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Title: Polymère complexé, procédé de clivage de liaison de coordination de polymère complexé, et procédé de reformage de liaison de coordination de polymère complexé

Abstract: La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un polymère complexé où un échange de liaisons de réticulation ne se produit pas facilement. La solution à ce problème est un polymère complexé comprenant au moins une chaîne polymère et une pluralité de groupes fonctionnels contenant de l'azote liés à la chaîne polymère et capables de liaison de coordination, les groupes fonctionnels contenant de l'azote pouvant être liés par coordination formant chacun une liaison de coordination via au moins un ion métallique choisi dans le groupe constitué d'ions fer, d'ions zinc, d'ions cobalt et d'ions nickel, et le polymère complexé étant caractérisé en ce que le rapport molaire des ions métalliques aux groupes fonctionnels contenant de l'azote (ions métalliques/groupes fonctionnels contenant de l'azote) est supérieur ou égal à 1.
Title: Silicon member

Abstract: A silicon member is characterized by comprising a polycrystalline region, having a percentage of coincidence grain boundary in the crystal grain boundary of the polycrystalline region of 80% or greater, and having a recess depth from the surface of 0.5 μm or less. The percentage of the Σ3 grain boundary in the coincidence grain boundary is preferably 80% or greater. The percentage of the Σ9 grain boundary in the coincidence grain boundary is preferably from 3% to 20%. The percentage of random grain boundaries in the crystal grain boundary of the polycrystalline region is preferably 15% or less.
Title: Élément en silicium

Abstract: Un élément en silicium est caractérisé en ce qu'il comprend une région polycristalline, ayant un pourcentage de joint de grains de coïncidence dans le joint de grains cristallins de la région polycristalline supérieur ou égal à 80 %, et ayant une profondeur d'évidement par rapport à la surface inférieure ou égale à 0,5 µm. Le pourcentage du joint de grains Σ3 dans le joint de grains de coïncidence est de préférence supérieur ou égal à 80 %. Le pourcentage du joint de grains Σ9 dans le joint de grains de coïncidence est de préférence de 3 % à 20 %. Le pourcentage de joints de grains aléatoires dans le joint de grains cristallins de la région polycristalline est de préférence inférieur ou égal à 15 %.
Title: Gallium nitride sintered body and production method therefor

Abstract: This gallium nitride sintered body has a plate-like shape and has a main surface. The ratio of the diameter of the main surface with respect to the thickness of the gallium nitride sintered body is 20 or more. The thickness of the gallium nitride sintered body is 2 mm or less. The SORI value in the gallium nitride sintered body is 0.3 mm or less.
Title: Corps fritté de nitrure de gallium et son procédé de production

Abstract: Le corps fritté de nitrure de gallium selon l'invention a une forme de type plaque et a une surface principale. Le rapport du diamètre de la surface principale par rapport à l'épaisseur du corps fritté de nitrure de gallium est de 20 ou plus. L'épaisseur du corps fritté de nitrure de gallium est inférieure ou égale à 2 mm. La valeur SORI dans le corps fritté de nitrure de gallium est de 0,3 mm ou moins.
Title: Charge-transporting ink composition

Abstract: Provided is a charge-transporting ink composition for an upper layer of a quantum dot layer, the composition being configured such that: when used to form an upper layer of a quantum dot (QD) layer (light emission layer), the changes in the flatness of the film formed by inkjet deposition can be suppressed, such changes occurring due to the post-deposition time delay; practical charge-transporting properties can be maintained; and photoluminescence (PL) quenching of the quantum dot (QD) layer in the element obtained is not triggered. The composition contains a charge-transporting material and a solvent, where the solvent is a specific solvent having a Balaban index of 3.3 or lower and a molar refractive index of 65 or lower, and also having a boiling point of 180°C or higher.
Title: Composition d'encre de transport de charge

Abstract: L'invention concerne une composition d'encre de transport de charge pour une couche supérieure d'une couche de points quantiques, la composition étant conçue de telle sorte que : lorsqu'elle est utilisée pour former une couche supérieure d'une couche de points quantiques (QD) (couche d'émission de lumière), les changements de planéité du film formé par dépôt par jet d'encre peuvent être supprimés, de tels changements se produisant en raison du retard temporel de post-dépôt ; les propriétés pratiques de transport de charge peuvent être maintenues ; et l'extinction de la photoluminescence (PL) de la couche de points quantiques (QD) dans l'élément obtenu n'est pas déclenchée. La composition contient un matériau de transport de charge et un solvant, le solvant étant un solvant spécifique ayant un indice de Balaban de 3,3 ou moins et un indice de réfraction molaire de 65 ou moins, et ayant également un point d'ébullition de 180 °C ou plus.
Title: Direct-reduced iron production device and direct-reduced iron production method

Abstract: This direct-reduced iron production device comprises: a shaft furnace for producing direct-reduced iron using hydrogen gas; a dust removal device that removes dust from exhaust gas from the shaft furnace; a dehydration device that dehydrates the dust-removed exhaust gas to obtain a circulation gas; a hydrogen gas introduction device that introduces the hydrogen gas into the circulation gas to obtain an unheated gas containing the circulation gas and the hydrogen gas; a heating device that heats the unheated gas to obtain a reducing gas; and a hydrocarbon gas introduction device that introduces a hydrocarbon gas into at least one of the circulation gas, the unheated gas, and the reducing gas.
Title: Dispositif de production de fer de réduction directe et procédé de production de fer de réduction directe

Abstract: L'invention concerne un dispositif de production de fer de réduction directe comprenant : un four à cuve pour la production de fer de réduction directe à l'aide d'hydrogène gazeux; un dispositif d'élimination de poussière qui élimine la poussière des gaz d'échappement du four à cuve; un dispositif de déshydratation qui déshydrate le gaz d'échappement dépoussiéré afin d'obtenir un gaz de circulation; un dispositif d'introduction d'hydrogène gazeux qui introduit l'hydrogène gazeux dans le gaz de circulation afin d'obtenir un gaz non chauffé contenant le gaz de circulation et l'hydrogène gazeux; un dispositif de chauffage qui chauffe le gaz non chauffé afin d'obtenir un gaz réducteur; et un dispositif d'introduction de gaz hydrocarboné qui introduit un gaz hydrocarboné dans le gaz de circulation et/ou le gaz non chauffé et/ou le gaz réducteur.
Title: β-Ga2O3 EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING β-Ga2O3 EPITAXIAL WAFER

Abstract: The present invention improves crystallinity of a β-Ga 2 O 3 layer. This β-Ga 2 O 3 epitaxial wafer (1) is provided with a sapphire substrate (2), a buffer layer (3), and a β-Ga 2 O 3 layer (4). The sapphire substrate (2) has a first main surface (21), and a second main surface (22) that is on the reverse side from the first main surface (21). The buffer layer (3) is formed on the first main surface (21) of the sapphire substrate (2). The β-Ga 2 O 3 layer (4) is formed on the buffer layer (3). The first main surface (21) of the sapphire substrate (2) is an m-plane, an r-plane, a crystal plane that has an off angle of 30 degrees or less with respect to the m-plane, or a crystal plane that has an off angle of 30 degrees or less with respect to the r-plane. The buffer layer (3) contains O and at least one element that is selected from the group consisting of Ga, Al, and In.
Title: TRANCHE ÉPITAXIALE DE β-Ga2O3 ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE β-Ga2O3

Abstract: La présente invention améliore la cristallinité d'une couche β-Ga 2 O 3 . Cette tranche épitaxiale de β-Ga 2 O 3 est pourvue d'un substrat de saphir (2), d'une couche tampon (3) et d'une couche β-Ga 2 O 3 (4). Le substrat de saphir (2) a une première surface principale (21), et une seconde surface principale (22) qui est sur le côté opposé à la première surface principale (21). La couche tampon (3) est formée sur la première surface principale (21) du substrat de saphir (2). La couche β-Ga 2 O 3 (4) est formée sur la couche tampon (3). La première surface principale (21) du substrat de saphir (2) est un plan m, un plan r, un plan cristallin qui a un angle d'arrêt inférieur ou égal à 30 degrés par rapport au plan m, ou un plan cristallin qui a un angle d'arrêt inférieur ou égal à 30 degrés par rapport au plan r. La couche tampon (3) contient O et au moins un élément qui est choisi dans le groupe constitué par Ga, Al et In.
Title: Charge-transporting composition

Abstract: Provided is a charge-transporting composition for forming a charge-transporting thin film for an organic photoelectric conversion element, the charge-transporting composition being ideal for the formation of a charge-transporting thin film for a photoelectric conversion element. In particular, when used as the hole transport layer of an inverted perovskite solar cell, this composition enables large improvement in hole transport layer formability and film stability when the film is left to stand in atmosphere, while maintaining the photoelectric conversion efficiency (PCE) of the resulting element at a high level. The charge-transporting composition comprises a nickel oxide precursor, a polymer compound, and a solvent.
Title: Composition de transport de charges

Abstract: L'invention concerne une composition de transport de charges pour former un film mince de transport de charges destiné à un élément de conversion photoélectrique organique, la composition de transport de charges étant idéale pour la formation d'un film mince de transport de charges destiné à un élément de conversion photoélectrique. En particulier lorsqu'elle est utilisée en tant que couche de transport de trous d'une cellule solaire à pérovskite inversée, cette composition permet d'améliorer considérablement la capacité de formation de la couche de transport de trous et de la stabilité du film lorsque le film est laissé au repos dans l'atmosphère, et de maintenir à un niveau élevé l'efficacité de conversion photoélectrique (PCE) de l'élément résultant. La composition de transport de charges comprend un précurseur d'oxyde de nickel, un composé polymère et un solvant.
Title: Light control sheet, light control device, and method for producing light control sheet

Abstract: According to the present invention, a light control layer of a light control sheet includes: an acrylic resin layer which partitions a gap; and a liquid crystal composition which contains a liquid crystal compound, and with which the gap is filled. The acrylic resin layer is a polymer of a monofunctional alkyl acrylate that contains a saturated alkyl group having 2 to 8 carbon atoms and a polyfunctional acrylate, the glass transition temperature of the monofunctional alkyl acrylate is lower than the glass transition temperature of the polyfunctional acrylate and is 8°C or lower, and the mass of the monofunctional alkyl acrylate with respect to the mass of the polyfunctional acrylate is 11 mass% to 35 mass%.
Title: Feuille de commande de lumière, dispositif de commande de lumière et procédé de production de feuille de commande de lumière

Abstract: Selon la présente invention, une couche de commande de lumière d'une feuille de commande de lumière comprend : une couche de résine acrylique qui sépare un espace ; et une composition de cristaux liquides qui contient un composé de cristaux liquides, et avec laquelle l'espace est rempli. La couche de résine acrylique est un polymère d'un acrylate d'alkyle monofonctionnel qui contient un groupe alkyle saturé ayant de 2 à 8 atomes de carbone et un acrylate polyfonctionnel, la température de transition vitreuse de l'acrylate d'alkyle monofonctionnel est inférieure à la température de transition vitreuse de l'acrylate polyfonctionnel et est inférieure ou égale à 8°C, et la masse de l'acrylate d'alkyle monofonctionnel par rapport à la masse de l'acrylate polyfonctionnel est de 11% en masse à 35% en masse.
Title: Surface treatment agent, method for producing film-forming substrate, and film-forming substrate

Abstract: The present invention addresses the problem of providing: a surface treatment agent capable of sufficiently enhancing the coatability of a resin composition on both a metal surface and a resin surface when forming a film of the resin composition on a substrate surface; a method for producing the film-forming substrate; and a film-forming substrate. The present invention is a surface treatment agent or the like for treating a substrate surface including a metal surface and a resin surface, the surface treatment agent comprising 0.001 to 1.2 mass% of an amine compound that is at least one selected from the group consisting of an alkylamine having an alkyl group having 19-24 carbon atoms, an alkenyl amine having an alkenyl group having 18-22 carbon atoms, and a salt thereof.
Title: Agent de traitement de surface, procédé de production de substrat de formation de film et substrat de formation de film

Abstract: La présente invention aborde le problème consistant à fournir : un agent de traitement de surface capable d'améliorer suffisamment l'aptitude au revêtement d'une composition de résine à la fois sur une surface métallique et une surface de résine lors de la formation d'un film de la composition de résine sur une surface de substrat ; un procédé de production du substrat de formation de film ; et un substrat de formation de film. La présente invention concerne un agent de traitement de surface ou similaire pour traiter une surface de substrat comprenant une surface métallique et une surface de résine, l'agent de traitement de surface contenant entre 0,001 et 1,2 % en masse d'un composé amine qui est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par une alkylamine ayant un groupe alkyle ayant entre 19 et 24 atomes de carbone, une alcényle amine ayant un groupe alcényle ayant entre 18 et 22 atomes de carbone, et un sel de celui-ci.
Title: Non-aqueous carbon nanotube slurry and dispersion for positive electrode

Abstract: Provided are: a non-aqueous carbon nanotube slurry having favorable handleability; and a composition for providing a positive electrode having low electric resistance. Moreover, provided are: a carbon nanotube slurry characterized by comprising carbon nanotubes, a non-aqueous dispersant, and a non-aqueous polar solvent, wherein the content of alkaline earth metal ions is 5-2,000 ppm with respect to the carbon nanotubes; and a dispersion for a positive electrode, the dispersion being obtained by adding a positive electrode active material, carbon black, graphite, and a binding material to the carbon nanotube slurry.
Title: Dispersion et suspension de nanotubes de carbone non aqueux pour électrode positive

Abstract: L'invention concerne : une suspension de nanotubes de carbone non aqueux ayant une maniabilité favorable ; et une composition permettant de fournir une électrode positive ayant une faible résistance électrique. De plus, l'invention concerne : une suspension de nanotubes de carbone caractérisée en ce qu'elle comprend des nanotubes de carbone, un dispersant non aqueux et un solvant polaire non aqueux, la teneur en ions de métal alcalino-terreux étant comprise entre 5 et 2 000 ppm par rapport aux nanotubes de carbone ; et une dispersion pour une électrode positive, la dispersion étant obtenue par ajout d'un matériau actif d'électrode positive, de noir de carbone, de graphite et d'un matériau de liaison à la suspension de nanotubes de carbone.
Title: Method for predicting onset and/or assessing risk of esophageal cancer, pharyngeal cancer, or oral cancer, and kit for predicting onset and/or assessing risk of esophageal cancer, pharyngeal cancer, or oral cancer

Abstract: The present invention provides a method with which it is possible to objectively and accurately assess the risk of onset of esophageal cancer, pharyngeal cancer, and/or oral cancer, non-invasively and with little burden on the subject, and an onset prediction model having high accuracy for these cancers. The purpose of the present invention is also to provide a kit that can be used in the assessment method and the onset prediction model. The present invention is a method for predicting the onset and/or assessing the risk of esophageal cancer, pharyngeal cancer, or oral cancer in a subject, the method being characterized by comprising (A) a step for identifying a mutation in at least one gene selected from the group consisting of CHEK2, TP53, NOTCH 1, CDKN2A, NOTCH2, FAT1, PPM1D, AJUBA, ARID1A, ZFP36L2, ZNF750, and CUL3 in a nucleic acid specimen extracted from a biological sample derived from the oral mucosa of the subject and (B) a step for calculating and scoring the total (Sum of VAFs) allele frequency (VAF) and/or the total mutations (Number of mutations) of the mutation identified in step (A).
Title: Procédé de prédiction de l'apparition et/ou de l'évaluation du risque de cancer de l'œsophage, de cancer du pharynx ou de cancer buccal, et kit de prédiction de l'apparition et/ou de l'évaluation du risque de cancer de l'œsophage, de cancer du pharynx ou de cancer buccal

Abstract: La présente invention concerne un procédé avec lequel il est possible d'évaluer objectivement et avec précision le risque d'apparition d'un cancer de l'œsophage, d'un cancer du pharynx et/ou d'un cancer buccal, de manière non invasive et avec peu de contrainte pour le sujet, et un modèle de prédiction d'apparition présentant une précision élevée concernant lesdits cancers. Le but de la présente invention est également de fournir un kit qui peut être utilisé dans le procédé d'évaluation et le modèle de prédiction d'apparition. La présente invention concerne un procédé de prédiction de l'apparition et/ou de l'évaluation du risque de cancer de l'œsophage, de cancer du pharynx ou de cancer buccal chez un sujet, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend (A) une étape d'identification d'une mutation dans au moins un gène choisi dans le groupe constitué par CHEK2, TP53, NOTCH1, CDKN2A, NOTCH2, FAT1, PPM1D, AJUBA, ARID1A, ZFP36L2, ZNF750 et CUL3 dans un échantillon d'acide nucléique extrait d'un échantillon biologique dérivé de la muqueuse buccale du sujet et (B) une étape de calcul et de notation de la fréquence allélique (VAF) totale (somme de VAF) et/ou des mutations totales (nombre de mutations) de la mutation identifiée à l'étape (A).
Title: Tablet-shaped epoxy resin molding material, columnar tablet, and method for producing columnar tablet

Abstract: A tablet-shaped epoxy resin molding material according to the present invention contains an epoxy resin and a fibrous or acicular filler. The cross-sectional area is 3 cm2 to 100 cm2. The compression ratio calculated from [(M/G)/V]×100, where G is the specific gravity, M (g) is the mass, and V (cm3) is the volume, as measured in accordance with JIS 6911:2006, in the tablet-shaped epoxy resin molding material, satisfies 70-95%.
Title: Matériau de moulage de résine époxy en forme de comprimé, comprimé colonnaire et procédé de production de comprimé colonnaire

Abstract: Un matériau de moulage de résine époxy en forme de comprimé selon la présente invention contient une résine époxy et une charge fibreuse ou aciculaire. La surface de section transversale est de 3 cm 2 à 100 cm 2 . Le taux de compression calculé par [(M/G)/V] × 100, où G est la densité relative, M (g) est la masse, et V (cm 3 ) est le volume, tel que mesuré conformément à JIS 6911:2006, dans le matériau de moulage de résine époxy en forme de comprimé, satisfait 70 à 95 %.
Title: Method for producing imidic acid or imidic acid salt

Abstract: This method for producing an imidic acid represented by general formula [1] or an imidic acid salt has a reaction step in which a phosphoryl isocyanate represented by general formula [2] and a compound represented by general formula [3] are reacted with each other, and a basic compound is present during the reaction step and/or after the reaction step.
Title: Procédé de production d'acide imidique ou de sel d'acide imidique

Abstract: Ce procédé de production d'un acide imidique représenté par la formule générale [1] ou d'un sel d'acide imidique comprend une étape de réaction lors de laquelle un isocyanate de phosphoryle représenté par la formule générale [2] et un composé représenté par la formule générale [3] sont mis à réagir l'un avec l'autre, et un composé basique est présent pendant l'étape de réaction et/ou après l'étape de réaction.
Title: Porous silica doped with multiple types of metals and containing high copper content

Abstract: The present invention addresses the problem of providing a porous silica exhibiting an excellent deodorizing effect with respect to sulfur-containing odors. As a means for solving said problem, the porous silica according to the present invention is doped with multiple types of metals including copper, and has a copper content of 10 wt% or more. Examples of the metals, besides copper, that the porous silica is doped with include iron, aluminum, etc.
Title: Silice poreuse dopée avec de multiples types de métaux et contenant une teneur élevée en cuivre

Abstract: La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une silice poreuse présentant un excellent effet désodorisant par rapport aux odeurs contenant du soufre. En tant que moyen pour résoudre ledit problème, la silice poreuse selon la présente invention est dopée avec de multiples types de métaux comprenant du cuivre, et présente une teneur en cuivre de 10 % en poids ou plus. Des exemples des métaux, en plus du cuivre, avec lesquels la silice poreuse est dopée incluent du fer, de l'aluminium, etc.
Title: Foam fire extinguishing agent

Abstract: The present invention provides a foam fire extinguishing agent that does not contain a fluorine compound and exhibits sufficient fire extinguishing capacity against a water-soluble fuel fire. This foam fire extinguishing agent is characterized by containing: a mother liquid that does not contain an organic fluorine compound, but contains water, a hydrocarbon-based surfactant, and a water-soluble polymer; and a divalent metal salt.
Title: Agent d'extinction d'incendie en mousse

Abstract: La présente invention propose un agent d'extinction d'incendie en mousse qui ne contient pas de composé fluoré et présente une capacité d'extinction d'incendie suffisante contre un incendie combustible soluble dans l'eau. Cet agent d'extinction d'incendie en mousse est caractérisé en ce qu'il contient : un liquide mère qui ne contient pas de composé fluoré organique, mais contient de l'eau, un tensioactif hydrocarboné et un polymère soluble dans l'eau ; et un sel métallique divalent.
Title: Foam fire extinguishing agent

Abstract: Provided is a foam fire extinguishing agent that does not contain a fluorine compound and that exhibits sufficient fire extinguishing capacity against a water-soluble fuel fire. This non-fluorine-based foam fire extinguishing agent for water-soluble fuels is characterized by not containing an organic fluorine compound, but containing water, a hydrocarbon-based surfactant, a water-soluble polymer, a divalent metal salt, and an anionic surfactant.
Title: Agent d'extinction d'incendie en mousse

Abstract: L'invention concerne un agent d'extinction d'incendie en mousse qui ne contient pas de composé fluoré et qui présente une capacité d'extinction d'incendie suffisante contre un incendie à combustibles solubles dans l'eau. Cet agent d'extinction d'incendie en mousse non fluoré pour combustibles solubles dans l'eau est caractérisé en ce qu'il ne contient pas de composé fluoré organique, mais contient de l'eau, un tensioactif hydrocarboné, un polymère soluble dans l'eau, un sel métallique divalent et un tensioactif anionique.