(57)【要約】  本発明の一形態に係る太陽電池用導電性ペーストは、銀粉末、ガラスフリットおよび前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる太陽電池用導電性ペーストであって、前記焼結抑制剤は、酸化アルミニウム、酸化珪素および炭化珪素から選択される１種以上を含有している。また、本発明の一形態に係る太陽電池素子の製造方法は、半導体基体の第１領域および第２領域の上に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、上記太陽電池用導電性ペーストを、前記半導体基体の前記第２領域に対応する前記反射防止層上に塗布する塗布工程と、前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して該太陽電池用導電性ペーストの下に位置している前記反射防止層を除去することによって、前記反射防止層を前記半導体基体の前記第１領域に配置させて、前記半導体基体の前記第２領域に前記表面電極を形成する焼成工程とを有する。
2012043811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀粉末、ガラスフリットおよび前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる太陽電池用導電性ペーストであって、前記焼結抑制剤は、酸化アルミニウム、酸化珪素および炭化珪素から選択される１種以上を含有している太陽電池用導電性ペースト。
【請求項２】
前記焼結抑制剤は酸化アルミニウムまたは酸化珪素である請求項１に記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項３】
前記ガラスフリットはＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系のガラスを有するとともに、該ガラス中にＢ２Ｏ３が実質的に含有されていない請求項１または２に記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項４】
前記焼結抑制剤の含有質量は、前記銀粉末および前記ガラスフリットの合計含有質量に対して１％以上３５％以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項５】
前記ガラスフリットの含有質量は、前記銀粉末の含有質量に対して１１％以上３０％以下である請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項６】
半導体基体上に電極を設けた太陽電池素子の製造方法であって、請求項１乃至５のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペーストを前記半導体基体上に塗布する塗布工程と、塗布した前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して前記半導体基体上に電極層を形成する焼成工程とを含む太陽電池素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基体と、該半導体基体の一主面上の第１領域に配置された反射防止層と、前記半導体基体の一主面上の第２領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の製造方法であって、
前記半導体基体の前記第１領域および前記第２領域の上に前記反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
請求項１乃至５のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペーストを、前記半導体基体の前記第２領域に対応する前記反射防止層上に塗布する塗布工程と、
前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して該太陽電池用導電性ペーストの下に位置している前記反射防止層を除去することによって、前記反射防止層を前記半導体基体の前記第１領域に配置させて、前記半導体基体の前記第２領域に前記表面電極を形成する焼成工程とを有する太陽電池素子の製造方法。
【請求項８】
前記焼成工程において、前記電極層を厚み１０μｍ以下に形成する請求項６または７に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項９】
前記焼成工程の後に、前記電極層の上に導電層をめっき法によって積層するめっき工程をさらに有する請求項６乃至８のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池用導電性ペースト、およびこのペーストを半導体基体上に塗布して、塗布したペーストを焼成する工程を含む太陽電池素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池素子の電極は、ｐｎ接合を有するシリコン等の半導体基板に電極形成用のペーストをスクリーン印刷法で塗布して、酸化性雰囲気中で焼成することによって形成されるのが一般的である。また、上記ペーストは金属粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル等を混合して、スクリーン印刷が可能な状態にしたものを使用する（例えば、特開２００９−２４６２７７号公報を参照）。【０００３】
しかしながら、半導体基板上に電極を形成する際、ペースト中のガラスフリットが少ない場合には、半導体基板と電極の密着不良が発生しやすい。一方、ガラスフリットが多い場合には、電極下の半導体基板の表面にクラックが発生しやすく、その後の工程でクラックを起点に電極が剥がれやすい。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、電極形成時の密着不良およびクラックの発生を低減できる太陽電池用導電性ペースト、およびこのペーストを使用した太陽電池素子の製造方法を提供することを主たる目的とする。
【０００５】
本発明の一形態に係る太陽電池用導電性ペーストは、銀粉末、ガラスフリットおよび前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいるペーストであって、前記焼結抑制剤は、酸化アルミニウム、酸化珪素および炭化珪素から選択される１種以上を含有している。
【０００６】
また、本発明の一形態に係る太陽電池素子の製造方法は、半導体基体上に電極を設けた太陽電池素子の製造方法であって、前記電極の形成は、上記の太陽電池用導電性ペーストを前記半導体基体上に塗布する塗布工程と、塗布した前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して前記半導体基体上に電極層を形成する焼成工程とを含む。
【０００７】
さらに、本発明の一形態に係る太陽電池素子の製造方法は、半導体基体と、該半導体基体の一主面上の第１領域に配置された反射防止層と、前記半導体基体の一主面上の第２領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の製造方法であって、前記半導体基体の前記第１領域および前記第２領域の上に前記反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、上記の太陽電池用導電性ペーストを、前記半導体基体の前記第２領域に対応する前記反射防止層上に塗布する塗布工程と、前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して該太陽電池用導電性ペーストの下に位置している前記反射防止層を除去することによって、前記反射防止層を前記半導体基体の前記第１領域に配置させて、前記半導体基体の前記第２領域に前記表面電極を形成する焼成工程とを有する。
【０００８】
上記の太陽電池用導電性ペースト、および、この太陽電池用導電性ペーストを用いた太陽電池素子の製造方法によれば、電極形成時のシリコン基板等の半導体基体と電極の密着不良を低減することができ、電極下のシリコン基板等の半導体基体の表面におけるクラックの発生を低減することができるため、太陽電池素子製造時の不良率を低減させて、信頼性の高い太陽電池素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一形態に係る太陽電池用導電性ペーストを用いた太陽電池素子の一例を半導体基体の第１面側からみた平面図である。
【図２】本発明の一形態に係る太陽電池用導電性ペーストを用いた太陽電池素子の一例を半導体基体の第２面側からみた平面図である。
【図３】本発明の一形態に係る太陽電池用導電性ペーストを用いた太陽電池素子の一例を示す図であり、図１におけるＫ−Ｋ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明に係る太陽電池用導電性ペースト（以下、単にペーストともいう）、および、このペーストを用いた太陽電池素子の製造方法の実施形態の例について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
＜ペーストの基本構成＞
本実施形態で用いる太陽電池素子の電極形成用のペーストは、銀粉末、ガラスフリットおよび前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる。具体的には、ペーストは、銀粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルに加えて、酸化アルミニウム、酸化シリコンおよび炭化シリコンから選択される１種以上を含む焼結抑制剤の粉末を含んでいる。
【００１２】
ここで、銀粉末は、平均粒径０．１〜５．０μｍの球状またはこれと同程度の大きさのフレーク状等の粉末を使用することができる。
【００１３】
また、焼結抑制剤は、電極形成用ペーストの焼成の際、銀粉末同士の焼結を抑制することで、電極を設けるシリコン基板等の半導体基体において、その表面の応力を緩和する効果を有するものである。さらに、この焼結抑制剤は、ペーストの焼成温度で分解せず、溶融もしない物質であり、特に酸化アルミニウムであるＡｌ２Ｏ３、酸化シリコンであるＳｉＯ２または炭化シリコンであるＳｉＣなどの粉末を用いることができる。後述するように、特にＡｌ２Ｏ３の粉末またはＳｉＯ２の粉末を用いることによって、半導体基体上に塗布したペーストを焼成して形成された電極と半導体基体との密着性が他の材料を用いた場合に比べて良好となるので好適である。
【００１４】
また、ペースト中の銀粉末およびガラスフリットの合計含有質量に対して１％以上３５％以下の含有質量（＝銀粉末およびガラスフリットの合計含有質量１００に対して１以上３５以下）で焼結抑制剤を含んでいることが好ましい。なぜなら、この含有質量の数値範囲内とすることで、焼結抑制効果を十分発揮することができて、シリコン基板等の半導体基体の表面におけるクラックの発生が低減できるからである。また、電極とシリコン基板等の半導体基体との間のコンタクト抵抗が良好になるからである。
【００１５】
また、ペースト中に含まれる焼結抑制剤の平均粒径は０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。なぜなら、平均粒径をこの数値範囲内とすることで、焼結抑制効果を十分発揮することができて、シリコン基板等の半導体基体の表面におけるクラックの発生が低減できるからであり、さらにスクリーン印刷性が良好であり、所望の電極形状を容易に得ることができるからである。
【００１６】
さらに、本実施形態の電極用ペーストに含まれる銀粉末の含有質量に対してガラスフリットの含有質量は１％以上３０％以下（＝銀粉末の含有質量１００に対して１以上３０以下）であることが好ましい。特に電極の厚みを薄くする（平均厚みが１０μｍ以下の）場合には、上記含有質量は銀粉末の含有質量に対して１１％以上３０％以下であることが好ましい。なぜなら、含有質量をこの数値範囲内にすることによって、シリコン基板等の半導体基体と電極の密着不良が発生しにくく、電極と半導体基体間のコンタクト抵抗が良好になるからである。
【００１７】
また、ペーストに含まれるガラスフリットとしては、例えば、ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−ＰｂＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３系もしくはＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＰｂＯ系のガラス、または、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系のガラスを有するとともに、このガラス中にはＢ２Ｏ３が実質的に含有されていないもの等の材料を使用することができる。ここで、実質的に含有されていないとは、例えば、０．１質量％未満であることをいうものとし、以下の説明においても同様とする。
【００１８】
また、ペーストに含まれる有機ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、またはアルキッド樹脂等を溶剤に溶解したものを使用することができる。
【００１９】
＜太陽電池素子の基本構成＞
太陽電池素子の基本構成について説明する。図１〜３に示すように、太陽電池素子１０は、光が入射する受光面（図３における上面であり、以下、第１面という）９ａと、この第１面９ａの裏面に相当する非受光面（図３における下面であり、以下、第２面という）９ｂを有する。
【００２０】
この太陽電池素子１０は、一導電型の半導体層である第１半導体層２と、この第１半導体層２における第１面９ａ側に設けられた逆導電型の半導体層である第２半導体層３とから構成される板状の半導体基体である半導体基板１の第１面９ａに設けられた反射防止層４とを備えている。
【００２１】
また、太陽電池素子１０は半導体基板１の第１面９ａ上に設けられた第１電極５と、半導体基板１の第２面９ｂ上に設けられた第２電極６を有する。
【００２２】
半導体基板１としては、例えば所定のドーパント元素（導電型制御用の不純物）を有して一導電型（例えば、ｐ型）を呈する単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が好適に用いられる。
【００２３】
なお、太陽電池素子は一般に板状の半導体基体を用いるため、以下、半導体基板を例に説明するが、半導体基体は板状のものに限定されない。
【００２４】
＜太陽電池素子の具体例＞
次に、太陽電池素子のより具体的な例について説明する。一導電型（例えば、ｐ型）を有する第１半導体層２を構成する半導体基板１としては、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が好適に用いられる。半導体基板１の比抵抗は０．２〜２．０Ω・ｃｍ程度である。また、半導体基板１の厚みは、例えば、２５０μｍ以下であるのが好ましく、１５０μｍ以下とするのがさらに好ましい。また、半導体基板１の形状は、特に限定されるものではないが、図示されているように、四角形状であれば製法上および多数の太陽電池素子を配列して太陽電池モジュールを構成する際等の観点から好適である。
【００２５】
半導体基板１として、ｐ型の導電型を呈する結晶シリコン基板を用いた例を説明する。結晶シリコン基板からなる半導体基板１がｐ型を呈するようにする場合、ドーパント元素としては、例えば、ボロンあるいはガリウムを用いるのが好適である。
【００２６】
第１半導体層２とｐｎ接合を形成する第２半導体層３は、第１半導体層２（半導体基板１）と逆の導電型を呈する層であり、第１半導体層２における第１面９ａ側に設けられている。第１半導体層２としてｐ型の導電型を呈する場合であれば、第２半導体層３はｎ型の導電型を呈するように形成される。半導体基板１がｐ型の導電型を呈するシリコン基板において、例えば、第２半導体層３が半導体基板１の表層内に形成される場合には、第２半導体層３は半導体基板１における第１面９ａ側にリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。
【００２７】
反射防止層４は、所望の波長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる役割を果たす。反射防止層４は、例えば、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜または酸化亜鉛膜などからなる。反射防止層４の厚みは、構成する材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できるように設定される。例えばシリコンからなる半導体基板１においては、屈折率は１．８〜２．３程度、厚み５００〜１２００Å程度が好ましい。また、反射防止層４が窒化シリコン膜からなる場合、パッシベーション効果も有することができるので好適である。
【００２８】
半導体基板１の第２面９ｂ側に設けられるＢＳＦ（Back-Surface-Field）領域７は、第２面９ｂの近傍でキャリアの再結合による効率の低下を低減させる役割を有しており、第２面９ｂ側に内部電界を形成するものである。ＢＳＦ領域７は第１半導体層２と同一の導電型を呈しているが、第１半導体層２が含有する多数キャリアの濃度よりも高い多数キャリア濃度を有している。これは、半導体基板１において一導電型を呈するためにドープされてなるドーパント元素の濃度よりも高い濃度でドーパント元素が存在することを意味する。ＢＳＦ領域６は、半導体基板１がｐ型を呈するのであれば、例えば、第２面９ｂ側にボロンまたはアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって、これらドーパント元素の濃度が１×１０１８〜５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度となるように形成されるのが好適である。
【００２９】
図１に示すように、第１電極５は、第１出力取出電極５ａと、複数の線状の第１集電電極５ｂとを有する。第１出力取出電極５ａの少なくとも一部は、第１集電電極５ｂと交差している。この第１出力取出電極５ａは、例えば、１．３〜２．５ｍｍ程度の幅を有している。
【００３０】
一方、第１集電電極５ｂは線状であり、その線幅が５０〜２００μｍ程度であり、第１出力取出電極５ａよりも細い。また、第１集電電極５ｂは、互いに１．５〜３ｍｍ程度の間隔を空けて複数設けられている。
【００３１】
また、このような第１電極５の厚みは、１０〜４０μｍ程度である。第１電極５は、例えば銀粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル等からなる電極形成用ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成することができる。本実施形態においては、電極形成用ペーストにＡｌ２Ｏ３などの焼結抑制剤粉末が含有されているため、第１電極５中にＡｌ２Ｏ３などの粒子が分散している。これにより、電極形成時のシリコン基板と電極との密着不良や電極下のシリコン基板表面のクラックの発生を低減することができる。
【００３２】
特に好ましい形態として、第１電極５は上述のように形成した下地電極層と、その上にめっき法によって形成した導電層であるめっき電極層から構成される。めっき電極材料としては銅、銀および錫等から適宜選択される材料が好適に用いられ、下地電極層の厚みは１〜１０μｍとし、めっき電極層の厚みは５〜３０μｍとすることが好適である。下地電極層は電極形成用ペーストを塗布して、その後、焼成することで形成される。このため、下地電極層の空孔率が５％よりも大きくなる。一方、めっき電極層は空孔率が５％以下となるように形成されているので、下地電極層の厚みを１０μｍ以下、好ましくは８μｍ以下と薄くすることによって、第１電極５の総厚を維持したまま線抵抗を低減することができる。
【００３３】
第１電極５の形成においては、焼成中に溶融したガラスフリットが固着して電極の接着強度を向上させているが、ガラスフリット中のガラス成分の多くは半導体基板との界面に存在しやすい。本実施形態では電極形成用ペーストに添加する焼結抑制剤として、特にＡｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２を用いることが好ましい。Ａｌ２Ｏ３はガラス成分との濡れ性が銀よりも大きく、焼成の際にガラスと吸着しやすいことから、焼成中に溶融したガラス成分の一部が電極内に留まって、これが半導体基板界面に存在するガラス成分と結合することによって、電極の密着強度の改善に寄与する。その効果は、特に下地電極層の厚みを小さくした場合に顕著となる。また、ＳｉＯ２は主成分がシリコンであることから、その一部が半導体基板に拡散しても特性への影響を低減することができる。
【００３４】
また、電極形成用ペーストに用いるガラスフリットとして、後述するように、特に、Ｂｉ２Ｏ３系のガラスを有するとともに、ペーストにＡｌ２Ｏ３を添加することによって、ペースト焼成後の太陽電池素子の各種特性が向上するので好ましい。これは、Ａｌ２Ｏ３はガラス成分との濡れ性が銀よりも大きく、焼成の際にガラスと吸着しやすいことから、半導体基板１の界面に達するガラスフリット量が低減されるため、ガラスフリットの第２半導体層３への突き抜けによる第２半導体層３のダメージを低減するためと推察される。Ｂｉ２Ｏ３系のガラスとは、Ｂｉ２Ｏ３がガラスフリットの成分全体に対して５０質量％よりも多く含有されていることを意味している。例えば、ガラスフリット全体を１００とした場合の含有質量は、Ｂｉ２Ｏ３が５０〜９０質量％、ＳｉＯ２が０〜１０質量％、ＺｎＯが０〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３が０〜１０質量％、その他の成分（ＺｒＯ２、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯおよび／またはＰ２Ｏ５等）が０〜１５質量％である。
【００３５】
また、電極形成用ペーストに用いるガラスフリットとして、後述するように、特に、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系のガラスを有するとともに、このガラス中にはＢ２Ｏ３が実質的に含有されていないものを採用して、所定条件でペーストを焼成するとよい。なぜなら、Ｂ２Ｏ３が含有されているものに比べて、ペースト焼成後の太陽電池素子の各種特性が向上するからである。
【００３６】
また、図２に示すように、第２電極６は第２出力取出電極６ａと第２集電電極６ｂとを有する。本実施形態の第２出力取出電極６ａの厚みは１０〜３０μｍ程度、幅は１．３〜７ｍｍ程度である。第２出力取出電極６ａは、上述の第１電極５と同等の材質および製法で形成することができる。例えば銀ペーストを所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成してもよい。また、第２集電電極６ｂは、厚みが１５〜５０μｍ程度であり、半導体基板１の第２面９ｂの第２出力取出電極６ａの一部を除いた略全面に形成される。この第２集電電極６ｂは、例えばアルミニウムペーストを所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成することができる。
【００３７】
＜太陽電池素子の製造方法＞
以下、本実施形態の太陽電池素子１０の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、基本的には、シリコン基板等の半導体基板１に電極を形成する場合の工程としては、上述したペーストを半導体基板１上に塗布する塗布工程と、塗布したペーストを焼成して半導体基板１上に電極層を形成する焼成工程とを含む。
【００３９】
また、図１に示すように、シリコン基板等の半導体基板１と、この半導体基板１の一主面上の第１領域１ａに配置された反射防止層４と、半導体基板１の一主面上の第２領域１ｂに配置された表面電極である第１電極５とを備えている太陽電池素子１０を製造する場合には、以下の工程を有するものとする。すなわち、半導体基板１の第１領域１ａおよび第２領域１ｂの上に反射防止層４を形成する反射防止層形成工程と、上述したペーストを、半導体基板１の第２領域１ｂに対応する反射防止層４上に塗布する塗布工程と、塗布したペーストを焼成してこのペーストの下に位置している反射防止層４を除去することによって、反射防止層４を半導体基板１の第１領域１ａに配置させて、半導体基板１の第２領域１ｂに第１電極５を形成する焼成工程とを有する。
【００４０】
ここで、上記焼成工程において、上記電極層を厚み１０μｍ以下に形成することが好ましい。また、上記焼成工程の後に、形成した電極層または第１電極５の上に導電層をめっき法によって積層するめっき工程を行なうことが好ましい。
【００４１】
次に、より具体的な製造方法について説明する。まず、半導体基体として、第１半導体層２を構成する半導体基板１を準備する。半導体基板１が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成され、半導体基板１が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下では、ｐ型の多結晶シリコンを用いた例によって説明する。
【００４２】
最初に、例えば鋳造法によって多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを例えば２５０μｍ以下の厚みにスライスする。その後、半導体基板１の切断面の機械的ダメージ層および汚染層を除去するために、表面をＮａＯＨ、ＫＯＨ、またはフッ硝酸などの水溶液でごく微量エッチングする除去工程を行なうことが望ましい。なお、このエッチング工程後に、ウエットエッチング法またはドライエッチング法を用いて、半導体基板１の表面に微小な凹凸構造（テクスチャ）を形成するのがさらに望ましい。また、テクスチャの形成条件によっては、上記ダメージ層の除去工程を省略することも可能である。
【００４３】
次に、半導体基板１における第１面９ａ側の表層内にｎ型の第２半導体層３を形成する。このような第２半導体層３は、ペースト状態にしたＰ２Ｏ５を半導体基板１の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）を拡散源とした気相熱拡散法、またはリンイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法などによって形成される。この第２半導体層３は０．２〜２μｍ程度の厚み、４０〜１５０Ω／□程度のシート抵抗に形成される。なお、第２半導体層３の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜または微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板１と第２半導体層３との間にｉ型シリコン領域を形成してもよい。
【００４４】
次に、第２面９ｂ側に第２半導体層３を形成した場合には、第２面９ｂ側のみをエッチングして除去して、ｐ型の導電型領域を露出させる。例えば、フッ酸溶液に半導体基板１における第２面９ｂ側のみを浸して第２半導体層３を除去する。その後、第２半導体層３を形成する際に、半導体基板１の表面に付着した燐ガラスをエッチングして除去する。また、予め第２面９ｂ側に拡散マスクを形成しておき、気相熱拡散法等によって第２半導体層３を形成して、続いて拡散マスクを除去するプロセスによっても、同様の構造を形成することが可能である。
【００４５】
以上により、ｐ型半導体層を有する第１半導体層２と第２半導体層３とを備えた半導体基板１を準備することができる。
【００４６】
次に、半導体基板１の一主面上である第１領域１ａおよび第２領域１ｂの上に反射防止層４を形成する。反射防止層４は、例えば、ＰＥＣＶＤ（plasma enhanced chemical vapor deposition）法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成される。例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止層４をＰＥＣＶＤ法で形成する場合であれば、反応室内を５００℃程度としてシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスを窒素（Ｎ２）で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて堆積させることで反射防止層４が形成される。
【００４７】
次に、半導体基板１の第２面９ｂ側に、一導電型の半導体不純物が高濃度に拡散されたＢＳＦ領域７を形成する。製法としては、例えば、三臭化ボロン（ＢＢｒ３）を拡散源とした熱拡散法を用いて温度８００〜１１００℃程度で形成する方法、アルミニウム粉末および有機ビヒクル等からなるアルミニウムペーストを印刷法で塗布した後、温度６００〜８５０℃程度で熱処理（焼成）してアルミニウムを半導体基板１に拡散する方法を用いることができる。また、アルミニウムペーストを印刷して焼成する方法を用いれば、印刷面だけに所望の拡散領域を形成することができる上に、第２半導体層３形成時に同時に第２面９ｂ側にも形成されているｎ型の第２半導体層を除去する必要がない。また、第２面９ｂ側の周辺部のみにレーザービーム等を用いてｐｎ分離（ｐｎ接合部の連続領域を分離すること）を行なえばよい。なお、ＢＳＦ領域７の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜、または微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、第１半導体層２と第３半導体層４との間にｉ型シリコン領域を形成してもよい。
【００４８】
次に、半導体基板１の第２領域１ｂに、第１電極５（第１出力取出電極５ａ、第１集電電極５ｂ）と第２電極６（第２出力取出電極６ａ、第２集電電極６ｂ）とを以下のようにして形成する。
【００４９】
第１電極５は、銀粉末と、有機ビヒクルと、ガラスフリットと、焼結抑制剤（例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはＳｉＣ）とを含有する導電性ペーストを用いて作製される。この導電性ペーストを、半導体基板１の第１面９ａである第２領域１ｂに対応する反射防止層４の上に塗布する。その後、最高温度６００〜８５０℃で数十秒〜数十分程度焼成することによって、ファイヤースルー法によって反射防止層４を突き破り半導体基板１の第２領域１ｂ上に第１電極５の下地電極層が形成される。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。そして、この塗布後、好ましくは所定温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。ファイヤースルー法によって、高温下においてガラスフリットと反射防止層４とが反応する。これにより、下地電極層が半導体基板１とコンタクトする。この際、焼結抑制剤として添加されている特にＡｌ２Ｏ３はガラス成分との濡れ性が銀よりも大きく、焼成の際にガラスと吸着しやすいことから、焼成中に溶融したガラス成分の一部が電極内に留まって、半導体基板との界面に存在するガラス成分と結合することによって、電極の密着強度の改善に寄与する。
【００５０】
次に、めっき法によって下地電極層の上にめっき電極層を形成する。これにより、第１出力取出電極５ａおよび第１集電電極５ｂが形成される。めっき法の具体的方法について説明する。まず、電解めっき液が貯留されているめっき槽内に半導体基板１を浸漬させる。めっき槽内には電解めっき液に対して、金属部材からなる陽極が設けられる。一方、めっき対象物である下地電極層を設けた半導体基板１が陰極となる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加して電流を流すことによって、下地電極層の上に導電層であるめっき電極層が形成される。
【００５１】
めっき電極層としては、銅、銀または錫等が用いられる。このとき、電解めっき液はめっき電極層を構成する金属を含んだめっき液が用いられ、陽極の金属部材もめっき層を構成する金属の板が用いられる。また、陽極は不溶性の金属部材でもよく、酸化イリジウム被覆チタンまたは白金被覆チタン等が用いられる。例えば、めっき電極層が銅の場合には、電解めっき液として硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液またはシアン化銅めっき液等が用いられる。また、陽極の金属部材としては含リン銅から成る銅板が用いられる。
【００５２】
次に、第２電極６について説明する。まず、第２集電電極６ｂは、例えばアルミニウム粉末と、有機ビヒクルとを含有するアルミニウムペーストを用いて作製される。このペーストを、第２出力取出電極６ａを形成する部位の一部を除いて、第２面９ｂのほぼ全面に塗布する。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。このようにペーストを塗布した後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる方が作業時にペーストがその他の部分に付着しにくいという観点から好ましい。
【００５３】
次に、第２出力取出電極６ａは、例えば銀粉末などからなる金属粉末と、有機ビヒクルとガラスフリットを含有する銀ペーストを用いて作製される。この銀ペーストを予め決められた形状に塗布する。なお、銀ペーストは、アルミニウムペーストの一部と接する位置に塗布されることで、第２出力取出電極６ａと第２集電電極６ｂとの一部が重なる。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、好ましくは所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。
【００５４】
そして、半導体基板１を焼成炉内にて最高温度が６００〜８５０℃で数十秒〜数十分程度焼成することによって、第２電極６が半導体基板１の第２面９ｂ側に形成される。
【００５５】
なお、第２電極６は印刷・焼成法による電極形成を用いたが、蒸着もしくはスパッタ等の薄膜形成、またはめっき法を用いて形成することも可能である。
【００５６】
以上のようにして、電極形成時のシリコン基板と電極との密着不良や電極下のシリコン基板表面のクラックの発生を低減した信頼性の高い太陽電池素子１０を作製することができる。
【００５７】
＜変形例＞
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。
【００５８】
例えば、半導体基板１の第２面９ｂ側にパッシベーション膜を設けてもよい。このパッシベーション膜は、半導体基板１の裏面である第２面９ｂにおいて、キャリアの再結合を低減する役割を有するものである。パッシベーション膜としては、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸化チタンなどが使用できる。パッシベーション膜の厚みは、１００〜２０００Å程度に、ＰＥＣＶＤ法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成すればよい。そのため、半導体基板１の第２面９ｂ側の構造はＰＥＲＣ（Passivated Emitter and Rear Cell）構造またはＰＥＲＬ（Passivated Emitter Rear Locally-diffused）構造に用いられる第２面９ｂ側の構造を用いることができる。
【００５９】
また、第１集電電極５ｂの長手方向に対して交差する両端部に第１集電電極５ｂと交差する線状の補助電極５ｃを形成してもよく、めっき法において供給された電流を第１電極５に均一に流すことができ、均一な厚みのめっき電極層を形成することができる。これにより、第１集電電極５ｂの一部で線切れが生じても、抵抗の上昇を低減し、他の第１集電電極５ｂを通して第１出力取出電極５ａに電流を流すことができるので好適である。
【００６０】
また、第２電極６においても第１電極５と同様に、第２出力取出電極６ａと、第２出力取出電極６ａと交差する複数の線状の第２集電電極６ｂとを有する形状であってもよく、下地電極層とめっき電極層とを形成してもよい。
【００６１】
第１電極５の形成位置において、第２半導体層と同じ導電型であり、第２半導体層よりも厚みが厚い第４半導体層を形成する方が好ましい。このとき第４半導体層は第２半導体層よりもシート抵抗が低く形成される。第４半導体層の厚みを厚く形成することによって、電極とのコンタクト抵抗を低減することができる。第４半導体層の厚みを厚くする方法の一例としては、塗布熱拡散法または気相熱拡散法によって第２半導体層を形成した後、燐ガラスが残存する状態で第１電極５の電極形状に合わせて半導体基板１にレーザービームを照射することによって、燐ガラスから第２半導体層へリンが再拡散し第４半導体層が形成される。
【００６２】
なお、本発明は、上述した両面電極型太陽電池素子以外にもバックコンタクト型太陽電池素子等の各種の太陽電池素子に対しても適用が可能である。
【実施例】
【００６３】
以下に、具体的な実施例について説明する。なお、参照図面は図１〜３である。【００６４】
＜実施例１＞
まず、厚さ２６０μｍ、外形１５６ｍｍ×１５６ｍｍ、比抵抗１．５Ω・ｃｍの多結晶シリコン基板（半導体基板１）を用意して、シリコン基板の表面のダメージ層をＮａＯＨ溶液でエッチングして洗浄した。【００６５】
次に、ドライエッチング法で第１面９ａにテクスチャを形成した。そして、ＰＯＣｌ３を拡散源とした気相熱拡散法で第２半導体層３を形成した。このとき、第２半導体層３のシート抵抗は７０Ω／□であった。フッ酸溶液による燐ガラスのエッチング除去とレーザービームによるｐｎ分離を行なった後、第１面９ａにＰＥＣＶＤ法によって反射防止層４となる窒化シリコン膜を形成した。【００６６】
さらに、半導体基板１の第２面９ｂにアルミニウムペーストを略全面に塗布・焼成してＢＳＦ領域７と第２集電電極６ｂを形成した。また、第１面９ａと第２面９ｂに銀ペーストを塗布・焼成して、第１電極５になる部位に下地電極層と第２出力取出電極６ａとを形成した。第１電極５になる部位において、めっき法によって下地電極層の上に銀めっき電極層を形成することによって第１電極５を形成した。【００６７】
半導体基板１の第１面９ａに設ける第１電極５の下地電極層は、銀粉末、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＰｂＯ系のガラスフリット、有機ビヒクルおよび焼結抑制剤を表１に示すペーストＮｏ．１〜５の組成で混合したものをスクリーン印刷法で塗布し、ピーク温度が８５０℃になるように３分間焼成した。【００６８】
表１において、ガラスフリット量とは、ペースト中の銀粉末の含有質量（１００％）に対するガラスフリットの質量％を示している。また、焼結抑制剤の組成は銀粉末とガラスフリットの合計含有質量（１００％）に対する焼結抑制剤の質量％を示している。【００６９】
また、ペーストＮｏ．１〜１４のそれぞれに用いたガラスフリットＡにおいて、ガラスフリット全体を１００％とした場合の含有質量は、Ｂ２Ｏ３が７５質量％、ＳｉＯ２が７質量％、ＰｂＯが１３質量％であり、その他の成分（ＺｒＯ２、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯおよび／またはＰ２Ｏ５等）が５質量％であった。【００７０】
その後、第１出力取出電極５ａに銅箔の全面に半田を被覆したインナーリードを溶着して太陽電池素子１０を得た。【００７１】
次に、この太陽電池素子１０に対して、引張強度試験機を用いて第１出力取出電極５ａの密着強度の測定を行なった。測定結果を表１にあわせて示す。【００７２】
【表１】
2012043811.tif 000003
【００７３】
表１から明らかなように、焼結抑制剤を添加しなかったペーストＮｏ．１では、第１出力取出電極５ａの密着強度は２０ｇｆしかなかったのに対し、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはＳｉＣをそれぞれ添加したペーストＮｏ．２〜１４では、いずれのペーストでも形成された第１出力取出電極５ａと半導体基板１との密着強度の大幅な改善がみられた。また、ガラスフリット量が１２質量％であって、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはＳｉＣをそれぞれ添加したペーストＮｏ．５〜７はいずれも高い密着強度を示したが、これらのうち、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を用いたペーストＮｏ．５が最も密着強度が高かった。、また、ガラスフリット量が１５質量％であって、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３量が１０質量％のペーストＮｏ．９を用いた場合には、ペーストＮｏ．１〜１４中最も密着強度が高かった。【００７４】
また、焼結抑制剤を添加しなかったペーストＮｏ．１では、インナーリードにシリコン基板の表層面が付着してインナーリードが第１出力取出電極５ａから外れたのに対して、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはＳｉＣをそれぞれ添加したペーストＮｏ．２〜１４では、シリコン基板が割れてインナーリードが第１出力取出電極５ａから外れた。シリコン基板の表面にクラックが発生した場合、シリコン基板が割れず、シリコン基板の表層面のみがインナーリードに付着した状態となることから、シリコン基板が割れてインナーリードが第１出力取出電極５ａから外れることはシリコン基板の表面のクラックが低減できたことを意味する。【００７５】
＜実施例２＞
次に、第１電極５に用いるペースト中のガラスフリットとして、Ｂｉ２Ｏ３系のガラスを用いたものに対して、所定の焼結抑制剤を添加したペーストを用いた太陽電池素子の実施例について説明する。【００７６】
主に上記ペースト中におけるガラスフリットの材料および第１電極５が銀めっき電極層を設けずに上記ぺーストのみで形成されたこと以外は、実施例１と同様であるので、詳細な説明を省略する。【００７７】
ガラスフリットはガラス中にＢ２Ｏ３が実質的に含有されているものと含有されていないものの２種類を用意した。【００７８】
ガラス中にＢ２Ｏ３が実質的に含有されているガラスフリットＢにおいて、ガラスフリット全体を１００質量％とした場合の含有質量は、Ｂｉ２Ｏ３が７５質量％、ＳｉＯ２が２質量％、ＺｎＯが１１質量％、Ｂ２Ｏ３が９質量％、その他の成分（ＺｒＯ２、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯおよび／またはＰ２Ｏ５等）が３質量％であった。【００７９】
ガラス中にＢ２Ｏ３が実質的に含有されていないガラスフリットＣにおいて、ガラスフリット全体を１００質量％とした場合の含有質量は、Ｂｉ２Ｏ３が８１質量％、ＳｉＯ２が５質量％、ＺｎＯが５質量％、その他の成分（ＺｒＯ２、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯおよび／またはＰ２Ｏ５等）が９質量％であった。【００８０】
ペースト中の銀粉末の含有質量に対してガラスフリットの含有質量は５％であり、焼結抑制剤組成としてＡｌ２Ｏ３を用いた。表２中の焼結抑制剤は銀粉末とガラスフリットの合計含有質量に対する焼結抑制剤の質量％を示している。【００８１】
上記のペーストをスクリーン印刷後に、焼成温度８５０℃の温度にて、３分間焼成して、太陽電池素子１０を作製した。【００８２】
そして、多数の太陽電池素子１０のそれぞれについて、変換効率を測定した。なお、変換効率の測定は、ＪＩＳ Ｃ ８９１３に基づいて、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の照射の条件下にて測定した。【００８３】
【表２】
2012043811.tif 000004
【００８４】
表２から明らかなように、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加しないガラスフリットＢを用いたペーストＮｏ．１５では、変換効率が１０．６８％しかなかったのに対し、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加しないガラスフリットＣを用いたペーストＮｏ．１９では、変換効率が１３．６７％にもなって改善がみられた。また、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加したペーストＮｏ．１６，１７，１８、２０，２１，２２は、Ａｌ２Ｏ３を添加しなかったペーストに対して、電気特性の大幅な改善がみられた。また、ガラスフリットＣにおいて焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加したペーストＮｏ．２０〜２２は１５％を超えた優れた変換効率を示した。【００８５】
さらに、ガラスフリットＣを用いて、ＳｉＯ２の含有質量を変更して（ただし、ガラスフリットＣのＳｉＯ２量に比例して他の成分も変化するものとする。）作製した太陽電池素子１０において、実施例１と同様にして、第１出力取出電極５ａの密着強度を測定して、引張強度試験における剥がれの状態について観察した結果を表３に示す。【００８６】
【表３】
2012043811.tif 000005
【００８７】
表３のペーストＮｏ．２３〜３０の結果から明らかなように、ガラスフリット中のＳｉＯ２の含有量を多くすることによって、密着強度の平均強度および最低強度のいずれも高くなり、しかも剥がれの状態も良好であった。さらに、ペーストＮｏ．２４，２６，２８，３０の結果から明らかなように、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加することによって、Ａｌ２Ｏ３を添加していないペーストＮｏ．２３，２５，２７，２９と比較して、密着強度の大幅な改善がみられた。【００８８】
＜実施例３＞
次に、ガラスフリットＡを含有するペーストを用いて形成した第１電極５を有する太陽電池素子１０と、ガラスフリットＣを含有するペーストを用いて形成した第１電極５を有する太陽電池素子１０とを作製した。【００８９】
主に上記ペースト中におけるガラスフリットの材料および第１電極５が銀めっき電極層を設けずに上記ぺーストのみで形成されたこと以外は、実施例１と同様であるので、詳細な説明を省略する。【００９０】
ペースト中の銀粉末の含有質量に対してガラスフリットの含有質量は５％であり、焼結抑制剤組成としてＡｌ２Ｏ３を用いた。また、表４中の焼結抑制剤は銀粉末とガラスフリットの合計含有質量に対する焼結抑制剤の質量％を示している。【００９１】
作製した太陽電池素子の電極に銅箔からなる配線部材を接続し、第１面９ａ側にエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）からなる表側充填材と、ガラスからなる透明部材を設け、第２面９ｂ側にＥＶＡからなる裏側充填材と、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる裏面保護材を設けてモジュール化し、モジュール化した太陽電池素子に対してプレッシャクッカ試験（ＰＣＴ）を行ない、信頼性を評価した。プレッシャクッカ試験の条件は温度１２５℃、湿度９５％ＲＨ、圧力２ＭＰａの条件で行ない、経過時間３００時間、３５０時間、４００時間の変換効率を測定し、初期の変換効率に対する経過時間後の変換効率の割合を％表示で表４に示す。なお、変換効率の測定は、ＪＩＳ Ｃ ８９１３に基づいて、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の照射の条件下にて測定した。【００９２】
【表４】
2012043811.tif 000006
【００９３】
表４から明らかなように、ガラスフリットＡ，Ｃを用いたペーストにおいて、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加しなかったペーストＮｏ．３１，３５に対して、Ａｌ２Ｏ３を添加したペーストＮｏ．３２〜３４，３６〜３８では、長時間経過後も変換効率が高い状態で維持されることがわかった。つまり、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加することによって、太陽電池素子の信頼性の大幅な改善がみられた。【００９４】
また、特にガラスフリットＣにおいては、焼結抑制剤としてＡｌ２Ｏ３を添加しなかったペーストＮｏ．３５に対して、Ａｌ２Ｏ３を添加したペーストＮｏ．３６〜３８では、長時間経過後も変換効率が高い状態で安定して維持されることがわかった。なお、表４には記載していないが、実験の結果、ガラスフリットＣにおける焼結抑制剤としてのＡｌ２Ｏ３の最適添加量は０．１〜５％の範囲と思われる。
【符号の説明】
【００９５】
１    ：半導体基板（半導体基体）
１ａ：第１領域
１ｂ：第２領域
２    ：第１半導体層
３    ：第２半導体層
４    ：反射防止層
５    ：第１電極
５ａ  ：第１出力取出電極
５ｂ  ：第１集電電極
５ｃ  ：補助電極
６    ：第２電極
６ａ  ：第２出力取出電極
６ｂ  ：第２集電電極
７    ：ＢＳＦ領域
９ａ  ：第１面
９ｂ  ：第２面
１０  ：太陽電池素子
【図１】
2012043811.tif 000007
【図２】
2012043811.tif 000008
【図３】
2012043811.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月16日(2013.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀粉末、Ｂ２Ｏ３を主成分とするＢ２Ｏ３−SｉＯ２−ＰｂＯ系のガラスフリットまたはＢｉ２Ｏ３を主成分とするＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系でかつＢ２Ｏ３が実質的に含有されていないガラスフリット、および前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる太陽電池用導電性ペーストであって、前記焼結抑制剤は、酸化アルミニウム、酸化珪素および炭化珪素から選択される１種以上を含有している太陽電池用導電性ペースト。
【請求項２】
前記焼結抑制剤は炭化珪素である請求項１に記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項３】
前記ガラスフリットはＢ２Ｏ３を主成分とするＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＰｂＯ系である請求項１または２に記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項４】
前記焼結抑制剤の含有質量は、前記銀粉末および前記ガラスフリットの合計含有質量に対して１％以上３５％以下である請求項１乃至３に記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項５】
記ガラスフリットの含有質量は、前記銀粉末の含有質量に対して１１％以上３０％以下である請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペースト。
【請求項６】
半導体基体上に電極を設けた太陽電池素子の製造方法であって、請求項１乃至５のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペーストを前記半導体基体上に塗布する塗布工程と、塗布した前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して前記半導体基体上に電極層を形成する焼成工程とを含む太陽電池素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基体と、該半導体基体の一主面上の第１領域に配置された反射防止層と、前記半導体基体の一主面上の第２領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の製造方法であって、
前記半導体基体の前記第１領域および前記第２領域の上に前記反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
請求項１乃至５のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペーストを、前記半導体基体の前記第２領域に対応する前記反射防止層上に塗布する塗布工程と、
前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して該太陽電池用導電性ペーストの下に位置している前記反射防止層を除去することによって、前記反射防止層を前記半導体基体の前記第１領域に配置させて、前記半導体基体の前記第２領域に前記表面電極を形成する焼成工程とを有する太陽電池素子の製造方法。
【請求項８】
前記焼成工程において、前記電極層を厚み１０μｍ以下に形成する請求項６または７に記載の太陽電池素子の製造方法。
【請求項９】
前記焼成工程の後に、前記電極層の上に導電層をめっき法によって積層するめっき工程をさらに有する請求項６乃至８のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一形態に係る太陽電池用導電性ペーストは、銀粉末、Ｂ２Ｏ３を主成分とするＢ２Ｏ３−SｉＯ２−ＰｂＯ系のガラスフリットまたはＢｉ２Ｏ３を主成分とするＢｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ系でかつＢ２Ｏ３が実質的に含有されていないガラスフリット、および前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる太陽電池用導電性ペーストであって、前記焼結抑制剤は、酸化アルミニウム、酸化珪素および炭化珪素から選択される１種以上を含有している。
【国際調査報告】
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