(57)【要約】  被成膜基板（２００）は、所定方向に配列された複数の蒸着領域（２４Ｒ・２４Ｇ）の各々に蒸着膜（２３Ｒ・２３Ｇ）が形成された被成膜基板であって、蒸着膜（２４Ｒ）は、被成膜基板（２００）の法線方向に対して傾斜した傾斜側面２３ｓを有し、蒸着膜（２３Ｒ）の上記所定方向の幅が、蒸着領域（２４Ｒ）の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域（２４Ｒ・２４Ｇ）間の領域（２９）の上記所定方向の幅との和よりも大きい。
2012099019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜が形成された被成膜基板であって、
上記蒸着膜は、上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、
上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きいことを特徴とする被成膜基板。
【請求項２】
上記傾斜側面を除く上記蒸着膜の上記所定方向の幅は、上記蒸着領域の上記所定方向の幅以上であることを特徴とする請求項１に記載の被成膜基板。
【請求項３】
上記傾斜側面の上記所定方向の幅は、上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の被成膜基板。
【請求項４】
上記蒸着膜の上記所定方向の中心と上記蒸着領域の上記所定方向の中心との上記所定方向の最大ずれ量は、上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅の１／２倍の長さ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の被成膜基板。
【請求項５】
上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の最大膜厚をＨとすると、上記傾斜側面の傾斜Ｈ／Ｂは１／２００以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の被成膜基板。
【請求項６】
上記傾斜側面の傾斜は、その上記所定方向の中央で最大となり、その上記所定方向の両端で上記中央における傾斜よりも緩やかになることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の被成膜基板。
【請求項７】
上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の最大膜厚をＨとすると、上記傾斜側面の傾斜Ｈ／Ｂは（π／２）×１／２００以下であることを特徴とする請求項６に記載の被成膜基板。
【請求項８】
上記傾斜側面の傾斜は、余弦関数により規定されることを特徴とする請求項６に記載の被成膜基板。
【請求項９】
上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の最大膜厚をＨ０とし、上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記傾斜側面の上記部分側の端部から反対側へと上記所定方向に沿ってｘだけ離れた位置での上記蒸着膜の膜厚をＨ（ｘ）とすると、Ｈ（ｘ）は式１により表されることを特徴とする請求項８に記載の被成膜基板。
【数１】
2012099019.tif 000006
【請求項１０】
少なくとも１つの上記蒸着膜は、その一方の上記傾斜側面が当該蒸着膜が形成されている蒸着領域の隣の蒸着領域と重なることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の被成膜基板。
【請求項１１】
上記蒸着膜は、その対応する上記蒸着領域の全体を被覆することを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の被成膜基板。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか１項に記載の被成膜基板を用いた有機ＥＬ表示装置であって、
上記被成膜基板上に、少なくとも、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順を備え、
上記有機層の少なくとも１つの層が上記蒸着膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
被成膜基板において所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜を形成する蒸着方法であって、
上記蒸着領域に対応する開口部を有する蒸着マスクと、上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備えたマスクユニットを準備する準備工程と、
上記蒸着マスクと上記被成膜基板との間の所定方向の相対的な位置関係を合わせる位置合わせ工程と、
上記蒸着源からの蒸着粒子を上記開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させることで、上記蒸着領域に上記蒸着膜を形成する形成工程と、
を備え、
上記形成工程では、
上記蒸着膜は、その対応する上記蒸着領域を被覆すると共に、その上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きくなるように形成されることを特徴とする蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜が形成された被成膜基板、有機ＥＬ表示装置および蒸着方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。【０００３】
そのような状況下、有機材料の電界発光（Electroluminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。【０００５】
有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。【０００６】
フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。【０００７】
このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎にパターン形成される（例えば特許文献１〜３参照）。【０００８】
発光層のパターン形成を行う方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。【０００９】
例えば、低分子型有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）では、従来、シャドウマスクを用いた蒸着法により、有機層の塗り分け形成を行っている。【００１０】
シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、基板の蒸着領域全体に蒸着できるサイズのシャドウマスク（密着型全面シャドウマスク）が使用される。一般的には、シャドウマスクとしては、基板と同等サイズのマスクが用いられる。【００１１】
図２６は、シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成を示す断面図である。【００１２】
シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、図２６に示すように、基板３０１と蒸着源３０２とを対向配置させ、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、シャドウマスク３０３に、蒸着領域の一部のパターンに対応した開口部３０４を設け、該開口部３０４を介して蒸着粒子を基板３０１に蒸着させることによりパターン形成を行う。【００１３】
基板３０１は、図示しない真空チャンバ内に配置され、基板３０１の下方には、蒸着源３０２が固定される。シャドウマスク３０３は、基板３０１に対して接近（または密着）させて固定されるか、もしくは、真空チャンバの内壁に基板３０１および蒸着源３０２が固定された状態で、基板３０１に対して相対移動される。【００１４】
例えば特許文献１には、ロードロック式の蒸着源を使用し、マスクと基板との位置合わせを行った後、第１の発光材料を基板の真下から真空蒸着して、マスクの開口部とほぼ同じ形状の第１発光部の配列を形成した後、マスクを移動して第２の発光材料を基板の真下から真空蒸着してマスクの開口部とほぼ同じ形状の第２発光部の配列を形成することが開示されている。【００１５】
特許文献２には、表示電極が設けられた基板上に、表示電極を囲むように基板上に突出する隔壁を設け、この隔壁の上面にマスクを載置して隔壁内の表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積させた後、１つの表示電極上から隣接する表示電極上にマスクの開口部が位置するようにマスクを移動させることにより、マスクの開口部とほぼ同じ形状の発光層を順次形成することが開示されている。【００１６】
また、シャドウマスクを用いた真空蒸着法は、発光層だけでなく、電極のパターン形成にも用いられている。【００１７】
例えば、特許文献４には、基板と同等サイズのマスクに、小径または細長いスリット孔を、マスクの移動方向に対し交差する方向に配列し、小径またはスリット孔の配列方向に沿ってマスクを移動させながら電極材料を蒸着させることで電極パターンを形成することが開示されている。【００１８】
このようにシャドウマスクを用いた真空蒸着法では、シャドウマスクは、撓みや歪みを抑制するために、張力をかけてマスクフレームに固定（例えば溶接）される。【００１９】
シャドウマスクを用いた真空蒸着法では、このようなシャドウマスクを基板に接近（または密着）させ、蒸着源から、シャドウマスクの開口部を通して基板の所望の位置に蒸着粒子を蒸着（付着）させることで、蒸着膜である発光層あるいは電極のパターン形成が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２０００−１８８１７９号公報（公開日：２０００年７月４日）（対応米国特許第６２９４８９２号（公告日：２００１年９月２５日））」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開平８−２２７２７６号公報（公開日：１９９６年９月３日）（対応米国特許第５，７４２１，２９号（公告日：１９９８年４月２１日））」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開平９−１６７６８４号公報（公開日：１９９７年６月２４日）（対応米国特許第５，６８８，５５１号（公告日：１９９７年１１月１８日））」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開平１０−１０２２３７号公報（公開日：１９９８年４月２１日）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、従来の蒸着法においては、光の混色、または非発光が発生しやすいという問題がある。図２７の（ａ）に示すように、基板３０１とマスク３０３とを接近させて蒸着膜３０５を形成する従来の蒸着法においては、図２７の（ｂ）に示すように、蒸着膜３０５のパターンずれが発生する場合がある。そしてこの蒸着膜３０５のパターンずれのために、（ｉ）画素３０６ａの発光領域３０７ａ上の蒸着膜３０５が隣接画素３０６ｂの発光領域３０７ｂに重なることによる混色（即ち色が混じったり、本来の色が発光しなくなること）、または（ii）当該画素３０６ａの発光領域３０７ａ上の蒸着膜３０５の一部欠落による非発光ないし短絡が発生していた。【００２２】
より詳細には、従来の蒸着法においては、図２７の（ｂ）に示すように、蒸着膜３０５の端部３０５ｔは急峻になっている。そのため、上記（ｉ）のように蒸着膜３０５が隣接画素３０６ｂの発光領域３０７ｂに重なる際には、蒸着膜３０５の全膜厚が隣接画素３０６ｂの発光領域３０７ｂに重なり、一方、上記（ii）のように当該画素３０６ａの発光領域３０７ａ上の蒸着膜３０５が一部欠落する際には、蒸着膜３０５が完全に存在しないことになる。【００２３】
すなわち、このような問題が発生した場合に、画素の発光特性に対して、蒸着膜３０５の全膜厚が影響することになり、画質への影響が大きい。【００２４】
したがって、上記（ｉ）の際には、隣接画素３０６ｂの発光特性を大きく阻害し（すなわち混色となり）、一方、上記（ii）の際には、当該画素３０６ａの発光領域３０７ａ内において、非発光部が形成されて輝度低下を招くとともに、短絡が発生して輝度低下、素子の損傷および寿命劣化が生じる。【００２５】
そして、このような問題により作製歩留りが低下し、製造コストが上昇するという問題がある。【００２６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、蒸着膜のパターンずれが生じても、画質への影響を低減できる被成膜基板、有機ＥＬ表示装置および蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記の課題を解決するために、本発明にかかる被成膜基板は、所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜が形成された被成膜基板であって、上記蒸着膜は、上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きいことを特徴としている。【００２８】
また、本発明にかかる蒸着方法は、被成膜基板において所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜を形成する蒸着方法であって、上記蒸着領域に対応する開口部を有する蒸着マスクと、上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備えたマスクユニットを準備する準備工程と、上記蒸着マスクと上記被成膜基板との間の所定方向の相対的な位置関係を合わせる位置合わせ工程と、上記蒸着源からの蒸着粒子を上記開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させることで、上記蒸着領域に上記蒸着膜を形成する形成工程と、を備え、上記形成工程では、上記蒸着膜は、その対応する上記蒸着領域を被覆すると共に、その上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きくなるように形成されることを特徴としている。【００２９】
上記の被成膜基板および蒸着方法によれば、蒸着膜の所定方向の幅が、蒸着領域の所定方向の幅と各蒸着領域間の領域の所定方向の幅との和よりも大きいので、蒸着膜が被成膜基板に対して所定方向に相対的にずれた場合でも、ずれた方向の反対側の傾斜側面が蒸着領域を被覆する。したがって、蒸着領域に蒸着膜の欠落および短絡が発生することを防止できる。【００３０】
また蒸着膜は、所定方向の両側に、被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有するので、蒸着膜が被成膜基板に対して相対的にずれて蒸着膜が隣の蒸着領域と重なっても、蒸着膜の傾斜側面だけが隣の蒸着領域に重なる。よって、蒸着膜の全膜厚（即ち蒸着膜の平坦部分の膜厚）が隣の蒸着領域に重ならないので、混色の度合いを低減できる。【００３１】
従って、蒸着膜が被成膜基板に対して相対的にずれても、膜の欠落および短絡と、混色の度合いの低減とを両立できる。これにより、蒸着膜の被成膜基板に対する相対的なずれに対してマージンの高い蒸着が可能となり、歩留まりを向上でき、製造コストを低減できる。よって、蒸着膜のパターンずれが生じても画質への影響を低減できる。
【発明の効果】
【００３２】
以上のように、本発明にかかる被成膜基板は、所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜が形成された被成膜基板であって、上記蒸着膜は、上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きいものである。【００３３】
また本発明にかかる蒸着方法は、被成膜基板において所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着膜を形成する蒸着方法であって、上記蒸着領域に対応する開口部を有する蒸着マスクと、上記蒸着マスクに対向配置された蒸着源とを備えたマスクユニットを準備する準備工程と、上記蒸着マスクと上記被成膜基板との間の所定方向の相対的な位置関係を合わせる位置合わせ工程と、上記蒸着源からの蒸着粒子を上記開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させることで、上記蒸着領域に上記蒸着膜を形成する形成工程と、を備え、上記形成工程では、上記蒸着膜は、その対応する上記蒸着領域を被覆すると共に、その上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きくなるように形成されるものである。【００３４】
よって、蒸着膜が被成膜基板に対して相対的にずれても、膜の欠落および短絡と、混色の度合いの低減とを両立できる。よって、蒸着膜のパターンずれが生じても画質への影響を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側から見た平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１にかかる被成膜基板および蒸着マスクのアライメントマーカの形状の一例を示す図である。
【図６】ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。
【図８】図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態１にかかる蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。
【図１１】アライメント調整方法を示すフローチャートである。
【図１２】蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。
【図１３】蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。
【図１４】本発明の実施の形態１にかかる蒸着方法におけるマスク開口部の幅と発光領域の幅とが同じ大きさである場合であって、（ａ）は、発光層のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、発光層のパターンずれが有る状態の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１にかかる発光層の傾斜側面の上限および下限を説明する図である。
【図１６】（ａ）は、発光層の傾斜側面が平面である場合のノズル開口の形状の一例を示す図であり、（ｂ）は、発光層の傾斜側面が曲面である場合のノズル開口の形状の一例を示す図である。
【図１７】ノズル開口の形状と傾斜側面との関係を説明する。
【図１８】本発明の実施の形態１にかかる蒸着方法におけるマスク開口部の幅が発光領域の幅よりも大きい場合であって、（ａ）は、発光層のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、発光層のパターンずれが有る状態の断面図である。
【図１９】従来の蒸着方法におけるマスク開口部の幅が標準的な大きさである場合であって、（ａ）は、発光層のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、発光層のパターンずれが有る状態の断面図である。
【図２０】従来の蒸着方法におけるマスク開口部の幅が小さめである場合であって、（ａ）は、発光層のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、発光層のパターンずれが有る状態の断面図である。
【図２１】従来の蒸着方法におけるマスク開口部の幅が大きめである場合であって、（ａ）は、発光層のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、発光層のパターンずれが有る状態の断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態１にかかる蒸着方法における発光層の傾斜側面が曲面である場合であって、（ａ）は、発光層のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、発光層のパターンずれが有る状態の断面図である。
【図２３】発光層の傾斜側面が余弦関数である場合の発光層の膜厚と幅との関係を説明する図である。
【図２４】本発明の実施の形態２にかかる蒸着装置の構成概略図である。
【図２５】図２４のXXV- XXV断面図である。
【図２６】シャドウマスクを用いた従来の蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【図２７】従来の蒸着方法であって、（ａ）は、蒸着膜のパターンずれが無い状態の断面図であり、（ｂ）は、蒸着膜のパターンずれが有る状態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００３７】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図２１に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００３８】
本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。
【００３９】
まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。
【００４０】
図６は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図８は、図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００４１】
図６に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図８参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
【００４２】
図６に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
【００４３】
上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
【００４４】
ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図７に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
【００４５】
有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
【００４６】
すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域（蒸着領域）２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂが画成されている。
【００４７】
画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。
【００４８】
各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂとして、ストライプ状の各色の発光層（蒸着膜）２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。なお、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂは、ストライプ状に形成されており、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂはそれぞれ、その対応する発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ上に形成されることで、ストライプ状に形成されている。
【００４９】
これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂについては後述する。
【００５０】
これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
【００５１】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。
【００５２】
まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。
【００５３】
ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。
【００５４】
上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
【００５５】
層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
【００５６】
層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
【００５７】
また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
【００５８】
エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
【００５９】
エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１のパターン端部を被覆するように形成されている。
【００６０】
エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。
【００６１】
言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。
【００６２】
なお、図８では、一例としてエッジカバー１５が各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂを仕切る素子分離膜として機能する場合で図示されるが、必ずしも、エッジカバー１５が素子分離膜として機能する必要はない。以下では、エッジカバー１５が素子分離膜として機能しないように薄く形成される場合を想定して説明する。なお、この場合、エッジカバー１５を省略しても構わない。
【００６３】
次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。
【００６４】
有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。
【００６５】
第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
【００６６】
第１電極２１と第２電極２６との間には、図８に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。
【００６７】
なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
【００６８】
正孔注入層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
【００６９】
なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
【００７０】
正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
【００７１】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
【００７２】
電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から電子輸送層２４への電子注入効率を高める機能を有する層である。
【００７３】
電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００７４】
なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
【００７５】
第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００７６】
なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
【００７７】
上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。
【００７８】
また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
【００７９】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。
【００８０】
図９は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【００８１】
図９に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。
【００８２】
以下に、図９に示すフローチャートに従って、図６および図８を参照して上記した各工程について説明する。
【００８３】
但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
【００８４】
また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。
【００８５】
まず、図８に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。
【００８６】
上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００〜５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００〜４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
【００８７】
層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図８に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。
【００８８】
上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。
【００８９】
次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。
【００９０】
次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。
【００９１】
次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。
【００９２】
なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。
【００９３】
また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
【００９４】
上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。
【００９５】
次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。
【００９６】
以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。
【００９７】
次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
【００９８】
次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。
【００９９】
具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。
【０１００】
ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。
【０１０１】
正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、鎖状式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
【０１０２】
正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０１０３】
本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。
【０１０４】
次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。
【０１０５】
前記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。
【０１０６】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。
【０１０７】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０１０８】
本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。
【０１０９】
本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。
【０１１０】
次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。
【０１１１】
続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。
【０１１２】
電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
【０１１３】
具体的には、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリン、およびこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ等が挙げられる。
【０１１４】
前記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１〜１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０〜２００ｎｍである。
【０１１５】
本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。
【０１１６】
次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。
【０１１７】
第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍである。
【０１１８】
本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。
【０１１９】
次いで、図６に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。
【０１２０】
上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４〜１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
【０１２１】
なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。
【０１２２】
なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。
【０１２３】
また、上記第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。
【０１２４】
上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍである。
【０１２５】
上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。
【０１２６】
このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へ正孔が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。
【０１２７】
上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。
【０１２８】
次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。
【０１２９】
図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板の裏面側（つまり蒸着面とは反対側）から見た平面図である。なお、図示の便宜上、図１において、被成膜基板は二点鎖線にて示している。また、図２は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素の鳥瞰図である。図３は、本実施の形態にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図３は、図１に示すＢ−Ｂ線矢視断面から見たときの蒸着装置の断面に相当する。図４は、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成の一部を示すブロック図である。
【０１３０】
図３に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ６０（成膜チャンバ）、基板移動機構７０（基板移動手段、移動手段）、マスクユニット８０、イメージセンサ９０、および制御回路１００（図４参照）を備えている。
【０１３１】
上記真空チャンバ６０内には、図３に示すように、基板移動機構７０およびマスクユニット８０が設けられている。
【０１３２】
なお、上記真空チャンバ６０には、蒸着時に該真空チャンバ６０内を真空状態に保つために、該真空チャンバ６０に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ６０内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。
【０１３３】
上記基板移動機構７０は、例えば、被成膜基板２００（例えばＴＦＴ基板１０）を保持する基板保持部材７１（基板保持手段）と、モータ７２（図４参照）とを備えている。
【０１３４】
上記基板移動機構７０は、基板保持部材７１により被成膜基板２００を保持するとともに、後述するモータ駆動制御部１０３（図４参照）によってモータ７２を駆動させることで、被成膜基板２００を保持して水平方向に移動させる。なお、上記基板移動機構７０は、ｘ軸方向およびｙ軸方向の何れにも移動可能に設けられていてもよく、何れか一方向に移動可能に設けられていてもよい。
【０１３５】
なお、図１に示すように、ｘ軸方向は、基板走査方向に沿った方向であり、ｙ軸方向は、基板走査方向に直交する方向（以後、走査直交方向と呼ぶ）に沿った方向である。
【０１３６】
上記基板保持部材７１には、静電チャックが使用される。被成膜基板２００は、上記静電チャックにより、自重による撓みがない状態で、上記マスクユニット８０における後述するシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（空隙、垂直間距離）が所定の間隔に保持されている。
【０１３７】
ここでは、隙間ｇ１は、図１４の（ａ）に示すように、各発光層２３Ｒ・２３Ｂ・２３Ｇにおける走査直交方向（所定方向）の両側の側面がそれぞれ被成膜基板２００の法線方向に対して緩やかな傾斜側面２３ｓとなるように、所定の間隔に保持されている（なお、図１４では、作図便宜上、発光層２３Ｒだけが図示されるが、各発光層２３Ｇ・２３Ｂについても同様である）。即ち、本実施の形態では、蒸着源８５から射出される蒸着粒子はある広がりを持って射出されることを利用し、隙間ｇ１を所定の間隔に調整することで、傾斜側面２３ｓが緩やかな傾斜となる様にしている。
【０１３８】
この所定の隙間ｇ１の下では、傾斜側面２３ｓの傾斜は、図１５に示すように設定される。即ち、傾斜側面２３ｓにおける走査直交方向（ｙ軸方向）の幅をＢとし、発光層２３Ｒ・２３Ｂ・２３Ｇにおける傾斜側面２３ｓを除いた平坦部分２３ｔの最大膜厚をＨとすると、傾斜側面２３ｓの傾斜Ｈ／Ｂは、その絶対値が１／２００以下となるように設定される。なお、図１５では、傾斜側面２３ｓの傾斜が均一的にＨ／Ｂの場合が図示されている。即ちこのＨ／Ｂは、傾斜側面２３ｓの傾斜の取り得る範囲の上限を表している。この上限は、Ｈ＝５００Å（ＭＡＸ）、Ｂ＝１０μｍであるとき、Ｈ／Ｂ＝１／２００となる。
【０１３９】
なお、傾斜側面２３ｓの傾斜の下限は、特に無いが、平均的な傾斜の現実の下限は、例えば発光領域（例えば２４Ｒ）と隣の発光領域（例えば２４Ｇ）との間の非発光領域（非蒸着領域）２９（図１４参照）における走査直交方向（ｙ軸方向）の幅をＣとすると、Ｈ／Ｃにより決定される。平均的な傾斜の下限がこれを越えると、隣の発光領域内に蒸着膜が必ず形成されることになる。
【０１４０】
なお、幅Ｂの長さは、例えば、非発光領域２９の幅Ｃ（ここではＣ＝２０μｍ）よりも小さく設定されている（より詳細にはここでは、幅Ｂの長さは、幅Ｃの１／２倍よりも大きく且つ幅Ｃよりも小さい長さ（例えば１５μｍ））に設定されている）。
【０１４１】
上記被成膜基板２００とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１は、５０μｍ以上、３ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは２００μｍ程度である。
【０１４２】
一方、上記隙間ｇ１が３ｍｍを越えると、シャドウマスク８１の開口部８２を通過した蒸着粒子が広がって、形成される蒸着膜２１１のパターン幅が広くなり過ぎる。例えば上記蒸着膜２１１が、発光層２３Ｒである場合、上記隙間ｇ１が３ｍｍを越えると、隣接サブ画素であるサブ画素２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｇ・１５Ｂにも発光層２３Ｒの材料が蒸着されてしまうおそれがある。
【０１４３】
また、上記隙間ｇ１が２００μｍ程度であれば、被成膜基板２００がシャドウマスク８１に接触するおそれもなく、また、蒸着膜２１１のパターン幅の広がりも十分に小さくすることができる。
【０１４４】
また、マスクユニット８０は、図３に示すように、シャドウマスク８１（蒸着マスク）と、蒸着源８５と、マスク保持部材８７（保持手段）と、マスクテンション機構８８と、シャッタ８９（図４参照）とを備えている。
【０１４５】
上記シャドウマスク８１としては、例えば金属製のマスクが用いられる。
【０１４６】
上記シャドウマスク８１は、例えば、被成膜基板２００の表示領域２１０よりも面積が小さく、その少なくとも１辺が、被成膜基板２００の表示領域２１０の幅よりも短く形成されている。
【０１４７】
本実施の形態では、上記シャドウマスク８１として、以下の大きさを有する矩形状（帯状）のシャドウマスクを使用する。上記シャドウマスク８１は、図１に示すように、その長手方向（長軸方向）の長さである長辺８１ａの幅ｄ１が、表示領域２１０における、上記シャドウマスク８１の長辺８１ａに対向する辺（図１に示す例では表示領域２１０の長辺２１０ａ）の幅ｄ３よりも長くなるように形成されている。また、上記シャドウマスク８１は、その短手方向（短軸方向）の長さである短辺８１ｂの幅ｄ２が、表示領域２１０における、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂに対向する辺（図１に示す例では表示領域２１０の短辺２１０ｂ）の幅ｄ４よりも短くなるように形成されている。
【０１４８】
上記シャドウマスク８１には、図１および図２に示すように、例えば帯状（ストライプ状）の開口部８２（貫通口）が、一次元方向に複数配列して設けられている。上記開口部８２は、被成膜基板２００への蒸着膜２１１（図３参照）のパターン形成として、例えばＴＦＴ基板１０における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの同色列のサイズとピッチに合わせて形成されている。
【０１４９】
即ち、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが形成される発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅と同じ幅に形成されている。これにより、本実施の形態では、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂにおける傾斜側面２３ｓを除いた平坦部分２３ｔにおける走査直交方向の幅は、発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの同方向の幅と同じ大きさに形成される（図１４参照）。
【０１５０】
また、上記シャドウマスク８１には、図１に示すように、例えば、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部８３が設けられており、該アライメントマーカ部８３に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ（アライメント）を行うためのアライメントマーカ８４（図３参照）が設けられている。
【０１５１】
本実施の形態では、上記アライメントマーカ部８３は、図１に示すように、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂ（短軸）に沿って設けられている。
【０１５２】
また、上記したようにシャドウマスク８１として、その長辺８１ａの幅ｄ１が、表示領域２１０における対向する辺の幅ｄ３よりも長く、短辺８１ｂの幅ｄ２が、表示領域２１０における対向する辺の幅ｄ４よりも短いシャドウマスクを使用することで、その長手方向両側部（つまり、両短辺８１ｂ・８１ｂ）にアライメントマーカ部８３を形成することができる。したがって、アライメントを容易かつより精密に行うことができる。
【０１５３】
一方、被成膜基板２００には、図１に示すように、表示領域２１０の外側に、被成膜基板２００の走査方向（基板走査方向）に沿って、アライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせを行うためのアライメントマーカ２２１（図３参照）が設けられている。
【０１５４】
本実施の形態では、上記アライメントマーカ部２２０は、図１に示すように、被成膜基板２００の表示領域２１０の短辺２１０ｂ（短軸）に沿って設けられている。
【０１５５】
なお、後述（即ち図１４）のように、アライメントマーカ８４・２２１により、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と、各発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂに対応する発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅の中心とが略一致するように、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な位置合わせが行われる。
【０１５６】
本実施の形態では、上記ストライプ状の開口部８２は、基板走査方向であるシャドウマスク８１の短辺方向に延設されているとともに、基板走査方向に直交するシャドウマスク８１の長辺方向に複数並んで設けられている。
【０１５７】
蒸着源８５は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器であり、図１〜図３に示すように、シャドウマスク８１との間に一定の隙間ｇ２（空隙）を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。
【０１５８】
なお、上記蒸着源８５は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有する容器であってもよい。
【０１５９】
上記蒸着源８５は、例えば、上方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。
【０１６０】
上記蒸着源８５は、シャドウマスク８１との対向面に、上記蒸着材料を蒸着粒子として射出（飛散）させる複数の射出口８６を有している。
【０１６１】
ここでは、射出口（即ちノズル開口）８６の形状は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの傾斜側面２３ｓが平面になるように、図１６に示すように、一方の対辺が走査直交方向（ｙ軸方向）に沿った矩形状に形成されている。
【０１６２】
即ち、図１７に示すように、蒸着源８５から表示領域２１０上の各地点Ａ・Ｂに到達する蒸着粒子を考える。各地点Ａ・Ｂでは、シャドウマスク８１によって蒸着粒子の入射角度αＡ・αＢが各々制限される。したがって、蒸着源８５から入射角度αＡ以上の角度で射出される蒸着粒子のみが地点Ａに入射し、蒸着源８５から入射角度αＢ以上の角度で射出される蒸着粒子のみが地点Ｂに入射することになる。即ち、図１７においては、地点Ａに対しては、蒸着源８５の地点Ａ’よりも左側から射出される蒸着粒子だけが到達し、地点Ｂに対しては、地点Ｂ’よりも左側から射出される蒸着粒子だけが到達する。
【０１６３】
よって、図１６の（ａ）に示すように、蒸着源８５の射出口８６の形状が矩形をしており、各地点Ａ’・Ｂ’が射出口８６上に図１６の（ａ）のように位置している場合（即ち、各地点Ａ’・Ｂ’が、それぞれノズル開口長８６ｘの方向に沿って直線状に伸びて配置され、且つ互いにノズル開口幅８６ｙの方向（即ち走査直交方向（ｙ軸方向））に並ぶように配列している場合）は、地点Ａの発光層（例えば２３Ｒ）の成膜に貢献し得る射出口８６の有効範囲はＮＡの範囲となり、この有効範囲ＮＡから射出される蒸着粒子のみが地点Ａに到達する。同様に、地点Ｂに対しては、有効範囲ＮＢから射出される蒸着粒子のみが地点Ｂに到達する。
【０１６４】
ここでは、ノズル開口長８６ｘが一定であるので、地点Ａから地点Ｂへと地点が変化するに連れて、その地点に対する上記の有効範囲の面積は一律に減少する。この結果、図１７に示すように、表示領域２１０において入射角度がシャドウマスク８１により制限された領域２１０ｓでは、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は、地点Ｂ側の端部２１０ｓ１から地点Ａ側の端部２１０ｓ２へ進むに連れて一律に薄くなる。このように一律に薄くなる部分が傾斜側面２３ｓとなる。このような理由で、蒸着源８５の射出口８６の形状を矩形状にすると、傾斜側面２３ｓは平面状の斜面となる。
【０１６５】
なお、本実施の形態では、傾斜側面２３ｓは平面状の斜面に形成されるが（即ち傾斜側面２３ｓの傾斜形状は直線状に形成されるが）、曲面状の斜面に形成されてもよい（即ち傾斜側面２３の傾斜形状は曲線状に形成されてもよい）。例えば図１６の（ｂ）の示すように、射出口８６を矩形の四隅を例えば円弧状に面取りした形状にした場合は、各有効範囲ＮＡ・ＮＢにおいてノズル開口幅８６ｙが一定とならないので、地点Ａから地点Ｂへと地点が変化したときに、その地点での有効範囲の面積は一律に減少しない（この場合、上記の円弧状に応じて減少する）。よって、この場合の傾斜側面２３ｓの傾斜形状は曲線状となる。
【０１６６】
この事から、射出口８６の形状を適宜形状に設定することで、傾斜側面２３ｓの傾斜形状を所望の形状に形成できることが分かる。なお、この様な方法に限らず、他の方法を用いて傾斜側面２３ｓの傾斜形状を所望の形状に形成してもよい。
【０１６７】
本実施の形態では、上記したように蒸着源８５が被成膜基板２００の下方に配されており、被成膜基板２００が、上記表示領域２１０が下方を向いている状態で基板保持部材７１により保持される。このため、本実施の形態では、蒸着源８５は、シャドウマスク８１の開口部８２を介して蒸着粒子を下方から上方に向かって被成膜基板２００に蒸着（アップデポジション、以下、「デポアップ」と記す）させる。
【０１６８】
上記射出口８６は、図１および図２に示すように、シャドウマスク８１の開口領域において開口するように、それぞれ、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して設けられている。本実施の形態では、上記射出口８６は、シャドウマスク８１の開口部８２に対向して、シャドウマスク８１の開口部８２の並設方向に沿って一次元配列されている。
【０１６９】
このため、図１および図２に示すように、被成膜基板２００の裏面側から見たときに（つまり平面視で）、上記蒸着源８５におけるシャドウマスク８１との対向面（すなわち、射出口８６の形成面）は、例えば、矩形状（帯状）のシャドウマスク８１の形状に合わせて、矩形状（帯状）に形成されている。
【０１７０】
上記マスクユニット８０において、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されている。すなわち、上記シャドウマスク８１と上記蒸着源８５の射出口８６の形成面との間の隙間ｇ２は、常に一定に保たれているとともに、上記シャドウマスク８１の開口部８２の位置と上記蒸着源８５の射出口８６の位置とは、常に同じ位置関係を有している。
【０１７１】
なお、上記蒸着源８５の射出口８６は、上記マスクユニット８０を上記被成膜基板２００の裏面から見たときに（つまり、平面視で）、上記シャドウマスク８１の開口部８２の中央に位置するように配置されている。
【０１７２】
上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、図３に示すように、マスクテンション機構８８を介して上記シャドウマスク８１および蒸着源８５を保持・固定するマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）に備えられ、これにより一体化されることで、その相対的な位置が保持・固定されている。
【０１７３】
またシャドウマスク８１は、マスクテンション機構８８により、テンション（張力）が加えられ、自重によるたわみや延びが発生しないように適宜調整されている。
【０１７４】
上記したように、上記蒸着装置５０においては、被成膜基板２００が、基板保持部材７１（静電チャック）にて吸着板に吸着されることで自重による撓みが防止されており、マスクテンション機構８８によってシャドウマスク８１にテンションが加えられていることで、被成膜基板２００とシャドウマスク８１とが平面上で重なる領域の全面に渡って、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との距離が一定に保持されている。
【０１７５】
また、シャッタ８９は、蒸着粒子のシャドウマスク８１への到達を制御するために、必要に応じて用いられる。シャッタ８９は、後述する蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４（図４参照）からの蒸着ＯＦＦ信号もしくは蒸着ＯＮ信号に基づいてシャッタ駆動制御部１０５（図４参照）によって閉鎖もしくは開放される。
【０１７６】
上記シャッタ８９は、例えば、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能（挿入可能）に設けられている。シャッタ８９は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に挿入されることでシャドウマスク８１の開口部８２を閉鎖する。このように、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間にシャッタ８９を適宜差し挟むことで、余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。
【０１７７】
なお、上記蒸着装置５０において、蒸着源８５から飛散した蒸着粒子はシャドウマスク８１内に飛散するように調整されており、シャドウマスク８１外に飛散する蒸着粒子は、防着板（遮蔽板）等で適宜除去される構成としてもよい。
【０１７８】
また、上記真空チャンバ６０の外側には、撮像手段（画像読取手段）として例えばＣＣＤを備えたイメージセンサ９０（図４参照）が設けられているとともに、制御手段として、上記イメージセンサ９０に接続された制御回路１００が設けられている。
【０１７９】
上記イメージセンサ９０は、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との位置合わせ（シャドウマスク８１の各開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と、被成膜基板２００の各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅の中心とを一致させるための位置合わせ）を行うための位置検出手段として機能する。
【０１８０】
また、制御回路１００は、画像検出部１０１、演算部１０２、モータ駆動制御部１０３、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４、およびシャッタ駆動制御部１０５を備えている。
【０１８１】
前記したように、被成膜基板２００には、図１に示すように、表示領域２１０の外側に、例えば基板走査方向に沿ってアライメントマーカ部２２０が設けられており、該アライメントマーカ部２２０に、アライメントマーカ２２１が設けられている。
【０１８２】
画像検出部１０１は、イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１並びにシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行うとともに、被成膜基板２００に設けられたアライメントマーカ２２１における、表示領域２１０の始端を示す始端マーカ、および、表示領域２１０の終端を示す終端マーカから、被成膜基板２００の表示領域２１０の始端および終端を検出する。
【０１８３】
なお、上記始端マーカと終端マーカとは、同じものであってもよい。この場合、基板走査方向にて、表示領域２１０の始端か終端かを判断する。
【０１８４】
また、上記演算部１０２は、画像検出部１０１で検出された画像より、被成膜基板２００とシャドウマスク８１との相対的な移動量（例えばシャドウマスク８１に対する被成膜基板２００の移動量）を決定する。例えば、上記演算部１０２は、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量（ｘ軸方向およびｙ軸方向におけるズレ成分、並びに、ｘｙ平面における回転成分）を計算し、被成膜基板２００の基板位置の補正値を演算して決定する。つまり、上記補正値は、基板走査方向に対して垂直な方向および被成膜基板２００の回転方向に関して演算することで決定される。
【０１８５】
なお、ここで、被成膜基板の回転方向とは、被成膜基板２００の被成膜面の中心におけるｚ軸（即ちｘ軸およびｙ軸の両方に直交する軸）を回転軸とした、ｘｙ平面内での回転の方向を示す。
【０１８６】
上記補正値は、補正信号としてモータ駆動制御部１０３に出力され、モータ駆動制御部１０３は、上記演算部１０２からの補正信号に基づいて、基板保持部材７１に接続されたモータ７２を駆動することで、被成膜基板２００の基板位置を補正する。
【０１８７】
なお、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正については、アライメントマーカ８４・２２１の形状例と併せて後述する。
【０１８８】
モータ駆動制御部１０３は、モータ７２を駆動することで、シャドウマスク８１の各開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と、各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂの走査直交方向の幅の中心とを一致させた状態で、被成膜基板２００を、前記したように水平方向（ｘ軸方向）に移動させる。
【０１８９】
蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号を発生させ、画像検出部１０１で表示領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ（オン）信号を発生させる。
【０１９０】
シャッタ駆動制御部１０５は、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する一方、上記蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する。
【０１９１】
次に、アライメントマーカ８４・２２１を用いた基板位置補正並びにアライメントマーカ８４・２２１の形状例について説明する。
【０１９２】
図５の（ａ）〜（ｃ）に、上記アライメントマーカ８４・２２１の形状の一例を示す。なお、図５の（ｂ）・（ｃ）は、それぞれ、図示の都合上、並列して配置されたアライメントマーカ８４・２２１のうち２つだけを抜粋して示している。
【０１９３】
演算部１０２は、画像検出部１０１で検出したアライメントマーカ８４・２２１の画像から、ｘ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｒおよびｙ軸方向におけるアライメントマーカ８４・２２１の端部（外縁部）間の距離ｑを測定（算出）することで、アライメントのズレ量を計算して基板位置の補正値を演算する。
【０１９４】
例えば、基板走査方向がｘ軸方向である場合、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが基板走査方向における上記端部間の距離であり、ｑが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離である。演算部１０２は、距離ｒと距離ｑとを、例えば被成膜基板２００における表示領域２１０の両側で測定（算出）することで、基板走査時におけるアライメントのズレ量を計算する。
【０１９５】
なお、本実施の形態では、被成膜基板２００を走査しながらシャドウマスク８１と被成膜基板２００とのアライメントを行う場合を例に挙げて説明するが、これに限らず、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わないことも可能である。
【０１９６】
例えば、被成膜基板２００を被成膜基板２００の表示領域２１０の一辺（例えば、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｙ軸方向）に沿って移動させた後、上記辺に直交する辺（例えば、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｘ軸方向）に沿って移動させることが考えられる。この場合、図５の（ａ）〜（ｃ）中、ｒが、基板走査方向に垂直な方向の上記端部間の距離であり、ｑは、被成膜基板２００の移動方向（シフト方向）の上記端部間の距離を示す。
【０１９７】
この場合、演算部１０２は、四隅のアライメントマーカにおける、距離ｒと距離ｑとを測定することで、基板走査開始時におけるアライメントのズレ量と被成膜基板２００の移動（シフト）時のアライメントのズレ量とを計算する。
【０１９８】
なお、図５の（ａ）〜（ｃ）に示すように、アライメントマーカ８４・２２１の形状は、帯状であってもよく、正方形等の四角形状であってもよく、枠状、十字状等であってもよい。アライメントマーカ８４・２２１の形状は、特に限定されるものではない。
【０１９９】
また、上記したように、基板走査前に十分なアライメントを行い、基板走査中はアライメントを行わない場合、被成膜基板２００の表示領域２１０の側面に沿ってアライメントマーカ２２１が配置されている必要はなく、被成膜基板２００の四隅等に配置されていればよい。
【０２００】
次に、本実施の形態にかかる上記蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として用いて、有機ＥＬ層をパターン形成する方法について詳述する。
【０２０１】
なお、以下の説明では、前記したように、被成膜基板２００として、前記正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）が終了した段階でのＴＦＴ基板１０を使用し、有機ＥＬ層のパターン形成として、発光層蒸着工程（Ｓ３）において発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合を例に挙げて説明する。
【０２０２】
なお、本実施の形態では、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ２（すなわち、蒸着源８５の射出口８６形成面とシャドウマスク８１との間の距離）を１００ｍｍとし、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の距離を２００μｍとした。
【０２０３】
上記ＴＦＴ基板１０の基板サイズは、走査方向が３２０ｍｍ、走査方向に垂直な方向が４００ｍｍとし、表示領域の幅は、走査方向の幅（幅ｄ４）が２６０ｍｍ、走査方向に垂直な方向の幅（幅ｄ３）が３１０ｍｍとした。
【０２０４】
また、上記ＴＦＴ基板１０における各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの幅は、３６０μｍ（走査方向）×１４０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。また、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチは４８０μｍ（走査方向）×１６０μｍ（走査方向に垂直な方向）とした。なお、上記開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチ（画素開口部間ピッチ）は、隣り合うサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおけるそれぞれの開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ間のピッチを示しており、同色サブ画素間のピッチではない。
【０２０５】
また、シャドウマスク８１には、長辺８１ａ（長軸方向）の幅ｄ１（走査方向に垂直な方向の幅）が６００ｍｍ、短辺８１ｂ（短軸方向）の幅ｄ２（走査方向の幅）が２００ｍｍのシャドウマスクを用いた。また、シャドウマスク８１の開口部８２の開口幅は、１５０ｍｍ（長軸方向の幅ｄ５；図１参照）×１４０μm（短軸方向の幅ｄ６；図１参照）とし、隣り合う開口部８２・８２間の間隔ｄ８（図１参照）は３４０μｍとし、隣り合う開口部８２・８２の中心間のピッチｐ（図１参照）は４８０μｍとした。
【０２０６】
なお、本実施の形態において、上記シャドウマスク８１の短辺８１ｂの幅ｄ２（短辺長）としては、２００ｍｍ以上であることが好ましい。この理由は以下の通りである。
【０２０７】
つまり、蒸着レートは１０ｎｍ／ｓ以下が好ましく、これを越えると、蒸着された膜（蒸着膜）の均一性が低下し、有機ＥＬ特性が低下する。
【０２０８】
また、蒸着膜の膜厚は一般に１００ｎｍ以下である。１００ｎｍ以上となると、必要な印加電圧が高くなり、結果として、製造された有機ＥＬ表示装置の消費電力が増加する。したがって、蒸着レートと蒸着膜の膜厚とから、必要な蒸着時間は１０秒と見積もられる。
【０２０９】
一方、処理能力（タクトタイム）の制限によって、例えば幅２ｍのガラス基板に対して蒸着を１５０秒で完了するためには、少なくとも、走査速度を１３．３ｍｍ／ｓ以上にする必要がある。処理時間１５０秒は、およそ一日当たり５７０枚を処理できるタクトタイムである。
【０２１０】
上記走査速度で、上記したように１０秒の蒸着時間を得るためには、シャドウマスク８１の開口部８２は、走査方向に少なくとも１３３ｍｍ以上、開口している必要がある。
【０２１１】
開口部８２の端からシャドウマスク８１の端までの距離（マージン幅ｄ７；図１参照）を３０ｍｍ程度が妥当と想定した場合、シャドウマスク８１の走査方向の幅は、１３３＋３０＋３０≒２００ｍｍが必要となる。
【０２１２】
したがって、シャドウマスク８１の短辺長（幅ｄ２）は、２００ｍｍ以上であることが好ましいと言える。但し、蒸着レートや蒸着膜の膜厚、タクトタイムの許容量が変化すればこの限りではない。
【０２１３】
また、本実施の形態において、上記ＴＦＴ基板１０の走査速度は３０ｍｍ／ｓとした。
【０２１４】
図１０は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を用いてＴＦＴ基板１０に所定のパターンを成膜する方法の一例を示すフローチャートである。
【０２１５】
以下に、上記蒸着装置５０を用いて図１０に示す発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを成膜する方法について、図１０に示すフローにしたがって具体的に説明する。
【０２１６】
まず、図３に示すように、マスク保持部材８７を用いて、マスクテンション機構８８を介して、シャドウマスク８１を真空チャンバ６０内の蒸着源８５上に設置（固定）し、自重による撓みや延びが発生しないように、マスクテンション機構８８にてテンションをかけて水平に保持する。このとき、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間の距離を、マスク保持部材８７によって一定に保持すると同時に、基板走査方向とシャドウマスク８１に形成されたストライプ状の開口部８２の長軸方向とが一致するように、シャドウマスク８１のアライメントマーカ８４を用いて位置合わせすることで、マスクユニット８０を組み立てる（マスクユニットの準備）。
【０２１７】
次に、上記真空チャンバ６０にＴＦＴ基板１０を投入し、該ＴＦＴ基板１０の同色サブ画素列の方向が基板走査方向に一致するように、被成膜基板２００であるＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１を用いて、図１０に示すように粗アライメントを行う（Ｓ１１）。ＴＦＴ基板１０は、自重による撓みが発生しないように、基板保持部材７１により保持する。
【０２１８】
続いて、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との粗アライメントを行い（Ｓ１２）、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１（基板−マスクギャップ）が一定になるようにギャップ調整を行うと共に、ＴＦＴ基板１０上の発光領域２４Ｒの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心とシャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向の幅の中心とが一致するように、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを対向配置させることにより、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との位置合わせを行う（Ｓ１３）。本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１との間の隙間ｇ１が、ＴＦＴ基板１０全体に渡って凡そ２００μｍとなるようにギャップ調整した。
【０２１９】
次に、上記ＴＦＴ基板１０を、３０ｍｍ／ｓにて走査しながら、該ＴＦＴ基板１０に、赤色の発光層２３Ｒの材料を蒸着させた。
【０２２０】
このとき、上記ＴＦＴ基板１０が、上記シャドウマスク８１上を通過するように基板走査を行った。また、シャドウマスク８１の開口部８２が、赤色のサブ画素２Ｒ列に一致するように（即ち開口部８２における走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心が、サブ画素２Ｒの発光領域２４Ｒの同方向の幅の中心に一致するように）、上記アライメントマーカ８４・２２１を用いて、走査と同時に精密なアライメントを行った（Ｓ１４）。
【０２２１】
上記発光層２３Ｒは、その材料に、３−フェニル−４（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、ビス（２−(２’−ベンゾ[４，５−α]チエニル)ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（アセチルアセトネート）(ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）)（赤色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．５３ｎｍ／ｓとして、これら材料（赤色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。
【０２２２】
蒸着源８５から射出された上記赤色有機材料の蒸着粒子は、上記ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を通過するときに、シャドウマスク８１の開口部８２を通じて、ＴＦＴ基板１０におけるシャドウマスク８１の開口部８２に対向する位置（即ち発光領域２４Ｒ）に蒸着される。本実施の形態においては、上記ＴＦＴ基板１０がシャドウマスク８１上を完全に通過した後には、上記赤色有機材料が、膜厚２５ｎｍにて上記ＴＦＴ基板１０の発光領域２４Ｒに蒸着された。
【０２２３】
ここで、上記Ｓ１４におけるアライメントの調整方法について、図１１を参照して以下に説明する。
【０２２４】
図１１は、アライメント調整方法を示すフローチャートである。アライメントの調整は、図１１に示すフローに従って行われる。
【０２２５】
まず、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置を、イメージセンサ９０にて取り込む（Ｓ２１）。
【０２２６】
次に、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、画像検出部１０１にて、上記ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行う（Ｓ２２）。
【０２２７】
その後、上記画像検出部１０１にて検出されたアライメントマーカ２２１・８４の画像から、演算部１０２にて、アライメントマーカ２２１とアライメントマーカ８４とのズレ量を計算し、基板位置の補正値を演算して決定する（Ｓ２３）。
【０２２８】
次いで、モータ駆動制御部１０３が、上記補正値に基づいてモータ７２を駆動することで、基板位置を補正する（Ｓ２４）。
【０２２９】
次いで、補正後の基板位置を再びイメージセンサ９０で検出してＳ２１〜Ｓ２５の工程（ステップ）を繰り返す。
【０２３０】
このように、本実施の形態によれば、繰り返し基板位置をイメージセンサ９０で検出して基板位置を補正することで、基板走査しながら、基板位置を、ＴＦＴ基板１０上の発光領域２４Ｒの走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心とシャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向の幅の中心とが一致するように補正することが可能であり、ＴＦＴ基板１０とシャドウマスク８１とを精密アライメントしながら成膜することができる。
【０２３１】
上記発光層２３Ｒの膜厚は、往復走査（つまり、ＴＦＴ基板１０の往復移動）並びに走査速度により調整することができる。本実施の形態では、図１０に示すように、Ｓ１４による走査後、ＴＦＴ基板１０の走査方向を反転させ、Ｓ１４と同様の方法にて、Ｓ１４における上記赤色有機材料の蒸着位置に、さらに上記赤色有機材料を蒸着させた（Ｓ１６）。これにより、膜厚５０ｎｍの発光層２３Ｒを形成した。
【０２３２】
なお、Ｓ１４〜Ｓ１６において、ＴＦＴ基板１０における非蒸着領域がシャドウマスク８１の開口部８２上に位置するとき（例えば、Ｓ１４に示すステップ終了後、Ｓ１６で走査方向が反転されるまでの間）は、蒸着源８５とシャドウマスク８１との間にシャッタ８９を挿入し、非蒸着領域に蒸着粒子が付着するのを防いだ（Ｓ１５）。
【０２３３】
ここで、上記Ｓ１５における、シャッタ８９を用いた蒸着制御について、図１２および図１３を参照して以下に説明する。
【０２３４】
図１２は、蒸着ＯＦＦ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。また、図１３は、蒸着ＯＮ時の蒸着制御のフローを示すフローチャートである。
【０２３５】
まず、蒸着ＯＦＦ時のフローについて説明する。
【０２３６】
図１２に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置は、図１１で説明したように、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれている（Ｓ３１）。
【０２３７】
図１１で説明したように、画像検出部１０１は、上記イメージセンサ９０で取り込まれた画像から、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１およびシャドウマスク８１のアライメントマーカ８４の画像検出を行っている。画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、表示領域２１０の終端を示す終端マーカを検出することで、図１２に示すように、表示領域２１０の終端を検出する（Ｓ３２）。
【０２３８】
上記したように画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＦＦ信号を発生させる（Ｓ３３）。
【０２３９】
シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＦＦ信号が入力されると、シャッタ８９を閉鎖する（Ｓ３４）。シャッタ８９が閉鎖されると、蒸着粒子がマスクに到達しなくなり、蒸着ＯＦＦとなる（Ｓ３５）。
【０２４０】
次に、蒸着ＯＮ時のフローについて説明する。
【０２４１】
図１３に示すように、被成膜基板２００である上記ＴＦＴ基板１０の基板位置が、蒸着処理の間、イメージセンサ９０によって絶えず取り込まれていることは、前記した通りである（Ｓ４１）。
【０２４２】
画像検出部１０１は、ＴＦＴ基板１０のアライメントマーカ２２１として、表示領域の始端を示す始端マーカを検出することで、表示領域２１０の始端を検出する（Ｓ４２）。
【０２４３】
画像検出部１０１で表示領域２１０の始端が検出されると、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４は、蒸着ＯＮ信号を発生させる（Ｓ４３）。
【０２４４】
シャッタ駆動制御部１０５は、蒸着ＯＮ／ＯＦＦ制御部１０４から蒸着ＯＮ信号が入力されると、シャッタ８９を開放する（Ｓ４４）。シャッタ８９が開放されると、蒸着粒子がマスクに到達するようになり、蒸着ＯＮとなる（Ｓ４５）。
【０２４５】
また、上記Ｓ１６における往復走査は、以下のようにして行われる。まず、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで精密アライメントを行いながらＴＦＴ基板１０を走査し、画像検出部１０１で表示領域２１０の終端が検出されると、モータ駆動制御部１０３によってモータ７２を駆動してＴＦＴ基板１０を反転させる。この間、Ｓ３１〜Ｓ３５に示すステップにより蒸着ＯＦＦし、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップでＴＦＴ基板１０の位置補正を行い、Ｓ４１〜Ｓ４５に示すステップによって表示領域２１０の始端で蒸着ＯＮする。そして、Ｓ２１〜Ｓ２４に示すステップで再度、精密アライメントを行いながらＴＦＴ基板１０を走査する。
【０２４６】
このようにして、図１４の（ａ）に示したように、走査直交方向（ｙ軸方向）の両側の側面が緩やかな傾斜側面２３ｓとなった発光層２３Ｒが、発光領域２４Ｒを完全に被覆するように形成される。より詳細には、発光層２３Ｒは、その両側の傾斜側面２３ｓを除いた平坦部分２３ｔの走査直交方向の幅が発光領域２４Ｒの同方向の幅と同じ大きさに形成され、且つその傾斜側面２３ｓの同方向の幅が、当該傾斜側面２３ｓと同側の隣の発光領域（例えば２４Ｇ）と発光領域２４Ｒとの間の非発光領域２９の同方向の幅Ｃ（例えばＣ＝２０μｍ）以下の幅（例えば幅Ｃ以下の幅で且つ幅Ｃの１／２倍以上の幅（例えば１５μｍ））に形成されている。なお、図１４の（ａ）では、作図便宜上、発光領域２４Ｒの一方側の隣の発光領域２４Ｇのみが図示されるが、発光領域２４Ｒの他方側にも隣の発光領域が存在する。
【０２４７】
なお、図１４の（ａ）では、発光層２３Ｒは、発光領域２４Ｒを完全に被覆すると共にその走査直交方向（ｙ軸方向）の幅の中心と発光領域２４Ｒの同方向の中心とが一致する様に形成されるが、シャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して同方向に相対的に所定距離（具体的には、想定される最大ずれ量（例えば１５μｍ）以下の距離）ずれた場合は、図１４の（ｂ）のように、発光層２３Ｒは、その走査直交方向の幅の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心から同方向に上記所定距離ずれて形成されるが、依然として、発光領域２４Ｒを完全に被覆するように形成される。
【０２４８】
換言すると、図１４の（ｂ）に示すように、シャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して同方向の一方側に相対的にずれて発光層２３Ｒの同方向の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して上記一方側に上記所定距離ずれた場合でも、発光層２３Ｒは、発光領域２４Ｒの全体を被覆する様に、その走査直交方向の他方側の端部が上記他方側に延設されている。同様に、発光層２３Ｒの走査直交方向の上記一方側の端部も上記一方側に延設されている。またシャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して上記一方側に相対的にずれて発光層２３Ｒが隣の発光領域（例えば２４Ｇ）と重なる場合には、発光層２３Ｒにおける上記一方側の傾斜側面２３ｓの部分だけが隣の発光領域２４Ｇに重なるように、上記一方側の傾斜側面２３ｓの走査直交方向の幅Ｂの長さが設定されている。同様に、上記他方側の傾斜側面２３ｓの走査直交方向の幅Ｂも設定されている。
【０２４９】
なお、この様な設定の例として、発光層２３Ｒの走査直交方向の幅が、発光領域２４Ｒの走査直交方向の幅と各発光領域２４Ｒ・２４Ｇ間の領域２９の走査直交方向の幅との和よりも大きく設定されたものが考えられる。
【０２５０】
本実施の形態では、Ｓ１６に示すステップ後、上記発光層２３Ｒが形成されたＴＦＴ基板１０を上記真空チャンバ６０から取り出し（Ｓ１７）、緑色の発光層２３Ｇ形成用のマスクユニット８０並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒの成膜処理と同様にして緑色の発光層２３Ｇを成膜した。
【０２５１】
また、このようにして発光層２３Ｇを形成した後、青色の発光層２３Ｂ形成用のマスクユニット８０並びに真空チャンバ６０を用いて、上記発光層２３Ｒ・２３Ｇの成膜処理と同様にして青色の発光層２３Ｂを成膜した。
【０２５２】
すなわち、上記発光層２３Ｇ・２３Ｂの成膜処理では、これら発光層２３Ｇ・２３Ｂに相当する位置に開口部８２を有するシャドウマスク８１をそれぞれ準備した。そして、それぞれのシャドウマスク８１を、発光層２３Ｇ・２３Ｂ形成用の各真空チャンバ６０に設置し、それぞれのシャドウマスク８１の開口部８２が、各サブ画素２Ｇ・２Ｂ列に一致するようにアライメントを行いながら、ＴＦＴ基板１０を走査して蒸着を行った。
【０２５３】
上記発光層２３Ｇは、その材料に、（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（緑色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（緑色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。
【０２５４】
また、発光層２３Ｂは、その材料に、ＴＡＺ（ホスト材料）と、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニルイル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔ−Ｂｕ  ＰＢＤ）（青色発光ドーパント）とを使用し、それぞれの蒸着速度を５．０ｎｍ／ｓ、０．６７ｎｍ／ｓとして、これら材料（青色有機材料）を共蒸着させることにより形成した。
【０２５５】
なお、上記発光層２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は、それぞれ５０ｎｍとした。
【０２５６】
以上の工程によって、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にパターン形成されたＴＦＴ基板１０を得た。
【０２５７】
以上のように、本実施の形態によれば、上記した蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として使用し、上記した蒸着方法を用いて有機ＥＬ表示装置１を製造することで、従来と比較して、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが隣の発光領域と重なった場合でも混色の度合いを低減でき、且つ発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのパターンずれが生じた場合でも膜（発光層）の欠落を防止できる有機ＥＬ表示装置１を提供できる。
【０２５８】
即ち、図１４の（ａ）に示すように、本実施の形態の発光層（例えば２３Ｒ）は、発光層２３Ｒにおけるその両側の傾斜側面２３ｓを除く平坦部分２３ｔにおける走査直交方向（ｙ軸方向）の幅が発光領域２４Ｒの同方向の幅と同じ長さに形成され、且つその両側の側面は緩やかな傾斜側面２３ｓに形成され、その傾斜側面２３ｓの走査直交方向の幅Ｂが非発光領域２９の同方向の幅Ｃ（例えばＣ＝２０μｍ）以下の幅（例えば幅Ｃ以下の幅で且つ幅Ｃの１／２倍以上の幅（例えば１５μｍ））に形成されている。
【０２５９】
従って、図１４の（ａ）に示すように、シャドウマスク８１の開口部８２の中心と発光領域２４Ｒの中心とが一致する場合（即ち発光層２３Ｒのパターンずれが無い場合）は、発光層２３Ｒは、隣の発光領域（例えば２４Ｇ）と重なること無く、発光領域２４Ｒを全膜厚で完全に被覆する。よって、混色および膜の欠落は発生しない。
【０２６０】
これに対して、図１４の（ｂ）に示すように、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して同方向の一方側に所定距離（例えば１２μｍ）ずれて発光層２３Ｒのパターンがずれた場合でも、発光層２３Ｒは、発光領域２４Ｒを完全に被覆するので、不完全混色領域Ｆ１および膜厚低下領域Ｆ２は発生するが、膜の欠落および完全混色は発生しない。
【０２６１】
なお、不完全混色領域Ｆ１は、発光層２３Ｒの一方側の傾斜側面２３ｓの部分が隣の発光領域（例えば２４Ｇ）に重なる領域であるが、この領域Ｆ１では、傾斜側面２３ｓでの膜厚は発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの全膜厚（即ち平坦部分２３ｔの膜厚）よりも薄いため、混色への影響が従来の場合に比べてより小さい。
【０２６２】
また、膜厚低下領域Ｆ２は、発光層２３Ｒの他方側の傾斜側面２３ｓが発光領域２４Ｒに重なる領域であるが、この領域Ｆ２では、発光領域２４Ｒは、発光層２３Ｒの傾斜側面２３ｓにより被覆されるため、発光層２３Ｒにより全膜厚で被覆される場合と同一の特性（発光特性）は得られないが、膜の欠落ではないため、非発光にはならず、且つリーク電流も発生しない。このように、本実施の形態では、発光層２３Ｒのパターンずれが生じても、混色の度合いを低減でき且つ膜の欠落を防止できる。
【０２６３】
なお、本実施の形態では、上述のように、開口部８２の走査直交方向の幅と発光領域２４Ｒの同方向の幅とが同じ大きさの場合（即ち発光層２３Ｒの走査直交方向の幅と発光領域２４Ｒの同方向の幅とが同じ大きさの場合）について説明したが、そのように限定されない。例えば図１８の（ａ）に示すように、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅が発光領域の同方向の幅よりも大きい場合（即ち発光層２３Ｒの走査直交方向の幅が発光領域２４Ｒの同方向の幅よりも大きい場合）であってもよい。なお、図１８の（ａ）では、発光層２３Ｒの端が隣の発光領域２４Ｇに接している。
【０２６４】
ここで、シャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の中心が発光領域の同方向の中心に対して同方向の一方側に所定距離（例えば１２μｍ）ずれて発光層２３Ｒのパターンがずれると、図１８の（ｂ）のようになる。この場合、図１４の（ｂ）と比べて、不完全混色領域Ｆ１の幅は増大し、膜厚低下領域Ｆ２の幅は減少する。即ち、開口部８２の幅を変えることで、各領域Ｆ１・Ｆ２の割合を変化させ、これにより、発光層２３Ｒの特性の低下の影響が最も小さい条件を選択することができる。
【０２６５】
なお、本実施の形態では、発光層２３Ｒは、例えば下記の様に形成されれば、どの様な寸法でも良い。即ち、発光層２３Ｒの平坦部分２３ｔの走査直交方向の幅は、発光領域２４Ｒの同方向の幅以上の大きさに形成され、発光層２３Ｒの傾斜側面２３ｓの走査直交方向の幅Ｂは、当該傾斜側面２３ｓと同側の隣の発光領域（例えば２４Ｇ）と発光領域２４Ｒとの間の非発光領域２９の同方向の幅Ｃよりも小さい幅（例えば幅Ｃよりも小さい幅で且つ幅Ｃの半分より大きい幅）に形成され、発光層２３Ｒの走査直交方向の幅は、発光領域２４Ｒの同方向の幅と、発光領域２４Ｒの両側の非発光領域２９の同方向の幅の各々とを加えた幅以下に形成される。
【０２６６】
なお、上記の説明では発光層２３Ｒの場合で説明したが、発光層２３Ｇ・２３Ｂについても同様である。
【０２６７】
これに対して、従来の蒸着方法を用いて製造された有機ＥＬ表示装置では、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの走査直交方向の端部が急峻に形成されるので、膜の欠落の防止と混色の度合いの低減との両方を同時に実現できない。
【０２６８】
即ち、例えば図１９の（ａ）に示すように、シャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向の幅が標準的な大きさの場合（即ち開口部８２の走査直交方向の端が非発光領域２９の同方向の幅の中心に位置する場合）であって、開口部８２の走査直交方向の幅の中心と発光領域（例えば２４Ｒ）の同方向の幅の中心とが一致する場合は、発光領域２４Ｒは発光層２３Ｒにより全膜厚で被覆される。なお、この場合は、非発光領域２９の走査直交方向の幅Ｃは２０μｍなので、発光層２３Ｒと隣の発光領域（例えば２４Ｇ）との間のマージンは１０μｍとなる。
【０２６９】
この場合に対して、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して同方向の一方側に所定距離（例えば１２μｍ）ずれて発光層２３Ｒのパターンがずれた場合は、図１９の（ｂ）に示すように、完全混色領域Ｆ３と完全欠落領域Ｆ４とが発生する。完全混色領域Ｆ３は、発光層２３Ｒが隣の発光領域（例えば２４Ｇ）に全膜厚で重なる領域であり、完全欠落領域Ｆ４は、発光層２３Ｒが完全に欠落する領域である。
【０２７０】
完全混色領域Ｆ３では、発光層２３Ｒが隣の発光領域２４Ｇに全膜厚で重なるため、混色の影響が強く現れる。一方、完全欠落領域Ｆ４では、発光層２３Ｒが存在しないため、その領域Ｆ４を流れる電流はリーク電流となる。リーク電流は、発光に寄与する電流を少なくし、画素の輝度が低下するばかりか、電極間の短絡や発熱によって画素の点灯不良も発生させる。従って、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下する。
【０２７１】
完全混色領域Ｆ３を無くすために、図２０の（ａ）に示すように、シャドウマスク８１の開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅を狭くする場合を考える。この場合は、開口部８２の走査直交方向の中心と発光領域２４Ｒの同方向の中心とは一致しており、発光層２３Ｒと隣の発光領域２４Ｇとの間のマージンは例えば１５μｍである。
【０２７２】
この場合に対して、図２０の（ｂ）に示すように、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して同方向の一方側に所定距離（例えば１２μｍ）ずれて発光層２３Ｒのパターンがずれると、発光層２３Ｒと隣の発光領域２４Ｇとの間にはマージンが存在するので、完全混色領域Ｆ３は発生しないが、発光領域２４Ｒの他方側の部分では、図１９の（ｂ）と比べて、完全欠落領域Ｆ４が拡大して悪化する。
【０２７３】
一方、完全欠落領域Ｆ４を無くすために、図２１の（ａ）に示すように、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の幅を広くする場合を考える。この場合は、開口部８２の走査直交方向の中心と発光領域２４Ｒの同方向の中心とは一致しており、発光層２３Ｒと隣の発光領域２４Ｇとの間のマージンは例えば５μｍである。
【０２７４】
この場合に対して、図２１の（ｂ）に示すように、開口部８２の走査直交方向（ｙ軸方向）の中心が発光領域２４Ｒの同方向の中心に対して同方向の一方側に所定距離（例えば１２μｍ）ずれて発光層２３Ｒのパターンがずれると、発光領域２４Ｒには完全欠落領域Ｆ４は発生しないが、隣の発光領域２４Ｇでは、図１９の（ｂ）と比べて、完全混色領域Ｆ３の幅が拡大して悪化する。なお、上記の説明では発光層２３Ｒの場合で説明したが、発光層２３Ｇ・２３Ｂについても同様である。
【０２７５】
以上のように、従来の蒸着方法を用いて製造された有機ＥＬ表示装置では、開口部８２の発光領域２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂに対する相対的なずれが非発光領域２９の幅Ｃの１／２倍以上の場合には、開口部８２の走査直交方向の幅をどのように調整しても、完全混色領域Ｆ３および完全欠落領域Ｆ４といった不具合が発生する。しかし本実施の形態では、上述のように、不完全混色領域Ｆ１は発生するが、完全混色領域Ｆ３および完全欠落領域Ｆ４といった不具合は発生しない。
【０２７６】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのずれる量は、シャドウマスク８１と被成膜基板２００（ＴＦＴ基板１０）との位置合わせ精度および各々の寸法精度の合算したものとなる。即ち、上記不具合を改善するためには、（１）上記精度を向上する、（２）非発光領域の幅を広くする、の２つの方法が考えられる。しかし、上記（１）の方法は、製造装置の性能に依存し、向上することは容易ではない。上記（２）の方法に関しては、発光領域の幅を小さくすることで対応できるが、その分、発光面積が小さくなるため、同一輝度を得るためには、より大きな電流密度を必要とする。電流密度が大きくなると寿命が短くなる（即ち発光強度の経時劣化が早くなる）ため、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下する。さらには、発光領域間の距離が広がるために、粒度感のある表示画像（即ち均一な面状ではなく、粒の集まりのように見える状態）になってしまう。したがって、表示品位が低下することになる。
【０２７７】
本実施の形態では、上記（１）のように、製造装置の性能に依存しないので、容易に行うことができ、且つ上記（２）のように、非発光領域の幅を広くしないので、表示品位の低下を招かない。
【０２７８】
なお、本実施の形態では、発光層（蒸着膜）２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの側面の定義を、「開口部８２の走査直交方向の一方側の端（即ち発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの平坦部分２３ｔの一方側の端）から同側の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの端（即ち膜厚ゼロとなる地点）までの領域」として説明したが、このような定義に限定されない。例えば、「発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの端部の膜厚が低下した領域」と定義してもよく、更に「Ｘ％膜厚が低下した所を側面の始端とする」と定義してもよい。なお、上記「始端」とは、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの平坦部分２３ｔと傾斜側面２３ｓの境界部分である。
【０２７９】
なお、本実施の形態では、シャドウマスク８１と被成膜基板２００（ＴＦＴ基板１０）との間の隙間ｇ１を調整することで、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの傾斜側面２３ｓを上述のように緩やかな斜面に形成したが、シャドウマスク８１の厚さｄ８１（図３参照）を調整することで、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの傾斜側面２３ｓを上述のように緩やかな斜面に形成してもよい。即ち、厚さｄ８１を大きくすると、基板直交方向（ｙ軸方向）に大きな速度成分を持った蒸着粒子が開口部８２を通過し難くなるので、傾斜側面２３ｓの幅Ｂは小さくなり、厚さｄ８１を小さくすると、基板直交方向（ｙ軸方向）に大きな速度成分を持った蒸着粒子が開口部８２を通過し安くなるので、傾斜側面２３ｓの幅Ｂは大きくなる。
【０２８０】
なお、本実施の形態では、上記マスクユニット８０が、真空チャンバ６０内に固定配置された構成としたが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０２８１】
上記蒸着装置５０は、上記基板移動機構７０に代えて、被成膜基板２００を固定する基板保持部材７１（例えば静電チャック）を備えるとともに、上記マスクユニット８０を、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して相対移動させるマスクユニット移動機構（マスクユニット移動手段）を備えていてもよい。あるいは、基板移動機構７０およびマスクユニット移動機構の両方を備えていてもよい。
【０２８２】
すなわち、上記被成膜基板２００およびマスクユニット８０は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよく、何れを移動させる場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【０２８３】
上記したように被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合、上記マスクユニット８０は、例えばマスク保持部材８７（例えば同一のホルダ）ごと、シャドウマスク８１および蒸着源８５を被成膜基板２００に対して相対移動させる。これにより、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置を保ったまま被成膜基板２００に対して上記マスクユニット８０を相対移動させることができる。
【０２８４】
このように、被成膜基板２００に対してマスクユニット８０を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、例えば、同一のホルダ（保持部材、保持手段）にて保持されることで、一体化されていることが好ましい。
【０２８５】
但し、上記したようにマスクユニット８０に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合には、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５とは、相対的に位置が固定されていれば、必ずしも一体化されている必要はない。
【０２８６】
例えば、上記マスクユニット８０は、蒸着源８５が真空チャンバ６０の内壁における例えば底壁に固定されるとともに、マスク保持部材８７が、上記真空チャンバ６０の内壁の何れかに固定されることで、上記シャドウマスク８１と蒸着源８５との相対的な位置が固定されていても構わない。
【０２８７】
また、上記シャドウマスク８１の開口部８２は、上記蒸着源８５における射出口８６の配置に合わせて、各射出口８６が、平面視で何れかの開口部８２内に位置するとともに、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応して設けられている場合を例に挙げて説明したしかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではない。開口部８２と射出口８６とは、必ずしも対向配置されている必要はなく、また、必ずしも１対１に対応していなくてもよい。
【０２８８】
具体的には、開口部８２のピッチｐと射出口８６のピッチとは一致しなくてもよい。また、開口部８２の幅ｄ５あるいは幅ｄ６と射出口８６の開口幅（開口径）とは一致していなくてもよい。例えば、図１に示す例において、射出口８６の開口径は、開口部８２の幅ｄ６よりも大きくても小さくても構わない。また、一つの開口部８２に対して複数の射出口８６が設けられていてもよく、複数の開口部８２に対して一つの射出口８６が設けられていてもよい。また、複数の射出口８６のうち一部（少なくとも一つ）の射出口８６、あるいは、射出口８６の一部の領域が、非開口部（つまり、シャドウマスク８１における開口部８２以外の領域（例えば開口部８２・８２間の領域））に対向して設けられていても構わない。
【０２８９】
また、材料利用効率の向上の観点からは、開口部８２と射出口８６とが１対１に対応していることが望ましい。
【０２９０】
また、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、一次元に配列されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。シャドウマスク８１の開口部８２と蒸着源８５の射出口８６とは、それぞれ、互いに対向して配置されていればよく、二次元に配列されていても構わない。
【０２９１】
また、本実施の形態では、シャドウマスク８１の開口部８２および蒸着源８５の射出口８６が、それぞれ複数設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。上記シャドウマスク８１は、開口部８２を少なくとも１つ備えていればよく、蒸着源８５は、射出口８６を少なくとも１つ備えていればよい。
【０２９２】
また、本実施の形態では、シャドウマスク８１が、スリット状の開口部８２を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記開口部８２の形状は、所望の蒸着パターンが得られるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。
【０２９３】
また、本実施の形態では、基板移動機構７０が、基板保持部材７１として静電チャックを備えている場合を例に挙げて説明した。このように、被成膜基板２００が静電チャックにより保持されていることで、被成膜基板２００の自重による撓みの発生を効果的に防止することができる。
【０２９４】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、被成膜基板２００の大きさによっては、例えば、上記基板保持部材７１としては、基板にテンションを掛けて機械的に挟んで保持するローラ等の保持部材を用いても構わない。
【０２９５】
また、本実施の形態では、シャッタ８９として、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間に進退可能なシャッタが設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、例えば、蒸着源８５として、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えが可能な蒸着源８５を使用し、被成膜基板２００における、蒸着不要な部分がシャドウマスク８１の開口領域（つまり、開口部８２に対向する領域）に位置する場合には、蒸着をＯＦＦし、蒸着分子が飛翔しないようにしてもよい。
【０２９６】
例えば、シャッタ８９として、蒸着源８５の射出口８６を閉鎖することで蒸着粒子の射出（放出）を止めるシャッタ８９が、蒸着源８５に設けられている構成としてもよい。
【０２９７】
あるいは、上記射出口８６にシャッタ８９を設ける代わりに、蒸着ＯＮ信号あるいは蒸着ＯＦＦ信号に基づいて、蒸着源８５の電源をＯＮ／ＯＦＦすることで、蒸着粒子の発生そのものを停止させる構成としても構わない。
【０２９８】
また、本実施の形態では、前記したように、ＴＦＴ基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１の製造方法を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。本発明は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１にも好適に適用することができる。
【０２９９】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０の支持基板としてガラス基板を用いる場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０３００】
これらＴＦＴ基板１０並びに封止基板４０における各支持基板としては、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、ガラス基板以外に、例えば、プラスチック基板等の透明基板を用いることもできる。一方、上記有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合には、上記支持基板としては、上記したような透明基板以外に、例えば、セラミックス基板等の不透明な基板を用いることもできる。
【０３０１】
また、本実施の形態では、陽極（本実施の形態では、第１電極２１）が、マトリクス状に形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、上記陽極としては、有機ＥＬ層に正孔を供給する電極としての機能を有していれば、その形状、材質、並びに大きさは、特に限定されるものではなく、例えばストライプ状に形成されていても構わない。但し、有機ＥＬ素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方は透明であることが好ましい。一般的には、透明な陽極が用いられる。
【０３０２】
〔実施の形態２〕
本発明の実施の他の形態について図２２および図２３に基づいて説明すれば以下の通りである。
【０３０３】
実施の形態１では、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの傾斜側面２３ｓは、均一な斜面に形成されたが、この実施の形態では、傾斜側面２３ｓは、不均一な斜面に形成される。
【０３０４】
より詳細には、本実施の形態での傾斜側面２３ｓは、図２２の（ａ）に示すように、その走査直交方向（ｙ軸方向）の両端部２３ｐ・２３ｒの傾斜がより緩やかな傾斜になっており、その走査直交方向の中央部２３ｑの傾斜が最も大きな傾斜となるように形成されている。
【０３０５】
この傾斜側面２３ｓでは、図２２の（ｂ）に示すように、両端部２３ｐ・２３ｒの傾斜がより緩やかで中央部２３ｑにかけて傾斜が大きくなるため、発光層２３Ｒのパターンがずれて、不完全混色領域Ｆ１および膜厚低下領域Ｆ２が発生しても、実施の形態１と比べて、それら各領域Ｆ１・Ｆ２の影響をより緩和することができる。
【０３０６】
即ち、図２２の（ｂ）に示すように、不完全混色領域Ｆ１では、発光領域２４Ｒに形成された発光層２３Ｒの一方側の傾斜側面２３ｓの同側の端部２３ｐは、隣の発光領域（例えば２４Ｇ）に重なるが、当該端部２３ｐでは、その傾斜は実施の形態１の場合よりも緩やかであるため、その膜厚はより薄くなり、不完全混色の影響をより緩和する。一方、膜厚低下領域Ｆ２では、発光領域２４Ｒにおいて、他方側の傾斜側面２３ｓにより膜厚低下が発生するが、その傾斜側面２３ｓの一方側の端部２３ｒでは、その傾斜が実施の形態１の場合よりも緩やかであるために膜厚の低下はより小さくなり、膜厚低下の影響をより緩和する。
【０３０７】
従って、本実施の形態での傾斜側面２３ｓによれば、実施の形態１よりも発光層２３Ｒのパターンずれによる影響をより小さくでき、より高い信頼性の有機ＥＬ表示装置を実現できる。なお、上記の説明では発光層２３Ｒの場合で説明したが、発光層２３Ｇ・２３Ｂについても同様である。
【０３０８】
なお、図２２の（ａ）に示すような傾斜側面２３ｓの傾斜形状としては、両端部２３ｐ・２３ｒの傾斜が緩やかで中央部２３ｑにかけて傾斜が大きくなれば、自由な形状を選択できる。一例としては正弦関数形状がある。
【０３０９】
例えば図２３に示すように、発光層２３Ｒの平坦部分（即ち傾斜側面２３ｓを除いた部分）２３ｔの最大膜厚をＨ０とし、傾斜側面２３ｓの走査直交方向の幅をＢとし、傾斜側面２３ｓの始端Ｔ１側（平坦部分２３ｔ側）から終端Ｔ２側（平坦部分２３ｔの反対側）へと走査直交方向（ｙ軸方向）に沿ってｘだけ離れた位置での発光層２３Ｒの膜厚をＨ（ｘ）とすると、Ｈ（ｘ）は式１により表される。
【０３１０】
【数１】
2012099019.tif 000003
【０３１１】
式１において、傾斜の絶対値の最大kmaxは、式２となる。
【０３１２】
【数２】
2012099019.tif 000004
【０３１３】
kmaxは、実施の形態１の図１５における傾斜側面２３ｓの傾斜と比べて、π／２倍となっている。即ち、本実施の形態での傾斜側面２３ｓの傾斜形状を用いる場合は、傾斜側面２３ｓの傾斜形状は、その傾斜の絶対値の最大が（π／２）×１／２００以下であるもの、と換言できる。
【０３１４】
〔実施の形態３〕
本発明の実施の他の形態について図２４および図２５に基づいて説明すれば以下の通りである。
【０３１５】
実施の形態１では、シャドウマスク８１と被成膜基板２００との間の隙間ｇ１を調整することで、傾斜側面２３ｓの幅Ｂ（従って傾斜（Ｈ／Ｂ））を調整したが、この実施の形態では、さらに制限板を用いて傾斜側面２３ｓの幅Ｂを調整する。以下、図２４および図２５を用いて、この実施の形態にかかる蒸着方法および蒸着装置を説明する。
【０３１６】
この実施の形態にかかる蒸着装置１５０は、図２４に示すように、実施の形態１の蒸着装置５０において、制限板３００を更に備えている。制限板３００は、シャドウマスク８１と蒸着源８５との間において、シャドウマスク８１に対して平行に配置され且つ蒸着源８５に対して所定間隔の隙間ｇ３（図２５参照）を空けて配置されており、シャドウマスク８１および蒸着源８５に対して相対的に固定されている。
【０３１７】
制限板３００は、例えば平面視矩形状で所定の厚さｄ３００の板状に形成されている。制限板３００の長辺３００ａの幅ｄ３００ａは、例えば、シャドウマスク８１の長辺８１ａの幅ｄ１と同程度の大きさに形成され、制限板３００の短辺３００ｂの幅ｄ３００ｂは、例えば、シャドウマスク８１の短辺８１ｂの幅ｄ２と同程度の大きさに形成されている。なお、制限板３００とシャドウマスク８１の各々の長辺３００ａ・８１ａは互いに平行に配置され、制限板３００とシャドウマスク８１の各々の短辺３００ｂ・８１ｂは互いに平行に配置されている。
【０３１８】
制限板３００には、複数の開口部３００Ａが形成されている。各開口部３００Ａはそれぞれ、平面視で制限板３００の短辺３００ｂに沿って伸びた矩形状に形成されており、蒸着源８５の各射出口８６に対向配置する様に、制限板３００の長辺３００ａに沿って一定間隔で配置されている。
【０３１９】
この蒸着装置および蒸着方法では、図２５に示すように、蒸着源８５の各射出口８６から射出された蒸着粒子は、それが射出された射出口８６に対向配置する開口部３００Ａを通過し、更にシャドウマスク８１の開口部８２を通過して被成膜基板２００に蒸着して蒸着膜２１１（例えば発光層２３Ｒ）を形成する。なお、蒸着膜２１１を形成する蒸着粒子が必ず各開口部３００Ａ・８２を通過する様に、制限板３００およびシャドウマスク８１が設計されている。
【０３２０】
その際、蒸着源８５の各射出口８６から射出された蒸着粒子は、ある広がりを持って射出されるが、この蒸着粒子が開口部３００Ａに入射すると、走査直交方向（ｙ軸方向）の速度成分が大きい蒸着粒子は、制限板３００に付着して開口部８２に到達する事ができない。即ち制限板３００は、開口部８２に入射する蒸着粒子の、走査直交方向（ｙ軸方向）に沿って見た入射角度を制限する。ここでは、開口部８２に入射する蒸着粒子の上記入射角度は、蒸着粒子の飛翔方向のｚ軸に対する角度により定義される。
【０３２１】
なお、制限板３００の各開口部３００Ａの基板走査方向（ｘ軸方向）の幅ｄ３０１ｂは十分大きく設定されるので、開口部８２に入射する蒸着粒子の、基板走査方向（ｘ軸方向）に沿って見た入射角度は、制限されない。
【０３２２】
このように、本実施の形態では、制限板３００により、大きな入射角度（正確には走査直交方向に沿って見た入射角度）で開口部８２に入射する蒸着粒子が制限される。よって、制限板３００の各開口部３００Ａの幅ｄ３０１ａ、制限板３００の厚さｄ３００、および、蒸着源８５と制限板３００との隙間ｇ３を各々調整することで、蒸着膜２１１（即ち発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ）の傾斜側面２３ｓの幅Ｂ（図２３参照）を調整することができる。即ち、幅ｄ３０１ａを大きくし、または厚さｄ３００を小さくし、または隙間ｇ３を小さくすると、傾斜側面２３ｓの幅Ｂは大きくなり、他方、幅ｄ３０１ａを小さくし、または厚さｄ３００を大きくし、または隙間ｇ３を大きくすると、傾斜側面２３ｓの幅Ｂは小さくなる。
【０３２３】
以上のように、本実施の形態によれば、制限板３００の開口部３００Ａの幅ｄ３０１ａ、制限板３００と蒸着源８５との隙間ｇ３、および制限板３００の厚さｄ３００の何れかが調整されることで、簡単に蒸着膜２１１をその側面が緩やかな傾斜側面２３ｓとなる様に形成できる。
【０３２４】
なお、上記の実施の形態では、本発明にかかる蒸着方法および蒸着装置を発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの形成に適用したが、第１電極２１、第２電極２６、正孔注入層兼正孔輸送層２２、電子輸送層２４、電子注入層２５、正孔注入層２７、正孔輸送層２８Ｒ・２８Ｇ・２８Ｂ等の形成にも適用可能である。
【０３２５】
〔要点概要〕
以上のように、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記傾斜側面を除く上記蒸着膜の上記所定方向の幅は、上記蒸着領域の上記所定方向の幅以上であることが望ましい。
【０３２６】
上記の構成によれば、傾斜側面を除く蒸着膜（即ち蒸着膜の平坦部分）の所定方向の幅は、蒸着領域の所定方向の幅以上であるので、傾斜側面を除く蒸着膜の所定方向の幅に関して、蒸着領域の所定方向の幅の全体に蒸着膜の全膜厚を重ねるために最低限必要な幅を確保できる。
【０３２７】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記傾斜側面の上記所定方向の幅は、上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅以下であることが望ましい。
【０３２８】
上記の構成によれば、傾斜側面の所定方向の幅は、各蒸着領域間の領域の所定方向の幅以下であるので、蒸着膜の被成膜基板に対する相対的なずれが生じても、蒸着膜の傾斜側面が隣の蒸着領域に重なることを抑制できる。
【０３２９】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記蒸着膜の上記所定方向の中心と上記蒸着領域の上記所定方向の中心との上記所定方向の最大ずれ量は、上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅の１／２倍の長さ以上であるものである。
【０３３０】
上記の構成によれば、蒸着膜の所定方向の中心と蒸着領域の所定方向の中心との所定方向の最大ずれ量は、各蒸着領域間の領域の所定方向の幅の１／２倍の長さ以上である。よって、この様な場合でも、蒸着領域に蒸着膜の欠落および短絡が発生することを防止できると共に混色の度合いを低減できる。
【０３３１】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の膜厚をＨとすると、上記傾斜側面の傾斜Ｈ／Ｂは１／２００以下であることが望ましい。
【０３３２】
上記の構成によれば、傾斜側面の傾斜は１／２００以下であるので、傾斜側面が平面の場合において、蒸着膜における傾斜側面の部分が隣の蒸着領域に重なったときの混色を効果的に低減できる。
【０３３３】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、傾斜側面の傾斜は、その上記所定方向の中央で最大となり、その上記所定方向の両端で緩やかになることが望ましい。
【０３３４】
上記の構成によれば、傾斜側面の傾斜は、その所定方向の中央で最大となり、その所定方向の両端で緩やかになるので、傾斜側面における所定方向の始端（即ち蒸着膜の平坦部分側の端部）側では、蒸着膜の膜厚があまり薄くならず、他方、傾斜側面における所定方向の終端（即ち蒸着膜の平坦部分側と反対側の端部）側では、蒸着膜の膜厚はより薄くなる。よって、蒸着膜の傾斜側面の上記始端側が蒸着領域に重なったときは、当該始端側での膜厚の減少を抑制でき、また蒸着膜の傾斜側面の上記終端側が隣の蒸着領域に重なったときは、当該終端側による混色をより一層低減できる。
【０３３５】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の膜厚をＨとすると、上記傾斜側面の傾斜Ｈ／Ｂは（π／２）×１／２００以下であることが望ましい。
【０３３６】
上記の構成によれば、蒸着膜の傾斜側面の所定方向の幅をＢとし、蒸着膜における傾斜側面を除く部分の膜厚をＨとすると、傾斜側面の傾斜は（π／２）×１／２００以下であるので、傾斜側面が曲面の場合において、蒸着膜の傾斜側面が隣の蒸着領域に重なったときの混色を効果的に低減できる。
【０３３７】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記傾斜側面の傾斜は、余弦関数により規定されることが望ましい。
【０３３８】
上記の構成によれば、傾斜側面の傾斜は余弦関数により規定されるので、既知の関数を利用できる。
【０３３９】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の最大膜厚をＨ０とし、上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記傾斜側面の上記部分側の端部から反対側へと上記所定方向に沿ってｘだけ離れた位置での上記蒸着膜の膜厚をＨ（ｘ）とすると、Ｈ（ｘ）は式１により表されることが望ましい。
【０３４０】
【数１】
2012099019.tif 000005
【０３４１】
上記の構成によれば、傾斜側面の傾斜は略余弦関数により規定されるので、既知の関数を利用できる。
【０３４２】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、少なくとも１つの上記蒸着膜は、その一方の上記傾斜側面が上記一の蒸着領域の隣の蒸着領域と重なることが望ましい。
【０３４３】
上記の構成によれば、蒸着膜が被成膜基板に対して所定方向に相対的にずれることで、蒸着膜は、その一方側の傾斜側面が蒸着領域の隣の蒸着領域と重なるが、傾斜側面のために混色の度合いが低減される。
【０３４４】
また、本発明の実施の形態にかかる被成膜基板は、上記蒸着膜は、その対応する上記蒸着領域の全体を被覆するものである。
【０３４５】
上記の構成によれば、蒸着膜は、その対応する蒸着領域の全体を被覆するので、蒸着領域に蒸着膜の欠落および短絡が発生することを防止できる。
【０３４６】
また、本発明の実施の形態かかる有機ＥＬ表示装置は、上記の何れかに記載の被成膜基板を用いた有機ＥＬ表示装置であって、上記被成膜基板上に、少なくとも、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順を備え、上記有機層の少なくとも１つの層が上記蒸着膜であることが望ましい。
【０３４７】
上記の構成によれば、上記有機層の少なくとも１つの層に関して上記被成膜基板の効果を奏する有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【０３４８】
本発明の蒸着方法および蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。さらに、本発明の蒸着方法および蒸着装置は、パターン形成された膜がずれることで他の領域に影響を与えるような被成膜基板を製造する場合においても、適用することができる。
【符号の説明】
【０３４９】
１    有機ＥＬ表示装置
２    画素
２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ    サブ画素
１０    ＴＦＴ基板（被成膜基板）
２０    有機ＥＬ素子
２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ    発光層（有機層、蒸着膜）
２３ｓ  傾斜側面
２３ｔ  平坦部分
８０    マスクユニット
８１    シャドウマスク（蒸着マスク）
８６    射出口
８６ｘ  ノズル開口長
８６ｙ  ノズル開口幅
２１０    表示領域
２１０ｓ  入射角が制限された領域
２１０ｓ１・２１０ｓ２  領域２１０ｓの端部
２１１    蒸着膜
Ｈ  平坦部分の膜厚
Ｂ  傾斜側面の幅
ＮＡ・ＮＢ  有効範囲
ｘ  基板走査方向に沿った方向
ｙ  基板走査方向に直交した方向に沿った方向（所定方向）
【図１】
2012099019.tif 000007
【図２】
2012099019.tif 000008
【図３】
2012099019.tif 000009
【図４】
2012099019.tif 000010
【図５】
2012099019.tif 000011
【図６】
2012099019.tif 000012
【図７】
2012099019.tif 000013
【図８】
2012099019.tif 000014
【図９】
2012099019.tif 000015
【図１０】
2012099019.tif 000016
【図１１】
2012099019.tif 000017
【図１２】
2012099019.tif 000018
【図１３】
2012099019.tif 000019
【図１４】
2012099019.tif 000020
【図１５】
2012099019.tif 000021
【図１６】
2012099019.tif 000022
【図１７】
2012099019.tif 000023
【図１８】
2012099019.tif 000024
【図１９】
2012099019.tif 000025
【図２０】
2012099019.tif 000026
【図２１】
2012099019.tif 000027
【図２２】
2012099019.tif 000028
【図２３】
2012099019.tif 000029
【図２４】
2012099019.tif 000030
【図２５】
2012099019.tif 000031
【図２６】
2012099019.tif 000032
【図２７】
2012099019.tif 000033
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着源から射出された蒸着粒子を、被成膜基板において所定方向に配列された複数の蒸着領域の各々に蒸着させ、蒸着膜を形成する蒸着方法であって、
上記蒸着源には射出口が備えられており、
上記射出口は、上記所定方向において対向する少なくとも一対の隅が、面取りされた形状に形成されており、
上記射出口を介して射出された蒸着粒子を、上記被成膜基板に蒸着させ、蒸着膜を形成する工程を含み、
上記蒸着膜を形成する工程では、
上記蒸着膜は、上記所定方向の両側に、上記被成膜基板の法線方向に対して傾斜した傾斜側面を有し、
上記傾斜側面の傾斜は、上記傾斜側面の上記所定方向の中央で最大となり、上記傾斜側面の上記所定方向の両端で上記中央における傾斜よりも緩やかになるように形成されることを特徴とする蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項２】
上記射出口は、矩形であり、その四隅が面取りされた形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項３】
上記隅は、円弧状に面取りされていることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項４】
上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の最大膜厚をＨとすると、上記傾斜側面の傾斜Ｈ／Ｂは（π／２）×１／２００以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項５】
上記傾斜側面の傾斜は、余弦関数により規定されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項６】
上記蒸着膜における上記傾斜側面を除く部分の最大膜厚をＨ０とし、上記傾斜側面の上記所定方向の幅をＢとし、上記傾斜側面の上記部分側の端部から反対側へと上記所定方向に沿ってｘだけ離れた位置での上記蒸着膜の膜厚をＨ（ｘ）とすると、Ｈ（ｘ）は式１により表されることを特徴とする請求項５に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【数１】
2012099019.tif 000034
【請求項７】
上記蒸着膜の上記所定方向の幅が、上記蒸着領域の上記所定方向の幅と上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅との和よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項８】
上記傾斜側面を除く上記蒸着膜の上記所定方向の幅は、上記蒸着領域の上記所定方向の幅以上であることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項９】
上記傾斜側面の上記所定方向の幅は、上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅以下であることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１０】
上記蒸着膜の上記所定方向の中心と上記蒸着領域の上記所定方向の中心との上記所定方向の最大ずれ量は、上記各蒸着領域間の領域の上記所定方向の幅の１／２倍の長さ以上であることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの上記蒸着膜は、その一方の上記傾斜側面が当該蒸着膜が形成されている蒸着領域の隣の蒸着領域と重なることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１２】
上記蒸着膜は、その対応する上記蒸着領域の全体を被覆することを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１３】
上記蒸着領域に対応する開口部を有する蒸着マスクと、上記蒸着マスクに対向配置された上記射出口を有する蒸着源と、を備えたマスクユニットを準備する準備工程を、含み、
上記蒸着膜を形成する工程においては、
上記射出口を介して射出された蒸着粒子は、上記蒸着マスクの開口部を介して、上記被成膜基板に蒸着されることを特徴とする請求項１から１２の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１４】
上記蒸着領域に対応する開口部を有する蒸着マスクと、上記被成膜基板と、の間の上記所定方向の相対的な位置関係を合わせる位置合わせ工程が含まれていることを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１５】
上記蒸着膜を形成する工程では、上記蒸着領域に対応する開口部を有する蒸着マスクと、上記被成膜基板と、の少なくとも一方を、上記所定方向に対して垂直な方向に相対移動させて上記蒸着膜を形成することを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５の何れか１項に記載の蒸着膜を形成する蒸着方法で、蒸着膜が形成された被成膜基板を用いた有機ＥＬ表示装置であって、
上記被成膜基板上に、少なくとも、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２電極とをこの順を備え、
上記有機層の少なくとも１つの層が上記蒸着膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【国際調査報告】
2012099019.tif 000035
2012099019.tif 000036
2012099019.tif 000037
2012099019.tif 000038