Khoản 2.2. Yêu cầu về miễn nhiễm 2.2.1. Tổng quan Trong các phép kiểm tra này, EUT phải tuân thủ cấu hình hoạt động, thủ tục lắp đặt và nối đất thông thường, trừ khi có thay đổi được chỉ rõ, và phải hoạt động trong điều kiện thử nghiệm bình thường. Môi trường điện từ bên ngoài sẽ ảnh hưởng tới các EUT thông qua các cổng. Giới hạn vật lý của EUT mà thông qua đó, điện từ trường có thể phát xạ hay tác động tới EUT được gọi là các cổng vỏ Các phép đo chênh lệch được áp dụng giữa nguồn điện, tín hiệu và đường dây điều khiển. Các phép đo chế độ chung là các phép đo giữa các nhóm đường dây và một điểm tham chiếu chung, thường là đất. Đối với các phép đo kiểm miễn nhiễm, các kết quả được đánh giá dựa trên các tiêu chuẩn hiệu suất liên quan tới các điều kiện hoạt động và các thông số chức năng của EUT, và được định nghĩa như sau: - Tiêu chuẩn hiệu suất A: EUT phải tiếp tục hoạt động bình thường trong và sau khi đo kiểm. Không xảy ra suy giảm chất lượng hay mất chức năng như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp. - Tiêu chuẩn hiệu suất B: EUT phải tiếp tục hoạt động bình thường sau khi đo kiểm. Không xảy ra suy giảm chất lượng hay mất chức năng như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp. Trong khi thử, suy giảm hiệu suất hay mất chức năng nhưng có thể tự phục hồi mà không được phép thay đổi trạng thái hoạt động thực sự và dữ liệu lưu trữ. - Tiêu chuẩn hiệu suất C: Cho phép suy giảm tạm thời và mất chức năng trong khi đo kiểm, với điều kiện chức năng có thể tự phục hồi, hoặc có thể được phục hồi lại sau khi kết thúc đo kiểm nhờ hoạt động của các bộ phận điều khiển, như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp. Các điều kiện và phép đo kiểm được tóm tắt trong Bảng 2. Bảng 2 cũng cung cấp tiêu chuẩn hiệu suất cho thiết bị vô tuyến và thiết bị định vị khác nhau. Với các loại thiết bị khác, tiêu chuẩn hiệu suất phải được cung cấp trong tiêu chuẩn thiết bị tương ứng và các chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp, tuy nhiên, tối thiểu EUT phải tuân thủ chỉ tiêu chuẩn hiệu suất C. Bảng 2 - Miễn nhiệm điện từ Phép đo kiểm miễn nhiễm Điều kiện và yêu cầu đáp ứng Nhiễu phân tán 10 V/m 80 MHz - 2 GHz Cổng vỏ Tiêu chuẩn hiệu suất A Phóng tĩnh điện Tiếp xúc 6 kV Không gian 8 kV Tiêu chuẩn hiệu suất B. 2.2.2. Thiết bị thu sóng vô tuyến Nếu EUT có gắn thiết bị thu sóng vô tuyến, thì các tần số trong băng loại trừ cùng với các đáp ứng của thiết bị thu băng hẹp (đáp ứng giả) sẽ được miễn thực hiện các phép đo kiểm miễn nhiễm đối với nhiễu bức xạ và nhiễu dẫn. 2.2.2.1. Băng loại trừ Băng loại trừ của thiết bị thu được định nghĩa là băng tần hoạt động của thiết bị thu do nhà sản xuất công bố, mở rộng tại các giới hạn thêm 5 % giá trị. 2.2.2.2. Đánh giá đáp ứng thiết bị thu Đáp ứng băng hẹp cho phép (đáp ứng giả) được xác định bằng phương pháp sau: - Nếu tín hiệu thử (tín hiệu không mong muốn) làm suy giảm hoạt động tại một tần số riêng, tần số tín hiệu thử phải được tăng thêm một lượng gấp đôi độ rộng băng tần của bộ lọc IF máy thu nằm ngay trước bộ giải điều chế, theo công bố của nhà sản xuất. Tín hiệu thử sau đó được giảm một lượng tương đương. - Nếu không có suy giảm tại cả hai tần số bù này thì đáp ứng ở đây được gọi là đáp ứng băng hẹp cho phép. Nếu vẫn có suy giảm, thì có thể do phần bù đã làm cho tần số của tín hiệu thử tương ứng với một đáp ứng băng hẹp khác. Điều này được xác định bằng cách lặp lại cách làm trên với việc điều chỉnh tăng và giảm tần số tín hiệu thử thêm 2,5 lần độ rộng băng tần ở trên. - Nếu vẫn còn suy giảm chất lượng thì đáp ứng ở đây không được coi là đáp ứng băng hẹp cho phép. 2.2.3. Miễn nhiễm đối với phát xạ tần số vô tuyến 2.2.3.1. Mục đích Mô phỏng ảnh hưởng của các thiết bị phát sóng vô tuyến ở tần số trên 80 MHz, như các thiết bị phát VHF đặt trên tàu, thiết bị radio cầm tay, đặt gần thiết bị. 2.2.3.2. Phương pháp xác định Thiết bị phải được đặt trong một phòng được che chắn thích hợp hay buồng không có tiếng vọng và có kích thước tương xứng với EUT. EUT cần đặt ở khu vực có cường độ trường đồng nhất và cách điện với đất bằng giá đỡ phi kim. Khu vực đồng nhất được hiệu chỉnh với phòng đo trống. Cấu hình của EUT và các cáp đi cùng sẽ được ghi trong biên bản đo kiểm. Các dây điện trần song song sẽ được sử dụng nếu đường dây từ và đến EUT không được chỉ rõ, và để hở trong trường điện từ cách EUT 1 m. Đo kiểm được tiến hành như trong TCVN 8241-4-3:2009, tại mức nghiêm ngặt 3, với ăng ten phát đặt đối diện với một trong bốn mặt của EUT. Khi thiết bị có thể được sử dụng theo các hướng khác nhau (thẳng đứng và nằm ngang), thử nghiệm được tiến hành ở tất cả các mặt. EUT ban đầu được đặt sao cho một mặt trùng với mặt phẳng hiệu chuẩn (tham khảo mục B.1 Phụ lục B). Dải tần được quét với tốc độ theo thứ tự là 1,5 x 10-3 decade/s với dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz và 0,5 x 10-3 decade/s với dải tần từ 1 GHz đến 2 GHz, và đủ nhỏ để cho phép phát hiện bất kỳ lỗi chức năng nào của EUT. Bất kỳ tần số nhạy cảm hay có tính vượt trội nào cũng cần được phân tích riêng. EUT được đặt trong điện trường điều chế với cường độ 10 V/m quét trong dải tần từ 80 MHz đến 2 GHz. Điều chế tại tần số 400 Hz, với dung sai tương đối ± 10 % đến độ sâu 80 % ± 10 %. 2.2.3.3. Giá trị yêu cầu Các yêu cầu kiểm tra hiệu suất EMC phải được thoả mãn trong và sau phép đo kiểm tương ứng với Tiêu chuẩn hiệu suất A. 2.2.4. Miễn nhiễm đối với phóng tĩnh điện 2.2.4.1. Mục đích Mô phỏng ảnh hưởng của phóng tĩnh điện từ người xảy ra trong môi trường khiến người đó tích điện, như tiếp xúc với thảm sợi nhân tạo hay vải bằng chất liệu Vinyl. 2.2.4.2. Phương pháp xác định Phép thử được thực hiện như mô tả trong TCVN 8241-4-2:2009, sử dụng thiết bị phát tĩnh điện (ESD), là một tụ điện tích năng lượng có điện dung 150 pF và trở kháng phóng 330 W nối với một đầu phóng. EUT phải được đặt trên một mặt phẳng đất bằng kim loại có cách điện và ở khoảng cách 0,5 mm so với mỗi mặt của EUT (tham khảo phần B.2, A.3 Phụ lục B). Phóng điện từ thiết bị phát sẽ được chiếu vào các điểm và bề mặt trên EUT mà người sử dụng có thể tới gần trong quá trình sử dụng thông thường. Thiết bị phát ESD được đặt vuông góc với bề mặt, tại vị trí có thể thực hiện phóng điện và với tốc độ 20 lần trong 1 s. Mỗi vị trí được thử với 10 lần phóng điện tích dương và âm trong khoảng thời gian ít nhất 1 s giữa các lần phóng để cho phép phát hiện bất kỳ lỗi hoạt động nào của EUT. Phương pháp hay được sử dụng là phóng điện tiếp xúc. Tuy nhiên nếu không thể áp dụng phương pháp phóng điện tiếp xúc thì sẽ dùng phương pháp phóng điện qua không khí, như trên các bề mặt sơn cách điện theo công bố của nhà sản xuất. Để mô phỏng phóng điện lên các vật thể đặt gần EUT, thực hiện 10 lần phóng điện tiếp xúc đơn, cực tính dương và âm cho mặt phẳng đất tại mỗi bề mặt ở vị trí cách EUT 0,1 m. 10 lần phóng điện nữa sẽ đặt vào tâm của đường biên của mặt phẳng ghép thẳng đứng, với mặt phẳng đặt ở các vị trí khác nhau đủ để cả 4 bề mặt của EUT được chiếu đầy đủ. Các mức thử nghiệm bao gồm phóng điện tiếp xúc 6 kV và phóng điện qua không khí 8 kV. 2.2.4.3. Giá trị yêu cầu Các yêu cầu kiểm tra hiệu suất EMC phải được thỏa mãn trong và sau phép đo kiểm tương ứng với Tiêu chuẩn hiệu suất B. 2.2. Yêu cầu về miễn nhiễm 2.2.1. Tổng quan Trong các phép kiểm tra này, EUT phải tuân thủ cấu hình hoạt động, thủ tục lắp đặt và nối đất thông thường, trừ khi có thay đổi được chỉ rõ, và phải hoạt động trong điều kiện thử nghiệm bình thường. Môi trường điện từ bên ngoài sẽ ảnh hưởng tới các EUT thông qua các cổng. Giới hạn vật lý của EUT mà thông qua đó, điện từ trường có thể phát xạ hay tác động tới EUT được gọi là các cổng vỏ Các phép đo chênh lệch được áp dụng giữa nguồn điện, tín hiệu và đường dây điều khiển. Các phép đo chế độ chung là các phép đo giữa các nhóm đường dây và một điểm tham chiếu chung, thường là đất. Đối với các phép đo kiểm miễn nhiễm, các kết quả được đánh giá dựa trên các tiêu chuẩn hiệu suất liên quan tới các điều kiện hoạt động và các thông số chức năng của EUT, và được định nghĩa như sau: - Tiêu chuẩn hiệu suất A: EUT phải tiếp tục hoạt động bình thường trong và sau khi đo kiểm. Không xảy ra suy giảm chất lượng hay mất chức năng như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp. - Tiêu chuẩn hiệu suất B: EUT phải tiếp tục hoạt động bình thường sau khi đo kiểm. Không xảy ra suy giảm chất lượng hay mất chức năng như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp. Trong khi thử, suy giảm hiệu suất hay mất chức năng nhưng có thể tự phục hồi mà không được phép thay đổi trạng thái hoạt động thực sự và dữ liệu lưu trữ. - Tiêu chuẩn hiệu suất C: Cho phép suy giảm tạm thời và mất chức năng trong khi đo kiểm, với điều kiện chức năng có thể tự phục hồi, hoặc có thể được phục hồi lại sau khi kết thúc đo kiểm nhờ hoạt động của các bộ phận điều khiển, như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp. Các điều kiện và phép đo kiểm được tóm tắt trong Bảng 2. Bảng 2 cũng cung cấp tiêu chuẩn hiệu suất cho thiết bị vô tuyến và thiết bị định vị khác nhau. Với các loại thiết bị khác, tiêu chuẩn hiệu suất phải được cung cấp trong tiêu chuẩn thiết bị tương ứng và các chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp, tuy nhiên, tối thiểu EUT phải tuân thủ chỉ tiêu chuẩn hiệu suất C. Bảng 2 - Miễn nhiệm điện từ Phép đo kiểm miễn nhiễm Điều kiện và yêu cầu đáp ứng Nhiễu phân tán 10 V/m 80 MHz - 2 GHz Cổng vỏ Tiêu chuẩn hiệu suất A Phóng tĩnh điện Tiếp xúc 6 kV Không gian 8 kV Tiêu chuẩn hiệu suất B. 2.2.2. Thiết bị thu sóng vô tuyến Nếu EUT có gắn thiết bị thu sóng vô tuyến, thì các tần số trong băng loại trừ cùng với các đáp ứng của thiết bị thu băng hẹp (đáp ứng giả) sẽ được miễn thực hiện các phép đo kiểm miễn nhiễm đối với nhiễu bức xạ và nhiễu dẫn. 2.2.2.1. Băng loại trừ Băng loại trừ của thiết bị thu được định nghĩa là băng tần hoạt động của thiết bị thu do nhà sản xuất công bố, mở rộng tại các giới hạn thêm 5 % giá trị. 2.2.2.2. Đánh giá đáp ứng thiết bị thu Đáp ứng băng hẹp cho phép (đáp ứng giả) được xác định bằng phương pháp sau: - Nếu tín hiệu thử (tín hiệu không mong muốn) làm suy giảm hoạt động tại một tần số riêng, tần số tín hiệu thử phải được tăng thêm một lượng gấp đôi độ rộng băng tần của bộ lọc IF máy thu nằm ngay trước bộ giải điều chế, theo công bố của nhà sản xuất. Tín hiệu thử sau đó được giảm một lượng tương đương. - Nếu không có suy giảm tại cả hai tần số bù này thì đáp ứng ở đây được gọi là đáp ứng băng hẹp cho phép. Nếu vẫn có suy giảm, thì có thể do phần bù đã làm cho tần số của tín hiệu thử tương ứng với một đáp ứng băng hẹp khác. Điều này được xác định bằng cách lặp lại cách làm trên với việc điều chỉnh tăng và giảm tần số tín hiệu thử thêm 2,5 lần độ rộng băng tần ở trên. - Nếu vẫn còn suy giảm chất lượng thì đáp ứng ở đây không được coi là đáp ứng băng hẹp cho phép. 2.2.3. Miễn nhiễm đối với phát xạ tần số vô tuyến 2.2.3.1. Mục đích Mô phỏng ảnh hưởng của các thiết bị phát sóng vô tuyến ở tần số trên 80 MHz, như các thiết bị phát VHF đặt trên tàu, thiết bị radio cầm tay, đặt gần thiết bị. 2.2.3.2. Phương pháp xác định Thiết bị phải được đặt trong một phòng được che chắn thích hợp hay buồng không có tiếng vọng và có kích thước tương xứng với EUT. EUT cần đặt ở khu vực có cường độ trường đồng nhất và cách điện với đất bằng giá đỡ phi kim. Khu vực đồng nhất được hiệu chỉnh với phòng đo trống. Cấu hình của EUT và các cáp đi cùng sẽ được ghi trong biên bản đo kiểm. Các dây điện trần song song sẽ được sử dụng nếu đường dây từ và đến EUT không được chỉ rõ, và để hở trong trường điện từ cách EUT 1 m. Đo kiểm được tiến hành như trong TCVN 8241-4-3:2009, tại mức nghiêm ngặt 3, với ăng ten phát đặt đối diện với một trong bốn mặt của EUT. Khi thiết bị có thể được sử dụng theo các hướng khác nhau (thẳng đứng và nằm ngang), thử nghiệm được tiến hành ở tất cả các mặt. EUT ban đầu được đặt sao cho một mặt trùng với mặt phẳng hiệu chuẩn (tham khảo mục B.1 Phụ lục B). Dải tần được quét với tốc độ theo thứ tự là 1,5 x 10-3 decade/s với dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz và 0,5 x 10-3 decade/s với dải tần từ 1 GHz đến 2 GHz, và đủ nhỏ để cho phép phát hiện bất kỳ lỗi chức năng nào của EUT. Bất kỳ tần số nhạy cảm hay có tính vượt trội nào cũng cần được phân tích riêng. EUT được đặt trong điện trường điều chế với cường độ 10 V/m quét trong dải tần từ 80 MHz đến 2 GHz. Điều chế tại tần số 400 Hz, với dung sai tương đối ± 10 % đến độ sâu 80 % ± 10 %. 2.2.3.3. Giá trị yêu cầu Các yêu cầu kiểm tra hiệu suất EMC phải được thoả mãn trong và sau phép đo kiểm tương ứng với Tiêu chuẩn hiệu suất A. 2.2.4. Miễn nhiễm đối với phóng tĩnh điện 2.2.4.1. Mục đích Mô phỏng ảnh hưởng của phóng tĩnh điện từ người xảy ra trong môi trường khiến người đó tích điện, như tiếp xúc với thảm sợi nhân tạo hay vải bằng chất liệu Vinyl. 2.2.4.2. Phương pháp xác định Phép thử được thực hiện như mô tả trong TCVN 8241-4-2:2009, sử dụng thiết bị phát tĩnh điện (ESD), là một tụ điện tích năng lượng có điện dung 150 pF và trở kháng phóng 330 W nối với một đầu phóng. EUT phải được đặt trên một mặt phẳng đất bằng kim loại có cách điện và ở khoảng cách 0,5 mm so với mỗi mặt của EUT (tham khảo phần B.2, A.3 Phụ lục B). Phóng điện từ thiết bị phát sẽ được chiếu vào các điểm và bề mặt trên EUT mà người sử dụng có thể tới gần trong quá trình sử dụng thông thường. Thiết bị phát ESD được đặt vuông góc với bề mặt, tại vị trí có thể thực hiện phóng điện và với tốc độ 20 lần trong 1 s. Mỗi vị trí được thử với 10 lần phóng điện tích dương và âm trong khoảng thời gian ít nhất 1 s giữa các lần phóng để cho phép phát hiện bất kỳ lỗi hoạt động nào của EUT. Phương pháp hay được sử dụng là phóng điện tiếp xúc. Tuy nhiên nếu không thể áp dụng phương pháp phóng điện tiếp xúc thì sẽ dùng phương pháp phóng điện qua không khí, như trên các bề mặt sơn cách điện theo công bố của nhà sản xuất. Để mô phỏng phóng điện lên các vật thể đặt gần EUT, thực hiện 10 lần phóng điện tiếp xúc đơn, cực tính dương và âm cho mặt phẳng đất tại mỗi bề mặt ở vị trí cách EUT 0,1 m. 10 lần phóng điện nữa sẽ đặt vào tâm của đường biên của mặt phẳng ghép thẳng đứng, với mặt phẳng đặt ở các vị trí khác nhau đủ để cả 4 bề mặt của EUT được chiếu đầy đủ. Các mức thử nghiệm bao gồm phóng điện tiếp xúc 6 kV và phóng điện qua không khí 8 kV. 2.2.4.3. Giá trị yêu cầu Các yêu cầu kiểm tra hiệu suất EMC phải được thỏa mãn trong và sau phép đo kiểm tương ứng với Tiêu chuẩn hiệu suất B.