(57)【要約】  ＣＦ基板およびＴＦＴ基板のうち水分吸着量が少ない方の基板(１１０)上に液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)と、液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)の後、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせる工程(Ｓ１３０，Ｓ２３０)とを備える。このようにすることにより、液晶表示装置の表示品質を向上できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板または第２基板上に液晶(１３０)を滴下し、前記第１基板または前記第２基板の液晶滴下面側を、液晶(１３０)が滴下されていない前記第２基板または前記第１基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板(１１０)上に液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)と、
前記液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)の後、前記第１基板と前記第２基板とを真空中で貼り合わせる工程(Ｓ１３０，Ｓ２３０)と
を備える、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、
最初に、前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板(１１０)を決定するために、前記第１基板および前記第２基板の水分吸着量を測定する工程(Ｓ１００)を行ない、
以降、前記測定する工程(Ｓ１００)を繰り返すことなく前記決定に基づいて、前記液晶(１３０)を滴下する工程(Ｓ１２０，Ｓ２２０)を行なう、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板(１４０)を減圧処理する工程(Ｓ１４０，Ｓ２４０)をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板(１４０)を加熱処理する工程(Ｓ１４０，Ｓ２４０)をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板(１４０)を減圧処理しつつ加熱処理する工程(Ｓ１４０，Ｓ２４０)をさらに備える、請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板(１４０)を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する、請求項４または５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記減圧処理において、前記水分吸着量が多い方の基板(１４０)を１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する、請求項３または５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１基板および前記第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程(Ｓ１０，Ｓ２０)を備え、
前記第１基板および前記第２基板における水分吸着量の違いは、前記それぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される、請求項４または５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板(１４０)を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する、請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の製造方法においては、第１基板および第２基板のうち一方の表面にシール材を形成し、シール材で囲まれた範囲内に液晶を滴下した後、第１基板および第２基板を真空雰囲気中で貼り合わせることにより液晶を封止している。このように、液晶を滴下した後に基板を貼り合わせる方法は、ＯＤＦ(One  Drop  Fill)と称されている。【０００３】
ＯＤＦを用いた液晶表示装置の製造方法を開示した先行文献として、特開２００９−２８８３６４号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載の液晶表示装置の製造方法は、対向基板またはＴＦＴ(Thin  Film  Transistor)基板のうちの一方にメインシールを塗布する工程と、対向基板またはＴＦＴ基板のうち、少なくともメインシールが塗布された一方を減圧処理する工程と、対向基板およびＴＦＴ基板を貼り合わせることにより貼り合せ基板を形成する工程とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２８８３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶を互いの間に挟むように封止する第１基板および第２基板は、それぞれの構成によって水分吸着量が互いに異なる。仮に第１基板の方が第２基板より水分吸着量が多い場合に、第１基板上に液晶を滴下した後、第１基板と第２基板とを真空雰囲気中で貼り合わせると、第１基板に吸着されていた水分は液晶に覆われた状態でほとんど蒸発することなく、封止された液晶中に残留する。この場合、液晶パネルにおける液晶の分布が不均一となって、液晶表示装置の表示画面に表示ムラが発生する。【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、液晶表示装置の表示品質を向上できる、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく液晶表示装置の製造方法は、第１基板または第２基板上に液晶を滴下し、第１基板または第２基板の液晶滴下面側を、液晶が滴下されていない第２基板または第１基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法である。液晶表示装置の製造方法は、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板上に液晶を滴下する工程と、液晶を滴下する工程の後、第１基板と第２基板とを真空中で貼り合わせる工程とを備える。【０００８】
本発明の一形態においては、上記の液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、最初に、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板を決定するために、第１基板および第２基板の水分吸着量を測定する工程を行なう。それ以降、上記の測定する工程を繰り返すことなく上記の決定に基づいて、液晶を滴下する工程を行なう。【０００９】
好ましくは、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理する工程をさらに備える。または、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を加熱処理する工程をさらに備える。もしくは、第１基板および第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理しつつ加熱処理する工程をさらに備える。【００１０】
本発明の一形態においては、加熱処理において、水分吸着量が多い方の基板を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する。【００１１】
好ましくは、減圧処理において、水分吸着量が多い方の基板を１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。【００１２】
本発明の一形態においては、第１基板および第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程を備える。第１基板および第２基板における水分吸着量の違いは、上記のそれぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される。【００１３】
本発明の一形態においては、加熱処理において、水分吸着量が多い方の基板を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、液晶表示装置の表示品質を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。
【図２】水分吸着量の少ない方の基板にシール材を形成した状態を示す斜視図である。
【図３】水分吸着量の少ない方の基板に液晶を滴下した状態を示す斜視図である。
【図４】２枚の基板を貼り合わせて液晶を封止した状態を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。
【図６】本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰返さない。
【００１７】
(実施形態１)
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。図２は、水分吸着量の少ない方の基板にシール材を形成した状態を示す斜視図である。図３は、水分吸着量の少ない方の基板に液晶を滴下した状態を示す斜視図である。図４は、２枚の基板を貼り合わせて液晶を封止した状態を示す断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の製造方法においては、最初に、第１基板であるＣＦ(color  filter)基板と、第２基板であるＴＦＴ基板との水分吸着量の測定を行なう(Ｓ１００)。本実施形態においては、第１基板としてＣＦ基板を用い、第２基板としてＴＦＴ基板を用いたが、たとえば、カラーフィルタオンアレイの液晶表示装置においては、第１基板としてガラス基板を用い、第２基板としてカラーフィルタオンアレイ基板を用いてもよい。
【００１９】
基板の水分吸着量の測定方法としては、たとえば、チャンバ内に基板を入れた状態で、チャンバ内を密閉して真空引きする。この真空引きする際の、時間の経過によるチャンバ内の圧力の変化を測定し、チャンバ内に基板を入れていないときの圧力の経時変化と比較することにより、基板の水分吸着量を推定することができる。
【００２０】
まず、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量よりＴＦＴ基板の水分吸着量の方が多かった場合(Ｒ１００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００２１】
この場合、図１，２に示すように、水分吸着量が少ない方の基板１１０であるＣＦ基板上に液晶を封止するためのシール材１２０を形成する(Ｓ１１０)。シール材１２０は、たとえば、矩形状に形成される。シール材１２０としては、従来の液晶表示装置に使用されるシール材を使用することができる。
【００２２】
次に、図３に示すように、シール材１２０が形成された基板１１０上に液晶１３０を滴下する(Ｓ１２０)。液晶１３０は、シール材１２０で囲まれた範囲内において、格子状に滴下される。液晶１３０の滴下は、ディスペンサなどを用いて行なうことができる。
【００２３】
図４に示すように、液晶１３０を滴下する工程の後、水分吸着量の少ない方の基板１１０であるＣＦ基板と水分吸着量の多い方の基板１４０であるＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせる(Ｓ１３０)。具体的には、ＣＦ基板の液晶滴下面側をＴＦＴ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
【００２４】
上記のようにして、ＣＦ基板、ＴＦＴ基板およびシール材１２０により液晶１３０を封止することにより、ＴＦＴ基板に吸着されていた水分の多くは真空中で蒸発するため、封止された液晶１３０中にＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００２５】
次に、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量の方がＴＦＴ基板の水分吸着量より多かった場合(Ｒ２００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００２６】
この場合、図１，２に示すように、水分吸着量が少ない方の基板１１０であるＴＦＴ基板上に液晶を封止するためのシール材１２０を形成する(Ｓ２１０)。シール材１２０は、たとえば、矩形状に形成される。シール材１２０としては、従来の液晶表示装置に使用されるシール材を使用することができる。
【００２７】
次に、図３に示すように、シール材１２０が形成された基板１１０上に液晶１３０を滴下する(Ｓ２２０)。液晶１３０は、シール材１２０で囲まれた範囲内において、格子状に滴下される。液晶１３０の滴下は、ディスペンサなどを用いて行なうことができる。
【００２８】
図４に示すように、液晶１３０を滴下する工程の後、水分吸着量の少ない方の基板１１０であるＴＦＴ基板と水分吸着量の多い方の基板１４０であるＣＦ基板とを真空中で貼り合わせる(Ｓ２３０)。具体的には、ＴＦＴ基板の液晶滴下面側をＣＦ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
【００２９】
上記のようにして、ＣＦ基板、ＴＦＴ基板およびシール材１２０により液晶１３０を封止することにより、ＣＦ基板に吸着されていた水分の多くは真空中で蒸発するため、封止された液晶１３０中にＣＦ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００３０】
なお、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板の水分吸着量の大小関係は、各々の構成が同一であれば変わらないため、液晶表示装置の量産時には、水分吸着量の測定(Ｓ１００)は、最初に行なってそれ以降は行なわない。
【００３１】
すなわち、水分吸着量の測定(Ｓ１００)を一度行なって、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板の水分吸着量の大小関係が決定した後は、水分吸着量の測定(Ｓ１００)を繰り返すことなく、その決定に基づいて、水分吸着量の少ない方の基板１１０上にシール材１２０を形成する工程およびそれ以降の工程を行なう。
【００３２】
以下、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
【００３３】
(実施形態２)
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、水分吸着量の多い方の基板１４０について追加的処理を行なう点のみ実施形態１の液晶表示装置の製造方法と異なるため、その他の工程については説明を繰り返さない。
【００３４】
図５は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。まず、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量よりＴＦＴ基板の水分吸着量の方が多かった場合(Ｒ１００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００３５】
図５に示すように、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法においては、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす工程(Ｓ１３０)の前に、水分吸着量の多い方の基板１４０であるＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ１４０)。
【００３６】
減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
【００３７】
加熱処理においては、基板１４０を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が３００℃より高い場合には、ＴＦＴ基板の特性が変化して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
【００３８】
上記のようにＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理することにより、ＴＦＴ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。水分が蒸発したＴＦＴ基板は、次の工程においてＣＦ基板と真空中で貼り合わされる間にわずかに水分を吸着する。ただし、減圧処理および加熱処理しない場合に比べて、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００３９】
本実施形態の変形例として、ＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理する代わりに、減圧処理のみまたは加熱処理のみ行なってもよい。この場合にも、ＴＦＴ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。
【００４０】
次に、水分吸着量の測定の結果、ＣＦ基板の水分吸着量の方がＴＦＴ基板の水分吸着量より多かった場合(Ｒ２００)の、液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００４１】
この場合、図５に示すように、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす工程(Ｓ２３０)の前に、水分吸着量の多い方の基板１４０であるＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ２４０)。
【００４２】
減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
【００４３】
加熱処理においては、基板１４０を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＣＦ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が１３０℃より高い場合には、ＣＦ基板の着色層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
【００４４】
上記のようにＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理することにより、ＣＦ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。水分が蒸発したＣＦ基板は、次の工程においてＴＦＴ基板と真空中で貼り合わされる間にわずかに水分を吸着する。ただし、減圧処理および加熱処理しない場合に比べて、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＣＦ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００４５】
本実施形態の変形例として、ＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理する代わりに、減圧処理のみまたは加熱処理のみ行なってもよい。この場合にも、ＣＦ基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶１３０中にＣＦ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。
【００４６】
以下、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。
【００４７】
(実施形態３)
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第１基板および第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する点のみ実施形態２の液晶表示装置の製造方法と異なるため、その他の工程については説明を繰り返さない。
【００４８】
図６は、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。
【００４９】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、図６に示すように、第１基板であるＣＦ基板に着色層となる樹脂膜を形成する工程(Ｓ１０)を備える。
【００５０】
本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法においては、図６に示すように、第２基板であるＴＦＴ基板にＣＦ基板に形成される樹脂膜とは異なる樹脂膜が形成される。具体的には、液晶表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板に絶縁層となる樹脂膜を形成する工程(Ｓ２０)を備える。
【００５１】
ＴＦＴ基板に形成される樹脂膜は、たとえば、ノボラック系樹脂から構成される。この樹脂膜は、たとえば、ＴＦＴ基板内の配線電圧による液晶の意図しない配向を防止する機能、または、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の金属などの異物によるショートが発生することを防止する機能を有する。
【００５２】
ＣＦ基板およびＴＦＴ基板の各水分吸着量においては、それぞれの基板が含む樹脂膜による水分吸着量の割合が大きい。そのため、ＣＦ基板およびＴＦＴ基板における水分吸着量の違いは、ＣＦ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量と、ＴＦＴ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量との違いによって決定される。
【００５３】
すなわち、ＣＦ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量よりＴＦＴ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量の方が多い場合、水分吸着量の測定(Ｓ１００)の結果、ＣＦ基板の水分吸着量よりＴＦＴ基板の水分吸着量の方が多くなる(Ｒ１００)。
【００５４】
この場合、ＣＦ基板上にシール材を形成し(Ｓ１１０)、ＣＦ基板上に液晶を滴下する(Ｓ１２０)。また、水分吸着量が多い方の基板１４０であるＴＦＴ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ１４０)。本実施形態の変形例の液晶表示装置の製造方法においては、ＴＦＴ基板を減圧処理または加熱処理する。
【００５５】
減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
【００５６】
加熱処理においては、ＴＦＴ基板１４０を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＴＦＴ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が１３０℃より高い場合には、ＴＦＴ基板の絶縁層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
【００５７】
その後、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす(Ｓ１３０)。具体的には、ＣＦ基板の液晶滴下面側をＴＦＴ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
【００５８】
このように液晶表示装置を製造することにより、封止された液晶１３０中にＣＦ基板およびＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００５９】
一方、ＣＦ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量の方がＴＦＴ基板に形成される樹脂膜の水分吸着量より多い場合、水分吸着量の測定(Ｓ１００)の結果、ＣＦ基板の水分吸着量の方がＴＦＴ基板の水分吸着量より多くなる(Ｒ２００)。
【００６０】
この場合、ＴＦＴ基板上にシール材を形成し(Ｓ２１０)、ＴＦＴ基板上に液晶を滴下する(Ｓ２２０)。また、水分吸着量が多い方の基板１４０であるＣＦ基板を減圧処理しつつ加熱処理する(Ｓ２４０)。本実施形態の変形例の液晶表示装置の製造方法においては、ＣＦ基板を減圧処理または加熱処理する。
【００６１】
減圧処理においては、１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、ＣＦ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。
【００６２】
加熱処理においては、ＣＦ基板１４０を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が４０℃より低い場合には、ＣＦ基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が１３０℃より高い場合には、ＣＦ基板の着色層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。
【００６３】
その後、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを真空中で貼り合わす(Ｓ２３０)。具体的には、ＴＦＴ基板の液晶滴下面側をＣＦ基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶１３０の注入を行なう。
【００６４】
このように液晶表示装置を製造することにより、封止された液晶１３０中にＣＦ基板およびＴＦＴ基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００６５】
なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
１１０  水分吸着量の少ない方の基板、１２０  シール材、１３０  液晶、１４０  水分吸着量の多い方の基板。
【図１】
2012050060.tif 000003
【図２】
2012050060.tif 000004
【図３】
2012050060.tif 000005
【図４】
2012050060.tif 000006
【図５】
2012050060.tif 000007
【図６】
2012050060.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板または第２基板上に液晶を滴下し、前記第１基板または前記第２基板の液晶滴下面側を、液晶が滴下されていない前記第２基板または前記第１基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板上に液晶を滴下する工程と、
前記液晶を滴下する工程の後、前記第１基板と前記第２基板とを真空中で貼り合わせる工程と
を備え、
順次製造される液晶表示装置のうち最初に製造される液晶表示装置のみ、前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が少ない方の基板を決定するために、前記第１基板および前記第２基板の水分吸着量を測定する工程を行ない、それ以降に製造される液晶表示装置においては、該測定する工程を繰り返すことなく前記決定に基づいて、前記液晶を滴下する工程および前記貼り合わせる工程を行なう、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理する工程をさらに備える、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を加熱処理する工程をさらに備える、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１基板および前記第２基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理しつつ加熱処理する工程をさらに備える、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板を４０℃以上３００℃以下の温度で加熱する、請求項３または４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記減圧処理において、前記水分吸着量が多い方の基板を１００Ｐａ以下の圧力まで減圧する、請求項２または４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１基板および前記第２基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程をさらに備え、
前記第１基板および前記第２基板における水分吸着量の違いは、前記それぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される、請求項３または４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板を４０℃以上１３０℃以下の温度で加熱する、請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【国際調査報告】
2012050060.tif 000009
2012050060.tif 000010
2012050060.tif 000011
2012050060.tif 000012