CELEX: 61989CJ0066
Gemeenschappelijk douanetarief
Post 85.21 D II
Siliciumschijfjes

Overwegingen van het arrest
1 Bij vonnis van 24 februari 1989, ingekomen ten Hove op 6 maart daaraanvolgend, heeft het tribunal d' instance du Mans krachtens artikel 177 EEG-Verdrag drie prejudiciële vragen gesteld over de uitlegging van verordening ( EEG ) nr . 1203/86 van de Commissie van 23 april 1986 betreffende de indeling van goederen onder post 85.21 D II van het gemeenschappelijk douanetarief ( PB 1986, L 108, blz . 20 ).
2 Die vragen zijn gerezen in een geding tussen de directeur général des douanes et des droits indirects en Powerex-Europe over de tariefindeling van siliciumschijfjes voor de importen die laatstgenoemde in de periode van 16 mei tot 14 september 1986 heeft verricht .
3 Powerex-Europe importeerde uit de Verenigde Staten siliciumschijfjes in Frankrijk om er door middel van een aantal bewerkingen halfgeleiderelementen van te maken . De ingevoerde onderdelen zijn van twee types, A en B, die overeenkomen met twee verschillende graden van bewerking, en die in een verschillende fase van het door Powerex toegepaste fabricageprocédé verder worden bewerkt . De schijfjes hebben in de Verenigde Staten een thermische diffusie ondergaan en zijn vervolgens op een drager van molybdeen gelast . De onderdelen van het type B hebben een afgeschuinde zijde, verkregen door het gladslijpen van het oppervlak van het siliciumschijfje . Deze afgeschuinde zijde wordt dan bedekt met een isolerende lak . Al deze bewerkingen worden vóór de invoer in Frankrijk verricht .
4 Powerex gaf deze goederen bij de douaneadministratie aan als onderdelen van halfgeleiderelementen vallende onder post 85.21 E van het gemeenschappelijk douanetarief, waarvoor een invoerrrecht van 5,8% geldt . De Franse douaneadministratie oordeelde op basis van verordening nr . 1203/86, dat de ingevoerde goederen moesten worden ingedeeld onder tariefpost 85.21 D II, te weten : "Dioden, transistors en dergelijke halfgeleiderelementen", waarvoor een invoerrecht van 17% geldt; volgens haar ging het niet om onderdelen, maar om nagenoeg afgewerkte produkten die de essentiële kenmerken van het eindprodukt vertonen . Op grond daarvan ging zij over tot navordering van het verschil tussen de daadwerkelijk betaalde rechten en de rechten die haars inziens hadden moeten worden betaald .
5 Tegen deze indeling kwam Powerex in beroep bij het tribunal d' instance du Mans . Deze rechterlijke instantie verzocht een deskundige om advies en oordeelde vervolgens, dat er nog steeds twijfel bestond over de tariefindeling van de betrokken goederen . Daarop heeft zij de behandeling van de zaak geschorst en het Hof de navolgende prejudiciële vragen gesteld :
"1 ) Vallen de twee door Powerex-Europe ingevoerde categorieën onderdelen, waarvan de eigenschappen en de kenmerken door deskundige Camus in zijn contradictoir rapport van 29 december 1988 zijn beschreven, onder gemeenschapsverordening nr . 1203/86 van 23 april 1986?
2 ) Ingeval vraag 1 bevestigend wordt beantwoord, dient die verordening dan op de door Powerex-Europe aangevoerde gronden ongeldig te worden verklaard?
3 ) Ingeval vraag 2 bevestigend wordt beantwoord, heeft de ongeldigverklaring dan gevolgen voor de invoer die vóór die ongeldigverklaring heeft plaatsgevonden?"
6 Voor een nadere uiteenzetting van de feiten van het hoofdgeding, de toepasselijke bepalingen en de bij het Hof ingediende schriftelijke opmerkingen, wordt verwezen naar het rapport ter terechtzitting . Deze elementen van het dossier worden hierna slechts weergegeven voor zover dat noodzakelijk is voor de redenering van het Hof .
7 De eerste vraag van de nationale rechter is in wezen erop gericht te vernemen, of verordening nr . 1203/86 aldus moet worden uitgelegd, dat zij van toepassing is op de twee categorieën van onderdelen die door Powerex-Europe worden ingevoerd .
8 Om op deze vraag te antwoorden, dient er allereerst op te worden gewezen, dat de omstreden verordening volgens de eerste en de vierde overweging van haar considerans betrekking heeft op siliciumschijfjes die op een drager van molybdeen zijn aangebracht, die een selectieve diffusie hebben ondergaan waardoor discrete zones werden gevormd, en die, hoewel zij niet zijn voorzien van een omhulling en van aansluitingen, als zodanig als halfgeleiderelementen moeten worden aangemerkt . Volgens artikel 1 van die verordening moeten de siliciumschijfjes die deze kenmerken vertonen, onder post 85.21 D II worden ingedeeld .
9 Verder dient eraan te worden herinnerd, dat volgens Algemene Bepaling 2, sub a, voor de toepassing van de nomenclatuur van het gemeenschappelijk douanetarief "de vermelding van een goed in een post eveneens betrekking heeft op dat goed in niet complete of in niet afgewerkte staat voor zover dit de essentiële kenmerken van het complete of het afgewerkte goed vertoont ".
10 Derhalve moet allereerst worden gepreciseerd, welke de essentiële kenmerken van een halfgeleiderelement zijn . Uit het rapport van de door de nationale rechter aangewezen deskundige en uit de ter terechtzitting gemaakte opmerkingen blijkt, dat halfgeleiderelementen twee essentiële kenmerken hebben . Het eerste kenmerk bestaat erin, dat zij een doorlaat - en een blokkeerrichting hebben, dat wil zeggen dat de elektriciteit van een zijde naar de andere kan stromen, maar niet omgekeerd . Het tweede kenmerk is, dat de gebruiker van het halfgeleiderelement het vermogen en de intensiteit van de in één richting stromende elektrische flux kan beheersen en deze flux ook kan stoppen .
11 Vervolgens moet worden bepaald, vanaf welk ogenblik een siliciumschijfje de essentiële elektrische functies van een volledig of afgewerkt halfgeleiderelement als hierboven beschreven, kan vervullen .
12 Allereerst moet worden vastgesteld dat, zoals in het rapport van de deskundige is gezegd, het siliciumschijfje slechts geleidend is wanneer er verontreinigingen in zijn aangebracht . Deze verontreinigingen of dopes maken het mogelijk, dat de elektriciteit van de ene naar de andere zijde van het schijfje stroomt . Er zijn twee methodes om verontreinigingen aan te brengen : de thermische diffusie en de diffusie door bestraling met elektronenbundels of dotering .
13 Het grootste deel van de verontreinigingen wordt volgens de eerste methode in de siliciumschijfjes aangebracht . Vanaf dat ogenblik laten zij stroom door, doch volgens een procédé dat slecht wordt beheerst, daar noch het elektrisch vermogen noch het ogenblik van het verbreken van de stroom kan worden gekozen . De tweede methode bestaat erin, op selectieve wijze verontreinigingen aan te brengen op de juiste plaats . Daartoe wordt het silicium tegen een zeer hoge snelheid met elektronen gebombardeerd . Met dit procédé kunnen de energie en de elektronenflux nauwkeurig worden beheerst en kan het effect van het doteren worden bijgesteld, hetgeen met thermische diffusie alleen niet mogelijk is .
14 Uit het voorgaande volgt, dat in de betrokken verordening wordt gedoeld op de selectieve diffusie die aan een siliciumschijfje de essentiële kenmerken van een volledig of afgewerkt halfgeleiderelement verleent, dat wil zeggen de diffusie door bestraling met elektronenbundels . Derhalve moet een dergelijk schijfje, hoewel het niet is voorzien van een omhulling en van aansluitingen, ingevolge Algemene Bepalingen 1 en 2, sub a, voor de toepassing van de nomenclatuur reeds onder post 85.21 D II worden ingedeeld .
15 Deze uitlegging van het begrip selectieve diffusie is in overeenstemming met die welke voorkomt in verordening nr . 288/89 van de Commissie van 3 februari 1989 betreffende de vaststelling van de oorsprong van geïntegreerde schakelingen ( PB 1989, L 33, blz . 23 ). In de zesde overweging van de considerans van deze verordening wordt immers verklaard, dat de diffusie in dit verband dient te worden gedefinieerd als het proces waarbij de geïntegreerde schakelingen op een halfgeleider worden gevormd door het selectief aanbrengen van verontreinigingen op de juiste plaats .
16 Derhalve moet telkens worden nagegaan, of onderdelen die bestemd zijn om in het halfgeleiderelement te worden ingebouwd, als zodanig reeds de essentiële kenmerken van een volledig of afgewerkt halfgeleiderelement bezitten, met andere woorden, of zij reeds vóór hun invoer een selectieve diffusie door bestraling met elektronenbundels hebben ondergaan .
17 Uit het voorgaande volgt, dat siliciumschijfjes die na invoer nog ingrijpende bewerkingen moeten ondergaan, met name een selectieve diffusie door bestraling met elektronenbundels en, vervolgens, de zogenaamde montage of omhulling, niet de essentiële kenmerken van halfgeleiderelementen in de zin van post 85.21 D II bezitten en derhalve niet binnen de werkingssfeer van verordening nr . 1203/86 vallen .
18 Mitsdien moet op de eerste vraag worden geantwoord, dat verordening nr . 1203/86 aldus moet worden uitgelegd, dat zij niet van toepassing is op siliciumschijfjes die na invoer nog ingrijpende bewerkingen moeten ondergaan, met name een selectieve diffusie door bestraling met elektronenbundels en, vervolgens, de zogenaamde montage of omhulling .
19 Gezien het antwoord op de eerste vraag, behoeft niet te worden ingegaan op de tweede en de derde vraag, die slechts waren gesteld voor het geval de omstreden goederen onder verordening nr . 1203/86 zouden vallen .
Beslissing inzake de kosten
Kosten
20 De kosten door de Franse regering en de Commissie van de Europese Gemeenschappen wegens indiening hunner opmerkingen bij het Hof gemaakt, kunnen niet voor vergoeding in aanmerking komen . Ten aanzien van de partijen in het hoofdgeding is de procedure als een aldaar gerezen incident te beschouwen, zodat de nationale rechterlijke instantie over de kosten heeft te beslissen .
Dictum
HET HOF VAN JUSTITIE ( Zesde Kamer ),
uitspraak doende op de door het tribunal du Mans bij vonnis van 24 februari 1989 gestelde vragen, verklaart voor recht :
Verordening nr . 1203/86 van de Commissie van 23 april 1986 betreffende de indeling van goederen onder post 85.21 D II van het gemeenschappelijk douanetarief, moet aldus worden uitgelegd, dat zij niet van toepassing is op siliciumschijfjes die na invoer nog ingrijpende bewerkingen moeten ondergaan, met name een selectieve diffusie door bestraling met elektronenbundels en, vervolgens, de zogenaamde montage of omhulling .