(57)【要約】  本発明は、応答速度が速く、画素分割等の特別なセル構造を有することなく視角特性が優れた、正の誘電率異方性の液晶材料を用いたＶＡＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供するものである。  本発明は、複数の独立的に制御可能な画素を有し、正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、画素制御用の電極が液晶相を挟持した第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、前記液晶組成物が特定の液晶化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）
【化１】
2012043387.tif 000049
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ１、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化２】
2012043387.tif 000050
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）を表し、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよく、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＨ原子はＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３で置換されていてもよく、Ｘ１〜Ｘ５はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１〜Ｚ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、存在するＺ１及びＺ２の内少なくとも１つは単結合でなく、Ｚ５はＣＨ２基又はＯ原子を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ１＋ｍ２は１、２又は３を表し、ｍ３はそれぞれ独立して０〜２の整数を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶組成物が、さらに、一般式（ＬＣ６）
【化３】
2012043387.tif 000051
(式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｚ３及びＺ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表し、Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化４】
2012043387.tif 000052
を表し、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。)で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一般式（ＬＣ１）が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４
【化５】
2012043387.tif 000053
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一般式（ＬＣ２）が一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−１０
【化６】
2012043387.tif 000054
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一般式（ＬＣ３）が下記一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−２８
【化７】
2012043387.tif 000055
【化８】
2012043387.tif 000056
(式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｘ２及びＸ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
一般式（ＬＣ４）が下記一般式（ＬＣ４）−１から一般式（ＬＣ４）−８であり、一般式（ＬＣ５）が下記一般式（ＬＣ５）−１から一般式（ＬＣ５）−６
【化９】
2012043387.tif 000057
（式中、Ｒ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ５及びＹは一般式（ＬＣ４）又は一般式（ＬＣ５）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項７】
一般式（ＬＣ６）が次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５
【化１０】
2012043387.tif 000058
（式中、Ｒ１及びＲ２は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）
で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項２から５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
液晶組成物が、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜７いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項８又は９における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項８〜１０記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
重合性化合物を０．１〜２．０質量％含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項８〜１０いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１１いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１２いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３３〜０．４０である請求項１〜１３いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３４〜０．４４である請求項１〜１３いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項１〜１５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項１〜１６いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が３〜２０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−１、（ＬＣ２）−１、（ＬＣ３）−４、（ＬＣ３）−５、（ＬＣ３）−６及び（ＬＣ３）−１１から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−２、（ＬＣ１）−３、（ＬＣ１）−４、（ＬＣ２）−４、（ＬＣ２）−５、（ＬＣ２）−６、（ＬＣ２）−７、（ＬＣ２）−８、（ＬＣ２）−９及び（ＬＣ２）−１０から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−１、（ＬＣ６）−５及び（ＬＣ６）−１４から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−４、（ＬＣ６）−１２及び（ＬＣ６）−１５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は誘電率異方性が正（Δε＞０）のネマチック晶組成物を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、アクティブマトリクス駆動方式の装置としては、ＯＣＢ（オプティカリー・コンペンセイテット・ベンド方式）、ＶＡ（垂直配向方式）、ＩＰＳ（面内配向方式）等の表示方式がその表示品質から携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等に応用されている。アクティブマトリクス表示方式は画素毎に非線形回路を設けており、アモルファスシリコン、ポリシリコンを用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や有機半導体材料を用いた提案がされている。また、表示の大型化や高精細化に対応して液晶分子の配向方法として光配向技術を用いた提案がされている。表示に更に広い視角特性を得るために位相差フィルムや明るい表示を得るために光重合性モノマーを用いた提案がなされている（非特許文献１〜８）。【０００３】
しかし、液晶テレビがＣＲＴを用いた従来のテレビを完全に置き換え、３Ｄ映像又はフィールドシーケンシャル表示の要望にも応えるためには、応答速度や視角特性の点が依然として十分なものではない。例えば、前記ＩＰＳ方式は視角特性には優れるものの、応答速度の点では十分なものではなく、前記ＶＡ方式は比較的高速な応答速度ではあるが視角特性の点では十分なものではなかった。そのため、オーバードライブ方式に加えてフレーム周波数を６０Ｈｚから１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等の高い周波数として表示素子の見かけ上の応答速度を向上されるための改良が進められてきた。しかし、これら液晶表示装置の電子回路上の改良のみでは、液晶材料が固有に有する応答速度の限界を超えることには限界があり、液晶材料を含む表示装置全体の改良による抜本的な応答速度の改善が求められている。【０００４】
又、前記ＶＡ方式において、視角特性を改善するために画素を分割し、分割した画素毎に液晶分子の配向方向を変えることにより視角特性を改善したＭＶＡ（マルチドメイン垂直配方式）が提案されている。この方式では視角特性を改善することは可能であるが、画素分割をするには、複雑な構造を有する液晶セルを均一に製造することが求められることから、製造効率の低下は避けられなかった。【０００５】
このような課題を抜本的に改善する方法として、従来の駆動方式とは異なる新しい駆動方式が提案されている。例えば、電圧無印加時に、誘電率異方性が正の液晶材料（Δε＞０）を基板面に対し垂直に配向させ、基板面上に配置した電極による横電界で、液晶分子を駆動する方法が知られている（特許文献１〜７及び非特許文献９〜１５）。この方法では、横方向の電界が湾曲することにより、電圧印加時に液晶分子が異なった方向に配列することから、前述のＭＶＡ方式のように画素分割をすることなしに、マルチドメインを形成することができるため、製造効率の点で優れたものである。このような方式の液晶表示装置は、特許文献３〜７や非特許文献９〜１５によれば、ＥＯＣ、ＶＡ−ＩＰＳなど種々の呼称がされているが、本発明においては以下「ＶＡＩＰＳ」と略称する。【０００６】
しかし、ＶＡＩＰＳ方式においては、液晶分子の物理的な挙動は従来の液晶表示装置の駆動方法とは異なることから、液晶材料の選択においては従来とは異なる基準で液晶材料を選択することが求められている。【０００７】
すなわち、一般的にＴＮ方式におけるフレデリックス転移の閾値電圧（Ｖc）は次の式【０００８】
【数１】
2012043387.tif 000002
【０００９】
ＳＴＮ方式においては次の式【００１０】
【数２】
2012043387.tif 000003
【００１１】
ＶＡ方式は次の式で表される。【００１２】
【数３】
2012043387.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｖｃはフレデリックス転移（Ｖ）、Πは円周率、ｄｃｅｌｌは第一基板と第二基板の間隔（μｍ）、ｄｇａｐは画素電極と共通電極の間隔（μｍ）、ｄＩＴＯは画素電極及び／又は共通電極の幅（μｍ）、＜ｒ１＞、＜ｒ２＞、及び＜ｒ３＞は外挿長（μｍ）、Ｋ１１はスプレイの弾性定数（Ｎ）、Ｋ２２はツイストの弾性定数（Ｎ）、Ｋ３３はベンドの弾性定数（Ｎ）を表し、Δεは誘電率の異方性を表す。）
しかし、ＶＡＩＰＳ方式においては、これらの一般的な計算式は当てはまらず、液晶材料の選択の基準が無いことから、性能の改善が進まず、結果として液晶表示装置としての応用は遅れていた。【００１４】
一方、ＶＡＩＰＳ方式において、使用される液晶材料として好ましい化合物についての開示もなされている（特許文献８）。しかし、当該引用文献に記載の液晶組成物はシアノ系化合物を用いることから、アクティブマトリックス用として適さないものである。
液晶表示装置には明るい輝度でより高い黒レベルにすることでメガコントラスト（ＣＲ）を目指す課題もある。ＬＣＤの画素表示面積を大きく出来るように開口率を改善したり、ＤＢＥＦやＣＬＣなどの輝度向上フィルムを適用したり、液晶の垂直配向させる場合に突起などによる光漏れを低減するなどの提案がされている。更に、タッチパネル方式における押圧力にも乱れにくい表示も求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開昭５７−０００６１８号公報
【特許文献２】特開昭５０−０９３６６５号公報
【特許文献３】特開平１０−１５３７８２号公報
【特許文献４】特開平１０−１８６３５１号公報
【特許文献５】特開平１０−３３３１７１号公報
【特許文献６】特開平１１−０２４０６８号公報
【特許文献７】特開２００８−０２０５２１号公報
【特許文献８】特開２００２−０１２８６７号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，２７７（１９９３）
【非特許文献２】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，８４５（１９９７）
【非特許文献３】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，１０７７（１９９８）
【非特許文献４】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，４６１（１９９７）
【非特許文献５】Ｐｒｏｃ．１８ｔｈ  ＩＤＲＣ，３８３（１９９８）
【非特許文献６】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，１２００（２００４）
【非特許文献７】Ｐｒｏｃ．Ａｓｉａ  ｄｉｓｐｌａｙ，５７７（１９９５）
【非特許文献８】Ｐｒｏｃ．１８ｔｈ  ＩＤＲＣ，３７１（１９９８）
【非特許文献９】Ｐｒｏｃ．１３ｔｈ  ＩＤＷ，９７（１９９７）
【非特許文献１０】Ｐｒｏｃ．１３ｔｈ  ＩＤＷ，１７５（１９９７）
【非特許文献１１】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，３１９（１９９８）
【非特許文献１２】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，８３８（１９９８）
【非特許文献１３】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，１０８５（１９９８）
【非特許文献１４】ＳＩＤ  Ｓｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，３３４（２０００）
【非特許文献１５】Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ  Ｐｒｏｃ．，１４２（２００９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、応答速度が速く、画素分割等の特別なセル構造を有することなく視角特性が優れた、正の誘電率異方性の液晶材料を用いたＶＡＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することにある（以下、ｐ−ＶＡＩＰＳと呼称）。本発明により、従来技術で問題であった応答速度をより良い表示とし、広視野角化を有利にし、光透過時には高輝度となり光遮断時には高い黒レベルとすることで高いコントラスト比の改良が可能となる液晶表示装置が得られるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造を有するＶＡＩＰＳ液晶表示素子及び特定の液晶化合物を含有する液晶組成物を組み合わせることにより前記課題を解決できることを見出し本願発明の完成に至った。【００１９】
本発明は、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）【００２０】
【化１】
2012043387.tif 000005
【００２１】
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ１、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造【００２２】
【化２】
2012043387.tif 000006
【００２３】
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）を表し、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよく、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＨ原子はＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３で置換されていてもよく、Ｘ１〜Ｘ５はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１〜Ｚ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、存在するＺ１及びＺ２の内少なくとも１つは単結合でなく、Ｚ５はＣＨ２基又はＯ原子を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ１＋ｍ２は１、２又は３を表し、ｍ３はそれぞれ独立して０〜２の整数を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置を提供する。【００２４】
本発明において、基板中の液晶分子の長軸は前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向している。此処で、ハイブリッド配向とは２枚の基板間に挟まれた液晶分子の長軸が、一方の基板側では基板面に対し略平行に配向しており、他方の基板側では略垂直に配向している状態をいう。本願明細書においては、液晶分子の長軸が略垂直に配向している態様をｐ−ＶＡＩＰＳと呼称し、ハイブリッド配向している態様をｐ−ＨＢＩＰＳと呼称する。尚、ｐ−ＶＡＩＰＳ及びｐ−ＨＢＩＰＳ方式の電極構造は従来のＩＰＳやＦＦＳ、改良版ＦＦＳ等の横電界方式のものが適用できる。【００２５】
本発明における液晶分子の挙動は模式的に図１〜３に示す通りであり、電圧が無印加の状態図１から電圧を印加した状態の図２または図３に遷移する。この際フロー効果に有利な、ベンド配向状態をとることで、高速応答化が図れる。一般的に応答速度はＩＰＳは２０〜４０ｍｓｅｃ、ＴＮは１０〜３０ｍｓｅｃであるが、本発明の応答速度は１〜８ｍｓｅｃであり大幅な改良がなされている。【００２６】
従来のＴＮ方式の駆動方法では一般的に、広視野角化のため特殊な光学フィルム等を使用しなければならず、左右もしくは上下の広視野角化にとどまる。一方ＶＡ方式の駆動方法では一般的に、広視野角であるが、液晶分子の倒れる方向をゾーンラビングや突起、スリット電極などを用いて規定し、マルチドメイン化を図る必要があり、セル構成が複雑になる傾向にある。本発明のｐ−ＶＡＩＰＳ及びｐ−ＨＢＩＰＳ方式は印加する電圧により発生する電気力線を使用することにより、液晶分子の倒れる方向を規定するため、画素電極の形状のみでマルチドメイン化が可能であり比較的単純なセル構成で済み、広視野角化及び高コントラスト化が可能である。【００２７】
また、一般的にフレデリックス転移（Ｖc）の値は前述のように、ＴＮ方式は式１、ＳＴＮ方式は式２、ＶＡ方式は式３で表されるが、本願発明の液晶表示装置においては下記式４が適用されることを見出した。【００２８】
【数４】
2012043387.tif 000007
【００２９】
（式中、Ｖｃはフレデリックス転移（Ｖ）、Πは円周率、ｄｃｅｌｌは第一基板と第二基板の間隔（μｍ）、ｄｇａｐは画素電極と共通電極の間隔（μｍ）、ｄＩＴＯは画素電極及び／又は共通電極の幅（μｍ）、＜ｒ＞、＜ｒ’＞、＜ｒ３＞は外挿長（μｍ）、Ｋ３３はベンドの弾性定数（Ｎ）、Δεは誘電率の異方性を表す。）
数４からセル構成としては、ｄｇａｐをなるべく小さく、ｄＩＴＯをなるべく大きくすることにより、低駆動電圧化が図れ、使用する液晶組成物としてはΔεの絶対値が大きく、Ｋ３３が小さいものを選択することにより、低駆動電圧化が図れることが分かった。これら知見をもとに、上記液晶表示装置に適切な負の誘電異方性液晶を見出した。【００３０】
また、本発明の液晶表示装置はこの動き出しやすい液晶分子が、２枚の基板間の中央ではなく、一方の基板面に偏り、より一方の基板に近づいた部位から動き出すことが最も大きな特徴であり、従来のＴＮ、ＩＰＳ、ＶＡ、ＯＣＢの方式と異なる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は応答速度、透過光量、タッチパネルの使用など外圧による光漏れ、視野角、コントラスト比などの特性を改良し、従来技術で作成した液晶表示装置と比較し、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】電圧無印加時の液晶分子配向状態（ｐ−ＶＡＩＰＳの例）
【図２】電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＶＡＩＰＳの例）
【図３】画素電極下に絶縁層を介して共通電極を配した場合（ＦＦＳ）の電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＶＡＩＰＳの例）
【図４】テスト用セルの電極構成
【図５】電圧無印加時の液晶分子配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例１）
【図６】電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例１）
【図７】電圧無印加時の液晶分子配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例２）
【図８】電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例２）
【符号の説明】
【００３３】
１・・・第１基板、２・・・遮光層、３・・・配向層、４・・・液晶、５・・・配向層、６・・・画素電極、７・・・共通電極、８・・・第２基板
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本願発明における液晶組成物は前記一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）で表される液晶化合物を含有するが、これらの一般式中、Ｒ１は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基又は炭素数１〜８のアルコキシ基であることが好ましく、
Ａ１及びＡ２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基が好ましく、
Ｘ１〜Ｘ５はそれぞれ独立してＨ又はＦが好ましく、ＹはＦ、ＣＦ３又はＯＣＦ３が好ましく、
Ｚ１〜Ｚ４はそれぞれ独立して単結合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−が好ましく、存在するＺ１〜Ｚ４の一つが−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−であり、Ｚ１〜Ｚ４の内、他に存在する置換基がある場合にはこれらの置換基は単結合であることが好ましく、
ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して０〜２の整数を表すことが好ましく、ｍ１＋ｍ２は１又は２が好ましい。
一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）で表される液晶化合物は、より好ましくは一般式（ＬＣ１）が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４
【００３５】
【化３】
2012043387.tif 000008
【００３６】
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）表される化合物であるか及び／又は、
一般式（ＬＣ２）が下記一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−１０
【００３７】
【化４】
2012043387.tif 000009
【００３８】
（式中、Ｒ１、Ｙ及びＸ２は一般式（ＬＣ２）におけると同じ意味を表し、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物であるか及び／又は、
一般式（ＬＣ３）が下記一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−３４
【００３９】
【化５】
2012043387.tif 000010
【００４０】
【化６】
2012043387.tif 000011
【００４１】
(式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｘ２及びＸ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物であるか及び／又は、
一般式（ＬＣ４）が下記一般式（ＬＣ４）−１から一般式（ＬＣ４）−８であり、一般式（ＬＣ５）が下記一般式（ＬＣ５）−１から一般式（ＬＣ５）−６
【００４２】
【化７】
2012043387.tif 000012
【００４３】
（式中、Ｒ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ５及びＹは一般式（ＬＣ４）又は一般式（ＬＣ５）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）においてＲ１はアルケニルであり及び／又はＲ２がアルコキシ基又はアルケニルオキシ基であることが好ましく、一般式（ＬＣ３）〜（ＬＣ５）においてＲ１及びＲ２の少なくとも一方がアルケニルであることが好ましく、一般式（ＬＣ３）においてＺ１及びＺ２の少なくとも一方が−ＯＣＨ２−又は−ＣＨ２Ｏ−である化合物が好ましい。
【００４４】
さらに、前記液晶組成物層には一般式（ＬＣ６）
【００４５】
【化８】
2012043387.tif 000013
【００４６】
(式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｚ３、Ｚ４、及びｍ１はそれぞれ独立して一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）における記載と同じ意味であり、Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ独立して下記
【００４７】
【化９】
2012043387.tif 000014
【００４８】
（式中、シクロヘキサン環中の１つ又は２つ以上のＣＨ２ＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ベンゼン環中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、）で表される化合物を含有することが好ましい。
【００４９】
一般式（ＬＣ６）で表される化合物は次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５
【００５０】
【化１０】
2012043387.tif 000015
【００５１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２Ｚ３及びＺ４は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物であることがより好ましい。
【００５２】
一般式（ＬＣ６）において、Ｒ１及び又はＲ２がアルケニル又はアルケニルオキシ基であることが好ましく、Ｚ１及びＺ２の一つが−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−であり、残りが単結合又は−Ｃ≡Ｃ−であることが好ましい。
【００５３】
本願発明に用いられる液晶組成物において一般式（ＬＣ１）〜（ＬＣ５）で表される化合物を１００〜２０質量％含有することが好ましく、１００〜４０質量％含有することがより好ましく、１００〜６０質量％含有することが特に好ましい。
【００５４】
また、一般式（ＬＣ１）〜（ＬＣ５）におけるΔεが４以上の化合物を２種以上含有することが好ましい。
【００５５】
さらに前記液晶組成物には重合性化合物を１種又は２種以上含有してもよく、好ましくは重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である。
【００５６】
具体的には重合性化合物が一般式（ＰＣ１）
【００５７】
【化１１】
2012043387.tif 000016
で表される重合性化合物であることが好ましい（式中、Ｐ１は重合性官能基を表し、Ｓｐ１は炭素原子数０〜２０のスペーサー基を表し、Ｑ１は単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎ１、及びｎ２はそれぞれ独立して１、２又は３を表し、ＭＧはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、Ｒ３は、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−より置き換えられていても良く、あるいはＲ３はＰ２−Ｓｐ２−Ｑ２−（式中、Ｐ２、Ｓｐ２、Ｑ２はそれぞれ独立してＰ１、Ｓｐ１、Ｑ１と同じ意味を表す。）を表す。）。
【００５８】
より好ましくは、重合性化合物一般式（ＰＣ１）におけるＭＧが以下の構造
【００５９】
【化１２】
2012043387.tif 000017
で表される重合性化合物であり（式中、Ｃ１〜Ｃ３はそれぞれ独立して1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル基、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基、テトラヒドロチオピラン-2,5-ジイル基、1,4-ビシクロ(2,2,2)オクチレン基、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基又はフルオレン2,7-ジイル基を表し、該1,4-フェニレン基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基及びフルオレン2,7-ジイル基は置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ３、ＯＣＦ３、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基又はアルケノイルオキシ基を有していても良く、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−又は単結合を表し、ｎ５は０、１又は２を表す。）、
Ｓｐ１及びＳｐ２がそれぞれ独立してアルキレン基を表し、該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つ又は２つ以上のＣＨ２基はＯ原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、
Ｐ１及びＰ２がそれぞれ独立して以下の一般式（ＰＣ１−ａ）〜一般式（ＰＣ１−ｄ）
【００６０】
【化１３】
2012043387.tif 000018
のいずれかである（式中、Ｒ４１〜Ｒ４３、Ｒ５１〜Ｒ５３、及びＲ６１〜Ｒ６３はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）。
【００６１】
より具体的には、重合性化合物一般式（ＰＣ１）が一般式（ＰＣ１）−１又は一般式（ＰＣ１）−２
【００６２】
【化１４】
2012043387.tif 000019
【００６３】
（Ｐ１、Ｓｐ１、Ｑ１、Ｐ２、Ｓｐ２、Ｑ２及びＭＧは一般式（ＰＣ１）と同じ意味を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ独立して１、２又は３を表す。）で表される重合性化合物であることが好ましい。
【００６４】
より具体的には、一般式（ＰＣ１）が一般式（ＰＣ１）−３〜一般式（ＰＣ１）−８
【００６５】
【化１５】
2012043387.tif 000020
で表される重合性化合物であることがより好ましい（式中、Ｗ１はそれぞれ独立してＦ、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ＣＨ３、ＯＣＨ３、炭素原子数２〜５のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ＣＯＯＷ２、ＯＣＯＷ２又はＯＣＯＯＷ２を表し（式中、Ｗ２は炭素原子数１〜１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す。）、ｎ６は０、１、２、３又は４を表す。）。
【００６６】
さらに好ましくは、重合性化合物一般式（ＰＣ１）におけるＳｐ１、Ｓｐ２、Ｑ１及びＱ２がすべて単結合であり、ｎ３及びｎ４において、ｎ３＋ｎ４が３〜６であり、Ｐ１及びＰ２が式（７−ｂ）であり、Ｗ１がＦ、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ＣＨ３又はＯＣＨ３であり、ｎ６が１以上である。
【００６７】
また、一般式（ＰＣ１）におけるＭＧが一般式（ＰＣ１）−９で表される円盤状液晶化合物であることも好ましい
【００６８】
【化１６】
2012043387.tif 000021
【００６９】
（式中、Ｒ７はそれぞれ独立してＰ１−Ｓｐ１−Ｑ１又は一般式（ＰＣ１−ｅ）の置換基を表し（式中、Ｐ１、Ｓｐ１及びＱ１は般式（ＰＣ１）と同じ意味を表しＲ８１及びＲ８２はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、Ｒ８３は炭素原子数１〜２０アルコキシ基を表し、該アルコキシ基中の少なくとも１つの水素原子前記一般式（ＰＣ１−ａ）〜（ＰＣ１−ｄ）で表される置換基で置換されている。）。
【００７０】
重合性化合物の使用量は好ましくは０．１〜２．０質量％である。
【００７１】
前記液晶組成物は前期用途に単独で使用することもでき、さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有することもでき、さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有することもできる。
【００７２】
前記液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）は垂直配向の場合０．２０〜０．５９が好ましく、ハイブリッド配向の場合は０．２１〜０．６１が好ましく、垂直配向の場合は０．３３〜０．４０が特に好ましく、ハイブリッド配向の場合は０．３４〜０．４４が特に好ましい。
【００７３】
前記表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるため、ポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメート等からなる配向膜を設けることができ、配向膜は光配向技術を用いて作成したものでもよい。
【００７４】
垂直配向の場合は基板と液晶組成物のチルト角は８５〜９０°が好ましく、ハイブリッド配向の場合は第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角は８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角は３〜２０°が好ましい。
【実施例】
【００７５】
以下、例を挙げて本願発明を更に詳述するが、本願発明はこれらによって限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。【００７６】
液晶組成物の物性として、以下のように表す。
TN-I    ：ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃)を液晶相上限温度
Δε    ：誘電率異方性
Δn    ：屈折率異方性
Vsat    ：周波数１ＫＨｚの矩形波を印加した時の透過率が９０％変化する印加電圧
τr+d/msec：ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍ、第１基板、第２基板とも配向膜ＳＥ−５３００のセルを使用した際の応答速度
化合物記載に下記の略号を使用する。【００７７】
末端のn(数字)  CnH2n+1-
-2-      -CH2CH2-
-1O-    -CH2O-
-O1-    -OCH2-
-V-      -CO-
-VO-    -COO-
-CFFO-  -CF2O-
-F        -F
-Cl        -Cl
-CN       -C≡N
-OCFFF    -OCF3
-CFFF          -CF3
-OCFF      -OCHF2
-On        -OCnH2n+1
-T-        -C≡C-
ndm-      CnH2n+1-HC＝CH-(CH2)m-1-【００７８】
【化１７】
2012043387.tif 000022
【００７９】
（実施例１）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物を挟持して実施例１の液晶表示装置を作成した。（ｄｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）この液晶表示装置の物性値を表１に併せて示す。【００８０】
（比較例１）
実施例１で用いた液晶組成物を用いて従来のＴＮ液晶表示装置を作製しその物性値を測定した。その結果を表２に示す。【００８１】
本願発明の液晶表示装置は、同じ正の誘電異方性液晶を狭持した比較例１の液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【００８２】
（実施例２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物を挟持して実施例２の液晶表示装置を作成した。（ｄｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＥＣＢ液晶表示装置等と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【００８３】
（実施例３）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して実施例３の液晶表示装置を作成した。（ｄｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【００８４】
該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【００８５】
（実施例４）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％を添加した組成物を挟持して実施例４の液晶表示装置を作成した。（ｄｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【００８６】
該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＥＣＢ液晶表示装置等と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【００８７】
【表１】
2012043387.tif 000023
【００８８】
（比較例２）
実施例１と同様に表２に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例２の液晶表示装置を作製しその物性値を測定し、その結果を表２に示す。【００８９】
【表２】
2012043387.tif 000024
【００９０】
正の誘電異方性液晶を狭持した比較例２の液晶表示装置は本願発明の液晶表示装置と比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。【００９１】
（実施例５〜７）
実施例１と同様に表３に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例５の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例６の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例７の液晶表示装置を作成した。【００９２】
【表３】
2012043387.tif 000025
【００９３】
実施例５から７液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【００９４】
（実施例８〜１０）
実施例１と同様に表４に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例８の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例９の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例１０の液晶表示装置を作成した。【００９５】
【表４】
2012043387.tif 000026
【００９６】
実施例８から１０液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【００９７】
（実施例１１〜１３）
実施例１と同様に表５に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１１の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例１２の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例１３の液晶表示装置を作成した。【００９８】
【表５】
2012043387.tif 000027
【００９９】
実施例１１から１３の液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１００】
（実施例１４〜１７）
実施例１と同様に表６に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１４の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例１５の液晶表示装置、実施例１と同様に実施例１６の液晶表示装置及び実施例１と同様に表７に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１７の液晶表示装置を作成した。【０１０１】
【表６】
2012043387.tif 000028
【０１０２】
【表７】
2012043387.tif 000029
【０１０３】
該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１０４】
（実施例１８〜２１）
ｄｃｅｌｌ＝３．０μｍ、ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍとした以外は実施例１と同様に表８に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１８の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例１９の液晶表示装置、実施例１と同様に実施例２０の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例２１の液晶表示装置を作成した。【０１０５】
【表８】
2012043387.tif 000030
【０１０６】
該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１０７】
（実施例２２及び２３）
ｄｃｅｌｌ＝３．５μｍ、ｄＩＴＯ＝１０μｍ、ｄｇａｐ＝１０μｍとした以外は実施例１と同様に表９に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例２２の液晶表示装置を及び実施例１と同様に実施例２３の液晶表示装置を作成した。【０１０８】
【表９】
2012043387.tif 000031
【０１０９】
実施例２２及び２３液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１１０】
（実施例２４及び２５）
実施例１と同様に表１０に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例２４の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例２５の液晶表示装置を作成した。【０１１１】
【表１０】
2012043387.tif 000032
【０１１２】
実施例２４及び２５液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１１３】
（実施例２６〜２８）
ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍとしたセルに実施例５、１２又は１７で使用した正の誘電異方性液晶組成物を狭持して、それぞれ実施例２６から２８の液晶表示装置を作成し、応答速度を測定したところ、下記の結果を得た。
実施例２６：τｒ＋ｄ＝１．６ｍｓｅｃ（実施例５の液晶組成物）
実施例２７：τｒ＋ｄ＝１．３ｍｓｅｃ（実施例１２の液晶組成物）
実施例２８：τｒ＋ｄ＝０．９ｍｓｅｃ（実施例１７の液晶組成物）
実施例２６から２８の液晶表示装置は応答が極めて速い特性を有していた。また、本実施例で作成した液晶表示装置に押圧を加えたところ、従来のＶＡ表示では生じていた光漏れがほとんど見られなかった。【０１１４】
（実施例２９〜３２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１１に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）【０１１５】
【表１１】
2012043387.tif 000033
【０１１６】
実施例２９〜３２に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１１７】
（比較例３）
実施例２９と同様に表１２に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例３の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表１２に示す。【０１１８】
【表１２】
2012043387.tif 000034
【０１１９】
正の誘電異方性液晶を狭持した比較例３の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。【０１２０】
（実施例３３〜３５）
実施例２９・比較例３と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１３に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１２１】
実施例３３〜３５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１２２】
【表１３】
2012043387.tif 000035
【０１２３】
（実施例３６〜３８）
実施例２９・比較例３と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１４に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１２４】
実施例３６〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１２５】
【表１４】
2012043387.tif 000036
【０１２６】
（実施例３９）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例２９〜３８及び比較例３に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例２９〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１２７】
（実施例４０）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例２９〜３８及び比較例３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１２８】
実施例２９〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１２９】
（実施例４１）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例２９〜３８及び比較例３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１３０】
実施例２９〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１３１】
（実施例４２〜４５）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１５に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）
実施例４２〜４５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１３２】
【表１５】
2012043387.tif 000037
【０１３３】
（実施例４６〜４８）
実施例４２と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１６に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１３４】
実施例４６〜４８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１３５】
【表１６】
2012043387.tif 000038
【０１３６】
（実施例４９〜５１）
実施例４２と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１７に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１３７】
実施例４９〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１３８】
【表１７】
2012043387.tif 000039
【０１３９】
（実施例５２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例４２〜５１及び比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例４２〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１４０】
（実施例５３）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例４２〜５１及び比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１４１】
実施例４２〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１４２】
（実施例５４）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例４２〜５１及び比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１４３】
実施例４２〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１４４】
（実施例５５〜５７）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１８に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）【０１４５】
【表１８】
2012043387.tif 000040
【０１４６】
実施例５５〜５７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１４７】
（比較例４）
実施例５５と同様に表１９に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例４の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表１９に示す。【０１４８】
【表１９】
2012043387.tif 000041
【０１４９】
正の誘電異方性液晶を狭持した比較例４の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。【０１５０】
（実施例５８及び５９）
実施例５５・比較例４と同様に第一の基板と第二の基板の間に表２０に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１５１】
【表２０】
2012043387.tif 000042
【０１５２】
実施例５８及び５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１５３】
（実施例６０）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例５５〜５９及び比較例４に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例５５〜５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例４に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１５４】
（実施例６１）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例５５〜５９及び比較例４に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１５５】
実施例５５〜５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例４に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１５６】
（実施例６２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例５５〜５９及び比較例４に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１５７】
実施例５５〜５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例４に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１５８】
（実施例６３〜６５）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表２１に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）【０１５９】
【表２１】
2012043387.tif 000043
【０１６０】
実施例６３〜６５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１６１】
（比較例５）
実施例６３と同様に表２２に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例５の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表２２に示す。【０１６２】
【表２２】
2012043387.tif 000044
【０１６３】
正の誘電異方性液晶を狭持した比較例５の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。【０１６４】
（実施例６６及び６７）
実施例６３・比較例５と同様に第一の基板と第二の基板の間に表２３に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１６５】
【表２３】
2012043387.tif 000045
【０１６６】
実施例６６及び６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１６７】
（実施例６８）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例６３〜６７及び比較例５に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例６３〜６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１６８】
（実施例６９）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例６３〜６７及び比較例５に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１６９】
実施例６３〜６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１７０】
（実施例７０）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例６３〜６７及び比較例５に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１７１】
実施例６３〜６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１７２】
（実施例７１〜７３）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表２４に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）【０１７３】
【表２４】
2012043387.tif 000046
【０１７４】
実施例７１〜７３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１７５】
（比較例６）
実施例７１と同様に表２５に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例６の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表２５に示す。【０１７６】
【表２５】
2012043387.tif 000047
【０１７７】
正の誘電異方性液晶を狭持した比較例６の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。【０１７８】
（実施例７４及び７５）
実施例７１・比較例６と同様に第一の基板と第二の基板の間に表２６に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。【０１７９】
【表２６】
2012043387.tif 000048
【０１８０】
実施例７４及び７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１８１】
（実施例７６）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例７１〜７５及び比較例６に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例７１〜７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例６に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１８２】
（実施例７７）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例７１〜７５及び比較例６に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１８３】
実施例７１〜７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例６に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。【０１８４】
（実施例７８）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例７１〜７５及び比較例６に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄＩＴＯ＝４μｍ、ｄｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ２)し、重合処理を行った。【０１８５】
実施例７１〜７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例６に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。
【図１】
2012043387.tif 000059
【図２】
2012043387.tif 000060
【図３】
2012043387.tif 000061
【図４】
2012043387.tif 000062
【図５】
2012043387.tif 000063
【図６】
2012043387.tif 000064
【図７】
2012043387.tif 000065
【図８】
2012043387.tif 000066
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ３）
【化１】
2012043387.tif 000067
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ１、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化２】
2012043387.tif 000068
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）を表し、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該Ａ１及びＡ２中の１つ又は２つ以上のＨ原子はＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３で置換されていてもよく、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、存在するＺ１及びＺ２の内少なくとも１つは単結合でなく、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ１＋ｍ２は１、２又は３を表し、ｍ３はそれぞれ独立して０〜２の整数を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有するが、シアノ系化合物、エステル系化合物又はジオキサン系化合物は含有せず、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶組成物が、さらに、一般式（ＬＣ６）
【化３】
2012043387.tif 000069
(式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｚ３及びＺ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表し、Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化４】
2012043387.tif 000070
を表し、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。)で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一般式（ＬＣ１）が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４
【化５】
2012043387.tif 000071
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一般式（ＬＣ２）が一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−１０
【化６】
2012043387.tif 000072
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一般式（ＬＣ３）が下記一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−２８
【化７】
2012043387.tif 000073
【化８】
2012043387.tif 000074
(式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｘ２及びＸ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
一般式（ＬＣ６）が次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５
【化９】
2012043387.tif 000075
（式中、Ｒ１及びＲ２は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）
で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項２から５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
液晶組成物が、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜６いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。
【請求項９】
請求項７又は８における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項７又は８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
重合性化合物を０．１〜２．０質量％含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項７〜９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１０いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１１いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３３〜０．４０である請求項１〜１２いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３４〜０．４４である請求項１〜１３いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項１〜１４いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項１〜１５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が３〜２０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−１、（ＬＣ２）−１、（ＬＣ３）−４、（ＬＣ３）−５、（ＬＣ３）−６及び（ＬＣ３）−１１から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１８いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−２、（ＬＣ１）−３、（ＬＣ１）−４、（ＬＣ２）−４、（ＬＣ２）−５、（ＬＣ２）−６、（ＬＣ２）−７、（ＬＣ２）−８、（ＬＣ２）−９及び（ＬＣ２）−１０から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１８いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１８いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１８いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−１、（ＬＣ６）−５及び（ＬＣ６）−１４から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１８いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−４、（ＬＣ６）−１２及び（ＬＣ６）−１５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１８いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４
【化１】
2012043387.tif 000076
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物、
一般式（ＬＣ２）−４から一般式（ＬＣ２）−１０
【化２】
2012043387.tif 000077
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物、及び
一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−５、一般式（ＬＣ３）−７から一般式（ＬＣ３）−２７、及び一般式（ＬＣ３）−２９
【化３】
2012043387.tif 000078
【化４】
2012043387.tif 000079
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有するが、シアノ系化合物、エステル系化合物又はジオキサン系化合物は含有せず、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶組成物が、さらに、一般式（ＬＣ６）
【化５】
2012043387.tif 000080
（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｚ３及びＺ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表し、Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化６】
2012043387.tif 000081
を表し、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−３
【化７】
2012043387.tif 000082
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ２及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一般式（ＬＣ３）−６及び（ＬＣ３）−２８
【化８】
2012043387.tif 000083
【化９】
2012043387.tif 000084
(式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２及びＸ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一般式（ＬＣ６）が次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５
【化１０】
2012043387.tif 000085
（式中、Ｒ１及びＲ２は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）
で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項２から４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
液晶組成物が、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基又は直鎖のアルコキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６又は７における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
重合性化合物を０．１〜２．０質量％含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３３〜０．４０である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３４〜０．４４である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項１〜１３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項１〜１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が３〜２０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−１、（ＬＣ２）−１、（ＬＣ３）−４、（ＬＣ３）−５及び（ＬＣ３）−６から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−２、（ＬＣ１）−３、（ＬＣ１）−４、（ＬＣ２）−４、（ＬＣ２）−５、（ＬＣ２）−６、（ＬＣ２）−７、（ＬＣ２）−８、（ＬＣ２）−９及び（ＬＣ２）−１０から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−１、（ＬＣ６）−５及び（ＬＣ６）−１４から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−４、（ＬＣ６）−１２及び（ＬＣ６）−１５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４
【化１】
2012043387.tif 000086
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物、
一般式（ＬＣ２）−４から一般式（ＬＣ２）−１０
【化２】
2012043387.tif 000087
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物、及び
一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−５、一般式（ＬＣ３）−７から一般式（ＬＣ３）−２７、及び一般式（ＬＣ３）−２９
【化３】
2012043387.tif 000088
【化４】
2012043387.tif 000089
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有するが、シアノ系化合物、エステル系化合物又はジオキサン系化合物は含有せず、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶組成物が、さらに、一般式（ＬＣ６）
【化５】
2012043387.tif 000090
（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｚ３及びＺ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表し、Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化６】
2012043387.tif 000091
を表し、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−３
【化７】
2012043387.tif 000092
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ２及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一般式（ＬＣ３）−６及び（ＬＣ３）−２８
【化８】
2012043387.tif 000093
【化９】
2012043387.tif 000094
(式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２及びＸ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｚ１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一般式（ＬＣ６）が次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５
【化１０】
2012043387.tif 000095
（式中、Ｒ１及びＲ２は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）
で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項２から４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
液晶組成物が、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基又は直鎖のアルコキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６又は７における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
重合性化合物を０．１〜２．０質量％含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３３〜０．４０である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３４〜０．４４である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項１〜１３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項１〜１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が３〜２０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−１、（ＬＣ２）−１、（ＬＣ３）−４、（ＬＣ３）−５及び（ＬＣ３）−６から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−２、（ＬＣ１）−３、（ＬＣ１）−４、（ＬＣ２）−４、（ＬＣ２）−５、（ＬＣ２）−６、（ＬＣ２）−７、（ＬＣ２）−８、（ＬＣ２）−９及び（ＬＣ２）−１０から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−１、（ＬＣ６）−５及び（ＬＣ６）−１４から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−４、（ＬＣ６）−１２及び（ＬＣ６）−１５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４
【化１】
2012043387.tif 000096
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物、
一般式（ＬＣ２）−４から一般式（ＬＣ２）−１０
【化２】
2012043387.tif 000097
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物、及び
一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−５、一般式（ＬＣ３）−７から一般式（ＬＣ３）−２７、及び一般式（ＬＣ３）−２９
【化３】
2012043387.tif 000098
【化４】
2012043387.tif 000099
（式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有するが、シアノ系化合物、エステル系化合物又はジオキサン系化合物は含有せず、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶組成物が、さらに、一般式（ＬＣ６）
【化５】
2012043387.tif 000100
（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｚ３及びＺ４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍ１は０〜３の整数を表し、Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【化６】
2012043387.tif 000101
を表し、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ２基は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、該Ｂ１〜Ｂ３中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−３
【化７】
2012043387.tif 000102
(式中、Ｒ１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ２及びＬ２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一般式（ＬＣ３）−６及び（ＬＣ３）−２８
【化８】
2012043387.tif 000103
【化９】
2012043387.tif 000104
(式中、Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つのＣＨ２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表し、Ｘ１、Ｘ２及びＸ４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ３又はＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一般式（ＬＣ６）が次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５
【化１０】
2012043387.tif 000105
（式中、Ｒ１及びＲ２は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）
で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項２から４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
液晶組成物が、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基又は直鎖のアルコキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６又は７における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
重合性化合物を０．１〜２．０質量％含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３３〜０．４０である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３４〜０．４４である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項１〜１３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項１〜１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が３〜２０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−１、（ＬＣ２）−１、（ＬＣ３）−４、（ＬＣ３）−５及び（ＬＣ３）−６から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−２、（ＬＣ１）−３、（ＬＣ１）−４、（ＬＣ２）−４、（ＬＣ２）−５、（ＬＣ２）−６、（ＬＣ２）−７、（ＬＣ２）−８、（ＬＣ２）−９及び（ＬＣ２）−１０から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−１、（ＬＣ６）−５及び（ＬＣ６）−１４から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−４、（ＬＣ６）−１２及び（ＬＣ６）−１５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【国際調査報告】
2012043387.tif 000106
2012043387.tif 000107
2012043387.tif 000108
2012043387.tif 000109