(57)【要約】基板構造体（１１）準備工程と、前記基板構造体（１１）の最外層の導体回路（１３）を、カバーフィルム（１４）により被覆する被覆工程と、を備える回路基板の製造方法であって、前記被覆工程において、カバーフィルム（１４）と熱処理手段との間に離型材料（１５）を介して熱処理が行われ、前記離型材料（１５）は、熱処理手段に向かって順に、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびポリテトラフルオロエチレンフィルムから選択された低摩擦性フィルム（１６）、第１のアルミ箔（１７）、第１の高密度ポリエチレンフィルム（１８ａ）、第２の高密度ポリエチレンフィルム（１８ｂ）、および第２のアルミ箔（１９）で少なくとも構成され、これらが積層されたものであり、前記第１の高密度ポリエチレンフィルム（１８ａ）及び第２の高密度ポリエチレンフィルム（１８ｂ）は、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている。
2012090733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板構造体を準備する基板構造体準備工程と、
前記基板構造体の最外層の導体回路を、カバーフィルムにより被覆する被覆工程と、
を備える回路基板の製造方法であって、
前記被覆工程において、カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記カバーフィルムは、熱処理により基板構造体に融着され、
前記熱処理は、少なくともカバーフィルムと熱処理手段との間に離型材料を介して行なわれ、
前記離型材料は、熱処理手段に向かって順に、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびポリテトラフルオロエチレンフィルムから選択された低摩擦性フィルム、第１のアルミ箔、第１の高密度ポリエチレンフィルム、第２の高密度ポリエチレンフィルム、および第２のアルミ箔で少なくとも構成され、これらが積層されたものであり、
前記第１の高密度ポリエチレンフィルム及び第２の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚みｔｃが、回路基板の厚みｔに対して、ｔ＜ｔｃである回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、高密度ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量が２万〜５０万であり、低摩擦性フィルムが、粘度平均分子量が１００万以上の超高分子量ポリエチレンフィルム、または３８０℃におけるみかけの溶融粘度が１０１０ｐｏｉｓｅ以上であるポリテトラフルオロエチレンフィルムである回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項において、導体回路が、第１の差動信号線および第２の差動信号線で構成され、被覆工程前後において、第１の差動信号線および第２の差動信号線間の距離Ｇの変化率が５％以内である回路基板の製造方法。
【請求項５】
超高分子量ポリエチレンフィルムおよびＰＴＦＥフィルムから選択された低摩擦性フィルム、
前記低摩擦性フィルムの上に配設された第１のアルミ箔、
前記第１のアルミ箔の上に配設された第１の高密度ポリエチレンフィルム、
前記第１の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第２の高密度ポリエチレンフィルム、および
前記第２の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第２のアルミ箔で少なくとも構成され、
前記第１の高密度ポリエチレンフィルム及び第２の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている離型材料。
【請求項６】
基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および
前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバーフィルムで少なくとも構成された回路基板であって、
前記カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記回路基板の厚み断面において、前記カバーフィルムが、略均一な厚みで基板構造体を被覆している回路基板。
【請求項７】
請求項６において、回路基板の厚み断面において、導体回路は略長方形状の断面を有しており、カバーフィルムがこの略長方形断面を、左右均等に被覆している回路基板。
【請求項８】
請求項７において、導体回路の長方形断面が厚みｔを有しており、
前記長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成され、
カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ１、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ２、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ３とした場合、
カバーフィルムの厚み偏差（単位：％）が、下記式（１）を満たす回路基板。
［Ｍａｘ（ｔ１−ｔ３）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ３）］／ｔ＜３０      （１）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔ３）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ３のうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ３）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ３のうちの最小値であり、ｔは導体回路の厚みである。）
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項において、導体回路が、差動信号線で構成され、回路基板の厚み断面において、カバーフィルムが、基板構造体を略均一な厚みで被覆している回路基板。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項において、導体回路が、第１の差動信号線および第２の差動信号線で構成され、
前記２本の差動信号線は、それぞれの信号線の長方形断面において、それぞれ厚みｔａ、ｔｂを有しているとともに、前記差動信号線の長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成され、
第１の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ１、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ２、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ３とし、
第２の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ４、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ５、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ６とし、
第１および第２の差動信号線間の中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ７としたとき、
カバーフィルムの厚み偏差（単位：％）が、下記式（２）を満たす回路基板。
［Ｍａｘ（ｔ１−ｔ７）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ７）］／ｔ＜３０      （２）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔ７）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ７のうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ７）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ７のうちの最小値であり、ｔは、信号線の厚みｔａおよびｔｂの平均値である。）
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか１項において、カバーフィルムの熱膨張係数αＣが、導体回路を構成する導体の熱膨張係数αＭに対して−２から＋３（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）の範囲内である回路基板。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか１項において、基板を構成する絶縁体材料が、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなる回路基板。
【請求項１３】
請求項６〜１２のいずれか１項において、基板を構成する絶縁体材料と、カバーフィルムの誘電率の差が±５％以内である回路基板。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本願は、日本国で２０１０年１２月２７日に出願した特願２０１０−２８９８５４の優先権を主張するものであり、その全体を参照により本出願の一部をなすものとして引用する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマー（以下、これを熱可塑性液晶ポリマーと称したり、また、単に液晶ポリマーと略称したりすることがある）をカバーフィルムとして用いた回路基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
パソコン、サーバ、ルータ、ストレージなどの情報処理機器、情報車載端末や、テレビ、カメラなどの情報家電を構成するプロセッサやメモリなどに用いられる回路基板は、機能回路としてまたは機能モジュール間を接続する基板として、極めて重要や役割を果たしている。【０００４】
しかしながら、このような回路基板では、近年、水蒸気などの水分に由来して発生するイオンマイグレーション（ionic migration）が問題となっている。イオンマイグレーションが起きると、配線として使用した金属が基板上を移動し、最終的には回路基板を破壊させる虞がある。【０００５】
そこで、例えば、特許文献１（特開２００３−１２４５８０号公報）には、水蒸気バリア性を与えるため、フレキシブルプリント配線板の回路面に、粘着剤層および／または接着剤層を介して、溶融時に光学的異方性を示す熱可塑性樹脂からなるフィルムを積層してなる積層体が開示されている。【０００６】
また、特許文献２（特開２００７−１９３３８号公報）には、液晶ポリマーシートの片面または両面に形成された回路面に対して、短波長紫外線照射面を有した液晶ポリマーシートが、回路面と照射面とが接触した状態で熱圧着された電子回路基板が開示されている。【０００７】
これらの積層体や電子回路基板では、回路面に対して液晶ポリマーシートを被覆することにより、回路基板に対して、耐水性を与えることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１２４５８０号公報
【特許文献２】特開２００７−１９３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の回路基板では、接着剤層が必須であるため、接着剤層に由来して回路基板の寸法安定性や誘電特性を向上することができないだけでなく、製造工程も煩雑化してしまう。【００１０】
また、特許文献２の回路基板では、液晶ポリマーからなるカバーフィルムの接着面に対して紫外線を照射してフィルムを軟化させているため、熱圧着によってカバーフィルムが変形しやすく、基板上の導体回路を均一な厚みで被覆することが困難である。【００１１】
従って、本発明の目的は、熱可塑性液晶ポリマーからなるカバーフィルムを備えているとともに、カバーフィルムがほぼ均一な厚みで隙間なく導体回路を被覆している回路基板およびその製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、水バリア性に優れるだけでなく、ノイズの発生を効果的に抑制することができる回路基板およびその製造方法を提供することにある。【００１２】
本発明のさらに別の目的は、低損失で信号歪の少ない回路基板を低コストで製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、（１）液晶ポリマーフィルムをカバーフィルムとして用いて熱融着させた場合、回路基板の電気特性（例えば、誘電率、誘電正接）が劣化するのを防ぐためには、回路基板を構成する最外層の基板と導体回路が、カバーフィルムで隙間なく満たされる必要があるだけでなく、基板上の凹凸に対して、カバーフィルムを均一な厚みで被覆する必要があることを見出した。【００１４】
そして、（２）溶融流動性の高い液晶ポリマーフィルムをこのような均一な厚みで被覆するにあたって、従来離型フィルムとして使用していた超高分子量ポリエチレンフィルムでは、離型性および耐熱性に優れるものの、分子量が大きいために溶融時の分子鎖の動きが制限されて基板上の凹凸に対して追従性が阻害されること、（３）一方、高密度ポリエチレンフィルムをアルミ箔で挟む場合、分子鎖が動きやすいために追従性はでるものの、フィルムの異方性が高いため、その異方性によりすでに設けられている導体回路を変形させる虞が高いことを見出した。【００１５】
これらの知見に基づいてさらに検討した結果、（５）超高分子量ポリエチレンフィルムと、アルミ箔で挟まれた２枚の高密度ポリエチレンフィルムとを組み合わせ、さらに前記高密度ポリエチレンフィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）を互いに直交させて離型材料として用いることにより、液晶ポリマーフィルムを熱処理によってカバーフィルムとして被覆した場合、カバーフィルムが基板上の導体回路を均一な厚みで被覆できることを見出しただけでなく、（６）さらに、低摩擦性の超高分子量ポリエチレンフィルムに代えて、同じく低摩擦性のポリテトラフルオロエチレンフィルム（以後、ＰＴＦＥフィルムと略記する場合がある）を用いた場合でも、超高分子量ポリエチレンフィルムと同様の働きが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。【００１６】
すなわち、本発明は、基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および
前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバーフィルムで少なくとも構成された回路基板であって、
前記カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記回路基板の厚み断面において、前記カバーフィルムが、略均一な厚みで基板構造体を被覆している回路基板である。【００１７】
前記回路基板の厚み断面において、導体回路は略長方形状の断面（以下、長方形断面と略記する）を有しており、カバーフィルムがこの略長方形断面を、左右均等に被覆しているのが好ましい。【００１８】
例えば、このような回路基板においては、導体回路の長方形断面が厚みｔを有しており、
前記長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成され、
カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ１、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ２、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ３とした場合、
カバーフィルムの厚み偏差（単位：％）は、下記式（１）を満たしていてもよい。
［Ｍａｘ（ｔ１−ｔ３）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ３）］／ｔ＜３０      （１）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔ３）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ３のうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ３）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ３のうちの最小値であり、ｔは導体回路の厚みである。）【００１９】
また、導体回路は差動信号線で構成されていてもよく、この場合、回路基板の厚み断面において、カバーフィルムが、基板構造体を略均一な厚みで被覆しているのが好ましい。【００２０】
例えば、この場合、導体回路が、第１の差動信号線および第２の差動信号線で構成され、
前記２本の差動信号線は、それぞれの信号線の長方形断面において、それぞれ厚みｔａ、ｔｂを有しているとともに、前記差動信号線の長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成され、
第１の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ１、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ２、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ３とし、
第２の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ４、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ５、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ６とし、
第１および第２の差動信号線間の中央部から測定したカバーフィルムの厚みをｔ７とした場合、
カバーフィルムの厚み偏差（単位：％）が、下記式（２）を満たしていてもよい。
［Ｍａｘ（ｔ１−ｔ７）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ７）］／ｔ＜３０      （２）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔ７）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ７のうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ７）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ７のうちの最小値であり、ｔは、信号線の厚みｔａおよびｔｂの平均値である。）【００２１】
好ましくは、前記カバーフィルムの熱膨張係数αＣは、導体回路を構成する導体の熱膨張係数αＭに対して−２から＋３（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）の範囲内であってもよい。また、基板を構成する絶縁体材料が、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなっていてもよい。さらに、基板を構成する絶縁体材料と、カバーフィルムの誘電率の差は±５％以内であるのが好ましい。【００２２】
また、本発明は、このような回路基板の製造方法についても包含し、前記製造方法は、
基板の少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板構造体を準備する基板構造体準備工程と、
前記基板構造体の最外層の導体回路を、カバーフィルムにより被覆する被覆工程と、
を備えており、
前記被覆工程において、カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記カバーフィルムは、熱処理により基板構造体に融着され、
前記熱処理は、少なくともカバーフィルムと熱処理手段との間に離型材料を介して行なわれ、
前記離型材料は、カバーフィルムから熱処理手段に向かって順に、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびＰＴＦＥフィルムから選択された低摩擦性フィルム、第１のアルミ箔、第１の高密度ポリエチレンフィルム、第２の高密度ポリエチレンフィルム、および第２のアルミ箔で少なくとも構成され、これらが積層されたものであり、
前記第１の高密度ポリエチレンフィルム及び第２の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている。【００２３】
例えば、前記高密度ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量は２万〜５０万程度であってもよく、超高分子量ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量は１００万以上であってもよい。また、ＰＴＦＥフィルムは３８０℃におけるみかけの溶融粘度が１０１０ｐｏｉｓｅ以上であってもよい。【００２４】
また、カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚みｔｃは、回路基板の厚みｔよりも大きいのが好ましい。【００２５】
導体回路が、第１の差動信号線および第２の差動信号線で構成されている回路基板の製造方法では、前記被覆工程前後において、第１の差動信号線および第２の差動信号線間の距離Ｇの変化率が５％以内であるのが好ましい。【００２６】
さらに、本発明は、前記離型材料についても包含し、離型材料は、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびＰＴＦＥフィルムから選択された低摩擦性フィルム、
前記低摩擦性フィルムの上に配設された第１のアルミ箔、
前記第１のアルミ箔の上に配設された第１の高密度ポリエチレンフィルム、
前記第１の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第２の高密度ポリエチレンフィルム、および
前記第２の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第２のアルミ箔で少なくとも構成され、
前記第１の高密度ポリエチレンフィルム及び第２の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている。【００２７】
なお、本発明において、略長方形状とは、全ての角が略９０°（すなわち、８８〜９２°、好ましくは８９〜９１°の範囲内）で構成された四角形、および全体として丸みを帯びた長方形や、角部が丸みを帯びた長方形等を意味している。
また、請求の範囲および／または明細書および／または図面に開示された少なくとも２つの構成要素のどのような組み合わせも、本発明に含まれる。特に、請求の範囲に記載された請求項の２つ以上のどのような組み合わせも本発明に含まれる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明では、液晶ポリマーフィルムを用いて、均一な厚みで基板構造体を被覆できるため、耐熱性、水蒸気バリア性、耐薬品性および電気特性に優れるだけでなく、信頼性の高い回路基板を得ることができる。【００２９】
また、導体回路を左右均等に被覆することができる場合、電気特性（誘電率、誘電正接）を良好に維持して、ノイズの発生を低減することができる。
また、導体回路が、差動信号線で構成される場合、低損失でノイズの少ない回路基板を低コストで実現し、良好な高速信号特性と低コストを両立することができる。【００３０】
特に、導体回路および基板を十分な密着性をもって左右均等に被覆することができる場合、信号の周波数が１ギガｂｐｓ程度以上であっても、低損失でノイズの少ない回路基板を低コストで実現することができる。【００３１】
また、本発明の回路基板の製造方法では、特定の離型材料を利用することにより、熱処理により簡便に上述の優れた特性を有する回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
この発明は、添付の図面を参考にした以下の好適な実施形態の説明から、より明瞭に理解される。しかしながら、実施形態および図面は単なる図示および説明のためのものであり、この発明の範囲を定めるために利用されるべきでない。この発明の範囲は添付のクレームによって定まる。図面は必ずしも一定の縮尺で示されておらず、本発明の原理を示す上で誇張したものになっている。また、添付図面において、複数の図面における同一の部品番号は、同一部分を示す。
【図１】本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法において、離型材料を用いた被覆工程の一例を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る回路基板を示す概略断面図である。
【図３】本発明の別の実施形態に係る回路基板を示す概略断面図である。
【図４】比較例１〜３で用いられた離型材料の構成を説明するための概略断面図である。
【図５】比較例４で用いられた離型材料の構成を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の回路基板は、基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバーフィルムで少なくとも構成され、前記カバーフィルムは、略均一な厚みで基板構造体を被覆している。
【００３４】
（カバーフィルム）
カバーフィルムは熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成される。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成され、この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
【００３５】
また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。
【００３６】
本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーを形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。
【００３７】
（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）
【表１】
2012090733.tif 000003
【００３８】
（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）
【表２】
2012090733.tif 000004
【００３９】
（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）
【表３】
2012090733.tif 000005
【００４０】
（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参照）
【表４】
2012090733.tif 000006
【００４１】
これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。
【００４２】
【表５】
2012090733.tif 000007
【００４３】
【表６】
2012090733.tif 000008
【００４４】
これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸および６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体が好ましい。
【００４５】
例えば、（ｉ）の重合体では、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ−ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０〜９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０〜８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０〜８０／２０程度であってもよい。
【００４６】
また、（ｉｉ）の重合体の場合、ｐ−ヒドロキシ安息香酸および６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオール（Ｄ）と、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸（Ｅ）の、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０〜８０：３５〜１０：３５〜１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５〜７５：３２．５〜１２．５：３２．５〜１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０〜７０：３０〜１５：３０〜１５程度であってもよい。
【００４７】
また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００〜１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。
【００４８】
なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。
【００４９】
前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマーを添加してもよい。
【００５０】
このような熱可塑性液晶ポリマーを押出成形し、熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムを得ることができる。任意の押出成形法がこの目的のために使用されるが、周知のＴダイ法、インフレーション法等が工業的に有利である。特にインフレーション法では、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられるため、ＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムを得ることができるので、より好適に用いることができる。
【００５１】
熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムの融点（以下、Ｍｐと称する場合がある）は、２００〜４００℃の範囲であってもよく、好ましくは２５０〜３６０℃の範囲であり、さらに好ましくはＭｐが２６０〜３５０℃である。なお、Ｍｐは示差走査熱量計（（株）島津製作所ＤＳＣ）により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。
【００５２】
なお、カバーフィルムと基板構造体との接合を熱圧着によって行う場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｍｐは、基板を構成する材料の融点に対し、同程度の温度（例えば、Ｍｐと基板を構成する材料の融点の差が−５℃〜＋５℃の範囲内）であっても、一定の差が設けられていても、どちらでもよい。差が設けられている場合は、熱可塑性液晶ポリマーからなるカバーフィルムと基板とを熱圧着する際、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｍｐ）は、基板を構成する材料の融点よりも１５℃以上低く、特に２５℃以上低く設定されていてもよい。
【００５３】
なお、熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムとしてより高い耐熱性や融点を必要とする場合には、一旦得られたフィルムを加熱処理することによって、耐熱性や融点を高めることができる。加熱処理の条件の一例を説明すれば、一旦得られたフィルムの融点が２８３℃の場合でも、２６０℃で５時間加熱すれば、融点は３２０℃になる。
【００５４】
また、本発明の適用分野によって、必要とされる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの分子配向度ＳＯＲは当然異なるが、ＳＯＲが１．５程度の場合は熱可塑性液晶ポリマー分子の配向の偏りが著しいためにフィルムが硬くなり、かつＭＤ方向に裂け易い。加熱時の反りがないなどの形態安定性が必要とされるプリント配線板や多層プリント配線板等の場合には、ＳＯＲ１．３以下であることが望ましい。特に、ＳＯＲ１．３以下の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスが良好であるので、より実用性が高い。また、加熱時の反りをほとんど無くす必要がある精密プリント配線板や多層プリント配線板等の場合には、ＳＯＲ１．０３以下であることが望ましい。
【００５５】
ここで、分子配向度ＳＯＲ（Ｓｅｇｍｅｎｔ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ）とは、分子配向の度合いを与える指標をいい、従来のＭＯＲ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ）とは異なり、物体の厚さを考慮した値である。この分子配向度ＳＯＲは、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。
【００５６】
本発明において、カバーフィルムとして用いられる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、回路基板の種類に応じて適宜設定することが可能であるが、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数αｃが、導体回路を構成する導体の熱膨張係数αＭに対して−２から＋３（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）の範囲内であってもよく、より好ましくは、−１から＋２（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）の範囲内であってもよい。
【００５７】
なお、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数αｃは、熱処理することにより所定の値にすることが可能である。この熱処理は、導体回路を形成した基板とカバーフィルムとを接合する前に行ってもよいし、基板と接合した後に行ってもよい。熱処理の手段としては特に制限はなく、熱風循環炉、熱ロール、セラミックヒーター、熱プレスなどを例示することができる。
【００５８】
カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚さ（ｔｃ）は、導体回路の厚み（ｔ）に応じて適宜設定することができ、特に限定されるものではないが、基板構造体の全体を均一に被覆する観点から、ｔ＜ｔｃであるのが好ましく、より好ましくはｔ×１．１≦ｔｃであり、さらに好ましくはｔ×１．５≦ｔｃである。また、回路基板の屈曲性を向上させる観点から、ｔｃ≦ｔ×４であるのが好ましい。
【００５９】
（基板構造体）
基板構造体は、基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含んでいればよく、導体回路は、基板の片面に形成されていてもよく、両面に形成されていてもよい。また、基板構造体は、複数の基板を含んでいてもよい。具体的には、基板構造体としては、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板、多層プリント配線板などが例示できる。
【００６０】
特に、基板構造体は、導体回路として差動信号線を有しているのが好ましい。差動信号とは、２本の信号線を用いて一つの信号を伝送する方式であり、差動信号線間の電圧が正（＋）または負（−）のいずれにあるかによって“Ｈ”レベルと“Ｌ”レベルの識別を行う。この方式では、２本の信号線間の電圧差を利用するので、これらの線にノイズが混入してもキャンセルでき、シングルエンド信号に比べてノイズに強い。そのため、データの高速伝送を可能とする。例えば、このような差動信号線は、PCI ExpressバスやUSBなどの高速インターフェースに用いることができる。
【００６１】
基板構造体は、基板の少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板構造体を準備する基板構造体準備工程により準備すればよく、基板構造体準備工程は、基板を準備する基板準備工程と、前記基板の少なくとも一方の面に導体回路を形成する回路形成工程で構成されていてもよい。
基板は、その少なくとも一方の表面に導体回路を有する単層基板、この単層基板を複数枚積層した多層基板のいずれであってもよい。基板を構成する絶縁体材料に特に制限は無く、エポキシ系、ビスマレイミド系、ポリイミド系、熱可塑性液晶ポリマーを含むポリエステル系およびポリエステルアミド系の材料を例示することができる。
【００６２】
これらのなかでも、基板を構成する絶縁体材料は、電気特性、低吸水性、耐熱性、寸法安定性等に優れている熱可塑性液晶ポリマーを含むのが好ましい。基板を構成する熱可塑性液晶ポリマーと被覆する熱可塑性液晶ポリマーは特に制限されるものではないが、良好な接着性を得る観点から、基板を形成する熱可塑性液晶ポリマーは、カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーと同じ化学組成を有するのが好ましい。
【００６３】
基板として、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、カバーフィルムと基板とをそれぞれ構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの誘電率の差は、５％以内、好ましくは２％以内であることが望ましい。
ここで、誘電率の差は、カバーフィルムの誘電率をＰｃ、基板の誘電率をＰＢとしたとき、｜ＰＢ−Ｐｃ｜／ＰＢをパーセント表示したもので表わされる。
【００６４】
特に、導体回路が差動回路である場合、差動信号線間が形成する電界は差動配線間に集中するため、該差動配線間にある誘電体が差動信号の誘電損失に大きく寄与する。そのため、基板と被覆する液晶ポリマーフィルムとの間で誘電率の差が少なければ、上下で電界の不平衡を生じにくくなり、信号の歪を防止して伝送損失を小さくすることができる。
【００６５】
導体回路（または導電体）は、基板の少なくとも一方の面に形成され、所定のパターンの信号ラインを構成している。このような導体の形成は、公知又は慣用の方法により行なわれ、スパッタリング法、メッキ法などを用いてもよい。また、例えば、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、導体シートを熱圧着などの公知又は慣用の方法により貼り付けた後、感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を経て、所定のパターンの信号ラインを、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成してもよい。
【００６６】
なお、導体としては、電気的接続に使用されるような金属が好適であり、銅のほか金、銀、ニッケル、アルミニウムなどを挙げることができる。銅箔は圧延法、電気分解法などによって製造される何れのものでも用いることができるが、表面粗さの大きい電気分解法によって製造されるものが好ましい。金属箔には、銅箔に対して通常施される酸洗浄などの化学的処理が施されていてもよい。これらの金属のうち、銅が好ましく用いられる。
【００６７】
カバーフィルムで被覆される導体（または導電体）の厚さは、回路基板の種類や、回路基板内部での役割に応じて適宜設定することが可能であるが、例えば、１〜１５０μｍの範囲内であってもよく、５〜１００μｍの範囲内が好ましく、１０〜８０μｍの範囲内がより好ましい。
【００６８】
本発明の回路基板は、基板構造体のうち、少なくとも導体回路側を、カバーフィルムにより被覆する被覆工程を経て得ることができる。被覆工程では、前記カバーフィルムは、熱処理により基板構造体に融着され、この熱処理は、少なくともカバーフィルムと熱処理手段との間に離型材料を介して行なわれる。
【００６９】
図１は、離型材料を用いた被覆工程の一例を説明するための概略断面図である。回路基板１０の厚み断面において、基板構造体１１は、基板１２と、その上面に配設された複数の導体１３，１３とで構成されている。図１に示す被覆工程では、この基板構造体１１の導体１３側に対して、カバーフィルムとして用いられる液晶ポリマーフィルム１４が重ね合わされ、重ね合わされた基板構造体１１と液晶ポリマーフィルム１４は、離型材料１５，１５を介して熱プレスなどの熱処理手段により加熱され、回路基板１０が形成される。
【００７０】
離型材料１５は、回路基板１０から外方に向かって順に、低摩擦性フィルムとしての超高分子量ポリエチレンフィルム１６、第１のアルミ箔１７、第１の高密度ポリエチレンフィルム１８ａ、第２の高密度ポリエチレンフィルム１８ｂ、および第２のアルミ箔１９で少なくとも構成されている。ここで、第１の高密度ポリエチレンフィルム１８ａ及び第２の高密度ポリエチレンフィルム１８ｂは、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている。なお、低摩擦性フィルムとして、超高分子量ポリエチレンフィルムに代えて、ＰＴＦＥフィルムを用いてもよい。
【００７１】
図１では、基板１２の一方の面に配設された導体回路１３，１３を液晶ポリマーフィルム１４で被覆するにあたって、回路基板１０の両面に離型材料１５，１５を用いて被覆工程を行っている。ただし、加熱手段に応じて離型材料は適宜使用することができ、例えば、図１の構成において、液晶ポリマーフィルム１４側のみに離型材料１５を用いて被覆工程を行ってもよい。また、図示はしないが、基板１２の両面に、導体回路１３が形成されてもよく、適宜当業者の技術常識に基づいた変形がなされていてもよい。
【００７２】
離型材料を構成する低摩擦性フィルムとしては、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２５で定義される静摩擦係数が０．３０以下（好ましくは、０．０５〜０．２５程度）の低い摩擦係数を有するフィルムが挙げられ、具体的には、超高分子量ポリエチレンフィルム、ＰＴＦＥフィルムなどが例示できる。
例えば、超高分子量ポリエチレンフィルムは、静摩擦係数が０．１０〜０．２５程度であり、その粘度平均分子量が、例えば１００万以上、好ましくは２００万〜７００万程度、更に好ましくは３００万〜６００万程度であってもよい。なお、粘度平均分子量の算出に使用する極限粘度数の測定方法は、ＪＩＳ  Ｋ７３６７−３：１９９９に準拠して測定できる。
また、ＰＴＦＥフィルムは、静摩擦係数が０．０８〜０．１２程度であり、その溶融粘度は、３８０℃において、１０１０ｐｏｉｓｅ以上、好ましくは１０１０〜１０１１ｐｏｉｓｅの範囲内であってもよい。
【００７３】
また、離型材料を構成する高密度ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量は、例えば２万〜５０万、好ましくは５万〜３０万程度、更に好ましくは１０万〜２０万程度であってもよい。また、高密度ポリエチレンフィルムは、粘度平均分子量に代えてメルトフローインデックスで評価してもよく、高密度ポリエチレンフィルムのメルトフローインデックスは、例えば０．０３〜０．０８程度、好ましくは０．０４〜０．０６程度であってもよい。メルトフローインデックスの測定方法は、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に準拠して測定できる。
【００７４】
このような離型材料を用いて熱処理を行うことにより、カバーフィルムが基板構造体を略均一な厚みで被覆することができる。さらに、あらかじめ基板構造体に形成された導体回路構造を変形させることなく、カバーフィルムで基板構造体を被覆することも可能となる。
【００７５】
また、カバーフィルムは、基板構造体に対して隙間を作ることなく被覆してもよく、カバーフィルムと基板構造体との間の接着強度は、例えば、０．４〜３．０ｋＮ／ｍ程度、好ましくは０．５〜２．５ｋＮ／ｍ程度、より好ましくは０．６〜１．５ｋＮ／ｍ程度であってもよい。ここで、接着強度は、後述する実施例に記載した方法により測定される値である。
【００７６】
図２は、本発明の一実施形態に係る回路基板２０を示す概略断面図である。回路基板２０は、その厚み断面において、基板２２と、その上に配設された導体回路２３とで構成された基板構造体２１、および基板構造体２１の導体回路２３側を被覆するカバーフィルム２４を備えている。導体回路２３は略長方形状の断面を有しており、カバーフィルム２４が導体回路２３の略長方形断面を、左右均等に被覆している。なお、図示していないが、回路基板２０は必要に応じてグラウンドプレーンを配設していてもよい。
【００７７】
ここで、カバーフィルム２４が、導体回路２３の略長方形断面を左右均等に被覆している状態を説明する回路基板の概略断面図を図２に示す。図２に示すように、導体回路２３の長方形断面は厚みｔを有しており、前記長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成されている。そして、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ１、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ２、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ３である。なお、各厚みｔ１〜ｔ３は、実施例に詳述した方法により測定される。
【００７８】
カバーフィルム２４が、導体回路２３の略長方形断面を左右均等に被覆している場合、例えば、カバーフィルム２４の厚み偏差（単位：％）は３０％未満であってもよく、すなわち、下記式（１）を充足する。
［厚み偏差］＝［Ｍａｘ（ｔ１−ｔ３）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ３）］／ｔ＜３０      （１）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔ３）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ３のうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ３）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ３のうちの最小値であり、ｔは導体回路の厚みである。）
【００７９】
図３は、本発明の別の実施形態に係る回路基板３０を示す概略断面図である。回路基板３０は、基板３２と、その上に配設された導体回路３３とで構成された基板構造体３１、および基板構造体３１の導体回路３３側を被覆するカバーフィルム３４を備えている。導体回路３３は、第１の差動信号線３３ａおよび第２の差動信号線３３ｂで構成されている差動配線回路であり、回路基板３０の厚み断面において、カバーフィルム３４が、基板構造体３１を略均一な厚みで被覆している。
【００８０】
また、図３に示すように、２本の差動信号線３３ａ，３３ｂは、それぞれの信号線の長方形断面において、ともに厚みｔを有している。なお、２本の差動信号線３３ａ，３３ｂの厚みが異なる場合、それぞれの厚みｔａおよびｔｂの平均値を厚みｔとして利用してもよい。また、それぞれの長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成されている。
【００８１】
この場合、第１の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ１、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ２、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ３である。
【００８２】
また、第２の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ４、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ５、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ６である。
【００８３】
さらに、第１および第２の差動信号線間の中央部から測定したカバーフィルムの厚みがｔ７である。また、第１の差動信号線３３ａおよび第２の差動信号線３３ｂの間を表す距離はＧで表されている。なお、各厚みｔ１〜ｔ７および差動信号線間距離Ｇは、実施例に詳述した方法により測定される。
【００８４】
カバーフィルム３４が、基板構造体３１の略長方形断面を左右均等に被覆している場合、例えば、カバーフィルム３４の厚み偏差（単位：％）は３０％未満であってもよく、すなわち、下記式（２）を充足する。
［厚み偏差］＝［Ｍａｘ（ｔ１−ｔ７）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ７）］／ｔ＜３０      （２）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔ７）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ７のうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔ７）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔ７のうちの最小値であり、ｔは導体回路の厚みである。）
【００８５】
さらに、被覆工程前後において、差動信号線間距離Ｇは、基板構造体に既に設けられた導体回路のパターン設計を維持する観点から、その変化率が５％以内であるのが好ましく、より好ましくは３％以内、特に好ましくは２％以内である。
なお、差動信号線間距離Ｇの変化率は、被覆前の距離をＧａ、被覆後の距離をＧｂとすると、｜Ｇｂ−Ｇａ｜／Ｇａをパーセント表示したもので表わされる。
【００８６】
本発明の回路基板は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムをカバーフィルムとして用いるため、低吸湿性、耐熱性、耐薬品性に優れるとともに、カバーフィルムが基板構造体を略均一な厚みで被覆することが可能である。そのため、信頼性の高い配線板を得ることができる。
【００８７】
特に、本発明の回路基板では、伝送される信号が、高周波数化・高速化していても、カバーフィルムが、ほぼ左右均等且つ導体回路の変形を抑制した状態で、基板構造体を被覆するため、ノイズの影響を受けにくくなり、伝送特性（ＥＭＩ特性）の低下を抑制することができるだけでなく、パターン設計されたインピーダンスを変化させることなく、基板との接続部分におけるインピーダンスマッチングを図ることができる。
特に、熱可塑性液晶ポリマーからなるカバーフィルムで被覆しているため、回路基板が高温、高湿下に置かれていたとしても、回路基板の伝送損失が大きくなってしまうのを抑制することが可能となる。
【実施例】
【００８８】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。【００８９】
［融点］
示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得た。つまり、供試フィルムを２０℃／分の速度で昇温して完全に溶融させた後、２０℃／分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録した。【００９０】
［膜厚］
膜厚は、デジタル厚み計（株式会社ミツトヨ製）を用い、選られたフィルムをＴＤ方向に１ｃｍ間隔で測定し、中心部および端部から任意に選んだ１０点の平均値を膜厚とした。【００９１】
［接着強度］
基板構造体とカバーフィルムとの積層体から１．０ｃｍ幅の剥離用試験片を作製し、カバーフィルムを両面接着テープで平板に固定し、ＪＩＳ  Ｃ  ５０１６に準じて９０°法により、基板構造体を５０ｍｍ／分の速度で剥離したときの強度（ｋＮ／ｍ）を測定した。【００９２】
［伝送損失・インピーダンス］
マイクロ波ネットワークアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「８７２２ＥＳ」）を用い、カスケードマイクロテック製プローブ（ACP40-250）にて０〜40GHzで伝送損失とインピーダンスを測定した。なお、伝送損失は、回路基板を温度２３℃、湿度６０％ＲＨ環境下で９６時間放置した直後、および温度６０℃、湿度９０％ＲＨ環境下で９６時間放置した直後の双方において測定した。【００９３】
［厚み偏差と差動信号線間Ｇの間隔］
キーエンス製形状測定顕微鏡（VK-810）を用い、測定倍率(×1000倍)で、回路基板におけるカバーフィルムの厚み（ｔ１〜ｔ７）、導体回路の厚み（ｔ）を以下のようにして測定し、カバーフィルムの厚み偏差を算出した。また、差動信号線間の距離Ｇについても測定した。【００９４】
図３を、回路基板の厚み方向を測定する方法を説明するために利用する。回路基板３０は、基板３２と、基板３２の上に配設された２本の差動信号線からなる導体回路３３と、その上に配設されたカバーフィルム３４とを備えている。２本の差動信号線３３ａ，３３ｂは、それぞれの信号線の長方形断面において、ともに厚みｔを有しているとともに、前記差動信号線の長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の４点で構成されている。【００９５】
ここで、カバーフィルムの厚み（ｔ１〜ｔ７）は、第１の差動信号線において、カバーフィルム側左端部からカバーフィルムに向かって左斜め上４５°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがｔ１、カバーフィルム側右端部からカバーフィルムに向かって右斜め上４５°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがｔ２、カバーフィルム側中央部から垂直上向きに測定したカバーフィルムの厚みがｔ３で表される。【００９６】
また、第２の差動信号線において、カバーフィルム側左端部からカバーフィルムに向かって左斜め上４５°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがｔ４、カバーフィルム側右端部からカバーフィルムに向かって右斜め上４５°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがｔ５、カバーフィルム側中央部から垂直上向きに測定したカバーフィルムの厚みがｔ６で表される。【００９７】
そして、第１および第２の差動信号線間の中央部から垂直上向きに測定したカバーフィルムの厚みがｔ７で表される。なお、ここで、第１および第２の差動信号線の幅はそれぞれＷ１およびＷ２で示され、第１および第２の差動信号線間の距離はＧで示されている。【００９８】
このようにして測定された回路基板におけるカバーフィルムの厚み（ｔ１〜ｔｉ）および導体回路の厚み（ｔ）を用いて、厚み偏差は下記式（３）により算出される。
[厚み偏差]＝［Ｍａｘ（ｔ１−ｔｉ）−Ｍｉｎ（ｔ１−ｔｉ）］／ｔ      （３）
（式中、Ｍａｘ（ｔ１−ｔｉ）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔｉのうちの最大値であり、Ｍｉｎ（ｔ１−ｔｉ）は、カバーフィルムの厚みｔ１〜ｔｉのうちの最小値であり、ｉは１〜７の整数である。また、ｔは導体回路の厚みである。）
厚み偏差は、５％以下を◎、５％を超えて３０％未満を○、３０％以上を×として評価した。【００９９】
［誘電特性］
誘電率測定は周波数１０ＧＨｚで空洞共振器摂動法により誘電体材料計測装置（関東電子応用開発（株）製）を使用して実施した。摂動法による誘電率測定方法は、空洞共振器に微小な材料（幅：２．７ｍｍ×長さ：４５ｍｍ）を挿入し、温度２０℃、湿度６５％ＲＨ環境下、９６時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率を測定した。【０１００】
［フィルムの熱膨張係数］
熱膨張係数は、室温からフィルムの熱変形温度付近まで一定昇温速度で加熱したときの膨張率を温度差で割った係数であり、以下のように算出される。
まず、周知の熱機械分析装置を用い、短冊状に切断したフィルムの一端を固定し、もう一端に引張の荷重を付与し、一定昇温速度で加熱した時の膨張量を計測する。フィルムの引張の荷重方向の長さＬ０（ｍｍ）、加熱時のフィルムの長さをＬ１（ｍｍ）、温度をＴ２（℃）とし、室温をＴ１（℃）とすると、線膨張係数αは以下の式で算出できる。
α＝［（Ｌ１−Ｌ０）／（Ｔ２−Ｔ１）]／Ｌ０    （×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）
なお、本発明ではＬ０＝２０ｍｍ、Ｔ２＝１５０℃、Ｔ１＝２５℃、引張荷重を１ｇとして採用した。【０１０１】
［分子配向度（ＳＯＲ）］
マイクロ波分子配向度測定機において、液晶ポリマーフィルムを、マイクロ波の進行方向にフィルム面が垂直になるように、マイクロ波共振導波管中に挿入し、該フィルムを透過したマイクロ波の電場強度（マイクロ波透過強度）が測定される。【０１０２】
そして、この測定値に基づいて、次式により、ｍ値（屈折率と称する）が算出される。
ｍ＝（Ｚｏ／△ｚ） Ｘ ［１−νmax／νｏ］【０１０３】
ただし、Ｚｏは装置定数、△ｚ は物体の平均厚、νmaxはマイクロ波の振動数を変化させたとき、最大のマイクロ波透過強度を与える振動数、νｏは平均厚ゼロのとき（すなわち物体がないとき）の最大マイクロ波透過強度を与える振動数である。【０１０４】
次に、マイクロ波の振動方向に対する物体の回転角が０°のとき、つまり、マイクロ波の振動方向と、物体の分子が最もよく配向されている方向であって、最小マイクロ波透過強度を与える方向とが合致しているときのｍ値をｍ0、回転角が９０°のときのｍ値をｍ９０として、分子配向度ＳＯＲがｍ0／ ｍ９０により算出される。【０１０５】
（参考例１）
ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）を溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が２８０℃、膜厚２５μｍ、ＳＯＲ１．０５、誘電率３．０の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（Ａ）を得た。【０１０６】
（参考例２）
ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）を溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が２８０℃、膜厚５０μｍ、ＳＯＲ１．０５のフィルムを得た。このフィルムを２６０℃で７時間加熱することにより、融点が３３５℃、膜厚が５０μｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０５、誘電率３．０の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（Ｂ）を得た。【０１０７】
（参考例３）
熱可塑性液晶ポリマーフィルム（Ｂ）の片面に厚さ１８μｍの電解銅箔を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、温度が３３０℃、圧力が３０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと銅箔からなる積層体を作製した。
その後、銅箔上にレジスト膜を被覆し、次いで、塩化第２銅水溶液をエッチング液として、前記レジスト膜が被覆形成されていない領域の銅箔を溶解除去することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルム上に差動信号配線パターンを有する基板を作製した。差動信号配線パターンは、図３の通りであり、差動インピーダンスが100Ωになるように、図３中のW1およびW2の幅が100μm、差動信号線間Gが80μm、信号線の長手方向の長さ：100mmの回路を作製した。【０１０８】
（参考例４）
膜厚が５０μｍであること以外は参考例１と同様にして、融点が２８０℃、分子配向度ＳＯＲが１．０５、誘電率３．０の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（Ｃ）を作製した。【０１０９】
（実施例１）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例１で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ａ）の両者を重ね合わせ、図１に示した構成（１）の離型材料で真空熱プレス装置を用い、温度が２９０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１０】
なお、図１に示した離型材料は、低摩擦性フィルムとして超高分子量ポリエチレンフィルム１６（作新工業（株）製、「ニューライトＮＬ−Ｗ」、厚み５０μｍ、粘度平均分子量５００万、静摩擦係数０．１４）、前記超高分子量ポリエチレンフィルム１６の上に配設された第１のアルミ箔１７（住軽アルミ箔（株）製、「ＩＮ５０」、厚み５０μｍ）、前記第１のアルミ箔１７の上に配設された第１の高密度ポリエチレンフィルム１８ａ（大倉工業（株）製、「ＨＤフィルム」、厚み５０μｍ、メルトフローインデックス０．０５）、前記第１の高密度ポリエチレンフィルム１８ａの上に配設された第２の高密度ポリエチレンフィルム１８ｂ、および前記第２の高密度ポリエチレンフィルム１８ｂの上に配設された第２のアルミ箔１９（住軽アルミ箔（株）製、「ＩＮ５０」、厚み５０μｍ）で構成されており、回路基板から熱処理手段に向かって、超高分子量ポリエチレンフィルム１６から第２のアルミ箔１９への順に配設されている。なお、第１の高密度ポリエチレンフィルム及び第２の高密度ポリエチレンフィルムは、同じ種類のフィルムであり、互いのＭＤ方向が直交した状態で積層されている。【０１１１】
（実施例２）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例４で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ｃ）の両者を重ね合わせ、図１に示した離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が２９０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１２】
（実施例３）
図１に示した構成（１）の離型材料において、超高分子量ポリエチレンフィルムに代えてＰＴＦＥフィルム（日東電工（株）製、「ニトフロン  ９００ＵＬ」、厚み５０μｍ、静摩擦係数０．１２）を低摩擦性フィルムとして用いる以外は、実施例１と同様にして、参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例４で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ａ）の両者を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用い、温度が２９０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１３】
（実施例４）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例２で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ｂ）の両者を重ね合わせ、図１に示した構成（１）の離型材料で真空熱プレス装置を用い、温度が３１０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１４】
（実施例５）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例２で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ｂ）の両者を重ね合わせ、実施例３と同様の離型材料で真空熱プレス装置を用い、温度が３１０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１５】
（比較例１）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例１で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ａ）の両者を重ね合わせ、図４に示した構成（２）の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が２９０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。
なお、図４に示した離型材料は、第２の高密度ポリエチレンフィルム１８ｂを設けていない点以外は、図１に示す離型材料と同じ構成である。【０１１６】
（比較例２）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例４で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ｃ）の両者を重ね合わせ、図４に示した構成（２）の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が２９０℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１７】
（比較例３）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例１で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ａ）の両者を重ね合わせ、図４に示した構成（２）の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が３００℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。【０１１８】
（比較例４）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例１で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルム（Ａ）の両者を重ね合わせ、図５に示した構成（３）の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が３００℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。結果を表７に示す。
なお、図５に示した離型材料は、超高分子量ポリエチレンフィルム２６およびアルミ箔２９が積層されたものである。【０１１９】
（比較例５）
参考例３で作製した基板の配線パターンの配置と、ポリイミドカバーフィルム［ニッカン工業株式会社製、ニカフレックスＣＩＳＶ（カプトン（登録商標）厚さ１２．５μｍ、接着剤厚さ２５μｍ）］を両者を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用い、温度が２００℃、圧力が２０Ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。得られた回路基板の物性を、表７に示す。【０１２０】
【表７】
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【０１２１】
表７に示すように、実施例１から５の回路基板は、カバーフィルムで被覆しても、被覆されたカバーフィルムは、ｔ１〜ｔ３の厚み偏差およびｔ１〜ｔ７の厚み偏差のいずれについても５％以下であり、伝送損失を小さくすることができる。特に、実施例１から５では、高温、高湿潤下においても、いずれの比較例よりも伝送損失が低い。すなわち、実施例１から５の伝送損失は、すべての比較例の伝送損失に関し、６０℃９０ＲＨ下だけでなく、２３℃６０ＲＨ下においても低い値である。そして、差動信号線間の距離Ｇを維持できるため、導体回路においてパターン設計された差動インピーダンスが変化することを防止できる。また、実施例１から５の回路基板は、カバーフィルムと基板構造体との接着性にも優れている。【０１２２】
一方、比較例１〜４の回路基板では、実施例１〜５と同じ液晶ポリマーフィルムをカバーフィルムとして用いているにもかかわらず、離型材料が異なるため、カバーフィルムは、ｔ１〜ｔ３の厚み偏差およびｔ１〜ｔ７の厚み偏差のいずれについても厚み偏差が３０％以上となり、伝送損失を小さくすることができない。そして、差動信号線間の距離Ｇもカバーフィルムの被覆により変化してしまうため、導体回路においてパターン設計された差動インピーダンスが変化してしまう。【０１２３】
また、比較例５の回路基板では、カバーフィルムとしてポリイミドフィルムを用いているため、厚み偏差を低減させることができず、その結果、伝送損失が大きくなる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明の回路基板は、電気・電子製品の機能回路としてまたは機能モジュール間を接続する基板として利用することが可能であり、特に、差動信号回路などの高速伝送用回路として用いられた場合であっても、高速に伝送される信号の劣化を防ぐことができる。また、本発明の回路基板の製造方法は、このような優れた性質を有する回路基板を、効率よく製造することが可能である。【０１２５】
以上のとおり、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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