# ANALYSE DES DEMANDES 2024

Chaque zone du service TEAM gère un projet de développement d'intérêt collectif, nous ne traitons pas ici de ces projets dont la plupart des développements ont été présentés dans les chapitres précédents.

## Projets 2025

Un décompte brut indique un nombre total de 80 projets demandant un soutien.

## Évolution pluriannuelle

### Origine par départements

<figure><img src="image_152.png" /></figure>

Le nombre de projets du département MNBT poursuit sa croissance. Les autres départements sont stables.

Le projet du département ROB ne concerne que de l'accès à de l'impression 3D.

### Projets LAAS vs projets Renatech

<figure><img src="image_153.png" /></figure>

Croissance du nombre de projets Renatech de 10%. Ils représentent 14% de l'activité en 2024 contre 18% en 2023.

Si l'on considère ces 14% au regard de l'activité totale on comprend aisément que l'envergure moyenne des projets externes est inférieure à celle des projets internes.
## Optimiser l'implication dans les projets

La justification des projets auprès des financeurs est de plus en plus stricte et complexe.

Parmi ces justifications, il y a celles des personnes impliquées dans la réalisation des travaux. Trop souvent encore des personnels du service TEAM se trouvent impliqués dans des projets sans le savoir a priori. Ils ne le découvrent que lorsque le projet est accepté. Au-delà de la dimension éthique, cela pourrait dans les années à venir, se traduire par des problèmes dans les justifications.

Il nous paraît donc essentiel de devoir consolider le montage des projets afin que les plateformes et leurs personnels soient systématiquement associés à priori au montage des projets. C'est selon nous, la seule garantie pour avoir une optimisation du support technologique. Ce problème est d'autant plus prégnant que le nombre de permanents TEAM diminue.

Une première étape a été franchie début 2025 sur le AAPG de l'ANR en échangeant avec les services techniques avant la soumission finale sur les projets déposés en phase 2. Cette démarche doit être amplifiée et consolidée, tout en en gardant l'objectif de ne pas ajouter une complexité supplémentaire.
# PARTENARIAT RENATECH

## Objectif

## Bilan des demandes

## Actions initiées

## Projets 2024
## OBJECTIF

L'objectif de la cellule est de prendre en charge l'ensemble des demandes Renatech de la plateforme technologique. La cellule gère le traitement et le suivi des demandes.
La procédure est explicitée dans les rapports COMTEAM disponibles sur HAL
https://laas.hal.science/hal-04583613v1.

## BILAN

### Evolution du nombre de projets

<figure><img src="image_154.png" /></figure>

La liste des projets externes 2024 est en annexe 3.

Le nombre de projets traités en 2024 est en hausse de plus de 10 %. Le nombre de nouvelles demandes est de 59 soit 58% des projets traités en 2024. Cette valeur est stable.

### Nouvelles demandes 2024

<figure><img src="image_155.png" /></figure>

L'augmentation du nombre de projets n'est pas liée à une augmentation des nouvelles sollicitations mais plutôt à une prolongation des projets des années précédentes.
On retrouve cette hausse dans le nombre d'heures d'utilisation des équipements pour les projets exogènes : environ 34% de plus qu'en 2023
<figure><img src="image_156.png" /><figcaption>Nombre d'heures réservées/utilisées* pour les projets
RENATECH</figcaption></figure>

## Traitement des demandes

101 projets en 2024 dont 42 projets anciens qui se sont prolongés :

* 6 abandonnés par le demandeur

* 52 projets terminés

* 38 demandes en cours de réalisation qu'on retrouve en 2025

* 5 en discussion

<figure><img src="image_157.png" /><figcaption>Etat des demandes en fin d'année 2024</figcaption></figure>

Cette année nous avons été plus stricts sur l'état des projets non actifs durant l'année. Jusqu'en 2023, nous ne mettions en « abandon » que des projets pour lesquels le demandeur avait clairement indiqué qu'il ne souhaitait pas continuer le projet. Cette année nous avons mis en plus les projets pour lesquels il n'y avait pas eu d'activité sur une période d'un an : 6 projets, 2 de 2023 et 4 de 2024. Si les demandeurs nous re-sollicitent, nous les mettrons à la discussion.

## Nature des demandes

* Académique : porteur du projet issu du monde académique

* Industriel : porteur du projet issu du monde industriel

<footnote>*Jusqu'en 2022, on comptabilisait les heures réservées A partir de l'année 2023, on comptabilise les heures utilisées.</footnote>
* Soutien : projet avec peu d'étapes technologiques et/ou maîtrisées (Ex : réalisation d'un masque, d'une métallisation, ...)

* Développement : projet nécessitant la mise au point d'une ou plusieurs étapes technologiques.

<figure><img src="image_158.png" /></figure>

Les projets nécessitant peu de développement représentent 50% des demandes. Ce taux diminue régulièrement depuis dernières années : 73 % en 2021, 67% en 2022, 58% en 2023. Cette diminution se fait au profit des demandes avec développement qui augmentent ces dernières années 50% au lieu de 42% en 2023.

La demande de développement industriel n'a jamais atteint ce niveau. Cela va dans le sens du projet PLATINUM.

La demande internationale est en forte hausse : 4 projets en 2023, 11 en 2024. La demande internationale est équilibrée entre les académiques et les industriels.

<figure><img src="image_159.png" /></figure>
La cartographie de répartition de ces demandes est la suivante :

<figure><img src="image_160.png" /></figure>
## Thématique scientifique des demandes

Au cours des 5 dernières années, les demandes dans les différents domaines sont stables.

### Thématiques des demandes 2024

<figure><img src="image_161.png" /></figure>

## Accueil de personnes

### Evolution du nombre de personnes accueillies

<figure><img src="image_162.png" /></figure>

Le nombre de personnes accueillies oscille depuis plusieurs années entre 16 et 20.

Le nombre de personnel industriel accueilli (15) est largement supérieur au nombre d'accueil académique.

## Niveau d'activité représenté par les projets Renatech

Le graphe suivant représente la répartition des utilisations d'équipements sur MyFab pour

* Les projets LAAS : projets portés par des chercheurs/enseignants-chercheurs du LAAS,

* Les projets RENATECH : projets portés par des personnes externes au LAAS (académiques ou industriels)

* Les développements d'intérêt général : développements de technologie réalisés par TEAM pour la communauté.

* La maintenance

* La formation
## Répartition des heures d'utilisation d'équipements

<figure><img src="image_163.png" /></figure>

Les heures d'utilisation des équipements pour les projets RENATECH représente 14 % de l'ensemble soit 3% de plus que les années précédentes.

Les heures d'utilisation « projets » représentent 68 % des heures d'utilisation totales soit 6% de plus que l'année 2023.

## Apports pour le laboratoire

Au-delà du fait que cette ouverture nous permet de recevoir le financement RTB pour le développement de notre capacité technique, elle amène d'autres aspects très positifs.

## Financier :

Toutes les sommes encaissées au titre de l'accueil Renatech sont reversées dans l'IG du laboratoire. Elles contribuent donc à un ensemble d'actions qui ne relèvent pas exclusivement de la salle blanche.

<table><thead><tr><th></th><th>2020</th><th>2021</th><th>2022</th><th>2023</th><th>2024</th></tr></thead><tbody><tr><th>Sommes encaissées</th><td>119394</td><td>225555</td><td>172985</td><td>203162</td><td>277719</td></tr></tbody></table>

La facturation des projets externes RENATECH représente 41% des sommes facturées pour 21% d'activité (hors maintenance) en 2024.

Il faut noter que 1/3 de montant facturé correspond à un seul projet industriel et 57% repose sur 4 projets industriels. Le montant facturé peut donc varier de manière importante juste avec la fin de quelques contrats.
## Activité (hors maintenance)-Facturation 2024

<figure><img src="image_164.png" /></figure>

## Développement de procédés :

Des développements ont été réalisés pour des demandeurs extérieurs. Ils sont aujourd'hui utilisés pour des projets internes. Par exemple :

- La gravure du cuivre par plasma développé avec la société 3DIS tech.

- La comparaison des procédés de lithographie :

Dans le cadre du groupe d'experts Euronanolab lithography (voir ci-après), chaque laboratoire participant teste un procédé de lithographie en utilisant un design prédéfini et imposé à tous. Deux types de résines sont testés : une résine de 1 µm d'épaisseur (+/-20%) et une résine de 50 µm d'épaisseur (+/-20%). Les participants doivent obtenir les meilleurs résultats en fonction de critères tels que la résolution, la verticalité des profils de résine, le rapport de forme, le temps d'exposition et la facilité de mise en œuvre. Les laboratoires ont le choix des résines, de la polarité et des techniques utilisées (lithographie par contact, stepper, électronique, laser, etc.), ainsi que des équipements. En partageant les connaissances et les expériences des membres du groupe EUROnanoLAB, cette initiative espère favoriser une collaboration accrue et une innovation continue dans le domaine de la lithographie.

<figure><img src="image_165.png" /></figure>

<figure><img src="image_166.png" /><figcaption>Down to 0.4µm in some circumstances</figcaption></figure>

<figure><img src="image_167.png" /></figure>

Nouveaux motifs Euronnaolab de résolution et motifs réalisés par lithographie laser, résolution <400nm
Au-delà de nos engagements habituels du fait de notre appartenance au réseau Renatech les personnels de la plateforme sont investis dans des actions spécifiques.

## Groupe d'experts :

A Arnoult a créé et anime avec le C2N le groupe d'une cinquantaine d'experts sur les croissances cristallines. 3 réunions ont été organisées, la dernière au LAAS.

## Evolution de la nouvelle application en ligne :

Notre implication s'est poursuivie en 2024 pour développer les fonctionnalités de l'application https://projets.renatech.org.

## Animation du groupe d'experts Euronanolab lithographies :

Suivant la volonté de construction d'un réseau à l'échelle européenne Renatech est particulièrement impliqué dans le projet Euronanolab (http://uronanolab.eu/).

L. Mazenq a pris la responsabilité avec une collègue du C2N du groupe d'experts « Lithography ». Ce groupe se compose d'une centaine d'experts européens. Une rencontre a été organisée l'an dernier au LAAS, ainsi que 3 réunions par visioconférences (30-70 participants/réunion).

Dans ce cadre, nous avons également accueilli 2 collègues ingénieurs de l'INL Braga et de Ceitec Brno. En 2025, 3 réunions par visioconférences sont prévues ainsi qu'une rencontre lors de la conférence ENRIS à Bologne.

<figure><img src="image_168.png" /></figure>

## Création du groupe d'experts Euronanolab Thin Film :

P Dubreuil a proposé la création et pris la responsabilité d'un groupe d'experts « Thin Film ». Ce groupe se compose de plus de 100 experts européens. La première session plénière est prévue lors de la conférence ENRIS en 2025.

## Référent facturation certifiée

La plateforme ayant été plateforme pilote en 2014 pour le déploiement d'une facturation certifiée, nous sommes quatre à cinq fois par an sollicités pour partager notre expérience avec des structures qui souhaitent mettre en place ce processus.

Dans ce cadre, nous avons participé à l'ANF « Gestion des plateformes INSIS » du CNRS au cours de 3 dernières années.
<figure><img src="image_169.png" /></figure>

# ACTIONS INITIES

## Gestion commune avec I2C, gestion, personnel et RCP

Le travail collaboratif, mis en route depuis plusieurs années, entre les services techniques et les services administratifs est constructif. Il permet une amélioration continue de nos procédures et du suivi des projets.

## PROMOTION DE LA PLATEFORME

Il est important de noter que la présentation de la plateforme lors d'évènements internes porte ses fruits. Suite au R&D day et à la journée « Impression 3D », nous avons été sollicités par 3 nouveaux demandeurs.

A poursuivre et étendre aux manifestations externes !
# BUDGET

## Éléments de contexte

## Dépenses 2024

## Prévisionnel pluriannuel (IR Renatech)

## Certification des tarifs et facturation
# ELEMENTS DE CONTEXTE

## Périmètre analysé

Les analyses budgétaires à l'échelle de la plateforme peuvent paraitre complexe la nature des rubriques présentées dans les diverses versions du budget fait " naturellement" apparaitre des variations.

Les chiffres présentés ici le sont dans un objectif d'analyse qui doit nous permettre d'optimiser l'usage des fonds qui sont alloués

## Exécution du budget

Depuis début 2018 l'exécution budgétaire a été grandement simplifiée par la remise à plat des lignes utilisées pour le fonctionnement de la plateforme. Il convient à ce stade de souligner l'expertise et le soutien du service gestion dans ces évolutions et leur exécution sans faille depuis leur mise en place.

Les lignes budgétaires sont les suivantes.

### Sept pour les dépenses

* 101301IG Salle Blanche Support : tout ce qui concerne des adaptations ou évolutions de l'infrastructure salle blanche

* 101302 IG Salle Blanche conso et fournitures : les consommables utiles pour les produits facturés et les fournitures achetées pour une personne ou un projet en particulier ; hors fluides généraux (gaz et électricité) qui sont pris en charge par le budget général du laboratoire

* 101303 IG Salle Blanche Maintenance : tout ce qui touche la maintenance (pièces et main d'œuvre).

* 101304 Salle blanche équipements hors RTB: les achats d'équipements faits hors dotations ANR RTB qui seront amortis

* 101304 Salle blanche équipements RTB : les achats d'équipements faits avec la convention RTB 2018 qui seront amortis

* 101304 salle blanche équipement RTB reports 2012 à 2017 : les achats d'équipements faits avec les conventions RTB 2012 à 2017 qui seront amortis

* 101307 Epicentre : les dépenses liées au LabCom Epicentre

### Ces lignes de dépenses sont exclusivement alimentées par

* La dotation TGIR dans le budget FEI du laboratoire

* Les recettes salle blanche

* L'abondement Nanofutur

* Les convention ANR RTB

* L'abondement du PC Renatech du PEPR électronique

### Une ligne pour les recettes générées par la facturation auditable

* Recettes salle blanche

Il n'y a donc aucun prélèvement "à priori des opérations technologiques" sur les contrats supports des projets de recherche. Les seuls prélèvements sont ceux "à posteriori des opérations technologiques" de la facturation certifiée.
Dépenses sur les budgets FEI et Ressources propres banalisées (hors fluides)

La répartition des dépenses a été la suivante

<figure><img src="image_170.png" /></figure>

Classiquement les deux postes les plus importants concernent les consommables et la maintenance. Il convient de continuer à souligner la maitrise de nos frais de maintenance. Même si le chiffre intrinsèque est très important il reste bien en deçà des 1% de la valeur totale du parc d'équipements.

Evolution pluriannuelle

<figure><img src="image_171.png" /></figure>

L'arrivée des nouveaux équipements liés à Nanofutur et au PEPR électronique auront un effet à la hausse, dans les années à venir. Du fait par exemple des contrats de maintenance pour le MEB HR et le masqueur électronique.
# Dépenses par zones (hors gros équipement et fluides)

## Consommables et fournitures (Hors azote liquide)

Les postes les plus élevés s'expliquent par

* Photolithographie

* Résines et développeurs

* Substrats

* Chimie : Produits chimiques pour l'ensemble de la salle blanche

* PVD : Achats de matériaux précieux

### Consommables et fournitures

<figure><img src="image_172.png" /></figure>

## Maintenance

* Pour la gravure plasma les coûts élevés sont principalement liés à la jouvence de la DRIE conduite en 2024

* Pour les fours et implantation ionique le coût élevé est lié à la remise à niveau de toute la ligne faisceau de l'implanteur. Opération que nous menons tous les 8-10 ans environs.

* En caractérisation et photolithographie nous avons des contrats de maintenance

### Maintenance

<figure><img src="image_173.png" /></figure>
Les postes les plus élevés sont sans surprise liées aux

* Contrats en lien avec l'infrastructure et son entretien

<figure><img src="image_174.png" /></figure>

## Petits équipements (Hors RTB)

Les postes les plus élevés s'expliquent notamment par les raisons suivantes

* CVD : rénovation d'un système de pompage primaire et secondaire sur un équipement

* Caractérisation : achats d'options sur des équipements

<figure><img src="image_175.png" /></figure>

## BILAN ET PROJECTION TGIR/IR 2024-2028

Chaque début d'année les plateformes du réseau Renatech se livrent à l'exercice de budgets prévisionnels pluri annuels.
Ces éléments sont utiles pour l'obtention, au titre de l'appartenance à l'Infrastructure de Recherche Renatech, de la ligne FEI spécifique à la salle blanche.
<figure><img src="image_176.png" /></figure>

<table><caption>AE = Engagements juridiques</caption><thead><tr><th></th><th>2024</th><th>2025</th><th>2026</th><th>2027</th><th>2028</th><th></th></tr></thead><tbody><tr><th colspan="7" style="text-align: left;">DEPENSES</th></tr><tr><th scope="row">Fonctionnement</th><td>1 769,99 K€</td><td>1 585,00 K€</td><td>1 632,55 K€</td><td>1 681,53 K€</td><td>1 731,97 K€</td><td></td></tr><tr><th scope="row">Dont volet énergétique</th><td>644,43 K€</td><td>655,00 K€</td><td>674,65 K€</td><td>694,89 K€</td><td>715,74 K€</td><td></td></tr><tr><th scope="row">électricité</th><td>545,16 K€</td><td>550,00 K€</td><td>566,50 K€</td><td>583,50 K€</td><td>601,00 K€</td><td></td></tr><tr><th scope="row">hélium</th><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><th scope="row">combustibles</th><td>9,55 K€</td><td>10,00 K€</td><td>10,30 K€</td><td>10,61 K€</td><td>10,93 K€</td><td></td></tr><tr><th scope="row">autres fluides</th><td>89,72 K€</td><td>95,00 K€</td><td>97,85 K€</td><td>100,79 K€</td><td>103,81 K€</td><td>Azote liquide et gazeux</td></tr><tr><th scope="row">Investissement</th><td>4 063,80 K€</td><td>1 574,16 K€</td><td>482,89 K€</td><td>329,99 K€</td><td>329,99 K€</td><td></td></tr><tr><th scope="row">Projets en cours de réalisation y compris jouvences</th><td>4 063,80 K€</td><td>1 574,16 K€</td><td>482,89 K€</td><td>329,99 K€</td><td>329,99 K€</td><td>onglet Echéancier AE CP à renseigner</td></tr><tr><th scope="row">Nouveaux projet</th><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><th scope="row">Personnel directement employé par l'infrastructure</th><td>216,24 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td></td></tr><tr><th scope="row">Personnel</th><td>216,24 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>payé sur crédits gérés par l'infrastructure</td></tr><tr><th scope="row">nombre ETPT</th><td>3</td><td>2</td><td>2</td><td>2</td><td>2</td><td></td></tr><tr><th scope="row">TOTAL DEPENSES</th><td>6 050,03 K€</td><td>3 303,31 K€</td><td>2 259,60 K€</td><td>2 155,67 K€</td><td>2 206,12 K€</td><td></td></tr></tbody></table>

<table><thead><tr><th colspan="6" style="text-align: left;">RESSOURCES CNRS</th></tr></thead><tbody><tr><th scope="row">CNRS IR/IR*</th><td>1 042,42 K€</td><td>980,00 K€</td><td>1 009,40 K€</td><td>1 039,68 K€</td><td>1 070,87 K€</td></tr><tr><th scope="row">Fonctionnement</th><td>931,04 K€</td><td>980,00 K€</td><td>1 009,40 K€</td><td>1 039,68 K€</td><td>1 070,87 K€</td></tr><tr><th scope="row">Investissement</th><td>111,38 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_177.png" /></figure>

<table><tbody><tr><td>CNRS Institut</td><td>563,67 K€</td><td>560,00 K€</td><td>576,80 K€</td><td>594,10 K€</td><td>611,93 K€</td><td></td></tr><tr><td>FEI</td><td>563,67 K€</td><td>560,00 K€</td><td>576,80 K€</td><td>594,10 K€</td><td>611,93 K€</td><td></td></tr><tr><td>Projets/Actions</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>CNRS Autres</td><td>3 941,02 K€</td><td>1 115,00 K€</td><td>482,89 K€</td><td>329,99 K€</td><td>329,99 K€</td><td></td></tr><tr><td>CPER</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Investissements d'avenir (PIA)</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>ANR</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Autres financements Ministère</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>ANR RTB (2020à 2028) + PEPR PC Renatech + Equipex+ nanofutur</td><td>3 941,02 K€</td><td>1 115,00 K€</td><td>482,89 K€</td><td>329,99 K€</td><td>329,99 K€</td><td></td></tr><tr><td>TOTAL RESSOURCES CNRS</td><td>5 547,11 K€</td><td>2 655,00 K€</td><td>2 069,09 K€</td><td>1 963,78 K€</td><td>2 012,79 K€</td><td></td></tr></tbody></table>

<table><tbody><tr><td>AUTRES RESSOURCES (hors CNRS)</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Contribution d'autres organismes</td><td>3,91 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Université de Toulouse</td><td>3,91 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Collectivités territoriales</td><td></td><td>424,16 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Régions (au titre du CPER)</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Régions (autres financements)</td><td></td><td>424,16 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>[Préciser]</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Contrats</td><td>6,52 K€</td><td>35,00 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>ANR</td><td></td><td>35,00 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Investissements d'avenir</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_178.png" /></figure>

<table><tbody><tr><td>Labcom epicentre</td><td>6,52 K€</td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Prestations / Services facturés</td><td>276,26 K€</td><td>45,00 K€</td><td>46,35 K€</td><td>47,74 K€</td><td>49,17 K€</td></tr><tr><td>Facturation certifiée salle blanche</td><td>276,26 K€</td><td>45,00 K€</td><td>46,35 K€</td><td>47,74 K€</td><td>49,17 K€</td></tr><tr><td>[Préciser]</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Financements européens</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>[Préciser]</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Autres</td><td>216,24 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td></tr><tr><td>Ressources propres banalisées du laboratoire</td><td>216,24 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td><td>144,16 K€</td></tr><tr><td>TOTAL AUTRES RESSOURCES</td><td>502,92 K€</td><td>648,32 K€</td><td>190,51 K€</td><td>191,90 K€</td><td>193,33 K€</td></tr></tbody></table>

<table><tr><td>TOTAL RESSOURCES</td><td>6 050,03 K€</td><td>3 303,31 K€</td><td>2 259,60 K€</td><td>2 155,67 K€</td><td>2 206,12 K€</td></tr></table>

<table><tr><td>SOLDE ANNUEL</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td></tr></table>

<table><tr><td>SOLDE CUMULÉ</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td></tr><tr><td>Dépenses Total</td><td>6 050,03 K€</td><td>3 303,31 K€</td><td>2 259,60 K€</td><td>2 155,67 K€</td><td>2 206,12 K€</td></tr><tr><td>Ressources Total</td><td>6 050,03 K€</td><td>3 303,31 K€</td><td>2 259,60 K€</td><td>2 155,67 K€</td><td>2 206,12 K€</td></tr><tr><td>Delta</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td><td>0,00 K€</td></tr></table>

<table><tr><td>Effectifs non pris en charge</td><td>2 082,29 K€</td><td>2 154,37 K€</td><td>2 051,88 K€</td><td>1 979,80 K€</td><td>1 922,14 K€</td></tr></table>
<table><thead><tr><th colspan="6">par IR</th></tr></thead><tbody><tr><td>Personnel non permanent CNRS</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>nombre ETPT non permanent CNRS</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Personnel permanent CNRS</td><td>1 961,00 K€</td><td>2 033,08 K€</td><td>1 930,60 K€</td><td>1 858,52 K€</td><td>1 800,86 K€</td></tr><tr><td>nombre ETPT permanent CNRS</td><td>20,20</td><td>21,20</td><td>20,40</td><td>19,40</td><td>18,60</td></tr><tr><td>Personnel autres organismes hors CNRS (permanent et non permanent)</td><td>121,29 K€</td><td>121,29 K€</td><td>121,29 K€</td><td>121,29 K€</td><td>121,29 K€</td></tr><tr><td>nombre total ETPT hors CNRS</td><td>1,50</td><td>1,50</td><td>1,50</td><td>1,50</td><td>1,50</td></tr></tbody></table>

onglet masse salariale à renseigner

1 ETP Université de Toulouse + 0,5 ETP INPT
# CERTIFICATION DES TARIFS ET FACTURATION

## Certification des tarifs

Pilote pour la mise en place nationale de la tarification auditable CNRS la plateforme bénéfice d'une tarification auditable depuis 2014.

Suite à la note DSFIM-SBOR-D-2022-6 du CNRS qui précise la typologie des clients et défini quatre tarifs nous avons sollicité la DR14 pour faire en 2024 une mise à jour sur la base des activités et dépenses 2023. Celle-ci a été validée et mise en place début 2025.

## Procédure mise en place pour les facturations futures

Afin de consolider encore notre processus de facturation et ainsi les justifications sur les contrats supports nous avons mis en place une procédure à destination des porteurs de projets afin que nous déterminions à priori des activités, et autant que faire se peut, l'origine du support financier des activités. Ce document est commun pour la plateforme de micro et nano fabrication et la plateforme de caractérisation.

Nous procédons à la facturation soit :

* À la demande du chercheur pour des justifications intermédiaires ou en fin de contrat.

* En fin année civile.

La procédure établie est la suivante:

1. Envoi d'un mail au porteur du projet pour confirmation du support financier indiqué en début d'année (ou début de projet)

2. Extraction des heures sur Myfab et calcul du coût associé avec le tarif correspondant au support financier

3. Envoi du récapitulatif (heures et coût) au porteur du projet pour accord

4. Envoi au responsable d'équipe

5. Envoi à la gestion

Il est à souligner que le travail collaboratif, mis en route depuis plusieurs années, entre les services techniques et les services administratifs est extrêmement positif. Il permet une amélioration continue de nos procédures et du suivi des projets. Les échanges réguliers sur les difficultés rencontrées (ex : l'évolution des différents règlements financiers), les accès à Geslab pour les services techniques permettent une prise en charge en amont de la facturation et cela se concrétise par une diminution flagrante des allers - retours des factures entre les différents intervenants.

## Facturation 2024

Au titre de 2024 les recettes de facturation sont les suivantes.

NB : Il ne s'agit pas du montant total injecté dans le processus de facturation qui dépend des services gestion du LAAS et financiers de la DR14.

<table><thead><tr><th></th><th>Réalisé en 2023,<br>encaissé en 2024</th><th>Réalisé en 2024,<br>encaissé en 2024</th><th>Total 2024</th><th>Rappel du total<br>2023</th></tr></thead><tbody><tr><td colspan="5" style="text-align: center; font-weight: bold;">RENATECH</td></tr><tr><td>Académique</td><td>28601,64</td><td>33222,85</td><td>61 824,49</td><td>24 373.89</td></tr><tr><td>Industriel</td><td>14928,57</td><td>214694,15</td><td>229 622,72</td><td>153 461.94</td></tr><tr><td></td><td></td><td style="font-weight: bold;">Total</td><td style="font-weight: bold;">291 447,21</td><td style="font-weight: bold;">177 835.83</td></tr><tr><td colspan="5" style="text-align: center; font-weight: bold;">LAAS</td></tr></tbody></table>
<table><tr><td>ELIA</td><td>54401,89</td><td>0</td><td>54 401,89</td><td>63 606,95</td></tr><tr><td>ISGE</td><td>3322,25</td><td>4275,63</td><td>75 97,88</td><td>27 437,3</td></tr><tr><td>MEMS</td><td>84835,6</td><td>762,86</td><td>85 598,46</td><td>55 674,65</td></tr><tr><td>MH2F</td><td>0</td><td>3128,56</td><td>31 28,56</td><td>4008,8</td></tr><tr><td>MICA</td><td>10662,12</td><td>977,49</td><td>11 639,61</td><td>21 556,79</td></tr><tr><td>MILE</td><td>14494,13</td><td>7002,38</td><td>21 496,51</td><td>17 302,07</td></tr><tr><td>MINC</td><td>844,38</td><td>0</td><td>844,38</td><td>0</td></tr><tr><td>MOST</td><td>0</td><td>0</td><td>0</td><td>0</td></tr><tr><td>MPN</td><td>20311,17</td><td>28849,39</td><td>49 160,56</td><td>23 1944,59</td></tr><tr><td>NEO</td><td>15531,78</td><td>8862,01</td><td>24 393,79</td><td>15 773,24</td></tr><tr><td>OASIS</td><td>3612,15</td><td>0</td><td>3 612,15</td><td>0</td></tr><tr><td>PHOTO</td><td>53793,25</td><td>8525,26</td><td>62 318,51</td><td>7 9079,6</td></tr><tr><td></td><td></td><td>Total</td><td>324192,3</td><td>516 383,99</td></tr><tr><td></td><td></td><td>TOTAL</td><td>615639,51</td><td>694 219,82</td></tr></table>

Le total des facturations est en baisse de 12%.

Pour ce qui concerne les facturations externes la hausse est de 64%.

La baisse est de 38% pour les facturations internes. Cette baisse peut s'expliquer pour partie par un report des facturations internes à l'année 2025 dans l'attente de la validation des nouveaux tarifs.
SYNTHESE

Par zone
Générale
## Caractérisation

### Personnel :

Consolidation du binôme (Benjamin IR et Benoit AI) en charge de la zone caractérisation. Le volume de formation est en forte augmentation ce qui entraîne également une nécessitée accrue du suivi des utilisateurs.

### Équipements

Arrivée du microscope électronique VERIOS, du microscope optique microubic et mise à niveau de l'AFM. La zone a été réorganisée pour permettre l'installation du VERIOS et avoir une cohérence de positionnement des équipements.

### Prospective sur les développements d'IG

Finalisation des projets de photogrammétrie, de référencement des étalons et fabrication du 4 pointes miniature.

## Chimie

### Personnel :

Le renouvellement d'Amel Beghersa permet de garder le dynamisme et fonctionnement de la zone chimie.

L'arrivée de Baptiste Laurent comme apprenti va permettre de mettre au point des protocoles d'IG, par exemple, des protocoles d'extrusion d'hydrogels.

### Développement de la chimie de synthèse :

L'aménagement et réaménagement de la salle de synthèse chimique et de la zone chimie avec différents équipements a permis d'acquérir un bon dynamisme de développements des matériaux dans le cadre de nombreux projets. Pour cette raison, nous sommes plus sollicités, vis-à-vis des chercheurs, IT d'autres services et/ou plateformes du LAAS ou ailleurs.. Par exemple, l'implication dans le projet PEPR-MedOOC, où la synthèses et formulation de différents matériaux sera très importante dans le développement de biomatériaux pour la création de microenvironnements 3D de culture cellulaire.

### Nouvel équipement : Rhéomètre (130k€ ressource propres)

Grâce au financement Renatech (RTB-2022), nous avons installé un rhéomètre (MCR 702e MultiDrive ; Anton Paar) adapté à tous les modes de fonctionnement rhéologique (Fig.5).. Il permet d'avoir accès à deux unités d'entraînement dans un seul instrument. Cet appareil permet les recherches les plus sophistiqués grâce aux méthodes rhéologiques, d'analyse mécanique dynamique (DMA) et d'autre méthodes de caractérisation, comme la rhéo-microscopie, la réticulation UV, la spectroscopie RAMAN et IR, etc.

Il a été installé en janvier 2025 en dehors de la salle blanche (salle C23, future salle de manipulations niveau L2), pour avoir accès à des caractérisation rhéologiques qui ne sont pas compatibles avec, l'environnement actuel, de la salle blanche.

<figure><img src="image_179.png" /><figcaption>Rhéomètre MCR 702e MultiDrive</figcaption></figure>
# CVD&ALD

## Organisation

Quatre personnes travaillent en CVD&ALD. Ils continuent à suivre des formations externes ou internes pour mener à bien cette activité.

D'ici 3-5 ans, J.C. Marrot et P.Dubreuil feront valoir leur droit à la retraite, il faudrait envisager le recrutement d'un ingénieur et d'un assistant ingénieur en élaboration des matériaux.

## Prospective et évolution des équipements

### Prospective :

* Demande en priorité 1 de la jouvence de ALD Fiji 200 (voir chapitre Les équipements)

* Prospective en priorité 2 pour un nouveau ALD/CVD (thermique et assisté par plasma) à source DLI (Direct Injection Liquid precursor) et recuit HT°C in situ : nouveaux matériaux à faible épaisseur high K, à changement de phase (VO₂, TiO₂, Nb₂O₅...), 2D (dichalcogénures : VS₂, MoS₂, MoSe₂....) pour l'électronique et la photonique quantique (voir chapitre Les équipements).

### Évolution :

* Pilotage via l'automate du CCPECVD de l'outil de suivi de la courbure pour contrôler les dépôts.

* Pilotage via l'automate du CCPECVD de la montée et descente en température.

* Optimiser le logiciel de l'outil de suivi en temps réel de la réflectivité des dépôts dans ICPECVD.

## Procédés technologiques

* Des nouveaux matériaux à déposer par ALD-MOS (VO₂), par ALD noMOS (TiO₂) ou CCPECVD (TiO₂).

* La réalisation dans ICPECVD de matériaux digitaux en couches très minces à différents indices de réfraction pour applications photoniques.

* Une cartographie des matériaux de la zone et étendue à la salle blanche est en cours d'élaboration.

## Formations

* Cours technologique CVD et ALD en version numérique et en ligne.

# Dépôts Electrolytiques

## Personnel :

L'arrivée d'Amel Beghersa et sa rapide prise en main des procédés de la zone ont permis de rétablir les calibrations, incluant les protocoles d'analyses et de dépôts récurrents, ce qui a permis de retrouver des dépôts stables. Elle a également mis en place de nouvelles analyses indispensables pour les nouveaux dépôts, permettant ainsi une implication plus importante de D. Bourrier dans la mise en place des procédés sur l'équipement de fabrication 3D du verre Femtika. Actuellement, son poste en CDD est reconduit jusqu'en décembre 2025, avec une possibilité d'extension d'un an supplémentaire. Ce poste est classé comme priorité numéro un dans les demandes de personnels du service. Il est crucial que son poste soit pérennisé pour assurer un fonctionnement stable de la zone, ce qui n'a pas été le cas depuis les 15 dernières années.

## Procédés & Collaborations :

Les différentes collaborations, aussi bien sur les équipements que sur les procédés, ont démontré de nombreux résultats positifs pour la zone et les procédés du laboratoire. Elles nous ont permis un échange très fructueux avec les ingénieurs de l'université de Tokyo. Ces collaborations devraient se poursuivre en 2025 et ont permis quatre publications à la conférence ENRIS qui aura lieu en mai 2025.

* How an international engineers exchange brings to a successful process/project

* Electroplating deposition from sub-millimetric to sub-micronic scale using the same tool and bath while maintaining good plating distribution

* Quantitative Contamination Evaluation Framework Demonstrated for International Open Platform Process Cascading
# Dépôts sous vide

## Activité de la zone

Dans cette zone l'activité de service (dépôts ne nécessitant pas de travail de développement) est très forte avec un nombre de dépôts qui reste important. Néanmoins les matériaux organiques et les matériaux énergétiques demandent toujours un développement constant.

## Équipement

L'Univex est un équipement de pulvérisation cathodique équipé de 7 cibles. L'obsolescence de l'automate de pilotage rend aujourd'hui cet équipement inutilisable, le rétrofiter est une nécessité pour :

* Pouvoir répondre à la demande de nouveau matériaux (PtO2, AlN, ...)

* Redémarrer un équipement qui possède une chambre de fonctionnalisation (Ar, O2, CF4) et la possibilité de dépôts en pulvérisation réactive sur l'ensemble des chambres (O2, N), les solutions proposées par cet équipement sont uniques dans la zone PVD
Le coût de cette intervention se monte à 100 K€.

## Développement

En 2025, les développements en soutien aux projets autour des MRAM et de l'électronique organique vont perdurer de façon significative.

# Epitaxie par jets moléculaires

## LabCom EpiCentre

Le système UHV du LabCom Epicentre est complètement livré au LAAS-CNRS et est opérationnel. Les premières croissances ont eu lieu dans le C21DZ et dans la chambre cryogénique.

## Croissances sur MBE412

De nombreuses croissances ont été réalisées sur le MBE412, dont notamment des VCSELs dans le cadre du projet Européen Photogenic, et des matériaux à base de nitrures dilués pour le photovoltaïque. Pour ces derniers,

## Panne cellules As

Les cellules As du MBE412 sont en fin de vie. Leurs thermocouples sont HS et nous devons travailler en mode dégradé, ce qui ne permet pas de maîtriser les flux d'arsenic parfaitement. Ceci est pénalisant pour quelques projets (boîtes quantiques de GaAs pour le projet FBG-DETECT, et nitrures dilués pour le photovoltaïque). Leur remplacement par une cellules As VAC3000 est une demande récurrente et une priorité forte de la zone.

# Gravure plasma

## Personnel

- Mathieu Arribat a maintenant un poste permanent.

- En revanche, le passage de 1.8 à 1.5 ETP constitue une réduction du personnel, ce qui représente une perte pour la zone, affectant sa capacité à maintenir un niveau optimal de flexibilité et de réactivité. Il est de plus en plus difficile de libérer du temps pour faire de l'optimisation / développement de procédés, ce qui sera très dommageable pour la zone gravure plasma sur le long terme.

## Equipements

- Le rétrofit de l'Alcatel a permis de réduire les temps de maintenance, d'amélioration de l'efficacité, et d'avoir 2 réacteurs pouvant graver du Si en mode pulsé.

- Un nouvel équipement RIE ICP chlorée avec de nombreuses options (OES, SLI, Ellipsomètre, et ALE) va être installé fin 2025, donnant la possibilité de caractérisations in-situ plus complètes et permettant le développement de nouveaux procédés.
## Activités

- L'activité globale de la zone suit une augmentation constante d'année en année.

## Jet d'encre et traitement de surface

### Jet d'encre

Le nombre de projet varie sur les dernières années. Les développements de procédés génériques d'encre argent sont arrivés à leurs termes. Désormais l'utilisation est variable selon les projets demandant des développements.

### Traitement de surface

L'essentiel de l'activité concerne le traitement hydrophobe/antiadhérent de moules pour PDMS. Cependant les développements continuent dans ce domaine avec la mise au point d'autres traitements et l'arrivée d'équipements tel le Nanonex Ultra-100 et le traitement plasma à pression atmosphérique.

### Ressources humaines

Le parc d'équipements augmente avec les besoins, notamment en maitrise des états de surface, un recrutement sera nécessaire dans les années à venir pour continuer à développer la zone afin de répondre au mieux aux besoins des projets de recherch

## Lithographie électronique

### Formations et utilisation des équipements

En 2024, 36,5 heures de formation ont été dispensées pour 40 participants, couvrant des formations théoriques et pratiques. L'utilisation de la Raith 150 a connu une nette reprise après un ralentissement en 2022, avec 250 utilisations totalisant 790 heures (soit une moyenne de 3h10 par session). Cet équipement est désormais le 6ᵉ plus sollicité de la plateforme technologique.

### Développements

Des travaux ont été réalisées dans la standardisation des procédés de lithographie dans le cadre de l'initiative Euronanolab, impliquant 12 laboratoires européens. En 2025, l'accent sera mis sur les tests de nouvelles résines, notamment pour remplacer la HSQ Fox 15, dont la production a cessé. Ces travaux ont été valorisés à travers différentes communications et collaborations académiques.

### Renouvellement et évolution des équipements

Le système de lithographie Raith EBPG 5200 Plus, financé par le programme PEPR électronique, sera installé en mars 2026 dans le cadre du projet Platinum. Il remplacera la Raith 150, en service depuis 2005, et offrira une résolution de 8 nm sur de grandes surfaces. Ce nouvel équipement, unique dans le sud-ouest de la France, sera accessible en libre-service après formation et renforcera les capacités de structuration de la plateforme.

### Évolution du personnel et perspectives

Laurent Mazenq a pris la responsabilité de la zone de lithographie électronique, avec l'appui de Franck Carcenac (25%) et Jean-Baptiste Doucet (5%). Le départ de Franck, prévu au 1er janvier 2026, représente un enjeu majeur pour l'organisation. Une réflexion est en cours pour assurer la transition et garantir la continuité des activités.

## Lithographie laser

### Fabrication des masques et réticules

Le futur masqueur électronique permettra entre autres de fabriquer des photo-masques à haute résolution en association avec notre équipement (HMX) de gravure chrome. Dans le futur, pour les résolutions moins contraignantes les procédés de lithographie se feront de plus en plus par écriture directe (« maskless ») laser UV avec des systèmes plus rapides et des meilleures résolutions. Pour la fabrication de dispositif de recherche, la lithographie « maskless » permet de limiter les étapes technologiques et ainsi réduire la consommation d'énergie et l'achat de matériaux. Le remplacement
de notre équipement DWL 200 est prévu grâce au soutien du projet DELILA. Un nouvel équipement d'écriture laser sera installé en 2026.

## Équipements d'écriture laser

L'ensemble des moyens de lithographie par lasers réuni au LAAS est unique en milieu académique : 6 équipements pour la structuration en 2D et 3D de matériaux photosensibles. La diversité des procédés permet la fabrication de dispositifs en polymères, l'élaboration de moules pour des dépôts de matériaux ou la réalisation de couches de masquage résistantes à la gravure. Plus récemment un de ces équipements laser (Laser Nanofactory) permet aussi la structuration en 3D du verre, la soudure verre-verre et l'ablation de couches minces métalliques. Ces équipements de traitements par laser accroissent nos capacités de procédés multi-échelles et multi-matériaux pour la fabrication de dispositifs de recherche.

## Nano imprint

### Utilisation des équipements :

Une partie importante des utilisations de la nanonex se fait pour des applications de report de films, planarisation et autres applications bénéficiant de ses qualités en tant que presse. Ces applications sont souvent sources de contaminations et il serait préférable de leur trouver un équipement dédié.

### Contamination particulière :

Le travail sur des larges surfaces à montré qu'il est actuellement difficile de ne pas avoir de poussière quand les surfaces structurées dépassent le cm². Les plaquettes venant de zones moins propres que la zone NIL nécessite un nettoyage acide préalable. L'installation d'une HFL acide permettra à terme de répondre à ce besoin. L'installation dans un nouvel espace sera l'occasion d'améliorer l'environnement de travail en améliorant le ratio surface FFU/surface de salle

### Prospective larges surfaces :

Plusieurs projets s'orientent sur de larges surfaces, une prospective sur les techniques de roll printing est en cours dans ce cadre.

## Packaging

### Activité

Les demandes en packaging sont stables et répondent à la majorité des projets. Cependant on observe une demande croissante d'intégration de nouveaux matériaux (polymères, niobates, ...) avec des géométries variables et des dimensions fluctuant du millimètre à plusieurs centimètres. De ce fait, les techniques actuelles ne permettent pas une intégration garantissant la fonctionnalité du composant.

### Prospective

Certains équipements sont peu ou plus utilisés et ne sont plus maintenu par les équipementiers. Une réflexion sur notre prospective en packaging a été initiée pour répondre à une demande qui évolue.

### Personnel

La zone fonctionne avec des CDD depuis des années. Un poste permanent fait partie des priorités du service. C'est un besoin essentiel

## Photolithographie

### Ressources humaines

L'arrivée de Gwenaelle Guittier dans la zone va permettre une meilleure efficacité dans la gestion quotidienne de la zone photolithographie et de libérer du temps qui sera mis à profit pour des développements
## Taux d'utilisation

Le nombre de nouveaux utilisateurs (+64% !) et d'heures d'utilisation des équipements (env +12%) est en hausse

## Equipements

Le spraycoater continue de voir son taux d'utilisation augmenter. L'équipement est devenu un atout essentiel pour plusieurs projets. Il est maintenant vieillissant et sous dimensionné, l'achat d'un nouveau modèle plus fiable et adapté aux besoins est une nécessité.

L'EVG 120 voit aussi son taux d'utilisation augmenté. L'équipement est en fin de vie et la maintenance n'est plus garantie. L'arrivée prochaine d'équipements automatisés de lithographie en écriture directe (EBPG et MLA 150) va accentuer le besoin d'une jouvence.

Le Stepper Canon cumule pannes régulières et chute drastique du taux d'utilisation. L'arrivée des nouveaux équipements d'écriture directe (EBPG et MLA) haute résolution devrait permettre de couvrir en grande partie les besoins en lithographie sub-micrométrique

## Traitements thermiques et implantation ionique

### Activité

L'activité est en hausse cette année due, pour la partie four, au développement du projet Aquaters qui a fortement sollicité le four Ferrite et pour la partie implantation au projet Renatech « High Harmonic Generation from Ion-Implanted Silicon Single Crystal ». Si on regarde au niveau global (hors ces deux projets), l'activité reste stable par rapport aux années précédentes. Nous pouvons déduire que l'activité microélectronique, qui est fortement liée à l'utilisation des équipements de la zone, reste stable par rapport aux années précédentes.

### Évolution des équipements

En 2024, nous avons remis à niveau la commande des fours de recuits Freescale grâce à un financement sur ressources propres. Cette remise à niveau a été effectué par la société ApSy. Cela permettra de réaliser des recuits métaux sous rampes automatiques ainsi que des oxydations thermiques sèches pour des composants NoMOS.

### Organisation

Eric Imbernon va prendre la responsabilité du service TEAM à partir de janvier 2026. Il restera impliqué sur la zone à 20 % (partie CVD comprise). Jean-Christophe Marrot va continuer la prise en main des fours Centrotherm et AET de façon à être totalement autonome sur ces équipements. De plus, d'ici 3-5 ans, J.C. Marrot fera valoir son droit à la retraite, il faudrait envisager le recrutement d'un ingénieur ou d'un assistant ingénieur en élaboration des matériaux en commun avec la zone CVD/ALD.

# SYNTHÈSE GENERALE

## Personnel

* Depuis 2012 le bilan sur les personnels permanents est de -3 début 2025.

* Nous avons bénéficié de 3 recrutements depuis 2 ans et demi. Deux NOEMIs (2023 et 2024) et un concours IE(2024)

* Si l'on se projette à fin 2028 nous arriverons à -6 postes permanents sans recrutement supplémentaire

* Sous-effectif en zone jet d'encre

* Sous effectifs de personnel permanent en zones dépôts électrolytiques et packaging compensés par des CDD sur ressources propres.

* Sous effectif début 2026 en zone lithographie électronique

* Sous effectif en zone EJM du fait de la dynamique impulsée par le labcom epicentre, le manque de personnel scientifique directement impliqué dans les épitaxes

* Plus de personnel attitré en zone soutien.
* Financement sur ressources propres de 2 CDDs et de 2 apprenti-e-s

* Cette situation appauvrit le soutien apporté aux projets de recherche et à terme met en péril les développements de procédés amonts et l'acquisition de nouvelles compétences.

* Une seule promotion en 2024, un changement de corps.

## Equipements

* Installation de 17 équipements.

* Sept procédures d'achat en cours début 2025.

* Projets très structurants :

* Equipex Nanofutur : derniers achats en cours

* PEPR électronique : achats effectués en cours de mise en service

* Extension de la plateforme de 400m² : attendue pour T2 (aménagement RdC) et T4 (extension G3) 2026

## Procédés

* Encore en capacité de mener des développements de procédés mais on voit que dans les zones sous dotées ils sont bien souvent retardés ou simplement abandonnés.

* On ne peut toujours que déplorer de ne pas disposer de retours systématiques des utilisateurs quant aux procédés réalisés.

* Niveau de valorisation des personnels dans le publications satisfaisant, avec des disparités annuelles par équipe qui peuvent s'expliquer.

## Bilan des activités

* Volume d'activité en hausse de l'ordre de 10% après une hausse de 16 en 2023 et une baisse de 18 % en 2022

* Déploiement à venir d'un système de badge pour activer/désactiver les équipements afin d'avoir le relevé exhaustif des activités

## Demandes internes de soutien

* En hausse, à 80 demandes (hors projets d'intérêt général portés par TEAM)

* Nécessité d'amplifier l'association du service TEAM dès les premières phases de montage des contrats supports.

## Partenariat Renatech

* Nombre de projets à la hausse de 10% à 101 projets soutenus

* Ces activités restent circonscrites à 21% de l'activité globale de la salle blanche pour environ 28% des sommes encaissées en facturation.

## Formations

* Près de 635 heures de formations.

* Développement du site de e-learning interne à poursuivre

## Sécurité

* Hormis la détection incendie en photolithographie les actions à mener ne sont pas structurelles

## Budget

* Dans la moyenne des dernières années.
# ANNEXE 1 / ASSOCIATION AUX PUBLICATIONS PAR ZONES

## Caractérisation

### Publications en lien avec les projets du LAAS

* Nessim Jebali, Céline Molinaro, Julien Roul, Julie Jermann, Jean-Baptiste Doucet, et al., NIR photopolymerization self-writing process for fiber-to-fiber single mode coupling. *Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering*, 2024, pp.31. [10.1117/12.3017607](https://doi.org/10.1117/12.3017607). [hal-04779658](https://hal.inrao.fr/hal-04779658)

## Chimie

### Publications en cours de validation sur HAL

## CVD

### Publications en lien avec la zone (développements génériques pour IG)

**Notice d'utilisation de l'ALD Beneq TFS 200 du LAAS-CNRS Octobre 2024** [hal-04746008v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04746008v1) Pascal Dubreuil (1), Manon Drob (1)

**In situ and real time characterization instruments for molecular beam epitaxy and chemical vapor deposition** [hal-04937176v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04937176v1) Alexandre Arnoult (1,2), Pascal Dubreuil (1), Pierre Gadras (2,3), Stéphane Calvez (2,3), Guilhem Almuneau (3,2)

**Suivi in-situ de dépôts CVD de SiON** [hal-04693843v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04693843v1) Stéphane Calvez (1), Ulysse Legallois (2), Pascal Dubreuil (3), Olivier Gauthier Lafaye (1)

### Publications en lien avec les projets du LAAS

**Grating design methodology for laser cooling** [hal-04613751v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04613751v1) Romain Calviac (1,2,3), Antoine Monmeyrant (1), Pascal Dubreuil (4), Laurent Mazenq (4), Samuel Charlot (4), Alexandre Gauguet (3,2), Baptiste Allard (3,2), Olivier Gauthier-Lafaye (1)

**Les mauvais réseaux font de bons atomes froids** [hal-04682189v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04682189v1) Romain Calviac (1,2,3), Antoine Monmeyrant (1), Pascal Dubreuil (4), Laurent Mazenq (4), Samuel Charlot (4), Alexandre Gauguet (3,2), Baptiste Allard (3,2), Olivier Gauthier-Lafaye (1)

**Atomic layer deposited Al2O3 as a barrier to thermal and plasma oxidations** [hal-04764300v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04764300v1) Manon Drob (1), Pascal Dubreuil (1), Stéphane Calvez (2)

**Shadow-mask evaporation for the fabrication of optical filters with spatially tailored thickness** [hal-04515494v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04515494v1) Stéphane Calvez (1), David Bourrier (2), Justine Bonneau (2), Ludovic Salvagnac (2), Pascal Dubreuil (2), Isabelle Séguy (3), Henri Camon (1)

**Dépôts 2.5D par évaporation à travers des masques demi-teinte** [hal-04815070v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04815070v1) Stéphane Calvez (1), J. Bonneau (2), David Bourrier (2), Ludovic Salvagnac (2), Pascal Dubreuil (2), Isabelle Séguy (3), Olivier Gauthier-Lafaye (1), Henri Camon (1)

**Etude de couches minces de titanate de barium déposées par pulvérisation** [hal-04802588v1](https:// HAL.inrao.fr/hal-04802588v1) Y. Sobhi (1,2), E. Donadio (1, 2), B. Duployer (2), Jean-Christophe Marrot (3), David Bourrier (3), Pascal Dubreuil (3), Y. Thimont (2), S. Guillemet (2), L. Presmanes (2), Stéphane Calvez (1)
**Al2O3 par ALD** : un encapsulant structurable pour les composants photoniques à matériau à transition de spin **hal-04794507v1** Manon **Drob** (1), Ayman Hoblos (2), Jesukpego Arnold Capo Chichi (3), Pascal **Dubreuil** (1), Ludovic Salvagnac (1), Lionel Salmon (2), Gabor Molnar (2), Karl Ridier (2), Azzedine Bousseksou (2), Stéphane Calvez (1)

**CRIGFs** : Spectral filters, but also modal filters and combiners **hal-04682032v1** Antoine Rouxel, Antoine Monmeyrant (1), Pascal **Dubreuil** (2), Stéphane Calvez (1), Olivier Gauthier Lafaye (1)

Dépôts électrolytiques

Publications en lien avec les projets du LAAS

Bose-Einstein condensate source on a optical grating-based atom chip for quantum sensor applications Bose-Einstein condensate source on a optical grating-based atom chip for quantum sensor applications **hal-04761479v1** Romain Calviac (1, 2, 3) , Antoine Rouxel (3) , Samuel Charlot (4) , David Bourrier (4) , Alexandre Arnoult (4) , Antoine Monmayrant (3) , Olivier Gauthier-Lafaye (3) , Alexandre Gauguet (1, 2) , Baptiste Allard (1, 2)

Dépôts 2.5D par évaporation à travers des masques demi-teinte **hal-04815070v1** Stéphane Calvez (1), J. Bonneau (2), David Bourrier (2), Ludovic Salvagnac (2), Pascal Dubreuil (2), Isabelle Séguy (3), Olivier Gauthier-Lafaye (1), Henri Camon (1)

Etude de couches minces de titanate de barium déposées par pulvérisation **hal-04802588v1** Y. Sobhi (1, 2) , E. Donadio (1, 2) , B. Duployer (2) , Jean-Christophe Marrot (3) , David Bourrier (3) , Pascal Dubreuil (3) , Y. Thimont (2) , S. Guillemet (2) , L. Presmanes (2) , Stéphane Calvez (1)

Process for integrating multiple porous silicon membranes with variable characteristics into planar microfluidics **hal-04776651v1** Douglas Silva de Vasconcellos (1), David Bourrier (2), Éric Imbernon (2), Kata Hajdu (1), Yingning He (1), Thierry Leïchlé (1, 3)

Concept and technology for full monolithic MOSFET and JBS vertical integration in multi-terminal 4H-SiC power converters **hal-04697223v1** Ralph Makhoul (1) , Nour Beydoun (2) , Abdelhakim Bourennane (1, 3) , Luong Viet Phung (4) , Frédéric Richardeau (5) , Mihai Lazar (2) , Philippe Godignon (6, 7) , Dominique Planson (8, 9) , Hervé Morel (8) , David Bourrier (10)

Intégration de nanoparticules magnétiques douces sur inductances planaires pour applications RF

**hal-04904622v1** Melik Maksem (1, 2), Adrien Bourgine (3), Kosseila Ait-Oukaci (1, 2), Georgiana Dragomir-Maties (1), Thierry Leichle (4, 5), David Bourrier (6), Alexandre Rumeau (7), Thomas Blon (1), Lise-Marie Lacroix (8, 1), Thierry Parra (2)

Shadow-mask evaporation for the fabrication of optical filters with spatially tailored thickness **hal-04515494v1** Stéphane Calvez (1), David Bourrier (2), Justine Bonneau (2), Ludovic Salvagnac (2), Pascal Dubreuil (2), Isabelle Séguy (3), Henri Camon (1)

Dépôts sous vide

Publications en lien avec la zone

Stéphane Calvez, J. Bonneau, David Bourrier, Ludovic Salvagnac, Pascal Dubreuil, et al. **Dépôts 2.5D par évaporation à travers des masques demi-teinte.** Journées Nationales des Technologies Emergentes, Nov 2024, Saint Etienne, France. (hal-04815070)
Vidushi Singh, Tao Wu, Ludovic Salvagnac, Samuel Charlot, Carole Rossi. **Optimization of combustion regime through TiB₂-Molar Ratios in Ternary Al-TiB₂/CuO Reactive Multilayer Films.** 2024 International Nano-Structured Energetic Materials Workshop (2024NSEMs), Nanjing University of Science and Technology, Nov 2024, Nanjing, France. (hal-04701300)

Luis Abraham Lozano Hernandez, Isabelle Séguy, Ludovic Salvagnac, Julien Roul, Fabien Lemarchand, et al.. **Strategies for improving the efficiency of blue OLEDs for a lab-on-chip sensor.** SPIE Photonics Europe. Organics Electronics and Photonics: Fundamentals and devices, SPIE, Apr 2024, Strasbourg, France. pp.71/76, (10.1117/12.3022065). (hal-04598572)

Stéphane Calvez, David Bourrier, Justine Bonneau, Ludovic Salvagnac, Pascal Dubreuil, et al.. **Shadow-mask evaporation for the fabrication of optical filters with spatially tailored thickness.** Photonics West 2024 -- Advanced Fabrication Technologies for Micro/Nano Optics and Photonics XVII, Jan 2024, San Francisco (CA, USA), United States. pp.128980J-3, (10.1117/12.3000178). (hal-04515494)

Vidushi Singh, Tao Wu, Ludovic Salvagnac, Alain Estève, Carole Rossi. **Ignition and Combustion Characteristics of Al/TiB₂ 2-Based Nanothermites: Effect of Bifuel Distribution.** ACS Applied Nano Materials, 2024, 7 (4), pp.3977-3987. (10.1021/acsanm.3c05578). (hal-04439528)

## Publications en lien avec les projets du LAAS

Manon Drob, Ayman Hoblos, Jesukpego Anorld Capo Chichi, Pascal Dubreuil, Ludovic Salvagnac, et al.. **Al2O3 par ALD : un encapsulant structurable pour les composants photoniques à matériau à transition de spin.** Workshop du GDR RAFALD, Nov 2024, Nantes (France), France. poster #4, 2024. (hal-04794507)

## Publications en lien avec les projets externes

Ludmilla Sturm, Marzena Banasiewicz, Irena Deperasinska, Boleslaw Kozankiewicz, Olaf Morawski, et al.. **Higly Luminescent Aceno[6]helicenones by Intramolecular Radical Cyclization.** Chemistry - A European Journal, 2024, 30 (72), pp.e202403482. (10.1002/chem.202403482). (hal-04778248)

## Épitaxie par jets moléculaires

### Publications en lien avec la zone

Alexandre Arnoult, Youri Rousseau, Patrick Gérard, Laurent Cerutti, " **Automatic Lattice Mismatch Control Assisted by Curvature**", EZ-Curve Webinar, https://www.youtube.com/watch?v=V-WQizD9Jjk, 5/11/2024, hal-04820158v1

Pierre Gadras, Léo Bourdon, Antoine Fées, Karim Ben Saddik, Guilhem Almuneau, Alexandre Arnoult, Quentin Gravelier "Combining in-situ measurements in molecular beam epitaxy: Study of AlGaAs properties at growth temperature", Poster, VCSEL Days 2024, hal-04710142v1

Alexandre Arnoult, Claudine Payen, Hugues Granier, Quentin Gravelier, Léo Bourdon, Thony Corbin, Vincent Brossa, Stéphane Grondin, Christelle Ecrepon, Erwan Cossec, Monique Dilhan, Jean Marc Chatelet, Anass Taoussi, Franck Clément, Romain Richard, Youri Rousseau, Romain Bruder, Jean Louis Guyaux, Pierre Gadras, Guilhem Almuneau, Sébastien Plissard « **Epicentre: A RIBER/LAAS CNRS joint lab for optimization and automation of MBE process**», VCSEL Days 2024, Invited talk, hal-04937155v1

Alexandre Arnoult, Pierre Gadras, Léo Bourdon, Guilhem Almuneau, "Some selected in situ characterization tools for MBE growth and their complementarity", European Workshop on Innovative and Advanced Epitaxy, 06/2024, Vilnius (invited talk), hal-04769109v1
Alexandre Arnoult, Pascal Dubreuil, Pierre Gadras, Léo Bourdon, Stéphane Calvez, Guilhem Almuneau, "In-situ and real-time characterization instruments for molecular beam epitaxy and chemical vapor deposition", JNMO 2024: Journées Nano, Micro et Optoélectronique 1-4 oct. 2024 Sète - Montpellier (France) (invited talk), hal-04937176v1

Alexandre Arnoult, S. Plissard "EPICENTRE: innovations technologiques en épitaxie par jets moléculaires », Le petit illustré, regards croisés de chercheur. es, dépliant central, hal-04540814v1

Youri Rousseau, Jean-Louis Guyaux, Alexandre Arnoult, "Instrument and method for measuring the curvature of a surface of a sample", US Patent APP. 18/699,884

## Publications en lien avec les projets du LAAS

R Calviac, A Rouxel, S Charlot, D Bourrier, A Arnoult, A Monmayrant, O Gauthier-Lafaye, A Gauguet, B Allard, "Bose-Einstein condensate source on a optical grating-based atom chip for quantum sensor applications", Physical Review Applied, 2025, 23, pp.L01100, hal-04761479v1

Guilhem Almuneau, Walery Kolkowski, Iwona Pasternak, Marcin Gebski, Weronika Glowadzka, P Śpiewak, M Wasiak, Tomasz Czyszanowski, Guillaume Courtois, Markus Miller, Philipp Gerlach, Roland Jäger, Pieter Verhulst, Alexandre Arnoult, Karim Ben Saddik, Wlodzimierz Strupinskii, "Emerging technology for future VCSELs", ICMOVPE XXI, 2024, hal-04769050v1

Mohamed Ali Khaled, Leonardo Cancellara, Salima Fekraoui, Richard Daubriac, François Bertran, Chiara Bigi, Quentin Gravelier, Richard Monflier, Alexandre Arnoult, Corentin Durand, Sébastien R Plissard, "Large-Scale Epitaxial Integration of Single-Crystalline BiSb Topological Insulator on GaAs (111) A", ACS Appl. Electron. Mater. 2024, 6, 5, 3771-3779, hal-04584442v1

Pierre Gadras, Léopold Boudier, L Bourdon, Antoine Fées, A Ben Saddik, Guilhem Almuneau, Alexandre Arnoult, "Controlling growth rate and band-gap by combining in situ measurements and reflectance model for molecular beam epitaxy fabrication", PV School 2024-Thematic school on Physics of Solar Cells, hal-04710119v1

Mohamed Ali Khaled, Danny Petty Gweha Nyoma, Salima Fekraoui, Leonardo Cancellara, Richard Daubriac, Thomas Blon, Benjamin Lassagne, Jean-Francois Bobo, Francois Bertran, Chiara Bigi, Quentin Gravelier, Alexandre Arnoult, Corentin Durand, Sébastien Plissard, "Epitaxial Topological Insulator Bi1-xSbx Ims on GaAs substrates for Spintronic applications", Journées de la Matière Condensée, Société Française de Physique, Oct 2024, Marseille, France, hal-04949065v1

Salima Fekraoui, Ali Khaled Mohamed, Richard Daubriac, Quentin Gravelier, Richard Monflier, Alexandre Arnoult, Corentin Durand, Danny-Petty Gweha-Nyoma, Thomas Blon, Sébastien Plissard, "Characterization of epitaxial Bi1-xSbx topological insulator thin films on GaAs(111) substrates", Journées de la Matière Condensée 2024, Société Française de Physique, Oct 2024, Marseille, France, hal-04946094v1

Hugo Villanti, Jean-Baptiste Doucet, Sébastien Plissard, Alexandre Arnoult, Benjamin Reig, Laurent Dupont, Véronique Bardinal, "Planar alignment of liquid crystal molecules along self-assembled GaAs quantum dashes", 50th International Micro and Nano Engineering Conference MNE2024, Sep 2024, Montpellier, France, hal-04939064v1

## Gravure plasma

### Publications en lien avec la zone

Mathieu Arribat, Aurélie Lecestre. Rétrofit ALCATEL AMS 4200. Journées Renatech Lithographie-Gravure 2024, Jun 2024, Valbonne, France. (hal-04608331)
## Publications en lien avec les projets du LAAS

Aleksandra Marković, Mathis Lefebvre, Laurent Mazenq, Samuel Charlot, Marc Gély, et al. Suspended tip overhanging from chip edge for atomic force microscopy with an optomechanical resonator. Journal of Optical Microsystems, 2024, 4 (3), pp.033501. (10.1117/1.JOM.4.3.033501). (hal-04689661)

Raid Gourad, Ralph Makhoul, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Alain Cazarré, et al. Improvement of O 2 plasma etching for diamond power MOSFET fabrication. 2024. (hal-04682037)

Nicolas Mallet, Jonas Müller, Julien Pezard, Fuccio Cristiano, Raghda Makarem, et al. Metallic Nanoalloys on Vertical GaAs Nanowires: Growth Mechanisms and Shape Control of Ni-GaAs Compounds. ACS Applied Materials & Interfaces, 2024, 16 (2), pp.2449-2456. (10.1021/acsami.3c09689). (hal-04639884)

K Moustakas, L Cancellara, N Pezzato, A Lecestre, T Mikolaijk, et al. Engineering Thin HZO Ferroelectric Layers: From Material Study to 3D Integration for Vertical Gate-All-Around FeFETs. EuroSoi - Ulis, May 2024, Athens, Greece. (hal-04630069)

Aziliz Lecomte, Adrian Laborde, Marie-Charline Blatche, Aurélie Lecestre, Fabrice Mathieu, et al. NeuroNets: Advancing SU-8-Based Flexible Self-Standing Microdevices for 3D Brain Model Interface. Micro Nano Engineering Conference 2024, Sep 2024, Montpellier, France. (hal-04730814)

Abhishek Kumar, Jonas Müller, Sylvain Pelloquin, Aurélie Lecestre, Guilhem Larrieu. Logic Gates Based on 3D Vertical Junctionless Gate-All-Around Transistors with Reliable Multilevel Contact Engineering. Nano Letters, 2024, 24 (26), pp.7825-7832. (10.1021/acs.nanolett.3c04180). (hal-03600982)

Emilie Belot, Blatche Marie-Charline, Fabrice Mathieu, Bardie Frank, Laurent Mazenq, et al. Development of transparent nanowire array technology for high resolution electrophysiology of brain-on-chip. Journées Nationales Nanofils Semiconducteurs, Jun 2024, Palaiseau, France. (hal-04730546)

Jonas Müller, Nicolas Mallet, Rémi Demoulin, Leonardo Cancellara, Aurélie Lecestre, et al. Understanding and control of the formation of metallic nanoscale silicide contacts on vertical nanostructured channel for advanced 3D nanoelectronics devices: from Si to high mobility materials. E-MRS Fall 2024, Sep 2024, Warsaw, Poland. (hal-04714304)

Jonas Müller, Nicolas Mallet, Rémi Demoulin, Leonardo Cancellara, Aurélie Lecestre, et al. Understanding and control of the formation of metallic nanoscale silicide contacts on vertical nanostructured channel for advanced 3D nanoelectronics devices: from Si to high mobility materials. E-MRS Fall 2024, Sep 2024, Warsaw, Poland. (hal-04714304)

Konstantinos Moustakas, Leonardo Cancellara, Niccolo Pezzato, Bruno Neckel Wesling, Aurélie Lecestre, et al. Integration of 10nm Ferroelectric HZO Layer on Vertical Nanowires for Low-Energy Neuromorphic Architecture. J2N-2024 : Journées Nationales Nanofils semiconducteurs, Jun 2024, Palaiseau, France. (hal-04730956)
Konstantinos Moustakas, Leonardo Cancellara, Niccolo Pezzato, Bruno Wesling, Aurélie Lecestre, et al. *Integration of ferroelectric materials on advanced gate-all-around device - an introduction.* ESSERC 2024, Sep 2024, Bruges, Belgium. (hal-04731047)

## Jet d'encre et traitements de surface

### Publications en lien avec la zone

Tao Wu, Vidushi Singh, Baptiste Julien, Maria-Isabel Mendoza-Diaz, Fabien Mesnilgrente, et al. *Design and fabrication of a fast-response and low-energy input micro igniter*. Sensors and Actuators A: Physical, 2024, 376, pp.115573. (10.1016/j.sna.2024.115573). (hal-04616048)

### Publications en lien avec les projets du LAAS

Sylvain Landiech, Marianne Elias, Pierre Lapèze, Hajar Ajiyel, Marine Plancke, et al. *Parallel on-chip micropipettes enabling quantitative multiplexed characterization of vesicle mechanics and cell aggregates rheology*. APL Bioengineering, 2024, 8 (2), pp.026122. (10.1063/5.0193333). (hal-04616249)

Jade Genetelli, Antoine Naillon, Fabien Mesnilgrente, Pierre Joseph, Marc Prat. *Drying of Salt Solutions in Model Porous Media*. GDR MicroNanofluidics 2024, Nov 2024, Nice, France. (hal-04941769)

## Lithographie Laser

### Publications en lien avec la zone

Comparaison de procédés de lithographie, une initiative du groupe Euronanolab Lithographies hal-04611256v1

Laurent Mazenq (1), Edmond Cambril (2), Adrian Laborde (1), Jean-René Coudevylle (2), Pierre-François Calmon (1), Nathalie Bardou (2), Franck Carcenac (1), David Colin (1)

### Publications en lien avec les projets du LAAS

Clip-Chips: 3D printed microfluidic and characterization modules for cell culture applications hal-04885986v1

M Sagot (1), D Rojas (2, 1), David Bourrier (3), A Arcas (2, 1), A Ferrand (2), Bastien Venzac (1)

Parallel on-chip micropipettes enabling quantitative multiplexed characterization of vesicle mechanics and cell aggregates rheology hal-04616249v1

Sylvain Landiech (1), Marianne Elias (1), Pierre Lapèze (1), Hajar Ajiyel (1), Marine Plancke (1), Blanca González-Bermúdez (2), Adrian Laborde (3), Fabien Mesnilgrente (3), David Bourrier (3), Debora Berti (4), Costanza Montis (4), Laurent Mazenq (3), Jérémy Baldo (1), Clément Roux (5, 6), Morgan Delarue (1), Pierre Joseph (1)

NIR photopolymerization self-writing process for fiber-to fiber and VCSEL-to-fiber single mode coupling hal-04598598v1

Nessim Jebali (1), Céline Molinaro (2), Julie Jermann (2), Julien Roul (3, 4), Vincent Raimbault (5), Pierre-François Calmon (6), Benjamin Reig (6), Olivier Soppera (2), Véronique Bardinal (1)

### Publications en lien avec les projets externes

Du silicium au circuit CMOS. Pédagogie active par Apprentissage Par Projet hal-04838433v1
Hélène Tap (1), R.P. Tan (2), Olivier D Bernal (1), Pierre-François Calmon (3), C. Rouabhi (2), C. Capello (2), J. Schauber (2), J-B. Lincelles (2), F. Gessinn (2), M. Caron (2), J. Harmel (2), M. Respaud (2, 4, 5)

## Lithographie electronique

### Publications en lien avec la zone

#### Résine pour la lithographie Electronique : Tests sur la HSQ Em Resist en poudre

Justine Harmel, Laure Noé, Sébastien Pinaud, Laurent Mazenq, Franck Carcenac, et al.
Journées Renatech Lithographie/Gravure 2024, Jun 2024, CRHEA (Valbonne), France. 2024
https://hal.science/hal-04610482v1

#### Scripting" PYTHON des dessins en EBL : une expérience de l'évolution de l'accueil des projets

Franck Carcenac, Jean-Baptiste Doucet, Laurent Mazenq
JOURNÉES RENATECH LITHO/GRAVURE 2024 3, CHREA, Jun 2024, Valbonne (06560), France
https://hal.science/hal-04630580v1

#### Comparaison de procédés de lithographie, une initiative du groupe Euronanolab Lithographies

Laurent Mazenq, Edmond Cambril, Adrian Laborde, Jean-René Coudevylle, Pierre-François Calmon, Nathalie Bardou, Franck Carcenac, David Colin
JOURNÉES RENATECH LITHO/GRAVURE 2024 3, CHREA, Jun 2024, Valbonne (06560), France
https://hal.science/hal-04611256v1

### Publications en lien avec les projets du LAAS

#### Design and fabrication of nanostructured photothermal interfaces for hybrid energy devices

Sébastien Hanauer, Léopold Boudier, Sélyan Beldjoudi, Ihar Faniayeu, Alexandre Dmitriev, et al.
Micro and Nano Engineering 2024 (MNE2024), IMNES; LAAS, Sep 2024, Montpellier, France
https://hal.science/hal-04710985v1

#### Suspended tip overhanging from chip edge for atomic force microscopy with an optomechanical resonator

Aleksandra Marković, Mathis Lefebvre, Laurent Mazenq, Samuel Charlot, Marc Gély, et al.
Journal of Optical Microsystems, 2024, 4 (3), pp.033501.
https://hal.science/hal-04689661v1

#### Annealed Gallium-Doped Zinc Oxide (ZnO:Ga) Thin Films for Sub-ppm NO2 Sensing

Benjamin Paret, Philippe Menini, Thierry Camps, Yohann Thimont, Antoine Barnabé, et al.
PROCEEDINGS, 2024, 97 (1), pp.61. (10.3390/proceedings2024097061)
https://hal.science/hal-04796318v1

#### Development of transparent nanowire array technology for high resolution electrophysiology of brain-on-chip

Emilie Belot, Blatche Marie-Charline, Fabrice Mathieu, Bardie Frank, Laurent Mazenq, et Journées
Nationales Nanofils Semiconducteurs, Jun 2024, Palaiseau, France
https://hal.science/hal-04730546v1

#### Grating design methodology for laser cooling

Romain Calviac, Antoine Monmayrant, Pascal Dubreuil, Laurent Mazenq, Samuel Charlot, et al.
Journal of the Optical Society of America B, 2024, 41 (7), pp.1533-1540. https://hal.science/hal-04613751v1
## Sondes optomécaniques : vers l'AFM aux fréquences GHz

Suyambulingham Subramanian, Clément Le Fur, Lucien Schwab, Ilan Shlesinger, Pierre Allain, et al. Forum de microscopie à sondes locales, Apr 2024, Lyon, France
https://hal.science/hal-04562805v1

## Nanowires vs Neurons : engineering network scale guidance and promoting biointerface through nanotopographical cues

Aziliz Lecomte, Adrien Casanova, Marie-Charline Blatché, Jade Gonzalès, Amina Ajagli, et al. Micro Nano Engineering Conference 2024, Sep 2024, Montpellier, France
https://hal.science/hal-04730783v1

## Parallel on-chip micropipettes enabling quantitative multiplexed characterization of vesicle mechanics and cell aggregates rheology

Sylvain Landiech, Marianne Elias, Pierre Lapèze, Hajar Ajiyel, Marine Plancke, et al. APL Bioengineering, 2024
https://hal.science/hal-04616249v1

## Publications en lien avec les projets externes

### Genotypic and phenotypic characterisation of respiratory syncytial virus after nirsevimab breakthrough infections: a large, multicentre, observational, real-world study

Slim Fourati, Alawiya Reslan, Jérôme Bourret, Jean-Sébastien Casalegno, Yannis Rahou, et al. The Lancet Infectious Diseases, 2024
https://hal.science/hal-04743079v1

## Nano impression

### Publications en lien avec la zone

Léopold Boudier, Tanneguy Blandin, Jean Baptiste Doucet, Franck Carcenac, Henri Camon, et al. **Nano-impression par moule souple pour les méta-surfaces actives.** OPTIQUE Normandie 2024, Jul 2024, Rouen, France. 2024. (hal-04709148)

Léopold Boudier, Tanneguy Blandin, Jean Baptiste Doucet, Emmanuelle Daran, Franck Carcenac, et al. **Distortion pre-compensation in soft nanoimprint process for mix-and-match process with traditional UV lithography.** Micro Nano Engineering 2024 (MNE2024), Sep 2024, Montpellier, France. , 2024. (hal-04711025)

Sébastien Hanauer, Léopold Boudier, Sélyan Beldjoudi, Ihar Faniayeu, Alexandre Dmitriev, et al. **Design and fabrication of nanostructured photothermal interfaces for hybrid energy devices.** Micro and Nano Engineering 2024 (MNE2024), IMNES; LAAS, Sep 2024, Montpellier, France. (hal-04710985)

### Planar alignment of liquid crystal molecules along self-assembled GaAs quantum dashes

Hugo Villanti<sup>a</sup>, Jean-Baptiste Doucet<sup>a</sup>, Sébastien Plissard<sup>a</sup>, Alexandre Arnoult<sup>a</sup>, Benjamin Reig<sup>a</sup>, Laurent Dupont<sup>b</sup> and Véronique Bardinal<sup>a</sup>
<sup>a</sup>LAAS-CNRS, <sup>b</sup>IMT Atlantique Brest

*Micro Nano Engineering* 2024 (MNE2024), Sep 2024, Montpellier, France. 2024
(dépôt hal en cours)
## Publications en lien avec les projets du LAAS

Nessim Jebali, Céline Molinaro, Julien Roul, Julie Jermann, Jean-Baptiste Doucet, et al. NIR photopolymerization self-writing process for fiber-to-fiber single mode coupling. *Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering*, 2024, pp.31. (10.1117/12.3017607). (hal-04779658)

Léopold Boudier, Sébastien Hanauer, Jean Baptiste Doucet, Rodolphe Vaillon, Guilhem Almuneau, et al. Technological realization of a hybrid photovoltaic-thermoelectric system. *Physics of Solar Cells: from basic principles to high performance*, May 2024, Les Houches, France. 2024. (hal-04743829)

**Correlated disordered nanostructures for light trapping in ultrathin solar cells**

Laura de Almeida¹, Inès Revol¹, Jean-Baptiste Doucet¹, Mathieu Arribat¹, Guilhem Almuneau¹, Stéphane Collin ²,³

¹LAAS-CNRS, ²C2N,³IPVF

Poster JNPV 2024, Dourdan (dépôt hal en cours)

**Disordered nanostructures for light trapping in tandem solar cells**

L. DE ALMEIDA¹, I. REVOL1, J-B. DOUCET¹, G. ALMUNEAU¹, S. COLLIN²

¹LAAS-CNRS ²C2N

Poster, Ecole d'été, les Houches (dépôt hal en cours)

**Self-aligned connection between two single fibers with a near infrared photopolymerization process**

Nessim Jebaliª, Céline Molinaroᵇ,ᶜ, Julien Roulª, Julie Jermannᵇ,ᶜ, Jean-Baptiste Doucetª, Benjamin Reigª Olivier Sopperaᵇ,ᶜ, Véronique Bardinalª

ªLAAS-CNRS, ᵇ Université de Haute-Alsace, CNRS, IS2M, ᶜUniversité de Strasbourg

JNTE 2024 Saint-Etienne (dépôt hal en cours)

## Packaging

### Publications en lien avec la zone

Design and fabrication of a fast-response and low-energy input micro igniter, Sensors and Actuators
A: Physical, 2024, 376, pp.115573. (10.1016/j.sna.2024.115573), .Tao Wu, Vidushi Singh, Baptiste Julien, Maria-Isabel Mendoza-Diaz, Fabien Mesnilgrente, et al. Article dans une revue hal-04616048v1.

Optimization of combustion regime through TiB₂-Molar Ratios in Ternary Al-TiB₂/CuO Reactive Multilayer Films, 2024 International Nano-Structured Energetic Materials Workshop (2024NSEM), Nanjing University of Science and Technology, Nov 2024, Nanjing, France. (10.1021/acs.jpcb.6b01100), Vidushi Singh, Tao Wu, Ludovic Salvagnac, Samuel Charlot, Carole Rossi. Communication dans un congrès hal-04701300v1.

Suspended tip overhanging from chip edge for atomic force microscopy with an optomechanical resonator, Journal of Optical Microsystems, 2024, 4 (3), pp.033501. (10.1117/1.JOM.4.3.033501), Aleksandra Marković (1), Mathis Lefebvre (2), Laurent Mazenq (3), Samuel Charlot (3), Marc Gély (2), Aurélie Lecestre (3), Mathieu Arribat (3), Guillaume Jourdan (2, 2), Bernard Legrand (1). Article dans une revue hal-04689661v1.

Grating design methodology for laser cooling, Journal of the Optical Society of America B, 2024, 41 (7), pp.1533-1540. (10.1364/JOSAB.519552), Romain Calviac, Antoine Monmayrant, Pascal Dubreuil, Laurent Mazenq, Samuel Charlot, et al. Article dans une revue hal-04613751v1.
**Les mauvais réseaux font de bons atomes froids**, Optique Normandie 2024 (Nanophotonique), SFO, Jul 2024, Rouen, France, Romain Calviac, Antoine Monmayrant, Pascal Dubreuil, Laurent Mazenq, Samuel Charlot, et al. Communication dans un congrès hal-04682189v1.

**Advancing SU-8-Based Flexible Self-Standing Microdevices for 3D Brain Model Interface**, Micro Nano Engineering Conference 2024, Sep 2024, Montpellier, France, Aziliz Lecomte (1), Adrian Laborde (2), Marie-Charline Blatche (3), Aurélie Lecestre (2), Fabrice Mathieu (3), Samuel Charlot (2), Guilhem Larrieu (1). Communication dans un congrès hal-04730814v1.

## Publications en lien avec les projets du LAAS

**Travaux du workshop AC PAC Workshop 19 mars 2024**, LAAS - CNRS; FEMTO-ST; CEA-LETI. 2024, Hugues Granier (1), Samuel Charlot (1), Thomas Baron (2), Sylwester Bargiel (2), David Henry (3). Rapport hal-04773211v1

**Action concertée Packaging**, Journées Nationales 2024 du PEPR électronique, Mar 2024, Grenoble, France. 2024, Hugues Granier (1), Samuel Charlot (1), Thomas Baron (2), Sylwester Bargiel (2), David Henry (3). Poster hal-04521788v1

**AC PAC CR Workshop GREMAN** décembre 2023, LAAS - CNRS. 2024, Hugues Granier (1), Samuel Charlot (1), Thomas Baron (2), Sylwester Bargiel (2), David Henry (3). Rapport hal-04395335v1

**Packaging concerted action presentation**, Minapad 2024, Imaps France, Jun 2024, Grenoble, France, Hugues Granier (1), Samuel Charlot (1), Thomas Baron (2), Sylwester Bargiel (2), David Henry (3). Communication dans un congrès hal-04628001v1

**Design and fabrication of a fast-response and low-energy input micro igniter.** Tao Wu (1), Vidushi Singh (1), Baptiste Julien (1), Maria-Isabel Mendoza-Diaz (1), Fabien Mesnilgrente (2), Samuel Charlot (2), Carole Rossi (1). Article dans une revue, hal-04616048v1

**AC PAC 19 mars 2024 bilan 2023**, LAAS - CNRS. 2024, Hugues Granier (1), Samuel Charlot (1), Thomas Baron (2), Sylwester Bargiel (2), David Henry (3). Rapport hal-04521819v1

## Photolithographie

### Publications en lien avec la zone

Laurent Mazenq, Edmond Cambril, Adrian Laborde, Jean-René Coudevylle, Pierre-François Calmon, et al. Comparaison de procédés de lithographie, une initiative du groupe Euronanolab Lithographies. JOURNÉES RENATECH LITHO/GRAVURE 2024, Jun 2024, Valbonne (06560), France. (hal-04611256)

### Publications en lien avec les projets du LAAS

Aziliz Lecomte, Adrian Laborde, Marie-Charline Blatche, Aurélie Lecestre, Fabrice Mathieu, et al. NeuroNets: **Advancing SU-8-Based Flexible Self-Standing Microdevices for 3D Brain Model Interface**. Micro Nano Engineering Conference 2024, Sep 2024, Montpellier, France. (hal-04730814)

### Publications en lien avec les projets externes

Camille Bene, Adrian Laborde, Morgan Légnani, Emmanuel Flahaut, Jérôme Launay, et al. Study of Ion-to-Electron Transducing Layers for the Detection of Nitrate Ions Using FPSX(TDDAN)-Based Ion-Sensitive Electrodes. Sensors, 2024, 24 (18), pp.5994:1-13. (10.3390/s24185994). (hal-04698092)
Sylvain Landiech, Marianne Elias, Pierre Lapèze, Hajar Ajiyel, Marine Plancke, et al. Parallel on-chip micropipettes enabling quantitative multiplexed characterization of vesicle mechanics and cell aggregates rheology. APL Bioengineering, 2024, 8 (2), pp.026122. (hal-04616249)

Pierre Groc, Guy Cathébras, Vincent Kerzérho, Adrian Laborde, Fabien Soulier, et al. Multi-Micro-Sensor Platform for Monitoring Toxic Algal Blooms and Pollution in Coastal Marine Waters: Transducer Integration in Micro-Technology. Eurosensors XXXV, Sep 2023, Lecce, Italy. pp.94, (10.3390/proceedings2024097094). (lirmm-04612308)

## Traitements thermiques et implantation ionique

### Publications en lien avec la zone

Douglas Silva de Vasconcellos, David Bourrier, Éric Imbernon, Kata Hajdu, Yingning He, et al. Process for integrating multiple porous silicon membranes with variable characteristics into planar microfluidics. Sensors and Actuators A: Physical, 2024, 377, pp.115715. (10.1016/j.sna.2024.115715). (hal-04776651)

Richard Monflier, Richard Daubriac, Mahmoud Haned, Toshiyuki Tabata, François Olivier, et al. Impact of impurities on leakage current induced by High-Energy Density Pulsed Laser Annealing in Si diodes. 2025. (hal-04878600)

### Publications en lien avec les projets du LAAS

Juan Esteban Montoya Cardona, Sylvain Joblot, Richard Monflier, Éric Imbernon, Aubin Antonsanti, et al. Detection of Neutron Irradiation-Induced Crystal Defects in Silicon with Photoluminescence, Deep Level Transient Spectroscopy and Dark Current Measurements on CMOS Image Sensors. RADiation Effects on Components and Systems, Sep 2024, Maspalomas, Spain. (hal-04931209)
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ANNEXE 2 : EQUIPEMENTS AU 1er JANVIER 2025 (extraction depuis l'application Myfab)

<table><thead><tr><td>Nom (code facturation)</td><td>Réf</td><td>Zone</td><td>Responsable</td><td>Equipementier</td><td>Modèle</td></tr></thead><tbody><tr><td>Scie diamanté DAD-321 MOS (A-MONT)</td><td>A1</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>DISCO</td><td>DAD-321</td></tr><tr><td>Micro-soudeuse TPT HB-16 MOS (A-MONT)</td><td>A10</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>TPT</td><td>HB-16</td></tr><tr><td>Micro-soudeuse KnS 4526 MOS (A-MONT)</td><td>A11</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Kulicke and Soffa</td><td>4526</td></tr><tr><td>Micro-soudeuse KnS 4700 MOS (A-MONT)</td><td>A12</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Kulicke and Soffa</td><td>4700</td></tr><tr><td>Etuve Horo (A-MONT)</td><td>A17</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>HORO</td><td>250</td></tr><tr><td>Etuve TETHYS (A-MONT)</td><td>A18</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>TETHYS</td><td>Fisher-Band</td></tr><tr><td>Wafer Substrate Bonding MOS (A-POLI)</td><td>A19</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Logitech</td><td>WSB1</td></tr><tr><td>Scriber Karl-SUSS RH-100 MOS (A-MONT)</td><td>A2</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Karl-SUSS</td><td>RH-100</td></tr><tr><td>Hotte polissage (F-FRAI)</td><td>A20</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>unknouwn</td><td>unknouwn</td></tr><tr><td>Hotte montage (F-FRAI)</td><td>A21</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>unknouwn</td><td>unknouwn</td></tr><tr><td>Micro Injecteur (A-MONT)</td><td>A23</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Narishige</td><td>IM 300</td></tr><tr><td>Film monter UH-115 MOS (A-MONT)</td><td>A24</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Ultron Systems, Inc.</td><td>UH-115</td></tr><tr><td>Nettoyage wafers UH-117 MOS (A-MONT)</td><td>A25</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Ultron Systems, Inc.</td><td>UH-117</td></tr><tr><td>Wafer bonder AML MOS (A-INTE)</td><td>A28</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>AML</td><td>WB4</td></tr><tr><td>Shipley 360 MOS (A-INTE)</td><td>A29</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Shipley</td><td>360</td></tr><tr><td>Scriber SET MOS (A-MONT)</td><td>A3</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>SET</td><td>A3</td></tr><tr><td>Sérigraphie MOS (A-INTE)</td><td>A30</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>DEK</td><td>01i</td></tr><tr><td>Carotteuse ultra sonique MOS (A-MONT)</td><td>A31</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>fishione</td><td>170</td></tr><tr><td>Plaque chauffante 300°Cx (A-INTE)</td><td>A32</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Sawatec</td><td>HP-401-Z</td></tr><tr><td>Four de refusion NOMOS (A-INTE)</td><td>A33</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Madell</td><td>TYR108C</td></tr><tr><td>Viscosimètre (F-FRAI)</td><td>A34</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Fungilab</td><td>smart</td></tr><tr><td>Jauge de mesure d'épaisseur MOS (A-POLI)</td><td>A35</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Logitech</td><td>SYLVAC CH-1023 Crissier</td></tr><tr><td>Mesure planéité MOS (A-POLI)</td><td>A36</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Logitech</td><td>GI20</td></tr><tr><td>Wafer bonder SUSS NOMOS (A-INTE)</td><td>A37</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>SUSS</td><td>SB6e</td></tr><tr><td>Shipley 3024 MOS (A-INTE)</td><td>A38</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Shipley</td><td>3024</td></tr><tr><td>Polisseuse ESCIL (A-POLI)</td><td>A39</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Escil</td><td>ESC200</td></tr></tbody></table>
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<table><thead><tr><td>Nom (code facturation)</td><td>Réf</td><td>Zone</td><td>Responsable</td><td>Equipementier</td><td>Modèle</td></tr></thead><tbody><tr><td>Grinder G&amp;N MOS (A-POLI)</td><td>A4</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Grinder</td><td>MPS2 R300 D CS</td></tr><tr><td>Encolleuse (A-MONT)</td><td>A40</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Janome</td><td>GLT JR2400N</td></tr><tr><td>Scriber JFP-S100 MOS (A-MONT)</td><td>A41</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Olivier Gauthier-Lafaye</td><td>CEFORI</td><td>JFP-S100</td></tr><tr><td>Oscilloscope (F-FRAI)</td><td>A43</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Tektronix</td><td>TDS-2012</td></tr><tr><td>Étuve MEMMERT (A-MONT)</td><td>A45</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Memmert</td><td>UFB400</td></tr><tr><td>Étuve vieillissement thermique (A-MONT)</td><td>A46</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Secasi</td><td>BC21</td></tr><tr><td>Aligneur Suss MOS (A-INTE)</td><td>A47</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>SUSS</td><td>BA8</td></tr><tr><td>Hotte Wafer Bonder (F-FRAI)</td><td>A48</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Devetek</td><td>no model</td></tr><tr><td>Pull shear testeur MOS (A-MONT)</td><td>A49</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Xyztec</td><td>condor sygma</td></tr><tr><td>Polisseuse PM5 MOS (A-POLI)</td><td>A5</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Logitech</td><td>PM5</td></tr><tr><td>Hotte solvants (F-FRAI)</td><td>A50</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Mina services</td><td>inox</td></tr><tr><td>Étuve Thermox (F-FRAI)</td><td>A51</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Véronique BARDINAL</td><td>Thermo scientific</td><td>Vacutherm</td></tr><tr><td>Découpe Graphtec (A-MONT)</td><td>A52</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Vincent Raimbault</td><td>Graphtec</td><td>FC8600</td></tr><tr><td>Form 3 (L- 3D)</td><td>A53</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td></td><td>Formlabs</td><td>Form 3</td></tr><tr><td>Nitrogen atmosphere oven (F-FRAI)</td><td>A54</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Adrian Laborde</td><td>Verder / Carbolite</td><td>HTMA4028-230SN</td></tr><tr><td>FC150 MOS (A-INTE)</td><td>A55</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>SET</td><td>FC150</td></tr><tr><td>Découpe laser (A-INTE)</td><td>A56</td><td>Integration/ Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>LASEA</td><td>LB014</td></tr><tr><td>Nettoyage Megasons (F-FRAI)</td><td>A57</td><td>Integration/ Device mounting</td><td></td><td>Vaco</td><td>Mega</td></tr><tr><td>Report/Collage Tresky T4907 MOS (A-MONT)</td><td>A6</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Dr Tresky</td><td>T4907</td></tr><tr><td>Report/Collage Tresky T3000 MOS (A-MONT)</td><td>A7</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Dr Tresky</td><td>T3000</td></tr><tr><td>Report eutectique KnS 6482 MOS (A-MONT)</td><td>A9</td><td>Assemblage / Device mounting</td><td>Samuel Charlot</td><td>Kulicke and Soffa</td><td>6482</td></tr><tr><td>FIB Dual Beam (C- FIB)</td><td>C-01</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>FEI</td><td>Helios 600i</td></tr><tr><td>MEB S-4800 (C- MEB)</td><td>C-02</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>HITACHI</td><td>S-4800</td></tr><tr><td>MEB S-3700N (C- MEB)</td><td>C-03</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benoît LANTIN</td><td>HITACHI</td><td>S-3700N</td></tr><tr><td>AFM ICON (C- AFM)</td><td>C-04</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>BRUKER</td><td>Dimension ICON</td></tr><tr><td>FTIR (C-SPEC)</td><td>C-06</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>BRUKER</td><td>TENSOR 27</td></tr><tr><td>Ellipsomètre HJY (C-SPEC)</td><td>C-07</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>Horiba Jobin Yvon</td><td>Uvisel</td></tr></tbody></table>
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<table><thead><tr><th>Digidrop (F-FRAI)</th><th>C-09</th><th>Caractérisation / characterization</th><th>fabien mesnilgrente</th><th>GBX Instrument</th><th>Digidrop</th></tr><tr><th>Nom (code facturation)</th><th>Réf</th><th>Zone</th><th>Responsable</th><th>Équipementier</th><th>Modèle</th></tr></thead><tbody><tr><td>Résistivimètre manuel (F-FRAI)</td><td>C-10</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Eric Imbernon</td><td>---</td><td>---</td></tr><tr><td>Résistivimètre automatique (F-FRAI)</td><td>C-11</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>Changmin Tech</td><td>CMT-SR200</td></tr><tr><td>Profilomètre optique LEXT (F-FRAI)</td><td>C-13</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>Olympus</td><td>OLS LEXT 3100</td></tr><tr><td>Microscope optique Leica (F-FRAI)</td><td>C-14</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>LEICA</td><td>DM4000</td></tr><tr><td>Profilomètre mécanique Tencor P16+ (F-FRAI)</td><td>C-16</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>KLA Tencor</td><td>Tencor P16+</td></tr><tr><td>Spectromètre UV-VIS (C-SPEC)</td><td>C-19</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>PerkinElmer</td><td>lambda650</td></tr><tr><td>Profilomètre mécanique Tencor P17 (F-FRAI)</td><td>C-20</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>KLA Tencor</td><td>Tencor P17</td></tr><tr><td>Differential Scanning Calorimetry (C- DSC)</td><td>C-21</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>NETZSCH</td><td>DSC 404 F3 Pegasus</td></tr><tr><td>Testeur sous pointes (F-FRAI)</td><td>C-23</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Eric Imbernon</td><td>SET</td><td>TR5230</td></tr><tr><td>ThermoGravimetric Analysis TGA (C- DSC)</td><td>C-24</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>Mettler-Toledo</td><td>TGA-02</td></tr><tr><td>Profilomètre optique SNEOX (F-FRAI)</td><td>C-25</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>SensoFar</td><td>SNEOX</td></tr><tr><td>Ellipsometre EP4 (C-SPEC)</td><td>C-26</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>Accurion</td><td>Nanofilm EP4</td></tr><tr><td>Microscope optique 3D microqubic (F-FRAI)</td><td>C-27</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>David Bourrier</td><td>Microqubic</td><td>MRCL700</td></tr><tr><td>MEB VERIOS (C- MEB)</td><td>C-28</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Benjamin Reig</td><td>ThermoFisher</td><td>Verios 5 UC</td></tr><tr><td>left organic solvents fume hood with lowerable window NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-1</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>Fluidair</td><td>to be checked</td></tr><tr><td>Acid/base fume hood (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-10</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>DVTech</td><td>Hotte chimique</td></tr><tr><td>Nanoparticles fume hood NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-11</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>to be precised</td><td>to be checked</td></tr><tr><td>right organic solvents fume hood with lowerable window NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-2</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>Fluidair</td><td>to be checked</td></tr><tr><td>wet batch photoresist stripping by AZ100 remover NoMOS(F-FRAI)</td><td>CHIMIE-3</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>VACO</td><td>to be checked</td></tr><tr><td>wet bench organic solvents PDMS and outgasing NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-4</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>PTS</td><td>Hotte</td></tr><tr><td>clean wet bench organic solvents NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-5</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>DV Tech</td><td>Hotte</td></tr><tr><td>Glove box for HF based chemistry NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-6</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>DVTECH</td><td>to be checked</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_183.png" /></figure>

<table><thead><tr><th>Wet bench metal etching NoMOS (F-FRAI)</th><th>CHIMIE-7</th><th>Procédés humides / Wet process benches</th><th>Daniel FERRI ANGULO</th><th>VACO</th><th>wet bench</th></tr><tr><th>Nom (code facturation)</th><th>Réf</th><th>Zone</th><th>Responsable</th><th>Équipementier</th><th>Modèle</th></tr></thead><tbody><tr><td>acid wet bench for multicleaning and etching NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-8</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>PTS</td><td>092018-001</td></tr><tr><td>semitool Spin Rinse Dryer Main Chem NoMOS (F-FRAI)</td><td>CHIMIE-9</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>Semitool</td><td>PSC-101</td></tr><tr><td>ALD Fiji MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD1</td><td>ALD</td><td></td><td>Cambridge Nanotech</td><td>Fiji F200</td></tr><tr><td>ALD TFS200 NoMOS (T- CVD)</td><td>CVD10</td><td>ALD</td><td>Pascal Dubreuil</td><td>BENEQ</td><td>TFS-200-232</td></tr><tr><td>ALD-LL NoMOS (T- CVD)</td><td>CVD2</td><td>ALD</td><td>David Pech</td><td>Sentech</td><td>Si-ALD-LL ALD024</td></tr><tr><td>ECR PECVD NoMOS (T- CVD)</td><td>CVD3</td><td>PECVD</td><td></td><td>Roth&Rau</td><td>AK400</td></tr><tr><td>Four OXYNIT6 MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD4</td><td>LPCVD</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Four SIPOLY6 MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD5</td><td>LPCVD</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Four Si3N46 MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD6</td><td>LPCVD</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Four Tempress Si-poly MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD7</td><td>LPCVD</td><td>Pascal Dubreuil</td><td>Tempress</td><td>Dépot LPCVD</td></tr><tr><td>ICPECVD MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD8</td><td>PECVD</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>Oxford</td><td>Plasmalab 100 - HDPECVD</td></tr><tr><td>CCPECVD MOS COMPATIBLE (T- CVD)</td><td>CVD9</td><td>PECVD</td><td>Pascal Dubreuil</td><td>ApSy</td><td>Multiplex CVD</td></tr><tr><td>EVA 600 Evaporation NoMOS (D-PRST)</td><td>D1</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Alliance Concept</td><td>EVA 600</td></tr><tr><td>TFE 644 Pulvérisation NoMOS (D-PRST)</td><td>D10</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Thin Film Equipment (TFE)</td><td>644</td></tr><tr><td>EVA 300 Evaporation NoMOS (D-PRST)</td><td>D11</td><td>PVD</td><td>Guillaume Libaude</td><td>Alliance Concept</td><td>EVA 300</td></tr><tr><td>Univex 450 Pulvérisation NoMOS (D-PRST)</td><td>D2</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Oerlikon</td><td>Univex 450C</td></tr><tr><td>Plassys Organiques NoMOS (D-OLED)</td><td>D3</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Plassys</td><td>MEB550B</td></tr><tr><td>Varian Evaporation NoMOS (D-PRST)</td><td>D4</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>MTB Solutions</td><td>Varian 3616</td></tr><tr><td>AC450CT Pulvérisation NoMOS (D-PRST)</td><td>D5</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Alliance Concept</td><td>AC450CT</td></tr><tr><td>ApSy E100 NoMOS (D-PRST)</td><td>D6</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Application Systemes</td><td>E100</td></tr><tr><td>Riber degas NoMOS (D-PRST)</td><td>D7</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Riber</td><td>Degas</td></tr><tr><td>Parylene C30S (D-PARY)</td><td>D8</td><td>PVD</td><td>Guillaume Libaude</td><td>Comelec</td><td>C30S</td></tr><tr><td>Plassys nano MOS (D-PRST)</td><td>D9</td><td>PVD</td><td>Ludovic Salvagnac</td><td>Plassys</td><td>Nano</td></tr><tr><td>Sorbonne dépôt électrolytiques (E-MANU)</td><td>E 25</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td></td><td>PTS</td><td>Yamamoto 4-6 pouces</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_184.png" /></figure>

<table><thead><tr><th>Cvs (E-CARA)</th><th>E11</th><th>Electrochimie/electroplating</th><th>David Bourrier</th><th>Metrhom</th><th>Cvs</th></tr></thead><tbody><tr><td>Nom (code facturation)</td><td>Réf</td><td>Zone</td><td>Responsable</td><td>Équipementier</td><td>Modèle</td></tr><tr><td>Polarographie (E-CARA)</td><td>E12</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>Metrhom</td><td>797 VA Computrace</td></tr><tr><td>Titration (E-CARA)</td><td>E14</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>Metrhom</td><td>Titrando</td></tr><tr><td>Auroless (E-MANU)</td><td>E15</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>Minaservices</td><td>4"</td></tr><tr><td>Paillasse de Développement & Ultrason (F-FRAI)</td><td>E17</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>David Bourrier</td><td>Minaservices</td><td>Ultrasons</td></tr><tr><td>Paillasse de Développement & Stripping (F-FRAI)</td><td>E19</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>David Bourrier</td><td>LAAS</td><td>Developpement</td></tr><tr><td>Gravure KOH (E-ANIS)</td><td>E20</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>David Bourrier</td><td>Minaservices</td><td>KOH</td></tr><tr><td>Gravure TMAH (E-ANIS)</td><td>E21</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>David Bourrier</td><td>Minaservices</td><td>TMAH</td></tr><tr><td>Yamamoto 4" (E-MANU)</td><td>E23</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>Yamamoto</td><td>Smart Cell 4"</td></tr><tr><td>Yamamoto Nickel 4/6" (E-MANU)</td><td>E24</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>Yamamoto</td><td>Plating Set 4" and 6"</td></tr><tr><td>Yamamoto Cuivre 4/6" (E-MANU)</td><td>E7</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>LAAS</td><td>Plating Set 4" and 6"</td></tr><tr><td>Paillasse dépôts Alternatifs (E-MANU)</td><td>E8</td><td>Electrochimie/electroplating</td><td>David Bourrier</td><td>LAAS</td><td>n°1</td></tr><tr><td>Sonication cabin NoMOS (F-FRAI)</td><td>F14</td><td>Other processes</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>DVTECH</td><td>Autotune</td></tr><tr><td>Poste de pesée (F-FRAI)</td><td>F2</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td></td><td>a1-envirosciences</td><td>ST1-12V3/CCU</td></tr><tr><td>UV -ozone NoMOS(F-FRAI)</td><td>F6</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>Jelight</td><td>42-220</td></tr><tr><td>optical microscope NIKON NoMOS(F-FRAI)</td><td>F7</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>NIKON</td><td>to be checked</td></tr><tr><td>ICP2 NoMos (G-ICP)</td><td>G1</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>Trikon (SPTS)</td><td>Omega 201 (1996)</td></tr><tr><td>Olympus MX50 (F-FRAI)</td><td>G10</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>Olympus</td><td>MX50</td></tr><tr><td>SI500-Fluorée NoMOS (G-DRIE)</td><td>G11</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>SENTECH</td><td>SI500-DRIE</td></tr><tr><td>TERGEO NoMOS (F-FRAI)</td><td>G12</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td></td><td>PIE SCIENTIFIC</td><td>TERGEO Plus Plasma Cleaner</td></tr><tr><td>ICP3 NoMos (G-ICP)</td><td>G2</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>Trikon (SPTS)</td><td>Omega 201 (1994)</td></tr><tr><td>ALCATEL P1 MOS (G-DRIE)</td><td>G4</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>ALCATEL-ADIXEN</td><td>AMS4200-P1</td></tr><tr><td>ALCATEL P4 NoMOS (G-DRIE)</td><td>G5</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>Alcatel - Adixen</td><td>AMS4200</td></tr><tr><td>DIENER plasma O2 MOS (F-FRAI)</td><td>G6</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>DIENER</td><td>Nano</td></tr><tr><td>TEPLA plasma O2 NoMOS (F-FRAI)</td><td>G7</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>TEPLA</td><td>300 semi-auto</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_185.png" /></figure>

<table><tr><td>SI200 MOS (G-ICP)</td><td>G8</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>SENTECH</td><td>Etchlab 200</td></tr><tr><td>Nom (code facturation)</td><td>Réf</td><td>Zone</td><td>Responsable</td><td>Équipementier</td><td>Modèle</td></tr><tr><td>SI500-Chlorée MOS (G-ICP)</td><td>G9</td><td>Gravure plasma / Plasma etching</td><td>Aurélie LECESTRE</td><td>SENTECH</td><td>SI500</td></tr><tr><td>Batch Buffer Oxide Etching 1-7 MOS (F-FRAI)</td><td>HOTTE F11</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Eric Imbernon</td><td>cybernétix</td><td>F143 4257</td></tr><tr><td>Implanteur ionique IMC 200 MOS Compatible (I-IMPL)</td><td>I1</td><td>Implantation</td><td>Eric Imbernon</td><td>Eaton</td><td>NV 4206</td></tr><tr><td>Hotte implanteur (F-FRAI)</td><td>I2</td><td>Implantation</td><td></td><td>Minaservice</td><td>Hotte</td></tr><tr><td>SPD NOMOS (J-TRAI)</td><td>J1</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>MEMSSTAR</td><td>SPD</td></tr><tr><td>spectroline 248nm NOMOS (F-FRAI)</td><td>J10</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>Véronique Conédéra</td><td>spectroline</td><td>PC-2200A</td></tr><tr><td>Balance NOMOS (F-FRAI)</td><td>J11</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Mettler</td><td>AE100</td></tr><tr><td>Ceradrop NOMOS (J- JET)</td><td>J12</td><td>Jet d'encre / ink jet</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Ceradrop</td><td>F-Series</td></tr><tr><td>Vacuo-temp NOMOS (F-FRAI)</td><td>J13</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>J.P. SELECTA</td><td>Vacuo-temp</td></tr><tr><td>Ontos (J-TRAI)</td><td>J14</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Ontos</td><td>Ontos TT</td></tr><tr><td>Tousimis NOMOS (J-TRAI)</td><td>J2</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Tousimis</td><td>915B</td></tr><tr><td>SFD NOMOS (J-TRAI)</td><td>J3</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>31 degrees</td><td>SFD 200</td></tr><tr><td>Altadrop NOMOS (J- JET)</td><td>J4</td><td>Jet d'encre / ink jet</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Altatech</td><td>Altadrop</td></tr><tr><td>Paillasse jet d'encre NOMOS (F-FRAI)</td><td>J5</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Coillard</td><td>paillasse pvc</td></tr><tr><td>Paillasse electroless NOMOS (E-MANU)</td><td>J6</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Véronique Conédéra</td><td>Coillard</td><td>paillasse pvc</td></tr><tr><td>Viscosimètre NOMOS (F-FRAI)</td><td>J7</td><td>Caractérisation / characterization</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>anton paar</td><td>AMVn</td></tr><tr><td>UV Ozone NOMOS (F-FRAI)</td><td>J9</td><td>Traitement de surface / Surface treatment</td><td>fabien mesnilgrente</td><td>Jelight</td><td>42</td></tr><tr><td>DWL 200 NoMOS(L- DWL)</td><td>L1</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>HEIDELBERG INSTRUMENTS</td><td>DWL 200</td></tr><tr><td>Laser Nanofactory (L- 3D)</td><td>L10</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>David Bourrier</td><td>FEMTIKA</td><td>Laser Nanofactory</td></tr><tr><td>DILASE 750 NoMOS (L- 2D)</td><td>L2</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>KLOE</td><td>DILASE 750</td></tr><tr><td>PHOTONIC PROFESSIONAL NoMOS (L- 3D)</td><td>L4</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>NANOSCRIBE</td><td>PHOTONIC PROFESSIONAL</td></tr><tr><td>DILASE 3D HR NoMOS (L- 3D)</td><td>L5</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>KLOE</td><td>Dilase 3D</td></tr><tr><td>HMP 90 NoMOS (L- DWL)</td><td>L6</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>SUSS</td><td>HMP 90</td></tr><tr><td>Hotte Litho laser NoMOS (F-FRAI)</td><td>L7</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>DV Tech</td><td>Paillasse</td></tr></table>
<figure><img src="image_186.png" /></figure>

<table><thead><tr><th>DILASE 3D MR NoMOS (L- 3D)</th><th>L8</th><th>Lithographie laser / Laser lithography</th><th></th><th>KLOE</th><th>Dilase 3DMR</th></tr><tr><th>Nom (code facturation)</th><th>Réf</th><th>Zone</th><th>Responsable</th><th>Équipementier</th><th>Modèle</th></tr></thead><tbody><tr><td>HMX NoMOS (L- DWL)</td><td>L9</td><td>Lithographie laser / Laser lithography</td><td>Pierre-François Calmon</td><td>SUSS</td><td>HMX</td></tr><tr><td>RCA/Piranha cleaning MOS (F-FRAI)</td><td>LASER-1</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Eric Imbernon</td><td>VACO</td><td>to be checked</td></tr><tr><td>MOS wet bench (F-FRAI)</td><td>LASER-2</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>Minaservice</td><td>mina-acidPP</td></tr><tr><td>MOSNano wet bench (F-FRAI)</td><td>LASER-3</td><td>Procédés humides / Wet process benches</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>PTS-DVTECH</td><td>sorbonne</td></tr><tr><td>MBE412 (M- EJM)</td><td>M1</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Alexandre Arnoult</td><td>RIBER SA</td><td>MBE412</td></tr><tr><td>D8-Discover (M- DRX)</td><td>M4</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Alexandre Arnoult</td><td>Bruker AXS</td><td>D8-Discover (Da Vinci)</td></tr><tr><td>Paillasse Chime EJM-1 (F-FRAI)</td><td>M5</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>LAAS</td><td>Paillasse PVC LAAS</td></tr><tr><td>Paillasse Chime EJM- Acides - III/V (F-FRAI)</td><td>M6</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>LAAS</td><td>Paillasse PVC LAAS</td></tr><tr><td>Paillasse Chime EJM - Solvants - III/V (F-FRAI)</td><td>M7</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>LAAS</td><td>Paillasse PVC LAAS</td></tr><tr><td>MBE C21Dz (M- EJM)</td><td>M8</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Alexandre Arnoult</td><td>Riber</td><td>C21 Dz</td></tr><tr><td>MBE Supra (M- EJM)</td><td>M9</td><td>Epitaxie / Epitaxy</td><td>Alexandre Arnoult</td><td>RIBER SA</td><td>Supra</td></tr><tr><td>RAITH150 NoMos (N-RAIT)</td><td>N1</td><td>Lithographie électronique / Ebeam lithography</td><td>Franck Carcenac</td><td>RAITH</td><td>RAITH150 Version1</td></tr><tr><td>Nano-imprint equipment NoMos (N- NEX)</td><td>N2</td><td>Nano imprint</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>Nanonex</td><td>NX2500</td></tr><tr><td>Hotte nano NoMos (F-FRAI)</td><td>N3</td><td>Nano imprint</td><td>Jean-Baptiste Doucet</td><td>DVTEch</td><td>Hotte nano</td></tr><tr><td>EVG120 Automated Resist Processing System MOS and NoMOS (P-PHOT)</td><td>P1</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>EVG</td><td>120</td></tr><tr><td>Hotplate automated n°1 NoMOS (F-FRAI)</td><td>P10</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>HP8</td></tr><tr><td>Hotplate automated n°2 NoMOS (F-FRAI)</td><td>P11</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>HP8</td></tr><tr><td>Oven polymers NoMOS (F-FRAI)</td><td>P12</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Memmert</td><td>XXXX</td></tr><tr><td>HMDS Primer oven MOS (F-FRAI)</td><td>P13</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Yes</td><td>Yes</td></tr><tr><td>Microscope leica photo auto (F-FRAI)</td><td>P15</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Leica</td><td>DM4000M</td></tr><tr><td>Microscope leica photo manuel (F-FRAI)</td><td>P16</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Leica</td><td>DM-4000M</td></tr><tr><td>Wet Bench / Photo 1 NoMOS resist development (F-FRAI)</td><td>P17</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Minaservice</td><td>NC</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_187.png" /></figure>

<table><thead><tr><th></th><th></th><th></th><th></th><th></th><th></th></tr></thead><tbody><tr><td>Wet Bench / Photo 1 NoMOS resist spinner (F-FRAI)</td><td>P18</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Suss Microtec</td><td>LabSpin6 BM</td></tr><tr><td>Nom (code facturation)</td><td>Réf</td><td>Zone</td><td>Responsable</td><td>Équipementier</td><td>Modèle</td></tr><tr><td>Wet Bench / Photo 2 NoMOS resist development (F-FRAI)</td><td>P19</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Minaservice</td><td>NC</td></tr><tr><td>SprayCoater Suss Microtec NoMOS (P-PHOT)</td><td>P2</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>Altaspray</td></tr><tr><td>Wet Bench / Photo 2 NoMOS resist spinner (F-FRAI)</td><td>P20</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>RC8</td></tr><tr><td>Wet Bench / Photo 3 MOS resist development (F-FRAI)</td><td>P21</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Minaservice</td><td>NC</td></tr><tr><td>Wet Bench / Photo 3 MOS resist spinner (F-FRAI)</td><td>P22</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>RC8</td></tr><tr><td>GenISys lab (LOGICI)</td><td>P23</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td></td><td>GenISys</td><td>Lab v4.7.0</td></tr><tr><td>HMDS Primer Obducat MOS and NoMOS (F-FRAI)</td><td>P24</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Obducat Solar Semi</td><td>QS V 200 BM 200°C</td></tr><tr><td>Mask Aligner Suss MA6 Gen4 MOS and NoMOS (P-PHOT)</td><td>P25</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Laurent Mazenq</td><td>Suss Microtec</td><td>MABA6Gen4</td></tr><tr><td>Hotplate automated Thick Resists NoMOS (F-FRAI)</td><td>P26</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Osiris</td><td>HB20e</td></tr><tr><td>Thetametrisis FR-Scanner VIS-NIL (F-FRAI)</td><td>P27</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Thetametrisis SA</td><td>FR-Scanner VIS-NIL</td></tr><tr><td>Semi Auto Developper Station</td><td>P28</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Osiris</td><td>Unixx D20</td></tr><tr><td>Stepper I Line Canon MOS and NoMOS (P-PHOT)</td><td>P3</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Gwénaëlle Guittier</td><td>Canon</td><td>FPA 3000i4/i5</td></tr><tr><td>Mask Aligner Suss MA150 MOS and NoMOS (P-PHOT)</td><td>P6</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>150 CC</td></tr><tr><td>Mask Aligner Suss MA6 NoMOS (P-PHOT)</td><td>P7</td><td>Photolithographie / Photolithography</td><td>Adrian Laborde</td><td>Suss Microtec</td><td>6</td></tr><tr><td>Rhéomètre MCR702e (F-FRAI)</td><td>SYNTHES-12</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>ANTON PAAR</td><td>MCR 702e MultiDrive</td></tr><tr><td>Hotte synthèse chimique / Fume hood organic synthesis(F-FRAI)</td><td>SYNTHES-1</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>DVTech</td><td>Hotte synthèse chimique</td></tr><tr><td>Hotte synthèse chimique / Fume hood organic synthesis (F-FRAI)</td><td>SYNTHES-2</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>DVTech</td><td>Hotte synthèse chimique</td></tr><tr><td>Réacteur synthèse 500mL / Chemical reactor 500mL(F-FRAI)</td><td>SYNTHES-3</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>IKA</td><td>EasySyn 500 Package</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_188.png" /></figure>

<table><thead><tr><td>Nom (code facturation)</td><td>Réf</td><td>Zone</td><td>Responsable</td><td>Équipementier</td><td>Modèle</td></tr></thead><tbody><tr><td>Réacteur synthèse 1000mL/ Chemical reactor 1000mL (F-FRAI)</td><td>SYNTHESE-4</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>IKA</td><td>EasySyn 1000 Package</td></tr><tr><td>Evaporateur rotatif R-300 / Rotavaopr R-300 system professional(F-FRAI)</td><td>SYNTHESE-5</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>BUCHI</td><td>R-300</td></tr><tr><td>Post-curing UV 405 nm (F-FRAI)</td><td>SYNTHESE-6</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>FORMLABS</td><td>Form Cure FH-CU-01</td></tr><tr><td>Vacuum Oven, VO49 (F-FRAI)</td><td>SYNTHESE-7</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>Memmert</td><td>VO49</td></tr><tr><td>Réacteur synthèse 5000mL / Chemical reactor 500mL (F-FRAI)</td><td>SYNTHESE-8</td><td>Synthèse chimique / chemical synthesis</td><td>Daniel FERRI ANGULO</td><td>IKA</td><td>EasySyn 5000 Package</td></tr><tr><td>Four OXYPROP6 MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T1</td><td>Oxydation</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Recuit métaux lourds 6" (T-FOUR)</td><td>T10</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>AET</td><td>Bati de recuit 2 tubes MT</td></tr><tr><td>Recuit verre 6" (T-FOUR)</td><td>T11</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>AET</td><td>Bati de recuit 2 tubes MT/HT</td></tr><tr><td>Recuit ferrite 6" (T-FOUR)</td><td>T12</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>AET</td><td>Bati de recuit 2 tubes MT/HT</td></tr><tr><td>RTP As-One (T-FOUR)</td><td>T13</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>Annealsys</td><td>AS-ONE</td></tr><tr><td>RTP As-Master MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T14</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>Annealsys</td><td>AS-Master-2000HT</td></tr><tr><td>Four AET Propre MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T16</td><td>Oxydation</td><td>Eric Imbernon</td><td>AET</td><td>Four d'oxydation</td></tr><tr><td>Four AET Bore MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T17</td><td>Oxydation</td><td>Eric Imbernon</td><td>AET</td><td>Four d'oxydation</td></tr><tr><td>Four AET Phosphore (T-FOUR)</td><td>T18</td><td>Oxydation</td><td>Eric Imbernon</td><td>AET</td><td>Four d'oxydation</td></tr><tr><td>Four Alox (T-FOUR)</td><td>T19</td><td>Oxydation</td><td>Guilhem Almuneau</td><td>AET</td><td>Four d'oxydation</td></tr><tr><td>Four OXYBORE6 MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T2</td><td>Oxydation</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Recuit métaux divers sauf Au et Cu sur Si (T-FOUR)</td><td>T26</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Eric Imbernon</td><td>ASM</td><td>Four horizontal LB 35</td></tr><tr><td>Recuit Au et Cu sur tout substrats (T-FOUR)</td><td>T27</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Eric Imbernon</td><td>ASM</td><td>Four horizontal LB 35</td></tr><tr><td>Recuit Au et Cu sur Si (T-FOUR)</td><td>T28</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Eric Imbernon</td><td>ASM</td><td>Four horizontal LB 35</td></tr><tr><td>Four OXYPHOS6 MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T3</td><td>Oxydation</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Four DIFPHOS6 MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T4</td><td>redistribution, diffusion</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr><tr><td>Four RECUIT6 MOS Compatible (T-FOUR)</td><td>T7</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Eric Imbernon</td><td>Centrotherm</td><td>Centronic E1550HT</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_189.png" /></figure>

<table><tr><td>Recuit Polyimide (T-FOUR)</td><td>T9</td><td>Recuits / Annealing</td><td>Jean Christophe Marrot</td><td>AET</td><td>Bati de recuit 2 tubes MT</td></tr></table>
<figure><img src="image_190.png" /></figure>

ANNEXE 3 Projets ReNaTech 2024

<table><thead><tr><td>Titre du projet</td><td>Type de projet</td><td>Nature</td><td>Pays</td><td>Demandeur</td><td>Ville</td><td>Contact</td></tr></thead><tbody><tr><td>Assemblage et interconnexion 3D de systèmes électroniques</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>3DIS-Tech</td><td>Toulouse</td><td>Ghannam A.</td></tr><tr><td>Micro et nano engrenages</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>CEMES</td><td>Toulouse</td><td>S. Pinaud</td></tr><tr><td>TEST siur le four d'oxydation Alox</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>3-5 Lab</td><td>Palaiseau</td><td>B Simozrag</td></tr><tr><td>Microelectrode arrays Unige</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>International</td><td>Université de Genève</td><td>Genève</td><td>ML Tercier-Waeber</td></tr><tr><td>BioBouchons</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMFT</td><td>Toulouse</td><td>O Liot</td></tr><tr><td>BeBop</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMFT</td><td>Toulouse</td><td>O Liot</td></tr><tr><td>CTC-uCATCH</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Smartcatch</td><td>Toulouse</td><td>A.Cerf</td></tr><tr><td>NEO Occitanie</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>CEA</td><td>Grenoble</td><td>T Alava</td></tr><tr><td>RBCflow_in_networks</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMFT</td><td>Toulouse</td><td>S Lorthois</td></tr><tr><td>VECSEL-Or electrolytique</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>C2N</td><td>Saclay</td><td>I Sagnes</td></tr><tr><td>Filtration sous UltraSons</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMFT</td><td>Toulouse</td><td>O Liot</td></tr><tr><td>Masques PIMENT_C2N</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>C2N</td><td>Saclay</td><td>C Ulysse</td></tr><tr><td>Electroplating and KOH etching PUXANO</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>International</td><td>Confidentiel</td><td>Confidentiel</td><td>Confidentiel</td></tr><tr><td>Création de moules microfluidiques</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>TBI</td><td>Toulouse</td><td>S Serin</td></tr><tr><td>Mariam</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>LaHC</td><td>Saint Etienne</td><td>JJ Rousseau</td></tr><tr><td>Implantation LAAS</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>C2N</td><td>Saclay</td><td>G. Agnus</td></tr><tr><td>Small CNT on μLED</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>ALEDIA</td><td>Grenoble</td><td>V.Rousset</td></tr><tr><td>High Harmonic Generation from Ion-Implanted Silicon Single Crystal</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>CEA</td><td>Saclay</td><td>V. Sunuganty</td></tr><tr><td>Fabrication Masque pour Lithographie</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ENS</td><td>Paris</td><td>A Bernatets</td></tr><tr><td>Chambre Silicim</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>INSAT</td><td>Toulouse</td><td>S Lajous</td></tr><tr><td>Biocapteur implantable sans fils</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IXL</td><td>Bordeaux</td><td>JL Lachaud</td></tr><tr><td>Diffuseur avec correlation</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>LP2N</td><td>Bordeaux</td><td>P Lalanne</td></tr><tr><td>projet Wafer 2023</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>a5-science</td><td>Aix</td><td>A Gaveau</td></tr><tr><td>Ondes acoustiques</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMS</td><td>Bordeaux</td><td>C Dejous</td></tr><tr><td>Nano filter</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>CINAM</td><td>Marseille</td><td>A Charrier</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_191.png" /></figure>

<figure><img src="image_192.png" /></figure>

<table><thead><tr><td>Titre du projet</td><td>Type de projet</td><td>Nature</td><td>Pays</td><td>Demandeur</td><td>Ville</td><td>Contact</td></tr></thead><tbody><tr><td>Si Pitch Adapter for DAMIC-M experiment</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>International</td><td>LSPC</td><td>Modane</td><td>S. Scorza</td></tr><tr><td>Microfabrication</td><td>Sans développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>Alphanov</td><td>Bordeaux</td><td>M Girault</td></tr><tr><td>Fabrication de jonctions à base de GaAs pour la mesure OCVD</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>PROMES</td><td>Perpignan</td><td>A Houbert</td></tr><tr><td>Master Platal 1</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Silsef</td><td>Annecy</td><td>V Gate</td></tr><tr><td>Structure MQW GaAlAs</td><td>Avec développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>CHREA</td><td>Valbonne</td><td>JY Duboz</td></tr><tr><td>Capacite MOS_2</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>IES</td><td>Montpellier</td><td>J Boch</td></tr><tr><td>Deflectometry</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>DIP view</td><td>Toulouse</td><td>F Moreira</td></tr><tr><td>Composant réseau 1</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Latécoere</td><td>Toulouse</td><td>R Laberdesque</td></tr><tr><td>Microfluidic investigation of the impact of colloidal transport on two-phase flow in geological porous media</td><td>Avec développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>ISTO</td><td>Orléans</td><td>W Okaybi</td></tr><tr><td>Durability of microbial-induced calcite precipitation</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>3SR</td><td>Grenoble</td><td>A Naillon</td></tr><tr><td>Capteur de température à grande réponse fréquentielle</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Thales</td><td>Toulouse</td><td>E. Durupt</td></tr><tr><td>Dépot d'Aluminium sur substrat de cuivre</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>LP3</td><td>Marseille</td><td>R Clady</td></tr><tr><td>Mesures érosion synergique</td><td>Sans développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>ONERA</td><td>Toulouse</td><td>L Nicolas</td></tr><tr><td>Résonateurs MUT pour la detection biologique en milieu liquide</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>CEA</td><td>Grenoble</td><td>T Alava</td></tr><tr><td>High shear microfluidic colloidal flow</td><td>Avec développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>LGC</td><td>Toulouse</td><td>P Bacchin</td></tr><tr><td>Métamatériaux "tout diélectrique" au terahertz</td><td>Avec développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>C2N</td><td>Paris</td><td>E Akmansoy</td></tr><tr><td>Microstructures Binaires Optiques</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>Essilor</td><td>Paris</td><td>M Cavallazzi</td></tr><tr><td>Masques lithographie IES 2024</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>IES</td><td>Montpellier</td><td>B Charlot</td></tr><tr><td>Masques litho OFCOC</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>INL</td><td>Lyon</td><td>Y Billiet</td></tr><tr><td>ABYSS</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>CEMES</td><td>Toulouse</td><td>C. Bonafos</td></tr><tr><td>Nanomechanics 2024</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>UM</td><td>Montpellier</td><td>A Noury</td></tr><tr><td>Masques photolitho cTLM</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>GREMAN</td><td>Tours</td><td>C Berger</td></tr><tr><td>CU sur Alumine</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>LaHC</td><td>St Etienne</td><td>JJ Rousseau</td></tr><tr><td>Realization de 50 dosimetres</td><td>Sans développement</td><td>Industriel</td><td>International</td><td>HERADO</td><td>Grèce</td><td>M Fragkopoulou</td></tr><tr><td>Réalisation de thermites</td><td>Avec développement</td><td>Académique</td><td>International</td><td>Univalle</td><td>Colombie</td><td>L Marin Mercado</td></tr><tr><td>ETUDE DE LA TESTABILITE DE MOSFET A CLIP</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>TRAD</td><td>Toulouse</td><td>L Coïc</td></tr><tr><td>Fabrication de puces à nanothermites à vias améliorés</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Dassault</td><td></td><td>D Richier</td></tr><tr><td>Fabrication Wafer</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>INNOPSYS</td><td>Carbonne</td><td>V Reynou</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_193.png" /></figure>

<figure><img src="image_194.png" /></figure>

<table><thead><tr><td>Titre du projet</td><td>Type de projet</td><td>Nature</td><td>Pays</td><td>Demandeur</td><td>Ville</td><td>Contact</td></tr></thead><tbody><tr><td>Nano-scale kinetic energy harvesting using REWOD.</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>International</td><td>Genesis<br>projekt</td><td>Angleterre</td><td>N Lapite</td></tr><tr><td>microalgae chamber oil bypassed</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ENS</td><td>Paris</td><td>R Honigsberg</td></tr><tr><td>La fabrication d'un masque SU8 d'une pompe capillaire</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ICP</td><td>Paris</td><td>T Abar</td></tr><tr><td>Masque Cr_TPENS_ParisSaclay</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ENS</td><td>Paris</td><td>V Brasiliense</td></tr><tr><td>Masque TP ENS Paris-Saclay</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ENS</td><td>Paris</td><td>R Ghasemi</td></tr><tr><td>Etching SiO2 on Si</td><td>Avec développement</td><td>Académique</td><td>International</td><td>université de<br>valence</td><td>Espagne</td><td>I Suarez</td></tr><tr><td>Cellule de commutation électronique de puissance SiC</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>Laplace</td><td>Toulouse</td><td>F. Richardeau</td></tr><tr><td>Diamond Sample Annealing</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>L2N</td><td>Troyes</td><td>R Konnoth</td></tr><tr><td>Hot embossing sur PEEK</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IES</td><td>Montpellier</td><td>B Charlot</td></tr><tr><td>Microfluidique pour la concentration des microalgues</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ICA</td><td>Toulouse</td><td>P.Magaud</td></tr><tr><td>Implantation Mg</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>GREMAN</td><td>Tours</td><td>D Alquier</td></tr><tr><td>Chromatin deformation</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>CBI</td><td>Toulouse</td><td>F Erdel</td></tr><tr><td>Bonding project</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>ICON</td><td>Paris</td><td>C Viana</td></tr><tr><td>2024-05_DFxLASS</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>DiamFab</td><td>Grenoble</td><td>J Letellier</td></tr><tr><td>W24</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>UM</td><td>Montpellier</td><td>A Noury</td></tr><tr><td>Prestation Thales</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Thalès</td><td>Toulouse</td><td>E Durupt</td></tr><tr><td>AGREEGAS</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ISTO</td><td>Orléans</td><td>R Ferhat-Hamida</td></tr><tr><td>Photolithographie Dry Film</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ICB</td><td>Dijon</td><td>Laurent Markey</td></tr><tr><td>μHEKAT</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>HEKAT</td><td>Bordeaux</td><td>M Girault</td></tr><tr><td>Métallisation or sur pads AlCu</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>Synergie</td><td>Toulouse</td><td>S Soulié</td></tr><tr><td>LIMAHR</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>UMPHY</td><td>Paris</td><td>F Bouamrane</td></tr><tr><td>Masque_Cr_Stage_ENSPS</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>I D'Alembert</td><td>Paris</td><td>R Ghasemi</td></tr><tr><td>Echantillon de calibration pour diélectrique local</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>ENS Lyon</td><td>Lyon</td><td>C Crauste</td></tr><tr><td>Micropattern</td><td>Sans développement</td><td>Académique</td><td>National</td><td>CRBM</td><td>Montpellier</td><td>A. Blangy</td></tr><tr><td>Procédé 3L-Optronics</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>3L optronics</td><td>Montpellier</td><td>F Atteia</td></tr><tr><td>Elec-on-glass</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>international</td><td>Livedrop</td><td>Liège</td><td>S. Van Loo</td></tr><tr><td>Structure MQW GaAlAs</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>CRHEA</td><td>Nice</td><td>JY Duboz</td></tr><tr><td>Couleur</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>LP2N</td><td>Bordeaux</td><td>P Lalanne</td></tr><tr><td>TP innovant</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>Lumin</td><td>Paris</td><td>R Ghasemi</td></tr></tbody></table>
<figure><img src="image_195.png" /></figure>

<figure><img src="image_196.png" /></figure>

<table><thead><tr><td>Titre du projet</td><td>Type de projet</td><td>Nature</td><td>Pays</td><td>Demandeur</td><td>Ville</td><td>Contact</td></tr></thead><tbody><tr><td>Masques OFCOC</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>INL</td><td>Lyon</td><td>Y Billiet</td></tr><tr><td>Poling de niobate de lithium dopé magnéisum</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>INPHYNI</td><td>Nice</td><td>F Doutre</td></tr><tr><td>Faisabilité de la partie packaging Des MEMS Power</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Airmems</td><td>Limoges</td><td>L Zhang</td></tr><tr><td>Microfabricationde milieux poreux microfluidiques en verre</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ISTO</td><td>Orléans</td><td>S Roman</td></tr><tr><td>Microfluidique pour les étudiant.es de la place toulousaine</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMFT</td><td>Toulouse</td><td>O Liot</td></tr><tr><td>Depots Electrochimique AIME-CEMES</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>AIME</td><td>Toulouse</td><td>R Tan</td></tr><tr><td>Lithographie dielectrique pour RDI</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>SERMA</td><td>Toulouse</td><td>F Crozatier</td></tr><tr><td>Perfuse092024</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>GREMAN</td><td>Tours</td><td>F Barcella</td></tr><tr><td>Masques pour le projet CARADET</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IM2NP</td><td>Marseille</td><td>N Grillet</td></tr><tr><td>Masques PCM ESA</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>XLIM</td><td>Limoges</td><td>C Guines</td></tr><tr><td>Essais d'érosion chimique sur substrats polis de silice fondue à base de KOH à haute température (>90°C)</td><td>Sans développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>CEA-CESTA</td><td>Bordeaux</td><td>E Lavastre</td></tr><tr><td>Thin-film membrane development for in-situ operando MEMS chip for (S)TEM analysis</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>International</td><td>INL</td><td>Braga</td><td>J Rodrigues</td></tr><tr><td>Report sur PCB de puce Silicium</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>IMS</td><td>Bordeaux</td><td>N Deltimple</td></tr><tr><td>Parylène Coating</td><td>Sans développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>Xlim</td><td>Limoges</td><td>V Kermene</td></tr><tr><td>Réalisation d'échantillons 4" sur MBE 412</td><td>Avec développement</td><td>Industriel</td><td>National</td><td>RIBER</td><td>Paris</td><td>X Bonsergent</td></tr><tr><td>Decoupe de wafer</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>National</td><td>Netri</td><td>Lyon</td><td>F Larramendy</td></tr><tr><td>Depositionof SiNx</td><td>Sans développement</td><td>industriel</td><td>International</td><td>Luxottica</td><td>Milan</td><td>A Cesaratto</td></tr><tr><td>Nanolitho</td><td>Avec développement</td><td>industriel</td><td>International</td><td>MAPSI</td><td>Espagne</td><td>D Segura</td></tr><tr><td>Micro-actionneurs thermiques pour pompe Knudsen</td><td>Avec développement</td><td>académique</td><td>National</td><td>ICA</td><td>Toulouse</td><td>L Baldas</td></tr></tbody></table>