(57)【要約】有機ＥＬ素子１は、上面に有機ＥＬ層１１を有する第一基板１０と、第一基板１０の上面に対向するように配置された第二基板２０と、有機ＥＬ層１１を囲むように第一基板１０と第二基板２０との間に配置され、第一基板１０と第二基板２０とを接合しつつ、有機ＥＬ層１１が設けられた空間を封止領域Ｓとして封止するフリット３０と、フリット３０との間に隙間Ｇ１を介在させつつ有機ＥＬ層１１を覆うように封止領域Ｓの内部に形成された保護部材４０と、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に有機ＥＬ層を有する第一基板と、
前記第一基板の上面に対向するように配置された第二基板と、
前記有機ＥＬ層を囲むように前記第一基板と前記第二基板との間に配置され、前記第一基板と前記第二基板とを接合しつつ、前記有機ＥＬ層が設けられた空間を封止領域として封止するフリットと、
前記フリットとの間に隙間を介在させつつ前記有機ＥＬ層を覆うように前記封止領域の内部に形成された保護部材と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記保護部材と前記フリットとの間の隙間が０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記保護部材が、前記第二基板との間に隙間を介在させていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記保護部材の高さが、前記フリットの高さの３０〜９０％の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記保護部材が、ＵＶ硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記保護部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
一端が前記封止領域の内部で前記有機ＥＬ層と接続されるとともに、他端が前記封止領域の外部に露出するように、前記第一基板の上面に形成された取出し電極と、
上部で前記第二基板の周縁を覆うとともに下部で前記取出し電極上の周縁を覆いつつ、前記フリットの外周を囲むように前記第一基板と前記第二基板との間に配置された封止部材と、
を備えることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記封止部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
第一基板の上面に有機ＥＬ層を形成する第一の工程と、
前記有機ＥＬ層を保護部材で覆うとともに、当該保護部材との間に隙間を介在させつつ前記有機ＥＬ層を囲むように前記第一基板の上面にフリットを配置する第二の工程と、
前記第一基板の上面に対向するように第二基板を配置し、前記第一基板及び前記第二基板と前記フリットとをレーザー溶着して、前記有機ＥＬ層が設けられた空間を封止領域として封止する第三の工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記保護部材と前記フリットとの間の隙間が０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第二の工程では、前記第三の工程において前記保護部材と前記第二基板との間に隙間が介在するように、前記フリットを前記保護部材よりも高く形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記保護部材の高さが、前記フリットの高さの３０〜９０％の範囲内であることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記保護部材が、ＵＶ硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂であることを特徴とする請求項９〜１２の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記保護部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第一の工程では、前記第一基板の上面に取出し電極を配設して、その一端を前記有機ＥＬ層と接続し、
前記第二の工程では、前記取出し電極の一端が前記封止領域の内部に位置するとともに前記取出し電極の他端が前記封止領域の外部に露出するように、前記フリットを配置し、
前記第三の工程の後に、上部で前記第二基板の周縁を覆うとともに下部で前記取出し電極上の周縁を覆いつつ、前記フリットの外周を囲むように前記第一基板と前記第二基板との間に封止部材を配置する第四の工程を備えることを特徴とする請求項９〜１４の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記封止部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子、及び有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子においては、有機ＥＬ層に用いられる有機発光材料物質等の有機材料が水分や酸素等に弱く、それら水分や酸素等により性能低下や水分による劣化を引き起こしやすい。また、有機ＥＬ層に含まれる電極も、酸化により大気中では特性が急激に劣化するため、この有機ＥＬ層を酸素や水分等から保護することが一般的である。【０００３】
有機ＥＬ素子を保護する有機ＥＬ層の封止方法としては、これまでに多くの検討がされてきており、例えば、ケーシングタイプの封止方法、密着タイプの封止方法及びフリットタイプの封止方法等がある。
ケーシングタイプの封止方法とは有機ＥＬ層をケース内に入れて外界と遮断し、前記のケース内に有機ＥＬ層と共に所定の封止用の気体又は流体を充填しておくことにより封止する方法である。
密着タイプの封止方法とは、基板上に形成されている有機ＥＬ層の表面に、封止接着剤を介しガラス板等の封止基板を面接着することにより基板と封止基板とで有機ＥＬ層を封止する方法である。
フリットタイプの封止方法とは、有機ＥＬ層が形成された支持基板に対向するよう封止基板を配置し、当該支持基板と封止基板とを有機ＥＬ層を囲むように設けたフリットを介して接合し、封止する方法である。
ケーシングタイプの封止方法は、ケース内に封止用気体又は流体を充填するため薄型とすることが出来ない、工程が複雑である、大量生産には不向き等、種々の課題があるものであった。
密着タイプの封止方法は、薄型対応が可能であり、大量生産が比較的容易であるが、酸素や水分等からの有機ＥＬ層の保護の面に課題があるものであった。
これらの課題を踏まえ、フリットタイプの封止方法は、薄型化が可能であり、フリットガラスで封止するため有機ＥＬ層の封止の面においても優位であり、現在、数々のフリットタイプの封止方法が考えられている。
例えば、上述のように、従来のフリットタイプの封止方法を用いた有機ＥＬ素子では、図４に示すように、上面に有機ＥＬ層９０が形成された支持基板９１と、支持基板９１の上面に対向させた封止基板９２とを、有機ＥＬ層９０を囲むように設けたフリット９３を介して接合することで、有機ＥＬ層９０が設けられた空間を封止領域９４として封止している。【０００４】
フリット９３は、一般にガラス製とされ、レーザー溶着により支持基板９１及び封止基板９２と個別に接合される。このフリット９３は、酸素や水分等の浸透に関しては良好な特性を有しているものの、機械的強度に劣るために、封止基板９２を強固に支持することができない。そのため、封止基板９２に外力が加わったときに、封止基板９２が撓んで有機ＥＬ層９０にダメージを与えてしまう恐れがあった。【０００５】
そこで、上記従来のフリットタイプの封止方法の課題を解決するために、例えば特許文献１〜３に記載の技術では、封止領域９４内に不活性液体又は樹脂からなる充填材を充填することにより、耐圧特性を向上させつつ、有機ＥＬ層９０の保護を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１０８９０５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０３１１２号公報
【特許文献３】特開２０１０−２２５５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１〜３に記載の技術では、支持基板９１及び封止基板９２とフリット９３との各接合部が不活性液体又は樹脂からなる充填材に触れているために、当該接合部をレーザー溶着する際に充填材が溶け込んで溶着不良を起こしてしまい、十分な接合強度を確保できない恐れがある。十分な接合強度が確保できなかった場合は、外界からの酸素や水分等の侵入物に対して十分に有機ＥＬ層を封止できなかったり、十分な機械的強度が得られず封止基板等を強固に支持することができなかったりする。【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、有機ＥＬ層を保護しつつ、フリットのレーザー溶着不良を防止することができる有機ＥＬ素子及びその製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、有機ＥＬ素子において、
上面に有機ＥＬ層を有する第一基板と、
前記第一基板の上面に対向するように配置された第二基板と、
前記有機ＥＬ層を囲むように前記第一基板と前記第二基板との間に配置され、前記第一基板と前記第二基板とを接合しつつ、前記有機ＥＬ層が設けられた空間を封止領域として封止するフリットと、
前記フリットとの間に隙間を介在させつつ前記有機ＥＬ層を覆うように前記封止領域の内部に形成された保護部材と、
を備えることを特徴とする。【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の有機ＥＬ素子において、
前記保護部材と前記フリットとの間の隙間が０．２ｍｍ以上であることを特徴とする。【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記保護部材が、前記第二基板との間に隙間を介在させていることを特徴とする。【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の有機ＥＬ素子において、
前記保護部材の高さが、前記フリットの高さの３０〜９０％の範囲内であることを特徴とする。【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子において、
前記保護部材が、ＵＶ硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂であることを特徴とする。【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の有機ＥＬ素子において、
前記保護部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする。【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子において、
一端が前記封止領域の内部で前記有機ＥＬ層と接続されるとともに、他端が前記封止領域の外部に露出するように、前記第一基板の上面に形成された取出し電極と、
上部で前記第二基板の周縁を覆うとともに下部で前記取出し電極上の周縁を覆いつつ、前記フリットの外周を囲むように前記第一基板と前記第二基板との間に配置された封止部材と、
を備えることを特徴とする。【００１６】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の有機ＥＬ素子において、
前記封止部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする。【００１７】
請求項９に記載の発明は、有機ＥＬ素子の製造方法において、
第一基板の上面に有機ＥＬ層を形成する第一の工程と、
前記有機ＥＬ層を保護部材で覆うとともに、当該保護部材との間に隙間を介在させつつ前記有機ＥＬ層を囲むように前記第一基板の上面にフリットを配置する第二の工程と、
前記第一基板の上面に対向するように第二基板を配置し、前記第一基板及び前記第二基板と前記フリットとをレーザー溶着して、前記有機ＥＬ層が設けられた空間を封止領域として封止する第三の工程と、
を備えることを特徴とする。【００１８】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記保護部材と前記フリットとの間の隙間が０．２ｍｍ以上であることを特徴とする。【００１９】
請求項１１に記載の発明は、請求項９又は１０に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記第二の工程では、前記第三の工程において前記保護部材と前記第二基板との間に隙間が介在するように、前記フリットを前記保護部材よりも高く形成することを特徴とする。【００２０】
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記保護部材の高さが、前記フリットの高さの３０〜９０％の範囲内であることを特徴とする。【００２１】
請求項１３に記載の発明は、請求項９〜１２の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記保護部材が、ＵＶ硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂であることを特徴とする。【００２２】
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記保護部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする。【００２３】
請求項１５に記載の発明は、請求項９〜１４の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記第一の工程では、前記第一基板の上面に取出し電極を配設して、その一端を前記有機ＥＬ層と接続し、
前記第二の工程では、前記取出し電極の一端が前記封止領域の内部に位置するとともに前記取出し電極の他端が前記封止領域の外部に露出するように、前記フリットを配置し、
前記第三の工程の後に、上部で前記第二基板の周縁を覆うとともに下部で前記取出し電極上の周縁を覆いつつ、前記フリットの外周を囲むように前記第一基板と前記第二基板との間に封止部材を配置する第四の工程を備えることを特徴とする。【００２４】
請求項１６に記載の発明は、請求項１５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記封止部材が、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、有機ＥＬ層を保護部材で覆うとともに、当該保護部材とフリットとの間に隙間を介在させているので、保護部材によって有機ＥＬ層を保護しつつ、第一基板及び第二基板とフリットとのレーザー溶着時において、接合部への保護部材の溶け込みを防止することができる。したがって、有機ＥＬ層を保護しつつ、フリットのレーザー溶着不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態における有機ＥＬ素子の側断面図である。
【図２】図１のII−II線での断面図である。
【図３Ａ】実施形態における有機ＥＬ素子の各製造工程を説明するための図である。
【図３Ｂ】実施形態における有機ＥＬ素子の各製造工程を説明するための図である。
【図３Ｃ】実施形態における有機ＥＬ素子の各製造工程を説明するための図である。
【図３Ｄ】実施形態における有機ＥＬ素子の各製造工程を説明するための図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の側断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。【００２８】
図１は、本実施形態における有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子１の側断面図であり、図２は、図１のII−II線での断面図である。【００２９】
これらの図に示すように、有機ＥＬ素子１は、ガラス製の第一基板１０を備えており、この第一基板１０の上面中央には、有機ＥＬ層１１が形成されている。有機ＥＬ層１１は、図示は省略するが、有機機能層（例えば、発光層）を対向電極（陽極及び陰極）で挟むように積層させた積層構造となっている。また、第一基板１０の上面には、有機ＥＬ層１１の両側を挟むように一組の取出し電極１２ａ，１２ｂが形成されている。この一組の取出し電極１２ａ，１２ｂは、陽極取出し電極１２ａ及び陰極取出し電極１２ｂであり、内側の端部が有機ＥＬ層１１の陽極及び陰極と個別に接続されている。【００３０】
第一基板１０の上方には、当該第一基板１０の上面に対向するように、ガラス製の第二基板２０が配置されている。これら第一基板１０及び第二基板２０は、ガラスを有するフリット３０によって接合されている。フリット３０は、有機ＥＬ層１１の周囲を囲むように第一基板１０と第二基板２０との間に配置されており、当該第一基板１０及び第二基板２０を接合しつつ、有機ＥＬ層１１が設けられた空間を封止領域Ｓとして封止している。また、フリット３０は、取出し電極１２ａ，１２ｂのうち、内側の端部が封止領域Ｓの内部に位置し、外側の端部が封止領域Ｓの外部に露出するように、当該取出し電極１２ａ，１２ｂ上に設けられている。【００３１】
封止領域Ｓの内部には、有機ＥＬ層１１を保護するための保護部材４０が、有機ＥＬ層１１を覆うように設けられている。この保護部材４０は、フリット３０との間に全周に亘って隙間Ｇ１を介在させているとともに、第二基板２０との間に隙間Ｇ２を介在させている。保護部材４０としては、ＵＶ硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、具体的には、例えば、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂を用いることができる。【００３２】
封止領域Ｓの外部には、フリット３０よりも外側であって第一基板１０と第二基板２０との間の空間を封止する封止部材５０が設けられている。この封止部材５０は、フリット３０の外周を囲むように第一基板１０と第二基板２０との間に配置され、第一基板１０及び第二基板２０とそれぞれ接合されている。また、封止部材５０は、上部で第二基板２０の周縁を覆いつつ、下部で取出し電極１２ａ，１２ｂ上の周縁の一部を覆うように形成されている。このような封止部材５０としては、ＵＶ硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、具体的には、例えば、エポキシ樹脂，アクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂を用いることができる。【００３３】
続いて、有機ＥＬ素子１の製造方法について、図３Ａ〜図３Ｄを参照して説明する。
図３Ａ〜図３Ｄは、有機ＥＬ素子１の各製造工程を説明するための図である。【００３４】
まず、図３Ａに示すように、第一基板１０の上面中央に有機ＥＬ層１１を形成する。そして、第一基板１０の上面に、有機ＥＬ層１１の両側を挟むように一組の取出し電極１２ａ，１２ｂを配設して、その内側の端部を有機ＥＬ層１１の陽極及び陰極と個別に接続する。【００３５】
次に、図３Ｂに示すように、未硬化状態の保護部材４０で有機ＥＬ層１１の上面を覆う。それから、保護部材４０との間に隙間Ｇ１を介在させつつ有機ＥＬ層１１を囲むように、第一基板１０の上面にペースト状のフリット３０を塗布する。このとき、フリット３０は、保護部材４０との高さの差が隙間Ｇ２に相当するように、保護部材４０よりも高く形成する。なお、保護部材４０の高さとは、有機ＥＬ層１１及び取出し電極１２ａ，１２ｂが形成されていない第一基板１０上から測定した値である。またこのとき、取出し電極１２ａ，１２ｂの内側の端部が封止領域Ｓの内部に位置するとともに、取出し電極１２ａ，１２ｂの外側の端部が封止領域Ｓの外部に露出するように、フリット３０を取出し電極１２ａ，１２ｂ上に配置する。【００３６】
次に、図３Ｃに示すように、第一基板１０の上面に対向するように第二基板２０を配置し、第一基板１０とフリット３０，及び第二基板２０とフリット３０をそれぞれレーザー溶着により接合する。具体的には、上方又は下方から第一基板１０又は第二基板２０を介してフリット３０へレーザー光を照射して、第一基板１０とフリット３０，及び第二基板２０とフリット３０をそれぞれ溶着させる。これにより、有機ＥＬ層１１が設けられた空間が封止領域Ｓとして封止される。また、上述の通り、フリット３０が保護部材４０よりも高く形成されていることにより、保護部材４０と第二基板２０との間には隙間Ｇ２が形成される。【００３７】
それから、第二基板２０を介して保護部材４０に紫外線を照射させるか又は保護部材４０をヒーターで加熱して、当該保護部材４０を硬化させる。但し、この保護部材４０の硬化は、第一基板１０及び第二基板２０とフリット３０とのレーザー溶着よりも前に行ってもよい。【００３８】
次に、図３Ｄに示すように、フリット３０から少し離間した位置で当該フリット３０の外周を囲むように、第一基板１０と第二基板２０との間に未硬化状態の封止部材５０を配置する。このとき、封止部材５０の上部が第二基板２０の周縁を覆うとともに、下部が取出し電極１２ａ，１２ｂ上の周縁の一部を覆うように、当該封止部材５０を配置する。そして、封止部材５０に紫外線を照射させるか、又は封止部材５０をヒーターで加熱して、当該封止部材５０を硬化させる。【００３９】
以上のように、本実施形態によれば、有機ＥＬ層１１を保護部材４０で覆うとともに、当該保護部材４０とフリット３０との間に隙間Ｇ１を介在させているので、保護部材４０によって有機ＥＬ層１１を保護しつつ、第一基板１０及び第二基板２０とフリット３０とのレーザー溶着時において、接合部への保護部材４０の溶け込みを防止することができる。したがって、有機ＥＬ層１１を保護しつつ、フリット３０のレーザー溶着不良を防止することができる。【００４０】
また、保護部材４０と第二基板２０との間に隙間Ｇ２を介在させているので、封止領域の内部に充填材を充填していた従来と異なり、第二基板２０が撓んだときであっても、充填材を介して有機ＥＬ層１１に荷重が加わることがなく、当該有機ＥＬ層１１をより好適に保護することができる。【００４１】
また、第一基板１０と第二基板２０との間に封止部材５０を設け、その上部で第二基板２０の周縁を覆うとともに下部で取出し電極１２ａ，１２ｂ上の周縁の一部を覆っているので、特に脆く形成されやすい第二基板２０の周縁（エッジ）や取出し電極１２ａ，１２ｂを保護するとともに、フリット３０を補強することができる。
更に、封止部材５０がフリット３０の外周を囲むように設けられているので、フリット３０が破損した場合であっても、有機ＥＬ層１１が設けられた空間の封止状態を維持することができる。【００４２】
なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【実施例１】
【００４３】
以下に、実施例を挙げることにより、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明はこの実施例に限定されるものではない。【００４４】
実施例１では、保護部材４０とフリット３０との間の隙間Ｇ１をパラメータとして、第二基板２０とフリット３０をレーザー溶着したときの接合部の接合状態をシミュレーションにより評価した。【００４５】
＜シミュレーション条件＞
第二基板２０とフリット３０との接合部に大気化で窒素ガスを噴霧しつつレーザー光を照射し、当該接合部を約６００℃まで加熱して溶着した。照射したレーザー光の各種条件は以下の通りである。ここで、「移動速度」とは、レーザー光をフリット３０の長手方向に沿って移動させるときの速度である。
出力        ：  ５ｗ
スポット径  ：  ０．５ｍｍ
波長        ：  ９８０ｎｍ
移動速度    ：  １０ｍｍ／ｓｅｃ【００４６】
＜他の条件＞
上記以外の各部の形状等の条件は以下の通りである。
フリット３０の幅      ：  ０．２ｍｍ
第二基板２０の厚さ    ：  ０．７ｍｍ
保護部材４０の材質    ：  エポキシ樹脂
保護部材４０の耐熱温度：  ３００〜６００℃【００４７】
＜結果＞
結果を表１に示す。なお、表中の「評価結果」の欄の記号は、それぞれ以下の内容を示している。【００４８】
◎：接合部の強度は極めて良好であり、バラツキも全く無かった。
また、保護部材４０及び有機ＥＬ層１１にダメージは無かった。
○：接合部の強度は良好であり、バラツキも殆ど無かった。
また、保護部材４０及び有機ＥＬ層１１にダメージは無かった。
△：接合部の強度は良好であるものの、バラツキが若干あった。
また、保護部材４０に若干のダメージがあったものの、
有機ＥＬ層１１にはダメージは無かった。
×：接合部の強度は不良であり、バラツキもあった。
また、保護部材４０及び有機ＥＬ層１１にダメージがあった。
なお、「バラツキ」とは、第一基板１０上の全接合面における接合強度のバラツキを指す。【００４９】
【表１】
2012161151.tif 000003
【００５０】
＜まとめ＞
表１に示した結果から、保護部材４０とフリット３０との間の隙間Ｇ１は、０．０５ｍｍ以上が好ましく、０．２ｍｍ以上がより好ましく、０．７５ｍｍ以上が更に好ましいことが分かる。
【実施例２】
【００５１】
実施例２では、保護部材４０の高さをパラメータとして、第二基板２０の上面に荷重を加えたときの有機ＥＬ層１１への影響と、保護部材４０を形成するときの難しさを評価した。【００５２】
＜試験条件＞
第一基板１０から第二基板２０までのフリット３０の高さは１０μｍとした。また、第二基板２０の厚さは０．７ｍｍとした。【００５３】
＜結果＞
結果を表２に示す。なお、表中の「有機ＥＬ層への圧力の影響」及び「製造上の難しさ」の各欄の記号は、それぞれ以下の内容を示している。【００５４】
「有機ＥＬ層への圧力の影響」
◎：有機ＥＬ層１１に全くダメージが無かった。
○：有機ＥＬ層１１に殆どダメージが無かった。
△：有機ＥＬ層１１に若干のダメージがあった。【００５５】
「製造上の難しさ」
◎：保護部材４０を問題なく形成することができる。
△：保護部材４０の形成に若干の困難が伴う。【００５６】
【表２】
2012161151.tif 000004
【００５７】
＜まとめ＞
表２に示した結果から、フリット３０の高さに対する保護部材４０の高さの比率は、製造上の難しさの点からは３０％以上が好ましく、有機ＥＬ層１１を保護する点からは９０％以下が好ましいことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
以上のように、本発明に係る有機ＥＬ素子及びその製造方法は、有機ＥＬ層を保護しつつフリットのレーザー溶着不良を防止するのに有用である。
【符号の説明】
【００５９】
１      有機ＥＬ素子
１０    第一基板
１１  有機ＥＬ層
１２ａ，１２ｂ  取出し電極
２０    第二基板
３０    フリット
４０    保護部材
５０    封止部材
Ｇ１    隙間（保護部材とフリットとの間の隙間）
Ｇ２    隙間（保護部材と第二基板との間の隙間）
Ｓ      封止領域
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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