삼성 엑시노스

Exynos 삼성 엑시노스 로고 삼성 갤럭시 S III에 장착된 엑시노스 4 쿼드 (4412) **엑시노스**(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 애플리케이션 프로세서, 모뎀, RF칩 등의 상표명이다. 이전에 생산되던 허밍버드가 리브랜딩되어 S3C, S5L와 S5P 계열의 AP를 계승한다.Samsung Assigns New Nomenclature to Application Processor Family 엑시노스는 삼성전자 시스템 LSI 사업부가 개발하고 삼성 파운드리에서 제조한 ARM 기반 시스템 온 칩 시리즈이다. 엑시노스는 삼성의 독점적인 "M" 시리즈 코어 디자인을 특징으로 하는 일부 고급 SoC를 제외하고 대부분 ARM Cortex 코어를 기반으로 한다. 하지만 2021년부터는 주력 고급 SoC에도 ARM Cortex 코어가 탑재된다.
# 애플리케이션 프로세서

## 엑시노스 이전의 AP
{| class="wikitable" |- ! | 모델명 ! | 제조
공정 ! | 명령어 집합 ! | CPU ! | GPU ! | 메모리 기술 ! | 출시
년도 ! | 사용한 제품들 |- | S5L8900 | 90 nm | ARMv6 |ARM11 620MHz 싱글 코어 ARM11 412 MHz 싱글 코어 | 이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트 | eDRAM | 2007 | 아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대 |- | S3C6410 | 65 nm | ARMv6 | ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어 | 2D / 3D 그래픽가속기 | DDR SDRAM | 2009 | 삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2 |- |}
## 엑시노스 3
{| class="wikitable" |- ! | 모델명 ! | 제조
공정 ! | 명령어 집합 ! | CPU ! | GPU ! | 메모리 기술 ! | 통신 ! | 출시
년도 ! | 사용한 제품 |- | 엑시노스 3 싱글 (3110 - S5PC100)http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/w/solution.html#?v=single | 45 nm | ARM 홀딩스 ARMv7 | **ARM 홀딩스 코덱스-A8** MP1 600 MHz 싱글 코어 | IT 파워VR SGX535 200 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz | | 2009년 | 아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대 |- | 엑시노스 3 싱글 (3110) - (허밍버드(S5PC110/S5PC111))url-status=dead | 45 nm | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A8 MP1 1GHz + ARM 코텍스-A8 MP1 1.2GHz 듀얼 코어 / ARM 홀딩스 코텍스-A8 MP1 1GHz 싱글 코어 | IT 파워VR SGX540 200 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz | | 2010년 | 삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭 7, 갤럭시 S Infuse, 갤럭시 S, 갤럭시 U, 갤럭시 K |- | 엑시노스 3 듀얼 (3250) | 28nm | | ARM 코텍스-A7 MP2 1GHz 싱글 코어 | ARM Mali-400 MP2 400 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz | | 2010년 | 삼성 기어2, 삼성 기어2 네오, KT 라인 키즈폰, 삼성 기어 핏2 |- | 엑시노스 3 쿼드 (3470, 섀넌222AP)http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2013111202011132803005http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/w/solution.html#?v=modap | 28 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A7 MP4 1.4 GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-400 MP4 440 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR2/LPDDR3 400 MHz | LTE Cat.3/4엑시노스 브랜드 이전에는 Cat.3, 엑시노스 브랜드로 런칭 후에는 Cat.4 모뎀이 통합된 ModAP다. | 2013년 4분기 | 삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 LTE, 삼성 갤럭시 S5 미니, 갤럭시 탭4 7.0 LTE |- |엑시노스 3 쿼드 (3475) |28nm |ARM 홀딩스 ARMv7 |ARM Cortex-A7 MP4 1.3GHz 쿼드 코어 |ARM Mali-T720 MP1 667MHz |32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3 |Cat.4 (2CH) |2015년 7월 1일 |갤럭시 탭 E 8.0, 갤럭시 폴더, 갤럭시 J2, 갤럭시 온5 |}
## 엑시노스 4
{| class="wikitable" |- ! | 모델명 ! | 제조 공정 ! | 명령어 집합 ! | CPU ! | GPU ! | 메모리 기술 ! | 출시
년도 ! | 사용한 제품들 |- | 엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)url-status=dead | 45 nm | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A9 MP2 1.2GHz / ARM 코텍스-A9 MP2 1.4 GHz 싱글 코어 | ARM 말리-400 MP4 266 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400MHz (6.4 GB/s)
LPDDR2/DDR2/DDR3 | 2011 2분기 | 삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스 / 갤럭시 S II WiMAX, 갤럭시 노트, 갤럭시 탭 7.7, MX 2-Core |- | 엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)url-status=dead | 32 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A9 MP2 1.5 GHz 듀얼 코어 | ARM 말리-400 MP4 440 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400MHz (6.4 GB/s)
LPDDR2/DDR2/DDR3 | 2011년 4분기 | 갤럭시 S4 줌, 갤럭시 탭3 8.0, MX New 2-Core, 갤럭시 기어 |- | 엑시노스 4 쿼드 (4412)url-status=dead | 32 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A9 MP4 1.4GHz / ARM 코텍스-A9 MP4 1.6GHz | ARM 말리-400 MP4 440 ~ 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s)
LPDDR2/LPDDR3 | 2012년 2분기 | 갤럭시 S III, 갤럭시 카메라, 갤럭시 노트 10.1, 갤럭시 팝, 갤럭시 그랜드, MX 4-Core, Idea PHone K860 |- |엑시노스 4 쿼드 (4415) |28nm HKMG |ARM ARMv7 |ARM Cortex-A9 MP4 1.5 GHz |ARM Mali-400 MP4 533 MHz | |2012년 |갤럭시 메가 2 |- |}
## 엑시노스 5
{| class="wikitable" |- ! | 모델명 ! | 제조
공정 ! | 명령어 집합 ! | CPU ! | GPU ! | 메모리 기술 ! | 통신 ! | 출시
년도 ! | 사용한 제품 |- | 엑시노스 5 듀얼 (5250)url-status=dead | 32 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A15 MP2 2GHz / ARM 코텍스-A15 MP2 1.7GHz | ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3/DDR3 | | 2012년 3분기 | 구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대 |- | 엑시노스 5 옥타 (5410)url-status=deadhttp://economy.hankooki.com/lpage/industry/201301/e20130110143319120180.htmlurl=http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201301/e20130110143319120180.html | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM) | 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 533 MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3 | | 2013 2분기 | 삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU |- | 엑시노스 5 옥타 (5420)확인날짜= | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s)
LPDDR3 | | 2013 3분기 | 삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T320/321, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T520/521, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T900/901, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901, 삼성 갤럭시 탭 S 8.4 T700, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 T800 |- | 엑시노스 5 헥사 (5260)url-status=dead | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3 | | 2014년 1분기 | 삼성 갤럭시 노트 3 네오 N750/7505/7507, 삼성 갤럭시 K 줌 |- | 엑시노스 5 옥타 (5422/5800)확인날짜= | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s)
LPDDR3/DDR3 | | 2014년 1분기 | 삼성 갤럭시 S5 G900H (5422), 삼성 크롬북 2 (5800)크롬북에 장착된 모델은 엑시노스 5800이다. |- | 엑시노스 5 옥타 (5430)확인날짜= | 20 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 600 MHz | 32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s)
LPDDR3 | | 2014년 8월 13일 | 삼성 갤럭시 알파, 메이주 MX4 Pro |- |}
## 엑시노스 7
{| class="wikitable" |- ! | 모델명 ! | 제조
공정 ! | 명령어 집합 ! | CPU ! | GPU ! | 메모리 기술 ! | 통신 ! | 출시
년도 ! | 사용한 제품 |- | 엑시노스 7 옥타 (5433)확인날짜=갤럭시 노트 4 등에 "엑시노스 5433"이라는 이름으로 적용되었으나, 이후 엑시노스 7 라인업이 발표되면서 코텍스-A57, 코텍스-A53을 사용하는 특성상 엑시노스 7 라인업으로 편입되었다. 7410이라는 이름으로 변경되었다는 루머가 돌았으나 사실이 아니다. | 20 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A57 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T760 MP6 700 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 13.2 GB/s)
LPDDR3 | Cat.6, Cat.9 | 2014년 9월 | 삼성 갤럭시 노트 4 N910H/C/U, 삼성 갤럭시 노트 엣지 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 대한민국 모델(SM-T805, LTE-A), 삼성 갤럭시 탭 S2 8.0 SM-T715, LTE-A, 삼성 갤럭시 탭 S2 9.7 SM-T815, LTE-A SM-T815 |- |엑시노스 7 듀얼 (7270) |14nm FinFET |ARM 홀딩스 ARMv8-A |ARM Cortex-A53 MP2 1 GHz |ARM Mali-T720 MP8 650MHz |32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s)
LPDDR3 |Cat.4 |2016년 10월 |삼성 기어 S3 삼성 기어 스포츠 |- | 엑시노스 7 옥타 (7420)확인날짜= | 14 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A57 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T760 MP8 772 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1,552 MHz (24.88 GB/s)
LPDDR4 | Cat.9 | 2015년 2월http://www.hankyung.com/news/app/newsview.php?aid=201502163297g | 삼성 갤럭시 S6, 삼성 갤럭시 S6 엣지, 삼성 갤럭시 노트 5, 삼성 갤럭시 S6 엣지 플러스, 삼성 갤럭시 A8 2016 |- |엑시노스 7 쿼드 (7570) |14nm FinFET |ARM 홀딩스 ARMv8-A |ARM Cortex-A53 MP4 1.4 GHz |ARM Mali-720 MP1 700MHz |32-bit 싱글채널 LPDDR3 667 MHz |Cat.4 (2CH) |2016년 8월 |갤럭시 On5⑥ 갤럭시 J3⑦ |- |엑시노스 7 쿼드 (7578) |28nm HKMG |ARM 홀딩스 ARMv8-A |ARM Cortex-A53 MP4 1.5 GHz |ARM Mali-T720 MP2 700 MHz |32-bit 듀얼채널 LPDDR3 933MHz |Cat.4 (2CH) |2016년 |갤럭시 A3⑥ |- | 엑시노스 7 옥타 (7580)확인날짜= | 28 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어 | ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 688 MHz | 64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s)
LPDDR3 | Cat.6 | 2015년 2분기 | 삼성 갤럭시 A5,7,9 2016, 삼성 갤럭시 노트 5 네오 갤럭시 뷰 |- | 엑시노스 7 옥타 (7870)확인날짜= | 28 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어 | ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 700 MHz | 64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s)
LPDDR3 | Cat.6 | 2016년 1분기 | 삼성 갤럭시 J7 2016, 삼성 갤럭시 탭 A 10.1 2016 |- |엑시노스 7 옥타 (9610) |10 nm FinFET |ARM 홀딩스 ARMv8-A |ARM 홀딩스 Cortex-A73 2.3GHz 4코어 + ARM 홀딩스 Cortex-A53 1.6GHz 4코어 ( Big.Little ) |ARM 홀딩스 Mali-G72 MP18 656MHz |64 비트 듀얼 채널 1794 MHz (28.7 GB/s)
LPDDR4X |Cat.13 2CA Cat.12 3CA |2017년 4분기 |갤럭시 A 시리즈 |- |}
## 엑시노스 9 시리즈
{| class="wikitable" |- ! | 모델명 ! | 제조
공정 ! | 명령어 집합 ! | CPU !NPU ! | GPU ! | 메모리 기술 ! | 통신 ! | 출시
년도 ! | 사용한 제품 |- | 엑시노스 9 serious (8895)확인날짜= | 10 nm FinFET | ARM ARMv8.2-A | **삼성 엑시노스 M2** MP4 2.3 GHz 쿼드 코어 + **ARM Cortex-A53** MP4 1.69 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | | **ARM Mali-G71** MP20 546 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR4X __ MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.16 (↓ 1 Gbps) // Cat.13 (150 Mbps ↑) & 5 Band 캐리어 어그리게이션 및 VoLTE, 3G DC-HSPA+ & HSPA+ & HSDPA & HSUPA & UMTS 및 3G TD-SCDMA, 2G GSM & EDGE | 2017년 2분기 | 삼성 갤럭시 S8, 삼성 갤럭시 S8 플러스, 삼성 갤럭시 노트 8, Meizu 15+ |- | 엑시노스 9 serious (9110) | 10 nm FinFET | | **ARM Cortex-A53** MP2 1.15 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | | **ARM Mali-T720** MP1 667 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR4X -- MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.4/5 + 3G WCDMA/TD-SCDMA + 2G GSM | 2018년 8월 | 갤럭시 워치, 갤럭시 워치 액티브, 갤럭시 워치 액티브2, 갤럭시 워치3, 구글 픽셀 워치 |- | 엑시노스 9 serious (9810) |10 nm FinFET | |**삼성 엑시노스 M3** MP4 2.7GHz 쿼드 코어 + **ARM Cortex-A55** MP4 1.79GHz 쿼드 코어 | |**ARM 말리-G72** MP18 572MHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1794 MHz |Cat.18 (6CH) |2018년 1분기 |삼성 갤럭시 S9, 삼성 갤럭시 S9+, 삼성 갤럭시 노트9, 삼성 갤럭시 노트 10 Lite, 갤럭시 탭 Active 3 |- |엑시노스 9 serious (9820) |8 nm FinFET | |**삼성 엑시노스 M4** MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + **ARM Cortex-A75** MP2 2.31GHz 듀얼 코어+ **ARM Cortex-A55** 1.95GHz 쿼드 코어 |Samsung 1st MP2 NPU |**ARM 말리-G76** MP12 702MHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2093MHz |4G LTE-FDD/TDD Cat.20+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA |2018년 11월 |갤럭시 S10e, 갤럭시 S10, 갤럭시 S10+, 갤럭시 S10 5G |- |엑시노스 9 serious (9825) |7 nm FinFET | |**삼성 엑시노스 M4** MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + **ARM Cortex-A75** MP2 2.4GHz 듀얼 코어+ **ARM Cortex-A55** MP4 1.95GHz 쿼드 코어 | |**ARM 말리-G76** MP12 754MHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2093MHz |4G LTE-FDD/TDD Cat.20+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA |2019년 8월 |갤럭시 노트10, 갤럭시 노트10+, 갤럭시 F62 |- |엑시노스 9 serious (9611) |10 nmm FinFET | |**ARM Cortex-A73** MP4 2.3GHz 듀얼 코어+ **ARM Cortex-A53** MP4 1.7GHz 쿼드 코어 | |**ARM 말리-G72** MP3 805MHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1600 MHz |4G LTE-FDD/TDD Cat.12·13+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA |2019년 9월 |갤럭시 M30s, 갤럭시 A51, 갤럭시 엑스커버 프로, 갤럭시 탭 S6 lite, 갤럭시 F41, 갤럭시 A50s |- |엑시노스 9 serious (980) |8 nm FinFET | |**ARM Cortex-A77** MP2 2.21GHz 듀얼 코어+ **ARM Cortex-A55** MP6 1.79GHz 쿼드 코어 | |**ARM 말리-G76** MP5 728MHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2133MHz |5G NR Sub-6 TDD+4G LTE-FDD/TDD Cat.16·18 +3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA |2019년 9월 |삼성 갤럭시 X30, 갤럭시 X30 프로, 갤럭시 A51 5G, 갤럭시 A71 5G |- |엑시노스 9 serious (990) |8 nm FinFET |ARM ARMv8.2-A |**삼성 엑시노스 M5** MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + **ARM Cortex-A76** MP2 2.50MHz 듀얼 코어+ **ARM Cortex-A55** MP4 2.0GHz 쿼드 코어 | |**ARM 말리-G77** MP11 850MHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2750MHz | |2019년 10 |갤럭시 S20, 갤럭시 S20+, 갤럭시 S20 Ultra, 갤럭시 S20 FE]], 갤럭시 노트20, 갤럭시 노트20 울트라 |- |엑시노스 9 serious (850) | | |**ARM Cortex-A55** MP8 2GHz 듀얼 코어 | |**ARM 말리-G52** MP1 1GHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1866MHz |4G LTE-FDD/TDD Cat.7·13 +3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA |2019년 5 |갤럭시 A21s, 갤럭시 M12, 갤럭시 A12 Nachos, 갤럭시 엑스커버5, 갤럭시 A13, 리디페이퍼4 |- |엑시노스 9 serious (880) | 8nm FinFET |ARM ARMv8.2-A |**ARM Cortex-A77** MP2 2GHz 듀얼 코어 + **ARM Cortex-A55** MP6 1.8GHz 듀얼 코어 | |**ARM 말리-G76** MP5 ???GHz |64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2133MHz | |2020년 5월 | Vivo Y51s, Vivo Y70s, Vivo Y70t |}
# 읽을 거리
* 英 "왜 우리한테만 절름발이 갤4 판매하나" 데일리메일, 옥타코어 아닌 쿼드코어 탑재 실망 전자신문 2013.3.23 * 갤럭시S4 머리에 '이 칩'이 들어간 진짜 이유 자체 '엑시노스5410' 발열·성능 문제 발목 전자신문 2013.3.25