Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
محمد دهش (زاده ۲۶ تیر ۱۳۱۷ کرمان – درگذشت در ۲۹ شهریور ۱۳۹۶ کرمان)، شهردار تهران، فعال مدنی و اجتماعی، حقوقدان و نویسنده ایرانی بود. وی دارای مدال خدمت و نشان شهر در عرصه عمران شهری از محمدرضا پهلوی و از نزدیکان، همفکران و همکاران غلامرضا نیک پی در اداره شهر تهران بود. طبق مدارک موجود در مؤسسه مطالعات تاریخ معاصر ایران و سازمان اسناد ملی ایران و مرکز بررسی اسناد تاریخی وزارت اطلاعات، از «محمد دهش» به عنوان آخرین استاندار در فهرست استانداران کرمان قبل از انقلاب ایران در سال ۱۳۵۷ نام برده می شود، اما او پیشنهاد استانداری را از سوی دکتر شاپور بختیار نپذیرفت و هیچ گاه بر کرسی استانداری کرمان تکیه نزد. =سلسله نسب= نسب وی بر اساس وقف نامه موجود به بماناد خانم مستوره دختر ملک توران شاه یکم حاکم کرمان در عصر سلجوقی و بانی مسجد ملک در کرمان می رسد. [۱] زندگی نامه و تحصیلات. محمد دهش، فرزند ارشد عبدالله دهش، از مشایخ سلسله نعمت اللهی و از معاریف و بزرگان این سلسله و از اساتید عرفان و تصوف در کرمان بود. عبدالله دهش کرمانی علاوه بر مناصب مهم در دادگستری کرمان و موقعیت های برجسته اجتماعی و فرهنگی، سالها ریاست انجمن ادبی خ
واجوی کرمانی را برعهده داشت و از سال ۱۳۳۵ تا سال ۱۳۶۶ ه .ش شیخ خانقاه نعمت اللهی کرمان بود و در این مدت به ترویج عرفان و تصوف اسلامی و نشر آراء و اندیشه های مکتب شاه نعمت الله ولی پرداخت. [۲] محمد دهش تحت توجهات پدرش، تحصیلات ابتدایی و دبیرستان را در کرمان به اتمام رساند و در سال ۱۳۳۵ بنا بر سفارش پدر، توسط جواد نوربخش، پیر سلسله نعمت اللهی به فقر نعمت اللهی و سیر و سلوک عرفانی وارد شد. وی بعدها از سال ۱۳۷۴ هجری شمسی به عنوان شیخ سیّار از طرف دکتر جواد نوربخش مأذون به دستگیری طالبان طریقت نعمت اللهیه شد و افراد زیادی در ایران و خارج از ایران به دست وی به فقر نعمت اللهی وارد شدند. [۳] محمد دهش پس از اخذ دیپلم، در سال ۱۳۳۷ به استخدام وزارت دادگستری درآمد و در کادر اداری دادگستری کرمان مشغول به خدمت شد و همزمان در کنار فعالیت دادگستری به همراه پدرش، مزرعه صفائیه (تلمبه دهش) را در حومه کرمان بنیان گذاشت.[۴] وی در سال ۱۳۴۲ با کسب رتبه دوم، در امتحان ورودی دانشکده حقوق دانشگاه تهران پذیرفته شد و در آبان ماه سال ۱۳۴۶ با ارائه پایان نامه ای تحت عنوان (روابط مالی زوجین از نظر فقه و حقوق مدنی)، به راهنمایی محمد سنگلجی
استاد دروس فقه و اصول و قواعد فقه و قضا در اسلام فارغ التحصیل و موفق به اخذ لیسانس حقوق قضایی از دانشگاه تهران شد.[۵] محمددهش در سال ۱۳۴۸ پس از یازده سال خدمت در وزارت دادگستری از آخرین پست سازمانی خود به عنوان نماینده دادستان تهران در حوزه وظیفه عمومی استعفا داد و بنا به درخواست غلامرضا نیک پی (شهردار تهران) از وزارت دادگستری به شهرداری تهران رفت.[۶] بخشی از خدمات و مناصب محمد دهش، قبل از انقلاب ۱۳۵۷. محمددهش در سال ۱۳۵۲ و در سن ۳۵ سالگی، به عنوان جوان ترین و فعال ترین شهردار مناطق تهران مورد تجلیل دربار شاهنشاهی قرار گرفت و به پاس خدماتی که در راه پیشرفت امور خدمات و عمران شهری انجام داده بود موفق به دریافت مدال خدمت و نشان شهر از محمدرضا شاه پهلوی شد. وی تا سال ۱۳۵۷ نشانهای افتخار متعددی از جمله نشان یادگار تاج گذاری و نشان همایون را به پاس شایستگی دریافت کرد. در ایام انقلاب و در زمان نخست وزیری شاپور بختیار پیشنهاد استانداری کرمان به محمد دهش داده شد امّا در آن ایّام حساس و پرتلاطم بنا بر توصیه پدرش از قبول منصب استانداری کرمان خودداری کرد. خدمات محمددهش، پس از انقلاب ۱۳۵۷. محمددهش در ایام پس از انقلاب اس
لامی در دادگاه به جرم وابستگی به دربار شاهنشاهی و همکاری با رژیم پهلوی محاکمه و به انفصال کامل از خدمات دولتی محکوم شد. اما سرانجام پس از سال ها پیگیری و اعتراض به احکام صادره و با دفاعیات و لوایح ارائه شده به دادگاه، از اتهامات وارده تبرئه و حکم به بازنشستگی ایشان از سوی وزارت کشور داده شد. محمددهش در دوران پس از انقلاب ۱۳۵۷ بنا بر علاقه اش از گذشته، به فعالیت کشاورزی و احداث باغ در حومه کرمان روی آورد و تا پایان عمر در کنار فعالیت کشاورزی به صورت محدود به امر وکالت دادگستری نیز می پرداخت و به عنوان وکیل و مشاور حقوقی فعالیت می کرد. وی به مدت پنج سال در دهه شصت، سردفتر اسناد رسمی بود و مدتی هم ریاست خیرین مدرسه ساز استان کرمان را برعهده داشت و خدمات شایسته ای در امر مدرسه سازی به خصوص در شهرستان بم پس از زلزله، انجام داد. درگذشت. محمد دهش در ۲۹ شهریور ماه سال ۱۳۹۶ در سن ۷۹ سالگی بر اثر ایست قلبی در زادگاه خود درگذشت. پیکر او در مسجد صاحب الزّمان کرمان و در مقبره میرزا محمد رضا کرمانی (معروف به مقبره آیت الله که امروزه در افواه به مقبرة العرفا معروف است)، به خاک سپرده شد. پی نوشتها. ۱- نگاهی به زندگینامه، خاط
رات و گزیده ای از مقالات محمد دهش. ۲- بهزادی اندوهجردی، حسین، تذکره شاعران کرمان «ستارگان کرمان»،تهران، دستان، ۱۳۸۱. ۳- دهش، مسعود، "حکایتی باقی، شرح احوال، آثار و آراء عرفانی شیخ عبدالله دهش کرمانی، همراه با سیری در تصوف کرمان از قاجاریه تا معاصر، کرمان: مرکز کرمان شناسی، ۱۳۸۷." ۴- تقسیمات کشوری سال ۱۳۹۷، درگاه ملی آمار ایران، ۳۰ مهر ۱۳۹۸. ۵- "روزنامه بیداری"، ۲۳ مهر ۱۳۸۲، شماره ۳۲۰. ۶- "سالنامه مقامات کشور ایران"، تهران: شماره ۳۱، ۲۵۳۵ شاهنشاهی. ۷- همان. منابع و مأخذ. http://kermanemrooz.com/newslink.php?nid=62321
رودخانه چاندان جریان در ایالت بیهار، هند قرار دارد. مشخص شده است که احتمالاً رودخانه چندان است که در کرانه آن شهر باستانی چامپا، مرکز آن گاماهاجاناپادا واقع شده است. این مرز همچنین مرزی بین آنگا و همسایه آن، مگادا است.
دی پتاسیم سیکلواکتاتتراانید، که گاهی اوقات به اختصار K۲COT نیز نوشته می شود، یک ترکیب آلی حاوی پتاسیم با فرمول K۲C۸H۸ است. این ماده به صورت جامد قهوه ای رنگ است و به عنوان پیش ماده در سنتز کمپلکس های سیکلواکتاتتراانید مانند اورانوسن (U(C۸H۸)۲) استفاده می شود. سنتز. پتاسیم سیکلواکتاتتراانید در اثر واکنش سیکلواکتاتتراان با فلز پتاسیم ایجاد می شود: این واکنش منجر به کاهش ۲ الکترون پلی ان می شود و با تغییر رنگ از بی رنگ به قهوه ای همراه است.
«سوپرمن مُرده» ترانه ای از گروه کانادایی آور لیدی پیس است که در ژانویهٔ ۱۹۹۷ به عنوان تک آهنگ اصلی آلبوم "بدترکیب" منتشر شد. این ترانه یکی از عوامل موفقیت آلبوم "بدترکیب" بود و باعث شد مخاطبان آمریکایی با آور لیدی پیس آشنا شوند. «سوپرمن مُرده» در مورد تأثیر گرفتن کودکان از برنامه های تلویزیونی و محتوای آن هاست. به عقیدهٔ رین میدا (خواننده و ترانه سرا) «شخصیت کودکان و چیزهایی مثل این که چطور فکر کنند یا چه بپوشند توسط تلویزیون تعریف می شود و این غم انگیز است». او در این ترانه از تبدیل ابرقهرمان دوران کودکی اش به یک برَند تجاری شکایت می کند و با عبارت هایی مثل «یک دختر معمولی، یک دور کمر معمولی» به ترویج استانداردهای زیبایی غیرممکن برای زنان از سوی رسانه های جریان اصلی انتقاد می کند. این ترانه در زمان انتشارش در آمریکا به مدت ۲۰ هفته در جدول ترانه های آلترنتیو حضور داشت و بالاترین جایگاهش در آن جدول یازدهم بود که در ۴ اکتبر ۱۹۹۷ ثبت شد. «سوپرمن مرده» برای ۱۹ هفته هم جزو پُرفروش ترین ترانه های جریان اصلی راک بود و تا ردهٔ چهاردهم آن جدول صعود کرد. نظر منتقدان. به باور مک کِنزی ویلسون از آل میوزیک، آور لیدی پیس د
ر «سوپرمن مُرده» نوع منحصر به فردی از موسیقی پُست-گرانج را خلق کرده اند.
همخوان هجایی (به انگلیسی: Syllabic Consonant یا Vocalic Consonant) همخوانی است که به تنهایی یک هجا به شمار می آید. برای مثال همخوان های m و n و l به ترتیب در واژه های /"rhythm" /ˈrɪðm و /"button" /ˈbʌtn و /"bottle" /ˈbɑ:tl یک همخوان هجایی به شمار می روند.
بامداد تو را می بینم فیلمی محصول سال ۱۹۸۹ و به کارگردانی آلن جی پاکولا است. در این فیلم بازیگرانی همچون جف بریجز، آلیس کریج، فارا فاست، درو بریمور، لوکاس هاس، دیوید دوکس، فرنسیس استرنهیگن، جرج هرن، تئودور بیکل، لیندا لوین، مکالی کالکین، تام آلدریج، دورتی بریجز و بستی آیدم ایفای نقش کرده اند.
در علم بلورنگاری، بلورهایی که از نظر شکل کاملاً شبیه به هم باشند، هم ریخت گفته می شود.
عینک برفی () نوعی عینک است که به طور سنتی توسط مردمان یوپیک اینوئیت استفاده می شود. غالباً به این عینک ها، عینک اسکیمویی هم می گویند. مردمان قطب شمال برای جلوگیری از پدیده و عارضهٔ برف کوری از این عینک ها استفاده شایانی می نمایند. عینک های برفی به طور سنتی از چوب، چوب های خشک و مستحکم (به ویژه چوب صنوبر)، استخوان، عاجِ گراز دریایی (Walrus ivory) و شاخ گوزن شمالی ساخته می شوند. گاهی مواقع در تهیه آنها از خزه های ساحلی هم استفاده می شود. همانند سایر کلمات زبان اینوئیت نام های متفاوتی برای اینگونه عینک ها در میان بومی های اسکیمو رایج است. ابعاد این عینک ها می تواند متناسب با فرم و قالب صورت استفاده کننده متغیر باشد اما همگی در جلو دارای ۱ یا ۲ شکاف باریک هستند. عینک های برفی کاملاً محکم در برابر صورت قرار می گیرند به طوری که تنها و از طریق شکاف ها است که نور می تواند وارد شود. گاهی از دوده نیز برای کمک به قطع تابش های خیره کننده به داخل عینک نیز استفاده می کنند. میزان باریکی شکاف های جلویی نه تنها برای کاهش میزان نور ورودی بلکه برای بهبود حدت بینایی نیز مؤثر است و از آنجایی که در مناطق مسطح قطبی (به ویژه در هنگا
م بارش یا بوران برف) خط افق قابل تمیزدادن نیست بسیار مؤثر هستند. هر اندازه عرض شکاف ها در این گونه عینک ها بیشتر باشد، میدان دید وسعت بیشتری پیدا می کند.
نپتونوسن، با فرمول شیمیایی Np(C۸H۸)۲، یک ترکیب آلی حاوی نپتونیوم است. این ترکیب از یک اتم نپتونیوم که بین دو حلقه سیکلواکتاتتراان به صورت ساندویچی قرار دارد، تشکیل شده است. این ترکیب یکی از اولین ترکیبات سنتز شده آلی نپتونیوم بود. نپتونوسن، عضوی از دسته ترکیبات "اکتینوسن ها"، گروهی از متالوسن ها که عناصر سری اکتینید را در خود جای داده اند، می باشد. خواص و سنتز. در سال ۱۹۷۰ از واکنش نپتونیوم(IV) کلرید با دی پتاسیم سیکلواکتاتتراانید (K۲(C۸H۸)) سنتز شد. این ماده یک هم ریخت با اورانوسن و پلوتونوسن است و از نظر شیمیایی رفتاری یکسان دارند. هر سه ترکیب نسبت به آب یا بازهای رقیق حساس نیستند، اما به هوا حساس هستند و به سرعت واکنش داده و اکسید تشکیل می دهند. هر سه ماده به مقدار کمی در بنزن و تولوئن حل می شوند.
دیود بهمنی تک فوتونی (اس پی ای دی) یک آشکارساز نوری حالت جامد در همان خانواده دیودهای نوری و دیودهای نوری بهمن (APDs) است، در حالی که کار دیود را انجام می دهد. همانند فوتودیودها و ای پی دی ها، یک اس پی ای دی در اطراف یک پیوند نیم رسانا p-n مستقر شده است که می تواند با تابش یوننده مانند گاما، اشعه ایکس، بتا و ذرات آلفا همراه با بخش وسیعی از طیف الکترومغناطیسی از اشعه فرابنفش (UV) روشن شود. از طریق طول موج های قابل مشاهده و به مادون قرمز (IR). در یک فوتودیود، با ولتاژ بایاس معکوس کم، جریان نشت با جذب فوتون ها، یعنی آزاد شدن حامل های جریان (الکترون ها/حفره ها) به دلیل اثر فوتوالکتریک داخلی، به صورت خطی تغییر می کند. با این حال، در یک اس پی ای دی، بایاس معکوس به حدی زیاد است که پدیده ای به نام یونش ضربه ای رخ می دهد و قادر به ایجاد جریان بهمنی است. به سادگی، یک فوتون حامل تولید شده توسط میدان الکتریکی موجود در قطعه به یک انرژی جنبشی پُرشتاب می شود که برای غلبه بر انرژی یونش مواد بدنه کافی است، و الکترون ها را از اتم خارج می کند. بهمن بزرگی از حامل های جریان به صورت نمایی رشد می کند و می تواند از تعداد حامل های یک
فوتون آغاز شود. یک اس پی ای دی قادر به شناسایی تک فوتون های ارائه دهنده پالس های محرک کوتاه مدت است که قابل شمارش هستند. با این حال، به دلیل سرعت بالایی که در بهمن ایجاد می شود و زمان لرزش کم دستگاه نیز می توان از آن ها برای به دست آوردن زمان رسیدن فوتون برتابش (incident photons) استفاده کرد. تفاوت اساسی بین اس پی ای دی ها و ای پی دی ها یا دیودهای نوری این است که اس پی ای دی کاملاً بالاتر از ولتاژ شکست بایاس معکوس است و ساختاری دارد که اجازه می دهد بدون صدمه یا نویز ناخواسته کار کند. در حالی که یک ای پی دی قادر است به عنوان یک تقویت کننده خطی عمل کند، سطح یونیزاسیون ضربه و بهمن در اس پی ای دی محققان را بر آن داشته است که دستگاه را به یک شمارشگر گایگر که در آن پالس های خروجی نشانگر یک ماشه یا "کلیک" است تشبیه کنند؛ بنابراین ناحیه بایاس دیود که باعث این نوع رفتار "کلیک" می شود، ناحیه " "حالت گایگر" " نامیده می شود. همانند دیودهای نوری، ناحیه طول موج که در آن بیشترین حساسیت را دارد از خواص عنصری آن است، به ویژه گنگ باند انرژی در داخل نیم رسانا. مواد زیادی از جمله سیلیکون، ژرمانیم و سایر عناصر III-V برای ساخت اس
پی ای دی برای کاربردهای متنوعی که اکنون از روند بهمن فرار استفاده می کنند، استفاده شده است. تحقیقات زیادی در این زمینه با فعالیت پیاده سازی سیستم های مبتنی بر اس پی ای دی در فن آوری های ساخت سیماس، و تحقیق و استفاده از ترکیبات مواد III-V برای تشخیص تک فوتون در طول موج های اختصاصی وجود دارد. برنامه های کاربردی. از دهه ۱۹۷۰، کاربردهای اس پی ای دی به طور قابل توجهی افزایش یافته است. نمونه های اخیر استفاده از آنها شامل لیدار، تصویربرداری سه بعدی زمان پرواز (ToF)، اسکن PET، آزمایش تک فوتون در فیزیک، میکروسکوپ تصویر برداری طول عمر فلوئورسنس (فلیم) و ارتباطات نوری (به ویژه توزیع کلید کوانتومی) است. عمل. اس پی ای دی ها دستگاه های نیم رسانا هستند که بر اساس یک اتصال p – n در جهت گیری معکوس در ولتاژ V a قرار دارند که بیش از ولتاژ شکست V B اتصال است (شکل ۱). "در این بایاس، میدان الکتریکی به قدری زیاد است [بالاتر از ۳ × 10 5 V / cm] به طوری که یک حامل بار منفرد که به لایه تخلیه تزریق می شود، می تواند بهمن خودپایدار را تحریک کند. جریان به سرعت [زمان افزایش زیر نانوثانیه] به یک سطح ثابت ماکروسکوپی در محدوده میلی آمپر افزا
یش می یابد. اگر حامل اصلی از طریق عکس تولید شود، لبه جلوی پالس بهمن [با زمان لرزش پیکو ثانیه] زمان رسیدن فوتون شناسایی شده را نشان می دهد. " جریان تا زمانی که بهمن با کاهش ولتاژ بایاس V D به پایین یا پایین V B خاموش شود ادامه می یابد: میدان الکتریکی پایین دیگر قادر به تسریع حامل های ضربه یونیزه با اتم های شبکه نیست، بنابراین جریان متوقف می شود. برای اینکه بتوانید فوتون دیگری را تشخیص دهید، ولتاژ بایاس باید دوباره از شکست خراب شود. "این عملیات به یک مدار مناسب نیاز دارد که باید: از این مدار معمولاً به عنوان مدار خاموش کننده (پوشاننده) یاد می شود. " ناحیه بایاس و مشخصه ولتاژ-جریان. اتصال p-n نیم رسانا بسته به ولتاژ اعمال شده می تواند در چندین ناحیه کاری بایاس شود. برای عملکرد عادی دیود یک جهته (در یک جهت)، در طول هدایت از ناحیه بایاس و ولتاژ جلو استفاده می شود، در حالی که ناحیه بایاس معکوس مانع از هدایت می شود. هنگامی که اتصال با ولتاژ بایاس معکوس کم کار می کند، اتصال p-n می تواند به عنوان یک فوتودیود افزایش یونیت عمل کند. همان طور که هدایت معکوس افزایش می یابد، ممکن است مقداری افزایش داخلی از طریق ضرب حامل ایج
اد شود که به فوتودیود اجازه می دهد به عنوان یک فوتودیود بهمن (ای پی دی) با یک افزایش پایدار و یک پاسخ خطی به سیگنال ورودی نوری عمل کند. با این حال، با افزایش ولتاژ بایاس، هنگامی که قدرت میدان الکتریکی در اتصال p-n به سطح بحرانی برسد، اتصال p-n خراب می شود. از آنجا که این میدان الکتریکی توسط ولتاژ بایاس بیش از محل اتصال القا می شود، به عنوان ولتاژ شکست، VBD نشان داده می شود. یک اس پی ای دی با ولتاژ بایاس اضافی، Vex، بالاتر از ولتاژ شکست، بایاس معکوس دارد، اما زیر یک ولتاژ شکست ثانویه، بالاتر مربوط به حلقه محافظ اس پی ای دی است؛ بنابراین بایاس کل (VBD + Vex) تا حدی از ولتاژ شکست فراتر رفته است که "در این بایاس، میدان الکتریکی آنقدر زیاد است [بالاتر از ۳ × 10 5 V / cm] به طوری که یک حامل بار منفرد به لایه تخلیه تزریق می شود می تواند جریان بهمن داخلی را تحریک کند. جریان به سرعت [زمان افزایش زیر نانوثانیه] به یک سطح ثابت ماکروسکوپی در محدوده میلی آمپر افزایش می یابد. اگر حامل اصلی از طریق نور (فوتون) تولید شده باشد، لبه جلوی پالس بهمنی [با لرزش زمان پیک ثانیه] زمان رسیدن فوتون شناسایی شده را نشان می دهد». از آنجا
که مشخصه جریان در مقابل ولتاژ (IV) یک اتصال p-n اطلاعاتی در مورد رفتار هدایت دیود می دهد، این اغلب با استفاده از یک منحنی ردیاب آنالوگ اندازه گیری می شود. این در شرایط آزمایشگاهی کاملاً کنترل شده ولتاژ بایاس را در مراحل خوب جارو می کند. برای یک اس پی ای دی، بدون ورود فوتون یا حاملهای تولید شده از طریق حرارت، ویژگی IV شبیه ویژگی معکوس دیود نیمه رسانای استاندارد است، یعنی انسداد تقریباً کامل جریان شارژ (جریان) در محل اتصال غیر از جریان نشتی کوچک (نانوآمپر). این شرایط را می توان به عنوان ویژگی «فرعی» توصیف کرد. با این حال، هنگامی که این آزمایش انجام می شود، یک اثر «سوسو زدن» و یک ویژگی دوم IV می تواند فراتر از خرابی مشاهده شود. این امر زمانی اتفاق می افتد که اس پی ای دی در زمان جریان ولتاژ بر روی دستگاه، یک رویداد تحریک کننده (ورود فوتون یا حامل تولید شده با حرارت) را تجربه کرده باشد. اس پی ای دی، طی این رفت و برگشت ها، جریان بهمن را حفظ می کند که به عنوان «اصل» مشخصه IV توصیف می شود. همان طور که ردیاب منحنی مقدار ولتاژ بایاس را با گذشت زمان افزایش می دهد، زمانهایی وجود دارد که اس پی ای دی هنگام جابجایی ولتاژ با
لاتر از خرابی باعث می شود. در این حالت انتقال از شاخه خارج از شاخه به درون شاخه رخ می دهد و جریان قابل توجهی شروع به جریان می کند. این منجر به سوسو زدن ویژگی IV می شود که توسط محققان اولیه در این زمینه به عنوان «انشعاب» (: تقسیم چیزی به دو شاخه یا قسمت) مشخص شده است. برای شناسایی موفقیت آمیز تک فوتون ها، اتصال p-n باید دارای سطح بسیار کمی از تولید داخلی و فرایندهای ترکیب مجدد باشد. برای کاهش تولید حرارتی، دستگاه ها اغلب خنک می شوند، در حالی که پدیده هایی مانند تونل زدن در اتصالات p-n نیز باید با طراحی دقیق دوپانت های نیم رسانا و مراحل کاشت کاهش یابد. سرانجام، برای کاهش مکانیسم های نویز که توسط مراکز به دام انداختن در ساختار شکاف باند محل اتصال p-n تشدید می شوند، دیود نیاز به یک فرایند «تمیز» و بدون دوپانت های اشتباه دارد. مدارهای خاموش کننده غیرفعال. ساده ترین مدار خنک سازی معمولاً مدار خاموش کن غیرفعال نامیده می شود و شامل یک مقاومت واحد به صورت سری با اس پی ای دی است. این آزمایش آزمایشی از مطالعات اولیه در مورد تجزیه بهمن در محل اتصال استفاده شده است. جریان بهمن به خودی خود خاموش می شود زیرا باعث کاهش ولتاژ
در یک بار بالاست با ارزش بالا R L (حدود ۱۰۰ کیلو اهم یا بیشتر) می شود. پس از خاموش شدن جریان بهمن، بایاس اس پی ای دی V D به آرامی به V a تبدیل می شود و بنابراین آشکارساز آماده است تا دوباره مشتعل شود؛ بنابراین به این حالت مدار، تنظیم مجدد منفعل انفعال منفعل (PQPR) گفته می شود، اگرچه می توان از یک عنصر مدار فعال برای تنظیم مجدد، حالت مدار بازنشانی فعال منفعل (PQAR) را تشکیل داد. شرح مفصلی از فرایند خنک سازی توسط Zappa و همکاران گزارش شده است. مدارهای خاموش کننده فعال. خاموش کردن پیشرفته تر، که از دهه ۱۹۷۰ به بعد مورد کاوش قرار گرفت، طرحی است که quenening یا هم پوشانی فعال نامیده می شود. در این حالت یک متمایز کننده سریع شروع بهمن جریان بهمن را از طریق مقاومت ۵۰ Ω (یا ترانزیستور یکپارچه) حس می کند و یک پالس خروجی دیجیتال (سیماس، TTL، ECL , NIM) را فراهم می کند که همزمان با زمان رسیدن فوتون است. مدار سپس ولتاژ بایاس را به سرعت به زیر ولتاژ شکست (خاموش شدن فعال) کاهش می دهد، سپس نسبتاً سریع بایاس را به بالای ولتاژ شکست بازمی گردد تا فوتون بعدی را حس کند. این حالت تنظیم مجدد فعال خاموش کن فعال (AQAR) نامیده می شود
، اما بسته به نیاز مدار، تنظیم مجدد منفعل خاموش کن فعال (AQPR) ممکن است مناسب تر باشد. مدارهای AQAR غالباً باعث کاهش زمان از بین رفته می شوند و به طور قابل توجهی تغییرات زمان مرده را کاهش می دهند. شمارش فوتون و اشباع آن. شدت سیگنال ورودی را می توان با شمارش (شمارش فوتون) تعداد پالس های خروجی در یک دوره زمانی اندازه گیری بدست آورد. این برای کاربردهایی مانند تصویربرداری با نور کم، اسکن PET و میکروسکوپ تصویر برداری از طول عمر فلوئورسنس مفید است. با این حال، در حالی که مدار بازیابی بهمن در حال فروپاشی بهمن و بازیابی سوگیری است، اس پی ای دی نمی تواند ورود فوتونهای بیشتر را تشخیص دهد. هر فوتونی (یا فوتونهای تاریک پس از پالس) که در این مدت کوتاه به آشکارساز برسد، محاسبه نمی شود. همان طور که تعداد فوتونها افزایش می یابد به طوری که فاصله زمانی (آماری) بین فوتونها در یک فاکتور ده یا بیشتر از زمان بازیابی بهمن قرار می گیرد، تعداد از دست رفته از نظر آماری قابل توجه می شود و میزان شمارش از یک رابطه خطی با سطح نور شناسایی شده شروع می شود. در این مرحله اس پی ای دی شروع به اشباع شدن می کند. اگر قرار باشد سطح نور بیشتر شود، د
ر نهایت تا جایی که اس پی ای دی بلافاصله در لحظه بازیابی بایاس مدار بازیافت بهمن اشباع شود، میزان شمارش به حداکثر می رسد که صرفاً با زمان بازیابی بهمن در صورت خاموش شدن فعال تعریف می شود (صد میلیون شمارش در ثانیه یا بیشتر). این می تواند برای اس پی ای دی مضر باشد زیرا تقریباً به طور مداوم جریان بهمن را تجربه خواهد کرد. در حالت غیرفعال، ممکن است اشباع با رسیدن حداکثر به میزان شمارش منجر شود. این حالت فلج یا پارالیز نامیده می شود، در نتیجه فوتونی که در حال شارژ منفعل اس پی ای دی است، احتمال تشخیص کمتری دارد، اما می تواند زمان تلف شده را افزایش دهد. شایان ذکر است که خاموش شدن منفعل، گرچه از نظر مدار ساده تر است، اما در حداکثر نرخ شمارش باعث کاهش 1 / e می شود. میزان شمارش تاریک (DCR). علاوه بر حاملهای تولید شده توسط فوتون، حاملهای تولید شده با حرارت (از طریق فرایندهای تولید مجدد ترکیب در داخل نیم رسانا) نیز می توانند روند ایجاد بهمن را روشن کنند؛ بنابراین، وقتی اس پی ای دی در تاریکی کامل قرار دارد، می توان پالس های خروجی را مشاهده کرد. تعداد متوسط شمارش حاصل در ثانیه "میزان شمارش تاریک" (DCR) نامیده می شود و پارامت
ر اصلی در تعریف نویز آشکارساز است. شایان ذکر است که متقابل میزان شمارش تاریک، میانگین زمانی را که اس پی ای دی قبل از اینکه توسط یک تولید حرارتی نامطلوب تحریک شود، در بالای خرابی مغرضانه تعریف می کند، تعریف می کند؛ بنابراین، برای کار به عنوان یک ردیاب تک فوتونی، اس پی ای دی باید بتواند برای مدت زمان کافی مغناطیسی بالاتر از شکست داشته باشد (به عنوان مثال، چند میلی ثانیه، مربوط به میزان شمارش بسیار کمتر از هزار شمارش در ثانیه، cps). نویز پس از رانش. یک اثر دیگر که می تواند بهمن را تحریک کند به عنوان پس از رانش شناخته می شود. هنگامی که بهمن رخ می دهد، محل اتصال PN با حامل های بار غرق می شود و سطح دام بین ظرفیت و باند هدایت تا حدی اشغال می شود که بسیار بیشتر از حد انتظار در توزیع تعادل گرمایی حامل های بار است. بعد از اینکه اس پی ای دی خاموش شد، احتمالاً یک حامل بار در سطح دام، انرژی کافی برای آزاد کردن آن از دام و ارتقا آن به باند هدایت دریافت می کند، که باعث ایجاد بهمن جدید می شود؛ بنابراین، بسته به کیفیت فرایند و لایه های دقیق و ایمپلنت هایی که برای ساخت اس پی ای دی استفاده شده است، تعداد قابل توجهی از پالس های
اضافی را می توان از یک رویداد تولید حرارتی یا عکس منشأ ایجاد کرد. درجه اندازه گیری پس از رانش را می توان با اندازه گیری همبستگی خودکار زمان رسیدن بین بهمن هنگام تنظیم اندازه گیری شمارش تاریک، تعیین کرد. تولید حرارتی آمار پواسونیان را با یک همبستگی عملکرد تکانشی تولید می کند و پس از آن نیز آمار غیر پواسونیایی تولید می شود. زمان فوتون و لرزش. لبه جلوی خرابی بهمن اس پی ای دی مخصوصاً برای تعیین زمان ورود فوتون ها مفید است. این روش برای تصویربرداری سه بعدی، LIDAR مفید است و به شدت در اندازه گیری های فیزیکی با تکیه بر شمارش تک فوتون های همبسته زمان (TCSPC) استفاده می شود. با این حال، برای فعال کردن چنین عملکردهایی به مدارهای اختصاصی مانند مبدل های زمان به دیجیتال (TDCها) و مدارهای تبدیل به آنالوگ (TAC) نیاز است. اندازه گیری ورود فوتون توسط دو فرایند کلی پیچیده است. اولین مورد، نوسان آماری در زمان رسیدن فوتون است که از ویژگی های اساسی نور است. دوم تغییرات آماری در مکانیزم تشخیص در اس پی ای دی به دلیل الف) عمق جذب فوتون، ب) زمان انتشار به محل اتصال p-n فعال، ج) ایجاد آمار بهمن و د) لرزش تشخیص و مدارات زمان بندی ضریب
پر کردن نوری. برای یک اس پی ای دی واحد، نسبت ناحیه حساس به نوری آن، Aact، به مساحت کل آن، Atot، فاکتور پر شدن، FF = ۱۰۰ * (Aact / Atot) نامیده می شود. از آنجا که اس پی ای دی ها برای جلوگیری از خرابی زودرس لبه ها به یک حلقه محافظ نیاز دارند، فاکتور پر کردن نوری با توجه به حلقه محافظ آن به محصولی از شکل و اندازه دیود تبدیل می شود. اگر ناحیه فعال بزرگ و حلقه محافظ خارجی نازک باشد، ضریب پر شدن دستگاه زیاد خواهد بود. با یک دستگاه واحد، کارآمدترین روش برای اطمینان از استفاده کامل از ناحیه و حداکثر حساسیت، متمرکز کردن سیگنال نوری ورودی است تا در ناحیه فعال دستگاه قرار گیرد، یعنی همه فوتون های حادثه ای در ناحیه مسطح اتصال p-n جذب می شوند، به طوری که هر فوتونی در این ناحیه می تواند بهمن را تحریک کند. ضریب پر کردن هنگامی بیشتر کاربرد دارد که آرایه های دستگاه های اس پی ای دی را در نظر بگیریم. در اینجا ناحیه فعال دیود ممکن است کوچک یا متناسب با ناحیه حلقه محافظ باشد. به همین ترتیب، روند ساخت آرایه اس پی ای دی ممکن است محدودیت هایی را برای جداسازی یک حلقه محافظ به حلقه دیگر ایجاد کند، یعنی حداقل جداسازی اس پی ای دی ها. ای
ن منجر به وضعیتی می شود که ناحیه آرایه به جای اتصالات p-n پذیرنده نوری، تحت سلطه حلقه محافظ و مناطق تفکیک قرار می گیرد. هنگامی که مدار باید درون آرایه باشد، ضریب پر کردن بدتر می شود زیرا این امر باعث جدایی بیشتر بین مناطق پذیرنده نوری می شود. یک روش برای کاهش این مسئله افزایش سطح فعال هر اس پی ای دی در آرایه است به طوری که حلقه های محافظ و جداسازی دیگر مسلط نیستند، با این حال برای اس پی ای دی های یکپارچه سیماس با افزایش اندازه دیود، تشخیص های اشتباه ناشی از شمارش تاریک افزایش می یابد. بهبودهای هندسی. یکی از اولین روش های افزایش فاکتورهای پر شدن در آرایه های اس پی ای دی های دایره ای، جابجایی ترازهای ردیف های جایگزین بود به طوری که منحنی یک اس پی ای دی تا حدی از ناحیه بین دو اس پی ای دی در یک ردیف مجاور استفاده می کند. این مسیریابی و طرح بندی آرایه مؤثر بود اما پیچیده است. برای رفع محدودیت های عامل پر در آرایه های اس پی ای دی که از اس پی ای دی های دایره ای شکل گرفته اند، از اشکال دیگری استفاده می شود زیرا معلوم است که اینها دارای حداکثر مقادیر بیشتر در یک ناحیه پیکسل مربع و دارای نسبت بسته بندی بالاتر هستند. یک
اس پی ای دی مربع در یک پیکسل مربع بالاترین فاکتور پر شدن را بدست می آورد، با این وجود گوشه های تیز این هندسه علیرغم وجود یک حلقه محافظ، باعث خرابی زودرس دستگاه می شوند و در نتیجه اس پی ای دی هایی با سرعت شمارش زیاد ایجاد می کنند. برای مصالحه، اس پی ای دی های مربع با گوشه های کاملاً گرد ساخته شده اند. اینها اس پی ای دی های فرمات Fermat نامیده می شوند در حالی که شکل آنها منحنی فوق بیضی یا منحنی Lamé است. این نامگذاری در ادبیات اس پی ای دی رایج است، با این حال منحنی Fermat به مورد خاصی از بیضوی فوق اشاره دارد که محدودیت هایی را در نسبت طول، "a" و عرض شکل، "b" ایجاد می کند (آنها باید یکسان باشند، a = b = ۱) و درجه منحنی "n" را به عدد صحیح (۲، ۴، ۶، ۸ و غیره) محدود می کند. درجه "n" انحنای گوشه های شکل را کنترل می کند. در حالت ایده آل، برای بهینه سازی شکل دیود هم برای نویز کم و هم برای ضریب پر شدن زیاد، پارامترهای شکل باید از این محدودیت ها عاری باشند. برای به حداقل رساندن فاصله بین مناطق فعال اس پی ای دی، محققان تمام مدارهای فعال را از آرایه ها حذف کرده اند و همچنین استفاده از آرایه های سیماس اس پی ای دی فقط اِن