Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
به عنوان بدنه مناسب تر هستند. با این حال، توسعه فناوری بلافاصله جایگزین روش های قدیمی نشد. بین سال های ۱۹۰۰ و ۱۹۵۰، هنوز برای یک ماشین کار، آهنگری ابزاری از فولاد ابزار کربنی غیرمعمول نبود. امروزه، در میان برش های تک نقطه ای که در تولید انبوه استفاده می شوند (مانند قطعات خودرو)، تیغه ها و ابزارهای افزونه با استفاده از کاربید و سرامیک بسیار بیشتر از ابزارهای HSS یا فولاد کبالت هستند. در زمینه های ماشین کاری دیگر (مثلاً کارگاه ها، اتاق های ابزار، و بخش های سرگرمی)، مورد دوم هنوز به خوبی استفاده می شوند. یک سیستم کامل از نمادهای استاندارد صنعتی برای نامگذاری هر نوع هندسه ایجاد شده است. تعداد فرمولاسیون های کاربید و سرامیکی همچنان در حال گسترش است و الماس بیش از هر زمان دیگری مورد استفاده قرار می گیرد. سرعت، تغذیه، عمق برش، و دما در رابط برش همچنان افزایش می یابد (تعادل دومی با خنک سازی فراوان از طریق مایع، هوا یا ذرات معلق در هوا)، و زمان های چرخه همچنان کاهش می یابد. تا زمانی که هزینه های تحقیق و توسعه و استهلاک خرید ابزارآلات کمتر از مقدار پول پس انداز شده توسط افزایش بهره وری باشد (مثلاً کاهش هزینه دستمزد) ر
قابت بین تولیدکنندگان محصول برای کاهش هزینه های واحد تولید، به طور مستمر باعث توسعه فناوری توسط سازندگان ابزار می شود.
حافظه دسترسی یکپارچه (UMA) یک معماری حافظه مشترک است که در رایانه های موازی استفاده می شود. در مدل UMA، همه پردازنده ها حافظه فیزیکی را به صورت یکپارچه به اشتراک می گذارند. در معماری UMA، زمان دسترسی به یک محل حافظه مستقل از این است که کدام پردازنده درخواست را می دهد یا کدام تراشه حافظه داده های منتقل شده را در خود دارد. معماری های رایانه ای حافظه دسترسی یکپارچه اغلب با معماری های حافظه دسترسی غیریکپارچه (NUMA) مقایسه می شوند. در معماری NUMA، هر پردازنده ممکن است از یک حافظه پنهان خصوصی استفاده کند. لوازم جانبی نیز به نوعی به اشتراک گذاشته می شوند. مدل UMA برای برنامه های عمومی و اشتراک زمانی توسط چندین کاربر مناسب است. می تواند برای تسریع اجرای یک برنامه بزرگ واحد در برنامه های زمان بندی بحرانی استفاده شود. انواع معماری ها. سه نوع معماری UMA وجود دارد: UMA با استفاده از معماری های چندپردازشی متقارن (SMP) مبتنی بر گذرگاه؛ UMA با استفاده از کلیدهای صلیبی؛ UMA با استفاده از شبکه های اتصال چند مرحله ای. hUMA. در آوریل ۲۰۱۳، اصطلاح hUMA ("حافظه دسترسی یکپارچه ناهمگن") در مطالب تبلیغاتی AMD برای اشاره به اشتراک گذ
اری حافظه سیستم بین پردازنده (CPU) و پردازنده گرافیکی (GPU) از طریق نماهای همبستگی حافظه نهان شروع به ظهور کرد. مزایای آن شامل مدل برنامه نویسی آسان تر و کپی کردن کمتر داده ها بین پشته های حافظه جداگانه است. همچنین ببینید. حافظه دسترسی غیریکپارچه معماری حافظه فقط پنهان معماری سیستم ناهمگن
پایگاه داده Web SQL یک مشخصات API مرورگر وب منسوخ شده برای ذخیره سازی داده ها در پایگاه های داده ای است که می توان با استفاده از یک نوع SQL آنها را پرس وجو کرد. این فناوری تنها در مرورگرهای مبتنی بر Blink مانند Google Chrome و Microsoft Edge جدید، و مرورگرهای مبتنی بر WebKit مانند Safari پیاده سازی شده بود. از فوریه 2024، WebSQL به نفع WebStorage، IndexedDB و OPFS در حال حذف شدن است، اما هنوز در برخی زمینه ها تحت شرایط محدود قابل دسترسی است. پشتیبانی. API توسط گوگل کروم ، اپرا، مایکروسافت اج ، و مرورگر اندروید پشتیبانی می شود، اگرچه پشتیبانی به تدریج در حال حذف شدن است. Web SQL منسوخ شد و برای زمینه های شخص ثالث در Chromium 97 حذف شد. دسترسی SQL وب در زمینه های ناامن از Chrome/Chromium 105 منسوخ شده است و در آن زمان یک پیام هشدار در پانل مشکل ابزارهای برنامه نویس Chrome نشان داده شد. API به طور کامل از Chrome 124 حذف خواهد شد. جدول زمانی. در ژانویه 2010، گوگل در دسترس بودن WebSQL Database API در گوگل کروم را اعلام کرد. توسعه دهندگان شرکت موزیلا علناً با این فناوری مخالفت کردند و در عین حال حامیان اصلی استاندا
رد «ذخیره سازی جایگزین»، IndexedDB، بودند. موزیلا استدلال کرد که تصویب WebSQL به عنوان یک استاندارد، ویژگی های عجیب پیاده سازی SQLite را مدون می کند. در نوامبر 2010، کارگروه برنامه های کاربردی وب W3C کار بر روی مشخصات را متوقف کرد و دلیل آن را عدم پیاده سازی مستقل (به عنوان مثال استفاده از سیستم پایگاه داده غیر از SQLite به عنوان بک اند) به عنوان دلیلی بود که مشخصات نمی توانست به سمت پیشنهاد W3C تبدیل شود. در سپتامبر 2019، اپل سافاری 13 را منتشر کرد که WebSQL را به طور کامل حذف کرد. در نوامبر 2021، Chrome 97 پشتیبانی WebSQL را در زمینه های شخص ثالث حذف کرد. در فوریه 2023، Chrome 110 پشتیبانی WebSQL را در زمینه های ناامن حذف کرد اما استثناهایی را که با خط مشی سازمانی تنظیم شده بود مجاز کرد. در اکتبر 2023، Chrome 119 با WebSQL غیرفعال در همه زمینه ها به طور پیش فرض ارسال شد، با قابلیت فعال کردن مجدد آن تا Chrome 123 از طریق آزمایشی منسوخ در برخی زمینه ها. در آوریل 2024، مرورگرهای مبتنی بر Chromium، از جمله Chrome 124 و Edge 124 پشتیبانی WebSQL را به طور کامل حذف کردند.
برنامه نویسی مثال محور یک رویکرد نسبت به توسعه ی نرم افزار است که به کاربران کمک می کند تا نرم افزار را با پیدا کردن و تغییر دادن مثال های کوچک به یک کل بزرگتر بسازند. از طریق محیط توسعه یکپارچه(IDE) برای نشان دادن کد-مثال ها یا اسناد API مربوط به رفتار های کدنویسی ای که در IDE روی می دهد می توان به این رویکرد کمک کرد. تاکتیک های "قرض گیری" معمولا توسط برنامه نویسانی که IDE را برای مشکل یابی ترک می کنند از سورس های آنلاین مورد استفاده قرار می گیرند. هدف برنامه نویسی مثال-محور این است که زمانی که توسعه دهندگان برای حل مشکلاتشان در اینترنت سرچ می کنند را کاهش دهد. در حالت ایده آل، در برنامه نویسی مثال-محور، رابط کاربری بدون اینکه توسعه دهندگان IDE را ترک کنند، با مثال های ماژول کمک یکپارچه می شود. ایده ی پشت این نوع از "مستند سازی لحظه ای" کاهش دادن اختلالات برنامه نویسی است. کاربرد این ویژگی محدود به متخصصان نیست، بلکه تازه کاران نیز از فواید یک پایگاه دانش یکپارچه بهره ی فراوان می برند بدون اینکه به جستجو کردن های مکرر در اینترنت رو بی آورند. زمینه. رشد وب شیوه ی ساخت نرم افزار را به طور بنیادین تغییر داده اس
ت. افزایش وسیع منابع اطلاعات و دموکراتیزه شدن دسترسی و توزیع، عوامل اصلی در توسعه ی برنامه نویسی مثال-محور برای توسعه ی سمت کاربر (End-User) است. آموزش ها ظرف چند ثانیه در اینترنت در دسترس است و بدین صورت طیف کسانی که آن را می نویسند وسیع تر می شود: طراحان، دانشمندان و سرگرمی جویان. طبق آمار 2012، سیزده میلیون نفر به عنوان بخشی از کارشان برنامه نویسی می کنند اما فقط سه میلیون از آن ها برنامه نویس حرفه ای و واقعی هستند. رواج ریپازیتوری(مخزن) های آنلاینِ کد، اسناد، بلاگ ها و انجمن ها، این توانایی را به برنامه نویسان می دهد تا با جستجو کردن، تغییر دادن و ترکیب کردن مثال ها، برنامه ها را به طور پشت سر هم بسازند. در یک رویکرد فرصت طلبانه نسبت به برنامه نویسی که بر روی سرعت و آسانی توسعه به جای انسجام و نگهداشت پذیری کد متمرکز است، استفاده از اینترنت حیاتی است. استفاده ی وسیع و مشابهی از وب توسط برنامه نویسان، متخصصان و تازه کاران وجود دارد که از آن برای نمونه سازی، ایده پردازی و کشف و یافتن استفاده می کنند. برنامه نویسان برای توسعه ی سریع نرم افزار، برنامه نویسان معمولا سیستم های مختلف موجود را با یکدیگر ترکیب می
کنند. به عنوان بخشی از این پروسه، برنامه نویسان معمولا باید به جستجوی اجزای مناسب بگردند و مهارت های جدید یاد بگیرند، به همین دلیل آن ها شروع به استفاده از وب کردند. هنگام توسعه ی یک نرم افزار، برنامه نویسان 19 درصد از زمانشان را صرف جستجو در وب می کنند. افراد برای انجام چندین کار از انواع مختلف از وب استفاده می کنند. نیات پشت استفاده از وب بسته به فرم و زمان مورد استفاده متفاوت است. برنامه نویسان بیشتر وقت خود را صرف یادگیری یک مفهوم جدید می کنند، کمترین زمانشان صرف یادآوری به خودشان درمورد جزئیات مفاهیمی که پیش از آن می دانستند میشود، و در این میان آن ها از اینترنت برای شفاف سازی دانش فعلی خود استفاده می کنند. برنامه نویسی مثال-محور سعی می کند مشکل لزوم خارج شدن از محیط توسعه برای گشتن به دنبال رفرنس ها و مثال ها حین برنامه نویسی را حل کند. به عنوان مثال، به طور سنتی و مرسوم، برای یافتن اسناد API و نمونه کد، برنامه نویسان یا از وبسایت مرجع زبان بازدید می کنند یا به موتور های جستجو می روند و پرس و جو های مختص به API را انجام می دهند. هنگام تلاش برای یادگیری یک چیز جدید، برنامه نویسان از آموزش های اینترنتی بر
ای یادگیری سر وقت استفاده می کنند. علاوه بر آن، برنامه نویسان عمدا انتخاب می کنند که سینتکس های پیچیده را یادآوری نکنند و از اینترنت به عنوان یک حافظه ی خارجی که به هنگام نیاز می توان به آن دسترسی داشت استفاده کنند. فواید. برخی از فواید استفاده از برنامه نویسی مثال-محور عبارتند از: برنامه نویسی پدیدار شونده. پدیدارگی یا پدیدار شدن را می توان به عنوان فرایندی تعریف کرد که در آن موجودات، الگو ها و نظم های بزرگتر از تعامل بین موجودات کوچکتر و ساده تری شکل می گیرد که خودشان آن ویژگی ها را ندارند. از مقادیر وسیعی از کد که به طور عمومی در سطح وب در دسترس است می توان برای پیدا کردن این الگو ها و نظم ها استفاده کرد. با مدل کردن نحوه ی استفاده از زبان های برنامه نویسی توسط برنامه نویسان در تمرین ها، الگوریتم هایی برای پیدا کردن نحوه های کدنویسی رایج و شناسایی کد های غیرمحتمل می تواند ساخته شود. این فرایند به میزان کدی که برنامه نویسان حاضرند و می توانند به اشتراک بگذارند محدود است. از آن جایی مردم کد بیشتری از آنچه به طور آنلاین به اشتراک میگذارند می نویسند، تلاش های مضاعف زیادی در این فرایند وجود دارد. برای استفاده ی
کامل از قدرت جماعت، تلاش مورد نیاز برای انتشار آنلاین کد باید کاهش داده شود.
حکاکی یون واکنشی عمیق (DRIE) یک زیر کلاس خاص از حکاکی یون واکنشی (RIE) است. این فرآیند اچ بسیار ناهمسانگرد را قادر می سازد که برای ایجاد نفوذ عمیق، سوراخ ها و ترانشه های شیب دار در ویفرها / بسترها، معمولاً با نسبت های تصویر بالا، استفاده شود. این برای سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) که به این ویژگی ها نیاز دارند، توسعه داده شد، اما همچنین برای حفاری ترانشه ها برای خازن های با چگالی بالا برای DRAM و به تازگی برای ایجاد ویاس های عبوری سیلیکونی (TSVs) در فناوری بسته بندی سطح ویفر پیشرفته سه بعدی نیز استفاده می شود. در DRIE، زیرلایه داخل یک راکتور قرار داده می شود و چندین گاز وارد می شوند. پلاسما در مخلوط گاز تشکیل می شود که مولکول های گاز را به یون ها می شکند. یون ها به سمت سطح ماده ای که حکاکی می شود، شتاب می گیرند و با آن واکنش می دهند و یک عنصر گازی دیگر را تشکیل می دهند. این فرآیند به عنوان بخش شیمیایی حکاکی یونی واکنشی شناخته می شود. همچنین یک بخش فیزیکی وجود دارد؛ اگر یون ها انرژی کافی داشته باشند، می توانند اتم ها را از ماده ای که باید حکاکی شود بدون واکنش شیمیایی جدا کنند. دو فناوری اصلی برای حکاکی ی
ونی واکنشی عمیق (DRIE) با نرخ بالا وجود دارد: کرایوژنیک و بوش، اگرچه فرآیند بوش تنها تکنیک تولید شناخته شده است. هر دو فرآیند بوش و کرایوژنیک می توانند دیواره های 90 درجه (کاملاً عمودی) ایجاد کنند، اما اغلب دیواره ها کمی مایل هستند، به عنوان مثال 88 درجه ("بازگشتی") یا 92 درجه ("رتروگراد"). مکانیسم دیگری به نام پسیواسیون دیواره های جانبی وجود دارد: گروه های عاملی SiOxFy (که از گازهای حکاکی هگزا فلوراید گوگرد و اکسیژن نشأت می گیرند) بر روی دیواره های جانبی متراکم می شوند و از آن ها در برابر حکاکی جانبی محافظت می کنند. با ترکیب این فرآیندها، ساختارهای عمودی عمیق می توانند ایجاد شوند. فرآیند برودتی. در حکاکی یونی واکنشی عمیق کرایوژنیک (cryo-DRIE)، ویفر تا دمای منفی 110 درجه سانتی گراد (163 کلوین) سرد می شود. دمای پایین واکنش شیمیایی که منجر به حکاکی ایزوتروپیک می شود را کند می کند. با این حال، یون ها به سطح های رو به بالا بمباران می شوند و آن ها را حکاکی می کنند. این فرآیند شیارهایی با دیواره های بسیار عمودی تولید می کند. مشکلات اصلی در cryo-DRIE این است که ماسک های استاندارد روی زیرلایه ها در سرمای شدید ترک می
خورند و همچنین محصولات جانبی حکاکی تمایل به رسوب بر روی نزدیک ترین سطح سرد، یعنی زیرلایه یا الکترود دارند. فرآیند بوش. فرآیند بوش، که از نام شرکت آلمانی Robert Bosch GmbH که این فرآیند را به ثبت رساند، نامگذاری شده است، که همچنین به عنوان حکاکی پالسی یا چندگانه زمانی شناخته می شود، به صورت متناوب بین دو حالت تغییر می کند تا ساختارهای تقریباً عمودی را به دست آورد: هر مرحله چند ثانیه به طول می انجامد. لایه ی غیرفعال، از کل بستر در برابر حملات شیمیایی بیشتر محافظت می کند و باعث جلوگیری از حکاکی شدن بیشتر می شود. با این حال، در طول فاز اچینگ، یون های جهت دار که زیرلایه را بمباران می کنند، به لایه غیرفعال در پایین ترانشه (اما نه در کناره ها) حمله می کنند. درنتیجه این اتفاق، برخورد با آنها رخ می دهد و آن را پاشیده می کنند و بستر را در معرض مواد شیمیایی قرار می دهند. این مراحل اچ/رسوب بارها تکرار می شوند و در نتیجه تعداد زیادی از مراحل اچ همسانگرد بسیار کوچک فقط در پایین حفره های اچ شده انجام می شوند. برای حکاکی یک ویفر سیلیکونی به ضخامت 0.5 میلی متر، به عنوان مثال، به 100 تا 1000 مرحله حکاکی/رسوب گذاری نیاز است. ای
ن فرآیند دو مرحله ای باعث می شود که دیواره های جانبی با دامنه ای حدود 100 تا 500 نانومتر موج بزنند. زمان چرخه را می توان تنظیم کرد: چرخه های کوتاه دیواره های صاف تری ایجاد می کنند و چرخه های بلند نرخ حکاکی بالاتری به همراه دارند. کاربردها. عمق اچ معمولاً به کاربردهای آن بستگی دارد: حکاکی یونی واکنشی عمیق (DRIE) با حکاکی یونی واکنشی (RIE) از نظر عمق حکاکی متمایز می شود. عمق های عملی برای RIE (که در تولید مدارهای مجتمع استفاده می شود) معمولاً تا حدود 10 میکرومتر با نرخ تا 1 میکرومتر در دقیقه محدود می شود، در حالی که DRIE می تواند ویژگی های بسیار بزرگتری را حکاکی کند، تا 600 میکرومتر یا بیشتر با نرخ های تا 20 میکرومتر در دقیقه یا بیشتر در برخی از کاربردها. حکاکی یونی واکنشی عمیق (DRIE) بر روی شیشه نیازمند توان پلاسمای بالا است که باعث می شود پیدا کردن مواد مناسب برای ماسک حکاکی عمیق واقعی مشکل باشد. پلی سیلیکون و نیکل برای عمق های حکاکی 10 تا 50 میکرومتر استفاده می شوند. در حکاکی یونی واکنشی عمیق پلیمرها، فرآیند بوش با مراحل متناوب حکاکی SF6 و پسیواسیون C4F8 انجام می شود. ماسک های فلزی نیز می توانند استفاده شوند
، با این حال به دلیل نیاز به چندین مرحله اضافی عکاسی و رسوب، هزینه بر هستند. ماسک های فلزی بر روی زیرلایه های مختلف نیز لازم نیست (مانند Si [تا 800 میکرومتر]، InP [تا 40 میکرومتر] یا شیشه [تا 12 میکرومتر]) اگر از رزیست های منفی شیمیایی تقویت شده استفاده شود. جوانش یون زایی گالیم می تواند به عنوان ماسک حکاکی در حکاکی یونی واکنشی عمیق کرایوژنیک (cryo-DRIE) استفاده شود. فرآیند نانوساختارسازی ترکیبی از شعاع یون متمرکز (FIB) و cryo-DRIE برای اولین بار توسط N Chekurov و همکارانش در مقاله ی "The fabrication of silicon nanostructures by local gallium implantation and cryogenic deep reactive ion etching" گزارش شد. DRIE امکان استفاده از اجزای مکانیکی سیلیکونی را در ساعت های مچی پیشرفته فراهم کرده‎ است. به گفته یک مهندس در Cartier، "هیچ محدودیتی برای اشکال هندسی با DRIE وجود ندارد." با DRIE می توان نسبت ابعاد 30 یا بیشتر را به دست آورد، این موضوع به این معنی است که یک سطح می تواند با یک شکاف با دیواره های عمودی 30 برابر عمق نسبت به عرض خود تراشیده شود. این موضوع باعث شده است که اجزای سیلیکونی جایگزین برخی از قطعات که مع
مولاً از فولاد هستند، مانند فنر مو، جایگزین شود. سیلیکون نسبت به فولاد سبک تر و سخت تر است، که این ویژگی ها منجر به مزایایی می شود، اما فرآیند تولید را چالشی تر می کند.
AVR Butterfly یک میکروکنترلر تک بردی با باتری است که توسط Atmel توسعه یافته است. این شامل یک میکروکنترلر Atmel ATmega169PV ، نمایشگر کریستال مایع ، جوی استیک ، بلندگو، پورت سریال ، ساعت بی درنگ (RTC)، حافظه فلش داخلی و سنسورهای دما و ولتاژ است. این برد به اندازه یک برچسب نام است و دارای یک روکش پین در پشت است تا پس از وارد کردن نام کاربر بر روی LCD، ساییده و کنده شود. مجموعه ویژگی. ال سی دی. AVR Butterfly رانش LCD را با اجرای نمایشگر 14 بخش و شش کاراکتر الفا عددی نشان می دهد. با این حال، رابط LCD بسیاری از پین های I/O را مصرف می کند. CPU و سرعت. پردازنده ATmega169 پروانه قادر است تا 8 مگاهرتز سرعت داشته باشد ، اما توسط نرم افزار برای حفظ عمر دکمه باتری روی 2 مگاهرتز تنظیم شده است . بوت لودرهای جایگزین رایگانی وجود دارند که برنامه ها را در سرعت های 1، 2، 4 یا 8 مگاهرتزی راه اندازی می کنند .از طرف دیگر، این ممکن است با تغییر تقسیم کننده CPU کد در برنامه انجام شود. نرم افزار. Butterfly با نرم افزاری از پیش بارگذاری شده است که بسیاری از ویژگی های ATmega169 را نشان می دهد، از جمله خواندن سطح نور محیط و دما و پخش ن
ت های موسیقی. این دستگاه دارای یک پین روکشی است که به پشت متصل است، بنابراین ممکن است به عنوان یک برچسب نام ساییده شود - "نام" ممکن است از طریق جوی استیک یا روی درگاه RS-232 وارد شود و در سراسر LCD حرکت می کند. برنامه ریزی مجدد. Butterfly را می توان آزادانه با استفاده از زنجیره ابزار های مشابه بسیاری از کنترلرهای AVR دیگر را برنامه ریزی کرد، برای مثال با استفاده از زبان اسمبلی Atmel AVR یا محیط توسعه یکپارچه رایگان (IDE) "Atmel Studio" برای برنامه نویسی به زبان C. یک بوت لودر از پیش نصب شده به برد اجازه می دهد تا با پورت سریال استاندارد RS-232 بدون نیاز به سخت افزار خاصی دوباره برنامه ریزی شود. این برد همچنین دارای پورت های ISP و JTAG برای برنامه نویسی درون مدار و اشکال زدایی است. همه این رابط ها فقط به عنوان نقاط لحیم کاری باز پیاده سازی می شوند، بنابراین افزودن برخی سخت افزارها برای قابل استفاده کردن آنها ضروری است. پروژه ها و برنامه های کاربردی پروانه. چندین پروژه با استفاده از Butterfly به عنوان یک پلتفرم پایه ساخته شده است که اغلب با تعداد کمی یا بدون بخش اضافی ساخته شده است:
جستجوی سه گرام روشی برای جستجوی متن است، زمانی که نحو یا املای دقیق شی هدف دقیقاً شناخته نشده باشد یا زمانی که کوئری ممکن است عباراتی منظم باشند. اشیایی را پیدا می کند که با حداکثر تعداد سه رشته کاراکتر متوالی (به عنوان مثال تریگرام ها) در عبارات جستجوی وارد شده مطابقت دارند، که معمولاً تقریباً مطابقت دارند. می توان انتظار داشت که دو رشته با تریگرام های مشترک بسیار شبیه یکدیگر باشند. تریگرام ها همچنین امکان ایجاد کارآمد فهرست های موتور جستجو را برای جستجوهایی که عبارات منظم هستند یا دقیقاً با متن مطابقت دارند ایجاد می کنند. ایندکس ها می توانند به میزان قابل توجهی جستجو را تسریع کنند. یک آستانه برای تعداد منطبق های سه گرام می تواند به عنوان نقطه برش، پس از عدم تطابق یک نتیجه، مشخص شود. استفاده از تریگرام ها برای تسریع جستجوها تکنیکی است که در برخی از سیستم ها برای جستجوی کد استفاده می شود، در شرایطی که کوئری هایی که عبارات منظم هستند ممکن است مفید باشند، در موتورهای جستجو مانند Elasticsearch , نیز مانند پایگاه داده هایی مانند PostgreSQL. مثال ها. رشته «alice» را در نظر بگیرید. سه گرام های رشته عبارتند از «ali"
, "lic» و «ice» بدون احتساب فاصله. جست وجوی این رشته در پایگاه داده ای با شاخص مبتنی بر تریگرام شامل یافتن این است که کدام اشیاء تا حد ممکن حاوی سه ثلث هستند. به عنوان یک مثال عینی از استفاده از جستجوی تریگرام برای جستجوی عبارت منظم، جستجوی رشته codice_1 را در نظر بگیرید، جایی که براکت ها نشان می دهند که کاراکتر سوم در رشته مورد جستجو می تواند codice_2 یا codice_3 باشد. در این شرایط، می توان از ایندکس برای اشیایی که دو سه گرام codice_4 و codice_5 یا دو سه گرام codice_6 و codice_7 دارند پرس و جو کرد؛ بنابراین، یافتن این کوئری مستلزم عدم تطابق رشته ای نیست و فقط می تواند به طور مستقیم از ایندکس کوئری بزند که در عمل می تواند سریعتر باشد.
کپتون یک فیلم پلی آمیدی است که در مدارهای چاپی انعطاف پذیر (لوازم الکترونیک منعطف) و پتوهای فضایی که در فضاپیماها، ماهواره ها و ابزارهای مختلف فضایی استفاده می شود. کپتون که توسط شرکت DuPont در دهه ۱۹۶۰ اختراع شد، در محدوده وسیعی از دماها از ۴ تا ۶۷۳ کلوین (۲۶۹- تا ۴۰۰+ درجه سانتی گراد) پایدار می ماند. کپتون در تولید الکترونیک، کاربردهای فضایی، با تجهیزات اشعه ایکس، و در کاربردهای چاپ سه بعدی استفاده می شود. خواص حرارتی مطلوب و ویژگی های خروج گاز آن باعث می شود که به طور منظم در کاربردهای سردشناسی و در موقعیت هایی که محیط های خلأ بالا تجربه می شوند، استفاده شود. تاریخچه. کپتون در دهه ۱۹۶۰ توسط شرکت DuPont اختراع شد و تا به امروز توسط این شرکت تولید می شود. نام کپتون یک علامت تجاری ثبت شده از شرکت E. I. du Pont de Nemours and Company است. شیمی و انواع. سنتز کپتون مثالی از استفاده از دیان هیدرید در پلیمریزاسیون مرحله ای است. پلیمر میانی، که به عنوان پلی (آمیک اسید) شناخته می شود، به دلیل وجود پیوند هیدروژنی قوی به حلال های قطبی که معمولاً در واکنش استفاده می شوند، محلول است. ترکیب حلقوی در دماهای بالای 470-570
کلوین (200-300 درجه سانتی گراد) انجام می شود. نام شیمیایی کپتون K و HN، پلی (4,4'-اکسی دی فنیلن-پیروملیتیمید) است. این پلیمر از تراکم پیروملیتیک دیانهیدرید (PMDA) و 4,4'-اکسیدلین (ODA) تولید می شود. کپتون E ترکیبی از دو دیانهیدرید، PMDA و اسید بای فنیل تتراکربوکسیلیک دیانهیدرید (BPDA)، و دو دی آمین، ODA و پارا-فنیلن دی آمین (PPD) است. جزء BPDA باعث افزایش پایداری ابعادی و صاف بودن در کاربردهای مدارهای انعطاف پذیر می شود. کپتون E دارای ضریب انبساط حرارتی (CTE) کمتر، جذب رطوبت کمتر و ضریب نم بینی (CHE) کمتر نسبت به کپتون H است. خواص. در شرایط ایزوله، کپتون در محدوده وسیعی از دماها، از 4 تا 673 کلوین (269- تا 400+ درجه سانتی گراد). رسانندگی گرمایی کپتون در دماهای 0.5 تا 5 کلوین نسبتاً بالا است: κ = 4.638×10−3 "T"0.5678 W·m−1·K−1. عایق کپتون با گذشت زمان کیفیت خود را از دست می دهد: یک مطالعه اداره هوانوردی فدرال نشان می دهد که کپتون در محیط های گرم و مرطوب یا در حضور آب دریا دچار تخریب می شود. مقاومت کپتون در برابر سایش مکانیکی بسیار ضعیف است، به ویژه در داخل کابل ها به دلیل حرکت هواپیما. بسیاری از مدل های هواپیم
ا مجبور به انجام تغییرات گسترده در سیم کشی شدند—گاهی اوقات جایگزینی کامل سیم کشی های عایق شده با کپتون—به دلیل اتصال کوتاه ناشی از عایق معیوب. تخریب و سائیدگی سیم کپتون به دلیل لرزش و گرما در چندین حادثه سقوط هواپیماهای ثابت و چرخان نقش داشته است که منجر به از دست رفتن جان انسان ها شده است. طبق یک گزارش داخلی ناسا، "سیم های شاتل فضایی با عایقی به نام کپتون پوشیده شده بودند که به مرور زمان تمایل به خراب شدن داشتند و ممکن بود باعث اتصال کوتاه و احتمالاً آتش سوزی شوند." کاربرد. تولید الکترونیک. به دلیل پایداری حرارتی گسترده و قابلیت عایق کاری الکتریکی، نوار کپتون معمولاً به عنوان لایه عایق و محافظ اجزای حساس به الکترواستاتیک و شکننده استفاده می شود. این نوار می تواند دمای لازم برای عملیات لحیم کاری مجدد را تحمل کند و در طول فرآیند تولید به عنوان محافظ عمل می کند و اغلب در محصول نهایی مصرف کننده نیز حضور دارد. فضاپیما. در مرحله فرود ماه نشین آپولو و پایین مرحله صعود اطراف موتور صعودی، با پتوهای فویلی کپتون آلومینیمی برای عایق کاری حرارتی پوشانده شده بود. نیل آرمسترانگ، فضانورد آپولو 11، در سفر بازگشت از ماه اظهار
داشت که هنگام پرتاب ماه نشین، می توانست "کپتون و سایر قطعات ماه نشین را در اطراف منطقه پراکنده ببیند." آزمایشگاه پیش رانش جت ناسا، کپتون را به دلیل دوام آن در محیط فضایی به عنوان یک پشتیبان پلاستیکی خوب برای بادبان های خورشیدی در نظر گرفته است. فضاپیمای "نیو هورایزنز" ناسا از کپتون در طراحی عایق "بطری فلاسک" استفاده کرد تا فضاپیما در طول سفر بیش از 9 ساله، 5 ترا متری (33 واحد نجومی) برای ملاقات با سیاره پلوتو در 14 ژوئیه 2015، بین 283 و 303 کلوین (10 و 30 درجه سانتی گراد) عمل کند. بدنه اصلی با عایق حرارتی سبک و طلایی چند لایه پوشانده شده بود که گرما را از الکترونیک عملیاتی حفظ می کرد تا فضاپیما گرم بماند. پوشش حرارتی شامل 18 لایه پارچه توری پلی اتیلن ترفتالات بین فیلم پلی استر آلومینیومی و فیلم کپتون نیز کمک کرد تا فضاپیما را از ریزشتاب وارهها محافظت کند. سپر خورشیدی تلسکوپ فضایی جیمز وب از پنج ورق کپتون E پوشیده شده با آلومینیوم و آلایش سیلیکون ساخته شده است تا گرما را از بدنه فضاپیما دور کند. خدمه ایستگاه فضایی بین المللی از نوار کپتون برای تعمیر موقت یک نشت آهسته در فضاپیمای سایوز متصل به بخش روسی مجتمع م
داری در آگوست 2018 استفاده کردند. این نوار دوباره در اکتبر 2020 برای مهر و موم موقت یک نشت در محفظه انتقال ماژول سرویس Zvezda ایستگاه فضایی بین المللی استفاده شد. اشعه ایکس. کپتون به عنوان ماده ای برای پنجره های استفاده شده با انواع منابعاشعه ایکس (خطوط پرتوهای سینکروترون و لامپ اشعه ایکس) و آشکارسازهای اشعه ایکس استفاده می شود. پایداری مکانیکی و حرارتی بالا و انتقال خوب اشعه ایکس باعث شده که این ماده ترجیح داده شود. همچنین نسبت بهآسیب های اشعه حساسیت کمتری دارد. چاپ سه بعدی. کپتون و آکریلونیتریل بوتادین استایرن (ABC) به خوبی به یکدیگر می چسبند، که باعث استفاده گسترده ای از کپتون به عنوان سطح ساخت برای چاپگرهای سه بعدی شده است. کپتون بر روی سطح صاف قرار داده می شود و ABS بر روی سطح کپتون اکسترود می شود. قطعه ABS چاپ شده از بستر ساخت جدا نمی شود زیرا خنک شده و جمع می شود، که یک علت شایع برای خرابی چاپ با تغییر شکل قطعه است. جایگزین بادوام تر، استفاده از سطح پلی اتریمید است. پژوهشگران روشی را برای چاپ سه بعدی مواد پلی آمیدی از جمله کپتون ابداع کرده اند. پیش ماده اسید پلی آمیک کپتون با یک اتصال دهنده آکریلات و ف
وتواینیتیاتور مخلوط می شود که می تواند هنگام قرار گرفتن در معرض نور ماوراء بنفش در حین چاپ سه بعدی ژل تشکیل دهد. گرم کردن بعدی قطعه چاپ شده تا 400 درجه سانتی گراد اتصالات فداکاری را حذف کرده و قطعه را با شکل هندسی چاپ سه بعدی تقلید می کند. سایر موارد. رسانایی حرارتی نسبتاً بالا کپتون در دماهای بسیار پایین، همراه با کیفیت های دی الکتریکی خوب و در دسترس بودن به عنوان ورق های نازک، آن را به یک ماده محبوب در تبدیل کرده است، زیرا عایق الکتریکی را در گرادیان های حرارتی پایین فراهم می کند. کپتون به طور منظم به عنوان عایق در محیط های فوق خلأ بالا به دلیل نرخ پایین رهش گاز استفاده می شود. سیم کشی الکتریکی عایق شده با کپتون به طور گسترده در هواپیماهای غیرنظامی و نظامی استفاده شده است زیرا سبک تر از سایر عایق ها است و ویژگی های عایق و حرارتی خوبی دارد.