(57)【要約】  優れたアイソレーション特性を有する弾性波分波器を提供する。  第１のグラウンドビアホール電極５２ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊ，４５ｊ間を接続している。第２のグラウンドビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊとグラウンドランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌとを接続している。第３のグラウンドビアホール電極５３ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４５ｊとグラウンド端子２５とを接続している。第１のグラウンドビアホール電極５２ｊが、第２及び第３のグラウンドビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ，５３ｊのそれぞれよりも多く設けられている。
2012056767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されている複数のＩＤＴ電極とを含む縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタチップと、
ダイアタッチ面と裏面とを有し、前記ダイアタッチ面の上に前記弾性波フィルタチップが実装されており、前記ダイアタッチ面の上に形成されており前記弾性波フィルタチップに接続されている複数のランド電極を含むランド電極層と、前記裏面の上に形成されている複数の端子を含む裏面端子層と、前記複数のランド電極と前記複数の端子とを接続している複数の配線電極を含む複数の中間電極層と、少なくとも３層の誘電体層とを有する配線基板と、
を備え、
前記誘電体層は、前記ランド電極層と前記複数の中間電極層と前記裏面端子層とのうち、いずれか２つの間に配置され、かつ、前記複数のランド電極と前記複数の配線電極と前記複数の端子とのうち、いずれかを接続する複数のビアホール電極を有し、
前記複数の端子には、グラウンドに接続されるグラウンド端子が含まれ、
前記複数のランド電極には、前記グラウンド端子に接続されているグラウンドランド電極が含まれ、
前記複数の配線電極には、前記グラウンド端子と前記グラウンドランド電極とを接続している複数のグラウンド配線電極が含まれ、
前記複数のビアホール電極には、前記グラウンド配線電極間を接続している第１のグラウンドビアホール電極と、前記グラウンド配線電極と前記グラウンドランド電極とを接続している第２のグラウンドビアホール電極と、前記グラウンド配線電極と前記グラウンド端子とを接続している第３のグラウンドビアホール電極とを含み、
前記第１のグラウンドビアホール電極が、前記第２及び第３のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている、弾性波分波器。
【請求項２】
送信フィルタと受信フィルタとを備え、前記受信フィルタが前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている、請求項１に記載の弾性波分波器。
【請求項３】
前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部である、請求項１または２に記載の弾性波分波器。
【請求項４】
前記誘電体層は、樹脂からなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性波分波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波分波器に関する。特に、本発明は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部を備えるＣＳＰ型の弾性波分波器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＵＭＴＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）のようなＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）方式に対応する携帯電話機などの通信機では、信号の送信及び受信を同時に行うために、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路にデュプレクサが搭載されている。デュプレクサは、送信フィルタと、受信フィルタと、整合回路とを備える分波器である。デュプレクサには、送信フィルタ及び受信フィルタのそれぞれにおいて、通過帯域内の挿入損失が小さいこと、通過帯域近傍の減衰量が大きいことなどが求められる。【０００３】
従来、送信フィルタ及び受信フィルタが弾性表面波フィルタからなる弾性表面波デュプレクサが実用化されている。近年では、携帯電話機のＲＦ回路においてバランを省略するために、デュプレクサの受信フィルタにバラン機能を持たせることが求められている。そのため、受信フィルタが平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタからなる弾性表面波デュプレクサが、携帯電話機のＲＦ回路に搭載されるようになってきている（例えば特許文献１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４９８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、携帯電話機などの通信機では、ＲＦ回路を小型化するために、デュプレクサなどの分波器の小型化が求められている。小型な分波器としては、配線基板に弾性波フィルタチップがフリップチップ実装されており、弾性波フィルタチップが封止樹脂により封止されている、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性波分波器が知られている。【０００６】
ＣＳＰ型の弾性波分波器においては、送信フィルタや受信フィルタのフィルタ特性を改善するために、送信フィルタや受信フィルタに用いられるインダクタや、整合回路を構成するインダクタや遅延線などが、配線基板に形成されることがある。すなわち、配線基板の表面や内部に設けられた配線により、上記のインダクタや遅延線が形成されることがある。【０００７】
しかしながら、配線基板にインダクタや遅延線を形成した場合、配線基板内で電気的な結合などが生じたり、送信フィルタ及び受信フィルタのグラウンドが弱くなったりする場合がある。送信フィルタ及び受信フィルタのグラウンドが弱くなると、グラウンドに流れるべき通過帯域外の信号がグラウンドに流れにくくなる。このため、送信フィルタ及び受信フィルタにおける通過帯域外の減衰量が悪化することになる。その結果、弾性波分波器のアイソレーション特性が悪化することになる。【０００８】
特に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、ラダー型弾性表面波フィルタに比べて、グラウンドが弱いときに、通過帯域外の減衰量が悪化しやすい。そのため、受信フィルタとして縦結合共振子型弾性表面波フィルタを用いた弾性表面波デュプレクサは、特にアイソレーションが悪化しやすい。【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたアイソレーション特性を有する弾性波分波器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る弾性波分波器は、弾性波フィルタチップと、配線基板とを備えている。弾性波フィルタチップは、縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、圧電基板と、複数のＩＤＴ電極とを含む。複数のＩＤＴ電極は、圧電基板の上に形成されている。配線基板は、ダイアタッチ面と裏面とを有する。ダイアタッチ面の上に弾性波フィルタチップが実装されている。配線基板は、複数のランド電極を含むランド電極層と、複数の端子を含む裏面端子層と、複数の配線電極を含む複数の中間電極層と、少なくとも３層の誘電体層とを有する。複数のランド電極は、ダイアタッチ面の上に形成されている。複数のランド電極は、弾性波フィルタチップに接続されている。複数の端子は、裏面の上に形成されている。複数の配線電極は、複数のランド電極と複数の端子とを接続している。誘電体層は、ランド電極層と複数の中間電極層と裏面端子層とのうち、いずれか２つの間に配置されている。誘電体層は、複数のランド電極と複数の配線電極と複数の端子とのうち、いずれかを接続する複数のビアホール電極を有する。複数の端子には、グラウンドに接続されるグラウンド端子が含まれている。複数のランド電極には、グラウンド端子に接続されているグラウンドランド電極が含まれている。複数の配線電極には、グラウンド端子とグラウンドランド電極とを接続している複数のグラウンド配線電極が含まれている。複数のビアホール電極は、第１のグラウンドビアホール電極と、第２のグラウンドビアホール電極と、第３のグラウンドビアホール電極とを含む。第１のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極間を接続している。第２のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極とグラウンドランド電極とを接続している。第３のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極とグラウンド端子とを接続している。第１のグラウンドビアホール電極が、第２及び第３のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている。【００１１】
本発明に係る弾性波分波器のある特定の局面では、弾性波分波器は、送信フィルタと受信フィルタとを備えている。受信フィルタは、縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている。【００１２】
本発明に係る弾性波分波器の他の特定の局面では、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部である。【００１３】
本発明に係る弾性波分波器の別の特定の局面では、誘電体層は、樹脂からなる。【００１４】
なお、本発明において、「樹脂」には、フィラーや繊維状部材を含む樹脂が含まれるものとする。例えば、ガラスエポキシ樹脂も樹脂に含まれるものとする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、第１のグラウンドビアホール電極が、第２及び第３のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている、このため、弾性波分波器のアイソレーション特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサの略図的回路図である。
【図２】図２は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサの模式的断面図である。
【図３】図３は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第４の電極層と第３の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図４】図４は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第３の電極層と第２の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図５】図５は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第２の電極層と第１の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図６】図６は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第１の電極層の模式的透視平面図である。
【図７】図７は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第４の電極層と第３の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図８】図８は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第３の電極層と第２の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図９】図９は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第２の電極層と第１の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図１０】図１０は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第１の電極層の模式的透視平面図である。
【図１１】図１１は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第４の電極層と第３の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図１２】図１２は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第３の電極層と第２の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図１３】図１３は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第２の電極層と第１の誘電体層との模式的透視平面図である。
【図１４】図１４は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第１の電極層の模式的透視平面図である。
【図１５】図１５は、実施例のデュプレクサの差動特性と、第１の比較例のデュプレクサの差動特性とを示すグラフである。
【図１６】図１６は、実施例のデュプレクサの第１のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示すグラフである。
【図１７】図１７は、実施例のデュプレクサの第２のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示すグラフである。
【図１８】図１８は、実施例のデュプレクサの差動特性と、第２の比較例のデュプレクサの差動特性とを示すグラフである。
【図１９】図１９は、実施例のデュプレクサの第１のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示すグラフである。
【図２０】図２０は、実施例のデュプレクサの第２のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、弾性表面波分波器の一種である図１及び図２に示すデュプレクサ１を例に挙げて説明する。但し、デュプレクサ１は、単なる例示である。本発明に係る弾性波分波器は、デュプレクサ１に何ら限定されない。本発明に係る弾性波分波器は、例えばトリプレクサなどの、デュプレクサ以外の分波器であってもよい。また、本発明に係る弾性波分波器は、弾性境界波を利用した弾性境界波分波器であってもよい。
【００１８】
本実施形態のデュプレクサ１は、例えば、ＵＭＴＳのようなＣＤＭＡ方式に対応する携帯電話機などのＲＦ回路に搭載されるものである。具体的には、デュプレクサ１は、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２に対応するデュプレクサである。なお、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２の送信周波数帯は、１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚであり、受信周波数帯は、１９３０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚである。
【００１９】
図１は、本実施形態に係るデュプレクサ１の略図的回路図である。まず、図１を参照しながら、デュプレクサ１の回路構成について説明する。
【００２０】
図１に示すように、デュプレクサ１は、アンテナに接続されるアンテナ端子２１と、送信端子２４と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂとを有する。アンテナ端子２１と送信端子２４との間に、送信フィルタ１４が接続されている。アンテナ端子２１と第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂとの間に、受信フィルタ１５が接続されている。送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５の接続点とアンテナ端子２１との間の接続点と、グラウンドとの間には、インダクタＬ１からなる整合回路が接続されている。
【００２１】
送信フィルタ１４は、出力端子１４ａと、入力端子１４ｂと、ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａとを有する。出力端子１４ａは、アンテナ端子２１と接続されている。入力端子１４ｂは、送信端子２４と接続されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａは、出力端子１４ａと入力端子１４ｂとの間に接続されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａは、出力端子１４ａと入力端子１４ｂとを接続している直列腕３３を有する。直列腕３３において、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。このように、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のそれぞれが、複数の弾性表面波共振子によって構成されていることにより、送信フィルタ１４の耐電力性を向上させることができる。なお、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のそれぞれは、１つの弾性表面波共振子により構成されていてもよい。
【００２２】
ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａは、直列腕３３とグラウンドとの間に接続されている並列腕３７〜３９を有する。並列腕３７〜３９のそれぞれには、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が設けられている。並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。このように、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれが、複数の弾性表面波共振子によって構成されていることにより、送信フィルタ１４の耐電力性を向上させることができる。なお、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれは、１つの弾性表面波共振子により構成されていてもよい。
【００２３】
並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とグラウンドとの間には、インダクタＬ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ３とグラウンドとの間には、インダクタＬ３が接続されている。
【００２４】
送信フィルタ１４は、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とにより構成されているＬＣ共振回路を有する。キャパシタＣ１とインダクタＬ４とは、入力端子１４ｂと送信端子２４との間に直列に接続されている。また、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とは、互いに並列に接続されている。このＬＣ共振回路により、送信フィルタ１４の通過帯域よりも高域側に減衰極が形成される。また、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とにより、送信端子２４におけるインピーダンスが整合されている。
【００２５】
直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれを構成している各弾性表面波共振子は、１つのＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された１組の反射器とを有する。すなわち、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれを構成している弾性表面波共振子は、１ポート型弾性表面波共振子である。キャパシタＣ１は、互いに間挿し合っている一対の櫛歯状電極により構成されている。
【００２６】
受信フィルタ１５は、不平衡信号端子１５ａと、第１及び第２の平衡信号端子１５ｂ，１５ｃとを有する。不平衡信号端子１５ａは、アンテナ端子２１と接続されている。第１の平衡信号端子１５ｂは、第１の受信端子２２ａと接続されている。第２の平衡信号端子１５ｃは、第２の受信端子２２ｂと接続されている。受信フィルタ１５は、不平衡信号端子１５ａと、第１及び第２の平衡信号端子１５ｂ，１５ｃとの間に接続されている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａを有する。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａは、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。なお、本実施形態において、不平衡信号端子１５ａのインピーダンスは５０Ωである。第１及び第２の平衡信号端子１５ｂ，１５ｃのインピーダンスは１００Ωである。
【００２７】
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａは、第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１と、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ２と、第３の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３と、第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ４と、弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｅとを有する。
【００２８】
第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２は、不平衡信号端子１５ａと第１の平衡信号端子１５ｂとの間に接続されている。一方、第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４は、不平衡信号端子１５ａと第２の平衡信号端子１５ｃとの間に接続されている。
【００２９】
第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１〜１５Ａ４のそれぞれは、弾性表面波伝搬方向に沿って配置された３つのＩＤＴ電極と、それら３つのＩＤＴ電極が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを有する。すなわち、第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１〜１５Ａ４のそれぞれは、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。
【００３０】
なお、第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１〜１５Ａ４では、位相を反転するために、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２の弾性表面波伝搬方向両側に位置するＩＤＴ電極に対して、第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４の弾性表面波伝搬方向両側に位置するＩＤＴ電極が反転されている。それ以外の構成は、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２と第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４とで同じである。
【００３１】
弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｃは、不平衡信号端子１５ａと第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１〜１５Ａ４との間に直列に接続されている。弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｃのそれぞれは、１つのＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された１組の反射器とを有する。すなわち、弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｃのそれぞれは、１ポート型弾性表面波共振子である。
【００３２】
弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｃは、送信フィルタ１４との位相を調整するために設けられている。そのため、弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｃは、共振周波数が受信フィルタ１５の通過帯域内に位置し、かつ反共振周波数が受信フィルタ１５の通過帯域よりも高域側であって、通過帯域外に位置するように構成されている。
【００３３】
弾性表面波共振子１７ｄは、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２と第１の平衡信号端子１５ｂとの間の接続点と、グラウンドとの間に接続されている。一方、弾性表面波共振子１７ｅは、第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４と第２の平衡信号端子１５ｃとの間の接続点と、グラウンドとの間に接続されている。
【００３４】
弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅのそれぞれは、１つのＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された１組の反射器とを有する。すなわち、弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅのそれぞれは、１ポート型弾性表面波共振子である。弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅは、受信フィルタ１５の帯域外減衰量を大きくするために設けられている。そのため、弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅは、共振周波数が受信フィルタ１５の通過帯域よりも低域側であって、通過帯域外に位置し、反共振周波数が通過帯域内に位置するように構成されている。
【００３５】
なお、本実施形態では、第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１〜１５Ａ４において、ＩＤＴ電極同士が隣り合う部分には、ＩＤＴ電極の端部に狭ピッチ電極指部が設けられている。狭ピッチ電極指部とは、ＩＤＴ電極を構成する電極指の周期が、狭ピッチ電極指部が形成されている当該ＩＤＴ電極の他の部分の電極指の周期よりも小さい部分である。
【００３６】
図２は、本実施形態に係るデュプレクサ１の模式的断面図である。次に、図２を主として参照しながら、本実施形態のデュプレクサ１の具体的構成について説明する。
【００３７】
図２に示すように、デュプレクサ１は、配線基板１０と、送信側弾性表面波フィルタチップ１８と、受信側弾性表面波フィルタチップ１９とを備えている。図１に示すように、送信側弾性表面波フィルタチップ１８には、送信フィルタ１４のインダクタＬ２〜Ｌ４を除く部分が形成されている。送信側弾性表面波フィルタチップ１８には、端子１４ｃが形成されている。端子１４ｃは、キャパシタＣ１に接続されている。送信側弾性表面波フィルタチップ１８は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性表面波共振子を構成しているＩＤＴ電極及び反射器、キャパシタＣ１を構成している一対の櫛歯状電極、配線などを含む電極とを有する。一方、受信側弾性表面波フィルタチップ１９には、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａを有する受信フィルタ１５が形成されている。受信側弾性表面波フィルタチップ１９は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａを構成しているＩＤＴ電極及び反射器、配線などを含む電極とを有する。
【００３８】
デュプレクサ１の送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９に用いられる圧電基板の具体例としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴａＯ３基板などの圧電単結晶基板が挙げられる。送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９の電極は、例えば、アルミニウムなどの金属や合金により形成することができる。電極は、例えば、複数の金属層の積層体によって構成することもできる。
【００３９】
図２に示すように、配線基板１０は、ダイアタッチ面１０ａと、裏面１０ｂとを有する。図２に示すように、上記送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９は、ダイアタッチ面１０ａの上に、バンプ２６によりフリップチップ実装されている。ダイアタッチ面１０ａの上には、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９を覆うように、封止樹脂層１６が形成されている。すなわち、本実施形態のデュプレクサ１は、ＣＳＰ型の弾性表面波フィルタ装置である。
【００４０】
図２に示すように、配線基板１０は、第１〜第３の誘電体層４１〜４３と第１〜第４の電極層４４〜４７との積層体により構成されている。第１の電極層４４は、第１の誘電体層４１の下に配置されている。第２の電極層４５は、第１の誘電体層４１と第２の誘電体層４２の間に配置されている。第３の電極層４６は、第２の誘電体層４２と第３の誘電体層４３の間に配置されている。第４の電極層４７は、第３の誘電体層４３の上に配置されている。第１〜第３の誘電体層４１〜４３には、それぞれ、複数のビアホール電極が形成されている。配線基板１０は、電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成されている積層基板である。なお、第１〜第３の誘電体層４１〜４３のそれぞれは、例えば、樹脂や、アルミナなどのセラミックスなどにより構成することができる。すなわち、配線基板１０は、樹脂からなるプリント配線多層基板や、セラミック多層基板であってもよい。
【００４１】
なお、本実施形態では、配線基板が３つの誘電体層と４つの電極層との積層体により構成されている例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、配線基板は、４層以上の誘電体層を有していてもよい。
【００４２】
図３は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第４の電極層４７と第３の誘電体層４３との模式的透視平面図である。図４は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第３の電極層４６と第２の誘電体層４２との模式的透視平面図である。図５は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第２の電極層４５と第１の誘電体層４１との模式的透視平面図である。図６は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第１の電極層４４の模式的透視平面図である。図３〜図６は、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９側からデュプレクサ１を透視した状態を示している。
【００４３】
図３に示すように、第４の電極層４７は、ランド電極４７ａ〜４７ｌにより構成されている。第４の電極層４７は、ランド電極層である。ランド電極４７ａ〜４７ｌは、配線基板１０のダイアタッチ面１０ａの上に形成されており、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９に接続されている。
【００４４】
図４に示すように、第３の電極層４６は、電極４６ａ〜４６ｃ，４６ｅ，４６ｇ〜４６ｊにより構成されている。第３の電極層４６は、中間電極層である。電極４６ａ〜４６ｃ，４６ｅ，４６ｇ〜４６ｊは、ランド電極４７ａ〜４７ｌを、アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とのいずれかに接続する配線電極である。
【００４５】
図５に示すように、第２の電極層４５は、電極４５ａ〜４５ｃ，４５ｅ，４５ｇ，４５ｊにより構成されている。第２の電極層４５は、中間電極層である。電極４５ａ〜４５ｃ，４５ｅ，４５ｇ，４５ｊは、ランド電極４７ａ〜４７ｌを、アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とのいずれかに接続する配線電極である。
【００４６】
図６に示すように、第１の電極層４４は、アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とにより構成されている。第１の電極層４４は、裏面端子層である。アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とは、配線基板１０の裏面１０ｂの上に形成されている。
【００４７】
第１の電極層４４のアンテナ端子２１は、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ａによって、第２の電極層４５の電極４５ａに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ａは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ａによって、第３の電極層４６の電極４６ａに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ａは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ａ，５１ｄによって、第４の電極層４７のランド電極４７ａ，４７ｄに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ａは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の不平衡信号端子１５ａに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｄは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の出力端子１４ａに接続されている。
【００４８】
第１の電極層４４の第１の受信端子２２ａは、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｂによって、第２の電極層４５の電極４５ｂに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｂは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｂによって、第３の電極層４６の電極４６ｂに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｂは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｂによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｂに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｂは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の第１の平衡信号端子１５ｂに接続されている。
【００４９】
第１の電極層４４の第２の受信端子２２ｂは、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｃによって、第２の電極層４５の電極４５ｃに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｃは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｃによって、第３の電極層４６の電極４６ｃに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｃは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｃによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｃに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｃは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の第２の平衡信号端子１５ｃに接続されている。
【００５０】
第１の電極層４４の送信端子２４は、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｅによって、第２の電極層４５の電極４５ｅに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｅは、電極部４５ｅ１，４５ｅ２とを有する。電極部４５ｅ１は、第２の電極層４５の電極４５ｅの一方の端部から、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｅとの接続点までの部分である。電極部４５ｅ２は、第２の電極層４５の電極４５ｅの他方の端部から、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｅとの接続点までの部分である。電極部４５ｅ１は、インダクタＬ４を構成している。第２の電極層４５の電極４５ｅは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｅ，５２ｈによって、第３の電極層４６の電極４６ｅ，４６ｈに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｅは、インダクタＬ４を構成している。第３の電極層４６の電極４６ｅは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｅによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｅに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｅは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の入力端子１４ｂに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｈは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｈによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｈに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｈは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の端子１４ｃに接続されている。
【００５１】
第１の電極層４４のグラウンド端子２５は、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｇによって、第２の電極層４５の電極４５ｇに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｇは、インダクタＬ２を構成している。第２の電極層４５の電極４５ｇは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｇによって、第３の電極層４６の電極４６ｇに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｇは、インダクタＬ２を構成している。第３の電極層４６の電極４６ｇは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｆ，５１ｇによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｆ，４７ｇに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｆは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の並列腕共振子Ｐ２に接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｇは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の並列腕共振子Ｐ１に接続されている。
【００５２】
また、第１の電極層４４のグラウンド端子２５は、第１の誘電体層４１の複数のビアホール電極５３ｊによって、第２の電極層４５の電極４５ｊに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｊは、第２の誘電体層４２の複数のビアホール電極５２ｉ，５２ｊによって、第３の電極層４６の電極４６ｉ，４６ｊに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｉは、インダクタＬ３を構成している。第３の電極層４６の電極４６ｉは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｉによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｉに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｉは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の並列腕共振子Ｐ３に接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｊは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の第１〜第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１〜１５Ａ４及び弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅに接続されている。
【００５３】
配線基板１０において、グラウンド端子２５は、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５とをグラウンドに接続するグラウンド電極である。また、ランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌと、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌと、電極４６ｊと、複数のビアホール電極５２ｊと、電極４５ｊと、複数のビアホール電極５３ｊとは、受信フィルタ１５をグラウンドに接続するグラウンド電極である。このため、ランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌは、グラウンドランド電極である。電極４６ｊと電極４５ｊとは、グラウンド端子２５とランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌとを接続している、グラウンド配線電極５５である。複数のビアホール電極５２ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊと、グラウンド配線電極５５である電極４５ｊとを接続している、第１のグラウンドビアホール電極である。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊと、グラウンドランド電極であるランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌとを接続している、第２のグラウンドビアホール電極である。複数のビアホール電極５３ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４５ｊと、グラウンド端子２５とを接続している、第３のグラウンドビアホール電極である。
【００５４】
本実施形態では、配線基板１０において、第１のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊが、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊのいずれよりも多く設けられている。具体的には、本実施形態では、ビアホール電極５２ｊは、１４個設けられている。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、合計３個設けられている。ビアホール電極５３ｊは、４個設けられている。従って、デュプレクサ１のアイソレーション特性を改善することができる。
【００５５】
例えば、第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊの数を多くし、第１及び第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊ，５１ｊ，５１ｋ，５１ｌの数を少なくした場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ１９に近い位置でのグラウンドが弱くなってしまう。このため、受信側弾性表面波フィルタチップ１９において、グラウンドに流れるべき通過帯域外の信号がグラウンドに流れにくくなってしまう。従って、アイソレーション特性が悪化する。
【００５６】
また、例えば、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌの数を多くし、第１及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊ，５３ｊの数を少なくすることも考えられる。この場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ１９に近い位置でのグラウンドは強化される。しかしながら、このような構成では、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の圧電基板上に形成された電極と、配線基板１０の第４の電極層４７との容量結合が大きくなってしまう。従って、アイソレーション特性が悪化する。第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌに加えて、第１及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊ，５３ｊの少なくとも一方の数を多くした場合も同様である。また、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌと、ビアホール電極５２ｊと、ビアホール電極５３ｊのすべての数を多くすると、配線基板が樹脂からなるプリント配線基板である場合、レーザの照射によるビアホール電極の形成に要する時間が長くなってしまい、デュプレクサの生産性が低下してしまう。
【００５７】
それに対して、本実施形態のように、第１のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊを、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊのいずれよりも多く設けた場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ１９に近い位置でのグラウンドを強化しつつ、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の圧電基板上に形成された電極と、配線基板１０の第４の電極層４７との容量結合を小さくすることができる。従って、デュプレクサ１のアイソレーション特性を向上させることができる。
【００５８】
以下、この効果について、具体例を参照しつつ、さらに詳細に説明する。なお、以下の実施例並びに第１及び第２の比較例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５９】
（実施例）
まず、実施例として、下記の設計パラメータで、上記実施形態に係るデュプレクサ１を作製した。なお、ＩＤＴ電極の電極指の周期で定まる弾性表面波の波長をλＩとする。
【００６０】
（実施例の設計パラメータ）
受信側弾性表面波フィルタチップ１９の圧電基板：４０°±５°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板
受信側弾性表面波フィルタチップ１９の電極：Ａｌ，Ｔｉ
第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１：
ＩＤＴ電極の交叉幅：３０．４λＩ
両側のＩＤＴ電極の電極指の本数：３９本（うち、狭ピッチ電極指の本数：５本）
中央のＩＤＴ電極の電極指の本数：４３本（うち、一方側端部の狭ピッチ電極指の本数：３本、他方側端部の狭ピッチ電極指の本数：７本）
反射器の電極指の本数：６５本
ＩＤＴ電極及び反射器のメタライゼーションレシオ：０．６８
ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚：０．０９１λＩ
両側のＩＤＴ電極のうちの一方側のＩＤＴ電極の狭ピッチ電極指の周期を、他方側のＩＤＴ電極の狭ピッチ電極指の周期より０．０９μｍ小さく設計している。
【００６１】
第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ２：
第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１と同じ設計パラメータ
第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４：
第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２と、両側のＩＤＴ電極が反転されている点のみが異なる。
【００６２】
弾性表面波共振子１７ａ〜１７ｃ：
ＩＤＴ電極の交叉幅：１１．０λＩ
ＩＤＴ電極の電極指の本数：７１本
反射器の電極指の本数：１８本
ＩＤＴ電極及び反射器のメタライゼーションレシオ：０．６０
ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚：０．０９５λＩ
【００６３】
弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅ：
ＩＤＴ電極の交叉幅：３０．０λＩ
ＩＤＴ電極には、ＩＤＴ電極の中央部分の交差幅が最も大きくなるように交差幅重み付けが施されており、上記の値は交差幅が最も大きい部分の値である。
【００６４】
ＩＤＴ電極の電極指の本数：１１１本
反射器の電極指の本数：１８本
ＩＤＴ電極及び反射器のメタライゼーションレシオ：０．６０
ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚：０．０９１λＩ
【００６５】
（第１及び第２の比較例）
第１及び第２の比較例では、配線基板１０の構成が異なる以外は、上記実施例と同様の構成を有するデュプレクサを作製した。
【００６６】
図７は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第４の電極層４７と第３の誘電体層４３との模式的透視平面図である。図８は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第３の電極層４６と第２の誘電体層４２との模式的透視平面図である。図９は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第２の電極層４５と第１の誘電体層４１との模式的透視平面図である。図１０は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第１の電極層４４の模式的透視平面図である。図７〜図１０は、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９側から第１の比較例のデュプレクサを透視した状態を示している。
【００６７】
図７〜図１０に示すように、第１の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、４個設けられている。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、合計３個設けられている。ビアホール電極５３ｊは、２１個設けられている。従って、第１の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌよりは多く設けられているものの、ビアホール電極５３ｊよりは少なく設けられている。
【００６８】
図１１は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第４の電極層４７と第３の誘電体層４３との模式的透視平面図である。図１２は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第３の電極層４６と第２の誘電体層４２との模式的透視平面図である。図１３は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第２の電極層４５と第１の誘電体層４１との模式的透視平面図である。図１４は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第１の電極層４４の模式的透視平面図である。図１１〜図１４は、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９側から第２の比較例のデュプレクサを透視した状態を示している。
【００６９】
図１１〜図１４に示すように、第２の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、４個設けられている。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、合計１０個設けられている。ビアホール電極５３ｊは、４個設けられている。従って、第２の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、ビアホール電極５３ｊと同数であって、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌよりも少ない数だけ設けられている。
【００７０】
（実施例及び第１及び第２の比較例のデュプレクサのアイソレーション特性）
次に、実施例のデュプレクサ１並びに第１及び第２の比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を測定した。具体的には、アイソレーション特性として、送信端子２４と第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂとの間の差動状態でのアイソレーション特性である「差動特性」と、送信端子２４と第１の受信端子２２ａとの間のアンバランスモードでのアイソレーション特性である「第１のアンバランスモード」と、送信端子２４と第２の受信端子２２ｂとの間のアンバランスモードでのアイソレーション特性である「第２のアンバランスモード」とを測定した。
【００７１】
図１５に、実施例のデュプレクサ１の差動特性と、第１の比較例のデュプレクサの差動特性とを示す。図１６に、実施例のデュプレクサ１の第１のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示す。図１７に、実施例のデュプレクサ１の第２のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示す。
【００７２】
図１５に示すように、差動特性での送信周波数帯（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５７．７ｄＢであり、第１の比較例のデュプレクサでは５６．２ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、差動特性が第１の比較例のデュプレクサよりも１．５ｄＢ優れていた。
【００７３】
図１６に示すように、第１のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５６．０ｄＢであり、第１の比較例のデュプレクサでは５５．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第１のアンバランスモードが第１の比較例のデュプレクサよりも１．０ｄＢ優れていた。
【００７４】
図１７に示すように、第２のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５２．７ｄＢであり、第１の比較例のデュプレクサでは５０．７ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第２のアンバランスモードが第１の比較例のデュプレクサよりも２．０ｄＢ優れていた。
【００７５】
図１８に、実施例のデュプレクサ１の差動特性と、第２の比較例のデュプレクサの差動特性とを示す。図１９に、実施例のデュプレクサ１の第１のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示す。図２０に、実施例のデュプレクサ１の第２のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示す。
【００７６】
図１８に示すように、差動特性での送信周波数帯（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５７．７ｄＢであり、第２の比較例のデュプレクサでは５６．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、差動特性が第２の比較例のデュプレクサよりも１．７ｄＢ優れていた。
【００７７】
図１９に示すように、第１のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５６．０ｄＢであり、第２の比較例のデュプレクサでは５６．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第２の比較例のデュプレクサと第１のアンバランスモードが同等であった。
【００７８】
図２０に示すように、第２のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５２．７ｄＢであり、第２の比較例のデュプレクサでは５１．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第２のアンバランスモードが第２の比較例のデュプレクサよりも１．７ｄＢ優れていた。
【００７９】
以上の結果から、第１のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊを、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊのいずれよりも多く設けることにより、デュプレクサ１のアイソレーション特性を改善できることが分かる。
【符号の説明】
【００８０】
１…デュプレクサ
１０…配線基板
１０ａ…ダイアタッチ面
１０ｂ…裏面
１４…送信フィルタ
１４Ａ…ラダー型弾性表面波フィルタ部
１４ａ…出力端子
１４ｂ…入力端子
１４ｃ…端子
１５…受信フィルタ
１５Ａ…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ１…第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ２…第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ３…第３の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ４…第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５ａ…不平衡信号端子
１５ｂ…第１の平衡信号端子
１５ｃ…第２の平衡信号端子
１６…封止樹脂層
１７ａ〜１７ｅ…弾性表面波共振子
１８…送信側弾性表面波フィルタチップ
１９…受信側弾性表面波フィルタチップ
２１…アンテナ端子
２２ａ…第１の受信端子
２２ｂ…第２の受信端子
２４…送信端子
２５…グラウンド端子
２６…バンプ
３３…直列腕
３７〜３９…並列腕
４１…第１の誘電体層
４２…第２の誘電体層
４３…第３の誘電体層
４４…第１の電極層
４５…第２の電極層
４５ａ〜４５ｊ…電極
４６…第３の電極層
４６ａ〜４６ｊ…電極
４７…第４の電極層
４７ａ〜４７ｌ…ランド電極
５１ａ〜５１ｌ…ビアホール電極
５２ａ〜５２ｊ…ビアホール電極
５３ａ〜５３ｊ…ビアホール電極
５５…グラウンド配線電極
Ｌ１〜Ｌ４…インダクタ
Ｐ１〜Ｐ３…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ３…直列腕共振子
Ｃ１…キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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