CELEX: 61989CJ0066
Tarif douanier commun
Sous position tarifaire 85.21 D II
Disques de silicium

Motifs de l'arrêt
1 Par jugement du 24 février 1989, parvenu à la Cour le 6 mars suivant, le tribunal d' instance du Mans a posé, en vertu de l' article 177 du traité CEE, trois questions préjudicielles relatives à l' interprétation du règlement ( CEE ) n° 1203/86 de la Commission, du 23 avril 1986, relatif au classement de produits dans la sous-position 85.21 D II du tarif douanier commun ( JO L 108, p . 20 ).
2 Ces questions ont été soulevées dans le cadre d' un litige opposant le directeur général des douanes et des droits indirects à la société Powerex-Europe, au sujet du classement tarifaire de disques de silicium pour des importations effectuées par cette dernière, entre le 16 mai et le 14 septembre 1986 .
3 La société Powerex-Europe a importé des États-Unis en France des disques de silicium destinés, après certaines opérations, à devenir des dispositifs à semi-conducteur . Les pièces importées sont de deux types, A et B, correspondant à deux degrés d' élaboration différents et à des stades différents d' introduction dans le processus de fabrication mis en oeuvre par ladite société . Ces disques ont subi aux États-Unis une diffusion thermique, et ont ensuite été soudés sur un support de molybdène . Les pièces du type B présentent, en outre, un chanfrein obtenu par un polissage de la surface du disque de silicium . Ce chanfrein est lui-même recouvert d' un vernis isolant, opération totalement effectuée, elle aussi, avant leur importation en France .
4 La société importatrice a déclaré ces articles à l' administration des douanes comme pièces détachées de semi-conducteurs, correspondant à la position tarifaire 85.21 E du tarif douanier commun et taxées, à ce titre, d' un droit de 5,8 %. L' administration des douanes française, qui se fonde sur le règlement n° 1203/86, a considéré que les marchandises importées se rapportaient à la position tarifaire 85.21 D II, à savoir : "diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur", pour laquelle il est prévu un taux de 17 %, estimant que ces marchandises correspondaient non pas à des pièces détachées, mais à des pièces à l' état presque fini, ayant les caractéristiques essentielles de l' objet fini . Elle a procédé, sur cette base, à un rappel de droits correspondant à la différence entre les droits qui, d' après elle, auraient dû être acquittés, et ceux effectivement payés .
5 C' est contre ce classement que la société importatrice a présenté un recours devant le tribunal d' instance du Mans . Celui-ci, après avoir fait procéder à une expertise, estimant que des doutes subsistaient en ce qui concerne la classification tarifaire de la marchandise en question, a sursis à statuer et a posé à la Cour de justice les questions préjudicielles suivantes :
"1 ) Dire si les deux catégories de pièces importées par la société Powerex-Europe - dont les propriétés et les caractéristiques ont été décrites par M . Camus, expert, dans son rapport contradictoire du 29 décembre 1988 - relèvent de l' application du règlement communautaire n° 1203/86, du 23 avril 1986;
2 ) Dans l' affirmative sur la question 1 ), dire si ledit règlement doit être invalidé pour les motifs invoqués par la société Powerex-Europe;
3 ) Dans l' affirmative sur la question 2 ), dire si la décision d' annulation produira effet sur les importations réalisées avant qu' elle soit rendue ."
6 Pour un plus ample exposé des faits du litige au principal, de la réglementation applicable ainsi que des observations écrites déposées devant la Cour, il est renvoyé au rapport d' audience . Ces éléments du dossier ne sont repris ci-dessous que dans la mesure nécessaire au raisonnement de la Cour .
7 Par la première question, la juridiction nationale vise, en substance, à savoir si le règlement n° 1203/86 doit être interprété en ce sens qu' il s' applique aux deux catégories de pièces importées par la société Powerex-Europe .
8 En vue de répondre à cette question, il importe de relever au préalable que le règlement litigieux vise, d' après ses premier et quatrième considérants, les disques de silicium ayant subi une diffusion sélective de manière à créer des régions discrètes, appliqués sur un support de molybdène qui, bien qu' ils ne soient pas munis de boîtier et de connexion, constituent déjà en l' état des dispositifs à semi-conducteur . Dans son article 1er, ledit règlement classe, dans la sous-position 85.21 D II, les disques de silicium présentant ces caractéristiques .
9 Il y a lieu de rappeler, ensuite, la règle générale 2, sous a ), pour l' interprétation de la nomenclature du tarif douanier commun qui prévoit que "toute référence à un article dans une position déterminée du tarif couvre cet article même incomplet ou non fini à la condition qu' il présente, en l' état, les caractéristiques essentielles de l' article complet ou fini ".
10 Il convient, à cet égard, de préciser, tout d' abord, quelles sont les caractéristiques essentielles d' un dispositif à semi-conducteur . Il ressort du rapport d' expertise judiciaire ainsi que des observations qui ont été formulées au cours de l' audience, que lesdits dispositifs ont deux caractéristiques essentielles : la première tient au fait qu' il y a un sens passant et un sens bloquant, c' est-à-dire que l' électricité se transmet d' une face à une autre, mais ne peut pas se transmettre en sens inverse . La seconde caractéristique est que l' utilisateur de ce dispositif doit pouvoir contrôler en puissance et en intensité les flux électriques qui passent dans un sens et doit pouvoir également les faire cesser .
11 Il convient, ensuite, de déterminer à partir de quel moment un disque de silicium remplit les fonctions électriques essentielles d' un dispositif à semi-conducteur complet ou fini tel que décrit ci-dessus .
12 A cet égard, il y a lieu de constater, ainsi qu' il ressort du rapport d' expertise, que le disque de silicium est une matière qui n' est conductrice que si l' on y injecte des impuretés . Ce sont ces impuretés ou dopants qui permettent la transmission de l' électricité d' une face du disque à l' autre . Il existe deux méthodes pour injecter des impuretés : la diffusion thermique et la diffusion par irradiation sous faisceaux d' électrons, ou dopage .
13 La première méthode introduit l' essentiel des impuretés dans les disques de silicium . A partir de ce moment-là, on peut y faire passer un courant, selon un processus cependant mal contrôlé, puisqu' on ne peut choisir ni la puissance électrique ni le moment où le courant cessera de passer . La seconde méthode consiste à introduire de manière sélective un dopant adéquat . Dans cette méthode, le silicium est bombardé d' électrons à une très grande vitesse . Ce procédé permet de contrôler précisément l' énergie et le flux d' électrons et d' ajuster l' effet de dopage, ce qui n' est pas possible avec la seule diffusion thermique .
14 Il résulte de ces considérations que la diffusion sélective visée par le règlement en cause est celle qui permet à un disque de silicium d' avoir les caractéristiques essentielles d' un dispositif à semi-conducteur complet ou fini, c' est-à-dire la diffusion par irradiation sous faisceaux d' électrons . Ainsi, bien qu' il ne soit pas muni de boîtier et de connexion, un tel disque doit déjà être classé, par application des règles générales 1 et 2, sous a ), pour l' interprétation de la nomenclature, dans la sous-position 85.21 D II .
15 Cette interprétation de la notion de diffusion sélective est conforme à celle qui ressort du règlement ( CEE ) n° 288/89 de la Commission, du 3 février 1989, concernant la détermination de l' origine des circuits intégrés ( JO L 33, p . 23 ), dont le troisième considérant dispose que "la diffusion doit donc être considérée dans ce contexte comme l' opération au cours de laquelle les circuits intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l' introduction sélective d' un dopant adéquat ".
16 Il y a, dès lors, lieu de vérifier chaque fois si des pièces destinées à s' incorporer dans le dispositif à semi-conducteur présentent déjà en l' état les caractéristiques essentielles d' un dispositif à semi-conducteur complet ou fini, c' est-à-dire si elles ont déjà subi, avant leur importation, une diffusion sélective par irradiation sous faisceaux d' électrons .
17 Il découle des considérations qui précèdent que des disques de silicium qui doivent nécessairement subir, après leur importation, d' importantes opérations, notamment une diffusion sélective par irradiation sous faisceaux d' électrons et, ensuite, une opération dite de montage ou d' encapsulage, ne possèdent pas les caractéristiques essentielles des dispositifs à semi-conducteur définis à la position 85.21 D II et n' entrent donc pas dans le champ d' application du règlement n° 1203/86 .
18 Il convient donc de répondre à la première question que le règlement n° 1203/86 doit être interprété en ce sens qu' il ne s' applique pas à des disques de silicium qui doivent nécessairement subir, après leur importation, d' importantes opérations, notamment une diffusion sélective par irradiation sous faisceaux d' électrons et, ensuite, une opération dite de montage ou d' encapsulage .
19 Vu la réponse donnée à la première question, il n' est pas nécessaire de répondre à la deuxième et à la troisième questions, qui n' avaient été posées que pour le cas où les produits litigieux relèveraient du règlement n° 1203/86 .
Décisions sur les dépenses
Sur les dépens
20 Les frais exposés par le gouvernement français et la Commission des Communautés européennes, qui ont soumis des observations à la Cour, ne peuvent faire l' objet d' un remboursement . La procédure revêtant, à l' égard des parties au principal, le caractère d' un incident soulevé devant la juridiction nationale, il appartient à celle-ci de statuer sur les dépens .
Dispositif
Par ces motifs,
LA COUR ( sixième chambre ),
statuant sur les questions à elle posées par le tribunal d' instance du Mans, par jugement du 24 février 1989, dit pour droit :
Le règlement ( CEE ) n° 1203/86 de la Commission, du 23 avril 1986, relatif au classement de produits dans la sous-position 85.21 D II du tarif douanier commun, doit être interprété en ce sens qu' il ne s' applique pas à des disques de silicium qui doivent nécessairement subir, après leur importation, d' importantes opérations, notamment une diffusion sélective par irradiation sous faisceaux d' électrons et, ensuite, une opération dite de montage ou d' encapsulage .