(57)【要約】  充分な耐擦傷性および光学特性を有するワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品等の微細構造成形体と該微細構造成形体を備えた液晶表示装置を提供する。  少なくとも一方の面に、可視光の波長以下のピッチで凸条５０が形成された基板と、凸条５０の少なくとも頂部５２を被覆する無機酸化物層３０と、少なくとも無機酸化物層３０の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有し、凸条５０の頂部５２に被覆された無機酸化物層３０は、厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下であるワイヤグリッド型偏光子１などの微細構造成形体；および、該微細構造成形体を備えた液晶表示装置である。
2012115059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面に、可視光の波長以下のピッチで凸部が形成された基板と、
前記凸部の少なくとも頂部を被覆する無機酸化物層と、
少なくとも前記無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層とを有し、
前記凸部の頂部に被覆された前記無機酸化物層は、厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である、微細構造成形体。
【請求項２】
前記無機酸化物層が前記凸部の側面の少なくとも一部を被覆し、該側面に被覆された前記無機酸化物層の幅方向の厚さＤａと前記幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）が０．２５以下である、請求項１に記載の微細構造成形体。
【請求項３】
前記含フッ素化合物層は、厚さＨｆが１〜３０ｎｍである、請求項１または２に記載の微細構造成形体。
【請求項４】
前記含フッ素化合物は、加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。）を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細構造成形体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細構造成形体からなるワイヤグリッド型偏光子であって、前記凸部が、互いに平行に形成された凸条であるとともに、前記凸条の少なくとも頂部は金属層からなり、互いに離間した複数の金属細線が形成されている、ワイヤグリッド型偏光子。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細構造成形体からなる、反射防止物品。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細構造成形体からなる反射防止物品であって、
前記基板がモスアイ構造を有する、反射防止物品。
【請求項８】
前記基板が、光透過性基板である、請求項７に記載の反射防止物品。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細構造成形体を有する、液晶表示装置。
【請求項１０】
一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、
バックライトユニットと、
請求項５に記載のワイヤグリッド型偏光子と
を有する、液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品等の微細構造成形体と、該微細構造成形体を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置に用いられる、可視光領域で偏光分離能を示す偏光子（偏光素子、偏光分離素子ともいう。）として、ワイヤグリッド型偏光子が知られている。また、画像表示装置のディスプレイ等の表面に配置され、外部からの光がディスプレイの表面で反射することを防止する部材として、反射防止フィルムなどの反射防止物品が知られている。【０００３】
ワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板上に複数の金属細線が互いに平行に配列した構造を有する。金属細線のピッチが入射光の波長よりも充分に短い場合、入射光のうち、金属細線に直交する電場ベクトルを有する成分（すなわちｐ偏光）は透過し、金属細線と平行な電場ベクトルを有する成分（すなわちｓ偏光）は反射される。【０００４】
該ワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線が非常に微細であるため、金属細線の耐擦傷性が低い。そのため、ワイヤグリッド型偏光子の表面に対する物理的接触等によって金属細線が破損しやすい。ワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線がわずかに破損しただけでもワイヤグリッド型偏光子の性能に影響する。【０００５】
そこで、金属細線の破損を抑えるために、テトラエトキシシランおよび酸素ガスを用いたＣＶＤ法によって形成された保護膜によって金属細線を被覆することが提案されている（特許文献１）。【０００６】
しかし、該保護膜は、高エネルギーのターゲット成分または蒸発粒子を対象基板に衝突させるＰＶＤ法（スパッタ法、真空蒸着法等）ではなく、ＣＶＤ法によって形成されているため、金属細線と保護膜との密着性が乏しく、物理的接触等によって保護膜が剥離しやすい。そのため、保護膜の厚さを比較的厚く（約２００ｎｍ程度に）する必要がある。その結果、金属細線間の空隙に保護膜が侵入しやすくなり、該空隙が保護膜で埋まって小さくなるため、ワイヤグリッド型偏光子の光学特性が低下する。そして、ワイヤグリッド型偏光子の光学特性が低下すると、該ワイヤグリッド型偏光子を備えた液晶表示装置の輝度やコントラストが低下する。【０００７】
一方、反射防止物品としては、たとえばモスアイ構造と呼ばれる微細な凸起が所定のピッチで形成された構造を有するものがある。該反射防止物品においては、凸起が非常に微細であるため、凸起の耐擦傷性が低く、物理接触等によって破損しやすい。凸起が破損すると、反射防止能の低下につながるため、該破損を抑える技術の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−０６９３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、充分な耐擦傷性および光学特性を有するワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品等の微細構造成形体と該微細構造成形体を備えた液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の微細構造成形体は、少なくとも一方の面に、可視光の波長以下のピッチで凸部が形成された基板と、前記凸部の少なくとも頂部を被覆する無機酸化物層と、少なくとも前記無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層とを有し、前記凸部の頂部に被覆された前記無機酸化物層は、厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下であることを特徴とする。
前記無機酸化物層が前記凸部の側面の少なくとも一部を被覆し、該側面に被覆された前記無機酸化物層の幅方向の厚さＤａと前記幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）が０．２５以下であることが好ましい。
前記含フッ素化合物層は、厚さＨｆが１〜３０ｎｍであることが好ましい。
前記含フッ素化合物は、加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。）を有することが好ましい。
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、本発明の微細構造成形体からなるワイヤグリッド型偏光子であって、前記凸部が、互いに平行に形成された凸条であるとともに、前記凸条の少なくとも頂部は金属層からなり、互いに離間した複数の金属細線が形成されていることを特徴とする。
本発明の反射防止物品は、本発明の微細構造成形体からなることを特徴とする。
本発明の反射防止物品は、本発明の微細構造成形体からなり、前記基板がモスアイ構造を有することが好ましい。
本発明の反射防止物品は、前記基板が、光透過性基板であることが好ましい。
本発明の液晶表示装置は、本発明の微細構造成形体を有すること特徴とする。
たとえば本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、本発明のワイヤグリッド型偏光子とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、充分な耐擦傷性および光学特性を有するワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品等の微細構造成形体と該微細構造成形体を備えた液晶表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ワイヤグリッド型偏光子の一例を示す斜視図である。
【図２】ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。
【図３】図２のワイヤグリッド型偏光子の光透過性基板を示す斜視図である。
【図４】ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。
【図５】図４のワイヤグリッド型偏光子の光透過性基板を示す斜視図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【図７】反射防止物品の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の微細構造成形体は、少なくとも一方の面に、可視光の波長以下のピッチで凸部が形成された基板と、少なくとも凸部の頂部を被覆する無機酸化物層と、少なくとも無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層とを有し、凸部の頂部に被覆された無機酸化物層は、厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である。
本発明の微細構造成形体としては、ワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品などの光学用微細構造成形体が挙げられる。
【００１４】
本発明において凸部とは、基板の主表面から立ち上がり、かつその立ち上がりが一方向に伸びている部分をいう。凸部は基板の主表面と一体で基板の主表面部分と同じ材料からなっていてもよいし、基板の主表面部分と異なる材料からなっていてもよい。また、凸部は、基板の主表面と一体で基板の主表面部分と同じ材料からなる基部と、該基部の上に形成され、基板の主表面部分と異なる材料からなる上部とから構成されていてもよい。
【００１５】
凸部としては、基板の面方向に沿う方向に延び、互いに平行にかつ可視光の波長以下の所定のピッチで形成された凸条；円錐、角錐などの錐体および該錐体に基く錐台（すなわち、錐体から、頂点を共有し相似に縮小した錐体を取り除いたもの。）などからなり、可視光の波長以下の所定のピッチで形成された凸起が挙げられる。
たとえばワイヤグリッド型偏光子は、凸部として凸条を有し、反射防止物品は凸部として、錐体および該錐体に基く錐台などからなる凸起を有する。
【００１６】
凸部が凸条の場合、ピッチは、凸条の幅（基板の主表面と平行方向であり、かつ、凸条の長さ方向と垂直方向の長さ）と、隣接する凸条間に形成される溝の幅との合計である。
凸部が凸起の場合、ピッチは、最も近接する凸起同士の底面中心間の距離である。
【００１７】
凸条は、その長さ方向と基板の主表面とに直交する方向の断面の形状が長さ方向にわたってほぼ一定であり、複数の凸条においてもそれらの断面形状はすべてほぼ一定であることが好ましい。凸条の断面形状は、底部（基板の主表面）から頂部にわたって幅がほぼ同じ形状、または底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状等が挙げられ、具体的には、たとえば、矩形、三角形、台形等が挙げられる。該断面形状は、角や辺（側面、上面（上底面））が曲線状であってもよい。
凸起は、各凸起の形状がほぼ一定であることが好ましい。また、断面形状は、角や辺（側面、上面（上底面））が曲線状であってもよい。
【００１８】
本発明において頂部とは、凸条の場合、前記断面形状の最も高い部分が長さ方向に連なった部分をいう。凸条の頂部は面であっても線であってもよい。また、凸起の場合、頂部とは、各凸起の最も高い部分をいう。凸起の頂部は面であっても点であってもよい。
【００１９】
本発明においては、凸部の頂部以外の表面を側面という。なお、隣接する２つの凸部間の溝の平坦部は凸部の表面ではなく、基板の主表面とみなす。
【００２０】
＜ワイヤグリッド型偏光子＞
〔基板〕
本発明のワイヤグリッド型偏光子の備える基板は、光透過性基板と、該光透過性基板上に互いに平行に配列した複数の金属細線とからなる。該基板としては、平坦な光透過性基板上に、金属細線からなる凸条が形成された基板；凸条の基部（以下、凸条基部と記す。）が形成された光透過性基板の該凸条基部上に、凸条の上部（以下、凸条上部と記す。）を構成する金属細線が形成された基板が挙げられる。ワイヤグリッド型偏光子の凸条の少なくとも頂部は金属層からなり、それにより、互いに離間した複数の金属細線が形成されている。
【００２１】
（光透過性基板）
光透過性基板は、ワイヤグリッド型偏光子の使用波長範囲において光透過性を有する。光透過性とは、光を透過することを意味し、使用波長範囲は、具体的には、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である。
【００２２】
光透過性基板の材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、後述するインプリント法にて凸条基部を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸条基部を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。光硬化樹脂としては、生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化し得る光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化樹脂が好ましい。
【００２３】
光透過性基板は、積層体であってもよい。該積層体としては、たとえば、熱可塑性樹脂、ガラス等からなる基材と、該基材の表面に形成された光硬化樹脂からなる、凸条基部を有する表層とを備えるものが挙げられる。
【００２４】
凸条基部は、その長さ方向と基板の主表面とに直交する方向の断面の形状が長さ方向にわたってほぼ一定であり、複数の凸条基部においてもそれらの断面形状はすべてほぼ一定であることが好ましい。凸条基部の断面形状は、底部（基板の主表面）から凸条基部の頂部にわたって幅がほぼ同じ形状、または底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状が好ましい。具体的な断面形状としては、たとえば、矩形、三角形、台形等が挙げられる。該断面形状は、角や辺（側面）が曲線状であってもよい。
【００２５】
（金属細線）
金属細線としては、平坦な光透過性基板の表面に形成された金属または金属化合物からなる金属層をパターニングして形成されたものが挙げられる。この場合、パターニングにより形成された金属細線が基板の凸条となる。金属細線としては、複数の凸条基部が、該凸条基部間に形成される平坦部を介して互いに平行にかつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板の該凸条基部の表面に、選択的に金属または金属化合物からなる金属層を形成したものも挙げられる。この場合、金属細線からなる凸条上部と、光透過性基板の有する凸条基部とで、基板の凸条が構成される。
【００２６】
複数の金属細線は、実質的に平行に形成されていればよく、完全に平行に形成されてなくてもよい。また、各金属細線を構成する線は、面内において光学的な異方性を最も発現しやすい直線が好ましいが、隣接する金属細線が接触しない範囲で曲線または折れ線であってもよい。
【００２７】
凸条基部の表面に金属層を形成した場合、金属細線は凸条基部の長さ方向に延びる金属層から構成される。金属層は、長さ方向に実質的に連続していて、微細な欠陥以外には途切れている部分が無い限り、凸条基部の表面の少なくとも一部を被覆すればよい。この際、金属層は、凸条基部の頂部の一部もしくは全部を被覆してもよく、または、凸条基部の頂部の全部および凸条基部の第２の側面の一部もしくは全部を被覆してもよい。また、金属層は、隣接する２つの凸条基部間の平坦部の一部を被覆していてもよい。凸条基部の頂部とは、凸条基部の断面形状の最も高い部分が長さ方向に連なった部分をいう。凸条基部の頂部は面であっても線であってもよい。
【００２８】
金属としては、金属単体、合金、ドーパントまたは不純物を含む金属等が挙げられる。具体的には、アルミニウム、銀、クロム、マグネシウム、アルミニウム系合金、銀系合金等が挙げられる。
金属細線の材料としては、可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、クロム、またはマグネシウムが好ましく、アルミニウム、またはアルミニウム系合金が特に好ましい。
【００２９】
〔無機酸化物層〕
無機酸化物層は、少なくとも基板の凸条の頂部を被覆する層である。無機酸化物層は、凸条の２つの側面の少なくとも一部や、凸条間の基板の表面（凸条間の平坦部）を被覆していてもよいが、凸条の頂部のみを被覆していても、充分な効果（耐擦傷性および光学特性）が得られる。
【００３０】
無機酸化物層は、光学特性の点から、凸条間に空隙（溝）が形成される、すなわち凸条間の空隙（溝）をできるだけ埋めないように形成されることが好ましい。
【００３１】
無機酸化物層の材料としては、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム等が挙げられ、ワイヤグリッド型偏光子が短波長領域で高い透過率を示す点から、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、または酸化スズが好ましく、コストの点から、酸化ケイ素が特に好ましい。
【００３２】
凸条の頂部を被覆する無機酸化物層の厚さＨａ（凸条の高さ方向)は、３０ｎｍ以上であり、１５０ｎｍ以下が好ましい。さらに、この厚さＨａが４０〜１００ｎｍであると、凸条の耐擦傷性が非常に優れる。ここでＨａは、凸条間の平坦部を基準とした凸条の頂部の高さと、同じく凸条間の平坦部を基準とした無機酸化物層の頂部の高さとの差である。
また、凸条の頂部を被覆する無機酸化物層の厚さＨａと、凸条の頂部を被覆する無機酸化物層の幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である。比（Ｈａ／Ｄａｔ）は、０．４〜０．８であるのが好ましい。比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下であると、凸条の頂部を被覆する無機酸化物層は折損せず、凸条の耐擦傷性を高める。ここでＤａｔは、凸条の頂部よりも上に存在し、該頂部を被覆する無機酸化物層の幅であり、該幅が無機酸化物層の高さ方向において異なる場合には、その最大幅である。
【００３３】
無機酸化物層は、凸条の頂部に加えて、凸条の２つの側面を被覆していてもよく、２つの側面のうちの１つの側面を被覆していてもよい。さらには、側面の一部を被覆していてもよい。該側面を被覆する無機酸化物層の幅方向の厚さＤａと前述の幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、０．２５以下であることが好ましい。比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、０．２以下であることがさらに好ましい。比（Ｄａ／Ｄａｔ）が０．２５以下であると、凸条間には充分に空隙（溝）が形成されるため、ワイヤグリッド型偏光子の光学特性を良好に維持しつつ、凸条の耐擦傷性を高めることができる。なお、Ｄａは、凸条の全高さをＨ’とした場合、その半分の高さ（Ｈ’／２）の位置において、側面に被覆されている無機酸化物層の幅方向の厚さである。２つの側面に無機酸化物層が被覆されている場合、両側面における各厚さＤａが、いずれも、比（Ｄａ／Ｄａｔ）≦０．２５を満たすように被覆されていることが好ましい。
【００３４】
〔含フッ素化合物層〕
含フッ素化合物層は、無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された層であり、無機酸化物層の全面を被覆する。たとえば、含フッ素化合物が後述する加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基を有する含フッ素化合物の場合、含フッ素化合物層は、該含フッ素化合物の加水分解縮合体から構成される。
【００３５】
無機酸化物に対して反応性を有する基としては、シラノール基、加水分解性シリル基等が挙げられる。無機酸化物との反応性の点から、加水分解性シリル基が特に好ましい。加水分解性シリル基とは、ケイ素原子にアルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が結合してなる基であり、加水分解によりシロキサン結合を形成することにより架橋しうる基である。トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基等が好ましい。
【００３６】
含フッ素化合物としては、無機酸化物との反応性および低動摩擦係数の点から、加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。）を有する含フッ素化合物が好ましい。
【００３７】
含フッ素化合物層の動摩擦係数は、耐擦傷性の点から、０．２以下が好ましく、０．１５以下がより好ましい。
含フッ素化合物層の動摩擦係数は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８９４に準拠して測定する。
【００３８】
＜ワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法としては、金属細線の形成方法の違いによって下記の方法（α）、方法（β）が挙げられる。
【００３９】
方法（α）：下記の工程（Ｉ）〜（III）を有する方法。
（Ｉ）平坦な光透過性基板の表面に金属層を形成し、該金属層をパターニングして、互いに平行にかつ所定のピッチで配列した複数の金属細線を形成し、基板を作製する工程。
（II）金属細線が形成された側の基板上に、無機酸化物を蒸着して無機酸化物層を形成する工程。
（III）無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して含フッ素化合物層を形成する工程。
該方法（α）の場合、工程（Ｉ）で形成された金属細線が基板の凸条となる。
【００４０】
方法（β）：下記の工程（Ｉ’）、（II）、（III）を有する方法。
（Ｉ’）表面に複数の凸条基部が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板を作製し、凸条基部の表面に選択的に金属または金属化合物を蒸着して、互いに平行に配列した複数の金属細線を形成し、基板を作製する工程。
（II）金属細線が形成された側の基板上に、無機酸化物を蒸着して無機酸化物層を形成する工程。
（III）無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して含フッ素化合物層を形成する工程。
該方法（β）の場合、光透過性基板の凸条基部と金属細線（凸条上部）とで、基板の凸条が構成される。
【００４１】
〔方法（α）〕
（工程（Ｉ））
金属細線は、平坦な光透過性基板の表面に金属層を形成し、該金属層をパターニングすることによって形成される。
【００４２】
金属層の形成方法としては、蒸着法が挙げられる。蒸着法としては、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が挙げられ、光透過性基板と金属細線との密着性、金属細線の表面粗さの点から、ＰＶＤ法（真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等）が好ましく、コストの点から、真空蒸着法が特に好ましい。
【００４３】
パターニングは、金属層の表面にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを行って余分な金属層を除去した後、レジストパターンを除去することによって行われる。
【００４４】
（工程（II））
無機酸化物層は、金属細線が形成された側の基板上に、無機酸化物を蒸着して形成される。
【００４５】
蒸着法としては、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が挙げられ、金属細線と無機酸化物層との密着性、表面粗さの点から、ＰＶＤ法（真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等）が好ましく、スパッタ法が特に好ましい。たとえばスパッタ法の場合、スパッタ処理時間を調整することによって、形成される無機酸化物層の厚さＨａおよび幅Ｄａｔを制御できる。幅Ｄａｔは、凸条の幅および高さ、凸条の頂部の形態、ピッチ等にも依存する。そのため、スパッタ処理時間、凸条の幅および高さ、凸条の頂部の形態、ピッチ等を適宜調整することにより、凸条の頂部を被覆する無機酸化物層の厚さＨａを３０ｎｍ以上、好ましくは１５０ｎｍ以下とし、かつ、比（Ｈａ／Ｄａｔ）を１．０以下に制御することができる。
【００４６】
（工程（III））
含フッ素化合物層は、無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成される。
【００４７】
処理方法としては、たとえば、含フッ素化合物が加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基を有する含フッ素化合物の場合、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層を形成できる点から、下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）金属細線および無機酸化物層が形成された基板を、含フッ素化合物の希釈溶液に浸漬する工程。
（ii）前記基板を含フッ素化合物の希釈溶液から引き上げた後、基板を溶媒でリンスする工程。
（iii）前記基板をリンスした後、恒温恒湿条件下に置き、加水分解性シリル基を加水分解、縮合させ、含フッ素化合物層を形成する工程。
含フッ素化合物層と無機酸化物層との縮合度は、例えば工程（ｉ）で用いる希釈溶液の濃度、恒温恒湿条件および時間を調整することにより、制御できる。
【００４８】
〔方法（β）〕
（工程（Ｉ’））
光透過性基板の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法、熱インプリント法）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸条基部を生産性よく形成できる点および光透過性基板を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸条基部をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。
【００４９】
光インプリント法は、たとえば、電子線描画とエッチングとの組み合わせ等により、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを作製し、該モールドの溝を、任意の基材の表面に塗布された光硬化性組成物に転写し、同時に該光硬化性組成物を光硬化させる方法である。
【００５０】
光インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iv）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）光硬化性組成物を基材の表面に塗布する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを、溝が光硬化性組成物に接するように、光硬化性組成物に押しつける工程。
（iii）モールドを光硬化性組成物に押しつけた状態で放射線（紫外線、電子線等）を照射して光硬化性組成物を硬化させて、モールドの溝に対応する複数の凸条基部を有する光透過性基板を作製する工程。
（iv）光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、凸条基部を有する表層と基材とが一体化したものを光透過性基板として用いてもよく、凸条基部を有する表層を基材から分離したものを光透過性基板として用いてもよい。また、金属層を形成した後に、凸条基部を有する表層を基材から分離してもよい。
【００５１】
熱インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）基材の表面に熱可塑性樹脂の被転写膜を形成する工程、または熱可塑性樹脂の被転写フィルムを作製する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ一定のピッチで形成されたモールドを、溝が被転写膜または被転写フィルムに接するように、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）または融点（Ｔｍ）以上に加熱した被転写膜または被転写フィルムに押しつけ、モールドの溝に対応する複数の凸条基部を有する光透過性基板を作製する工程。
（iii）光透過性基板本体をＴｇまたはＴｍより低い温度に冷却して光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、凸条基部を有する表層と基材とが一体化したものを光透過性基板として用いてもよく、凸条基部を有する表層を基材から分離したものを光透過性基板として用いてもよい。また、金属層を形成した後に、凸条基部を有する表層を基材から分離してもよい。
【００５２】
インプリント法に用いられるモールドの材料としては、シリコン、ニッケル、石英ガラス、樹脂等が挙げられ、転写精度の点から、石英ガラス、または樹脂が好ましい。樹脂としては、フッ素系樹脂（エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等）、環状オレフィン、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、モールドの精度の点から、光硬化性のアクリル樹脂が好ましい。樹脂モールドは、転写の繰り返し耐久性の点から、表面に厚さ２〜１０ｎｍの無機膜を有することが好ましい。無機膜としては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の酸化膜が好ましい。
【００５３】
インプリント法に用いられる基材としては、ガラス板（石英ガラス板、無アルカリガラス板等）、樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリジメチルシロキサン、透明フッ素樹脂等）からなるフィルム等が挙げられる。ガラス板を基材に用いた場合は、インプリント法は枚葉式で行うことができ、フィルムを基材に用いた場合は、インプリント法は、ロールツウロール方式で行うことができる。
【００５４】
金属細線は、光透過性基板の凸条基部の表面に選択的に金属または金属化合物を蒸着して形成される。
【００５５】
蒸着法としては、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が挙げられ、真空蒸着法、スパッタ法、またはイオンプレーティング法が好ましく、真空蒸着法が特に好ましい。蒸着法としては、蒸発粒子の光透過性基板に対する入射方向を制御でき、凸条の表面に選択的に金属または金属化合物を蒸着できる点から、真空蒸着法による斜方蒸着法が最も好ましい。
【００５６】
（工程（II）〜（III））
工程（II）〜（III）は、方法（α）における工程（II）〜（III）と同様に行えばよい。
【００５７】
＜ワイヤグリッド型偏光子の実施形態＞
以下、本発明のワイヤグリッド型偏光子の実施形態を、図を用いて説明する。以下の図は模式図であり、実際のワイヤグリッド型偏光子は、図示したような理論的かつ理想的形状を有するものではない。たとえば、実際のワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線、凸条等の形状の崩れが多少ある。
なお、本発明における各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像において、任意の５箇所について各寸法を測定し、平均した値とする。
【００５８】
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第１の実施形態を示す断面図である。ワイヤグリッド型偏光子１は、平坦な光透過性基板１０と、該光透過性基板１０の表面に互いに平行にかつ可視光の波長以下の所定のピッチＰｐで形成された断面形状が矩形である複数の金属細線２０からなる凸条５０とを有する基板と；凸条５０の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部５２と、凸条５０間の基板の平坦部１３とを、凸条５０間の溝１４に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。
なお、以下に説明する第１〜第３の実施形態では、無機酸化物層３０は、凸条５０の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部５２と、凸条５０間の基板の平坦部１３とを被覆した例を示しているが、無機酸化物層は凸条の頂部のみを被覆していてもよく、その場合でも、優れた耐擦傷性および光学特性は充分に発揮される。
【００５９】
Ｐｐは、凸条５０の幅Ｄｍと、凸条５０間に形成される溝１４の幅との合計である。Ｐｐは、可視光の波長以下であって、３０〜３００ｎｍが好ましく、５０〜２００ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高いｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。また、Ｐｐが３０ｎｍ以上であれば、高い透過率を示す。
【００６０】
ＤｍとＰｐの比（Ｄｍ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｍ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｍ／Ｐｐを０．７以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
Ｄｍは、金属細線２０を形成しやすい点から、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００６１】
凸条５０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条５０の幅方向）Ｄａと該無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条５０の幅方向）Ｄｆとの合計（Ｄａ＋Ｄｆ）と、溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｍ）との比（（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｍ））は、０．４以下が好ましく、０．０１〜０．３がより好ましい。（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｍ）が０．４以下であれば、溝１４に充分な空隙が形成され、光学特性がより良好になる。
【００６２】
凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条５０の高さ方向)Ｈａは、前述のとおり３０ｎｍ以上である。また、凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の厚さＨａと、該無機酸化物層３０の幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり１．０以下である。
凸条５０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さＤａ（凸条５０の幅方向）と前述の幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり０．２５以下であることが好ましい。
Ｄａは、前述のとおり、凸条の全高さをＨ’（＝Ｈｍ）とした場合、その半分の高さ（Ｈ’／２）の位置において、側面に被覆されている無機酸化物層の幅方向の厚さである。なお、図示例では、Ｄａは高さ方向に一定であるが、一定でなくてもよい。
【００６３】
金属細線２０からなる凸条５０の高さＨｍは、５０〜５００ｎｍが好ましく、１００〜３００ｎｍがより好ましい。Ｈｍが５０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｍが５００ｎｍ以下であれば、波長分散が小さくなる。また、Ｈｍが１００〜３００ｎｍであれば、金属細線２０を形成しやすい。
【００６４】
凸条５０の頂部を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条５０の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【００６５】
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜２００μｍがより好ましい。
【００６６】
（ワイヤグリッド型偏光子の製造方法）
ワイヤグリッド型偏光子１は、上述した方法（α）によって製造できる。
【００６７】
〔第２の実施形態〕
（ワイヤグリッド型偏光子）
図２は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第２の実施形態を示す断面図である。ワイヤグリッド型偏光子２は、断面形状が矩形である複数の凸条５０が、該凸条５０間に形成される溝１４の平坦部１３を介して互いに平行にかつ可視光の波長以下の所定のピッチＰｐで光透過性基板１０の表面に形成された基板と；凸条５０の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部５２と、凸条５０間の基板の平坦部１３とを、凸条５０間の溝１４に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。
【００６８】
該第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子２は、凸条５０として、光透過性基板１０の凸条基部１２と、該凸条基部１２上に形成され、凸条上部を構成する金属細線２０とからなるものを有する。また、凸条基部１２は、光透過性基板１０と一体かつ同じ材料からなっている。
【００６９】
Ｐｐは、凸条基部１２の幅Ｄｐと、凸条５０間に形成される溝１４の幅との合計である。Ｐｐは、可視光の波長以下であって、３０〜３００ｎｍが好ましく、５０〜２００ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高いｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。また、Ｐｐが３０ｎｍ以上であれば、高い透過率を示す。
【００７０】
ＤｐとＰｐの比（Ｄｐ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｐ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｐ／Ｐｐを０．７以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
Ｄｐは、蒸着によって金属層を形成しやすい点から、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００７１】
金属細線２０（金属層）の幅Ｄｍは、１０〜１００ｎｍが好ましく、２０〜８０ｎｍがより好ましい。Ｄｍが１０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｄｍが１００ｎｍ以下であれば、透過率が充分に高くなる。
【００７２】
凸条５０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条５０の幅方向）Ｄａと該無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条５０の幅方向）Ｄｆとの合計（Ｄａ＋Ｄｆ）と、溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｐ）との比（（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐ））は、０．４以下が好ましく、０．０１〜０．３がより好ましい。（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐ）が０．４以下であれば、溝１４に充分な空隙が形成され、光学特性がより良好になる。
【００７３】
凸条基部１２の高さＨｐは、５０〜５００ｎｍが好ましく、１００〜４００ｎｍがより好ましい。Ｈｐが５０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｐが５００ｎｍ以下であれば、透過率の波長分散を低減できる。また、Ｈｐが５０〜５００ｎｍであれば、蒸着によって金属層を形成しやすい。
【００７４】
金属細線２０（金属層）の高さＨｍは、１５〜５００ｎｍが好ましく、１５〜３００ｎｍがより好ましい。Ｈｍが１５ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｍが５００ｎｍ以下であれば、透過率の波長分散が小さくなる。また、Ｈｍが１５〜３００ｎｍであれば、金属層を形成しやすい。
【００７５】
凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条５０の高さ方向)Ｈａは、前述のとおり３０ｎｍ以上である。また、凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の厚さＨａと、凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり１．０以下である。
凸条５０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さＤａ（凸条５０の幅方向）と前述の幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり０．２５以下であることが好ましい。
この例では、凸条の全高さＨ’＝Ｈｍ＋Ｈｐであり、Ｄａは、その半分の高さ（Ｈ’／２）の位置において、側面に被覆されている無機酸化物層の幅方向の厚さである。なお、図示例では、Ｄａは高さ方向に一定であるが、一定でなくてもよい。
【００７６】
凸条５０の頂部を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条５０の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【００７７】
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜２００μｍがより好ましい。
【００７８】
（ワイヤグリッド型偏光子の製造方法）
ワイヤグリッド型偏光子２は、上述した方法（β）によって製造できる。
【００７９】
金属細線２０は、図３に示すように、凸条基部１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条基部１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に２０〜５０゜の角度θＬをなす方向Ｖ２から金属または金属化合物を、蒸着量が１５〜１００ｎｍとなる条件で蒸着することにより形成できる。
蒸着量が１５〜１００ｎｍとなる条件とは、凸条基部に被覆層を形成する際に、凸条基部が形成されていない平坦な部分の表面に金属または金属化合物を蒸着して形成される金属層の厚さｔが１５〜１００ｎｍとなるような条件である。
【００８０】
角度θＬは、たとえば、下記の蒸着装置を用いることによって調整できる。
凸条基部１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条基部１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に角度θＬをなす方向Ｖ２の延長線上に蒸着源が位置するように、蒸着源に対向して配置された光透過性基板１０の傾きを変更できる蒸着装置。
【００８１】
〔第３の実施形態〕
（ワイヤグリッド型偏光子）
図４は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第３の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子３は、複数の凸条５０が、該凸条５０間に形成される溝１４の平坦部１３を介して互いに平行にかつ可視光の波長以下の所定のピッチＰｐで光透過性基板１０の表面に形成された基板と；凸条５０の側面および頂部５２と、凸条５０間の基板の平坦部１３とを、凸条５０間の溝１４に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。
【００８２】
第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子３は、凸条５０として、光透過性基板１０の凸条基部１２と、該凸条基部１２上に形成され、凸条上部を構成する金属細線２０とからなるものを有する。該凸条５０の断面形状は台形である。また、該台形の上底は曲線状である。凸条基部１２は、光透過性基板１０と一体かつ同じ材料からなっている。金属細線２０は、凸条基部１２の第１の側面１６の全部を被覆する第１の金属層２２と、凸条基部１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の第１の金属層２２の表面および凸条基部１２の頂部１９を少なくとも被覆する第２の金属層２４とからなる。
【００８３】
Ｐｐは、凸条基部１２の底部の幅Ｄｐｂと、凸条５０間に形成される溝１４の平坦部１３の幅との合計である。Ｐｐは、可視光の波長以下であって、３０〜３００ｎｍが好ましく、５０〜２５０ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高い表面ｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、Ｐｐが３０ｎｍ以上であれば、高い透過率を示す。
【００８４】
ＤｐｂとＰｐの比（Ｄｐｂ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｐｂ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｐｂ／Ｐｐを０．７以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。Ｄｐｂは、蒸着によって各層を形成しやすい点から、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００８５】
凸条基部１２の頂部１９の幅Ｄｐｔは、Ｄｐｂの半分以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。ＤｐｔがＤｐｂの半分以下であれば、ｐ偏光透過率がより高くなり、角度依存性が充分に低くなる。
【００８６】
金属細線２０の、凸条基部１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条基部１２の上半分）の厚さ（凸条基部１２の幅方向）の最大値Ｄｍ１は、８０ｎｍ以下が好ましく、２０〜７５ｎｍがより好ましく、３５〜５５ｎｍがさらに好ましく、４０〜５０ｎｍが特に好ましい。Ｄｍ１が２０ｎｍ以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。Ｄｍ１が８０ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。
【００８７】
金属細線２０の、凸条基部１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条基部１２の下半分）の厚さ（凸条基部１２の幅方向）の最大値Ｄｍ２は、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄｍ２が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄｍ２が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。
【００８８】
Ｄｍ１と溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｐｂ）との比（Ｄｍ１／（Ｐｐ−Ｄｐｂ））は、０．２〜０．５が好ましい。Ｄｍ１／（Ｐｐ−Ｄｐｂ）が０．２以上であれば、ｓ偏光透過率が低くなって偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｍ１／（Ｐｐ−Ｄｐｂ）が０．５以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。
【００８９】
Ｄｍ１とＤｍ２との比（Ｄｍ１／Ｄｍ２）は、２．５〜１０が好ましく、３〜８がより好ましい。Ｄｍ１／Ｄｍ２が２．５以上であれば偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｍ１／Ｄｍ２が１０以下であれば高いｐ偏光透過率を示す。
【００９０】
凸条５０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条５０の幅方向）Ｄａと該無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条５０の幅方向）Ｄｆとの合計（Ｄａ＋Ｄｆ）と、溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｐｂ）との比（（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐｂ））は、０．４以下が好ましく、０．０１〜０．３がより好ましい。（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐｂ）が０．４以下であれば、溝１４に充分な空隙が形成され、光学特性がより良好になる。
【００９１】
凸条基部１２の高さＨｐは、１２０〜１０００ｎｍが好ましい。Ｈｐが１２０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｐが１０００ｎｍ以下であれば、凸条基部１２を形成しやすい。Ｈｐが３００ｎｍ以下であれば、波長分散が小さくなる。また、Ｈｐが１２０〜３００ｎｍであれば、蒸着によって金属細線２０を形成しやすい。
【００９２】
凸条基部１２の頂部１９より下方（光透過性基板１０側）に位置する金属細線２０の高さＨｍ２に関して、Ｈｍ２／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈｍ２／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈｍ２／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。
【００９３】
凸条基部１２の頂部１９より上方（光透過性基板１０と逆側）に位置する金属細線２０の高さＨｍ１に関して、Ｈｍ１／Ｈｐは、０．０５〜０．７が好ましく、０．１〜０．５がより好ましい。Ｈｍ１／Ｈｐが０．７以下であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｈｍ１／Ｈｐが０．０５以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。
【００９４】
凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条５０の高さ方向)Ｈａは、前述のとおり３０ｎｍ以上である。また、凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０の厚さＨａと、該無機酸化物層３０の幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり１．０以下である。
凸条５０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さＤａ（凸条５０の幅方向）と前述の幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり０．２５以下であることが好ましい。
この例では、凸条の全高さＨ’＝Ｈｍ１＋Ｈｐであり、Ｄａは、その半分の高さ（Ｈ’／２）の位置において、側面に被覆されている無機酸化物層の幅方向の厚さである。なお、図示例では、Ｄａは高さ方向に一定であるが、一定でなくてもよい。
【００９５】
凸条５０の頂部５２を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条５０の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【００９６】
第１の側面１６の傾斜角θ１および第２の側面１８の傾斜角θ２は、３０〜８０°が好ましい。θ１とθ２は、同じであってもよく、異なってもよい。
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜２００μｍがより好ましい。
【００９７】
（ワイヤグリッド型偏光子の製造方法）
ワイヤグリッド型偏光子３は、上述した方法（β）によって製造できる。
【００９８】
第１の金属層２２は、図５に示すように、凸条基部１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条基部１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ａ）を満たす角度θＲ１（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｒ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θＲ１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ  ・・・（ａ）。
【００９９】
式（ａ）の角度θＲ１（°）は、隣の凸条基部１２に遮られることなく、凸条基部１２の底部側の表面まで金属または金属化合物を蒸着するための角度を表わし、凸条基部１２の底部の表面から隣の凸条基部１２の底部の中心までの距離（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）と隣の凸条基部１２の頂部の高さＨｐとから決まる。「±１０」は振れ幅である。
角度θＲ１（°）は、ｔａｎ（θＲ１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θＲ１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。
【０１００】
蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ａ）を満たす範囲で角度θＲ１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θＲ１（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。
蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件とは、凸条基部に被覆層を形成する際に、凸条基部が形成されていない平坦な部分の表面に金属または金属化合物を蒸着して形成される金属層の厚さｔが４〜２５ｎｍとなるような条件である。
【０１０１】
第２の金属層２４は、工程（１Ｒ１）の後、図５に示すように、凸条基部１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条基部１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ｂ）を満たす角度θＲ２（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（１Ｒ２）を実施することにより形成できる。
θＲ１＋３≦θＲ２≦θＲ１＋３０  ・・・（ｂ）。
角度θＲ２（°）は、θＲ１＋６≦θＲ２≦θＲ１＋２５を満たすことが好ましく、θＲ１＋１０≦θＲ２≦θＲ１＋２０を満たすことがより好ましい。
【０１０２】
蒸着は、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、３０〜６０ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で、式（ｂ）を満たす範囲で角度θＲ２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θＲ２（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。
【０１０３】
〔他の実施形態〕
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、凸条の頂部に被覆された無機酸化物層の厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である限り、図示例のものに限定されない。
たとえば、光透過性基板と金属細線との間に、第２の無機酸化物層（酸化アルミニウム等）を有するものであってもよい。
また、無機酸化物層は、同種または異種の複数の無機酸化物層からなる積層構造を有していてもよい。
【０１０４】
＜反射防止物品＞
〔基板〕
本発明の反射防止物品の備える基板は、光透過性基板からなることが好ましい。基板の少なくとも一方の面には、円錐、角錐などの錐体および該錐体に基く錐台などからなり、可視光の波長以下の所定のピッチで形成された凸起（凸部）が形成されており、基板は、いわゆるモスアイ構造を有している。
ピッチは、４００ｎｍを超えると短波長域の反射率が上昇することがあることから、４００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましい。
凸起の形状は、円錐が好ましい。また、凸起の高さは、凸起が折れ曲がりにくくなる点、生産性に優れる点から、凸起の高さを底辺で割った値であるアスペクト比が、２以下であることが好ましい。凸起一つ当たりのアスペクト比又は高さが低すぎる場合、短波長側（青）の光を反射することがあるため、アスペクト比は０．８以上が好ましい。
【０１０５】
光透過性基板は、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲の波長に対して光透過性を有する。光透過性基板の材料としては、ワイヤグリッド型偏光子において例示した材料を同様に使用できる。光透過性基板の材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、インプリント法にて凸起を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸起を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。光硬化樹脂としては、生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化し得る光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化樹脂が好ましい。
また、光透過性基板は、積層体であってもよく、たとえば、熱可塑性樹脂、ガラス等からなる基材と、該基材の表面に形成された光硬化樹脂からなる凸起を有する表層とを備えるものが挙げられる。
【０１０６】
〔無機酸化物層〕
無機酸化物層は、光透過性基板の少なくとも凸起の頂部を被覆する層である。無機酸化物層は、凸起の側面の少なくとも一部や、凸起間の基板の表面（凸起間の平坦部）を被覆していてもよいが、凸起の頂部のみを被覆していても、充分な効果（耐擦傷性および光学特性）が得られる。無機酸化物層は、光透過性基板層を直接被覆していることが好ましい。無機酸化物層の材料としては、ワイヤグリッド型偏光子において例示した材料を同様に使用できる。すなわち、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム等が挙げられ、反射防止物品が可視光領域で高い透過率を示す点から、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズが好ましく、コストの点から、酸化ケイ素が特に好ましい。
【０１０７】
凸起の頂部を被覆する無機酸化物層の厚さＨａ（凸起の高さ方向)は、３０ｎｍ以上である。この厚さＨａが３０ｎｍ以上であると、凸起の耐擦傷性が非常に優れる。ここでＨａは、凸起間の平坦部または凸起間の最低点を基準とした凸起の頂部の高さと、同じく凸起間の平坦部または凸起間の最低点を基準とした無機酸化物層の頂部の高さとの差である。また、好ましくは、Ｈａは１５０ｎｍ以下である。より好ましくは、Ｈａは４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である。
また、凸起の頂部を被覆する無機酸化物層の厚さＨａと、凸起の頂部を被覆する無機酸化物層の幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である。比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下であると、凸起の頂部を被覆する無機酸化物層は折損し難く、凸起の耐擦傷性を高める。ここで幅Ｄａｔとしては、凸起の頂部よりも上に存在し、該頂部を被覆する無機酸化物層の径（基板の主表面と平行方向）の値を採用する。該径が無機酸化物の高さ方向で一定でない場合および該径が周方向で一定でない場合の少なくとも一方を満たす場合には、Ｄａｔとしては径の最大値を採用する。
また、各寸法については、ワイヤグリッド偏光子についての先の記載にあるように、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像において、任意の５箇所について測定し、平均した値を採用する。
【０１０８】
また、無機酸化物層は、凸起の頂部に加えて、凸起の側面の少なくとも一部を被覆していてもよい。該側面を被覆する無機酸化物層の幅方向の厚さＤａと前述の幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、０．２５以下であることが好ましい。比（Ｄａ／Ｄａｔ）が０．２５以下であると、凸起間には充分に空隙（溝）が形成されるため、反射防止物品の光学特性を良好に維持しつつ、凸起の耐擦傷性を高めることができる。なお、Ｄａは、凸起の全高さをＨ’とした場合、その半分の高さ（Ｈ’／２）の位置において、側面に被覆されている無機酸化物層の幅方向の厚さである。
【０１０９】
Ｄａの実際の測定は次のように行う。
反射防止物品の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像から、凸起の頂部を通っている縦断面像を複数選択する。その縦断面像が、凸起の頂部を通っているものかどうかは、その縦断面像における凸起の高さから判断できる。そして、これら選択された縦断面像における（Ｈ’／２）の位置の任意の５箇所について、無機酸化物層の厚さを測定し、その平均値を求める。
【０１１０】
〔含フッ素化合物層〕
含フッ素化合物層は、無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された層であり、無機酸化物層の全面を被覆する。無機酸化物に対して反応性を有する基および好ましい基ならびに含フッ素化合物、含フッ素化合物層の厚み等は、ワイヤグリッド型偏光子において例示したとおりである。たとえば、含フッ素化合物が後述する加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基を有する含フッ素化合物の場合、含フッ素化合物層は、該含フッ素化合物の加水分解縮合体から構成される。
【０１１１】
無機酸化物に対して反応性を有する基としては、シラノール基、加水分解性シリル基等が挙げられる。無機酸化物との反応性の点から、加水分解性シリル基が特に好ましい。加水分解性シリル基とは、ケイ素原子にアルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が結合してなる基であり、加水分解によりシロキサン結合を形成することにより架橋しうる基である。トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基等が好ましい。
【０１１２】
含フッ素化合物としては、無機酸化物との反応性および低動摩擦係数の点から、加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。）を有する含フッ素化合物が好ましい。
また、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８９４に準拠して測定された含フッ素化合物層の動摩擦係数は、耐擦傷性の点から、０．２以下が好ましく、０．１５以下がより好ましい。
【０１１３】
図７は、本発明の反射防止物品の実施形態を示す断面図である。反射防止物品６０は、錐体からなり断面形状が三角形である複数の凸起６２が、可視光の波長以下の所定のピッチＰｐで光透過性基板１０の表面に形成された基板と；凸起６２の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部６４と、凸起６２間の溝６６に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。図７は、複数の凸起６２の頂部６４を結ぶ断面で活断した図を表わしている。
【０１１４】
該実施形態の反射防止物品６０において、凸起６２は、光透過性基板１０と一体かつ同じ材料からなっている。
【０１１５】
Ｐｐは、最も近接する凸起同士の底面中心間の距離である。Ｐｐは、可視光の波長以下であって、５０〜４００ｎｍが好ましく、１００〜３００ｎｍがより好ましい。Ｐｐが４００ｎｍ以下であれば、可視光波長全域で低反射率を示す。また、Ｐｐが５０ｎｍ以上であれば、生産性に優れる。
【０１１６】
凸起の高さＨｐを底辺（図７ではＰｐに等しい）で割った値であるアスペクト比が、２以下であることが好ましい。凸起一つ当たりのアスペクト比又は高さが低すぎる場合、短波長側（青）の光を反射することがあるため、アスペクト比は０．８以上が好ましい。
【０１１７】
凸起６２の頂部６４を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸起６２の高さ方向)Ｈａは、前述のとおり３０ｎｍ以上である。また、凸起６２の頂部６４を被覆する無機酸化物層３０の厚さＨａと、凸起６２の頂部６４を被覆する無機酸化物層３０の幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり１．０以下である。
凸起６２の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さＤａ（凸起６２の幅方向）と前述の幅Ｄａｔとの比（Ｄａ／Ｄａｔ）は、前述のとおり０．２５以下であることが好ましい。
Ｄａは、前述のとおり、凸起６２の高さＨｐの半分の高さ（Ｈｐ／２）の位置において、側面に被覆されている無機酸化物層の幅方向の厚さである。
【０１１８】
凸起６２の頂部を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸起６２の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【０１１９】
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜２００μｍがより好ましい。
【０１２０】
＜反射防止物品の製造方法＞
光透過性基板の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法、熱インプリント法）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸起を生産性よく形成できる点および光透過性基板を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸起をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。インプリント法に用いられるモールド、基材等は、ワイヤグリッド型偏光子において例示したものを同様に使用できる。
無機酸化物層および含フッ素化合物層の形成は、ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法（α）における工程（II）〜（III）と同様に行えばよい。
【０１２１】
＜作用効果＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品などの微細構造成形体にあっては、少なくとも凸部の頂部を被覆する無機酸化物層を有し、凸部の頂部に被覆された無機酸化物層は、厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である。また、少なくとも無機酸化物層の表面には、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成され、表面の動摩擦係数を低く抑える含フッ素化合物層が形成されている。そのため、本発明の微細構造成形体は、優れた耐擦傷性を有する。
【０１２２】
＜液晶表示装置＞
本発明の液晶表示装置は、本発明の微細構造成形体を有する。
本発明の液晶表示装置は、たとえば、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、本発明のワイヤグリッド型偏光子とを有する。また、本発明の液晶表示装置は、たとえば、液晶パネルの表面に、本発明の反射防止物品を有する。
【０１２３】
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、液晶パネルとバックライトユニットとの間に配置されることが好ましく、液晶パネルの一対の基板のうちのバックライトユニット側の基板と一体化されていてもよく、液晶パネルの一対の基板のうちのバックライトユニット側の基板の液晶層側、すなわち液晶パネルの内部に配置されていてもよい。
【０１２４】
ワイヤグリッド型偏光子を有する本発明の液晶表示装置は、薄型化の点から、本発明のワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の液晶パネルの表面に吸収型偏光子を有することが好ましい。
【０１２５】
図６は、本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図である。液晶表示装置４０は、一対の基板４１、基板４２間に液晶層４３を挟持した液晶パネル４４と、バックライトユニット４５と、金属細線が形成された側の面がバックライトユニット４５側となり、金属細線が形成されていない側の面が液晶表示装置４０の視認側となるようにバックライトユニット４５側の液晶パネル４４の表面に貼着された本発明のワイヤグリッド型偏光子１と、バックライトユニット４５側とは反対側の液晶パネル４４の表面に貼着された吸収型偏光子４６とを有する。
【０１２６】
以上説明した本発明のワイヤグリッド型偏光子を有する本発明の液晶表示装置にあっては、充分な耐擦傷性および光学特性を有する本発明のワイヤグリッド型偏光子を有するため、充分な輝度およびコントラストを有する。
また、本発明の反射防止物品を有する本発明の液晶表示装置にあっては、充分な耐擦傷性および反射防止特性を有する本発明の反射防止物品を有するため、アッセンブリ時の物理的接触や人間の手などの接触に対して傷付きにくく、指紋も付きにくいため反射防止特性が持続する優れた特性を有する。
【実施例】
【０１２７】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
例２、３、５、６、８、９は実施例であり、例１、４、７、１０、１１は比較例である。【０１２８】
（耐擦傷性ａ）
ワイヤグリッド型偏光子を往復式摩耗試験機（ケイエヌテー社製）にセットした。直径１０ｍｍの円柱状の金属製棒の先端にエタノールで湿らせたネル布（３００番）を巻きつけたものによって、荷重：５０ｇ、１００ｇまたは５００ｇ、速度：１４０ｃｍ／ｍｉｎの条件にて、ワイヤグリッド型偏光子の金属細線が形成された側の表面を、２０回、５０回または２００回擦った。試験後のワイヤグリッド型偏光子について、市販偏光板とクロスニコル下、ヘーズメーター（東洋精機社製、ＨＡＺＥ−ＧＡＲＤII）にて全光線透過率を測定し、光漏れΔＴを求めた。
（耐擦傷性ｂ）
反射防止物品を往復式摩耗試験機（ケイエヌテー社製）にセットした。直径１０ｍｍの円柱状の金属製棒の先端にネル布（３００番）を巻きつけたものによって、荷重：５００ｇ、速度：１４０ｃｍ／ｍｉｎの条件にて、反射防止物品の凸起が形成された側の表面を、２０回または５０回擦った。試験前後の反射防止物品について、ヘーズメーター（東洋精機社製、ＨＡＺＥ−ＧＡＲＤII）にてヘーズ値を測定し、その差（ΔＨａｚｅ）を得た。【０１２９】
（動摩擦係数）
ワイヤグリッド型偏光子と同一の積層構造を有し、かつ微細構造を持たない平滑な硬化膜を表面性試験機（新東科学工業社製、ＨＥＩＤＯＮ−１４Ｓ）にセットした。平面圧子を用い、垂直荷重：２００ｇ、すべり速度：１００ｍｍ／ｍｉｎの条件にて、平滑表面について摩擦抵抗試験を行い、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８９４に準拠して動摩擦係数を求めた。【０１３０】
（光硬化性樹脂組成物の調製）
撹拌機および冷却管を装着した３００ｍＬの４つ口フラスコに、
単量体１（新中村化学工業社製、ＮＫ  エステル  Ａ−ＤＰＨ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の６０ｇ、
単量体２（新中村化学工業社製、ＮＫ  エステル  Ａ−ＮＰＧ、ネオペンチルグリコールジアクリレート）の４０ｇ、
光重合開始剤１（チバスペシャリティーケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）の４．０ｇ、
を入れた。フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化し、粘度が１４０ｍＰａ・ｓである光硬化性樹脂組成物を得た。【０１３１】
〔例１〕
図２に示すようなワイヤグリッド型偏光子２を、下記の手順にて製造した。【０１３２】
（工程（Ｉ’））
高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡社製、コスモシャインＡ４３００、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１００μｍ）の表面に、光硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ約５μｍの光硬化性樹脂組成物の塗膜を形成した。【０１３３】
ついで、塗膜付きＰＥＴフィルムを、複数の溝が表面に形成されたナノインプリント用モールドに、光硬化性樹脂組成物の塗膜がモールドの溝に接するように、ゴムロールを用いて２５℃にて押しつけた。【０１３４】
該状態を保持したまま、ＰＥＴフィルム側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ）の光を１５秒間照射し、光硬化性樹脂組成物を硬化させた後、ナノインプリント用モールドをゆっくりと分離し、光透過性基板１０の片面に、ナノインプリント用モールドの溝に対応する複数の凸条基部１２が形成された基板（Ｐｐ：１４０ｎｍ、Ｄｐ：７０ｎｍ、Ｈｐ：１６０ｎｍ）を作製した。【０１３５】
基板の凸条基部１２上に、斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させ、金属細線２０（Ｈｍ：１００ｎｍ、Ｄｍ：７０ｎｍ）を形成した。【０１３６】
（工程（II））
ロードロック機構を備えたインライン型スパッタ装置（日真精機社製）に、ターゲットとして酸化ケイ素を取り付けた。スパッタ装置内に、金属細線２０が形成された基板をセットし、金属細線２０側の表面に対して垂直方向から酸化ケイ素を蒸着させ、酸化ケイ素からなる無機酸化物層３０を形成した。
断面のＴＥＭ像から求めた各寸法（５箇所の平均値）は、Ｄａ：６．０ｎｍ、Ｈａ：２２．０ｎｍ、Ｄａｔ：５８．０ｎｍであった。【０１３７】
（工程（III））
加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する。）を有する含フッ素化合物（ダイキン工業社製、オプツールＤＳＸ）を、フッ素系溶媒（旭硝子社製、ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１００、化学式：Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３）に希釈させた溶液（濃度：０．１質量％）に、金属細線２０および無機酸化物層３０が形成された基板を浸漬し、引き上げた後、直ちにフッ素系溶媒（旭硝子社製、ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１００、化学式：Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３）でリンスした。６０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１時間置き、無機酸化物層３０の表面に含フッ素化合物層３２（ＤｆおよびＨｆ：２ｎｍ）を形成し、ワイヤグリッド型偏光子２を得た。【０１３８】
得られたワイヤグリッド型偏光子２について、耐擦傷性ａの評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。【０１３９】
〔例２、３、５、６〕
工程（Ｉ’）で作製する基板の各寸法Ｐｐ、Ｄｐ、Ｈｐを表１に記載の値とした点、工程（II）における蒸着時間（スパッタ処理時間）を変更し、表１に記載の各寸法（Ｈａ、Ｄａ、Ｄａｔ）を有する無機酸化物層３０を形成した点以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子２を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子２について、耐擦傷性ａの評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。【０１４０】
〔例４〕
工程（III）を行なわない以外は、例３と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
含フッ素化合物層３２を有さないワイヤグリッド型偏光子について、耐擦傷性Ｉの評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。【０１４１】
〔例７〕
工程（II）および工程（III）を行なわない以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
無機酸化物層３０および含フッ素化合物層３２を有さないワイヤグリッド型偏光子について、耐擦傷性ａの評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。【０１４２】
〔例８〕
工程（Ｉ’）で作製する基板の各寸法Ｐｐ、Ｄｐ、Ｈｐを表１に記載の値とした以外は、例３と同様にしてワイヤグリッド型偏光子２を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子２について、耐擦傷性ａの評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。【０１４３】
【表１】
2012115059.tif 000003
【０１４４】
表１に示すように、無機酸化物層の厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である例２、３、５、６、８は、５００ｇ×２００回の高荷重条件でも、観察された光漏れΔＴは小さく、耐擦傷性に優れていた。また、特に厚さＨａが４０ｎｍ以上となると、急激に光漏れΔＴが抑制されることがわかった。
これに対して、厚さＨａが小さい例１、含フッ素化合物層３２のない例４、無機酸化物層３０および含フッ素化合物層３２のない例７では、大きな光漏れΔＴが観察された。
また、特に例８は、Ｈｐが他の例に比べて大きく、そのためと考えられるが、無機酸化物層が凸条（凸部）の側面にはあまり形成されず、厚み（Ｄａ）および比（Ｄａ／Ｄａｔ）が小さかった。しかしながら、光漏れΔＴは非常に低く、充分な耐擦傷性を備えていた。このことから、無機酸化物層が少なくとも凸条（凸部）の頂部に被覆されていて、厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下であれば、充分な耐擦傷性が発揮されることが理解された。【０１４５】
〔例９〕
図７に示すような反射防止構造体６０を、下記の手順にて製造した。
高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡社製、コスモシャインＡ４３００、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１００μｍ）の表面に、光硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ約５μｍの光硬化性樹脂組成物の塗膜を形成した。【０１４６】
ついで、塗膜付きＰＥＴフィルムを、複数の溝（円錐形状）が、該円錐の底面が六方細密構造をなすように、表面に形成されたナノインプリント用モールドに、光硬化性樹脂組成物の塗膜がモールドの溝に接するように、ゴムロールを用いて２５℃にて押しつけた。【０１４７】
該状態を保持したまま、ＰＥＴフィルム側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ）の光を１５秒間照射し、光硬化性樹脂組成物を硬化させた後、ナノインプリント用モールドをゆっくりと分離し、光透過性基板１０の片面に、ナノインプリント用モールドの溝に対応する複数の凸起６２が形成された基板（ピッチ：３００ｎｍ、凸起の高さ：１８８．９ｎｍ）を作製した。【０１４８】
ロードロック機構を備えたインライン型スパッタ装置（日真精機社製）に、ターゲットとして酸化ケイ素を取り付けた。スパッタ装置内に、凸起６２が形成された基板をセットし、凸起６２側の表面に対して垂直方向から酸化ケイ素を蒸着させ、酸化ケイ素からなる無機酸化物層３０を形成した。
断面のＴＥＭ像から求めた各寸法（５箇所の平均値）は、Ｄａ：３３．３ｎｍ、Ｈａ：１００．０ｎｍ、Ｄａｔ：２００．０ｎｍであった。【０１４９】
加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する。）を有する含フッ素化合物（ダイキン工業社製、オプツールＤＳＸ）を、フッ素系溶媒（旭硝子社製、ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１００、化学式：Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３）に希釈させた溶液（濃度：０．１質量％）に、凸起および無機酸化物層が形成された基板を浸漬し、引き上げた後、直ちにフッ素系溶媒（旭硝子社製、ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１００、化学式：Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３）でリンスした。６０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１時間置き、無機酸化物層３０の表面に含フッ素化合物層３２（ＤｆおよびＨｆ：２ｎｍ）を形成し、反射防止構造体６０を得た。【０１５０】
得られた反射防止構造体６０について、耐擦傷性ｂの評価を行った。結果を表２に示す。【０１５１】
〔例１０、１１〕
蒸着時間（スパッタ処理時間）を変更し、表２に記載の各寸法（Ｈａ、Ｄａ、Ｄａｔ）を有する無機酸化物層を形成した点以外は、例９と同様にして反射防止構造体を得た。
得られた反射防止構造体について、耐擦傷性ｂの評価を行った。結果を表２に示す。【０１５２】
【表２】
2012115059.tif 000004
【０１５３】
表２に示すように、無機酸化物層の厚さＨａが３０ｎｍ以上で、かつ、該厚さＨａと幅Ｄａｔとの比（Ｈａ／Ｄａｔ）が１．０以下である例９は、ΔＨａｚｅは１以下と小さく、耐擦傷性に優れていた。
これに対して、厚さＨａが小さい例１０では、擦傷回数５０回で、ΔＨａｚｅが１より大きくなった。また、含フッ素化合物層のない例１１では、擦傷回数２０回および５０回で、ΔＨａｚｅが１より大きくなった。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明の微細構造成形体は、ワイヤグリッド型偏光子、反射防止物品などとして、液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置に使用できる。また、本発明の微細構造成形体は、ナノインプリント用モールドとして使用できる。
なお、２０１１年２月２２日に出願された日本特許出願２０１１−０３５６４１号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【０１５５】
１  ワイヤグリッド型偏光子
２  ワイヤグリッド型偏光子
３  ワイヤグリッド型偏光子
１０  光透過性基板
２０  金属細線
３０  無機酸化物層
３２  含フッ素化合物層
４０  液晶表示装置
４４  液晶パネル
４５  バックライトユニット
５０  凸条
６０  反射防止物品
６２  凸起
【図１】
2012115059.tif 000005
【図２】
2012115059.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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