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Title: Indium phosphide substrate and method for manufacturing indium phosphide substrate

Abstract: The ratio of the integrated intensity of indium element that is present as an oxide to the integrated intensity of indium element that is present as indium phosphide is denoted as a first integrated intensity ratio. The ratio of the integrated intensity of indium element that is present as metal indium to the integrated intensity of indium element that is present as indium phosphide is denoted as a second integrated intensity ratio. The ratio of the integrated intensity of phosphorus element that is present as an oxide to the integrated intensity of phosphorus element that is present as indium phosphide is denoted as a third integrated intensity ratio. The ratio of the integrated intensity of indium element to the integrated intensity of phosphorus element is denoted as a fourth integrated intensity ratio. The first integrated intensity ratio is 1.10 to 3.20 inclusive. The second integrated intensity ratio is 0.05 to 0.30 inclusive. The third integrated intensity ratio is 2.90 to 11.00 inclusive. The fourth integrated intensity ratio is 1.15 to 2.00 inclusive.
Title: Substrat de phosphure d'indium et procédé de fabrication d'un substrat de phosphure d'indium

Abstract: Le rapport de l'intensité intégrée de l'élément indium qui est présent en tant qu' oxyde à l'intensité intégrée de l'élément indium qui est présent en tant que phosphure d'indium est désigné comme premier rapport d'intensité intégrée. Le rapport de l'intensité intégrée de l'élément indium qui est présent en tant qu'indium métallique à l'intensité intégrée de l'élément indium qui est présent en tant que phosphure d'indium est désigné comme deuxième rapport d'intensité intégrée. Le rapport de l'intensité intégrée de l'élément phosphore qui est présent en tant qu'oxyde à l'intensité intégrée de l'élément phosphore qui est présent en tant que phosphure d'indium est désigné comme troisième rapport d'intensité intégrée. Le rapport de l'intensité intégrée de l'élément indium à l'intensité intégrée de l'élément phosphore est désigné comme quatrième rapport d'intensité intégrée. Le premier rapport d'intensité intégrée est de 1,10 à 3,20 bornes comprises. Le second rapport d'intensité intégrée est de 0,05 à 0,30 bornes comprises. Le troisième rapport d'intensité intégrée est de 2,90 à 11,00 bornes comprises. Le quatrième rapport d'intensité intégrée est de 1,15 à 2,00 bornes comprises.
Title: Plating device and substrate processing method

Abstract: The present invention enhances the detection accuracy of the degree of cleaning of a substrate holder. This plating device includes: a plating tank configured to accommodate a plating liquid; a substrate holder 440 having a contact member 494-4 for supplying power to the substrate and an electrode member 494-6 arranged in the vicinity of the contact member 494-4; a cleaning member having a cleaning nozzle 472a configured to discharge the cleaning liquid to an internal region of the substrate holder 440 in which the contact member 494-4 is arranged; a power supply 495 configured to apply a voltage between the contact member 494-4 and the electrode member 494-6; an ammeter 496 configured to measure the current flowing between the contact member 494-4 and the electrode member 494-6; and a control unit 499 for operating a detector 497 configured to detect the degree of cleaning of the internal region of the substrate holder 440 on the basis of the current measured by the ammeter 496 when the internal region of the substrate holder 440 is being cleaned using the cleaning member.
Title: Dispositif de placage et procédé de traitement de substrat

Abstract: La présente invention améliore la précision de détection du degré de nettoyage d'un porte-substrat. Ce dispositif de placage comprend : un réservoir de placage configuré pour recevoir un liquide de placage ; un porte-substrat (440) possédant un élément de contact (494-4) pour fournir de l'énergie au substrat et un élément d'électrode (494-6) agencé à proximité de l'élément de contact (494-4) ; un élément de nettoyage possédant une buse de nettoyage (472a) configurée pour évacuer le liquide de nettoyage vers une région interne du porte-substrat (440) dans laquelle l'élément de contact (494-4) est agencé ; une alimentation électrique (495) configurée pour appliquer une tension électrique entre l'élément de contact (494-4) et l'élément d'électrode (494-6) ; un ampèremètre (496) configuré pour mesurer le courant circulant entre l'élément de contact (494-4) et l'élément d'électrode (494-6) ; et une unité de commande (499) pour faire fonctionner un détecteur (497) configuré pour détecter le degré de nettoyage de la région interne du porte-substrat (440) sur la base du courant mesuré par l'ampèremètre (496) lorsque la région interne du porte-substrat (440) est nettoyée à l'aide de l'élément de nettoyage.
Title: Detection device and detection method

Abstract: Provided is a technology that makes it possible to detect the resistance of a contact portion of a seal member of a plating device. A detection device 1 comprises a plate member 60 that is held by a holder during resistance detection that detects the resistance of a contact portion 51 of a seal member 50 and has a prescribed surface 61 that is opposite the contact portion when the plate member is being held by the holder during the resistance detection, a first electrode 70 that is provided to the prescribed surface of the plate member and contacts the contact portion during the resistance detection, a second electrode 71 that is provided to the prescribed surface of the plate member and contacts a different portion of the contact portion from the portion that the first electrode contacts during the resistance detection, and a resistance detector 80 that is electrically connected to the first electrode and the second electrode and detects the resistance of the contact portion by detecting the resistance between the first electrode and the second electrode during the resistance detection.
Title: Dispositif de détection et procédé de détection

Abstract: L'invention concerne une technologie qui permet de détecter la résistance d'une partie de contact d'un élément d'étanchéité d'un dispositif de placage. Un dispositif de détection (1) comprend un élément de plaque (60) qui est maintenu par un organe de maintien pendant une détection de résistance qui détecte la résistance d'une partie de contact (51) d'un élément d'étanchéité (50) et qui comporte une surface prescrite (61) qui est opposée à la partie de contact lorsque l'élément de plaque est maintenu par l'organe de maintien pendant la détection de résistance, une première électrode (70) qui est disposée sur la surface prescrite de l'élément de plaque et qui vient en contact avec la partie de contact pendant la détection de résistance, une seconde électrode (71) qui est disposée sur la surface prescrite de l'élément de plaque et qui vient en contact avec une partie différente de la partie de contact à partir de la partie avec laquelle la première électrode vient en contact pendant la détection de résistance, et un détecteur de résistance (80) qui est raccordé électriquement à la première électrode et à la seconde électrode et qui détecte la résistance de la partie de contact par détection de la résistance entre la première électrode et la seconde électrode pendant la détection de résistance.
Title: Glass production device, glass production method, glass, optical element, optical device, and levitation-melted glass

Abstract: According to the present invention, a glass production device for producing glass via a process that lowers the temperature of a glass starting material includes a support part that has a gas ejection hole in an upper surface and can support the glass starting material in a non-contact manner using a gas ejected from the gas ejection hole, a heating part that heats the glass starting material on the support part, and a gas supply part that supplies the gas to the gas ejection hole. The gas supply part includes an intake part that takes in the gas from the outside and a reduction part that reduces the number of particles in the gas taken in by the intake part.
Title: Dispositif de production de verre, procédé de production de verre, verre, élément optique, dispositif optique et verre fondu par lévitation

Abstract: Selon la présente invention, un dispositif de production de verre pour produire du verre par un procédé qui abaisse la température d'une matière première de formation de verre comprend une partie de support qui a un trou d'éjection de gaz dans une surface supérieure et peut supporter la matière première de formation de verre sans contact à l'aide d'un gaz éjecté à partir du trou d'éjection de gaz, une partie chauffante qui chauffe la matière première de formation de verre sur la partie de support, et une partie d'alimentation en gaz qui fournit le gaz au trou d'éjection de gaz. La partie d'alimentation en gaz comprend une partie d'admission qui aspire le gaz provenant de l'extérieur et une partie de réduction qui réduit le nombre de particules dans le gaz aspiré par la partie d'admission.
Title: Semiconductor film, composite film, and base substrate with semiconductor film

Abstract: Provided is an α-Cr 2 O 3 -based semiconductor film which has a corundum type crystal structure and has excellent semiconductor characteristics. The semiconductor film is composed of an α-Cr 2 O 3 single crystal and/or an α-Cr 2 O 3 -based solid solution single crystal each having a corundum type crystal structure, and has a crystal defect density of 1.0 × 10 7 /cm 2 or less.
Title: Film semi-conducteur, film composite et substrat de base avec film semi-conducteur

Abstract: L'invention concerne un film semi-conducteur à base d'α-Cr 2 O 3 qui présente une structure cristalline de type corindon et d'excellentes caractéristiques semi-conductrices. Le film semi-conducteur est composé d'un monocristal à base d'α-Cr 2 O 3 et/ou d'un monocristal de solution solide à base d'α-Cr 2 O 3 présentant chacun une structure cristalline de type corindon, ainsi qu'une densité de défaut cristallin inférieure ou égale à 1,0 × 10 7 /cm 2 .
Title: Method for melting and refining iron source

Abstract: This method for melting and refining an iron source is characterized by: comprising, in melting and refining an iron source using an electric furnace, a first step for heating and melting the iron source charged into the electric furnace; a second step for discharging part or all of slag generated in the first step; a third step for adjusting the temperature and composition; and a fourth step for removing and tapping the slag, the first step, the second step, the third step, and the fourth step being performed in this order; at the end of the first step, specifying a B value by equation (3) on the basis of a CaO concentration (C), an SiO 2 concentration (S), and an Al 2 O 3 concentration (A) in the slag; and setting an MgO concentration (M) in the slag within a range of formula (1), and an FeO concentration (F) in the slag within a range of formula (2). (1): 8.0(B+1.0) -1 ≤ M ≤ 60.0(B+1.0) -1 , (2): 2.1(B+0.1) -1 +3.0B-2.0 ≤ F ≤ 7.0(B+0.1) -1 +10.0B+24.0, (3): B = C/(S+0.9A)
Title: Procédé de fusion et de raffinage de source de fer

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fusion et de raffinage d'une source de fer caractérisé en ce qu'il comprend, lors de la fusion et du raffinage d'une source de fer en utilisant un four électrique, une première étape consistant à chauffer et à faire fondre la source de fer chargée dans le four électrique ; une deuxième étape consistant à décharger une partie ou la totalité du laitier généré dans la première étape ; une troisième étape consistant à ajuster la température et la composition ; et une quatrième étape consistant à retirer et à prélever le laitier, la première étape, la deuxième étape, la troisième étape et la quatrième étape étant effectuées dans cet ordre ; à la fin de la première étape, spécifier une valeur B par l'équation (3) sur la base d'une concentration en CaO (C), d'une concentration en SiO 2 (S) et d'une concentration en Al 2 O 3 (A) dans le laitier ; et régler une concentration en MgO (M) dans le laitier dans une plage de formule (1), et une concentration en FeO (F) dans le laitier dans une plage de formule (2). (1) : 8,0 (B +1,0) -1 ≤ M ≤ 60,0 (B +1,0) -1 , (2) : 2,1 (B +0,1) -1 +3,0 B -2,0 ≤ F ≤ 7,0 (B +0,1) -1 +10,0 B +24,0, (3) : B = C/(S +0,9 A)
Title: Heat storage material and method for producing same

Abstract: Provided is a heat storage material that is unlikely to break or deteriorate in performance even after having undergone repeated increase and decrease in temperature. This heat storage material comprises heat storage particles (1) each having a core (10) that is formed of a zinc alloy containing aluminum, and a shell (20) that is formed of a coating film containing a metal oxide and that covers the core (10). The cores (10) each have voids (30), and have a porosity, which is the proportion of the voids (30) in the heat storage particles (1), of more than 1.4%. The porosity is the area ratio calculated by dividing the total value of areas of portions having the voids (30) in cross sections of the heat storage particles (1) by the areas of the cross sections of the heat storage particles (1).
Title: Matériau de stockage de chaleur et procédé pour sa production

Abstract: L'invention concerne un matériau de stockage de chaleur qui est peu susceptible de casser ou de se détériorer en termes de performance même après avoir subi une augmentation et une diminution répétées de la température. Ce matériau de stockage de chaleur comprend des particules de stockage de chaleur (1) présentant chacune un cœur (10), qui est formé d'un alliage de zinc contenant de l'aluminium, et une écorce (20) qui est formée d'un film de revêtement contenant un oxyde métallique et qui recouvre le cœur (10). Les cœurs (10) présentent chacun des vides (30) et présentent une porosité, qui est la proportion des vides (30) dans les particules de stockage de chaleur (1), supérieure à 1,4 %. La porosité est le rapport de surface calculé par division de la valeur totale de zones de parties présentant les vides (30) dans des sections transversales des particules de stockage de chaleur (1) par les zones des sections transversales des particules de stockage de chaleur (1).
Title: Base substrate

Abstract: Provided is a base substrate comprising an alignment layer used for crystal growth for an α-Ga 2 O 3 -based or an α-Cr 2 O 3 -based semiconductor film. The base substrate allows an improved yield (non-defective product rate) by reducing the hetero-phase formation probability of a semiconductor film to be formed on the base substrate. The base substrate comprises an alignment layer used for crystal growth for a semiconductor film, the alignment layer being composed of at least one selected from the group consisting of α-Ga 2 O 3 , α-Ga 2 O 3 -based solid solution, α-Cr 2 O 3 , and α-Cr 2 O 3 -based solid solution. A surface of the alignment layer is on the side used for crystal growth and is constituted of a material having a corundum crystal structure having a larger a-axis length and/or c-axis length than sapphire. The alignment layer has a composition stable region in which the composition is stable in the thickness direction and an inclined composition region in which the composition changes in the thickness direction. The composition stable region is thicker than the inclined composition region.
Title: Substrat de base

Abstract: L'invention concerne un substrat de base comprenant une couche d'alignement utilisée à des fins de croissance cristalline, destiné à un film semi-conducteur à base d'α-Ga 2 O 3 ou d'α-Cr 2 O 3 . Le substrat de base permet un rendement (taux de production non défectueuse) amélioré par réduction de la probabilité de formation hétéro-phase d'un film semi-conducteur à former sur le substrat de base. Le substrat de base comprend une couche d'alignement utilisée à des fins de croissance cristalline et est destiné à un film semi-conducteur, la couche d'alignement étant composée d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par l'α-Ga 2 O 3 , une solution solide à base d'α-Ga 2 O 3 , l'α-Cr 2 O 3 et une solution solide à base d'α-Cr 2 O 3 . Une surface de la couche d'alignement se situe sur le côté utilisé pour la croissance cristalline et est constituée d'un matériau ayant une structure cristalline de corindon dont la longueur d'axe a et/ou la longueur d'axe c est supérieure au saphir. La couche d'alignement est pourvue d'une région stable de composition dans laquelle la composition est stable dans le sens de l'épaisseur, et d'une région de composition inclinée dans laquelle la composition change dans le sens de l'épaisseur. La région stable de composition est plus épaisse que la région de composition inclinée.
Title: Method for producing acetal compound

Abstract: A method for producing an acetal compound is provided with which the acetal compound can be produced in excellent yield with limited use of a catalyst. The method for producing an acetal compound according to one embodiment of the present invention comprises irradiating a reaction fluid comprising a carbonyl-group-containing compound and an alcohol compound with infrared light having a wavelength that the carbonyl-group-containing compound absorbs the infrared light, thereby reacting the carbonyl-group-containing compound with the alcohol compound.
Title: Procédé de production d'un composé acétal

Abstract: L'invention concerne un procédé de production d'un composé acétal qui permet de produire le composé acétal avec un excellent rendement et une utilisation limitée d'un catalyseur. Le procédé de production d'un composé acétal selon un mode de réalisation de la présente invention comprend l'exposition d'un fluide de réaction, comprenant un composé contenant un groupe carbonyle et un composé alcool, à une lumière infrarouge présentant une longueur d'onde telle que le composé contenant un groupe carbonyle absorbe la lumière infrarouge, ce qui permet de faire réagir le composé contenant un groupe carbonyle avec le composé alcool.
Title: Aluminum alloy casting material and method for producing aluminum alloy casting material

Abstract: Provided is an aluminum alloy casting material satisfying formula (A). Formula (A): −0.04 × m si − 0.14 × m Mg − 0.35 × m Fe + 1.21 > 1 In formula (A), m si is the mass ratio (mass%) of Si in the aluminum alloy casting material. m Mg is the mass ratio (mass%) of Mg in the aluminum alloy casting material. m Fe is the mass ratio (mass%) of Fe in the aluminum alloy casting material.
Title: Matériau de coulée en alliage d'aluminium et procédé de production d'un matériau de coulée en alliage d'aluminium

Abstract: L'invention concerne un matériau de coulée en alliage d'aluminium satisfaisant la formule (A). Formule (A) : -0,04 × m si − 0,14 × m Mg − 0,35 × m Fe + 1,21 > 1. Dans la formule (A), m Si est le rapport massique (% en masse) de Si dans le matériau de coulée en alliage d'aluminium ; m Mg est le rapport massique (% en masse) de Mg dans le matériau de coulée en alliage d'aluminium ; m Fe est le rapport en masse (% en masse) de Fe dans le matériau de coulée en alliage d'aluminium.
Title: Method for manufacturing bonded body constituting part of battery using na for electrode

Abstract: The present invention provides a method for manufacturing a bonded body constituting part of battery in which Na is used for the positive electrode and/or the negative electrode, the method including performing solid-phase bonding of a ceramic component for providing insulation between the positive and negative electrodes of the battery and a metal component on the positive-electrode side or the negative-electrode side via an Al–Si alloy brazing material. The solid-phase bonding includes the following steps. In a high vacuum atmosphere of no more than 10 -2 Pa (absolute pressure), a laminated part comprising a bonded part formed from the ceramic component, the Al–Si alloy brazing material, and the metal component, in that order, is heated without applying pressure so that the temperature of the Al–Si alloy brazing material rises to a prescribed maintenance temperature range. Next, the laminated part is highly pressurized in the lamination direction for at least 2 minutes while maintaining the temperature of the Al–Si alloy brazing material in the maintenance temperature range, with the average rate of temperature increase of the Al–Si alloy brazing material from 400°C until reaching the maintenance temperature range is 3.5°C/min or less. Next, after stopping the pressurization of the laminated part, the laminated part is cooled so that the temperature of the Al–Si alloy brazing material descends from the maintenance temperature range to room temperature over at least 10 minutes.
Title: Procédé de fabrication d'un corps lié constituant une partie d'une batterie utilisant du na pour électrode

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un corps lié constituant une partie de batterie dans laquelle du sodium, Na, est utilisé pour l'électrode positive et/ou l'électrode négative, le procédé consistant à effectuer une liaison en phase solide d'un composant céramique pour assurer une isolation entre les électrodes positive et négative de la batterie et un composant métallique sur le côté électrode positive ou le côté électrode négative par l'intermédiaire d'un matériau de brasage en alliage Al-Si. La liaison en phase solide comprend les étapes suivantes. Dans une atmosphère sous vide élevée ne dépassant pas 10 -2 Pa (pression absolue), une partie stratifiée comprenant une partie liée formée à partir du composant céramique, du matériau de brasage en alliage Al-Si et du composant métallique, dans cet ordre, est chauffée sans appliquer de pression de sorte que la température du matériau de brasage en alliage Al-Si s'élève jusqu'à une plage de température de maintenance prescrite. Ensuite, la partie stratifiée est hautement mise en pression dans la direction de stratification pendant au moins 2 minutes tout en maintenant la température du matériau de brasage d'alliage Al-Si dans la plage de température de maintenance, avec le taux moyen d'augmentation de température du matériau de brasage d'alliage Al-Si de 400 °C jusqu'à atteindre la plage de température de maintenance de 3,5°C/min ou moins. Puis, après l'arrêt de la mise en pression de la partie stratifiée, la partie stratifiée est refroidie de sorte que la température du matériau de brasage en alliage Al-Si baisse de la plage de température de maintenance à la température ambiante pendant au moins 10 minutes.
Title: Resin composition and method for producing same

Abstract: The present invention addresses the problem of providing: a resin composition containing a particle material having high purity; and a method for producing the same. The resin composition has: a particle material composed of silica, the surface of which has been treated with a silane compound; and a resin material in which the particle material is dispersed, wherein a viscosity at a shear rate of 1/sec is 5 Pa·s or more, the number of foreign matters having a major diameter of 20 μm or more is 1.0 /100 g or less, the amount of Na contained in a liquid obtained by adding 30 g of a sample to 30 ml of ion-exchanged water and performing extraction at 121 °C for 20 hours is 30 ppm or less, a BET specific surface area of an ashed particle material obtained by an ashing treatment in which heating is performed at 800 °C for 30 minutes in the atmosphere is 9-550 m 2 /g, and a total amount of Na with respect to the total mass of the ashed particle material is 1,000 ppm or less.