Avant l'invention des mémoires SDRAM et DDR, il exista un grand nombre de mémoires différentes, les plus connues étant les mémoires fast page mode et EDO-RAM. Ces mémoires n'étaient pas synchronisées avec le processeur via une horloge. Quand ces mémoires ont été créées, cela ne posait aucun problème : les accès mémoire étaient très rapides et le processeur était certain que la mémoire aurait déjà fini sa lecture ou écriture au cycle suivant.
Les mémoires asynchrones à RAS/CAS : FPM et EDO-RAM.
Les mémoires asynchrones les plus connues étaient les mémoires FPM et mémoires EDO. Il s'agissait de mémoires à adressage par coïncidence ou à tampon de ligne, avec une adresse découpée en deux : une adresse haute pour sélectionner la ligne, et une adresse basse qui sélectionne la colonne. L'adresse est envoyée en deux fois : la ligne, puis la colonne. Pour rappel, l'avantage de cette méthode est qu'elle permet de limiter le nombre de fils du bus d'adresse, ce qui très intéressant sur les mémoires de grande capacité. Les mémoires FPM et EDO-RAM étant utilisées comme mémoire principale d'un ordinateur, elles devaient avoir une grande capacité. Cependant, avoir un petit nombre de broches sur les barrettes de mémoire est clairement important, ce qui impose d'utiliser des stratagèmes. Envoyer l'adresse en deux fois répond parfaitement à ce problème : cela permet d'avoir des adresses larges et donc des mémoires de forte capacité, avec une performance acceptable et peu de fils sur le bus d'adresse. 
Pour savoir si une donnée envoyée sur le bus d'adresse est une adresse de ligne ou de colonne, le bus de commande de ces mémoires contenait deux fils bien particuliers : les RAS et le CAS. Pour simplifier, le signal RAS permettait de sélectionner une ligne, et le signal CAS permettait de sélectionner une colonne.
Si on a deux bits RAS et CAS, c'est parce que la mémoire prend en compte les signaux RAS et CAS quand ils passent de 1 à 0. C'est à ce moment là que la ligne ou colonne dont l'adresse est sur le bus sera sélectionnée. Tant que des signaux sont à zéro, la ligne ou colonne reste sélectionnée : on peut changer l'adresse sur le bus, cela ne désélectionnera pas la ligne ou la colonne et la valeur présente lors du front descendant est conservée.
Les mémoires FPM.
Les mémoires FPM ("Fast Page Mode") possédaient une petite amélioration, qui rendait l'adressage plus simple. Avec elles, il n'y a pas besoin de préciser deux fois la ligne si celle-ci ne changeait pas lors de deux accès consécutifs : on pouvait garder la ligne sélectionnée durant plusieurs accès. Par contre, il faut quand même préciser les adresses de colonnes à chaque changement d'adresse. Il existe une petite différence entre les mémoire FPM proprement dit et les mémoires "Fast-Page Mode". Sur les premières, le signal CAS est censé passer à 0 avant qu'on fournisse l'adresse de colonne. Avec les "Fast-Page Mode", l'adresse de colonne pouvait être fournie avant que l'on configure le signal CAS. Cela faisait gagner un petit peu de temps, en réduisant quelque peu le temps d'accès total.
Avec les mémoires en mode quartet, il est possible de lire quatre octets consécutifs sans avoir à préciser la ligne ou la colonne à chaque accès. On envoie l'adresse de ligne et l'adresse de colonne pour le premier accès, mais les accès suivants sont fait automatiquement. La seule contrainte est que l'on doit générer un front descendant sur le signal CAS pour passer à l'adresse suivante. Vous aurez noté la ressemblance avec le mode rafale vu il y a quelques chapitres, mais il y a une différence notable : le mode rafale vrai n'aurait pas besoin qu'on précise quand passer à l'adresse suivante avec le signal CAS.
Les mémoires FPM à colonne statique se passent même du signal CAS. Le changement de l'adresse de colonne est détecté automatiquement par la mémoire et suffit pour passer à la colonne suivante. Dans ces conditions, un délai supplémentaire a fait son apparition : le temps minimum entre deux sélections de deux colonnes différentes, appelé tCAS-to-CAS.
Les mémoires EDO-RAM.
L'EDO-RAM a été inventée quelques années après la mémoire FPM. Elle a été déclinée en deux versions : la EDO simple, et la EDO en rafale.
L'EDO simple ajoutait une capacité de pipelining limitée aux mémoires FPM. On pouvait démarrer un nouvel accès alors que la donnée de l'accès précédent était encore présent sur le bus de données. L'implémentation n'est pas différente des mémoires FPM, si ce n'est qu'il y a un registre ajouté sur la sortie de donnée pour les lectures.
Les EDO en rafale effectuent les accès à 4 octets consécutifs automatiquement : il suffit d'adresser le premier octet à lire. Les 4 octets étaient envoyés sur le bus les uns après les autres, au rythme d'un par cycle d’horloge : ce genre d'accès mémoire s'appelle un accès en rafale.
Implémenter cette technique nécessite d'ajouter un compteur, capable de faire passer d'une colonne à une autre quand on lui demande, et quelques circuits annexes pour commander le tout.
Le rafraichissement mémoire.
Les mémoires FPM et EDO doivent être rafraichies régulièrement. Selon les mémoires, le rafraichissement était géré par le processeur ou de manière totalement automatique. Dans le premier cas, le rafraichissement était déclenché par une commande, provenant du processeur ou du contrôleur mémoire. Celui-ci envoyait une commande précise, qui ordonnait de rafraichir une adresse, parfois une ligne complète. Par la suite, le rafraichissement mémoire est devenu totalement automatique, ni le processeur, ni le contrôleur mémoire ne devant s'en charger. Le rafraichissement est purement le fait des circuits de la mémoire RAM et devient une simple opération de maintenance interne, gérée par la RAM elle-même.
Le rafraichissement manuel.
Au début, le rafraichissement se faisait ligne par ligne. Le rafraichissement avait lieu quand le RAS passait à l'état haut, alors que le CAS restait à l'état bas. Le processeur, ou le contrôleur mémoire, sélectionnait la ligne à rafraichir en fournissant son adresse mémoire. D'où le nom de rafraichissement par adresse qui est donné à cette méthode de commande du rafraichissement mémoire.
Par la suite, certaines mémoires ont implémenté un compteur interne d'adresse, pour déterminer la prochaine adresse à rafraichir sans la préciser sur le bus d'adresse. Le rafraichissement était devenu automatique, dans une certaine mesure. Mais le déclenchement du rafraichissement se faisait par une commande externe, provenant du contrôleur mémoire ou du processeur. Cette commande faisait passer le CAS à 0 avant le RAS. Cette méthode de rafraichissement se nomme rafraichissement interne.
On peut noter qu'il est possible de déclencher plusieurs rafraichissements à la suite en laissant le signal CAS dans le même état. Ce genre de choses pouvait avoir lieu après une lecture : on pouvait profiter du fait que le CAS soit mis à zéro par la lecture ou l'écriture pour ensuite effectuer des rafraichissements en touchant au signal RAS. Dans cette situation, la donnée lue était maintenue sur la sortie durant les différents rafraichissements.
Le rafraichissement automatique.
Rapidement, les constructeurs de mémoire se sont dits qu'il valait mieux gérer ce rafraichissement de façon automatique, sans faire intervenir le contrôleur mémoire intégré à la carte mère. Ce rafraichissement a alors été délégué au contrôleur mémoire intégré à la barrette de mémoire, et est maintenant géré par des circuits spécialisés. Ce circuit de rafraichissement automatique n'est rien d'autre qu'un compteur, qui contient un numéro de ligne (celle à rafraichir).

Fonctionnement d'un ordinateur/Mémoires DDR, SDRAM et leurs cousines

Fonctionnement d'un ordinateur/Les mémoires ROM