(57)【要約】  高精細度化された大画面のプラズマディスプレイパネルを駆動する際にも、安定した書込み動作を行う。そのために、負の電圧に向かって下降する下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する選択初期化動作を行う初期化期間と、書込み期間と、輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールドに備えてプラズマディスプレイパネルを駆動する駆動方法において、維持期間における最後の維持パルスの発生後に、消去放電を放電セルに発生するための上り傾斜波形電圧を走査電極に印加する。そして、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、上述の上り傾斜波形電圧の最大電圧を、輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する上述の上り傾斜波形電圧の最大電圧よりも高い電圧に設定する。
2012102043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極および維持電極からなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、負の電圧に向かって下降する下り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する選択初期化動作を行う初期化期間と、書込み期間と、輝度重みに応じた数の維持パルスを前記表示電極対に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールドに備えて駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記維持期間における最後の維持パルスの発生後に、消去放電を前記放電セルに発生するための上り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加し、
輝度重みが相対的に小さく、かつ前記初期化期間に前記選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、前記上り傾斜波形電圧の最大電圧を、前記輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する前記上り傾斜波形電圧の最大電圧よりも高い電圧に設定する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
上り傾斜波形電圧と前記下り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する強制初期化動作と、前記下り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する選択制初期化動作とが混在する特定セル初期化期間を設け、前記輝度重みが相対的に小さいサブフィールドの初期化期間を前記特定セル初期化期間とする
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記輝度重みが相対的に大きいサブフィールドと前記輝度重みが相対的に小さいサブフィールドとを同一のフィールド内で連続して発生する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記上り傾斜波形電圧を、前記走査電極への印加電圧が最大電圧まで上昇する前に、前記走査電極への印加電圧を一旦下降し、再度、前記走査電極への印加電圧を上昇させて発生する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
走査電極および維持電極からなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
負の電圧に向かって下降する下り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する選択初期化動作を行う初期化期間と、書込み期間と、輝度重みに応じた数の維持パルスを前記表示電極対に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールドに備えて前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、
前記駆動回路は、
前記維持期間における最後の維持パルスの発生後に、消去放電を前記放電セルに発生するための上り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加し、
輝度重みが相対的に小さく、かつ前記初期化期間に前記選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、前記上り傾斜波形電圧の最大電圧を、前記輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する前記上り傾斜波形電圧の最大電圧よりも高い電圧に設定する
ことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、
上り傾斜波形電圧と前記下り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する強制初期化動作と、前記下り傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する選択制初期化動作とが混在する特定セル初期化期間を設け、前記輝度重みが相対的に小さいサブフィールドの初期化期間を前記特定セル初期化期間とする
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、
前記輝度重みが相対的に大きいサブフィールドと前記輝度重みが相対的に小さいサブフィールドとを同一のフィールド内で連続して発生する
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、
前記上り傾斜波形電圧を、前記走査電極への印加電圧が最大電圧まで上昇する前に、前記走査電極への印加電圧を一旦下降し、再度、前記走査電極への印加電圧を上昇させて発生する
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流面放電型のプラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面基板と背面基板との間に多数の放電セルが形成されている。【０００３】
前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面側のガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。【０００４】
背面基板は、背面側のガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。【０００５】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように、前面基板と背面基板とを対向配置して密封する。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスを封入し、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルを形成する。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生し、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光してカラーの画像表示を行う。【０００６】
放電セルにおける発光と非発光との２値制御を組み合わせてパネルの画像表示領域に画像を表示する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。【０００７】
サブフィールド法では、１フィールドを、発光輝度が互いに異なる複数のサブフィールドに分割する。そして、各放電セルでは、所望の階調値に応じた組合せで各サブフィールドの発光・非発光を制御する。これにより１フィールドの発光輝度を所望の階調値にして各放電セルを発光し、パネルの画像表示領域に、様々な階調値の組合せで構成された画像を表示する。【０００８】
サブフィールド法において、各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００９】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生する初期化動作を行う。これにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成するとともに、書込み放電を安定して発生するためのプライミング粒子（放電を発生させるための励起粒子）を発生する。【００１０】
書込み期間では、走査電極に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号にもとづき選択的に書込みパルスを印加する。これにより、発光を行うべき放電セルの走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生し、その放電セル内に壁電荷を形成する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。【００１１】
維持期間では、サブフィールド毎に定められた輝度重みにもとづく数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。これにより、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルの蛍光体層を発光させる（以下、放電セルを維持放電により発光させることを「点灯」、発光させないことを「非点灯」とも記す）。これにより、各サブフィールドにおいて、各放電セルを、輝度重みに応じた輝度で発光させる。このようにして、パネルの各放電セルを画像信号の階調値に応じた輝度で発光させて、パネルの画像表示領域に画像を表示する。【００１２】
パネルにおける画像表示品質を高める上で重要な要因の１つにコントラストの向上がある。そして、サブフィールド法の１つとして、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させる駆動方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。【００１３】
この駆動方法では、初期化期間において、緩やかに電圧上昇する傾斜波形電圧を用いて全ての放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生した放電セルに対して選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作のいずれかの初期化動作を行う。そして、強制初期化動作を行う回数を１フィールドに１回とし、他のサブフィールドの初期化期間では選択初期化動作を行う。【００１４】
維持放電を発生しない黒を表示する領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は画像の表示に関係のない発光、例えば、初期化放電によって生じる発光等によって変化する。そして、上述の駆動方法では、黒を表示する領域における発光は、全ての放電セルで初期化放電を発生する強制初期化動作を行うときの微弱発光だけとなる。これにより、黒輝度を低減してコントラストの高い画像を表示することが可能になる。【００１５】
また、表示電極対を複数の群に分割し、強制初期化動作を行う回数を複数フィールドに１回にすることで、階調表示に関係しない発光をさらに低減して黒輝度をさらに下げ、コントラストをさらに向上させる駆動方法も開示されている（例えば、特許文献２参照）。【００１６】
しかしながら、強制初期化動作には、続く書込み期間において書込み放電を発生するために必要な壁電荷を放電セル内に蓄積する働きがある。また、放電遅れ時間を短くして書込み放電を確実に発生させるためのプライミング粒子を発生する働きもある。この放電遅れ時間とは、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから実際に放電が発生するまでに要する時間のことであり、放電遅れ時間が長くなるほど放電の発生は不安定となる。【００１７】
したがって、強制初期化動作の発生頻度を低減すると、書込み放電を発生するために必要な壁電荷やプライミング粒子が不足し、書込み放電の放電遅れ時間が長くなって、書込み動作が不安定になったり、あるいは、書込み放電が発生しない等の動作不良が発生するおそれがある。特に、黒を表示する放電セルでは維持放電が発生しないため、プライミング粒子が不足しやすく、書込み動作が不安定になりやすい。そして、高精細度化されて放電セルの構造がより微細化されたパネルでは、このような現象が発生しやすい。【００１８】
そして、書込み動作が不安定になり、発光すべき放電セルで維持放電が発生しなくなると、正常な画像をパネルに表示ができなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００６−０９１２９５号公報
【発明の概要】
【００２０】
本発明は、走査電極および維持電極からなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルを、負の電圧に向かって下降する下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する選択初期化動作を行う初期化期間と、書込み期間と、輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールドに備えて駆動するパネルの駆動方法である。この駆動方法では、維持期間における最後の維持パルスの発生後に、消去放電を放電セルに発生するための上り傾斜波形電圧を走査電極に印加する。そして、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、上述の上り傾斜波形電圧の最大電圧を、輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する上述の上り傾斜波形電圧の最大電圧よりも高い電圧に設定する。
【００２１】
これにより、高精細度化された大画面のパネルを駆動する際にも安定した書込み動作を行い、品質の高い画像をパネルに表示することが可能となる。
【００２２】
また、本発明のパネルの駆動方法では、上り傾斜波形電圧と下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する強制初期化動作と、下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する選択制初期化動作とが混在する特定セル初期化期間を設け、上述の輝度重みが相対的に小さいサブフィールドの初期化期間を特定セル初期化期間としてもよい。
【００２３】
また、本発明のパネルの駆動方法では、上述の輝度重みが相対的に大きいサブフィールドと、上述の輝度重みが相対的に小さいサブフィールドとを同一のフィールド内で連続して発生してもよい。
【００２４】
また、本発明のパネルの駆動方法では、上述の上り傾斜波形電圧を、走査電極への印加電圧が上昇する前に、走査電極への印加電圧を一旦下降し、再度、走査電極への印加電圧を上昇させて発生してもよい。
【００２５】
また、本発明は、走査電極および維持電極からなる表示電極対とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルと、負の電圧に向かって下降する下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する選択初期化動作を行う初期化期間と、書込み期間と、輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対に印加する維持期間とを有するサブフィールドを１フィールドに備えてパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置である。このプラズマディスプレイ装置において、駆動回路は、維持期間における最後の維持パルスの発生後に、消去放電を放電セルに発生するための上り傾斜波形電圧を走査電極に印加する。そして、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、上述の上り傾斜波形電圧の最大電圧を、輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する上述の上り傾斜波形電圧の最大電圧よりも高い電圧に設定する。
【００２６】
これにより、高精細度化された大画面のパネルを駆動する際にも安定した書込み動作を行い、品質の高い画像をパネルに表示することが可能となる。
【００２７】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置において、駆動回路は、上り傾斜波形電圧と下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する強制初期化動作と、下り傾斜波形電圧を走査電極に印加する選択制初期化動作とが混在する特定セル初期化期間を設け、上述の輝度重みが相対的に小さいサブフィールドの初期化期間を特定セル初期化期間としてもよい。
【００２８】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置において、駆動回路は、上述の輝度重みが相対的に大きいサブフィールドと、上述の輝度重みが相対的に小さいサブフィールドとを同一のフィールド内で連続して発生してもよい。
【００２９】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置において、駆動回路は、上述の上り傾斜波形電圧を、走査電極への印加電圧が最大電圧まで上昇する前に、走査電極への印加電圧を一旦下降し、再度、走査電極への印加電圧を上昇させて発生してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の構成を概略的に示す回路図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。
【００３３】
ガラス製の前面基板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして、走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００３４】
保護層２６は、放電セルにおける放電を発生しやすくするために、電子放出性能の高い材料である酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料で形成されている。
【００３５】
保護層２６は、一つの層で構成されていてもよく、あるいは複数の層で構成されていてもよい。また、層の上に粒子が存在する構成であってもよい。
【００３６】
背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００３７】
これら前面基板２１と背面基板３１とを、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置し、前面基板２１と背面基板３１との間隙に放電空間を設ける。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。そして、その内部の放電空間には、例えばネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを放電ガスとして封入する。
【００３８】
放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に、画素を構成する放電セルが形成される。そして、これらの放電セルを放電、発光（点灯）することにより、パネル１０にカラーの画像が表示される。
【００３９】
なお、パネル１０においては、表示電極対２４が延伸する方向に配列された連続する３つの放電セル、すなわち、赤色（Ｒ）に発光する放電セルと、緑色（Ｇ）に発光する放電セルと、青色（Ｂ）に発光する放電セルとの３つの放電セルで１つの画素が構成される。
【００４０】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００４１】
図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の電極配列図である。
【００４２】
パネル１０には、水平方向（行方向、ライン方向）に延長されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、垂直方向（列方向）に延長されたｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。
【００４３】
そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した領域に放電セルが１つ形成される。すなわち、１対の表示電極対２４上には、ｍ個の放電セルが形成され、ｍ／３個の画素が形成される。そして、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成され、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の画像表示領域となる。例えば、画素数が１９２０×１０８０個のパネルでは、ｍ＝１９２０×３となり、ｎ＝１０８０となる。なお、本実施の形態においては、ｎ＝１０８０とするが、本発明は何らこの数値に限定されるものではない。
【００４４】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置のパネル１０の駆動方法について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によって階調表示を行う。サブフィールド法では、１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。そして、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによってパネル１０に画像を表示する。
【００４５】
輝度重みとは、各サブフィールドで表示する輝度の大きさの比を表すものであり、各サブフィールドでは輝度重みに応じた数の維持パルスを維持期間に発生する。したがって、例えば、輝度重み「８」のサブフィールドは、輝度重み「１」のサブフィールドの約８倍の輝度で発光し、輝度重み「２」のサブフィールドの約４倍の輝度で発光する。したがって、画像信号に応じた組合せで各サブフィールドを選択的に発光させることによって様々な階調を表示し、画像を表示することができる。
【００４６】
本実施の形態では、１フィールドを１０のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１、サブフィールドＳＦ２、・・・、サブフィールドＳＦ１０）に分割し、時間的に後のサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように、各サブフィールドはそれぞれ、（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを有する例を説明する。
【００４７】
本実施の形態では、この構成により、赤の画像信号（Ｒ信号）、緑の画像信号（Ｇ信号）、青の画像信号（Ｂ信号）をそれぞれ０から２５５までの２５６階調で表示することができる。
【００４８】
初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化動作を行う。このときの初期化動作には、全ての放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生した放電セルに対して選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作とがある。
【００４９】
書込み期間では、発光するべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し、維持放電に必要な壁電荷を形成する書込み動作を行う。
【００５０】
そして、維持期間では、サブフィールド毎にあらかじめ定められた輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加し、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生してその放電セルを発光する維持動作を行う。
【００５１】
なお、本実施の形態では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では「特定セル初期化動作」を行い、他のサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルで選択初期化動作を行う。
【００５２】
特定セル初期化動作とは、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化動作のことである。したがって、特定セル初期化動作を行う初期化期間では、特定の放電セルには強制初期化動作を行うための初期化波形を印加し、他の放電セルには選択初期化動作を行うための初期化波形を印加する。
【００５３】
以下、強制初期化動作を行うための初期化波形を「強制初期化波形」と呼称し、選択初期化動作を行うための初期化波形を「選択初期化波形」と呼称する。また、特定セル初期化動作を行う初期化期間を「特定セル初期化期間」と呼称し、特定セル初期化期間を有するサブフィールドを「特定セル初期化サブフィールド」と呼称する。また、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を「選択初期化期間」と呼称し、選択初期化期間を有するサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する。
【００５４】
そして、本実施の形態では、各フィールドの最初のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１）を特定セル初期化サブフィールドとし、他のサブフィールド（サブフィールドＳＦ２からサブフィールドＳＦ１０）は選択初期化サブフィールドとする。
【００５５】
また、本実施の形態では、フィールドにおいて、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みを大きくしている。
【００５６】
本実施の形態では、１フィールドは、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが増加する複数のサブフィールドからなる１つのサブフィールド群を含む。
【００５７】
しかし、本実施の形態は、１フィールドを構成するサブフィールドの数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００５８】
図３は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【００５９】
図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。
【００６０】
また、図３には、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２以降のサブフィールドの駆動電圧波形を示す。特定セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドとでは、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する駆動電圧の波形形状が異なる２。
【００６１】
また、図３には２つのフィールドを示す。１つのフィールドでは、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１の初期化期間（特定セル初期化期間）において走査電極ＳＣ１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣ２に選択初期化波形を印加する。もう１つのフィールドでは、サブフィールドＳＦ１の初期化期間において走査電極ＳＣ２に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣ１に選択初期化波形を印加する。
【００６２】
なお、サブフィールドＳＦ３以降のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外はサブフィールドＳＦ２の駆動電圧波形とほぼ同様である。
【００６３】
ただし、サブフィールドＳＦ１０は、消去放電を発生するための上り傾斜波形電圧の波形形状が他のサブフィールドにおける消去放電を発生するための上り傾斜波形電圧とは異なる。この詳細は後述する。
【００６４】
また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の点灯・非点灯を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００６５】
まず、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１について説明する。
【００６６】
本実施の形態において、１つ目のフィールドの特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、配置的に見て上から１番目、３番目、５番目、・・・、というように、（１＋２×Ｎ）番目（Ｎは０以上の整数）の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に、強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加する。そして、配置的に見て上から２番目、４番目、６番目、・・・、というように、（２＋２×Ｎ）番目（Ｎは０以上の整数）の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）には、選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。
【００６７】
２つ目のフィールドの特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）では、配置的に見て上から２番目、４番目、６番目、・・・、というように、（２＋２×Ｎ）番目（Ｎは０以上の整数）の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）に、強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加する。そして、配置的に見て上から１番目、３番目、５番目、・・・、というように、（１＋２×Ｎ）番目（Ｎは０以上の整数）の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）には、選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。
【００６８】
図３には、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）の代表例として走査電極ＳＣ１を示し、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）の代表例として走査電極ＳＣ２を示す。
【００６９】
特定セル初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにも電圧０（Ｖ）を印加する。強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ１）には、電圧０（Ｖ）を印加した後に電圧Ｖｉ１を印加し、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。
【００７０】
このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧よりも低い電圧（すなわち、放電セルに放電が発生しない電圧）に設定し、電圧Ｖｉ２は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧（すなわち、それ以前の放電の有無にかかわらず放電セルに放電が発生する電圧）に設定する。
【００７１】
この上り傾斜波形電圧が上昇する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。このとき、放電セルの蛍光体層３５がわずかに発光する。
【００７２】
そして、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上および維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）上には正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、書込み放電の放電遅れ時間（放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから、放電セルに放電が発生するまでの時間長のこと）を短くするプライミング粒子も発生する。
【００７３】
なお、電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層２５上、保護層２６上、蛍光体層３５上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００７４】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣ３、走査電極ＳＣ５、・・・）には、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−２．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する下り傾斜波形電圧を印加する。
【００７５】
電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Ｖｉ４は、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００７６】
この下り傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に印加する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が発生する。
【００７７】
これにより、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）上の負極性の壁電圧、維持電極ＳＵ（１＋２×Ｎ）上の正極性の壁電圧、および走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正極性の壁電圧は、書込み期間での書込み動作に適した電圧に調整される。さらに、書込み放電の放電遅れ時間を短くするプライミング粒子も発生する。
【００７８】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形である。そして、強制初期化波形を走査電極２２に印加する動作が強制初期化動作である。そして、１つめのフィールドのサブフィールドＳＦ１において、配置的に見て上から（１＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）上に形成された放電セルにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作となる。
【００７９】
一方、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の前半部において、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）（例えば、走査電極ＳＣ２、走査電極ＳＣ４、走査電極ＳＣ６、・・・）には、電圧Ｖｉ１を印加せず、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｉ５に向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。この上り傾斜波形電圧は、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に印加した上り傾斜波形電圧と同じ勾配で、同じ時間だけ上昇を続ける電圧波形である。したがって、電圧Ｖｉ５は、電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ１を引いた電圧に等しい電圧となる。
【００８０】
このとき、電圧Ｖｉ５は維持電極ＳＵ（２＋２×Ｎ）に対して放電開始電圧未満の電圧となるように各電圧を設定する。これにより、この上り傾斜波形電圧を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。
【００８１】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の後半部では、走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）には、走査電極ＳＣ（１＋２×Ｎ）に印加した下り傾斜波形電圧と同様の下り傾斜波形電圧を印加する。
【００８２】
この下り傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）に印加する間に、直前のサブフィールド（図３では、サブフィールドＳＦ１０）の維持期間に維持放電を発生した放電セルでは、微弱な初期化放電が発生する。そして、この初期化放電により、走査電極２２の負極性の壁電圧、維持電極２３上の正極性の壁電圧、およびデータ電極３２上の正極性の壁電圧は、書込み期間での書込み動作に適した電圧に調整される。
【００８３】
こうして、放電セル内の壁電圧は書込み動作に適した壁電圧に調整される。さらに、書込み放電の放電遅れ時間を短くするプライミング粒子も発生する。
【００８４】
一方、直前のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１０）の維持期間に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、それ以前の壁電圧が保たれる。
【００８５】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの書込み期間Ｔｗで書込み動作を行った放電セルで選択的に初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を走査電極２２に印加する動作が選択初期化動作である。そして、１つ目のフィールドのサブフィールドＳＦ１において、配置的に見て上から（２＋２×Ｎ）番目の走査電極ＳＣ（２＋２×Ｎ）上に形成された放電セルにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み動作を行った放電セルで選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作となる。
【００８６】
以上により、特定セル初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の初期化期間Ｔｉ１における特定セル初期化動作が終了する。そして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間Ｔｉ１では、強制初期化動作を行う放電セルと選択初期化動作を行う放電セルとが混在する。
【００８７】
次に、書込み期間Ｔｗについて説明する。
【００８８】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗでは、初期化期間Ｔｉ１の後半部に引き続き、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには電圧Ｖｃを印加する。
【００８９】
次に、最初に書込み動作を行う１行目の走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａの走査パルスを印加する。そして、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうちの１行目において発光するべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正の電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。このときデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧差は放電開始電圧を超え、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。
【００９０】
また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間は、放電には至らないが放電が発生しやすい状態なっている。
【００９１】
これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電に誘発されて、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。こうして、発光するべき放電セルに書込み放電が発生し、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００９２】
このようにして、１行目において、発光するべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極３２と走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。
【００９３】
次に、２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２に走査パルスを印加するとともに、２番目に書込み動作を行う行の発光するべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された放電セルでは書込み放電が発生し、書込み動作が行われる。
【００９４】
以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間Ｔｗが終了する。このようにして、書込み期間Ｔｗでは、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生し、その放電セルに、続く維持期間Ｔｓ１において維持放電を発生するために必要な壁電荷を形成する。
【００９５】
次に、維持期間Ｔｓ１について説明する。
【００９６】
サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加する。そして、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。
【００９７】
書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電圧差が放電開始電圧を超え、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が発生する。そして、この放電により発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。
【００９８】
また、この放電により、走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらに、データ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。このデータ電極Ｄｋ上の正の壁電圧は、次のサブフィールドで書込み放電を発生するのに必要な壁電圧である。
【００９９】
書込み期間Ｔｗにおいて書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間Ｔｉ１の終了時における壁電圧が保たれる。
【０１００】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。直前に維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの電圧差が放電開始電圧を超える。
【０１０１】
これにより、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が発生し、この放電により発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
【０１０２】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加する。こうすることで、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生する。
【０１０３】
そして、維持期間Ｔｓ１において全ての維持パルスを発生した後に、すなわち、維持期間Ｔｓ１における最後の維持パルスの発生後に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、ベース電位であり放電開始電圧未満となる電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ１に到達するまで、緩やかに（例えば、約５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。
【０１０４】
電圧Ｖｒ１を放電開始電圧を超える電圧に設定することで、維持放電を発生した放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で、微弱な放電が発生する。この微弱な放電は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧が放電開始電圧を超えて上昇する期間、持続して発生する。
【０１０５】
この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積される。すなわち、この上り傾斜波形電圧により発生する放電は、消去放電として働く。これにより、維持放電を発生した放電セルにおいて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去する。
【０１０６】
なお、本実施の形態では、電圧Ｖｒ１を維持パルスの電圧Ｖｓより低い電圧に設定している。
【０１０７】
そして、上昇する電圧があらかじめ定めた電圧Ｖｒ１に到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧を電圧０（Ｖ）まで下降する。こうして、維持期間Ｔｓ１における維持動作が終了する。
【０１０８】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｔｉ２では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加する。
【０１０９】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、放電開始電圧未満となる電圧Ｖｉ３’（例えば、ベース電位である電圧０（Ｖ））から放電開始電圧を超える負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。
【０１１０】
この下り傾斜波形電圧の勾配は、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１に発生した下り傾斜波形電圧の勾配と同じであってもよく、その一例として、例えば、約−２．５Ｖ／μｓｅｃという数値を挙げることができる。
【０１１１】
これにより、直前のサブフィールド（図３では、サブフィールドＳＦ１）の維持期間Ｔｓ１で維持放電を発生した放電セルでは、微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【０１１２】
一方、直前のサブフィールドの維持期間Ｔｓ１で維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、直前のサブフィールドの初期化期間Ｔｉ１終了時における壁電荷が保たれる。このようにしてサブフィールドＳＦ２における初期化動作が完了する。
【０１１３】
このように、サブフィールドＳＦ２における初期化動作は、直前のサブフィールドの書込み期間Ｔｗで書込み放電を発生し維持期間Ｔｓ１で維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化動作となる。
【０１１４】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１に発生する選択初期化波形と、サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｔｉ２に発生する選択初期化波形とは、波形形状が互いに異なる。しかし、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１に発生する選択初期化波形は、初期化期間Ｔｉ１の前半部では放電が発生せず、初期化期間Ｔｉ１の後半部の動作はサブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｔｉ２における選択初期化動作と実質的に同等である。したがって、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１において、強制初期化動作を行わない放電セルに印加する初期化波形を、選択初期化波形としている。
【０１１５】
サブフィールドＳＦ２の書込み期間Ｔｗでは、サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗと同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０１１６】
サブフィールドＳＦ２の維持期間Ｔｓ１も、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１と同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に印加する。そして、維持期間Ｔｓ１における最後の維持パルスの発生後に、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ１まで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加し、消去放電を発生する。
【０１１７】
サブフィールドＳＦ３からサブフィールドＳＦ９までの各サブフィールドでは、維持期間Ｔｓ１に発生する維持パルスの数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０１１８】
１フィールドの最終サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１０の初期化期間Ｔｉ２および書込み期間Ｔｗでは、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。また、サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２では、維持パルスの発生数を除き、サブフィールドＳＦ２の維持期間Ｔｓ１における維持パルスと同様の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加する。
【０１１９】
ただし、サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２に発生する消去放電のための上り傾斜波形電圧は、サブフィールドＳＦ２の維持期間Ｔｓ１に発生した消去放電のための上り傾斜波形電圧とは波形形状が異なる。
【０１２０】
サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２では、維持期間Ｔｓ２における最後の維持パルスの発生後に、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ２まで緩やかに（例えば、約５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。本実施の形態では、電圧Ｖｒ２を電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定している。
【０１２１】
すなわち、サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２では、電圧０（Ｖ）から、電圧Ｖｒ１よりも高い電圧Ｖｒ２まで上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。こうして、維持放電を発生した放電セルに消去放電を発生し、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去する。
【０１２２】
なお、本実施の形態では、電圧Ｖｒ２を維持パルスの電圧Ｖｓより高い電圧に設定している。
【０１２３】
以上が、本実施の形態において、画像を表示する際にパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【０１２４】
なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧の大きさは、例えば、電圧Ｖｉ１＝１４７（Ｖ）、電圧Ｖｉ２＝３６２（Ｖ）、電圧Ｖｉ３＝２１５（Ｖ）、電圧Ｖｉ４＝−１８０（Ｖ）、電圧Ｖｉ５＝２１５（Ｖ）、電圧Ｖｃ＝−５８（Ｖ）、電圧Ｖａ＝−２０５（Ｖ）、電圧Ｖｓ＝２１５（Ｖ）、電圧Ｖｒ１＝２０３（Ｖ）、電圧Ｖｒ２＝２５５（Ｖ）、電圧Ｖｅ＝１５５（Ｖ）、電圧Ｖｄ＝５８（Ｖ）である。
【０１２５】
また、例えば、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する上り傾斜波形電圧の勾配は５（Ｖ／μｓｅｃ）であり、下り傾斜波形電圧の勾配は−２．５（Ｖ／μｓｅｃ）である。
【０１２６】
しかし、上述した電圧値や時間、勾配等の具体的な数値は単なる一例に過ぎず、本発明は、各電圧値や時間、勾配等が上述した数値に限定されるものではない。各電圧値や時間、勾配等は、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづき最適に設定することが望ましい。例えば、電圧Ｖｉ５＝電圧Ｖｉ３であってもよい。
【０１２７】
本実施の形態では、１フィールドを１０のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１０）で構成し、各サブフィールドには、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように輝度重みを設定している。
【０１２８】
したがって、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるような時間的に連続する複数のサブフィールドを１つのサブフィールド群とすれば、本実施の形態では、１フィールドは、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１０までの１０のサブフィールドからなる１つのサブフィールド群で構成されている、と見なすことができる。
【０１２９】
そして、本実施の形態では、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を、その輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する消去放電のための上り傾斜波形電圧の最大電圧よりも高い電圧に設定する。
【０１３０】
本実施の形態では、上述の、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドは、輝度重み「１」を有し、初期化期間に特定セル初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１のことである。また、上述の輝度重みが相対的に大きいサブフィールドは、輝度重み「８０」を有するサブフィールドＳＦ１０のことである。
【０１３１】
言い換えると、本実施の形態では、１つのサブフィールド群の最後に発生するサブフィールドの維持期間において、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２とする。そして、電圧Ｖｒ２を、他のサブフィールドの維持期間において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０１３２】
すなわち、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１０の維持期間において、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２とし、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ９の各サブフィールドの維持期間において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ１とする。そして、電圧Ｖｒ２を電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０１３３】
これは、以下のような理由による。
【０１３４】
本実施の形態において、各放電セルは、連続する複数のフィールド（例えば、本実施の形態では連続する２つのフィールド）で１回だけ強制初期化動作を行う。これにより、各放電セルは、１フィールドに１回の強制初期化動作を行う構成と比較して、強制初期化動作の発生頻度を低減し、階調表示に関係しない発光を低減する。こうして、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置４０は、表示画像における黒輝度を低減し、コントラストの高い画像表示を行っている。
【０１３５】
しかし、上述したように、強制初期化動作の発生頻度を低減すると、書込み放電を発生するために必要な壁電荷やプライミング粒子が不足し、書込み動作が不安定になったり、あるいは、書込み放電が発生しない等の動作不良が発生するおそれがある。
【０１３６】
維持放電を発生した放電セルでは、次のサブフィールドの初期化期間に初期化放電が発生する。そして、放電セルに蓄積された壁電荷は、初期化放電によって、書込み動作に適した壁電圧に調整される。したがって、維持放電を発生した放電セルでは、次のサブフィールドの書込み期間に、安定した書込み動作を行うことができる。
【０１３７】
しかし、維持放電が発生しなかった放電セルでは、次のサブフィールドが選択初期化サブフィールドであれば、その選択初期化期間に初期化放電が発生しない。そして、このような放電セルでは、隣接する放電セルに書込み放電や維持放電が発生すると、放電セル内の壁電荷が減少して書込み動作が不安定となる現象が発生する。この現象は「電荷抜け現象」と呼ばれている。そして、電荷抜け現象は、高精細度化されて放電セルの構造がより微細化されたパネルで発生しやすい。
【０１３８】
そこで、本願の発明者は、電荷抜け現象を調査した。そして、書込み動作を行わず、初期化放電も発生しないサブフィールドが２つ以上連続して発生する放電セルでは、書込み不良が発生する確率が高くなることを確認した。
【０１３９】
そして、さらに詳細に調査した結果、以下の現象が明らかとなった。
【０１４０】
なお、以下、書込み動作を行わず、初期化放電も発生しないサブフィールドを「非発光サブフィールド」と記す。また、以下の「注目セル」は、非発光サブフィールドが２つ以上連続して発生する放電セルのことである。
【０１４１】
注目セルの１つ目の非発光サブフィールドにおいて、その注目セルに隣接する放電セルに書込み放電が発生すると、その注目セルには、書込みパルスが印加されていないにもかかわらず弱い書込み放電が発生することがある。この弱い書込み放電は、誤書込み放電である。
【０１４２】
注目セルに誤書込み放電が発生すると、続く維持期間でも放電が発生する。ただし、この放電は弱い放電であり、維持放電に成長せずに消滅する。そして、この放電が発生することで、データ電極３２上に正の壁電圧が蓄積される。しかし、この壁電圧は、弱い放電によって生じるものであるので、正常な維持放電が発生したときに蓄積される正規の壁電圧よりも小さい。
【０１４３】
次のサブフィールドで書込み動作を行う放電セルでは、データ電極３２に書込みパルスが印加されるので、書込み放電が正常に発生する確率は高い。
【０１４４】
しかしながら、注目セルは、次のサブフィールドでも書込み動作を行わない。そのため、その注目セルに隣接する放電セルに書込み放電が発生すると、注目セルでは、その書込み放電の影響を受けて、誤書込み放電が再び発生するおそれがある。ただし、この誤書込み放電は、前回の誤書込み放電よりもさらに弱い放電である。そのため、この誤書込み放電が発生しても、続く維持期間で放電は発生しない。
【０１４５】
その結果、データ電極３２上に負の壁電圧が残留する。そのため、それ以降、強制初期化動作を行うまでは書込み放電を発生できなくなる可能性が生じる。
【０１４６】
以上のような理由により、書込み動作を行わず、初期化放電も発生しない非発光サブフィールドが２つ以上連続して発生する放電セルでは、書込み不良が発生する確率が高くなる。
【０１４７】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置４０において、各放電セルは、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１において、強制初期化動作、または選択初期化動作のいずれかの初期化動作を行う。そして、１フィールドを構成する複数のサブフィールドには、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように各サブフィールドに輝度重みを設定する。
【０１４８】
したがって、最も小さい輝度重み「１」を有するサブフィールドＳＦ１の直前のサブフィールドは、１フィールドの最終サブフィールドであって、最も大きい輝度重み「８０」を有するサブフィールドである。
【０１４９】
一般的な動画をパネル１０に表示するときには、輝度重みが小さいサブフィールドほど発光する確率は高く、輝度重みが大きいサブフィールドほど発光する確率は低くなることが確認されている。
【０１５０】
したがって、本実施の形態に一例として示したサブフィールド構成であれば、輝度重みが相対的に大きいサブフィールドＳＦ９およびサブフィールドＳＦ１０が発光する確率は相対的に低く、輝度重みが相対的に小さいサブフィールドＳＦ１が発光する確率は相対的に高い。したがって、サブフィールドＳＦ９およびサブフィールドＳＦ１０が非発光サブフィールドとなり、サブフィールドＳＦ１が発光サブフィールドとなる確率は相対的に高い。
【０１５１】
そして、サブフィールドＳＦ９とサブフィールドＳＦ１０とが連続して非発光サブフィールドとなれば、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１において選択初期化動作を行う放電セルでは、初期化放電は発生せず、上述した理由により、書込み放電を発生できない可能性が生じる。
【０１５２】
そこで、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールド、すなわち、１フィールドの最終サブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１０）の維持期間において、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２とする。そして、電圧Ｖｒ２を、他のサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ９の各サブフィールド）の維持期間において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０１５３】
これにより、例えば、サブフィールドＳＦ９とサブフィールドＳＦ１０とが連続して非発光サブフィールドとなり、続くサブフィールドＳＦ１において書込み不良が発生するおそれがある放電セルにおいても、データ電極３２上に残留している負の壁電圧を反転させ、続くサブフィールドＳＦ１において、書込み不良の発生を防止することができる。
【０１５４】
すなわち、各放電セルで複数フィールドに１回だけ強制初期化動作を行うプラズマディスプレイ装置４０においても、書込み不良の発生を防止し、書込み放電を安定に発生することができる。
【０１５５】
以上示したように、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置４０においては、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールド（本実施の形態では、輝度重み「１」を有し、初期化期間に特定セル初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１）の直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールド（本実施の形態では、輝度重み「８０」を有するサブフィールドＳＦ１０）において、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ２を、その輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する消去放電のための上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０１５６】
言い換えると、サブフィールド群の最後のサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１０）の維持期間Ｔｓ２において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ２を、他のサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ９の各サブフィールド）の維持期間Ｔｓ１において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ１よりも、高い電圧に設定する。
【０１５７】
これにより、プラズマディスプレイ装置４０において、書込み放電を安定に発生し、コントラストが高く画像表示品質の高い画像をパネル１０に表示することが可能となる。
【０１５８】
なお、上述した理由により、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１（特定セル初期化期間）において選択初期化波形を印加する放電セルに関しては、そのサブフィールドＳＦ１の直前の維持期間Ｔｓ２（例えば、サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２）において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２とする。しかし、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１（特定セル初期化期間）において強制初期化波形を印加する放電セルに関しては、強制的に初期化放電が発生するので、そのサブフィールドＳＦ１の直前の維持期間Ｔｓ２（例えば、サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２）において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧は、電圧Ｖｒ２でなくともよい。例えば、この上り傾斜波形電圧の最大電圧は電圧Ｖｒ１であってもよい。
【０１５９】
なお、全てのサブフィールドの維持期間で、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２にすることは、望ましくない。上り傾斜波形電圧の最大電圧が高くなると、消去動作が過剰になって放電セル内の壁電荷が過剰に消去される。そのため、続く書込み期間において書込み放電が発生しにくくなり、書込み動作時の駆動電圧波形の電圧設定が困難になるためである。
【０１６０】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。なお、以下の説明においては、スイッチング素子を導通する動作を「オン」、遮断する動作を「オフ」と表記する。
【０１６１】
図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の回路ブロック図である。
【０１６２】
プラズマディスプレイ装置４０は、パネル１０とパネル１０を駆動する駆動回路とを備える。駆動回路は、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【０１６３】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号にもとづき、各放電セルに階調値を割り当てる。そして、その階調値を、サブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【０１６４】
例えば、入力された画像信号ｓｉｇがＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号を含むときには、そのＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号にもとづき、各放電セルにＲ、Ｇ、Ｂの各階調値（１フィールドで表現される階調値）を割り当てる。あるいは、入力された画像信号ｓｉｇが輝度信号（Ｙ信号）および彩度信号（Ｃ信号、またはＲ−Ｙ信号およびＢ−Ｙ信号、またはｕ信号およびｖ信号等）を含むときには、その輝度信号および彩度信号にもとづきＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号を算出し、その後、各放電セルにＲ、Ｇ、Ｂの各階調値を割り当てる。そして、各放電セルに割り当てたＲ、Ｇ、Ｂの階調値を、サブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【０１６５】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号および垂直同期信号にもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生する。そして、発生したタイミング信号をそれぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４等）へ供給する。
【０１６６】
走査電極駆動回路４３は、初期化波形発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路（図示せず）を有する。初期化波形発生回路は、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生する。維持パルス発生回路は、維持期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動ＩＣ（走査ＩＣ）を備え、書込み期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する。そして、走査電極駆動回路４３は、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。
【０１６７】
データ電極駆動回路４２は、画像データを構成するサブフィールド毎のデータを、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する書込みパルスに変換する。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに書込みパルスを印加する。
【０１６８】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生する回路を備え（図示せず）、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【０１６９】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の走査電極駆動回路４３の構成を概略的に示す回路図である。
【０１７０】
走査電極駆動回路４３は、維持パルス発生回路５０と、傾斜波形電圧発生回路６０と、走査パルス発生回路７０とを備えている。なお、各回路ブロックは、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづき動作するが、図５では、タイミング信号の経路の詳細は省略する。また、走査パルス発生回路７０に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。
【０１７１】
維持パルス発生回路５０は、電力回収回路５１と、スイッチング素子Ｑ５５と、スイッチング素子Ｑ５６と、スイッチング素子Ｑ５９とを有する。電力回収回路５１は、電力回収用のコンデンサ、複数のスイッチング素子、複数の逆流防止用のダイオード、複数の共振用のインダクタを有する。
【０１７２】
電力回収回路５１は、パネル１０に蓄えられた電力を、パネル１０の電極間容量とインダクタとをＬＣ共振させてパネル１０から回収し、コンデンサに蓄える。そして、回収した電力を、パネル１０の電極間容量とインダクタとをＬＣ共振させてコンデンサからパネル１０に再度供給し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動するときの電力として再利用する。
【０１７３】
スイッチング素子Ｑ５５は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプし、スイッチング素子Ｑ５６は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧０（Ｖ）にクランプする。スイッチング素子Ｑ５９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路４３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止する。
【０１７４】
このようにして、維持パルス発生回路５０は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧Ｖｓの維持パルスを発生する。
【０１７５】
走査パルス発生回路７０は、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎ、スイッチング素子Ｑ７２、負の電圧Ｖａを発生する電源、電圧Ｖｐを発生する電源Ｅ７１を有する。そして、走査パルス発生回路７０の基準電位Ａに電圧Ｖｐを重畳して電圧Ｖｃ（Ｖｃ＝Ｖａ＋Ｖｐ）を発生し、電圧Ｖａと電圧Ｖｃとを切換えながら走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加することで走査パルスを発生する。例えば、電圧Ｖａ＝−２０５（Ｖ）であり、電圧Ｖｐ＝１４７（Ｖ）であれば、電圧Ｖｃ＝−５８（Ｖ）となる。
【０１７６】
そして、走査パルス発生回路７０は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに、図３に示したタイミングで走査パルスを順次印加する。なお、走査パルス発生回路７０は、維持期間では維持パルス発生回路５０の出力電圧をそのまま出力する。すなわち、基準電位Ａの電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへ出力する。
【０１７７】
傾斜波形電圧発生回路６０は、ミラー積分回路６１、ミラー積分回路６２、ミラー積分回路６３を備え、図３に示した傾斜波形電圧を発生する。
【０１７８】
ミラー積分回路６１は、トランジスタＱ６１とコンデンサＣ６１と抵抗Ｒ６１とを有する。そして、入力端子ＩＮ６１に一定の電圧を印加する（入力端子ＩＮ６１として図示される２つの丸の間に一定の電圧差を与える）ことにより、電圧Ｖｔに向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。
【０１７９】
なお、本実施の形態では、電圧Ｖｉ２は、電圧Ｖｔに電圧Ｖｐを重畳した電圧に等しくなるように設定する。すなわち、ミラー積分回路６１を動作させているときは、スイッチング素子Ｑ７２およびスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオンにして、ミラー積分回路６１で発生した上り傾斜波形電圧に電源Ｅ７１の電圧Ｖｐを重畳して、強制初期化波形の上り傾斜波形電圧を発生する。
【０１８０】
ミラー積分回路６２は、トランジスタＱ６２とコンデンサＣ６２と抵抗Ｒ６２と逆流防止用のダイオードＤｉ６２とを有する。そして、入力端子ＩＮ６２に一定の電圧を印加する（入力端子ＩＮ６２として図示される２つの丸の間に一定の電圧差を与える）ことにより、電圧Ｖｒ１に向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。
【０１８１】
ミラー積分回路６３は、トランジスタＱ６３とコンデンサＣ６３と抵抗Ｒ６３とを有する。そして、入力端子ＩＮ６３に一定の電圧を印加する（入力端子ＩＮ６３として図示される２つの丸の間に一定の電圧差を与える）ことにより、電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生する。
【０１８２】
なお、スイッチング素子Ｑ６９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路４３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止する。
【０１８３】
なお、これらのスイッチング素子およびトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた半導体素子を用いて構成することができる。また、これらのスイッチング素子およびトランジスタは、タイミング発生回路４５で発生したそれぞれのスイッチング素子およびトランジスタに対応するタイミング信号により制御される。
【０１８４】
次に、本実施の形態における駆動回路、主に走査電極駆動回路４３、の動作について説明する。
【０１８５】
本実施の形態では、図３に示した駆動電圧波形において、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｐに等しく、電圧Ｖｉ２は電圧（Ｖｔ＋Ｖｐ）に等しく、電圧Ｖｉ３は電圧Ｖｓに等しく、電圧Ｖｃは電圧（Ｖａ＋Ｖｐ）に等しいものとする。
【０１８６】
しかし、これらの電圧は上記した数値に限定されるものではなく、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて適宜設定することが望ましい。
【０１８７】
図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【０１８８】
なお、図６では、初期化期間Ｔｉ１において、強制初期化波形を印加する走査電極２２を走査電極ＳＣ１とし、選択初期化波形を印加する走査電極２２を走査電極ＳＣ２とした。
【０１８９】
また、図６では、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎのうち、走査電極ＳＣ１に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１とし、走査電極ＳＣ１に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１とした。同様にスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎのうち、走査電極ＳＣ１に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１とし、走査電極ＳＣ１に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１とした。
【０１９０】
なお、図６に示す駆動電圧波形において、最大電圧を電圧Ｖｒ２とする上り傾斜波形電圧の波形形状は、図３に示した最大電圧を電圧Ｖｒ２とする上り傾斜波形電圧の波形形状と異なる。しかし、本実施の形態においては、いずれの上り傾斜波形電圧であっても、上述と同じ効果を得ることができる。
【０１９１】
例えば回路の構成上の問題等で、図３に示したように電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ２まで一定の勾配で増加する上り傾斜波形電圧を発生することが困難なことがある。そのような場合であっても、上述と同じ効果を得ることができる上り傾斜波形電圧を発生する例を、図６に示す。
【０１９２】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の前半部では、まず走査電極駆動回路４３のスイッチング素子Ｑ５６をオンにして走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣ１に電圧０（Ｖ）を印加する。
【０１９３】
次に、スイッチング素子Ｑ５６をオフにするとともに、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣ１に対しては、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１をオンにして、電圧Ｖｐを印加する。一方、強制初期化動作を行わず、選択初期化波形を印加する走査電極ＳＣ２に対しては、電圧０（Ｖ）を印加したままとする。
【０１９４】
次に、ミラー積分回路６１の入力端子ＩＮ６１に一定の電圧を印加して、基準電位Ａの電圧を電圧Ｖｔまで緩やかに上昇させる。強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣ１には、基準電位Ａに電圧Ｖｐを重畳した電圧が印加されるので、この走査電極ＳＣ１に、電圧Ｖｐから電圧（Ｖｔ＋Ｖｐ）まで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加することができる。
【０１９５】
一方、強制初期化波形を印加しない走査電極ＳＣ２には基準電位Ａが印加されるので、この走査電極ＳＣ２に、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｔまで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加することができる。
【０１９６】
続くサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の後半部では、走査電極駆動回路４３のスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１をオンにするとともに、スイッチング素子Ｑ５５およびスイッチング素子Ｑ５９をオンにして、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣ２に電圧Ｖｓを印加する。
【０１９７】
その後、スイッチング素子Ｑ６９をオフにするとともにミラー積分回路６３の入力端子ＩＮ６３に一定の電圧を印加してミラー積分回路６３を動作させ、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣ２に電圧Ｖｓから電圧Ｖｉ４まで緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。
【０１９８】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗでは、走査電極駆動回路４３のミラー積分回路６３のトランジスタＱ６３をオフにし、スイッチング素子Ｑ７２をオンにして、基準電位Ａの電圧を電圧Ｖａにする。そして、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１およびスイッチング素子Ｑ７１Ｌ２をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１およびスイッチング素子Ｑ７１Ｈ２をオンにして、走査電極ＳＣ１および走査電極ＳＣ２に電圧（Ｖａ＋Ｖｐ）、すなわち電圧Ｖｃを印加する。
【０１９９】
次に、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１をオンにして、電圧Ｖｃから電圧Ｖａに変位する走査パルスを走査電極ＳＣ１に印加する。
【０２００】
一定の時間の後（１行目における書込み動作終了後）、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１をオンにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１をオフにして、走査電極ＳＣ１への印加電圧を電圧Ｖｃに戻す。このようにして、走査電極ＳＣ１に走査パルスを印加する。
【０２０１】
次に、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ２をオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ２をオンにして、電圧Ｖｃから電圧Ｖａに変位する走査パルスを走査電極ＳＣ２に印加する。
【０２０２】
一定の時間の後（２行目における書込み動作終了後）、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ２をオンにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ２をオフにして、走査電極ＳＣ２への印加電圧を電圧Ｖｃに戻す。このようにして、走査電極ＳＣ２に走査パルスを印加する。
【０２０３】
以下同様に、走査電極ＳＣｎに至るまで、走査パルスを順次走査電極２２に印加する。
【０２０４】
その後、スイッチング素子Ｑ７２、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ２をそれぞれオフにし、スイッチング素子Ｑ５６、スイッチング素子Ｑ６９、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ２をそれぞれオンにして、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣ２に電圧０（Ｖ）を印加する。こうして、書込み期間が終了する。
【０２０５】
サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１では、走査電極駆動回路４３の維持パルス発生回路５０を用いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、輝度重みに応じた数の維持パルスを印加する。
【０２０６】
そして、その維持期間における全ての維持パルスを発生した後に、走査電極駆動回路４３のスイッチング素子Ｑ５６をオフにする。それとともに、ミラー積分回路６２の入力端子ＩＮ６２に一定の電圧を印加してミラー積分回路６２を動作させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｒ１まで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。なお、この電圧Ｖｒ１は電圧Ｖｓよりも低い電圧（例えば、電圧Ｖｒ１＝電圧Ｖｓ−１２（Ｖ））である。
【０２０７】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｔｉ２では、走査電極駆動回路４３のスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオンにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオフにしたまま、ミラー積分回路６３の入力端子ＩＮ６３に一定の電圧を印加する。こうしてミラー積分回路６３を動作させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｉ４まで緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。
【０２０８】
サブフィールドＳＦ１０の維持期間Ｔｓ２では、走査電極駆動回路４３の維持パルス発生回路５０を用いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、輝度重みに応じた数の維持パルスを印加する。
【０２０９】
そして、その維持期間における全ての維持パルスを発生した後に、走査電極駆動回路４３のスイッチング素子Ｑ５６をオフにする。それとともに、ミラー積分回路６２の入力端子ＩＮ６２に一定の電圧を印加してミラー積分回路６２を動作させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｒ１まで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。なお、この電圧Ｖｒ１は電圧Ｖｓよりも低い電圧（例えば、電圧Ｖｒ１＝電圧Ｖｓ−１２（Ｖ））である。
【０２１０】
そしてその後、スイッチング素子Ｑ５６をオンにして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加する。その後、スイッチング素子Ｑ５６をオフにする。
【０２１１】
次に、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオンにして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｐを印加する。
【０２１２】
そして、ミラー積分回路６２の入力端子ＩＮ６２に一定の電圧を印加してミラー積分回路６２を動作させる。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｐから緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。
【０２１３】
そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される電圧が電圧Ｖｒ２に到達した時点で、ミラー積分回路６２の入力端子ＩＮ６２の電圧をオフにしてミラー積分回路６２の動作を停止する。
【０２１４】
こうして、電圧Ｖｒ１よりも高い電圧Ｖｒ２まで上昇する上り傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０２１５】
その後、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎをオンにする。
【０２１６】
このようにして、本実施の形態においては、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４を用いて図３に示した駆動電圧波形を発生し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎおよび維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎのそれぞれに印加する。
【０２１７】
すなわち、維持期間においては、所定の輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して、走査電極２２および維持電極２３に交互に印加する。
【０２１８】
最終サブフィールドを除くサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ９の各サブフィールド）の維持期間Ｔｓ１においては、維持期間における最後の維持パルスを発生した後に、電圧Ｖｒ１まで上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極２２に印加する。
【０２１９】
そして、１フィールドの最終サブフィールドであり輝度重みが最も大きいサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１０）の維持期間Ｔｓ２においては、維持期間における最後の維持パルスを発生した後に、まず、電圧Ｖｒ１まで上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極２２に印加する。上り傾斜波形電圧が電圧Ｖｒ１に到達したら、走査電極２２への印加電圧を電圧０（Ｖ）に一旦戻す。その後、正の電圧（例えば、電圧Ｖｐ）を走査電極２２へ印加し、その正の電圧から電圧Ｖｒ２まで上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極２２に印加する。
【０２２０】
例えば回路の構成上の問題等で、図３に示したように電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ２まで一定の勾配で増加する上り傾斜波形電圧を発生することが困難であれば、図６に示すように、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ２まで電圧が上昇する間に、走査電極２２への印加電圧が一旦０（Ｖ）まで下降するような波形形状で、上り傾斜波形電圧を発生してもかまわない。そのような場合であっても、上述と同じ効果を得ることができる。
【０２２１】
以上示したように、本実施の形態において、各放電セルは、連続する複数のフィールド（例えば、本実施の形態では連続する２つのフィールド）で１回だけ強制初期化動作を行う。これにより、プラズマディスプレイ装置４０では、１フィールドに１回の強制初期化動作を行う構成と比較して、強制初期化動作の発生頻度を低減し、階調表示に関係しない発光を低減して、表示画像における黒輝度を低減し、コントラストの高い画像表示を行うことができる。
【０２２２】
また、本実施の形態においては、１フィールドの最終サブフィールドであって輝度重みが最も大きいサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１０）の維持期間Ｔｓ２において、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２とし、他のサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ９の各サブフィールド）の維持期間において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ１とする。そして、電圧Ｖｒ２を電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０２２３】
これにより、連続する複数のフィールドで１回だけ強制初期化動作を行うサブフィールド構成であっても、安定に書込み放電を発生することができる。
【０２２４】
すなわち、各放電セルにおいて、連続する複数のフィールドで１回だけ強制初期化動作を行う駆動方法によってパネル１０を駆動するとき、１フィールドの最後の２つのサブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ９とサブフィールドＳＦ１０）が連続して非発光サブフィールドであっても、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１に選択初期化動作を行う放電セルにおいて、安定に書込み放電を発生することができる。
【０２２５】
なお、本実施の形態では、１フィールドを１０のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１０）で構成し、各サブフィールドには、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように輝度重みを設定している。したがって、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるような時間的に連続する複数のサブフィールドを１つのサブフィールド群とすれば、本実施の形態では、１フィールドは、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１０までの１０のサブフィールドからなる１つのサブフィールド群で構成されている、と見なすことができる。したがって、サブフィールドＳＦ１０は、１つのサブフィールド群の最終サブフィールドということもできる。
【０２２６】
（実施の形態２）
実施の形態１では、各放電セルにおいて、連続する複数のフィールドで１回だけ強制初期化動作を行う駆動方法によってパネル１０を駆動するとき、１フィールドの最後の２つのサブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ９とサブフィールドＳＦ１０）が連続して非発光サブフィールドであっても、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１に選択初期化動作を行う放電セルにおいて、安定に書込み放電を発生するための駆動電圧波形を説明した。
【０２２７】
しかし、本発明は、何らこの構成に限定されるものではない。本発明は、輝度重みが大きいサブフィールドが連続して発生した後に輝度重みが小さいサブフィールドが発生し、かつその輝度重みが小さいサブフィールドにおいて初期化放電が発生しないようなサブフィールド構成であれば、上述と同様の構成により、上述と同様の効果を得ることができる。
【０２２８】
そのようなサブフィールド構成には、実施の形態１に示したサブフィールド構成以外にも、例えば、ＰＡＬ方式の画像信号によってパネル１０に画像表示を行う際に、フリッカを抑制するように工夫したサブフィールド構成がある。
【０２２９】
本実施の形態では、ＰＡＬ方式の画像信号によってパネル１０に画像表示を行う際に、フリッカを抑制するように工夫したサブフィールド構成において、実施の形態１に示した構成を適用する例を説明する。
【０２３０】
なお、本実施の形態において、プラズマディスプレイ装置の構成は、実施の形態１に示したプラズマディスプレイ装置４０の構成と同じであるので、説明を省略する。
【０２３１】
本実施の形態においては、サブフィールドの構成が実施の形態１に示したサブフィールドの構成と異なる。
【０２３２】
本実施の形態では、１フィールドを１４のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ１４）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ、（１、２、４、８、２０、３２、５６、４、１２、１６、１６、２０、３２、３２）の輝度重みを有する例を説明する。
【０２３３】
このように、本実施の形態において、１フィールドを構成する複数のサブフィールドは、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ７までは輝度重みが増加し、サブフィールドＳＦ７からサブフィールドＳＦ８で輝度重みが一旦小さくなり、サブフィールドＳＦ８からサブフィールドＳＦ１４までは再度輝度重みが増加する。
【０２３４】
したがって、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるような時間的に連続する複数のサブフィールドを１つのサブフィールド群とすれば、本実施の形態では、１フィールドは、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ７までの７のサブフィールドからなるサブフィールド群と、サブフィールドＳＦ８からサブフィールドＳＦ１４までの７のサブフィールドからなるサブフィールド群との２つのサブフィールド群で構成されている、と見なすことができる。
【０２３５】
このようなサブフィールド構成は、例えばＰＡＬ方式の画像信号のように、フィールド周波数（１秒間に発生するフィールドの数）が低い画像信号をパネル１０に表示するときに、フリッカ（画像のちらつき）の発生を抑制する上で有効である。
【０２３６】
図７は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【０２３７】
図７には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。
【０２３８】
また、図７には、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する駆動電圧の波形形状が異なる２つのサブフィールドの駆動電圧波形を示す。この２つのサブフィールドとは、全セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２以降のサブフィールドである。
【０２３９】
全セル初期化サブフィールドとは、初期化期間に、全ての走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに強制初期化波形を印加し、パネル１０の画像表示領域にある全ての放電セルで初期化放電セルを発生するサブフィールドのことである。以下、全セル初期化サブフィールドの初期化期間を「全セル初期化期間」とも記す。
【０２４０】
なお、サブフィールドＳＦ３以降のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外はサブフィールドＳＦ２の駆動電圧波形とほぼ同様である。
【０２４１】
ただし、サブフィールドＳＦ７は、消去放電を発生するための上り傾斜波形電圧の波形形状が他のサブフィールドにおける消去放電を発生するための上り傾斜波形電圧とは異なる。
【０２４２】
まず、全セル初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１について説明する。
【０２４３】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１では、実施の形態１に示した強制初期化波形を全ての走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０２４４】
すなわち、初期化期間Ｔｉ１の前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには、それぞれ電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ１を印加する。電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満の電圧に設定する。
【０２４５】
さらに、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。
【０２４６】
この上り傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上には正の壁電圧が蓄積される。さらに、それ以降の放電の発生を助けるプライミング粒子も発生する。
【０２４７】
初期化期間Ｔｉ１の後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには第１の電圧として電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。
【０２４８】
電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満となる電圧に設定し、電圧Ｖｉ４は放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【０２４９】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに下り傾斜波形電圧を印加する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が発生する。
【０２５０】
そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。さらに、それ以降の放電の発生を助けるプライミング粒子も発生する。
【０２５１】
以上により、全ての放電セルで初期化放電を発生する全セル初期化動作が終了する。
【０２５２】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗでは、実施の形態１に示した書込み期間Ｔｗと同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。すなわち、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルスを順次印加するとともに、発光すべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。こうして、発光すべき放電セルに書込み放電を発生し、続く維持放電に必要な壁電荷を形成する。
【０２５３】
サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１では、実施の形態１に示した維持期間Ｔｓ１と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。すなわち、輝度重みに応じた数の維持パルスを発生して、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に印加し、書込み放電を起こした放電セルに、輝度重みに応じた回数の維持放電を発生する。
【０２５４】
そして、維持期間Ｔｓ１における最後の維持パルスの発生後に、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ１まで上昇する上り傾斜波形電圧を発生し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。これにより、維持放電を発生した放電セルでは消去放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。
【０２５５】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｔｉ２では、実施の形態１に示した選択初期化波形を全ての走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０２５６】
すなわち、初期化期間Ｔｉ２では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、放電開始電圧未満となる電圧Ｖｉ３’（例えば、ベース電位である電圧０（Ｖ））から放電開始電圧を超える負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。
【０２５７】
これにより、直前のサブフィールド（図７では、サブフィールドＳＦ１）の維持期間で維持放電を発生した放電セルでは、微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【０２５８】
一方、直前のサブフィールドの維持期間で維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、直前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷が保たれる。このようにしてサブフィールドＳＦ２における初期化動作が完了する。
【０２５９】
このように、サブフィールドＳＦ２における初期化動作は、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み放電を発生し維持期間で維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化動作となる。
【０２６０】
サブフィールドＳＦ２の書込み期間Ｔｗおよび維持期間Ｔｓ１では、維持パルスの発生数を除き、各電極に対してサブフィールドＳＦ１の書込み期間および維持期間と同様の駆動電圧波形を印加する。
【０２６１】
サブフィールドＳＦ３からサブフィールドＳＦ６までの各サブフィールドでは、維持期間Ｔｓ１に発生する維持パルスの数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０２６２】
１つ目のサブフィールド群の最終サブフィールドであるサブフィールドＳＦ７の初期化期間Ｔｉ２および書込み期間Ｔｗでは、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。また、サブフィールドＳＦ７の維持期間Ｔｓ２では、維持パルスの発生数を除き、サブフィールドＳＦ２の維持期間Ｔｓ１における維持パルスと同様の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加する。
【０２６３】
ただし、サブフィールドＳＦ７の維持期間Ｔｓ２に発生する消去放電のための上り傾斜波形電圧は、サブフィールドＳＦ２の維持期間Ｔｓ１に発生した消去放電のための上り傾斜波形電圧とは波形形状が異なる。
【０２６４】
サブフィールドＳＦ７の維持期間Ｔｓ２では、維持期間Ｔｓ２における最後の維持パルスの発生後に、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒ２まで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。そして、電圧Ｖｒ２を電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０２６５】
２つ目のサブフィールド群であるサブフィールドＳＦ８からサブフィールドＳＦ１４までの各サブフィールドでは、維持期間Ｔｓ１に発生する維持パルスの数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０２６６】
このようなサブフィールド構成では、２つ目のサブフィールド群の先頭サブフィールドであるサブフィールドＳＦ８の初期化期間Ｔｉ１において、選択初期化動作を行う。
【０２６７】
また、１つ目のサブフィールド群においては、時間的に後に発生するサブフィールドほど輝度重みが大きくなるように各サブフィールドに輝度重みが設定されている。
【０２６８】
したがって、サブフィールドＳＦ８の直前のサブフィールドは、１つ目のサブフィールド群の最終サブフィールドであって、そのサブフィールド群で最も輝度重みが大きいサブフィールドである。
【０２６９】
上述したように、一般的な動画をパネル１０に表示するときには、輝度重みが小さいサブフィールドほど発光する確率は高く、輝度重みが大きいサブフィールドほど発光する確率は低くなることが確認されている。
【０２７０】
したがって、本実施の形態に一例として示したサブフィールド構成であれば、輝度重みが相対的に大きいサブフィールドＳＦ６およびサブフィールドＳＦ７が発光する確率は相対的に低く、輝度重みが小さいサブフィールドＳＦ８が発光する確率は相対的に高い。したがって、サブフィールドＳＦ６およびサブフィールドＳＦ７が非発光サブフィールドとなり、サブフィールドＳＦ８が発光サブフィールドとなる確率は相対的に高い。
【０２７１】
そして、サブフィールドＳＦ６とサブフィールドＳＦ７とが連続して非発光サブフィールドであれば、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ８の初期化期間Ｔｉ２において初期化放電は発生せず、上述した理由により、書込み放電を発生できない可能性が生じる。
【０２７２】
そこで、本実施の形態では、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドの直前に発生する輝度重みが相対的に大きいサブフィールドにおいて、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ２を、その輝度重みが相対的に小さいサブフィールドで発生する消去放電のための上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０２７３】
本実施の形態では、上述の、輝度重みが相対的に小さく、かつ初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドは、輝度重み「４」を有し、初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールドＳＦ８のことである。また、上述の輝度重みが相対的に大きいサブフィールドは、輝度重み「５６」を有するサブフィールドＳＦ７のことである。
【０２７４】
言い換えると、本実施の形態では、２つ目のサブフィールド群の直前のサブフィールド、すなわち、１つ目のサブフィールド群の最終サブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ７）の維持期間において、消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧を電圧Ｖｒ２とする。そして、電圧Ｖｒ２を、他のサブフィールド（本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ６、およびサブフィールドＳＦ８からサブフィールドＳＦ１４の各サブフィールド）の維持期間において消去放電のために発生する上り傾斜波形電圧の最大電圧である電圧Ｖｒ１よりも高い電圧に設定する。
【０２７５】
これにより、例えば、サブフィールドＳＦ６とサブフィールドＳＦ７とが連続して非発光サブフィールドとなり、続くサブフィールドＳＦ８において書込み不良が発生するおそれがある放電セルにおいても、データ電極３２上に残留している負の壁電圧を反転させ、続くサブフィールドＳＦ８において、書込み不良の発生を防止することができる。
【０２７６】
なお、図７には、１つ目のサブフィールド群の最後のサブフィールドＳＦ７において最大電圧を電圧Ｖｒ２とする上り傾斜波形電圧を発生する構成を説明した。しかし、本発明はこの構成に限定されない。例えば、２つ目のサブフィールド群の最後のサブフィールドＳＦ１４においても、最大電圧を電圧Ｖｒ２とする上り傾斜波形電圧を発生してもよい。これは、連続する複数のフィールドで１回だけ強制初期化動作を行うために、サブフィールドＳＦ１を特定セル初期化サブフィールドとするサブフィールド構成において特に有効である。
【０２７７】
なお、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数、強制初期化サブフィールドとするサブフィールド、各サブフィールドが有する輝度重み等が上述した数値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【０２７８】
なお、図３、図６、図７に示した駆動電圧波形は本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこの駆動電圧波形に限定されるものではない。
【０２７９】
なお、図４、図５に示した駆動回路の構成は本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらの回路構成に限定されるものではない。
【０２８０】
なお、本発明における実施の形態に示した各回路ブロックは、実施の形態に示した各動作を行う電気回路として構成されてもよく、あるいは、同様の動作をするようにプログラミングされたマイクロコンピュータ等を用いて構成されてもよい。
【０２８１】
なお、本発明における実施の形態では、１つのフィールドを１０のサブフィールド、または１４のサブフィールドで構成する例を説明した。しかし、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数が何ら上記の数に限定されるものではない。例えば、サブフィールドの数をより多くすることで、パネル１０に表示できる階調の数をさらに増加することができる。あるいは、サブフィールドの数をより少なくすることで、パネル１０の駆動に要する時間を短縮することができる。
【０２８２】
なお、本発明における実施の形態では、１画素を赤、緑、青の３色の放電セルで構成する例を説明したが、１画素を４色あるいはそれ以上の色の放電セルで構成するパネルにおいても、本発明における実施の形態に示した構成を適用することは可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０２８３】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な数値は、画面サイズが５０インチ、表示電極対２４の数が１０２４のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネルの仕様やパネルの特性、およびプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、１フィールドを構成するサブフィールドの数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明における実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２８４】
本発明は、高精細度化された大画面のパネルを駆動する際にも安定した書込み動作を行うことができ、品質の高い画像をパネルに表示することが可能であり、パネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２８５】
１０    パネル
２１    前面基板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面基板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４０    プラズマディスプレイ装置
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５０    維持パルス発生回路
５１    電力回収回路
６０    傾斜波形電圧発生回路
６１，６２，６３    ミラー積分回路
７０    走査パルス発生回路
Ｄｉ６２    ダイオード
Ｑ５５，Ｑ５６，Ｑ５９，Ｑ６９，Ｑ７２，Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈｎ，Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌｎ    スイッチング素子
Ｃ６１，Ｃ６２，Ｃ６３    コンデンサ
Ｒ６１，Ｒ６２，Ｒ６３    抵抗
Ｑ６１，Ｑ６２，Ｑ６３    トランジスタ
ＩＮ６１，ＩＮ６２，ＩＮ６３    入力端子
Ｅ７１    電源
Ｔｉ１，Ｔｉ２    初期化期間
Ｔｗ    書込み期間
Ｔｓ１，Ｔｓ２    維持期間
【図１】
2012102043.tif 000003
【図２】
2012102043.tif 000004
【図３】
2012102043.tif 000005
【図４】
2012102043.tif 000006
【図５】
2012102043.tif 000007
【図６】
2012102043.tif 000008
【図７】
2012102043.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
また、図６では、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｈｎのうち、走査電極ＳＣ１に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１とし、走査電極ＳＣ２に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｈ２とした。同様にスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜スイッチング素子Ｑ７１Ｌｎのうち、走査電極ＳＣ１に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１とし、走査電極ＳＣ２に対応するスイッチング素子をスイッチング素子Ｑ７１Ｌ２とした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の前半部では、まず走査電極駆動回路４３のスイッチング素子Ｑ５６をオンにして走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣ２に電圧０（Ｖ）を印加する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３９】
全セル初期化サブフィールドとは、初期化期間に、全ての走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに強制初期化波形を印加し、パネル１０の画像表示領域にある全ての放電セルで初期化放電を発生するサブフィールドのことである。以下、全セル初期化サブフィールドの初期化期間を「全セル初期化期間」とも記す。
【国際調査報告】
2012102043.tif 000010
2012102043.tif 000011
2012102043.tif 000012
2012102043.tif 000013