CELEX: 61989CJ0066
Tariffa doganale comune
Sottovoce doganale 85.21 D II
Dischi di silicio

Motivazione della sentenza
1 Con sentenza 24 febbraio 1989, pervenuta in cancelleria il 6 marzo successivo, il Tribunal d' instance di Le Mans ha sottoposto alla Corte, in forza dell' art . 177 del Trattato CEE, tre questioni pregiudiziali vertenti sull' interpretazione del regolamento ( CEE ) della Commissione 23 aprile 1986, n . 1203, relativo alla classificazione delle merci nella sottovoce 85.21 D II della tariffa doganale comune ( GU L 108, pag . 20 ).
2 Dette questioni sono state sollevate nell' ambito di una controversia sorta tra il Direttore generale delle dogane e delle imposte indirette e la società Powerex-Europe, in ordine alla classificazione tariffaria di dischi di silicio per importazioni effettuate da detta società tra il 16 maggio e il 14 settembre 1986 .
3 La società Powerex-Europe ha importato dagli Stati Uniti in Francia dischi di silicio destinati, dopo talune operazioni, ad essere trasformati in dispositivi a semiconduttore . I pezzi importati sono di due tipi, A e B, corrispondenti a due differenti gradi di elaborazione e a differenti stadi di immissione nel processo di fabbricazione attuato dalla suddetta società . Questi dischi sono stati sottoposti negli Stati Uniti ad una diffusione termica e sono stati quindi fissati su un supporto di molibdeno . Gli articoli di tipo B presentano inoltre una smussatura ottenuta mediante una levigatura della superficie del disco di silicio . La stessa smussatura è ricoperta da una vernice isolante, operazione questa anch' essa totalmente compiuta anteriormente all' importazione dei dischi in Francia .
4 Dinanzi all' amministrazione doganale, la società importatrice ha dichiarato questi articoli come pezzi staccati di semiconduttori, corrispondenti alla voce 85.21 E della tariffa doganale comune e come tali soggetti ad un dazio pari al 5,8 %. L' amministrazione doganale francese, basandosi sul regolamento n . 1203/86, ha ritenuto che le merci importate si riferissero alla voce tariffaria 85.21 D II, corrispondente a : "diodi, transistori e simili dispositivi a semiconduttori", per la quale è prevista un' aliquota del 17%, considerando le suddette merci corrispondenti non già a pezzi staccati, bensì a prodotti quasi finiti, aventi le caratteristiche essenziali dell' oggetto finito . Fondandosi su tale presupposto, essa ha reclamato il pagamento di un importo corrispondente alla differenza fra i dazi che avrebbero dovuto essere versati e quelli effettivamente pagati .
5 Avverso tale classificazione la società importatrice ha proposto un ricorso dinanzi al Tribunal d' instance di Le Mans, che dopo aver nominato un consulente tecnico, ritenendo che sussistessero dubbi in ordine alla classificazione tariffaria della merce di cui trattasi, ha sospeso il giudizio ed ha sottoposto alla Corte di giustizia le seguenti questioni pregiudiziali :
"1 ) Se le due categorie di pezzi importati dalla Powerex-Europe - le cui proprietà e caratteristiche sono state descritte dal consulente tecnico sig . Camus, nella sua relazione in contraddittorio del 29 dicembre 1988 - rientrino nell' ambito di applicazione del regolamento comunitario 23 aprile 1986, n . 1203 .
2 ) In caso di soluzione affermativa della questione sub 1 ), se detto regolamento debba essere annullato per le ragioni addotte dalla Powerex-Europe .
3 ) In caso di soluzione affermativa della questione sub 2 ), se la decisione di annullamento avrà effetto sulle importazioni effettuate prima della sua pronuncia ".
6 Per una più ampia illustrazione degli antefatti della controversia nella causa principale, della normativa in vigore nonché delle osservazioni scritte presentate alla Corte, si fa rinvio alla relazione d' udienza . Questi elementi del fascicolo sono richiamati solo nella misura necessaria alla comprensione del ragionamento della Corte .
7 Con la prima questione, il giudice nazionale chiede in sostanza se il regolamento n . 1203/86 debba essere interpretato nel senso che esso si applica alle due categorie di pezzi importati dalla società Powerex-Europe .
8 Per la soluzione di tale questione occorre rilevare preliminarmente che il regolamento controverso riguarda, secondo il primo e quarto considerando, i dischi di silicio sottoposti ad una diffusione selettiva in modo da creare delle regioni discrete, fissati su un supporto di molibdeno, i quali, anche se sprovvisti della scatola e delle connessioni, costituiscono già dispositivi a semiconduttori . L' art . 1 del suddetto regolamento classifica i dischi di silicio aventi tali caratteristiche nella sottovoce 85.21 D II .
9 Va richiamata inoltre la regola generale n . 2, lett . a ), per l' interpretazione della nomenclatura della tariffa doganale comune, secondo cui "ogni riferimento ad un articolo in una determinata posizione della tariffa riguarda questo articolo anche se incompleto o non finito a condizione che esso già presenti le caratteristiche essenziali dell' articolo completo o finito ".
10 A tal proposito, occorre anzitutto precisare quelle che sono le caratteristiche essenziali di un dispositivo a semiconduttore . Dalla relazione del consulente tecnico nominato dal giudice, come pure dalle osservazioni formulate durante l' udienza, risulta che questi dispositivi hanno due caratteristiche essenziali : la prima, di avere un senso passante ed uno bloccante, vale a dire che l' elettricità si trasmette da una faccia all' altra, ma non può trasmettersi in senso inverso; la seconda consiste nel fatto che l' utente di tale dispositivo deve poter controllare la potenza e l' intensità dei flussi elettrici che passano in un senso e deve altresì poterli fare cessare .
11 Occorre poi stabilire a partire da quale momento un disco di silicio adempie alle funzioni elettriche essenziali di un dispositivo a semiconduttore completo o finito quale si è sopra descritto .
12 Deve in proposito rilevarsi che, come si evince dalla relazione del consulente tecnico, che il disco di silicio è una materia conduttrice solo se vi si iniettano delle impurità . Dette imperfezioni o droganti permettono la trasmissione di elettricità da una faccia all' altra del disco . Esistono due metodi per iniettare impurità : la diffusione termica e la diffusione mediante irradiazione con fasci di elettroni, o drogaggio .
13 Con il primo metodo si introducono tracce di impurità nei dischi di silicio . Da tale momento in poi è possibile il passaggio di una corrente, tuttavia secondo un processo male controllato, non potendosi scegliere né la potenza elettrica né il momento in cui cesserà il passaggio della corrente . Il secondo metodo consiste nell' immissione selettiva di un drogante adeguato . Con tale metodo, il silicio viene bombardato di elettroni ad un' enorme velocità . Tale procedimento consente il controllo preciso dell' energia e del flusso degli elettroni nonché il dosaggio dell' effetto di drogaggio, cosa che è impossibile con la sola diffusione termica .
14 Ne consegue che la diffusione selettiva di cui al regolamento in parola è quella che consente ad un disco di silicio di avere le caratteristiche essenziali di un dispositivo a semiconduttore completo o finito, ossia la diffusione mediante irradiazione con fasci di elettroni . Così, benché sprovvisto di scatola e connessioni, un siffatto disco è già soggetto, in applicazione delle regole generali nn . 1 e 2, lett . a ), per l' interpretazione della nomenclatura, a classificazione nella sottovoce 85.21 D II .
15 Questa interpretazione della nozione di diffusione selettiva è conforme a quella che si evince dal regolamento ( CEE ) della Commissione 3 febbraio 1989, n . 288, relativo alla definizione dell' origine dei circuiti integrati ( GU L 33, pag . 23 ), nel cui terzo "considerando" si legge che "la diffusione è definita come l' operazione consistente nella realizzazione di un circuito integrato su di un substrato semiconduttore mediante l' applicazione selettiva di apposite sostanze agenti ( dopant )".
16 E' necessario quindi verificare di volta in volta se i pezzi destinati ad essere incorporati nel dispositivo a semiconduttori già presentino le caratteristiche essenziali di un tale dispositivo completo o finito, se cioè siano già stati sottoposti, prima della loro importazione, ad una diffusione selettiva mediante irradiazione con fasci di elettroni .
17 Da quanto sopra discende che i dischi di silicio che devono necessariamente essere sottoposti, dopo la loro importazione, a importanti operazioni, in particolare a diffusione selettiva mediante irradiazione con fasci di elettroni e, successivamente, ad un' operazione detta di montaggio o incapsulamento, non posseggono le caratteristiche essenziali dei dispositivi a semiconduttori di cui alla voce 85.21 D II ed esulano pertanto dall' ambito di applicazione del regolamento n . 1203/86 .
18 La soluzione della prima questione è pertanto che il regolamento n . 1203/86 deve essere interpretato nel senso che esso non si applica a dischi di silicio che devono necessariamente essere sottoposti, dopo la loro importazione, a operazioni importanti, in particolare ad una diffusione selettiva mediante irradiazione con fasci di elettroni e, successivamente, ad un' operazione detta di montaggio o incapsulamento .
19 In considerazione della soluzione adottata per la prima questione, non è necessario risolvere le questioni seconda e terza, sottoposte alla Corte soltanto per il caso in cui i prodotti controversi fossero considerati rientranti nella sfera d' applicazione del regolamento n . 1203/86 .
Decisione relativa alle spese
Sulle spese
20 Le spese sostenute dal governo francese e dalla Commissione delle Comunità europee, che hanno presentato osservazioni alla Corte, non possono dar luogo a rifusione . Nei confronti delle parti nella causa principale, il presente procedimento ha il carattere di un incidente sollevato dinanzi al giudice nazionale, cui spetta quindi statuire sulle spese .
Dispositivo
Per questi motivi,
LA CORTE ( Sesta Sezione ),
pronunciandosi sulle questioni sottopostele dal Tribunal d' instance di Le Mans, con sentenza 24 febbraio 1989, dichiara :
Il regolamento ( CEE ) della Commissione 23 aprile 1986, n . 1203, deve essere interpretato nel senso che esso non si applica a dischi di silicio che devono necessariamente essere sottoposti, dopo la loro importazione, a operazioni importanti, in particolare ad una diffusione selettiva mediante irradiazione con fasci di elettroni e, successivamente, ad un' operazione detta di montaggio o incapsulamento .