(57)【要約】  基体上に、従来方法に比べてより簡便に、均質かつ緻密なアルミニウム膜を形成する方法を提供する。  アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有するアルミニウム膜形成用材料を、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、および金から選ばれる少なくとも一種の金属からなる金属層の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布工程と、前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜を形成する硬化工程を含むアルミニウム膜形成方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有するアルミニウム膜形成用材料を、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、および金から選ばれる少なくとも一種の金属からなる金属層の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布工程と、
前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜を形成するアルミニウム膜形成工程
を含むことを特徴とする、アルミニウム膜形成方法。
【請求項２】
前記アルミニウム膜形成用材料が、第二のアミン化合物をさらに含有する、請求項１に記載のアルミニウム膜形成方法。
【請求項３】
前記第二のアミン化合物の濃度が、前記錯体および第二のアミン化合物の合計に対して、３〜７０質量％である、請求項２に記載のアルミニウム膜形成方法。
【請求項４】
前記アルミニウム膜形成用材料が、チタン化合物をさらに含有する請求項１〜３のいずれかに記載のアルミニウム膜形成方法。
【請求項５】
前記チタン化合物の濃度が、前記錯体およびチタン化合物の合計に対して、０．００００１〜１モル％である、請求項４に記載のアルミニウム膜形成方法。
【請求項６】
前記塗布工程の前に、基材上に前記金属層を形成する金属層形成工程を含む、請求項１〜５のいずれかに記載のアルミニウム膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属アルミニウム材料は、その高い導電性と高い光学特性から、ＤＲＡＭに代表される半導体デバイスの電極配線の用途や光学装置の反射膜の用途等に幅広く用いられている。一般的にアルミニウム膜形成方法は、スパッタ法、蒸着法、化学気相成長方法がこれまで主流であった（特許文献１）。しかし、これらの方法には、真空チャンバーや高圧電流装置など高価な装置を必要とし高コストであり、また、大口径の基体への適用が困難であるという、工業化への解決すべき課題がある。さらには昨今の半導体デバイスの微細化、ならびに光学装置の形状の複雑化が進む中で、これら従来の手法では、膜中の欠陥の発生やステップカバレージ性の低下が生じるという問題もある。
これに対し、塗布による成膜方法は、高価な装置を必要とせず、成膜コストが比較的安価であり、液体材料の浸透力を利用して狭トレンチ基体上への良好な成膜も期待できる。これまでに、水素化アルミニウム化合物を用いた塗布型組成物によるアルミニウム膜成膜法が報告されている（特許文献２）。この文献には、この成膜法の利点として、開口幅が小さく、アスペクト比の大きいトレンチの内部等に、厚さの均一なアルミニウム膜を形成できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−８６６７３号公報
【特許文献２】特開２００６−２３７３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の上記アルミニウム膜形成方法は、チタン化合物などを含む液状の組成物を用いて、工程数の多い処理によって下地膜を形成した後に、該下地膜の表面上にアルミニウム膜を形成するものであり、全体の工程数が多いという問題があった。
なお、下地膜を形成しない場合には、均質なアルミニウム膜が得られないことがあるという問題があった。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑みて、基体上に、従来方法に比べてより簡便に、均質かつ緻密なアルミニウム膜を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、銅などの特定の金属からなる金属層の表面上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体および有機溶媒を含有するアルミニウム膜形成用組成物を塗布して、塗布膜を形成した後に、該塗布膜に加熱処理等の処理を行なってアルミニウム膜を形成すれば、従来のように下地膜の形成に多くの工程を必要とせずに、形成の容易な銅などからなる金属層（下地膜）を形成するだけで、基体上に、高い密着性（付着性）を確保しつつ、簡便に、均質かつ緻密なアルミニウム膜を形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００６】
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［６］を提供するものである。
［１］  アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有するアルミニウム膜形成用材料を、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、および金から選ばれる少なくとも一種の金属からなる金属層の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布工程と、前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜を形成するアルミニウム膜形成工程を含むことを特徴とする、アルミニウム膜形成方法。
［２］  前記アルミニウム膜形成用材料が、第二のアミン化合物をさらに含有する、前記［１］に記載のアルミニウム膜形成方法。
［３］  前記第二のアミン化合物の濃度が、前記錯体および第二のアミン化合物の合計に対して、３〜７０質量％である、前記［２］に記載のアルミニウム膜形成方法。
［４］  前記アルミニウム膜形成用材料が、チタン化合物をさらに含有する、前記［１］〜［３］のいずれかに記載のアルミニウム膜形成方法。
［５］  前記チタン化合物の濃度が、前記錯体およびチタン化合物の合計に対して、０．００００１〜１モル％である、前記［４］に記載のアルミニウム膜形成方法。
［６］  前記塗布工程の前に、基材上に前記金属層を形成する金属層形成工程を含む、前記［１］〜［５］のいずれかに記載のアルミニウム膜形成方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のアルミニウム膜形成方法によれば、基体上に、高い密着性（付着性）を確保しつつ、従来方法に比べて少ない工程数で簡便に、均質かつ緻密なアルミニウム膜を得ることができる。
本発明の方法によって形成されるアルミニウム膜は、半導体デバイスの電極配線を含む構造部分や、光学装置の反射膜の用途等に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明のアルミニウム膜形成方法は、（ａ）アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有するアルミニウム膜形成用材料を、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、および金から選ばれる少なくとも一種の金属からなる金属層の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布工程と、（ｂ）前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜を形成するアルミニウム膜形成工程、を含むことを特徴とする。
【０００９】
まず、工程（ａ）について説明する。工程（ａ）は、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有するアルミニウム膜形成用材料を、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、および金から選ばれる少なくとも一種の金属からなる金属層の表面に塗布して、塗布膜を形成する工程である。
上記金属層は、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、および金から選ばれる少なくとも一種の金属からなる金属層であり、一種の金属（純金属）からなる金属層でもよいし、銅、コバルト、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケルおよび金から選ばれる２種以上を含む合金からなる金属層であってもよい。
上記金属層は、金属層そのものが基体であってもよく、あるいは、当該金属層とは異なる基体上に形成されていてもよい。
金属層の表面の形態は、平面でもよいし、段差のある非平面でもよく、特に限定されるものではない。
【００１０】
金属層が基体上に形成されている場合、基体を構成する材料（基材）の材質、形状等に特に制限はないが、材質は次工程の熱処理に耐えられるものが好ましい。この場合の基材の材質の具体例としては、ガラス、プラスチック、セラミックス、シリコン基板などを挙げることができる。ガラスとしては、例えば石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス等を挙げることができる。プラスチックとしては、例えばポリイミド、ポリエーテルスルホン等を挙げることができる。また、この場合の基体の形状としては、バルク形状、板状、フィルム形状等を挙げることができ、特に制限されるものではない。
【００１１】
上記金属層が、当該金属層とは異なる基体上に形成されている場合における、基体上への上記金属層の形成方法としては、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、物理気相成長法（ＰＶＤ法）等の公知の方法が挙げられる。化学気相成長法（ＣＶＤ法）としては、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、有機金属化学気相成長法などが挙げられる。物理気相成長法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシー法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザー堆積法等が挙げられる。
【００１２】
上記の金属層の表面上に、後述するアルミニウム膜形成用組成物を塗布するに際しては、例えばスピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スプレー法、液滴吐出法等の適宜の方法を用いることができる。塗布工程では、塗布の対象となる金属層の形状、大きさ等により、金属層の表面の隅々にまでアルミニウム膜形成用組成物が行き亘るような塗布条件が採用される。例えば塗布法としてスピンコート法を採用する場合において、スピナーの回転数を、好ましくは３００〜２，５００ｒｐｍ、更に好ましくは５００〜２，０００ｒｐｍとすることができる。
【００１３】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物は、上記の（Ａ）アミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体を必須成分として含有し、その他に必要に応じて（Ｂ）有機溶媒、（Ｃ）前記錯体に含まれるアミン化合物以外の第二のアミン化合物、及び（Ｄ）チタン化合物を含有することもできる。
上記（Ａ）アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体に含まれる水素化アルミニウム（しばしば慣用的に「アラン」と呼ばれる。）は、アルミニウムと水素原子からなる化合物であり、一般的にはＡｌＨ３で表される。
【００１４】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物に含有される（Ａ）アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体は、例えば、「Ｊ．Ｋ．Ｒｕｆｆら、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、８２巻，２１４１ページ，１９６０年」、「Ｇ．Ｗ．Ｆｒａｓｅｒら、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、３７４２ページ，１９６３年」、および「Ｊ．Ｌ．Ａｔｗｏｏｄら、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１１３巻，８１３３ページ，１９９１年」等に記載された方法に準じて合成することができる。
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物に含有される（Ａ）アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体は、例えば、水素化リチウムアルミニウムのジエチルエーテル懸濁液にアミン化合物の塩化水素酸塩を添加し、例えばＮ２ガス中にて室温で撹拌しながら反応させて合成することができる。反応温度、反応溶媒等は、所望するアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の種類に応じて、適宜に選択されるべきである。
【００１５】
本発明で用いられるアミン化合物は、モノアミン化合物又はポリアミン化合物であることができる。上記ポリアミン化合物としては、例えばジアミン化合物、トリアミン化合物、テトラアミン化合物等を挙げることができる。
【００１６】
上記モノアミン化合物としては、例えば下記式（１）
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ      ・・・（１）
（ここで、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはアラルキル基である。）
で表されるモノアミン化合物、および、それ以外のモノアミン化合物を挙げることができる。式（１）中のＲ１、Ｒ２およびＲ３としてのアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基は、直鎖状であっても環状であってもよく、また分岐していてもよい。
【００１７】
上記アルキル基としては、例えば炭素数１〜１２のアルキル基を挙げることができる。その具体例としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、２−メチルブチル基、２−エチルヘキシル基等を挙げることができる。
上記アルケニル基としては、例えば、不飽和基を有するアルケニル基を挙げることができる。その具体例としては、例えばビニル基、アリル基、クロチル基、エチニル基等を挙げることができる。
上記アルキニル基としては、例えばフェニルエチニル基等を挙げることができる。
上記アリール基としては、例えばフェニル基等を挙げることができる。
上記アラルキル基としては、例えばベンジル基等を挙げることができる。
【００１８】
式（１）で示される化合物の具体例としては、例えばアンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、トリシクロプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｔ−ブチルアミン、トリ−２−メチルブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ（２−エチルヘキシル）アミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ジイソブチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミン、エチルジフェニルアミン、イソブチルジフェニルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルブチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジオクチルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、イソブチルフェニルアミン、メチルアリルアミン、メチルビニルアミン、メチル（フェニルエチニル）アミン、フェニル（フェニルエチニル）アミン、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、シクロプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、２−メチルブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、オクチルアミン、フェニルアミン、ベンジルアミン等を挙げることができる。
【００１９】
上記ジアミン化合物としては、例えばエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、フェニレンジアミン等を挙げることができる。
上記トリアミン化合物としては、例えばジエチレントリアミン、１，７−ジメチル−１，４，７−トリアザヘプタン、１，７−ジエチル−１，４，７−トリアザヘプタン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリメチル−１，３，５−トリアザシクロヘキサン等を挙げることができる。
上記テトラアミン化合物としては、例えばトリメチレンテトラアミン、トリエチレンテトラアミン等を挙げることができる。これらのアミン化合物は、単独でも、あるいは２種以上の化合物を混合して使用することもできる。
【００２０】
これらアミン化合物のうち、式（１）で表されるモノアミン化合物を使用することが好ましい。トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｔ−ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルブチルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、イソブチルフェニルアミン、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、シクロプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、２−メチルブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン又はフェニルアミンを使用することがより好ましい。中でも、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−イソプロピルアミン、トリイソブチルアミン又はトリ−ｔ−ブチルアミンを使用することが更に好ましい。
これらのアミン化合物は、単独でも、あるいは２種以上を混合して使用することもできる。
【００２１】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物に含有される（Ｂ）有機溶媒は、上記のアミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体、及び、後述する任意に添加される成分を溶解し、かつこれらと反応しないものであれば特に限定されない。例えば、炭化水素溶媒、エーテル溶媒、その他の極性溶媒等を用いることができる。
【００２２】
上記炭化水素溶媒としては、例えばｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シクロオクタン、デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエンの水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン等を挙げることができる。
【００２３】
上記エーテル溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、フェントール、２−メチルフェントール、３−メチルフェントール、４−メチルフェントール、ベラトロール、２−エトキシアニソール、１，４−ジメトキシベンゼン等を挙げることができる。
上記その他の極性溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。
上記有機溶媒は単独であるいは２種以上混合して用いることができる。
【００２４】
これらのうち、溶解性、および、形成される溶液の安定性の点で、炭化水素溶媒、又は、炭化水素溶媒とエーテル溶媒との混合溶媒を用いるのが好ましい。
炭化水素溶媒としては、例えばｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、ベンゼン、トルエン又はキシレンが好ましい。
エーテル溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、フェントール、ベラトロール、２−エトキシアニソール、１，４−ジメトキシベンゼンが好ましい。
【００２５】
（Ｃ）前記錯体に含まれるアミン化合物以外の第二のアミン化合物としては、モノアミン化合物およびポリアミン化合物が挙げられる。
上記ポリアミン化合物としては、例えばジアミン化合物、トリアミン化合物、テトラアミン化合物等を挙げることができる。
【００２６】
上記モノアミン化合物としては、例えば下記式（２）
Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｎ      ・・・（２）
（ここで、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはアラルキル基である。）
で表されるモノアミン化合物、および、それ以外のモノアミン化合物を挙げることができる。式（２）中のＲ４、Ｒ５及びＲ６としてのアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基は直鎖状であっても環状であってもよく、また分岐していてもよい。
【００２７】
上記アルキル基としては、例えば炭素数１〜１２のアルキル基を挙げることができる。その具体例としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、２−メチルブチル基、２−エチルヘキシル基等を挙げることができる。
上記アルケニル基としては、例えば不飽和基を有するアルケニル基を挙げることができる。その具体例としては、例えばビニル基、アリル基、クロチル基、エチニル基等を挙げることができる。
上記アルキニル基としては、例えばフェニルエチニル基等を挙げることができる。
上記アリール基としては、例えばフェニル基等を挙げることができる。
上記アラルキル基としては、例えばベンジル基等を挙げることができる。
【００２８】
式（２）で示される化合物の具体例としては、例えばアンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、トリシクロプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｔ−ブチルアミン、トリ−２−メチルブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ（２−エチルヘキシル）アミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ジイソブチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミン、エチルジフェニルアミン、イソブチルジフェニルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルブチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジオクチルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、イソブチルフェニルアミン、メチルアリルアミン、メチルビニルアミン、メチル（フェニルエチニル）アミン、フェニル（フェニルエチニル）アミン、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、シクロプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、２−メチルブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、オクチルアミン、フェニルアミン、ベンジルアミン等を挙げることができる。
【００２９】
上記ジアミン化合物としては、例えばエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、フェニレンジアミン等を挙げることができる。
上記トリアミン化合物としては、例えばジエチレントリアミン、１，７−ジメチル−１，４，７−トリアザヘプタン、１，７−ジエチル−１，４，７−トリアザヘプタン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリメチル−１，３，５−トリアザシクロヘキサン等を挙げることができる。
上記テトラアミン化合物としては、例えばトリメチレンテトラアミン、トリエチレンテトラアミン等を挙げることができる。これらのアミン化合物は、単独でも、あるいは２種以上の化合物を混合して使用することもできる。
【００３０】
これらアミン化合物のうち、トリメチルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンを使用することがより好ましい。なかでも、トリメチルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミンがさらに好ましい。
これらのアミン化合物は、単独でも、あるいは２種以上の化合物を混合して使用することもできる。これらアミン化合物を加えることにより、アルミニウム膜形成用組成物の保存安定性および高温下での材料安定性が向上する。
【００３１】
（Ｄ）チタン化合物としては、例えば下記式（３）〜（７）のそれぞれで表される化合物を挙げることができる。
Ｔｉ（ＯＲ７）４          ・・・（３）
ここで、Ｒ７は、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン化フェニル基である。
Ｔｉ（ＯＲ８）ｘＬ４−ｘ      ・・・（４）
ここで、Ｒ８の定義は上記式（３）のＲ７に同じであり、Ｌは式
【００３２】
【化１】
2012050058.tif 000002
【００３３】
で表わされる基である。ここで、Ｒ９およびＲ１０は同一もしくは異なり、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、またはハロゲン化フェニル基であり、ｘは０〜３の整数である。
【００３４】
Ｔｉ（ＯＲ１１）ｙ（Ｘ）４−ｙ      ・・・（５）
ここで、Ｒ１１はアルキル基又はフェニル基であり、Ｘはハロゲン原子であり、ｙは０〜３の整数である。
Ｔｉ（ＮＲ１２）４                ・・・（６）
ここで、Ｒ１２はアルキル基又はフェニル基である。
Ｔｉ（Ｃｐ）ｎ（Ｙ）４−ｎ      ・・・（７）
ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル骨格を有する基であり、Ｙはハロゲン原子又はアルキル基であり、ｎは１〜４の整数である。
【００３５】
上記式（３）、（４）中、Ｒ７およびＲ８は、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、トリフルオロメチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基である。また、上記式（４）中、ＬのＲ９およびＲ１０は、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、トルフルオロメチル基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、トルフルオロメチル基である。
【００３６】
上記式（３）で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばチタニウムメトキシド、チタニウムエトキシド、チタニウム−ｎ−プロポキシド、チタニウム−ｎ−ノニルオキシド、チタニウムステアリルオキシド、チタニウムイソプロポキシド、チタニウム−ｎ−ブトキシド、チタニウムイソブトキシド、チタニウム−ｔ−ブトキシド、チタニウムトリメチルシロキシド、チタニウム−２−エチルヘキソオキシド、チタニウムメトキシプロポキシド、チタニウムフェノキシド、チタニウムメチルフェノキシド、チタニウムフルオロメトキシドおよびチタニウムクロロフェノキシド等を挙げることができる。
【００３７】
上記式（４）で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばテトラキス（ペンタ−２，４−ジケト）チタニウム、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタ−３，５−ジケト）チタニウム、テトラキス（１−エトキシブタン−１，３−ジケト）チタニウム、テトラキス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタ−２，４−ジケト）チタニウム、（２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジケト）チタニウム、ビス（ペンタ−２，４−ジケト）チタニウムジメトキシド、ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタ−３，５−ジケト）チタニウムジメトキシド、ビス（１−エトキシブタン−１，３−ジケト）チタニウムジメトキシド、ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタ−２，４−ジケト）チタニウムジメトキシド、（２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジケト）チタニウムジメトキシド、ビス（ペンタ−２，４−ジケト）チタニウムジｉ−プロポキシド、ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタ−３，５−ジケト）チタニウムジｉ−プロポキシド、ビス（１−エトキシブタン−１，３−ジケト）チタニウムジｉ−プロポキシド、ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタ−２，４−ジケト）チタニウムジｉ−プロポキシド、（２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジケト）チタニウムジｉ−プロポキシド等を挙げることができる。
【００３８】
上記式（５）で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばトリメトキシチタニウムクロライド、トリエトキシチタニウムクロライド、トリ−ｎ−プロポキシチタニウムクロライド、トリ−ｉ−プロポキシチタニウムクロライド、トリ−ｎ−ブトキシチタニウムクロライド、トリ−ｔ−ブトキシチタニウムクロライド、トリイソステアロイルチタニウムクロライド、ジメトキシチタニウムジクロライド、ジエトキシチタニウムジクロライド、ジ−ｎ−プロポキシチタニウムジクロライド、ジ−ｉ−プロポキシチタニウムジクロライド、ジ−ｎ−ブトキシチタニウムジクロライド、ジ−ｔ−ブトキシチタニウムジクロライド、ジイソステアロイルチタニウムジクロライド、メトキシチタニウムトリクロライド、エトキシチタニウムトリクロライド、ｎ−プロポキシチタニウムトリクロライド、ｉ−プロポキシチタニウムトリクロライド、ｎ−ブトキシチタニウムトリクロライド、ｔ−ブトキシチタニウムトリクロライド、イソステアロイルチタニウムトリクロライド、チタニウムテトラクロライド等を挙げることができる。
【００３９】
上記式（６）で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばテトラキス（ジメチルアミノ）チタニウム、テトラキス（ジエチルアミノ）チタニウム、テトラキス（ジ−ｔ−ブトキシアミノ）チタニウム、テトラキス（ジ−ｉ−プロポキシアミノ）チタニウム、テトラキス（ジフェニルアミノ）チタニウムを挙げることができる。
【００４０】
上記式（７）で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばジシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジシクロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、シクロペンタジエニルチタニウムトリブロマイド、ジシクロペンタジエニルジメチルチタニウム、ジシクロペンタジエニルジエチルチタニウム、ジシクロペンタジエニルジ−ｔ−ブチルチタニウム、ジシクロペンタジエニルフェニルチタニウムクロライド、ジシクロペンタジエニルメチルチタニウムクロライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジブロマイド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリブロマイド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジメチルチタニウム、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジエチルチタニウム、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジ−ｔ−ブチルチタニウム、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）フェニルチタニウムクロライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）メチルチタニウムクロライド等を挙げることができる。
【００４１】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物に含有される（Ｃ）アミン化合物の濃度は、（Ａ）アミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体と（Ｃ）アミン化合物との合計に対して、７０質量％以下であり、より好ましくは５０質量％以下であり、更に好ましくは３〜５０質量％である。
【００４２】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物が（Ｄ）チタン化合物を含有する場合、（Ｄ）チタン化合物の濃度は、（Ａ）アミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体、および、（Ｄ）チタン化合物の合計に対して、好ましくは１モル％以下であり、より好ましくは０．００００１〜１モル％であり、更に好ましくは０．００００５〜０．０１モル％である。チタン化合物の濃度をこの範囲内とすることにより、良好な埋め込み性と、組成物の安定性を両立することができる。
【００４３】
アルミニウム膜形成用組成物中の（Ｂ）溶媒と（Ｃ）アミン化合物とを除いた質量が組成物の全質量中に占める割合（以下、「非揮発成分含有率」という。）は、成膜すべきアルミニウム膜の膜厚に応じて変動させるのが望ましい。例えば、アルミニウム膜の膜厚が２００ｎｍ未満の場合、アルミニウム膜形成用組成物の非揮発成分含有率は、好ましくは５０質量％未満であり、より好ましくは３０質量％以下である。また、アルミニウム膜の膜厚が２００ｎｍ以上である場合、アルミニウム膜形成用組成物の非揮発成分含有率は、好ましくは５０質量％以上であり、より好ましくは７０質量％以上である。
【００４４】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物の製造方法は、特に限定されるものではない。例えば、上記の如くアミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体を溶媒の存在下で合成した後、副生物等の不溶物をフィルター等で除去した溶液をそのままアルミニウム膜形成用組成物として用いることができる。あるいはまた、この溶液に所望の溶媒を添加した後、反応に用いた溶媒、例えばジエチルエーテルを減圧下で除去することによって、アルミニウム膜形成用組成物としてもよい。
【００４５】
本発明で使用されるアルミニウム膜形成用組成物がチタン化合物を含有するものである場合、その製造にあたっては、例えば上記のようにして製造したアミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体を含有する溶液に、攪拌しながら所定量のチタン含有化合物の溶液を添加して調製することができる。添加するときの温度は、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは５〜１００℃である。攪拌する時間は、好ましくは０．１〜１２０分間、より好ましくは０．２〜６０分間である。このような条件で混合することにより、安定な組成物を得ることができる。
【００４６】
上記工程（ａ）の後、塗布したアルミニウム膜形成用組成物（塗布膜）中に含有される溶媒等の低沸点成分を除去するために、加熱処理を行ってもよい。加熱する温度及び時間は、使用する溶媒の種類、沸点（蒸気圧）により異なるが、例えば１００〜３５０℃で、１〜９０分間とすることができる。このとき、系全体を減圧にすることで、溶媒の除去をより低温で行うこともできる。好ましくは１００〜２５０℃において、２〜６０分間である。
【００４７】
次に、工程（ｂ）について説明する。工程（ｂ）は、前記工程（ａ）において得られた塗布膜（通常、液状物）に対して熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜（通常、硬化物）を形成する工程である。
【００４８】
上記熱処理の温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃〜６００℃、さらに好ましくは２００℃〜５００℃である。加熱時間は、好ましくは３０秒〜１２０分間、より好ましくは１〜９０分間、更に好ましくは２〜６０分間である。
上記光照射処理に用いる光源としては、例えば水銀ランプ、重水素ランプ、希ガスの放電光、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、希ガスハロゲンエキシマレーザー等を挙げることができる。上記水銀ランプとしては、例えば低圧水銀ランプ又は高圧水銀ランプを挙げることができる。上記希ガスの放電光に用いる希ガスとしては、例えばアルゴン、クリプトン、キセノン等を挙げることができる。上記希ガスハロゲンエキシマレーザーに使用する希ガスハロゲンとしては、例えばＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ等を挙げることができる。
【００４９】
これらの光源の出力としては、好ましくは１０〜５，０００Ｗ、より好ましくは１００〜１，０００Ｗである。これらの光源の波長は特に限定されないが、好ましくは１７０ｎｍ〜６００ｎｍである。また、形成されるアルミニウム膜の膜質の点で、レーザー光の使用が特に好ましい。また、より良好なアルミニウム膜を形成する目的で、酸化性ガス雰囲気下でプラズマ酸化させることもできる。このときのプラズマ酸化の酸化条件としては、例えばＲＦ電力を２０〜１００Ｗとし、導入ガスとして、酸素ガスを９０〜１００％、残り（１０％以下）をアルゴンガスとし、導入ガスの導入圧を０．０５〜０．２Ｐａとし、プラズマ酸化時間を１０〜２４０秒とすることができる。
【００５０】
アルミニウム膜形成用組成物の塗布、任意に実施される溶媒の除去、および、熱処理及び／又は光照射処理を実施する際の雰囲気としては、アルミニウム膜の形成の促進の観点から、酸化条件であることが好ましい。酸化条件を実現する酸化性ガスとして、例えば水蒸気、酸素、オゾン、一酸化炭素、炭素数が１〜３の過酸化物、アルコール、アルデヒドなどが挙げられる。なかでも水蒸気、酸素、オゾンが好ましい。また、上記酸化性ガスと不活性ガスとを混合することも、酸化条件のコントロールの観点から好ましい。上記不活性ガスとしては、例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等が挙げられる。不活性ガスと酸化性ガスの合計に占める酸化性ガスの割合は、好ましくは１〜７０モル％、より好ましくは３〜４０モル％である。
【００５１】
上記熱処理及び光照射処理は、どちらか一方のみを行ってもよく、双方を行ってもよい。熱処理と光照射処理の双方を行う場合には、その順番の前後は問わず、熱処理と光処理を同時に行ってもよい。これらのうち、熱処理のみを行うか、熱処理と光処理の双方を行うことが好ましい。また、より良好なアルミニウム膜を形成する目的で、上記熱処理及び／又は光照射処理工程とは別に、プラズマ酸化を実施してもよい。
また、アルミニウム膜を形成する手法として、上記塗布法にて、酸化性ガスを含まない不活性ガス雰囲気下で未硬化のアルミニウム膜を形成し、次いで、陽極酸化することで、硬化したアルミニウム膜を形成することもできる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。なお、以下の操作は、特に記した場合を除く他、すべて乾燥窒素雰囲気下で実施した。また、用いた溶媒は、すべて事前にモレキュラーシーブス４Ａ（ユニオン昭和（株）製）で脱水し、かつ窒素ガスをバブリングすることにより脱気した。また、比抵抗は、ナプソン社製の探針抵抗率測定器（形式：ＲＴ−８０／ＲＧ−８０）により測定した。膜厚及び膜密度は、フィリップス社製の斜入射Ｘ線分析装置（形式：Ｘ’Ｐｅｒｔ  ＭＲＤ）により測定した。ＥＳＣＡスペクトルは、日本電子（株）製の装置（形式：ＪＰＳ８０）にて測定した。反射率は、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（型式：Ｕ−４１００）にて測定した。【００５３】
（合成例１）アルミニウム膜形成用組成物の調製
１−１．アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた２００ｍＬの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム３．８０ｇを仕込んだ。三口フラスコの３つの接続口にはそれぞれ１００ｍＬの粉体添加用漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。トリエチルアミンの塩化水素酸塩１７．８０ｇを粉体添加用漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。
上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてヘキサン１００ｍＬを加えた。マグネチックスターラにより回転数１，０００ｒｐｍで攪拌しながら、トリエチルアミンの塩化水素酸塩を１０分間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に２時間攪拌を継続した。
その後、ポリテトラフロロエチレン製のチューブの先端に脱脂綿（日本薬局方脱脂綿）を詰めたものを用いて、反応混合物を圧送により別容器に取り出し、次いでポリテトラフロロエチレン製の孔径０．１μｍのメンブランフィルタ（Ｗｈａｔｍａｎ  Ｉｎｃ．製）により濾過した。濾液は３００ｍＬのなす型フラスコで受け、濾過終了後に磁気攪拌子を入れ、吸引栓三方コックを装着した。
この吸引栓三方コックを、トラップを介して真空ポンプに接続し、マグネチックスターラによって回転数３００ｒｐｍで攪拌しながら減圧にて溶媒を除去した。溶媒除去後、残存物をポリテトラフロロエチレン製の孔径０．１μｍのメンブランフィルタ（Ｗｈａｔｍａｎ  Ｉｎｃ．製）を用いて濾過することにより、トリエチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体１０．２５ｇを、無色透明の液体として得た（収率５５％）。【００５４】
１−２．アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体と、アミン化合物と、溶媒との混合液の調製
上記１−１で得られたトリエチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体４．００ｇにトリエチルアミン１．０１ｇを加えた後、４−メチルアニソールを加えて全量を８．００ｇとすることにより、トリエチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体を５０質量％含有する溶液を調製した。【００５５】
１−３．チタン化合物を含有する溶液の調製
シクロペンタジエニルチタニウムトリクロリド０．１１ｇを３０ｍＬのガラス容器に仕込み、ここへ４−メチルアニソールを加えて全量を２５．００ｇとした。十分に攪拌した後、室温で４時間静置し、次いでこれをポリテトラフロロエチレン製の孔径０．１μｍのメンブランフィルタ（Ｗｈａｔｍａｎ  Ｉｎｃ．製）を用いて濾過することにより、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロリドを２０μｍｏｌ／ｇ含有する溶液を得た。【００５６】
１−４．アルミニウム膜形成用組成物の調製
上記１−２．で調製したトリエチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体を５０質量％含有する溶液０．５０ｍＬに、上記１−３．で調製したシクロペンタジエニルチタニウムトリクロリドを２０μｍｏｌ／ｇ含有する溶液２７μＬを、室温にて攪拌下に加え、次いで１分間攪拌を継続することにより、アルミニウム膜形成用組成物を調製した。【００５７】
（実施例１）
シリコン基板上にスパッタ法により金属銅層を形成させた。金属銅層の厚さは１００ｎｍであった。
次いで金属銅層が形成されたシリコン基板をスピンコーターに再び装着し、上記（合成例１）で調製したアルミニウム膜形成用組成物４ｍＬを金属銅層の表面に滴下し、回転数６００ｒｐｍで１０秒間スピンさせた。この基板を１５０℃のホットプレートで１０分間加熱した。その後、更に３５０℃で３０分間加熱したところ、基板の表面は、金属光沢を有する膜で覆われた。
この膜のＥＳＣＡスペクトルを観察したところ、７３．５ｅＶにＡｌ２ｐに帰属されるピークが観察され、この膜がアルミニウム膜であることが分かった。膜厚＝２００ｎｍ、比抵抗値＝３．６μΩ・ｃｍ、７００ｎｍ波長での反射率＝７８％であった。
また、密着性について、ＪＩＳ  Ｋ−５６００−５−６に準拠して碁盤目テープ法により評価したところ、金属銅層とアルミニウム膜との剥離が全く見られなかった。【００５８】
（実施例２）
シリコン基板上にスパッタ法により金属アルミニウム層を形成させた。金属アルミニウム層の厚さは２００ｎｍであった。
次いで金属アルミニウム層が形成されたシリコン基板をスピンコーターに再び装着し、上記（合成例１）で調製したアルミニウム膜形成用組成物４ｍＬを金属アルミニウム層の表面に滴下し、回転数６００ｒｐｍで１０秒間スピンさせた。この基板を１５０℃のホットプレートで１０分間加熱した。その後、更に３５０℃で３０分間加熱したところ、基板の表面は、金属光沢を有する膜で覆われた。
この膜のＥＳＣＡスペクトルを観察したところ、７３．５ｅＶにＡｌ２ｐに帰属されるピークが観察され、この膜がアルミニウム膜であることが分かった。膜厚＝２００ｎｍ、比抵抗値＝４．０μΩ・ｃｍ、７００ｎｍ波長での反射率＝６４％であった。
また、密着性について、ＪＩＳ  Ｋ−５６００−５−６に準拠して碁盤目テープ法により評価したところ、金属アルミニウム層とアルミニウム膜との剥離が全く見られなかった。【００５９】
（実施例３）
シリコン基板上にスパッタ法により金属コバルト層を形成させた。金属コバルト層の厚さは１００ｎｍであった。
次いで金属コバルト層が形成されたシリコン基板をスピンコーターに再び装着し、上記（合成例１）で調製したアルミニウム膜形成用組成物４ｍＬを金属コバルト層の表面に滴下し、回転数６００ｒｐｍで１０秒間スピンさせた。この基板を１５０℃のホットプレートで１０分間加熱した。その後、更に３５０℃で３０分間加熱したところ、基板の表面は、金属光沢を有する膜で覆われた。
この膜のＥＳＣＡスペクトルを観察したところ、７３．５ｅＶにＡｌ２ｐに帰属されるピークが観察され、この膜がアルミニウム膜であることが分かった。膜厚＝１００ｎｍ、比抵抗値＝６．２μΩ・ｃｍ、７００ｎｍ波長での反射率＝５２％であった。
また、密着性について、ＪＩＳ  Ｋ−５６００−５−６に準拠して碁盤目テープ法により評価したところ、金属コバルト層とアルミニウム膜との剥離が全く見られなかった。【００６０】
（実施例４）
シリコン基板上にスパッタ法により金属モリブデン層を形成させた。金属モリブデン層の厚さは８０ｎｍであった。
次いで金属モリブデン層が形成されたシリコン基板をスピンコーターに再び装着し、上記（合成例１）で調製したアルミニウム膜形成用組成物４ｍＬを金属モリブデン層の表面に滴下し、回転数６００ｒｐｍで１０秒間スピンさせた。この基板を１５０℃のホットプレートで１０分間加熱した。その後、更に３５０℃で３０分間加熱したところ、基板の表面は、金属光沢を有する膜で覆われた。
この膜のＥＳＣＡスペクトルを観察したところ、７３．５ｅＶにＡｌ２ｐに帰属されるピークが観察され、この膜がアルミニウム膜であることが分かった。膜厚＝１００ｎｍ、比抵抗値＝６．８μΩ・ｃｍ、７００ｎｍ波長での反射率＝４６％であった。
また、密着性について、ＪＩＳ  Ｋ−５６００−５−６に準拠して碁盤目テープ法により評価したところ、金属モリブデン層とアルミニウム膜との剥離が全く見られなかった。【００６１】
（実施例５）
シリコン基板上にスパッタ法により金属タングステン層を形成させた。金属タングステン層の厚さは１００ｎｍであった。
次いで金属タングステン層が形成されたシリコン基板をスピンコーターに再び装着し、上記（合成例１）で調製したアルミニウム膜形成用組成物４ｍＬを金属タングステン層の表面に滴下し、回転数６００ｒｐｍで１０秒間スピンさせた。この基板を１５０℃のホットプレートで１０分間加熱した。その後、更に３５０℃で３０分間加熱したところ、基板の表面は、金属光沢を有する膜で覆われた。
この膜のＥＳＣＡスペクトルを観察したところ、７３．５ｅＶにＡｌ２ｐに帰属されるピークが観察され、この膜がアルミニウム膜であることが分かった。膜厚＝１００ｎｍ、比抵抗値＝５．８μΩ・ｃｍ、７００ｎｍ波長での反射率＝５２％であった。
また、密着性について、ＪＩＳ  Ｋ−５６００−５−６に準拠して碁盤目テープ法により評価したところ、金属タングステン層とアルミニウム膜との剥離が全く見られなかった。
【国際調査報告】
2012050058.tif 000003
2012050058.tif 000004