(57)【要約】  透明電極パターンが視認されることによる表示装置の表示性低下を低減可能な静電容量方式のタッチパネルを提供する。  タッチパネル１において、第１の透明電極３と第２の透明電極４の上に、金属酸化物層５を設ける。金属酸化物層５は、式  Ｍ（ＯＲ）ｎ（Ｍは金属を、ＲはＣ１〜Ｃ５のアルキル基を、ｎはＭの価数を表す。）の金属アルコキシドを、式  Ｍ２（Ｘ）ｍ（Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）の金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される。金属アルコキシドは、シリコンアルコキシドまたはその部分縮合物とチタンアルコキシドの混合物が好ましい。
2012057165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、
下記一般式（Ｉ）
Ｍ１（ＯＲ）ｎ            ……（Ｉ）
（式中、Ｍ１は金属を、ＲはＣ１〜Ｃ５のアルキル基を、ｎはＭ１の価数を表す。）
で示される金属アルコキシドを
下記一般式（ＩＩ）
Ｍ２（Ｘ）ｍ              ……（ＩＩ）
（式中、Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）
で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を前記透明電極上に配置したことを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、
下記一般式（Ｉ）
Ｍ１（ＯＲ）ｎ            ……（Ｉ）
（式中、Ｍ１は金属を、ＲはＣ１〜Ｃ５のアルキル基を、ｎはＭ１の価数を表す。）
で示される金属アルコキシドを
下記一般式（ＩＩ−１）
Ｍ２（Ｘ）ｍ              ……（ＩＩ−１）
（式中、Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）
および式（ＩＩ−１）中で用いられる金属の蓚酸塩で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を前記透明電極上に配置したことを特徴とするタッチパネル。
【請求項３】
上記一般式（Ｉ）における金属Ｍ１は、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、錫（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
上記一般式（ＩＩ）および（ＩＩ−１）における金属Ｍ２は、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ビスマス（Ｂｉ）、ランタン（Ｌａ）、タンタル（Ｔａ）、イットリウム（Ｙ）およびセリウム（Ｃｅ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記金属酸化物の層は、屈折率が１．５０〜１．７０であり、当該層の膜厚が４０ｎｍ〜１７０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記金属酸化物の層は、屈折率が１．５４〜１．６８であり、当該層の膜厚が４０ｎｍ〜１７０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記金属アルコキシドは、シリコンアルコキシドまたはその部分縮合物とチタンアルコキシドの混合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記析出防止剤は、Ｎ−メチル−ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールおよびこれらの誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記コーティング組成物に含まれる金属アルコキシドの金属原子（Ｍ１）と、金属塩の金属原子（Ｍ２）とのモル比は、
０．０１≦Ｍ２／（Ｍ１＋Ｍ２）≦０．７
であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記金属塩は、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属蓚酸塩、金属スファミン酸塩、金属スルホン酸塩、金属アセト酢酸塩、金属アセチルアセトナートおよびこれらの塩基性塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記有機溶媒は、アルキレングリコール類またはそのモノエーテル誘導体を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記透明電極は、少なくとも２つの異なる方向の位置を検出するための第１の透明電極と第２の透明電極とを有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
前記第１の透明電極と前記第２の透明電極とは、前記透明基板の同じ面に配置されることを特徴とする請求項１２に記載のタッチパネル。
【請求項１４】
前記第１の透明電極と前記第２の透明電極は、それぞれ、前記透明基板の異なる面に配置されることを特徴とする請求項１２に記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルに関し、より詳しくは、静電容量方式のタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンの普及とともに携帯電話の表示画面が大型化している。これに伴って、ディスプレイの表示を利用した入力操作が可能なタッチパネルの開発が盛んに行われている。タッチパネルによれば、押下げ式のスイッチなどの入力手段が不要となるため、表示画面の大型化が図れる。【０００３】
タッチパネルは、指やペンなどが触れた操作面の接触位置を検出する。この機能を利用して、タッチパネルは入力装置として用いられる。接触位置の検出方式としては、例えば、抵抗膜方式や静電容量方式などがある。【０００４】
抵抗膜方式では、表面に透明電極が設けられた２枚の基板を、互いの透明電極が対向するように離間して配置する。すなわち、２枚の基板を必要とするために薄型化が困難であるという問題がある。また、この方式では、一方の基板を押すことにより、この基板に設けられた透明電極と、他方の基板に設けられた透明電極とをショートさせて、押圧位置を検出する。したがって、指で押される側の基板に摩耗などが生じやすく、タッチパネルの耐久性を低下させるという問題もあった。【０００５】
一方、静電容量方式は、基板を１枚にして薄型化を図れるため、携帯機器に好適な方式と言える。【０００６】
特許文献１には、静電容量方式のタッチパネルが開示されている。このタッチパネルでは、Ｘ方向の座標を検出するための第１の透明電極と、Ｙ方向の座標を検出するための第２の透明電極とが、誘電体であるガラスを介して配置されている。具体的には、１枚のガラス基板の一方の面にＸ方向の座標を検出するための電極が複数離間して配置され、他方の面にＹ方向の座標を検出するための電極が複数離間して配置される。すなわち、１枚の基板に各透明電極を設ける構成となっている。【０００７】
また、特許文献２には、別の構成の静電容量方式のタッチパネルが開示されている。このタッチパネルでは、透明基板の一方の面に、Ｘ方向の座標を検出するための第１の透明電極と、Ｙ方向の座標を検出するための第２の透明電極とを配置し、それぞれの交差部に絶縁層を介在させて導通しないようにしている。かかる構造によれば、電極形成を基板の両面で行う必要がなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本特開２００３−１７３２３８号公報
【特許文献２】日本特開２０１０−２８１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
タッチパネルは、液晶表示装置などの表示装置に組み込まれ、タッチ位置を検出可能なタッチパネル機能付き表示装置として使用される。タッチパネルを操作する者は、タッチパネルを通して表示装置を視認するため、透明電極には、光の透過特性に優れた部材が使用される。例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの無機材料が使用されている。【００１０】
しかしながら、静電容量方式のタッチパネルにおいては、ＩＴＯなどの透明電極の形成領域と透明電極の形成されていない領域とで反射率に違いが生じる。このため、透明電極のパターンが視認されてしまい、表示性を低下させるという問題があった。【００１１】
また、従来のタッチパネルでは、ＩＴＯなどの透明電極の上にアクリル材料からなるアクリル層を設ける技術が知られている。このアクリル層は、透明電極を保護することを目的としており、屈折率特性については何ら考慮されていない。このため、アクリル層に電極パターンを目立たなくする効果は期待できない。【００１２】
また、アクリル層は、有機材料薄膜であるので保護膜としての硬度が十分でない。ＩＴＯなどの透明電極との密着性も弱く、タッチパネルの信頼性を低下させる一因となっている。さらに、アクリル層の場合、フレキソ印刷などの印刷技術を利用した膜形成が困難である。そのため、膜形成にあたっては、工程が複雑なフォトリソグラフィ技術の利用が必要となる。【００１３】
本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、透明電極パターンが視認されることによる表示装置の表示性低下を低減可能な静電容量方式のタッチパネルを提供することにある。【００１４】
また、本発明の別の目的は、高い硬度と、透明電極との高い密着性と、印刷技術を利用した成膜とが可能な膜を、透明電極上に形成して構成された静電容量方式のタッチパネルを提供することにある。【００１５】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、
下記一般式（Ｉ）
Ｍ１（ＯＲ）ｎ                  （Ｉ）
（式中、Ｍ１は金属を、ＲはＣ１〜Ｃ５のアルキル基を、ｎはＭの価数を表す。）
で示される金属アルコキシドを、
下記一般式（ＩＩ）
Ｍ２（Ｘ）ｍ                    （ＩＩ）
（式中、Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）
で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を透明電極上に配置したことを特徴とするものである。【００１７】
また、本発明は、透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、
下記一般式（Ｉ）
Ｍ１（ＯＲ）ｎ                  （Ｉ）
（式中、Ｍ１は金属を、ＲはＣ１〜Ｃ５のアルキル基を、ｎはＭ１の価数を表す。）
で示される金属アルコキシドを、
下記一般式（ＩＩ−１）
Ｍ２（Ｘ）ｍ                    （ＩＩ−１）
（式中、Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）
および一般式（ＩＩ−１）中で用いられる金属の蓚酸塩で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を透明電極上に配置したことを特徴とするものである。【００１８】
本発明において、前記一般式（Ｉ）における金属Ｍ１は、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、錫（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
また、本発明において、前記一般式（ＩＩ）および（ＩＩ−１）における金属Ｍ２は、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ビスマス（Ｂｉ）、ランタン（Ｌａ）、タンタル（Ｔａ）、イットリウム（Ｙ）およびセリウム（Ｃｅ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
本発明において、前記金属酸化物の層は、屈折率が１．５０〜１．７０であり、当該金属酸化物の層の厚さ（以下、層の厚さを膜厚とも称する）が４０ｎｍ〜１７０ｎｍであることが好ましい。特に、前記金属酸化物の層は、屈折率が１．５４〜１．６８であるのが好ましい。【００１９】
本発明において、前記金属アルコキシドは、シリコンアルコキシドまたはその部分縮合物と、チタンアルコキシドとの混合物であることが好ましい。
本発明において、前記析出防止剤は、Ｎ−メチル−ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールおよびこれらの誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。【００２０】
本発明において、前記コーティング組成物に含まれる金属アルコキシドの金属原子（Ｍ１）と、前記金属塩の金属原子（Ｍ２）とのモル比は、
０．０１≦Ｍ２／（Ｍ１＋Ｍ２）≦０．７
であることが好ましい。【００２１】
本発明において、前記金属塩は、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属蓚酸塩、金属スファミン酸塩、金属スルホン酸塩、金属アセト酢酸塩、金属アセチルアセトナートおよびこれらの塩基性塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。【００２２】
本発明において、前記有機溶媒は、アルキレングリコール類またはそのモノエーテル誘導体を含むことが好ましい。【００２３】
本発明において、前記透明電極は、少なくとも２つの異なる方向の位置を検出するための第１の透明電極と第２の透明電極とを有することが好ましい。【００２４】
本発明において、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極とは、透明基板の同じ面に配置されることができる。【００２５】
本発明において、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極は、それぞれ、透明基板の異なる面に配置されることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、透明電極パターンが視認されることによる表示装置の表示性低下を低減可能な静電容量方式のタッチパネルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態の第１の例であるタッチパネルの平面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ１’線に沿う断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態の第１の例であるタッチパネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本実施の形態の第２の例であるタッチパネルを示す平面図である。
【図５】図４のＢ１−Ｂ１’線に沿う断面図である。
【図６】本実施の形態の第３の例であるタッチパネルの概略構成を示す断面図である。
【図７】本実施の形態の第４の例であるタッチパネルの概略構成を示す断面図である。
【図８】本実施の形態の第５の例であるタッチパネルの概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
透明電極パターンが視認されることによって表示装置の表示性が低下するのは、透明電極の屈折率と基板の屈折率とが異なることに起因している。
【００２９】
透明電極は、通常、無機の金属酸化物であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる。ＩＴＯの屈折率は、１．８〜２．１程度である。一方、ガラス基板の屈折率は１．５程度であるので、ＩＴＯの屈折率とは大きく異なる。かかる屈折率の違いは、透明電極が形成された領域と、形成されていない領域との間に、光反射特性の違いを生じさせる。すなわち、干渉を伴う界面反射特性が、透明電極の形成された領域と、形成されない領域とで異なることにより、画面表示において電極パターンを目立たせる結果となる。
【００３０】
そこで、本発明者は、電極パターンを目立たなくするべく鋭意検討を重ねた結果、基板上に配置された透明電極の上に、屈折率と膜厚とが所望の範囲内となるように制御された層を設けることが有効であることを見出した。このような層を設けることで、タッチパネルにおいて、意図しない電極パターンが視認される現象を抑えることができる。
【００３１】
ところで、タッチパネルでは、上述したように、透明電極の上にアクリル層を設ける技術が知られている。このアクリル層は、透明電極を保護することを目的としており、屈折率特性については何ら考慮されていない。このため、アクリル層に電極パターンを目立たなくする効果は期待できない。また、アクリル層は、有機材料薄膜であるので硬度が低くＩＴＯとの密着性も弱いため機械的強度が十分でない。さらには、タッチパネルの額縁部の配線部分に絶縁膜を配してはならないため、パターニングが必要であるが、フレキソ印刷などの印刷技術を利用した膜形成が困難である。それ故、膜形成にあたっては、工程が複雑なフォトリソグラフィ技術の利用が必要になる。
【００３２】
こうしたことから、上述の屈折率と膜厚とが所望の範囲内となるよう制御された層は、アクリル層に替わるものであることが好ましい。すなわち、透明電極を保護する機能、具体的には、機械的強度に優れ、指などによる多数回の押圧から透明電極を保護できることが望ましい。また、フレキソ印刷などの印刷技術を用いて、基板上に透明電極パターンを簡便に形成できることが好ましい。
【００３３】
本発明者は、上記性能を満足する層の形成には、金属アルコキシドを金属塩の存在下で有機溶剤中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物を用いることが好適であることを見出した。このコーティング組成物を用いて形成される金属酸化物層を透明電極の上（すなわち、透明電極を覆って）に設けることにより、タッチパネルにおいて、透明電極を保護するとともに、電極パターンを目立たなくすることができる。
【００３４】
以下では、まず、本実施の形態のタッチパネルについて説明する。次いで、このタッチパネルに適用される金属酸化物層と、この金属酸化物層の形成に用いられるコーティング組成物とについて述べる。
【００３５】
＜タッチパネル＞
図１および図２は、本実施の形態の第１の例であるタッチパネルの構成図であり、図１は平面図、図２は図１のＡ１−Ａ１’線に沿う断面図である。
【００３６】
図１に示すように、タッチパネル１は、透明な基板２と、Ｘ方向の座標を検出するための第１の透明電極３と、Ｙ方向の座標を検出するための第２の透明電極４とを有する。第１の透明電極３と第２の透明電極４は、基板２の同一面に設けられた同一層から形成される。
【００３７】
基板２は、ガラス、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、トリアセチルセルロース樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂などの透明材料を用いて構成される。特に、後述する金属酸化物層５、６の形成に好適な耐熱性と耐薬品性能を備えた材料を選択することが好ましい。基板２の厚みは、ガラスを用いた場合には、例えば０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度であり、樹脂フィルムを用いた場合には、例えば１０μｍ〜２０００μｍ程度である。
【００３８】
第１の透明電極３と第２の透明電極４は、タッチパネル１の操作面に相当する位置に形成されている。そして、第１の透明電極３は、Ｘ方向に沿った複数の領域に分離して設けられており、第２の透明電極４は、Ｙ方向に沿った複数の領域に分離して設けられている。このような構造とすることで、タッチ位置検出の精度を高めることができる。
【００３９】
図１において、第１の透明電極３と第２の透明電極４は、それぞれ複数のパッド部２１を構成要素としており、各パッド部２１は、それぞれが平面的に隔離され、且つ、各パッド部２１間の隙間が少なくなるように配置される。すなわち、Ｘ軸方向に列をなすパッド部２１と、Ｙ軸方向に列をなすパッド部２１とは、これらが互いに交差する領域が可能な限り小さくなるようにして、操作面の全体に配置される。パッド部２１は、例えば、菱形、矩形および六角形などの多角形形状とすることができ、これらは、例えば、互い違いまたは直列状に配置される。また、分離（離間）した電極の本数も図１の例に限られるものではなく、操作面の大きさと要求される検出位置の精度に応じて決定される。
【００４０】
第１の透明電極３および第２の透明電極４は、少なくとも可視光に対する透過率が高く、導電性を有する透明電極材料を用いて形成される。このような導電性を有する透明電極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）などが挙げられる。ＩＴＯを用いる場合には、十分な導電性を確保できるよう、厚さを１０〜２００ｎｍとすることが好ましい。
【００４１】
第１の透明電極３と第２の透明電極４は、例えば、次のようにして形成される。
【００４２】
まず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スプレー法、ディップ法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの中から、下地となる基板２の材質を考慮して選択した方法によって透明導電膜を成膜する。次に、上記透明導電膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。あるいは、有機溶剤に上記材料からなる導電性フィラーなどを分散させた塗料を用い、印刷法によって所望のパターンを形成してもよい。
【００４３】
透明電極の形成工程で重要となるのは、膜厚を精度良く制御できるかどうかである。したがって、形成にあたっては、特に、所望の膜厚とすることができるとともに、透明性に優れた低抵抗の膜を形成可能な方法を選択することが好ましい。
【００４４】
図１および図２に示すように、第１の透明電極３と第２の透明電極４とは、基板２の同一面上に形成されており、同一層をなしている。このため、第１の透明電極３と第２の透明電極４とは、複数の箇所で交差しており、交差部１８を形成している。
【００４５】
本実施の形態では、交差部において、第１の透明電極と第２の透明電極のいずれか一方が他方と接触しないよう分断されている。すなわち、図２に示すように、複数の交差部１８のいずれにおいても、第２の透明電極４は繋がっているが、第１の透明電極３は分断されている。そして、第１の透明電極３の分断箇所を接続させるために、架橋電極２０が設けられており、架橋電極２０と第２の透明電極４の間には、絶縁性物質からなる層間絶縁膜１９が設けられている。以下、図１および図２を参照して、さらに詳述する。
【００４６】
図２に示すように、交差部１８における第２の透明電極４の上には、光透過性の層間絶縁膜１９が形成されている。層間絶縁膜１９には、ＳｉＯ２などの無機材料や、感光性アクリル樹脂などの有機材料を用いることができる。ＳｉＯ２を用いる場合、例えば、マスクを用いたスパッタリング法によって、交差部１８における第２の透明電極４の上にのみＳｉＯ２膜が形成された構造とすることができる。また、感光性アクリル樹脂を用いる場合にも、フォトリソグラフィ法を利用して、同様の構造を形成することができる。
【００４７】
層間絶縁膜１９の上層には、架橋電極２０が設けられている。架橋電極２０は、交差部１８で分断されている第１の透明電極３同士を電気的に接続するものであり、光透過性の材料によって形成されている。架橋電極２０を設けることで、第１の透明電極３をＹ方向に電気的に接続することができる。
【００４８】
図１に示すように、第１の透明電極３と第２の透明電極４は、菱形のパッド部２１を縦または横に複数並べた形状をしている。第２の透明電極４において、交差部１８に位置する接続部分は、第２の透明電極４の菱形のパッド部２１より幅の狭い形状になっている。また、架橋電極２０も、菱形のパッド部２１より幅の狭い形状で短冊状に形成されている。
【００４９】
図１および図２に示すように、本実施の形態のタッチパネル１においては、第１の透明電極３と第２の透明電極４の上に（すなわち、第１の透明電極３と第２の透明電極４を覆って）金属酸化物層５が形成されている。そして、タッチパネル１の操作面に相当する部分における透明電極の形成領域と非形成領域とを被覆している。金属酸化物層５は硬度が高く、第１の透明電極３および第２の透明電極４との密着性に優れる。
【００５０】
金属酸化物層５の形成には、金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物が用いられる。このコーティング組成物の詳細については、後に説明する。
【００５１】
タッチパネル１においては、本明細書の実施例欄で述べる検討結果に基づき、第１の透明電極３と第２の透明電極４の各電極パターンが見立たないように、金属酸化物層５の屈折率と膜厚が選択される。具体的には、金属酸化物層５の屈折率は１．５０〜１．７０の範囲内が好ましく、より好ましくは１．５４〜１．６８の範囲内である。膜厚は４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることが好ましい。そして、金属酸化物層５の屈折率が１．５４以上で１．６０より小さい場合、膜厚は６０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、金属酸化物層５の屈折率が１．６０以上で１．６８以下の範囲内である場合、膜厚は４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。なお、金属酸化物層５は、第１の透明電極３と第２の透明電極４とが導通しないように、絶縁性であり、さらに可視光透明性の高い金属酸化物層から選ばれる。
タッチパネル１においては、例えば、金属酸化物層５は、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドとを含むコーティング組成物から形成されたものであり、屈折率は１．６０、膜厚は８０ｎｍである。
【００５２】
図２に示すように、タッチパネル１は、第１の透明電極３などが形成された面と、ディスプレイパネル１０の視認側の最上位層とを、アクリル系光硬化性樹脂などを用いた接着層９を介して重ね合わせることで、１つの表示装置とすることができる。ここで、接着層９は、金属酸化物層５の上に設けられる。
【００５３】
上記の表示装置は、タッチパネル１と、ディスプレイパネル１０とを有し、必要に応じてバックライトを有することができる。図２では詳細を省略しているが、ディスプレイパネル１０は、公知の表示装置と同様の構成とすることができる。例えば、液晶表示装置の場合、ディスプレイパネル１０は、２枚の透明基板の間に液晶層が挟持された構造とすることができる。各透明基板の液晶層に接する側とは反対の側には、それぞれ偏光板を設けることができる。また、各透明基板には、液晶の状態を制御するためにセグメント電極やコモン電極を形成することができる。そして、液晶層は、各透明基板とシール材とによって封止される。
【００５４】
図１に示すように、タッチパネル１において、第１の透明電極３と第２の透明電極４の端部には、それぞれ端子（図示されない）が設けられており、その端子から複数の引き出し配線１１が引き出される。引き出し配線１１は、銀、アルミニウム、クロム、銅、モリブデンのほか、Ｍｏ-Ｎｂ（モリブデン-ニオブ）合金など、これら金属を含む合金などを使用した不透明な金属配線とすることができる。引き出し配線１１は、第１の透明電極３と第２の透明電極４への電圧印加や、タッチ位置を検出する制御回路(図示されない）に接続される。
【００５５】
以上の構成を有するタッチパネル１では、複数の第１の透明電極３および第２の透明電極４に順次電圧を印加して電荷を与える。操作面のいずれかの箇所に導電体である指が触れると、指先と、第１の透明電極３および第２の透明電極４との間の静電容量結合によってコンデンサが形成される。したがって、指先の接触位置における電荷の変化を捉えることで、いずれの箇所に指が触れたのかを検出することができる。
【００５６】
また、タッチパネル１は、制御回路（図示されない）の制御により、第１の透明電極３と第２の透明電極４のいずれか一方に選択的に電圧を印加することもできる。この場合、電圧が印加された透明電極上には電界が形成され、この状態で指などが触れると、接触位置は人の体の静電容量を介して接地されることになる。その結果、対象となる第１の透明電極３または第２の透明電極４の端子（図示されない）と接触位置との間に抵抗値の変化が生じる。この抵抗値は、接触位置と、対象となる第１の透明電極３または第２の透明電極４の端子との距離に比例するため、接触位置と、対象となる第１の透明電極３または第２の透明電極４の端子との間に流れる電流値を制御回路が検出することで、接触位置の座標を求めることができる。
【００５７】
本実施の形態のタッチパネル１では、第１および第２の透明電極３、４上に設けられた金属酸化物層５の効果により、操作面において電極パターンが目立つことが抑制されている。
【００５８】
次に、本実施の形態のタッチパネル１の製造方法について説明する。
【００５９】
図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態の第１の例であるタッチパネルの製造方法を示す工程断面図である。
【００６０】
まず、ガラス基板などの透明な基板２を準備する。基板２は、必要に応じて所望の形状にカットし、洗浄する。また、基板２と透明導電膜の間にＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮなどの中間層が形成される場合もある。次いで、基板２の一面に透明導電膜を形成する。透明導電膜は、例えばＩＴＯであり、スパッタ法や真空蒸着法などを用いて１０〜２００ｎｍの厚さで成膜する。次いで、透明導電膜の上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、透明導電膜をエッチングし、第１の透明電極３および第２の透明電極４をパターニング形成する。エッチングマスクを除することにより、図３（ａ）に示すような透明導電膜基板１４が得られる。
【００６１】
ここで、透明導電膜基板１４の交差部１８において、第２の透明電極４は接続部分を介して繋がっているが、第１の透明電極３は分断されている。
【００６２】
次に、第１の透明電極３および第２の透明電極４が設けられている側に、感光性の樹脂を塗布した後に露光現像することによって、第２の透明電極４の接続部分に層間絶縁膜１９を形成する（図３（ｂ））。層間絶縁膜１９を形成するための感光性樹脂としては、透明性と耐熱性を有するものが用いられる。例えば、アクリル樹脂などが使用可能である。尚、ＳｉＯ２を用いて層間絶縁膜１９を形成する場合には、マスクを用いたスパッタリング法によって、同様の構造とすることができる。
【００６３】
次に、層間絶縁膜１９の上に透明導電膜を形成した後、この透明導電膜の表面に感光性樹脂からなるエッチングマスクを形成した状態で、透明導電膜をエッチングする。その後、エッチングマスクを除去し、層間絶縁膜１９の上層に、第１の透明電極３の分断部分を繋ぐように架橋電極２０を形成する。これにより、図３（ｃ）に示す構造が得られる。層間絶縁膜１９の上に形成される透明導電膜としては、例えばＩＴＯ膜が挙げられ、その場合、架橋電極２０もＩＴＯにより形成することが好ましい。
【００６４】
尚、前述した引き出し配線１１については、後の工程で銀インクなどを使用して形成される。しかし、上記工程で透明導電膜をエッチングする際に、第１の透明電極３および第２の透明電極４の外周縁の各々に沿うように透明導電膜を残し、引き出し配線１１を形成することも可能である。
【００６５】
次に、第１の透明電極３、第２の透明電極４および架橋電極２０の上に、金属酸化物層形成用のコーティング組成物をフレキソ印刷により塗布する。ここで、コーティング組成物は、金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるものである。次いで、コーティング組成物の塗膜が形成された基板２を４０〜１５０℃（例えば、６０℃）の、例えばホットプレート上で乾燥する。その後、１００〜３００℃（例えば、２００℃）の、例えばオーブン内で加熱して、第１の透明電極３、第２の透明電極４および架橋電極２０の上に金属酸化物層５を形成する。これにより、図３（ｄ）に示すタッチパネル基板３０が得られる。尚、基板２上の塗膜を、例えばホットプレート上で乾燥した後、この塗膜に紫外線を照射してから、オーブン内で加熱してもよい。
【００６６】
次いで、第１の透明電極３と第２の透明電極４の端部の端子（図示されない）から銀インクなどで引き出し配線１１を形成してタッチパネル１とする。タッチパネル１は、引き出し配線１１を介して、タッチパネルの制御回路（図示されない）に接続される。
【００６７】
完成したタッチパネル１は、アクリル系透明接着剤などの接着層９を介して、ディスプレイパネル１０の前面に取り付けられる。このとき、必要に応じて、基板２やディスプレイパネル１０の角にアライメントマークを設けて位置合わせを行う。
【００６８】
ディスプレイパネル１０に取り付けられたタッチパネル１では、金属酸化物層５が設けられていることにより、第１の透明電極３および第２の透明電極４の電極パターンがタッチパネル１の操作面上で視認され難い状態となる。
【００６９】
次に、本実施の形態の別の例であるタッチパネル１０１について説明する。
【００７０】
図４および図５は、本実施の形態の第２の例であるタッチパネルを示し、図４は平面図、図５は図４のＢ１−Ｂ１’線に沿う断面図である。
【００７１】
図４に示すように、タッチパネル１０１は、透明な基板１０２と、基板１０２の一面に形成されたＸ方向の座標を検出するための第１の透明電極１０３と、基板１０２の他面に形成されたＹ方向の座標を検出するための第２の透明電極１０４とを有する。尚、下記説明においては、基板１０２の一方の面が上方、基板１０２の他方の面が下方になる。そして、この場合、基板１０２の他方の面がディスプレイパネル１１０に装着される側の面となる。
【００７２】
基板１０２は誘電体基板である。基板１０２の材料としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂などの透明材料が使用される。特に、後述する金属酸化物層１０５、１０６の形成に好適な耐熱性と耐薬品性能を備えた材料を選択することが好ましい。基板１０２の厚みは、ガラスであれば約０．１ｍｍ〜２ｍｍとすることができ、樹脂フィルムであれば１０μｍ〜２０００μｍとすることができる。
【００７３】
図４に示すように、第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４は、それぞれ細長い長方形の電極からなる。第１の透明電極１０３はＸ方向に伸び、第２の透明電極１０４はＹ方向に伸び、それぞれストライプ状に一定間隔で配設されている。また、第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４は、互いに直交するように配設されており、全体として格子状となっている。
【００７４】
第１の透明電極１０３および第２の透明電極１０４は、少なくとも可視光に対する透過率が高く、導電性を有する透明電極材料を用いて形成される。このような導電性を有する透明電極材料としては、例えば、ＩＴＯまたはＺｎＯなどを用いることができる。ＩＴＯを用いる場合には、十分な導電性を確保できるよう、厚さを５〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【００７５】
第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スプレー法、ディップ法またはＣＶＤ法などから、下地となる透明な基板１０２を考慮して最適な方法を選択して形成される。
【００７６】
例えば、面状に形成した透明電極をフォトリソグラフィ技術を利用してエッチング法でパターニングする方法、あるいは、有機溶剤に上記材料からなる導電性フィラーなどを分散した塗料を用い、印刷法により直接、所望のパターンに形成する方法などがある。透明電極の形成工程で重要となるのは、膜厚を精度良く制御できるかどうかである。したがって、形成にあたっては、特に、所望の膜厚とすることができるとともに、透明性に優れた低抵抗の膜を形成可能な方法を選択することが好ましい。
【００７７】
図４および図５に示すように、第１の透明電極１０３の上には、金属酸化物層１０５が形成されている。金属酸化物層１０５は、タッチパネル１０１の操作面に相当する部分の第１の透明電極の形成領域と非形成の領域を被覆している。また、図５に示すように、第２の透明電極１０４上（図では下側になる）にも金属酸化物層１０６が形成されている。金属酸化物層１０６は、タッチパネル１０１の操作面に相当する部分の透明電極の形成領域と非形成の領域を被覆している。金属酸化物層１０５、１０６は、硬度が高く、第１の透明電極１０３および第２の透明電極１０４との密着性に優れる。
【００７８】
金属酸化物層１０５、１０６の形成には、金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物が用いられる。このコーティング組成物の詳細については後に説明する。
【００７９】
タッチパネル１０１においては、本明細書の実施例欄で述べる検討結果に基づき、第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４の各電極パターンが見立たないように、金属酸化物層１０５、１０６の屈折率と膜厚が選択される。具体的には、金属酸化物層１０５、１０６の屈折率はそれぞれ１．５０〜１．７０の範囲内が好ましく、より好ましくは１．５４〜１．６８の範囲内である。膜厚はそれぞれ４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることが好ましい。そして、金属酸化物層１０５、１０６の屈折率が１．５４以上で１．６０より小さい場合、膜厚は６０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、金属酸化物層１０５、１０６の屈折率が１．６０以上で１．６８以下の範囲内である場合、膜厚は４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。
なお、この場合においても、金属酸化物層１０５および１０６は、第１の透明電極１０３と、また第２の透明電極１０４とそれぞれ導通しないように、絶縁性であり、さらに可視光透明性の高い金属酸化物層から選ばれる。
【００８０】
タッチパネル１０１においては、例えば、第１の透明電極１０３および第２の透明電極１０４は、それぞれ膜厚が１０〜２００ｎｍのＩＴＯ膜が好ましい。このタッチパネル１０１においては、例えば、第１の透明電極１０３および第２の透明電極１０４は、それぞれ膜厚２８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、金属酸化物層１０５、１０６は、それぞれ、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドとを用いて調製されたコーティング組成物から形成されたものであり、屈折率は１．６、膜厚は８０ｎｍである。
【００８１】
図５に示すように、基板１０２の一方の面には、アクリル系の透明接着剤からなる接着層１０８が設けられている。また、接着層１０８の上には、透明な樹脂から構成されたカバーフィルム１０７が接着されている。尚、図４では、カバーフィルム１０７を省略している。
【００８２】
カバーフィルム１０７は、第１の透明電極１０３および金属酸化物層１０５の保護膜として機能する。尚、カバーフィルム１０７の代わりに、透明樹脂をコーティングしても良い。この場合は、接着層１０８を不要とすることができる。
【００８３】
基板１０２の他方の面には、アクリル系の透明接着剤からなる接着層１０９を介して、ディスプレイパネル１１０が取り付けられている。
【００８４】
図５では詳細を省略しているが、ディスプレイパネル１１０は、公知の表示装置と同様の構成とすることができる。例えば、液晶表示装置の場合、ディスプレイパネル１１０は、２枚の透明基板の間に液晶層が挟持された構造とすることができる。各透明基板の液晶層に接する側とは反対の側には、それぞれ偏光板を設けることができる。また、各透明基板には、液晶の状態を制御するためにセグメント電極やコモン電極を形成することができる。そして、液晶層は、各透明基板とシール材とによって封止される。
【００８５】
タッチパネル１０１においては、第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４の端部には、それぞれ端子（図示されない）が設けられており、その端子から複数の引き出し配線（図示されない）が引き出される。引き出し配線は、銀、アルミニウム、クロム、銅またはこれらを含む合金などを使用した不透明な金属配線とすることができる。引き出し配線は、第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４への電圧印加や、タッチ位置を検出する制御回路(図示されない）に接続される。
【００８６】
以上の構成を有するタッチパネル１０１では、操作面のいずれかの箇所に導電体である指が触れると、指先と、第１の透明電極１０３および第２の透明電極１０４との間の静電容量結合によってコンデンサが形成される。したがって、指先の接触位置における電荷の変化を捉えることで、いずれの箇所に指が触れたかを検出することができる。
【００８７】
タッチパネル１０１では、第１の透明電極１０３と第２の透明電極１０４の上に設けられた金属酸化物層１０５、１０６の効果により、操作面において電極パターンが目立つことが抑制されている。
【００８８】
図６は、本実施の形態の第３の例であるタッチパネルの概略構成を示す断面図である。
【００８９】
図６に示すように、タッチパネル２０１においては、ディスプレイパネル２１０を第１の基板とみなして、ディスプレイ２１０の表面に第１の透明電極２０３が設けられている。また、別に準備した第２の基板２１２の一方の面には、第２の透明電極２０４が設けられている。尚、以下の説明では、第２の基板２１２の一方の面が上方、他方の面が下方になる。そして、第２の基板２１２の他方の面がディスプレイパネル２１０に装着される側となる。
【００９０】
図６では詳細を省略しているが、ディスプレイパネル２１０は、公知の表示装置と同様の構成とすることができる。例えば、液晶表示装置の場合、ディスプレイパネル２１０は、２枚の透明基板の間に液晶層が挟持された構造とすることができる。各透明基板の液晶層に接する側とは反対の側には、それぞれ偏光板を設けることができる。また、各透明基板には、液晶の状態を制御するためにセグメント電極やコモン電極を形成することができる。そして、液晶層は、各透明基板とシール材とによって封止される。
【００９１】
第１の透明電極２０３の上には、金属酸化物層２０５が設けられている。金属酸化物層２０５は、タッチパネル２０１の操作面に相当する部分の透明電極の形成領域と非形成領域を被覆する。同様に、第２の透明電極２０４の上にも、金属酸化物層２０６が形成されている。金属酸化物層２０６は、タッチパネル２０１の操作面に相当する部分の透明電極の形成領域と非形成領域を被覆する。金属酸化物層２０５、２０６は、硬度が高く、第１の透明電極２０３および第２の透明電極２０４との密着性に優れる。
【００９２】
金属酸化物層２０５、２０６の形成には、金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物が用いられる。このコーティング組成物の詳細については後に説明する。
【００９３】
タッチパネル２０１においては、本明細書の実施例欄で述べる検討結果に基づき、第１の透明電極２０３と第２の透明電極２０４の各電極パターンが見立たないように、金属酸化物層２０５、２０６の屈折率と膜厚が選択される。具体的には、金属酸化物層２０５、２０６の屈折率はそれぞれ１．５０〜１．７０の範囲内が好ましく、より好ましくは１．５４〜１．６８の範囲内である。膜厚はそれぞれ４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることが好ましい。そして、金属酸化物層２０５、２０６の屈折率が１．５４以上で１．６０より小さい場合、膜厚は６０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、金属酸化物層２０５、２０６の屈折率が１．６０以上で１．６８以下の範囲内である場合、膜厚は４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。なお、この場合においても、金属酸化物層２０５および２０６は、第１の透明電極２０３と、また第２の透明電極２０４のそれぞれと導通しないように、絶縁性であり、さらに可視光透明性の高い金属酸化物層から選ばれる。
【００９４】
タッチパネル２０１においては、例えば、第１の透明電極２０３および第２の透明電極２０４は、それぞれ膜厚が１０〜２００ｎｍのＩＴＯ膜が好ましい。このタッチパネル２０１においては、例えば、第１の透明電極２０３および第２の透明電極２０４は、それぞれ膜厚２８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、金属酸化物層２０５、２０６は、それぞれ、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドとを含むコーティング組成物から形成されたものであり、屈折率は１．６、膜厚は８０ｎｍである。
【００９５】
図６に示すように、第２の基板２１２の一方の面には、アクリル系の透明接着剤からなる接着層２０８が設けられている。また、接着層２０８の上には、透明な樹脂から構成されたカバーフィルム２０７が接着されている。カバーフィルム２０７は、保護膜として機能する。カバーフィルム２０７の代わりに、透明樹脂をコーティングしても良い。この場合は、接着層２０８を不要とすることができる。尚、第１の透明電極２０３および第２の透明電極２０４などは、図４および図５で説明したのと同様である。
【００９６】
タッチパネル２０１では、第１の透明電極２０３と第２の透明電極２０４の上に設けられた金属酸化物層２０５、２０６の効果により、操作面において電極パターンが目立つことが抑制されている。
【００９７】
図７は、本実施の形態の第４の例であるタッチパネルの概略構成を示す断面図である。
【００９８】
図７に示すように、タッチパネル３０１においては、ディスプレイパネル３１０を第１の基板とみなして、ディスプレイ３１０の表面に第１の透明電極３０３が設けられている。また、別に準備した第２の基板３１２の一方の面には、第２の透明電極３０４が設けられている。尚、以下の説明では、第２の基板３１２の一方の面が下方、他方の面が上方になる。そして、第２の基板３１２の他方の面がタッチパネル３０１をタッチ操作する面となる。
【００９９】
図７では詳細を省略しているが、ディスプレイパネル３１０は、公知の表示装置と同様の構成とすることができる。例えば、液晶表示装置の場合、ディスプレイパネル３１０は、２枚の透明基板の間に液晶層が挟持された構造とすることができる。各透明基板の液晶層に接する側とは反対の側には、それぞれ偏光板を設けることができる。また、各透明基板には、液晶の状態を制御するためにセグメント電極やコモン電極を形成することができる。そして、液晶層は、各透明基板とシール材とによって封止される。
【０１００】
第１の透明電極３０３の上には、金属酸化物層３０５が設けられている。金属酸化物層３０５は、タッチパネル２０１の操作面に相当する部分の透明電極の形成領域と非形成領域を被覆する。同様に、第２の透明電極３０４の上（図７では下方側に図示される）にも、金属酸化物層３０６が形成されている。金属酸化物層３０６は、タッチパネル３０１の操作面に相当する部分の透明電極の形成領域と非形成領域を被覆する。金属酸化物層３０５、３０６は、硬度が高く、第１の透明電極３０３および第２の透明電極３０４との密着性に優れる。
【０１０１】
金属酸化物層３０５、３０６の形成には、金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物が用いられる。このコーティング組成物の詳細については後に説明する。
金属酸化物層３０５と金属酸化物層３０６との間には、アクリル系の透明接着剤からなる接着層３０８が設けられている。この接着層３０８により、第２の基板３１２はディスプレイパネル３１０に取り付けられる。
【０１０２】
タッチパネル３０１においては、本明細書の実施例欄で述べる検討結果に基づき、第１の透明電極３０３と第２の透明電極３０４の各電極パターンが見立たないように、金属酸化物層３０５、３０６の屈折率と膜厚が選択される。具体的には、金属酸化物層３０５、３０６の屈折率はそれぞれ１．５０〜１．７０の範囲内が好ましく、より好ましくは１．５４〜１．６８の範囲内である。膜厚はそれぞれ４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることが好ましい。そして、金属酸化物層３０５、３０６の屈折率が１．５４以上で１．６０より小さい場合、膜厚は６０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、金属酸化物層３０５、３０６の屈折率が１．６０以上で１．６８以下の範囲内である場合、膜厚は４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。なお、この場合においても、金属酸化物層３０５および３０６は、第１の透明電極３０３と、また第２の透明電極３０４のそれぞれと導通しないように、絶縁性であり、さらに可視光透明性の高い金属酸化物層から選ばれる。
【０１０３】
タッチパネル３０１においては、例えば、第１の透明電極３０３および第２の透明電極３０４は、それぞれ膜厚が１０〜２００ｎｍのＩＴＯ膜が好ましい。このタッチパネル３０１においては、例えば、第１の透明電極３０３および第２の透明電極３０４は、それぞれ膜厚２８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、金属酸化物層３０５、３０６は、それぞれ、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドとを含むコーティング組成物から形成されたものであり、屈折率は１．６、膜厚は８０ｎｍである。
【０１０４】
タッチパネル３０１では、第１の透明電極３０３と第２の透明電極３０４の上に設けられた金属酸化物層３０５、３０６の効果により、操作面において電極パターンが目立つことが抑制されている。
【０１０５】
図８は、本実施の形態の第５の例であるタッチパネルの概略構成を示す断面図である。
【０１０６】
図８に示すように、タッチパネル４０１は、透明な基板４０２を有する。基板４０２の上層には２つの異なる方向の位置をそれぞれ検出するための第１の透明電極４０３と第２の透明電極４０４とが設けられている。
第１の透明電極４０３および第２の透明電極４０４は、少なくとも可視光に対する透過率が高く、導電性を有する透明電極材料を用いて形成される。このような導電性を有する透明電極材料としては、例えば、ＩＴＯまたはＺｎＯなどを用いることができる。ＩＴＯを用いる場合には、十分な導電性を確保できるよう、厚さを５〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【０１０７】
第１の透明電極４０３と第２の透明電極４０４は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スプレー法、ディップ法またはＣＶＤ法などから、下地となる透明な基板１０２や後述するオーバーコート層４０７を考慮して最適な方法を選択して形成される。
【０１０８】
例えば、面状に形成した透明電極をフォトリソグラフィ技術を利用してエッチング法でパターニングする方法、あるいは、有機溶剤に上記材料からなる導電性フィラーなどを分散した塗料を用い、印刷法により直接、所望のパターンに形成する方法などがある。透明電極の形成工程で重要となるのは、膜厚を精度良く制御できるかどうかである。したがって、形成にあたっては、特に、所望の膜厚とすることができるとともに、透明性に優れた低抵抗の膜を形成可能な方法を選択することが好ましい。
【０１０９】
図８に示すように、第１の透明電極４０３は基板４０２の上に配置される。そして、第１の透明電極４０３の上には、金属酸化物層４０５が形成されている。金属酸化物層４０５は、タッチパネル４０１の操作面に相当する部分の第１の透明電極４０３の形成領域と非形成の領域を被覆している。
【０１１０】
金属酸化物層４０５の上には、オーバーコート層４０７が設けられている。オーバーコート層４０７には、透明性の高いアクリル樹脂が用いられる。
【０１１１】
図８に示すように、第２の透明電極４０４はオーバーコート層４０７の上に配置される。第２の透明電極４０４の上には金属酸化物層４０６が形成されている。金属酸化物層４０６は、タッチパネル４０１の操作面に相当する部分の透明電極の形成領域と非形成の領域を被覆している。金属酸化物層４０５、４０６は、硬度が高く、第１の透明電極４０３および第２の透明電極４０４との密着性に優れる。
【０１１２】
金属酸化物層４０５、４０６の形成には、金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物が用いられる。このコーティング組成物の詳細については後に説明する。
【０１１３】
タッチパネル４０１においては、本明細書の実施例欄で述べる検討結果に基づき、第１の透明電極４０３と第２の透明電極４０４の各電極パターンが見立たないように、金属酸化物層４０５、４０６の屈折率と膜厚が選択される。具体的には、金属酸化物層４０５、４０６の屈折率はそれぞれ１．５０〜１．７０の範囲内が好ましく、より好ましくは１．５４〜１．６８の範囲内である。膜厚はそれぞれ４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることが好ましい。そして、金属酸化物層４０５、４０６の屈折率が１．５４以上で１．６０より小さい場合、膜厚は６０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、金属酸化物層４０５、４０６の屈折率が１．６０以上で１．６８以下の範囲内である場合、膜厚は４０ｎｍ〜１７０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。なお、この場合においても、金属酸化物層３０５および３０６は、第１の透明電極３０３と、また第２の透明電極３０４のそれぞれと導通しないように、絶縁性であり、さらに可視光透明性の高い金属酸化物層から選ばれる。
【０１１４】
タッチパネル４０１においては、例えば、第１の透明電極４０３および第２の透明電極４０４は、それぞれ膜厚が１０〜２００ｎｍのＩＴＯ膜が好ましい。このタッチパネル３０１においては、例えば、第１の透明電極３０３および第２の透明電極３０４は、それぞれ膜厚２８ｎｍのＩＴＯ膜からなり、金属酸化物層４０５、４０６は、それぞれ、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドとを含むコーティング組成物から形成されたものであり、屈折率は１．６０、膜厚は８０ｎｍである。
【０１１５】
図８に示すように、金属酸化物層４０６の上には、アクリル系の透明接着剤からなる接着層４０８が設けられている。タッチパネル４０１は、この接着層４０８を介して、ディスプレイパネル１１０が取り付けられている。
【０１１６】
以上の構成を有するタッチパネル４０１では、操作面のいずれかの箇所に導電体である指が触れると、指先と、第１の透明電極４０３および第２の透明電極４０４との間の静電容量結合によってコンデンサが形成される。したがって、指先の接触位置における電荷の変化を捉えることで、いずれの箇所に指が触れたかを検出することができる。
【０１１７】
タッチパネル４０１では、第１の透明電極４０３と第２の透明電極４０４の上に設けられた金属酸化物層４０５、４０６の効果により、操作面において電極パターンが目立つことが抑制されている。
【０１１８】
以上、本実施の形態のタッチパネルについて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。ＩＴＯなどの透明電極を用いる多様なタイプのタッチパネルに対し、その透明電極上に、屈折率と膜厚が好適となるように選択された金属酸化物の層を設けることで、上記と同様の効果が得られる。
【０１１９】
次に、金属酸化物層を形成するためのコーティング組成物について説明する。
【０１２０】
＜コーティング組成物＞
金属酸化物層を形成するのに使用されるコーティング組成物は、金属アルコキシドを金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られる組成物である。
【０１２１】
コーティング組成物に用いられる金属アルコキシドとしては、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、錫（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）などの金属のアルコキシドが挙げられる。この内、入手の容易性と、コーティング組成物の貯蔵安定性の点から、シリコンアルコキシド、シリコンアルコキシドの部分縮合物、およびチタンアルコキシドから選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【０１２２】
コーティング組成物は、上述のように、これらの金属アルコキシドを金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合して得られる組成物である。このコーティング組成物は、析出防止剤を含む。析出防止剤は、塗布被膜を形成した際、塗膜中に金属塩が析出するのを防止する効果を有する。
【０１２３】
コーティング組成物中にチタンアルコキシド成分を含む場合には、有機溶媒中にチタンアルコキシド成分を安定化させる効果を有するアルキレングリコール類またはそのモノエーテルを含むことが望ましい。
【０１２４】
チタンアルコキシド成分を含むコーティング組成物を製造する場合、チタンアルコキシドを安定化してコーティング組成物の貯蔵安定性をよくするため、チタンアルコキシドとアルキレングリコール類またはそのモノエーテルを混合安定化後、チタンアルコキシド単独またはシリコンアルコキシドと混合し、金属塩の存在下で加水分解・縮合する。
【０１２５】
コーティング組成物中に、チタンアルコキシドとシリコンアルコキシド両成分を含む場合には、シリコンアルコキシドを金属塩の存在下で加水分解した後、前もってグリコール類またはそのモノエーテル類を混合安定化したチタンアルコキシドを混合することが好ましい。
【０１２６】
コーティング組成物に用いられる金属アルコキシドは、一般式（Ｉ）で示される。
Ｍ（ＯＲ）ｎ      ……（Ｉ）
（式中、Ｍは金属を表し、ＲはＣ１〜Ｃ５のアルキル基を表し、ｎはＭの価数を表す。）
【０１２７】
特に、シリコンアルコキシドまたはその部分縮合物には、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の１種若しくは２種以上及び部分縮合物（５量体以下）から選ばれる少なくとも１種が用いられる。
Ｓｉ（ＯＲ’）４      ……（ＩＩＩ）
（式中、Ｒ’はＣ１〜Ｃ５のアルキル基を表す。）
【０１２８】
また、チタンアルコキシドまたはその部分縮合物には、一般式（ＩＶ）で示される化合物の１種または２種以上及び部分縮合物（５量体以下）から選ばれる少なくとも１種が用いられる。
Ｔｉ（ＯＲ”）４      ……（ＩＶ）
（式中、Ｒ”はＣ１〜Ｃ５のアルキル基を表す。）
【０１２９】
コーティング組成物に用いられる金属塩は、一般式（ＩＩ）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
Ｍ２（Ｘ）ｍ      ……（ＩＩ）
（式中、Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）
特に好ましい上記コーティング組成物に用いられる金属塩は、下記（ＩＩ−１）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種および下記（ＩＩ−１）中で用いられる金属の蓚酸塩を含むものが挙げられる。
Ｍ２（Ｘ）ｍ      ……（ＩＩ−１）
（式中、Ｍ２は金属を、Ｘは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、ｍはＭ２の価数を表す。）
上記一般式（ＩＩ）で示される金属塩の金属Ｍ２としては、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ビスマス（Ｂｉ）、ランタン（Ｌａ）、タンタル（Ｔａ）、イットリウム（Ｙ）およびセリウム（Ｃｅ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
上記で示される化合物のうち、特に、金属硝酸塩、金属塩化物塩、金属蓚酸塩およびその塩基性塩が好ましい。この内、入手の容易性と、コーティング組成物の貯蔵安定性の点から、アルミニウム、インジウム、セリウムなどの金属硝酸塩が好ましい。
【０１３０】
コーティング組成物に用いられる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノールおよびｔ−ブタノールなどのアルコール類；酢酸エチルエステルなどのエステル類；エチレングリコールなどのグリコール類およびそのエステル誘導体；ジエチルエーテルなどのエーテル類；アセトン、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンなどのケトン類；または、ベンゼンおよびトルエンなどの芳香族炭化水素類などが挙げられ、これらは単独または組み合わせて用いられる。
【０１３１】
コーティング組成物中に、チタンアルコシド成分を含む場合、有機溶媒中に含まれるアルキレングリコール類またはそのモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールおよびそれらのモノメチル、モノエチル、モノプロピル、モノブチルまたはモノフェニルエーテルなどが挙げられる。
【０１３２】
コーティング組成物に用いられる有機溶媒に含まれるグリコール類またはそのモノエーテルは、チタンアルコキシドに対してモル比が１未満であると、チタンアルコキシドの安定性に効果が少なく、コーティング用組成物の貯蔵安定性が悪くなる。一方、グリコール類またはそのモノエーテルを多量に用いることは何ら問題でない。例えば、コーティング組成物に用いられる有機溶媒の全てが、上述のグリコール類またはそのモノエーテルであっても差支えない。しかしながら、コーティング組成物がチタンアルコキシドを含まない場合には、上述したグリコールおよび／またはそのモノエーテルを特に含む必要はない。
【０１３３】
コーティング組成物に含まれる析出防止剤は、塗布被膜を形成する際に、塗膜中に金属塩が析出するのを防止する。析出防止剤としては、Ｎ−メチル−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールおよびこれらの誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、これらを少なくとも１種以上使用することができる。
【０１３４】
析出防止剤は、金属塩の金属を金属酸化物に換算して、（析出防止剤）／（金属酸化物）≧１（重量比）の比率で用いられる。重量比が１未満であると、塗布被膜を形成時における金属塩の析出防止効果が小さくなる。一方、析出防止剤を多量に用いることは、コーティング組成物に何ら影響を与えない。
【０１３５】
析出防止剤は、金属アルコキシド、特に、シリコンアルコキシド、チタンアルコキシド、または、シリコンアルコキシドおよびチタンアルコキシドが、金属塩の存在下で加水分解・縮合反応する際に添加されていても良く、加水分解・縮合反応の終了後に添加されていても良い。
【０１３６】
コーティング組成物に含まれる金属アルコキシドの金属原子（Ｍ１）と金属塩の金属原子（Ｍ２）の含有比率は、モル比換算で、０．０１≦Ｍ２／（Ｍ１＋Ｍ２）≦０．７の関係を満たすことが好ましい。この値が０．０１より小さいと、得られる被膜の機械的強度が充分でないため好ましくない。一方、０．７を越えると、ガラス基板や透明電極などの基材に対する金属酸化物層の密着性が低下する。さらに、４５０℃以下の低温で焼成した場合、得られる金属酸化物層の耐薬品性が低下する傾向にもある。なお、コーティング組成物に含まれる金属アルコキシドの金属原子が複数種の場合、上記金属原子（Ｍ１）は、複数種の金属原子の合計を意味し、またコーティング組成物に含まれる金属塩の金属原子が複数種の場合、上記金属原子（Ｍ２）は、複数種の金属原子の合計を意味する。
【０１３７】
コーティング組成物中の固形分濃度については、金属アルコキシドと金属塩を金属酸化物として換算した場合、固形分としては０．５〜２０ｗｔ％の範囲であることが好ましい。固形分が２０ｗｔ％を越えると、コーティング組成物の貯蔵安定性が悪くなるうえ、金属酸化物層の膜厚制御が困難になる。一方、固形分が０．５ｗｔ％以下では、得られる金属酸化物層の厚みが薄くなり、所定の膜厚を得るために多数回の塗布が必要となる。
【０１３８】
コーティング組成物は、Ｍ（ＯＲ）ｎで示される金属アルコキシドを金属塩（例えば、アルミニウム塩）の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合して得られるものである。シリコンアルコキシド、チタンアルコキシド、または、シリコンアルコキシドおよびチタンアルコキシドの加水分解に用いられる水の量は、シリコンアルコキシド、チタンアルコキシド、または、シリコンアルコキシドおよびチタンアルコキシドの総モル数に対して、モル比換算で２〜２４にすることが好ましい。より好ましくは２〜２０である。モル比（水の量(モル）／（金属アルコキシドの総モル数））が２以下の場合には、金属アルコキシドの加水分解が不十分となって、成膜性を低下させたり、得られる金属酸化物被膜の強度を低下させたりするので好ましくない。また、モル比が２４より多い場合は、重縮合が進行し続けるため、貯蔵安定性を低下させるので好ましくない。
その他の金属アルコキシドを用いる場合でも同様である。
【０１３９】
尚、他の金属アルコキシドを用いた場合にも、水の添加量について、同様の条件を選択することが好ましい。
【０１４０】
コーティング組成物を調製する際の加水分解過程において、共存する金属塩（例えば、アルミニウム塩）が含水塩の場合には、その含水分が反応に関与するため、加水分解に用いる水の量に対して金属塩（例えば、アルミニウム塩）の含水分を考慮する必要がある。
【０１４１】
コーティング組成物は、金属アルコキシドを加水分解・縮合させて製造されるものであり、金属アルコキシドの組成を選択することにより、得られる金属酸化物層の屈折率を所定の範囲内で調整することが可能である。例えば、金属アルコキシドとして、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドを選択した場合、その混合比率を調整することにより、後述する所定の範囲内で、具体的には１．４５〜２．１の範囲内で、得られる金属酸化物層の屈折率を調整することが可能である。
【０１４２】
換言すると、コーティング用組成物を塗布し焼成した後の金属酸化物層に要求される屈折率が決められると、その屈折率にしたがって、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドの組成モル比を決めることが可能である。この組成モル比は任意であるが、例えば、シリコンアルコキシドのみを加水分解することによって得られるコーティング組成物からの金属酸化物層の屈折率は、１．４５程度の値である。そして、チタンアルコキシドのみを加水分解して得られるコーティング組成物からの金属酸化物層の屈折率は、２．１程度の値である。したがって、金属酸化物層の屈折率を１．４５〜２．１までの間で設定したい場合、その範囲内の屈折率値に合わせてシリコンアルコキシドとチタンアルコキシドを所定の割合で用いてコーティング組成物を製造することが可能である。
【０１４３】
また、他の金属アルコキシドを用いることによっても、得られる金属酸化物層の屈折率の調整は可能である。
【０１４４】
さらに、金属酸化物層の屈折率については、組成条件以外に、成膜条件を選択することで調整することも可能である。こうすることで、金属酸化物層の高い硬度を実現するとともに、所望の屈折率値を実現することが可能である。
【０１４５】
すなわち、コーティング組成物の塗膜を焼成して金属酸化物層を製造する場合、その焼成温度にしたがって、金属酸化物層の屈折率は変動する。この場合、焼成温度が高くするほど、金属酸化物層の屈折率を高くすることができる。したがって、焼成温度を適度な値に選択することで、得られる金属酸化物層の屈折率の調整が可能である。そして、他のタッチパネル構成部材の耐熱性を考慮した場合、焼成温度は１００℃〜３００℃の範囲が好ましく、１５０℃〜２５０℃の範囲内とすることがより好ましい。
【０１４６】
また、コーティング組成物がチタンアルコキシドを含む場合、焼成前に塗膜に紫外線（ＵＶ）を照射すると、得られる金属酸化物層の屈折率が変動する。具体的には、紫外線照射量を多くするほど、金属酸化物層の屈折率を高くすることができる。したがって、所望の屈折率を実現するため紫外線照射の有無を選択することが可能である。金属酸化物層において、組成等の条件選択により所望の屈折率が実現できる場合は、紫外線照射は行わなくてもよい。そして、紫外線照射を行う場合は、その照射量を選択することで、金属酸化物層の屈折率を調整することが可能である。金属酸化物層において、所望の屈折率を得るために紫外線照射が必要な場合は、例えば、高圧水銀ランプを使用することができる。そして、高圧水銀ランプを使用した場合、３６５ｎｍ換算で全光照射１０００ｍＪ／ｃｍ２以上の照射量が好ましく、３０００ｍＪ／ｃｍ２〜１００００ｍＪ／ｃｍ２の照射量がより好ましい。また、ＵＶ光源としては特に指定はなく、別のＵＶ光源を使用することもできる。別の光源を用いる場合は、上記高圧水銀ランプを使用した場合と同量の積算光量が照射されればよい。
【０１４７】
しかしながら、特にコーティング組成物にチタンアルコキシド成分を含む場合には、室温保存下で徐々に粘度が上昇するという性質を有する。実用上大きな問題となる懸念は無いものの、金属酸化物層の厚みを精密に制御する場合には、温度などに対する慎重な管理が必要となる。尚、こうした粘度の上昇は、コーティング組成物中のチタンアルコキシドの組成比率が多くなるにしたがって顕著となる。これは、チタンアルコキシドがシリコンアルコキシドなどに対して加水分解速度が大きく、縮合反応が速いためと考えられる。
【０１４８】
コーティング組成物がチタンアルコキシド成分を含む場合において、粘度変化を少なくするためには、次の２つの製法が有効である。
【０１４９】
１）チタンアルコキシドを金属塩の存在下、加水分解する際にあらかじめグリコール類とチタンアルコキシドを充分混合した後、必要に応じて、シリコンアルコキシドと混合し、有機溶媒の存在下で加水分解する。こうすることにより、粘度変化の小さいコーティング組成物が得られる。
【０１５０】
１）の製法が有効なのは、チタンアルコキシドをグリコール類と混合した際に発熱があることから、チタンアルコキシドのアルコキシド基と、グリコール類との間でエステル交換反応が起こり、加水分解・縮合反応に対して安定化されるためと考えられる。
【０１５１】
２）予めシリコンアルコキシドを金属塩の存在下で加水分解反応させた後、グリコール類と混合したチタンアルコキシド溶液に混合して縮合反応を行い、コーティング組成物を得る。こうすることにより、粘度変化の小さいコーティング組成物が得られる。
【０１５２】
２）の製法が有効なのは、次の理由によると考えられる。すなわち、シリコンアルコキシドの加水分解反応は速い速度で行われるが、その後の縮合反応はチタンアルコキシドに比較して遅い。そのため、加水分解反応を終えた後、速やかにチタンアルコキシドを加えると、加水分解反応したシリコンアルコキシドのシラノール基と、チタンアルコキシドとが均一に反応する。これにより、チタンアルコキシドの縮合反応性を、加水分解されたシリコンアルコキシドが安定化させると考えられる。
【０１５３】
予め加水分解されたシリコンアルコキシドと、チタンアルコキシドとを混合する方法は、既に試みられている。しかし、反応に用いられる有機溶媒にグリコール類が含まれていない場合には、貯蔵安定性に優れたコーティング用組成物が得られない。また、２）に示した方法は、大きな加水分解速度を有する他の金属アルコキシドとシリコンアルコキシドとからコーティング組成物を得る場合にも有用である。
【０１５４】
以上説明したコーティング組成物は、一般に行われている塗布法を適用して、塗膜を成膜し、その後、金属酸化物層とすることが可能である。塗布法としては、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法、刷毛塗り法、ロール転写法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはフレキソ印刷法などが用いられる。この内、パターン印刷に好適なインクジェット法とフレキソ印刷法が特に好ましい。
【実施例】
【０１５５】
以下、実施例にしたがって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１５６】
[実施例で用いる略記号]
以下の実施例などで用いる略記号の意味は、次の通りである。
・ＴＥＯＳ：テトラエトキシシラン
・ＴＩＰＴ：テトライソプロポキシチタン
・ＺＴＢ：ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド
・ＡＮ：硝酸アルミニウム九水和物
・ＣｅＮ：硝酸セリウム六水和物
・ＩｎＮ：硝酸インジウム三水和物
・ＥＧ：エチレングリコール
・ＨＧ：２−メチル−２，４−ペンタンジオール（別称：ヘキシレングリコール）
・ＢＣＳ：２−ブトキシエタノール（別称：ブチルセロソルブ）【０１５７】
＜合成例１＞（コーティング組成物Ｋ１の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ  １２．８ｇ、水３．０ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １３．７ｇ、ＨＧ  ４８．８ｇ、ＢＣＳ  ３７．１ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  ３１．１ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ａ液を得た。【０１５８】
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  ４．７ｇを入れ、そこにＨＧ  ４８．８ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｂ液を得た。【０１５９】
次いで、上述のＡ液とＢ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、コーティング組成物Ｋ１を得た。【０１６０】
＜合成例２＞（コーティング組成物Ｋ２の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ  １２．１ｇ、水２．８ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １３．７ｇ、ＨＧ  ５７．７ｇ、ＢＣＳ  ３７．２ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  ２２．９ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｃ液を得た。【０１６１】
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  １３．４ｇを入れ、そこにＨＧ  ４０．２ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｄ液を得た。【０１６２】
次いで、上述のＣ液とＤ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、コーティング組成物Ｋ２を得た。【０１６３】
＜合成例３＞（コーティング組成物Ｋ３の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ  １１．７ｇ、水２．８ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １３．７ｇ、ＨＧ  ４６．０ｇ、ＢＣＳ  ３７．３ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  １９．１ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｅ液を得た。
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  １７．４ｇを入れ、そこにＨＧ  ５２．１ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｆ液を得た。
次いで、上述のＥ液とＦ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、金属アルコキシドとして、コーティング組成物Ｋ３を得た。【０１６４】
＜合成例４＞（コーティング組成物Ｋ４の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ  １１．５ｇ、水２．７ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １３．７ｇ、ＨＧ  ３４．５ｇ、ＢＣＳ  ３７．３ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  １５．６ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｇ液を得た。
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  ２１．２ｇを入れ、そこにＨＧ  ６３．６ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｈ液を得た。
次いで、上述のＧ液とＨ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、コーティング組成物Ｋ４を得た。【０１６５】
＜合成例５＞（コーティング組成物Ｋ４−１の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＩｎＮ９．２ｇ、水２．３ｇを加えて撹拌し、ＩｎＮの水溶液を得た。そのＩｎＮの水溶液に、ＥＧ  １４．６ｇ、ＨＧ  ４１．６ｇ、ＢＣＳ  ３９．５ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  １５．９ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｉ液を得た。
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  １４．４ｇを入れ、そこにＨＧ  ６２．４ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｊ液を得た。
次いで、上述のＩ液とＪ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、金属アルコキシドとして、コーティング組成物Ｋ−１を得た。【０１６６】
＜合成例６＞（コーティング組成物Ｋ４−２の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＣｅＮ１０．３ｇ、水２．１ｇを加えて撹拌し、ＣｅＮの水溶液を得た。そのＣｅＮの水溶液に、ＥＧ  １４．７ｇ、ＨＧ  ４２．１ｇ、ＢＣＳ  ４０．０ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  １４．５ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｋ液を得た。
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  １３．２ｇを入れ、そこにＨＧ  ６２．４ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｌ液を得た。
次いで、上述のＫ液とＬ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、金属アルコキシドとして、コーティング組成物Ｋ−２を得た。【０１６７】
＜合成例７＞（コーティング組成物Ｋ４−３の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ８．５ｇ、水２．０ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １４．３ｇ、ＨＧ  ４０．８ｇ、ＢＣＳ  ３８．７ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  ９．２ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｍ液を得た。【０１６８】
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、ジルコニウムアルコキシドとしてＺＴＢ  ２５．４ｇを入れ、そこにＨＧ  ６１．２ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｎ液を得た。
次いで、上述のＭ液とＮ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、金属アルコキシドとして、コーティング組成物Ｋ−３を得た。【０１６９】
＜合成例８＞（コーティング組成物Ｋ５の合成）
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ  １５．５ｇ、水８．９ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １３．０ｇ、ＨＧ  ９３．０ｇ、ＢＣＳ  ３５．３ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  ３４．３ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、コーティング組成物Ｋ５を得た。【０１７０】
＜合成例９＞（コーティング組成物Ｋ６の合成）
２００ｍＬ容量のフラスコ中に、ＡＮ  １１．２ｇ、水２．６ｇを加えて撹拌し、ＡＮの水溶液を得た。そのＡＮの水溶液に、ＥＧ  １３．７ｇ、ＨＧ  ２３．９ｇ、ＢＣＳ  ３７．４ｇ、およびシリコンアルコキシドとしてＴＥＯＳ  １２．１ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｉ液を得た。
３００ｍＬ容量のフラスコ中に、チタンアルコキシドとしてＴＩＰＴ  ２４．８ｇを入れ、そこにＨＧ  ７４．４ｇを加え、室温条件下で３０分間撹拌して、Ｊ液を得た。【０１７１】
次いで、上述のＩ液とＪ液とを混合し、室温条件下で３０分間撹拌した。これにより、コーティング組成物Ｋ６を得た。【０１７２】
次に、上述したコーティング組成物Ｋ１〜Ｋ６を用いて、金属酸化物層を成膜する成膜方法の例について説明する。併せて、金属酸化物層の比較対象となるアクリル膜を基板上に成膜する方法についても説明する。【０１７３】
＜成膜方法Ｉ＞
上述したコーティング組成物を用いて、孔径０．５μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、基板上にスピンコート法により塗膜を形成する。この基板を６０℃に設定されたホットプレート上で３分間加熱し乾燥する。次いで、２００℃に設定された熱風循環式オーブン内に移し、３０分間焼成する。こうして、基板上に金属酸化物の膜（すなわち、金属酸化物層を金属酸化物の膜とも称する。以下、同様である。）を成膜する。【０１７４】
＜成膜方法ＩＩ＞
上述したコーティング組成物を用いて、孔径０．５μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、基板上にスピンコート法により塗膜を形成する。この基板を６０℃に設定されたホットプレート上で３分間加熱し乾燥する。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で２分間紫外線照射する。紫外線照射量は６０００ｍＪ／ｃｍ２となる。紫外線照射の後、２００℃に設定された熱風循環式オーブン内に移し、３０分間焼成する。こうして、基板上に金属酸化物の膜を成膜する。【０１７５】
＜成膜方法ＩＩＩ＞
成膜方法ＩＩＩは、金属酸化物の膜の比較対象となるアクリル膜を基板上に成膜する方法である。【０１７６】
アクリル膜形成のためのアクリル材料組成物（Ｋ７）を用い、孔径０．５μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、基板上にスピンコート法により塗膜を形成する。この基板を９０℃に設定されたホットプレート上で２分間加熱し乾燥する。次いで、２００℃に設定された熱風循環式オーブン内に移し、３０分間焼成する。こうして、基板上にアクリル膜を成膜する。【０１７７】
＜屈折率の評価＞
上述したコーティング組成物Ｋ１〜Ｋ６を用い、基板にシリコン基板（１００）を使用し、上記した成膜方法Ｉ、成膜方法ＩＩまたは成膜方法ＩＩＩを適用して、シリコン基板上に金属酸化物の膜（ＫＬ１、ＫＬ２、ＫＬ３、ＫＬ４、ＫＬ５、ＫＬ５−１、ＫＬ５−２、ＫＬ５−３、ＫＭ１およびＫＭ２)を成膜した。【０１７８】
また、アクリル材料組成物Ｋ７を用い、基板にシリコン基板（１００）を使用し、上記した成膜方法ＩＩＩを適用して、シリコン基板上にアクリル膜（ＫＭ３)を成膜した。【０１７９】
これらの基板を用いて、エリプソメータ（溝尻光学工業所社製  ＤＶＡ−ＦＬＶＷ）を使用し、波長６３３ｎｍにおける屈折率を測定した。【０１８０】
金属酸化物の膜（ＫＬ１、ＫＬ２、ＫＬ３、ＫＬ４、ＫＬ５、ＫＬ５−１、ＫＬ５−２、ＫＬ５−３、ＫＭ１およびＫＭ２)、並びにアクリル膜（ＫＭ３)の屈折率の評価結果を表１に示す。この表より、アクリル膜の屈折率は１．５０であることが分かる。【０１８１】
尚、表１中の成膜方法欄の記載は、それぞれの膜の成膜に適用された成膜方法（Ｉ〜ＩＩＩ）を示している。【０１８２】
＜硬度の評価＞
金属酸化物の膜の硬度については鉛筆硬度を評価した。
上述したコーティング組成物Ｋ１〜Ｋ６を用い、基板にＩＴＯ付きガラス基板を使用し、上記した成膜方法Ｉ、成膜方法ＩＩまたは成膜方法ＩＩＩを適用して、基板上に金属酸化物の膜（ＫＬ１、ＫＬ２、ＫＬ３、ＫＬ４、ＫＬ５、ＫＬ５−１、ＫＬ５−２、ＫＬ５−３、ＫＬ５、ＫＭ１およびＫＭ２)を成膜した。【０１８３】
また、アクリル材料組成物Ｋ７を用い、基板にＩＴＯ付きガラス基板を使用し、上記した成膜方法ＩＩＩを適用して、ＩＴＯ付きガラス基板上にアクリル膜（ＫＭ３)を成膜した。【０１８４】
これらの基板を用いて、鉛筆硬度を試験法（ＪＩＳ  Ｋ５４００）に準拠して評価した。【０１８５】
金属酸化物の膜（ＫＬ１、ＫＬ２、ＫＬ３、ＫＬ４、ＫＬ５、ＫＬ５−１、ＫＬ５−２、ＫＬ５−３、ＫＭ１およびＫＭ２)、並びにアクリル膜（ＫＭ３)の鉛筆硬度の評価結果を表１に示す。この表より、アクリル膜（ＫＭ３)の鉛筆硬度は３Ｈであり、金属酸化物の膜（ＫＬ１、ＫＬ２、ＫＬ３、ＫＬ４、ＫＬ５、ＫＬ５−１、ＫＬ５−２、ＫＬ５−３、ＫＭ１およびＫＭ２)に比べ硬度が低いことがわかる。【０１８６】
【表１】
2012057165.tif 000003
【０１８７】
＜透明導電膜基板＞
基板上にパターニングされた透明導電膜が成膜された透明導電膜基板を準備する。基板にはガラス基板を用い、透明導電膜にはＩＴＯを用いる。この透明導電膜基板としては、上述した本実施の形態のタッチパネル１に使用した透明導電膜基板１４の使用が可能である。ここでは、ＩＴＯのパターンが同一で、膜厚が２８ｎｍと７５ｎｍと異なる２種類の透明導電膜基板を準備した。【０１８８】
＜実施例１＞
ＩＴＯの膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ１を７０ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍのソーダライムガラス基板を貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０１８９】
＜実施例２および３＞
金属酸化物の膜ＫＬ１の膜厚が８０ｎｍ（実施例２）と９０ｎｍ（実施例３）である以外は、実施例１と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。【０１９０】
＜実施例４＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ２を７０ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０１９１】
＜実施例５および６＞
金属酸化物の膜ＫＬ２の膜厚が８０ｎｍ（実施例５）と９０ｎｍ（実施例６）である以外は、実施例４と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。【０１９２】
＜実施例７＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ３を５０ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて評価用のタッチパネルを作製した。【０１９３】
＜実施例８〜１１＞
金属酸化物の膜ＫＬ３の膜厚が７０ｎｍ（実施例８）、８０ｎｍ（実施例９）、１２０ｎｍ（実施例１０）および１５０ｎｍ（実施例１１）である以外は、実施例７と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。【０１９４】
＜実施例１２＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ４を８０ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０１９５】
＜実施例１３＞
金属酸化物の膜ＫＬ４の膜厚が１００ｎｍである以外は、実施例１２と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。【０１９６】
＜実施例１４＞
ＩＴＯ膜厚が７５ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ４を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０１９７】
＜実施例１５＞
ＩＴＯ膜厚が７５ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ５を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０１９８】
＜実施例１６＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ５−１を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０１９９】
＜実施例１７＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ５−２を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０２００】
＜実施例１８＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＬ５−３を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０２０１】
＜比較例１＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜を成膜すること無く、そのまま光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させ、金属酸化物の層を有しない評価用のタッチパネルを作製した。【０２０２】
＜比較例２＞
ＩＴＯ膜厚が７５ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜を成膜すること無く、そのまま光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させ、金属酸化物の層を有しない評価用のタッチパネルを作製した。【０２０３】
＜比較例３＞
金属酸化物の膜ＫＬ４の膜厚が３０ｎｍである以外は、実施例１２と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。【０２０４】
＜比較例４＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＭ１を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０２０５】
＜比較例５＞
ＩＴＯ膜厚が２８ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＭ２を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０２０６】
＜比較例６＞
ＩＴＯ膜厚が７５ｎｍである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜ＫＭ２を１００ｎｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。【０２０７】
＜比較例７＞
ＩＴＯ膜厚が７５ｎｍである透明導電膜基板上に、アクリル膜ＫＭ３を２μｍの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、０．７ｍｍの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置（アイグラフィック社製  ＵＢ  ０１１−３Ａ型）を使用し、高圧水銀ランプ（入力電源１０００Ｗ）を用いて、５０ｍＷ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）の光強度で８０秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させ、アクリル膜の形成された評価用のタッチパネルを作製した。【０２０８】
＜密着性の評価＞
実施例１〜実施例１８において、評価用のタッチパネルを作製する際、その途中で作製される金属酸化物の膜（ＫＬ１〜ＫＬ５）の成膜された基板を使用した。その透明導電膜基板上の各金属酸化物の膜に対し、ＪＩＳ  Ｋ５６００の密着性のクロスカット法に準拠して剥離試験を行い、密着性を評価した。【０２０９】
同様に、比較例３〜比較例７において、評価用のタッチパネルを作製する際、その途中で作製される金属酸化物の膜（ＫＬ４、ＫＭ１およびＫＭ２）並びにアクリル膜（ＫＭ３）の成膜された基板を使用し、密着性を評価した。【０２１０】
＜電極パターン見えの評価＞
実施例１〜実施例１８および比較例１〜比較例７において作製した評価用のタッチパネルを用い、ＩＴＯの電極パターン見えの評価を行った。【０２１１】
各タッチパネルを黒い布の上に置き、上部からライトを照らした状態で、目視にて観察を行った。観察の結果、電極パターンが見えないものを、＜電極パターン見え評価◎＞とした。また、電極パターンは見えるが、その程度が、ＩＴＯ膜上に金属酸化物の膜を有しない比較例１および比較例２のタッチパネルに比べ改善されているものを、＜電極パターン見え評価○＞とした。さらに、比較例１および比較例２のタッチパネルと同等なものを、＜電極パターン見え評価△＞とし、比較例１および比較例２のタッチパネルよりもＩＴＯの電極パターンが目立つものを＜×＞として評価した。【０２１２】
実施例１〜実施例１８および比較例１〜比較例７の評価用のタッチパネルの電極パターン見え評価の結果をまとめ、上記した密着性の評価結果とともに表２に示す。【０２１３】
【表２】
2012057165.tif 000004
【０２１４】
実施例１〜実施例１５のタッチパネルでは、電極パターン見え評価の結果が良好であり、電極パターンは見えないか、または，見えたとしても金属酸化物の膜を有していない比較例と比べ、その程度が改善していることが分かった。したがって、透明電極の上に、屈折率と膜厚の調整された金属酸化物の膜を形成することにより、電極パターン見えが改善され、電極を目立たなくできることが分かった。また、それぞれの金属酸化物の膜の密着性は、アクリル膜に比べて高いことも分かった。【０２１５】
表２の結果から、実施例１〜実施例１５によれば、透明電極のパターンが目立つことによる表示性の低下を低減できるタッチパネルが得られることが分かった。より具体的には、透明電極のパターンが目立つことが抑制された、本実施の形態のタッチパネル１、１０１、２０１、３０１、４０１を提供できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０２１６】
本発明のタッチパネルは、電極パターンが目立つことがなく、また構成部材間の密着性も良好である。したがって、優れた見栄えと高い信頼性が求められる表示デバイス用のタッチパネルとして有用である。
なお、２０１０年１０月２６日に出願された日本特許出願２０１０−２４００８０号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
【符号の説明】
【０２１７】
１、１０１、２０１、３０１、４０１    タッチパネル
２、１０２、４０２    基板
３、１０３、２０３、３０３、４０３    第１の透明電極
４、１０４、２０４、３０４、４０４    第２の透明電極
５、６、１０５、１０６、２０５、２０６、３０５、３０６、４０５、４０６    金属酸化物層
７、１０７、２０７    カバーフィルム
９、１０８、１０９、２０８、２０９、３０８、４０８    透明接着材
１０、１１０、２１０、３１０、４１０    ディスプレイパネル
１１    引き出し配線
１４    透明導電膜基板
１８    交差部
１９    層間絶縁膜
２０    架橋電極
２１    パッド部
２１２、３１２    第２基板
４０７    オーバーコート層
【図１】
2012057165.tif 000005
【図２】
2012057165.tif 000006
【図３】
2012057165.tif 000007
【図４】
2012057165.tif 000008
【図５】
2012057165.tif 000009
【図６】
2012057165.tif 000010
【図７】
2012057165.tif 000011
【図８】
2012057165.tif 000012
【国際調査報告】
2012057165.tif 000013
2012057165.tif 000014