフェノール系化合物である。２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−Ｚｎメルカプトベンゾイミダゾール、ニッケルジメチルジチオカーバメイト、１，３−ビス（ジメチルアミノプロピル）チオウレア、ジラウリル−３，３−チオジプロピオネート、トリス（ノニル化フェニル）フォスファイト等の硫黄系または燐系化合物である。含有量は、ポリマー１００重量部に対して、３０重量部以下である。一般的には、０．５〜５重量部である。
【０１０５】
前記基体Ａには、必要に応じて、次の化合物が、適宜な量、含有される。例えば、パラメトキシケイ皮酸２エチルヘキシル（オクチル）、パラジメチルアミノ安息香酸２エチルヘキシル（オクチル）、オキシベンゾン（ベンゾフェノン３）、サリチル酸２エチルヘキシル（オクチル）、４−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシベンゾイルメタン、ベンゾエート系安定剤、ヒンダードアミン系光安定剤等の紫外線吸収材である。含有量は、ポリマー１００重量部に対して、１０重量部以下である。一般的には、０．１〜２重量部である。
【０１０６】
前記基体Ａには、必要に応じて、軟化剤、可塑剤、加工助剤、粘度調整剤、着色剤が、適宜な量、含有される。
【０１０７】
［基体Ｂ］
前記基体Ａ（ポリマー）と接合（接着：化学結合による接着）される基体Ｂは、金属、若しくはセラミックス、又は有機材料で構成される。
【０１０８】
前記金属には格別な制限は無い。例えば、単一金属または合金である。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｔ，Ｂａ，Ｒａ，Ｓｃ，Ｉｔ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，ロジウム，Ｉｒ，Ｎｉ，パラジウム，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｎ，Ｂｉ，ネオジム等が挙げられる。鉄合金、銅合金、アルミニウム合金、マグネシウム合金、亜鉛合金、錫合金、ニッケル合金、金合金、銀合金、白金合金、パラジウム合金、鉛合金、チタン合金、カドミウム合金、ジルコニウム合金、コバルト合金、クロム合金、モリブデン合金、タングステン合金、マンガン合金、フェライト系ステンレス、マルテンサイト系ステンレス、オースチナイト系ステンレス、析出強化型ステンレス、ニッケル−チタン合金、鉄−マンガン−チタン合金、超弾性合金（ニッケル−チタン合金）等が挙げられる。その他、機能性金属、アモルファス金属、繊維強化金属、形状記憶合金、超弾性合金であっても良い。形状は、基体Ａと同じでも異なっていても良い。
【０１０９】
前記セラミックスにも格別な制限は無い。セラミックスとしては、例えば前記金属類の酸化物、陶磁器、ガラス、セメント、石膏などが挙げられる。ほうろう等でも良い。ダイヤモンド系のものでも良い。アルミナ、ムライト、ジルコニア、酸化亜鉛などの金属酸化物でも良い。ハイドロキシアパタイト等の水酸化物でも良い。炭化ケイ素などの炭化物でも良い。炭酸塩系のものでも良い。窒化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物系のものでも良い。蛍石のようなハロゲン化物系のものでも良い。アパタイト等のリン酸塩系のものでも良い。チタン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛などでも良い。フェライト、ステアタイト、フォルステライト、コーディエライト、サイアロン、ジルコン等でも良い。その他、高温超電導セラミックス、マシナブルセラミックス等でも良い。炭素繊維、有機繊維、金属繊維、ガラス繊維などの繊維強化セラミックスでも良い。形状は、前記基体Ａと同じでも異なっていても良い。
【０１１０】
前記有機材料にも格別な制限は無い。本有機材料には、前記基体Ａの構成材料と同種のものが用いられる。勿論、その他の有機材料であっても良い。形状は、前記基体Ａと同じでも異なっていても良い。
【０１１１】
［基体Ａの表面処理（改質処理：接着処理）］
先ず、前記接着性向上剤（前記化合物（α）：分子接着剤）が溶解した溶液、又は分散液が用意される。用いられる溶媒としては、水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記化合物の混合物であっても良い。前記化合物（α）の含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜２ｗｔ％である。これは、前記化合物（α）の含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。逆に、基体Ａとの反応量は限られており、多すぎても、意味が乏しい。このような観点から、上記の割合が好ましかった。
【０１１２】
前記溶液（分散液）中には、必要に応じて、表面張力の調整の観点から、界面活性剤が添加される。例えば、ノニオン系界面活性剤（例えば、長鎖アルキル鎖とポリエチレングリコールからなるノニオン系界面活性剤）、カチオン系界面活性剤（例えば、第４級アンモニウム塩）、又はアニオン系界面活性剤（例えば、有機カルボン酸塩、スルホン酸塩）が用いられる。
【０１１３】
前記溶液（分散液）中に基体Ａが浸漬される。又は、前記溶液（分散液）が基体Ａに噴霧される。これにより、前記接着性向上剤（前記化合物（α）：分子接着剤）が基体Ａ表面に付着する。
【０１１４】
この後、光（紫外線）が照射される。特に、前記基体Ａに前記化合物（α）を結合させたい箇所にのみ光は照射される。この為には、適宜なパターンのマスクが使用される。前記紫外線照射によって、前記化合物（α）のアジド基が分解する。アジド基の分解により、ナイトレンが生成する。このナイトレンが前記基体Ａ表面の官能基（例えば、−ＣＨ３，−ＣＨ２−，−ＣＨ＜，−ＣＨ＝ＣＨ−）を攻撃する。そして、水素引抜きラジカル付加あるいはラジカル付加反応が起き、前記化合物（α）と基体Ａ表面との間で化学結合が生じる。未照射箇所では、化学結合が起きない。
【０１１５】
紫外線照射には、ＵＶ装置（例えば、高圧水銀ＵＶランプ、低圧水銀ＵＶランプ、蛍光式ＵＶランプ（ショートＡＲＣキセノンランプ、ケミカルランプ）、メタルハライドランプ）が用いられる。そして、２００〜４５０ｎｍの紫外線が照射される。照射光量が少な過ぎると、反応が進み難い。逆に、照射光量が多すぎると、基体Ａの劣化の恐れが有る。従って、好ましい照射光量（光源波長：２５４ｎｍ）は１ｍＪ／ｍ２〜５Ｊ／ｍ２である。より好ましくは、５ｍＪ／ｍ２〜１Ｊ／ｍ２である。
【０１１６】
基体Ａが複雑な形状の場合において、ＵＶを基体Ａに均一に照射する為には、反射板の使用が有効である。反射板としては、例えば鏡、表面研磨された金属箔、Ａｌ鏡面箔、ＳＵＳ鏡面箔、銀めっき鏡面板などが挙げられる。反射板の形状、寸法、材質などは、反射効率の観点から、適宜、選択される。
【０１１７】
前記紫外線照射後の基体Ａが水で処理される。例えば、水中に浸漬される。水は、好ましくは、酸性水溶液あるいはアルカリ性水溶液である。例えば、０．１〜６０分（好ましくは、１〜２０分）間に亘って、基体Ａが、０．０００１〜１０％（好ましくは、０．０１〜５％）の酸性水溶液に浸漬される。これにより、アルコキシシリル基がヒドロキシシリル基に変性する。前記の数値条件は、ヒドロキシシリル基がアルコキシシリル基からの変性効率の観点からである。
【０１１８】
前記化合物（α）の使用に加えて、前記一般式［ＩＩ］のポリマーの併用は好ましい。すなわち、前記一般式［ＩＩ］のポリマーの併用により、基体Ａ表面に存する−ＯＨの数が増加する。すなわち、前記一般式［ＩＩ］のアルコキシ基含有ポリマーが用いられることで、基体Ａ表面に存する−ＯＨの数が増加する。
【０１１９】
前記アルコキシ基含有ポリマーによる処理は、前記化合物（α）による処理と同様に行われる。すなわち、前記一般式［ＩＩ］のポリマーを含む溶液あるいは分散液で基体Ａが処理される。前記処理に用いられる溶媒としては、水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記化合物の混合物であっても良い。前記アルコキシ基含有ポリマーの含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜５ｗｔ％である。これは、前記ポリマーの含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。前記ポリマーによる処理後、０〜２００℃(好ましくは、２０〜１５０℃)で０．１〜６０分間（１〜２０分間）加熱処理される。
【０１２０】
又、前記化合物（α）の使用に加えて、前記一般式[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物による処理も好ましい。すなわち、前記一般式[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物の併用により、基体Ａ表面に存する−ＯＨの数が増加する。すなわち、前記一般式[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物が用いられることで、基体Ａ表面に存する−ＯＨの数が増加する。更に反応性官能基が導入される。 
【０１２１】
前記一般式[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物による処理は、前記化合物（α）による処理と同様に行われる。すなわち、前記一般式[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物を含む溶液あるいは分散液で基体Ａが処理される。前記処理に用いられる溶媒としては、水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記化合物の混合物であっても良い。前記化合物の含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜５ｗｔ％である。これは、前記化合物の含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。前記化合物による処理後、０〜２００℃(好ましくは、２０〜１５０℃)で０．１〜６０分間（１〜２０分間）加熱処理される。
【０１２２】
本発明では、例えば一般式[Ｔ]［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物（アルコキシシリル基を有するカップリング剤）を用いることが出来る。これにより、種々の官能基が基体Ａ表面に導入される。この種のカップリング剤として、例えば６−アルコキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム、６−ビス（３−アルコキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム、６−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−（３−（トリエトキシシリル）プロピルアミノ）−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオ−ルモノナトリウム、ビニルメトキシシロキサンホモポリマー、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、６−アルコキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール、３−アルコキシシリルプロピルアミン、ビス（３−アルコキシシリルプロピル）アミン、６−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−３−（トリエトキシシリル）プロピルアミン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、（３−アクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシラン、トリエトキシシリルウンデカナル、４−アミノブチルトリエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリエトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、アミノプロピルシラントリオール、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルシラントリオール、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリメチルアンモニウムクロリド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン、３−（トリエトキシシリル）プロピル琥珀酸無水物、６−アジドスルホニルヘキシルトリエトキシシラン、２−（４−クロロスルホニル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）トリメトキシシラン、（３−グリシジオキシプロピル）トリメトキシシラン、１０−（カーボメトキシ）デシルジメチルメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、７−ブロモヘプチルトリメトキシシラン、３−イソシアネイトプロピルトリエトキシシラン、（３−トリエトキシシリル）−ｔ−ブチルカーバメイト、２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、ジエチルホスフェイトエチルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、５−（ビシクロヘプチニル）トリエトキシシラン、（３−シクロペンタジダイエンプロピル）トリエトキシシラン等が挙げられる。
【０１２３】
これ等のカップリング剤による処理も、前記化合物（α）による処理や前記アルコキシ基含有ポリマーによる処理の場合と同様にして行われる。用いられる溶媒は、例えば水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記カップリング剤の含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜５ｗｔ％である。これは、前記カップリング剤の含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。前記カップリング剤による処理後、０〜２００℃(好ましくは、２０〜１５０℃)で０．１〜６０分間（１〜２０分間）加熱処理される。
【０１２４】
［基体Ｂの表面処理（改質処理：接着処理）］
基体Ｂの材料は、前記の通り、金属、セラミックス、又は有機材料である。
【０１２５】
金属やセラミックスは、基本的に、ＯＨ基を持っている。従って、格別な表面処理を行わなくても、この種の基体Ｂと前記表面処理が行われた基体Ａとは化学結合による接着が可能である。但し、基体Ｂの表面が汚染されている場合も有る。このような場合、表面の清浄化が必要になる。例えば、洗浄剤による洗浄処理、紫外線照射処理、コロナ放電処理、又はプラズマ処理が行われる。
【０１２６】
前述の通り、金属やセラミックスの場合には、格別な処理が不要である。但し、前記一般式［ＩＩ］[Ｔ]［ＩＩＩ］［ＩＶ］で表される化合物による処理が行われても良い。
【０１２７】
有機材料製の基体Ｂには、好ましくは、基体Ａに行われた処理と同様な処理が行われる。
【０１２８】
［基体Ａと基体Ｂとの接合（接着）］
接着には、流動体接着と、非流動体接着とが有る。流動体接着では、接着体が接着過程で流動して、接着体と被着体との接触が行われる。非流動体接着では、接着体が接着過程において弾性変形範囲内で変形して、接着体と被着体との接触が行われる。何れの場合も、被着体は、流動性の場合と非流動性の場合とが有る。
【０１２９】
前記基体Ａと前記基体Ｂとの接着においては、どちらを接着体とするかによって、以下の組み合わせの場合が考えられる。
（１）  基体Ａが接着体（流動体）、基体Ｂが被着体（金属またはセラミックス等の非流動体）の流動体接着
（２）  基体Ｂが接着体（有機材料：流動体）、基体Ａが被着体（接着温度がガラス転移温度（Ｔｇ）以下）の流動体接着
（３）  基体Ａが接着体（非流動体）、基体Ｂが被着体（金属またはセラミックス等の非流動体）の非流動体接着
（４）  基体Ｂが接着体（有機材料：非流動体）、基体Ａが被着体（接着温度がガラス転移温度（Ｔｇ）以下）の非流動体接着
前記（１）の場合、基体Ａ（流動性の接着体）は、硬化前の硬化性樹脂（熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂）、熱可塑性樹脂、架橋前加硫ゴム、又は表面に設けられた硬化前の塗膜である。
【０１３０】
接着温度が材料のガラス転移温度Ｔｇ〜融点Ｔｍである前記（２）の場合、流動性の基体Ｂは、硬化前の硬化性樹脂（熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂）、熱可塑性樹脂、架橋前加硫ゴム、又は表面に設けられた硬化前の塗膜である。
【０１３１】
流動体接着は、流動性の接着体を、非流動性の被着体に、０〜４００℃（好ましくは、２０〜２５０℃）で、０．１秒〜２００分（好ましくは、１秒〜１００分）に亘って、０．０１〜５０ＭＰａ（好ましくは、０．１〜５ＭＰａ）の加圧下（又は、０．００９９〜０．００００１Ｐａ（好ましくは、０．００９〜０．０００１Ｐａ）の減圧下）で接触させる。この処理には、真空乾燥機、真空パック機、プレス機、押出機、射出成型機、又はロールなどが用いられる。これにより、基体Ａと基体Ｂとの接着複合体が得られた。尚、上記条件を外れた場合、接着（化学反応：化学結合）が不十分な恐れが有った。
【０１３２】
非流動性の基体Ａが接着体、基体Ｂが被着体（金属またはセラミックス等の非流動体）である前記（３）の場合、非流動性の基体Ａは、硬化樹脂（熱硬化樹脂、光硬化樹脂）、熱可塑性樹脂、加硫ゴム、又は硬化塗膜などである。
【０１３３】
非流動性の基体Ｂが接着体、非流動性の基体Ａが接着体である前記（４）の場合、非流動性の基体Ａ，Ｂは、硬化樹脂（熱硬化樹脂、光硬化樹脂）、熱可塑性樹脂、加硫ゴム、又は硬化塗膜などである。
【０１３４】
非流動体接着は、非流動性の接着体を、非流動性の被着体に、０〜４００℃（好ましくは、２０〜２５０℃）で、０．１秒〜２００分（好ましくは、１秒〜１００分）に亘って、０．０１〜５０ＭＰａ（好ましくは、０．１〜５ＭＰａ）の加圧下（又は、０．００９９〜０．００００１Ｐａ（好ましくは、０．００９〜０．０００１Ｐａ）の減圧下）で接触させる。この処理には、真空乾燥機、真空パック機、プレス機、押出機、射出成型機、又はロール等が用いられる。これにより、基体Ａと基体Ｂとの接着複合体が得られた。尚、上記条件を外れた場合、接着（化学反応：化学結合）が不十分な恐れが有った。
【０１３５】
尚、流動体接着であるか非流動体接着であるかは、接着温度がガラス転移温度（Ｔｇ）以上であるか、Ｔｇ〜Ｔｍ（融点）の温度範囲であるかが一つの基準である。
【０１３６】
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。しかし、本発明は、以下の実施例に限定されるものでは無い。
【０１３７】
［実施例］
（１）  新規化合物α（−ＯＨ付与剤）
［実施例Ａ−１］
０〜５℃下において、０．１ｍｏｌ（１８．４ｇ）の塩化シアヌルが、２００ｍｌのアセトン水溶液に加えられた。この塩化シアヌル溶液に、０．２０４ｍｏｌのＮａＮ３を含有する水溶液１００ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が３０分間に亘って続行された。この後、この混合溶液から、エーテルで、有機層が抽出された。そして、濾過が行われた。この後、ロータリーエバポレーターにより、エーテルが除去された。次いで、減圧乾燥により、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；混合溶媒（クロロホルム：ヘキサン＝１：２））により精製が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は１８．１ｇ（収率；９１．５％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は２，４‐ジアジド‐６‐クロロ‐１，３，５‐トリアジン（ＤＡＭＣ）であると決定された。元素分析測定装置はパーキンエルマモデル２４００ＣＨＮ分析装置である。ＮＭＲ測定装置は日本ブルカー社製ＡＣ４００Ｐである。ＭＳ測定装置はＪＥＯＬ  ＪＭＳ−７００である。以下で用いられる元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、ＭＳ測定装置は、前記装置と同じ装置である。
2012043631.tif 000014
上記ＤＡＭＣ９．８８ｇ（０．０５０ｍｏｌ）がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＤＡＭＣ溶液に、０．０５０ｍｏｌ（１１．５ｍｌ）の３−トリエトキシシリルプロピルアミンと０．０５１ｍｏｌ（７．２ｍｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液１００ｍｌが滴下された。そして、５０℃下で１２０分間の撹拌が行われた。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム）により精製が行われた。得られた精製物は白色粉末であった。その量は１８．５５ｇ（収率；９７％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥ−ＤＡＺ）であると決定された。
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【０１３８】
［実施例Ａ−２］
前記実施例Ａ−１に準じて行われた。
すなわち、前記実施例Ａ−１において、０．０５０ｍｏｌ（１１．５ｍｌ）の３−トリエトキシシリルプロピルアミンの代わりに、０．０５０ｍｏｌ（２１．９ｍｌ）のビス（３−トリエトキシシリルプロピル)アミンが用いられた以外は同様に行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は２８．１７ｇ（収率；９６％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＢＴＥ−ＤＡＺ）であると決定された。
2012043631.tif 000016
【０１３９】
［実施例Ａ−３］
前記実施例Ａ−１に準じて行われた。
すなわち、前記実施例Ａ−１において、０．１０２ｍｏｌのＮａＮ３が用いられた以外は同様に行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は１７．２ｇ（収率；９０％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は２−アジド‐４，６‐ジクロロ‐１，３，５‐トリアジン（ＭＡＤＣ）であると決定された。
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上記ＭＡＤＣ４．３５ｇ（０．０２３ｍｏｌ）がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＭＡＤＣ溶液に、０．０４８ｍｏｌ（１１ｍｌ）の３−アミノプロピルトリエトキシシランを含有するＴＨＦ溶液４０ｍｌが滴下された。この後、０．０４８ｍｏｌ（６．８ｍｌ）のトリエチルアミンを含有するＴＨＦ溶液４０ｍｌが滴下された。滴下終了後、反応溶液が４５℃になるまで昇温が行われた。この後、１時間の撹拌が行われた。室温までの冷却が行われた。アンモニウム塩が析出したので、吸引濾過による濾別が行われた。濾液がロータリーエバポレーターにて濃縮された。減圧乾燥により粗生成物が得られた。精製がシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；混合溶媒（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２））により行われた。得られた精製物は無色なオイル状であった。その量は１０．８６ｇ（収率；８５％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は２−アジド−４，６−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＴＥ−ＭＡＺ）であると決定された。
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【０１４０】
（２）  新規化合物α（−ＯＨ付与剤）による表面改質
［実施例１〜５］
基体Ａとして、４０℃のエタノール中で、超音波洗浄（時間：１０分間）が行われたＰＰ（ポリプロピレン）板が用いられた。
このＰＰ板が、前記ＴＥ−ＤＡＺ（濃度０．０１〜０．４ｗｔ％）のエタノール溶液（温度；２０℃）中に浸漬（時間；５分間）された。引き上げ後、温風乾燥が行われた。次いで、高圧水銀ランプ（出力：２ｋＷ  アイグラフィック株式会社製のアイミニグランテイジ）が用いられ、３０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射が行われた。この後、エタノール中で超音波洗浄が行われた。
［比較例１］
実施例５に準じて行われた。すなわち、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、アジドスルホン酸ヘキシルトリエトキシシラン（ＴＥ−ＡＳＨ）が用いられた以外は同様に行われた。
［特性］
上記実施例１〜実施例５及び比較例１よる改質処理の結果（基板表面におけるアルコキシシリル基の有無：ＸＰＳ分析（線光電子分光分析装置：アルバックファイ製のＰＨＩ−ＱｕｎｔｅｒａＳＸＭ））が、表−１に示される。
表−１
2012043631.tif 000019
表−１において、Ｎ１ｓはトリアジン環の有無を、Ｓｉ２ｐはアルコキシシリル基の有無を示す。従って、Ｎ１ｓ，Ｓｉ２ｐの数値が認められると言うことは、ＰＰ板の表面にトリアルコキシシリルプロピルアミノトリアジニル基の存在を示している。
実施例１〜実施例５の比較から、ＴＥ−ＤＡＺの濃度が高い方がトリアルコキシシリルプロピルアミノトリアジニル基は多いことが判る。
尚、トリアジン環を持たない化合物が用いられた場合には、この化合物がアジド基を持っていても、比較例１から判る通り、ＰＰ板の表面にアルコキシシリル基が存在していない。このことは、トリアジン環を持たないアジド化合物であるＴＥ−ＡＳＨが高濃度で用いられても、ＴＥ−ＡＳＨはＰＰ表面に殆ど結合していないことを示している。すなわち、紫外線照射により、ナイトレンが生成しても、ナイトレンの反応活性が低く、混合状態では反応するにしても、表面に吸着した程度の場合には反応が起きないと考えられた。
【０１４１】
［実施例６〜１１］
実施例２に準じて行われた。但し、本実施例では、ＰＰ板がＴＥ−ＤＡＺのエタノール溶液中に浸漬される代わりに、ＴＥ−ＤＡＺ（濃度：０．１ｗｔ％）のエタノール溶液がＰＰ板上に噴霧される手法が採用された。
紫外線照射量（露光量）は１０〜２００ｍＪ／ｃｍ２である。
［比較例２］
比較例２は実施例１１に準じて行われた。但し、本比較例では、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた。
［特性］
上記実施例６〜実施例１１及び比較例２よる改質処理の結果（ＸＰＳ分析）が、表−２に示される。
表−２
2012043631.tif 000020
表−２から、紫外線照射量の多い方が、ＰＰ板の表面に結合しているトリアルコキシシリルプロピルアミノトリアジニル基、トリアジニリデン基は多いことが判る。
尚、光硬化などの光反応に使用される露光量は２００ｍＪ／ｃｍ２以上であるのが一般的である。
しかし、本実施例にあっては、紫外線量が少なくても、樹脂板との間で化学反応が起きていることが判る。因みに、１ｍＪ／ｃｍ２と言った低照射量でも、ＴＥ-ＤＡＺと樹脂板との間の化学反応が起きていることが確認された。
ＴＥ−ＡＳＨの場合には、紫外線照射量が多くても、化学反応量が少ない。
【０１４２】
［実施例１２〜１４］
実施例１に準じて行われた。但し、本実施例では、ＴＥ−ＤＡＺの濃度は０．５ｗｔ％以下であり、かつ、紫外線照射量（露光量）は１０〜２００ｍＪ／ｃｍ２である。
［比較例３〜５］
比較例３〜５は実施例１２〜１４に準じて行われた。但し、本比較例では、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた。
［特性］
上記実施例１２〜１４及び比較例３〜５よる改質処理の結果（ＸＰＳ分析）が、表−３に示される。
表−３
2012043631.tif 000021
表−３から、紫外線照射量の多い方が、かつ、ＴＥ−ＤＡＺ濃度の高い方が、ＰＰ板の表面に結合しているトリアルコキシシリルプロピルアミノトリアジニル基、トリアジニリデン基は多いことが判る。
【０１４３】
［実施例１５〜２６］
実施例６に準じて行われた。
但し、本実施例では、基体Ａとして、ＬＤ−ＰＥ（低密度ポリエチレン）板、ＰＰ板、ＰＡ−６（６−ナイロン）板、ＥＰ（エポキシ樹脂）板が用いられた。これ等の基板も実施例１と同様な超音波洗浄が行われた。又、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、前記ＢＴＥ−ＤＡＺ，前記ＴＥ−ＭＡＺ等も用いられた。用いられた溶液におけるＴＥ−ＤＡＺ，ＢＴＥ−ＤＡＺ，ＴＥ−ＭＡＺの濃度は０．１ｗｔ％であり、紫外線照射量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
［比較例６〜９］
比較例６，７，８，９は実施例１５，１８，２１，２４に準じて行われた。但し、本比較例では、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた。
［特性］
上記実施例１５〜２６及び比較例６〜９よる改質処理の結果（ＸＰＳ分析）が、表−４に示される。
表−４
2012043631.tif 000022
【０１４４】
［実施例２７〜４４］
実施例１５に準じて行われた。
但し、本実施例では、基体Ａとして、ＨＤ−ＰＥ（高密度ポリエチレン）板、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）板、ＥＰ板、ＰＳｔ（ポリスチレン）板、ＡＢＳ板、ＰＥＴ（ポリエステル）板、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）板、ＰＣ（ポリカーボネート）板、ＰＯＭ（ポリアセタール）板、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）板、ＰＵ（ポリウレタン）板、ＵＳＰＥ（不飽和ポリエステル）板、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）板、ＰＩ（ポリイミド）板、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）板、ＰＥＥＫ（ポリエーテルケトン）板、ＬＣＰ（液晶ポリマー）板、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）板が用いられた。
［比較例１０〜１５］
比較例１０，１１，１２，１３，１４，１５は実施例２７，３０，３２，３４，３９，４３に準じて行われた。但し、本比較例では、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた。
［特性］
上記実施例２７〜４４及び比較例１０〜１５よる改質処理の結果（ＸＰＳ分析）が、表−５に示される。
表−５
2012043631.tif 000023
【０１４５】
［実施例４５〜５３］
実施例１５に準じて行われた。
但し、本実施例では、基体Ａとして、ＮＲ（天然ゴム）板、ＩＲ（イソプレンゴム）板、ＢＲ（ブタジエンゴム）板、ＮＢＲ（ニトリルブタジエンゴム）板、ＳＢＲ（スチレンブタジエンゴム）板、ＦＫＭ（フッ素ゴム）板、ＳＢＳ（スチレンブタジエンゴム）板、Ｑ（シリコーンゴム）板、ＥＰＤＭ（エチレンプロピレンジエンゴム）板が用いられた。
［比較例１６〜１８］
比較例１６，１７，１８は実施例４８，５０，５３に準じて行われた。但し、本比較例では、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた。
［特性］
上記実施例４５〜５３及び比較例１６〜１８よる改質処理の結果（ＸＰＳ分析）が、表−６に示される。
表−６
2012043631.tif 000024
表−４，−５，−６より、樹脂の種類に依ることなく、本発明の化合物は改質効果が有ることが判る。
【０１４６】
［実施例５４〜５９］
実施例１に準じて行われた。
但し、本実施例では、基体Ａとして、ＮＢＲ板、ＰＰ板が用いられた。
実施例５４，５７では、実施例１における紫外線照射、超音波洗浄の後、更に０．５ｗｔ％のＰＤＥＳ（ポリジエトキシシロキサン）溶液中における浸漬、加熱処理（８０℃で１０分間）が行われた。
実施例５５，５８は、実施例５４，５７におけるＰＤＥＳの代わりに、０．１ｗｔ％のＴＥＳ（６−（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール）溶液が用いられた以外は、同様に行われた。但し、ＴＥ−ＤＡＺの濃度は０．１ｗｔ％であった。加熱温度は１２０℃であった。
実施例５６，５９は、実施例５４，５７におけるＰＤＥＳ溶液中における浸漬後、更に０．１ｗｔ％のＴＥＳ溶液中における浸漬が行われた以外は、同様に行われた。但し、加熱温度は１２０℃であった。
［特性］
上記実施例５４〜５９よる改質処理の結果（ＸＰＳ分析）が、表−７に示される。
表−７
2012043631.tif 000025
表−７より、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理の特徴の他にも、ＰＤＥＳやＴＥＳによる改質処理の特徴（ＰＤＥＳの結合反応、ＴＥＳの結合反応）が窺える。
【０１４７】
（３）  新規化合物α（−ＯＨ付与剤）による接合（接着：分子接着）
［実施例６１〜７２］
基体Ａとしてエポキシ樹脂未硬化シートが用いられた。
このエポキシ樹脂未硬化シートは次のようにして得られた。５２重量部のエピコート８２８（三菱化学製のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）と、１４重量部のエピコート１００１（三菱化学製のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）と、３４重量部のポリアミドアミン（硬化剤）と、２０重量部のクレー（充填材）とが、バンバリーミキサーで混練された。そして、小型二本ロールで１ｍｍ厚のシートが得られた。
０．０５ｗｔ％のＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液が前記シートに吹き付けられた。この後、紫外線照射（２５ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、Ａｌ板、ＳＵＳ３０４板、ガラス（Ｇ）板、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）板が用意された。これ等の金属板やセラミック板は、表面研磨の後、エタノール洗浄が行われている。
又、上記金属板やセラミック板に対して次の表面処理が行われた基体Ｂも用意された。すなわち、前記金属板やセラミック板が０．１ｗｔ％のビニルメトキシシロキサンポリマー（ＶＭＳ）のエタノール溶液に浸漬された。引上後、乾燥、熱処理（８０℃で１０分間）が行われた。コロナ放電処理が行われた。又、前記ＶＭＳの代わりに、ポリジエトキシシロキサン（ＰＤＥＳ）が用いられて、コロナ放電処理を除き、同様に行われた。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、１ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は８０℃で、時間は１０分間である。
［比較例６１〜７２］
実施例６１〜７２において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例６１〜７２に準じて行われた。
［特性］
実施例６１〜７２及び比較例６１〜７２において、接着（剥離）強度が調べられた。すなわち、１０ｍｍ幅で切れ目が入れられた。そして、ＪＩＳＫ６５８４−１に準じて接着強度が測定された。測定には島津オートグラフＡＧＳ（島津製作所製）が用いられた。以後の接着強度の測定はこれと同様にして行われた。又、被覆率が調べられた。
その結果が表−８に示される。
表−８
2012043631.tif 000026
【０１４８】
［実施例７３〜８３］
基体Ａとして、軟質ポリエチレン未硬化シート、及び光硬化性エポキシアクリレート未硬化シートが用いられた。
前記軟質ポリエチレン未硬化シートは次のようにして得られた。１００重量部のエクセレンＧＭＨ（住友化学製の軟質ポリエチレン）と３重量部のジクミルペルオキシドとが用いられ、二本ロールにより１ｍｍ厚の未軟質ポリエチレン未架橋シートが作製された。この未軟質ポリエチレン未架橋シートに、真空熱加圧装置により、１６０℃で３０分間に亘って、２ＭＰａのプレス圧が掛った。
前記軟質ポリエチレン未硬化シートが０．１ｗｔ％のＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液中に浸漬された。この後、紫外線照射（３５ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
前記光硬化性エポキシアクリレート未硬化シートは次のようにして得られた。エポキシ樹脂（エピコート８２８、エポキシ当量１８７）１８７ｇとメタアクリル酸１７２ｇとの混合物が、窒素雰囲気下７０℃で１２時間加熱された。得られたエポキシジアクリレートに、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）（昭和電工社製、カレンズＭＴ−ＰＥＩ）１３６．２ｇとアクリル酸エチルポリマー（関東化学社製）７０ｇとがバンバリーミキサー中で混合された。そして、コーターにより、ＰＥＴフイルム上への塗布が行われ、約０．１ｍｍ厚のシートとして得られた。
この光硬化性エポキシアクリレート未硬化シートが０．１ｗｔ％ＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液に浸漬された。乾燥後、紫外線照射（３５ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、Ａｌ板、ＳＵＳ３０４板、Ａｌ２Ｏ３板が用意された。これ等の金属板やセラミック板は、表面研磨の後、エタノール洗浄が行われている。
又、上記金属板やセラミック板に対して次の表面処理が行われた基体Ｂも用意された。すなわち、前記金属板やセラミック板が０．１ｗｔ％のＶＭＳのエタノール溶液に浸漬された。引上後、乾燥、熱処理（８０℃で１０分間）が行われた。コロナ放電処理が行われた。又、前記ＶＭＳの代わりに、ＰＤＥＳが用いられて、コロナ放電処理を除き、同様に行われた。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、１ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は８０℃で、時間は１０分間である。
［比較例７３〜８３］
実施例７３〜８３において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例７３〜８３に準じて行われた。
［特性］
実施例７３〜８３及び比較例７３〜８３において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−９に示される。
表−９
2012043631.tif 000027
【０１４９】
［実施例８４〜８９］
基体Ａとしてエポキシ樹脂シートが用いられた。このエポキシ樹脂シートはガラスエポキシ樹脂（日立化成社製のＦＲ−４）である。
前記エポキシ樹脂シートが０．１ｗｔ％のＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液中に浸漬された。この後、紫外線照射（４０ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。更に、０．１ｗｔ％のＴＥＳエタノール溶液中に浸漬された。この後、１２０℃で１０分間の熱処理が行われた。
基体Ｂとして、ＢＲ板、ＳＢＲ板、ＮＢＲ板、ＥＰＲ板、ＦＫＭ板、Ｑ板が用意された。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、２ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は１６０℃で、時間は３０分間である。
［比較例８４〜８９］
実施例８４〜８９において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例８４〜８９に準じて行われた。
［特性］
実施例８４〜８９及び比較例８４〜８９において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−１０に示される。
表−１０
2012043631.tif 000028
【０１５０】
［実施例９０〜１００］
基体Ａとしてポリエチレン架橋シートが用いられた。
このポリエチレン架橋シートに０．０５ｗｔ％のＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液が噴霧された。この後、紫外線照射（３０ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、ＰＰ板、ＥＰ板、ＰＳｔ板、ＰＥＴ板、ＰＣ板、ＰＯＭ板、ＰＢＴ板、ＰＰＥ板、ＰＩ板、ＰＰＳ板、ＬＣＰ板が用意された。基体Ｂもポリエチレン架橋シートと同様の処理が行われた。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、２ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は１５０℃で、時間は１０分間である。
［比較例９０〜１００］
実施例９０〜１００において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例９０〜１００に準じて行われた。
［特性］
実施例９０〜１００及び比較例９０〜１００において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−１１に示される。
表−１１
2012043631.tif 000029
【０１５１】
［実施例１０１〜１１１］
基体ＡとしてＮＢＲ加硫ゴムシートが用いられた。
このＮＢＲ加硫ゴムシートに０．０５ｗｔ％のＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液が噴霧された。この後、紫外線照射（３０ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、ＰＰ板、ＥＰ板、ＰＳｔ板、ＰＥＴ板、ＰＣ板、ＰＯＭ板、ＰＢＴ板、ＰＰＥ板、ＰＩ板、ＰＰＳ板、ＬＣＰ板が用意された。基体ＢもＮＢＲ加硫ゴムシートと同様の処理が行われた。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、２ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は１２０℃で、時間は１０分間である。
［比較例１０１〜１１１］
実施例１０１〜１１１において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例１０１〜１１１に準じて行われた。
［特性］
実施例１０１〜１１１及び比較例１０１〜１１１において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−１２に示される。
表−１２
2012043631.tif 000030
【０１５２】
［実施例１１２〜１２２］
基体ＡとしてＰＰシートが用いられた。
このＰＰシートにＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液が噴霧された。この後、紫外線照射（３０ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、Ａｌ板、ＳＵＳ板、Ｎｉ板、Ａｕ板、Ａｇ板、Ｃｕ板、Ｓｎ板、Ａｌ２Ｏ３板、ＳｉＣ板、ＡｌＮ板、Ｃ（ニコラ社製のＣ−０７３４７８）板が用意された。尚、Ａｌ板、ＳＵＳ板、Ｎｉ板、Ａｌ２Ｏ３板、ＳｉＣ板、ＡｌＮ板については、０．１ｗｔ％のビニルメトキシシロキサンポリマー（ゲレスト社製のＶＭＭ０１０）エタノール溶液に5分間の浸漬が行われた。この後、８０℃で１０分間の熱処理が行われた。最後に、コロナ放電処理が行われた。Ａｕ板、Ａｇ板、Ｃｕ板については、０．１ｗｔ％のＴＥＳエタノール溶液に１０分間の浸漬が行われた。この後、８０℃で１０分間の熱処理が行われた。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、１ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は１６０℃で、時間は１０分間である。
［比較例１１２〜１２２］
実施例１１２〜１２２において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例１１２〜１２２に準じて行われた。
［特性］
実施例１１２〜１２２及び比較例１１２〜１２２において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−１３に示される。
表−１３
2012043631.tif 000031
【０１５３】
［実施例１２３〜１３３］
基体ＡとしてＦＫＭ架橋シートが用いられた。
このＦＫＭ架橋シートにＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液が噴霧された。この後、紫外線照射（３０ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、Ａｌ板、ＳＵＳ板、Ｎｉ板、Ａｕ板、Ａｇ板、Ｃｕ板、Ｓｎ板、Ａｌ２Ｏ３板、ＳｉＣ板、ＡｌＮ板、Ｃ（ニコラ社製のＣ−０７３４７８）板が用意された。尚、Ａｌ板、ＳＵＳ板、Ｎｉ板、Ａｌ２Ｏ３板、ＳｉＣ板、ＡｌＮ板については、０．１ｗｔ％のビニルメトキシシロキサンポリマー（ゲレスト社製のＶＭＭ０１０）エタノール溶液に５分間の浸漬が行われた。この後、８０℃で１０分間の熱処理が行われた。最後に、コロナ放電処理が行われた。Ａｕ板、Ａｇ板、Ｃｕ板については、０．１ｗｔ％のＴＥＳエタ
ノール溶液に１０分間の浸漬が行われた。この後、８０℃で１０分間の熱処理が行われた。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、１ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は１６０℃で、時間は１０分間である。
［比較例１２３〜１３３］
実施例１２３〜１３３において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例１２３〜１３３に準じて行われた。
［特性］
実施例１２３〜１３３及び比較例１２３〜１３３において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−１４に示される。
表−１４
2012043631.tif 000032
従来、接着剤を使用しても、ＦＫＭ架橋ゴムと、金属（及びセラミックス）とは接着され難かった。しかしながら、本発明の化合物αが用いられた場合、強固な接着が得られることが判る。
【０１５４】
上記実施例においては、ＴＥ−ＤＡＺが用いられた場合である。このＴＥ−ＤＡＺの代わりに、ＢＴＥ−ＤＡＺやＴＥ−ＭＡＺが用いられた場合も、上記実施例６１〜１３３と同様な結果であることが確認された。
【０１５５】
（１）  新規化合物α（−ＯＨ付与剤）
［実施例Ａ−４］
−１０℃下において、０．１ｍｏｌ（１８．４ｇ）の塩化シアヌルが、２００ｍｌのＴＨＦ溶液に加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。この塩化シアヌル溶液に、０．１０５ｍｏｌ（３５．０ｇ）の１１−アミノウンデシルトリエトキシシランと０．１０５ｍｏｌ（１４．６ｍｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液１００ｍｌが滴下された。滴下終了後も撹拌が３０分間に亘って続行された。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は４３．０５ｇ（収率；８９．４％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（１１−トリエトキシシリルウンデシルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジクロライド（ＴＥＵ−ＤＣ）であると決定された。
2012043631.tif 000033
上記ＴＥＵ−ＤＣ２４．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）が、５０〜６０℃下において、エタノール２００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＴＥＵ−ＤＣ溶液に、０．１０２ｍｏｌのＮａＮ３を含有するエタノール５０ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が７時間に亘って続行された。析出した塩の濾過が行われた。この後、ロータリーエバポレーターにより、エタノールが除去された。次いで、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と水とが用いられ、再沈殿が行われた。析出した結晶が濾過された。その後、乾燥が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は２３．５ｇ（収率；９５．２％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（１１−トリエトキシシリルウンデシル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＵ−ＤＡＺ）であると決定された。
2012043631.tif 000034
【０１５６】
［実施例Ａ−５］
−１０℃下において、５．０ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の塩化シアヌルが、５０ｍｌのＴＨＦ溶液に加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。この塩化シアヌル溶液に５．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の３−アミノプロピルジエトキシメチルシランと３．８ｇ（０．０３８ｍｏｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液３０ｍｌが滴下された。滴下終了後も撹拌が２時間に亘って続行された。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、生成物が得られた。得られた生成物はオイル状であった。その量は９．１９ｇ（収率；１００．０％）であった。得られた生成物（化合物）の同定が、元素分析測定置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、生成物は６−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジクロライド（ＤＥＭ−ＤＣ）であると決定された。
2012043631.tif 000035
上記ＤＥＭ−ＤＣ９．１９ｇ（０．０２７ｍｏｌ）が、５０〜６０℃下において、メタノール１００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＤＥＭ−ＤＣ溶液に、３．８ｇ（０．０５９ｍｏｌ）のＮａＮ３を含有するメタノール５０ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が３時間に亘って続行された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でメタノールが留去され、粗生成物が得られた。この粗成生物にエーテル２００ｍｌが加えられた。生成した塩と過剰量のＮａＮ３が除去された。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物は白色粉体であった。その量は９．２ｇ（収率；９３％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＤＥＭ−ＤＡＺ）であると決定された。
2012043631.tif 000036
【０１５７】
［実施例Ａ−６］
−１０℃下において、１０．０ｇ（０．０５４ｍｏｌ）の塩化シアヌルが、１００ｍｌのＴＨＦ溶液に加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。この塩化シアヌル溶液に１２．８ｇ（０．０５４ｍｏｌ）の４−アミノブチルトリエトキシシランと７．７ｇ（０．０７５ｍｏｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液６０ｍｌが滴下された。滴下終了後も撹拌が２時間に亘って続行された。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は１７．１ｇ（収率；８３．０％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（４−トリエトキシシリルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジクロライド（ＴＥＢ−ＤＣ）であると決定された。
2012043631.tif 000037
上記ＴＥＢ−ＤＣ１５．０ｇ（０．０３９ｍｏｌ）が、５０〜６０℃下において、メタノール１００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＴＥＢ−ＤＣ溶液に、５．６ｇ（０．０８６ｍｏｌ）のＮａＮ３を含有するメタノール５０ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が３時間に亘って続行された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でメタノールが留去され、粗生成物が得られた。この粗成生物にエーテル２００ｍｌが加えられた。生成した塩と過剰量のＮａＮ３が除去された。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物は白色粉体であった。その量は１４．０ｇ（収率；９７．２％）であった。得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（４−トリエトキシシリルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＢ−ＤＡＺ）であると決定された。
2012043631.tif 000038
【０１５８】
［実施例Ａ−７］
７．４３ｇ（０．０４０ｍｏｌ）の塩化シアヌルが三ツ口ナスフラスコ（２００ｍＬ）に入れられた。更に、８０ｍＬのアセトンが加えられた。この後、０℃に冷却された。冷却後、４．０６ｇ（０．０３９ｍｏｌ）のジエタノールアミンを含む４０ｍＬの水溶液が滴下された。次いで、１ｍｏｌのＮａＯＨを含む３０ｍＬの水溶液が滴下された。滴下後、撹拌が０℃で９０分間行われた。静置後、析出した白色固体が吸引濾過にて濾別された。濾別後、減圧乾燥が行われた。この結果、無色の固体が得られた。収量は８．１ｇ（分離収率８１％）であった。
生成物の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、６−（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）アミノ−１,３,５−トリアジン−２，４−ジクロリド（ＤＥＡ−ＤＣ）であると決定された。
2012043631.tif 000039
５．０６ｇ（０．０２０ｍｏｌ）のＤＥＡ−ＤＣが三ツ口ナスフラスコ（５００ｍＬ）に入れられた。フラスコ内がアルゴン雰囲気下におかれた。この後、１００ｍＬのＤＭＦが加えられた。次いで、２．６７ｇ（０．０４１ｍｍｏｌ）のＮａＮ３が加えられた。この後、室温下での撹拌が２時間行われ、次いで５０℃での撹拌が１時間行われた。室温までの冷却が行われた後、１００ｍＬの水と１００ｍＬのジエチルエーテルとが加えられた。そして、室温下で静置された。これにより析出した白色固体が吸引濾過にて濾別された。この後、減圧乾燥が行われた。この結果、無色の粉末が得られた。収量は４．５３ｇ（分離収率８５％）であった。
生成物の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、６−（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＤＥＡ−ＤＡＺ）であると決定された。
2012043631.tif 000040
【０１５９】
（２）  新規化合物α（−ＯＨ付与剤）による表面改質
［実施例１３４〜１３６］
基体Ａとして、４０℃のエタノール中で、超音波洗浄（時間：１０分間）が行われたＰＰ（ポリプロピレン）板が用いられた。
このＰＰ板が、前記ＴＥＵ−ＤＡＺ，ＤＥＭ−ＤＡＺ，ＴＥＢ−ＤＡＺ（濃度０．１ｗｔ％）のエタノール溶液（温度；２０℃）中に浸漬（時間；５分間）された。引き上げ後、温風乾燥が行われた。次いで、高圧水銀ランプ（出力：２ｋＷ  アイグラフィック株式会社製のアイミニグランテイジ）が用いられ、３０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射が行われた。この後、エタノール中で超音波洗浄が行われた。
［特性］
上記実施例１３４〜実施例１３６による改質処理の結果（基板表面におけるトリアジン環の有無、アルコキシシリル基の有無：ＸＰＳ分析（線光電子分光分析装置：アルバックファイ製のＰＨＩ−ＱｕｎｔｅｒａＳＸＭ））が、表−１５に示される。
表−１５
化合物α            ＸＰＳ分析（ａｔ％）
Ｎ１ｓ        Ｓｉ２ｐ
実施例１３４    ＴＥＵ−ＤＡＺ      １０．２        ２．１
実施例１３５    ＤＥＭ−ＤＡＺ      １６．１        ３．３
実施例１３６    ＴＥＢ−ＤＡＺ      １３．９        ２．８
表−１５において、Ｎ１ｓはトリアジン環の有無を、Ｓｉ２ｐはアルコキシシリル基の有無を示す。Ｎ１ｓ，Ｓｉ２ｐの数値が認められると言うことは、ＰＰ板の表面にアルコキシシリルプロピルアミノトリアジニリデン基の存在を示している。
そして、前記表−１５と前記表−１とから、前記ＴＥＵ−ＤＡＺ，ＤＥＭ−ＤＡＺ，ＴＥＢ−ＤＡＺも、前記ＴＥ−ＤＡＺと同様の反応性を示していることが判る。
【０１６０】
（３）  新規化合物α（−ＯＨ付与剤）による接合（接着：分子接着）
［実施例１３７〜１４５］
基体ＡとしてＰＰシートが用いられた。
このＰＰシートに前記ＴＥＵ−ＤＡＺ，ＤＥＭ−ＤＡＺ，ＴＥＢ−ＤＡＺ（濃度０．１ｗｔ％）エタノール溶液が噴霧された。この後、紫外線照射（３０ｍＪ／ｃｍ２）が行われた。
基体Ｂとして、Ａｌ板、Ａｌ２Ｏ３板、Ｑ板が用意された。信光電気計測株式会社製コロナマスターＰＳ−１Ｍ（１４ｋＶ，１５ｋＨｚ，ＡＣ１００Ｖ）が用いられ、２０℃で１０秒間の処理が行われた。これにより、表面清浄化が行われた。かつ、表面に−ＯＨ基が生成した。
上記基体Ａと基体Ｂとが、ＴＥＵ−ＤＡＺ，ＤＥＭ−ＤＡＺ，ＴＥＢ−ＤＡＺによる改質処理面が挟まれるように配置された。そして、真空下で１ＭＰａのプレスが掛けられた。この時の温度は１６０℃で、時間は１０分間である。
［比較例１３７，１３８，１３９］
実施例１３７，１３８，１３９において、ＴＥＵ−ＤＡＺの代わりにＴＥ−ＡＳＨが用いられた以外は、実施例１３７，１３８，１３９に準じて行われた。
［特性］
実施例１３７〜１４５及び比較例１３７，１３８，１３９において、接着強度および被覆率が調べられた。
その結果が表−１６に示される。
表−１６
2012043631.tif 000041
ＴＥＵ−ＤＡＺ，ＤＥＭ−ＤＡＺ，ＴＥＢ−ＤＡＺも、ＴＥ−ＤＡＺ等と同様、良好な接着性を示していることが判る。
【０１６１】
この出願は、２０１０年９月３０日に出願された日本出願特願２０１０−２２０５１２を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
2012043631.tif 000064
【図２】
2012043631.tif 000065
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体Ａと基体Ｂとが接合される接合方法であって、
前記基体Ａの表面に下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物（α）を含む剤が設けられる工程（Ｘ）と、
前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）に対向して前記基体Ｂが配置される工程（Ｙ）と、
前記基体Ａ及び／又は前記基体Ｂに力が加えられ、前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合する工程（Ｚ）と、
前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）に光が照射される工程（Ｗ）
とを具備してなり、
前記基体Ａはポリマーが用いられて構成されてなる
ことを特徴とする接合方法。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000066
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２】
前記工程（Ｚ）で加えられる力は、前記力によって、前記基体Ａ表面に存する前記化合物（α）のＯＨ基またはＯＨ生成基から生成したＯＨ基が前記基体Ｂの表面に接するようになる力である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項３】
前記工程（Ｚ）は０〜３００℃の温度下で行われる
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項４】
前記工程（Ｗ）の光照射によって、前記基体Ａと前記化合物（α）のアジド基とが化学反応し、前記基体Ａの表面に前記化合物（α）が結合する
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項５】
前記光は紫外線である
ことを特徴とする請求項１又は請求項４の接合方法。
【請求項６】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項７】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000067
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項８】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000068
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項９】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000069
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項１０】
前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
一般式［ＩＩ］
2012043631.tif 000070
［式中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。ＺはＡｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基である。ｎ，ｍは０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは０〜１００の整数である。］
【請求項１１】
前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１の接合方法。
【請求項１２】
前記工程（Ｖ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する
ことを特徴とする請求項１０の接合方法。
【請求項１３】
前記化合物（β）は下記一般式［Ｔ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２の接合方法。
一般式［Ｔ］
Ｌ−Ｓｉ（Ｍ’）ｎ（ＯＭ）３−ｎ
［式中、Ｌは、有機基（有機基は、炭素、水素以外の元素を含んでいても良い。有機基は、脂肪族、芳香族、鎖状、環状の如何なる形態のものでも良い。）である。Ｍ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ｍは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｍ’とＭとは、同一でも、異なるものでも良い。］
【請求項１４】
前記化合物（β）は下記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２の接合方法。
一般式［ＩＩＩ］
2012043631.tif 000071
［式中、Ｒ５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは１〜３の整数である。Ｍ１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
【請求項１５】
前記化合物（β）は下記一般式［ＩＶ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２の接合方法。
一般式［ＩＶ］
2012043631.tif 000072
［式中、Ｒ５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。全てのＸ’’及びＹ’’は同一でも異なっていても良い。ｎ，ｍは１〜３の整数である。Ｍ１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５いずれかの接合方法によって前記基体Ａと前記基体Ｂとが一体的に接合されてなる
ことを特徴とする接合体。
【請求項１７】
ポリマ−が用いられて構成された基体Ａの表面に設けられる接着性向上剤であって、
前記剤は下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物（α）を含む
ことを特徴とする接着性向上剤。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000073
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項１８】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１７の接着性向上剤。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000074
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項１９】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１７の接着性向上剤。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000075
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２０】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項１７の接着性向上剤。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000076
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２１】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項１７の接着性向上剤。
【請求項２２】
ポリマ−が用いられて構成された基体Ａの表面特性が改質される表面改質方法であって、
基体の表面に下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物（α）を含む剤が設けられる工程と、
前記工程後に光が照射される工程
とを具備する
ことを特徴とする表面改質方法。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000077
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２３】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２２の表面改質方法。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000078
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２４】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２２の表面改質方法。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000079
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２５】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２２の表面改質方法。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000080
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２６】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項２２の表面改質方法。
【請求項２７】
ポリマ−が用いられて構成された基体Ａの表面に設けられる表面改質剤であって、
前記剤は下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物（α）を含む
ことを特徴とする表面改質剤。
一般式［Ｉ］
2012043631.tif 000081
［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。−ＮＲ１（Ｒ２）のＲ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２８】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２７の表面改質剤。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000082
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項２９】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２７の表面改質剤。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000083
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３０】
前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項２７の表面改質剤。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000084
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３１】
前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
ことを特徴とする請求項２７の表面改質剤。
【請求項３２】
請求項２２〜請求項２６いずれかの表面改質方法が行われてなる基体。
【請求項３３】
下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする新規化合物。
一般式［Ｉｏ］
2012043631.tif 000085
［式中、−Ｑは、−Ｎ３又は−ＮＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３４】
前記化合物が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項３３の新規化合物。
一般式［Ｉａ］
2012043631.tif 000086
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ１とＲ２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【請求項３５】
前記化合物が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
ことを特徴とする請求項３３の新規化合物。
一般式［Ｉｂ］
2012043631.tif 000087
［式中、Ｒ１，Ｒ２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ１，Ｒ２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３−ｎである。Ｒ１とＲ２とは同一でも異なるものでも良い。］
【国際調査報告】
2012043631.tif 000088
2012043631.tif 000089
2012043631.tif 000090
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2012043631.tif 000093
2012043631.tif 000094
2012043631.tif 000095