Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України

Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України створено у 1960 році на базі відділів та лабораторій Інституту фізики АН УРСР на виконання постанови Ради Міністрів УРСР від 3 вересня 1960 р. № 1449 «Про організацію у складі Академії наук УРСР Інституту напівпровідників» та відповідної постанови Президії АН УРСР від 7.10.1960 р. Вирішальне значення при цьому мав той факт, що в Інституті фізики на той час склалися наукові школи з фізики нерівноважних процесів у напівпровідниках і теорії напівпровідників, очолювані академіком АН УРСР, проф. В. Є. Лашкарьовим і д.ф.-м.н., проф. С. І. Пекарем. Згідно з постановою Президії АН України від 30.12.1992 р. № 353 Інститут напівпровідників перейменовано на «Інститут фізики напівпровідників». Розпорядженням Кабінету Міністрів України від 25.12.2002 р. № 714-р «Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В. Є. Лашкарьова» і відповідною постановою Президії НАН України від 04.02.2003 р. № 6 Інституту присвоєно ім'я В. Є. Лашкарьова. Великий внесок у створення і організацію подальшої діяльності Інституту зробили також перші керівники науково-дослідних відділів і лабораторій, створених у 1960-1961-х роках: д.ф.-м.н. М. Ф. Дейген, к.ф.-м.н. М. П. Лисиця, д.ф.-м.н., проф. В. І. Ляшенко, к.х.н. І. Б. Мізецька, к.ф.-м.н. О. Г. Міселюк, к.ф.-м.н. Е. І. Рашба, к.т. н. С. В. Свєчніков, к.ф.-м.н. О. В. Снітко, к.ф.-м.н. Г. А. Федорус. З 1960 р. по 1970 р. першим директором Інституту був академік АН УРСР Вадим Євгенович Лашкарьов (1903—1974 рр.). З 1970 р. по 1990 р. Інститут очолював академік АН УРСР Олег Вячеславович Снітко (1928—1990 рр.). З 1991 р. по 2003 р. директором Інституту був академік НАН України Сергій Васильович Свєчніков. З 2003 р. по 2014 р. Інститут очолював академік НАН України Володимир Федорович Мачулін. З 2014 р. Інститутом керує академік НАН України Олександр Євгенович Бєляєв. В Інституті працювали і працюють відомі українські вчені, серед них 7 академіків НАН України: В. Є. Лашкарьов (1903—1974 рр.), М. П. Лисиця (1921-2012 рр.), С. І. Пекар (1917—1985 рр.), С. В. Свєчніков (1926-2017 рр.), О. В. Снітко (1928—1990 рр.), В. Ф. Мачулін (1950-2014 рр.), О. Є. Бєляєв; 13 членів-кореспондентів НАН України: М. Я. Валах, Є. Ф. Венгер, М. Ф. Дейген (1918—1977 рр.), [1], В. О. Кочелап, В. С. Лисенко, В. Г. Литовченко, Б. О. Нестеренко (1938—2003 рр.), П. Ф. Олексенко, Ф. Ф. Сизов, В. М. Сорокін, К. Б. Толпиго (1916—1998 рр.), М. К. Шейнкман (1929-2009 рр.). На початку 2018 р. в Інституті працювало 73 доктори наук (серед них 41 професор), 190 кандидатів наук. Основні наукові напрями діяльності Інституту: -напівпровідникове матеріалознавство; -оптоелектроніка, сонячна енергетика та енергозберігаючі технології; -сенсорні системи; -напівпровідникова ІЧ- і НВЧ-техніка; -перспективні та інноваційні розробки. Наукові відділення: оптоелектроніки, теоретичної фізики, оптики напівпровідників, фотоелектроніки, фізики поверхні та мікроелектроніки, структурного і елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем, фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ-техніки, технологій і матеріалів сенсорної техніки. До складу наукових напрямів входить 21 відділ, які очолюються переважно докторами наук. Інститут здійснює плідне наукове та науково-технічне співробітництво з рядом університетів і наукових центрів США, Великої Британії, Франції, Італії, Іспанії, Ізраїлю, Японії, Німеччини, Китаю та ін, а також підтримує тісні наукові контакти з провідними науковими установами Росії та інших країн-членів СНД, Балтії. Інститут видає збірник «Оптоэлектроника и полупроводниковая техника» і англомовний журнал «Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Optoelectronics» [2] [Архівовано 1 червня 2017 у Wayback Machine.]. Велика увага приділяється вихованню і підготовці наукових кадрів. В Інституті діє аспірантура і докторантура, працюють спеціалізовані вчені ради по захисту дисертацій на здобуття наукового ступеня доктора наук (зі спеціальностей: 01.04.10 — фізика напівпровідників і діелектриків; 01.04.18 — фізика і хімія поверхні; 05.12.20 оптоелектронні системи) і кандидата наук (зі спеціальностей: 01.04.01 — фізика приладів, елементів і систем; 01.04.07 — фізика твердого тіла; 05.27.01 — твердотільна електроніка; 05.27.06 — технологія, обладнання та виробництво електронної техніки), здійснюється підготовка кадрів через аспірантуру (зі спеціальностей: 01.04.07 — фізика твердого тіла; 01.04.10 — фізика напівпровідників і діелектриків; 05.12.20 — оптоелектронні системи; 05.27.01 — твердотільна електроніка; 05.27.06 — технологія, обладнання та виробництво електронної техніки) та докторантуру (зі спеціальності: 01.04.10 — фізика напівпровідників і діелектриків). Періодично проводяться Лашкарьовські читання для молодих вчених. Залученню талановитої молоді як на роботу в Інститут, так і до навчання в аспірантурі сприяє те, що: провідні вчені Інституту читають курси лекцій в навчальних закладах України (Київському національному університеті імені Тараса Шевченка, Київському політехнічному університеті та інших); групи студентів постійно проходять бакалаврську, магістерську, виробничу, переддипломну та дипломну практику, науковими керівниками котрих є кваліфіковані науковці і спеціалісти (кандидати і доктори наук), частина випускників залишається в Інституті; вчені Інституту беруть активну участь в Днях відчинених дверей, що проводяться ВНЗами України. При Інституті фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України діє госпрозрахункове Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом (СКТБ з ДВ). Інститут активно використовує нові форми організації наукових досліджень та впровадження їх результатів. Так, в Інституті діють наступні організації і підрозділи: технологічний парк «Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка»; центр колективного користування приладами НАН України «Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем» [3]; випробувальна лабораторія голографічних захисних елементів (сертифікована за міжнародним стандартом ISO 9001); центральна випробувальна лабораторія напівпровідникового матеріалознавства (атестат акредитації Укр. Державного виробничого центру стандартизації, метрології та сертифікації за №ПТ-0400/01 від 28.12.2001 р.); центр випробувань фотоперетворювачів та фотоелектричних батарей (атестат акредитації Держспоживстандарту України за № ПТ-0327/03 від 20.04.2003 р.). Примітки Посилання http://isp.kiev.ua http://www.journal-spqeo.org.ua [Архівовано 19 квітня 2022 у Wayback Machine.] https://web.archive.org/web/20161009205235/http://microscopy.org.ua/