(57)【要約】  ラダー型の弾性波フィルタ装置であって、高調波の減衰量が大きく、かつ小型な弾性波フィルタ装置を提供する。  弾性波フィルタ装置１は、ラダー型フィルタ部２０と、第１のインダクタＬ１と、第２のインダクタＬ２と、キャパシタＣとを備えている。ラダー型フィルタ部２０は、第１の並列腕２７を含む３つ以上の並列腕２４〜２７を備えている。第１のインダクタＬ１は、第１の並列腕２７とグラウンド電位との間に接続されている。第２のインダクタＬ２は、３つ以上の並列腕２４〜２７のうちの第１の並列腕２７を除いた複数の並列腕２４〜２６のうちの少なくとも２つの並列腕とグラウンド電位との間に接続されている。キャパシタＣは、第１の並列腕２７と第１のインダクタＬ１との間の接続点２８と、第２のインダクタＬ２と少なくとも２つの並列腕２４〜２６との間の接続点２９との間に接続されている。
2012063516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の信号端子と、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子とを接続している直列腕と、前記直列腕において直列に接続されている複数の直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位とを接続している、第１の並列腕を含む３つ以上の並列腕と、前記３つ以上の並列腕のそれぞれに設けられている並列腕共振子とを有するラダー型フィルタ部と、
前記第１の並列腕とグラウンド電位との間に接続されている第１のインダクタと、
前記３つ以上の並列腕のうちの前記第１の並列腕を除いた複数の並列腕のうちの少なくとも２つの並列腕とグラウンド電位との間に接続されている第２のインダクタと、
前記第１の並列腕と前記第１のインダクタとの間の接続点と、前記第２のインダクタと前記少なくとも２つの並列腕との間の接続点との間に接続されているキャパシタと、
を備える、弾性波フィルタ装置。
【請求項２】
前記第１のインダクタにより形成される減衰極が前記第２のインダクタにより形成される減衰極よりも高周波数側に位置するように前記第１及び第２のインダクタが構成されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
【請求項３】
前記第２のインダクタにより形成される減衰極が通過帯域の２倍波に相当する周波数帯に位置し、前記第１のインダクタにより形成される減衰極が前記通過帯域の３倍波に相当する周波数帯に位置するように第１及び第２のインダクタが構成されている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
【請求項４】
前記ラダー型フィルタ部が形成されているフィルタチップと、
前記フィルタチップが実装されており、前記第１及び第２のインダクタを構成している電極が形成されている配線基板と、
を備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
【請求項５】
前記３つ以上の並列腕のすべてとグラウンド電位との間に接続されているインダクタを有さない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
【請求項６】
弾性表面波フィルタ装置または弾性境界波フィルタ装置である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フィルタ装置として、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波フィルタ装置が広く使用されている。そのような弾性波フィルタ装置の一種として、下記の特許文献１には、ラダー型の弾性表面波フィルタ装置が開示されている。図１４に特許文献１に記載の弾性表面波フィルタ装置の略図的回路図を示す。【０００３】
図１４に示す弾性表面波フィルタ装置１００では、信号端子１０１，１０２間を接続している直列腕１０３において、複数の直列腕共振子Ｓ１０１〜Ｓ１０３が直列に接続されている。直列腕１０３とグラウンド電位との間には、第１及び第２の並列腕１０４，１０５が設けられている。並列腕１０４，１０５のそれぞれには、並列腕共振子Ｐ１０１，Ｐ１０２が設けられている。並列腕共振子Ｐ１０１とグラウンド電位との間には、インダクタＬ１０１が接続されている。並列腕共振子Ｐ１０２とグラウンド電位との間には、インダクタＬ１０２が接続されている。インダクタＬ１０１とインダクタＬ１０２との接続点とグラウンド電位との間には、インダクタＬ１０３が接続されている。並列腕共振子Ｐ１０１とインダクタＬ１０１との間の接続点と、並列腕共振子Ｐ１０２とインダクタＬ１０２との間の接続点との間には、キャパシタＣ１０１が接続されている。【０００４】
特許文献１には、インダクタＬ１０１〜Ｌ１０３及びキャパシタＣ１０１を設けることにより通過帯域よりも低域側の部分における減衰量を大きくできることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７２４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、弾性波フィルタ装置においては、通過帯域の２倍波及び３倍波などの高調波の減衰量を大きくしたいという要望がある。しかしながら、弾性表面波フィルタ装置１００では、高調波の減衰量を十分に大きくできないという問題がある。【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ラダー型の弾性波フィルタ装置であって、高調波の減衰量が大きく、かつ小型な弾性波フィルタ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性波フィルタ装置は、ラダー型フィルタ部と、第１のインダクタと、第２のインダクタと、キャパシタとを備えている。ラダー型フィルタ部は、第１及び第２の信号端子と、直列腕と、複数の直列腕共振子と、３つ以上の並列腕と、並列腕共振子とを備えている。直列腕は、第１の信号端子と第２の信号端子とを接続している。複数の直列腕共振子は、直列腕において直列に接続されている。３つ以上の並列腕は、直列腕とグラウンド電位とを接続している。３つ以上の並列腕は、第１の並列腕を含む。並列腕共振子は、３つ以上の並列腕のそれぞれに設けられている。第１のインダクタは、第１の並列腕とグラウンド電位との間に接続されている。第２のインダクタは、３つ以上の並列腕のうちの第１の並列腕を除いた複数の並列腕のうちの少なくとも２つの並列腕とグラウンド電位との間に接続されている。キャパシタは、第１の並列腕と第１のインダクタとの間の接続点と、第２のインダクタと少なくとも２つの並列腕との間の接続点との間に接続されている。【０００９】
本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面では、第１のインダクタにより形成される減衰極が第２のインダクタにより形成される減衰極よりも高周波数側に位置するように第１及び第２のインダクタが構成されている。【００１０】
本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、第２のインダクタにより形成される減衰極が通過帯域の２倍波に相当する周波数帯に位置し、第１のインダクタにより形成される減衰極が通過帯域の３倍波に相当する周波数帯に位置するように第１及び第２のインダクタが構成されている。【００１１】
本発明に係る弾性波フィルタ装置の別の特定の局面では、弾性波フィルタ装置は、フィルタチップと、配線基板とを備えている。フィルタチップには、ラダー型フィルタ部が形成されている。配線基板には、フィルタチップが実装されている。配線基板には、第１及び第２のインダクタを構成している電極が形成されている。【００１２】
本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、弾性波フィルタ装置は、３つ以上の並列腕のすべてとグラウンド電位との間に接続されているインダクタを有さない。【００１３】
本発明に係る弾性波フィルタ装置の別の特定の局面では、弾性波フィルタ装置は、弾性表面波フィルタ装置または弾性境界波フィルタ装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ラダー型の弾性波フィルタ装置であって、高調波の減衰量が大きな弾性波フィルタ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明を実施した一実施形態に係る弾性表面波分波器の略図的回路図である。
【図２】図２は、本発明を実施した一実施形態に係る弾性表面波分波器の略図的断面図である。
【図３】図３は、本発明を実施した一実施形態における送信側フィルタチップの略図的透視平面図である。
【図４】図４は、本発明を実施した一実施形態における送信側フィルタチップの一部を拡大した略図的断面図である。
【図５】図５は、本発明を実施した一実施形態における受信側フィルタチップの略図的透視平面図である。
【図６】図６は、第１の誘電体層の表面の略図的透視平面図である。
【図７】図７は、第２の誘電体層の表面の略図的透視平面図である。
【図８】図８は、第２の誘電体層の裏面の略図的透視平面図である。
【図９】図９は、実施例１及び比較例１のそれぞれに係る弾性表面波分波器の第１及び第２の信号端子間の挿入損失特性を表すグラフである。
【図１０】図１０は、実施例１，２及び比較例２のそれぞれに係る弾性表面波分波器の第１及び第２の信号端子間の挿入損失特性を表すグラフである。
【図１１】図１１は、実施例３に係る弾性表面波分波器の略図的回路図である。
【図１２】図１２は、実施例１及び実施例３のそれぞれに係る弾性表面波分波器の第１及び第２の信号端子間の挿入損失を表すグラフである。
【図１３】図１３は、変形例における送信側フィルタチップの一部を拡大した略図的断面図である。
【図１４】図１４は、特許文献１に記載の弾性表面波フィルタ装置の略図的回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、弾性表面波デュプレクサである、図１に示す弾性表面波分波器１を例に挙げて説明する。但し、弾性表面波分波器１は単なる例示である。本発明は、弾性表面波分波器１に何ら限定されない。本発明に係る弾性波フィルタ装置は、例えば、フィルタ部を１つのみ有するものであってもよいし、フィルタ部を３つ有するトリプレクサ等であってもよい。
【００１７】
本実施形態に係る弾性表面波分波器１は、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ５（送信周波数帯：８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚ、受信周波数帯：８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚ）に用いられる弾性表面波デュプレクサである。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る弾性表面波分波器の略図的回路図である。まず、図１を参照しながら、本実施形態に係る弾性表面波分波器１の回路構成について説明する。
【００１９】
弾性表面波分波器１は、アンテナ１４に接続されるアンテナ端子１１と、送信側信号端子１２と、第１及び第２の受信側信号端子１３ａ、１３ｂとを有する。アンテナ端子１１と第１及び第２の受信側信号端子１３ａ、１３ｂとの間には、平衡−不平衡変換機能を有する所謂バランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部からなる受信側フィルタ部１５が接続されている。一方、アンテナ端子１１と送信側信号端子１２との間には、ラダー型フィルタ部からなる送信側フィルタ部２０が接続されている。アンテナ１４とアンテナ端子１１との間の接続点と、グラウンド電位との間には、整合用のインダクタＬ３が接続されている。
【００２０】
送信側フィルタ部２０は、第１及び第２の信号端子２１，２２を有する。第１の信号端子２１と第２の信号端子２２とは、直列腕２３によって接続されている。直列腕２３においては、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４が直列に接続されている。直列腕２３とグラウンド電位との間には、３つ以上の並列腕が設けられている。具体的には、本実施形態では、直列腕２３とグラウンド電位とを接続する４つの並列腕２４〜２７が設けられている。並列腕２４〜２７のそれぞれには、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４が設けられている。
【００２１】
並列腕２７とグラウンド電位との間には、インダクタＬ１が接続されている。一方、並列腕２４〜２６のうちの少なくとも２つの並列腕とグラウンド電位との間には、インダクタＬ２が接続されている。具体的には、本実施形態では、並列腕２４〜２６のすべてとグラウンド電位とがインダクタＬ２を介して接続されている。
【００２２】
並列腕２７とインダクタＬ１との間の接続点２８と、並列腕２４〜２６とインダクタＬ２との間の接続点２９との間には、キャパシタＣが接続されている。
【００２３】
本実施形態では、インダクタＬ１，Ｌ２は、インダクタＬ１により形成される減衰極がインダクタＬ２により形成される減衰極よりも高周波数側に位置するように構成されている。より具体的には、本実施形態では、インダクタＬ１，Ｌ２は、インダクタＬ１により形成される減衰極が送信側フィルタ部２０の通過帯域の３倍波に相当する周波数帯に位置し、インダクタＬ２により形成される減衰極が送信側フィルタ部２０の通過帯域の２倍波に相当する周波数帯に位置するように構成されている。このため、２倍波に相当する周波数帯及び３倍波に相当する周波数帯のそれぞれの減衰量が増大されている。
【００２４】
なお、本実施形態では、すべての並列腕２４〜２７とグラウンド電位との間に接続されているインダクタは設けられていない。
【００２５】
図２は、弾性表面波分波器の略図的断面図である。図３は、送信側フィルタチップの略図的透視平面図である。図４は、送信側フィルタチップの一部を拡大した略図的断面図である。図５は、受信側フィルタチップの略図的透視平面図である。図６は、第１の誘電体層の表面の略図的透視平面図である。図７は、第２の誘電体層の表面の略図的透視平面図である。図８は、第２の誘電体層の裏面の略図的透視平面図である。なお、図３及び図５においては、ＩＤＴ電極やキャパシタ等を模式的に記載している。また、反射器等一部の構成の描画を省略している。
【００２６】
次に、図２〜図８を参照しながら、本実施形態の弾性表面波分波器１の具体的構成について説明する。
【００２７】
図２に示すように、弾性表面波分波器１は、配線基板４０と、送信側フィルタチップ６０と、受信側フィルタチップ７０と備えている。送信側フィルタチップ６０及び受信側フィルタチップ７０は、バンプ８１を介して配線基板４０のダイアタッチ面の上にフリップチップ実装されている。送信側フィルタチップ６０及び受信側フィルタチップ７０は、配線基板４０の上に設けられた封止樹脂層８２により封止されている。
【００２８】
送信側フィルタチップ６０には、送信側フィルタ部２０とキャパシタＣとが形成されている。具体的には、図３及び図４に示すように、送信側フィルタチップ６０は、圧電基板６１と、圧電基板６１の上に形成された電極６２とを有する。電極６２には、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４のそれぞれを構成しているＩＤＴ電極及び反射器、キャパシタＣを構成している互いに間挿し合っている一対のくし歯状電極、直列腕２３、並列腕２４〜２７、第１及び第２の信号端子２１，２２及びグラウンド端子３１，３２が含まれている。
【００２９】
受信側フィルタチップ７０には、上記受信側フィルタ部１５が形成されている。具体的には、図５に示すように、圧電基板７１と、圧電基板７１の上に形成されている電極７２とを有する。これら圧電基板７１と電極７２とにより、受信側フィルタ部１５が構成されている。
【００３０】
なお、圧電基板６１，７１のそれぞれは、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３により形成することができる。電極６２，７２のそれぞれは、例えば、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、もしくは、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。また、電極６２，７２のそれぞれは、上記金属や合金からなる複数の金属層の積層体により構成されていてもよい。
【００３１】
配線基板４０には、インダクタＬ１，Ｌ２が形成されている。具体的には、図２に示すように、配線基板４０は、第１及び第２の誘電体層４１，４２の積層体により構成されている。受信側フィルタチップ７０と送信側フィルタチップ６０とは、ダイアタッチ面を構成している第１の誘電体層４１の表面４１ａの上に実装されている。
【００３２】
図６に示すように、第１の誘電体層４１の表面４１ａの上には、第１の信号端子２１が接続されている電極パッド４１ａ１、グラウンド端子３１が接続されている電極パッド４１ａ２、グラウンド端子３２が接続されている電極パッド４１ａ３、及び第２の信号端子２２が接続されている電極パッド４１ａ４が形成されている。
【００３３】
電極パッド４１ａ１は、ビアホール電極４１ａ５を介して、第２の誘電体層４２の表面４２ａの上に形成されている電極４２ａ１（図７を参照）に接続されている。電極４２ａ１は、ビアホール電極４２ａ２を介して、第２の誘電体層４２の裏面４２ｂの上に形成されているアンテナ端子１１（図８を参照）に接続されている。
【００３４】
図６に示す電極パッド４１ａ２は、ビアホール電極４１ａ６を介して、第２の誘電体層４２の表面４２ａの上に形成されている電極４２ａ３（図７を参照）に接続されている。この電極４２ａ３によりインダクタＬ１が構成されている。電極４２ａ３は、ビアホール電極４２ａ４，４２ａ５を介して、第２の誘電体層４２の裏面４２ｂの上に形成されているグラウンド端子４２ｂ１，４２ｂ２（図８を参照）に接続されている。
【００３５】
図６に示す電極パッド４１ａ３は、ビアホール電極４１ａ７を介して、第２の誘電体層４２の表面４２ａの上に形成されている電極４２ａ６（図７を参照）に接続されている。この電極４２ａ６によりインダクタＬ２が構成されている。電極４２ａ６は、ビアホール電極４２ａ７を介して、第２の誘電体層４２の裏面４２ｂの上に形成されているグラウンド端子４２ｂ３（図８を参照）に接続されている。
【００３６】
なお、本実施形態では、インダクタＬ３は、外付けのチップコイルにより構成されているが、インダクタＬ１，Ｌ２と同様に配線基板４０に形成されていてもよい。その場合、接続点３３は、送信側フィルタ部２０と受信側フィルタ部１５との間の接続点とアンテナ端子１１との間に配置される。
【００３７】
図６に示す電極パッド４１ａ４は、ビアホール電極４１ａ８を介して、第２の誘電体層４２の表面４２ａの上に形成されている電極４２ａ８（図７を参照）に接続されている。電極４２ａ８は、ビアホール電極４２ａ９を介して、第２の誘電体層４２の裏面４２ｂの上に形成されている送信側信号端子１２（図８を参照）に接続されている。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態では、キャパシタＣが設けられている。このため、インダクタＬ１に要求されるインダクタンス値が小さくなる。その結果、インダクタＬ１を構成している電極４２ａ３を短くすることができる。よって、配線基板４０を小型化することができる。従って、弾性表面波分波器１を小型化することができる。
【００３９】
この効果について、具体的な実施例及び比較例に基づいて詳細に説明する。
【００４０】
まず、実施例１として、以下の設計パラメータで、上記実施形態の弾性表面波分波器１と実質的に同様の構成を有する弾性表面波分波器を作製し、その弾性表面波分波器の第１及び第２の信号端子２１，２２間の挿入損失を測定した。結果を図９に示す。
【００４１】
（実施例１の設計パラメータ）
直列腕共振子の交差幅：
Ｓ１：８０μｍ、Ｓ２：５０μｍ、Ｓ３：５０μｍ、Ｓ４：５０μｍ
並列腕共振子の交差幅：
Ｐ１：１００μｍ、Ｐ２：１６０μｍ、Ｐ３：１００μｍ、Ｐ４：１００μｍ
直列腕共振子の対数：
Ｓ１：７０対、Ｓ２：１００対、Ｓ３：１００対、Ｓ４：９０対
並列腕共振子の対数：
Ｐ１：１００対、Ｐ２：５０対、Ｐ３：１００対、Ｐ４：６０対
キャパシタＣの容量：１．０ｐＦ
インダクタＬ１のインダクタンス値：０．７ｎＨ
インダクタＬ２のインダクタンス値：０．３ｎＨ
【００４２】
比較例１として、キャパシタＣが設けられておらず、かつ、インダクタＬ１のインダクタンス値が１．５ｎＨであること以外は、上記実施例１と同様の弾性表面波分波器を作製し、第１及び第２の信号端子間の挿入損失を測定した。結果を図９に示す。
【００４３】
図９に示すように、インダクタＬ１のインダクタンス値が０．７ｎＨと小さい実施例１と、インダクタＬ１のインダクタンス値が１．５ｎＨと大きい比較例１とでは、２倍波及び３倍波の周波数帯の減衰量がほぼ同等であった。この結果から、キャパシタＣを設けることにより、インダクタＬ１のインダクタンス値を小さくしても２倍波及び３倍波の周波数帯における減衰量を大きくすることができることが分かる。従って、キャパシタＣを設けることにより、２倍波及び３倍波に相当する周波数帯における減衰量を小さくすることなく弾性表面波分波器を小型化できることが分かる。
【００４４】
また、本実施形態のように、キャパシタＣを設けた場合、キャパシタＣの容量を調整することにより、インダクタＬ１のインダクタンス値を変更することなく、インダクタＬ１により形成される減衰極の位置を調整することができる。具体的には、図１０に示すように、キャパシタＣの容量が１．０ｐＦである実施例１の減衰極が約２４００ＭＨｚに位置している。キャパシタＣの容量が０．５ｐＦであること以外は実施例１と同様の構成を有する実施例２の減衰極が約２８００ＭＨｚに位置している。キャパシタＣが設けられていないこと以外は実施例１と同様の構成を有する比較例２の減衰極が約４０００ＭＨｚに位置している。このことから、キャパシタＣの容量を大きくすることにより、インダクタＬ１により形成される減衰極の位置を低周波数シフトさせることができる。このため、送信側フィルタチップ６０の種類を変更した場合においても、送信側フィルタチップ６０に形成されたキャパシタＣの容量を調整することにより、インダクタＬ１の設計を変更することなく３倍波の周波数帯における減衰量を大きくすることができる。また、図１０に示すように、キャパシタＣの容量を大きくすることにより、同時に２倍波の周波数帯における減衰量も大きくなっている。従って、キャパシタＣを設けておくことによって、送信側フィルタチップ６０の種類や要求特性等が異なる複数種類の弾性表面波分波器において配線基板４０を共通化することが可能となる。
【００４５】
また、本実施形態では、インダクタＬ１を構成している電極４２ａ３が配線基板４０の裏面４２ｂに形成されているグラウンド端子４２ｂ１，４２ｂ２に接続され、インダクタＬ２を構成している電極４２ａ６が配線基板４０の裏面４２ｂに形成されているグラウンド端子４２ｂ３に接続されている。そのため、配線基板４０内において、インダクタＬ１とインダクタＬ２とは分離されている。しかしながら、本発明はこの構成に限定されない。配線基板４０内において、インダクタＬ１とインダクタＬ２とが共通化されて、グラウンド端子に接続されてもよい。
【００４６】
図１１は、インダクタＬ１とインダクタＬ２とが共通化されて、グラウンド端子に接続された場合である実施例３に係る弾性表面波分波器の略図的回路図である。なお、実施例３の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００４７】
図１１に示すように、実施例３に係る弾性表面波分波器では、インダクタＬ１とインダクタＬ２との接続点と、グラウンド端子との間の配線により、インダクタＬ４が構成されている。この実施例３に係る弾性表面波分波器の第１及び第２の信号端子間の挿入損失を、実施例１に係る弾性表面波分波器の第１及び第２の信号端子間の挿入損失と共に、図１２に示す。図１２に示す結果から、実施例３は、実施例１より劣るものの、２倍波と３倍波の周波数帯の減衰量を大きくできることが分かる。
【００４８】
以下、上記実施形態の変形例について説明する。以下の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００４９】
上記実施形態では、送信側フィルタチップ６０が弾性表面波チップである例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図１３に示すように、送信側フィルタチップ６０は、圧電基板６１の上に、電極６２を覆うように、第１及び第２の誘電体層６３，６４が形成された所謂３媒質型の弾性境界波フィルタチップや、誘電体層６４を有さない２媒質型の弾性境界波フィルタチップであってもよい。すなわち、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ装置であってもよい。
【００５０】
誘電体層６３と誘電体層６４との材質は、誘電体層６３の音速が誘電体層６４の音速よりも遅い限り特に限定されない。たとえば、誘電体層６３を酸化ケイ素により形成し、誘電体層６４を窒化ケイ素や酸窒化ケイ素により形成することができる。
【００５１】
また、上記実施形態では、すべての並列腕２４〜２７がインダクタＬ１またはインダクタＬ２に接続されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、インダクタＬ１，Ｌ２に接続されていない並列腕が設けられていてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１…弾性表面波分波器
１１…アンテナ端子
１２…送信側信号端子
１３ａ、１３ｂ…受信側信号端子
１４…アンテナ
１５…受信側フィルタ部
２０…送信側フィルタ部
２１…第１の信号端子
２２…第２の信号端子
２３…直列腕
２４〜２７…並列腕
２８，２９…接続点
３１，３２…グラウンド端子
４０…配線基板
４１…第１の誘電体層
４１ａ…第１の誘電体層の表面
４２…第２の誘電体層
４２ａ…第２の誘電体層の表面
４２ｂ…第２の誘電体層の裏面
４１ａ１〜４１ａ４…電極パッド
４１ａ５〜４１ａ８，４２ａ２，４２ａ４，４２ａ５，４２ａ７，４２ａ９…ビアホール電極
４２ａ１，４２ａ３，４２ａ６，４２ａ８…電極
４２ｂ１〜４２ｂ３…グラウンド端子
６０…送信側フィルタチップ
６１，７１…圧電基板
６２，７２…電極
６３…第１の誘電体層
６４…第２の誘電体層
７０…受信側フィルタチップ
７１…圧電基板
７２…電極
８１…バンプ
８２…封止樹脂層
Ｌ１〜Ｌ４…インダクタ
Ｃ…キャパシタ
Ｐ１〜Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ４…直列腕共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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