# Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia a fascio ionico

Micro e nanotecnologia
Copertina Tutti i moduli · Sviluppo

## Microtecnologia

* Introduzione alla microtecnologia
** Il transistor e i dispositivi integrati
** La legge di Moore
** Microtecnologia: concetti di base
** L'ambiente: la camera pulita
* Crescita dei cristalli
* Il vuoto
** Le leggi del vuoto
** Pompe da vuoto
** Strumenti di misura per il vuoto
* Il plasma
** Proprietà generali
** Fisica del plasma
** Scarica nei gas
** Scarica a rf
* Tecniche litografiche
** Litografia ottica
** Litografia elettronica
** Litografia a raggi X
** Litografia a fascio ionico
* Film sottili
** Chemical Vapor Deposition (CVD)
** Sputtering
** Evaporazione
** Deposizione con cannone elettronico
** Molecular Beam Epitaxy (MBE)
** Deposizione di film dielettrici
** Film metallici
* Processi successivi
** Ossidazione
** Impiantazione ionica
** Diffusione
** Planarizzazione
* Etching
** Wet etch
** Attacco a secco
** Reactive Ion Etching (RIE)
** Ion milling
* Esempi
** Dispositivi MOS e CMOS
** Giunzioni Josephson
** MEMS
** Sensori di immagine
** Memorie magnetiche
* Tecniche diagnostiche
** Microscopia Ottica
** Diffrazione a raggi X
** Interazione con fasci di elettroni
*** SEM
*** TEM
** Scanning probe
*** STM
* Statistica per tecnologia

## Nanotecnologia

* Introduzione alla nanotecnologia
** Cenni storici
** I due approcci: top-down, bottom-up
* Approccio top-down
** Scansione a sonda (scanning probe)
** Stampa (nanoprint)
* Approccio bottom-up
** Self-organizzazione
*** Film di Langmuir-Blodgett
*** Self-assembled monolayers (SAM)
** Strutture molecolari con carbonio
*** Fullerene C60
*** Nanotubi
*** Nanofili (nanowire)
** AFM
** SNOM
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La litografia a fascio ionico è simile alla litografia elettronica, ma utilizza ioni invece che elettroni. Un grande vantaggio presentato dalla tecnica IPL (ions photolitography) rispetto alla litografia a fascio di elettroni, è dovuto al fatto che gli ioni presentano massa maggiore rispetto agli elettroni, questo consente di evitare fenomeni di scattering e quindi di ottenere una migliore risoluzione; gli ioni, inoltre, non subiscono diffrazione ed il resist risulta più sensibile agli ioni che agli elettroni (gli ioni presentano una maggiore energia rispetto agli elettroni), di conseguenza, la IPL è una tecnica più veloce rispetto alla litografia elettronica.
La IPL, tuttavia, presenta anche alcuni svantaggi:
* le sorgenti di ioni non sono facilmente reperibili. Di solito si ricorre al gallio (fonde circa a 30°) che viene fatto evaporare ed, in seguito, ionizzato
* risulta difficile ottenere delle buone lenti magnetiche per gli ioni. Il fascio di ioni è difficile da deviare in quanto essi presentano una grande massa, quindi, sono molto pesanti.
* le maschere da utilizzare per la IPL sono molto complesse e quindi di difficile realizzazione (in particolare tali maschere vengono fatte attraverso EBL)
* è una tecnica molto lenta rispetto alla litografia ottica
I motivi sopra elencati portano a scartare la IPL per i processi di produzione su larga scala, questa tecnica però, trova la sua applicazione nella riparazione delle maschere per la litografia ottica o a raggi-X.