Khoản 1.5. Giải thích từ ngữ 1.5.1. Ăng ten (antenna) Thiết bị thực hiện việc chuyển đổi năng lượng giữa sóng được dẫn hướng (ví dụ trong cáp đồng trục) và sóng trong môi trường không gian tự do, hoặc/và ngược lại. Ăng ten có thể được sử dụng để phát hoặc/và thu tín hiệu vô tuyến; Trong Quy chuẩn này, nếu không có quy định cụ thể, thuật ngữ ăng ten được dùng để chỉ ăng ten phát. 1.5.2. Máy phát (transmitter) Thiết bị phát ra tần số vô tuyến điện và được nối với ăng ten cho mục đích truyền thông tin. 1.5.3. Trạm gốc (Base Station - BS) Thiết bị cố định sử dụng để truyền sóng vô tuyến được sử dụng trong mạng di động mặt đất công cộng. Trong phạm vi của Quy chuẩn này, thuật ngữ trạm gốc bao gồm các máy phát vô tuyến và ăng ten đi kèm. 1.5.4. Thiết bị cần đo kiểm (Equipment Under Test - EUT) Trạm gốc cần phải đo theo phương pháp đo quy định trong Quy chuẩn này. 1.5.5. Nguồn liên quan (Relevant Source - RS) Nguồn bức xạ vô tuyến trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz có tỷ lệ phơi nhiễm lớn hơn 0,05 tại một điểm đo (PI) xác định. 1.5.6. Tính đẳng hướng (isotropy) Đặc tính vật lý không thay đổi trong mọi hướng. 1.5.7. Ăng ten đẳng hướng theo phương nằm ngang (horizontal omnidirectional antenna) Loại ăng ten bức xạ vô tuyến điện có công suất bằng nhau theo mọi hướng trong mặt phẳng ngang. 1.5.8. Ăng ten định hướng (directivity antenna): Loại ăng ten bức xạ vô tuyến điện theo một hướng nhất định. 1.5.9. Ăng ten thông minh (smart antenna) Loại ăng ten phát ra chùm tia hẹp đồng thời hướng đến người dùng cá nhân để tối ưu hóa thông tin liên lạc có điều chỉnh định hướng bức xạ công suất tức thời cho từng kênh truyền thông riêng lẻ. Ăng ten thông minh gồm ăng ten đơn lẻ (MIMO) hoặc ăng ten tích hợp nhiều phần tử phát xạ trên một bề mặt bức xạ (mMIMO). 1.5.10. Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương (Equivalent Isotropic Radiated Power - EIRP) Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương trung bình theo thời gian được xác định bởi công thức: EIRP(W) = EIRPt(W) x Ft = Pt(W) x 10(G-L)/10 x Ft Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương danh định được xác định bởi công thức: EIRPt(W) = Pt(W) x 10(G-L)/10 Hoặc EIRPt(dBm) = Pt(dBm) + G - L Trong đó: - EIRP(W): công suất bức xạ đẳng hướng tương đương trung bình, đơn vị oát; - EIRPt(W): công suất bức xạ đẳng hướng tương đương danh định, đơn vị oát; - EIRPt(dBm); công suất bức xạ đẳng hướng tương đương danh định, đơn vị đề xi ben; - Pt(W): tổng công suất đầu ra của các máy phát, đơn vị oát; - Pt (dBm): tổng công suất đầu ra của các máy phát theo đơn vị đề xi ben; - L(dB): tổng suy hao từ các máy phát đến ăng ten (ví dụ do combiner, feeder...); - G(dBi): độ tăng ích cực đại của ăng ten tương ứng với ăng ten đẳng hướng; - Ft Hệ số phát xạ trung bình theo thời gian. Đối với trạm gốc sử dụng ăng ten bức xạ thông thường Ft = 1. Đối với trạm gốc sử dụng ăng ten bức xạ thông minh Ft = 0,233. 1.5.11. Cường độ trường điện (electric field strength - E) Độ lớn của véc tơ trường tại một điểm, xác định bằng lực F trên một đơn vị điện tích q chia cho điện tích đó: E = F q Cường độ trường điện có đơn vị là V/m. 1.5.12. Cường độ trường từ (magnetic field strength - H) Độ lớn của véc tơ trường tại một điểm gây ra bởi lực tĩnh điện F lên điện tích q chuyển động với vận tốc v: F = q(v x μH) Cường độ trường từ có đơn vị là A/m. 1.5.13. Điểm đo (Point of Investigation - PI) Vị trí nằm trong vùng đo (DI) nơi thực hiện đo các giá trị trường điện E, trường từ H hoặc mật độ công suất S. 1.5.14. Điểm tham chiếu (Reference Point - RP) Đối với ăng ten dạng tấm thì điểm tham chiếu là tâm của tấm phản xạ sau (rear reflector). Đối với ăng ten đẳng hướng theo phương nằm ngang thì điểm tham chiếu là tâm của ăng ten. 1.5.15. Đường biên tuân thủ (Compliance Boundary - CB) Đường biên tuân thủ của EUT là đường biên giới hạn xung quanh ăng ten phát của EUT mà bên ngoài đường biên đó mức phơi nhiễm do EUT gây ra nhỏ hơn mức phơi nhiễm giới hạn cho phép (không tính đến ảnh hưởng của các nguồn bức xạ khác). Vùng tuân thủ của EUT là vùng thể tích được bao bởi đường biên tuân thủ, là vùng mà người dân không được tiếp cận. 1.5.16. Vùng liên quan (Relevant domain - RD) Vùng xung quanh ăng ten, trong đó tỷ lệ phơi nhiễm do ăng ten đó gây nên lớn hơn 0,05 1.5.17. Vùng thâm nhập (Public Access - PA) Nơi có thể diễn ra các hoạt động đi lại, sinh hoạt trong điều kiện bình thường của người dân. 1.5.18. Vùng đo (Domain of Investigation - DI) Phân vùng của vùng liên quan nơi người dân có thể tiếp cận khi trạm gốc đã được đưa vào hoạt động. 1.5.19. Mật độ công suất (power density - S) Công suất bức xạ tới vuông góc với một bề mặt, chia cho diện tích bề mặt đó. Mật độ công suất có đơn vị là W/m2. 1.5.20. Mật độ công suất sóng phẳng tương đương (equivalent plane wave power density) Công suất trên một đơn vị diện tích được chuẩn hóa theo phương lan truyền của sóng phẳng trong không gian tự do được biểu diễn bởi: S = E2 = 120πH2 120π 1.5.21. Mức giới hạn phơi nhiễm (exposure level) Mức giới hạn phơi nhiễm được dùng để so sánh với các giá trị phơi nhiễm. Trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz, các mức giới hạn phơi nhiễm có thể là giá trị cường độ trường điện, cường độ trường từ hoặc mật độ công suất. 1.5.22. Mức hấp thụ riêng (Specific Absorption Rate - SAR) Mức theo thời gian mà năng lượng RF truyền vào một đơn vị khối lượng sinh học, biểu thị bằng Oát trên kilôgam (W/kg). 1.5.23. Phơi nhiễm (exposure) Hiện tượng xuất hiện khi con người bị đặt trong trường RF hoặc dòng điện tiếp xúc. 1.5.24. Phơi nhiễm không do nghề nghiệp (non-occupational exposure) Phơi nhiễm không do nghề nghiệp là phơi nhiễm của con người, không phải do trong khi làm việc hoặc do công việc. 1.5.25. Trở kháng không gian tự do (intrinsic impedance of free space) Tỷ số giữa cường độ trường điện với cường độ trường từ của sóng điện từ lan truyền trong không gian. Trở kháng đặc tính của sóng phẳng trong không gian tự do (trở kháng không gian tự do) xấp xỉ bằng 377 Ω (hay 120 πΩ). 1.5.26. Tỷ lệ phơi nhiễm (Exposure Ratio) Thông số được đánh giá tại một vị trí xác định cho mỗi tần số hoạt động của nguồn phát vô tuyến, được biểu diễn bằng tỷ số giữa mật độ công suất sóng phẳng tương đương so với mức giới hạn phơi nhiễm tương ứng. Trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz: Trong đó: - ER: tỷ lệ phơi nhiễm tại mỗi tần số hoạt động của nguồn; - f: tần số hoạt động của nguồn; - S: mật độ công suất sóng phẳng tương đương đo được tại tần số f của nguồn; - SL: mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóng phẳng tương đương tại tần số f; - E: cường độ trường điện đo được tại tần số f của nguồn; - EL: mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng cường độ trường điện tại tần số f. 1.5.27. Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (Total Exposure Ratio - TER) Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng của riêng EUT là giá trị lớn nhất của tổng các giá trị phơi nhiễm của EUT không tính đến các nguồn phơi nhiễm liên quan. Đối với EUT đa băng tần (N băng tần): Giá trị lớn nhất của tổng các giá trị phơi nhiễm của EUT và tất cả các nguồn liên quan trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz: TER = TEREUT + TERRS Trong đó: - ERi: tỷ lệ phơi nhiễm của băng tần i; - TEREUT: tỷ lệ phơi nhiễm của EUT; - TERRS: tỷ lệ phơi nhiễm của tất cả các nguồn liên quan. 1.5. Giải thích từ ngữ 1.5.1. Ăng ten (antenna) Thiết bị thực hiện việc chuyển đổi năng lượng giữa sóng được dẫn hướng (ví dụ trong cáp đồng trục) và sóng trong môi trường không gian tự do, hoặc/và ngược lại. Ăng ten có thể được sử dụng để phát hoặc/và thu tín hiệu vô tuyến; Trong Quy chuẩn này, nếu không có quy định cụ thể, thuật ngữ ăng ten được dùng để chỉ ăng ten phát. 1.5.2. Máy phát (transmitter) Thiết bị phát ra tần số vô tuyến điện và được nối với ăng ten cho mục đích truyền thông tin. 1.5.3. Trạm gốc (Base Station - BS) Thiết bị cố định sử dụng để truyền sóng vô tuyến được sử dụng trong mạng di động mặt đất công cộng. Trong phạm vi của Quy chuẩn này, thuật ngữ trạm gốc bao gồm các máy phát vô tuyến và ăng ten đi kèm. 1.5.4. Thiết bị cần đo kiểm (Equipment Under Test - EUT) Trạm gốc cần phải đo theo phương pháp đo quy định trong Quy chuẩn này. 1.5.5. Nguồn liên quan (Relevant Source - RS) Nguồn bức xạ vô tuyến trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz có tỷ lệ phơi nhiễm lớn hơn 0,05 tại một điểm đo (PI) xác định. 1.5.6. Tính đẳng hướng (isotropy) Đặc tính vật lý không thay đổi trong mọi hướng. 1.5.7. Ăng ten đẳng hướng theo phương nằm ngang (horizontal omnidirectional antenna) Loại ăng ten bức xạ vô tuyến điện có công suất bằng nhau theo mọi hướng trong mặt phẳng ngang. 1.5.8. Ăng ten định hướng (directivity antenna): Loại ăng ten bức xạ vô tuyến điện theo một hướng nhất định. 1.5.9. Ăng ten thông minh (smart antenna) Loại ăng ten phát ra chùm tia hẹp đồng thời hướng đến người dùng cá nhân để tối ưu hóa thông tin liên lạc có điều chỉnh định hướng bức xạ công suất tức thời cho từng kênh truyền thông riêng lẻ. Ăng ten thông minh gồm ăng ten đơn lẻ (MIMO) hoặc ăng ten tích hợp nhiều phần tử phát xạ trên một bề mặt bức xạ (mMIMO). 1.5.10. Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương (Equivalent Isotropic Radiated Power - EIRP) Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương trung bình theo thời gian được xác định bởi công thức: EIRP(W) = EIRPt(W) x Ft = Pt(W) x 10(G-L)/10 x Ft Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương danh định được xác định bởi công thức: EIRPt(W) = Pt(W) x 10(G-L)/10 Hoặc EIRPt(dBm) = Pt(dBm) + G - L Trong đó: - EIRP(W): công suất bức xạ đẳng hướng tương đương trung bình, đơn vị oát; - EIRPt(W): công suất bức xạ đẳng hướng tương đương danh định, đơn vị oát; - EIRPt(dBm); công suất bức xạ đẳng hướng tương đương danh định, đơn vị đề xi ben; - Pt(W): tổng công suất đầu ra của các máy phát, đơn vị oát; - Pt (dBm): tổng công suất đầu ra của các máy phát theo đơn vị đề xi ben; - L(dB): tổng suy hao từ các máy phát đến ăng ten (ví dụ do combiner, feeder...); - G(dBi): độ tăng ích cực đại của ăng ten tương ứng với ăng ten đẳng hướng; - Ft Hệ số phát xạ trung bình theo thời gian. Đối với trạm gốc sử dụng ăng ten bức xạ thông thường Ft = 1. Đối với trạm gốc sử dụng ăng ten bức xạ thông minh Ft = 0,233. 1.5.11. Cường độ trường điện (electric field strength - E) Độ lớn của véc tơ trường tại một điểm, xác định bằng lực F trên một đơn vị điện tích q chia cho điện tích đó: E = F q Cường độ trường điện có đơn vị là V/m. 1.5.12. Cường độ trường từ (magnetic field strength - H) Độ lớn của véc tơ trường tại một điểm gây ra bởi lực tĩnh điện F lên điện tích q chuyển động với vận tốc v: F = q(v x μH) Cường độ trường từ có đơn vị là A/m. 1.5.13. Điểm đo (Point of Investigation - PI) Vị trí nằm trong vùng đo (DI) nơi thực hiện đo các giá trị trường điện E, trường từ H hoặc mật độ công suất S. 1.5.14. Điểm tham chiếu (Reference Point - RP) Đối với ăng ten dạng tấm thì điểm tham chiếu là tâm của tấm phản xạ sau (rear reflector). Đối với ăng ten đẳng hướng theo phương nằm ngang thì điểm tham chiếu là tâm của ăng ten. 1.5.15. Đường biên tuân thủ (Compliance Boundary - CB) Đường biên tuân thủ của EUT là đường biên giới hạn xung quanh ăng ten phát của EUT mà bên ngoài đường biên đó mức phơi nhiễm do EUT gây ra nhỏ hơn mức phơi nhiễm giới hạn cho phép (không tính đến ảnh hưởng của các nguồn bức xạ khác). Vùng tuân thủ của EUT là vùng thể tích được bao bởi đường biên tuân thủ, là vùng mà người dân không được tiếp cận. 1.5.16. Vùng liên quan (Relevant domain - RD) Vùng xung quanh ăng ten, trong đó tỷ lệ phơi nhiễm do ăng ten đó gây nên lớn hơn 0,05 1.5.17. Vùng thâm nhập (Public Access - PA) Nơi có thể diễn ra các hoạt động đi lại, sinh hoạt trong điều kiện bình thường của người dân. 1.5.18. Vùng đo (Domain of Investigation - DI) Phân vùng của vùng liên quan nơi người dân có thể tiếp cận khi trạm gốc đã được đưa vào hoạt động. 1.5.19. Mật độ công suất (power density - S) Công suất bức xạ tới vuông góc với một bề mặt, chia cho diện tích bề mặt đó. Mật độ công suất có đơn vị là W/m2. 1.5.20. Mật độ công suất sóng phẳng tương đương (equivalent plane wave power density) Công suất trên một đơn vị diện tích được chuẩn hóa theo phương lan truyền của sóng phẳng trong không gian tự do được biểu diễn bởi: S = E2 = 120πH2 120π 1.5.21. Mức giới hạn phơi nhiễm (exposure level) Mức giới hạn phơi nhiễm được dùng để so sánh với các giá trị phơi nhiễm. Trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz, các mức giới hạn phơi nhiễm có thể là giá trị cường độ trường điện, cường độ trường từ hoặc mật độ công suất. 1.5.22. Mức hấp thụ riêng (Specific Absorption Rate - SAR) Mức theo thời gian mà năng lượng RF truyền vào một đơn vị khối lượng sinh học, biểu thị bằng Oát trên kilôgam (W/kg). 1.5.23. Phơi nhiễm (exposure) Hiện tượng xuất hiện khi con người bị đặt trong trường RF hoặc dòng điện tiếp xúc. 1.5.24. Phơi nhiễm không do nghề nghiệp (non-occupational exposure) Phơi nhiễm không do nghề nghiệp là phơi nhiễm của con người, không phải do trong khi làm việc hoặc do công việc. 1.5.25. Trở kháng không gian tự do (intrinsic impedance of free space) Tỷ số giữa cường độ trường điện với cường độ trường từ của sóng điện từ lan truyền trong không gian. Trở kháng đặc tính của sóng phẳng trong không gian tự do (trở kháng không gian tự do) xấp xỉ bằng 377 Ω (hay 120 πΩ). 1.5.26. Tỷ lệ phơi nhiễm (Exposure Ratio) Thông số được đánh giá tại một vị trí xác định cho mỗi tần số hoạt động của nguồn phát vô tuyến, được biểu diễn bằng tỷ số giữa mật độ công suất sóng phẳng tương đương so với mức giới hạn phơi nhiễm tương ứng. Trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz: Trong đó: - ER: tỷ lệ phơi nhiễm tại mỗi tần số hoạt động của nguồn; - f: tần số hoạt động của nguồn; - S: mật độ công suất sóng phẳng tương đương đo được tại tần số f của nguồn; - SL: mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng mật độ công suất sóng phẳng tương đương tại tần số f; - E: cường độ trường điện đo được tại tần số f của nguồn; - EL: mức giới hạn phơi nhiễm dẫn xuất dưới dạng cường độ trường điện tại tần số f. 1.5.27. Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng (Total Exposure Ratio - TER) Tỷ lệ phơi nhiễm tổng cộng của riêng EUT là giá trị lớn nhất của tổng các giá trị phơi nhiễm của EUT không tính đến các nguồn phơi nhiễm liên quan. Đối với EUT đa băng tần (N băng tần): Giá trị lớn nhất của tổng các giá trị phơi nhiễm của EUT và tất cả các nguồn liên quan trong dải tần từ 100 KHz đến 6 GHz: TER = TEREUT + TERRS Trong đó: - ERi: tỷ lệ phơi nhiễm của băng tần i; - TEREUT: tỷ lệ phơi nhiễm của EUT; - TERRS: tỷ lệ phơi nhiễm của tất cả các nguồn liên quan.