Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
ی و اسیدها برای درمان سطح دارد، و برهمکنش شیمیایی این مواد شیمیایی با سطح کریستال به ویژگی های سطح آن صفحه کریستالی بستگی دارد. جدولی در سمت راست انرژی های سطحی، چگالی اتمی و فاصله بین اتمی سه صفحه برای یک کریستال سیلیکون را نشان می دهد. ویفر به تکه بسیار باریکی از یک ماده نیمه رسانا مانند بلور سیلیکون می گویند که درصد خلوص آن بسیار بالا و نزدیک به ۱۰ درصد است. ویفر سیلیکونی مولفه اصلی در تولید و ساخت مدارهای الکتریکی و چیپ است. سیلیکون ماده ای است از جنس کربن که بعد از اکسیژن، دومین عنصر از نظر میزان فراوانی در زمین است و به طور طبیعی قابل ترکیب نیست. سیلیکون به صورت ترکیب شده با اکسیژن در شن و اغلب سنگ ها وجود دارد که سیلیکا (در اکسید سیلیسیوم) نام دارد. اگر سیلیکون با عناصری دیگری مثل آهن، آلومینیوم یا پتاسیم ترکیب شود، سیلیکات ایجاد می شود. ترکیبات سیلیکونی در اتمسفر، آب های معدنی، بسیاری گیاهان و بدن برخی حیوانات وجود دارد. سیلیکون ماده اصلی در ساخت چیپ های کامپیوتری، ترانزیستورها، دیودهای سیلیکونی، دیگر مدارهای الکترونیکی و دستگاه های سوئیچینگ است چرا که ساختار اتمی آن، این عنصر را برای نیمه رسانا، ایده
آل می کند. سیلیکون برای اینکه ویژگی های رسانا بودن خود را تغییر دهد معمولا با عناصری مثل بورون، فسفر و آرسنیک ترکیب می شود. مقاوم در برابر نور. در فتولیتوگرافی، از ترکیبات مقاوم به نور استفاده می شود که ماسکی را روی سطح ویفر سیلیکونی ایجاد می کند. این ماسک امکان کنترل دقیق روی فرآیندهای دوپینگ و اچینگ مورد استفاده برای تشکیل دستگاه ها روی ویفرهای سیلیکونی را فراهم می کند. مهم است که ماسک در طول فرآیند اچ در برابر حمله شیمیایی مقاوم باشد. فتورزیست ها دارای سه جزء اصلی هستند، یک حلال، رزین و حساس کننده (یا ترکیب فعال نور). این ترکیب به شکل مایع روی ویفر سیلیکونی اعمال می شود و پلیمریزاسیون از طریق قرار گرفتن در معرض نور کنترل می شود. از آنجایی که فوتوریست ها ترکیبات غیر قطبی هستند و دی اکسید سیلیکون دارای ویژگی قطبی است، مشکلات چسبندگی می تواند بین این دو ماده ظاهر شود. هنگامی که فتورزیست به درستی نمی چسبد، ویژگی ها وضوح را از دست می دهند. با کوچکتر شدن اندازه ویژگی، چسبندگی Photoresist بسیار مهم می شود. به منظور ایجاد قابل اعتماد ویژگی های کوچک، سطح ویفر سیلیکونی باید آبگریز شود تا چسبندگی مقاوم به نور ایجاد
شود. ویژگی های چسبندگی را می توان با تست گونیا مشاهده و آزمایش کرد. ویژگی های انرژی سطحی ویفر سیلیکونی را می توان با قرار دادن یک قطره آب دیونیزه یا اتیلن گلیکول و اندازه گیری زاویه تماس قطره اندازه گیری کرد. با استفاده از رابطه یانگ و مقادیر جدول بندی شده برای انرژی سطحی، می توانیم انرژی سطحی جامد را تخمین بزنیم. فوتولیتوگرافی یا طرح نگاری نوری، در ساخت قطعات الکترونیک بکار می رود. در این فرایند، میکروساخت استفاده شده و جهت تهیه الگو در بخش هایی از انواع لایه های نازک استفاده می شود. در این فرایند پس از نشاندن یک لایه پلیمری حساس به نور (مانند فتورزیست، PMMA و SU۸) روی سطح زیرلایه، پرتوی همگن از یک ماسک عبور کرده و طرحی روی پلیمر ایجاد می کند. پس از ایجاد طرح روی پلیمر، نواحی نور دیده، با مقاومت در برابر خوردگی، واسطه انتقال طرح به لایه زیرین می شوند. نکته کلیدی در این فرایند، طراحی ماسک است. یکی از ساده ترین رویکردها، رسم طرح با ابعاد مناسب در نرم افزارهایی نظیر AutoCAD و Corel و چاپ لیزری آن بر روی طلق می باشد. در دستگاه فتولیتوگرافی این آزمایشگاه امکان آنتقال طرح دلخواه شما از روی طلق بصورت یک به یک و نیز
کاهنده (تا ۱/۷) بر روی زیر لایه مناسب (مانند شیشه حاوی لایه نازک کروم، نیکل و ...) وجود دارد. در صورت نیاز، در این مرکز سفارش تهیه ماسک با ابعاد مورد نظر شما پذیرفته می شود. این مرکز، مجهز به تجهیزات طراحی، ساخت و مشخصه یابی ماسک نظیر دستگاه های اسپین کوت، آون، لایه نشانی تبخیر حرارتی، میکروسکوپ نوری بازتابی و میکروسکوپ اتمی می باشد. formula_1 - انرژی سطحی بین جامد و بخار formula_2 formula_3 - انرژی سطحی بین جامد و مایع formula_2 formula_5 - انرژی سطحی بین مایع و بخار formula_2 θ - زاویه تماس مقاومت مثبت. فترزیست های مثبت از یک رزین نوولاک، حلال اتیل لاکتات و دیازونافتاکینون (DQ) به عنوان ترکیب فعال نور تشکیل شده اند. مقاومت نوری مثبت با نور واکنش می دهد و باعث می شود پلیمر تجزیه شود و در محلول توسعه دهنده حل شود. مقاومت مثبت نسبت به فوتوریست منفی مقاومت بهتری در برابر اچانت دارد. مقاومت های مثبت برای تولید اندازه ویژگی های کوچک بهتر هستند، اما به ویفرهای سیلیکونی و همچنین مقاومت منفی نمی چسبند. هنگام ساخت ویژگی های کوچک، داشتن چسبندگی خوب بسیار مهم است. مقاومت منفی. مقاومت نوری منفی از ماتریس پلی (سیس ایزوپ
رن)، حلال زایلن و بیس آریلازید به عنوان ترکیب فعال نور تشکیل شده است. نور مقاوم های منفی با پلیمریزاسیون به نور واکنش نشان می دهند. بخش های در معرض دید را می توان با استفاده از یک راه حل توسعه دهنده حذف کرد. مقاومت منفی چسبندگی بهتری دارد و برای ویژگی های بزرگتر از 2 عالی است. در اندازه میکرومتر HMDS. یک روش متداول برای افزایش چسبندگی مقاوم به نور بر روی سطح ویفر سیلیکونی، درمان ویفر با هگزامتیل دیسیلازان (HMDS) است. ویفر سیلیکونی جدید دارای سطح قطبی است و مقداری آب جذب شده روی سطح دارد. ویفر می تواند برای حذف آب جذب شده تحت یک پخت کم آبی قرار گیرد و به دنبال آن عملیات HMDS نیز به عنوان مرحله پرایمینگ شناخته می شود. HMDS را می توان به صورت مایع روی ویفر با استفاده از یک سرنگ پخش کرد در حالی که ویفر به یک چاک خلاء در یک پوشش چرخشی متصل است . HMDS همچنین می تواند به شکل گاز در فرآیندی که به عنوان بخار اولیه شناخته می شود، اعمال شود. HMDS چسبندگی خوب مقاوم به نور به ویفر را تقویت می کند زیرا سطح ویفر آبگریز است . پس از عملیات HMDS، اکسید سطح سیلیکون سیله می شود و سطحی غیر قطبی باقی می گذارد. صفحه سیلیکونی بکر (1
00) دارای ارزش انرژی سطحی 56.9 است که به مقدار 44.1 کاهش می یابد بعد از تیمار HMDS فرمول مولکولی هگزامتیل دیسیلازان C 6 H 19 NSi 2 است . HMDS به چه معناست ؟ HMDS مخفف Hexamethyldisilazane است. اگر شما از نسخه غیر انگلیسی ما بازدید می کنید و می خواهید نسخه انگلیسی Hexamethyldisilazane را ببینید ، لطفا پایین پایین بروید و معنی Hexamethyldisilazane را در زبان انگلیسی مشاهده خواهید کرد. به خاطر داشته باشید که مخفف HMDS به طور گسترده ای در صنایع مانند بانکداری استفاده می شود, محاسبات, آموزشی, امور مالی, دولتی, و سلامت. علاوه بر HMDS، Hexamethyldisilazane ممکن است برای سایر کلمات اختصاری کوتاه باشد. علاوه برHexamethyldisilazane ،HMDS دارای معانی دیگری است. آنها در سمت چپ زیر ذکر شده است. لطفا پایین بروید و برای دیدن هر یک از آنها کلیک کنید. برای همه معانیHMDS ، لطفا روی "بیشتر " کلیک کنید. اگر از نسخه انگلیسی ما بازدید می کنید و می خواهید تعاریفHexamethyldisilazane را به زبان های دیگر ببینید ، لطفا روی منوی زبان در پایین سمت راست کلیک کنید. شما معانیHexamethyldisilazane را در بسیاری از زبان های دیگر مانند عربی ، دا
نمارکی ، هلندی ، هندی ، ژاپن ، کره ای ، یونانی ، ایتالیایی ، ویتنامی و غیره خواهید دید. پوشش چرخشی. چهار پارامتر اساسی در پوشش اسپین دخیل هستند: ویسکوزیته محلول، محتوای جامد (دانسیته)، سرعت زاویه ای و زمان چرخش. طیف وسیعی از ضخامت ها را می توان با پوشش اسپین به دست آورد. معمولاً ضخامت ها از 1 تا 200 متغیر است میکرومتر ویژگی های اصلی که بر ضخامت فیلم تأثیر می گذارد ویسکوزیته و سرعت چرخش است. هر چه حلال چسبناک تر باشد، لایه غلیظ تر خواهد بود و هر چه ویفر سریعتر چرخانده شود، لایه نازک تر خواهد بود. با دستکاری این دو عامل، محدوده ضخامت های مختلف امکان پذیر است. چگالی و ویسکوزیته هر دو به خواص واقعی مقاومت نوری مربوط می شوند. این پارامتر را می توان با رقیق کردن نور مقاوم و افزودن اجزای مختلف به آن برای تغییر خواص آن دستکاری کرد. سرعت و زمان زاویه ای مربوط به پوشش چرخشی و سرعت چرخش و مدت زمان آن است. یکی از مسائل رایج در پوشش اسپین، "مهره شدن" حلال در لبه ویفر سیلیکونی است. فرآیندی به نام شستشوی پشتی معمولاً برای چرخاندن این مهره از ویفر استفاده می شود. با برنامه ریزی چندین سرعت چرخش مختلف در دستگاه پوشش اسپین، ضخا
مت حلال را می توان بدون «مجوبه سازی» در لبه ها یکنواخت کرد. پوشش دهی دورانی یا اسپین کوتینگ Spin coating روشی رایج، در علوم و مهندسی، برای نشاندن لایه های نازک و یکنواخت مواد بر روی یک زیرساخت مسطح است. در این روش معمولاً از یک ماده محلول مانند لاک نوری برای لایه زنی استفاده می شود. برای انجام پوشش به روش چرخشی، ابتدا مایعی از ماده مورد پوشش بر سطح زیرلایه و در مرکز زیر لایه پاشیده می شود. سپس زیر لایه تا رسیدن به سرعت خاصی که مورد نظر است شتاب دورانی داده می شود. زیر لایه بر روی صفحه دواری که قابل چرخیدن است قرار می گیرد و به وسیله اعمال یک خلاء ناچیز به آن می چسبد. با این کار مایع یا سیال بر سطح زیرلایه دفع می شود و به عبارتی این روش مبتنی بر نیروی گریز از مرکز است. در مرحله بعد زیر لایه با سرعت ثابتی می چرخد و نیروهای چسبنده سیالات موجب یک لایه نازک بر سطح زیرلایه می شوند. در این مرحله اگر سیال دارای حلال فرار باشد این حلال بخار می شود و لایه نازک پوشش بر سطح زیر لایه باقی می ماند. پس از خشک شدن لایه، ماده پوشش بر روی زیر لایه تولید شده است. در این روش عواملی همچون چسبندگی محلول، سرعت زاویه ای چرخش زیرلایه
، زمان چرخش و برخی عوامل دیگر نقش اساسی دارند. به عنوان نمونه چنانچه سرعت چرخش بیش از حد زیاد باشد لایه بسیار نازک خواهد شد و از طرفی لایه بسیار نازک می تواند بیانگر زمان زیاد چرخش باشد و باید آن را کاهش داد. درست عکس این مطالب نیز برای لایه های ضخیم صادق است و بنابر این باید زمان و سرعت را با توجه به میزان چسبندگی و سطح زیر لایه و جنس زیرلایه به درستی انتخاب نمود. کاربردها: روش پوشش دورانی معمولاً برای لاک زدن روی قرص های زیر ساخت در صنعت میکروالکترونیک و فناوری میکرو استفاده می شود. ضخامت لابه ایجاد شده به گرانروی لاک نوری، سرعت دورانی، شتاب و طول زمان چرخش وابسته است. در میکروالکترونیک ضخامت هایی در حدود چند میکرو متر و کمتر مرسومند زیرا که لاک نوری فقط به عنوان یک پوشش محافظ یا پوشش قربانی استفاده می شود و ساختار اصلی روی خود متن کوچکقرص قرار می گیرد. ولی در فناوری میکرو بعضاً ساختارهایی از جنس خود لاک تولید می شود که در آن نیاز به ایجاد لایه های ضخیم تر وجود دارد. از دیگر کاربردهای این روش می توان از لایه نشانی انواع مواد آلی و شیمیایی، لایه نشانی انواع سل ژل، یا پوشش رنگ نام برد. اگرچه پوشش اسپین محدودی
ت های خود را دارد. در حال حاضر مهندسان و دانشمندان در حال کار بر روی کشف راه بهتری برای اعمال نور مقاوم به بستر یک ویفر سیلیکونی هستند. پوشش اسپین می تواند منجر به مشکلات توپوگرافی ویفر مانند بسترهای غیر گرد، زیرلایه های بزرگ، بسترهای شکننده و مصرف مواد شود. یکی از راه حل های بالقوه برای این مسئله، اسپری کردن فتوریست روی سطح است. با پاشیدن فتوریست بر روی سطح ویفر بر خلاف پوشش چرخشی فتورزیست، مقدار زیادی فوتوریست ذخیره می شود و می توان قطعات کوچکتر و دقیق تری ساخت. پوشش اسپری هنوز در مرحله توسعه است و تحقیقات بیشتری باید انجام شود تا مقرون به صرفه و کاربردی باشد.
پراکندگی میله برش کریستالی اشعه ایکس، یک روش قدرتمند در علم سطح است که عملکرد آن بر اساس تجزیه و تحلیل الگوهای پراش پرتو ایکس سطحی (SXRD) از یک سطح کریستالی می باشد. برای یک کریستال بی نهایت، الگوی پراش در تابع دلتای دیراک، مانند قله های براگ متمرکز می شود. وجود سطوح کریستالی منجر به ساختار اضافی در امتداد به اصطلاح "میله های برش" (مناطق خطی در فضای تکانه نرمال به سطح) می شود. اندازه گیری های میله برش کریستالی (CTR) امکان تعیین دقیق ساختار اتمی در سطح را فراهم می کند؛ این موضوع در موارد اکسیداسیون، رشد برآرایی و مطالعات جذب روی سطوح کریستالی مفید است. تئوری. برخورد یک ذره روی یک سطح کریستالی با تکانه formula_1، متحمل پراکندگی از طریق یک تغییر تکانه formula_2 می شود. اگر formula_3 و formula_4 نشان دهنده جهات در صفحه سطح و formula_5 عمود بر سطح باشد، شدت پراکنده شده به عنوان تابعی از تمام مقادیر ممکن formula_2 از رابطه زیر بدست می آید:formula_7که در آن formula_8 ضریب نفوذ است و به عنوان نرخ دامنه های پرتو ایکس پراکنده شده از صفحات متوالی اتم ها در کریستال تعریف می شود و formula_9 ، formula_10 ، و formula_11 به
ترتیب فاصله های شبکه در جهت های x، y و z هستند. در صورت جذب کامل، formula_12 و شدت پراکنده شده مستقل از formula_13 خواهد شد؛ همچنین مقدار formula_14 (جزئی از formula_2 که موازی با سطح کریستال می باشد) بیشینه خواهد شد که شرایط 2D Laue را در فضای متقابل برآورده می کند.formula_16برای اعداد صحیح formula_17 و formula_18 . همان طور که در شکل ۱ نشان داده شده، این شرایط منجر به میله هایی در فضای متقابل می شوند که عمود بر سطح قرار گرفته و از نقاط شبکه متقابل سطح عبور می کنند. این میله ها به عنوان میله های پراش یا میله های برش کریستالی شناخته می شوند. هنگامی که مقدار formula_8 از ۰ تغییر کند، شدت در امتداد میله ها، مطابق شکل ۲ متفاوت خواهد بود. توجه داشته باشید زمانی که formula_8 به طور حدی به ۱ نزدیک می شود، اشعه های ایکس کاملاً نفوذ می کنند و شدت پراکنده شده به تابع دلتای تناوبی، مانند پراش توده، نزدیک می شود. این محاسبه بر اساس تقریب سینماتیکی (تک پراکندگی) انجام شده و اثبات شده که حدوداً تا ضریب formula_21 از شدت اوج، دقیق می باشد. افزودن ملاحظات دینامیکی (چند پراکندگی) به مدل نیز می تواند منجر به پیش بینی دقیق تر
شدت CTR شود. ابزار دقیق. برای به دست آوردن داده های با کیفیت بالا در اندازه گیری های CTR اشعه ایکس، مطلوب است که شدت شناسایی شده حداقل در حدود formula_22 باشد. برای دستیابی به این سطح از خروجی، منبع اشعه ایکس معمولاً باید یک منبع سنکروترون باشد. منابع قدیمی تر و ارزان تر مانند منابع آندی دوار، شار پرتو ایکس ۲ تا ۳ مرتبه کمتر را ارائه می کنند و فقط برای مطالعه مواد با عدد اتمی بالا مناسب هستند که شدت پراش بالاتری را برمی گردانند. حداکثر شدت پراش تقریباً متناسب با مجذور عدد اتمی (formula_23) می باشد. به طور مثال، منابع آندی اشعه ایکس با موفقیت برای مطالعه طلا (formula_24) استفاده شده اند. هنگام اندازه گیری اشعه ایکس از یک سطح، نمونه در خلأ فوق العاده بالا نگه داشته می شود و اشعه ایکس از طریق پنجره های بریلیوم به داخل و خارج محفظه UHV می رود. دو رویکرد برای طراحی محفظه و پراش سنج وجود دارد که در حال استفاده هستند. در روش اول، نمونه که تا حد امکان کوچک و سبک نگه داشته شده، نسبت به محفظه خلأ ثابت نگه داشته می شود و بر روی پراش سنج نصب می شود. در روش دوم، نمونه در داخل محفظه توسط دم هایی که به بیرون کوپل شده اند، چ
رخانده می شود. این روش، از واردکردن بار مکانیکی زیاد بر روی زاویه سنج پراش سنج جلوگیری می کند و حفظ وضوح زاویه ای خوب را آسان تر می کند. یکی از اشکالات بسیاری از پیکربندی ها این است که نمونه باید به منظور استفاده از روش های دیگر آنالیز سطح مانند LEED یا AES جابه جا شود و پس از انتقال نمونه به موقعیت پراش اشعه ایکس، باید مجدداً تراز شود. در برخی از تنظیمات، محفظه نمونه را می توان بدون از بین بردن خلأ از پراش سنج جدا کرده و به سایر کاربران اجازه دسترسی داد. اسکن میله CTR. برای یک زاویه تابش معین از اشعه ایکس بر روی یک سطح، فقط تقاطع میله های برش کریستال با کره اوالد قابل مشاهده است. برای اندازه گیری شدت در امتداد CTR، نمونه باید در پرتو اشعه ایکس چرخانده شود تا مبدأ کره اوالد مشاهده شود و کره، میله را در مکان دیگری در فضای متقابل قطع کند. اسکن میله به این روش، مستلزم حرکت هماهنگ نمونه و آشکارساز در امتداد محورهای مختلف است. برای دستیابی به این حرکت، نمونه و آشکارساز در دستگاهی به نام پراش سنج چهاردایره ای نصب می شوند. نمونه در صفحه ای که پرتوهای ورودی و پراش شده را به دو نیم می کند، چرخانده می شود و آشکارساز به
موقعیت لازم برای ثبت شدت CTR پراش شده منتقل می شود. سازه های سطحی. ویژگی های سطحی در یک ماده، تغییراتی را در شدت CTR ایجاد می کنند که می توان آن ها را اندازه گیری کرده و برای ارزیابی ساختارهای سطحی ممکن استفاده کرد. دو نمونه از این ویژگی ها در شکل ۳ نشان داده شده است. در صورت برش نادرست در یک زاویه formula_8 مجموعه دیگری از میله ها در فضای متقابل تولید می شود که میله های سوپرشبکه نامیده می شود و از چرخش میله های شبکه معمولی با همان زاویه formula_8 به دست می آیند. قوی ترین شدت اشعه ایکس در ناحیه تقاطع بین میله های شبکه (نوارهای خاکستری) و میله های ابرشبکه (خطوط سیاه) قرار دارد. همان طور که نشان داده شده، در مورد مراحل متناوب مرتب شده، شدت CTR به بخش هایی تقسیم می شود. در مواد واقعی، بروز ویژگی های سطحی به ندرت تا این حد منظم خواهد بود؛ اما این دو مثال روشی را نشان می دهند که در آن ناهمواری های سطح در الگوهای پراش به دست آمده آشکار می شوند.
جایزه خشت طلایی رقابت و رویداد بین المللی در حوزه مدیریت شهری است. خشت طلایی رقابتی در حوزه ایده های خلاقانه شهری به ابتکار و مدیریت مرکز ارتباطات و امور بین الملل شهرداری تهران از سال ۱۳۹۳ بنیان گذاشته شده است. مراسم پایانی آن و معرفی ایده های خلاقانه و متمایز مدیریت شهری هر سال روز نهم آبان ماه برابر با سی ویک اکتبر همزمان با روز جهانی شهرها در تهران برگزار می شود. پنجمین دوره این رقابت زمستان ۱۳۹۹ برگزار شده است. عنوان شده است رقابت خشت طلایی از پنجمین دوره به عنوان رویدادی در حوزه مسائل شهری در تقویم جهانی نیز قرار گرفته و. به افزایش ضریب نفوذ شهرداری تهران در سازمان های جهانی کمک می کند. پل طبیعت در تهران از جمله پروژه های مطرح برگزیده این رقابت است. معرفی. جایزه خشت طلایی رویداد بین المللی، برای تحقق هم افزایی مشارکت شهرها، نیز دست یابی به توسعه شهری و ترویج و انتقال تجارب موفق جهانی پایه گذاری شده است. در اجرا و برگزاری جایزه خشت طلایی سازمان ها و سمن های بین المللی متعددی از جمله متروپلیس (Metropolis) با دبیرخانه جایزه همکاری دارند. دبیرخانه جایزه خشت طلایی علاوه بر برگزاری رقابت و داوری آثار، متناسب
با مقتضیات و ضرورت های جاری جهانی برنامه هایی جانبی با موضوع های خاص را در دستور کار قرار می دهد. به برگزیدگان خشت طلایی، تندیس و گواهینامه اهدا می شود. خشت طلایی ایده های جذاب و خلاقانه حوزه مسائل شهری را مورد توجه قرار می دهد. در هر دوره با انتشار فراخوان به طور متعین موضوع های رقابت را اعلام می کند که معمولاً در یکی از حوزه های زیر است. داوری آثار و پروژه های حاضر در رقابت، طی دو مرحله انجام می گیرد و برخی شاخص هایی داوری به شرح زیر است. ضوابط رقابت. تمام شهرها، مناطق شهری و دولت های محلی از سراسر جهان امکان حضور در این رقابت حوزه مسائل شهری را دارند. شرایط حضور در رقابت بر اساس اعلام دبیرخانه به شرح زیر است. ادوار رقابت. از آغاز فعالیت جایزه خشت طلایی تا سال ۱۴۰۰ پنج دوره از این رقابت برگزار شده است. در ادامه ادوار مختلف رقابت فهرست می شود. دورهٔ اول. نخستین دوره این جایزه (۱۳۹۳)، در حوزه «مدیریت شهری» در مقیاس ملی و با تأکید بر پروژه های عمرانی شهر تهران و تقدیر از سه پروژه برگزار گردید و مهمانان و اندیشمندان حوزه شهری، در نشستی تخصصی، پیرامون موضوع «توسعه شهری» به بحث و تبادل نظر پرداختند. برگزیدگان دور
ه نخست رقابت به شرح زیر معرفی شدند. دورهٔ دوم. دومین دوره جایزه سال ۱۳۹۴، با تأکید بر موضوع «جهان-محلی» در ۷ محور برگزار شد. در این رقابت ۳۳۰ پروژه شهری از سراسر جهان، توسط داوران ارزیابی و به ۲۴ پروژه منتخب، جوایزی اهدا شد. در این دوره نشست های تخصصی نیز با حضور اندیشمندان بین المللی در دو موضوع «جهان-محلی» و «خواهر خوانده های شهری» برگزار گردید. مراسم پایانی این رقابت با حضور محمدباقر قالیباف شهردار وقت تهران روز نهم آبان ماه ۱۳۹۴ برگزار شد. او از جایزه خشت طلایی به عنوان امکانی برای رسیدن به اجماع در خصوص مسائل اساسی شهرها یاد کرد. پروژه های برگزیده در دومین دوره رقابت خشت طلایی در دو بخش ایرانی و خارجی معرفی شده است. دورهٔ سوم. سومین دوره جایزه سال ۱۳۹۵، با همراه سمن های بین المللی در ۷ محور برنامه ریزی شد. فراخوان این دوره از رقابت مردادماه سال ۱۳۹۵ منتشر شد. با انجام فرایند داوری و بررسی بیش از ۴۰۰ پروژه با نظر هیئت داوران، از ۲۴ پروژه تقدیر شد. در این دوره، دو نشست تخصصی با حضور استادان دانشگاه و حرفه مندان در موضوعات «شهر هوشمند» و «تاب آوری» برپا شد. برگزاری دوره چهارم، با توجه به تغییرات مدیریتی کلا
ن صورت پذیرفته، برای دو سال به تعویق افتاد، امین عارف نیا مدیر وقت مرکز ارتباطات و امور بین الملل شهرداری ضرورت بازنگری در نحوه برگزاری این رویداد را دلیل تعویق آن اعلام کرده بود. پروژه های برگزیده سومین دوره رقابت خشت طلایی در دو بخش ایرانی و خارجی معرفی شده است. دورهٔ چهارم. چهارمین دوره جایزه سال ۱۳۹۸ با شعار «شهرهای هوشمند، تاب آور و زیست پذیر برای همه» در ۷ محور تخصصی برگزار شد. در این دوره از رقابت ۱۹۷ پروژه از ایران و ۳۲۲ پروژه از ۲۷ کشور دنیا به دبیرخانه رقابت ارسال شد؛ مستند به گفته مدیر کل وقت مرکز ارتباطات و امور بین الملل شهرداری؛ استقبال از رقابت نسبت به دوره پیش با رشد ۱۰۰ درصدی روبرو شد. همزمان با چهارمین دوره جایزه جهانی خشت طلایی تهران، از نماد شهرهای دوست و خواهرخوانده تهران با هدف گسترش تعامل، همزیستی و صلح جهانی، در برج میلاد تهران رونمایی شد. مراسم پایانی چهارمین دوره این رقابت با حضور پیروز حناچی شهردار وقت تهران برگزار شد. همچنین پیام آنتونیو گوترش دبیرکل سازمان ملل متحد به این رقابت نیز قرائت شد. سید عباس موسوی، سخنگوی وقت وزارت امورخارجه از رقابت «خشت طلایی» به عنوان امکانی برای تبادل
تجربیات و همکاری با سایر کشورها یاد کرد. پروژه های برگزیده چهارمین دوره رقابت خشت طلایی در دو بخش ایرانی و خارجی معرفی شده است. دورهٔ پنجم. پنجمین دوره جایزه آذرماه سال ۱۳۹۹ با شعار " شهرهای سالم؛ اقدامات محلی، اثرات جهانی " در ۷ محور برنامه ریزی و برگزار شد. با توجه به شیوع ویروس کووید۱۹ در سراسر جهان، رویداد با مشارکت کنندگانی از کشورهای مختلف به صورت آنلاین برگزار می گردد و تبادل نظر در نشست های تخصصی پیرامون موضوع پاندمی شهری خواهد بود. در پنجمین دوره این رقابت مجموعا۵۴۱ پروژه و فعالیت حوزه شهری به دبیرخانه رقابت ارسال شده است که دربرگیرنده ۲۴۵ اثر از ایران و ۲۹۶ پروژه از کشورهای مختلف جهان مورد بررسی قرار گرفته است. بر اساس گزارش های منتشر شده آثار و پروژه های خارجی از ۱۹۴ شهر و ۵۸ کشور دریافت شده است که بیشترین آثار و پروژه ها در معماری و شهرسازی و میراث فرهنگی بوده است. برندگان پنجمین دوره جایزه جهانی خشت طلایی در ۷ محور معرفی شدند. گردشگری
Orichalcum یا aurichalcumیک فلز خاطرنشان شده در چندین نوشته باستانی، شامل داستان آتلانتیس در "کریتیاس" از افلاطون است. کریتیاس (۴۶۰–۴۰۳ قبل از میلاد) ادعا می کند که اوریکالکوم از لحاظ ارزش مادی بعد از طلا در رده دوم قرار دارد و در بسیاری از نقاط آتلانتیس در دوران باستان پیدا و استخراج شده است، اما در زمان خود کریتیاس، تنها نام اوریچالکوم شناخته شده بود. اوریچالکوم ممکن است قرار بوده مانند پلاتین، یا نوعی برنز یا برنج یا احتمالاً آلیاژ فلز دیگری بصورت خالص استخراج بشود. در علم سکه شناسی، اوریچالکوم آلیاژ برنزی به رنگ طلایی بوده که توسط امپراتوری روم به عنوان سکه استفاده است. بررسی اجمالی. این نام برگرفته از زبان یونانی , ' (از ، '، معادل کوه و ، "" معادل مس) به معنای «مس کوهی» است. رومی ها اوریچالکوم را به ص ورت «aurichalcum» ترجمه می کردند که تصور می شد به معنای واقعی کلمه «مس طلا» است. از نوشته های سیسرون مشخص است که فلزی که آن ها اوریچالکوم نامیده اند از نظر رنگ شبیه طلا بوده اما ارزش بسیار کمتری دارد. ویرژیل "اینید ،" زره سینه تورنوس به عنوان «سفت با طلا و سفید اوریچالک» توصیف شده است. اوریچالکوم به عنوان
یک آلیاژ طلا – مس، مس – قلع یا برنج مس – روی یا فلز یا آلیاژ فلزی که دیگر شناخته شده نیست، نگه داشته می شده است. در سال های بعد، اوریچالکوم برای توصیف کانی سولفید کالکوپیریت و همچنین برای توصیف برنج استفاده شد. با این حال، تطبیق این کاربردها با ادعاهای کریتیاس افلاطون، که بیان می کند که فلز در زمان او «فقط یک نام» بود، دشوار است، در حالی که برنج و کالکوپیریت در زمان افلاطون بسیار مهم بودند. همان طور که هنوز هم هستند. جوزف نیدهام بیان می کند که اسقف ریچارد واتسون، استاد شیمی قرن هجدهم، در توضیح یک ایده باستانی نوشته است که «دو نوع برنج یا اوریچالکوم» وجود دارد. نیدهام همچنین احتمال می دهد که یونانی ها احتمالاً نمی دانستند که اوریچالکوم چگونه ساخته می شود و حتی ممکن است نمونه ای از اصل آن ساخته باشند. در سال ۲۰۱۵، ۳۹ شمش که گمان می رود اوریچالکوم باشد در یک کشتی غرق شده در سواحل گلا در سیسیل کشف شد که آزمایش ها، قدمت آن ها را ۲۶۰۰ سال پیش تخمین می زنند. آن ها با فلورسانس پرتو اشعه ایکس توسط Dario Panetta تجزیه و تحلیل شدند و معلوم شد که آلیاژی متشکل از ۷۵–۸۰٪ مس، ۱۵–۲۰٪ روی، و درصدهای کمتری از نیکل، سرب و آهن ه
ستند. ادبیات کهن. اوریچالکوم برای اولین بار در قرن هفتم قبل از میلاد مسیح توسط هزیود و در سرود هومری، به آفرودیت تقدیم شده است. بر اساس "کریتیاس" افلاطون، دو دیوار از سه دیوار بیرونی معبد پوزیدون و کلیتو در آتلانتیس به ترتیب از برنج و قلع پوشیده شده بودند، در حالی که دیوار سوم و بیرونی با نور قرمز ناشی از اوریچالکوم می درخشید. دیوارهای داخلی، ستون ها و کف معبد کاملاً با سنگ اوریچالکوم پوشیده شده بودند و سقف آن علاوه بر اوریچالکوم، شامل طلا و نقره هم بود. در مرکز معبد ستونی از اوریچالکوم قرار داشت که بر روی آن قوانین پوزیدون و سوابق شاهزادگان پسر اول پوزیدون حک شده بود. پلینیوس اشاره می کند که اوریچالکوم به دلیل تمام شدن معادنش ارزش خود را از دست داده است. شبه ارسطو در "De mirabilibus auscultationibus" (62) نوعی مس را توصیف می کند که «بسیار براق و سفید است، نه به این دلیل که قلع با آن مخلوط شده است، بلکه به این دلیل که مقداری زمین با آن ترکیب و مذاب شده است». این ممکن است یک ارجاع به اوریچالکوم به دست آمده در طول ذوب مس همراه مقداری " cadmia "، که یک نوع زمین است که قبلاً در سواحل دریای سیاه که منسوب به اکسید
روی است پیدا شده. سکه شناسی. در سکه شناسی، از اصطلاح "orichalcum" برای اشاره به آلیاژ برنزی طلایی رنگ مورد استفاده در سکه های sestertius و dupondius استفاده شده است. این آلیاژ، از مسی که در ساخت سکه "as" از آن استفاده شده است، ارزشمندتر به حساب می آید.
علم مواد از زمان آغاز بشریت موجب توسعه و گسترش تمدن ها شده است. استفاده از مواد بهتر برای ساخت ابزارها و سلاح ها اجازه گسترش و تسخیر سرزمین ها را به بشر داده است و همچنین پیشرفت در فرآوری موادی مانند فولاد و آلومینیوم همچنان بر جوامع فعلی تأثیر می گذارد. مورخان مواد را بخش مهمی از تمدن ها می دانند، به طوری که تمام دوره های زمانی با مواد غالب مورد استفاده (عصر حجر، عصر برنز، عصر آهن) شناخته می شوند. در طول تاریخ کنترل مواد در بهترین حالت از طریق کیمیاگری یا روش های تجربی بوده است. مطالعه و توسعه شیمی و فیزیک به مطالعه مواد کمک کرد و در نهایت مطالعه بین رشته ای علم مواد از ترکیب این مطالعات پدید آمد. تاریخ علم مواد مطالعه چگونگی استفاده و توسعه مواد مختلف در طول تاریخ و تأثیر آن مواد بر فرهنگ مردمان زمین است. اصطلاح " عصر سیلیکون " گاهی مواقع برای اشاره به دوره مدرن تاریخ در اواخر قرن ۲۰ تا اوایل قرن ۲۱ استفاده می شود. ماقبل تاریخ. در بسیاری از اوقات، فرهنگ های مختلف مواد را به عنوان تنها سوابق خود باقی می گذارند. که انسان شناسان می توانند برای تعریف وجود چنین فرهنگ هایی از آن استفاده کنند. استفاده بیشتر از موا