à obtenir plusieurs transferts thermiques sans casse d'aucun des deux substrats comme le montrent les trois figures ci-dessous (cf. figure 73, figure 74, et figure 75) avec différentes températures de transfert (300°C, 350°C, 400°C).

<figure><img src="image_76.png" /><figcaption>figure 73 : Transfert thermique à 300°C d'un substrat SOQ collé à température ambiante avec un rayon de courbure de 2m. a) substrat de silice fondue avec un film mince (300nm) de silicium, b) reste du substrat de silicium</figcaption></figure>

<figure><img src="image_77.png" /><figcaption>figure 74 : Transfert thermique à 350°C d'un substrat SOQ collé à température ambiante avec un rayon de courbure de 2m. a) substrat de silice fondue avec un film mince (300nm) de silicium, b) reste du substrat de silicium.</figcaption></figure>

<figure><img src="image_78.png" /><figcaption>figure 75 : Transfert thermique à 400°C d'un substrat SOQ collé à température ambiante avec un rayon de courbure de 2m. a) substrat de silice fondue avec un film mince (300nm) de silicium, b) reste du substrat de silicium.</figcaption></figure>

On peut remarquer que le système supporte un saut de contrainte provenant d'un différentiel en température de 145°C. Comme le collage à chaud n'avait pas fonctionné avec un différentiel de 205°C (cf. B.3.1), on peut en conclure que le différentiel de température maximal se situe entre 150°C et 200°C.

Cette technique fonctionne relativement bien, mais elle est assez difficile à mettre en œuvre car les contraintes emmagasinées juste avant le collage moléculaire sont importantes ce qui rend les substrats très fragiles. Personnellement, je pense que le collage à chaud est une option beaucoup plus intéressante car facilement automatisable et le temps de collage reste raisonnable.
ble (quelques minutes supplémentaires par plaques). Cette technique de collage ne permet ce-
pendant pas d'obtenir de bonne énergie. Il serait important d'en comprendre la raison et d'es-
sayer d'y apporter une solution.

C. Etudes futures :

Au cours de ce chapitre deux grandes thématiques ont été abordées : la simulation des contraintes développées au sein des hétérostructures et la réalisation de substrats spécifiques.
Nous allons maintenant regarder quels pourraient en être les développements.

C.1. Simulation des hétérostructures

En parallèle de l'élaboration de substrats spécifiques, le collage moléculaire d'hétérostructures
permet d'obtenir des structures modèles pour l'étude des contraintes dans les matériaux. Le
collage moléculaire permet en effet de lier intimement deux matériaux sans avoir à tenir
compte, par exemple, de matériaux adhésifs. Il pourrait donc être très intéressant de confron-
ter, au sein d'un sujet de recherche, les caractérisations et les simulations du comportement de
ces structures (avec des couches épaisses ou fines). Dans un premier temps, il faudrait com-
pléter les modèles analytiques développés dans ce chapitre afin d'y inclure les effets de bords,
la non linéarité des matériaux aux grandes déformations, les variations des constantes méca-
niques en fonction de la température, leur anisotropie éventuelle... La confrontation des simu-
lations numériques avec des mesures expérimentales permettrait bien mettre en évidence les
limites des différentes approches et l'importance relative des différents phénomènes. Ensuite,
il serait très intéressant d'étudier la problématique de la rupture des hétérostructures. Est-elle
liée à certaine propriété des matériaux? Quel critère peut-on mettre en place si on change
d'hétérostructures? L'influence de la non linéarité du comportement mécanique des matériaux
ou les instabilités mécaniques des grandes déformations pourraient être mises en évidence
avec des structures se rapprochant d'un bilame parfait.

Lors d'une telle étude, l'utilisation du collage moléculaire aurait un autre avantage : celui de pouvoir faire varier le niveau de contrainte à une certaine température grâce à la réalisation de structures précontraintes (collage à chaud, collé courbé). Cela permettrait de découpler l'impact de la température et de la contrainte. Par exemple, pour l'étude de la rupture d'une hétérostructure, décaler le niveau de contrainte et donc de déformation normalement atteint à la
température de rupture permettrait de voir si un autre facteur, dépendant principalement de la température, n'interviendrait pas. Dans le cas du collage d'un substrat de silicium avec un substrat de silice fondue par exemple, il serait intéressant de regarder l'influence de la transition de phase "ductile-fragile" du silicium qui se passe vers 650°C la rupture de cette hétérostructure qui a lieu vers 660°C!

Bien évidemment la rupture lors du procédé Smart Cut™ serait très intéressante à étudier. Mais c'est a priori la partie la plus dure à simuler et mériterait un sujet de recherche unique-ment centré sur cette problématique. En effet, non seulement l'aspect dynamique des phénomènes devra être pris en compte mais l'influence réciproque du mûrissement de la zone implantée avec la contrainte au cours des traitements thermique modifie en permanence le système étudié.

## C.2. Elaboration de substrats spécifiques

Bien évidemment il serait impossible d'établir une liste exhaustive des structures intéressantes à élaborer. Les hétérostructures présentent l'avantage de mettre en contact des matériaux différents. Le mariage des différentes propriétés de ces matériaux permet d'envisager des applications très diverses dans le domaine des MEMS, de l'optoélectronique, de la microélectronique... Le collage moléculaire est difficile à mettre en œuvre mais si certaines de ses caractéristiques sont indispensables aux applications visées (résistance à la température, vieillissement, herméticité, contrôle des épaisseurs entre les matériaux...) il peut apporter des solutions très innovantes.

Nous n'allons détailler qu'un exemple d'hétérostructures qui permet d'utiliser les simulations numériques développées dans ce chapitre. Dans le domaine de l'hétéroépitaxie, le collage moléculaire pourrait permettre de réaliser des substrats adaptés en paramètre de maille. Par exemple, une couche de SiGe avec une concentration à 20% en Ge est épitaxiée sur un substrat de silicium sans dépasser son épaisseur critique (15nm). Cette couche est donc en compression. On la colle alors à température ambiante sur un substrat en polymère (par exemple en polycarbonate) recouvert d'une couche d'oxyde de silicium afin de pouvoir utiliser les techniques standards de préparation de surface (polissage, retrait particulaire, chimie de surface...). Après l'élimination du substrat de silicium, cette couche est recollée sur un deuxième substrat de silicium, mais cette fois, à chaud. Le polymère ayant un coefficient de dilatation beaucoup plus important que celui de la couche de SiGe, lors de la montée en température, non seulement la couche de SiGe ne sera plus en compression mais elle sera en tension. Après le retrait du substrat de polymère, on se retrouve avec une couche de SiGe en tension sur la-
quelle on peut épitaxiée une nouvelle couche de SiGe ayant une concentration plus forte en germanium. En itérant ce procédé, on peut réussir à obtenir un substrat dont le paramètre de maille serait exactement celui du germanium. Il serait alors possible de réaliser une épitaxie épaisse, non contrainte, de Germanium, donc sans la formation de dislocations, avec un substrat par exemple de 300mm de diamètre, ce qui serait très intéressant puisqu'il n'existe pas de lingot de germanium de ce diamètre pour le moment.
Conclusion générale

Le but de ce mémoire était de présenter le collage moléculaire au travers de ses applications.

Bien évidement de nombreuses autres applications auraient pu être développées, mais celles de ce mémoire reflètent bien les qualités et les limites du collage moléculaire.

Dans le cas du collage d'homostructure, c'est en général l'évolution même du collage moléculaire qui peut être une source de défaillance. Les collages directs silicium-silicium en sont de bons exemples. Même si on utilise des couches d'oxyde épaisses pour éviter l'apparition des défauts de collage, si on colle des surfaces présentant, par exemple, des cavités pour la réalisation d'un MEMS, il faudra faire attention à la gestion de l'eau interfaciale surtout si les cavités doivent rester sous un vide important. Les techniques développées pour les collages directs peuvent alors s'appliquer ou tout au moins servir de base pour élaborer ce genre de structures.

Dans le cas du collage des hétérostructures, le maintient "atomique" du collage moléculaire est à la fois un atout (transfert de la contrainte d'une couche) et un handicape (pas de relaxation des contraintes induites lors des traitements thermiques). En général, pour de nombreuses applications, il n'y aura pas de couches continues, infinies et isotropes, mais la compréhension du développement des contraintes, des effets de bords, et la validation des modèles numériques sur ces cas simples permettent de bien appréhender les éventuels problèmes et d'essayer d'y apporter une solution.

Dans ce mémoire, les mécanismes physiques du collage moléculaires n'ont pas été présentés. Leur compréhension permet d'expliquer les propriétés, les défaillances, et l'évolution du collage moléculaire notamment pour les applications détaillées dans ce manuscrit. Mais, historiquement, c'est grâce à la réalisation des structures comme celles de ce mémoire que la compréhension des mécanismes s'est développée et affinée. En effet, c'est par les effets attendus ou inattendus que l'on rencontre lors de l'élaboration d'une structure spécifique que les modèles théoriques sont validés ou invalidés. Ce mémoire a d'ailleurs soulevé de nombreux points qu'il serait intéressant d'étudier, aussi bien pour l'application visée que pour poursuivre notre compréhension physique du collage moléculaire comme son comportement, par exemple, lors de collage sous vide ou en température.

Un autre chantier important serait l'étude du collage moléculaire avec des surfaces très différentes de celles que l'on rencontre couramment dans la microélectronique (Si, SiO2, Si3N4, Ge...). Là encore l'ensemble des techniques de caractérisation mises au point et validées pour les collages actuels pourront être utilisées et leurs résultats plus rapidement interprétés. Il se-
rait notamment très intéressant de regarder les collages directs de surfaces métalliques ou d'autres nouveaux matériaux comme le graphen ou la graphane, par exemple, pour qui le report sur une surface spécifique serait très intéressant.
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[YIN 2006] H. Yin, C.Y. Sung, H. Ng, K. L. Saenger, V. Chan, S. Crowder, R. Zhang, J. Li, J.A. Ott, G. Pfeiffer, R. Bendernagel, S.B. Ko, Z. Ren, X. Chen, G. Wang, J. Liu, K. Cheng, A. Mesfin, R. Kelly, V. Ku, Z.J. Luo, N. Rovedo, K. Fogel, D.K. Sadana, M. Khare, and G. Shahidi, Electron Devices Meeting, IEDM '06. International 11-13, P.1 (2006)

[YON 1994] T. Yonehara, K. Sakaguchi, and N. Sato, Appl. Phys. Lett. 64 p. 2108 (1994)

[YON 1997] T. Yonehara, J. Inst. Electronics, information and communication engineers, 80-7 (1997) p.758

[YON 1999] Yong-Pil Han, Thèse de Doctorat de l'Université Technologique du Massachussets (Massachussets Institute of Technology, MIT), (1999).

[YOU 1805] T. Young, Phil. Trans. 95, p.69 (1805).

[YOU 1805] T. Young, Phil. Trans., 95, p. 69, 1805.

§
Mes Publications

P1. "Hydrophilic low temperature direct wafer bonding", C. Ventosa, F. Rieutord, L. Libralesso, C. Morales, F. Fournel, H. Moriceau, J. Appl. Phys. 2008

P2. "Alternate dissociation of the screw dislocations in a (001) buried small-angle twist boundary in silicon", R. Bonnet, M. Loubradou, S. Youssef, J.-L. Rouvière and F. Fournel, Phil. Mag. TPHM-08-May-0203.R4

P3. "Low Temperature Wafer Bonding", F. Fournel, H. Moriceau, C. Ventosa, L. Libralesso, Y. Le Tiec, T. Signamarcheix, F. Rieutord, ECS 2008 Symposium Wafer Bonding

P4. "Direct Wafer bonding for Nanostructure preparations", Moriceau-H; Rieutord-F; Morales-C; Charvet-AM; Rayssac-O; Bataillou-B; Fournel-F; Eymery-J; Pascale-A; Gentile-P; Bavard-A; Meziere-J; Maleville-C; Aspar-B, Diffusion-and-Defect-Data-Part-B-Solid-State-Phenomena. (2007); 121-123: 29-32.

P5. "Controlled Ge quantum dots positioning with nano-patterned Si(001) substrates", A. Bavard, J. Eymery, A. Pascale, and F. Fournel, phys. stat. sol. (b), 243, No. 15, 3963-3967 (2006)

P6. "Preparation of a nanopatterned surface of bonded silicon wafers using electrochemical thinning and chemical etching: A scanning tunnel microscopy investigation", Buttard-D; Krieg-C; Pascale-A; Gentile-P; Fournel-F, Surface-Science. 15 Nov. 2006; 600(22): 4931-6

P7. "Nanometric thinning of bonded silicon wafers using sacrificial anodic oxidation and investigated by X-ray reflectivity", Buttard-D; Krieg-C; Fournel-F, Surface-Science. 15 Nov. 2006; 600(22): 4923-30

P8. "Ge quantum dots growth on nanopatterned Si(001) surface: Morphology and stress relaxation study", Pascale-A; Gentile-P; Eymery-J; Meziere-J; Bavard-A; Schulli-TU; Fournel-F, Surface-Science. 15 Aug. 2006; 600(16): 3187-93

P9. "Ordered growth of germanium dots induced by the strain field of tilt dislocations in molecular bonded silicon (001) thin films", Barski-A; Poydenot-V; Dujardin-R; Rouviere-JL; Meziere-J; Fournel-F, Surface-Science. 1 June 2006; 600(11): L135-8

P10. "Performance and physics of sub-50nm strained Si on Si/sub 1-x/Ge/sub x/-on-insulator (SGOI) nMOS-FETs", Andrieu-F; Ernst-T; Faynot-O; Rozeau-O; Bogumilowicz-Y; Hartmann-J-M; Brevard-L; Toffoli-A; Lafond-D; Ghyselen-B; Fournel-F; Ghibaudo-G; Deleonibus-S, Solid-State-Electronics. April 2006; 50(4): 566-72

P11. "In-depth study of strained SGOI nMOSFETs down to 30nm gate length", Andrieu-F; Ernst-T; Faynot-O; Rozeau-O; Bogumilowicz-Y; Hartmann-J-M; Brevard-L; Toffoli-A; Lafond-D; Dansas-H; Ghyselen-B; Fournel-F; Ghibaudo-G; Deleonibus-S, Proceedings-of-ESSDERC-2005.-31st-European-Solid-State-Device-Research-Conference-IEEE-Cat.-No.-05EX1087. 2005: 297-300

P12. "Co-integrated dual strained channels on fully depleted sSDOI CMOSFETs with HfO/sub 2//TiN gate stack down to 15nm gate length", Andrieu-F; Ernst-T; Faynot-O; Bogumilowicz-Y; Hartmann-J-M; Eymery-J; Lafond-D; Levaillant-Y-M; Dupre-C; Powers-R; Fournel-F; Fenouillet-Beranger-C; Vandooren-A; Ghyselen-B; Mazure-C; Kernevez-N; Ghibaudo-G; Deleonibus-S, 2005-IEEE-International-SOI-Conference-QSIC-2005-IEEE-Cat.-No.-05CH37694. 2005: 223-5

P13. "Tests by TEM contrast simulations of the elastic field of a buried (001) low angle twist boundary in silicon", Boussaid-A; Fournel-F; Bonnet-R, Physica-Status-Solidi-B. Dec. 2005; 242(15): 3091-8

P14. "Highly ordered germanium nanostructures grown by molecular beam epitaxy on twist-bonded silicon (001) substrates", V. Poydenot, R. Dujardin, F. Fournel, J. L. Rouvière, A. Barski, Journal of crystal growth 278 (2005) 83-87.

P15. "Optical properties of ultra thin single Si/SiO/sub 2/ quantum wells", Pauc-N; Calvo-V; Eymery-J; Fournel-F; Magnea-N, 2005-2nd-IEEE-International-Conference-on-Group-IV-Photonics-IEEE-Cat.-No.-05EX1053. 2005: 84-6

P16. "Electronic and optical properties of Si/SiO/sub 2/ nanostructures. II. Electron-hole recombination at the Si/SiO/sub 2/ quantum-well-quantum-dot transition", Pauc-N; Calvo-V; Eymery-J; Fournel-F; Magnea-N, Physical-Review-B-Condensed-Matter-and-Materials-Physics. 15 Nov. 2005; 72(20): 205325-1-8

P17. "Electronic and optical properties of Si/SiO/sub 2/ nanostructures. I. Electron-hole collective processes in single Si/SiO/sub 2/ quantum wells", Pauc-N; Calvo-V; Eymery-J; Fournel-F; Magnea-N, Physical-Review-B-Condensed-Matter-and-Materials-Physics. 15 Nov. 2005; 72(20): 205324-1-13

P18. "Ultra-thin strained SOI substrate analysis by pseudo-MOS measurements", Gallon-C; Fenouillet-Beranger-C; Bresson-N; Cristoloveanu-S; Allibert-F; Bord-S; Aulnette-C; Delille-D; Latu-
Romain-E; Hartmann-JM; Ernst-T; Andrieu-F; Campidelli-Y; Ghyselen-B; Cayrefourcq-I; Fournel-F; Kernevez-N; Skotnicki-T, Microelectronic-Engineering. 17 June 2005; 80: 241-4

P19. "Germanium growth on nanopatterned surface studied by STM", P. Gentile, J. Eymery, F. Leroy, F. Fournel, J. Mezière, P. Perreau, Journal of Crystal Growth 275 (2005), e1609-e1613.

P20. "(001) silicon surfacial grain boundaries obtained by direct wafer bonding process: accurate control of the structure before bonding", K. Rousseau, J. Eymery, F. Fournel, J.-P. Morniroli, J.-L. Rouviere, Philosophical Magazine, Vol. 85, 21 (2005),2415-2448

P21. "Photoluminescence of nanometric single silicon quantum wells", N. Pauc, V. Calvo, J. Eymery, F. Fournel, N. Magnea, Optical Materials 27 (2005) 1000-1003

P22. "Electron hole liquid in silicon single quantum wells", N. Pauc, V. Calvo, J. Eymery, F. Fournel, N. Magnea, Optical Materials 27 (2005) 995-999

P23. "Transfers of 2-inch GaN films onto sapphire substrates using Smart Cut™ technology", Tauzin-A; Akatsu-T; Rabarot-M; Dechamp-J; Zussy-M; Moriceau-H; Michaud-JF; Charvet-AM; Di-Cioccio-L; Fournel-F; Garrione-J; Faure-B; Letertre-F; Kernevez-N, Electronics-Letters. 26 May 2005; 41(11): 668-70

P24. "Zig zag lines in a (001)Si low angle twist boundary", A. Boussaïd, M. Fnaiech, F. Fournel et R. Bonnet, Philosophical Magazine, Vol. 85, 11 (2005), 1111-1122

P25. "Detailed geometrical characterisation of a surfacial Si (100) grain boundary", Rousseau-K; Morniroli-JP; Rouviere-JL; Fournel-F; Eymery-J; Moriceau-H, Microscopy-of-Semiconducting-Materials-Conference-Inst.-of-Phys.-Conference-Series-No.180. 2004: 425-8

P26. "Strained silicon on insulator wafers made by the Smart Cut™ technology", Ghyselen-B; Bogumilowicz-Y; Aulnette-C; Abbadie-A; Osternaud-B; Besson-P; Daval-N; Andrieu-F; Cayrefourcq-I; Moriceau-H; Ernst-T; Tiberj-A; Rayssac-O; Blondeau-B; Mazure-C; Lagha-Blanchard-C; Pocas-S; Cartier-A-M; Hartmann-J-M; Leduc-P; Di-Nardo-C; Lugand-J-F; Fournel-F; Semeria-M-N; Kernevez-N; Campidelli-Y; Kermarrec-O; Morand-Y; Rivoire-M; Bensahel-D; Paillard-V; Vincent-L; Claverie-A; Boucaud-P, High-Mobility-Group-IV-Materials-and-Devices-Materials-Research-Society-Symposium-Proceedings-Vol.809. 2004: 83-8

P27. "Ordered growth of germanium hut islands on Si (001) molecular bonded substrates", Poydenot-V; Djardin-R; Rouviere-JL; Barski-A; Fournel-F, Applied-Physics-Letters. 6 Dec. 2004; 85(23): 5700-2

P28. "Engineering strained silicon on insulator wafers with the Smart Cut™ technology", B. Ghyselen a,*, J.-M. Hartmann b, T. Ernst b, C. Aulnette a, B. Osternaud a, Y. Bogumilowicz b,c, A. Abbadie b, P. Besson c, O. Rayssac a, A. Tiberj a, N. Daval a, I. Cayrefourcq a, F. Fournel b, H. Moriceau b, C. Di Nardo b, F. Andrieu b, V. Paillard d, M. Cabi e, L. Vincent c, E. Snoeck e, F. Cristiano e,g, A. Rocher e, A. Ponchet e, A. Claverie e, P. Boucaud f, M.-N. Semeria b, D. Bensahel c, N. Kernevez b, C. Mazure a, Solid-State Electronics 48 (2004) 1285-1296

P29. "Two-Dimensional Electron-Hole Liquid in Single Si Quantum Wells with Large Electronic and Dielectric Confinement", N. Pauc,1,* V. Calvo,1,† J. Eymery,1 F. Fournel,2 and N. Magnea1, Physical Review Letters 92 (23) (2004) 236802-1-4

P30. "Silicon single crystal on quartz: fabrication and benefits", Brunier-F; Rayssac-O; Cayrefourcq-I; Okah; Sato-T; Fournel-F; Lagha-C, 2003-IEEE-International-SOI-Conference.-Proceedings-Cat.-No.03CH37443. 2003: 59-60

P31. "New layer transfers obtained by the SmartCut process", Moriceau-H; Fournel-F; Aspar-B; Bataillou-B; Beaumont-A; Morales-C; Cartier-AM; Pocas-S; Lagha-C; Jalaguier-E; Soubie-A; Biasse-B; Sousbie-N; Sartori-S; Michaud-JF; Letertre-F; Rayssac-O; Cayrefourcq-I; Richtarch-C; Daval-N; Aulnette-C; Akatsu-T; Osternaud-B; Ghyselen-B; Mazure-C, Journal-of-Electronic-Materials. Aug. 2003; 32(8): 829-35

P32. "Strain characterization of strained silicon on insulator wafers", V. Paillard, B. Ghyselen, C. Aulnette, B. Osternaud, N. Daval, F. Fournel, H. Moriceau, T. Ernst, J.M. Hartmann, C. Lagha-Blanchard, S. Pocas, P. Leduc, L. Vincent, F. Cristiano, Y. Campidelli, O. Kermarrec, P. Besson, Y. Morand, Microelectronic Engineering 72 (2004) 367-373

P33. "Controlled surface nanopatterning with buried dislocation arrays", F. Leroy, J. Eymery, P. Gentile, and F. Fournel, Surface Science 545 (2003) 211-219

P34. "GIXRD of nanoscale strain patterning wafer bonding", J. Eymery, F. Leroy, and, F. Fournel, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 200 (2003) 73-78

P35. "Buried hydrophobic silicon bonding studied by high-energy x-ray reflectivity.", D. Buttard, F. Rieutord, J. Eymery, F. Fournel, B. Bataillou, (Soumis à XTOP 2002), J of Phys D : Appl. Phys. 36 (2003) A205-A208

P36. "Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering investigation of Si surface patterned with buried dislocation networks", F. Leroy, J. Eymery, D. Buttard, G. Renaud, R. Lazzari, F. Fournel, Appl. Phys. Lett., vol. 82(16), 2003, p. 2598
P37. "Ultra High Precision Of The Tilt/Twist Misorientation Angles In Silicon/Silicon Direct Wafer Bonding.", F. Fournel, H. Moriceau, B. Aspar, N. Magnea, J. Eymery, F. Leroy, K. Rousseau, J.L. Rouvière., ECS 2003 Symposium M1 Wafer Bonding.

P38. "Des surfaces lisses de Si aux surfaces nanostructurées", P. Gentile, F. Leroy, J. Eymery, J.M. Hartmann, P. Mur, F. Fournel, P. Besson, Conférence de microscopie à sonde locale (2003)

P39. "Stability of interfacial dislocations in (001) silicon surfacial grain boundaries.", K. Rousseau, J.L. Rouvière, F. Fournel, H. Moriceau, Appl. Phys. Let., vol. 80(22), 2002, p. 4121

P40. "Stability of twist interfacial dislocations in (001) silicon bonded films", Rousseau-K; Rouviere-JL; Fournel-F; Magnea-N; Moriceau-H, Microscopy-of-Semiconducting-Materials-2001.- Proceedings-of-the-Royal-Microscopical-Society-Conference. 2001: 383-6

P41. "Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes", R. Bonnet, K. Rousseau, F. Fournel, Comptes Rendus Physique, Jan 2002, 3, 657-663

P42. "Dislocation strain field in ultra-thin bonded Silicon wafers studied by grazing incidence X-ray diffraction.", J. Eymery, D. Buttard, F. Fournel, H. Moriceau, G. T. Baumbach, D. Lübbert, Physical Review B, Vol. 65, April 2002, 165337

P43. "Nucleation control of CVD growth silicon nanocrystals for quantum devices", T. Baron, F. Mazen, C. Busseret, A. Souifi, P. Mur, F. Fournel, M.N. Semeria, H. Moriceau, B. Aspard, P. Gentile Microelectronic Engineering 61-62 (1) (2002) pp. 511-515

P44. "Toward two-dimensional self-organization of nanostructures using wafer bonding and nanopatterned silicon surfaces", D. Buttard, J. Eymery, F. Fournel, P Gentile, F. Leroy, N. Magnea, H. Moriceau, G. Renaud, F. Rieutord, K. Rousseau, J. L. Rouvière, IEEE-Journal-of-Quantum-Electronics. vol.38, no.8; Aug. 2002; p.995-1005.

P45. "Ordering of Ge quantum dots with buried Si dislocation networks", F. Leroy, J. Eymery, P. Gentile, F. Fournel, Applied-Physics-Letters. vol.80, no.17; 29 April 2002; p.3078-80.

P46. "Accurate control of the disorientation angles in direct wafer bonding.", F. Fournel, K. Rousseau, H. Moriceau, J. Eymery, J.L. Rouvière, N. Magnea, B. Aspar, Applied-Physics-Letters. vol.80, no.5; 4 Feb. 2002; p.793-5.

P47. "Confinement induced enhancement of the emission in Er-implanted Si/SiO/sub 2/ quantum wells fabricated on SOI substrates", D. Sotta, V. Calvo, H.T. Ulmer, N. Magnea, E. Hadji, F. Fournel, JL. Rouvière, D. Jalabert, H. Moriceau, B. Aspar, Materials-Science-&-Engineering-B-(Solid-State-Materials-for-Advanced-Technology). B81 (1-3) (2001) p.43

P48. "Structural characterization of ultra-thin (001) silicon films bonded onto (001) silicon wafers: a transmission electron microscopy study", K. Rousseau, J.L. Rouvière, F. Fournel, H. Moriceau, Mat. Sci. Semicon. Processing. 4-(1-3) (2001) p.101

P49. "X-ray reflectivity of silicon on insulator wafers", J. Eymery, F. Rieutord, F. Fournel, D. Buttard, H. Moriceau, Mat. Sci. Semicon. Processing. 4-(1-3) (2001) p.31

P50. "High-energy X-ray reflectivity of buried interfaces created by wafer bonding", F. Rieutord, J. Eymery, F. Fournel, D. Buttard, R. Oeser, O. Plantevin, H. Moriceau, B. Aspar, Phys. Rev. B 63-12 (2001) p.125408

P51. "Dislocation network strain field induced by Si wafer bonding.", J. Eymery, F. Fournel, K. Rousseau, D. Buttard, F. Leroy, F. Rieutord et J. L. Rouvière, Mat. Res. Soc. Symp. Proc 673 (2001) P6.9.

P52. "Investigation of buried interfaces using high-energy X-ray reflectivity.", F. Rieutord, J. Eymery, O. Plantevin, B. Bataillou, D. Buttard, et F. Fournel, Mat. Res. Soc. Symp. Proc 678 (2001) EE9.9.

P53. "Overview on some recent advances in wafer bonding technologies", H. Moriceau, F. Fournel, O. Raysac, A. Soubie, B. Bataillou, B. Aspar, K. Rousseau, N. Magnea, C. Maleville, T. Barge, papier in-vite à ECS Wafer Bonding 2001, Semiconductor wafer bonding : science, technology and applications VI, Electrochemical Society Proceedings, PV 2001-27, pp1-16 (2001)

P54. "Nanometric patterning with ultrathin twist bonded silicon wafers", F. Fournel, H. Moriceau, N. Magnea, J. Eymery, D. Buttard, J.L. Rouvière, K. Rousseau, B. Aspar, Thin Sol. Film 380-(1-2) (2000) p.10

P55. "Huge differences between low- and high-angle twist grain boundaries: The case of ultrathin (001) Si films bonded to (001) Si wafers", J.L. Rouvière, K. Rousseau, F. Fournel, H. Moriceau, Appl. Phys. Lett. 77-8 (2000) p.1135

P56. "Grazing incidence X-ray studies of twist-bonded Si/Si and Si/SiO2 interfaces", D. Buttard, J. Eymery, F. Rieutord, F. Fournel, D. Lübbert, T. Baumbach, H. Moriceau, Physica B 283-(1-3) (2000) p.103

P57. "Ultra thin silicon films directly bonded onto silicon wafers", F. Fournel, H. Moriceau, N. Magnea, J. Eymery, J.L. Rouvière, K. Rousseau, B. Aspar, Mat. Sci. Engin. B 73-(1-3) (2000) p.42

P58. "X-ray reflectivity of ultrathin twist-bonded silicon wafers", J. Eymery, F. Fournel, F. Rieutord, D. Buttard, B. Aspar, B. Aspar, H. Moriceau, Appl. Phys. Lett. 75-22 (1999) p.3509

P59. "Magnetization reversal in (CoNi/Pt)/sub 6/ dots connected to a large area through submicron wide channels", F. Fournel, Y. Chen, F. Carcenac, N. Essaidi, H. Launois, V. Kottler, C. Chappert, IEEE-Transactions-on-Magnetics. 34(4) (1998) p.1027
Mes Brevets

B1. "Procédé de réalisation d'une structure empilée", 28 décembre 2000, FR2819099 / WO02054466.

B2. "Procédé de repérage d'une direction cristalline d'un matériau cristallin", 28 décembre 2000, FR 2814278

B3. "Procédé permettant de révéler des défauts ou des contraintes dans une structure", 6 octobre 2000, FR2815121 / WO0229876

B4. "Procédé d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif a microstructures ou a nanostructures", 6 octobre 2000, FR2815026 / US6724017B2 / WO0229131

B5. "Structure composite à orientation cristalline uniforme et procédé de contrôle de l'orientation cristalline d'une telle structure", 22 Juin 2001, FR2826378 / WO03005443

B6. "Procédé de transfert d'éléments de substrat à substrat", 25/03/2002, FR2837620-A1

B7. "Procédé de réalisation de substrats mixtes et structure ainsi obtenue", 24/12/02, FR2850487

B8. "Procédé de réalisation d'une structure contrainte destinée à être séparée", 09/12/2002, FR2848336-A1

B9. "Procédé de réalisation d'une structure complexe par assemblage de structures contraintes", 09/12/2002, FR2848337-A1

B10. "Procédé de traitement d'une tranche multicouche présentant un différentiel de caractéristiques thermiques", 10/12/2003, FR2863771-A1

B11. "Procédé de séparation de plaques collées entre elles pour constituer une structure empilée", 30/09/2003, FR2860178-A1

B12. "Dispositif et procédé d'observation d'une interface de collage", 23/12/2003, FR 2864339-A1

B13. "Procédé et dispositif d'inspection de défauts dans un film mince", 23/12/2003, FR 2864338-A1

B14. "Réseau de particules et procédé de réalisation d'un tel réseau", 09/11/2004, FR 2877662

B15. "Procédé d'élaboration de structure empilées mixtes, à zones isolantes et/ou zones de conduction électrique verticale localisées", 06/10/2004, FR 2876220

B16. "Procédé de transfert autoentretenu d'une couche fine par impulsion après implantation ou co-implantation", 28/10/2003, FR 2861497 - WO2005/043615-A1

B17. "A method of manufacturing a wafer", 26/05/2003, EP1482548-A1

B18. "Procédé de nanostructuration de la surface d'un substrat", FR 2903810

B19. "Procédé de réalisation simplifiée d'une structure epitaxiée", FR 2895419

B20. "Procédé d'élaboration de nanostructures ordonnées", FR 2895391

B21. "Procédé d'élaboration d'un support pour la croissance de nanostructures allongées localisées", FR 2896493

B22. "Procédé d'assemblage de substrats avec traitements thermiques à basses températures", 10/04/2006, FR 2899594

B23. "Procédé de réalisation de composants hybrides", 06/06/2007, FR2917235

B24. "Procédé de collage moléculaire avec nettoyage à l'acide fluorhydrique en phase vapeur et rinçage à l'eau désionisée", 19/02/2007, FR 2912840

B25. "Support de stockage de données et procédé associé", 21/12/2007, en cours de dépôt.

B26. "Procédé de réalisation d'une couche contrainte", 28/03/2008, en cours de dépôt.

B27. "Procédé d'élaboration d'un substrat hybride ayant une couche continue électriquement isolante enterrée", 31/10/2008, en cours de dépôt

B28. "Procédé de formation d'une couche monocristalline dans le domaine micro-électronique", 31/10/2008, en cours de dépôt

B29. "Procédé d'élaboration d'un substrat hybride par recristallisation partielle d'une couche mixte", 27/02/2009, en cours de dépôt
Mes encadrements

2000-2003 : Fabien Leroy : thèse sur les substrats twistés : simulation / gravure chimique / Epitaxie

- Directeur de thèse : Joël Eymery (90%)

- Coencadrant CEA : Frank Fournel (10%)

2002-2005 : Valier Poydenot : thèse sur les substrats twistés : Fils quantique sur substrats twistés.

- Directeur de thèse : André Barsky – Jean Luc Rouvière (80%)

- Coencadrant CEA : Frank Fournel (20%)

2002-2003 : Pierre Perreau : Thèse CNAM sur les substrats twistés : Elaboration

- Encadrant : Frank Fournel.

2003-2005 : Jérôme Mèzière : Nanostructuration / Elaboration.

- Encadrant : Frank Fournel.

2004-2007 : Alexis Bavard : Thèse sur les substrats twistés : Elaboration / nanostructuration chimique / Dépôt de nanostructures.

- Directeur de thèse : Joël Eymery (20%)

- Coencadrant CEA : Frank Fournel (80%)

Future Thèse : Collage Moléculaire et hétérostructure.