(57)【要約】  導電性ペーストが、Ａｇ粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有し、前ガラスフリットは、非鉛系で少なくともＢ、Ｂｉ及びＳｉを含有すると共に、ＳｉＯ２に対するＢ２Ｏ３のモル比率が０．４以下であり、ガラスフリット中のＢｉの含有モル量は、Ｂｉ２Ｏ３に換算して２０〜３０モル％であり、かつ、前記ガラスフリットは、Ｄ90径が５μｍ以下である。この導電性ペーストを使用して受光面電極３を形成する。これにより受光面電極の電極幅が微細であっても、半導体基板と受光面電極との間で良好な導通性を確保できる非鉛系の導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを使用して製造された太陽電池を実現する。
2012111477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の電極を形成するための導電性ペーストであって、
導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有し、
前ガラスフリットは、Ｐｂを含有せず、少なくともＢ、Ｂｉ及びＳｉを含有すると共に、Ｓｉに対するＢのモル比率が、ＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３にそれぞれ換算して０．４以下であり、前記ガラスフリット中のＢｉの含有モル量は、Ｂｉ２Ｏ３に換算して２０〜３０モル％であり、
かつ、前記ガラスフリットは、累積粒度分布における微粒側からの累積９０％粒径が５μｍ以下であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを含有していることを特徴とする請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記ＺｎＯは、比表面積が１２．５ｍ２／ｇ以下であることを特徴とする請求項２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
前記ＺｎＯは、比表面積が９．５ｍ２／ｇ以下であることを特徴とする請求項３記載の導電性ペースト。
【請求項５】
前記ガラスフリットは、アルカリ土類金属酸化物を含有していることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導電性ペースト。
【請求項６】
前記アルカリ土類金属酸化物は、ＢａＯであることを特徴とする請求項５記載の導電性ペースト。
【請求項７】
前記アルカリ土類金属酸化物は、含有量が５モル％以上であることを特徴とする請求項５又は請求項６記載の導電性ペースト。
【請求項８】
前記導電性粉末は、Ａｇ粉末であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の導電性ペースト。
【請求項９】
半導体基板の一方の主面に反射防止膜及び該記反射防止膜を貫通する電極が形成され、
前記電極が、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の導電性ペーストが焼結されてなることを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペースト及び太陽電池に関し、より詳しくは太陽電池の電極形成に適した導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを使用して製造された太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、通常、半導体基板の一方の主面に所定パターンの受光面電極を形成している。また、前記受光面電極を除く半導体基板上には反射防止膜が形成されており、入射される太陽光の反射損失を前記反射防止膜で抑制し、これにより太陽光の電気エネルギーへの変換効率を向上させている。【０００３】
前記受光面電極は、通常、導電性ペーストを使用して以下のようにして形成される。すなわち、導電性ペーストは、導電性粉末、ガラスフリット、及び有機ビヒクルを含有しており、半導体基板上に形成された反射防止膜の表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する。そして、焼成過程でガラスフリットを溶融させ、導電膜下層の反射防止膜を分解・除去し、これにより導電膜が焼結されて受光面電極を形成すると共に、該受光面電極と半導体基板とを接着させ、両者を導通させている。【０００４】
このように焼成過程で反射防止膜を分解・除去し、半導体基板と受光面電極とを接着させる方法は、ファイヤースルー（焼成貫通）と呼ばれ、太陽電池の変換効率は、ファイヤースルー性に大きく依存する。すなわち、ファイヤースルー性が不十分であると変換効率が低下し、太陽電池としての基本性能に劣ることが知られている。【０００５】
また、この種の太陽電池では、受光面電極と半導体基板との接着強度を高めるために、低軟化点のガラスフリットを使用するのが好ましいとされている。【０００６】
低軟化点のガラスフリットとしては、従来より、鉛系のガラスフリットが使用されていたが、鉛（Ｐｂ）は環境負荷が大きいことから、鉛系ガラスフリットに代わる新たな材料の出現が求められている。【０００７】
このような観点から特許文献１には、ガラスフリットの軟化点が５７０〜７６０℃であり、該ガラスフリットは、モル比でＢ２Ｏ３／ＳｉＯ２が０．３以下の割合となるようにＢ２Ｏ３及びＳｉＯ２を含有し、かつＢｉ２Ｏ３を２０モル％未満含有した導電性ペーストが提案されている。【０００８】
Ｂｉ２Ｏ３はファイヤースルー性の促進に有効なガラス成分であるが、ガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３の含有量が２０モル％を超えると、軟化点が低下してガラス粘度が低くなる。そしてその結果、受光面電極と半導体基板との界面にガラス成分が過剰に滞留し（以下、この現象を「界面ガラス溜まり」という。）、接触抵抗が高くなる。【０００９】
そこで、特許文献１では、Ｂｉ２Ｏ３の含有量を２０モル％未満に抑制し、これによりＰｂを含まない非鉛系導電性ペーストでありながら、受光面電極と半導体基板との間の接触抵抗の低い太陽電池を得ようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開２００７／１０２２８７号（請求項２、段落番号〔００１６〕、〔００３６〕）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１では界面ガラス溜まりの発生を回避するため、ファイヤースルー性の向上に有効なＢｉ２Ｏ３の含有モル量を２０モル％未満に抑制している。このため受光面電極の電極幅が１００μｍ以下に微細になると、ファイヤースルー性を十分に確保することができなくなり、接触抵抗の増大を招き、太陽電池の電池特性が低下するおそれがある。【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、受光面電極の電極幅が微細であっても、半導体基板と受光面電極との間で良好な導通性を確保できる非鉛系の導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを使用して製造された太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
Ｂｉ２Ｏ３は、上述したようにファイヤースルー性の促進に有効な成分であり、受光面電極の電極幅が小さくなっても十分なファイヤースルー性を得るためにはＢｉ２Ｏ３の含有モル量を２０モル％以上に増量させるのが望ましいと考えられる。【００１４】
そこで、本発明者らは、Ｓｉ−Ｂ−Ｂｉ系ガラスフリットにおいて、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量を２０モル％以上に増大させつつ、軟化点低下に伴う界面ガラス溜まりの発生を回避すべく鋭意研究を行ったところ、ガラスフリットにおける累積粒度分布の微粒側からの累積９０％粒径を５μｍ以下とすることにより、導電性ペースト中でガラスフリットを均一乃至略均一に分散させることができ、これによりＢｉ２Ｏ３の含有モル量が２０〜３０モル％の範囲であれば、導電性ペーストを焼成しても界面ガラス溜まりの形成を抑制することが可能であるという知見を得た。【００１５】
また、ＳｉＯ２に対するＢ２Ｏ３のモル比率を０．４以下とすることにより、導電性粉末を半導体基板上に容易に析出させることができ、これによっても接触抵抗を効果的に低減でき、受光面電極と半導体基板との間の導通性を向上させることができることが分かった。【００１６】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る導電性ペーストは、太陽電池の電極を形成するための導電性ペーストであって、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有し、前ガラスフリットは、Ｐｂを含有せず、少なくともＢ、Ｂｉ及びＳｉを含有すると共に、Ｓｉに対するＢのモル比率が、ＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３にそれぞれ換算して０．４以下であり、前記ガラスフリット中のＢｉの含有モル量は、Ｂｉ２Ｏ３に換算して２０〜３０モル％であり、かつ、前記ガラスフリットは、累積粒度分布における微粒側からの累積９０％粒径（以下、「Ｄ90径」という。）が５μｍ以下であることを特徴としている。【００１７】
これにより界面ガラス溜まりの形成を抑制して反射防止膜のファイヤースルー性を向上させることができ、受光面電極と半導体基板との間の接触抵抗が低減された導通性の良好な変換効率の高い太陽電池を得ることが可能となる。【００１８】
また、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを含有させることにより、ファイヤースルー性のより一層の向上が可能であることが分かった。【００１９】
すなわち、本発明の導電性ペーストは、比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを含有しているのが好ましい。【００２０】
これにより界面ガラス溜まりが形成されることもなく、適度な大きさの溶融ガラスが前記界面に流れ込み、これにより界面の接着強度も向上し接触抵抗のより一層の低減化が可能となり、ファイヤースルー性をより一層向上させることができる。【００２１】
さらに、本発明者らが鋭意研究を重ねたところ、比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを含有させることにより、上述したようにファイヤースルー性をより一層向上させることができる一方で、比表面積が１２．５ｍ２／ｇを超えると、はんだ付け性を損なうことも分かった。【００２２】
したがって、本発明の導電性ペーストは、前記ＺｎＯは、比表面積が１２．５ｍ２／ｇ以下であるのが好ましく、前記ＺｎＯは、比表面積が９．５ｍ２／ｇ以下であるのがより好ましい。【００２３】
これによりはんだ付け性の劣化を招くことなく所望の低い接触抵抗を得ることが可能となる。【００２４】
また、半導体基板と受光面電極との界面では焼成時に複雑な酸化還元反応が生じていると考えられる。材料の物性定数である塩基度は、溶融ガラスの酸化還元反応を考える上で重要な指標である。そして、従来の鉛系導電性ペーストで良好なファイヤースルー性が得られていることから、Ｐｂと同程度の塩基度を有するアルカリ土類金属酸化物、特にＢａＯを含むのが好ましく、さらにアルカリ土類金属酸化物を５モル％以上含むのがより好ましい。【００２５】
すなわち、本発明の導電性ペーストは、前記ガラスフリットが、アルカリ土類金属酸化物を含有しているのが好ましい。【００２６】
また、本発明の導電性ペーストは、前記アルカリ土類金属酸化物が、ＢａＯであるのが特に好ましい。【００２７】
さらに、本発明の導電性ペーストは、前記アルカリ土類金属酸化物は、含有量が５モル％以上であるのがより好ましい。【００２８】
このように導電性ペースト中にこれらのアルカリ土類金属酸化物を含むことにより、接触抵抗をより一層低くすることができ、より良好な所望のファイヤースルー性を得ることができる。【００２９】
また、本発明の導電性ペーストは、前記導電性粉末が、Ａｇ粉末であるのが好ましい。【００３０】
また、本発明に係る太陽電池は、半導体基板の一方の主面に反射防止膜及び該記反射防止膜を貫通する電極が形成され、前記電極が、上記いずれかに記載の導電性ペーストが焼結されてなることを特徴としている。【００３１】
これにより非鉛系導電性ペーストを使用した場合であっても、微細な電極幅を有する受光面電極に対し、該受光面電極と半導体基板との間の接触抵抗を低くすることができ、導通性の良好な変換効率の高い太陽電池を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の導電性ペーストによれば、Ａｇ粉末等の導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有し、前ガラスフリットは、Ｐｂを含有せず、少なくともＢ、Ｂｉ及びＳｉを含有すると共に、Ｓｉに対するＢのモル比率が、ＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３にそれぞれ換算して０．４以下であり、前記ガラスフリット中のＢｉの含有モル量は、Ｂｉ２Ｏ３に換算して２０〜３０モル％であり、かつ、前記ガラスフリットは、Ｄ90径が５μｍ以下であるので、界面ガラス溜まりの形成を抑制して反射防止膜のファイヤースルー性を向上させることができ、受光面電極と半導体基板との間の接触抵抗が低減された導通性の良好な変換効率の高い太陽電池を得ることが可能となる。【００３３】
また、本発明の太陽電池によれば、半導体基板の一方の主面に反射防止膜及び該記反射防止膜を貫通する電極が形成され、前記電極が、上記いずれかに記載の導電性ペーストが焼結されてなるので、非鉛系導電性ペーストを使用した場合であっても、微細な電極幅を有する受光面電極に対し、該受光面電極と半導体基板との間の接触抵抗を低くすることができ、導通性の良好な変換効率の高い太陽電池を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る導電性ペーストを使用して製造された太陽電池の一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】受光面電極側を模式的に示した拡大平面図である。
【図３】裏面電極側を模式的に示した拡大平面図である。
【図４】粒径にバラツキのあるガラスフリットを含有した導電膜周辺の要部拡大断面図である。
【図５】図４の導電膜を焼成した場合の受光面電極周辺の要部拡大断面図である。
【図６】所定粒径以下に粒度調整されたガラスフリットを含有した導電膜周辺の要部拡大断面図である。
【図７】図６の導電膜を焼成した場合の受光面電極周辺の要部拡大断面図である。
【図８】比表面積の小さいＺｎＯ粒子を含有した場合の受光面電極周辺の要部拡大断面図である。
【図９】比表面積の大きいＺｎＯ粒子を含有した場合の受光面電極周辺の要部拡大断面図である。
【図１０】実施例で作製された電極パターンを模式的に示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３６】
図１は、本発明に係る導電性ペーストを使用して製造された太陽電池の一実施の形態を示す要部断面図である。
【００３７】
この太陽電池は、Ｓｉを主成分とした半導体基板１の一方の主面に反射防止膜２及び受光面電極３が形成されると共に、該半導体基板１の他方の主面に裏面電極４が形成されている。
【００３８】
半導体基板１は、ｐ型半導体層１ｂとｎ型半導体層１ａとを有し、ｐ型半導体層１ｂの上面にｎ型半導体層１ａが形成されている。該半導体基板１は、例えば、単結晶又は多結晶のｐ型半導体層１ｂの一方の主面に不純物を拡散させ、薄いｎ型半導体層１ａを形成することにより得ることができるが、ｐ型半導体層１ｂの上面に、ｎ型半導体層１ａが形成されているのであれば、その構造及び製法は特に限定されるものではない。また、半導体基板１は、ｎ型半導体層１ａの一方の主面に薄いｐ型半導体層１ｂが形成された構造のものや、半導体基板１の一方の主面の一部にｐ型半導体層１ｂとｎ型半導体層１ａの両方が形成されている構造のものを用いてもよい。いずれにしても、反射防止膜２が形成された半導体基板１の主面であれば、本発明に係る導電性ペーストを有効に用いることができる。
【００３９】
尚、図１では、半導体基板１の表面はフラット状に記載しているが、太陽光を半導体基板１に効果的に閉じ込めるために、表面は微小凹凸構造を有するように形成されている。
【００４０】
反射防止膜２は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）等の絶縁性材料で形成され、矢印Ａに示す太陽光の受光面への光の反射を抑制し、太陽光を半導体基板１に迅速かつ効率よく導く。この反射防止膜２を構成する材料としては、上述した窒化ケイ素に限定されるものではなく、他の絶縁性材料、例えば酸化ケイ素や酸化チタンを使用してもよく、２種類以上の絶縁性材料を併用してもよい。また、結晶Ｓｉ系であれば単結晶Ｓｉ及び多結晶Ｓｉのいずれを使用してもよい。
【００４１】
受光面電極３は、半導体基板１上に反射防止膜２を貫通して形成されている。この受光面電極３は、スクリーン印刷等を使用し、後述する本発明の導電性ペーストを半導体基板１上に塗布して導電膜を作製し、焼成することによって形成される。すなわち、受光面電極３を形成する焼成過程で、導電膜下層の反射防止膜２が分解・除去されてファイヤースルーされ、これにより反射防止膜２を貫通する形態で半導体基板１上に受光面電極３が形成される。
【００４２】
受光面電極３は、具体的には、図２に示すように、多数のフィンガー電極５ａ、５ｂ、…５ｎが櫛歯状に並設されると共に、フィンガー電極５ａ、５ｂ、…５ｎと交差状にバスバー電極６が設けられ、フィンガー電極５ａ、５ｂ、…５ｎとバスバー電極６とが電気的に接続されている。そして、受光面電極３が設けられている部分を除く残りの領域に、反射防止膜２が形成されている。このようにして半導体基板１で発生した電力をフィンガー電極５ｎによって集電するとともにバスバー電極６によって外部へ取り出している。
【００４３】
裏面電極４は、具体的には、図３に示すように、ｐ型半導体層１ｂの裏面に形成されたＡｌ等からなる集電電極７と、該集電電極７の裏面に形成されて該集電電極７と電気的に接続されたＡｇ等からなる取出電極８とで構成されている。そして、半導体基板１で発生した電力は集電電極７に集電され、取出電極８によって電力を取り出している。
【００４４】
次に、受光面電極３を形成するための本発明の導電性ペーストについて詳述する。
【００４５】
本発明の導電性ペーストは、導電性粉末と、Ｐｂを含有しない非鉛系ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有している。
【００４６】
そして、ガラスフリットは、少なくともＢ、Ｂｉ及びＳｉを含有し、下記数式（１）〜（３）を満足している。
【００４７】
α／β≦０．４  …（１）
２０モル％≦γ≦３０モル％…（２）
Ｄ90径≦５μｍ    …（３）
【００４８】
ここで、αはガラスフリット中のＢ２Ｏ３の含有モル量、βはガラスフリット中のＳｉＯ２の含有モル量、γはガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３の含有モル量である。
【００４９】
すなわち、本発明の導電性ペーストは、少なくともＢ、Ｂｉ及びＳｉを含有する非鉛系ガラスフリットを含み、ＳｉＯ２に対するＢ２Ｏ３のモル比率α／βが０．４以下とされ、ガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３が２０〜３０モル％とされ、Ｄ90径が５μｍ以下とされている。そしてこれによりガラスフリットは導電性ペースト中で偏析して存在することもなく、均一乃至略均一に分散させることができる。したがって、焼成時に大きな塊状の溶融ガラスを形成することもない。その結果、界面ガラス溜まりが生じることもなく、受光面電極３の電極幅が１００μｍ以下の微細な場合であっても、ファイヤースルー性を向上させることができる。そしてこれにより半導体基板１と受光面電極３との間の接触抵抗を低減することができ、変換効率の向上を図ることができる。
【００５０】
以下、ガラスフリットが上記数式（１）〜（３）を満足するようにした理由を述べる。
【００５１】
（１）Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２の含有モル比α／β
ガラスは、非晶質化して網目状のネットワーク構造を形成する網目状酸化物と、網目状酸化物を修飾して非晶質化する修飾酸化物と、両者の中間的な中間酸化物とで構成される。このうちＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３はいずれも網目状酸化物として作用し、重要な構成成分である。
【００５２】
そして、太陽電池の電極形成用導電性ペーストでは、導電膜の焼成時に導電性粉末がガラスフリット中に溶解し、この溶解した導電性粉末が半導体基板１上で還元されて金属粒子として析出することにより、導電性粉末と半導体基板１との間の電気的接触の形成を促進する。
【００５３】
しかしながら、Ｂ２Ｏ３の含有モル量αとＳｉＯ２の含有モル量βとのモル比α／βが０．４を超えると、Ｂ２Ｏ３の含有モル量が過剰となり、導電性粉末のガラスフリット中への溶解量は増加するものの、ガラスフリット中に溶解した導電性粉末が半導体基板１上に析出しに難くなり、却って電気的接触の形成を阻害する。
【００５４】
そこで、本実施の形態では、ＳｉＯ２に対するＢ２Ｏ３のモル比率α／βを０．４以下としている。
【００５５】
（２）Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量γ
Ｂｉ２Ｏ３は、修飾酸化物としてガラスの流動性を調整する作用を有し、さらには、ファイヤースルー性を促進することから、特に非鉛系導電性ペーストの場合はガラスフリット中に好んで含有される。
【００５６】
しかしながら、ガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３の含有モル量γが２０モル％未満になると、軟化点が上昇する。このため界面ガラス溜まりの発生抑制には寄与するものの、電極幅を微細にした場合にファイヤースルー性の低下が顕著となり、接触抵抗の上昇を招くおそれがある。
【００５７】
そこで、本実施の形態では、後述するように、界面ガラス溜まりの発生抑制をガラスフリットの粒径調整で行う一方で、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量γを２０モル％以上とし、これにより電極幅が１００μｍ以下の微細な場合であっても、良好なファイヤースルー性を確保している。
【００５８】
ただし、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量γが３０モル％を超えると、軟化点が過度に低下し、ガラスフリットの粒径調整を行っても界面ガラス溜まりの発生を抑制するのが困難となる。すなわち、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量γが３０モル％を超えると、軟化点が低下し過ぎてガラス粘度が過度に低下し、このためガラスフリットの流動性が高くなって界面ガラス溜まりが生じ、接触抵抗の上昇を招くおそれがある。また、このようにＢｉ２Ｏ３の含有モル量γが３０モル％を超えると、Ｂｉ２Ｏ３が半導体基板１中に拡散してしまうおそれがあり好ましくない。
【００５９】
そこで、本実施の形態では、ガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３の含有モル量γを２０〜３０モル％としている。
【００６０】
（３）Ｄ90径
太陽電池は、上述したように半導体基板１上に反射防止膜２を塗付した後、ガラスフリットを含有した導電性ペーストを塗布し、焼成過程でファイヤースルーすることにより半導体基板１上に受光面電極３を形成している。すなわち、ガラスフリットを溶融させた溶融ガラスが反射防止膜２を破壊し、反射防止膜２を分解・除去してファイヤースルーさせている。したがって、界面ガラス溜まりの発生を抑制するためには、大きな塊状の溶融ガラスが形成されるのを回避するのが好ましく、そのためにガラスフリットの粒径を微細にしてガラスフリットを導電性ペースト中に均一乃至略均一に分散させるのが有効であると考えられる。
【００６１】
例えば、ガラスフリットの粒径に大きなバラツキがある場合、導電性ペースト中には大粒径のガラスフリットと小粒径のガラスフリットが混在する。
【００６２】
そして、図４に示すように、微小凹凸構造を有する半導体基板１のｎ型半導体層１ａの表面に反射防止膜２が形成され、該反射防止膜２の表面に導電性ペーストが塗付され、乾燥状態の導電膜９が形成される。この場合、導電膜９中には粒径の大きなガラスフリット１０と粒径の小さなガラスフリット１１とが混在することとなる。
【００６３】
この導電膜９を、高速焼成炉を通過させて焼成すると、図５に示すように、大粒径のガラスフリット１０と小粒径のガラスフリット１１が集合して大きな塊状の溶融ガラスとなる。そして、ｎ型半導体層１ａ上の反射防止膜２は分解・除去されるものの、反射防止膜２が分解・除去された部分に界面ガラス溜まり部１２ａ、１２ｂが形成される。一方、界面ガラス溜まり部１２ａと界面ガラス溜まり部１２ｂとの間はガラス成分が少なく、このためファイヤースルーされずに反射防止膜２が残存し、反射防止膜残存部１３が形成される。すなわち、界面ガラス溜まり部１２ａ、１２ｂでは、反射防止膜２は分解・除去されるものの、該界面ガラス溜まり部１２ａ、１２ｂによって導電性粉末と半導体基板１との接触性が低下し、接触抵抗が高くなる。一方、反射防止膜残存部１３は、ファイヤースルーされずに反射防止膜２が残存するため、接触抵抗が大きくなる。
【００６４】
このように導電性ペースト中に大粒径のガラスフリット１０が混在している場合は、ファイヤースルー性が低下し、受光面電極３と半導体基板１との導通性低下を招くおそれがある。
【００６５】
一方、図６は、所定粒径以下に粒度調整されたガラスフリットのみを含有した導電膜周辺の要部拡大断面図である。
【００６６】
すなわち、導電性ペースト中には所定粒径以下に粒度調整されたガラスフリット１４のみが含有されており、有機ビヒクルに混練される工程で、ガラスフリットは均一乃至略均一に分散される。したがって、導電膜１５中でもガラスフリット１３は均一乃至略均一に分散して存在する。
【００６７】
この導電膜１５を、高速焼成炉を通過させて焼成すると、図７に示すように、ガラスフリット１４が溶融しても溶融ガラス１６は偏析することもなく、したがって界面ガラス溜まりを形成することもない。さらに、ガラスフリットが極端に少なくなる領域も存在せず、良好なファイヤースルー性を確保することができる。そしてこれにより、受光面電極３と半導体基板１との接触抵抗を低減することが可能となる。
【００６８】
このようにガラスフリットを導電性ペースト中で均一乃至略均一に分散させための所定粒径としては、Ｄ90径を５μｍ以下とする必要がある。すなわち、Ｄ90径が５μｍを超えて大きくなると、ガラスフリットを導電性ペースト中で均一乃至略均一に分散させることができず、焼成後に界面ガラス溜まりが生じ、十分に接触抵抗を低減させることができなくなる。
【００６９】
尚、ガラスフリットの平均粒径Ｄ50は、Ｄ90径が５μｍ以下であれば特に限定されるものではないが、通常は、０．１〜１．５μｍ程度のものが使用される。
【００７０】
また、ガラスフリットの総含有量も、特に限定されるものではないが、導電性粉末１００重量部に対し１〜６重量部が好ましい。
【００７１】
このように本実施の形態では、上記数式（１）〜（３）を満足するガラスフリットが導電性ペースト中に含有されているので、導電性ペースト中にガラスフリットを均一乃至略均一に分散させることができ、焼成過程で大きな溶融ガラスが形成されるのを抑制できる。したがって、界面ガラス溜まりが生じることもなく、ファイヤースルー性を向上させることができ、これにより接触抵抗を低減でき、変換効率の向上を図ることが可能となる。
【００７２】
また、ファイヤースルー性の更なる向上を図るためには、導電性ペースト中に導電性粉末１００重量部に対し１〜１５重量部のＺｎＯを含有させるのが好ましい。ＺｎＯは、焼成過程で反射防止膜２の分解・除去を促進して円滑なファイヤースルーを可能とし、受光面電極３と半導体基板１との接触抵抗を低くする。
【００７３】
特に、導電性ペースト中に比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを含有させるのが好ましく、これによりＢｉ２Ｏ３が２０〜３０モル％と多いガラスフリットの界面ガラス溜まりの形成を抑制し、ファイヤースルー性を向上させることができる。この場合、反射防止膜の分解作用は、導電性粉末とＺｎＯが接触している箇所で生じていると考えられる。
【００７４】
図８は、比表面積が６．５ｍ２／ｇ未満のＺｎＯを使用した場合の要部拡大断面図であり、図９は比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを使用した場合の要部拡大断面図である。
【００７５】
比表面積が６．５ｍ２／ｇ未満のＺｎＯを使用した場合は、図８に示すように、ＺｎＯ粒子１７の粒径が大きすぎるため、半導体基板１と受光面電極３との界面に空隙が発生し、溶融ガラス１８がＺｎＯ粒子１７とＺｎＯ粒子１７との間に流れ込みやすくなり、このため界面ガラス溜まりを形成して電気的接続性の低下を招くおそれがある。
【００７６】
これに対し、比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを使用した場合は、図９に示すように、ＺｎＯ粒子１９の粒径が適度に小さいので、適度な大きさの溶融ガラス２０が半導体基板１と受光面電極３との界面に流れ込み、良好な電気的接触を得ることができる。
【００７７】
ただし、ＺｎＯの比表面積が１２．５ｍ２／ｇ以上になると、比表面積が大きくなり過ぎ、このため受光面電極３へのはんだ付け性が低下するおそれがある。このようにはんだ付け性が低下する場合には、受光面電極３を２層構造とし、はんだ付け性に優れる電極を表面に形成すればよいが、製造工程の簡略化とコスト低減の観点からは１層ではんだ付け性を確保できることが好ましい。
【００７８】
したがって、ＺｎＯの比表面積は、６．５〜１２．５ｍ２／ｇが好ましく、より好ましくは６．５〜９．５ｍ２／ｇである。
【００７９】
尚、比表面積が上述の範囲内であれば、異なる比表面積を有する２種類以上のＺｎＯを含有させてもよい。
【００８０】
また、半導体基板１と受光面電極３との界面では焼成時に複雑な酸化還元反応が起こっていると考えられる。ここで、塩基度は溶融ガラスの酸化還元反応を考える上で重要な指標であり、塩基度が１．３１のＰｂＯを含む鉛系導電性ペーストで良好なファイヤースルー性が得られることから、同程度の塩基度を有するＢａＯ（塩基度：１．５６）、ＳｒＯ（塩基度：１．２７）、ＣａＯ（塩基度：１．００）はファイヤースルー性の向上に寄与することができる。ＢａＯは特に接触抵抗の低減に寄与することができる。具体的には、これらアルカリ土類金属酸化物、特にＢａＯを５モル％以上含有させることにより、より効果的に接触抵抗の低減を図ることができる。
【００８１】
導電性粉末としては、良好な導電性を有する金属粉であれば特に限定されるものではないが、焼成処理を大気中で行った場合であっても酸化されることなく良好な導電性を維持することができるＡｇ粉末を好んで使用することができる。尚、この導電性粉末の形状も、特に限定されるものではなく、例えば、球形状、扁平状、不定形形状、或いはこれらの混合粉であってもよい。
【００８２】
また、導電性粉末の平均粒径も、特に限定されるものではないが、導電性粉末と半導体基板１との間で、所望の接触点を確保する観点からは、球形粉換算で、１．０〜５．０μｍが好ましい。
【００８３】
有機ビヒクルは、バインダ樹脂と有機溶剤とが、例えば体積比率で、１〜３：７〜９となるように調製されている。尚、バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、又はこれらの組み合わせを使用することができる。また、有機溶剤についても特に限定されるものではなく、α―テルピネオール、キシレン、トルエン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を単独、或いはこれらを組み合わせて使用することができる。
【００８４】
また、導電性ペーストには、必要に応じて、フタル酸ジ２−エチルヘキシル、フタル酸ジブチル等の可塑剤を１種又はこれらの組み合わせを添加するのも好ましい。また、脂肪酸アマイドや脂肪酸等のレオロジー調整剤を添加するのも好ましく、さらにはチクソトロピック剤、増粘剤、分散剤などを添加してもよい。
【００８５】
そして、この導電性ペーストは、導電性粉末、上述したガラスフリット、有機ビヒクル、必要に応じて各種添加剤を所定の混合比率となるように秤量して混合し、三本ロールミル等を使用して分散・混練することにより、容易に製造することができる。
【００８６】
このように本実施の形態は、Ａｇ粉末等の導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有し、上記数式（１）〜（３）を満足するので、界面ガラス溜まりの形成を抑制すると共に、反射防止膜２のファイヤースルー性を向上させることができ、受光面電極と半導体基板との間の接触抵抗が低下した導通性の良好な変換効率の高い太陽電池を得ることが可能となる。
【００８７】
また、比表面積が６．５ｍ２／ｇ以上のＺｎＯを含有することにより、界面ガラス溜まりが生じることもなく、適度な大きさの溶融ガラスが前記界面に流れ込み、界面の接着強度も向上し接触抵抗のより一層の低減化が可能となる。
【００８８】
また、前記ＺｎＯは、比表面積が１２．５ｍ２／ｇ以下、より好ましくは９．５ｍ２／ｇ以下である場合は、はんだ付け性の劣化を招くことなく所望の低い接触抵抗を得ることができる。
【００８９】
また、前記ガラスフリットが、アルカリ土類金属酸化物、好ましくは５モル％以上のＢａＯを含有した場合は、接触抵抗をより一層低くすることができ、より良好な所望のファイヤースルー性を得ることができる。
【００９０】
そして、上記太陽電池は、受光面電極３と半導体基板１との間の接触抵抗が低減された導通性の良好な変換効率の高いものとなる。
【００９１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、必要に応じ、ガラスフリット中に種々の酸化物を含有させるのも好ましい。
【００９２】
例えば、ＴｉＯ２やＺｒＯ２は、ガラスフリット中に少量含有させるだけで、ガラスの化学的耐久性を飛躍的に向上させることが可能である。ただし、大量に含有させると核発生剤として作用するおそれがあるため、これらＴｉＯ２やＺｒＯ２をガラスフリットに含有させる場合は、ガラスフリット中の含有量は５モル％以下とするのが好ましい。
【００９３】
また、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物は、Ｂｉ２Ｏ３と同様、ガラスの軟化点を調整する機能を有することから、適宜含有させるのも好ましい。ただし、アルカリ金属酸化物をガラスフリット中に大量に含有させると、ガラスフリットの化学的耐久性が低下するおそれがあることから、ガラスフリット中のアルカリ金属酸化物の含有量は１０モル％以下とするのが好ましい。
【００９４】
また、Ａｌ２Ｏ３は、ガラスの中間酸化物として作用することから、ガラスフリット中に適量含有させるのも好ましい。Ａｌ２Ｏ３をガラスフリット中に含有させることにより、ガラスの結晶化を抑制し、安定した非晶質ガラスを得られ、化学的耐久性を向上させることが可能となる。
【００９５】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００９６】
〔試料の作製〕
（ガラスフリットの作製）
ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＢａＯ、Ａｌ２Ｏ３を、モル％で表１のような配合比率となるように調合し、ガラスフリットＡ〜Ｈを作製した。そして、ＴＧ−ＤＴＡ（熱重量−示差熱分析装置）を使用して熱分析を行い、各ガラスフリットＡ〜Ｌの軟化点を測定した。すなわち、アルミナ製容器に試料５ｍｇを収容し、標準試料にαアルミナを使用し、流量１００ｍＬ／分で測定装置内に空気を供給しながら、該測定装置を１分間に２０℃上昇するような焼成プロファイルで加熱し、温度に対する重量変化からＴＧ曲線及びＤＴＡ曲線を作成した。そして斯かるＴＧ曲線及びＤＴＡ曲線から各試料における軟化点を測定した。【００９７】
表１は、ガラスフリットＡ〜Ｈの成分組成、ＳｉＯ２に対するＢ２Ｏ３のモル比率α／β（以下、「Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２」と記す。）、及び軟化点Ｔｓを示している。【００９８】
【表１】
2012111477.tif 000003
【００９９】
この表１から明らかなように、ガラスフリットＡ〜Ｃ、Ｆ及びＧは、Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２が０．４以下、Ｂｉ２Ｏ３が２０〜３０モル％であり、本発明範囲内のガラスフリット組成を示している。【０１００】
これに対しガラスフリットＤは、Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２が０．４８であり、０．４を超えており、また、ガラスフリットＥはＢｉ２Ｏ３が４１モル％、ガラスフリットＨはＢｉ２Ｏ３が１６．８モル％であり、２０〜３０モル％の範囲内に入っておらず、本発明範囲外のガラスフリット組成を示している。【０１０１】
（導電性ペーストの作製）
導電性粉末として平均粒径が１．６μｍの球形Ａｇ粉末、比表面積が６．６ｍ２／ｇのＺｎＯを用意した。【０１０２】
次いで、有機ビヒクルを作製した。すなわち、バインダ樹脂としてエチルセルロース樹脂１０重量％、有機溶剤としてテキサノール９０重量％となるようにエチルセルロース樹脂とテキサノールとを混合し、有機ビヒクルを作製した。【０１０３】
そして、Ａｇ粉末が８３．０重量％、ＺｎＯが４．６重量％、ガラスフリットが２．１重量％、有機ビヒクルが１０．３重量％となるように配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、三本ロールミルで混練し、これにより試料番号１〜１１の導電性ペーストを作製した。【０１０４】
尚、導電性ペースト中に含有されるガラスフリットは、平均粒径（Ｄ50径）が０．８μｍ、Ｄ90径が２．１〜６．２μｍのものを使用した。【０１０５】
〔試料の評価〕
図１０に示すように反射防止膜上に所定の電極パターンを作製し、ＴＬＭ（Transmission Line Model）法により接触抵抗Ｒｃを求めた。【０１０６】
すなわち、横Ｘが５．０ｍｍ、縦Ｙが５．０ｍｍ、厚みＴが０．２ｍｍの多結晶のＳｉ系半導体基板２１の表面全域に膜厚０．１μｍの反射防止膜２２をプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）で形成した。尚、このＳｉ系半導体基板２１は、ｐ型Ｓｉ系半導体層の上面にｎ型Ｓｉ系半導体層が形成されている。【０１０７】
次いで、上記導電性ペーストを使用してスクリーン印刷を行い、所定パターンを有する膜厚２０μｍの導電膜を作製した。次いで、各試料を温度１５０℃に設定したオーブン中に入れて導電膜を乾燥させた。【０１０８】
その後、ベルト式近赤外炉（デスパッチ社製、ＣＤＦ７２１０）を使用し、試料が入口〜出口間を約１分で通過するように搬送速度を調整し、大気雰囲気下、焼成最高温度７５０℃で焼成し、電極２３ａ〜２３ｆが形成された試料番号１〜１１の試料を作製した。【０１０９】
ここで、各電極２３ａ〜２３ｆの距離Ｌ１〜Ｌ５を測定したところ、電極２３ａと電極２３ｂとの間の距離Ｌ１は２００μｍ、電極２３ｂと電極２３ｃとの間の距離Ｌ２は４００μｍ、電極２３ｃと電極２３ｄとの間の距離Ｌ３は６００μｍ、電極２３ｄと電極２３ｅとの間の距離Ｌ４は８００μｍ、電極２３ｅと電極２３ｆとの間の距離Ｌ５は１０００μｍであった。また、電極の長さＺはいずれも３．０ｍｍであった。【０１１０】
次いで、試料番号１〜１１の各試料について、ＴＬＭ法を使用して接触抵抗Ｒｃを求めた。【０１１１】
このＴＬＭ法は、薄膜試料の接触抵抗を評価する方法として広く知られており、伝送線理論を使用し、電極と下層の半導体基板をいわゆる伝送線回路と等価と考えて接触抵抗Ｒｃを算出する。すなわち、電極２３ａ〜２３ｆの長さＺ、ｎ型Ｓｉ系半導体層のシート抵抗ＲSH、電極間距離Ｌ、電極間抵抗Ｒとの間には、数式（４）が成立する。【０１１２】
Ｒ＝（Ｌ／Ｚ）×ＲSH＋２Ｒｃ・・・（４）【０１１３】
数式（４）から明らかなように、電極間抵抗Ｒと電極間距離Ｌとは直線関係を有する。したがって、電極間距離Ｌｎ（ｎ＝１〜５）における各抵抗Ｒを測定し、Ｌを０に外挿することによって２Ｒｃを求め、この２Ｒｃから接触抵抗Ｒｃを算出することができる。【０１１４】
そこで、本実施例では、電極間距離Ｌｎにおける各抵抗Ｒを測定し、試料番号１〜１１の各試料について接触抵抗Ｒｃを算出した。尚、ｎ型Ｓｉ系半導体層のシート抵抗ＲSHは、上記の数式（４）から導き出される直線について、横軸をＬ、縦軸をＲとしたときの傾きから算出できる。ここでは３０Ω／ｃｍであった。【０１１５】
表２は試料番号１〜１１の各試料のガラスフリット種、Ｄ50径、Ｄ90径、及び接触抵抗Ｒｃを示している。【０１１６】
【表２】
2012111477.tif 000004
【０１１７】
試料番号４は、接触抵抗Ｒｃが３．５１Ωと高くなった。これはガラスフリットＤを使用しており、Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２が０．４８であり、０．４を超えているため、Ａｇ粉末がＳｉ系半導体基板２１上に析出し難くなり、界面ガラス溜まりが生じ、電気的接触の形成を阻害したためと思われる。【０１１８】
試料番号５は、接触抵抗Ｒｃが４．４１Ωと高くなった。これはガラスフリットＥを使用しており、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量が４１．０モル％であり、３０モル％を超えているため、軟化点が５１１℃と低くなってガラス粘度が低下し、このためガラスフリットの流動性が過度に高くなり、その結果界面ガラス溜まりが生じたためと思われる。【０１１９】
試料番号８は、接触抵抗Ｒｃが３．６２Ωと高くなった。これはガラスフリットＨを使用しており、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量が１６．８モル％と少なく、軟化点が５８２℃と高いため、ファイヤースルー性が低下したためと思われる。【０１２０】
一方、試料番号１１は、ガラスフリットＡを使用しており、Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２及びＢｉ２Ｏ３の含有モル量は本発明範囲を満足しているが、接触抵抗Ｒｃが３．２５Ωと高くなった。これはＤ90径が６．２μｍと大きく、ガラスフリットの分散性に欠けるため、焼成後に界面ガラス溜まりが生じたためと思われる。【０１２１】
これに対し試料番号１〜３、６、７、９、１０は、Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２が０．４以下、Ｂｉ２Ｏ３の含有モル量が２０〜３０モル％のガラスフリットＡ〜Ｃ、Ｆ、Ｇを使用しており、かつＤ90径が５μｍ未満のガラスフリットを使用しているので、接触抵抗Ｒｃは１．５１〜２．４４Ωであり、３Ω以下に低減でき、高変換効率の太陽電池を作製できることが分かった。
【実施例２】
【０１２２】
実施例１の試料番号９と同一仕様のガラスフリットＡ（Ｄ50径：０．８μｍ、Ｄ90径：２．７μｍ）を用意した。そして、Ａｇ粉末が８３．０重量％、ＺｎＯが４．６重量％、ガラスフリットＡが２．１重量％、有機ビヒクルが１０．３重量％となるように配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、三本ロールミルで混練し、これにより試料番号２１〜２８の導電性ペーストを作製した。尚、導電性ペースト中に含有されるＺｎＯは、比表面積が３．４〜１５．６ｍ２／ｇのものを使用した。【０１２３】
次に、試料番号２１〜２８について、〔実施例１〕と同様の方法・手順でＴＬＭ法により接触抵抗Ｒｃを測定した。【０１２４】
また、試料番号２１〜２８について、以下の方法ではんだ付け性を評価した。【０１２５】
すなわち、〔実施例１〕と同様、半導体基板の表面に反射防止膜を形成し、次いで試料番号２１〜２８の導電性ペーストをスクリーン印刷し、導電膜を作製した。その後、これら各試料を１５０℃の温度に設定されたオーブンで乾燥した後、ベルト式近赤外炉を通過させ、大気雰囲気下、最高温度７８０℃で焼成して受光面電極を形成し、試料番号２１〜２８の接着強度測定用試料を作製した。尚、作製された受光面電極の外形寸法は、縦５０ｍｍ、横２ｍｍ、膜厚２０μｍの矩形形状であった。【０１２６】
次いで、これら試料番号２１〜２８の各試料について、約２５０℃に加熱されたはんだゴテを使用し、はんだリボンを電極表面に押し付けてはんだ付けし、その後、はんだリボンを引っ張った。【０１２７】
はんだリボンをはんだゴテで電極表面に接着できない場合を、はんだ付け性が不可（×）、接着後にはんだリボンを引っ張ったときに電極表面で剥離する場合を、はんだ付け性が可（△）、接着後にはんだリボンを引っ張っても電極剥離が生じなかった場合を、はんだ付け性が良（○）とし、はんだ付け性を評価した。【０１２８】
表３は、ＺｎＯの比表面積、接触抵抗Ｒｃ、はんだ付け性を示している。【０１２９】
【表３】
2012111477.tif 000005
【０１３０】
試料番号２１は、ＺｎＯの比表面積が３．４ｍ２／ｇと小さく、このため接触抵抗Ｒｃが３．６６Ωと高くなった。これはＺｎＯの比表面積が過度に小さいため、Ｓｉ系半導体基板２１と電極２３との界面に空隙が発生し、ＺｎＯ粒子とＺｎＯ粒子との間に溶融ガラスが流れ込みやすくなり、その結果、界面ガラス溜まりが生じ、このため接触抵抗Ｒｃが高くなったものと思われる。【０１３１】
一方、試料番号２８は、接触抵抗Ｒｃは良好であったが、ＺｎＯの比表面積が１５．０ｍ２／ｇ以上となって過度に大きいため、はんだ付けすることができなかった。【０１３２】
また、試料番号２６、２７は、接触抵抗Ｒｃは良好であり、またＺｎＯの比表面積が１０．３〜１２．１ｍ２／ｇ以上であり、はんだ付けすることはできたが、はんだリボンを引っ張ったときに電極表面で剥離した。【０１３３】
これに対し試料番号２２〜２５は、ＺｎＯの比表面積が６．５〜９．５ｍ２／ｇの範囲内にあるので、接触抵抗Ｒｃが低減でき、かつ良好なはんだ付け性を得ることができた。【０１３４】
以上より導電性ペースト中にＺｎＯを含有させる場合は、ＺｎＯの比表面積は６．５〜１２．５ｍ２／ｇ、好ましくは６．５〜９．５ｍ２／ｇであることが確認された。
【実施例３】
【０１３５】
実施例２の試料番号２４のＺｎＯ（比表面積：８．３ｍ２／ｇ）を用意した。そして、Ａｇ粉末が８３．０重量％、ＺｎＯが４．６重量％、表４に示す組成のガラスフリットが２．１重量％、有機ビヒクルが１０．３重量％となるように配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、三本ロールミルで混練し、これにより試料番号３１〜３７の導電性ペーストを作製した。【０１３６】
次に、試料番号３１〜３７について、〔実施例１〕と同様の方法・手順で軟化点、及び接触抵抗Ｒｃを測定した。【０１３７】
表４は、ガラスフリットのガラス組成、Ｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２、軟化点Ｔｓ、及び接触抵抗Ｒｃを示している。【０１３８】
【表４】
2012111477.tif 000006
【０１３９】
試料番号３１〜３３は、ガラスフリット中のアルカリ土類金属酸化物としてＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯを使用したものであり、試料番号３４は、アルカリ土類金属酸化物を含有していない試料である。【０１４０】
この試料番号３１〜３４から明らかなように、アルカリ土類金属酸化物を含有した試料番号３１〜３３は、アルカリ土類金属酸化物を含有していない試料番号３４に比べて接触抵抗Ｒｃを低減できることが分かった。特に、ＢａＯ（試料番号３１）は、他のアルカリ土類金属酸化物（試料番号３２、３３）に比べ、接触抵抗Ｒｃの低減に寄与することが確認できた。【０１４１】
試料番号３５〜３７は、アルカリ土類金属酸化物としてＢａＯを使用し、ガラスフリット中の含有モル量を異ならせたものである。【０１４２】
ＢａＯを５モル％以上含有させた試料番号３５、３６は、ＢａＯの含有モル量が５モル％未満の試料番号３７に比べて接触抵抗Ｒｃを低減できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
受光面電極の電極線幅が微細な場合であっても、良好なファイヤースルー性を有する非鉛系導電性ペーストを使用することにより、接触抵抗が低く変換効率の高い太陽電池を実現することができる。
【符号の説明】
【０１４４】
１    半導体基板
２    反射防止膜
３    受光面電極（電極）
【図１】
2012111477.tif 000007
【図２】
2012111477.tif 000008
【図３】
2012111477.tif 000009
【図４】
2012111477.tif 000010
【図５】
2012111477.tif 000011
【図６】
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【図７】
2012111477.tif 000013
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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