(57)【要約】  小型化を図ることができる回転電機を得る。電機子巻線９を有する固定子２と、固定子２の内側に回転可能に設けられた回転子３と、パワー回路用半導体スイッチング素子を有し、電機子巻線９に電流を供給するパワー回路部１８と、回転子３の回転速度に対応した通電許可時間が設定され、パワー回路部１８による電流の供給を制御する制御基板６とを備え、制御基板６は、電機子巻線９への通電時間の積算時間が通電許可時間よりも大きいときに、パワー回路部１８による電流の供給を停止する。
2012077233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電機子巻線を有する固定子と、
前記固定子の内側に回転可能に設けられた回転子と、
パワー回路用半導体スイッチング素子を有し、前記電機子巻線に電流を供給するパワー回路部と、
前記回転子の回転速度に対応した通電許可時間が設定され、前記パワー回路部による電流の供給を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記電機子巻線への通電時間の積算時間が前記通電許可時間よりも長いときに、前記パワー回路部による電流の供給を停止することを特徴とする回転電機。
【請求項２】
前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度を検出する第１の温度検出装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度に対応して、前記パワー回路部による電流の供給を制御することを特徴とする請求項１に記載の回転電機。
【請求項３】
前記制御装置は、前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度に対応した前記通電許可時間が設定されていることを特徴とする請求項２に記載の回転電機。
【請求項４】
前記制御装置は、前記通電時間の積算時間が前記通電許可時間よりも長くなったことにより前記パワー回路部による電流の供給を停止した後、前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が所定の温度よりも低くなるまで、または、前記パワー回路部による電流の供給の停止から所定の時間が経過するまで、前記パワー回路部による電流の供給を停止したままとすることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の回転電機。
【請求項５】
前記制御装置は、Ｂ端子電圧に対応した前記通電許可時間が設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載の回転電機。
【請求項６】
前記通電許可時間は、前記回転子の回転速度に対応した重み付けがされていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の回転電機。
【請求項７】
前記制御装置は、前記パワー回路部による電流の供給の開始前における前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度およびＢ端子電圧に対応した前記通電許可時間が設定されていることを特徴とする請求項２に記載の回転電機。
【請求項８】
前記パワー回路部に設けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンクの温度を検出する第２の温度検出装置とをさらに備え、
前記制御装置は、前記ヒートシンクの温度に対応して、前記パワー回路部による電流の供給を制御することを特徴とする請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載の回転電機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電流が電機子巻線に供給されることにより回転子が回転する回転電機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電機子巻線の温度を検出する温度検出装置を備え、回転子の回転速度情報が入力されることにより、回転子の回転速度に対応した電機子巻線の保護温度が設定されたマップを用いて電機子巻線の保護温度を算出し、電機子巻線の温度と算出された保護温度とを比較して、電機子巻線の過熱保護を行う回転電機が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３５５９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、回転電機の始動時等、電機子巻線の温度が過渡的に変化するときには、温度検出装置が検出する電機子巻線の温度と、実際の電機子巻線の温度との間に差異が生じてしまう。電機子巻線の過渡的な温度の変化に対応して電機子巻線の過熱保護を行うためには、電機子巻線を冷却する冷却装置が必要となり、これにより、回転電機が大型化してしまうという問題点があった。【０００５】
この発明は、小型化を図ることができる回転電機を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る回転電機は、電機子巻線を有する固定子と、前記固定子の内側に回転可能に設けられた回転子と、パワー回路用半導体スイッチング素子を有し、前記電機子巻線に電流を供給するパワー回路部と、前記回転子の回転速度に対応した通電許可時間が設定され、前記パワー回路部による電流の供給を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記電機子巻線への通電時間の積算時間が前記通電許可時間よりも長いときに、前記パワー回路部による電流の供給を停止する。
【発明の効果】
【０００７】
この発明に係る回転電機によれば、制御装置は、回転子の回転速度に対応した通電許可時間が設定され、電機子巻線への通電時間の積算時間が通電許可時間よりも長いときに、パワー回路部による電流の供給を停止するので、回転電機の始動時等、電機子巻線の温度が過渡的に変化するときであっても、電機子巻線の過渡的な温度の変化に対応して電機子巻線の過熱保護を行うことができる。これにより、電機子巻線を冷却する冷却装置が不要となり、回転電機の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１に係る回転電機を示す断面図である。
【図２】図１の回転電機の通電許可時間マップを示す図である。
【図３】図１の制御基板によるパワー回路部への電流の供給の制御を示すフローチャートである。
【図４】この発明の実施の形態２に係る回転電機の通電許可時間マップを示す図である。
【図５】この発明の実施の形態３に係る回転電機の制御基板によるパワー回路部への電流の供給の制御を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明の各実施の形態を図に基づいて説明するが、各図において、同一または相当の部材、部位については、同一符号を付して説明する。
【００１０】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る回転電機を示す断面図である。図において、回転電機は、ブラケット１と、ブラケット１内に収容された固定子２と、固定子２の内側に回転可能に設けられた回転子３と、回転子３を貫通し回転子３に固定された回転軸４と、固定子２および回転子３のそれぞれに電流を供給する電流供給装置５と、電流供給装置５による電流の供給を制御する制御基板（制御装置）６と、回転軸４の回転速度を検出するレゾルバ７とを備えている。レゾルバ７が回転軸４の回転速度を検出することにより、回転子３の回転速度が検出される。
【００１１】
固定子２は、固定子本体８と、固定子本体８に設けられた電機子巻線９とを有している。回転子３は、回転子本体１０と、回転子本体１０に設けられ起磁力を発生させる界磁巻線１１と、リング形状に形成され回転子本体１０とともに回転するファン１２と、ファン１２の内側に配置され回転子本体１０とともに回転するスリップリング１３とを有している。
【００１２】
電流供給装置５は、スリップリング１３に接触するブラシ１４と、ブラシ１４を保持するブラシホルダ１５と、スリップリング１３およびブラシ１４を介して界磁巻線１１に電流を供給する界磁回路部１６と、電機子巻線９に接続された配線部材１７と、配線部材１７を介して電機子巻線９に交流の電流を供給するパワー回路部１８とを有している。
【００１３】
また、電流供給装置５は、界磁回路部１６およびパワー回路部１８に渡って設けられたヒートシンク１９と、ヒートシンク１９に設けられた冷却フィン２０と、パワー配線等のターミナルがインサートされ、界磁回路部１６およびパワー回路部１８が収容されたケース２１と、界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれに電気的に接続された中継基板２２と、中継基板２２に設けられ制御基板６と中継基板２２とを電気的に接続するコネクタ２３とを有している。
【００１４】
ファン１２は、ファン１２が回転することにより電流供給装置５に向かう風を発生させるように配置されている。
【００１５】
ヒートシンク１９は、円盤形状に形成されている。ヒートシンク１９の一方の面には、複数の凸部（図示せず）が形成されている。界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれは、絶縁性接着剤を介してヒートシンク１９の別々の凸部に固着されている。したがって、界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれは、ヒートシンク１９における同一の面に配置されている。ケース２１は、接着剤を介してヒートシンク１９に固着されている。ケース２１は、界磁回路部１６およびパワー回路部１８が配置されたヒートシンク１９の面と同一の面に配置されている。ケース２１のパワー配線には、界磁回路部１６のパワー配線端子とパワー回路部１８のパワー配線端子とが接続されている。界磁回路部１６およびパワー回路部１８をケース２１内に収容し、さらに、中継基板２２およびコネクタ２３を界磁回路部１６およびパワー回路部１８と電気的に接続した後、ケース２１内を樹脂封止することで、電子モジュール２４が形成されている。
【００１６】
冷却フィン２０は、ヒートシンク１９における界磁回路部１６およびパワー回路部１８が取り付けられている面とは反対側の面に配置されている。また、冷却フィン２０は、ファン１２の回転により発生する風が冷却フィン２０に当たるように配置されている。
【００１７】
冷却フィン２０には、ブラシホルダ１５が挿入される凹部が形成されている。凹部に挿入されたブラシホルダ１５は、ケース２１にインサートされたターミナルを介して界磁回路部１６と電気的に接続されている。冷却フィン２０に凹部が形成されることにより、冷却フィン２０の冷却能力が低下するものの、ヒートシンク１９全体への熱の拡散により、凹部による冷却フィン２０冷却能力の低下が抑制される。
【００１８】
ファン１２とヒートシンク１９との間に、ブラシホルダ１５および配線部材１７が配置されている。ブラシホルダ１５および配線部材１７により、ファン１２の回転により発生する風の流路である冷却風路が形成されている。
【００１９】
電子モジュール２４は、ブラケット１内に収容されている。制御基板６およびレゾルバ７は、ブラケット１の外側に配置されている。
【００２０】
界磁回路部１６は、界磁巻線１１に電流を供給する界磁用半導体スイッチング素子と、界磁用半導体スイッチング素子に電気的に接続されたコンデンサ等の電子部品と、界磁用半導体スイッチング素子および電子部品が搭載された金属フレームとを有している。界磁回路部１６は、界磁用半導体スイッチング素子、電子部品および金属フレームがトランスファーモールド成形により箱状に樹脂封止されたモールド成形型モジュールとなっている。金属フレームは、熱伝導性のよい銅または銅合金から構成されている。
【００２１】
パワー回路部１８は、電機子巻線９に電流を供給するパワー回路用半導体スイッチング素子と、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度を検出する検温ダイオード（第１の温度検出装置）と、パワー回路用半導体スイッチング素子および検温ダイオードが搭載された金属フレームとを有している。パワー回路部１８は、パワー回路用半導体スイッチング素子、検温ダイオードおよび金属フレームがトランスファーモールド成形により箱状に樹脂封止されたモールド成形型モジュールとなっている。金属フレームは、熱伝導性のよい銅または銅合金から構成されている。パワー回路部１８には、上下アームが設けられている。パワー回路部１８には、露出する複数の接続端子が設けられている。この接続端子には、検温ダイオードに電気的に接続しているものが含まれている。
【００２２】
制御基板６は、回転子３の回転速度に対応した通電許可時間が設定された通電許可時間マップを有している。通電許可時間マップには、図２に示すように、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度の上昇値ΔＴごとに、通電許可時間が対応されている。パワー回路用半導体スイッチング素子の温度の上昇値ΔＴとは、パワー回路用半導体スイッチング素子の実際の温度と、パワー回路用半導体スイッチング素子の限界の温度との差異から算出される。通電許可時間は、回転子３の回転速度に対応した重み付けがされている。つまり、通電許可時間マップでは、回転子３の回転速度が大きくなるにつれて通電許可時間が長くなるようになっている。
【００２３】
回転電機の動作モードには、エンジンを再び始動させるための再始動、車の動力を増加させるアシスト、発電、回生発電、アイドリングストップ等の動作モードがある。何れの動作モードにおいても、パワー回路部１８のパワー回路用半導体スイッチング素子における異常過熱の発生を防止するために、過熱保護を行う必要がある。
【００２４】
パワー回路用半導体スイッチング素子において、動作時間は短いが流れる電流が大きく発熱量の大きい再始動やアシスト等の駆動時が特に温度上昇が大きくなる。そのため、動作前のパワー回路用半導体スイッチング素子の温度によってはアイドリングストップ（＋再始動）や駆動の動作を行わない場合や、動作を行う場合であってもパワー回路用半導体スイッチング素子の素子限界温度を超えないように動作可能な通電時間とする必要がある。ただし、アイドリングストップの場合は、パワー回路用半導体スイッチング素子自体は発熱をしないが、例えば、パワー回路用半導体スイッチング素子以外の部分である固定子２等からの受熱によりヒートシンク１９を介して、パワー回路用半導体スイッチング素子が温度上昇する場合も考慮する必要がある。
【００２５】
次に、回転電機の過熱保護の動作について説明する。図３は図１の制御基板６によるパワー回路部１８への電流の供給の制御を示すフローチャートである。回転電機による動力が発生する前である動作前では、制御基板６は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度と、パワー回路用半導体スイッチング素子に電流を供給するために必要な温度である次動作可能温度とを比較する（ステップＳ１）。パワー回路用半導体スイッチング素子の温度は、検温ダイオードにより検出される。次動作可能温度は、直後の動作、例えば、アイドリングストップ＋再始動や駆動等を行う場合によって必要な温度上昇分を考慮して決められている。パワー回路用半導体スイッチング素子の温度と次動作可能温度とを比較することにより、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度によっては、例えば、極短時間のアシストしか行うことができずに、回転電機が過熱保護をすぐに開始してしまうことが防止される。
【００２６】
ステップＳ１で、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が次動作可能温度よりも高いと制御基板６が判定すると、次動作に移行しない（ステップＳ２）。これにより、回転電機の過熱保護が開始される。
【００２７】
一方、ステップＳ１で、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が次動作可能温度よりも低いと制御基板６が判定すると、制御基板６はパワー回路用半導体スイッチング素子から電機子巻線９への電流の供給を開始させて、回転電機の次動作が開始する（ステップＳ３）。
【００２８】
また、制御基板６は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度とレゾルバ７による回転子３の回転速度とを用い、通電許可時間マップを参照して通電許可時間を決め、動作開始から積算時間をカウントする（ステップＳ４）。
【００２９】
その後、制御基板６は、積算時間と通電許可時間とを比較する（ステップＳ５）。ステップＳ５で、積算時間が通電許可時間よりも短いと制御基板６が判定すると、回転電機の動作が継続される（ステップＳ６）。積算時間が通電許可時間よりも短い場合で、動作中に回転子３の回転速度が変化した場合には、制御基板６は、通電許可時間マップを参照し、現在の回転子３の回転速度に対応した通電許可時間に変更する。
【００３０】
ステップＳ５で、積算時間が通電許可時間よりも長いと制御基板６が判定すると、回転電機の過熱保護が発生し、回転電機の動作が停止する（ステップＳ７）。
【００３１】
以上説明したように、この発明の実施の形態１に係る回転電機によれば、制御基板６は、回転子３の回転速度に対応した通電許可時間が設定され、電機子巻線９への通電時間の積算時間が通電許可時間よりも長いときに、パワー回路部１８による電流の供給を停止するので、回転電機の始動時等、電機子巻線９の温度が過渡的に変化するときであっても、電機子巻線９の過渡的な温度の変化に対応して電機子巻線９の過熱保護を行うことができる。これにより、電機子巻線９を冷却する冷却装置が不要となり、回転電機の小型化を図ることができる。
【００３２】
また、回転電機は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度を検出する検温ダイオードを備え、制御基板６は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度に対応して、パワー回路部１８による電流の供給を制御するので、駆動を開始する直前のパワー回路用半導体スイッチング素子の温度により次の動作を行うか否かを決めることができる。これにより、パワー回路用半導体スイッチング素子を確実に保護することができる。
【００３３】
また、制御基板６は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度に対応した通電許可時間が設定されているので、通電許可時間を長く設定することができる。
【００３４】
また、通電許可時間は、回転子３の回転速度に対応した重み付けがされているので、通電許可時間を長く設定することができる。
【００３５】
界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれは、ヒートシンク１９における同一の面に配置され、中継基板２２が界磁回路部１６およびパワー回路部１８に電気的に接続されているので、電子モジュール２４内で、界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれの接続端子の位置が散らばっている場合であっても、界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれを制御基板６に電気的に容易に接続することができる。
【００３６】
ヒートシンク１９が円盤形状に形成され、界磁回路部１６およびパワー回路部１８のそれぞれは、ヒートシンク１９における同一の面に配置され、冷却フィン２０は、ヒートシンク１９における界磁回路部１６およびパワー回路部１８が取り付けられている面とは反対側の面に配置されているので、ブラケット１内における配置スペースを有効に使用することができ、ヒートシンク１９のサイズを大きくすることができ、界磁回路部１６およびパワー回路部１８の設置スペース確保や冷却フィン２０の面積の確保を容易に行うことができる。
【００３７】
電機子巻線９とパワー回路部１８とが配線部材１７を介して電気的に接続されているので、固定子２の位置と電子モジュール２４の配線取付位置とが大きく離れた場合であっても、電機子巻線９とパワー回路部１８との電気的接続を容易に行うことができる。これにより、電機子巻線９およびパワー回路部１８のそれぞれの配置位置の自由度を向上させることができる。
【００３８】
実施の形態２．
図４はこの発明の実施の形態２に係る回転電機の通電許可時間マップを示す図である。実施の形態１では、動作前のパワー回路用半導体スイッチング素子の温度に基づいて動作開始後の通電許可時間を決めていたが、実施の形態２では、さらに、制御基板６は、Ｂ端子電圧に対応した許可通電時間が設定された通電許可時間マップを有している。新たな通電許可時間マップには、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度の上昇値ΔＴごとに、Ｂ端子電圧および回転子３の回転速度に対応した通電許可時間が設定されている。
【００３９】
回転子３の回転速度が変化しなくても、パワー回路用半導体スイッチング素子に印加されるＢ端子電圧に対応して、パワー回路用半導体スイッチング素子に供給される電流が変化するので、Ｂ端子電圧の変化によってパワー回路用半導体スイッチング素子における発熱量が変化して、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度変化量が変化する。
【００４０】
以上説明したように、この発明の実施の形態２に係る回転電機によれば、制御基板６は、Ｂ端子電圧に対応した通電許可時間が設定されているので、Ｂ端子電圧の変化によって発生するパワー回路用半導体スイッチング素子の温度変化量に対応して、通電許可時間を設定することができる。これにより、過熱保護をするときの条件を細分化することができ、温度推定の精度向上につながり、回転電機の動作可能な条件を増やすことができ、過大な冷却性能が不要となり回転電機の小型軽量化を図ることができる。
【００４１】
また、制御基板６は、パワー回路部１８による電流の供給の開始前におけるパワー回路用半導体スイッチング素子の温度およびＢ端子電圧に対応した通電許可時間が設定されているので、駆動を開始する直前のパワー回路用半導体スイッチング素子の温度およびＢ端子電圧により次の動作を行うか否かを決めることができる。これにより、パワー回路用半導体スイッチング素子を確実に保護することができる。
【００４２】
実施の形態３．
図５はこの発明の実施の形態３に係る回転電機の制御基板６によるパワー回路部１８への電流の供給の制御を示すフローチャートである。実施の形態３では、回転電機の過熱保護により回転電機の動作が停止した後（ステップＳ７）、再び動作を開始（動作を継続）する場合には（ステップＳ８）、制御基板６は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が所定の温度よりも低くなったか否か、または、パワー回路部１８による電流の供給の停止から所定の時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ９）。
【００４３】
ステップＳ９で、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が所定の温度よりも低くなったと制御基板６が判定するか、または、パワー回路部１８による電流の供給の停止から所定の時間が経過したと制御基板６が判定すると、回転電機の次動作が開始する（ステップＳ３）。
【００４４】
一方、ステップＳ９で、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が所定の温度よりも低くないと制御基板６が判定するか、または、パワー回路部１８による電流の供給の停止から所定の時間が経過していないと制御基板６が判定すると、パワー回路部１８による電流の供給を停止したままとなる（ステップＳ７）。
【００４５】
一方、ステップＳ８で再び動作を開始（動作を継続）しない場合には、別の動作へ移動する（ステップＳ１０）。
【００４６】
以上説明したように、この発明の実施の形態３に係る回転電機によれば、制御基板６は、通電時間の積算時間が通電許可時間よりも長くなったことによりパワー回路部１８による電流の供給を停止した後、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が所定の温度よりも低くなるまで、または、パワー回路部１８による電流の供給の停止から所定の時間が経過するまで、パワー回路部１８による電流の供給を停止したままとするので、再動作した直後に積算時間が通電許可時間を越えることによる停止が発生することを防ぐことができる。
【００４７】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４に係る回転電機は、ヒートシンク１９の温度を検出するサーミスタ（第２の温度検出装置）をさらに備えている。制御基板６は、ヒートシンク１９の温度に対応した通電許可時間マップをさらに有している。これにより、次動作可能温度や通電許可時間についての細分化を図ることができ、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度推定の精度が向上する。
【００４８】
動作中は、回転子３が回転しているので、冷却風によりヒートシンク１９が冷却される。したがって、ヒートシンク１９の温度は、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度よりも低くなる。しかしながら、アイドリングストップ時には、例えば、固定子２からの受熱によりヒートシンク１９の温度は、動作停止後から上昇する。一方、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度は、動作停止により、低下する。その結果、動作停止後の時間の経過とともに、パワー回路用半導体スイッチング素子とヒートシンク１９との間の温度差がなくなり、さらには、ヒートシンク１９の温度がパワー回路用半導体スイッチング素子の温度よりも高くなる場合がある。
【００４９】
ヒートシンク１９の温度がパワー回路用半導体スイッチング素子の温度よりも高い場合には、ヒートシンク１９によるパワー回路用半導体スイッチング素子の冷却効果が低下するので、通電許可時間を短くする必要がある。したがって、実施の形態４では、動作開始前のヒートシンク１９の温度とパワー回路用半導体スイッチング素子の温度とを比較して、ヒートシンク１９の温度がパワー回路用半導体スイッチング素子の温度よりも低い場合には、実施の形態１と同様に、パワー回路用半導体スイッチング素子の温度を用いて、通電許可時間が決められ、ヒートシンク１９の温度がパワー回路用半導体スイッチング素子の温度よりも高い場合には、ヒートシンク１９の温度を用いて、通電許可時間が決められるようになっている。
【００５０】
以上説明したように、この発明の実施の形態４に係る回転電機によれば、ヒートシンク１９の温度を検出するサーミスタを備え、制御基板６は、ヒートシンク１９の温度に対応して、パワー回路部１８による電流の供給を制御するので、ヒートシンク１９の温度がパワー回路用半導体スイッチング素子の温度よりも高い場合にも、パワー回路用半導体スイッチング素子の過熱保護を確実に行うことができる。
【００５１】
なお、上記実施の形態４では、第２の温度検出装置として、ヒートシンク１９の温度を検出するサーミスタを例に説明したが、ヒートシンク１９の温度以外に、ブラケット１内の温度を検出する温度検出装置であればよい。
【符号の説明】
【００５２】
１  ブラケット、２  固定子、３  回転子、４  回転軸、５  電流供給装置、６  制御基板（制御装置）、７  レゾルバ、８  固定子本体、９  電機子巻線、１０  回転子本体、１１  界磁巻線、１２  ファン、１３  スリップリング、１４  ブラシ、１５  ブラシホルダ、１６  界磁回路部、１７  配線部材、１８  パワー回路部、１９  ヒートシンク、２０  冷却フィン、２１  ケース、２２  中継基板、２３  コネクタ。２４  電子モジュール。
【図１】
2012077233.tif 000003
【図２】
2012077233.tif 000004
【図３】
2012077233.tif 000005
【図４】
2012077233.tif 000006
【図５】
2012077233.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電機子巻線を有する固定子と、
前記固定子の内側に回転可能に設けられた回転子と、
パワー回路用半導体スイッチング素子を有し、前記電機子巻線に電流を供給するパワー回路部と、
前記回転子の回転速度に対応した通電許可時間が設定され、前記パワー回路部による電流の供給を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記電機子巻線への通電開始からの通電時間の積算時間が前記通電許可時間よりも長いときに、前記パワー回路部による電流の供給を停止することを特徴とする回転電機。
【請求項２】
前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度を検出する第１の温度検出装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度に対応して、前記パワー回路部による電流の供給を制御することを特徴とする請求項１に記載の回転電機。
【請求項３】
前記制御装置は、前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度に対応した前記通電許可時間が設定されていることを特徴とする請求項２に記載の回転電機。
【請求項４】
前記制御装置は、前記通電時間の積算時間が前記通電許可時間よりも長くなったことにより前記パワー回路部による電流の供給を停止した後、前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度が所定の温度よりも低くなるまで、または、前記パワー回路部による電流の供給の停止から所定の時間が経過するまで、前記パワー回路部による電流の供給を停止したままとすることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の回転電機。
【請求項５】
前記制御装置は、バッテリ端子電圧に対応した前記通電許可時間が設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載の回転電機。
【請求項６】
前記通電許可時間は、前記回転子の回転速度に対応した重み付けがされていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の回転電機。
【請求項７】
前記制御装置は、前記パワー回路部による電流の供給の開始前における前記パワー回路用半導体スイッチング素子の温度およびＢ端子電圧に対応した前記通電許可時間が設定されていることを特徴とする請求項２に記載の回転電機。
【請求項８】
前記パワー回路部に設けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンクの温度を検出する第２の温度検出装置とをさらに備え、
前記制御装置は、前記ヒートシンクの温度に対応して、前記パワー回路部による電流の供給を制御することを特徴とする請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載の回転電機。
【国際調査報告】
2012077233.tif 000008
2012077233.tif 000009
2012077233.tif 000010