ジブチ大使館（）は、ジブチが世界各国に設置している大使館。世界各国がジブチに設置している在ジブチ大使館（）を指して、単にジブチ大使館と呼ばれることもある。
荒川ユリエル
在ジブチ大使館
足利工業大学硬式野球部
概要.
出演者.
銅配線
銅ベースチップとは、配線工程のメタル層において、配線として銅を用いた半導体集積回路のこと。
銅はアルミニウムより優れた導体であるため、この技術を用いたチップはより小さいメタルコンポーネントを持つことができ、電気を通すエネルギーが小さくなる。
また、これらの効果によりプロセッサが高パフォーマンスになる。
アルミニウムから銅への移行は、メタルのパターニングの根本的に異なる方法や、シリコンを潜在的にダメージを与える銅原子から分離させるためのバリアメタル層の導入などを含む製造技術の大きな発展を必要とした。
パターニング.
よってそれまでアルミニウムで大きな成功を収めていたフォトレジストマスクとプラズマエッチングの技術では、銅をパターン化することができなかった。
銅をプラズマエッチングできないことはメタルパターニングプロセスの劇的な見直しを要求した。
このプロセスでは、下層のシリコン酸化物絶縁層は導体があるべき開いた溝のパターンをもつ。
絶縁層の溝の中に入り込んだ銅は取り除かれず、パターン化された導体となる。
メタルバリア.
全ての銅配線をメタルバリア層で完全に囲まなければならない。
なぜなら周囲の物質に銅が拡散すると特性が低下するためである。
たとえばシリコンは銅がドープされると深い準位トラップを形成する。
名前が暗示するように、銅導体を下のシリコンから化学的に分離するためにメタルバリアは銅の拡散を十分に制限しなければならないが、それにもかかわらず良い電子接点を維持するために高い電気伝導性も持たなければならない。
バリア層の厚さも重要である。
バリア層が薄すぎると銅接点が接続されたデバイスに害を与える。
バリア層が厚すぎると、バリア層と銅導体の全抵抗がアルミニウム配線よりも大きくなり、利点が損なわれてしまう。
それまでのアルミニウムから銅ベース導体への移行における導電性の向上は少量であり、アルミニウムと銅のバルク導電性の単純な比較から期待されたほど良くはなかった。