(57)【要約】  部品本体内部への水分の浸入を抑制することによって、耐候性に優れた積層セラミック電子部品を提供する。  内部電極（４）の、外部電極（８）との接合部（１２）を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させることによって、水分の浸入経路となり得る内部電極（４）とセラミック層（３）との隙間を閉塞する。接合部（１２）を膨張させるため、導電性ペーストの焼付けによって形成される外部電極（８）の焼付け工程時に、接合部（１２）を酸化させることによって膨張させる方法、または、外部電極（８）から内部電極（４）への金属拡散によって接合部（１２）を膨張させる方法がある。
2012114784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、前記内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体と、
前記部品本体の前記所定の面に露出した前記内部電極の端部に接合されるように、導電性ペーストの焼付けによって前記部品本体の前記所定の面上に形成された、外部電極と
を備え、
前記内部電極は、前記外部電極との接合部において、前記内部電極と前記セラミック層との間の隙間を閉塞するように、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みを有している、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、前記内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体を用意する工程と、
前記部品本体の前記所定の面に露出した前記内部電極の端部に接合されるように、導電性ペーストの焼付けによって前記部品本体の前記所定の面上に外部電極を形成する、焼付け工程と、
前記内部電極と前記セラミック層との間の隙間を閉塞するように、前記内部電極の、前記外部電極との接合部を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させる、膨張工程と
を備える、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記膨張工程は、前記焼付け工程と同時に実施される、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記膨張工程は、酸化によって前記接合部を膨張させる工程を含む、請求項２または３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記膨張工程は、前記外部電極から前記内部電極への金属拡散によって前記接合部を膨張させる工程を含む、請求項２または３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、積層セラミック電子部品の耐候性を向上させるための改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサに代表される積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された複数の内部電極を含み、内部電極の各端部が端面に露出している、部品本体を備えている。部品本体の端面には、外部電極が形成される。外部電極は、部品本体の端面に露出した内部電極の各端部に接合される。【０００３】
このような積層セラミック電子部品において、内部電極とセラミック層との間には、外気の水蒸気等に由来する水分の浸入を許容する隙間が形成されていることが多い。したがって、水分が、外部電極と部品本体との界面を通り、内部電極とセラミック層との隙間に浸入すると、絶縁抵抗不良が発生し、積層セラミック電子部品の耐候性を低下させる原因となる。【０００４】
水分の浸入を抑制するための技術に関連するものとして、たとえばＷＯ２００８／０５９６６６号再公表特許公報（特許文献１）に記載されたものがある。特許文献１には、外部電極を、部品本体の端面上に直接めっきを施すことによって形成する場合において、外部電極となるめっき膜を部品本体の端面上に直接形成した後、酸素分圧５ｐｐｍ以下および温度６００℃以上の条件下で熱処理を行なうことによって、内部電極とめっき膜との境界部分に相互拡散層を形成することが記載されている。この相互拡散層においては、金属の体積膨張が起こり、セラミック層と内部電極および外部電極の各々との界面に存在し得る隙間が埋められ、外部からの水分の浸入が抑制される。【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、外部電極となるめっき膜と内部電極との境界部分に相互拡散層を形成することが特徴である以上、外部電極となるめっき膜を形成した後で、相互拡散を生じさせるための熱処理を施さなければならない。言い換えると、外部からの水分の浸入を抑制し得る相互拡散層は、めっき工程を実施する時点では形成されていない。したがって、部品本体における、内部電極の幅方向端縁に沿う位置に生じるボイドや内部電極のカバレッジに起因するボイドなどを通して、めっき液が部品本体内部へ浸入して、部品本体を腐食させたり、部品本体にクラックを生じさせたりする可能性があり、このことが電子部品の耐候性を低下させる原因となり得る。【０００６】
一方、たとえば特開２００９−３０２３００号公報（特許文献２）には、部品本体（セラミック素体）の端面における、Ｎｉを含有する内部電極の露出部を被覆するようにしてＳｎ含有層を形成し、その上にＣｕ含有層を形成し、これらを熱処理することによって、内部電極とＣｕ含有層との間にＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層を形成することが記載されている。このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層は、バリア層として機能するもので、ＮｉとＣｕとの相互拡散を抑制するとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、部品本体と外部電極との界面のシール性を向上させるように作用する。【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の技術により、ＮｉとＣｕとの相互拡散を抑制したとしても、部品本体における、内部電極の幅方向端縁に沿う位置に生じるボイドや内部電極のカバレッジに起因するボイドなど、部品本体内部への水分の浸入経路を完全に封鎖することができないため、外部電極を通過した水蒸気が部品本体内部に浸入し、電子部品の耐候性を低下させる原因となる。【０００８】
上記の特許文献２には、Ｓｎ含有層およびＣｕ含有層は、好ましくは、めっきによって形成される旨、記載されている。よって、Ｓｎ含有層およびＣｕ含有層の形成にめっきが適用されると、前述した特許文献１に記載の技術の場合と同様、めっき液が部品本体内部へ浸入して、部品本体を腐食させたり、部品本体にクラックを生じさせたりする可能性があり、このことも電子部品の耐候性を低下させる原因となり得る。【０００９】
これら特許文献１または２に記載のものとは異なり、外部電極は、導電性ペーストの焼付けによって形成されることが多い。この場合、導電性ペーストに含まれる金属成分、ガラスフリットおよび有機ビヒクルについての種類や配合比を調整したり、焼成条件を調整したりすることによって、外部電極をより緻密化することも、部品本体内部への水分の浸入を抑制するために有効である。しかし、近年、積層セラミック電子部品には、より小型化の要求が高まっており、そのため、外部電極に対しては、より薄膜化されることが望まれる。したがって、外部電極の緻密化だけでは、水分浸入抑制に十分対応できない状況が生じつつある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ＷＯ２００８／０５９６６６号再公表特許公報
【特許文献２】特開２００９−３０２３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、耐候性に優れた積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、簡単に言えば、内部電極の、外部電極との接合部を適度に膨張させることによって、水分の浸入経路となり得る内部電極とセラミック層との隙間を閉塞しようとすることを特徴としている。【００１３】
より詳細には、この発明は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体と、部品本体の所定の面に露出した内部電極の端部に接合されるように、導電性ペーストの焼付けによって部品本体の所定の面上に形成された、外部電極とを備える、積層セラミック電子部品にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、内部電極は、外部電極との接合部において、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するように、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みを有していることを特徴としている。【００１４】
この発明は、また、積層セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体を用意する工程と、部品本体の所定の面に露出した内部電極の端部に接合されるように、導電性ペーストの焼付けによって部品本体の所定の面上に外部電極を形成する、焼付け工程と、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するように、内部電極の、外部電極との接合部を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させる、膨張工程とを備えることを特徴としている。【００１５】
上記膨張工程は、焼付け工程の後に実施されてもよいが、好ましくは、焼付け工程と同時に実施される。【００１６】
膨張工程において採用される方法には、典型的には、２種類の実施態様がある。すなわち、第１に、酸化によって接合部を膨張させる方法であり、第２に、外部電極から内部電極への金属拡散によって接合部を膨張させる方法である。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、内部電極の、外部電極との接合部において、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みとされ、それによって、内部電極とセラミック層との間の隙間が閉塞される。したがって、部品本体における、内部電極の幅方向端縁に沿う位置に生じるボイドや内部電極のカバレッジに起因するボイドなどといった、部品本体内部への水分の浸入経路が効果的に遮断される。そのため、積層セラミック電子部品の耐候性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明が適用される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１を示す断面図である。
【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサ１の部分Ａに相当する部分を拡大して示す断面図であり、外部電極８のための導電性ペースト１１を付与した段階を示す。
【図３】この発明の第１の実施形態によって得られた、内部電極４と外部電極８との接合部１２を拡大して示す、図２に対応する図である。
【図４】この発明の第２の実施形態によって得られた、内部電極４と外部電極８との接合部１２を拡大して示す、図２に対応する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１の実施形態］
図１を参照して、この発明が適用される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１について説明する。
【００２０】
積層セラミックコンデンサ１は、積層構造の部品本体２を備えている。部品本体２は、積層された複数のセラミック層３と、セラミック層３間の界面に沿って配置された複数の内部電極４および５とを備えている。内部電極４と内部電極５とは、各々の一部において互いに対向し、積層方向に見て交互に配置される。内部電極４および５は、たとえば、ニッケルを主成分としている。
【００２１】
部品本体２の一方および他方端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極４および複数の内部電極５の各端部が露出している。部品本体２の端面６および７上には、内部電極４の各端部および内部電極５の各端部に接合され、それによって、電気的に接続されるように、外部電極８および９が形成されている。外部電極８および９は、たとえば銅を主成分としている。
【００２２】
図１では図示しないが、外部電極８および９上には、積層セラミックコンデンサ１の実装性を向上させ、または実装性を付与するため、めっき膜が形成されてもよい。めっき膜は、たとえば、ニッケルを主成分とするめっき層、およびその上に形成される、錫または金を主成分とするめっき層から構成される。
【００２３】
積層セラミック電子部品が、図１に示したような積層セラミックコンデンサ１である場合、セラミック層３は、誘電体セラミックから構成される。この発明が適用される積層セラミック電子部品は、その他、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などであってもよい。したがって、積層セラミック電子部品の機能に応じて、セラミック層は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよい。
【００２４】
また、図示した積層セラミックコンデンサ１は、２個の外部電極８および９を備える２端子型のものであるが、この発明は多端子型の積層セラミック電子部品にも適用することができる。
【００２５】
図１に示した積層セラミックコンデンサ１を製造するにあたっては、まず、部品本体２が用意される。部品本体２は、誘電体セラミック材料を含むセラミックグリーンシートを用意し、次いで、セラミックグリーンシート上に、所定のパターンをもって内部電極４および５となるべき導電性ペースト膜を形成し、次いで、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層することによって、生の状態のマザーブロックを得、次いで、マザーブロックを切断することによって、個々の積層セラミックコンデンサ１のための複数の生の部品本体を得、次いで、生の部品本体を焼成することによって得られる。
【００２６】
次に、外部電極８および９を形成するための工程が実施される。この発明の第１の実施形態による外部電極８および９の形成工程について、図２および図３を参照して説明する。外部電極８の形成方法と外部電極９の形成方法とは互いに実質的に同じであるが、図２および図３には、外部電極８および９のうち、特に外部電極８の形成工程が図示されている。以下には、外部電極８の形成方法について説明し、外部電極９の形成方法については説明を省略する。
【００２７】
まず、図２に示すように、たとえば銅を導電成分として含む導電性ペースト１１が、部品本体１の端面６上に塗布される。導電性ペースト１１の塗布にあたっては、たとえば、定盤上に導電性ペースト膜を所定の厚みで形成し、ホルダによって保持された部品本体２の端面６を導電性ペースト膜中に浸漬した後、導電性ペースト膜から取り出す、各工程が実施される。
【００２８】
図２には、後述する膨張工程によって閉塞される、内部電極４とセラミック層３との間の隙間１４が図示されている。
【００２９】
次に、導電性ペースト１１を焼き付ける工程が実施される。この焼付け工程の結果、図３に示すような状態で、端面６に露出した内部電極４の端部に接合される外部電極８が形成される。焼付け工程では、導電性ペースト１１の焼付けと並行して、内部電極４の、外部電極８との接合部１２を膨張させる工程が進行する。
【００３０】
接合部１２を膨張させるため、第１の実施形態では、酸化膨張が適用される。より具体的には、焼付け工程の昇温過程において、最高温度に達するまでの間、中性ないし還元性雰囲気下で、導電性ペースト１１中のバインダ除去のための脱脂処理を実施し、次いで、導電性ペースト１１中の金属成分を内部電極４と接合した状態で焼結させた後、最高温度を維持したまま、接合部１２を酸化させるため、適量の空気（酸素）を雰囲気中に導入する。図３において、酸化によって接合部１２を取り囲むように形成された酸化領域１３が模式的に図示されている。
【００３１】
接合部１２において酸化領域１３が形成されることにより、内部電極４は、接合部１２において、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みを有するようにされ、それによって、内部電極４とセラミック層３との間の隙間１４が閉塞される。すなわち、膨張工程では、雰囲気中の酸素濃度を調整するなどして、内部電極４の接合部１２を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させるように制御される。なお、「１．０５〜１．６０」の数値範囲は、後述する実験例に基づいて求められたものである。
【００３２】
上述した膨張工程の結果、図３に示すように、接合部１２以外の部分では、内部電極４とセラミック層３との間の隙間１４が残されることがあり得る。また、焼付け工程では、内部電極４中の金属成分と外部電極８中の金属成分との間で相互拡散が生じるが、この相互拡散領域１５が、図３に模式的に図示されている。
【００３３】
以上のように、第１の実施形態によれば、内部電極４が、接合部１２において厚みを増し、内部電極４とセラミック層３との間の隙間１４を閉塞するので、部品本体２の内部への水分の浸入経路が効果的に遮断され、その結果、積層セラミックコンデンサ１の耐候性を向上させることができる。
【００３４】
次に、第１の実施形態に基づき、この発明による効果を確認するために実施した実験例１について説明する。
【００３５】
［実験例１］
ＢａおよびＴｉを主成分とするセラミック材料粉末を含む複数のセラミックグリーンシートを用意した。次に、セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを導電成分の主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
【００３６】
次に、導電性ペースト膜が形成されていないセラミックグリーンシートを所定の外層厚みになるように積層し、次いで、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、さらに、導電性ペーストが形成されていないセラミックグリーンシートを所定の外層厚みになるように積層することによって、複数の部品本体を取り出すことが可能な生の状態のマザーブロックを得た。
【００３７】
次に、マザーブロックを切断し、複数のチップ状の生の部品本体を取り出し、次いで、生の部品本体をバッチ炉において還元性雰囲気下で焼成し、焼結した部品本体を得た。
【００３８】
他方、平均粒径：１．０μｍのＣｕ粉末と、軟化点：６００℃のＳｉ−Ｂ−Ｚｎ系ガラスからなるガラスフリットとを、９０：１０の体積比で含むとともに、ターピネオールを主成分とする有機溶剤と、この有機溶剤にアクリル系バインダを溶解させたワニスとをさらに含む、混合物を３本ロールで分散・混合処理することによって、外部電極用導電性ペーストを作製した。
【００３９】
次に、定盤上に上記外部電極用導電性ペーストからなる膜を所定の厚みで形成しておき、この導電性ペースト膜中に、ホルダによって保持された部品本体の端部を浸漬した後、導電性ペースト膜から取り出すことによって、部品本体の両端面に外部電極となる導電性ペーストを塗布した。
【００４０】
次いで、外部電極となる導電性ペースト焼き付けるため、部品本体をベルト炉で熱処理した。熱処理においては、８５０℃の最高温度を１０分間保持する温度プロファイルを採用した。ここで、最高温度に達するまでの昇温過程では、バインダの熱分解および外部電極と内部電極との接合を確保するため、Ｎ２をキャリアガスとする中性雰囲気とし、最高温度に到達後、この温度を保持する間は、内部電極の、外部電極との接合部を酸化するため、キャリアガスに対して、表１の「空気濃度」の欄に示す体積濃度となるように空気を添加した。
【００４１】
その後、降温して、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。
【００４２】
このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、表１に示すように、「接合部の膨張率」および「信頼性不良率」をそれぞれ評価した。
【００４３】
「接合部の膨張率」は、内部電極の、外部電極との接合部の膨張率であり、ＳＥＭにより観察することによって、外部電極を形成する前の内部電極の厚みと外部電極を形成した後の接合部の厚みとをそれぞれ測定し、前者の厚みに対する後者の厚みの増加率を示したものである。なお、表１に示した「接合部の膨張率」は、試料数２０個についての平均値である。
【００４４】
「信頼性不良率」は、温度：７０℃、相対湿度：９５％、印加電圧：１０Ｖの条件で１０００時間放置する耐湿負荷試験を実施し、試料となる積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗をモニタリングし、絶縁抵抗が１０６Ωを下回った試料を不良と判定し、全試料数７０個に対して不良と判定された試料数の比率を示したものである。
【００４５】
【表１】
2012114784.tif 000003
【００４６】
表１において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例である。
【００４７】
表１に示すように、「空気濃度」が１．００％である試料１では、「接合部の膨張率」が１．６０を超えて１．７０となり、「信頼性不良率」が７％となった。これは、部品本体にクラックが発生したためであると推測される。
【００４８】
他方、「空気濃度」が６２．５ｐｐｍ以下である試料６および７では、それぞれ、「接合部の膨張率」が１．０５未満の１．０３および１．００となり、「信頼性不良率」が１９％および４９％となった。これは、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するに十分なほど酸化膨張が生じなかったためであると推測される。
【００４９】
これらに対して、「空気濃度」が６２５ｐｐｍ〜０．６０％である試料２〜５では、「接合部の膨張率」が１．０５〜１．６０の範囲にあり、「信頼性不良率」が０％となった。このことから、「接合部の膨張率」が１．０５〜１．６０の範囲にあれば、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するに十分な酸化膨張が生じ、耐候性に優れた積層セラミックコンデンサが得られることがわかった。
【００５０】
［第２の実施形態］
次に、この発明の第２の実施形態による外部電極８の形成工程について、図２とともに図４を参照して説明する。図４は、図３に対応する図である。
【００５１】
第２の実施形態においても、第１の実施形態の場合と同様、まず、図２に示すように、導電性ペースト１１が、部品本体１の端面６上に塗布される。
【００５２】
次に、導電性ペースト１１を焼き付ける工程が実施される。この焼付け工程の結果、図４に示すような状態で、端面６に露出した内部電極４の端部に接合される外部電極８が形成される。焼付け工程と同時に、内部電極４の、外部電極８との接合部１２を膨張させる工程が実施される。
【００５３】
接合部１２を膨張させるため、第２の実施形態では、外部電極８から内部電極４への金属拡散を促進することが行なわれる。より具体的には、焼付け工程の昇温過程において、最高温度に達するまでの間、中性ないし還元性雰囲気下で、導電性ペースト１１中のバインダ除去のための脱脂処理を実施し、次いで、導電性ペースト１１中の金属成分を内部電極４と接合した状態で焼結させるが、この焼付け工程での最高温度を調整しかつ雰囲気を還元側に調整することによって、金属拡散を促進させることが行なわれる。
【００５４】
図４には、焼付け工程において内部電極４中の金属成分と外部電極８中の金属成分との間で生じた相互拡散によって形成された、相互拡散領域１６が模式的に図示されている。前述したように、外部電極８が銅を主成分とし、内部電極４がニッケルを主成分とするとき、外部電極８と内部電極４との間で金属成分の相互拡散が生じた場合、銅の拡散速度がニッケルの拡散速度に勝り、相互拡散領域１６には、外部電極８中の銅がより多く拡散する。その結果、内部電極４の接合部１２が膨張する。
【００５５】
第２の実施形態の場合も、内部電極４は、接合部１２において、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みを有するようにされ、それによって、内部電極４とセラミック層３との間の隙間１４を閉塞するようにされる。すなわち、膨張工程では、加熱温度や雰囲気を調整するなどして、内部電極４の接合部１２を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させるように制御される。
【００５６】
なお、第２の実施形態の変形例として、焼付け工程を実施した後、膨張工程を実施してもよい。
【００５７】
次に、第２の実施形態に基づき、この発明による効果を確認するために実施した実験例２について説明する。
【００５８】
［実験例２］
実験例１の場合と同様の部品本体および外部電極用導電性ペーストを作製し、同様の方法で、部品本体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布した。
【００５９】
次いで、外部電極となる導電性ペースト焼き付けるため、部品本体をベルト炉で熱処理した。熱処理においては、表２の「最高温度」の欄に示す最高温度を採用しながら、３００℃から最高温度までの昇温過程では、バインダの熱分解を図り、かつ外部電極中のＣｕの内部電極中のＮｉへの拡散を促進させるため、キャリアガスに、表２の「Ｈ２添加量」に示す添加量をもってＨ２を添加し、最高温度では、ベルト炉内に設置されたジルコニア酸素濃度センサの起電力を、表２の「最高温度の起電力」の欄に示すとおりとした。なお、表２には、「酸素濃度」も示されている。
【００６０】
その後、Ｎ２からなる中性雰囲気下で降温して、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。
【００６１】
このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、表２に示すように、「接合部の膨張率」および「信頼性不良率」をそれぞれ評価した。これらの評価方法は、実験例１の場合と同様である。
【００６２】
【表２】
2012114784.tif 000004
【００６３】
表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例である。
【００６４】
表２に示すように、「最高温度」が８００〜９５０℃の範囲内にあり、「最高温度の起電力」が６００ｍＶである試料１１〜１４では、「接合部の膨張率」が１．０５未満の１．００〜１．０４となり、「信頼性不良率」が６％以上となった。これは、ＣｕのＮｉへの拡散が不十分であり、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するに十分なほど膨張が生じなかったためであると推測される。
【００６５】
他方、「最高温度」を９００℃以上にして、「最高温度の起電力」が９００ｍＶである試料２５および２６では、それぞれ、「接合部の膨張率」が１．６０を超えて１．９６および２．３８となり、「信頼性不良率」が９％および３１％となった。これは、ＣｕがＮｉへ過剰に拡散してしまい、部品本体にクラックが発生したためであると推測される。
【００６６】
これらに対して、「最高温度」が８００〜９５０℃の範囲内にあり、「最高温度の起電力」が７００〜８００ｍＶである試料１５〜２２、ならびに、「最高温度」が８００〜８５０℃の範囲内にあり、「最高温度の起電力」が９００ｍＶである試料２３および２４では、「接合部の膨張率」が１．０５〜１．６０の範囲にあり、「信頼性不良率」が０％となった。このことから、「接合部の膨張率」が１．０５〜１．６０の範囲にあれば、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するに十分な膨張が生じ、耐候性に優れた積層セラミックコンデンサが得られることがわかった。
【符号の説明】
【００６７】
１  積層セラミックコンデンサ
２  部品本体
３  セラミック層
４，５  内部電極
６，７  端面
８，９  外部電極
１１  導電性ペースト
１２  接合部
１３  酸化領域
１４  隙間
１５，１６  相互拡散領域
【図１】
2012114784.tif 000005
【図２】
2012114784.tif 000006
【図３】
2012114784.tif 000007
【図４】
2012114784.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、前記内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体と、
前記部品本体の前記所定の面に露出した前記内部電極の端部に接合されるように、導電性ペーストの焼付けによって前記部品本体の前記所定の面上に形成された、外部電極と
を備え、
前記内部電極は、前記外部電極との接合部において、前記内部電極と前記セラミック層との間の隙間を閉塞するように膨張しており、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みを有している、積層セラミック電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、前記内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体を用意する工程と、
前記部品本体の前記所定の面上に、導電性ペーストを塗布する、塗布工程と、
前記部品本体の前記所定の面に露出した前記内部電極の端部に接合されるように、前記塗布工程で塗布された前記導電性ペーストの焼付けによって前記部品本体の前記所定の面上に外部電極を形成する、焼付け工程と、
前記内部電極と前記セラミック層との間の隙間を閉塞するように、前記内部電極の、前記外部電極との接合部を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させる、膨張工程と
を備え、
前記膨張工程は、前記塗布工程の後に実施される、
積層セラミック電子部品の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
より詳細には、この発明は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体と、部品本体の所定の面に露出した内部電極の端部に接合されるように、導電性ペーストの焼付けによって部品本体の所定の面上に形成された、外部電極とを備える、積層セラミック電子部品にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、内部電極は、外部電極との接合部において、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するように膨張しており、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みを有していることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明は、また、積層セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って配置された内部電極を含み、内部電極の端部が所定の面に露出している、部品本体を用意する工程と、部品本体の前記所定の面上に、導電性ペーストを塗布する、塗布工程と、部品本体の所定の面に露出した内部電極の端部に接合されるように、上記塗布工程で塗布された導電性ペーストの焼付けによって部品本体の所定の面上に外部電極を形成する、焼付け工程と、内部電極とセラミック層との間の隙間を閉塞するように、内部電極の、外部電極との接合部を、１．０５〜１．６０の膨張率をもって膨張させる、膨張工程とを備え、膨張工程は、塗布工程の後に実施されることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明によれば、内部電極の、外部電極との接合部において、他の部分の１．０５〜１．６０倍の厚みとなるように膨張され、それによって、内部電極とセラミック層との間の隙間が閉塞される。したがって、部品本体における、内部電極の幅方向端縁に沿う位置に生じるボイドや内部電極のカバレッジに起因するボイドなどといった、部品本体内部への水分の浸入経路が効果的に遮断される。そのため、積層セラミック電子部品の耐候性を向上させることができる。
【国際調査報告】
2012114784.tif 000009
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