(57)【要約】  絶縁層（１０）と、絶縁層（１０）を挟んで配置された上側配線パターン（１１）および下側配線パターン（１２）とを備える。下側配線パターン（１２）は、上側配線パターン（１１）側に突出し、上側配線パターン（１１）と導通する層間接続導体（１２Ａ）が一体形成されている。層間接続導体（１２Ａ）は、絶縁層（１０）および上側配線パターン（１１）の接合界面よりも上側配線パターン（１１）側にめり込んだ状態で、上側配線パターン（１１）と接合している。これにより、クラックや断線、層間剥離等による接続信頼性を低下させることなく、大電流に対応可能な配線基板を提供する。
2012128269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
該絶縁層を挟んで配置された第１導電パターンおよび第２導電パターンと、
前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンを導通する層間接続導体と、
を備え、
前記層間接続導体は、前記第１導電パターンと一体形成されていると共に、前記絶縁層および前記第２導電パターンの接合界面よりも前記第２導電パターン側にめり込んだ状態で、前記第２導電パターンと接合している、
配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は複数層からなり、
前記第２導電パターンは、複数層からなる前記絶縁層の最上層の表面に形成されている、
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記層間接続導体および前記第２導電パターンは、少なくとも一部が導電性接着剤を介して導通している請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１導電パターンは前記絶縁層側に一体形成されたランドを有しており、
前記ランドに実装され、前記絶縁層内に配置された電子部品、
をさらに備える請求項２又は３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記層間接続導体は最深部が１０μｍ以上前記第２導電パターンにめり込んでいる、請求項１から４の何れか一つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記層間接続導体と前記第２導電パターンの接合界面の少なくとも一部に有機皮膜が形成されている請求項１から５の何れか一つに記載の配線基板。
【請求項７】
少なくとも前記層間接続導体に表面処理がなされている請求項１から６の何れか一つに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層に導体パターンが形成された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板において、異なる層間の配線パターンを電気的に接続する層間接続導体（ビアホール導体）は、一般的には、配線基板に貫通孔を設けて、貫通孔の内壁にメッキを施すことで形成される。この形成方法は、メッキ処理にかかる化学薬品が高価なこと、又は、処理時間が長いことなどから生産性及び経済性等に問題がある。【０００３】
このため、例えば、配線基板の絶縁層に形成された貫通孔に金属粉末を含む導体ペーストを充填して層間接続導体を形成する方法がある。この方法では、層間接続導体は、貫通孔に導体ペーストを充填して形成された後、金属箔からなる配線回路層が押しつけられることによって緻密化される。このとき、配線回路層の押しつけにより、絶縁層と配線回路層との隙間に層間接続導体中の導体ペーストが浸み出し、配線回路層と絶縁層との密着性が損なわれ、その結果、配線基板における導通不良が生じるおそれがある。【０００４】
特許文献１には、層間接続導体中の導体ペーストが層間接続導体周辺への浸み出すことを防止し、配線回路層と絶縁層との密着不良を防止する配線基板が開示されている。図１は特許文献１に記載の配線基板の模式的な断面図である。図１に示す配線基板は、熱硬化性樹脂を含む絶縁層５０１Ａ，５０１Ｂが積層され、その表面に配線回路層５０２が埋没されている。【０００５】
絶縁層５０１Ａ，５０１Ｂには、配線回路層５０２間を接続するための貫通孔が設けられ、貫通孔に金属粉末を含む導体成分が充填されてなる層間接続導体５０３が設けられている。そして、配線回路層５０２には、層間接続導体５０３が埋没する窪み５０４が設けられている。この窪み５０４により、層間接続導体５０３の導体ペーストが層間接続導体５０３周辺へ浸み出すことを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−８２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この特許文献１では、配線回路層５０２に形成する窪み５０４の深さが浅すぎると、導体ペーストの浸み出し防止の効果が小さく、深すぎると配線回路層５０２の厚みが薄くなり配線回路層５０２の強度が低下するおそれがある。従って、特許文献１では、配線回路層と絶縁層との密着不良を十分に防止できないため、配線基板における接続信頼性が低下するおそれがある。【０００８】
また、特許文献１では、導体ペーストを貫通孔に充填して層間接続導体を形成しているが、導体ペーストは金属粉末を含む樹脂であるため、層間接続導体中の金属成分が少なくなり、その結果、層間接続導体の抵抗値が大きくなる。このため、層間接続導体が電流を妨げており、配線基板として大電流に対応できないという問題もある。【０００９】
そこで、本発明の目的は、クラックや断線、層間剥離等による接続信頼性を低下させることなく、大電流に対応可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る配線基板は、絶縁層と、該絶縁層を挟んで配置された第１導電パターンおよび第２導電パターンと、前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンを導通する層間接続導体と、を備え、前記層間接続導体は、前記第１導電パターンと一体形成されていると共に、前記絶縁層および前記第２導電パターンの接合界面よりも前記第２導電パターン側にめり込んだ状態で、前記第２導電パターンと接合している。【００１１】
この構成では、第１導電パターンおよび第２導電パターンを導通する層間接続導体が、第１導電パターンに一体形成されており、この層間接続導体は第２導電パターン側にめり込んだ状態となっている。換言すれば、層間接続導体および第２導電パターンの接合界面は、絶縁層および第２導電パターンの接合界面と異なる平面上となる。なお、一体形成とは、一つの同じ金属部材から形成されることで、層間接続導体と第１導電パターンとの間に接合界面が存在しないことをいう。【００１２】
温度変化（過熱冷却）に伴う膨張と収縮とにより、絶縁層および導電パターンの接合部分では膨張率の違いから応力が生じる。仮に、層間接続導体および第２導電パターンの接合界面と、絶縁層および第２導電パターンの接合界面とが同一平面上に存在する場合、生じた応力が接合界面に集中し、接合界面に剥離が生じるおそれがある。これにより、第１導電パターンと第２導電パターンとの導通不良が発生したり、配線基板にクラック等が生じたりする可能性がある。【００１３】
このため、層間接続導体が第２導電パターン側にめり込む構成とすることで、層間接続導体および第２導電パターンの接合界面と、絶縁層および第２導電パターンの接合界面とを異なる平面上に位置させることで、生じる応力を分散させることができ、剥離による導通不良や、配線基板に生じるクラック等を防止することができる。【００１４】
また、異なる層間の導電パターンを、従来のように貫通孔に金属粉末を充填して形成した層間接続導体で接続する場合、導体パターンと層間接続導体とが異なる物質で形成されることから、接続部分での抵抗値が大きくなる。これに対し、本発明のように、層間接続導体とする層間接続導体を第１導電パターンに一体形成することで、第１導電パターンおよび層間接続導体との接続部分の抵抗値が大きくなることがないため、斯かる問題を回避できる。【００１５】
さらに、従来のように導電ペーストを充填する方法とは違い、層間接続導体を第２導電パターンと一体形成することで、金属成分が多くなることにより層間接続導体の抵抗値を小さくすることができる。【００１６】
本発明に係る配線基板において、前記絶縁層は複数層からなり、複数層からなる前記絶縁層の最上層の表面に形成されている構成でもよい。【００１７】
この構成では、一般的に電子部品が実装される絶縁層の最上層表面における導通不良を防ぐことができる。【００１８】
本発明に係る配線基板において、前記層間接続導体および前記第２導電パターンは、少なくとも一部が導電性接着剤を介して導通している構成が好ましい。【００１９】
この構成では、導電性接着剤を介して導通させることで、層間接続導体と第２導電性パターンとの接続信頼性を向上させることができる。【００２０】
本発明に係る配線基板において、前記層間接続導体と前記第２導電パターンの接合界面の少なくとも一部に有機皮膜が形成されている構成が好ましい。【００２１】
この構成では、前記層間接続導体と前記第２導電パターンの接続部分の酸化を抑制することができるため、接続部分での抵抗値が大きくなることがない。【００２２】
本発明に係る配線基板において、少なくとも前記層間接続導体に表面処理がなされている構成が好ましい。表面処理は、例えば、粗化処理、黒化処理、カップリング処理、有機皮膜形成等が挙げられる。【００２３】
この構成では、前記層間接続導体に前記表面処理がなされることにより、絶縁樹脂と前記層間接続導体の密着性が向上するため、部材の膨張係数が異なることに起因して生じる応力により発生する剥離を抑制することができ、剥離による導通不良や、配線基板に生じるクラック等を防止することができる。絶縁樹脂と前記層間接続導体の間に発生した剥離は導通不良にいたる可能性が高いため、表面処理をする部位は前記層間接続導体の表面は必須であるが、前記層間接続導体表面とともに、前記第１導電パターン表面や前記第２導電パターン表面も処理されていてもよい。【００２４】
本発明に係る配線基板において、前記第１導電パターンは前記絶縁層側に一体形成されたランドを有しており、前記ランドに実装され、前記絶縁層内に配置された電子部品、をさらに備える構成でもよい。【００２５】
この構成では、絶縁層内に電子部品を内蔵することができるため、配線基板を小型化することができる。【００２６】
本発明に係る配線基板において、前記層間接続導体は、最深部が１０μｍ以上前記第２導電パターンにめり込んでいることが好ましい。【００２７】
この構成では、層間接続導体が第２導電パターンにめり込む深さの最深部を、１０μｍ以上とすることで、層間接続導体と第２導電パターンとの剥離不良が起きにくくでき、配線基板における接続信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、層間接続導体および第２導電パターンの接合界面と、第２導電パターンおよび絶縁層の接合界面とが異なる平面上となるようにすることで、部材の膨張係数が異なることに起因して生じる応力を、分散させることができる。これにより、応力による層間剥離の防止や導通不良を防ぐことができ、配線基板における接続信頼性を向上させることができる。また、層間接続導体を第１導電パターンと一体形成することで、金属成分が多くなることにより層間接続導体の抵抗値を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】特許文献１に記載の配線基板の模式的な断面図
【図２】実施形態１に係る配線基板の模式的な断面図
【図３】図２の一点鎖線円の部分を拡大した模式図
【図４】実施形態１に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図
【図５】実施形態１に係る配線基板の熱衝撃試験を行った結果を示すグラフ
【図６】めり込み量１０μｍにおける層間接続導体の径と接続信頼性との関係を示すグラフ
【図７】めり込み量１０μｍにおける上側配線パターンの厚みと接続信頼性との関係を示すグラフ
【図８】上側配線パターン及びめり込み量の関係を示すグラフ
【図９】実施形態２に係る配線基板の模式的な断面図
【図１０】実施形態２に係る配線基板の熱衝撃試験を行った結果を示すグラフ
【図１１】実施形態３に係る配線基板の模式的な断面図
【図１２】実施形態３に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図
【図１３】実施形態４に係る配線基板の模式的な断面図
【図１４】実施形態４に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明に係る配線基板は、絶縁樹脂からなる絶縁層と、絶縁層に設けられた導電性の配線パターン（導電パターン）とを備えている。絶縁層は一層であってもよいし、複数層であってもよい。また、絶縁層を形成する絶縁樹脂は、例えば、ガラスエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。特に、ポリイミド樹脂は、硬化後の耐熱性に優れている点で好ましい。
【００３１】
配線基板は、配線パターンを介して絶縁層の表面に搭載された電子部品と配線基板を搭載する主基板（例えば、マザーボード）とを電気的に接続する。配線基板に搭載される電子部品は、例えばシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子、または、コンデンサ、インダクタ等の受動素子等である。
【００３２】
（実施形態１）
図２は実施形態１に係る配線基板の模式的な断面図である。図３は図２の一点鎖線円の部分を拡大した模式図である。なお、図３において、各部品は実際には密着しているが、説明の便宜上、各部品の接合部分に空間を設けて描いている。
【００３３】
実施形態１に係る配線基板１は、絶縁層１０の上面に上側配線パターン１１が形成され、下面に下側配線パターン１２が形成された構成である。なお、絶縁層１０の上面は、前述した電子部品を搭載する表面とする。
【００３４】
絶縁層１０は、０．１０ｍｍの厚みを有し、円筒状の貫通ビア１０Ａが形成されている。この貫通ビア１０Ａには、後述する下側配線パターン１２に一体形成された層間接続導体１２Ａが挿通される。層間接続導体１２Ａにより、絶縁層１０の上下面に形成された上側配線パターン１１および下側配線パターン１２が導通するようになっている。
【００３５】
配線パターン１１は、絶縁層１０の上面に形成されており、０．１０ｍｍの厚みを有している。上側配線パターン１１は、絶縁層１０に形成された厚み方向において貫通ビア１０Ａと一致する位置に、絶縁層１０から突出した後述の層間接続導体１２Ａの先端部がめり込んでいる。上側配線パターン１１および層間接続導体１２Ａの接合面１１Ａは、図３に示すように断面が円弧状となっているが、矩形状となっていてもよい。
【００３６】
下側配線パターン１２は、絶縁層１０の下面に形成されており、０．１０ｍｍの厚みを有している。下側配線パターン１２は、層間接続導体１２Ａが一体形成されている。すなわち、下側配線パターン１２及び層間接続導体１２Ａは、同じ一の金属部材から形成され、間には接合界面が存在しない。
【００３７】
層間接続導体１２Ａは、径が０．６ｍｍで、長さが０．２ｍｍの円柱形状であり、図３に示すように、先端部が円弧状となっている。この層間接続導体１２Ａは、絶縁層１０に形成された貫通ビア１０Ａに挿通されている。この絶縁層１０の上面から突出する層間接続導体１２Ａの先端が、前述の上側配線パターン１１内に埋没するようになっている。
【００３８】
下側配線パターン１２及び層間接続導体１２Ａを一体形成することで、金属粉末を含む樹脂である導体ペーストを貫通孔に充填して層間接続導体を形成する場合との対比において、金属成分が多くなることにより層間接続導体の抵抗値を小さくすることができる。
【００３９】
なお、層間接続導体１２Ａは、円柱形状としているが、角柱状であってもよい。また、層間接続導体１２Ａの先端部は、平面状となっていてもよい。
【００４０】
このように、層間接続導体１２Ａが上側配線パターン１１に埋没しているため、層間接続導体１２Ａおよび上側配線パターン１１の接合界面は、絶縁層１０および上側配線パターン１１の接合界面と異なる平面上となる。これにより、膨張率の違いから生じる応力が接合界面に集中しないようにでき、応力を原因とする剥離による導通不良や、配線基板１に生じるクラック等を防止することができる。
【００４１】
次に、配線基板１の製造方法について説明する。図４は、実施形態１に係る配線基板１の製造工程を順に示した模式図である。
【００４２】
最初の第１工程では（図４（ａ））、厚さ０．３ｍｍの銅板２０の厚み方向において対抗する両面に厚さ１５μｍのドライフィルムレジスト２１を貼り付ける。なお、図４では、銅板２０の側面方向から見た図である。
【００４３】
次に、第２工程では（図４（ｂ））、ドライフィルムレジスト２１を貼り付けた銅板２０の片面に、径が０．６ｍｍ、長さが０．２ｍｍとなる円筒状の層間接続導体１２Ａが残るようにしてエッチングする。
【００４４】
第３工程では（図４（ｃ））、厚さ０．１５ｍｍの絶縁樹脂２３に０．６ｍｍの穴（不図示）を形成し、第２工程でエッチング処理を施した銅板２０に積層配置する。この絶縁樹脂２３が前述の絶縁層１０となる。
【００４５】
第４工程では（図４（ｄ））、絶縁樹脂２３（絶縁層１０）の上面に、厚さ０．１ｍｍの銅板２４を置き、その状態で、１８０℃、１００ｋＮで１時間積層成形をする。これにより、銅板２４には層間接続導体１２Ａの先端部がめり込み、前述の接合面１１Ａが円弧状に形成されるようになる。
【００４６】
第５工程では（図４（ｅ））、第４工程で得られた積層体の両面をサブトラクティブ法（不要な部分を取り除いて回路を残す方法）によりパターン形成を行うことで、銅板２０が下側配線パターン１２として形成され、銅板２４が上側配線パターン１１として形成される。これにより、配線基板１が形成される。
【００４７】
次に、層間接続導体１２Ａを上側配線パターン１１に埋没させるめり込み量について説明する。めり込み量は、上側配線パターン１１の厚みの５０％以下とすることが好ましいが、より具体的な数値として以下に説明する。
【００４８】
図５は実施形態１に係る配線基板１の熱衝撃試験を行った結果を示すグラフである。図５に示すグラフの縦軸は配線基板１の抵抗変化率（％）を示し、横軸は熱衝撃試験におけるヒートサイクル数を示している。
【００４９】
図５に示すように、層間接続導体１２Ａの上側配線パターン１１に対するめり込み量が０μｍまたは５μｍの場合、ヒートサイクル数が大きくなると、抵抗変化率が上昇する。これに対し、めり込み量が１０μｍ、１５μｍまたは２０μｍの場合、ヒートサイクル数に関係なく抵抗変化率に略変化が見られない。従って、めり込み量は、浅くなるほど接続信頼性が低くなるため、１０μｍ以上となることが好ましい。
【００５０】
なお、層間接続導体１２Ａの径や上側配線パターン１１の厚みに関係なく、めり込み量を１０μｍ以上とすることが好ましい。図６は、めり込み量１０μｍにおける層間接続導体１２Ａの径と接続信頼性との関係を示すグラフである。図７は、めり込み量１０μｍにおける上側配線パターン１１の厚みと接続信頼性との関係を示すグラフである。
【００５１】
めり込み量が１０μｍ以上で接続信頼性が向上する理由は、上側配線パターン１１と層間接続導体１２Ａとの接合界面が、熱膨張係数の相異なる絶縁層１０と上側配線パターン１１との接合界面と同一平面上にないことによる。従って、層間接続導体１２Ａの径や上側配線パターン１１の厚みによらずこの効果を得ることができる。
【００５２】
例えば、図６に示すように、層間接続導体１２Ａの径が０．０５ｍｍ、０．６ｍｍまたは１．０ｍｍの何れであっても、ヒートサイクル数に関係なく抵抗変化率に略変化が見られない。また、図７に示すように、上側配線パターン１１の厚みが０．１ｍｍ、０．３ｍｍまたは１．０ｍｍの何れであっても、ヒートサイクル数に関係なく抵抗変化率に略変化が見られない。
【００５３】
また、めり込み量は１０μｍ以上となることが好ましいが、この場合、上側配線パターン１１は、厚みが１００μｍ以上とすることが好ましい。図８は、上側配線パターン１１及びめり込み量の関係を示すグラフである。図８では、縦軸がめり込み量、横軸が上側配線パターン１１の厚みを示している。図８に示すように、めり込み量が１０μｍの場合、上側配線パターン１１は厚みが約１００μｍとなっており、上側配線パターン１１の厚みが１００μｍ以上となると、めり込み量は略一定となっている。従って、上側配線パターン１１の厚みが１００μｍ以上であれば、最適なめり込み量１０μｍ以上を確保することができる。
【００５４】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る配線基板について説明する。実施形態２に係る配線基板１は、層間接続導体１２Ａと上側配線パターン１１とが導電性接着剤を介して導通している点で、実施形態１と相違する。以下、その相違点についてのみ説明する。
【００５５】
図９は、実施形態２に係る配線基板１の模式的な断面図である。実施形態２に係る配線基板１は、図９に示すように、層間接続導体１２Ａの先端部分に導電性接着剤１３が塗布されている。導電性接着剤１３は、例えば、ナノ銀またはナノ銅の低抵抗導電性ペーストである。なお、導電性接着剤１３としては、金属粉末を含む樹脂組成物であってもよい。
【００５６】
層間接続導体１２Ａの先端部に導電性接着剤１３が塗布されているため、上側配線パターン１１および層間接続導体１２Ａは、導電性接着剤１３を介して導通している。層間接続導体１２Ａに導電性接着剤１３を塗布することで、層間接続導体１２Ａの接続信頼性をさらに向上させることができる。
【００５７】
実施形態２に係る配線基板１の製造方法については実施形態１と略同様であり、図４（ｃ）における第３工程時に、層間接続導体１２Ａの先端に、導電性接着剤１３を塗布することで、実施形態２に係る配線基板１を製造することができる。
【００５８】
また、実施形態１では、めり込み量は１０μｍ以上としたが、導電性接着剤１３を塗布する場合、めり込み量は５μｍ以上とすることができる。図１０は、実施形態２に係る配線基板１の熱衝撃試験を行った結果を示すグラフである。図１０に示すように、めり込み量が５μｍ以上ではヒートサイクル数に関係なく、抵抗変化率に略変化が見られない。従って、めり込み量は、浅くなるほど接続信頼性が低くなるため、５μｍ以上となることが好ましい。
【００５９】
（実施形態３）
次に、実施形態３に係る配線基板について説明する。実施形態３に係る配線基板１は、絶縁層１０が多層であり、各層間に配線パターンが形成されている点で、実施形態１と相違する。以下、その相違点についてのみ説明する。
【００６０】
図１１は、実施形態３に係る配線基板１の模式的な断面図である。実施形態３に係る配線基板１の絶縁層１０は、図１１に示すように、絶縁層１０の表面側から順に第１層１０１、第２層１０２、第３層１０３および第４層１０４が積層されて構成されている。
【００６１】
第１層１０１の上面には上側配線パターン１１が形成され、下面には下側配線パターン１２１が形成されている。下側配線パターン１２１は、層間接続導体１２１Ａが一体形成され、層間接続導体１２１Ａは、先端部が第１層１０１から上側配線パターン１１側に突出し、先端部が上側配線パターン１１にめり込んでいる。
【００６２】
第２層１０２は、下面に下側配線パターン１２２が形成されている。下側配線パターン１２２は、層間接続導体１２２Ａが一体形成されている。層間接続導体１２２Ａは、先端部が第２層１０２から下側配線パターン１２１側に突出し、下側配線パターン１２１にめり込んでいる。
【００６３】
第３層１０３は、下面に下側配線パターン１２３が形成されている。下側配線パターン１２３は、層間接続導体１２３Ａが一体形成されている。層間接続導体１２３Ａは、先端部が第３層１０３から下側配線パターン１２２側に突出し、下側配線パターン１２２にめり込んでいる。
【００６４】
第４層１０４は、下面に下側配線パターン１２４が形成されている。下側配線パターン１２４は、層間接続導体１２４Ａが一体形成されている。層間接続導体１２４Ａは、先端部が第４層１０４から下側配線パターン１２３側に突出し、下側配線パターン１２３にめり込んでいる。
【００６５】
以上のように、実施形態３に係る配線基板１は、配線パターンが多層化されており、各層の配線パターンは、下層の配線パターンに一体形成された層間接続導体の先端部を埋没させている。これにより、実施形態１と同様に、膨張率の違いから生じる応力により、各層間が剥離し、導通不良やクラック等が生じることを防止することができる。
【００６６】
図１２は、実施形態３に係る配線基板１の製造工程を順に示した模式図である。
【００６７】
図１２（ａ）に示すように、銅板２０４をエッチングして、層間接続導体１２４Ａを形成し、層間接続導体１２４Ａの先端が、０．０５ｍｍ突出するよう絶縁樹脂２３４を銅板２０４に積層配置する。絶縁樹脂２３４は、図１１の第４層１０４となる。
【００６８】
この絶縁樹脂２３４の上面に、厚さ０．３ｍｍの銅板２０３を配置し、１８０℃、１００ｋＮで１時間積層成形をする。これにより、銅板２０３には層間接続導体１２４Ａの先端部がめり込むようになる。
【００６９】
次に、図１２（ｂ）に示すように、銅板２０３の上面に厚さ１５μｍのドライフィルムレジスト（不図示）を貼り付け、その上面に径が０．６ｍｍ、長さが０．２ｍｍとなる円筒状の層間接続導体１２３Ａが残るようにしてエッチングする。
【００７０】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、図１２（ｂ）で得られた積層体の両面をサブトラクティブ法によりパターン形成を行うことで、銅板２０４が下側配線パターン１２４として形成され、銅板２０３が下側配線パターン１２３として形成される。
【００７１】
次に、図１２（ｄ）に示すように、厚さ０．１５ｍｍの絶縁樹脂２３３に０．６ｍｍの穴（不図示）を形成し、その穴に図１２（ｃ）で形成した層間接続導体１２３Ａが挿通するよう、絶縁樹脂２３３を積層する。この絶縁樹脂２３３が、図１１の第３層１０３となる。
【００７２】
図１２で説明した工程を順に繰り返すことで、図１１に示す、実施形態３に係る配線基板１を形成することができる。このように、絶縁層１０の内層に配線パターンを形成し、多層化することにより配線基板１をより小型化することができる。
【００７３】
（実施形態４）
次に、実施形態４に係る配線基板について説明する。実施形態４に係る配線基板１は、実施形態３に係る配線基板１の絶縁層１０内に電子部品を実装している点で、実施形態３と相違する。以下、その相違点についてのみ説明する。
【００７４】
図１３は、実施形態４に係る配線基板１の模式的な断面図である。実施形態４に係る配線基板１の絶縁層１０は、実施形態３と同様に、絶縁層１０の表面側から順に第１層１０１、第２層１０２、第３層１０３および第４層１０４が積層されて構成されている。
【００７５】
第１層１０１、第２層１０２、第３層１０３および第４層１０４の下面に形成されている下側配線パターン１２１，１２２，１２３，１２４は、層間接続導体１２１Ａ、１２２Ａ，１２３Ａ，１２４Ａ以外に、ランド１２１Ｂ、１２２Ｂ，１２３Ｂ，１２４Ｂが一体形成されている。
【００７６】
各層のランド１２１Ｂ、１２２Ｂ，１２３Ｂ，１２４Ｂには、電子部品１５１，１５２，１５３，１５４が実装されている。この電子部品１５１，１５２，１５３，１５４は、それぞれ第１層１０１、第２層１０２、第３層１０３および第４層１０４内に配置される。このため、絶縁樹脂中に電子部品１５１，１５２，１５３，１５４を内蔵することにより配線基板１を小型化することができる。
【００７７】
なお、電子部品１５１，１５２，１５３，１５４には、例えばシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子、または、コンデンサ、インダクタ等の受動素子等が挙げられる。
【００７８】
図１４は、実施形態４に係る配線基板１の製造工程を順に示した模式図である。
【００７９】
最初の第１工程では（図１４（ａ））、厚さ０．３ｍｍの銅板２０の厚み方向において対抗する両面に厚さ１５μｍのドライフィルムレジスト（不図示）を貼り付ける。そして、ドライフィルムレジストを貼り付けた銅板２０４の片面に、径が０．６ｍｍ、長さが０．１９ｍｍとなる円筒状の層間接続導体１２４Ａが残るようにしてエッチングする。
【００８０】
次に第２工程では（図１４（ｂ））、図１４（ａ）でのエッチング処理後の銅板２０４をさらにエッチングして、厚み０．０１ｍｍのランド１２４Ｂを形成する。このランド１２４Ｂを形成することで、長さが０．１９ｍｍとして形成した層間接続導体１２４Ａは、０．２ｍｍの長さとなる。
【００８１】
第３工程では（図１４（ｃ））、形成したランド１２４Ｂに電子部品１５４を搭載する。この後、第４工程では（図１４（ｄ））、絶縁樹脂２３４を銅板２０４上に積層する。実施形態４では、絶縁樹脂２３４は液状であり、銅板２０４上に塗布した後、真空脱泡し、加熱することにより半硬化状態で電子部品１５４を封止する。このとき、絶縁樹脂２３４は、厚さ０．１５ｍｍとする。
【００８２】
その後、実施形態３で説明した工程（図１２参照）と同様に、厚さ０．３ｍｍの銅板２０３を置き、１８０℃、１００ｋＮで1時間積層成形をする。以降は、図１４（ａ）の工程から各工程を繰り返すことで、図１３に示す配線基板１を形成する。このように、絶縁樹脂中に電子部品を内蔵することにより配線基板１を小型化することができる。
【００８３】
以上、本発明に係る配線基板について詳述に説明したが、配線基板１の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８４】
１−配線基板
１０−絶縁層
１１−上側配線パターン（第２導電パターン）
１１Ａ−接合面
１２−下側配線パターン（第１導電パターン）
１２Ａ−層間接続導体
１３−導電性接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月7日(2014.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
該絶縁層を挟んで配置された第１導電パターンおよび第２導電パターンと、
前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンを導通する層間接続導体と、
を備え、
前記層間接続導体は、前記第１導電パターンと一体形成されていると共に、前記絶縁層および前記第２導電パターンの接合界面よりも前記第２導電パターン側にめり込んだ状態で、前記第２導電パターンと接合しており、
前記第２導電パターンは、前記層間接続導体が前記第２導電パターンにめり込む高さの略１０倍以上の厚みを有する、
配線基板。
【請求項２】
前記層間接続導体の前記第２導電パターンにめり込む側の先端部は円弧状である、
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁層は複数層からなり、
前記第２導電パターンは、複数層からなる前記絶縁層の最上層の表面に形成されている、
請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記層間接続導体および前記第２導電パターンは、少なくとも一部が導電性接着剤を介して導通している請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１導電パターンはランドを有しており、
前記ランドに実装され、前記絶縁層内に配置された電子部品、
をさらに備える請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記層間接続導体は最深部が１０μｍ以上前記第２導電パターンにめり込んでいる、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記層間接続導体と前記第２導電パターンの接合界面の少なくとも一部に有機皮膜が形成されている請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
少なくとも前記層間接続導体に表面処理がなされている請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る配線基板は、絶縁層と、該絶縁層を挟んで配置された第１導電パターンおよび第２導電パターンと、前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンを導通する層間接続導体と、を備え、前記層間接続導体は、前記第１導電パターンと一体形成されていると共に、前記絶縁層および前記第２導電パターンの接合界面よりも前記第２導電パターン側にめり込んだ状態で、前記第２導電パターンと接合しており、前記第２導電パターンは、前記層間接続導体が前記第２導電パターンにめり込む高さの略１０倍以上の厚みを有する。
【国際調査報告】
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