Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
عصاره سلول است. این خصوصاً با LET مشکل ساز است. سلولهااندونوکلئازهایی دارند که به مکانهای تصادفی رشته های DNA حمله می کنند. با این حال، اگزونوکلئازها که از انتها به DNA حمله می کنند بسیار متداول هستند. از آنجا که پلاسمیدها به صورت دایره ای هستند و انتهایی برای آن وجود ندارد که اگزونوکلئازها بتوانند به آن وصل شوند، تحت تأثیر دومی قرار نمی گیرند. اما LET، به هر دو مستعد هستند. به دلیل آسیب پذیری LET، امروزه تحقیقات زیادی در بهینه سازی بازده CFPS LET انجام شده است تا به بازده CFPS با استفاده از پلاسمیدها نزدیک شود. یک نمونه از این محافظت بهبود یافته با پلاسمیدها استفاده از پروتئین باکتری خوارهای لامبدا گام است. Gam یک مهار کننده RecBCD است، اگزونوکلئاز موجود در "E. coli" است. با استفاده از gam، بازده CFPS با LET به میزان قابل توجهی افزایش یافت و با بازده CFPS با پلاسمید قابل مقایسه بود. عصاره خالص همچنین می تواند ساخته شود و نگرانی از اگزونوکلئازها را از بین می برد. تهیه این عصاره ها گران است و در حال حاضر یک راه حل اقتصادی برای مسئله تخریب DNA اگزوژن نیست. انواع سیستمهای عاری از سلول. عصاره های معمولی سلول های
مورد استفاده امروزه از(E.coil (ECE، سلول های رتیکولو خرگوش (RRL)، جوانه گندم (WGE)، سلول های حشرات (ICE) و مخمر "Kluyveromyces" (سیستم D2P) تهیه می شود. همه این عصاره ها در دسترس تجاری هستند. ECE به دلایل مختلف محبوب ترین عصاره سلولی است. این ارزان ترین عصاره و کمترین زمان برای ایجاد را دارد. همچنین، مقادیر زیادی از "باکتری E. coli" می توان به راحتی رشد کرده است، و سپس به راحتی از طریق استفاده از لیز همگن ساز یا فراصوت. ECEهمچنین بالاترین بازده پروتئین را فراهم می کند. با این حال، تولید با بازده بالا می تواند پیچیدگی پروتئین سنتز شده، به ویژه در اصلاح پس از انتقال را محدود کند. در این راستا، سیستم های یوکاریوتیک با کارایی پایین تر می توانند سودمند باشند، به شرطی که سیستم های آنزیمی اصلاح شده در عصاره ها حفظ شده باشند. هر سیستم یوکاریوتی مزایا و مضرات خود را دارد. به عنوان مثال، عصاره WGE بالاترین بازده از سه عصاره یوکاریوتیک را ایجاد می کند. با این حال، برای برخی از تغییرات پس از انتقال مانند گلیکوزیلاسیون مؤثر نیست. هنگام انتخاب یک عصاره، نوع اصلاح پس از انتقال، بازده مطلوب و هزینه باید در نظر گرفته شود. تار
یخ. سنتز پروتئین بدون سلول بیش از ۶۰ سال است که مورد استفاده قرار می گیرد، و مشخصاً اولین توضیح یک کدون توسط مارشال نیرنبرگ و هاینریش جی متیایی در سال ۱۹۶۱ در انستیتوی ملی بهداشت انجام شد. آنها از یک سیستم عاری از سلول برای ترجمه یک توالی RNA پلی اوراسیل (یا UUUUU … به صورت بیوشیمیایی) استفاده کردند و دریافتند که پلی پپتیدی که آنها سنتز کرده اند فقط از اسید آمینه فنیل آلانین تشکیل شده است. بدین ترتیب آنها از این پلی فنیل آلانین نتیجه گرفتند که کد UUU فنیل آلانین اسید آمینه را مشخص کرده است. با گسترش این کار، نیرنبرگ و همکارانش توانستند آرایش نوکلئوتیدی هر کدون را تعیین کنند.
محلول های پلیمری محلول حاوی پلیمر های حل شده هستند. اینها ممکن است محلول های مایع (به عنوان مثال در محلول آبی) یا محلول های جامد (به عنوان مثال ماده ای که پلاستیک شده است) باشند. ورود به پلیمر در مقادیر کمی از یک حلال (پلاستیک ساز) باعث کاهش دمای انتقال شیشه، دمای عملکرد و ویسکوزیته مذاب می شود. درک ترمودینامیک یک محلول پلیمری برای پیش بینی رفتار آن در فرآیندهای تولید بسیار حیاتی است - به عنوان مثال، انقباض یا گسترش آن در فرآیندهای قالب گیری تزریقی، یا اینکه آیا رنگدانه ها و حلالها به طور مساوی با یک پلیمر در ساخت رنگ و روکش مخلوط شوند. کاربردها. محلول های پلیمری در تولید الیاف، فیلم، چسب، لاک، رنگ و سایر موارد ساخته شده از مواد پلیمری استفاده می شود. از لایه های نازک محلول پلیمری می توان برای تولید دستگاه های دارای تابش نور استفاده کرد. از ژل های محلول پلیمر گوار می توان در شکستگی هیدرولیک (" شکست ") استفاده کرد.
عصب روانشناسی شناختی شاخه ای از روان شناسی شناختی است که هدف آن درک چگونگی ارتباط ساختار و عملکرد مغز با فرایندهای روان شناختی خاص است. روانشناسی شناختی علمی است که به بررسی این موضوع می پردازد که چگونه فرایندهای ذهنی، مسئولِ توانایی های شناختی ما برای ذخیره و تولید خاطرات جدید، تولید زبان، شناخت افراد و اشیاء، و همچنین توانایی ما در استدلال و حل مسئله هستند. عصب روان شناسی شناختی تأکید ویژه ای بر مطالعهٔ اثراتِ شناختی آسیب مغزی یا بیماری عصبی، به منظور استنباط مدل های عملکردِ شناختیِ نرمال دارد. شواهد، مبتنی بر مطالعاتِ موردیِ بیماران آسیب دیده مغزی که نواقصی در نواحی مغزی نشان می دهند و بیمارانی که دارای گسستگی دوگانه هستند، می باشد. گسستگی دوگانه، شامل دو بیمار و دو تکلیف است. یک بیمار در یک تکلیف دچار نقص است اما در تکلیف دیگر نرمال است، در حالی که بیمارِ دیگر در تکلیفِ اول نرمال است و در تکلیفِ دیگر دچار نقص است. به عنوان مثال، بیمار A هنگام خواندن کلماتِ چاپ شده ضعیف عمل می کند، در حالی که همچنان در درکِ کلماتِ گفتاری نرمال است؛ حال آنکه بیمار B در درکِ کلماتِ نوشتاری نرمال است و در درکِ کلماتِ گفتاری ض
عیف است. دانشمندان می توانند این اطلاعات را تفسیر کنند تا توضیح دهند که چگونه یک ماژولِ شناختیِ واحد برای درکِ کلمات وجود دارد. پژوهشگران از مطالعات مشابه استنباط می کنند که نواحی مختلفِ مغز بسیار تخصصی هستند. عصب روان شناسی شناختی را می توان از علوم اعصاب شناختی، که این حوزه نیز به بررسی بیماران آسیب دیده مغزی علاقه مند است، اما به طور ویژه متمرکز بر کشفِ مکانیسم های عصبی زیربنایی فرایندهای شناختی است، متمایز دانست.
رضا معظمی گودرزی (زادهٔ ۱ دی ۱۳۷۸ – درگذشتهٔ ۲۶ آبان ۱۳۹۸ در شهریار) یکی از کشته شدگان اعتراضات آبان ۱۳۹۸ ایران بود. زندگی. رضا معظمی گودرزی، ۱ دی ۱۳۷۸ متولد شد. پدرش از ۱۷ سالگی در جنگ ایران و عراق حضور داشت. رضا معظمی گودرزی به همراه خانواده در کرج زندگی می کرد. او به ورزش علاقه داشت و مربی اسکیت بود. کشته شدن. رضا معظمی گودرزی در ۲۶ آبان ۱۳۹۸، سومین روز از اعتراضات مردمی به افزایش قیمت بنزین، حدود ساعت ۹ و ۳۰ دقیقه شب، در مسیر بازگشت از سالن ورزشی، در تقاطع خیابان یکم شرقی فاز یک اندیشه با اصابت گلولهٔ تک تیرانداز، از ناحیهٔ کمر مجروح شد و به بیمارستان منتقل شد. در بیمارستان تأمین اجتماعیِ شهرک اداری، «پانسمان معمولی» برای وی انجام می شود. او تا حدود ساعت ۲ بعد از نیمه شب روی تخت بیمارستان بود و با وجود خواهش و درخواست های خانواده، کادر بیمارستان از بردن وی به اتاق عمل، به دلیل «نبودن جا» امتناع نمودند. اجازهٔ انتقال به بیمارستان دیگر نیز به خانواده داده نشد. پس از آن به اتاق عمل برده شد اما ظاهراً عملی جز جداسازی اعضایش به جهتِ پیوند، انجام نمی شود. رضا معظمی گودرزی در سن ۱۸ سالگی کارت اهداء عضو دریافت کر
ده بود. اعضای بدن او پس از مرگ اهداء شد. پیکر رضا معظمی گودرزی، در روستایی در حوالی بروجرد به خاک سپرده شد.
داگن ها (روزِ ها) که امروزه معمولاً (چرخش به ترافیک سمت راست) نامیده می شود، روز ۳ سپتامبر ۱۹۶۷ بود که در آن ترافیک جاده ها در سوئد از رانندگی در سمت چپ جاده به سمت راست تغییر پیدا کرد. "H" مخفف "Högertrafik" از زبان سوئدی به معنی "ترافیکِ سمت راست" است. این با اختلاف بزرگترین رویداد لجستیک در تاریخ سوئد بود.
نوسان ساز آرمسترانگ (همچنین به عنوان نوسان ساز میسنر نیز شناخته می شود) یک مدار اسیلاتور الکترونیکی است که از یک سلف و خازن برای تولید نوسان استفاده می کند. این نخستین مدار نوسان ساز است که توسط مهندس آمریکایی ادوین آرمسترانگ در سال ۱۹۱۲ و به طور مستقل توسط مهندس اتریشی الکساندر میسنر در سال ۱۹۱۳ اختراع شد و در اولین فرستنده های رادیویی لامپی مورد استفاده قرار گرفت. گاهی اوقات نوسان ساز تیکلر نامیده می شود زیرا ویژگی متمایز آن این است که سیگنال بازخورد مورد نیاز برای تولید نوسانات از طریق تزویج مغناطیسی با استفاده از یک «سیم پیچ تیکلر» "(L2، سمت چپ)" در مدار خروجی، به داخل سلف مدار هماهنگی در مدار ورودی وصل می شود. فرض کنید که تزویج ضعیف باشد، اما برای حفظ نوسان کافی است، فرکانس نوسان "f" در درجه اول توسط مدار هماهنگی "(L1 و C در شکل در سمت راست) تعیین می شود" و تقریباً توسط آن بدست می آید این مدار به طور گسترده ای در گیرنده رادیویی بازتولیدکننده مورد استفاده قرار می گرفت، که تا دهه ۱۹۴۰ محبوب بود. توجه داشته باشید که در نوع میسنر، مدار رزونانس LC (هماهنگی) با سیم پیچ بازخورد، یعنی در مسیر خروجی (پلیت لامپ، د
رین ترانزیستور اثر میدانی یا کلکتور ترانزیستور دو قطبی) از تقویت کننده عوض شده(به عنوان مثال گربنیکف، شکل 2.8). با این حال، بسیاری از نشریات، هر دو نوع را با هر نام پذیرش می کنند. ظاهراً، انگلیسی زبانان با استفاده از آرمسترانگ، و گویندگان آلمانی میسنر.
فهرست کشورهای بدون نیروهای مسلح فهرستی متشکل از کشورهایی است که فاقد نیروی مسلح هستند. اصطلاح "کشور" در اینجا به معنای کشورهای مستقل است و منظور، قلمروهای وابسته (مانند گوام، جزایر ماریانای شمالی، برمودا) نیست که دفاع از آنها برعهده کشوری دیگر یا ارتشی جایگزین است. اصطلاح "نیروهای مسلح" به هرگونه دفاع با پشتیبانی دولتی، برای پیشبرد سیاست های داخلی و خارجی دولت مورد نظر اشاره دارد. برخی از کشورهایی که اشاره شده اند، مانند ایسلند و موناکو، فاقد ارتش دائمی هستند با این حال دارای یک نوع نیروی نظامی غیرانتظامی هستند. بسیاری از بیست و یک کشور اشاره شده در اینجا، معمولاً با یکی از کشورهایی که در گذشته آنها را اشغال کرده بوده است، توافقی دیرینه داشته اند. به عنوان یک مثال، موناکو و فرانسه که دارای توافقی هستند که حداقل ۳۰۰ سال از عمر آن می گذرد. کشورهایی مانند جزایر مارشال، ایالات فدرال میکرونزی و پالائو برای دفاع از خود، با کمک پیمان اتحادیه آزاد به ایالات متحده تکیه می کنند. این پیمان به این کشورها اطمینان می دهد که از طریق جلسات سالانه کمیته مشترک برای بحث دربارهٔ مسائل دفاعی با فرماندهی اقیانوس آرام ایالات متحده،
مسائل مربوط به امنیت ملی آنها مورد بررسی قرار می گیرد. آندورا ارتش کوچکی دارد، با این حال در صورت لزوم می تواند درخواست کمک های دفاعی بدهد. در این میان، کشور ایسلند با ایالات متحده آمریکا توافق نامه ای امضا کرده بود که این توافق تا سال ۲۰۰۶ ادامه داشت و برمبنای آن قرار بود که در صورت لزوم دفاع، امنیت کشور ایسلند توسط ایالات متحده آمریکا تأمین شود. سایر کشورهای باقی مانده مسئولیت دفاع از خود را خود بر عهده دارند و این کار را یا بدون نیروهای مسلح یا با نیروهای مسلح محدود انجام می دهند. برخی از کشورها مانند کاستاریکا و گرنادا فرایندی موسوم به غیرنظامی سازی را آغاز کرده اند. برخی از کشورها مانند ساموآ، از آغاز بدون نیروهای مسلح تشکیل شده اند. علت اصلی این موضوع این است که آنها در زمان استقلال خود تحت حمایت یک کشور دیگر بوده اند و این حمایت هنوز هم ممکن است وجود داشته باشد.
چکش ردیفی Row hammer (که به صورت rowhammer نیز نوشته می شود) یک سوء استفاده امنیتی است که از یک اثر جانبی ناخواسته و نامطلوب در حافظه تصادفی پویا (DRAM) استفاده می کند که در آن سلول های حافظه شارژ بین خود را با تعامل با یکدیگر نشت می دهند. در این حالت احتمال نشت یا تغییر اطلاعات در ردیف های مجاور ردیفی که به طور مستقیم به آن دسترسی داریم وجود دارد. عدم ایزوله بودن سلول های حافظه DRAM نسبت به یکدیگر بخاطر تراکم بالای سلول در DRAMهای مدرن می باشد و می توان با یک سری الگوهای خاص دسترسی به حافظه به صورت سریع و متناوب چندین بار به یک ردیف از حافظه دسترسی داشت که این در حمله rowhammer باعث می شود سلول به اندازه کافی در یک بازه نشت اطلاعات داشته باشد. اثر چکش ردیفی در برخی از مزایای افزایش امنیت سیستم های کامپیوتری استفاده شده استو همچنین در حملات مبتنی بر شبکه از لحاظ نظری در ارتباط سریع شبکه بین مهاجم و قربانی امکان پذیر است. تکنیک های مختلف مبتنی بر سخت افزار برای جلوگیری از وقوع اثر rowhammer از جمله پشتیبانی مورد نیاز در برخی از پردازشگرها و انواع حافظه DRAM وجود دارند. rowhammer به ندرت یا هرگز بر روی DDR و DD
R2 تأثیر نمی گذارد و روی DDR3 و DDR4 تأثیر زیادی دارد. سابقه. در RAM پویا(DRAM)، هر بیت از داده های ذخیره شده، یک سلول حافظه جداگانه را اشغال می کند که به صورت الکتریکی با یک خازن و یک ترانزیستور اجرا می شود. حالت شارژ خازن (شارژ شده یا دشارژ) همان چیزی است که معین می کند که آیا یک سلول حافظه "۱" یا "۰" به عنوان یک مقدار دودویی ذخیره می کند. تعداد بسیار زیادی از سلول های حافظه DRAM به مدارهای مجتمع متصل می شوند همراه با یک سری منطق اضافی که سلول ها را برای اهداف خواندن، نوشتن، و بازنویسی داده ها سازماندهی می کند. سلول های حافظه (مربع های آبی در تصویر) بیشتر به شکل ماتریس ها سازماندهی و از طریق سطرها و ستون ها آدرس دهی می شوند. یک آدرس حافظه که برای یک ماتریس استفاده می شود به آدرس سطر و ستون تقسیم می شود، که به وسیله آدرس سطر و سپس آدرس ستون به ترتیب پردازش می شوند (در تصویر، به ترتیب مستطیل های عمودی و افقی سبز نشان داده شده است). یک آدرس ردیف، ردیف را برای یک عملیات خواندن انتخاب می کند (به عنوان فعال سازی ردیف نیز شناخته می شود)، بیت از تمام سلولهای موجود در ردیف به تقویت کننده های حس منتقل می شود که بافر
ردیف را تشکیل می دهند (مربع های قرمز در تصویر) که در آن بیت دقیق با استفاده از آدرس ستون انتخاب می شود. در نتیجه، عملیات های خواندن دارای یک ماهیت مخرب هستند، زیرا طراحی DRAM به سلول های حافظه نیاز دارد تا پس از آنکه مقادیر آن ها با انتقال بار سلول به بافر سطر خوانده شد، بازنویسی شوند. عملیات نوشتن آدرس ها را به روشی مشابه رمزگشایی می کند، اما در نتیجه دراین طراحی باید تمام ردیف ها بازنویسی شوند تا مقدار یک بیت واحد تغییر یابد. در نتیجه ذخیره سازی بیت های داده با استفاده از خازن که سرعت تخلیه طبیعی دارند، باعث می شود DRAM حافظه خود را در طول زمان از دست بدهد و نیاز به بازنویسی مجدد همه سلول های حافظه دارند، که فرآیندی است که به عنوان دوباره سازی شناخته می شود. در نتیجه دیگر طراحی، حافظه DRAM مستعد تغییرات تصادفی در داده های ذخیره شده است که به خطاهای حافظه نرم و ویژگی پرتوه ای کیهانی و دلایل دیگر شناخته می شوند. تکنیک های مختلفی وجود دارند که خطاهای حافظه نرم را خنثی و قابلیت اطمینان DRAMرا بهبود می بخشد که حافظه تصحیح خطا (ECC)و انواع پیشرفته آن (مانند حافظه lockstep)اغلب مورد استفاده قرار می گیرند. مرور. اف
زایش تراکم مدارهای مجتمع DRAM (ICs) باعث شده است که سلولهای حافظه کوچکتر از نظر فیزیکی قادر به ذخیره بارهای کوچکتر باشند، که این منجر به کاهش حاشیه نویز عملیاتی، افزایش سرعت تعامل الکترومغناطیسی بین سلولهای حافظه و احتمال از دست رفتن بیشتر داده ها می شود. در نتیجه، خطاهای اختلال مشاهده می شود که توسط سلول هایی که در عملکرد یکدیگر دخالت می کنند ایجاد می شوند و به صورت تغییرات تصادفی در مقادیر بیت های ذخیره شده در سلول های حافظه قرار می گیرند. آگاهی از خطاهای اختلال به اوایل دهه ۱۹۷۰ و اینتل ۱۱۰۳ بعنوان اولین DRAM در دسترس جامعه بازمی گردد؛ از آن زمان سازندگان DRAMها تکنیک های مختلفی را برای مقابله با خطاهای اختلال، مانند بهبود انزوای بین سلول ها و انجام آزمایش تولید بکار گرفته اند. با این حال، محققان در یک تجزیه و تحلیل در سال ۲۰۱۴ ثابت کردند که تراشه های DDR3 SDRAM تجاری موجود در سال های ۲۰۱۲ و ۲۰۱۳ مستعد خطاهای مزاحم هستند، در حالی که با استفاده از اصطلاح چکش ردیف برای نامگذاری عوارض جانبی مرتبط با آن که منجر به مشاهده تلنگرهای بیت شده است در حالی که از چکش ردیفی برای نامگذاری اثر جانبی مربوطه استفاده می شود
که منجر به پرش بیت می شود. دلایل برای اثر چکش ردیفی در حافظه DDR3 در درجه اول به تراکم بالای سلول های حافظه و نتایج تعاملات مرتبط بین سلول ها نسبت داده می شود، در حالی که فعالسازی های سریع DRAM به عنوان علت اصلی تعیین شده است. فعال سازی های مکرر ردیف باعث نوسان ولتاژ در خطوط انتخاب ردیف مرتبط می شود، که مشاهده شده است که نرخ های تخلیه بیش از حد مجاز در خازن ها متعلق به ردیف های حافظه مجاور است، که ردیف های قربانی نامیده می شوند. اگر سلولهای حافظه آسیب دیده قبل از اینکه شارژ زیادی از دست ندهند تجدید نشوند، خطاهای مزاحم رخ می دهد. آزمایش ها نشان می دهند که یک خطای اختلال ممکن است پس از انجام هر گونه نمایش در حدود ۱۳۹٬۰۰۰ دسترسی های حافظه بعدی (با تخلیه حافظه نهان) مشاهده شود و این که یک سلول حافظه در هر ۱۷۰۰ سلول ممکن است در معرض خطر باشد. این تست ها همچنین نشان می دهند که میزان خطای اختلال به طور قابل توجهی با افزایش دمای محیط تحت تاثیر قرار نمی گیرد، در حالی که به محتوای واقعی DRAM بستگی دارد، زیرا الگوهای بیت خاصی منجر به خطای اختلال در دماهای بالاتر می شود. نوعی به نام double-sided hammering شامل فعال سازی
هدفمند دو ردیف DRAM در اطراف یک ردیف قربانی است. در تصویر ارائه شده در این بخش، این نوع می تواند هر دو ردیف زرد را با هدف القاء پرش های بیت در ردیف بنفش فعال کند، که در این حالت، ردیف قربانی خواهد بود. آزمایشات نشان می دهد که این روش ممکن است منجر به میزان قابل توجهی بالاتر از خطاهای مزاحم شود، در مقایسه با نوعی که تنها یکی از ردیف های DRAM همسایه ردیف قربانی را فعال می کند. کاهش. روش های مختلف برای تشخیص موفق، پیش گیری، اصلاح یا کاهش اثر چکش ردیفی وجود دارد. آزمایشات نشان می دهد که راه حل های ساده ECC، ارائه قابلیت های اصلاح یک خطا و قابلیت تشخیص دو خطا (SEC DED)، قادر به اصلاح یا تشخیص همه خطاهای مزاحم مشاهده شده نیستند زیرا برخی از آنها شامل بیش از دو بیت پرش در هر کلمه حافظه می شوند. همچنین سه بیت خطا مانع از تغییر ECC می شود. یک راه حل موثرتر دوباره نویسی بیشتر حافظه با فاصله های متناوب کوتاه از ۶۴ میلی ثانیه معمولی است. اما این روش منجر به مصرف بیشتر انرژی و افزایش پردازنده می شود. برخی از فروشندگان به آپدیت های سیستم عامل می پردازند که این نوع کاهش را پیاده سازی می کنند. یکی از اقدامات پیچیده تر پیشگی
ری ردیف های حافظه که غالباً به آنها دسترسی داریم را پیدا می کنند و فعالانه ردیف های همسایه آن ها را بازنویسی می کند. از زمان انتشار پل «آی وی»(Ivy Bridge microarchitecture)، پردازنده های Xeon از این اصطلاح شبه هدف بازنویسی ردیف(pTRR)پشتیبانی می کنند؛ که می توان از آن ها در ترکیب با DDR3های حافظه میانی دوگانه با قابلیت دوگانه - دوگانه (DIMMs)برای کاهش اثر چکش ردیفی ناشی از ردیف های قربانی احتمالی بهینه استفاده کرد. بدون تأثیر منفی بر عملکرد یا مصرف توان. هنگامی که با DIMMs مورد استفاده قرار می گیرد، این پردازنده ها با استفاده از افت پیش فرض، در دو برابر فرکانس معمول، که منجر به تأخیر دسترسی حافظه بالاتر می شوند و ممکن است پهنای باند حافظه را تا ۴–۲٪ کاهش دهند، بازسازی می کنند. استاندارد حافظه متحرک LPDDR۴ که توسط JEDEC منتشر شد شامل پشتیبانی سخت افزار اختیاری برای بازیابی ردیف هدف نامیده می شود (TRR)که از تأثیر چکش ردیفی بدون تأثیر منفی بر عملکرد یا مصرف انرژی جلوگیری می کند.علاوه بر این، برخی از تولیدکنندگان TRR را در محصولات DDR4 خود پیاده سازی می کننداگرچه جزئی از استاندارد حافظه DDR4 نیست که توسط JEDEC منت
شر شده است. از طریق داخلی، TRR با شمارش تعداد فعال سازی های ردیف و مقایسه آن در برابر تعداد پیش تعریف شده حداکثر فعال سازی تراشه (MAC) و مقادیر حداکثر فعال کننده پنجره (tMAW)، ردیف های قربانی احتمالی را شناسایی می کند و این سطرها را برای جلوگیری از پرش بیت بازنویسی می کند. مقدار MAC حداکثر تعداد کل فعال سازی های ردیفی است که ممکن است در یک بازه زمانی مشخص بر روی یک ردیف DRAM خاص مشاهده شود که مساوی یا کوتاه تر از زمان tMAW زمان قبل از ردیف های همسایه آن به عنوان ردیف های قربانی است. اگر مجموع فعال سازی های ردیف برای دو ردیف همسایه خود به حد MAC برسد در پنجره زمان tMAW می تواند TRR را نیز به عنوان یک ردیف قربانی مشخص کند. به دلیل ضرورت تعداد زیاد فعالیت های ردیف DRAM که به سرعت انجام می شود، بهره برداری از چکش ردیفی تعداد زیادی از دسترسی های حافظه را صادر می کند که باعث از دست رفتن حافظه پنهان می شود؛ که با نظارت بر نرخ خطای حافظه نهان برای پیک های غیر معمول با استفاده از شمارنده عملکرد سخت افزاری تشخیص داده می شود. نسخه ۵٫۰ از نرم افزار تشخیص حافظه MemTest86، که در ۳ دسامبر ۲۰۱۳ منتشر شد، یک تست چکش ردیفی را
اضافه کرد که بررسی می کند که آیا RAM کامپیوتر مستعد خطاهای آشفتگی است یا نه. مفاهیم. محافظت از حافظه، به عنوان روشی برای جلوگیری از دسترسی فرایندها به حافظه که به هریک از آنها اختصاص نیافته است، یکی از مفاهیم پشت اکثر سیستم عامل های مدرن است. با استفاده از حفاظت از حافظه در ترکیب با مکانیزم های مرتبط با امنیت مانند حلقه های محافظ، امکان جداسازی امتیاز بین فرایندها وجود دارد، که در آن برنامه ها و سیستم های کامپیوتری به بخش هایی محدود می شوند که نیاز دارند یک کار خاص را انجام دهند. استفاده از تفکیک پذیری می تواند میزان آسیب احتمالی ناشی از حملات امنیتی کامپیوتر را با محدود کردن اثرات آن ها به قسمت های خاص سیستم کاهش داد. خطاهای اخلال (توضیح داده شده در بخش بالا) به طور مؤثر لایه های مختلف حفاظت از حافظه را در سطح بسیار پایین سخت افزار شکست می دهد، عملاً ایجاد یک نوع بردار حمله منحصر به فرد که به فرایندها اجازه می دهد تا محتویات بخش های اختیاری حافظه اصلی را با دستکاری مستقیم سخت افزار اصلی تغییر دهند. در مقایسه، بردارهای حمله مرسوم مانند سرریزهای بافر با هدف سوء استفاده از مکانیسم های محافظت در سطح نرم افزار، ب
ا سوء استفاده از اشتباهات مختلف برنامه نویسی برای دستیابی به تغییرات محتوای اصلی حافظه اصلی غیرقابل دسترسی هستند. بهره برداری. تحقیقات اولیه در مورد اثر چکش ردیفی، که در ژوئن سال ۲۰۱۴ منتشر شد، ماهیت خطاهای مزاحم را تشریح کرد و پتانسیل ساخت حمله را نشان داد، اما هیچ نمونه ای از سوء استفاده از امنیت کاری ارائه نکرد. مقاله تحقیقاتی بعدی در اکتبر ۲۰۱۴ به وجود هر گونه مسایل مربوط به امنیت ناشی از اثر چکش ردیفی هیچ اشاره ای نکرد. در تاریخ ۹ مارس ۲۰۱۵، پروژه Zero گوگل دو بهره برداری از امتیازات کاری را براساس اثر چکش ردیفی را با ایجاد ماهیت بهره برداری خود در معماری x86-64 فاش کرد. یکی از استفاده های آشکار کننده مکانیسم گوگل (NaCl)گوگل (NaCl)را برای اجرای یک زیرمجموعه محدود از دستورالعمل ماشین ۶۴–۶۴ درون یک sandboxهدف قرار می دهد که از تأثیر چکش ردیفی برای فرار از sandbox استفاده کرده و توانایی فراخوانی سیستم به طور مستقیم را بدست آورد. این آسیب پذیری NaCl، به عنوان CVE-2015-0565 ردیابی شده است، با تغییر NaCl کاهش یافته است بنابراین اجازه اجرای دستورالعمل ماشین (Clflush(cache line flush را نمی دهد، که قبلاً تصور می
شد برای ساختن یک حمله چکش ردیفی مؤثر لازم است. دومین بهره برداری که توسط پروژه صفر عرضه شد، به عنوان یک فرایند لینوکس بر روی معماری x۸۶–۶۴ اجرا می شود و اثر چکش ردیف را برای دستیابی نامحدود به تمام حافظه فیزیکی نصب شده در یک کامپیوتر، بهره برداری می کند. با استفاده از خطاهای مزاحم با پاشش حافظه، این بهره برداری قادر به تغییر ورودی های جدول صفحه (PTE) است که توسط سیستم حافظه مجازی برای نقشه برداری آدرس های مجازی به آدرس های فیزیکی مورد استفاده قرار می گیرد، که نتیجه آن سوءاستفاده از دسترسی نامحدود حافظه می باشد. با توجه به ماهیت آن و عدم توانایی معماری x86-64 در ایجاد clflush یک دستورالعمل ماشین ممتاز، این بهره برداری به سختی قابل استفاده در رایانه هایی است که از مکانیزم های جلوگیری از چکش ردیفی داخلی استفاده نمی کنند. Project Zero هنگام آزمایش قابلیت استفاده از سوء استفاده، متوجه شد که حدود نیمی از ۲۹ لپ تاپ آزمایش شده دارای خطاهای مزاحم هستند، در حالی که برخی از آنها در کمتر از پنج دقیقه کپی کردن با چکش ردیفی در لپ تاپ های آسیب پذیر رخ می دهند. لپ تاپ های آزمایش شده بین سال های ۲۰۱۰ و ۲۰۱۴ ساخته شده اند و ا
ز حافظه غیر ECC DDR3 استفاده می کنند. code1a: mov (X), %eax // read from address X mov (Y), %ebx // read from address Y clflush (X) // flush cache for address X clflush (Y) // flush cache for address Y mfence jmp code1a در ژولای ۲۰۱۵، گروهی از محققان امنیتی مقاله ای منتشر کردند که یک روش مبتنی بر معماری و راه مستقل برای بهره برداری از اثر چکش ردیفی را توصیف می کند. به جای تکیه بر دستورالعمل clflush برای انجام فلاش های حافظه نهان، این روش با ایجاد سرعت بسیار بالایی از تخلیه حافظه نهان با استفاده از الگوهای دسترسی دقیق به حافظه، به حافظه غیرمشخص می رسد. اگرچه سیاست های جایگزینی حافظه پنهان بین پردازنده ها متفاوت است، این رویکرد با بکارگیری الگوریتم استراتژی تخلیه حافظه پنهان تطبیقی بر اختلافات معماری غلبه می کند. اثبات مفهوم این رویکرد هم به عنوان اجرای کد بومی و هم به عنوان اجرای جاوا اسکریپت محض که در فایرفاکس ۳۹ اجرا می شود، ارایه شده است. اجرای جاوا اسکریپت به نام Rowhammer.js از آرایه های وارد شده بزرگ استفاده می کند و به تخصیص داخلی آن ها با استفاده از صفحات بزرگ تکیه دارد؛ در نتیجه، یک سوءاستفاده سطح بسی
ار بالا از یک آسیب پذیری در سطح پایین را نشان می دهد. در اکتبر ۲۰۱۶، محققان در سیستم های VUSec و گروه امنیت شبکه در vu آمستردام DRAMMER را منتشر کردند که یک برنامه اندروید است که از rowhammer با روش های دیگر استفاده می کند تا به طور قابل اطمینان دسترسی ریشه ای به چند مدل محبوب از گوشی هوشمند را به دست آورند. این آسیب پذیری به عنوان CVE-2016-6728 اذعان شد و وصله ای در مدت یک ماه توسط گوگل منتشر شد تا اثر خود را کاهش دهد، اما به دلیل ماهیت کلی اجرای های احتمالی حمله، وصله نرم افزاری کارآمد دشوار است که بتواند با اطمینان آن را پیاده سازی کند. در حقیقت، تا ژوئن ۲۰۱۸، اغلب پیشنهادهای ارائه شده توسط دانشگاهیان و صنعت برای متوقف ساختن تمام حملات، غیر عملی یا ناکافی بود. برای کاهش این حملات، محققان VUSec Systems یک دفاع سبک را ارائه دادند که با جداسازی بافرهای DMA با ردیف های محافظ، از حملات مستقر در DMA جلوگیری می کند. همه حالات نرم افزاری در برابر حملات rowhammer آسیب پذیر نیستند. در نتیجه یک مهاجم نیاز به پیدا کردن حالات هدف درست به منظور استفاده از خطاهای rowhammer دارد. در عمل، یکی از چالش های اصلی شناسایی حالت
های هدف است. این کار به طور معمول توسط متخصصان حوزه انجام شده است. جامعه تحمل نقص اصلی به حملات rowhammer با یک روش اصولی واکنش نشان داد که می تواند برای شناسایی، اعتبارسنجی، و ارزیابی وضعیت هدف حمله rowhammer و بهره برداری استفاده شود. این کار مبتنی بر روش تجربی مبتنی بر تزریق خطا است، و به حالت های هدف حمله عمومی تعمیم داده شد و چند حالت هدف کاربردی پیدا کرد که قبلاً ناشناخته بودند.
«از کجا آمده ام آمدنم بهر چه بود» غزل مشهوری منسوب به مولوی است که آدمی را به تفکر و اندیشه ورزی دعوت می کند و پرسش بنیادی در مورد منشأ وجود انسان در طول تاریخ که انسان از کجا آمده، به کجا خواهد رفت و چرا آمده است را بازگو می کند. سه پرسش بنیادی. فلسفه نظری دانشی است که دربارهٔ اشیاء آنچنان که هستند بحث می کند و فلسفه علمی دانشی است که دربارهٔ افعال انسان آنچنان که شایسته است باشد، بحث می کند. فلسفه نظری بر سه قسم است: الهیات یا فلسفه علیا، ریاضیات یا فلسفه وسطی، طبیعیات یا فلسفه سفلی محور اصلی الهیات یا فلسفه علیا که گاه فلسفهٔ اولی، فلسفه علیا، علم اعلی، علم کلی و ما بعد الطبیعه نیز نامیده می شود یافتن پاسخی برای علت نهایی موجودات و جهان هستی، دنیای مادی و غیرمادی، نقش انسان در این جهان و اینکه در نهایت و پاسخ به سه پرسش بنیادی است، این جهان از کجا آمده، برای چه آمده و هدف نهایی و مقصود آفرینش این جهان و موجوداتش چیست؟. عرفان حقیقی باید به این سه پرسش پاسخی قانع کننده، مستدل، منطقی و عملی ارائه دهد. به همین جهت نورعلی الهی عرفان را ثمرهٔ درخت شریعت و نتیجه نهایی فلسفه و حکمت می داند. نقد و باورها. بسیاری از
مولوی پژوهان معتقدند که این ابیات از مولانا نیست چراکه کسی در شأن و مقام مولانا هیچ گاه چنین سؤالی برایش پیش نخواهد آمد. اما عده ای هم معتقدند که اتفاقاً این شعر از آنِ مولانایی است که دائماً توصیه می کند در هر مقامی هستید به خود بنگرید و خود را مورد پرسشگری قرار دهید.