(57)【要約】  本発明は、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保しつつ、低背化しても実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供する。【解決手段】本発明は、ベース基板１と、ベース基板１の少なくとも一面に実装した複数の電子部品２、３と、ベース基板１の一面に実装した複数の電子部品２、３を封止する封止樹脂４と、封止樹脂４の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層５とを備えたモジュール基板１０である。封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５は、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５以上の厚みで形成してあり、封止樹脂４の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層５は、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５より厚く形成してある。
2012101857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
該ベース基板の少なくとも一面に実装した複数の電子部品と、
前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品を封止する封止樹脂と、
該封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層と
を備え、
前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層以上の厚みで形成してあり、
前記封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあることを特徴とするモジュール基板。
【請求項２】
前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、全ての側面において、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層よりも厚くなるように形成してあることを特徴とする請求項１記載のモジュール基板。
【請求項３】
前記封止樹脂を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあることを特徴とする請求項１又は２記載のモジュール基板。
【請求項４】
前記封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のモジュール基板。
【請求項５】
前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品のうち、素子の集積率の高い前記電子部品の近傍にある前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、他の前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層に比べて厚くなるように形成してあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のモジュール基板。
【請求項６】
前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のモジュール基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品を封止する封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆してあるモジュール基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の薄型化に伴い、電子機器に組み込まれるモジュール基板自体にも低背化が求められている。そのため、ベース基板の一面に実装する電子部品に、より低背化した電子部品を用いたり、電子部品を封止する封止樹脂を薄くすることでモジュール基板自体の低背化が行われている。【０００３】
特許文献１には、基板（ベース基板）上に複数の部品（電子部品）が配置され各部品が絶縁層（封止樹脂）で被覆された回路モジュール（モジュール基板）が開示されている。また、特許文献１では、絶縁層から露呈させた状態で基板上に設けられた接地用電極と、絶縁層の外側に形成され接地用電極に接続されたシールド層とを具備し、基板とシールド層の端面とが同一平面上に位置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１７２１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示してある回路モジュールでは、接地用電極に接続されたシールド層の側面を除いて、絶縁層の天面を被覆するシールド層の厚みが、絶縁層の側面を被覆するシールド層の厚みに比べて厚い。そのため、回路モジュールを低背化するために電子部品を被覆する絶縁層を薄くすると、基板の一面に実装する電子部品とシールド層との距離が短くなり、実装する電子部品の種類によっては、電子部品とシールド層との間で容量を形成したり、シールド層が電子部品のアンテナとして機能したりして正常に動作しないおそれがあるという問題があった。【０００６】
また、絶縁層を被覆するシールド層の厚みを一律に薄くすると、絶縁層の側面を被覆するシールド層の厚みも薄くなり、絶縁層の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性が確保できず、複数の回路モジュールを隣接して他の基板に実装した場合、隣接する回路モジュールからの電磁波の影響を有効に防ぐことができないという問題があった。【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保しつつ、低背化しても実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために第１発明に係るモジュール基板は、ベース基板と、該ベース基板の少なくとも一面に実装した複数の電子部品と、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品を封止する封止樹脂と、該封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層とを備え、前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層以上の厚みで形成してあり、前記封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあることを特徴とする。【０００９】
第１発明では、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層以上の厚みで形成してあり、封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。【００１０】
また、第２発明に係るモジュール基板は、第１発明において、前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、全ての側面において、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層よりも厚くなるように形成してあることを特徴とする。【００１１】
第２発明では、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、全ての側面において、封止樹脂の天面を被覆するシールド層よりも厚くなるように形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。【００１２】
また、第３発明に係るモジュール基板は、第１又は第２発明において、前記封止樹脂を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあることを特徴とする。【００１３】
第３発明では、封止樹脂を被覆するシールド層は、封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。【００１４】
また、第４発明に係るモジュール基板は、第１乃至第３発明のいずれか１つにおいて、前記封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされていることを特徴とする。【００１５】
第４発明では、封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされているので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、より封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができるので、シールド特性の向上を図ることが可能となる。【００１６】
また、第５発明に係るモジュール基板は、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品のうち、素子の集積率の高い前記電子部品の近傍にある前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、他の前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層に比べて厚くなるように形成してあることを特徴とする。【００１７】
第５発明では、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品のうち、素子の集積率の高い電子部品の近傍にある封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、他の封止樹脂の側面を被覆するシールド層に比べて厚くなるように形成してあるので、外部からの電磁波による影響を受けやすい素子の集積率の高い電子部品に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。【００１８】
また、第６発明に係るモジュール基板は、第１乃至第５発明のいずれか１つにおいて、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれていることを特徴とする。【００１９】
第６発明では、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれているが、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、電子部品とシールド層との間で容量を形成したり、シールド層が電子部品のアンテナとして機能したりすることを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２０】
上記構成によれば、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層以上の厚みで形成してあり、封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層より厚く形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係るモジュール基板の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るモジュール基板の製造工程を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係るモジュール基板の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係るモジュール基板の製造工程を示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係るモジュール基板の、凹面状をした支持基板上に集合基板を載置した状態を示す模式断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係るモジュール基板の封止樹脂の面取り状態を模式的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るモジュール基板の構成を示す概略図である。図１に示すように、モジュール基板１０は、ベース基板１、ベース基板１の一面に実装した複数の電子部品２、３、実装した複数の電子部品２、３を封止する封止樹脂４、封止樹脂４の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層５、複数の電子部品２、３を実装したベース基板１の一面の反対側の面に形成してある端子電極６を備えている。
【００２４】
ベース基板１としては、ＬＴＣＣ（低温焼成セラミックス：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板、有機基板等、特に限定されるものではない。ベース基板１の複数の電子部品２、３を実装する面には、表面電極（図示せず）が形成されている。電子部品２は、ベース基板１の一面に実装することが可能な集積回路（ＩＣ）である。集積回路（ＩＣ）は、外部からの電磁波の影響により特性が変化する電子部品である。また、電子部品３は、ベース基板１の一面に表面実装することが可能な表面実装型電子部品（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）である。
【００２５】
封止樹脂４は、エポキシ樹脂等からなる絶縁材料であるため、ベース基板１の一面に実装した複数の電子部品２、３の間の絶縁性が向上する。封止樹脂４は、ＳｉＯ2 のフィラを含有している。シールド層５は、例えば、Ａｇフィラ、Ｃｕフィラ、Ｎｉフィラ、及びこれらの混合フィラを含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂からなる導電材料である。端子電極６は、他の基板にモジュール基板１０を接続するための電極である。
【００２６】
図２は、本発明の実施の形態１に係るモジュール基板１０の製造工程を示す概略図である。まず、図２（ａ）に示すように、集合基板１００の一面において、ハンダが印刷されている表面電極（図示せず）上に複数の電子部品２、３を実装する。複数の電子部品２、３を実装した集合基板１００の一面の反対側の面に、導電ペーストを塗布して、複数の端子電極６を形成する。なお、同じ製造工程で、集合基板１００に複数の電子部品２、３を実装し、複数の端子電極６を形成しても良いし、集合基板１００に複数の電子部品２、３を実装し、別の製造工程で複数の端子電極６を形成しても良い。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、集合基板１００の一面に実装した複数の電子部品２、３を封止する封止樹脂４を形成する。具体的に、封止樹脂４は、複数の電子部品２、３を実装した集合基板１００に、液状の樹脂を塗布し、塗布した樹脂を脱泡後に硬化させることで形成することができる。なお、液状の樹脂に代えて、固形の樹脂、顆粒の樹脂又はシート状の樹脂を、複数の電子部品２、３を実装した集合基板１００に載置して、加熱しても良い。
【００２８】
次に、図２（ｃ）に示すように、ダイサー等を用いて、封止樹脂４の天面から集合基板１００の一部に至る溝９を形成する。溝９を形成した場合であっても、隣接する２つのベース基板１（集合基板１００）の一部が繋がっている。なお、溝９の幅は、例えば３００μｍである。
【００２９】
次に、図２（ｄ）に示すように、複数の電子部品２、３を封止した封止樹脂４の天面、及び溝９を被覆するように、ディスペンサー、ジェットディスペンサー、真空印刷装置等を用いて導電材料を塗布して硬化させることにより、シールド層５を形成する。図示していないが、集合基板１００から露出している接地用電極と、シールド層５とが電気的に接続されることにより、実装した複数の電子部品２、３に対するシールド層５のシールド性を確保することができる。導電材料は、例えば、Ａｇフィラ８０重量％、エポキシ樹脂１０重量％、希釈剤５重量％、その他５重量％を含む組成や、Ａｇフィラ５０重量％、Ｎｉフィラ３６重量％、エポキシ樹脂８重量％、希釈剤４重量％、その他２重量％を含む組成である。また、メッシュスクリーンを用いて導電材料を塗布する場合、メッシュスクリーンの厚みが例えば２０μｍであれば、封止樹脂４の天面に厚み２０μｍのシールド層５を形成することができる。メッシュスクリーンの仕様として、例えば、平織メッシュスクリーン、エマルジョンの厚みが２６μｍ、オープニングの長さが８２μｍ、線径が２０μｍ、メッシュ数が２５０個とする。複数の電子部品２、３を封止した封止樹脂４の天面、及び溝９を被覆するように、導電材料を塗布する方法は、真空印刷等の印刷に限定されるものではなく、スピンコートやディッピングであっても良い。
【００３０】
次に、図２（ｅ）に示すように、ダイサー等を用いて、溝９に形成したシールド層５を、封止樹脂４の天面側から集合基板１００の全部を切断する位置まで切断して、複数のモジュール基板１０に個片化する。溝９に形成した幅３００μｍのシールド層５を幅１００μｍのダイサー等を用いて切断すると、個片化したモジュール基板１０の封止樹脂４の側面に形成されるシールド層５の厚みは１００μｍとなる。封止樹脂４の天面に形成されるシールド層５の厚みが２０μｍとすると、封止樹脂４の側面に形成されるシールド層５の厚みは、封止樹脂４の天面に形成されるシールド層５の厚みの約５倍である。なお、封止樹脂４の天面に形成されるシールド層５の厚みは、５μｍ〜５０μｍ、封止樹脂４の側面に形成されるシールド層５の厚みは、５０μｍ〜１５０μｍであることが好ましい。
【００３１】
また、モジュール基板１０が矩形状である場合、封止樹脂４の全ての側面に形成されるシールド層５の厚みが、封止樹脂４の天面に形成されるシールド層５の厚みに比べて厚い場合に限定されるものではなく、封止樹脂４の四つの側面のうち少なくとも一つの側面に形成されるシールド層５の厚みが、封止樹脂４の天面に形成されるシールド層５の厚みに比べて厚ければ良い。なお、封止樹脂４の他の側面に形成されるシールド層５の厚みは、封止樹脂４の天面に形成されるシールド層５の厚みと同じである。
【００３２】
以上のように、本発明の実施の形態１に係るモジュール基板１０は、封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５が、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５以上の厚みで形成してあり、封止樹脂４の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層５が、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５より厚く形成してあるので、封止樹脂４の側面において、実装した電子部品２、３に対するシールド層５のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板１０を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板１０からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板１０を低背化するために、電子部品２、３を封止する封止樹脂４を薄くしても、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５の厚みを薄くすることで、実装した電子部品２、３が正常に動作することが可能なモジュール基板１０を提供することができる。
【００３３】
また、複数の電子部品２、３のうち、表面実装型電子部品である電子部品３に、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれている場合であっても、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５の厚みを薄くすることで、電子部品３とシールド層５との間で容量を形成したり、シールド層５が電子部品３のアンテナとして機能したりすることを防ぐことができる。
【００３４】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係るモジュール基板の構成を示す概略図である。図３に示すように、モジュール基板１０は、ベース基板１、ベース基板１の一面に実装した複数の電子部品２、３、実装した複数の電子部品２、３を封止する封止樹脂４、封止樹脂４の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層５、複数の電子部品２、３を実装したベース基板１の一面の反対側の面に形成してある端子電極６を備えている。モジュール基板１０は、シールド層５の構成が異なる以外、図１に示したモジュール基板１０の構成と同じであるため、同じ構成要素については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３５】
シールド層５は、図１に示すシールド層５と同様、封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５の厚みは、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５以上の厚みであり、封止樹脂４の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層５の厚みは、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５の厚みに比べて厚い。さらに、電子部品２の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５１の厚みは、電子部品３の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５２の厚みに比べて厚い。
【００３６】
電子部品２は、素子の集積率の高い集積回路（ＩＣ）であり、外部からの電磁波による影響を受けやすい。そのため、電子部品２の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５１の厚みを、素子の集積率の低い電子部品３の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５２の厚みに比べて厚く形成してあるので、電子部品２に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。
【００３７】
本発明の実施の形態２に係るモジュール基板１０の製造方法は、図２に示した本発明の実施の形態１に係るモジュール基板１０の製造方法と同じであるため、詳細な説明は省略する。ただし、本発明の実施の形態２に係るモジュール基板１０の製造方法では、図２に示すようにダイサー等を用いて、溝９に形成したシールド層５を、封止樹脂４の天面側から集合基板１００の全部を切断する位置まで切断するときに、図３に示すように電子部品２の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５１の厚みが、電子部品３の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５２の厚みに比べて厚くなるように、ダイサー等の位置を調整する必要がある。
【００３８】
以上のように、本発明の実施の形態２に係るモジュール基板１０は、素子の集積率の高い電子部品２の近傍にある封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５１は、他の封止樹脂４の側面を被覆するシールド層５２に比べて厚く形成してあるので、外部からの電磁波による影響を受けやすい素子の集積率の高い電子部品２に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。
【００３９】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係るモジュール基板の構成は、実施の形態１及び２と同様であることから、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。実施の形態３では、封止樹脂４を被覆するシールド層５が、封止樹脂４を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してある点で実施の形態１及び２と相違する。
【００４０】
図４は、本発明の実施の形態３に係るモジュール基板１０の製造工程を示す概略図である。まず、図４（ａ）に示すように、集合基板１００の一面において、ハンダが印刷されている表面電極（図示せず）上に複数の電子部品２、３を実装する。複数の電子部品２、３を実装した集合基板１００の一面の反対側の面に、導電ペーストを塗布して、複数の端子電極６を形成する。なお、同じ製造工程で、集合基板１００に複数の電子部品２、３を実装し、複数の端子電極６を形成しても良いし、集合基板１００に複数の電子部品２、３を実装し、別の製造工程で複数の端子電極６を形成しても良い。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、集合基板１００の一面に実装した複数の電子部品２、３を封止する封止樹脂４を形成する。具体的に、封止樹脂４は、複数の電子部品２、３を実装した集合基板１００に、液状の樹脂を塗布し、塗布した樹脂を脱泡後に硬化させることで形成することができる。なお、液状の樹脂に代えて、固形の樹脂、顆粒の樹脂又はシート状の樹脂を、複数の電子部品２、３を実装した集合基板１００に載置して、加熱しても良い。
【００４２】
次に、図４（ｃ）に示すように、ダイサー等を用いて、封止樹脂４の天面から集合基板１００の一部に至る溝９を形成する。溝９を形成した場合であっても、隣接する２つのベース基板１（集合基板１００）の一部が繋がっている。なお、溝９の幅は、例えば３００μｍである。
【００４３】
そして、図４（ｄ）に示すように、図示しない凹面状をした支持基板上に集合基板１００を載置することにより、天面側が内側となるように湾曲させ、溝９を形成する側壁を、天面側において互いに対向する側へと傾斜させる。図５は、本発明の実施の形態３に係るモジュール基板１０の、凹面状をした支持基板上に集合基板１００を載置した状態を示す模式断面図である。
【００４４】
図５に示すように、凹面状をした支持基板６０上に集合基板１００を載置することにより、支持基板６０に沿って集合基板１００が湾曲し、溝９を形成する側壁は、天面側において互いに対向する側へと傾斜する。したがって、溝９の容積が減少するとともに開口部が狭くなるので、導電材料を塗布した場合に溝９の開口部近傍において盛り上がり部が形成される。
【００４５】
図４に戻って、図４（ｅ）に示すように、複数の電子部品２、３を封止した封止樹脂４の天面、及び溝９を被覆するように、ディスペンサー、ジェットディスペンサー、真空印刷装置等を用いて導電材料を塗布して硬化させることにより、シールド層５を形成する。図示していないが、集合基板１００から露出している接地用電極と、シールド層５とが電気的に接続されることにより、実装した複数の電子部品２、３に対するシールド層５のシールド性を確保することができる。
【００４６】
溝９を形成する側壁が、天面側において互いに対向する側へと傾斜しているので、塗布した導電材料は、溝９の開口部近傍において盛り上がり部を形成し、溝９に沿って高さが高くなっているシールド層５が形成される。
【００４７】
次に、図４（ｆ）に示すように、ダイサー等を用いて、溝９に形成したシールド層５を、封止樹脂４の天面側から集合基板１００の全部を切断する位置まで切断して、複数のモジュール基板１０に個片化する。溝９の開口部近傍において盛り上がり部が形成されるので、シールド層５は、封止樹脂４を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成される。
【００４８】
封止樹脂４を被覆するシールド層５が、封止樹脂４を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂４の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層５の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。
【００４９】
例えば、従来の製造工程で製造したモジュール基板では、封止樹脂の天面の周縁部に形成されるシールド層の厚みは１μｍ程度であり、うっすらと下方の封止樹脂を目視することができるのに対し、本実施の形態３に係る製造工程で製造したモジュール基板１０の、封止樹脂４の天面の周縁部に形成されるシールド層５の厚みは２０μｍ程度と十分に厚く、封止樹脂４を目視することはできない。
【００５０】
また、シールド層５の天面と側面との間の抵抗値をテスターで測定したところ、従来の製造工程で製造したモジュール基板では、抵抗値は２Ω前後であったのに対し、本実施の形態３に係る製造工程で製造したモジュール基板１０では、抵抗値が０．１Ω前後と大きく低下していた。抵抗値が低いほどシールド特性が高いことは周知であり、本実施の形態３に係る製造工程で製造したモジュール基板１０のシールド特性が向上していることを確認することができた。
【００５１】
なお、封止樹脂４の天面と側面との境界部分を面取りしてあることが好ましい。封止樹脂４の天面と側面との境界部分が露出するおそれがより少ないからである。
【００５２】
図６は、本発明の実施の形態３に係るモジュール基板１０の封止樹脂４の面取り状態を模式的に示す部分断面図である。図６（ａ）に示すように、封止樹脂４の天面と側面との境界部分を平面状に面取りすることで、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５の厚みを薄くした場合であっても、より封止樹脂４の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少ない。
【００５３】
もちろん、平面状に面取りすることに限定されるものではなく、例えば図６（ｂ）に示すように段差状に面取りしても良いし、図６（ｃ）及び（ｄ）に示すように、Ｒの付いた曲面状に面取りしても良い。
【００５４】
以上のように、本発明の実施の形態３に係るモジュール基板１０は、封止樹脂４を被覆するシールド層５が、封止樹脂４を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂４の天面を被覆するシールド層５の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂４の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層５の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。
【００５５】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内であれば多種の変形、置換等が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５６】
１  ベース基板
２、３  電子部品
４  封止樹脂
５  シールド層
６  端子電極
９  溝
１０  モジュール基板
【図１】
2012101857.tif 000003
【図２】
2012101857.tif 000004
【図３】
2012101857.tif 000005
【図４】
2012101857.tif 000006
【図５】
2012101857.tif 000007
【図６】
2012101857.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために第１発明に係るモジュール基板は、ベース基板と、該ベース基板の少なくとも一面に実装した複数の電子部品と、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品を封止する封止樹脂と、該封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層とを備え、前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層以上の厚みで形成してあり、前記封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあり、前記封止樹脂を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１発明では、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層以上の厚みで形成してあり、封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。
また、封止樹脂を被覆するシールド層は、封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、第３発明に係るモジュール基板は、第１又は第２発明において、前記封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第３発明では、封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされているので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、より封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができるので、シールド特性の向上を図ることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、第４発明に係るモジュール基板は、第１乃至第３発明のいずれか１つにおいて、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品のうち、素子の集積率の高い前記電子部品の近傍にある前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、他の前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層に比べて厚くなるように形成してあることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第４発明では、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品のうち、素子の集積率の高い電子部品の近傍にある封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、他の封止樹脂の側面を被覆するシールド層に比べて厚くなるように形成してあるので、外部からの電磁波による影響を受けやすい素子の集積率の高い電子部品に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、第５発明に係るモジュール基板は、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれていることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第５発明では、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれているが、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、電子部品とシールド層との間で容量を形成したり、シールド層が電子部品のアンテナとして機能したりすることを防ぐことができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記構成によれば、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層以上の厚みで形成してあり、封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層より厚く形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。
また、封止樹脂を被覆するシールド層は、封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
該ベース基板の少なくとも一面に実装した複数の電子部品と、
前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品を封止する封止樹脂と、
該封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層と
を備え、
前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層以上の厚みで形成してあり、
前記封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあり、
前記封止樹脂を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあることを特徴とするモジュール基板。
【請求項２】
前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、全ての側面において、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層よりも厚くなるように形成してあることを特徴とする請求項１に記載のモジュール基板。
【請求項３】
前記封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされていることを特徴とする請求項１又は２に記載のモジュール基板。
【請求項４】
前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品のうち、素子の集積率の高い前記電子部品の近傍にある前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、他の前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層に比べて厚くなるように形成してあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のモジュール基板。
【請求項５】
前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のモジュール基板。
【国際調査報告】
2012101857.tif 000009
2012101857.tif 000010
2012101857.tif 000011
2012101857.tif 000012
2012101857.tif 000013