INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les polymères semi-fluorés comprenant notamment des motifs issus du fluorure de vinylidène revêt une importance particulière car il peut être utilisé dans une large gamme d'applications allant des matériaux piézoélectriques, au traitement de l'eau et au stockage de l'énergie.
Une cellule élémentaire d’une batterie de stockage Li-ion ou d’une batterie au lithium comprend une anode (à la décharge), et une cathode (également à la décharge) généralement composée d’un composé d’insertion de lithium de type oxyde métallique, tel que LiMn2O4, LiCoO2 ou LiNiO2, entre lesquelles est inséré un électrolyte qui conduit les ions lithium.
Le poly(fluorure de vinylidène) (PVDF) est utilisé comme liant dans des batteries lithium–ion en raison de son excellente stabilité électrochimique, de sa bonne capacité de liaison et de sa forte adhérence aux matériaux d’électrodes et aux collecteurs de courant. Le marché des véhicules électriques et donc des batteries lithium-ion étant en très forte expansion au niveau mondial, la demande de liant est très importante et le PVDF est le liant de référence pour les cathodes.
Avantageusement la conductivité ionique de l’électrode liquide est de 0,01 à 250mS/cm.
Avantageusement l’électrode liquide est préalablement chargée avant l’introduction dans les chambres du dispositif, en particulier à l’aide d’une électrode en carbone introduite dans la solution électrolytique par exemple composé Méthanol à 40%, HEPES à 10mM, HPMC à 0,2%, Tween 20 à 0,1%, KCl à 1,5M pH=7.5.
L’utilisation d’une cathode et d’une anode liquide implique la non-utilisation de métal dans le dispositif et permet d’éviter l’électrolyse de l’eau et donc la formation de bulles dans la (les) chambre(s) d’électrophorèse
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel la solution tampon présente un pH adapté pour la purification et/ou la séparation du produit à purifier et/ou à séparer contenu dans la solution initiale.
En générale, le pH de la solution tampon est compris entre 5,8 à 7,5 et dépend de la molécule à purifier dans son milieu.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel ladite circulation fluidique de la cathode liquide dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlée par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 10 000 µL/min.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel ladite circulation fluidique de l’anode liquide dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlée par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 10 000 µL/min.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel ladite circulation fluidique de la solution à purifier et/ou à séparer dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlée par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 30 000 µL/min.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel ladite circulation fluidique de la solution tampon dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlé par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 50 000 µL/min.
La gamme de « 10 à 10 000 µL/min » comprend les gammes suivantes : de 10 à 20 µL/min ; de 20 à 50 µL/min ; de 50 à 80 µL/min ; de 80 à 100 µL/min ; de 100 à 150 µL/min ; de 150 à 200 µL/min ; de 200 à 300 µL/min ; de 300 à 400 µL/min ; de 400 à 500 µL/min ; de 500 à 600 µL/min ; de 600 à 800 µL/min ; de 800 à 1 000 µL/min ; de 1 000 à 1500 µL/min ; de 1 500 à 2 000 µL/min ; de 2 000 à 2 500 µL/min ; de 2 500 à 3 000 µL/min ; de 3 500 à 4 000 µL/min ; de 4 000 à 4 500 µl/min ; de 4 500 à 5 000 µL/min ; de 5 000 à 5 500 µL/min ; de 5 500 à 6 000 µL/min ; de 6 000 à 6 500 µL/min ; de 6 500 à 7 000 µL/min ; de 7 000 à 7500 µL/min ; de 7 500 à 8 000 µL/min ; de 8 000 à 8 500 µL/min ; de 8 500 à 9 000 µL/min ; de 9 000 à 9 500 µL/min ; de 9 500 µL/min à 10 000 µL/min.
La gamme de « 10 à 20 000 µL/min » comprend les gammes suivantes : de 10 à 10 000 µL/min ; de 10 000 à 11 000 µL/min ; de 11 000 à 12 000 µL/min ; de 12 000 à 13 000 µL/min ; de 13 000 à 14 000 µL/min ; de 14 000 à 15 000 µL/min ; de 15 000 à 16 000 µL/min ; de 16 000 à 17 000 µL/min ; de 17 000 à 18 000 µL/min ; de 18 000 à 19 000 µL/min ; de 19 000 à 20 000 µL/min.
La gamme de « 10 à 50 000 µL/min » comprend les gammes suivantes : de 10 à 20 000 µL/min ; de 20 000 à 25 000 µL/min ; de 25 000 à 30 000 µL/min ; de 30 000 à 35 000 µL/min ; de 35 000 à 40 000 µL/min ; de 40 000 à 45 000 µL/min ; de 45 000 à 50 000 µL/min.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel ladite circulation fluidique de la cathode liquide dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlée par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 10 000 µL/min,
et/ou dans lequel ladite circulation fluidique de l’anode liquide dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlée par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 10 000 µL/min,
et/ou dans lequel ladite circulation fluidique de la solution à purifier et/ou à séparer dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlée par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 30 000 µL/min,
et/ou dans lequel ladite circulation fluidique de la solution tampon dans chacune des chambres d’électrophorèse, contrôlé par l’unité centrale (UC1), est mise en œuvre à un débit de 10 à 50 000 µL/min.
Selon une autre caractéristique particulière, la roue comprend une jante annulaire reliée par un voile à un moyeu reçu à pivotement sur l’essieu, la jante délimitant avec le voile et le moyeu un espace annulaire dans lequel s’étend le premier dispositif de freinage et le deuxième dispositif de freinage.
Selon une autre caractéristique particulière, les moyens de rappel élastique comprennent au moins un ressort.
Selon une autre caractéristique particulière, le disque statorique et le disque rotorique sont montés coulissant selon l’axe de rotation de la roue sur un tube de torsion fixé à l’essieu.
De manière particulière, le stator est monté coulissant selon l’axe de rotation de la roue sur le tube de torsion.
Selon une autre caractéristique particulière, le stator porte des aimants.
Selon une autre caractéristique particulière, l’actionneur est un actionneur hydraulique.
la est une vue éclatée de la roue illustrée à la .
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , l’invention est décrite en application à un aéronef A comprenant deux atterrisseurs principaux P qui comportent chacun une jambe J ayant une première extrémité articulée sur une structure S de l’aéronef A et, à l’opposé, une deuxième extrémité portant des roues 1 tournant autour d’un axe X sur un essieu E tubulaire. Les atterrisseurs principaux P sont ici du type rétractable mais l’invention est applicable à des atterrisseurs fixes, voire à un autre type de véhicule comme un véhicule terrestre.
La roue 1 comporte, comme illustré à la , une jante 2 annulaire reliée par un voile 3 à un moyeu 4 reçu à pivotement sur l’essieu E au moyen de roulements (non représentés). La jante 2 s’étend en regard du moyeu 4 et délimite avec ledit moyeu 4 un espace annulaire ayant une extrémité au moins partiellement obturée par le voile 3 et, à l’opposée, une extrémité ouverte.
Le frein de la roue 1 comprend un premier dispositif de freinage 10 magnétique à flux radial et un deuxième dispositif de freinage 20 par friction.
Dans un second temps, l’anneau est roulé entre les deux doigts, les amplitudes des paires de signaux restant telles que les racines de leurs sommes quadratiques restent supérieures à la valeur seuil, à défaut d’être constante. Ce comportement est représentatif d’un serrage exercé sur l’anneau par un être humain : il est difficile de maintenir un serrage constant sur l’anneau tout en le faisant rouler entre deux doigts, mais il est possible de maintenir un certain niveau de serrage. Le roulement se traduit par des déplacements au cours du temps en sens de rotation contraires le long des deux courbes, dans le sens des aiguilles d’une montre pour le capteur SENS 2 , le sens inverse des aiguilles d’une montre pour le capteur SENS 3 , ces deux sens dépendant du sens de la rotation imposée à l’anneau. Les rapports entre les amplitudes des signaux générés par les capteurs SENS 2 et SENS 3 et l’amplitude du signal généré par le capteur SENS 1 changent continûment en raison du déplacement continu des zones de pressions appliqués sur l’anneau. La détection de ces changements est indicative de l’occurrence d’une action de rotation. L’amplitude de ces changements est représentative de l’angle de la rotation. On peut suivre la courbe et y faire correspondre une amplitude angulaire de rotation Ω entre deux instants donnés, par calibration ou calculs ab initio.
En fin de rotation, le serrage des doigts est relâché, les amplitudes des signaux retournent à zéro, ce qui se traduit par le fait que les courbes repassent simultanément dans le périmètre défini par le niveau de seuil Thr puis retombent au point d’origine du graphique, aux niveaux des zone ZSq-End 2 et Zsq-End 3 de relâchement du serrage, pour les courbes issues des signaux générés par les capteurs Sens 2 et Sens 3 , respectivement. Au moment du relâchement du serrage, la rotation est stoppée, les point d’application des pressions sont fixes, les courbes forment des droites, comme pour le cas d’un serrage décrit plus haut à l’aide des figures 5 à 7.
L’analyse du graphique en A) de la , que l’on considère une seule courbe ou bien les deux courbes, permet de remonter à la détection d’une action de rotation de l’anneau et aux caractéristiques (angle, durée) de cette rotation par correspondance entre les points de franchissement du niveau de seuil par ces courbes au début et à la fin de l’action de rotation et une rotation de l’anneau, correspondance déterminée par des calculs de simulation ou des calibrations de l’anneau.
En pratique, il peut être avantageux d’engager une analyse la courbe dès que le niveau de seuil Thr est atteint, analyser la courbe en continu, générer un signal de détection de rotation à chaque fois que l’angle de rotation dépasse l’un d’une série de seuils (par exemple espacés d’intervalles de 10° ou tout autre valeur prédéterminée), et stopper l’analyse lorsque les courbes repassent sous le seuil Thr.
C’est ce qu’illustre la en B), avec le suivi de la courbe représentant le signal S2 exprimé en fonction du signal S1, signaux respectivement générés par les capteurs Sens2 et Sens1. La courbe représentant le signal S2 sort du cercle de visualisation du seuil Thr en un point A, tourne dans le sens des aiguilles d’une montre autour du point d’origine du graphique tout en restant à l’extérieur du cercle, puis le franchit en un point B. Les points A et B sont séparés angulairement d’un angle de rotation total Ω tot . En cours de rotation, l’augmentation de l’angle de rotation a dépassé plusieurs seuils indiqués par les valeurs Ω 1 et Ω 2 .
Tape du doigt
La tape du doigt portant l’anneau, de préférence sur une surface dure telle qu’une table, génère un signal de contenu fréquentiel plus haut que les actions de serrage ou de rotation de l’anneau. La illustre les signaux S1, S2 et S3 détectés lors d’une tape du doigt portant l’anneau. Les composantes fréquentielles des signaux générés lors d’une tape du doigt permettent donc de distinguer cette action d’une action de serrage ou de rotation.
Une méthode de détection d’une tape du doigt portant l’anneau peut comprendre comme première étape une somme des signaux générés par les capteurs lors d’un événement pour obtenir un signal somme. Un filtre passe-haut est appliqué au signal somme, puis une première valeur efficace RMS H de ce signal somme filtré est calculé. Un filtre passe-bas est appliqué au même signal somme, puis une seconde valeur efficace RMS L de ce signal somme filtré est calculée. Le rapport de ces deux valeurs efficaces est alors comparé à une valeur seuil THR 1 prédéterminée. Les fréquences de coupure des filtres appliqués peuvent être par exemple de 10 Hz. Si le rapport RMS H /RMS L est supérieur ou égal à la valeur seuil THR 1 , alors l’événement est classé comme une tape du doigt. Si le rapport RMS H /RMS L est inférieur à la valeur seuil THR 1 , alors l’événement est classé comme un serrage. La somme des signaux peut être une somme pondérée, chaque signal étant associé à un coefficient de pondération donné. Il est ainsi possible de choisir les coefficients de manière à choisir le ou les de capteurs employés pour la détection. Une valeur efficace peut être définie comme la racine carrée de la moyenne du carré de la valeur du signal sur une période de temps.
Tape de l’anneau
La démarche effectuée pour la tape du doigt peut s’appliquer à l’anneau lorsqu’il est tapé directement sur une surface, préférablement dure, telle qu’une table. La différence est que les signaux générés par les capteurs ont un contenu en composantes fréquentielles hautes plus important que lorsque seul le doigt portant l’anneau est tapé sur la surface dure. On peut par exemple comparer les courbes des signaux S1, S2 et S3 de la , générés lors de la tape directe de l’anneau sur une table à la . Ainsi, on peut cette fois comparer le rapport RMS H /RMS L à une valeur seuil THR 2 de préférence supérieure à THR 1 . Si le rapport RMS H /RMS L est supérieur ou égal à la valeur seuil THR 2 , alors l’événement est classé comme une tape de l’anneau.
Tape sur un capteur
La tape sur un capteur est une action qui consiste à taper directement l’anneau au niveau de la localisation d’un des capteurs avec un doigt. La différence avec la pression est que la force est appliquée sur un seul côté de l’anneau, et non sur les deux côtés. Dans le cas de la configuration illustrée par la , les capteurs sont tapés directement et les amplitudes mesurées des signaux S (en mV) générés en réponse par les capteurs sont illustrés au moyen des graphiques de la , avec en (A), (B) et (C) les résultats de mesures pour des tapes sur les capteurs SENS1, SENS2 et SENS3, respectivement.
Pour chacune des situations (A), (B) et (C), on constate que le maximum d’amplitude parmi l’ensemble des signaux générés par les capteurs est celui correspondant au capteur au niveau duquel la tape est effectuée, et qu’il correspond à l’amplitude maximale d’un pic.
Selon un exemple, la portion LNO est à base de niobate de lithium LiNbO3. Selon un exemple, la portion LNO est à base de tantalate de lithium LiTaO3. Selon un exemple, la portion LNO est à base d’un alliage Li(Nb,Ta)O3.
Cela permet d’éviter une diffusion de l’oxygène et du lithium depuis la portion LNO vers la couche de nucléation. La stœchiométrie de la portion LNO est ainsi préservée.
Selon un exemple, le matériau réfractaire à base de nitrure de la couche de nucléation est choisi de façon à présenter une structure cristallographique compatible avec le substrat et la portion LNO, telle qu’une structure hexagonale. Cela permet de limiter l’apparition de défauts structuraux lors de la formation de la portion LNO par épitaxie. Selon un exemple, le désaccord de paramètre de maille entre le matériau réfractaire à base de nitrure et le matériau LNO est inférieur à 2 %. Ce désaccord de paramètre de maille peut être pris au niveau d’un sous-réseau de la cellule normale du matériau LNO. Par exemple, dans le cas du LiNbO3, le paramètre de maille de la cellule normale est de 5,148 Å. Dans le plan (0001), il est cependant possible de déterminer un sous-réseau hexagonal ou minicellule de 3.056 Å de paramètre de maille. Selon un exemple, si le matériau réfractaire à base de nitrure est du nitrure d’aluminium AlN qui présente un paramètre de maille de 3,112 Å, le désaccord de paramètre de maille entre la minicellule LiNbO3 et l’AlN est de l’ordre de 1,8%. L’épitaxie de LiNbO3 peut ainsi se faire sur l’AlN, de façon surprenante. Pour aligner les réseaux hexagonaux d’AlN et de la minicellule LiNbO3, une désorientation (ou « twist ») de l’ordre de 30° entre les réseaux de LiNbO3 et d’AlN apparaît typiquement, dans le plan (0001).
Selon un exemple, le matériau réfractaire à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires III-N à base d’un élément du groupe III, tel que le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, et l’alliage AlGaN.
Selon un exemple, le substrat est à base de silicium orienté selon une orientation (111), la couche de nucléation est à base de nitrure d’aluminium AlN orienté selon une orientation (0001), et la portion LNO est orientée selon l’orientation (0001).
Selon un exemple, la portion LNO est directement au contact de la couche de nucléation. En particulier, il n’y a pas de couche d’oxyde intercalaire entre la couche de nucléation et la portion LNO.
Selon un exemple, la portion LNO est surmontée par une portion d’encapsulation à base d’aluminium, par exemple à base de nitrure d’aluminium AlN ou à base de saphir Al2O3. Cette portion d’encapsulation à base d’aluminium forme typiquement, avec la couche de nucléation, une encapsulation de la portion LNO. Cela permet d’éviter une diffusion de l’oxygène et/ou du lithium depuis la portion LNO vers les couches supérieures. La stœchiométrie de la portion LNO est ainsi préservée. La compatibilité avec les technologies CMOS est préservée. Les propriétés électro-optiques de la portion LNO sont préservées, voire améliorées.
Selon un exemple, une électrode dite supérieure parmi les deux électrodes est disposée au-dessus de la portion LNO et une électrode dite inférieure parmi les deux électrodes est disposée en-dessous de la portion LNO. Cette architecture de dispositif est notamment adaptée à l’utilisation d’une portion LNO orientée (0001), dite « Z-cut ».
Selon un exemple, le dispositif est configuré pour former un dispositif électro-optique tel qu’un modulateur de phase optique. En particulier, la modulation de phase de l’onde lumineuse se propageant dans le dispositif est effectuée par effet Pockels, en appliquant un champ électrique à la portion LNO. L’application du champ électrique va induire une variation de l’indice de réfraction de la portion LNO, et un déphasage de l’onde lumineuse.
Selon un exemple, la portion LNO est surmontée par un motif de guide d’onde à base de nitrure de silicium SiN configuré pour former avec la portion LNO un guide d’onde en arête.
Selon un exemple, la portion LNO est surmontée par des structures à base de nitrure de Niobium NbN, le dispositif formant un détecteur supraconducteur.
Selon un exemple, la portion LNO présente une épaisseur e3 comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l’ordre de 100 nm ou 200 nm.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre, après épitaxie de la portion LNO, un retrait au moins partiel de la couche de masquage en conservant la portion LNO formée localement dans l’au moins une ouverture. Cela permet typiquement de retirer un dépôt de matériau LNO sur la couche de masquage, en dehors de l’ouverture. Cela supprime une éventuelle source de contamination pour d’autres dispositifs de la plaque sur laquelle est réalisé le dispositif comprenant une portion de couche de niobate de lithium. Cela limite l’impact des différences de coefficient de dilatation thermique avec le substrat silicium lors des étapes de fabrications ultérieures.
Selon un exemple, le retrait est effectué par polissage mécano-chimique.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre, après épitaxie de la portion LNO, une formation par épitaxie, sur la portion LNO, d’une portion d’encapsulation à base d’aluminium, par exemple à base de nitrure d’aluminium AlN ou à base de saphir ou d’alumine Al2O3.
La troisième étape est une étape d’enfoncement, au cours de laquelle chaque rivet perforant 40 est enfoncé jusqu’à faire affleurer le pied de rivet 46 sur la face externe 24D du corps plat 24.
La quatrième étape est une étape de repoussage et est représentée sur l’insert C) de la . Une force F4 est appliquée selon l’axe de rivet sur chaque matrice 64A, 64B de sorte à repousser une portion du corps plat 24 pour former un bourrelet 52 de forme complémentaire à la gorge 48 du rivet perforant 40 correspondant. Chaque matrice 64A, 64B marque une empreinte 50 autour du pied de rivet 46 sur la face externe 24D du corps plat 24.
Le procédé mentionné ci-dessus est mis en œuvre pour la solidarisation de chacun des flasques 32A et 32B avec le corps plat 24.
On obtient ainsi un levier de sortie 6 sur lequel les flasques extérieurs 32A et 32B sont solidarisés au corps plat 24 au moyen de rivet perforants 40. La mise en place des rivets perforants 40 sans pré-perçage et le fait que l’assemblage est simultané avec l’étape de découpe assurent qu’il n’y a pas de jeu entre les rivets perforants 40, les flasques extérieurs 323A et 32B et le corps plat 24. La tenue mécanique des leviers de sortie 6 en cours d’utilisation du métier à tisser M est grandement renforcée.
Une fois les flasques extérieurs 32A, 32B assemblés sur le corps plat 24, un espace de chape 70 est usiné par un outillage de fraisage au niveau de l’espace destiné à recevoir les galets 22A et 22B sur le corps plat 24 et sur les flasques 32A, 32B. L’espace de chape 70 est visible par arrachement sur la et est délimité par une marche d’usinage 71.
Plus précisément une surface interne du flasque extérieur 32A en regard du galet 22A est usinée dans un plan parallèle au plan médian P1 de sorte à créer un logement creux 70A étendu sur la surface interne. De façon analogue la surface externe 24C du corps plat 24 en regard du galet 22A est usinée dans un plan parallèle au plan médian P1 de sorte à créer un logement creux 70B étendu sur la surface externe 24C. L’union des logements creux 70A et 70B forme l’espace de chape 70.
De façon analogue, le flasque extérieur 32B et la surface externe 24D du corps plat 24 sont usinés pour former un espace de chape 70 recevant le galet 22B.
Une fois les espaces de chape 70 usinés en regard de chaque galet 22A, 22B, les galets 22A et 22B sont mis en place et rivetés par deux rivets 229 dans les flasques extérieurs 32A, 32B et dans le corps plat 24.
Dans une variante non représentée du procédé de l’invention, dans une étape préalable à l’enfoncement du rivet, uniquement le flasque extérieur 32A, 32B est positionné dans l’outillage extérieur de la presse P. Puis, le flasque extérieur 32A, 32B est perforé par les rivets perforants 40. Le disque de matière issu de cette perforation est évacué de l’outillage de presse P. Une fois cette étape effectuée, le corps plat 24 et le flasque extérieur 32A, 32B sont empilés et le corps plat 24 est à son tour perforé par les rivets perforants 40 au travers du trou issu de la précédente perforation du flasque extérieur 32A, 32B.
Le procédé d’assemblage décrit ci-dessus est compatible avec un empilement de plus de deux éléments. Ce procédé d’assemblage est ainsi compatible par exemple avec l’assemblage d’un levier de sortie 6 qui comprend pour chaque galet suiveur deux flasques extérieurs rapportés sur le corps plat.
Le levier de sortie 6, comme décrit précédemment, est particulièrement compatible avec une mécanique d’armure décrite dans CN215800175.
Un deuxième mode de réalisation d’un levier de sortie 6’ est représenté sur la . Dans la description qui suit, les éléments analogues à ceux du premier mode de réalisation portent les mêmes références et ne sont pas décrits en détail. Si une référence est mentionnée dans la description sans être portée sur une figure ou portée sur une figure sans être mentionnée dans la description, elle désigne le même élément que celui portant la même référence dans le premier mode de réalisation. Dans ce qui suit, on décrit principalement ce qui distingue ce deuxième mode de réalisation du précédent.
Le levier de sortie 6’ comprend des flasques extérieurs 80A de forme différente de celle des flasques extérieurs 32A, 32B du premier mode de réalisation. Seul le flasque extérieur 80A en regard du galet 22A est visible sur la . Les rivets perforants 40 permettant de fixer les flasques extérieurs 80A sur le corps plat 24 du levier 6 sont positionnés différemment par rapport au premier mode de réalisation.