CELEX: 61989CJ0066
Arancel aduanero común
Subpartida arancelaria 85.21 D II
Discos de silicio

Mediante resolución de 24 de febrero de 1989, recibida en el Tribunal de Justicia el 6 de marzo siguiente, el Tribunal d'instance de Le Mans planteó, con arreglo al artículo 177 del Tratado CEE, tres cuestiones prejudiciales sobre la interpretación del Reglamento (CEE) n° 1203/86 de la Comisión, de 23 de abril de 1986, relativo a la clasificación de mercancías en la subpartida 85.21 D II del arancel aduanero común (
DO L 108, p. 20
).
Dichas cuestiones se suscitaron en el marco de un litigio entre el Directeur general des douanes et des droits indirects y la sociedad Powerex-Europe, sobre la clasificación arancelaria de discos de silicio en importaciones realizadas por esta ùltima, entre el 16 de mayo y el 14 de septiembre de 1986.
La sociedad Powerex-Europe importó de Estados Unidos a Francia discos de silicio destinados a convertirse, tras determinadas operaciones, en dispositivos semiconductores. Las piezas importadas son de dos tipos, A y B, que corresponden a dos grados de elaboración distintos y a fases distintas de introducción en el proceso de fabricación que aplica dicha sociedad. Estos discos han sido sometidos en Estados Unidos a una dispersión térmica, y luego han sido soldados sobre un soporte de molibdeno. Las piezas del tipo B presentan, además, un bisel obtenido mediante pulido de la superficie del disco de silicio. Este bisel está recubierto de un barniz aislante, operación que también se realiza en su totalidad antes de ser importados los discos a Francia.
La sociedad importadora declaró estos artículos a la Administración de aduanas como piezas sueltas de semiconductores, correspondientes a la subpartida arancelaria 85.21 E del arancel aduanero común y gravadas, por lo tanto, con un derecho del 5,8 %. La Administración aduanera francesa, que se basa en el Reglamento n° 1203/86, consideró que las mercancías importadas debían clasificarse en la partida arancelaria 85.21 D II, a saber: «diodos, transistores y dispositivos semiconductores similares», para la cual está previsto un gravamen del 17 %, considerando que estas mercancías correspondían no a piezas sueltas sino a piezas en estado casi acabado, que tenían las características esenciales del objeto terminado. De acuerdo con ello procedió a exigir los aranceles correspondiente a la diferencia entre los que habían sido pagados y los que según ella debían haberse pagado.
Contra esta clasificación la sociedad importadora presentó un recurso ante el Tribunal d'instance de Le Mans. Éste, después de ordenar un examen pericial, y considerando que subsistían dudas respecto a la clasificación arancelaria de la mercancía en cuestión, suspendió el procedimiento y planteó al Tribunal de Justicia las siguientes cuestiones prejudiciales:
«1)
¿Están comprendidas dentro del ámbito de aplicación del Reglamento comunitario n° 1203/86, de 23 de abril de 1986, las dos categorías de piezas importadas por la sociedad Powerex-Europe, cuyas propiedades y características han sido descritas por el Sr. Camus, perito, en su dictamen pericial de 29 de diciembre de 1988?
2)
En caso afirmativo, ¿debe dicho Reglamento ser declarado nulo por los motivos alegados por la sociedad Powerex-Europe?
3)
En caso de respuesta afirmativa a la cuestión anterior, ¿producirá efectos la decisión de anulación sobre las importaciones realizadas antes de que se dicte dicha decisión?»
Para una más amplia exposición de los hechos del litigio principal, de la normativa aplicable, así como de las observaciones escritas presentadas, esta Sala se remite al informe para la vista. En lo sucesivo sólo se hará referencia a estos elementos en la medida exigida por el razonamiento del Tribunal.
Mediante la primera cuestión, el órgano jurisdiccional nacional pretende, esencialmente, saber si el Reglamento n° 1203/86 debe interpretarse en el sentido de que se aplica a las dos categorías de piezas importadas por la sociedad Powerex-Europe.
Para responder a esta cuestión debe ponerse de manifiesto previamente que el Reglamento controvertido se refiere, según sus considerandos primero y cuarto, a los discos de silicio que han sido sometidos a una dispersión selectiva para crear campos discretos, aplicados sobre un soporte de molibdeno que, aunque no estén provistos de estuche y de conexión, constituyen en el estado en que se encuentran dispositivos semiconductores. En su artículo 1, dicho Reglamento clasifica en la subpartida 85.21 D II los discos de silicio que presentan tales características.
A continuación debe recordarse la letra a) de la regla general 2 para la interpretación de la nomenclatura del arancel aduanero común que establece que «cuando en una partida del arancel aduanero común se haga referencia a un artículo, deberá entenderse que dicho artículo también comprende dicho artículo incompleto o sin terminar, siempre que, en tal estado, presente las características esenciales del artículo completo o terminado».
A este respecto, es preciso señalar, en primer lugar, cuáles son las características esenciales de un dispositivo semiconductor. Del dictamen pericial, así como de las observaciones presentadas durante la vista, resulta que dichos dispositivos tienen dos características esenciales: la primera es que existe un sentido de paso y un sentido de bloqueo, es decir, que la electricidad se transmite de una cara a otra, pero no puede desplazarse en sentido inverso. La segunda característica es que el usuario de este dispositivo debe poder controlar la potencia y la intensidad de los flujos eléctricos que pasan en un sentido y asimismo debe poder detenerlos.
A continuación debe determinarse a partir de qué momento el disco de silicio cumple las funciones eléctricas esenciales de un dispositivo semiconductor completo o terminado, tal como ha sido descrito anteriormente.
En este sentido, debe ponerse de manifiesto, tal como resulta del dictamen pericial, que el disco de silicio es una materia que sólo es conductora si se le inyectan impurezas. Son estas impurezas o dopantes los que permiten la transmisión de la electricidad de una cara del disco a la otra. Existen dos métodos para inyectar impurezas: la dispersión térmica y la dispersión por irradiación por haces de electrones, o dopaje.
El primer método introduce la parte esencial de las impurezas en los discos de silicio. A partir de ese momento, se puede hacer pasar la corriente, con arreglo a un proceso sin embargo mal controlado, ya que no se puede elegir ni la potencia eléctrica ni el momento en que la corriente dejará de pasar. El segundo método consiste en introducir de modo selectivo un dopante adecuado. Según este último método, se bombardea el silicio con electrones de alta velocidad. Este procedimiento permite controlar exactamente la energía y el flujo de electrones y ajustar el efecto de dopaje, lo cual no es posible con el método de dispersión térmica.
De estas consideraciones resulta que es la dispersión selectiva mencionada por el Reglamento en cuestión la que permite a un disco de silicio tener las características esenciales de un dispositivo semiconductor completo o terminado, es decir, la dispersión por irradiación bajo haces de electrones. Así, aunque no esté provisto de estuche y de conexión, tal disco debe ser clasificado a partir de dicho momento, en virtud de las reglas generales 1 y 2, letra a), para interpretación de la nomenclatura, en la subpartida 85.21 D II.
Esta interpretación del concepto de dispersión selectiva es conforme con la que resulta del Reglamento (CEE) n° 288/89 de la Comisión, de 3 de febrero de 1989, relativo a la determinación del origen de los circuitos integrados (
DO L 33, p. 23
), cuyo tercer considerando dispone que «en este contexto, la difusión debe entenderse como el proceso por el que se forman los circuitos integrados sobre un sustrato semiconductor mediante la introducción selectiva de un dopante apropiado».
Por lo tanto debe comprobarse cada vez si las piezas destinadas a incorporarse en el dispositivo semiconductor presentan ya las características esenciales del dispositivo semiconductor completo o terminado, es decir, si se han sometido ya, antes de ser importadas, a una dispersión selectiva por irradiación bajo haces de electrones.
De las consideraciones anteriores resulta que los discos de silicio que, una vez importados, deben someterse necesariamente a operaciones importantes, en particular una dispersión selectiva por irradiación bajo haces de electrones y, a continuación, una operación llamada de montaje o de encapsulación, no poseen las características esenciales de los dispositivos semiconductores definidos en la partida 85.21 D II y por tanto no están comprendidos dentro del ámbito de aplicación del Reglamento n° 1203/86.
Procede pues responder a la primera cuestión que el Reglamento n° 1203/86 debe interpretarse en el sentido de que no se aplica a los discos de silicio que, una vez importados, deben someterse necesariamente a importantes operaciones, en particular una dispersión selectiva por irradiación bajo haces de electrones y, a continuación, una operación llamada de montaje o de encapsulación.
Teniendo en cuenta la respuesta dada a la primera cuestión, no es necesario responder a la segunda y a la tercera, que sólo habían sido planteadas para el supuesto en que los productos controvertidos estuviesen comprendidos dentro del ámbito de aplicación del Reglamento n° 1203/86.
Costas
Los gastos efectuados por el Gobierno francés y la Comisión de las Comunidades Europeas, que han presentado observaciones ante este Tribunal de Justicia, no pueden ser objeto de reembolso. Dado que el procedimiento tiene, para las partes del litigio principal, el carácter de un incidente promovido ante el órgano jurisdiccional nacional, corresponde a éste resolver sobre las costas.

En virtud de todo lo expuesto,
EL TRIBUNAL DE JUSTICIA (Sala Sexta),
pronunciándose sobre las cuestiones planteadas por el Tribunal d'instance de Le Mans mediante resolución de 24 de febrero de 1989, declara:

El Reglamento (CEE) n° 1203/86 de la Comisión, de 23 de abril de 1986, relativo a la clasificación de mercancías en la subpartida 85.21 D II del arancel aduanero común, debe interpretarse en el sentido de que no se aplica a discos de silicio que, una vez importados, deben someterse necesariamente a operaciones importantes, en particular una dispersión selectiva por irradiación bajo haces de electrones y, a continuación, una operación llamada de montaje o de encapsulación.

Kakouris
Schockweiler
Mancini
O'Higgins
Díez de Velasco
Pronunciada en audiencia pública en Luxemburgo, a 17 de mayo de 1990.
El Secretario
J.-G. Giraud
El Presidente de la Sala Sexta
C. N. Kakouris
(
*1
)	Lengua de procedimiento: francés.