반도체 규모 예시 목록

반도체 제조 공정 아래는 다양한 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET, 또는 MOS 트랜지스터) 반도체 제조 공정 노드에 대한 많은 반도체 스케일 예시를 나열한 것이다.
# MOSFET 시연 타임라인

## PMOS 및 NMOS
{| class="wikitable sortable" |+ MOSFET (PMOS 및 NMOS) 시연 ! 날짜 ! data-sort-type="number" | 채널 길이 ! data-sort-type="number" | 산화막 두께access-date=2019-03-02 ! MOSFET 논리 ! 연구자 ! 조직 ! 참조 |- |rowspan="4" | 6 |rowspan="2" | 20,000 nm |rowspan="2" | 100 nm |PMOS |rowspan="2" | 마틴 아탈라, 강대원 |rowspan="2" | 벨 전화 연구소 |rowspan="2" | url=http://www.fulviofrisone.com/attachments/article/453/Semiconductor.Devices_Physics.Technology_Sze.2ndEd_Wiley_2002.pdfdate=June 1960 |- |NMOS |- |rowspan="2" | 10,000 nm |rowspan="2" | #expr:1000/10 nm |PMOS |rowspan="2" | 마틴 아탈라, 강대원 |rowspan="2" | 벨 전화 연구소 |rowspan="2" | url=https://books.google.com/books?id=71dHe1yb9jgC&pg;=PA164 |- |NMOS |- |rowspan="2" | 5 |8,000 nm |150 nm |NMOS |rowspan="2" | 치탕 사, 오토 레이스티코, A.S. 그로브 |rowspan="2" | 페어차일드 반도체 |rowspan="2" | url-access=subscription |- |5,000 nm |170 nm |PMOS |- |12 |1,000 nm |Dunno |PMOS |로버트 H. 데나드, 프리츠 H. 간슬렌, 화니엔 유 |IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |doi=10.1109/IEDM.1972.249198doi-access=freedoi-access=free |- |rowspan="2" | 1973 |7,500 nm |Dunno |NMOS |스즈키 소이치 |NEC |access-date=27 June 2019archive-date=2011-05-25 |- |6,000 nm |Dunno |PMOS |Dunno |도시바 |access-date=27 June 2019url=https://books.google.com/books?id=iBsUXrgKBKkC&pg;=PA402 |- |rowspan="2" | 10 |1,000 nm |rowspan="2" | #expr:350/10 nm |rowspan="2" | NMOS |rowspan="2" | 로버트 H. 데나드, 프리츠 H. 간슬렌, 화니엔 유 |rowspan="2" | IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |rowspan="2" | url=http://www.eng.auburn.edu/~agrawvd/COURSE/READING/LOWP/Design%20of%20ion-implanted%20MOSFETs%20with%20very%20small%20physical%20dimensions.pdf |- |500 nm |- |9 |1,500 nm |#expr:200/10 nm |NMOS |호리 료이치, 마스다 히로오, 미나토 오사무 |히타치 제작소 |s2cid=21048622 |- |3 |3,000 nm |Dunno |NMOS |Dunno |인텔 |access-date=27 June 2019 |- |4 |1,000 nm |25 nm |NMOS |윌리엄 R. 헌터, L. M. 에프라스, 앨리스 크라머 |IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |s2cid=26389509 |- |12 |100 nm |5 nm |NMOS |고바야시 도시요, 호리구치 세이지, K. 키우치 |일본전신전화 |s2cid=46729489 |- |rowspan="2" | 12 |150 nm |2.5 nm |NMOS |고바야시 도시요, 호리구치 세이지, M. 미야케, M. 오다 |일본전신전화 |s2cid=22309664 |- |75 nm |Dunno |NMOS |스티븐 Y. 추, 헨리 I. 스미스, 디미트리 A. 안토니아디스 |MIT |s2cid=28493431 |- |1 |60 nm |Dunno |NMOS |스티븐 Y. 추, 헨리 I. 스미스, 디미트리 A. 안토니아디스 |MIT |issn=0734-211X |- |6 |200 nm |3.5 nm |PMOS |고바야시 도시요, M. 미야케, K. 데구치 |일본전신전화 |s2cid=38828156 |- |12 |40 nm |Dunno |NMOS |오노 미즈키, 사이토 마사노부, 요시토미 다카시 |도시바 |s2cid=114633315 |- |9 |16 nm |Dunno |PMOS |가와우라 히사오, 사카모토 도시쓰구, 바바 도시요 |NEC |issn=1347-4065 |- |6 |50 nm |1.3 nm |NMOS |칼레드 Z. 아메드, 에피옹 E. 이보크, 미리영 송 |AMD |s2cid=109823217s2cid=1849364 |- |12 |6 nm |Dunno |PMOS |브루스 도리스, 오머 도쿠마치, 메이케이 이옹 |IBM |s2cid=10151651language=endate=2002-12-09 |- |rowspan="2" | 12 |rowspan="2" | 3 nm |Dunno |PMOS |rowspan="2" | 와카바야시 히토시, 야마가미 시게하루 |rowspan="2" | NEC |rowspan="2" | s2cid=2100267 |- |Dunno |NMOS |}
## CMOS (단일 게이트)
{| class="wikitable sortable" |+ 상보형 MOSFET (CMOS) 시연 (단일 게이트) ! 날짜 ! data-sort-type="number" | 채널 길이 ! data-sort-type="number" | 산화막 두께 ! 연구자 ! 조직 ! 참조 |- |2 |Dunno |Dunno |치탕 사, 프랭크 완라스 |페어차일드 반도체 |access-date=6 July 2019doi=10.1109/ISSCC.1963.1157450 |- |1968 |20,000 nm |#expr:1000/10 nm |Dunno |RCA 연구소 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg;=PA330 |- |1970 |10,000 nm |#expr:1000/10 nm |Dunno |RCA 연구소 | |- |12 |2,000 nm |Dunno |A. 에이킨, R.G. 폴센, A.T.P. 맥아더, J.J. 화이트 |미텔 반도체 |s2cid=24526762 |- |2 |3,000 nm |Dunno |마스하라 도시아키, 미나토 오사무, 사사키 도시요, 사카이 요시오 |히타치 중앙 연구소 |access-date=5 July 2019s2cid=30753823url=https://ieeexplore.ieee.org/document/5469023 |- |rowspan="2" | 2 |1,200 nm |#expr:250/10 nm |R.J.C. 추앙, M. 초이, D. 크리크, S. 스턴, P.H. 펠리 |인텔 |access-date=25 June 2019s2cid=29882862 |- |900 nm |#expr:150/10 nm |마노 쓰네오, J. 야마다, 이노우에 준이치, S. 나카지마 |일본전신전화 (NTT) |s2cid=42018248 |- |12 |1,000 nm |#expr:225/10 nm |G.J. 후, 위안 타우르, 로버트 H. 데나드, 팅 충위 |IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |s2cid=20070619 |- |rowspan="2" | 2 |800 nm |17 nm |스미 T., 타니구치 쓰네오, 키시모토 미키오, 히라노 히로시게 |마쓰시타 |s2cid=60783996 |- |700 nm |12 nm |마노 쓰네오, J. 야마다, 이노우에 준이치, S. 나카지마 |일본전신전화 (NTT) |s2cid=60984466 |- |9 |500 nm |12.5 nm |후세인 I. 하나피, 로버트 H. 데나드, 위안 타우르, 나딤 F. 하닷 |IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |url=https://ieeexplore.ieee.org/document/5436921 |- |12 |250 nm |Dunno |가사이 나오키, 엔도 노부히로, 기타지마 히로시 |NEC |s2cid=9203005 |- |2 |400 nm |#expr:100/10 nm |이노우에 M., 고타니 H., 야마다 T., 야마우치 히로유키 |마쓰시타 |s2cid=62034618 |- |12 |100 nm |Dunno |가밤 G. 샤히디, 비잔 다바리, 위안 타우르, 제임스 D. 워녹 |IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |s2cid=114249312 |- |1993 |350 nm |Dunno |Dunno |소니그룹 |rowspan="2" | url-status=dead |- |1996 |150 nm |Dunno |Dunno |미쓰비시 전기 |- |1998 |180 nm |Dunno |Dunno |TSMC |access-date=30 June 2019 |- |12 |5 nm |Dunno |와카바야시 히토시, 야마가미 시게하루, 이케자와 노부유키 |NEC |access-date=7 December 2017 |}
## 멀티게이트 MOSFET (MuGFET)
{| class="wikitable sortable" |+ 멀티게이트 MOSFET (MuGFET) 시연 ! 날짜 ! data-sort-type="number" | 채널 길이 !MuGFET 유형 ! 연구자 ! 조직 ! 참조 |- |8 |Dunno |DGMOS |세키가와 도시히로, 하야시 유타카 |전기기술연구소 (ETL) |issn=0038-1101 |- |1987 |2,000 nm |DGMOS |세키가와 도시히로 |전기기술연구소 (ETL) |archive-date=26 September 2019 |- |rowspan="3" | 12 |250 nm |rowspan="2" | DGMOS |rowspan="2" | 비잔 다바리, 창원싱, 매튜 R. 워드먼, C.S. 오 |rowspan="2" | IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |rowspan="2" | s2cid=114078857s2cid=113918637 |- |180 nm |- |Dunno |GAAFET |마스오카 후지오, 다카토 히로시, 스노우치 카즈마사, N. 오카베 |도시바 |s2cid=114148274url=https://books.google.com/books?id=dAhEDwAAQBAJ&pg;=PA117url=https://books.google.com/books?id=klk6DwAAQBAJ&pg;=PT457 |- |12 |200 nm |FinFET |히사모토 디그, 카가 토루, 카와모토 요시후미, 타케다 에이지 |히타치 중앙 연구소 |url=https://books.google.com/books?id=t1ojkCdTGEEC&pg;=PA11s2cid=114072236access-date=4 July 2019 |- |12 |17 nm |FinFET |히사모토 디그, 후젠밍, 류쓰제, 제프리 보코르 |캘리포니아 대학교 버클리 |url-status=lives2cid=37774589 |- |2001 |15 nm |FinFET |후젠밍, 최양규, 닉 린더트, 류쓰제 |캘리포니아 대학교 버클리 |s2cid=8908553 |- |12 |10 nm |FinFET |쉬블리 아메드, 스콧 벨, 사이러스 태베리, 제프리 보코르 |캘리포니아 대학교 버클리 |url-status=dead |- |6 |3 nm |GAAFET |이현진, 최양규, 유이은, 류성완 |한국과학기술원 |hdl-access=free |}
## 기타 유형의 MOSFET
{| class="wikitable sortable" |+ MOSFET 시연 (기타 유형) ! 날짜 ! data-sort-type="number" | 채널
길이
(nm) ! data-sort-type="number" | 산화막
두께
(nm) ! MOSFET
유형 ! 연구자 ! 조직 ! 참조 |- |10 |Dunno |Dunno |TFT |폴 K. 와이머 |RCA 연구소 |issn=0096-8390doi-access=free |- |1965 |Dunno |Dunno |GaAs |H. 베케, R. 홀, J. 화이트 |RCA 연구소 |chapter-url=https://books.google.com/books?id=sk2SrZH3xEcC&pg;=PA173 |- |10 |100,000 |#expr:1000/10 |TFT |T.P. 브로디, H.E. 쿠니그 |웨스팅하우스 일렉트릭 |doi-access=freeurl=https://books.google.com/books?id=sk2SrZH3xEcC&pg;=PA2 |- |8 |Dunno |Dunno |FGMOS |강대원, 사이먼 민 스제 |벨 전화 연구소 |bibcode=1967ITED...14Q.629K |- |10 |Dunno |Dunno |MNOS |H.A. 리처드 베게너, A.J. 링컨, H.C. 파오 |스페리 코퍼레이션 |doi=10.1109/IEDM.1967.187833 |- |7 |Dunno |Dunno |BiMOS |훙창 린, 라마찬드라 R. 아이어 |웨스팅하우스 일렉트릭 |bibcode=1968ITBTR..14...80Lpages=1–20 (2) |- |10 |Dunno |Dunno |BiCMOS |훙창 린, 라마찬드라 R. 아이어, C.T. 호 |웨스팅하우스 일렉트릭 |doi=10.1109/IEDM.1968.187949 |- |1969 |Dunno |Dunno |VMOS |Dunno |히타치 제작소 |url-status=liveurl=https://books.google.com/books?id=0AE-0e-sAnsC&pg;=PA18 |- |9 |Dunno |Dunno |DMOS |타루이 Y., 하야시 Y., 세키가와 도시히로 |전기기술연구소 (ETL) |s2cid=184290914doi=10.1109/IEDM.1972.249241 |- |10 |Dunno |Dunno |ISFET |피트 베르그벨드 |트벤테 대학교 |bibcode=1970ITBE...17...70Baccess-date=13 May 2016 |- |10 |1000 |Dunno |DMOS |타루이 Y., 하야시 Y., 세키가와 도시히로 |전기기술연구소 (ETL) |doi=10.1109/IEDM.1970.188299 |- |rowspan="2" | 1977 |Dunno |Dunno |VDMOS |존 루이스 몰 |HP 랩스 | |- |Dunno |Dunno |LDMOS |Dunno |히타치 |url=https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/177 |- |7 |Dunno |Dunno |IGBT |반트발 자얀트 발리가, 마가렛 라제리 |제너럴 일렉트릭 |url=https://books.google.com/books?id=f091AgAAQBAJ |- |12 |2000 |Dunno |BiCMOS |히구치 H., 키츠카와 고로, 이케다 타카히데, 니시오 Y. |히타치 |s2cid=41295752 |- |5 |300 |Dunno |Dunno |데구치 K., 고마쓰 카즈히코, 미야케 M., 나마쓰 H. |일본전신전화 |url=https://ieeexplore.ieee.org/document/4480310 |- |2 |1000 |Dunno |BiCMOS |모모세 H., 시바타 히데키, 사이토 S., 미야모토 준이치 |도시바 |s2cid=37353920 |- |11 |90 |8.3 |Dunno |한성 리, L.C. 푸치오 |제너럴 모터스 |s2cid=35142126 |- |12 |60 |Dunno |Dunno |가밤 G. 샤히디, 디미트리 A. 안토니아디스, 헨리 I. 스미스 |MIT |s2cid=27558025 |- |5 |Dunno |10 |Dunno |비잔 다바리, 팅 충위, 키 Y. 안, S. 바사바이아 |IBM T.J. 왓슨 연구 센터 |url=https://ieeexplore.ieee.org/document/4480422 |- |12 |800 |Dunno |BiCMOS |로버트 H. 해브먼, R. E. 에클룬드, 히엡 V. 트란 |텍사스 인스트루먼트 |s2cid=40375699 |- |6 |30 |Dunno |EJ-MOSFET |가와우라 히사오, 사카모토 도시쓰구, 바바 도시요 |NEC |s2cid=38105606 |- |1998 |32 |Dunno |Dunno |Dunno |rowspan="2" | NEC |rowspan="2" | |- |1999 |8 |Dunno |Dunno |Dunno |- |4 |8 |Dunno |EJ-MOSFET |가와우라 히사오, 사카모토 도시쓰구, 바바 도시요 |NEC |issn=0003-6951 |}
# 마이크로 스케일 MOSFET를 사용하는 상업용 제품

## 20 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
* RCA의 집적 회로 (IC) CD4000 시리즈 (1968년부터).
## 10 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
10 µm 공정 * 1971년에 출시된 최초의 단일 칩 마이크로프로세서 CPU, 인텔 4004. * 1972년에 출시된 인텔 8008 CPU.
## 8 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
* 1970년에 출시된 초기 동적 램 (DRAM) 칩인 인텔 1103.quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21. * 1975년에 출시된 MOS 6502 1 MHz CPU.access-date=April 23, 2012
## 6 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
6 μm 공정 * 1973년 포드 EEC (전자 엔진 제어) 시스템용으로 개발된 마이크로프로세서, 도시바 TLCS-12. * 1974년에 출시된 인텔 8080 CPU는 이 공정을 사용하여 제조되었다.url-status=dead * 1977년 아타리 2600용으로 개발된 맞춤형 그래픽 및 오디오 칩인 텔레비전 인터페이스 어댑터.archive-date=May 13, 2012 * 1982년 코모도어 64용으로 개발된 프로그래머블 사운드 제너레이터인 MOS 테크놀로지 SID. * 1982년 코모도어 64용으로 개발된 비디오 디스플레이 컨트롤러인 MOS 테크놀로지 VIC-II (5 µm).
## 3 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
3 µm 공정 * 1976년에 출시된 인텔 8085 CPU.access-date=2012-05-11 * 1978년에 출시된 인텔 8086 CPU. * 1979년에 출시된 인텔 8088 CPU. * 1979년에 출시된 모토로라 68000 8 MHz CPU (3.5 µm).
## 1.5 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
1.5 µm 공정 * 1981년 NEC의 64 kb SRAM 메모리 칩. * 1982년에 출시된 인텔 80286 CPU. * 1992년에 처음 판매된 아미가 어드밴스드 그래픽스 아키텍처에는 1.5 µm CMOS 공정을 사용하여 제조된 앨리스와 같은 칩이 포함되어 있었다.url=https://archive.org/stream/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore_djvu.txt
## 1 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
1 µm 공정 * NTT의 DRAM 메모리 칩, 1979년 64 kb 칩과 1980년 256 kb 칩 포함. * 1984년 NEC의 1 Mb DRAM 메모리 칩. * 1985년에 출시된 인텔 80386 CPU.
## 800 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
800 nm 공정 * 1984년 NTT의 1 Mb DRAM 메모리 칩. * NEC와 도시바는 1986년에 4 Mb DRAM 메모리 칩에 이 공정을 사용했다. * 히타치 제작소, IBM, 마쓰시타 및 미쓰비시 전기는 1987년에 4 Mb DRAM 메모리 칩에 이 공정을 사용했다. * 1987년 도시바의 4 Mb EPROM 메모리 칩. * 히타치, 미쓰비시, 도시바는 1987년에 1 Mb SRAM 메모리 칩에 이 공정을 사용했다. * 1989년에 출시된 인텔 486 CPU. * 1992년에 출시된 마이크로스팍 I. * 1993년에 출시된 최초의 인텔 P5 펜티엄 CPU (60 MHz 및 66 MHz).
## 600 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
600 nm 공정 * 미쓰비시 전기, 도시바, NEC는 1989년에 600 nm 공정으로 제조된 16 Mb DRAM 메모리 칩을 선보였다. * 1990년 NEC의 16 Mb EPROM 메모리 칩. * 1991년 미쓰비시의 16 Mb 플래시 메모리 칩. * 1994년에 출시된 인텔 80486DX4 CPU. * IBM/모토로라 파워PC 601, 최초의 파워PC 칩은 0.6 µm로 생산되었다. * 인텔 펜티엄 CPU (75 MHz, 90 MHz, 100 MHz).
## 350 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
350 nm 공정 * 1994년 소니그룹의 16 Mb SRAM 메모리 칩. * NEC VR4300 (1995), 닌텐도 64 게임 콘솔에 사용. * 인텔 펜티엄 프로 (1995), 펜티엄 (P54CS, 1995), 및 초기 펜티엄 II CPU (클라마스, 1997). * AMD K5 (1996) 및 오리지널 AMD K6 (모델 6, 1997) CPU. * 패럴랙스 프로펠러, 8코어 마이크로컨트롤러.url-status=dead
## 250 nm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
250 nm 공정 * 1993년 히타치 제작소의 16 Mb SRAM 메모리 칩. * 히타치 제작소와 NEC는 1993년에 이 공정으로 제조된 256 Mb DRAM 메모리 칩을 선보였고, 이어서 마쓰시타, 미쓰비시 전기 및 오키가 1994년에 선보였다. * 1995년 NEC의 1 Gb DRAM 메모리 칩. * 1996년 히타치의 128 Mb 낸드 플래시 메모리 칩. * DEC 알파 21264A, 1999년에 상용화되었다. * AMD K6-2 촘퍼 및 촘퍼 익스텐디드. 촘퍼는 1998년 5월 28일에 출시되었다. * AMD K6-III "샤프투스"는 250 nm를 사용했다. * 모바일 펜티엄 MMX 틸라묵, 1997년 8월 출시. * 펜티엄 II 데슈츠. * 드림캐스트 콘솔의 히타치 SH-4 CPU와 파워VR2 GPU, 1998년 출시. * 펜티엄 III 카트마이. * 초기 플레이스테이션 2의 이모션 엔진 CPU.
## 180 nm 제조 기술을 사용하는 프로세서
180 nm 공정 * 인텔 코퍼마인 E - 1999년 10월 * 소니 플레이스테이션 2 콘솔의 이모션 엔진 및 그래픽스 신시사이저 – 2000년 3월publisher=소니그룹 * ATI 라데온 R100 및 RV100 라데온 7000 – 2000년 * AMD 애슬론 썬더버드 – 2000년 6월 * 인텔 셀러론 (윌라메트) – 2002년 5월 * 모토로라 파워PC 7445 및 7455 (아폴로 6) – 2002년 1월
## 130 nm 제조 기술을 사용하는 프로세서
130 nm 공정 * 후지쯔 SPARC64 V – 2001년Krewell, Kevin (21 October 2002). "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal". 마이크로프로세서 리포트. * IBM 및 닌텐도의 게코 (닌텐도 게임큐브 콘솔) – 2001년 * 모토로라 파워PC 7447 및 7457 – 2002년 * IBM 파워PC G5 970 – 2002년 10월 ~ 2003년 6월 * 인텔 펜티엄 III 튜알라틴 및 코퍼마인 – 2001년 4월 * 인텔 셀러론 튜알라틴-256 – 2001년 10월 2일 * 인텔 펜티엄 M 바니아스 – 2003년 3월 12일 * 인텔 펜티엄 4 노스우드 – 2002년 1월 7일 * 인텔 셀러론 노스우드-128 – 2002년 9월 18일 * 인텔 제온 프레스토니아 및 갈라틴 – 2002년 2월 25일 * 비아 C3 – 2001년 * AMD 애슬론 XP 스루브레드, 소튼, 바르톤 * AMD 애슬론 MP 스루브레드 – 2002년 8월 27일 * AMD 애슬론 XP-M 스루브레드, 바르톤, 더블린 * AMD 듀론 애플브레드 – 2003년 8월 21일 * AMD K7 셈프론 스루브레드-B, 소튼, 바르톤 – 2004년 7월 28일 * AMD K8 셈프론 파리 – 2004년 7월 28일 * AMD 애슬론 64 클로해머 및 뉴캐슬 – 2003년 9월 23일 * AMD 옵테론 슬레지해머 – 2003년 6월 30일 * 엘브루스 2000 1891ВМ4Я (1891VM4YA) – 2008년 4월 27일 * MCST-R500S 1891BM3 – 2008년 7월 27일 [https://web.archive.org/web/20151101211823/http://www.mcst.ru/b_18-19.shtml * Vortex 86SX –
# 나노 스케일 MOSFET를 사용하는 상업용 제품

## 90 nm 제조 기술을 사용하는 칩
90 nm 공정 * 소니–도시바 이모션 엔진+그래픽스 신시사이저 (플레이스테이션 2) – 2003년 * IBM 파워PC G5 970FX – 2004년 * 엘피다 메모리의 90 nm DDR2 SDRAM 공정 – 2005년 * IBM 파워PC G5 970MP – 2005년 * IBM 파워PC G5 970GX – 2005년 * IBM 워터누스 Xbox 360 프로세서 – 2005년 * IBM–소니–도시바 셀 프로세서 – 2005년 * 인텔 펜티엄 4 프레스캇 – 2004년 2월 * 인텔 셀러론 D 프레스캇-256 – 2004년 5월 * 인텔 펜티엄 M 도산 – 2004년 5월 * 인텔 셀러론 M 도산-1024 – 2004년 8월 * 인텔 제온 노코나, 어윈데일, 크랜포드, 포토맥, 팍스빌 – 2004년 6월 * 인텔 펜티엄 D 스미스필드 – 2005년 5월 * AMD 애슬론 64 윈체스터, 베니스, 샌디에이고, 올리언스 – 2004년 10월 * AMD 애슬론 64 X2 맨체스터, 톨레도, 윈저 – 2005년 5월 * AMD 셈프론 팔레르모 및 마닐라 – 2004년 8월 * AMD 튜리온 64 랭커스터 및 리치몬드 – 2005년 3월 * AMD 튜리온 64 X2 테일러 및 트리니다드 – 2006년 5월 * AMD 옵테론 비너스, 트로이, 아테네 – 2005년 8월 * AMD 듀얼 코어 옵테론 덴마크, 이탈리아, 이집트, 산타 아나, 산타 로사 * 비아 C7 – 2005년 5월 * 룽손 (Godson) 2Е STLS2E02 – 2007년 4월 * 룽손 (Godson) 2F STLS2F02 – 2008년 7월 * MCST-4R – 2010년 12월 * 엘브루스-2C+ – 2011년 11월
## 65 nm 제조 기술을 사용하는 프로세서
65 nm 공정 * 소니–도시바 EE+GS (PStwo)archive-date=2016-08-13 – 2005년 * 인텔 펜티엄 4 (시더 밀) – 2006년 1월 16일 * 인텔 펜티엄 D 900 시리즈 – 2006년 1월 16일 * 인텔 셀러론 D (시더 밀 코어) – 2006년 5월 28일 * 인텔 코어 – 2006년 1월 5일 * 인텔 코어 2 – 2006년 7월 27일 * 인텔 제온 (소사만) – 2006년 3월 14일 * AMD 애슬론 64 시리즈 (리마부터 시작) – 2007년 2월 20일 * AMD 튜리온 64 X2 시리즈 (타일러부터 시작) – 2007년 5월 7일 * AMD 페넘 시리즈 * IBM의 셀 프로세서 – 플레이스테이션 3 – 2007년 11월 17일 * IBM의 z10 * 마이크로소프트 Xbox 360 "팔콘" CPU – 2007년 9월 * 마이크로소프트 Xbox 360 "오푸스" CPU – 2008년 * 마이크로소프트 Xbox 360 "재스퍼" CPU – 2008년 10월 * 마이크로소프트 Xbox 360 "재스퍼" GPU – 2008년 10월 * Sun 울트라스팍 T2 – 2007년 10월 * AMD 튜리온 울트라 – 2008년 6월[http://www.tgdaily.com/content/view/31877/135/ TG Daily – AMD preps 65 nm Turion X2 processors date=2007-09-13 * TI OMAP 3 제품군archive-date=2009-01-22 – 2008년 2월 * 비아 나노 – 2008년 5월 * 룽손 – 2009년 * 엔비디아 지포스 8800GT GPU – 2007년
## 45 nm 기술을 사용하는 프로세서
45 nm 공정 * 마쓰시타는 2007년에 45 nm 유니피어를 출시했다.date=October 10, 2007 * 울프데일, 요크필드, 요크필드 XE 및 페닌은 코어 2 브랜드로 판매되는 인텔 코어이다. * 인텔 코어 i7 시리즈 프로세서, i5 750 (린필드 및 클락스필드) * 펜티엄 듀얼 코어 울프데일-3M은 펜티엄 브랜드로 판매되는 현재 인텔 주류 듀얼 코어이다. * 다이아몬드빌, 파인뷰는 하이퍼스레딩이 적용되어 인텔 아톰 브랜드로 판매되는 현재 인텔 코어이다. * AMD 데넵 (페넘 II) 및 상하이 (옵테론) 쿼드 코어 프로세서, 레고르 (애슬론 II) 듀얼 코어 프로세서 카스피안 (튜리온 II) 모바일 듀얼 코어 프로세서. * AMD (페넘 II) "튜반" 헥사 코어 프로세서 (1055T) * 엑스박스 360 S 모델의 제논. * 소니–도시바 셀 브로드밴드 엔진 (플레이스테이션 3 슬림 모델) – 2009년 9월. * 삼성 S5PC110, 허밍버드로도 알려져 있다. * 텍사스 인스트루먼트 OMAP 36xx. * IBM 파워7 및 z196 * 후지쯔 SPARC64 VIIIfx 시리즈 * 에스프레소 (마이크로프로세서) Wii U CPU
## 32 nm 기술을 사용하는 칩
32 nm 공정 * 도시바는 2009년에 32 nm 공정으로 상업용 32 Gb 낸드 플래시 메모리 칩을 생산했다.date=11 February 2009 * 인텔 코어 i3 및 i5 프로세서, 2010년 1월 출시[http://www.informationweek.com/news/security/management/showArticle.jhtml?articleID=222200708 "인텔, 32nm 웨스트미어 데스크톱 프로세서 출시". 인포메이션위크, 2010년 1월 7일. 2011년 12월 17일 확인. * 인텔 6코어 프로세서, 코드명 걸프타운url-status=dead * 인텔 i7-970, 2010년 7월 말 출시, 약 US$900 * AMD FX 시리즈 프로세서, 코드명 잠베지이며 AMD의 불도저 아키텍처 기반으로 2011년 10월 출시. 이 기술은 32 nm SOI 공정, 모듈당 2개의 CPU 코어, 최대 4개의 모듈을 사용했으며, 약 US$130의 쿼드 코어 설계부터 $280의 8코어 설계까지 다양했다. * 암바렐라는 2011년 9월 1080p60 고화질 비디오 기능을 제공하는 디지털 스틸 카메라용 A7L 시스템 온 칩 회로의 출시를 발표했다.url-status=dead
## 24–28 nm 기술을 사용하는 칩
* SK하이닉스는 64 Gb 용량의 26 nm 플래시 칩을 생산할 수 있다고 발표했다. 인텔과 마이크론 테크놀로지는 이미 자체적으로 이 기술을 개발했다. 2010년에 발표되었다.하이닉스 26 nm 기술 발표 보고 기사 * 도시바는 2010년 8월 31일에 24 nm 플래시 메모리 낸드 장치를 출하하고 있다고 발표했다.도시바, 24nm 공정 낸드 플래시 메모리 출시 * 2016년에 MCST의 28 nm 프로세서 엘브루스-8S가 양산에 들어갔다.access-date=7 September 2020access-date=7 September 2020
## 22 nm 기술을 사용하는 칩
22 nm 공정 * 인텔의 아이비브리지 22 nm 기술을 기반으로 한 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서 (7 시리즈 칩셋용)는 2012년 4월 23일 전 세계에 판매되었다.인텔, 아이비브리지 출시...
## 20 nm 기술을 사용하는 칩
* 삼성전자는 2010년에 20 nm 공정을 사용하여 64 Gb 낸드 플래시 메모리 칩을 양산하기 시작했다.access-date=19 June 2019 * 엔비디아 테그라 X1 (닌텐도 스위치 및 엔비디아 실드 TV)
## 16 nm 기술을 사용하는 칩
* TSMC는 2013년에 16 nm FinFET 칩 생산을 처음 시작했다.access-date=30 June 2019 * 엔비디아 테그라 X1+ (후기 닌텐도 스위치 및 엔비디아 실드 TV 모델)
## 14 nm 기술을 사용하는 칩
14 nm 공정 * 인텔의 브로드웰 14 nm 기술을 기반으로 한 인텔 코어 i7 및 인텔 코어 i5 프로세서는 2015년 1월에 출시되었다.EETimes 인텔, 라스베이거스에서 14nm 브로드웰 출시 * AMD의 젠 또는 젠+ 아키텍처를 기반으로 하고 14 nm FinFET 기술을 사용하는 AMD 라이젠 프로세서.access-date=2019-05-01
## 10 nm 기술을 사용하는 칩
10 nm 공정 * 삼성그룹은 2013년에 10 nm 공정을 사용하여 멀티 레벨 셀 (MLC) 플래시 메모리 칩의 대량생산을 시작했다고 발표했다.url-status=dead 2016년 10월 17일, 삼성전자는 10 nm에서 SoC 칩의 대량 생산을 발표했다. * TSMC는 2016년 초에 10 nm 칩의 상업 생산을 시작했으며, 2017년 초에 대량 생산으로 전환했다.access-date=30 June 2019 * 삼성은 2017년 4월에 회사의 10 nm 프로세서를 사용하여 갤럭시 S8 스마트폰을 출하하기 시작했다.title=최신 삼성 갤럭시 스마트폰 pipe 모바일 폰 * 애플은 2017년 6월에 TSMC에서 생산된 10 nm FinFET 공정을 사용하는 애플 A10X 칩으로 구동되는 2세대 아이패드 프로 태블릿을 출시했다.url-status=dead
## 7 nm 기술을 사용하는 칩
7 nm 공정 * TSMC는 2017년 4월에 7 nm 공정을 사용하여 256 Mbit SRAM 메모리 칩의 리스크 생산을 시작했다.access-date=30 June 2019 * 삼성과 TSMC는 2018년에 7 nm 장치의 대량 생산을 시작했다.TSMC, 7nm 칩 생산 증대 모니카 첸, 신주; 제시 쉔, DIGITIMES 금요일 2018년 6월 22일 * 2018년에 출시된 애플 A12 및 화웨이 기린 980 모바일 프로세서는 모두 TSMC에서 제조한 7 nm 칩을 사용한다.language=en-US * AMD는 2018년 11월 Vega 20 GPU부터 TSMC 7 nm를 사용하기 시작했으며,website=www.anandtech.com 2019년 7월부터 Zen 2 기반 CPU 및 APU를 사용했으며,website=www.anandtech.com 2020년 11월에 출시된 플레이스테이션 5website=www.anandtech.com 및 Xbox Series X/Swebsite=www.anandtech.com 콘솔의 APU에도 사용되었다.
## 5 nm 기술을 사용하는 칩
5 nm 공정 * 삼성은 2018년 후반에 5 nm 칩 (5LPE) 생산을 시작했다.access-date=2019-05-31 * TSMC는 2019년 4월에 5 nm 칩 (CLN5FF) 생산을 시작했다.
## 3 nm 기술을 사용하는 칩
3 nm 공정 * TSMC는 2021년~2022년 동안 3 nm 장치를 출시할 계획을 발표했다.date=2016년 12월 12일 * 삼성전자는 2022년 6월에 3 nm GAAFET 트랜지스터의 리스크 생산을 시작했다.website=www.anandtech.com * 애플 A17 Pro (아이폰 15 Pro)