パラジウムシリサイド（PdSi）で作られたショットキーダイオードは、順方向電圧が低いので、優秀である（ショットキーダイオードの順方向電圧はベース・コレクタ間の順方向電圧よりも低くしないといけない）。
ショットキーの温度係数は、ベース・コレクタ間接合の温度係数よりも低いので、高温でのPdSiの使用が制限される。
トランジスタの場合、電流がエピタキシャル層の厚み全体を通過する必要があるので、エピタキシャル層の抵抗はより重要である。
しかしながら、その抵抗は、接合部全体に広がる分散されたバラスト抵抗として役立ち、通常の条件下において局所的な熱暴走を防ぐことになる。
ショットキーダイオードの接合部は、温度に敏感な金属皮膜と直接接触している。
ショットキーダイオードの順方向電圧が低いという相対的な利点は、順方向電流が増えると減少する。
ショットキーダイオード内部の直列抵抗によって生じる電圧降下の方が支配的になるからである。
逆回復時間.
導通状態の間に拡散領域に溜まる少数キャリアによって引き起こされるが主な制約となって逆回復時間はこれより短くできない。
ショットキーダイオードは、ユニポーラ素子（電子と正孔のどちらか一つのみを使う素子）であり、接合容量のみが速度の制約になるので、非常に高速である。
ショットキーダイオードの場合、それほど懸念することのないわずかな容量負荷だけなので、本質的に「瞬間」で動作する。
この「瞬間」のスイッチングは、常に当てはまる訳ではない。
このガードリングが生み出した寄生ダイオードは、順方向にバイアスされない限り、ショットキーダイオードに静電容量だけを追加する。
多数キャリアは、自由電子になるためにショットキー接合の反対側にある金属接触部分の伝導帯へ素早く注入される。
この特性によって、デバイス面積は小さくなり、遷移もより高速になる。
このことは、ショットキーダイオードがスイッチモード・パワーコンバーター（スイッチング電源はその一種）で有用なもう一つの理由である。
制約.
ショットキーダイオードの最も明確な制約は、低い降伏電圧と多いである。
逆漏れ電流は、温度とともに上昇するので、熱暴走問題を引き起こす。
このことは、実用的な降伏電圧を定格以下に制限することになる。