Protonendotierung von Silizium [electronic resource] : Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium /
Laven, Johannes G.author.
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.  Der Inhalt Grundlagen der Protonendotierung Prozessierung und Charakterisierungsmethoden Ladungsträgerproﬁle und Parameterabhängigkeiten Strahlungsinduzierte Störstellen Modellierung  Die Zielgruppen Dozierende und Studierende der Halbleiter- und Siliziumforschung und der Prozesstechnik Hersteller von Halbleiterbauelementen Der Autor Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.
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Includes bibliographical references.
Einleitung  -- Grundlagen der Protonendotierung -- Durchführung und Charakterisierungsmethoden -- Ladungsträgerproﬁle und Parameterabhängigkeiten -- Strahlungsinduzierte Störstellen -- Modellierung -- Zusammenfassung und Ausblick -- Anhang.
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.  Der Inhalt Grundlagen der Protonendotierung Prozessierung und Charakterisierungsmethoden Ladungsträgerproﬁle und Parameterabhängigkeiten Strahlungsinduzierte Störstellen Modellierung  Die Zielgruppen Dozierende und Studierende der Halbleiter- und Siliziumforschung und der Prozesstechnik Hersteller von Halbleiterbauelementen Der Autor Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.
Electrical engineering.
Industrial engineering.
Production engineering.
Semiconductors.
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Industrial and Production Engineering.
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