(57)【要約】  本発明は、ケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、溶媒の全質量に対する前記γ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）：ＰｈＳｉＸ３
［式中、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、
一般式（ＩＩ）：Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０又は１の整数を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、及び
一般式（ＩＩＩ）：Ｒ２２ＳｉＸ２
［式中、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＲ２及びＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物を含む単量体成分を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、
溶媒と、
表面調整剤と、
を含有し、
前記溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、
前記溶媒の全質量に対する前記γ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、前記溶媒の全質量に対する前記第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
【請求項２】
前記表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
インクジェット法により、請求項１又は２に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、
前記描画パターン膜を硬化させる工程と、
を備えるシリカ系被膜の形成方法。
【請求項４】
基板と、
該基板上に、請求項３に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、
を備える半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリカ系被膜は、絶縁性、耐熱性、透明性及び耐磨耗性等に優れていることから、様々な分野で適用されている。例えば、半導体デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性及びバリア性の点から、配線間の絶縁膜、素子分離膜及びマスク材といった用途に適用されており、液晶デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性及び透明性の点から、素子の保護膜等の用途に適用されている。【０００３】
従来、シリカ系被膜を得る一般的な方法として、気相成長法及び塗布法が知られている。半導体分野では、気相成長法が広く適応されており、緻密なシリカ系被膜が得られる等の特長がある。しかし、特殊な装置が必要であること、近年の処理基材の大型化に伴う装置コストの増大等の課題がある。一方、塗布法は比較的簡便な装置で成膜でき、大型基材への成膜も比較的容易である等の特長がある。塗布法としてはスピンコート法、スプレー法、浸漬法、ロールコート法及びスクリーン印刷法等が挙げられる。【０００４】
ところで、パターン化されたシリカ系被膜を形成する方法としては、フォトリソグラフィー法が主流となっている。しかし、フォトリソグラフィー法によるパターン化は、工程が複雑であり、コスト的に高いという欠点がある。そこで、近年、簡便に安くパターンを形成できる手法としてインクジェット法が検討されている（特許文献１）。インクジェット法は、所望のパターンを所望の位置に形成可能であることから、フォトリソグラフィー法のように基板全面にシリカ系被膜を形成する必要がなく、使用する材料量を大きく削減できるため、コスト的にも環境的にも大きなメリットがある。【０００５】
インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物を得る方法としては、アルコキシシランを原料としたゾル−ゲル法が知られている（特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２７９１３４号公報
【特許文献２】特開２００９−２３９９８３号公報
【特許文献３】特開２００９−２５３１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２に記載されているように、溶媒としてエタノール又は水を用いる場合、あるいは、特許文献３に記載されているように１００℃以下の溶媒が組成全体の７０〜９０質量％占めるような場合には、インクジェット描画による未吐出と吐出の操作を繰り返すと、ノズル目詰まりを引き起こしやすい。量産時においては、このような吐出と未吐出が繰り返されるため、前記従来のシリカ系被膜形成組成物は、実用に供し得るものとしては未だ充分ではない。【０００８】
また、インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物には、これを用いてパターンを描画したときに、描画パターンの断面形状が矩形である又は矩形に近いことが望まれる。例えば、このようなシリカ系被膜形成組成物を用いて絶縁膜を形成する場合、パターン断面形状が矩形ではない（すなわち、絶縁膜の膜厚が膜縁部にかけて低下している）と、絶縁性が局所的に低下してしまい、その結果デバイス特性を低下させる場合がある。【０００９】
さらに、インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物はマスク材として用いられることがある。このとき、マスク材の膜厚が薄いと充分なマスク性を得ることができないため、膜厚をある程度厚くする必要がある。しかしながら、膜厚を厚くしようとした場合、シリカ系被膜形成組成物をスピンコート法又はインクジェット法等で基板へ塗布した後、これを予備硬化又は硬化させる過程においてクラックを生じることがある。塗布部面内の局所的なクラックは、デバイス特性を低下させる場合があるため生じないことが望ましい。【００１０】
このように、インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物においては、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルが目詰まりを起こすことなく吐出することができ、また、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することができ、さらには描画パターンの膜厚を厚くしても、予備硬化及び硬化した際にクラックを生じさせないことが求められる。このためには、シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり性の抑制、更に膜厚が厚くてもクラックが生じない耐クラック性が必要となる。しかしながら、これらの特性を全て満足することは非常に困難である。【００１１】
本発明は、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、また、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することができ、かつ、描画パターンの膜厚を厚くしてもクラックの発生を抑制することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を提供することを目的とする。本発明はまた、当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するために、本発明は、下記（１）及び（２）に記載のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、下記（３）に記載のシリカ系被膜の形成方法、下記（４）に記載の半導体デバイス、並びに下記（５）に記載の太陽電池システムを提供する。【００１３】
（１）一般式（Ｉ）：ＰｈＳｉＸ３
［式中、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、一般式（ＩＩ）：Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０又は１の整数を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、及び一般式（ＩＩＩ）：Ｒ２２ＳｉＸ２
［式中、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＲ２及びＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物を含む単量体成分を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、溶媒の全質量に対する前記γ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、前記溶媒の全質量に対する前記第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
（２）表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、（１）に記載の組成物。
（３）インクジェット法により、（１）又は（２）に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備えるシリカ系被膜の形成方法。
（４）基板と、基板上に、（３）に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える半導体デバイス。
（５）（４）に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、また、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することができ、かつ、描画パターンの膜厚を厚くしても予備硬化及び硬化後のクラックの発生を抑制することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物が提供される。本発明によれば、また、当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムが提供される。【００１５】
なお、本発明によって前記の効果が奏される理由について、本発明者らは以下のように推察する。【００１６】
すなわち、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさず、また、描画時のパターン断面形状を矩形に近づけることができ、かつ、描画パターンの膜厚を厚くしても予備硬化及び硬化後のクラックの発生を抑制できるようにするためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり性抑制、及び膜厚が厚くてもクラックが生じない耐クラック性を兼ね備えることが必要となる。これらの特性を満足するためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の溶媒として、低沸点成分である第２の溶媒と高沸点成分であるγ−ブチロラクトン及び第３の溶媒を含有する混合溶媒を用いることが重要である。そして、この混合溶媒において、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトン及び第２の溶媒の質量比が特定の数値範囲になるようにそれぞれの含有量を調整することが極めて重要である。これにより、主としてγ−ブチロラクトンと第３の溶媒の作用によりノズル先での非乾燥性が、また、主としてγ−ブチロラクトンと第２の溶媒の作用によりインク着弾時の液滴濡れ広がり性抑制が、さらに、シロキサン骨格の中にフェニル基を含有すること及び二官能のＳｉを含むことにより耐クラック性が、それぞれ高水準で達成されるものと考えられる。なお、本発明においては、第２の溶媒の沸点を８０〜１００℃、第３の溶媒の沸点を１８０〜２３０℃とし、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比を０．２以上とし、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比を０．２〜０．５としている。これは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり性抑制の両立の点から、これらの条件が好適であるという本発明者らの知見に基づくものである。【００１７】
さらに、インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいという効果が奏されるのは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物が表面調整剤を含有することも一因であると考えられる。これにより、被塗布物への濡れ性やシリカ系樹脂の流動性が制御されることによって、インク着弾時の液滴の濡れ広がりが抑制されると考えられる。より具体的には、インク着弾時の液滴の濡れ広がりは、インクの被塗布物への濡れ不均一性（ハジキ等）や、吐出時のインクの溶媒蒸発の不均一性による、局所的なインク粘度増大や表面張力変化によって引き起こされると考えられる。そこで、本発明における表面調整剤とは、（１）乾燥過程の塗膜の表面張力を均一化し、被塗布物への濡れを改良する作用を有する化合物、（２）塗膜表面からの溶剤の蒸発を均一化し、局所的な粘度増大や表面張力変化を小さくする作用を有する化合物、から選択される少なくとも一種の化合物として定義される。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１９】
［インクジェット用シリカ系被膜形成組成物］
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。
（Ａ）一般式（Ｉ）：ＰｈＳｉＸ３
［式中、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、
一般式（ＩＩ）：Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０又は１の整数を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、及び
一般式（ＩＩＩ）：Ｒ２２ＳｉＸ２
［式中、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＲ２及びＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物を含む単量体成分を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物。
（Ｂ）γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒（ただし、γ−ブチロラクトンを除く）を含有し、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である溶媒。
（Ｃ）表面調整剤。
【００２０】
以下、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分のそれぞれについて詳述する。
（Ａ）成分：ケイ素化合物
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物（以下、場合により「組成物」という）は、
一般式（Ｉ）：ＰｈＳｉＸ３
［式中、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、
一般式（ＩＩ）：Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０又は１の整数を示し、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
で表される化合物、及び
一般式（ＩＩＩ）Ｒ２２ＳｉＸ２
［式中、Ｒ２は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、複数存在するＲ２及びＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ２は加水分解性基を示すものではない。］
で表される化合物を含む単量体成分を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物を必須成分とする。なお、本明細書において、前記「加水分解・重縮合」とは、前記一般式で表される化合物を含む単量体成分を加水分解し、脱水（Ｈ２Ｏ）しながら縮合して重合することを意味する。
【００２１】
前記Ｘとしては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられ、中でもアルコキシ基とすることが好ましい。Ｘをアルコキシ基とすることにより、得られるケイ素化合物の液状安定性や得られる組成物中のハロゲン濃度を抑制することが可能となる。
【００２２】
Ｘがアルコキシ基である場合、一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシランが挙げられる。トリアルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ＰｈＳｉ（ＯＲ１）３  …（Ｉ−１）
［式中、Ｐｈは置換基を有していても良いフェニル基を示し、Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基を示す。］
【００２３】
一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシランとしては、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン及びフェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の点から、フェニルトリエトキシシランを用いることが好ましい。
【００２４】
Ｘがアルコキシ基である場合、一般式（ＩＩ）で表される化合物としては、下記一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシラン及び下記一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシランが挙げられる。これらのアルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
Ｓｉ（ＯＲ２）４  …（ＩＩ−１）
［式中、Ｒ２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基を示す。］
Ｒ３Ｓｉ（ＯＲ４）３  …（ＩＩ−２）
［式中、Ｒ３はアルキル基を示し、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基を示す。］
【００２５】
一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン及びテトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の取り扱いが容易な点から、テトラエトキシシランを用いることが好ましい。
【００２６】
一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン及びブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の点から、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン及びプロピルトリエトキシシランを用いることが好ましい。
【００２７】
Ｘがアルコキシ基である場合、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、下記一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランが挙げられる。ジアルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
Ｒ５２Ｓｉ（ＯＲ６）２  …（ＩＩＩ−１）
［式中、Ｒ５は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基又はフェニル基を示し、Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基を示す。］
【００２８】
一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランとしては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルメチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルフェニルジメトキシシラン、エチルフェニルジエトキシシラン、エチルフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン及びエチルフェニルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。
【００２９】
本実施形態では、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、及び（ＩＩＩ）で表されるアルコキシシランが組み合わせて用いられる。より具体的には、前記一般式（Ｉ−１）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）及び（ＩＩＩ−１）で表されるアルコキシシランが組み合わせて用いられる（ただし、前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）で表される化合物が必ずしも併用される必要はない）。
これらのアルコキシシランの混合比は特に限定されない。ただし、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の室温下での安定性（粘度安定性）が確保しやすいこと、及びインクジェット後に得られるシリカ系被膜の耐クラック性が向上することから、一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル量Ｍ１に対する、一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル量Ｍ２並びに一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランのモル量Ｍ３の合計量の比（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が０．１以上であることが好ましく、０．３以上であることがより好ましく、０．５以上であることが更に好ましく、０．８以上であることが極めて好ましい。また、下地基板との濡れ性が良好である観点で、（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が４．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、１．５以下であることが極めて好ましい。
【００３０】
アルコキシシランを加水分解・重縮合する際には、（Ｂ）成分を溶媒として用いてもよく、又は、（Ｂ）成分以外の溶媒を用いてもよい。アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に用いる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ−ブチロラクトン及びγ−バレロラクトン等のケトン系溶媒；
ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル−ｎ−ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン及びジメチルジオキサン等のエーテル系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル及びテトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のアルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉｓｏ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル及び乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒；
Ｎ−メチルピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン、Ｎ−プロピルピロリジノン、Ｎ−ブチルピロリジノン、Ｎ−ヘキシルピロリジノン及びＮ−シクロヘキシルピロリジノン等のピロリジノン系溶媒；
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉｓｏ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール及びベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール及びトリプロピレングリコール等のグリコール系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒；並びに、
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００３１】
なお、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に（Ｂ）成分以外の溶媒を用いた場合には、反応後に留去等によって溶媒を除去又は置換し、得られるシロキサン樹脂又はシロキサン樹脂溶液をインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の調製に供することができる。
【００３２】
前記の溶媒を用いて前記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される化合物を含む単量体成分を加水分解・重縮合する際の溶媒量は、反応の均一性等の点から、ＳｉＯ２換算濃度が５〜３５質量％の範囲になるようにすることが好ましく、１０〜３０質量％の範囲が更に好ましい。
【００３３】
また、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際、反応時間の短縮及び反応の均一化のため、触媒を添加することが好ましい。触媒としては、酸触媒、アルカリ触媒及び金属キレート化合物等が挙げられるが、得られるインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の安定性確保の点から、酸触媒を用いることが好ましい。
【００３４】
酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸及びトリフルオロエタンスルフォン酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸及びフッ酸が挙げられる。これらの中で特に有機酸としてはマレイン酸、無機酸としては硝酸を用いることが好ましい。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３５】
触媒の使用量は、アルコキシシランの種類及び使用量、触媒の種類等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシラン並びに一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用い、かつ、触媒として酸触媒を用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、酸触媒の使用量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１０］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１００］の範囲が更に好ましい。酸触媒の使用量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象を抑制することができる。
【００３６】
また、アルコキシシランを加水分解・重縮合させる際、使用する水の量は、アルコキシシランの種類及び使用量等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシラン並びに一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（ＩＩ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ−１）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（ＩＩ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（ＩＩＩ−１）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、水の量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／２］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×２］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／２］〜［４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×１］の範囲が更に好ましい。水の量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象を抑制することができる。
【００３７】
（Ａ）成分であるケイ素化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、溶媒への溶解性、インクジェット吐出性等の観点から、５００〜２００００であることが好ましく、５００〜１００００であるとより好ましい。当該重量平均分子量が前記範囲内であると、シリカ系被膜の成膜性と、ケイ素化合物及び溶媒の相溶性とを高水準で達成できる。なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という）により測定されかつ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。
【００３８】
＜重量平均分子量の測定＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件によるＧＰＣにより測定することができる。
（条件）
試料：インクジェット用シリカ系被膜形成組成物  １０μＬ
標準ポリスチレン：東ソー株式会社製、標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
検出器：株式会社日立製作所製、ＲＩ−モニター、商品名「Ｌ−３０００」
インテグレーター：株式会社日立製作所製、ＧＰＣインテグレーター、商品名「Ｄ−２２００」
ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−６０００」
デガス装置：昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ  ＤＥＧＡＳ（「Ｓｈｏｄｅｘ」は、登録商標。）」
カラム：日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ−Ｒ４４０」、「ＧＬ−Ｒ４３０」、「ＧＬ−Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
測定温度：２３℃
流速：１．７５ｍＬ／分
測定時間：４５分
【００３９】
本実施形態において、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中の（Ａ）成分の含有量は、５〜３５質量％であることが好ましく、５〜３０質量％であることがより好ましい。（Ａ）成分の含有量が５質量％以上であれば、形成されるシリカ系被膜の膜厚が薄過ぎず適度な厚さとなるため、所望の膜厚を得るために複数回の重ね描画が必要となる可能性を低減できる。これにより、プロセス時間の増大や重ね描画によるインクの液滴濡れ広がりを抑制しやすくなるとともに、耐クラック性をも向上しやすい傾向がある。一方、（Ａ）成分の含有量が３５質量％以下であれば、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の保管安定性をより良好にすることができる傾向にある。
【００４０】
（Ｂ）成分：溶媒
本実施形態に係る（Ｂ）成分は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含有し、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である溶媒である。なお、本明細書において、「沸点」とは常圧（１気圧）での沸点を意味する。
【００４１】
γ−ブチロラクトンは、沸点が２０４℃であり、２０℃における表面張力が４３．９ｄｙｎ／ｃｍの有機溶媒である。このような沸点と表面張力とを有するγ−ブチロラクトンを溶媒中に含有させることにより、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、インク着弾時の液滴濡れ広がり抑制との両立が可能となると考えられる。
【００４２】
第２の溶媒は、沸点が８０〜１００℃であるが、８０〜９０℃であることが好ましい。沸点がこのような範囲内であれば、特に制限はない。第２の溶媒としては、１−プロパノール、２−プロパノール及び２−ブタノール等が挙げられる。これらの溶媒の中で、得られるシロキサン樹脂、γ−ブチロラクトン及び第３の溶媒との相溶性から、２−プロパノールが好ましい。なお、組成物に含まれる第２の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。
【００４３】
第３の溶媒は、γ−ブチロラクトンを除く溶媒であり、沸点が１８０〜２３０℃であるが、１８０〜２００℃であることが好ましい。インクのノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり抑制との両立には、前述のとおり、γ−ブチロラクトンを用いなければならない。一方で、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中のシロキサン樹脂の溶媒との相溶性向上や、インクの室温下での安定性向上を図るためには、γ−ブチロラクトンとγ−ブチロラクトン以外の溶媒とを併用することが好ましい。
【００４４】
第３の溶媒としては、エーテル系溶媒、グリコール系溶媒、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒、アルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒及びアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒が挙げられ、γ−ブチロラクトン及び第２の溶媒との相溶性に優れる点で、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒及びグリコール系溶媒を用いることが好ましい。なお、組成物に含まれる第３の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。
【００４５】
本実施形態において、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含有する溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２以上であるが、０．２〜０．７であることが好ましく、０．２〜０．６であることがより好ましい。また、同溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比は０．２〜０．５であるが、０．３〜０．５であることが好ましい。それぞれの質量比をこの範囲内とすることで、組成物を含有するインクを吐出する際のノズル先端部でのインクの非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がり性の抑制を両立できる。このため、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさずかつ描画パターンの断面をより矩形に近い形とすることができる。
【００４６】
（Ｃ）成分：表面調整剤
本実施形態の組成物は（Ｃ）成分として表面調整剤を含有する。組成物が表面調整剤を含有することによって、インクの基板表面への濡れ性制御及びインクの液滴濡れ広がり防止が可能となり、描画パターンの断面形状をより矩形に近い形に制御することができる。（Ｃ）成分としては、表面調整剤として市販されている化合物を特に制限なく使用することができ、具体的には、フッ素系表面調整剤、シリコーン系表面調整剤及びノニオン系表面調整剤等を用いることができる。中でも、特にシリコーン系表面調整剤を用いることがインク着弾時の液滴濡れ広がりを抑制する上で効果的である。
【００４７】
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分に対して、０．１〜１．０質量％の範囲が好ましく、０．２〜０．８質量％の範囲が更に好ましい。なお、（Ｃ）成分は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４８】
［シリカ系被膜の形成方法］
本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法は、インクジェット法により、前記の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を予備硬化させる工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備える。
【００４９】
（描画パターン膜を形成する工程）
インクジェット法によるパターン描画は、インクジェット装置を用いて行うことができる。インクジェット装置は、一般的にコンティニュアス型（連続吐出型）とオンデマンド型の２種類の型式に大別されるが、本実施形態においてはオンデマンド型を用いることが好ましい。コンティニュアス型は、基板上にパターンを描画しないときであってもインクは常に連続して吐出する方式である。一方、オンデマンド型は、必要な時に必要な量だけインクを吐出し、基板上にパターンを描画する方式である。
【００５０】
オンデマンド型には、電圧を加えると変形するピエゾ素子を用いたインクジェット装置と、加熱によって生じる気泡を利用して吐出するサーマル方式のインクジェット装置とがある。本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、基本的にはどちらの装置を用いても構わないが、インクの組成変化を抑制する点からピエゾ素子を用いたインクジェット装置を用いることが好ましい。
【００５１】
インクジェット法にてパターン描画する際に、パターンが描画される基板を５０〜１００℃の範囲で加熱しながら描画してもよい。基板加熱によって、基板上でのインクの即乾性を更に向上でき、描画パターンの乱れを防止できる。
【００５２】
（描画パターン膜を予備硬化させる工程）
本実施形態においては、描画パターン膜を硬化させる工程の前に、描画パターン膜を予備硬化させる工程を備えていてもよい。予備硬化させる際には、一段目ベイク温度を８０〜１４０℃、二段目ベイク温度を１８０〜２５０℃に設定したホットプレート等にて、描画パターン膜中のシロキサン樹脂の重縮合反応促進と有機溶媒の乾燥とを段階的に分けて行ってもよい。また、前記一段目及び／又は二段目ベイクを更に多段化してもよい。多段ベイクによって、シロキサン樹脂は均一に硬化され、溶媒除去時の熱対流に伴う描画パターンの乱れを防止できる。
【００５３】
（描画パターン膜を硬化させる工程）
本工程において、最終硬化は、例えば、描画パターン膜（予備硬化していなくてもよい）を、３５０〜１０００℃の加熱温度で焼成して行う。なお、最終硬化の加熱温度が３５０℃以上であれば、充分な硬化が達成され易く、１０００℃以下であれば、高温による基板への影響を生じにくくすることができる。
【００５４】
最終硬化の際の加熱時間は、２〜６０分が好ましく、２〜３０分であるとより好ましい。この加熱時間が６０分以下であれば、入熱量が過度に増大することがないため、徐々に基板の劣化が生じてしまうことが抑制される。また、加熱装置としては、石英チューブ炉、その他の炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）、ＵＶ照射アニール及びＥＢ照射アニール等の加熱処理装置等を用いることが好ましい。
【００５５】
最終硬化時のガスの雰囲気は、基板に対して好ましくない影響を及ぼさなければ、窒素、アルゴン及びヘリウム等の不活性ガスの雰囲気でも、酸素やオゾン等の活性ガスの雰囲気のどちらであってもよい。
【００５６】
本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法により形成されるシリカ系皮膜の用途は特に制限されないが、例えば、半導体デバイス（素子）や多層配線板等の絶縁膜を備えるデバイスへの使用が挙げられる。具体的には、半導体デバイスにおいては、表面保護膜（パッシベーション膜）、バッファーコート膜、層間絶縁膜及び拡散防止膜等として使用することができる。一方、多層配線板においては、層間絶縁膜として好適に使用することができる。
【００５７】
［半導体デバイス］
本実施形態の半導体デバイスは、基板と、基板上に、前記シリカ系被膜の形成方法により形成された、所定のパターンを有するシリカ系被膜と、を備えている。このような半導体デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ及びサイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）及びフラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ及びＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、並びに発光ダイオード及び電荷結合素子等の光電変換素子などが挙げられる。
【００５８】
なお、多層配線板としては、例えば、ＭＣＭ等の高密度配線板が挙げられる。
【００５９】
［太陽電池システム］
本実施形態の太陽電池システムは、前記半導体デバイスを備えている。前述の半導体デバイスの中で、光電変換素子は太陽電池システムに使用される半導体デバイスであり、昨今の環境問題の影響もあって開発が活発になされている。代表的な光電変換素子としては、半導体のＳｉウェハにドーパントと呼ばれる不純物を拡散させて、ｐ−ｎ接合を形成したものが挙げられる。このような光電変換素子においては、太陽電池の高効率化のため、ドーパントの非拡散領域と拡散領域が１枚のＳｉウェハ上に混在するような素子を作製する場合がある。そのような場合、非拡散領域に拡散防止マスクを形成する必要が生じる。これまで、拡散防止マスクはＣＶＤ等で形成したシリカ系被膜をフォトリソグラフィー法でパターン化して得ていた。しかし、本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を用いれば、インクジェットによってパターン化したシリカ系被膜を得ることができ、工程数の削減や必要材料の削減が可能なため、有用である。
【００６０】
また、本実施形態に係るシリカ系皮膜は、液晶用部品、光導波路及びフォトレジスト等の用途としても使用することができるが、使用用途はこの限りではない。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではない。【００６２】
（ケイ素化合物Ａの調製）
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）６６．０ｇと、フェニルトリエトキシシラン（ＰｈＴＥＳ）７６．２ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１８８℃）２１．４ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ａを得た。この時点でのケイ素化合物Ａのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。なお、固形分とは、水、溶剤等の揮発する物質を除いた固形部分をいい、不揮発分を示す。以下において同様である。【００６３】
（ケイ素化合物Ｂの調製）
テトラエトキシシラン６４．６ｇと、フェニルトリエトキシシラン２９．８ｇと、フェニルメチルジエトキシシラン（ＰｈＭｅＤＥＳ）３９．１ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１８８℃）３３．９ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３２．２ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２及びフェニルメチルジエトキシシランのモル量Ｍ３の和の比（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｂを得た。この時点でのケイ素化合物Ｂのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６４】
（ケイ素化合物Ｃの調製）
テトラエトキシシラン５４．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン２５．０ｇと、ジフェニルジエトキシシラン（ＤＰｈＤＥＳ）４２．５ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１８８℃）５１．０ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．３ｇを溶解させた水２７．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２及びジフェニルジエトキシシランのモル量Ｍ４の和の比（Ｍ２＋Ｍ４）／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６５】
（ケイ素化合物Ｄの調製）
テトラエトキシシラン５４．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン２５．０ｇと、ジフェニルジエトキシシラン４２．５ｇとを、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（沸点：２３０℃）５１．０ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．３ｇを溶解させた水２７．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２及びジフェニルジエトキシシランのモル量Ｍ４の和の比（Ｍ２＋Ｍ４）／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジエチレングリコールモノブチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｄを得た。この時点でのケイ素化合物Ｄのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６６】
（ケイ素化合物Ｅの調製）
フェニルトリエトキシシラン５４．３ｇと、フェニルメチルジエトキシシラン４７．６ｇを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１８８℃）７９．６ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．２ｇを溶解させた水１８．３ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、フェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２に対するフェニルメチルジエトキシシランのモル量Ｍ３の比Ｍ３／Ｍ２は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｅを得た。この時点でのケイ素化合物Ｅのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６７】
（ケイ素化合物Ｆの調製）
テトラエトキシシラン４８．４ｇと、ジフェニルジエトキシシラン６３．３ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点：１８８℃）６５．５ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．３ｇを溶解させた水２２．６ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するジフェニルジエトキシシランのモル量Ｍ４の比Ｍ４／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｆを得た。この時点でのケイ素化合物Ｆのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６８】
（ケイ素化合物Ｇの調製）
テトラエトキシシラン５４．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン２５．０ｇと、ジフェニルジエトキシシラン４２．５ｇとを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点：１４６℃）５１．０ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．３ｇを溶解させた水２７．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２及びジフェニルジエトキシシランのモル量Ｍ４の和の比（Ｍ２＋Ｍ４）／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えてケイ素化合物Ｇを得た。この時点でのケイ素化合物Ｇのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。【００６９】
［実施例１］
前記ケイ素化合物Ｂに、楠本化成株式会社製のシリコーン系表面調整剤、商品名：ディスパロン１７１１（「ディスパロン」は登録商標。以下、表記を省略する。）を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）とを添加し、攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７０】
［実施例２］
前記ケイ素化合物Ｂに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７１】
［実施例３］
前記ケイ素化合物Ｃに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７２】
［実施例４］
前記ケイ素化合物Ｃに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７３】
［実施例５］
前記ケイ素化合物Ｃに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７４】
［実施例６］
前記ケイ素化合物Ｂに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−ブタノール（沸点：１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７５】
［実施例７］
前記ケイ素化合物Ｄに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジエチレングリコールモノブチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７６】
［比較例１］
前記ケイ素化合物Ａに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７７】
［比較例２］
前記ケイ素化合物Ａに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７８】
［比較例３］
前記ケイ素化合物Ａに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５．７ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１１．４ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．２／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００７９】
［比較例４］
前記ケイ素化合物Ｂに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５．７ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１１．４ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．２／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８０】
［比較例５］
前記ケイ素化合物Ｃに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５．７ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１１．４ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．１／０．２／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８１】
［比較例６］
前記ケイ素化合物Ｅに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８２】
［比較例７］
前記ケイ素化合物Ｆに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８３】
［比較例８］
前記ケイ素化合物Ｃに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１２０．０ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．６／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８４】
［比較例９］
前記ケイ素化合物Ｂに、１３．３ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）とを添加し、攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８５】
［比較例１０］
前記ケイ素化合物Ｂに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点：１４６℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８６】
［比較例１１］
前記ケイ素化合物Ｇに、ディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ−ブチロラクトン（沸点：２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点：８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、γ−ブチロラクトン／２−プロパノール／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。【００８７】
このようにして得られた実施例１〜７及び比較例１〜１１のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物について、以下の評価を実施した。【００８８】
［再吐出時のノズル目詰まり評価］
再吐出時のノズル目詰まり評価においては、株式会社マイクロジェット製のインクジェット吐出機、商品名：ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００  Ｓｔａｎｄａｒｄ（「ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ」は登録商標。）を用いた。そして、室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。【００８９】
［描画パターン断面形状の評価］
描画パターンの断面形状は、以下のようにして評価した。まず、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００  Ｓｔａｎｄａｒｄを用いて、インク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）を吐出し、７０℃に加熱した鏡面Ｓｉウェハ上に所定のパターンを描画した。この時、装置の描画条件を「幅：８００μｍ、長さ：２００００μｍ、平均膜厚：１．２μｍ」に設定した。そして、描画したパターン断面形状を段差計で測定した。段差計は、Ｖｅｅｃｏ社製の商品名：Ｄｅｋｔａｋ１５０（「Ｄｅｋｔａｋ」は、登録商標。）を用いた。このとき、膜厚０μｍ（底辺）における描画パターン断面幅に対する、膜厚１．０μｍにおける描画パターンの断面幅の割合（％）を矩形度として算出した。そして、矩形度が８５％以上ある場合には、Ａ：断面形状は矩形であると評価し、８５％未満である場合には、Ｂ：断面形状は矩形ではないと評価した。【００９０】
［クラックの有無］
クラックの有無について、以下のように評価した。まず、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００  Ｓｔａｎｄａｒｄを用いて、インク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）を吐出し、７０℃に加熱したＳｉセル基板（表面凹凸は４μｍ）上に所定のパターン膜を描画した。この時、装置の描画条件を「幅：８００μｍ、長さ：２００００μｍ、平均膜厚：１．０μｍ」に設定した。このセル基板を縦型炉の石英ボートに挿入し、大日本スクリーン製造株式会社製の縦型炉、商品名：ＡＶＦ‐８０１を用いて、酸素雰囲気（窒素流量：４．０ｍｌ／分及び酸素流量：０．２ｍｌ／分）にて、６００℃／６０分の条件で熱処理をし、パターン膜の硬化を行った。そして、硬化したパターン膜を、オリンパス株式会社製光学顕微鏡、商品名：ＭＸ６１を用いて、目視で観察し、クラックの有無を確認した。【００９１】
実施例１〜７及び比較例１〜１１のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の組成、並びに前記の評価結果を、それぞれ表１及び表２に示す。【００９２】
【表１】
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【００９３】
【表２】
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【００９４】
表１に示したように、実施例１〜７においては、再吐出時のノズル目詰まりはなく、パターン断面形状も、膜厚１．０μｍにおける断面幅が描画パターン断面の底辺幅に対し８５％以上であり、矩形であった。また、クラックの発生も確認されなかった。【００９５】
一方、表２に示したように、比較例１、２及び７においては、再吐出時のノズル目詰まりはなく、パターン断面形状も、膜厚１．０μｍにおける断面幅が描画パターン断面の底辺幅に対し８５％以上であり、矩形であった。しかし、クラックの発生が確認された。【００９６】
比較例３においては、再吐出時のノズル目詰まりはなかったが、パターン断面形状は、膜厚１．０μｍにおける断面幅が描画パターン断面の底辺幅に対し７５％以下となり、矩形ではなかった。また、クラックの発生が確認された。【００９７】
比較例４、５、６、９及び１０においては、再吐出時のノズル目詰まりはなく、クラックの発生は確認されなかったが、膜厚１．０μｍにおける断面幅が描画パターン断面の底辺幅に対し７５％以下となり、矩形ではなかった。【００９８】
比較例８、１１においては、再吐出時のノズル目詰まりがあった。そのため、断面形状及びクラックの有無については評価を行わなかった。
【国際調査報告】
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