(57)【要約】  チャンバ内構成物（７０）における少なくとも成膜材料と接触する部分に磁石に吸着される材料からなる層（７１）が設けられている。成膜材料の回収方法は、チャンバ内構成物（７０）の表面に付着した付着物（２２）を剥離する剥離工程と、剥離工程で剥離された、磁石に吸着される材料からなる層（７１）の破片を、磁石（２０２ａ）に吸着させて付着物（２２）から分離して付着物（２２）を回収する分離工程とを備えている。
2012086535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、
上記成膜治具における少なくとも上記成膜材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が設けられており、
上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離する剥離工程と、
上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴とする成膜材料の回収方法。
【請求項２】
上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具で削ることで上記剥離工程における成膜材料の剥離が行われるとともに、
上記分離工程では、上記剥離工程で剥離した成膜材料に混ざっている、磁石に吸着される材料からなる削具の破片および上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項３】
真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、
上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具で削って剥離する剥離工程と、
上記剥離工程で剥離した成膜材料に混ざっている、磁石に吸着される材料からなる削具の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴とする成膜材料の回収方法。
【請求項４】
上記削具の破片が、磁石に吸着される材料からなる研磨剤であり、
上記剥離工程では、上記成膜材料を、上記削具に、磁石に吸着される材料からなる研磨剤を用いたサンドブラスト法で剥離することを特徴とする請求項２または３に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項５】
上記分離工程の前に、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物を、フィルタにより分級して、フィルタを通過しない研磨剤を分離する分級工程をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項６】
上記分級工程の前に、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物中に含まれている成膜材料を粉砕する粉砕工程を備えていることを特徴とする請求項５に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項７】
上記粉砕工程では、上記混合物中に含まれている研磨剤を用いて上記成膜材料を粉砕することを特徴とする請求項６に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項８】
上記分離工程では、上記成膜材料と破片との混合物を、上記磁石の磁界内を複数回通過させることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項９】
上記磁石に吸着される材料が、強磁性体またはフェリ磁性体であることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項１０】
上記成膜材料が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる有機材料であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、大量生産・大量廃棄の社会へと変貌を遂げる中、電子機器、特に情報関連機器の増加は顕著である。上記電子機器の中核部品としては、半導体、液晶パネルを含むフラットディスプレイパネル、太陽電池、半導体デバイス、メモリ等が挙げられる。【０００３】
このような電子機器は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空成膜法による真空成膜装置を用いて作製されており、成膜材に希少金属が用いられることも多い。【０００４】
また、近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。【０００５】
そのような状況下において、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。【０００６】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。【０００７】
有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。【０００８】
また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。【０００９】
フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。【００１０】
このような有機ＥＬ表示装置の発光部における有機ＥＬ素子は、一般的に、有機膜の積層蒸着によって形成される。有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎に所定のパターンで成膜される。【００１１】
積層蒸着による所定のパターンの成膜には、例えば、「シャドウマスク」と称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法等が適用可能である。【００１２】
そのうち、現在では真空蒸着法を用いるのが最も一般的である。【００１３】
真空蒸着法では、内部に蒸着材料を収容する、「るつぼ」あるいは「ボート」と称される蒸着源を使用し、高真空下で上記蒸着材料を加熱して昇華させることにより、被成膜基板上に上記蒸着材料を蒸着させる。【００１４】
このとき、蒸着粒子として上記蒸着源から射出された蒸着材料を、真空蒸着装置における真空チャンバ内で、上記蒸着用のマスクに設けられた開口部を通して蒸着させることで、所望の成膜パターンを得ることができる。【００１５】
有機ＥＬ表示装置の発光部における有機ＥＬ素子は、有機膜の積層蒸着によって構成されている。【００１６】
真空蒸着法では、上記したように蒸着材料を加熱し昇華させて蒸着粒子として蒸着源から射出されるため、飛散した蒸着粒子は、ＴＦＴ基板等の被成膜基板以外の構成物にも付着する。【００１７】
真空蒸着装置における真空チャンバ内には、防着板やシャッタ等、様々な構成物がある。【００１８】
上記有機膜を構成する有機材料は高価であるが、これらの構成物に付着した蒸着材料、すなわちＴＦＴ基板等の被成膜基板に付着した蒸着粒子は、回収されない限り全て無駄となる。【００１９】
現状、有機ＥＬ表示装置の量産で適用されている製造装置では、真空チャンバ内の防着板等に付着した有機材料は再利用できず、材料利用効率が低かった。【００２０】
なお、材料利用効率とは、蒸着時に使用する材料のうち実際に活用される材料の比率を示す。【００２１】
そこで、被成膜基板以外に付着した蒸着材料を回収し、再利用することができれば、材料利用効率が向上する。【００２２】
そこで、例えば特許文献１には、セルシャッタに付着した蒸着材料を加熱して再蒸発させ、その蒸気を冷却媒体が循環されるシュラウドで冷却して回収する方法が開示されている。【００２３】
また、特許文献２には、シャッタ板に付着した蒸着材料をシャッタ内のヒータにより加熱、融解させ蒸着源に落とし込んで回収する方法が開示されている。【００２４】
特許文献３には、ヒータでセルシャッタを加熱し、セルシャッタの下面に付着した蒸着材料を蒸発させて坩堝（るつぼ）に回収する方法が開示されている。【００２５】
特許文献４には、遮断壁と蒸気流放出口とを備えた蒸着材料回収具を、蒸気出口を覆うように配置し、蒸着源から被処理基板に向かう蒸気流の発散角が制御された状態で蒸着を行った後、上記蒸着材料回収具を取り出して遮断壁に堆積している蒸着材料を回収する方法が開示されている。【００２６】
特許文献５には、有機材料が析出するチャンバ内におけるシャッタ等の部品を、有機材料が変質しない不活性な材質とし、これら部品に堆積した有機材料を回収することが開示されている。【００２７】
特許文献６には、成膜治具への付着物をウォータジェットの吹き付けによって回収する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２８】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開平１０−１６８５５９号公報（１９９８年６月２３日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２００８−１２７６４２号公報（２００８年６月５日公開）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２００８−８８４６５号公報（２００８年４月１７日公開）」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開２００８−２２３１０２号公報（２００８年９月２５日公開）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特開２００２−１９０３８９号公報（２００２年７月５日公開）」
【特許文献６】日本国公開特許公報「特開２００２−２９２３４６号公報（２００２年１０月８日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
しかしながら、特許文献１〜３に記載の方法は、シャッタ以外の部分に付着した蒸着材料は回収し得ないという問題点を有している。【００３０】
量産工程では、蒸着速度が安定した後、基板への蒸着処理を多数枚連続的に処理する。したがって、チャンバへの基板の出し入れや蒸着用のマスクの基板への密着期間という、僅かな時間を除いては、殆ど蒸着処理を行っており、シャッタは、殆どの期間、開放状態にあることになる。【００３１】
このため、実際の量産工程では、シャッタ以外への蒸着材料の付着量が多く、シャッタに付着した蒸着材料を回収しただけでは、蒸着材料を効率的に回収、再利用することはできない。【００３２】
しかも、蒸着材料の回収に際し加熱を行うことで、加熱による蒸着材料の劣化のおそれがある。【００３３】
また、特許文献４に記載の方法では、遮断壁および被処理基板以外に付着した材料は回収が不可能であるという問題点を有している。【００３４】
さらに、特許文献５には、チャンバ内におけるシャッタ等の部品に堆積した有機材料を回収することは開示されているものの、具体的な回収方法については開示がなされていない。【００３５】
また、特許文献６に記載の方法は、水分により変性が生じ易い蒸着材料には適用することができない。しかも、水であっても、水圧により成膜治具の損傷、剥離があり、剥離した成膜治具は、剥離した蒸着材料に混入する。しかしながら、このように混入した不純物に関しては、言及がなされていない。【００３６】
以上のように、従来の方法では、効率良く、且つ、低コストで成膜材料を回収することができなかった。【００３７】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、効率良く、且つ、低コストで成膜材料を回収する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３８】
本発明にかかる成膜材料の回収方法は、上記の課題を解決するために、真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、上記成膜治具における少なくとも上記成膜材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が設けられており、上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離する剥離工程と、上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴としている。【００３９】
また、本発明にかかる成膜材料の回収方法は上記の課題を解決するために、真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具で削って剥離する剥離工程と、上記剥離工程で剥離した成膜材料に混ざっている、磁石に吸着される材料からなる削具の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴としている。【００４０】
成膜治具の表面に付着した成膜材料を回収して再利用するためには、成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離する必要がある。【００４１】
そして、成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離する際には、成膜材料と一緒に、成膜治具や削具の表面が剥落することで、剥離した成膜材料に混入する。【００４２】
しかしながら、上記したように、少なくとも上記成膜治具と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が設けられた成膜治具、あるいは、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具を使用することで、成膜材料の剥離時に成膜材料と一緒に剥離した、上記磁石に吸着される材料からなる破片は、磁石に吸着されて、成膜材料から分離される。【００４３】
このため、上記の各方法によれば、効率良く、且つ、低コストで成膜材料を回収することができる。【００４４】
しかも、上記の各方法によれば、溶液洗浄や熱処理等の複雑な工程を経ないので、新たな不純物の混入がない。【００４５】
このため、上記の各方法によれば、複雑な分離処理工程を追加することなく、高純度で成膜材料を回収し、再利用することができる。【００４６】
また、磁石に吸着した破片は、上記分離工程において分離、回収することができる。したがって、上記破片の回収により、コスト削減や環境破壊防止を図ることができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、以上のように、少なくとも上記成膜治具と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が設けられた成膜治具、あるいは、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具を使用し、成膜材料の剥離時に成膜材料と一緒に剥離した、上記磁石に吸着される材料からなる破片を、磁石に吸着させて成膜材料から分離することで、効率良く、且つ、低コストで成膜材料を回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１にかかる成膜材料の分離・回収工程を、工程順に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１で用いる真空蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】（ａ）・（ｂ）は、本発明の実施の形態１で用いる真空蒸着装置におけるチャンバ内構成物の層構造を示す断面図である。
【図４】蒸着工程後の真空チャンバ内の要部の概略構成を示す断面図である。
【図５】有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の表示部を構成する有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図である。
【図７】真空蒸着法によって被成膜基板上に成膜パターンを形成する方法を模式的に示す断面図である。
【図８】有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態２で用いられる付着物回収システムの構成の一例を示すブロック図である。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態２にかかる成膜材料の分離・回収工程を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態３で用いる真空蒸着装置におけるチャンバ内構成物の層構造を示す断面図である。
【図１２】（ａ）・（ｂ）は、本発明の実施の形態３にかかる成膜材料の分離・回収工程の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
〔実施の形態１〕
本実施の形態にかかる成膜材料の回収方法並びに成膜材料の回収に用いられる成膜装置および回収装置について、図１の（ａ）〜（ｄ）乃至図８を参照して説明すれば、以下の通りである。
【００５０】
なお、本実施の形態では、真空成膜法で使用される成膜材料の回収として、有機ＥＬ表示装置の製造において、真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成に用いられる蒸着材料の回収を行う場合を例に挙げて説明する。
【００５１】
そこで、まず、有機ＥＬ表示装置の構成について説明する。
【００５２】
＜有機ＥＬ表示装置の全体構成＞
図５は、有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【００５３】
図５に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１１０と、有機ＥＬ素子１２０と、接着層１３０と、封止基板１４０とを備えている。
【００５４】
ＴＦＴ基板１１０には、画素領域となる部分に、スイッチング素子として、ＴＦＴ等が形成されている。
【００５５】
有機ＥＬ素子１２０は、ＴＦＴ基板１１０の表示領域に、マトリクス状に形成されている。
【００５６】
有機ＥＬ素子１２０が形成されたＴＦＴ基板１１０は、接着層１３０等により、封止基板１４０と貼り合わされている。
【００５７】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００におけるＴＦＴ基板１１０および有機ＥＬ素子１２０の構成について詳述する。
【００５８】
＜ＴＦＴ基板１１０の構成＞
図６は、有機ＥＬ表示装置１００の表示部を構成する有機ＥＬ素子１２０の概略構成を示す断面図である。
【００５９】
図６に示すように、ＴＦＴ基板１１０は、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１１上に、ＴＦＴ１１２（スイッチング素子）および配線１１３、層間絶縁膜１１４、エッジカバー１１５等が形成された構成を有している。
【００６０】
有機ＥＬ表示装置１００は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１１上には、配線１１３で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子１２０からなる各色の画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂが、マトリクス状に配列されている。
【００６１】
ＴＦＴ１１２は、それぞれ、各画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂに対応して設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１１２における各層の図示並びに説明は省略する。
【００６２】
層間絶縁膜１１４は、各ＴＦＴ１１２および配線１１３を覆うように、上記絶縁基板１１１上に、上記絶縁基板１１１の全領域に渡って積層されている。
【００６３】
層間絶縁膜１１４上には、有機ＥＬ素子１２０における第１電極１２１が形成されている。
【００６４】
また、層間絶縁膜１１４には、有機ＥＬ素子１２０における第１電極１２１をＴＦＴ１１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１１４ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１１２は、上記コンタクトホール１１４ａを介して、有機ＥＬ素子１２０に電気的に接続されている。
【００６５】
エッジカバー１１５は、第１電極１２１の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子１２０における第１電極１２１と第２電極１２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
【００６６】
エッジカバー１１５は、層間絶縁膜１１４上に、第１電極１２１の端部を覆うように形成されている。
【００６７】
第１電極１２１は、図６に示すように、エッジカバー１１５のない部分で露出している。この露出部分が各画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂの発光部となる。
【００６８】
言い換えれば、各画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１１５によって仕切られている。エッジカバー１１５は、素子分離膜としても機能する。
【００６９】
＜ＴＦＴ基板１１０の製造方法＞
絶縁基板１１１としては、例えば、無アルカリガラスやプラスチック等を用いることができる。本実施の形態においては、板厚０．７ｍｍの無アルカリガラスを使用した。
【００７０】
層間絶縁膜１１４およびエッジカバー１１５としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００７１】
また、ＴＦＴ１１２は既知の方法にて作製される。なお、本実施の形態においては、上記したように、ＴＦＴ１１２を各画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂに形成したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１００を例に挙げている。
【００７２】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、ＴＦＴが形成されていないパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の製造についても、本発明を適用することができる。
【００７３】
＜有機ＥＬ素子１２０の構成＞
有機ＥＬ素子１２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極１２１、有機ＥＬ層、第２電極１２６が、この順に積層されている。
【００７４】
第１電極１２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極１２１は、前記したようにコンタクトホール１１４ａを介してＴＦＴ１１２と接続されている。
【００７５】
第１電極１２１と第２電極１２６との間には、図６に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極１２１側から、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層１２２、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂ、電子輸送層１２４、および電子注入層１２５が、この順に形成された構成を有している。
【００７６】
なお、図示してないが、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた一つの層を形成してもよい。
【００７７】
なお、上記積層順は、第１電極１２１を陽極とし、第２電極１２６を陰極としたものである。第１電極１２１を陰極とし、第２電極１２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
【００７８】
正孔注入層は、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層１２２は、第１電極１２１およびエッジカバー１１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１１０における表示領域全面に一様に形成されている。
【００７９】
なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層１２２を設けている。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
【００８０】
正孔注入層兼正孔輸送層１２２上には、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂが、それぞれ、画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂに対応して形成されている。
【００８１】
発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂは、第１電極１２１側から注入された正孔と第２電極１２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
【００８２】
電子輸送層１２４は、第２電極１２６から発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層１２５は、第２電極１２６から発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
【００８３】
電子輸送層１２４は、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層１２２を覆うように、これら発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層１２２上に、上記ＴＦＴ基板１１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００８４】
また、電子注入層１２５は、電子輸送層１２４を覆うように、電子輸送層１２４上に、上記ＴＦＴ基板１１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００８５】
なお、電子輸送層１２４と電子注入層１２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１００は、電子輸送層１２４および電子注入層１２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
【００８６】
第２電極１２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極１２６は、電子注入層１２５を覆うように、電子注入層１２５上に、上記ＴＦＴ基板１１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００８７】
なお、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子１２０の特性に応じて適宜形成すればよい。
【００８８】
また、正孔注入層兼正孔輸送層１２２および電子輸送層兼電子注入層のように、一つの層は、複数の機能を有していてもよい。
【００８９】
また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂと電子輸送層１２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層１２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
【００９０】
＜有機ＥＬ素子１２０の製造方法＞
第１電極１２１は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、個々の画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂに対応してパターン形成されている。
【００９１】
第１電極１２１としては、様々な導電性材料を用いることができるが、絶縁基板１１１側に光を放射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、透明または半透明の必要がある。
【００９２】
一方、基板とは反対側から光を放射するトップエミッション型有機ＥＬ素子の場合には、第２電極１２６が透明または半透明の必要がある。
【００９３】
これら第１電極１２１および第２電極１２６に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、を用いることができる。
【００９４】
また、上記第１電極１２１および第２電極１２６の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。例えば、上記第１電極１２１の積層に、後述する蒸着装置１を用いてもよい。
【００９５】
有機ＥＬ層の材料としては、既知の材料を用いることができる。なお、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂには、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。
【００９６】
正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層１２２の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
【００９７】
発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、等が挙げられる。
【００９８】
電子輸送層１２４、電子注入層１２５、あるいは電子輸送層兼電子注入層の材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
【００９９】
次に、本実施の形態で用いる真空蒸着装置について説明する。
【０１００】
＜蒸着装置の構成＞
図２は、本実施の形態で用いる真空蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【０１０１】
図２に示すように、本実施の形態で用いる蒸着装置１（真空蒸着装置、真空成膜装置）は、成膜チャンバとして真空チャンバ１０を備えている。
【０１０２】
真空チャンバ１０内には、蒸着源２０、防着板３０、およびシャッタ４０等の種々の構成物（部材）が設けられている。
【０１０３】
なお、真空チャンバ１０には、蒸着時に該真空チャンバ１０内を真空状態に保つために、該真空チャンバ１０に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ１０内を真空排気する図示しない真空ポンプ等が設けられている。
【０１０４】
真空チャンバ１０は、上記したように図示しない真空ポンプ等により減圧可能とされている他、開閉部を有し、真空チャンバ１０内に脱着可能に設けられた各種構成物の取り付け、取り外し、出し入れ等が可能となっている。
【０１０５】
蒸着源２０は、高真空下で、成膜材料である蒸着材料を加熱して昇華させることにより、有機発光材料等の蒸着材料を、蒸着粒子として射出する。
【０１０６】
上記蒸着源２０としては、真空チャンバ内に配された容器内部に蒸着材料を直接収容して加熱するものであってもよく、ロードロック式の配管を有し、昇華された蒸着材料を、ロードロック式の配管を通じて射出するものであってもよい。
【０１０７】
蒸着源２０としては、例えば、内部に蒸着材料を収容する、「るつぼ」あるいは「ボート」と称される容器が用いられる。
【０１０８】
真空蒸着法では、所望の位置・形状に開口部５１（貫通口、図７参照）が形成された、シャドウマスクと称される蒸着用のマスク５０が使用される。
【０１０９】
蒸着源２０は、真空チャンバ１０内に配されたマスク５０との間に一定の空隙を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置される。また、蒸着源２０は、真空チャンバ１０内に配されたマスク５０を介して被成膜基板６０の被成膜面６１と対向配置される。
【０１１０】
蒸着源２０は、マスク５０との対向面に、上記蒸着材料を蒸着粒子として射出（飛散）させる射出口２１を有している。また、図２に示す蒸着源２０は、例えば、上方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。
【０１１１】
図２では、蒸着源２０が被成膜基板６０の下方に配されており、被成膜基板６０が、その被成膜面６１が下方を向いている状態で、マスク５０と密着して保持されている場合を例に挙げて図示している。
【０１１２】
また、図２に示すように、蒸着源２０の射出口２１とマスク５０における開口領域（開口部群形成領域）とを結ぶ蒸着粒子の射出経路を除く、蒸着源２０の周囲および真空チャンバ１０の内壁１１等、真空チャンバ１０内における、蒸着粒子が付着して欲しくない蒸着粒子の飛散領域（蒸着粒子の必要な飛散領域である射出経路以外の余計な飛散領域）には、防着板３０が設けられている。
【０１１３】
本実施の形態では、防着板３０として、第１の防着板３１および第２の防着板３２を設けている。
【０１１４】
本実施の形態では、図２に示すように、蒸気流放出口となる、蒸着源２０の射出口２１とマスク５０における開口領域（開口部群形成領域）とを結ぶ蒸着粒子の射出経路を除いて真空チャンバ１０の内壁１１を覆うように、真空チャンバ１０の内壁１１に隣接して、上記蒸気流放出口となる開口部３１ａを有する第１の防着板３１が設けられている。
【０１１５】
また、蒸着源２０の周囲に、上記射出経路を除いて蒸着源２０を取り囲むように、上記蒸気流放出口となる開口部３２ａを有する第２の防着板３２が設けられている。
【０１１６】
これら防着板３０が設けられていない場合、例えば、前述した有機ＥＬ表示装置１００の製造において、マスク５０および被成膜基板６０に到達した蒸着粒子以外の蒸着粒子（飛散物）は、全て、真空チャンバ１０の内壁１１やシャッタ４０等、蒸着装置１を構成する構成物に付着する。
【０１１７】
そこで、真空チャンバ１０内には、真空チャンバ１０の内壁１１、あるいは真空チャンバ１０内に配された各部材等（例えば、駆動部等）、マスク５０の開口領域以外の余計な部分に蒸着粒子が付着して汚染されることを防ぐために、上記したように防着板３０が設けられている。
【０１１８】
また、蒸着源２０とマスク５０との間には、蒸着源２０から射出された蒸着粒子のマスク５０への到達を制御するために、被成膜基板６０に向けて蒸着粒子を放射させるか否かを決めるシャッタ４０が設けられている。
【０１１９】
シャッタ４０は、蒸着レートを安定化させる時や、蒸着が不要な時に蒸着粒子が真空チャンバ１０内に射出されるのを防止する。例えば、被成膜基板６０とマスク５０とのアライメントを行っている最中に、被成膜基板６０に蒸着粒子が到達しないように、蒸着粒子の射出経路を妨げる。
【０１２０】
シャッタ４０は、例えば、マスク５０と蒸着源２０との間に進退可能（挿入可能）に設けられている。
【０１２１】
シャッタ４０は、例えば、図示しない制御部からの蒸着ＯＦＦ（オフ）信号に基づいてマスク５０と蒸着源２０との間に挿入されることで、マスク５０の開口部５１を閉鎖する。一方、図示しない制御部からの蒸着ＯＮ（オン）信号に基づいてマスク５０と蒸着源２０との間から離脱されることで、マスク５０の開口部５１を開放する。
【０１２２】
このように、マスク５０と蒸着源２０との間にシャッタ４０を適宜差し挟むことで、被成膜基板６０における余計な部分（非蒸着領域）への蒸着を防止することができる。
【０１２３】
これら防着板３０およびシャッタ４０等、真空チャンバ１０内に配置され、回収すべき成膜材料である、有機ＥＬ材料等の蒸着材料が付着する位置に設けられた構成物（部材）は、これら構成物に付着した蒸着材料の掃除作業を軽減する目的で着脱できるようになっている。
【０１２４】
また、上記防着板３０は、薄板状の基材を折り曲げる等して形成されていてもよいが、着脱し易いように、分割されて設置されていることがより好ましい。
【０１２５】
本実施の形態にかかる蒸着装置１は、成膜治具として用いられる、上記防着板３０やシャッタ４０等の、真空チャンバ１０内における蒸着装置１の構成物（以下、「チャンバ内構成物」と記す）に付着した蒸着材料を効率良く回収し、再利用するために、上記したように蒸着材料が付着する位置に設けられたチャンバ内構成物の少なくとも表面における、少なくとも蒸着材料と接触する部分が、磁石に吸着する材料で形成されている。
【０１２６】
言い換えれば、上記チャンバ内構成物は、少なくともその表面に、磁石に吸着する材料からなる層を有している。
【０１２７】
これらチャンバ内構成物は、その全体が磁石に吸着する材料で構成されていてもよく、その表面だけが磁石に吸着する材料で構成されていてもよい。
【０１２８】
図３の（ａ）・（ｂ）は、上記チャンバ内構成物の層構造を示す断面図である。
【０１２９】
図３の（ａ）に示すように、上記蒸着装置１におけるチャンバ内構成物７０は、その全体が、磁石に吸着する材料からなる層７１で形成されていてもよく、図３の（ｂ）に示すように、基材７２の表面に、磁石に吸着する材料からなる層７１が形成された構成を有していてもよい。
【０１３０】
なお、上記チャンバ内構成物７０としては、真空チャンバ１０内における、飛散した蒸着材料が付着する位置に設けられ、消耗品として交換が可能な成膜治具であれば特に限定されるものではなく、防着板３０であってもよく、シャッタ４０であってもよく、その他の構成物であってもよい。
【０１３１】
本実施の形態で用いられる磁石に吸着する材料とは、磁石に吸着する材質の材料であれば、特に限定されるものではない。代表的には、強磁性体部分を有する磁性材料である、強磁性体（フェロ磁性体）やフェリ磁性体が挙げられる。
【０１３２】
強磁性体とは、全ての磁気モーメントが平行に揃う磁性体であり、代表的には、鉄、コバルト、ニッケル、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等が挙げられる。なお、合金の場合、配合率によって磁性が変化する。
【０１３３】
一方、フェリ磁性体とは、内部に強磁性体と反強磁性体の部分を併せ持つ磁性体であり、物質中に異なる大きさの磁気モーメントが互いに反対方向を向いて配列していることで磁気モーメントの差だけ磁化を発生する。フェリ磁性体としては、代表的には、フェライトが挙げられる。
【０１３４】
そのなかでも、本実施の形態のようにチャンバ内構成物７０に強磁性材料を使用する場合、上記材料としては、鉄、コバルト、ニッケル等が好適に用いられる。
【０１３５】
防着板３０等のチャンバ内構成物７０は、形状を維持するため、できるだけ強固な物質で形成されていることが望ましい。
【０１３６】
また、上記チャンバ内構成物７０に付着した蒸着材料を剥離する付着物剥離処理によって、上記磁石に吸着する材料からなる層７１が大量に脱離したり変性したりすると、使用回数が低下することから、できるだけ再利用回数を増やすためには、上記した磁石に吸着する材料および該材料からなる層７１が、できるだけ高い硬度を有していることが望ましい。
【０１３７】
また、後述する磁界通過処理後の回収物の純度をさらに向上させるために、上記磁石に吸着する材料からなる層７１からの脱離物（剥落物）の混入量を減らすという観点からも、上記磁石に吸着する材料からなる層７１およびその材料は、できるだけ高い硬度を持つことが好ましい。その他、上記チャンバ内構成物７０の加工性や材料費等も考慮して、使用する材料を適宜選択、調整すればよい。
【０１３８】
なお、磁石に吸着する材料からなる層７１は、回収して再利用するために、一層で構成されていることが好ましい。
【０１３９】
これに対し、基材７２は、特に限定されるものではなく、一層で構成されていてもよく、二層以上の積層構造を有していてもよい。また、一種類の材料で形成されていてもよく、二種類以上の材料で形成されていてもよい。
【０１４０】
基材７２の材料としては、特に限定されるものではなく、金属類、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂等の耐熱性樹脂類、ガラス類、セラミックス類等、チャンバ内構成物７０の種類に応じて、通常、チャンバ内構成物７０に用いられている各種材料を用いることができ、加工性やコスト等を考慮して適宜選択することができる。
【０１４１】
また、上記磁石に吸着する材料からなる層７１の表面は、付着した蒸着材料の剥落を防止するために、例えば梨地に形成されていることが好ましい。
【０１４２】
＜真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法＞
ここで、真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法について、主に図７および図８を用いて以下に説明する。
【０１４３】
図７は、真空蒸着法によって被成膜基板上に成膜パターンを形成する方法を模式的に示す断面図である。
【０１４４】
なお、以下の説明では、被成膜基板６０としてＴＦＴ基板１１０を使用するとともに、蒸着材料として有機発光材料を使用し、第１電極１２１が形成された被成膜基板６０上に、真空蒸着法を用いて、蒸着膜として有機ＥＬ層を形成する場合を例に挙げて説明する。
【０１４５】
また、図７では、防着板３０およびシャッタ４０等の、マスク５０以外のチャンバ内構成物７０については、図示を省略している。
【０１４６】
フルカラーの有機ＥＬ表示装置１００では、前記したように、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂを備えた有機ＥＬ素子１２０からなる各色の画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂが、マトリクス状に配列されている。
【０１４７】
なお、勿論、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂに代えて、例えば、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄（Ｙ）からなる各色の発光層を有していてもよく、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、黄（Ｙ）からなる各色の発光層を有していてもよい。
【０１４８】
このような有機ＥＬ表示装置１００では、ＴＦＴ１１２を用いて、これら有機ＥＬ素子１２０を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
【０１４９】
このため、有機ＥＬ表示装置１００を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、被成膜基板６０上に、有機ＥＬ素子１２０毎に所定のパターンで成膜する必要がある。
【０１５０】
前記したように、蒸着用のマスク５０には、所望の位置・形状に開口部５１が形成されている。
【０１５１】
図２および図７に示すように、マスク５０は、被成膜基板６０の被成膜面６１に、固定または一定の空隙を介して対向配置される。
【０１５２】
なお、本実施の形態では、マスク５０が被成膜基板６０と同じ大きさを有し、被成膜基板６０の被成膜面６１に密着固定されているものとするが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０１５３】
例えば、被成膜基板６０よりもサイズが小さいマスク５０を使用し、マスク５０および蒸着源２０を固定した状態で、被成膜基板６０を蒸着源２０から射出される蒸着粒子の射出経路上を通過するように移動させてもよい。
【０１５４】
本発明では、チャンバ内構成物７０の少なくとも表面が磁石に吸着する材料で形成されていれば、蒸着方法そのものは特に重要ではない。したがって、上記したように異なる蒸着方法を用いた場合にも、本発明を適用することができる。
【０１５５】
また、図２および図７に示すように、マスク５０を挟んで被成膜基板６０と反対側には、被成膜基板６０の被成膜面６１に対向するように、蒸着源２０が配置される。
【０１５６】
有機発光材料は、高真空下で加熱、昇華されることにより、蒸着粒子として蒸着源２０から射出される。
【０１５７】
蒸着粒子として上記蒸着源２０から射出された蒸着材料は、マスク５０に設けられた開口部５１を通して被成膜基板６０に蒸着される。
【０１５８】
これにより、開口部５１に対応する、被成膜基板６０の所望の位置にのみ、所望の成膜パターンを有する有機膜が、蒸着膜として蒸着形成される。なお、蒸着は、発光層の色毎に行われる（これを「塗り分け蒸着」と言う）。
【０１５９】
例えば、図６における正孔注入層兼正孔輸送層１２２の場合、表示部全面に成膜を行うため、表示部全面および成膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクを蒸着用のマスク５０として用いて、成膜を行う。
【０１６０】
なお、電子輸送層１２４や電子注入層１２５、第２電極１２６についても、同様である。
【０１６１】
一方、図６において、赤色を表示する画素の発光層１２３Ｒの成膜を行う場合、赤色の発光材料を蒸着させる領域のみが開口したファインマスクを蒸着用のマスク５０として用いて、成膜を行う。
【０１６２】
＜有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れ＞
図８は、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【０１６３】
まず、ＴＦＴ基板１１０を作製し、この作製したＴＦＴ基板１１０上に、第１電極１２１を形成する（ステップＳ１）。なお、ＴＦＴ基板１１０は、公知の技術を用いて作製することができる。
【０１６４】
次に、この第１電極１２１が形成されたＴＦＴ基板１１０上に、オープンマスクを蒸着用のマスク５０として用いて、正孔注入層および正孔輸送層を、真空蒸着法により、画素領域全面に形成する（ステップＳ２）。なお、正孔注入層および正孔輸送層としては、前記したように、正孔注入層兼正孔輸送層１２２とすることができる。
【０１６５】
次いで、ファインマスクを蒸着用のマスク５０として用いて、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂを、真空蒸着法により塗り分け蒸着する（ステップＳ３）。これにより、各画素１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂに応じたパターン膜を形成する。
【０１６６】
その後、発光層１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂが形成されたＴＦＴ基板１１０上に、オープンマスクを蒸着用のマスク５０として用いて、電子輸送層１２４、電子注入層１２５、第２電極１２６を、順に、真空蒸着法により、画素領域全面に形成する（ステップＳ４〜Ｓ６）。
【０１６７】
以上のように、蒸着が完了した基板に対して、有機ＥＬ素子１２０が大気中の水分や酸素にて劣化しないように、有機ＥＬ素子１２０の領域（表示部）の封止を行う（ステップＳ７）。
【０１６８】
封止は、水分や酸素の透過し難い膜をＣＶＤ法等で形成する方法、ガラス基板等を接着剤等により貼り合わせる方法等がある。
【０１６９】
以上のような工程により、有機ＥＬ表示装置１００が作製される。有機ＥＬ表示装置１００は、外部に形成された駆動回路から、個々の画素にある有機ＥＬ素子１２０に電流を流し発光させることで、所望の表示を行うことができる。
【０１７０】
＜チャンバ内構成物７０に付着した付着物の回収・再利用＞
図４は、蒸着工程後の真空チャンバ１０内の要部の概略構成を示す断面図である。
【０１７１】
真空蒸着においては、前記したように高真空下で蒸着材料を加熱して昇華させる。このため、蒸着源２０から射出された蒸着粒子は、真空チャンバ１０内で広範囲に渡って飛散する。
【０１７２】
このため、蒸着処理（真空蒸着）を繰り返すと、図４に示すように、蒸着工程後の各チャンバ内構成物７０（例えば防着板３０、シャッタ４０等）に、飛散した蒸着粒子が、付着物２２として付着・堆積する。
【０１７３】
有機ＥＬ表示装置１００の製造においては、有機ＥＬ素子１２０を構成する有機膜の材料が非常に高価である。このため、上記有機材料の利用効率の低下は、有機ＥＬ表示装置１００の１枚当たりの有機材料の使用量が大きくなることから、有機ＥＬ表示装置１００の製造コストの増加に繋がる。
【０１７４】
このため、被成膜基板６０に付着しなかった蒸着材料の回収、再利用は、有機ＥＬ表示装置１００の製造において、極めて重要なプロセスとなる。
【０１７５】
また、上記したように蒸着処理を続けていると、蒸着源２０から射出された蒸着材料がチャンバ内構成物７０に付着していくが、ある程度以上付着してしまうと、自重等により剥落し、真空チャンバ１０内を汚染してしまう。したがって、このように蒸着粒子が付着する位置に設けられたチャンバ内構成物７０は、定期的な交換を行うことが必要となる。
【０１７６】
そこで、本実施の形態では、このように定期的な交換を行うことが必要とされる、真空チャンバ１０内における、蒸着粒子が付着するチャンバ内構成物７０から、該チャンバ内構成物７０に付着した付着物２２を剥離して回収し、再利用する。
【０１７７】
図１の（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態にかかる付着物２２の分離・回収工程を、工程順に示す図である。
【０１７８】
付着物２２の回収は、予め設定した蒸着回数あるいは付着物２２の堆積膜厚等、予め設定した蒸着条件、言い換えれば、例えば、予め設定したチャンバ内構成物７０の交換条件に達したときに行われる。
【０１７９】
このように付着物２２の分離・回収を行う場合、上記したように複数回の蒸着後、まず、図１の（ａ）に示すように、付着物２２が付着したチャンバ内構成物７０を真空チャンバ１０外に取り外す。
【０１８０】
次いで、図１の（ｂ）に示すように、チャンバ内構成物７０に付着した付着物２２を、チャンバ内構成物７０から削ぎ落として剥離する（付着物剥離処理、剥離工程）。
【０１８１】
このとき、付着物２２だけでなく、チャンバ内構成物７０の表面の、磁石に吸着する材料からなる層７１が、付着物２２と一緒に削れる。
【０１８２】
このため、チャンバ内構成物７０から削ぎ落とすことで回収した回収物８０には、上記磁石に吸着する材料からなる層７１の破片７１ａ（すなわち、上記磁石に吸着する材料からなる層７１が削られて剥落した剥落物）が混入することになる。
【０１８３】
なお、チャンバ内構成物７０から付着物２２を剥離する方法としては、特に限定されるものではないが、乾式剥離を行うことが好ましい。
【０１８４】
乾式剥離に用いられる削具としては、例えば、ヘラ等のいわゆるスクレイパ、グラインダ、ポリッシャ等、公知の種々の研削具や切削具等を用いることができる。
【０１８５】
図１の（ｃ）は、本実施の形態で用いられる付着物回収装置における要部の概略構成を示している。
【０１８６】
図１の（ｃ）に示すように、本実施の形態で用いられる付着物回収装置２００には、チャンバ内構成物７０から削ぎ落として回収された回収物８０から、混入物（不純物）である上記破片７１ａを分離・回収する混入物回収部２０２が設けられている。また、上記混入物回収部２０２に回収物８０を搬送する搬送部材として、例えばコンベア２０１が設けられている。
【０１８７】
上記混入物回収部２０２には、上記コンベア２０１に近接するように、電磁石や磁石板等の磁石２０２ａが配されている。
【０１８８】
回収物８０は、このように磁石２０２ａがコンベア２０１上に空隙を空けて配されている状態でコンベア２０１に載せて混入物回収部２０２に搬送されることで、磁石２０２ａによる磁界内を通過する（磁界通過処理、分離工程）。
【０１８９】
このとき、図１の（ｄ）に示すように、上記破片７１ａは、上記したように磁石に吸着する材料からなることで、上記混入物回収部２０２で磁石２０２ａに吸着される。一方、蒸着材料である付着物２２は磁石２０２ａに吸着されない。
【０１９０】
一般に、有機ＥＬ素子で使用される有機材料は、強磁性体でもフェリ磁性体でもない。
【０１９１】
したがって、上記したように磁界を通過させることで、上記破片７１ａと付着物２２とを分離回収することができる。
【０１９２】
なお、上記磁界通過処理は、一回に限定されず、複数回行うことができる。上記磁界通過処理を行うことで、最終的に回収された付着物２２（すなわち、蒸着材料の最終回収物）の純度をさらに向上させることができる。
【０１９３】
なお、上述した有機膜の蒸着、つまり、上記有機発光材料からなる蒸着膜の形成においては、各蒸着膜の蒸着工程毎に異なる真空チャンバ１０を用いて蒸着が行われる。
【０１９４】
例えば、赤色の発光層１２３Ｒは、赤色の発光層形成用の真空チャンバ１０を用いて成膜が行われる。同様に、例えば緑色の発光層１２３Ｇ、青色の発光層１２３Ｂは、それぞれ、緑色の発光層形成用の真空チャンバ１０、青色の発光層形成用の真空チャンバ１０を用いて成膜が行われる。
【０１９５】
このため、各々の真空チャンバ１０内のチャンバ内構成物７０、例えば図４に示す真空チャンバ１０における防着板３０やシャッタ４０等のチャンバ内構成物７０に付着している付着物２２は、単一の材料からなっている。
【０１９６】
したがって、これらチャンバ内構成物７０から付着物２２を剥離すれば、蒸着時に材料変性がなければ単一の材料が得られる。
【０１９７】
但し、発光層の成膜時等、２種類以上の有機材料を同時蒸着して混合する場合には、混合状態の有機材料がチャンバ内構成物７０に付着する。このとき、混合した付着物２２から単独の有機材料を分離するためには、上記磁界通過処理後に、精製処理がさらに必要となる。なお、回収した有機材料が混合したままで再利用できる場合には、精製処理は必要ない。
【０１９８】
＜効果＞
上述したように、防着板やシャッタ等のチャンバ内構成物に付着した付着物を再利用するためには、チャンバ内構成物から付着物を脱離させる必要がある。
【０１９９】
防着板等は、形状を維持するため強固な物質で作られているものの、付着した蒸着材料を削ぎ落とそうとしたときに、共に削れて剥離物に不純物として混入する。
【０２００】
このとき、付着した蒸着材料の剥離に例えウォータジェットを使用した場合であっても、水圧によりチャンバ内構成物の損傷、剥離があり、剥離したチャンバ内構成物の破片は、剥離した蒸着材料に混入する。
【０２０１】
このような不純物（混入物）は、蒸着材料の品質を悪化させるため、分離する必要がある。しかしながら、分離が困難であったり、分離が可能としても複雑な処理を行ったりする必要があり、そのため、材料再利用にあたり、処理コストの増大や、処理工程に伴う別の不純物混入に繋がっていた。このため、従来は、簡便な材料の再利用を行うことができなかった。
【０２０２】
また、本発明の方法とは別に、蒸着材料を溶解するような有機溶剤によって、蒸着材料を回収する方法が考えられる。
【０２０３】
例えば、蒸着材料が付着した構成物を有機溶剤に浸漬するような方法である。このような方法を用いれば、蒸着材料のみを有機溶剤に溶解して分離することができる。
【０２０４】
しかしながら、一方で以下の問題がある。
（１）有機溶剤を用いるので、溶剤コストがかかり、また高度な廃液設備、再処理設備が必要となる。
（２）有機溶剤が元々含有している不純物が、回収された蒸着材料に混入する。この不純物は分離が難しく、蒸着材料の昇華精製等による高純度化処理が必要となる（コスト増要因）。
（３）蒸着材料の溶解性に依存するため、回収できる蒸着材料が制限される。
（４）防着板やシャッタに対して、有機溶剤耐性を付与する必要がある。
【０２０５】
これに対し、本実施の形態によれば、上記したようにチャンバ内構成物７０の少なくとも表面を、磁石に吸着される材料からなる層７１で形成し、チャンバ内構成物７０から剥離して回収した回収物８０から、該回収物８０を回収するときに、回収すべき付着物２２と一緒に剥離された、磁石に吸着される材料からなる層７１の破片７１ａを、磁界内を通過させて磁石２０２ａに吸着させるだけでよい。
【０２０６】
本実施の形態によれば、上記したように蒸着材料の剥離物の回収時（すなわち回収物８０の回収時）に削られたチャンバ内構成物７０の破片７１ａが蒸着材料の剥離物に混入したとしても、上記回収物８０から、該破片７１ａのみを分離、除去することができる。
【０２０７】
また、本実施の形態によれば、上記したように回収物８０を磁界に通すだけなので、付着物２２の分離・回収工程を簡便に行うことができる。
【０２０８】
また、本実施の形態によれば、従来のように溶液洗浄や熱処理等の複雑な工程を経ないので、新たな不純物の混入がない。
【０２０９】
このため、本実施の形態によれば、複雑な分離処理工程を追加することなく、高純度な蒸着材料を回収し、再利用することができる。
【０２１０】
また、磁石２０２ａに吸着した破片７１ａは、チャンバ内構成物７０の素材であり、上記した磁界通過処理（分離工程）は、この素材を回収できる処理でもある。素材が高価な場合や環境汚染物質である場合には、破片７１ａの回収によりコスト削減や環境破壊防止にも貢献し得る。
【０２１１】
したがって、本実施の形態によれば、防着板３０等のチャンバ内構成物７０を構成する、上記磁石に吸着する材料からなる層７１が例え高価な材料で形成されていても、このような材料を、上記したように磁界通過により回収することができる。
【０２１２】
このため、回収したそれらの材料も再利用することができ、簡便な再利用プロセス、並びに、再利用処理のコスト増の低減を図れるばかりか、廃棄物を低減し、環境負荷を低減する効果もある。
【０２１３】
さらに、本実施の形態では、蒸着材料の回収に際し加熱を行わないため、加熱による蒸着材料の劣化がない。さらには、チャンバ内構成物７０から付着物２２を剥離するときに、水を用いる必要が無い。したがって、水分による蒸着材料の変性の虞れや乾燥工程の必要がない。
【０２１４】
上記したようにウォータジェットを用いた付着物の剥離は、水分による変性が生じ易い蒸着材料には適用することができない。しかしながら、本発明は、水を使う必要が無いので、水分による変性が生じ易い材料の剥離、回収にも適用することができる。
【０２１５】
このように、本発明は、チャンバ内構成物７０の損傷を踏まえた上で、混入した不純物を簡便に分離し、高品質の蒸着材料を得ることができる。
【０２１６】
なお、本発明を適用できるチャンバ内構成物７０の種類は、防着板３０やシャッタ４０に限定されず、真空チャンバ１０内の様々なチャンバ内構成物７０に対して適用することができる。
【０２１７】
〔実施の形態２〕
本実施の形態について主に図９および図１０の（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０２１８】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０２１９】
前記実施の形態１では、チャンバ内構成物７０における少なくとも蒸着材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層７１が形成されている場合を例に挙げて説明した。
【０２２０】
本実施の形態では、チャンバ内構成物７０から付着物２２を削ぎ落とす削具における少なくとも蒸着材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が形成されている場合を例に挙げて説明する。
【０２２１】
＜付着物回収システムの構成＞
図９は、本実施の形態で用いられる付着物回収システムの構成の一例を示すブロック図である。
【０２２２】
図９に示すように、本実施の形態で用いられる付着物回収システム３００は、例えば、サンドブラスト装置２１０、粉砕機２２０、フィルタ２３０、付着物回収装置２４０を備えるとともに、サンドブラスト装置２１０によりチャンバ内構成物７０の表面から削ぎ落とした回収物８０を各部に搬送する搬送部材２５０、および、搬送路（搬送方向）を切り替える切替器２６０を備えている。
【０２２３】
なお、各部の構成については、チャンバ内構成物７０に付着した付着物の回収・再利用方法と併せて後述する。
【０２２４】
本実施の形態では、防着板３０およびシャッタ４０等のチャンバ内構成物７０に付着した付着物２２を、上記削具に、磁石に吸着される材料からなる研磨剤を用いたサンドブラスト法で剥離する。
【０２２５】
サンドブラスト法は、研磨対象となる被研磨物の表面に、サンドと称される、例えば、数百μｍφ程度のアルミナ粒子や炭化シリコン粒子、砂等の研磨剤を、空気圧を利用して衝突させ、この時の衝撃力で被研磨物の表面を掘削したり研磨したりする方法である。本実施の形態では、この研磨剤に、磁石に吸着される材料からなる研磨剤を用いる。
【０２２６】
なお、本実施の形態で用いられる蒸着装置１の構成は、実施の形態１と同じである。但し、本実施の形態では、防着板３０およびシャッタ４０等のチャンバ内構成物７０の素材は任意である。
【０２２７】
＜チャンバ内構成物７０に付着した付着物の回収・再利用＞
上記付着物回収システム３００を用いてチャンバ内構成物７０に付着した付着物２２の回収・再利用を行う方法について、図１０の（ａ）〜（ｆ）を参照して以下に説明する。
【０２２８】
図１０の（ａ）〜（ｆ）は、本実施の形態にかかる付着物２２の分離・回収工程を示す図である。
【０２２９】
本実施の形態でも、付着物２２の分離・回収を行う場合、複数回の蒸着後、まず、図１０の（ａ）に示すように、付着物２２が付着したチャンバ内構成物７０を真空チャンバ１０外に取り外す。
【０２３０】
次いで、図１０の（ｂ）に示すように、サンドブラスト装置２１０を使用し、サンドブラスト装置２１０のノズル２１１から、チャンバ内構成物７０に付着した付着物２２に、研磨剤２１２を吹き付ける（付着物剥離処理、剥離工程）。
【０２３１】
これにより、図１０の（ｃ）に示すように、研磨剤２１２と、チャンバ内構成物７０から剥離した付着物２２とが混合した混合物を回収する。
【０２３２】
回収した混合物（回収物）は、例えば図１０の（ｅ）に示すように、実施の形態１と同様にして、コンベア等の搬送部材２５０で搬送することにより、付着物回収装置２４０に搬送される。
【０２３３】
図１０の（ｅ）は、本実施の形態で用いられる付着物回収装置２４０における要部の概略構成を示している。
【０２３４】
図１０の（ｅ）に示すように、本実施の形態で用いられる付着物回収装置２４０には、研磨剤２１２と、チャンバ内構成物７０から剥離した付着物２２とが混合した混合物から、混入物（不純物）である上記研磨剤２１２を分離・回収する混入物回収部２４１が設けられている。
【０２３５】
なお、上記混入物回収部２４１に上記混合物（回収物）を搬送する搬送部材２５０としては、上記したように例えばコンベアが用いられる。
【０２３６】
上記混入物回収部２４１には、上記搬送部材２５０に近接するように、電磁石や磁石板等の磁石２４１ａが配されている。
【０２３７】
上記混合物（回収物）は、このように磁石２４１ａが搬送部材２５０である例えばコンベア上に空隙を空けて配されている状態で該搬送部材２５０により混入物回収部２４１に搬送されることで、磁石２４１ａによる磁界内を通過する（磁界通過処理、分離工程）。
【０２３８】
このとき、図１０の（ｆ）に示すように、研磨剤２１２は、前記したように磁石に吸着する材料からなることで、上記混入物回収部２４１で磁石２４１ａに吸着される。一方、蒸着材料である付着物２２は磁石２４１ａに吸着されない。
【０２３９】
したがって、上記したように磁界を通過させることで、上記研磨剤２１２と付着物２２とを分離回収することができる。
【０２４０】
なお、本実施の形態でも、上記磁界通過処理は、一回に限定されず、複数回行うことができる。上記磁界通過処理を行うことで、最終的に回収された付着物２２（すなわち、蒸着材料の最終回収物）の純度をさらに向上させることができる。
【０２４１】
また、上記混合物（回収物）を、磁界を通過させる前後に、図９に示すように例えば切替器２６０を用いて搬送路（搬送方向）を切り替えることで、必要に応じて、図１０の（ｄ）に示すように所定の径を有する開口部２２１が設けられたフィルタ２３０を選択的に通過させて分級させてもよい。これにより、フィルタ２３０を通過しない、径が大きな研磨剤２１２を予め分離することができるので、さらに最終回収された蒸着材料の純度を向上させることができる。
【０２４２】
また、このとき、付着物剥離処理で剥離（脱離）させた付着物２２の大きさがフィルタ２３０の通過径以上となるような場合には、図９に示すように、剥離させた付着物２２を粉砕機２２０（ミル）で粉砕する粉砕工程（ミル工程）が含まれていてよい。
【０２４３】
なお、このとき、粉砕用部材として、付着物剥離処理で得られた混合物（回収物）中に含まれる研磨剤２１２を、そのまま利用することも可能である。
【０２４４】
本実施の形態では、上記したように、サンドブラスト法を用いてチャンバ内構成物７０の表面から付着物２２を剥離（脱離）させる。このため、有機溶剤を用いず、付着物２２を効率的にかつ充分にチャンバ内構成物７０の表面から脱離させることができる。
【０２４５】
なお、本実施の形態では、上記したように、削具に、磁石に吸着される材料からなる研磨剤を使用し、サンドブラスト法によりチャンバ内構成物７０から付着物２２を削ぎ落とす場合を例に挙げて説明した。
【０２４６】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記削具として、少なくとも蒸着材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が形成された、スクレイパ、グラインダ、ポリッシャ等の削具を使用することもできる。
【０２４７】
＜磁石に吸着する材料＞
本実施の形態でも、磁石に吸着する材料としては、磁石に吸着する材質の材料であれば、特に限定されるものではない。代表的には、実施の形態１に記載したように、強磁性体部分を有する磁性材料である、強磁性体（フェロ磁性体）やフェリ磁性体が挙げられる。
【０２４８】
但し、本実施の形態のように研磨材等の削具に、上記したように磁石に吸着する材料を使用する場合、上記材料としては、鉄、あるいは、強磁性を示すステンレス等が好適に用いられる。
【０２４９】
また、本実施の形態でも、付着物剥離処理において磁石に吸着する材料が大量に脱離したり変性したりしないように、上記磁石に吸着する材料および該材料からなる層としては、できるだけ高い硬度を有していることが望ましい。
【０２５０】
また、後述する磁界通過処理後の回収物の純度をさらに向上させるために、上記磁石に吸着する材料からなる層からの脱離物（剥落物）の混入量を減らすという観点からも、上記磁石に吸着する材料からなる層およびその材料は、できるだけ高い硬度を持つことが好ましい。その他、本実施の形態でも、加工性や材料費等も考慮して、使用する材料を適宜選択、調整すればよい。
【０２５１】
また、本実施の形態でも、磁石に吸着する材料からなる層は、回収して再利用するために、一層で構成されていることが好ましい。
【０２５２】
但し、本実施の形態でも、上記削具に用いられる基材層は、特に限定されるものではなく、一層で構成されていてもよく、二層以上の積層構造を有していてもよい。また、一種類の材料で形成されていてもよく、二種類以上の材料で形成されていてもよい。
【０２５３】
＜効果＞
本実施の形態によれば、上記したように、少なくとも蒸着材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が形成された削具を使用してチャンバ内構成物７０から付着物２２を削ぎ落とす。
【０２５４】
このため、チャンバ内構成物７０から付着物２２を削ぎ落とすときに、削具の破片が蒸着材料の剥離物に混入したとしても、上記したように磁界を通過させることにで、混入した削具の破片のみを分離、除去することができる。
【０２５５】
また、本実施の形態でも、上記したようにチャンバ内構成物７０から削ぎ落とした混合物（回収物）を磁界に通すだけなので、付着物２２の分離・回収工程を簡便に行うことができる。
【０２５６】
したがって、本実施の形態でも、実施の形態１同様、複雑な分離処理工程を追加することなく、高純度な蒸着材料を回収し、再利用することができる。
【０２５７】
また、本実施の形態でも、磁界通過処理（分離工程）で磁石２４１ａに吸着した研磨剤２１２は、回収して再利用することができる。このため、簡便な再利用プロセス、並びに、再利用処理のコスト増の低減を図ることができるとともに、廃棄物を低減し、環境負荷を低減することができる。
【０２５８】
また、本実施の形態でも、蒸着材料の回収に際し加熱や水を用いる必要が無い。したがって、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【０２５９】
＜変形例＞
なお、本実施の形態は、前記実施の形態１と組み合わせて使用することができる。すなわち、例えば、チャンバ内構成物７０および削具における、少なくとも蒸着材料と接触する部分に、それぞれ、磁石に吸着される材料からなる層を設けてもよい。
【０２６０】
なお、この場合、磁石に吸着される材料の種類は、チャンバ内構成物７０と削具とで互いに異なっていても構わない。
【０２６１】
但し、磁石で吸着させて回収したチャンバ内構成物７０や削具の剥離物を再利用する観点からは、チャンバ内構成物７０および削具にそれぞれ用いた、磁石に吸着される材料の分離処理を不要とするために、強磁性体の種類は同一とすることが好ましい。
【０２６２】
〔実施の形態３〕
本実施の形態について主に図１１および図１２の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０２６３】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１、２との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０２６４】
図１１は、本実施の形態で用いるチャンバ内構成物の層構造を示す断面図である。また、図１２の（ａ）・（ｂ）は、本実施の形態にかかる付着物２２の分離・回収工程の一部を示す図である。
【０２６５】
本実施の形態では、図１１に示すように、チャンバ内構成物７０が、基材７２の表面に、磁石に吸着する材料からなる層７１として、例えば、磁石に吸着する材料からなる板材が、粘着層７３により基材７２に貼り付けられている点で、前記実施の形態１と異なっている。
【０２６６】
このように、磁石に吸着する材料からなる層７１として、例えば、磁石に吸着する材料からなる板材が、粘着層７３により基材７２に貼り付けられていることで、図１２の（ａ）に示すように、付着物２２が付着した上記板材を、容易に基材７２から剥離することができる。
【０２６７】
このため、本実施の形態によれば、チャンバ内構成物７０の表面、言い換えれば、基材７２の表面に損傷を与えることがないので、基材７２をそのまま再使用することができる。
【０２６８】
なお、上記板材は、真空チャンバ１０外に容易に取り出すことができるように、複数の小片に分割して貼り付けられていることが望ましい。
【０２６９】
真空チャンバ１０外に取り出された、表面に付着物２２が付着した板材は、例えば粉砕機等を用いて粉砕することで、図１２の（ｂ）に示すように、付着物２２を脱離させることができる。
【０２７０】
勿論、実施の形態１、２に示した方法により、板材の表面から付着物２２を削り落とすこともできる。
【０２７１】
このようにして得られた板材の破片と付着物２２との混合物は、前記実施の形態１、２に示したように磁界を通過させることで、板材の破片のみを分離、除去することができる。
【０２７２】
したがって、本実施の形態でも、実施の形態１、２と同様の効果を得ることができる。
【０２７３】
＜その他の形態＞
以上のように、実施の形態１〜３では、真空成膜法で使用される成膜材料の回収として、真空蒸着法を用いた有機ＥＬ表示装置の製造に用いられる蒸着材料の回収を行う場合を例に挙げて説明するとともに、有機材料の回収を行う場合を例に挙げて説明した。
【０２７４】
真空成膜法を用いた成膜としては、代表的には、上記したように、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた真空蒸着法が挙げられる。
【０２７５】
そして、真空蒸着法は、上記したように、例えば有機ＥＬ表示装置における成膜方法において一般的に用いられている。
【０２７６】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法を用いた真空成膜装置の成膜チャンバ内の構成物に付着した、磁石に吸着されない成膜材料の回収全般に適用することが可能である。
【０２７７】
また、回収される成膜材料は、有機材料に限定されるものではなく、磁界を通過させることで、磁性の違いにより、上述した磁石に吸着する材料との分離が可能な成膜材料であれば、特に限定されるものではない。
【０２７８】
例えば、上記有機ＥＬ表示装置１００において第１電極１２１および第２電極１２６に用いられる導電膜材料としても用いられるＩＴＯは、可視光の透過率が高く（透明性が高く）、電気抵抗（比抵抗）が小さく、フォトエッチング法によるパターニングが容易なことから、透明導電膜として、液晶パネルの画素電極や対向電極、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や有機・無機ＥＬの電極、ＰＤＰ用電磁波フィルタ、タッチパネル、太陽電池等に広く使用されている。
【０２７９】
しかしながら、ＩＴＯに含まれるインジウムは、希少金属と呼ばれる埋蔵量の少ない金属であり、高い伸び率により使用量が増加していることからも、回収・リサイクルは極めて重要である。
【０２８０】
ＩＴＯの薄膜形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空成膜法が多く用いられている。例えば、一般に液晶ディスプレイ等の、ＩＴＯからなる透明電極は、スパッタリング法を用いて薄膜形成されていることが多い。
【０２８１】
このため、非磁性材料であるＩＴＯを、本発明を適用して分離、回収することは、材料利用効率を高める上で、非常に有意義である。
【０２８２】
＜要点概要＞
本発明の一態様にかかる成膜材料の回収方法は、以上のように、真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、上記成膜治具における少なくとも上記成膜材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が設けられており、上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離する剥離工程と、上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えている。
【０２８３】
上記成膜材料の回収方法では、上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具で削ることで上記剥離工程における成膜材料の剥離が行われるとともに、上記分離工程では、上記剥離工程で剥離した成膜材料に混ざっている、磁石に吸着される材料からなる削具の破片および上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることが好ましい。
【０２８４】
また、本発明のさらに他の一態様にかかる成膜材料の回収方法は、以上のように、真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具で削って剥離する剥離工程と、上記剥離工程で剥離した成膜材料に混ざっている、磁石に吸着される材料からなる削具の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えている。
【０２８５】
上記の各構成によれば、成膜材料の剥離時に成膜材料と一緒に剥離した、上記磁石に吸着される材料からなる破片は、磁石に吸着されて、成膜材料から分離される。このため、上記の各方法によれば、効率良く、且つ、低コストで成膜材料を回収することができる。
【０２８６】
しかも、上記の各方法によれば、溶液洗浄や熱処理等の複雑な工程を経ないので、新たな不純物の混入がない。
【０２８７】
このため、上記の各方法によれば、複雑な分離処理工程を追加することなく、高純度で成膜材料を回収し、再利用することができる。
【０２８８】
また、磁石に吸着した破片は、上記分離工程において分離、回収することができる。したがって、上記破片の回収により、コスト削減や環境破壊防止を図ることができる。
【０２８９】
上記成膜材料の回収方法において、上記削具の破片は、磁石に吸着される材料からなる研磨剤であり、上記剥離工程では、上記成膜材料を、上記削具に、磁石に吸着される材料からなる研磨剤を用いたサンドブラスト法で剥離することが好ましい。
【０２９０】
上記の方法によれば、上記成膜治具の表面から、上記成膜治具に付着した成膜材料を効率的にかつ充分に脱離させることができる。
【０２９１】
また、上記成膜材料の回収方法は、上記分離工程の前に、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物を、フィルタにより分級して、フィルタを通過しない研磨剤を分離する分級工程をさらに備えていることが好ましい。
【０２９２】
これにより、最終回収された成膜材料の純度を向上させることができる。
【０２９３】
また、上記成膜材料の回収方法は、上記分級工程の前に、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物中に含まれている成膜材料を粉砕する粉砕工程を備えていることが好ましい。
【０２９４】
これにより、上記成膜材料が上記フィルタを通過するように上記成膜材料を粉砕することができる。
【０２９５】
また、上記粉砕工程では、上記混合物中に含まれている研磨剤を用いて上記成膜材料を粉砕することが好ましい。
【０２９６】
上記の方法によれば、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物中には研磨剤が含まれているので、上記研磨剤を粉砕用部材としてそのまま利用することができる。
【０２９７】
また、上記分離工程では、上記成膜材料と破片との混合物を、上記磁石の磁界内を複数回通過させることが好ましい。
【０２９８】
これにより、最終回収された成膜材料の純度を向上させることができる。
【０２９９】
上記磁石に吸着される材料としては、強磁性体またはフェリ磁性体が挙げられる。
【０３００】
また、上記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる有機材料であることが好ましい。
【０３０１】
有機エレクトロルミネッセンス素子で使用される有機材料は高価であり、回収、再利用することが望ましい。そして、一般的に、有機エレクトロルミネッセンス素子で使用される有機材料は、磁石に吸着されない。このため、本発明によって効率良く、且つ、低コストで回収することができる。
【０３０２】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０３０３】
本発明は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法を用いた真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料の回収に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０３０４】
１    蒸着装置
１０    真空チャンバ
１１    内壁
２０    蒸着源
２１    射出口
２２    付着物（成膜材料）
３０    防着板
３１    第１の防着板
３１ａ  開口部
３２    第２の防着板
３２ａ  開口部
４０    シャッタ
５０    マスク
５１    開口部
６０    被成膜基板
６１    被成膜面
７０    チャンバ内構成物
７１ａ  破片
７２    基材
７３    粘着層
８０    回収物
１００    有機ＥＬ表示装置
１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂ  画素
１１０    ＴＦＴ基板
１１１    絶縁基板
１１２    ＴＦＴ
１１３    配線
１１４    層間絶縁膜
１１４ａ  コンタクトホール
１１５    エッジカバー
１２０    有機ＥＬ素子
１２１    第１電極
１２２    正孔注入層兼正孔輸送層
１２３Ｒ・１２３Ｇ・１２３Ｂ  発光層
１２４    電子輸送層
１２５    電子注入層
１２６    第２電極
１３０    接着層
１４０    封止基板
２００    付着物回収装置
２０１    コンベア
２０２    混入物回収部
２０２ａ  磁石
２１０    サンドブラスト装置
２１１    ノズル
２１２    研磨剤
２２０    粉砕機
２２１    開口部
２３０    フィルタ
２４０    付着物回収装置
２４１    混入物回収部
２４１ａ  磁石
２５０    搬送部材
２６０    切替器
３００    付着物回収システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜装置における成膜チャンバ内に設けられた成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離して回収する成膜材料の回収方法であって、
上記成膜治具における少なくとも上記成膜材料と接触する部分に、磁石に吸着される材料からなる層が設けられているとともに、上記成膜材料は、磁石に吸着されない材料であり、
上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を剥離する剥離工程と、
上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴とする成膜材料の回収方法。
【請求項２】
上記成膜治具の表面に付着した成膜材料を、少なくとも上記成膜材料と接触する部分が、磁石に吸着される材料からなる削具で削ることで上記剥離工程における成膜材料の剥離が行われるとともに、
上記分離工程では、上記剥離工程で剥離した成膜材料に混ざっている、磁石に吸着される材料からなる削具の破片および上記剥離工程で成膜材料とともに剥離された、上記磁石に吸着される材料からなる層の破片を、磁石に吸着させて、上記成膜材料から分離して上記成膜材料を回収する分離工程とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項３】
上記削具の破片が、磁石に吸着される材料からなる研磨剤であり、
上記剥離工程では、上記成膜材料を、上記削具に、磁石に吸着される材料からなる研磨剤を用いたサンドブラスト法で剥離することを特徴とする請求項２に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項４】
上記分離工程の前に、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物を、フィルタにより分級して、フィルタを通過しない研磨剤を分離する分級工程をさらに備えていることを特徴とする請求項３に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項５】
上記分級工程の前に、上記剥離工程で得られた、上記成膜材料と研磨剤との混合物中に含まれている成膜材料を粉砕する粉砕工程を備えていることを特徴とする請求項４に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項６】
上記粉砕工程では、上記混合物中に含まれている研磨剤を用いて上記成膜材料を粉砕することを特徴とする請求項５に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項７】
上記分離工程では、上記成膜材料と破片との混合物を、上記磁石の磁界内を複数回通過させることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項８】
上記磁石に吸着される材料が、強磁性体またはフェリ磁性体であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項９】
上記成膜材料が、磁石に吸着されない有機材料またはＩＴＯであることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【請求項１０】
上記成膜材料が、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる有機材料であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の成膜材料の回収方法。
【国際調査報告】
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