(57)【要約】  ＲＦＩＤモジュール（１０１）は、ＲＦＩＣ素子（１０）、フィルタ回路（２０）、整合回路（３０）、および放射素子（４０）を備えている。このうちフィルタ回路（２０）と整合回路（３０）とでＲＦＩＤデバイス（５０）が構成されている。フィルタ回路（２０）は第１インダクタンス素子（Ｌ１）、第２インダクタンス素子（Ｌ２）およびコンデンサ（Ｃ１）とで構成されている。第１インダクタンス素子（Ｌ１）と第２インダクタンス素子（Ｌ２）とはそれぞれのインダクタンスが等しく、両者は磁束を強め合うように互いに磁気的に強く結合している。この構成により、ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を備えながらも全体に大型化しないようにしたＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイスを構成する。
2012032974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、
前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁気結合していることを特徴とするＲＦＩＤモジュール。
【請求項２】
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との結合係数は０．７以上である、請求項１に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項３】
前記フィルタ回路と前記放射素子との間に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１または２に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項４】
前記第１インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、前記第２インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および前記第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている、請求項１〜３のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項５】
前記第１の積層型コイル素子の前記ループ状導体と前記第２の積層型コイル素子の前記ループ状導体とは交互に積層されている、請求項４に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項６】
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されている、請求項１〜５のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項７】
前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、前記多層基板の表面に搭載されている、請求項６に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項８】
前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えた、請求項１〜７のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項９】
前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合している、請求項８に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項１０】
前記放射素子は前記多層基板に内蔵されている、請求項８または９に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項１１】
第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられるＲＦＩＤデバイスであって、
前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁気結合していることを特徴とするＲＦＩＤデバイス。
【請求項１２】
前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１１に記載のＲＦＩＤデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）システムに用いられるＲＦＩＤモジュールおよびそれに備えられるＲＦＩＤデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
物品の管理システムとして、ＲＦＩＤタグとリーダライタとが非接触方式で通信し、ＲＦＩＤタグとリーダライタとの間で情報を伝達するＲＦＩＤシステムが知られている。ＲＦＩＤタグは、ＩＤ情報が書き込まれたＲＦＩＣ素子とＲＦ信号を送受するためのアンテナとで構成されている。【０００３】
このようなＲＦＩＤタグにおいては、例えば特許文献１に開示されているように、ＲＦＩＣ素子とアンテナの間に、ＲＦＩＣ素子にて生じた高調波成分を除去するためのフィルタが設けられることがある。また、ＲＦＩＣ素子とアンテナとの間のインピーダンス整合を図るために、例えば特許文献２や特許文献３に開示されているように、ＲＦＩＣ素子とアンテナとの間にコンデンサやコイルによって構成された整合回路が挿入される。【０００４】
ここで、特許文献１に開示されているＩＣモジュールの構成を図１に示す。このＩＣモジュール内には、リーダ／ライタ送信回路と、リーダ／ライタ受信回路と、カードＩＣ回路が配設されている。そして、これらの回路モジュールの各入出力端子にアンテナを接続することにより、リーダ／ライタは外部のカードＩＣとの間で非接触通信を行なうように構成されている。そして、リーダ／ライタ送信回路とリーダ／ライタ送受信用アンテナとの間にフィルタが挿入されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４５４４９号公報
【特許文献２】特開２００１−１８８８９０号公報
【特許文献３】特開２００９−０２７２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のＲＦＩＣ素子にて生じた高調波成分を除去するためのフィルタは、コンデンサとインダクタとで組まれたローパスフィルタによって構成されるが、比較的大きなインダクタンス値のインダクタが必要であるため、インダクタ部分が大型化し、ＲＦＩＤタグの大型化を招いていた。【０００７】
そこで、この発明の目的は、ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を備えながらも全体に大型化しないようにしたＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明のＲＦＩＤモジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁気結合していることを特徴としている。【０００９】
（２）前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との結合係数は小型化の観点から０．７以上であることが望ましい。【００１０】
（３）前記フィルタ回路と前記放射素子との間には、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えてもよい。【００１１】
（４）前記第１インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、前記第２インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および前記第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっていることが望ましい。この構造により、各ループ状導体の内側を通る磁束の量が最大となるため、結合係数をより高めることができ、フィルタのインダクタをより小型化できる。【００１２】
（５）前記第１の積層型コイル素子の前記ループ状導体と前記第２の積層型コイル素子の前記ループ状導体とは交互に積層される構造にすれば、結合係数をより高めることができ、フィルタのインダクタをより小型化できる。【００１３】
（６）前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されていることが望ましい。この構造により、結合係数をより高めることができ、フィルタのインダクタをより小型化できる。【００１４】
（７）前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、例えば前記多層基板の表面に搭載される。この構造により、全体に殆ど大型化することなく整合回路を設けることができる。【００１５】
（８）必要に応じて、前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えることが好ましい。【００１６】
（９）（８）において、前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合していることが好ましい。【００１７】
（１０）（８）または（９）において、前記放射素子は前記多層基板に内蔵されていることが好ましい。この構造により、全体に殆ど大型化することなく放射素子を設けることができる。【００１８】
（１１）本発明のＲＦＩＤデバイスは、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられ、フィルタ部分の構成を前述のとおりとする。【００１９】
（１２）（１１）において、前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路のインダクタを小型化でき、小型のＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイスが構成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は特許文献１に開示されているＩＣモジュールの構成を示す図である。
【図２】図２は第１の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０１の回路図である。
【図３】図３は、図２に示したフィルタ回路２０が、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵された状態を示す図であり、図３（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図３（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。
【図４】図４は多層基板の各導体層の平面図である。
【図５】図５は多層基板の各導体層間を繋ぐビア導体の接続関係を示す図である。
【図６】図６（Ａ）は図３に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図、図６（Ｂ）はその比較例の図である。
【図７】図７（Ａ）は、図２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図７（Ｂ）はその下面図である。
【図８】図８は、ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０１の構成図である。
【図９】図９はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。
【図１０】図１０は第２の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスのフィルタ回路部の構成を示す図であり、図１０（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図１０（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。
【図１１】図１１は、図１０に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図である。
【図１２】図１２は第３の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０３の回路図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、図１２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図１３（Ｂ）はその断面図である。
【図１４】図１４は、ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０３の構成図である。
【図１５】図１５は、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に流れる電流およびブースター素子６０のブースター電極６２に流れる電流をそれぞれ示す図である。
【図１６】図１６はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。
【図１７】図１７は第４の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０４の分解斜視図である。
【図１８】図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は第５の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスの二つの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
《第１の実施形態》
図２は第１の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０１の回路図である。このＲＦＩＤモジュール１０１は、ＲＦＩＣ素子１０、フィルタ回路２０、整合回路３０、および放射素子４０を備えている。また、フィルタ回路２０と整合回路３０とでＲＦＩＤデバイス５０を構成している。
【００２３】
なお、第１の実施形態ではフィルタ回路２０と整合回路３０とでＲＦＩＤデバイス５０を構成しているが、フィルタ回路２０のみでＲＦＩＤデバイス５０を構成してもよい。
【００２４】
ＲＦＩＣ素子１０は半導体集積回路で構成されていて、第１送信端子Ｔｘ１、第２送信端子Ｔｘ２および受信端子Ｒｘを備えている。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２とで送信信号を平衡出力する。また、受信端子Ｒｘで受信信号を不平衡入力する。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２は、特許請求の範囲に記載の「第１入出力端子」と「第２入出力端子」に相当する。
【００２５】
フィルタ回路２０は第１インダクタンス素子Ｌ１、第２インダクタンス素子Ｌ２およびコンデンサＣ１で構成されている。第１インダクタンス素子Ｌ１の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第１送信端子Ｔｘ１に接続され、第２インダクタンス素子Ｌ２の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第２送信端子Ｔｘ２に接続され、第１インダクタンス素子Ｌ１および第２インダクタンス素子Ｌ２の第２端がコンデンサＣ１の両端に接続されている。このフィルタ回路２０はＲＦＩＣ素子１０の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
【００２６】
整合回路３０はコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４で構成されている。コンデンサＣ２の第１端はフィルタ回路２０の第１出力端に接続され、コンデンサＣ３の第１端はフィルタ回路２０の第２出力端に接続され、コンデンサＣ２，Ｃ３の第２端がコンデンサＣ４の両端に接続されている。
放射素子４０は例えばループ状コイルアンテナである。
【００２７】
前記第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２はそれぞれのインダクタンスが等しい。また、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２は、磁束を強め合うように互いに磁気的に結合している。ここで、結合していない状態での第１インダクタンス素子Ｌ１のインダクタンスをＬ１０、結合していない状態での第２インダクタンス素子Ｌ２のインダクタンスをＬ２０、両者の相互インダクタンスをＭ、結合係数をｋ、結合している状態での第１のインダクタンス素子Ｌ１のインダクタンスをＬ１、結合している状態での第２のインダクタンス素子Ｌ２のインダクタンスをＬ２で表すと、Ｔｘ１，Ｔｘ２とコンデンサＣ１との間に接続されているインダクタの実効インダクタンスＬは、
Ｌ＝Ｌ１０＋Ｌ２０＋２Ｍ
＝Ｌ１０＋Ｌ２０＋２ｋ×√（Ｌ１０＊Ｌ２０）
Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ／２
で表される。
【００２８】
例えば結合係数ｋ＝０のときにＬ１，Ｌ２の必要なインダクタンスＬ１０，Ｌ２０が８００ｎＨであるとすると（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ１０＝Ｌ２０＝８００ｎＨ）、結合係数ｋ＝０．８５のときにＬ１，Ｌ２を８００ｎＨとするのに必要なインダクタンスＬ１０，Ｌ２０は４３２ｎＨである。すなわち約０．５４倍に小型化できる。また、必要なインダクタンスを得るに要するループ状導体の長さを短縮化でき、その分、直流抵抗を低減できる。
【００２９】
整合回路３０は、３つのコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４によって、フィルタ回路２０と放射素子４０とをインピーダンス整合させる。
【００３０】
ＲＦＩＣ素子１０の受信端子ＲｘとコンデンサＣ１の一方端とは接続されていて、受信信号が受信端子Ｒｘに入力される。
【００３１】
ＲＦＩＣ素子１０は送信端子Ｔｘ１，Ｔｘ２から１３．５６ＭＨｚの矩形波信号を平衡出力する。これにより、フィルタ回路２０および整合回路３０を介して放射素子４０が駆動され、放射素子４０から１３．５６ＭＨｚの磁界が放射される。この放射素子４０にＲＦＩＤタグが近接していると、そのＲＦＩＤタグは前記磁界信号を受けて電力を受電するとともに自身のＩＤに基づいてＲＦＩＤタグ内の無線ＩＣのインピーダンスを変化させ、ＲＦＩＤタグ側のアンテナ共振回路のインピーダンスを変化させる（ＡＳＫ変調する）。このことにより、ＲＦＩＤタグはエネルギーの反射によってＩＤを応答することになる。
【００３２】
ＲＦＩＣ素子１０は前記ＡＳＫ変調された応答信号を受けてＩＤを復号化する。ＲＦＩＣ素子１０側からデータやコマンドを送信する場合には、前記１３．５６ＭＨｚの駆動電圧（電流）をＡＳＫ変調する。ＲＦＩＤタグは受信した搬送波の強度変化を復号化することによりＲＦＩＣ素子１０からのデータやコマンドを受信することになる。
【００３３】
図３は、図２に示したフィルタ回路２０が、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵された状態を示す図である。図３（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図３（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。また、図４は多層基板の各導体層の平面図、図５は各導体層間を繋ぐビア導体の接続関係を示す図である。
【００３４】
図４、図５において（ａ）層は最下層、（ｋ）層は最上層である。また、図５においてビア導体を細線の直線で表している。
【００３５】
図３（Ｂ）等に表れているように、多層基板ＭＢの内部に、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第１の積層型コイル素子で第１インダクタンス素子Ｌ１が構成され、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第２の積層型コイル素子で第２インダクタンス素子Ｌ２が構成されている。
【００３６】
多層基板ＭＢの上面には端子電極Ｐ２１Ａ，Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂが形成されている。また、多層基板ＭＢの下面には端子電極Ｐ１１，Ｐ１２が形成されている。これらの端子電極は図２に示した回路中に同符号で示した箇所にそれぞれ対応している。後に示すように、コンデンサＣ１に相当するチップコンデンサが端子電極Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ｂに搭載される。また、コンデンサＣ２，Ｃ３に相当するチップコンデンサの一方端が端子電極Ｐ２１Ａ，Ｐ２２Ａにそれぞれ接続されるように搭載される。端子電極Ｐ１１，Ｐ１２にはＲＦＩＣ素子１０が接続される。
【００３７】
図６（Ａ）は図３に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図である。図６（Ｂ）はその比較例の図である。本発明では、第１インダクタンス素子Ｌ１は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、第２インダクタンス素子Ｌ２は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている。すなわち同軸関係にある。そのため、平面視したとき、第１の積層型コイル素子の開口面と第２の積層型コイル素子の開口面が重なる。さらに、図３（Ｂ）、図６（Ａ）に示した例では、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体と前記第２の積層型コイル素子のループ状導体とは交互に積層されている。このようなループ状導体の配置によって、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２の結合係数ｋは約０．８５となる。
【００３８】
比較例である図６（Ｂ）のように、第１インダクタンス素子Ｌ１を構成する第１の積層型コイル素子と、第２インダクタンス素子Ｌ２を構成する第２の積層型コイル素子とが横並びで並置されると、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との結合係数ｋはほぼ０である。
【００３９】
図７（Ａ）は、図２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図７（Ｂ）はその下面図である。図７（Ａ）に表れているように、多層基板ＭＢの上面にチップコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４１，Ｃ４２、ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２がそれぞれ実装されている。ここでコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は図２の図中に同符号で示した素子にそれぞれ対応する。また、コンデンサＣ４１，Ｃ４２は並列接続されていて、図２におけるコンデンサＣ４に対応する。ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２は図２に示した放射素子４０とグランドとの間に配置される。
【００４０】
図７（Ｂ）に表れているように、多層基板ＭＢの下面には、送信端子Ｔｘ１，Ｔｘ２の接続端子(2)(3)、受信端子Ｒｘの接続端子(4)、放射素子４０の接続端子(6)(7)、グランド端子(5)(8)、ＮＣ端子(1)が形成されている。
【００４１】
図３に示した第１のインダクタンス素子Ｌ１と第２のインダクタンス素子Ｌ２は結合係数ｋが約０．８５と、強く結合しているので、必要なインダクタンスを得るに要するサイズを小型化でき、多層基板ＭＢのサイズを小さくでき、ＲＦＩＤデバイス５０のサイズを小さくできる。第１インダクタンス素子Ｌ１および第２インダクタンス素子Ｌ２をチップインダクタで構成した場合には、１５ｍｍ×６ｍｍ＝９０ｍｍ2程度のサイズを要するが、第１の実施形態によれば、第１、第２のインダクタンス素子を強く結合させることで小型化した上に、第１、第２のインダクタンス素子を多層基板にそれぞれの巻回軸がほぼ同一直線上に重なるように内蔵して第１、第２のインダクタンス素子を強く結合させることで小型化し、さらにチップコンデンサなどの素子を多層基板上に実装したことにより、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ＝８ｍｍ2となって、面積比が１／１０以下となった。
【００４２】
図８は、前記ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０１の構成図である。ＲＦＩＤデバイス５０が小型化されたことにより、これをＲＦＩＣ素子１０に近接配置でき、ＲＦＩＤモジュール１０１を小型化できる。
【００４３】
図９はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。特性曲線Ａ，Ｂ，Ｃとフィルタ回路２０および整合回路３０の各素子の値との対応関係は次のとおりである。
【００４４】
特性曲線［Ａ］
Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
Ｃ１：６５ｐＦ
Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
特性曲線［Ｂ］
Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
Ｃ１：６５ｐＦ
Ｃ２，Ｃ３：２３ｐＦ
特性曲線［Ｃ］
Ｌ１，Ｌ２：５６０ｎＨ
Ｃ１：９０ｐＦ
Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
７５ｍｍ以内の通信距離範囲で通信することを条件にすると、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３ＭＨｚ〜１６．４ＭＨｚ（周波数帯域３．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１２．７ＭＨｚ〜１６．９ＭＨｚ（周波数帯域４．２ＭＨｚ）の範囲で通信できる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３．６ＭＨｚ〜１６ＭＨｚ（周波数帯域２．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。
【００４５】
このように、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは帯域幅が比較的狭いが通信限界距離が大きいので、通信距離優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは通信限界距離が比較的短いが帯域幅が広いので、帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスに比較して通信距離および帯域幅ともに拡大できることが分かる。特に、前記帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスの場合、帯域幅は４．２ＭＨｚ／２．４ＭＨｚ＝１．７５倍にも拡大できる。
【００４６】
《第２の実施形態》
図１０は第２の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスのフィルタ回路部の構成を示す図である。図１０（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図１０（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。図１０（Ｂ）に表れているように、多層基板ＭＢの内部に、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第１の積層型コイル素子で第１インダクタンス素子Ｌ１が構成され、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第２の積層型コイル素子で第２インダクタンス素子Ｌ２が構成されている。
【００４７】
多層基板ＭＢの上面には端子電極Ｐ２１Ａ，Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂが形成されている。また、多層基板ＭＢの下面には端子電極Ｐ１１，Ｐ１２が形成されている。これらの端子電極は図２に示した回路中に同符号で示した箇所にそれぞれ対応している。
【００４８】
図１１は、図１０に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図である。
第１インダクタンス素子Ｌ１は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、第２インダクタンス素子Ｌ２は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている。但し、図３に示した例と異なり、前記第１の積層型コイル素子と第２の積層型コイル素子は個別に巻回した状態で積層されている。
【００４９】
このように、二つの積層型コイル素子を個別に巻回するように積層してもよい。このようなループ状導体の配置によって、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２の結合係数ｋは約０．７となる。
【００５０】
なお、第１、第２のインダクタンス素子同士の結合係数を大きくするためには、
・第１の積層型コイル素子を構成するループ状導体のループ面と第２の積層型コイル素子を構成するループ状導体のループ面の対向面積率を大きくする。
・磁性体層の厚みを薄くする（隣接するループ状導体の間隔を狭くする）。
・透磁率の大きな磁性体層を用いる。
ことが有効である。
【００５１】
《第３の実施形態》
図１２は第３の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０３の回路図である。ＲＦＩＤモジュール１０３は、ＲＦＩＤデバイス５０とブースター素子６０とで構成されている。ＲＦＩＤデバイス５０にはＲＦＩＣ素子１０が接続される。
【００５２】
ＲＦＩＤデバイス５０は、フィルタ回路２０、整合回路３０および結合用放射素子４０Ｃを備えている。なお、第３の実施形態ではフィルタ回路２０、整合回路３０および結合用放射素子４０ＣでＲＦＩＤデバイス５０を構成しているが、フィルタ回路２０と結合用放射素子４０ＣとでＲＦＩＤデバイス５０を構成してもよい。
【００５３】
ＲＦＩＣ素子１０は半導体集積回路で構成されていて、第１送信端子Ｔｘ１、第２送信端子Ｔｘ２および受信端子Ｒｘを備えている。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２とで送信信号を平衡出力する。また、受信端子Ｒｘで受信信号を不平衡入力する。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２は、特許請求の範囲に記載の「第１入出力端子」と「第２入出力端子」に相当する。
【００５４】
フィルタ回路２０は第１インダクタンス素子Ｌ１、第２インダクタンス素子Ｌ２およびコンデンサＣ１で構成されている。第１インダクタンス素子Ｌ１の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第１送信端子Ｔｘ１に接続され、第２インダクタンス素子Ｌ２の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第２送信端子Ｔｘ２に接続され、第１インダクタンス素子Ｌ１および第２インダクタンス素子Ｌ２の第２端がコンデンサＣ１の両端に接続されている。このフィルタ回路２０はＲＦＩＣ素子１０の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
【００５５】
整合回路３０はコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４で構成されている。コンデンサＣ２の第１端はフィルタ回路２０の第１出力端に接続され、コンデンサＣ３の第１端はフィルタ回路２０の第２出力端に接続され、コンデンサＣ２，Ｃ３の第２端がコンデンサＣ４の両端に接続されている。
結合用放射素子４０Ｃは例えばループ状コイル導体である。
【００５６】
前記第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２はそれぞれのインダクタンスが等しい。また、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２は、磁束を強め合うように互いに磁気的に結合している。
【００５７】
結合用放射素子４０Ｃはブースター素子６０に磁気的に結合する。ブースター素子６０は結合用放射素子４０Ｃと結合して外部に対する放射素子として作用する。
【００５８】
この第３の実施形態は、結合用放射素子４０Ｃおよびブースター素子６０を備えた点以外は第１の実施形態のＲＦＩＤモジュール１０１の構成と同じである。
【００５９】
図１３（Ａ）は、図１２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図１３（Ｂ）はその断面図である。但し、図１３（Ｂ）の断面図は厚み方向を拡大して表している。図１３（Ａ）に表れているように、多層基板ＭＢの上面にチップコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４１，Ｃ４２、ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２がそれぞれ実装されている。ここでコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は図１２の図中に同符号で示した素子にそれぞれ対応する。また、コンデンサＣ４１，Ｃ４２は並列接続されていて、図１２におけるコンデンサＣ４に対応する。ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２は図１２に示した結合用放射素子４０Ｃとグランドとの間に配置される。
【００６０】
図１３（Ｂ）に表れているように、結合用放射素子４０Ｃは、フィルタ回路２０および整合回路３０に対して積層形成されている。
【００６１】
図１４は、前記ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０３の分解斜視図である。このＲＦＩＤモジュール１０３は、ブースター素子６０にＲＦＩＤデバイス５０が搭載されることによって構成される。ブースター素子６０は、絶縁基材６１とその上面に形成されたブースター電極６２とで構成されている。ブースター電極６２は“Ｃ”字型の導体膜であり、ＲＦＩＤデバイス５０内の結合用放射素子と対向配置される。ブースター素子６０は、平面視で、結合用放射素子と重なる導体領域、結合用放射素子のコイル開口部と重なる導体開口部（非導体領域）ＣＡ、及び導体領域の外縁と導体開口部ＣＡとの間を連接するスリット部ＳＬとを有する。図１４中の二点差線はＲＦＩＤデバイス５０を搭載する領域を示している。
【００６２】
図１５は、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に流れる電流およびブースター素子６０のブースター電極６２に流れる電流をそれぞれ示す図である。但し、これらの電流は、ブースター素子６０に結合用放射素子を積層した状態での電流である。
【００６３】
図１５に示すように、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に電流ＥＣ３が流れると、このコイル導体から生じる磁束がブースター電極６２に鎖交しようとするので、その磁束を遮るようにブースター電極６２に、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に流れる電流の向きとは反対方向の電流が生じる。導体開口部ＣＡの周囲に流れる電流は、スリット部ＳＬの周囲を通り、ブースター電極６２の周囲に沿うように流れる。ブースター電極６２の周囲に沿うように電流が流れることで、磁界の放射エリアが広がり、ブースター電極６２は、磁界を増幅するブースターとしての役割を果たす。このように、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体とブースター電極６２とは磁界を主として電磁界結合する。
【００６４】
前記電流ＥＣ３と電流ＥＣ２１〜ＥＣ２５が放射に寄与する。すなわち、結合用放射素子４０Ｃとブースター素子６０がアンテナとして作用する。
【００６５】
図１６はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。特性曲線Ａ，Ｂ，Ｃとフィルタ回路２０および整合回路３０の各素子の値との対応関係は次のとおりである。
【００６６】
特性曲線［Ａ］
Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
Ｃ１：６５ｐＦ
Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
特性曲線［Ｂ］
Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
Ｃ１：６５ｐＦ
Ｃ２，Ｃ３：２３ｐＦ
特性曲線［Ｃ］
Ｌ１，Ｌ２：５６０ｎＨ
Ｃ１：９０ｐＦ
Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
８５ｍｍ以内の通信距離範囲で通信することを条件にすると、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３ＭＨｚ〜１６．４ＭＨｚ（周波数帯域３．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１２．７ＭＨｚ〜１６．９ＭＨｚ（周波数帯域４．２ＭＨｚ）の範囲で通信できる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３．６ＭＨｚ〜１６ＭＨｚ（周波数帯域２．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。
【００６７】
このように、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは帯域幅が比較的狭いが通信限界距離が大きいので、通信距離優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは通信限界距離が比較的短いが帯域幅が広いので、帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスに比較して通信距離および帯域幅ともに拡大できることが分かる。特に、前記帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスの場合、帯域幅は４．２ＭＨｚ／２．４ＭＨｚ＝１．７５倍にも拡大できる。
【００６８】
《第４の実施形態》
図１７は第４の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０４の分解斜視図である。このＲＦＩＤモジュール１０４は、ブースター素子７０とＲＦＩＤデバイス５０とで構成されている。ブースター素子７０は、絶縁基材７１、その上面に形成されたブースターコイルパターン７２および下面に形成されたブースターコイルパターン７３で構成されている。図１７においては、ブースターコイルパターン７２，７３についても絶縁基材７１から分離した状態で図示している。
【００６９】
ＲＦＩＤデバイス５０は第３の実施形態で示したものと同じである。このＲＦＩＤデバイス５０に内蔵されている結合用放射素子のコイルとブースターコイルパターン７２，７３とが磁気的に結合するように、ＲＦＩＤデバイス５０は絶縁基材７１に搭載される。
このように導体コイルパターンでブースター素子を構成してもよい。
【００７０】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、結合用放射素子４０Ｃの別の構成例を示す。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は第５の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスの二つの構成を示す図である。第３の実施形態では、平面視で、多層基板内にフィルタ回路２０および整合回路３０と重なる位置関係に結合用放射素子４０Ｃを配置した。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）の例では、フィルタ回路２０および整合回路３０の側方に結合用放射素子４０Ｃを配置している。図１８（Ａ）の例では、結合用放射素子４０Ｃのループ面を多層基板の平面に対して平行に配置している。図１８（Ｂ）の例では、結合用放射素子４０Ｃのコイル軸方向を多層基板の平面に対して平行に配置している。
【００７１】
このように、結合用放射素子４０Ｃをフィルタ回路２０および整合回路３０の側方に形成してもよい。
【００７２】
《他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、複数のループ状導体が平面視で四角形または楕円形（長円形）である例を示したが、複数のループ状導体は平面視で円形や八角形であってもよいし、他の多角形状であってもよい。
また、多層基板の各層は必要に応じて非磁性体の誘電体層であってもよい。
【００７３】
また、図１４に示したＲＦＩＤモジュール１０３ではブースター素子６０を、図１７に示したＲＦＩＤモジュール１０４ではブースター素子７０を、それぞれアンテナとして用いたが、これらのブースター素子と電磁界結合する放射導体をさらに設けて、この放射導体をブースター素子とともにアンテナとして作用させてもよい。
【００７４】
さらに、整合回路はキャパシタンス素子だけでなく、必要に応じてインダクタンス素子のみまたはキャパシタンス素子とインダクタンス素子で構成してもよい。
【符号の説明】
【００７５】
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…コンデンサ
Ｃ４１，Ｃ４２…コンデンサ
ＣＡ…導体開口部
Ｅ１，Ｅ２…ＥＳＤ保護素子
Ｌ１…第１のインダクタンス素子
Ｌ２…第２のインダクタンス素子
ＭＢ…多層基板
Ｐ１１，Ｐ１２…端子電極
Ｐ２１Ａ，Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂ…端子電極
Ｒｘ…受信端子
ＳＬ…スリット部
Ｔｘ１，Ｔｘ２…送信端子
１０…ＲＦＩＣ素子
２０…フィルタ回路
３０…整合回路
４０…放射素子
４０Ｃ…結合用放射素子
５０…ＲＦＩＤデバイス
６０，７０…ブースター素子
６１，７１…絶縁基材
６２…ブースター電極
７２，７３…ブースターコイルパターン
１０１〜１０４…ＲＦＩＤモジュール
【図１】
2012032974.tif 000003
【図２】
2012032974.tif 000004
【図３】
2012032974.tif 000005
【図４】
2012032974.tif 000006
【図５】
2012032974.tif 000007
【図６】
2012032974.tif 000008
【図７】
2012032974.tif 000009
【図８】
2012032974.tif 000010
【図９】
2012032974.tif 000011
【図１０】
2012032974.tif 000012
【図１１】
2012032974.tif 000013
【図１２】
2012032974.tif 000014
【図１３】
2012032974.tif 000015
【図１４】
2012032974.tif 000016
【図１５】
2012032974.tif 000017
【図１６】
2012032974.tif 000018
【図１７】
2012032974.tif 000019
【図１８】
2012032974.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）本発明のＲＦＩＤモジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とに平衡信号が入出力されるときに、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁束を強め合うように磁気的に結合するように配置されていることを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、
前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とに平衡信号が入出力されるときに、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁束を強め合うように磁気的に結合するように配置されている、
ことを特徴とするＲＦＩＤモジュール。
【請求項２】
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との結合係数は０．７以上である、請求項１に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項３】
前記フィルタ回路と前記放射素子との間に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１または２に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項４】
前記第１インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、前記第２インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および前記第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている、請求項１〜３のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項５】
前記第１の積層型コイル素子の前記ループ状導体と前記第２の積層型コイル素子の前記ループ状導体とは交互に積層されている、請求項４に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項６】
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されている、請求項１〜５のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項７】
前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、前記多層基板の表面に搭載されている、請求項６に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項８】
前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えた、請求項１〜７のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項９】
前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合している、請求項８に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項１０】
前記放射素子は前記多層基板に内蔵されている、請求項８または９に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項１１】
第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられるＲＦＩＤデバイスであって、
前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とに平衡信号が入出力されるときに、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁束を強め合うように磁気的に結合するように配置されている、ことを特徴とするＲＦＩＤデバイス。
【請求項１２】
前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１１に記載のＲＦＩＤデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）本発明のＲＦＩＤモジュールは、平衡信号用の第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、前記第２入出力端子に接続された第２インダクタンス素子、および前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との間に接続されたキャパシタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子から発生する高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されていて、前記キャパシタンス素子は、前記多層基板上に搭載されており、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とに平衡信号が入出力されるときに、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁束を強め合うように磁気的に結合するように配置されていることを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（６）前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、例えば前記多層基板の表面に搭載される。この構造により、全体に殆ど大型化することなく整合回路を設けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（７）必要に応じて、前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（８）（７）において、前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合していることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（９）（７）または（８）において、前記放射素子は前記多層基板に内蔵されていることが好ましい。この構造により、全体に殆ど大型化することなく放射素子を設けることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（１０）本発明のＲＦＩＤデバイスは、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられ、フィルタ部分の構成を前述のとおりとする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（１１）（１０）において、前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えていることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平衡信号用の第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、前記第２入出力端子に接続された第２インダクタンス素子、および前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との間に接続されたキャパシタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子から発生する高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、
前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されていて、前記キャパシタンス素子は、前記多層基板上に搭載されており、
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とに平衡信号が入出力されるときに、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁束を強め合うように磁気的に結合するように配置されている、
ことを特徴とするＲＦＩＤモジュール。
【請求項２】
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との結合係数は０．７以上である、請求項１に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項３】
前記フィルタ回路と前記放射素子との間に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１または２に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項４】
前記第１インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、前記第２インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および前記第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている、請求項１〜３のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項５】
前記第１の積層型コイル素子の前記ループ状導体と前記第２の積層型コイル素子の前記ループ状導体とは交互に積層されている、請求項４に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項６】
前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、前記多層基板の表面に搭載されている、請求項５に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項７】
前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えた、請求項１〜６のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項８】
前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合している、請求項７に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項９】
前記放射素子は前記多層基板に内蔵されている、請求項７または８に記載のＲＦＩＤモジュール。
【請求項１０】
平衡信号用の第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられるＲＦＩＤデバイスであって、
前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、前記第２入出力端子に接続された第２インダクタンス素子、および前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との間に接続されたキャパシタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子から発生する高調波成分を除去するためのフィルタ回路を有し、前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されていて、前記キャパシタンス素子は、前記多層基板上に搭載されており、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とに平衡信号が入出力されるときに、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁束を強め合うように磁気的に結合するように配置されている、ことを特徴とするＲＦＩＤデバイス。
【請求項１１】
前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１０に記載のＲＦＩＤデバイス。
【国際調査報告】
2012032974.tif 000021
2012032974.tif 000022
2012032974.tif 000023
2012032974.tif 000024