Payamvdn/NorthPersian_fa_wiki huggingface dataset:
ل فوریه معکوس آن الگو کاملاً واقعی است. معرفی عیوب در کریستال منجر به یک الگوی پراش نامتقارن با تبدیل فوریه معکوس می شود. نشان داده شده است که چگالی کریستال را می توان به عنوان یک تابع پیچیده نشان داد که در این تابع، بزرگی آن، برابر چگالی الکترون است و فاز آن «طرح تغییر شکل های محلی شبکه بلوری بر روی بردار شبکه متقابل Q قله براگ است که پراش اندازه گیری می شود». بنابراین، امکان تصویربرداری از میدان های کرنشی مرتبط با عیوب کریستالی به صورت سه بعدی با استفاده از CDI وجود دارد و در یک مورد گزارش شده است. متأسفانه، تصویربرداری از توابع با ارزش پیچیده (که برای اختصار نشان دهنده میدان کرنش در کریستال ها است) با مشکلات مکملی مانند منحصربه فرد بودن راه حل ها، رکود الگوریتم و غیره همراه است. با این حال، تحولات اخیر که بر این مشکلات غلبه کرده است (به ویژه برای سازه های طرح دار) مورد توجه قرار گرفت. از طرف دیگر، اگر هندسه پراش به کرنش حساس نباشد، مانند GISAXS، چگالی الکترون مقدار واقعی و مثبت خواهد بود. این محدودیت دیگری را برای فرآیند HIO فراهم می کند، بنابراین کارایی الگوریتم و مقدار اطلاعات قابل استخراج از الگوی پراش
را افزایش می دهد. انسجام. واضح است که یک پرتو بسیار منسجم از امواج برای کارکرد CDI مورد نیاز است، زیرا این تکنیک نیاز به تداخل امواج پراش دارد. امواج منسجم باید در منبع تولید شوند (سنکروترون، ساطع کننده میدان و غیره) و باید پیوستگی را تا زمان پراش حفظ کنند. نشان داده شده است که عرض انسجام پرتو فرودی باید تقریباً دو برابر عرض جانبی جسم مورد تصویربرداری باشد. با این حال، تعیین اندازه وصله منسجم برای تصمیم گیری در مورد اینکه آیا شیء معیار را برآورده می کند یا نه، موضوع بحث است. با کاهش عرض انسجام، اندازه قله های براگ در فضای متقا بل بزرگ می شود و شروع به همپوشانی می کنند که منجر به کاهش وضوح تصویر می شود. منابع انرژی. اشعه ایکس. تصویربرداری پراش اشعه ایکس منسجم ( CXDI یا CXD ) از پرتوهای ایکس (معمولاً ۰.۵-۴keV) برا ی تشکیل یک الگوی پراش استفا ده می کند که ممکن است برای کاربردهای سه بعدی جذاب تر از پرا ش ا لکترو نی با شد زیرا پرتوها ی ا یکس معمو لاً نفوذ بهتری دارند. برا ی سطوح تصویربرد ا ری، نفو ذ اشعه ایکس ممکن است نامطلوب باشد، در این صو رت ممکن است از هند سه زاویه د ید مانند GISAXS استفاده شو د. یک CCD اشعه ا
یکس معمولی برای ثبت الگو ی پراش استفاده می شود. در صورتی که نمونه حول محوری عمو د بر پرتو چرخا نده شود، ممکن ا ست یک تصویر سه بعدی با زسازی شود. به دلیل آسیب تشعشع، وضوح (برای تنظیم روشنایی مداوم) برای نمونه های بیولوژیکی هید راته ی منجمد حدود ا به ۱۰ نانو متر محدود شده است، ا ما وضوح های ۱ تا ۲ نانومتر با ید برای مواد معدنی که کمتر حسا س به آسیب هستند، امکان پذیر باشد(با استفاده از منابع سنکروترون مدرن). پیشنهاد شده است که می توان با استفاده از پالس های بسیار کوتاه اشعه ایکس که مقیاس زمانی مکانیسم تخریب طو لانی تر از مدت زمان پالس است، از آسیب تشعشع جلوگیری کرد. این ممکن است انرژی بالاتر و در نتیجه وضوح بالاتر CXDI مواد آلی مانند پروتئین ها را ممکن کند. با این حا ل، بدون از دست دادن اطلاعات، "تعداد خطی پیکسل های آشکارساز، پخش انرژی مورد نیاز در پرتو را ثابت می کند" که کنترل آن در انرژی های بالاتر، به طور فزاینده ای دشوار می شود. در گزارش سال ۲۰۰۶، وضوح با استفاد ه از منبع فو تون پیشرفته(APS)، ۴۰ نانومتر بود. اما نویسند گا ن پیشنها د می کنند که این می تواند با قدرت بالاتر و منا بع پرتو ایکس منسجم تر مانند لیز
ر الکترون آزاد ا شعه ا یکس بهبود یا بد. الکترون ها. تصویربرداری پراش الکترون منسجم مانند CXDI عمل می کند، در اصل فقط الکترون ها امواج پراکنده هستند و یک صفحه تصویربرداری برای تشخیص الکترون ها به جای CCD استفاده می شود. در یک گزارش منتشر شده یک نانولوله کربنی دو جداره (DWCNT) با استفاده از پراش الکترونی ناحیه نانویی ( NAED ) با وضوح اتمی تصویربرداری شد. در اصل، تصویربرداری پراش الکترون باید تصویری با وضوح بالاتر ارائه دهد زیرا طول موج الکترون ها می تواند بسیار کوچک تر از فوتون ها باشد، بدون اینکه به انرژی های بسیار بالا بروند. الکترون ها همچنین نفوذ بسیار ضعیف تری دارند، بنابراین نسبت به اشعه ایکس به سطح حساس تر هستند. با این حال، معمولاً پرتوهای الکترونی آسیب بیشتری نسبت به اشعه ایکس دارند، بنابراین این روش ممکن است به مواد معدنی محدود شود. در رویکرد زو، یک تصویر الکترونی با وضوح پایین برای مکان یابی یک نانولوله استفاده می شود. تفنگ الکترونی گسیل میدانی پرتویی با پیوستگی و شدت بالا تولید می کند. اندازه پرتو به ناحیه نانو با دیافراگم کندانسور محدود شده است تا از پراکندگی تنها از یک بخش از نانولوله مورد نظر اطم
ینان حاصل شود. الگوی پراش در میدان دور با استفاده از صفحات تصویربرداری الکترونی با وضوح بیست و پنج ده هزارم آنگستروم ثبت می شود. با استفاده از یک روش معمولی بازسازی HIO تصویری با وضوح Å تولید می شود که در آن کایرالیته DWCNT (ساختار شبکه) می توان مستقیماً مشاهده کرد. Zuo دریافت که برای بهبود کیفیت تصویر نهایی، می توان با فازهای غیر تصادفی بر اساس یک تصویر با وضوح پایین از یک TEM شروع کرد. در سا ل ۲۰۰۷، پو د و رو ف "و همکا ر ا ن." یک راه حل تحلیلی دقیق برا ی مشکل CDXI برا ی مو ا رد خا ص پیشنها د کر د. در سال ۲۰۱۶، با استفاده از پرتو تصویربرداری پراش منسجم (CXDI) در ESRF (گرنوبل، فرانسه)، محققان تخلخل لایه های نانوبلوری بزرگ وجهی را در منشاء باند انتشار فوتولومینسانس در مادون قرمز اندازه گیری کر د ند. نشا ن د ا د ه شد ه است که فونون ها را می توان د ر سا ختا رهای زیر میکرو نی محد و د کرد، که می تو اند به افزایش خروجی برنامه های فوتونی و فتو ولتائیک (PV) کمک کند. تکنیک های مرتبط. Ptychography تکنیکی است که ارتباط نزدیکی با تصویربرداری پراش منسجم دارد. به جای ثبت فقط یک الگوی پراش منسجم، چندین – و گاهی صدها یا هزار
ان – الگوی پراش از یک جسم ثبت می شوند. هر الگو از ناحیه متفاوتی از جسم ثبت می شود، اگرچه نواحی باید تا حدی با یکدیگر همپوشانی داشته باشند. Ptychography فقط برای نمونه هایی قابل استفاده است که می توانند از تابش در پرتو رو شنا یی برای این نو رد هی ها ی متعد د جا ن سا لم به د ر ببرند. با ا ین حال، این مزیت را دارد که می توان میدان دید بزرگی را تصویر کرد. تنوع و تعد د تر جمه و تلقی های گوناگون در داده ها همچنین به این معنی است که روند بازسازی می تواند سریع تر باشد و ابهامات در فضای راه حل کاهش می یابد.
شریف مکه یا شریف حجاز خاندان نژاده ای بود که بر دو بوم مدینه و مکه فرمان معنوی می راند و وظیفه امنیت بخشی به بازدیدکنندگان دو شهر مقدس اسلامی داشت. شریف مکه از نوادگان پیامبر اسلام و حسن بن علی بود. جعفر پور محمد حسنی نخستین فرمانروای نژادگان مکه بود که در سال ۳۴۶ هجری خورشیدی این دودمان را بنیاد نهاد و واپسین فرمانروای نژاده، علی بن حسین بود که در ۲۸ آذرماه ۱۳۰۴ هجری خورشیدی به دست عبدالعزیز آل سعود برکنار شد و این فرمانروایی فروپاشید.
در زمین شناسی، تکامل سه بعدی چین به مطالعه کامل ساختار سه بعدی یک چین در طول زمان تغییرات آن می پردازد. چین یک ساختار زمین شناسی سه بعدی رایج است که با تغییر شکل کرنش تحت تنش همراه است . تکامل چین در سه بعد را می توان به طور کلی به دو مرحله تقسیم کرد، یعنی رشد چین و پیوند آن. تکامل به سینماتیک چین، علل چین خوردگی، و همچنین تراز و تعامل هر ساختار نسبت به یکدیگر بستگی دارد. راه های مختلفی برای بازسازی پیشرفت تکامل چین ها وجود دارد، به ویژه با استفاده از شواهد رسوبی ، شواهد ژئومورفولوژیکی و بازسازی متعادل. درک تکامل چین ها مهم است زیرا به نفت شناسان کمک می کند تا درک بهتری در مورد توزیع تله های ساختاری هیدروکربن به دست آورند. رشد چین سه بعدی. تحت تنش فشاری، چین ها در هر سه بعد رشد می کنند، از جمله تقویت چین های عمودی و انتشار چین های جانبی، هم در امتداد تاج چین و هم عمود بر تاج چین. رشد چین خوردگی سه بعدی را می توان در مناطقی مانند کوه های زاگرس در عراق و ایران و همچنین ویلر ریج در کالیفرنیا، ایالات متحده مشاهده کرد. بُعد عمودی یک چین را می توان به عنوان یک دامنه توصیف کرد. بُعد افقی یک چین را می توان با طول موج
و خط مفصل یک چین توصیف کرد. با رشد سه بُعدی یک چین، دامنه، طول موج و طول خط مفصل افزایش می یابد. پوشش چین. پوشش چین ها در مناطقی شکل می گیرند که سنگ ها به دلیل تفاوت در یک سری ویژگی ها در بین لایه ها، واکنش متفاوتی به برش ساده نشان می دهند. خط مفصل در پوشش چین به شدت خم شده است. سینماتیک چین. تحت فشار، خم شدن لایه سنگ با یکی از دو فرایند سینماتیکی، یا با جابه جایی مفصل یا با چرخش اندام رخ می دهد. جابه جایی مفصل. یک مفصل چین دار می تواند زمانی که طبقات با جابه جایی مفصل تا می شوند جابه جا شوند اما زمانی که طبقات با چرخش اندام تا می شوند، مفصل ثابت می شود. حداقل یکی از مفصل های تاشو در کل ساختار چین متحرک در طول رشد چین سه بعدی است. به عنوان مثال، با مدل های سینماتیکی نشان داده شده، ساختار چین های انتشار گسل باید شامل سه چین طاقی/ناودیس با مفصل های مهاجر و یکچین طاقی با چرخش اندام مفصل ثابت باشد. جابه جایی مفصل را می توان از چرخش اندام با چندین ویژگی ساختاری و ژئومورفولوژیکی متمایز کرد. اقشار رشد، همچنین به عنوان لایه های سنتکتونیکی شناخته می شوند، لایه های رسوبی ای هستند که همزمان با چین خوردگی رسوب می کنند.
این لایه ها با کاهش ضخامت طبقات به سمت تاج تاقدیس (چین طاقی) مشخص می شوند (شکل ۱). آنها در الگوهای هندسی مختلف وجود دارند. تنوع در الگوهای هندسی را می توان به سینماتیک چین، سرعت بالا آمدن و سرعت رسوب نسبت داد. نقطه ضربه یک اصطلاح مورفولوژیکی برای بخشی از دره رودخانه فعلی یا متروک است که تغییر ناگهانی در شیب را نشان می دهد و می تواند به فرسایش دیفرانسیل یا تغییر شکل ساختاری نسبت داده شود. آنها معمولاً با آبشارها و دریاچه ها مرتبط هستند. مکانیسم چین خوردن. چین هایی که ممکن است طولانی مدت رشد سه بعدی را تجربه کنند را می توان با توجه به عللشان به دو گروه تقسیم کرد: چین های جداشده و چین های اجباری. آنها عمدتاً با وجود کنترل خطای اصلی در ساختار چین در چین های اجباری و عدم وجود آن در چین های جدا شده متمایز می شوند. علل چین خوردگی که به رشد چین چشمگیر در هر سه بعد کمک نمی کنند، مانند چین های سطحی، کشیدگی چین ها و تاقدیس های غلتشی در این گروه ها نیستند. جدا شدن چین. همان طور که در تشبیه بصری چین های جداشدگی در شکل ۴ نشان داده شده است، چین ها در لایه های سنگی بالای سطح جدایش یافت می شوند، در حالی که لایه های سنگ در زیر
آن بدون تغییر شکل می مانند، زیرا کرنش کوتاه کننده است. در لایه های سنگی بالای سطح جدایش متمرکز شده است. در محیطی که در آن لایه های همپوشانی توانایی متضاد پیدا می کنند، یک سطح جدایش (واسط بین کاغذ و میز) معمولاً در امتداد لایه ها در واحد صخره ای مناسب (مانند ماسه سنگ) یا در امتداد فصل مشترک واحد سنگی شایسته و نالایق (مانند تبخیر) یافت می شود. . زمانی که لایه های سنگی بالای سطح جدایش تحت تنش کوتاه تر موازی یا با زاویه کم نسبت به لایه ها قرار می گیرند، یک چین دامنه بالاتر، طول موج بلندتر و عرض وسیع تر به دست می آورد. جدای از پارامترهای تنش، تضاد ویژگی ها در بین طبقات و تغییر جابجایی در امتداد سطح جدایش، عوامل اصلی کمک به هندسه چین خوردگی و الگوی رشد سه بعدی هستند. چین خوردگی اجباری. دو نوع متداول چین های اجباری عبارتند از: چین خوردگی خمشی و چین خوردگی با انتشار گسل. چین خوردگی در بالای دیواره آویزان یک پیچش تاشو در یک چین خم گسل رخ می دهد، در حالی که چین خوردگی بالای بریدگی یک گسل رانش (نوک گسله) در یک چین انتشار گسل رخ می دهد. آنها معمولاً بسیار نامتقارن هستند و یک طرف اندام بسیار شیب دارتر از طرف دیگر هستند.
تنش کوتاه شدن معمولاً در زاویه بالایی نسبت به لایه ها قرار دارد و در امتداد صفحه لغزش و در دیواره متصل گسل رانش متمرکز می شود. با لغزش سنگ در امتداد صفحه گسل، گسل رانش همسن زیرین، چین خوردگی دارای دامنه بالاتر، طول موج بلندتر و عرض وسیع تر می شود و تأثیر عمده ای بر رشد سه بعدی چین می گذارد؛ بنابراین چین های اجباری توسط ساختار گسلی در سنگ های زیرزمین در امتداد سطوح گسل مسطح یا لیستریک کنترل می شوند. مقدار جابجایی گسل دامنه یک چین را کنترل می کند، رشد جانبی گسل به معنای رشد جانبی چین و پیوند گسل دلالت بر پیوند چین بر روی سطح دارد. وقتی با چین های جداشدگی مقایسه می شود، ویژگی متضاد در بین لایه ها آنچنان مشخص نیست و محیط های ساختمان طبقات زمین شناسی که در آنها یافت می شوند اغلب متنوع تر هستند. زمانی که تنش کوتاه شدن از حداکثر استحکام سنگ فراتر می رود، چین جداشدگی می تواند به چین اجباری تبدیل شود و در نتیجه سطح جدایش ممکن است به سمت بالا به سمت هسته تاقدیس منتشر شود و چین جداشدگی را خراب کند. ساختار حاصل ویژگی های چین جداشدگی و چین انتشار گسل را نشان می دهد. ساختار نمونه ای از این نوع را می توان در کمربند تاشو می
سی سی پی فن در خلیج مکزیک یافت. شناسایی رشد چین های سه بعدی. رشد چین در ابعاد مقطع، در عرض محور. مدل سازی تکامل سینماتیک چین ها در نمای مقطعی معمولاً براساس یکی از طرح های زیر است: ترمیم متعادل، مدل سازی سینماتیک رو به جلو یا ترکیبی از این دو. رشد چین در بعد جانبی. ترمیم بخش در هر سه بُعد فقط توسط نرم افزار بسیار تخصصی قابل انجام است و عمدتاً برای مطالعات هیدروکربنی استفاده می شود. روش دیگر، شواهد ژئومورفولوژیکی، به ویژه ویژگی های زهکشی، می تواند برای تعیین جهت انتشار جانبی رشد چین استفاده شود. شش معیار اصلی برای شناسایی رشد چین های جانبی وجود دارد: درجه تشریح سطح و تراکم زهکشی در امتداد تاج چین خوردگی. تراکم زهکشی (= طول کل رودخانه / مساحت حوضه زهکشی) و درجه تشریح سطح همراه با جهت انتشار یک چین کاهش می یابد. تراکم زهکشی بیشتر و درجه تشریح سطحی بیشتر در یک بخش خاص از یک بخش چین خوردگی مربوط به بلوغ بالاتر آن قسمت است، که می توان چنین استنباط کرد که آن قسمت برای مدت زمان طولانی تری پس از بالا آمدن در معرض فرسایش قرار گرفته است. از این رو، نسبتاً زودتر از سایر بخش های چین بالا آمدن را تجربه کرد "". تجزیه و تحلی
ل ریاضی بلوغ زهکشی که طول و ترتیب آبراهه را در نظر می گیرد نیز می تواند برای تعیین سن نسبی حوضه های زهکشی مختلف استفاده شود. تغییر تدریجی نیمرخ خاک. بخش های قدیمی تر یک چین خوردگی فرسایش بیشتری را تجربه می کنند و بنابراین در مقایسه با همتایان جوان تر خود، مشخصات خاک متفاوتی دارند. پروفیل های خاک را می توان با توجه به مراحل مورفولوژیکی افق کربناته در خاک، توده کربنات ثانویه، محتوای اکسید آهن، میزان رس، ضخامت لایه رسی و روشنایی رنگ خاک و در نتیجه جانبی ایجاد می شود. جهت رشد چین علاوه بر این، تاریخ گذاری مواد خاک با سری کربن ۱۴ یا اورانیوم، محدودیت زمانی را در بخش های خاصی از چین ایجاد می کند و بنابراین به تثبیت سرعت رشد چین های جانبی کمک می کند. با این وجود، این معیار مقایسه بر این فرض است که زمان تنها عامل مهمی است که به تفاوت های پروفیل های خاک در قسمت های مختلف چین کمک می کند و سایر عوامل برای تغییرات مانند مواد اولیه خاک، آب و هوا، پوشش گیاهی و اولیه را حذف می کند. توپوگرافی بنابراین، تغییر تدریجی در نیمرخ خاک بیشتر یک نشانه ثانویه از رشد چین های جانبی است. برجستگی ساختاری. بلندی ساختاری در امتداد تاج چین ب
اید در امتداد جهت رشد چین کاهش یابد زیرا قسمت پیرتر چین نسبت به نقطه مقابل جوان تر خود برآمدگی بیشتری را تجربه می کند "". با این حال، این می تواند در محیط های فرسایشی فعال که در آن فرسایش به جای بالا آمدن ناشی از رشد چین خوردگی، نیروی شکل دهنده غالب چشم انداز است، به شدت گمراه کننده باشد و در نتیجه تنها می تواند به عنوان شواهد ثانویه از رشد چین خوردگی استفاده شود. الگوی زهکشی مشخصه در شیب تاقدیس. یک الگوی زهکشی دوشاخه ای نامتقارن در طول رشد جانبی یک چین بوجود می آید. جهتی که کانال های زهکشی از تاج چین خوردگی خم می شوند، جهت رشد چین های جانبی است (شکل 7) "". وضعیت زیر را تصور کنید: در مرحله اولیه چین خوردگی و نزدیک به نوک چین، رودخانه تقریباً در امتداد تاج های چین به سمت انتهای چین جریان دارد، زیرا رودخانه تمایل دارد تا از حداکثر شیب به سمت پایین جریان یابد. با ادامه چین خوردگی، آن نقطه دیگر در نوک چین قرار ندارد زیرا چین به صورت جانبی رشد می کند. همان طور که نقطه به یک ارتفاع بالاتر می رود، حداکثر شیب دیگر در امتداد تاج چین نیست، بلکه به فاصله مفصل چین به سمت انتهای دیگر اندام چین می شود، که تقریباً عمود بر ج
هت اصلی است. در نتیجه، نسل جدید رودخانه به صورت عمود بر تاج چین در امتداد اندام های آن جریان دارد. به دلیل فرسایش شدید رودخانه در مسیر فوقانی، برخی از کانال های زهکشی مرحله اولیه در سنگ بستر عمیقاً بریده شده اند و بنابراین رودخانه در امتداد این قسمت های بالای کانال های قدیمی که از حداکثر شیب پیروی نمی کنند به جریان خود ادامه می دهد. در نتیجه، ترکیب جهت جریان چین خوردگی - تاج - موازی در قسمت بالایی کانال های زهکشی (که از مراحل اولیه تغییر شکل به ارث رسیده اند) و جهت چین خوردگی - تاج - عمود بر جریان در وسط و پایین کانال های زهکشی. یک الگوی زهکشی نامتقارن که شبیه یک چنگال خم شده است نتیجه می گیرد. این معیار یک مدرک قوی برای رشد چین های جانبی است. جریان ها در اطراف دماغه چین منحرف می شوند. نهرها به هنگام برخورد با سنگ های برافراشته شده منحرف می شوند و در امتداد مرز چین، که موازی یا تقریباً موازی با محور چین است "" و انحنای جریان منحرف شده به سمت جهت چین های جانبی محدب است، جریان می یابند. رشد در امتداد تاج چین زمانی که مسیر یک رودخانه توسط یک بلوک سنگی مسدود شود، دو حالت ممکن است رخ دهد. حالت اول: جریان دارای قدر
ت جریانی است که به اندازه کافی بالا است تا از طریق صخره های برافراشته بریده شود، به طوری که مسیر رودخانه به طور قابل توجهی تغییر نخواهد کرد. در اثر فرسایش کانالی در صخره های برآمده باز می شود، شکل زمینی که به نام شکاف آب شناخته می شود. به جریان خود ادامه می دهد تا اینکه صخره بیشتر بالا بیاید و رودخانه دیگر قدرت فرسایشی کافی برای بریدن آن را نداشته باشد که منجر به حالت دوم می شود. حالت دوم: نهر قدرت فرسایشی کافی برای بریدن سنگ ها را ندارد، بنابراین منحرف شده تا همان طور که ذکر شد در امتداد مرز سنگ های برافراشته شده جریان یابد. کانال متروکه رودخانه به شکاف باد معروف است. از اینجا، رودخانه یا در امتداد مرز چین جاری می شود و به اطراف دماغه چین خم می شود، یا ممکن است در برخی نقاط با وجود بلوک، صخره ها را قطع کند، زیرا به دلیل به دست آوردن نیروی کافی جریان از طریق گرفتن نهرها از شاخه های کوچک در امتداد این بلوک وجود دارد. جریان آن، یا وجود یک نقطه ضعیف خاص در سنگ "." در هر صورت، رودخانه به جریان خود ادامه می دهد تا زمانی که بالا آمدن بیشتر صخره ها، عبور از آن را برای رودخانه بسیار دشوار می کند، که دوباره منجر به ان
حراف کانال و تشکیل شکاف باد جدید می شود. شکاف های باد. ارتفاع شکاف های باد در امتداد جهت رشد چین کاهش می یابد و انحنای شکاف های باد منحنی به سمت جهت رشد چین محدب می شود. در صورتی که رشد چین های جانبی پیوسته وجود داشته باشد و رودخانه همچنان در حال انحراف باشد، با رها کردن کانال قبلی خود و تشکیل کانال جدید در اطراف بیرون چین در حال توسعه، می توان از یک رودخانه شکاف های باد متعددی ایجاد کرد. در نمای توپوگرافی در امتداد تاج چین، شکاف های باد به صورت دره V شکل عمیق و باریک ظاهر می شود. عمق برش یک شکاف باد مربوط به دوره فرسایش فعال رودخانه قبل از رها شدن کانال است، یعنی مدت زمان حالت رودخانه یا شکاف آب بودن آن. از آنجایی که زمان رها شدن یک کانال قدیمی رودخانه (زمان تشکیل شکاف باد جدید) زمان تشکیل کانال رودخانه جدید و شروع فرسایش در کانال جدید است، ارتفاع پایه یک شکاف باد تقریباً برابر است. به ارتفاع سطح جانشین آن، مشروط بر اینکه از همان رودخانه تشکیل شده باشند. بنابراین، ارتفاع شکاف های باد باید همیشه در جهت رشد چین های جانبی در امتداد تاج چین خوردگی کاهش یابد، که یکی از قوی ترین، اگرچه نه تعیین کننده، شواهد از ویژ
گی های رشد چین خوردگی است. به عنوان نهرهای منحرف شده قبلی، برخی از شکاف های باد ممکن است انحنای محدب را به سمت جهت رشد چین های جانبی نشان دهند. در مدل رقومی ارتفاع (DEM)، مشخصات طولی یک شکاف باد یک روند محدب رو به بالا و شکاف آب یک روند مقعر به سمت بالا یا خطی را نشان می دهد. هیچ یک از روش های ذکر شده در تعیین رشد چین سه بعدی تعیین کننده نیست و باید ترکیبی از روش ها استفاده شود، زیرا مورفولوژی مشابهی را می توان با چرخش اندام و فرسایش دیفرانسیل در بین لایه هایی با صلاحیت های متفاوت تولید کرد، که دلالت بر سه بعدی ندارند. رشد برابر ویلر ریج، کالیفرنیا. تاقدیس ویلر ریج که در جنوب کالیفرنیا واقع شده است، چین خوردگی خمشی گسلی با روند شرق به غرب است، و بخشی از سیستم گسل رانشی پلیتو-ویلر ریج است. تغییر شکل ساختاری در منطقه از اواخر پلیستوسن فعال بوده است که منجر به رشد چین خوردگی سه بعدی قابل توجهی شده است. انتهای شرقی تاقدیس با رشد چین خوردگی به سمت شرق - جنوب شرقی بوده است. اولاً، ارتفاع ساختاری ریج شرقی ویلر از غرب به شرق کاهش می یابد، که نشان می دهد قسمت شرقی بخش مورد بررسی قرار گرفته و در زمانی کهن تر نسبت به قس
مت غربی بخش مورد بررسی در معرض فرسایش قرار می گیرد. بدین ترتیب جهت رشد چین خوردگی غرب به شرق را پشتیبانی می کند دوم، کانال های اصلی رودخانه ای که جریان دارند، انحناای را نشان می دهند که به سمت شرق-جنوب شرقی خم می شود. به نظر می رسد انحنای حاصل از بالا آمدن تدریجی سنگ ها به سمت شرق-جنوب شرقی است و شباهتی به الگوهای جریان های منحرف شده در طول رشد چین های جانبی را نشان می دهد. تحت این فرض، این شواهد از رشد چین خوردگی به سمت شرق-جنوب شرقی حمایت می کند. سوم، رها شدن کانال های قدیمی رودخانه (تشکیل شکاف باد) را می توان در نمای توپوگرافی در سراسر تاج مرز مشاهده کرد. همان طور که در شکل ۱۲ نشان داده شده است، ارتفاع پایه شکاف باد تقریباً با ارتفاع سطحی شکاف آب ۱ مطابقت دارد، که نشان می دهد کانال اصلی رودخانه در امتداد شکاف باد همزمان با شروع جریان آب در شکاف آب ۱ رها شده است. و بنابراین احتمالاً این دو از رودخانه سراینده تشکیل شده اند. به نظر می رسد رودخانه ای که در ابتدا در شکاف باد جریان دارد به دلیل بالا آمدن منحرف شده و در عوض در امتداد شکاف آب ۱ جریان دارد؛ بنابراین، شواهد قوی وجود دارد که چین خوردگی را به صورت جان
بی به سمت شرق-جنوب شرقی حمایت می کند. چهارم آنالیز خاک نشان دهنده سطح بالای توسعه خاک در قسمت غربی قسمت مورد بررسی است و سطح توسعه خاک به تدریج به سمت شرق کاهش می یابد. پیشنهاد می شود که بخش غربی منطقه مورد بررسی نسبت به قسمت شرقی سن بالاتری داشته باشد و در نتیجه چین از غرب به شرق رشد می کند. پیوند چین خوردگی. جهت گیری پیوند. در ناحیه ای که تحت تأثیر تنش منطقه ای قرار گرفته است، بیشتر گسل ها و چین خوردگی ها در امتداد ضربه قرار دارند. در چین های اجباری، پیوند چین ها به شدت با پیوند گسل های زیرین مرتبط است. رشد و جابجایی گسل ها نه تنها تحت تأثیر تنش میدان دور منطقه، بلکه موقعیت گسل ها نسبت به یکدیگر نیز قرار می گیرد. این نتیجه یک مکانیسم بازخورد مثبت بارگذاری مجدد است، که نشان می دهد ایجاد تنش در جمعیت گسل هایی که در امتداد ضربه قرار گرفته اند بسیار سریعتر از آنهایی است که در سایه تنش قرار دارند (یعنی عرضی به ترازهای اصلی) و بنابراین فرکانس بالاتر گسیختگی و نرخ رشد در گسل هایی که به طور بهینه تراز هستند. برعکس، گسل هایی که در سایه تنش قرار دارند، شل شده و فرکانس گسیختگی و رشد کمتری دارند. همان طور که محلی سازی
تغییر شکل در بین گسل ها ادامه دارد، برخی از گسل ها ممکن است تنش را متمرکز کنند و پس از پیوند با گسل های دیگر، یک گسل اصلی را تشکیل دهند که بیشتر جابجایی منطقه را در خود جای می دهد. از سوی دیگر، گسل هایی که در سایه تنش قرار می گیرند، در نرخ رشد کاهش یافته و حتی در دراز مدت غیرفعال می شوند. در نتیجه، در ناحیه ای با تنش فشاری فراگیر، دو بخش چینی ادغام شده معمولاً در امتداد هم تراز هستند، زیرا چین ها در صورتی که به روش های مطلوب تراز نباشند احتمالاً غیرفعال می شوند. شناسایی پیوند چین. ارتفاع متوسط و نسبی سطح در وسط افقی سطح در ناحیه دماغه چین های نزدیک، برای تعریف وضعیت دو ساختار نزدیک در طیف از بدون پیوند به پیوند خطی یا سطحی مفید است. ارتفاع نسبی به عنوان ارتفاع سطح نقطه مورد نظر منهای میانگین ارتفاع سطح ناحیه نوک چین های نزدیک تعریف می شود (شکل ۱۵ را ببینید). "اگر A mid &gt;0، پیوند وجود دارد". "اگر A mid &lt;0، پیوند وجود ندارد." "اگر A mid ~ ۰ باشد، ساختار در منطقه انتقالی بین پیوند و بدون پیوند است." پس از تعیین وجود پیوند بین بخش های دوگانه، می توان پیوند خطی بین قطعات را توسط یک زین ضد فرم مستقیم در بین د
و چین اصلی شناسایی کرد. برای یک اتصال سطحی، چین های اصلی بخش ها با یک زین منحنی ضد فرم در بین آن ها به هم متصل می شوند.
مقاومت شیمیایی ماده ای است که مقاومت الکتریکی آن با تغییر در محیط شیمیایی مجاور آن تغییر می کند. مقاومت هاس شیمیایی دسته ای از حسگرهای شیمیایی هستند که بر تعامل شیمیایی مستقیم بین ماده حسگر و آنالیت تکیه می کنند. ماده حسگر و آنالیت می توانند از طریق پیوند کووالانسی، پیوند هیدروژنی یا شناسایی مولکولی با یکدیگر برهم کنش کنند. چندین ماده مختلف دارای خواص مقاومت شیمیایی هستند: نیمه هادی های اکسید فلزی، برخی پلیمرهای رسانا، و نانوموادی مانند گرافن، نانولوله های کربنی و نانوذرات. معمولاً این مواد در دستگاه هایی مانند زبانه های الکترونیکی یا بینی های الکترونیکی حسگرهای تشخیص دهنده جزئی استفاده می شوند. یک مقاومت شیمیایی ساده از یک ماده حسگر تشکیل شده است که شکاف بین دو الکترود را پر می کند یا مجموعه ای از الکترودهای به هم پیوسته را می پوشاند. مقاومت بین الکترودها به راحتی قابل اندازه گیری است. ماده حسگر مقاومتی ذاتی دارد که می تواند از طریق حضور یا غیاب آنالیت تنظیم شود. در مدتی که ماده حسگر در معرض آنالیت ها قرار دارد، آن ها با ماده حسگر برهم کنش می کنند. این برهم کنش ها باعث تغییر در مقاومت گزارش شده می شوند. در ب
رخی از مقاومت های شیمیایی، تغییرات مقاومت نشان دهنده وجود آنالیت است. در برخی دیگر، تغییرات مقاومت متناسب با مقدار آنالیت موجود است. این امکان اندازه گیری مقدار آنالیت موجود را فراهم می کند. تاریخچه. از سال ۱۹۶۵ گزارش هایی از مواد نیمه هادی وجود دارد که رسانایی الکتریکی ای به شدت تحت تأثیر گازها و بخارهای محیط از خود نشان می دهند. با این حال، در سال ۱۹۸۵ ولتجن و اسنو اصطلاح "مقاومت شیمیایی را" ابداع کردند. ماده مقاوم شیمیایی که آن ها بررسی کردند، فتالوسیانین مس بود و نشان دادند که مقاومت آن در حضور بخار آمونیاک در دمای اتاق کاهش می یابد. در سال های اخیر فناوری مقاومت شیمیایی برای توسعه حسگرهای قابل استفاده برای بسیاری از کاربردها، از جمله حسگرهای پلیمری رسانا برای دود دست دوم، حسگرهای نانولوله کربنی برای آمونیاک گازی، و حسگرهای اکسید فلزی برای گاز هیدروژن استفاده شده است. مقاومت های شیمیایی می توانند از طریق دستگاه های کوچکی که به حداقل الکتریسیته نیاز دارند، اطلاعات لحظه ای دربارهٔ محیط اطراف ارائه کنند که این مورد آن ها را به افزودنی قابل توجهی برای اینترنت اشیا تبدیل می کند. انواع حسگرهای مقاومت شیمیایی. م