(57)【要約】  短波長のレーザーを用いたダイシング工程においてもフルカットされることがなく、作業性を低下させないレーザーダイシング用補助シートを提供する。本発明のレーザーダイシング用補助シートは、ポリオレフィンフィルムからなる基材と、前記基材の片面に有する接着層とを含むレーザーダイシング用補助シートであって、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上であることを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の片面に有する接着層とを含むレーザーダイシング用補助シートであって、
前記基材はポリオレフィンフィルムからなり、
３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、
３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上であることを特徴とするレーザーダイシング用補助シート。
【請求項２】
請求項１記載のレーザーダイシング用補助シートであって、
前記基材は、ポリプロピレンフィルム若しくはポリエチレンフィルムの単層又は複数層、又は、ポリプロピレンフィルム及びポリエチレンフィルムの複数層からなることを特徴とするレーザーダイシング用補助シート。
【請求項３】
請求項１記載のレーザーダイシング用補助シートであって、
前記接着層は、常温では感圧接着性を有し、加熱又は電離放射線の照射によって架橋硬化して接着力が低下する接着剤を含むレーザーダイシング用補助シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板をレーザー光の照射により個片化し、半導体チップや光デバイス等を製造する際に、当該半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板を固定するために好ましく使用されるレーザーダイシング用補助シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板のうち、例えば半導体ウェハについては、表面に回路が形成された後、半導体ウェハの裏面側に研削加工を施し、半導体ウェハの厚みを調整する裏面研削工程、及び、半導体ウェハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。また、裏面研削工程に続いて、さらに裏面にエッチング処理・ポリッシング処理などの加工処理や、裏面への金属膜の蒸着のように高温で行われる処理が施されることがある。【０００３】
上記のダイシング工程において、半導体ウェハにダイシング用補助シートを固定することが通常行なわれている（特許文献１）。上記工程に当該ダイシング用補助シートを用いることで、半導体チップの欠けが発生したり（チッピング）、チップが飛び散ることを防止することができると共に、半導体ウェハの破損も抑制することができる。かかるダイシング用補助シートは、通常プラスチックフィルム等からなる基材層上に、アクリル系粘着剤等を塗布、乾燥して厚さ約１〜５０μｍの粘着層を積層した構造を有している。【０００４】
半導体ウェハのダイシングは、通常は回転丸刃（ブレード）を用いて行われているが、近年、レーザー光を用いたダイシング（レーザーダイシング）が提案されている。レーザーダイシングによれば、ブレードダイシングでは切断困難なワークも切断可能である場合があり、注目されている。そのようなレーザーダイシングに用いられるレーザーダイシングシートは、種々提案されている（特許文献２〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２−１８７４７８号公報
【特許文献２】特開２００２−３４３７４７号公報
【特許文献３】特開２００５−２３６０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような半導体チップや光デバイスチップ等は、近年、小型化・薄型化の要望が出てきており、これに対応するため、半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板も薄型化させる必要が生じてきた。かかる半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板を薄型化させると通常強度が低下することになるが、これを担保するために従来よりも高い硬度を有する基板、例えば、サファイア基板や銅に銀蒸着した基板等が用いられるようになってきた。【０００７】
これらの基板は上述したとおり高い硬度を有するため、従来から用いられているレーザー光ではかかる基板のダイシング能力に欠けてしまうこととなる。そこで、近年はこれに対応するため、３００〜４００ｎｍ程度の短波長のレーザーが用いられるようになってきた。【０００８】
かかる短波長レーザーはエネルギー密度が高くダイシング能力に優れるものであるが、例えば半導体ウェハであるとダイシング工程において半導体ウェハだけでなくダイシング補助テープをもフルカットしてしまうこととなり、半導体チップの回収の作業性が低下するという問題が生じていた。【０００９】
本発明の一側面では、短波長のレーザーを用いたダイシング工程においてもフルカットされることがなく、作業性を低下させないレーザーダイシング用補助シートを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、基材としてポリオレフィンフィルムを用いた上で、特定の光学特性を備えるように構成することにより、上記性能を備えたレーザーダイシング用補助シートを得ることができることを見出し、本発明に至ったものである。【００１１】
即ち、本発明のレーザーダイシング用補助シートは、基材と、基材の片面に有する接着層とを含むものであって、基材はポリオレフィンフィルムからなり、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上であることを特徴とするものである。【００１２】
また、本発明のレーザーダイシング用補助シートは、好ましくは基材が、ポリプロピレンフィルム若しくはポリエチレンフィルムの単層又は複数層、又は、ポリプロピレンフィルム及びポリエチレンフィルムの複数層からなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
上記発明によれば、レーザーダイシング用補助シートが、基材と、前記基材の片面に有する接着層とを含むものであって、基材がポリオレフィンフィルムからなり、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上であることから、短波長のレーザーを用いたダイシング工程においてもフルカットされることがなく、作業性を低下させることがないものとすることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、基材と、前記基材の片面に有する接着層とを含むものであって、基材がポリオレフィンフィルムからなり、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上であることを特徴とするものである。以下、半導体ウェハの加工作業を例にとり、各構成要素の実施の形態について説明する。
【００１５】
なお、本発明の「全光線透過率」とは、ＪＩＳ  Ｋ７３７５：２００８で規定する全光線透過率をいう。また、「ヘーズ」とは、下記の算術式により算術した値をいう。
ヘーズ（％）  ＝  （拡散光透過率  ／  全光線透過率）  ×  １００
【００１６】
また、「３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率」とは、３００〜４００ｎｍの波長領域において、１ｎｍ間隔ごとに全光線透過率を測定した値の平均値をいう。また、「３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズ」とは、３００〜４００ｎｍの波長領域において、１ｎｍ間隔ごとにヘーズを測定した値の平均値をいう。
【００１７】
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上である。かかる波長領域の全光線透過率が５０％以上であることにより、短波長のレーザーが当該レーザーダイシング用補助シートに留まってしまうことを防止することができ、当該レーザーダイシング用補助シートが破断してしまうのを防止することができる。３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率は、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上とする。
【００１８】
また、本発明のレーザーダイシング用補助シートは、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上である。ヘーズが７０％以上であることにより、短波長のレーザーが当該レーザーダイシング用補助シートに照射された際に光を分散させることができ、当該レーザーダイシング用補助シートが破断してしまうのを防止することができる。ヘーズは、好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上とする。
【００１９】
なお、本発明で規定する３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率及びヘーズは、本発明のレーザーダイシング用補助シートの接着層側から光を入射した際の値を指すものであるが、基材側から光を入射した際にも上述した値を満たすものであっても良い。
【００２０】
基材はポリオレフィンフィルムからなるものである。ポリオレフィンフィルムは、波長が３００〜４００ｎｍ程度の短波長レーザーに対して透過率が高いため、当該ポリオレフィンフィルムをレーザーダイシング用補助シートとして用いることにより、短波長レーザーの照射によってもフルカットされてしまうことを防止することができる。
【００２１】
ポリオレフィンフィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ブテン共重合体等のフィルムが挙げられる。これらの中でも量産性に優れつつレーザー加工性に低いポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましく用いられ、特にポリエチレンフィルムが好ましく用いられる。
【００２２】
当該ポリオレフィンフィルムには、本願発明で規定する全光線透過率、ヘーズを満足させるために顔料を含有させても良い。このような顔料としては、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ナイロン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等からなる有機樹脂粒子や、シリカ、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化チタン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素等の無機粒子等が挙げられる。
【００２３】
基材として用いるポリオレフィンフィルムは、上述したようなフィルム１枚により構成されてなるものであってもよいし（単層）、同一種又は異種（例えばポリプロピレンフィルムとポリエチレンフィルム）のポリオレフィンフィルムを複数枚貼り合わせた積層構造（複数層）としたものであってもよい。
【００２４】
基材の厚み（基材が積層構造の場合、全体厚み）としては、３０〜３００μｍが好ましく、５０〜１５０μｍとすることがより好ましい。３０μｍ以上とすることにより、短波長レーザーによるフルカットをより適切に防止することができる。また、３００μｍ以下とすることにより、エキスパンド性（全方向均一延伸性）を維持することができ、また、本発明で規定する光学特性に影響が及ぶのを防止することができる。基材の厚みが３０〜３００μｍの範囲であれば、本発明で規定する全光線透過率及びヘーズを満足させることが比較的容易となる。
【００２５】
接着層としては、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤などの感圧接着剤、ホットメルト接着剤などの接着剤、熱圧着可能な熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることができる。また、常温では感圧接着性を有し、加熱ないしは電離放射線照射等による架橋硬化により接着力が低下する接着剤は、工程中（ダイシング等）の被着体の固定に優れつつ、工程完了後にダイシング用補助シートから被着体を剥離しやすい点で好ましい。
【００２６】
また、接着層には、本発明で規定する全光線透過率及びヘーズを満足させるため、有機樹脂粒子や無機粒子を含有させても良い。これら有機樹脂粒子や無機粒子は、上記のポリオレフィンフィルム中で述べたものと同様のものが用いられる。なお、上記顔料成分を接着層中に含有させる場合、接着層の接着成分（接着剤）１００重量部に対し、１０重量部程度以下の含有量にとどめておくことで、本発明で規定する全光線透過率及びヘーズを満足させることが比較的容易となる。
【００２７】
接着層の厚みとしては、３〜５０μｍが好ましく、５〜３０μｍとすることがより好ましい。３μｍ以上とすることにより、補助シートとしての好適な接着力を維持することができる。また、５０μｍ以下とすることにより、エキスパンド性を良好に維持することができる。接着層の厚みが３〜５０μｍの範囲であれば、本発明で規定する全光線透過率及びヘーズを満足させることが比較的容易となる。
【００２８】
また、接着層中には、レベリング剤等の添加剤を添加しても良い。
【００２９】
上述した接着層を形成するには、接着層を構成する材料を、適宜必要に応じて添加剤や希釈溶剤等を加えて塗布液として調整して、当該塗布液を従来公知のコーティング方法により塗布、乾燥する方法、接着層を構成する樹脂成分を溶融し、これに他の必要成分（無機顔料等）を含有させてシート化する方法などが挙げられる。
【００３０】
本発明のレーザーダイシング用補助シートによれば、基材と、前記基材の片面に有する接着層とを含むものであって、基材がポリオレフィンフィルムからなり、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが、７０％以上であることから、高硬度の基板に対して用いられる短波長のレーザー加工においてもフルカットされることなく好適に用いられる。
【００３１】
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、例えば以下のような半導体チップの製造工程で用いられる。即ち、半導体ウェハの回路が形成された面とは反対面に、本発明のレーザーダイシング用補助シートを貼付し、半導体ウェハの回路が形成された面からレーザー光を照射し、当該半導体ウェハを回路毎に個片化して半導体チップを製造する。
【００３２】
本発明に適用される半導体ウェハは高硬度なものが挙げられる。
【００３３】
当該ウェハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法等の従来公知の方法により行なわれる。回路は、当該ウェハの内周部表面に格子状に形成され、外周端から数ｍｍの範囲には回路が存在しない余剰部分が残存する。当該ウェハの研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。
【００３４】
半導体ウェハの裏面を研削加工する際には、表面の回路を保護するために回路面側に表面保護シートを貼付してもよい。裏面研削加工は、当該ウェハの回路面側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。裏面研削時には、まず裏面全面を所定の厚みまで研削した後に、表面の回路形成部分（内周部）に対応する裏面内周部のみを研削し、回路が形成されていない余剰部分に対応する裏面領域は研削せずに残存させる。この結果、研削後の半導体ウェハは、裏面の内周部のみがさらに薄く研削され、外周部分には環状の凸部が残存する。このような裏面研削方法は、従来公知の手法により行なうことができる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行なわれてもよい。
【００３５】
裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。なお、高温での処理を行う場合には、表面保護シートを剥離した後に、裏面への処理を行なう。
【００３６】
裏面研削工程後、当該ウェハの回路面とは反対面側に本発明のレーザーダイシング用補助シートを貼付し、当該ウェハのダイシングを行う。レーザーダイシング用補助シートの当該ウェハへの貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが、特にこれには限定されない。
【００３７】
次いで、レーザー光を当該レーザーダイシング用補助シートの半導体ウェハ側から照射し、当該ウェハをダイシングする。本発明においては、高硬度の半導体ウェハをフルカットするために、エネルギー密度が高い短波長のレーザー光が使用される。このような短波長レーザーとしては、例えばＮｄ−ＹＡＧレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ）が好ましく用いられる。レーザー光の強度、照度は、切断する当該ウェハの厚みに依存するが、当該ウェハをフルカットできる程度であればよい。
【００３８】
上述した短波長レーザー光は回路間のストリートに照射され、当該ウェハを回路毎にチップ化する。ひとつのストリートをレーザー光が走査する回数は１回であっても複数回であってもよい。好ましくは、レーザー光の照射位置と、回路間のストリートの位置をモニターし、レーザー光の位置合わせを行いながら、レーザー光の照射を行う。
【００３９】
特定の光学特性を有する本発明のレーザーダイシング用補助シートを用い、半導体ウェハの回路が形成された面とは反対面を保持し、当該半導体ウェハの回路面側からレーザー光を照射してダイシングを行なうことで、当該レーザーダイシング用補助シートはフルカットさせることなく半導体ウェハをフルカットすることができるため、作業性良く半導体チップを製造することができる。
【００４０】
ダイシング終了後、レーザーダイシング用補助シートから半導体チップをピックアップする。ピックアップの方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の種々の方法を採用することができる。例えば、個々の半導体チップをレーザーダイシング用補助シート側からニードルによって突き上げて、突き上げられた半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、レーザーダイシング用補助シートの接着層を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、ピックアップに先立ち、当該接着層に紫外線を照射して粘着力を低下した後にチップのピックアップを行う。
【００４１】
ピックアップされた半導体チップはその後、常法によりダイボンド、樹脂封止がされ半導体装置が製造される。
【００４２】
以上、被着体として半導体ウェハを用いた場合を例として説明したが、本発明のダイシング用補助シートはこれに限定されず、半導体パッケージ、サファイア基板や銅に銀蒸着した基板等を用いた光デバイスウェハ、ガラス基板、セラミック基板、ＦＰＣ等の有機材料基板、精密部品等の金属材料等のダイシング用にも使用することができる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により本発明を更に説明する。なお、「部」、「％」は特に示さない限り、重量基準とする。【００４４】
１．レーザーダイシング用補助シートの作製
［実施例１］
基材として厚み１００μｍのポリエチレンフィルムの一方の面に、下記処方からなる接着層用塗布液を乾燥後の厚みが２３μｍとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して接着層を形成し、実施例１のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００４５】
＜実施例１の接着層用塗布液＞
・アクリル系感圧接着剤                        １００部
（コーポニールＮ４８２３：日本合成化学社）
・イソシアネート化合物                      ０．４４部
（コロネートＬ４５Ｅ：日本ポリウレタン工業社）
・希釈溶剤                                      ５４部【００４６】
［実施例２］
基材として厚み１１０μｍのポリエチレンフィルムを用いた以外は実施例１と同様の条件で接着層を形成し、実施例２のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００４７】
［実施例３］
実施例１の接着層用塗布液を下記処方の接着層用塗布液に変更し、乾燥後の厚みが２２μｍとなるように設計した以外は、実施例１と同様にして実施例３のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００４８】
＜実施例３の接着層用塗布液＞
・アクリル系感圧接着剤                        １００部
（コーポニールＮ４８２３：日本合成化学社）
・イソシアネート化合物                      ０．４４部
（コロネートＬ４５Ｅ：日本ポリウレタン工業社）
・シリコーン樹脂粒子                              ４部
（トスパール１２０：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社）
・希釈溶剤                                      ６３部【００４９】
［実施例４］
実施例１の接着層用塗布液を下記処方の接着層用塗布液に変更し、乾燥後の厚みが２６μｍとなるように設計した以外は、実施例１と同様にして実施例４のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００５０】
＜実施例４の接着層用塗布液＞
・アクリル系感圧接着剤                        １００部
（コーポニールＮ４８２３：日本合成化学社）
・イソシアネート化合物                      ０．４４部
（コロネートＬ４５Ｅ：日本ポリウレタン工業社）
・酸化ジルコニウム                                ４部
（ＰＣＳ：日本電工社）
・希釈溶剤                                      ６３部【００５１】
［実施例５］
実施例１の接着層用塗布液を下記処方の接着層用塗布液に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例５のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００５２】
＜実施例５の接着層用塗布液＞
・アクリル系感圧接着剤                        １００部
（コーポニールＮ４８２３：日本合成化学社）
・イソシアネート化合物                      ０．４４部
（コロネートＬ４５Ｅ：日本ポリウレタン工業社）
・炭酸カルシウム                            ３．２７部
（サンライトＳＬ７００：竹原化学工業社）
・コロイダルシリカ                          ０．２４部
（アエロジルＲ９７２：日本アエロジル社）
・酸化チタン                                ０．４８部
（マルチラックＷ１０６：東洋インキ製造社）
・希釈溶剤                                      ６３部【００５３】
［実施例６］
シリコーン樹脂粒子を２０部、希釈溶剤を１００部にした以外は実施例３と同じ接着層用塗布液を準備した。この塗布液を、基材として厚み１００μｍのポリプロピレンフィルムの一方の面に、乾燥後の厚みが２２μｍとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して接着層を形成し、実施例６のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００５４】
［比較例１］
炭酸カルシウムを１６．３６部、コロイダルシリカを１．２１部、酸化チタンを２．４２部、希釈溶剤を１７３部にした以外は実施例５と同じ接着層用塗布液を準備した。この塗布液を、基材として実施例６と同じポリプロピレンフィルムの一方の面に、乾燥後の厚みが２５μｍとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して接着層を形成し、比較例１のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００５５】
［比較例２］
酸化ジルコニウムを２０部、希釈溶剤を５５部にした以外は実施例４と同じ接着層用塗布液を準備した。この塗布液を、基材として実施例６と同じポリプロピレンフィルムの一方の面に、乾燥後の厚みが２３μｍとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して接着層を形成し、比較例２のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００５６】
［比較例３］
アクリル系感圧接着剤としてコーポニールＮ３５２７（日本合成化学社）を用いた以外は実施例１と同じ接着層用塗布液を準備した。この塗布液を、基材として厚み９０μｍのポリプロピレンフィルムの一方の面に、乾燥後の厚みが２３μｍとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して接着層を形成し、比較例３のレーザーダイシング用補助シートを得た。【００５７】
２．評価
（１）全光線透過率
実施例１〜６及び比較例１〜３のレーザーダイシング用補助シートについて、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ７３７５：２００８）を、１ｎｍ間隔ごとに分光光度計（ＵＶ−３１０１ＰＣ：島津製作所社）を用いて分光・測定し、これらの値の平均値を得た。なお、測定は接着層側から光を入射させた。結果を表１に示す。【００５８】
（２）ヘーズ値
実施例１〜６及び比較例１〜３のレーザーダイシング用補助シートについて、３００〜４００ｎｍの波長領域における拡散光透過率を、１ｎｍ間隔ごとに分光光度計（ＵＶ−３１０１ＰＣ：島津製作所社）を用いて分光・測定した。なお、測定は接着層側から光を入射させた。次いで、上記（１）にて測定した３００〜４００ｎｍの波長領域における１ｎｍ間隔ごとの全光線透過率と拡散光透過率とを、以下のヘーズの算術式に代入してヘーズ値を算術し、これらの平均値を得た。算術結果を表１に示す。
ヘーズ（％）  ＝  （拡散光透過率  ／  全光線透過率）  ×  １００【００５９】
（３）カット適性
実施例１〜６及び比較例１〜３のレーザーダイシング用補助シートを下記のレーザー照射条件に基づき、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを用いてレーザー光線を当該補助シートの接着層側から照射した。その結果、基材が５０μｍ未満しかカットされていなかったものを「◎」、基材が５０μｍ以上８０μｍ未満カットされていたものを「○」、基材が８０μｍ以上カットされてはいたがフルカットされていなかったものを「△」、基材がフルカットされてしまったものを「×」とした。結果を表１に示す。【００６０】
＜レーザー照射条件＞
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
平均出力：５ｗ
照射回数：４回／１ライン
パルス幅：５０ｎｓ
集光スポット：楕円形（長軸１００μｍ、短軸１０μｍ）
加工送り速度：１００ｍｍ／秒【００６１】
【表１】
2012077471.tif 000002
【００６２】
以上の結果より、実施例１〜６のレーザーダイシング用補助シートは、ポリオレフィンフィルムからなる基材と、前記基材の片面に有する接着層とを含むものであって、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが７０％以上であることから、短波長のレーザーを用いてもフルカットされることがなかった。従って、実施例１〜６のレーザーダイシング用補助シートによれば、短波長のレーザーを用いた半導体ウェハのダイシング工程においてもフルカットされることがなく、作業性を低下させないものであることが分かる。【００６３】
特に、実施例１〜３のレーザーダイシング用補助シートは、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が７０％以上であり、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが８０％以上であったことから、当該ダイシング用補助シートがカットされる割合がより低く、耐久性に優れるものであった。【００６４】
また、実施例１〜５のレーザーダイシング用補助シートは、基材としてポリエチレンフィルムを用いたものであったことから、短波長のレーザーを用いたダイシング工程においてもカットされる割合がより低く、耐久性に優れるものであった。【００６５】
一方、比較例１及び２のレーザーダイシング用補助シートは、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％未満であったことから、短波長のレーザーがレーザーダイシング用補助シート内に留まってしまい、いずれのものもフルカットされてしまった。比較例３のレーザーダイシング用補助シートは、３００〜４００ｎｍの波長領域における全光線透過率が５０％以上であったものの、３００〜４００ｎｍの波長領域におけるヘーズが７０％未満であったことから、短波長のレーザーが当該レーザーダイシング用補助シートに照射された際に光を分散させることができずにフルカットされてしまった。従って、比較例１〜３のレーザーダイシング用補助シートによれば、短波長のレーザーを用いた半導体ウェハのダイシング工程において、半導体チップの回収の作業性に劣るものとなることが分かる。【００６６】
次いで、実施例１のレーザーダイシング用補助シートについて、基材側から４００ｍｊ／ｃｍ2の照射量で紫外線を照射したところ、紫外線照射前の接着力が２０Ｎ／２５ｍｍであったのが、照射後に０．６Ｎ／２５ｍｍとなり、接着力が低下した。従って、本発明のレーザーダイシング用補助シートをダイシング工程に用いた際、被着体から剥離しやすくなり、作業性が良いことが分かる。
【国際調査報告】
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