पल्स(electrical pulse of opposite polarity) का उपयोग करके चार्ज को हटाकर(removing the charge) डेटा को इरेस(data is erased) कर दिया जाता है। तो ऑपोज़िट पोलरिटी की इलेक्ट्रिकल पल्स(electrical pulse of opposite And after that came flash memory where - which is faster than EEPROM or E square PROM often it is called often it is called E square PROM also ok - this Electrically Erasable PROM where the data writing happens in blocks which is of the size of say 512 bytes instead of what happens for normal E square PROM which is 1 byte at a time, so, that makes it faster.
और उसके बाद फ्लैश मेमोरी(flash memory) आई जहां - जो EEPROM या E स्क्वायर PROM(E square PROM) से तेज है अक्सर इसे E स्क्वायर PROM भी कहा जाता है - यह इलेक्ट्रिकली इरेज़ेबल PROM(Electrically Erasable PROM) जहाँ डेटा राइटिंग(data writing) ब्लॉक(blocks) में होता है जो साइज़(size) मे 512 बाइट(byte) का है सामान्य E स्क्वायर PROM(E square PROM) के बजाय जो एक बार में 1 बाइट(byte) होता है, इसलिए यह इसे तेज़ बनाता है।