(57)【要約】  半導体ウエハの機能面を第１の固定樹脂層を介して第１の支持基材で支持した状態で半導体ウエハの裏面加工を実施し、次いで、半導体ウエハの裏面を第２の固定樹脂層を介して第２の支持基材で支持した状態で半導体装置を実装することにより、ＣＯＷ構造を有するＷＬ−ＣＳＰ型電子装置を製造することができる。
2012053463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハ／第２の固定樹脂層／第２の支持基材がこの順に積層された積層体。
【請求項２】
第１の支持基材の表面に第１の固定樹脂層を設け、次いで、前記第１の固定樹脂層と半導体ウエハの機能面を対向させて第１の固定樹脂層と半導体ウエハを貼り合せること、または半導体ウエハの機能面に第１の固定樹脂層を設け、次いで、前記第１の固定樹脂層と第１の支持基材を貼り合わせることにより第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハがこの順に積層された第１の積層体を得る工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研削し、さらに、半導体ウエハの裏面に電極を形成する半導体ウエハ裏面加工工程と、
前記半導体ウエハの裏面と第２の支持基材を第２の固定樹脂層を介して貼り合せることにより第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハ／第２の固定樹脂層／第２の支持基材がこの順に積層された第２の積層体を得る工程と、
を有する請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の積層体から第１の支持基材を剥離する第１の剥離工程と、
前記半導体ウエハの機能面に複数の半導体装置を実装することにより第２の支持基材／第２の固定樹脂層／半導体ウエハ／半導体装置がこの順に積層された第３の積層体を得る工程と、
前記第３の積層体から第２の支持基材を剥離する第２の剥離工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の剥離工程後に、半導体ウエハの機能面に付着した第１の固定樹脂層を除去する工程を有する請求項３に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の剥離工程後に、半導体ウエハの裏面に付着した第２の固定樹脂層を除去する工程を有する請求項３または４に記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置が半導体チップまたは半導体チップの積層体である請求項３ないし５のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置がフラックス機能を有する樹脂組成物を介して半導体ウエハに実装されている請求項３ないし６のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の積層体を得る工程後に、半導体装置を封止樹脂により封止する封止工程を有する請求項３ないし７のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の剥離工程後に、各半導体装置単位に個片化する個片化工程を有する請求項３ないし８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の剥離工程において、請求項１に記載の積層体を加熱することにより第１の支持基材を剥離する請求項３ないし９のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の固定樹脂層が、熱分解性の固定樹脂層であり、前記第１の剥離工程において、請求項１に記載の積層体を加熱して、前記熱分解性の固定樹脂層を熱分解することにより第１の支持基材を剥離する請求項１０に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の固定樹脂層が、熱分解性樹脂を含有する熱分解性の固定樹脂層である請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、前記第１の剥離工程が、第１の支持基材側から活性エネルギー線を照射した後、熱分解性の固定樹脂層を熱分解する工程である請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１４】
前記活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層が、酸により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を含む熱分解性の固定樹脂層である請求項１３に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体に対し、
（i）加熱すること、
（ii）活性エネルギー線を照射すること、あるいは
（iii）溶剤を供給すること、
により第２の支持基材を剥離する請求項３ないし１４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
【請求項１６】
（i）前記第２の固定樹脂層が、熱分解性または熱軟化性の固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体を加熱して、前記熱分解性または熱軟化性の固定樹脂層を熱分解または熱軟化すること、
（ii）前記第２の固定樹脂層が、光熱変換層を有する固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体を照射して、前記光熱変換層を有する固定樹脂層を分解すること、あるいは
（iii）前記第２の固定樹脂層が、溶剤溶解性を有する固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体に溶剤を供給して、前記溶剤溶解性を有する固定樹脂層を溶剤溶解させること、
により第２の支持基材を剥離する請求項１５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の固定樹脂層が、熱分解性樹脂を含有する熱分解性の固定樹脂層である請求項１６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程が、第２の支持基材側から活性エネルギー線を照射した後、熱分解性の固定樹脂層を熱分解する工程である請求項１６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１９】
前記活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層が、酸により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を含む熱分解性の固定樹脂層である請求項１８に記載の電子装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項３ないし１９のいずれかに記載の電子装置の製造方法で製造された電子装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の電子装置を基板に実装する工程を有する電気、電子部品の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の電気、電子部品の製造方法で製造された電気、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置の製造方法およびそれを用いてなる電子装置、電気、電子部品の製造方法およびそれを用いてなる電気、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来型のＣＯＷ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｗａｆｅｒ）構造の電子装置おいては、半導体ウエハの厚みをそれ程薄くする必要がなかったため、半導体ウエハの裏面研削工程、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）形成工程、半田バンプ形成工程、および、半導体チップ実装工程を半導体ウエハに支持体を貼着することなく実施することができた（特許文献１）。【０００３】
一方、電子装置の軽薄短小化に伴い、半導体ウエハの厚みを薄くするという市場の要求が高まってきている。しかしながら、半導体ウエハの厚みを薄く（例えば１００μｍ以下）すると、半導体ウエハ自身の自己支持機能がなくなるため、上記工程において半導体ウエハが破損してしまう等のハンドリング性に関する問題が発生し、ＣＯＷ型電子装置を歩留り良く製造するのが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１１０９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ＣＯＷ構造を有するＷＬ−ＣＳＰ型（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ−Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）電子装置の製造方法において、製造プロセスが簡便であり、歩留りが良く安価で信頼性の高い電子装置を得ることができる電子装置の製造方法、さらには、前記電子装置の製造方法により製造された電子装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は、以下の（１）〜（２２）により達成することができる。
（１）第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハ／第２の固定樹脂層／第２の支持基材がこの順に積層された積層体。
（２）第１の支持基材の表面に第１の固定樹脂層を設け、次いで、前記第１の固定樹脂層と半導体ウエハの機能面を対向させて第１の固定樹脂層と半導体ウエハを貼り合せること、または半導体ウエハの機能面に第１の固定樹脂層を設け、次いで、前記第１の固定樹脂層と第１の支持基材を貼り合わせることにより第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハがこの順に積層された第１の積層体を得る工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研削し、さらに、半導体ウエハの裏面に電極を形成する半導体ウエハ裏面加工工程と、
前記半導体ウエハの裏面と第２の支持基材を第２の固定樹脂層を介して貼り合せることにより第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハ／第２の固定樹脂層／第２の支持基材がこの順に積層された第２の積層体を得る工程と、
を有する（１）に記載の積層体の製造方法、
（３）（１）に記載の積層体から第１の支持基材を剥離する第１の剥離工程と、
前記半導体ウエハの機能面に複数の半導体装置を実装することにより第２の支持基材／第２の固定樹脂層／半導体ウエハ／半導体装置がこの順に積層された第３の積層体を得る工程と、
前記第３の積層体から第２の支持基材を剥離する第２の剥離工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法、
（４）前記第１の剥離工程後に、半導体ウエハの機能面に付着した第１の固定樹脂層を除去する工程を有する（３）に記載の電子装置の製造方法、
（５）前記第２の剥離工程後に、半導体ウエハの裏面に付着した第２の固定樹脂層を除去する工程を有する（３）または（４）に記載の電子装置の製造方法、
（６）前記半導体装置が半導体チップまたは半導体チップの積層体である（３）ないし（５）のいずれかに記載の電子装置の製造方法、
（７）前記半導体装置がフラックス機能を有する樹脂組成物を介して半導体ウエハに実装されている（３）ないし（６）のいずれかに記載の電子装置の製造方法、
（８）前記第２の積層体を得る工程後に、半導体装置を封止樹脂により封止する封止工程を有する（３）ないし（７）のいずれかに記載の電子装置の製造方法、
（９）前記第２の剥離工程後に、各半導体装置単位に個片化する個片化工程を有する（３）ないし（８）のいずれかに記載の電子装置の製造方法、
（１０）前記第１の剥離工程において、（１）に記載の積層体を加熱することにより第１の支持基材を剥離する（３）ないし（９）のいずれかに記載の電子装置の製造方法、
（１１）前記第１の固定樹脂層が、熱分解性の固定樹脂層であり、前記第１の剥離工程において、（１）に記載の積層体を加熱して、前記熱分解性の固定樹脂層を熱分解することにより第１の支持基材を剥離する（１０）に記載の電子装置の製造方法、
（１２）前記第１の固定樹脂層が、熱分解性樹脂を含有する熱分解性の固定樹脂層である（１１）に記載の電子装置の製造方法、
（１３）前記第１の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、前記第１の剥離工程が、第１の支持基材側から活性エネルギー線を照射した後、熱分解性の固定樹脂層を熱分解する工程である（１１）に記載の電子装置の製造方法、
（１４）前記活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層が、酸により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を含む熱分解性の固定樹脂層である（１３）に記載の電子装置の製造方法、
（１５）前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体に対し、
（i）加熱すること、
（ii）活性エネルギー線を照射すること、あるいは
（iii）溶剤を供給すること、
により第２の支持基材を剥離する（３）ないし（１４）のいずれかに記載の電子装置の製造方法、
（１６）
（i）前記第２の固定樹脂層が、熱分解性または熱軟化性の固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体を加熱して、前記熱分解性または熱軟化性の固定樹脂層を熱分解または熱軟化すること、
（ii）前記第２の固定樹脂層が、光熱変換層を有する固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体を照射して、前記光熱変換層を有する固定樹脂層を分解すること、あるいは
（iii）前記第２の固定樹脂層が、溶剤溶解性を有する固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程において、前記第３の積層体に溶剤を供給して、前記溶剤溶解性を有する固定樹脂層を溶剤溶解させること、
により第２の支持基材を剥離する（１５）に記載の電子装置の製造方法、
（１７）前記第２の固定樹脂層が、熱分解性樹脂を含有する熱分解性の固定樹脂層である（１６）に記載の電子装置の製造方法、
（１８）前記第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、前記第２の剥離工程が、第２の支持基材側から活性エネルギー線を照射した後、熱分解性の固定樹脂層を熱分解する工程である（１６）に記載の電子装置の製造方法、
（１９）前記活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層が、酸により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を含む熱分解性の固定樹脂層である（１８）に記載の電子装置の製造方法、
（２０）（３）ないし（１９）のいずれかに記載の電子装置の製造方法で製造された電子装置、
（２１）（２０）に記載の電子装置を基板に実装する工程を有する電気、電子部品の製造方法
（２２）（２１）に記載の電気、電子部品の製造方法で製造された電気、電子部品。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ＣＯＷ構造を有するＷＬ−ＣＳＰ型電子装置の製造方法において、製造プロセスが簡便であり、歩留りが良く安価で信頼性の高い電子装置を得ることができる電子装置の製造方法、さらには、前記電子装置の製造方法により製造された電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１および第２の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図２】本発明の第１および第２の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図７】本発明の第５の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【図８】本発明の第５の実施形態にかかる電子装置の製造工程を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の電子装置の製造方法は、第１の支持基材の表面に第１の固定樹脂層を設け、次いで、前記第１の固定樹脂層と半導体ウエハの機能面を対向させて第１の固定樹脂層と半導体ウエハを貼り合せること、または半導体ウエハの機能面に第１の固定樹脂層を設け、次いで、前記第１の固定樹脂層と第１の支持基材を貼り合わせることにより第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハがこの順に積層された第１の積層体を得る工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研削し、さらに、半導体ウエハの裏面に電極を形成する半導体ウエハ裏面加工工程と、
前記半導体ウエハの裏面と第２の支持基材を第２の固定樹脂層を介して貼り合せることにより第１の支持基材／第１の固定樹脂層／半導体ウエハ／第２の固定樹脂層／第２の支持基材がこの順に積層された第２の積層体を得る工程と、
前記第２の積層体から第１の支持基材を剥離する第１の剥離工程と、
前記半導体ウエハの機能面に複数の半導体装置を実装することにより第２の支持基材／第２の固定樹脂層／半導体ウエハ／半導体装置がこの順に積層された第３の積層体を得る工程と、
前記第３の積層体から第２の支持基材を剥離する第２の剥離工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法である。
【００１０】
つまり、本発明の電子装置の製造方法は、第１の積層体を得る工程と、半導体ウエハ裏面加工工程と、第２の積層体を得る工程と、第１の剥離工程と、第３の積層体を得る工程と、第２の剥離工程と、を有する。なお、半導体ウエハの機能面とは、トランジスターやダイオードなどの半導体素子やそれらを接続する回路がその表面に形成された面をいう。
本発明の電子装置の製造方法においては、半導体ウエハに第１の支持基材を固定するための第１の固定樹脂層および半導体ウエハに第２の支持基材を固定するための第２の固定樹脂層として、熱分解性の固定樹脂層、活性エネルギー線を照射することにより熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層、熱軟化性の固定樹脂層、光熱変換層を有する固定樹脂層、溶剤溶解性を有する固定樹脂層の５つを挙げることができ、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として、どのタイプの固定樹脂層を使用するかにより実施形態が異なる。
【００１１】
なお、熱分解性の固定樹脂層とは、剥離工程において、熱分解温度以上の温度で加熱することにより、固定樹脂層が熱分解して、詳細には、固定樹脂層を構成している成分が熱分解して、積層体から支持基材を剥離することができる固定樹脂層を指す。そのため、剥離工程では、積層体を熱分解性の固定樹脂層の熱分解温度以上の温度で加熱することにより、熱分解性の固定樹脂層を熱分解させて、支持基材を剥離する。剥離工程で熱分解性の固定樹脂層を熱分解させるために、積層体を加熱するときの加熱温度は、好ましくは１２０〜４２０℃、特に好ましく１５０〜３５０℃である。
また、熱分解性の固定樹脂層には、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する固定樹脂層がある。活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を用いる場合は、剥離工程において、先に固定樹脂層に活性エネルギー線を照射させて固定樹脂層の熱分解温度を低下させた後、積層体を、低下した熱分解温度以上の温度で加熱することにより、熱分解性の固定樹脂層を熱分解させて、支持基材を剥離する。そのため、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を用いることにより、剥離工程での積層体の加熱温度を低くすることができる。剥離工程で活性エネルギー線を照射した後の熱分解性の固定樹脂層を熱分解させるために、積層体を加熱するときの加熱温度は、好ましくは１００〜４００℃、特に好ましく１２０〜３００℃である。
【００１２】
また、熱軟化性の固定樹脂層とは、剥離工程において、軟化温度以上の温度で加熱することにより、固定樹脂層の溶融粘度が低下して、積層体から支持基材を剥離することができる固定樹脂層を指す。そのため、剥離工程では、積層体を熱軟化性の固定樹脂層の熱軟化温度以上の温度で加熱することにより、熱軟化性の固定樹脂層を軟化させて、支持基材を剥離する。剥離工程で熱軟化性の固定樹脂層を熱軟化させるために、積層体を加熱するときの加熱温度は、好ましくは１００〜３５０℃、特に好ましくは１２０〜３００℃である。
【００１３】
また、光熱変換層を有する固定樹脂層とは、剥離工程において、活性エネルギー線を照射することにより、光熱変換層に含まれている光吸収剤が熱エネルギーを発生し、発生した熱エネルギーにより、光熱変換層に含まれている熱分解性樹脂が熱分解して、光熱変換層中にボイドが生じるために、積層体から支持基材を剥離することができる固定樹脂層を指す。そのため、剥離工程では、先に光熱変換層に活性エネルギー線を照射させて、光熱変化層中の熱分解性樹脂を熱分解させてボイドを生じさせた後、支持基材を剥離する。なお、ボイドとは層間に生じる気泡などの間隙をいう。また、光熱変換層を有する固定樹脂層には、光熱変換層のみからなるものと、光熱変換層および接着層からなるものとがある。
【００１４】
また、溶剤溶解性を有する固定樹脂層とは、剥離工程において、支持基材に設けられている貫通孔から、固定樹脂層に溶剤を供給することにより、固定樹脂層が溶解して、積層体から支持基材を剥離することができる固定樹脂層を指す。そのため、剥離工程では、固定樹脂層に溶剤を供給して固定樹脂層を溶解させることにより、支持基材を剥離する。
【００１５】
本発明の電子装置の製造方法の実施形態を表１に示す。
【００１６】
【表１】
2012053463.tif 000003
１）先に活性エネルギー線を照射した後、熱分解することを指す。
【００１７】
第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層または熱軟化性の固定樹脂層を使用する場合、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層には、第２の固定樹脂層の熱分解温度または熱軟化温度が、第１の固定樹脂層の熱分解温度よりも高いものを用いる。これにより、第１の剥離工程において第１の固定樹脂層の熱分解温度よりも高く、かつ、第２の固定樹脂層の熱分解温度または熱軟化温度よりも低い温度で積層体を加熱することにより、選択的に第１の支持基材を剥離することができるとともに、第２の支持基材の剥離や位置ずれを防止することができる。なお、第１の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、第１の剥離工程で先に活性エネルギー線を照射する場合、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層には、第２の固定樹脂層の熱分解温度（第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、第２の剥離工程で先に活性エネルギー線を照射する場合は、活性エネルギー線が照射される前の熱分解温度）または熱軟化温度が、第１の剥離工程で活性エネルギー線を照射した後の第１の固定樹脂層の熱分解温度よりも高いものを用いる。
【００１８】
また、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として両方とも熱分解性の固定樹脂層を用いる場合、同じ組成の熱分解性の固定樹脂層を用いてもよいし、別の組成の熱分解性の固定樹脂層を用いてもよい。
【００１９】
同じ組成の熱分解性の固定樹脂層を用いる場合、例えば、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を用いて、第１の剥離工程で第１の固定樹脂層に活性エネルギー線を選択的に照射することで、第１の固定樹脂層の熱分解温度を低下させることができる。これにより、第１の剥離工程において、第２の固定樹脂層の熱分解温度を、活性エネルギー線が照射された後の第１の固定樹脂層の熱分解温度よりも高くすることができる。
【００２０】
また、別の組成の熱分解性の固定樹脂層を用いる場合、例えば、第１の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂の熱分解温度を、第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂の熱分解温度よりも低くすることにより、第２の固定樹脂層の熱分解温度を第１の固定樹脂層の熱分解温度よりも高くすることができる。
【００２１】
なお、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として両方とも活性エネルギー線を照射することにより熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用する場合は、第１の剥離工程で、第１の支持基材側から活性エネルギー線が照射されたときに、半導体ウエハが第２の固定樹脂層に活性エネルギー線が照射されるのを防ぐので、第１の固定樹脂層にのみ活性エネルギー線が照射される。
【００２２】
第１の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用する場合、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層には、第２の固定樹脂層の熱分解温度または熱軟化温度が、第１の固定樹脂層の熱軟化温度よりも高いものを用いる。これにより、第１の剥離工程において、第１の固定樹脂層の熱軟化温度よりも高く、かつ、第２の固定樹脂層の熱分解温度または熱軟化温度よりも低い温度で積層体を加熱することにより、選択的に第１の支持基材を剥離することができるとともに、第２の支持基材の剥離や位置ずれを防止することができる。なお、第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、第２の剥離工程で先に活性エネルギー線を照射する場合、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層には、活性エネルギー線が照射される前の第２の固定樹脂層の熱分解温度が、第１の固定樹脂層の熱軟化温度よりも高いものを用いる。
【００２３】
また、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として両方とも熱軟化性の固定樹脂層を用いる場合、第２の固定樹脂層の熱軟化温度を第１の固定樹脂層の熱軟化温度よりも高くする。
第２の固定樹脂層の熱軟化温度を第１の固定樹脂層の熱軟化温度よりも高くする方法としては、例えば、第１の固定樹脂層に含まれる熱軟化性樹脂の熱軟化温度を、第２の固定樹脂層に含まれる熱軟化性樹脂の熱軟化温度よりも低くすることが挙げられる。
【００２４】
第１の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層または熱軟化性の固定樹脂層を使用する場合、第１の剥離工程において、光熱変換層に活性エネルギー線が照射されることにより、光熱変換層に含まれている光吸収剤から熱エネルギーが発生し、発生した熱により、熱分解性樹脂が分解する。ここで、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層には、第２の固定樹脂層の熱分解温度（第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂であり、第２の剥離工程で先に活性エネルギー線を照射する場合は、活性エネルギー線が照射される前の熱分解温度）または熱軟化温度が、第１の剥離工程で光吸収剤が発生する熱で積層体が加熱されて光熱変換層が達する温度よりも高いものを用いる。これにより、第１の剥離工程において、第１の固定樹脂層が、第１の固定樹脂層の光熱変換層に含まれる熱分解性樹脂の熱分解温度よりも高い温度に加熱され、かつ、第２の固定樹脂層が、第２の固定樹脂層の熱分解温度または熱軟化温度よりも低い温度に加熱されるので、選択的に第１の支持基材を剥離することができるとともに、第２の支持基材の剥離や位置ずれを防止することができる。
【００２５】
また、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として両方とも光熱変換層を有する固定樹脂層を使用する場合、同じ組成の光熱変換層を用いてもよいし、別の組成の光熱変換層を用いてもよい。
【００２６】
また、第１の固定樹脂層として、光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層、または光熱変換層を有する固定樹脂層を使用する場合は、第１の剥離工程で、第１の支持基材側から活性エネルギー線が照射されたときに、半導体ウエハが第２の固定樹脂層に活性エネルギー線が照射されるのを防ぐので、第１の固定樹脂層の光熱変換層のみに活性エネルギー線が照射される。
【００２７】
同じ組成の光熱変換層を有する固定樹脂層を用いる場合、第１の固定樹脂層の光熱変換層に活性エネルギー線を選択的に照射することで、第１の固定樹脂層中の光熱変換層のみにボイドを形成することができる。
また、別の組成の光熱変換層を有する固定樹脂層を用いる場合、例えば、光熱変換層中の熱分解性樹脂の熱分解温度、光吸収剤の種類および配合量を調整することにより、第１の固定樹脂層中の光熱変換層のみに選択的にボイドを形成することができる。
【００２８】
また、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として両方とも溶剤溶解性の固定樹脂層を用いる場合、同じ組成の溶剤溶解性の固定樹脂層を用いてもよいし、別の組成の溶剤溶解性の固定樹脂層を用いてもよい。
【００２９】
同じ組成の溶剤溶解性の固定樹脂層を用いる場合、第１の固定樹脂層のみに選択的に溶剤を供給することにより、第１の固定樹脂層のみを溶解させることができる。
また、別の組成の溶剤溶解性の固定樹脂層を用いる場合、例えば、第１の固定樹脂層に含まれる溶剤溶解性の樹脂の溶剤に対する溶解性を、第２の固定樹脂層に含まれる溶剤溶解性の樹脂の溶剤に対する溶解性よりも高くすることにより、第１の剥離工程において、第１の固定樹脂層を選択的に溶剤に溶解させることができる。
【００３０】
以下、本発明の好ましい例を説明するが、本発明はこれらの例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
まず、本発明の電子装置の製造方法の中でも好ましい形態である第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を用いた５つの実施形態について詳細に説明する。
【００３１】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層および第２の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程で先に活性エネルギー線を照射した後熱分解を行い、第２の剥離工程で先に活性エネルギー線を照射した後熱分解を行う実施形態である。
【００３２】
（第１の積層体を得る工程）
先ず、図（１−ａ）に示すように、第１の支持基材１上に、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の第１の固定樹脂層１０を形成する。第１の実施形態では、後述する第１の剥離工程で先に第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射し、第２の剥離工程で先に第２の支持基材４側から活性エネルギー線を照射するため、第１の支持基材１および第２の支持基材４としては活性エネルギー線を透過する支持基材を用いる。
【００３３】
ここで、活性エネルギー線を透過する第１の支持基材１および第２の支持基材４としては、特に限定されるわけではないが、紫外線、レーザー光を透過する硬質基板が挙げられ、より具体的には、ガラス基板等が挙げられる。
【００３４】
図１に示す第１の実施形態では、第１の支持基材１上に第１の固定樹脂層１０を設けた後に、第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２の機能面を貼着するようにしたが、第１の固定樹脂層１０を半導体ウエハ２の機能面側に設けた後に、第１の固定樹脂層１０と第１の支持基材１を貼着してもよい。なお、この点については、本発明について同様であり、本発明の第２〜２５の実施形態等の他の実施形態についても同じである。
【００３５】
また、第１の固定樹脂層１０を設ける方法として、例えば、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フィルム転写法、スリットコート法、スキャン塗布法等の公知の方法を用いることができるため、新たな設備投資が必要ないという利点がある。
なお、第１の固定樹脂層１０を設ける方法としては、スピンコート法が好ましく、均一で平坦な薄膜を形成することができる。
【００３６】
次に、第１の実施形態の第１の固定樹脂層１０および第２の固定樹脂層２０で使用する熱分解性の固定樹脂層について説明する。
第１の実施形態の第１の固定樹脂層１０および第２の固定樹脂層２０は、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であり、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の樹脂組成物により構成されている。例えば、第１の固定樹脂層１０および第２の固定樹脂層２０は、活性エネルギー線の照射により酸を発生する光酸発生剤または光塩基発生剤と、光酸発生剤が発生する酸または光塩基発生剤が発生する塩基により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂とを含む固定樹脂層である。なお、光酸発生剤が発生する酸または光塩基発生剤が発生する塩基により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を、熱分解性樹脂（１）とも記載する。
【００３７】
第１の固定樹脂層１０に含まれる熱分解性樹脂（１）は、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃≦（９５％重量減少温度）−（５％重量減少温度）≦１００℃である熱分解性樹脂を含む熱分解性の樹脂組成物が好ましい。また、第２の固定樹脂層２０に含まれる熱分解性樹脂（１）は、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃≦（９５％重量減少温度）−（５％重量減少温度）≦１００℃である熱分解性樹脂が好ましい。
なお、熱分解性樹脂の５％重量減少温度、５０％重量減少温度および９５％重量減少温度は、熱分解性樹脂を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）することができる。また、熱分解性樹脂の熱分解温度が低下するとは、熱分解性樹脂の５％重量減少温度が低下することを指す。
【００３８】
上記熱分解性の固定樹脂層が、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃以上１００℃以下という範囲に規定されている熱分解性樹脂を含むことにより、熱分解性の固定樹脂層の熱分解に要する温度範囲が狭く、熱分解に要する時間を短縮でき、半導体ウエハへのダメージを抑制することができる。また、加工後の半導体ウエハの脱離が容易で、かつ半導体ウエハに固定樹脂層が残留し難いという効果を奏する。また、安定に使用可能な温度領域が広く確保できるため、支持基材を半導体ウエハに仮固定したまま、種々の加工工程に供することが可能となる。また、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、半導体ウエハに接続端子を形成し、さらに、半導体ウエハと半導体装置の接合体を得る等の加工の精度が高いという効果を奏する。
【００３９】
ここで、安定に使用可能な温度領域とは、熱分解性の固定樹脂層が分解せずに、半導体ウエハを安定して保持できる温度領域のことである。第１の実施形態に係る固定樹脂層は、この温度領域が広く確保できるため、半導体ウエハを支持基材に仮固定したままで、加温が必要である裏面加工工程にも供することが可能となる。そのため、異なる工程を連続的に行うことができるという利点を有する。
【００４０】
また、前記熱分解性樹脂（１）は、５％重量減少温度が５０℃以上であることが好ましい。これによれば、後述する、半導体ウエハに電極を形成し、さらに、半導体ウエハと半導体装置の接合体を得る等の電子装置製造プロセス中で固定樹脂層が熱分解しないという効果を得ることができる。
【００４１】
また、前記熱分解性樹脂（１）は、５０％重量減少温度が４００℃以下であることが好ましい。これによれば、後述する、剥離工程で半導体ウエハが熱履歴により損傷することを防止することができるという効果を得ることができる。
【００４２】
ここで、前記９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃以上１００℃以下という範囲に規定されている熱分解性樹脂（１）は、限定されるわけではないが、例えば、酸または塩基により加水分解する結合を主鎖に有し、主鎖の結合強度が低い樹脂を選択し、分子量等を調整することにより得られる。
【００４３】
光酸発生剤が発生する酸または光塩基発生剤が発生する塩基により熱分解温度が低下し且つ９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差を、５℃以上１００℃以下という範囲に規定することができる熱分解性樹脂（１）としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等が挙げられる。これらの熱分解性樹脂を適用することにより、後述する、積層体を得る工程、半導体ウエハ裏面加工工程等の電子装置製造プロセス中における固定樹脂層の熱分解を防止することができ、さらに、剥離工程における固定樹脂層の熱分解時間を短縮することができる。
【００４４】
これらの熱分解性樹脂（１）の中でも、電子装置製造プロセス中の固定樹脂層の熱分解を効果的に防止することができ、さらに、剥離工程における固定樹脂層の熱分解時間を効果的に短縮することができるため、ポリカーボネート系樹脂が好ましい。
【００４５】
前記熱分解性樹脂（１）がポリカーボネート系樹脂である場合、５％重量減少温度における分解時間が、１分以上６０分以下であることが好ましい。
熱分解時間を上記下限値以上とすることで、固定樹脂層の急激な熱分解を抑制することができ、熱分解したガスを排気装置で排気することが可能となるため、電子装置や電子装置を作製する設備の汚染を防止することができる。また、上記上限値以下とすることで、剥離工程において熱分解に要する時間を短縮することができるため、電子装置の生産性を向上することができる。
【００４６】
前記ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、１，２−ブチレンカーボネート、１，３−ブチレンカーボネート、１，４−ブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ブチレンカーボネート、α，β−イソブチレンカーボネート、α，γ−イソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−シクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−シクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−シクロブチレンカーボネート、ヘキセンカーボネート、シクロプロペンカーボネート、シクロヘキセンカーボネート、（メチルシクロヘキセンカーボネート）、（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ジヒドロナフタレンカーボネート、ヘキサヒドロスチレンカーボネート、シクロヘキサンプロピレンカーボネート、スチレンカーボネート、（３−フェニルプロピレンカーボネート）、（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、パーフルオロプロピレンカーボネート、ノルボルネンカーボネート、並びにこれらの組合せの骨格を有するポリカーボネート系樹脂が挙げられる。
【００４７】
前記ポリカーボネート系樹脂としては、より具体的には、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］、ポリシクロヘキセンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体等が挙げられる。
【００４８】
前記ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることがさらに好ましい。
前記重量平均分子量を上記下限値以上とすることにより、半導体ウエハまたは支持基材に固定樹脂層を形成するときに、固定樹脂層の半導体ウエハまたは支持基材に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、固定樹脂層を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、剥離工程における固定樹脂層の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を溶媒としてＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により、ポリスチレン換算値として算出することにより測定される。また、濡れ性とは樹脂の溶液を半導体ウエハや支持基材などの固体表面に塗布した際の溶液の濡れ広がりやすさをいう。
【００４９】
前記ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法が用いられる。
【００５０】
前記熱分解性樹脂（１）の含有量は、熱分解性の固定樹脂層の１０重量％〜１００重量％が好ましく、さらに好ましくは、３０重量％〜１００重量％である。熱分解性樹脂（１）の含有量を上記下限値以上とすることで、後述する剥離工程後に、固定樹脂層が半導体ウエハまたは支持基材に残留することを防止できる。
【００５１】
前記熱分解性樹脂（１）として、特に好ましいのは、ポリプロピレンカーボネート重合体、１，４−ポリブチレンカーボネート重合体、ポリシクロヘキセンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体である。
【００５２】
また、前記熱分解性樹脂（１）を含む熱分解性の固定樹脂層は、活性エネルギー線の照射によってエネルギーを加えることにより酸を発生する光酸発生剤または塩基を発生する光塩基発生剤を含む。これにより、前記熱分解性樹脂（１）の熱分解温度を低下させることができる。
【００５３】
前記光酸発生剤としては、特に限定されないが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）、トリス｛４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル｝スルフォニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド及びこれらの２種以上の組合せが挙げられる。
【００５４】
これらの中でも特に、前記熱分解性樹脂（１）の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）が好ましい。
【００５５】
前記光塩基発生剤としては、特に限定されないが、５−ベンジルー１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン、１−（２−ニトロベンゾイルカルバモイル）イミダゾール等が挙げられる。これらの中でも特に、前記熱分解性樹脂（１）の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、５−ベンジルー１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン及び５−ベンジルー１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン骨格を有する誘導体が好ましい。
【００５６】
前記光酸発生剤または光塩基発生剤の含有量は、熱分解性の固定樹脂層の０．０１〜５０重量％が好ましく、さらに好ましくは、０．１〜３０重量％である。上記下限値以上とすることで、前記熱分解性樹脂（１）の熱分解温度を安定的に下げることが可能となり、上記上限値以下とすることで固定樹脂層が半導体ウエハまたは支持基板に残渣として残留することを効果的に防止することが可能となる。
【００５７】
前記ポリカーボネート系樹脂、光酸発生剤または光塩基発生剤の組み合わせとして、特に好ましいのは、ポリカーボネート系樹脂としては、ポリプロピレンカーボネート重合体、１，４−ポリブチレンカーボネート重合体、ネオペンチルカーボネート重合体、シクロヘキセンカーボネート／ノルボルネンカーボネート共重合体であり、光酸発生剤または光塩基発生剤としてはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス｛４−［（４−アセチルフェニル）チオ］フェニル｝スルフォニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチドである。
【００５８】
この場合、ポリカーボネート系樹脂の含有量は、熱分解性の固定樹脂層の３０〜１００重量％、光酸発生剤または光塩基発生剤の含有量は、熱分解性の固定樹脂層の０．１〜３０重量％であり、ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，０００〜８００，０００であることが好ましい。このことにより、半導体ウエハまたは支持体に対する濡れ性、熱分解性の固定樹脂層の成膜性、熱分解性の固定樹脂層を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、剥離工程における固定樹脂層の熱分解性を確保することができる。
【００５９】
前記ポリカーボネート系樹脂は、前記光酸発生剤または光塩基発生剤の存在下で、ポリカーボネート系樹脂の主鎖の熱切断が容易となる構造を形成するため、又は、ポリカーボネート系樹脂自身が容易に熱分解する熱閉環構造を形成する（熱閉環反応）ため、熱分解温度が低下すると考えられる。
【００６０】
下記の反応式（１）は、ポリプロピレンカーボネート樹脂の主鎖の熱切断及び熱閉環構造の形成のメカニズムを示す。
先ず、前記光酸発生剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］及び［Ｂ］を生じる。
次に、主鎖の熱切断の場合には、中間体［Ａ］は、アセトン及びＣＯ２として断片化する。
熱閉環構造の形成（ａ又はｂ）の場合には、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２及びプロピレンオキシドとして断片化される。
【００６１】
【化１】
2012053463.tif 000004
【００６２】
また、前記熱分解性の固定樹脂層の形成については、熱分解性樹脂（１）および光酸発生剤または光塩基発生剤や、その他熱分解性の固定樹脂層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて、溶媒を含有する樹脂組成物を調製し、得られた溶媒を含有する樹脂を、支持基材または半導体ウエハ上で成膜し、溶媒を乾燥除去することにより、熱分解性の固定樹脂を形成させることができる。溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類等が挙げられる。熱分解性の樹脂組成物が溶媒を含有することにより、熱分解性の樹脂組成物の粘度を調整することが容易となり、半導体ウエハまたは支持基材に熱分解性の固定樹脂層の薄膜を形成するのが容易となる。
【００６３】
前記溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、溶媒を含有する樹脂組成物中、５〜９８重量％であることが好ましく、１０〜９５重量％であることが特に好ましい。
【００６４】
前記熱分解性の固定樹脂層は、光酸発生剤または光塩基発生剤とともに、特定のタイプまたは波長の活性エネルギー線に対する光酸発生剤または光塩基発生剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。
【００６５】
前記増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。このような増感剤の含有量は、前述した光酸発生剤または光塩基発生剤１００重量部に対して、１００重量部以下であるのが好ましく、２０重量部以下であるのがより好ましい。
【００６６】
また、前記熱分解性の固定樹脂層は、酸化防止剤を含んでいてもよい。前記酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、熱分解性の固定樹脂層の自然酸化を防止する機能を有している。
【００６７】
前記酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）  １０７６又はＣｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）  １６８が好適に用いられる。
【００６８】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）  １２９、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０、Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）  １７９０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５等を用いることもできる。
【００６９】
前記酸化防止剤の含有量は、前記熱分解性樹脂（１）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部がより好ましい。
【００７０】
また前記熱分解性の固定樹脂層は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。
【００７１】
前記シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いてもよい。
前記熱分解性の固定樹脂層がシランカップリング剤を含むことにより、半導体ウエハまたは支持基材との密着性を向上することが可能となる。
【００７２】
前記希釈剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等が挙げられる。
前記熱分解性の固定樹脂層の形成に用いる熱分解性の樹脂組成物が希釈剤を含むことにより、熱分解性の樹脂組成物の流動性を向上することができ、熱分解性の樹脂組成物の半導体ウエハまたは支持基材に対する濡れ性を向上することが可能となる。
【００７３】
次に、図（１−ｂ）に示すように、第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２の機能面を対向させて第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼り合せることにより第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２がこの順に積層された第１の積層体６０を得る。
【００７４】
第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼着する方法は、特に制限されるわけでないが、真空プレス装置、ウエハボンダー等が挙げられる。
【００７５】
また、第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼着する条件としては、特に制限されるわけではないが、温度：５０〜３５０℃、圧力：０．０１〜３ＭＰａ、時間：１０〜６００秒の条件で行うことができ、温度：７０〜３００℃、圧力：０．０３〜２ＭＰａ、時間：２０〜５００秒の条件で貼着するのが好ましく、温度：１００〜２５０℃、圧力０．０５：〜１ＭＰａ、時間：３０〜４００秒の条件で貼着するのが特に好ましい。これにより、第１の支持基材１と半導体ウエハ２間に気泡が発生することを効果的に防止することができるため、半導体ウエハ２を研削（後述する）した後の半導体ウエハ２の厚みばらつきを低減することができる。
さらに、減圧下で第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼着することが好ましく、第１の支持基材１と半導体ウエハ２間に発生する気泡をより効果的に防止することができる。
【００７６】
（半導体ウエハ裏面加工工程）
次に、図（１−ｃ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面を研削し、さらに、電極３を形成する半導体ウエハ裏面加工工程を行う。
【００７７】
半導体ウエハ２の裏面研削を行う方法は、特に制限されるわけではないが、市販されているバックグラインド装置で半導体ウエハ２の裏面研削を行うことができる。第１の実施形態において、半導体ウエハ２の機能面は、第１の固定樹脂層１０で保護されているためバックグラインド時の塵埃や水分が機能面に付着することを効果的に防止することができる。
【００７８】
また、半導体ウエハ２の厚みは、特に制限されるわけではないが、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜８０μｍが特に好ましい。半導体ウエハ２の厚みを上記範囲とすることで、電子装置の厚みを低減することができる。
【００７９】
半導体ウエハ２裏面の電極は、特に制限されるわけではないが、半田、銅、金、銀、ニッケル等の金属材料で形成されていることが好ましく、半導体チップ等の半導体装置との接合性に優れる、半田バンプ、金スタッドバンプで形成されているのが特に好ましい。前記半田バンプ、金スタッドバンプを、公知の方法により半田バンプ、金スタッドバンプを作製することができる。また、半導体ウエハの電極および半導体チップ等の半導体装置の少なくともいずれか一方の電極は半田が形成されているのが好ましい。これにより、半導体ウエハ／半導体チップの積層体の接合部を半田と異種金属の合金とすることができるため、半導体ウエハ／半導体装置の接合部の電気特性および機械特性を向上させることができる。
【００８０】
また、半導体ウエハ裏面加工工程では、半導体ウエハ２の裏面を研削し、さらに電極３を形成する以外に、例えば、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）を形成する等の他のプロセスを行ってもよい。
【００８１】
（第２の積層体を得る工程）
次に、図（１−ｄ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を第１の固定樹脂層１０と同じ組成で構成される第２の固定樹脂層２０を介して貼り合せることにより、第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２／第２の固定樹脂層２０／第２の支持基材４がこの順に積層された第２の積層体７０を得る。なお、第１の固定樹脂層１０の組成と第２の固定樹脂層２０の組成は異なっていてもよい。
【００８２】
半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を第２の固定樹脂層２０を介して貼着する方法は、特に制限されるわけでないが、真空プレス装置、ウエハボンダー等を用いて、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を第２の固定樹脂層２０を介して貼着することができる。
【００８３】
また、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を第２の固定樹脂層２０を介して貼着する条件としては、特に制限されるわけではないが、温度：５０〜３５０℃、圧力：０．０１〜３ＭＰａ、時間：１０〜６００秒の条件で行うことができ、温度：７０〜３００℃、圧力：０．０３〜２ＭＰａ、時間：２０〜５００秒の条件で貼着するのが好ましく、温度：１００〜２５０℃、圧力：０．０５〜１ＭＰａ、時間：３０〜４００秒の条件で貼着するのが特に好ましい。これにより、第２の支持基材４と半導体ウエハ２間に気泡が発生することを効果的に防止することができるため、半導体ウエハ２を研削（後述する）した後の半導体ウエハ２の厚みばらつきを低減することができる。
【００８４】
ここで、第２の積層体７０の作製方法としては、第２の固定樹脂層２０を半導体ウエハ２の裏面に予め形成し、第２の支持基材４を貼着してもよいし、第２の固定樹脂層２０を第２の支持基材４に予め形成し、半導体ウエハ２の裏面を貼着してもよい。なお、この点については、本発明について同様であり、本発明の第２〜２５の実施形態等の他の実施形態についても同じである。
【００８５】
（第１の剥離工程）
次に、図（１−ｅ）に示すように、第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射する。
【００８６】
前記活性エネルギー線としては、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザ等の近紫外線、遠赤外線が挙げられる。
【００８７】
このように、先に第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射することにより、第１の固定樹脂層１０の熱分解温度を低下させることができる。例えば、第１の固定樹脂層１０が、光酸発生剤と熱分解性樹脂（１）とを含む熱分解性の固定樹脂の場合、第１の固定樹脂層１０に活性エネルギー線が照射されることにより、第１の固定樹脂層１０内で光酸発生剤が酸を発生させ、光酸発生剤が発生させる酸により、第１の固定樹脂層１０に含まれる熱分解性樹脂（１）の熱分解温度が低下するので、第１の固定樹脂層１０の熱分解温度が低下する。一方、半導体ウエハ２が第２の固定樹脂層２０への活性エネルギー線の照射を遮蔽する作用を示すため、第２の固定樹脂層２０の熱分解温度は低下しない。以上のように、第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射することにより、第１の固定樹脂層１０の熱分解温度を第２の固定樹脂層２０の熱分解温度よりも低くすることができる。
【００８８】
次に、図（２−ａ）に示すように、第２の積層体７０を加熱することにより、第２の積層体７０から第１の支持基材１を剥離する。
【００８９】
具体的には、活性エネルギー線を照射した後の第１の固定樹脂層１０の熱分解温度よりは高く、第２の固定樹脂層２０の熱分解温度よりは低い温度に加熱することにより、第１の固定樹脂層１０のみを選択的に熱分解させ、第１の支持基材１を剥離する。
【００９０】
第１の支持基材１を剥離する方法は、特に限定されるものではないが、加熱しながら、半導体ウエハ２の裏面に対して垂直方向に脱離する方法や、半導体ウエハ２の裏面に対して水平方向にスライドさせて脱離する方法や第１の支持基材１片側から第１の支持基材１を浮かして脱離する方法等が挙げられる。
【００９１】
第１の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層に含まれている熱分解性樹脂（１）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。なお、第１の剥離工程の時点では、第２の固定樹脂層には未だ活性エネルギーは照射されていないので、Ｔ２は、活性エネルギー線が照射される前の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解樹脂（１）の熱分解温度である。
【００９２】
第１の剥離工程後、必要に応じて、第１の支持基材１または半導体ウエハ２に残留した第１の固定樹脂層１０を除去してもよい。残留した第１の固定樹脂層１０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
【００９３】
第１の実施形態の電子装置の製造方法では、第１の固定樹脂層１０が熱分解し低分子化されるので、ストレス無く第１の支持基材１の脱離が可能であるため、第１の支持基材１および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。また、低分子化した第１の固定樹脂層１０の成分は、加熱の際に揮散し、第１の支持基材１および半導体ウエハ２に第１の固定樹脂層１０が残留し難いという効果を奏する。そのため、洗浄等の後工程を簡素化でき、ハンドリング性が向上するといった利点もある。
【００９４】
（第３の積層体を得る工程）
次に、図（２−ｂ）に示すように、半導体ウエハ２の機能面に複数の半導体装置１００を実装することにより第２の支持基材４／第２の固定樹脂層２０／半導体ウエハ２／半導体装置１００がこの順に積層された第３の積層体８０を得る。
【００９５】
ここで、半導体装置１００とは、特に限定されるものではないが、半導体チップ等が挙げられる。半導体装置１００は、単層であっても、予め半導体チップを積層したような複数層の半導体装置１００であってもよい。
【００９６】
半導体ウエハ２の機能面に複数の半導体装置１００を実装する方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、半導体装置１００の半導体ウエハ２の機能面と対向する面に予め半田、金等の金属材料で構成されるバンプを形成しておき、半導体ウエハ２の機能面の電極３と前記バンプを接合することにより実装する方法が挙げられる。
【００９７】
半導体ウエハ２の機能面に複数の半導体装置１００を実装する方法をより具体的に説明するために、半導体装置１００として半導体チップを用いた場合について説明する。
まず、半導体ウエハと対向する面に半田バンプを有する半導体チップを用意する。次に、半導体ウエハの機能面の電極（金電極）と前記半田バンプの位置合わせを行ってから、半田リフロー処理を行い、半田バンプと金電極を金属結合させる。半田リフロー処理において、第１の実施形態では活性エネルギー線が照射される前の第２の固定樹脂層２０は、活性エネルギー線が照射されていないので熱分解温度が高く、熱分解し難いため、半導体ウエハ２が位置ずれすることを防止することができ、半導体装置１００を確実に実装することができる。次に、半導体チップと半導体ウエハの間隙に熱硬化性の液状封止材を充填し、さらに液状封止材を熱硬化させることにより、半導体チップを実装することができる。
【００９８】
また、半導体チップを実装する別の方法としては、半導体チップの半田バンプを有する面にフラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物層を形成する。フラックス機能とは半田バンプなどの金属表面の酸化物膜などの汚れを溶解除去することにより、金属同士の接合を容易にする機能をいう。フラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物層を形成する方法は、特に限定されるわけではなく、液状のフラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物をディスペンス、印刷、スピンコートすることにより形成する方法、フィルム状のフラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物をラミネートする方法が挙げられる。次に、前記半田バンプと前記金電極を位置合わせし、加圧および加熱することにより半田バンプと金電極を接合することができる。この際、フラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物層は、半田バンプ表面の酸化膜を除去するため、フラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物を形成することにより、確実に半田バンプと金電極を接合することができる。半田バンプと金電極を接合した後、フラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物層は、半田バンプおよび金電極の周囲に充填されているため、フラックス機能を有する熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物層を熱硬化させることにより、半導体チップの実装が完了する。
【００９９】
上記第１の実施形態の説明では、半導体チップの半田バンプと半導体ウエハの金電極を接合する実施形態について説明したが、これに限定されることはなく、金バンプと半田電極の接合、半田バンプと銅電極の接合等を用いてもよい。
【０１００】
（封止工程）
次に、第３の積層体８０を得る工程を経た後に、半導体装置１００を封止する封止工程を行ってもよい。半導体装置１００を封止することにより、水分や塵埃の混入を防止することができるため、電子装置の信頼性を高めることができる。
【０１０１】
半導体装置１００を封止するための封止材としては、特に限定されるわけではなく、液状封止材でも固形封止材でもよい。また、封止方法としては、特に限定されるわけではなく、トランスファー成型でも圧縮成型でもよいが、第３の積層体８０が位置ずれを起こし難い圧縮成型が好ましい。
【０１０２】
（第２の剥離工程）
次に、第２の支持基材４側から活性エネルギー線を照射する。
【０１０３】
前記活性エネルギー線としては、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザ等の近紫外線、遠赤外線が挙げられる。
【０１０４】
次に、図（２−ｃ）に示すように、第３の積層体８０を加熱することにより、第３の積層体８０から第２の支持基材４を剥離する。これにより、半導体ウエハ２の機能面に半導体装置１００が実装された電子装置２００を得ることができる。
【０１０５】
具体的には、活性エネルギー線が照射された後の第２の固定樹脂層２０の熱分解温度よりも高い温度に加熱することにより、第２の固定樹脂層２０を熱分解させ、第２の支持基材４を剥離する。
【０１０６】
第２の支持基材４を剥離する方法は、特に限定されるものではないが、加熱しながら、半導体ウエハ２の裏面に対して垂直方向に脱離する方法や、半導体ウエハ２の裏面に対して水平方向にスライドさせて脱離する方法や第２の支持基材４片側から第２の支持基材４を浮かして脱離する方法等が挙げられる。
【０１０７】
第２の剥離工程後、必要に応じて、第２の支持基材４または半導体ウエハ２に残留した第２の固定樹脂層２０を除去してもよい。残留した第２の固定樹脂層２０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
【０１０８】
第１の実施形態の電子装置の製造方法では、第２の固定樹脂層２０が熱分解し低分子化されるので、ストレス無く第２の支持基材の脱離が可能であるため、第２の支持基材４および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。また、低分子化した第２の固定樹脂層２０の成分は、加熱の際に揮散し、第２の支持基材４および半導体ウエハ２に第２の固定樹脂層２０が残留し難いという効果を奏する。そのため、洗浄等の後工程を簡素化でき、ハンドリングが向上するといった利点もある。
【０１０９】
（個片化工程）
次に、図（２−ｄ）に示すように、半導体ウエハに半導体装置１００が実装された電子装置２００を個片化する個片化工程を行うことができる。
【０１１０】
個片化する方法としては、特に限定されるわけではないが、例えば、第２の剥離工程後に、半導体ウエハ２裏面にダイシングテープを貼り付け、ダイシング装置によりダイシングすることにより個片化することができる。
【０１１１】
また、半導体装置１００が実装された電子装置２００を個片化する方法としては、第３の積層体８０を得る工程後、あるいは、半導体装置１００を封止する場合は封止工程後に、半導体ウエハ２を第２の支持基材４に貼り合わせたままの状態で行ってもよい。これにより、上述したダイシングテープを貼り付けてダイシングする場合に比べて工程を簡略化することができるという効果を奏することができる。
【０１１２】
第１の実施形態では、半導体ウエハ裏面加工工程（半導体ウエハ裏面の研削、電極の形成）および第３の積層体８０を得る工程（半導体ウエハの機能面に半導体装置を実装する）を、半導体ウエハ２を第１の支持基材１または第２の支持基材４で支持した状態で行うことができる。第１の支持基板１で支持することにより、半導体ウエハ裏面加工工程において耐熱性の低いバックグラインドテープ脱着をする必要がない。また、第２の支持基材４で支持することにより、第２の支持基材４に、第１の剥離工程から第３の積層体８０を得る工程まで搬送するための支持機能と半導体装置１００を半導体ウエハ２に実装する際の支持機能を兼用させることができる。以上より、電子装置の製造プロセスを簡便化することができるとともに歩留りよく安価に電子装置３００を製造することができる。
【０１１３】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
【０１１４】
第２の実施形態は、第２の剥離工程で先に活性エネルギー線の照射を行わない点が、第１の実施形態とは相違する。第２の剥離工程では、活性エネルギー線の照射を行わないため、第２の固定樹脂層は、熱分解温度以上の温度で加熱することにより熱分解する固定樹脂層であればよい。そのため、活性エネルギー線を照射しても熱分解温度が低下しない熱分解性の固定樹脂層であっても、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であってもよい。つまり、第２の実施形態は、第２の剥離工程では活性エネルギー線の照射を行わずに熱分解させる点および第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線を照射しても熱分解温度が低下しない熱分解性の固定樹脂層であっても、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であってもよい点以外は、第１の実施形態と同様である。そのため、以下の説明では、第１の実施形態の説明で用いた図１及び図２を参照して、第２の実施形態について説明する。
【０１１５】
（第１の積層体を得る工程）
先ず、図（１−ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、第１の支持基材１上に、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の第１の固定樹脂層１０を形成する。第２の実施形態では、第１の剥離工程で先に第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射するため、第１の支持基材１としては活性エネルギー線を透過する支持基材を用いる。第２の実施形態の第１の積層体を得る工程は、第１の実施形態の第１の積層体を得る工程と同様である。
【０１１６】
第２の実施形態の活性エネルギー線を透過する第１の支持基材１は、第１の実施形態の活性エネルギー線を透過する第１の支持基材１と同様である。
【０１１７】
第２の実施形態の第１の固定樹脂層１０は、第１の実施形態の第１の固定樹脂層１０と同様である。
【０１１８】
次に、図（１−ｂ）に示すように、第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２の機能面を対向させて第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼り合せることにより第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２がこの順に積層された第１の積層体６０を得る。
【０１１９】
第２の実施形態において、第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼着する方法は、第１の実施形態において、第１の固定樹脂層１０と半導体ウエハ２を貼着する方法と同様である。
【０１２０】
（半導体ウエハ裏面加工工程）
次に、図（１−ｃ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面を研削し、さらに、電極３を形成する半導体ウエハ裏面加工工程を行う。第２の実施形態の半導体ウエハ裏面加工工程は、第１の実施形態の半導体ウエハ裏面加工工程と同様である。
【０１２１】
（第２の積層体を得る工程）
次に、図（１−ｄ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を第１の固定樹脂層１０と同じ組成で構成される第２の固定樹脂層２０を介して貼り合せることにより、第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２／第２の固定樹脂層２０／第２の支持基材４がこの順に積層された第２の積層体７０を得る。第２の実施形態の第２の積層体を得る工程は、第２の固定樹脂層として、活性エネルギー線を照射しても熱分解温度が低下しない熱分解性の固定樹脂層または活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用すること以外は、第１の実施形態の第２の積層体を得る工程と同様である。また、第２の支持基材４としては、活性エネルギー線を透過する支持基材であっても、活性エネルギー線を透過しない支持基材であってもよく、第１の実施形態の活性エネルギー線を透過する第１の支持基材や、半導体ウエハ、金属板等の活性エネルギー線を透過しない支持基材が挙げられる。
【０１２２】
第２の実施形態の第２の固定樹脂層２０に使用する熱分解性の固定樹脂層は、熱分解温度以上の温度で加熱することにより熱分解する固定樹脂層である。そのため、活性エネルギー線を照射しても熱分解温度が低下しない熱分解性の固定樹脂層であっても、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層であってもよい。第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層２０は、熱分解性の樹脂組成物により構成されており、例えば、熱分解性樹脂を含む固定樹脂層である。なお、加熱することにより熱分解する樹脂を、熱分解性樹脂（２）とも記載する。
第２の固定樹脂層２０に含まれる熱分解性樹脂（２）は、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃≦（９５％重量減少温度）−（５％重量減少温度）≦１００℃である熱分解性樹脂が好ましい。
【０１２３】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層２０が、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃以上１００℃以下という範囲に規定されている熱分解性樹脂（２）を含むことにより、熱分解性の固定樹脂層の熱分解に要する温度範囲が狭く、熱分解に要する時間を短縮でき、半導体ウエハへのダメージを抑制することができる。また、加工後の半導体ウエハの脱離が容易で、かつ半導体ウエハに固定樹脂層が残留し難いという効果を奏する。また、安定に使用可能な温度領域が広く確保できるため、支持基材を半導体ウエハに仮固定をしたまま、種々の加工工程に供することが可能となる。また、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、半導体ウエハに接続端子を形成し、さらに、半導体ウエハと半導体装置の接合体を得る等の加工の精度が高いという効果を奏する。
【０１２４】
ここで、安定に使用可能な温度領域とは、熱分解性の固定樹脂層が分解せずに、半導体ウエハを安定して保持できる温度領域のことである。第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層は、この温度領域が広く確保できるため、半導体ウエハを支持基材に仮固定をしたままで、加温が必要である裏面加工工程にも供することが可能となる。そのため、異なる工程を連続的に行うことができるという利点を有する。
【０１２５】
また、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）は、５％重量減少温度が５０℃以上であることが好ましい。これによれば、後述する、半導体ウエハに電極を形成し、さらに、半導体ウエハと半導体装置の接合体を得る等の電子装置製造プロセス中で固定樹脂層が熱分解しないという効果を得ることができる。
【０１２６】
また、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）は、５０％重量減少温度が４００℃以下であることが好ましい。これによれば、後述する、剥離工程で半導体ウエハが熱履歴により損傷することを防止することができるという効果を得ることができる。
【０１２７】
ここで、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が５℃以上１００℃以下という範囲に規定されている熱分解性樹脂（２）は、限定されるわけではないが、主鎖の結合強度が低い樹脂の分子量等を調整することにより得られる。
【０１２８】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差を、５℃以上１００℃以下という範囲に規定することができる熱分解性樹脂（２）としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等が挙げられる。これらの熱分解性樹脂を適用することにより、電子装置製造プロセス中における固定樹脂層の熱分解を防止することができ、さらに、剥離工程における固定樹脂層の熱分解時間を短縮することができる。
これらの第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）の中でも、電子装置製造プロセス中の固定樹脂層の熱分解を効果的に防止することができ、さらに、剥離工程における固定樹脂層の熱分解時間を効果的に短縮することができるため、ポリカーボネート系樹脂が好ましい。
【０１２９】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）がポリカーボネート系樹脂である場合、５％重量減少温度における熱分解時間が、１分以上６０分以下であることが好ましい。
熱分解時間を上記下限値以上とすることで、固定樹脂層の急激な熱分解を抑制することができ、熱分解したガスを排気装置で排気することが可能となるため、電子装置や電子装置を作製する設備の汚染を防止することができる。また、上記上限値以下とすることで、剥離工程において熱分解に要する時間を短縮することができるため、電子装置の生産性を向上することができる。
【０１３０】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれるポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、１，２−ブチレンカーボネート、１，３−ブチレンカーボネート、１，４−ブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ブチレンカーボネート、α，β−イソブチレンカーボネート、α，γ−イソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−シクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−シクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−シクロブチレンカーボネート、ヘキセンカーボネート、シクロプロペンカーボネート、シクロヘキセンカーボネート、（メチルシクロヘキセンカーボネート）、（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ジヒドロナフタレンカーボネート、ヘキサヒドロスチレンカーボネート、シクロヘキサンプロピレンカーボネート、スチレンカーボネート、（３−フェニルプロピレンカーボネート）、（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、パーフルオロプロピレンカーボネート、ノルボルネンカーボネート、並びにこれらの組合せの骨格を有するポリカーボネート系樹脂が挙げられる。
【０１３１】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれるポリカーボネート系樹脂としては、より具体的には、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］、ポリシクロヘキセンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体等が挙げられる。
【０１３２】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれるポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることがさらに好ましい。
前記重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、半導体ウエハまたは支持基材に固定樹脂層を形成するときに、固定樹脂層の半導体ウエハまたは支持基材に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、固定樹脂層を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、剥離工程における固定樹脂層の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。
【０１３３】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれるポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法が挙げられる。
【０１３４】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）の含有量は、熱分解性の第２の固定樹脂層の１０重量％〜１００重量％が好ましく、さらに好ましくは、３０重量％〜１００重量％である。第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）の含有量を上記下限値以上とすることで、剥離工程後に、固定樹脂層が半導体ウエハまたは支持基材に残留することを防止できる。
【０１３５】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）として、特に好ましいのは、ポリプロピレンカーボネート重合体、１，４−ポリブチレンカーボネート重合体、ポリシクロヘキセンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体である。
【０１３６】
また、第２の実施形態においては、第２の固定樹脂層として、第１の実施形態で使用した活性エネルギー線を照射することにより熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用することもできる。
【０１３７】
また、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層は、酸化防止剤を含んでいてもよい。第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる酸化防止剤は、第１の実施形態の固定樹脂層に含まれる酸化防止剤と同様である。
【０１３８】
第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる酸化防止剤の含有量は、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解性樹脂（２）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。
【０１３９】
また、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層に含まれるシリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤は、第１の実施形態の固定樹脂層に含まれるシリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤と同様である。
【０１４０】
（第１の剥離工程）
次に、図（１−ｅ）に示すように、第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射する。次に、図（２−ａ）に示すように、第２の積層体７０を加熱して、第２の積層体７０から第１の支持基材１を剥離する。第２の実施形態の第１の剥離工程は、第１の実施形態の第１の剥離工程と同様である。
【０１４１】
第２の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層に含まれている熱分解性樹脂（２）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０１４２】
第１の剥離工程後、必要に応じて、第１の支持基材１または半導体ウエハ２に残留した第１の固定樹脂層１０を除去してもよい。残留した第１の固定樹脂層１０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
【０１４３】
（第３の積層体を得る工程）
次に、図（２−ｂ）に示すように、半導体ウエハ２の機能面に複数の半導体装置１００を実装することにより第２の支持基材４／第２の固定樹脂層２０／半導体ウエハ２／半導体装置１００がこの順に積層された第３の積層体８０を得る。第２の実施形態の第３の積層体を得る工程は、第１の実施形態の第３の積層体を得る工程と同様である。
【０１４４】
（封止工程）
次に、第３の積層体８０を得る工程を経た後に、半導体装置１００を封止する封止工程を行ってもよい。半導体装置１００を封止することにより、水分や塵埃の混入を防止することができるため、電子装置の信頼性を高めることができる。
【０１４５】
（第２の剥離工程）
次に、図（２−ｃ）に示すように、第３の積層体８０を加熱して、第３の積層体８０から第２の支持基材４を剥離する。これにより、半導体ウエハ２の機能面に半導体装置１００が実装された電子装置２００を得ることができる。
【０１４６】
具体的には、第２の固定樹脂層２０の熱分解温度よりも高い温度に加熱することにより、第２の固定樹脂層２０を熱分解させ、第２の支持基材４を剥離する。
【０１４７】
第２の支持基材４を剥離する方法は、特に限定されるものではないが、半導体ウエハ２の裏面に対して垂直方向に脱離する方法や、半導体ウエハ２の裏面に対して水平方向にスライドさせて脱離する方法や第２の支持基材４片側から第２の支持基材４を浮かして脱離する方法等が挙げられる。
【０１４８】
第２の剥離工程後、必要に応じて、第２の支持基材４または半導体ウエハ２に残留した第２の固定樹脂層２０を除去してもよい。残留した第２の固定樹脂層２０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
【０１４９】
第２の実施形態の電子装置の製造方法では、第２の固定樹脂層２０が熱分解し低分子化されるので、ストレス無く第２の支持基材の脱離が可能であるため、第２の支持基材４および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。また、低分子化した第２の固定樹脂層２０の成分は、加熱の際に揮散し、第２の支持基材４および半導体ウエハ２に第２の固定樹脂層２０が残留し難いという効果を奏する。そのため、洗浄等の後工程を簡素化でき、ハンドリングが向上するといった利点もある。
【０１５０】
（個片化工程）
次に、図（２−ｄ）に示すように、半導体ウエハに半導体装置１００が実装された電子装置２００を個片化する個片化工程を行うことができる。第２の実施形態の個片化工程は、第１の実施形態の個片化工程と同様である。
【０１５１】
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程で先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では加熱することにより固定樹脂層の熱軟化を行う実施形態である。
【０１５２】
第３の実施形態は、第２の剥離工程で活性エネルギー線の照射を行わない実施形態である。第３の実施形態は、第２の剥離工程で活性エネルギー線照射工程を行わず、加熱することにより熱軟化させる点、および第２の固定樹脂層が、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層ではなく、熱軟化性の固定樹脂層である点が、第１の実施形態とは相違するが、それら以外は第１の実施形態と同様である。そのため、第３の実施形態では、第１の実施形態と共通する部分の説明は省略し、第１の実施形態と異なる部分の説明を中心に記載する。
【０１５３】
第３の実施形態において、活性エネルギー線が照射された後の第１の固定樹脂層の熱分解温度は、第２の固定樹脂層である熱軟化性の固定樹脂層の軟化点よりも低い。これにより、熱分解性の固定樹脂層の熱分解温度よりも高く、熱軟化性の固定樹脂層の軟化点よりも低い温度で加熱することにより、選択的に熱分解性の第１の固定樹脂層のみを熱分解させることができるため、第１の剥離工程で確実に第１の支持基材のみを剥離することができる。
【０１５４】
（第１の積層体を得る工程）
第３の実施形態の第１の積層体を得る工程は、第１の実施形態の第１の積層体を得る工程と同様である。
まず、図（３−ａ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第１の支持基材１上に、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の第１の固定樹脂層１０を形成する。第３の実施形態の固定樹脂層１０は、第１の実施形態の固定樹脂層１０と同様である。第３の実施形態では、第１の剥離工程で先に第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射するため、第１の支持基材１としては活性エネルギー線を透過する支持基材を用いる。第２の支持基材としては、活性エネルギー線を透過する支持基材であっても、活性エネルギー線を透過しない支持基材であってもよい。
【０１５５】
次に、図（３−ｂ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第１の積層体６１を得る。
【０１５６】
（半導体ウエハ裏面加工工程）
次に、図（３−ｃ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、半導体ウエハ裏面加工工程を行う。
【０１５７】
（第２の積層体を得る工程）
次に、図（３−ｄ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を熱軟化性の第２の固定樹脂層３０を介して貼り合せることにより、第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２／第２の固定樹脂層３０／第２の支持基材４がこの順に積層された第２の積層体７１を得る。
【０１５８】
半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を熱軟化性の第２の固定樹脂層３０を介して貼着する方法は、特に制限されるわけでないが、真空プレス装置、ウエハボンダー等が挙げられる。
【０１５９】
また、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を熱軟化性の第２の固定樹脂層３０を介して貼着する条件としては、特に制限されるわけではないが、温度：２５〜３００℃、圧力：０．０１〜３ＭＰａ、時間：１〜３００秒の条件で行うことができ、温度：３０〜２５０℃、圧力：０．０３〜２ＭＰａ、時間：３〜２５０秒の条件で貼着するのが好ましく、温度：５０〜２００℃、圧力：０．０５〜１ＭＰａ、時間：５〜２００秒の条件で貼着するのが特に好ましい。これにより、第２の支持基材４と半導体ウエハ２間に気泡が発生することを効果的に防止することができるため、半導体ウエハ２を研削（後述する）した後の半導体ウエハ２の厚みばらつきを低減することができる。
【０１６０】
ここで、第２の積層体７１の作製方法としては、熱軟化性の第２の固定樹脂層３０を半導体ウエハ２の裏面に予め形成し、第２の支持基材４を貼着してもよいし、熱軟化性の第２の固定樹脂層３０を第２の支持基材４に予め形成し、半導体ウエハ２の裏面を貼着してもよい。
【０１６１】
次に、第２の固定樹脂層３０で使用する熱軟化性の固定樹脂層について説明する。第２の固定樹脂層３０は、熱軟化性の樹脂組成物により構成されている。
熱軟化性の第２の固定樹脂層３０は、第１の剥離工程での加熱温度では粘度が低下せずに、第２の剥離工程での加熱温度で加熱することにより、溶融粘度が低下するものであれば、特に限定されるものではない。具体的には、熱軟化性の第２の固定樹脂層としては、第１の剥離工程での加熱温度における粘度が、５００Ｐａ・ｓ以上であるのが好ましく、１０００Ｐａ・ｓ以上であるのが特に好ましく、また、第２の剥離工程での加熱温度における粘度が、３００Ｐａ・ｓ以下であるのが好ましく、２５０Ｐａ・ｓ以下であるのが特に好ましい。これにより、第１の剥離工程で半導体ウエハ２が位置ずれを起こすことを防止することができるとともに、半導体ウエハ２に確実に半導体装置１００を実装することができる。なお、熱軟化性の固定樹脂層の熱軟化温度とは、固定樹脂層の溶融粘度が３００Ｐａ・ｓになる温度を指す。
【０１６２】
熱軟化性の固定樹脂層は、熱軟化性の樹脂を含有する。前記熱軟化性の樹脂は、第２の剥離工程における加熱により軟化する熱可塑性樹脂であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸エステルモノマーを主成分とするアクリル酸エステル共重合体、酢酸ビニル／アクリル酸エステル共重合体等のアクリル系樹脂、ブチルゴム、ポリイソプレン、ポリブタジエン、スチレン／ブタジエン共重合体等のゴム系樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。上述のように、第２の剥離工程における加熱により熱軟化性の樹脂が軟化するため、半導体ウエハ２を損傷することなく第２の支持基材４を剥離することができる。
【０１６３】
熱軟化性の固定樹脂層は、特に限定されるわけではなく、熱軟化性の樹脂以外に酸化防止剤、凝集剤、可塑剤、界面活性剤、ワックス、フィラー等の添加剤を含有していてもよい。
【０１６４】
熱軟化性の第２の固定樹脂層３０の形成については、熱軟化性の樹脂や、その他熱軟化性の固定樹脂層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて、溶媒を含有する樹脂組成物を調製し、得られた溶媒を含有する樹脂組成物を、支持基材または半導体ウエハ上で成膜し、溶媒を乾燥除去することにより、熱軟化性の固定樹脂層を形成させることができる。溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類等が挙げられる。熱軟化性の樹脂組成物が溶媒を含有することにより、熱軟化性の樹脂組成物の粘度を調整することが容易となり、半導体ウエハまたは支持基材に熱軟化性の樹脂組成物の薄膜を形成するのが容易となる。
【０１６５】
また、熱軟化性の第２の固定樹脂層３０の形成については、熱軟化性の樹脂や、その他熱軟化性の固定樹脂層を構成する成分を前述の溶媒に溶解し、溶媒を含有する樹脂組成物を得、次いで、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等の基材に溶媒を含有する樹脂組成物を塗布、さらに、加熱することにより溶剤を揮散させることでフィルム状の樹脂組成物を得、次いで、フィルム上の樹脂組成物を、支持基材または半導体ウエハ上にラミネートして、熱軟化性の固定樹脂層を形成させることができる。
【０１６６】
（第１の剥離工程）
次に、第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射する。
【０１６７】
次に、図（４−ａ）に示すように、第２の積層体７１を加熱して、第２の積層体７１から第１の支持基材１を剥離する。第３の実施形態の第１の剥離工程は、第１の実施形態の第１の剥離工程と同様である。
【０１６８】
具体的には、活性エネルギー線が照射された後の第１の固定樹脂層１０の熱分解温度よりは高く、第２の固定樹脂層３０の熱軟化温度よりは低い温度に加熱することにより、第１の固定樹脂層１０のみを選択的に熱分解させ、第１の支持基材１を剥離する。
【０１６９】
第３の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層の熱軟化温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０１７０】
第１の剥離工程後、必要に応じて、第１の支持基材１または半導体ウエハ２に残留した第１の固定樹脂層１０を除去してもよい。残留した第１の固定樹脂層１０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
【０１７１】
第３の実施形態の電子装置の製造方法では、第１の固定樹脂層１０が熱分解し低分子化されるので、ストレス無く第１の支持基材の脱離が可能であるため、第１の支持基材１および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。
また、低分子化した第１の固定樹脂層１０の成分は、加熱の際に揮散し、第１の支持基材１および半導体ウエハ２に第１の固定樹脂層１が残留し難いという効果を奏する。そのため、洗浄等の後工程を簡素化でき、ハンドリングが向上するといった利点もある。
【０１７２】
（第３の積層体を得る工程）
次に、図（４−ｂ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第３の積層体８１を得る。
【０１７３】
（第２の剥離工程）
次に、図（４−ｃ）に示すように、熱軟化性の第２の固定樹脂層３０の軟化温度以上の温度で、第３の積層体８１を加熱することにより、第３の積層体８１から第２の支持基材４を剥離する、第２の剥離工程を行う。これにより、半導体ウエハ２の機能面に半導体装置１００が実装された電子装置２００を得ることができる。
【０１７４】
第３の実施形態の電子装置の製造方法では、第２の固定樹脂層３０が熱軟化するので、ストレス無く第２の支持基材４の脱離が可能であるため、第２の支持基材４および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。
【０１７５】
（個片化工程）
次に、図（４−ｄ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に半導体ウエハ２に半導体装置１００が実装された電子装置２００を個片化する個片化工程を行うことができる。
【０１７６】
＜第４の実施形態＞
本発明の第４の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程で先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では活性エネルギー線を照射することにより、光熱変換層の分解を行う実施形態である。第４の実施形態は、第２の剥離工程では活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行う点および第２の固定樹脂層が光熱変換層を有する固定樹脂層である点で、第１の実施形態とは相違するが、それら以外は、第１の実施形態と同様である。そのため、第３の実施形態では、第１の実施形態と共通する部分の説明は省略し、第１の実施形態と異なる部分の説明を中心に記載する。
【０１７７】
第４の実施形態において、活性エネルギー線が照射された後の第１の固定樹脂層の熱分解温度は、第２の固定樹脂層が有する光熱変換層にボイドが形成される温度よりも低い。これにより、熱分解性の固定樹脂層の熱分解温度よりも高く、光熱変換層が熱分解しボイドを形成するよりも低い温度に加熱することにより、選択的に熱分解性の固定樹脂層のみを熱分解させることができるため、第１の剥離工程で確実に第１の支持基材のみを剥離することができる。
【０１７８】
（第１の積層体を得る工程）
第４の実施形態の第１の積層体を得る工程は、第１の実施形態の第１の積層体を得る工程と同様である。
まず、図（５−ａ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第１の支持基材１上に、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の第１の固定樹脂層１０を形成する。第４の実施形態の固定樹脂層１０は、第１の実施形態の固定樹脂層１０と同様である。第４の実施形態では、第１の剥離工程で先に第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射するため、第１の支持基材１としては活性エネルギー線を透過する支持基材を用いる。また、第４の実施形態では、第２の剥離工程で活性エネルギー線を照射するため、第２の支持基材としては、活性エネルギー線を透過する支持基材を用いる。
【０１７９】
次に、図（５−ｂ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第１の積層体６２を得る。
【０１８０】
（半導体ウエハ裏面加工工程）
次に、図（５−ｃ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、半導体ウエハ裏面加工工程を行う。
【０１８１】
（第２の積層体を得る工程）
次に、図（５−ｄ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を光熱変換層４２および接着層４１を有する第２の固定樹脂層４０を介して貼り合せることにより、第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２／第２の固定樹脂層４０／第２の支持基材４がこの順に積層された第２の積層体７２を得る。なお、図（５−ｄ）では、第２の固定樹脂層が、光熱変換層および接着層を有する固定樹脂層である旨を記載したが、第４の実施形態の第２の固定樹脂層は、光熱変換層のみからなる固定樹脂層であってもよい。
【０１８２】
図５および図６に示す第４の実施形態においては、第２の固定樹脂層４０として接着層４１および光熱変換層４２を有する固定樹脂層を使用するため、第２の積層体７２は、より具体的には、第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２／接着層４１／光熱変換層４２／第２の支持基材４がこの順で積層された構造を有している。
【０１８３】
（光熱変換層）
ここで、第４の実施形態で使用する光熱変換層４２および接着層４１について説明する。
前記光熱変換層４２は、特に限定されるわけではないが、光吸収剤と熱分解性樹脂を含有することが好ましい。光熱変換層４２に含有される熱分解性樹脂を、熱分解性樹脂（３）とも記載する。光熱変換層４２が、光吸収剤および熱分解性樹脂（３）を含有することにより、光熱変換層４２に活性エネルギー線を照射することにより、熱エネルギーが発生し、光熱変換層４２の温度が急激に上昇する。光熱変換層４２の温度が、熱分解性樹脂（３）の分解温度に達すると、熱分解性樹脂（３）が分解し揮散するため、光熱変換層４２にボイドができることとなる。
【０１８４】
ここで、前記活性エネルギー線は、特に限定されるものではないが、３００〜２０００ｎｍの波長のレーザー光が挙げられ、より具体的には、１０６４ｎｍの波長の活性エネルギー線を発生するＹＡＧレーザー、５３２ｎｍの波長の２倍高調波ＹＡＧレーザー、７８０〜１３００ｎｍの波長の半導体レーザーを挙げることができる。これらの中でも、現状の汎用的な設備を利用することができる、ＹＡＧレーザーが好ましい。
【０１８５】
前記光吸収剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、カーボンブラック、グラファイト粉、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、クロム、亜鉛等の金属微粒子粉末、スクアリリウム系化合物、シアニン系色素、メチン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素などの染料が挙げられる。これらの中でも、活性エネルギーを効率的に熱エネルギーに変換することができるカーボンブラックが好ましい。
【０１８６】
前記光吸収剤の含有量は、光吸収剤の種類、形状、光熱変換層４２中での分散性などによっても異なるが、光熱変換層の１〜８０体積％であるのが好ましく、３〜７０体積％であるのが好ましい。前記下限値未満の含有量では、光熱変換層４２の発熱が乏しく、熱分解性樹脂（３）が分解し難い場合がある。また、上記上限値を超えると、光熱変換層４２の成膜性が悪く均一な光熱変換層４２を形成できない場合がある。
【０１８７】
熱分解性樹脂（３）としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ゼラチン、セルロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリフェノール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオルトエステル、ポリアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリレート樹脂、ポリ塩化ビニル等が挙げられ、これらは、単独又は２種以上混合であってもよい。また、熱分解性樹脂（３）の熱分解によりボイドを形成して分離した光熱変換層４２が再接着しないように、熱分解性樹脂（３）のガラス転移温度は室温（２５℃）以上であることが望ましく、再接着を防止するために、さらに好ましいガラス転移温度は１００℃以上である。また、第２の支持基材がガラスである場合、ガラスと光熱変換層４２の接着力を高めるために、ガラス表面のシラノール基と水素結合しうる極性基（例えば、−ＣＯＯＨ、−ＯＨなど）を分子内に持つ熱分解性樹脂（３）を用いることができる。さらに、ケミカルエッチングなどの薬液処理を必要とする用途への応用では、光熱変換層４２に耐薬品性を付与するために、熱処理により自己架橋しうる官能基を分子内に持つ熱分解性樹脂（３）や、紫外線、可視光で架橋可能な熱分解性樹脂（３）を用いることもできる。
【０１８８】
前記光熱変換層４２は、熱分解性樹脂および光吸収剤以外に、必要に応じて、フィラー、カップリング剤、界面活性剤、酸化防止剤、発泡剤、昇華剤等の添加剤を含んでいてもよい。
【０１８９】
（接着層）
第３の実施形態おいて接着層４１は、半導体ウエハ２を光熱変換層４２を介して第２の支持基材４に固定するために用いられる。光熱変換層４２の熱分解による半導体ウエハ２と第２の支持基材４との剥離の後には、接着層４１が付着した半導体ウエハ２が得られる。接着層４１は半導体ウエハ２を第２の支持基材４に固定するための十分な接着力を有するが、半導体ウエハ２と第２の支持基材４との剥離の後には、接着層４１が半導体ウエハ２から容易に剥離できるものが好ましい。
【０１９０】
前記接着層４１を形成するために使用可能な接着剤としては、特に限定されるわけではないが、ゴム、エラストマーなどを溶剤に溶解したゴム系接着剤、エポキシ、ウレタンなどをベースとする一液熱硬化型接着剤、エポキシ、ウレタン、アクリルなどをベースとする二液混合反応型接着剤、ホットメルト型接着剤、アクリル、エポキシなどをベースとする紫外線（ＵＶ）もしくは電子線硬化型接着剤、水分散型接着剤等が挙げられる。より具体的には、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート又はポリエステルアクリレートなどの（メタ）アクリル基を有するオリゴマー及び／又は（メタ）アクリルモノマーに光重合開始剤、及び、必要により、添加剤を添加したＵＶ硬化型接着剤が挙げられる。また、添加剤としては、増粘剤、可塑剤、分散剤、フィラー、難燃剤、酸化防止剤等が挙げられる。
【０１９１】
特に、半導体ウエハ２は、回路パターン等の凹凸を有するため、半導体ウエハ２の凹凸に接着層４１を充填させ、接着層４１を均一な厚さとするためには、接着層４１は液状の接着剤を用いて形成されていることが好ましく、半導体ウエハ２へ塗布する際の温度（例えば、２５℃）で液状の接着剤の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下が好ましく、５Ｐａ・ｓ以下が特に好ましい。
【０１９２】
また、接着層４１を半導体ウエハ２へ形成した後の２５℃における弾性率は、１００ＭＰａ以上であることが好ましく、２００ＭＰａ以上であること特に好ましい。また、接着層４１を半導体ウエハ２へ形成した後の２６０℃における弾性率は、１ＭＰａ以上であることが好ましく、５Ｍｐａ以上であることが特に好ましい。これにより、後述する半導体装置１００を半導体ウエハ２に実装する際に発生する応力によって、半導体ウエハ２が破損したり、半導体ウエハ２が位置ずれすることを好適に防止することができる。
【０１９３】
また、接着層４１としては両面接着テープを用いることもできる。このような両面接着テープは、通常、基材フィルムの両面に粘着剤層が設けられている。前記粘着剤としては、特に限定されるわけではないが、アクリル、ウレタン、天然ゴムなどを主成分とする粘着剤、あるいは、これらに加えて架橋剤を含む粘着剤が挙げられる。好ましくはアクリル酸エステルを主成分とする共重合体を含む粘着剤である。また、基材フィルムとしては、特に限定されるわけではないが、紙やプラスティックなどの基材フィルムが用いられる。ここで、基材フィルムは半導体ウエハ２からの接着層４１の剥離を容易にすることができる可撓性基材フィルムが好ましい。
【０１９４】
前記接着層４１の厚さは、厚み均一性と半導体ウエハの凸凹を充填できる厚みであれば、特に限定されるわけではないが、１０〜２００μｍが好ましく、２０〜１５０μｍが特に好ましい。
【０１９５】
（第１の剥離工程）
次に、第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射する。
【０１９６】
次に、図（５−ｅ）に示すように、第２の積層体７２を加熱して、第２の積層体７２から第１の支持基材１を剥離する、第１の剥離工程を行う。第４の実施形態の第１の剥離工程は、第１の実施形態の第１の剥離工程と同様である。
【０１９７】
第４の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層の光熱変換層に含まれている熱分解性樹脂（３）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０１９８】
（第３の積層体を得る工程）
次に、図（６−ａ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第３の積層体８２を得る。第４の実施形態の第３の積層体を得る工程は、第１の実施形態の第３の積層体を得る工程と同様である。
【０１９９】
（第２の剥離工程）
次に、図（６−ｂ）に示すように、第２の支持基材４側から活性エネルギー線を照射することにより、光熱変換層４２中に熱エネルギーが発生し、光熱変換層４２中の熱分解性樹脂（３）が熱分解し、光熱変換層４２中にボイド５が生成する。ここで、光熱変換層４２は、全て熱分解する必要はなく、一部が熱分解することにより光熱変換層４２中にボイド５が形成されればよい。
【０２００】
次に、図（６−ｃ）に示すように、第３の積層体８２から第２の支持基材４を剥離する。第４の実施形態では、先に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層４２にボイド５が形成されており、接着層４１と第２の支持基材４との接着面積が減少しているため、第２の支持基材４を容易に剥離することができる。
【０２０１】
第４の実施形態の電子装置の製造方法では、光熱変換層４２にボイド５が形成されるので、ストレス無く第２の支持基材４の脱離が可能であるため、第２の支持基材４および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。
【０２０２】
次いで、半導体ウエハ２に接している接着層４１を除去する。接着層４１の除去方法は、特に限定されるわけではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、単なる引き剥がし等が挙げられるが、半導体装置１００が積層された半導体ウエハ２に対するダメージを低減することができる、単なる引き剥がしが好ましい。
【０２０３】
また、第４の実施形態では、第２の支持基材４を再利用する場合、第２の支持基材４に残留する光熱変換層４２を除去する方が好ましい。光熱変換層４２を除去する方法は、特に限定されるわけではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理等が挙げられる。
【０２０４】
また、第４の実施形態の第２の固定樹脂層が、光熱変換層のみからなる固定樹脂層の場合、第２の支持基材４側から活性エネルギー線を照射することにより、光熱変換層中の熱分解性樹脂（３）を熱分解させて、光熱変換層にボイドを発生させて、第２の支持基材を剥離する。次いで、必要に応じて、半導体ウエハ２に残留した光熱変換層（第２の固定樹脂層）を、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などの方法を用いて除去する。
【０２０５】
（個片化工程）
次に、図（６−ｄ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に半導体ウエハに半導体装置１００が実装された電子装置２００を個片化する個片化工程を行う。
【０２０６】
＜第５の実施形態＞
本発明の第５の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程で先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では第２の固定樹脂層の溶剤溶解を行う実施形態である。第５の実施形態は、第２の剥離工程で第２の固定樹脂層を溶剤溶解させる点および第２の固定樹脂層が、溶媒溶解性を有する固定樹脂層である点が、第１の実施形態と相違するが、それら以外は、第１の実施形態と同様である。そのため、第５の実施形態では、第１の実施形態と共通する部分の説明は省略し、第１の実施形態と異なる部分の説明を中心に記載する。
【０２０７】
第５の実施形態において、活性エネルギーを照射された後の第１の固定樹脂層の熱分解温度は、第２の固定樹脂層である溶剤溶解性を有する固定樹脂層の軟化温度よりも低い。これにより、活性エネルギー線が照射された後の熱分解性の第１の固定樹脂層の熱分解温度よりも高く、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層の熱軟化温度よりも低い温度に加熱することにより、熱分解性の固定樹脂層のみを熱分解させることができるため、第１の剥離工程で確実に第１の基材のみを剥離することができる。なお、溶剤溶解性を有する固定樹脂層の熱軟化温度とは、固定樹脂層の溶融粘度が３００Ｐａ・ｓになる温度を指す。
【０２０８】
（第１の積層体を得る工程）
第５の実施形態の第１の積層体を得る工程は、第１の実施形態の第１の積層体を得る工程と同様である。
まず、図（７−ａ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第１の支持基材１上に、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の第１の固定樹脂層１０を形成する。第５の実施形態の固定樹脂層１０は、第１の実施形態の固定樹脂層１０と同様である。第５の実施形態では、第１の剥離工程の前に第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射するため、第１の支持基材１としては活性エネルギー線を透過する支持基材を用いる。
【０２０９】
（第１の積層体を得る工程）
次に、図（７−ｂ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、第１の積層体６３を得る。
【０２１０】
（半導体ウエハ裏面加工工程）
次に、図（７−ｃ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に、半導体ウエハ裏面加工工程を行う。
【０２１１】
（第２の積層体を得る工程）
次に、図（７−ｄ）に示すように、半導体ウエハ２の裏面と第２の支持基材４を溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を介して貼り合せることにより、第１の支持基材１／第１の固定樹脂層１０／半導体ウエハ２／溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０／第２の支持基材４がこの順に積層された第２の積層体７３を得る。
【０２１２】
第５の実施形態における第２の支持基板４は、図（７−ｄ）に示すように、その厚さ方向に貫通孔６が設けられている方が好ましい。これにより、後述する第２の剥離工程で貫通孔６から溶剤を供給することができ、溶剤と溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０の接触面積が高まるため、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を迅速に溶解させることができる。
【０２１３】
ここで、第５の実施形態で使用する溶剤溶解性の固定樹脂層について説明する。
溶剤溶解性の第２の固定樹脂層５０は、溶剤溶解性の樹脂組成物により構成されており、溶剤溶解性の樹脂を含むものであれば特に限定されるものではない。
【０２１４】
前記溶剤溶解性の樹脂としては、第２の剥離工程で供給する溶剤に溶解性がある樹脂、すなわち、溶剤溶解性の樹脂であれば、特に限定されるものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂等のノボラック系フェノール樹脂、ジアミンおよび酸無水物の反応により得られるポリイミド前駆体樹脂、さらには、ポリイミド前駆体樹脂を脱水閉環させることにより得られるポリイミド樹脂、（メタ）アクリレート系モノマーを重合することにより得られるアクリル系樹脂等が挙げられる。なお、溶剤溶解性の樹脂とは、２５℃の溶剤１００ｇに１ｇ以上溶解する樹脂を指す。
【０２１５】
また、溶剤溶解性を有する固定樹脂層は、必要に応じて、酸化防止剤、凝集剤、可塑剤、界面活性剤、ワックス、フィラー等の添加剤を含有していてもよい。
【０２１６】
溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０の形成については、溶剤溶解性を有する樹脂や、その他溶剤溶解性を有する固定樹脂層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて、溶媒を含有する樹脂組成物を調製し、得られた溶媒を含有する樹脂組成物を、支持基材または半導体ウエハ上で成膜し、溶媒を乾燥除去することにより、熱軟化性の固定樹脂層を形成させることができる。溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類等が挙げられる。熱軟化性の樹脂組成物が溶媒を含有することにより、熱軟化性の樹脂組成物の粘度を調整することが容易となり、半導体ウエハまたは支持基材に熱軟化性の樹脂組成物の薄膜を形成するのが容易となる。
【０２１７】
また、溶剤溶解性の第２の固定樹脂層５０の形成については、溶剤溶解性を有する樹脂や、その他溶剤溶解性を有する固定樹脂層を構成する成分を前述の溶媒に溶解し、溶媒を含有する樹脂組成物を得、次いで、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等の基材に溶媒を含有する樹脂組成物を塗布、さらに、加熱することにより溶剤を揮散させることでフィルム状の樹脂組成物を得、次いで、フィルム上の樹脂組成物を、支持基材または半導体ウエハ上にラミネートして、熱軟化性の固定樹脂層を形成させることができる。
【０２１８】
（第１の剥離工程）
次に、第１の支持基材１側から活性エネルギー線を照射する。
【０２１９】
（第１の剥離工程）
次に、図（７−ｅ）に示すように、第２の積層体７３を加熱して、第２の積層体７３から第１の支持基材１を剥離する。第５の実施形態の第１の剥離工程は、第１の実施形態の第１の剥離工程と同様である。
【０２２０】
具体的には、活性エネルギー線が照射された後の第１の固定樹脂層１０の熱分解温度よりは高く、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層の熱軟化温度よりは低い温度に加熱することにより、第１の固定樹脂層１０のみを選択的に熱分解させ、第１の支持基材１を剥離する。
【０２２１】
第５の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層の熱軟化温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２２２】
第１の剥離工程後、必要に応じて、第１の支持基材１または半導体ウエハ２に残留した第１の固定樹脂層１０を除去してもよい。残留した第１の固定樹脂層１０の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
【０２２３】
第５の実施形態に係る電子装置の製造方法では、第１の固定樹脂層１０が熱分解し低分子化されるので、ストレス無く第１の支持基材の脱離が可能であるため、第１の支持基材１および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。
また、低分子化した第１の固定樹脂層１の成分は、加熱の際に揮散し、第１の支持基材１および半導体ウエハ２に第１の固定樹脂層１０が残留し難いという効果を奏する。そのため、洗浄等の後工程を簡素化でき、ハンドリングが向上するといった利点もある。
【０２２４】
（第３の積層体を得る工程）
次に、図（８−ａ）に示すように、前述した第１の実施形態にと同様に、第３の積層体８３を得る。
【０２２５】
（第２の剥離工程）
次に、図（８−ｂ）に示すように、第２の支持基材４の貫通孔６から溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を溶解させることができる溶剤を供給する。
第５の実施形態では、第２の支持基材４の貫通孔６より溶剤を供給することができるため、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０の厚さ方向の断面のみに溶剤を供給する場合と比較して、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０と溶剤の接触面積を大きくすることができる。そのため、短時間で溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を除去することができ、さらに、半導体ウエハ２および第２の支持基材４に残存する残渣を低減することができる。
【０２２６】
溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層を溶解させるための溶剤としては、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を溶解させるものであればよく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類、γ―ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられ、単独でも２種以上混合であってもよい。
【０２２７】
次に、図（８−ｃ）に示すように、第３の積層体８３から第２の支持基材４を剥離する。第５の実施形態では、先に第２の固定樹脂層５０（溶剤溶解性）が溶剤に溶解し、第２の支持基材４と溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０の接着面積が減少しているため、第２の支持基材４を容易に剥離することができる。
【０２２８】
第５の実施形態に係る電子装置の製造方法では、溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０が溶剤に溶解するので、ストレス無く第２の支持基材４の脱離が可能であるため、第２の支持基材４および半導体ウエハ２の破損が生じにくいという効果を奏する。
【０２２９】
第５の実施形態では、第２の剥離工程後に、半導体ウエハ２に付着している溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を除去する。溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０の除去方法は、特に限定されるわけではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、単なる引き剥がし等が挙げられるが、半導体装置１００が積層された半導体ウエハ２に対するダメージを低減することができる、単なる引き剥がしが好ましい。
【０２３０】
また、第５の実施形態では、第２の支持基材４を再利用する場合、第２の支持基材４に残留する溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層５０を除去する方が好ましい。第２の固定樹脂層５０を除去する方法は、特に限定されるわけではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理等が挙げられる。
【０２３１】
（個片化工程）
次に、図（８−ｄ）に示すように、前述した第１の実施形態と同様に半導体ウエハ２に半導体装置１００が実装された電子装置２００を個片化する個片化工程を行う。
【０２３２】
本発明の第６〜第１０の実施形態は、第１の固定樹脂層として、熱分解性の固定樹脂層を使用し、且つ、第１の剥離工程で、固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく、積層体を加熱することにより固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。第６〜第１０の実施形態の熱分解性の第１の固定樹脂層は、第２の実施形態の熱分解性の第２の固定樹脂層と同様であり、第６〜第１０の実施形態の第１の剥離工程は、第２の実施形態の第２の剥離工程と同様であり、第６〜第１０の実施形態の第２の剥離工程は、それぞれ、第１〜第５の実施形態の第２の剥離工程と同様である。
【０２３３】
本発明の第６の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
第６の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層に含まれている熱分解性樹脂（１）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。なお、第１の剥離工程の時点では、第２の固定樹脂層には未だ活性エネルギーは照射されていないので、Ｔ２は、活性エネルギー線が照射される前の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解樹脂（１）の熱分解温度である。
【０２３４】
本発明の第７の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
第７の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層に含まれている熱分解性樹脂（２）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２３５】
本発明の第８の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行う実施形態である。
第８の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、熱軟化性の第２の固定樹脂層の熱軟化温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２３６】
本発明の第９の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として光熱変化層を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行う実施形態である。
第９の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度度をＴ１（℃）とし、光熱変換層に含まれている熱分解性樹脂（３）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２３７】
本発明の第１０の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行い、第２の剥離工程では第２の固定樹脂層の溶剤溶解を行う実施形態である。
第１０の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、溶剤溶解性を有する固定樹脂層の熱軟化温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２３８】
本発明の第１１〜第１５の実施形態は、第１の固定樹脂層として、熱軟化性の固定樹脂層を使用し、且つ、第１の剥離工程で、第２の積層体を加熱することにより、熱軟化性の第１の固定樹脂層を熱軟化させる実施形態である。第１１〜第１５の実施形態の熱軟化性の第１の固定樹脂層は、第３の実施形態の熱軟化性の第２の固定樹脂層と同様であり、第１１〜第１５の実施形態の第１の剥離工程は、第３の実施形態の第２の剥離工程と同様であり、第１１〜第１５の実施形態の第２の剥離工程は、それぞれ、第１〜第５の実施形態の第２の剥離工程と同様である。
【０２３９】
本発明の第１１の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行い、第２の剥離工程では先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
第１１の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層に含まれている熱分解性樹脂（１）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。なお、第１の剥離工程の時点では、第２の固定樹脂層には未だ活性エネルギーは照射されていないので、Ｔ２は、活性エネルギー線が照射される前の第２の固定樹脂層に含まれる熱分解樹脂（１）の熱分解温度である。
【０２４０】
本発明の第１２の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
第１２の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、第２の固定樹脂層に含まれている熱分解性樹脂（２）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２４１】
本発明の第１３の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行う実施形態である。
第１３の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、熱軟化性の第２の固定樹脂層の熱軟化温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２４２】
本発明の第１４の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行い、第２の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行う実施形態である。
第１４の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、光熱変換層に含まれている熱分解性樹脂（３）の５％重量減少温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２４３】
本発明の第１５の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行い、第２の剥離工程では第２の固定樹脂層の溶剤溶解を行う実施形態である。
第１５の実施形態では、第１の剥離工程における第２の積層体の加熱温度をＴ１（℃）とし、溶剤溶解性を有する固定樹脂層の熱軟化温度をＴ２（℃）とすると、「Ｔ１＜Ｔ２」であり、好ましくは「Ｔ１＋２０＜Ｔ２」である。
【０２４４】
本発明の第１６〜第２０の実施形態は、第１の固定樹脂層として、光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、且つ、第１の剥離工程で、光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより、光熱変換層の分解を行う実施形態である。第１６〜第２０の実施形態の光熱変換層を有する第１の固定樹脂層は、第４の実施形態の光熱変換層を有する第２の固定樹脂層と同様であり、第１６〜第２０の実施形態の第１の剥離工程は、第４の実施形態の第２の剥離工程と同様であり、第１６〜第２０の実施形態の第２の剥離工程は、それぞれ、第１〜第５の実施形態の第２の剥離工程と同様である。
【０２４５】
本発明の第１６の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行い、第２の剥離工程では先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
【０２４６】
本発明の第１７の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
【０２４７】
本発明の第１８の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行う実施形態である。
【０２４８】
本発明の第１９の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行い、第２の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行う実施形態である。
【０２４９】
本発明の第２０の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として光熱変換層を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行い、第２の剥離工程では第２の固定樹脂層の溶剤溶解を行う実施形態である。
【０２５０】
本発明の第２１〜第２５の実施形態は、第１の固定樹脂層として、溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、且つ、第１の剥離工程で、第１の固定樹脂層に溶剤を供給することにより、溶剤溶解性を有する第１の固定樹脂層を溶剤溶解させる実施形態である。第２１〜第２５の実施形態の溶剤溶解性を有する第１の固定樹脂層は、第５の実施形態の溶剤溶解性を有する第２の固定樹脂層と同様であり、第２１〜第２５の実施形態の第１の剥離工程は、第５の実施形態の第２の剥離工程と同様であり、第２１〜第２５の実施形態の第２の剥離工程は、それぞれ、第１〜第５の実施形態の第２の剥離工程と同様である。
【０２５１】
本発明の第２１の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の溶剤溶解を行い、第２の剥離工程では先に固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行った後に固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
【０２５２】
本発明の第２２の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱分解性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の溶剤溶解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層への活性エネルギー線の照射を行うことなく固定樹脂層の熱分解を行う実施形態である。
【０２５３】
本発明の第２３の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として熱軟化性の固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の溶剤溶解を行い、第２の剥離工程では固定樹脂層の熱軟化を行う実施形態である。
【０２５４】
本発明の第２４の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として光熱変化層を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の溶剤溶解を行い、第２の剥離工程では光熱変換層に活性エネルギー線を照射することにより光熱変換層の分解を行う実施形態である。
【０２５５】
本発明の第２５の実施形態の電子装置の製造方法は、第１の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第２の固定樹脂層として溶剤溶解性を有する固定樹脂層を使用し、第１の剥離工程では固定樹脂層の溶剤溶解を行い、第２の剥離工程では第２の固定樹脂層の溶剤溶解を行う実施形態である。
【０２５６】
このように、本発明に係る固定樹脂層を使用してＣＯＷ構造を有するＷＬ−ＣＳＰ型電子装置を製造することにより、製造プロセスが簡便であり、歩留りが良く安価で信頼性の高い電子装置を得ることができるという効果を奏することができる。
【０２５７】
以上、本発明の電子装置の製造方法の具体例を、実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、本発明の電子装置の製造方法は、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２５８】
ＣＯＷ構造を有するＷＬ−ＣＳＰ型電子装置の製造方法において、製造プロセスが簡便であり、歩留りが良く安価で信頼性の高い電子装置を得ることができる電子装置の製造方法、さらには、前記電子装置の製造方法により製造された電子装置を提供することができる。
【符号の説明】
【０２５９】
１      第１の支持基板
２      半導体ウエハ
３      電極
４      第２の支持基板
５      ボイド
６      貫通孔
１０    第１の固定樹脂層（活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層）
２０    第２の固定樹脂層（熱分解性の固定樹脂層）
３０    第２の固定樹脂層（熱軟化性の固定樹脂層）
４０    第２の固定樹脂層（光熱変換層を有する固定樹脂層）
４１    接着層
４２    光熱変換層
５０    第２の固定樹脂層（溶剤溶解性を有する固定樹脂層）
６０、６１、６２、６３  第１の積層体
７０、７１、７２、７３  第２の積層体
８０、８１、８２、８３  第３の積層体
１００  半導体装置
２００  電子装置
３００  電子装置（個片化）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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