概要.
DRAMチップでは、メモリデータの各ビットは、チップ上の小さなコンデンサ上の電荷の有無として記憶される。時間が経つにつれて、メモリセルの電荷は漏れ出すため、リフレッシュされなければ、記憶されたデータは最終的に失われる。これを防ぐため、外部回路が定期的に各セルを読み出して書き換え、コンデンサの電荷を元のレベルに戻す。各メモリ・リフレッシュ・サイクルは、メモリセルの後続領域をリフレッシュするため、連続したサイクルですべてのセルを繰り返しリフレッシュすることになる。このプロセスは通常、メモリ回路によってバックグラウンドで自動的に実行され、ユーザーに意識されることは無い。リフレッシュ・サイクルが発生している間、メモリは通常の読み出しおよび書き込み動作に使用できないが、最新のメモリでは、このはメモリ動作を大幅に遅くするほど大きくない。
DRAMリフレッシュの仕組み.
メモリが動作している間、各メモリセルは、メーカーが指定した最大リフレッシュ間隔（通常はミリ秒領域）内で、繰り返しリフレッシュされなければならない。リフレッシュは、データ・アクセスに使用される通常のメモリ動作（読み出しと書き込みのサイクル）ではなく、リフレッシュ・サイクルと呼ばれる特殊なサイクルを使用します。このサイクルは、メモリ回路内の別のカウンタ回路によって生成され、通常のメモリ・アクセスの間に挟まれる。
リフレッシュ回路は、各セルが確実にリフレッシュされるように、リフレッシュ時間間隔内にチップ上の各行に対してリフレッシュ・サイクルを実行しなければならない。
リフレッシュ回路の種類.
バースト・リフレッシュでは、メモリが利用できない期間が長くなるため、分散リフレッシュが最近のほとんどのシステム、特にリアルタイムシステムで使用されている。分散リフレッシュでは、リフレッシュ・サイクルの間隔は
リフレッシュのオーバーヘッド.
メモリがリフレッシュに費やす時間の割合（リフレッシュ・オーバーヘッド）は、次のように、システム・タイミングから計算できる。
リフレッシュ間隔.
SRAM、DRAMのメモリ技術.
SRAM.
CPUベースのリフレッシュ.
疑似スタティックDRAM.
リフレッシュをともなうメモリ技術.