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Title: Composition pour matériau de revêtement aqueux utilisant une résine de polyester

Abstract: L'invention concerne : une composition pour un matériau de revêtement aqueux qui comprend une résine de polyester et des particules inorganiques, la composition ayant une excellente adhésivité et une facilité de décollement par rapport à un film de base en polyester, des propriétés antibuée, et une résistance au blocage ; un stratifié ; et un matériau d'emballage. La composition pour un matériau de revêtement aqueux contient une résine de polyester (A) satisfaisant les conditions suivantes et des particules inorganiques (B) : (i) parmi les composants d'acide polycarboxylique constituant (A), des composants d'acide carboxylique polyvalent aromatique n'ayant pas de groupes acide sulfonique constituent 60 à 88 % en moles desdits composants d'acide polycarboxylique, des composants d'acide carboxylique polyvalent aromatique ayant un groupe acide sulfonique constituent 8 à 20 % en moles desdits composants d'acide polycarboxylique, et des composants d'acide carboxylique polyvalent aliphatique et/ou des acides dicarboxyliques alicycliques constituent 5 à 20 % en moles desdits composants d'acide polycarboxylique ; (ii) parmi les composants d'alcool polyhydrique constituant (A), des glycols contenant un groupe éther constituent plus de 50 % en moles desdits composants d'alcool polyhydrique ; et (iii) la température de transition vitreuse de (A) est inférieure à 20 °C.
Title: Polyurethane resin and synthetic leather comprising same

Abstract: [Problem] The present invention addresses the problem of developing a polyurethane resin material excellent in low temperature characteristics (in particular, flexibility and strength in a low temperature environment) and suitable for synthetic leather or the like having high flame retardancy. [Solution] A polyurethane resin comprising at least a structural unit derived from an isocyanate group-terminated prepolymer formed with an isocyanate component and a high molecular weight polyol component, and a structural unit derived from an isocyanurate skeleton-containing polyol, and including a structural unit derived from a long-chain aliphatic polyol having 8-20 carbon atoms in the structure thereof is produced by the reaction of the isocyanate group-terminated prepolymer, the polyol and the isocyanurate-based polyisocyanate compound, and the obtained polyurethane resin is used to form a surface layer on a support to obtain a synthetic leather. <u />
Title: Résine de polyuréthane et cuir synthétique la comprenant

Abstract: La présente invention aborde le problème de développer un matériau à base de résine de polyuréthane présentant d'excellentes caractéristiques à basse température (en particulier, une flexibilité et une résistance dans un environnement à basse température) et approprié pour du cuir synthétique ou similaire présentant une grande ininflammabilité. La solution consiste en une résine de polyuréthane comprenant au moins un motif structural dérivé d'un prépolymère à terminaison isocyanate formé avec un composant isocyanate et un composant polyol de haut poids moléculaire, et un motif structural dérivé d'un polyol contenant un squelette isocyanurate, et comprenant un motif structural dérivé d'un polyol aliphatique à longue chaîne ayant 8 à 20 atomes de carbone dans sa structure est produit par la réaction du prépolymère à terminaison isocyanate, du polyol et du composé polyisocyanate à base d'isocyanurate, et la résine de polyuréthane obtenue est utilisée pour former une couche de surface sur un support pour obtenir un cuir synthétique. <u />
Title: Copper terminal material with plating film and method for manufacturing same

Abstract: In the present invention, a coating film is formed on a substrate made of copper or a copper-tin alloy, the coating film being a laminate in which a nickel layer made of nickel or a nickel alloy, a copper-tin alloy layer, and a tin layer made of tin or a tin alloy are layered in this order. The copper-tin alloy layer is composed mainly of a Cu 6 Sn 5 alloy layer. The Cu 6 Sn 5 alloy layer is an ally layer having a compound in which a part of the copper is substituted with nickel, and a part of the alloy layer is exposed on the surface of the tin layer. The exposed area ratio of the copper-tin alloy layer exposed on the surface of the tin layer is 1-60%. The tin layer has an average thickness of 0.20-1.20 μm, and the nickel layer has an average thickness of 0.05-2.00 μm. The arithmetic average curve Spc of the crest point on the surface of the coating film exceeds 70 mm -1 but does not exceed 200 mm -1 , and the standard deviation/average value of Spc found when visual field measurement is performed 10 times is 30% or less.
Title: Matériau de borne de cuivre pourvu d'un film de placage, et procédé de fabrication associé

Abstract: Dans la présente invention, un film de revêtement est formé sur un substrat constitué de cuivre ou d'un alliage cuivre-étain, le film de revêtement étant un stratifié dans lequel une couche de nickel constituée de nickel ou d'un alliage de nickel, une couche d'alliage de cuivre-étain et une couche d'étain constituée d'étain ou d'un alliage d'étain sont stratifiées dans cet ordre. La couche d'alliage de cuivre-étain est composée principalement d'une couche d'alliage Cu 6 Sn 5 . La couche d'alliage Cu 6 Sn 5 est une couche d'alliage comportant un composé dans lequel une partie du cuivre est substituée par du nickel, et une partie de la couche d'alliage est apparente sur la surface de la couche d'étain. Le rapport de surface apparente de la couche d'alliage de cuivre-étain apparente sur la surface de la couche d'étain est compris entre 1 et 60%. La couche d'étain présente une épaisseur moyenne de 0,20 à 1,20 µm, et la couche de nickel présente une épaisseur moyenne de 0,05 à 2,00 µm. La courbe moyenne arithmétique Spc du point de crête sur la surface du film de revêtement est supérieure à 70 mm -1 sans dépasser 200 mm -1 , et la valeur d'écart-type/valeur moyenne de Spc lorsque la mesure de champ visuel est réalisée 10 fois, est de 30% ou moins.
Title: Viral vector inspection method and machine learning system

Abstract: Provided are a preparation method for removing impurities in a viral vector dispersion, and an inspection method for identifying the internal state of a viral vector in a dispersion column from which impurities have been removed, the methods comprising the steps of: forming a reaction solution by mixing a test sample and a reaction reagent containing attached magnetic beads obtained by attaching to the surface of magnetic beads an attachment substance that specifically binds to a viral vector; forming a conjugate of the viral vector and the attached magnetic beads in the reaction solution; applying a magnetic field from the outside of a container containing the reaction solution; substituting the reaction solution with a cleaning solution in a state in which the conjugate has been immobilized in the container, and subsequently removing the cleaning solution; and furthermore introducing an elution reagent into the container, thereby liberating the viral vector from the conjugate so as to produce a viral vector dispersion eluate in a state in which the viral vector is dispersed in the elution reagent.
Title: Méthode d'inspection de vecteur viral et système d'apprentissage automatique

Abstract: L'invention concerne une méthode de préparation pour éliminer des impuretés dans une dispersion de vecteur viral, et une méthode d'inspection pour identifier l'état interne d'un vecteur viral dans une colonne de dispersion de laquelle ont été éliminées des impuretés, les méthodes comprenant les étapes consistant à : former une solution de réaction par mélange d'un échantillon de test et d'un réactif de réaction contenant des billes magnétiques ayant fait l'objet d'une fixation obtenues par fixation à la surface de billes magnétiques d'une substance de fixation qui se lie spécifiquement à un vecteur viral ; former un conjugué du vecteur viral et des billes magnétiques ayant fait l'objet d'une fixation dans la solution de réaction ; appliquer un champ magnétique depuis l'extérieur d'un récipient contenant la solution de réaction ; remplacer la solution de réaction par une solution de nettoyage dans un état dans lequel le conjugué a été immobilisé dans le récipient, puis éliminer la solution de nettoyage ; et introduire en outre un réactif d'élution dans le récipient, libérant ainsi le vecteur viral du conjugué de façon à produire un éluat de dispersion de vecteur viral dans un état dans lequel le vecteur viral est dispersé dans le réactif d'élution.
Title: Glass molding device and mold cleaning method

Abstract: This glass molding device (10) is provided with: a molding chamber (26a); an upper mold (15) and a lower mold (14) that are arranged vertically facing each other within the molding chamber; an infrared lamp (28) that heats the upper mold, the lower mold, and a glass material placed between the upper mold and the lower mold; a jack (21) that pressurizes and molds the glass material by moving the lower mold in a direction in which the lower mold is pressed against the upper mold; and a high-voltage pulse power supply (40) that generates plasma by applying a high-voltage pulse to the space between a metal plate (45) inserted between the upper mold and the lower mold and the upper mold and the space between the metal plate and the lower mold so that the metal plate has a higher potential than the upper mold and the lower mold, thereby cleaning the upper mold and the lower mold by the plasma, with an inert gas supplied to the interior of the molding chamber while the glass material is not being molded.
Title: Dispositif de moulage de verre et procédé de nettoyage de moule

Abstract: Le dispositif de moulage de verre (10) selon l'invention comprend : une chambre de moulage (26a); un moule supérieur (15) et un moule inférieur (14) qui sont disposés verticalement l'un en face de l'autre à l'intérieur de la chambre de moulage; une lampe infrarouge (28) qui chauffe le moule supérieur, le moule inférieur et un matériau de verre placé entre le moule supérieur et le moule inférieur; un vérin (21) qui met sous pression et moule le matériau de verre en déplaçant le moule inférieur dans un sens dans lequel le moule inférieur est pressé contre le moule supérieur; et une alimentation électrique à impulsions haute tension (40) qui génère un plasma en appliquant une impulsion haute tension à l'espace entre une plaque métallique (45) insérée entre le moule supérieur et le moule inférieur et le moule supérieur et l'espace entre la plaque métallique et le moule inférieur de telle sorte que la plaque métallique a un potentiel plus élevé que le moule supérieur et le moule inférieur, ce qui permet de nettoyer le moule supérieur et le moule inférieur par le plasma, un gaz inerte étant introduit à l'intérieur de la chambre de moulage lorsque le matériau de verre n'est pas en cours de moulage.
Title: Dental caries suppression composition, and sweet composition, food, supplement, dentifrice composition, and mouthwash composition using same

Abstract: [Problem] To provide a dental caries suppression composition that is, in comparison with conventional anti-dental caries agents, capable of providing an even higher level of suppression of caries. [Solution] This composition contains: (A) an oligosaccharide that has a cyclic structure comprising glucose and/or a glucose derivative as a structural unit; and (B) a sugar other than the component (A). The component (A) is a cyclodextran and/or a cyclodextran derivative. The cyclodextran derivative has at least one of the alcoholic hydroxyl groups of cyclodextran substituted with another polar group. According to the present invention, the composition contains: (A) an oligosaccharide that has a prescribed cyclic structure comprising glucose and/or a glucose derivative as a structural unit; and (B) a sugar other than the component (A). The components (A) and (B) interact with one another in such a manner as to suppress dental caries. Consequently, suppression of dental caries at a higher level than that achieved by conventional anti-dental caries agents is realized.
Title: Composition de suppression de caries dentaires et composition sucrée, aliment, complément, composition de dentifrice et composition de bain de bouche l'utilisant

Abstract: Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de suppression de caries dentaires qui est, en comparaison avec des agents anti-caries dentaires classiques, susceptible de fournir un niveau encore plus élevé de suppression de caries. La solution selon l'invention porte sur une composition qui contient : (A) un oligosaccharide qui a une structure cyclique comprenant du glucose et/ou un dérivé de glucose en tant que motif structural ; et (B) un sucre autre que le composant (A). Le composant (A) est une cyclodextrine et/ou un dérivé de cyclodextrine. Le dérivé de cyclodextrine a au moins l'un des groupes hydroxyle alcooliques de la cyclodextrine substitué par un autre groupe polaire. Selon la présente invention, la composition contient : (A) un oligosaccharide qui a une structure cyclique définie comprenant du glucose et/ou un dérivé de glucose en tant que motif structural ; et (B) un sucre autre que le composant (A). Les composants (A) et (B) interagissent l'un avec l'autre de manière à supprimer les caries dentaires. Par conséquent, la suppression de caries dentaires à un niveau supérieur à celui obtenu par les agents anti-caries dentaires classiques est réalisée.
Title: Ink repellent agent, photosensitive composition, cured film, partition wall, optical element, polymer, and monomer

Abstract: Disclosed is an ink repellent agent (A) that comprises a polymer which has a main chain and a side chain that is bonded to the main chain, the polymer having a mass average molecular weight of 500 to 600,000. The side chain has a multi-branched structure (P). The multi-branched structure (P) is: (i) a multi-branched structure (P1) that has two or more monovalent branched groups (1A) in each of which (n - 1) monovalent fluorine-containing groups (1) that are selected from the group consisting of -CF 3 , -CF 2 H, -OCF 3 , -SCF 3 , and -SF 5 are bonded to an atom having a valence of n (n is an integer of 3 or more); or (ii) a multi-branched structure (P2) that has three or more monovalent branched groups (1B) in each of which (n - 2) of the monovalent fluorine-containing groups (1) are bonded to an atom having a valence of n (n is an integer of 3 or more) and one monovalent group (2) other than the monovalent fluorine-containing group (1) is also bonded to the atom.
Title: Agent répulsif d'encre, composition photosensible, film durci, paroi de séparation, élément optique, polymère et monomère

Abstract: L'invention concerne un agent répulsif d'encre (A) qui comprend un polymère ayant une chaîne principale et une chaîne latérale qui est liée à la chaîne principale, le polymère ayant un poids moléculaire moyen en masse de 500 à 600 000. La chaîne latérale a une structure à ramifications multiples (P). La structure à ramifications multiples (P) est : (i) une structure multiramifiée (P1) qui a deux groupes ramifiés monovalents (1A) ou plus dans chacun desquels (n-1) groupes contenant du fluor monovalents (1) qui sont choisis dans le groupe constitué par-CF 3 , -CF 2 H, -OCF 3 , -SCF 3 et -SF 5 sont liés à un atome ayant une valence de n (n est un nombre entier supérieur ou égal à 3) ; ou (ii) une structure multiramifiée (P2) qui a trois groupes ramifiés monovalents (1B) ou plus dans chacun desquels (n-2) groupes contenant du fluor monovalents (1) sont liés à un atome ayant une valence de n (n est un nombre entier supérieur ou égal à 3) et un groupe monovalent (2) autre que le groupe contenant du fluor monovalent (1) est également lié à l'atome.
Title: Composition for semiconductor device processing, method for manufacturing modified substrate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing electronic device

Abstract: The present invention provides a composition for semiconductor device processing, which is capable of forming a film that has excellent ALD inhibition properties and is easily removed by removal processing after ALD processing. The present invention also provides: a method for manufacturing a modified substrate; a method for manufacturing a laminate; and a method for manufacturing an electronic device. A composition for semiconductor device processing according to the present invention contains a compound which has at least one specific functional group that interacts with a substrate. The molecular weight of the compound is 2,000 or less. ClogP of the molecular structure of the compound excluding the specific functional group is 10.3 or more. The specific functional group is a basic functional group or an acidic functional group. In cases where the specific functional group is the basic functional group, the acid dissociation constant of a conjugate acid of the compound, which is obtained by adding protons to the basic functional group, is 7.0 or more. In cases where the specific functional group is the acidic functional group, the acid dissociation constant of the compound is 5.0 or less when protons are dissociated from the acidic functional group.
Title: Composition pour traitement de dispositif à semi-conducteur, procédé de fabrication de substrat modifié, procédé de fabrication de stratifié et procédé de fabrication de dispositif électronique

Abstract: La présente invention concerne une composition pour le traitement d'un dispositif à semi-conducteur, qui est capable de former un film qui présente d'excellentes propriétés d'inhibition d'ALD et qui est facilement éliminé par traitement d'élimination après un traitement ALD. La présente invention concerne également : un procédé de fabrication d'un substrat modifié ; un procédé de fabrication d'un stratifié ; et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Une composition pour le traitement de dispositif à semi-conducteur selon la présente invention contient un composé qui a au moins un groupe fonctionnel spécifique qui interagit avec un substrat. Le poids moléculaire du composé est inférieur ou égal à 2 000. ClogP de la structure moléculaire du composé excluant le groupe fonctionnel spécifique est supérieur ou égal à 10,3. Le groupe fonctionnel spécifique est un groupe fonctionnel basique ou un groupe fonctionnel acide. Dans les cas où le groupe fonctionnel spécifique est le groupe fonctionnel basique, la constante de dissociation acide d'un acide conjugué du composé, qui est obtenu par ajout de protons au groupe fonctionnel basique, est supérieur ou égal à 7,0. Dans les cas où le groupe fonctionnel spécifique est le groupe fonctionnel acide, la constante de dissociation acide du composé est inférieure ou égale à 5,0 lorsque des protons sont dissociés du groupe fonctionnel acide.
Title: Method for manufacturing semiconductor substrate, composition for forming resist underlayer film, and method for producing nitrogen-containing compound

Abstract: The present invention provides: a method for manufacturing a semiconductor substrate, in which a composition that is capable of forming a film having excellent embedding properties and excellent flatness is used; a composition for forming a resist underlayer film; and a method for producing a nitrogen-containing compound. This method for manufacturing a semiconductor substrate includes: a step for directly or indirectly coating a substrate with a composition for forming a resist underlayer film; a step for forming a resist pattern directly or indirectly on the resist underlayer film formed by the coating step; and a step for performing etching using the resist pattern as a mask. The composition for forming a resist underlayer film contains a nitrogen-containing compound and a solvent. The nitrogen-containing compound includes a partial structure that is represented by formula (1). (In formula (1), Ar 1 is a substituted or unsubstituted aromatic ring having 3 to 40 carbon atoms. Ar 2 is a substituted or unsubstituted divalent aromatic ring having 3 to 40 carbon atoms. X is a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms. Each * indicates an atomic bond with another structure in the nitrogen-containing compound.)
Title: Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur, composition de formation de film de sous-couche de réserve et procédé de production de composé contenant de l'azote

Abstract: La présente invention concerne : un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur qui utilise une composition capable de former un film ayant d'excellentes propriétés d'incorporation ainsi qu'une excellente planéité ; une composition de formation de film de sous-couche de réserve ; et un procédé de production de composé contenant de l'azote. Ce procédé de fabrication de substrat semi-conducteur comprend : une étape consistant à revêtir directement ou indirectement un substrat avec une composition de formation de film de sous-couche de réserve ; une étape consistant à former un motif de réserve directement ou indirectement sur le film de sous-couche de réserve formé par l'étape de revêtement ; et une étape consistant à effectuer une gravure en utilisant le motif de réserve en tant que masque. La composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un composé contenant de l'azote et un solvant. Le composé contenant de l'azote comprend une structure partielle qui est représentée par la formule (1). (Dans la formule (1), Ar 1 est un cycle aromatique substitué ou non substitué ayant de 3 à 40 atomes de carbone. Ar 2 est un cycle aromatique divalent substitué ou non substitué ayant de 3 à 40 atomes de carbone. X est un groupe organique divalent ayant de 1 à 40 atomes de carbone. Chaque * indique une liaison atomique avec une autre structure dans le composé contenant de l'azote.)
Title: Powdery cement composition and method for producing powdery cement composition

Abstract: Provided are: a powdery cement composition that contains fine blast furnace slag powder, and that has excellent sulfate resistance and excellent strength development properties and hydration heat generation inhibitory effect in a well-balanced manner; and a method for producing a powdery cement composition that has excellent sulfate resistance and excellent strength development properties and hydration heat generation inhibitory effect in a well-balanced manner, even when the quality of the fine blast furnace slag powder used as a raw material is not uniform. This powdery cement composition contains cement and a fine blast furnace slag powder, and either contains limestone powder or does not contain limestone powder. In the powdery cement composition, the percentage content of the fine blast furnace slag powder is 35-75 mass%, the percentage content of the limestone powder is 0-10.5 mass%, the percentage content of SO 3 is 0.6-4.2 mass%, the basicity of the fine blast furnace slag powder is 1.50-1.92, and in the fine blast furnace slag powder, the percentage content of Al 2 O 3 is 10.5-15.5 mass%, and the percentage content of sulfide sulfur is at least 0.5 mass%.