(57)【要約】構成成分が、ニッケル、クロム、シリコン及び酸素からなることを特徴とする電気抵抗膜を備えた金属箔。電気抵抗膜中の酸素濃度が、２０〜６０ａｔ％であることを特徴とする上記電気抵抗膜を備えた金属箔。電気抵抗膜中の成分である、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であることを特徴とする上記電気抵抗膜を備えた金属箔。電気抵抗膜中の成分である、ニッケル（Ｎｉ）の成分濃度が、２〜１０ａｔ％であることを特徴とする上記記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。【選択図】図１
2012132592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロム、シリコン及び酸素からなる酸化物系電気抵抗膜にニッケルを添加することを特徴とする電気抵抗膜を備えた金属箔。
【請求項２】
電気抵抗膜中の酸素濃度が、２０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
【請求項３】
電気抵抗膜中の成分である、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
【請求項４】
電気抵抗膜中の成分である、ニッケル（Ｎｉ）の成分濃度が、２〜１０ａｔ％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
【請求項５】
前記金属箔は、箔厚が５〜３５μｍである銅又は銅合金箔であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
【請求項６】
クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）を含有し、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であり、酸素（Ｏ）が２０〜６０ａｔ％、Ｎｉが２〜１０ａｔ％からなるスパッタリングターゲットを用いて電気抵抗膜を金属箔上に形成することを特徴とする電気抵抗膜を備えた金属箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、適度な抵抗値を持ち、屈曲特性に優れ、熱的安定性を有する電気抵抗膜層を備えた金属箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板の配線材料として、一般に銅箔が使用されている。この銅箔は、その製造法により電解銅箔と圧延銅箔に分けられる。この銅箔は、厚さは５μｍの非常に薄い銅箔から１４０μｍ程度の厚い銅箔まで、その範囲を任意に調整することができる。【０００３】
これら銅箔は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂からなる基板に接合され、プリント回路用基板として使用される。銅箔には基板となる樹脂との接着強度を十分確保することが求められるが、その為に、電解銅箔は一般に製箔時に形成されるマット面と呼ばれる粗面を利用し、更にその上に表面粗化処理を施して使用されることが多い。又、圧延銅箔も同様にその表面に粗化処理を施して使用されることが多い。【０００４】
最近、配線材料である銅箔に、更に電気抵抗材料からなる薄膜層を形成することが提案されている（特許文献１、２参照）。電子回路基板には、電気抵抗素子が不可欠であるが、抵抗層を備えた銅箔を使用すれば、銅箔に形成された電気抵抗膜層を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよい。
したがって、抵抗の基板内蔵化により、従来のようにチップ抵抗素子を、半田接合法を用いて基板上に表面実装する手法しかなかったものに比べ、限られた基板の表面積を有効に利用することが可能となる。【０００５】
また、多層基板内部に抵抗素子を形成することによる設計上の制約が少なくなり、回路長の短縮が可能となることにより電気的特性の改善も図れる。したがって、抵抗層を備えた銅箔を使用すれば、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、軽量化・信頼性向上が図れる。このように、電気抵抗膜を内蔵した基板は多くの利点を持っている。
これらの抵抗材料に用いるベースとなる銅箔は、その上に更に抵抗層を形成することを前提に表面処理を施されており、一般のプリント基板配線用とは通常異なるが、粗化により樹脂との接着強度を確保している点は同様である。【０００６】
銅箔の上に形成した抵抗膜は、適度な抵抗値を保有することが必要である。また、電子回路基板を形成する工程には、熱付加がある場合があるが、抵抗膜そのものが耐熱性を有することが必要である。また、抵抗膜を形成した銅箔が折り曲げられることがあるので、繰り返し折り曲げによって抵抗値が大きく変動しない耐屈曲性が必要である。【０００７】
なお、本願発明は、本出願人が先に提出した特許文献３を、さらに改良するものであるが、特許文献３に記載する発明については全て有効であり、本願発明に適用できることは言うまでもない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３３１１３３８号公報
【特許文献２】特許第３４５２５５７号公報
【特許文献３】特願２００７−２９５１１７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、銅箔に更に電気抵抗膜を形成することにより、電気抵抗材の基板内蔵化を可能とし、且つ抵抗膜の適度な抵抗値と耐熱性及び繰り返し折り曲げによって抵抗値が大きく変動しない電気抵抗膜層を備えた金属箔を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、電気抵抗膜の組成の調整が有効であり、これによって膜の適度な抵抗値と耐熱性及び繰り返し折り曲げによって抵抗値が大きく変動しない電気抵抗膜層を得ることができるとの知見を得た。【００１１】
この知見に基づき、本発明は、下記の発明を提供する。
（１）クロム、シリコン及び酸素からなる酸化物系電気抵抗膜にニッケルを添加することを特徴とする電気抵抗膜を備えた金属箔。
（２）電気抵抗膜中の酸素濃度が、２０〜６０ａｔ％であることを特徴とする上記（１）に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
（３）電気抵抗膜中の成分である、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であることを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
（４）電気抵抗膜中の成分である、ニッケル（Ｎｉ）の成分濃度が、２〜１０ａｔ％、であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
（５）前記金属箔は、箔厚が５〜３５μｍである銅又は銅合金箔であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の電気抵抗膜を備えた金属箔。
（６）クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）を含有し、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であり、酸素（Ｏ）が２０〜６０ａｔ％、Ｎｉが２〜１０ａｔ％からなるスパッタリングターゲットを用いて電気抵抗膜を金属箔上に形成することを特徴とする電気抵抗膜を備えた金属箔の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
電気抵抗膜層を内蔵した銅箔を使用することにより、回路設計の際に、新たに電気抵抗素子を別途付与する必要がなく、本銅箔に予め形成した電気抵抗膜層を、塩化第二銅溶液等のエッチング液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要、あるいは大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。【００１３】
また、電気抵抗膜層を内蔵した銅箔を使用し、抵抗素子の内層化することにより、実装部品や半田数が低減される結果、基板最表面に抵抗素子以外の素子を実装するスペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、部品内蔵化によって素子間の配線長の短縮、および信号配線中の抵抗素子電極や半田等、異種金属接合部の減少などにより、高周波領域での信号特性が改善される効果がある。【００１４】
さらに、本発明においては、抵抗膜の適度な抵抗値と耐熱性及び繰り返し折り曲げによって抵抗値が大きく変動しない電気抵抗膜層を備えているという優れた効果を有する
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】電気抵抗膜をエッチングするフローである。
【図２】Ｃｒ−Ｓｉの２元状態図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の電気抵抗膜を備えた金属箔は、基本的な構成成分が、クロム、シリコン及び酸素からなる酸化物系電気抵抗膜にニッケルを添加した電気抵抗膜を備えた金属箔である。
基板となる金属箔は、多くは銅箔を使用するが、アルミ箔等の他の箔を使用することができる。上記の通り、本願発明は、金属箔に形成した抵抗膜の構成に特徴がある。なお、以下の説明においては、金属箔を、代表的に「銅箔」と置き換えて説明するが、必要に応じて「金属箔」を用いることとする。
また、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。
【００１７】
この電気抵抗膜層の形成に際しては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法などの物理的表面処理方法、熱分解法、気相反応法などの化学的表面処理法、又は電気めっき法、無電解めっき法などの湿式表面処理法を用いて形成することができる。
【００１８】
一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。
この電気抵抗膜の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。
【００１９】
本願発明の電気抵抗膜を備えた金属箔は、電気抵抗膜中の酸素濃度が、２０〜６０ａｔｍ％であることが好ましい。これによって、後述する適度な電気抵抗値を得ることができる。
【００２０】
抵抗膜中の酸素濃度を制御することにより、得られる抵抗膜の抵抗率を意図する値に変えることが可能となる。また、形成する抵抗膜の厚みを制御することによって、その抵抗膜のシート抵抗値を制御することが可能である。
しかしながら、抵抗膜の厚みが極端に薄い場合は、材料表面の粗さの影響が大きくなるため、形成した抵抗素子の抵抗値の面内バラツキが増大するため適当でない。逆に過剰に厚い場合は、抵抗形成時の抵抗層のエッチング工程においてエッチング時間の増大ないしは有限時間内でのエッチングが不可能となることから、この場合も適当でない。
【００２１】
以上から、通常抵抗値厚みとしては、０．０１μｍ〜０．１μｍの厚みであることが、抵抗値バラツキの低減・抵抗形成の容易さから、好ましい範囲と言える。また、この適度な厚みの抵抗膜を得るために、適正な酸素濃度を選ぶ必要がある。上記の酸素量は、このような観点から決定したものである。
試験の結果、電気抵抗膜の抵抗値（ｏｈｍ／ｓｑ）の膜中酸素濃度への依存性は、表１に示す通りである。
この結果から、狙いとしている数ｋ〜１００数十ｋｏｈｍ／ｓｑの抵抗値を持った抵抗膜を、適度な厚みで形成するためには、抵抗膜（ターゲット）中の酸素濃度は２０〜６０ａｔ％とすることが望ましいと言える。
【００２２】
また、本発明の電気抵抗膜を備えた金属箔は、電気抵抗膜中の成分である、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であることが望ましい。
本発明の電気抵抗膜については、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）を含有し、クロム（Ｃｒ）及びシリコン（Ｓｉ）の各濃度（ａｔ％）に関し、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であり、酸素（Ｏ）が２０〜６０ａｔ％、Ｎｉが２〜１０ａｔ％からなり、残余がＣｒとＳｉであるスパッタリングターゲットを使用して成膜することができる。
【００２３】
図２に示すＣｒ−Ｓｉの２元状態図から、Ｃｒ／(Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００＝７３〜７９の領域では、Ｃｒ３Ｓｉが単相で安定に存在する。スパッタによって形成された抵抗膜は、ほぼアモルファス状を呈している。アモルファス状の抵抗膜は熱的な影響を受けると再結晶が進行する。
【００２４】
その際、前記組成領域にある抵抗膜であれば再結晶が進行しても単相のままで存在する。一方、例えば抵抗膜の組成がＣｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００＝７０  の場合は、Ｃｒ３ＳｉおよびαＣｒ５Ｓｉ３の２相の状態が安定であり、それが熱的な影響を受けた場合は成分原子の再配置によって、島状あるいは層状の組織を呈する。材料の機械的・電気的特性等はその結晶組織に大きく依存する。
【００２５】
プリント基板製造あるいは使用プロセスでの熱的な影響により結晶組織が変わらない（単相のままで居る）材料の方が、特性変化が小さくより安定な材料である。よってＣｒ−Ｓｉ比率については前記領域を選ぶことが、材料の特性変化の点からベストである。すなわち、Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｓｉ）×１００［％］が、７３〜７９％であることが、抵抗膜の熱的変動を抑制するのに有効である。
【００２６】
また、本発明の電気抵抗膜を備えた金属箔は、電気抵抗膜中の成分である、ニッケル（Ｎｉ）の成分濃度が、２〜１０ａｔ％であることが望ましい。このＮｉ添加により、ＣｒＳｉＯ抵抗体での屈曲特性の悪さを改善することができる。ＣｒＳｉＯに対し２％添加以上で改善効果が認められ、更に１０％以上に増やした場合については、それ以上の改善効果は認められなかった。ただし、高い抵抗値を望む場合には、ニッケル（Ｎｉ）の成分濃度は５ａｔ％以下が望ましい。
【００２７】
本願発明の電気抵抗膜を備えた金属箔に使用する金属箔は、箔厚が５〜３５μｍである銅又は銅合金箔を使用するのが有効である。
また、電気抵抗膜をエッチングする場合には、次のエッチング液組成Ａを使用するのが良い。中和剤は下記Ｂの通りである。電気抵抗膜をエッチングするフローを図１に示す。
Ａ：エッチング液組成
過マンガン酸カリウム        ６０ ｇ／Ｌ
水酸化ナトリウム    １０ｇ／Ｌ
液温               ４９℃（１２０°Ｆ）
処理時間           ５〜１０分
Ｂ：中和剤
シュウ酸           ２５ｇ／Ｌ
液温               室温
処理時間           適宜
【実施例】
【００２８】
次に、実施例を説明する。なお、以下の実施例は、本願発明の理解を容易にするためのものであり、これに制限されるものではない。
すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願発明に含まれるものである。【００２９】
（実施例１−実施例６）
１８μｍ厚の電解銅箔の平滑箔（粗さ：Ｒｚ＝０．５２μｍ）にＮｉＣｒＳｉＯ抵抗層をスパッタ法により形成した。使用したターゲット中の金属の組成（ａｔｍ％）はいずれもＮｉ／Ｃｒ／Ｓｉ＝４／７３／２３であり、ターゲット形成時に金属成分以外にＣｒまたはＳｉの酸化物（ＣｒＯやＳｉＯなど）を合わせて添加することにより、下記表１に示す所定の酸素濃度を持ったターゲットをそれぞれ作製した。なお、このときのＣｒとＳｉの組成比はいずれも、Ｃｒ／Ｓｉ＝７６／２４（ａｔ％）である。
それぞれの酸素濃度は、表１に示すように、実施例１の酸素濃度を２０ａｔ％、実施例２の酸素濃度を３０ａｔ％、実施例３の酸素濃度を３５ａｔ％、実施例４の酸素濃度を４０ａｔ％、実施例５の酸素濃度を５０ａｔ％、実施例６の酸素濃度を７０ａｔ％とした。【００３０】
Ｃｒ−Ｓｉ状態図から、Ｃｒ：Ｓｉ＝７５：２５近傍に、安定なＣｒ３Ｓｉの金属間化合物が存在する（図２のＣｒ−Ｓｉ状態図を参照）。Ｃｒが７９％以上では、Ｃｒ３ＳｉとＣｒ（Ｓｉ約６aｔ％固溶）の二相が熱的に安定に存在する。また、Ｃｒが７４％以下では、Ｃｒ３ＳｉとＣｒ５Ｓｉ３の二相が熱的に安定して存在する。
Ｃｒ：Ｓｉ＝６２：３８近傍にも安定なＣｒ５Ｓｉ３の金属間化合物が存在する（図２のＣｒ−Ｓｉ状態図）が、Ｃｒ５Ｓｉ３はＣｒ３Ｓｉよりも脆く、薄膜抵抗材料としては不向きと考えられる。よってＣｒ：Ｓｉの組成比は７５：２５（aｔ％）近傍とするのが望ましい。【００３１】
【表１】
2012132592.tif 000003
【００３２】
ターゲット中の酸素濃度と抵抗値の関係を表１に示す。表１に示すように、実施例１：酸素濃度２０ａｔ％の場合には、シート抵抗値が１０４８Ω／ｓｑとなり、実施例２：酸素濃度３０ａｔ％の場合には、シート抵抗値が２２１６Ω／ｓｑとなり、実施例３：酸素濃度３５ａｔ％の場合には、シート抵抗値が３０３２Ω／ｓｑとなり、実施例４：酸素濃度４０ａｔ％の場合には、シート抵抗値が６００８Ω／ｓｑとなり、実施例５：酸素濃度５０ａｔ％の場合には、シート抵抗値が９９７６Ω／ｓｑとなり、実施例６：酸素濃度７０ａｔ％の場合には、シート抵抗値が１２ｋΩ／ｓｑ超となり、安定した抵抗値が得られた。【００３３】
（比較例１）
酸素濃度を変化させた以外は、実施例１と同様の製造条件でスパッタリングターゲットを製造して成膜した。下記表１に示すように、比較例１の酸素濃度を１０ａｔ％とした場合、シート抵抗値が５０１Ω／ｓｑとなり、低すぎて適当でなかった。また、酸素濃度を７０aｔ％を超える値とすると、ターゲット作製時の原料のほとんどが酸化物となり、スパッタにより形成される膜質もほとんどガラス質となって硬く脆くなることから、部品内蔵素子として使用するには不向きで、適切でない。【００３４】
（実施例７−実施例９）
ＣｒＳｉＯは薄膜抵抗材料としては脆いため、屈曲特性を改善するためにＮｉを添加した。なお、酸素濃度を減らすのは、抵抗率が低くなるため、より高抵抗の抵抗膜を得るためには、抵抗厚みを薄くする必要があり、抵抗値バラツキが大きくなるため適当でない。但し、Ｎｉは高価なため、少ないほど良い。
前記実施例１の抵抗膜中の酸素濃度を２０ａｔ％とした場合について、さらに表２に示すＮｉを添加し、実施例５−実施例７のスパッタリングターゲットを製造し、下記条件でスパッタリングした試料を使用して、耐屈曲性（繰り返し折り曲げ後の抵抗値の上昇率）を調べた。【００３５】
スパッタリング条件は、次の通りである。
スパッタリング装置：１４インチメタライザー
スパッタリング電力：２．８ｋＷ
スパッタリング時間：１０〜５０ｓｅｃ
スパッタリング装置のチャンバー内圧力：３〜６×１０−３Ｔｏｒｒ【００３６】
屈曲性評価方法は、次の通りである。
Ａ：評価サンプル
ベース組成：  Ｃｒ：ＳｉＯ＝６０：４０（ａｔ％）
Ｂ：評価方法
ポリイミドフィルム（ユーピレックス）上に各抵抗体をスパッタし、フィルムを折り曲げた際の抵抗値の上昇を測定。
使用装置（サンプル作製）：１４”幅メタライザ
フィルム厚み：２５μｍ
フィルム幅（評価時）：１５ｍｍ
折り曲げ角：±１３５°
曲げ半径：２ｍｍ【００３７】
屈曲性の評価結果を表２に示す。表２に示す具体的な評価方法は次の通りである。折り曲げには、ＭＩＴ屈曲試験機を使用した。
評価方法：２０回折り曲げ後の抵抗値上昇率（Ｒ／Ｒ０）×１００
Ｒ：繰り返し折り曲げ後の抵抗値（ｏｈｍ）
Ｒ０：折り曲げ前の初期抵抗値（ｏｈｍ）【００３８】
【表２】
2012132592.tif 000004
【００３９】
実施例７のＮｉを２ａｔ％添加したスパッタリングターゲットを用いて成膜した試料は、初期抵抗値が９９０Ω／ｓｑ、折り曲げ後の抵抗値が１０８８Ω／ｓｑとなり、上昇率は９．９％で良好な結果となった。
実施例８のＮｉを５ａｔ％添加したスパッタリングターゲットを用いて成膜した試料は、初期抵抗値が１０３６Ω／ｓｑ、折り曲げ後の抵抗値が１０９６Ω／ｓｑとなり、上昇率は５．８％で良好な結果となった。
実施例９のＮｉを１０ａｔ％添加したスパッタリングターゲットを用いて成膜した試料は、初期抵抗値が９９７Ω／ｓｑ、折り曲げ後の抵抗値が１０７６Ω／ｓｑとなり、上昇率は７．９％で良好な結果となった。この結果を、表２に示す。【００４０】
（比較例２−比較例３）
表２に記載するように、比較例２は、Ｎｉを添加しない場合、比較例３は、Ｎｉを１５ａｔ％で、他は実施例７と同一の条件でスパッタリングターゲットを製造した。このスパッタリングターゲットを用いて、同様に成膜した試料について、耐屈曲性（繰り返し折り曲げ後の抵抗値の上昇率）を調べた。【００４１】
この結果、表２に示すように、比較例３のＮｉを添加しないスパッタリングターゲットを用いて成膜した試料は、初期抵抗値が１００８Ω／ｓｑ、折り曲げ後の抵抗値が１２１０Ω／ｓｑとなり、上昇率は２０．０％で、抵抗値の変動が大きく、不良となった。
また、比較例４のＮｉを１５ａｔ％添加したスパッタリングターゲットを用いて成膜した試料は、初期抵抗値が１０３９Ω／ｓｑ、折り曲げ後の抵抗値が１１４３Ω／ｓｑとなり、上昇率は１０．０％で、抵抗値の変動が大きく、不良となった。この比較例４から、Ｎｉが多すぎても、折り曲げによる抵抗率の変動が大きくなり、好ましくないことが分かった。【００４２】
なお、ターゲット中の各成分濃度の組成比は、マグネトロンスパッタリングにより形成された抵抗膜中においても、ほぼ再現されていることが試験の結果、確認された。表２に示すように、５％のＮｉの添加で、屈曲特性が大きく向上したが、Ｎｉ添加量を１０％超えて多量に添加しても、効果が飽和するだけで、得策でないことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、電気抵抗膜層を内蔵した銅箔を使用することにより、回路設計の際に、新たに電気抵抗素子を単独に形成する必要がなく、銅箔に形成された電気抵抗膜層を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。回路設計及び製作工程を著しく軽減し、銅箔に抵抗体が内蔵されることにより、高周波領域での信号特性が改善される効果を備えている。さらに、本発明においては、抵抗膜の適度な抵抗値と耐熱性及び繰り返し折り曲げによって抵抗値が大きく変動しない電気抵抗膜層を備えているという優れた効果を有するので、プリント回路基板として有用である。
【図１】
2012132592.tif 000005
【図２】
2012132592.tif 000006
【国際調査報告】
2012132592.tif 000007
2012132592.tif 000008
2012132592.tif 000009
2012132592.tif 000010