(57)【要約】  ウェハ加工用テープ１では、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。切込部１１の形成により、ウェハ加工用テープ１に剥離力が作用すると、粘着剤層４及び基材フィルム５において切込部１１よりも外側の部分が先に剥離し、切込部１１よりも内側の部分は凸状をなした状態でウェハリング１４に残るようになる。これにより、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥離することを抑制できる。
2012050134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、
テープの基部をなす剥離基材と、
前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、
前記接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、
前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、
前記粘着剤層及び前記基材フィルムは、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、
前記貼付領域には、平面視において前記接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が前記基材フィルム側から前記剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とするウェハ加工用テープ。
【請求項２】
前記切込部が前記貼付領域に沿って複数配列されていることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。
【請求項３】
前記切込部は、平面視において前記接着剤層の外側を向く凸状の部分を更に有していることを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ加工用テープ。
【請求項４】
前記切込部は、前記剥離基材を貫通していないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
【請求項５】
前記剥離基材の厚さをａ、前記切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
【請求項６】
半導体ウェハのダイシング時にウェハリングに貼り付けて用いるダイシングテープであって、
テープの基部をなす剥離基材と、
前記剥離基材の一面側に設けられた粘着剤層と、
前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、
平面視において前記粘着剤層及び前記基材フィルムの外縁部が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、
前記外縁部には、平面視において前記粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とするダイシングテープ。
【請求項７】
半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、
テープの基部をなす剥離基材、及び前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第１の準備工程と、
基材フィルム及び前記基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第２の準備工程と、
前記接着剤層と前記粘着剤層とを向き合わせて前記接着フィルムと前記粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、
前記粘着剤層及び前記基材フィルムにおいて、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域に設定された前記ウェハリングへの貼付領域に、平面視において前記接着剤層の中心側を向く凸状の切込部を前記基材フィルム側から前記剥離基材に到達する深さで形成する切込工程と、を備えたことを特徴とするウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項８】
前記切込工程において、前記切込部を前記貼付領域に沿って複数配列して形成することを特徴とする請求項７記載のウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項９】
前記切込工程において、平面視において前記接着剤層の外側を向く凸状の部分を前記切込部に更に形成することを特徴とする請求項７又は８記載のウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項１０】
前記切込工程において、前記剥離基材を貫通しないように前記切込部を形成することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項記載のウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項１１】
前記切込工程において、前記剥離基材の厚さをａ、前記剥離基材における切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすように前記切込部を形成することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項記載のウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハ加工用テープから前記剥離基材を剥離したフィルム積層体を、前記接着剤層を介して前記半導体ウェハの一面側に固定する工程と、
前記フィルム積層体の前記貼付領域において、前記粘着剤層を介して前記ウェハリングを固定する工程と、
ダイシングブレードに冷却水を供給しながら前記半導体ウェハをダイシングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディング等に用いられるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量・小型化の要求が急速に高まってきている。これに伴い、半導体チップの高密度実装に対するニーズが強まっており、特に半導体チップを積層するスタックドマルチチップパッケージの開発がその中心となっている。スタックドマルチパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている（例えば特許文献１参照）。【０００３】
このようなウェハ加工用テープを作製する場合、まず、剥離基材上に接着剤層を形成してなる接着フィルムと、基材フィルム上に粘着剤層を形成してなるダイシングフィルムとを用意し、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて貼り合わせる。次に、基材フィルム・接着剤層・粘着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、所望の形状のウェハ加工用テープを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のようなウェハ加工用テープを用いて半導体ウェハの加工を行う場合、一般に半導体ウェハの周囲にウェハリングを配置し、ウェハリングにウェハ加工用テープを貼り付ける。このとき、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度が不足していると、ダイシング工程やダイボンディング工程といった各工程においてウェハ加工用テープがウェハリングから剥離してしまい、工程の実施に支障をきたすおそれがある。【０００６】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす剥離基材と、半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、粘着剤層及び基材フィルムは、接着剤層よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域となっており、貼付領域には、平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴としている。【０００８】
このウェハ加工用テープでは、ウェハリングへの貼付領域に対応して平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたウェハ加工用テープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分（外側部分）が先に剥離し、切込部よりも内側の部分（内側部分）は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープでは、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。【０００９】
また、切込部が貼付領域に沿って複数配列されていることが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層向上させることができる。【００１０】
また、切込部は、平面視において接着剤層の外側を向く凸状の部分を更に有していることが好ましい。この場合、例えばダイシング時の冷却水などの剥離力を生じさせる液体を上記凸状の部分からウェハ加工用テープの外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層確保できる。【００１１】
また、切込部は、剥離基材を貫通していないことが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープの使用にあたって剥離基材を剥離する際に切込部が作用しないので、剥離基材の剥離が容易になる。【００１２】
また、剥離基材の厚さをａ、剥離基材における切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすことが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。【００１３】
本発明に係るダイシングテープは、半導体ウェハのダイシング時にウェハリングに貼り付けて用いるダイシングテープであって、テープの基部をなす剥離基材と、剥離基材の一面側に設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、平面視において粘着剤層及び基材フィルムの外縁部がウェハリングへの貼付領域となっており、外縁部には、平面視において粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とする。【００１４】
このダイシングテープでは、平面視において粘着剤層及び基材フィルムの外縁部がウェハリングへの貼付領域となっており、外縁部には、粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたダイシングテープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分（外側部分）が先に剥離し、切込部よりも内側の部分（内側部分）は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このようなダイシングテープは、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。【００１５】
また、本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法は、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、テープの基部をなす剥離基材、及び半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第１の準備工程と、基材フィルム及び基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第２の準備工程と、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて接着フィルムと粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、粘着剤層及び基材フィルムにおいて、接着剤層よりも外側にはみ出す領域に設定されたウェハリングへの貼付領域に、平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部を基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成する切込工程と、を備えたことを特徴としている。【００１６】
この製造方法によって得られたウェハ加工用テープでは、ウェハリングへの貼付領域に対応して平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたウェハ加工用テープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分（外側部分）が先に剥離し、切込部よりも内側の部分（内側部分）は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープでは、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。【００１７】
また、切込工程において、切込部を貼付領域に沿って複数配列して形成することが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層向上させることができる。【００１８】
また、切込工程において、平面視において接着剤層の外側を向く凸状の部分に更に形成することが好ましい。この場合、例えばダイシング時の冷却水などの剥離力を生じさせる液体を上記凸状の部分からウェハ加工用テープの外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層確保できる。【００１９】
また、切込工程において、剥離基材を貫通しないように切込部を形成することが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープの使用にあたって剥離基材を剥離する際に切込部が作用しないので、剥離基材の剥離が容易になる。【００２０】
また、切込工程において、剥離基材の厚さをａ、切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすように切込部を形成することが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。【００２１】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記ウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、ウェハ加工用テープから剥離基材を剥離したフィルム積層体を、接着剤層を介して半導体ウェハの一面側に固定する工程と、フィルム積層体の貼付領域において、粘着剤層を介してウェハリングを固定する工程と、ダイシングブレードに冷却水を供給しながら半導体ウェハをダイシングする工程と、を備えたことを特徴としている。【００２２】
この半導体装置の製造方法では、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を十分に確保できるので、工程中にウェハ加工用テープがウェハリングから剥離してしまうことを抑制できる。したがって、作業性が向上し、半導体装置の製造歩留まりも確保できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。また、半導体装置の製造歩留まりも確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】切込部の向きを説明するための図である。
【図４】ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け方法を示す図である。
【図５】ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け状態を示す図である。
【図６】半導体ウェハのダイシング工程を示す図である。
【図７】切込部の作用を示す斜視図である。
【図８】ダイシングテープの平面図である。
【図９】図８におけるＩＸ−ＩＸ線断面図である。
【図１０】別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１１】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１２】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１３】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１４】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１５】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１６】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１７】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１８】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【図１９】更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００２６】
［ウェハ加工用テープの構成］
図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。また、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。図１及び図２に示すウェハ加工用テープ１は、例えば半導体ウェハのダイシング、及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のテープであり、通常はロール状に巻かれた状態となっている。
【００２７】
同図に示すように、ウェハ加工用テープ１は、プリカット加工されており、テープの基部をなす剥離基材２と、半導体ウェハの形状に対応して剥離基材２の一面側に所定の間隔で円形に設けられた接着剤層３と、接着剤層３を覆うように円形に設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように粘着剤層４と同形に設けられた基材フィルム５とによって構成されている。剥離基材２の幅方向の両縁部には、円形の粘着剤層４及び基材フィルム５から所定の間隔をもって配置された土手部６，６が設けられている。この土手部６，６は、粘着剤層４及び基材フィルム５のプリカット時に形成される。なお、剥離基材２及び接着剤層３は後述の接着フィルム１８で形成され、基材フィルム５及び粘着剤層４は後述の粘着フィルム１７で形成される。
【００２８】
粘着剤層４及び基材フィルム５の縁部は、接着剤層３よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域Ｐとなっている。この貼付領域Ｐには、基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成された複数の切込部１１が環状に配列されている。切込部１１は、図１に示すように、平面視において半円状又は舌片状をなしており、接着剤層３の中心側が凸となるような向きで形成されている。切込部１１の深さは、図２に示すように、剥離基材２の厚さａ、剥離基材２における切込部の深さをｄとしたときに０＜ｄ／ａ≦０．７を満たし、かつ剥離基材２を貫通しない深さとなっている。切込部１１の向きは、図３に示すように、接着剤層３の中心側が凸となっていればよく、切込部１１の凸の先端を始点として接着剤層３の接線に対し垂直に伸びた線が接着剤層３の中心点Ｃを通っていなくてもよい。なお、切込部１１の配列数は特に限定されないが、例えば２°〜３°間隔で配列することが好ましい。
【００２９】
［半導体装置の作製］
以上のようなウェハ加工用テープ１を用いて半導体装置を製造する場合、まず、図４（ａ）に示すように、ウェハ加工用テープ１から剥離基材２を剥離してフィルム積層体１２を得る。次に、剥離基材２の剥離によって露出した接着剤層３を介し、図４（ｂ）に示すように、フィルム積層体１２を半導体ウェハ１３の一面側に固定する。また、図４（ｂ）及び図５に示すように、フィルム積層体１２の貼付領域Ｐにおいて、粘着剤層４を介してウェハリング１４を固定する。
【００３０】
次に、図６に示すように、ダイシングブレード１５に冷却水１６を供給しながら半導体ウェハ１３及び接着剤層３のダイシングを行う。ダイシングの後、粘着剤層４に高エネルギー線の照射を行って粘着力を低下させ、基材フィルム５から接着剤層３付きの半導体チップをピックアップする。この後、半導体チップを接着剤層３を介して所定の支持部材に接着することにより、半導体装置が得られる。
【００３１】
上述のダイシングを行う際、ウェハ加工用テープ１（フィルム積層体１２）には冷却水１６からの圧力がかかる。このため、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度が不足していると、ウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥がれてしまい、ダイシングに支障をきたすおそれがある。
【００３２】
これに対し、ウェハ加工用テープ１では、図１に示したように、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。この切込部１１の形成により、ウェハリング１４に貼り付けられたウェハ加工用テープ１に剥離力が作用すると、図７に示すように、粘着剤層４及び基材フィルム５において切込部１１よりも外側の部分（外側部分１７ａ，１７ａ）が先に剥離し、切込部１１よりも内側の部分（内側部分１７ｂ）は凸状をなした状態でウェハリング１４に残るようになる。
【００３３】
剥離力が更に作用すると、外側部分１７ａ，１７ａに引っ張られて内側部分１７ｂが剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分１７ｂよりも奥に位置するため、内側部分１７ｂの剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープ１では、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥離してしまうことを抑制できる。このことは、工程の作業性の向上に寄与し、半導体装置の製造歩留まり向上を実現する。なお、粘着フィルム１７は、紫外線硬化型のフィルムに限られず、感圧型のフィルムであってもよい。感圧型のフィルムではウェハリング１４からの剥がれが生じやすいので、上述した切込部１１の形成が特に有用である。
【００３４】
また、ウェハ加工用テープ１では、切込部１１の深さは、剥離基材２の厚さａ、切込部の深さをｄとしたときに０＜ｄ／ａ≦０．７を満たし、かつ剥離基材２を貫通しない深さとなっている。これにより、切込部１１の作用を十分に発揮させることが可能となる。また、ウェハ加工用テープ１の使用にあたって剥離基材２を剥離する際に切込部１１が作用しないので、剥離基材２の剥離が容易になる。
【００３５】
［ウェハ加工用テープの作製］
ウェハ加工用テープ１の作製にあたって、粘着剤層４及び基材フィルム５からなる粘着フィルム１７として、例えば日立化成工業株式会社製ＳＤ−３００４を用意する。また、接着剤層３及び剥離基材２からなる接着フィルム１８として、例えば日立化成工業株式会社製ＨＳ−２７０シリーズを用意する。次に、接着フィルム１８に対し、剥離基材２への切り込み深さが２０μｍ以下となるように調節してφ３２０ｍｍの円形プリカット加工を行い、接着剤層３の不要部分を除去する。この後、粘着剤層４が接着剤層３を向き合わせ、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で接着フィルム１８と粘着フィルム１７とを貼り付ける。そして、粘着フィルム１７に対し、剥離基材２への切り込み深さが２０μｍ以下となるように調節して接着剤層３と同心円状にφ３９０ｍｍの円形プリカット加工を行い、粘着剤層４及び基材フィルム５の不要部分を除去して土手部６，６を形成する。粘着フィルム１７のプリカットを行った後、粘着フィルム１７の縁部から約５ｍｍ内側となる位置に所定の金型を用いて半円状又は舌片状の切込部１１を環状に配列して形成することにより、ウェハ加工用テープ１が得られる。
【００３６】
［剥離強度の評価］
上述の製造方法で得られたウェハ加工用テープ１（実施例）に対し、切込部１１を形成しないウェハ加工用テープ（比較例）を別途作製した。そして、実施例のテープから１箇所の切込部１１を含む幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの矩形の領域を切り取り、剥離基材２を剥がした後、エタノールで洗浄した粘着剤層４及び基材フィルム５を被着体（ＳＵＳ３０４）の表面に室温にてラミネートして第１の試験片を作製した。また、比較例のテープから上述の矩形の領域と同等の領域を切り取り、剥離基材２を剥がした後、エタノールで洗浄した粘着剤層４及び基材フィルム５を被着体（ＳＵＳ３０４）の表面に室温にてラミネートして第２の試験片を作製した。
【００３７】
そして、第１の試験片及び第２の試験片について、９０°剥離強度測定を行ったところ、第１の試験片では被着体に対する粘着剤層４及び基材フィルム５の剥離強度の最大値が４０Ｎ／ｍであったのに対し、第２の試験片では被着体に対する粘着剤層４及び基材フィルム５の剥離強度の最大値が１０Ｎ／ｍであった。この結果から、貼付領域Ｐへの切込部１１の形成がウェハ加工用テープ１の剥離強度の向上に寄与することが確認された。
【００３８】
［変形例］
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上述した実施形態では、剥離基材２と、剥離基材２の一面側に設けられた接着剤層３と、接着剤層３を覆うように設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように設けられた基材フィルム５とによって構成されているが、図８及び図９に示すように、接着剤層３を備えていなくても構わない。すなわち、剥離基材２と、剥離基材２の一面側に設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように設けられた基材フィルム５と、を備えたダイシングテープ２０であってもよい。
【００３９】
ダイシング２０の切込部１１は、図８に示すように、平面視において半円状又は舌片状をなしており、粘着剤層４の中心側が凸となるような向きで形成されている。切込部１１の深さは、図９に示すように、ウェハ加工用テープ１の場合と同じように、剥離基材２の厚さａ、剥離基材２における切込部の深さをｄとしたときに０＜ｄ／ａ≦０．７を満たし、かつ剥離基材２を貫通しない深さとなっている。切込部１１の向きは、図８に示すように、粘着剤層４の中心側が凸となっていればよい。
【００４０】
ダイシングテープ２０は、次のような手順で得ることができる。まず、剥離基材２上に、粘接着層４及び基材フィルム５からなる粘着フィルム１７を積層し、粘着フィルム１７に対し、剥離基材２への切り込みの深さが２０μｍ以下となるように調節して円形プリカットを行い、粘接着層４及び基材フィルム５の不要部分を除去して土手部６，６を形成する。その後、粘着フィルム１７の縁部から約５ｍｍ内側となる位置に所定の金型を用いて半円状又は舌片状の切込部１１を環状に配列して形成することにより、ダイシングテープ２０が得られる。
【００４１】
また、上述した実施形態では、粘着フィルム１７の円形プリカット加工によって土手部６，６を形成しているが、図１０に示すように、土手部６，６を形成しないウェハ加工用テープ２１であってもよい。
【００４２】
また、切込部の形状は、平面視において接着剤層３の中心側を向く凸状をなしていればよく、種々の変形を適用可能である。例えば図１１に示すウェハ加工用テープ３１のように矩形の切込部３２を形成してもよく、図１２に示すウェハ加工用テープ４１のように略Ｖ字状の切込部４２を形成してもよい。
【００４３】
さらに、例えば図１３に示すウェハ加工用テープ５１のように半円状又は舌片状の切込部５２を２重に形成してもよく、図１４に示すウェハ加工用テープ６１のように半円状又は舌片状の切込部６２を２列の環状ラインに沿って千鳥状に形成してもよく、図１５に示すウェハ加工用テープ７１のように粘着剤層４及び基材フィルム５からの位置を切込部７２ごとにランダムにしてもよい。
【００４４】
また、図１６に示すウェハ加工用テープ８１のように粘着剤層４及び基材フィルム５の縁部の一方側にのみ切込部１１を形成してもよい。こうすると、ウェハ加工用テープ８１を使用する際、切込部１１が形成されている領域側から剥離基材２を簡単に剥がすことができる。なお、このウェハ加工用テープ８１を用いる場合には、ダイシング時の冷却水１６の向きを切込部１１が形成されている領域に向けることが好ましい。
【００４５】
一方、平面視において接着剤層３の中心側を向く凸状の部分に加え、平面視において接着剤層３の外側を向く凸状の部分を切込部に更に形成してもよい。例えば図１７に示すウェハ加工用テープ９１のように接着剤層３の中心側を向く凸状の部分９２ａと接着剤層３の外側を向く凸状の部分９２ｂとが、接着剤層３の周方向に隣り合うように略Ｎ字状の切込部９２を形成してもよく、同様の概念で、図１８に示すウェハ加工用テープ１０１のように接着剤層３の中心側を向く凸状の部分１０２ａと接着剤層３の外側を向く凸状の部分１０２ｂとによって略Ｓ字状の切込部１０２を形成してもよい。また、図１９に示すウェハ加工用テープ１１１のように接着剤層３の中心側を向く凸状の部分１１２ａと接着剤層３の外側を向く凸状の部分１１２ｂとが、接着剤層３の径方向に隣り合うように略Ｘ字状の切込部１１２を形成してもよい。
【００４６】
このようなウェハ加工用テープ９１，１０１，１１１では、接着剤層３の中心側を向く凸状の部分９２ａ，１０２ａ，１１２ａにおいて、切込部９２，１０２，１１２の内側部分が凸状をなした状態でウェハリング１４に残るのに対し、接着剤層３の外側を向く凸状の部分９２ｂ，１０２ｂ，１１２ｂにおいて切込部９２，１０２，１１２の内側部分が捲れ、ここからダイシング時の冷却水１６をウェハ加工用テープ９１，１０１，１１１の外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープ９１，１０１，１１１とウェハリング１４との間の剥離強度を一層確保できる。
【符号の説明】
【００４７】
１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９１，１０１，１１１…ウェハ加工用テープ、２…剥離基材、３…接着剤層、４…粘着剤層、５…基材フィルム、１１，３２，４２，５２，６２，７２，９２，１０２，１１２…切込部、９２ａ，１０２ａ，１１２ａ…凸状の部分（内向き）、９２ｂ，１０２ｂ，１１２ｂ…凸状の部分（外向き）、１３…半導体ウェハ、１４…ウェハリング、１５…ダイシングブレード、１６…冷却水、１７…粘着フィルム、１８…接着フィルム、２０…ダイシングテープ、Ｐ…貼付領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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