(57)【要約】  この成膜装置は、スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと；このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと；前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と；前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定める制御装置と；を備える。
2012067183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと；
このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと；
前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と；
前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定める制御装置と；
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、この磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え；
前記制御装置が、前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める；
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記制御装置が、
スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視する監視機能を有しており、
前記スパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせる制御を行う
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと；
このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと；
前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と；
を備えた成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の前記被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定め、前記磁場形成装置の制御を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、前記磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え；
前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める；
ことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視することで、このスパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせることを特徴とする請求項４又は５に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に被膜を形成するためのマグネトロンスパッタ方式の成膜装置及び成膜方法、特に、ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成手段を備えたマグネトロンスパッタ方式の成膜装置及びこの装置を用いた成膜方法に関する。
本願は、２０１０年１１月１８日に、日本国に出願された特願２０１０−２５７８６３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体デバイスの製作における成膜工程においてはスパッタリング法を用いた成膜装置（以下、「スパッタリング装置」という。）が使用されている。
スパッタリング装置には、電極間に印加する電圧や、電極構造等によって様々なものがある。その中に、マグネトロンスパッタ装置がある。マグネトロンスパッタ装置は、表面上にターゲットを配置するターゲット電極の背面側に磁場形成手段を配置してスパッタリングカソードを構成することにより、成膜速度を大きくして生産性を向上できるというメリットを有する。【０００３】
このようなマグネトロンスパッタ装置には、磁場を固定するタイプのものと、磁場を一定周期で変動させるタイプのものがある。このうち、磁場を一定周期で変動させることにより、成膜される膜厚分布を改善させたり、ターゲットの使用効率および寿命の向上を図ったりすることができることを理由に、磁場を変動させるタイプのものが主に使用されている。【０００４】
磁場を変動させるマグネトロンスパッタ装置には、ターゲットの背面側に配置された磁石を揺動させる装置や、磁石をターゲットの中心を軸に偏心回転させるようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。これらの装置においては、磁場の変動周期は基板に形成する膜厚によらず一定とすることが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国特開平９−４１１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年のスパッタリング装置においては、スパッタリングの性能の向上のために、スパッタリング時における投入パワーの増加が図られている。これにより、より短時間での成膜が可能となり、スループットの向上を実現することができる。【０００７】
また、このような用途のスパッタリング装置においては、ＬＥＤ、光学膜等の成膜工程では、要求される膜厚が薄くなってきていると共に、膜厚均一性よく成膜できることが強く要求されている。【０００８】
例えば、上述したような、マグネットを偏心回転させるマグネトロンスパッタ装置の場合は、より膜厚均一性を高めるためには、マグネットの回転周期に対して成膜時間は十分長いことが好ましい。しかし、薄膜化及び投入パワーの増加に伴って成膜時間が短縮化されているため、マグネットの回転周期に対して、成膜時間が十分ではなくなってきているという問題がある。【０００９】
例えば、磁石の回転周期が１秒（６０ｒｐｍ）であることに対し、スパッタ成膜時間が１．５秒であるとすると、スパッタ成膜時間の間に磁石は１回転半することになる。この場合、１．５秒のスパッタ成膜時間のうち、最後の０．５秒が膜厚不均一の要因となり、膜厚分布が大きく損なわれてしまう。言い換えれば、スパッタ成膜時間１．５秒間で、磁石が５４０°回転してしまうため、一周３６０°に対する余剰の回転（１８０°）において、不均一な膜厚が形成されてしまう。【００１０】
この問題に対しては、磁石の回転速度を更に速くすることで膜厚分布を改善する方法が考えられる。しかしながら、回転速度を速くすることによって、成膜装置の消費電力の増加や、回転装置の短寿命化を招くという問題がある。【００１１】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、膜厚均一化を図ることができ、スパッタリング時の消費電力を抑えるとともに、磁石を回転させる駆動手段の長寿命化を実現することができる成膜装置及び成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、この発明は以下を提供している。
（１）本発明の一態様は、スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと；このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと；前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と；前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定める制御装置と；を備える成膜装置である。【００１３】
（２）上記（１）に記載の成膜装置では、前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、この磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え；前記制御装置が、前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める；ように構成しても良い。
（３）上記（１）又は（２）に記載の成膜装置では、前記制御装置が、スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視する監視機能を有しており、前記スパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせる制御を行うように構成しても良い。【００１４】
（４）本発明の他の態様は、スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと；このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと；前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と；を備えた成膜装置を用いた成膜方法であって、前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の前記被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定め、前記磁場形成装置の制御を行う。【００１５】
（５）上記（４）に記載の成膜方法では、前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、前記磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え；前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める；ようにしても良い。
（６）上記（４）又は（５）に記載の成膜方法では、スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視することで、このスパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせるようにしても良い。
【発明の効果】
【００１６】
上記（１）又は（４）に記載の態様によれば、ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置を備えた成膜装置において、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が磁場の変動周期の整数倍となるように変動周期を定める制御を行う制御装置を備える構成としたことによって、膜厚分布をより均一にすることができる。
また、上記（２）又は（５）の場合、磁場形成装置が、ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、磁石をターゲットの中心を軸に回転させる駆動装置とを備えている。この場合、磁石の回転速度が低下することになるため、消費電力が抑えられ、装置の長寿命化を実現することができる。【００１７】
さらに、上記（３）又は（６）の場合、監視機能を有するものとしている。この場合には、スパッタ放電の立ち上がりが遅れても、スパッタ成膜時間が変わらないため、スパッタ放電の立ち上がりの遅れが膜厚分布に影響を及ぼすことがない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の成膜装置の概略断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う永久磁石の平面図である。
【図３】基板上の膜厚測定点を示す図である。
【図４】スパッタ成膜時間と回転速度の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態のみに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２０】
（スパッタリング装置）
図１は、本実施形態に係るスパッタリング装置１（成膜装置）の概略断面図である。本実施形態において、スパッタリング装置１は、マグネトロンスパッタ装置として構成されている。スパッタリング装置１は、内部を気密封止しうる真空チャンバ２と、この真空チャンバ２の内部に配置された基板支持台３と、スパッタリングカソード４等を備えている。
【００２１】
真空チャンバ２は、内部に処理室５を画成しており、図示しない真空排気手段を介して処理室５を所定の真空度にまで減圧可能とされている。また、処理室５の内部にアルゴンガス等のプロセスガスや酸素、窒素等の反応性ガスを導入するためのガス導入ノズル（図示せず）が真空チャンバ２の所定位置に取り付けられている。
【００２２】
基板支持台３（ステージとも言う）は、図示しない温度調整手段を用いて、基板支持台３上に載置された基板Ｗを所定温度に加熱可能に構成されている。また、基板Ｗは、例えば、静電チャックによって基板支持台３に固定される。
【００２３】
スパッタリングカソード４は、絶縁リング６を介してチャンバ２上部に取り付けられているターゲット電極７と、ターゲット電極７の背面側に設けられた磁場形成装置８（磁場形成手段）等から構成されている。ターゲット電極７の下面には、基板Ｗと平行な状態で対向配置されるように、基板Ｗに成膜するＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、及び磁性材料（Ｎｉ、Ｃｏ）等の任意の材料からなるターゲット９が装着されている。また、ターゲット電極７は、直流電源１５の負極に接続されている。
【００２４】
磁場形成装置８は、磁石支持台１０と、磁石支持台１０に固定された永久磁石１１と、回転軸１２を介して磁石支持台１０を回転させるモータ等の駆動手段１３とから構成されている。回転軸１２は、回転軸１２の軸中心がターゲット９の中心と一致するように設けられており、これにより、磁石支持台１０及び永久磁石１１は、ターゲット９の中心を軸として回転可能とされている。
【００２５】
磁場形成装置８は、ターゲット９の表面上に磁束Ｆが漏洩し、所望形状の磁界を形成できるように構成されている。図２に示すように、永久磁石１１は、大きさが異なるリング形状の磁石１１ａ及び１１ｂとから構成されている。磁石１１ａ及び１１ｂの中心は、ターゲットの中心から偏心している。また、磁石１１は、外側がＮ極、内側がＳ極となるように構成されているが、ターゲット９表面での磁場の強さは絶対値が問題となるので、外側がＳ極、内側がＮ極となるように磁石を構成することもできる。
【００２６】
スパッタリング装置１を構成する磁場形成装置８、駆動手段１３等は制御装置１４（制御手段）によって制御されている。例えば、制御装置１４は、回転軸４を所定の回転速度に回転させることができる。すなわち、使用者は、磁石支持台１０に固定された磁石１１を所望の回転速度Ｓ（ｒｐｍ）、及び回転周期Ｐ（秒）で回転させることができる。
【００２７】
さらに、制御装置１４は、スパッタリング装置１の仕様等によって決定されるスパッタ成膜速度と、使用者が所望する成膜膜厚から、スパッタ成膜時間Ｔ（秒）を計算する機能を有する。
さらに、制御装置１４は、計算されたスパッタ成膜時間Ｔに応じて、回転周期Ｐを決定する機能を有する。ここで、回転周期Ｐとは、磁石支持台１０が１回転するのに要する時間（秒）であり、磁石支持台１０の回転速度をＳｒｐｍ（回転／分）とすると、Ｐ＝６０／Ｓで計算される値である。
【００２８】
制御装置１４は、スパッタ成膜時間Ｔが、回転周期Ｐの整数倍となるように制御する。
つまり、スパッタ成膜時間をＴとすると、回転周期Ｐは、下式１のように計算される。ｎは整数を表わす。
Ｔ＝ｎ×Ｐ・・・（式１）
すなわち、下式２で、回転周期Ｐが計算される。
Ｐ＝（１／ｎ）×Ｔ・・・（式２）
このような方法で算出された回転周期Ｐとなるような回転速度Ｓで磁石支持台１０を回転させる制御を行うことによって、磁石支持台１０（永久磁石１１）は、スパッタ成膜時間Ｔの間に正確にｎ回転する。
【００２９】
言い換えれば、スパッタ成膜時間Ｔの間、磁石支持台１０が一定速度で正確に（３６０×ｎ）°回転するように、回転周期Ｐ（回転速度Ｓ）が決定される。当然のことながら、スパッタ成膜が行われる時間（スパッタ成膜時間Ｔ）も正確に制御される。
【００３０】
消費電力や駆動手段１３の寿命、及びターゲット材料内に発生する渦電流の問題を考慮すると、回転速度Ｓは遅いこと（回転周期Ｐは長いこと）が好ましい。つまり、ｎは小さい整数であることが好ましい。
しかしながら、回転周期Ｐが長すぎる場合、すなわち回転速度Ｓが遅くなりすぎることによって、膜厚均一度及び駆動モータの振動等の問題が生じるため、最長回転周期Ｐｍａｘ（最低回転速度）を設定しておくことが好ましい。計算された回転周期Ｐが、最長回転周期Ｐｍａｘに満たない場合は、上記計算式のｎの値を順次大きくすることによって最長回転周期Ｐｍａｘを超えないようにする再計算を行う。
【００３１】
一方、駆動手段１３の振動、ターゲットの局所的温度上昇を避けるように、最短回転周期Ｐｍｉｎ（最高回転速度）を設定することが好ましい。ｎ＝１とした場合でも、最短回転周期Ｐｍｉｎを下回る回転周期Ｐが計算された場合は、図示しない表示装置に警告を表示後、最短回転周期Ｐｍｉｎで処理を行う。
【００３２】
また、スパッタ成膜時間Ｔがある程度予測できる場合は、予め、スパッタ成膜時間Ｔに対する回転回数（上記した計算式における整数ｎ）を定めておく方法としてもよい。
例えば、スパッタ成膜時間Ｔが６０秒以下であると予測できる場合は、スパッタ成膜時間が１秒以上３０秒未満の場合は、スパッタ成膜時間Ｔで磁石支持台１０を１回転させるように制御するように定める。また、スパッタ成膜時間Ｔが３０秒以上６０秒以下の場合は、スパッタ成膜時間Ｔで、磁石支持台１０を２回転させるように制御するように定める。このようなデータテーブルを用意することで、より容易に回転周期Ｐ（回転速度Ｓ）を計算することができる。
【００３３】
例えば、上述したようなデータテーブルの場合、スパッタ成膜時間Ｔが５０秒と計算された場合、磁石支持台１０を２回転させるように制御を行う。つまり、回転周期Ｐは、（５０秒／２回転＝）２５秒と算出される。
【００３４】
また、制御装置１４は主にスパッタリング時間を制御するための監視機能を有している。制御装置１４は、上述したような工程で、スパッタ成膜時間Ｔを決定し、このスパッタ成膜時間Ｔに応じて、スパッタ開始命令、スパッタ終了命令を出力する一方で、監視機能は、スパッタの放電時の電圧を常に監視している。
【００３５】
監視機能は、スパッタ開始命令を出力後、実際にスパッタ放電が開始されるまでの時間を監視しており、例えば、スパッタ放電の立ち上がりがｄ秒遅れた場合、スパッタ終了命令をｄ秒遅らせることによって、スパッタ成膜時間Ｔが変化しないように制御する。スパッタ放電の監視はスパッタ電源実出力をスパッタ電源内部電圧測定部にて検知して、アナログ入力ボードを介して、制御装置１４のＰＣに取り込んで行う。ここで、スパッタ電源実出力をＰＣに取り込むまでの時間と、ＰＣの出力をスパッタ電源の実出力に反映するまでの時間には、無視できないタイムラグ（例えば０．５秒）が生じることがある。制御装置の測定周期が遅い場合は、スパッタ時間が長くなる。タイムラグは略一定なので、タイムラグの一定値を考慮した時間だけ早くスパッタを停止すれば良い。
【００３６】
本実施形態によれば、制御装置１４によって、スパッタ成膜時間Ｔが磁石１１の回転周期Ｐの整数倍となるように、磁石支持台１１の回転速度Ｓを制御することによって、基板Ｗに形成される膜の膜厚分布をより均一にすることができる。
また、従来のスパッタリング装置と比較して、磁石支持台１１の回転速度Ｓが低下することになるため、消費電力が抑えられ、スパッタリング装置１の長寿命化を実現することができる。
【００３７】
さらに、制御装置１４の監視機能が、スパッタ放電の立ち上がりが遅れた場合においても、スパッタ成膜時間Ｔが変化しないように制御を行うため、スパッタ放電の立ち上がりの遅れが膜厚分布に影響を及ぼすことがない。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【００３９】
＜実施例＞
実施例では、図１に示すスパッタリング装置１を用い、Ｔｉ膜を成膜した。基板Ｗとして、φ２００ｍｍのＳｉウエハを用いた。また、ターゲットとして、Ｔｉの組成比が９９％で、スパッタ面の径がφ３００ｍｍに作製したものを用いた。成膜するＴｉ膜の膜厚は１４ｎｍ〜２１ｎｍとした。スパッタリング装置１のスパッタ速度は、７．０ｎｍ／秒である。【００４０】
また、成膜後において膜厚分布ｄ［％］を測定した。膜厚分布ｄは、成膜後、図３に示すような基板Ｗ上の９点の膜厚を測定し、膜厚の最大値をＦｍａｘ、最小値をＦｍｉｎとすると、下式３より算出される値である。
ｄ［％］＝（Ｆｍａｘ−Ｆｍｉｎ）／（Ｆｍａｘ＋Ｆｍｉｎ）×１００・・・式３【００４１】
表１にその結果を示す。【００４２】
【表１】
2012067183.tif 000003
【００４３】
表１において、例えば、必要膜厚１４ｎｍの場合、スパッタリング装置１のスパッタ速度（７．０ｎｍ／秒）より、スパッタ成膜時間Ｔは、（１４ｎｍ／７．０ｎｍ／秒＝）２．０秒と計算された。この２．０秒間で磁石支持台１０を１回転させるとすると、Ｐ＝（１／ｎ）×Ｔより、回転周期Ｐは（（１／１）×２．０＝）２．０秒（３０ｒｐｍ）となる。【００４４】
この条件で成膜を行ったところ、２．０秒の成膜時間で、磁石支持台１０が正確に１回転するため、膜厚分布は４．１％となった。同様に、必要膜厚を１５．４ｎｍ〜２１ｎｍまで変化させると共に、必要膜厚に依存して変化するスパッタ成膜時間Ｔに応じて回転速度Ｓを制御して成膜を行ったところ、膜厚分布は、３．９％〜４．１％となった。【００４５】
＜比較例＞
回転速度Ｓ（回転周期Ｐ）を制御しないこと以外は、実施例と同様の方法で成膜を行った。回転速度６０ｒｐｍ（回転周期Ｐは１秒）とした。表２にその結果を示す。【００４６】
【表２】
2012067183.tif 000004
【００４７】
表２より、必要膜厚１４．０ｎｍ、及び２１．０ｎｍの場合においては、スパッタ成膜時間Ｔが回転周期Ｐ（１秒）の整数倍となっているため、膜厚分布は良好であった（４．０％，３．９％）。一方、成膜時間が、回転周期の整数倍から外れる、必要膜厚２．２ｎｍ、２．４ｎｍ、２．６ｎｍ、及び２．８ｎｍの場合においては、膜厚分布が悪化する結果となった（５．３％〜６．３％）。
例えば、成膜時間２．４秒を要する必要膜厚１６．８ｎｍの場合、スパッタ成膜開始２．０秒後からスパッタ終了までの０．４秒間の間に成膜される膜が、膜厚分布悪化の要因になっていると思われる。【００４８】
図４は、スパッタ成膜時間Ｔ（横軸）に対して、膜厚分布（縦軸）をプロットしたグラフである。図４を参照することより実施例と比較例とを比較すると、実施例の膜厚分布が均一度が高い結果となっているのに対して、比較例の膜厚分布は、成膜時間２．２秒〜２．８秒の範囲で均一度が低くなっている。これは、比較例で使用したスパッタリング装置の磁石の回転周期が１秒であることに対して、成膜時間が回転周期（１秒）のの整数倍になっていないことに起因するものであると考えられる。特に、回転周期の整数倍である、成膜時間２秒または３秒との差がより大きくなるに従って、膜厚分布が悪化するのがわかる。【００４９】
なお、磁場形成装置８は、上述したような回転型に限ることはなく、磁場を一定周期で変動させることができるものであればよい。例えば、磁石構成体を揺動させる揺動型マグネトロンスパッタ装置を採用することができる。
また、磁場形成手段を構成する磁石としては、永久磁石の代替として、電磁石を採用してもよい。この場合、スパッタ成膜時間Ｔが、電磁石によって形成される磁場の変動周期Ｘ（Ｈｚ）の逆数（１／Ｘ）の整数倍となるように、変動周期Ｘを制御することによって、膜厚分布の均一化を図ることができる。
また、電磁石を、カソード側ではなくステージや真空チャンバ側面に配置した場合も同様に周期を合わせることで膜厚分布を改善させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
この発明によれば、膜厚均一化を図ることができ、スパッタリング時の消費電力を抑えるとともに、磁石を回転させる駆動手段の長寿命化を実現することができる。
【符号の説明】
【００５１】
Ｆ    磁束
P    回転周期
S    回転速度
Ｗ    基板
１    スパッタリング装置（成膜装置）
２    真空チャンバ（チャンバ）
３    基板支持台
４    スパッタリングカソード
５    処理室
６    絶縁リング
７    ターゲット電極
８    磁場形成装置
９    ターゲット
１０    磁石支持台
１１    永久磁石
１２    回転軸
１３    駆動手段
１４    制御装置。
【図１】
2012067183.tif 000005
【図２】
2012067183.tif 000006
【図３】
2012067183.tif 000007
【図４】
2012067183.tif 000008
【国際調査報告】
2012067183.tif 000009
2012067183.tif 000010
2012067183.tif 000011
2012067183.tif 000012