見せかけの回帰は無関係な単位根過程同士に関係が存在するような推定結果が得られてしまうという問題であるが、実際に単位根過程がある（線形）方程式を常に成立させるように変動している場合がある。このような関係を共和分（）と呼ぶ。単位根過程間での関係は見せかけの回帰を生じるさせるようなものか、共和分であるかのいずれかなので、単位根過程間での有意な関係の有無を調べたい時には見せかけの回帰を起こすリスクが存在する最小二乗法ではなく、共和分関係の推定と共和分検定を用いることが推奨される。
見せかけの回帰の回避.
見せかけの回帰を回避する方法はいくつか提案されている。
ラグ付きの回帰.
差分を取った回帰.
ミリ波イメージャー
共鳴トンネルダイオード
共鳴トンネルダイオード（きょうめいトンネルダイオード、）は状態を通じて特定のエネルギー準位をもつ電子や正孔がトンネル効果により伝導する、共鳴トンネリング構造を持つダイオードである。 負性抵抗領域のある電流電圧特性を持つことが多い。
トンネルダイオードは量子トンネル効果を利用する。トンネルダイオードの電流電圧特性の特徴は負性抵抗領域を持つことであり、独特なさまざまな用途に用いられる。薄膜越しの量子トンネリングは非常に速いプロセスであることから、高速動作が可能である。テラヘルツ領域で動作可能な発振器およびスイッチング素子への応用に向けた研究が盛んである。
概要.
動作.
下のプロセスは右図に示したものと同一である。障壁の数および量子井戸中の準位の数によっては、下のプロセスが繰り返される。
正性抵抗領域.
バイアス電圧が低い場合、バイアス電圧が高まるにつれて量子井戸中の第一準位がソースのフェルミ準位に近づくため、電流は増加する。
負性抵抗領域.
さらにバイアス電圧を高めると、量子井戸中の第一準位はエネルギー的に低くなっていき、バンドギャップ領域へと入っていくため、電流は減少する。この段階ではまだ、量子井戸中の第二準位はエネルギーが高すぎて伝導に寄与しない。
最初の正性抵抗領域と同様に、量子井戸中の第二準位がソースのフェルミ準位に近づくにつれて、この準位を通じたトンネル電流が増加するため、総電流が再び増加する。
バンド内共鳴トンネリング.