(57)【要約】  多層基板（２０）は、その内部に配線導体（Ｗ１〜Ｗ３）、グランド導体（Ｇ１〜Ｇ４）、層間接続導体（Ｖ１〜Ｖ５）、整合用インダクタ（Ｌ１）を備えている。多層基板（２０）の第２主面（下面）には制御信号入力端子（２１）が形成されている。高周波スイッチ（３１）が搭載される電極と配線導体（Ｗ１，Ｗ２）とは層間接続導体（Ｖ２，Ｖ３）介して導通している。制御信号用配線導体（Ｗ１）は多層基板（２０）の第２主面（下面）に近い誘電体層上に形成されていて、高周波信号配線導体（Ｗ２）は多層基板（２０）の第１主面（上面）に近い誘電体層上に形成されている。制御信号用配線導体（Ｗ１）に平面視で重なるグランド導体（Ｇ３）と整合用素子導通グランド導体（Ｇ１）とは分離部（Ｓ）で分離されている。この構造により、高周波スイッチ制御信号が入力されることによる高調波ノイズの影響を受け難くして通信特性の劣化を改善する。
2012128271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と前記誘電体層上に形成された配線導体と前記誘電体層を厚み方向に貫通する層間接続導体とを備える多層基板、
前記多層基板の第１主面にそれぞれ搭載された高周波スイッチおよび電子部品、
ならびに前記多層基板の第２主面に形成され、前記高周波スイッチの制御信号を入力する制御信号入力端子を有し、
前記制御信号入力端子がつながる制御信号用配線導体は前記多層基板の第２主面に近い誘電体層上に形成され、
前記高周波スイッチの高周波信号が流れる高周波信号配線導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記電子部品のグランド端子がつながる電子部品導通グランド導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記制御信号用配線導体に近接するグランド導体と前記電子部品導通グランド導体とは、前記多層基板内で電気的に分離されている、請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記制御信号用配線導体と前記電子部品導通グランド導体との間に、前記電子部品導通グランド導体とは別のグランド導体を備える、請求項２または３に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記高周波スイッチと前記制御信号用配線導体とを導通させる層間接続導体は、前記多層基板の平面視で、前記高周波スイッチの領域内に形成された、請求項１〜４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記高周波スイッチが制御信号入力端子から入力する前記高周波スイッチの制御信号はシリアルデータ信号およびクロック信号である、請求項１〜５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記電子部品は、前記高周波信号配線導体とグランドとの間に接続された整合用素子である、請求項１〜６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記整合用素子は、前記多層基板内の層間接続導体および配線導体により構成されたインダクタ素子である、請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記整合用素子は、前記多層基板の第１主面に搭載されたインダクタ素子である、請求項７に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板に高周波スイッチおよび高周波フィルタが搭載された高周波モジュールに関し、特に高周波スイッチに対する制御信号を入力する制御信号入力端子を備えた高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の通信周波数帯を切り替えて通信する通信機器には、一般にアンテナと送受信回路との間にフロントエンドモジュールが備えられる。たとえば、特許文献１には高周波スイッチを備えたフロントエンドモジュールが開示されている。【０００３】
図１は特許文献１に示されているフロントエンドモジュールの回路図である。このフロントエンドモジュールにおいて、高周波スイッチ１の送信信号入力部２は低域フィルタ５，６を介してパワーアンプ１３に接続されている。受信信号出力部３はバンドパスフィルタ１０，１１，１２を介してローノイズアンプ１４に接続されている。高周波スイッチ１の出力部４はアンテナ１５に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００４−５１７５８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に示されるような高周波スイッチをダイプレクサやフィルタとともに多層セラミック基板に搭載することで小型の高周波モジュールが構成できる。しかし、多層セラミック基板の表面電極を含む各配線パターンの配置を工夫しなければ、配線間で干渉し合うという不具合が生じる。特に、シリアルデータ信号およびクロック信号で制御データを入力する高周波スイッチである場合、シリアルデータ信号およびクロック信号（高周波スイッチ制御信号）は高調波ノイズ成分が多いので、この高周波スイッチ制御信号の配線の取り扱いが課題となる。【０００６】
上述の問題はフィルタから高周波スイッチまでの間で生じる干渉に限らず、アンテナから高周波スイッチまでの間で生じる干渉についても同様である。【０００７】
本発明は上述の事情に鑑み、高周波スイッチ制御信号による高調波ノイズの影響を受け難くして通信特性の劣化を改善した高周波モジュールを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者等の実験を通しての考察により、高周波スイッチ制御信号による高調波ノイズは、多層基板内部のグランド導体層を介して、高周波スイッチの高周波信号ラインに重畳されることと、その重畳の原因が、制御信号用配線導体と高周波スイッチの高周波信号が流れる配線導体とが同じグランド導体に近接していることであることがわかった。また、高周波スイッチ以外に電子部品を備える場合には、高周波スイッチ制御信号による高調波ノイズは、多層基板内部のグランド導体層を介して、前記電子部品が導通するグランド導体に重畳されることと、その重畳の原因が、前記電子部品の導通するグランド導体（整合用素子導通グランド導体）と制御信号用配線導体とが近接していることであることがわかった。【０００９】
そこで、上述の課題を解決するために、本発明の高周波モジュールは次のように構成する。
（１）複数の誘電体層と前記誘電体層上に形成された配線導体と前記誘電体層を厚み方向に貫通する層間接続導体とを備える多層基板、
前記多層基板の第１主面にそれぞれ搭載された高周波スイッチおよび電子部品、
ならびに前記多層基板の第２主面に形成され、前記高周波スイッチの制御信号を入力する制御信号入力端子を有し、
前記制御信号入力端子がつながる制御信号用配線導体は前記多層基板の第２主面に近い誘電体層上に形成され、
前記高周波スイッチの高周波信号が流れる高周波信号配線導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されていることを特徴とする。【００１０】
（２）(1)において、前記電子部品のグランド端子がつながる電子部品導通グランド導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されていることが好ましい。【００１１】
（３）(2)において、前記制御信号用配線導体に近接するグランド導体と前記電子部品導通グランド導体とは、前記多層基板内で電気的に分離されていることが好ましい。【００１２】
（４）(2)または(3)において、前記制御信号用配線導体と前記電子部品導通グランド導体との間に、前記電子部品導通グランド導体とは別のグランド導体を備えることが好ましい。【００１３】
（５）(1)〜(4)において、前記高周波スイッチと前記制御信号用配線導体とを導通させる層間接続導体は、前記多層基板の平面視で、前記高周波スイッチの領域内に形成されることが好ましい。【００１４】
（６）(1)〜(5)において、前記高周波スイッチが制御信号入力端子から入力する前記高周波スイッチの制御信号はシリアルデータ信号およびクロック信号である場合に、特に効果的である。【００１５】
（７）(1)〜(6)において、前記電子部品は、例えば前記高周波信号配線導体とグランドとの間に接続された整合用素子である。【００１６】
（８）(7)において、前記整合用素子は、例えば前記多層基板内の層間接続導体および配線導体により構成されたインダクタ素子である。【００１７】
（９）(7)において、前記整合用素子は、例えば前記多層基板の第１主面に搭載されたインダクタ素子である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、制御信号用配線導体と高周波信号配線導体との電磁界を介する結合、および制御信号用配線導体と整合用素子導通グランド導体との電磁界を介する結合が抑制されて、高周波スイッチ制御信号が入力されることによる高調波ノイズの影響を受け難くなる。そのため、受信感度の低下や送信信号歪みなどの通信特性の劣化が改善される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は特許文献１に示されているフロントエンドモジュールの回路図である。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、第１の実施形態の高周波モジュールに対する比較例の高周波モジュール１００Ａ，１００Ｂの主要部の断面図である。
【図３】図３は第１の実施形態の高周波モジュール１０１の主要部の断面図である。
【図４】図４は第２の実施形態の高周波モジュール１０２のブロック構成図である。
【図５】図５はシリアルデータ入力端子ＳＤＡＴＡに入力されるシリアルデータ信号S(SDATA)とクロック信号入力端子ＳＣＬＫに入力されるクロック信号S(SCLKの波形図である。
【図６】図６（Ａ）は第２の実施形態の高周波モジュール１０２の主要部の断面図、図６（Ｂ）はその比較対照としての、従来構造の高周波モジュール１００Ｃの主要部の断面図である。
【図７】図７（Ａ）は第３の実施形態の高周波モジュール１０３の主要部の断面図、図７（Ｂ）はその比較対照としての、従来構造の高周波モジュール１００Ｄの主要部の断面図である。
【図８】図８（Ａ）は第４の実施形態の高周波モジュール１０４の主要部の断面図、図８（Ｂ）はその比較対照としての、従来構造の高周波モジュール１００Ｅの主要部の断面図である。
【図９】図９は第５の実施形態の高周波モジュール１０５の断面図である。
【図１０】図１０は高周波モジュール１０５の分解平面図である。
【図１１】図１１は第６の実施形態の高周波モジュールの分解平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
《第１の実施形態》
図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、第１の実施形態の高周波モジュールに対する比較例の（従来の一般的な設計方法での）高周波モジュール１００Ａ，１００Ｂの主要部の断面図である。また、図３は第１の実施形態の高周波モジュール１０１の主要部の断面図である。
【００２１】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図３において、高周波モジュール（１００Ａ，１００Ｂ，１０１）は多層セラミック基板（以下、単に「多層基板」）２０と、この多層基板２０の第１主面（上面）に搭載された高周波スイッチ３１を備えている。多層基板２０は、その内部に配線導体Ｗ１，Ｗ２、グランド導体Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を備えている。多層基板２０の第２主面（下面）には制御信号入力端子２１が形成されている。
【００２２】
高周波スイッチ３１が搭載される電極と配線導体Ｗ１，Ｗ２とは層間接続導体Ｖ２，Ｖ３を介して導通している。
【００２３】
前記制御信号入力端子２１には高周波スイッチ３１に対する制御信号が入力される。この制御信号は層間接続導体Ｖ１、配線導体Ｗ１、および層間接続導体Ｖ２を経由して高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に入力される。
【００２４】
図２（Ａ）、図２（Ｂ）いずれの例でも、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波スイッチの高周波信号が流れる配線導体Ｗ２がグランド導体Ｇ１の層に近接している。グランド導体Ｇ１が完全なグランド電位で且つ極めて低抵抗でない限り、制御信号用配線導体Ｗ１と配線導体Ｗ２はグランド導体Ｇ１の層を介して結合してしまう。すなわち、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に矢印で示すように、前記制御信号は高周波スイッチ３１の高周波信号が流れる配線導体Ｗ２へ回り込む。その結果、高周波信号に制御信号の高調波ノイズが重畳されてしまう。その高周波信号が受信信号である場合には、受信感度の低下の原因となる。送信信号である場合には、送信信号歪みの原因となる。
【００２５】
一方、図３に示す第１の実施形態の高周波モジュール１０１では、制御信号用配線導体Ｗ１は多層基板２０の第２主面（下面）に近い誘電体層上に形成されていて、高周波スイッチ３１の高周波信号が流れる高周波信号配線導体Ｗ２は多層基板２０の第１主面（上面）に近い誘電体層上に形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波信号配線導体Ｗ２とは互いに離れている。
【００２６】
また、この例では、制御信号用配線導体Ｗ１と配線導体Ｗ２との間にグランド導体Ｇ４等の別のグランド導体層が形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と配線導体Ｗ２との結合が充分に遮断される。
【００２７】
さらに、高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に繋がる層間接続導体Ｖ２は高周波スイッチ３１の搭載位置の直下に直線状に延びていて、高周波スイッチ３１と制御信号用配線導体Ｗ１とを導通させる層間接続導体Ｖ２は、多層基板２０の平面視で、高周波スイッチ３１の領域内に形成されている。そのため、高周波スイッチ３１の搭載位置の近傍での制御信号用導体の引き回しが少なく、高周波信号配線導体Ｗ２への回り込みが少なくなる。
【００２８】
これらの作用によって、高周波信号配線導体Ｗ２への制御信号およびその高調波の重畳が充分に抑制される。その結果、受信感度の低下や送信信号歪みなどの通信特性の劣化が改善される。
【００２９】
《第２の実施形態》
図４は第２の実施形態の高周波モジュール１０２のブロック構成図である。
第２の実施形態の高周波モジュール１０２は、多層基板とこの多層基板に搭載された高周波スイッチ３１、デュプレクサ３２ａ〜３２ｄ、ダイプレクサ３５，フィルタ３４ｅ，３４ｆ、整合用インダクタＬａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ等を備えている。高周波スイッチ３１はアンテナポートＡＮＴ、入出力ポートＰ１〜Ｐ７、電源端子Ｖｄｄ、グランド端子ＧＮＤ、シリアルデータ入力端子ＳＤＡＴＡ、クロック信号入力端子ＳＣＬＫおよびデジタル回路部用電源端子Ｖｉｏを備えている。
【００３０】
図５は前記シリアルデータ入力端子ＳＤＡＴＡに入力されるシリアルデータ信号S(SDATA)と前記クロック信号入力端子ＳＣＬＫに入力されるクロック信号S(SCLK)の波形図である。高周波スイッチ３１はクロック信号S(SCLK)に同期してシリアルデータから所定ビットのデータを読み取る。このデータに基づいてＦＥＴなどの高周波スイッチのオン／オフを切り替える。
【００３１】
このようにシリアルデータ信号S(SDATA)とクロック信号S(SCLK)は矩形波信号であるので、その高調波成分の強度が高い。しかも、クロック信号S(SCLK)はたとえば２６ＭＨｚの連続した矩形波信号であるので、前述した高調波ノイズの重畳の原因となりやすい。
【００３２】
図６（Ａ）は第２の実施形態の高周波モジュール１０２の主要部の断面図、図６（Ｂ）はその比較対照としての、従来構造の高周波モジュール１００Ｃの主要部の断面図である。
【００３３】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）において、高周波モジュール（１０２，１００Ｃ）は多層基板２０と、この多層基板２０の第１主面（上面）に搭載された高周波スイッチ３１、デュプレクサ３２、整合用インダクタ３３等を備えている。多層基板２０は、その内部に配線導体Ｗ１〜Ｗ３、グランド導体Ｇ１〜Ｇ３、層間接続導体Ｖ１〜Ｖ７を備えている。多層基板２０の第２主面（下面）には制御信号入力端子２１が形成されている。
【００３４】
高周波スイッチ３１が搭載される電極と配線導体Ｗ１，Ｗ２とは層間接続導体Ｖ２，Ｖ３を介して導通している。
【００３５】
前記制御信号入力端子２１には高周波スイッチ３１に対する制御信号が入力される。この制御信号は層間接続導体Ｖ１、配線導体Ｗ１、および層間接続導体Ｖ２を経由して高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に入力される。整合用インダクタ３３の一方の端子は層間接続導体Ｖ６を介してグランド導体Ｇ１に接続され、他方の端子は配線導体Ｗ２に接続されている。デュプレクサ３２の一つの端子は層間接続導体Ｖ４を介して配線導体Ｗ２に接続されていて、別の端子は配線導体Ｗ３に接続されている。
【００３６】
図６（Ｂ）の例では、高周波スイッチの高周波信号が流れる配線導体（高周波信号配線導体）Ｗ２の層が、整合用インダクタ３３が導通するグランド導体Ｇ１の層に近接している。そのため、図６（Ｂ）に矢印で示すように、前記制御信号の高調波ノイズは整合用インダクタ３３が繋がる整合用素子導通グランド導体Ｇ１へ重畳される。この制御信号の高調波ノイズは整合用インダクタ３３を介して高周波信号配線導体Ｗ２に回り込む。その結果、高周波信号に制御信号の高調波ノイズが重畳されてしまう。その高周波信号が受信信号である場合には、受信感度の低下の原因となる。送信信号である場合には、送信信号歪みの原因となる。
【００３７】
一方、本発明の第２の実施形態では、図６（Ａ）のように制御信号用配線導体Ｗ１は多層基板２０の第２主面（下面）に近い誘電体層上に形成されていて、高周波スイッチ３１の高周波信号が流れる高周波信号配線導体Ｗ２および整合用素子導通グランド導体Ｇ１は多層基板２０の第１主面（上面）に近い誘電体層上に形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波信号配線導体Ｗ２とは互いに離れている。また、制御信号用配線導体Ｗ１と整合用素子導通グランド導体Ｇ１とは互いに離れている。
【００３８】
また、この例では、制御信号用配線導体Ｗ１と整合用素子導通グランド導体Ｇ１との間にグランド導体Ｇ２，Ｇ３等の整合用素子導通グランド導体Ｇ１とは別のグランド導体層が形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と整合用素子導通グランド導体Ｇ１との結合が充分に遮断される。
【００３９】
さらに、高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に繋がる層間接続導体Ｖ２は高周波スイッチ３１の搭載位置の直下に直線状に延びていて、高周波スイッチ３１と制御信号用配線導体Ｗ１とを導通させる層間接続導体Ｖ２は、多層基板２０の平面視で、高周波スイッチ３１の領域内に形成されている。そのため、高周波スイッチ３１の搭載位置の近傍での制御信号用導体の引き回しが少なく、整合用素子導通グランド導体Ｇ１および高周波信号配線導体Ｗ２への回り込みが少ない。
【００４０】
これらの作用によって、高周波信号配線導体Ｗ２への制御信号およびその高調波の重畳が充分に抑制される。その結果、受信感度の低下や送信信号歪みなどの通信特性の劣化が改善される。
【００４１】
《第３の実施形態》
図７（Ａ）は第３の実施形態の高周波モジュール１０３の主要部の断面図、図７（Ｂ）はその比較対照としての、従来構造の高周波モジュール１００Ｄの主要部の断面図である。
【００４２】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）において、高周波モジュール（１０３，１００Ｄ）は多層基板２０と、この多層基板２０の第１主面（上面）に搭載された高周波スイッチ３１、電子部品３６等を備えている。多層基板２０は、その内部に配線導体Ｗ１〜Ｗ３、グランド導体Ｇ１〜Ｇ３、層間接続導体Ｖ１〜Ｖ６を備えている。多層基板２０の第２主面（下面）には制御信号入力端子２１が形成されている。
【００４３】
高周波スイッチ３１が搭載される電極と配線導体Ｗ１，Ｗ２とは層間接続導体Ｖ２，Ｖ３を介して導通している。
【００４４】
前記制御信号入力端子２１には高周波スイッチ３１に対する制御信号が入力される。この制御信号は層間接続導体Ｖ１、配線導体Ｗ１、および層間接続導体Ｖ２を経由して高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に入力される。電子部品３６のグランド端子は層間接続導体Ｖ６を介してグランド導体（電子部品導通グランド導体）Ｇ１に接続され、他の端子は配線導体Ｗ２，Ｗ３に接続されている。
【００４５】
図７（Ｂ）の例では、高周波スイッチの高周波信号が流れる配線導体（高周波信号配線導体）Ｗ２の層が、電子部品３６が導通するグランド導体Ｇ１の層に近接している。そのため、図７（Ｂ）に矢印で示すように、前記制御信号の高調波ノイズは電子部品３６が繋がる電子部品導通グランド導体Ｇ１へ重畳される。この制御信号の高調波ノイズは電子部品３６を介して高周波信号配線導体Ｗ２，Ｗ３に回り込む。その結果、高周波信号に制御信号の高調波ノイズが重畳されてしまう。その高周波信号が受信信号である場合には、受信感度の低下の原因となる。送信信号である場合には、送信信号歪みの原因となる。
【００４６】
一方、本発明の第３の実施形態では、図７（Ａ）のように制御信号用配線導体Ｗ１は多層基板２０の第２主面（下面）に近い誘電体層上に形成されていて、高周波スイッチ３１の高周波信号が流れる高周波信号配線導体Ｗ２および電子部品３６が導通するグランド導体（電子部品導通グランド導体）Ｇ１は多層基板２０の第１主面（上面）に近い誘電体層上に形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波信号配線導体Ｗ２とは互いに離れている。また、制御信号用配線導体Ｗ１と電子部品導通グランド導体Ｇ１とは互いに離れている。
【００４７】
また、この例では、制御信号用配線導体Ｗ１と電子部品導通グランド導体Ｇ１との間にグランド導体Ｇ２，Ｇ３等の電子部品導通グランド導体Ｇ１とは別のグランド導体層が形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と電子部品導通グランド導体Ｇ１との結合が充分に遮断される。
【００４８】
さらに、高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に繋がる層間接続導体Ｖ２は高周波スイッチ３１の搭載位置の直下に直線状に延びていて、高周波スイッチ３１と制御信号用配線導体Ｗ１とを導通させる層間接続導体Ｖ２は、多層基板２０の平面視で、高周波スイッチ３１の領域内に形成されている。そのため、高周波スイッチ３１の搭載位置の近傍での制御信号用導体の引き回しが少なく、電子部品導通グランド導体Ｇ１および高周波信号配線導体Ｗ２への回り込みが少ない。
【００４９】
これらの作用によって、高周波信号配線導体Ｗ２への制御信号およびその高調波の重畳が充分に抑制される。その結果、受信感度の低下や送信信号歪みなどの通信特性の劣化が改善される。
【００５０】
《第４の実施形態》
図８（Ａ）は第４の実施形態の高周波モジュール１０４の主要部の断面図、図８（Ｂ）はその比較対照としての、従来構造の高周波モジュール１００Ｅの主要部の断面図である。
【００５１】
図８（Ａ）、図８（Ｂ）において、高周波モジュール（１０４，１００Ｅ）は多層基板２０と、この多層基板２０の第１主面（上面）に搭載された高周波スイッチ３１、デュプレクサ３２等を備えている。多層基板２０は、その内部に配線導体Ｗ１〜Ｗ３、グランド導体Ｇ１〜Ｇ４、層間接続導体Ｖ１〜Ｖ５、整合用インダクタＬ１を備えている。多層基板２０の第２主面（下面）には制御信号入力端子２１が形成されている。
【００５２】
高周波スイッチ３１が搭載される電極と配線導体Ｗ１，Ｗ２とは層間接続導体Ｖ２，Ｖ３介して導通している。
【００５３】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示した構造の高周波モジュールと異なり、整合用インダクタＬ１は多層基板２０内に構成されている。この整合用インダクタＬ１は層方向に延びる複数の配線導体と層間方向に延びる複数の層間接続導体とで構成されている。そして、整合用インダクタＬ１の一方端が高周波信号配線導体Ｗ２につながっていて、他方端が整合用素子導通グランド導体Ｇ１につながっている。
【００５４】
図８（Ｂ）の例では、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波信号配線導体Ｗ２とがグランド導体Ｇ４の層に近接している。そのため、図８（Ｂ）に矢印で示すように、前記制御信号の高調波ノイズはグランド導体Ｇ４を介して高周波信号配線導体Ｗ２へ重畳される。その結果、高周波信号に制御信号の高調波ノイズが重畳されてしまう。その高周波信号が受信信号である場合には、受信感度の低下の原因となる。送信信号である場合には、送信信号歪みの原因となる。
【００５５】
一方、本発明の第４の実施形態では、図８（Ａ）のように制御信号用配線導体Ｗ１は多層基板２０の第２主面（下面）に近い誘電体層上に形成されていて、高周波信号配線導体Ｗ２は多層基板２０の第１主面（上面）に近い誘電体層上に形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波信号配線導体Ｗ２とは互いに離れている。
【００５６】
また、この例では、制御信号用配線導体Ｗ１に平面視で重なるグランド導体Ｇ３と整合用素子導通グランド導体Ｇ１とは分離部Ｓで分離されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と整合用素子導通グランド導体Ｇ１との結合が充分に遮断される。
【００５７】
さらに、高周波スイッチ３１の制御信号入力端子に繋がる層間接続導体Ｖ２は高周波スイッチ３１の搭載位置の直下に直線状に延びていて、高周波スイッチ３１と制御信号用配線導体Ｗ１とを導通させる層間接続導体Ｖ２は、多層基板２０の平面視で、高周波スイッチ３１の領域内に形成されている。そのため、高周波スイッチ３１の搭載位置の近傍での制御信号用導体の引き回しが少なく、高周波信号配線導体Ｗ２への回り込みが少ない。
【００５８】
これらの作用によって、高周波信号配線導体Ｗ２への制御信号およびその高調波の重畳が充分に抑制される。その結果、受信感度の低下や送信信号歪みなどの通信特性の劣化が改善される。
【００５９】
《第５の実施形態》
図９は第５の実施形態の高周波モジュール１０５の断面図である。図１０はこの高周波モジュール１０５の分解平面図である。この高周波モジュールは、多層基板とその多層基板に搭載された高周波スイッチおよび整合用インダクタで構成されている。図１０の(1)〜(20)はその多層基板の各層の平面図である。(1)が最上層、(20)が最下層である。(1)に示す最上層には高周波スイッチが搭載される電極および整合用インダクタチップが搭載される電極が形成されている。(2)〜(19)に示す各層には各種配線導体、各種グランド導体および層間接続導体（ビア導体）が形成されている。
【００６０】
図９のように、多層基板２０は、その内部に配線導体Ｗ１，Ｗ２、グランド導体Ｇ１〜Ｇ３、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ６，Ｖ７を備えている。多層基板２０の第２主面（下面）には制御信号入力端子２１が形成されている。基本構成は、第２の実施形態で図６（Ａ）に示したものと同様である。
【００６１】
高周波スイッチ３１が搭載される電極と配線導体Ｗ１，Ｗ２とは層間接続導体Ｖ２，Ｖ３を介して導通している。
【００６２】
制御信号用配線導体Ｗ１は多層基板２０の第２主面（下面）に近い誘電体層上に形成されていて、高周波スイッチ３１の高周波信号が流れる高周波信号配線導体Ｗ２および整合用素子導通グランド導体Ｇ１は多層基板２０の第１主面（上面）に近い誘電体層上に形成されている。そのため、制御信号用配線導体Ｗ１と高周波信号配線導体Ｗ２とは互いに離れている。また、制御信号用配線導体Ｗ１と整合用素子導通グランド導体Ｇ１とは互いに離れている。
【００６３】
図１０の層(20)には制御信号入力端子２１（シリアルデータ入力端子ＳＤＡＴＡおよびクロック信号入力端子ＳＣＬＫ）を含む複数の端子が形成されている。層(19)にはグランド導体Ｇ３が形成されている。層(18)には制御信号入力端子２１に繋がる制御信号用配線導体Ｗ１が形成されている。層(17)にはグランド導体Ｇ２が形成されている。また、層(5)にはグランド導体Ｇ１が形成されている。層(2)には高周波信号配線導体Ｗ２が形成されている。さらに層(1)には高周波スイッチ３１を搭載する複数の電極Ａ３１および整合用インダクタ３３を搭載する二つの電極Ａ３３が形成されている。層(3)〜層(19)には層間接続導体Ｖ２が形成されている。
以上のとおり多層構造を構成できる。
【００６４】
《第６の実施形態》
図１１は第６の実施形態の高周波モジュールの分解平面図である。第５の実施形態ではシリアルデータ入力端子ＳＤＡＴＡおよびクロック信号入力端子ＳＣＬＫにそれぞれつながる配線導体や層間接続導体からの高調波ノイズの回り込みを防止する構造とした。第６の実施形態はクロック信号入力端子ＳＣＬＫにつながる配線導体や層間接続導体からの高調波ノイズの回り込みを防止する構造である。その他は第５の実施形態と同様である。
【００６５】
図１１の層(20)には、シリアルデータ入力端子ＳＤＡＴＡとクロック信号入力端子ＳＣＬＫ（制御信号入力端子２１）を含む複数の端子が形成されている。層(19)にはグランド導体Ｇ３が形成されている。層(18)にはクロック信号入力端子ＳＣＬＫ（制御信号入力端子２１）に繋がる制御信号用配線導体Ｗ１が形成されている。層(17)にはグランド導体Ｇ２が形成されている。また、層(5)にはグランド導体Ｇ１が形成されている。層(2)には高周波信号配線導体Ｗ２が形成されている。さらに層(1)には高周波スイッチ３１を搭載する複数の電極Ａ３１および整合用インダクタ３３を搭載する二つの電極Ａ３３が形成されている。層(3)〜層(19)には層間接続導体Ｖ２が形成されている。
このように、シリアルデータの同期転送用のクロック信号入力端子ＳＣＬＫにそれぞれつながる配線導体や層間接続導体についてのみ、図９に示した構造をとっても、クロック信号の高調波信号の高周波信号配線導体Ｗ２への回り込みが充分に抑制される。その結果、受信感度の低下や送信信号歪みなどの通信特性の劣化が改善される。
【符号の説明】
【００６６】
Ａ３１，Ａ３３…電極
ＡＮＴ…アンテナポート
Ｇ１…整合用素子導通グランド導体
Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４…グランド導体
ＧＮＤ…グランド端子
Ｌ１…整合用インダクタ
Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ…整合用インダクタ
Ｐ１〜Ｐ７…入出力ポート
Ｓ…分離部
ＳＣＬＫ…クロック信号入力端子
ＳＤＡＴＡ…シリアルデータ入力端子
Ｖ１〜Ｖ７…層間接続導体
Ｖｄｄ…電源端子
Ｗ１…制御信号用配線導体
Ｗ２…高周波信号配線導体
Ｗ３…配線導体
２０…多層基板
２１…制御信号入力端子
３１…高周波スイッチ
３２，３２ａ〜３２ｄ…デュプレクサ
３３…整合用インダクタ
３４ｅ，３４ｆ…フィルタ
３５…ダイプレクサ
１００Ａ〜１００Ｄ…高周波モジュール
１０１〜１０５…高周波モジュール
【図１】
2012128271.tif 000003
【図２】
2012128271.tif 000004
【図３】
2012128271.tif 000005
【図４】
2012128271.tif 000006
【図５】
2012128271.tif 000007
【図６】
2012128271.tif 000008
【図７】
2012128271.tif 000009
【図８】
2012128271.tif 000010
【図９】
2012128271.tif 000011
【図１０】
2012128271.tif 000012
【図１１】
2012128271.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と前記誘電体層上に形成された配線導体と前記誘電体層を厚み方向に貫通する層間接続導体とを備える多層基板、
前記多層基板の第１主面にそれぞれ搭載された高周波スイッチおよび電子部品、
ならびに前記多層基板の第２主面に形成され、前記高周波スイッチの制御信号を入力する制御信号入力端子を有し、
前記制御信号入力端子がつながる制御信号用配線導体は前記多層基板の第２主面に近い誘電体層上に形成され、
前記高周波スイッチの高周波信号が流れる高周波信号配線導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されており、
前記制御信号用配線導体に近接するグランド導体と前記電子部品導通グランド導体とは、前記多層基板内で電気的に分離されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記電子部品のグランド端子がつながる電子部品導通グランド導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記制御信号用配線導体と前記電子部品導通グランド導体との間に、前記電子部品導通グランド導体とは別のグランド導体を備える、請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記高周波スイッチと前記制御信号用配線導体とを導通させる層間接続導体は、前記多層基板の平面視で、前記高周波スイッチの領域内に形成された、請求項１〜３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記高周波スイッチが制御信号入力端子から入力する前記高周波スイッチの制御信号はシリアルデータ信号およびクロック信号である、請求項１〜４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記電子部品は、前記高周波信号配線導体とグランドとの間に接続された整合用素子である、請求項１〜５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記整合用素子は、前記多層基板内の層間接続導体および配線導体により構成されたインダクタ素子である、請求項６に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記整合用素子は、前記多層基板の第１主面に搭載されたインダクタ素子である、請求項６に記載の高周波モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、上述の課題を解決するために、本発明の高周波モジュールは次のように構成する。
（１）複数の誘電体層と前記誘電体層上に形成された配線導体と前記誘電体層を厚み方向に貫通する層間接続導体とを備える多層基板、
前記多層基板の第１主面にそれぞれ搭載された高周波スイッチおよび電子部品、
ならびに前記多層基板の第２主面に形成され、前記高周波スイッチの制御信号を入力する制御信号入力端子を有し、
前記制御信号入力端子がつながる制御信号用配線導体は前記多層基板の第２主面に近い誘電体層上に形成され、
前記高周波スイッチの高周波信号が流れる高周波信号配線導体は前記多層基板の第１主面に近い誘電体層上に形成されており、前記制御信号用配線導体に近接するグランド導体と前記電子部品導通グランド導体とは、前記多層基板内で電気的に分離されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（３）(1)または(2)において、前記制御信号用配線導体と前記電子部品導通グランド導体との間に、前記電子部品導通グランド導体とは別のグランド導体を備えることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（４）(1)〜(3)において、前記高周波スイッチと前記制御信号用配線導体とを導通させる層間接続導体は、前記多層基板の平面視で、前記高周波スイッチの領域内に形成されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（５）(1)〜(4)において、前記高周波スイッチが制御信号入力端子から入力する前記高周波スイッチの制御信号はシリアルデータ信号およびクロック信号である場合に、特に効果的である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（６）(1)〜(5)において、前記電子部品は、例えば前記高周波信号配線導体とグランドとの間に接続された整合用素子である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（７）(6)において、前記整合用素子は、例えば前記多層基板内の層間接続導体および配線導体により構成されたインダクタ素子である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（８）(6)において、前記整合用素子は、例えば前記多層基板の第１主面に搭載されたインダクタ素子である。
【国際調査報告】
2012128271.tif 000014
2012128271.tif 000015