# Lista de fábricas de semicondutores

Esta é uma lista de fábricas de semicondutores. Uma planta de fabricação de semicondutores é onde circuitos integrados (CIs), também conhecidos como microchips, são fabricados. Eles são operados por Fabricantes de Dispositivos Integrados (FDIs) que projetam e fabricam CIs internamente e também podem fabricar somente projetos (empresas sem fábrica), ou por fundições Pure Play, que fabricam projetos de empresas sem fábrica e não projetam seus próprios CIs. Algumas fundições Pure Play, como a TSMC, oferecem serviços de design de CI, e outras, como a Samsung, projetam e fabricam CIs para os clientes, ao mesmo tempo em que projetam, fabricam e vendem seus próprios CIs.

## Glossário de termos

* Tamanho do wafer - maior diâmetro do wafer que uma instalação é capaz de processar. (Os wafers semicondutores são circulares).
* Nódulo de tecnologia de processo - tamanho dos menores recursos que a instalação é capaz de gravar nos wafers.
* Capacidade de produção - a capacidade nominal de uma instalação de manufatura. Geralmente, máximo de wafers produzidos por mês.
* Utilização - o número de wafers que uma fábrica processa em relação à sua capacidade de produção.
* Tecnologia/produtos - tipo de produto que a instalação é capaz de produzir, já que nem todas as fábricas podem produzir todos os produtos do mercado.

## Fábricas em operação

As fábricas operacionais incluem:
| Companhia | Nome da fábrica | Localização da fábrica | Custo da fábrica (em bilhões de US$) | Ano de início de produção | Tamanho do wafer (mm) | Nódulo de tecnologia de processo (nm) | Capacidade produtiva (Wafers/Mês) | Tecnologia / produtos |
| UMC - He Jian | Fab 8N | China, Sucheu | 0.750, 1.2, +0.5 | Maio de 2003 | 200 | 4000–1000, 500, 350, 250, 180, 110 | 77,000 | Fundição |
| UMC | Fab 6A | Taiwan, Hsinchu | 0.35 | 1989 | 150 | 450 | 31,000 | Fundição |
| UMC | Fab 8AB | Taiwan, Hsinchu | 1 | 1995 | 200 | 250 | 67,000 | Fundição |
| UMC | Fab 8C | Taiwan, Hsinchu | 1 | 1998 | 200 | 350–110 | 37,000 | Fundição |
| UMC | Fab 8D | Taiwan, Hsinchu | 1.5 | 2000 | 200 | 90 | 31,000 | Fundição |
| UMC | Fab 8E | Taiwan, Hsinchu | 0.96 | 1998 | 200 | 180 | 37,000 | Fundição |
| UMC | Fab 8F | Taiwan, Hsinchu | 1.5 | 2000 | 200 | 150 | 40,000 | Fundição |
| UMC | Fab 8S | Taiwan, Hsinchu | 0.8 | 2004 | 200 | 350–250 | 31,000 | Fundição |
| UMC | Fab 12A | Taiwan, Tainan | 4.65, 4.1, 6.6, 7.3 | 2001, 2010, 2014, 2017 | 300 | 28, 14 | 87,000 | Fundição |
| UMC | Fab 12i | Singapura | 3.7 | 2004 | 300 | 130–40 | 53,000 | Fundição |
| UMC - United Semiconductor | Fab 12X | China, Xiamen | 6.2 | 2016 | 300 | 55–28 | 19,000-25,000 (2021) | Fundição |
| UMC - USJC (antes MIFS) (antes Fujitsu) | Fab 12M (instalações originais Fujitsu) | Japão, Mie | | 1974 | 150, 200, 300 | 90–40 | 33,000 | Fundição |
| Texas Instruments | FFAB | Alemanha, Baviera, Frisinga | | | 200 | 1000–180 | | |
| Texas Instruments (antes National Semiconductor) | MFAB | EUA, Maine, South Portland | .932 | 1997 | 200 | 350, 250, 180 | | |
| Texas Instruments | RFAB | EUA, Texas, Richardson | | 2009 | 300 | 180, 130 | | BiCMOS |
| Texas Instruments | DMOS6 | EUA, Texas, Dallas | | | 300 | 130–65, 45 | | |
| Texas Instruments | DMOS5 | EUA, Texas, Dallas | | | 200 | 180 | | BiCMOS |
| Texas Instruments | DFAB | EUA, Texas, Dallas | | 1964 | 150/200 | 1000–500 | | |
| Texas Instruments | SFAB | EUA, Texas, Sherman | | | 150 | 2000–1000 | | |
| Texas Instruments | DHC | EUA, Texas, Dallas | | 2019 | | | | Fundição |
| Texas Instruments | DBUMP | EUA, Texas, Dallas | | 2018 | | | | Fundição |
| Texas Instruments | MIHO8 | Japão, Ibaraki, Miho | | | 200 | 350–250 | | BiCMOS |
| Texas Instruments | Aizu | Japão, Fukushima, Aizuwakamatsu | | | 200 | 110 | | |
| Texas Instruments (antes SMIC - Cension) | Chengdu (CFAB) | China, Sichuan, Chengdu | | | 200 | | | |
| Tsinghua Unigroup | | China, Nanjing | 10 (primeira fase), 30 | Planejada | 300 | | 100,000 (primeira fase) | 3D NAND Flash |
| Tsinghua Unigroup - XMC (antes Xinxin) | Fab 1 | China, Wuhan | 1.9 | 2008 | 300 | 90, 65, 60, 50, 45, 40, 32 | 30,000 | Fundição, NOR |
| Tsinghua Unigroup - Yangtze Memory Technologies (YMTC) - XMC (antes Xinxin) | Fab 2 | China, Wuhan | 24 | 2018 | 300 | 20 | 200,000 | 3D NAND |
| SMIC | S1 Mega Fab (S1A/S1B/S1C) | China, Shanghai | | | 200 | 350–90 | 114,000 | Fundição |
| SMIC | S2 (Fab 8) | China, Shanghai | | | 300 | 45/40–32/28 | 20,000 | Fundição |
| SMIC - SMSC | SN1 | China, Shanghai | 10 (expected) | Predefinição:Tba | 300 | 12 / 14 | 70,000 | Fundição |
| SMIC | B1 Mega Fab (Fab 4, Fab 6) | China, Pequim | | 2004 | 300 | 180–90/55 | 50,000 | Fundição |
| SMIC | B2A | China, Pequim | 3.59 | 2014 | 300 | 45/40–32/28 | 35,000 | Fundição |
| SMIC | Fab 7 | China, Tianjin | | 2004 | 200 | 350–90 | 50,000 | Fundição |
| SMIC | Fab 15 | China, Shenzhen | | 2014 | 200 | 350–90 | 50,000 | Fundição |
| SMIC | SZ (Fab 16A/B) | China, Shenzhen | | 2019 | 300 | 8 / 14 | 40,000 | Fundição |
| SMIC | B3 | China, Beijing | 7.6 | Predefinição:Tba | 300 | | 35,000 | Fundição |
| Wuxi Xichanweixin (antes SMIC - LFoundry) (antes LFoundry) (antes Micron) (antes Texas Instruments) | LF | Itália, Avezzano | | 1995 | 200 | 180–90 | 50,000 | |
| Nanya | Fab | Taiwan | | 199x | 300 | | | DRAM |
| Nanya | Fab 2 | Taiwan, Linkou | 0.8 | 2000 | 200 | 175 | 30,000 | DRAM |
| Nanya | Fab 3A | Taiwan, New Taipei City | 1.85 | 2018 | 300 | 20 | | DRAM |
| Micron | Fab 1 | EUA, VA, Manassas | | 1981 | 300 | | | DRAM |
| (futura Texas Instruments) Micron (antes IM Flash) | Fab 2 IMFT | EUA, UT, Lehi | | | 300 | 25 | 70,000 | DRAM, 3D XPoint |
| Micron | Fab 4 | EUA, ID, Boise | | | 300 | | | RnD |
| Micron (antes Dominion Semiconductor) | Fab 6 | EUA, VA, Manassas | | 1997 | 300 | 25 | 70,000 | DRAM, NAND FLASH, NOR |
| Micron (antes TECH Semiconductor) | Fab 7 (antes TECH Semiconductor, Cingapura) | Singapura | | | 300 | | 60,000 | NAND FLASH |
| Micron (antes IM Flash) | Fab 10 | Singapura | 3 | 2011 | 300 | 25 | 100,000 | NAND FLASH |
| Micron (antes Inotera) | Fab 11 | Taiwan, Taoyuan | | | 300 | 20 and under | 80,000 | DRAM |
| Micron | Fab 13 | Singapura | | | 200 | | | NOR |
| Micron | | Singapura | | | 200 | | | NOR Flash |
| Micron | Micron Semiconductor Asia | Singapura | | | | | | |
| Micron | | China, Xi'an | | | | | | |
| Micron (antes Elpida Memory) | Fab 15 (antes Elpida Memory, Hiroshima) | Japão, Hiroshima | | | 300 | 20 and under | 100,000 | DRAM |
| Micron (antes Rexchip) | Fab 16 (antes Rexchip, Taichung) | Taiwan, Taichung | | | 300 | 30 and under | 80,000 | DRAM, FEOL |
| Micron (antes Cando) | Micron Memory Taiwan | Taiwan, Taichung | | ?, 2018 | 300 | | | DRAM, BEOL |
| Micron | A3 | Taiwan, Taichung | | Sob construção | 300 | | | DRAM |
| Intel | D1B | EUA, OR, Hillsboro | | 1996 | 300 | 10 / 14 / 22 | | Microprocessadores |
| Intel | D1C | EUA, OR, Hillsboro | | 2001 | 300 | 10 / 14 / 22 | | Microprocessadores |
| Intel | D1D | EUA, OR, Hillsboro | | 2003 | 300 | 7 / 10 / 14 | | Microprocessadores |
| Intel | D1X | EUA, OR, Hillsboro | | 2013 | 300 | 7 / 10 / 14 | | Microprocessadores |
| Intel | Fab 12 | EUA, AZ, Chandler | | 1996 | 300 | 14 / 22 / 65 | | Microprocessadores & chipsets |
| Intel | Fab 32 | EUA, AZ, Chandler | 3 | 2007 | 300 | 45 | | |
| Intel | Fab 32 | EUA, AZ, Chandler | | 2007 | 300 | 22 / 32 | | Microprocessadores |
| Intel | Fab 42 | EUA, AZ, Chandler | 10 | 2020 | 300 | 7 / 10 | | Microprocessadores |
| Intel | 2, unknown | EUA, AZ, Chandler | 20 | 2024 | | | | Microprocessadores |
| Intel | Fab 11x | EUA, NM, Rio Rancho | | 2002 | 300 | 32 / 45 | | Microprocessadores |
| Intel (antes Micron) (antes Numonyx) (antes Intel) | Fab 18 | Israel, Kiryat Gat | | 1996 | 200, 300 | 45 / 65 / 90 / 180 | | Microprocessadores e chipsets, NOR flash |
| Intel | Fab 10 | Irlanda, Leixlip | | 1994 | 200 | | | |
| Intel | Fab 14 | Irlanda, Leixlip | | 1998 | 200 | | | |
| Intel | Fab 24 | Irlanda, Leixlip | | 2004 | 300 | 14 / 65 / 90 | | Microprocessadores, chipsets e Comms |
| Intel | Fab 28 | Israel, Kiryat Gat | | 2008 | 300 | 10 / 22 / 45 | | Microprocessadores |
| Intel | Fab 68 | China, Dalian | 2.5 | 2010 | 300 | 65 | 30,000–52,000 | Microprocessadores (antes), VNAND |
| Intel | | Costa Rica, Heredia, Belén | | 1997 | 300 | 14 / 22 | | Packaging |
| General Motors Components Holdings | Fab III | EUA, IN, Kokomo | | | 125/200 | 500+ | | |
| Raytheon Systems Ltd | | Reino Unido, Scotland, Glenrothes | | 1960 | 100 | | | CMOS-on-SiC, Fundição |
| BAE Systems (antes Sanders) | | EUA, NH, Nashua | | 1985 | 100, 150 | 140, 100, 70, 50 | | MMIC, GaAs, GaN-on-SiC, Fundição |
| Flir Systems | | EUA, CA, Santa Barbara | | | 150 | | | IR Detectors, Thermal Imaging Sensors |
| Teledyne DALSA | Teledyne DALSA Semiconductor | Canadá, QC, Bromont | | 1980 | 150/200 | | | HV ASICs, HV CMOS, MEMS, CCD |
| Teledyne e2v | Teledyne e2v | Reino Unido, Chelmsford, Essex | | 1980 | 150/200 | | | CCD Fab, CMOS Packaging, III-V, MCT, 6 inch and 8 inch backthinning |
| Qorvo (antes RF Micro Devices) | | EUA, NC, Greensboro | | | 100,150 | 500 | 8,000 | SAW filters, GaAs HBT, GaAs pHEMT, GaN |
| Qorvo (antes TriQuint Semiconductor) (antes Micron) (antes Texas Instruments) (antes TwinStar Semiconductor) | | EUA, TX, Richardson | 0.5 | 1996 | 100, 150, 200 | 350, 250, 150, 90 | 8,000 | DRAM (antes), BAW filters, power amps, GaAs pHEMT, GaN-on-SiC |
| Qorvo (antes TriQuint Semiconductor) | | EUA, OR, Hillsboro | | | 100, 150 | 500 | | Power amps, GaAs |
| Apple (antes Maxim) (antes Samsung) | X3 | EUA, CA, San Jose | | ?, 1997, 2015 | | 600–90 | | |
| Analog Devices | Limerick | Irlanda, Limerick | | | 200 | | | |
| Analog Devices | Wilmington | EUA, MA, Wilmington | | | 200/150 | | | |
| Analog Devices (antes Linear Technology) | Hillview | EUA, CA, Milipitas | | | 150 | | | |
| Analog Devices (antes Linear Technology) | Camas | EUA, WA, Camas | | | 150 | | | |
| Analog Devices (antes Maxim Integrated) | MaxFabNorth | EUA, OR, Beaverton | | | | | | |
| ISRO | SCL | Índia, Mohali | | 2006 | 200 | 180 | | MEMS, CMOS, CCD, N.S. |
| STAR-C | MEMS | Índia, Bangalore | | 1996 | 150 | 1000–500 | | MEMS |
| STAR-C | CMOS | Índia, Bangalore | | 1996 | 150 | 1000–500 | | CMOS |
| GAETEC | GaAs | Índia, Hyderabad | | 1996 | 150 | 700–500 | | MESFET |
| Tower Semiconductor (antes Maxim)(antes Philips)(antes VLSI) | Fab 9 | EUA, TX, San Antonio | | 2003 | 200 | 180 |