# Ditel·lurur de molibdè

El telurur de molibdè (IV), el ditelurur de molibdè o simplement el telurur de molibdè és un compost de molibdè i tel·luri amb fórmula MoTe₂, que correspon a un percentatge de massa del 27,32% de molibdè i del 72,68% de tel·lúr. Es pot cristal·litzar en làmines bidimensionals que es poden reduir fins a monocapes flexibles i gairebé transparents. És un semiconductor i pot fer fluorescència. Forma part d'una classe de materials anomenats dicalcogenurs de metalls de transició. Com a semiconductor, la banda intercalada es troba a la regió infraroja. Això augmenta l'ús potencial com a semiconductor en electrònica o detector d'infrarojos.
MoTe ₂ es pot preparar escalfant la proporció correcta dels elements junts a 1100 °C al buit. Un altre mètode és la deposició de vapor, on el molibdè i el tel·luri es volatilitzen en gas brom i després es dipositen. L'ús de brom dona lloc a la formació d'un semiconductor de tipus n, mentre que l'ús de tel·luri només dona lloc a un semiconductor de tipus p.
En la forma α a granel de MoTe₂, el material és un semiconductor amb un interval de banda indirecte a temperatura ambient de 0,88 eV i una banda bretxa directa d'1,02 eV. Si en comptes de les formes massives, es mesuren nanocapes, la bretxa de banda indirecta augmenta a mesura que es redueix el nombre de capes. α-MoTe ₂ canvia d'un material indirecte a un material de banda intercalada en rodanxes molt fines. És un material bandgap directe quan es tracta d'una o dues capes (monocapa o bicapa).
a bretxa de banda es redueix per a MoTe ₂ amb deficiència de tel·luri de 0,97 a 0,5. La funció de treball és 4.1 eV.
Els usos potencials de MoTe₂ són per a lubricants, electrònica, optoelectrònica o material fotoelèctric. Els díodes s'han fabricat a partir de MoTe₂ coent un material de tipus p en brom. El diagrama de corrent en funció de la tensió del díode mostra molt poc corrent amb polarització inversa, una regió exponencial amb dV/dln(j) d'1,6 i a tensions més altes (>0,3V) una resposta lineal a causa de la resistència. Quan s'utilitza com a condensador, la capacitat varia com el quadrat invers de la polarització, i també baixa per a freqüències més altes. També s'han construït transistors a partir de MoTe₂. MoTe₂ té potencial per construir electrònica de baixa potència. Els transistors d'efecte de camp (FET) s'han construït a partir d'una bicapa, tres capes i nanocapes més gruixudes. S'ha construït un FET ambipolar, i també un FET que pot funcionar en modes n o p que tenia dos elèctrodes superiors.

## Referències

* ↑ Zyga, Lisa. «Two-dimensional material seems to disappear, but doesn't». PysOrg, 05-05-2015. [Consulta: 6 maig 2015].
* ↑ Puotinen, D.; Newnham, R. E. Acta Crystallographica, 14, 6, 01-06-1961, pàg. 691–692. DOI: 10.1107/s0365110x61002084 [Consulta: free].
* ↑ Brown, B. E. Acta Crystallographica, 20, 2, 01-02-1966, pàg. 268–274. DOI: 10.1107/s0365110x66000513.
* ↑ Bernède, J.C; Amory, C; Assmann, L; Spiesser, M Applied Surface Science, 219, 3–4, 12-2003, pàg. 238–248. Bibcode: 2003ApSS..219..238B. DOI: 10.1016/s0169-4332(03)00697-4.
* ↑ Lezama, Ignacio Gutiérrez; Ubaldini, Alberto; Longobardi, Maria; Giannini, Enrico; Renner, Christoph 2D Materials, 1, 2, 06-08-2014, pàg. 021002. arXiv: 1407.1219. Bibcode: 2014TDM.....1b1002G. DOI: 10.1088/2053-1583/1/2/021002.
* ↑ Zhang, Lijun; Zunger, Alex Nano Letters, 15, 2, 11-02-2015, pàg. 949–957. Bibcode: 2015NanoL..15..949Z. DOI: 10.1021/nl503717p. PMID: 25562378.
* ↑ Morsli, M; Bonnet, A; Jousseaume, V; Cattin, L; Conan, A Journal of Materials Science, 32, 9, 1997, pàg. 2445–2449. Bibcode: 1997JMatS..32.2445M. DOI: 10.1023/a:1018569510512.
* ↑ Shi, Wu; Ye, Jianting; Zhang, Yijin; Suzuki, Ryuji; Yoshida, Masaro Scientific Reports, 5, 03-08-2015, pàg. 12534. Bibcode: 2015NatSR...512534S. DOI: 10.1038/srep12534. PMC: 4522664. PMID: 26235962.
* ↑ Bernède, J.C; Amory, C; Assmann, L; Spiesser, M Applied Surface Science, 219, 3–4, 12-2003, pàg. 238–248. Bibcode: 2003ApSS..219..238B. DOI: 10.1016/s0169-4332(03)00697-4.
* 1 2 Bernède, J. C.; Kettaf, M.; Khelil, A.; Spiesser, M. Physica Status Solidi A, 157, 1, 16-09-1996, pàg. 205–209. Bibcode: 1996PSSAR.157..205B. DOI: 10.1002/pssa.2211570126.
* ↑ Lin, Yen-Fu; Xu, Yong; Wang, Sheng-Tsung; Li, Song-Lin; Yamamoto, Mahito Advanced Materials, 26, 20, 5-2014, pàg. 3263–3269. DOI: 10.1002/adma.201305845. PMID: 24692079.
* ↑ Pradhan, Nihar R. ACS Nano, 8, 6, 2014, pàg. 5911–5920. arXiv: 1406.0178. Bibcode: 2014arXiv1406.0178P. DOI: 10.1021/nn501013c. PMID: 24878323.
* ↑ Nakaharai, Shu. «Electrostatic control of polarity of α-MoTe₂ transistors with dual top gates». Bulletin of the American Physical Society, 02-03-2015. [Consulta: 14 maig 2015].