概要・略歴.
もやしっこ的風貌で味のある芸人。
非晶質半導体
アモルファス半導体
アモルファス半導体（アモルファスはんどうたい、）とは、非晶質状態の半導体である。非晶質半導体 () とも言う。結晶状態の半導体とは種々の物性が大きく異なるのを利用して、受光素子などへの応用が行われている。
性質.
結晶状態の半導体においては通常、原子の作り出す周期的ポテンシャルによって電子のエネルギー準位がバンド構造を取り、価電子帯、伝導帯および禁制帯などの区別が明確に形成される。これに対し非晶質の半導体においては、原子配列がランダムになるためにバンド端がはっきりしなくなる。
また結晶状態では結晶全体に拡がっている波動関数が空間的に局在（アンダーソン局在）を起こして伝導特性に種々の影響を及ぼす。短距離的な秩序はある程度保たれるので価電子帯や伝導帯は存在すると考えて良いが、局在のために価電子帯の上や伝導帯の下（つまり本来の禁制帯中）に移動度の小さい裾準位が生じる。
またダングリングボンドによってフェルミ準位付近に多数の準位が形成される。このため光学的なエネルギーギャップと電気的なエネルギーギャップに違いが生じ、光学的には局在準位から局在準位への遷移が可能になり、電気的なエネルギーギャップよりもみかけのギャップが小さくなる。また結晶のランダム性により、電子がフォノンを介さずに遷移する確率が増え、光吸収係数が上がるなどの光学的特性上の変化も起こす。
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アモルファスシリコン
アモルファスシリコン（）は、ケイ素を主体とする非晶質半導体である。結晶シリコンと比較してエネルギーギャップが大きく、吸光係数が高い、製膜が容易などの特徴を持ち、薄膜トランジスタや太陽電池などに応用される。
歴史.
性質.
アモルファスシリコンは製法や組成によって電気的・光学的に大きく性質を変化させることが可能である。また結晶シリコンに比して製膜条件が緩く、非結晶性の材料や高温に耐えない材料の上にも製膜しやすい利点を持つ。
結晶シリコンに比較して、アモルファスシリコンは下記のような違いがある。
製法.
応用.
液晶パネルの薄膜トランジスタなど、ガラスやプラスチック上への半導体素子の形成などに広く応用されている。
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