(57)【要約】  本発明は、フルカラーディスプレイを完成させるために重要である４４０ｎｍ以下の深青色領域においてエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となる、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光材料等として有用な金カルベン錯体を提供することを目的とする。  本発明の金カルベン錯体は、下記一般式（１）で表わされる。2012046769.tif 000015
2012046769.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化９】
2012046769.tif 000012
（式中、Ｌは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示し；
Ｘは、アルキレン基、酸素原子、置換シリル基又は置換ゲルミル基を示し；
Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子又は置換基を示す）
で示される金カルベン錯体。
【請求項２】
Ｌが、下記一般式（２）又は（３）
【化１０】
2012046769.tif 000013
（式中、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、ポリシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、
Ｒ3〜Ｒ6は、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ニトロ基、シアノ基又はジ置換アミノ基を示し、隣接している基同士が結合して環を形成していてもよい；
ただし、Ｒ1〜Ｒ6が水素原子を有する基（水素原子を除く）である場合には、その基中の任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基又はアリールオキシル基で置換されていてもよい）
で示される請求項１記載の金カルベン錯体。
【請求項３】
Ｒ１及びＲ２が、同一又は異なっていてもよく、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素数７〜１０のポリシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０のアラルキル基であり、
Ｒ３〜Ｒ６が、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシル基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシル基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜１６のジ置換アミノ基である請求項２記載の金カルベン錯体。
【請求項４】
前記ポリシクロアルキル基が、ビシクロ−［２．１．１］−ヘキシル基、ビシクロ−［２．２．１］−ヘプチル基、ビシクロ−［２．２．２］−オクチル基、ビシクロ−［３．３．０］−オクチル基、ビシクロ−［４．３．０］−ノニル基、ビシクロ−［４．４．０］−デシル基又はアダマンチル基である請求項３記載の金カルベン錯体。
【請求項５】
Ｒ１１〜Ｒ１９が、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、ポリシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である請求項１〜４のいずれか記載の金カルベン錯体。
【請求項６】
Ｒ１及びＲ２が、同一又は異なっていてもよく、ｔｅｒｔ−ブチル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基又はアダマンチル基であり、
Ｒ３〜Ｒ６が、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子又は塩素原子である請求項２〜５のいずれか記載の金カルベン錯体。
【請求項７】
Ｒ１及びＲ２が、同一又は異なっていてもよく、ｔｅｒｔ−ブチル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基又はアダマンチル基であり、
Ｒ３〜Ｒ６が、水素原子である請求項２〜６のいずれか記載の金カルベン錯体。
【請求項８】
Ｘが炭素原子数１〜３のアルキレン基、酸素原子、置換シリル基又は置換ゲルミル基であって、
前記置換シリル基及び置換ゲルミル基において、置換基中の総炭素数が２〜１２である、請求項１〜７のいずれか記載の金カルベン錯体。
【請求項９】
下記式（１４）〜（１８）から選ばれる金カルベン錯体。
【化１１】
2012046769.tif 000014
【請求項１０】
金ホスフィン錯体（Ａ）と含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）とを反応させる請求項１記載の金カルベン錯体の製造方法。
【請求項１１】
前記含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）が、含窒素へテロ環ヒドロハライドと塩基との反応によって得られたものである請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記金ホスフィン錯体（Ａ）と含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）との反応において、金ホスフィン錯体（Ａ）１モルに対して、含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）を１〜４モル使用する請求項１０または１１記載の製造方法。
【請求項１３】
前記金ホスフィン錯体（Ａ）と含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）との反応が、金ホスフィン錯体（Ａ）と含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｂ）とを、溶媒の存在下、０〜１２０℃の温度で攪拌混合することにより行われる請求項１０〜１２のいずれか記載の製造方法。
【請求項１４】
一対の対向する電極間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が少なくとも一種の請求項１〜９のいずれか記載の金カルベン錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
４４０ｎｍ以下の深青色領域にエレクトロルミネッセンス発光ピーク極大を有し、発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満であることを特徴とする請求項１４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な金カルベン錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、近年、高性能平面カラーディスプレイ用表示装置における発光素子として注目されている。当該素子における発光材料としては、発光分子の励起１重項からの発光を利用する蛍光材料が主に用いられている。現在では、さらなる高効率を達成するために、励起３重項からの発光を利用するリン光発光材料の開発が盛んに行われている。【０００３】
しかしながら、非特許文献１にも示されるように、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子において、フルカラーディスプレイを完成させるために重要である４４０ｎｍ以下の深青色領域にエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を実現でき、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となるような素子を作成することは非常に困難であることが知られている。【０００４】
また、これまで、本願発明の金カルベン錯体及び当該錯体を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子については知られていなかった（例えば、非特許文献２、非特許文献３及び特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２００６／０８０５１５
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】（社）高分子学会２００６年度有機ＥＬシンポジウム講演要旨集７ページ
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，１９８６，４１１．
【非特許文献３】実験化学講座，第４版，丸善社，４５５頁，１８巻（１９９１年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、フルカラーディスプレイを完成させるために重要である４４０ｎｍ以下の深青色領域においてエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となる、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光材料等として有用な金カルベン錯体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の課題は、下記一般式（１）【０００９】
【化１】
2012046769.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｌは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示し、Ｘはアルキレン基、酸素原子、置換シリル基又は置換ゲルミル基を示し、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子又は置換基を示す。）
で示される金カルベン錯体によって解決される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、４４０ｎｍ以下の深青色領域にエレクトロルミネッセンス発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となる、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光材料等として有用な金カルベン錯体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施例６で作製された有機エレクトロルミネッセンス素子の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［金カルベン錯体］
本発明の金カルベン錯体は、前記の一般式（１）で示されるが、以下、その一般式（１）におけるＬ、Ｘ及びＲ１１〜Ｒ１９について説明する。
【００１４】
（Ｌについて）
前記一般式（１）においてＬは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示す。含窒素ヘテロ環カルベン配位子とは、カルベン（炭素周りに6電子しか価電子を持たない、二価の化学種）及びその隣接位に窒素原子を有する環状の二配位の化合物をいう。
その例としては、下記一般式（２）又は（３）
【００１５】
【化２】
2012046769.tif 000004
で示される配位子が挙げられる。
【００１６】
前記一般式（２）及び（３）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ同一又は異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、ポリシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ニトロ基、シアノ基又はジ置換アミノ基を示し、隣接している基同士が結合して環を形成していてもよい。
【００１７】
なお、Ｒ1〜Ｒ6が水素原子を有する基（水素原子を除く）である場合には、その基中の任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基又はアリールオキシル基で置換されていてもよい。
【００１８】
前記アルキル基としては、炭素原子数１〜２０、特に炭素原子数１〜１２のアルキル基が好ましい。そのようなアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基及びそれらの異性体が挙げられる。
【００１９】
前記シクロアルキル基としては、特に炭素原子数３〜７のシクロアルキル基が好ましい。前記シクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基が挙げられる。
【００２０】
前記アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に炭素原子数２〜１２のアルケニル基が好ましい。そのようなアルケニル基の例としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基及びそれらの異性体が挙げられる。
【００２１】
前記ポリシクロアルキル基としては、特に炭素原子数７〜１０のものが好ましい。そのようなポリシクロアルキル基の例としては、ビシクロ−［２．１．１］−ヘキシル基、ビシクロ−［２．２．１］−ヘプチル基、ビシクロ−［２．２．２］−オクチル基、ビシクロ−［３．３．０］−オクチル基、ビシクロ−［４．３．０］−ノニル基、ビシクロ−［４．４．０］−デシル基及びアダマンチル基が挙げられる。
【００２２】
前記アリール基としては、炭素原子数６〜２０、特に炭素原子数６〜１６のアリール基が好ましい。そのようなアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基及びそれらの異性体（例えばｏ−キシリル基、ｍ−キシリル基及びｐ−キシリル基である）が挙げられる。
【００２３】
前記アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましい。そのようなアラルキル基の例としては、ベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基及びビフェニルメチル基が挙げられる。
【００２４】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００２５】
前記アルコキシル基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシル基が好ましい。そのようなアルコキシル基の例としては、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、ブトキシル基、ペンタノキシル基、ヘキサノキシル基、ヘプタノキシル基、オクタノキシル基、ノナノキシル基、デカノキシル基及びそれらの異性体が挙げられる。
【００２６】
前記アリールオキシル基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシル基が好ましい。そのようなアリールオキシル基の例としては、フェノキシル基、トリロキシル基、キシリロキシル基、ナフトキシル基及びそれらの異性体が挙げられる。
【００２７】
前記ジ置換アミノ基としては、炭素原子数２〜１６のジ置換アミノ基が好ましい。置換基の例としては、アルキル基及びアリール基が挙げられ、前記ジ置換アミノ基において、これらの炭素原子数の合計が２〜１６である。そのようなジ置換アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、フェニルメチルアミノ基、フェニルエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基及びそれらの異性体が挙げられる。
【００２８】
またＲ３〜Ｒ６について、上記の通り隣接している基同士（Ｒ３〜Ｒ６の任意の二つ）は結合して環を形成してもよい。そのようにして形成される環の例としては、シクロヘキシル環及びベンゼン環などが挙げられる。
【００２９】
前述の通り、Ｒ１〜Ｒ6が水素原子を有する基（水素原子を除く）である場合（Ｒ３〜Ｒ６のうちの隣接する基同士が結合して環を形成し、その環が水素原子を有する場合を含む）には、その基中の任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基又はアリールオキシル基で置換されていてもよく、これらは上記したものと同様である。
【００３０】
以上説明した中でも、Ｒ１及びＲ２としては、ｔｅｒｔ-ブチル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基又はアダマンチル基が好ましく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6としては、水素原子又はハロゲン原子、特に水素原子が好ましい。
【００３１】
Ｒ１及びＲ２がこれらの基であると、含窒素ヘテロ環カルベン配位子（Ｌ）の分解温度が高くなり、本発明の金カルベン錯体の安定性が上昇する。
【００３２】
以上説明した、本発明の金カルベン錯体における含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）の具体例としては、式（４）〜（１３）で示される配位子が挙げられる。
【００３３】
【化３】
2012046769.tif 000005
【００３４】
（Ｘについて）
本発明の金カルベン錯体を示す上記一般式（１）において、Ｘはアルキレン基、酸素原子、置換シリル基又は置換ゲルミル基を示す。
【００３５】
前記アルキレン基は、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基であり、より好ましくはメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素原子数１〜３のアルキレン基である。特に好ましくは、メチレン基及びジメチルメチレン基である。
【００３６】
前記置換シリル基としては、置換基中の総炭素数が２〜１２の置換シリル基が好ましく、前記置換基の例としては、炭素数１〜６のアルキル基及びフェニル基が挙げられる。前記置換シリル基の具体例としては、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、ジプロピルシリル基、フェニルメチルシリル基、ジフェニルシリル基及びそれらの異性体（たとえばジ−ｎ−プロピルシリル基及びジイソプロピルシリル基である）が挙げられる。特に好ましくは、ジメチルシリル基及びジフェニルシリル基である。
【００３７】
前記置換ゲルミル基としては、置換基中の総炭素数２〜１２の置換ゲルミル基が好ましく、前記置換基の例としては、炭素数１〜６のアルキル基及びフェニル基が挙げられる。前記置換ゲルミル基の具体例としては、ジメチルゲルミル基、ジエチルゲルミル基、ジプロピルゲルミル基、フェニルメチルゲルミル基、ジフェニルゲルミル基及びそれらの異性体が挙げられる。特に好ましくは、ジメチルゲルミル基である。
【００３８】
（Ｒ１１〜Ｒ１９について）
本発明の金カルベン錯体を示す上記一般式（１）において、Ｒ１１〜Ｒ１９はそれぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子又は置換基である。前記置換基としては、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、ポリシクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基が挙げられる。これらの例としては、Ｒ1〜Ｒ6において説明したものと同様のものが挙げられる。Ｒ１１〜Ｒ１９として特に好ましくは水素原子である。
【００３９】
＜金カルベン錯体の製造方法＞
本発明の一般式（１）で示される金カルベン錯体は、例えば、下記反応工程式（１）
【００４０】
【化４】
2012046769.tif 000006
【００４１】
（式中、Ｘ、Ｌ及びＲ１１〜Ｒ１９は、上記と同義であり、Ｐは、単座ホスフィン配位子を示す。）
で示されるように、金ホスフィン錯体（Ａ）と含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）とを反応させることによって得られる。
【００４２】
前記単座ホスフィン配位子（Ｐ）としては、例えば、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、（４−ブロモフェニル）ジフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、４−（ジメチルアミノ）フェニルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジフェニル（２−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニル−２−ピリジルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−２−フリルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（３−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（３−フルオロフェニルホスフィン）、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（３−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、ビス（２−メトキシフェニル）フェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、２−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ネオメンチルジフェニルホスフィン、ｐ−トリルジフェニルホスフィン、トリアリルホスフィン、２，４，４−トリメチルペンチルホスフィン、トリ（１−ナフチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシメチル）ホスフィン及びトリス（ヒドロキシプロピル）ホスフィンが挙げられる。これらは市販のものをそのまま使用することが出来る。
【００４３】
前記含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）は、市販品をそのまま用いてもよいし、例えば、公知の方法によって合成したものを使用してもよい（例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１４，５５３０（１９９２）及び国際公開第９８／２７０６４号公報参照）。また、前記含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）は、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−）のような含窒素へテロ環ヒドロハライドと、塩基との反応によっても得ることができる。当該反応の反応条件は公知である。
【００４４】
本発明の金カルベン錯体の合成において、前記含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）の使用量は、金ホスフィン錯体（Ａ）１モルに対して、好ましくは１〜１０モル、更に好ましくは１〜４モルである。
【００４５】
本発明の金カルベン錯体の合成において使用する溶媒としては、金ホスフィン錯体（Ａ）及び含窒素ヘテロ環カルベン配位子（Ｌ）の反応を阻害しないものならば特に限定されない。
【００４６】
そのような溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、フラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル及びジブチルエーテル等のエーテル類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン及びオクタン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、ジクロロエタン及びジクロロプロパン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が使用される。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用してもよい。
【００４７】
前記溶媒の使用量は、反応液の均一性や攪拌性により適宜調節されるが、金ホスフィン錯体（Ａ）１モルに対して、好ましくは１〜３０Ｌ、更に好ましくは５〜２０Ｌである。
【００４８】
本発明の金カルベン錯体の合成は、例えば、金ホスフィン錯体（Ａ）、含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）及び溶媒を混合して、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは０〜１２０℃、更に好ましくは２０〜１００℃であり、反応圧力は特に制限されないが、通常常圧である。
【００４９】
本発明の金カルベン錯体は、前記反応の終了後、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、昇華又はクロマトグラフィー等の公知の精製方法によって単離・精製される。
【００５０】
また、本発明の金カルベン錯体の製造原料である前記金ホスフィン錯体（Ａ）は、例えば、下記反応工程式（２）
【００５１】
【化５】
2012046769.tif 000007
【００５２】
（式中、Ｘ、Ｐ及びＲ１１〜Ｒ１９は、前記と同義であり、Ｙはハロゲン原子、好ましくは塩素原子又は臭素原子を示す。）で示されるように、金ハロゲノホスフィン錯体（Ｂ）と置換エチン（Ｃ）とを所定の条件で反応させることによって得られる（例えば、非特許文献２参照）。
【００５３】
なお、前記金ハロゲノホスフィン錯体（Ｂ）は、公知の方法によって合成可能である（例えば、非特許文献３参照）。
【００５４】
前記置換エチン（Ｃ）は、市販品をそのまま用いてもよいし、置換芳香族臭化物から公知の方法（例えばＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８５，５０巻，１７６３．）などにより合成可能である。
【００５５】
また本発明の金カルベン錯体は、下記反応工程式（３）
【化６】
2012046769.tif 000008
【００５６】
（式中、Ｘ、Ｌ及びＲ１１〜Ｒ１９は、上記と同義であり、Ｚはハロゲン原子、好ましくはフッ素原子を示す。）
で示されるように、ハロゲノ金カルベン錯体（Ｄ）と、芳香族化合物（Ｅ）とを反応させることによって、得ることができる。当該反応を促進させるために、反応系に塩基を存在させることが望ましい。
【００５７】
前記芳香族化合物（Ｅ）は、市販品をそのまま用いてもよく、ベンゼンから合成することもできる。
【００５８】
一方前記ハロゲノ金カルベン錯体（Ｄ）は、上記反応工程式（２）及び（１）に準じた反応を実施することにより（反応工程式（２）及び（１）において、置換エチン（Ｃ）及び金ホスフィン錯体（Ａ）が、Ｒ１５〜Ｒ１９及びＸが結合したベンゼン環のまとまりが存在しない化合物を反応させることになる）、得ることができる。
【００５９】
また、ハロゲノ金カルベン錯体（Ｄ）と芳香族化合物（Ｅ）との反応における反応条件（溶媒及び反応温度等）は、上記反応工程式（１）で示される反応の反応条件と同様である。
【００６０】
この反応工程式（３）で示される芳香族置換反応は、当業者に周知の反応であり、収率がよい。さらに、ハロゲノ金カルベン錯体（Ｄ）及び芳香族化合物（Ｅ）、特に芳香族化合物（Ｅ）は、市販品であるかまたはそれから容易に構造を変換して製造することができるので、様々な構造の本発明の金カルベン錯体を設計、製造することが可能である。
【００６１】
なお、前記反応工程式（３）で示される反応を利用して本発明の金カルベン錯体を製造すると、合成反応の後の精製操作までを含めたトータルの収率が高いので、好ましい。
【００６２】
＜金カルベン錯体＞
たとえば以上説明した製造方法によって得られる本発明の金カルベン錯体の例としては、式（１４）〜（１８）
【００６３】
【化７】
2012046769.tif 000009
【００６４】
で示される化合物等が挙げられる。これらの一般式（１）の構造を有する本発明の金カルベン錯体は、４４０ｎｍ以下の深青色領域においてエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となる、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光材料等として有用である。
【００６５】
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について、その実施形態を示す。
【００６６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の対向する電極間に発光層を有するものであって、前記発光層が少なくとも一種の本発明の金カルベン錯体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００６７】
当該金カルベン錯体の発光層における含有量は、発光層１ｇに対して、通常０．００５〜１ｇ、好ましくは０．０１〜０．２５ｇである。
【００６８】
この有機エレクトロルミネッセンス素子では、他の発光材料（ホスト材料及びゲスト材料）、正孔輸送材料や電子輸送材料を組み合わせて使用することもできる。本発明の金カルベン錯体は、その強い発光特性からゲスト材料として有用である。更に、通常有機エレクトロルミネッセンス素子は輸送層を有するが、正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００６９】
さらに、電極から正孔を効率よく注入するために、正孔注入層と呼ばれる層を電極と正孔輸送層の間に設けてもよい。同様に、電極から電子を効率よく注入するために電子注入層と呼ばれる層を電極と電子輸送層の間に設けてもよい。また発光層と電子輸送層との間には、発光層からの正孔漏出の抑制のためにホールブロック層を設けてもよい。これらの各層は、層形成材料のエネルギー準位、耐熱性、発光層もしくは電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。当該選択の方法は公知である。
【００７０】
本発明の金カルベン錯体と共に発光層に使用できるゲスト材料又はホスト材料としては、各種カルバゾール誘導体、縮合多環芳香族（アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの誘導体等）、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体、芳香族ケイ素化合物及び芳香族ゲルマニウム化合物（例えば２−メチル−１，４−ビス（トリフェニルゲルミル）ベンゼン）等が挙げられる。
【００７１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において使用できる公知の正孔輸送材料の中で、正孔輸送能、発光層への正孔注入性能の点から効果的な正孔輸送材料は、芳香族三級アミン誘導体、フタロシアニン誘導体及びトリフェニレン誘導体である。
【００７２】
前記芳香族三級アミン誘導体として具体的には、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、１，１−ビス[４−（ジ−４−トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン等、並びにこれらの芳香族三級アミン骨格を有するオリゴマー及びポリマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７３】
前記フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体として具体的には、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７４】
前記トリフェニレン誘導体として具体的には、下式に示される化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７５】
【化８】
2012046769.tif 000010
【００７６】
式中、Ｗは１〜１２個存在し、それぞれ同一又は異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示す。前記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、上記一般式（２）及び（３）におけるＲ１〜Ｒ６の説明において挙げたものと同様である。
【００７７】
前記ヘテロ環基の例としては、ピリジル基及びピラゾリル基が挙げられる。
なお、Ｗの炭素原子上の任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジ置換アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはオルガノシリル基で置換されていてもよい。
【００７８】
前記ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基及びジ置換アミノ基も、上記一般式（２）及び（３）におけるＲ１〜Ｒ６の説明において挙げたものと同様である。
【００７９】
なお、前記アルキルカルボニル基の例としては、アセチル基及びエチルカルボニル基が挙げられる。
【００８０】
前記アリールカルボニル基の例としては、ベンゾイル基及びナフチルカルボニル基が挙げられる。
【００８１】
前記オルガノシリル基の例としては、トリメチルシリル基及びトリエチルシリル基が挙げられる。
【００８２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、効果的な公知の電子輸送材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。
【００８３】
前記金属錯体化合物として具体的には、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と記載。）、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム及びビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８４】
また、前記含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体及びトリアゾール誘導体が好ましい。
【００８５】
これらの具体例としては、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ（ここでＰＯＰＯＰは１，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼンを表す。）、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ターシャリブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール及び１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼンが挙げられる。
【００８６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、電荷注入性向上のために電子輸送層と電極との間に無機化合物層（電子注入層）を設けることもできる。
【００８７】
この無機化合物層としては、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＲａＯ、ＳｒＯ、ＢａＦ２、ＳｒＦ２等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物もしくは酸化物等からなる層を挙げることができる。
【００８８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料としては、通常4ｅＶ〜６ｅＶの範囲の仕事関数を持つものが適しており、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０重量％添加した物質）、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることができる。
【００８９】
陰極に使用される導電性材料としては、２．５ｅＶ〜４．５ｅＶの範囲の仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等及びそれらの合金を用いることができる。ここで前記合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御されるが、特に限定されない。
【００９０】
前記陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００９１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、その少なくとも一方の表面は素子の発光波長領域の光に対して透明であることが望ましい。また、電極も透明であることが望ましい。
【００９２】
透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着あるいはスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定して、前記の方法を実施して所定の基板上に透明電極層を形成することで、得られる。
【００９３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光面の電極は、光透過率を１０％以上（最大１００％）にすることが望ましい。
【００９４】
前記基板は、機械的及び熱的強度並びに透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、その例としては、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムが挙げられる。
【００９５】
前記透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド及びポリプロピレン等が挙げられる。 
【００９６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けることができ、或いは、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することもできる。
【００９７】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、あるいはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかにより実施することができる。そのような方法によって形成される各層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常の膜厚は０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲であり、更には０．５ｎｍ〜０．２μｍの範囲が好ましい。
【００９８】
前記湿式成膜法の場合、正孔（ホール）輸送層や電子輸送層など、有機エレクトロルミネッセンス素子において発光層と接することになる層上に、本発明の一般式（１）で表わされる金カルベン錯体を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解又は分散させた塗布液を塗布して薄膜を形成し、乾燥することによって、発光層を形成することができる。その他の層の湿式成膜法による形成方法もこれに準じており、公知の方法によりその他の層を形成可能である。
【００９９】
前記乾式成膜法としては、有機薄膜の作製容易性の点から真空蒸着が好ましく、真空蒸着装置を用い、真空度２×１０−３Ｐａ以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明の金カルベン錯体を加熱し、該材料を蒸発させ、輸送層などに付着させることにより薄膜（発光層）を調製することができる。このとき、蒸着源の温度をコントロールするために、蒸着セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。また蒸着量をコントロールするために蒸着膜厚計が好適に用いられる。
【０１００】
前記蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化から計測し、この計測重量から膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。
【０１０１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、その発光層が本発明の金カルベン錯体を含んでいるため、４４０ｎｍ以下の深青色領域においてエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となり、しかも輝度及び電流効率に優れている。
【０１０２】
また、特に好ましい態様における本発明の金カルベン錯体は、一般式（１）で表わされる構造によって、蒸着の際に化合物が容易に蒸発し、また化合物としての熱安定性にも優れており、蒸発・付着のプロセスにおいて化合物が分解することもほとんどない。これにより、高い再現率をもって、優れた機能を有する発光層を形成することが可能である。
【０１０３】
本発明の金カルベン錯体は、ゲスト材料として有用であり、発光層の形成にあたっては、通常他のホスト材料との共蒸着が行われる。共蒸着は、それぞれの材料について蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御することによって行うことができる。ゲスト材料とホスト材料との使用量の割合は、発光材料全量１００重量％中のゲスト材料の重量割合で示すと、通常０．５〜１００重量％、好ましくは１〜２５重量％である。
【０１０４】
なお、前記ホスト材料としては、上記で説明したものを含めて、公知の種々の材料が使用可能である。
【０１０５】
ここで、本発明の有機エレクトロルミネッセンスを構成するいずれの層の形成材料としても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のためポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート及びセルロース等の絶縁性樹脂並びにそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン及びポリピロール等の導電性樹脂などの樹脂、あるいは酸化防止剤、紫外線吸収剤又は可塑剤等の添加剤を併せて使用することができる。
【０１０６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば壁掛けテレビや携帯電話のフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、並びに計器類等の光源、表示板及び標識灯等に利用できる。
【実施例】
【０１０７】
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明する。【０１０８】
［実施例１］Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＢｎＰＥ）［（４−ベンジルフェニルエチニル）［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金］の合成【０１０９】
アルゴン雰囲気下、２５０ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；３．０４ｇ，７．１５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、１．０４ｇ，９．３ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。【０１１０】
反応混合物にトルエン（１００ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液を、４−ベンジルフェニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（３．５８ｇ，５．５ｍｍｏｌ）及びトルエン１００ｍｌを加えた別の２５０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。【０１１１】
反応混合物を室温まで冷却した後、その反応混合物にトルエンを加え、水洗してｐＨを７とした。得られた反応混合液を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝３／１）によって精製し、得られた固体をＨｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝４／１の混合液で再結晶することにより、白色固体である目的化合物を３．７４ｇ得た（収率８８％）。【０１１２】
以下に、前記目的化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、質量分析結果、発光分析結果及び元素分析結果を示す。【０１１３】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４８（ｔ，２Ｈ）， ７．１９−７．２９（ｍ，９Ｈ），７．０６−７．１５（ｍ，４Ｈ），６．９０−６．９２（ｄ，２Ｈ），３．８６(ｓ，２Ｈ)，２．５５−２．６５（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３７（ｄ，１２Ｈ），１．２１（ｄ，１２Ｈ）
［ＭＳ］ＥＩ（ｍ／ｚ）：７７６（Ｍ＋−１），ＣＩ（ｍ／ｚ）：７７７（ＭＨ＋）
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：４２２
＊Ｅｘは励起波長、λｍａｘは発光波長を示す。以下同様。
元素分析  観測値  Ｃ：６４．６８，Ｈ：５．８６，Ｎ：３．６０
理論値  Ｃ：６４．９４，Ｈ：６．１０，Ｎ：３．６１
発光寿命：μ秒オーダー。【０１１４】
［実施例２］Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＰＨＯＰＥ）［（４−フェノキシフェニルエチニル）［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金］の合成【０１１５】
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；１９３ｍｇ，０．４５５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、６６．４ｍｇ，０．５９２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。【０１１６】
反応混合物にトルエン（１０ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液を、４−フェノキシフェニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（２２８ｍｇ，０．３５０ｍｍｏｌ）及びトルエン１０ｍｌを加えた別の５０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。【０１１７】
反応混合物を室温まで冷却した後、その反応混合物にトルエンを加え、水洗してｐＨを７とした。得られた反応混合液を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝３／１）によって精製し、得られた固体をＨｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝４／１の混合液で再結晶することにより、白色固体である目的化合物を０．２０８ｇ得た（収率７６％）。【０１１８】
以下に、前記目的化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、質量分析結果及び発光分析結果を示す。【０１１９】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４９（ｔ，２Ｈ）， ７．２２−７．４７（ｍ，８Ｈ），７．１１（ｄ，２Ｈ），７．００−７．０４（ｍ，１Ｈ），６．８９−６．９２（ｍ，２Ｈ），６．７３−６．７７（ｍ，２Ｈ），２．５６−２．６６（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３７（ｄ，１２Ｈ），１．２０（ｄ，１２Ｈ）
［ＭＳ］ＦＡＢ（ｍ／ｚ）：７７８（Ｍ＋）、７７９（ＭＨ＋）
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：４２３
発光寿命：μ秒オーダー。【０１２０】
［実施例３］Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＤＭＰＳｉＰＥ）［（４−ジメチルフェニルシリルフェニルエチニル）［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金］の合成【０１２１】
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；１９３ｍｇ，０．４５５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、６６．４ｍｇ，０．５９２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。【０１２２】
反応混合物にトルエン（１０ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液を、４−ジメチルフェニルシリルフェニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（２４３ｍｇ，０．３５０ｍｍｏｌ）及びトルエン１０ｍｌを加えた別の５０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。【０１２３】
反応混合物を室温まで冷却した後、その反応混合物にトルエンを加え、水洗してｐＨを７とした。得られた反応混合液を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝３／１）によって精製し、得られた固体をＨｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝４／１の混合液で再結晶することにより、白色針状固体である目的化合物を０．２１２ｇ得た（収率７４％）。【０１２４】
以下に、前記目的化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、質量分析結果及び発光分析結果を示す。【０１２５】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４６−７．５０（ｍ，２Ｈ），７．４０−７．４３（ｍ，２Ｈ），７．２３−７．３３（ｍ，１１Ｈ），７．１１(ｄ，２Ｈ)，２．５５−２．６６（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３７（ｄ，１２Ｈ），１．２１（ｄ，１２Ｈ），０．４５（ｓ，６Ｈ）
［ＭＳ］ＦＡＢ（ｍ／ｚ）：８２０（Ｍ＋），８２１（ＭＨ＋）
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：４２４
発光寿命：μ秒オーダー。【０１２６】
［実施例４］Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＤＭＰＧｅＰＥ）［（４−ジメチルフェニルゲルミルフェニルエチニル）［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金］の合成【０１２７】
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；１９３ｍｇ，０．４５５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、６６．４ｍｇ，０．５９２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。【０１２８】
反応混合物にトルエン（１０ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液を、４−ジメチルフェニルゲルミルフェニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（２５９ｍｇ，０．３５０ｍｍｏｌ）及びトルエン１０ｍｌを加えた別の５０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。【０１２９】
反応混合物を室温まで冷却した後、その反応混合物にトルエンを加え、水洗してｐＨを７とした。得られた反応混合液を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝３／１）によって精製し、得られた固体をＨｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝４／１の混合液で再結晶することにより、白色針状固体である目的化合物を０．２１４ｇ得た（収率７１％）。【０１３０】
以下に、前記目的化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、質量分析結果及び発光分析結果を示す。【０１３１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４６−７．５０（ｍ，２Ｈ），７．３５−７．３９（ｍ，２Ｈ），７．１９−７．２９（ｍ，１１Ｈ），７．１１(ｄ，２Ｈ)，２．５７−２．６６（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３７（ｄ，１２Ｈ），１．２１（ｄ，１２Ｈ），０．５５（ｓ，６Ｈ）
［ＭＳ］ＦＡＢ（ｍ／ｚ）：８６６（Ｍ＋），８６７（ＭＨ＋）
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：４２０
発光寿命：μ秒オーダー。【０１３２】
［実施例５］Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＴＰＳｉＰＥ）［（４−トリフェニルシリルフェニルエチニル）［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金］の合成【０１３３】
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；１９３ｍｇ，０．４５５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、６６．４ｍｇ，０．５９２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。【０１３４】
反応混合物にトルエン（１０ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液を、４−トリフェニルシリルフェニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（２８７ｍｇ，０．３５０ｍｍｏｌ）及びトルエン１０ｍｌを加えた別の５０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。【０１３５】
反応混合物を室温まで冷却した後、その反応混合物にトルエンを加え、水洗してｐＨを７とした。得られた反応混合液を硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝３／１）によって精製し、得られた固体をＨｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝４／１の混合液で再結晶することにより、淡黄色固体である目的化合物を０．２４１ｇ得た（収率７３％）。【０１３６】
以下に、前記目的化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、質量分析結果及び発光分析結果を示す。【０１３７】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４６−７．５０（ｍ，８Ｈ），７．２５−７．３９（ｍ，１７Ｈ），７．１１(ｄ，２Ｈ)，２．５７−２．６６（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３７（ｄ，１２Ｈ），１．２１（ｄ，１２Ｈ）
［ＭＳ］ＦＡＢ（ｍ／ｚ）：９４４（Ｍ＋），９４５（ＭＨ＋）
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：４２５
発光寿命：μ秒オーダー。【０１３８】
［実施例６］青色リン光有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
図１に示す青色リン光有機エレクトロルミネッセンス素子を、以下の通り作製した。
イーエッチシー製インジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと略す）被膜付きガラス基板（図１における１及び２）を透明電極基板として用い、真空蒸着装置を使用して、同基板の前記被膜面上に７×１０−４Ｐａ以下の真空度で、２−（４’−トリメチルシリルフェニル）トリフェニレンからなる正孔輸送層３を膜厚４０ｎｍになるように形成した。【０１３９】
次に、ホスト材料２−メチル−１，４−ビス（トリフェニルゲルミル）ベンゼン（以後Ｍｅ−ｐ−ＢＴＰＧＢと略す）中にゲスト材料として実施例１で作成したリン光錯体Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＢｎＰＥ）を５．０重量％（ホスト材料及びゲスト材料の合計を１００重量％とした場合の割合である）含む発光層４を、前記と同様の真空蒸着により膜厚４０ｎｍで前記正孔輸送層３上に形成した。【０１４０】
さらに、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（昇華精製品・以下ＴＡＺと略す）からなる電子輸送層５を膜厚３０ｎｍで発光層４上に、フッ化リチウム（以下ＬｉＦと略す）からなる電子注入層７を膜厚０．５ｎｍで電子輸送層５上に、電極６としてアルミニウム（以下Ａｌと略す）を膜厚８０ｎｍで電子注入層７上に、それぞれ順次真空蒸着させて、青色リン光有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。【０１４１】
なお、真空蒸着は、正孔輸送層３の形成のときには、前記ガラス基板１に対向して置かれた坩堝に正孔輸送層３の形成原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。以降の発光層４〜電極６（電子注入層７を含む）の形成も、同様にして行った。【０１４２】
以上のようにして得られた青色リン光有機エレクトロルミネッセンス素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極６を負極として、電極間電圧を順次上げることで前記素子に通電した。電圧印加時に色彩輝度計で０．１ｃｄ／ｍ２以上の値を示す最も低い電圧を発光開始電圧とし、電圧印加時に測定される素子発光の最大値を最大輝度として観測した。また、この素子の発光に係る電流の効率を以下の式で求めた。【０１４３】
電流効率＝（単位面積当りの発光輝度）／（単位面積当りの電流密度）【０１４４】
さらに、発光の色度座標としては、素子発光の輝度が１０ｃｄ／ｍ２における値を採用した。【０１４５】
このようにして測定した前記素子の発光開始電圧は６．２Ｖ、最大輝度は３２．０ｃｄ／ｍ２、最大電流効率は２．５２ｃｄ／Ａであった。素子発光のＣＩＥ表色系における色度座標の値は、ｘ＝０．１６５，ｙ＝０．１６９であり、深みのある青色のリン光が観測された。【０１４６】
［比較例１］青色リン光有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
発光層のゲスト材料としてリン光錯体Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＦＰＥ）（［（４−フルオロフェニルエチニル）[１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン]金］、以後Ａｕ（ＩＰｒ）（４ＦＰＥ）と略す）を用いた以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作成した。実施例６と同様にして評価した結果を、実施例６の結果とともにまとめて表１に示す。【０１４７】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明により、４４０ｎｍ以下の深青色領域にエレクトロルミネッセンス発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となる、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子用の発光材料等として有用な金カルベン錯体を提供することが出来る。
【符号の説明】
【０１４９】
１    ガラス基板
２    ＩＴＯ透明電極
３    正孔輸送層
４    発光層
５    電子輸送層
６    アルミニウム電極
７    電子注入層
【図１】
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【国際調査報告】
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