(57)【要約】  ｎ型半導体基板（１）の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部（１００）と、該素子活性部（１００）を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部（２００）とを有する半導体装置（３０１）において、前記耐圧構造部（２００）が、ガードリングとして、四隅に曲率部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部（５）を備え、該環状半導体突起部（５）が、内部にｐ型領域（４ｂ）を有しかつ該ｐ型領域（４ｂ）より深い複数の凹部により挟まれるとともに、表面に絶縁膜（６）を介して導電膜（８）を有している半導体装置とする。これにより、フィールド酸化膜のパターニングプロセスのバラツキに対する耐圧低下が少なく、狭い幅で高耐圧が得られる耐圧構造を安価に製造することができる。
2012099079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部と、該素子活性部を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部とを有する半導体装置において、
前記耐圧構造部が、ガードリングとして、四隅に曲線部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部を備え、
該環状半導体突起部が、内部に第２導電型領域を有しかつ該第２導電型領域より深い複数の凹部により挟まれるとともに、前記環状半導体突起部と前記凹部との段差が２μｍ未満であって、表面に絶縁膜を介して導電膜を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁膜の厚さが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記環状半導体突起部表面の絶縁膜が酸化膜であり、前記導電膜が導電性ポリシリコン層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記環状半導体突起部表面の酸化膜は、前記素子活性部に形成されるゲート酸化膜と同時に形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記環状半導体突起部の前記四隅の曲線部に、前記素子活性部上の主電極と一体の金属電極が前記導電性ポリシリコン層を覆う層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記導電性ポリシリコン層と導電接触し、さらに該開口部直下の前記導電性ポリシリコン層および下層の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１導電型半導体基板と導電接触している構造を備えることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属電極がアルミニウムを主材料とする合金電極であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記環状半導体突起部を挟む複数の凹部底部に、ドーズ量が１×１０11〜１×１０13ｃｍ-2の低不純物濃度ｐ-型領域を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記環状半導体突起部の複数が等間隔配置であって、前記複数の環状半導体突起部上に配置される前記導電膜が前記間隔とは異なる間隔の配置を有するとともに、前記耐圧構造部の最も内側の位置を基準として、前記導電膜の配置が、チップの端部から中心に向かう方向に所定の幅で前記環状半導体突起部の間隔より間隔ピッチが狭められていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
内部に第２導電型領域を備える前記環状半導体突起部が、さらに第１導電型領域を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記素子活性部が均等に分散配置される複数の凹凸のうち、凸部が下層の第二導電型ベース領域と上層の高不純物濃度の第一導電型エミッタ領域を有し、凸部側壁に露出する前記第二導電型ベース領域側面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有するＭＯＳ構造を備え、素子活性部が凹部の底部に第一導電型領域を備える半導体装置において、
前記凸部のＭＯＳ構造領域の全頂部平坦部面積が前記素子活性部の凹部の底部面積より小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記凸部のＭＯＳ構造領域の段差が２μｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記凸部のＭＯＳ構造領域の表面と側壁のなす角度が１５０度以下であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置を製造する際に、第１導電型半導体基板の一方の主面に、素子活性部を取り巻く外周部に、四隅に曲線部を有する矩形状の平面パターンで配置される耐圧構造部を、前記環状半導体突起部を凸部とする凹凸に形成するエッチング工程の後、凸部表面のレジスト膜厚Ｔ１＜凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２となるようにスピンナー塗布によりレジスト膜を形成し、凸部表面のレジスト膜の開口部幅Ｗ１より凹部底部の開口部幅Ｗ２が広くて前記曲線部の凹部のレジスト開口部幅Ｗ２＞直線部のレジスト開口部幅Ｗ１となるレジスト膜パターンを形成するフォトリソグラフィ工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置を製造する際に、第１導電型半導体基板の一方の主面に、素子活性部を取り巻く外周部の四隅に曲線部を有する矩形状の平面パターンで配置される耐圧構造部を、前記環状半導体突起部を凸部とする凹凸にエッチングで形成した後、凸部表面のレジスト膜厚Ｔ１＜凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２となるようにスピンナー塗布により形成されるレジスト膜に対して、凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２を前記凹凸段差の２倍以上の膜厚とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置に関する。さらに詳しくは、本発明は、ＩＧＢＴなどのＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のパワー半導体装置の耐圧構造部について説明する。図２は、従来の半導体装置のガードリングを有する耐圧構造部の断面図である。図２において、従来のパワー半導体装置３００の耐圧構造部２００は、通常、通電時の主電流にかかわる素子活性部１００を取り巻くチップの外周部に配置される。【０００３】
図２に示すような高耐圧のパワー半導体装置３００の耐圧構造部２００では、通常、ｎ型半導体基板３０の表層に、逆極性のｐ型半導体拡散領域（ｐ型領域３１と略す）を、環状の平面パターンをなすように複数配置してなるガードリング構造が採用されることが多い。このガードリング構造を構成するｐ型領域３１は、半導体基板３０の表面からの選択的ボロンのイオン注入と熱拡散によって形成される。このため、ｎ型半導体基板３０とｐ型領域３１との境界となるｐｎ接合部（以下「境界となるｐｎ接合部」という）は、基板表面を終端部とするＵ字形断面をなす。【０００４】
その結果、オフ電圧印加時に、境界となるｐｎ接合部から拡がる空乏層の等電位線分布を示す曲線部３２が、境界となるｐｎ接合部のＵ字形曲線部に沿って形成される。このような構成のガードリング構造により曲線部３２での電界集中は緩和されるが、必ずしも充分ではなく耐圧低下は避けられないことがある。【０００５】
また、半導体基板への不純物の選択的熱拡散では、不純物は、半導体基板表面の開口領域または導入されたイオン注入領域から半導体基板中へ、縦横方向に拡散し拡がって形成される。拡散領域は深さ方向だけでなく平面方向にも拡がるため、不純物の拡がり幅は、半導体基板への不純物の選択的熱拡散の開始当初の開口領域幅より広くなる。【０００６】
また、耐圧および耐圧信頼性を上げるため、半導体基板の耐圧構造部２００の表面には、通常、厚さ５０００オングストローム（Å）以上の厚い酸化膜（フィールド酸化膜３３）が形成される。さらに、フィールド酸化膜３３の上部に導電性ポリシリコン層もしくは導電膜を形成し、フィールドプレート３４として電界緩和機能を奏させる構成を採用することがある。【０００７】
前述の耐圧構造部２００を有するパワー半導体装置３００として、具体的にＩＧＢＴを考えた場合、このＩＧＢＴは、素子活性部１００のＭＯＳ構造内のゲート電極へ、所定のしきい値以上の電圧が印加された場合にオンとなる。ＩＧＢＴがオンした際の電流経路には、ゲート酸化膜を介してゲート電極に対向するシリコン半導体基板のｐ型ベース領域の表層に誘起される反転層（ｎチャネル）やｎ層の表層に誘起される蓄積層などの表面電子層、ｎ-ドリフト層、コレクタ接合、ｐコレクタ層などが存在する。これらのオン電流経路における電圧降下値の合計がオン電圧となる。【０００８】
このオン電圧を低減するには、上記の表面電子層における電子の流れる方向の距離（幅）の短縮すなわち短チャネル化、および、素子活性部の表面に均一に分散して複数配置されるＭＯＳ構造の一単位である単位セルのピッチの縮小による電流密度の向上、が有効である。セルピッチの縮小は、単位面積当たりのセル密度の増加になり、単位セルごとの表面電子層の電圧降下値が減少するため、オン電圧の低減に有効となる。【０００９】
ただし、ドリフト層中のキャリア（電子、正孔）濃度が増加すると、ターンオフ損失が増加する。すなわち、オン電圧とターンオフ損失の間には、トレードオフ関係が存在する。このため、ＩＧＢＴのような、耐圧構造部２００を有するパワー半導体装置３００は、オン電圧の低減だけを考えて設計すればよいということではない。【００１０】
ターンオフ時には、表面側の接合から空乏層が伸び、まず表面側のキャリアから掃き出される。すなわち、表面側キャリアは、コレクタ−エミッタ間バイアスが比較的低い時に掃き出される。このため、表面側のキャリアが掃き出されるまでに発生する、電圧と電流の積で表されるターンオフ損失は低くなる。このため、表面側のキャリア濃度を裏面側よりも上げる構造を考えることで、同じオン電圧に対してターンオフ損失を低くすることができる。【００１１】
最新型のＩＧＢＴにおいて、オン状態のキャリア濃度はフラットに近い分布を有しており、エミッタ側キャリア濃度をさらに上げることによりトレードオフ関係の更なる改善が可能である。つまり、現状のＩＧＢＴでは、ＩＥ効果（すなわち注入促進効果）がまだ不十分である。表面キャリア濃度をさらに上げるには、キャリアの吸い込み層であるｐ型ベース領域の面積を低減することが有効である。現在主流のトレンチゲート構造は、プレーナゲート構造に比べて、同じチャネル幅においてｐ型ベース領域の面積を減らすことができるので、ＩＥ効果が大きい。【００１２】
前述のような、オン電圧が低く、局部的な電界集中を抑制して高耐圧化することのできる半導体装置に関しては、耐圧構造部の表面に突起状の半導体領域からなるガードリングやリサーフ構造のガードリングなどを設けるなど、種々の方策が既に発表されている（たとえば、下記特許文献１、２を参照。）。【００１３】
低コストの製造プロセスを用い、高良品率でＩＥ効果が大きくオン電圧が低く電界集中を抑制して高耐圧化することのできるデバイスについての記述がある文献が公開されている（たとえば、下記特許文献３を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０１０−１４１３１０号公報（段落０００８）
【特許文献２】特開２００２−１６４５４１号公報（図７）
【特許文献３】特開２０１１−００３７２７号公報（段落０００５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、耐圧構造部２００においては、フィールド酸化膜３３の膜厚が耐圧性能に影響を及ぼすことがある。たとえば、フィールド酸化膜３３の膜厚が薄くなると、フィールドプレート３４の機能および効果が大きく働くように作用する。また、たとえば、フィールド酸化膜３３の膜厚が薄くなると、基板表面上へのフィールドプレート３４の張り出し距離の大小によって、電界強度が局部的に大きく変化し易くなるように作用する。このように、従来の技術では、プロセスバラツキ、特に、酸化膜のパターニング・エッチング工程のバラツキによってフィールド酸化膜３３の膜厚が薄いほうに振れた場合に、耐圧性能に大きな影響を受けるという問題があった。【００１６】
また、上述した従来の技術において厚いフィールド酸化膜３３を用いた場合、フィールド酸化膜３３の膜厚が薄くなる場合よりは影響が少ないが、プロセスバラツキがあるため、耐圧性能の低下は避けられないという問題があった。プロセスバラツキによる耐圧性能の低下を最小限に抑えるために、従来、予め所定の範囲の避けられないプロセスバラツキを見込んでおき、その分の冗長設計を採用することがあったが、その場合、耐圧構造部２００の幅が広くなってチップサイズが大きくなり、コストアップに繋がるという問題があった。さらに、上述した従来の技術において厚いフィールド酸化膜３３を用いる場合、必要な酸化膜成長時間も増加するので、この点からもプロセスコストが上昇するという問題があった。【００１７】
素子活性部１００においては、チャネル密度を高めることができるとともにオン電圧の低減に有効なトレンチゲート構造は、製造プロセスが長く複雑であり、製品コストが上がるという問題があった。また、素子活性部１００においては、さらなる特性向上のためにより一層の微細化を進めようとすると、製造コストは上昇する一方であるという問題があった。【００１８】
また、トレンチゲート構造は、トレンチ底部に電界が集中し易くアバランシェ降伏を起こし易いため、耐圧が低下しやすいという問題があった。トレンチゲート構造は、トレンチ角部において十分なゲート酸化膜耐圧を確保するために、酸化膜厚を厚くする必要がある。しかしながら、酸化膜が厚いと酸化膜容量が小さくなり、酸化膜容量が小さいと酸化膜に電圧が印加された場合に誘起される電荷量が小さいという関係になる。【００１９】
酸化膜のシリコン側に誘起される電荷が蓄積層の電子となるので、蓄積層の電子濃度が低下してその電圧降下が上昇しオン電圧が増大する。トレンチゲート構造においてＩＥ効果を向上させるもう一つの方法として、トレンチ深さをより深くする方法があるが、トレンチ深さをより深くする場合、トレンチ側壁の面積が増えてしまい、ゲート−コレクタ間容量が増加してスイッチング動作が遅くなるという問題があった。【００２０】
本発明は、以上述べた点に鑑みてなされたものであり、フィールド酸化膜のパターニングプロセスのバラツキがあっても耐圧低下が少なく、狭い幅で高耐圧が得られる耐圧構造部を安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することである。また、低コストの製造プロセスを用いて、ＩＥ効果が大きくオン電圧の低い半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記本発明の目的は、ｎ型半導体基板の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部と、該素子活性部を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部とを有する半導体装置において、前記耐圧構造部が、ガードリングとして、四隅に曲線部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部を備え、該環状半導体突起部が、内部にｐ型領域を有しかつ該ｐ型領域より深い複数の凹部により挟まれるとともに、前記環状半導体突起部と前記凹部との段差が２μｍ未満であって、表面に絶縁膜を介して導電膜を有している半導体装置とすることにより達成される。【００２２】
本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記絶縁膜の厚さが０．５μｍ以下であることが好ましい。【００２３】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記環状半導体突起部表面の絶縁膜が酸化膜であり、前記導電膜が導電性ポリシリコン層であることも好ましい。【００２４】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記環状半導体突起部表面の酸化膜は、前記素子活性部に形成されるゲート酸化膜と同時に形成されていることがより好ましい。【００２５】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記環状半導体突起部の前記四隅の曲線部に、前記素子活性部上の主電極と一体の金属電極が前記導電性ポリシリコン層を覆う層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記導電性ポリシリコン層と導電接触し、さらに該開口部直下の前記導電性ポリシリコン層および下層の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記ｎ型半導体基板と導電接触している構造を備えることが望ましい。【００２６】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記金属電極がアルミニウムを主材料とする合金電極であることが好ましい。【００２７】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記環状半導体突起部を挟む複数の凹部底部に、ドーズ量が１×１０11〜１×１０13ｃｍ-2の低不純物濃度ｐ-型領域を有していることが好適である。【００２８】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記環状半導体突起部の複数が等間隔配置であって、前記複数の環状半導体突起部上に配置される前記導電膜が前記間隔とは異なる間隔の配置を有するとともに、前記耐圧構造部の最も内側の位置を基準として、前記導電膜の配置が、チップの端部から中心に向かう方向に所定の幅で前記環状半導体突起部の間隔より間隔ピッチが狭められていることがより望ましい。【００２９】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、内部にｐ型領域を備える前記環状半導体突起部が、さらにｎ型領域を有していることもよい。【００３０】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記素子活性部が均等に分散配置される複数の凹凸のうち、凸部が下層のｐ型ベース領域と上層の高不純物濃度のｎ型エミッタ領域を有し、凸部側壁に露出する前記ｐ型ベース領域側面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有するＭＯＳ構造を備え、素子活性部が凹部の底部にｎ型領域を備える半導体装置において、前記凸部のＭＯＳ構造の全頂部平坦部面積が前記素子活性部の凹部の底部面積より小さいことが好ましい。【００３１】
また、本発明の半導体装置は、上記の発明において、前記凸部のＭＯＳ構造領域の段差が２μｍ未満であることも好ましい。さらに、前記凸部のＭＯＳ構造領域の表面と側壁のなす角度が１５０度以下であることが望ましい。【００３２】
また、本発明は、ｎ型半導体基板の一方の主面に、素子活性部を取り巻く外周部に、四隅に曲線部を有する矩形状の平面パターンで配置される耐圧構造部を、前記環状半導体突起部を凸部とする凹凸に形成するエッチング工程の後、凸部表面のレジスト膜厚Ｔ１＜凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２となるようにスピンナー塗布によりレジスト膜を形成し、凸部表面のレジスト膜の開口部幅Ｗ１より凹部底部の開口部幅Ｗ２が広くて前記曲線部の凹部のレジスト開口部幅Ｗ２＞直線部のレジスト開口部幅Ｗ１となるレジスト膜パターンを形成するフォトリソグラフィ工程を行う半導体装置の製造方法とすることが好ましい。【００３３】
また、本発明は、ｎ型半導体基板の一方の主面に、素子活性部を取り巻く外周部に、四隅に曲線部を有する矩形状の平面パターンで配置される耐圧構造部を、前記環状半導体突起部を凸部とする凹凸に形成するエッチング工程の後、凸部表面のレジスト膜厚Ｔ１＜凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２となるようにレジスト膜をスピンナー塗布する際に、凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２を前記凹凸段差の２倍以上の膜厚とする半導体装置の製造方法とすることも好適である。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、フィールド酸化膜のパターニングプロセスにバラツキがあっても耐圧低下が少なく、耐圧構造部の幅を狭くでき、高耐圧な耐圧構造部を安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することができる。【００３５】
また、本発明によれば、低コストの製造プロセスを用いて、ＩＥ効果が大きくオン電圧の低い半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるＩＧＢＴのガードリングを有する耐圧構造部の断面図であり、図１１のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】図２は、従来の半導体装置のガードリングを有する耐圧構造部の断面図である。
【図３】図３は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるガードリング部の拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかり、酸化膜厚を図３と比較するためのガードリング部の拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部におけるフィールドプレートの位置を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部におけるフィールドプレートにマスクずれがある場合を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの主要な製造工程における耐圧構造部の断面図である（その１）。
【図８】図８は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの主要な製造工程における耐圧構造部の断面図である（その２）。
【図９】図９は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの主要な製造工程における耐圧構造部の断面図である（その３）。
【図１０】図１０は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの主要な製造工程における耐圧構造部の断面図である（その４）。
【図１１】図１１は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるＩＧＢＴのガードリングを有する耐圧構造部を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ａ）は製造工程の（その１）、（ｂ）は製造工程の（その２）である。
【図１３】図１３は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ｃ）は製造工程の（その３）、（ｄ）は製造工程の（その４）、（ｅ）は製造工程の（その５）である。
【図１４】図１４は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ｆ）は製造工程の（その６）、（ｇ）は製造工程の（その７）、（ｈ）は製造工程の（その８）である。
【図１５】図１５は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ｉ）は製造工程の（その９）、（ｊ）は製造工程の（その１０）である。
【図１６】図１６は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部の凸部Ｔ１と凹部Ｔ２における直線部と曲線部のレジスト厚さとレジスト抜き幅との関係図である。
【図１７】図１７は、レジストの厚さとレジスト抜き幅（開口部幅）との関係図である。
【図１８】図１８は、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態３にかかり、主要な製造工程における耐圧構造部の断面図であり、（ａ）は製造工程の（その１）、（ｂ）は製造工程の（その２）、（ｃ）は製造工程の（その３）である。
【図１９】図１９は、本発明の半導体装置およびその製造方法の実施の形態３にかかり、主要な製造工程における耐圧構造部の断面図であり、（ｄ）は製造工程の（その４）、（ｅ）は製造工程の（その５）、（ｆ）は製造工程の（その６）である。
【図２０】図２０は、本発明の半導体装置にかかり、凹凸による段差のある耐圧構造部に塗布するレジスト膜厚を段差より厚くした場合の断面図である。
【図２１】図２１は、レジストをスプレー塗布した場合の耐圧構造部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明にかかる半導体装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施の形態の記載に限定されるものではない。
【００３８】
（実施の形態１）
以下に、本発明の半導体装置の実施の形態１について説明する。図１１は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるＩＧＢＴの平面図である。図１は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるＩＧＢＴのガードリングを有する耐圧構造部の断面図であり、図１１のＡ−Ａ線断面図である。
【００３９】
図１１および図１において、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるＩＧＢＴ３０１は、通電時（オン時）に電流が流れる素子活性部１００と、この素子活性部１００の外周を取り巻くように配置され、電流遮断時（オフ時）に電圧を保持する耐圧構造部２００と、を備える。素子活性部１００の内側の詳細パターンは、エミッタ電極部とゲート電極パッド部を備える。素子活性部１００の内側の詳細パターンについては、実施の形態１では直接には関係しないため図示を省略する。
【００４０】
素子活性部１００を取り巻く外周に位置する耐圧構造部２００の平面形状は、ＩＧＢＴ３０１の矩形状に合わせておおよそ矩形状にされる。耐圧構造部２００において、コーナーの四隅は、耐圧構造部２００における電界集中による耐圧低下をさけるため、曲線部５０に示すような曲線形状とされている。
【００４１】
耐圧構造部２００は、素子活性部１００の外周を取り巻くような平面パターンで形成される、環状のｐ型半導体層を有する。このｐ型半導体層は、前工程で形成されたｐ型半導体層および図示しないｎ型半導体層の表面から、ｎ型半導体基板１（ｎ-ドリフト層）が露出する深さとなるように（またはｐ型半導体層より深くなるように）、凹部状断面に選択エッチングした後に残される環状半導体突起部５（図１１では破線で示す）を有する。
【００４２】
環状半導体突起部５と当該環状半導体突起部５の間に形成される凹部との段差は、２μｍ未満にされる。従って、図１に示すように、この耐圧構造部２００の断面は、エッチングで形成された凹部と環状半導体突起部５とが交互に並ぶ形状を有している。前記段差が２μｍ以上になると、フォトリソグラフィにおけるパターン精度が悪くなるので、好ましくない。この環状半導体突起部５がガードリングとなる。また、図１１に示すように、耐圧構造部２００は、直線状の平面パターンからなる４つの直線部５１と、各直線部５１が交差する部分に形成される曲線部５０と、をそれぞれ有している。
【００４３】
以下に、本発明にかかるＦＳ型ＩＧＢＴ３０１の製造工程を説明する。図７、図８、図９および図１０は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの主要な製造工程における耐圧構造部の断面図である。図７〜図１０においては、本発明にかかる、１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴ（定格１２００Ｖ耐圧のＦＳ型ＩＧＢＴ）３０１の耐圧構造部２００の部分断面を示している。
【００４４】
図１０においては、特に、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの主要な製造工程のうち、アルミニウム電極をスパッタにより形成後のチップコーナーにおける耐圧構造部の断面を示している。本発明にかかる実施の形態１の半導体装置であるＦＳ型ＩＧＢＴ３０１は、主面が（１００）面で、６０Ωｃｍのｎ型ＦＺシリコン半導体基板１（図７ではｎ-と表示。以下「半導体基板１」とする）を材料とする。
【００４５】
まず、図７に示すように、半導体基板１の一面側に、厚さ３５０オングストローム（Å）の熱酸化膜２を成長させ、熱酸化膜２を成長させた半導体基板１の一面側に、ドーズ量４．０×１０15ｃｍ-2の砒素イオンを８０ｋｅＶの加速エネルギーで全面に注入し、ｎ型エミッタ層３（図７ではｎ++と表示）を形成する。このｎ型エミッタ層３は、耐圧構造部２００には必要ないが、素子活性部１００内のＭＯＳ構造形成のために必要であり、全面に形成される。このため、ｎ型エミッタ層３は、耐圧構造部２００にも形成される。ｎ型エミッタ層３を形成した後、熱酸化膜２を全面除去し、酸素雰囲気中でアニールすることにより、結晶欠陥を回復させると同時にスクリーン酸化膜を形成する。
【００４６】
つぎに、熱酸化膜２を全面除去した後に酸素雰囲気中でアニールした半導体基板１の一面側に、ドーズ量１．０×１０14ｃｍ-2のボロンイオンを、１５０ｋｅＶの加速エネルギーで注入して、深さ１．０μｍ程度のｐ型ベース領域を形成する。この深さ１．０μｍ程度のｐ型ベース領域は、耐圧構造部２００内ではｐ型半導体層４ａとなる。
【００４７】
深さ１．０μｍ程度のｐ型ベース領域を形成した後、図８に示すように、熱酸化膜２の全面除去をおこなう。熱酸化膜２の全面除去をおこなった後、耐圧構造部２００に対して、パターニングにより、５μｍ幅のストライプ状レジスト膜（図示せず）を、１０μｍピッチ（両方向矢印）で等間隔に複数個形成する。そして、ストライプ状レジスト膜をマスクにして、プラズマエッチャーを用いたエッチングにより、半導体基板１を、表面から等方的に深さ１．５μｍ掘り下げる。
【００４８】
エッチング後に残ったｐ型領域４ｂは、エッチング深さ１．５μｍより浅い。このため、ストライプ状レジスト膜の除去後に半導体基板１を上面から見ると、幅２μｍのストライプ状平面パターンの環状半導体突起部５が、半導体基板１が露出する深さ２μｍ未満の凹部を挟んで等間隔にいくつも存在する構造ができる（図８（ａ））。このストライプ状平面パターンの環状半導体突起部５がｐ型ガードリングとなる。
【００４９】
前述のように、これらの複数のガードリング間の凹部底には、ｎ型半導体基板１が露出する。このため、突起状ガードリング中のｐ型領域４ｂは、半導体基板１の凹部表面より上部に位置することになる。従って、図１のＩＧＢＴ３０１の耐圧構造部２００の断面図に示すように、導電性フィールドプレート８で位置的に適切にｐ型領域４ｂを覆うように組み合わせるならば、ｐｎ接合の逆電圧印加時において、電界集中が生じ易い等電位線の曲がりを少なくすることができる。
【００５０】
図３は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかるガードリング部の拡大断面図である。図３に示すように、半導体基板１と酸化膜（フィールド酸化膜）６ａの誘電率の違いにより、酸化膜６ａ中では等電位線の間隔が詰まりやすく、特に突起状ガードリングの側面下部で電界強度が上昇しやすい。酸化膜６ａ中の電界集中は、半導体基板１の表面にも波及するので、半導体基板１の表面でのアバランシェ降伏により耐圧が低下する可能性がある。
【００５１】
酸化膜６ａ上部を覆うフィールドプレート８は、酸化膜６ａの厚さが薄いと、等電位線の詰まりを緩和する方向に作用するが、図４に示すように酸化膜（フィールド酸化膜）６ｂの厚さが厚いとその電界緩和の効果が発生しにくく、電界集中部Ａが生じて耐圧が低下する。このため、酸化膜６ｂの厚さを０．５μｍ以下にして、フィールドプレート８による電界緩和効果を発生しやすくすることが望ましい。
【００５２】
また、本発明では、適切なパターンおよびエッチング条件を選択することで、突起状ｐ型ガードリングの横方向拡がりを簡単に小さくすることができるので、一つのガードリングあたりの幅は小さくなる。たとえば、異方性エッチャーを使用してエッチングで形成される凹部側壁を垂直にすると、環状半導体突起部５（ガードリング）の横方向拡がりを完全に無くすことができる（図示を省略する）。
【００５３】
図５は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部におけるフィールドプレートの位置を示す断面図である。図５に示すように、突起状ｐ型ガードリングに挟まれた半導体基板１の凹部表面層に低不純物濃度のｐ-型領域（低不純物濃度ｐ-型領域）１０を追加形成することにより、電界集中が防止される。これは、低不純物濃度ｐ-型領域１０が容易に空乏化するために、いわゆるリサーフ（ＲＥＳＵＲＦ効果）により平均電界強度が低くなるからである。１０００Å（オングストローム）程度の薄い酸化膜６ａをフィールド酸化膜として用いた場合でも、導電性ポリシリコンフィールドプレート８の張り出し量バラツキに対して電界集中が生じ難く、耐圧低下を防ぐことが可能である。
【００５４】
厚膜フィールド酸化膜６ｂを形成する工程を省略し、素子活性部内のゲート酸化膜６工程により同時に形成される０．１μｍ程度の薄い酸化膜６ａをフィールド酸化膜として用いることができるので、工程コストを低減することができる。
【００５５】
半導体基板１を表面から等方的に深さ１．５μｍ掘り下げた後、熱酸化により、半導体基板１の一面側に、８００オングストローム（Å）厚のゲート酸化膜６を成長させ、その上に５０００Å（オングストローム）の導電性ポリシリコン層７を成長させる（図８（ｂ））。その後、パターニングおよびプラズマエッチャーによるエッチングにより、フィールドプレート８として不要な部分の導電性ポリシリコン層７を除去し、分割する（図８（ｃ））。
【００５６】
分割された導電性ポリシリコン層７は、フィールドプレート８として機能する。分割された導電性ポリシリコン層７（すなわちフィールドプレート８）の端部（Ｘ１、Ｘ２）の、環状半導体突起部５に対する相対位置は、チップの外側方向に向かうに従ってチップの内側方向に少しずつシフトさせるパターンとすることが好ましい（図８（ｃ））。
【００５７】
ここで、フィールドプレート８の環状半導体突起部５に対する相対位置について以下説明する。図５に示すように、環状半導体突起部５を等間隔に形成し、ポリシリコンフィールドプレート８のｐ型領域４ｂに対する張り出し量を一定量ずつずらしていく。たとえば、素子活性部１００から遠ざかるに従って、ポリシリコンフィールドプレート８の端部位置を素子活性部１００側に移動させる構造にする。
【００５８】
図６は、本発明の半導体装置の実施の形態１にかかる１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部におけるフィールドプレートにマスクずれがある場合を示す断面図である。図６に示すように、ポリシリコンフィールドプレート８の抜き幅は変えずに、抜き位置だけを素子活性部１００側にシフトすることも好ましい。このような構造にする理由は、パターニング工程においてマスクずれが発生しても、耐圧低下を防ぐことができるからである。たとえば、マスクずれが発生した場合、マスクずれが無い場合と同一のユニット構造が別の場所に出現するために、当初の設計どおりの耐圧が得られる。
【００５９】
フィールドプレート８の環状半導体突起部５に対する相対位置を上記のようにすることにより、電界強度の高くなりがちな耐圧構造部２００の内周側において、フィールドプレート８の外側方向への張り出し量を多くすることができるので、電界集中が抑制できる。また、フィールドプレート８の環状半導体突起部５に対する相対位置を上記のようにすることにより、電界強度の低くなりがちな耐圧構造部２００の外周側においては、フィールドプレート８の内側方向への張り出し量を増やすことができるので、電界強度を増加させ電圧分担効率が向上する。結果として、耐圧構造部２００の幅を小さくすることができる。
【００６０】
また、フィールドプレート８の分割位置のシフト量を一定値（たとえば０．１μｍ）にすることにより、マスクずれによってポリシリコンフィールドプレート８と環状半導体突起部５の相対位置がずれた場合でも、凹部を介して隣接する両側の環状半導体突起部５において設計上の狙いの構造が出現する。これによって、設計通りの耐圧性能を得ることができる（図８（ｃ））。
【００６１】
つぎに、これらの分割された導電性ポリシリコン層７（すなわちフィールドプレート８）をマスクとして、半導体基板１の一面側に、１．０×１０12ｃｍ-2の低ドーズ量でボロンをイオン注入する。この場合のドーズ量は、１．０×１０11ｃｍ-2〜１．０×１０13ｃｍ-2の範囲から選択することができる（図９（ｄ））。このボロンのイオン注入により形成された低不純物濃度ｐ-型領域１０は、リサーフ効果により素子にオフ電圧が印加された際に空乏化し、電界強度を緩和する機能を有する。
【００６２】
つぎに、ボロンをイオン注入した半導体基板１の一面側に、層間絶縁膜１１として、ＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）およびＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ  Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）を、合わせて１．０μｍの厚さ堆積させる（図９（ｅ））。その後、半導体基板１の一面側に、堆積させたＨＴＯおよびＢＰＳＧをパターニングし、パターニング後に、ドライエッチャーにより層間絶縁膜１１を選択的にエッチングして、フィールドプレート８とシリコン半導体基板１に同時にコンタクトできるホール形状を有するコンタクトホール１２を、耐圧構造部２００の曲線部５０（図１１に示す）に形成する（図１０（ｆ））。
【００６３】
このコンタクトホール１２を形成するには、環状半導体突起部５の幅を拡げ、耐圧構造部の幅を広くする必要がある。チップ四隅のコーナーの曲線部５０のみにコンタクトホール１２を形成することで、耐圧構造部２００の曲線部５０以外の直線部５１における耐圧構造部の幅を小さくする（もとのままの幅にする）ことができる。曲線部５０では、チップ寸法を大きくせずに、耐圧構造部２００の幅を広くすることができるからである。
【００６４】
図１０（ｆ）は、アルミニウム膜をスパッタにより被覆した後のチップコーナーの曲線部５０の断面図を示す。この曲線部５０には、さらに、層間絶縁膜１１をマスクとして、ドーズ量３．０×１０15ｃｍ-2のボロンイオンを８０ｋｅＶの加速エネルギーで注入しておくことが好ましい。理由は、チップコーナーの曲線部５０のコンタクトホール１２のコンタクト部に高不純物濃度ｐ+型領域１３が形成されることにより、素子活性部１００のセルのラッチアップ耐量が向上するからである。
【００６５】
スパッタによりＡｌ−Ｓｉ電極膜を成長させ、パターニング・エッチングにより金属電極１４を形成する。耐圧構造部２００の一部にシリコン半導体基板１に接触する金属電極１４を形成すると、素子の使用時において電極付近に蓄積した可動電荷を中和する働きがあり、電荷の蓄積を抑制する効果がある。従って可動電荷による耐圧の低下を抑えることができる。さらに、表面保護膜としてポリイミドをスピンコートし、パターニング・エッチングにより電極パッド部分のみ開口して、エミッタおよびゲート電極パッド構造を形成する。
【００６６】
つぎに、裏面の半導体基板１をグラインド（研磨）により除去し、ウエハ厚を１２０μｍとする。厚さを１２０μｍとしたウエハの裏面に、リンイオンおよびボロンイオンを注入し、ｎ型バッファ層およびｐ型コレクタ層をそれぞれ形成する。最後に、ｎ型バッファ層およびｐ型コレクタ層をそれぞれ形成したウエハの裏面にアルミニウム膜−チタン膜−ニッケル膜−金膜の４層膜構造をスパッタにより形成し、コレクタ電極とすることで、ウエハプロセスが完了する。ウエハを、チップのサイズにカットすることにより、１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴ３０１のチップが完成する。
【００６７】
ゲートをエミッタに対して同電位にした状態で、コレクタをエミッタに対して高電位にすると、素子活性部１００のｐ型ベース領域と半導体基板１との間の接合から空乏層が伸び、印加された電圧を保持する。同時に、耐圧構造部２００においては、内周側から外周側に向かって空乏層が伸び、印加電圧を保持する。低不純物濃度ｐ-型領域１０の電界緩和効果により電界集中を防ぐことができ、高耐圧を確保することができる。
【００６８】
以上説明したように、突起状ｐ型ガードリング構造および低不純物濃度ｐ-型領域により、工程コストが低くかつ短い幅の耐圧構造において、電界集中を防ぎ、工程バラツキによる耐圧低下を抑えることができる。
【００６９】
（実施の形態２）
以下に、本発明の半導体装置にかかる実施の形態２について説明する。前述の実施の形態１では半導体装置の耐圧構造部について説明したが、実施の形態２では、実施の形態１に記載の耐圧構造部を有する。実施の形態２は、特に、本発明の素子活性部にかかわる。実施の形態２においては、以下、特に記載しない限り、素子活性部内のＭＯＳ構造に関して説明する。実施の形態２においては、実施の形態１と同様の、定格１２００Ｖ耐圧のＦＳ−ＩＧＢＴを例にして説明する。実施の形態２の半導体装置であるＦＳ−ＩＧＢＴは、主面が（１００）面で、６０Ωｃｍのｎ型ＦＺシリコン半導体基板を材料とする。
【００７０】
図１２は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ａ）は製造工程の（その１）、（ｂ）は製造工程の（その２）である。図１３は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ｃ）は製造工程の（その３）、（ｄ）は製造工程の（その４）、（ｅ）は製造工程の（その５）である。
【００７１】
図１４は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ｆ）は製造工程の（その６）、（ｇ）は製造工程の（その７）、（ｈ）は製造工程の（その８）である。図１５は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、主要な製造工程における素子活性部近傍の断面図であり、（ｉ）は製造工程の（その９）、（ｊ）は製造工程の（その１０）である。
【００７２】
まず、図１２（ａ）の断面図に示すように、半導体基板１の表面に３５０Å（オングストローム）厚の熱酸化膜２を成長させ、熱酸化膜２を成長させた半導体基板１の一面側に、ドーズ量１．０×１０13ｃｍ-2のリンイオンを１００ｋｅＶの加速エネルギーで注入し、熱拡散することにより、表面不純物濃度が中不純物濃度のｎ層１ａを形成する。つぎに、ドーズ量４．０×１０15ｃｍ-2の砒素イオンを１２０ｋｅＶの加速エネルギーで注入し、高不純物濃度のｎ型エミッタ領域３となるｎ++層を形成する（図１２（ｂ））。
【００７３】
ｎ++層を形成した半導体基板１に、フォトリソグラフィによりパターニングし、表面酸化膜２の一部をドライエッチングにより除去し、レジスト剥離後に酸化膜２をマスクとして半導体基板１の表面をエッチングして０．３μｍの深さの凹部を形成する（図１３（ｃ））。
【００７４】
エミッタ領域３の接合深さは０．２μｍ程度であるので、０．３μｍの深さの凹部は、エミッタ領域３を貫通する深さとなる。この凹部は、後工程においてコンタクト用のｐ+型領域１３（図１５（ｉ））を形成する際に利用する。半導体基板１を上面から観察した際に、表面パターンがストライプ状であるセル構造部を基本セル（単位ＭＯＳ構造）とする場合、前記凹部は、ストライプもしくはストライプ長辺方向に断続的に形成された複数の長方形構造とすることが好ましい。半導体基板１を上面から観察した際に、基本セルが丸型セル構造部である場合は、前記凹部も丸型パターンが良い。
【００７５】
つぎに、表面をエッチングして０．３μｍの深さの凹部を形成した半導体基板１の表面に、ドーズ量９．０×１０13ｃｍ-2のボロンイオンを、１５０ｋｅＶの加速エネルギーで注入し、深さ１μｍ程度のｐ型半導体層（第２導電型半導体層）４ａを形成する（図１３（ｄ））。そして、前記凹部を表面の中央に含む突起状（凸部）のセル構造部を形成するために、レジストマスク１５を用いてセル構造部分をマスクするパターニングをした後に、露出する半導体基板１の表面部分を、等方性プラズマエッチャーにより１．５μｍの深さでエッチングして掘り下げる（図１３（ｅ））。
【００７６】
ｐ型半導体層４ａの深さ１μｍに対してエッチング深さは１．５μｍであるので、図１３（ｅ）に示すように、マスクのない露出部（凹部）のｐ型半導体層４ａは完全に除去され、ｎ層１ａが凹部の底部にあらわれる。エッチングされずに残った突起状のｐ型半導体層部分を、ｐ型ベース領域４ｃとする。また、突起状（凸部）のｐ型ベース領域４ｃを含む部分を、以降、突起状セル構造部と称する。
【００７７】
このエッチング深さが２μｍを超えると、その後のパターニング工程においてレジスト塗布ムラが発生し、パターニング寸法精度が悪化するといった問題があるので、好ましくない。従って、半導体基板１の表面部分のエッチング深さは２μｍ未満にすることが望ましい。
【００７８】
また、エッチング後の突起状セル構造部の頂部平坦部の表面積はｐ型ベース領域４ｃの面積を反映し、凹部の底部面積はｐ型ベース領域以外のｎ層１ａの面積を反映しているので、突起状セル構造部の頂部平坦部の表面積が小さい方が、ｎ層１ａの面積に対するｐ型ベース領域４ｃ面積比率が小さくなりＩＥ効果が向上する。従って、凸部の頂部平坦部の表面積は凹部の底部面積よりも小さい設計が好ましい。さらに、凸部の頂部平坦部の表面積と凹部の底部面積の面積比率を保ったまま、凸部表面と凹部の底部を同時に小さくすることで、セルピッチを縮小することができる。
【００７９】
なお、頂部平坦部の表面積を小さくする代わりに、複数の突起状セル構造部内のｐ型ベース領域４ｃのうち幾つかを電気的にフローティングにすること（フローティングｐ層とする）によっても、ＩＥ効果を向上させることができる。これは、定常オン状態において、前記フローティングｐ層の電位が上昇し、フローティングｐ層−ｎドリフト層間の接合の順バイアスが上昇しキャリア濃度が増加するためである。
【００８０】
以上のような構造にすると、高いＩＥ効果を保ったまま、表面電子層の幅を短くすることができるので、表面電子層における電圧降下を低減することができ、オン電圧を低減することが可能となる。エッチングにより形成された突起状セル構造部の側壁が表面（頂部平坦部）となす角度は、ｐ型ベース領域４ｃの形成のためのボロンドーズ量、それに続くアニールの程度、およびエッチング条件によって制御することができる。
【００８１】
頂部平坦部と側壁の成す角度が大きくなり過ぎると、頂部平坦部の表面積が小さい場合でもｐ型ベース領域４ｃの面積が大きくなってしまい、ＩＥ効果が低下する。従って、頂部平坦部と側壁の成す角度は、１５０度以下が好ましく、さらには９０度に近いほど良い。
【００８２】
つぎに、図１４（ｆ）に示すように、９００℃において８００Å（オングストローム）の厚さのゲート酸化膜６を熱成長させる。同時にボロン層（ｐ型ベース領域４ｃ）がアニールされる。さらに０．５μｍの厚さのポリシリコン層７を堆積させる。パターニングおよび等方性プラズマエッチャーによるエッチングにより、ポリシリコンゲート電極７ａを形成する（図１４（ｇ））。ポリシリコンゲート電極７ａを形成した半導体基板１に対して、層間絶縁膜１１として、ＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜およびＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ  Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜を順次堆積し、その後、パターニングおよびエッチングによりコンタクトホール１２を形成する（図１４（ｈ））。
【００８３】
つぎに、酸素雰囲気中における熱処理により１５０Å（オングストローム）のスクリーン酸化膜（図示せず）を形成し、コンタクトホール１２にセルフアラインでドーズ量１．０×１０15ｃｍ-2のボロンイオンを８０ｋｅＶの加速エネルギーで注入する。その後、窒素雰囲気で１０００℃において３０分間のアニールをおこない、コンタクト用のｐ+型領域１３を形成する。（図１５（ｉ））。コンタクト用のｐ+型領域１３を形成した後にスクリーン酸化膜の除去をおこない、スクリーン酸化膜の除去後、スパッタによりＡｌ−Ｓｉ表面電極膜１４ａを被覆し、パターニング・エッチングによりエミッタ電極とゲート電極パターンを形成する（図１５（ｊ））。
【００８４】
エミッタ電極とゲート電極パターンを形成した後、表面保護膜としてポリイミドをスピンコートし、パターニング・エッチングによりエミッタおよびゲート電極のボンディングパッド部分を露出させるパターンを形成する（この工程以降は図示せず）。裏面の半導体基板１をグラインドにより除去し、ウエハ厚を１２０μｍに減厚する。
【００８５】
厚さを１２０μｍとしたウエハの裏面にプロトンおよびボロンイオンを注入し、プロトンおよびボロンイオンを注入した後、４００℃の熱処理によりｎ型バッファ層およびｐ型コレクタ層をそれぞれ形成する（図示せず）。最後に、ｎ型バッファ層およびｐ型コレクタ層をそれぞれ形成したウエハの裏面に、アルミニウム膜−チタン膜−ニッケル膜−金膜の４層膜構造からなるコレクタ電極膜をスパッタにより形成し、ウエハプロセスが完了する。ウエハを、チップのサイズにカットすることで、１２００Ｖ−ＦＳ−ＩＧＢＴのチップが完成する。
【００８６】
ゲートをエミッタに対して同電位にした状態で、コレクタをエミッタに対して高電位にすると、素子活性部１００のｐ型ベース領域４ｃとｎ型ＦＺシリコン半導体基板（ｎ-ドリフト層）１の間の接合から空乏層が伸び、印加された電圧を阻止しオフ状態となる。ゲートをエミッタに対してしきい値電圧以上の高電位にした状態で、コレクタをエミッタに対して高電位にすると、ゲート酸化膜を介してゲート電極に対向するシリコン基板に生じるｎ型反転層（チャネル）を通じて電子がバルク（ｎ-ドリフト層１）に流れ込み、裏面側コレクタｐｎ接合を抜けて裏面コレクタ電極に到達する。裏面ｐｎ接合からはホールが注入され、表面ｐ型ベース領域に達してエミッタ電極に引き抜かれる。この結果、バルクは伝導度変調を起こし、低抵抗化し大電流を流すことができる（オン状態）。
【００８７】
以上説明した本発明にかかるＩＧＢＴによれば、単位ＭＯＳ構造であるセル構造部のピッチが従来のＩＧＢＴよりも小さくなる。このため、電子蓄積層の長さ（電流の流れる方向の距離）が短く電子電流密度も小さくなる。その結果、電子層中の電圧降下を低減することができる。
【００８８】
また、ｐｎｐ−ＢＪＴ（Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）領域の比率が小さいために、ＩＥ効果が非常に大きく、キャリア濃度の高い領域が活性領域の大部分を占める。このため、ｎ-ドリフト層１の電気抵抗が減少してオン電圧が低減される。特に、高耐圧ＩＧＢＴにおけるオン電圧分担の大部分を占めるｎ-ドリフト層中の電圧降下を（ある一定のターンオフ損失に対して）最小化できる。
【００８９】
つぎに、以上説明した本発明の実施の形態２にかかるＩＧＢＴのゲート電位をエミッタ電位にくらべて同じか負にして、コレクタ−エミッタ間に順バイアスを印加するブロッキングモード時の動作について考察する。ｐベース領域４ｃとｎ-ドリフト層１からなるｐｎ接合より空乏層が拡がると同時に、ゲート酸化膜６からも空乏層が拡がる。これは、ゲート電極７ａがエミッタ電位程度であるのに対して、ｎ-ドリフト層１が正にバイアスされるからである。ｎ層１ａとゲート酸化膜６が接する領域は平面であるため、面積は小さい。このため、ゲート−コレクタ間容量が低減され、スイッチング動作が速やかに行われる。
【００９０】
さらに、本発明にかかるＩＧＢＴでは、空乏層は、プレーナゲート構造やトレンチゲート構造の場合に比べて、より平面的に伸びるので電界強度の局部的なピークを抑えることができ、局部的なアバランシェ降伏は起こりにくい。従って十分な耐圧を確保することができる。この結果として従来型のプレーナまたはトレンチＩＧＢＴに比較して耐圧が向上する。逆に同じ耐圧を得るためのウエハ厚を薄くでき、オン電圧の更なる低減が可能である。
【００９１】
以上説明した実施の形態にかかるＩＧＢＴによれば、ＩＥ効果が大きくオン電圧を低くすることができる。また電圧保持時には局部的な電界集中を防ぎ高耐圧を得ることが可能である。寄生容量を低く抑え、速いスイッチング動作が実現される。
【００９２】
（実施の形態３）
以下に、本発明の半導体装置にかかる実施の形態３について説明する。図１８は、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態３にかかり、主要な製造工程における耐圧構造部の断面図であり、（ａ）は製造工程の（その１）、（ｂ）は製造工程の（その２）、（ｃ）は製造工程の（その３）である。
【００９３】
本発明の半導体装置の製造方法にかかる実施の形態３においては、前述の実施の形態２でも説明した定格１２００Ｖ耐圧のＦＳ−ＩＧＢＴを採りあげて説明する。実施の形態３は、前記ＩＧＢＴの耐圧構造部を形成する際のフォトリソグラフィ工程の改良にかかわる。実施の形態３の半導体装置であるＦＳ−ＩＧＢＴは、実施の形態１、２と同様に、主面が（１００）面の６０Ωｃｍのｎ型ＦＺシリコン半導体基板を材料とする。
【００９４】
まず、半導体基板１の表面に３５０Å（オングストローム）の熱酸化膜（図示を省略する）を成長させ、熱酸化膜を成長させた半導体基板１の表面に、ドーズ量４．０×１０15ｃｍ-2の砒素イオンを１２０ｋｅＶの加速エネルギーで注入し、高不純物濃度のｎ型エミッタ領域３を形成する。このｎ型エミッタ領域３は耐圧構造部には必要ないが、素子活性部のＭＯＳ構造を形成するために必要である。
【００９５】
つぎに、前記熱酸化膜を全面除去し、酸素雰囲気中１０００℃でアニールすることで結晶欠陥を回復させると同時にスクリーン酸化膜１８を形成する。スクリーン酸化膜１８を形成した半導体基板１の表面に、ドーズ量９．０×１０13ｃｍ-2のボロンイオンを１５０ｋｅＶの加速エネルギーで注入して、ｐ型ベース領域４ｃとなるｐ層４ａを形成する（図１８（ａ））。
【００９６】
スクリーン酸化膜の全面除去後、耐圧構造部のガードリング４ｄとなる環状半導体突起部５をエッチングで形成するために、パターニングによりエッチングマスクとなるストライプ状環状レジスト膜を等間隔に複数個形成する（図示せず）。レジスト膜の抜き幅とピッチは、それぞれ、４．５μｍ、１４．５μｍとする。レジスト膜の抜き幅とピッチがそれぞれ４．５μｍおよび１４．５μｍであるので、マスク部分の幅は１０μｍとなる。
【００９７】
つぎに、プラズマエッチャーにより、レジストマスクで覆われないシリコン基板の露出表面から、１．５μｍの深さに等方性エッチングする。レジストマスクの除去後に半導体基板１を上面からみると、図１１に示すように、破線で示すストライプ状の環状半導体突起部５が等間隔にいくつも存在する構造ができ、環状で突起状のｐ型ガードリング４ｄが形成される（図１８（ｂ））。
【００９８】
ｐ型ガードリング４ｄを形成した後、熱酸化により８００Å（オングストローム）のゲート酸化膜６を成長させ、成長させたゲート酸化膜６の上に５０００Å（オングストローム）のポリシリコン層７を成長させる（図１８（ｃ））。ポリシリコン層７のパターニングのためにレジスト１６を塗布すると、半導体基板に凹凸があるために、凸部表面のレジスト厚（Ｔ１）と凹部底部のレジスト厚（Ｔ２）とで厚さが異なる（図１９（ｄ））。
【００９９】
つぎに、１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部の凸部Ｔ１と凹部Ｔ２における直線部と曲線部のレジスト厚さとレジスト抜き幅との関係について説明する。図１６は、本発明の半導体装置の実施の形態２にかかり、１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部の凸部Ｔ１と凹部Ｔ２における直線部と曲線部のレジスト厚さとレジスト抜き幅との関係図である。
【０１００】
図１６においては、前述のストライプ状の環状半導体突起部５が形成されたウエハに、実際にレジストをスピンナー塗布した場合のレジスト厚Ｔ１、Ｔ２を実測した結果を示している。また、図１６においては、図１１の直線部５１におけるＴ１の平均厚さが約１．２μｍ、Ｔ２の平均厚さが約２．７μｍである場合の、１２００Ｖ−ＦＳ型ＩＧＢＴの耐圧構造部の凸部Ｔ１と凹部Ｔ２における直線部と曲線部のレジスト厚さとレジスト抜き幅との関係を示している。図１６によれば、前記ストライプ状の環状半導体突起部５の段差１．５μｍが、前記直線部５１におけるレジスト厚Ｔ１とＴ２の差１．５μｍに等しくなっていることが分かる。さらに、図１６では、図１１の直線部５１に比べて曲線部５０ではレジスト厚Ｔ１、Ｔ２がそれぞれ約０．２μｍ厚くなることも示している。
【０１０１】
つぎに、本発明の半導体装置およびその製造方法の実施の形態３にかかり、主要な製造工程における耐圧構造部について説明する。図１９は、本発明の半導体装置およびその製造方法の実施の形態３にかかり、主要な製造工程における耐圧構造部の断面図であり、（ｄ）は製造工程の（その４）、（ｅ）は製造工程の（その５）、（ｆ）は製造工程の（その６）である。
【０１０２】
図１９（ｅ）に示すように、ウエハ表面に塗布したレジスト膜の抜き位置（開口部）の相対位置は、前述の実施の形態１で説明したように、チップ外側に向かうに従って抜き位置をずらすようなパターンを採用している。従って、耐圧構造部の内側では環状半導体突起部５の頂部平坦部に設けられる抜き位置（開口部）は、チップ外側の耐圧構造部では凹部の底部にシフトするので、Ｔ１、Ｔ２のようなレジスト厚の差異があると、レジスト抜き幅は図１７から分かるように異なる（以降バラツキと記す）ことになる。
【０１０３】
つぎに、レジスト抜き幅とレジストの膜厚との関係について説明する。図１７は、レジストの厚さとレジスト抜き幅（開口部幅）との関係図である。図１７においては、レジスト抜き幅のマスク寸法が１．５μｍである場合のレジスト抜き幅とレジストの膜厚との関係を示している。さらに、フォトリソグラフィの焦点深度の影響でも１．５μｍの段差がある底部と表面で抜き幅が異なる結果になる。プラズマエッチャーによるエッチングにより、レジスト開口部のポリシリコン層７を除去することによって分割されたポリシリコン層７は、フィールドプレートとして機能する。このため、レジスト抜き幅のバラツキは耐圧や信頼性の劣化を招く（図１９（ｆ））。
【０１０４】
図１７に示したレジスト抜き幅とレジストの膜厚との関係より、レジストの厚さの差異による抜き幅のバラツキを抑制するためにレジスト厚に合わせてマスク寸法を変えることが有効であることが分かった。具体的には、マスクのレジスト抜き幅寸法を、表面（Ｗ１）に対して底部（Ｗ２）を１．５μｍ拡げ、直線部に対して曲線部で０．２μｍ拡げる。また、レジスト膜厚に対し、環状半導体突起部の高さ（段差）を相対的に小さくすることにより、レジスト抜き幅のバラツキを抑制できる。
【０１０５】
さらに、レジスト膜厚が、凹部の底部において環状半導体突起部の段差の２倍未満の場合、凸部の頂上と凹部の底部におけるそれぞれのレジスト１６の抜き幅の差が大きくなることが分かった。そこで、レジスト膜厚を前記凹凸段差の２倍以上にすると、相対的に半導体基板表面に凹凸があっても、レジスト１６の抜き幅の差は２倍より小さくなるので、レジスト抜き幅のバラツキ抑制に効果的であることがわかった（図２０）。
【０１０６】
図２０は、本発明の半導体装置にかかり、凹凸による段差のある耐圧構造部に塗布するレジスト膜厚を段差より厚くした場合の断面図である。図２０に示したように、レジスト膜厚を前記凹凸段差の２倍以上にするには、レジスト１６の粘度を高くすることが有効である。
【０１０７】
（実施の形態４）
以下に、本発明の半導体装置にかかる実施の形態４について説明する。実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法では、ポリシリコン層７の堆積工程（図１８（ｃ））まで、実施の形態３と同様である。実施の形態４が実施の形態３と異なる製造工程は、ポリシリコン層７のパターニングのために、レジスト塗布を、従来のスピンナー塗布からスプレー塗布に変更する工程である。
【０１０８】
このような製造工程とすることで、半導体基板１の表面の凹凸状態にもかかわらず、レジスト膜厚のバラツキを抑制することができる。スプレー塗布法では、レジスト液を半導体基板表面に塗布する際に、一旦霧状になり、その際レジスト１６の溶媒が蒸発して粘度が高くなった状態で半導体基板表面に塗布される。その結果、基板表面に凹凸があっても、均一に塗布された塗布レジスト膜であれば、凸部上のレジスト膜が凹部に流動すること無く、均一な膜厚を保つことができる。
【０１０９】
図２１は、レジスト１６をスプレー塗布した場合の耐圧構造部の断面図である。図２１に示すように、レジスト１６をスプレー塗布した結果、膜厚がシリコン基板表面の凹凸によらず均一な厚さでレジスト１６を塗布することができる。このため、レジスト膜厚のバラツキの抑制に効果的である。焦点深度の違いによるレジスト１６の抜き幅のバラツキは、焦点を底部に合わせた場合にはＷ２（底部の抜き幅寸法）を広くし、表面に合わせた場合にはＷ１（表面の抜き幅寸法）を広くすることで抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
以上のように、この発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法は、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置に有用であり、特に、ＩＧＢＴなどのＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法に適している。
【符号の説明】
【０１１１】
１、３０    半導体基板、ドリフト層
２、３３    酸化膜、絶縁膜
３          ｎ型エミッタ領域、第１導電型領域
４ａ        ｐ型半導体層、第２導電型半導体層
４ｂ、３１  ｐ型領域、第２導電型領域
４ｃ        ｐ型ベース領域
４ｄ        ガードリング
５          環状半導体突起部
６          ゲート酸化膜
６ａ        薄い酸化膜
６ｂ        厚膜酸化膜
７          導電性ポリシリコン層、導電膜
７ａ        ゲート電極
８、３４    フィールドプレート
１０        低不純物濃度ｐ-型領域
１１        層間絶縁膜
１２        コンタクトホール
１３        高不純物濃度ｐ+型領域
１４        金属電極
１４ａ      Ａｌ−Ｓｉ表面電極膜
３２        曲線部
３３        フィールド酸化膜
５０        曲線部
５１        直線部
１００      素子活性部
２００      耐圧構造部
３００      半導体装置
３０１      ＩＧＢＴ
Ａ          電界集中部
【図１】
2012099079.tif 000003
【図２】
2012099079.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部と、該素子活性部を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部とを有する半導体装置において、
前記耐圧構造部が、ガードリングとして、四隅に曲線部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部を備え、
該環状半導体突起部が、内部に第２導電型領域を有しかつ該第２導電型領域より深い複数の凹部により挟まれるとともに、前記環状半導体突起部と前記凹部との段差が２μｍ未満であって、表面に絶縁膜を介して導電膜を有し、
前記環状半導体突起部表面の絶縁膜が酸化膜であり、前記導電膜が導電性ポリシリコン層であり、
前記環状半導体突起部の前記四隅の曲線部に、前記素子活性部上の主電極と一体の金属電極が前記導電性ポリシリコン層を覆う層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記導電性ポリシリコン層と導電接触し、さらに該開口部直下の前記導電性ポリシリコン層および下層の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１導電型半導体基板と導電接触している構造を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁膜の厚さが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記環状半導体突起部表面の酸化膜は、前記素子活性部に形成されるゲート酸化膜と同時に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属電極がアルミニウムを主材料とする合金電極であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記環状半導体突起部を挟む複数の凹部底部に、ドーズ量が１×１０11〜１×１０13ｃｍ-2の低不純物濃度ｐ-型領域を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
第１導電型半導体基板の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部と、該素子活性部を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部とを有する半導体装置において、
前記耐圧構造部が、ガードリングとして、四隅に曲線部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部を備え、
該環状半導体突起部が、内部に第２導電型領域を有しかつ該第２導電型領域より深い複数の凹部により挟まれるとともに、前記環状半導体突起部と前記凹部との段差が２μｍ未満であって、表面に絶縁膜を介して導電膜を有し、
前記環状半導体突起部の複数が等間隔配置であって、前記複数の環状半導体突起部上に配置される前記導電膜が前記間隔とは異なる間隔の配置を有するとともに、前記耐圧構造部の最も内側の位置を基準として、前記導電膜の配置が、チップの端部から中心に向かう方向に所定の幅で前記環状半導体突起部の間隔より間隔ピッチが狭められていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１導電型半導体基板の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部と、該素子活性部を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部とを有する半導体装置において、
前記耐圧構造部が、ガードリングとして、四隅に曲線部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部を備え、
該環状半導体突起部が、内部に第２導電型領域を有しかつ該第２導電型領域より深い複数の凹部により挟まれるとともに、前記環状半導体突起部と前記凹部との段差が２μｍ未満であって、表面に絶縁膜を介して導電膜を有し、
内部に第２導電型領域を備える前記環状半導体突起部が、さらに第１導電型領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１導電型半導体基板の一方の主面に、主電流に係わる素子活性部と、該素子活性部を取り巻く外周部に配置され耐圧に係わる耐圧構造部とを有する半導体装置において、
前記耐圧構造部が、ガードリングとして、四隅に曲線部を有する矩形状平面パターンの環状半導体突起部を備え、
該環状半導体突起部が、内部に第２導電型領域を有しかつ該第２導電型領域より深い複数の凹部により挟まれるとともに、前記環状半導体突起部と前記凹部との段差が２μｍ未満であって、表面に絶縁膜を介して導電膜を有し、
前記素子活性部が均等に分散配置される複数の凹凸のうち、凸部が下層の第２導電型ベース領域と上層の高不純物濃度の第１導電型エミッタ領域を有し、凸部側壁に露出する前記第２導電型ベース領域側面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有するＭＯＳ構造を備え、素子活性部が凹部の底部に第１導電型領域を備える半導体装置において、
前記凸部のＭＯＳ構造領域の全頂部平坦部面積が前記素子活性部の凹部の底部面積より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記凸部のＭＯＳ構造領域の段差が２μｍ未満であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記凸部のＭＯＳ構造領域の表面と側壁のなす角度が１５０度以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置を製造する際に、第１導電型半導体基板の一方の主面に、素子活性部を取り巻く外周部に、四隅に曲線部を有する矩形状の平面パターンで配置される耐圧構造部を、前記環状半導体突起部を凸部とする凹凸に形成するエッチング工程の後、凸部表面のレジスト膜厚Ｔ１＜凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２となるようにスピンナー塗布によりレジスト膜を形成し、凸部表面のレジスト膜の開口部幅Ｗ１より凹部底部の開口部幅Ｗ２が広くて前記曲線部の凹部のレジスト開口部幅Ｗ２＞直線部のレジスト開口部幅Ｗ１となるレジスト膜パターンを形成するフォトリソグラフィ工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体装置を製造する際に、第１導電型半導体基板の一方の主面に、素子活性部を取り巻く外周部の四隅に曲線部を有する矩形状の平面パターンで配置される耐圧構造部を、前記環状半導体突起部を凸部とする凹凸にエッチングで形成した後、凸部表面のレジスト膜厚Ｔ１＜凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２となるようにスピンナー塗布により形成されるレジスト膜に対して、凹部底部のレジスト膜厚Ｔ２を前記凹凸段差の２倍以上の膜厚とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
2012099079.tif 000024
2012099079.tif 000025
2012099079.tif 000026
2012099079.tif 000027