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Title: Tôle d'acier hautement résistante, et procédé de fabrication de celle-ci

Abstract: L'invention a pour objet de fournir une tôle d'acier hautement résistante et un procédé de fabrication de celle-ci. Laquelle tôle d'acier hautement résistante tout en maintenant une résistance à la traction supérieure ou égale à ９８０ＭＰａ, concilie un taux de rendement supérieur ou égal à 70%, une ductilité élevée et une résistance à la fragilité à l'hydrogène d'une partie usinée en courbe. Plus précisément, l'invention concerne une tôle d'acier hautement résistante qui présente une composition prédéfinie, et qui présente une structure d'acier telle qu'en une position à 1/4 de largeur de bobine et en une position à 1/4 d'épaisseur de tôle, une ferrite représente 0 à 5% en rapport surfacique, une austénite résiduelle représente 3 à 20% en rapport volumique, une martensite revenue représente 70% ou plus en rapport surfacique, et une martensite fraîche représente 0 à 20% en rapport surfacique, et une structure d'acier telle qu'en une position à 1/4 de largeur de bobine et au niveau de la couche la plus superficielle de l'épaisseur de tôle, la ferrite représente 0 à 5% en rapport surfacique, la proportion d'austénite résiduelle de rapport d'aspect supérieur ou égal à 2,0 pour l'ensemble de l'austénite résiduelle est inférieure ou égale à 50%, la résistance à la traction satisfait ＴＳ≧９８０ＭＰａ, et le taux de rendement satisfait １００×ＹＲ≧７０. Dans une distribution de dureté dans une direction épaisseur de tôle, la relation de la valeur de dureté (Ｈ０２５) en une position à 1/4 d'épaisseur de tôle et de la valeur de dureté (Ｈ００５) en une position à 1/20 d'épaisseur de tôle, est telle que ２,５≦１００×（Ｈ０２５－Ｈ００５）／Ｈ０２５≦２０,０.
Title: High-strength steel sheet and method for manufacturing same

Abstract: Provided are a high-strength steel sheet and a method for manufacturing same, the high-strength steel sheet having a tensile strength of 980MPa or more and excellent hydrogen embrittlement resistance of a bent part, wherein: a steel structure at a 1/4 plate thickness position and in an outermost layer contains 0%-20% by area ratio of (ferrite + bainite), 4%-20% by volume ratio of residual γ, 70% or more by area ratio of tempered martensite, and 0%-20% by area ratio of fresh martensite; and when the texture of the tempered martensite in a plate thickness cross section in the rolling direction is evaluated by a SEM-EBSD method, in an orientation distribution function represented in the Euler space of 0 ≤ φ1 ≤ 90°, φ2 = 45°, and 0 ≤ Φ ≤ 90° expressed by the Bunge's method, the maximum ODF of {111} grains represented by the maximum intensity value with φ1 = 5 × n°, φ2 = 45°, and Φ = 55° (n is an integer of 0-18) at the 1/4 plate thickness position is 2.0 or more, and the maximum ODF of {100} grains represented by the maximum intensity value with φ1 = 5 × n°, φ2 = 45°, and Φ = 0° (n is an integer of 0-18) in the plate thickness surface layer is 1.0 or more.
Title: Tôle d'acier hautement résistante, et procédé de fabrication de celle-ci

Abstract: L'invention concerne une tôle d'acier hautement résistante et un procédé de fabrication de celle-ci. La tôle d'acier hautement résistante de l'invention présente une structure d'acier en une position à 1/4 d'épaisseur de tôle et au niveau de la couche la plus superficielle qui est telle que (ferrite+bainite) représente 0 à 20% en rapport surfacique, un γ résiduel représente 4 à 20% en rapport volumique, une martensite revenue représente 70% ou plus en rapport surfacique, et une martensite fraîche représente 0 à 20% en rapport surfacique. Dans une fonction de distribution d'orientation dans laquelle la structure d'agrégat de ladite martensite revenue obtenue par évaluation d'un plan transversal d'épaisseur de tôle de direction laminage selon un procédé de microscopie électronique à balayage - diffraction d'électrons rétrodiffusés, est indiquée à l'intérieur d'un espace d'Euler tel que ０≦φ１≦９０°, φ２=４５° et ０≦Φ≦９０° présenté dans un procédé de Bunge, la valeur ODF maximale de grains ｛１１１｝ de valeur maximale de résistance pour φ１＝５×ｎ°, φ２=４５° et Φ＝５５° (n représentant un nombre entier de 0 à 18), est supérieure ou égale à 2,0 en une position à 1/4 d'épaisseur de tôle, et la valeur ODF maximale de grains ｛１００｝ de valeur maximale de résistance pour φ１＝５×ｎ°, φ２=４５° et Φ＝０° (n représentant un nombre entier de 0 à 18), est supérieure ou égale à 1,0 au niveau d'une couche superficielle de l'épaisseur. Enfin, la tôle d'acier hautement résistante de l'invention présente une résistance à la traction supérieure ou égale à ９８０ＭＰａ, et se révèle excellente en termes de caractéristiques de résistance à la fragilité à l'hydrogène d'une partie usinée en courbe.
Title: Concentration system

Abstract: Provided is a concentration system for obtaining a concentrated liquid in which a target component has been concentrated by separating a solvent from a target solution containing the target component. The concentration system includes a plurality of semipermeable membrane modules. A concentration flow path formed by connecting first chambers of the plurality of semipermeable membrane modules is provided. A dilution flow path formed by connecting second chambers of the plurality of semipermeable membrane modules is provided. The target solution flows through the concentration flow path. An auxiliary solution having osmotic pressure flows through the dilution flow path. The target solution is concentrated due to the target solution having higher pressure than the auxiliary solution. The concentration system further comprises, in the dilution channel: an auxiliary solution booster pump which increases the pressure of the auxiliary solution; and an auxiliary solution booster pump suction pressure meter which is installed on the suction side of the auxiliary solution booster pump and which measures the pressure of the auxiliary solution. The concentration system further includes a control device connected to the auxiliary solution booster pump suction pressure meter and the auxiliary solution booster pump.
Title: Système de concentration

Abstract: L'invention concerne un système de concentration permettant d'obtenir un liquide concentré dans lequel un composant cible a été concentré par séparation d'un solvant d'une solution cible contenant le composant cible. Le système de concentration comprend une pluralité de modules membranaires semi-perméables. Une voie d'écoulement de concentration formée par raccordement de premières chambres de la pluralité de modules membranaires semi-perméables est prévue. Une voie d'écoulement de dilution formée par raccordement de secondes chambres de la pluralité de modules membranaires semi-perméables est prévue. La solution cible s'écoule par la voie d'écoulement de concentration. Une solution auxiliaire présentant une certaine pression osmotique s'écoule par la voie d'écoulement de dilution. La solution cible est concentrée, car elle présente une pression supérieure à celle de la solution auxiliaire. Le système de concentration comprend en outre, dans le canal de dilution : une pompe de surpression auxiliaire de solution qui augmente la pression de la solution auxiliaire ; et un appareil de mesure de pression d'aspiration de pompe de surpression auxiliaire installé sur le côté aspiration de la pompe de surpression auxiliaire de solution et mesurant la pression de la solution auxiliaire. Le système de concentration comprend en outre un dispositif de commande raccordé à l'appareil de mesure de pression d'aspiration de pompe de surpression auxiliaire et à la pompe de surpression auxiliaire de solution.
Title: Liquid crystal composition, light-absorprion-anisotropic film, layered body, and display device

Abstract: The present invention addresses the problem of providing a liquid crystal composition capable of producing a light-absorption-anisotropic film having a high degree of orientation and good heat resistance, a light-absorption-anisotropic film, a layered body, and a display device. A liquid crystal composition according to the present invention contains a liquid crystal compound having a maximum absorption wavelength of 350 nm or less, and a dichroic substance represented by formula (1), the absolute value of the difference between the logP values of the liquid crystal compound and the dichroic substance being greater than 4.2. In formula (1): n represents an integer of 2-4; Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic group which may have a substituent; when n represents 2, the total number of monocyclic aromatic rings included in Ar 1 and Ar 2 is 4 or more; R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent substituent; and L 1 represents either a single bond, -COO-, or the like, or -N=N-, at least one L 1 of the plurality of L 1 representing -COO- or the like, and at least one of the other L 1 representing -N=N-.
Title: Composition de cristaux liquides, film anisotrope d'absorption de lumière, corps stratifié et dispositif d'affichage

Abstract: La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une composition de cristaux liquides capable de produire un film anisotrope d'absorption de lumière ayant un degré élevé d'orientation et une bonne résistance à la chaleur, un film anisotrope d'absorption de lumière, un corps stratifié et un dispositif d'affichage. Une composition de cristaux liquides selon la présente invention contient un composé de cristaux liquides ayant une longueur d'onde d'absorption maximale de 350 nm ou moins, et une substance dichroïque représentée par la formule (1), la valeur absolue de la différence entre les valeurs de logP du composé de cristaux liquides et de la substance dichroïque étant supérieure à 4,2. Dans la formule (1) : n représente un nombre entier de 2 à 4 ; Ar 1 et Ar 2 représentent chacun indépendamment un groupe aromatique qui peut avoir un substituant ; lorsque n représente 2, le nombre total de cycles aromatiques monocycliques inclus dans Ar 1 et Ar 2 est de 4 ou plus ; R 1 , R 2 et R 3 représentent chacun indépendamment un substituant monovalent ; et L 1 représente soit une liaison simple, -COO -, ou similaire, soit -N=N-, au moins un L 1 de la pluralité de L 1 représentant -COO- ou similaire, et au moins l'un de l'autre L 1 représentant -N=N-.
Title: FATTY ACID-COATED Sm-Fe-N-BASED MAGNETIC POWDER, BONDED MAGNET, AND PRODUCTION METHODS THEREFOR

Abstract: [Problem] To provide a Sm-Fe-N-based magnetic powder that has good heat resistance in an atmospheric environment (that is, good oxidation resistance when the temperature has been raised in the atmosphere) and that, when held in an atmospheric environment, is capable of maintaining good magnetic properties as compared to conventional, typical powders that are surface-treated by phosphate coating. [Solution] Provided is a fatty acid-coated Sm-Fe-N-based magnetic powder that is composed of particles having a structure in which one or more fatty acid molecules having 12-20 carbon atoms per molecule are adhered to the surface of Sm-Fe-N-based magnetic particles, wherein, when C content (mass%) in the powder is denoted as [% C], and a cumulative 50% particle diameter (μm) of the powder in a volume-based particle size distribution by a dry laser diffraction scattering method is denoted as [D50], an adhesion amount index Ci defined by formula (1) is 0.5-50.0 mass%･μm. (1): Ci = [% C] × [D50]
Title: POUDRE MAGNÉTIQUE À BASE DE Sm-Fe-N REVÊTUE D'ACIDE GRAS, AIMANT LIÉ ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION ASSOCIÉS

Abstract: La présente invention concerne une poudre magnétique à base de Sm-Fe-N qui présente une bonne résistance à la chaleur dans un environnement atmosphérique (c'est-à-dire une bonne résistance à l'oxydation lorsque la température a été augmentée dans l'atmosphère) et qui, lorsqu'elle est maintenue dans un environnement atmosphérique, est capable de maintenir de bonnes propriétés magnétiques par rapport aux poudres classiques typiques qui sont traitées en surface par revêtement de phosphate. L'invention concerne sur une poudre magnétique à base de Sm-Fe-N revêtue d'acide gras qui est composée de particules ayant une structure dans laquelle une ou plusieurs molécules d'acide gras contenant 12 à 20 atomes de carbone par molécule sont collées à la surface de particules magnétiques à base de Sm-Fe-N, où, lorsque la teneur en C (% en masse) dans la poudre est désignée par [% C], et qu'un diamètre de particule cumulé de 50 % (µm) de la poudre dans une distribution de taille de particule basée sur le volume par un procédé de diffusion par diffraction laser à sec est désigné par [D50], un indice de quantité d'adhérence Ci défini par la formule (1) est de 0,5 à 50,0 % en masse･μm. (1) : Ci = [% C] × [D50]
Title: Cold iron source preheating method

Abstract: The present invention provides a technique for utilizing the amount of heat in high-temperature slag for preheating a cold iron source. This cold iron source preheating method comprises feeding all or a portion of the total amount Wt (kg) of a cold iron source into slag that is partially or entirely left in a reaction vessel. In the cold iron source preheating method, the ratio Wsc/Wsl(-) of the amount Wsl (kg) of residual slag in the reaction vessel to the amount Wsc (kg) of the cold iron source fed in the reaction vessel by using a scrap chute is controlled so as to fall within a range satisfying formula (1) or (2) using an in-furnace residual high temperature material temperature Tf (°C) in a process in which the slag is left. Formula (1): 5.224×10 -7 ×Tf 2 -1.779×10 -4 ×Tf-0.4321 < Wsc/Wsl ≤ 8.64×10 -7 ×Tf 1.947 Formula (2): Wsc/Wsl ≥ 6.591×10 -6 ×Tf 1.695
Title: Procédé de préchauffage de source de fer froid

Abstract: La présente invention concerne une technique d'utilisation de la quantité de chaleur dans des laitiers à haute température permettant de préchauffer une source de fer froid. Ce procédé de préchauffage de source de fer froid consiste à alimenter la totalité ou une partie de la quantité totale Wt (kg) d'une source de fer froid dans un laitier qui est partiellement ou entièrement laissé dans un récipient de réaction. Dans le procédé de préchauffage de source de fer froid, le rapport Wsc / Wsl(-) de la quantité Wsl (kg) de laitier résiduel dans le récipient de réaction à la quantité Wsc (kg) de la source de fer froid introduite dans le récipient de réaction à l'aide d'une goulotte de déchets est commandé de façon à tomber dans une plage satisfaisant la formule (1) ou (2) à l'aide d'une température de matériau à haute température résiduelle dans le four Tf (°C) dans un processus dans lequel le laitier est laissé. Formule (1) : 5,224 × 10 - 7 × Tf 2 - 1,779 × 10 - 4 × Tf - 0,4321 < Wsc / Wsl ≤ 8,64 × 10 - 7 × Tf 1,947 Formule (2) : Wsc / Wsl ≥ 6,591 × 10 - 6 × Tf 1,695
Title: Aluminum alloy

Abstract: The present invention provides an aluminum alloy which has excellent ductility as an aluminum alloy and which makes it possible to suppress seizure in a die-casting step. Provided is an aluminum alloy for die-casting, said aluminum alloy being characterized by comprising 9.50-10.50 mass% of Si, 0.20-0.50 mass% of Mg, not more than 0.25 mass% of Cu, not more than 0.20 mass% of Zn, not more than 0.50 mass% of Fe, 0.40-0.80 mass% of Mn, 0.04-0.15 mass% of Ti, and 0.01-0.03 mass% of Sr with respect to 100 mass% of the total amount of the aluminum alloy, with the remainder being Al and unavoidable impurities, wherein the total amount of Fe and Mn in mass% satisfies Fe+Mn ≤ 1.05 mass%.
Title: Alliage d'aluminium

Abstract: La présente invention concerne un alliage d'aluminium qui présente une excellente ductilité en tant qu'alliage d'aluminium et qui permet de supprimer le grippage dans une étape de coulée sous pression. L'invention concerne un alliage d'aluminium pour coulée sous pression, ledit alliage d'aluminium étant caractérisé en ce qu'il comprend de 9,50 à 10,50 % en masse de Si, de 0,20 à 0,50 % en masse de Mg, pas plus de 0,25 % en masse de Cu, pas plus de 0,20 % en masse de Zn, pas plus de 0,50 % en masse de Fe, de 0,40 à 0,80 % en masse de Mn, de 0,04 à 0,15 % en masse de Ti, et de 0,01 à 0,03 % en masse de Sr par rapport à 100 % en masse de la quantité totale de l'alliage d'aluminium, le reste étant de l'Al et des impuretés inévitables, la quantité totale de Fe et de Mn en % en masse satisfaisant Fe + Mn ≤ 1,05 % en masse.
Title: Electrostatic chuck

Abstract: Provided is an electrostatic chuck capable of suppressing variation in the in-plane temperature distribution of a substrate during processing. An electrostatic chuck 10 comprises a dielectric substrate 100, and a heater unit 300 for heating the dielectric substrate 100. The heater unit 300 comprises a heat generation part 351 which is a linearly routed conductor. In the top plan view, the heat generation part 351 includes a first heat generation part 351A and a second heat generation part 351B that are routed along paths that do not pass through either a first region D1 or a second region D2, which are a pair of circular regions disposed at positions close to each other, the first heat generation part 351A and the second heat generation part 351B being disposed so as sandwich the entirety of the first region D1 and the second region D2. Each of the first heat generation part 351A and the second heat generation part 351B is routed along a path which is recessed toward the space between the first region D1 and the second region D2.
Title: Mandrin électrostatique

Abstract: L'invention concerne un mandrin électrostatique capable de supprimer une variation de la distribution de température dans le plan d'un substrat pendant un traitement. Un mandrin électrostatique (10) comprend un substrat diélectrique (100) et une unité de chauffage (300) permettant de chauffer le substrat diélectrique (100). L'unité de chauffage (300) comporte une partie de génération de chaleur (351) qui est un conducteur acheminé linéairement. Dans la vue en plan de dessus, la partie de génération de chaleur (351) comprend une première partie de génération de chaleur (351A) et une seconde partie de génération de chaleur (351B) qui sont acheminées le long de trajets qui ne passent pas à travers une première région (D1) ou une seconde région (D2), qui sont une paire de régions circulaires disposées à des positions proches l'une de l'autre, la première partie de génération de chaleur (351A) et la seconde partie de génération de chaleur (351B) étant disposées de manière à prendre en sandwich la totalité de la première région (D1) et de la seconde région (D2). Les première (351A) et seconde (351B) parties de génération de chaleur sont chacune acheminées le long d'un trajet qui est en retrait vers l'espace entre la première région (D1) et la seconde région (D2).
Title: Electrostatic chuck

Abstract: Provided is an electrostatic chuck capable of simplifying a circuit configuration for temperature regulation and control. An electrostatic chuck 10 includes a dielectric substrate 100 and a heater unit 300 that heats the dielectric substrate 100. The heater unit 300 has a heat generating part 331 that is a conductor routed linearly and generates heat by receiving power supply from the outside. In a top view, the heat generating part 331 is individually routed in each of the plurality of regions HA. The plurality of regions HA include a first region HA 11 and a second region HA 12. The electrostatic chuck 10 satisfies the condition (ǀR1-R2ǀ)/R2 < 0.15, where R1 is the electric resistance value of the heat generating part 331 routed in the first region HA 11, and R2 is the electric resistance value of the heat generating part 331 routed in the second region HA 12.
Title: Porte-substrat électrostatique

Abstract: L'invention concerne un porte-substrat électrostatique apte à simplifier une configuration de circuit pour la régulation et la commande de température. Un porte-substrat électrostatique (10) comprend un substrat diélectrique (100) et une unité de chauffage (300) qui chauffe le substrat diélectrique (100). L'unité de chauffage (300) possède une partie de génération de chaleur (331) qui est un conducteur à tracé linéaire et génère de la chaleur par réception d'une alimentation électrique de l'extérieur. Dans une vue aérienne, la partie de génération de chaleur (331) est dirigée individuellement dans chacune d'une pluralité de régions HA. La pluralité de régions HA comprend une première région HA (11) et une seconde région HA (12). Le porte-substrat électrostatique (10) satisfait la condition (ǀR1-R2ǀ) / R2 < 0,15, où R1 est la valeur de résistance électrique de la partie de génération de chaleur (331) dirigée dans la première région HA (11), et R2 est la valeur de résistance électrique de la partie de génération de chaleur (331) dirigée dans la seconde région HA (12).
Title: Method for producing delta cyclen compound

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a method for producing a delta cyclen compound that is excellent in mass productivity. A method for producing a delta cyclen compound according to the present invention is a method for producing a delta cyclen compound represented by formula (1). The method is characterized by including a step for reacting norbornadiene with an alkyne represented by formula (2) in the presence of a solvent, a catalyst, a reducing agent, and a co-catalyst, wherein the solvent comprises at least one solvent selected from the group consisting of an ether-based solvent, a ketone-based solvent, an ester-based solvent, an amide-based solvent, a nitrile-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent excluding benzene. (In formulae (1) and (2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aromatic hydrocarbon ring group, or an alkylsilyl group.)
Title: Procédé de production d'un composé delta cyclène

Abstract: La présente invention a pour objet de fournir un procédé de production d'un composé delta cyclène qui présente une excellente productivité de masse. Un procédé de production d'un composé delta cyclène selon la présente invention est un procédé de production d'un composé delta cyclène représenté par la formule (1). Le procédé est caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à faire réagir du norbornadiène avec un alcyne représenté par la formule (2) en présence d'un solvant, d'un catalyseur, d'un agent réducteur et d'un co-catalyseur, le solvant comprenant au moins un solvant choisi dans le groupe constitué par un solvant à base d'éther, un solvant à base de cétone, un solvant à base d'ester, un solvant à base d'amide, un solvant à base de nitrile et un solvant hydrocarboné à l'exclusion du benzène. (Dans les formules (1) et (2), R 1 et R 2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe cyclique hydrocarboné aromatique ou un groupe alkylsilyle).
Title: Organic compound and organic light-emitting element

Abstract: The present invention provides an organic compound represented by formula (1) as a useful organic compound for constituting an organic light-emitting element having excellent external quantum efficiency. In formula (1), A is represented by formula (2), and B is represented by formula (3). In formula (2), one of X moieties represents a carbon atom bonded to B, and each of the other X moieties independently represents C–R or a nitrogen atom. Each of R moieties is independently selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and the like. Adjacent R moieties may be bonded to each other to form a ring. In formula (3), each of R 1 to R 3 is independently selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and the like. n is 1 or 2, and m and p each indicate an integer of 0-2. * indicates the bonding position to A.