(57)【要約】  第２封止部材の一主面の外周縁部をテーパー状に成形し、前記外周縁部の少なくとも一部にテーパー領域を設定する。前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部の内方に設けられた平坦部の少なくとも一部に、前記テーパー領域と隣接する平坦領域を設定する。また、電子部品素子を搭載する第１封止部材の一主面に、前記テーパー領域に対応する第１領域と、前記平坦領域に対応する第２領域とを隣接して設定する。前記第２領域の幅Ｗ２は、前記平坦領域の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍とする。前記第１領域及び前記第２領域に第１接合層を形成し、前記テーパー領域及び前記平坦領域に第２接合層を形成し、前記第１接合層及び前記第２接合層を加熱溶融させて前記第１封止部材及び前記第２封止部材を接合する。
2012128210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、第２封止部材とにより、前記電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージであって、
前記第２封止部材の一主面は、前記第１封止部材の前記一主面に接合材を介して接合されており、
前記第２封止部材の前記一主面の外周縁部が、前記第２封止部材の他主面の側へ傾斜するテーパー状に成形され、
テーパー状に成形された前記外周縁部の少なくとも一部に、テーパー領域が設定され、
前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部よりも内方に平坦部が設けられ、
前記平坦部の少なくとも一部に、前記テーパー領域に隣接する平坦領域が設定されており、
前記第１封止部材の前記一主面に、前記テーパー領域に対応する第１領域と、前記平坦領域に対応する第２領域とが、隣接して設定され、
前記第２領域の面が、前記平坦領域の面に対して平行とされ、
前記第２領域の幅が、前記平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍とされており、
前記接合材が、前記第１領域と前記第２領域とからなる第１接合層形成領域の全体に形成された第１接合層、及び、前記テーパー領域と前記平坦領域とからなる第２接合層形成領域の全体に形成されたろう材を含む第２接合層の加熱溶融により、形成されている
ことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記第１封止部材と前記第２封止部材とが接合材により接合されて、前記電子部品を気密封止する内部空間が形成され、
前記平坦領域と、前記第２領域とは、前記内部空間よりも当該電子部品パッケージの外方に設けられた
ことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品パッケージであって、
前記第１接合層の表面がＡｕメッキからなり、
前記ろう材が、ＡｕＳｎ合金からなる
ことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージにより電子部品素子の電極が気密封止されていることを特徴とする電子部品。
【請求項５】
電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの製造方法であって、
一主面に電子部品素子を搭載する第１封止部材を成形する第１成形工程と、
第２封止部材を成形する第２成形工程と、
前記第１封止部材の一主面に、第１接合層を形成する第１接合層形成工程と、
前記第２封止部材の一主面に、ろう材を含む第２接合層を形成する第２接合層形成工程と、
前記第１接合層に前記第２接合層を重ね合わせた状態で前記第１接合層及び前記第２接合層を加熱溶融させて、接合材を形成し、前記第１封止部材の前記一主面に前記第２封止部材の前記一主面を接合する接合工程とを備え、
前記第２成形工程では、
前記第２封止部材の前記一主面の外周縁部を、前記第２封止部材の他主面の側に傾斜するテーパー状に成形し、前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部よりも内方に平坦部を設け、
前記第２接合層形成工程では、
前記第２封止部材のテーパー状に成形された前記外周縁部の少なくとも一部に、テーパー領域を設定し、
前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部よりも内方に設けた前記平坦部の少なくとも一部に、前記テーパー領域に隣接する平坦領域を設定し、
前記テーパー領域と前記平坦領域とからなる第２接合層形成領域の全体に、前記第２接合層を形成し、
前記第１接合層形成工程では、
前記第１封止部材の前記一主面に、前記テーパー領域に対応する第１領域と、前記平坦領域に対応する第２領域とを隣接して設け、
前記第２領域の幅を、前記平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍とし、
前記第１領域と前記第２領域とからなる第１接合層形成領域の全体に、前記第１接合層を形成し、
前記接合工程では、
前記第２領域の面を、前記平坦領域の面に対して平行に配置し、前記第１接合層に前記第２接合層を重ね合わせた状態で前記第１接合層及び前記第２接合層を加熱溶融させる
ことを特徴とする電子部品パケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージ、この電子部品パッケージにより電子部品素子の電極が気密封止されている電子部品、及びその電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。【０００３】
この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このようなパッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される。【０００４】
例えば、特許文献１に開示の圧電振動デバイス（本発明でいう電子部品）では、ろう材により接合されたベースと蓋により構成されたパッケージの内部空間に、圧電振動片が気密封止されている。このような圧電振動デバイスにおいて、ベースの一主面の外周縁部には、蓋との接合前において、例えば、Ｍｏ層、Ｎｉ層、及びＡｕ層が順に積層されてなる積層体が配されている。一方、蓋の一主面の外周縁部には、ベースとの接合前において、ＡｕＳｎ合金を含むろう材が配されている。そして、ベースに配された積層体と、蓋に配されたろう材とを重ね合わせた状態で加熱処理を施すことにより、積層体とろう材とが溶融して接合材が形成されて、ベースと蓋とが接合される。【０００５】
ところで、ろう材が加熱溶融するとガスが発生する。ここで発生したガスが圧電振動デバイスのパッケージの内部空間に入り込むと、入り込んだガスが圧電振動片の振動特性に影響を及ぼす。具体的には、ＣＩ値（直列等価抵抗）の悪化やエージング特性において周波数の変動を生じる。【０００６】
上記した特許文献１に開示の圧電振動デバイスにおいて、ろう材が配された蓋の外周縁部は、積層体が配されたベースの外周縁部と平行に形成されており、ろう材の加熱溶融物が蓋の一主面の面方向に沿って、パッケージの内側方向へ流れ易い構成となっている。このため、ろう材の加熱溶融により発生するガスが、圧電振動デバイスのパッケージの内部空間に多量に入り込み、圧電振動片の振動特性を劣化させてしまうという不具合を生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−５５２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、ろう材を含む接合材によりベースと蓋とを接合する際にパッケージの内部空間へ入り込むガス量を低減させるため、ベース及び蓋の少なくとも一方の外周縁部をテーパー状に成形する技術が本出願人によって発明された。この本出願人によって発明された技術によれば、ベース及び蓋の少なくとも一方がテーパー状に成形されていることで、ベース及び蓋の外周縁部間の隙間が外側方向に向かって広げられる。このため、ろう材を含む接合材では、メニスカスが形成され、ろう材の加熱溶融により発生するガスがパッケージの外側方向へ放出され易くなる。つまり、ろう材を加熱溶融させた際に発生するガスを、パッケージの外へ逃がし、パッケージの内部空間に入り難くすることができる。【０００９】
しかしながら、ベース及び蓋の少なくとも一方の外周縁部をテーパー状に成形しても、ベース及び蓋の外周縁部間における接合材のメニスカス形成が不十分で、パッケージの内部空間が十分に気密封止されない場合がある。【００１０】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、内部空間のガス量が抑制されており、且つ、確実にパッケージの内部が気密封止されている電子部品パッケージ、この電子部品パッケージにより電子部品素子の電極が気密封止されている電子部品、及びその電子部品パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電子部品パッケージは、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、第２封止部材とにより、前記電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージであって、前記第２封止部材の一主面は、前記第１封止部材の前記一主面に接合材を介して接合されており、前記第２封止部材の前記一主面の外周縁部が、前記第２封止部材の他主面の側へ傾斜するテーパー状に成形され、テーパー状に成形された前記外周縁部の少なくとも一部に、テーパー領域が設定され、前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部よりも内方に平坦部が設けられ、前記平坦部の少なくとも一部に、前記テーパー領域に隣接する平坦領域が設定されており、前記第１封止部材の前記一主面に、前記テーパー領域に対応する第１領域と、前記平坦領域に対応する第２領域とが、隣接して設定され、前記第２領域の面が、前記平坦領域の面に対して平行とされ、前記第２領域の幅が、前記平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍とされており、前記接合材が、前記第１領域と前記第２領域とからなる第１接合層形成領域の全体に形成された第１接合層、及び、前記テーパー領域と前記平坦領域とからなる第２接合層形成領域の全体に形成されたろう材を含む第２接合層の加熱溶融により、形成されていることを特徴とする。【００１２】
この構成によれば、第２封止部材の一主面の外周縁部がテーパー状に成形されていることから、このテーパー状に成形された第１封止部材の外周縁部により第１封止部材と第２封止部材の外周縁部間の隙間が電子部品パッケージの外側方向に向かって広げられる。このように、第２封止部材の一主面の外周縁部がテーパー状に成形されることにより、第１封止部材及び第２封止部材の外周縁部間の隙間が外側方向へ向かって広げられることで、ろう材の加熱溶融により発生するガスが、電子部品パッケージの外側方向に放出され易くなる。また、第１封止部材と第２封止部材の外周縁部間には、ろう材を含む接合材にメニスカスが形成されるが、第２封止部材の一主面の外周縁部がテーパー状に成形されていると、メニスカスの形成領域が広がり、表面積の大きいメニスカスを形成することができるので、そのメニスカスの表面からガスを電子部品パッケージの外へ逃がすことができる。その上、第１封止部材の第２領域とされた面が、第２封止部材の平坦領域とされた面に対して平行に配置されており、第２領域の幅が、平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍に設定されているため、第１接合層及び第２接合層の加熱溶融による接合材の形成において、第２接合層に含まれるろう材の溶融物が、第１接合層を構成する材料の方へと引き寄せられる際に、ろう材の溶融物がパッケージの内部空間の側へ流れることが抑制され、ろう材の加熱溶融により発生するガスのパッケージの内部空間への流入が抑制される。よって、内部空間内のガス量が低減された電子部品パッケージとすることができる。また、第２領域の幅が、平坦領域の幅の０．６６〜１倍に設定されている場合、第１封止部材と第２封止部材とを対向させた時に、第１接合層のパッケージ内部空間側の端部が、ろう材を含む第２接合層のパッケージ内部空間側の端部よりもパッケージの内部空間側に突出することがない。【００１３】
また、第１封止部材の第２領域の幅が第２封止部材の平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍に設定されることで、第１接合層と第２接合層との接触面積が十分に確保されていることから、製造工程において、第１接合層と第２接合層とを重ね合わせて加熱処理が施される時に、位置ずれが生じにくい。このため、確実にパッケージの内部空間が気密封止された電子部品パッケージとすることができる。【００１４】
また、本発明に係る電子部品パッケージにおいて、前記第１封止部材と前記第２封止部材とが接合材により接合されて、前記電子部品を気密封止する内部空間が形成され、前記平坦領域と、前記第２領域とは、前記内部空間よりも当該電子部品パッケージの外方に設けられてもよい。【００１５】
上記構成においては、前記接合材の接合溶融時に生じることがあるガスが前記内部空間に入る込む機会を低減させることが可能となり、その結果、パッケージ内部に搭載された前記電子部品素子に対する悪影響を抑制し、当該電子部品パッケージの信頼性を向上させることが可能となる。例えば、前記電子部品素子が圧電振動片である場合、ＣＩ等の電気的特性を安定化させ、当該電子部品パッケージの信頼性を向上させることが可能となる。【００１６】
また、本発明に係る電子部品パッケージにおいて、前記第１接合層の表面はＡｕメッキからなっていてもよく、前記ろう材は、ＡｕＳｎ合金であってもよい。【００１７】
この構成によれば、ろう材の溶融物が、確実に、第１接合層の表面を構成するＡｕの方へと引き寄せられるから、ろう材の溶融物がパッケージの内部空間の側へ流れることを確実に抑制し、ろう材の加熱溶融により発生するガスのパッケージの内部空間への流入を確実に抑制することができる。【００１８】
また、本発明に係る電子部品は、上記した本発明に係る電子部品パッケージにより、電子部品素子の電極が気密封止されていることを特徴とする。【００１９】
この構成によれば、電子部品において、電子部品素子の電極が確実に気密封止される。【００２０】
本発明に係る電子部品パッケージの製造方法は、電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの製造方法であって、一主面に電子部品素子を搭載する第１封止部材を成形する第１成形工程と、第２封止部材を成形する第２成形工程と、前記第１封止部材の一主面に、第１接合層を形成する第１接合層形成工程と、前記第２封止部材の一主面に、ろう材を含む第２接合層を形成する第２接合層形成工程と、前記第１接合層に前記第２接合層を重ね合わせた状態で前記第１接合層及び前記第２接合層を加熱溶融させて、接合材を形成し、前記第１封止部材の前記一主面に前記第２封止部材の前記一主面を接合する接合工程とを備え、前記第２成形工程では、前記第２封止部材の前記一主面の外周縁部を、前記第２封止部材の他主面の側に傾斜するテーパー状に成形し、前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部よりも内方に平坦部を設け、前記第２接合層形成工程では、前記第２封止部材のテーパー状に成形された前記外周縁部の少なくとも一部に、テーパー領域を設定し、前記第２封止部材の前記一主面の前記外周縁部よりも内方に設けた前記平坦部の少なくとも一部に、前記テーパー領域に隣接する平坦領域を設定し、前記テーパー領域と前記平坦領域とからなる第２接合層形成領域の全体に、前記第２接合層を形成し、前記第１接合層形成工程では、前記第１封止部材の前記一主面に、前記テーパー領域に対応する第１領域と、前記平坦領域に対応する第２領域とを隣接して設け、前記第２領域の幅を、前記平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍とし、前記第１領域と前記第２領域とからなる第１接合層形成領域の全体に、前記第１接合層を形成し、前記接合工程では、前記第２領域の面を、前記平坦領域の面に対して平行に配置し、前記第１接合層に前記第２接合層を重ね合わせた状態で前記第１接合層及び前記第２接合層を加熱溶融させることを特徴とする。【００２１】
この方法によれば、第２成形工程で、第２封止部材の一主面の外周縁部をテーパー状に成形するので、接合工程で第１封止部材及び第２封止部材を重ね合わせた時に第１封止部材及び第２封止部材の外周縁部間に形成される隙間を外側方向に向かって広げることができる。このように、第２封止部材の一主面の外周縁部をテーパー状に成形することによって、第１封止部材及び第２封止部材の外周縁部間の隙間が外側方向に向かって広げられることで、ろう材の加熱溶融により発生するガスは、パッケージの外側方向へ放出され易くなる。また、接合工程で、接合層を溶融させることにより、第１封止部材及び第２封止部材の外周縁部間には、ろう材を含む接合材にメニスカスが形成される。第２成形工程で、第２封止部材の外周縁部をテーパー状に成形することで、第１封止部材及び第２封止部材の外周縁部間のメニスカス形成領域を広げることができるので、接合工程で、表面積の広いメニスカスを形成することでき、そのメニスカスの表面からガスをパッケージの外へ逃がすことができる。その上、第１接合層形成工程では、第１封止部材の第２領域の幅を、平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍に設定した第１接合層形成領域の全体に、第１接合層を形成する。このため、接合工程において、第２領域とされた面を、平坦領域とされた面に対して平行に配置し、第１封止部材の第１接合層と第２封止部材の第２接合層とを重ね合わせた時に、第１接合層のパッケージ内部空間側の端部が、ろう材を含む第２接合層のパッケージ内部空間側の端部よりもパッケージの内部空間側に突出することがない。このため、第１接合層及び第２接合層の加熱溶融による接合材の形成において、第２接合層に含まれるろう材の溶融物が、第１接合層を構成する材料の方へと引き寄せられる際に、ろう材の溶融物がパッケージの内部空間の側へ流れることが抑制され、ろう材の加熱溶融により発生するガスのパッケージの内部空間への流入が抑制される。このように、上記した方法によれば、接合工程で第１封止部材と第２封止部材を接合する際、ろう材の加熱溶融により発生するガスを、パッケージの内部空間の側へ流れ難くすることができるので、内部空間内のガス量が抑制された電子部品パッケージを製造することができる。【００２２】
また、第１接合層形成工程では、第１封止部材の第２領域の幅を、第２領域と平行に配置する第２封止部材の平坦領域の幅の０．６６〜１．２倍に設定した第１接合層形成領域の全体に、第１接合層を形成して、第１接合層と第２接合層との接触面積を十分に確保するから、接合工程において、第１接合層と第２接合層とを重ね合わせて加熱処理を施す時に、位置ずれが生じにくい。このため、電子部品パッケージの内部空間を確実に気密封止することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、内部空間のガス量が抑制されており、且つ、確実にパッケージの内部が気密封止されている電子部品パッケージ、この電子部品パッケージにより電子部品素子が気密封止されている電子部品、及びその電子部品パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本実施の形態に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図２に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係るベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係るベースを図２のＡ−Ａ線に沿って切断した時の概略断面図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る蓋の概略断面図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る蓋の概略裏面図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係るベース及び蓋を対向して配置した時のベース及び蓋の外周縁部の状態を拡大して示す部分概略断面図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係るベース及び蓋を対向して配置した時のベース及び蓋の外周縁部の状態を拡大して示す部分概略断面図である。
【図１０】図１０は、他の実施の形態に係るベース及び蓋を対向して配置した時のベース及び蓋の外周縁部の状態を拡大して示す部分概略断面図である。
【図１１】図１１は、他の実施の形態に係るベース及び蓋を対向して配置した時のベース及び蓋の外周縁部の状態を拡大して示す部分概略断面図である。
【図１２】図１２は、比較例１に係るベース及び蓋を対向して配置した時のベース及び蓋の外周縁部の状態を拡大して示す部分概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
【００２６】
本実施の形態に係る水晶振動子１（本発明でいう電子部品）には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材）と、ベース４と対向するように配置し、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。
【００２７】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とがＡｕとＳｎの合金からなるろう材を含む接合材１２により接合され、この接合により、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。なお、ベース４と水晶振動片２とは、導電性樹脂接合材により接合されていてもよい。
【００２８】
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００２９】
ベース４は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図２〜４に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウェットエッチングして箱状体に成形される。
【００３０】
ベース４の壁部４４の内側面は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面の外周縁部は蓋７との接合部とされている。この接合部とされる部分のベース４の基材には、図２に示すように、第１接合層形成領域８が設定されており、この第１接合層形成領域８の全体に、蓋７と接合するための第１接合層４８が均一な厚みで形成されている。
【００３１】
第１接合層形成領域８は、図２に示すように、第１領域８１と、この第１領域８１に隣接する第２領域８２からなる。図８，９に示すように、ベース４と蓋７とを対向させた時において、第１領域８１は、後述する蓋７のテーパー領域９１と対応（第１接合層４８及び第２接合層７５を介して対向）する。また、第２領域８２は、蓋７の後述する平坦領域９２と対応（第１接合層４８及び第２接合層７５を介して対向）する。また、壁部４４の天面は、後述する蓋７の壁部７３の天面（端面）７３３と平行に配置され、これにより、第２領域８２の面が、蓋７の後述する平坦領域９２の面に対して平行となる。また、本実施の形態では、第１領域８１の幅Ｗ１が５３．０μｍとされている。また、第２領域８２の幅Ｗ２は、１８．２〜２６．０μｍとされており、蓋７の基材に設けられた後述する第２接合層形成領域９の平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍とされている。なお、ベース４の一主面４２において、外方から内方に向かう方向を幅方向とする。
【００３２】
第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の基材の第１接合層形成領域８の全体にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタ膜４８１と、スパッタ膜の上にメッキ形成されたメッキ膜４８２とからなる。スパッタ膜４８１は、ベース４の基材の第１接合層形成領域８の全体にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。スパッタ膜４８１を構成するＴｉ膜の厚みは０．１〜０．５μｍとされ、Ａｕ膜の厚みは０．０３〜０．２μｍとされている。また、メッキ膜４８２は、スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。このメッキ膜４８２を構成するＡｕ膜の厚みは５〜６μｍとされている。
【００３３】
ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。
【００３４】
また、ベース４の他主面４３（筺体裏面）には、図２〜４に示すように、外周縁４７の全体に沿って、他主面４３から一主面４２の側に傾斜するテーパー面４７１が形成されている。
【００３５】
また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５３、及び電極パッド５２と外部端子電極５４を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とによりべース４の電極が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。
【００３６】
電極パッド５１，５２は、ベース４の基板上にスパッタリング形成された第１スパッタ膜６１と、この第１スパッタ膜６１の上に形成された第２スパッタ膜６２と、この第２スパッタ膜の上に形成されたＡｕメッキ膜６３とにより構成されている。なお、電極パッド５１，５２を構成する第１スパッタ膜６１は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図示省略）とからなり、第２スパッタ膜６２は、第１スパッタ膜６１の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、Ａｕメッキ膜６３は、第２スパッタ膜６２の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３７】
配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。また、配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成された第１スパッタ膜６１で構成されており、ベース４の一主面４２に位置する部分の第１スパッタ膜６１上には、第２スパッタ膜６２と、Ａｕメッキ膜６３とが形成されている。配線パターン５５の第１スパッタ膜６１、第２スパッタ膜６２、及びＡｕメッキ膜６３は、それぞれ、上記した電極パッド５１，５２の第１スパッタ膜６１、第２スパッタ膜６２、及びＡｕメッキ膜６３と同様の構成とされている。
【００３８】
外部端子電極５３，５４は、図４に示すように、他主面４７１のテーパー面４７１に設けられている。具体的には、他主面４３の長手方向の両端部に設けられ、長手方向に沿って離間して並設されている。
【００３９】
また、外部端子電極５３，５４は、ベース４の基板上にスパッタリング形成された第１スパッタ膜６１と、この第１スパッタ膜６１上に形成された第２スパッタ膜６２と、この第２スパッタ膜６３上に形成されたＮｉメッキ膜６４と、このＮｉメッキ膜上に形成されたＡｕメッキ膜６５とにより構成されている。なお、外部端子電極５３，５４の第１スパッタ膜６１及び第２スパッタ膜６２は、それぞれ、上記した電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の第１スパッタ膜６１及び第２スパッタ膜６２と同様の構成とされている。また、外部端子電極５３，５４において、Ｎｉメッキ膜６４は、第２スパッタ膜６２にメッキ形成されたＮｉ膜からなり、Ａｕメッキ膜６５は、Ｎｉメッキ膜６４にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００４０】
また、ベース４には、図２〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２を電極パッド５１，５２を介して配線パターン５５により、キャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるための貫通孔４９が形成されている。
【００４１】
貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりウェットエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時にウェットエッチング形成され、図２〜４に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面４２，４３間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に成形されている。貫通孔４９の径は、図１，３に示すように、ベース４の他主面４３の側の端部で最大となり、ベース４の一主面４２の側の端部で最小となる。なお、貫通孔４９の形成法としては、ウェットエッチング法以外の形成法、例えば、ドライエッチング法、サンドブラスト法等のショットブラスト法、又は、ドリルを用いた穴あけ加工法等を採用することも可能である。
【００４２】
このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部であるＴｉ及びＣｕからなる第１スパッタ膜６１が形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、Ｃｕから構成される充填材が第１スパッタ膜６１上に充填されて充填層６６が形成されており、この充填層６６により、貫通孔４９が塞がれている。この充填層６６は、第１スパッタ膜６１の表面に電解メッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されている。
【００４３】
また、ベース４の他主面４３には、樹脂材で構成された樹脂パターン６７が形成されている。本実施の形態では、ベース４の他主面４３において、外部端子電極５３，５４の形成領域を除く全領域に樹脂パターン６７が形成されている。この樹脂パターン６７により、内部に充填層６６が形成された貫通孔４９の他主面４３の側の端部が塞がれ、貫通孔４９の封孔強度が確保されている。なお、樹脂パターン６７のベース４の基材（ガラス材）への接合強度は、上記した通り、他主面４３の外部端子電極５３，５４の形成領域を除く全領域に樹脂パターン６７を形成して、ベース４を構成する基材と樹脂パターン６７との接触面積を十分に確保することにより、十分に確保されている。また、本実施の形態に係るベース４では、その製造方法として、ウエハに多数個のベース４を形成し、ウエハ上に形成したベース４をダイシングにより個片化する方法を採用した際に、ウエハの切断部となるベース４の外周縁４７の周囲は樹脂パターン６７により被覆されているので、ダイシングによるウエハ（ガラス材）のチッピングの発生が抑制される。
【００４４】
樹脂パターン６７を構成する樹脂材には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂パターン６７を構成する樹脂材は、ＰＢＯに限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６７を構成する樹脂材としては、ＰＢＯの他に、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド等を使用してもよい。また、本実施の形態で使用した樹脂パターン６７を構成する樹脂材、即ち、ＰＢＯは、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
【００４５】
蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１，５に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウェットエッチングして成形される。
【００４６】
蓋７の壁部７３の外側面７３１（一主面７２の外周縁部）は、一主面７２から他主面７４の側へ傾斜するテーパー状に成形されている。また、蓋の壁部７３の内側面７３２は、テーパー状に成形されている。
【００４７】
蓋７の壁部７３の外側面７３１及び天面（端面）７３３は、ベース４との接合部とされており、この接合部とされる部分の蓋７の基材には、図６に示すように、第２接合層形成領域９が設けられている。そして、この第２接合層形成領域９の全体に、ベース４と接合するための第２接合層７５が均一な厚みで形成されている。
【００４８】
第２接合層形成領域９は、図６，８，９に示すように、テーパー領域９１と、このテーパー領域９１に隣接する平坦領域９２とからなる。テーパー領域９１は、テーパー状に成形された外側面７３１（一主面７２の外周縁部）の一部に設定されている。具体的には、外側面７３１において、外方の端縁を除く全体に、テーパー領域９１が設定されている。
また、平坦領域９２は、壁部７３の天面７３３（一主面７２の外周縁部よりも内方に位置する平坦部）の一部に設定されている。具体的には、天面７３３において、内側面７３２との隣接部を除く全体に、平坦領域９２が設定されている。つまり、第２接合層形成領域９および、第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５は、内側面７３２と天面７３３との境界となる稜部よりも蓋７の外方（図８，９に示すＤ１方向）に形成され、稜部には、第２接合層形成領域９および、第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５が形成されない。この構成によれば、ベース４と蓋７とが接合材１２により接合されて、水晶振動片２を気密封止する内部空間１１が形成され、平坦領域９２と、第２領域８２とは、内部空間１１よりもパッケージの外方に設けられている。このように天面７３３の一部に平坦領域９２が設定された構成では、天面７３３の内側面７３２との隣接部（稜部）に第２接合層７５が形成されていないため、第２接合層形成領域９および、第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５がパッケージの内部空間１１に存在することなく、第２接合層７５の加熱による溶融物（主にろう材）が内側面７３２を伝ってパッケージの内部空間１１に流入することが抑制される。
【００４９】
上記した通り、テーパー領域９１は、ベース４の第１領域８１に対応し、平坦領域９２は、ベース４の第２領域８２に対応する。また、壁部７３の天面７３３は、ベース４の壁部４４の天面と平行に配置され、これにより、平坦領域９２の面は、ベース４の第２領域８２の面と平行に配置される。本実施の形態では、テーパー領域９１の幅Ｗ３が５２．０μｍとされており、平坦領域９２の幅Ｗ４が２７．５μｍとされている。なお、蓋７の一主面７２において、外方から内方に向かう方向を幅方向とする。
【００５０】
第２接合層７５は、図５に示すように、複数の層の積層構造からなり、蓋７の基材の第２接合層形成領域９の全体にスパッタリング形成されたスパッタ膜７５１と、スパッタ膜７５１の上にメッキ形成されたＡｕ／Ｓｎメッキ膜７５２と、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜７５３からなる。スパッタ膜７５１は、蓋７の基材の第２接合層形成領域９の全体にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜と、このＴｉ膜の上にスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。このスパッタ膜７５１を構成するＴｉ膜の厚みは０．１〜０．５μｍとされ、Ａｕ膜の厚みは０．０３〜０．２μｍとされている。また、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２は、スパッタ膜７５１の上にメッキ形成されたＡｕ膜と、このＡｕ膜の上にメッキ形成されたＳｎ膜から構成されている。この、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２の厚みは５．５〜６．５μｍとされている。さらに、Ａｕメッキ膜７５３は、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２の上にメッキ形成されたＡｕストライクメッキ膜と、このＡｕストライクメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成されている。このＡｕメッキ膜７５３の厚みは、０．６μｍとされている。このような第２接合層７５において、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２は、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金（ろう材）膜となる。なお、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２は、スパッタ膜７５１の上に、ＡｕＳｎ合金をメッキ処理することにより構成されたものであってもよい。
【００５１】
水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウェットエッチング形成された水晶Ｚ板である。
【００５２】
この水晶振動片２は、図７に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。
【００５３】
基部２３は、図７に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。
【００５４】
２本の脚部２１，２２は、図７に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値（直列抵抗値）を改善させるために、溝部２５が形成されている。
【００５５】
接合部２４は、図７に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部に連なり短辺部２４１の先端部において平面視直角に折曲されて基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、接合部２４の先端部２４３は基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される接合箇所２７が設けられている。
【００５６】
上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。
【００５７】
また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。
【００５８】
第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。
【００５９】
また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。
【００６０】
なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。
【００６１】
上記した構成からなる水晶振動子１は、次に示す方法により製造される。
【００６２】
つまり、まず、ベース４を成形する（本発明でいう第１成形工程）。また、蓋７を成形する（本発明でいう第２成形工程）。この第２成形工程では、上記した通り、蓋７の一主面７２の外周縁部、具体的には、壁部７３の外側面７３１をテーパー状に成形する。
【００６３】
そして、ベース４の基材の図２に示す第１接合層形成領域８の全体に第１接合層４８を形成する（本発明でいう第１接合層形成工程）。具体的には、図２，８，９に示すように、ベース４の一主面４２において、蓋７のテーパー領域９１に対応する第１領域８１と、蓋７の平坦領域９２に対応する第２領域８２とを隣接して設定し、これら第１領域８１と第２領域８２とからなる第１接合層形成領域８の全体に、第１接合層４８を形成する。この際、第２領域８２の幅Ｗ２を、平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍に設定する。また、ベース４には、電極パッド５１，５２、配線パターン５５、外部端子電極５３，５４、及び樹脂パターン６７を形成する。この際、ベース４の貫通孔４９の内部に充填層６６を形成し、貫通孔４９を封孔する。
【００６４】
また、蓋７の基材の図６に示す第２接合層形成領域９の全体に第２接合層６４を形成する（本発明でいう第２接合層形成工程）。具体的には、図６，８，９に示すように、テーパー状に成形した蓋７の壁部７３の外側面７３１にテーパー領域９１を設定する。また、蓋７の壁部７３の天面７３３に、平坦領域９２を、テーパー領域９１と隣接して設定する。そして、これらテーパー領域９１と平坦領域９２とからなる第２接合層形成領域９の全体に、第２接合層７５を形成する。
【００６５】
次いで、図１に示すように、ベース４に水晶振動片２を導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合し、ベース４に水晶振動片２を搭載する。これにより、水晶振動片２の励振電極３１，３２は、引出電極３５，３６、端子電極３３，３４、導電性バンプを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。メッキバンプは、メッキ形成された金属膜、具体的には、電極パッド５１，５２を構成するＡｕメッキ膜６３上に形成された下地金属層（シード層）上に電解メッキ等によりメッキ形成された金属膜である。この金属膜の膜厚は、メッキ条件を変更することにより調整可能であり、下地金属層上に金属膜を厚膜に形成することも可能である。また、金属膜上面の形状は、下地金属層の形状に応じて変化するので、下地金属層の形状を適宜調整することによって、金属膜上面の形状を、平坦形状としたり、凸形状としたりすることができる。
【００６６】
次いで、ベース４の第１領域８１と蓋７のテーパー領域９１とが対応し、ベース４の第２領域８２と蓋７の平坦領域９２とが対応するように、ベース４の壁部４４の天面と蓋７の壁部７３の天面７３３とを平行に配置し、水晶振動片２が搭載されたベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７５とを重ね合わせる。そして、窒素雰囲気下で２回の加熱処理を施す。具体的には、窒素雰囲気下、ＡｕＳｎ合金の共晶温度未満の温度で加熱処理を施した後、さらに、窒素雰囲気下、ＡｕＳｎ合金の共晶温度以上の加熱処理を施す。これにより、第１接合層４８の一部（主に、メッキ膜４８２）と、第２接合層７５の一部（主に、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２）とを加熱溶融させる。この加熱溶融により、接合材１２が形成され、この接合材１２を介して、図１に示すように、ベース４と蓋７とが接合されて、水晶振動片２の励振電極３１，３２が気密封止される（本発明でいう接合工程）。この結果、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、この図１，８，９に示す形態では、蓋７の天面７３３と内側面７３２との境界となる稜部がパッケージの内部空間１１の幅方向の端部となる。また、製造された水晶振動子１では、内側面７３２と天面７３３との境界となる稜部にまで接合材１２が広がる（及ぶ）ことなく、接合材１２は、第２接合層７５が形成された第２接合層形成領域９のみに形成され、稜部に形成されない。これは、接合材１２が第２接合層形成領域９を超えてベース４の素面上に広がらないことに関係する。実際、製造された水晶振動子１の第２接合層形成領域９には、スパッタ膜７５１であるＴｉ膜（もしくはＴｉ膜の一部）が接合材１２に取り込まれずに残った状態となっており、この残ったＴｉ膜（もしくはＴｉ膜の一部）上に接合材１２が形成されている。また、同様に、製造された水晶振動子１の第１接合層形成領域８には、スパッタ膜４８１であるＴｉ膜（もしくはＴｉ膜の一部）が接合材１２に取り込まれずに残った状態となっており、この残ったＴｉ膜（もしくはＴｉ膜の一部）上に接合材１２が形成されている。
【００６７】
このような水晶振動子１では、蓋７の一主面７２の外周縁部（外側面７３１）がテーパー状に成形されているので、製造工程においてベース４に蓋７を重ね合わせた時にベース４の外周縁部間に形成される隙間が、水晶振動子１の外側方向Ｄ１に向かって広げられる。このため、加熱処理を施して、第１接合層４８及び第２接合層７５を加熱溶融させた時に発生するガスが、外側方向Ｄ１に放出され易くなる。また、ベース４と接合される蓋７の外周縁部（外側面７３１）をテーパー状に成形することで、接合材１２のメニスカス１２１の表面積が確保されているので、そのメニスカス１２１の表面からガスが水晶振動子１の外へ逃げ易い。その上、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍に設定されているため、第１接合層４８及び第２接合層７５の加熱溶融による接合材１２の形成において、第２接合層７５のＡｕ／Ｓｎメッキ膜７５２を構成するろう材（ＡｕＳｎ合金）の溶融物が、第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの方へと引き寄せられる際に、ろう材の溶融物がパッケージの内部空間１１の側へ流れることが抑制され、ろう材の加熱溶融により発生するガスのパッケージの内部空間１１への流入が抑制される。よって、パッケージの内部空間１１のガス量が低減される。なお、本実施の形態のうち、図８に示す形態の場合、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４の１倍以内に設定されているため、ベース４と蓋７とを対向させた時に、第１接合層４８のパッケージ内部空間１１の側の端部４８３が、第２接合層７５のパッケージ内部空間１１の側の端部７５４よりもパッケージの内部空間１１の側に突出することがない。
【００６８】
特に、図８に示す形態の場合、第１接合層４８のパッケージ内部空間１１側の端部４８３が、第２接合層７５のパッケージ内部空間１１側の端部７５４よりもパッケージの外側（図８のＤ１方向参照）にあるので、第２接合層７５の端部７５４のろう材（Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２）は、加熱溶融時に、第１接合層４８のパッケージ内部空間１１の側の端部４８３の方へと引き寄せられながら、パッケージの外側方向Ｄ１（図８参照）に向かって流れる。このため、ろう材の加熱溶融により発生するガスは、ろう材と共に、パッケージの外側方向Ｄ１に流れ、パッケージの外へ放出される。よって、パッケージの内部空間１１におけるガス量が低減され、ＣＩ値が抑制される。また、図９に示す形態の場合、第２接合層７５のパッケージ内部空間１１側の端部７５４が、第１接合層４８のパッケージ内部空間１１側の端部４８３よりもパッケージの外側（図９のＤ１方向参照）にあるので、第１接合層４８のパッケージ内部空間１１の側の端部４８３は、加熱溶融時に、第２接合層７５の端部７５４のろう材（Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２）の方へと引き寄せられながら、パッケージの外側方向Ｄ１（図９参照）に向かって流れる。このため、ろう材の加熱溶融により発生するガスは、ろう材と共に、パッケージの外側方向Ｄ１に流れ、パッケージの外へ放出される。よって、パッケージの内部空間１１におけるガス量が低減され、ＣＩ値が抑制される。
【００６９】
さらに、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍に設定されることで、第１接合層４８と第２接合層７５との接触面積が十分に確保されていることから、第１接合層４８と第２接合層７５とを重ね合わせて加熱処理を施す時に、位置ずれを生じにくい。このため、水晶振動子１のパッケージの内部空間１１の気密封止を確実に実施することができ、製造時の歩留が向上する。
【００７０】
また、ベース４と蓋７とが接合材１２により接合されて、水晶振動片２を気密封止する内部空間１１が形成され、平坦領域９２と第２領域８２とは、内部空間１１（内部空間１１の幅方向の端部となる蓋７の天面７３３と内側面７３２との境界となる稜部）よりもパッケージの外方に設けられているので、接合材１２の接合溶融時に生じることがあるガスが内部空間１１に入る込む機会を低減させることができる。その結果、パッケージ内部の内部空間１１に搭載された水晶振動片２に対する悪影響を抑制し、水晶振動子１（パッケージ）の信頼性を向上させることができる。例えば、本実施の形態に示すように電子部品素子に圧電振動片である水晶振動片２を用いた場合、ＣＩ等の電気的特性を安定化させ、水晶振動子１（パッケージ）の信頼性を向上させることができる。
【００７１】
なお、上記の本実施の形態にかかる水晶振動子１は、パッケージの内部空間１１における蓋７の内側面７３２をテーパー状に成形しているが、これに限定されるものではなく、図１０に示すように、テーパー状の内側面７３２を無くし、パッケージの内部空間１１における蓋７の一主面７２が平坦面となってもよい。このような形態は、水晶振動片２に音叉型水晶振動片ではなくＡＴカット水晶振動片など、薄型の圧電振動片を搭載するパッケージに有効である。この図１０に示す形態では、ベース４の壁部４４の天面と壁面との境界となる稜部がパッケージの内部空間１１の幅方向の端部となる。第１接合層形成領域８（第１接合層形成領域８に形成された第１接合層４８）と、第２接合層形成領域９（第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５）とは、ベース４の壁部４４の天面と壁面との境界となる稜部よりもベース４の外方（図１０示すＤ１方向参照）に形成され、稜部には、第１接合層形成領域８（第１接合層形成領域８に形成された第１接合層４８）と、第２接合層形成領域９（第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５）とが形成されない。この構成によれば、ベース４と蓋７とが接合材１２により接合されて、水晶振動片２を気密封止する内部空間１１が形成され、平坦領域９２と、第２領域８２とは、内部空間１１よりもパッケージの外方に設けられている。また、図１０に示す形態では、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍に設定される。
【００７２】
または、上記の本実施の形態にかかる水晶振動子１は、パッケージの内部空間１１におけるベース４の壁部４４（壁部４４の壁面）をテーパー状に成形しているが、これに限定されるものではなく、図１１に示すように、テーパー状の壁部４４の壁面を無くし、パッケージの内部空間１１におけるベース４の一主面４２が平坦面となってもよい。このような形態は、水晶振動片２に音叉型水晶振動片ではなくＡＴカット水晶振動片など、薄型の圧電振動片を搭載するパッケージに有効である。この図１１に示す形態では、蓋７の内側面７３２と天面７３３との境界となる稜部がパッケージの内部空間１１の幅方向の端部となる。つまり、第１接合層形成領域８（第１接合層形成領域８に形成された第１接合層４８）と、第２接合層形成領域９（第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５）とは、内側面７３２と天面７３３との境界となる稜部よりも蓋７の外方（図１１に示すＤ１方向参照）に形成され、稜部には、第１接合層形成領域８（第１接合層形成領域８に形成された第１接合層４８）と、第２接合層形成領域９（第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５）とが形成されない。この構成によれば、ベース４と蓋７とが接合材１２により接合されて、水晶振動片２を気密封止する内部空間１１が形成され、平坦領域９２と、第２領域８２とは、内部空間１１よりもパッケージの外方に設けられている。また、図１１に示す形態では、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍に設定される。
【００７３】
上記の通り、図８〜１１に示すように、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２と、蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４との長さが異なる場合（幅Ｗ２と幅Ｗ４とが同じではない場合）、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２と、蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４とでは、パッケージの内部空間１１の幅方向の端部となる稜部が形成されたものの領域（ベース４の第２領域８２、もしくは蓋７の平坦領域９２）の幅が広い。
【００７４】
以下に、上記した本実施の形態に係る水晶振動子１のパッケージによりもたらされる効果を、実施例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、実施例の比較として比較例を挙げる。
【００７５】
＜実施例１＞
実施例１に係る水晶振動子１は、図８に示す形態に係る水晶振動子１のパッケージを用いている。
【００７６】
この実施例１に係る水晶振動子１のベース４の基材において、図８に示す第１接合層形成領域８の第１領域８１の幅Ｗ１は５３．０μｍとされており、第２領域８２の幅Ｗ２は２６．０μｍとされている。そして、ベース４には、図８に示すように、第１接合層形成領域８の全体に第１接合層４８が形成されている。この第１接合層４８において、スパッタ膜４８１を構成するＴｉ膜の厚みは０．３μｍとされ、スパッタ膜４８１を構成するＡｕ膜の厚みは０．０６μｍとされ、メッキ膜４８２を構成するＡｕ膜の厚みは５．０μｍとされている。
【００７７】
また、実施例１に係る水晶振動子１の蓋７の基材において、図８に示す第２接合層形成領域９のテーパー領域９１の幅Ｗ３は５２．０μｍとされており、平坦領域９２の幅Ｗ４が２７．５μｍとされている。そして、蓋７には、図８に示すように、第２接合層形成領域９の全体に第２接合層７５が形成されている。この第２接合層７５において、スパッタ膜７５１を構成するＴｉ膜の厚みは０．３μｍ、スパッタ膜７５１を構成するＡｕ膜の厚みは０．０６μｍとされている。また、Ａｕ／Ｓｎメッキ膜７５２の厚みは６．５μｍとされ、Ａｕメッキ膜７５３の厚みは０．６μｍとされている。
【００７８】
ベース４と蓋７との接合は、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７５とを重ね合わせ、窒素雰囲気下、ＡｕＳｎ合金の共晶温度未満の温度で加熱処理を施した後、さらに、窒素雰囲気下、共晶温度以上の温度で加熱処理を施すことにより実施されている。
【００７９】
＜実施例２＞
実施例２に係る水晶振動子１は、図８に示す形態に係る水晶振動子１のパッケージを用いている。
【００８０】
実施例２に係る水晶振動子１は、ベース４の第１接合層形成領域８の第２領域８２の幅Ｗ２が１８．２μｍとされている以外は、実施例１に係る水晶振動子１と同じであり、ベース４と蓋７とは、実施例１と同一の方法により接合されている。
【００８１】
＜実施例３＞
実施例３に係る水晶振動子１は、図９に示す形態に係る水晶振動子１のパッケージを用いている。
【００８２】
実施例３に係る水晶振動子１は、ベース４の第１接合層形成領域８の第２領域８２の幅Ｗ２が２４．０μｍとされ、ベース４の第２接合層形成領域９の平坦領域９２の幅Ｗ４が２０．０μｍとされる。なお、ベース４と蓋７とは、実施例１と同一の方法により接合されている。
【００８３】
＜実施例４＞
実施例４に係る水晶振動子１は、図８に示す形態に係る水晶振動子１のパッケージを用いている。
【００８４】
実施例４に係る水晶振動子１は、ベース４の第１接合層形成領域８の第２領域８２の幅Ｗ２が２４．０μｍとされ、ベース４の第２接合層形成領域９の平坦領域９２の幅Ｗ４が３０．０μｍとされている以外は、実施例１に係る水晶振動子１と同じであり、ベース４と蓋７とは、実施例１と同一の方法により接合されている。
【００８５】
＜比較例１＞
比較例１に係る水晶振動子１は、図１２に示す形態に係る水晶振動子１のパッケージを用いている。
【００８６】
比較例１に係る水晶振動子１は、ベース４の第１接合層形成領域８の第２領域８２の幅Ｗ２が３６．３μｍとされている以外は、実施例１に係る水晶振動子１と同じである。
【００８７】
＜比較例２＞
比較例１に係る水晶振動子１は、図８に示す形態に係る水晶振動子１のパッケージを用いている。
【００８８】
比較例２に係る水晶振動子１は、図８に示すベース４の第１接合層形成領域８の第２領域８２の幅Ｗ２が５．４μｍとされている以外は、実施例１に係る水晶振動子１と同じであり、ベース４と蓋７とは、実施例１と同一の方法により接合されている。
【００８９】
−ΔＣＩ値及び歩留の比較試験−
上記した実施例１，２，３，４、及び比較例１，２の水晶振動子１をそれぞれ９個ずつ製造した。また、製造した各水晶振動子１について、圧電振動片２の振動特性の有無を検査した。そして、実施例１，２，３，４、及び比較例１，２の各水晶振動子１について、振動特性が得られた水晶振動子１の数を水晶振動子１の製造数９で除し、百分率に換算して、歩留（％）を求めた。
【００９０】
また、振動特性が得られた各水晶振動子１について、ベース４と蓋７との接合前における水晶振動片のＣＩ値（以下、封止前ＣＩ値とする。）と、ベース４と蓋７とを接合して水晶振動片２を気密封止した後のＣＩ値（以下、封止後ＣＩ値とする）とを測定し、封止前ＣＩ値に対する封止後ＣＩ値の変動値（以下、ΔＣＩ値とする。）を求めた。そして、実施例１，２，３，４、及び比較例１，２の各水晶振動子１について、振動特性が得られた水晶振動子１のΔＣＩ値の平均値（以下、平均ΔＣＩ値とする。）を算出した。
【００９１】
表１に、実施例１，２，３，４、及び比較例１，２の各水晶振動子１の平均ΔＣＩ値（ｋΩ）及び歩留（％）を示す。
【００９２】
【表１】
2012128210.tif 000003
表１に示すように、第２領域８２の幅Ｗ２が平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍の範囲内にある実施例１，２，３，４の水晶振動子１が、第２領域８２の幅Ｗ２が平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍の範囲外にある比較例１，２に比べて、平均ΔＣＩ値が小さいことが認められた。また、実施例１，２，３，４の水晶振動子１は、比較例２の水晶振動子１に比べて、平均ΔＣＩ値が小さい上に、歩留が良いことが認められた。このような第２領域８２の幅Ｗ２の違いによる平均ΔＣＩ値及び歩留の違いは、次に示す理由に生じる。
【００９３】
図１２に示すパッケージにおいて、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４よりも長く設定された比較例１では、ベース４と蓋７とを対向させた時、第１接合層４８のパッケージの内部空間１１側の端部４８３は、図１０に示すように、第２接合層７５のパッケージ内部空間１１側の端部７５４よりもパッケージの内部空間１１側に位置する。このため、第１接合層４８及び第２接合層７５を重ね合わせて加熱処理を施した時、第２接合層７５のＡｕ／Ｓｎメッキ膜７５２を構成するＡｕＳｎ合金（ろう材）の溶融物は、第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの方へと引き寄せられてパッケージの内側方向Ｄ２へ流れる。同時に、ろう材の加熱溶融により発生するガスも、ろう材の流れに沿ってパッケージの内側方向Ｄ２へ流れ、パッケージの内部空間１１へガスが流入する。
【００９４】
これに対し、第１接合層形成領域８（第１接合層形成領域８に形成された第１接合層４８）と、第２接合層形成領域９（第２接合層形成領域９に形成された第２接合層７５）とが、パッケージの内部空間の幅方向の端部となる稜部よりもパッケージの外方（図８〜１１に示すＤ１方向参照）に形成された実施例１，２，３，４では、ベース４と蓋７とを対向させた時、図８〜１１に示すように、第１接合層４８のパッケージ内部空間１１側の端部４８３は、第２接合層７５のパッケージ内部空間１１側の端部７５４よりもパッケージの外側（外方）に位置する。このため、第１接合層４８及び第２接合層７５を重ね合わせて加熱処理を施した時、第２接合層７５のＡｕ／Ｓｎメッキ膜７５２を構成するろう材（ＡｕＳｎ合金）の溶融物は、第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの方へと引き寄せられてパッケージの外側方向Ｄ１へ流れる。同時に、ろう材の加熱溶融により発生するガスも、ろう材の流れに沿ってパッケージの外側方向Ｄ１へ流れる。このため、パッケージの内部空間１１へのガスの流入が抑制される。この結果、実施例１，２，３，４の水晶振動子１は、比較例１に比べて、平均ΔＣＩ値が小さくなる。
【００９５】
また、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４よりも短すぎると、具体的には、比較例２のように、第２領域８２の幅Ｗ２が平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６倍未満であると、第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの量が少なすぎて、第２接合層７５のＡｕ／Ｓｎメッキ膜７５２を構成するろう材（ＡｕＳｎ合金）の溶融物が第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの方へ引き寄せられず、ろう材が平坦領域９２に留まる。この結果、接合材１２によるメニスカス１２１の形成が不十分となる上、ろう材の溶融により発生するガスがパッケージの内部空間１１に残る。このため、平均ΔＣＩ値が大きくなる。また、第１接合層４８と第２接合層７５の接触面積が小さすぎて、位置ずれを生じ易いことから、パッケージの内部空間１１の気密封止を確実に実施することができず、製造時の歩留が悪くなる。
【００９６】
これに対し、第２領域８２の幅Ｗ２が平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６〜１．２倍とされた実施例１，２，３，４では、第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの量が十分に確保されているから、第２接合層７５のＡｕ／Ｓｎメッキ膜７５２を構成するＡｕＳｎ合金（ろう材）の溶融物が、第１接合層４８のメッキ膜４８２を構成するＡｕの方へと引き寄せられてパッケージの外側（図８〜１１に示す外方であるＤ１方向参照）へ確実に流れ、パッケージの内部空間１１のガス量が抑制される。さらには、第１接合層４８と第２接合層７５の接触面積が十分に確保されていることから、第１接合層４８に対する第２接合層７５の位置ずれが抑制される。このため、水晶振動子１のパッケージの内部空間１１の気密封止を確実に実施することができ、製造時の歩留が良好となる。
【００９７】
以上の通り、実施例１，２，３，４の水晶振動子１は、比較例１，２の水晶振動子１と比べて、内部空間１１のガス量が少ない。このため、実施例１，２，３，４の水晶振動子１は、比較例１，２の水晶振動子１と比べ、平均ΔＣＩ値が小さいと認められる。さらに、実施例１，２，３，４の水晶振動子１は、第１接合層４８と第２接合層７５の接触面積が十分に確保されており、第１接合層４８に対する第２接合層７５の位置ずれを生じ難い。このため、実施例１，２，３，４の水晶振動子１は、ベース４の第２領域８２の幅Ｗ２が蓋７の平坦領域９２の幅Ｗ４の０．６６倍未満とされた（即ち、第１接合層４８と第２接合層７５の接触面積が十分に確保されていない）比較例２の水晶振動子１に比べて、製造時の歩留が良いことが認められる。
【００９８】
なお、本実施の形態に係る水晶振動子１の蓋７（図５，６，８〜１１参照）において、テーパー領域９１は、テーパー状に成形された外側面７３１の一部に設定されているが、外側面７３１の全体をテーパー領域９１とした構成であっても、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【００９９】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１の蓋７（図５，６，８，９，１１参照）において、平坦領域９２は、壁部７３の天面７３３の一部に設定されているが、図１０に示すように、天面７３３の全体を平坦領域９２とした構成であっても、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１００】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１のベース４（図２〜４，８〜１０参照）は、底部４１と壁部４４とによって構成されているが、図１１に示すように、壁部４４を無くして底部４１のみとした構成であっても、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１０１】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１の蓋７は、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とからなり、壁部７３の外側面７３１及び内側面７３２がテーパー状に成形された構成とされているが、直方体の一枚板の外周縁部のみをテーパー状に成形した構成であっても、本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【０１０２】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１のベース４（図２〜４参照）において、第１接合層４８は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜４８１と、このスパッタ膜４８１の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるメッキ膜４８２とから構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、第１接合層４８は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＮｉメッキ膜と、Ｎｉメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成されたものであってもよい。このように、スパッタ膜とＡｕメッキ膜との間にＮｉメッキ膜を介在させると、第２接合層７５に含まれるろう材（ＡｕＳｎ合金）によるスパッタ膜（Ａｕ膜）の侵食を防止することができ、ベース４と蓋７との接合の強度を向上させることができる。
【０１０３】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１の蓋７（図５及び６参照）において、第２接合層７５に含まれるろう材には、ＡｕＳｎ合金を用いているが、第２接合層７５は、ベース４と蓋７とを接合させるための接合材を形成することができるろう材を含むものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
【０１０４】
上記した本実施の形態に係る水晶振動子１において、電極パッド５１，５２及びベース４の一主面４２の側の配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成されたＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１スパッタ膜６１と、この第１スパッタ膜６１の上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２スパッタ膜６２と、この第２スパッタ膜６２の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるＡｕメッキ膜６３とで構成されているが、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の電極構成は、これに限定されず、ベース４の基板上にＴｉ膜及びＣｕ膜からなるスパッタ膜を介さず、直接、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜が形成され、このスパッタ膜の上に、Ａｕ膜がメッキ形成された構成であってもよい。つまり、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のスパッタ膜が、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなる構成であってもよい。このように、貫通孔４９の内側面４９１のスパッタ膜をＴｉ膜とＡｕ膜とで構成する場合には、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のスパッタ膜上にメッキ形成する充填層６６をＡｕＳｎメッキ層とすると、内側面４９１の配線パターン５５のスパッタ膜と充填層６６との接着強度を向上させることができる。
【０１０５】
また、本実施の形成に係る水晶振動子１のベース４において、外部端子電極５３，５４は、上記した通り、Ｔｉ膜及びＣｕ膜からなる第１スパッタ膜６１と、この第１スパッタ膜６１の上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２スパッタ膜６２と、この第２スパッタ膜６２の上にメッキ形成されたＮｉからなるＮｉメッキ膜６４と、このＮｉメッキ膜６４の上にメッキ形成されたＡｕからなるＡｕメッキ膜６５とから構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、第２スパッタ膜６２の上に直接（ＮｉからなるＮｉメッキ膜６４を介さず）ＡｕからなるＡｕメッキ膜が形成されたものであってもよい。または、第２スパッタ膜６２の上に、Ｎｉメッキ膜６４に代えて、Ａｕ／Ｃｕ合金メッキ膜又はＰｄメッキ膜がメッキ形成され、このＡｕ／Ｃｕ合金メッキ膜又はＰｄメッキ膜の上に、Ａｕメッキ膜が形成されたものであってもよい。
【０１０６】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、ベース４の他主面４３には、外部端子電極５３，５４の形成領域を除く全領域に樹脂パターン６７が形成されているが、この構成に限定されるものではなく、樹脂パターン６７は、他主面４３の側の貫通孔４９の端部及びその周辺のみに形成されていてもよい。或いは、樹脂パターン６７は形成されていなくてもよい。
【０１０７】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、ベース４の他主面４３には、外周縁４７の全体に沿ってテーパー面が形成されているが、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、ベース４の他主面４３は、外周縁４７の外部端子電極５３，５４との対向部分にのみ、テーパー面が形成されてなるものであってもよい。或いは、ベース４の他主面４３は、全体が平坦面で構成されていてもよい。
【０１０８】
また、本実施の形態では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、例えば、水晶を用いて構成されたものであってもよい。
【０１０９】
また、本実施の形態では、スパッタ膜７５１とスパッタ膜４８１にＴｉ膜を用いているが、材料はＴｉに限定されるものではなく、ＴｉにＭｏやＷ，Ｃｒなどを加えてもよく、またはＴｉに代えてＭｏやＷ，Ｃｒなどを用いてよい。
【０１１０】
また、上記した実施の形態に係る水晶振動子１では、水晶振動片として、図７に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、ＡＴカット水晶振動片を使用してもよい。ＡＴカット水晶振動片を使用した水晶振動子１では、ＡＴカット水晶振動片に合わせてベース４に電極が形成されているが、本発明に係る構成については、本実施の形態と同一であり、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１１１】
また、本実施の形態に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。
【０１１２】
以上、本発明に係る電子部品パッケージを水晶振動子１のパッケージに適用した場合の実施の形態を示したが、これは好適な実施の形態であり、本発明に係る電子部品パッケージは、電子部品素子の電極を第１封止部材及び第２封止部材により封止するものであれば、いかなるものであってもよい。よって、本発明に係る電子部品パッケージは、第１封止部材及び第２封止部材により、水晶以外の圧電材料、例えば、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等により構成された圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスのパッケージであってもよい。
【０１１３】
なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【０１１４】
また、この出願は、２０１１年３月１８日に日本で出願された特願２０１１−０６１３２９号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明は、特に電子部品として圧電振動デバイスに用いた、電子部品および電子部品パッケージに好適である。
【符号の説明】
【０１１６】
１  水晶振動子（電子部品）
１１  内部空間
１２  接合材
１３  導電性バンプ
２  水晶振動片（電子部品素子）
２０  圧電振動素板
２１，２２  脚部
２１１，２２１  先端部
２３  基部
２３１  一端面
２３２  他端面
２３３  側面
２４  接合部
２４１  短辺部
２４２  長辺部
２４３  先端部
２５  溝部
２６  貫通孔
２７  接合箇所
３１，３２  励振電極
３３，３４  引出電極
４  ベース（第１封止部材）
４１  底部
４２  一主面
４３  他主面
４４  壁部
４５  キャビティ
４５１  底面
４５２  一端部
４６  台座部
４７  外周縁
４７１  テーパー面
４８  第１接合層
４８１  スパッタ膜
４８２  メッキ膜
４８３  端部
４９  貫通孔
４９１  内側面
５１，５２  電極パッド
５３，５４  外部端子電極
５５  配線パターン
５６，５７  電極形成部
６１  第１スパッタ膜
６２  第２スパッタ膜
６３  Ａｕメッキ膜
６４  Ｎｉメッキ膜
６５  Ａｕメッキ膜
６６  充填層
６７  樹脂パターン
７  蓋（第２封止部材）
７１  頂部
７２  一主面
７２１  外周縁
７３  壁部
７３１  外側面（外周縁部）
７３２  内側面
７３３  天面
７４  他主面
７５  第２接合層
７５１  スパッタ膜
７５２  Ａｕ／Ｓｎメッキ膜
７５３  Ａｕメッキ膜
７５４  端部
８  第１接合層形成領域
８１  第１領域
８２  第２領域
９  第２接合層形成領域
９１  テーパー領域
９２  平坦領域
Ｗ１  第１領域の幅
Ｗ２  第２領域の幅
Ｗ３  テーパー領域の幅
Ｗ４  平坦領域の幅
【図１】
2012128210.tif 000004
【図２】
2012128210.tif 000005
【図３】
2012128210.tif 000006
【図４】
2012128210.tif 000007
【図５】
2012128210.tif 000008
【図６】
2012128210.tif 000009
【図７】
2012128210.tif 000010
【図８】
2012128210.tif 000011
【図９】
2012128210.tif 000012
【図１０】
2012128210.tif 000013
【図１１】
2012128210.tif 000014
【図１２】
2012128210.tif 000015
【国際調査報告】
2012128210.tif 000016
2012128210.tif 000017
2012128210.tif 000018
2012128210.tif 000019