Silizium-Halbleitertechnologie [electronic resource] : Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik /
Hilleringmann, Ulrich.author.
Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der Inhalt Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen Die Zielgruppen - Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik - Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler Der Autor Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Bibliographic Level Mode of Issuance: Monograph
Herstellung von Siliziumscheiben -- Oxidation des dotierten Siliziums -- Lithografie -- Ätztechnik -- Dotiertechniken -- Depositionsverfahren -- Metallisierung und Kontakte -- Scheibenreinigung -- MOS-Technologien zur Schaltungsintegration -- Erweiterungen zur Höchstintegration -- Bipolar-Technologie -- Montage integrierter Schaltungen.
Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der Inhalt Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen Die Zielgruppen - Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik - Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler Der Autor Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Electronics.
Microelectronics.
Electronic circuits.
Electronics and Microelectronics, Instrumentation.
Circuits and Systems.