LexiconShiftInnovations/SinhalaWikipediaArticles huggingface dataset:
න් සිදු කෙරේ.[22]තාප සන්නායකලෝහ වැනි බොහෝ තාප සන්නායක ද්‍රව්‍ය විද්‍යුත් සන්නයකද වේ. නමුත් පිරිසිඳු කෘතිම දියමන්ති ඉතා ඉහළ තාප  සන්නායක වනමුත් නොසැලකියහැකි තරම් කුඩා විද්‍යුත් සන්නායකතාවක් දරයි. දියමන්ති සතු මෙම ගුණාංග දෙකෙහි සුසංයෝගය,විද්‍යුත් යෙදුම් සඳහා බොහෝ සෙයින් උපකාරීවේ. එමනිසා මේවා අධි ශක්ති ලේසර ඩයෝඩ හා  ට්‍රාන්සිස්ටර සඳහා තාප අවශෝෂක ලෙස බහුලව යොදාගනී. දියමන්ති කාර්යක්‍ෂම ලෙස තාපය අවශෝෂණය කරගැනීම නිසා මිලාධික මෙම උපකරණ වල  ආයුකාලය දිගුකරගැනීමට මෙමගින් හැකියාව ලැබේ. දියමන්ති සඳහා වන වියදමද අධික මුත් එම යන්ත්‍ර යලි ස්ථාපනය කිරීම ඊටත් වඩා වියදම් අධිකය.තවද අර්ධසන්නයක අධික රත්විමෙන් ආරක්ෂා කිරීමටද දියමන්ති යොදාගනී.[23][24]ප්‍රකාශ ද්‍රව්‍ය ලෙසදැඩිබව, රසායනිකව නිෂ්ක්‍රියව හැසිරීම , ඉහළ තාප සන්නායකතාව හා තාප ප්‍රසාරණය ඉතා කුඩාවීම වැනි ගුණාංග හේතුකොටගෙන අධෝරක්ත සහ ක්ෂුද්‍ර තරංග විකිරණ සම්ප්‍රේෂණය සඳහා වඩාත් උචිත ද්‍රව්‍යලෙස දියමන්ති හැදින්විය හැක. එමනිසා අධිශක්ති CO2 ලේසර සහ gyrotrons වල අඩංගුවූ සින්ක් සෙලනයිඩ් (zinc selenide) වෙනුවට කෘතීම දියමන්ති යෙදීම සිද
ුකරයි. මේ සඳහා යොදාගන්න කෘතීම දියමන්ති සෙන්ටිමීටර් 10ක පමණ විශාල විශ්කම්භයක් සහිත ඉතා තුනී තැටි අකාරයේ ඒවාය. මේවා නිපදවිය හැක්කේ CVD ක්‍රමවේදයට පමණි. [25][26] සින්ක්‍රෝට්‍රෝන (synchrotrons) වැනි අධි ශක්ති විකිරණ ප්‍රභවයන් ලෙස යොදාගන්න උපකරණ වල විවර්තන ග්‍රේටිම (diffraction grating) සඳහා යොදාගත් සිලිකේට, ඒකස්ඵටිකරූපී දියමන්ති මගින් ප්‍රතිස්ථාපනයට හැකිවුයේ HPHT හා CVD කෘතීම දියමන්ති සංශුද්ධභාවය හා  ස්ඵටිකරූපී ස්වභාවය (crystallographic structure) අතින් පරිපූර්ණ වූ නිසාය. HPHT සහ CVD දියමන්ති අධික පීඩන යොදාගන්නා දියමන්ති කිණිහිර කුටීර වල විද්‍යුත් සහ චුම්භක මිනුම් ලබාගැනීම සඳහා අවශ්‍ය පාරදෘශ්‍ය කිණිහිර නිර්මනයට යොදා ගනී.[27][28][29]ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදුම්කෘතීම දියමන්ති නිපදවීමේදී බෝරෝන් සහ පොස්ෆරස් වැනි ද්‍රව්‍ය එකතු කිරීම මගින් අර්ධ සන්නායක ලෙස භාවිතයට ගතහැකි දියමන්ති නිපදවිය හැකිවීම මේවාහි තවත් වැදගත් ප්‍රයෝජනයකි.[30] කෘතීම දියමන්ති වල සාමාන්‍ය කාබන් වලට වඩා එකක් වැඩි වශයෙන් හෝ එකක් අඩු වශයෙන් සංයුජතා ඉලෙක්ට්‍රෝන පිහිටන බැවින් මේවා p- වර්ගයේ හෝ n- වර්ගයේ අර්ධ සන්නායක ලෙස හැස
ිරේ. කෘතීම දියමන්ති බෝරෝන් හා ෆොස්ෆරස් සමග කලවම් වීමෙන් (Doping) සාදන n-p සන්ධි මගින් UV කිරණ සපයන ආලෝක විමෝචක ඩයෝඩ (LED) නිපදවිය හැක. මේවා සතු වාහක සංචලතාව, පාර විද්‍යුත් භාවය වැනි ගුණාංග ද ඉලෙක්ට්‍රොනික විද්‍යාවේ යෙදුම් සදහා වැදගත් වේ.  කෘතිම දියමන්ති ට්‍රාන්සිස්ටර විද්‍යාගාර වල නිපදවන ලදී. සිලිකන් ට්‍රාන්සිස්ටර මෙන් නොව මේවා ඉහළ උෂ්ණත්ව වලදීද නිසි අයුරින් ක්‍රියාත්මක වන අතර රාසයනිකව හා විකිරණ මගින් සිදුවන හානි වලට ප්‍රතිරෝධී වේ. නමුත් තවමත් මෙම ට්‍රාන්සිස්ටර කාර්මික මට්ටමින් භාවිතා නොවේ. තවද කෘතීම දියමන්ති විකිරණ හදුනා ගන්නා උපාංගයන් ලෙස යොදාගනු ලබයි. මේවාට විකිරණ මගින් හානි සිදු නොවන අතර පුළුල් බෑන්ඩ්ගැප් ( bandgap) එකක් පවතී(5.5 eV) . තවද මේවා Stanford Linear Accelerator වල BaBar හදුනාගනිමේ උපකරණ සඳහා ද භාවිතා කරයි.   සන්නයන ගුණ සහිත CVD දියමන්ති විවිධ අවස්ථාවන් සදහා ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ලෙස යොදාගනී. තවද ජිවාණු හදුනාගැනීමේ පර්යේෂණ සඳහා CVD දියමන්ති යොදාගනී. අපවහන ජලය පිරිසිදු කිරීම වැනි ක්‍රියාවන්හිදීද ඉලෙක්ට්‍රෝඩ ලෙස මේවා යොදාගන්නේ භෞතික හා රසායනික වශයෙන් (කාබනික ද්‍රව්‍යය සමගද ) ස්ථා
යි නිසාය.    මැණික් ලෙසCVD ක්‍රමවේදයට නිපදවා ඔපමට්ටම් කරනලද දියමන්තියක්වර්තමානය වන විට මැණික් හා ස්වර්ණාභරණ වෙලදපලෙහි පවත්නා දියමන්ති අවශ්‍යතාවයෙන් 2% පමන ප්‍රමාණයක් HPHT හා CVD දියමන්ති මගින් සැපයේ. මේවා බොහෝ විට කහ, නිල්, අවර්ණ / සුදු පැහැති වේ. නයිට්‍රජන් මිශ්‍රිත ඒවා කහ පැහැති  වන අතර නිල් පැහැති වන්නේ බෝරෝන් මිශ්‍රිත දියමන්තිය. අනෙක් වර්ණ වන කොළ හා රෝස පැහැයන් සන්ස්ලේෂණයෙන් පසුව ප්‍රකිරණය මගින් ලබාගනි. ඇතැම් දියමන්ති නිෂ්පාදන සමාගම් මතක සටහන් සහිත දියමන්ති (memorial diamonds ) නිෂ්පාදනයද සිදු කරයි. [31][32] Several companies also offer memorial diamonds grown using cremated remains.[33]විද්‍යාගාර වල නිපදවන ඇතැම් මැණික් තත්වයේ දියමන්ති රසායනිකව හා භෞතිකව ස්වාභාවික දියමන්ති වලට සර්ව සමාන වේ. ඇතැම් විට ස්වාභාවික ඒවාට වඩා  උසස් ගනයේ වේ. මෙනිසා ආකර දියමන්ති කර්මාන්තයේ පැවැත්ම උදෙසා නීතිමය හා වානිජමය countermeasures පනවා ඇත. මිනිසා විසින් නිර්මාණය කරන දියමන්ති වර්ණාවලික්ෂයේ අධෝරක්ත , පාරජම්බුල හෝ x-කිරණ තරංගආයාම මගින් වෙනකොට හඳුනාගත හැකිය. De Beers හි HPHT හා CVD දියමන්
ති වල- නයිට්‍රජන් , නිකල් හෝ වෙනත් ලෝහ ද්‍රව්‍ය අඩංගු දැයි නිරීක්ෂණයට UV ප්‍රතිදිප්තිය භාවිතා කරන ලදී.[34] එක් දියමන්ති නිෂ්පාදක සමාගමක් ප්‍රසිද්ධ ප්‍රකාශයක් සිදු කරමින් කියා සිටියේ ඔවුන් සතුව ඇති සියලු දියමන්ති සඳහා ලේසර භාවිත කර යොදන ලද අනුක්‍රමික අංකයක් පවතින බවයි. එම සමාගමේ වෙබ් අඩවියේ දක්වා ඇත්තේ ඒ සඳහා Gemesis created යන වචන සහ LG (laboratory grown) යන පෙර යෙදුමද භාවිතා කර ඇති බවයි.[35][36]ආශ්‍රිත↑ 16 C.F.R. Part 23: Guides For The Jewelry, Precious Metals, and Pewter Industries: Federal Trade Commission Letter Declining To Amend The Guides With Respect To Use Of The Term "Cultured" සංරක්ෂණය කළ පිටපත 2013-04-02 at the Wayback Machine, U.S. Federal Trade Commission, July 21, 2008.↑ "The state of 2013 global rough diamond supply". Resource Investor. January 22, 2013. සම්ප්‍රවේශය 2013-02-04.↑ "De Beers pleads guilty in price fixing case". Associated Press via MSNBC.com. 13 July 2004.↑ Margaret Webb Pressler (14 July 2004). "DeBeers Pleads to Price-Fixing: Fi
rm Pays $10 million, Can Fully Reenter U.S." Washington Post. සම්ප්‍රවේශය 26 November 2008.↑ Desch, C.H. (1928). "The Problem of Artificial Production of Diamonds". Nature. 121 (3055): 799. Bibcode:1928Natur.121..799C. doi:10.1038/121799a0.↑ Hall, H. T. (1960). "Ultra-high pressure apparatus" (PDF). Rev. Sci. Instr. 31 (2): 125. Bibcode:1960RScI...31..125H. doi:10.1063/1.1716907. 2014-01-08 දින මුල් පිටපත (PDF) වෙතින් සංරක්ෂණය කරන ලදී. සම්ප්‍රවේශය 2014-04-11.↑ Barnard, pp. 40–43↑ "ACS Award for Creative Invention". American Chemical Society. සම්ප්‍රවේශය 2009-08-08.↑ General Electric v. Sung, 843 F. Supp. 776: "granting production injunction against Iljin Diamond" cited in Epstein, M. A. (1998). Epstein on intellectual property. Aspen Publishers Online. p. 121. ISBN 0-7355-0319-2.↑ Hannas, W. C. (2003). The writing on the wall. University of Pennsylvania Press. pp. 76–77. ISBN 0-8122-3711-0.↑ Galimov, É. M.; Kudin, A. M.; Skorobogatskii, V. N.; Plotnichenko, V. G.; Bondare
v, O. L.; Zarubin, B. G.; Strazdovskii, V. V.; Aronin, A. S.; Fisenko, A. V.; Bykov, I. V.; Barinov, A. Yu. (2004). "Experimental Corroboration of the Synthesis of Diamond in the Cavitation Process". Doklady Physics. 49 (3): 150. Bibcode:2004DokPh..49..150G. doi:10.1134/1.1710678.↑ Khachatryan, A.Kh.; Aloyan, S.G.; May, P.W.; Sargsyan, R.; Khachatryan, V.A.; Baghdasaryan, V.S. (2008). "Graphite-to-diamond transformation induced by ultrasonic cavitation". Diam. Relat. Mater. 17 (6): 931. Bibcode:2008DRM....17..931K. doi:10.1016/j.diamond.2008.01.112.↑ Zoski, Cynthia G. (2007). Handbook of Electrochemistry. Elsevier. p. 136. ISBN 0-444-51958-0.↑ Blank, V.; Popov, M.; Pivovarov, G.; Lvova, N.; Gogolinsky, K.; Reshetov, V. (1998). "Ultrahard and superhard phases of fullerite C60: comparison with diamond on hardness and wear" (PDF). Diamond and Related Materials. 7 (2–5): 427. Bibcode:1998DRM.....7..427B. doi:10.1016/S0925-9635(97)00232-X.↑ Sumiya, H. (2005). "Super-hard diamond ind
enter prepared from high-purity synthetic diamond crystal". Rev. Sci. Instrum. 76 (2): 026112. Bibcode:2005RScI...76b6112S. doi:10.1063/1.1850654.↑ Yan, Chih-Shiue; Mao, Ho-Kwang; Li, Wei; Qian, Jiang; Zhao, Yusheng; Hemley, Russell J. (2005). "Ultrahard diamond single crystals from chemical vapor deposition". Physica Status Solidi (a). 201 (4): R25. doi:10.1002/pssa.200409033.↑ Ekimov, E. A.; Sidorov, V. A.; Bauer, E. D.; Mel'Nik, N. N.; Curro, N. J.; Thompson, J. D.; Stishov, S. M. (2004). "Superconductivity in diamond" (PDF). Nature. 428 (6982): 542–5. arXiv:cond-mat/0404156. Bibcode:2004Natur.428..542E. doi:10.1038/nature02449. PMID 15057827.↑ Catledge, S. A.; Vohra, Yogesh K. (1999). "Effect of nitrogen addition on the microstructure and mechanical properties of diamond films grown using high-methane concentrations". Journal of Applied Physics. 86: 698. Bibcode:1999JAP....86..698C. doi:10.1063/1.370787.↑ Wei, Lanhua; Kuo, P.; Thomas, R.; Anthony, T.; Banholzer, W. (1993).
"Thermal conductivity of isotopically modified single crystal diamond". Phys. Rev. Lett. 70 (24): 3764–3767. Bibcode:1993PhRvL..70.3764W. doi:10.1103/PhysRevLett.70.3764. PMID 10053956.↑ Wenckus, J. F. "Method and means of rapidly distinguishing a simulated diamond from natural diamond" U.S. Patent 4,488,821 December 18, 1984↑ Coelho, R.T.; Yamada, S.; Aspinwall, D.K.; Wise, M.L.H. (1995). "The application of polycrystalline diamond (PCD) tool materials when drilling and reaming aluminum-based alloys including MMC". International journal of machine tools & manufacture. 35 (5): 761. doi:10.1016/0890-6955(95)93044-7.↑ Ahmed, W.; Sein, H.; Ali, N.; Gracio, J.; Woodwards, R. (2003). "Diamond films grown on cemented WC-Co dental burs using an improved CVD method". Diamond and Related Materials. 12 (8): 1300. Bibcode:2003DRM....12.1300A. doi:10.1016/S0925-9635(03)00074-8.↑ Sakamoto, M.; Endriz, J. G. and Scifres, D. R. (1992). "120 W CW output power from monolithic AlGaAs (800 nm) la
ser diode array mounted on diamond heatsink". Electronics Letters. 28 (2): 197–199. doi:10.1049/el:19920123.{{cite journal}}:  CS1 maint: multiple names: authors list (link)↑ Ravi, Kramadhati V. et al. "Diamond-silicon hybrid integrated heat spreader" U.S. Patent 6,924,170, August 2, 2005↑ "The diamond window for a milli-wave zone high power electromagnetic wave output". New Diamond. 15: 27. 1999. ISSN 1340-4792. 2019-06-22 දින මුල් පිටපත වෙතින් සංරක්ෂණය කරන ලදී. සම්ප්‍රවේශය 2014-04-11.↑ Nusinovich, G. S. (2004). Introduction to the physics of gyrotrons. JHU Press. p. 229. ISBN 0-8018-7921-3.↑ Khounsary, Ali M.; Smither, Robert K.; Davey, Steve; Purohit, Ankor; Smither; Davey; Purohit (1992). Khounsary, Ali M (ed.). "Diamond Monochromator for High Heat Flux Synchrotron X-ray Beams". Proc. SPIE. High Heat Flux Engineering. 1739: 628–642. Bibcode:1993SPIE.1739..628K. doi:10.1117/12.140532. 2008-09-17 දින මුල් පිටපත වෙතින් සංරක්ෂණය කරන ලදී. සම්ප්‍රවේශය 2009-05-05.{{cite journal}}:
CS1 maint: multiple names: authors list (link)↑ Heartwig, J.; et al. (Spetmber 13, 2006). "Diamonds for Modern Synchrotron Radiation Sources". European Synchrotron Radiation Facility. සම්ප්‍රවේශය 2009-05-05. {{cite web}}: Check date values in: |date= (help); Explicit use of et al. in: |author= (help)↑ Jackson, D. D.; Aracne-Ruddle, C.; Malba, V.; Weir, S. T.; Catledge, S. A.; Vohra, Y. K. (2003). "Magnetic susceptibility measurements at high pressure using designer diamond anvils". Rev. Sci. Instrum. 74 (4): 2467. Bibcode:2003RScI...74.2467J. doi:10.1063/1.1544084.↑ Denisenko, A. and Kohn, E.; Kohn (2005). "Diamond power devices. Concepts and limits". Diamond and Related Materials. 14 (3–7): 491. Bibcode:2005DRM....14..491D. doi:10.1016/j.diamond.2004.12.043.{{cite journal}}:  CS1 maint: multiple names: authors list (link)↑ Walker, J. (1979). "Optical absorption and luminescence in diamond". Rep. Prog. Phys. 42 (10): 1605. Bibcode:1979RPPh...42.1605W. doi:10.1088/0034-4885/42
/10/001.↑ Collins, A.T.; Connor, A.; Ly, C-H.; Shareef, A.; Spear, P.M. (2005). "High-temperature annealing of optical centers in type-I diamond". Journal of Applied Physics. 97 (8): 083517. doi:10.1063/1.1866501.↑ "Memorial Diamonds Deliver Eternal Life". Reuters. June 23, 2009. සම්ප්‍රවේශය 2009-08-08.↑ O'Donoghue, p. 115↑ Yarnell, Amanda (2 February 2004). "The Many Facets of Man-Made Diamonds". Chemical & Engineering News. American Chemical Society. 82 (5): 26–31. doi:10.1021/cen-v082n005.p026.↑ Laboratory Grown Diamond Report for Gemesis diamond, International Gemological Institute, 2007.මෙම ලිපිය වැඩිදියුණු කළයුතුව ඇත. ඔබ මෙම මාතෘකාව පිලිබඳව දැනුවත්නම්, නව කරුණු එක්කිරීමට දායකවන්න.මෙම ලිපිය දේශපාලනය පිළිබඳ ලිපි මාලාවේ කොටසකිමූලික ආණ්ඩු ස්වරූපආණ්ඩු ස්වරූප ලැයිස්තුවබල මූලාශයප්‍රජාතන්ත්‍රවාදය (rule by many)DemarchyඍුජුLiberalනියෝජිතSocialSocialistවෙනත්Oligarchy (rule by few)AnocracyAristocracyGerontocracyKleptocracyKritarchyMeritocracyNoocracyPar
ticracyPlutocracyStratocracyTechnocracyTheocracyAutocracy (rule by one)DespotismඒකාධිපතිවාදයMilitary dictatorshipTyrannyඅරාජික (rule by none)AnarchismFree associationStatelessබල මතවාදMonarchyRepublic (socio-political ideologies)AbsoluteConstitutionalDirectorialLegalistParliamentaryPresidentialSemi-presidentialSocialistAuthoritarianLibertarian (socio-economic ideologies)AnarchismColonialismCommunismDespotismDistributismFascismFeudalismSocialismTotalitarianismTribalismReligiousSecularState religionSecular stateState atheismGlobalLocal (geo-cultural ideologies)City-stateIntergovernmental organisationNational governmentWorld governmentNationalismInternationalismGlobalismබල ව්‍යුහයUnitarismඒකීය රාජ්‍යඅධිරාජ්‍යPrincipalityClient stateAssociated stateDependent territoryDominionProtectoratePuppet statePuppet monarchSatellite stateSelf-governing colonyTributary stateBuffer stateVassal stateViceroyaltyFederalism
ConfederationDevolutionFederationSuperstateSupranational unionInternational relationsSmall powerRegional powerMiddle powerGreat powerSuperpowerHyperpowerආශ්‍රිතAdministrative divisionDemocracy indicesDemocratic transitionAutocratizationDemocratisationHybrid regimes දේශපාලනය ද්වාරයvteඅරාජික යන්නට අරුත් එකකට වඩා තිබේ.මූලාශ්‍රABIT NF7-S හි AMD ඇතුළත් XP (Athlon XP) අධිස්පන්දනය කිරීමේ BIOS සෙට්අප් (Setup) ඉදිරිපස නියමග සංඛ්‍යාතය (බාහිර ස්පන්දකය) 133MHz සිට 148MHz  දක්වා වැඩි කළ අතර ස්පන්දක ගුණන සාධකය 13.5 සිට 16.5 දක්වා වෙනස් වී ඇත.අධි ස්පන්දනය කිරීම යනු නිෂ්පාදකයන් විසින් සැලසුම් කර ඇති ප්‍රමාණයට වඩා වැඩි ස්පන්ද සීඝ්‍රතාවයකින් ධාවනය වන ලෙස පරිගණක උපාංග සැකසීමේ ක්‍රියාවලියයි. මෙය සාමාන්‍යයෙන් පුද්ගලික පරිගණක පරිශීලකයන් විසින් ඔවු‍න්ගේ පරිගණකවල ක්‍රියාකාරිත්වය ඉහළ නැංවීමට සඳහා සිදු කරනු ලබයි. ඔවුන්ගෙන් ඇතැමෙකු පහළ  මට්ටමේ පරිගණක උපාංග මිල දී ගෙන ඒවා වැඩි වේගවලට අධි ස්පන්දනය කරනු ලබයි. නැතිනම් ඉහළ මට්ටමේ පරිගණක උපාංග ගෙන ඒවා කම්හල් පෙරතිබි තත්ව
ලටත් වඩා වැඩි මට්ටම් කරා ළඟා කරවයි. තවත් සමහරුන් පරිගණක කර්මාන්ත බලාපොරොත්තු වන ලෙස නව දෘඩාංග නොගෙන ඔවු‍න්ගේ යල්පිනූ පැරණි දෘඩාංග නව පද්ධති අවශ්‍යතාවලට ගැළපෙන ලෙස අධිස්පන්දනය කරනු ලැබේ.ඔවු‍න්ගේ උපාංග අධිස්පන්දනය කරන පරිශීලකයන් ප්‍රධාන වශයෙන් අවධානය යොමු කරන්නේ ප්‍රොසෙසර, වීඩියෝ කාඩ්, මවු පුවරු චිප් සෙට් හා සසම්භාවී මතකය (RAM) යන ඒවාටය. එය සිදුකරන්නේ CPU ගුණනය හා මවු පුවරුවේ ඉදිරිපස නියමග (FSB) වේගය උපරිම ස්ථායී අගයක් ලැබෙන තෙක් වැඩිකිරීමෙනි. අදහස සරල වුවත් පරිගණක පද්ධතිවල විද්‍යුත් හා භෞතික ගති ලක්ෂණ වෙනස්වීම ක්‍රියාවලිය සංකීර්ණ කරයි. CPU ගුණනය, නියමං භාජකය , වෝල්ටීයතා, තාප ධාරිතා, සිසිලන තාක්ෂණික ක්‍රම හා වෙනත් සාධක එයට බලපෑම් එල්ල කළ හැක. අධිස්පන්දනයේ වාසිපරිශිලනයෙකු හට මන්දගාමී මිලෙන් අඩු උපාංග මිලදී ගෙන වඩා මිල උපාංගවල වේගයට අධි ස්පන්ධනය කළ හැක.අමතර වියදමකින් තොරව ක්‍රීඩා, කේතනය, වීඩියෝ සංස්කරණය හා පද්ධති කාර්යයන් වේගවත්ව සිදු කර ගත හැකි මුත් විද්‍යුත් ශක්ති උත්ශ්‍රේණි පරිභෝජනය වැඩි වෙයි. නිරන්තරයෙන් තමන්ගේ දෘඩාංග කරන පරිශීලනයන්ට අධි සංන්දනය කිරීමෙන් උත්ශ්‍රේණි කිර
ීම් දෙකක් අතර කාලය අඩුකර ගත හැක.සමහර පද්ධතිවල අවහිරතා පවතී. එවිට එක් උපාංගයක කුඩා ස්පන්ධනය වීමක් වෙනත් උපාංගයක විභවය සම්පුර්ණ ලෙසම පාහේ ලගා කරගත හැක. මෙමගින් සීමාකාරී දෘඩාංග අධිස්පන්දනය කිරීමට වඩා හොඳ ප්‍රතිඵල ලබාගත හැක. උදාහරණ ලෙස AMD ඇත්ලන් (Athlon) 64 සකසු RAM කොටස් හතරෙහි 333MHz ට සීමා කරයි. කෙසේ නමුත් මතක වේගය ගණනය කරනු ලබන්නේ සකසු වේගය අචල පුර්ණාංකයකින් බෙදීමෙනි. එලෙස සාමාන්‍ය වේගවලදී RAM එක 333MHz ආසන්න ස්පන්ද සීඝ්‍රතාවකින් ක්‍රියාකරයි. සකසු වේග තීරණ කර ඇති චූල සැකසීමෙන් (සාමාන්‍යයෙන් ගුණාකාරකය අඩු කිරීමෙන්) කෙනෙකුට සැකසුම කුඩා ප්‍රමාණයකින්, 100 – 200 MHz අවට අධිස්පන්දනය කළ හැකි (10% කට වඩා අඩුවෙන්) අතර එමගින් RAM එකේ මුලු විභවයම ලගා කර ගෙන 400 MHz පමණ RAM ස්පන්ද සීඝ්‍රතාවක් ලගාකර ගත හැක.අධි ස්පන්දනය කිරීම බොහොමයක් සබැදි සමාජ (online communities) වලට‍ ආධාර දේ. (pc Mark) වෙබ් අඩවිය එවැනි වෙබ් අඩවියන් වන අතර එය ක්‍රමලේඛ යොදා ගෙන බලවත් පරිගණකවල ක්‍රියාකාරිත්වය අගයන යොමු හුවමාරුවක් පවත්වා ගනී.නියමාකාර පර්යේෂණ හා පෙර පරිස්සම්වලින් යුත් හෝ සුදුසු මග පෙන්වීමක් සහිත අධි ස්පන්දනයෙකු
ට එම පද්ධති හා pc පද්ධති පිළිබද වැදගත් දැනුමක් හා අත්දැකීම් ලබා ගත හැක.අධිස්පන්දනයේ අවාසිදක්ෂ අධි ස්පන්ධන කරුවන් මගින් අඩුකර ගත හැක. කෙසේ නමුත් ආධුනික අධි ස්පන්ද කරුවන් අධි ස්පන්දනය කිරීමේදී, අධි ස්පන්ධිත උපකරණ වලට මෙන්ම ඒවා බලපාන අනෙක් උපකරණ වලටද හානි සිදුකළ හැකි වැළැක්විය හැකි දුබලතා ඇති කරවන අඩුපාඩු සිදුවිය හැක.  මෙම අවාසි ආධුනික හා විශේෂඥ යන දෙපිරිසටම වැළැක්විය නොහැකප්‍රොසෙසරයක ජීවත කාලය අධික ක්‍රියාකාරී සංඛ්‍යාත, වෝල්ටීයතා හා තාපය මඟින් අඩු විය හැකි. දීර්ඝ කාලීන ස්ථාවර තත්වයේ මයික්‍රොප්‍රොසෙසර් නිසා ප්‍රොසෙසර්වල සීඝ්‍ර නැති වී යාමත් සමඟම අධි ස්පන්දකරුවන් තර්ක කරන්නේ අධිස්පන්ධිත උපාංග බිඳ වැටීමට පෙර ඒවා ප්‍රතිස්ථාපනය වීමට ඉඩ කඩ ඇති බවයි. බොහෝමයක් අධි ස්පන්දකරුවන් , උනන්දු වන්නන් නිසා ඔවුන් සාමාන්‍ය ජනයාට වඩා නිරන්තරයෙන් උපාංග යාවත් කාලීන කරයි. මෙය මෙම අවාසිය තව දුරටත් ලිහිල් කරයි.වැඩි වූ ස්පන්ද වේග හා වෝල්ටීයතා අධික ජව භාවිතයකට හේතු වේ.අධි ස්පන්දිත පද්ධතියක් භාවිතයට පෙර ස්ථායීතාව සඳහා පරීක්ෂාවට බඳුන් කරන මුත්. කාලයක් භාවිතා කිරීමත් සමඟ නව වැඩ භාර හෝ ප්‍රො
සෙසර් හරයේ පරීක්ෂා නොකළ කොටස් නිසා ස්ථායීතා ගැටලු මතු විය හැක. පෙර සඳහන් කරන ලද කල් ඉකුත් වීමේ ගැටලුව දිගු කාලයකට පසු ස්ථායීතාව පිළිබඳ ගැටලු මතු කළ හැක.අතිරේක සිසිලනය සඳහා යොදා ගන්නා අධි ක්‍රියාකාරී පංකා අධික ශබ්ද ප්‍රමාණයක් නිපදවයි. අධිස්පන්දකරුවන් භාවිතා කළ පැරණි ජනප්‍රිය පංකා වර්ගවලට ඩෙසිබල් 50 හෝ ඊට වඩා වැඩි ශබ්ද ප්‍රමාණ නිපදවිය හැකිය. කෙසේ නමුත් වර්තමානයේ දී නිෂ්පාදකයන් සුමට වායු ගැලීමක් හා අඩු ශබ්දයක් (ඩෙසිබල් 20 පමණ) සඳහා වායු ගති විද්‍යානුකූලව ඉහලම ඵල ලබා ගැනීම සඳහා වූ හීට් සින්ක් සමඟ පංකා නිර්මාණයෙන් බොහෝ දුරට මෙම ගැටලුව මඟ හරවාගෙන ඇත. සමහරුන් මෙම අතිරේක ශබ්දය සැලකිල්ලට ගන්නේ නැත. ඒ නැතත් සාමාන්‍යයෙන් අධි ස්පන්දකරුවන්ගේ පරිගණක සාමාන්‍ය ඒවාට වඩා ශබ්දයෙන් වැඩිය. අධික ශබ්දය, අඩු ශබ්දයක් හා වැඩි කාර්යයක් ලබා දෙන විශාල පංකා ක්‍රමානුකූලව ස්ථානගත කිරීමේන්, අතිරේක සිසිලන ක්‍රම (ද්‍රව හා කලාප හුවමාරු සිසිලන ක්‍රම වැනි) භාවිතයෙන් චැසියකට ෆෝම් පරිවරණයක් භාවිතයෙන් හේ පංකා වේග පාලනයට (හා ඒ නිසා ශබ්දය) පංකා පාලන බසයක් ස්ථාපනයෙන් වැනි ක්‍රම මඟින අදාල අවස්ථාවට උචිත පරිදි පාලනය කර ගත හැක. වර්
තමානයේ අධි ස්පන්දනය කිරීම බොහෝ පිරිසක් අතර ජනප්‍රිය වී ඇති නිසා නිෂ්පාදකයන් විසින් පැරණි ඒවාට වඩා අඩු ශබ්දයෙන් යුත් අධි ක්‍රියාකාරී පංකා නිපදවීමත් සමඟම මෙම ගැටලුව අඩු සැලකිල්ට බඳුන්වන දෙයක් වී ඇත. සමානවම වර්තමානයේ මධ්‍යම හා උසස් ගණයේ පරිගණක ආවරණ විශාල පංකා (අඩු ශබ්දයත් සමඟ වඩා හොඳ වායු ගැලීමත් සඳහා) වලින් සමන්විත වනවා මෙන්ම සිසිලනය හා වායු චලනයේ මනාසේ තබා ගෙන සැලසුම් කර ඇත.ඇති තරම් CPU සිසිලන සලසා තිබුණ ද, අධි ස්පන්දිත සැකසුම් ඒකක මඟින් උත්පාදනය කරන අමතර තාපය පද්ධති ආවරණයේ උෂ්ණත්වය ඉහල නංවයි. මෙහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස අනෙක් උපාංගවලට බැලපෑම් එල්ල විය හැක. තවද PC එක ඇති කාමරයේ උෂ්ණත්ය ඉහල නංවමින් PC හි වා කවුලුවලින් වැඩි තාපයක් පිට විය හැක. සසමහර විට මෙම උෂ්ණත්වය අසීරුතාවට ලක්වන මට්ටම් කරා ද ඉහල නැඟිය හැකිය.අධි ස්පන්දනය කිරීම අවශ්‍ය ලෙස මුදල් ඉතිරි නොකරයි. වැඩි වේග වැඩි වීම් වල සාමාන්‍යයෙන් , අධික උෂ්ණත්ව වළක්වා ගැනීමට මිළ අධික සිසිලන උපකරණ හා වැඩි මිලෙන් යුත් අධි ස්පන්දනයට යොදා ගත හැකි මව් පුවරු යොදා ගත යුතු වේ. තව ද එය මිල අධික විනෝද ක්‍රීඩාවක් බවට ද පත්විය හැක. තමන් අධි ස්පන්දකරුවන් යයි
සිතන බොහෝ පුද්ගලයන් , සාමාන්‍ය පුද්ගලයන්ට වඩා වැඩි කාලයක් පරිගණක උපකරණ මත ගත කරති. කෙසේ නමුත් CPU නිෂ්පාදනයේ නව නිපැයුම් හෙලිදරව් කරන්නේ සමහරක් ප්‍රොසෙසර් වලින් සැලකිය යුතු ලාභයක් ලබා ගත හැකි බවයි. මෙය ඉන්ටෙල් කෝර් 2 (Core 2) කාණ්ඩයේ පැහැදිලිව දක්නට ලැබේ. පහත් ගණයේ E6300 මාදිලිය ඇතුලුව E6x00 පවුලේ ඕනෑම චිපයක් X6800 හෝ වැඩි වේග සඳහා අධි ස්පන්දනය කළ හැක. නමුත් මේ සඳහා කිසි අයුරකින් වග කියනු නොලැබේ.අධි ස්පන්දනය කිරීමේ දී උපකරණය විනාශ වීමේ අන්තරාදයක හැකියාවක් ඇත. බොහොමයක් වගකීම් සහතික අධි ස්පන්දිත ක්‍රියා නිසා හානි වූ උපකරණ ආවරණය නොකරයි. සමහරක් අධි ස්පන්දනයට අදාල මව් පුවරු ඒවා වලක්වා ගැනීමට ආරක්ෂිත උපක්‍රම සපයයි. (උදා - FSB වැඩිවීම සීමා කිරීම) එමනිසා හානිය සිදුවිය හැක්කේ වෝලටීයතා පාලනය වෙනස එම තුළින් පමණි.කෙසේ නමුත් , අස්ථායී බවේ සංඥා නිසා කලින් විද්‍යාමාන වන නිසා වෝල්ටීයතා වෙනස් වීම් මඟින් උපාංගවලට හානියක් කිරීමට පවතින්නේ වඩා අඩු ඉඩ කඩක් බවට තර්ක කළ හැකිය.තාක්ෂණිකව, PC උපාංගයක් අධි ස්පන්දනය කිරීම, එහි වගකීම සහතිකය අවලංගු කරවයි. (උපාංගය විකිණූ තත්වයන් මත පදනම්ව)උපාංග නිසි පරිදි සිසිලනය
නොකලේ නම් ගිනි අනතුරු ද සිදු විය හැක.අධි ස්පන්දනය සීමා කිරීම්අධි ස්පන්දනය කිරීමේ පහසුකම හේතු සාධක කිහිපයක් නිසා සීමා කර ඇත.  පුද්ගලික පරිගණක බොහෝ විට භාවිතා වන්නේ, පරිගණකමය වශයෙන් වැදගත් නොවන හෝ යන්ත්‍රයට පිටතින් ඇති අවහිරතා මගින් කාර්ය ඵලය සීමාකර ඇති ක්‍රියා ඉටු කිරීමටය. උදාහරණ ලෙස වෙබ් නිරීක්ෂණය සඳහා අධික වේගයෙන් යුත් පරිගණකයක් අවශ්‍ය නොවේ. සීමාකාරී සාධකය වන්නේ පරිශීලකයාගේ හෝ සොවාදායකයාගේ අන්තර්ජාල සම්බන්ධතාවේ වේගයයි. ප්‍රොසෙසරයක් අධිස්පන්ධනය කිරීමද යෙදුම් ක්‍රියාත්මක වන වාර වේගවත් කරන්නේ ඉතා සුළු වශයෙනි. මන්දයත් එය රඳා පවතින්නේ දෘඩ තැටියෙන් දත්ත කියවීම මතයි. වදන් සැකසුම් හා විද්‍යුත් තැපැල් යැවීම් වැනි කාර්යාල කටයුතු දෘඩාංග වලට වඩා පරිශිලකයාගේ වේගය මත රදා පවතී. මෙවැනි අවස්ථා වලදී අධිස්පන්ධනය හරහා වු ඕනෑම වේග වැඩිවීමක් අවධානයට ලක්නොවේ. සාමාන්‍යයෙන් පිලිගෙන ඇත්තේ පරිගණකමය වශයෙන් බරපතල කාර්යය සඳහා ද 10% කට වඩා අඩු වේග වැඩි විම් පැහැදිලිව දැකීම අපහසුවේ. උදාහරණයක් ලෙස, විඩියෝ ක්‍රිඩා සෙල්ලම් කි‍‍රීමේදී තිරයේ වු රාමු ගණකයට උදව්වෙන් තොරව තත්පරයට  රාමු ගණක (FPS) 60 සිට 66 දක්ව
ා වැඩිවු බව පැහැදිලිව දැක ගැනීම අපහසු වේ. එවැනි අවස්ථා වලදී කෙසේ වුවත් එය උසස් රූපතත්වයට (ඇසට රසඳුනක් යැයි කියන)සිටුවම් භාවිතයට ඉඩ සලස්වයි. අවස්ථා මත පදනම්ව වෙනස්කම ක්‍රිඩා කළ හැකි බව හා පිළිගත නොහැකි බව අතරද තිබිය හැක. සැලකිලිමත් වියයුතු කරුණුප්‍රොසෙසරයක ක්‍රියා කරන සීඝ්‍රතාව ඉහල නැංවීමේ දී ,සැලකිය යුතු  කරුණු කීපයකි. පළමුව නව සීඝ්‍රතාවයෙන් ක්‍රියා කිරීම සඳහා ප්‍රමාණවත් ජවයක් ලැබෙන බව සහතික කරගත යුතුය. කෙසේ නමුත් නුසුදුසු සැකසුම් යටතේ ජවය සැපයීම හෝ අධික වෝල්ටීයතාවක් යෙදීම මඟින් උපාංගයක් ස්ථිර ලෙස විනාශ විය හැක. ප්‍රොසෙසරයක ක්‍රියාකාරීත්වය අධිසීඝ්‍රකරණය සඳහා අවශ්‍ය සැකසුම් අන්තර්ගත වන්නේ පරිගණක පිළිබඳ දැඩි උනන්දුවක් දක්වන්නන් භාවිතා කරන ආකාරය මිළ අධික මවු පුවරුවල පමණක් වන අතර එහි දී මවුපුවරුවලට අධික දැරීමේ හැකියාවක් තිබිය යුතු වේ. මුල් උපකරණ නිෂ්පාදකයා (OEM) විසින් එකලස් කරන පරිගණක තුළ අඩංගු වන ආකාරයේ මවු පුවරුවල ප්‍රොසෙසර් අධිසීඝ්‍රකරණය සඳහා අවශ්‍ය සැකසුම් ඇතුළත් නොවේ. එසේ කර ඇත්තේ නොගැලපුම් සහගත සැකසුම් ඇති කිරීම වැලැක්වීම සේවා සැපයුම් වියදම් අවම කර ගැනීම සහ වගකීම් කාලය
තුළ උපකරණවලට හානි සිදු වූ විට නැවත සැපයීමට කළ යුතු වියදම් අවම කරගැනීම ආදී අවශ්‍යතා හේතුවෙනි.වැරදි ලෙස සිදු කරන අධි ස්පන්ධනඋපාංගයක වැඩි වන ක්‍රියාත්මක සංඛ්‍යාතය රේඛීයව එහි තාප ඵලය වැඩි කරන අතරම වෝල්ටීයතාවයේ වැඩිවීම වර්ගජ වැඩිවීමකට මඟ පාදයි. අධික ලෙස වැඩි වෝල්ටීයතා හෝ නොගැලපෙන සිසිල් කිරිම් චිපයේ අධික ලෙස ඉහළ නැගි ක්ෂණික බිදවැටීම් හෝ සැලකිය යුතු ලෙස එහි ජීවක කාලය අඩුවීම් සිදුවන නොවැලැක්විය හැකි හානි චිපයට සිදුවිය හැක.දෘඩාංග බිඳවැටීම් වලට වඩා බහුල වන්නේ ක්‍රියාකාරී බවේ දෝෂයි. දෘඩාංග සමුපුර්ණයෙන් හානි වී නොමැති වුවත් කරදරකාරී අතර අස්ථායි බවට හා දත්ත නැතිවීම් වලට හේතු විය හැක. ඉතා දුලබව විශේෂිතව අවස්ථා වලදී සියලු දත්ත නැතිවී මුලු ගොනු පද්ධති බිඳ වැටීම් සිදුවිය හැක.දුර්වල ලෙස ශාකා ස්ථානගත කිරීම් පරිගණක කවරය තුල කැලඹීම් හා සුළි ඇති කළ හැක. එමගින් සිසිලන කාර්යක්ෂමතාව අඩු වී ශබ්දය වැඩි වේ. එයට අතිරේකව කම්පන හා වෙව්ලීම් ඇතිවිය හැක.ද්‍රව හෝ කලාප හුවමාරු සිසිලන වැනි සාමාන්‍ය සිසිලය විසදුම් නුසුදුසු ලෙස ස්ථාපනය කිරීම සිසිලන පද්ධතියේ බිඳ වැටීමට හේතු විය හැකි අතර එමගින් ජල හානිය හෝ එක
්වර සිසිලනය නැතිවීමෙන් ප්‍රොසෙසරයට හානි හෝ සිදු විය හැකිය.සමහරක් විට යම් නිෂ්පාදන විශේෂයෙන් අධි ස්පන්ධනය සඳහාම නිර්මාණය කලැයි කියන නමුත් සමහරක් විට එසේ නොවීමට ඉඩ ඇත. එම නිසා ආධුනික ගැනුම්කරුවන් සමහරක් නිෂ්පාදන වටා ඇති වෙළඳ රැවටිලි හදුනාගත යුතුය. ඒවායින් වාසි ලබාගත හැකි තරම් තාපයක් උපදවන්නේ නැති චිප සදහා සැලසුම් කර ඇති තාප ව්‍යාප්තික හා හීට් සින්ක්, උදාහරණ වලට ඇතුළත් වේ. (උදාහරණ ලෙස මතක චිප)අධි ස්පන්ධනයේ බලපෑම මැනිමකාර්යය ඵලය ගණනය කිරීම සඳහා බෙන්ච්මාර්ක් (benchmark) යොදා ගැනේ. බෙන්ච්මාර්ක් පරීශීලකයන් විසින් වඩා වැඩි අගයක් සඳහා තරග වදින එක්තරා ක්‍රීඩාවක් බවටද පත්විය හැක. ඉහත සාකච්ජාකර ඇති පරිදි අධිස්පන්ධනය කිරීමේදී ස්ථායීතාවය හා ක්‍රියාකාරී බවේ නිරවද්‍යතාව සුරැකිය යුතු වේ. තවද තේරුමක් ඇති බෙන්ච්මාර්ක් ප්‍රතිඵල රඳා පවතිනුයේ බෙන්ච්මාර්ක් හි නිවැරදි ක්‍රියාත්මක වීම මතයි. මේ නිසා සමහරක් විට බෙන්ච්මාර්ක් ලකුණු ස්ථායීතාවය හා නිවැරදි කිරීමේ සටහන් මගින් තේරීමට ලක්විය හැක.(උදා - අධිස්පන්ධනය සිදු කරන්නේ ලකුණේ බෙන්ච්මාර්ක් ක්‍රියාත්මක වූයේ අවස්ථා 5 කට වරක් පමණක් බව දක්වමින් සටහක් කළ