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Title: Élément en matériau dur, insert de coupe, outil de coupe et procédé de fabrication de pièce ouvrée découpée

Abstract: L'invention concerne un élément en matériau dur comprenant un corps de base incluant une phase dure et une phase liante. La phase dure contient du carbure de tungstène et de l'azote. La phase liante contient de l'azote et au moins un élément du groupe fer choisi dans le groupe constitué par le fer, le cobalt et le nickel. Le corps de base a une portion extérieure dans une plage allant jusqu'à 1 mm à partir de la surface, et une portion intérieure positionnée à l'intérieur de la portion extérieure dans la direction de la profondeur à partir de la surface. La phase dure contient une pluralité de particules de phase dure. La pluralité de particules de phase dure comprend : une pluralité de premières particules ayant des défauts cristallins s'étendant selon un motif de type maille, le rapport de surface de la région dans laquelle les défauts cristallins s'étendent dans une section transversale étant égal ou supérieur à 50 (%) ; et une pluralité de deuxièmes particules ayant des défauts cristallins, le rapport de surface de la région dans laquelle les défauts cristallins s'étendent dans une section transversale étant inférieur à 50 (%). Le nombre des premières particules par unité de surface dans la portion extérieure est supérieur au nombre des premières particules par unité de surface dans la portion intérieure.
Title: Solid electrolyte, ion conductor, sheet, electrode, separator, and power storage device

Abstract: Provided are a solid electrolyte (19) capable of reducing interface resistance, an ion conductor (10), a sheet (15), an electrode (12), a separator (25), and a power storage device (11). The solid electrolyte has a garnet-type crystal structure containing Li, La, Zr, and O. In X-ray photoelectron spectroscopy, a second intensity is greater than a first intensity, and a fourth intensity is less than a third intensity, where the first intensity is the area intensity of a first peak corresponding to a Li-O bond in an O1s spectrum detected via irradiation with monochromatized AlKα rays, the second intensity is the area intensity of a peak present at a position where the binding energy is greater than the binding energy of the first peak, the third intensity is the area intensity of a third peak corresponding to the Li-O bond in the O1s spectrum detected via irradiation with monochromatized CrKα rays, and the fourth intensity is the area intensity of a peak present at a position where the binding energy is greater than the binding energy of the third peak.
Title: Électrolyte solide, conducteur ionique, feuille, électrode, séparateur et dispositif de stockage d'énergie

Abstract: L'invention concerne un électrolyte solide (19) capable de réduire la résistance interfaciale, un conducteur ionique(10), une feuille (15), une électrode (12), un séparateur (25) et un dispositif de stockage d'énergie (11). L'électrolyte solide a une structure cristalline de type grenat contenant du Li, du La, du Zr et de l'O. Dans une spectroscopie photoélectronique à rayons X, une deuxième intensité est supérieure à une première intensité, et une quatrième intensité est inférieure à une troisième intensité, la première intensité étant l'intensité de surface d'un premier pic correspondant à une liaison Li-O dans un spectre O1s détecté par irradiation avec des rayons AlKα monochromatisés, la deuxième intensité étant l'intensité de surface d'un pic présent à une position à laquelle l'énergie de liaison est supérieure à l'énergie de liaison du premier pic, la troisième intensité étant l'intensité de surface d'un troisième pic correspondant à la liaison Li-O dans le spectre O1s détecté par irradiation avec des rayons CrKα monochromatisés, et la quatrième intensité étant l'intensité de surface d'un pic présent à une position à laquelle l'énergie de liaison est supérieure à l'énergie de liaison du troisième pic.
Title: Polyphenylene sulfide resin composition for waveguide antenna, molded article for waveguide antenna, and waveguide antenna

Abstract: The present invention addresses the problem of providing: a molded article for a waveguide antenna, the molded article having excellent dimensional stability and low warpage, and having excellent coating processability and adhesion to a metal thin film; and a waveguide antenna comprising the molded article. In order to solve the problem, provided is a polyphenylene sulfide resin composition which is for a waveguide antenna and which contains 60-200 parts by weight of a fibrous filler and 0.1-120 parts by weight of a non-fibrous filler with respect to 100 parts by weight of a polyphenylene sulfide resin, the composition being characterized in that a linear expansion coefficient (LEC(MD)) in the MD direction and a linear expansion coefficient (LEC(TD)) in the TD direction are each at most 25 ppm/K, and the ratio (LEC(MD)/LEC(TD)) of LEC (MD) to LEC (TD) is 0.8-1.1.
Title: Composition de résine de sulfure de polyphénylène pour antenne à guide d'ondes, article moulé pour antenne à guide d'ondes et antenne à guide d'ondes

Abstract: La présente invention vise à fournir : un article moulé pour une antenne à guide d'ondes, l'article moulé ayant une excellente stabilité dimensionnelle et un faible gauchissement, ainsi qu'une excellente aptitude au revêtement et une excellente adhérence à un film métallique mince ; et une antenne à guide d'ondes comprenant l'article moulé. L'invention concerne une composition de résine de sulfure de polyphénylène destinée à une antenne à guide d'ondes et contenant 60 à 200 parties en poids d'une charge fibreuse et 0,1 à 120 parties en poids d'une charge non fibreuse pour 100 parties en poids de résine de sulfure de polyphénylène, la composition étant caractérisée en ce que le coefficient de dilatation linéaire (LEC(MD)) dans la direction MD et le coefficient de dilatation linéaire (LEC(TD)) dans la direction TD sont chacun au plus de 25 ppm/K, et le rapport (LEC(MD)/LEC(TD)) entre LEC (MD) et LEC (TD) est de 0,8 à 1,1.
Title: Elastomer composition, elastomer sheet, composite sheet, and stretchable member

Abstract: Provided is an elastomer composition for forming an elastomer sheet constituting a composite sheet comprising a substrate and an elastomer sheet laminated on the substrate, wherein: the composite sheet is obtained by bonding the elastomer sheet to the substrate while the elastomer sheet is being stretched by 5-50%; the tensile elongation of the composite sheet is at most 20% when a tensile test is performed under conditions of a load of 2.5 N, a specimen width of 50 mm, and a temperature of 23 °C in the extension direction during bonding; and the elastomer composition contains 15-100 wt% of a polyolefin-based elastomer and 0-85 wt% of an aromatic vinyl-based block copolymer, the polyolefin-based elastomer having a Shore A hardness of 40-75, and the aromatic vinyl monomer unit content of the aromatic vinyl-based block copolymer being 8-25 wt%.
Title: Composition élastomère, feuille élastomère, feuille composite et élément étirable

Abstract: L'invention concerne une composition élastomère pour former une feuille élastomère constituant une feuille composite comprenant un substrat et une feuille élastomère stratifiée sur le substrat, la feuille composite étant obtenue par liaison de la feuille élastomère au substrat tandis que la feuille élastomère est étirée de 5 à 50 % ; l'allongement à la traction de la feuille composite est inférieure ou égale à 20 % lorsqu'un essai de traction est effectué dans des conditions de charge de 2,5 N, une largeur d'échantillon de 50 mm, et une température de 23 °C dans la direction d'extension pendant la liaison ; et la composition élastomère contient de 15 à 100 % en poids d'un élastomère à base de polyoléfine et de 0 à 85 % en poids d'un copolymère séquencé à base de vinyle aromatique, l'élastomère à base de polyoléfine ayant une dureté Shore A de 40 à 75, et la teneur en motif monomère vinylique aromatique du copolymère séquencé à base de vinyle aromatique étant de 8 à 25 % en poids.
Title: Resin composition, adhesive film, laminate, and printed wiring board

Abstract: To provide a resin composition having heat resistance, good ability to embed into concavities and convexities of a wiring board, and flame retardancy. To provide an adhesive film containing the resin composition, a laminate including the adhesive film and a substrate, and a printed wiring board including the laminate. The resin composition contains: a crosslinked polyester resin (C) having a structure in which a side chain carboxy group of a polyester resin (A) having a carboxy group in a side chain has been crosslinked by an epoxy crosslinking agent (B) that includes an epoxy compound (b1) having two epoxy groups and no tertiary amino groups in the molecule and an epoxy-amine compound (b2) having two or more epoxy groups and one or more tertiary amino groups in the molecule; a transesterification catalyst (D); and a flame retardant (E).
Title: Composition de résine, film adhésif, stratifié et carte de circuit imprimé

Abstract: L'invention vise à fournir une composition de résine ayant une résistance à la chaleur, une bonne capacité à être incorporée dans des concavités et des convexités d'une carte circuit imprimé, et une ininflammabilité. L'invention vise à fournir un film adhésif contenant la composition de résine, un stratifié comprenant le film adhésif et un substrat, et une carte de circuit imprimé comprenant le stratifié. La composition de résine contient : une résine de polyester réticulée (C) ayant une structure dans laquelle un groupe carboxyle à chaîne latérale d'une résine de polyester (A) ayant un groupe carboxyle dans une chaîne latérale a été réticulé par un agent de réticulation époxyde (B) qui comprend un composé époxyde (b1) ayant deux groupes époxydes et aucun groupe amino tertiaire dans la molécule et un composé époxy-amine (b2) ayant deux groupes époxydes ou plus et un ou plusieurs groupes amino tertiaires dans la molécule ; un catalyseur de transestérification (D) ; et un ignifugeant (E).
Title: Regeneration method for hydrogen generation device and manufacturing method for hydrogen generation device

Abstract: This hydrogen generation device (100) comprises: a heating unit (120); an evaporation unit (121) that heats water and raw material gas by heat from the heating unit (120); a reforming unit (122) that has a reforming catalyst and generates reformed gas containing hydrogen by reacting steam and the raw material gas from the evaporation unit (121); and a CO reduction unit (123) that has a CO reduction catalyst and reduces the concentration of carbon monoxide contained in the reformed gas. In the catalyst reduction step, reducing gas is supplied to the evaporation unit (121) to cause the reducing gas heated by heat from the heating unit (120) to flow to the reforming unit (122) and the CO reduction unit (123) (step S1), and water is supplied to the evaporation unit (121) to cause steam generated from water by heat from the heating unit (120) to flow to the reforming unit (122) and the CO reduction unit (123) (step S3).
Title: Procédé de régénération pour un dispositif de production d'hydrogène et procédé de fabrication d'un dispositif de production d'hydrogène

Abstract: La présente invention concerne un dispositif de production d'hydrogène (100) qui comprend : une unité de chauffage (120) ; une unité d'évaporation (121) qui chauffe l'eau et le gaz de matière première par la chaleur provenant de l'unité de chauffage (120) ; une unité de reformage (122) qui comporte un catalyseur de reformage et qui produit un gaz reformé contenant de l'hydrogène par réaction de vapeur et du gaz de matière première provenant de l'unité d'évaporation (121) ; et une unité de réduction de CO (123) qui comporte un catalyseur de réduction de CO et qui réduit la concentration de monoxyde de carbone contenu dans le gaz reformé. Dans l'étape de réduction catalytique, un gaz réducteur est fourni à l'unité d'évaporation (121) pour amener le gaz réducteur chauffé par la chaleur provenant de l'unité de chauffage (120) à circuler vers l'unité de reformage (122) et l'unité de réduction de CO (123) (étape S1), et de l'eau est fournie à l'unité d'évaporation (121) pour amener la vapeur produite à partir de l'eau par la chaleur provenant de l'unité de chauffage (120) à circuler vers l'unité de reformage (122) et l'unité de réduction de CO (123) (étape S3).
Title: Laminate for thermoforming, and article including said laminate

Abstract: The present invention provides: a laminate for thermoforming which is capable of imparting excellent surface hardness and IPA crack resistance; and an article including the laminate. A laminate for thermoforming according to the present disclosure sequentially includes a first polycarbonate resin layer, a second polycarbonate resin layer, and a curable hard coat precursor layer. The ratio of a constituent unit of formula 1 in the first polycarbonate resin contained in the first polycarbonate resin layer is 70 mol% or more, and the ratio of a constituent unit of formula 2 in the second polycarbonate resin contained in the second polycarbonate resin layer is 50 mol% or more. In formula 2, W represents a single bond, an alkylene group having 1-6 carbon atoms, an arylene group having 6-10 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3-8 carbon atoms.
Title: Stratifié pour thermoformage et article comprenant ledit stratifié

Abstract: La présente invention concerne : un stratifié pour thermoformage qui est susceptible de conférer une excellente dureté de surface et une excellente résistance à la fissuration d'IPA ; et un article comprenant le stratifié. Un stratifié pour thermoformage selon la présente divulgation comprend successivement une première couche de résine de polycarbonate, une seconde couche de résine de polycarbonate et une couche de précurseur de revêtement dur durcissable. La proportion d'un motif constitutif de formule 1 dans la première résine de polycarbonate contenue dans la première couche de résine de polycarbonate est supérieure ou égale à 70 % en moles, et la proportion d'un motif constitutif de formule 2 dans la seconde résine de polycarbonate contenue dans la seconde couche de résine de polycarbonate est supérieure ou égale à 50 % en moles. Dans la formule 2, W représente une liaison simple, un groupe alkylène ayant de 1 à 6 atomes de carbone, un groupe arylène ayant de 6 à 10 atomes de carbone ou un groupe alkylène cyclique ayant de 3 à 8 atomes de carbone.
Title: Film formation method

Abstract: This film formation method includes forming a pattern of a desired film containing a first element X1 on a substrate. The film formation method includes: forming an inhibition film containing boron on the substrate, which inhibits the formation of the desired film; forming a recess that penetrates the inhibition film at places of the inhibition film; using the remainder of the inhibition film to form a pattern of the desired film on the substrate; and removing the inhibition film that remains after forming the desired film. The first element X1 is a transition metal element, Al, Ga, In, or Sn. The formation of the desired film includes supplying, to the substrate, the following: a raw material gas containing the first element X1 and a halogen; and a reaction gas that reacts with the adsorbate of the raw material gas.
Title: Procédé de formation de film

Abstract: Ce procédé de formation de film consiste à former un motif d'un film souhaité contenant un premier élément X1 sur un substrat. Le procédé de formation de film consiste à : former un film d'inhibition contenant du bore sur le substrat, qui inhibe la formation du film souhaité ; former un évidement qui pénètre dans le film d'inhibition à des emplacements du film d'inhibition ; utiliser le reste du film d'inhibition pour former un motif du film souhaité sur le substrat ; et retirer le film d'inhibition qui reste après la formation du film souhaité. Le premier élément X1 est un élément de métal de transition, Al, Ga, In ou Sn. La formation du film souhaité consister à fournir au substrat les éléments suivants : un gaz de matière première contenant le premier élément X1 et un halogène ; et un gaz de réaction qui réagit avec l'adsorbat du gaz de matière première.
Title: Aqueous urethane resin composition and synthetic leather

Abstract: The present invention provides an aqueous urethane resin composition which contains a urethane resin (A) and an aqueous medium (B), said composition being characterized in that: the urethane resin (A) contains a polyol compound (a1) that contains a polycarbonate polyol (a1-1) and a polyisocyanate compound (a2) as essential reaction starting materials; the polycarbonate polyol (a1-1) contains a polycarbonate polyol that contains a diol compound having 2-4 carbon atoms as an essential starting material; and the amount of the diol compound having 2-4 carbon atoms used therefor is in the range of 10-90 mol% in the starting material diol compound of the polycarbonate polyol (a1-1). This aqueous urethane resin composition exhibits excellent chemical resistance and low-temperature bendability.
Title: Composition aqueuse de résine d'uréthane et cuir synthétique

Abstract: La présente invention concerne une composition aqueuse de résine d'uréthane qui contient une résine d'uréthane (A) et un milieu aqueux (B), ladite composition étant caractérisée en ce que : la résine d'uréthane (A) contient un composé polyol (a1) qui contient un polycarbonate polyol (a1-1) et un composé polyisocyanate (a2) en tant que matières premières de réaction essentielles ; le polycarbonate polyol (a1-1) contient un polycarbonate polyol qui contient un composé diol ayant 2 à 4 atomes de carbone en tant que matériau de départ essentiel ; et la quantité du composé diol ayant 2 à 4 atomes de carbone utilisé à cet effet est dans la plage allant de 10 à 90 % en moles dans le composé diol de matériau de départ du polycarbonate polyol (a1-1). Ladite composition aqueuse de résine d'uréthane présente une excellente résistance chimique et une excellente aptitude au pliage à basse température.
Title: Semiconductor processing liquid and method for manufacturing semiconductor device

Abstract: The present invention addresses the problem of providing a semiconductor processing liquid in which dissolution of cobalt is suppressed, and occurrence of defects after processing a silicon substrate and then further performing water rinse processing is suppressed. A semiconductor processing liquid according to the present invention comprises water, an organic solvent, an anticorrosive, a chelating agent, and a basic compound, and does not comprise either hydroxylamine or a salt thereof, wherein the basic compound is a basic inorganic compound or a basic organic compound having a molecular weight of 150 or less and having at least one group selected from the group consisting of -NH 2 , -NHR N , -NR N 2 , and -N + R N 3 X - , and the content of the organic solvent is 0.1-9.5 mass% with respect to the total mass of the semiconductor processing liquid.
Title: Liquide de traitement de semi-conducteur et procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur

Abstract: La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un liquide de traitement de semi-conducteur dans lequel la dissolution du cobalt est supprimée, et l'apparition de défauts après le traitement d'un substrat de silicium, puis la réalisation supplémentaire d'un traitement de rinçage à l'eau est supprimée. Un liquide de traitement de semi-conducteur selon la présente invention comprend de l'eau, un solvant organique, un anticorrosion, un agent chélatant et un composé basique, et ne comprend ni hydroxylamine ni sel de celle-ci, le composé basique étant un composé inorganique basique ou un composé organique basique ayant un poids moléculaire de 150 ou moins et ayant au moins un groupe choisi dans le groupe constitué par -NH 2 , -NHR N , -NR N 2 , and -N + R N 3 X - , et la teneur du solvant organique est de 0,1 à 9,5 % en masse par rapport à la masse totale du liquide de traitement semi-conducteur.
Title: Method for producing higher silanes

Abstract: To provide a method for producing higher silanes that has high selectivity for disilanes even when a lower silane and a catalyst are reacted for a long time. The present invention includes a method for producing higher silanes in which a porous oxide and a lower silane are brought into contact to convert the lower silane into a higher silane having more silicon atoms, wherein the higher silanes include disilanes, the estimated reaction time is from more than 200 hours to 10,000 hours, the temperature at which the porous oxide and lower silane are brought into contact is 100-400°C, and the retention time represented by formula (1) is from 5 seconds to less than 80 seconds. Retention time [sec] = amount of porous oxide [L] × ((pressure [MPaG] + 0.101325)/0.101325) × (273.15/(temperature [°C] + 273.15)) × (3600/amount of gas supplied [NL/h]) … (1) (In formula (1), the amount of porous oxide represents the amount of porous oxide brought into contact with the lower silane, the pressure and temperature each represent the pressure and temperature at which the porous oxide and lower silane are brought into contact, and the amount of gas supplied is the amount of raw material gas containing the lower silane supplied per unit time during contact with the porous oxide.)
Title: Procédé de production de silanes supérieurs

Abstract: Fournir un procédé de production de silanes supérieurs qui présente une sélectivité élevée pour des disilanes même lorsqu'un silane inférieur et un catalyseur sont mis en réaction pendant une longue période. La présente invention comprend un procédé de production de silanes supérieurs dans lesquels un oxyde poreux et un silane inférieur sont mis en contact pour convertir le silane inférieur en un silane supérieur présentant plus d'atomes de silicium, les silanes supérieurs comprenant des disilanes, le temps de réaction estimé étant de plus de 200 heures à 10 000 heures, la température à laquelle l'oxyde poreux et le silane inférieur sont mis en contact étant de 100 à 400 °C, le temps de rétention représenté par la formule (1) étant de 5 secondes à moins de 80 secondes. Temps de rétention [s] = quantité d'oxyde poreux [L] x ((pression [MPaG] + 0,101325)/0,101325) × (273,15/(température [°C] + 273,15)) × (3 600/quantité de gaz fourni [NL/h]) … (1) (Dans la formule (1), la quantité d'oxyde poreux représente la quantité d'oxyde poreux mise en contact avec le silane inférieur, la pression et la température représentent chacune la pression et la température auxquelles l'oxyde poreux et le silane inférieur sont mis en contact, et la quantité de gaz fourni est la quantité de matière première gazeuse contenant le silane inférieur fourni par unité de temps pendant le contact avec l'oxyde poreux.)