(57)【要約】  本発明は、ＡｇおよびＣを含有することを特徴とするスパッタリングターゲットである。本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、ＰｔおよびＣに加えてＡｇを含有する。Ａｇを含有することにより本発明のスパッタリングターゲットは高密度になる。その結果、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量を低減させることができ、スパッタにより形成される薄膜の特性を向上させることができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、低温焼結で製造された場合でも高密度になる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率が１〜２０モル％であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末を含有する原料粉末を焼成して製造されることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲットに関し、さらに詳しくは、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有し、大規模な装置を要することなく磁気記録膜を形成することができる高密度のスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューター等に搭載されるハードディスク等を構成する磁気記録膜として、従来ＣｏＰｔ系薄膜が用いられ、垂直磁気記録方式により高記録密度化が図られてきた。しかし、近年、高記録密度化の要請がますます強まり、ＣｏＰｔ系薄膜ではその要請に応えることが困難になってきている。【０００３】
そこで、ＣｏＰｔ系薄膜に替わる次世代磁気記録膜として、ＦｅＰｔ系薄膜が提案されている。ＦｅＰｔ系薄膜は、ＣｏＰｔ系薄膜に比較して磁気異方性が高い利点を有する。その一方、ＦｅＰｔ系薄膜は、これを構成する粒子が過大になることによって、構造が不規則になり、磁気特性が低下する短所がある。【０００４】
このため、ＦｅＰｔ系薄膜に炭素などを添加することにより磁気特性を制御する技術が検討されている。【０００５】
特許文献１には、Ｆｅ、ＰｔおよびＣ単体の他スパッタリングターゲットを同時にスパッタすることにより、磁気特性に優れたＦｅＰｔＣ系の磁気記録膜を得る技術が開示されている。【０００６】
しかし、この技術は、３種類のスパッタリングターゲットを用いた三元同時スパッタを行うため、スパッタリングターゲットを設置するためのカソードが３個以上必要になり、装置が大規模になるなどの問題点があった。【０００７】
この問題は、Ｆｅ、ＰｔおよびＣなど磁気記録膜を構成するすべての元素を含有したスパッタリングターゲットを作製することにより解決することができる。このスパッタリングターゲットを用いれば、1個のスパッタリングターゲットをスパッタすればよいので、スパッタリングターゲットを設置するために複数個のカソードが必要になることはなく、大規模な装置を要することなくＦｅＰｔＣ系磁気記録膜を得ることができる。【０００８】
しかし、スパッタリングターゲット中の炭素が高濃度になるとスパッタリングターゲットの密度を高くすることが困難になる。スパッタリングターゲットの密度が低いと、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量が増大し、スパッタにより形成される薄膜の特性を低下させる問題を生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３９５０８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記の問題点を解決するためになされたものであり、炭素を高濃度で含有していても密度が高く、高性能のＦｅＰｔＣ系磁気記録膜を得ることのできるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成する本発明は、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有することを特徴とするスパッタリングターゲットである。【００１２】
前記スパッタリングターゲットにおいては、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率が１〜２０モル％であることが好ましく、
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末を含有する原料粉末を焼成して製造されることが好ましく、また、
密度が９０％以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、ＰｔおよびＣに加えてＡｇを含有する。Ａｇを含有することにより本発明のスパッタリングターゲットは高密度になる。その結果、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量を低減させることができ、スパッタにより形成される薄膜の特性を向上させることができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、低温焼結で製造された場合でも高密度になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例１〜５で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折パターンである。
【図２】図２は、比較例１〜６で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折パターンである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有する。つまり、本発明のスパッタリングターゲットは、従来検討されていたＦｅＰｔＣ系のスパッタリングターゲットに新たにＡｇを含有させたものである。
【００１６】
スパッタリングターゲットに、Ｆｅ、ＰｔおよびＣに加えてＡｇを含有させると、スパッタリングターゲットの密度を高くすることができる。Ａｇを含有するとスパッタリングターゲットの密度が高くなる理由は次のように考えられる。Ｆｅ粉末およびＰｔ粉末からなる混合粉末を焼成すると、ＦｅとＰｔとが固溶化していき、成分が密に詰まるため、高密度のスパッタリングターゲットが得られる。一方、Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末およびＣ粉末からなる混合粉末を焼成すると、ＣがＦｅとＰｔとの固溶化を阻害し、成分が密に詰まらなくなるため、ＦｅＰｔＣ系の場合には高密度のスパッタリングターゲットが得られにくいと考えられる。Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃ粉末およびＡｇ粉末からなる混合粉末を焼成した場合には、Ｃが存在していても、ＡｇがＦｅとＰｔとの固溶化を促進させるため、成分が密に詰まり、高密度のスパッタリングターゲットが得られると考えられる。以上のことについては、後述の実施例において具体的に詳述する。
【００１７】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなり、その他不可避的不純物が含有される場合がある。
【００１８】
Ａｇの含有量は、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対して、１〜２０モル％であることが好ましく、５〜１７モル％であることがより好ましい。Ａｇの含有量が前記範囲内であると、高密度のスパッタリングターゲットになりやすくなる。一方、Ａｇの含有量が１モル％より少ないと、スパッタリングターゲットが十分には高密度にならない場合があり、２０モル％より多いと、本スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される膜の磁気特性が低下する場合がある。
【００１９】
本発明のスパッタリングターゲットに含まれるＦｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣの比率としては、本発明のスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘが好ましくは４５〜６５であり、より好ましくは４９〜５１であり、ｙが好ましくは１〜２０であり、より好ましくは５〜１７であり、Ｚが好ましくは１３〜５９であり、より好ましくは３２〜５９である。Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣの比率が前記範囲であれば、このスパッタリングターゲットをスパッタして得られる薄膜は磁気記録膜として有効に使用することができる。
【００２０】
本発明のスパッタリングターゲットの相対密度は、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上である。相対密度が９０％以上であると、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量を低減させることができ、スパッタにより形成される薄膜の特性を向上させることができる。前記相対密度はアルキメデス法に基づき測定された数値である。
【００２１】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末を混合して混合粉末を調製し、これを焼結し、さらに必要に応じて焼結体に加工を施すことにより製造することができる。
【００２２】
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末のＢＥＴ(Brunauer-Emmett-Teller)法で測定された平均粒径は、通常それぞれ１０〜７０μｍ、１〜４μｍ、２〜５μｍおよび３〜２０μｍである。
【００２３】
混合するＦｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末の割合は、得られるスパッタリングターゲット中に含まれるＦｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣの比率が前記範囲内になるように決定される。
【００２４】
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末の混合方法としては特に制限はなく、例えばボールミル等による混合が挙げられる。
【００２５】
混合粉末の焼結方法としては、たとえば通電焼結法による焼結およびホットプレス（ＨＰ）法による焼結等が挙げられる。
【００２６】
これらの中で、通電焼結法が特に好ましい。通電焼結法では、粒子間の放電によって粒子同士を接合および焼結させるため、必要なエネルギーが少なく、ホットプレス（ＨＰ）法などよりも低温での焼結が可能である。このため、密度が高く、細かい粒子からなる焼結体が得られやすくなる。
【００２７】
一方、ホットプレス法では、外部からの加熱によって焼結させるため、多くのエネルギーを要し、高温で焼結しないと密度の高い焼結体が得られない。このため、粗大な粒子からなる焼結体が形成される傾向が強い。
【００２８】
一般的には、細かい粒子からなるターゲットを用いたほうが、形成される膜の均一性が高くなるというメリットがある。一方、粗大な粒子からなるターゲットを用いると、パーティクル発生などの問題を引き起こす傾向が強い。この点において、通電焼結法はホットプレス法などよりも優れている。
【００２９】
上述のとおり、通電焼結法を用いると、ホットプレス法などに比較して相対密度の高い焼結体が得られる。たとえば、通電焼結法を用いると相対密度９０％以上の焼結体を得ることは容易であるが、ホットプレス法を用いると相対密度９０％以上の焼結体を得ることは困難である。
【００３０】
ただし、焼結体に追加工を施すことにより焼結体の相対密度を向上させることができる。したがって、混合粉末を焼結して得られた焼結体の相対密度が９０％未満であったとしても、その焼結体に追加工を施すことにより相対密度が９０％以上であるターゲットを得ることは可能である。
【００３１】
前記追加工としては熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）等が挙げられる。熱間静水圧プレスで焼結体に追加工を行うことにより，微細組織を保ちながら密度を向上させることができる。たとえば、ホットプレス法により得られた焼結体に熱間静水圧プレスを施すことにより焼結体の相対密度を高めることができ、焼結体の相対密度９０％未満であっても熱間静水圧プレスによる追加工により相対密度９０％以上のターゲットを得ることができる。通電焼結法により得られた焼結体に熱間静水圧プレスを施せば、さらに相対密度が高いターゲットを得ることができる。
【００３２】
焼結温度としては、通常７００〜１２００℃であり、好ましくは９００〜１１００℃である。焼結温度が高いほど密度の高いスパッタリングターゲットが得られるが、焼結温度が高すぎると、粗大な粒子からなるターゲットが得られ、成膜時にパーティクル発生などの問題が生じやすくなる。
【００３３】
発明のスパッタリングターゲットは、焼結温度が低い場合であっても高密度となる。
【００３４】
本発明のスパッタリングターゲットは、従来の磁気記録膜用スパッタリングターゲットと同様にスパッタすることができる。
【００３５】
本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタすることにより、ＦｅＰｔＡｇＣ薄膜を形成することができる。このＦｅＰｔＡｇＣ薄膜は磁気記録膜として使用することができる。
【実施例】
【００３６】
（実施例１〜５）
［スパッタリングターゲットの製造］
平均粒径３０μｍのＦｅ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＡｇ粉末および平均粒径７μｍのＣ粉末を、それぞれの含有比率が１８．４５モル％、１８．４５モル％、４．１０モル％および５９．００モル％となるようにボールミルで１．５時間混合して、混合粉末を調製した。前記各平均粒径はＢＥＴ法により測定された数値である。【００３７】
得られた混合粉末を、通電焼結装置を用いて下記の条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。実施例１〜５で得られたスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、いずれのスパッタリングターゲットについてもｘ＝５０、ｙ＝１０、ｚ＝５９であった。【００３８】
＜焼結条件＞
焼結雰囲気：真空
昇温時間：１０ｍｉｎ
焼結温度：表１の通り
焼結保持時間：１０ｍｉｎ
圧力：０．４ｔ／ｃｍ2
降温：自然炉冷
［相対密度の測定］
得られたスパッタリングターゲットの相対密度をアルキメデス法に基づき測定した。具体的には、スパッタリングターゲットの空中重量を、体積（＝スパッタリングターゲット焼結体の水中重量/計測温度における水比重）で除し、下記式（Ｘ）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ3）に対する百分率の値を相対密度（単位：％）とした。結果を表１に示した。【００３９】
【数１】
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（式（Ｘ）中、Ｃ1〜Ｃiはそれぞれターゲット焼結体の構成物質の含有量（重量％）を示し、ρ1〜ρiはＣ1〜Ｃiに対応する各構成物質の密度（ｇ/ｃｍ3）を示す。）。【００４０】
［スパッタリングターゲットの成形後の状態の評価］
得られたスパッタリングターゲットの状態を肉眼で観察し、スパッタリングターゲットの成形後の状態を評価した。【００４１】
結果を表１に示した。表１中、「溶け出し」とは、昇温時に粒子が溶融し、型の隙間から漏れ出して、固まったことを意味する。「端部欠け」とは、スパッタリングターゲットに指で力を加えたときに、スパッタリングターゲットの端部が欠けたことを意味する。「溶け出し」および「端部欠け」がなかった場合には空欄とした。【００４２】
［Ｘ線回折測定］
得られたスパッタリングターゲットに対し、以下の条件でＸ線回折測定を行った。
測定方法：２θ／θ法
サンプリング幅：０．０２°
スキャンスピード：４°／ｍｉｎ
管球：Ｃｕ
得られた回折パターンを図１に示した。図１において、下側の５つのチャートは、下からそれぞれＣ、Ａｇ、Ｐｔ、ＦｅおよびＦｅ−Ｐｔ（ＦｅとＰｔとの金属間化合物）のピーク位置を示すチャートである。図１の右側に表示した温度は焼結温度である。図１中、黒丸を付したピークはＰｔのピークであり、黒三角を付したピークはＡｇのピークであり、黒四角を付したピークはＦｅ−Ｐｔのピークである。【００４３】
（比較例１〜６）
［スパッタリングターゲットの製造］
平均粒径３０μｍのＦｅ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末および平均粒径７μｍのＣ粉末を、それぞれの含有比率が２０．５モル％、２０．５モル％および５９モル％となるようにボールミルで１．５時間混合して、混合粉末を調製した。前記各平均粒径はＢＥＴ法により測定された数値である。【００４４】
得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて上記の条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ｃy（ｘ、ｙ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝５９であった。【００４５】
得られたスパッタリングターゲットに対し、上記と同様の方法で相対密度の測定およびスパッタリングターゲットの成形後の状態の評価を行った。結果を表１に示した。【００４６】
得られたスパッタリングターゲットに対し、上記と同様の方法でＸ線回折測定を行った。【００４７】
得られた回折パターンを図２に示した。図２において、下側の４つのチャートは、下からそれぞれＣ、Ｐｔ、ＦｅおよびＦｅ−Ｐｔ（ＦｅとＰｔとの金属間化合物）のピーク位置を示すチャートである。図２の右側に表示した温度は焼結温度である。図２中、黒丸を付したピークはＰｔのピークであり、黒四角を付したピークはＦｅ−Ｐｔのピークである。【００４８】
【表１】
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表１から、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲット（実施例１〜５）は、同じ温度で焼結されたＦｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲット（比較例１〜６）に比較して、相対密度が高いことがわかる。また、Ｆｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲットの場合、焼結温度が９１０℃以上でないと相対密度は９０％以上にならないが、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲットの場合、焼結温度が７７０℃以上で相対密度が９０％以上になる。つまり、ＦｅＰｔＣ系スパッタリングターゲットにおいてＡｇを含有させると、より低い焼結温度で高密度のスパッタリングターゲットが得られることがわかる。【００４９】
図１および図２より、スパッタリングターゲット中の各成分の存在状態が確認される。【００５０】
図２において、焼結温度が９１０℃以下である場合、Ｐｔのピークが確認され、Ｆｅ−Ｐｔ（ＦｅとＰｔとの金属間化合物）のピークは小さいことから、ＦｅとＰｔとの固溶化が十分には進んでいないことがわかる。一方、焼結温度が９６０℃以上である場合、Ｐｔのピークは確認されず、Ｆｅ−Ｐｔの大きなピークが確認されることから、ＦｅとＰｔとの固溶化が十分に進んでいることがわかる。【００５１】
図１において、焼結温度が７７０℃である場合、Ｐｔのピークが確認されるが、図１における同じ焼結温度のチャートに比べ、Ｐｔのピークは小さく、Ｆｅ−Ｐｔのピークは大きい。一方、焼結温度が９１０℃以上である場合、Ｐｔのピークは確認されず、ＦｅとＰｔとの固溶化が十分に進んでいることがわかる。【００５２】
図１および図２において、ＡｇおよびＣのピークの大きさは焼結温度には依存せず、各焼結温度のチャートでほぼ同じ大きさのピークが確認される。このことから、ＡｇおよびＣは固溶化せず、それぞれ単独で存在しているものと考えられる。【００５３】
以上より、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲット、Ｆｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲットとも、焼結温度が高い場合ほどＦｅとＰｔとの固溶化が進行し、相対密度が高くなることがわかる。Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲットと比較して、低い焼結温度でもＦｅとＰｔとの固溶化の進行の程度が大きく、高い相対密度が得られることがわかる。すなわち、ＡｇがＦｅとＰｔとの固溶化を促進させ、その結果、スパッタリングターゲットの相対密度を高めているものと考えられる。
（実施例６）
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１９．４８モル％、１９．４８モル％、２．０５モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。【００５４】
得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を１０００℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝５、ｚ＝５９であった。【００５５】
このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例７）
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１９．１４モル％、１９．１４モル％、２．７３モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。【００５６】
得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を９５０℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝６．６７、ｚ＝５９であった。【００５７】
このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例８）
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１７．７７モル％、１７．７７モル％、５．４７モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。【００５８】
得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を９００℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝１３．３３、ｚ＝５９であった。【００５９】
このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例９）
Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１７．０９モル％、１７．０９モル％、６．８３モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。【００６０】
得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を８５０℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝１６．６７、ｚ＝５９であった。【００６１】
このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例１０）
実施例８と同様の製法で焼結体を得た。得られた焼結体を、熱間静水圧プレス装置を用い、以下の条件で処理して、スパッタリングターゲットを得た。
＜処理条件＞
雰囲気：アルゴン
温度： ９００℃
圧力：１１８ＭＰａ
このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y−Ａｇy]100-z−Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝１３．３３、ｚ＝５９であった。【００６２】
このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。【００６３】
【表２】
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表１および表２より、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率（ｙモル％）を上記のように変化させた場合にも、焼結温度を適切に設定することにより、相対密度が９０％以上のＦｅＰｔＣ系スパッタリングターゲットが得られることがわかる。また、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率（ｙモル％）を増大させることにより、より低い焼結温度でも高密度のスパッタリングターゲットが得られることがわかる。【００６４】
また、実施例８および実施例１０の結果より、ＦｅＰｔＣ系焼結体に熱間静水圧プレスを施すことにより、スパッタリングターゲットの相対密度を向上させることができることがわかる。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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2012073882.tif 000010
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