不揮発性メモリには、ROM、フラッシュメモリ、ほとんどの種類の磁気記憶装置（ハードディスクドライブ、フロッピーディスク、磁気テープなど）、光ディスク、初期のコンピュータで使われた紙テープやパンチカードなどがある。アドレスを電気的に指定するもの（半導体メモリなど）と機械的に指定するもの（ハードディスク、光ディスク、磁気テープなど）に分類され、電気的にアドレス指定するものはビット単価が高価だが高速であり、機械的に指定するものはビット単価が安いが低速である。
半導体メモリ.
主要なタイプとして、以下のようなものがある。
マスクROM.
マスクROMは古くからある不揮発性ROMで、設計段階から配線によって特定のデータを格納するようになっており、そのフォトマスクを使って集積回路を製造すると、シリコンにデータが刻み込まれ後から書き換えることはできない。
したがってマスクROMは大量生産に向いており、初期のミニコンピュータの立ち上げ処理（ブート）のコードの格納などに使われた。
初期コストが高くつき後から修正できないことから、設計の初期段階で使うことは滅多にない。
PROM.
初期のPLD（プログラマブルロジックデバイス）チップもヒューズ型PROMと同様のプログラミング手法を採用していた。
ヒューズ型より新しいアンチヒューズ型PROM（ワンタイム・プログラマブル (OTP) メモリとも）は、集積度・信頼性が高く、読み出しが高速でデータ保持期間が長いことから、家電機器、自動車、RFID、HDMIなどに広く使われている。
EPROM.
OTP（ワンタイム・プログラマブル） EPROM.
OTP EPROM も基本的には同じものだが、石英の窓がチップにないため、一度書き込むと消去できない。石英を使わないため安価である。
EEPROM.
EEPROMは電気だけでチップの記憶内容の一部を選択的に消去でき、しかも消去のために回路から取り外す必要がない。消去と書き込みは人間から見れば高速だが、読み出しに比べると遅い。
フラッシュメモリ.
NOR型フラッシュメモリのメーカーは次の通りである。
NAND型フラッシュメモリのメーカーは次の通りである。
その他.
磁気抵抗RAM (MRAM).
強誘電体メモリ (FeRAM).
有機メモリ.
マクロサイズの磁性体等による不揮発性メモリ.