(57)【要約】  容量特性が平坦で、誘電率が高い誘電体セラミック、およびそれを用いた積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサなど）を提供する。  積層セラミックコンデンサ１は、複数の誘電体セラミック層３と、複数の内部電極４と、を有する積層体２と、積層体２に形成された外部電極８、９と、を備え、積層体２の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量 が１モル部以上１０モル部未満である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層されている複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量 が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
積層されている複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、
前記積層体を溶剤により溶解したときの、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記内部電極の主成分がＡｌであることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有する誘電体セラミックであって、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする誘電体セラミック。
【請求項５】
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品において、
前記誘電体セラミック層が請求項４に記載の誘電体セラミックを含むことを特徴とする、積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記内部電極の主成分がＡｌであることを特徴とする請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、
Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種を用意する工程と、
Ｂｉ化合物を用意する工程と、
前記主成分粉末、前記Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種、前記Ｂｉ化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、
前記焼成前の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備える積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。また、積層セラミックコンデンサに使用される誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサに代表される積層セラミック電子部品、さらには、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１を参照して、まず、この発明に係る積層セラミック電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサ１について説明する。【０００３】
積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数のセラミック層３とセラミック層３間の界面に沿って形成される複数の内部電極４及び５とをもって構成される、積層体２を備えている。【０００４】
積層体２の外表面上の互いに異なる位置には、第１及び第２の外部電極８及び９が形成される。図１に示した積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の外部電極８及び９は、積層体２の互いに対向する各端面６及び７の上にそれぞれ形成される。内部電極４及び５は、第１の外部電極８に電気的に接続される複数の第１の内部電極４と第２の外部電極９に電気的に接続される複数の第２の内部電極５とがあり、これら第１及び第２の内部電極４及び５は、積層方向に交互に配置されている。外部電極８及び９の表面には、必要に応じて第１のめっき層１０、１１、及び第２のめっき層１２、１３が形成される。【０００５】
近年、特に自動車用途として、低温から１５０℃を超える温度まで平坦な容量特性を持つコンデンサが求められている。【０００６】
従来、そのような平坦な容量特性を持つ誘電体セラミックとしては、チタン酸カルシウム系セラミックが知られている。例えば、特許文献１には、チタン酸カルシウムが０〜４５％、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2との合計量が２〜２０％で、ＭｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＯ及びＮｉＯの一種以上を合計量にて０．１〜１．０％を含有し、残部は少なくとも５０％以上のチタン酸マグネシウムである誘電体セラミックが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３３８３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１に記載の誘電体セラミックは、容量特性は平坦なものの、誘電率が低いという問題があった。【０００９】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、容量特性が平坦で、誘電率が高い誘電体セラミックと、その誘電体セラミックを用いた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の積層セラミックコンデンサ（請求項１にかかる積層セラミックコンデンサ）は、積層されている複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備え、積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量 が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。【００１１】
また、本発明の積層セラミックコンデンサ（請求項２にかかる積層セラミックコンデンサ）は、積層されている複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備え、積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、積層体を溶剤により溶解したときの、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。【００１２】
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極の主成分がＡｌであることが好ましい。【００１３】
また、本発明の誘電体セラミック（請求項４にかかる誘電体セラミック）は、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。【００１４】
本発明の誘電体セラミックは、積層セラミック電子部品に使用することができる。【００１５】
また、本発明の積層セラミック電子部品においては、内部電極の主成分がＡｌであることが好ましい。【００１６】
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種を用意する工程と、Ｂｉ化合物を用意する工程と、主成分粉末、Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種、前記Ｂｉ化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、焼成前の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備え、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、容量特性が平坦で、誘電率が高い誘電体セラミックを提供することができ、積層セラミック電子部品の小型化、高性能化に大きく貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の積層セラミック電子部品の例である積層セラミックコンデンサの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の誘電体セラミックは、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有している。そして、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満含まれている。この場合に、上記主成分の誘電体セラミックを低温で焼成することが可能であり、誘電率が高く、容量特性が平坦な誘電体セラミックが得られる。
【００２０】
なお、本発明の誘電体セラミックには、本発明の目的を損なわない範囲において、希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｖ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏなどが含まれていてもよい。
【００２１】
次に、本発明の誘電体セラミックの製造方法の一例について説明する。
【００２２】
まず、主成分の出発原料として、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｎｂの酸化物または炭酸化物の粉末が用意される。これら出発原料の粉末が秤量され、液中にてメディアを用いて混合粉砕される。乾燥後、得られた混合粉末を熱処理することにより、主成分であるビスマス層状化合物の粉末が得られる。この方法は一般に固相合成法と呼ばれるものであるが、他の方法として、水熱合成法、加水分解法、シュウ酸法等の湿式合成法を用いても構わない。
【００２３】
なお、主成分であるビスマス層状化合物としては、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9、ＣａＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15などが挙げられるが、化学量論組成から外れるものであってもよい。
【００２４】
次に、この主成分粉末に対し、所定量のＢｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの酸化物または炭酸化物の粉末を添加する。これらの粉末としては、本発明の目的を損なわない限り酸化物粉末や炭酸化物粉末に限られるものではない。そして液中にてこれらを混合し、乾燥を行うことによって、最終原料としてのセラミック原料粉末が得られる。
【００２５】
これより先の工程は、本発明の積層セラミック電子部品の一例である積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。
【００２６】
上述のセラミック原料粉末が用意される。このセラミック原料粉末は、溶媒中にて必要に応じて有機バインダ成分と混合され、セラミックスラリーとされる。このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートが得られる。
【００２７】
次に、内部電極となる導体膜がセラミックグリーンシート上に形成される。これにはいくつかの方法があり、金属粒子と有機ビヒクルとを含むペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法が簡便である。その他にも、金属箔を転写する方法や、真空薄膜形成法によりマスキングしながら導体膜を形成する方法もある。
【００２８】
このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極層とが多数層重ねられ、圧着することにより、焼成前の生の積層体が得られる。
【００２９】
この生の積層体は、焼成炉において、所定の雰囲気・温度にて焼成され、セラミック焼結体を含んだセラミック積層体が得られる。このとき、上述のセラミック原料粉末は低温での焼結が可能であるため、導体膜の主成分がＡｌである場合には、Ａｌとセラミックの共焼結が可能である。また、Ａｌは、セラミック中のＢｉが揮発しない、例えば大気雰囲気での焼結が可能であるため、共焼結した場合にも誘電体セラミックの組成がずれにくいという利点を有する。
【００３０】
このセラミック積層体の内部電極の引き出された箇所に対し、外部電極が形成されることによって、積層セラミックコンデンサが完成する。外部電極の形成方法には、ガラスフリットとＣｕやＡｇ等の金属粒子とを含むペーストを塗布し、焼き付ける方法等が挙げられる。さらに、この外部電極の表面には、必要に応じてＮｉ、Ｓｎなどのめっき層が形成される。
【００３１】
なお、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、セラミック多層基板など様々な電子部品に適用可能である。
【００３２】
［実験例］
まず、固相合成法を利用して粉末を作製し、これを仮焼することで、表１に示すビスマス層状化合物の主成分粉末を得た。
【００３３】
次に、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＢａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｌｉ2ＣＯ3の各粉末を準備した。これらの粉末を主成分粉末中のＴｉの含有量４００モル部またはＮｂの含有量２００モル部に対するＢｉ、Ｃｕ、Ｂａ、ＺｎおよびＬｉの追加の含有量が表１のモル部となるように秤量して、主成分粉末に混合した。そして、ポリビニルブチラール系の有機バインダを加えて混合し、トルエンを含む有機溶媒を加えてボールミルにより２４時間湿式混合して、これをセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーを、焼成後の厚さが５μｍになる厚さでシート成形を行い、セラミックグリーンシートを得た。
【００３４】
なお、得られたセラミッククリーンシートをＩＣＰ発光分光分析したところ、表１に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
【００３５】
次に、このセラミックグリーンシート上に、Ａｌ粉末を含むペースト膜を印刷により形成した。その後、ペースト膜が引き出されている部分が互い違いになるように５層積層した。また、ペースト膜が印刷されていないセラミックグリーンシートをその上下に１００枚ずつ積層した。
【００３６】
この生の積層体を大気中にて２８０℃で６時間加熱し、有機バインダを除去した。その後、連続式焼成炉を用いて大気中にて昇降温１００℃／分、最高温度８５０℃で焼成した。
【００３７】
得られた焼結体は２．０×１．２×１．０ｍｍの大きさで、内部電極の厚さは２μｍ、内部電極の対向面積は１．７×１０-6ｍ2であった。
【００３８】
なお、得られた焼結体を溶剤により溶解し、ＩＣＰ発光分光分析したところ、内部電極成分のＡｌを除いては、表１に示した組成と殆ど同一であることが確認された。
【００３９】
また、得られた焼結体のＸＲＤ構造解析を行ったところ、ビスマス層状構造を有することが確認された。
【００４０】
得られた焼結体の内部電極が引き出されている端面に、Ａｇとエポキシ樹脂を含むペーストを塗布して、１８０℃で硬化させた。
【００４１】
得られた試料について、１５０℃での誘電率を測定した。まず、２０個の試料について、−５５℃〜１８０℃の範囲において自動ブリッジ式測定器を利用して、１ｋＨｚ，１．０Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定し、１５０℃での誘電率を算出した。
【００４２】
また、１０個の試料について、１９０℃５０Ｖの条件で高温負荷試験を行った。そして、各試料の故障時間から平均故障時間を算出した。
【００４３】
各条件の試料における、誘電率と平均故障時間の結果を表１にまとめる。
【００４４】
【表１】
2012133077.tif 000003
【００４５】
試料番号１〜１２は、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15を主成分として、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＬｉの含有量を変化させ、その影響をみたものである。
【００４６】
試料番号１３〜１８は、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9を主成分として、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＬｉの含有量を変化させ、その影響をみたものである。
【００４７】
試料番号１９〜２４は、ＣａＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15を主成分として、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＬｉの含有量を変化させ、その影響をみたものである。
【００４８】
表１の結果より、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、かつ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満である誘電体セラミックでは、１５０℃での誘電率が高く、ＭＴＴＦも１００時間以上となった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の誘電体セラミックは、積層セラミック電子部品、特に積層セラミックコンデンサやセラミック多層基板などに応用可能であり、これらの小型化、高性能化に貢献するものである。
【符号の説明】
【００５０】
１         積層セラミックコンデンサ
２         積層体
３         セラミック層
４、５      内部電極
６、７      端面
８、９      外部電極
１０、１１  第１のめっき層
１２，１３  第２のめっき層
【図１】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層されている複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量 が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
積層されている複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、
前記積層体を溶剤により溶解したときの、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記内部電極の主成分がＡｌであることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、
Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種を用意する工程と、
Ｂｉ化合物を用意する工程と、
前記主成分粉末、前記Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種、前記Ｂｉ化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、  前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、
前記焼成前の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備える積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【国際調査報告】
2012133077.tif 000005
2012133077.tif 000006