(57)【要約】  本発明は、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができる複合基板、該複合基板を備えるモジュール、及び複合基板の製造方法を提供する。  本発明に係る複合基板は、少なくとも片面に電子部品（２）を実装するための回路配線が形成されているセラミック基板（１）と、セラミック基板（１）の一面に形成されている複数の外部接続端子（３）と、セラミック基板（１）の一面に形成されている樹脂層（５）とを備える。外部接続端子（３）は、セラミック基板（１）の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状であり、セラミック基板（１）と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が樹脂層（５）から露出されている。
2012056883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されているセラミック基板と、
該セラミック基板の一面に形成されている複数の外部接続端子と、
前記セラミック基板の一面に形成されている樹脂層と
を備える複合基板であって、
前記外部接続端子は、前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有し、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が前記樹脂層から露出されていることを特徴とする複合基板。
【請求項２】
前記セラミック基板の一面からの前記外部接続端子の高さは、前記樹脂層の厚みより小さく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の複合基板。
【請求項３】
前記外部接続端子は、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の外周縁が前記樹脂層で覆われていることを特徴とする請求項２に記載の複合基板。
【請求項４】
前記外部接続端子は、前記樹脂層から露出した端面にメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の複合基板。
【請求項５】
前記メッキ層は、前記樹脂層から突出しないように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の複合基板。
【請求項６】
複数の前記外部接続端子は、前記セラミック基板の一面に格子状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の複合基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の複合基板と、
前記セラミック基板の両面、又は前記外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された電子部品と
を備えることを特徴とするモジュール。
【請求項８】
前記外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された前記電子部品を樹脂で封止する封止層を備えることを特徴とする請求項７に記載のモジュール。
【請求項９】
一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を樹脂シートに複数形成し、形成した前記孔に導電材料を充填する第１工程と、
少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、前記孔の開口面積が順次小さくなるように複数の前記樹脂シートを積み重ねて焼成し、焼成した前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する第２工程と、
前記外部接続端子の、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、前記セラミック基板の一面に樹脂層を形成する第３工程と
を含むことを特徴とする複合基板の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に導電材料を複数回スクリーン印刷して、前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する未焼成の外部接続端子を複数形成する第１工程と、
未焼成の前記外部接続端子を複数形成した前記セラミック基板を焼成する第２工程と、
前記外部接続端子の、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、前記セラミック基板の一面に樹脂層を形成する第３工程と
を含むことを特徴とする複合基板の製造方法。
【請求項１１】
一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を未焼成のセラミックシートに複数形成し、形成した前記孔に導電材料を充填する第１工程と、
前記セラミックシートより焼結温度が低く、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、前記孔の開口面積が順次小さくなるように複数の前記セラミックシートを積み重ねて焼成し、未焼結の前記セラミックシートを除去して、前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する第２工程と、
前記外部接続端子の、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、前記セラミック基板の一面に樹脂層を形成する第３工程と
を含むことを特徴とする複合基板の製造方法。
【請求項１２】
前記セラミック基板は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第３工程では、形成した前記樹脂層の表面を研削して、前記外部接続端子の前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部を露出させることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第３工程では、前記セラミック基板の一面からの前記外部接続端子の高さより厚みが厚くなるように前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第３工程では、前記外部接続端子の前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の外周縁を覆うように前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項１４に記載の複合基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第３工程では、前記外部接続端子の、前記樹脂層から露出した端面に、前記樹脂層から突出しないようにメッキ層を形成することを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装するための回路配線が形成してあるセラミック基板を備える複合基板、該複合基板を備えるモジュール、及び複合基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一面に電子部品を実装するための回路配線が形成してあるセラミック基板（回路基板）と、セラミック基板の他面の周縁部に形成され、他面から垂直方向に延びた複数の外部接続端子（突起電極）とを備えた複合基板が開示されている。さらに、複合基板は、少なくとも複数の外部接続端子の端面が露出するように、セラミック基板の他面に樹脂層を設けてある。樹脂層は、複数の外部接続端子の露出した端面にメッキ層を形成した後に、セラミック基板の他面を樹脂で覆って形成されている。なお、セラミック基板には、例えば、低温焼結セラミック（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）等の材料を使用する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１１５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている複合基板では、外部接続端子が円柱状又は角柱状であるため、断面積が一定であり、外部接続端子とセラミック基板とが接続されている接続部分の断面積を大きくするにも限界がある。外部接続端子とセラミック基板との接続部分の断面積を十分に大きくできない場合、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができず、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができず、セラミック基板から外部接続端子が剥がれる等の不具合が生じるおそれがあるという問題点があった。【０００５】
また、特許文献１に開示されている複合基板の製造方法では、セラミック基板の他面の周縁部に複数の外部接続端子を形成した後に、複数の外部接続端子の露出した端面にメッキ層を形成する。そのため、複数の外部接続端子の露出した端面にメッキ層を形成するとき、セラミック基板と外部接続端子との境界部分にメッキ液が入り込む等により、セラミック基板と外部接続端子との接続強度が低下するおそれがあるという問題点もあった。【０００６】
さらに、特許文献１に開示されている複合基板では、セラミック基板の他面の周縁部に外部接続端子が形成されているので、セラミック基板の他面に形成することができる外部接続端子の数が制限され、必要な数の外部接続端子を確保するためには複合基板自体を大型化する必要があり、複合基板を小型化することができないという問題点があった。また、セラミック基板の他面の周縁部に外部接続端子が形成されているので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散することができず、一部の外部接続端子に応力が集中して破損しやすいという問題点もあった。【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができる複合基板、複合基板を備えるモジュール、及び複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明に係る複合基板は、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されているセラミック基板と、該セラミック基板の一面に形成されている複数の外部接続端子と、前記セラミック基板の一面に形成されている樹脂層とを備える複合基板であって、前記外部接続端子は、前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有し、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が前記樹脂層から露出されている。【０００９】
上記構成では、外部接続端子は、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有しており、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が樹脂層から露出されているので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、外部接続端子とセラミック基板とが接続する接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができる。また、電子部品を実装する基板にセラミック基板を用いているが、樹脂層を備えているため、落下等により複合基板に応力が加わった場合であっても複合基板の変形を防止することができ、厚みが薄くなった場合であっても十分な強度を確保できるので、複合基板を薄型化することができる。【００１０】
また、本発明に係る複合基板は、前記セラミック基板の一面からの前記外部接続端子の高さが、前記樹脂層の厚みより小さく形成されていることが好ましい。【００１１】
上記構成では、セラミック基板の一面からの外部接続端子の高さが、樹脂層の厚みより小さく形成されているので、外部接続端子の露出した端面にメッキ層を形成する場合、メッキ層を樹脂層から突出しないよう形成することができ、外部接続端子を形成してある側の複合基板の一面をほぼ平坦にすることができる。【００１２】
また、本発明に係る複合基板は、前記外部接続端子が、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の外周縁が前記樹脂層で覆われていることが好ましい。【００１３】
上記構成では、外部接続端子は、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の外周縁が樹脂層で覆われているので、樹脂層を形成した後でメッキ層を形成する場合に、セラミック基板と外部接続端子との境界部分にメッキ液が入り込む等により、セラミック基板と外部接続端子との接続強度が低下するおそれが少ない。【００１４】
また、本発明に係る複合基板は、前記外部接続端子が、前記樹脂層から露出した端面にメッキ層が形成されていることが好ましい。【００１５】
上記構成では、外部接続端子は、樹脂層から露出した端面にメッキ層が形成されているので、外部接続端子の露出した端面を保護することができるとともに、外部接続端子と実装用基板とをはんだで接続する場合、接続の信頼性を向上させることができる。【００１６】
また、本発明に係る複合基板は、前記メッキ層が、前記樹脂層から突出しないように形成されていることが好ましい。【００１７】
上記構成では、メッキ層が、樹脂層から突出しないように形成されているので、外部接続端子を形成してある側の複合基板の一面をほぼ平坦にすることができる。【００１８】
また、本発明に係る複合基板は、複数の前記外部接続端子が、前記セラミック基板の一面に格子状に形成されていることが好ましい。【００１９】
上記構成では、複数の外部接続端子が、セラミック基板の一面に格子状に形成されているので、セラミック基板の一面の周縁部に外部接続端子が形成されている場合に比べて、セラミック基板の一面に形成することができる外部接続端子の数を増やすことができ、必要な数の外部接続端子を確保しつつ複合基板を小型化することができる。また、セラミック基板の一面の周縁部に偏らずに、格子状に複数の外部接続端子が形成されているので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散することができ、一部の外部接続端子に応力が集中して、破損することを防ぐことができる。【００２０】
次に、上記目的を達成するために本発明に係るモジュールは、上記構成の複合基板と、前記セラミック基板の両面、又は前記外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された電子部品とを備える。【００２１】
上記構成では、上記構成の複合基板と、セラミック基板の両面、又は外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された電子部品とを備えるので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子が形成された複合基板を備えるモジュールと比べて、セラミック基板と外部接続端子との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができる。【００２２】
また、本発明に係るモジュールは、前記外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された前記電子部品を樹脂で封止する封止層を備えることが好ましい。【００２３】
上記構成では、外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された電子部品を樹脂で封止する封止層を備えるので、外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された電子部品を保護することができるとともに、モジュールの反りを抑えることができる。【００２４】
次に、上記目的を達成するために本発明に係る複合基板の製造方法は、一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を樹脂シートに複数形成し、形成した前記孔に導電材料を充填する第１工程と、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、前記孔の開口面積が順次小さくなるように複数の前記樹脂シートを積み重ねて焼成し、焼成した前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する第２工程と、前記外部接続端子の、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、前記セラミック基板の一面に樹脂層を形成する第３工程とを含む。【００２５】
上記構成では、一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を樹脂シートに複数形成し、形成した孔に導電材料を充填する。少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、孔の開口面積が順次小さくなるように複数の樹脂シートを積み重ねて焼成し、焼成したセラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する。外部接続端子の、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、セラミック基板の一面に樹脂層を形成する。これにより、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保した複合基板を製造することができる。【００２６】
次に、上記目的を達成するために本発明に係る複合基板の製造方法は、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に導電材料を複数回スクリーン印刷して、前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する未焼成の外部接続端子を複数形成する第１工程と、未焼成の前記外部接続端子を複数形成した前記セラミック基板を焼成する第２工程と、前記外部接続端子の、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、前記セラミック基板の一面に樹脂層を形成する第３工程とを含む。【００２７】
上記構成では、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に導電材料を複数回スクリーン印刷して、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する未焼成の外部接続端子を複数形成する。未焼成の外部接続端子を複数形成したセラミック基板を焼成し、外部接続端子の、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、セラミック基板の一面に樹脂層を形成する。これにより、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保した複合基板を製造することができる。【００２８】
次に、上記目的を達成するために本発明に係る複合基板の製造方法は、一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を未焼成のセラミックシートに複数形成し、形成した前記孔に導電材料を充填する第１工程と、前記セラミックシートより焼結温度が低く、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、前記孔の開口面積が順次小さくなるように複数の前記セラミックシートを積み重ねて焼成し、未焼結の前記セラミックシートを除去して、前記セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する第２工程と、前記外部接続端子の、前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、前記セラミック基板の一面に樹脂層を形成する第３工程とを含む。【００２９】
上記構成では、一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を未焼成のセラミックシートに複数形成し、形成した孔に導電材料を充填する。セラミックシートより焼結温度が低く、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、孔の開口面積が順次小さくなるように複数のセラミックシートを積み重ねて焼成し、未焼結のセラミックシートを除去して、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する。外部接続端子の、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、セラミック基板の一面に樹脂層を形成するので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保した複合基板を製造することができる。また、未焼成のセラミックシートが焼成時のセラミック基板の収縮を抑制するので、寸法精度のよい複合基板を製造することができる。【００３０】
また、本発明に係る複合基板の製造方法は、前記セラミック基板が、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であることが好ましい。【００３１】
上記構成では、セラミック基板は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であるので、複雑な回路配線を有するセラミック基板を備える複合基板を製造することができる。【００３２】
また、本発明に係る複合基板の製造方法は、前記第３工程では、形成した前記樹脂層の表面を研削して、前記外部接続端子の前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部を露出させることが好ましい。【００３３】
上記構成では、形成した樹脂層の表面を研削して、外部接続端子のセラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部を露出させるので、樹脂層とともに外部接続端子を研削して、セラミック基板の一面からの外部接続端子の高さを容易に調整することができ、外部接続端子を形成してある側の複合基板の一面をほぼ平坦にすることができる。【００３４】
また、本発明に係る複合基板の製造方法は、前記第３工程では、前記セラミック基板の一面からの前記外部接続端子の高さより厚みが厚くなるように前記樹脂層を形成することが好ましい。【００３５】
上記構成では、セラミック基板の一面からの外部接続端子の高さより、厚みが厚くなるように樹脂層を形成するので、外部接続端子の露出した端面にメッキ層を形成する場合、メッキ層を樹脂層から突出しないように形成することができる。【００３６】
また、本発明に係る複合基板の製造方法は、前記第３工程では、前記外部接続端子の前記セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の外周縁を覆うように前記樹脂層を形成することが好ましい。【００３７】
上記構成では、外部接続端子のセラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の外周縁を覆うように樹脂層を形成するので、樹脂層を形成した後に外部接続端子の露出した端面にメッキ層を形成する場合に、セラミック基板と外部接続端子との境界部分にメッキ液が入り込む等により、セラミック基板と外部接続端子との接続強度が低下するおそれが少ない。【００３８】
また、本発明に係る複合基板の製造方法は、前記第３工程では、前記外部接続端子の、前記樹脂層から露出した端面に、前記樹脂層から突出しないようにメッキ層を形成することが好ましい。【００３９】
上記構成では、外部接続端子の、樹脂層から露出した端面に、樹脂層から突出しないようにメッキ層を形成するので、外部接続端子の露出した端面を保護することができるとともに、外部接続端子と実装用基板とをはんだで接続する場合、接続の信頼性を向上させることができる。また、樹脂層を形成した後にメッキ層を形成するので、メッキ層を形成した外部接続端子の端面に樹脂層からの樹脂成分がしみ出して、はんだの濡れ性が劣化することなく、接続の信頼性を向上させることができる。さらに、外部接続端子を形成してある側の複合基板の一面をほぼ平坦にすることができる。
【発明の効果】
【００４０】
上記構成によれば、外部接続端子は、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有しており、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が樹脂層から露出されているので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、外部接続端子とセラミック基板とが接続する接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができる。また、電子部品を実装する基板にセラミック基板を用いているが、樹脂層を備えているため、落下等により複合基板に応力が加わった場合であっても複合基板の変形を防止することができ、厚みが薄くなった場合であっても十分な強度を確保できるので、複合基板を薄型化することができる。【００４１】
また、上記構成の複合基板と、セラミック基板の両面、又は外部接続端子を形成する面とは反対側の面に実装された電子部品とを備えるので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子が形成された複合基板を備えるモジュールと比べて、セラミック基板と外部接続端子との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保することができる。【００４２】
さらに、上記構成によれば、一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を樹脂シートに複数形成し、形成した孔に導電材料を充填する。少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、孔の開口面積が順次小さくなるように複数の樹脂シートを積み重ねて焼成し、焼成したセラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する。外部接続端子の、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、セラミック基板の一面に樹脂層を形成する。これにより、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保した複合基板を製造することができる。【００４３】
また、上記構成によれば、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に導電材料を複数回スクリーン印刷して、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する未焼成の外部接続端子を複数形成する。未焼成の外部接続端子を複数形成したセラミック基板を焼成し、外部接続端子の、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、セラミック基板の一面に樹脂層を形成する。これにより、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保した複合基板を製造することができる。【００４４】
さらに、上記構成によれば、一方の開口面積が、他方の開口面積より小さい形状の孔を未焼成のセラミックシートに複数形成し、形成した孔に導電材料を充填する。セラミックシートより焼結温度が低く、少なくとも片面に電子部品を実装するための回路配線が形成されている未焼成のセラミック基板の一面に、孔の開口面積が順次小さくなるように複数のセラミックシートを積み重ねて焼成し、未焼結のセラミックシートを除去して、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状を有する外部接続端子を複数形成する。外部接続端子の、セラミック基板と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、セラミック基板の一面に樹脂層を形成するので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板と外部接続端子との接続強度を十分に確保した複合基板を製造することができる。また、未焼成のセラミックシートが焼成時のセラミック基板の収縮を抑制するので、寸法精度のよい複合基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態１に係るモジュールの構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るモジュールの外部接続端子を形成してある側の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る複合基板の製造工程を示す模式図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る複合基板の別の製造工程を示す模式図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る複合基板のさらに別の製造工程を示す模式図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係るモジュールの構成を示す模式図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るモジュールの一の外部接続端子とその近傍の構成を示す平面図である。
【図８】セラミック基板の一面の外部接続端子を形成していない部分に電子部品を実装してあるモジュールの構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るモジュールの構成を示す模式図である。図１に示すように、モジュール１０は、セラミック基板１、セラミック基板１の一面に形成してある複数の外部接続端子３、セラミック基板１の外部接続端子を形成する面と反対側の面に実装してある複数の電子部品２、セラミック基板１の外部接続端子を形成する面と反対側の面に実装してある電子部品２を樹脂で封止する封止層４、複数の外部接続端子３を形成したセラミック基板１の一面を覆う樹脂層５を備えている。なお、セラミック基板１、外部接続端子３、及び樹脂層５で複合基板２０を構成している。
【００４８】
セラミック基板１としては、例えばＬＴＣＣ（低温焼結セラミック：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板を用いる。セラミック基板１は、一枚のセラミック層からなるセラミック単層基板であっても、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であっても良い。セラミック基板１の少なくとも片面には、電子部品２を実装するための回路配線（図示せず）が形成されている。電子部品２は、セラミック基板１に表面実装することが可能な表面実装型電子部品（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）である。電子部品２を実装する基板にセラミック基板１を用いているが、樹脂層５を備えているため、落下等により複合基板２０に応力が加わった場合であっても複合基板２０の変形を防止することができ、厚みが薄くなった場合であっても十分な強度を確保することができるので、複合基板２０を薄型化することができる。
【００４９】
外部接続端子３は、セラミック基板１の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状、例えば略円錐台形状、略角錐台形状に形成されている。外部接続端子３は、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、セラミック基板１との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子３に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板１と外部接続端子３との接続強度を十分に確保することができる。なお、外部接続端子３の断面形状は、円形状であっても、矩形状であっても、その他の多角形状であっても良い。外部接続端子３は、セラミック基板１と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が、樹脂層５から露出している。外部接続端子３の露出した端面３ａには、メッキ層６が形成してある。メッキ層６を形成した外部接続端子３は、実装用基板（例えばマザー基板）にはんだで接続される。なお、メッキ層６は、Ｎｉ／Ｓｎ又はＮｉ／Ａｕ等を湿式メッキ等で成膜して形成される。
【００５０】
図２は、本発明の実施の形態１に係るモジュール１０の外部接続端子３を形成してある側の構成を示す平面図である。図２に示すように、複数の外部接続端子３は、セラミック基板１の一面の周縁部に形成されているのではなく、セラミック基板１の一面に格子状に形成されている。なお、本実施の形態では、外部接続端子３は、略角錐台形状であるので、樹脂層５から露出した端面３ａの形状は矩形であり、露出した端面３ａにはメッキ層６が形成してある。
【００５１】
セラミック基板１の一面に、複数の外部接続端子３を格子状に形成してあるので、セラミック基板１の一面の周縁部に外部接続端子を形成してある場合に比べて、セラミック基板１の一面に形成することができる外部接続端子３の数を増やすことができ、必要な数の外部接続端子３を確保しつつモジュール１０（複合基板２０）を小型化することができる。また、セラミック基板１の一面の周縁部に偏らずに、格子状に複数の外部接続端子３が形成されているので、落下等により外部接続端子３に加わる応力を分散させることができ、一部の外部接続端子３に応力が集中して、破損することを防ぐことができる。さらに、数多くの外部接続端子３をセラミック基板１の一面に形成することができるので、セラミック基板１の外部接続端子３を形成する面とは反対側の面に実装してある電子部品２からの発熱を効率よく排熱することができる。
【００５２】
図３は、本発明の実施の形態１に係る複合基板２０の製造工程を示す模式図である。まず図３（ａ）に示すように、ポリプロピレン、アクリル等の焼成工程で焼失する材料で構成された樹脂シート３１を用意する。なお、樹脂シート３１のみでは形状が不安定である場合、樹脂シート３１より硬い材料で構成されたベース基材３２を樹脂シート３１に張り合わせて用いる。
【００５３】
図３（ｂ）に示すように、レーザ光、金型等を用いて、樹脂シート３１に、複数の孔３３を格子状に形成する。孔３３は、樹脂シート３１からベース基材３２に向かって細くなるテーパ形状に形成されている。孔３３の開口３３ｂの面積（一方の開口面積）が、樹脂シート３１のベース基材３２と反対側の開口３３ａの面積（他方の開口面積）より小さい略円錐台形状である。なお、ベース基材３２は、樹脂シート３１と張り合わされているため、孔３３と連続する略円錐台形状の孔が形成されている。
【００５４】
図３（ｃ）に示すように、樹脂シート３１に形成された孔３３に、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びこれらのうち少なくともいずれか一つを含む複合物を有する導電材料３４を充填する。なお、ベース基材３２は、樹脂シート３１と張り合わされているため、孔３３と連続する略円錐台形状の孔にも導電材料３４が充填される。
【００５５】
図３（ｄ）に示すように、導電材料３４を孔３３に充填した樹脂シート３１と、回路配線（図示せず）が形成してある複数枚のセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄとを用意する。なお、樹脂シート３１は、ベース基材３２から剥がして上下をひっくり返した状態にしてある。また、複数枚のセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄは、従来の方法で製造したもので、例えば、ＰＥＴフィルム上にセラミックスラリーをコーティングした後、乾燥させ、厚み１０〜２００μｍのセラミックグリーンシートを製造する。
【００５６】
図３（ｅ）に示すように、樹脂シート３１と複数枚のセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄとを積層する。樹脂シート３１をセラミックグリーンシート３５ａに積層する場合、セラミックグリーンシート３５ａに、孔３３の開口面積が大きい開口３３ａが形成されている面が接するように樹脂シート３１を積み重ねる。また、積層した樹脂シート３１と複数枚のセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄは、例えば、圧力１００〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 、温度４０〜１００℃にて圧着する。ここで、積層したセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄは、未焼成のセラミック基板を構成している。また、セラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄは、複数枚を積層する場合に限定されるものではなく、一枚であっても良い。
【００５７】
図３（ｆ）に示すように、樹脂シート３１と複数枚のセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄとを積層した状態で焼成する。樹脂シート３１と複数枚のセラミックグリーンシート３５ａ〜３５ｄとを積層した状態で焼成することでセラミック基板１が形成される。焼成することにより樹脂シート３１は焼失し、セラミック基板１の一面に、セラミック基板１の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる略円錐台形状の外部接続端子３が複数形成される。なお、導電材料３４がＡｇを主成分とする場合には空気中で略８５０℃、Ｃｕを主成分とする場合には還元雰囲気中で略９５０℃にて焼成する。
【００５８】
その後、複数の外部接続端子３を形成したセラミック基板１の一面に、樹脂層５を形成することで、図１に示す複合基板２０を製造することができる。樹脂層５を形成する方法として、例えば、複数の外部接続端子３を形成したセラミック基板１の一面を覆うように樹脂を塗布し、所定の条件で硬化して樹脂層５を形成する。さらに、形成した樹脂層５の表面を研削して、外部接続端子３のセラミック基板１と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部を露出させる。また、例えば、スクリーン印刷等で、外部接続端子３のセラミック基板１と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部を露出させた状態で、複数の外部接続端子３の間に樹脂を充填し、硬化させて樹脂層５を形成する。なお、樹脂層５に用いる樹脂の材料は、エポキシ系樹脂などの熱硬化型樹脂である。
【００５９】
さらに、複合基板２０は、セラミック基板１の一面に樹脂層５を形成した後に、外部接続端子３の露出した端面３ａにメッキ層６を形成するので、メッキ層６を形成するときには、セラミック基板１と外部接続端子３との境界部分は樹脂層５に覆われており、境界部分にメッキ液が入り込む等のおそれが少なく、メッキ処理による影響を与える可能性が低くなる。そのため、複合基板２０は、セラミック基板１と外部接続端子３との接続強度が低下するおそれが少なくなる。
【００６０】
複合基板２０を製造する方法は、図３に示す方法に限定されるものではない。例えば、図４は、本発明の実施の形態１に係る複合基板２０の別の製造工程を示す模式図である。まず図４（ａ）に示すように、焼成後に、セラミックグリーンシート４１ａの一面に、導電材料４２を格子状にスクリーン印刷する。なお、セラミックグリーンシート４１ａのみでは形状が不安定である場合、セラミックグリーンシート４１ａより硬い材料のベース基材４３をセラミックグリーンシート４１ａに張り合わせる。また、導電材料４２は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びこれらのうち少なくともいずれか一つを含む複合物を有する。
【００６１】
次に、図４（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート４１ａの一面に、導電材料４２を複数回スクリーン印刷して、セラミックグリーンシート４１ａの一面に、セラミックグリーンシート４１ａの一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる略円錐台形状の未焼成の外部接続端子を複数形成する。開口部の大きさが異なる複数のスクリーン印刷版を用いることにより、上記形状の外部接続端子３を形成することができる。
【００６２】
そして、図４（ｃ）に示すように、一面に円錐台形状の未焼成の外部接続端子を複数形成したセラミックグリーンシート４１ａと、回路配線（図示せず）が形成してある複数枚のセラミックグリーンシート４１ｂ〜４１ｅとを用意する。なお、セラミックグリーンシート４１ａは、ベース基材４３から剥がした状態にしてある。
【００６３】
さらに、図４（ｄ）に示すように、複数枚のセラミックグリーンシート４１ａ〜４１ｅを積層する。セラミックグリーンシート４１ａをセラミックグリーンシート４１ｂに積層する場合、セラミックグリーンシート４１ｂに、未焼成の外部接続端子を形成したセラミックグリーンシート４１ａを積み重ねる。なお、積層した複数枚のセラミックグリーンシート４１ａ〜４１ｅは、例えば、圧力１００〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 、温度４０〜１００℃にて圧着する。ここで、積層した複数枚のセラミックグリーンシート４１ａ〜４１ｅは、未焼成のセラミック基板を構成している。また、セラミックグリーンシート４１ａ〜４１ｅは、複数枚を積層する場合に限定されるものではなく、一枚であっても良い。
【００６４】
そして、図４（ｅ）に示すように、複数枚のセラミックグリーンシート４１ａ〜４１ｅを積層した状態で焼成する。複数枚のセラミックグリーンシート４１ａ〜４１ｅを積層した状態で焼成することでセラミック基板１が形成される。焼成することにより、セラミック基板１の一面に、セラミック基板１の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる略円錐台形状の外部接続端子３が複数形成される。その後、複数の外部接続端子３を形成したセラミック基板１の一面に、外部接続端子３の、セラミック基板１と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出するように、樹脂層５を形成することで、図１に示す複合基板２０を製造することができる。
【００６５】
図５は、本発明の実施の形態１に係る複合基板２０のさらに別の製造工程を示す模式図である。まず図５（ａ）に示すように、低温焼結性セラミックの焼成温度では焼結しない難焼結性セラミックを主成分として含んでいる複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート（セラミックシート）５０ａ〜５０ｃを用意する。なお、難焼結性セラミックを主成分として含む粉末として例えばアルミナ粉末を用い、アルミナ粉末を有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、調製したスラリーをキャスティング法によってシート状に成形することによって、収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃを製造する。収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃの焼結温度は１５００〜１６００℃で、低温焼結性セラミックからなるセラミックグリーンシートの焼結温度（例えば、９００℃）より格段に高いため、低温焼結性セラミックからなるセラミックグリーンシートの焼成温度では実質的には焼結しない。なお、難焼結性セラミックを主成分として含む粉末としては、例えば、アルミナの他、ジルコニア、マグネシア等の粉末を用いることもできる。
【００６６】
レーザ光、金型等を用いて、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃに、複数の孔５１を格子状に形成する。孔５１は、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃを積み重ねた状態で用いるため、収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａから収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ｃへと開口面積が順次大きくなるようにそれぞれ形成された孔５１が収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃを積層した場合に連続した略円錐台形状となる。収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃに形成された開口面積の順次大きい、それぞれの孔５１に、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びこれらのうち少なくともいずれか一つを含む複合物を有する導電材料５２を充填する。
【００６７】
さらに、回路配線５４が形成してある複数枚のセラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃと、孔を形成していない複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５７ａ〜５７ｃとを用意する。収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃ、５７ａ〜５７ｃとしては、セラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃに含まれるセラミック成分と共通の成分を含むことが好ましい。
【００６８】
次に、図５（ｂ）に示すように、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃと、複数枚のセラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃと、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５７ａ〜５７ｃとを積層する。収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃをセラミックグリーンシート５５ａに積層する場合、セラミックグリーンシート５５ａに、最も開口面積が大きい孔５１の開口５１ａを有する収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ｃが接するように収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃを積み重ねる。また、積層した複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃと、複数枚のセラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃと、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５７ａ〜５７ｃとは、例えば、圧力１００〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 、温度４０〜１００℃にて圧着する。ここで、積層した複数枚のセラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃは、未焼成のセラミック基板を構成している。また、収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃ、セラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃ、収縮抑制用セラミックグリーンシート５７ａ〜５７ｃは、複数枚を積層する場合に限定されるものではなく、一枚であっても良い。
【００６９】
そして、図５（ｃ）に示すように、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃと、複数枚のセラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃと、複数枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート５７ａ〜５７ｃとを積層した状態で焼成する。積層した複数枚のセラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃを焼成することでセラミック基板１が形成される。しかし、セラミックグリーンシート５５ａ〜５５ｃの焼成温度（例えば、９００℃）では、焼結温度が１５００〜１６００℃と格段に高い収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃ、５７ａ〜５７ｃは焼結せず、面方向に収縮することなく、高さ方向にのみ収縮するので、セラミック基板１の一面に、セラミック基板の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる略円錐台形状の外部接続端子３が複数形成される。
【００７０】
収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃ、５７ａ〜５７ｃが焼結しない温度で焼成した場合、収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃ、５７ａ〜５７ｃに含まれる有機ビヒクルが焼失してアルミナ粉末の集合体になる。アルミナ粉末の集合体はブラスト処理等により簡単に除去することができる。アルミナ粉末の集合体（未焼結の収縮抑制用セラミックグリーンシート５０ａ〜５０ｃ、５７ａ〜５７ｃ）を除去して、略円錐台形状の外部接続端子３が複数形成される。複数の外部接続端子３を形成したセラミック基板１の一面に樹脂層５を形成することで、図１に示す複合基板２０を製造することができる。なお、本実施の形態１に係る製造方法においては、外部接続端子３を形成していない面に収縮抑制用セラミックグリーンシート５７ａ〜５７ｃを積層しているが、これらを用いずにセラミック基板１を形成しても良い。
【００７１】
以上のように、本実施の形態１に係る複合基板２０は、セラミック基板１の一面に形成した外部接続端子３が、セラミック基板１の一面から離隔するにしたがって断面積が小さくなる形状（略円錐台形状）を有しており、セラミック基板１と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出しているので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子に比べて、外部接続端子３とセラミック基板１との接続部分の断面積を大きくすることができ、落下等により外部接続端子３に加わる応力を分散させることができるので、セラミック基板１と外部接続端子３との接続強度を十分に確保することができる。また、電子部品２を実装する基板にセラミック基板１を用いているが、樹脂層５を備えているため、落下等により複合基板２０に応力が加わった場合であっても複合基板２０の変形を防止することができ、厚みが薄くなった場合であっても十分な強度を確保できるので、複合基板２０を薄型化することができる。さらに、樹脂層５の表面とともに外部接続端子３を研削して、セラミック基板１の一面からの外部接続端子３の高さ（例えば１０μｍ）を容易に調整することができ、外部接続端子３を形成してある側の複合基板２０の一面をほぼ平坦にすることができる。
【００７２】
また、モジュール１０は、複合基板２０と、セラミック基板１の両面、又は外部接続端子３を形成する面とは反対側の面に実装してある電子部品２とを備えるので、断面積が一定である円柱状又は角柱状の外部接続端子が形成された複合基板を備えるモジュールに比べて、セラミック基板１と外部接続端子３との接続部分の断面積を大きくすることができるので、落下等により外部接続端子３に加わる応力を分散させることができ、セラミック基板１と外部接続端子３との接続強度を十分に確保することができる。さらに、封止層４を備えるので、セラミック基板１の外部接続端子３を形成する面とは反対側の面に実装してある電子部品２を保護することができるとともに、モジュール１０の反りを抑えることができる。
【００７３】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２に係るモジュールの構成を示す模式図である。図６（ａ）に示すように、モジュール１１は、セラミック基板１、セラミック基板１の両面、又は外部接続端子７を形成する面とは反対側の面に実装してある複数の電子部品２、セラミック基板１の一面に形成してある複数の略角錐台形状の外部接続端子７、セラミック基板１の外部接続端子７を形成する面とは反対側の面に実装してある電子部品２を樹脂で封止する封止層４、複数の外部接続端子７を形成したセラミック基板１の一面を覆う樹脂層８を備えている。なお、セラミック基板１、外部接続端子７、及び樹脂層８で複合基板２１を構成している。モジュール１１は、樹脂層８の高さが異なる以外は、図１に示すモジュール１０の構成と同じである。外部接続端子７及び樹脂層８以外の構成要素については、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７４】
図６（ｂ）は、図６（ａ）の円で囲った部分である、一の外部接続端子７とその近傍を拡大した図である。図６（ｂ）に示すように、セラミック基板１の一面からの外部接続端子７の高さＨは、樹脂層８の厚みＢよりも小さく形成してある。そして、樹脂層８のセラミック基板１側の面とは反対側の面８ａに凹部を形成し、形成された凹部から外部接続端子７のセラミック基板１と接続される端面とは反対側の端面の一部又は全部が露出している。そのため、外部接続端子７の露出した端面７ａにメッキ層６を形成する場合、メッキ層６が樹脂層８のセラミック基板１側の面とは反対側の面８ａから突出することがなく、外部接続端子７を形成してある側の複合基板２１の一面をほぼ平坦にすることができる。特に、外部接続端子７の露出した端面７ａに形成したメッキ層６の表面６ａが、樹脂層８のセラミック基板１側の面とは反対側の面８ａとほぼ同一面となるようにメッキ層６を形成することで、外部接続端子７を形成してある側の複合基板２１の一面をより平坦に近づけることができる。
【００７５】
また、図７は、本発明の実施の形態２に係るモジュール１１の一の外部接続端子７とその近傍の構成を示す平面図である。図７に示すように、外部接続端子７の露出した端面７ａの外周縁を覆うように樹脂層８を形成し、外部接続端子７の露出した端面７ａが、外周縁の全部（四辺）に樹脂層８と重なる領域７ｂを有している。樹脂層８と重なる領域７ｂを除く、外部接続端子７の露出した端面７ａにメッキ層６が形成してある。樹脂層８と重なる領域７ｂを有しているので、樹脂層８を形成した後に外部接続端子７の露出した端面７ａにメッキ層６を形成した場合であっても、セラミック基板１と外部接続端子３との境界部分にメッキ液が入り込む等により、セラミック基板１と外部接続端子３との接続強度が低下するおそれが少ない。なお、外部接続端子７の露出した端面７ａは、外周縁の全部（四辺）に樹脂層８と重なる領域７ｂを有していることに限定されるものではなく、少なくとも一部（例えば一辺）に樹脂層８と重なる領域７ｂを有していれば良い。
【００７６】
以上のように、本発明の実施の形態２に係るモジュール１１（複合基板２１）は、セラミック基板１の一面からの外部接続端子７の高さ（Ｈ）が、樹脂層８の厚み（Ｂ）より小さく形成してあるので、外部接続端子７の露出した端面７ａにメッキ層６を形成する場合に、メッキ層６が樹脂層８のセラミック基板１側の面とは反対側の面８ａから突出することがなく、外部接続端子７を形成してある側の複合基板２１の一面をほぼ平坦にすることができる。なお、メッキ層６の厚みが厚く、メッキ層６が樹脂層８のセラミック基板１側の面とは反対側の面８ａから突出する場合であっても、外部接続端子７の高さを調整することにより、樹脂層８から突出する部分の高さを小さくすることができる。
【００７７】
なお、本発明の実施の形態１及び２に係るモジュール１０、１１（複合基板２０、２１）では、セラミック基板１の一面に、複数の外部接続端子３、７を格子状に形成しているが、格子状に形成する場合に限定されるものではなく、複数の外部接続端子３、７を他の形状で形成しても良い。また、セラミック基板の一面の、外部接続端子を形成していない部分に電子部品を実装しても良い。図８は、セラミック基板１の一面の、外部接続端子３を形成していない部分に電子部品を実装してあるモジュールの構成を示す模式図である。図８に示すように、モジュール１２は、セラミック基板１の一面の周縁部に形成してある複数の外部接続端子３、セラミック基板１の一面に形成してある樹脂層５、セラミック基板１の一面の外部接続端子３が形成されていない部分に実装してある電子部品９、セラミック基板１の外部接続端子３を形成していない他面に実装してある電子部品２、電子部品２を実装してあるセラミック基板１の他面を樹脂で封止する封止層４を備えている。つまり、モジュール１２は、セラミック基板１の両面に電子部品２、９が実装してある構成でも良い。
【符号の説明】
【００７８】
１  セラミック基板
２、９  電子部品
３、７  外部接続端子
４  封止層
５、８  樹脂層
６  メッキ層  
１０、１１、１２  モジュール
２０、２１  複合基板
３１  樹脂シート
３２、４３  ベース基材
３３、５１  孔
３４、４２、５２  導電材料
３５ａ〜３５ｄ、４１ａ〜４１ｅ、５５ａ〜５５ｃ  セラミックグリーンシート
５０ａ〜５０ｃ、５７ａ〜５７ｃ  収縮抑制用セラミックグリーンシート
５４  回路配線
【図１】
2012056883.tif 000003
【図２】
2012056883.tif 000004
【図３】
2012056883.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2012056883.tif 000010
【国際調査報告】
2012056883.tif 000011
2012056883.tif 000012
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