(57)【要約】  本発明は、連続した半導体層に複数のゲート電極が配置されている構造を備えつつ、ソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる液晶表示パネルを提供することを目的とする。  本発明の液晶表示パネルは、第１透明基板（２０１）の主表面（２０１ｕ）に薄膜トランジスタ（３）を備えている。薄膜トランジスタ（３）は、下地絶縁膜（４）と、少なくとも第１の部位（５１）から第２の部位（５２）まで線状に延在する半導体層（５）と、ソース電極（７）と、ドレイン電極（８）と、途中の２ヶ所以上においてゲート絶縁膜（６）を介して半導体層（５）を覆うようにそれぞれ配置されたゲート電極（９）とを含む。下地絶縁膜（４）と第１透明基板（２０１）との間に、主表面（２０１ｕ）に対するゲート電極（９）の各々の投影領域（１０）を覆う遮光膜（１１）が配置されている。  遮光膜（１１）は、複数の遮光膜要素（１２）に分割されている。遮光膜要素（１２）の各々は、それぞれ１つ以上の投影領域（１０）を覆っている。
2012144517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素（２）を有する表示領域（１）を含む主表面（２０１ｕ）を有する第１透明基板（２０１）と、
少なくとも前記表示領域を含む領域において前記主表面と対向するように配置された第２透明基板（２０２）と、
前記第１透明基板と前記第２透明基板とに挟み込まれるように配置された液晶層（２０３）とを備え、
前記主表面には、前記複数の画素の各々に対応する薄膜トランジスタ（３）が設けられており、
前記薄膜トランジスタは、前記第１透明基板に近い側から順に、
前記主表面の少なくとも一部を覆う下地絶縁膜（４）と、
前記下地絶縁膜の一部を覆うようにして、平面的に見て少なくとも第１の部位（５１）から第２の部位（５２）まで線状に延在する半導体層（５）と、
前記半導体層の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜（６）と、
前記第１の部位において前記半導体層に電気的に接続するソース電極（７）と、
前記第２の部位において前記半導体層に電気的に接続するドレイン電極（８）と、
平面的に見たときの前記半導体層に沿って前記第１の部位から前記第２の部位に至る経路の途中の２ヶ所以上において前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層を覆うようにそれぞれ配置されたゲート電極（９）とを含み、
前記下地絶縁膜と前記第１透明基板との間に、前記主表面に対する前記ゲート電極の各々の投影領域を覆う遮光膜（１１）が配置されており、
前記遮光膜は、平面的に見て互いに離隔した複数の遮光膜要素（１２，１８）に分割されており、前記遮光膜要素の各々はそれぞれ１つ以上の前記ゲート電極の前記投影領域を覆っている、液晶表示パネル。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記経路上で前記第２の部位に最も近い前記ゲート電極の前記投影領域を覆う第１遮光膜要素と、前記経路上で前記第２の部位から２番目に近い前記ゲート電極の前記投影領域を覆う第２遮光膜要素とを含み、前記第１遮光膜要素は前記第２遮光膜要素から離隔するように分割して配置されている、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記経路上の前記ゲート電極の各々に対応して個別に離隔する複数の遮光膜要素に分割して配置されている、請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記主表面には、第１の方向に延在するゲート配線（１４）と、
前記第１の方向とは垂直な第２の方向に延在し、前記ソース電極と電気的に接続されているソース配線（１３）とが配置されており、
前記ゲート電極は、前記ゲート配線から電気的に接続されているか、または、前記ゲート電極の一部であり、
平面的に見て、前記経路の少なくとも一部は、前記ソース配線と重なっており、前記遮光膜要素のうち少なくとも１つは前記ソース配線と重なる位置にある、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記主表面には、第１の方向に延在するゲート配線（１４）と、
前記第１の方向とは垂直な第２の方向に延在し、前記ソース電極と電気的に接続されているソース配線（１３）とが配置されており、
前記ゲート電極は、前記ゲート配線から電気的に接続されているか、または、前記ゲート電極の一部であり、
平面的に見て、前記遮光膜要素はいずれも前記ソース配線と重ならない位置に配置されている、請求項項１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは表示領域を有する。この表示領域には通常、複数の画素が配列されている。さらに各画素において液晶層に対する電圧印加状況を制御するために、薄膜トランジスタを各画素に配置することが一般的に行なわれる。【０００３】
特開２００１−３３８２２号公報（特許文献１）の図２には、薄膜トランジスタとしてソース電極とドレイン電極との間に２つのゲート電極を配置した構成が開示されている。延在する半導体層の途中の２ヶ所の上側にゲート電極が配置されており、ソース電極およびドレイン電極は、半導体層の両端にそれぞれ接続している。半導体層のうちゲート電極の下側に位置する部分はそれぞれチャネル領域である。チャネル領域に光が入射してリーク電流が発生するという現象を防止するために基板の表面に接するように遮光膜が形成されている。特許文献１によれば、遮光膜はＭｏ，Ｔａ，Ａｌ，Ｃｒなどの金属またはその合金で形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３８２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
平面的に見て、遮光膜は、ゲート電極を基板表面に投影した領域を覆うだけでなく、さらにその周辺の領域を覆う。半導体層のうちゲート電極の投影領域の両脇にある部分をソース領域およびドレイン領域と呼ぶものとすると、ソース領域およびドレイン領域も、ゲート電極と同様に基板側から遮光膜によって覆われる。【０００６】
ソース電極とドレイン電極との間に２つのゲート電極が配置されている場合、各ゲート電極の下側はチャネル領域となるので、チャネル領域が２ヶ所存在することになる。この場合、図１８に示すように、１枚の遮光膜１１０がこれらの２つのチャネル領域を一括して覆うこととなる。図１８においては、半導体層５のうちゲート電極９に覆われた部分がそれぞれチャネル領域である。図１８におけるＸＩＸ−ＸＩＸ線に関する矢視断面図を図１９に示す。半導体層５のうちソース領域５ａ、チャネル領域５ｂ、ドレイン領域５ｃ、ソース領域５ｄ、チャネル領域５ｅ、ドレイン領域５ｆと並ぶ部分を、１枚の遮光膜１１０が一括して覆うこととなる。このように一括して覆うように遮光膜１１０を配置する設計は、省スペース化の観点から当然に行なわれる。【０００７】
しかし、遮光膜１１０は導電性を有するので、このように複数のチャネル領域を１枚の遮光膜１１０で一括して覆った場合、ソース領域およびドレイン領域と遮光膜１１０との間に新たな大きな寄生容量が発生し、複数のチャネル領域に影響が及ぶ。【０００８】
図１８に示した平面的レイアウト例の他に、変形例としては図２０に示すようなものも考えられる。図２０に示した例の場合、遮光膜は、半導体層の延在ルートに完全に沿って配置されているわけではない。迂回する形状の半導体層と異なり、遮光膜はショートカットするように延在している。しかし、このような平面的レイアウトであっても、複数のチャネル領域を１枚の遮光膜で一括して覆った場合、ソース領域およびドレイン領域と遮光膜との間に新たな大きな寄生容量が発生し、複数のチャネル領域に影響が及ぶという問題は同様に生じる。【０００９】
ここでは、ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極が２つ配置された例を説明したが、ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極が３つ以上配置されている場合も同様である。【００１０】
そこで、本発明は、連続した半導体層に複数のゲート電極が配置されている構造を備えつつ、ソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に基づく液晶表示パネルは、複数の画素を有する表示領域を含む主表面を有する第１透明基板と、少なくとも上記表示領域を含む領域において上記主表面と対向するように配置された第２透明基板と、上記第１透明基板と上記第２透明基板とに挟み込まれるように配置された液晶層とを備える。上記主表面には、上記複数の画素の各々に対応する薄膜トランジスタが設けられている。上記薄膜トランジスタは、上記第１透明基板に近い側から順に、上記主表面の少なくとも一部を覆う下地絶縁膜と、上記下地絶縁膜の一部を覆うようにして、平面的に見て少なくとも第１の部位から第２の部位まで線状に延在する半導体層と、上記半導体層の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜と、上記第１の部位において上記半導体層に電気的に接続するソース電極と、上記第２の部位において上記半導体層に電気的に接続するドレイン電極と、平面的に見たときの上記半導体層に沿って上記第１の部位から上記第２の部位に至る経路の途中の２ヶ所以上において上記ゲート絶縁膜を介して上記半導体層を覆うようにそれぞれ配置されたゲート電極とを含む。上記下地絶縁膜と上記第１透明基板との間に、上記主表面に対する上記ゲート電極の各々の投影領域を覆う遮光膜が配置されている。上記遮光膜は、平面的に見て互いに離隔した複数の遮光膜要素に分割されている。上記遮光膜要素の各々はそれぞれ１つ以上の上記ゲート電極の上記投影領域を覆っている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、遮光膜が互いに離隔した複数の遮光膜要素に分割され、遮光膜要素の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、連続した半導体層に複数のゲート電極が配置されている構造において、各チャネル領域を挟むソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における液晶表示パネルの断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における液晶表示パネルが備える第１透明基板のみを取り出した状態の斜視図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における液晶表示パネルが備える第１透明基板およびその表面に形成された構造物の部分拡大斜視図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における液晶表示パネルの部分平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線に関する矢視断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における液晶表示パネルの変形例の部分平面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における液晶表示パネルの部分平面図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における液晶表示パネルの変形例の部分平面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態３における液晶表示パネルの部分平面図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態３における液晶表示パネルの変形例の部分平面図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態３における液晶表示パネルのさらなる変形例の部分平面図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態４における液晶表示パネルの部分平面図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態４における液晶表示パネルの第１の変形例の部分平面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態４における液晶表示パネルの第２の変形例の部分平面図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態５における液晶表示パネルの部分平面図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態５における液晶表示パネルの第１の変形例の部分平面図である。
【図１７】本発明に基づく実施の形態５における液晶表示パネルの第２の変形例の部分平面図である。
【図１８】従来技術に基づく液晶表示パネルの部分平面図である。
【図１９】図１８におけるＸＩＸ−ＸＩＸ線に関する矢視断面図である。
【図２０】従来技術に基づく液晶表示パネルの変形例の部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施の形態１）
図１〜図５を参照して、本発明に基づく実施の形態１における液晶表示パネルについて説明する。図１に示すように、本実施の形態における液晶表示パネル１０１は、第１透明基板２０１と第２透明基板２０２と液晶層２０３とを備える。第１透明基板２０１および第２透明基板はガラス基板である。液晶層２０３はシール材２０４によって取り囲まれている。図１では、第１透明基板２０１および第２透明基板の表面に形成された構造物は図示省略している。
【００１５】
液晶表示パネル１０１から第１透明基板２０１のみを取り出したところの斜視図を図２に示す。図２では、第１透明基板２０１の主表面２０１ｕに規定される概念的な領域を示している。ここでは、主表面２０１ｕの一部に表示領域１が規定されている。表示領域１は複数の画素２に区分されている。実際には、液晶表示パネル１０１を作製するに当たって、第１透明基板２０１の主表面２０１ｕにさまざまな構造物が形成されている。
【００１６】
第１透明基板２０１およびその表面に形成された構造物をおおまかに示すと図３のようになる。主表面２０１ｕには複数のソース配線１３が互いに平行に設けられている。複数のソース配線１３と垂直な方向に複数のゲート配線１４が設けられている。２本のソース配線１３と２本のゲート配線１４とに囲まれるほぼ長方形の領域が１つの画素２に相当する。ソース配線１３とゲート配線１４とが交差する部分の近傍には薄膜トランジスタ３が形成されている。薄膜トランジスタ３の近傍の平面図を図４に示す。図４は、薄膜トランジスタ３の一例として、いわゆるデュアルのＵ字形の例を示している。「デュアル」とはゲート電極を２つ備えるタイプを意味する。図４に示すように、半導体層５は第１の部位５１から第２の部位５２までＵ字形に延在している。図４におけるＶ−Ｖ線に関する矢視断面図を図５に示す。
【００１７】
本実施の形態における液晶表示パネル１０１は、複数の画素２を有する表示領域１を含む主表面２０１ｕを有する第１透明基板２０１と、少なくとも表示領域１を含む領域において主表面２０１ｕと対向するように配置された第２透明基板２０２と、第１透明基板２０１と第２透明基板２０２とに挟み込まれるように配置された液晶層２０３とを備える。主表面２０１ｕには、複数の画素２の各々に対応する薄膜トランジスタ３が設けられている。図４、図５に示すように、薄膜トランジスタ３は、第１透明基板２０１に近い側から順に、主表面２０１ｕの少なくとも一部を覆う下地絶縁膜４と、下地絶縁膜４の一部を覆うようにして、平面的に見て少なくとも第１の部位５１から第２の部位５２まで線状に延在する半導体層５と、半導体層５の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜６と、第１の部位５１において半導体層５に電気的に接続するソース電極７と、第２の部位５２において半導体層５に電気的に接続するドレイン電極８と、平面的に見たときの半導体層５に沿って第１の部位５１から第２の部位５２に至る経路の途中の２ヶ所以上においてゲート絶縁膜６を介して半導体層５を覆うようにそれぞれ配置されたゲート電極９とを含む。下地絶縁膜４と第１透明基板２０１との間に、主表面２０１ｕに対するゲート電極９の各々の投影領域１０を覆う遮光膜１１が配置されている。遮光膜１１は、平面的に見て互いに離隔した複数の遮光膜要素１２に分割されており、遮光膜要素１２の各々はそれぞれ１つ以上のゲート電極９の投影領域１０を覆っている。
【００１８】
図５においては、説明の便宜のため、各部の長さは適宜伸縮されている。特に横方向の長さに関してはその傾向が顕著である。図５では、ソース配線１３およびゲート配線１４は図示省略されている。図４では、画素電極に電気的接続を図るためのコンタクト１５も表示されているが、画素電極は図示省略されている。コンタクト１５は図５では図示省略されている。図４および図５に示すように、薄膜トランジスタ３は、１本の半導体層５の途中に２つのゲート電極９を備えている。ゲート電極９は、ゲート配線１４の一部である。ゲート配線１４の途中の半導体層５と重なっている部分がゲート電極９となっている。
【００１９】
半導体層５のうちゲート電極９の投影領域１０に位置する部分はチャネル領域に該当する。遮光膜要素１２が投影領域１０を覆っているということは、言い換えれば、遮光膜要素１２がチャネル領域を下側から覆っているといえる。
【００２０】
本実施の形態では、薄膜トランジスタ３の中に複数あるチャネル領域のすべてを１つの遮光膜１１で下側から覆うのではなく、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２に分割され、遮光膜要素１２の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、連続した半導体層に複数のゲート電極が配置されている構造を備えつつ、各チャネル領域を挟むソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる。
【００２１】
本実施の形態における液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタ３の変形例として、いわゆるデュアルのＬ字形の例の平面図を図６に示す。図６に示すように、半導体層５は第１の部位５１から第２の部位５２までＬ字形に延在している。図６に示す例では、ゲート配線１４の途中から枝分かれするようにゲート支線１６が延在しており、ゲート支線１６の一部が半導体層５と重なることによってゲート電極９となっている。図６の例においても薄膜トランジスタ３は１本の半導体層５の途中に２つのゲート電極９を備えている。
【００２２】
このような変形例においても、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２に分割され、遮光膜要素１２の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、上述の効果を得ることができる。
【００２３】
（実施の形態２）
図７を参照して、本発明に基づく実施の形態２における液晶表示パネルについて説明する。本実施の形態における液晶表示パネルは、基本的には実施の形態１で説明したのと同様の構成であるが、薄膜トランジスタの構成が異なる。以下の各実施の形態においてもそれぞれ薄膜トランジスタの構成が異なるのみであるので、以下の各実施の形態においても薄膜トランジスタに関して特に集中的に説明している。
【００２４】
本実施の形態における液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタ３は、いわゆるデュアルのＩ字形である。図７に示すように、半導体層５はソース配線１３と重なる位置である第１の部位５１からソース配線１３に重なるようにしばらく延在した後に９０°折れ曲がってゲート配線１４と平行に延在することによって第２の部位５２に至っている。ゲート配線１４の途中から枝分かれするようにゲート支線１７が延在している。ゲート支線１７は折れ曲がった後にゲート配線１４と平行に延在し、ソース配線１３と交差している。ゲート配線１４のうち半導体層５と重なっている部分、および、ゲート支線１７のうち半導体層５と重なっている部分がゲート電極９となっている。したがって、この薄膜トランジスタ３は、図７に示されるように、ソース配線１３と重なるように２つのゲート電極９を備える。半導体層５のうちこれらのゲート電極９の真下にある部分がそれぞれチャネル領域に相当する。
【００２５】
遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２に分割されて配置されている点などについては、実施の形態１で説明したのと同様である。
【００２６】
本実施の形態においても、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２に分割され、遮光膜要素１２の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、上述の効果を得ることができる。
【００２７】
本実施の形態における液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタ３の変形例として、いわゆるデュアルのＩ−字形の例を図８に示す。半導体層５はソース配線１３と重なる位置である第１の部位５１からゲート配線１４と平行に延在して第２の部位５２に至っている。ゲート配線１４の途中の２ヶ所からそれぞれ枝分かれするようにゲート支線１６が延在している。各ゲート支線１６のうち半導体層５と重なっている部分がゲート電極９となっている。したがって、この薄膜トランジスタ３は、図８に示されるように、ソース配線１３と重ならない位置に、ゲート配線１４と平行に並ぶように２つのゲート電極９を備える。半導体層５のうちこれらのゲート電極９の真下にある部分がそれぞれチャネル領域に相当する。
【００２８】
このような変形例においても、上述の効果を得ることができる。
（実施の形態３）
図９を参照して、本発明に基づく実施の形態３における液晶表示パネルについて説明する。本実施の形態における液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタ３は、いわゆるトリプルである。半導体層５はソース配線１３と重なる位置である第１の部位５１からソース配線１３に重なったまましばらく延在した後に９０°折れ曲がって第２の部位５２に至っている。図９に示すように、ゲート配線１４からは一方の側に枝分かれするようにゲート支線１６が延在し、さらに他方の側に枝分かれするようにゲート支線１７が延在している。ゲート支線１７は９０°折れ曲がってソース配線１３と交差している。ゲート配線１４のうち半導体層５と重なる部分がゲート電極となっており、さらにゲート支線１６，１７のうち半導体層５と重なる部分がそれぞれゲート電極９となっている。したがって、この薄膜トランジスタ３は、図９に示されるように、ソース配線１３と重なる位置に２つのゲート電極９を備え、ソース配線１３と重ならない位置に１つのゲート電極９を備える。したがって、本実施の形態における液晶表示パネルの薄膜トランジスタ３は、合計３つのゲート電極９を備える。半導体層５のうちこれらのゲート電極９の真下にある部分がそれぞれチャネル領域に相当する。
【００２９】
本実施の形態においても、実施の形態１で説明したような効果を得ることができる。
変形例として図１０に示すような構成も考えられる。この例においても、薄膜トランジスタ３は３つのゲート電極９を備える。すなわち、薄膜トランジスタ３は３つのチャネル領域を有する。図１０に示した例では、ソース配線１３に重なる位置の２つのチャネル領域に対応する遮光膜要素１８はつながって一体的なものとなっている。第２の部位５２に最も近い位置の１つのチャネル領域はソース配線１３に重ならない位置にあり、このチャネル領域を覆う遮光膜要素１２は分離独立したものとなっている。
【００３０】
このような変形例では、２つのチャネル領域を１つの遮光膜要素１８で下側から覆っているという点では、図９に示した例に比べて効果が若干劣るかもしれないが、図１０に示した例においても、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２，１８に分割され、遮光膜要素の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、１つの薄膜トランジスタ３に属する全てのチャネル領域を単一の一体的な遮光膜で一括して被覆する場合に比べれば、各チャネル領域を挟むソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる。
【００３１】
さらに変形例として図１１に示す構成も考えられる。この例においても、薄膜トランジスタ３は３つのゲート電極９を備える。すなわち、薄膜トランジスタ３は３つのチャネル領域を有する。図１１に示した例では、ゲート配線１４に重なる位置の１つのチャネル領域とゲート支線１６に重なる位置の１つのチャネル領域とに対応する遮光膜要素１８はつながって一体的なものとなっている。第１の部位５１に最も近い位置の１つのチャネル領域はソース配線１３に重なる位置にあり、このチャネル領域を覆う遮光膜要素１２は分離独立したものとなっている。
【００３２】
このような変形例では、２つのチャネル領域を１つの遮光膜要素１８で下側から覆っているという点では、図９に示した例に比べて効果が若干劣るかもしれないが、図１１に示した例においても、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２，１８に分割され、遮光膜要素の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、１つの薄膜トランジスタ３に属する全てのチャネル領域を単一の一体的な遮光膜で一括して被覆する場合に比べれば、各チャネル領域を挟むソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる。
【００３３】
図１０に示した例と図１１に示した例とを比較した場合、図１０に示した例の方がドレイン電極８に近い位置における遮光膜要素が小さいので、遮光膜に起因する寄生容量がドレイン電極８に対して与える影響を小さくすることができ、この画素における表示品位を向上することができる。したがって、表示品位を優先したい場合には、図１０に示す構成が好ましい。言い換えれば、以下のようになる。
【００３４】
上記各実施の形態における液晶表示パネルにおいては、前記遮光膜は、前記経路上で前記第２の部位に最も近い前記ゲート電極の前記投影領域を覆う第１遮光膜要素と、前記経路上で前記第２の部位から２番目に近い前記ゲート電極の前記投影領域を覆う第２遮光膜要素とを含み、前記第１遮光膜要素は前記第２遮光膜要素から離隔するように分割して配置されていることが好ましい。この構成を採用することにより、遮光膜に起因する寄生容量がドレイン電極に対して与える影響を小さくすることができ、その結果、表示品位を向上させることができる。
【００３５】
さらに、図４〜図９に示したように、ゲート電極の各々に対応して１つずつ分離独立して遮光膜要素が設けられていることが好ましい。すなわち、前記遮光膜は、前記経路上の前記ゲート電極の各々に対応して個別に離隔する複数の遮光膜要素に分割して配置されていることが好ましい。この構成を採用することにより、遮光膜全体として生じる寄生容量を小さく抑えることができるからである。
【００３６】
（実施の形態４）
図１２を参照して、本発明に基づく実施の形態４における液晶表示パネルについて説明する。本実施の形態における液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタ３は、いわゆるトリプルである。半導体層５は、ソース配線１３に重なる位置にある第１の部位５１からソース配線１３に沿って延在しつつゲート配線１４と交差した後に９０°折れ曲がってゲート配線１４と平行に延在することによって第２の部位５２に至っている。半導体層５がゲート配線１４と平行に延在する部分においては半導体層５は２本のゲート支線１６とそれぞれ交差している。この例では、薄膜トランジスタ３は３つのチャネル領域を有する。各チャネル領域はそれぞれ平面的に見て互いに離隔した別々の遮光膜要素１２によって下側から覆われている。各遮光膜要素１２はそれぞれ１つずつのチャネル領域を下側から覆っている。
【００３７】
本実施の形態においても、実施の形態１で説明したような効果を得ることができる。
変形例として図１３、図１４に示すような構成も考えられる。図１３、図１４に示した例においても、薄膜トランジスタ３はそれぞれ３つのゲート電極９を備える。すなわち、薄膜トランジスタ３は３つのチャネル領域を有する。
【００３８】
図１３、図１４にそれぞれ示した変形例では、３つのチャネル領域のうち２つのチャネル領域を１つの遮光膜要素１８で下側から覆っているという点では、図１２に示した例に比べて効果が若干劣るかもしれないが、図１３、図１４に示した各例においても、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２，１８に分割され、遮光膜要素の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、１つの薄膜トランジスタ３に属する全てのチャネル領域を単一の一体的な遮光膜で一括して被覆する場合に比べれば、各チャネル領域を挟むソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる。
【００３９】
（実施の形態５）
図１５を参照して、本発明に基づく実施の形態５における液晶表示パネルについて説明する。本実施の形態における液晶表示パネルが備える薄膜トランジスタ３は、いわゆるトリプルである。半導体層５は、ソース配線１３に重なる位置にある第１の部位５１からソース配線１３に沿って延在しつつゲート配線１４と交差した後にソース配線１３１から離れるようにしてＵ字状に折れ曲がってゲート配線１４と再度交差し、さらに再びＵ字状に折れ曲がってゲート配線１４と交差している。この薄膜トランジスタ３にはゲート支線は設けられていない。半導体層５はＳ字形状を描くように延在することによって３ヶ所においてゲート配線１４と交差しており、ゲート配線１４のうち半導体層５と重なる３つの部分がそれぞれゲート電極９となっている。したがって、この例では、薄膜トランジスタ３は３つのチャネル領域を有する。各チャネル領域はそれぞれ平面的に見て互いに離隔した別々の遮光膜要素１２によって下側から覆われている。各遮光膜要素１２はそれぞれ１つずつのチャネル領域を下側から覆っている。
【００４０】
本実施の形態においても、実施の形態１で説明したような効果を得ることができる。
変形例として図１６、図１７に示すような構成も考えられる。図１６、図１７に示した例においても、薄膜トランジスタ３はそれぞれ３つのゲート電極９を備える。すなわち、薄膜トランジスタ３は３つのチャネル領域を有する。
【００４１】
図１６、図１７にそれぞれ示した変形例では、３つのチャネル領域のうち２つのチャネル領域を１つの遮光膜要素１８で下側から覆っているという点では、図１５に示した例に比べて効果が若干劣るかもしれないが、図１６、図１７に示した各例においても、遮光膜１１が複数の遮光膜要素１２，１８に分割され、遮光膜要素の各々によってチャネル領域を下側から覆う構成であるので、１つの薄膜トランジスタ３に属する全てのチャネル領域を単一の一体的な遮光膜で一括して被覆する場合に比べれば、各チャネル領域を挟むソース領域とドレイン領域との間での寄生容量の増加を抑えることができる。
【００４２】
液晶表示パネルにおいて、開口率を上げたい場合、以下のことがいえる。
液晶表示パネルにおいては、前記主表面には、第１の方向に延在するゲート配線と、前記第１の方向とは垂直な第２の方向に延在し、前記ソース電極と電気的に接続されているソース配線とが配置されており、前記ゲート電極は、前記ゲート配線から電気的に接続されているか、または、前記ゲート電極の一部であり、平面的に見て、前記経路の少なくとも一部は、前記ソース配線と重なっており、前記遮光膜要素のうち少なくとも１つは前記ソース配線と重なる位置にあることが好ましい。図５〜図７、図９〜図１７に示した例が、この条件を満たしている。この構成を採用することにより、遮光膜要素のうち少なくとも１つはソース配線と重なる位置にあるので、１つの画素全体としては、遮光膜要素によって開口率が減る度合いを少なくすることができ、開口率の向上につながる。特に図７、図９〜図１１に示した例では、２つの遮光膜がソース配線と重なる位置にあるので、１つの画素全体としては、遮光膜要素によって開口率が減る度合いを少なくすることができ、開口率の向上に効果的である。
【００４３】
液晶表示パネルにおいて、消費電力を節減したい場合、以下のことがいえる。
液晶表示パネルにおいては、前記主表面には、第１の方向に延在するゲート配線と、前記第１の方向とは垂直な第２の方向に延在し、前記ソース電極と電気的に接続されているソース配線とが配置されており、前記ゲート電極は、前記ゲート配線から電気的に接続されているか、または、前記ゲート電極の一部であり、平面的に見て、前記遮光膜要素はいずれも前記ソース配線と重ならない位置に配置されていることが好ましい。図８に示した例がこの条件を満たしている。この構成を採用することにより、遮光膜要素のいずれもがソース配線と重ならないので、ソース配線に与える負担を少なくすることができ、１つの画素全体としては、消費電力を節減することができる。
【００４４】
なお、上記各実施の形態では、チャネル領域の数が２または３の例を示して説明したが、本発明の適用に当たっては、チャネル領域の数が４以上であってもよい。
【００４５】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、液晶表示パネルに利用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１  表示領域、２  画素、３  薄膜トランジスタ、４  下地絶縁膜、５  半導体層、５ａ，５ｄ  ソース領域、５ｂ，５ｅ  チャネル領域、５ｃ，５ｆ  ドレイン領域、６  ゲート絶縁膜、７  ソース電極、８  ドレイン電極、９  ゲート電極、１０  投影領域、１１，１１０  遮光膜、１２，１８  遮光膜要素、１３  ソース配線、１４  ゲート配線、１５  コンタクト、１６，１７  ゲート支線、５１  第１の部位、５２  第２の部位、９１  投影領域、２０１  第１透明基板、２０１ｕ  主表面、２０２  第２透明基板、２０３  液晶層、２０４  シール材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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