大きな単結晶は自然において極めて珍しく、研究所で作ることも難しい（も参照）。
それと対照的にアモルファス構造において、原子配置の秩序は短い範囲に制限される。
多結晶と（準結晶）の相は、多くの小さな結晶あるいは晶子から構成される。
多結晶シリコン（半結晶シリコン、ポリシリコン、ポリSi、あるいは単純に「ポリ」）は、複数の小さなシリコン結晶から成る物質である。
多結晶セルは、「金属フレーク効果」と呼ばれる目に見える大きさの粒によって識別できる。
半導体グレード（あるいはソーラーグレード）多結晶シリコンは、単結晶シリコンへ変換される。つまり、ランダムに結合した多結晶シリコンのシリコン晶子は、大きな単結晶へ変換されるということである。
単結晶シリコンは、シリコンでできたマイクロエレクトロニクス素子のほとんどを製造するのに使われる。
マイクロエレクトロニクス産業（半導体産業）において、ポリシリコンはマクロスケールとマイクロスケール（成分）の両方の段階で使用される。
部品として使われる多結晶シリコン.
近年、そのままのポリシリコンとドープされたポリシリコンが薄膜におけるアクティブ層やドープされた層としてで使われている。
これらの温度においてガラス基板上でポリシリコンを堆積することが可能であるが、プラスチック基板上で成長させることはできない。
プラスチック基板上の多結晶シリコンの成長は、フレキシブルスクリーン（曲げられる画面）のデジタル表示装置を製造できるということで期待されている。
溶かされたシリコンは、冷えるに従って結晶化する。
しかしながら、広い面積に渡ってポリシリコン上にデバイスを作るために、デバイスの形状よりも結晶の粒が小さいことがデバイスの均一性のために必要とされる。
ポリシリコンは、VLSIの製造において多くの用途がある。
主な用途の一つは、MOSデバイスのためのゲート電極物質としてである。
ポリシリコンのゲートの電気伝導率は、ゲート上に金属（タングステンのようなもの）あるいは金属シリサイド（タングステンシリサイドのようなもの）を堆積することによって増大する可能性がある。