MehdiAstaraki/multilingual_GP huggingface dataset:
Title: A method of identifying hpv biomarkers, a method of preparing a lateral flow device, said device and a diagnostic kit

Abstract: The present invention describes a method of identifying HPV biomarkers which comprises the use of peptides capable of recognising molecular markers in high-risk HPV strains. The high specificity and affinity of said peptides to molecular targets allows them to be used in immunochromatographic and immunoenzymatic assays. The present invention has applications in diagnostic medicine and the pharmaceutical industry, disclosing methods for preparing lateral flow devices, and said devices and diagnostic kits capable of detecting the presence of an HPV viral infection, as well as detecting whether the infection is at an early stage, advanced neoplasia stage or even cancer.
Title: Procédé d'identification de biomarqueurs du vph, procédé de préparation d'un dispositif à flux latéral, ledit dispositif et kit de diagnostic

Abstract: La présenteinvention concerne un procédé d'identification de biomarqueurs du VPH, comprenant l'utilisation de peptides capables de reconnaître des marqueurs moléculaires dans des souches à haut risque de VPH. La spécificité et l'affinité élevées desdits peptides pour les cibles moléculaires permettent que ces derniers soient utilisés dans des essais immunochromatographiques et immunoenzymatiques. La présente invention trouve une application en médecine diagnostique et dans l'industrie pharmaceutique, divulguant des procédés de préparation de dispositifs à flux latéral, lesdits dispositifs et kits de diagnostic permettant de détecter la présence d'une infection virale à VPH, et de détecter si l'infection se trouve à un stade initial, en phase de néoplasie avancée, voire au stade du cancer.
Title: Method for the injection of nanobubbles into mineral leaching solutions bearing precious metals

Abstract: The present invention belongs to the field of aqueous extraction of metallic compounds from minerals or concentrates through leaching, particularly focusing on the injection of nanobubbles into a leaching fluid intended for mineral leaching processes. In particular, the invention relates to a method for injecting nanobubbles into a leaching fluid intended for mineral leaching processes in a leaching plant, as well as to an installation for the injection of gaseous nanobubbles into a leaching fluid intended for mineral leaching processes in a leaching plant.
Title: Método de inyección de nanoburbujas en soluciones de lixiviación de minerales que contienen metales preciosos

Abstract: La presente invención pertenece al área de la extracción de compuestos metálicos por vía húmeda a partir de minerales o de concentrados por lixiviación, en particular, a la inyección de nanoburbujas en fluido lixiviante destinado a procesos de lixiviación de minerales. Particularmente la invención se refiere a un método de inyección de nanoburbujas en fluido lixiviante destinado a procesos de lixiviación de minerales en una planta de lixiviación y a una instalación para la inyección de nanoburbujas gaseosas en fluido lixiviante destinado a procesos de lixiviación de minerales en una planta de lixiviación.
Title: Procédé d'injection de nanobulles dans des solutions de lixiviation de minéraux contenant des métaux précieux

Abstract: La présente invention se rapporte au domaine de l'extraction de composés métalliques par voie humide à partie de minéraux ou de concentrés par lixiviation, en particulier, l'injection de nanobulles dans un fluide lixiviant destiné à des procédés de lixiviation de minéraux. En particulier, l'invention concerne un procédé d'injection de nanobulles dans un fluide lixiviant destiné à des procédés de lixiviation de minéraux dans une installation de lixiviation et une installation pour l'injection de nanobulles gazeuses dans un fluide lixiviant destiné à des procédés de lixiviation de minéraux dans une installation de lixiviation.
Title: Method for producing a semifinished product by using a pearlitic steel, and semifinished product produced by the method

Abstract: A method for producing a semifinished product from a pearlitic steel by annealing is characterized in that the semifinished product is annealed by inductive annealing on spheroidal cementite. The process times are shortened as compared with the conventional method, and the carbides formed are smaller and more finely distributed as compared with the conventional treatment.
Title: Procédé de production d'un produit semi-fini à l'aide d'un acier perlitique, et produit semi-fini produit par le procédé

Abstract: Un procédé de production d'un produit semi-fini à partir d'un acier perlitique par recuit est caractérisé en ce que le produit semi-fini est recuit par recuit par induction sur de la cémentite sphéroïdale. Les temps de traitement sont raccourcis par rapport au procédé classique, et les carbures formés sont plus petits et plus finement distribués par comparaison avec le traitement classique.
Title: Verfahren zum beschichten von saatgut und beschichtetes saatgut

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Saatgut, umfassend die Schritte: - Bereitstellen einer wässrigen Beschichtungslösung, die eine Gelatine mit einem Bloom-Wert von ca. 150 g oder weniger und einer Viskosität von ca. 2,5 mPa∙s oder weniger umfasst, wobei die Viskosität an einer 6,67%igen Gelatinelösung bei 60 °C gemessen wird; und - Aufbringen der Beschichtungslösung auf die Oberfläche des Saatguts und Trocknenlassen der Beschichtungslösung, um eine Beschichtung auf Basis von Gelatine auf dem Saatgut zu erhalten.
Title: Process for coating seed, and coated seed

Abstract: The invention relates to a method for coating seed, comprising the steps of: - providing an aqueous coating solution comprising a gelatine having a Bloom value of approximately 150 g or less and a viscosity of approximately 2.5 mPa∙s or less, the viscosity in a 6.67% gelatine solution being measured at 60°C; and - applying the coating solution to the surface of the seed and letting the coating solution dry in order to obtain a gelatine-based coating on the seed.
Title: Procédé de pelliculage de semences et semences pelliculées

Abstract: L'invention concerne un procédé de pelliculage de semences, comprenant les étapes consistant à : - fournir une solution aqueuse de pelliculage comprenant une gélatine ayant une valeur Bloom égale ou inférieure à environ 150 g et une viscosité égale ou inférieure à environ 2,5 mPa∙s, la viscosité dans une solution de gélatine à 6,67 % étant mesurée à 60 °C ; et - appliquer la solution de pelliculage à la surface des semences et laisser sécher la solution de pelliculage afin d'obtenir un pelliculage à base de gélatine sur les semences.
Title: VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ENTGASUNG VON SCHMELZEN IN STRANGGIEßANLAGEN

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) sowie ein Verfahren zur Entgasung einer Schmelze in einer Stranggießanlage, umfassend mindestens einen Behälter (2), wobei der Behälter (2) in einen oberen Bereich (2.1) und einen unteren Bereich (2.2) unterteilbar ist, wobei der obere Bereich (2.1) des Behälters (2) einen ersten Einlass (3) für einen Gießstrahl (A) der Schmelze und der untere Bereich (2.2) des Behälters (2) einen Auslass (4) für ein Schmelzbad (B) der sich im unteren Bereich (2.2) sammelnden Schmelze aufweist, wobei der obere Bereich (2.1) des Behälters (2) einen zweiten Einlass (5) für ein Inertgas und einen Auslass (6) zur Erzeugung eines Vakuums zumindest im oberen Bereich (2.1) des Behälters (2) aufweist, und wobei der obere Bereich (2.1) und der untere Bereich (2.2) des Behälters (2) ein gemeinsames Volumen bilden.
Title: Apparatus and method for degassing melts in continuous casting plants

Abstract: The invention relates to an apparatus (1) and to a method for degassing a melt in a continuous casting plant, said apparatus comprising at least one container (2), wherein the container (2) can be divided into an upper region (2.1) and a lower region (2.2), wherein the upper region (2.1) of the container (2) has a first inlet (3) for a pouring stream (A) of the melt, and the lower region (2.2) of the container (2) has an outlet (4) for a molten bath (B) of the melt that collects in the lower region (2.2), wherein the upper region (2.1) of the container (2) has a second inlet (5) for an inert gas and an outlet (6) for generating a vacuum, at least in the upper region (2.1) of the container (2), and wherein the upper region (2.1) and the lower region (2.2) of the container (2) form a shared volume.
Title: Dispositif et procédé de dégazage de masses fondues dans des installations de coulée continue

Abstract: L'invention concerne un dispositif (1) ainsi qu'un procédé de dégazage d'une masse fondue dans une installation de coulée continue, comprenant au moins un récipient (2), ce récipient (2) pouvant être divisé en une région supérieure (2.1) et une région inférieure (2.2), la région supérieure (2.1) du récipient (2) présentant une première entrée (3) pour un jet de coulée (A) de la masse fondue et la région inférieure (2.2) du récipient (2) présentant une sortie (4) pour un bain de fusion (B) de la matière fondue s'accumulant dans la région inférieure (2.2), la région supérieure (2.1) du récipient (2) présentant une deuxième entrée (5) pour un gaz inerte et une sortie (6) pour la génération d'un vide au moins dans la région supérieure (2.1) du récipient (2), et la région supérieure (2.1) et la région inférieure (2.2) du récipient (2) formant un volume commun.
Title: Magnetkupplungspumpenanordnung mit spalttopf und verfahren zur herstellung des spalttopfes

Abstract: Die Erfindung betrifft Magnetkupplungspumpenanordnung mit einem von einem Pumpengehäuse (2) der Pumpenanordnung gebildeten Innenraum (11), einem Spalttopf (10) mit einer Mittellängsachse (B), der eine von ihm umschlossene Kammer (12) hermetisch gegenüber dem vom Gehäuse (2) gebildeten Innenraum (11) abdichtet, einer um eine Drehachse (A) drehbar antreibbaren Laufradwelle (13), einem an einem Ende der Laufradwelle (13) angeordneten Laufrad (16), einem an dem anderen Ende der Laufradwelle (13) angeordneten Innenrotor (17), einem an einer Antriebswelle (20) an- geordneten und mit dem Innenrotor (17) zusammenwirkenden Außenrotor (24), Erfindungsgemäß ist die Außenmantelfläche (31) des Spalttopfs (10) mit einer Vielzahl von Erhebungen (32, 32') versehen.
Title: Magnetic coupling pump arrangement comprising a can, and method for producing the can

Abstract: The invention relates to a magnetic coupling pump arrangement, comprising: an inner chamber (11) formed by a pump housing (2) of the pump arrangement (1); a can (10) having a central longitudinal axis (B), which hermetically seals a chamber (12) enclosed by the can with respect to the inner chamber (11) formed by the pump housing (2); an impeller shaft (13) that can be driven in rotation about an axis of rotation (A); an impeller (16) mounted on one end of the impeller shaft (13); an inner rotor (17) mounted on the other end of the impeller shaft (13); and an outer rotor (24) which is mounted on a drive shaft (20) and co-operates with the inner rotor (17). According to the invention, the outer lateral face (31) of the can (10) is provided with a plurality of ridges (32, 32').
Title: Agencement de pompe à couplage magnétique comprenant une chemise d'entrefer et procédé de production de la chemise d'entrefer

Abstract: L'invention concerne un agencement de pompe à couplage magnétique, comprenant : une chambre interne (11) formée par un logement de pompe (2) de l'agencement de pompe (1) ; une chemise d'entrefer (10) présentant un axe longitudinal central (B), qui obture de manière étanche et hermétique une chambre (12) entourée par la chemise d'entrefer par rapport à la chambre interne (11) formée par le logement de pompe (2) ; un arbre de roue d'impulseur (13) qui peut être entraîné en rotation autour d'un axe de rotation (A) ; une roue d'impulseur (16) montée sur une extrémité de l'arbre de roue d'impulseur (13) ; un rotor interne (17) monté sur l'autre extrémité de l'arbre de roue d'impulseur (13) ; et un rotor externe (24) qui est monté sur un arbre de transmission (20) et coopère avec le rotor interne (17). Selon l'invention, la face latérale externe (31) de la chemise d'entrefer (10) comprend une pluralité de nervures (32, 32').
Title: Verfahren zur herstellung von halbleiterscheiben aus einkristallinem silizium

Abstract: Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium, umfassend das Ziehen eines zylindrischen Abschnitts und nachfolgend eines Endkonus eines Einkristalls aus Silizium aus einer Schmelze, die in einem Tiegel enthalten ist; wobei die Ziehgeschwindigkeit beim Ziehen des Endkonus gegenüber der Ziehgeschwindigkeit beim Ziehen des zylindrischen Abschnittsendbereichs im Wesentlichen konstant bleibt; das Drehen des Tiegels mit einer Drehgeschwindigkeit und in eine Drehrichtung während des Ziehens des zylindrischen Abschnitts und des Endkonus des Einkristalls; und das Abtrennen der Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium vom zylindrischen Abschnitt des Einkristalls, dadurch gekennzeichnet, dass die Ziehgeschwindigkeit während des Ziehens des Endkonus mindestens größer als 0,46 mm/min beträgt, dabei die Drehrichtung des Tiegels fortgesetzt gewechselt wird und eine Amplitude der Drehgeschwindigkeit vor und nach dem Wechsel der Drehrichtung nicht weniger als 6 U/min beträgt.
Title: Method for producing semiconductor wafers from monocrystalline silicon

Abstract: The invention relates to a method for producing semiconductor wafers from monocrystalline silicon, comprising drawing a cylindrical portion and subsequently an end cone of a monocrystal of silicon from a melt which is contained in a crucible; wherein the drawing speed during drawing of the end cone remains substantially constant with respect to the drawing speed during drawing of the cylindrical portion end region; rotating the crucible at a rotational speed and in a rotational direction during drawing of the cylindrical portion and the end cone of the monocrystal; and separating the semiconductor wafers of monocrystalline silicon from the cylindrical portion of the monocrystal, characterised in that the drawing speed, during drawing of the end cone, is at least greater than 0.46 mm/min, the rotational direction of the crucible is continuously changed and an amplitude of the rotational speed before and after the change in rotational direction is not less than 6 rpm.
Title: Procédé de production de tranches de semi-conducteur à partir de silicium monocristallin

Abstract: L'invention concerne un procédé de production de tranches de semi-conducteur à partir de silicium monocristallin, consistant à étirer une portion cylindrique puis un cône d'extrémité d'un monocristal de silicium à partir d'une masse fondue contenue dans un creuset ; la vitesse d'étirage pendant l'étirage du cône d'extrémité restant sensiblement constante par rapport à la vitesse d'étirage pendant l'étirage de la région d'extrémité de la partie cylindrique ; à faire tourner le creuset à une vitesse de rotation et dans un sens de rotation pendant l'étirage de la partie cylindrique et du cône d'extrémité du monocristal ; et à séparer les tranches de semi-conducteur de silicium monocristallin de la partie cylindrique du monocristal, caractérisé en ce que la vitesse d'étirage, pendant l'étirage du cône d'extrémité, est au moins supérieure à 0,46 mm/min, le sens de rotation du creuset est modifié en continu et une amplitude de la vitesse de rotation avant et après le changement de sens de rotation n'est pas inférieure à 6 tr/min.
Title: Verfahren zum kristallziehen eines dotierten monokristallinen kristalls aus silicium

Abstract: Verfahren zum Kristallziehen eines monokristallinen Kristalls aus einer Schmelze aus Silicium und einem Dotierstoff nach Czochralski enthaltend die Schritte in gegebener Reihenfolge: a) das Durchführen einer zeitabhängigen Computersimulation eines vordefinierten Kristallziehprozesses mit einer vordefinierten Dotierstoffkonzentration (C) in der Schmelze, mit dem Ziel für jeden Zeitschritt (t) einen Temperaturgradienten (ꝺ T /ꝺ n ), und einen Gradienten des Dotierstoffes (ꝺ c /ꝺ n ), zu erhalten, wobei beide Gradienten an der Grenzfläche zwischen Kristall und Schmelze in Richtung der Normalen der Grenzfläche zur Schmelze hin ermittelt werden, b) das Ermitteln einer maximalen Dotierstoffkonzentration (C max ) in der Schmelze und c) das Ziehen eines Einkristalls mit Dotierstoffkonzentration kleiner als der ermittelten maximalen Dotierstoffkonzentration (C max ), dadurch gekennzeichnet, dass für jeden Zeitschritt (t) eine Größe ( CS ) berechnet wird, die bestimmt wird durch die Formel CS = ꝺT/ꝺn - f CS ꝺc/ꝺn, wobei der Parameter (f CS ) bestimmt wird durch das Produkt aus der mittleren Konzentration des Dotierstoffes (C) in der Schmelze, der Dichte der Siliziumschmelze, der Avogadrokonstante, der molare Masse von Silicium und der Steigung der Liquiduslinie, und anschließend einen Mittelwert (Formel (I)) aus den erhaltenen Werte der Größe ( CS ) zu bilden, wobei nur diejenigen Werte einen Beitrag leisten, deren Wert ( CS ) kleiner ist als Null und das Ermitteln einer maximalen Dotierstoffkonzentration (C max ) durch das Anpassen der vordefinierten Dotierstoffkonzentration (C) bis der Betrag von (Formel (I)) gleich Null ist.
Title: Method for the crystal pulling of a doped monocrystalline crystal from silicon

Abstract: A method for the crystal pulling of a monocrystalline crystal from a melt composed of silicon and a dopant according to Czochralski, comprising the following steps in the sequence given: a) performing a time-dependent computer simulation of a predefined crystal-pulling process with a predefined dopant concentration (C) in the melt, with the aim of obtaining a temperature gradient (ꝺ c /ꝺ n ) and a gradient of the dopant (ꝺ T /ꝺ n ) for each time increment (t), where the two gradients are ascertained at the interface between crystal and melt in the direction of the normal of the interface to the melt, b) ascertaining a maximum dopant concentration (C max ) in the melt and c) pulling a single crystal with a dopant concentration less than the ascertained maximum dopant concentration (C max ), characterized in that a parameter ( CS ) which is determined by the formula CS = ꝺT/ꝺn - f CS ꝺc/ꝺn is calculated for each time increment t, where the parameter fCS is determined by the product of the average concentration of the dopant (C) in the melt, the density of the silicon melt, the Avogadro constant, the molar mass of silicon and the slope of the liquidus line, and then an average (formula (I)) of the values obtained for the parameter ( CS ) is formed, where only those values having a ( CS ) value of less than zero make a contribution, and a maximum dopant concentration (C max ) is ascertained by adapting the predefined dopant concentration (C) until the amount of (formula (I)) is equal to zero.
Title: Procédé de tirage de cristaux d'un cristal monocristallin dopé à partir de silicium

Abstract: L'invention concerne un procédé de tirage cristaux d'un cristal monocristallin à partir d'une masse fondue composée de silicium et d'un dopant selon Czochralski, comprenant les étapes suivantes, dans la séquence donnée, consistant à : a) réaliser une simulation informatique temporelle d'un processus de tirage de cristaux prédéfini à une concentration en dopant (C) prédéfinie dans la masse fondue, dans le but d'obtenir un gradient de température(c/n) et un gradient du dopant (T/n) pour chaque incrément de temps (t), où les deux gradients sont déterminés à l'interface entre le cristal et la masse fondue dans la direction de la normale de l'interface à la masse fondue, b) déterminer une concentration maximale en dopant (Cmax) dans la masse fondue et c) tirer un monocristal présentant une concentration en dopant inférieure à la concentration maximale en dopant déterminée (Cmax), caractérisé en ce qu'un paramètre (CS) qui est déterminé par la formule ꝺT/ꝺn - f CS . ꝺc/ꝺn est calculé pour chaque incrément de temps t, où le paramètre fCS est déterminé par le produit de la concentration moyenne en dopant (C) dans la masse fondue, la densité de la masse fondue de silicium, la constante d'Avogadro, la masse molaire de silicium et la pente de la ligne de liquidus, puis une moyenne (formule (I)) des valeurs obtenues pour le paramètre (CS) est formée, où seules les valeurs présentant une valeur (CS) inférieure à zéro apportent une contribution et une concentration maximale en dopant (Cmax) est déterminée par adaptation de la concentration en dopant (C) prédéfinie jusqu'à ce que la quantité de (formule (I)) soit égale à zéro.
Title: Titansubstrat mit zum kleben, beschichten oder lackieren vorbehandelter titanoberfläche

Abstract: Beschrieben wird ein Titansubstrat mit zum Kleben, Beschichten oder Lackieren vorbehandelter Titanoberfläche, wobei die Vorbehandlung eine Oberflächenmodifikation umfasst oder darauf besteht, wobei die Oberflächenmodifikation einen Gesamtteil an Titan von 16 bis 23 Atom-% und dabei 1 bis 3 Atom-% Titaniumoxidationszustand 0 umfasst, jeweils gemessen mittels XPS und jeweils bezogen auf die Gesamtzahl der mit XPS erfassten Atome und eine Mikrostrukturierung darstellt, wobei die Mikrostrukturierung durch wallartige kreisförmige oder ovale Mikrostrukturierungselemente geprägt wird.
Title: Titanium substrate with a titanium surface pre-treated for gluing, coating or painting

Abstract: Described is a titanium substrate with a titanium surface pretreated for gluing, coating or painting, wherein the pretreatment comprises or consists of a surface modification, wherein the surface modification comprises a total proportion of titanium of 16 to 23 at.% and at the same time 1 to 3 at.% titanium at an oxidation state of 0, each measured by XPS and each based on the total number of atoms detected by XPS, and represents a microstructure, wherein the microstructure is characterised by mound-like circular or oval microstructuring elements.
Title: Substrat en titane à surface de titane pré-traitée pour le collage, le revêtement ou la peinture

Abstract: L'invention concerne un substrat en titane avec une surface de titane pré-traitée pour le collage, le revêtement ou la peinture, le pré-traitement comprenant ou étant constitué d'une modification de surface, la modification de surface comprenant une proportion totale de titane de 16 à 23 % at. dont 1 à 3 % at. présentent un état d'oxydation de titane de 0, les mesures étant respectivement effectuées par XPS et sur la base du nombre total d'atomes détectés par XPS, et représentant une microstructure, la microstructure étant caractérisée par des éléments de microstructuration circulaires ou ovales de type monticule.
Title: Foam stabilizers for phenolic foam

Abstract: The present invention relates to a composition for producing phenolic foam, comprising at least one phenolic resin, at least one blowing agent, at least one catalyst and at least one foam stabilizer according to formula 1. The invention also relates to a method for producing phenolic foam, to phenolic foam produced according to the method, and to the use of the phenolic foam.
Title: Stabilisateurs de mousse pour mousse phénolique

Abstract: La présente invention concerne une composition pour la production de mousse phénolique, comprenant au moins une résine phénolique, au moins un agent gonflant, au moins un catalyseur et au moins un stabilisant de mousse selon la formule 1. L'invention concerne également un procédé de production de mousse phénolique, une mousse phénolique produite selon le procédé, et l'utilisation de la mousse phénolique.