NLP-07-ODQA/kowiki-cleaned huggingface dataset:
KDE 플라스마 6

replaces = KDE 플라스마 5 **KDE 플라스마 6**(KDE Plasma 6)은 KDE 플라스마 데스크톱 환경의 여섯 번째이자 최신 세대이다. KDE 플라스마 5의 후속작이며 2024년 2월 28일에 처음 출시되었다.
# 개요
KDE 플라스마 6은 KDE 플라스마 5와 크게 다르지 않고 일련의 개선 사항들을 중심으로 설계되었다.url-status=live KDE 플라스마 6은 Qt 6, KDE 프레임워크 6 및 KDE 기어 24.02를 사용하여 빌드되었다. 또한, 웨이랜드 프로토콜 지원이 기본 그래픽 세션으로 주류화되었으며, X11 지원은 보조적으로 사용된다.url-status=live 새로운 사운드 테마인 오션이 도입되어 옥시즌의 사운드 테마를 기본으로 대체한다.url-status=live 웨이랜드의 플라스마 6은 HDR(High Dynamic Range) 및 색맹 보정 필터에 대한 부분적인 지원을 제공한다.url-status=live 디스커버 앱과 설정도 개선되었으며 3D 큐브 데스크톱 효과가 다시 추가되었다.url-status=live
# 새로운 기능
최신 플라스마 5 릴리스와 비교하여, 6세대에서는 다음과 같은 새로운 기능이 추가되었다. * 패널이 기본적으로 떠 있다. 패널은 자동 숨기기 모드를 사용하여 구성할 수 있으며 크기를 조절하여 독으로 만들 수 있다.url-status=live * 플라스마 검색은 검색 결과의 순서를 사용자 지정할 수 있으며, 시간대 변환을 지원하고 현재 시스템 언어와 영어로 텍스트를 모두 일치시킨다. * 캘린더 애플릿에서 천문 및 움 알 쿠라 캘린더 지원. * 비밀번호와 지문 인증을 동시에 사용할 수 있도록 지원.url-status=live * 사운드 테마 지원.
# 역사
플라스마 6의 첫 번째 안정 버전은 2024년 2월 28일에 출시되었다.
## 출시
2025 기준으로, 새로운 기능이 포함된 주요 버전은 4개월마다 출시되며, 연간 3번의 업데이트가 제공된다. 그러나 2023년부터 KDE 커뮤니티는 플라스마를 패키지하는 주요 리눅스 배포판(우분투, 오픈수세 립, 페도라)의 릴리스와 시기를 맞출 수 있다면 6개월마다 업데이트되는 반기 일정으로 전환하는 것을 선호한다고 밝혔다.website=announcements.kde.org 각 릴리스는 최대 6개의 버그 수정 패치 릴리스를 받는다. 다음 주요 릴리스가 출시되는 즉시 릴리스는 버그 수정을 중단한다. 플라스마 6의 장기 지원 버전을 제공할 계획은 없다. {| class="wikitable" |+ 플라스마 6 출시website=KDE Community Wiki |- ! 버전 ! 날짜 ! 주요 기능 |- | 6.0 | abbr=on | KDE 플라스마 6.0의 첫 출시 (더 큰 KDE 메가릴리스 6의 일부)url-status=live |- | 6.1 | abbr=on | 원격 데스크톱, 향상된 위젯 편집, 지속성 앱, 액센트 색상과 키보드 LED 동기화.language=enurl-status=live |- | 6.2 |format=dmy | 드로잉 태블릿 보정 마법사 및 테스트 모드, 향상된 HDR 지원, 디스커버의 PostmarketOS 패키지 지원, 시스템 설정의 접근성 페이지 전면 개편.url-status=liveurl-status=live |- | 6.3 |format=dmy | 향상된 드로잉 태블릿 설정 페이지, 전면 개편된 분수 스케일링, 나이트 라이트의 ICC 색 프로파일 지원, FreeBSD의 GPU 통계 지원 추가를 통한 하드웨어 모니터링 개선, 사용자 지정 설정 개선.url-status=liveurl-status=live |- |6.4 |format=dmy | 현대화된 KMenuEdit, 개선된 디스커버 피드백, 계산기 및 시스템 모니터의 접근성 향상, 관리자 프롬프트의 기본 어둡게 처리, 용어 정리, 향상된 클립보드 및 벨 처리, 다양한 위젯 수정.url-status=live |- |6.5 |format=dmy | 자동 밝은 테마-어두운 테마 전환, 고정 가능한 클립보드 항목, 애플리케이션 권한 페이지, 그레이스케일 색상 필터, 화면 판독기 개선, 다양한 성능 및 위젯 개선.language=en |- | colspan="3" | show=010101 |}
아틀라스 (다양체)

수학, 특히 위상수학에서 **아틀라스**(atlas)는 다양체를 설명하는 데 사용되는 개념이다. 아틀라스는 대략적으로 다양체의 개별 영역을 설명하는 개별 좌표계로 구성된다. 일반적으로 아틀라스의 개념은 다양체와 벡터 다발 및 기타 올다발과 같은 관련 구조의 형식적인 정의의 기초를 이룬다.
# 좌표계Maps
아틀라스의 정의는 좌표계의 개념에 달려 있다. 위상 공간 M에 대한 **좌표계**는 M의 열린 부분집합 U에서 유클리드 공간의 열린 부분집합으로 가는 위상동형사상 \varphi이다. 좌표계는 전통적으로 순서쌍 (U, \varphi)로 기록된다.language=German 유클리드 공간에서 좌표계를 선택하면 U에 좌표가 정의된다. U의 점 P의 좌표는 \varphi(P)의 좌표로 정의된다. 좌표계와 이러한 좌표계로 구성된 쌍을 **국소 좌표계**, **좌표 차트**, **좌표 패치**, **좌표 맵** 또는 **국소 프레임**이라고 한다.
# 아틀라스의 형식적 정의
위상 공간 M에 대한 **아틀라스**는 M을 덮는 (즉, \bigcup_{\alpha\in I} U_{\alpha} = M) M 상의 좌표계들의 족 \\{(U_{\alpha}, \varphi_{\alpha}) : \alpha \in I\\}이다. 만약 고정된 n에 대해 각 좌표계의 상이 n차원 유클리드 공간의 열린 부분집합이면, M은 n차원 다양체라고 한다. 아틀라스의 복수형은 atlases이며, 일부 저자는 atlantes를 사용하기도 한다.via=Google Booksvia=Google Books n차원 다양체 M 상의 아틀라스 \left( U_i, \varphi_i \right)_{i \in I}는 다음 조건을 만족하면 **적절한 아틀라스**라고 한다. * 각 좌표계의 상은 \R^n 또는 \R_+^n이며, 여기서 \R_+^n는 닫힌 반공간이다. * \left( U_i \right)_{i \in I}는 M의 국소 유한 덮개이다. * M = \bigcup_{i \in I} \varphi_i^{-1}\left( B_1 \right)이며, 여기서 B_1는 원점을 중심으로 하는 반지름 1의 열린 공이다. 모든 제2 가산 다양체는 적절한 아틀라스를 허용한다.oclc=853621933 또한, \mathcal{V} = \left( V_j \right)_{j \in J}가 제2 가산 다양체 M의 열린 덮개이면, M 상에는 \left( U_i\right)_{i \in I}가 \mathcal{V}의 덮개의 세분인 적절한 아틀라스 \left( U_i, \varphi_i \right)_{i \in I}가 존재한다.
# 전이 사상
\mathbf R^n 전이 사상은 아틀라스의 두 좌표계를 비교하는 방법을 제공한다. 이 비교를 위해 한 좌표계와 다른 좌표계의 역함수의 합성을 고려한다. 이 합성은 두 좌표계를 그들의 정의역의 교집합으로 제한하지 않으면 잘 정의되지 않는다. (예를 들어, 유럽 지도가 있고 러시아 지도가 있다면, 이 두 지도를 그들의 겹치는 부분, 즉 러시아의 유럽 부분에서 비교할 수 있다.) 더 정확하게 말하자면, (U_{\alpha}, \varphi_{\alpha})와 (U_{\beta}, \varphi_{\beta})가 다양체 M에 대한 두 좌표계이고 U_{\alpha} \cap U_{\beta}가 공집합이 아니라고 가정하자. **전이 사상** \tau_{\alpha,\beta}: \varphi_{\alpha}(U_{\alpha} \cap U_{\beta}) \to \varphi_{\beta}(U_{\alpha} \cap U_{\beta})는 다음으로 정의되는 사상이다. \tau_{\alpha,\beta} = \varphi_{\beta} \circ \varphi_{\alpha}^{-1}. \varphi_{\alpha}와 \varphi_{\beta}가 모두 위상동형사상이므로 전이 사상 \tau_{\alpha, \beta}도 위상동형사상이다.
# 추가 구조
다양체에 단순히 위상적 구조 이상의 구조를 원하는 경우가 많다. 예를 들어, 다양체 위의 함수의 미분에 대한 명확한 개념을 원한다면, 전이 함수가 미분 가능한 아틀라스를 구성할 필요가 있다. 이러한 다양체를 미분 다양체라고 한다. 미분 다양체가 주어지면 접벡터와 방향도함수의 개념을 명확하게 정의할 수 있다. 각 전이 함수가 매끄러운 함수이면 아틀라스를 매끄러운 아틀라스라고 하고, 다양체 자체를 매끄럽다고 한다. 또는 전이 맵이 k개의 연속 미분 계수만 갖도록 요구할 수도 있으며, 이 경우 아틀라스를 C^k 라고 한다. 매우 일반적으로, 각 전이 함수가 유클리드 공간의 유사군 \mathcal G에 속하면 아틀라스를 \mathcal G-아틀라스라고 한다. 아틀라스의 좌표계 사이의 전이 맵이 국소 자명화를 보존하면 아틀라스는 올다발의 구조를 정의한다.
추상 지표 표기법

**추상 지표 표기법**(abstract index notation)isbn=978-0-69115902-7은 텐서와 스피너를 위한 수학적 표기법으로, 특정 기저의 성분이 아닌 유형을 나타내기 위해 지표를 사용한다.isbn=978-0-67977631-4 지표는 단지 자리 표시자에 불과하며 어떤 기저와도 관련이 없으며, 특히 숫자가 아니다. 따라서 리치 미적분학과 혼동해서는 안 된다. 이 표기법은 로저 펜로즈에 의해 현대 추상 텐서 표기법에서 축약과 공변 미분을 설명하는 어려움을 보완하기 위해 아인슈타인 합 규약의 형식적인 측면을 사용하면서 관련된 표현의 명시적 공변성을 보존하는 방법으로 도입되었다.isbn=978-0-52133707-6 V를 벡터 공간이라 하고 V^*를 그 쌍대 공간이라 하자. 예를 들어, 2차 공변 텐서 h \in V^*\otimes V^*를 고려해 보자. 그러면 h는 V에 대한 쌍선형 형식으로 식별될 수 있다. 즉, V의 두 인수에 대한 함수로, 한 쌍의 슬롯으로 표현될 수 있다. : h = h(-,-). 추상 지표 표기법은 단지 라틴 문자로 슬롯에 레이블을 붙인 것으로, 슬롯의 레이블 지정 외에는 중요성이 없다(즉, 숫자가 아니다). : h = h_{ab}. 두 텐서 사이의 텐서 축약 (또는 대각합)은 지표 레이블의 반복으로 표현되며, 한 레이블은 반변적이고 (인자 V에 해당하는 위 지표) 다른 레이블은 공변적이다 (인자 V^*에 해당하는 아래 지표). 따라서 예를 들어, : t_{ab}{}^b 는 텐서 t = t_{ab}{}^c의 마지막 두 슬롯에 대한 대각합이다. 반복된 지표로 텐서 축약을 표현하는 이 방식은 아인슈타인 합 규약과 형식적으로 유사하다. 그러나 지표가 숫자가 아니기 때문에 합을 의미하지는 않는다. 오히려 V 유형의 텐서 인자와 V^* 유형의 텐서 인자 사이의 추상적인 기저 독립적인 대각합 연산 (또는 자연 짝짓기)에 해당한다.
# 추상 지표와 텐서 공간
일반적인 동차 텐서는 V와 V^*의 사본들의 텐서곱의 원소이다. :V \otimes V^* \otimes V^* \otimes V \otimes V^*. 이 텐서곱의 각 인자에 대해 각 반변 V 인자에는 위쪽에 라틴 문자를, 각 공변 V^* 위치에는 아래쪽에 라틴 문자를 붙여 레이블을 지정한다. 이런 식으로 곱을 다음과 같이 쓴다. :V^a V_b V_c V^d V_e 또는 간단히 :V^a{}_{bc}{}^d{}_e. 마지막 두 표현은 첫 번째와 동일한 객체를 나타낸다. 이 유형의 텐서는 예를 들어 다음과 같은 유사한 표기법을 사용하여 나타낸다. :h^a{}_{bc}{}^d{}_e \in V^a{}_{bc}{}^d{}_e = V \otimes V^* \otimes V^* \otimes V \otimes V^*.
# 축약
일반적으로 공간의 텐서곱에 하나의 반변 인자와 하나의 공변 인자가 나타날 때마다 관련 축약 (또는 대각합) 사상이 존재한다. 예를 들어, : \mathrm{Tr}_{12} : V \otimes V^* \otimes V^* \otimes V \otimes V^* \to V^* \otimes V \otimes V^* 는 텐서곱의 처음 두 공간에 대한 대각합이다.\mathrm{Tr}_{15} : V \otimes V^* \otimes V^* \otimes V \otimes V^* \to V^* \otimes V^* \otimes V는 처음과 마지막 공간에 대한 대각합이다. 이러한 대각합 연산은 지표의 반복으로 텐서에 표시된다. 따라서 첫 번째 대각합 사상은 다음과 같이 주어진다. : \mathrm{Tr}_{12} : h{}^a{}_b{}_c{}^d{}_e \mapsto h{}^a{}_a{}_c{}^d{}_e 두 번째는 다음과 같다. : \mathrm{Tr}_{15} : h{}^a{}_b{}_c{}^d{}_e \mapsto h{}^a{}_b{}_c{}^d{}_a.
# 꼬임
단일 벡터 공간의 모든 텐서곱에 대해 꼬임 사상이 관련되어 있다. 예를 들어, 꼬임 사상 : \tau_{(12)} : V \otimes V \rightarrow V \otimes V 은 두 텐서 인자를 교환한다 (따라서 간단한 텐서에 대한 동작은 \tau_{(12)} (v \otimes w) = w \otimes v로 주어진다). 일반적으로 꼬임 사상은 텐서 인자를 치환하여 작용하는 대칭군 (군론)의 원소들과 일대일 대응한다. 여기서 \tau_\sigma는 치환 \sigma (서로소 순환 치환의 곱으로 표현됨)에 관련된 꼬임 사상을 나타낸다. 꼬임 사상은 미분기하학에서 예를 들어, 비안키 항등식을 표현하는 데 중요하다. 여기서 R을 V^* \otimes V^* \otimes V^* \otimes V의 텐서로 간주되는 리만 텐서라 하자. 그러면 첫 번째 비안키 항등식은 다음과 같이 주장한다. :R + \tau_{(123)}R + \tau_{(132)}R = 0. 추상 지표 표기법은 다음과 같이 꼬임을 처리한다. 특정 텐서곱에 대해 추상 지표의 순서가 고정된다 (일반적으로 사전식 순서이다). 꼬임은 지표의 레이블을 치환하여 표기법으로 표현된다. 따라서 예를 들어, 리만 텐서의 경우 :R = R_{abc}{}^d \in V_{abc}{}^d = V^* \otimes V^* \otimes V^* \otimes V, 비안키 항등식은 다음과 같이 된다. :R_{abc}{}^d + R_{cab}{}^d + R_{bca}{}^d = 0.
# 반대칭화와 대칭화
일반적인 텐서는 반대칭화되거나 대칭화될 수 있으며, 해당 표기법이 존재한다. 예시를 통해 표기법을 설명한다. 세 개의 원소에 대한 대칭군이 \mathrm{S}_3인 유형-(0,3) 텐서 \omega_{abc}를 반대칭화해 보자. : \omega_{[abc]} := \frac{1}{3!} \sum_{\sigma \in \mathrm{S}_3} {\text{sgn}(\sigma)} \omega_{\sigma(a)\sigma(b)\sigma(c)} 마찬가지로 대칭화할 수 있다. : \omega_{(abc)} := \frac{1}{3!} \sum_{\sigma \in \mathrm{S}_3} \omega_{\sigma(a)\sigma(b)\sigma(c)}
MFi 프로그램

최신 Made for iPod 로고는 MFi 프로그램 배지의 일반적인 모습이다. 애플의 **MFi 프로그램**(MFi Program) 또는 **MFi 인증**은 "**Made for iPhone/iPod/iPad**"를 의미하며, 애플의 아이팟, 아이패드, 아이폰과 함께 작동하는 하드웨어 및 소프트웨어 주변기기 개발자를 위한 라이선싱 프로그램이다. 이 이름은 궁극적으로 MFi가 된 원래 프로그램인 **Made for iPod**의 약칭이다. MFi 프로그램은 헤드폰 잭, 원래의 독 커넥터 및 최신 라이트닝 커넥터를 포함한 다양한 장치 커넥터와 에어플레이 지원을 포괄한다. MFi 프로그램에 가입하고 인증 테스트를 통과한 회사는 "Made for iPod" 배지와 같은 특정 MFi 관련 로고를 제품 포장에 표시할 수 있다.
# Made for iPod
Made for iPod 프로그램은 2005년 1월 11일 맥월드 엑스포에서 시작되었지만, 발표 직전에 출시된 일부 제품은 대신 "Ready for iPod" 라벨을 달고 있었다.url-status=dead 당시 애플이 로고가 있는 모든 제품에 대해 10%의 수익을 청구할 것이라고 보도되었고, 언론은 이를 "세금"이라고 묘사했다.date=18 March 2005date=16 March 2005 아이팟은 음소거 및 볼륨 조절과 같은 추가 제어 입력을 허용하는 확장된 헤드폰 잭을 사용하며, 잭 또는 독 커넥터에 연결하는 제품에 대한 라이선스를 사용할 수 있었다. 독 커넥터를 사용할 때 장치는 애플 액세서리 프로토콜(AAP)로 알려진 간단한 직렬 프로토콜을 사용하여 아이팟을 제어할 수 있다. 이는 (일반적으로) 19,200 비트/초 8N1 통신 신호를 사용하여 "음성 메모 가져오기" 또는 "볼륨 높이기"와 같은 명령을 포함하는 짧은 패킷을 보낸다. 3세대 아이팟이 도입되면서 AAP는 헤드폰 연결에서도 사용할 수 있게 되었다."Apple Accessory Protocol" 이러한 신호는 자동차 통합 시스템을 포함한 많은 Made for iPod 장치에서 원격 제어를 허용하는 데 사용된다. 2022년까지 모든 아이팟 모델은 단종되었지만, MFi 프로그램은 계속 존재한다.access-date=June 20, 2024
# 새로운 제품 라인
아이팟, 아이폰 및 아이패드 로고 아이폰의 도입으로 프로그램 이름은 "Made for iPod and Made for iPhone"으로 확장되었고, 다시 아이패드로 "Made for iPod, iPhone and iPad"가 되었다. 프로그램 이름은 2010년경 공식적으로 MFi로 변경되었지만, 이 용어는 한동안 비공식적으로 사용되어 왔다.via=Business Wire MFi 프로그램은 이제 무선 음악 스트리밍을 위한 AirTunes 시스템도 다룬다. AirTunes는 원래 2004년 아이튠즈 내의 Mac 및 PC 플랫폼에서 도입되었으며,date=7 June 2004 나중에 Apple TV와 같은 장치를 지원하기 위해 비디오 출력 기능이 추가되면서 AirPlay로 알려지게 되었다. AirPlay는 아이폰과 아이팟 터치가 도입되면서 와이파이 기능을 얻게 되었을 때 장치에 적용되었다. 하드웨어 구성 요소가 없기 때문에 AirPlay는 공식 및 비 MFi 소프트웨어 시스템 모두에서 널리 구현되었다(자세한 내용은 AirPlay 참조).
# 라이트닝 커넥터
라이트닝 커넥터가 도입되면서 브랜딩이 변경되었고, 한동안 비공식적으로 사용되어 온 용어인 MFi로 공식적으로 바뀌었다. 라이트닝은 또한 MFi 프로그램을 통해서만 공식적으로 지원될 수 있는 추가 프로토콜을 도입했다. TUAW에 따르면 기술적 요구 사항 외에도 애플은 모든 제3자가 애플의 공급업체 책임 코드에 동의하도록 요구하는 라이선스 계약을 업데이트할 기회를 가졌다.url-status=dead
# iOS 7 이후
2013년 WWDC에서 개발자 버전의 IOS 7이 출시되면서 게임 컨트롤러에 대한 새로운 MFi 승인이 포함되었다. 이는 iOS 장치에 클립되는 랩어라운드 디자인이거나 완전히 분리된 무선 모델을 모두 포함한다.date=10 June 2013 자신의 장치와 애플리케이션을 HomeKit과 통합하려는 개발자는 사양에 접근하고 제품을 인증하기 위해 MFi 프로그램의 회원이어야 한다.date=28 January 2015
애플 팟캐스트

https://www.apple.com/apple-podcasts/ **애플 팟캐스트**(Apple Podcasts, 애플 운영체제에서는 간단히 **팟캐스트**로 호칭)는 애플이 팟캐스트 재생을 위해 개발한 오디오 스트리밍 서비스이자 미디어 플레이어 애플리케이션이다. 애플은 2005년 6월에 출시된 아이튠즈 4.9부터 팟캐스트를 지원하기 시작했으며, 2012년 첫 단독 모바일 앱을 출시했다. 이 앱은 2014년 10월부터 iOS에 사전 설치되었다. 애플 팟캐스트 디렉토리에는 2백만 개 이상의 쇼가 있다.url-status=live 애플 팟캐스트는 IOS, IPadOS, MacOS, WatchOS, TvOS, 카플레이, VisionOS, 마이크로소프트 윈도우 운영 체제, 웹 브라우저, 아마존 알렉사 장치에서 사용할 수 있다.
# 역사
애플은 팟캐스트(이 용어는 애플의 아이팟 음악 플레이어와 "방송"의 혼성어)website=Harvard의 초기 홍보자였으며, 2005년 6월에 출시된 아이튠즈 4.9에 재생 기능을 추가하고 아이튠즈 스토어에 3,000개의 항목으로 시작하는 쇼 디렉토리를 구축했다.url-status=liveurl-status=live 2020년 4월, 애플 팟캐스트는 1백만 개 이상의 쇼를 넘어섰다.url-status=live 2021년 6월, 애플은 팟캐스트 제작자들이 팟캐스트 채널을 통해 유료 구독을 구현할 수 있는 옵션을 출시했다.url-status=live
## 시장 점유율
애플 팟캐스트는 2021년 3월에 미국에서 팟캐스트 플랫폼 1위였던 스포티파이 팟캐스트에 뒤처진 첫 달에 약 2천8백만 명의 미국 월별 청취자와 23.8%의 시장 점유율을 기록했다. 이는 2018년 애플의 시장 점유율 34%에서 감소한 수치이다.url-status=live 2025년에 애플 팟캐스트는 미국 내 상위 250개 팟캐스트의 조회수와 다운로드를 기준으로 37.4%의 시장 점유율을 기록하며 시장 점유율을 회복했다고 보고되었다. 이는 유튜브(23.2%)와 스포티파이(15.2%)를 앞서는 수치이며, 세 플랫폼을 합치면 75.8%의 시장 점유율을 가진다. 그러나 애플 팟캐스트는 기본적으로 자동 다운로드된다는 점도 언급되었다.language=en
# 애플리케이션 플랫폼

## iOS, tvOS, watchOS 및 visionOS 버전
독립형 애플 팟캐스트 앱은 2012년 세계 개발자 회의에서 IOS 6의 기능으로 발표되었다. 애플은 2012년 6월 26일 앱 스토어 (애플)에 이 앱을 조기에 출시했다. 이 앱은 새로운 팟캐스트를 찾기 위한 "스테이션" 기능을 추가했다.url-status=live 이 앱은 카플레이의 표준 앱이다. 독립형 애플 팟캐스트 앱은 2012년 9월 24일 소프트웨어 6.0 업데이트와 함께 2세대 및 3세대 Apple TV에 적용되었다.url-status=live 2015년 10월에 출시된 TvOS 기반 4세대 Apple TV는 팟캐스트를 재생할 수 없었다. 이는 광고, 매장 데모 루프, 개발자 문서에 홈 화면에 팟캐스트 아이콘이 나타났음에도 불구하고 발생했다.url-status=live 애플 팟캐스트는 2016년 1월 26일에 출시된 tvOS 9.1.1과 함께 추가되었다.url-status=live 애플 팟캐스트는 2018년 9월 17일 watchOS 5와 함께 애플 워치에 추가되었다.url-status=live WWDC 2023 (2023년 6월 5일)에서 애플 비전 프로가 발표되었고, 이와 함께 visionOS 1과 Apple Podcast도 발표되었다.language=de 2024년 3월 5일, 애플은 iOS 17.4 및 iPadOS 17.4와 함께 아이폰과 아이패드의 팟캐스트 앱에 대본 기능을 추가했다. 대본은 영어, 프랑스어, 스페인어, 독일어 팟캐스트에서 사용할 수 있다.url-status= live
## macOS 및 Windows 버전
MacOS 및 마이크로소프트 윈도우용 애플 팟캐스트는 처음에는 iTunes 앱의 일부로 제공되었으며, 2005년 6월 버전 4.9에서 팟캐스트 지원이 추가되었다.url-status=liveurl-status=live 애플은 2019년 WWDC에서 MacOS 카탈리나 출시와 함께 macOS용 아이튠즈가 음악, TV 및 팟캐스트 앱으로 분리되어 대체될 것이라고 발표했다.url-status=live 애플 팟캐스트는 마이크로소프트 윈도우의 iTunes를 통해 계속 사용할 수 있다.url-status=live
## 웹 버전 및 기타 플랫폼
2024년 8월 19일, 애플의 팟캐스트 디렉토리가 아이튠즈에서 처음 출시된 지 19년 만에 애플은 마침내 애플 팟캐스트용 웹 인터페이스를 출시하여 컴퓨터에 아이튠즈가 설치되어 있지 않거나 애플 macOS 및 마이크로소프트 윈도우 이외의 운영 체제를 실행하는 사용자들도 접근할 수 있도록 했다.date=August 19, 2024 애플 뮤직과는 달리 현재 안드로이드용 애플 팟캐스트 앱은 제공되지 않는다.
## 스마트 스피커
애플의 홈팟 제품군은 음성 사용자 인터페이스를 사용하여 팟캐스트를 지원한다. 애플 팟캐스트 지원은 2019년 12월에 아마존 에코 라인에 추가되었다.url-status=live
# 애플 팟캐스트 어워드
{| class="wikitable sortable plainrowheaders" |- ! scope="col" | # ! scope="col" | 연도 ! scope="col" | 올해의 쇼 ! scope="col" class="unsortable"| 참고 |- | 1 | 2022 | 슬로우 번 | |website=techcrunch.com |- | 2 | 2023 | 줄리아 루이-드레퓌스와 함께하는 나보다 현명한 사람 | |website=MacRumors |- | 3 | 2024 | 히스테리컬 | |website=Podnews |}
# 평가
애플 팟캐스트 앱에 대한 비판적 평가는 일반적으로 엇갈렸다. 2012년에 엔가젯은 이 앱이 "아이튠즈의 혼란을 뚫고 나갈 기회를 제공한다"고 평가했다.url-status=live 2017년에 슬레이트는 이 앱이 결함과 낮은 음질 때문에 비판했다.url-status=live 2019년에 벌처는 이 앱을 "실망스럽다"고 평가하며 "구독과 같은 기본적인 기능에서도 미흡하고 상당히 투박하다"고 말했다.access-date=October 27, 2019
사진 (애플)

genre = 사진 갤러리 및 편집 소프트웨어 **사진**(Photos)은 애플이 개발한 사진 관리 및 편집 응용 프로그램이다. 아이폰 OS 1에 번들 앱으로 처음 출시되었으며, 2015년 4월 8일 10.10.3 업데이트를 통해 OS X 요세미티 사용자에게 번들 앱으로 출시되어 아이포토와 애퍼처를 대체했다. TvOS 10용으로는 2016년 9월 13일에 출시되었다. 2023년 6월 5일 WWDC 2023에서 애플 비전 프로가 발표되면서 사진 앱이 VisionOS에 탑재되었다.
# 역사
2014년 6월, 애플은 아이포토와 애퍼처를 2015년에 새로운 응용 프로그램인 사진으로 대체할 계획을 발표했다.url-status=liveurl-status=live 이 앱은 2015년 4월 8일 사용자에게 무료 업데이트로 배포된 OS X 요세미티 10.10.3에 포함되었다.url-status=liveurl-status=livearchive-date=April 9, 2015 2016년 9월 13일, 이 앱은 TvOS 10에 포함되었다.url-status=live 2023년 6월 5일 WWDC 2023에서 애플 비전 프로가 공개되면서 사진 앱이 VisionOS에 탑재되었다.language=en-US iOS 18 및 iPadOS 18과 함께, 사진 앱은 WWDC 2024에서 대대적인 재설계를 거쳤으며, 이는 출시 이후 가장 큰 기능 업데이트였다. 재설계의 목표는 사용성을 개선하고, 라이브러리 구성을 단순화하며, 새로운 AI 기반 기능을 제공하는 것이었다. 이전의 "라이브러리", "앨범", "추천"과 같은 별도의 탭 구조는 통합된 스크롤 가능한 뷰로 대체되었다. 사용자가 앱을 열면 먼저 전체 라이브러리가 압축된 그리드 형태로 표시된다. 더 아래로 스크롤하면 사람, 애완동물, 위치 또는 이벤트별로 주제별로 자동 생성된 컬렉션이 나타난다. 이러한 컬렉션은 개별적으로 맞춤 설정, 정렬 또는 고정할 수 있다. 검색 기능은 크게 개선되어 이제 "아이스크림을 먹는 나" 또는 "상자 안의 고양이"와 같은 자연어 입력을 지원한다. 사진과 비디오를 모두 검색하며, 비디오 내의 특정 장면도 식별할 수 있다. 애플 인텔리전스와의 통합으로 향상된 편집 도구를 사용할 수 있다. 여기에는 이미지에서 주의를 산만하게 하는 개체를 제거하는 새로운 "정리" 도구와 간단한 설명 텍스트를 기반으로 사진과 비디오에서 자동으로 추억을 생성하는 기능이 포함된다.language=en-US
# 기능
사진은 전문적인 이전 버전인 애퍼처보다 덜 복잡하게 만들어졌다. 버전 4.0(2018년 macOS 10.14 모하비와 함께 출시됨)까지 사진 앱은 사진에 첨부된 시간 및 위치 메타데이터의 조합을 사용하여 결정된 "모멘트"별로 사진을 정리했다. 버전 5.0(2019년 macOS 10.15 카탈리나와 함께 출시됨)부터는 사진을 연, 월, 일별로 탐색할 수 있다.
## 사진 형식
기본적으로 아이폰은 .heic 파일 확장자를 가진 공간 절약형 형식인 HEIF (고효율 이미지 파일) 형식으로 사진을 저장한다. HEIF는 더 작은 파일 크기와 높은 품질을 제공하는 반면, JPEG는 구형 장치 및 소프트웨어와의 더 넓은 호환성을 제공한다. HEIF 사진은 JPEG 파일로 내보낼 수 있다.
## 편집
사진에는 원클릭 자동 향상 버튼과 같은 간단한 컨트롤을 사용하여 활용되는 강력한 편집 기능이 포함되어 있다.url-status=live
## iCloud 사진 보관함
아이클라우드 사진 보관함은 앱에 깊이 통합되어 사진과 비디오를 사용자 지정 Mac, 아이폰, 아이패드와 같은 다양한 애플 기기와 동기화하여 편집 및 앨범 구조를 유지한다.url-status=live 아이클라우드 통합은 여전히 선택 사항이지만, 아이포토에 비해 사진에서는 훨씬 더 핵심적인 역할을 한다.
## 전문 인쇄
이전 버전과 마찬가지로, 사진은 초기에는 사진의 전문적인 인쇄를 위한 여러 옵션을 포함했으며, 이를 책이나 달력으로 만들어 주소로 우편 발송할 수도 있었다. 사진과 함께 애플은 정사각형 크기 및 파노라마 인쇄 기능 등 새로운 유형의 인쇄물을 추가했다. 2018년 7월, 애플은 사진 앱의 팝업 메시지를 통해 이 서비스를 중단할 것이며, 사용자들에게 2018년 9월 30일까지 최종 주문을 제출해야 한다고 발표했다.url-status=live
## 공유
iCloud 사진 공유를 통해 다른 사람들과 사진을 공유할 수 있다. 다른 사람들은 기존 공유 사진을 보거나, 좋아요를 누르거나, 댓글을 달거나, 공유 앨범에 새 사진을 추가할 수 있다.url-status=live 다른 공유 방법으로는 이메일, iOS 확장 기능을 통해 통합되는 소셜 플랫폼, 또는 애플의 피어투피어 에어드롭 기술이 있다.url-status=live
# 비판
비평가들은 사진 앱이 이전 버전들에 비해 기능이 상실되었다고 지적했다. 예를 들어, 이미지를 더 이상 이벤트로 정렬할 수 없으며, 자동으로 시간 순서대로 모멘트로 정렬되거나 앨범에 넣어 관리해야 했다. 앨범은 자동 정렬을 허용하지 않았고access-date=March 12, 2019 이를 위해서는 사용자 정의 규칙으로 스마트 앨범을 구성해야 했다.url-status=live 사진 앱 출시와 함께 애플이 포기한 애퍼처 응용 프로그램을 사용하던 고객들은 특히 전문 표준 기능의 상실에 분노했다. 2015년에 출시된 OS X 10.11 엘 캐피탄으로 업그레이드한 애플 고객들은 업그레이드 전에 최신 버전의 아이포토를 먼저 얻지 못했다면 경고 없이 응용 프로그램에서 잠기는 것을 발견했다. 아이포토는 맥 앱 스토어에서 제거되었기 때문에 사진 앱을 사용하는 것 외에는 다른 대안이 없었다.url-status=live
연락처 (애플)

license = 사유 **연락처**(Contacts)는 애플의 iOS, iPadOS, watchOS, macOS 운영체제에 포함된 컴퓨터용 주소록 소프트웨어이다. 다양한 클라우드 동기화 기능을 포함하며 iMessage, FaceTime, iCloud 서비스(이전에는 모바일미)를 비롯한 다른 애플 애플리케이션 및 기능과 통합된다.
# 역사
**주소록**(Address Book)으로 알려진 애플리케이션은 2001년 출시된 Mac OS X과 이전 베타 버전에 포함되었다. 주소록은 맥 OS X 10.2 (2002)를 위해 다시 작성되었고, 2020년 현재까지 거의 동일한 형태를 유지하고 있다.url-status=liveurl-status=live 아이폰도 출시 당시부터 연락처 저장 기능을 포함했으며,url-status=liveurl-status=live 아이폰 OS 2 (2008)부터는 독립형 애플리케이션으로 분리되었다.url-status=live 2010년에는 iOS 3.2를 탑재한 아이패드가 스콧 포스톨의 지휘 아래 당시 애플에서 유행했던 스큐어모피즘 디자인 스타일을 특징으로 하는 새로운 두 개의 창으로 구성된 연락처 앱을 도입했다.url-status=liveurl-status=liveurl-status=livepages=199–200 맥 OS X 라이언 (2011)은 아이패드 연락처 앱 스타일로 재설계된 주소록 애플리케이션을 선보였으며, 이 역시 두 개의 창으로 구성되었다.url-status=live 2012년 OS X 마운틴 라이언에서는 세 개의 창으로 구성된 디자인으로 돌아왔고, iOS에 맞춰 이름이 변경되었다.url-status=live 다음 해에 두 버전의 연락처는 부모 운영체제와 함께 더욱 플랫 디자인 스타일로 변경되었으며, 이는 2012년 가을 포스톨의 애플 퇴임과 관련된 변화로 여겨진다.url-status=live 2013년 iOS 7 전체와 함께 iOS 연락처가 새로운 UI로 전환되었고, OS X 매버릭스에서는 스큐어모피즘 디자인이 제거되어 기본적인 UI만 남게 되었다.page=30 OS X 요세미티 (2014)에서는 OS X 연락처 앱이 운영체제 나머지 부분과 함께 iOS 7 스타일 UI로 전환되었다.url-status=live 2021년에 애플은 watchOS 8에서 애플 워치에 연락처를 도입했다.
# 기능
* VCard 3.0 형식으로 카드 내보내기 및 가져오기url-status=live * LDIF, 탭으로 구분된, 쉼표로 구분된 파일에서 카드 가져오기language=en *다른 애플리케이션과 연동하기 위한 C 및 오브젝티브-C APIlanguage=en *레이블 및 봉투, 메일링 리스트, 주머니 주소록 인쇄url-status=live *인쇄 전 페이지 설정 및 용지 크기 구성 가능 *중복 항목을 자동으로 한 번 클릭으로 찾기url-status=live *주소 변경 알림 *연락처 그룹 * 스포트라이트 기반의 스마트 그룹 * 애플 지도에서 주소 찾기language=en *vCard 가져오기 시 자동 병합 *필드 및 카테고리 사용자 정의 *전화번호 자동 서식 지정 * 마이크로소프트 익스체인지 서버와 동기화 * Yahoo! 주소록과 동기화access-date=September 2, 2009 * 구글 연락처 동기화와 동기화 * 음성 인식 검색 *사람 정보를 포함하는 LDAP 데이터베이스 쿼리 기능 *타사 개발자가 프로그램에 기능을 추가할 수 있는 플러그인 인터페이스
## macOS와의 통합
* 메일, 캘린더, 메시지, 페이스타임, 팩스, 사파리, 아이폰과 통합 * 아이싱크 호환성을 통해 연락처를 휴대폰, PDA, 아이팟 및 다른 Mac과 동기화 *연락처는 스포트라이트에 의해 색인됨 *주소록은 메일에서 사용된 이전 수신자 주소를 저장함 *주소록 카드에 있는 URL은 사파리의 주소록 북마크에 나타남 *아이챗의 친구는 주소록 카드와 연결될 수 있음 *주소록에 저장된 생일은 활성화된 경우 iCal에 나타남 *주소록 대시보드 위젯 * 애플스크립트, 오토메이터, 단축어 지원을 통해 사람 및 그룹 쿼리, 추가, 수정 및 제거
# 사용자 인터페이스
연락처는 보기 카드 및 열 보기와 카드만 보기 두 가지 보기 모드가 있다. 사용자는 닫기 상자 아래 창의 왼쪽 상단에 있는 컨트롤로 모드 간을 전환할 수 있다. 라이언 이전 버전에서는 카드 및 열 보기에서 연락처 창이 세 개의 창으로 나뉜다. 첫 번째 창의 제목은 그룹이다. 이 창에는 모두, 디렉토리 및 각 사용자 생성 그룹이 나열된다. 사용자는 파일 메뉴를 새 그룹으로 내리거나 Command-Shift-N을 입력하여 새 그룹을 추가할 수 있다. 모두 또는 사용자 생성 그룹을 선택하면 두 번째 열의 제목은 이름이다. 이 열에는 해당 그룹의 카드에 있는 사람들의 이름 또는 선택된 그룹이 모두인 경우 모든 이름이 사용자 기본 설정에 따라 이름 또는 성을 기준으로 알파벳순으로 나열된다. 세 번째 창에는 선택된 이름에 해당하는 카드가 있다. 이 카드에는 사용자 정의 가능한 집 및 직장과 같은 범주로 분류할 수 있는 정보가 포함될 수 있다. 여러 이메일 주소를 가진 사람의 경우와 같이 많은 필드에 중복 항목이 있을 수 있다. 사용자는 세 번째 창의 왼쪽 하단에 있는 편집 버튼을 눌러 필드를 편집할 수 있다. 기본 필드는 다음과 같다: *사진 *이름 발음 *이름 *성 *직위 *회사 *전화번호 *이메일 주소 *홈페이지 *생일 *인스턴트 메시징 사용자 이름 ** AIM ** ICQ ** XMPP ** Windows Live Messenger ** Yahoo! 메신저 *주소 *관련 이름 *메모 연락처는 LDAP(네트워크) 디렉토리를 검색할 수 있다. 사용자는 환경 설정의 LDAP 탭에서 이를 사용자 정의한다. 사용자는 첫 번째 창에서 디렉토리를 선택하고, 두 번째 창에서 디렉토리 또는 모두를 선택한 다음, 세 번째 창의 왼쪽 상단 위에 있는 검색 상자에 검색어를 입력하여 이를 검색한다. 결과는 세 번째 창에 나타난다.
RCA 세정

**RCA 세정** 또는 **RCA 클린**(RCA clean)은 반도체 제조에서 실리콘 웨이퍼의 고온 처리 단계(산화, 확산, CVD) 전에 수행해야 하는 표준 웨이퍼 클리닝 단계이다. 베르너 컨은 1965년 RCA에서 근무하면서 기본적인 절차를 개발했다.RCA Clean. Materials at Colorado School of Mines date=2000-03-05doi-access=freeW. Kern and D. A. Puotinen: RCA Rev. 31 (1970) 187. 다음 화학 공정을 순서대로 포함한다. # 유기 오염물 제거 (유기물 제거 + 입자 제거) # 얇은 산화물층 제거 (산화물 박리, 선택 사항) # 이온 오염 제거 (이온 제거)
# 표준 레시피
웨이퍼는 탈이온수에 담가 준비한다. 만약 심하게 오염된 경우 (육안으로 보이는 잔류물), 피라냐 용액으로 예비 세척이 필요할 수 있다. 웨이퍼는 각 단계 사이에 탈이온수로 철저히 헹군다. 이상적으로는, 아래 단계들은 웨이퍼를 석영유리 또는 용융 석영 용기에 준비된 용액에 담가 수행한다 (붕규산 유리 제품은 불순물이 침출되어 오염을 유발할 수 있으므로 사용하지 않아야 한다). 마찬가지로, 사용되는 화학물질은 웨이퍼를 재오염시킬 불순물을 피하기 위해 전자 등급 (또는 "CMOS 등급")이어야 한다.
## 첫 번째 단계 (SC-1): 유기물 제거 + 입자 제거
첫 번째 단계 (SC-1이라고 하며, SC는 표준 세척을 의미)는 다음 용액으로 수행된다 (비율은 다를 수 있다) * 탈이온수 5부 * 암모니아수 1부 (NH3의 무게비 29%) * 수성 H2O2 (과산화 수소, 30%) 1부 75 또는 80 °C에서 일반적으로 10분 동안. 이 염기-과산화물 혼합물은 유기 잔류물을 제거한다. SC-1이 표면 및 입자의 제타 전위를 수정하고 서로 반발하게 하므로, 불용성 입자까지도 매우 효과적으로 제거된다.year=1993 이 처리는 실리콘 표면에 얇은 이산화 규소층 (약 1 nm)을 형성하며, 일정량의 금속 오염 (특히 철)이 발생하는데, 이는 다음 단계에서 제거될 것이다.
## 두 번째 단계 (선택 사항): 산화물 박리
선택 사항인 두 번째 단계 (베어 실리콘 웨이퍼의 경우)는 얇은 산화물 층과 일부 이온 오염 물질을 제거하기 위해 25 °C에서 수성 HF (플루오린화 수소산) 1:100 또는 1:50 용액에 약 15초 동안 짧게 담그는 것이다. 이 단계가 초고순도 물질과 초청정 용기 없이 수행되면, 베어 실리콘 표면이 매우 반응적이므로 재오염으로 이어질 수 있다. 어쨌든 다음 단계 (SC-2)에서 산화물 층이 용해되고 재성장된다.
## 세 번째 단계 (SC-2): 이온 제거
세 번째이자 마지막 단계 (SC-2라고 함)는 다음 용액으로 수행된다 (비율은 다를 수 있다) * 탈이온수 6부 * 수성 HCl (염산, 무게비 37%) 1부 * 수성 H2O2 (과산화 수소, 30%) 1부 75 또는 80 °C에서 일반적으로 10분 동안. 이 처리는 SC-1 세척 단계에서 도입된 일부 금속 (이온) 오염 물질의 남아있는 흔적을 효과적으로 제거한다. 또한 웨이퍼 표면에 얇은 부동태 층을 남겨 표면을 이후 오염으로부터 보호한다 (노출된 베어 실리콘은 즉시 오염된다).
## 네 번째 단계: 헹굼 및 건조
RCA 세정이 고순도 화학 물질과 깨끗한 유리 제품으로 수행되면, 웨이퍼가 물에 잠겨 있는 동안에도 매우 깨끗한 웨이퍼 표면을 얻을 수 있다. 표면이 물 표면에 떠다니는 유기물과 입자에 의해 쉽게 재오염될 수 있으므로, 헹굼 및 건조 단계는 올바르게 수행되어야 한다 (예: 흐르는 물 사용). 웨이퍼를 효과적으로 헹구고 건조하는 데 다양한 절차가 사용될 수 있다.
# 추가 사항
현장 외 세척 공정의 첫 번째 단계는 트라이클로로에틸렌, 아세톤 및 메탄올에서 웨이퍼를 초음파로 탈지하는 것이다.isbn=978-0-8155-1331-5
하드마스크

**하드마스크**(hardmask)는 반도체 공정에서 폴리머 또는 기타 유기 "소프트" 레지스트 재료 대신 에칭 마스크로 사용되는 재료이다. 하드마스크는 에칭되는 재료 자체가 유기 고분자일 때 필요하다. 이 재료를 에칭하는 데 사용되는 모든 것은 패터닝을 정의하는 데 사용되는 포토레지스트도 유기 고분자이기 때문에 함께 에칭할 것이다. 이는 예를 들어, VLSI 제작에 사용되는 저유전율 유전체 절연층의 패터닝에서 발생한다.Shi et al., p. 87 폴리머는 산소, 플루오린, 염소 (원소) 및 플라즈마 에칭에 사용되는 다른 반응성 가스에 의해 쉽게 에칭되는 경향이 있다. 하드마스크 사용에는 추가 증착 공정이 수반되므로 추가 비용이 발생한다. 먼저, 하드마스크 재료가 증착되고 표준 포토레지스트 공정을 사용하여 필요한 패턴으로 에칭된다. 이어서 하드마스크를 통해 아래 재료를 에칭할 수 있다. 마지막으로 하드마스크는 추가 에칭 공정으로 제거된다.Shi et al., p. 87 하드마스크 재료는 금속 또는 유전체일 수 있다. 이산화 규소 또는 탄화 규소와 같은 규소 기반 마스크는 일반적으로 저유전율 유전체를 에칭하는 데 사용된다.Shi et al., p. 87 그러나 구리 인터커넥트를 절연하는 데 사용되는 재료인 SiOCH(탄소 도핑된 수소화 이산화 규소)는 규소 화합물을 공격하는 에천트를 필요로 한다.Wong et al, p. 133 이 재료의 경우 금속 또는 비정질 탄소 하드마스크가 사용된다. 하드마스크에 가장 일반적인 금속은 질화 티타늄이지만 질화 탄탈륨도 사용되었다.Shi et al., p. 87
반응성 이온 에칭

실험실 청정실의 반응성 이온 에칭 장비. **반응성 이온 에칭**(reactive-ion etching, **RIE**)은 미세가공에 사용되는 에칭 기술이다. RIE는 습식 식각과는 다른 특성을 가진 건식 식각의 일종이다. RIE는 화학적으로 반응하는 플라스마를 사용하여 웨이퍼에 증착된 재료를 제거한다. 플라스마는 낮은 압력(진공)에서 전자기장에 의해 생성된다. 플라스마에서 나오는 고에너지 이온은 웨이퍼 표면을 공격하고 반응한다.
# 장비
일반적인 (평행판) RIE 시스템은 원통형 진공 챔버로 구성되며, 챔버 하단에 웨이퍼 플래터가 위치한다. 웨이퍼 플래터는 챔버의 나머지 부분과 전기적으로 절연되어 있다. 가스는 챔버 상단의 작은 흡입구를 통해 유입되고 하단을 통해 진공펌프 시스템으로 배출된다. 사용되는 가스의 종류와 양은 에칭 공정에 따라 다르다. 예를 들어, 육플루오린화 황은 일반적으로 규소 에칭에 사용된다. 가스 압력은 일반적으로 가스 유량을 조절하거나 배기 오리피스를 조절하여 몇 밀리토르에서 몇 백 밀리토르 사이로 유지된다. 유도 결합 플라스마(ICP) RIE를 포함한 다른 유형의 RIE 시스템도 존재한다. 이 유형의 시스템에서는 무선주파수(RF) 전력 자기장으로 플라스마가 생성된다. 매우 높은 플라스마 밀도를 달성할 수 있지만, 에칭 프로파일은 더 등방성적인 경향이 있다. 평행판과 유도 결합 플라스마 RIE를 조합하는 것도 가능하다. 이 시스템에서 ICP는 에칭 속도를 높이는 고밀도 이온원으로 사용되는 반면, 기판(실리콘 웨이퍼)에는 별도의 RF 바이어스가 인가되어 기판 근처에 방향성 전기장을 생성하여 보다 비등방성 에칭 프로파일을 얻는다.url-access=subscription 기판에 가해지는 RF 전력은 종종 '플래튼 전력'이라고 불리는 조절 가능한 매개변수이며, 표면을 폭격하는 이온의 에너지를 제어한다.pages=244–250
# 작동 방식
광화학 에칭 (중앙)과 비교한 반응성 이온 에칭 (하단) 일반적인 RIE 장치 다이어그램. RIE는 이온(2)을 시료 표면(5)으로 가속하는 전기장(3)을 생성하는 두 개의 전극(1 및 4)으로 구성된다. 플라스마는 웨이퍼 플래터에 강한 RF(무선주파수) 전자기장을 가하여 시스템에서 시작된다. 필드는 일반적으로 13.56 메가헤르츠 주파수로 설정되며, 수백 와트로 인가된다. 진동하는 전기장은 가스 분자의 전자를 벗겨내어 이온화하여 플라스마를 생성한다. 필드의 각 주기에서 전자들은 챔버 내에서 위아래로 전기적으로 가속되며, 때로는 챔버의 위쪽 벽과 웨이퍼 플래터 모두에 부딪힌다. 동시에 훨씬 더 무거운 이온들은 RF 전기장에 상대적으로 거의 움직이지 않는다. 전자들이 챔버 벽에 흡수되면 단순히 접지로 배출되며 시스템의 전자 상태를 변경하지 않는다. 그러나 웨이퍼 플래터에 증착된 전자들은 DC 절연으로 인해 플래터에 전하를 축적하게 한다. 이 전하 축적은 플래터에 일반적으로 수백 볼트 정도의 큰 음전압을 발생시킨다. 플라스마 자체는 자유 전자에 비해 양이온 농도가 높기 때문에 약간의 양전하를 띠게 된다. 큰 전압 차이로 인해 양이온은 웨이퍼 플래터 쪽으로 이동하는 경향이 있으며, 그곳에서 에칭될 시료와 충돌한다. 이온은 시료 표면의 재료와 화학적으로 반응하지만, 운동 에너지의 일부를 전달하여 일부 재료를 떼어낼 수도 있다(스퍼터링). 반응성 이온의 대부분 수직적인 전달로 인해 반응성 이온 에칭은 매우 비등방성적인 에칭 프로파일을 생성할 수 있으며, 이는 일반적으로 습식 화학 에칭의 등방성 프로파일과 대조된다. RIE 시스템의 에칭 조건은 압력, 가스 흐름, RF 전력과 같은 여러 공정 매개변수에 크게 의존한다. RIE의 변형된 버전인 딥 반응성 이온 에칭은 깊은 특징을 파내는 데 사용된다.
완충 산화물 에칭

**완충 산화물 에칭**(Buffered oxide etch, **BOE**), 일명 **완충 HF** 또는 **BHF**는 미세가공에 사용되는 습식 식각액이다. 이것은 플루오린화 암모늄NH4F과 같은 완충제와 플루오린화 수소산(HF)의 혼합물이다. 주요 용도는 다음 반응에 의해 질화 규소(Si3N4) 또는 이산화 규소(SiO2)의 박막을 식각하는 데 있다. SiO2 + 4HF + 2NH4F -> (NH4)2SiF6 + 2H2O 농축 HF(일반적으로 물에 49% HF)는 공정 제어에 좋지 않을 정도로 이산화 규소를 너무 빨리 식각하며, 사진 식각 패터닝에 사용되는 포토레지스트를 벗겨낸다. 완충 산화물 에칭은 일반적으로 더 제어 가능한 식각을 위해 사용된다.isbn = 978-0-9616721-3-3 HF를 NH4F로 완충하면 pH가 더 안정적인 용액이 생성된다. 따라서 HF와 HF2-의 농도가 더 안정적이고 식각률도 더 안정적이다.doi=10.1109/84.546406 일부 산화물은 HF 용액에서 불용성 생성물을 생성한다. 따라서 이러한 불용성 생성물을 용해시키고 더 높은 품질의 에칭을 생성하기 위해 HCl을 BHF 용액에 첨가할 수 있다.first5 = Tietun
# 생산
완충 산화물 에칭은 NH4F 분말을 물에 녹이고 HF 용액을 첨가하여 실험실 규모로 생산할 수 있다.access-date=18 September 2024
# 용도
40% NH4F와 49% HF의 부피비가 6:1인 완충 산화물 에칭 용액은 25°C에서 열적으로 성장된 산화물을 초당 약 2나노미터의 속도로 식각한다. 온도를 높여 식각률을 높일 수 있다. 식각 과정 중 용액을 지속적으로 교반하면 더 균일한 용액을 얻을 수 있으며, 이는 표면에서 식각된 물질을 제거하여 더 균일하게 식각될 수 있다. 완충 산화물 에칭은 타이타늄 합금의 금속 조직 식각에 사용될 수 있다. 새로운 Ti 합금(예: Ti-Cu 및 Ti-Mo)은 일반적인 Ti 식각 시약으로 안정적으로 식각되지 않지만, BOE 및 플루오린화 수소 암모늄으로 식각될 수 있다.doi-access=free NH4F로 완충된 HF 용액은 더 큰 기공을 만들기 위해 제올라이트를 더 잘 식각하는 데 사용될 수 있으며, 이러한 미세 다공성 구조에서 특징적으로 낮은 확산 속도를 개선할 수 있다. 단순 HF 용액(및 기타 산성 식각 방법)은 제올라이트에서 알루미늄을 제거하는 데 높은 선택성을 보여 잠재적인 브뢴스테드 산 자리 수를 줄이고 결과적으로 특정 촉매 성능을 저하시킨다. 그러나 NH4F 완충액을 추가하면 HF와 HF2-가 더 많이 존재하는 용액이 생성되어 Al과 Si를 더 균등한 비율로 제거한다.url-access=subscription
웨이퍼 백그라인딩

**웨이퍼 백그라인딩**(wafer backgrinding)은 반도체 제조 단계 중 하나로, 집적 회로(IC)의 스태킹 및 고밀도 패키징을 위해 웨이퍼 두께를 줄이는 공정이다. IC는 수많은 공정 단계를 거치는 반도체 웨이퍼 위에서 생산된다. 오늘날 주로 사용되는 규소 웨이퍼는 직경이 200mm 또는 300mm이다. 이 웨이퍼는 최소한의 기계적 안정성을 보장하고 고온 공정 중 휘어짐을 방지하기 위해 약 750 μm 두께를 가진다. 스마트카드, USB 메모리 스틱, 스마트폰, 휴대용 음악 플레이어 및 기타 초소형 전자 제품은 모든 차원에서 다양한 구성 요소의 크기를 최소화하지 않으면 현재 형태로 구현할 수 없다. 따라서 웨이퍼 뒷면은 웨이퍼 다이싱(개별 마이크로칩 분리) 전에 그라인딩된다. 오늘날 75~50μm까지 얇아진 웨이퍼가 일반적이다.International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 edition, page 12-53. 그라인딩 전에 웨이퍼는 일반적으로 UV 경화형 백그라인딩 테이프로 라미네이팅되는데, 이는 백그라인딩 중 웨이퍼 표면 손상을 방지하고 그라인딩 유체 및 잔해물의 침투로 인한 웨이퍼 표면 오염을 방지한다.BG Tape date=2012-04-13, by Lintec of America. 또한 웨이퍼는 공정 전반에 걸쳐 정제수로 세척되어 오염을 방지한다.Wafer Preparation, by Syagrus Systems. 이 공정은 "백랩"(backlap),Introduction to Semiconductor Technology, by STMicroelectronics, page 6. "백피니시"(backfinish), "백사이드 그라인딩"(back side grinding) 또는 "웨이퍼 시닝"(wafer thinning)으로도 알려져 있다.Wafer Backgrind at Silicon Far East. 백그라인딩 후, 완성된 웨이퍼는 다이 분리라고 불리는 공정에서 개별 칩으로 절단된다.
웨이퍼 본딩

**웨이퍼 본딩**(wafer bonding)은 웨이퍼 수준에서 미소전기기계 시스템(MEMS), 나노전기기계 시스템(NEMS), 마이크로일렉트로닉스 및 광전자 공학 제작을 위한 패키징 기술로, 기계적으로 안정적이고 밀폐된 캡슐화를 보장한다. MEMS/NEMS용 웨이퍼 직경은 100~200mm(4~8인치)이며, 마이크로전자 장치 생산용으로는 최대 300mm(12인치)이다. 마이크로일렉트로닉스 산업 초기에는 1950년대 웨이퍼 직경이 1인치에 불과한 더 작은 웨이퍼가 사용되었다.
# 개요
미소전기기계 시스템(MEMS) 및 나노전기기계 시스템(NEMS)에서 패키지는 민감한 내부 구조를 온도, 습기, 고압 및 산화종과 같은 환경 영향으로부터 보호한다. 기능 요소의 장기 안정성과 신뢰성은 캡슐화 공정에 따라 달라지며, 이는 전체 장치 비용에도 영향을 미친다. 패키지는 다음 요구 사항을 충족해야 한다. * 환경 영향으로부터의 보호 * 열 방출 * 다양한 기술을 가진 요소 통합 * 주변 환경과의 호환성 * 에너지 및 정보 흐름 유지
# 기술
일반적으로 사용되고 개발된 본딩 방법은 다음과 같다. * 다이렉트 본딩 * 표면 활성화 본딩 * 플라스마 활성화 본딩 * 애노딕 본딩 * 공융 본딩 * 유리 프릿 본딩 * 접착 본딩 * 열압착 본딩 * 반응성 본딩 * 과도 액상 확산 본딩 * 원자 확산 본딩
# 요구 사항
웨이퍼 본딩은 일반적으로 다음과 같이 정의될 수 있는 특정 환경 조건을 필요로 한다. # 기판 표면 #* 평탄도 #* 매끄러움 #* 청결도 # 본딩 환경 #* 본딩 온도 #* 주변 압력 #* 가해지는 힘 # 재료 #* 기판 재료 #* 중간층 재료 실제 본딩은 이러한 모든 조건과 요구 사항의 상호 작용이다. 따라서 적용되는 기술은 현재 기판과 최대 허용 온도, 기계적 압력 또는 원하는 기체 분위기와 같은 정의된 사양을 고려하여 선택되어야 한다.
# 평가
본딩된 웨이퍼는 제작된 장치 또는 공정 개발을 위해 기술의 수율, 본딩 강도 및 밀봉 수준을 평가하기 위해 특성화된다. 따라서 본드 특성화를 위한 여러 가지 접근 방식이 나타났다. 한편으로는 인장 또는 전단 테스트와 같은 본드 강도 평가를 위한 파괴적 기술 외에 균열 또는 계면 공극을 찾기 위한 비파괴 광학 방법이 사용된다. 다른 한편으로는 신중하게 선택된 가스의 고유한 특성 또는 마이크로 공진기의 압력 의존적 진동 거동이 밀봉 테스트에 활용된다.
# 더 읽어보기
*피터 램, 제임스 루, 마이케 타클로 (편집), Handbook of Wafer Bonding, Wiley-VCH, . 위키데이터 속성 추적 분류:전자공학 제조 분류:화학 결합 분류:반도체 기술
프론트엔드 오브 라인

BEOL은 장치를 연결하기 위한 금속화 층을 증착하는 중간 부분)의 그림(실리콘의 장치 생성, 하단).]] CMOS 제조 공정 **프론트엔드 오브 라인**(front end of line, **FEOL**) 또는 **전공정**은 개별 부품(트랜지스터, 축전기, 저항기 등)이 반도체 기판에 패턴화되는 IC 제작의 첫 번째 부분이다.url = https://books.google.com/books?id=UPaD8JUCKr0C&pg;=PA202 FEOL은 일반적으로 금속 인터커넥트 층의 증착을 제외한 모든 것을 포함한다.language=ja
# 단계
CMOS 공정의 경우, FEOL은 절연된 CMOS 소자를 형성하는 데 필요한 모든 제조 단계를 포함한다.language=ens2cid=215840278 # 사용할 웨이퍼 유형 선택. 화학기계적 평탄화(CMP) 및 웨이퍼 세정. # 얕은 트렌치 격리(STI) (특징 크기 > 0.25 μm인 초기 공정에서는 LOCOS) # 웰 형성 # 게이트 모듈 형성 # 소스 및 드레인 모듈 형성 마지막으로, 후속 금속화를 위한 접점을 준비하기 위해 표면을 처리한다. 이것으로 FEOL 공정, 즉 모든 장치 구축이 완료된다. 이러한 단계를 거친 후, 전기 회로를 구축하기 위해 장치들은 회로망에 따라 전기적으로 연결되어야 한다. 이것은 백엔드 오브 라인 (BEOL)에서 이루어진다. 따라서 BEOL은 개별 장치들이 연결되는 IC 제작의 두 번째 부분이다.
# 추가 자료
*"CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation" Wiley-IEEE, 2010. . 페이지 177-178 (7.2장 CMOS 공정 통합); 페이지 180-199 (7.2.1 프론트엔드 통합) * "전자 회로 레이아웃 설계의 기본" J. 리니히, J. 샤이벨, 스프링거, 10.1007/978-3-030-39284-0, 2020. 2장: 기술 노하우: 실리콘에서 장치까지, 페이지 78-82 (2.9.3 FEOL: 장치 생성) 위키데이터 속성 추적 분류:전자공학 제조 분류:반도체 제조
백엔드 오브 라인

FEOL (하단) 동안 생성된 개별 장치를 상호 연결하기 위해 실리콘 위에 금속화 층을 증착한다.]] CMOS 제조 공정 **백엔드 오브 라인**(back end of line, **BEOL**) 또는 **후공정**은 장치가 이미 패턴화된 웨이퍼에 금속 인터커넥트 층을 증착하는 반도체 제조 공정이다. 이것은 프런트 엔드 오브 라인(FEOL) 이후 IC 제조의 두 번째 부분이다. BEOL에서는 개별 장치(트랜지스터, 커패시터, 저항 등)가 금속 배선이 증착되는 방식에 따라 서로 연결된다.
# 금속화
개별 장치는 산화물 층(절연 목적)과 금속 층(인터커넥트 트랙용)을 번갈아 쌓아서 연결된다. 따라서 층 사이의 비아와 개별 층의 인터커넥트는 구조화 공정을 사용하여 형성된다.s2cid=215840278 일반적인 금속은 구리와 알루미늄이다. BEOL은 일반적으로 첫 번째 금속 층이 웨이퍼에 증착될 때 시작된다. BEOL에는 접점, 절연 층(유전체), 금속 레벨, 칩-패키지 연결을 위한 본딩 사이트가 포함된다. 현대 IC 공정의 경우 BEOL에 10개 이상의 금속 층을 추가할 수 있다. 1998년 이전에는 사실상 모든 칩이 금속 상호 연결 층에 알루미늄을 사용했지만, 오늘날에는 구리가 주로 사용된다.title=Copper Interconnect Architecture
# 단계
BEOL의 단계는 다음과 같다: url = https://books.google.com/books?id=UPaD8JUCKr0C&pg;=PA202 # 소스 및 드레인 영역과 폴리실리콘 영역의 실리콘화. # 유전체 추가 (첫 번째, 하위 층은 프리메탈 유전체 (PMD) – 금속을 실리콘 및 폴리실리콘으로부터 절연하기 위해), CMP 처리 # PMD에 구멍을 만들고 그 안에 접점을 만든다. # 금속 층 1 추가 # 인터메탈 유전체 (IMD)라고 불리는 두 번째 유전체 추가 # 유전체를 통해 비아를 만들어 하위 금속을 상위 금속과 연결한다. 비아는 금속 CVD 공정으로 채워진다. #:모든 금속 층을 얻기 위해 4-6단계를 반복한다. # 마이크로칩을 보호하기 위한 최종 부동태화 층 추가 BEOL 이후에는 "백엔드 공정"(후가공이라고도 함)이 있으며, 이는 클린룸에서 수행되지 않고 종종 다른 회사에서 수행된다. 여기에는 웨이퍼 테스트, 웨이퍼 백그라인딩, 다이 분리, 다이 테스트, IC 패키징 및 최종 테스트가 포함된다.
# 추가 자료
* pages=681–786 * pages=199–208 [177–79] * "Chapter 2: Technology Know-How: From Silicon to Devices". Fundamentals of Layout Design for Electronic Circuits, by Lienig, Scheible, Springer, 10.1007/978-3-030-39284-0, 2020. p. 82 (2.9.4 BEOL: Connecting Devices) 위키데이터 속성 추적 분류:전자공학 제조 분류:반도체 제조
트라이클로로실레인

OtherCompounds = 트라이플루오로실레인
트라이브로모실레인
클로로포름 **트라이클로로실레인**(Trichlorosilane, TCS)은 화학식 HCl3Si를 가지는 무기 화합물이다. 이것은 무색의 휘발성 액체이다. 정제된 트라이클로로실레인은 반도체 산업에서 초고순도 실리콘의 주요 전구체이다. 물에서는 급속히 분해되어 염산을 방출하면서 실록세인 중합체를 생성한다. 반응성과 넓은 가용성 때문에 실리콘을 함유한 유기 화합물 합성에 자주 사용된다.Lianhong Xu, Ravi Kurukulasuriya, "Trichlorosilane" Encyclopedia of Reagents for Organic Synthesis, 2006. 10.1002/047084289X.rt213.pub2
# 생산
트라이클로로실레인은 수소화염소화 공정에서 300°C에서 분말화된 야금 등급 실리콘에 염화 수소를 불어넣어 생산된다.archive-date=2025-05-25 화학반응식에 설명된 대로 수소도 생성된다. :Si + 3 HCl → HCl3Si + H2 80-90%의 수율을 달성할 수 있다. 주요 부산물은 사염화 규소 (화학식 SiCl4), 헥사클로로다이실레인 (Si2Cl6) 및 다이클로로실레인 (H2SiCl2)이며, 이들로부터 트라이클로로실레인은 증류를 통해 분리될 수 있다. 트라이클로로실레인 탱크차. 유엔 번호: 2988 (클로로실레인). [[국가 간 위험물질의 수송에 관한 유럽 협약 위험 식별 번호: X338 (고도로 인화성 액체, 부식성, 물과 위험하게 반응함)]] 또한 직접 염소화 공정에서 사염화 규소로부터도 생산된다.archive-date=2025-05-25doi = 10.1002/14356007.a24_001 :Si + 3 SiCl4 \+ 2 H2 → 4 HCl3Si 두 가지 방법 모두 널리 사용된다. 첫 번째 방법은 더 저렴하지만 수율을 제어하기 어렵다. 두 번째 방법은 그만큼의 제어가 필요하지 않지만, 첫 번째 방법에 비해 두 배의 자본 투자가 필요하고 65-90 kWh/kg 대신 120-200 kWh/kg을 소비한다. TCS의 증류는 TCS를 상당히 정제하며, 실리콘의 대부분의 불순물이 제거된다.archive-date=2025-05-25
# 용도
트라이클로로실레인은 정제된 폴리실리콘 생산에 사용되는 기본 성분이다. :HCl3Si → Si + HCl + Cl2 이는 지멘스 공정이라는 화학기상증착 공정에서 사용될 수 있다.access-date=2024-06-29access-date=2024-06-29
## 하이드로실릴화의 성분
하이드로실릴화를 통해 트라이클로로실레인은 다른 유용한 유기실리콘 화합물의 전구체이다. :RCH=CH2 \+ HSiCl3 → RCH2CH2SiCl3 이 반응 또는 유사한 반응의 유용한 제품으로는 옥타데실트라이클로로실레인 (OTS), 퍼플루오로옥틸트라이클로로실레인 (PFOTCS), 퍼플루오로데실트라이클로로실레인 (FDTS)이 있다. 이들 시약은 표면 과학 및 나노기술에서 자기 조립 단분자막을 형성하는 데 사용된다. 불소를 포함하는 이러한 층은 표면 에너지를 감소시키고 점착성을 줄인다. 이 효과는 일반적으로 MEMS 및 나노임프린트 리소그래피 (NIL)용 미세가공 스탬프 및 사출 성형 도구의 코팅으로 활용된다.bibcode = 2012ApSS..259..538C
## 유기 합성
트라이클로로실레인은 벤조산에서 톨루엔 유도체로의 전환에서 시약이다. 2단계 반응의 첫 번째 단계에서 카르복실산은 먼저 트라이클로로실릴벤질 화합물로 전환된다. 두 번째 단계에서 벤질 실릴 유도체는 염기 존재 하에 톨루엔 유도체로 전환된다.George S. Li, David F. Ehler, R. A. Benkeser "Methyl Groups By Reduction Of Aromatic Carboxylic Acids With Trichlorosilane - Tri-n-propylamine: 2-methylbiphenyl" Org. Synth. 1977, volume 56, pp. 83. 10.15227/orgsyn.056.0083
# 안전
트라이클로로실레인은 반응성이 매우 높으며, 많은 화합물에 격렬하게 (심지어 폭발적으로) 반응할 수 있다. 여기에는 물도 포함되며, 잠재적으로 이산화 규소, 염소 (원소), 수소, 염화 수소 (및 그 수용성 형태인 염산) 및 열을 생성할 수 있다. 트라이클로로실레인은 수분 (물) 및 습도만으로도 위험한 화학 반응을 일으킬 수 있으므로 비반응성 기체 하에서 취급 및 보관해야 한다.url-status=dead 트라이클로로실레인 유출은 수산화 나트륨 1:1 비율 또는 탄산수소 나트륨과 트라이클로로실레인 2:1 비율을 사용하여 중화할 수 있다.publisher=New jersey department of health 화재는 알코올 내성 수성막 형성 폼 (AR-AFFF)을 사용하여 진압할 수 있다.
국제 반도체 기술 로드맵

반도체 제조 공정 **국제 반도체 기술 로드맵**(International Technology Roadmap for Semiconductors, **ITRS**)은 반도체 연구 조합bibcode=2022MRSAd...7..629Z이 조정하고 조직하며 반도체 산업의 전문가 집단이 만든 문서 모음이다. 이 전문가들은 중화민국, 대한민국, 미국, 유럽, 일본, 중국의 반도체 산업 협회를 포함한 후원 조직의 대표자들이었다. 2017년부터 ITRS는 더 이상 업데이트되지 않고 있다. 후속자는 International Roadmap for Devices and Systems이다. 이 문서들은 "ITRS는 기술 평가만을 위해 고안되었으며 개별 제품이나 장비에 관련된 상업적 고려 사항은 없다"는 면책 조항을 포함하고 있다. 이 문서들은 다음 기술 분야에 대해 약 15년 후까지의 연구 방향과 시간표에 대한 최상의 의견을 나타낸다: *시스템 드라이버/설계 *테스트 및 테스트 장비 *프런트엔드 공정 *공정 통합, 장치 및 구조 *무선 주파수 및 아날로그/혼합 신호 기술 * 미세전자기계 시스템(MEMS) * 포토리소그래피 *IC 상호 연결 *공장 통합 *조립 및 패키징 *환경, 안전 및 보건 * 수율 향상 * 도량형학 *모델링 및 시뮬레이션 *신흥 연구 장치 *신흥 연구 재료
# 역사
집적 회로 또는 모든 반도체 소자를 구축하려면 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등 일련의 작업이 필요하다. 산업이 발전함에 따라 이러한 각 작업은 일반적으로 다양한 상업 회사에서 제작한 특수 기계로 수행되었다. 이러한 전문화는 업계 발전을 어렵게 만들 수 있는데, 이는 다른 필수 단계가 동시에 제공되지 않으면 한 회사가 신제품을 출시해도 소용이 없는 경우가 많기 때문이다. 기술 로드맵은 특정 기능이 언제 필요할지 알려줌으로써 이를 도울 수 있다. 그러면 각 공급업체는 퍼즐의 각 부분에 대해 이 날짜를 목표로 삼을 수 있다.doi=10.1109/GAAS.2000.906261url=http://corphist.computerhistory.org/corphist/documents/doc-487ecec0af0da.pdfdoi=10.1109/PICMET.2001.951917 Article summarizing thesis of the same name. 생산 도구가 전문 장비 공급업체로 점진적으로 외부화됨에 따라, 참여자들은 시장의 진화를 예측하고 IC 생산의 기술적 요구사항을 계획 및 통제하기 위한 명확한 로드맵의 필요성을 인식했다. 몇 년 동안 반도체 산업 협회(SIA)는 이 조정 책임을 미국에 부여했고, 이는 미국식 로드맵인 **국가 반도체 기술 로드맵**(NTRS)의 탄생으로 이어졌다.doi= 10.1109/ICSICT.1995.500069 1993년 SIA가 발표한 첫 번째 반도체 로드맵. 1998년, SIA는 유럽, 일본, 한국, 대만 협회와 협력하여 최초의 글로벌 로드맵인 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)을 만들었다. 이 국제 그룹은 (2003년 판 기준) ITRS 내 워킹 그룹과 제휴한 936개 회사를 보유하고 있다.isbn = 978-1-84704-002-2 조직은 기술 워킹 그룹(TWG)으로 나뉘었으며, 결국 그 수는 17개로 늘어났고, 각 그룹은 기술의 핵심 요소와 관련 공급망에 집중했다. 전통적으로 ITRS 로드맵은 짝수 해에 업데이트되고, 홀수 해에 완전히 개정되었다.access-date=April 14, 2015 1=ITRS 로드맵의 마지막 개정판은 2013년에 발표되었다. 2013년 표의 스케일링 결과 뒤에 숨겨진 방법론과 물리학은 15년간 2028년까지의 더블 게이트 MOSFET을 다루는 트랜지스터 로드맵 예측을 위한 예측 전체 대역 원자 모델링에 설명되어 있다. 무어의 법칙의 일반적으로 인정되는 일몰과 함께 2016년 ITRS가 최종 로드맵을 발표함에 따라, IEEE의 리부팅 컴퓨팅 이니셔티브를 통해 International Roadmap for Devices and Systems(IRDS)라는 이름으로 보다 일반화된 로드매핑을 위한 새로운 이니셔티브가 시작되었다.IRDS 출시 발표 2016년 5월 4일
# ITRS 2.0
2014년 4월, ITRS 위원회는 산업의 요구에 더 잘 부응하기 위해 ITRS 로드맵을 재편성할 것이라고 발표했다. 이 계획은 17개 기술 워킹 그룹에 포함된 모든 요소를 7가지 핵심 주제로 매핑하는 것이었다. *;시스템 통합: 아키텍처와 이기종 블록을 통합하는 방법을 검토하는 설계 중심의 주제이다. *;외부 시스템 연결성: 무선 기술과 작동 방식, 최적의 솔루션 선택 방법에 중점을 둔다. *;이기종 통합: 개별적으로 제조된 기술을 새로운 장치로 통합하여 개별 부품보다 더 잘 기능하도록 하는 데 중점을 둔다 – 카메라 및 마이크와 같은 구성 요소를 허용하면서. *;이기종 부품: MEMS, 발전, 감지 장치와 같이 이기종 시스템을 구성하는 다양한 장치에 중점을 둔다. *;CMOS 이후: 스핀트로닉스, 멤리스터 등 CMOS 기반이 아닌 전자 기기를 제공하는 장치에 중점을 둔다. *;무어의 법칙 지속: 아직 해야 할 일이 많기 때문에 이 그룹은 CMOS의 지속적인 축소를 다룰 것이다. *;공장 통합: 이 모든 것들의 이기종 통합을 생산하기 위한 새로운 도구와 공정에 중점을 둘 것이다. 각 주제에 대한 장은 2015년에 발표되었다.1=ITRS 2.0 보고서ITRS 2.0 챕터
# 더 읽어보기
*url-status = dead *chapter-url = ftp://ftp.cs.utexas.edu/pub/dburger/papers/ISCA11.pdf
미리 알림

https://www.icloud.com/reminders **미리 알림**(Reminders)은 애플이 IOS, MacOS, WatchOS, IPadOS 및 VisionOS 플랫폼을 위해 개발한 작업 관리 프로그램으로, 사용자가 목록을 만들고 스스로 알림을 설정할 수 있게 한다.date=September 13, 2011 이 앱은 IOS 5와 OS X 10.8 "마운틴 라이언"에서 처음 소개되었으며, IOS 13 출시와 함께 처음부터 다시 구축되었다.url-status=dead
# 기능
미리 알림은 화면 상단에 있는 네 가지 범주("오늘", "예정됨", "전체", "깃발 표시됨")로 분류된다. 사용자는 자신만의 미리 알림 목록을 만들 수도 있다. 새 미리 알림은 목록에 추가되거나 하위 작업으로 설정될 수 있으며language=en-US 다음을 포함한 여러 세부 정보를 포함할 수 있다: 우선순위 태그,website=www.imore.com 미리 알림에 대한 메모, 이미지 또는 URL 첨부 파일. 작업은 미리 알림이 설정된 시간 24시간 전에 알림 센터 (iOS 및 macOS)에 나타난다. 또한, 알림에 대한 알람을 설정하여 특정 시간과 날짜에, 특정 지역 주변의 지오펜스를 지날 때, 또는 설정된 연락처에 메시지를 입력하기 시작할 때 사용자에게 알림을 보낼 수 있다.language=en 시간 기반 알림이 설정된 경우 매일, 매주, 2주마다, 매월 또는 매년 반복될 수 있다. 미리 알림은 완료로 표시(체크)될 수 있으며 자동으로 숨겨진다.access-date=2017-04-08 목록은 아이클라우드를 통해 iOS, macOS, watchOS, iPadOS 및 visionOS 간에 동기화될 수 있으며publisher=MacWorld 다른 연락처와 공유될 수도 있다. 일단 공유되면, 목록에 접근할 수 있는 누구나 작업을 추가하거나 완료할 수 있으며, 특정 미리 알림을 다른 사람에게 할당할 수 있다.
스티키즈

license = **스티키즈**(Stickies)는 애플 매킨토시 컴퓨터용 응용 소프트웨어로, 사용자가 짧은 미리 알림, 메모 및 기타 스크랩을 작성할 수 있도록 포스트잇과 유사한 창을 컴퓨터 디스플레이에 띄운다. 내용은 자동으로 저장되며, 응용 프로그램이 다시 시작될 때 복원된다.access-date=August 13, 2019 동일한 이름과 유사한 기능을 가진 관련 없는 프리웨어 프로그램이 마이크로소프트 윈도우용으로 제공된다.website=www.zhornsoftware.co.uk 대부분의 운영체제에서 유사한 응용 프로그램("데스크톱 노트"로 설명됨)을 사용할 수 있다.
# 역사
1994년, 스티키즈의 첫 번째 버전은 애플 직원 옌스 알프케가 작성했으며 시스템 7.5에 포함되었다. 알프케는 원래 Antler Notes라는 이름으로 여가 시간에 개발했으며 Antler Software라는 이름으로 셰어웨어로 출시할 계획이었다. 애플은 그로부터 이를 인수할 계획이었으나, 그의 고용 조건에 따라 이미 법적으로 소유하고 있음을 깨달았다.access-date=February 15, 2018 2001년 맥 OS X로의 전환 과정에서 스티키즈는 코코아로 다시 작성되었으며, 투명 노트, 스타일이 지정된 텍스트, 목록, 그림을 담는 기능 등의 기능과 함께 여전히 macOS에 포함되어 있다. 2005년, 대시보드의 일부로, 애플은 단순화된 소프트웨어 위젯 버전의 스티키즈를 만들었다. 모든 버전의 스티키즈에 있는 노트 창 축소 기능은 시스템 7.5의 WindowShade 기능의 잔재이다. 현대 macOS 응용 프로그램으로는 특이한 창 제목 표시줄 버튼 레이아웃은 맥 OS 8에서 유지되었다. macOS 빅서에서 아이콘은 둥근 사각형 디자인의 스티커 메모 스택처럼 보이도록 변경되었다.
# 기능
스티키즈 앱은 현재 다음 사용 시나리오를 지원한다. * **모든 창 위에 띄우기:** 선택한 스티커 메모에서 Command-Option-F를 누르면 다른 보이는 모든 창 위에 뜬다. * **반투명:** 선택한 스티커 메모에서 Command-Option-T를 누르면 반투명해진다. * **다른 미디어 삽입:** 텍스트 외에 퀵타임 동영상, PDF, 이미지 등 다른 미디어를 스티커 메모로 드래그하여 추가한다. * **데이터 백업:** 스티키즈는 모든 정보를 독립형 데이터베이스에 저장한다. 데이터베이스는 사용자 라이브러리 디렉터리("~/Library/StickiesDatabase")에 있는 StickiesDatabase 파일을 복사하여 백업할 수 있다. * **데이터 검색:** Command-F를 눌러 스티커 메모 내에서 단어나 구를 검색한다. * **선택 항목에서 노트 만들기:** 코코아 기반 응용 프로그램(사파리 웹 브라우저와 같은)에서 일부 텍스트를 선택하고 Command-Shift-Y를 누르거나 서비스 메뉴를 사용하여 텍스트 선택 항목으로 새 스티커 메모를 만든다.
양 디페르투안 네가라

웹사이트 = **양 디페르투안 네가라**(Yang di-Pertuan Negara)는 말레이어에서 국가원수를 의미하는 단어이다. 브루나이에서 술탄을 가리키는 공식 용어로 사용했고, 사바주나 사라왁주의 주지사도 공식적으로는 앙 디페투안 네가라에서 유래한 '양 디페투아 네게리'(Yang di-Pertua Negeri)라는 호칭을 사용한다.isbn=978-983-40114-0-6 '양 디페투안 네가라'는 일반적으로 1959년 6월 3일부터 1965년 8월 9일까지 싱가포르의 군주를 대신해 실질적인 임무를 보는 사람을 의미했다. 해당 기간 동안 싱가포르의 디 페투안 네가라는 유솝 빈 이스학이었다.
# 의미
말레이어에서 'Yang di-Pertuan Negara'의 의미를 분석하면 다음과 같다. 'Yang di-Pertuan'은 '신이 만들어준'이라는 의미를 가지고 있고, 'Negara'는 '국가' 또는 '나라'를 의미한다. 이를 종합했을 때, 양 디페르투안 네가라는 '신이 만들어준 나라' 또는 '신이 주신 나라의 통치자'를 의미한다.
# 싱가포르주

## 역사
싱가포르는 1959년 6월 영국과 합의를 통해 완전한 자치를 이룩하면서 영국의 자치주가 되었다. 1955년 부분적으로 자치를 인정받았을 때, 싱가포르의 지배 체계는 영국 군주인 엘리자베스 2세가 명목상 국가원수였지만 엘리자베스 2세를 대신해 싱가포르 총독이 업무를 수행했고 실질적인 권한은 싱가포르 수석대신이 맡고 있었다.website=thecommonwealth.org 1959년 싱가포르가 영국의 자치주로 승격되면서, 싱가포르 수석대신은 싱가포르 총리로 명칭이 바뀌고, 싱가포르 총독직은 폐지되었다. 1959년 5월 선거를 통해 싱가포르 총독직을 대신하는 자리를 선출했는데, 이 자리를 '양 디페르투안 네가라'로 부르게 되었다. 1963년 9월 16일 싱가포르주가 말레이시아에 통합되면서, 싱가포르의 군주는 엘리자베스 2세에서 당시 말레이시아의 국왕이었던 푸트라 이브니 알마르훔으로 대체되었다. 그러나 1963년 말레이시아 합의 당시 싱가포르 정부는 말레이시아와의 통합 조건으로 자치 행정의 유지를 내세웠고 당시 말라야 연방의 총리였던 툰쿠 압둘 라만이 이를 수용했기 때문에 싱가포르의 지배 체계는 그대로 유지되었다.p=396 양 디페르투안 네가라는 1965년 8월 싱가포르가 완전히 독립했을 때 싱가포르 헌법을 개정해 폐지했다.
## 성격
싱가포르 총독의 업무와 직책, 그리고 권한이 그대로 이양되었기 때문에, 양 디페르투안 네가라는 기타 영국의 다른 식민지의 총독들과 유사했다. 집권 초기 양 디페르투안 네가라는 국가원수로 불리기도 했다.Goode becomes Head of State, *Singapore Free Press*, 3 June 1959, page 1 전반적으로 양 디페르투안 네가라는 영국의 식민지에서 벗어나 싱가포르의 자치를 기념하는 상징적인 직책으로서 그 의미가 컸다.
## 목록
{|class=wikitable |**№** !rowspan=2 width= |초상화 !rowspan=2 width= |이름
(출생–사망) !colspan=3 width= |임기 !rowspan=2 width= |군주 !rowspan=2 | Ref |- !임기 시작일 !임기 종료일 !width=|기간 |- |1||||윌리엄 앨먼드 굿
(1907–1986)||1959년 6월 3일||1959년 12월 2일|||2 | **엘리자베스 2세** ||page=12 |- |2|| ||유솝 빈 이스학
(1910–1970)||1959년 12월 3일||1965년 8월 9일||16 | **엘리자베스 2세**
(1963년 9월 15일까지)

**펠리스의 푸트라**
(1963년 9월 16일부터) ||publisher=아시아원publisher=싱가포르 외교부 |}
# 다른 국가
1963년 말레이시아 합의 이후, 북보르네오 (사바)와 사라왁이 말레이시아의 주로 편입되면서, 해당 주의 주지사들의 공식 명칭을 '양 디페르투아 네게리'라고 부르며, 1963년 말레이시아 헌법에 이것이 명시되어 있었다.language=en 말레이시아 헌법 제38조에 따르면, 양 디페르투안 네가라는 말레이시아의 다른 연방 주지사들과 함께 말레이시아의 국왕을 5년마다 한 번씩 선출할 권리를 가질 수 있지만, 사바, 사라왁, 페낭, 말라카의 양 디페르투안 네가라는 말레이시아 국왕을 선출하거나 그 자리에 오를 수는 없다.쪽=254 브루나이의 경우 일반적으로 브루나이 군주를 '술탄'으로 칭하지만, 브루나이 군주의 정식 작위명은 'Sultan dan Yang Di-Pertuan Negara Brunei Darussalam'(브루나이 다루살람의 술탄과 양 디페르투안 네가라')이다.access-date=24 April 2011 브루나이 군주의 경우 술탄과 총리를 겸하고 있기 때문에 해당 호칭이 붙었다.archive-date=15 April 2015
말굽형 궤도

(419624) 2010 SO16]] 천체역학에서 **말굽형 궤도**(horseshoe orbit), **편자 모양 궤도**, **말발굽 궤도**, **말굽 궤도**는 더 큰 궤도 천체에 대한 작은 궤도 천체의 공동 궤도 운동 유형이다. 작은 천체의 접촉(순간) 공전 주기는 더 큰 천체의 공전 주기와 매우 비슷하게 유지되며, 그 궤도가 더 큰 천체보다 약간 더 이심률이 높으면 매 주기마다 더 큰 천체의 궤도 상의 한 지점을 중심으로 타원을 그리는 것처럼 보인다. 그러나 루프는 닫히지 않고 앞이나 뒤로 표류하여, 이 루프가 도는 지점은 긴 시간 동안 더 큰 천체의 궤도를 따라 부드럽게 움직이는 것처럼 보인다. 물체가 궤적의 양쪽 끝에서 더 큰 천체에 가까이 접근하면 겉보기 방향이 바뀐다. 전체 주기 동안 중심은 '뿔' 사이에 더 큰 천체가 있는 말굽 모양의 윤곽을 그린다. 지구에 대한 말굽형 궤도의 소행성에는 54509 YORP, 29, 16, 2 및 가능성이 있는 2가 포함된다. 더 넓은 정의에는 복합 및 전이 궤도에 있다고 할 수 있는 3753 크뤼트네s2cid=13832179 또는 1 및 107이 포함된다. 2016년까지 지구의 말굽형 칭동체 12개가 발견되었다.s2cid=119222384 토성의 위성 에피메테우스와 야누스는 서로에 대해 말굽형 궤도를 차지한다 (이 경우 반복되는 루프는 없다: 각각은 서로에 대해 완전한 말굽형을 그린다).
# 말굽형 궤도 주기의 설명

## 배경
다음 설명은 태양 주위를 그러한 궤도로 돌고 있으며 지구의 영향을 받는 소행성에 관한 것이다. 소행성은 지구와 거의 같은 태양 궤도에 있다. 둘 다 태양 주위를 도는 데 약 1년이 걸린다. 또한 궤도역학의 두 가지 규칙을 이해해야 한다. # 태양에 가까운 천체는 멀리 있는 천체보다 더 빨리 궤도를 공전한다. # 천체가 궤도를 따라 가속되면 궤도는 태양으로부터 바깥쪽으로 이동한다. 감속되면 궤도 반지름이 감소한다. 말굽형 궤도는 지구의 중력 인력이 소행성의 타원형 궤도 모양을 변화시키기 때문에 발생한다. 모양 변화는 매우 작지만 지구에 비해 상당한 변화를 가져온다. 말굽형은 소행성의 움직임을 태양과 지구 모두에 대해 매핑할 때만 명확해진다. 소행성은 항상 같은 방향으로 태양 주위를 공전한다. 그러나 지구를 따라잡고 뒤처지는 주기를 거치므로 태양과 지구 모두에 대한 움직임은 말굽형 윤곽과 같은 모양을 그린다.
## 궤도의 단계
**그림 1.** 중력 등고선을 따라 가능한 궤도를 보여주는 평면도. 이 그림에서 지구(그리고 전체 이미지)는 태양 주위를 반시계 방향으로 회전한다. **그림 2.** 얇은 말굽형 궤도 L5와 지구 사이의 내부 고리 지점 A에서 시작하여, 위성은 지구보다 빠르게 공전하며 지구와 태양 사이를 지나가는 중이다. 그러나 지구의 중력은 바깥쪽으로 가속하는 힘을 가하여 위성을 더 높은 궤도로 끌어당기며, 이는 (케플러의 행성운동법칙에 따라) 각속도를 감소시킨다. 위성이 지점 B에 도달하면 지구와 같은 속도로 이동한다. 지구의 중력은 여전히 궤도 경로를 따라 위성을 가속하고 있으며, 위성을 더 높은 궤도로 계속 끌어당긴다. 결국, 지점 C에서 위성은 충분히 높고 느린 궤도에 도달하여 지구 뒤로 처지기 시작한다. 그런 다음 다음 세기 이상 동안 지구에 대해 볼 때 궤도를 '뒤로' 표류하는 것처럼 보인다. 태양 주위의 궤도는 여전히 지구년보다 약간 더 많은 시간이 걸릴 뿐이다. 충분한 시간이 주어지면 지구와 위성은 태양의 반대편에 있을 것이다. 결국 위성은 지점 D로 돌아오는데, 이때 지구의 중력은 위성의 궤도 속도를 감소시킨다. 이로 인해 위성은 더 낮은 궤도로 떨어지게 되며, 이는 실제로 태양 주위에서 위성의 각속도를 증가시킨다. 이는 위성의 궤도가 이제 지구의 궤도보다 낮고 빨라지는 지점 E까지 계속되며, 지구보다 앞서기 시작한다. 다음 몇 세기 동안 위성은 지점 A로 돌아가는 여정을 완료한다. 장기적으로, 소행성은 말굽형 궤도와 준위성 궤도 사이를 이동할 수 있다. 준위성은 행성에 중력적으로 묶여 있지 않지만, 행성과 같은 공전 주기로 태양 주위를 돌면서 행성 주위를 역행 방향으로 도는 것처럼 보인다. 2016년까지 궤도 계산에 따르면 지구의 말굽형 칭동체 4개와 당시 알려진 5개의 준위성 모두 말굽형 및 준위성 궤도 사이를 반복적으로 이동하는 것으로 나타났다.s2cid=118580771
## 에너지 관점
상황에 대한 다소 다르지만 동등한 관점은 에너지 보존 법칙을 고려하여 주목할 수 있다. 고전 역학의 정리 중 하나는 시간 독립적인 퍼텐셜 장에서 움직이는 물체는 총 에너지 E = T + V가 보존된다는 것이다. 여기서 E는 총 에너지, T는 운동 에너지(항상 비음수), V는 퍼텐셜 에너지(음수)이다. 질량 M과 궤도 반지름 R을 가진 중력체 근처에서 V = -GM/R이므로, 정지 좌표계에서 볼 때 M 뒤쪽 영역에서는 V가 증가하고 앞쪽 영역에서는 감소한다. 그러나 총 에너지가 낮은 궤도는 주기가 짧으므로, 행성 앞쪽에서 느리게 움직이는 물체는 에너지를 잃고 더 짧은 주기 궤도로 떨어져서 천천히 멀어지거나 "밀려난다". 행성 뒤쪽에서 느리게 움직이는 물체는 에너지를 얻고 더 높고 느린 궤도로 올라가서 뒤처지면서 유사하게 밀려난다. 따라서 작은 물체는 선두 위치와 후미 위치 사이를 오갈 수 있으며, 해당 영역을 지배하는 행성에 너무 가까이 접근하지 않는다.
# 올챙이형 궤도
2010 TK7 :같이 보기 트로이군. 위의 그림 1은 라그랑주 점 L4 및 L5 주변의 더 짧은 궤도(즉, 파란색 삼각형에 가까운 선)를 보여준다. 이들은 **올챙이형 궤도**라고 불리며, 소행성의 지구로부터의 거리가 태양 반대편의 L3 지점까지 멀리 진동하지 않는다는 점을 제외하면 유사한 방식으로 설명될 수 있다. 지구에 가까워지거나 멀어짐에 따라 지구 중력장의 변화하는 인력은 소행성을 가속하거나 감속시켜 칭동으로 알려진 궤도 변화를 일으킨다. 올챙이형 궤도의 한 예는 폴리데우케스인데, 이것은 더 큰 위성인 디오네에 비해 뒤쪽 L5 지점 주위를 칭동하는 토성의 작은 위성이다. 지구 궤도와 관련하여 abbr=off 소행성 7은 선두 L4 지점 주위의 올챙이형 궤도에 있다. 2020 VT1은 화성에 대해 일시적인 말굽형 궤도를 따른다.url=https://academic.oup.com/mnras/article-abstract/501/4/6007/6081058 right
서리선

천문학 또는 행성과학에서 **서리선**(frost line) 또는 **눈선**(snow line) 혹은 **얼음선**(ice line)은 태양 성운의 중심 원시별로부터의 최소 거리로, 물, 암모니아, 메테인, 이산화 탄소 및 일산화 탄소와 같은 휘발성 화합물이 고체 알갱이로 응축되어 미행성으로 강착할 수 있을 만큼 온도가 낮은 지점을 말한다. 서리선 바깥에서는 (훨씬 더 풍부한) 기체 상태의 화합물이 비교적 쉽게 응축되어 거대 기체 행성과 거대 얼음 행성을 형성할 수 있는 반면, 서리선 안쪽에서는 더 무거운 화합물만이 강착되어 일반적으로 훨씬 작은 암석형 행성을 형성할 수 있다. 이 용어 자체는 지하수가 얼 수 있는 표면으로부터의 최대 깊이를 설명하는 토양학의 "동결선" 개념에서 차용한 것이다. 각 휘발성 물질은 자체적인 서리선을 가지고 있으므로(예: 일산화 탄소,s2cid=23271440 질소,year=2013 아르곤arxiv=1909.11246) 어떤 물질의 서리선을 지칭하는지 명시하는 것이 중요하지만, 특히 물 서리선에 대해서는 생략하는 경우가 흔하다. 달리 감지하기 어려운 물질의 경우 트레이서 기체를 사용할 수 있다. 예를 들어 일산화 탄소에는 다이아제닐륨이 사용된다.
# 위치
서로 다른 휘발성 화합물은 원시별 성운에서 서로 다른 부분압(따라서 서로 다른 밀도)에서 다른 응축 온도를 가지므로 각 서리선은 달라진다. 물 얼음의 서리선에 대한 실제 온도와 거리는 이를 계산하는 데 사용되는 물리 모델과 이론적인 태양 성운 모델에 따라 달라진다. * 2.7 천문단위 (AU; 하야시, 1981)에서 170Karchive-date=2015-02-19 * 3.2 AU에서 143 K, 3 AU에서 150 K (포돌락과 주커, 2010)doi-access=free * 3.1 AU (마틴과 리비오, 2012)s2cid=54691025 * 마이크로미터 크기 알갱이에 대해 ≈150 K, 킬로미터 크기 천체에 대해 ≈200 K (당젤로와 포돌락, 2015)s2cid=119216797 서리선의 위치는 시간에 따라 변하며, 태양 질량 별의 경우 이후 감소하기 전에 최대 u=AU의 반경에 도달할 수 있다.bibcode=2015ApJ...802...58Z
# 현재 서리선과 형성 당시 서리선
응축/증발 전선의 반지름 위치는 성운이 진화함에 따라 시간이 지남에 따라 변한다. 가끔 서리선이라는 용어는 물 얼음이 안정할 수 있는 현재 거리(직사광선 아래에서도)를 나타내는 데도 사용된다. 이 현재 서리선 거리는 태양계 형성 당시 유효했던 형성 서리선 거리와 다르며, 약 5 AU와 같다. via=ifa.hawaii.edu 차이가 발생하는 이유는 태양계 형성 당시 태양 성운은 불투명한 구름이었고 태양에 가까울수록 온도가 낮았으며 태양 자체도 덜 에너지가 넘쳤기 때문이다. 형성 후 얼음은 떨어지는 먼지에 묻혔고 표면 아래 몇 미터에서 안정적으로 유지되었다. 만약 5 AU 이내의 얼음이 예를 들어 분화구에 의해 노출되면 상대적으로 빠르게 승화된다. 그러나 직사광선이 없는 곳에서는 얼음이 영구적으로 그림자가 진 극지방 분화구에 위치한다면 소행성(및 달과 수성) 표면에서 안정적으로 유지될 수 있으며, 그곳의 온도는 태양계의 나이 내내 매우 낮게(예: 달에서 30-40 K) 유지될 수 있다. 화성과 목성 사이에 위치한 소행성대 관측 결과에 따르면 태양계 형성 당시 물 서리선은 이 지역 내에 위치했다. 바깥쪽 소행성들은 얼음 C-형 천체(예: Abe 등 2000; Morbidelli 등 2000)인 반면, 안쪽 소행성대는 대부분 물이 없다. 이는 미행성 형성 시 서리선이 태양으로부터 약 2.7 AU에 위치했음을 의미한다. 예를 들어, 왜행성 세레스는 긴반지름 2.77 AU를 가지며 태양계 형성 당시 물 서리선의 하한 추정치와 거의 정확히 일치한다. 세레스는 얼음 맨틀을 가지고 있으며 심지어 표면 아래에 물의 바다가 있을 수도 있다.df=dmy-all via=hou.usra.edu 평균 거리 3.1 AU에서 태양을 공전하는 24 테미스 표면에서 물 얼음이 감지되었다.s2cid=4334032
# 행성 형성
서리선 너머의 성운에서 온도가 낮아지면 미행성과 궁극적으로 행성으로 강착할 수 있는 고체 알갱이가 훨씬 더 많아진다. 따라서 서리선은 태양계에서 지구형 행성과 목성형 행성을 분리한다.url= https://archive.org/details/discoveringunive00kauf/page/94 그러나 다른 여러 별 주위의 서리선 안쪽에서 뜨거운 목성이라 불리는 거대 행성들이 발견되었다. 이들은 서리선 바깥에서 형성된 후 현재 위치로 행성 이동했을 것으로 생각된다.Chambers, John (2007-07-01). "Planet Formation with Type I and Type II Migration". 38. AAS/Division of Dynamical Astronomy Meeting. Bibcode 2007DDA....38.0604C.arxiv=1006.5486 서리선까지의 거리의 4분의 1도 안 되는 곳에 위치하면서도 거대 행성이 아닌 지구는 메테인, 암모니아, 수증기가 빠져나가는 것을 막을 수 있는 적절한 중력을 가지고 있다. 메테인과 암모니아가 지구 대기에 희귀한 것은 광합성으로 인해 산소가 풍부한 대기에서 불안정하기 때문이며, 광합성 생화학은 한때 풍부한 메테인과 암모니아가 있었음을 시사하지만, 물론 그러한 대기에서 화학적으로 안정적인 액체 물과 얼음이 지구 표면의 대부분을 이룬다. 연구자 레베카 마틴과 마리오 리비오는 거대 행성이 자신의 궤도 안쪽에서 행성 형성을 방해하기 때문에 소행성대가 서리선 근처에 형성되는 경향이 있을 수 있다고 제안했다. 약 90개 별 주위에서 발견된 따뜻한 먼지의 온도를 분석한 결과, 그들은 먼지(따라서 가능한 소행성대)가 일반적으로 서리선 근처에서 발견된다는 결론을 내렸다.access-date=2012년 11월 3일 근본적인 메커니즘은 1,000~10,000년의 시간 척도에서 서리선의 열적 불안정성으로 인해 비교적 좁은 별주위 고리에 먼지 물질이 주기적으로 침착되는 것일 수 있다.doi-access=free
국부 시트

other_names = **국부 시트**(Local Sheet) 또는 **국부 은하면**은 천문학에서 우리 은하, 국부 은하군의 구성원 및 기타 은하들이 유사한 특이운동을 공유하는 인근의 은하계 외부 공간 영역이다. 이 영역은 반경 약 lk=on 이내에 위치하며, 두께는 order=flip이고, 이 거리 너머의 은하들은 확연히 다른 속도를 보인다. 국부 은하군은 국부 시트에 대해 상대적으로 작은 ul=km.s-1의 특이운동 속도를 갖는다. 은하의 전형적인 속도 분산은 반경 방향으로 오직 u=km.s-1이다. 거의 모든 근처의 밝은 은하들은 국부 시트에 속한다. 국부 시트는 국부 은하량의 일부이며 처녀자리 초은하단(국부 초은하단) 내에 있다. 국부 시트는 국부 거시공동의 한 경계를 이루는 은하들의 벽을 형성한다. 국부 시트에 있는 은하들의 평균 속도의 상당 부분은 처녀자리 은하단의 중력 인력의 결과로 나타나며, 그 결과 은하단 쪽으로 ~u=km.s-1의 특이운동이 발생한다. 두 번째 구성 요소는 국부 거시공동의 중심으로부터 멀리 향한다. 국부 거시공동은 추정되는 abbr=on에 걸쳐 펼쳐져 있으며 은하들이 드문드문 분포하는 확장 영역이다. 이 구성 요소는 u=km.s-1의 속도를 갖는다. 국부 시트는 처녀자리 초은하단(처녀자리 초은하단)에서 8° 기울어져 있다. bibcode=2014MNRAS.440..405M 소위 **거인의 회의**는 국부 시트 내에서 국부 은하군을 둘러싸는 12개의 큰 은하들로 이루어진 고리로, 반경은 abbr=on이다. 이들 중 10개는 나선 은하이고, 나머지 두 개는 타원 은하이다. 두 타원 은하(마페이 1과 센타우루스자리 A)는 국부 은하군의 반대편에 위치한다.국부 시트 (위에서 본 모습) {| class="wikitable" |+ "거인의 회의"의 은하들 |- ! 카탈로그 ID !! 이름 !! 별자리 !! 거리 (Mly) !! 항성 질량 * |- | NGC 253 || 조각가자리 은하 || 조각가자리 || 11 || 10.805 |- | PGC 9892 || 마페이 1 || 카시오페이아자리 || 11 || 10.928 |- | PGC 10217 || 마페이 2 || 카시오페이아자리 || 11 || 10.493 |- | IC 342 || || 기린자리 || 11 || 10.302 |- | NGC 3031 || M 81 || 큰곰자리 || 12 || 10.905 |- | NGC 3034 || M 82 || 큰곰자리 || 11 || 10.573 |- | NGC 4736 || M 94 || 사냥개자리 || 15 || 10.458 |- | NGC 4826 || M 64 || 머리털자리 || 16 || 10.496 |- | NGC 5236 || M 83 || 바다뱀자리 || 16 || 10.642 |- | NGC 5128 || 센타우루스자리 A || 센타우루스자리 || 11 || 11.169 |- | NGC 4945 || || 센타우루스자리 || 12 || 10.528 |- | ESO 97-G13 || 컴퍼스자리 은하 || 컴퍼스자리 || 14 || 10.559 |} * 질량은 태양질량의 로그(밑이 지정되지 않음)로 주어진다.
# 위치
국부 시트는 코마-조각가 구름의 공통 운동 부분으로isbn=978-1-4020-6932-1, 이는 1987년 천문학자 브렌트 툴리와 동료 리처드 피셔가 그의 저서 "근처 은하 지도"에서 클라우드 14로 식별하고 기술했다.language=en 이것은 거대한 lk=on의 장축 구형이며,issn=0004-6361 필라멘트이며issn=0004-6256bibcode=2000AJ....119.2248H 처녀자리 은하단과는 대조적으로 주로 후기형 은하를 포함하며, 처녀자리 은하단에서는 거대 은하의 절반 이상이 초기형 은하이다.bibcode=2000bgfp.conf...85B 툴리는 코마-조각가 구름과 국부 시트가 완전히 겹치지 않는다고 주장한다. 국부 시트는 코마-조각가 구름의 공통 운동 부분만을 포함하기 때문이다. 맥콜은 이 두 용어를 동의어로 간주하며, 동일한 영역을 지칭한다고 본다.