# Integritat de potència

La integritat de potència o PI és una anàlisi per comprovar si la tensió i el corrent desitjats es compleixen des de la font fins a la destinació. Avui, la integritat de l'energia té un paper important en l'èxit i el fracàs dels nous productes electrònics. Hi ha diversos aspectes acoblats de PI: al xip, a l'encapsulat de xips, a la placa de circuits i al sistema. S'han de resoldre quatre problemes principals per garantir la integritat de l'alimentació a nivell de la placa de circuit imprès:
* Mantenir l'ondulació de tensió a les connexions dels xips inferior a l'especificació (per exemple, una variació inferior a +/-50 mV al voltant d'1V)
* Controlar el rebot a terra (també anomenat soroll de commutació síncron, soroll de commutació simultània o sortida de commutació simultània (SSN o SSO))
* Controlar la interferència electromagnètica i mantenir la compatibilitat electromagnètica: la xarxa de distribució d'energia és generalment el conjunt més gran de conductors de la placa de circuit i, per tant, l'antena més gran (no desitjada) per a l'emissió i recepció de soroll.Circuit de distribució de potència típic entre una font d'alimentació commutada i un dau electrònic.
* Dibuix de l'encapsulat d'un circuit integrat amb els condensadors de desacoblament incorporats.Mantenir un nivell adequat de tensió de CC a la càrrega amb corrents elevats. Un processador modern o una matriu de porta programable en camp pot extreure 1-100 amperes a nivells de VDD inferiors a 1 V amb marges de CA i CC en desenes de mil·livolts. Per tant, es pot tolerar molt poca caiguda de tensió de CC a la xarxa de distribució d'energia.
El camí actual des de la font d'alimentació a través del paquet PCB i IC fins a la matriu (consumidor) s'anomena xarxa de distribució d'energia. La seva funció és transferir l'energia a les càrregues amb poca caiguda de tensió de CC i permetre una petita ondulació induïda pel corrent dinàmic a la càrrerga (corrent de commutació). La caiguda de CC es produeix si hi ha massa resistència a les pistes o traces de potència que van des del VRM (mòdul regulador de tensió) fins a ls càrrega. Això es pot contrarestar augmentant la tensió del VRM o ampliant el punt de "sensació" del VRM a la càrrega.
Normalment s'utilitza algun tipus de simulació quan es dissenya el PDN per assegurar-se que el PDN compleix la impedància objectiu. Això es pot fer mitjançant la simulació SPICE, les eines del venedor de xips, les eines del proveïdor de condensadors o les eines incrustades al programari EDA.

## Referències

* ↑ «Power Integrity | Signal Integrity Journal» (en anglès). https://www.signalintegrityjournal.com.+[Consulta: 2 octubre 2022].
* ↑ «Fundamentals of Signal and Power Integrity» (en anglès). Christian Schuster. Arxivat de l'original el 2022-10-02. [Consulta: 18 març 2018].
* ↑ «[https://global.oup.com/us/companion.websites/fdscontent/uscompanion/us/static/companion.websites/9780199339136/pdf/bonustopics.pdf JFETs, GaAs DEVICES AND CIRCUITS, AND TTL CIRCUITS 1 5.11 THE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR (JFET)]» (en anglès). https://global.oup.com.+[Consulta: 2 octubre 2022].
* ↑ «Power Distribution Network» (en anglès). Altera. [Consulta: 18 març 2018].
* ↑ «K-SIM». KEMET. [Consulta: 18 març 2018].
* ↑ «CST PDN ANALYZER» (en anglès). Altium. [Consulta: 18 març 2018].
* ↑ «HyperLynx Power Integrity» (en anglès). Mentor. [Consulta: 18 març 2018].
* ↑ «Allegro Sigrity PI Base» (en anglès). Cadence. [Consulta: 18 març 2018].
* ↑ «W2359EP PIPro Power Integrity EM Analysis Element» (en anglès). Keysight. [Consulta: 18 març 2018].