Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
ر روی داده های دیده نشده، نیازمند بهینه سازی و میزان سازی می باشد: یک ثابت تنظیم و یک ابرپارامتر هسته. هر دوی این پارامترها پیوسته هستند، پس برای اینکه بتوانیم جستجوی شبکه ای را انجام دهیم، یک مجموعهٔ متناهی از مقادیر منطقی و معقول را برای هر یک از آن ها تعریف می کنیم: حال جستجوی شبکه ای به ازای هر جفت حاضر در ضرب کارتزین این دو مجموعه، یک ماشین بردار پشتیبانی را آموزش داده و عملکرد آن ها را بر روی یک مجموعه از داده های اعتبارسنجی از پیش کنار گذاشته شده (یا روش اعتبارسنجی متقابل درونی بر روی مجموعهٔ داده های آموزشی، که در این صورت چندین ماشین بردار پشتیبانی به ازای هر جفت آموزش داده می شوند)، ارزیابی می کند. در نهایت الگوریتم جستجوی شبکه ای، ابرپارامترهایی که به ازای آن ها بیشترین امتیاز در مرحلهٔ اعتبارسنجی بدست آمده است را به عنوان خروجی برمی گرداند. جستجوی شبکه ای از مشقت بعدچندی رنج می برد ولی به علت اینکه ابرپارامترهایی که ارزیابی می کند عمداً مستقل از هم هستند، به آسانی می توان آن را به صورت موازی پردازش کرد.
طیف سنجی زودگذر سطح عمیق (DLTS) یک وسیله تجربی برای مطالعه نواقص فعال الکتریکی (معروف به دام های حامل بار) در نیمه رساناها است. DLTSمقدارهای معلوم و مشخص نقص اساسی را ایجاد می کند و غلظت آن ها را در ماده اندازه گیری می کند. برخی از پارامترها به عنوان «اثر انگشت» عیب در نظر گرفته می شوند که برای شناسایی و تجزیه و تحلیل آنها مورد استفاده قرار می گیرند. DLTS نواقص موجود در ناحیه شارژ فضایی (تخلیه شدن) یک دستگاه الکترونیکی ساده را بررسی می کند. رایج ترین آنها دیودهای شاتکی یا پیوندهای p-n هستند. در فرایند اندازه گیری، ولتاژ قطبی دیود حالت پایدار معکوس توسط یک پردازش سیگنال ولتاژ مختل می گردد. این پردازش سیگنال ولتاژ میدان الکتریکی را در ناحیه فضایی بار کاهش می دهد و به حامل های آزاد از بخش نیمه رسانا اجازه می دهد تا به این ناحیه نفوذ کرده و عیوب را دوباره شارژ کنند که باعث حالت غیرتعادلی بار آنها می گردد. پس از پردازش سیگنال، زمانی که ولتاژ به مقدار ثابت خود بر می گردد، نواقص به دلیل فرایند انتشار حرارتی شروع به انتشار حامل های به دام افتاده خود می کنند. این روش ظرفیت خازنی ناحیه فضایی شارژ دستگاه را مورد بررسی ق
رار می دهد که در آن بازیابی حالت شارژ نقص باعث ظرفیت خازن زودگذر می گردد. پردازش سیگنال ولتاژ به دنبال بازیابی حالت شارژ نقص چرخه می گردد و امکان استفاده از روش های مختلف پردازش سیگنال برای تجزیه و تحلیل فرایند شارژ مجدد عیب را فراهم می سازد. روش DLTS تقریباً از هر روش تشخیص نیمه رسانا دیگری حساسیت بالاتری دارا می باشد. به عنوان نمونه، در سیلیسیم می تواند ناخالصی ها و نواقص را در غلظت یک قسمت در ۱۲^۱۰ اتم میزبان ماده تشخیص دهد. این ویژگی به همراه طراحی فنی ساده اش، آن را در آزمایشگاه های تحقیقاتی و کارخانه های تولید مواد نیمه رسانا بسیار محبوب کرده است. روش DLTS توسط دیوید ورن لانگ در آزمایشگاه های بل در سال ۱۹۷۴ پیشقدم شده بود. در سال ۱۹۷۵ حق ثبت اختراع ایالات متحده به لانگ اعطا شد. روش DLTS. DLTS معمولی. در DLTS معمولی، ظرفیت زودگذر با استفاده روش تقویت کننده قفل یا دو برابر میانگین ماشین جعبه ای زمانی که دمای نمونه به تدریج در حال تغییر است (معمولا در محدوده ای ازدمای نیتروژن مایع تا دمای اتاق ۳۰۰ کلوین یا بالاتر) مورد بررسی قرار می گیرد. فرکانس مرجع تجهیزات نرخ تکرار پردازش سیگنال ولتاژ است. در روشی متداو
ل این فرکانس ضرب در مقداری ثابت (بسته به سخت افزاری که مورد استفاده قرار می گیرد) «نرخ پنجره» نامیده می شود. در طول اسکن دما، زمانی پیک ها ظاهر می شود که میزان انتشار از حامل ها از برخی از عیوب برابر نرخ پنجره باشد. با تنظیم نرخ پنجره های متفاوت در اندازه گیری های طیفی DLTS بعدی به دماهای متفاوتی دست می یابد که پیک خاصی ظاهر می شود. داشتن مجموعه ای از نرخ انتشار و جفت دما مربوطه می تواند یک نمودار آرنیوس، که امکان کسر نقص را فراهم می کند انرژی فعال سازی برای فرایند انتشار حرارتی. معمولاً این انرژی (گاهی اوقات سطح انرژی نقص نامیده می شود) همراه با مقداری قطع نمودار پارامترهای نقص هستند که برای شناسایی یا تجزیه و تحلیل استفاده می شوند. در نمونه هایی که چگالی رسانایی حامل کم زودگذر دارند نیز برای تجزیه و تحلیل DLTS استفاده شده است. علاوه بر اسکن دمای معمولی DLTS، که در آن دما در حین پردازش سیگنال کردن دستگاه در فرکانس ثابت پیچ خورده می شود، می توان دما را ثابت نگه داشت و فرکانس پردازش سیگنال را پیچ خورده کرد. این روش اسکن فرکانس DLTS نامیده می شود. در تئوری، اسکن فرکانس و دما DLTS باید نتایج یکسانی داشته باشند.
اسکن فرکانس DLTS مخصوصاً زمانی مفید واقع می شود که یک تغییر شدید دما ممکن است به دستگاه آسیب برساند. مثالی که برای مفید بودن اسکن فرکانس نشان داده شد، برای مطالعه دستگاه های ماسفِت مدرن با اکسیدهای گیت نازک و حساس است. DLTS برای مورد مطالعه قرار گرفتن نقاط کوانتومی و سلول های خورشیدی پروسکایت مورد استفاده قرار گرفته شده است. MCTS و DLTS حامل بخش کمتر. برای دیودهای شاتکی، دام های حامل بیشتر با استفاده از یک پردازش سیگنال یک طرفه معکوس مشاهده می شوند، در حالی که دام های حامل کمتر را می توان موقعی مشاهده کرد که پردازش سیگنال های ولتاژ یک طرفه معکوس با پالس های نور با انرژی فوتون از محدوده طیفی شکاف نوارهای نیمه رسانا فوق جایگزین شوند. این روش طیف سنجی زودگذر حامل کمتر (MCTS) نامیده می شود. دام های حامل کمتر را می توان برای پیوندهای p-n با استفاده از پالس های یک طرفه رو به جلو مشاهده کرد، که حامل های کمتر را به ناحیه بار فضایی تزریق می کنند. در نمودارهای DLTS، طیف های حامل اقلیت معمولاً با علامت مخالف دامنه نسبت به طیف تله حامل اکثریت نشان داده می شوند. لاپلاس DLTS. افزونه ای برای DLTS وجود دارد که به عنوان تبدیل
لاپلاس DLTS با وضوح بالا (LDLTS) شناخته شده است. لاپلاس DLTS یک روشی همدمایی است که در آن زودگذرهای خازنی دیجیتالی می گردند و در دمای ثابت میانگین آنها گرفته می شوند. سپس نرخ انتشار عیب با استفاده از روش های عددی معادل تبدیل لاپلاس معکوس قابل به دست آوردن است. نرخ انتشار به دست آمده به عنوان یک نمودار طیفی ارائه می گردد. فایده اصلی Laplace DLTS در قیاس با DLTS معمولی افزایش قابل توجه دقت انرژی است که در اینجا به عنوان قابلیت تشخیص سیگنال های بسیار شیبه به یکدیگر قابل درک است. لاپلاس DLTS در ترکیب با تنش تک محوره موجب به تقسیم سطح انرژی عیب می گرددد. با فرض توزیع تصادفی عیوب در جهت گیری های غیر یکنواخت، تعداد خطوط تقسیم و نسبت شدت آنها منعکس کننده کلاس تقارن عیب داده شده است. استفاده از LDLTS در خازن های ماسفت به ولتاژهای قطبی شده دستگاه در محدوده ای نیاز می شود که سطح فِرمی برون یابی شده از نیمه رسانا به رابط نیمه رسانا-اکسید این رابط را در حول و هوش شکاف نوارهای نیمه رسانا قطع کند. حالت های رابط الکترونیکی موجود در این رابط می تواند حامل ها را مشابه عیب هایی که در بالا توضیح داده شد به دام بیندازد. اگر اشغا
ل آنها با الکترون ها یا حفره ها توسط یک ولتاژ پردازش سیگنال کوچک مختل شود، ظرفیت خازن دستگاه پس از پردازش سیگنال به مقدار اولیه خود بر می گردد زیرا حالت های رابط شروع به انتشار حامل ها می کنند. این فرایند بازیابی را می توان با روش LDLTS برای ولتاژهای قطبی شده دستگاه های مختلف تجزیه و تحلیل کرد. چنین رویه ای اجازه می دهد تا توزیع حالت انرژی حالت های الکترونیکی رابط را در رابط های نیمه رسانا-اکسید (یا دی الکتریک) بدست آوریم. DLTS با ظرفیت ثابت. به طور عموم، تحلیل های ظرفیت زودگذر در اندازه گیری های DLTS فرض می کند که غلظت دام های مورد بررسی بسیار کمتر از غلظت آلایش مواد است. در مواردی که این فرض تحقق نیابد، برای تعیین دقیق تر غلظت دام از روش DLTS خازنی ثابت (CCDLTS) استفاده می شود. زمانی که عیوب شارژ می گردند و غلظت آنها زیاد است، بعد عرض ناحیه فضای دستگاه تغییر می کند و تجزیه و تحلیل زودگذر خازن را نادرست می کند. مدار الکترونیکی اضافی که با تغییر ولتاژ یکطرفه دستگاه، ظرفیت کل دستگاه را ثابت نگه می دارد، به ثابت نگه داشتن عرض ناحیه تخلیه کمک می کند. در نتیجه، ولتاژ متغیر دستگاه، فرایند شارژ مجدد عیب را منعکس می
کند. یک تجزیه و تحلیلی از سیستم CCDLTS با استفاده از نظریه بازخورد توسط لاو و لام در سال ۱۹۸۲ ارائه شد I-DLTS و PITS. یک عیب مهم برای DLTS وجود دارد: نمی توان از آن برای مواد عایق استفاده کرد. (توجه: یک عایق را می توان به عنوان یک نیمه رسانا شکاف نوار بسیار بزرگ در نظر گرفت) برای مواد عایق، تولید دستگاهی با یک ناحیه فضایی که عرض آن می تواند توسط ولتاژ خارجی یکطرفه تغییر کند، سخت یا ناممکن است و بنابراین روش های DLTS مبتنی بر اندازه گیری ظرفیت را نمی توان برای آنالیز عیب استفاده کرد. بر اساس تجربیات طیف سنجی جریان تحریک شده حرارتی (TSC)، جریان های زودگذر با روش هایDLTS (I-DLTS)، که در آن پالس های نور برای اختلال اشغال نقص استفاده می شوند، تجزیه و تحلیل می شوند. این روش در ادبیات گاهی اوقات طیف سنجی زودگذر نشائت گرفته از نور (PITS) نامیده می شود. I-DLTS یا PITS نیز برای مطالعه عیوب در ناحیه i یک دیود پین مورد استفاده قرار می گیرند.
در شیمی، انباشته شدن pi (π–π stacking نامیده می شود) به برهمکنش های احتمالی جذاب و غیرکووالانسی pi(همپوشانی حلقه های معطر ("برهم کنش ساندویچی") از نظر الکترواستاتیک باعث دافعه می شود. آنچه که بیشتر مشاهده می شود (شکل سمت راست را ببینید) یا یک برهمکنش انباشته ای (جابجایی موازی) یا برهمکنش pi (عمود بر T شکل) است که هر دو جذابیت الکترواستاتیکی دارند]] برای مثال، رایج ترین فعل و انفعالات مشاهده شده بین حلقه های معطر باقی مانده های اسید آمینه در پروتئین ها به صورت انباشته و به دنبال آن جهت عمودی است. جهت گیری ساندویچی نسبتا نادر است.] انباشتن pi دافعه است زیرا اتم های کربن با بارهای منفی جزئی از یک حلقه را روی سایر اتم های کربن با بار منفی جزئی از حلقه دوم و اتم های هیدروژن با بارهای مثبت جزئی را بر روی سایر اتم های هیدروژن قرار می دهد که به همین ترتیب بارهای مثبت جزئی را حمل می کنند.] 1] در انباشته شدن به صورت پلکانی، یکی از دو حلقه آروماتیک به طرفین افست می شود به طوری که اتم های کربن با بار منفی جزئی در حلقه اول بالای اتم های هیدروژن با بار مثبت جزئی در حلقه دوم قرار می گیرند تا برهمکنش های الکترواستاتیکی جذاب
شوند. به همین ترتیب، فعل و انفعالات Pi-teeing که در آن دو حلقه عمود بر یکدیگر قرار دارند، از نظر الکترواستاتیکی جذاب هستند زیرا اتم های هیدروژن با بار مثبت جزئی را در مجاورت اتم های کربن با بار نیمه منفی قرار می دهند. توضیح دیگر برای ترجیح انباشته شدن پلکانی به دلیل تعادل بین فعل و انفعالات واندروالس (پراکندگی جذاب به اضافه دفع پائولی) است.] این برهم کنش های انباشته ای و π-teeingبین حلقه های معطر در انباشته شدن هسته ای در مولکول های DNA و RNA، تا شدن پروتئین، سنتز الگو، علم مواد، و شناسایی مولکولی مهم هستند. با وجود استفاده گسترده از اصطلاح pi stacking در ادبیات علمی، هیچ توجیه نظری برای استفاده از آن وجود ندارد.] شواهدی علیه انباشتن پی. دایمر بنزن سیستم اولیه برای مطالعه انباشته شدن پی است و به طور تجربی با 8-12 کیلوژول در مول (2-3 کیلو کالری در مول) در فاز گاز با جدایی 4.96 Å بین مراکز جرم برای دایمر T شکل می باشد. انرژی اتصال اندک مطالعه تجربی دیمر بنزن را دشوار می کند و خود دایمر فقط در دماهای پایین پایدار است و مستعد خوشه شدن است.] شواهد دیگر علیه انباشته شدن پی از تعیین ساختار کریستالی اشعه ایکس می آید.
در ساختارهای بلوری بسیاری از ترکیبات معطر ساده می توان تنظیمات موازی عمود بر هم و افست را مشاهده کرد.] هندسه های موازی یا عمود بر افست مشابه در بررسی ساختارهای کریستالی پروتئین پرتو ایکس با وضوح بالا در بانک داده پروتئین مشاهده شد.] تجزیه و تحلیل اسیدهای آمینه آروماتیک فنیل آلانین، تیروزین، هیستیدین و تریپتوفان نشان می دهد که دایمرهای این زنجیره های جانبی برهمکنش های تثبیت کننده زیادی در فواصل بزرگتر از میانگین شعاع واندروالس دارند.[3] پیکربندی های هندسی. هندسه های ترجیحی دایمر بنزن در سطح بالایی از تئوری با محاسبات MP2-R12/A و مجموعه های پایه aug-cc-PVTZ با تصحیح مخالف بسیار بزرگ مدل سازی شده اند.[5] دو شکل پایدارتر، جابجایی موازی و T شکل هستند که اساساً هم انرژی هستند. در مقابل، پیکربندی ساندویچ همپوشانی سیستم pi را به حداکثر می رساند، که تعامل را بی ثبات می کند. پیکربندی ساندویچ نشان دهنده یک نقطه زینی پر انرژی است که با نادر بودن نسبی این پیکربندی در داده های کریستالی اشعه ایکس مطابقت دارد. انرژی های اتصال نسبی این سه پیکربندی هندسی دایمر بنزن را می توان با توازن نیروهای پراکندگی چهار قطبی/چهارقطبی و لند
ن توضیح داد. در حالی که بنزن دارای ممان دوقطبی نیست، دارای گشتاور چهار قطبی قوی است.[7] دوقطبی C-H محلی به این معنی است که بار مثبت روی اتم های حلقه وجود دارد و یک بار منفی مربوط به آن نشان دهنده ابر الکترونی در بالا و پایین حلقه است. گشتاور چهار قطبی برای هگزافلوئوروبنزن به دلیل الکترونگاتیوی فلوئور معکوس می شود. دایمر بنزن در پیکربندی ساندویچ توسط نیروهای پراکندگی لندن تثبیت می شود، اما توسط فعل و انفعالات دافعه چهار قطبی/چهارقطبی بی ثبات می شود. با جابجایی یکی از حلقه های بنزن، پیکربندی جابجا شده موازی این فعل و انفعالات دافعه را کاهش می دهد و تثبیت می شود. قطبش پذیری زیاد حلقه های معطر منجر به فعل و انفعالات پراکنده به عنوان سهم عمده در اثرات انباشتگی می شود. اینها نقش عمده ای را برای برهمکنش های بازهای هسته ای ایفا می کنند، به عنوان مثال. ]در DNAپیکربندی T شکل از برهمکنش های چهارقطبی/چهارقطبی مطلوبی برخوردار است، زیرا چهار قطب مثبت یک حلقه بنزن با چهار قطب منفی حلقه دیگر تعامل دارد. حلقه های بنزن در این پیکربندی دورترین فاصله را از هم دارند، بنابراین برهمکنش های مطلوب چهار قطبی/چهارقطبی آشکارا نیروهای پر
اکندگی کاهش یافته را جبران می کنند. اثرات جایگزین. توانایی تنظیم دقیق برهمکنش های انباشته پی در تلاش های مصنوعی متعدد مفید خواهد بود. یک مثال می تواند افزایش میل پیوندی یک مهارکننده مولکولی کوچک به یک پاکت آنزیمی حاوی باقیمانده های معطر باشد. مدل سازی اثرات هترواتم ها ] و جانشین ها بر برهم کنش های انباشته پی دشوار است و موضوع بحث است. مدل الکترواستاتیک. یک مدل اولیه برای نقش جانشین ها در برهمکنش های انباشته پی توسط هانتر و سندرز ارائه شد.] آنها از یک مدل ریاضی ساده مبتنی بر بارهای اتمی سیگما و پی، جهت گیری های نسبی و برهمکنش های واندروالس استفاده کردند تا به طور کیفی تعیین کنند که الکترواستاتیک در اثرات جانشین غالب است. طبق مدل آنها، گروه های الکترون کشنده، چهارقطبی منفی حلقه آروماتیک را کاهش می دهند و در نتیجه از ترکیب های جابه جایی موازی و ساندویچی حمایت می کنند. در مقابل، گروه های اهداکننده الکترون، چهار قطب منفی را افزایش می دهند، که ممکن است قدرت برهمکنش را در یک پیکربندی T شکل با هندسه مناسب افزایش دهد. بر اساس این مدل، نویسندگان مجموعه ای از قوانین حاکم بر برهمکنش های انباشته پی را پیشنهاد کردند که تا
زمانی که محاسبات پیچیده تر اعمال شد، غالب بود. شواهد تجربی برای مدل هانتر - سندرز توسط سیگل و همکاران ارائه شد. با استفاده از یک سری syn- و anti-1،8-di-o-tolylnaphthalenes جایگزین شده. ]در این ترکیبات، گروه های آریل در یک هندسه انباشته به دلیل ازدحام فضایی «رو به رو» می شوند و مانع اپیمرشدن با طیف سنجی رزونانس مغناطیسی هسته ای اندازه گیری شد. نویسندگان گزارش کردند که حلقه های آریل با جایگزین های الکترون کشنده موانع بیشتری برای چرخش دارند. تفسیر این نتیجه این بود که این گروه ها چگالی الکترونی حلقه های معطر را کاهش می دهند، و اجازه می دهند برهمکنش های ساندویچ پی مطلوب تری و در نتیجه مانع بالاتری داشته باشند. به عبارت دیگر، گروه های الکترون کشنده منجر به برهم کنش های الکترواستاتیکی «کم تر نامطلوب» در حالت پایه شدند. هانتر و همکاران یک چرخه جهش دوگانه شیمیایی پیچیده تر با یک "زیپ" پیوند هیدروژنی برای موضوع اثرات جانشین در برهمکنش های انباشته پی اعمال کرد.] این تکنیک برای مطالعه تعداد زیادی از تعاملات غیرکووالانسی استفاده شده است. جهش واحد، در این مورد تغییر یک جایگزین در یک حلقه معطر، منجر به اثرات ثانویه مانند ت
غییر در استحکام پیوند هیدروژنی می شود. جهش مضاعف این برهمکنش های ثانویه را کمی می کند، به طوری که حتی یک برهمکنش ضعیف مورد علاقه را می توان از آرایه جدا کرد. نتایج آن ها نشان می دهد که جانشین های الکترون کشنده بیشتر برهمکنش های دافعه پی دافعه کمتری دارند. به همین ترتیب، این روند دقیقاً برای برهمکنش با پنتافلوروفنیل بنزن معکوس شد که دارای گشتاور چهارقطبی برابر بزرگی اما از نظر علامت مخالف با بنزن است. ]یافته ها شواهد مستقیمی برای مدل هانتر- سندرز ارائه می دهند. با این حال، برهمکنش های انباشته ای که با استفاده از روش جهش دوگانه اندازه گیری شد، به طور شگفت انگیزی کوچک بود، و نویسندگان خاطرنشان می کنند که این مقادیر ممکن است به سیستم های دیگر قابل انتقال نباشند. در یک مطالعه بعدی، هانتر و همکاران. با تقریب اول تأیید شد که انرژی های برهم کنش حلقه های معطر متقابل در یک چرخه جهش یافته مضاعف تحت تأثیر اثرات الکترواستاتیکی قرار دارند.] با این حال، نویسندگان خاطرنشان می کنند که برهمکنش مستقیم با جایگزین های حلقه، که در زیر مورد بحث قرار می گیرد، نیز سهم مهمی دارد. در واقع، تأثیر متقابل این دو عامل ممکن است منجر به رفتا
رهای پیچیده وابسته به جانشین و هندسه برهمکنش های انباشته پی شود. مدل تعامل مستقیم. مدل هانتر- سندرز توسط گروه های تحقیقاتی متعددی که شواهد تجربی و محاسباتی متناقضی از برهم کنش های انباشته پی ارائه می دهند که عمدتاً توسط اثرات الکترواستاتیکی کنترل نمی شوند، مورد انتقاد قرار گرفته است. واضح ترین شواهد تجربی علیه اثرات جانشین الکترواستاتیک توسط راشکین و واترز گزارش شده است.]آنها از meta- and para-substituted N-benzyl-2-(2-fluorophenyl)-pyridinium bromidesجایگزین شده، که در یک ترکیب جابجا شده موازی روی هم قرار می گیرند، به عنوان یک سیستم مدل برای برهمکنش های انباشته پی استفاده کردند. در سیستم آنها، یک پیوند دهنده متیلن، تعاملات T شکل مطلوب را ممنوع می کند. همانطور که در مدل های قبلی، قدرت نسبی برهمکنش های انباشته پی توسط NMR به عنوان نرخ چرخش در مورد پیوند بیاریل اندازه گیری شد، زیرا برهمکنش های انباشته پی در حالت گذار مختل می شوند. حلقه های جایگزین شده دارای موانع چرخشی کوچکی بودند که مطابق با یافته های قبلی، با افزایش روزافزون گروه های الکترون کشنده افزایش می یابد. با این حال، حلقه های متا جایگزین شده علیرغم دا
شتن چگالی الکترونی تقریباً یکسان در حلقه معطر، موانع چرخشی بسیار بزرگ تری داشتند. نویسندگان این اختلاف را به عنوان برهمکنش مستقیم لبه اتم های هیدروژن یک حلقه با جایگزین های الکترونگاتیو در حلقه دیگر توضیح می دهند. این ادعا توسط داده های شیفت شیمیایی پروتون مورد بحث پشتیبانی می شود. بسیاری از تجزیه و تحلیل های دقیق از سهم نسبی عوامل در انباشته پی توسط محاسبات اثبات شده است. Sherill و Sinnokrot یافته های شگفت انگیزی را با استفاده از تئوری سطح بالا گزارش کردند که همه دیمرهای بنزن جایگزین برهمکنش های اتصال مطلوب تری نسبت به دایمر بنزن در پیکربندی ساندویچی دارند.] کار محاسباتی بعدی از گروه شریل نشان داد که اثرات جانشین برای پیکربندی ساندویچ افزایشی است، که به تأثیر قوی نیروهای پراکندگی و برهمکنش مستقیم بین جانشین ها اشاره می کند. ]اشاره شد که فعل و انفعالات بین بنزن های جایگزین در پیکربندی T شکل پیچیده تر بود. در نهایت، شریل و سینوکروت در مقاله مروری خود استدلال می کنند که هر شباهتی از یک روند مبتنی بر اهدا یا برداشتن الکترون جایگزین ها را می توان با اصطلاحات تبادل-دفعه و پراکندگی توضیح داد.] هوک و ویلر همچنین شوا
هد محاسباتی قانع کننده ای برای اهمیت تعامل مستقیم در پشته بندی پی ارائه می کنند] در تجزیه و تحلیل خود از دیمرهای بنزن جایگزین شده در یک ترکیب ساندویچی، آنها توانستند یافته های خود را با استفاده از یک مدل بسیار ساده خلاصه کنند که در آن بنزن جایگزین شده، Ph-X، با H-X جایگزین شد. قابل توجه، این مدل خام منجر به همان روند در انرژی های تعامل نسبی شد و به شدت با مقادیر محاسبه شده برای Ph-X همبستگی داشت. این یافته نشان می دهد که اثرات جانشین در دایمر بنزن به دلیل برهمکنش مستقیم جانشین با حلقه آروماتیک است و سیستم پی بنزن جایگزین شده درگیر نیست. این نکته اخیر در زیر بسط داده شده است به طور خلاصه، به نظر می رسد که سهم نسبی الکترواستاتیک، پراکندگی، و برهمکنش های مستقیم به اثرات جانشینی که در برهم کنش های انباشته پی مشاهده می شود، به شدت به هندسه و طراحی تجربی وابسته است. فقدان اجماع در مورد موضوع ممکن است به سادگی نشان دهنده پیچیدگی موضوع باشد. نیاز به معطر بودن. درک متعارف انباشته شدن پی شامل برهمکنش های چهار قطبی بین الکترون های غیرمحلی در اوربیتال های p است. به عبارت دیگر، معطر بودن باید برای این تعامل مورد نیاز باشد
. با این حال، چندین گروه شواهد خلاف ارائه کرده اند و این موضوع را زیر سؤال می برند که آیا انباشتن پی یک پدیده منحصر به فرد است یا اینکه به سایر مولکول های خنثی و پوسته بسته گسترش می یابد. در آزمایشی که با آزمایش هایی که در بالا ذکر شد، تفاوتی نداشت، پالیوال و همکارانش تعادل پیچشی مولکولی را از یک آریل استر با دو حالت ساختاری ساختند.] حالت تا شده دارای یک برهمکنش انباشته پی به خوبی تعریف شده با هندسه T شکل بود، در حالی که حالت بازشده هیچ برهمکنش آریل-آریل نداشت. تغییرات شیمیایی NMR دو ترکیب متمایز بود و می توان برای تعیین نسبت دو حالت، که به عنوان معیاری از نیروهای درون مولکولی تفسیر شد، استفاده کرد. نویسندگان گزارش می دهند که ترجیح برای حالت تاخورده منحصر به آریل استرها نیست. به عنوان مثال، استر سیکلوهگزیل بیشتر از فنیل استر حالت چین خورده را ترجیح می دهد، و ترت-بوتیل استر با ترجیحی بیشتر از هر آریل استر، حالت تا شده را ترجیح می دهد. این نشان می دهد که معطر بودن یک الزام سخت برای تعامل مطلوب با یک حلقه معطر نیست. شواهد دیگر برای نتایج برهمکنش های غیر آروماتیک پی شامل مطالعات انتقادی در شیمی نظری است که مکانیس
م های اساسی مشاهدات تجربی را توضیح می دهد. گریم گزارش کرد که انرژی های برهم کنش دایمرهای کوچک تر که از یک یا دو حلقه تشکیل شده اند، هم برای ترکیبات معطر و هم برای ترکیبات اشباع بسیار مشابه هستند. ]این یافته ارتباط ویژه ای با زیست شناسی دارد و نشان می دهد که ممکن است سهم سیستم های pi در پدیده هایی مانند هسته های انباشته شده بیش از حد تخمین زده شود. با این حال، نشان داده شد که یک برهمکنش تثبیت کننده افزایش یافته برای دیمرهای آروماتیک بزرگ دیده می شود. همانطور که قبلا ذکر شد، این انرژی متقابل به شدت به هندسه وابسته است. در واقع، دایمرهای آروماتیک بزرگ فقط نسبت به همتایان اشباع خود در یک هندسه ساندویچی تثبیت می شوند، در حالی که انرژی آنها در یک برهمکنش T شکل مشابه است. بلوم و ویلر رویکرد مستقیم تری برای مدل سازی نقش آروماتیکیته داشتند.] نویسندگان برهمکنش های بین بنزن و 2-متیل نفتالین یا ایزومر غیر معطر آن، 2-متیلن-2،3-دی هیدرونفتالین را مقایسه کردند. ترکیب دوم وسیله ای برای حفظ تعداد الکترون های p فراهم می کند در حالی که، با این حال، اثرات جابجایی را از بین می برد. با کمال تعجب، انرژی های برهم کنش با بنزن برای تر
کیب غیر معطر بالاتر است، که نشان می دهد محلی سازی باند پی در برهم کنش های انباشته پی مطلوب است. نویسندگان همچنین یک تشریح همودسموتیک بنزن را به اتیلن و 1،3-بوتادین در نظر گرفتند و این برهمکنش ها را در یک ساندویچ با بنزن مقایسه کردند. محاسبه آن ها نشان می دهد که انرژی برهم کنش بین بنزن و بنزن همودسموتیک بالاتر از یک دایمر بنزن در هر دو شکل ساندویچی و جابجایی موازی است، که مجدداً مطلوبیت برهم کنش های پیوند پی موضعی را برجسته می کند. این نتایج به شدت نشان می دهد که معطر بودن برای برهمکنش های انباشته پی در این مدل مورد نیاز نیست حتی با توجه به این شواهد، گریم به این نتیجه می رسد که انباشتن پی در واقع وجود دارد.] با این حال، او هشدار می دهد که حلقه های کوچک تر، به ویژه آن هایی که در ترکیب های T شکل هستند، رفتار قابل توجهی با همتایان اشباع شده خود ندارند و این عبارت باید برای حلقه های بزرگ تر در ترکیب های انباشته که به نظر می رسد اثر الکترون پی مشترک را نشان می دهند، مشخص شود. کاربرد. نمایش قدرتمندی از انباشته شدن در باکی گیر یافت می شود.] این موچین مولکولی بر اساس دو باکی کاسه مقعر با تناسب کامل برای یک مولکول فول
رن محدب ساخته شده است. کمپلکس شدن به سادگی با تبخیر محلول تولوئن حاوی هر دو ترکیب صورت می گیرد. در محلول یک ثابت ارتباطی 8600 M-1 بر اساس تغییرات در شیفت های شیمیایی NMR اندازه گیری می شود. "یک فولرن در باکی گیر از طریق فعل و انفعالات انباشته ای معطر.[21]" انباشتن پی در ساختارهای کریستالی پروتئین رایج است و همچنین به تعامل بین مولکول های کوچک و پروتئین ها کمک می کند. در نتیجه، برهمکنش های pi-pi و کاتیون-pi عوامل مهمی در طراحی منطقی دارو هستند.] یک مثال تاکرین مهارکننده استیل کولین استراز (AChE) تایید شده توسط FDA است که در درمان بیماری آلزایمر استفاده می شود. پیشنهاد شده است که تاکرین یک برهمکنش انباشته پی با حلقه ایندولیک Trp84 داشته باشد و این برهمکنش در طراحی منطقی مهارکننده های جدید AChE مورد استفاده قرار گرفته است.] افزودن در ترکیبات فعال دارویی. چندین گونه از فنیل های هماهنگ شده با pi حتی با استفاده از فلزات واسطه برای انباشتن η6-فنیل تروپان ها، با استفاده از سیکلوپنتادینیل و تری کربونیل به جای بنزن آزمایش شده اند. که در مورد تری کربونیل میل ترکیبی را برای محل لیگاند مورد نظر خود دو برابر می کند (به دلی
ل تأثیرات الکترواستاتیک حاصله که منجر به هدف می شود).] اثرات جایگزین. سیستم های π به دلیل برهم کنش های غیرکووالانسی همه کاره خود با گروه های عملکردی مختلف، بلوک های سازنده مهم در مونتاژ فوق مولکولی هستند. یک مثال قابل توجه از اعمال برهمکنش های π-π در مونتاژ فوق مولکولی، سنتز کاتنان است. چالش اصلی برای سنتز کاتنان این است که مولکول ها را به شیوه ای کنترل شده در هم ببندد. استودارت و همکارانش مجموعه ای از سیستم ها را با استفاده از برهمکنش های قوی π-π بین مشتقات بنزن غنی از الکترون و حلقه های پیریدینیم فقیر از الکترون توسعه دادند.] کاتانن با واکنش بیس (پیریدینیوم) (A)، بیسپارافنیلن-34-کرون-10 (B) و 1، 4-بیس (برومومتیل) بنزن (C) سنتز شد .برهمکنش π-π بین A و B باعث تشکیل یک قالب در هم قفل شده شد که بیشتر با واکنش جایگزینی با ترکیب C چرخه شد تا محصول کاتنین تولید شود.]
حسین قاسمیه (تولد ۱۳۰۱ شمسی مشهد) بازرگان، عضو اتاق بازرگانی تهران، عضو هیئت مدیره بانک اعتبارات ایران، مؤسس کارخانه روغن نباتی قو، بزرگ ترین تولیدکنندگان مواد شوینده و بزرگ ترین تولیدکننده دانه مرغ و خوراک طیور در کشور طی دهه چهل و پنجاه شمسی. زندگی نامه و تحصیلات. حسین قاسمیه، فرزند ابوالقاسم در سال ۱۳۰۱ در مشهد به دنیا آمد. او تحصیلات ابتدایی و دبیرستان را در همان شهر به پایان رساند و در سال ۱۳۲۰ با قبولی در دانشگاه تهران و رشته حقوق به پایتخت آمد و تحصیلات خود را تا مقطع فوق لیسانس حقوق ادامه داد و پس از آن به دلیل علاقه به اقتصاد در دوره های آموزشی کوتاه مدت اقتصاد در انگلستان و امریکا هم شرکت کرد. فعالیت های تجاری. با پایان تحصیل قاسمیه تصمیم گرفت به جای فعالیت در رشته حقوق دست به کارهای صنعتی و تولیدی بزند و با همکاری هم دانشگاهی اش امیرحسین امیر صالح وارد صنعت شود. الگوی سرمایه گذاری تجاری صنعتی قاسمیه، عمدتاً به شیوه مشارکت داخلی بود. او از سال ۱۳۲۶ در تجارت پنبه فعالیت خود را شروع کرد و بعد از آن به تصفیه پنبه، روغن کشی پنبه و درنهایت تولید روغن نباتی مشغول شد و کارخانه روغن نباتی پارس قو را تأسیس ک