(57)【要約】  走査電極駆動回路を構成する部品の数を抑制し、簡素な構成の走査電極駆動回路を実現する。そのために、走査パルス発生回路は、走査パルス発生回路の基準電位に重畳する正の電圧を発生する第１電源と、第１電源の高圧側の電圧を複数の走査電極のそれぞれに出力する複数の高圧側トランジスタと、第１電源の低圧側の電圧を複数の走査電極のそれぞれに出力する複数の低圧側トランジスタとを有する。下り波形発生回路は、基準電位に重畳する正の電圧を発生する第２電源と、一方の端子が第２電源の高圧側に接続され、他方の端子が接地電位に接続されたミラー積分回路とを有し、負の電圧まで降下する下り傾斜波形電圧を発生する。
2012114735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記走査電極に駆動電圧波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、
初期化期間、書込み期間、および維持期間を有するサブフィールドを複数用いて１フィールドを構成して前記プラズマディスプレイパネルに画像を表示するプラズマディスプレイ装置であって、
前記走査電極駆動回路は、
前記初期化期間に前記走査電極に印加する下り傾斜波形電圧を発生する下り波形発生回路と、
前記書込み期間に前記走査電極に印加する走査パルスを発生する走査パルス発生回路とを備え、
前記走査パルス発生回路は、
前記走査パルス発生回路の基準電位に重畳する正の電圧を発生する第１電源と、
前記第１電源の高圧側の電圧を複数の前記走査電極のそれぞれに出力する複数の高圧側トランジスタと、
前記第１電源の低圧側の電圧を複数の前記走査電極のそれぞれに出力する複数の低圧側トランジスタとを有し、
前記下り波形発生回路は、
前記基準電位に重畳する正の電圧を発生する第２電源と、
一方の端子が前記第２電源の高圧側に接続され、他方の端子が接地電位に接続されたミラー積分回路とを有し、負の電圧まで降下する下り傾斜波形電圧を発生する
ことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記走査電極駆動回路は、抵抗分割回路と比較回路とを有し、
前記抵抗分割回路は、前記第１電源および前記第２電源のうち出力電圧が高い方の電源の出力電圧を抵抗分圧して出力電圧が低い方の電源の電圧に等しい電圧を発生し、前記出力電圧が低い方の電源の電圧に等しい電圧が発生した節点に、前記出力電圧が低い方の電源の出力端子を、逆流防止用のダイオードを介して接続し、
前記比較回路においては、前記節点の電圧、または前記節点の電圧を抵抗分圧した電圧を所定の閾値電圧と比較し、前記第１電源または前記第２電源の過電圧を検出する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流面放電型のプラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面基板と背面基板との間に多数の放電セルが形成されている。【０００３】
前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面側のガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。【０００４】
背面基板は、背面側のガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。【０００５】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように、前面基板と背面基板とを対向配置して密封する。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスを封入し、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルを形成する。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生し、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光してカラーの画像表示を行う。【０００６】
放電セルにおける発光と非発光との２値制御を組み合わせてパネルの画像表示領域に画像を表示する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。【０００７】
サブフィールド法では、１フィールドを、発光輝度が互いに異なる複数のサブフィールドに分割する。そして、各放電セルでは、所望の階調値に応じた組合せで各サブフィールドの発光・非発光を制御する。これにより１フィールドの発光輝度を所望の階調値にして各放電セルを発光し、パネルの画像表示領域に、様々な階調値の組合せで構成された画像を表示する。【０００８】
サブフィールド法において、各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００９】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生する初期化動作を行う。これにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成するとともに、書込み放電を安定して発生するためのプライミング粒子（放電を発生させるための励起粒子）を発生する。【００１０】
書込み期間では、走査電極に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号にもとづき選択的に書込みパルスを印加する。これにより、発光を行うべき放電セルの走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生し、その放電セル内に壁電荷を形成する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。【００１１】
維持期間では、サブフィールド毎に定められた輝度重みにもとづく数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。これにより、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルの蛍光体層を発光させる（以下、放電セルを維持放電により発光させることを「点灯」、発光させないことを「非点灯」とも記す）。これにより、各サブフィールドにおいて、各放電セルを、輝度重みに応じた輝度で発光させる。このようにして、パネルの各放電セルを画像信号の階調値に応じた輝度で発光させて、パネルの画像表示領域に画像を表示する。【００１２】
上述の駆動方法においては、初期化期間に弱い初期化放電を発生する。また、維持期間において最後の維持パルスを発生した後に消去放電を発生する。そのために、緩やかに上昇または下降する傾斜波形電圧を発生し、表示電極対の一方または両方に印加する必要がある。【００１３】
そして、この傾斜波形電圧を安定して発生するために、ミラー積分回路が主に用いられている（例えば、特許文献１参照）。【００１４】
高精細度化された大画面のパネルを用いたプラズマディスプレイ装置では、各電極に印加する電圧は相対的に高くなる傾向にある。そのため、上述の上昇する傾斜波形電圧においては最大電圧がより高くなる傾向にあり、下降する傾斜波形電圧においては最低電圧がより低くなる傾向にある。【００１５】
そして、そのような傾向にともない、電極を駆動する回路の構成はより複雑になっている。そのため、回路を構成する部品の数はより増加し、回路を搭載する基板の面積はより拡大している。【００１６】
したがって、高精細度化された大画面のパネルを用いたプラズマディスプレイ装置においては、回路を構成する部品の数を抑制することが望まれており、例えば、簡素な構成の走査電極駆動回路が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平１１−１３３９１４号公報
【発明の概要】
【００１８】
本発明は、走査電極を有する放電セルを複数備えたパネルと、走査電極に駆動電圧波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、初期化期間、書込み期間、および維持期間を有するサブフィールドを複数用いて１フィールドを構成してパネルに画像を表示するプラズマディスプレイ装置である。このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、初期化期間に走査電極に印加する下り傾斜波形電圧を発生する下り波形発生回路と、書込み期間に走査電極に印加する走査パルスを発生する走査パルス発生回路とを備える。走査パルス発生回路は、走査パルス発生回路の基準電位に重畳する正の電圧を発生する第１電源と、第１電源の高圧側の電圧を複数の走査電極のそれぞれに出力する複数の高圧側トランジスタと、第１電源の低圧側の電圧を複数の走査電極のそれぞれに出力する複数の低圧側トランジスタとを有する。下り波形発生回路は、基準電位に重畳する正の電圧を発生する第２電源と、一方の端子が第２電源の高圧側に接続され、他方の端子が接地電位に接続されたミラー積分回路とを有し、負の電圧まで降下する下り傾斜波形電圧を発生する。
【００１９】
これにより、プラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路を構成する部品の数を抑制し、簡素な構成の走査電極駆動回路を実現することができる。
【００２０】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、抵抗分割回路と比較回路とを有する。抵抗分割回路は、第１電源および第２電源のうち出力電圧が高い方の電源の出力電圧を抵抗分圧して出力電圧が低い方の電源の電圧に等しい電圧を発生する。そして、出力電圧が低い方の電源の電圧に等しい電圧が発生した節点に、出力電圧が低い方の電源の出力端子を、逆流防止用のダイオードを介して接続する。比較回路においては、上述の節点の電圧、または上述の節点の電圧を抵抗分圧した電圧を所定の閾値電圧と比較し、第１電源または第２電源の過電圧を検出する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列図である。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置を構成する回路ブロックの一例を概略的に示す図である。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の一構成例を概略的に示す図である。
【図５】図５は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【図６】図６は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路における過電圧検出回路の一構成例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２３】
（実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。
【００２４】
ガラス製の前面基板１１上には、走査電極１２と維持電極１３とからなる表示電極対１４が複数形成されている。そして、走査電極１２と維持電極１３とを覆うように誘電体層１５が形成され、その誘電体層１５上に保護層１６が形成されている。
【００２５】
この保護層１６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料で形成されている。
【００２６】
保護層１６は、一つの層で構成されていてもよく、あるいは複数の層で構成されていてもよい。また、層の上に粒子が存在する構成であってもよい。
【００２７】
背面基板２１上にはデータ電極２２が複数形成され、データ電極２２を覆うように誘電体層２３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁２４が形成されている。そして、隔壁２４の側面および誘電体層２３上には赤色（Ｒ）に発光する蛍光体層２５Ｒ、緑色（Ｇ）に発光する蛍光体層２５Ｇ、および青色（Ｂ）に発光する蛍光体層２５Ｂが設けられている。以下、蛍光体層２５Ｒ、蛍光体層２５Ｇ、蛍光体層２５Ｂをまとめて蛍光体層２５とも記す。
【００２８】
これら前面基板１１と背面基板２１とを、微小な空間を挟んで表示電極対１４とデータ電極２２とが交差するように対向配置し、前面基板１１と背面基板２１との間隙に放電空間を設ける。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。その放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスを放電ガスとして封入する。
【００２９】
放電空間は隔壁２４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対１４とデータ電極２２とが交差する部分に、画素を構成する放電セルが形成される。
【００３０】
そして、これらの放電セルで放電を発生し、放電セルの蛍光体層２５を発光（放電セルを点灯）することにより、パネル１０にカラーの画像を表示する。
【００３１】
なお、パネル１０においては、表示電極対１４が延伸する方向に配列された連続する３つの放電セルで１つの画素を構成する。この３つの放電セルとは、蛍光体層２５Ｒを有し赤色（Ｒ）に発光する放電セル（赤の放電セル）と、蛍光体層２５Ｇを有し緑色（Ｇ）に発光する放電セル（緑の放電セル）と、蛍光体層２５Ｂを有し青色（Ｂ）に発光する放電セル（青の放電セル）である。
【００３２】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００３３】
図２は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の電極配列図である。
【００３４】
パネル１０には、水平方向（行方向、ライン方向）に延長されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極１２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極１３）が配列され、垂直方向（列方向）に延長されたｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極２２）が配列されている。
【００３５】
そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した領域に放電セルが１つ形成される。すなわち、１対の表示電極対１４上には、ｍ個の放電セルが形成され、ｍ／３個の画素が形成される。そして、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成され、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の画像表示領域となる。例えば、画素数が１９２０×１０８０個のパネルでは、ｍ＝１９２０×３となり、ｎ＝１０８０となる。
【００３６】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。
【００３７】
図３は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置３０を構成する回路ブロックの一例を概略的に示す図である。
【００３８】
プラズマディスプレイ装置３０は、パネル１０と、パネル１０を駆動する駆動回路とを備えている。駆動回路は、画像信号処理回路３１、データ電極駆動回路３２、走査電極駆動回路３３、維持電極駆動回路３４、タイミング発生回路３５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００３９】
画像信号処理回路３１に入力される画像信号は、赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号である。画像信号処理回路３１は、赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号にもとづき、各放電セルに赤、緑、青の各階調値（１フィールドで表現される階調値）を設定する。なお、画像信号処理回路３１は、入力される画像信号が輝度信号（Ｙ信号）および彩度信号（Ｃ信号、またはＲ−Ｙ信号およびＢ−Ｙ信号、またはｕ信号およびｖ信号等）を含むときには、その輝度信号および彩度信号にもとづき赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号を算出し、その後、各放電セルに赤、緑、青の各階調値を設定する。そして、各放電セルに設定した赤、緑、青の階調値を、サブフィールド毎の点灯・非点灯を示す画像データ（発光・非発光をデジタル信号の「１」、「０」に対応させたデータのこと）に変換して出力する。すなわち、画像信号処理回路３１は、赤の画像信号、緑の画像信号、青の画像信号を、赤の画像データ、緑の画像データ、青の画像データに変換して出力する。
【００４０】
タイミング発生回路３５は、水平同期信号および垂直同期信号にもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生する。そして、発生したタイミング信号をそれぞれの回路ブロック（データ電極駆動回路３２、走査電極駆動回路３３、維持電極駆動回路３４、および画像信号処理回路３１等）へ供給する。
【００４１】
走査電極駆動回路３３は、上り波形発生回路、下り波形発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路（図３には示さず）を備え、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに印加する。上り波形発生回路および下り波形発生回路、は、タイミング信号にもとづき、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生する。維持パルス発生回路は、タイミング信号にもとづき、維持期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動ＩＣ（走査ＩＣ）を備え、タイミング信号にもとづき、書込み期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する。
【００４２】
維持電極駆動回路３４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生する回路（図３には示さず）を備え、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎのそれぞれに印加する。維持期間では、タイミング信号にもとづいて維持パルスを発生し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。初期化期間および書込み期間では、タイミング信号にもとづいて電圧Ｖｅを発生し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する。
【００４３】
データ電極駆動回路３２は、画像信号処理回路３１から出力される各色の画像データおよびタイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづき、各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する書込みパルスを発生する。そして、データ電極駆動回路３２は、書込み期間に、その書込みパルスを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに印加する。
【００４４】
次に、プラズマディスプレイ装置３０が有する走査電極駆動回路について説明する。
【００４５】
図４は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置３０の走査電極駆動回路３３の一構成例を概略的に示す図である。
【００４６】
なお、走査電極駆動回路３３は、後述するように抵抗分割回路および比較回路を備えた過電圧検出回路を有するが、図４では、その過電圧検出回路は省略している。
【００４７】
走査電極駆動回路３３は、走査パルス発生回路４０、維持パルス発生回路５０、上り波形発生回路５５、下り波形発生回路６０、およびトランジスタＱ５９を有する。
【００４８】
トランジスタＱ５９は分離スイッチである。例えば、下り波形発生回路６０が動作しているときに、トランジスタＱ５９を遮断する。こうして、上り波形発生回路５５および維持パルス発生回路５０と下り波形発生回路６０とを電気的に分離し、電流の逆流を防止する。
【００４９】
走査パルス発生回路４０は、第１電源Ｅ４１、高圧側トランジスタＱＨ１〜高圧側トランジスタＱＨｎ、および低圧側トランジスタＱＬ１〜低圧側トランジスタＱＬｎを有する。以下、高圧側トランジスタＱＨ１〜高圧側トランジスタＱＨｎを「トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎ」と表記し、低圧側トランジスタＱＬ１〜低圧側トランジスタＱＬｎを「トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎ」と表記する。
【００５０】
なお、図４に、「Ａ」と記した節点の電位は、走査パルス発生回路４０の基準電位である。以下、この節点を「節点Ａ」と表記する。
【００５１】
第１電源Ｅ４１は、走査パルス発生回路４０の基準電位である節点Ａの電圧に正の電圧Ｖｐを重畳する。なお、本実施の形態においては、第１電源Ｅ４１をトランスおよび整流回路を用いて構成している。しかし、第１電源Ｅ４１は他の構成の電源回路であってもよい。
【００５２】
トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎは、第１電源Ｅ４１の高電圧側の端子に接続されており、第１電源Ｅ４１の高電圧側の電圧（すなわち、節点Ａの電圧に正の電圧Ｖｐを重畳した電圧）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【００５３】
トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎは、第１電源Ｅ４１の低電圧側の端子に接続されており、第１電源Ｅ４１の低電圧側の電圧（すなわち、節点Ａの電圧）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【００５４】
そして、走査パルス発生回路４０は、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづき、書込み期間においてトランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎおよびトランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎのオン・オフを切り換えて走査パルスを発生し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【００５５】
維持パルス発生回路５０は、トランジスタＱ５１、トランジスタＱ５２、および電力回収部５３を備える。
【００５６】
電力回収部５３は、インダクタおよび電力回収用のコンデンサを有する。そして、そのインダクタとパネル１０の電極間容量とのＬＣ共振により、パネル１０の電極間容量に蓄えられた電力を電力回収用のコンデンサに回収する。また、ＬＣ共振により、電力回収用のコンデンサに蓄えられた電力を、維持パルスの発生に再利用する。
【００５７】
トランジスタＱ５１は、節点Ａの電圧を、維持パルスの高圧側の電圧Ｖｓにクランプする。トランジスタＱ５２は、節点Ａの電圧を、維持パルスの低圧側の電圧０（Ｖ）にクランプする。
【００５８】
そして、維持パルス発生回路５０は、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづき、維持期間においてトランジスタＱ５１、トランジスタＱ５２、および電力回収部５３を切り換えながら動作させる。こうして節点Ａの電位を電圧Ｖｓと電圧０（Ｖ）との間で変位させて維持パルスを発生する。
【００５９】
各トランジスタには、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＩＧＢＴ）や電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）等を用いることができる。
【００６０】
本実施の形態では、トランジスタＱ５１、トランジスタＱ５２、トランジスタＱ５９のそれぞれに絶縁ゲートバイポーラトランジスタを用いている。そして、図４に示すように、エミッタからコレクタに向かう電流（通常動作時に流れる順方向の電流とは逆方向の電流）をバイパスさせるためのダイオードを、各トランジスタに並列に接続している。これは、逆方向の電流から絶縁ゲートバイポーラトランジスタを保護するためである。
【００６１】
なお、各トランジスタに電界効果トランジスタを用いる場合には、このダイオードを省略することができる。それは、電界効果トランジスタに内蔵されたダイオード（ボディーダイオード）が、エミッタからコレクタに向かう逆方向の電流をバイパスできるためである。
【００６２】
上り波形発生回路５５は、トランジスタＱ５５、コンデンサＣ５５、および抵抗Ｒ５５で構成されたミラー積分回路である。このミラー積分回路は、電圧Ｖｒの電源に接続されており、上り波形発生回路５５は、節点Ａの電圧を、電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇させる。こうして、このミラー積分回路は、電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。
【００６３】
下り波形発生回路６０は、第２電源Ｅ６１、ミラー積分回路、およびトランジスタＱ６３を有する。
【００６４】
第２電源Ｅ６１は、走査パルス発生回路４０の基準電位である節点Ａの電圧に正の電圧Ｖａを重畳する。なお、本実施の形態においては、第２電源Ｅ６１をトランスおよび整流回路を用いて構成している。しかし、第２電源Ｅ６１は他の構成の電源回路であってもよい。
【００６５】
ミラー積分回路は、トランジスタＱ６２、コンデンサＣ６２、および抵抗Ｒ６２とで構成されている。このミラー積分回路は、一方の端子が第２電源Ｅ６１の高圧側の端子に接続され、他方の端子が接地電位（電圧０（Ｖ））に接続されている。以下、第２電源Ｅ６１の高圧側の端子を「節点Ｂ」と表記する。
【００６６】
そして、このミラー積分回路は、節点Ｂの電圧を電圧０（Ｖ）に向かって緩やかに下降させることで、節点Ａの電圧を、負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに下降させる。こうして、このミラー積分回路は、負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生する。
【００６７】
トランジスタＱ６３は、第２電源Ｅ６１の節点Ｂを接地電位（電圧０（Ｖ））にクランプする。これにより、節点Ａの電圧を負の電圧（−Ｖａ）にクランプする。
【００６８】
例えば、書込み期間においては、トランジスタＱ６３をオンにして節点Ａの電圧を負の電圧（−Ｖａ）にクランプすることで、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎには負の電圧（−Ｖａ）を、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎには負の電圧（−Ｖａ）に電圧Ｖｐを重畳した電圧Ｖｃを印加することができる。これにより、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子ＱＨｉをオフにし、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることで、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の電圧（−Ｖａ）の走査パルスを印加することができる。また、走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子ＱＬｈをオフにし、スイッチング素子ＱＨｈをオンにすることで、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖｃを印加することができる。
【００６９】
このように、走査電極駆動回路３３は、走査パルス発生回路４０の基準電位である節点Ａの電圧を、正の電圧Ｖｓ、または電圧０（Ｖ）、または負の電圧（−Ｖａ）にすることができる。さらに、節点Ａの電圧を電圧Ｖｒに向かって上昇させることで上り傾斜波形電圧を発生し、節点Ａの電圧を負の電圧（−Ｖａ）に向かって降下させることで下り傾斜波形電圧を発生することができる。
【００７０】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。
【００７１】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によってパネル１０を駆動する。サブフィールド法では、画像信号の１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。したがって、各フィールドは輝度重みが異なる複数のサブフィールドを有する。
【００７２】
それぞれのサブフィールドは初期化期間Ｔｉ、書込み期間Ｔｗ、および維持期間Ｔｓを有する。そして、画像信号にもとづき、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御する。すなわち、画像信号にもとづき、発光するサブフィールドと非発光のサブフィールドとを組み合わせることによって、画像信号にもとづく複数の階調をパネル１０に表示する。
【００７３】
初期化期間Ｔｉでは、放電セルに初期化放電を発生し、続く書込み期間Ｔｗにおける書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化動作を行う。
【００７４】
初期化動作には、直前のサブフィールドの動作にかかわらず全ての放電セルに強制的に初期化放電を発生する「強制初期化動作」と、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み放電を発生した放電セルだけに選択的に初期化放電を発生する「選択初期化動作」とがある。強制初期化動作では、上昇する傾斜波形電圧および下降する傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加して、放電セルに初期化放電を発生する。選択初期化動作では、下降する傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加して、放電セルに選択的に初期化放電を発生する。
【００７５】
なお、本実施の形態では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルで強制初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルで選択初期化動作を行う構成を説明する。しかし、本発明はこの構成に限定されるものではない。例えば、複数のフィールドに１回だけ強制初期化動作を行う構成であってもよい。あるいは、複数のサブフィールドに１つだけ初期化期間を有するサブフィールドを設ける構成や、複数のフィールドに１つだけ初期化期間を有するサブフィールドを設ける構成であってもよい。
【００７６】
以下、強制初期化動作を行う初期化期間Ｔｉを「強制初期化期間」と呼称し、強制初期化期間を有するサブフィールドを「強制初期化サブフィールド」と呼称する。また、選択初期化動作を行う初期化期間Ｔｉを「選択初期化期間」と呼称し、選択初期化期間を有するサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する。
【００７７】
なお、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１を強制初期化サブフィールドとし、他のサブフィールド（サブフィールドＳＦ２以降のサブフィールド）を選択初期化サブフィールドとする。しかし、本発明は、強制初期化サブフィールドとするサブフィールドおよび選択初期化サブフィールドとするサブフィールドが何ら上述したサブフィールドに限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【００７８】
書込み期間Ｔｗでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加するとともにデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに選択的に書込みパルスを印加し、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生する。そして、続く維持期間Ｔｓで維持放電を発生するための壁電荷をその放電セル内に形成する書込み動作を行う。
【００７９】
維持期間Ｔｓでは、それぞれのサブフィールドに設定された輝度重みに所定の比例定数を乗じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎおよび維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに交互に印加し、直前の書込み期間に書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルを発光する維持動作を行う。この比例定数が輝度倍数である。
【００８０】
輝度重みとは、各サブフィールドで表示する輝度の大きさの比を表すものであり、各サブフィールドでは輝度重みに応じた数の維持パルスを維持期間に発生する。そのため、例えば、輝度重み「８」のサブフィールドは、輝度重み「１」のサブフィールドの約８倍の輝度で発光し、輝度重み「２」のサブフィールドの約４倍の輝度で発光する。したがって、例えば、輝度重み「８」のサブフィールドと輝度重み「２」のサブフィールドを発光すれば、階調値「１０」に相当する輝度で放電セルを発光することができる。
【００８１】
こうして、画像信号に応じた組合せでサブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御して各サブフィールドを選択的に発光することにより、様々な階調値で各放電セルを発光する。すなわち、各放電セルに画像信号に応じた階調値を表示し、画像信号にもとづく画像をパネル１０に表示することができる。
【００８２】
なお、本実施の形態では、１フィールドをサブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８までの８のサブフィールドで構成し、サブフィールドＳＦ１からサブフィールドＳＦ８までの各サブフィールドにそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを設定する例を説明する。そして、サブフィールドＳＦ１を強制初期化サブフィールドとし、サブフィールドＳＦ２からサブフィールドＳＦ８を選択初期化サブフィールドとする。
【００８３】
しかし、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数、強制初期化動作の発生頻度、各サブフィールドが有する輝度重み等が上述した数値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【００８４】
図５は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置３０に用いるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【００８５】
図５には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００８６】
また、図５には、強制初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２およびサブフィールドＳＦ３を示す。サブフィールドＳＦ１とサブフィールドＳＦ２以降のサブフィールドでは、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する駆動電圧の波形形状が異なる。
【００８７】
なお、サブフィールドＳＦ４以降のサブフィールドは図示していないが、サブフィールドＳＦ１を除く各サブフィールドは選択初期化サブフィールドであり、維持パルスの発生数を除き、各期間でほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。
【００８８】
まず、強制初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１について説明する。
【００８９】
強制初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｔｉ１の前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにも電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧０（Ｖ）を印加した後に電圧Ｖｐを印加し、電圧Ｖｐから（電圧Ｖｐ＋電圧Ｖｒ）まで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。このとき、電圧Ｖｐは、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧よりも低い電圧に設定し、（電圧Ｖｐ＋電圧Ｖｒ）は、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００９０】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに上り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作を説明する。
【００９１】
まず、トランジスタＱ５２およびトランジスタＱ５９をオンにして、節点Ａの電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。そして、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎをオンにし、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎをオフにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、節点Ａの電圧に電圧Ｖｐを重畳した電圧を印加する。こうして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｐを印加する。
【００９２】
次に、トランジスタＱ５２をオフにする。そして、抵抗Ｒ５５を通してトランジスタＱ５５に電流を流し込み、上り波形発生回路５５のミラー積分回路を動作させる。これにより、節点Ａの電圧は電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎを介して、節点Ａの電圧に電圧Ｖｐを重畳した電圧が印加される。したがって、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｐから（電圧Ｖｐ＋電圧Ｖｒ）に向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加することができる。
【００９３】
以上が、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに上り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作である。
【００９４】
この上り傾斜波形電圧が上昇する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上には正の壁電圧が蓄積される。この電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００９５】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧が（電圧Ｖｐ＋電圧Ｖｒ）に到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧を電圧Ｖｓまで下げる。
【００９６】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間の後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｓよりも低い正の電圧Ｖｅを印加する。データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加したままにする。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｓから負の電圧Ｖｉまで緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。電圧Ｖｓは、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Ｖｉは、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００９７】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに下り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作を説明する。
【００９８】
まず、トランジスタＱ５５をオフにして上り波形発生回路５５のミラー積分回路の動作を停止する。次に、トランジスタＱ５１およびトランジスタＱ５９をオンにして、節点Ａの電圧を電圧Ｖｓにクランプする。そして、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎをオフにし、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに節点Ａの電圧である電圧Ｖｓを印加する。
【００９９】
次に、トランジスタＱ５１およびトランジスタＱ５９をオフにする。そして、抵抗Ｒ６２を通してトランジスタＱ６２に電流を流し込み、下り波形発生回路６０のミラー積分回路を動作させる。これにより、節点Ｂの電圧は（電圧Ｖｓ＋電圧Ｖａ）から電圧０（Ｖ）に向かって緩やかに降下し、節点Ａの電圧は電圧Ｖｓから負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに降下する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎを介して、節点Ａの電圧が印加される。したがって、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧Ｖｓから負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに降下する下り傾斜波形電圧を印加することができる。
【０１００】
以上が、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに下り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作である。
【０１０１】
この下り傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間に、再び微弱な初期化放電が発生する。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正の壁電圧は、書込み期間での書込み動作に適した電圧に調整される。
【０１０２】
そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する下り傾斜波形電圧が電圧Ｖｉに到達したら、下り傾斜波形電圧の電圧降下を停止する。これは、放電セル内の壁電圧を微調整するためである。
【０１０３】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形である。そして、強制初期化波形を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する動作が強制初期化動作である。
【０１０４】
以上により、強制初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の初期化期間における強制初期化動作が終了する。そして、強制初期化サブフィールドの初期化期間では、パネル１０の画像表示領域における全ての放電セルで強制的に初期化放電を発生し、続く書込み期間Ｔｗ１において発生する書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。
【０１０５】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗ１では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには（電圧Ｖｐ−電圧Ｖａ）を印加する。
【０１０６】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに（電圧Ｖｐ−電圧Ｖａ）を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作を説明する。
【０１０７】
まず、トランジスタＱ６３をオンにして、節点Ｂの電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。これにより、節点Ａの電圧は負の電圧（−Ｖａ）にクランプされる。
【０１０８】
次に、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎをオンにし、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎをオフにする。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、節点Ａの電圧である負の電圧（−Ｖａ）に電圧Ｖｐを重畳した電圧が印加される。こうして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに（電圧Ｖｐ−電圧Ｖａ）を印加する。
【０１０９】
以上が、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに（電圧Ｖｐ−電圧Ｖａ）を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作である。
【０１１０】
次に、配置的に見て上から１番目（１行目）の走査電極ＳＣ１に負の電圧（−Ｖａ）の負極性の走査パルスを印加する。そして、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうちの１行目において発光するべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正の電圧Ｖｄの正極性の書込みパルスを印加する。
【０１１１】
走査電極ＳＣ１に負の電圧（−Ｖａ）を印加するためには、トランジスタＱＨ１をオフにし、トランジスタＱＬ１をオンにすればよい。
【０１１２】
書込みパルスの電圧Ｖｄを印加したデータ電極Ｄｋと走査パルスの電圧Ｖａを印加した走査電極ＳＣ１との交差部にある放電セルでは、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との電圧差が放電開始電圧を超え、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。
【０１１３】
また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電に誘発されて、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間にも放電が発生する。こうして、走査パルスの電圧Ｖａと書込みパルスの電圧Ｖｄとが同時に印加された放電セル（発光するべき放電セル）に書込み放電が発生する。
【０１１４】
書込み放電が発生した放電セルでは、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【０１１５】
そして、トランジスタＱＨ１をオンにしトランジスタＱＬ１をオフにして走査電極ＳＣ１への印加電圧を電圧（−Ｖａ）から（電圧Ｖｐ−電圧Ｖａ）に戻し、１行目の放電セルにおける書込み動作が終了する。
【０１１６】
なお、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Ｄｈ（データ電極Ｄｈはデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうちデータ電極Ｄｋを除いたもの）を有する放電セルでは、データ電極Ｄｈと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生せず、初期化期間終了後の壁電圧が保たれる。
【０１１７】
次に、配置的に見て上から２番目（２行目）の走査電極ＳＣ２に負の電圧（−Ｖａ）の走査パルスを印加するとともに、２行目に発光するべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。
【０１１８】
走査電極ＳＣ２に負の電圧（−Ｖａ）を印加するためには、トランジスタＱＨ２をオフにし、トランジスタＱＬ２をオンにすればよい。
【０１１９】
これにより、走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは書込み放電が発生する。こうして、２行目の放電セルにおける書込み動作を行う。
【０１２０】
同様の書込み動作を、走査電極ＳＣ３、走査電極ＳＣ４、・・・、走査電極ＳＣｎという順番で、ｎ行目の放電セルに至るまで順次行う。
【０１２１】
全ての書込み動作が終了したら、トランジスタＱ６３をオフにし、トランジスタＱ５２およびトランジスタＱ５９をオンにして、節点Ａの電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。そして、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎをオフにし、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに節点Ａの電圧である電圧０（Ｖ）を印加する。
【０１２２】
こうして、サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗ１が終了する。書込み期間Ｔｗ１では、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生し、その放電セルに維持放電のための壁電荷を形成する。
【０１２３】
なお、初期化期間Ｔｉ１の後半に維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する電圧Ｖｅと、書込み期間に維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する電圧Ｖｅとは互いに異なる電圧値であってもよい。
【０１２４】
サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。
【０１２５】
この維持パルスの印加により、書込み期間Ｔｗ１に書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの電圧差が放電開始電圧を超え、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が発生する。そして、この維持放電により発生した紫外線により、維持放電が発生した放電セルの蛍光体層２５が発光する。また、この維持放電により、走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらに、データ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。ただし、書込み期間Ｔｗ１において書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は発生しない。
【０１２６】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。直前に維持放電を発生した放電セルでは再び維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
【０１２７】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに所定の輝度倍数を乗じた数の維持パルスを交互に印加する。こうして、書込み期間Ｔｗ１において書込み放電を発生した放電セルは、輝度重みに応じた回数の維持放電を発生し、輝度重みに応じた輝度で発光する。
【０１２８】
こうして、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１における維持動作が終了する。
【０１２９】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒまで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。
【０１３０】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、この上り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作を説明する。
【０１３１】
まず、トランジスタＱ５２、トランジスタＱ５９をオンにして節点Ａの電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。そして、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎをオフにし、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに節点Ａの電圧である電圧０（Ｖ）を印加する。
【０１３２】
次に、トランジスタＱ５２をオフにする。そして、抵抗Ｒ５５を通してトランジスタＱ５５に電流を流し込み、上り波形発生回路５５のミラー積分回路を動作させる。これにより、節点Ａの電圧は電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎを介して、節点Ａの電圧が印加される。したがって、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加することができる。
【０１３３】
以上が、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｒまで上昇する上り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作である。
【０１３４】
電圧Ｖｒを放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへ印加する上り傾斜波形電圧が放電開始電圧を超えて上昇する間に、維持放電を発生した放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電（消去放電）が持続して発生する。
【０１３５】
この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積される。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。こうして、放電セル内における不要な壁電荷が消去される。
【０１３６】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧が電圧Ｖｒに到達したら、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの印加電圧を電圧０（Ｖ）まで下降する。こうして、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１が終了する。
【０１３７】
以上により、サブフィールドＳＦ１が終了する。
【０１３８】
次に、選択初期化サブフィールドについてサブフィールドＳＦ２を例に挙げて説明する。
【０１３９】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｔｉ２では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加する。
【０１４０】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧から負の電圧Ｖｉに向かって、強制初期化期間に発生した下り傾斜波形電圧と同じ勾配で下降する下り傾斜波形電圧を印加する。電圧Ｖｉは、放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【０１４１】
走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、この下り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作を説明する。
【０１４２】
まず、トランジスタＱ５２およびトランジスタＱ５９をオンにして、節点Ａの電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。そして、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎをオフにし、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに節点Ａの電圧である電圧０（Ｖ）を印加する。
【０１４３】
次に、トランジスタＱ５２およびトランジスタＱ５９をオフにする。そして、抵抗Ｒ６２を通してトランジスタＱ６２に電流を流し込み、下り波形発生回路６０のミラー積分回路を動作させる。これにより、節点Ｂの電圧は（電圧０（Ｖ）＋電圧Ｖａ）から電圧０（Ｖ）に向かって緩やかに降下し、節点Ａの電圧は電圧０（Ｖ）から負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに降下する。走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎを介して、節点Ａの電圧が印加される。したがって、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、電圧０（Ｖ）から負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに降下する下り傾斜波形電圧を印加することができる。
【０１４４】
以上が、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに選択初期化期間の下り傾斜波形電圧を印加するときの走査電極駆動回路３３の動作である。
【０１４５】
この下り傾斜波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する間に、直前のサブフィールド（図５では、サブフィールドＳＦ１）の維持期間Ｔｓ１に維持放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間、および走査電極ＳＣｉとデータ電極Ｄｋとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。
【０１４６】
そして、この初期化放電により、走査電極ＳＣｉ上の負の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の正の壁電圧が弱められる。また、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧の過剰な部分が放電される。こうして、放電セル内の壁電圧は書込み期間における書込み動作に適した壁電圧に調整される。
【０１４７】
一方、直前のサブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の維持期間Ｔｓ１に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、それ以前の壁電圧が保たれる。
【０１４８】
以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの書込み期間（ここでは、書込み期間Ｔｗ１）で書込み動作を行った放電セルで選択的に初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する動作が選択初期化動作である。
【０１４９】
以上により、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２の初期化期間における選択初期化動作が終了する。
【０１５０】
サブフィールドＳＦ２の書込み期間Ｔｗ２では、サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｔｗ１と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。続く維持期間Ｔｓ２も、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｔｓ１と同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に印加する。
【０１５１】
サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドでは、維持期間に発生する維持パルスの数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０１５２】
以上が、本実施の形態においてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【０１５３】
なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、例えば、電圧Ｖｐ＝１４７（Ｖ）、電圧Ｖｒ＝２１５（Ｖ）、電圧Ｖｓ＝２１５（Ｖ）、電圧Ｖｉ＝−１８０（Ｖ）、電圧Ｖａ＝２０５（Ｖ）、電圧Ｖｅ＝１５５（Ｖ）、電圧Ｖｄ＝５８（Ｖ）である。また、上り傾斜波形電圧の勾配は約１．３Ｖ／μｓｅｃであり、下り傾斜波形電圧の勾配は約−１．５Ｖ／μｓｅｃである。
【０１５４】
しかし、本実施の形態において、上述した電圧値や勾配等の具体的な数値は単なる一例に過ぎず、本発明は、各電圧値や勾配等が上述した数値に限定されるものではない。各電圧値や勾配等は、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１５５】
なお、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１を強制初期化動作を行う強制初期化サブフィールドとし、他のサブフィールド（サブフィールドＳＦ２以降のサブフィールド）を選択初期化動作を行う選択初期化サブフィールドとしたが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、サブフィールドＳＦ１を選択初期化サブフィールドにして他のサブフィールドを強制初期化サブフィールドにしたり、あるいは複数のサブフィールドを強制初期化サブフィールドとしてもよい。
【０１５６】
このように、本実施の形態における走査電極駆動回路３３は、走査パルス発生回路４０、維持パルス発生回路５０、上り波形発生回路５５、および下り波形発生回路６０を備えている。
【０１５７】
維持パルス発生回路５０は、走査パルス発生回路４０の基準電位である節点Ａの電位を電圧Ｖｓと電圧０（Ｖ）との間で変位させて維持パルスを発生する。
【０１５８】
上り波形発生回路５５は、節点Ａの電位を電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇させて上り傾斜波形電圧を発生する。
【０１５９】
下り波形発生回路６０は、節点Ａの電位を負の電圧（−Ｖａ）に向かって緩やかに降下させて下り傾斜波形電圧を発生する。
【０１６０】
走査パルス発生回路４０は、第１電源Ｅ４１、トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎ、およびトランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎを有する。
【０１６１】
第１電源Ｅ４１は、節点Ａの電位に正の電圧Ｖｐを重畳する。
【０１６２】
トランジスタＱＨ１〜トランジスタＱＨｎは、第１電源Ｅ４１の高圧側の電圧、すなわち、節点Ａの電位に正の電圧Ｖｐを重畳した電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに出力する高圧側トランジスタである。
【０１６３】
トランジスタＱＬ１〜トランジスタＱＬｎは、第１電源Ｅ４１の低圧側の電圧、すなわち、節点Ａの電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに出力する低圧側トランジスタである。
【０１６４】
また、下り波形発生回路６０は、トランジスタＱ６３、第２電源Ｅ６１、およびミラー積分回路を有する。
【０１６５】
第２電源Ｅ６１は、節点Ａの電位に電圧Ｖａを重畳する。
【０１６６】
トランジスタＱ６３は、一方の端子が第２電源Ｅ６１の高圧側の節点Ｂに接続され、他方の端子が接地電位である電圧０（Ｖ）に接続されている。そして、トランジスタＱ６３は、第２電源Ｅ６１の高圧側の電圧を電圧０（Ｖ）にクランプすることで、節点Ａの電圧を負の電圧（−Ｖａ）にクランプする。
【０１６７】
下り波形発生回路６０のミラー積分回路は、一方の端子が節点Ｂに接続され、他方の端子が接地電位である電圧０（Ｖ）に接続されている。そして、このミラー積分回路は、節点Ｂの電位を電圧０（Ｖ）に向かって緩やかに下降させることで、節点Ａの電位を負の電圧（−Ｖａ）に向かって下降させて、下り傾斜波形電圧を発生する。
【０１６８】
本実施の形態では、下り波形発生回路６０をこのような構成とすることで、ミラー積分回路のトランジスタＱ６２、およびトランジスタＱ６２に並列に接続されたトランジスタＱ６３を、負の電圧を発生する電源ではなく、接地電位に接続した状態で、負の電圧（−Ｖａ）の走査パルスや負の電圧Ｖｉに向かって下降する下り傾斜波形電圧を発生することができる。すなわち、負の電圧を発生する電源を用いず、図４に示したような簡素な構成で、下り波形発生回路６０を構成することができる。
【０１６９】
さらに、走査電極駆動回路３３をこのような構成にすることにより、第１電源Ｅ４１および第２電源Ｅ６１に対する過電圧検出回路を簡素に構成することができる。過電圧検出回路とは、第１電源Ｅ４１または第２電源Ｅ６１が発生する電圧が設定電圧よりも高い電圧になったときに、それを検出する回路であり、走査電極駆動回路３３における保護回路である。
【０１７０】
以下に、この過電圧検出回路の詳細を説明する。
【０１７１】
図６は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置３０の走査電極駆動回路３３における過電圧検出回路の一構成例を概略的に示す図である。なお、図６では、過電圧検出回路に関する回路のみを示し、他の回路は省略している。
【０１７２】
図６に示す過電圧検出回路は、第１電源Ｅ４１および第２電源Ｅ６１に対する過電圧検出回路である。
【０１７３】
過電圧検出回路は、抵抗分割回路７０および比較回路８０を有する。
【０１７４】
抵抗分割回路７０は、抵抗Ｒ７１、抵抗Ｒ７２、抵抗Ｒ７３、ダイオードＤｉ７１、およびダイオードＤｉ７２を有する。
【０１７５】
抵抗Ｒ７１、抵抗Ｒ７２、および抵抗Ｒ７３は直列に接続されている。抵抗Ｒ７３の一方の端子は節点Ａに接続され、抵抗Ｒ７３の他方の端子は抵抗Ｒ７２の一方の端子に接続されている。以下、抵抗Ｒ７３と抵抗Ｒ７２の接続点を「節点Ｄ」と表記する。
【０１７６】
抵抗Ｒ７２の他方の端子は抵抗Ｒ７１の一方の端子に接続され、抵抗Ｒ７１の他方の端子には、逆流防止用のダイオードＤｉ７１を介して第２電源Ｅ６１の高圧側の端子が接続されている。したがって、抵抗Ｒ７１の他方の端子には、節点Ａの電圧に電圧Ｖａを重畳した電圧が印加されている。以下、抵抗Ｒ７２と抵抗Ｒ７１の接続点を「節点Ｃ」と表記する。
【０１７７】
また、抵抗Ｒ７２と抵抗Ｒ７１の接続点である節点Ｃには、逆流防止用のダイオードＤｉ７２を介して第１電源Ｅ４１の高圧側の端子が接続されている。したがって、節点Ｃには、節点Ａの電圧に電圧Ｖｐを重畳した電圧が印加されている。
【０１７８】
抵抗Ｒ７１には第２電源Ｅ６１の高圧側の端子が接続され、抵抗Ｒ７３には第２電源Ｅ６１の低圧側の端子が接続されている。したがって、節点Ｃの電圧は、第２電源Ｅ６１の出力電圧である電圧Ｖａを、抵抗Ｒ７１と、抵抗Ｒ７２および抵抗Ｒ７３とで抵抗分圧した電圧となる。本実施の形態では、節点Ｃの電圧が、第１電源Ｅ４１の出力電圧である電圧Ｖｐにほぼ等しくなるように、抵抗Ｒ７１、抵抗Ｒ７２、抵抗Ｒ７３の各抵抗値を設定する。
【０１７９】
また、抵抗Ｒ７２の節点Ｃには第１電源Ｅ４１の高圧側の端子が接続され、抵抗Ｒ７３には第１電源Ｅ４１の低圧側の端子が接続されている。したがって、節点Ｄの電圧は、第１電源Ｅ４１の出力電圧である電圧Ｖｐを、抵抗Ｒ７２と抵抗Ｒ７３とによって抵抗分圧した電圧となる。
【０１８０】
比較回路８０は、ツェナダイオードＤｉ８１、トランジスタＱ８１、フォトカプラＰＣ８５、および抵抗Ｒ８６を有する。
【０１８１】
ツェナダイオードＤｉ８１のアノードはトランジスタＱ８１のベースに接続され、カソードは節点Ｄに接続されている。トランジスタＱ８１のエミッタは節点Ａに接続され、トランジスタＱ８１のコレクタはフォトカプラＰＣ８５の発光ダイオードＤｉ８５に接続されている。
【０１８２】
節点Ｄの電圧が上昇してツェナダイオードＤｉ８１のツェナ電圧を超えると、節点ＤからツェナダイオードＤｉ８１を介してトランジスタＱ８１のベースに電流が流れトランジスタＱ８１はターンオン状態となる。これにより、トランジスタＱ８１はコレクタからエミッタに電流が流れ、発光ダイオードＤｉ８５にも電流が流れて、発光ダイオードＤｉ８５が発光する。発光ダイオードＤｉ８５が発光すると、フォトトランジスタＱ８５に電流が流れ、その電流と抵抗Ｒ８６とによって発生する電圧（ハイレベル）が過電圧検出信号ＳＯＳとして、比較回路８０から出力される。
【０１８３】
以下、トランジスタＱ８１がターンオン状態となる節点Ｄの電圧を「閾値電圧」と記す。
【０１８４】
節点Ｄの電圧が「閾値電圧」未満であり、節点Ｄの電圧がツェナダイオードＤｉ８１のツェナ電圧を超えなければ、トランジスタＱ８１はターンオン状態にはならず、フォトトランジスタＱ８５に電流は流れないので、比較回路８０から出力される電圧は電圧０（Ｖ）（ローレベル）である。
【０１８５】
本実施の形態では、第１電源Ｅ４１から出力される電圧Ｖｐおよび第２電源Ｅ６１から出力される電圧Ｖａがともに正規の電圧であれば、節点Ｄの電圧がツェナダイオードＤｉ８１のツェナ電圧を超えず、トランジスタＱ８１がターンオン状態にならないように、抵抗Ｒ７１、抵抗Ｒ７２、抵抗Ｒ７３の各抵抗値を設定する。したがって、第１電源Ｅ４１の出力電圧および第２電源Ｅ６１の出力電圧がともに正規の電圧であれば、節点Ｄの電圧は「閾値電圧」未満であり、比較回路８０から出力される過電圧検出信号ＳＯＳは電圧０（Ｖ）（ローレベル）である。
【０１８６】
例えば、第２電源Ｅ６１の出力電圧が正規の電圧よりも上昇すると、逆流防止用のダイオードＤｉ７２の働きにより第１電源Ｅ４１への電流の逆流は防止されるので、節点Ｄの電圧は上昇する。そして、節点Ｄの電圧が「閾値電圧」を超えると、トランジスタＱ８１はターンオン状態となり、比較回路８０から出力される過電圧検出信号ＳＯＳはハイレベルとなる。
【０１８７】
あるいは、第１電源Ｅ４１の出力電圧が正規の電圧よりも上昇すると、逆流防止用のダイオードＤｉ７１の働きにより第２電源Ｅ６１への電流の逆流は防止されるので、節点Ｄの電圧は上昇する。そして、節点Ｄの電圧が「閾値電圧」を超えると、トランジスタＱ８１はターンオン状態となり、比較回路８０から出力される過電圧検出信号ＳＯＳはハイレベルとなる。
【０１８８】
このように、第１電源Ｅ４１、または第２電源Ｅ６１のいずれかの出力電圧が正規の電圧よりも高くなると、節点Ｄの電圧は上昇する。そして節点Ｄの電圧が、ツェナダイオードＤｉ８１とトランジスタＱ８１によって決定される所定の「閾値電圧」よりも上昇すると、トランジスタＱ８１はターンオン状態となる。したがって、フォトカプラＰＣ８５の発光ダイオードＤｉ８５が発光してフォトトランジスタＱ８５が導通し、過電圧検出信号ＳＯＳがハイレベルとなる。
【０１８９】
上述したように、本実施の形態において、走査電極駆動回路３３は、第１電源Ｅ４１または第２電源Ｅ６１の出力電圧が過電圧となったときに、その過電圧を検出する過電圧検出回路を備えている。この過電圧検出回路は、節点Ｃに第１電源Ｅ４１の電圧Ｖｐと等しい電圧が発生するように、第２電源Ｅ６１の出力電圧Ｖａを、抵抗Ｒ７１、抵抗Ｒ７２、および抵抗Ｒ７３によって抵抗分圧する。そして、第１電源Ｅ４１の電圧Ｖｐを、ダイオードＤｉ７２を介して節点Ｃに接続する。そして、節点Ｃの電圧を抵抗分圧した節点Ｄの電圧を、所定の「閾値電圧」と比較する。
【０１９０】
これにより、走査電極駆動回路３３は、第１電源Ｅ４１または第２電源Ｅ６１の出力電圧が過電圧となったときに、その過電圧を、１つの過電圧検出回路によって検出することができる。
【０１９１】
なお、本実施の形態においては、第２電源Ｅ６１の出力電圧（電圧Ｖａ）が第１電源Ｅ４１の出力電圧（電圧Ｖｐ）よりも高いために、図６に示したように抵抗分割回路を構成した。しかし、第１電源Ｅ４１の出力電圧が第２電源Ｅ６１の出力電圧よりも高いときには、第１電源Ｅ４１の出力端子の接続点と第２電源Ｅ６１の出力端子との接続点とを、図６に示した構成とは入れ替えた構成にすればよい。そして、節点Ｃの電圧が第２電源Ｅ６１の出力電圧と等しい電圧になるように、抵抗分割回路を構成する抵抗Ｒ７１、抵抗Ｒ７２、抵抗Ｒ７３の各抵抗値を設定すればよい。
【０１９２】
また、本実施の形態においては、節点Ｃの電圧を抵抗分圧した節点Ｄの電圧を所定の「閾値電圧」と比較することで、第１電源Ｅ４１の出力電圧または第２電源Ｅ６１の出力電圧の過電圧を検出するように、過電圧検出回路を構成した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、節点Ｄを設けず、節点Ｃの電圧が過電圧となったときにその過電圧を検出できるように設定された「閾値電圧」と、節点Ｃの電圧とを比較するように、過電圧検出回路を構成してもよい。
【０１９３】
すなわち、本実施の形態における走査電極駆動回路３３は、以下の構成の過電圧検出回路を備えればよい。過電圧検出回路は、第１電源Ｅ４１および第２電源Ｅ６１のうち出力電圧が高い方の電源の出力電圧を抵抗分圧し、出力電圧が低い方の電源の電圧に等しい電圧を発生する抵抗分割回路と、比較回路とを有する。抵抗分割回路においては、出力電圧が低い方の電源の電圧に等しい電圧が発生した節点Ｃに、出力電圧が低い方の電源の出力端子を、逆流防止用のダイオードを介して接続する。そして、比較回路において、節点Ｃの電圧、または節点Ｃの電圧を抵抗分圧した節点Ｄの電圧を、所定の「閾値電圧」と比較する。そして、第１電源Ｅ４１の出力電圧または第２電源Ｅ６１の出力電圧が過電圧となったときに、過電圧検出信号ＳＯＳがハイレベルとなるように、比較回路を構成する。こうして、第１電源Ｅ４１または第２電源Ｅ６１の過電圧を検出する。本実施の形態では、このようにして、第１電源Ｅ４１および第２電源Ｅ６１の過電圧を、１つの過電圧検出回路によって検出することができる。
【０１９４】
なお、プラズマディスプレイ装置３０では、走査電極駆動回路３３における基準電位は節点Ａの電位であり、過電圧検出信号ＳＯＳの受け手となる回路の基準電位は接地電位（電圧０（Ｖ））である。このように、走査電極駆動回路３３と、過電圧検出信号ＳＯＳの受け手となる回路とでは基準電位が異なる。そのため、本実施の形態においては、比較回路８０にフォトカプラＰＣ８５を用い、基準電位が異なる２つの回路をフォトカプラＰＣ８５を介して接続している。
【０１９５】
なお、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数、強制初期化サブフィールドとするサブフィールド、各サブフィールドが有する輝度重み等が上述した数値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【０１９６】
なお、図５に示した駆動電圧波形は本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこの駆動電圧波形に限定されるものではない。
【０１９７】
また、図３、図４、図６に示した回路構成も本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらの回路構成に限定されるものではない。
【０１９８】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な数値は、画面サイズが５０インチ、表示電極対１４の数が１０２４のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネルの仕様やパネルの特性、およびプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、１フィールドを構成するサブフィールドの数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明における実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明は、走査電極駆動回路を構成する部品の数を抑制し、簡素な構成の走査電極駆動回路を実現することが可能であるので、プラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２００】
１０    パネル
１１    前面基板
１２    走査電極
１３    維持電極
１４    表示電極対
１５，２３    誘電体層
１６    保護層
２１    背面基板
２２    データ電極
２４    隔壁
２５，２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ    蛍光体層
３０    プラズマディスプレイ装置
３１    画像信号処理回路
３２    データ電極駆動回路
３３    走査電極駆動回路
３４    維持電極駆動回路
３５    タイミング発生回路
４０    走査パルス発生回路
５０    維持パルス発生回路
５３    電力回収部
５５    上り波形発生回路
６０    下り波形発生回路
７０    抵抗分割回路
８０    比較回路
Ｃ５５，Ｃ６２    コンデンサ
Ｒ５５，Ｒ６２，Ｒ７１，Ｒ７２，Ｒ７３，Ｒ８６    抵抗
Ｄｉ７１，Ｄｉ７２    ダイオード
Ｄｉ８１    ツェナダイオード
Ｄｉ８５    発光ダイオード
Ｑ８５    フォトトランジスタ
ＰＣ８５    フォトカプラ
Ｑ５１，Ｑ５２，Ｑ５５，Ｑ５９，Ｑ６２，Ｑ６３，Ｑ８１，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    トランジスタ
Ｅ４１    第１電源
Ｅ６１    第２電源
ＳＯＳ    過電圧検出信号
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ    節点
【図１】
2012114735.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2012114735.tif 000008
【国際調査報告】
2012114735.tif 000009
2012114735.tif 000010