# Indiumarsenide

Indium(III)arsenide, InAs of indiummonoarsenide, is een anorgaische verbinding van de elementen indium en arseen met de formule ${\ce {InAs}}$. Het is een grijze vaste stof met een smeltpunt van 942 °C.

## Synthese

Indium(III)arsenide kan, bij hoge temperatuur, direct uit de elementen bereid worden:
       ${\ce {In\ +\ As\ ->[{\Delta }]\ InAs}}$

## Toepassingen

De stof wordt veel toegepast als smalle-bandgap halfgeleider. Het komt in zijn eigenschappen sterk overeen met galliumarsenide en heeft een directe bandgap van 0,35 eV bij kamertemperatuur.
Daarnaast wordt de stof gebruikt als infraroodsensor in het golflengtegebied van 1–3,8 µm. De sensor is meestal een fotovoltaïsche fotodiode Cryogeen gekoelde sensors vertonen meestal minder ruis, maar gebruik van ${\ce {InAs}}$ maakt grote vermogens en werken bij kamertemperatuur mogelijk.
Diodelasers zijn ook een toepassingsgebied van indium(III)arsenide.
${\ce {InAs}}$ wordt ook gebruikt in de glasvezelcommunicatie die werkt met behulp van terahertzstraling, het gebied waar dit arsenide makkelijk straling uitzendt en ontvangt.
De optisch-elektronische en fononeigenschappen van indium(III)arsenide veranderen weinig in het temperatuurgebied van 0 tot 500 K, de eigenschappen wijzigen wel sterk onder invloed van drukverandering: verhoging van de druk verandert ${\ce {InAs}}$ van een directe bandgap halfgeleider in een halfgeleider me een indirecte bandgap.

## Ternaire en quaternaire verbindingen

Indium(III)arsenide wordt soms in combinatie met indium(III)fosfide gebruikt.
Met galliumarsenide vormt het een ternaire halfgeleider: indium gallium arsenide (${\ce {In_{(x)}Ga_{(1-x)}As}}$); de bandgap van dit materiaal is afhankelijk van de verhouding tussen indium en gallium.
Indium(III)arsenide wordt soms gecombineerd met indium(III)fosfide en Indium(III)antimonide waarbij een quaternaire verbinding ontstaat. Ook hier is de resulterende bandgap afhankelijk van de verhouding van de verschillende samenstellende del;en. Dergelijke quaternaire verbindingen zijn onderwerp van theoretische studies geweest naar het druk entemperatuureffect in deze stoffen.
Kwantumstip, of quantumdots kunnen gemaakt worden in een monolaag indium(III)arsenide op indium(III)fosfide of gallium(III)arsenide. Het verschil in de exacte dimensies van de kristallen leidt tot spanningen in de monolaag, die op hun beurt leiden tot de kwantumstippen. Deze structuren kunnen ook gevormd worden in indium-galliumarsenide, waarin indiumarsenide voorkomt in een galliumarsenide-matrix.
Dit artikel of een eerdere versie ervan is een (gedeeltelijke) vertaling van het artikel Indium arsenide op de Engelstalige Wikipedia, dat onder de licentie Creative Commons Naamsvermelding/Gelijk delen valt. Zie de bewerkingsgeschiedenis aldaar.
Externe links
* Ioffe institute data archive entry
* National Compound Semiconductor Roadmap entry for InAs at ONR web site----
Verwijzingen in de tekst
* ↑ Lide, David R. (1998). Handbook of Chemistry and Physics: 4–61 (CRC Press).. ISBN: 0-8493-0594-2.
* 1 2 3 Indium Arsenide. American Elements. Gearchiveerd op 3 februari 2023. Geraadpleegd op October 12, 2018.
* ↑ Thermal properties of Indium Arsenide (InAs). Gearchiveerd op 14 april 2012. Geraadpleegd op 22 november 2011.
* ↑ Degheidy, Abdel Razik; Elkenany, Elkenany Brens; Madkour, Mohamed Abdel Kader; Abuali, Ahmed. M. (1 september 2018). Temperature dependence of phonons and related crystal properties in InAs, InP and InSb zinc-blende binary compounds. Computational Condensed Matter 16: e00308. DOI: 10.1016/j.cocom.2018.e00308.
* ↑ (en) Degheidy, A. R.; Abuali, A. M.; Elkenany, Elkenany B. (1 juni 2022). The Response of Phonon Frequencies, Sound Velocity, Electronic, Optical, and Mechanical Properties of Indium (Phosphide, Arsenide, and Antimonide) to Hydrostatic Pressure. ECS Journal of Solid State Science and Technology 11 (6): 063016. ISSN: 2162-8769. DOI: 10.1149/2162-8777/ac79cc.
* ↑ Degheidy, A. R.; AbuAli, A. M.; Elkenany, Elkenany. B. (18 mei 2021). Phonon frequencies, mechanical and optoelectronic properties for InP$_x$As$_y$Sb$_{1-x-y}$/InAs alloys under the influence of pressure. Applied Physics A 127 (6): 429. DOI: 10.1007/s00339-021-04551-4.
* ↑ (en) Degheidy, A. R.; Abuali, A. M.; Elkenany, Elkenany B. (26 februari 2022). Thermal response of electronic, optical, mechanical properties, phonon frequencies, and sound velocity of InPxAsySb1−x−y/InAs quaternary semiconductor system. Optical and Quantum Electronics 54 (3): 189. ISSN: 1572-817X. DOI: 10.1007/s11082-022-03566-2.
* ↑ oe magazine - eye on technology. Gearchiveerd op 18 oktober 2006. Geraadpleegd op 22 november 2011.