対象としては、政治家、国家、政府、企業、世界機関などがある。対象となる人物の人形や写真、企業の製品、対象国の国旗、あるいは象徴物などを燃やす。韓国や中国で日本の国旗や日本の首相の人形が燃やされる、あるいは中東でアメリカやイスラエルの国旗が燃やされるなどの例があげられる。国によっては例えば宗教(経典や神像など)あるいは国家の象徴(国旗など)に対する故意の破損を禁じているところもある。アメリカは表現の自由を保証した憲法の条文によりこのような行為を処罰する法律は違憲という最高裁の判断が出ている。憲法に表現の自由が同じように明記されている他の国では公共の利益などの理由で違法化されている場合もあるがこれには賛否両論が存在する。日本では外国の国旗の破損を違法(外国国章損壊罪)としており、数少ないながら有罪とした判例も存在する。北畠晴具生涯.人物.官歴.注記のないものは『諸家伝』による。子孫.強誘電体メモリ構造と動作原理.FeRAMのセルにはキャパシターが用いられており、この意味においては、DRAMと基本的に類似したセルである。しかし、このキャパシターの極板間の材料には強誘電体が用いられているという点で、FeRAMはDRAMとは大きく異なる。書き込み時にはワード線でセルである強誘電体キャパシターを選択し、ビット線とソースプレートの間に電圧を印加して強誘電体膜を分極させる。読み出し時にはパルス電圧を加えて分極反転による電流が流れたかどうかでセルに蓄えられたデータをセンスアンプで判定する。この時、分極は元の状態に依らずに電圧印加方向を向く(同方向ならば電流が流れず、反対方向ならば分極反転して電流が生じる。)ので、破壊読出しとなる。このため、読み出す時には必ず再書き込みを必要とするので、書き込み回数に読み出し回数も含まれる。強誘電体膜の材料.FeRAMに用いられる強誘電体膜の材料には以下のような性質が要求される。なお、インプリントや分極反転疲労及びリーク電流は強誘電体膜内部の結晶粒界や結晶欠陥に起因する。SBT.実用.ただし、パーソナルコンピュータなどに搭載される主記憶装置の代替としては未だに実用化の目途は立っていない。双子葉植物綱単子葉植物綱日本橋川行政指定.政令による指定内容は、以下のとおり。地理.