(57)【要約】アンチモンを含む層を内在しながら、能率よく製造でき、歩留まりを低下させる凸状表面欠陥を減少し、性能劣化の原因となる不純物の混入を防止することができる、エピタキシャルウエハ、受光素子等を提供する。この製造方法は、全有機金属気相成長法を用いて、基板１上に、アンチモン（Ｓｂ）を含む層を成長する工程と、アンチモンを含む層の上に、窓層５まで含めてアンチモンを含まない層を成長する工程とを備え、アンチモンを含む層の成長以降から窓層の成長終了まで、成長温度４２５℃以上５２５℃以下で成長することを特徴とする。
2012046676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板と、窓層を含み該基板上に位置するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層体と、を備えるエピタキシャルウエハを製造する方法であって、
全有機金属気相成長法を用いて、前記基板上に、アンチモンを含む層を成長する工程と、前記アンチモンを含む層の上に、前記窓層まで含めてアンチモンを含まない層を成長する工程とを備え、
前記アンチモンを含む層の成長以降から前記窓層の成長終了まで、成長温度４２５℃以上５２５℃以下で成長することを特徴とする、エピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項２】
前記窓層の成長温度を、前記アンチモンを含む層から前記窓層に至る間の層の成長温度より２５℃以上低くすることを特徴とする、請求項１に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項３】
前記基板が、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＳｂ基板、およびＩｎＡｓ基板のうちのいずれか１つであることを特徴とする、請求項１または２に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項４】
前記基板をＩｎＰ基板として、前記窓層としてＩｎＰ窓層を成長し、前記アンチモンを含む層の成長開始から前記ＩｎＰ窓層の成長を終了するまで、前記全有機気相成長法により一貫して同じ成長チャンバ内で成長することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項５】
前記アンチモンを含む層が、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）においてペアを組む、一方の層または両方の層で構成される多重層であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項６】
前記エピタキシャル積層体において、タイプ２のＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷ、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷを成長することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルウエハを用い、前記アンチモンを含む層を受光層の全部または一部とし、前記エピタキシャルウエハの窓層上に選択拡散マスクパターンを形成する工程と、その選択拡散マスクパターンの開口部に露出する窓層から不純物を前記受光層に届くように選択拡散する工程とを備えることを特徴とする、受光素子の製造方法。
【請求項８】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板と、該基板上に位置し、窓層を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層体とを備えるエピタキシャルウエハであって、
前記エピタキシャル積層体は、アンチモンを含む層と、該アンチモンを含む層の上に位置し、前記窓層を含めてアンチモンを含まない層とを備え、
前記窓層における高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥の密度が、０．０５個ｃｍ−２以上１．２５個ｃｍ−２以下であり、かつ、前記アンチモンを含む層およびアンチモンを含まない層における炭素濃度が５×１０１５ｃｍ−３以下であることを特徴とする、エピタキシャルウエハ。
【請求項９】
前記基板が、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＳｂ基板、およびＩｎＡｓ基板のうちのいずれか１つであることを特徴とする、請求項８に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１０】
前記基板がＩｎＰ基板であり、前記窓層がＩｎＰ窓層であり、前記アンチモンを含む層の下面から前記ＩｎＰ窓層の上面までの間に、再成長界面を有しないことを特徴とする、請求項８または９に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１１】
前記アンチモンを含む層が、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）においてペアを組む、一方の層または両方の層で構成される多重層であることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
【請求項１２】
前記アンチモンを含む層が、タイプ２のＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷにおけるＧａＡｓ１−ｙＳｂｙの多重層、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷにおけるＧａＡｓ１−ｙＳｂｙの多重層、であることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか１項に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか１項に記載のエピタキシャルウエハにおいて、前記アンチモンを含む層が受光層の全部または一部であり、前記窓層上に選択拡散マスクパターンが位置しており、その選択拡散マスクパターンの開口部に露出する窓層から不純物が前記受光層に届くように分布していることを特徴とする、受光素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の受光素子を含むことを特徴とする、光学センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウエハ、受光素子、光学センサ装置、並びにエピタキシャルウエハおよび受光素子の製造方法に関する。より具体的には、所定の組成からなり、表面欠陥が少なく、結晶性の良好な、エピタキシャルウエハ、受光素子、光学センサ装置、並びにエピタキシャルウエハおよび受光素子の製造方法、に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩｎＰ基板を用いたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、バンドギャップエネルギが近赤外域に対応することから、通信用、生体検査用、夜間撮像用などの受光素子の研究開発が行われている。
このなかで、生体や環境に関連する物質の吸収スペクトル等は近赤外の長波長域に位置するので、上記受光素子の受光感度の長波長域への拡大が重要なテーマとなっている。
たとえば、非特許文献１では、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂのタイプ２の多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multiple-Quantum  Well）の受光層を備えるフォトダイオードの提案がなされている。このフォトダイオードのカットオフ波長は２．３９μｍであり、波長１．７μｍから２．７μｍまでの感度特性が示されている。本文献では、さらにカットオフ波長を長波長側、たとえば２μｍ〜５μｍに拡大するために歪補償構造を採用することの提案もなされている。
また、特許文献１では、ＩｎＰ基板の上にタイプ２の（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）ＭＱＷを形成して、選択拡散マスクパターンを用いてｐ型不純物の亜鉛（Ｚｎ）を選択拡散することで、選択拡散されていない領域で隔てられた画素を形成したフォトダイオードの提案がなされている。ＭＱＷの上には、（ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層／ＩｎＰ窓層）が配置される。このフォトダイオードは、メサ構造の形成に伴うエッチングが不要なため、良好な結晶性を保ち、暗電流を低く抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２０６４９９号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】R.Sidhu, et.al. "ALong-Wavelength  Photodiode  on InP  Using  Lattice-Matched  GaInAs-GaAsSb Type-II  Quantum  Wells, IEEE  Photonics  Technology  Letters,  Vol.17, No.12(2005),  pp.2715-2717
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のフォトダイオードを実際に製造すべく、全有機金属気相成長法（以下、全有機ＭＯＶＰＥ法と記す）によって、タイプ２の（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）ＭＱＷ、窓層等を成長させると、そのエピタキシャルウエハ上に粗大な凸状表面欠陥が発生して製造歩留りを大きく低下させることが判明した。上記の凸状表面欠陥は、希に発生するというよりは、所定の条件下で、この種のフォトダイオードに必然に発生するようにさえ見える。
このような凸状表面欠陥を低減しなければ、製造歩留まりを実用レベル以上にすることができず、上記のフォトダイオードの実用化は難しい。
一般に、上記のタイプのフォトダイオードに限定されず、所定のエピタキシャルウエハを能率よく製造でき、かつ表面欠陥を低下させることができれば、受光素子に限らず各種半導体素子にとって有益である。
また、エピタキシャルウエハを経由して製造される半導体素子において、表面欠陥だけでなく、半導体素子の性能に影響する不純物の混入を防止することが重要である。【０００６】
本発明は、アンチモンを含む層を内在しながら、能率よく製造でき、歩留まりを著しく低下させる凸状表面欠陥を減少し、かつ半導体素子での性能劣化の原因となる不純物の混入を防止することができる、エピタキシャルウエハ、受光素子、光学センサ装置、並びに、そのエピタキシャルウエハおよび受光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板と、窓層を含み該基板上に位置するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層体と、を備えるエピタキシャルウエハを製造する。この製造方法は、全有機金属気相成長法を用いて、基板上に、アンチモン（Ｓｂ）を含む層を成長する工程と、アンチモンを含む層の上に、窓層まで含めてアンチモンを含まない層を成長する工程とを備え、アンチモンを含む層の成長以降から窓層の成長終了まで、成長温度４２５℃以上５２５℃以下で成長することを特徴とする。【０００８】
上記の方法において成長温度を５２５℃以下にすることで、表面欠陥とくに高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥の密度が低いエピタキシャルウエハを能率よく成長させることができる。これによって、目視によって判別して廃棄することで低下する製造歩留まりの劣化を防ぐことができる。成長温度が５２５℃を超えると高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥密度を所定レベルたとえば１．０個ｃｍ−２以下にすることができず、製造歩留まりが著しく低下して実用化不能となる。
また、成長温度を４２５℃以上とすることで、有機金属の原料ガスをウエハ上で十分に分解させて、その原料ガスに必然的に含まれる不純物である炭素が当該エピタキシャルウエハに含まれないように確実に排出することができる。炭素が取り込まれると、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体でｐ型不純物になり、意図しない導電型の層が形成され、意図しない半導体装置が形成されてしまう。炭素の混入を防止することで、半導体素子たとえば受光素子を製造したとき、炭素に起因する性能劣化、たとえば過大な暗電流となることを防ぐことができる。この結果、性能劣化による歩留まり低下を防ぐことができる。成長温度が４２５℃未満では、有機金属の原料ガスに必然的に含まれる炭素がエピタキシャルウエハに取り込まれ、半導体素子における性能が著しく低下する。
上記の温度は、基板表面温度を赤外線カメラおよび赤外線分光器を含むパイロメータでモニタしており、そのモニタされている基板表面温度をいう。したがって、基板表面温度ではあるが、厳密には、基板上に成膜がなされている状態の、エピタキシャル層表面の温度である。基板温度、成長温度、成膜温度など、呼称は各種あるが、いずれも上記のモニタされている温度をさす。
ここで、全有機気相成長法とは、気相成長に用いる原料のすべてに、有機物と金属との化合物で構成される有機金属原料を用いる成長方法のことをいい、全有機ＭＯＶＰＥ法と記す。全有機ＭＯＶＰＥ法における利点は、このあと説明するように数多くあるが、最大の利点は能率よく各層を成長できることである。【０００９】
上述の成長温度４２５℃以上５２５℃以下は、すべての層を同じ成長温度で成長してもよいし、異なる成長温度で成長させてもよい。とくに、ここに示すように、窓層の成長温度を、アンチモンを含む層から窓層に至る間の層の成長温度より２５℃以上低くするのがよい。
これによって、結晶性の良好なエピタキシャル積層体を成長させながら、凸状表面欠陥の密度を一層低くすることができる。より詳細には、つぎのとおりである。エピタキシャル積層体を４２５℃〜５２５℃で成長することで、暗電流を低く保つことができる。しかし、この温度範囲の中で、成長温度５００℃で暗電流は低水準を保つが、それより低い成長温度では、暗電流は徐々に増加する。一方で、低い成長温度ほど窓層における凸状表面欠陥の密度は低く抑えられる。
全体的にみて、窓層における凸状表面欠陥および暗電流の低くなる方向を探ると、ここに述べるように、窓層のみをその他の層の成長温度よりも２５℃以上低くすることで表面欠陥密度を低くしながら、暗電流も抑えることができる。具体的には、窓層を４５０℃程度、その他の層を５００℃程度で成長するのがよいが、状況に応じて、規定に従った温度範囲である限り、その他の温度域であってもよい。【００１０】
基板を、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＳｂ基板、およびＩｎＡｓ基板のうちのいずれか１つとすることができる。
これによって、Ｓｂを含む層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物において基板の種類によらず生起する、同様の凸状表面欠陥および炭素混入の問題に対応することができる。【００１１】
基板をＩｎＰ基板として、窓層としてＩｎＰ窓層を成長し、アンチモンを含む層の成長開始からＩｎＰ窓層の成長を終了するまで、全有機気相成長法により一貫して同じ成長チャンバ内で成長することができる。
これによって、大気に暴露することがないので、炭素、酸素が高濃度で分布する再成長界面をなくすことができる。このため、半導体素子での性能の劣化を防止することができる。
また、全有機ＭＯＶＰＥ法によって、燐を含むＩｎＰ窓層を形成しても、原料に固体の燐を用いないので、成長槽の内壁に燐が固着しない。このためメンテナンス時に発火などのおそれがなく、安全上も優れている。【００１２】
アンチモンを含む層を、ＭＱＷにおいてペアを組む、一方の層または両方の層で構成される多重層とすることができる。
これによって、ＭＱＷにＳｂを含む層がある場合に、性能の良好な半導体素子を歩留まりよく製造することができる。このようなＳｂを含む層がＭＱＷにある場合、窓層まで含めてアンチモンを含まない層は、ＭＱＷの上に位置することになる。
全有機ＭＯＶＰＥ法によってＭＱＷを製造する利点は、各層間で急峻なヘテロ界面をもつＭＱＷを得ることができる。急峻なヘテロ界面をもつＭＱＷによって、高精度のスペクトル分光等を行うことができる。【００１３】
エピタキシャル積層体において、タイプ２のＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷ、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷを成長することができる。
上記のタイプ２のＭＱＷは、近赤外域に相当するバンドギャップエネルギを有する。上記の方法によって、凸状表面欠陥の密度が低く、かつ炭素濃度が低い、近赤外域の発光素子または受光素子に用いるエピタキシャルウエハを能率よく製造することができる。【００１４】
本発明の受光素子の製造方法は、上記のいずれかの製造方法で製造されたエピタキシャルウエハを用い、アンチモンを含む層を受光層の全部または一部とし、エピタキシャルウエハの窓層上に選択拡散マスクパターンを形成する工程と、その選択拡散マスクパターンの開口部に露出する窓層から不純物を前記受光層に届くように選択拡散する工程とを備えることができる。
これによって、選択拡散されていない領域に隔てられた領域を画素とすることができ、クロストークが抑制された受光素子を得ることができる。また、メサ構造のようにエッチングによる溝を必要としないので、暗電流を低くすることができる。
なお、上記の受光素子は、単一の画素を含むものでも、複数の画素が一次元配列または二次元配列されたものでもよい。以後の受光素子でも同様である。【００１５】
本発明のエピタキシャルウエハは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板と、該基板上に位置し、窓層を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層体とを備える。このエピタキシャルウエハでは、エピタキシャル積層体は、アンチモン（Ｓｂ）を含む層と、該アンチモンを含む層の上に位置し、窓層を含めてアンチモンを含まない層とを備える。
そして、記窓層における高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥の密度が、０．０５個ｃｍ−２以上１．２５個ｃｍ−２以下であり、かつ、アンチモンを含む層およびアンチモンを含まない層における炭素濃度が５ｅ＋１５（５×１０１５）ｃｍ−３以下であることを特徴とする。【００１６】
上記のエピタキシャルウエハでは、アンチモン（Ｓｂ）を含む層の上層表面に、高さ１０μｍ以上の粗大な凸状表面欠陥が発生しやすい。この表面欠陥は高さ１０μｍ以上であり、平面的なサイズも３０μｍ程度以上であるため、製造歩留まりを著しく低下させる。
この凸状表面欠陥の密度を１．２５個ｃｍ−２以下とすることで、表面欠陥に起因する歩留まり低下を防止することができる。
一方、凸状表面欠陥の密度が低いエピタキシャルウエハを得ることができる場合もあるが、そのようなエピタキシャルウエハではＳｂを含む層およびＳｂを含まない上層における炭素濃度が著しく高いという傾向がある。凸状表面欠陥の密度を０．０５個ｃｍ−２以上とすることで、凸状表面欠陥密度を指標にして適切な範囲の炭素濃度を得ることができる。すなわち凸状表面欠陥の密度が０．０５個ｃｍ−２未満では、炭素濃度が過大となり、受光素子における暗電流が著しく大きくなる。
炭素濃度が高い場合、炭素はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体でｐ型不純物となるので、意図しない半導体装置が形成される。このため、エピタキシャルウエハを半導体素子たとえば受光素子にした場合、特性たとえば暗電流が許容範囲を超えて大きくなる。上記凸状表面欠陥密度と並行させて、炭素濃度を５ｅ＋１５（５×１０１５）ｃｍ−３以下とすることで、半導体素子における性能劣化を防ぐことができる。【００１７】
このエピタキシャルウエハにおいて、基板を、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＳｂ基板、およびＩｎＡｓ基板のうちのいずれか１つとすることができる。
これによって、Ｓｂを含む層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物において生じる凸状表面欠陥の問題に対して、上記の基板に共通して対応することができる。【００１８】
基板をＩｎＰ基板とし、窓層をＩｎＰ窓層として、アンチモンを含む層の下面からＩｎＰ窓層の上面までの間に、再成長界面を有しない構成とすることができる。
これによって、大気に晒すことによって混入する炭素、酸素の界面での高濃度分布を防ぐことができ、半導体素子での性能の劣化を防止することができる。
ここで、再成長界面とは、所定の成長法で第１結晶層を成長させたあと、一度、大気中に出して、別の成長法で、第１結晶層上に接して第２結晶層を成長させたときの第１結晶層と第２結晶層との界面をいう。通常、酸素、炭素が不純物として高濃度に混入する。再成長界面を持たないことによって結晶性に優れ、かつ表面が平滑なエピタキシャル積層体を得ることができる。このため、暗電流を低くでき、高いＳ／Ｎ比の受光素子を得ることができる。【００１９】
アンチモンを含む層を、ＭＱＷにおいてペアを組む、一方の層または両方の層で構成される多重層とすることができる。
ＭＱＷにＳｂを含む層がある場合に、性能の良好な半導体素子を歩留まりよく製造することができる。【００２０】
アンチモンを含む層を、タイプ２のＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷにおけるＧａＡｓ１−ｙＳｂｙの多重層、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１．００）とのＭＱＷにおけるＧａＡｓ１−ｙＳｂｙの多重層、とすることができる。
上記のタイプ２のＭＱＷは、いずれも、バンドギャップエネルギが近赤外域に相当する。これによって、凸状表面欠陥の密度が低く、かつ炭素濃度が低い、近赤外域の発光素子または受光素子に用いるエピタキシャルウエハを得ることができる。【００２１】
本発明の受光素子は、上記のいずれかのエピタキシャルウエハにおいて、アンチモンを含む層が受光層の全部または一部であり、窓層上に選択拡散マスクパターンが位置しており、その選択拡散マスクパターンの開口部に露出する窓層から不純物が受光層に届くように分布していることを特徴とする。
これによって、暗電流が低く、クロストークが抑制された受光素子を、高い製造歩留まり、すなわち低い製造コストで得ることができる。【００２２】
本発明の光学センサ装置は、上記の受光素子を含むことを特徴とする。
これによって、暗電流が低く、近赤外域の長波長側に感度をもつ光学センサ装置を得ることができる。この光学センサ装置は、半導体素子（受光素子）の各画素からの読み出し電極を備えたＣＭＯＳ、分光器（回折格子）、レンズなどの光学素子、マイコンなどの制御装置等を含むことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のエピタキシャルウエハ等によれば、アンチモンを含む層を内在しながら、歩留まりを著しく低下させる凸状表面欠陥を減少し、かつ半導体素子での性能劣化の原因となる不純物の混入を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の実施の形態１におけるエピタキシャルウエハの平面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施の形態１におけるエピタキシャルウエハの断面図である。
【図２】凸状表面欠陥の典型例の断面図である。
【図３】エピタキシャルウエハの製造方法のフローチャートである。
【図４】全有機ＭＯＶＰＥ法の成膜装置の配管系統等を示す図である。
【図５Ａ】有機金属分子の流れと温度の流れを示す図である。
【図５Ｂ】基板表面における有機金属分子の模式図である。
【図６】本発明の実施の形態２における受光素子を示す図である。
【図７】受光素子の製造方法のフローチャートである。
【図８】受光素子（チップ）の画素の配列を示す図である。
【図９】受光素子（チップ）に個片化するまえのエピタキシャルウエハにおけるチップの配置を示す図である。
【図１０】本発明の受光素子の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  ＩｎＰ基板、１ａ  ウエハ（中間製品）、２  バッファ層（ＩｎＰおよび／またはＩｎＧａＡｓ）、３タイプ２のＭＱＷ受光層、４  ＩｎＧａＡｓ層（拡散濃度分布調整層）、５  ＩｎＰ窓層、６  ｐ型領域、７  受光層を含むバッファ層より上のエピタキシャル層、１１  ｐ側電極（画素電極）、１２  ｎ側電極、１５  ｐｎ接合、１６  ＭＱＷとＩｎＧａＡｓ層との界面、１７  ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ窓層との界面、３５  ＡＲ（反射防止）膜、３６  選択拡散マスクパターン、５０  受光素子（受光素子アレイ）、６０  全有機ＭＯＶＰＥ法の成膜装置、６１  赤外線温度モニタ装置、６３  反応室、６５  石英管、６９  反応室の窓、６６  基板テーブル、６６ｈ  ヒータ、Ｐ  画素。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（実施の形態１−エピタキシャルウエハ−）
図１Ａは、本発明の実施の形態におけるエピタキシャルウエハ１ａの平面図、図１Ｂは断面図である。エピタキシャルウエハ１ａは、ＩｎＰ基板１、バッファ層２と、その上に位置するエピタキシャル層７とからなる。エピタキシャル層７は、全有機ＭＯＶＰＥ法によって成長されており、バッファ層２も含めるとその構造はつぎのとおりである。
（ＩｎＰ基板１／ｎ型ＩｎＰバッファ層２／タイプ２の（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）ＭＱＷの受光層３／ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４／ＩｎＰ窓層５）
【００２７】
受光層３には、ＭＱＷにおいてペアをなす一方の層であるＧａＡｓＳｂにＳｂが含まれる。そのため、図１Ａに示すように、エピタキシャルウエハ１ａの表面またはＩｎＰ窓層５の表面に、凸状表面欠陥Ｋが生じている。図２は、凸状表面欠陥Ｋの断面図である。凸状表面欠陥Ｋは、ＩｎＰ窓層５を押し上げ、突起または山（独立峰）のような形態をとる。凸状表面欠陥Ｋがどのような機構で生じるか不明であるが、顕著な特徴は、次のとおりである。
（ｋ１）高さが１０μｍ以上となるものが多く、平面サイズも通常、直径３０μｍ以上になる。
（ｋ２）山の芯の部分に核Ｋｃがあって、核Ｋｃにはアンチモン（Ｓｂ）が濃縮している。
大きさについては、受光素子における画素ピッチが３０μｍ程度なので、この凸状表面欠陥Ｋが製造歩留まりを著しく低下させることが納得される。核Ｋｃの高濃度Ｓｂは、下層に位置するＳｂを含むＧａＡｓＳｂ層から移動して核Ｋｃに濃縮したものである。ＧａＡｓＳｂ層は、上層を比較的高温で成長させた場合、相分離しやすいことが分かってきている。ＧａＡｓＳｂが相分離する温度または何らかの変質を生じる温度は、かなり低く、実施例等の実験結果から本発明の範囲４２５℃〜５２５℃でも、何らかの好ましくない変化を生じている、と読み取れる。
本実施の形態では、高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥Ｋの密度は、１．０個ｃｍ−２以下である。この凸状表面欠陥Ｋの密度の下限については、０．０５個ｃｍ−２とする。
【００２８】
本実施の形態におけるエピタキシャルウエハ１ａのもう一つの特徴は、炭素濃度が低い点である。すなわち、タイプ２の（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）ＭＱＷ３、ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４、およびＩｎＰ窓層５のいずれにおいても、炭素濃度は５ｅ１５（５×１０１５）ｃｍ−３以下と非常に低い。炭素はＩｎＰ系化合物半導体においてｐ型不純物になる。このため、炭素が混入することで意図しない半導体素子が形成されてしまう。
本実施の形態のエピタキシャルウエハ１ａの特徴は、次の２点に要約される。
（Ｆ１）ＩｎＰ窓層５の表面における高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥Ｋの密度は、１．０個ｃｍ−２以下０．０５個ｃｍ−２以上である。
（Ｆ２）ＩｎＰ基板１上のエピタキシャル層７のどの層でも、炭素濃度は５ｅ１５（５×１０１５）ｃｍ−３以下である。
上記の炭素濃度の特徴（Ｆ２）は、通常、実現される特徴であるが、（Ｆ１）との関係で本発明において重要な特徴であり、容易に想像されるように、エピタキシャルウエハの製造方法に関係する。なおエピタキシャル層７は、とくに断らない限り、バッファ層２を含まない。つぎに製造方法を、図３に従って説明する。
【００２９】
まずＩｎＰ基板１を準備し、そのＩｎＰ基板１上にｎ型ＩｎＰバッファ層２を、たとえば膜厚１５０ｎｍ程度に、エピタキシャル成長させる。ｎ型のドーピングには、ＴｅＥＳｉ（テトラエチルシラン）を用いるのがよい。このときの原料ガスには、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）およびＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を用いる。このＩｎＰバッファ層２の成長には、無機原料のＰＨ３（ホスフィン）を用いて行っても良い。このＩｎＰバッファ層２の成長では、成長温度を６００℃程度あるいは６００℃程度以下で行っても、下層に位置するＩｎＰ基板の結晶性は６００℃程度の加熱で劣化することはない。
【００３０】
バッファ層２より上の各層の成長は、成長温度を低くでき、成長能率が高い全有機ＭＯＶＰＥ法によって行う。もちろん、ＩｎＰバッファ層２を全有機ＭＯＶＰＥ法によって成長してもよく、そのほうが普通である。少なくとも、タイプ２の（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）ＭＱＷ３、ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４およびＩｎＰ窓層５を、全有機ＭＯＶＰＥ法によって一貫して同じ成長室で成長する。このとき、成長温度または基板温度は、温度４２５℃以上かつ５２５℃以下の範囲に厳格に維持する必要がある。その理由として、この温度範囲より高い成長温度にすると、ＧａＡｓＳｂが熱のダメージを受けて相分離を生じ、上記の凸状表面欠陥Ｋの密度が増大するからである。このような粗大な凸状表面欠陥Ｋが高密度で発生すると、製造歩留まりを著しく低下する。
４２５℃未満の成長温度とすると、凸状表面欠陥Ｋの密度は減少するか、またはゼロになるが、全有機ＭＯＶＰＥの原料ガスが十分に分解せず、炭素がエピタキシャル層に取り込まれる。原料ガスにおいて金属と結合している炭化水素の炭素である。炭素がエピタキシャル層に混入すると、意図しないｐ型領域が形成され、半導体素子にまで仕上げた状態で、性能劣化を生じる。たとえば受光素子の状態で、暗電流が多く、実用レベルの製品にならない。
ここまでエピタキシャルウエハの製造方法を、図３に基づいて概括的に説明した。このあと各層の成長法について詳細に説明する。
【００３１】
図４に全有機ＭＯＶＰＥ法の成膜装置６０の配管系統等を示す。反応室（チャンバ）６３内に石英管６５が配置され、その石英管６５に、原料ガスが導入される。石英管６５中には、基板テーブル６６が、回転自在に、かつ気密性を保つように配置される。基板テーブル６６には、基板加熱用のヒータ６６ｈが設けられる。成膜途中のエピタキシャルウエハ１ａの表面の温度は、反応室６３の天井部に設けられたウィンドウ６９を通して、赤外線温度モニタ装置６１によりモニタされる。このモニタされる温度が、成長するときの温度、または成膜温度もしくは基板温度等と呼ばれる温度である。本発明における製造方法における、温度４２５℃以上かつ５２５℃以下でＭＱＷを形成する、というときの４２５℃以上および５２５℃以下は、この温度モニタで計測される温度である。石英管６５からの強制排気は真空ポンプによって行われる。
原料ガスは、石英管６５に連通する配管によって、供給される。全有機ＭＯＶＰＥ法は、原料ガスをすべて有機金属気体の形態で供給する点に特徴がある。すなわち原料ガスは、各種の炭化水素と結合した金属の形態をとる。図４では、導電型を決める不純物等の原料ガスは明記していないが、不純物も有機金属気体の形態で導入される。有機金属気体の原料ガスは、恒温槽に入れられて一定温度に保持される。搬送ガスには、水素（Ｈ２）および窒素（Ｎ２）が用いられる。有機金属気体は、搬送ガスによって搬送され、また真空ポンプで吸引されて石英管６５に導入される。搬送ガスの量は、ＭＦＣ（Mass  Flow  Controller:流量制御器）によって精度よく調節される。多数の、流量制御器、電磁バルブ等は、マイクロコンピュータによって自動制御される。
【００３２】
バッファ層２の成長のあと、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂを量子井戸のペアとするタイプ２のＭＱＷの受光層３を形成する。量子井戸におけるＧａＡｓＳｂは、膜厚はたとえば５ｎｍ、またＩｎＧａＡｓ３ｂの膜厚もたとえば５ｎｍとする。ＧａＡｓＳｂの成膜では、ＴＥＧａ（トリエチルガリウム）、ＴＢＡｓ（ターシャリーブチルアルシン）およびＴＭＳｂ（トリメチルアンチモン）を用いる。また、ＩｎＧａＡｓについては、ＴＥＧａ、ＴＭＩｎ、およびＴＢＡｓを用いることができる。これらの原料ガスは、すべて有機金属気体であり、化合物の分子量は大きい。このため、４２５℃以上かつ５２５℃以下の比較的低温で完全に分解して、結晶成長に寄与することができる。ＭＱＷの受光層３を全有機ＭＯＶＰＥによって、量子井戸の界面の組成変化を急峻にするすることができる。この結果、高精度の分光測光をすることができる。
【００３３】
Ｇａ（ガリウム）の原料としては、ＴＥＧａ（トリエチルガリウム）でもよいし、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）でもよい。Ｉｎ（インジウム）の原料としては、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）でもよいし、ＴＥＩｎ（トリエチルインジウム）でもよい。Ａｓ（砒素）の原料としては、ＴＢＡｓ（ターシャリーブチルアルシン）でもよいし、ＴＭＡｓ(トリメチル砒素)でもよい。
Ｓｂ(アンチモン)の原料としては、ＴＭＳｂ（トリメチルアンチモン）でもよいし、ＴＥＳｂ（トリエチルアンチモン）でもよい。また、ＴＩＰＳｂ(トリイソプロピルアンチモン)、また、ＴＤＭＡＳｂ(トリスジメチルアミノアンチモン)でもよい。
【００３４】
原料ガスは、配管を搬送されて、石英管６５に導入されて排気される。原料ガスは、何種類でも配管を増やして石英管６５に連通させることができる。たとえば十数種類の原料ガスであっても、電磁バルブの開閉によって制御される。
原料ガスは、図４に示す流量制御器（ＭＦＣ）によって流量を制御された上で、石英管６５への流入を電磁バルブの開閉によってオンオフされる。そして、石英管６５からは、真空ポンプによって強制的に排気される。原料ガスの流れに停滞が生じる部分はなく、円滑に自動的に行われる。よって、量子井戸のペアを形成するときの組成の切り替えは、迅速に行われる。
【００３５】
図５Ａは有機金属分子の流れと温度の流れを示す図であり、図５Ｂは基板表面における有機金属分子の模式図である。エピタキシャルウエハ１ａの表面はモニタされる温度とされている。図５Ｂに示すような、大サイズの有機金属分子がウエハ表面をかすめて流れるとき、分解して結晶成長に寄与する化合物分子は表面に接触する範囲、および表面から数個分の有機金属分子の膜厚範囲、のものに限られると考えられる。
しかし、エピタキシャルウエハ表面温度または基板温度が、４２５℃未満のような過度に低い場合、原料ガスの巨大な分子、とくに炭素が、十分に分解・除去されないで、エピタキシャルウエハ１ａに取り込まれる。ＩＩＩ−Ｖ族半導体中に混入した炭素はｐ型不純物となり、意図しない半導体素子を形成することになる。このため、半導体の本来の機能を低下させ、半導体素子に製造された状態で性能劣化をもたらす。
【００３６】
真空ポンプで強制排気しながら上記ペアの化学組成に適合した原料ガスを電磁バルブで切り替えて導入するとき、わずかの慣性をもって先の化学組成の結晶を成長させたあとは、先の原料ガスの影響を受けず、切り替えられた化学組成の結晶を成長させることができる。その結果、ヘテロ界面での組成変化を急峻にすることができる。これは、先の原料ガスが、石英管６５内に実質的に残留しないことを意味している。
ＭＱＷ３を形成する場合、５２５℃を超える温度範囲で成長するとＭＱＷのＧａＡｓＳｂ層に相分離が大規模で起こり、上述の凸状表面欠陥Ｋの密度増加を助長させる。しかし一方で、上記のように、４２５℃未満の成長温度とすると、凸状表面欠陥Ｋの密度は低くできるか、またはゼロにできるかもしれないが、原料ガスに必然的に含まれる炭素がエピタキシャルウエハ内に取り込まれる。混入した炭素はｐ型不純物として機能するので、半導体素子に仕上げた状態で、製品にならないほどの性能劣化の原因になる。
【００３７】
図３に示すようにＭＱＷの形成からＩｎＰ窓層５の形成まで、全有機ＭＯＶＰＥ法によって同じ成膜室または石英管６５の中で成長を続けることが、もう一つのポイントになる。すなわち、ＩｎＰ窓層５の形成の前に、成膜室からエピタキシャルウエハ１ａを取り出して、別の成膜法によってＩｎＰ窓層５を形成することがないために、再成長界面を持たない。ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４とＩｎＰ窓層５とは、石英管６５内において連続して形成されるので、界面１６，１７は再成長界面ではない。再成長界面では、酸素濃度１ｅ１７（１×１０１７）ｃｍ−３以上、および炭素濃度１ｅ１７（１×１０１７）ｃｍ−３以上、のうちいずれか１つが満たされ、結晶性は劣化し、エピタキシャル積層体の表面は平滑になりにくい。本発明では、界面１６，１７における酸素、炭素の濃度がいずれも１ｅ１７（１×１０１７）ｃｍ−３未満である。
【００３８】
本実施の形態では、ＭＱＷの受光層３の上に、たとえば膜厚０．３μｍ程度のノンドープＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４を形成する。受光素子の形成の際、高濃度のＺｎがＭＱＷに進入すると、結晶性を害するので、その調整のためにこのＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４が設けられる。ｐ型不純物のＺｎは、ＩｎＰ窓層５を形成したあと、選択拡散法によってＩｎＰ窓層５からＭＱＷの受光層３に届くように選択拡散される。このＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４は、上記のように配置してもよいが、なくてもよい。
ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４を挿入した場合であっても、ＩｎＧａＡｓはバンドギャップが小さいのでノンドープであっても受光素子の電気抵抗を低くすることができる。電気抵抗を低くすることで、応答性を高めて良好な画質の動画を得ることができる。
ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４の上に、同じ石英管６５内にエピタキシャルウエハ１ａを配置したまま連続して、アンドープのＩｎＰ窓層５を、全有機ＭＯＶＰＥ法によってたとえば膜厚０．８μｍ程度にエピタキシャル成長するのがよい。原料ガスには、上述のように、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）およびターシャリーブチルホスフィン（ＴＢＰ）を用いる。この原料ガスの使用によって、ＩｎＰ窓層５の成長温度を４２５℃以上かつ５２５℃以下にすることができる。この結果、ＩｎＰ窓層５の下に位置するＭＱＷのＧａＡｓＳｂは、熱のダメージを受けないか、または比較的小さい熱のダメージのみを受ける。このため、凸状表面欠陥Ｋの密度を実用上許容できるレベルに低下させ、また炭素濃度を低くすることができる。
【００３９】
たとえばＭＢＥ法によってＩｎＰ窓層を成長するには、燐原料に固体の原料を用いる必要があり、安全性などの点で問題があった。また製造能率という点でも改良の余地があった。ＭＱＷ３の成長に適したＭＢＥ法によって当該ＭＱＷ３およびＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４を成長した後、安全性の問題からＩｎＰ窓層５をＭＢＥ法以外の方法によって成長する場合、ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４とＩｎＰ窓層５との界面１７は、いったん大気に露出された再成長界面となる。再成長界面は、二次イオン質量分析によって、酸素濃度が１ｅ１７（１×１０１７）ｃｍ−３以上、および炭素濃度が１ｅ１７（１×１０１７）ｃｍ−３以上のうち、いずれか一つを満たすことによって特定することができる。再成長界面は、ｐ型領域と交差線を形成し、交差線で電荷リークを生じて、画質を著しく劣化させる。
また、たとえばＩｎＰ窓層を燐の原料にホスフィン（ＰＨ３）を用いる単なるＭＯＶＰＥ法によって成長すると、ホスフィンの分解温度が高いため、下層に位置するＧａＡｓＳｂに熱によるダメージの発生を誘起するおそれが高い。
【００４０】
本実施の形態における全有機ＭＯＶＰＥ法によって、タイプ２の（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）ＭＱＷ３からＩｎＰ窓層５まで、成長温度４２５℃〜５２５℃で成長させることで、上記の特徴（Ｆ１）および（Ｆ２）を得ることができる。その上、上述のように再成長界面を持たない。その結果、アンチモン含有層を内在させながら、高能率で、実用上許容できる高い製造歩留まりで、高品質のエピタキシャルウエハを得ることができる。
【００４１】
（実施の形態２−受光素子−）
図６は、本発明の実施の形態２における受光素子５０を示す図である。受光素子５０では、ＩｎＰ基板１の上のＩｎＰ系エピタキシャル積層体の内容は、実施の形態１のものと同じである。
実施の形態１におけるエピタキシャルウエハを用いて、画素Ｐが配列された受光素子５０を形成する。このために画素Ｐおよび電極１１，１２を形成する。図７は、図６に示す受光素子５０の製造方法を示すフローチャートである。工程Ｓ１〜Ｓ３は、実施の形態１におけるエピタキシャルウエハ１ａの製造方法と同じである。工程Ｓ４〜Ｓ５によって、Ｚｎの選択拡散による画素Ｐの形成、および電極の形成を行う。
ＩｎＰ窓層５からＩｎＧａＡｓ層４を経て受光層３内にわたって位置するｐ型領域６は、ＳｉＮ膜の選択拡散マスクパターン３６の開口部から、ｐ型不純物のＺｎを選択拡散することで形成する。ｐ型領域６は、選択拡散されていない領域で隔てられており、画素Ｐの主要部となる。選択拡散マスクパターン３６の開口部の間隔を調整することで、ｐ型領域６を隣の画素または側面から所定距離隔てられる。
ｐ型領域６にはＡｕＺｎによるｐ側電極１１を、またＩｎＰ基板１の裏面にはＡｕＧｅＮｉのｎ側電極１２を、それぞれオーミック接触するように設ける。ＩｎＰ基板１にはｎ型不純物がドープされ、所定レベルの導電性を確保されている。ただし、ＩｎＰ基板１は絶縁性または半絶縁性でもよく、その場合には、ｎ型バッファ層にｎ側電極１２をオーミック接触するように配置する。ＩｎＰ基板１の裏面には、また反射防止膜３５を設けてあり、ＩｎＰ基板の裏面側から光を入射する。
【００４２】
図８は、上記のＳ１〜Ｓ５の工程を終えたあと、エピタキシャルウエハ１ａから個片化されたチップ（受光素子）５０を示す平面図である。図６に示す画素Ｐが、３０μｍピッチで縦横に３２０×２５６列に配置されている。受光素子アレイと呼ぶこともある。この受光素子５０のサイズは１０ｍｍ×８．５ｍｍで、図９に示すエピタキシャルウエハ１ａから個片化されたものである。上記の工程Ｓ１〜Ｓ５は、図９に示すエピタキシャルウエハ１ａを単位にして行う。すなわち選択拡散、電極形成等の加工処理は、能率上、エピタキシャルウエハ１ａに対して行う。図９によれば、２インチ径のエピタキシャルウエハ１ａから１１個の受光素子５０を得ることができる。
上述の凸状表面欠陥Ｋのサイズは、通常、高さ１０μｍ以上のレベル、直径３０μｍ以上のレベルである。大きいものになると、高さ１００μｍ程度、直径数百μｍ程度になるものもある。エピタキシャルウエハ１ａの厚みが３５０μｍ程度であることを考慮すると、この粗大な凸状表面欠陥の異常さが理解される。この凸状表面欠陥のため、画素が数十個にわたって不良になり、プログラム等のソフトウエハによる不良の補償では対処できず、大きな歩留まり低下をきたす。さらに、たとえば選択拡散マスクパターンの形成時に、密着部分を持つ装置方式によっては、粗大な凸状表面欠陥Ｋのためにエピタキシャルウエハが破損する場合も生じる。
【００４３】
図１０は、単一の画素を含む受光素子５０を示す図であり、このような受光素子も当然、本発明に該当する。このあと説明する実施例では、図１０に示す受光素子５０によって、暗電流などを評価した。
実施の形態１におけるエピタキシャルウエハ１ａを用いて、受光素子５０を製造することで、アンチモンを含む層を内在しながら、能率よく、高い製造歩留まりで、低い暗電流など優れた性能の受光素子５０を得ることができる。
【実施例】
【００４４】
（実施例１−エピタキシャル層の全体にわたって成長温度一定−）
製造条件（成長温度）を変えて図１に示す２インチ径のエピタキシャルウエハ１ａを製造し、そのエピタキシャルウエハについて評価を行った。実施例１においては、エピタキシャル層の成長中の成長温度は一定とした。またそのエピタキシャルウエハを用いて製造した図１０に示す受光素子５０によって暗電流を評価した。試験体は次のとおりである。
（本発明例Ａ１〜Ａ３）：タイプ２のＭＱＷおよびその上のエピタキシャル積層体の成長温度：４５０℃、５００℃、５２５℃
（比較例Ｂ１、Ｃ１，Ｃ２）：タイプ２のＭＱＷおよびその上のエピタキシャル積層体の成長温度：４００℃、５５０℃、６００℃
上記の試験体について、次の評価を行った。
（１）エピタキシャルウエハ上の高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥の密度
（２）ＭＱＷ成長後に行うＸＲＤ（Ｘ線回折法）評価（面指数（００４）の回折ピークの半値幅）
（３）エピタキシャルウエハ中のＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層の不純物濃度分析（ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）分析）
（４）受光素子における暗電流
（５）ＩｎＰ基板から受光素子にいたる歩留まり
各試験体についての評価を表１に示す。【００４５】
【表１】
2012046676.tif 000003
【００４６】
（１）＜エピタキシャルウエハ上の高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥の密度＞
表１によれば、凸状表面欠陥の密度は、成長温度が低いほど小さく、成長温度４００℃ではゼロにすることができる。成長温度４５０℃の本発明例Ａ１では、２インチ径のウエハに凸状表面欠陥は１個（密度０．０５２個ｃｍ−２）だけ発生する。これより成長温度が５０℃高い本発明例Ａ２では、本発明例Ａ１に対して一挙に１０倍の頻度となる。また成長温度５２５℃の本発明例Ａ３では１．０個ｃｍ−２である。凸状表面欠陥の密度１．０個ｃｍ−２は、実用上、許容される上限の値である。
（２）＜ＭＱＷのＸＲＤ評価＞
結晶の乱れの指標を与えるピークの半値幅によれば、低温側４００℃までの範囲で成長温度が低いほど半値幅は低く、全有機ＭＯＶＰＥ法による原料ガスの分解が、非常に低い温度（４００℃）でも十分行われていることが分かる。全有機ＭＯＶＰＥ法の特徴が確認される結果となった。本発明例Ａ１〜Ａ３では、５５秒〜８５秒であった。成長温度が高くなるにつれ半値幅は漸増するが、成長温度６００℃（比較例Ｃ２）にならないと、１７０秒のように極端にブロードにならない。
（３）＜ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層の不純物濃度分析＞
比較例Ｂ１は、凸状表面欠陥が発生せず、また結晶性にも優れている。しかし、ＳＩＭＳ分析による炭素濃度は、１ｅ＋１６（１×１０１６）ｃｍ−３と、通常は検出限度以下（３ｅ＋１５（３×１０１５）ｃｍ−３以下）に比べて非常に高い。これは、成長温度４００℃において、原料ガスは分解して各層を結晶性が良好な状態で成長させるものの、原料ガスに含まれる炭化水素中の炭素が各層に取り込まれるからと考えられる。炭素はＩｎＰ系化合物半導体においてｐ型不純物として機能する。高濃度の炭素は、意図しないｐ型領域を形成する。このため半導体素子の性能を劣化させ、たとえば受光素子では暗電流を増大させる。比較例Ｂ１のみが、際だって炭素濃度が高く、他の試験体ではすべてＳＩＭＳ分析限度以下であった。
成長温度４２５℃で成長した場合、炭素濃度：５ｅ＋１５（５×１０１５）ｃｍ−３以下、凸状表面欠陥の密度：ゼロ、を両方とも実現することは難しい。とくに高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥が、歩留まり低下を深刻にしない程度の密度で生じる。見方を変えると、この凸状表面欠陥の存在によって、本発明に係るエピタキシャルウエハを特定することができる。
（４）＜受光素子における暗電流＞
暗電流が高い（不良）試験体は、比較例Ｂ１および比較例Ｃ２であった。他は実用上、許容できる程度の低い値であった。比較例Ｃ２は、とくに暗電流が高く、結晶性が劣る（半値幅１７０秒）ことが原因と考えられる。また、比較例Ｂ１は、炭素濃度が際だって高いことが暗電流の増大に効いていると考えられる。他の試験体（本発明例Ａ１〜Ａ３、比較例Ｃ１）は、暗電流に関しては良好であった。
（５）＜ＩｎＰ基板から受光素子にいたる歩留まり＞
暗電流が高いことで、比較例Ｂ１および比較例Ｃ２は、歩留まりがゼロ％となった。これに対して比較例Ｃ１は、凸状表面欠陥の密度が高いことで受光素子を得ることができなかった（ゼロ％）。受光素子における暗電流およびエピタキシャルウエハにおける凸状表面欠陥の密度という２種のスクリーニングをかけることによって、本発明例Ａ１〜Ａ３は、割合はともかく受光素子の製品を製造することができた。その中でも、受光素子の歩留まり向上という点からは、本発明例Ａ１が最も高い歩留まりを示すことから、凸状表面欠陥の密度を低下させることが重要である。【００４７】
（実施例２−窓層の成長温度を他のエピタキシャル層よりも低温化−）
窓層の成長温度を他のエピタキシャル層よりも低くして図１に示す２インチ径のエピタキシャルウエハ１ａを製造し、そのエピタキシャルウエハについて評価を行った。またそのエピタキシャルウエハを用いて製造した図１０に示す受光素子５０によって暗電流を評価した。試験体は次のとおりである。
（本発明例Ａ４）：ＩｎＰ窓層の成長温度４５０℃、その下層のＩｎＧａＡｓ層およびタイプ２のＭＱＷの成長温度：５００℃
比較例は、とくに作製しなかったが、試験結果の評価の比較のために、実施例１における本発明例Ａ２を基準にする。
上記の本発明例Ａ４について、実施例１と同じ項目（１）〜（５）の評価を行った。
本発明例Ａ４についての評価を、比較のために本発明例Ａ２とともに表２に示す。【００４８】
【表２】
2012046676.tif 000004
【００４９】
（１）＜エピタキシャルウエハ上の高さ１０μｍ以上の凸状表面欠陥の密度＞
表２によれば、凸状表面欠陥の密度は、ＩｎＰ窓層の成長温度を４５０℃と、５０℃だけ他のエピタキシャル層より低くすることで、半減する。すなわち成長温度５００℃のままの０．５２個ｃｍ−２から０．２６個ｃｍ−２へと半減した。
（２）＜ＭＱＷのＸＲＤ評価＞
結晶の乱れの指標を与えるピークの半値幅は、ＩｎＰ窓層の成長温度のみを５０℃低くしても変わらなかった。
（３）＜ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層の不純物濃度分析＞
ＩｎＧａＡｓ中の炭素濃度は、本発明例Ａ４、およびＡ２ともに低く検出限度以下であり、ＩｎＰ窓層の成長温度のみを５０℃低くしても変わらなかった。
（４）＜受光素子における暗電流＞
受光素子における暗電流は、本発明例Ａ４およびＡ２ともに、極めて良好であった。
（５）＜ＩｎＰ基板から受光素子にいたる歩留まり＞
本発明例Ａ４と本発明例Ａ２の間の、ＩｎＰ基板から受光素子にいたる歩留まりの相違は、凸状表面欠陥の密度に原因があることは明らかである。凸状表面欠陥密度を、本発明例Ａ２の０．５２個ｃｍ−２から本発明例Ａ４の０．２６個ｃｍ−２とすることで、上記歩留まりは４５％から７０％へと飛躍的に向上した。
上記の実施例２の結果によれば、ＩｎＰ窓層の成長温度を、受光層（ＭＱＷ）およびＩｎＧａＡｓ層（拡散濃度分布調整層）の成長温度よりも２５℃以上低くすることの有効性が明らかである。【００５０】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明のエピタキシャルウエハ、受光素子等によれば、アンチモンを含む層を内在しながら、能率よく製造でき、歩留まりを著しく低下させる凸状表面欠陥を減少し、かつ性能劣化の原因となる不純物の混入を防止することができる。この結果、近赤外域の長波長側に感度を持つ受光素子を低い製造コストで製造することができる。
【図１Ａ】
2012046676.tif 000005
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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