(57)【要約】【課題】  蓄熱層および保護膜に発生する亀裂の伸展を抑制する。【解決手段】  本発明のサーマルヘッドＸ１は、基板７と、基板７の縁７ａに位置するように基板７の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層１３と、基板７の縁７ａから離間して蓄熱層１３上に形成された電極と、電極に接続されており、かつ基板７の縁７ａから離間して蓄熱層１３上に形成された発熱抵抗体９と、電極および発熱抵抗体９上に形成された第１被覆層２４と、第１被覆層２４上に形成された保護膜２５とを備え、第１被覆層は２４、電極および発熱抵抗体９上から基板７の縁７ａにかけて蓄熱層１３上に延びており、保護膜２５は、電極および発熱抵抗体９上に位置する第１被覆層２４上に形成されているとともに、保護膜２５の縁２５ａが、基板７の縁７ａの上方に設けられていない。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の縁に位置するように前記基板の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、
前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された電極と、
該電極に接続されており、かつ前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された発熱抵抗体と、
前記電極および前記発熱抵抗体上に形成された第１被覆層と、
該第１被覆層上に形成された保護膜と、を備え、
前記第１被覆層は、前記電極および前記発熱抵抗体上から前記基板の縁にかけて前記蓄熱層上に延びており、
前記保護膜は、前記電極および前記発熱抵抗体上に位置する前記第１被覆層上に形成されているとともに、前記保護膜の縁が、前記基板の縁の上方に設けられていないことを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
前記保護膜の縁が、前記電極および前記発熱抵抗体と前記基板の縁との間に位置することを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
【請求項３】
前記第１被覆層は、前記蓄熱層よりもビッカース硬度が高いことを特徴とする請求項１または２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
前記保護膜は、前記蓄熱層よりもビッカース硬度が低いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項５】
前記第１被覆層と前記保護膜との間に第２被覆層が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項６】
前記第１被覆層は、ＳｉＮであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項７】
前記第２被覆層は、ＳｉＯＮであることを特徴とする請求項５または６に記載のサーマルヘッド。
【請求項８】
前記第２被覆層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項５または６に記載のサーマルヘッド。
【請求項９】
前記基板の縁から前記保護膜上にかけて樹脂層が設けられており、
該樹脂層は、前記基板の縁上に位置する部位が、前記保護膜上に位置する部位よりも高い位置に配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載のサーマルヘッドと、前記複数の発熱部上に記録媒体を搬送する搬送機構と、前記複数の発熱部上に記録媒体を押圧するプラテンローラとを備えることを特徴とするサーマルプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーマルヘッド、およびこれを備えるサーマルプリンタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ファクシミリあるいはビデオプリンタ等の印画デバイスとして、種々のサーマルヘッドが提案されている。例えば、特許文献１に記載のサーマルヘッドは、基板と、基板の縁に位置するように基板の一主面上に形成されており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、基板の縁から離間して蓄熱層上に形成された電極と、電極に接続された発熱抵抗体と、電極および発熱抵抗体上に形成された被覆層と、被覆層上に形成された保護膜とを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３１９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のサーマルヘッドにおいては、ガラスによって形成された蓄熱層に亀裂が生じている場合があり、このようなサーマルヘッドを駆動させると蓄熱層に生じた亀裂がさらに伸展して、蓄熱層の上下面を貫通している可能性があった。そのため、蓄熱層に欠けを発生させたり、電極および発熱抵抗体を劣化させる恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドは、基板と、該基板の縁に位置するように前記基板の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された電極と、該電極に接続されており、かつ前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された発熱抵抗体と、前記電極および前記発熱抵抗体上に形成された第１被覆層と、該第１被覆層上に形成された保護膜と、を備え、前記第１被覆層は、前記電極および前記発熱抵抗体上から前記基板の縁にかけて前記蓄熱層上に延びており、前記保護膜は、前記電極および前記発熱抵抗体上に位置する前記第１被覆層上に形成されているとともに、前記保護膜の縁が、前記基板の縁の上方に設けられていない。【０００６】
また、本発明の一実施形態に係るサーマルプリンタは、上記のサーマルヘッドと、複数の発熱部上に記録媒体を搬送する搬送機構と、複数の発熱部上に記録媒体を押圧するプラテンローラとを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、蓄熱層に亀裂が生じた場合においても、亀裂が進展する可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドを示す平面図である。
【図２】図１のサーマルヘッドのＩ−Ｉ線断面図である。
【図３】図１のサーマルヘッドのＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図４】図１のサーマルヘッドにおけるヘッド基体の平面図である。
【図５】第１保護膜、第２保護膜、第１被覆層、駆動ＩＣおよび被覆部材の図示を省略して示す図４のヘッド基体の平面図である。
【図６】第１保護膜、第２保護膜、第１被覆層および被覆部材の図示を省略したヘッド基体にＦＰＣを接続した状態を示す平面図である。
【図７】図２に示すサーマルヘッドの断面において、本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドの変形例を示す部分拡大図である。
【図８】本発明の一実施形態に係るサーマルプリンタの概略を示す概略図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係るサーマルヘッドにおける、図２に対応する断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係るサーマルヘッドにおける、図３に対応する断面図である。
【図１１】図２に示すサーマルヘッドの断面において、本発明の他の実施形態に係るサーマルヘッドの変形例を示す部分拡大図である。
【図１２】図２に示すサーマルヘッドの断面において、本発明の他の実施形態に係るサーマルヘッドの変形例を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明のサーマルヘッドの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１〜３に示すように、本実施形態のサーマルヘッドＸ１は、放熱体１と、放熱体１上に配置されたヘッド基体３と、ヘッド基体３に接続されたフレキシブルプリント配線板５（以下、ＦＰＣ５という）とを備えている。
【００１０】
放熱体１は、例えば、銅またはアルミニウム等の金属材料で形成されており、平面視して、長方形状である台板部１ａと、台板部１ａの一方の長辺に沿って延びる突出部１ｂとを備えている。図２に示すように、突出部１ｂを除いた台板部１ａの上面には、両面テープあるいは接着剤等（不図示）によってヘッド基体３が接着されている。また、突出部１ｂ上には、両面テープあるいは接着剤等（不図示）によってＦＰＣ５が接着されている。また、放熱体１は、後述するようにヘッド基体３の発熱部９で発生した熱のうち、印画に寄与しない熱の一部を放熱する機能を有している。
【００１１】
図１〜５に示すように、ヘッド基体３は、平面視して長方形状の基板７と、基板７上に設けられ、基板７の長手方向に沿って配列された複数の発熱部９と、発熱部９の配列方向に沿って基板７上に並べて配置された複数の駆動ＩＣ１１とを備えている。なお、図４は、ヘッド基体３の平面図である。図５は、後述する第１保護膜２５、第２保護膜２８、第１被覆層２４、駆動ＩＣ１１および被覆部材２９の図示を省略したヘッド基体３の平面図である。
【００１２】
基板７は、矩形状であり、一方の一主面と、一方の一主面の反対側に配置された他方の一主面と、一方の一主面および他方の一主面を接続する複数の側面とを備えている。一方の一主面と側面とにより構成される稜線部位に基板７の縁７ａが形成されている。そして、基板７は、アルミナセラミックス等の電気絶縁性材料あるいは単結晶シリコン等の半導体材料等によって形成されている。
【００１３】
図２，３，５に示すように、基板７の上面には、基板７の上面の全体にわたって蓄熱層１３が形成されている。本実施形態では、基板７の上面が、本発明における一主面に相当する。蓄熱層１３は、例えば、熱伝導性の低いガラスで形成されており、発熱部９で発生する熱の一部を一時的に蓄積することで、発熱部９の温度を上昇させるのに要する時間を短くし、サーマルヘッドＸ１の熱応答特性を高めるように機能する。蓄熱層１３は、例えば、ガラス粉末に適当な有機溶剤を混合して得た所定のガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷等によって基板７の上面に塗布し、これを高温で焼成することで形成される。蓄熱層１３を形成するガラスとしては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＢａＯを含有するもの、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＰｂＯを含有するもの、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＢａＯを含有するもの、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯおよびＭｇＯを含有するものが挙げられる。また、これらのガラスのビッカース硬度は約５００〜９００ＨＶ程度である。
【００１４】
蓄熱層１３の上面には、電気抵抗層１５が設けられている。電気抵抗層１５は、蓄熱層１３と、後述する共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３との間に介在している。電気抵抗層１５は、図５に示すように、平面視において、個別電極配線１９、共通電極配線１７、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３と同形状の領域（以下、介在領域という）と、個別電極配線１９と共通電極配線１７との間から露出した複数の領域（以下、露出領域という）とを有している。なお、図５では、電気抵抗層１５の介在領域は、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３で隠れている。
【００１５】
電気抵抗層１５の各露出領域は、上記の発熱部９を形成している。複数の発熱部９は、図２，５に示すように、蓄熱層１３上に列状に配置されている。複数の発熱部９は、説明の便宜上、図１，４，５で簡略化して記載しているが、例えば、１８０〜２４００ｄｐｉ（dot per inch）等の密度で配置される。なお、本実施形態では、発熱部９となる電気抵抗層１５の露出領域が、本発明における電気抵抗体に相当する。
【００１６】
電気抵抗層１５は、例えば、ＴａＮ系、ＴａＳｉＯ系、ＴａＳｉＮＯ系、ＴｉＳｉＯ系、ＴｉＳｉＣＯ系またはＮｂＳｉＯ系等の電気抵抗の比較的高い材料によって形成されている。そのため、後述する共通電極配線１７と個別電極配線１９との間に電圧が印加され、発熱部９に電圧が印加されたときに、ジュール発熱によって発熱部９が発熱する。
【００１７】
図１〜６に示すように、電気抵抗層１５の上面には、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３が設けられている。共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３は、導電性を有する材料で形成されており、例えば、アルミニウム、金、銀および銅のうちのいずれか一種の金属またはこれらの合金によって形成されている。なお、図６は、後述する第１保護膜２５、第２保護膜２８、第１被覆層２４および被覆部材２９の図示を省略したヘッド基体３に、ＦＰＣ５を接続した状態を示す平面図である。
【００１８】
共通電極配線１７は、図５に示すように、基板７の一方の長辺に沿って延びる主配線部１７ａと、基板７の一方および他方の短辺のそれぞれに沿って延び、一端部が主配線部１７ａに接続された２つの副配線部１７ｂと、主配線部１７ａから各発熱部９に向かって延びる複数のリード部１７ｃとを有している。そして、図６に示すように、副配線部１７ｂの他端部がＦＰＣ５に接続されているとともに、リード部１７ｃの先端部が発熱部９に接続されている。これにより、ＦＰＣ５と発熱部９との間が電気的に接続されている。
【００１９】
個別電極配線１９は、図２，６に示すように、各発熱部９と駆動ＩＣ１１との間に延びており、これらの間を接続している。より詳細には、個別電極配線１９は、複数の発熱部９を複数の群に分け、各群の発熱部９を、各群に対応して設けられた駆動ＩＣ１１に電気的に接続している。
【００２０】
なお、共通電極配線１７の主配線部１７ａは、図６に示すように、基板７の縁７ａから離間して、蓄熱層１３上に形成されている。すなわち、共通電極配線１７および個別電極配線１９は、基板７の縁７ａから離間して、蓄熱層１３上に形成されている。なお、本実施形態では、共通電極配線１７および個別電極配線１９が、本発明における電極に相当する。
【００２１】
グランド電極配線２１は、図５に示すように、発熱部９の配列方向に沿って、基板７の他方の長辺の近傍で帯状に延びている。グランド電極配線２１上には、図３，６に示すように、ＦＰＣ５および駆動ＩＣ１１が接続されている。より詳細には、ＦＰＣ５は、図６に示すように、両端部側でグランド電極配線２１の一方および他方の端部に位置する端部領域２１Ｅに接続されている。また、中央部側で隣接する駆動ＩＣ１１の間に位置するグランド電極配線２１の中間領域２１Ｍに接続されている。
【００２２】
駆動ＩＣ１１は、図６に示すように、複数の発熱部９の各群に対応して配置されており、個別電極配線１９の一端部とグランド電極配線２１とに接続されている。駆動ＩＣ１１は、各発熱部９の通電状態を制御するためのものであり、後述するように、内部に複数のスイッチング素子を有しており、各スイッチング素子がオン状態のときに通電状態となる。各スイッチング素子がオフ状態のときに不通電状態となる公知のものを用いることができる。各駆動ＩＣ１１は、図２に示すように、内部のスイッチング素子（不図示）に接続されている一方の接続端子１１ａ（以下、第１接続端子１１ａという）が個別電極配線１９に接続されており、スイッチング素子に接続されている他方の接続端子１１ｂ（以下、第２接続端子１１ｂという）がグランド電極配線２１に接続されている。これにより、駆動ＩＣ１１の各スイッチング素子がオン状態のときに、各スイッチング素子に接続された個別電極配線１９とグランド電極配線２１とが電気的に接続される。
【００２３】
なお、図示していないが、第１接続端子１１ａおよび第２接続端子１１ｂは、各個別電極配線１９に対応して複数個設けられている。複数の第１接続端子１１ａは、各個別電極配線１９に個別に接続されている。また、複数の第２接続端子１１ｂは、グランド電極配線２１に共通して接続されている。
【００２４】
ＩＣ制御配線２３は、駆動ＩＣ１１を制御するためのものであり、図５に示すように、ＩＣ電源配線２３ａとＩＣ信号配線２３ｂとを備えている。ＩＣ電源配線２３ａは、基板７の長手方向の両端部で基板７の右側の長辺の近傍に配置された端部電源配線部２３ａＥと、隣接する駆動ＩＣ１１間に配置された中間電源配線部２３ａＭとを有している。
【００２５】
図５に示すように、端部電源配線部２３ａＥは、一端部が駆動ＩＣ１１の配置領域に配置され、グランド電極配線２１の周囲を回り込むようにして、他端部が基板７の右側の長辺の近傍に配置されている。端部電源配線部２３ａＥは、一端部が駆動ＩＣ１１に接続されているとともに、他端部がＦＰＣ５に接続されている。これにより、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間が電気的に接続されている。
【００２６】
図５に示すように、中間電源配線部２３ａＭは、グランド電極配線２１に沿って延び、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方の配置領域に配置され、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方の配置領域に配置されている。中間電源配線部２３ａＭは、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方に接続され、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方に接続され、中間部がＦＰＣ５に接続されている（図３参照）。これにより、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間が電気的に接続されている。
【００２７】
端部電源配線部２３ａＥと中間電源配線部２３ａＭとは、これらの双方が接続された駆動ＩＣ１１の内部で電気的に接続されている。また、隣接する中間電源配線部２３ａＭ同士は、これらの双方が接続された駆動ＩＣ１１の内部で電気的に接続されている。
【００２８】
このように、ＩＣ電源配線２３ａを各駆動ＩＣ１１と接続することにより、ＩＣ電源配線２３ａが、各駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間を電気的に接続している。これにより、後述するようにＦＰＣ５から端部電源配線部２３ａＥおよび中間電源配線部２３ａＭを介して各駆動ＩＣ１１に電流を供給するようになっている。
【００２９】
ＩＣ信号配線２３ｂは、図５に示すように、基板７の長手方向の両端部で基板７の右側の長辺の近傍に配置された端部信号配線部２３ｂＥと、隣接する駆動ＩＣ１１間に配置された中間信号配線部２３ｂＭとを有している。
【００３０】
図５に示すように、端部信号配線部２３ｂＥは、端部電源配線部２３ａＥと同様、一端部が駆動ＩＣ１１の配置領域に配置され、グランド電極配線２１の周囲を回り込むようにして、他端部が基板７の右側の長辺の近傍に配置されている。端部信号配線部２３ｂＥは、一端部が駆動ＩＣ１１に接続されているとともに、他端部がＦＰＣ５に接続されている。
【００３１】
中間信号配線部２３ｂＭは、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方の配置領域に配置され、中間電源配線部２３ａＭの周囲を回り込むようにして、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方の配置領域に配置されている。中間信号配線部２３ｂＭは、一端部が隣接する駆動ＩＣ１１の一方に接続され、他端部が隣接する駆動ＩＣ１１の他方に接続されている。
【００３２】
端部信号配線部２３ｂＥと中間信号配線部２３ｂＭとは、これらの双方が接続された駆動ＩＣ１１の内部で電気的に接続されている。また、隣接する中間信号配線部２３ｂＭ同士は、これらの双方が接続された駆動ＩＣの内部で電気的に接続されている。
【００３３】
このように、ＩＣ信号配線２３ｂを各駆動ＩＣ１１と接続することにより、ＩＣ信号配線２３ｂが各駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間を電気的に接続している。これにより、後述するようにＦＰＣ５から端部信号配線部２３ｂＥを介して駆動ＩＣ１１に伝送された制御信号を、中間信号配線部２３ｂＭを介して、隣接する駆動ＩＣ１１へさらに伝送するようになっている。
【００３４】
上記の電気抵抗層１５、共通電極配線１７、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３は、例えば、各々を構成する材料層を蓄熱層１３上に、例えばスパッタリング法等の従来周知の薄膜成形技術によって順次積層した後、積層体を従来周知のフォトリソグラフィー技術やエッチング技術等を用いて所定のパターンに加工することにより形成される。
【００３５】
図２，３に示すように、基板７の上面に形成された蓄熱層１３上には、発熱部９、共通電極配線１７の一部および個別電極配線１９の一部を被覆する第１被覆層２４が形成されている。図示例では、第１被覆層２４は、蓄熱層１３の上面の略左半分の領域を覆うように設けられており、第１被覆層２４の左側の端が蓄熱層１３の端まで延びている。第１被覆層２４は、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上に形成されているとともに、基板７の一主面に直交する方向から見て、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上から、さらに基板７の縁７ａ上にわたって蓄熱層１３上に延びている。より詳細には、第１被覆層２４は、共通電極配線１７の主配線部１７ａ上からさらに基板７の縁７ａ上の蓄熱層１３上にわたって蓄熱層１３上に延びている。
【００３６】
第１被覆層２４は、被覆した発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の部分が、酸素との反応によって酸化することを抑制したり、大気中に含まれている水分等の付着によって腐食することを抑制したりするためのものである。第１被覆層２４は、蓄熱層１３よりもビッカース硬度の値が大きい材料で形成されており、第１被覆層２４は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ等の材料で形成することができる。なお、これらの材料にＡｌ等の他の元素を含有していてもよい。ＳｉＮのビッカース硬度は約１６００〜１８００ＨＶ、ＳｉＣのビッカース硬度は約２０００〜２２００ＨＶ、ＳｉＯＮのビッカース硬度は約１２００〜１４００ＨＶである。また、第１被覆層２４は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の従来周知の薄膜成形技術等を用いて形成することができる。なお、第１被覆層２４は、複数の材料層を積層して形成してもよい。
【００３７】
図７に示すように、第１被覆層２４上に第２被覆層２６が設けられてもよい。第２被覆層２６は、第１被覆層２４と異なる材料により形成することが好ましく、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ等の材料で形成することができる。このように、第１被覆層２４上に材料の異なる第２被覆層２６を設けることで、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９が、酸化する可能性をより低減することができる。
【００３８】
第２被覆層２６は第１被覆層２４上に設けられており、第２被覆層２６の縁２６ａは第１被覆層２４の縁２４ａ上に設けられている。そのため、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９が酸化する可能性をさらに低減させることができる。
【００３９】
なお、第２被覆層２６は第１被覆層２４よりもビッカース硬度が高いことが好ましい。例えば、第１被覆層２４をビッカース硬度が約１６００〜１８００ＨＶであるＳｉＮにより形成し、第２被覆層２６をビッカース硬度が約２０００〜２２００ＨＶであるＳｉＣにより形成することで、記録媒体と接触する第２被覆層２６の耐摩耗性を向上することができ、耐酸化性および耐摩耗性の向上した第１被覆層２４および第２被覆層２６とすることができる。
【００４０】
また、第２被覆層２６を第１被覆層２４よりもビッカース硬度の低い材料により形成してもよい。例えば、第１被覆層２４をビッカース硬度が約１６００〜１８００ＨＶであるＳｉＮにより形成し、第２被覆層２６をビッカース硬度が約１２００〜１４００ＨＶであるＳｉＯＮまたは、ビッカース硬度が６００〜８００ＨＶのＳｉＯ２により形成することで、詳細は後述するが母基板からサーマルヘッドＸ１を分割する際に、第１被覆層２４および第２被覆層２６に大きな応力が生じた場合においても、第２被覆層２６により応力を緩和することができ、第１被覆層２４および第２被覆層２６に欠けあるいは亀裂が生じる可能性を低減することができる。
【００４１】
特に、ビッカース硬度が６００〜８００ＨＶと第１被覆層２４に比べてやわらかいＳｉＯ２により第２被覆層２６を形成することにより、ビッカース硬度が１６００〜１８００ＨＶであるＳｉＮにより第１被覆層２４を形成した場合においては、第１保護膜２５との密着性を高めることができるとともに、基板分割時の応力を緩和して、欠けあるいは亀裂が生じる可能性の低減したサーマルヘッドＸ１とすることができる。なお、第２被覆層２６の縁は基板７の縁７ａ上に設けられていなくともよく、第２被覆層２６の縁が基板７の縁７ａと、第１保護膜２５の縁２５ａとの間に設けられていることが好ましい。それにより、第２被覆層２６に亀裂が生じる可能性を低減することができる。
【００４２】
図１〜４に示すように、第１被覆層２４上には第１保護膜２５が形成されている。第１保護膜２５は、図示例では、第１被覆層２４の左側の縁２４ａの近傍領域を除いて第１被覆層２４を覆うように設けられている。つまり、第１被覆層２４は基板７の縁７ａ上には設けられていない構成となる。言い換えると、第１保護膜２５は、第１被覆層２４上に形成されており、第１保護膜２５の縁２５ａは、基板７の縁７ａから離間した状態で設けられている。
【００４３】
第１保護膜２５は、基板７の上面に直交する方向から見て、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上の第１被覆層２４上に形成されている。また、第１保護膜２５の縁２５ａが、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９と基板７の縁７ａとの間に位置するように第１被覆層２４上に延びている。より詳細には、第１保護膜２５は、第１保護膜２５の縁２５ａが、共通電極配線１７の主配線部１７ａと基板７の縁７ａとの間に位置するように第１被覆層２４上に延びている。なお、本実施形態では、第１保護膜２５が、本発明における保護膜に相当する。
【００４４】
このように、外部と接触しやすい基板７の縁７ａ上に第１保護膜２５が設けられていないことから、第１保護膜２５に亀裂が生じる可能性を低減することができる。それにより、蓄熱層１３に亀裂が生じている場合においても、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９を第１保護膜２５により風刺することができる。そのため、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９が、腐食および劣化することを低減することができる。
【００４５】
ここで、上記のようなサーマルヘッドを製造する際は、一般に、１つのサーマルヘッドを構成する基板を複数個取ることができる大きな母基板上に、複数個分のサーマルヘッドを構成する蓄熱層、電極配線、発熱抵抗体および保護膜等を一度に形成する場合がある。このように製造する場合、例えば、各サーマルヘッドを構成する蓄熱層は、複数のサーマルヘッドを構成する複数の基板上を跨るように連続して形成される。そのため、母基板の分割ライン上、すなわち、各サーマルヘッドにおける基板の縁の上方には、蓄熱層が存在することとなる。このような場合、母基板を分割した場合に、分割された基板の縁の上に配置された蓄熱層に亀裂が発生することがある。亀裂は、サーマルヘッドの駆動時における熱応答により伸展し、蓄熱層１３の上面および下面を連通する亀裂が生じた場合、発熱抵抗体９の腐食または劣化が生じる可能性があった。
【００４６】
これに対して、第１被覆層２４が、基板７の上面に直交する方向から見て、共通電極配線１７の主配線部１７ａ上からさらに基板７の縁７ａ上にわたるように蓄熱層１３上に延びていることから、例えば、基板７の縁７ａが従来例のように母基板の分割ラインとなっていたとしても、分割ラインとなる基板７の縁７ａ上の蓄熱層１３が第１被覆層２４によって覆われることとなる。そのため、従来例のように母基板を分割した場合に、分割された基板７の縁７ａ上のガラスにより形成される蓄熱層１３に欠けあるいは亀裂が発生するのを低減することができる。
【００４７】
さらにまた、本実施形態では、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の酸化を抑制することを目的とする第１被覆層２４によって、このように蓄熱層１３の亀裂の発生を低減することができるため、サーマルヘッドＸ１の構成を簡単にすることができる。
【００４８】
第１保護膜２５は、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９を、印画する記録媒体との接触による摩耗から保護するためのものである。第１保護膜２５は、例えば、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３およびＺｎＯを含有するガラス、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＰｂＯを含有するガラス、ＳｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｎＯを含有するガラス、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＲＯを含有するガラス、ＳｉＯ２、ＺｎＯおよびＲＯを含有するガラス等の材料や、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ等の材料で形成することができる。このように、ガラスにより第１保護膜を形成した場合、ビッカース硬度は３００〜６００ＨＶとなる。
【００４９】
また、第１保護膜２５は、例えば、スクリーン印刷法等の厚膜成形技術や、スパッタリング法、蒸着法等の従来周知の薄膜成形技術等を用いて形成することができる。第１保護膜２５をスクリーン印刷等の厚膜成形により形成した場合には、第１保護膜２５で被覆される第１被覆層２４の部分に膜欠陥が生じていたとしても、第１保護膜２５により膜欠陥を埋めることができる。なお、第１保護膜２５は、複数の材料層を積層して形成してもよい。
【００５０】
本実施形態のサーマルヘッドＸ１は、サーマルヘッドＸ１をサーマルプリンタの本体に組み付ける場合等に、外部と衝突しやすい角部に設けられた基板７の縁７ａ上に形成された蓄熱層１３および第１被覆層２４が、サーマルプリンタの筺体等に予期せず接触して蓄熱層１３および第１被覆層２４に亀裂が生じた場合においても、第１保護膜２５が、基板７の縁７ａ上に設けられていないことから、亀裂が伸展する可能性を低減することができる。
【００５１】
このように、第１保護膜２５が、母基板の分割ラインとなる基板７の縁７ａの上方に設けられていない構成となる。言い換えると、分割ラインである基板７の縁７ａから離間して設けられているため、基板７の縁７ａにて基板を分割した場合においても、第１保護膜２５に亀裂が生じる可能性を低減することができる。そのため、第１保護膜２５に生じた亀裂が伸展する際に、同時に蓄熱層１３に生じた亀裂を伸展することを低減することができる。
【００５２】
また、図１〜４に示すように、第１保護膜２５は、基板７の上面に直交する方向から見て、第１保護膜２５の縁２５ａが共通電極配線１７の主配線部１７ａと基板７の縁７ａとの間に位置するように第１被覆層２４上に形成されている。これにより、第１保護膜２５は、従来例のように母基板を分割した場合に、分割ラインとなる基板７の縁７ａの上から離間して形成されているため、母基板を分割した場合に、分割された基板７の縁７ａ上のガラスからなる蓄熱層１３とともに第１被覆層２４に亀裂が発生したとしても亀裂の伸展を基板７の縁７ａ上から離間して形成された第１保護膜２５によって低減することができる。
【００５３】
さらに、母基板の分割ラインに第１保護膜２５が設けられていないことから、分割ラインを確認しつつ、母基板を分割することができる。そのため、基板の分割工程の分割制度を向上させることができる。
【００５４】
さらにまた、第１保護膜２５は、蓄熱層１３よりもビッカース硬度を低い構成とすることが好ましい。例示としては、第１保護膜２５をＰｂ系ガラスあるいはＢｉ系ガラスにより形成することができる。このように、第１保護膜２５は、蓄熱層１３よりもビッカース硬度を低い構成とすることで、蓄熱層１３および第１被覆層２４に亀裂が生じた場合においても、やわらかい第１保護膜２５によって、欠けあるいは亀裂の伸展を抑えることができる。
【００５５】
なお、サーマルヘッドＸ１においては、第１保護膜２５の縁２５ａが、垂直に設けた例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、基板７の縁７ａに向けて徐々に傾斜するテーパ状としてもよい。
【００５６】
図１〜４に示すように、基板７の上面に形成された蓄熱層１３上には、共通電極配線１７、個別電極配線１９、ＩＣ制御配線２３およびグランド電極配線２１を部分的に被覆する第２保護膜２８が設けられている。図示例では、第２保護膜２８は、蓄熱層１３の上面の略右半分の領域を部分的に覆うように設けられている。第２保護膜２８は、被覆した共通電極配線１７、個別電極配線１９、ＩＣ制御配線２３およびグランド電極配線２１を、大気との接触による酸化や、大気中に含まれている水分等の付着による腐食から保護するためのものである。なお、第２保護膜２８は、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ制御配線２３の保護をより確実にするため、第１保護膜２５の端部に重なるようにして形成されている。第２保護膜２８は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料で形成することができる。また、第２保護膜２８は、例えば、スクリーン印刷法等の厚膜成形技術を用いて形成することができる。
【００５７】
なお、第２保護膜２８には、駆動ＩＣ１１を接続する個別電極配線１９の端部、グランド電極配線２１の第２中間領域２１Ｎおよび第３中間領域２１ＬならびにＩＣ制御配線２３の端部を露出させるための開口部（不図示）が形成されており、開口部を介してこれらの配線が駆動ＩＣ１１に接続されている。また、駆動ＩＣ１１は、個別電極配線１９、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３に接続された状態で、駆動ＩＣ１１自体の保護、および駆動ＩＣ１１とこれらの配線との接続部の保護のため、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂からなる被覆部材２９によって被覆されることで封止されている。
【００５８】
ＦＰＣ５は、図６に示すように、上記のように共通電極配線１７、グランド電極配線２１およびＩＣ制御配線２３に接続されている。ＦＰＣ５は、絶縁性の樹脂層の内部に複数のプリント配線が配線された周知のものを用いることができ、各プリント配線がコネクタ３１（図１，６参照）を介して、図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されている。
【００５９】
より詳細には、ＦＰＣ５は、内部に形成された各プリント配線が、半田バンプ３３（図３参照）によって、共通電極配線１７の副配線部１７ｂの端部、グランド電極配線２１の端部およびＩＣ制御配線２３の端部にそれぞれ接続され、これらの配線１７，２１，２３とコネクタ３１との間を接続している。そして、コネクタ３１が、図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されると、共通電極配線１７は、２０〜２４Ｖの正電位に保持された電源装置のプラス側端子に接続され、個別電極配線１９は、０〜１Ｖの接地電位に保持された電源装置のマイナス側端子に接続される。そのため、駆動ＩＣ１１のスイッチング素子がオン状態のとき、発熱部９に電流が供給され、発熱部９が発熱する。
【００６０】
また、コネクタ３１が、図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されると、ＩＣ制御配線２３のＩＣ電源配線２３ａは、共通電極配線１７と同様、正電位に保持された電源装置のプラス側端子に接続される。これにより、駆動ＩＣ１１が接続されたＩＣ電源配線２３ａとグランド電極配線２１との電位差によって、駆動ＩＣ１１に駆動ＩＣ１１を動作させるための電流が供給される。また、ＩＣ制御配線２３のＩＣ信号配線２３ｂは、駆動ＩＣ１１の制御を行う制御装置に接続される。これにより、制御装置からの制御信号が端部信号配線部２３ｂＥを介して駆動ＩＣ１１に伝送され、駆動ＩＣ１１に伝送された制御信号が中間信号配線部２３ｂＭを介して、隣接する駆動ＩＣにさらに伝送される。制御信号によって、駆動ＩＣ１１内のスイッチング素子のオン・オフ状態を制御することで、発熱部９を選択的に発熱させることができる。
【００６１】
以下、サーマルヘッドＸ１の製造方法について説明する。
【００６２】
サーマルヘッドＸ１の製造方法は、母基板の全面にわたって蓄熱層１３を形成する工程と、蓄熱層１３の全面にわたって電気抵抗層１５を形成する工程と、電気抵抗層１５の全面にわたって、共通電極配線１７等の各種電極となる導電層（不図示）を形成する工程とを備えている。さらに、電気抵抗層１５および導電層をパターニングする工程と、ＦＰＣ５と接続される部位以外の導電層に、第１被覆層を形成する工程と、所定の位置に第１保護膜２５を形成し、焼成する工程とを有している。なお、第１保護膜２５は、母基板の分割ライン上に設けない。そして、所定の位置に第２保護膜２８を形成し、分割ラインに従って、母基板を分割して、サーマルヘッドＸ１は作製される。なお、各構成部材を形成する工程、パターニングする工程、および分割する工程は、薄膜または厚膜形成技術において、一般的に知られる方法を用いることができる。
【００６３】
第１保護膜２５を設ける所定の位置とは、母基板から分割するサーマルヘッドＸ１の個数によって異なる。以下、母基板から２個のサーマルヘッドＸ１を分割する場合を例示して説明する。
【００６４】
母基板から２個のサーマルヘッドＸ１を分割する場合、共通電極配線等の各種電極配線は、母基板の中心線に対して、互いに鏡像となるようにパターニングする。つまり、基板７の分割ラインが母基板の中心線となるように、パターニングして、各種部材を形成する。
【００６５】
そして、第１保護膜２５を発熱部９と基板７の分割ラインとの間に形成する。そのため、基板７の分割ラインを教示するように、互いに平行な第１保護膜２５を形成すればよい。
【００６６】
このように、基板７の分割ライン上に、蓄熱層１３および第１被覆層２４を設け、第１保護膜２５を設けない構成としたため、基板７を分割ラインにて分割をした場合においても、第１被覆層２４が、蓄熱層１３に生じた亀裂が伸展していく可能性を低減することができる。さらに、基板７の分割ライン上に第１保護膜２５が設けられていないことから、第１保護膜２５に亀裂が生じる可能性を抑えることができる。
【００６７】
次に、本発明のサーマルプリンタの一実施形態について、図８を参照しつつ説明する。図８は、本実施形態のサーマルプリンタＺの概略構成図である。
【００６８】
図８に示すように、本実施形態のサーマルプリンタＺは、上述のサーマルヘッドＸ１、搬送機構４０、プラテンローラ５０、電源装置６０および制御装置７０を備えている。サーマルヘッドＸ１は、サーマルプリンタＺの筐体（不図示）に設けられた取付部材８０の取付面８０ａに取り付けられている。なお、サーマルヘッドＸ１は、発熱体９の配列方向が、後述する記録媒体Ｐの搬送方向Ｓに直交する方向（主走査方向）つまり、図８の紙面に直交する方向に沿うようにして、取付部材８０に取り付けられている。
【００６９】
搬送機構４０は、感熱紙、インクが転写される受像紙等の記録媒体Ｐを図８の矢印Ｓ方向に搬送して、サーマルヘッドＸ１の複数の発熱体９上に搬送するためのものであり、搬送ローラ４３，４５，４７，４９を有している。搬送ローラ４３，４５，４７，４９は、例えば、ステンレス等の金属からなる円柱状の軸体４３ａ，４５ａ，４７ａ，４９ａを、ブタジエンゴム等からなる弾性部材４３ｂ，４５ｂ，４７ｂ，４９ｂにより被覆して構成することができる。なお、図示しないが、記録媒体Ｐが、インクが転写される受像紙等の場合は、記録媒体ＰとサーマルヘッドＸ１の発熱体９との間に、記録媒体Ｐとともにインクフィルムを搬送するようになっている。
【００７０】
プラテンローラ５０は、記録媒体ＰをサーマルヘッドＸ１の発熱体９上に押圧するためのものであり、記録媒体Ｐの搬送方向Ｓに直交する方向に沿って延びるように配置され、記録媒体Ｐを発熱体９上に押圧した状態で回転可能となるように両端部が支持されている。プラテンローラ５０は、例えば、ステンレス等の金属からなる円柱状の軸体５０ａを、ブタジエンゴム等からなる弾性部材５０ｂにより被覆して構成することができる。
【００７１】
電源装置６０は、上記のようにサーマルヘッドＸ１の発熱体９を発熱させるための電圧および駆動ＩＣ１１を動作させるための電圧を印加するためのものである。制御装置７０は、上記のようにサーマルヘッドＸ１の発熱体９を選択的に発熱させるために、駆動ＩＣ１１の動作を制御する制御信号を駆動ＩＣ１１に供給するためのものである。
【００７２】
本実施形態のサーマルプリンタＺは、図８に示すように、プラテンローラ５０によって記録媒体をサーマルヘッドＸ１の発熱体９上に押圧しつつ、搬送機構４０によって記録媒体Ｐを発熱体９上に搬送しながら、電源装置６０および制御装置７０によって発熱体９を選択的に発熱させることで、記録媒体Ｐに所定の印画を行うことができる。なお、記録媒体Ｐが受像紙等の場合は、記録媒体Ｐとともに搬送されるインクフィルム（不図示）のインクを記録媒体Ｐに熱転写することによって、記録媒体Ｐへの印画を行うことができる。
【００７３】
図９，１０を用いて、第２の実施形態に係るサーマルヘッドＸ２について説明する。なお、図９，１０は、それぞれ図２，３に対応する図であり、サーマルヘッドＸ２の平面図の図示は省略している。
【００７４】
サーマルヘッドＸ２は、基板７の縁７ａから第１保護膜２５上にわたって樹脂層である第２保護膜２８が設けられている。その他の点は、サーマルヘッドＸ１と同様であり説明を省略する。
【００７５】
基板７の縁７ａ上に設けられた第２保護膜２８は、一端２８ｂが第１保護膜２５上に配置されており、他端２８ａが基板７の縁７ａに配置されている。そして、基板７の縁７ａ側に、他の部位よりも高い凸部３０が設けられている。なお、図９、１０に示すように、凸部３０は、第２保護膜２８の他端２８ａに形成されている。
【００７６】
第２保護膜２８の凸部３０は、第２保護膜２８の他の部位よりも、高い位置に配置されている。そのため、発熱部９上を通過した記録媒体、特にはインクリボンが、第２保護膜２８の凸部３０があることにより、剥離方向へと押し出されることとなる。そのため、サーマルヘッドＸ２とインクリボンとの剥離を円滑に行うことができる。それにより、高速印画が可能なサーマルヘッドＸ２とすることができる。
【００７７】
また、第２保護膜２８が、柔らかい樹脂により形成されており、基板７の縁７ａ上に設けられていることから、蓄熱層１３に生じた亀裂の伸展により生じた応力が、第１保護膜２５に生じた場合においても、第１保護膜２５の縁２５ａの上方に配置された第２保護膜２８が応力を緩和することができる。そのため、第１保護膜２５が、第１被覆層２４から剥離する可能性を低減することができる。
【００７８】
なお、第２保護膜２８の凸部３０は、基板７の縁７ａの上方にあることが好ましい。それにより、サーマルヘッドＸ２とインクリボンとの剥離をより円滑に行うことができる。
【００７９】
以下、第２保護膜２８の形成方法について説明する。
【００８０】
サーマルヘッドＸ１と同様の方法により、母基板に第１保護膜２５を形成する。その後、図９，１０に示すように、分割ライン上およびＦＰＣ５と接続される側に第２保護膜２８を形成する。第２保護膜２８の凸部３０の形成方法は、例えば、凸部３０を形成するために他端２８ａに樹脂材料を複数回塗布して形成してもよく、粘度の高い樹脂を用いて、第２保護膜２８を他端２８ａ側から塗布して形成してもよい。
【００８１】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【００８２】
例えば、上記実施形態のサーマルヘッドＸ１では、図２に示されるように、電気抵抗層１５上に共通電極配線１７および個別電極配線１９が形成されているが、共通電極配線１７および個別電極配線１９の双方が、発熱部となる電気抵抗体に接続されている限り、これに限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、蓄熱層１３上に共通電極配線１７および個別電極配線１９を形成し、共通電極配線１７および個別電極配線１９が形成された蓄熱層１３上に電気抵抗層１５を形成してもよい。この場合、共通電極配線１７と個別電極配線１９との間に位置する電気抵抗層１５の領域が本発明における電気抵抗体となり、領域によって発熱部９が形成される。
【００８３】
また、図１２に示すように、蓄熱層１３上に共通電極配線１７および個別電極配線１９を形成し、共通電極配線１７と個別電極配線１９との間の領域のみに電気抵抗層１５を形成してもよい。この場合、電気抵抗層１５が本発明における電気抵抗体となり、電気抵抗層１５によって発熱部９が形成される。
【符号の説明】
【００８４】
Ｘ１，Ｘ２  サーマルヘッド
１  放熱体
３  ヘッド基体
７  基板
７ａ  基板の縁
９  発熱部
１３  蓄熱層
１５  電気抵抗層
１７  共通電極配線
１９  個別電極配線
２４  第１被覆層
２４ａ  第１被覆層の縁
２５  第１保護膜
２５ａ  第１保護膜の縁
２６  第２被覆層
２６ａ  第２被覆層の縁
２８  第２保護膜
２８ａ  第２保護膜の他端
２８ｂ  第２保護膜の一端
３０  第２保護膜の凸部
【図１】
2012102298.tif 000003
【図２】
2012102298.tif 000004
【図３】
2012102298.tif 000005
【図４】
2012102298.tif 000006
【図５】
2012102298.tif 000007
【図６】
2012102298.tif 000008
【図７】
2012102298.tif 000009
【図８】
2012102298.tif 000010
【図９】
2012102298.tif 000011
【図１０】
2012102298.tif 000012
【図１１】
2012102298.tif 000013
【図１２】
2012102298.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の縁に位置するように前記基板の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、
前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された電極と、
該電極に接続されており、かつ前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された発熱抵抗体と、
前記電極および前記発熱抵抗体上に形成された第１被覆層と、
該第１被覆層上に形成された保護膜と、を備え、
前記第１被覆層は、前記電極および前記発熱抵抗体上から前記基板の縁にかけて前記蓄熱層上に延びており、
前記保護膜は、前記電極および前記発熱抵抗体上に位置する前記第１被覆層上に形成されているとともに、前記保護膜の縁が、前記電極および前記発熱抵抗体と前記基板の縁との間に位置することを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
前記第１被覆層は、前記蓄熱層よりもビッカース硬度が高いことを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
【請求項３】
前記保護膜は、前記蓄熱層よりもビッカース硬度が低いことを特徴とする請求項１または２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
前記第１被覆層は、ＳｉＮであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項５】
前記第１被覆層と前記保護膜との間に第２被覆層が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項６】
前記第２被覆層は、ＳｉＯＮであることを特徴とする請求項５に記載のサーマルヘッド。
【請求項７】
前記第２被覆層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項５または６に記載のサーマルヘッド。
【請求項８】
前記基板の縁から前記保護膜上にかけて樹脂層が設けられており、該樹脂層は、前記基
板の縁上に位置する部位が、前記保護膜上に位置する部位よりも高い位置に配置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載のサーマルヘッドと、前記複数の発熱部上に記録媒体を搬送する搬送機構と、前記複数の発熱部上に前記記録媒体を押圧するプラテンローラとを備えることを特徴とするサーマルプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドは、基板と、該基板の縁に位置するように前記基板の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された電極と、該電極に接続されており、かつ前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された発熱抵抗体と、前記電極および前記発熱抵抗体上に形成された第１被覆層と、該第１被覆層上に形成された保護膜と、を備え、前記第１被覆層は、前記電極および前記発熱抵抗体上から前記基板の縁にかけて前記蓄熱層上に延びており、前記保護膜は、前記電極および前記発熱抵抗体上に位置する前記第１被覆層上に形成されているとともに、前記保護膜の縁が、前記電極および前記発熱抵抗体と前記基板の縁との間に位置する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発熱部が設けられた基板と、
該基板の縁に位置するように前記基板の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、
前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された電極と、
該電極に接続されており、かつ前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成され、一部が前記発熱部として機能する発熱抵抗体と、
前記電極および前記発熱抵抗体上に形成された第１被覆層と、
該第１被覆層上に形成された保護膜と、を備え、
前記第１被覆層は、前記電極および前記発熱抵抗体上から前記基板の縁にかけて前記蓄熱層上に延びており、
前記保護膜は、前記電極および前記発熱抵抗体上に位置する前記第１被覆層上に形成されているとともに、前記保護膜の縁が、前記電極および前記発熱抵抗体と前記基板の縁との間に位置することを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
前記第１被覆層は、前記蓄熱層よりもビッカース硬度が高いことを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
【請求項３】
前記保護膜は、前記蓄熱層よりもビッカース硬度が低いことを特徴とする請求項１または２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
前記第１被覆層は、ＳｉＮであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項５】
前記第１被覆層と前記保護膜との間に第２被覆層が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項６】
前記第２被覆層は、ＳｉＯＮであることを特徴とする請求項５に記載のサーマルヘッド。
【請求項７】
前記第２被覆層は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項５または６に記載のサーマルヘッド。
【請求項８】
前記基板の縁から前記保護膜上にかけて樹脂層が設けられており、該樹脂層は、前記基
板の縁上に位置する部位が、前記保護膜上に位置する部位よりも高い位置に配置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載のサーマルヘッドと、複数の前記発熱部上に記録媒体を搬送する搬送機構と、複数の前記発熱部上に前記記録媒体を押圧するプラテンローラとを備えることを特徴とするサーマルプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドは、複数の発熱部が設けられた基板と、該基板の縁に位置するように前記基板の一主面上に設けられており、かつガラスによって形成される蓄熱層と、前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成された電極と、該電極に接続されており、かつ前記基板の縁から離間して前記蓄熱層上に形成され、一部が前記発熱部として機能する発熱抵抗体と、前記電極および前記発熱抵抗体上に形成された第１被覆層と、該第１被覆層上に形成された保護膜と、を備え、前記第１被覆層は、前記電極および前記発熱抵抗体上から前記基板の縁にかけて前記蓄熱層上に延びており、前記保護膜は、前記電極および前記発熱抵抗体上に位置する前記第１被覆層上に形成されているとともに、前記保護膜の縁が、前記電極および前記発熱抵抗体と前記基板の縁との間に位置する。


【国際調査報告】
2012102298.tif 000015
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