Les mémoires ROM ou SRAM ont généralement une interface simple, à laquelle le processeur peut s'interfacer directement. Mais pour d'autres mémoires, notamment les DRAM, ce n'est pas le cas. C'est le cas sur les mémoires où les adresses sont multiplexées, sur les DRAM qui nécessitent un rafraichissement, et bien d'autres. Pour les mémoires multiplexées, connecter le processeur directement sur ces mémoires n'est pas possible : le bus d'adresse du processeur et celui de la mémoire ne collent pas. Pour le rafraichissement, on pourrait le déléguer au processeur, mais cela imposerait des contraintes assez fortes qui sont loin d'être idéales. Et il y a bien d'autres raisons qui font que le processeur ne peut pas s'interfacer facilement avec certaines mémoires. Imaginez par exemple, les mémoires à bus de donnée série, où les données sont communiquées bit par bit.
Bref, pour gérer ces problèmes intrinsèques aux mémoires DRAM et à quelques autres modèles, les mémoires ne sont pas connectées directement au processeur. À la place, on ajoute un composant entre le processeur et la mémoire : le contrôleur mémoire externe. Celui-ci est placé sur la carte mère ou dans le processeur, et ne doit pas être confondu avec le contrôleur mémoire intégré dans la mémoire. Ce chapitre va voir quels sont les rôles du contrôleur mémoire, son interface et ce qu'il y a à l'intérieur.
Les rôles et l'interface du contrôleur mémoire.
L'interface du contrôleur mémoire, à savoir ses broches d'entrées/sorties et leur signification, est généralement très simple. Il se connecte au processeur et à la mémoire, ce qui fait qu'il a deux ports : un qui a la même interface mémoire que le processeur, un autre qui a la même interface que la mémoire. Cela trahit d'ailleurs son rôle principal, qui est de transformer les requêtes de lecture/écriture provenant du processeur en une suite de commandes acceptée par la mémoire. En effet, les requêtes du processeur ne sont pas forcément compatibles avec les entrées de la mémoire. Un accès mémoire typique venant du processeur contient juste une adresse à lire/écrire, le bit R/W qui indique s'il faut faire une lecture ou une écriture, et éventuellement une donnée à écrire. Mais, nous avons vu que les accès mémoires sur une DRAM sont multiplexés : on envoie l'adresse en deux fois : la ligne d'abord, puis la colonne. De plus, il faut générer les signaux RAS, CAS et bien d'autres. Le tout est illustré ci-dessous.
La traduction d'adresse.
Notons que cette fonction d’interfaçage implique beaucoup de choses, la première étant que les adresses du processeur sont traduites en adresses compatibles avec la mémoire. Sur les mémoires DRAM, cela signifie que l'adresse est découpée en une adresse de ligne et une adresse de colonne, envoyées l'une après l'autre. Mais ce n'est pas la seule opération de conversion possible. Il y a aussi le cas où le bus d'adresse et le bus de données sont fusionnés. Nous avions vu cela dans le chapitre sur l'interface des mémoires. Dans ce cas, on peut envoyer soit une adresse, soit lire/écrire une donnée sur le bus, mais on ne peut pas faire les deux en même temps. Un bit ALE indique si le bus est utilisé en tant que bus d'adresse ou bus de données. Le contrôleur mémoire gère cette situation, en fixant le bit ALE et en envoyant séparément adresse et donnée pour les écritures.
Une autre possibilité est la gestion de l'entrelacement, qui intervertit certains bits de l'adresse lors des accès mémoires. Rappelons qu'avec l'entrelacement, des adresses consécutives sont placées dans des mémoires séparées, ce qui demande de jouer avec les bits d'adresse, chose qui est dévolue à l'étape de traduction d'adresse du contrôleur mémoire.
Une autre possibilité est le cas où les adresses du processeur n'ont pas la même taille que les adresses du bus mémoire, le contrôleur peut se charger de tronquer les adresses mémoires pour les faire rentrer dans le bus d'adresse. Cela arrive quand la mémoire a des mots mémoires plus longs que le byte du processeur. Prenons l'exemple où le processeur gère des bytes de 1 octet, alors que la mémoire a des mots mémoires de 4 octets. Lors d'une lecture, le contrôleur mémoire va lire des blocs de 4 octets et récupérera l'octet demandé par le processeur. En conséquence, la lecture dans la mémoire utilise une adresse différente, plus courte que celle du processeur : il faut tronquer les bits de poids faible lors de la lecture, mais les utiliser lors de la sélection de l'octet.
Les séquencement des commandes mémoires.
Une demande de lecture/écriture faite par le processeur se fait en plusieurs étapes sur une mémoire SDRAM. Il faut d'abord précharger le tampon de ligne avec une commande PRECHARGE, puis envoyer une commande ACT qui fixe l'adresse de ligne, et enfin envoyer une commande READ/WRITE. Et encore, ce cas est simple : il y a des opérations mémoires qui sont beaucoup plus compliquées. Et outre l'ordre d'envoi des commandes pour chaque requête, il faut aussi tenir compte des timings mémoire, à savoir le fait que ces commandes doivent être séparées par des temps d'attentes bien précis. Par exemple, sur certaines mémoires, il faut attendre 2 cycles entre une commande ACT et une commande READ, il faut attendre 6 cycles avant deux commandes WRITE consécutives, etc. Chaque requête du processeur correspond donc à une séquence de commandes envoyées à des timings bien précis. Le contrôleur mémoire s'occupe de faire cette traduction des requêtes en commandes si besoin. Notons que cette traduction demande deux choses : traduire une requête processeur en une série de commandes à faire dans un ordre bien précis, et la gestion des timings. Les deux sont parfois effectués par des circuits séparés, comme nous le verrons plus bas.
Le rafraichissement mémoire.
N'oublions pas non plus la gestion du rafraichissement mémoire, qui est dévolue au contrôleur mémoire ! Il pourrait être réalisé par le processeur, mais ce ne serait pas pratique. Il faudrait que le processeur lui-même incorpore un compteur dédié pour le rafraichissement des lignes, et qu'il dispose de la circuiterie pour envoyer un signal de rafraichissement à intervalles réguliers. Et le processeur devrait régulièrement s'interrompre pour s'occuper du rafraichissement, ce qui perturberait l’exécution des programmes en cours d'une manière assez subtile, mais pas assez pour ne pas poser de problèmes. Pour éviter cela, on préfère déléguer le rafraichissement au contrôleur mémoire externe.
La traduction des signaux et l’horloge.
A cela, il faut ajouter l'interface électrique et la gestion de l'horloge.
Rappelons que la mémoire ne va pas à la même fréquence que le processeur et qu'il y a donc une adaptation à faire. Soit le contrôleur mémoire génère la fréquence qui commande la mémoire, soit il prend en entrée une fréquence de base qu'il multiplie pour obtenir la fréquence désirée. Les deux solutions sont presque équivalentes, si ce n'est que les circuits impliqués ne sont pas les mêmes. Dans le premier cas, le contrôleur doit embarquer un circuit oscillateur, qui génère la fréquence demandée. Dans l'autre cas, un simple multiplieur/diviseur de fréquence suffit et c'est généralement une PLL qui est utilisée pour cela. Il va de soi qu'un générateur de fréquence est beaucoup plus complexe qu'une simple PLL.
Un autre point est que la mémoire peut avoir une interface série, à savoir que les données sont transmises bit par bit. Dans ce cas, les mots mémoire sont transférés bit par bit à la mémoire ou vers le processeur. La traduction d'un mot mémoire de N bits en une transmission bit par bit est réalisée par cette interface électrique. Un simple registre à décalage suffit dans les cas les plus simples.
Enfin, n'oublions pas l’interfaçage électrique, qui traduit les signaux du processeur en signaux compatibles avec la mémoire. Il est en effet très fréquent que la mémoire et le processeur n'utilisent pas les mêmes tensions pour coder un bit, ce qui fait qu'elles ne sont pas compatibles. Dans ce cas, le contrôleur mémoire fait la conversion.
Les autres fonctions (résumé).
Pour résumer, le contrôleur mémoire externe gère au minimum la traduction des accès mémoires en suite de commandes (ACT, sélection de ligne, etc.), le rafraîchissement mémoire, ainsi que l’interfaçage électrique. Mais il peut aussi incorporer diverses optimisations pour rendre la mémoire plus rapide. Par exemple, c'est lui qui s'occupe de l'entrelacement. Il gère aussi le séquencement des accès mémoires et peut parfois réorganiser les accès mémoires pour mieux utiliser les capacités de "pipelining" d'une mémoire synchrone, ou pour mieux utiliser les accès en rafale. Évidemment, cette réorganisation ne se voit pas du côté du processeur, car le contrôleur remet les accès dans l'ordre. Si les commandes mémoires sont envoyées dans un ordre différent de celui du processeur, le contrôleur mémoire fait en sorte que cela ne se voit pas. Notamment, il reçoit les données lues depuis la mémoire et les remet dans l'ordre de lecture demandé par le processeur. Mais nous reparlerons de ces capacités d'ordonnancement plus bas.
L'architecture du contrôleur.
Dans les grandes lignes, on peut découper le contrôleur mémoire externe en deux grands ensembles : un gestionnaire mémoire et une interface physique. Cette dernière s'occupe, comme dit haut, de la traduction des tensions entre processeur et mémoire, ainsi que de la génération de l'horloge. Si la mémoire est une mémoire série, elle contient un registre à décalage pour transformer un mot mémoire de N bits en signal série transmis bit par bit. Elle s'occupe aussi de la correction et de la détection d'erreur si la mémoire gère cette fonctionnalité. En clair, elle gère tout ce qui a trait à la transmission des bits, au niveau électronique voire électrique. Le séquenceur mémoire gère tout le reste. L'interface électrique est presque toujours présente, alors que le séquenceur peut parfois être réduit à peu de chagrin sur certaines mémoires. le gestionnaire mémoire est découpé en deux : un circuit qui s'occupe de la gestion des commandes mémoires proprement dit, et un circuit qui s'occupe des échanges de données avec le processeur. Ce dernier prévient le processeur quand une donnée lue est disponible et lui fournit la donnée avec, il prévient le processeur quand une écriture est terminée, etc.
Le séquenceur mémoire.
Le rôle principal du contrôleur est la traduction des requêtes processeurs en une suite de commandes mémoire. Pour faire cette traduction, il y a plusieurs méthodes. Dans le cas le plus simple, le contrôleur mémoire contient un circuit séquentiel appelé une machine à état fini, aussi appelée séquenceur, qui s'occupe de cette traduction. Il s'occupe à la fois de la traduction des requêtes en suite de commande et des timings d'envoi des commandes à la mémoire. Mais cette organisation marche assez mal avec la gestion du rafraichissement. Aussi, il est parfois préférable de séparer la traduction des requêtes en suite de commandes, et la gestion des timings d'envoi de ces commandes à la mémoire. S'il y a séparation, le séquenceur est alors séparé en deux : un circuit de traduction et un circuit d’ordonnancement des commandes. Ce dernier reçoit les commandes du circuit de traduction, les mets en attente et les envoie à la mémoire quand les timings le permettent.
Notons que cela implique une fonction de mise en attente des commandes. Les raisons à cela sont multiples. Le cas le plus simple est celui des requêtes processeur qui correspondent à plusieurs commandes. Prenons l'exemple d'une requête de lecture se traduit en une série de deux commandes : ACT et READ. La commande ACT peut être envoyée directement à la mémoire si elle est libre, mais la commande READ doit être envoyée deux cycles plus tard. Cette dernière doit donc être mise en attente durant deux cycles. Et on pourrait aussi citer le cas où plusieurs requêtes processeur arrivent très vite, plus vite que la mémoire ne peut les traiter. Si des requêtes arrivent avant que la mémoire n'ait pu terminer la précédente, elles doivent être mises en attente.
Notons que pour les mémoires SDRAM et DDR, ce circuit décide s'il faut ajouter ou non des commandes PRECHARGE. Certains accès demandent des commandes PRECHARGE alors que d'autres peuvent s'en passer. C'est aussi lui qui détecte les accès en rafale et envoie les commandes adaptées. Notons que quand on accède à des données consécutives, on a juste à changer l'adresse de la colonne : pas besoin d'envoyer de commande ACT pour changer de ligne. C'est le séquenceur mémoire qui se charge de cela, et qui détecte les accès en rafale et/ou les accès à des données consécutives. Nous en parlerons plus en détail dans la suite du chapitre, dans la section sur la politique de gestion du tampon de ligne.
Le circuit de gestion du rafraichissement et le circuit d'arbitrage.
La gestion du rafraichissement est souvent séparée de la gestion des commandes de lecture/écriture, et est effectuée dans un circuit dédié, même si ce n'est pas une obligation. Si les deux sont séparés, le circuit de gestion des commandes et le circuit de rafraichissement sont secondés par un circuit d'arbitrage, qui décide qui a la priorité. Ainsi, cela permet que les commandes de rafraichissement et les commandes mémoires ne se marchent pas sur les pieds. Notamment quand une commande mémoire et une commande de rafraichissement sont envoyées en même temps, la commande de rafraichissement a la priorité.
Le circuit d'arbitrage est aussi utilisé quand la mémoire est connectée à plusieurs composants, plusieurs processeurs notamment. Dans ce cas, les commandes des deux processeurs ont tendance à se marcher sur les pieds et le circuit d'arbitrage doit répartir le bus mémoire entre les deux processeurs. Il doit gérer de manière la plus neutre possible les commandes des deux processeurs, de manière à empêcher qu'un processeur monopolise le bus pour lui tout seul.
L'architecture complète du contrôleur mémoire externe.
En clair, le contrôleur mémoire contient notamment un circuit de traduction des requêtes processeur en commandes mémoire, suivi par une FIFO pour mettre en attente les commandes mémoires, un module de rafraichissement, ainsi qu'un circuit d'arbitrage (qui décide quelle requête envoyer à la mémoire). Ajoutons à cela des FIFO pour mettre en attente les données lues ou à écrire, afin qu'elles soient synchronisées par les commandes mémoires correspondantes. Si une commande mémoire est mise en attente, alors les données qui vont avec le sont aussi. Ces FIFOS sont couplées à quelques circuits annexes, le tout formant le circuit d'échange de données avec le processeur, dans le gestionnaire mémoire, vu dans les schémas plus haut.
Le contrôleur mémoire externe est schématiquement composé de quatre modules séparés.
Si la mémoire (et donc le contrôleur) est partagée entre plusieurs processeurs, certains circuits sont dupliqués. Dans le pire des cas, tout ce qui précède le circuit d'arbitrage, circuit de rafraichissement mis à part, est dupliqué en autant d’exemplaires qu'il y a de processeurs.
La politique de gestion du tampon de ligne.
Le séquenceur mémoire décide quand envoyer les commandes PRECHARGE, qui pré-chargent les bitlines et vident le tampon de ligne. Il peut gérer cet envoi des commandes PRECHARGE de diverses manières nommées respectivement politique de la page fermée, politique de la page ouverte et politique hybride.
La politique de la page fermée.
Dans le premier cas, le contrôleur ferme systématiquement toute ligne ouverte par un accès mémoire : chaque accès est suivi d'une commande PRECHARGE. Cette méthode est adaptée à des accès aléatoires, mais est peu performante pour les accès à des adresses consécutives. On appelle cette méthode la close "page autoprecharge", ou encore politique de la page fermée.
La politique de la page ouverte.
Avec des accès consécutifs, les données ont de fortes chances d'être placées sur la même ligne. Fermer celle-ci pour la réactiver au cycle suivant est évident contreproductif. Il vaut mieux garder la ligne active et ne la fermer que lors d'un accès à une autre ligne. Cette politique porte le nom dopen page autoprecharge", ou encore politique de la page ouverte"'.
Lors d'un accès, la commande à envoyer peut faire face à deux situations : soit la nouvelle requête accède à la ligne ouverte, soit elle accède à une autre ligne.
Détecter un succès/défaut de tampon de ligne n'est pas très compliqué. Le séquenceur mémoire a juste à se souvenir des lignes et banques actives avec une petite mémoire : la table des banques. Pour détecter un succès ou un défaut, le contrôleur doit simplement extraire la ligne de l'adresse à lire ou écrire, et vérifier si celle-ci est ouverte : c'est un succès si c'est le cas, un défaut sinon.
Les politiques dynamiques.
Pour gagner en performances et diminuer la consommation énergétique de la mémoire, il existe des techniques hybrides qui alternent entre la politique de la page fermée et la politique de la page ouverte en fonction des besoins.
La plus simple décide s'il faut maintenir ouverte la ligne en regardant les accès mémoire en attente dans le contrôleur. La politique de ce type la plus simple laisse la ligne ouverte si au moins un accès en attente y accède. Une autre politique laisse la ligne ouverte, sauf si un accès en attente accède à une ligne différente de la même banque. Avec l'algorithme FR-FCFS (First Ready, First-Come First-Service), les accès mémoires qui accèdent à une ligne ouverte sont exécutés en priorité, et les autres sont mis en attente. Dans le cas où aucun accès mémoire ne lit une ligne ouverte, le contrôleur prend l'accès le plus ancien, celui qui attend depuis le plus longtemps comparé aux autres.
Pour implémenter ces techniques, le contrôleur compare la ligne ouverte dans le tampon de ligne et les lignes des accès en attente. Ces techniques demandent de mémoriser la ligne ouverte, pour chaque banque, dans une mémoire RAM : la table des banques, aussi appelée "bank status memory". Le contrôleur extrait les numéros de banque et de ligne des accès en attente pour adresser la table des banques, le résultat étant comparé avec le numéro de ligne de l'accès.
Les politiques prédictives.
Les techniques prédictives prédisent s'il faut fermer ou laisser ouvertes les pages ouvertes.
La méthode la plus simple consiste à laisser ouverte chaque ligne durant un temps prédéterminé avant de la fermer. 
Une autre solution consiste à effectuer ou non la pré-charge en fonction du type d'accès mémoire effectué par le dernier accès. On peut très bien décider de laisser la ligne ouverte si l'accès mémoire précédent était une rafale, et fermer sinon.
Une autre solution consiste à mémoriser les N derniers accès et en déduire s'il faut fermer ou non la prochaine ligne. On peut mémoriser si l'accès en question a causé la fermeture d'une ligne avec un bit. Mémoriser les N derniers accès demande d'utiliser un simple registre à décalage, un registre couplé à un décaleur par 1. Pour chaque valeur de ce registre, il faut prédire si le prochain accès demandera une ouverture ou une fermeture.
Le ré-ordonnancement des commandes mémoires.
Le contrôleur mémoire peut optimiser l'utilisation de la mémoire en changeant l'ordre des requêtes mémoires pour regrouper les accès à la même ligne/banque. Ce ré-ordonnancement marche très bien avec la politique à page ouverte ou les techniques assimilées. Elles ne servent à rien si le séquenceur utilise une politique de la page fermée. L'idée est de profiter du fait qu'une page est restée ouverte pour effectuer un maximum d'accès dans cette ligne avant de la fermer. Les commandes sont réorganisés de manière à regrouper les accès dans la même ligne, afin qu'ils soient consécutifs s'ils ne l'étaient pas avant ré-ordonnancement.
Pour réordonnancer les accès mémoire, le séquenceur vérifie si il y a des dépendances entre les accès mémoire. Les dépendances en question n'apparaissent que si les accès se font à une même adresse. Si tous les accès mémoire se font à des adresses différentes, il n'y a pas de dépendances et ont peut, en théorie, faire les accès dans n'importe quel ordre. Le tout est juste que le séquenceur remette les données lues dans l'ordre demandé par le processeur et communique ces données lues dans cet ordre au processeur. Les dépendances apparaissent quand des accès mémoire se font à une même adresse. le cas réellement bloquant, qui empêche toute ré-ordonnancement, est le cas où une lecture lit une donnée écrite par une écriture précédente. Dans ce cas, la lecture doit avoir lieu après l'écriture. 
Une première solution consiste à regrouper plusieurs accès à des données successives en un seul accès en rafale. Le séquenceur analyse les commandes mises en attente et détecte si plusieurs commandes consécutives se font à des adresses consécutives. Si c'est le cas, il fusionne ces commandes en une lecture/écriture en rafale. Une telle optimisation est appelée la combinaison de lecture pour les lectures, et la combinaison d'écriture pour les écritures. Cette méthode d'optimisation ne fait que fusionner des lectures consécutives ou des écritures consécutives, mais ne fait pas de ré-ordonnancement proprement dit. Une variante améliorée combine cette fusion avec du ré-ordonnancement. 
Une seconde solution consiste à effectuer les lectures en priorité, quitte à mettre en attente les écritures. Il suffit d'utiliser des files d'attente séparées pour les lectures et écritures. Si une lecture accède à une donnée pas encore écrite dans la mémoire (car mise en attente), la donnée est lue directement dans la file d'attente des écritures. Cela demande de comparer toute adresse à lire avec celles des écritures en attente : la file d'attente est donc une mémoire associative. Cette solution a pour avantage de faciliter l'implémentation de la technique précédente. Séparer les lectures et écritures facilite la fusion des lectures en mode rafale, idem pour les écritures.
Une autre solution répartit les accès mémoire sur plusieurs banques en parallèle. Ainsi, on commence par servir la première requête de la banque 0, puis la première requête de la banque 1, et ainsi de suite. Cela demande de trier les requêtes de lecture ou d'écriture suivant la banque de destination, ce qui demande une file d'attente pour chaque banque.