(57)【要約】  樹脂層（１０）と導体層（１２）とを備えるプリント配線基板（１）であって、樹脂層（１０）には凹部（１４）が設けられ、凹部（１４）に埋設された導体層（１２）を有し、凹部（１４）の断面視における形状は、凹部（１４）の中央部が盛り上がった形状であり、凹部（１４）の長手方向と直交する短手方向の断面視における形状は凹部（１４）の中央部が盛り上がった形状であることを特徴とするプリント配線基板（１）である。これにより、樹脂層表面に平滑な表面を持った導体回路を有するプリント配線基板が実現される。
2012132325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と導体層とを備えるプリント配線基板であって、
前記樹脂層には凹部が設けられ、前記凹部に埋設された前記導体層を有し、
前記凹部の断面視における形状は、前記凹部の中央部が盛り上がった形状であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記導体層は、平面視において一方向に延在する導体パターンである請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記導体パターンが埋設された前記凹部は、短手方向における断面において中央部が盛り上がった断面形状を有する請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記凹部の短手方向の幅が２０μｍ以上である請求項２または３に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記導体層は、平面視において矩形の形状をした導体パッドであり、
前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において矩形の形状を有する請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
前記導体パッドが埋設された前記凹部は、前記凹部の底面の対角線の中心を通るいずれの断面においても中央部が盛り上がった断面形状を有する請求項５に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
前記凹部の一辺の長さは、２０μｍ以上である請求項５または６に記載のプリント配線基板。
【請求項８】
前記導体層は、平面視において円形の形状をした導体パッドであり、
前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において円形の形状を有する請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項９】
前記導体パッドが埋設された前記凹部は、前記凹部の底面の中心を通るいずれの断面においても中央部が盛り上がった断面形状を有する請求項８に記載のプリント配線基板。
【請求項１０】
前記凹部の直径の長さは、２０μｍ以上である請求項８または９に記載のプリント配線基板。
【請求項１１】
前記凹部の盛り上がった中央部から前記凹部の最深部に向かって少なくとも一つの段差が形成されている請求項１ないし１０いずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項１２】
前記樹脂層表面から前記凹部の最深部までの深さ（Ｄ１）と、前記樹脂層表面から前記凹部の中央部の上端までの深さ（Ｄ２）との比（Ｄ２／Ｄ１）は、０．２〜０．８である請求項１ないし１１いずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項１３】
樹脂層と導体層とを備えるプリント配線基板を製造する方法であって、
（ａ）樹脂層を含む絶縁基板を準備する工程と、
（ｂ）前記樹脂層を加工して中央部が盛り上がった凹部を形成する工程と、
（ｃ）めっきにより前記凹部内に埋め込まれた導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記導体層を形成する工程（ｃ）は、
前記樹脂層表面上および前記凹部内に前記導体層を形成する工程と、
前記凹部外に形成された前記導体層を除去するとともに、前記凹部に前記導体層を残す工程と、
を含む請求項１３に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記凹部を形成する工程（ｂ）は、レーザ光を複数回照射することにより行われる請求項１３または１４に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記凹部を形成する工程（ｂ）は、
（ｂ１）前記凹部を形成する領域全面に前記レーザ光を照射する第一段工程と、
（ｂ２）前記第一段工程（ｂ１）で照射した前記レーザ光の照射面積よりも小さい照射面積の前記レーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第二段工程と、
を含む請求項１５に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記凹部を形成する工程（ｂ）は、前記第二段工程（ｂ２）の後、前記第二段工程（ｂ２）で照射した前記レーザ光の照射面積よりもさらに小さい照射面積の前記レーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第三段工程（ｂ３）、をさらに含む請求項１６に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記レーザ光が、エキシマレーザまたはＹＡＧレーザである請求項１５ないし１７いずれか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記導体層を形成する工程（ｃ）の後に、
（ｄ）前記樹脂層と前記導体層の上に別の樹脂層を形成する工程、
を含む請求項１３ないし１８いずれか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のプリント配線基板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、軽量化、小型化、薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用されている。【０００３】
回路配線パターンを形成する方法として、一般的には銅箔をエッチングする手法（サブトラクティブ法）がある。サブトラクティブ法で形成される回路厚みは、使用する銅箔の厚みで規定されるという特徴があり、回路幅の精度は、エッチング液の反応特性及び使用するエッチング装置の能力に依存する。そのため、サブトラクティブ法は、極薄金属箔を用いる一部の用途を除くと、一般的には高密度化に不向きとされている。【０００４】
一方、ビルドアップ基板や多層配線板の製造に一般的に適用されている工法にセミアディティブ法がある。この工法では、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成し、さらに銅めっき層上に感光性レジストを形成して、露光・現像などのプロセスを経由してパターニングを行った後、電解銅めっきで回路パターンを形成し、最後にレジストを剥離し無電解銅めっき層をフラッシュエッチングで除去して微細配線を形成する方法である。（例えば特許文献１）。この方法で微細配線を形成する場合、レジストの露光・現像精度や配線間のパラジウム触媒残渣によるめっき異常析出などの問題があり、微細配線を形成することは困難である。【０００５】
また、サブトラクティブ法、及び、セミアディティブ法では樹脂層表面に凸型の配線が形成される。ビルドアップ基板や多層配線板においては、この後の工程に樹脂層を積層する工程が含まれるが、樹脂組成によっては樹脂の埋め込み性の問題が生じる。【０００６】
また、スクライブ、プラズマ、又はレーザなどによって樹脂層に溝を形成し、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成後、電解銅めっきで導体回路を形成し、最後に溝部分以外の導体めっきをエッチングで除去して導体回路を形成する方法がある（例えば特許文献２、３）。【０００７】
しかしながら、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去する場合、導体回路部分の形状によっては、導体回路部分以外の導体めっきを均一に除去しようとしたとき、導体回路部分が窪むという問題があり、この窪みのため部品等との接続信頼性に問題が起きることがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−６４９３０号公報
【特許文献２】特開平１０−４２５３号公報
【特許文献３】特開２００６−４１０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、プリント配線基板の樹脂層表面に平滑な表面を持った導体回路を有するプリント配線基板、プリント配線基板の製造方法および半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるプリント配線基板は、樹脂層と導体層とを備えるプリント配線基板であって、
前記樹脂層には凹部が設けられ、前記凹部に埋設された前記導体層を有し、
前記凹部の断面視における形状は、前記凹部の中央部が盛り上がった形状であることを特徴とする。【００１１】
このプリント配線基板においては、凹部の断面視における形状が、前記凹部の中央部が盛り上がった形状である。これにより、凹部内に導体めっきで導体回路を埋設させた後、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去するとき中央部付近が窪まずに導体層表面が平坦な形状であるプリント配線基板を提供することができる。【００１２】
また、前記導体層は、平面視において一方向に延在する導体パターンであってもよい。また、前記導体パターンが埋設された前記凹部は、短手方向における断面において中央部が盛り上がった断面形状を有していてもよい。さらに、前記凹部の短手方向の幅が２０μｍ以上であってもよい。これにより、一層顕著に効果が発揮される。【００１３】
また、前記導体層は、平面視において矩形の形状をした導体パッドであってもよい。この場合、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において矩形の形状を有していてもよい。また、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、前記凹部の底面の対角線の中心を通るいずれの断面においても中央部が盛り上がった断面形状を有していてもよい。また、前記凹部の一辺の長さは、２０μｍ以上であってもよい。【００１４】
また、前記導体層は、平面視において円形の形状をした導体パッドであってもよい。この場合、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において円形の形状を有していてもよい。また、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、前記凹部の底面の中心を通るいずれの断面においても中央部が盛り上がった断面形状を有していてもよい。また、前記凹部の直径の長さは、２０μｍ以上であってもよい。【００１５】
また、前記凹部の盛り上がった中央部から最深部に向かって少なくとも一つの段差が形成されているようにしてもよい。また、前記樹脂層表面から前記凹部の最深部までの深さ（Ｄ１）と、前記樹脂層表面から前記凹部の中央部の上端までの深さ（Ｄ２）との比（Ｄ２／Ｄ１）は、０．２〜０．８であってもよい。【００１６】
本発明によるプリント配線基板の製造方法は、樹脂層と導体層とを備えるプリント配線基板を製造する方法であって、
（ａ）樹脂層を含む絶縁基板を準備する工程と、
（ｂ）前記樹脂層を加工して中央部が盛り上がった凹部を形成する工程と、
（ｃ）めっきにより前記凹部内に埋め込まれた導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。【００１７】
また、前記導体層を形成する工程（ｃ）は、前記樹脂層表面上および前記凹部内に前記導体層を形成する工程と、前記凹部外に形成された前記導体層を除去するとともに、前記凹部に前記導体層を残す工程と、を含んでいてもよい。【００１８】
また、前記凹部を形成する工程（ｂ）は、レーザ光を複数回照射することにより行われるようにしてもよい。また、前記凹部を形成する工程（ｂ）は、
（ｂ１）前記凹部を形成する領域全面に前記レーザ光を照射する第一段工程と、
（ｂ２）前記第一段工程（ｂ１）で照射した前記レーザ光の照射面積よりも小さい照射面積の前記レーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第二段工程と、を含むようにしてもよい。さらに、前記第二段工程（ｂ２）の後、前記第二段工程（ｂ２）で照射した前記レーザ光の照射面積よりもさらに小さい照射面積の前記レーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第三段工程（ｂ３）を含むようにしてもよい。【００１９】
また、前記工程（ｃ）の後に、（ｄ）前記樹脂層と前記導体層の上に別の樹脂層を形成する工程を、含んでいてもよい。また、前記レーザ光が、エキシマレーザまたはＹＡＧレーザであってもよい。【００２０】
また、上述のプリント配線基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、プリント配線基板の樹脂層表面に平滑な表面を持った導体回路を有するプリント配線基板、プリント配線基板の製造方法および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００２３】
【図１】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の一例について示した模式的な断面図と上面図である。
【図２】樹脂層に設けられた凹部を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図４】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図５】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図６】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図７】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図８】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図９】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図１０】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図１１】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図１２】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図１３】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図１４】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の一実施形態について示した模式的な断面図である。
【図１５】半導体装置を示す模式図である。
【図１６】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の変形例について示した模式的な断面図である。
【図１７】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の変形例について示した模式的な断面図である。
【図１８】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の変形例について示した模式的な断面図である。
【図１９】本発明に係る樹脂層と導体層とを含むプリント配線基板の製造方法の変形例について示した模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
はじめに、図１を参照して、本実施形態のプリント配線基板１の概要について説明する。図１（ａ）は、プリント配線基板１の断面図を模式的に表したものである。図１（ｂ）は、プリント配線基板１の平面図を模式的に表したものである。
【００２６】
プリント配線基板としては例えば、基板上に形成された樹脂層と導体層からなるプリント配線板、プリント配線板上に形成された樹脂層（例えばビルドアップ層）と導体層からなるビルドアップ多層プリント配線板、金属基板上に形成された樹脂層と導体層からなるメタルコア配線板、及び、ウェハー表面に形成された樹脂層と導体層からなる半導体素子の再配線等が挙げられる。なお、プリント配線板に用いられる基板、メタルコア配線板に用いられる金属基板、半導体素子の再配線に用いられるウェハーとしては、通常用いられるものを適宜選択して用いることができる。
【００２７】
本実施形態のプリント配線基板１は、樹脂層１０と導体層１２とを備えるプリント配線基板１である。樹脂層１０には凹部１４が設けられ、凹部１４に埋設された導体層１２を有している。凹部１４の断面視における形状は、凹部１４の中央部１６が盛り上がった形状である。すなわち、凹部１４の断面は、底辺において中央部１６が他の部分よりも盛り上がった形状を有する。
【００２８】
平面視における導体層１２の形状は、特に限定はされないが、例えば、一方向に延在する導体パターン（配線パターン）、正方形、長方形など矩形の導体パッド、円形の導体パッドなどが挙げられる。図１（ｂ）では、円形の導体パッドで図示している。また、矩形の四隅が円弧を形成したものであってもよい。加工性の面からは円形であることが好ましい。樹脂層１０表面の凹部１４内部に埋め込まれた導体層１２の最大幅は、通常、凹部１４の最大幅と同じになる。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、導体層１２が平面視において円形の形状をした導体パッドである場合、導体パッドが埋設された凹部１４は平面視において円形の形状を有する。この場合、導体パッドが埋設された凹部１４は、凹部１４の底面の中心を通るいずれの断面においても中央部１６が盛り上がった断面形状を有する。なお、凹部１４が平面視において円形である場合、凹部１４の底面についても円形となるように設けられる。
また、導体層１２が平面視において矩形の形状をした導体パッドである場合、導体パッドが埋設された凹部１４についても平面視において矩形の形状を有する。この場合、導体パッドが埋設された凹部１４は、凹部１４の底面の対角線の中心を通るいずれの断面においても、中央部１６が盛り上がった断面形状を有する。なお、凹部１４が平面視において矩形である場合、凹部１４の底面についても矩形となるように設けられる。
【００３０】
また、導体層１２が平面視において一方向に延在する導体パターンである場合、導体パターンが埋設された凹部１４についても一方向に延在するように設けられる。この場合、導体パターンが埋設された凹部１４は、短手方向における断面において中央部１６が盛り上がった断面形状を有する。すなわち、凹部１４は、短手方向における断面の底辺が中央部１６において他の部分よりも盛り上がるように設けられる。また、この場合、導体パターンが埋設された凹部１４は、長手方向における断面においては中央部が盛り上がった断面形状を有しない。すなわち、凹部１４は、長手方向における断面の底辺が一定の深さを有するように設けられる。
【００３１】
また、樹脂層１０上には配線溝１５が設けられ、配線溝１５には配線パターン１３が埋設されている。凹部１４の断面視における形状が、凹部１４の中央部１６が盛り上がった形状となっていることにより、凹部１４内に導体めっきで導体回路を埋設させた後、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去するとき中央部１６付近が窪まずに導体層表面を平坦な形状とすることができる。
【００３２】
凹部１４の盛り上がった中央部１６から最深部１７に向かって少なくとも一つの段差が形成されているようにしてもよい。本実施形態を示す図１（ａ）では、段差が二段で構成されているものを図示している。中央部１６から最深部１７に向かって段差を設けることにより、凹部１４をめっきにて埋設するときなだらかなめっき表面とすることができる。
また、図１（ａ）に示すように、凹部１４は、例えば底辺の中央部１６が盛り上がった形状を有する断面において、下端から上端に向けて幅が大きくなるように形成されている。なお、凹部１４は、下端から上端において幅が一定となるように形成されていてもよい。
【００３３】
樹脂層１０の表面から凹部１４の最深部１７までの深さ（最深部の深さ）Ｄ１は、１μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、２０μｍ以下がより好ましい。
図２に示すように、樹脂層１０の表面から凹部１４の最深部１７までの深さ（Ｄ１）と、樹脂層１０の表面から凹部１４の中央部１６の上端までの深さ（Ｄ２）との比（Ｄ２／Ｄ１）は、０．２〜０．８であることが好ましく、０．３〜０．６であることがより好ましい。この範囲内にあることで、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去するとき中央部１６付近が窪まずに導体層表面を平坦な形状とすることができる。凹部の大きさが広いときに影響を受けやすくなる、すなわち凹部１４の大きさが広いとき程中央部１６付近に窪みが生じやすくなる。このため、平面視で凹部１４の幅が２０μｍ以上であることが好ましい。これにより、凹部１４の中央部１６を盛り上がった形状とすることにより得られる効果が一層顕著に発揮される。導体層１２が一方向に延在する導体パターンである場合には、平面視において凹部１４の短手方向における幅が２０μｍ以上であることが好ましい。また、導体パッドが平面視において矩形である場合には、平面視において凹部１４の一辺の長さが２０μｍ以上であることが好ましい。さらに、導体パッドが平面視において円形である場合には、平面視において凹部１４の直径の長さが２０μｍ以上であることが好ましい。
また、配線溝１５についても配線パターン幅が２０μｍ以上である場合が好ましい。これにより、一層顕著に効果が発揮される。
【００３４】
また、導体層１２と同様に、配線パターン１３が形成されていてもよい。本発明のプリント配線基板１の態様において、樹脂層１０表面の配線パターン１３の幅は、１μｍ以上、１０μｍ以下である。これにより、プリント配線基板の高密度化、高実装化、微細配線化が可能になる。また、特に限定はされないが、前記樹脂層１０表面の配線パターン１３の幅は、８μｍ以下であることがより好ましく、６μｍ以下であることがさらに好ましく、４μｍ以下であることが特に好ましい。これにより高密度化、高実装化の作用を効果的に発現させることができる。
また、前記樹脂層１０表面の配線溝１５の深さは、１μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。導体層１２の断面形状は、略台形状、蒲鉾状又は三角形であることが好ましい。これにより、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。前記凹部１４内部に埋設される導体層１２としては、導体であれば特に限定されず、めっきにより形成されることが好ましい。導体層１２としては、例えば、銅やニッケル等の金属を含むことが好ましい。
配線パターン１３は、例えば導体層１２と同一工程により形成される。配線パターン１３は、例えば導体層１２と同様の金属材料により構成される。
【００３５】
次に、プリント配線基板１を構成する各要素について説明する。
プリント配線基板１に用いられる絶縁基板としては、特に限定はされないが、例えば基材に絶縁性樹脂を含浸または塗工したものを加熱、加圧などにより加工することにより得られる。基材としては、例えばガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材などが挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えばシアネート樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、マレイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂など、これらを単独、あるいは複数用いたものが挙げられる。フレキシブル基板に用いられる例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、エポキシ樹脂などを絶縁性樹脂として用いる場合は、基材を含まなくても用いることもできる。
【００３６】
メタルコア配線板に用いられる金属基板としては、特に限定はされないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等が挙げられる。４２アロイなどの線膨張係数の低い金属を用いてもよい。
【００３７】
半導体素子の再配線に用いられるウェハーとしては、特に限定はされないが、例えばシリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、炭化シリコン、リン化ガリウム、リン化アルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウム、ヒ化インジウム、窒化インジウム、リン化インジウム、リン化ガリウムインジウム、リン化インジウムヒ素、硫化亜鉛及び酸化亜鉛などの半導体材料が挙げられる。
【００３８】
樹脂層１０の厚さは、特に限定されないが、１μｍ以上、６０μｍ以下が好ましく、特に５μｍ以上、４０μｍ以下が好ましい。樹脂層１０の厚さは、絶縁信頼性を向上させる上で前記下限値以上が好ましく、多層プリント配線基板の薄膜化を達成する上で前記上限値以下が好ましい。これより、プリント配線基板を製造する際に、内層回路基板の導体層の凹凸を充填した絶縁層を成形することができるとともに、好適な絶縁層の厚みを確保することができる。
【００３９】
次に、樹脂層１０に用いられる樹脂組成物について説明する。樹脂層形成用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。すなわち、本発明のプリント配線基板１において前記凹部１４を有する樹脂層１０は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物の硬化物で構成されていることが好ましい。熱硬化性樹脂の硬化物を含むことにより、樹脂層１０の耐熱性を向上させることができる。
【００４０】
熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、トリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる１種以上の樹脂を含むことが好ましい。樹脂層１０の熱膨張係数を小さくすることができること、樹脂層１０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度、レーザ加工性、特にエキシマレーザやＹＡＧレーザ加工性等を重視する観点から、例えば、シアネート樹脂を含むことが好ましい。
【００４１】
上記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
【００４２】
エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張性、耐熱性が低下する場合がある。
【００４３】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２００００が好ましく、特に８００〜１５０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層１０の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００４４】
上記熱硬化性樹脂は、１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。通常は、硬化剤を組み合わせて熱硬化性樹脂として用いられる。
【００４５】
上記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂層形成用樹脂組成物中の２０〜９０重量％、更に３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると樹脂層１０を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると樹脂層１０の強度が低下する場合がある。
【００４６】
本発明のプリント配線基板１の樹脂層１０（乃至、樹脂層形成用樹脂組成物）は、無機充填材を含むものとすることができる。樹脂層１０に無機充填材を含む場合には低熱膨張、高弾性、低吸水となるため、実装信頼性、反り量が向上する点から好ましい。
【００４７】
上記無機充填材は、２μｍ超過の粗粒が５００ｐｐｍ以下であることが、プリント配線基板１の絶縁層に用いた場合に、レーザ加工による、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下の微細配線形成のための溝加工性や、微細なビアの加工性に優れ、形成された絶縁層と形成された導体回路との密着性に優れる点から好ましい。上記無機充填材は、更に、２μｍ超過の粗粒が３００ｐｐｍ以下、特に２μｍ超過の粗粒が５ｐｐｍ以下であることが好ましい。なお、２μｍ超過の粗粒が５００ｐｐｍ以下の無機充填材を得る方法は特に限定されない。例えば、２μｍ超過の粗粒を除去する方法として、有機溶剤、および／または水中のスラリー状態で、平均粒径の１０倍以上の細孔径フィルターで粗粒を数回除去し、次いで２μｍの細孔径フィルターで２μｍ超過の粗粒除去を繰り返して実施することにより得ることができる。
【００４８】
前記無機充填材の粗粒径、および含有量の測定は、粒子画像解析装置（シスメックス社製ＦＰＩＡ−３０００Ｓ）により測定することができる。無機充填材を水中または有機溶剤中で超音波により分散させ、得られた画像から、２μｍ超過の無機充填材の個数を算出して測定することができる。具体的には、無機充填材の円相当径で２μｍ超過の粒子数と解析総粒子数で含有量は規定される。
【００４９】
中でも、上記無機充填材の最大粒径としては、２．０μｍ以下であることが好ましい。これにより、樹脂層１０の表面粗さを抑制することができ、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。また、特に限定はされないが、無機充填材の最大粒径は１．８μｍ以下がより好ましく、１．５μｍ以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。
【００５０】
また、上記無機充填材の平均粒径としては、０．０５μｍ以上、１．０μｍ以下であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成を実現しやすくなる。また、無機充填材の平均粒径が上記範囲の場合には、レーザ加工による、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ以下の微細配線形成するための溝加工性や、微細なビアの加工性に優れるようになり、樹脂層１０の表面粗さも抑制することができる。無機充填材の平均粒径は０．０５μｍ以上、０．６０μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上、０．５０μｍ以下がより好ましく、０．０５μｍ以上、０．４０μｍ以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。
【００５１】
無機充填材の平均粒子径は、例えばレーザ回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザ回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はＤ５０で規定される。
【００５２】
上記無機充填材の２μｍ超過の粗粒量が上記上限値を上回ると、無機充填材がレーザ加工を阻害し、樹脂層１０に溝を形成できない箇所が生じたり、ビア形状がいびつになったり、樹脂にクラックが入ったりするおそれがあり、粗粒フィラーの脱落による絶縁信頼性やめっき付き性が低下するおそれがある。さらにはレーザ光でビアや溝を形成する時間が長くなるため、作業性が低下する可能性が生じる。また、レーザ加工後に溝側壁面に残留した無機充填材により、めっき後の導体層１０の表面凹凸が大きくなる。これにより、配線やビア形状の精度が悪くなり、高密度プリント配線板においては絶縁信頼性を害する場合がある。さらには１ＧＨｚを超える高周波数領域においては表皮効果により信号応答性を害する場合がある。無機充填材の平均粒径が上記上限値を上回っても同様の恐れがある。
【００５３】
また、上記無機充填材の平均粒径が上記下限値未満となると、樹脂層１０の熱膨張係数・弾性率の物理的性質を低下させ、半導体素子搭載時の実装信頼性を害するおそれがある。また、樹脂層形成用樹脂組成物中の無機充填材の分散性の低下や、凝集の発生が生じたり、樹脂組成物のＢステージ状態における柔軟性の低下による樹脂フィルム化が困難になるおそれもある。
【００５４】
上記無機充填材としては、特に限定されるものではないが、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ベーマイト、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れる点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。これらの中でもその形状は球状シリカが好ましい。
【００５５】
樹脂層１０乃至樹脂層形成用樹脂組成物中に無機充填材を含む場合、無機充填材の含有量は、樹脂層１０乃至樹脂層形成用樹脂組成物中に１０〜８０重量％、更に２０〜７０重量％、特に３０〜６０重量％であることが、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる点から好ましい。
【００５６】
また、樹脂層１０乃至樹脂層形成用樹脂組成物には、必要に応じて、熱可塑性樹脂等の製膜性樹脂、硬化促進剤、カップリング剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。
【００５７】
次に、樹脂層１０を形成する方法について説明する。
樹脂層１０を形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂層形成用樹脂組成物を溶剤などに溶解、分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法や、スプレー装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルムに噴霧塗工した後、これを乾燥する方法等のキャリアフィルム付き樹脂シートを得る方法が挙げられる。これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有するキャリア付き樹脂シートを効率よく製造することができる。
【００５８】
得られたキャリアフィルム付き樹脂シートを例えばラミネーター、真空プレス機などを用いて基板に熱圧着することで、樹脂層１０を形成することができる。また、基板に直接樹脂ワニスをコーティングすることでも樹脂層１０を形成することができる。プリント配線基板以外にも、例えば、ウェハー上に樹脂層１０を形成する際についても、上記のようにキャリアフィルム付き樹脂シートを作製して熱圧着する方法や、樹脂ワニスをコーティングする方法により樹脂層１０を形成することができる。
【００５９】
樹脂ワニスに用いられる溶媒は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。
【００６０】
次に、プリント配線基板１の好適な製造方法について説明する。
プリント配線基板１の製造方法は、
（ａ）樹脂層１０からなる絶縁基板を用意する工程と（図３）、
（ｂ）樹脂層１０を加工して中央部１６が盛り上がった凹部１４を形成する工程と（図４〜図６）、
（ｃ）めっきにより凹部１４内に埋め込まれた導体層１２を形成する工程と（図７〜図９）、を含むものである。
【００６１】
工程（ｂ）では、凹部１４の形成はレーザ光５を用いることが好ましく、レーザ光５としてはエキシマレーザ又はＹＡＧレーザであることが好ましい。これらのレーザを使用することにより、精度・形状よく凹部１４の形成が可能となり、微細配線形成や高密度化が可能となる。特に限定はされないが、エキシマレーザのレーザ波長は、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍであることがより好ましく、１９３ｎｍ、２４８ｎｍであることが特に好ましい。これにより、精度・形状よく凹部を形成できる作用を効果的に発現させることができる。ＹＡＧレーザの波長は３５５ｎｍであることが好ましい。他の波長では樹脂層１０を構成する樹脂組成物がレーザ光５を吸収せず凹部が形成できない可能性がある。レーザ光５はマスク６を介して樹脂層１０に照射される。
【００６２】
凹部１４を形成する工程（ｂ）では、レーザ光を用いて行ない、レーザ光を複数回照射することにより前記凹部の深さを変えるようにしてもよい。レーザ光を複数回照射する方法は、例えば、凹部１４を形成する領域全面にレーザ光５を照射する工程（ｂ１）と（図４）、工程（ｂ１）において用いたレーザ光５の径よりも小さい径を有するレーザ光５を、凹部１４を形成する領域の周縁部に沿って周回させる工程（ｂ２）と（図５）、を含む。また、工程（ｂ２）の後、工程（ｂ２）において用いたレーザ光５の径よりも小さい径を有するレーザ光５を、凹部１４を形成する領域の周縁部に沿って周回させる工程（ｂ３）をさらに含むようにしてもよい（図６）。
【００６３】
上述したように、凹部１４を形成する工程（ｂ）は、（ｂ１）凹部１４を形成する領域全面にレーザ光５を照射する第一段工程と、（ｂ２）第一段工程（ｂ１）で照射したレーザ光５の照射面積よりも小さい照射面積のレーザ光５を、凹部１４を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第二段工程と、を含むように行なってもよい。また、凹部１４を形成する工程（ｂ）は、第二段工程（ｂ２）の後、第二段工程（ｂ２）で照射したレーザ光５の照射面積よりもさらに小さい照射面積のレーザ光を、凹部１４を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第三段工程（ｂ３）をさらに含むように行なってもよい。具体的には以下のように行なう。
図４に示すように、第一ステップ（ｂ１）では所望の導体層（導体パッド）１２の形状に合わせたマスク６を用いレーザ光５によって第一段凹部（Ａ）加工する。次に、第二ステップ（ｂ２）では、図５で示すように、第一ステップ（ｂ１）で使用したマスク６の径よりも小さい径を有するマスク７を用いて第二段凹部（Ｂ）を形成する。第一ステップ（ｂ１）では、一定時間、同一場所をレーザ光５で照射することにより第一段凹部（Ａ）を形成したが、第二ステップ（ｂ２）ではマスク７または絶縁基板を第一段凹部（Ａ）の外周に沿って回転させることにより第二段凹部（Ｂ）形成する。これにより、中央部付近はレーザ光５が照射されず、段差を持った凹部が形成される。次に、第三ステップ（ｂ３）では、第三段凹部（Ｃ）を形成する。第三段凹部（Ｃ）を形成するためのマスク８としては、第二ステップ（ｂ２）で用いたマスク７よりもさらに径の小さいマスク８を用いる。第三ステップ（ｂ３）では、マスク８または絶縁基板を第二段凹部（Ｂ）の外周に沿って回転させることにより第三段凹部（Ｃ）形成する。これにより、中央部が階段状に盛り上がった凹部１４を形成することができる。レーザ光照射条件は同じでもよいし異なっていてもよい。上述の説明では、導体パッドの形状が円形であったため、レーザ光５のマスク６、７および８の形状は円形を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば、図１１に示すように長方形の導体パッドの場合は、レーザ光５のマスク６、７および８として正方形または長方形の矩形のマスクを用いるようにしてもよい（図１２〜図１４）。
【００６４】
本発明のプリント配線基板の製造方法では、工程（ｂ）と工程（ｃ）との間に、プラズマ又は薬液によってデスミアする工程を含むことが好ましい。これにより、レーザ光５による凹部１４の形成時に、凹部１４の側壁面に残留した炭化物を除き、電気信頼性の高い微細配線やビア形成が可能となる。
プラズマとしては、特に限定されないが、プラズマは窒素プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、四フッ化メタンプラズマ、もしくはこれらの混合ガスのプラズマを使用することができる。また、プラズマの処理条件としては、凹部１４、配線溝１５の内部表面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れたビア形成が可能となる。１ＧＨｚを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、さらにビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。
【００６５】
薬液によるデスミアとしては、特に限定はされないが、過マンガン酸塩、重クロム酸等を使用することができる。また、デスミアの処理条件としては、凹部１４、配線溝１５の内部表面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性、さらにビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減に優れたビア形成が可能となる。１ＧＨｚを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減できる。プラズマ又は薬液によるデスミア工程が不十分で炭化物が凹部１４、配線溝１５の内部表面に残留した場合、プリント配線基板１の絶縁信頼性が低下する恐れがある。
【００６６】
本発明の工程（ｃ）は、例えば樹脂層１０表面上および凹部１４内に導体層１２を形成する工程と、凹部１４外に形成された導体層１２を除去するとともに、凹部１４に導体層１２を残す工程と、を含む。具体的には、以下のように行われる。
まず、樹脂層１０をプラズマ又は薬液によってデスミアする工程後、凹部１４にめっきを形成する。めっきの形成方法として、例えば、樹脂層１０の表面に無電解めっき層５０を形成する（図７）。このとき、樹脂層１０表面、凹部１４および配線溝１５の内壁に、無電解めっき層５０が形成される。無電解めっき層５０の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属では樹脂層１０と無電解めっき層５０の密着が良好である。無電解めっき層５０の厚さも特に限定されないが、０．１μｍ以上、５μｍ以下程度とすることが好ましい。さらに無電解めっき後に、熱風乾燥装置にて１５０℃〜２００℃で１０分〜１２０分の熱処理を行うことにより、樹脂層１０と無電解めっき層５０との密着をより良好にすることができる。
次に、電解めっきでさらに電解めっき層６０を形成する。この工程ではレーザ光５により形成された凹部１４、配線溝１５の内部を電解めっき層６０で埋めることができる。電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。これにより、樹脂層１０に形成された凹部１４や配線溝１５の内部に対して優先的にめっきが析出し電解めっき層６０で埋められ、電解めっき後の樹脂層１０表層上と凹部１４や配線溝１５上のめっき析出レベルが同等となる。電解めっき層６０の厚みは、特に限定されないが、樹脂層１０の表面から５μｍ以上、２５μｍ以下程度とするのが好ましい。
これにより、図８に示すように、樹脂層１０表面上および凹部１４内に、無電解めっき層５０および電解めっき層６０からなる導体層１２が形成されることとなる。
【００６７】
次に、無電解めっき、電解めっきにより形成された導体層１２の一部を除去することにより、樹脂層１０の凹部１４、配線溝１５の内部のみに導体層１２および配線パターン１３が形成される。特に限定はされないが、電解めっきにより形成された導体層１２の一部を除去する方法は、化学エッチング処理、研磨処理、バフ研磨処理等が好ましい。これにより、樹脂層１０表層上の導体層１２のみを効果的に除去し、凹部１４、配線溝１５の内部のみに導体層１２および配線パターン１３を残すことが可能である。こうして、電気信頼性、信号応答性、凹部内部のめっき付き性や層間接続性に優れたプリント配線基板を作製することが可能である。
このようにして、図９に示すように、凹部１４外に形成された導体層１２を除去するとともに、凹部１４に導体層１２を残すことができる。
【００６８】
本発明の工程（ｃ）は、例えば以下のように行うこともできる。
まず、図１６に示すように、樹脂層１０の表面に無電解めっき層５１を形成する。このとき、凹部１４および配線溝１５の内壁上にも、無電解めっき層５１が形成される。無電解めっき層５１の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属を用いることにより、樹脂層１０と無電解めっき層５１との密着性を良好とすることができる。無電解めっき層５１の厚さは、特に限定されないが、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下とすることが好ましい。
次に、図１７に示すように、無電解めっき層５１上にレジスト膜８０を形成する。次いで、レジスト膜８０を露光・現像する。これにより、凹部１４上および配線溝１５上に開口を有するレジスト膜８０が、無電解めっき層５１上に形成される。
次に、図１８に示すように、凹部１４内および配線溝１５内に導体層１２および配線パターン１３を埋め込む。導体層１２および配線パターン１３は、例えば無電解めっき層５１をシード層とした電解めっきにより凹部１４内および配線溝１５内に電解めっき層６１を埋め込むことにより形成される。電解めっきは、例えば硫酸銅電解めっきである。また、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、無頼トナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。
次に、図１９に示すように、レジスト膜８０を除去する。レジスト膜は、例えばアッシング処理等により除去することができる。
次に、樹脂層１０の表面上であって、凹部１４および配線溝１５の外部に設けられた無電解めっき層５１を除去する。無電解めっき層５１の除去は、例えばフラッシュエッチングにより行われる。
このようにして、凹部１４を埋め込む導体層１２が形成される。
【００６９】
本発明の製造方法は工程（ｃ）の後に、樹脂層１０及び導体層１２、配線パターン１３の上に別の樹脂層４０を形成する工程（ｄ）を含むことができる（図１０）。本発明の工程では、樹脂層１０及び導体層１２、配線パターン１３の上に別の樹脂層４０を形成することで、多層プリント配線基板の配線となる各導体層が樹脂層で覆われ配線間乃至ビア間の絶縁性が確保される。特に限定はされないが、樹脂層１０及び導体層１２、配線パターン１３の上に樹脂層４０を形成する手法としては、上記樹脂層１０を準備する時と同様に、キャリアフィルム付き樹脂シートを例えば真空加圧式ラミネーター装置、平板プレス装置等を用いて樹脂層１０上に形成する方法が挙げられる。樹脂層４０には、樹脂層１０と同様に、導体層、配線パターン、樹脂層４０に形成された導体層と樹脂層１０に形成された導体層１２と電気的に接続するためのビアホールを設けることができる。こうして、上記工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を繰り返すことで電気信頼性、信号応答性、凹部１４、配線溝１５内部のめっき付き性や層間接続性に優れたビルドアップされた多層のプリント配線基板１（ビルドアップ多層プリント配線基板）を作製することが可能である。
【００７０】
次に、半導体装置７０について説明する。
本発明の半導体装置７０は、本発明に係るプリント配線基板１に半導体素子７１を搭載してなることを特徴とする。プリント配線基板１に半田バンプ７３を有する半導体素子７１を実装し、半田バンプ７３を介して、プリント配線基板１と半導体素子７１とを接続する。そして、プリント配線基板１と半導体素子７１との間には接着層７５として液状封止樹脂を充填し、半導体装置７０を製造する（図１５）。
【００７１】
半田バンプ７３は、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子７１とプリント配線基板１との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いてプリント配線基板１上の接続用電極部と半導体素子７１の半田バンプ７３との位置合わせを行ったあと、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプ７３を融点以上に加熱し、プリント配線基板１と半田バンプ７３とを溶融接合することにより接続する。なお、接続信頼性を良くするため、予めプリント配線基板１上の接続用電極部に半田ペースト等の比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプ７３、またはプリント配線基板１上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。
【００７２】
実施形態では、中央部が盛り上がった形状について説明したが、盛り上がり部分は一箇所ではなく、例えば、複数の盛り上がり部を有していてもよい。また、段差についても、段差はなくてもよいし、なだらかな形状であってもよい。
【実施例】
【００７３】
以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００７４】
ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０、重量平均分子量約７００）２０重量部、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）３５重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）５重量部、イミダゾール化合物（四国化成工業株式社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。無機充填材／球状溶融シリカ（電気化学工業株式会社製、ＳＦＰ−２０Ｍ）を積層型カートリッジフィルター（住友スリーエム株式会社製）を用いて最大粒子径２．０μｍを上回る粒子を濾過分離して除去し、平均粒子径が０．４μｍとなった無機充填材／球状溶融シリカ４０重量部を添加した。カップリング剤／エポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【００７５】
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、キャリア層付き樹脂層を作製した。【００７６】
このキャリア層付き樹脂層を導体層付きコア基板の表裏に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて１８０℃で４５分間加熱硬化を行い樹脂層付き基板を得た。
なお、両面導体層付きコア基板としては、下記のものを使用した。
・樹脂層：ハロゲンフリー、コア基板、厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、回路幅／回路間幅（Ｌ／Ｓ）＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ【００７７】
凹部は、図２のような３段の段差を持つ形状にした。また、１９３ｎｍの波長を有するエキシマレーザにより樹脂層付き基板の樹脂層にマスク径を替えることにより導体層がＤ１＝２０μｍ、Ｄ２＝１０μｍ、ｄ１＝５０μｍ、ｄ２＝２０μｍ、ｄ３＝１０μｍとなるように形成した。
加工条件は以下の通りに設定した。
周波数：１００Ｈｚ
エネルギー：５００ｍＪ／ｃｍ２
スキャン速度：６５μｍ／ｓｅｃ【００７８】
溝を形成した樹脂層付き基板をキャリア層付きのままで、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ５００）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に２０分浸漬後、中和してデスミア処理を行った。【００７９】
次にキャリアフィルムを剥離後、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき層約０．２μｍを形成させた。【００８０】
次に、無電解銅めっき層を電極として電解銅めっき（奥野製薬工業株式会社製、トップルチナα）を３Ａ／ｄｍ２、３０分行って、樹脂表層の厚さ約５μｍの導体層を形成した。【００８１】
樹脂表層に存在する導体層をクイックエッチング処理（荏原電産社製、ＳＡＣプロセス）を行うことにより除去し、配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度２００℃、６０分間で完全硬化させた。【００８２】
最後に回路表面にソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、４層プリント配線基板を作製した。【００８３】
得られた４層プリント配線基板は、樹脂層表面に平滑な表面を持った導体層を有する所望のプリント配線基板であった。【００８４】
＜半導体装置の製造＞
上記実施例及び比較例で得られた各多層プリント配線板を用いて、半導体装置を製造した。
半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．７２５ｍｍ）としては、半田バンプは直径１００μｍ、１５０μｍピッチ、Ｓｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成され、回路保護膜はポジ型感光性樹脂（住友ベークライト社製ＣＲＣ−８３００）で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、上記実施例及び比較例で得られた各多層プリント配線板上に半導体素子を加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、各多層プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。【００８５】
＜半導体装置の評価＞
平滑表面にチップを搭載し設計通りの半導体装置が得られた。【００８６】
この出願は、２０１１年３月２５日に出願された日本出願特願２０１１−０６７０３６を基礎とする優先権を主張し、その開示の総てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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