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Title: Lamellar structure regeneration agent

Abstract: Disclosed is a novel lamellar structure regeneration agent for the stratum corneum. A lamellar structure regeneration agent according to the present invention contains hydrolyzed sericin as an active ingredient. The lamellar structure regeneration agent according to the present invention has the effect of regenerating a lamellar structure of intercellular lipids in the stratum corneum of the skin. The lamellar structure regeneration agent preferably further contains tocopheryl phosphate and/or a trisaccharide. The trisaccharide is preferably raffinose.
Title: Agent de régénération de structure lamellaire

Abstract: L'invention concerne un nouvel agent de régénération de structure lamellaire pour la couche cornée. Un agent de régénération de structure lamellaire selon la présente invention contient de la séricine hydrolysée en tant que principe actif. L'agent de régénération de structure lamellaire selon la présente invention a pour effet de régénérer une structure lamellaire de lipides intercellulaires dans la couche cornée de la peau. L'agent de régénération de structure lamellaire contient de préférence en outre du phosphate de tocophéryle et/ou un trisaccharide. Le trisaccharide est de préférence le raffinose.
Title: Composite substrate and production method of same

Abstract: Provided are a composite substrate that maintains bonding strength suitable for bonding, reduces warpage, and has an intervening layer of sufficient thickness, and a production method for the same. The composite substrate is characterized by comprising a first substrate, an intervening layer which is an SiO X film, and a second substrate, wherein the O/Si ratio of the SiO X film is 1.6-1.98. Alternatively, the composite substrate is characterized by comprising a first substrate, an intervening layer which is an SiO X film, and a second substrate, wherein: the O/Si ratio of the SiO X film has a distribution in the film formation depth direction, the O/Si ratio in the vicinity of the interface with the first substrate being between 1.9 and 2.0 and the O/Si ratio in the vicinity of the interface with the second substrate being between 1.6 and 1.9; and the O/Si ratio monotonously increases from the interface with the second substrate toward the interface with the first substrate.
Title: Substrat composite et son procédé de production

Abstract: L'invention concerne un substrat composite qui maintient une force d'adhérence appropriée pour la liaison, réduit le gauchissement et possède une couche intermédiaire d'épaisseur suffisante, ainsi que son procédé de fabrication. Le substrat composite est caractérisé en ce qu'il comprend un premier substrat, une couche intermédiaire qui est un film de SiO X , et un second substrat, le rapport O/Si du film de SiO X étant compris entre 1,6 et 1,98. En variante, le substrat composite est caractérisé en ce qu'il comprend un premier substrat, une couche intermédiaire qui est un film de SiO X , et un second substrat : le rapport O/Si du film de SiO X ayant une distribution dans la direction de profondeur de formation du film, le rapport O/Si à proximité de l'interface avec le premier substrat étant compris entre 1,9 et 2,0 et le rapport O/Si à proximité de l'interface avec le second substrat étant compris entre 1,6 et 1,9 ; et le rapport O/Si augmente de façon monotone à partir de l'interface avec le second substrat vers l'interface avec le premier substrat.
Title: Oxide single crystal composite substrate and method for manufacturing same

Abstract: The present invention provides: an oxide single crystal composite substrate that has a SiON film and a SiN film both of which have improved adhesion; and a method for manufacturing the same. A composite substrate according to an embodiment of the present invention comprises an oxide single crystal layer, an interposed layer, a SiO 2 thin film, and a support substrate. The interposed layer is a SiON film or a SiN film, and the SiO 2 thin film is provided between the interposed layer and the support substrate. The O/Si ratio, which is the elemental ratio of oxygen to silicon in the SiO 2 thin film, is preferably 1.8-2.2. The thickness of the SiO 2 thin film is preferably 3-100 nm.
Title: Substrat composite monocristallin d'oxyde et son procédé de fabrication

Abstract: La présente invention concerne : un substrat composite monocristallin d'oxyde qui présente un film de SiON et un film de SiN tous deux présentant une adhérence améliorée; et son procédé de fabrication. Un substrat composite selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une couche monocristalline d'oxyde, une couche interposée, un film mince de SiO 2 , et un substrat de support. La couche interposée est un film de SiON ou un film de SiN, et le film mince de SiO 2 est disposé entre la couche interposée et le substrat de support. Le rapport O/Si, qui est le rapport élémentaire de l'oxygène au silicium dans le film mince de SiO 2 , est de préférence de 1,8 à 2,2. L'épaisseur du film mince de SiO 2 est de préférence de 3 à 100 nm.
Title: Molded stator and motor

Abstract: A molded stator according to the present invention includes: a stator having a stator core and a coil wound around the stator core; and a molding material covering the stator. The molding material is the cured product of a thermosetting resin composition containing: a saturated polyester resin (A), a thermosetting resin (B), an ethylenically unsaturated monomer (C), a thermal polymerization initiator (D), glass fibers (E), an inorganic filler (F), and a thickener (G). The thickener (G) is at least one selected from the group consisting of styrene-butadiene rubber (SBR), styrene-butadiene-styrene rubber (SBS), and styrene-ethylene-butadiene-styrene rubber (SEBS). The thickener (G) content in the thermosetting resin composition is 0.8 to 9 parts by mass with respect to 100 parts by mass, which is the total amount of the thermosetting resin (B) and the ethylenically unsaturated monomer (C). The saturated polyester resin (A) is a polycondensate of a diol and a saturated polybasic acid. The saturated polybasic acid contains an aromatic saturated polybasic acid or an acid anhydride thereof, and an aliphatic saturated polybasic acid. In the saturated polyester resin (A), the content ratio (molar ratio) of the structure derived from the aromatic saturated polybasic acid or the acid anhydride thereof to the structure derived from the aliphatic saturated polybasic acid is 20:80 to 80:20. The saturated polyester resin (A) includes a block (X) that is a polycondensate of a diol and an aromatic saturated polybasic acid or an acid anhydride thereof, and a block (Y) that is a polycondensate of a diol and an aliphatic saturated polybasic acid. The weight-average molecular weight of the block (X) is 3,000 to 5,000.
Title: Stator moulé et moteur

Abstract: Un stator moulé selon la présente invention comprend : un stator ayant un noyau de stator et une bobine enroulée autour du noyau de stator ; et un matériau de moulage recouvrant le stator. Le matériau de moulage est le produit durci d'une composition de résine thermodurcissable contenant : une résine de polyester saturé (A), une résine thermodurcissable (B), un monomère insaturé éthyléniquement (C), un initiateur de polymérisation thermique (D), des fibres de verre (E), une charge inorganique (F) et un épaississant (G). L'épaississant (G) est au moins un épaississant choisi dans le groupe constitué par le caoutchouc styrène-butadiène (SBR), le caoutchouc styrène-butadiène-styrène (SBS) et le caoutchouc styrène-éthylène-butadiène-styrène (SEBS). La teneur en épaississant (G) dans la composition de résine thermodurcissable est de 0,8 à 9 parties en masse par rapport à 100 parties en masse, qui est la quantité totale de la résine thermodurcissable (B) et du monomère insaturé éthyléniquement (C). La résine de polyester saturé (A) est un polycondensat d'un diol et d'un acide polybasique saturé. L'acide polybasique saturé contient un acide polybasique saturé aromatique ou un anhydride d'acide de celui-ci, et un acide polybasique saturé aliphatique. Dans la résine de polyester saturé (A), le rapport de teneur (rapport molaire) de la structure dérivée de l'acide polybasique saturé aromatique ou de son anhydride d'acide à la structure dérivée de l'acide polybasique saturé aliphatique est de 20:80 à 80:20. La résine de polyester saturé (A) comprend un bloc (X) qui est un polycondensat d'un diol et d'un acide polybasique saturé aromatique ou d'un anhydride d'acide de celui-ci, et un bloc (Y) qui est un polycondensat d'un diol et d'un acide polybasique saturé aliphatique. Le poids moléculaire moyen en poids du bloc (X) est de 3 000 à 5 000.
Title: Duplex seamless stainless steel pipe

Abstract: Provided is a duplex seamless stainless steel pipe having high strength, excellent crevice corrosion resistance in a supercritical corrosive environment, and excellent hot workability. A duplex seamless stainless steel pipe according to the present disclosure has a chemical composition as described in the specification, satisfies formula (1), and has a yield strength of 550 MPa or more. A duplex seamless stainless steel pipe according to the present disclosure has a microstructure composed of ferrite and austenite, wherein the ferrite volume fraction FX in a thick-walled central part of the duplex seamless stainless steel pipe is 35.0-65.0%, and the ferrite volume fraction FY in a region of 100 µm in the depth direction from the outer surface of the duplex seamless stainless steel pipe is at least 0.90 FX. (1): Cr +3.3 (Mo+0.5W)+16N-Mn≥30.0. Here, in the element symbol in formula (1), the content of the corresponding element is substituted in units of mass%. When the corresponding element is not contained, "0" is substituted for the element symbol.
Title: Tuyau en acier inoxydable sans soudure duplex

Abstract: L'invention concerne un tuyau en acier inoxydable sans soudure duplex ayant une résistance élevée, une excellente résistance à la corrosion dans les crevasse dans un environnement corrosif supercritique, et une excellente aptitude au façonnage à chaud. Un tuyau en acier inoxydable sans soudure duplex selon la présente invention a une composition chimique telle que décrite dans la description, satisfait à la formule (1), et a une limite d'élasticité d'au moins 550 MPa. Un tuyau en acier inoxydable sans soudure duplex selon la présente invention a une microstructure composée de ferrite et d'austénite, la fraction volumique de ferrite FX dans une partie centrale à paroi épaisse du tuyau en acier inoxydable sans soudure duplex étant de 35,0 à 65,0 %, et la fraction volumique de ferrite FY dans une région de 100 µm dans la direction de la profondeur à partir de la surface externe du tuyau en acier inoxydable sans soudure duplex étant d'au moins 0,90 FX. (1) : Cr +3,3 (Mo+0,5W)+6N-Mn≥30,0. Ici, dans le symbole d'élément dans la formule (1), la teneur de l'élément correspondant est substituée en unités de % en masse. Lorsque l'élément correspondant n'est pas contenu, "0" est substitué pour le symbole d'élément.
Title: Method for operating electric deionization apparatus

Abstract: Provided is a method for operating an electric deionization apparatus in which a concentration chamber and a desalination chamber are formed by arranging a plurality of anion exchange membranes and cation exchange membranes between a positive electrode and a negative electrode, and the desalination chamber is filled with an ion exchanger. The electric deionization apparatus is operated under the conditions that satisfy the following formulae (1), (2), and (3). (1): 50 < A < 200, (2): AA/CDout < 0.2, (3): AA = D × (Cc × A)/dx) × Q × 10 3 (ng/L) According to this method for operating an electric deionization apparatus, the removal rate of weak electrolytes such as boron is increased, and treated water of high water quality can be obtained.
Title: Procédé de fonctionnement d'appareil de désionisation électrique

Abstract: L'invention concerne un procédé de fonctionnement d'un appareil de désionisation électrique dans lequel une chambre de concentration et une chambre de dessalement sont formées par agencement d'une pluralité de membranes échangeuses d'anions et de membranes échangeuses de cations entre une électrode positive et une électrode négative, la chambre de dessalement contenant un échangeur d'ions. L'appareil de désionisation électrique fonctionne dans les conditions qui satisfont les formules (1), (2) et (3) suivantes. (1) : 50 < A < 200 (2) : AA/CDout < 0,2 (3) : AA = D × (Cc × A)/dx) × Q × 10 3 (ng/l). Selon ce procédé de fonctionnement d'un appareil de déionisation électrique, le taux d'élimination des électrolytes faibles, tels que le bore, est augmenté, et il est possible d'obtenir une eau traitée de haute qualité.
Title: Steel material

Abstract: Provided is a steel material having high strength and excellent SSC resistance in a high H 2 S environment. A steel material according to the present disclosure contains, in terms of mass%, 0.15% to less than 0.30% of C, 0.05-1.00% of Si, 0.05% to less than 0.30% of Mn, 0.020% or less of P, 0.0050% or less of S, 0.10-1.00% of Cr, 0.85-2.50% of Mo, 0.002-0.020% of Ti, 0.002-0.050% of Nb, 0.01-0.30% of V, 0.0001-0.0030% of Ca, 0.0005-0.0050% of B and 0.005-0.100% of Al, with the remainder comprising Fe and impurities, has a yield strength of 862 MPa to less than 965 MPa, and is such that the content of elements, the grain size number (GSN) of prior austenite grains and the content of P close to prior austenite grain boundaries (P_seg.) satisfy formula (1). Formula (1): (Mn+P_seg.)/(2.5Mo+GSN)≤0.125.
Title: Matériau d'acier

Abstract: L'invention concerne un matériau d'acier présentant une résistance élevée et une excellente résistance à la SSC dans un environnement à H 2 S élevé. Un matériau en acier selon la présente divulgation contient, en termes de % en masse, 0,15 % à moins de 0,30 % de C, 0,05 à 1,00 % de Si, 0,05 % à moins de 0,30 % de Mn, 0,020 % ou moins de P, 0,0050 % ou moins de S, 0,10 à 1,00 % de Cr, 0,85 à 2,50 % de Mo, 0,002 à 0,020 % de Ti, 0,002 à 0,050 % de Nb, 0,01 à 0,30 % de V, 0,0001 à 0,0030 % de Ca, 0,0005 à 0,0050 % de B et 0,005 à 0,100 % d'Al, le reste comprenant du Fe et des impuretés, présente une limite d'élasticité de 862 MPa à moins de 965 MPa, et est tel que la teneur en éléments, le numéro de taille de grain (GSN) d'anciens grains d'austénite et la teneur en P proche des limites des anciens grains d'austénite (P_seg.) satisfont la formule (1). Formule (1) : (Mn + P_seg.) / (2,5 Mo + GSN) ≤ 0,125.
Title: Method for preparing ngs library enabling simultaneous analysis of t cell receptor (tcr) or b cell receptor (bcr) repertoire and gene expression

Abstract: The present invention relates to: a method for simultaneously preparing an NGS library for T receptor (TCR) or B cell receptor (BCR) repertoire analysis and an NGS library for gene expression analysis; and a method for simultaneously analyzing T cell receptor (TCR) or B cell receptor (BCR) repertoire diversity and gene expression.
Title: Procédé de préparation d'une banque ngs permettant l'analyse simultanée du répertoire des récepteurs des lymphocytes t (tcr) ou des lymphocytes b (bcr) et de l'expression génique

Abstract: La présente invention concerne : un procédé de préparation d'une banque NGS permettant l'analyse simultanée du répertoire des récepteurs des lymphocytes T (TCR) ou des lymphocytes B (BCR) et de l'expression génique ; et un procédé permettant d'analyser simultanément la diversité du répertoire des récepteurs des lymphocytes T (TCR) ou des récepteurs des cellules B (BCR) et l'expression génique.
Title: Electrolyte membrane for fuel cell

Abstract: This electrolyte membrane for a fuel cell comprises a polybenzimidazole nanofiber and a polymer of monomers selected from N-vinylimidazoles, derivatives of N-vinylimidazoles, and mixtures thereof, and is characterized by, as a result of containing no fluorine atoms, causing little environmental loads, and undergoing little deterioration in high-temperature regions of 80°C or higher.
Title: Membrane électrolytique pour pile à combustible

Abstract: Cette membrane électrolytique pour une pile à combustible comprend une nanofibre de polybenzimidazole et un polymère de monomères choisis parmi les N-vinylimidazoles, des dérivés de N-vinylimidazoles, et des mélanges de ceux-ci, et est caractérisée en ce qu'elle ne contient pas d'atomes de fluor, provoquant peu de charges environnementales, et subissant peu de détérioration dans des régions à haute température de 80°C ou plus.
Title: Processing method of filler layer accomodated in tubular container

Abstract: Provided is a processing method of a filler layer enabling suppression of fluidization of filler particles. This processing method of a filler layer accommodated in a tubular container is characterized in that a step of supplying a first gas into the tubular container from a nozzle provided on a side part of the tubular container in a state in which the filler layer is accommodated in the tubular container is performed under a condition satisfying the following formula (1). (1): D T /D P ≤ 12 × (P inj /P h ) -0.21 , where D T is the length (m) in the vertical direction of a nozzle port of the nozzle, D P is the harmonic mean particle diameter (m) of all the filler particles constituting the filler layer, P inj is the impact wind pressure (Pa) in the horizontal direction of the first gas at the height position of the nozzle, and P h is the powder pressure (Pa) in the horizontal direction of the filler layer at the height position of the nozzle.
Title: Procédé de traitement d'une couche de charge logée dans un récipient tubulaire

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'une couche de charge permettant de supprimer la fluidisation de particules de charge. Ce procédé de traitement d'une couche de charge logée dans un récipient tubulaire est caractérisé en ce qu'une étape consistant à fournir un premier gaz dans le récipient tubulaire à partir d'une buse disposée sur une partie latérale du récipient tubulaire dans un état dans lequel la couche de charge est logée dans le récipient tubulaire est effectuée dans un état satisfaisant la formule suivante (1) : (1) : D T /D P ≤ 12 × (P inj /P h ) -0.21 , dans laquelle D T est la longueur (m) dans la direction verticale d'un orifice de buse de la buse, D P est le diamètre de particule moyen harmonique (m) de toutes les particules de charge constituant la couche de charge, P inj est la pression de flux d'air d'impact (Pa) dans la direction horizontale du premier gaz à la position de hauteur de la buse, et P h est la pression de poudre (Pa) dans la direction horizontale de la couche de charge à la position de hauteur de la buse.
Title: Polyarylethersulfone resin material for electronic equipment/device, electronic equipment/device using same, and method for using polyarylethersulfone in electronic equipment/device

Abstract: The present invention addresses the problem of providing a polyarylethersulfone resin material that exhibits both heat resistance and excellent dielectric characteristics in a high frequency band and can be suitably used as a material in an electronic equipment/device, particularly in an electronic equipment/device for high frequency communication. As a solution to this problem, provided is a polyarylethersulfone resin material for an electronic equipment/device, the polyarylethersulfone resin material comprising a polyarylethersulfone having a glass transition temperature of 140°C or higher, a weight average molecular weight (Mw) in a range of 2,000-1,000,000, inclusive, and a repeating unit represented by general formula (1). (In the formula, each R 1 independently represents a C1-6 hydrocarbon group, each n is independently 0, 1, 2, or 3, and m is 0 or 1.)
Title: Matériau de résine de polyaryléthersulfone pour appareil ou dispositif électronique, appareil ou dispositif électronique mettant en œuvre celui-ci, et procédé de mise en œuvre de polyaryléthersulfone dans un appareil ou dispositif électronique

Abstract: L'invention a pour objet de fournir un matériau de résine de polyaryléthersulfone qui combine une résistance à la chaleur et d'excellentes caractéristiques diélectriques dans une bande de fréquence élevée, et qui peut être mis en œuvre de manière satisfaisante en tant que matériau pour un appareil ou dispositif électronique, en particulier, pour un appareil ou dispositif électronique destiné à une communication haute fréquence. À cet effet, l'invention fournit un matériau de résine de polyaryléthersulfone pour appareil ou dispositif électronique dont la température de transition vitreuse est supérieure ou égale à 140°C, qui présente une masse moléculaire moyenne en poids (Mw) se situant dans une plage supérieure ou égale à ２０００ et inférieure ou égale à １００００００, et qui contient un polyaryléthersulfone possédant une unité de répétition représentée par la formule générale (1). (Dans la formule, les Ｒ １ représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarbure de 1 à 6 atomes de carbone, les n représentent chacun indépendamment ０, １, ２ ou ３, et m représente 0 ou 1.)
Title: Polyarylethersulfone resin material for electronic equipment/device, electronic equipment/device using same, and method for using polyarylethersulfone in electronic equipment/device

Abstract: The present invention addresses the problem of providing a polyarylethersulfone resin material having both excellent dielectric properties in high frequency bands and excellent heat resistance that can be used suitably as a material used in electronic equipment/devices, especially electronic equipment/devices for high frequency communication. Provided as a solution is a polyarylethersulfone resin material for electronic equipment/devices that has a glass transition temperature of 200°C or higher, has a weight-average molecular weight (Mw) in the range of 2,000-1,000,000, and contains a polyarylethersulfone having a repeating unit represented by general formula (1). (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, at least one of R 1 and R 2 represents a methyl group, and m represents 0 or 1.)
Title: Matériau de résine de polyaryléthersulfone pour appareil ou dispositif électronique, appareil ou dispositif électronique mettant en œuvre celui-ci, et procédé de mise en œuvre de polyaryléthersulfone dans un appareil ou dispositif électronique

Abstract: L'invention a pour objet de fournir un matériau de résine de polyaryléthersulfone qui combine une excellente résistance à la chaleur et d'excellentes caractéristiques diélectriques dans une bande de fréquence élevée, et qui peut être mis en œuvre de manière satisfaisante en tant que matériau pour un appareil ou dispositif électronique, en particulier, pour un appareil ou dispositif électronique destiné à une communication haute fréquence. À cet effet, l'invetion fournit un matériau de résine de polyaryléthersulfone pour appareil ou dispositif électronique dont la température de transition vitreuse est supérieure ou égale à 200°C, qui présente une masse moléculaire moyenne en poids (Mw) se situant dans une plage supérieure ou égale à ２０００ et inférieure ou égale à １００００００, et qui contient un polyaryléthersulfone possédant une unité de répétition représentée par la formule générale (1). (Dans la formule, Ｒ １ et Ｒ ２ représentent chacun sans indépendance un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle, Ｒ １ et/ou Ｒ ２ représente un groupe méthyle, et m représente 0 ou 1.)