Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
ش جایگزین برای تماس با نانوساختارها، استفاده از نوک میکروسکوپ تونلی روبشی چند نوک می باشد - مشابه با سرنخ های آزمایشی یک مولتی متر که در مقیاس ماکرو استفاده می شود. مزایای این روش عبارتند از: (الف) تماس "درجا" با نانوساختارهای "در حال رشد" که هنوز در خلاء هستند، که به حفظ نانوساختارهای ظریف از آلودگی ناشی از مراحل لیتوگرافی کمک خواهد کرد. (ب) موقعیت دهی انعطاف پذیر نوک های تماس و پیکربندی های مختلف تماس به راحتی قابل انجام است، در حالی که تماس ها در روش لیتوگرافی ثابت هستند. ج) کاوش با نوک های تیز می تواند غیر تهاجمی باشد، در صورتی که تماس های لیتوگرافی معمولاً تهاجمی هستند. برای استفاده از میکروسکوپ تونل زنی روبشی (STM) برای اندازه گیری های انتقال الکتریکی در نانوساختارها یا سطوح، بیش از یک نوک مورد نیاز است. این موضوع باعث استفاده از میکروسکوپ های تونلی روبشی چند نوک می شود، که امکان دسترسی به مزایای ذکر شده در بالا را در نانوکاوشگر ها فراهم می کند. چندین مقاله مروری در مورد میکروسکوپ تونلی روبشی چند نوک را می توان در بخش "خواندن بیشتر" در زیر یافت. اصل عملیات. میکروسکوپ های تونلی روبشی چند نوک معمولاً از چ
هار نوک تشکیل شده اند که هر یک از نوک ها را به صورت جداگانه در موقعیت مورد نظر روی نمونه قرار داده شوند. برای کاهش رانش حرارتی نوک ها، باید تا حد امکان کوچک و فشرده شده باشند. همچنین باید حرکت نوک ها قابل دیدن باشد. به این منظور می توان از میکروسکوپ نوری یا میکروسکوپ الکترونی استفاده کرد. با استفاده از این میکروسکوپ ها می توان تنظیم کرد که نوک ها به هم نزدیک شوند و در مکان های اندازه گیری مورد نظر قرار گیرند. نوک ها در یک STM چند نوک معمولاً در زاویه 45 درجه نسبت به جهت عمودی نصب می شوند تا قرار گرفتن تمام نوک ها در یک منطقه روی نمونه را تسهیل کنند. پس از معرفی اولین STM چند نوک، چند وسیله خانگی طراحی شده است و امروزه چندین ابزار تجاری نیز موجود می باشد. یک توسعه از تکنیک STM چند نوک ارتقاء به عملیات "میکروسکوپی نیروی اتمی" (AFM) است. برای کاربردها در نانو الکترونک، بیشتر نمونه ها شامل مناطق "هدف" در سطح تشکیل شده اند که توسط مناطق غیر رسانا جدا شده اند برای هدایت نوک به مناطق رسانا، تصویربرداری AFM موقعیت دهی نوک ها با استفاده از میکروسکوپ نوری یا SEM، می تواند مفید باشد. هنگام انجام اندازه گیری های الکتریکی
در ابعاد نانو، باید تاکید کرد که به دلیل سطح تماس کم، مقاومت تماسی، در نقطه تماس نوک STM با نمونه بسیار زیاد است بنابراین اندازه گیری های چهار نقطه ای در اندازه گیری مقاومت با STM چند نوک بسیار ضروری است. این موضوع در اندازه گیری اشیا در مقیاس نانو اهمیت بیشتری دارد، زیرا تماس ها با این اجسام به ناچار در ابعاد نانو است. در اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای، از دو نوک تزریق جریان برای کاوش ولتاژ استفاده می شود. بنابراین، مقاومت اندازه گیری شده R = V/I نیز شامل سهم دو مقاومت تماسی R C است. در یک اندازه گیری چهار نقطه ای مدار تزریق جریان از مدار حسگر ولتاژ جدا می شود. اگر اندازه گیری ولتاژ با مقاومت داخلی بزرگ RV انجام شود، تأثیر مقاومت های تماس می تواند نادیده گرفته شود. این مزیت اصلی اندازه گیری چهار نقطه ای است. انجام اندازه گیری های الکتریکی با یک STM چند نوک نیاز به بیش از چهار نوک و توانایی قرار دادن آن ها به صورت مورد نیاز است. اندازه گیری های هماهنگ جریان و ولتاژ با هر چهار نوک باید انجام شود. الکترونیک اجازه می دهد هر نوک به عنوان پروب جریان یا پروب ولتاژ عمل کند. رمپ های مختلف I-V بین نوک های مختلف اعمال
می شود. در ساده ترین حالت، جریان بین دو نوک بیرونی تزریق می شود و اختلاف پتانسیل بین نوک های داخلی اندازه گیری می شود (اندازه گیری کلاسیک چهار نقطه) . با این حال، انواع مختلفی دیگری از اندازه گیری ها نیز می توانند انجام شوند، به عنوان مثال، یک نوک یا نمونه می تواند به عنوان الکترودگیت استفاده شود. کاربردهای STM چند نوک. نانو نوارهای گرافن و نانوساختارهای گرافن. خواص انتقال محلی نانوریبون های گرافنی با عرض 40 نانومتر که روی زیرلایه های کاربید سیلیکون (SiC) رشد کرده اند، با استفاده از یک STM چند نوک مورد مطالعه قرار می گیرند. نانوریبون های گرافن خواص انتقال استثنایی مانند هدایت بالستیک را حتی در دمای اتاق با میانگین مسیرهای آزاد تا چند میکرومتر نشان می دهند. چنین نانوریبون های گرافن همپایی نه تنها در علوم بنیادی مهم هستند، بلکه به دلیل این که می توان آن ها را به آسانی در هزاران نانوالکترونیک پیشرفته تولید کرد، که می توانند از خواص انتقال بالستیک در دمای اتاق آن ها استفاده کرد، نیز اهمیت دارند. پروفیل مقاومت در امتداد نانوسیم های GaAs مستقل. STM چند نوک می تواند برای نقشه برداری مقاومت در امتداد نانوسیم های GaAs
با قطر حدود 100 نانومتر استفاده کرد. نانوسیم ها هنوز به همان صورت رشد کرده به صورت عمودی و متصل به زیرلایه هستند، بنابراین امکان تماس با نانوسیم ها با تکنیک های لیتوگرافی وجود ندارد. در پیکربندی اندازه گیری نشان داده شده در شکل، نمونه 45 درجه کج می شود تا تصویربرداری SEM بهینه از نانوسیم ها تسهیل شود. سه نوک که در تماس با یک نانوسیم قرار می گیرند، اندازه گیری مقاومت چهار نقطه ای را نشان می دهند (با نمونه به عنوان تماس چهارم). نوک 1 جریان را به نانوسیم تزریق می کند و نمونه به عنوان تخلیه جریان عمل می کند، در حالی که نوک 2 و نوک 3 به عنوان پروب های ولتاژ عمل می کنند. در حالی که مطالعه ساختار این نانوسیم ها به عنوان مثال با میکروسکوپ الکترونی با وضوح بالا نسبتاً آسان است، دسترسی به خواص الکتریکی تعیین شده توسط پروفایل دوپینگ در طول نانوسیم دشوار است. . از اندازه گیری مقاومت چهار نقطه ای در طول نانوسیم، می توان یک پروفایل دوپینگ در طول نانوسیم به دست آورد. پتانسیومتری چند نوک. روشی که بینش ارزشمندی را در مورد خواص انتقال بار نانوساختارها ارائه می دهد، پتانسیومتری تونل روبشی (STP) است. STP می تواند با یک STM چند
نوک انجام شود امکان نقشه برداری از چشم انداز پتانسیل را در حالی که جریانی از فیلم، نانوساختار یا سطح مورد مطالعه عبور می کند، فراهم می کند. نقشه های پتانسیومتری بینشی در مورد خواص انتقال بنیادی، مانند تأثیر نقص ها بر انتقال الکتریکی محلی ارائه می دهند. پیاده سازی در شکل نشان داده شده است که نوک های بیرونی جریانی را به نانوساختار یا سطح مورد مطالعه تزریق می کنند، در حالی که نوک مرکزی به طور همزمان توپوگرافی را اندازه گیری می کند و همچنین پتانسیل الکتریکی را در هر نقطه تصویر که توسط جریان القا می شود، ثبت می کند. به این ترتیب یک نقشه پتانسیل اندازه گیری شده به عنوان مثال بر روی سطح سیلیکون می تواند با وضوح چند میکروولت به دست آید. نقشه پتانسیل در شکل نشان می دهد که بیشترین افت پتانسیل در لبه های پله اتمی رخ می دهد. از این داده ها می توان مقاومت یک پله اتمی یا مرز دامنه را به دست آورد. علاوه بر این، اگر جریانی در اطراف یک نقص در مقیاس نانو مانند یک حفره جریان یابد، نقشه پتانسیلی که به دلیل جریان جاری توسعه می یابد، می تواند اندازه گیری شود. جداسازی رسانایی سطحی از رسانایی توده ای. با کوچکتر و کوچکتر شدن نانودستگ
اه ها، نسبت سطح به حجم (یعنی کسر اتم های واقع در سطح) دائماً افزایش می یابد. اهمیت روزافزون رسانایی سطحی در مقایسه با رسانایی از طریق توده در دستگاه های نانوالکترونیکی مدرن، نیازمند تعیین قابل اعتماد رسانایی سطحی برای به حداقل رساندن تأثیر جریان های نشتی نامطلوب بر عملکرد دستگاه یا استفاده از سطوح به عنوان واحدهای عملکردی است. یک سیستم مدل برای تحقیقات مربوطه، سطح Si(111)-7×7 است. چالش این است که سهم به دلیل رسانایی سطحی را از رسانایی توده جدا کنیم. با استفاده از STM چند نوک، محققان روشی را توسعه دادند که از اندازه گیری های چهار پروب وابسته به فاصله در پیکربندی خطی برای تعیین رسانایی سطح استفاده می کند. جریان اسپین در مواد کوانتومی. STM چند نوک به عنوان روشی برای تشخیص ولتاژ اسپین در عایق های توپولوژیکی با استفاده از میکروسکوپ تونلی روبشی چهار پروب اسپین پلاریزه بر روی سطوح Bi 2 Te 2 Se استفاده می شود. پتانسیل الکتروشیمیایی وابسته به اسپین از سهم اهمی جدا می شود. این جزء به عنوان پتانسیل اسپین-شیمیایی ناشی از جریان شارژ دوبعدی از طریق حالت های سطح توپولوژیکی قفل شده با تکانه اسپین (TSS) شناسایی می شود. روش جد
ید از یک نوک مغناطیسی برای مشاهده رفتار اسپین الکترون ها در سطح ماده استفاده می کند.
فلیکس ژاک آنتوان مولن (فرانسوی: Félix-Jacques Antoine Moulin؛ ۲۷ مارس ۱۸۰۲ – ۱۲ دسامبر ۱۸۷۵) یک عکاس فرانسوی بود. زندگی. در سال ۱۸۴۹، مولن یک آتلیه عکاسی را در خیابان 31 bis rue du Faubourg Montmartre افتتاح کرد و با وسیله عکاسیِ داگرئوتایپ شروع به عکاسی از دختران جوان ۱۴ تا ۱۶ ساله کرد. در سال ۱۸۵۱، آثار مولن مصادره شد و او به دلیل «فحشا» به یک ماه زندان محکوم شد. طبق سوابق دادگاه، آثار او، «بقدری ناپسند است که حتی بازگو کردن آن، عناوین اخلاق عمومی را نقض می کند.» مولن پس از آزادی به فعالیت های خود با احتیاط بیشتری ادامه داد. او عکاسی تدریس می کرد، تجهیزات عکاسی می فروخت و یک درب پشتی در استودیوی خود نصب می کرد تا از مشکلات قانونی بیشتر طفره رود. آثار او مورد توجه منتقدان قرار گرفت. در سال ۱۸۵۶، مولن با حمایت و تأمین مالی دولت فرانسه یک سفر عکاسی با یک تُن تجهیزات به الجزایر انجام داد، که به آن اجازه داده شد از ساختارهای استعماری عکاسی کند. در آنجا، او با مشکلات فنی به دلیل تغییرات رطوبت، کار در فضای باز و کیفیت آب مواجه شد، اما با این وجود توانست مزایای مستعمرات فرانسه در شمال آفریقا را به طور گسترده مستند
کند. او در سال ۱۸۵۸ با صدها عکس از مناظر، شهرها، بررسی های باستان شناسی و پرتره های ساکنان بازگشت و ۳۰۰ عکس از آن ها را به عنوان L'Algérie photographiée منتشر کرد که یک اثر سه جلدی است. این اسناد به بروشورهای رسمی حکومت استعماری ناپلئون سوم تبدیل شد که کار به او تقدیم شد. مولن در سال ۱۸۶۲ بازنشسته شد و در سال ۱۸۷۵ درگذشت.
ساعت سکوت فیلمی محصول سال ۲۰۲۴ و به کارگردانی برد اندرسون است. در این فیلم بازیگرانی همچون یوئل کینامان، ساندرا می فرانک، مکای فایفر، مارک استرانگ و مایکل اکلند ایفای نقش کرده اند.
OldVersion.com یک وبسایت آرشیوی است که نسخه های قدیمی نرم افزار های رایگان و اشتراکی مرتبط با اینترنت را برای برای کامپیوتر های سازگار با IBM و Apple Macintosh ذخیره و توزیع میکند. این وبسایت توسط الکس لوین و ایگور دولگاف در سال 2001 تاسیس شد. لوین این وب سایت را ایجاد کرد زیرا به گفته او: «شرکت ها نسخه های زیادی از نرم افزارها ارائه می دهند، اما این نسخه های جدید همیشه برای مصرف کننده بهتر نیستند.» در گزارش وال استریت ژورنال آمده است که «کاربران اغلب وقتی با تغییرات گیج کننده در نسخه جدید مواجه می شوند، و یا مشکلات نرم افزاری پیدا می کنند و یا فقط تصمیم می گیرند به نسخه آشناتر بازگردند، سعی در downgrade نسخه دارند.» دیوید اسمیت تحلیل گر مؤسسه تحقیقاتی گارتنر میگوید « کاربران اغلب متوجه میشوند که فرآیند downgrade بسیار پیچیده و حتی غیر ممکن است.» زمانی که این سایت راه اندازی شد شامل 80 ورژن از 14 برنامه بود. تا 2005 بیش از 500 ورژن در این وبسایت قرار گرفت. تا 28 آگوست 2007 تعداد ورژن های این سایت به 2388 نسخه از 179 برنامه در دسته بندی هایی مانند گرافیک، اشتراک فایل، امنیت و سرمایه گذاری افزایش یافت. این سایت
همچنین بیش از 600 ورژن از 35 تا از برنامه های Macintosh را ارائه میدهد. در سال 2007، مجله PC World این وب سایت را به عنوان “گنجینه ای از نرم افزارهای قدیمی اما بهتر” توصیف کرد. در سال 2005، نشریه National Review از OldVersion.com به عنوان “قهرمانی برای محافظه کاران نرم افزار” یاد کرد. طبق سخنان و گفته های خود الکساندر لوین، او تهدیدهایی از سوی توسعه دهندگان نرم افزارهای اختصاصی دریافت کرده است؛ به دلیل توزیع نسخه های قدیمی مرورگرهای اینترنتی مانند Internet Explorer که پشتیبانی از آن ها دشوار و سخت است.
منطق ترکیبی دودویی (BCL) یک کامپیوتری است که با استفاده از عبارات دودویی ۰ و ۱، یک فرمولاسیون کامل از را فقط با همین نمادها ایجاد می کند. با استفاده از ترکیب کننده های S و K، می توان توابع پیچیده جبر بولی را ساخت. BCL همچنین کاربردهایی در نظریه پیچیدگی اندازه برنامه () دارد. تعریف. قواعد SK. با استفاده از ترکیب کننده های K و S در ""، می توان توابع منطقی را به عنوان توابعی از ترکیب کننده ها نشان داد: معناشناسی. که "[...]" اختصار "معنای ..." است. در اینجا K و S ت هستند و ( ) عملیات کاربرد در را نشان می دهد. (پیشوند ۱ معادل یک پرانتز باز است و پرانتز بسته برای رفع ابهام ضروری نیست.) بنابراین، چهار فرم معادل از BCL وجود دارد که بسته به نحوه رمزگذاری سه گانه (K، S، پرانتز باز) متفاوت است. این چهار فرم عبارتند از: (۰۰، ۰۱، ۱) (همانطور که در نسخه کنونی آمده)، (۰۱، ۰۰، ۱)، (۱۰، ۱۱، ۰) و (۱۱، ۱۰، ۰). معنای عملی BCL، به جز کاهش eta (که برای کامل بودن تورینگ ضروری نیست)، می تواند به طور بسیار مختصر با قوانین بازنویسی زیر برای زیرعبارات یک عبارت مشخص، از سمت چپ بیان شود: که در آن codice_6 ، codice_7 ، و codice_8 زیرعبارا
ت دلخواه هستند. (توجه کنید که به عنوان مثال، از آنجایی که تجزیه از سمت چپ انجام می شود، codice_9 زیرعبارتی از codice_10 نیست.) BCL می تواند برای بازتولید الگوریتم هایی مانند ماشین های تورینگ و hتوماتای سلولی استفاده شود؛ بنابراین BCL تورینگ کامل است. منابع. 1- . 2- 3-
رفیق راغب التَّمیمی (۱۸۸۹ – ۱۹۵۷) تاریخ نگار، سیاستمدار و وکیل فلسطینی بود. چندین اثر دربارهٔ تاریخ مناطق نوشت. در آستانه و پس از جنگ جهانی اول، او یکی از اولین فعالان جنبش ملی عرب بود که برپایهٔ دولت عربی به رهبری شاهزاده فیصل در دمشق، پادشاهی سوریه، تشکیل شد. پس از جنگ جهانی دوم به عنوان یکی از فعالان جنبش ملی فلسطین نزدیک به محمد امین الحسینی ظاهر شد. او در سال ۱۹۴۵ به کمیتهٔ عالی عرب منصوب شد و رئیس جنبش پیشاهنگی شبه نظامی عرب فلسطین، النجادة (۱۹۴۵–۱۹۴۷) بود. زندگی. رفیق التمیمی یا محمدرفیق راغب التمیمی در نابلس، سنجق نابلس، ولایت بیروت، امپراتوری عثمانی، در سال ۱۸۸۹ از خانواده ای نابلسی کهن از مالکان زمین به دنیا آمد. تحصیلات ابتدایی و راهنمایی خود را در آنجا به پایان رساند. در سال ۱۹۰۲ به مدرسه مقدماتی مرجان در استانبول پیوست. سپس به کالج سلطنتی استانبول پیوست و سه سال در آنجا ماند. در زمره دانشجویان ممتاز قرار گرفت و به دانشگاه سوربن پاریس فرستاده شد تا مدرک لیسانس خود را در رشتهٔ ادبیات و آموزش دریافت کند. پس از اتمام تحصیلات، به عنوان معلم تاریخ و ادبیات به ترتیب در دبیرستان های تسالونیکی، خربوط، بیر
وت، ازمیر و دمشق و سرانجام در دانشکدهٔ الصلاحیهٔ قدس منصوب شد. پیشه. او در دوران عثمانی در سیاست فعالیت کرد و یکی از کسانی بود که به جنبش عرب خدمت کرد و یکی از هفت جوان عرب بود که انجمن الفتاة را در سال ۱۹۱۱ در پاریس تأسیس کردند که یکی از اولین انجمن های ناسیونالیست عربی است که خواستار برابری عرب ها با ترک ها و ایجاد یک نظام غیر متمرکز در کشورهای عربی تابع سلطنت عثمانی بود. التمیمی از پاریس به استانبول بازگشت و در تعدادی از ایالت های سلطنت عثمانی به مناصب آموزشی گمارده شد و به عنوان استاد تاریخ در مکاتب سلطانی (مدرسه متوسطه) در سالونیک منصوب شد. سپس پس از شروع جنگ بالکان در سال ۱۹۱۲ به عنوان استاد تاریخ در مکتب سلطانی در منطقهٔ آناتولی شرقی منصوب شد و پس از مدتی به عنوان استاد مطالعات اجتماعی در مکتب سلطانی به بیروت منتقل شد. رفیق التمیمی سپس به عنوان مدیر باشگاه «اتحاد و ترقی» در دمشق انتخاب شد، سپس به عنوان استاد مطالعات اجتماعی در مکتب سلطانی در ازمیر، سپس به عنوان استاد ادبیات و فلسفه در مکتب سلطانی در دمشق منصوب شد. همچنین به عنوان مدیر مدرسهٔ بازرگانی که توسط ناظم پاشا، والی بیروت در طول جنگ جهانی اول ت
أسیس شد، به عنوان استاد تاریخ در دانشکدهٔ صلاحیهٔ در قدس مشغول شد. هنگامی که قیام عرب ها به رهبری حسین بن علی در ژوئن سال ۱۹۱۶ آغاز شد، التمیمی به ارتش فیصل بن الحسین پیوست. او در اوایل اکتبر ۱۹۱۸ با فیصل وارد دمشق شد و یکی از اعضای ادارهٔ مستقل عربی بود که در آن زمان تشکیل شد. سپس به عنوان مشاور غیرنظامی کمیسر نظامی فرستاده شده توسط دولت عربی دمشق به بیروت منصوب شد. زمانی که کنگرهٔ عمومی سوریه در دمشق برگزار شد، التمیمی یکی از نمایندگان فلسطین بود. رفیق التمیمی یکی از نمایندگان فلسطین یا سوریهٔ جنوبی در دو جلسهٔ کنگره بود که در ژوئن ۱۹۱۹ و مارس ۱۹۲۰ در دمشق تشکیل شد و خواستار استقلال کامل کشور سوریه در مرزهای طبیعی آن شد. وی بیانیهٔ بالفور، مهاجرت یهودیان به فلسطین، قیمومیت بریتانیا و فرانسه بر عرب ها را رد کرد و همچنین شاهزاده فیصل را به عنوان پادشاه مشروطهٔ کشور پادشاهی عربی سوریه در چارچوب نظام سیاسی نیابتی سلطنتی برگزید. فرانسوی ها او را به اعدام محکوم کردند. پس از ورود نیروهای فرانسوی به دمشق در ژوئیه ۱۹۲۰ و سرنگونی حکومت فیصل، رفیق التمیمی مجبور به ترک سوریه و نقل مکان به فلسطین شد و در آنجا به عنوان م
دیر دانشکدهٔ اسلامی در قدس منصوب شد و سپس به یافا رفت و به عنوان مدیر مدرسهٔ متوسطهٔ عامریه کار کرد. تا زمان بازنشستگی در آنجا ماند. رفیق التمیمی به حزب عربی فلسطین و رهبری محمد امین الحسینی نزدیک بود، بنابراین پس از پایان جنگ جهانی دوم به عنوان عضو کمیتهٔ عالی عرب و مدیر دفتر آن در قدس انتخاب شد. او همچنین بین سالهای ۱۹۴۵ تا ۱۹۴۷ یکی از مقامات سازمان شبه نظامی «النجادة» بود که بعداً در چارچوب گروه های «الفتوة» و سیار «سازمان جوانان عربی» ادغام شد که تبدیل به مجموعه ای برای تربیت جوانان و آماده سازی آنها برای مقابله با سازمان های صهیونیستی شده بود.در نوامبر ۱۹۴۷، رفیق التمیمی به نمایندگی از کمیتهٔ عالی عرب، ضرورت تشکیل کمیته های ملی را در شهرها و روستاهای مختلف فلسطین اعلام کرد. کمیته به او، حسن ابوالسعود و معین الماضی وظیفهٔ تشکیل کمیته های ملی در سراسر فلسطین را سپرد. در ۲۲ نوامبر ۱۹۴۷، رفیق التمیمی به همراه حسن ابوالسعود در سازماندهی نشست گروهی از شخصیت های ملی گرای شهر یافا شرکت کرد که در روز بعد، کمیتهٔ ملی پانزده نفره تشکیل شد. این اولین کمیتهٔ ملی در سراسر فلسطین بود که تحت نظارت مرجع عالی عربی تشکیل م
ی شد. رفیق التمیمی به دنبال صدور قطعنامهٔ بین المللی تقسیم فلسطین در ۲۹ نوامبر ۱۹۴۷ و آغاز درگیری بین عرب ها و یهودیان، نقش برجسته ای در تأمین دفاعیات لازم برای شهر یافا به عنوان عضو کمیتهٔ عالی عرب ایفا کرد. او را مأمور کردند تا به یافا سفر کند، در ۵ دسامبر ۱۹۴۷ او پیامی مبنی بر سلب اختیارات نظارت بر امنیت شهر از کمیتهٔ ملی و اعطای آنها به رهبر سابق سازمان «النجادة»، محمد نمر الهواری، ابلاغ کرد. الهواری به زودی از اختیارات اعطا شده به او بر اساس نامهٔ مأموریت خود، فراتر رفت که باعث شد او را به تبعید اجباری در قاهره فرا بخوانند. سپس رفیق التمیمی مأمور شد تا به همراه حسن سلامه در تشکیل یک پادگان نظامی برای دفاع از شهر یافا شرکت کند. پس از پایان جنگ جهانی دوم، التمیمی به عضویت کمیتهٔ عالی عرب انتخاب شد و مدیریت دفتر آن در قدس، قبل از تقسیم فلسطین را بر عهده گرفت. هنگامی که نکبت ۱۹۴۸ رخ داد، التمیمی به دمشق مهاجرت کرد و در آنجا به تدریس تاریخ در دانشگاه سوریه و به حرفهٔ وکالت مشغول به کار شد. درگذشت. رفیق التمیمی در سال ۱۹۵۷ در دمشق در سن ۶۷ سالگی درگذشت و در قبرستان جبل المهاجرین به خاک سپرده شد. او پیش از مرگ،
کتابخانهٔ شخصی خود را به کتابخانه الظاهریه در دمشق که وابسته به فرهنگستان زبان عربی در دمشق است، اهدا کرده بود. آثار. مؤلفاتی از او به جای مانده است، مانند:
برای شناسایی ذرات منفرد (الکترون ها، یون ها و نوترون ها) و فوتون ها (اشعه ماوراء بنفش و اشعه ایکس)، از یک صفحه میکروکانال (MCP) استفاده می شود. این دستگاه ارتباط زیادی با یک تکثیرگر الکترون دارد، زیرا هر دو با چند برابر کردن الکترون ها از طریق گسیل ثانویه ذرات یا فوتون های منفرد را تقویت می کنند. از آنجایی که یک صفحه آشکارساز میکروکانالی دارای کانال های مجزای زیادی است، می تواند وضوح فضایی را فراهم کند. طراحی ساده. یک صفحه میکروکانال یک صفحه ساخته شده از مادهٔ مقاوم (اغلب شیشه) با ضخامت ۰٫۵ تا ۲ میلی متر است که دارای یک آرایه منظم از لوله های کوچک (میکروکانال ها) است که از یک سطح به سطح دیگر می رسند. میکروکانال ها معمولاً ۵ تا ۲۰ میکرومتر قطر دارند، موازی با هم هستند و با زاویه کمی نسبت به سطح (۸ تا ۱۳ درجه از نرمال) وارد صفحه می شوند. صفحات اغلب دیسک های گرد هستند، اما می توانند به هر شکلی از اندازه های ۱۰ میلی متر تا ۲۰۰ میلی متر برش داده شوند. آن ها همچنین می توانند خمیده باشند. نحوه کارکرد. در انرژی های غیر نسبیتی، ذرات منفرد معمولاً اثرات بسیار کوچکی ایجاد می کنند که امکان تشخیص مستقیم آن ها را فراهم نمی
کند. صفحه میکروکانالی به عنوان یک تقویت کننده ذرات عمل می کند و یک ذره برخوردی منفرد را به ابر الکترونی تبدیل می کند. با اعمال یک میدان الکتریکی قوی در سراسر صفحه میکروکانالی، هر میکروکانال منفرد به یک تکثیرگر الکترون مداوم (continuous dynode) تبدیل می شود. ذره یا فوتونی که از طریق یک دهانه کوچک وارد یکی از کانال ها می شود، حتماً به دیواره کانال برخورد خواهد کرد، زیرا کانال با صفحه زاویه دارد. این برخورد، یک آبشاری از الکترون ها را آغاز می کند که از طریق کانال منتشر می شوند و سیگنال اولیه را با چندین مرتبه بزرگی، بسته به قدرت میدان الکتریکی و هندسه صفحه میکروکانالی، تقویت می کنند. پس از آبشار، میکروکانال قبل از اینکه بتواند سیگنال دیگری را تشخیص دهد، زمان نیاز دارد تا بازیابی (یا شارژ) شود. الکترون ها از کانال ها در سمت مقابل صفحه خارج می شوند، جایی که روی یک آند جمع آوری می شوند. برخی از آندها طوری طراحی شده اند که امکان جمع آوری یون ها با تفکیک فضایی را فراهم می کنند و تصویری از ذرات یا فوتون های برخورد کننده با صفحه را ایجاد می کنند. با وجود اینکه در بسیاری از موارد آند جمع آوری به عنوان عنصر آشکارساز عمل
می کند، خود صفخه میکروکانالی نیز می تواند به عنوان آشکارساز استفاده شود. تخلیه و شارژ مجدد صفحه، که توسط آبشار الکترون ها ایجاد می شود، می تواند از ولتاژ بالا اعمال شده به صفحه جدا و اندازه گیری شود، تا سیگنالی مطابق با یک ذره یا فوتون منفرد ایجاد کند. بهره صفحه میکروکانالی بسیار پر سر و صدا است، به این معنی که دو ذره یکسان که به دنبال هم شناسایی می شوند، اغلب مقادیر سیگنال های بسیار متفاوتی تولید می کنند. لرزش زمانی ناشی از تغییرات ارتفاع پیک را می توان با استفاده از یک تفکیک کننده کسر ثابت حذف کرد؛ بنابراین، با این کاربرد، صفحه های میکروکانالی قادر به اندازه گیری زمان های ورود ذرات با وضوح بالا هستند، که آن ها را به آشکارسازهای ایده آلی برای طیف سنجی جرمی تبدیل می کند. شورون صفحه میکروکانال. بیشتر صفحه های آشکارساز میکروکانالی مدرن از دو صفحه میکروکانالی با کانال های زاویه دار، که ۱۸۰ درجه نسبت به هم چرخیده اند، تشکیل شده اند -شکلی کم عمق شورون (شبیه v) ایجاد می کنند. در یک صفحه میکروکانالی شورون (شبه مثلثی)، الکترون هایی که از صفحه اول خارج می شوند، آبشار را در صفحه بعدی شروع می کنند. زاویه بین کانال ها ب
اعث کاهش بازخورد یون ها در دستگاه را کاهش می دهد و همچنین در یک ولتاژ معین افزایش قابل توجهی در مقایسه با یک کانال مستقیم MCP (صفحه میکروکانالی) ایجاد می کند. دو MCP یا می توانند به هم فشرده شوند تا وضوح فضایی حفظ شود، یا شکاف کوچکی بین آن ها برای پخش بار در چندین کانال وجود داشته باشد، که این افزایش بهره را بیشتر می کند. MCP پشت Z. این مجموعه ای از سه صفحه میکروکانال با کانال هایی است که به شکل Z هم راستا شده اند. صفحات میکروکانالی منفرد می توانند تا ۱۰۰۰۰ (۴۰ دسی بل) بهره داشته باشند، اما این سیستم می تواند ضریب تقویتی بیش از ۱۰ میلیون (۷۰ دسی بل) را داشته باشد. آشکارساز. یک تقسیم کننده ولتاژ خارجی برای اعمال ۱۰۰ ولت به اپتیک شتاب (برای تشخیص الکترون)، هر صفحه میکروکانال، شکاف بین صفحات میکروکانال، قسمت پشتی آخرین صفحه میکروکانال و کلکتور (آند) استفاده می شود. آخرین ولتاژ زمان پرواز الکترون ها و به این ترتیب عرض پالس را دیکته می کند. آند یک صفحهٔ ۰٫۴ میلی متری با شعاع ۰٫۲ میلی متری در لبه است تا از شدت میدان با مقدار بالا جلوگیری شود. این صفحه به اندازه ای بزرگ است که ناحیه فعال MCP را پوشش دهد، زیرا قسمت پ
شتی آخرین صفحه میکروکانال، آند با هم به عنوان یک خازن با فاصله ۲ میلی متری - و ظرفیت بزرگ سیگنال را کند می کند. بار مثبت در صفحه میکروکانالی بار مثبت در فلزکاری پشت تأثیر می گذارد. یک چنبره توخالی این بار را در امتداد لبه صفحه آند هدایت می کند. چنبره بهینه ترین سازش بین ظرفیت کم و مسیر کوتاه است و به دلایل مشابه، معمولاً هیچ دی الکتریک (مارکور) در این ناحیه قرار نمی گیرد. پس از چرخش ۹۰ درجه ای چنبره، می توان یک راهنمای موج کوآکسیال (کابل کواکسیال) بزرگ را متصل کرد. یک مخروط، برای اینکه بتوان از یک شمارنده SMA استفاده کرد، اجازه می دهد تا شعاع را به حداقل برساند. برای صرفه جویی در فضا و کاهش اهمیت امپدانس، مخروط اغلب به یک مخروط کوچک ۴۵ درجه در پشت صفحه آند کاهش می یابد. ۵۰۰ ولت معمولی که در حالت عادی مورد استفاده قرار می گیرد را نمی توان مستقیماً بین پشت آخرین صفحه میکروکانال و آند وارد کرد. هادی داخلی یا خارجی به یک بلوک DC، یعنی یک خازن نیاز دارد. اغلب این خازن به گونه ای انتخاب می شود که در مقایسه با ظرفیت آند صفحه میکروکانالی، فقط ۱۰ برابر ظرفیت داشته باشد و به عنوان خازن صفحه ای اجرا می شود. صفحات فلزی گ
رد و صیقلی الکتریکی و خلاء فوق العاده بالا، استحکام میدان بسیار بالا و ظرفیت خازنی بالا را بدون دی الکتریک فراهم می کند. بایاس هادی مرکزی از طریق مقاومت هایی که از طریق موجبر آویزان هستند اعمال می شود (به تی بایاس مراجعه کنید). اگر بلوک DC در هادی بیرونی استفاده شود، به موازات خازن بزرگتر در منبع تغذیه تراز می شود. با فرض صفحه گذاری خوب، تنها نویز فعلی، ناشی از تنظیم کننده قدرت خطی است. از آنجایی که جریان در این کاربرد کم است و فضایی برای خازن های بزرگ در دسترس است و همچنین به دلیل سرعت بالای خازن بلوک DC، امکان دارد نویز ولتاژ بسیار وجود داشته باشد، به طوری که حتی سیگنال های ضعیف صفحه میکروکانالی را می توان تشخیص داد. گاهی پیش تقویت کننده روی یک پتانسیل (در بالای سطح زمین) قرار دارد و قدرت خود را از طریق یک ترانسفورماتور ایزوله کم مصرف دریافت می کند و سیگنال خود را به صورت نوری، خارج می کند. بهره بردن از یک صفحه میکروکانالی، به خصوص برای ذرات منفرد، بسیار پر سر و صدا است. با دو صفحه میکروکانالی ضخیم (&gt; ۱ میلی متر) و کانال های کوچک (&lt; ۱۰ میکرومتر)، اشباع اتفاق می افتد. به ویژه در انتهای کانال ها پس از چ
ندین ضرب الکترون اشباع اتفاق می افتد. آخرین مراحل زنجیره تقویت کننده نیمه هادی زیر نیز به سمت حالت اشباع می رود. یک پالس با طول متفاوت، اما ارتفاع پایدار و یک لبه جلوییبا لرزش کم به مبدل زمان به صورت دیجیتال ارسال می شود. لرزش را می توان با استفاده از یک تفکیک کننده کسر ثابت تا حد بیشتر کاهش داد. این بدان معناست که صفحه میکروکانال و پیش تقویت کننده در ناحیه خطی استفاده می شوند (بار فضایی ناچیز است) و شکل پالس به دلیل پاسخ ضربه ای، با ارتفاع متغیر اما شکل ثابت، از یک ذره فرض می شود. از آنجا که صفحات میکروکانالی دارای یک شارژ ثابت هستند که می توانند در طول عمر خود آن را تقویت کنند، به خصوص MCP دوم، همیشگی دارد. مهم است که از MCPهای نازک، ولتاژ پایین و به جای ولتاژ بیشتر، تقویت کننده های نیمه هادی حساس تر و سریع تر بعد از آند استفاده شود.(نگاه کنید به: انتشار ثانویه#لوله های تقویت کننده ویژه،). با تعداد شمارش بالا یا آشکارسازهای آهسته (MCP با صفحه نمایش فسفر یا فتو ضربی های گسسته)، پالس ها با یکدیگر هم همپوشانی دارند. در این حالت از یک تقویت کننده امپدانس بالا (آهسته اما کم نویزتر) و ADC استفاده می شود. از آنجای