(57)【要約】  矩形状の絶縁基板(4)と、その基板表面(8)に配置されたランド(16,17,18,19)と、半田(100)を用いてランドに接続され、基板表面に実装される電子部品(60,70,80,90)と、基板表面を覆って配線パターン(24)を保護し、この基板表面から電子部品に向けて隆起したソルダーレジストの保護層(30)と、このソルダーレジストが施されず、基板表面を露出させたレジスト未形成領域(40)と、基板表面にて電子部品を封止する封止樹脂(6)とを具備し、このレジスト未形成領域は、基板表面を区画する一辺(11)から、この基板表面のうち電子部品の部品裏面下を経由し、基板表面を区画する当該一辺とは別の他辺(14)までを連通して形成される。（選択図  図５）
2012060034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品モジュールは、
矩形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の基板表面に配置されたランドと、
半田を用いて前記ランドに接続され、前記基板表面に実装される電子部品と、
前記基板表面を覆って配線パターンを保護し、この基板表面から前記電子部品に向けて隆起したソルダーレジストの保護層と、
このソルダーレジストが施されず、前記基板表面を露出させたレジスト未形成領域と、
前記基板表面にて前記電子部品を封止する封止樹脂とを具備し、
前記レジスト未形成領域は、前記基板表面を区画する一辺から、この基板表面のうち前記電子部品の部品裏面下を経由し、前記基板表面を区画する当該一辺とは別の他辺までを連通して形成される。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品モジュールであって、
前記基板表面には、複数個の電子部品が実装されており、
前記レジスト未形成領域は、前記各電子部品の部品裏面下に設けられたレジスト未形成部と、これら各レジスト未形成部同士を連通させる中継開口とを備える。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品モジュールであって、
前記電子部品の部品裏面は、交差する長辺と短辺とで区画された長方形にて形成されており、
これら各電子部品のうち大型や中型の電子部品の長辺を、前記レジスト未形成領域の形成方向に沿って配置し、これら大型の電子部品と中型の電子部品との間には、小型の電子部品も配置しない。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、
前記レジスト未形成領域は、前記一辺に連なり、前記封止樹脂の入口をなす入口側の基板周縁開口と、前記他辺に連なり、前記封止樹脂の出口をなす出口側の基板周縁開口とを備え、
前記入口側の基板周縁開口の面積は、前記出口側の基板周縁開口の面積よりも大きく形成されている。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品モジュールであって、
前記出口側の基板周縁開口は、前記基板表面を挟んで前記入口側の基板周縁開口の反対側に設けられている。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の電子部品モジュールであって、
前記基板表面に実装される複数個の電子部品のうち、最も大型の電子部品の端面を前記入口側の基板周縁開口に近接させる。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、
前記基板表面に実装される複数個の電子部品のうち、その部品裏面から前記基板表面までの隙間が最も高い電子部品を前記入口側の基板周縁開口に近接させる一方、この隙間が低い電子部品を前記出口側の基板周縁開口に近接させる。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、
前記ランドには、前記電子部品をリフローによって前記基板表面に実装する際に、前記半田と一体になって前記部品裏面から前記基板表面までの隙間を、この半田のみで形成させた場合よりも高くする予備半田が形成されている。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、
前記絶縁基板は、その内部の層に配置され、前記ランドに接続される配線パターンを有する。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電子部品モジュールであって、
前記保護層のうち、近接した前記ランドに挟まれた保護層は、隣接する保護層に繋げられ、このランドの一部を囲んだ略Ｕ字状に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板に搭載された電子部品を封止樹脂で覆う電子部品モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の絶縁基板には、種々のランドや配線パターンがその基板表面に形成されている。電子部品は、例えばフリップチップ方式によるワイヤレスボンディング、つまり、半田バンプを部品裏面のボンディングパッドに設けておき、半田バンプとランドとを位置合わせした後に、リフローによって基板表面に実装される。【０００３】
続いて、例えば液状のアンダーフィル剤を部品裏面と基板表面との隙間に充填し、このアンダーフィル剤を硬化させると、半田バンプによる接続を補強でき、電子部品と絶縁基板との接続信頼性が向上する。
ここで、このアンダーフィル剤に替え、封止樹脂を部品裏面と基板表面との隙間に充填する技術が日本国特開２００４−１０３９９８号公報、日本国特開２００６−１７３４９３号公報、日本国特開２００６−３３９５２４号公報に提案されている。【０００４】
具体的には、電子部品が実装された絶縁基板を金型にセットし、加圧した封止樹脂（フィラーを含む）を金型内に流し込むと、電子部品の周囲、より詳しくは、部品裏面下の他、部品表面なども同時に覆うことができる（モールドアンダーフィル構造）。これにより、電子部品を金属製のカバーで覆っていた構造に比して、電子部品モジュールの小型化、薄型化や製造コストの低廉化を達成できる。【０００５】
これは、金属製のカバーと電子部品との干渉を回避するための空間がデッドスペースになり、また、上記アンダーフィル剤を充填するには、各電子部品を近接できず、さらに、部品裏面下も高くする必要があり、やはりデッドスペースが大きくなるものの、モールドアンダーフィル構造では、これら各スペースを省略でき、しかも、金属製のカバーも不要になるためである。【０００６】
ところで、上記基板表面にはソルダーレジストの保護層が設けられており、基板表面に形成された配線パターンを覆って保護している。溶融した半田が配線パターンに流れると（半田流れ現象）、ランドと配線パターンとを半田で導通する半田ブリッジが生じ、配線パターンのショート不良を招くからである。
一方、この保護層は基板表面から電子部品に向けて隆起するので、部品裏面下が低くなる。特に、上述のモールドアンダーフィル構造、すなわち、部品裏面下を低くして電子部品モジュールの薄型化を達成した構造では、この隙間に流入する樹脂が流動し難い。【０００７】
そして、これでは当該部品裏面下を埋める樹脂内に空気（ボイド）が残り、接続信頼性を維持できないとの問題がある。
上記電子部品モジュールとマザーボードとをリフロー接続する際には、半田バンプが再溶融するが、上記樹脂に残された空気は半田バンプの再溶融時に膨張し、その周囲の樹脂に応力が作用すると、この樹脂にクラックを生じさせ得るからである。また、半田バンプ間にまたがるボイドが存在すると、半田再溶融時に半田がショートする現象が発生する。【０００８】
この場合に、上述した従来の技術、特に特許文献１に記載された溝、詳しくは、保護層の一部を除去し、樹脂を導いてその流動性を補助する溝を適用することも考えられる。
しかしながら、当該技術の溝は、その周囲が保護層で閉じられており、樹脂は保護層を乗り越えてから溝に到達しなければならない。つまり、保護層と溝の底面との境界部分には依然として空気が残り易く、やはりボイドが生じ易くなる。【０００９】
これに対し、細径のフィラー含む樹脂や、より低粘度の樹脂を用いることも考えられるが、これでは、上記製造コストの低廉化を達成できるモールドアンダーフィル構造の長所を阻害してしまう。
このように、上記従来の技術では、樹脂の流動性を真に高める点については依然として課題が残されている。【００１０】
【特許文献１】日本国特開２００４−１０３９９８号公報
【特許文献２】日本国特開２００６−１７３４９３号公報
【特許文献３】日本国特開２００６−３３９５２４号公報
【発明の開示】
【００１１】
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、モールドアンダーフィル構造の長所を維持しつつ、接続信頼性を向上できる電子部品モジュールを提供することである。
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の電子部品モジュールは、矩形状の絶縁基板と、絶縁基板の基板表面に配置されたランドと、半田を用いてランドに接続され、基板表面に実装される電子部品と、基板表面を覆って配線パターンを保護し、この基板表面から電子部品に向けて隆起したソルダーレジストの保護層と、このソルダーレジストが施されず、基板表面を露出させたレジスト未形成領域と、基板表面にて電子部品を封止する封止樹脂とを具備する。
【００１３】
そして、このレジスト未形成領域は、基板表面を区画する一辺から、この基板表面のうち電子部品の部品裏面下を経由し、基板表面を区画する当該一辺とは別の他辺までを連通して形成される。
第１の発明によれば、矩形状の基板表面にはランドが配置されており、電子部品は、半田を用いてこのランドに接続され、基板表面に実装される。
【００１４】
電子部品の周囲を金属製のカバーではなく封止樹脂で覆っており、上記半田も一括して封止できるので（モールドアンダーフィル構造）、金属製のカバーで電子部品の周囲を遮蔽する場合に比して、小型、薄型、かつ、低コストの電子部品モジュールを構成できる。
ここで、基板表面には、ソルダーレジストの保護層とレジスト未形成領域とが設けられている。
【００１５】
詳しくは、この保護層は、基板表面に形成された配線パターンを保護すべく基板表面を覆う。これに対し、この保護層が施されておらず、封止樹脂の充填までは基板表面を露出させた領域がレジスト未形成領域になる。
つまり、保護層は基板表面から電子部品に向けて隆起し、これら保護層表面と基板表面とは高低差があり、電子部品の部品裏面から基板表面までの隙間は、この部品裏面から保護層表面までの隙間よりも高くなる。
【００１６】
そして、本発明のレジスト未形成領域は、基板表面を区画する一辺から、この基板表面のうち電子部品の部品裏面下、換言すれば、部品裏面の投影範囲を経由し、当該一辺とは別の他辺までを連通して形成されている。これにより、封止樹脂は、基板表面を露出させた上記部品裏面から基板表面までの隙間を速やかに充填し、上記半田を直ちに封止できる。
【００１７】
このように、基板表面を露出させたレジスト未形成領域が一辺と他辺との間を貫いて樹脂の流動性を真に高めるため、樹脂の封止作業を短時間で完了できる。また、この封止樹脂には細径のフィラーが不要になり、安価な樹脂を用いることができて製造コストの低廉化も阻害しない。
しかも、レジスト未形成領域が樹脂の流動抵抗を低めれば、上記半田には樹脂が完全に充填され、ボイドが生じ難くなる。よって、電子部品モジュールとマザーボードとをリフロー接続する際に上記半田が再溶融しても、この樹脂へのクラックを防止できる。この結果、電子部品と絶縁基板との接続信頼性が向上する。
【００１８】
また、このレジスト未形成領域では、樹脂が基板表面に直に密着するため、この点も電子部品と絶縁基板との接続信頼性の向上に寄与する。
次に、他の態様としては、基板表面には、複数個の電子部品が実装されており、レジスト未形成領域は、各電子部品の部品裏面下に設けられたレジスト未形成部と、これら各レジスト未形成部同士を連通させる中継開口とを備える。
【００１９】
このように、複数個の電子部品を基板表面に実装すると、基板表面には、各部品裏面下が電子部品の個数だけ広くなり、樹脂の流動抵抗も増加する。
しかし、一辺と他辺との間を貫いたレジスト未形成領域は、各電子部品の部品裏面と基板表面との隙間をなすレジスト未形成部や、各部品裏面下には該当しないものの、これら各レジスト未形成部同士を連通させる中継開口を有しており、上述の基板表面を露出させた部品裏面から基板表面までの隙間を基板表面の広範囲に亘って設置できる。
【００２０】
したがって、複数の電子部品を基板表面に実装しても、この基板表面のうち電子部品の部品裏面下に流入した樹脂の流動性は妨げられない。
また、電子部品の部品裏面は、交差する長辺と短辺とで区画された長方形にて形成されており、これら各電子部品のうち大型や中型の電子部品の長辺を、レジスト未形成領域の形成方向に沿って配置し、これら大型の電子部品と中型の電子部品との間には、小型の電子部品も配置しないことが好ましい。
【００２１】
このように、大型の電子部品下のレジスト未形成部と中型の電子部品下のレジスト未形成部との間には、小型の電子部品の配置によって形成されるランド、表面の配線パターンや保護層など、樹脂の流動性を妨げる要因が除かれており、同じく基板表面を露出させた中継開口だけが存在する。よって、種々の大きさの電子部品を基板表面に複数実装しても、各部品裏面下に樹脂を容易に充填できる。
【００２２】
さらに、レジスト未形成領域は、一辺に連なり、封止樹脂の入口をなす入口側の基板周縁開口と、他辺に連なり、封止樹脂の出口をなす出口側の基板周縁開口とを備え、入口側の基板周縁開口の面積は、出口側の基板周縁開口の面積よりも大きく形成されていることが好ましい。
【００２３】
このように、封止樹脂は、一辺に連なって大きく形成した入口側の基板周縁開口からレジスト未形成領域に向けて多量に流入するので、樹脂の流動性がより高くなる。
さらに、この樹脂はこのレジスト未形成領域を速やかに充填した後、他辺に連なる出口側の基板周縁開口から導出する。これにより、電子部品モジュールの製造工程にて、複数の絶縁基板を連結して集合させれば、出口側の基板周縁開口から導出した樹脂は、隣接した他の絶縁基板の入口側の基板周縁開口から流入でき、樹脂の封止作業の効率化を図ることができる。
【００２４】
また好ましくは、出口側の基板周縁開口は、基板表面を挟んで入口側の基板周縁開口の反対側に設けられている。
このように、上記集合した絶縁基板でみれば、出口側の基板周縁開口が入口側の基板周縁開口に対向するため、これら入口側や出口側の各基板周縁開口が基板表面の交差する辺に設けられて対向しない場合に比して、より広範囲のレジスト未形成領域を基板表面に配置でき、樹脂の流動性を最も高めることができる。
【００２５】
さらに好ましくは、基板表面に実装される複数個の電子部品のうち、最も大型の電子部品の端面を入口側の基板周縁開口に近接させる。
大型の電子部品は、その部品裏面下が基板表面の広範囲に亘って存在することになり、樹脂への負荷も広範囲に亘って作用する。しかし、最も大型の電子部品の端面を、大きく形成した入口側の基板周縁開口に近接すれば、樹脂は、当該大型の電子部品下のレジスト未形成部に向けて容易に流入する。
【００２６】
また、基板表面に実装される複数個の電子部品のうち、その部品裏面から基板表面までの隙間が最も高い電子部品を入口側の基板周縁開口に近接させる一方、この隙間が低い電子部品を出口側の基板周縁開口に近接させるが好適である。
このように、隙間が最も高い電子部品を大きく形成した入口側の基板周縁開口に近接すれば、樹脂は、当該電子部品下のレジスト未形成部に向けて樹脂をより一層容易に流入する。
【００２７】
また、この隙間が低い電子部品を出口側の基板周縁開口に近接すれば、この樹脂を、仮に中型の電子部品下のレジスト未形成部から大型の電子部品下のレジスト未形成部に向けて流した場合に比して、樹脂の流動抵抗を確実に低減できる。
さらに好適には、ランドには、電子部品をリフローによって基板表面に実装する際に、半田と一体になって部品裏面から基板表面までの隙間を、この半田のみで形成させた場合よりも高くする予備半田が形成されている。
【００２８】
基板表面のランドに設けられた予備半田は、リフローによって電子部品を基板表面に実装する際に、半田と一体になり、レジスト未形成領域をなす隙間を高くする。つまり、基板表面を露出させた部品裏面から基板表面までの隙間は、上記半田のみを用い、予備半田を設けずに確保した隙間よりもさらに高くなる。よって、樹脂の流動抵抗を大幅に低減できる。
【００２９】
さらにまた、絶縁基板は、その内部の層に配置され、ランドに接続される配線パターンを有することが好ましい。
このように、配線パターンの内層化を図れば、基板表面への保護層を省略できる。よって、保護層の範囲が少なくなり、一辺と他辺との間を貫いたレジスト未形成領域を広範囲に亘って基板表面に設置できる。
【００３０】
また好ましくは、保護層のうち、近接したランドに挟まれた保護層は、隣接する保護層に繋げられ、このランドの一部を囲んだ略Ｕ字状に形成されている。
レジスト未形成領域を広範囲に形成し、保護層の範囲が少なくすれば、樹脂の流動性は向上する。一方、過度に小さな面積の保護層は、配線パターンを保護する機能を低下させるし、また、基板表面に施し難い。
【００３１】
そこで、保護層が、近接したランドで挟まれている場合には、隣接する保護層同士を繋いで略Ｕ字状に形成する。これにより、レジスト未形成領域を広範囲に形成しつつも、保護層に必要な面積も確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本実施例のチューナの外観斜視図、
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿うチューナの断面図、
【図３】図１の絶縁基板の平面図であり、電子部品を搭載した状態を示す図、
【図４】図１の絶縁基板の平面図であり、ランドや配線パターンを説明する図、
【図５】図１の絶縁基板の平面図であり、保護膜を説明する図、
【図６】図５における樹脂の流れ方向を説明する図、
【図７】図１のチューナの製造フローチャート、
【図８】図６の製造工程を説明する図、
【図９】図６の製造工程を説明する図、
【図１０】図６の製造工程を説明する図、及び
【図１１】図６の製造工程を説明する図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施例に係るテレビジョンチューナ（電子部品モジュール）２の外観斜視図であり、このチューナ２は、マザーボード１とともに、携帯機器、例えば携帯電話の筐体内に納められており、地上波デジタル放送の信号を受信可能である。【００３４】
当該チューナ２は平面視長方形状の絶縁基板４を備えている。
絶縁基板４は、その厚み方向で対向した同形状の基板表面８や基板裏面１０を有し（図２）、絶縁基板４はこの基板裏面１０に形成された端子（図示しない）を介してマザーボード１に固定される。
基板表面８の周縁は、前辺（一辺）１１、横辺１２，１３、及び後辺（他辺）１４で区画されており（図１）、前辺１１や後辺１４は横辺１２，１３よりも短い長さで形成され、この図１でみてこれら前辺１１や後辺１４の左右両端は、左側の横辺１２と右側の横辺１３とにそれぞれ交差する。【００３５】
また、図２に示されるように、絶縁基板４は、基板表面８よりも下側の内部層に内面の配線パターン２６を備えている。この配線パターン２６は、例えば銅箔で構成され、スルーホール等を介して基板表面８に配置されたランド１６，１７などや、上述した基板裏面１０の端子に導通される。なお、これらランド１６，１７などの配置については図４を用いて別途説明する。【００３６】
本実施例の基板表面８には、チューナ２を構成する複数個の電子部品６０，７０，８０，９０が実装されている（図３）。なお、この図３や以降の図４〜６では、構造の説明を容易にすべく図１，２の封止樹脂６を省略している。
具体的には、まず、集積回路（ＩＣ）６０は、搭載される電子部品のうち最も大型、つまり、基板表面８の接線方向でみた面積が最も大きな電子部品であり、例えば位相同期回路、発振回路や混合回路に相当する機能を備える。【００３７】
このＩＣ６０は、図３でみて基板表面８の前辺１１寄りに設けられており、平面視長方形状の部品表面６１を有する。なお、図２に示した部品裏面６２もまた部品表面６１と同形状をなす。
これら部品表面６１や部品裏面６２は、交差する長辺６４と短辺６５とで区画されており、図３に示される如く、この長辺６４が横辺１２，１３に沿って配置され、この図でみた奥側の短辺６５が前辺１１に近接して配置されている。【００３８】
次に、ノッチフィルタ７０は、ＩＣ６０に比して小さい中型の電子部品であり、テレビジョン受信波を通すものの、携帯電話の送信波をカットする機能を備えている。
このノッチフィルタ７０は、図３でみてＩＣ６０と後辺１４との間に設けられており、平面視長方形状の部品表面７１を有する。なお、図２に示した部品裏面７２もまた部品表面７１と同形状をなす。【００３９】
これら部品表面７１や部品裏面７２もまた、交差する長辺７４と短辺７５とで区画される。この長辺７４が横辺１２，１３に沿って配置され、図３でみた奥側の短辺７５がＩＣ６０の短辺６５に近接して配置されている。
続いて、水晶振動子８０は、ＩＣ６０に比して小さいが、ノッチフィルタ７０に比して大きな中型の電子部品であり、局部発振器に相当する機能を備える。【００４０】
この水晶振動子８０もノッチフィルタ７０と同様に、図３でみてＩＣ６０と後辺１４との間に設けられ、平面視長方形状の部品表面８１を有する。なお、その部品裏面は図２の断面図には現れないが、部品表面８１と同形状である。
これら部品表面８１や部品裏面は、交差する長辺８４と短辺８５とで区画されており、この長辺８４が横辺１２，１３に沿って配置され、図３でみた奥側の短辺８５がＩＣ６０の短辺６５に近接して配置されている。一方、この図でみた手前の短辺８５は後辺１４に近接して配置される。【００４１】
また、チップ部品９０は、ノッチフィルタ７０に比して小さい小型の電子部品である。チップ部品９０は、ＩＣ６０、ノッチフィルタ７０、水晶振動子８０の作動を調整する機能などを備えている。
詳しくは、各チップ部品９０もまた、平面視長方形状の部品表面９１を有する。なお、図２に示す部品裏面９２もまた部品表面９１と同形状である。【００４２】
これら部品表面９１や部品裏面９２は、交差する長辺９４と短辺９５とで区画されるが、本実施例で云えば計１６個のチップ部品９０が基板表面８に実装されており（図３）、これら長辺９４や短辺９５は、そのチップ部品９０の位置に応じて向きが異なる。
より具体的には、まず、この図３でみてＩＣ６０の左側には、その長手方向が横辺１２に沿う４個のチップ部品９０が配置されている。【００４３】
つまり、その長辺９４がＩＣ６０の長辺６４に平行方向に、短辺９５が長辺６４に直交方向にそれぞれ配置される。本実施例では、これら４個のチップ部品９０のうちこの図３でみた手前側の２個のチップ部品９０は、基板表面８に設けられた表面の配線パターン２４で接続される。この配線パターン２４も例えば銅箔で構成される。【００４４】
また、このＩＣ６０の右側には６個のチップ部品９０が配置されている。そのうち５個のチップ部品９０は、その長手方向が横辺１３に交差する。
換言すれば、その長辺９４がＩＣ６０の長辺６４に直交方向に、短辺９５が長辺６４に平行方向にそれぞれ配置される。本実施例では、これら５個のチップ部品９０のうち図３でみた手前側の２個のチップ部品９０が、基板表面８に設けられた表面の配線パターン２４で接続されている。【００４５】
一方、ＩＣ６０の右側の残り１個のチップ部品９０は、その長手方向が横辺１３に沿って配置されており、その長辺９４がＩＣ６０の長辺６４に平行方向に配置され、短辺９５が長辺６４に直交方向にそれぞれ配置される。
さらに、この図３でみてＩＣ６０の手前側の近接位置には１個のチップ部品９０が配置され、このチップ部品９０は、その長手方向が横辺１３に交差する。つまり、その長辺９４がＩＣ６０の短辺６５に平行方向に配置され、短辺９５が短辺６５に直交方向にそれぞれ配置されている。【００４６】
そして、ＩＣ６０の周囲に設けられた計１１個のチップ部品９０は、図２に示した内面の配線パターン２６を介してＩＣ６０に適宜接続されている。
次に、この図３でみてノッチフィルタ７０の左側には１個のチップ部品９０が配置されている。当該チップ部品９０は、その長手方向が横辺１２に沿い、その長辺９４がノッチフィルタ７０の長辺７４に平行方向に、短辺９５が長辺７４に直交方向にそれぞれ配置される。【００４７】
本実施例では、当該チップ部品９０は、基板表面８に設けられた表面の配線パターン２４を用いて、ノッチフィルタ７０やＩＣ６０の左側に設けられた上記チップ部品９０にも接続されている。
また、この図３でみてノッチフィルタ７０の手前側には大小２個のチップ部品９０が配置されており、その長手方向がいずれも横辺１２に交差する。【００４８】
つまり、その長辺９４がノッチフィルタ７０の短辺７５に平行方向に、短辺９５が短辺７５に直交方向にそれぞれ配置される。本実施例では、これら２個のチップ部品９０のうち左側の大きなチップ部品９０は、基板表面８に設けられた表面の配線パターン２４を介してノッチフィルタ７０に接続される。一方、右側の小さなチップ部品９０は、図２に示した内面の配線パターン２６を介してノッチフィルタ７０に接続されている。【００４９】
さらに、このノッチフィルタ７０の右側には、上述したＩＣ６０に接続されるチップ部品９０を含めて計３個のチップ部品９０が配置され、いずれのチップ部品９０も、その長辺９４がノッチフィルタ７０の長辺７４に直交方向にそれぞれ配置されているが、そのうちこの図３でみて最も手前側のチップ部品９０が内面の配線パターン２６を介してノッチフィルタ７０に接続されている。【００５０】
一方、これら計３個のチップ部品９０のうち中央のチップ部品９０は、基板表面８に設けられた表面の配線パターン２４で水晶振動子８０に接続されている。
このように、本実施例では、ＩＣ６０、ノッチフィルタ７０や水晶振動子８０である大型や中型の電子部品は、その長辺６４，７４，８４がいずれも横辺１２，１３に対して平行に配置され、また、ＩＣ６０の短辺６５は、ノッチフィルタ７０や水晶振動子８０の短辺７５，８５に近接しており、これら短辺６５と短辺７５，８５の間には、チップ部品９０を配置させない。【００５１】
また、これらＩＣ６０、ノッチフィルタ７０や水晶振動子８０は図２の半田バンプ１００を用いて基板表面８のランド１６，１７，１８に、チップ部品９０は例えば半田ペースト（不図示）を用いて基板表面８のランド１９にそれぞれ実装される（図４）。
詳しくは、図３から上記各電子部品を取り外した図４に示されるように、まず、ランド１６は平面視円形状に形成され、ＩＣ６０の部品裏面６２の投影範囲に多数配置されている。【００５２】
そして、ＩＣ６０は、半田バンプ１００を部品裏面６２のボンディングパッド６６に設け、これら半田バンプ１００とランド１６とを位置合わせした後に、リフローによって基板表面８に実装されており、ＩＣ６０は図２に示した内面の配線パターン２６に適宜接続される。
ここで、この図２に示されるように、本実施例のランド１６には予備半田１０２が設けられている。【００５３】
この予備半田１０２は、約３０μｍ（１μｍ＝１×１０−６ｍ）の厚さでランド１６の上に予め形成されており、このリフローの際には、半田バンプ１００と一体の大きな太鼓形状になる。この結果、図５にて後述する部品裏面６２から基板表面８までの広隙間（隙間）５６を、この半田バンプ１００のみで形成させた場合の広隙間５６よりも高くすることができる。【００５４】
一方、図４に戻り、ランド１７〜１９はいずれも平面視長方形状に形成されている。まず、ランド１７は、ノッチフィルタ７０の部品裏面７２の投影範囲、具体的には、部品裏面７２の隅部分、長辺７４や短辺７５の中央部分に相当する位置に計５個配置される。
次に、ランド１８は、水晶振動子８０の部品裏面の投影範囲、具体的には、この部品裏面の隅部分に相当する位置に計４個配置されている。【００５５】
そして、ノッチフィルタ７０や水晶振動子８０もまた、半田バンプ１００を部品裏面７２等のボンディングパッド７６等に設け、これら半田バンプ１００とランド１７，１８とをそれぞれ位置合わせした後に、リフローによって基板表面８に実装される。これにより、ノッチフィルタ７０や水晶振動子８０は表面の配線パターン２４や内面の配線パターン２６に適宜接続される。【００５６】
続いて、ランド１９は、チップ部品９０の部品裏面９２の投影範囲、詳しくは、部品裏面９２の長手方向の両端部分に相当する位置に計２個ずつ配置され、その長辺２０がチップ部品９０の長手方向に対して直交、短辺２１はチップ部品９０の長手方向に対して平行にそれぞれ延びている。各チップ部品９０もまた半田ペーストで基板表面８に実装されると、表面の配線パターン２４や内面の配線パターン２６に適宜接続される。【００５７】
上述のチューナ２にて受信されたテレビジョン信号は、ＩＣ６０の位相同期回路や発振回路、さらに、ノッチフィルタ７０を経てＩＣ６０の混合回路に入力される。また、この混合回路には、水晶振動子８０からの局部発振信号も入力されており、混合回路は、テレビジョン信号と局部発振信号とを混合して中間周波信号に変換する。【００５８】
次いで、当該中間周波信号から不要な周波数成分が除去され、その後、この減衰された中間周波信号が増幅されて検波される。これにより、テレビジョンの信号処理に最適な映像信号や音声信号を基板裏面１０の端子からマザーボード１に向けて出力できる。
ところで、基板表面８にはソルダーレジスト層（保護層）３０が施されている（図３，４）。【００５９】
このソルダーレジスト層３０は、図３，４の他、この図４から平面視円形状のランド１６、平面視長方形状のランド１７〜１９や表面の配線パターン２４を省略した図５にも示される如く、周囲よりも濃い色で塗りつぶされた箇所である。
具体的には、本実施例のソルダーレジスト層３０は、表面の配線パターン２４を保護しており（図４）、溶融半田によるランド１７〜１９と配線パターン２４との導通を防止する。【００６０】
つまり、ソルダーレジスト層３０は、表面の配線パターン２４を覆いつつ、平面視長方形状のランド１７〜１９を囲繞しており、横辺１２，１３や後辺１４の近傍に多く配置されている。より詳しくは、図４，５でみて濃い色で塗りつぶされた箇所が、前辺１１と横辺１２，１３との交差付近から後辺１４と横辺１２，１３との交差付近まで延び、また、ＩＣ６０の設置位置の手前側から後辺１４までに多く存在している。【００６１】
一方、チップ部品９０は互いに特に接近して配置されることから、そのランド１９に挟まれたソルダーレジスト層３０は、隣接するソルダーレジスト層３０に繋げられている。
例えば、右側の横辺１３の近傍に配置された５個のチップ部品９０に注目すると、その長手方向が横辺１３に交差している（図３）。そして、図４でみて奥から２番目や４番目に位置した各チップ部品９０のランド１９，１９のうち、ＩＣ６０寄りのランド１９には、横辺１３に向けて開口を有した略Ｕ字状のソルダーレジスト層３０が設けられている（図４，５）。【００６２】
当該略Ｕ字状のソルダーレジスト層３０の柱部分は、隣り合うランド１９の短辺２１間をそれぞれ覆う。一方、この略Ｕ字状のソルダーレジスト層３０の底部分は、ＩＣ６０寄りの長辺２０に沿ってこれら柱部分を繋いでいる。これにより、ソルダーレジスト層３０が当該柱部分のみで構成された場合に比して、その面積を大きくすることができる。【００６３】
なお、本実施例のソルダーレジスト層３０は、平面視円形状のランド１６については囲繞していない。その理由は、当該ランド１６は内面の配線パターン２６にて導通され、ランド１６を表面の配線パターン２４で導通させていないし、また、上記のように、本実施例のランド１６上には予備半田１０２を設けて部品裏面６２から基板表面８までの広隙間５６をより高くしているからである。【００６４】
このように、ソルダーレジスト層３０は表面の配線パターン２４を保護するため、その保護層表面３１は、ＩＣ６０、ノッチフィルタ７０、水晶振動子８０やチップ部品９０に向けて隆起（約２０μｍ）している。
換言すれば、各部品裏面６２，７２，９２等から保護層表面３１までの空間に相当する図５の狭隙間（隙間）３６は、これら部品裏面６２，７２，９２等から基板表面８までの空間に相当する広隙間５６よりも低くなる。【００６５】
これに対し、基板表面８のうちソルダーレジスト層３０を除いた総ての領域には、この広隙間５６を構成するレジスト未形成領域４０が設けられている。
具体的には、レジスト未形成領域４０は、この図５に示される如く、ソルダーレジスト層３０よりも薄い色で示された箇所であり、封止樹脂６の充填までは基板表面８が露出する箇所である。【００６６】
そして、このレジスト未形成領域４０は、前辺１１からＩＣ６０、ノッチフィルタ７０、水晶振動子８０やチップ部品９０の各部品裏面下、つまり、部品裏面６２，７２，９２等の投影範囲を経由し、後辺１４までを連通して形成され、レジスト未形成領域４０による広隙間５６は、ソルダーレジスト層３０による狭隙間３６よりも約２０μｍ程度高められている。【００６７】
より詳しくは、本実施例のレジスト未形成領域４０は５種類の領域からなる（図５）。
まず、表面基板８には、前辺１１に近接した樹脂入口（入口側の基板周縁開口）４１が備えられている。この樹脂入口４１は、供給される封止樹脂６の入口をなし、この図５でみて前辺１１と横辺１２，１３との交差付近にて濃い色で塗りつぶされたソルダーレジスト層３０，３０の間に設けられており、前辺１１と同じ広隙間５６で形成され、この前辺１１に連なっている。【００６８】
また、表面基板８には、後辺１４に近接した樹脂出口（出口側の基板周縁開口）５４が備えられる。この樹脂出口５４が、供給された封止樹脂６の出口をなし、図５でみて後辺１４と横辺１３との交差付近であって、水晶振動子８０の設置位置の手前側にて濃い色で塗りつぶされたソルダーレジスト層３０，３０の間に設けられている。この樹脂出口５４も、後辺１４と同じ広隙間５６で形成され、この後辺１４に連なる。【００６９】
つまり、本実施例の樹脂出口５４は、表面基板８を挟んで樹脂入口４１の反対側に設けられており、また、この図５からも明らかなように、この樹脂入口４１の開口面積は樹脂出口５４の開口面積よりも大きく形成されている。
換言すれば、大型のＩＣ６０は、その短辺６５を含む端面が樹脂入口４１に接近し、中型の水晶振動子８０は、その短辺８５を含む端面が樹脂入口４１よりも樹脂出口５４に接近していることが分かる。【００７０】
次に、前辺１１と後辺１４との間を横辺１２，１３に沿って延びたソルダーレジスト層３０，３０の内周側には、レジスト未形成部４２，４３，４４，４５が備えられている。
これらレジスト未形成部４２，４３，４４，４５は、各電子部品の部品裏面下に位置する広隙間５６である。【００７１】
レジスト未形成部４２が大型のＩＣ６０、レジスト未形成部４３が中型のノッチフィルタ７０、レジスト未形成部４４が中型の水晶振動子８０、レジスト未形成部４５が小型のチップ部品９０の部品裏面下にそれぞれ対応している。
また、レジスト未形成部４２は図５でみた奥側にて樹脂入口４１に連通し、レジスト未形成部４４は当該図でみた手前側にて樹脂出口５４に連通している。【００７２】
これにより、大型のＩＣ６０、中型のノッチフィルタ７０や水晶振動子８０は、その長辺６４，７４，８４がいずれも特にレジスト未形成部４２，４４の形成方向、つまり、樹脂入口４１から反対側の樹脂出口５４までに沿って配置されていることが分かる。
しかも、本実施例で云えば、大型のＩＣ６０下の広隙間５６だけは、約３０μｍの予備半田１０２によってノッチフィルタ７０や水晶振動子８０下の広隙間５６よりも高くされている。【００７３】
したがって、ノッチフィルタ７０や水晶振動子８０側の広隙間５６は狭隙間３６よりも約２０μｍ高くなるのに対し、ＩＣ６０側の広隙間５６は狭隙間３６よりも約５０μｍ高くなる。
すなわち、同じ広隙間５６であっても、より高い広隙間５６であるＩＣ６０が樹脂入口４１に近接され、通常高さの広隙間５６であるノッチフィルタ７０や水晶振動子８０が、樹脂入口４１よりも樹脂出口５４に近接されていることも分かる。【００７４】
続いて、これら各レジスト未形成部４２，４３，４４，４５同士は、内側中継開口（中継開口）４６，４７，４８，４９，５０で連通されている。
具体的には、内側中継開口４６，４７，４８，４９，５０は各電子部品の部品裏面下には該当しない領域であるが、まず、内側中継開口４６は、図５でみてレジスト未形成部４２の左側を横辺１２に向けて広げており、このレジスト未形成部４２と横辺１２近傍に位置した４箇所のレジスト未形成部４５とを繋いでいる。【００７５】
また、内側中継開口４７は、図５でみてレジスト未形成部４２の右側を横辺１３に向けて広げ、上記略Ｕ字状のソルダーレジスト層３０の底部分を除き、このレジスト未形成部４２と横辺１３近傍に位置した４箇所のレジスト未形成部４５とを繋いでいる。
さらに、内側中継開口４８は、図５でみてレジスト未形成部４２の手前側とレジスト未形成部４３の奥側とを繋ぎ、一方、内側中継開口４９は、この図でみてレジスト未形成部４２の手前側とレジスト未形成部４４の奥側とを繋いでいる。【００７６】
さらにまた、内側中継開口５０は、横辺１３近傍に位置した５箇所のレジスト未形成部４５の中央部分をこの横辺１３に沿ってそれぞれ繋ぐ他、レジスト未形成部４３とその手前側の１箇所のレジスト未形成部４５とを繋いでいる。
さらに、内側中継開口５０は、このレジスト未形成部４３とその右側の２箇所のレジスト未形成部４５とをそれぞれ繋ぐとともに、当該２箇所のレジスト未形成部４５のうち、その手前側のレジスト未形成部４５とレジスト未形成部４４とを繋いでいる。【００７７】
また、各レジスト未形成部４５には、流入口５１が形成されている。これら流入口５１は、封入樹脂６をレジスト未形成部４５により導き易くするものであり、各レジスト未形成部４５の長辺のうち、内側中継開口４６、内側中継開口４７や内側中継開口５０に連通していない中央部分に適宜設置され、レジスト未形成部４５の領域を広げている。【００７８】
このように、前辺１１と後辺１４との間を横辺１２，１３に沿って延びたソルダーレジスト層３０，３０の内周側には、このソルダーレジスト層３０よりも薄い色で示されたレジスト未形成領域４０による広隙間５６が広範囲に亘って連続する。
一方、本実施例のレジスト未形成領域４０は、横辺１２，１３に沿って延びたソルダーレジスト層３０，３０の外周側にも、樹脂入口４１と樹脂出口５４とを連通させる周縁未形成部５５を有している。【００７９】
この周縁未形成部５５は、前辺１１、横辺１２，１３、後辺１４に沿ってそれぞれ形成され、広隙間５６をソルダーレジスト層３０の外周側にも設けている。また、これら周縁未形成部５５のうち、後辺１４の位置する周縁未形成部５５と大きなチップ部品９０に相当するレジスト未形成部４５とは、外側中継開口５２で繋がれている。【００８０】
つまり、本実施例のレジスト未形成領域４０は、横辺１２，１３に沿って延びたソルダーレジスト層３０，３０の内周側のみならず、例えば後辺１４には連なるが、レジスト未形成部４３や内側中継開口５０には連なっていないレジスト未形成部４５に、基板表面８の外側から封止樹脂６を導入させる外側中継開口５２も備えている。【００８１】
そして、図６に矢印で示されるように、前辺１１付近に集まった封止樹脂６は、大きな樹脂入口４１から基板表面８に導入され、レジスト未形成部４２に広がる。この封止樹脂６の主流は、内側中継開口４８を経由してレジスト未形成部４３に到達するとともに、内側中継開口４９を経由してレジスト未形成部４４に到達する。【００８２】
同時に、この封止樹脂６は、内側中継開口４６，４７からレジスト未形成部４５に到達し、また、内側中継開口５０を経由して隣接のレジスト未形成部４５にも到達する。
なお、ソルダーレジスト層３０に乗り上がった封止樹脂６は流入口５１等からもレジスト未形成部４５に到達する。【００８３】
レジスト未形成部４３に到達した封止樹脂６は、周囲のレジスト未形成部４５に到達するとともに、内側中継開口５０を経由してレジスト未形成部４４に到達する。その後、レジスト未形成部４３からの封止樹脂６は、内側中継開口４９を経由してレジスト未形成部４４に到達した封止樹脂６と合流し、樹脂出口５４から導出して後辺１４付近に集まる。【００８４】
一方、前辺１１付近に集まった封止樹脂６やソルダーレジスト層３０に乗り上がった封止樹脂６は、ソルダーレジスト層３０の外周側、つまり、周縁未形成部５５にも広がる。この周縁未形成部５５に広がった封止樹脂６は、外側中継開口５２を経由して大きなチップ部品９０に相当するレジスト未形成部４５に到達し、レジスト未形成部４３に到達した封止樹脂６に合流したり、後辺１４付近に集まる。【００８５】
上述のチューナ２は、図７に示された工程を経て製造される。
まず、同図のステップＳ７０１では、絶縁基板４を準備する。詳しくは、図８に示されるように、例えば４列で縦方向に並んだ絶縁基板４の集合体を準備する。この集合体は、左右に隣接した各絶縁基板４の横辺１２，１３が、若干の隙間を設けて連なり、また、前後に隣接した各絶縁基板４の前辺１１及び後辺１４も若干の隙間を設けて連なっている。【００８６】
これら各絶縁基板４の基板表面８には、ランド１６〜１９や表面の配線パターン２４が設けられ、また、各絶縁基板４の内層にも内面の配線パターン２６が設けられている。
次に、図７のステップＳ７０２では、ソルダーレジスト層３０を設ける。具体的には、図９に示される如く、各基板表面８のうちレジスト未形成領域４０を除いた領域に、例えばスクリーン印刷にてランド１７，１８，１９の周囲にエポキシ樹脂製のソルダーレジスト層３０を形成し、表面の配線パターン２４を覆い隠す。【００８７】
これにより、前後に隣接した各基板表面８で見ると、前の基板表面８の樹脂出口５４が、前辺１１を挟んだ状態で後の基板表面８の樹脂入口４１に連なり、また、左右に隣接した各基板表面８で見ると、左の基板表面８の横辺１３に位置した周縁未形成部５５と、右の基板表面８の横辺１２に位置した周縁未形成部５５とが連なることが分かる。【００８８】
続いて、ステップＳ７０３に進み、ＩＣ６０、ノッチフィルタ７０、水晶振動子８０やチップ部品９０の各電子部品を半田バンプ１００等にて各基板表面８のランド１６〜１９に実装すると、図１０に示されるように、各絶縁表面４では、レジスト未形成部４２，４３，４４，４５が上記各電子部品で隠され、その周囲の内側中継開口４６，４７，４８，４９，５０、樹脂入口４１及び樹脂出口５４、外側中継開口５２や周縁未形成部５５が見えるようになる。【００８９】
そして、ステップＳ７０４では封止樹脂６を充填する。詳しくは、図１０の絶縁基板４の集合体を金型（不図示）にセットした後、所定の圧力に加圧したフィラーを含む封止樹脂６をこの金型内に流し込むと、封止樹脂６は、図１０でみて最も奥側の各前辺１１から供給され、各電子部品の部品表面６１，７１，８１，９１を覆ってチューナ２の外形を形成するとともに、広隙間５６や狭隙間３６に充填される。【００９０】
具体的には、封止樹脂６は、図１１でみて奥側から手前側に向けて流れており、各基板表面８の樹脂入口４１からレジスト未形成部４２に入り、内側中継開口４６，４７，４８，４９，５０を介してレジスト未形成部４３，４４，４５を埋めて樹脂出口５４に到達し、その後辺１４付近、つまり、次の基板表面８の前辺１１に溜まってから、当該基板表面８のレジスト未形成部４２に入る。【００９１】
また、この封止樹脂６は、周縁未形成部５５から外側中継開口５２を介して上記大きなチップ部品９０に相当するレジスト未形成部４５にも到達する。そして、封止樹脂６による絶縁基板４の集合体への充填が完了すると、上記金型から絶縁基板４の集合体を取り出し、この封止樹脂６の例えば天井面などに金属コーティングを施し（ステップＳ７０５）、一連のルーチンを抜ける。その後、当該集合体は絶縁基板４ごとに分割され、マザーボード１にそれぞれ搭載される。【００９２】
以上のように、本実施例によれば、矩形状の基板表面８にはランド１６〜１９が配置されており、大型のＩＣ６０、中型のノッチフィルタ７０や水晶振動子８０、小型のチップ部品９０の各電子部品は、いずれも半田を用いてランド１６〜１９に接続され、基板表面８に実装される。
そして、各電子部品の周囲を金属製のカバーではなく封止樹脂６で覆えば、上記半田も一括して封止できるので（モールドアンダーフィル構造）、金属製のカバーで各電子部品の周囲を遮蔽する場合に比して、小型、薄型、かつ、低コストのチューナ２を構成できる。【００９３】
ここで、基板表面８には、ソルダーレジスト層３０とレジスト未形成領域４０とが設けられている。
詳しくは、ソルダーレジスト層３０は、基板表面８に形成された表面の配線パターン２４を保護すべく基板表面８を覆う。これに対し、ソルダーレジスト層３０が施されておらず、封止樹脂６の充填までは基板表面８を露出させた領域がレジスト未形成領域４０になる。【００９４】
つまり、ソルダーレジスト層３０は、基板表面８から電子部品６０，７０，８０，９０に向けて隆起し、これら保護層表面３１と基板表面８とは高低差があり、部品裏面６２，７２，９２等から基板表面８までの広隙間５６は、これら部品裏面６２，７２，９２等から保護層表面３１までの狭隙間３６よりも高くなる。【００９５】
そして、本実施例のレジスト未形成領域４０は、基板表面８を区画する前辺１１から、この基板表面８のうち部品裏面６２，７２，９２等の下を経由し、前辺１１とは別の後辺１４までを連通して形成されている。これにより、封止樹脂６は、基板表面８を露出させた広隙間５６を速やかに充填し、上記半田を直ちに封止できる。【００９６】
このように、基板表面８を露出させたレジスト未形成領域４０が前辺１１と後辺１４との間を貫いて樹脂の流動性を真に高めるため、封止樹脂６の封止作業を短時間で完了できる。また、この封止樹脂６には細径のフィラーが不要になって、安価な樹脂でモールドアンダーフィル構造を得ることができ、製造コストの低廉化も阻害しない。【００９７】
しかも、レジスト未形成領域４０が樹脂の流動抵抗を低めれば、上記半田には樹脂が完全に充填され、ボイドが生じ難くなる。
よって、チューナ２とマザーボード１とをリフロー接続する際に上記半田が再溶融しても、この樹脂６へのクラックを防止できる。この結果、各電子部品６０，７０，８０，９０と絶縁基板４との接続信頼性が向上し、さらに、半田バンプ１００の形成に要する半田量の調整も容易になる。【００９８】
また、このレジスト未形成領域４０では、封止樹脂６が基板表面８に直に密着するため、この点も各電子部品６０，７０，８０，９０と絶縁基板４との接続信頼性の向上に寄与する。
さらに、複数個の電子部品６０，７０，８０，９０を基板表面８に実装すると、基板表面８には、各部品裏面６２，７２，９２等の下が電子部品６０，７０，８０，９０の個数だけ広くなり、樹脂の流動抵抗も増加する。【００９９】
しかし、前辺１１と後辺１４との間を貫いたレジスト未形成領域４０は、広隙間５６をなすレジスト未形成部４２〜４５や、各部品裏面６２，７２，９２等の下には該当しないものの、これら各レジスト未形成部４２〜４５同士を連通させる内側中継開口４６〜５０を有しており、上述した狭隙間３６よりも高い広隙間５６を基板表面８の広範囲に亘って設置できる。【０１００】
したがって、複数の電子部品６０，７０，８０，９０を基板表面８に実装しても、この基板表面８のうち各部品裏面６２，７２，９２等の下に流入した樹脂の流動性は妨げられない。
一方、図３でみてノッチフィルタ７０の手前側には大きなチップ部品９０が設けられ、そのレジスト未形成部４５は、当該チップ部品９０の部品裏面下であるが、ノッチフィルタ７０下のレジスト未形成部４３や内側中継開口５０には繋がっていない。しかし、当該レジスト未形成部４５には、外側中継開口５２を介して基板表面８の外側から封止樹脂６が供給されており、当該チップ部品９０も樹脂で完全に封止できる。よって、当該箇所のボイドも回避できる。【０１０１】
さらに、大型のＩＣ６０下のレジスト未形成部４２と、中型のノッチフィルタ７０下及び水晶振動子８０下のレジスト未形成部４３，４４との間には、小型のチップ部品９０の配置によって形成されるランド１９、表面の配線パターン２４やソルダーレジスト層３０など、樹脂の流動性を妨げる要因が除かれており、同じく基板表面８を露出させた中継開口４８，４９だけが存在する。よって、種々の大きさの電子部品を基板表面８に複数実装しても、各部品裏面下に樹脂を容易に充填できる。【０１０２】
さらにまた、封止樹脂６は、前辺１１に連なって大きく形成した入口側の樹脂入口４１からレジスト未形成領域４０に向けて多量に流入するので、樹脂の流動性がより高くなる。
さらに、この樹脂はこのレジスト未形成領域４０を速やかに充填した後、後辺１４に連なる樹脂出口５４から導出する。これにより、チューナ２の製造工程にて、複数の絶縁基板４を連結して集合させれば、樹脂出口５４から導出した樹脂は、隣接した他の絶縁基板４の樹脂入口４１から流入でき、樹脂の封止作業の効率化を図ることができる。【０１０３】
さらにまた、前後に位置した基板表面８でみれば、樹脂出口５４が樹脂入口４１に対向するため、これら樹脂入口４１や樹脂出口５４が基板表面８の交差する辺に設けられて対向しない場合に比して、より広範囲のレジスト未形成領域４０を基板表面８に配置でき、樹脂の流動性を最も高めることができる。
また、大型のＩＣ６０は、その部品裏面下が基板表面８の広範囲に亘って存在することになり、樹脂への負荷も広範囲に亘って作用する。しかし、大型のＩＣ６０の短辺６５を含む端面を、大きく形成された樹脂入口４１に近接すれば、封止樹脂６は、当該大型のＩＣ６０下のレジスト未形成部４２に向けて容易に流入する。【０１０４】
さらに、中型の水晶振動子８０の短辺８５を含む端面を樹脂出口５４に近接すれば、この樹脂を、仮に中型の水晶振動子８０下のレジスト未形成部４４から大型のＩＣ６０下のレジスト未形成部４２に向けて流した場合に比して、樹脂の流動抵抗を確実に低減できる。
さらにまた、広隙間５６同士を比較し、本実施例で云えばこの広隙間５６を最も高くできるＩＣ６０を、大きく形成した樹脂入口４１に近接すれば、樹脂は、当該ＩＣ６０下のレジスト未形成部４２に向けて樹脂をより一層容易に流入する。【０１０５】
一方、この広隙間５６の低い水晶振動子８０を樹脂出口５４に近接すれば、この樹脂を、仮に中型の水晶振動子８０下のレジスト未形成部４４から大型のＩＣ６０下のレジスト未形成部４２に向けて流した場合に比して、樹脂の流動抵抗を確実に低減できる。
また、ランド１６に設けられた約３０μｍの予備半田１０２は、リフローによってＩＣ６０を基板表面８に実装する際に、半田バンプ１００と一体の太鼓形状になり、広隙間５６を高くする。【０１０６】
つまり、狭隙間３６の高さが例えば約５０μｍであったとすると、半田バンプ１００のみを用い、予備半田１０２を設けずに確保された広隙間５６の高さは、高さ約２０μｍのソルダーレジスト層３０が除かれたレジスト未形成領域４０に相当するので約７０μｍになる。これに対し、予備半田１０２を設けて確保した広隙間５６は約１００μｍになる。よって、樹脂の流動抵抗を大幅に低減できる。【０１０７】
さらに、内面の配線パターン２６の如く、配線パターンの内層化を図れば、基板表面８へのソルダーレジスト層３０を省略できる。よって、ソルダーレジスト層３０の範囲が少なくなり、前辺１１と後辺１４との間を貫いたレジスト未形成領域４０を広範囲に亘って基板表面８に設置できる。
ここで、レジスト未形成領域４０を広範囲に形成し、ソルダーレジスト層３０の範囲が少なくすれば、樹脂の流動性は向上する一方、過度に小さな面積のソルダーレジスト層３０は、表面の配線パターン２４を保護する機能を低下させるし、また、基板表面８に施し難い。【０１０８】
そこで、例えば狭い範囲に隣接するチップ部品９０の如く、ソルダーレジスト層３０が、近接したランド１９，１９で挟まれている場合には、隣接するソルダーレジスト層３０同士を繋いで略Ｕ字状に形成する。これにより、レジスト未形成領域４０を広範囲に形成しつつも、ソルダーレジスト層３０の機能確保や設置易さに必要な面積も確保できる。【０１０９】
本発明は、上記実施例に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施例では、複数個の電気部品が基板表面に実装されているが、その一辺から他辺までが広隙間のレジスト未形成領域で貫かれていれば、本発明は、より大型の１個の電子部品が基板表面に実装される場合にも適用可能である。【０１１０】
また、上記実施例では、前辺１１と後辺１４とが平行に配置され、この形態が最適であるものの、本発明は、前辺１１と例えば右側の横辺１３との如く、樹脂入口４１と樹脂出口５４とが交差する辺にそれぞれ設けられていても良い。
さらに、予備半田を設置するランドもまた、必ずしも大型の電子部品だけに限定されるものではなく、中型や小型の電子部品に接続されるランドに予備半田を設置してその広隙間をより高くしても良い。【０１１１】
さらにまた、上記実施例は、テレビジョンチューナ２に具現化した例で説明されているが、本発明は、モールドアンダーフィル構造を採用する限り、短距離無線通信の通信モジュールなどの各種の電子部品モジュールにも当然に適用可能である。
そして、これらいずれの場合にも、上記と同様に、モールドアンダーフィル構造の長所を維持しつつ、接続信頼性を向上できるとの効果を奏する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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