С начала 2000-х головки на основе эффекта ГМС стали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта (в них изменение магнитного поля приводит к изменению сопротивления в зависимости от изменения напряжённости магнитного поля; подобные головки позволяют увеличить вероятность достоверности считывания информации, особенно при больших плотностях записи информации). В 2007 году устройства на основе туннельного магниторезистивного эффекта с оксидом магния (эффект открыт в 2005) полностью заменили устройства на основе эффекта ГМС.

Вопрос: На какие устройства в 2007 году заменили устройства на основе туннельного магниторезистивного эффекта с оксидом магния?
Ответ: Головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта с оксидом магния полностью заменили устройства на основе эффекта ГМС в 2007 году.

Вопрос: Когда был открыт туннельный магниторезистивный эффект с оксидом магния?
Ответ: Туннельный магниторезистивный эффект с оксидом магния был открыт в 2005 году.

Вопрос: В каком году был открыт туннельный магниторезистивный эффект с оксидом магния?
Ответ: Туннельный магниторезистивный эффект с оксидом магния был открыт в 2005 году.

Вопрос: На какие головки в начале 2000-х стали менять головки на основе эффекта ГМС?
Ответ: С начала 2000-х головки на основе эффекта ГМС стали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта.

Вопрос: Что увеличивают головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта?
Ответ: Головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта увеличивают вероятность достоверности считывания информации.

Вопрос: Когда головки на основе эффекта ГМС стали менять на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта?
Ответ: С начала 2000-х годов головки на основе эффекта ГМС стали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта.

Вопрос: Когда начали заменяться головки на основе эффекта ГМС?
Ответ: С начала 2000-х годов головки на основе эффекта ГМС начали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта.

Вопрос: Чем заменялись головки на основе эффекта ГМС?
Ответ: Головки на основе эффекта ГМС заменялись головками на основе туннельного магниторезистивного эффекта.

Вопрос: С какого времени головки на основе эффекта ГМС стали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта?
Ответ: С начала 2000-х головки на основе эффекта ГМС стали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта.

Вопрос: Когда был открыт магниторезистивный эффект?
Ответ: Магниторезистивный эффект был открыт в 2005 году.

Вопрос: В каком году был взят войсками воеводы М. Б. Шеина Дорогобуж?
Ответ: Нет информации

Вопрос: Что позволяют увеличить головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта?
Ответ: Головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта позволяют увеличить вероятность достоверности считывания информации, особенно при больших плотностях записи информации.

Вопрос: В каком году произошла замена устройств на основе туннельного магниторезистивного эффекта с оксидом магния устройствами на основе эффекта ГМС?
Ответ: В 2007 году устройства на основе туннельного магниторезистивного эффекта с оксидом магния, эффект открыт в 2005, полностью заменили устройства на основе эффекта ГМС.

Вопрос: На какие головки с начала 2000-х стали заменяться головки на основе эффекта ГМС?
Ответ: Головки на основе эффекта ГМС с начала 2000-х стали заменяться на головки на основе туннельного магниторезистивного эффекта.

Вопрос: Когда головки на основе эффекта ГМС были полностью заменены?
Ответ: Головки на основе эффекта ГМС были полностью заменены в 2007 году.