(57)【要約】Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成のスパッタリングターゲットであって、金属素地（Ａ）中に分散しているＳｉＯ２の粒子（Ｂ）中に、前記Ｓｎが含有されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクル発生の原因となる酸化物の異常放電を抑制することができる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを得る。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成のスパッタリングターゲットであって、金属素地（Ａ）中に分散しているＳｉＯ２の粒子（Ｂ）中に、前記Ｓｎが含有されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記ＳｉＯ２以外に、さらにＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５，Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物を５〜１５ｍｏｌ％含有し、これらの酸化物が金属素地（Ａ）中に分散しており、かつこれらの酸化物中に、Ｓｎが含有されていることを特徴とする請求項１記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｒｕ、Ｂ、Ｔａから選択した一種以上の元素を、０．５〜１０ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項４】
相対密度が９７％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成となるように、ＳｉＯ２粉とＳｎＯ２粉若しくはＳｎ粉を、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したＣｏ粉、Ｃｒ粉、Ｐｔ粉を混合し、これらの混合粉をホットプレスして、焼結金属素地（Ａ）中ＳｉＯ２の粒子（Ｂ）を分散させると共に、該分散したＳｉＯ２の粒子（Ｂ）中に、前記Ｓｎが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
前記ＳｉＯ２以外に、さらにＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５，Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物を５〜１５ｍｏｌ％添加し、これらの酸化物が焼結金属素地（Ａ）中に分散させると共に、かつこれらの酸化物中に、Ｓｎが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする請求項５記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
Ｒｕ、Ｂ、Ｔａから選択した一種以上の元素を０．５〜１０ｍｏｌ％添加し、焼結することを特徴とする請求項５〜６のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットに関し、スパッタリング時のパーティクル発生の原因となる酸化物の異常放電を抑制することができる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリング装置には様々な方式のものがあるが、上記の磁気記録膜の成膜では、生産性の高さからＤＣ電源を備えたマグネトロンスパッタリング装置が広く用いられている。スパッタリング法とは、正の電極となる基板と負の電極となるターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下で、該基板とターゲット間に高電圧を印加して電場を発生させるものである。【０００３】
この時、不活性ガスが電離し、電子と陽イオンからなるプラズマが形成されるが、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）の表面に衝突するとターゲットを構成する原子が叩き出されるが、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成される。このような一連の動作により、ターゲットを構成する材料が基板上に成膜されるという原理を用いたものである。【０００４】
一方、磁性材料に関する開発を見ると、ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。【０００５】
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
そしてハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。【０００６】
このような強磁性材スパッタリングターゲットの作製方法としては、溶解法や粉末冶金法が考えられる。どちらの手法で作製するかは、要求される特性によるので一概には言えないが、垂直磁気記録方式のハードディスクの記録層に使用される、強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなるスパッタリングターゲットは、一般に粉末冶金法によって作製されている。これは無機物粒子を合金素地中に均一に分散させる必要があるため、溶解法では作製することが困難だからである。【０００７】
例えば、急冷凝固法で作製した合金相を持つ合金粉末とセラミックス相を構成する粉末とをメカニカルアロイングし、セラミックス相を構成する粉末を合金粉末中に均一に分散させ、ホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献１）。
この場合のターゲット組織は、素地が白子（鱈の精子）状に結合し、その周りにＳｉＯ２（セラミックス）が取り囲んでいる様子（特許文献１の図２）又は細紐状に分散している（特許文献１の図３）様子が見える。他の図は不鮮明であるが、同様の組織と推測される。このような組織は、後述する問題を有し、好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。なお、特許文献１の図４に示されている球状物質は、メカニカルアロイグ粉末であり、ターゲットの組織ではない。【０００８】
また、急冷凝固法で作製した合金粉末を用いなくても、ターゲットを構成する各成分について市販の原料粉末を用意し、それらの原料粉を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法で混合し、混合粉末をホットプレスにより成型・焼結することによって、強磁性材スパッタリングターゲットは作製できる。【０００９】
例えば、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＴｉＯ２粉末とＳｉＯ２粉末を混合して得られた混合粉末とＣｏ球形粉末を遊星運動型ミキサーで混合し、この混合粉をホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献２）。【００１０】
この場合のターゲット組織は、無機物粒子が均一に分散した金属素地である相（Ａ）の中に、球形の相（Ｂ）を有している様子が見える（特許文献２の図１）。
このような組織は、漏洩磁束向上の点では良いがスパッタ時のパーティクルの発生抑制の点からは好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。【００１１】
また、Ｃｏ−Ｃｒ二元系合金粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末を混合して、得られた混合粉末をホットプレスすることにより、磁気記録媒体薄膜形成用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献３）。【００１２】
この場合のターゲット組織は、図によって示されていないが、Ｐｔ相、ＳｉＯ２相およびＣｏ-Ｃｒ二元系合金相が見られ、Ｃｏ-Ｃｒ二元系合金層の周囲に拡散層が観察できたことが記載されている。このような組織も、好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。【００１３】
上記の他、磁性材の開発を目途として、いくつか提案されている。例えば、特許文献４には、ＳｉＣとＳｉＯｘ（ｘ：１〜２）とを有する垂直磁気記録媒体が提案されている。また、特許文献５には、Ｃｏ、Ｐｔ、第１金属酸化物、第２金属酸化物、第３金属酸化物を含有する磁性材ターゲットが記載されている。【００１４】
また、特許文献６には、Ｃｏ、Ｐｔのマトリックス相と、金属酸化物相からなるスパッタリングターゲットが提案され、結晶粒の成長を抑制し、低透磁率、高密度のターゲットを得て、成膜効率を上げる提案がなされている。
また、特許文献７には、強磁性体材料としてＣｏ、Ｆｅを主成分とし、酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した材料で、非磁性材の形状を特定した非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットが記載されている。【００１５】
また、特許文献８には、Ｃｏ−Ｃｒ合金の強磁性体材料中に、酸化物からなる非磁性材粒子が分散した非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットが記載され、その粒子径が細かく規定されたスパッタリングターゲットが記載されている。また、特許文献９には、グラニュラ構造の磁性膜が記載されている。【００１６】
上記の通り、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物などの、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいては、酸化物としてＳｉＯ２やＣｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２を用いる提案がなされ、さらに酸化物の形状を特定する提案もなされている。しかし、これらの酸化物は絶縁体であるため異常放電の原因となっている。そして、この異常放電が原因でスパッタリング中のパーティクル発生が問題となる。
これまでは酸化物の粒径を小さくすることで異常放電の確率を減らしてきたが、磁気記録媒体の記録密度向上に伴い、許容パーティクルレベルが厳しくなってきていることから、さらなる改善が求められているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平１０−８８３３３号公報
【特許文献２】特願２０１０−０１１３２６
【特許文献３】特開２００９−１８６０号公報
【特許文献４】特開２００６−１２７６２１号公報
【特許文献５】特開２００７−４９５７号公報
【特許文献６】特開２００９−１０２７０７号公報
【特許文献７】再公表特許ＷＯ２００７／０８０７８１
【特許文献８】国際公開ＷＯ２００９／１１９８１２Ａ１
【特許文献９】特開２００１−７６３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
一般に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物などの、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいては、含有するＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの酸化物が絶縁体であるため異常放電の原因となっている。そして、この異常放電が原因でスパッタリング中のパーティクル発生が問題となる。【００１９】
本発明は上記問題を鑑みて、酸化物の異常放電を抑制し、異常放電が原因となるスパッタリング中のパーティクル発生を減少させることを課題とする。これまでは、酸化物の粒径を小さくすることで異常放電の確率を減らしてきたが、磁気記録媒体の記録密度向上に伴い、許容パーティクルレベルが厳しくなってきていることから、より改善された非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組成及び組織構造を調整することにより、スパッタリング時の酸化物による異常放電が生じず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られることを見出した。【００２１】
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成のスパッタリングターゲットであって、金属素地（Ａ）中に分散しているＳｉＯ２の粒子（Ｂ）中に、前記Ｓｎが含有されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。【００２２】
また、本発明は、
２）前記ＳｉＯ２以外に、さらにＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５，Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物を５〜１５ｍｏｌ％含有し、これらの酸化物が金属素地（Ａ）中に分散しており、かつこれらの酸化物中に、Ｓｎが含有されていることを特徴とする上記１）記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。【００２３】
さらに、本発明は、
３）Ｒｕ、Ｂ、Ｔａから選択した一種以上の元素を、０．５〜１０ｍｏｌ％含有することを特徴とする上記１）〜２）のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。
４）相対密度が９７％以上であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。【００２４】
さらに、本発明は、
５）Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成となるように、ＳｉＯ２粉とＳｎＯ２粉若しくはＳｎ粉を、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したＣｏ粉、Ｃｒ粉、Ｐｔ粉を混合し、これらの混合粉をホットプレスして、焼結金属素地（Ａ）中にＳｉＯ２の粒子（Ｂ）を分散させると共に、該分散したＳｉＯ２の粒子（Ｂ）中に、前記Ｓｎが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【００２５】
さらに、本発明は、
６）前記ＳｉＯ２以外に、さらにＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５，Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物を５〜１５ｍｏｌ％添加し、これらの酸化物が焼結金属素地（Ａ）中に分散させると共に、かつこれらの酸化物中に、Ｓｎが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする上記５）記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【００２６】
さらに、本発明は、
７）Ｒｕ、Ｂ、Ｔａから選択した一種以上の元素を０．５〜１０ｍｏｌ％添加し、焼結することを特徴とする上記５）〜６）のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２７】
このように調整した本発明の非磁性材粒子分散型の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタリング時の酸化物による異常放電が生じず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られる。
さらに、酸化物の異常放電を抑制し、異常放電が原因となるスパッタリング中のパーティクル発生を減少させ、歩留まり向上によるコスト改善効果を得ることができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する主要成分は、Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成の金属からなる。これらのＣｒ量、Ｐｔ量、Ｃｏ量は、それぞれ強磁性材スパッタリングターゲットとして、すなわち強磁性材薄膜の特性を保有させるための有効量である。
【００２９】
なお、当然ながらＣｒは必須成分として添加するものであり、０ｍｏｌ％を除く。すなわち、少なくとも分析可能な下限値以上のＣｒ量を含有させるものである。Ｃｒ量が２０ｍｏｌ％以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。本願発明は、これらを包含する。上記は、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々に調整できるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。
上記においては、
【００３０】
強磁性材スパッタリングターゲットは、ＳｉＯ２粉とＳｎＯ２粉若しくはＳｎ粉を、上記の組成となるように、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したＣｏ粉、Ｃｒ粉、Ｐｔ粉を混合し、これらの混合粉をホットプレスして作製することができる。
本発明において、重要なことは焼結金属素地（Ａ）中にＳｉＯ２の粒子（Ｂ）を分散させると共に、該分散したＳｉＯ２の粒子（Ｂ）中に、前記Ｓｎが含有された組織の焼結体を得ることである。
【００３１】
一般に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性体に、ＳｉＯ２を添加した場合には、焼結体スパッタリングターゲットの中でＳｉＯ２が粒子として存在するが、ＳｉＯ２が絶縁体であるため、単独で存在する場合には、アーキング（異常放電）を誘発する原因となる。このため、本願発明においては、ＳｉＯ２に電気伝導性を有するＳｎを導入して、電気抵抗を下げ、酸化物による異常放電を抑制するものである。
ＳｉＯ２の量５ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下とするのは、良好な磁気特性を示す一般的な範囲であるからである。
【００３２】
Ｓｎの添加は、単独であっても良いし、複合添加であっても効果を有する。なお、単独添加は、ＳｎＯ２粉又はＳｎ粉としての添加、複合添加はＳｉＯ２粉とＳｎＯ２粉又はＳｉＯ２粉とＳｎ粉の混合粉としての添加を意味する。その有効添加量は、０．０５〜０．６０ｍｏｌ％の範囲である。下限値未満であると、ＳｉＯ２に導電性を付与する効果がなく、また上限値を超えると、スパッタ膜の磁気特性に影響を与え、所望の特性を得られなくなる虞がある。
【００３３】
前記ＳｉＯ２以外に、さらにＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５，Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物を５〜１５ｍｏｌ％含有させることができる。
これらの酸化物が金属素地（Ａ）中に分散しており、かつこれらの酸化物中に、前記ＳｉＯ２と同様に、Ｓｎを含有させることもできる。これらの酸化物は、必要とされる強磁性膜の種類に応じて、任意に選択し添加することができる。前記添加量は、添加の効果を発揮させるための有効量である。
【００３４】
さらに、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、Ｒｕ、Ｂ、Ｔａから選択した一種以上の元素を、０．５〜１０ｍｏｌ％を添加することができる。これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。前記添加量は、添加の効果を発揮させるための有効量である。
【００３５】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を９７％以上とすることが望ましい。一般に、高密度のターゲットほどスパッタ時に発生するパーティクルの量を低減させることができることが知られている。
本発明においても同様、高密度とするのが好ましい。本願発明では、相対密度９７％以上を達成することができる。
【００３６】
本発明において相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
式：計算密度＝シグマΣ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
【００３７】
このように調整したターゲットは、スパッタリング時の酸化物によるアーキング（異常放電）が発生せず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られる。
さらに、上記の通り、Ｓｎの添加によりＳｉＯ２の粒子に導電性を付与し、異常放電の発生を防止することが可能となり、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減させることができるという効果がある。
【００３８】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。この場合、まず各金属元素の粉末と、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末を用意する。これらの粉末は最大粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が２０μｍ以下とすることが望ましい。
一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、０．１μｍ以上とすることがさらに望ましい。
【００３９】
そして、これらの金属粉末及び合金粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。ＳｉＯ２以外の酸化物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末及び合金粉末と混合すればよい。
ＳｉＯ２以外の酸化物粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。
また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。
【００４０】
さらに、Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５〜３０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２が５〜１５ｍｏｌ％、Ｓｎが０．０５〜０．６０ｍｏｌ％、残余がＣｏである組成となるように、ＳｉＯ２粉とＳｎＯ２粉若しくはＳｎ粉を、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したＣｏ粉、Ｃｒ粉、Ｐｔ粉を混合する方法が有効である。
このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型・焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを作製することができる。
【００４１】
添加したＳｎ若しくはＳｎＯ２は、焼結体ターゲット中では、優先的に金属素地相に分散したＳｉＯ２粒に含有され、ＳｉＯ２粒の電気抵抗を低下させるようになる。添加後の電気抵抗は、５．５×１０１６Ω・ｃｍ以下にすることができる。
Ｓｎ若しくはＳｎＯ２を添加しない場合の電気抵抗は５．５×１０１６Ω・ｃｍを超え、絶縁物質として作用するため、異常放電を引き起こす原因となっていたが、本願発明はこの現象を無くすことが可能となり、アーキング（異常放電）の発生は著しく減少した。
【００４２】
前記、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、９００〜１２００°Ｃの温度範囲にある。
上記においては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性体について説明したが、Ｃｏ−Ｐｔ系の強磁性体についても、同様な成分組成と製造方法により、同等の効果を得ることができる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００４４】
（実施例１）
実施例１では、原料粉末として、あらかじめ、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末と平均粒径１μｍのＳｎＯ２粉末を、ＳｉＯ２粉末９５ｗｔ％、ＳｎＯ２粉末５ｗｔ％となるように秤量し、ボールミルにて1時間混合し、ＳｉＯ２−ＳｎＯ２混合粉末を用意した。この混合粉末と、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末とを、ターゲットの組成が７８Ｃｏ−１２Ｃｒ−５Ｐｔ−５ＳｉＯ２−０．１ＳｎＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末７０．５６ｗｔ％、Ｃｒ粉末９．５９ｗｔ％、Ｐｔ粉末１４．９９ｗｔ％、ＳｉＯ２−ＳｎＯ２混合粉末４．８６ｗｔ％の重量比率で秤量した。【００４５】
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２−ＳｎＯ２混合粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間３時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。【００４６】
このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は２．８個であった。又、相対密度は９８．５％となり、９７％を超える高密度なターゲットが得られた。【００４７】
また、混合粉の電気抵抗を測定するために、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末９５ｗｔ％と平均粒径１μｍのＳｎＯ２粉末５ｗｔ％を、容量１０リットルのボールミルポットに封入し、1時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間３時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得、この場合の電気抵抗を測定したところ、４．０×１０１６Ω・ｃｍであった。【００４８】
（比較例１）
比較例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径５μｍのＣｒ粉、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が７８Ｃｏ−１２Ｃｒ−５Ｐｔ−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末７０．７６ｗｔ％、Ｃｒ粉末９．６０ｗｔ％、Ｐｔ１５．０１ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末４．６２ｗｔ％の重量比率で秤量した。【００４９】
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットへ加工した。【００５０】
このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は６．７個と増加した。なお、相対密度は９８．０％となり、９７％を超える高密度なターゲットが得られた。
なお、上記実施例においては、ＳｉＯ２の添加の例を示したが、さらにＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５，Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物を添加した場合でも、ＳｉＯ２を添加した場合と同等の効果を得ることができ、また、Ｒｕ、Ｂ、Ｔａから選択した一種以上の元素を、０．５〜１０ｍｏｌ％含有する場合には、磁気記録媒体としての特性を、さらに向上させることができることを確認している。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、強磁性材スパッタリングターゲットの組織構造を調整し、スパッタリング時の酸化物による異常放電が生じず、パーティクルの発生を減少させることを可能とする。従って本発明のターゲットを使用すれば、マグネトロンスパッタ装置でスパッタリングする際に安定した放電が得られる。さらに、酸化物の異常放電を抑制し、異常放電が原因となるスパッタリング中のパーティクル発生を減少させ、歩留まり向上によるコスト改善効果を得ることができるという優れた効果を有するので、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
【国際調査報告】
2012081363.tif 000002
2012081363.tif 000003