MehdiAstaraki/multilingual_GP huggingface dataset:
Title: Method for evaluating lithium-ion battery positive electrode active material, and lithium-ion battery positive electrode active material

Abstract: A method for evaluating a lithium-ion battery positive electrode active material, the method comprising the steps of: measuring XRD diffraction patterns of a group of lithium-ion battery positive electrode active materials which are each represented by the compositional formula Li a Ni (1-b-c-d) Co b Mn c M d O 2 (where, M is at least one selected from among Mg, Al, Ca, Ta, 0.98≤a≤1.10, 0.13≤b≤0.22, 0.02≤c≤0.32, and 0≤d≤0.007); calculating the crystallite sizes of the (003) plane from the XRD diffraction patterns of the positive electrode active materials using the Scherrer equation; evaluating cycle characteristics of each battery produced using, as an electrode material for the battery, a positive electrode active material different in crystallite size of the (003) plane among the positive electrode active materials, and deriving a correlation between the obtained cycle characteristic evaluation results and the crystallite sizes of the positive electrode active materials; and measuring the crystallite size of a positive electrode active material for evaluation corresponding to the crystallite sizes of the group of positive electrode active materials on the basis of the correlation, and evaluating cycle characteristics of the positive electrode active material for evaluation from the crystallite size of the positive electrode active material for evaluation.
Title: Procédé d'évaluation de matériau actif d'électrode positive de batterie au lithium ion et matériau actif d'électrode positive de batterie au lithium ion

Abstract: L'invention concerne un procédé d'évaluation d'un matériau actif d'électrode positive de batterie au lithium ion, le procédé comprenant les étapes consistant à : mesurer des motifs de diffraction XRD d'un groupe de matériaux actifs d'électrode positive de batterie au lithium ion qui sont chacun représentés par la formule de composition Li a Ni (1-b-c-d) Co b Mn c M d O 2 (où M est au moins un élément choisi parmi Mg, Al, Ca, Ta, 0,98≤a≤1,10, 0,13≤b≤0,22, 0,02≤c≤0,32 et 0≤d≤0,007) ; calculer les tailles de cristallite du plan (003) à partir des motifs de diffraction XRD des matériaux actifs d'électrode positive en utilisant l'équation de Scherrer ; évaluer des caractéristiques de cycle de chaque batterie fabriquée en utilisant comme matériau d'électrode pour la batterie un matériau actif d'électrode positive différent en taille de cristallite du plan (003) parmi les matériaux actifs d'électrode positive et obtenir une corrélation entre les résultats d'évaluation de caractéristique de cycle obtenus et les tailles de cristallite des matériaux actifs d'électrode positive ; et mesurer la taille de cristallite d'un matériau actif d'électrode positive pour une évaluation correspondant aux tailles de cristallite du groupe de matériaux actifs d'électrode positive sur la base de la corrélation et évaluer des caractéristiques de cycle du matériau actif d'électrode positive pour une évaluation à partir de la taille de cristallite du matériau actif d'électrode positive pour évaluation.
Title: Indium phosphide substrate and semiconductor epitaxial wafer

Abstract: Provided are an indium phosphide substrate and a semiconductor epitaxial wafer capable of achieving both improvement in the alignment accuracy of a wafer using an orientation flat and suppression of chipping occurrence. The indium phosphide substrate is a disk-shaped substrate having a main surface, a back surface, and an orientation flat, wherein: the chamfer width measured from the orientation flat to the main surface is less than 90 μm; and the chamfer width measured from the orientation flat to the back surface, the chamfer width measured from the edge portion to the main surface, and the chamfer width measured from the edge portion to the back surface are each at least 90 μm.
Title: Substrat de phosphure d'indium et tranche épitaxiale de semi-conducteur

Abstract: L'invention concerne un substrat de phosphure d'indium et une tranche épitaxiale de semi-conducteur permettant d'améliorer à la fois la précision d'alignement d'une tranche à l'aide d'un plat d'orientation et de supprimer l'apparition d'écaillage. Le substrat de phosphure d'indium est un substrat en forme de disque possédant une surface principale, une surface arrière et un plat d'orientation, la largeur de chanfrein mesurée entre le plat d'orientation et la surface principale étant inférieure à 90 µm ; et la largeur de chanfrein mesurée entre le plat d'orientation et la surface arrière, la largeur de chanfrein mesurée entre la partie de bord et la surface principale, et la largeur de chanfrein mesurée entre la partie de bord et la surface arrière étant chacune d'au moins 90 µm.
Title: Method for producing sm-fe-n-based magnetic powder and sm-fe-n magnetic powder

Abstract: [Problem] To provide an Sm-Fe-N-based magnetic powder useful for improving the performance and manufacturability of bonded magnets, said powder exhibiting a high maximum energy product (BH) max and having few impurities. [Solution] This method for producing an Sm-Fe-N-based magnetic powder comprises: a heat treatment step in which a powder of Sm-Fe alloy, which has been formed in a solidification process according to a gas atomization method and of which the Sm/Fe molar ratio is between 0.09 and 0.25 inclusive, is heated to a temperature between 900°C and 1200°C inclusive to thereby coarsen the crystal grains of the particles of said powder; a crushing step in which the powder of the Sm-Fe alloy of which the crystal grains have been coarsened by the heat treatment step is crushed to thereby make the particles of said powder finer by fracture, which includes intragranular fracture; and a nitriding step in which the powder of the Sm-Fe alloy made finer by the crushing step is heated and held in an atmosphere of a non-oxidizing gas containing a nitrogen compound or nitrogen in a temperature range of 500°C or less to thereby introduce nitrogen into the particles of the powder.
Title: Procédé de production d'une poudre magnétique à base de sm-fe-n et poudre magnétique de sm-fe-n

Abstract: La présente invention a pour but de proposer une poudre magnétique à base de Sm-Fe-N utile pour améliorer les performances et la faisabilité d'aimants collés, ladite poudre présentant un produit énergétique maximal (BH) max élevé et ayant peu d'impuretés. À cet effet, l'invention porte sur un procédé de production d'une poudre magnétique à base de Sm-Fe-N comprenant : une étape de traitement thermique dans laquelle une poudre d'alliage Sm-Fe, qui a été formée dans un processus de solidification selon une méthode d'atomisation au gaz et dont le rapport molaire Sm/Fe est entre 0,09 et 0,25 bornes comprises, est chauffée à une température entre 900°C et 1200°C bornes comprises pour ainsi rendre plus grossiers les grains cristallins des particules de ladite poudre ; une étape de broyage dans laquelle la poudre de l'alliage Sm-Fe dont les grains cristallins ont été rendus plus grossiers par l'étape de traitement thermique est broyée pour ainsi rendre les particules de ladite poudre plus fines par fracture, qui comprend une fracture intragranulaire ; et une étape de nitruration dans laquelle la poudre de l'alliage Sm-Fe rendue plus fine par l'étape de broyage est chauffée et maintenue dans une atmosphère d'un gaz non oxydant contenant un composé d'azote ou de l'azote dans une plage de température de 500°C ou moins pour ainsi introduire de l'azote dans les particules de la poudre.
Title: Method for manufacturing nutrient salt sustained-release block and nutrient salt sustained-release block

Abstract: Provided are: a method for manufacturing a nutrient salt sustained-release block that utilizes recycled resources and enables nutrient salts to be supplied in a targeted manner over a long period of time; and the nutrient salt sustained-release block. A method for manufacturing a nutrient salt sustained-release block according to the present invention is a method for manufacturing a concrete block capable of releasing nutrient salts in a sustained manner. The method includes a step in which concrete raw materials and a recycled phosphorus compound (5) recovered in a resource recycling process are contained in the composition of the concrete block, wherein the content of the recycled phosphorus compound (5) in the concrete block is adjusted so that the compressive strength of the concrete block is 18 N/mm 2 or more.
Title: Procédé de fabrication d'un bloc à libération prolongée de sel nutritif et bloc à libération prolongée de sel nutritif

Abstract: L'invention concerne : un procédé de fabrication d'un bloc à libération prolongée de sel nutritif qui utilise des ressources recyclées et permet à des sels nutritifs d'être fournis de manière ciblée sur une longue période de temps ; et le bloc à libération prolongée de sel nutritif. Un procédé de fabrication d'un bloc à libération prolongée de sel nutritif selon la présente invention est un procédé de fabrication d'un bloc de béton capable de libérer des sels nutritifs de manière prolongée. Le procédé comprend une étape dans laquelle des matières premières de béton et un composé de phosphore recyclé (5) récupérés par l'intermédiaire d'un processus de recyclage de ressources sont contenus dans la composition du bloc de béton, la teneur du composé de phosphore recyclé (5) dans le bloc de béton étant ajustée de telle sorte que la résistance à la compression du bloc de béton est supérieure ou égale à 18 N/mm 2 .
Title: Substrate processing method, method for manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing device

Abstract: Provided is a technique enabling an improvement in film properties. The substrate processing method comprises the steps of: a) supplying a first raw material to a substrate, b) supplying a first reactant to the substrate in a first amount, c) supplying a second reactant to the substrate in a second amount, d) performing steps a) and b) a predetermined number of times and forming a first layer on the substrate, and e) performing the steps a) and c) a predetermined number of times and forming a second layer on the substrate.
Title: Procédé de traitement de substrat, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, programme et dispositif de traitement de substrat

Abstract: L'invention concerne une technique permettant une amélioration des propriétés de film. Le procédé de traitement de substrat comprend les étapes consistant à : a) fournir une première matière première sur un substrat, b) fournir une première quantité d'un premier réactif sur le substrat, c) fournir une seconde quantité d'un second réactif sur le substrat, d) réaliser les étapes a) et b) un nombre prédéterminé de fois et former une première couche sur le substrat, et e) réaliser les étapes a) et c) un nombre prédéterminé de fois et former une seconde couche sur le substrat.
Title: Substrate processing method, method for producing semiconductor device, program, and substrate processing device

Abstract: This substrate processing method comprises: (a) a step in which a first material, which includes a first element as a film-forming element, is supplied to a substate; (b) a step in which a second material, which includes a second element as a film-forming element, is supplied to the substate; (c) a step in which a third material, which includes a third element as a film-additive element, is supplied to the substrate; and (d) a step in which the steps (a), (b), and (c) are conducted a predetermined number of times to form a film comprising the first element, the second element, and the third element. The difference in electronegativity between the third element and the second element is greater than the difference in electronegativity between the first element and the second element.
Title: Procédé de traitement de substrat, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, programme et dispositif de traitement de substrat

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : (a) une étape dans laquelle un premier matériau, qui comprend un premier élément comme élément filmogène, est fourni à un substrat ; (b) une étape dans laquelle un deuxième matériau, qui comprend un deuxième élément comme élément filmogène, est fourni au substrat ; (c) une étape dans laquelle un troisième matériau, qui comprend un troisième élément comme élément additif de film, est fourni au substrat ; et (d) une étape dans laquelle les étapes (a), (b) et (c) sont effectuées un nombre prédéterminé de fois pour former un film comprenant le premier élément, le deuxième élément et le troisième élément. La différence d'électronégativité entre le troisième élément et le deuxième élément est supérieure à la différence d'électronégativité entre le premier élément et le deuxième élément.
Title: Gas supply method, method for manufacturing semiconductor device, program, gas supply system, and processing device

Abstract: Provided is a technology for supplying a raw material gas of a constant flow rate into a processing space. Provided is a technique comprising: (a) a step for supplying a raw material into a first tank; (b) a step for vaporizing the raw material; (c) a step for supplying, into a second tank, a raw material gas that has been obtained by vaporizing the raw material; and (d) a step for supplying the raw material gas from the second tank into a processing chamber. The time for the step (b) is set to a time during which the pressure in the first tank is maintained constant.
Title: Procédé d'alimentation en gaz, procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, programme, système d'alimentation en gaz et dispositif de traitement

Abstract: L'invention concerne une technologie permettant d'alimenter un gaz de matière première d'un débit constant dans un espace de traitement. L'invention concerne une technique comprenant : (a) une étape consistant à alimenter une matière première dans un premier réservoir ; (b) une étape consistant à vaporiser la matière première ; (c) une étape consistant à alimenter, dans un second réservoir, un gaz de matière première qui a été obtenu par vaporisation de la matière première ; et (d) une étape consistant à alimenter le gaz de matière première provenant du second réservoir dans une chambre de traitement. Le temps de l'étape (b) est défini à un temps pendant lequel la pression dans le premier réservoir est maintenue constante.
Title: Method for producing reduced iron and system for producing reduced iron

Abstract: Disclosed is a new technology capable of improving the average reduction rate of reduced iron when producing reduced iron using a shaft furnace. A method for producing reduced iron according to the present disclosure comprises feeding a raw material containing iron oxide into a shaft furnace, and feeding a reducing gas from each of a lateral wall and a central part of the shaft furnace, to reduce the iron oxide and obtain the reduced iron. The reducing gas mainly contains hydrogen gas. The temperature of the reducing gas fed from the central part of the shaft furnace is higher than the temperature of the reducing gas fed from the lateral wall of the shaft furnace.
Title: Procédé de production de fer réduit et système de production de fer réduit

Abstract: Est divulguée une nouvelle technologie pouvant améliorer le taux de réduction moyen de fer réduit lors de la production de fer réduit à l'aide d'un four à cuve. Un procédé de production de fer réduit selon la présente divulgation comprend l'introduction d'une matière première contenant de l'oxyde de fer dans un four à cuve et l'introduction d'un gaz réducteur à partir de chacune d'une paroi latérale et d'une partie centrale du four à cuve, pour réduire l'oxyde de fer et obtenir le fer réduit. Le gaz réducteur contient principalement de l'hydrogène gazeux. La température du gaz réducteur introduit à partir de la partie centrale du four à cuve est supérieure à la température du gaz réducteur introduit à partir de la paroi latérale du four à cuve.
Title: Pressure-sensitive adhesive sheet and method for using pressure-sensitive adhesive sheet

Abstract: The present invention addresses the problem of providing a pressure-sensitive adhesive sheet which can be made to exhibit pressure-sensitive adhesiveness with a desired timing by a non-contact operation without any operation involving physical contact, such as pressing, and which can retain this pressure-sensitive adhesiveness over a long period. The pressure-sensitive adhesive sheet comprises a substrate or a release material, a pressure-sensitive adhesive layer (α) formed thereon and including a pressure-sensitive adhesive resin, and a sacrificial layer (β) directly formed on the pressure-sensitive adhesive layer (α) and including a resin not having pressure-sensitive adhesiveness. The sacrificial layer (β) has a thermal decomposition temperature (T β ) which is lower than the thermal decomposition temperature (T α ) of the pressure-sensitive adhesive layer (α).
Title: Feuille adhésive sensible à la pression et procédé d'utilisation de feuille adhésive sensible à la pression

Abstract: La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une feuille adhésive sensible à la pression qui peut être amenée à présenter une adhésivité sensible à la pression avec un moment souhaité par une opération sans contact sans aucune opération impliquant un contact physique, tel qu'un pressage, et qui peut conserver cette adhésivité sensible à la pression sur une longue période. La feuille adhésive sensible à la pression comprend un substrat ou un matériau antiadhésif, une couche adhésive sensible à la pression (α) formée sur celui-ci et comprenant une résine adhésive sensible à la pression, et une couche sacrificielle (β) directement formée sur la couche adhésive sensible à la pression (α) et comprenant une résine ne présentant pas d'adhésivité sensible à la pression. La couche sacrificielle (β) présente une température de décomposition thermique (T β ) qui est inférieure à la température de décomposition thermique (T α ) de la couche adhésive sensible à la pression (α).
Title: Substrate processing method, semiconductor device production method, substrate processing device, and program

Abstract: The present invention includes a step (a) for performing, a prescribed number of times, a cycle that includes a step (a1) for supplying, under a prescribed condition, a first gas to a substrate having a recess on a surface thereof and forming a first substance containing a first element on the surface of the substrate, and forming a film of a prescribed substance containing the first element on the substrate. The prescribed condition satisfies a temperature condition that the temperature of the substrate is not less than the decomposition temperature of the first gas and a first condition that an opening adsorption amount, which is the adsorption amount of the first substance at the opening of the recess, increases in a first period after the start of supply of the first gas, the opening adsorption amount asymptotically approaches a prescribed value in a second period after the first period, and the opening adsorption amount increases in a third period after the second period. The step (a1) is terminated during the second period.
Title: Procédé de traitement de substrat, procédé de production de dispositif semi-conducteur, dispositif de traitement de substrat et programme

Abstract: La présente invention comprend une étape (a) pour effectuer, un nombre déterminé de fois, un cycle comprenant une étape (a1) pour fournir, dans une condition déterminée, un premier gaz à un substrat comportant un renfoncement dans une surface de celui-ci et former une première substance contenant un premier élément sur la surface du substrat, et former un film d'une substance déterminée contenant le premier élément sur le substrat. La condition déterminée respecte une condition de température selon laquelle la température du substrat n'est pas inférieure à la température de décomposition du premier gaz et une première condition selon laquelle une quantité d'adsorption d'ouverture, qui est la quantité d'adsorption de la première substance au niveau de l'ouverture du renfoncement, augmente dans une première période après le début de l'acheminement du premier gaz, la quantité d'adsorption d'ouverture se rapproche asymptotiquement d'une valeur déterminée dans une deuxième période après la première période, et la quantité d'adsorption d'ouverture augmente dans une troisième période après la deuxième période. L'étape (a1) est terminée pendant la deuxième période.
Title: Fluorene compound, production method therefor, and use thereof

Abstract: Provided is a fluorene compound represented by formula (1) (wherein Z 1 and Z 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon ring, A 1 and A 2 each independently represent an alkylene group, n1 and n2 each independently indicate an integer of 0 or larger, R 1 and R 2 each independently represent a hydrocarbon group, R 3 and R 4 each independently represent a substituent, m1 and m2 each independently indicate an integer of 0 or larger, R 5 represents a substituent, and k indicates an integer of 0-8). Use of the fluorene compound as an additive for a resin component can improve the fluidity of the resin component.
Title: Composé fluorène, son procédé de production et son utilisation

Abstract: La présente invention concerne un composé fluorène représenté par la formule (1) (dans laquelle Z 1 et Z 2 représentent chacun indépendamment un cycle hydrocarboné aromatique, A 1 et A 2 représentent chacun indépendamment un groupe alkylène, n1 et n2 indiquent chacun indépendamment un nombre entier supérieur ou égal à 0, R 1 et R 2 représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarboné, R 3 et R 4 représentent chacun indépendamment un substituant, m1 et m2 indiquent chacun indépendamment un nombre entier supérieur ou égal à 0, R 5 représente un substituant, et k indique un nombre entier de 0 à 8). L'utilisation du composé fluorène en tant qu'additif pour un composant de résine peut améliorer la fluidité du composant de résine.
Title: Method for producing bioethanol and apparatus for producing bioethanol

Abstract: This method for producing bioethanol involves: a carbonization step for carbonizing biomass to generate a carbonized material; a reforming gasification step for performing a mixed gasification reaction of the carbonized material with water vapor and carbon dioxide to generate a reforming gas containing hydrogen, carbon monoxide, methane, and carbon dioxide; an ethanol production step for bringing the reforming gas into contact with a C 2 -oxygenated catalyst and a hydrogenation catalyst to produce ethanol; and a mixing step for separating and recovering a metal-containing residue generated together with the reforming gas in the reforming gasification step from the reforming gas, and mixing the metal-containing residue with the biomass.
Title: Procédé de production de bioéthanol et appareil de production de bioéthanol

Abstract: L'invention concerne un procédé de production de bioéthanol comprenant : une étape de carbonisation consistant à carboniser de la biomasse afin de générer un matériau carbonisé ; une étape de gazéification de reformage consistant à effectuer une réaction de gazéification mixte du matériau carbonisé avec de la vapeur d'eau et du dioxyde de carbone afin de générer un gaz de reformage contenant de l'hydrogène, du monoxyde de carbone, du méthane et du dioxyde de carbone ; une étape de production d'éthanol consistant à amener le gaz de reformage en contact avec un catalyseur oxygéné en C 2 et un catalyseur d'hydrogénation pour produire de l'éthanol ; et une étape de mélange consistant à séparer et récupérer un résidu contenant du métal généré conjointement avec le gaz de reformage dans l'étape de gazéification de reformage à partir du gaz de reformage, et à mélanger le résidu contenant du métal avec la biomasse.