# Model Gummel-Poon

El model Gummel-Poon (SGP) és un model del transistor d'unió bipolar. Va ser descrit per primera vegada en un article publicat per Hermann Gummel i HC Poon als laboratoris Bell el 1970.
El model Gummel-Poon i les seves variants modernes s'utilitzen àmpliament en els simuladors de circuits populars com SPICE. Un efecte significatiu que explica el model Gummel-Poon és la variació del transistor $\beta _{\text{F}}$ i $\beta _{\text{R}}$ valors amb el nivell de corrent continu. Quan s'ometen determinats paràmetres, el model Gummel–Poon es redueix al model Ebers–Moll més senzill.
S'han presentat models BJT millorats (Turgeon, 1980; Kull, 1985; de Graaff, 1985; Stubing, 1987; Jeong, 1989), però cap s'ha convertit en un estàndard de la indústria per substituir el Model SGP. VBIC (que significa el model Vertical Bipolar Inter-Company) va ser definit per un grup de representants de les indústries IC i CAD per intentar rectificar aquesta situació. VBIC és domini públic i el codi font complet està disponible públicament. VBIC també és tan semblant com possible al model SGP, per aprofitar els coneixements existents i la formació de caracterització i enginyers de disseny d'IC.

## Paràmetres del model

Paràmetres del model Spice Gummel–Poon
| # | Nom | Propietat modelada | Paràmetre |
| 1 | IS | corrent | corrent de saturació de transport |
| 2 | BF | corrent | beta directa ideal màxima |
| 3 | NF | corrent | coeficient d'emissió de corrent directe |
| 4 | VAF | corrent | voltatge previ directe |
| 5 | IKF | corrent | cantonada per beta-directa alt-corrent |
| 6 | ISE | corrent | corrent de satuació de fuita B-E |
| 7 | NE | corrent | coeficient d'emissor de fuita B-E |
| 8 | BR | corrent | beta en inversa ideal màxima |
| 9 | NR | corrent | coeficient d'emissió de corrent invers |
| 10 | VAR | corrent | voltatge previ en inversa |
| 11 | IKR | corrent | cantonada per beta-inversa alt-corrent |
| 12 | ISC | corrent | corrent de saturació de fuita B–C |
| 13 | NC | corrent | coeficient d'emissió de fuita B–C |
| 14 | RB | resistència | resistència de base de polaritat zero |
| 15 | IRB | resistència | corrent on el corrent de base cau a la meitat del mínim |
| 16 | RBM | resistència | resistència de base mínima a alts corrents |
| 17 | RE | resistència | resistència d'emissor |
| 18 | RC | resistència | resistència de col·lector |
| 19 | CJE | capacitat | capacitat de deplexió B–E sense polaritat |
| 20 | VJE | capacitat | potencial d'inici B–E |
| 21 | MJE | capacitat | factor exponencial d'unió B–E |
| 22 | TF | capacitat | temps de trànsit directe ideal |
| 23 | XTF | capacitat | coeficient per polaritat TF |
| 24 | VTF | capacitat | voltatge que descriu VBC depenent de TF |
| 25 | ITF | capacitat | paràmetre d'alt corrent pe refecte a TF |
| 26 | PTF | | fase en excès a la frequència = 1/(2π TF) |
| 27 | CJC | capacitat | capacitat de deplexió B–C sense polaritat |
| 28 | VJC | capacitat | potencial inicial B–C |
| 29 | MJC | capacitat | factor exponencial d'unió B–C |
| 30 | XCJC | capacitat | fracció de la capacitat de deplexió connectada al node base |
| 31 | TR | capacitat | temps de trànsit en inversa ideal |
| 32 | CJS | capacitat | capacitat de col·lector-substracte sense polaritat |
| 33 | VJS | capacitat | potencial inicial d'unió-substracte |
| 34 | MJS | capacitat | factor exponencial d'unió-substracte |
| 35 | XTB | | exponent de temperatura de beta inversa i directa |
| 36 | EG | | espai d'energia per l'efecte de temperatura d'IS |
| 37 | XTI | | exponent de temperatura per efecte d'IS |
| 38 | KF | | coeficient de soroll de panpalluga |
| 39 | AF | | exponent de soroll de panpalluga |
| 40 | FC | | coeficient per la fórmula de capacitat de deplexió amb polarització directa |
| 41 | TNOM | | temperatura de mesura de paràmetres |

## Referències

* ↑ H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.
* ↑ H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.
* ↑ «Introduction to SGP» (en anglès). https://designers-guide.org.+[Consulta: 15 maig 2023].
* ↑ Summary of model with schematics and equations.
* ↑ «C. The Gummel-Poon BJT Model» (en anglès). https://www.iue.tuwien.ac.at.+[Consulta: 17 maig 2023].