ポリシリコンは、抵抗器、導電体、あるいはシャロージャンクションとして使用される可能性もある。シャロージャンクションにおいて、ポリシリコン物質にドーピングを行うことによって得られた期待された電気伝導率を利用する。
このことは、より複雑でより高速な電子回路をアモルファスシリコンと一緒にガラス基板上に作成することを可能にする。
ポリシリコンとアモルファスシリコンが同じ製造過程で使われるとき、ハイブリッドプロセッシングと呼ばれる。
太陽光発電産業のための原材料.
多結晶シリコンは、太陽光発電産業おける結晶シリコンの重要な原材料であり、従来型の太陽電池の製造に使われる。
ポリシリコン堆積におけるこのプロセスの重要な変数は、温度、圧力、シラン濃度、そして不純物濃度である。
ウェハーの間隔と大きさは、堆積プロセスにおいてわずかな影響しか及ぼさない。
この数式に基づくと、ポリシリコン堆積速度は、堆積温度の上昇とともに増加する。
しかしながら、未反応のシランが表面に到達する速度よりも堆積速度が速くなる最低温度が存在する。
この温度を超えると、ポリシリコンを生成するシランの不足によって堆積速度はもはや温度とともに上昇できない。
表面反応制限になっている堆積プロセスは、主に反応物質濃度と反応温度に依存する。
低圧力の反応器の内部における圧力を変更することができる。ポンプの速度を変えるか、反応器の入口のガスの流量を変えるかのどちらかよって圧力を変更できる。
もしも入口のガスがシランと窒素から構成されるならば、入口のガス流量、従って反応器の圧力を変更できる可能性がある。一定のシラン流量における窒素流量の変更をするか、あるいはガス比率を一定に保ちつつ合計のガス流量を変更するために窒素とシランの両方の流量を変更するかのどちらかによって変更できる。
最近の調査によると、電子ビーム蒸着と統計的工程管理（SPC）は、ソーラーグレードのポリシリコン薄膜を製造するために費用対効果が高く、迅速な代替手法になることが示されている（SPCは必要な時のみ）。
ドーパントが堆積中に添加されると、堆積の厚みの均一性は通常悪化する。
このプロセスは、比較的高価で時間がかかる。
シーメンス法は、より効率的にシーメンス法を実現することによって来たるべき数年間の生産における支配的な手法であり続けるだろう。