Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
ی کند-هنگام خنک شدن این هوا ممکن است منقبض شود و خلاء جزئی ایجاد کند که برای شکستن شیشه کافی است. از آنجا که شیشه به اندازه کافی حرارت نمی بیند تا مایع شود، این هوا نمی تواند به صورت حباب فرار کند و بنابراین نیاز به تخلیه می باشد. برای جلوگیری از چسبیدن شیشه به قالب از شست وشوی کامل آن استفاده می شود. ذوب آزاد. یک قالب برای ذوب آزاد به شکل یک حلقه با یک دهانه مرکزی است. هنگامی که حرارت داده می شود، شیشه از این دهانه می افتد و یک کاسه را تشکیل می دهد. بسته به دما و زمان، این کاسه ممکن است کم عمق یا عمیق باشد. اگر یک قفسه کوره در زیر قالب حلقه ای قرار گیرد، این کار شیشه در حال سقوط را می گیرد و یک ظرف با پایه صاف ایجاد می کند. از ذوب آزاد برای ساخت ظروف بلندتر با کناره های شیب دارتر مانند گلدان استفاده می شود. پوشاندن. پوشاندن از انواع ریخته گری آزاد است، که در آن قالب در مرکز قطعه قرار می گیرد و لبه خارجی زیر حرارت قرار می گیرد. از آنجا که این لبه خارجی بدون محدودیت است، تمایل به افتادن در چین های بزرگ دارد. بنابراین لبه بسیار نامساوی است، اگرچه یک قطعه با دقت پوشانده شده ممکن است هنوز تقارن کامل را حفظ کند. ب
ه همین دلیل قطعات پوشانده شده شده اغلب به عنوان ظرف یا قالب استفاده می شوند. قطعات پوشانده شده گاهی در هنگام سرد شدن ساییده و صاف می شوند تا ناهمواری لبه آن ها کاهش یابد. ریخته گری. ریخته گری فرایندی است که در آن شیشه شروع به ذوب شدن می کند و مانند یک مایع رفتار می کند. در حال حاضر شکل آن به طور کامل توسط قالب محدود شده و شکل قبلی از دست می رود. شیشه ویسکوز است و برخلاف ، شیشه نرم در قالب جاری نمی شود. بنابراین تغییرات در شیشه در قطعه نهایی حفظ می شود، بنابراین رنگ ها و ترکیبات موجود در آن ممکن است هنوز در قالب باقی بمانند. شیشه ممکن است از شمش های (شمش های )، ورقه ای، قطعات شیشه ای به طور شل ریخته گری شده (این قطعات معمولا با ریخته گری با دمای پایین مورد استفاده قرار می گیرند، به طوری که مرز آن ها به طور عمدی بعد از آن قابل مشاهده باشد) یا شیشه های ، شیشه آسیاب شده یا پودر شده. قالب های ریخته گری ممکن است قالب های سرامیکی قابل استفاده مجدد باشند یا قالب های یکبار مصرف گچ. این قالب ممکن است به نوبه خود توسط فرآیند شکل گرفته باشد. خمیر شیشه ای. خمیر شیشه ای از قالب های پودری ریخته می شود، با یک چسب مخلوط می شو
د. این کار به خمیر اجازه می دهد تا به کناره های یک قالب بزرگ در یک لایه نازک اعمال شود. هنگامی که قالب ریخته می شود، یک ظرف با دیواره نازک تشکیل می شود. شفافیت قالب نهایی به اندازه قالب مورد استفاده بستگی دارد: پودر ریز یک قالب مات، متوسط یا درشت تولید می کند که ممکن است برای ریخته گری یک قطعه شفاف استفاده شود. سایر فرایندها. صیقل کاری آتشی. در ، لبه ها به مدت کوتاهی در شعله حرارت داده می شوند تا صاف و گرد شوند. شانه کردن. این یکی از معدود فرایندهایی است که شامل کار دستی بر روی شیشه داغ در حالی که هنوز در کوره است، می شود. به شیوه ای مشابه لغزش در سرامیک ها، الگویی بر روی سطح شکل می گیرد، سپس با یک میله فلزی نوک تیز به پر تبدیل می شود. پختن. کار با شیشه گرم شبیه به کار با سرامیک است، به این صورت که قطعه ای مونتاژ می شود، در کوره سرد قرار می گیرد و سپس از طریق یک چرخه از پیش تعریف شده گرم می شود، از جمله یک مرحله سرد کردن آهسته بعد از آن. برخلاف شیشه داغ، شیشه گرم به ندرت به صورت دستی در حین گرم شدن کار می کند. کوره ها. کار شیشه گرم معاصر تقریبا به طور جهانی در یک با حرارت الکتریکی انجام می شود، اگرچه برخی از
کوره های گاز یا نفت سوز هنوز مورد استفاده قرار می گیرند. دلیل این امر دقت کنترل بیشتر و قابلیت برنامه ریزی در دسترس با گرمایش الکتریکی، و همچنین هزینه سرمایه کم تر و نصب مناسب آن ها است. تمام کوره ها برای کار با شیشه نیاز به یک دارند که معمولا بر پایه است، زیرا آگاهی از دمای کوره برای کنترل این فرآیند ضروری است. کوره های الکتریکی دارای کنترل کننده هایی با پیچیدگی های مختلف هستند: ساده ترین آن ها "کنترل بی نهایت" است، یک تنظیم کننده ساده . از آنجا که این تنها قدرت را کنترل می کند، به جای دما، چنین کوره ای باید به صورت دستی در طول چرخه کنترل شود. از آنجا که چرخه های پختن در طول چندین ساعت، به طور بالقوه روزها برای قطعات معماری بزرگ گسترش می یابند، کنترل خودکار بدون نظارت آشکارا مهم است. کنترل دمای خودکار از یک استفاده می کند که دمای تنظیم شده ثابتی را حفظ می کند. کنترل کننده های پیچیده تر اجازه می دهند که نرخ گرمایش و سرمایش شیب نیز کنترل شود که یک عامل مهم در گرمایش شیشه ای است. کنترل کننده های اختصاصی برای استفاده از کوره شیشه ای، کل چرخه های گرمایشی خود را قبل از استفاده با چندین دمای تنظیم شده، زمان نگهداری
و شیب بین آن ها تعریف می کنند. پیچیده ترین کنترل کننده ها به استفاده از شیشه اختصاص دارند و اجازه می دهند تا چرخه های از پیش تعریف شده مانند "Fuse" یا "Slump" از یک منوی ساده انتخاب شوند، بدون اینکه اپراتور آن ها نیاز به آگاهی از دمای دقیق مورد نیاز داشته باشد. چرخه های پختن. رفتار شیشه در هنگام حرارت بسیار پیچیده است.
جابجایی باز شدن نوک ترک (CTOD) یاformula_1 فاصله بین وجوه مخالف نوک ترک در موقعیت 90 درجه است. موقعیت پشت نوک ترک که در آن فاصله اندازه گیری می شود دلخواه است، اما معمولاً از نقطه ای استفاده می شود که در آن دو خط 45 درجه که از نوک ترک شروع می شوند، سطوح ترک را قطع می کنند.این پارامتر در مکانیک شکست برای مشخص کردن بارگذاری روی ترک استفاده می شود و می تواند با پارامترهای دیگر بارگذاری نوک ترک مانند ضریب شدت تنشformula_2 و J-انتگرال الاستیک-پلاستیک مرتبط باشد. برای شرایط تنش سطحی، CTOD را می توان به صورت زیر نوشت: formula_3 جایی کهformula_4 تنش تسلیم است،formula_5 طول ترک است، formula_6مدول یانگ است وformula_7 استرس اعمال شده از راه دور است. تحت بارگذاری خستگی، دامنه حرکت نوک ترک در طول زمان یک چرخه بارگذاری ، formula_8 می تواند برای تعیین نرخ رشد خستگی با استفاده از معادله رشد ترک استفاده شود. گسترش کرک برای یک چرخهformula_9 ، معمولاً از مرتبه formula_8 است. تاریخ. بررسی نمونه های آزمایش شکسته، منجر به مشاهده این شد که سطوح ترک قبل از شکستگی به دلیل کند شدن یک ترک اولیه تیز توسط تغییر شکل پلاستیک، از یکدیگر جدا
شده اند. درجه کند شدن ترک متناسب با چقرمگی ماده افزایش می یابد. این مشاهدات منجر به در نظر گرفتن باز شدن در نوک ترک به عنوان معیاری برای چقرمگی شکست شد. COD در اصل به طور مستقل توسط آلن کوترل و A. A. Wells پیشنهاد شد. این پارامتر به CTOD معروف شد. G. R. Irwin بعداً فرض کرد که انعطاف پذیری نوک ترک باعث می شود ترک به گونه ای رفتار کند که انگار کمی طولانی تر است. بنابراین، تخمین CTOD را می توان با حل جابجایی در نوک فیزیکی ترک انجام داد. استفاده به عنوان پارامتر طراحی. CTOD یک پارامتر واحد است که انعطاف پذیری نوک ترک را در خود جای می دهد. اندازه گیری آن در مقایسه با تکنیک هایی مانند انتگرال J آسان است. این یک پارامتر شکستگی است که معنی فیزیکی بیشتری نسبت به بقیه دارد. با این حال، هم ارزی CTOD و انتگرال J فقط برای مواد غیر خطی اثبات شده است، اما برای مواد پلاستیکی نه. گسترش مفهوم CTOD برای تغییر شکل های بزرگ دشوار است. محاسبه J-انتگرال در مورد فرآیند طراحی با استفاده از تکنیک های روش اجزای محدود آسان تر است. ارتباط با سایر پارامترهای نوک ترک. K و CTOD. CTOD را می توان بر حسب فاکتور شدت تنش formula_2 به شکل زیر بی
ان کرد: formula_12. جایی کهformula_13 قدرت تسلیم است، formula_6 مدول یانگ است وformula_15 برای تنش صفحه ای و formula_16برای کرنش صفحه ای. J-انتگرال و CTOD. رابطه بین CTOD و J داده شده به صورت: formula_17 جایی که متغیر formula_18 معمولا بین 0.3 و 0.8 است. آزمایش کردن. آزمایش CTOD معمولاً بر روی موادی انجام می شود که قبل از شکست دچار تغییر شکل پلاستیک می شوند. ماده تست شونده کم و بیش شبیه نمونه اصلی است، اگرچه ابعاد را می توان به نسبت کاهش داد. بارگذاری برای شباهت به بار مورد انتظار انجام می شود. بیش از 3 آزمایش برای به حداقل رساندن هرگونه انحراف آزمایشی انجام می شود. ابعاد مواد آزمایش باید تناسب را حفظ کند. نمونه روی میز کار قرار می گیرد و یک بریدگی دقیقاً در مرکز ایجاد می شود. ترک باید طوری ایجاد شود که طول عیب تقریباً نصف عمق باشد. بار اعمال شده بر روی نمونه به طور کلی، یک بار خمشی سه نقطه ای است. برای اندازه گیری دهانه ترک از نوعی کرنش سنج به نام crack-mouth clip gage استفاده می شود. نوک ترک به صورت پلاستیک تغییر شکل می دهد تا زمانی که یک نقطه بحرانی ایجاد شود و پس از آن یک ترک شکاف ایجاد شده که ممکن است من
جر به شکست جزئی یا کامل شود. بار بحرانی و اندازه گیری های کرنش سنج در بار، ذکر شده و یک نمودار رسم می شود. باز شدن نوک ترک را می توان از طول ترک و باز شدن در دهانه شکاف محاسبه کرد. با توجه به مواد مورد استفاده، شکستگی می تواند شکننده یا انعطاف پذیر باشد که می توان از نمودار نتیجه گرفت. استانداردهای آزمایش CTOD را می توان در کد ASTM E1820 - 20a یافت. اندازه گیری آزمایشگاهی. آزمایش های اولیه از یک گیج تخت به شکل دست و پا استفاده می کردند که در شکاف قرار می گرفت. با باز شدن شکاف، پدل گیج می چرخد ​​و یک سیگنال الکترونیکی به یک پلاتر x-y ارسال می شود. با این حال، این روش نادرست بود، زیرا رسیدن به نوک ترک با پاروسنج دشوار بود. امروزه جابجایی V در دهانه ترک اندازه گیری می شود و CTOD با فرض اینکه نصفه های نمونه صلب هستند و حول یک نقطه لولا می چرخند، استنباط می شود.
اریک آلمگرن (; – ) بازیکن و مربی فوتبال اهل سوئد بود. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به باشگاه فوتبال ای آی کی اشاره کرد. وی همچنین در تیم ملی فوتبال سوئد بازی کرده است.
جیم لس (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل ایالات متحده آمریکا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به ساکرامنتو کینگز، لس آنجلس کلیپرز، و آتلانتا هاوکس اشاره کرد.
کامرون ردیش (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل ایالات متحده آمریکا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به بسکتبال مردان دوک بلو دولز اشاره کرد. وی در مسابقات کشوری و بین المللی در مجموع برندهٔ ۱ مدال برنز شده است.
ترکیبات هوسلر بین فلزات مغناطیسی با ساختار کریستالی مکعبی رو به مرکز و ترکیبی از XYZ (نیمه هوسلر) یا X2YZ (هوسلرهای کامل) هستند، که در آن X و Y فلزات واسطه هستند و Z در بلوک p است. این اصطلاح از نام مهندس معدن و شیمیدان آلمانی فردریش هوسلر گرفته شده است که در سال ۱۹۰۳ چنین ترکیبی (Cu2MnAl) را مطالعه کرد. بسیاری از این ترکیبات خواص مربوط به اسپینترونیک را نشان می دهند، مانند مقاومت مغناطیسی، تغییرات اثر هال، فرو مغناطیس، ضد فرو و آهن، نیمه فلزی و نیمه فلزی، نیمه رسانایی با قابلیت فیلتر چرخشی، ابررسانایی، ساختار نوار توپولوژیکی و به طور فعال مورد مطالعه قرار می گیرند. مواد ترموالکتریک. مغناطیس آن ها از مکانیزم تبادل دوگانه بین یون های مغناطیسی همسایه ناشی می شود. منگنز که در مرکز بدنه ساختار مکعبی قرار دارد، یون مغناطیسی ای است که در اولین ترکیب هوسلر کشف شده بود. (برای جزئیات بیشتر در مورد این که چرا این اتفاق می افتد ، منحنی بته- اسلاتر را ببینید). سبک های نوشتن فرمول شیمیایی. بسته به زمینه ادبیات مورد بررسی، ممکن است با همان ترکیبی که با فرمول های شیمیایی مختلف به آن اشاره می شود، مواجه شوید. نمونه ای از رای
ج ترین تفاوت ها X2YZ در مقابل XY2Z است که در آن مرجع به دو فلز واسطه X و Y در ترکیب مبادله می شود. قرارداد سنتی X2YZ از تفسیر هوسلر به عنوان مواد بین فلزی ناشی می شود و معمولاً در ادبیات مطالعه کاربردهای مغناطیسی ترکیبات هوسلر استفاده می شود. از طرف دیگر، قرارداد XY2Z بیشتر در مواد ترموالکتریک و کاربردهای رسانای شفاف استفاده می شود که در آن ها هوسلرهای نیمه هادی (اکثر نیمه هوسلرها نیمه هادی هستند) استفاده می شود. این قرارداد، که در آن چپ ترین عنصر جدول تناوبی اول است، از تفسیر Zintl از ترکیبات نیمه رسانا استفاده می کند که در آن فرمول شیمیایی XY2Z به ترتیب افزایش الکترونگاتیوی نوشته شده است. در ترکیبات معروفی مانند Fe2VAl که از نظر تاریخی به عنوان فلز (نیمه فلزی) در نظر گرفته می شدند، اما به تازگی نشان داده شده اند که نیمه هادی های با شکاف کوچک هستند، ممکن است هر دو سبک مورد استفاده قرار گیرند. در مقاله حاضر ممکن است گاهی اوقات ترکیبات نیمه هادی به سبک XY2Z نام برده شوند. هوسلر «خارج از استوکیومتری». اگرچه به طور سنتی تصور می شد که در ترکیبات XYZ و X2YZ تشکیل می شود، مطالعات منتشر شده پس از سال ۲۰۱۵ ترکیبات هو
سلر را در ترکیبات غیر معمول مانند XY0.8Z و X1.5YZ کشف و به طور قابل اعتمادی پیش بینی می کنند. علاوه بر این ترکیبات سه تایی، ترکیبات هوسلر چهارتایی به نام دو نیمه هوسلر X2YY'Z2 (مثلا Ti2FeNiSb2) و نیمه هوسلر سه گانه X2X'Y3Z3 (برای مثال Mg2VNi3Sb3) نیز کشف شده است. علاوه بر این، LiXYZ چهارتایی مبتنی بر لیتیوم از محاسبات پیش بینی شده است. این «خارج از استوکیومتری» (خارج از استوکیومتری در اینجا به انحراف آن ها از ترکیبات شناخته شده XYZ و X2YZ اشاره دارد. اگرچه، این ها ترکیباتی با استوکیومتری های جدید هستند) هوسلرها معمولاً نیمه هادی هستند و در دمای پایین T=0K در استوکیومتری ها به طور نامساعدی با پیکربندی متعادل ظرفیتشان قابل شناسایی هستند. با این حال، ترکیبات پایدار و خواص الکتریکی مربوطه، می توانند به دما کاملاً حساس باشند. دمای انتقال نظم-اختلال در این ترکیبات غیر استوکیومتری نیز اغلب می تواند زیر دمای اتاق رخ دهد. مقادیر زیاد عیب ها در مقیاس اتمی در هوسلرهای غیراستوکیومتری به آن ها کمک می کند تا رسانایی حرارتی بسیار پایینی داشته باشند و آن ها را برای کاربردهای ترموالکتریک مطلوب کنند. ترکیب نیمه هادی X1.5YZ توس
ط فلز واسطه X که نقشی دوگانه (دهنده الکترون و همچنین گیرنده) در ساختار بازی می کند، تثبیت می شود. خواص مغناطیسی. مطالعات اولیه ترکیب هوسلر کامل Cu2MnAl دارای خواص زیر است. خاصیت مغناطیسی آن به طور قابل توجهی با عملیات حرارتی و ترکیب متفاوت است. القای اشباع دمای اتاق حدود ۸۰۰۰ گاوس است که از عنصر نیکل (حدود ۶۱۰۰ گاوس) بیشتر است اما از آهن (حدود ۲۱۵۰۰ گاوس) کوچک تر است. برای مطالعات اولیه به مراجعه کنید. در سال ۱۹۳۴، بردلی و راجرز نشان دادند که فاز فرومغناطیسی دمای اتاق یک ساختار کاملاً منظم از نوع L21 Strukturbericht است. این نوع دارای یک شبکه مکعبی اولیه از اتم های مس با سلول های متناوب با منگنز و آلومینیوم است. پارامتر شبکه ۵٫۹۵ Å است. آلیاژ مذاب دارای دمای جامدوس در حدود ۹۱۰ درجه سانتیگراد است. همان طور که زیر این دما سرد می شود، به فاز بتای مکعبی نامنظم، جامد و بدن محور تبدیل می شود. زیر ۷۵۰ درجه سانتیگراد، یک شبکه مرتب شده B2 با یک شبکه مسی مکعبی اولیه تشکیل می شود که توسط یک زیرشبکه منگنز-آلومینیوم بی نظم در مرکز بدن قرار دارد. خنک کننده زیر ۶۱۰ درجه سانتی گراد باعث مرتب شدن بیشتر شبکه فرعی منگنز و آلومی
نیوم به شکل L21 می شود. در آلیاژهای غیر استوکیومتری، دمای سفارش کاهش می یابد و دامنه دمای بازپخت، در جایی که آلیاژ ریز رسوب تشکیل نمی دهد، نسبت به مواد استوکیومتری کوچک تر می شود. اوگسلی مقدار ۳۵۷ درجه سانتی گراد را برای دمای کوری پیدا کرد، که در زیر آن ترکیب فرومغناطیسی می شود. پراش نوترون و سایر تکنیک ها نشان داده اند که یک گشتاور مغناطیسی از حدود ۳٫۷ مگنتون بور تقریباً تنها بر روی اتم های منگنز قرار دارد. از آن جایی که این اتمها ۴٫۲ Å از هم فاصله دارند، برهمکنش تبادلی که اسپین ها را هم تراز می کند، احتمالاً غیرمستقیم است و از طریق الکترون های رسانا یا اتم های آلومینیوم و مس انجام می شود. مطالعات میکروسکوپ الکترونی نشان داد که مرزهای ضدفاز حرارتی (APBs) در طول خنک سازی از طریق دماهای سفارشی شکل می گیرند، زیرا دامنه های مرتب شده در مراکز مختلف درون شبکه بلوری هسته ای می شوند و اغلب در جایی که به هم می رسند با یکدیگر خارج می شوند. حوزه های ضد فاز با بازپخت شدن آلیاژ رشد می کنند. دو نوع APB مربوط به نوع B2 و L21 وجود دارد. در صورت تغییر شکل آلیاژ، APBها نیز بین نابجاییها تشکیل می شوند. در APB اتم های منگنز نزد
یک تر از قسمت عمده آلیاژ و برای آلیاژهای غیر استوکیومتری با مس اضافی (مثلاً Cu2.2MnAl0.8)، یک لایه ضد فرومغناطیسی روی هر APB حرارتی تشکیل می شود. این لایه های ضد فرومغناطیسی به طور کامل جایگزین ساختار حوزه مغناطیسی معمولی می شوند و اگر با بازپخت آلیاژ رشد کنند با APBها باقی می مانند. این به طور قابل توجهی خواص مغناطیسی آلیاژ غیر استوکیومتری را نسبت به آلیاژ استوکیومتری که دارای ساختار دامنه طبیعی است تغییر می دهد. احتمالاً این پدیده به این واقعیت که منگنز خالص یک ضد فرومغناطیس است مربوط می شود، اگرچه مشخص نیست که چرا این اثر در آلیاژ استوکیومتری مشاهده نمی شود. اثرات مشابهی در APBها در آلیاژ فرومغناطیسی MnAl در ترکیب استوکیومتری آن رخ می دهد. برخی از ترکیبات هوسلر نیز خواص موادی به نام آلیاژهای حافظه دار فرومغناطیسی را نشان می دهند. این ها به طور عمده از نیکل، منگنز و گالیم تشکیل شده اند و می توانند طول خود را تا ۱۰ درصد در میدان مغناطیسی تغییر دهند. ویژگی های مکانیکی. درک خاصیت های مکانیکی ترکیبات هوسلر برای کاربردهای حساس به دما (مانندترموالکتریک) که برخی از زیر کلاس های ترکیبات هوسلر برای آن ها استفاده می
شوند، بسیار مهم است. با این حال، مطالعات تجربی به ندرت در ادبیات دیده می شود. در واقع، تجاری کردن این ترکیبات به دلیل توانایی این ماده برای انجام چرخه حرارتی شدید و مکرر و مقاومت در برابر ترک ناشی از ارتعاشات محدود شده است. یک معیار مناسب برای مقاومت در برابر ترک، چقرمگی ماده است که معمولاً با یکی دیگر از ویژگی های مهم مکانیکی یعنیمقاومت مکانیکی، معکوس می شود. در این بخش، ما مطالعات تجربی و محاسباتی موجود در مورد خاصیت های مکانیکی آلیاژهای هوسلر را برجسته می کنیم. توجه داشته باشید که خاصیت های مکانیکی چنین دسته ای از مواد از نظر ترکیبی متنوع، انتظار می رود که به ترکیب شیمیایی خود آلیاژها بستگی داشته باشد، و بنابراین تشخیص روند خواص مکانیکی بدون مطالعه موردی دشوار است. مقدارهای مدول الاستیک آلیاژهای نیمه هوسلر از ۸۳ تا ۲۰۷ گیگا پاسکال متغیر است، در حالی که مدول توده ای محدوده محدودتری از ۱۰۰ گیگا پاسکال در HfNiSn تا ۱۳۰ گیگا پاسکال در TiCoSb دارد. مجموعه ای از محاسبات مختلف تئوری تابعی چگالی (DFT) نشان می دهد که پیش بینی می شود که ترکیبات نیمه هوسلر نسبت به آلیاژهای هوسلر چهارتایی، کامل و معکوس دارای مدول الاس
تیک، برشی و حجمی کمتری باشند. DFT همچنین کاهش مدول الاستیک با دما در Ni2XAl (X=Sc, Ti, V) و همچنین افزایش سفتی با فشار را پیش بینی می کند. کاهش مدول نسبت به دما نیز در TiNiSn ,ZrNiSn و HfNiSn مشاهده می شود که ZrNiSn بیشترین مدول و Hf کمترین مدول را دارد. این پدیده را می توان با این واقعیت توضیح داد که مدول الاستیک با افزایش جدایی بین اتمی کاهش می یابد: با افزایش دما، ارتعاشات اتمی نیز افزایش می یابد و در نتیجه در جدایی بین اتم ها تعادل بیشتری ایجاد می شود. استحکام مکانیکی نیز به ندرت در ترکیبات هوسلر مورد مطالعه قرار می گیرد. یک مطالعه نشان داده است که در خارج از استوکیومتری Ni2، ماده به حداکثر مقاومت ۴۷۵ مگاپاسکال در ۷۷۳ کلوین می رسد که به شدت به زیر ۲۰۰ مگاپاسکال در ۹۷۳ کلوین کاهش می یابد. از فضای ترکیب سه تایی Ni-Mn-Sn دارای حداکثر مقاومت فشاری حدود ۲۰۰۰ مگاپاسکال با تغییر شکل پلاستیک تا ۵٪ بود. با این حال، افزودن ایندیم به آلیاژ سه تایی Ni-Mn-Sn نه تنها تخلخل نمونه ها را افزایش می دهد، بلکه مقاومت فشاری را تا ۵۰۰ مگاپاسکال کاهش می دهد. از این مطالعه مشخص نیست که چه درصدی از افزایش تخلخل ناشی از افزودن این
دیم باعث کاهش استحکام می شود. توجه داشته باشید که این برخلاف نتیجه مورد انتظار از تقویت محلول جامد است، جایی که افزودن ایندیم به سیستم سه تایی حرکت نابجایی را از طریق برهمکنش نابجایی-املاح کند می کند و متعاقباً استحکام ماده را افزایش می دهد. چقرمگی شکست را نیز می توان با اصلاحات ترکیب تنظیم کرد. به عنوان مثال، میانگین چقرمگی Ti1−x(Zr, Hf)xNiSn از 1.86 MPa m1/2 تا 2.16 MPa m1/2 است که با محتوای Zr/Hf افزایش می یابد. آماده سازی نمونه ها ممکن است بر چقرمگی شکست اندازه گیری شده تأثیر بگذارد، اما همان طور که O'Connor و همکاران توضیح داده اند. در مطالعه آن ها، نمونه هایی از Ti0.5Hf0.5Co0.5Ir0.5Sb1−xSnx با استفاده از سه روش مختلف تهیه شد: واکنش حالت جامد در دمای بالا، آسیاب گلوله ای با انرژی بالا، و ترکیبی از هر دو. این مطالعه چقرمگی شکست بالاتری را در نمونه های تهیه شده بدون مرحله آسیاب گلوله ای با انرژی بالا از ۲٫۷ مگاپاسکال بر متر1/2 تا ۴٫۱ مگاپاسکال در مترمربع، در مقایسه با نمونه هایی که با آسیاب گلوله ای ۲٫۲ مگاپاسکال بر متر1/2 به تهیه شده بودند، نشان داد. ۳٫۰ مگاپاسکال متر1/2. چقرمگی شکست به آخال ها و ترک های
موجود در مواد حساس است، بنابراین مطابق انتظار به آماده سازی نمونه بستگی دارد. ترموالکتریک نیمه هوسلر. ترکیبات نیمه هوسلر دارای خاصیت های متمایز و قابلیت تنظیم بالا هستند که این کلاس را به عنوان مواد ترموالکتریک بسیار امیدوارکننده می کند. یک مطالعه پیش بینی کرده است که می تواند تا ۴۸۱ ترکیب نیمه هوسلر پایدار با استفاده از محاسبات اولیه با توان عملیاتی بالا همراه با تکنیک های یادگیری ماشین وجود داشته باشد. ترکیبات نیمه هوسلر خاص مورد علاقه به عنوان مواد ترموالکتریک (گروه فضایی) ترکیبات سه تایی نیمه هادی با فرمول کلی XYZ هستند که در آن X یک فلز واسطه الکترومثبت تر است (مانند Ti یا Zr), Y یک فلز واسطه با الکترومثبت کمتر است (مانند Ni یا Co)، و Z عنصر اصلی گروه سنگین است (مانند Sn یا Sb). این گستره منعطف انتخاب عنصر به ترکیب های مختلف اجازه می دهد تا فاز نیمه هوسلر را تشکیل دهند و طیف متنوعی از خواص مواد را ممکن می سازد. مواد ترموالکتریک نیمه هوسلر مزایای مشخصی نسبت به بسیاری از مواد ترموالکتریک دیگر دارند. سمی بودن کم، عنصر ارزان قیمت، خواص مکانیکی قوی، و پایداری حرارتی بالا، ترموالکتریک نیمه هوسلر را به گزینه ای
عالی برای کاربرد دمای متوسط بالا تبدیل می کند. با این حال، هدایت حرارتی بالا، که ذاتی ساختار HH بسیار متقارن است، HH ترموالکتریک را به طور کلی کمتر از سایر کلاس های مواد TE کرده است. بسیاری از مطالعات بر روی بهبود ترموالکتریک HH با کاهش رسانایی حرارتی شبکه متمرکز شده اند و zT &gt; 1 بارها و بارها ثبت شده است. هوسلر فرومغناطیسی نیمه فلزی. فرومغناطیس های نیمه فلزی در یک کانال اسپینی رفتار فلزی و در کانال اسپینی دیگر رفتار عایق از خود نشان می دهند. اولین نمونه فرومغناطیس های نیمه فلزی هوسلر برای اولین بار توسط د گروت و همکاران با مورد NiMnSb مورد بررسی قرار گرفت. نیمه فلزی گه منجر به قطبی شدن کامل الکترون های رسانا می شود؛ بنابراین فرومغناطیس های نیمه فلزی برای کاربردهای اسپینترونیک امیدوارکننده هستند. جستارهای وابسته. YbBiPt پیوند به بیرون. فهرست ملی آلاینده ها - برگه اطلاعات مس و ترکیبات
لیندسی هانتر (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل ایالات متحده آمریکا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به شیکاگو بولز، میلواکی باکس، فینیکس سانز، دیترویت پیستونز، لس آنجلس لیکرز، و تورنتو رپترز اشاره کرد.
ژوسف نورکیچ (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل بوسنی و هرزگوین است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به پورتلند تریل بلیزرز و دنور ناگتس اشاره کرد.
رادنی پورویس (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل ایالات متحده آمریکا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به اورلندو مجیک اشاره کرد. وی در مسابقات کشوری و بین المللی در مجموع برندهٔ ۱ مدال طلا شده است.
والی شزربیاک (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل اسپانیا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به مینه سوتا تیمبرولوز و بوستون سلتیکس اشاره کرد. وی در مسابقات کشوری و بین المللی در مجموع برندهٔ ۳ مدال طلا شده است.
تونی روتن (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل ایالات متحده آمریکا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به ممفیس گریزلیز، فیلادلفیا سونتی سیکسرز، باشگاه بسکتبال کالو، باشگاه بسکتبال یوونتوت بادالونا، و الان بیرنایس اشاره کرد.
ارل کلارک (؛ زادهٔ ) بازیکن بسکتبال اهل ایالات متحده آمریکا است. از باشگاه هایی که در آن بازی کرده است می توان به اورلندو مجیک، فینیکس سانز، نیویورک نیکس، لس آنجلس لیکرز، و بروکلین نتس اشاره کرد.
گرمایش دی الکتریک که به عنوان گرمایش الکترونیکی، گرمایش با فرکانس رادیویی (بسامد رادیویی) و گرمایش با فرکانس بالا نیز شناخته می شود، فرآیندی است که در آن یک میدان الکتریکی متناوب فرکانس رادیویی (RF) یا امواج رادیویی یا تشعشعات الکترومغناطیسی مایکروویو، یک ماده دی الکتریک را گرم می کند. در فرکانس های بالاتر، این گرمایش به دلیل چرخش دوقطبی مولکولی در دی الکتریک ایجاد می شود. سازوکار. چرخش مولکولی در مواد حاوی مولکول های قطبی با گشتاور دوقطبی الکتریکی اتفاق می افتد و در نتیجه مولکول ها خود را در یک میدان الکترومغناطیسی منطبق می کنند. اگر میدان همانطور که در یک موج الکترومغناطیسی یا در یک میدان الکتریکی به سرعت نوسان می کند در حال نوسان باشد، این مولکول ها تا تراز شدن (همسویی) با آن به صورت مداوم می چرخند. به این چرخش دوقطبی یا قطبی شدن دوقطبی می گویند. با تغییر میدان، مولکول ها جهت خود را معکوس می کنند. این چرخش ملکول ها بارها و بارها اتفاق می افتد تا میانگین انرژی جنبشی ذرات ماده افزایش پیدا کند. مولکول های چرخان که یکدیگر را فشار می دهند، می کِشند و با مولکول های دیگر (از طریق نیروهای الکتریکی) برخورد می کنند،
توزیع انرژی در مولکول ها و اتم های مجاور در ماده را انجام می دهند. فرآیند انتقال انرژی از منبع به نمونه نوعی گرمایش تابشی است. دما به میانگین انرژی جنبشی (انرژی حرکت) اتم ها یا مولکول های یک ماده مربوط می شود، بنابراین هم زدن مولکول ها به این روش باعث افزایش میانگین انرژی جنبشی ماده و در نتیجه دمای آن می شود. بنابراین، چرخش دوقطبی مکانیزمی است که توسط آن انرژی به شکل تابش الکترومغناطیسی می تواند دمای یک جسم را افزایش دهد. همچنین مکانیزم های زیادی وجود دارد که توسط آنها این تبدیل رخ می دهد. چرخش دوقطبی مکانیزمی است که معمولاً به عنوان گرمایش دی الکتریک از آن یاد می شود، و به طور گسترده در اجاق مایکروویو قابل مشاهده می باشد، جایی که به طور مؤثر بر روی آب مایع و همچنین، روی چربی ها و قندها عمل می کند. البته تأثیر آن بر روی چربی ها و قندها به این دلیل که مولکول های چربی و قند به مراتب کمتر از مولکول های آب قطبی هستند و بنابراین کمتر تحت تأثیر نیروهای ایجاد شده توسط میدان های الکترومغناطیسی متناوب قرار می گیرند، خیلی کمتر از آب مایع می باشد. غیر از پخت و پز، این فرایند می تواند به شکل کلی برای گرم کردن جامدات، ما
یعات یا گازها استفاده شود، مشروط بر اینکه این مواد دارای دوقطبی الکتریکی باشند. گرمایش دی الکتریک شامل گرم کردن مواد عایق الکتریکی با افت دی الکتریک است. یک میدان الکتریکی در حال تغییر در سرتاسر ماده باعث می شود که انرژی اتلاف شود؛ زیرا مولکول ها تلاش می کنند تا با میدان الکتریکی که دائماً در حال تغییر است هم ردیف بشوند. این میدان الکتریکی در حال تغییر ممکن است به سبب انتشار امواج الکترومغناطیسی در فضای آزاد (همانند اجاق مایکروویو)، یا یک میدان الکتریکی متناوب با سرعت بالا در داخل خازن ها ایجاد شده باشد. در حالت دوم، موج الکترومغناطیسی آزادانه منتشر نمی شود، و میدان الکتریکی در حال تغییر ممکن است شبیه به جُزء الکتریکی یک آنتن میدان نزدیک دیده شود. در این حالت، گرچه گرمایش با تغییر میدان الکتریکی داخل حفره خازنی در فرکانس های فرکانس رادیویی (RF) انجام می شود، اما هیچ امواج رادیویی واقعی تولید یا جذب نمی شوند. در این معنا، اثر، مقیاس الکتریکی مستقیم گرمایش القای مغناطیسی است که همچنین اثر میدان نزدیک است (در نتیجه شامل امواج رادیویی نمی شود).فرکانس در محدوده 10-100 مگاهرتز برای ایجاد گرمایش دی الکتریک ضروری است