(57)【要約】【課題】  電子回路用の多層のプリント基板で下層との位置合わせ精度を保持し、表面に実装する電子部品との位置合わせの整合がとれるような位置合わせ手段を提供する。【解決手段】  位置合わせ装置は、アライメントマーク（ＡＭ）が基板（ＰＢ）に形成されるべき設計座標位置（ＭＣ）を記憶する記憶部（８２）と、基板に転写されたアライメントマークの座標位置を測定する測定部（７０）と、測定部で測定されたアライメントマークの座標位置を設計座標位置へ所定距離だけ移動させたターゲット座標位置（ＴＧ）を計算する計算部（８４）と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写すべきパターンおよびマスクマークが描かれたフォトマスクと前記パターンおよびアライメントマークが転写される基板との位置合わせを行う位置合わせ装置であって、
前記アライメントマークが前記基板に形成されるべき設計座標位置を記憶する記憶部と、
前記基板に転写されたアライメントマークの座標位置を測定する測定部と、
前記測定部で測定された前記アライメントマークの座標位置を前記設計座標位置へ所定距離だけ移動させたターゲット座標位置を計算する計算部と、を備え、
前記ターゲット座標位置と前記フォトマスクの前記マスクマークとを相対的に位置合わせすることを特徴とする位置合わせ装置。
【請求項２】
前記計算部は、前記アライメントマークの座標位置と前記設計座標位置とを結ぶ直線上の一点を前記ターゲット座標位置とする請求項１に記載の位置合わせ装置。
【請求項３】
前記計算部は、前記設計座標位置と前記アライメントマークの座標位置とを結ぶ直線と前記設計座標位置を中心とした所定半径の円周との交点、及び前記直線と前記アライメントマークの座標位置を中心とした第１半径の円周との交点を計算し、さらにこれら交点の中心を前記ターゲット座標位置とする請求項１に記載の位置合わせ装置。
【請求項４】
前記計算部は、前記設計座標位置を中心とした所定半径の円周と前記アライメントマークの座標位置を中心とした第１半径の円周との２つ交点を計算し、この２つの交点を結ぶ直線と前記設計座標位置と前記アライメントマークの座標位置とを結ぶ直線との交点を、前記ターゲット座標位置とする請求項１に記載の位置合わせ装置。
【請求項５】
前記ターゲット座標位置を含む所定範囲内を、次層に転写するアライメントマークの領域として位置合わせする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項６】
前記ターゲット座標位置を中心とした第２半径内を前記所定範囲とする請求項５に記載の位置合わせ装置。
【請求項７】
前記計算部は、前記設計座標位置を中心とした所定半径内の許容範囲と前記アライメントマークの座標位置を中心とした第１半径内の許容範囲との重なり領域を前記所定範囲内とする請求項５に記載の位置合わせ装置。
【請求項８】
前記所定半径と前記第１半径とは、前記計算部が、前記設計座標位置と前記アライメントマークの座標位置との距離および最外層までの残りの層の数に基づいて計算する請求項３、請求項４又は請求項７のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項９】
前記所定半径と前記第１半径とをオペレータが入力する入力手段を有する請求項３、請求項４又は請求項７のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１０】
前記フォトマスクを載置するマスクステージと前記基板を移動する基板ステージとを備えた露光装置であって、
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の位置合わせ装置を備える露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と導体層を交互に積み上げた高密度多層構造のプリント基板等での位置合わせを行う位置合わせ装置およびその位置合わせ装置を備える露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁層と導体層とを積み上げる高密度多層構造のプリント基板の製造工程では、層間の接続及び回路パターンの位置を精度よく合わせることが求められる。例えば多層構造のプリント基板をビルドアップ法で製造する場合には、すでにパターン形成されている現在の層の回路パターンに合わせて次の層の回路パターンを形成することになる。一般に現在の層の回路パターンと次の層の回路パターンとの位置合わせに際して、プリント基板及び回路パターンが描かれたフォトマスクの各々には位置合わせ用のアライメントマークを形成する。そして、プリント基板のアライメントマークとフォトマスクのアライメントマークとを精度よく合わせることによってプリント基板に回路パターンを位置合わせし、紫外線を含む光を照射し回路パターンを露光転写する。【０００３】
上述したような基板と回路パターとを位置合わせする位置合わせ方法及び露光装置が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の露光装置は、プリント基板及びフォトマスクにそれぞれ複数のアライメントマークを設け、アライメントマークの重心を求めて重心を一致させるように位置合わせを行っている。そして特許文献１の露光装置は、このような位置合わせをＮ回繰り返し、そのずれが所定値以下で最も小さくなった位置合わせの位置を最も適当な位置合わせ位置と判断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７４６８７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、位置合わせは、現在の層のアライメントマークに対して一定の所定範囲を設定し、その所定範囲内に入っていれば位置合わせを完了する。このため、繰り返し積層していくと誤差が蓄積されて第１層目のアライメントマークと最上層のアライメントマークとは大きくずれ、本来あるべき位置（フォトマスクの設計座標位置など）から次第に外れていることがある。【０００６】
特許文献１にも示されているように、プリント基板及びフォトマスクは温度や湿度及び他の工程上の理由で伸縮や変形を起こすことがあり、上述したようなプリント基板及びフォトマスクのアライメントマーク同士の位置合わせでは、現在の層のアライメントマーク同士の位置合わせはできても、前の露光でのアライメントマークとの位置合わせ精度が保証されていない。したがって、複数の層を露光して回路パターンを形成していくと、最終的に形成された回路パターンが本来あるべき位置（フォトマスクの設計座標位置など）から外れてしまい、プリント基板の表面に取り付けるＩＣ又はＬＳＩなどの部品の整合がとれなくなるという問題が生じている。【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑み創案されたものであり、本来あるべき位置（フォトマスクの設計座標位置など）に近づくように露光位置を適宜修正しながら回路パターンを露光できる位置合わせ装置とその位置合わせ装置を有する露光装置とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の観点の位置合わせ装置は、転写すべきパターンおよびマスクマークが描かれたフォトマスクとパターンおよびアライメントマークが転写される基板との位置合わせを行う。位置合わせ装置は、アライメントマークが基板に形成されるべき設計座標位置を記憶する記憶部と、基板に転写されたアライメントマークの座標位置を測定する測定部と、測定部で測定されたアライメントマークの座標位置を設計座標位置へ所定距離だけ移動させたターゲット座標位置を計算する計算部と、を備える。そして、ターゲット座標位置とフォトマスクのマスクマークとを相対的に位置合わせする。【０００９】
第２の観点の位置合わせ装置の計算部は、アライメントマークの座標位置と設計座標位置とを結ぶ直線上の一点をターゲット座標位置とする。
第３の観点の位置合わせ装置の計算部は、設計座標位置とアライメントマークの座標位置とを結ぶ直線と設計座標位置を中心とした所定半径の円周との交点、及び直線とアライメントマークの座標位置を中心とした第１半径の円周との交点を計算し、さらにこれら交点の中心をターゲット座標位置とする。【００１０】
第４の観点の位置合わせ装置の計算部は、設計座標位置を中心とした所定半径の円周とアライメントマークの座標位置を中心とした第１半径の円周との２つ交点を計算し、この２つの交点を結ぶ直線と設計座標位置とアライメントマークの座標位置とを結ぶ直線との交点を、ターゲット座標位置とする。【００１１】
第５の観点の位置合わせ装置は、ターゲット座標位置を含む所定範囲内を、次層に転写するアライメントマークの領域として位置合わせする。
第６の観点の位置合わせ装置は、ターゲット座標位置を中心とした第２半径内を所定範囲とする。
第７の観点の位置合わせ装置の計算部は、設計座標位置を中心とした所定半径内の許容範囲とアライメントマークの座標位置を中心とした第１半径内の許容範囲との重なり領域を所定範囲とする。【００１２】
第８の観点の位置合わせ装置において、所定半径と第１半径とは、計算部が設計座標位置とアライメントマークの座標位置との距離および最外層までの残りの層の数に基づいて計算する。
第９の観点の位置合わせ装置は、所定半径と第１半径とをオペレータが入力する入力手段を有する。【００１３】
第１０の観点の露光装置は、フォトマスクを載置するマスクステージと基板を移動する基板ステージとを備えた露光装置であって、第１の観点から第９の観点のいずれかの位置合わせ装置を備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の位置合わせ装置及び露光装置は、設計座標位置に近づくように露光位置を適宜修正しながら回路パターンを露光できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は投影露光装置１００の各要素の配置を模式的に示す模式図である。
【図２】図２はプリント基板ＰＢを載置したテーブル５１を上から見た概念図である。
【図３】図３はアライメント方法のフローチャートである。
【図４】第１層目が転写されたプリント基板ＰＢの一部と、マスクＭＫの設計座標位置とを重ねて描いた図である。
【図５】ターゲット座標位置ＴＧを計算する計算方法１を概念的に描いた図である。
【図６】ターゲット座標位置ＴＧを計算する計算方法２を概念的に描いた図である。
【図７】ターゲット座標位置ＴＧを計算する計算方法３を概念的に描いた図である。
【図８】ターゲット座標位置ＴＧを計算する計算方法４を概念的に描いた図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（投影露光装置１００の構成）
図１は投影露光装置１００の各要素の配置を示す模式図である。
図１に示すように、投影露光装置１００は、光源部２０、投影光学系４０、およびプリント基板ＰＢを保持する基板ステージ部５０を備えている。また、投影露光装置１００は、レーザー干渉計６０、アライメントカメラ７０および制御部８０を備えている。
【００１７】
光源部２０は、所定波長の紫外線を含む光を照射する水銀ランプ２１と、この水銀ランプ２１から照射される光を集光して反射する楕円反射鏡２３と、この楕円反射鏡２３から照射された光の照度分布を均一化するためのフライアイレンズ２５とを備えている。フライアイレンズ２５は、均一化された光を回路パターンが描かれたマスクＭＫに照射する。マスクＭＫには回路パターンの周辺にマスクマークＭＭも描かれている。マスクＭＫはマスクステージ部３０に載置されている。マスクＭＫを透過した光は投影光学系４０に進む。
【００１８】
投影光学系４０は、マスクＭＫとプリント基板ＰＢの間に各光学エレメントが対称となるように設置されている。この投影光学系４０は、中央に配置される反射体４２の上方に入射側凸レンズ４１を下方に出射側凸レンズ４６を備えている。入射側凸レンズ４１および出射側凸レンズ４６は、反射体４２を中央として共軸に配置されており、それぞれが単レンズとして配置され、両面凸レンズが用いられている。入射側凸レンズ４１および出射側凸レンズ４６は、同一の屈折率となるようにここでは構成されている。
【００１９】
入射側凸レンズ４１は、反射体４２の第１反射面４２ａにマスクＭＫを透過した投影光を入射させる。反射体４２は、光路の向きを変える反射ミラーであり、入射側凸レンズ４１から透過されてきた投影光を偏向させる第１反射面４２ａと、凹面反射ミラー４５から送られて来た投影光を偏向させる第２反射面４２ｂとを備えている。入射側凸レンズ４１は、図１においてレンズ中央から左半分のみが投影光に対して有効な光路となるように設定されている。また、出射側凸レンズ４６は、反射体４２の第２反射面４２ｂから反射される投影光を集光させる。この出射側凸レンズ４６は、入射側凸レンズ４１と同様に中央から左半分のみが投影光に対して有効な光路となるように設定されている。
【００２０】
補正光学系である第１凸レンズ４３と平凸レンズ４４とを共軸に備えると共に、その平凸レンズ４４に対面した位置に凹面反射ミラー４５を配置している。凹面反射ミラー４５は、投影光学系４０のテレセントリックを調整するために設けられている。
【００２１】
基板ステージ部５０は、テーブル５１、移動鏡５３、モータ等の駆動部５５および定盤５７を有する。テーブル５１は定盤５７上を駆動部５５によってＸ軸方向およびＹ軸方向に移動する。また、テーブル５１は定盤５７上を駆動部５５によってＺ軸を中心としたθ方向に回転し、Ｚ軸方向に上下動する。
【００２２】
基板ステージ部５０のテーブル５１はプリント基板ＰＢを載置し、真空吸着によってプリント基板ＰＢがテーブル５１の上面に固定される。また、テーブル５１には基準マークＦＭおよび移動鏡５３（５３Ｘ，５３Ｙ）が配置されている。基準マークＦＭは、プリント基板ＰＢが配置されないテーブル５１の周辺に一か所配置される。移動鏡５３はＸ軸方向の位置を確認するためＹ軸方向に伸びるＸ軸移動鏡５３Ｘ（図２を参照）、Ｙ軸方向の位置を確認するためＸ軸方向に伸びるＹ軸移動鏡５３Ｙ（図２を参照）とからなる。
【００２３】
レーザー干渉計６０は、移動鏡５３（５３Ｘ，５３Ｙ）に対してレーザー光を照射しその反射したレーザー光と不図示の固定鏡に照射したレーザー光とを干渉させて、テーブル５１のステージ座標位置をナノメートルオーダーで測定する。なお、移動鏡５３（５３Ｘ，５３Ｙ）及びレーザー干渉計６０は投影露光装置１００に常備しておく必要がない。投影露光装置１００の定期検査時又は出荷時に一時的に移動鏡５３及びレーザー干渉計６０を載置してテーブル５１のステージ座標位置をナノメートルオーダーで測定し、それとともに駆動部５７のエンコーダ等の測定部で得られる座標位置との相対位置関係を記憶部８２に記憶させておけばよい。
【００２４】
アライメントカメラ７０は、ハーフミラーおよびＣＣＤを有しており、マスクＭＫのマスクマークＭＭとプリント基板ＰＢのアライメントマークＡＭとをハーフミラー等を介してＣＣＤで受光する。ＣＣＤで受光したマスクマークＭＭとアライメントマークＡＭとのずれ量およびレーザー干渉計６０で測定された座標位置に基づいて、アライメントマークＡＭの座標位置を測定する。本実施形態では、マスクＭＫには４つのマスクマークＭＭが描かれており、プリント基板ＰＢにマスクＭＫの回路パターンおよびマスクマークＭＭが露光されると、回路パターンＣＰの周囲には４つのアライメントマークＡＭが形成される。このため、本実施形態では４つのアライメントカメラ７０が配置されている。
【００２５】
さらにアライメントカメラ７０はテーブル５１に配置された基準マークＦＭとマスクマークＭＭとをハーフミラー等を介してＣＣＤで受光することもできる。このアライメントカメラ７０は、移動手段を備えており、露光時には光路から退避しアライメントマークＡＭを撮影する際には投影光学系４０の光軸方向に挿入されるように移動する。
【００２６】
制御部８０は、投影露光装置１００の全体的な動作を制御し、且つマスクＭＫのマスクマークＭＭとプリント基板ＰＢに転写されたアライメントマークＡＭとのアライメント動作について制御する。たとえば制御部８０は駆動部５５を介してテーブル５１の位置を制御する。また、制御部８０は、アライメントマークＡＭがプリント基板に形成されるべき設計座標位置ＭＣを記憶する記憶部８２を有している。この記憶部８２はアライメントカメラ７０からの座標位置を記憶したり、プリント基板ＰＢにマスクＭＫの回路パターンを転写する位置などを記憶したりする。制御部８０は、さらに次の層に転写するアライメントマークの座標位置を計算する計算部８４を有している。
【００２７】
（テーブル５１に載置されるプリント基板ＰＢ）
図２はテーブル５１にプリント基板ＰＢを載置した状態を上（＋Ｚ軸方向）から見た概念図である。また図２の下側にはプリント基板ＰＢの一部を拡大した図が描かれている。
【００２８】
テーブル５１の周囲にはＸ軸移動鏡５３Ｘ及びＹ軸移動鏡５３Ｙが配置され、またテーブル５１の周辺には基準マークＦＭが配置されている。そして、テーブル５１の中央にプリント基板ＰＢが真空吸着によって固定されている。たとえば図２において、１枚のプリント基板ＰＢから４枚の回路基板が製造される。１枚の回路基板には１つの回路パターンＣＰが転写されるため、回路パターンＣＰ１〜ＣＰ４が転写されている。
【００２９】
マスクＭＫには回路パターンの周囲に４つのマスクマークＭＭが描かれているので、１つの回路パターンＣＰの周囲には、４つのアライメントマークＡＭも形成される。図２では十字形状のアライメントマークＡＭが描かれているが、丸形状などであってもよい。本明細書において、第ｍ層目に形成されるアライメントマークＡＭを第ｍアライメントマークＡＭｍと呼ぶ。つまり第１層目に形成されたアライメントマークＡＭは第１アライメントマークＡＭ１と表示されている。なお、ビルドアップ法で形成される多層構造のプリント基板には３０層を超えるプリント基板もある。
【００３０】
投影露光装置１００は、ステップ・アンド・リピート式の露光装置である。このため、一度の転写（１ショット）により、図２の下側に描かれた回路パターンＣＰ４と４つのアライメントマークＡＭ１が形成される。第２層目の回路パターンを形成する際には、この第１層の４つのアライメントマークＡＭ１を使って、アライメントした後に回路パターンを転写する。次に、投影露光装置１００によるアライメントについて説明する。
【００３１】
（アライメント方法の概略）
図３は、投影露光装置１００を使ってアライメントするアライメント方法のフローチャートである。
ステップＳ１１〜Ｓ１６は、マスクのアライメントに関する工程である。
【００３２】
ステップＳ１１において、テーブル５１上の基準マークＦＭをマスクマークＭＭの設計位置に移動させる。このとき、干渉計６０がテーブル５１のステージ座標位置を測定し、基準マークＦＭは設計位置にあることが保証される。
ステップ１２において、アライメントカメラ７０は基準マークＦＭを検出し、設計座標位置ＭＣを記憶する。
【００３３】
本実施形態では、マスクＭＫには４つのマスクマークＭＭが描かれているので、ステップ１３において示すように、残りのマスクマークＭＭの設計位置でステップ１１〜ステップ１２を繰り返す。
【００３４】
ステップＳ１４において、ステップＳ１２において記憶した設計座標位置ＭＣにマスクマークＭＭをアライメントする。これにより干渉計６０を使って座標位置が測定される基板ステージ部５０の設計上の位置にマスクＭＫが位置合せされる。
【００３５】
ステップ１５において、アライメントカメラ７０はマスクマークＭＭの位置を検出し、カメラ視野での位置を記憶する。これでステップ１２において記憶した基準となる設計座標位置ＭＣとマスクマークＭＭとの相互の位置関係がともに記憶される。
【００３６】
ステップＳ１６では、テーブル５１に、第１層が形成されたプリント基板ＰＢが載置される。すなわち、プリント基板ＰＢには第１アライメントマークＡＭ１がすでに転写されている。なお、第２層から最外層より一つ前の層が形成されたプリント基板でも同様に適用できる。
【００３７】
ステップＳ１６では、プリント基板ＰＢのＸＹ平面での回転角θ、Ｘ軸及びＹ軸方向のオフセット量を測定する。プリント基板ＰＢがテーブル５１にＸ軸方向から所定角度θ傾いた状態で載置され、又は所定の位置からＸ軸方向又はＹ軸方向にずれて載置されることがある。そのため、ステップＳ１６ではテーブル５１を例えばＸ軸方向に移動させ、アライメントカメラ７０は複数の第１アライメントマークＡＭ１を測定する。そして、プリント基板ＰＢの回転角θを測定するとともに、たとえばプリント基板ＰＢの中心位置のＸＹ座標位置を計算する。計算されたＸＹ座標位置に基づいて、さらにプリント基板ＰＢのＸ軸及びＹ軸方向のオフセット量、又は１ショットのＸ軸及びＹ軸方向のオフセット量が計算される。オフセット量は記憶部８２に記憶される。
【００３８】
そして、テーブル５１に載置されたプリント基板ＰＢの回転角θが所定範囲に入っているか否かが判断される。テーブル５１のＸ軸又はＹ軸方向とプリント基板ＰＢのＸ軸又はＹ軸方向とをほぼ一致させるためである。プリント基板ＰＢの回転角θが所定範囲に入っていなければ、回転角θが所定範囲に入るようにテーブル５１がθ回転する。プリント基板ＰＢの回転角θが所定範囲に入っていれば、ステップＳ１７に進む。
【００３９】
ステップ１７〜ステップ１８はマスクと基板をアライメントする工程である。
ステップＳ１７では、プリント基板ＰＢ上のアライメントカメラ７０が第１アライメントマークＡＭ１を測定する。ここで、図４を参照してアライメントカメラ７０が測定した第１アライメントマークＡＭ１を示す。
【００４０】
図４は、第１層目が転写されたプリント基板ＰＢの一部と、マスクＭＫのマスクマークＭＭとを重ねて描いた図である。なお、ステップ１１において、テーブル５１上の基準マークＦＭをマスクマークＭＭの設計位置に移動させた位置が設計座標位置ＭＣとして描かれている。これを本実施形態では設計座標位置ＭＣと呼ぶ。
【００４１】
テーブル５１に載置されたプリント基板ＰＢの回路パターン及びアライメントマークの位置は、転写精度による誤差、エッチング又は熱処理によって、マスクＭＫの設計座標位置と必ずしも一致しない。図４では、マスクＭＫの設計座標位置から第１アライメントマークＡＭ１が大きく外れて転写されている例である。従来、このような第１層のプリント基板ＰＢに次の第２層のマスクＭＫが転写される際には、第１アライメントマークＡＭ１にできるだけ一致するように、第２層のアライメントマークＡＭ２を転写していた。しかし、繰り返し積層していくと第１層目のアライメントマークと最上層のアライメントマークとは大きく外れてしまう。そこで、本実施形態の計算部８４は、第１アライメントマークＡＭ１だけでなく設計座標位置ＭＣも考慮して、第２層のアライメントマークを転写するターゲット座標位置ＴＧ（図５〜図８を参照。）を計算する。
【００４２】
再び図３に戻り、ステップＳ２０では、計算部８４が、第２層（次層）の第２アライメントマークＡＭ２が転写されるべき、ターゲット座標位置ＴＧを計算する。計算の方法については後述する。
【００４３】
ステップＳ１８では、マスクマークＭＭが計算されたターゲット座標位置ＴＧにアライメントされるように、テーブル５１が駆動部５５によって移動する。そして、テーブル５１が移動した後、光源部２０がマスクＭＫを照射し、マスクＭＫを透過した光が投影光学系４０を介してプリント基板ＰＢに転写される。
【００４４】
（ターゲット座標位置ＴＧの計算方法）
図５から図８は、計算部８４がターゲット座標位置ＴＧを計算する計算方法を概念的に描いた図である。図５から図８は、図４に描かれた左下図の第１アライメントマークＡＭ１の周辺（二点鎖線で囲まれた円内）を拡大した図である。
【００４５】
＜計算方法１＞
図５において、第１アライメントマークＡＭ１はアライメントカメラ７０によって測定された座標位置である。計算部８４は、記憶部８２に記憶されている設計座標位置ＭＣと第１アライメントマークＡＭ１の座標位置とを結ぶ直線ＬＮの線上でターゲット座標位置ＴＧを計算する。ターゲット座標位置ＴＧは、直線ＬＮの長さをＰ（％）：Ｑ（％）で分割した位置である。例えばＰは２０％から６０％である。Ｐが２０％以下であると、ターゲット座標位置ＴＧが設計座標位置ＭＣに近づかないためである。Ｐが６０％以上であると、第１層の回路パターンと第２層の回路パターンとが重なり合わなくなる可能性が高くなるからである。
【００４６】
また、計算部８４がターゲット座標位置ＴＧを計算した後、ターゲット座標位置ＴＧを中心とした所定範囲９０が設定される。テーブル５１を移動させてマスクマークＭＭが所定範囲９０に入ると、アライメントが完了する。所定範囲９０はターゲット座標位置ＴＧから半径ＲＡの範囲である。この半径ＲＡはオペレータが不図示の入力装置から入力するようにしてもよい。または計算部８４がプリント基板ＰＢに求められる寸法精度に基づいて半径ＲＡを計算するようにしてもよい。
【００４７】
また、半径ＲＡは最外層に近づけば近づくほど小さくなるようにしてもよい。基本的に、内層工程、積層工程、ビルドアップ工程、ソルダレジスト工程、バンプ工程と各種の工程でパターンの積み上げを行っていく中で、最外層に近づけば近づくほど精度規定が厳しくなる。そのため第１層などでは半径ＲＡが大きく、最外層では半径ＲＡを小さくするようにしてもよい。
【００４８】
計算方法１によるアライメントは、従来のように、マスクマークＭＭが第１アライメントマークＡＭ１にアライメントされるのではなく、設計座標位置ＭＣに近づけるようにアライメントできる。このため、最外層の回路パターンが設計座標位置ＭＣに近づくようになる。
【００４９】
＜計算方法２＞
図６においても、図５と同様に、第１アライメントマークＡＭ１が設計座標位置ＭＣから離れた位置でアライメントカメラ７０によって測定される。そして計算部８４は、第１アライメントマークＡＭ１の許容範囲９１を設定する。同様に、設計座標位置ＭＣにも許容範囲９２を設定する。
【００５０】
第１アライメントマークＡＭ１の許容範囲９１は、第２層に形成される回路パターンが第１層の回路パターンと導通する範囲として設定される。例えば許容範囲９１は第１アライメントマークＡＭ１を中心とした半径ＲＢの円内である。設計座標位置ＭＣの許容範囲９２は、プリント基板ＰＢの最外層でＩＣなどの電子部品と導通する範囲として設定される。例えば許容範囲９２は設計座標位置ＭＣを中心とした半径ＲＣの円内である。半径ＲＢ及び半径ＲＣは、オペレータが不図示の入力装置から入力するようにしてもよい。または計算部８４が最外層に近づけば近づくほど半径ＲＢ及び半径ＲＣを小さくなるようにしてもよい。
【００５１】
計算部８４は、設計座標位置ＭＣと第１アライメントマークＡＭ１の座標位置とを結ぶ直線ＬＮが許容範囲９１の円周に交わる交点ＭＧと、直線ＬＮが許容範囲９２の円周に交わる交点ＭＦを計算する。そして、計算部８４は、交点ＭＧと交点ＭＦとの中点をターゲット座標位置ＴＧとして計算する。
【００５２】
計算部８４がターゲット座標位置ＴＧを計算した後、許容範囲９１の円内と許容範囲９２の円内とが交わる範囲をターゲット座標位置ＴＧの所定範囲９３として設定する。テーブル５１を移動させてマスクマークＭＭが所定範囲９３に入ると、アライメントが完了する。計算方法２によるアライメントは、従来のように、マスクマークＭＭが第１アライメントマークＡＭ１にアライメントされるのではなく、設計座標位置ＭＣに近づけるようにアライメントできる。このため最外層の回路パターンは、設計座標位置ＭＣに近づく。
【００５３】
＜計算方法３＞
計算方法３は、計算方法１と計算方法２とを組み合わせた方法である。図７を使って説明する計算方法３は、計算部８４が、交点ＭＧと交点ＭＦとの中点をターゲット座標位置ＴＧとして計算するまでの計算方法は計算方法２と同様である。計算部８４がターゲット座標位置ＴＧを計算した後、ターゲット座標位置ＴＧを中心とした所定範囲９４が設定される。所定範囲９４はターゲット座標位置ＴＧから半径ＲＡの範囲である。この半径ＲＡはオペレータが不図示の入力装置から入力するようにしてもよい。テーブル５１を移動させてマスクマークＭＭが所定範囲９４に入ると、アライメントが完了する。
【００５４】
＜計算方法４＞
図８に示された計算方法４では、計算部８４が第１アライメントマークＡＭ１の許容範囲９１を設定し、設計座標位置ＭＣの許容範囲９２を設定する。第１アライメントマークＡＭ１の許容範囲９１は、第１アライメントマークＡＭ１を中心とした半径ＲＢの円内である。設計座標位置ＭＣの許容範囲９２は、設計座標位置ＭＣを中心とした半径ＲＣの円内である。
【００５５】
計算部８４は、許容範囲９１の円周と許容範囲９２の円周とが交わる交点ＭＨ及び交点ＭＩを計算し、交点ＭＨと交点ＭＩとを結ぶ直線ＬＯを計算する。そして計算部８４は、直線ＬＯと設計座標位置ＭＣと第１アライメントマークＡＭ１の座標位置とを結ぶ直線ＬＮとの交点を求める。計算部８４は、直線ＬＯと直線ＬＮとの交点をターゲット座標位置ＴＧとして計算する。そしてターゲット座標位置ＴＧを中心とした所定範囲９５が設定される。所定範囲９４はターゲット座標位置ＴＧから半径ＲＡの範囲である。この半径ＲＡはオペレータが不図示の入力装置から入力するようにしてもよい。テーブル５１を移動させてマスクマークＭＭが所定範囲９５に入ると、アライメントが完了する。
【００５６】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、計算方法４ではターゲット座標位置ＴＧから半径ＲＡの範囲を所定範囲としたが、計算方法２と同様に、許容範囲９１の円内と許容範囲９２の円内とが交わる範囲をターゲット座標位置ＴＧの所定範囲９３として設定してもよい。
【符号の説明】
【００５７】
２０  …  光源部
４０  …  投影光学系
５０  …  基板ステージ部
５１  …  テーブル
６０  …  レーザー干渉計
７０  …  アライメントカメラ
８０  …  制御部
８２  …  記憶部
８４  …  計算部
９０、９３、９４  …  所定範囲
９１、９２  …  許容範囲
１００  …  投影露光装置
ＡＭ  …  アライメントマーク  （ＡＭ１…  第１層のアライメントマーク）
ＬＮ、ＬＯ  …  直線
ＭＣ  …  設計座標位置
ＭＦ，ＭＧ、ＭＨ、ＭＩ  …  交点
ＭＫ  …  マスク
ＭＭ  …  マスクマーク
ＰＢ  …  プリント基板
ＲＡ，ＲＢ、ＲＣ  …  半径
ＴＧ  …  ターゲット座標位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
再び図３に戻り、ステップＳ１７では、計算部８４が、第２層（次層）の第２アライメントマークＡＭ２が転写されるべき、ターゲット座標位置ＴＧを計算する。計算の方法については後述する。
【国際調査報告】
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