트랜지스터 카운트

반도체 제조 공정 **트랜지스터 카운트**(transistor count)는 전자 장치(일반적으로 단일 기판 또는 실리콘 다이)에 있는 트랜지스터 수이다. 이는 집적 회로 복잡성의 가장 일반적인 측정값이다(현대 마이크로프로세서의 대부분의 트랜지스터는 캐시 메모리에 포함되어 있지만, 캐시 메모리는 대부분 동일한 메모리 셀 회로를 여러 번 복제하여 구성된다). MOS 트랜지스터 수의 증가율은 일반적으로 약 2년마다 트랜지스터 수가 두 배로 증가한다는 무어의 법칙을 따른다. 그러나 다이 면적에 직접 비례하므로 트랜지스터 수는 해당 제조 기술의 발전도를 나타내지 않는다. 이에 대한 더 나은 지표는 반도체의 트랜지스터 수를 다이 면적으로 나눈 값인 트랜지스터 밀도이다.
# 기록
2023, 플래시 메모리에서 가장 높은 트랜지스터 수는 마이크론의 2공백테라바이트 (3D-스택) 16개 다이, 232층 V-NAND 플래시 메모리 칩으로, 5.3공백조 개의 플로팅 게이트 MOSFET을 가지고 있다(트랜지스터당 3공백비트). lc=y 기준으로 단일 칩 프로세서에서 가장 높은 트랜지스터 수는 세레브라스의 딥 러닝 프로세서 웨이퍼 스케일 엔진 2이다. 이 프로세서는 TSMC의 7 nm 공정 핀펫 공정으로 제조된 웨이퍼에 84개의 노출된 필드(다이)에 2.6공백조 개의 MOSFET이 들어있다.website=TechReportArticles 2024, 가장 높은 트랜지스터 수를 가진 그래픽 처리 장치는 엔비디아의 블랙웰 기반 B100 가속기로, TSMC의 맞춤형 4NP 공정 노드로 제작되었으며 총 2080억 개의 MOSFET을 포함한다. lc=y 기준으로 소비자 마이크로프로세서에서 가장 높은 트랜지스터 수는 애플의 ARM 아키텍처 기반 듀얼 다이 M3 울트라 SoC에 있는 1840억 개의 트랜지스터이며, 이는 TSMC의 3 nm 반도체 제조 공정으로 제조된다. {| class ="wikitable" |- ! 연도 ! 부품 ! 이름 ! MOSFET 수
(조 단위) ! 비고 |- | 2022 | 플래시 메모리 | 마이크론의 V-NAND 모듈 | 5.3 | | 16개의 232층 3D NAND 다이로 구성된 스택 패키지 |- | 2020 | 모든 프로세서 | 웨이퍼 스케일 엔진 2 | 2.6 | | 84개의 노출된 필드(다이)로 구성된 웨이퍼 스케일 디자인 |- | 2024 | GPU | 엔비디아 B100 | 0.208 | | 각각 1040억 개의 트랜지스터를 가진 두 개의 리티클 한계 다이를 사용하며, 하나의 거대한 단일 실리콘 조각처럼 결합되어 작동한다. |- | 2025 | 마이크로프로세서
(소비자용) | 애플 M3 울트라 | 0.184 | | 고속 브리지로 연결된 두 개의 다이를 사용하는 SoC |- | 2020 | DLP | 콜로서스 Mk2 GC200 | 0.059 | | CPU 및 GPU와 대조되는 IPU영국 기반 반도체 스타트업 Graphcore가 개척한 머신러닝 워크로드 처리에 특화된 마이크로프로세서. (지능형 처리 장치) |- |} 수많은 집적 회로로 구성된 컴퓨터 시스템 측면에서, lc=y 가장 많은 트랜지스터 수를 가진 슈퍼컴퓨터는 중국이 설계한 선웨이 타이후라이트였는데, 이 슈퍼컴퓨터는 모든 CPU/노드를 합쳐 "하드웨어 처리 부분에 약 400조 개의 트랜지스터"를 가지고 있었고, "DRAM에는 약 12경 개의 트랜지스터가 포함되어 있으며, 이는 전체 트랜지스터의 약 97%에 해당한다."access-date=2019-08-22 비교하자면, lc=y 쌀알보다 훨씬 작은 가장 작은 컴퓨터는 약 10만 개의 트랜지스터를 가지고 있었다. 초기 실험적인 고체 컴퓨터는 130개 정도의 트랜지스터를 가졌지만 많은 양의 다이오드 논리를 사용했다. 최초의 탄소 나노튜브 컴퓨터는 178개의 트랜지스터를 가졌고 1비트 단일 명령어 집합 컴퓨터였으며, 이후의 컴퓨터는 16비트이다(그 명령어 집합은 32비트 RISC-V이지만). 이온 트랜지스터 칩("물 기반" 아날로그 제한 프로세서)은 최대 수백 개의 트랜지스터를 가지고 있다.language=en 제조된 총 트랜지스터 수 추정치: *2014년까지: 2.9E21 *2018년까지: 1.3E22date=2018-04-02date=2014-05-26
# 트랜지스터 수
마이크로프로세서의 [[MOS 트랜지스터 수 대 도입 날짜를 나타낸 그래프. 곡선은 무어의 법칙에 따라 2년마다 수가 두 배로 증가함을 보여준다.]]
## 마이크로프로세서
마이크로프로세서는 컴퓨터의 중앙 처리 장치 기능을 단일 집적 회로에 통합한다. 이는 디지털 데이터를 입력으로 받아 메모리에 저장된 지침에 따라 처리하고 결과를 출력으로 제공하는 다목적 프로그래밍 가능 장치이다. 1960년대의 MOS 집적회로 기술 개발은 최초의 마이크로프로세서 개발로 이어졌다.access-date=4 September 2019 1970년 미국 해군의 F-14 톰캣 전투기를 위해 개럿 에어리서치가 개발한 20비트 MP944는 디자이너 레이 홀트에 의해 최초의 마이크로프로세서로 여겨진다. 이는 6개의 MOS 칩으로 제작된 다중 칩 마이크로프로세서였다. 그러나 1998년까지 해군에 의해 기밀로 분류되었다. 1971년에 출시된 4비트 인텔 4004는 최초의 단일 칩 마이크로프로세서였다. 현대 마이크로프로세서는 일반적으로 온칩 캐시 메모리를 포함한다. 이러한 캐시 메모리에 사용되는 트랜지스터 수는 일반적으로 마이크로프로세서의 논리(즉, 캐시 제외)를 구현하는 데 사용되는 트랜지스터 수를 훨씬 초과한다. 예를 들어, 마지막 DEC 알파 칩은 트랜지스터의 90%를 캐시에 사용한다. {| class="wikitable sortable" |프로세서 ! width= data-sort-type="number" | 트랜지스터 수 ! 연도 ! 설계자 ! data-sort-type="number" | 공정
(nm) ! data-sort-type="number" | 면적 (mm2) ! data-sort-type="number" | 트랜지스터
밀도
(tr./mm2) |- |MP944 (20비트, 6개 칩, 총 28개 칩) |74,442 (ROM 및 RAM 제외 5,360)pages=8website=First Microprocessor |1970access-date=5 March 20161998년 기밀 해제 |개럿 에어리서치 |? |? |? |- |인텔 4004 (4비트, 16핀) |2,250 |1971 |인텔 |10,000 nm |12 mm2 |188 |- |TMX 1795 (8비트, 24핀) |3,078Ken Shirriff. "The Texas Instruments TMX 1795: the (almost) first, forgotten microprocessor". 2015. |1971 |텍사스 인스트루먼트 |? | 30.64 mm2 |100.5 |- |인텔 8008 (8비트, 18핀) |3,500 |1972 |인텔 |10,000 nm |14 mm2 |250 |- |NEC μCOM-4 (4비트, 42핀) |2,500doi=10.1016/0303-1268(77)90111-0archive-date=2011-05-25 |1973 |NEC |7,500 nmarchive-date=27 June 2019 |? |? |- |Toshiba TLCS-12 (12비트) |11,000+archive-date=27 June 2019 |1973 |도시바 |6,000 nm |32.45 mm2 |340+ |- |인텔 4040 (4비트, 16핀) |3,000 |1974 |인텔 |10,000 nm |12 mm2 |250 |- |모토로라 6800 (8비트, 40핀) |4,100 |1974 |모토로라 |6,000 nm |16 mm2 |256 |- |인텔 8080 (8비트, 40핀) |6,000 |1974 |인텔 |6,000 nm |20 mm2 |300 |- |TMS 1000 (4비트, 28핀) |8,000TMS1000은 마이크로컨트롤러이며, 트랜지스터 수는 CPU뿐만 아니라 메모리 및 입출력 컨트롤러를 포함한다. |1974access-date=2016-06-22 |텍사스 인스트루먼트 |8,000 nm |11 mm2 |730 |- |HP 나노프로세서 (8비트, 40핀) |4639공핍 모드 풀업 트랜지스터를 제외하면 2668개 Ken Shirriff. "Inside the HP Nanoprocessor: a high-speed processor that can't even add". 2020\. quote: "By my count, the Nanoprocessor has 4639 transistors. ... 3829 unique transistors. Of these, 1061 act as pull-ups, while 2668 are active. In comparison, the 6502 has 4237 transistors, of which 3218 are active. The 8008 has 3500 transistors and the Motorola 6800 has 4100 transistors." |1974 |휴렛 팩커드 |? |19 mm2 |? |- |MOS 테크놀로지 6502 (8비트, 40핀) |4,528공핍 모드 풀업 트랜지스터를 제외하면 3,510개access-date=2019-09-03 |1975 |모스 테크놀로지 |8,000 nm |21 mm2 |216 |- |인터실 IM6100 (12비트, 40핀; PDP-8 클론) |4,000 |1975 |인터실 |? |? |? |- | CDP 1801 (8비트, 2개 칩, 40핀) |5,000 |1975 |RCA |? |? |? |- |RCA 1802 (8비트, 40핀) |5,000 |1976 |RCA |5,000 nm |27 mm2 |185 |- |자일로그 Z80 (8비트, 4비트 ALU, 40핀) |8,500공핍 모드 풀업 트랜지스터를 제외하면 6,813개 |1976 |자일로그 |4,000 nm |18 mm2 |470 |- |인텔 8085 (8비트, 40핀) |6,500 |1976 |인텔 |3,000 nm |20 mm2 |325 |- |TMS9900 (16비트) |8,000 |1976 |텍사스 인스트루먼트 |? |? |? |- |벨맥-8 (8비트) |7,000 |1977 |벨 연구소 |5,000 nm |? |? |- |Motorola 6809 (8비트 일부 16비트 기능 포함, 40핀) |9,000 |1978 |모토로라 |5,000 nm |21 mm2 |430 |- |인텔 8086 (16비트, 40핀) |29,000url=https://www.righto.com/2023/01/counting-transistors-in-8086-processor.html |1978 |인텔 |3,000 nm |33 mm2 |880 |- |자일로그 Z8000 (16비트) |17,500access-date=19 June 2019 |1979 |자일로그 |5,000-6,000 nm (설계 규칙) |39.31 mm2 (238x256 mil2) |445 |- |인텔 8088 (16비트, 8비트 데이터 버스) |29,000 |1979 |인텔 |3,000 nm |33 mm2 |880 |- |모토로라 68000 (16/32비트, 32비트 레지스터, 16비트 ALU) |68,000date=30 June 2017 |1979 |모토로라 |3,500 nm |44 mm2 |1,550 |- |인텔 8051 (8비트, 40핀) |50,000 |1980 |인텔 |? |? |? |- |WDC 65C02 |11,500Microprocessors: 1971 to 1976 date=December 3, 2013 Christiansen |1981 |WDC |3,000 nm |6 mm2 |1,920 |- |ROMP (32비트) |45,000 |1981 |IBM |2,000 nm |58.52 mm2 |770 |- |인텔 80186 (16비트, 68핀) |55,000 |1982 |인텔 |3,000 nm |60 mm2 |920 |- |인텔 80286 (16비트, 68핀) |134,000 |1982 |인텔 |1,500 nm |49 mm2 |2,730 |- |WDC 65C816 (8/16비트) |22,000url-status=dead |1983 |WDC |3,000 nmaccess-date=2017-09-12 |9 mm2 |2,400 |- |NEC V20 |63,000 |1984 |NEC |? |? |? |- |모토로라 68020 (32비트; 114핀 사용) |190,000access-date=2015-07-20 |1984 |모토로라 |2,000 nm |85 mm2 |2,200 |- |인텔 80386 (32비트, 132핀; 캐시 없음) |275,000 |1985 |인텔 |1,500 nm |104 mm2 |2,640 |- |ARM 1 (32비트; 캐시 없음) |25,000 |1985 |아콘 |3,000 nm |50 mm2 |500 |- |Novix NC4016 (16비트) |16,000access-date=2014-08-09 |1985access-date=2014-08-09 |해리스 코퍼레이션 |3,000 nmseries=Ellis Horwood Series in Computers and Their Applications |? |? |- |SPARC MB86900 (32비트; 캐시 없음) |110,000access-date=30 June 2019 |1986 |후지쯔 |1,200 nm |? |? |- |NEC V60s2cid=9507994 (32비트; 캐시 없음) |375,000 |1986 |NEC |1,500 nm |? |? |- |ARM 2 (32비트, 84핀; 캐시 없음) |27,000access-date=2019-08-31 |1986 |아콘 |2,000 nm |30.25 mm2 |890 |- |Z80000 (32비트; 아주 작은 캐시) |91,000 |1986 |자일로그 |? |? |? |- |NEC V70 (32비트; 캐시 없음) |385,000 |1987 |NEC |1,500 nm |? |? |- |히타치 Gmicro/200s2cid=36938046 |730,000 |1987 |히타치 |1,000 nm |? |? |- |모토로라 68030 (32비트, 아주 작은 캐시) |273,000 |1987 |모토로라 |800 nm |102 mm2 |2,680 |- |TI 익스플로러의 32비트 리스프 머신 칩 |553,000s2cid=195841103 |1987 |텍사스 인스트루먼트 |2,000 nmseries=SIPRI Monograph Series |? |? |- |DEC WRL MultiTitan |180,000 doi=10.1109/JSSC.1989.572612 |1988 |DEC WRL |1,500 nm |61 mm2 |2,950 |- |인텔 i960 (32비트, 33비트 메모리 서브시스템, 캐시 없음) |250,000access-date=2014-08-09 |1988 |인텔 |1,500 nmdate=3 March 2003 |? |? |- |인텔 i960CA (32비트, 캐시) |600,000 |1989 |인텔 |800 nm |143 mm2 |4,200 |- |인텔 i860 (32/64비트, 128비트 SIMD, 캐시, VLIW) |1,000,000url=https://books.google.com/books?id=tg2ix9VD_-sC&pg;=PA198 |1989 |인텔 |? |? ||? |- |인텔 80486 (32비트, 8 KB 캐시) |1,180,235 |1989 |인텔 |1,000 nm |173 mm2 |6,822 |- |ARM 3 (32비트, 4 KB 캐시) |310,000 |1989 |아콘 |1,500 nm |87 mm2 |3,600 |- |POWER1 (9개 칩 모듈, 72 kB 캐시) |6,900,000Bakoglu, Grohoski, and Montoye. "The IBM RISC System/6000 processor: Hardware overview." IBM J. Research and Development. Vol. 34 No. 1, January 1990, pp. 12-22. |1990 |IBM |1,000 nm |1,283.61 mm2 |5,375 |- |모토로라 68040 (32비트, 8 KB 캐시) |1,200,000 |1990 |모토로라 |650 nm |152 mm2 |7,900 |- |R4000 (64비트, 16 KB 캐시) |1,350,000 |1991 |MIPS |1,000 nm |213 mm2 |6,340 |- |ARM 6 (32비트, 이 60 변형에는 캐시 없음) |35,000 |1991 |ARM |800 nm |? |? |- |히타치 SH-1 (32비트, 캐시 없음) |600,000access-date=27 June 2019 |1992url-status=dead |히타치 |800 nm |100 mm2 |6,000 |- |인텔 i960CF (32비트, 캐시) |900,000 |1992 |인텔 |? |125 mm2 |7,200 |- |Alpha 21064 (64비트, 290핀; 16 KB 캐시) |1,680,000 |1992 |DEC |750 nm |233.52 mm2 |7,190 |- |히타치 HARP-1 (32비트, 캐시) |2,800,000url-status=dead |1993 |히타치 |500 nm |267 mm2 |10,500 |- |펜티엄 (32비트, 16 KB 캐시) |3,100,000 |1993 |인텔 |800 nm |294 mm2 |10,500 |- |POWER2 (8개 칩 모듈, 288 kB 캐시) |23,037,000White and Dhawan. "POWER2: next generation of the RISC System/6000 family" IBM J. Research and Development. Vol. 38 No. 5, September 1994, pp. 493-502. |1993 |IBM |720 nm |1,217.39 mm2 |18,923 |- |ARM700 (32비트; 8 KB 캐시) |578,977access-date=2014-08-09 |1994 |ARM |700 nm |68.51 mm2 |8,451 |- |MuP21 (21비트,access-date=2019-09-06 40핀; 비디오 포함) |7,000 |1994 |Offete Enterprises |1,200 nm |? |? |- |모토로라 68060 (32비트, 16 KB 캐시) |2,500,000 |1994 |모토로라 |600 nm |218 mm2 |11,500 |- |파워PC 601 (32비트, 32 KB 캐시) |2,800,000website=archive.arstechnica.com |1994 |애플, IBM, 모토로라 |600 nm |121 mm2 |23,000 |- |파워PC 603 (32비트, 16 KB 캐시) |1,600,000Gary et al. (1994). "The PowerPC 603 microprocessor: a low-power design for portable applications." Proceedings of COMPCON 94. DOI: 10.1109/CMPCON.1994.282894 |1994 |애플, IBM, 모토로라 |500 nm |84.76 mm2 |18,900 |- |파워PC 603e (32비트, 32 KB 캐시) |2,600,000Slaton et al. (1995). "The PowerPC 603e microprocessor: an enhanced, low-power, superscalar microprocessor." Proceedings of ICCD '95 International Conference on Computer Design. DOI: 10.1109/ICCD.1995.528810 |1995 |애플, IBM, 모토로라 |500 nm |98 mm2 |26,500 |- |Alpha 21164 EV5 (64비트, 112 kB 캐시) |9,300,000Bowhill, William J. et al. (1995). "Circuit Implementation of a 300-MHz 64-bit Second-generation CMOS Alpha CPU". Digital Technical Journal, Volume 7, Number 1, pp. 100-118. |1995 |DEC |500 nm |298.65 mm2 |31,140 |- |SA-110 (32비트, 32 KB 캐시) |2,500,000 |1995 |아콘, DEC, 애플 |350 nm |50 mm2 |50,000 |- |펜티엄 프로 (32비트, 16 KB 캐시;access-date=2019-09-08 L2 캐시는 온패키지이지만 별도의 다이에 있음) |5,500,000access-date=2014-08-09 |1995 |인텔 |500 nm |307 mm2 |18,000 |- |PA-8000 64비트, 캐시 없음 |3,800,000Gaddis, N.; Lotz, J. (November 1996). "A 64-b quad-issue CMOS RISC microprocessor". IEEE Journal of Solid-State Circuits **31** (11): pp. 1697-1702. |1995 |HP |500 nm |337.69 mm2 |11,300 |- |알파 21164A EV56 (64비트, 112 kB 캐시) |9,660,000Bouchard, Gregg. "Design objectives of the 0.35 μm Alpha 21164 Microprocessor". IEEE Hot Chips Symposium, August 1996, IEEE Computer Society. |1996 |DEC |350 nm |208.8 mm2 |46,260 |- |AMD K5 (32비트, 캐시) |4,300,000 |1996 |AMD |500 nm |251 mm2 |17,000 |- |펜티엄 II 클라마스 (32비트, 64비트 SIMD, 캐시) |7,500,000 |1997 |인텔 |350 nm |195 mm2 |39,000 |- |AMD K6 (32비트, 캐시) |8,800,000 |1997 |AMD |350 nm |162 mm2 |54,000 |- |F21 (21비트; 예: 비디오 포함) |15,000 |1997access-date=2019-09-06 |Offete Enterprises |? |? |? |- |AVR (8비트, 40핀; 메모리 포함) |140,000 (48,000
메모리 제외access-date=2019-09-08) |1997 |노르딕 VLSI/아트멜 |? |? |? |- |펜티엄 II 데슈츠 (32비트, 대용량 캐시) |7,500,000 |1998 |인텔 |250 nm |113 mm2 |66,000 |- |Alpha 21264 EV6 (64비트) |15,200,000Gronowski, Paul E. et al. (May 1998). "High-performance microprocessor design". IEEE Journal of Solid-State Circuits **33** (5): pp. 676-686. |1998 |DEC |350 nm |313.96 mm2 |48,400 |- |Alpha 21164PC PCA57 (64비트, 48 kB 캐시) |5,700,000 |1998 |삼성 |280 nm |100.5 mm2 |56,700 |- |히타치 SH-4 (32비트, 캐시) access-date=2023-03-18 |3,200,000s2cid=45392734 |1998 |히타치 |250 nm |57.76 mm2 |55,400 |- |ARM 9TDMI (32비트, 캐시 없음) |111,000 |1999 |아콘 |350 nm |4.8 mm2 |23,100 |- |펜티엄 III 카트마이 (32비트, 128비트 SIMD, 캐시) |9,500,000 |1999 |인텔 |250 nm |128 mm2 |74,000 |- |이모션 엔진 (64비트, 128비트 SIMD, 캐시) |10,500,000
– 13,500,000isbn=978-0-08-050252-6 |1999 |소니, 도시바 |250 nm |239.7 mm2access-date=19 June 2019 |43,800 – 56,300 |- |펜티엄 II 모바일 딕슨 (32비트, 캐시) |27,400,000 |1999 |인텔 |180 nm |180 mm2 |152,000 |- |AMD K6-III (32비트, 캐시) |21,300,000 |1999 |AMD |250 nm |118 mm2 |181,000 |- |AMD K7 (32비트, 캐시) |22,000,000 |1999 |AMD |250 nm |184 mm2 |120,000 |- |게코 (32비트, 대용량 캐시) |21,000,000date=22 June 2005 |2000 |IBM, 닌텐도 |180 nm |43 mm2 |490,000 (확인) |- |펜티엄 III 코퍼마인 (32비트, 대용량 캐시) |21,000,000 |2000 |인텔 |180 nm |80 mm2 |263,000 |- |펜티엄 4 윌라메트 (32비트, 대용량 캐시) |42,000,000 |2000 |인텔 |180 nm |217 mm2 |194,000 |- |SPARC64 V (64비트, 대용량 캐시) |191,000,000isbn = 1-58113-688-9 |2001 |후지쯔 |130 nmKrewell, Kevin (21 October 2002). "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal". Microprocessor Report. |290 mm2 |659,000 |- |펜티엄 III 투알라틴 (32비트, 대용량 캐시) |45,000,000 |2001 |인텔 |130 nm |81 mm2 |556,000 |- |펜티엄 4 노스우드 (32비트, 대용량 캐시) |55,000,000 |2002 |인텔 |130 nm |145 mm2 |379,000 |- |아이테니엄 2 맥킨리 (64비트, 대용량 캐시) |220,000,000 |2002 |인텔 |180 nm |421 mm2 |523,000 |- |Alpha 21364 (64비트, 946핀, SIMD, 매우 큰 캐시) |152,000,000access-date=2019-09-08 |2003 |DEC |180 nm |397 mm2 |383,000 |- |AMD K7 바튼 (32비트, 대용량 캐시) |54,300,000 |2003 |AMD |130 nm |101 mm2 |538,000 |- |AMD K8 (64비트, 대용량 캐시) |105,900,000 |2003 |AMD |130 nm |193 mm2 |548,700 |- |펜티엄 M 바니아스 (32비트) |77,000,000title=Intel Pentium M Processor 1.60 GHZ, 1M Cache, 400 MHZ FSB Product Specifications |2003 |인텔 |130 nm |83 mm2 |928,000 |- |아이테니엄 2 매디슨 6M (64비트) |410,000,000 |2003 |인텔 |130 nm |374 mm2 |1,096,000 |- |플레이스테이션 2 단일 칩 (CPU + GPU) |53,500,000 website=PS2 Dev Wiki |2003 publisher=소니그룹 |소니, 도시바 |90 nm date=April 21, 2003
130 nm date=2004-01-30 date=2004-02-05 |86 mm2 |622,100 |- |펜티엄 4 프레스콧 (32비트, 대용량 캐시) |112,000,000 |2004 |인텔 |90 nm |110 mm2 |1,018,000 |- |펜티엄 M 도선 (32비트) |144,000,000title=Intel Pentium M Processor 760 (2M Cache, 2.00A GHZ, 533 MHZ FSB) Product Specifications |2004 |인텔 |90 nm |87 mm2 |1,655,000 |- |SPARC64 V+ (64비트, 대용량 캐시) |400,000,000후지쯔 (August 2004). SPARC64 V Processor For UNIX Server. |2004 |후지쯔 |90 nm |294 mm2 |1,360,000 |- |아이테니엄 2 (64비트; 9 MB 캐시) |592,000,000 |2004 |인텔 |130 nm |432 mm2 |1,370,000 |- |펜티엄 4 프레스콧-2M (32비트, 대용량 캐시) |169,000,000 |2005 |인텔 |90 nm |143 mm2 |1,182,000 |- |펜티엄 D 스미스필드 (64비트, 대용량 캐시) |228,000,000 |2005 |인텔 |90 nm |206 mm2 |1,107,000 |- |제논 (64비트, 128비트 SIMD, 대용량 캐시) |165,000,000 |2005 |IBM |90 nm |? |? |- |셀 (32비트, 캐시) |250,000,000date=July 13, 2006 |2005 |소니, IBM, 도시바 |90 nm |221 mm2 |1,131,000 |- |펜티엄 4 시더밀 (32비트, 대용량 캐시) |184,000,000 |2006 |인텔 |65 nm |90 mm2 |2,044,000 |- |- |펜티엄 D 프레슬러 (64비트, 대용량 캐시) |362,000,000access-date=2023-01-05 |2006 |인텔 |65 nm |162 mm2 |2,235,000 |- |Core 2 Duo 콘로 (듀얼코어 64비트, 대용량 캐시) |291,000,000 |2006 |인텔 |65 nm |143 mm2 |2,035,000 |- |듀얼 코어 아이테니엄 2 (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |1,700,000,000access-date=2014-08-09 |2006 |인텔 |90 nm |596 mm2 |2,852,000 |- |AMD K10 쿼드코어 2M L3 (64비트, 대용량 캐시) |463,000,000access-date=2014-08-09 |2007 |AMD |65 nm |283 mm2 |1,636,000 |- |ARM Cortex-A9 (32비트, (선택 사항) SIMD, 캐시) |26,000,000access-date=2014-08-09 |2007 |ARM |45 nm |31 mm2 |839,000 |- |Core 2 Duo 울프데일 (듀얼 코어 64비트, SIMD, 캐시) |411,000,000 |2007 |인텔 |45 nm |107 mm2 |3,841,000 |- |POWER6 (64비트, 대용량 캐시) |789,000,000 |2007 |IBM |65 nm |341 mm2 |2,314,000 |- |Core 2 Duo 알렌데일 (듀얼 코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |169,000,000 |2007 |인텔 |65 nm |111 mm2 |1,523,000 |- |유니피어 |250,000,000date=October 10, 2007 |2007 |마쓰시타 |45 nm |? |? |- |SPARC64 VI (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |540,000,000 |2007"SPARC64 VI Extensions" page 56, Fujitsu Limited, Release 1.3, 27 March 2007 |후지쯔 |90 nm |421 mm2 |1,283,000 |- |Core 2 Duo 울프데일 3M (듀얼 코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |230,000,000 |2008 |인텔 |45 nm |83 mm2 |2,771,000 |- |코어 i7 (쿼드 코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |731,000,000 |2008 |인텔 |45 nm |263 mm2 |2,779,000 |- |AMD K10 쿼드 코어 6M L3 (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |758,000,000 |2008 |AMD |45 nm |258 mm2 |2,938,000 |- |아톰 (32비트, 대용량 캐시) |47,000,000 |2008 |인텔 |45 nm |24 mm2 |1,958,000 |- |SPARC64 VII (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |600,000,000 |2008Morgan, Timothy Prickett (17 July 2008). "Fujitsu and Sun Flex Their Quads with New Sparc Server Lineup". The Unix Guardian, Vol. 8, No. 27. |후지쯔 |65 nm |445 mm2 |1,348,000 |- |6코어 제온 7400 (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |1,900,000,000 |2008 |인텔 |45 nm |503 mm2 |3,777,000 |- |6코어 옵테론 2400 (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |904,000,000 |2009 |AMD |45 nm |346 mm2 |2,613,000 |- |SPARC64 VIIIfx (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |760,000,000access-date=30 June 2019 |2009 |후지쯔 |45 nm |513 mm2 |1,481,000 |- |아톰 (파인뷰) 64비트, 1코어, 512 kB L2 캐시 |123,000,000access-date=2023-06-08 |2010 |인텔 |45 nm |66 mm2 |1,864,000 |- |아톰 (파인뷰) 64비트, 2코어, 1 MB L2 캐시 |176,000,000access-date=2023-06-08 |2010 |인텔 |45 nm |87 mm2 |2,023,000 |- |SPARC T3 (16코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |1,000,000,000access-date=2014-08-09 |2010 |썬/오라클 |40 nm |377 mm2 |2,653,000 |- |6코어 코어 i7 (걸프타운) |1,170,000,000 |2010 |인텔 |32 nm |240 mm2 |4,875,000 |- |POWER7 32M L3 (8코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |1,200,000,000 |2010 |IBM |45 nm |567 mm2 |2,116,000 |- |쿼드 코어 z196access-date=2014-08-09 (64비트, 매우 큰 캐시) |1,400,000,000 |2010 |IBM |45 nm |512 mm2 |2,734,000 |- |쿼드 코어 아이테니엄 투킬라 (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |2,000,000,000access-date=February 5, 2008 |2010 |인텔 |65 nm |699 mm2 |2,861,000 |- |제온 네할렘-EX (8코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |2,300,000,000"Intel Previews Intel Xeon 'Nehalem-EX' Processor." May 26, 2009. Retrieved on May 28, 2009. |2010 |인텔 |45 nm |684 mm2 |3,363,000 |- |SPARC64 IXfx (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |1,870,000,000 |2011 |후지쯔 |40 nm |484 mm2 |3,864,000 |- |쿼드 코어 + GPU 코어 i7 (샌디브리지) (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |1,160,000,000 |2011 |인텔 |32 nm |216 mm2 |5,370,000 |- |6코어 코어 i7/8코어 제온 E5
(샌디브리지-E/EP) (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |2,270,000,000access-date=2014-08-09 |2011 |인텔 |32 nm |434 mm2 |5,230,000 |- |제온 Westmere-EX (10코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |2,600,000,000 |2011 |인텔 |32 nm |512 mm2 |5,078,000 |- |아톰 "메드필드" (64비트) |432,000,000title=IDF2012 Mark Bohr, Intel Senior Fellow |2012 |인텔 |32 nm |64 mm2 |6,750,000 |- |SPARC64 X (64비트, SIMD, 캐시) |2,990,000,000access-date=August 29, 2017 |2012 |후지쯔 |28 nm |600 mm2 |4,983,000 |- |AMD 불도저 (8코어 64비트, SIMD, 캐시) |1,200,000,000access-date=April 4, 2010 |2012 |AMD |32 nm |315 mm2 |3,810,000 |- |쿼드 코어 + GPU AMD 트리니티 (64비트, SIMD, 캐시) |1,303,000,000 |2012 |AMD |32 nm |246 mm2 |5,297,000 |- |쿼드 코어 + GPU 코어 i7 아이비브리지 (64비트, SIMD, 캐시) |1,400,000,000 |2012 |인텔 |22 nm |160 mm2 |8,750,000 |- |POWER7+ (8코어 64비트, SIMD, 80 MB L3 캐시) |2,100,000,000 |2012 |IBM |32 nm |567 mm2 |3,704,000 |- |6코어 zEC12 (64비트, SIMD, 대용량 캐시) |2,750,000,000 |2012 |IBM |32 nm |597 mm2 |4,606,000 |- |아이테니엄 폴슨 (8코어 64비트, SIMD, 캐시) |3,100,000,000 |2012 |인텔 |32 nm |544 mm2 |5,699,000 |- |제온 파이 (61코어 32비트, 512비트 SIMD, 캐시) |5,000,000,000access-date = 2015-07-20 |2012 |인텔 |22 nm |720 mm2 |6,944,000 |- |애플 A7 (듀얼 코어 64/32비트 ARM64, "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |1,000,000,000 |2013 |애플 |28 nm |102 mm2 |9,804,000 |- |6코어 코어 i7 아이비브리지 E (64비트, SIMD, 캐시) |1,860,000,000 |2013 |인텔 |22 nm |256 mm2 |7,266,000 |- |POWER8 (12코어 64비트, SIMD, 캐시) |4,200,000,000 |2013 |IBM |22 nm |650 mm2 |6,462,000 |- |엑스박스 원 메인 SoC (64비트, SIMD, 캐시) |5,000,000,000 |2013 |마이크로소프트, AMD |28 nm |363 mm2 |13,770,000 |- |쿼드 코어 + GPU 코어 i7 하스웰 (64비트, SIMD, 캐시) |1,400,000,000access-date=20 November 2014 |2014 |인텔 |22 nm |177 mm2 |7,910,000 |- |애플 A8 (듀얼 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |2,000,000,000 |2014 |애플 |20 nm |89 mm2 |22,470,000 |- |코어 i7 하스웰-E (8코어 64비트, SIMD, 캐시) |2,600,000,000"access-date=August 29, 2014 |2014 |인텔 |22 nm |355 mm2 |7,324,000 |- |애플 A8X (트리플 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |3,000,000,000website=NotebookCheck |2014 |애플 |20 nm |128 mm2 |23,440,000 |- |제온 아이비브리지-EX (15코어 64비트, SIMD, 캐시) |4,310,000,000access-date=2014-08-09 |2014 |인텔 |22 nm |541 mm2 |7,967,000 |- |제온 하스웰-E5 (18코어 64비트, SIMD, 캐시) |5,560,000,000access-date=29 January 2015 |2014 |인텔 |22 nm |661 mm2 |8,411,000 |- |쿼드 코어 + GPU GT2 코어 i7 스카이레이크 K (64비트, SIMD, 캐시) |1,750,000,000 |2015 |인텔 |14 nm |122 mm2 |14,340,000 |- |듀얼 코어 + GPU 아이리스 코어 i7 브로드웰-U (64비트, SIMD, 캐시) |1,900,000,000publisher=테크리포트 |2015 |인텔 |14 nm |133 mm2 |14,290,000 |- |rowspan="2" | 애플 A9 (듀얼 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |rowspan="2" | 2,000,000,000+ |rowspan="2" | 2015 |rowspan="2" | 애플 |14 nm
(삼성) |96 mm2
(삼성) |20,800,000+ |- |16 nm
(TSMC) |104.5 mm2
(TSMC) |19,100,000+ |- |애플 A9X (듀얼 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |3,000,000,000+ |2015 |애플 |16 nm |143.9 mm2 |20,800,000+ |- |IBM z13 (64비트, 캐시) |3,990,000,000 |2015 |IBM |22 nm |678 mm2 |5,885,000 |- |IBM z13 스토리지 컨트롤러 |7,100,000,000 |2015 |IBM |22 nm |678 mm2 |10,472,000 |- |SPARC M7 (32코어 64비트, SIMD, 캐시) |10,000,000,000date=August 13, 2014 |2015 |오라클 |20 nm |? |? |- |코어 i7 브로드웰-E (10코어 64비트, SIMD, 캐시) |3,200,000,000access-date=2017-04-12 |2016 |인텔 |14 nm |246 mm2access-date=2017-04-12 |13,010,000 |- |애플 A10 퓨전 (쿼드 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |3,300,000,000 |2016 |애플 |16 nm |125 mm2 |26,400,000 |- ||하이실리콘 기린 960 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |4,000,000,000access-date=2018-11-18 |2016 |화웨이 |16 nm |110.00 mm2 |36,360,000 |- |제온 브로드웰-E5 (22코어 64비트, SIMD, 캐시) |7,200,000,000access-date=2016-04-04 |2016 |인텔 |14 nm |456 mm2 |15,790,000 |- |제온 파이 (72코어 64비트, 512비트 SIMD, 캐시) |8,000,000,000 |2016 |인텔 |14 nm |683 mm2 |11,710,000 |- |Zip CPU (32비트, FPGA용) |1,286 6-LUTsaccess-date=2019-09-10 |2016 |Gisselquist Technology |? |? |? |- |퀄컴 스냅드래곤 835 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |3,000,000,000website=NotebookCheckwebsite=벤처비트 |2016 |퀄컴 |10 nm |72.3 mm2 |41,490,000 |- |애플 A11 바이오닉 (헥사 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |4,300,000,000 |2017 |애플 |10 nm |89.23 mm2 |48,190,000 |- |AMD 젠 CCX (코어 컴플렉스 유닛: 4코어, 8 MB L3 캐시) |1,400,000,000date=2017 |2017 |AMD |14 nm
(GF 14LPP) |44 mm2 |31,800,000 |- |AMD 제플린 SoC 라이젠 (64비트, SIMD, 캐시) |4,800,000,000date=22 February 2017 |2017 |AMD |14 nm |192 mm2 |25,000,000 |- |AMD 라이젠 5 1600 라이젠 (64비트, SIMD, 캐시) |4,800,000,000access-date=2018-12-09 |2017 |AMD |14 nm |213 mm2 |22,530,000 |- |IBM z14 (64비트, SIMD, 캐시) |6,100,000,000 |2017 |IBM |14 nm |696 mm2 |8,764,000 |- |IBM z14 스토리지 컨트롤러 (64비트) |9,700,000,000 |2017 |IBM |14 nm |696 mm2 |13,940,000 |- ||하이실리콘 기린 970 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |5,500,000,000access-date=2018-11-08 |2017 |하이실리콘 |10 nm |96.72 mm2 |56,900,000 |- |엑스박스 원 X (프로젝트 스콜피오) 메인 SoC (64비트, SIMD, 캐시) |7,000,000,000 |2017 |마이크로소프트, AMD |16 nm |360 mm2access-date=2017-05-03 |19,440,000 |- |제온 플래티넘 8180 (28코어 64비트, SIMD, 캐시) |8,000,000,000access-date=2018-12-02 |2017 |인텔 |14 nm |? |? |- |제온 (미지정) |7,100,000,000date=2022-03-02 |2017 |인텔 |14 nm |672 mm2 |10,570,000 |- |POWER9 (64비트, SIMD, 캐시) |8,000,000,000 |2017 |IBM |14 nm |695 mm2 |11,500,000 |- |프리덤 U500 베이스 플랫폼 칩 (E51, 4×U54) RISC-V (64비트, 캐시) |250,000,000url-status=dead |2017 |SiFive |28 nm |data-sort-value="30"|~30 mm2 |8,330,000 |- |SPARC64 XII (12코어 64비트, SIMD, 캐시) |5,450,000,000access-date=August 29, 2017 |2017 |후지쯔 |20 nm |795 mm2 |6,850,000 |- ||애플 A10X 퓨전 (헥사 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |4,300,000,000website=ZDNet.de |2017 |애플 |10 nm |96.40 mm2 |44,600,000 |- |센트릭 2400 (64/32비트, SIMD, 캐시) |18,000,000,000access-date=2017-11-09 |2017 |퀄컴 |10 nm |398 mm2 |45,200,000 |- |AMD Epyc (32코어 64비트, SIMD, 캐시) |19,200,000,000 |2017 |AMD |14 nm |768 mm2 |25,000,000 |- |퀄컴 스냅드래곤 845 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |5,300,000,000publisher=테크레이더 |2017 |퀄컴 |10 nm |94 mm2 |56,400,000 |- |퀄컴 스냅드래곤 850 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |5,300,000,000publisher=AnandTech |2017 |퀄컴 |10 nm |94 mm2 |56,400,000 |- ||하이실리콘 기린 710 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |5,500,000,000access-date=2018-11-24 |2018 |화웨이 |12 nm |? |? |- ||애플 A12 바이오닉 (헥사 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |6,900,000,000
access-date=September 21, 2018access-date=2018-09-26 |2018 |애플 |7 nm |83.27 mm2 |82,900,000 |- ||하이실리콘 기린 980 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |6,900,000,000access-date=2018-11-08 |2018 |하이실리콘 |7 nm |74.13 mm2 |93,100,000 |- |퀄컴 스냅드래곤 8cx / SCX8180 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |8,500,000,000publisher=dailyhunt |2018 |퀄컴 |7 nm |112 mm2 |75,900,000 |- ||애플 A12X 바이오닉 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |10,000,000,000website=Wccftech |2018 |애플 |7 nm |122 mm2 |82,000,000 |- |후지쯔 A64FX (64/32비트, SIMD, 캐시) |8,786,000,000url-status=dead |2018date=August 22, 2018 |후지쯔 |7 nm |? |? |- |테그라 자비에르 SoC (64/32비트) |9,000,000,000access-date=2018-12-06 |2018 |엔비디아 |12 nm |350 mm2 |25,700,000 |- |퀄컴 스냅드래곤 855 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |6,700,000,000website=www.anandtech.com |2018 |퀄컴 |7 nm |73 mm2 |91,800,000 |- |AMD 젠 2 코어 (0.5 MB L2 + 4 MB L3 캐시) |475,000,000 |2019 |AMD |7 nm |7.83 mm2 |60,664,000 |- |AMD 젠 2 CCX (코어 컴플렉스: 4코어, 16 MB L3 캐시) |1,900,000,000access-date=2023-02-21 |2019 |AMD |7 nm |31.32 mm2 |60,664,000 |- |AMD 젠 2 CCD (코어 컴플렉스 다이: 8코어, 32 MB L3 캐시) |3,800,000,000 |2019 |AMD |7 nm |74 mm2 |51,350,000 |- |AMD 젠 2 클라이언트 I/O 다이 |2,090,000,000 |2019 |AMD |12 nm |125 mm2 |16,720,000 |- |AMD 젠 2 서버 I/O 다이 |8,340,000,000 |2019 |AMD |12 nm |416 mm2 |20,050,000 |- |AMD 젠 2 르누아르 다이 |9,800,000,000 |2019 |AMD |7 nm |156 mm2 |62,820,000 |- |AMD 라이젠 7 3700X (64비트, SIMD, 캐시, I/O 다이) |5,990,000,000date=7 July 20193,900,000,000 코어 칩렛 다이, 2,090,000,000 I/O 다이 |2019 |AMD |7 & 12 nm
(TSMC) |199
(74+125) mm2 |30,100,000 |- |하이실리콘 기린 990 4G |8,000,000,000access-date=2020-01-02 |2019 |화웨이 |7 nm |90.00 mm2 |89,000,000 |- |애플 A13 (헥사 코어 64비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |8,500,000,000
access-date=2019-09-11 |2019 |애플 |7 nm |98.48 mm2 |86,300,000 |- |IBM z15 CP 칩 (12코어, 256 MB L3 캐시) |9,200,000,000date=2020-08-17 |2019 |IBM |14 nm |696 mm2 |13,220,000 |- |IBM z15 SC 칩 (960 MB L4 캐시) |12,200,000,000 |2019 |IBM |14 nm |696 mm2 |17,530,000 |- |AMD 라이젠 9 3900X (64비트, SIMD, 캐시, I/O 다이) |9,890,000,000
access-date=24 October 2019access-date=24 October 2019 |2019 |AMD |7 & 12 nm
(TSMC) |273 mm2 |36,230,000 |- |하이실리콘 기린 990 5G |10,300,000,000access-date=2019-12-23 |2019 |화웨이 |7 nm |113.31 mm2 |90,900,000 |- |AWS 그라비톤2 (64비트, 64코어 ARM 기반, SIMD, 캐시)access-date=2019-12-06access-date=2019-12-06 |30,000,000,000 |2019 |아마존 |7 nm |? |? |- |AMD Epyc 로마 (64비트, SIMD, 캐시) |39,540,000,000
|2019 |AMD |7 & 12 nm
(TSMC) |1,008 mm2 |39,226,000 |- |퀄컴 스냅드래곤 865 (옥타 코어 64/32비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |10,300,000,000language=en-US |2019 |퀄컴 |7 nm |83.54 mm2website=www.techinsights.com |123,300,000 |- |TI 자신토 TDA4VM (ARM A72, DSP, SRAM) |3,500,000,000website=www.linleygroup.com |2020 |텍사스 인스트루먼트 |16 nm |? |? |- |애플 A14 바이오닉 (헥사 코어 64비트 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |11,800,000,000language=en-US |2020 |애플 |5 nm |88 mm2 |134,100,000 |- |애플 M1 (옥타 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |16,000,000,000language=en-US |2020 |애플 |5 nm |119 mm2 |134,500,000 |- |하이실리콘 기린 9000 |15,300,000,000
language=en-USwebsite=www.anandtech.com |2020 |화웨이 |5 nm |114 mm2 |134,200,000 |- |AMD 젠 3 CCX (코어 컴플렉스 유닛: 8코어, 32 MB L3 캐시) |4,080,000,000date=2022 |2020 |AMD |7 nm |68 mm2 |60,000,000 |- |AMD 젠 3 CCD (코어 컴플렉스 다이) |4,150,000,000 |2020 |AMD |7 nm |81 mm2 |51,230,000 |- |코어 11세대 로켓레이크 (8코어 64비트, SIMD, 대용량 캐시) |6,000,000,000+language=en |2021 |인텔 |14 nm +++ 14 nm |276 mm2language=en |37,500,000 or 21,800,000+language=en |- |AMD 라이젠 7 5800H (64비트, SIMD, 캐시, I/O 및 GPU) |10,700,000,000language=en |2021 |AMD |7 nm |180 mm2 |59,440,000 |- |AMD Epyc 7763 (밀란) (64코어, 64비트) |? |2021 |AMD |7 & 12 nm
(TSMC) |1,064 mm2
(8×81+416)date=August 2023 |? |- |애플 A15 |15,000,000,000
language=enwebsite=www.techinsights.com |2021 |애플 |5 nm |107.68 mm2 |139,300,000 |- |애플 M1 프로 (10코어, 64비트) |33,700,000,000 |2021 |애플 |5 nm |245 mm2language=en |137,600,000 |- |애플 M1 맥스 (10코어, 64비트) |57,000,000,000
date=19 October 2021date=18 October 2021 |2021 |애플 |5 nm |420.2 mm2access-date=2022-07-08 |135,600,000 |- |Power10 듀얼 칩 모듈 (30 SMT8 코어 또는 60 SMT4 코어) |36,000,000,000website=AnandTech |2021 |IBM |7 nm |1,204 mm2 |29,900,000 |- |디멘시티 9000 (ARM64 SoC) |15,300,000,000
date=2022-12-12date=2023-01-21 |2021 |미디어텍 |4 nm
(TSMC N4) |? |? |- |애플 A16 (ARM64 SoC) |16,000,000,000
date=2022-09-07date=2022-09-07date=2022-09-07 |2022 |애플 |4 nm |? |? |- |애플 M1 울트라 (듀얼 칩 모듈, 2×10 코어) |114,000,000,000
access-date=9 March 2022language=en |2022 |애플 |5 nm |840.5 mm2 |135,600,000 |- |AMD Epyc 7773X (밀란-X) (멀티 칩 모듈, 64코어, 768 MB L3 캐시) |26,000,000,000 + 밀란date=2022-03-21 |2022 |AMD |7 & 12 nm
(TSMC) |1,352 mm2
(밀란 + 8×36) |? |- |IBM 텔룸 듀얼 칩 모듈 (2×8 코어, 2×256 MB 캐시) |45,000,000,000
date=2021-08-23date=2022-04-05 |2022 |IBM |7 nm (삼성) |1,060 mm2 |42,450,000 |- |애플 M2 (옥타 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |20,000,000,000website=Apple |2022 |애플 |5 nm |? |? |- |디멘시티 9200 (ARM64 SoC) |17,000,000,000
date=2022-11-08date=2022-11-08date=2022-11-08 |2022 |미디어텍 |4 nm
(TSMC N4P) |? |? |- |퀄컴 스냅드래곤 8 Gen 2 (옥타 코어 ARM64 "모바일 SoC", SIMD, 캐시) |16,000,000,000 |2022 |퀄컴 |4 nm |268 mm2 |59,701,492 |- |AMD EPYC 제노아 (4세대/9004 시리즈) 13개 칩 모듈 (최대 96코어 및 384 MB (L3) + 96 MB (L2) 캐시)date=2022-11-10 |90,000,000,000
date=2023-02-21date=2023-02-20 |2022 |AMD |5 nm (CCD)
6 nm (IOD) |1,263.34 mm2
12×72.225 (CCD)
396.64 (IOD)
date=2021-08-17 first1=Areej |71,240,000 |- |하이실리콘 기린 9000s |9,510,000,000access-date=2023-09-24 |2023 |화웨이 |7 nm |107 mm2 |107,690,000 |- |애플 M4 (데카 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |28,000,000,000website=Anandtech |2024 |애플 |3 nm |? |? |- |애플 M3 (옥타 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |25,000,000,000website=Arstechnica |2023 |애플 |3 nm |? |? |- |애플 M3 프로 (도데카 코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |37,000,000,000 |2023 |애플 |3 nm |? |? |- |애플 M3 맥스 (16코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |92,000,000,000 |2023 |애플 |3 nm |? |? |- |애플 A17 |19,000,000,000
language=en |2023 |애플 |3 nm |103.8 mm2 |183,044,315 |- |사파이어 래피즈 쿼드 칩 모듈 (최대 60코어 및 112.5 MB 캐시)date=2023-01-10 |44,000,000,000–
48,000,000,000date=2022-02-21 |2023 |인텔 |10 nm ESF (Intel 7) |1,600 mm2 |27,500,000–
30,000,000 |- |애플 M2 프로 (12코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |40,000,000,000date=2023-01-17 |2023 |애플 |5 nm |? |? |- |애플 M2 맥스 (12코어 64비트 ARM64 SoC, SIMD, 캐시) |67,000,000,000 |2023 |애플 |5 nm |? |? |- |애플 M2 울트라 (두 개의 M2 맥스 다이) |134,000,000,000publisher=Apple |2023 |애플 |5 nm |? |? |- |AMD EPYC 베르가모 (4세대/97X4 시리즈) 9개 칩 모듈 (최대 128코어 및 256 MB (L3) + 128 MB (L2) 캐시) |82,000,000,000date=2023-06-13 |2023 |AMD |5 nm (CCD)
6 nm (IOD) |? |? |- |AMD 인스팅트 MI300A (멀티 칩 모듈, 24코어, 128 GB GPU 메모리 + 256 MB (LLC/L3) 캐시) |146,000,000,000access-date=January 14, 2024access-date=January 14, 2024 |2023 |AMD |5 nm (CCD, GCD)
6 nm (IOD) |1,017 mm2 |144,000,000 |- | RV32-WUJI: 사파이어 위의 3원자 두께 이황화 몰리브덴; RISC-V 아키텍처 | 5931 "China creates world's thinnest chip with 5931 transistors". 2025\. | 2025 | ? | 3000 nm | ? | ? |- ! Processor ! 트랜지스터 수 ! 연도 ! 설계자 ! 공정
(nm) ! 면적 (mm2) ! 트랜지스터
밀도
(tr./mm2) |}
## GPU
그래픽 처리 장치 (GPU)는 디스플레이로 출력하기 위한 프레임 버퍼에 이미지를 구축하는 속도를 높이기 위해 메모리를 빠르게 조작하고 변경하도록 설계된 특수 전자 회로이다. 설계자는 엔비디아 및 AMD와 같은 기술 기업을 의미하며, 집적 회로 칩의 논리를 설계한다. 제조사("Fab.")는 TSMC 및 삼성 반도체와 같은 파운드리에서 반도체 제조 공정을 사용하여 칩을 제작하는 반도체 회사를 의미한다. 칩의 트랜지스터 수는 제조사의 제조 공정에 따라 달라지며, 더 작은 반도체 노드는 일반적으로 더 높은 트랜지스터 밀도를 가능하게 하여 더 높은 트랜지스터 수를 허용한다. GPU와 함께 제공되는 램 (VRAM, SGRAM 또는 HBM 등)은 총 트랜지스터 수를 크게 증가시키며, 메모리는 일반적으로 그래픽 카드의 트랜지스터 대부분을 차지한다. 예를 들어, 엔비디아의 테슬라 P100은 16 GB의 HBM2 메모리 외에 GPU에 150억 개의 핀펫 (16 nm)이 있어 그래픽 카드에 총 약 1500억 개의 MOSFET이 있다.access-date=2019-08-12 다음 표에는 메모리가 포함되지 않는다. 메모리 트랜지스터 수는 아래 메모리 섹션을 참조하십시오. Row hover highlight {| class="wikitable sortable mw-datatable" |- ! 프로세서 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 수 ! 연도 ! 설계자 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터
밀도
(tr./mm2) ! class="unsortable"| 참고 자료 |- |μPD7220 GDC |40,000 |1982 |NEC |NEC |5,000 nm |? |? |access-date=21 June 2019 |- |ARTC HD63484 |60,000 |1984 |히타치 |히타치 |? |? |? |access-date=21 June 2019 |- |CBM 아그누스 |21,000 |1985 |코모도어 |CSG |5,000 nm |? |? |url=https://bboah.com/index.php?action=artikel&cat;=51&id;=2174publisher=Book on Demand |- |YM7101 VDP |100,000 |1988 |야마하, 세가 |야마하 |? |? |? |date=20 August 2017 |- |톰 & 제리 |750,000 |1993 |플레어 |IBM |? |? |? | |- |VDP1 |1,000,000 |1994 |세가 |히타치 |500 nm |? |? |access-date=18 July 2019 |- |소니 GPU |1,000,000 |1994 |도시바 |LSI |500 nm |? |? |date=18 September 1995access-date=19 June 2019access-date=29 January 2014 |- |NV1 |1,000,000 |1995 |엔비디아, 세가 |SGS |500 nm |90 mm2 |11,000 | |- |리얼리티 코프로세서 |2,600,000 |1996 |SGI |NEC |350 nm |81 mm2 |32,100 |url-status=dead |- |PowerVR |1,200,000 |1996 |VideoLogic |NEC |350 nm |? |? |access-date=19 June 2019 |- |부두 그래픽스 |1,000,000 |1996 |3dfx |TSMC |500 nm |? |? |date=19 May 2009access-date=21 July 2019 |- |Voodoo Rush |1,000,000 |1997 |3dfx |TSMC |500 nm |? |? | |- |NV3 |3,500,000 |1997 |엔비디아 |SGS, TSMC |350 nm |90 mm2 |38,900 |access-date=21 July 2019access-date=21 July 2019 |- |i740 |3,500,000 |1998 |인텔, Real3D |Real3D |350 nm |? |? | rowspan="3" | |- |부두 2 |4,000,000 |1998 |3dfx |TSMC |350 nm |? |? |- |Voodoo Rush |4,000,000 |1998 |3dfx |TSMC |350 nm |? |? |- |NV4 |7,000,000 |1998 |엔비디아 |TSMC |350 nm |90 mm2 |78,000 | |- |PowerVR2 CLX2 |10,000,000 |1998 |VideoLogic |NEC |250 nm |116 mm2 |86,200 |date=September 29, 2009date=September 7, 1998quote=The chip, etched in 0.25-micron detail — state-of-the-art for graphics processors — fits 10 million transistorsurl-access=subscription |- |PowerVR2 PMX1 |6,000,000 |1999 |VideoLogic |NEC |250 nm |? |? |access-date=19 June 2019 |- |Rage 128 |8,000,000 |1999 |ATI |TSMC, UMC |250 nm |70 mm2 |114,000 | |- |부두 3 |8,100,000 |1999 |3dfx |TSMC |250 nm |? |? |date=November 21, 1998 |- |그래픽스 신시사이저 |43,000,000 |1999 |소니, 도시바 |소니, 도시바 |180 nm |279 mm2 |154,000 |date=April 21, 2003 |- |NV5 |15,000,000 |1999 |엔비디아 |TSMC |250 nm |90 mm2 |167,000 | |- |NV10 |17,000,000 |1999 |엔비디아 |TSMC |220 nm |111 mm2 |153,000 |access-date=19 June 2019 |- |NV11 |20,000,000 |2000 |엔비디아 |TSMC |180 nm |65 mm2 |308,000 | |- |NV15 |25,000,000 |2000 |엔비디아 |TSMC |180 nm |81 mm2 |309,000 | |- |부두 4 |14,000,000 |2000 |3dfx |TSMC |220 nm |? |? | |- |부두 5 |28,000,000 |2000 |3dfx |TSMC |220 nm |? |? | |- |R100 |30,000,000 |2000 |ATI |TSMC |180 nm |97 mm2 |309,000 | |- |플리퍼 |51,000,000 |2000 |ArtX |NEC |180 nm |106 mm2 |481,000 |access-date=November 22, 2015 |- |PowerVR3 KYRO |14,000,000 |2001 |이미지네이션 |ST |250 nm |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | |- |PowerVR3 KYRO II |15,000,000 |2001 |이미지네이션 |ST |180 nm |- |NV2A |60,000,000 |2001 |엔비디아 |TSMC |150 nm |? |? |access-date=21 July 2019 |- |NV20 |57,000,000 |2001 |엔비디아 |TSMC |150 nm |128 mm2 |445,000 | rowspan="16" | |- |NV25 |63,000,000 |2002 |엔비디아 |TSMC |150 nm |142 mm2 |444,000 |- |NV28 |36,000,000 |2002 |엔비디아 |TSMC |150 nm |101 mm2 |356,000 |- |NV17/18 |29,000,000 |2002 |엔비디아 |TSMC |150 nm |65 mm2 |446,000 |- |R200 |60,000,000 |2001 |ATI |TSMC |150 nm |68 mm2 |882,000 |- |R300 |107,000,000 |2002 |ATI |TSMC |150 nm |218 mm2 |490,800 |- |R360 |117,000,000 |2003 |ATI |TSMC |150 nm |218 mm2 |536,700 |- |NV34 |45,000,000 |2003 |엔비디아 |TSMC |150 nm |124 mm2 |363,000 |- |NV34b |45,000,000 |2004 |엔비디아 |TSMC |140 nm |91 mm2 |495,000 |- |NV30 |125,000,000 |2003 |엔비디아 |TSMC |130 nm |199 mm2 |628,000 |- |NV31 |80,000,000 |2003 |엔비디아 |TSMC |130 nm |121 mm2 |661,000 |- |NV35/38 |135,000,000 |2003 |엔비디아 |TSMC |130 nm |207 mm2 |652,000 |- |NV36 |82,000,000 |2003 |엔비디아 |IBM |130 nm |133 mm2 |617,000 |- |R480 |160,000,000 |2004 |ATI |TSMC |130 nm |297 mm2 |538,700 |- |NV40 |222,000,000 |2004 |엔비디아 |IBM |130 nm |305 mm2 |727,900 |- |NV44 |75,000,000 |2004 |엔비디아 |IBM |130 nm |110 mm2 |681,800 |- |NV41 |222,000,000 |2005 |엔비디아 |TSMC |110 nm |225 mm2 |986,700 | rowspan="4" | |- |NV42 |198,000,000 |2005 |엔비디아 |TSMC |110 nm |222 mm2 |891,900 |- |NV43 |146,000,000 |2005 |엔비디아 |TSMC |110 nm |154 mm2 |948,100 |- |G70 |303,000,000 |2005 |엔비디아 |TSMC, 차터드 |110 nm |333 mm2 |909,900 |- |제노스 |232,000,000 |2005 |ATI |TSMC |90 nm |182 mm2 |1,275,000 |access-date=21 June 2019date=14 July 2005 |- |RSX 리얼리티 신시사이저 |300,000,000 |2005 |엔비디아, 소니 |소니 |90 nm |186 mm2 |1,613,000 |access-date=21 June 2019archive-date=2008-07-25 |- |R520 |321,000,000 |2005 |ATI |TSMC |90 nm |288 mm2 |1,115,000 | rowspan="12" | |- |RV530 |157,000,000 |2005 |ATI |TSMC |90 nm |150 mm2 |1,047,000 |- |RV515 |107,000,000 |2005 |ATI |TSMC |90 nm |100 mm2 |1,070,000 |- |R580 |384,000,000 |2006 |ATI |TSMC |90 nm |352 mm2 |1,091,000 |- |G71 |278,000,000 |2006 |엔비디아 |TSMC |90 nm |196 mm2 |1,418,000 |- |G72 |112,000,000 |2006 |엔비디아 |TSMC |90 nm |81 mm2 |1,383,000 |- |G73 |177,000,000 |2006 |엔비디아 |TSMC |90 nm |125 mm2 |1,416,000 |- |G80 |681,000,000 |2006 |엔비디아 |TSMC |90 nm |480 mm2 |1,419,000 |- |G86 테슬라 |210,000,000 |2007 |엔비디아 |TSMC |80 nm |127 mm2 |1,654,000 |- |G84 테슬라 |289,000,000 |2007 |엔비디아 |TSMC |80 nm |169 mm2 |1,710,000 |- |RV560 |330,000,000 |2006 |ATI |TSMC |80 nm |230 mm2 |1,435,000 |- |R600 |700,000,000 |2007 |ATI |TSMC |80 nm |420 mm2 |1,667,000 |- |RV610 |180,000,000 |2007 |ATI |TSMC |65 nm |85 mm2 |2,118,000 | rowspan="7" | |- |RV630 |390,000,000 |2007 |ATI |TSMC |65 nm |153 mm2 |2,549,000 |- |G92 |754,000,000 |2007 |엔비디아 |TSMC, UMC |65 nm |324 mm2 |2,327,000 |- |G94 테슬라 |505,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC |65 nm |240 mm2 |2,104,000 |- |G96 테슬라 |314,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC |65 nm |144 mm2 |2,181,000 |- |G98 테슬라 |210,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC |65 nm |86 mm2 |2,442,000 |- |GT200access-date=2014-08-09 |1,400,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC |65 nm |576 mm2 |2,431,000 |- |RV620 |181,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |67 mm2 |2,701,000 | rowspan="6" | |- |RV635 |378,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |135 mm2 |2,800,000 |- |RV710 |242,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |73 mm2 |3,315,000 |- |RV730 |514,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |146 mm2 |3,521,000 |- |RV670 |666,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |192 mm2 |3,469,000 |- |RV770 |956,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |256 mm2 |3,734,000 |- |RV790 |959,000,000 |2008 |ATI |TSMC |55 nm |282 mm2 |3,401,000 |access-date=2014-08-09 |- |G92b 테슬라 |754,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC, UMC |55 nm |260 mm2 |2,900,000 | rowspan="4" | |- |G94b 테슬라 |505,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC, UMC |55 nm |196 mm2 |2,577,000 |- |G96b 테슬라 |314,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC, UMC |55 nm |121 mm2 |2,595,000 |- |GT200b 테슬라 |1,400,000,000 |2008 |엔비디아 |TSMC, UMC |55 nm |470 mm2 |2,979,000 |- |GT218 테슬라 |260,000,000 |2009 |엔비디아 |TSMC |40 nm |57 mm2 |4,561,000 | rowspan="5" | |- |GT216 테슬라 |486,000,000 |2009 |엔비디아 |TSMC |40 nm |100 mm2 |4,860,000 |- |GT215 테슬라 |727,000,000 |2009 |엔비디아 |TSMC |40 nm |144 mm2 |5,049,000 |- |RV740 |826,000,000 |2009 |ATI |TSMC |40 nm |137 mm2 |6,029,000 |- |사이프러스 RV870 |2,154,000,000 |2009 |ATI |TSMC |40 nm |334 mm2 |6,449,000 |- |주니퍼 RV840 |1,040,000,000 |2009 |ATI |TSMC |40 nm |166 mm2 |6,265,000 | |- |레드우드 RV830 |627,000,000 |2010 |AMD (ATI) |TSMC |40 nm |104 mm2 |6,029,000 | rowspan="6" | |- |시더 RV810 |292,000,000 |2010 |AMD |TSMC |40 nm |59 mm2 |4,949,000 |- |케이먼 RV970 |2,640,000,000 |2010 |AMD |TSMC |40 nm |389 mm2 |6,789,000 |- |바르츠 RV940 |1,700,000,000 |2010 |AMD |TSMC |40 nm |255 mm2 |6,667,000 |- |터크스 RV930 |716,000,000 |2011 |AMD |TSMC |40 nm |118 mm2 |6,068,000 |- |카이코스 RV910 |370,000,000 |2011 |AMD |TSMC |40 nm |67 mm2 |5,522,000 |- |GF100 페르미 |3,200,000,000 |2010 |엔비디아 |TSMC |40 nm |526 mm2 |6,084,000 |access-date=2014-08-09 |- |GF110 페르미 |3,000,000,000 |2010 |엔비디아 |TSMC |40 nm |520 mm2 |5,769,000 | |- |GF104 페르미 |1,950,000,000 |2011 |엔비디아 |TSMC |40 nm |332 mm2 |5,873,000 | |- |GF106 페르미 |1,170,000,000 |2010 |엔비디아 |TSMC |40 nm |238 mm2 |4,916,000 | |- |GF108 페르미 |585,000,000 |2011 |엔비디아 |TSMC |40 nm |116 mm2 |5,043,000 | |- |GF119 페르미 |292,000,000 |2011 |엔비디아 |TSMC |40 nm |79 mm2 |3,696,000 | |- |타히티 GCN1 |4,312,711,873 |2011 |AMD |TSMC |28 nm |365 mm2 |11,820,000 |access-date=2014-08-09 |- |케이프 베르데 GCN1 |1,500,000,000 |2012 |AMD |TSMC |28 nm |123 mm2 |12,200,000 | |- |피트케언 GCN1 |2,800,000,000 |2012 |AMD |TSMC |28 nm |212 mm2 |13,210,000 | |- |GK110 케플러 |7,080,000,000 |2012 |엔비디아 |TSMC |28 nm |561 mm2 |12,620,000 |access-date=9 January 2024work=AnandTech |- |GK104 케플러 |3,540,000,000 |2012 |엔비디아 |TSMC |28 nm |294 mm2 |12,040,000 |df=mdy-all |- |GK106 케플러 |2,540,000,000 |2012 |엔비디아 |TSMC |28 nm |221 mm2 |11,490,000 | |- |GK107 케플러 |1,270,000,000 |2012 |엔비디아 |TSMC |28 nm |118 mm2 |10,760,000 | |- |GK208 케플러 |1,020,000,000 |2013 |엔비디아 |TSMC |28 nm |79 mm2 |12,910,000 | |- |올랜드 GCN1 |1,040,000,000 |2013 |AMD |TSMC |28 nm |90 mm2 |11,560,000 | rowspan="2" | |- |보네르 GCN2 |2,080,000,000 |2013 |AMD |TSMC |28 nm |160 mm2 |13,000,000 |- |듀랑고 (엑스박스 원) |4,800,000,000 |2013 |AMD |TSMC |28 nm |375 mm2 |12,800,000 |date=18 August 2020access-date=2020-02-05 |- |리버풀 (플레이스테이션 4) |? |2013 |AMD |TSMC |28 nm |348 mm2 |? |access-date=2020-02-05 |- |하와이 GCN2 |6,300,000,000 |2013 |AMD |TSMC |28 nm |438 mm2 |14,380,000 | rowspan="7" | |- |GM200 맥스웰 |8,000,000,000 |2015 |엔비디아 |TSMC |28 nm |601 mm2 |13,310,000 |- |GM204 맥스웰 |5,200,000,000 |2014 |엔비디아 |TSMC |28 nm |398 mm2 |13,070,000 |- |GM206 맥스웰 |2,940,000,000 |2014 |엔비디아 |TSMC |28 nm |228 mm2 |12,890,000 |- |GM107 맥스웰 |1,870,000,000 |2014 |엔비디아 |TSMC |28 nm |148 mm2 |12,640,000 |- |통가 GCN3 |5,000,000,000 |2014 |AMD |TSMC, 글로벌파운더리스 |28 nm |366 mm2 |13,660,000 |- |피지 GCN3 |8,900,000,000 |2015 |AMD |TSMC |28 nm |596 mm2 |14,930,000 |- |듀랑고 2 (엑스박스 원 S) |5,000,000,000 |2016 |AMD |TSMC |16 nm |240 mm2 |20,830,000 |access-date=2020-02-05 |- |네오 (플레이스테이션 4 프로) |5,700,000,000 |2016 |AMD |TSMC |16 nm |325 mm2 |17,540,000 |access-date=2020-02-05 |- |엘레스미어/폴라리스 10 GCN4 |5,700,000,000 |2016 |AMD |삼성, 글로벌파운더리스 |14 nm |232 mm2 |24,570,000 |date=29 June 2016 |- |바핀/폴라리스 11 GCN4 |3,000,000,000 |2016 |AMD |삼성, 글로벌파운더리스 |14 nm |123 mm2 |24,390,000 | |- |렉사/폴라리스 12 GCN4 |2,200,000,000 |2017 |AMD |삼성, 글로벌파운더리스 |14 nm |101 mm2 |21,780,000 | |- |GP100 파스칼 |15,300,000,000 |2016 |엔비디아 |TSMC, 삼성 |16 nm |610 mm2 |25,080,000 |website=Nvidia developer blog |- |GP102 파스칼 |11,800,000,000 |2016 |엔비디아 |TSMC, 삼성 |16 nm |471 mm2 |25,050,000 |date=July 26, 2023 |- |GP104 파스칼 |7,200,000,000 |2016 |엔비디아 |TSMC |16 nm |314 mm2 |22,930,000 | |- |GP106 파스칼 |4,400,000,000 |2016 |엔비디아 |TSMC |16 nm |200 mm2 |22,000,000 | |- |GP107 파스칼 |3,300,000,000 |2016 |엔비디아 |삼성 |14 nm |132 mm2 |25,000,000 | |- |GP108 파스칼 |1,850,000,000 |2017 |엔비디아 |삼성 |14 nm |74 mm2 |25,000,000 | |- |스콜피오 (엑스박스 원 X) |6,600,000,000 |2017 |AMD |TSMC |16 nm |367 mm2 |17,980,000 |access-date=2020-02-05 |- |베가 10 GCN5 |12,500,000,000 |2017 |AMD |삼성, 글로벌파운더리스 |14 nm |484 mm2 |25,830,000 |title=Radeon's next-generation Vega architecture |- |GV100 볼타 |21,100,000,000 |2017 |엔비디아 |TSMC |12 nm |815 mm2 |25,890,000 |website=Nvidia developer blog |- |TU102 튜링 |18,600,000,000 |2018 |엔비디아 |TSMC |12 nm |754 mm2 |24,670,000 |access-date=28 June 2019 |- |TU104 튜링 |13,600,000,000 |2018 |엔비디아 |TSMC |12 nm |545 mm2 |24,950,000 | |- |TU106 튜링 |10,800,000,000 |2018 |엔비디아 |TSMC |12 nm |445 mm2 |24,270,000 | |- |TU116 튜링 |6,600,000,000 |2019 |엔비디아 |TSMC |12 nm |284 mm2 |23,240,000 |access-date=2020-02-05 |- |TU117 튜링 |4,700,000,000 |2019 |엔비디아 |TSMC |12 nm |200 mm2 |23,500,000 |access-date=2020-02-05 |- |베가 20 GCN5 |13,230,000,000 |2018 |AMD |TSMC |7 nm |331 mm2 |39,970,000 | |- |나비 10 RDNA |10,300,000,000 |2019 |AMD |TSMC |7 nm |251 mm2 |41,040,000 |access-date=2020-02-05 |- |나비 12 RDNA |? |2020 |AMD |TSMC |7 nm |? |? | |- |나비 14 RDNA |6,400,000,000 |2019 |AMD |TSMC |7 nm |158 mm2 |40,510,000 |access-date=2020-02-05 |- |아크투루스 CDNA |25,600,000,000 |2020 |AMD |TSMC |7 nm |750 mm2 |34,100,000 |access-date=November 10, 2022 |- |GA100 암페어 |54,200,000,000 |2020 |엔비디아 |TSMC |7 nm |826 mm2 |65,620,000 |work=탐스 하드웨어access-date=2020-05-15 |- |GA102 암페어 |28,300,000,000 |2020 |엔비디아 |삼성그룹 |8 nm |628 mm2 |45,035,000 |access-date=2020-09-05access-date=2020-09-05 |- |GA103 암페어 |22,000,000,000 |2022 |엔비디아 |삼성그룹 |8 nm |496 mm2 |44,400,000 |access-date=March 21, 2023 |- |GA104 암페어 |17,400,000,000 |2020 |엔비디아 |삼성그룹 |8 nm |392 mm2 |44,390,000 |language=en |- |GA106 암페어 |12,000,000,000 |2021 |엔비디아 |삼성그룹 |8 nm |276 mm2 |43,480,000 | access-date=2023-03-22 |- |GA107 암페어 |8,700,000,000 |2021 |엔비디아 |삼성그룹 |8 nm |200 mm2 |43,500,000 |access-date=March 21, 2023 |- |나비 21 RDNA2 |26,800,000,000 |2020 |AMD |TSMC |7 nm |520 mm2 |51,540,000 | |- |나비 22 RDNA2 |17,200,000,000 |2021 |AMD |TSMC |7 nm |335 mm2 |51,340,000 | |- |나비 23 RDNA2 |11,060,000,000 |2021 |AMD |TSMC |7 nm |237 mm2 |46,670,000 | |- |나비 24 RDNA2 |5,400,000,000 |2022 |AMD |TSMC |6 nm |107 mm2 |50,470,000 | |- |알데바란 CDNA2 |58,200,000,000 (MCM) |2021 |AMD |TSMC |6 nm |1448-1474 mm2date=2021-11-17
1480 mm2 date=2022-11-02
1490-1580 mm2 date=2021-11-17 |39,500,000-40,200,000
39,200,000
36,800,000-39,100,000 |date=2022-08-22 |- |GH100 호퍼 |80,000,000,000 |2022 |엔비디아 |TSMC |4 nm |814 mm2 |98,280,000 |language=en |- |AD102 에이다 러브레이스 |76,300,000,000 |2022 |엔비디아 |TSMC |4 nm |608.4 mm2 |125,411,000 |date=2022-09-20 |- |AD103 에이다 러브레이스 |45,900,000,000 |2022 |엔비디아 |TSMC |4 nm |378.6 mm2 |121,240,000 |date=2022-09-23 |- |AD104 에이다 러브레이스 |35,800,000,000 |2022 |엔비디아 |TSMC |4 nm |294.5 mm2 |121,560,000 | |- |AD106 에이다 러브레이스 |? |2023 |엔비디아 |TSMC |4 nm |190 mm2 |? |date=2023-02-03date=2023-04-28 |- |AD107 에이다 러브레이스 |? |2023 |엔비디아 |TSMC |4 nm |146 mm2 |? |date=2023-05-21 |- |나비 31 RDNA3 |57,700,000,000 (MCM)
45,400,000,000 (GCD)
6×2,050,000,000 (MCD) |2022 |AMD |TSMC |5 nm (GCD)
6 nm (MCD) |531 mm2 (MCM)
306 mm2 (GCD)
6×37.5 mm2 (MCD) |109,200,000 (MCM)
132,400,000 (GCD)
54,640,000 (MCD) |date=2022-11-03date=2022-11-04access-date=November 7, 2023 |- |나비 32 RDNA3 |28,100,000,000 (MCM) |2023 |AMD |TSMC |5 nm (GCD)
6 nm (MCD) |350 mm2 (MCM)
200 mm2 (GCD)
4×37.5 mm2 (MCD) |80,200,000 (MCM) |access-date=November 7, 2023 |- |나비 33 RDNA3 |13,300,000,000 |2023 |AMD |TSMC |6 nm |204 mm2 |65,200,000 |access-date=March 21, 2023 |- |아쿠아 반자람 CDNA3 |153,000,000,000 (MCM) |2023 |AMD |TSMC |5 nm (GCD)
6 nm (MCD) |? |? |language=enaccess-date=January 14, 2024 |- |GB200 그레이스 블랙웰 |208,000,000,000 (MCM) |2024 |엔비디아 |TSMC |4 nm |? |? |date=March 18, 2024 |- |- |GB202 블랙웰 |92,200,000,000 |2025 |엔비디아 |TSMC |4 nm |750 mm2 |122,600,000 |language=en |- |GB203 블랙웰 |45,600,000,000 |2025 |엔비디아 |TSMC |4 nm |378 mm2 |120,600,000 |language=en |- |GB205 블랙웰 |31,100,000,000 |2025 |엔비디아 |TSMC |4 nm |263 mm2 |118,300,000 |language=en |- |GB206 블랙웰 |21,900,000,000 |2025 |엔비디아 |TSMC |4 nm |181 mm2 |121,000,000 |language=en |- |GB207 블랙웰 |16,900,000,000 |2025 |엔비디아 |TSMC |4 nm |149 mm2 |113,400,000 |language=en |- |나비 44 RDNA4 |29,700,000,000 |2025 |AMD |TSMC |4 nm |199 mm2 |149,200,000 |language=en |- |나비 48 RDNA4 |53,900,000,000 |2025 |AMD |TSMC |4 nm |357 mm2 |151,000,000 |language=en |- ! 프로세서 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! 연도 ! 설계자 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | MOS 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터
밀도
(tr./mm2) ! class="unsortable"| 참고 자료 |}
## FPGA
FPGA는 제조 후 고객 또는 설계자가 구성하도록 설계된 집적 회로이다. {| class="wikitable sortable" |- ! FPGA ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! 출시일 ! 설계자 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 밀도, tr./mm2 ! class="unsortable"| 참고 자료 |- |버텍스 |70,000,000 |1997 |자일링스 | | | | |rowspan="5" | |- |버텍스-E |200,000,000 |1998 |자일링스 | | | | |- |버텍스-II |350,000,000 |2000 |자일링스 | |130 nm | | |- |버텍스-II 프로 |430,000,000 |2002 |자일링스 | | | | |- |버텍스-4 |1,000,000,000 |2004 |자일링스 | |90 nm | | |- |버텍스-5 |1,100,000,000 |2006 |자일링스 |TSMC |65 nm | | |"Taiwan Company UMC Delivers 65nm FPGAs to Xilinx." SDA-ASIA Thursday, November 9, 2006. |- |스트라틱스 IV |2,500,000,000 |2008 |알테라 |TSMC |40 nm | | |"url-status= dead |- |스트라틱스 V |3,800,000,000 |2011 |알테라 |TSMC |28 nm | | | |- |아리아 10 |5,300,000,000 |2014 |알테라 |TSMC |20 nm | | |url-status= dead |- |버텍스-7 2000T |6,800,000,000 |2011 |자일링스 |TSMC |28 nm | | |last=Maxfield |- |스트라틱스 10 SX 2800 |17,000,000,000 |TBD |인텔 |인텔 |14 nm |560 mm2 |30,400,000 |s2cid=2135354archive-date=May 17, 2017 |- |버텍스-울트라스케일 VU440 |20,000,000,000 |2015년 1분기 |자일링스 |TSMC |20 nm | | |page=14access-date=2019-08-22 |- |버텍스-울트라스케일+ VU19P |35,000,000,000 |2020 |자일링스 |TSMC |16 nm |900 mm2추정치 |38,900,000 |access-date=2019-08-22access-date=2019-08-23access-date=2019-09-25 |- |버설 VC1902 |37,000,000,000 |2019년 하반기 |자일링스 |TSMC |7 nm | | |access-date=2019-09-30access-date=2019-09-30access-date=2019-09-30 |- |스트라틱스 10 GX 10M |43,300,000,000 |2019년 4분기 |인텔 |인텔 |14 nm |1,400 mm2name=estimate_fn |30,930,000 |access-date=2019-11-07access-date=2019-11-07 |- |버설 VP1802 |92,000,000,000 |2021 ?버설 프리미엄은 2021년 상반기에 출시될 예정이지만 VP1802에 대한 언급은 없었다. 보통 자일링스는 가장 큰 장치의 출시를 위해 별도의 뉴스를 발표하므로 VP1802는 나중에 출시될 가능성이 있다. |자일링스 |TSMC |7 nm | | |access-date=2020-09-09access-date=2021-05-08 |}
## 메모리
반도체 메모리는 일반적으로 컴퓨터 메모리로 사용되는 집적 회로에 구현된 전자 데이터 저장 장치이다. 1970년대 이후 거의 모든 반도체 메모리는 접합형 트랜지스터를 대체하여 MOSFET(MOS 트랜지스터)을 사용했다. 반도체 메모리에는 크게 두 가지 유형이 있다. 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 비휘발성 메모리(NVM)가 있다. RAM 유형에는 동적 램(DRAM)과 정적 램(SRAM)이 있으며, NVM 유형에는 플래시 메모리와 고정 기억 장치(ROM)가 있다. 일반적인 CMOS SRAM은 셀당 6개의 트랜지스터로 구성된다. DRAM의 경우 1T1C, 즉 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터 구조가 일반적이다. 충전 여부에 따라 1 또는 0을 저장하는 데 사용된다. 플래시 메모리에서는 데이터가 플로팅 게이트에 저장되며, 트랜지스터의 저항을 감지하여 저장된 데이터를 해석한다. 저항을 얼마나 미세하게 분리할 수 있는지에 따라 하나의 트랜지스터는 최대 3비트를 저장할 수 있으며, 이는 트랜지스터당 8개의 고유한 저항 수준이 가능하다는 의미이다. 그러나 미세한 규모는 반복성 문제와 그로 인한 신뢰성 문제를 수반한다. 일반적으로 낮은 등급의 2비트 MLC 플래시는 플래시 드라이브에 사용되므로 16 GB 플래시 드라이브에는 약 640억 개의 트랜지스터가 포함된다. SRAM 칩의 경우 6개 트랜지스터 셀(비트당 6개 트랜지스터)이 표준이었다. 1970년대 초 DRAM 칩은 3개 트랜지스터 셀(비트당 3개 트랜지스터)을 사용했지만, 1970년대 중반 4Kb DRAM 시대부터 단일 트랜지스터 셀(비트당 1개 트랜지스터)이 표준이 되었다.access-date=27 June 2019access-date=19 June 2019 단일 레벨 플래시 메모리에서는 각 셀에 하나의 플로팅 게이트 MOSFET(비트당 하나의 트랜지스터)이 포함되어 있으며,access-date=20 June 2019 반면 멀티 레벨 플래시에는 트랜지스터당 2, 3 또는 4비트가 포함된다. 플래시 메모리 칩은 일반적으로 최대 128층으로 적층되어 생산되며,access-date=2019-09-16 136층은 관리되고,access-date=2019-09-16 최종 사용자 장치에는 제조업체로부터 최대 69층까지 제공된다. {| class="wikitable sortable" |+ 랜덤 액세스 메모리 (RAM) ! 칩 이름 ! 용량 (비트) ! RAM 유형 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! 출시일 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터
밀도
(tr./mm2) ! class="unsortable"| 참고 자료 |- |빈칸 |1비트 |SRAM (셀) |6 |1963 |페어차일드 |빈칸 |빈칸 |? |access-date=19 June 2019 |- |빈칸 |1비트 |DRAM (셀) |1 |1965 |도시바 |빈칸 |빈칸 |? |archive-date=3 July 2017archive-date=2007-05-20 |- |? |8비트 |SRAM (바이폴라) |48 |1965 |SDS, 시그네틱스 |? |? |? | |- |SP95 |16비트 |SRAM (바이폴라) |80 |1965 |IBM |? |? |? |access-date=19 June 2019 |- |TMC3162 |16비트 |SRAM (TTL) |96 |1966 |Transitron |빈칸 |? |? | |- | rowspan="4" |? |? |SRAM (MOS) |? |1966 |NEC |? |? |? | |- |256비트 |DRAM (IC) |256 |1968 |페어차일드 |? |? |? | |- |64비트 |SRAM (PMOS) |384 |1968 |페어차일드 |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | ? |rowspan="2" |? |rowspan="2" | |- |144비트 |SRAM (NMOS) |864 |1968 |NEC |- |1101 |256비트 |SRAM (PMOS) |1,536 |1969 |인텔 |12,000 nm |? |? |access-date=July 31, 2007access-date=27 June 2019url=https://books.google.com/books?id=8EUWHSqevQoC&pg;=PA7 |- |1102 |1 Kb |DRAM (PMOS) |3,072 |1970 |인텔, 허니웰 |? |? |? | |- |1103 |1 Kb |DRAM (PMOS) |3,072 |1970 |인텔 |8,000 nm |10 mm2 |307 |url-status=deadThe DRAM memory of Robert Dennard history-computer.comquote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21. |- |μPD403 |1 Kb |DRAM (NMOS) |3,072 |1971 |NEC |? |? |? |access-date=27 June 2019 |- |? |2 Kb |DRAM (PMOS) |6,144 |1971 |제너럴 인스트루먼트 |? |12.7 mm2 |484 |access-date=25 June 2019 |- |2102 |1 Kb |SRAM (NMOS) |6,144 |1972 |인텔 |? |? |? |access-date=27 June 2019 |- |? |8 Kb |DRAM (PMOS) |8,192 |1973 |IBM |? |18.8 mm2 |436 | |- |5101 |1 Kb |SRAM (CMOS) |6,144 |1974 |인텔 |? |? |? | |- |2116 |16 Kb |DRAM (NMOS) |16,384 |1975 |인텔 |? |? |? |access-date=20 June 2019 |- |2114 |4 Kb |SRAM (NMOS) |24,576 |1976 |인텔 |? |? |? |access-date=27 June 2019 |- | rowspan="14" |? |4 Kb |SRAM (CMOS) |24,576 |1977 |도시바 |? |? |? | |- | rowspan="2" | 64 Kb |DRAM (NMOS) |65,536 |1977 |NTT |? |35.4 mm2 |1851 | |- |DRAM (VMOS) |65,536 |1979 |지멘스 |? |25.2 mm2 |2601 | |- |16 Kb |SRAM (CMOS) |98,304 |1980 |히타치, 도시바 |? |? |? |url-status=dead |- | rowspan="2" | 256 Kb | rowspan="2" | DRAM (NMOS) | rowspan="2" | 262,144 | rowspan="2" | 1980 |NEC |1,500 nm |41.6 mm2 |6302 | |- |NTT |1,000 nm |34.4 mm2 |7620 | |- |64 Kb |SRAM (CMOS) |393,216 |1980 |마쓰시타 |? |? |? | |- |288 Kb |DRAM |294,912 |1981 |IBM |? |25 mm2 |11,800 |access-date=20 June 2019 |- |64 Kb |SRAM (NMOS) |393,216 |1982 |인텔 |1,500 nm |? |? | |- |256 Kb |SRAM (CMOS) |1,572,864 |1984 |도시바 |1,200 nm |? |? | |- |8 Mb |DRAM |8,388,608 |1984년 1월 5일 |히타치 |? |? |? |access-date=25 June 2019quote=The announcement of 1M DRAM in 1984 began the era of megabytes. |- |16 Mb |DRAM (CMOS) |16,777,216 |1987 |NTT |700 nm |148 mm2 |113,400 | |- |4 Mb |SRAM (CMOS) |25,165,824 |1990 |NEC, 도시바, 히타치, 미쓰비시 |? |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | |- |64 Mb |DRAM (CMOS) |67,108,864 |1991 |마쓰시타, 미쓰비시, 후지쯔, 도시바 |400 nm |- |KM48SL2000 |16 Mb |SDRAM |16,777,216 |1992 |삼성 |? |? |? |date=August 1992quote=The first commercial synchronous DRAM, the Samsung 16-Mbit KM48SL2000, employs a single-bank architecture that lets system designers easily transition from asynchronous to synchronous systems. |- | rowspan="14" |? |16 Mb |SRAM (CMOS) |100,663,296 |1992 |후지쯔, NEC |400 nm |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | |- |256 Mb |DRAM (CMOS) |268,435,456 |1993 |히타치, NEC |250 nm |- |rowspan="4" | 1 Gb |rowspan="2" | DRAM |rowspan="2" | 1,073,741,824 |rowspan="2" | 1995년 1월 9일 |NEC |250 nm |? |? |rowspan="2" |Breaking the gigabit barrier, DRAMs at ISSCC portend major system-design impact. (dynamic random access memory; International Solid-State Circuits Conference; Hitachi Ltd. and NEC Corp. research and development), January 9, 1995access-date=27 June 2019 |- |히타치 |160 nm |? |? |- |SDRAM |1,073,741,824 |1996 |미쓰비시 |150 nm |? |? | |- |SDRAM (SOI) |1,073,741,824 |1997 |현대 |? |? |? |url-status=dead |- | rowspan="2" | 4 Gb |DRAM (4비트) |1,073,741,824 |1997 |NEC |150 nm |? |? | |- |DRAM |4,294,967,296 |1998 |현대 |? |? |? | |- |8 Gb |SDRAM (DDR3) |8,589,934,592 |2008년 4월 | rowspan="2" |삼성그룹 | rowspan="2" |50 nm | rowspan="2" |? | rowspan="2" |? | rowspan="2" |date=29 September 2008 |- |16 Gb |SDRAM (DDR3) |17,179,869,184 |2008 |- |32 Gb |SDRAM (HBM2) |34,359,738,368 |2016 | rowspan="2" |삼성그룹 | rowspan="2" |20 nm | rowspan="2" |? | rowspan="2" |? | rowspan="2" |date=July 19, 2017 |- |64 Gb |SDRAM (HBM2) |68,719,476,736 |2017 |- |128 Gb |SDRAM (DDR4) |137,438,953,472 |2018 |삼성그룹 |10 nm |? |? |url-status=dead |- |? |RRAMaccess-date=2019-09-16 (3DSoC)access-date=2019-09-16 |? |2019 |SkyWater Technologyaccess-date=2019-09-16 |90 nm |? |? | |} {| class="wikitable sortable" |+ 플래시 메모리 ! 칩 이름 ! 용량 (비트) ! 플래시 유형 ! data-sort-type="number" | FGMOS 트랜지스터 개수 ! 출시일 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터
밀도
(tr./mm2) ! class="unsortable"| 참고 자료 |- | rowspan="4" |? |256 Kb |NOR |262,144 |1985 |도시바 |2,000 nm |rowspan="4" | ? |rowspan="4" | ? |rowspan="4" | |- |1 Mb |NOR |1,048,576 |1989 |Seeq, 인텔 |? |- |4 Mb |NAND |4,194,304 |1989 |도시바 |1,000 nm |- |16 Mb |NOR |16,777,216 |1991 |미쓰비시 |600 nm |- |DD28F032SA |32 Mb |NOR |33,554,432 |1993 |인텔 |? |280 mm2 |120,000 |access-date=27 June 2019 |- | rowspan="11" | ? | rowspan="2" | 64 Mb |NOR |67,108,864 |1994 |NEC |rowspan="2" | 400 nm |rowspan="4" | ? |rowspan="4" | ? |rowspan="4" | |- |NAND |67,108,864 |1996 |히타치 |- |128 Mb |NAND |134,217,728 |1996 |삼성, 히타치 |? |- |256 Mb |NAND |268,435,456 |1999 |히타치, 도시바 |250 nm |- |512 Mb |NAND |536,870,912 |2000 |도시바 |? |? |? |date=September 9, 2002 |- | rowspan="2" |1 Gb | rowspan="2" |2비트 NAND | rowspan="2" |536,870,912 | rowspan="2" |2001 |삼성그룹 |? |? |? | |- |도시바, 샌디스크 |160 nm |? |? |date=12 November 2001 |- |2 Gb |NAND |2,147,483,648 |2002 |삼성그룹, 도시바 |? |? |? |access-date=25 June 2019date=September 9, 2002 |- |8 Gb |NAND |8,589,934,592 |2004 |삼성그룹 |60 nm |? |? | |- |16 Gb |NAND |17,179,869,184 |2005 |삼성그룹 |50 nm |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | |- |32 Gb |NAND |34,359,738,368 |2006 |삼성그룹 |40 nm |- |THGAM |128 Gb |스택형 NAND |128,000,000,000 |2007년 4월 |도시바 |56 nm |252 mm2 |507,900,000 |date=April 17, 2007 |- |THGBM |256 Gb |스택형 NAND |256,000,000,000 |2008 |도시바 |43 nm |353 mm2 |725,200,000 |date=7 August 2008 |- |THGBM2 |1 Tb |스택형 4비트 NAND |256,000,000,000 |2010 |도시바 |32 nm |374 mm2 |684,500,000 |date=17 June 2010 |- |KLMCG8GE4A |512 Gb |스택형 2비트 NAND |256,000,000,000 |2011 |삼성그룹 |? |192 mm2 |1,333,000,000 |url-status=dead |- |KLUFG8R1EM |4 Tb |스택형 3비트 V-NAND |1,365,333,333,504 |2017 |삼성그룹 |? |150 mm2 |9,102,000,000 |access-date=23 June 2019 |- |eUFS (1공백TB) |8 Tb |스택형 4비트 V-NAND |2,048,000,000,000 |2019 |삼성그룹 |? |150 mm2 |13,650,000,000 |date=30 January 2019date=October 17, 2018 |- |? |1 Tb |232L TLC NAND 다이 |333,333,333,333 |2022 |마이크론 테크놀로지 |? |68.5 mm2
(메모리 어레이) |4,870,000,000
(14.6 Gbit/mm2) |date=2022-07-26access-date=2022-10-17date=2022-07-26date=2023-01-11 |- |? |16 Tb |232L 패키지 |5,333,333,333,333 |2022 |마이크론 테크놀로지 |? |68.5 mm2
(메모리 어레이) |77,900,000,000
(16×14.6 Gbit/mm2) | |} {| class="wikitable sortable" |+ 고정 기억 장치 (ROM) |- ! 칩 이름 ! 용량 (비트) ! ROM 유형 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! 출시일 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! class="unsortable"| 참고 자료 |- | rowspan="2" |? |? |PROM |? |1956 |아르마 |빈칸 |? |archive-date=27 April 2018archive-date=27 April 2018 |- |1 Kb |ROM (MOS) |1,024 |1965 |General Microelectronics |? |? |access-date=20 June 2019 |- |3301 |1 Kb |ROM (바이폴라) |1,024 |1969 |인텔 |빈칸 |? | |- |1702 |2 Kb |EPROM (MOS) |2,048 |1971 |인텔 |? |15 mm2 |access-date=19 June 2019 |- |? |4 Kb |ROM (MOS) |4,096 |1974 |AMD, 제너럴 인스트루먼트 |? |? | |- |2708 |8 Kb |EPROM (MOS) |8,192 |1975 |인텔 |? |? | |- |? |2 Kb |EEPROM (MOS) |2,048 |1976 |도시바 |? |? |s2cid=30491074 |- |μCOM-43 ROM |16 Kb |PROM (PMOS) |16,000 |1977 |NEC |? |? |access-date=27 June 2019 |- |2716 |16 Kb |EPROM (TTL) |16,384 |1977 |인텔 |빈칸 |? |url-status=dead |- |EA8316F |16 Kb |ROM (NMOS) |16,384 |1978 |일렉트로닉 어레이 |? |436 mm2 |access-date=20 June 2019 |- |2732 |32 Kb |EPROM |32,768 |1978 |인텔 |? |? | |- |2364 |64 Kb |ROM |65,536 |1978 |인텔 |? |? |access-date=27 June 2019 |- |2764 |64 Kb |EPROM |65,536 |1981 |인텔 |3,500 nm |rowspan="2" | ? |rowspan="2" | |- |27128 |128 Kb |EPROM |131,072 |1982 |인텔 |? |- |27256 |256 Kb |EPROM (HMOS) |262,144 |1983 |인텔 |? |? |access-date=2 July 2019 |- | rowspan="2" |? |256 Kb |EPROM (CMOS) |262,144 |1983 |후지쯔 |? |? |access-date=2 July 2019 |- |512 Kb |EPROM (NMOS) |524,288 |1984 |AMD |1,700 nm |? | |- |27512 |512 Kb |EPROM (HMOS) |524,288 |1984 |인텔 |? |? |access-date=2 July 2019 |- | rowspan="4" |? |1 Mb |EPROM (CMOS) |1,048,576 |1984 |NEC |1,200 nm |rowspan="3" | ? |rowspan="3" | |- |4 Mb |EPROM (CMOS) |4,194,304 |1987 |도시바 |800 nm |- | rowspan="2" | 16 Mb |EPROM (CMOS) |16,777,216 |1990 |NEC |600 nm |- |MROM |16,777,216 |1995 |AKM, 히타치 |? |? | |}
## 트랜지스터 컴퓨터
트랜지스터 컴퓨터 IBM 7070 카드 케이지의 일부에 [[표준 모듈형 시스템 카드가 채워져 있다.]] 트랜지스터가 발명되기 전에는 상업용 천공 카드 기계와 실험용 초기 컴퓨터에 전자계전기가 사용되었다. 세계 최초의 작동 가능한 프로그래밍 가능하고 완전 자동 디지털 컴퓨터인df=mdy-all 1941년 Z3 22-비트 워드 길이 컴퓨터는 2,600개의 릴레이를 가지고 있었고 약 4–5 Hz의 클럭 속도로 작동했다. 1940년 복소수 컴퓨터(Complex Number Computer, 나중에 Model 1로 개명)는 500개 미만의 릴레이를 가지고 있었지만,access-date=2019-08-22 완전한 프로그래밍이 불가능했다. 초기 실용 컴퓨터는 진공관과 솔리드 스테이트 다이오드 논리를 사용했다. 에니악은 18,000개의 진공관, 7,200개의 크리스털 다이오드, 1,500개의 릴레이를 가지고 있었고, 많은 진공관에는 두 개의 3극 진공관 요소가 포함되어 있었다. 2세대 컴퓨터는 개별 트랜지스터, 솔리드 스테이트 다이오드 및 자기 메모리 코어로 채워진 보드를 특징으로 하는 트랜지스터 컴퓨터였다. 맨체스터 대학교에서 개발된 실험적인 1953년 48비트 트랜지스터 컴퓨터는 전 세계에서 처음으로 작동한 트랜지스터 컴퓨터로 널리 알려져 있다(프로토타입은 92개의 점 접촉 트랜지스터와 550개의 다이오드를 가지고 있었다). 이후 1955년 버전은 총 250개의 접합형 트랜지스터와 1,300개의 점 접촉 다이오드를 사용했다. 이 컴퓨터는 또한 클럭 생성기에 소수의 진공관을 사용했기 때문에 최초의 *완전* 트랜지스터화된 컴퓨터는 아니었다. 일본전기시험소에서 1956년에 개발된 ETL Mark III는 프로그램 내장 방식을 사용한 최초의 트랜지스터 기반 전자 컴퓨터였을 수 있다. 이 컴퓨터는 "약 130개의 점 접촉 트랜지스터와 약 1,800개의 저마늄 다이오드가 논리 요소로 사용되었으며, 이들은 꽂고 뺄 수 있는 300개의 플러그인 패키지에 보관되었다." 1958년 십진 아키텍처 IBM 7070은 완전한 프로그래밍이 가능한 최초의 트랜지스터 컴퓨터였다. 이 컴퓨터는 약 14,000개의 표준 모듈형 시스템(SMS) 카드에 약 30,000개의 합금 접합 저마늄 트랜지스터와 22,000개의 저마늄 다이오드를 가지고 있었다. 1959년 "MOBIle DIgital Computer"의 약자인 MOBIDIC은 12,000파운드(약 5,443kg)의 무게로 세미 트레일러 트럭의 트레일러에 장착되었으며, 전장 데이터용 트랜지스터 컴퓨터였다. 3세대 컴퓨터는 집적 회로(IC)를 사용했다.access-date=19 June 2019 1962년 15비트 (패리티 포함 16비트) 아폴로 가이던스 컴퓨터는 약 12,000개의 트랜지스터와 32,000개의 저항을 위해 "약 4,000개의 '타입-G'(3입력 NOR 게이트) 회로"를 사용했다.access-date=2019-09-02 1964년 출시된 IBM 시스템/360은 하이브리드 회로 팩에 개별 트랜지스터를 사용했다. 1965년 12비트 PDP-8 CPU는 많은 카드에 1409개의 개별 트랜지스터와 10,000개 이상의 다이오드를 가지고 있었다. 1968년 PDP-8/I부터 시작된 이후 버전은 집적 회로를 사용했다. PDP-8은 나중에 마이크로프로세서인 인터실 6100으로 재구현되었다(아래 참조).quote=backplanes contain 230 cards, approximately 10,148 diodes, 1409 transistors, 5615 resistors, and 1674 capacitors 다음 세대 컴퓨터는 1971년 인텔 4004를 시작으로 MOS 트랜지스터를 사용한 마이크로컴퓨터였다. 이들은 가정용 컴퓨터 또는 개인용 컴퓨터(PC)에 사용되었다. 이 목록에는 1950년대와 1960년대의 초기 트랜지스터 컴퓨터(2세대) 및 IC 기반 컴퓨터(3세대)가 포함된다. {| class="wikitable sortable" |- ! 컴퓨터 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! 연도 ! 제조사 ! 비고 ! class="unsortable"| 참고 자료 |- |트랜지스터 컴퓨터 |92 |1953 |맨체스터 대학교 |점 접촉 트랜지스터, 550개의 다이오드. 프로그램 내장 기능이 없었다. |access-date=19 June 2019 |- |트래딕 |700 |1954 |벨 연구소 |점 접촉 트랜지스터 | |- |트랜지스터 컴퓨터 (풀 사이즈) |250 |1955 |맨체스터 대학교 |개별 점 접촉 트랜지스터, 1,300개의 다이오드 | |- |IBM 608 |3,000 |1955 |IBM |저마늄 트랜지스터 |access-date=8 March 2021 |- |ETL Mark III |130 |1956 |일본전기시험소 |점 접촉 트랜지스터, 1,800개의 다이오드, 프로그램 내장 기능 |access-date=19 June 2019 |- |메트로빅 950 |200 |1956 |메트로폴리탄-비커스 |개별 접합형 트랜지스터 | |- |NEC NEAC-2201 |600 |1958 |NEC |저마늄 트랜지스터 |access-date=19 June 2019 |- |히타치 MARS-1 |1,000 |1958 |히타치 | |access-date=19 June 2019 |- |IBM 7070 |30,000 |1958 |IBM |합금 접합 저마늄 트랜지스터, 22,000개의 다이오드 |The IBM 7070 Data Processing System. Avery et al. (page 167) |- |마쓰시타 MADIC-I |400 |1959 |마쓰시타 |바이폴라 트랜지스터 |access-date=19 June 2019 |- |NEC NEAC-2203 |2,579 |1959 |NEC | |access-date=19 June 2019 |- |도시바 TOSBAC-2100 |5,000 |1959 |도시바 | |access-date=19 June 2019 |- |IBM 7090 |50,000 |1959 |IBM |개별 저마늄 트랜지스터 |7090 Data Processing System |- |PDP-1 |2,700 |1959 |디지털 이큅먼트 코퍼레이션 |개별 트랜지스터 | |- | 올리베티 일레아 9003 | ? | 1959 | 올리베티 | 300,000 (?) 개별 트랜지스터 및 다이오드 | Luigi Logrippo. "My first two computers: Elea 9003 and Elea 6001: Memories of a 'bare-metal' programmer". |- |미쓰비시 MELCOM 1101 |3,500 |1960 |미쓰비시 |저마늄 트랜지스터 |access-date=19 June 2019 |- |M18 FADAC |1,600 |1960 |Autonetics |개별 트랜지스터 | |- |IBM 7030 스트레치의 CPU |169,100 |1961 |IBM |1961년부터 1964년까지 세계에서 가장 빠른 컴퓨터 |year=1959 |- |D-17B |1,521 |1962 |Autonetics |개별 트랜지스터 | |- |NEC NEAC-L2 |16,000 |1964 |NEC |저마늄 트랜지스터 |access-date=19 June 2019 |- |CDC 6600 (전체 컴퓨터) |400,000 |1964 |컨트롤 데이터 코퍼레이션 |1964년부터 1969년까지 세계에서 가장 빠른 컴퓨터 |page=20 |- |IBM 시스템/360 |? |1964 |IBM |하이브리드 회로 | |- |PDP-8 "스트레이트-8" |1,409 |1965 |디지털 이큅먼트 코퍼레이션 |개별 트랜지스터, 10,000개의 다이오드 | |- |PDP-8/S |1,001 "Digital Equipment PDP-8/S". "The PDP-8/S - an exercise in cost reduction" "PDP-8/S" |1966 |디지털 이큅먼트 코퍼레이션 |개별 트랜지스터, 다이오드 | |- |PDP-8/I |1,409 |1968 "The Digital Equipment Corporation PDP-8: Models and Options: The PDP-8/I". |디지털 이큅먼트 코퍼레이션 |74 시리즈 TTL 회로 James F. O'Loughlin. "PDP-8/I: bigger on the inside yet smaller on the outside". | |- |아폴로 가이던스 컴퓨터 블록 I |12,300 |1966 |레이시온 / MIT 계측 연구소 |4,100개의 IC, 각 IC는 3개의 트랜지스터와 3개의 입력 NOR 게이트를 포함한다. (블록 II는 2,800개의 듀얼 3입력 NOR 게이트 IC를 가졌다.) | |}
## 논리 함수
일반적인 논리 함수의 트랜지스터 개수는 정적 CMOS 구현을 기준으로 한다.Jan M. Rabaey, Digital Integrated Circuits, Fall 2001: Course Notes, Chapter 6: Designing Combinatorial Logic Gates in CMOS, retrieved October 27, 2012. {| class="wikitable sortable" |- ! 함수 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! class="unsortable"| Reference column heading |- |NOT |2 |rowspan="16" | |- |버퍼 |4 |- |NAND 2-입력 |4 |- |NOR 2-입력 |4 |- |AND 2-입력 |6 |- |OR 2-입력 |6 |- |NAND 3-입력 |6 |- |NOR 3-입력 |6 |- |XOR 2-입력 |6 |- |XNOR 2-입력 |8 |- |MUX 2-입력 TG 포함 |6 |- |MUX 4-입력 TG 포함 |18 |- |NOT MUX 2-입력 |8 |- |MUX 4-입력 |24 |- |1비트 전가산기 |24 |- |1비트 가산기-감산기 |48 |- |AND-OR-INVERT |6 |isbn=978-0-12-691295-1 |- |래치, D 게이트형 |8 |rowspan="2" | |- |플립플롭, 리셋 포함 에지 트리거 동적 D |12 |- |8비트 곱셈기 |3,000 | |- |16비트 곱셈기 |9,000 | |- |32비트 곱셈기 |21,000 | |- |소규모 집적 |2–100 |url=https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/79391 |- |중규모 집적 |100–500 | |- |대규모 집적 |500–20,000 | |- |초고밀도 집적 |20,000–1,000,000 | |- |초대규모 집적 |>1,000,000 | |}
## 병렬 시스템
역사적으로 초기 병렬 시스템의 각 처리 요소는 —당시 모든 CPU와 마찬가지로— 여러 칩으로 구성된 직렬 컴퓨터였다. 칩당 트랜지스터 개수가 증가함에 따라 각 처리 요소는 더 적은 수의 칩으로 구성될 수 있었고, 나중에는 각 멀티 코어 칩에 더 많은 처리 요소가 포함될 수 있었다. date=August 11, 1983 굿이어 MPP: (1983?) 칩당 8개의 픽셀 프로세서, 칩당 3,000 ~ 8,000개의 트랜지스터. 브루넬 대학교 스케이프 (단일 칩 어레이 처리 요소): (1983) 칩당 256개의 픽셀 프로세서, 칩당 120,000 ~ 140,000개의 트랜지스터. 셀 브로드밴드 엔진: (2006) 칩당 9개의 코어를 가졌고, 칩당 2억 3,400만 개의 트랜지스터를 가졌다. date=February 9, 2005
## 기타 장치
{| class="wikitable sortable" |- ! 장치 유형 ! 장치 이름 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 개수 ! 출시일 ! 설계자 ! 제조사 ! data-sort-type="number" | MOS 공정 ! data-sort-type="number" | 면적 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 밀도, tr./mm2 ! class="unsortable"| 참고 자료 |- |딥 러닝 엔진 / IPU"인텔리전스 프로세싱 유닛" |콜로서스 GC2 |23,600,000,000 |2018 |그라프코어 |TSMC |16 nm |~800 mm2 |29,500,000 |access-date=2019-12-29access-date=2019-12-29date=date=December 2019 |- |딥 러닝 엔진 / IPU |웨이퍼 스케일 엔진 |1,200,000,000,000 |2019 |세레브라스 |TSMC |16 nm |46,225 mm2 |25,960,000 |access-date=2019-09-06access-date=2019-09-06access-date=2019-09-06access-date=2019-12-02 |- |딥 러닝 엔진 / IPU |웨이퍼 스케일 엔진 2 |2,600,000,000,000 |2020 |세레브라스 |TSMC |7 nm |46,225 mm2 |56,250,000 |date=April 21, 2021date=2022-08-23 |- |네트워크 스위치 |NV링크4 NVSwitch |25,100,000,000 |2022 |엔비디아 |TSMC |N4 (4 nm) |294 mm2 |85,370,000 |date=2022-08-22 |}
# 트랜지스터 밀도
트랜지스터 밀도는 단위 면적당 제조되는 트랜지스터의 수로, 일반적으로 제곱 밀리미터(mm2)당 트랜지스터 수로 측정된다. 트랜지스터 밀도는 일반적으로 게이트 길이에 비례하며, 반도체 공정(반도체 제조 공정이라고도 함)은 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 측정된다. 2019년 10월 기준, 가장 높은 트랜지스터 밀도를 가진 반도체 공정은 TSMC의 5나노미터 공정으로, 제곱 밀리미터당 1억 7,130만 개의 트랜지스터를 가지고 있다(이는 트랜지스터 간 거리가 76.4 nm임을 의미하며, 상대적으로 무의미한 "5nm"보다 훨씬 크다).
## MOSFET 노드
반도체 스케일 예시 목록 {| class="wikitable sortable" |+ 반도체 공정 |- ! 노드 이름 ! data-sort-type="number" | 트랜지스터 밀도 (트랜지스터/mm2) ! data-sort-type="number" | 생산 연도 ! data-sort-type="number" | 공정 ! MOSFET ! 제조사 ! class="unsortable"| 참고 자료 |- | ? | ? | 1960 | 20,000 nm | PMOS | rowspan="2" | 벨 연구소 | rowspan="2" |access-date=17 July 2019pages=321–3 |- | ? | ? | 1960 | 20,000 nm | NMOS |- | ? | ? | 1963 | ? | CMOS | 페어차일드 |website=컴퓨터 역사 박물관 |- | ? | ? | 1964 | ? | PMOS | General Microelectronics |access-date=17 July 2019 |- | ? | ? | 1968 | 20,000 nm | CMOS | RCA |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg;=PA330 |- | ? | ? | 1969 | 12,000 nm | PMOS | 인텔 | |- | ? | ? | 1970 | 10,000 nm | CMOS | RCA | |- | ? | #expr:(1024*3)/10 round -2 | 1970 | 8,000 nm | PMOS | 인텔 | |- | ? | ? | 1971 | 10,000 nm | PMOS | 인텔 |url=https://books.google.com/books?id=5m5uDwAAQBAJ&pg;=PT59 |- | ? | | 1971 | ? | PMOS | 제너럴 인스트루먼트 | |- | ? | ? | 1973 | ? | NMOS | 텍사스 인스트루먼트 | |- | ? | | 1973 | ? | NMOS | Mostek | |- | ? | ? | 1973 | 7,500 nm | NMOS | NEC | |- | ? | ? | 1973 | 6,000 nm | PMOS | 도시바 |url=https://books.google.com/books?id=iBsUXrgKBKkC&pg;=PA402 |- | ? | ? | 1976 | 5,000 nm | NMOS | 히타치, 인텔 | |- | ? | ? | 1976 | 5,000 nm | CMOS | RCA | |- | ? | ? | 1976 | 4,000 nm | NMOS | 자일로그 | |- | ? | ? | 1976 | 3,000 nm | NMOS | 인텔 |access-date=27 June 2019 |- | ? | | 1977 | ? | NMOS | NTT | |- | ? | ? | 1978 | 3,000 nm | CMOS | 히타치 |access-date=5 July 2019 |- | ? | ? | 1978 | 2,500 nm | NMOS | 텍사스 인스트루먼트 | rowspan="5" | |- | ? | ? | 1978 | 2,000 nm | NMOS | NEC, NTT |- | ? | | 1979 | ? | VMOS | 지멘스 |- | ? | | 1979 | 1,000 nm | NMOS | NTT |- | ? | | 1980 | 1,000 nm | NMOS | NTT |- | ? | ? | 1983 | 2,000 nm | CMOS | 도시바 | |- | ? | ? | 1983 | 1,500 nm | CMOS | 인텔 | rowspan="4" | |- | ? | ? | 1983 | 1,200 nm | CMOS | 인텔 |- | ? | ? | 1984 | 800 nm | CMOS | NTT |- | ? | ? | 1987 | 700 nm | CMOS | 후지쯔 |- | ? | ? | 1989 | 600 nm | CMOS | 미쓰비시, NEC, 도시바 | rowspan="5" | |- | ? | ? | 1989 | 500 nm | CMOS | 히타치, 미쓰비시, NEC, 도시바 |- | ? | ? | 1991 | 400 nm | CMOS | 마쓰시타, 미쓰비시, 후지쯔, 도시바 |- | ? | ? | 1993 | 350 nm | CMOS | 소니 |- | ? | ? | 1993 | 250 nm | CMOS | 히타치, NEC |- | 3LM | 32,000 | 1994 | 350 nm | CMOS | NEC | |- | ? | ? | 1995 | 160 nm | CMOS | 히타치 | rowspan="2" | |- | ? | ? | 1996 | 150 nm | CMOS | 미쓰비시 |- | TSMC 180공백nm | ? | 1998 | 180 nm | CMOS | TSMC |access-date=30 June 2019 |- | CS80 | ? | 1999 | 180 nm | CMOS | 후지쯔 |65nm CMOS Process Technology |- | ? | ? | 1999 | 180 nm | CMOS | 인텔, 소니, 도시바 | |- | CS85 | ? | 1999 | 170 nm | CMOS | 후지쯔 |디펜도프, 키스 (1999년 11월 15일). "할은 스파크스를 날게 한다". 마이크로프로세서 리포트, Volume 13, Number 5. |- | 삼성 140공백nm | ? | 1999 | 140 nm | CMOS | 삼성 | |- | ? | ? | 2001 | 130 nm | CMOS | 후지쯔, 인텔 | |- | 삼성 100공백nm | ? | 2001 | 100 nm | CMOS | 삼성그룹 | |- | ? | ? | 2002 | 90 nm | CMOS | 소니, 도시바, 삼성그룹 | |- | CS100 | ? | 2003 | 90 nm | CMOS | 후지쯔 | |- | 인텔 90공백nm | 1,450,000 | 2004 | 90 nm | CMOS | 인텔 |access-date=19 June 2019 |- | 삼성 80공백nm | ? | 2004 | 80 nm | CMOS | 삼성그룹 |publisher=삼성 |- | ? | ? | 2004 | 65 nm | CMOS | 후지쯔, 도시바 |date=12 July 2004 |- | 삼성 60공백nm | ? | 2004 | 60 nm | CMOS | 삼성그룹 | |- | TSMC 45공백nm | ? | 2004 | 45 nm | CMOS | TSMC | |- | 엘피다 90공백nm | ? | 2005 | 90 nm | CMOS | 엘피다 메모리 |Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report |- | CS200 | ? | 2005 | 65 nm | CMOS | 후지쯔 |url-status=dead |- | 삼성 50공백nm | ? | 2005 | 50 nm | CMOS | 삼성그룹 |access-date=19 June 2019 |- | 인텔 65공백nm | 2,080,000 | 2006 | 65 nm | CMOS | 인텔 | |- | 삼성 40공백nm | ? | 2006 | 40 nm | CMOS | 삼성그룹 | |- | 도시바 56공백nm | ? | 2007 | 56 nm | CMOS | 도시바 | |- | 마쓰시타 45공백nm | ? | 2007 | 45 nm | CMOS | 마쓰시타 | |- | 인텔 45공백nm | 3,300,000 | 2008 | 45 nm | CMOS | 인텔 |access-date=2018-11-14 |- | 도시바 43공백nm | ? | 2008 | 43 nm | CMOS | 도시바 | |- | TSMC 40공백nm | ? | 2008 | 40 nm | CMOS | TSMC |access-date=30 June 2019 |- | 도시바 32공백nm | ? | 2009 | 32 nm | CMOS | 도시바 |access-date=2019년 6월 21일 |- | 인텔 32공백nm | 7,500,000 | 2010 | 32 nm | CMOS | 인텔 | |- | ? | ? | 2010 | 20 nm | CMOS | 하이닉스, 삼성그룹 |url-status=dead |- | 인텔 22공백nm | 15,300,000 | 2012 | 22 nm | CMOS | 인텔 | |- | IMFT 20공백nm | ? | 2012 | 20 nm | CMOS | IMFT | rowspan="2" |date=June 8, 2012 |- | 도시바 19공백nm | ? | 2012 | 19 nm | CMOS | 도시바 |- | 하이닉스 16공백nm | ? | 2013 | 16 nm | 핀펫 | SK하이닉스 | |- | TSMC 16공백nm | 28,880,000 | 2013 | 16 nm | 핀펫 | TSMC |access-date=2019-05-31access-date=30 June 2019 |- | 삼성 10공백nm | 51,820,000 | 2013 | 10 nm | 핀펫 | 삼성그룹 |access-date=2019-05-31url-status=dead |- | 인텔 14공백nm | 37,500,000 | 2014 | 14 nm | 핀펫 | 인텔 | |- | 14LP | 32,940,000 | 2015 | 14 nm | 핀펫 | 삼성그룹 | |- | TSMC 10공백nm | 52,510,000 | 2016 | 10 nm | 핀펫 | TSMC |access-date=30 June 2019 |- | 12LP | 36,710,000 | 2017 | 12 nm | 핀펫 | 글로벌파운드리스, 삼성그룹 |access-date=2019-05-31 |- | N7FF | 96,500,000 101,850,000date=2020-04-29 | 2017 | 7 nm | 핀펫 | TSMC |access-date=30 July 2019access-date=6 July 2019access-date=30 June 2019 |- | 8LPP | 61,180,000 | 2018 | 8 nm | 핀펫 | 삼성그룹 | |- | 7LPE | 95,300,000 | 2018 | 7 nm | 핀펫 | 삼성그룹 | |- | 인텔 10공백nm | 100,760,000 106,100,000 | 2018 | 10 nm | 핀펫 | 인텔 |access-date=2019-05-31 |- | 5LPE | 126,530,000 133,560,000 134,900,000date=2019-08-06 | 2018 | 5 nm | 핀펫 | 삼성그룹 |access-date=2019-05-31 |- | N7FF+ | 113,900,000 | 2019 | 7 nm | 핀펫 | TSMC | |- | CLN5FF | 171,300,000 185,460,000 | 2019 | 5 nm | 핀펫 | TSMC |access-date=2019-04-07 |- | 인텔 7 | 100,760,000 106,100,000 | 2021 | 7 nm | 핀펫 | 인텔 | |- | 4LPE | 145,700,000 | 2021 | 4 nm | 핀펫 | 삼성그룹 |date=2021-10-07date=2021-12-02first1=Damien |- | N4 | 196,600,000date=2021-10-26 | 2021 | 4 nm | 핀펫 | TSMC |date=2021-12-16 |- | N4P | 196,600,000 | 2022 | 4 nm | 핀펫 | TSMC |date=2021-10-26 |- | 3GAE | 202,850,000 | 2022 | 3 nm | MBCFET | 삼성그룹 |date=2022-06-30 |- | N3 | 314,730,000 | 2022 | 3공백nm | 핀펫 | TSMC |date=12 December 2016language=en-us |- | N4X | ? | 2023 | 4공백nm | 핀펫 | TSMC |date=2021-12-16date=2021-12-16date=2021-12-17 |- | N3E | ? | 2023 | 3공백nm | 핀펫 | TSMC | |- | 3GAP | ? | 2023 | 3 nm | MBCFET | 삼성그룹 | |- | 인텔 4 | 160,000,000website=AnandTech | 2023 | 4 nm | 핀펫 | 인텔 |access-date=2021년 6월 1일website=www.anandtech.comwebsite=www.anandtech.com |- | 인텔 3 | ? | 2023 | 3 nm | 핀펫 | 인텔 | |- | 인텔 20A | ? | 2024 | 2 nm | 리본펫 | 인텔 | |- | 인텔 18A | ? | 2025 | 서브-2 nm | 리본펫 | 인텔 | |- | 2GAP | ? | 2025 | 2 nm | MBCFET | 삼성그룹 | |- | N2 | ? | 2025 | 2 nm | GAAFET | TSMC |date=2022-04-22 |- | 삼성 1.4 nm | ? | 2027 | 1.4 nm | ? | 삼성그룹 |date=2022-10-04 |}
# 게이트 수
특정 응용 분야에서는 트랜지스터 수 대신 **게이트 수**라는 용어가 선호된다. 이는 설계를 구현하는 데 필요한 트랜지스터 및 기타 전자 장치로 구성된 논리 회로의 수를 나타낸다.url=https://journals.aps.org/pra/abstract/10.1103/PhysRevA.90.022305Does gate count matter? Hardware efficiency of logic-minimization techniques for cryptographic primitivesisbn=978-1-4244-5308-5isbn=979-8-3503-2208-8
# 내용주
Notelist