(57)【要約】  実施の形態の高周波パッケージ１００は、裏面に信号配線と接地導体３０を設けた第１の誘電体基板１０と、第１の誘電体基板の裏面に第１接続導体４０を介して接続された高周波素子２０と、前記裏面と前記高周波素子を挟み込んで対向する表面に信号配線と接地導体３０を設けた第２の誘電体基板１１と、前記高周波素子を囲むように配置され、第１の誘電体基板の裏面の接地導体と第２の誘電体基板の表面の接地導体とを接続する複数の第２接続導体４１とを備える。実施の形態の高周波パッケージ１００は、前記第２の誘電体基板の表面の高周波素子の下部に、導体パターンで囲まれた誘電体空間６０が形成されている。
2012140934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面に信号配線と接地導体を設けた第１の誘電体基板と、
第１の誘電体基板の裏面に第１接続導体を介して接続された高周波素子と、
前記裏面と前記高周波素子を挟み込んで対向する表面に信号配線と接地導体を設けた第２の誘電体基板と、
前記高周波素子を囲むように配置され、第１の誘電体基板の裏面の接地導体と第２の誘電体基板の表面の接地導体とを接続する複数の第２接続導体と、
を備え、
前記第２の誘電体基板の表面の高周波素子の下部に、導体パターンで囲まれた誘電体空間が形成されている
ことを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
前記導体パターンで囲まれた誘電体空間は、前記第２の誘電体基板を構成する誘電体が存在しないキャビティ空間
であることを特徴とする請求項１に記載の高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波パッケージの構成は、例えば特許文献１に開示されるように、裏面表層に信号配線と接地導体を有する第１の誘電体基板と、第１の誘電体基板の裏面表層に実装された高周波素子と、表面表層に信号配線と接地導体を有する第２の誘電体基板と、接続導体で構成され、高周波素子は第１の誘電体基板の裏面表層に実装され、高周波素子を第１の誘電体基板の裏面表層と第２の誘電体基板の表面表層とで挟みこむように構成され、接続導体が高周波素子を囲むように第１および第２の誘電体基板の接地導体間で接続され、遮蔽空間を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０２６９９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術によれば、高周波素子の１辺のサイズが基本周波数の１／２波長と近い大きさになった場合、空洞共振周波数が基本周波数近傍に発生する。このため、高周波素子がアクティブ素子であった場合、端子間のアイソレーションが確保できず、発振してしまうという問題があった。【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、端子間のアイソレーションが改善した高周波パッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、裏面に信号配線と接地導体を設けた第１の誘電体基板と、第１の誘電体基板の裏面に第１接続導体を介して接続された高周波素子と、前記裏面と前記高周波素子を挟み込んで対向する表面に信号配線と接地導体を設けた第２の誘電体基板と、前記高周波素子を囲むように配置され、第１の誘電体基板の裏面の接地導体と第２の誘電体基板の表面の接地導体とを接続する複数の第２接続導体とを備え、前記第２の誘電体基板の表面の高周波素子の下部に、導体パターンで囲まれた誘電体空間が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、端子間のアイソレーションが改善した高周波パッケージを得るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかる高周波パッケージの回路構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態２にかかる高周波パッケージの回路構成を示す図である。
【図３−１】図３−１は、誘電体空間が無い場合の端子間アイソレーションの計算結果を示す図である。
【図３−２】図３−２は、本発明の実施の形態１にかかる誘電体空間が有る場合の端子間アイソレーションの計算結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる高周波パッケージ１００の回路構成を示す図である。高周波パッケージ１００は、裏面表層に信号配線と接地導体を有する第１の誘電体基板１０、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装された高周波素子２０、表面表層に信号配線と接地導体３０を有し、導体からなるビア５０および内層パターン５１で周りを囲まれて構成された誘電体空間６０を有する第２の誘電体基板１１、第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０間を接続する接続導体であるはんだボール４１を備える。
【００１１】
実施の形態１にかかる高周波パッケージ１００の動作について説明する。高周波素子２０は、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装されている。また、高周波素子２０は第１の誘電体基板１０と第２の誘電体基板１１で挟みこむように囲まれ、さらにはんだボール４１が高周波素子２０を囲むように第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０の間で接続され、遮蔽空間を有している。
【００１２】
ここで、第２の誘電体基板１１の高周波素子２０の下部には、導体であるビア５０および内層パターン５１で囲まれて構成される誘電体空間６０が構成されている。このため、遮蔽空間内の実効的な誘電率は誘電体空間６０の誘電率分だけ大きくなり、空洞共振周波数は低い周波数にずれることで端子間のアイソレーションが改善することになる。
【００１３】
図３−１に誘電体空間が無い場合の端子間アイソレーションの計算結果を、図３−２に誘電体空間が有る場合の端子間アイソレーションの計算結果をそれぞれ示す。図３−１および図３−２を比較することで、本実施の形態による誘電体空間の存在により端子間アイソレーションが改善されることがわかる。
【００１４】
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２にかかる高周波パッケージ２００の回路構成を示す図である。高周波パッケージ２００は、裏面表層に信号配線と接地導体を有する第１の誘電体基板１０、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装された高周波素子２０、表面表層に信号配線と接地導体３０を有し、導体からなるビア５０および内層パターン５１で周りを囲まれたキャビティ空間７０を有する第２の誘電体基板１１、第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０間を接続する接続導体であるはんだボール４１を備える。
【００１５】
実施の形態２にかかる高周波パッケージ２００の動作について説明する。高周波素子２０は、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装されている。また、高周波素子２０は第１の誘電体基板１０と第２の誘電体基板１１で挟みこむように囲まれ、さらにはんだボール４１が高周波素子２０を囲むように第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０の間で接続され、遮蔽空間を有している。
【００１６】
ここで、第２の誘電体基板１１の高周波素子２０の下部には、導体であるビア５０および内層パターン５１で囲まれたキャビティ空間７０が構成されている。このため、遮蔽空間内の実効的な誘電率はキャビティ空間７０の誘電率分だけ小さくなり、空洞共振周波数が高い周波数にずれることで端子間のアイソレーションが改善することになる。
【００１７】
更に、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。
【００１８】
例えば、上記実施の形態１および２それぞれに示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態１および２にわたる構成要件を適宜組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
以上のように、本発明にかかる高周波パッケージは、端子間のアイソレーションに有用であり、特に、高周波素子がアクティブ素子であった場合に適している。
【符号の説明】
【００２０】
１０  第１の誘電体基板
１１  第２の誘電体基板
２０  高周波素子
３０  接地導体
４０  接続導体
４１  はんだボール
５０  ビア
５１  内層パターン
６０  誘電体空間
７０  キャビティ空間
１００、２００  高周波パッケージ
【図１】
2012140934.tif 000003
【図２】
2012140934.tif 000004
【図３−１】
2012140934.tif 000005
【図３−２】
2012140934.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面に信号配線と第１接地導体を設けた第１の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板の前記裏面に第１接続導体を介して接続された高周波素子と、
前記裏面と前記高周波素子および遮蔽空間を挟み込んで対向する表面に信号配線と第２接地導体を設けた第２の誘電体基板と、
前記遮蔽空間を介して前記高周波素子を囲むように前記第１接地導体と前記第２接地導体とを接続する複数の第２接続導体と、
を備え、
前記第２の誘電体基板の前記表面の前記遮蔽空間に接して前記高周波素子に対向する領域には、導体のパターンで周りを囲まれた誘電体空間が形成されている
ことを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
（削除）
【国際調査報告】
2012140934.tif 000007
2012140934.tif 000008
2012140934.tif 000009
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