(57)【要約】  本アクティブマトリクス基板は、列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記第１信号線の端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含む。これにより、延伸方向に並べられた２本の信号線間のリーク不良を抑制することができる。
2012108334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるとともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、
上記第１信号線の両端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含むアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
第２電極のエッジの一部が、第１および２信号線の間隙に沿うように形成されているか、あるいは上記間隙に重なるように形成されている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
第２電極のエッジの一部が、第１信号線に沿うように形成されているか、あるいは第１信号線に重なるように形成されている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
第１および第２信号線の最小距離が、第１トランジスタのソース電極およびドレイン電極の距離以上とされている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
上記第１端部が行方向に関して対称な形状となっている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
上記折れ線形状が等脚台形の下底を除く３辺の形状である請求項６または７記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
上記折れ線形状が三角形の２辺の形状である請求項６または７記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる曲線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１１】
上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる曲線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１２】
上記曲線形状が円弧形状である請求項１０または１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１３】
上記曲線形状が二次曲線形状である請求項１０または１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１４】
上記第２信号線の両端部のうち第１信号線側に位置する第２端部は、第１信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１５】
上記第２端部は、第１および第２端部の間隙を通り行方向に延伸する線を軸として第１端部と線対称となる形状を有する請求項７記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１６】
上記第１および第２電極はセンシング用である請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１７】
上記第１および第２電極は表示用である請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１８】
請求項１６記載のアクティブマトリクス基板を含むＸ線センサ装置。
【請求項１９】
請求項１７記載のアクティブマトリクス基板を含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ２本の信号線を備えたアクティブマトリクス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線センサ装置や表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板では、同一画素列に対応する信号線（読み取り線あるいはデータ線）を２本に分割して高速駆動や負荷低減を図る場合がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２８７７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この場合、分割された２本の信号線（同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ２本の信号線）の間隙近傍でのセンシングや表示の不具合を抑制するためには、上記間隙を小さくすることが望まれるが、上記間隙を小さくすると、製造工程で２本の信号線が短絡し易くなるという問題がある。【０００５】
本発明の目的は、アクティブマトリクス基板において同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ信号線同士の短絡の発生を抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本アクティブマトリクス基板は、列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるとともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記第１信号線の両端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含むことを特徴とする。上記構成によって、第１および第２信号線間の短絡の発生を抑えることができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、アクティブマトリクス基板において同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ信号線同士の短絡の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明にかかるＸ線センサ装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図である。
【図３】図２の一部の拡大図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面図である。
【図５】図３のＹ−Ｙ’断面図である。
【図６】第１および第２端部の具体的な形状を示す平面図である。
【図７】第１および第２端部の構成例（第１および第２端部双方の周縁が折れ線）を示す平面図である。
【図８】第１および第２端部の構成例（第１および第２端部双方の周縁が曲線）を示す平面図である。
【図９】図２の変形例を示す平面図である。
【図１０】図２の別の変形例を示す平面図である。
【図１１】第１および第２端部の構成例（第１および第２端部の一方の周縁のみが折れ線）を示す平面図である。
【図１２】第１および第２端部の構成例（第１および第２端部の一方の周縁のみが曲線）を示す平面図である。
【図１３】本発明にかかる液晶表示装置の構成を示す模式図である。
【図１４】図１３の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図である。
【図１５】図１４の一部の拡大図である。
【図１６】図１５のＸ−Ｘ’断面図である。
【図１７】図１５のＹ−Ｙ’断面図である。
【図１８】図１４の変形例を示す平面図である。
【図１９】図１４の別の変形例を示す平面図である。
【図２０】図１４のさらに別の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施の形態を、図１〜２０を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、アクティブマトリクス基板の説明で「列方向（この列方向に直交する方向が行方向）」との文言を用いるが、これは説明の便宜のためであって、Ｘ線センサ装置や液晶表示装置の使用状態において上記「列方向」が縦方向になっても横方向になってもよいものとする。
【００１０】
〔実施例１〕
図１は、実施例１のＸ線センサ装置の構成を示す模式図であり、図２は、図１の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図であり、図３は、図２の一部の拡大図である、また、図４は、図３のＸ−Ｘ’断面図であり、図５は図３のＹ−Ｙ’断面図である。
【００１１】
図１に示すように、Ｘ線センサ装置１ｓは、アクティブマトリクス基板３ｓと、ゲートドライバＧＤと、第１読み出しドライバＲＤと、第２読み出しドライバｒｄと、センサ制御回路ＳＣＣとを備える。
【００１２】
図１に示すように、アクティブマトリクス基板３ｓには、走査方向上流側となる第１領域１０ａと、走査方向下流側となる第２領域１０ｂとが設けられる。そして、第１領域１０ａには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数の読み出し線（読み出し線１４ａを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ａを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられ、第２領域１０ｂには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数の読み出し線（読み出し線１４ｂを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ｂを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられる。
【００１３】
図２に示すように、同一の画素列に対応して設けられる読み出し線１４ａ・１４ｂは、列方向に並び（図中、上下に並び）、読み出し線１４ａはトランジスタ１２ａを介してセンシング用の画素電極１７ａ（第１電極）に接続され、読み出し線１４ｂはトランジスタ１２ｂを介してセンシング用の画素電極１７ｂ（第２電極）に接続されている。
【００１４】
より具体的には、図３に示すように、トランジスタ１２ａのゲート電極１６ａｇは、走査線１６ａ（第１領域１０ａの最下流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ａのソース電極６ａは読み出し線１４ａに接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極７ａは、保持容量配線１８ａと重なるドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａは、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されている。また、トランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇは、走査線１６ｂ（第２領域１０ｂの最上流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ｂのソース電極６ｂは読み出し線１４ｂに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極７ｂは、保持容量配線１８ｂと重なるドレイン引き出し電極２７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極２７ｂは、コンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。
【００１５】
アクティブマトリクス基板３ｓでは、図３・４に示すように、ガラス基板３１上に、保持容量配線１８ｂとトランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇとを含むゲートメタルが形成され、ゲートメタルを覆うようにゲート絶縁膜２１が形成され、ゲート絶縁膜２１上に、半導体層２４ｂ・２４Ａ・２４Ｂと、読み出し線１４ａ・１４ｂ、ドレイン引き出し電極２７ｂ、トランジスタ１２ｂのソース電極およびドレイン電極を含むソースメタルとが積層される。また、ソースメタル上に、無機層間絶縁膜２５と無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６とが積層され、有機層間絶縁膜２６上に画素電極１７ｂを含む画素電極層が形成され、画素電極層上に電荷変換層３５（三硫化アンチモン層３３とセレン層３４との積層構造）が形成される。なお、コンタクトホール１１ｂでは、無機層間絶縁膜２５と有機層間絶縁膜２６とが除去されており、画素電極１７ｂとドレイン引き出し電極２７ｂとが接触（コンタクト）されている。また、電荷変換層３５は、Ｘ線照射量に応じた電荷を画素電極１７ｂに供給する。
【００１６】
図１に戻って、ゲートドライバＧＤは、センサ制御回路ＳＣＣの指令に基づいて、第１領域１０ａの走査線（走査線１６ａ含む）および第２領域１０ｂの走査線（走査線１６ｂ含む）を駆動し、第１読み出しドライバＲＤは、センサ制御回路ＳＣＣの指令に基づいて第１領域１０ａの読み出し線（読み出し線１４ａを含む）を駆動し、第２読み出しドライバｒｄは、センサ制御回路ＳＣＣの指令に基づいて第２領域１０ｂの読み出し線（読み出し線１４ｂを含む）を駆動する。より具体的には、走査線１６ａが選択されたときに、画素電極１７ａに蓄積された電荷（画素電極１７ａへのＸ線照射量に応じた電荷）が、トランジスタ１２ａおよび読み出し線１４ａを介して第１読み出しドライバＲＤに読み出され、走査線１６ｂが選択されたときに、画素電極１７ｂに蓄積された電荷（画素電極１７ｂへのＸ線照射量に応じた電荷）が、トランジスタ１２ｂおよび読み出し線１４ｂを介して第２読み出しドライバｒｄに読み出される。
【００１７】
実施例１では、読み出し線１４ａの両端部のうち読み出し線１４ｂ側に位置する端部３０ａは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａ（読み出し線１４ｂに近づくにつれて細くなる部分）を含む。また、読み出し線１４ｂの両端部のうち読み出し線１４ａ側に位置する端部３０ｂは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂ（読み出し線１４ａに近づくにつれて細くなる部分）を含む。すなわち、端部３０ｂは、端部３０ａおよび端部３０ｂの間隙の中央を通り、行方向に延伸する線を軸として端部３０ａと線対称となる形状を有する。
【００１８】
実施例１では、読み出し線１４ａの端部３０ａが先細り部４０ａを含む形状とされ、読み出し線１４ｂの端部３０ｂが先細り部４０ｂを含む形状とされているため、各読み出し線を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙領域にフォトマスク開口部からの光がまわり込み易くなり、この間隙領域に露光量不足等によるレジスト残りが発生し難くなる。これにより、レジスト残りに起因する読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの短絡の発生を抑制することができる（レジスト残りがあると、間隙領域のメタルが除去されず、両線が短絡する）。このメリットは、図１・２のように、画素電極１７ｂのエッジの一部が、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙に沿って形成され、間隙を大きくすることができない場合（大きくすると、画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が大きく異なるため）に顕著である。
【００１９】
また、実施例１では、先細り部４０ａ・４０ｂそれぞれの周縁を、等脚台形の下底を除く３辺の形状としているため、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙領域に対して、斜め４方向から光がまわり込み、レジスト残りの発生が効果的に抑制されている。
【００２０】
さらに、実施例１では、画素電極１７ｂのエッジのうち読み出し線１４ａに沿う部分の長さを、画素電極１７ｂのエッジのうち読み出し線１４ｂに沿う部分の長さよりも短くすることで、画素電極１７ｂおよび読み出し線１４ａ間の寄生容量の影響を小さくしている。
【００２１】
図６は端部３０ａ・３０ｂの形状を示す平面図である。なお、Ｌ１〜Ｌ５は端部３０ａの周縁である。図６のｄ１で示される、先細り部４０ａの先端（周縁のうち等脚台形の上底に当たる部分）と先細り部４０ｂの先端（周縁のうち等脚台形の上底に当たる部分）との距離（読み出し線１４ａ・１４ｂの最小距離）は、トランジスタ１２ｂのソース電極６ｂおよびドレイン電極７ｂ間の距離以上とすることが好ましい。これは、フォトリソグラフィ工程において、読み出し線１４ａおよび読み出し線１４ｂの間隙領域は、ゲート電極１６ｂｇでの反射光を受ける、ソース電極６ｂおよびドレイン電極７ｂの間隙領域よりも露光量が小さく（アンダー露光に）なり易いからである。
【００２２】
また、先細り部４０ａ・４０ｂそれぞれの先端の幅（図６のｄ２）は、読み出し線１４ａおよび読み出し線１４ｂそれぞれの端部以外での幅（図６のｄ３）が１３μｍであるときに１１μｍ以下とする、すなわち片側（図６のｄ４）を１μｍ以上小さくすることで短絡抑制効果が得られるが、好ましくはｄ２をｄ３の１／２未満とする（ｄ３＝１３μｍであれば、例えばｄ２＝５μｍとする）。また、先細り部４０ａの元となる部分と先細り部４０ｂの元となる部分との距離（図６のｄ５）は、読み出し線１４ａおよび読み出し線１４ｂそれぞれの端部以外での幅（図６のｄ３）以上とすることが好ましい。
【００２３】
〔実施例２〕
図３の端部３０ａ・３０ｂを図７（ａ）〜（ｃ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。この構成は、特に、画素電極のサイズが大きい場合（画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が異なり難い場合）に好適であり、図６の形状と比較して、斜め４方向からのフォトマスク開口部の光がより多くまわり込み、短絡抑制効果が高い。
【００２４】
端部３０ａ・３０ｂを図７（ｄ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
【００２５】
端部３０ａ・３０ｂを図７（ｅ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
【００２６】
端部３０ａ・３０ｂを図８（ａ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
【００２７】
端部３０ａ・３０ｂを図８（ｂ）〜（ｃ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
【００２８】
端部３０ａ・３０ｂを図８（ｄ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
【００２９】
端部３０ａ・３０ｂを図８（ｅ）〜（ｆ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
【００３０】
図２では、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙を走査線１６ａ側に近づけて形成しているがこれに限定されない。図９に示すように、この間隙を、走査線１６ｂ側に近づけて形成する（トランジスタ１２ｂの近傍に形成する）こともできる。
【００３１】
また、図２では、端部３０ａ・３０ｂそれぞれに先細り部を設けているがこれに限定されない。図１０に示すように、端部３０ａのみに先細り部４０ａ（読み出し線１４ｂに近づくにつれて細くなる部分）を設けることもできる。なお、先細り部４０ａは、端部３０ａの周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される。この構成は、特に、画素電極のサイズが小さい場合（画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が異なり易い場合）に好適である。同様に、図７（ａ）〜（ｅ）において、端部３０ａのみに先細り部４０ａを設け、図１１（ａ）〜（ｅ）参照のように構成することもできる。また、図８（ａ）〜（ｆ）において、端部３０ａのみに先細り部４０ａを設け、図１２（ａ）〜（ｆ）のように構成することもできる。
【００３２】
〔実施例３〕
図１３は、実施例３の液晶表示装置の構成を示す模式図であり、図１４は、図１３の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図であり、図１５は、図１４の一部の拡大図である、また、図１６は、図１５のｘ−ｘ’断面図であり、図１７は図１５のｙ−ｙ’断面図である。
【００３３】
図１３に示すように、液晶表示装置１ｄは、アクティブマトリクス基板３ｄと、ゲートドライバＧＤと、第１ソースドライバＳＤと、第２ソースドライバｓｄと、表示制御回路ＤＣＣとを備える。
【００３４】
図１３に示すように、アクティブマトリクス基板３ｄには、走査方向上流側となる第１領域１０ａと、走査方向下流側となる第２領域１０ｂとが設けられる。そして、第１領域１０ａには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数のデータ線（データ線１５ａを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ａを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられ、第２領域１０ｂには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数のデータ線（データ線１５ｂを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ｂを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられる。
【００３５】
図１４に示すように、同一の画素列に対応して設けられるデータ線１５ａ・１５ｂは、列方向に並び（図中、上下に並び）、データ線１５ａはトランジスタ１２ａを介して表示用の画素電極１７ａ（第１電極）に接続され、データ線１５ｂはトランジスタ１２ｂを介して表示用の画素電極１７ｂ（第２電極）に接続されている。
【００３６】
より具体的には、図１４・１５に示すように、トランジスタ１２ａのゲート電極１６ａｇは、走査線１６ａ（第１領域１０ａの最下流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ａのソース電極６ａはデータ線１５ａに接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極７ａは、保持容量配線１８ａと重なるドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａは、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されている。また、トランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇは、走査線１６ｂ（第２領域１０ｂの最上流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ｂのソース電極６ｂはデータ線１５ｂに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極７ｂは、保持容量配線１８ｂと重なるドレイン引き出し電極２７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極２７ｂは、コンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。
【００３７】
アクティブマトリクス基板３ｄでは、図１６・１７に示すように、ガラス基板３１上に、保持容量配線１８ｂとトランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇとを含むゲートメタルが形成され、ゲートメタルを覆うようにゲート絶縁膜２１が形成され、ゲート絶縁膜２１上に、半導体層２４ｂ・２４Ａ・２４Ｂと、データ線１５ａ・１５ｂ、ドレイン引き出し電極２７ｂ、トランジスタ１２ｂのソース電極およびドレイン電極を含むソースメタルとが積層される。また、ソースメタル上に、無機層間絶縁膜２５と無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６とが積層され、有機層間絶縁膜２６上に画素電極１７ｂを含む透明電極層（例えば、ＩＴＯ）が形成され、透明電極層上に配向膜（図示せず）が形成される。なお、コンタクトホール１１ｂでは、無機層間絶縁膜２５と有機層間絶縁膜２６とが除去されており、画素電極１７ｂとドレイン引き出し電極２７ｂとが接触（コンタクト）されている。
【００３８】
図１３に戻って、ゲートドライバＧＤは、表示制御回路ＤＣＣの指令に基づいて、第１領域１０ａの走査線（走査線１６ａ含む）および第２領域１０ｂの走査線（走査線１６ｂ含む）を駆動し、第１ソースドライバＳＤは、表示制御回路ＤＣＣの指令に基づいて第１領域１０ａのデータ線（データ線１５ａを含む）を駆動し、第２ソースドライバｓｄは、表示制御回路ＤＣＣの指令に基づいて第２領域１０ｂのデータ線（データ線１５ｂを含む）を駆動する。より具体的には、走査線１６ａが選択されたときに、データ信号が、第１ソースドライバＳＤからトランジスタ１２ａおよびデータ線１５ａを介して画素電極１７ａに書き込まれ、走査線１６ｂが選択されたときに、データ信号が、第２ソースドライバｓｄからトランジスタ１２ｂおよびデータ線１５ｂを介して画素電極１７ｂに書き込まれる。第１および第２領域１０ａ・１０ｂは独立駆動されるため、倍速駆動が可能となる。
【００３９】
実施例３では、データ線１５ａの両端部のうちデータ線１５ｂ側に位置する端部３０ａは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、データ線１５ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａ（データ線１５ｂに近づくにつれて細くなる部分）を含む。また、データ線１５ｂの両端部のうちデータ線１５ａ側に位置する端部３０ｂは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、データ線１５ａに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂ（データ線１５ａに近づくにつれて細くなる部分）を含む。すなわち、端部３０ｂは、端部３０ａおよび端部３０ｂの間隙の中央を通り、行方向に延伸する線を軸として端部３０ａと線対称となる形状を有する。
【００４０】
実施例３では、データ線１５ａの端部３０ａが先細り部４０ａを含む形状とされ、データ線１５ｂの端部３０ｂが先細り部４０ｂを含む形状とされているため、各データ線を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙領域に光がまわり込み易くなり、この間隙領域にレジスト残りが発生し難くなる。これにより、レジスト残りに起因するデータ線１５ａとデータ線１５ｂとの短絡の発生を抑制することができる（レジスト残りがあると、間隙領域のメタルが除去されず、両線が短絡する）。このメリットは、図１４・１５のように、画素電極１７ｂのエッジの一部が、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙に沿って形成され、間隙を大きくすることができない場合（大きくすると、画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が大きく異なるため）に顕著である。
【００４１】
また、実施例３では、先細り部４０ａ・４０ｂそれぞれの周縁を、等脚台形の下底を除く３辺の形状としているため、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙領域に対して、斜め４方向から光がまわり込み、レジスト残りの発生が効果的に抑制されている。
【００４２】
さらに、実施例３では、画素電極１７ｂのエッジのうちデータ線１５ａに沿う部分の長さを、画素電極１７ｂのエッジうちデータ線１５ｂに沿う部分の長さよりも短くすることで、画素電極１７ｂおよびデータ線１５ａ間の寄生容量の影響を小さくしている。
【００４３】
〔実施例４〕
図１４の端部３０ａ・３０ｂは、図７および図８のように構成することもできる。
【００４４】
図１４では、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙を走査線１６ａ側に近づけて形成しているがこれに限定されない。図１８に示すように、この間隙を、走査線１６ｂ側に近づけて形成する（トランジスタ１２ｂの近傍に形成する）こともできる。なお、対向基板（カラーフィルタ基板）に形成されるブラックマトリクスでトランジスタ１２ｂを覆う（遮光する）場合には、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙を、このトランジスタ１２ｂを覆うブラックマトリクスに重なるように配置する（間隙をブラックマトリクスで覆い、遮光する）こともできる。
【００４５】
図１４では、端部３０ａ・３０ｂそれぞれに先細り部を設けているがこれに限定されない。図１９に示すように、端部３０ａのみに先細り部４０ａ（データ線１５ｂに近づくにつれて細くなる部分）を設けることもできる。なお、先細り部４０ａは、端部３０ａの周縁の一部が、データ線１５ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される。同様に、端部３０ａ・３０ｂを、図１１および図１２のように構成することもできる。
【００４６】
また、図１４〜１７では、開口率を高めるために、画素電極１７ｂのエッジをデータ線１５ａ・１５ｂおよび走査線１６ｂに重ねているがこれに限定されない。図２０に示すように、画素電極１７ｂのエッジをデータ線１５ａ・１５ｂおよび走査線１６ｂに沿って形成することもできる。
【００４７】
以上のように、本アクティブマトリクス基板は、列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるとともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記第１信号線の両端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含むことを特徴とする。
【００４８】
上記構成によれば、第１および第２信号線間の短絡の発生を抑えることができる。
【００４９】
本アクティブマトリクス基板では、第２電極のエッジの一部が、第１および２信号線の間隙に沿うように形成されているか、あるいは上記間隙に重なるように形成されている構成とすることもできる。
【００５０】
本アクティブマトリクス基板では、第２電極のエッジの一部が、第１信号線に沿うように形成されているか、あるいは第１信号線に重なるように形成されている構成とすることもできる。
【００５１】
本アクティブマトリクス基板では、第１および第２信号線の最小距離が、第１トランジスタのソース電極およびドレイン電極の距離以上とされている構成とすることもできる。
【００５２】
本アクティブマトリクス基板では、上記第１端部が行方向に関して対称な形状となっている構成とすることもできる。
【００５３】
本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
【００５４】
本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
【００５５】
本アクティブマトリクス基板では、上記折れ線形状が等脚台形の下底を除く３辺の形状である構成とすることもできる。
【００５６】
本アクティブマトリクス基板では、上記折れ線形状が三角形の２辺の形状である構成とすることもできる。
【００５７】
本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる曲線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
【００５８】
本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる曲線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
【００５９】
本アクティブマトリクス基板では、上記曲線形状が円弧形状である構成とすることもできる。
【００６０】
本アクティブマトリクス基板では、上記曲線形状が二次曲線形状である構成とすることもできる。
【００６１】
本アクティブマトリクス基板では、上記第２信号線の両端部のうち第１信号線側に位置する第２端部は、第１信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含む構成とすることもできる。
【００６２】
本アクティブマトリクス基板では、上記第２端部は、第１および第２端部の間隙を通り行方向に延伸する線を軸として第１端部と線対称となる形状を有する構成とすることもできる。
【００６３】
本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２電極はセンシング用である構成とすることもできる。
本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２電極は表示用である構成とすることもできる。
【００６４】
本Ｘ線センサ装置は、上記アクティブマトリクス基板を含むことを特徴とする。
【００６５】
本表示装置は、上記アクティブマトリクス基板を含むことを特徴とする。
【００６６】
本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本表示装置は、放射線検出器（例えば、Ｘ線センサ装置）や大型・高精細表示装置（例えば、テレビジョン受像機、デジタルサイネージ、医療用モニター）などに好適である。
【符号の説明】
【００６８】
１ｓ  Ｘ線センサ装置
１ｄ  液晶表示装置
３ｓ  ３ｄ  アクティブマトリクス基板
１６ａ  走査線（第１走査線）
１６ｂ  走査線（第２走査線）
１７ａ  画素電極（第１電極）
１７ｂ  画素電極（第２電極）
１２ａ  トランジスタ（第１トランジスタ）
１２ｂ  トランジスタ（第２トランジスタ）
１４ａ  読み出し線（第１信号線）
１４ｂ  読み出し線（第２信号線）
１５ａ  データ線（第１信号線）
１５ｂ  データ線（第２信号線）
３０ａ  （読み出し線１４ａあるいはデータ線１５ａの）端部
３０ｂ  （読み出し線１４ｂあるいはデータ線１５ｂの）端部
４０ａ  （端部３０ａの）先細り部
４０ｂ  （端部３０ｂの）先細り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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