INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Procédé et dispositif de localisation d’un dispositif de communication mobile dans un habitacle d’un véhicule La présente invention concerne les procédés et dispositifs de localisation d’un dispositif de communication mobile dans un habitacle d’un véhicule, notamment automobile. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif d’aide à la localisation d’un dispositif de communication mobile dans un habitacle d’un véhicule.
Il arrive qu’une personne perde et laisse par inadvertance un ou plusieurs des dispositifs de communication mobile qui lui appartiennent dans l’habitacle du véhicule.
Un tel oubli peut s’avérer gênant pour la personne lorsqu’elle voudra utiliser un tel dispositif oublié dans le véhicule. Par ailleurs, l’oubli dans un véhicule d’un dispositif de communication mobile dont la valeur peut être élevée peut tenter un individu malveillant passant à proximité du véhicule, un tel individu pouvant tenter de s’introduire dans le véhicule (par exemple en fractionnant une vitre ou une porte du véhicule) dans le but de dérober le dispositif de communication mobile oublié. Il est donc important pour la personne de retrouver facilement et rapidement le ou les dispositifs de communication mobile présents dans l’habitacle du véhicule.
Un autre objet de la présente invention est de guider un individu lorsqu’il recherche un dispositif de communication mobile dans un véhicule.
Le spécialiste voit que le premier élément, le deuxième élément, la base, le premier dispositif linéaire à accès unique et le second dispositif linéaire à accès unique forment une nouvelle antenne, qui peut être vue comme un nouveau cadre blindé. Ainsi, le premier élément est une partie de ce nouveau cadre blindé, le deuxième élément est une partie de ce nouveau cadre blindé, et la base est une partie de ce nouveau cadre blindé.
Si le premier condensateur (82), la seconde résistance (83), le second condensateur (91) et la troisième résistance (92) étaient omis, on obtiendrait une antenne similaire à ladite deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur. Si le second condensateur (91) et la troisième résistance (92) étaient omis, et si la première résistance (81) était remplacée par un court-circuit, on obtiendrait une antenne similaire à ladite première variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur. Des expériences montrent que, pour un emplacement de référence proche de l’antenne passive, ladite antenne similaire à ladite première variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur a un niveau de champ de référence qui est sensiblement indépendant de la fréquence jusqu’à environ 15 MHz, et ladite antenne similaire à ladite deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur a un niveau de champ de référence qui est sensiblement indépendant de la fréquence jusqu’à environ 35 MHz, alors que, si les valeurs des condensateurs (82) (91), de la seconde résistance (83) et de la troisième résistance (92) sont bien choisies, l’antenne passive de ce premier mode de réalisation a un niveau de champ de référence qui est sensiblement indépendant de la fréquence jusqu’à environ 60 MHz. De plus, la différence entre le coût de ces antennes similaires à des antennes passives de l’état de l’art antérieur et le coût de l’antenne passive de ce premier mode de réalisation est très petit.
Un deuxième mode de réalisation d’un dispositif selon l’invention, donné à titre d’exemple non limitatif, est une antenne passive représentée dans les dessins de la et de la , l’antenne passive comportant : un premier élément (1), le premier élément comportant une ligne de transmission nommée T1, T1 ayant un conducteur externe (11) et un conducteur interne (12), T1 ayant une première extrémité (101) et une seconde extrémité (102), le conducteur externe de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur externe de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le premier élément étant une partie d’un cadre blindé ; un deuxième élément (2), le deuxième élément comportant une ligne de transmission nommée T2, T2 ayant un conducteur externe (21) et un conducteur interne (22), T2 ayant une première extrémité (201) et une seconde extrémité (202), le conducteur externe de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur externe de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le deuxième élément étant une partie du cadre blindé, la première extrémité du conducteur interne de T2 étant directement couplée à la première extrémité du conducteur interne de T1 ; une base (3), la base procurant un contact électrique entre la seconde extrémité du conducteur externe de T2 et la seconde extrémité du conducteur externe de T1, la base étant une partie du cadre blindé ; un premier dispositif linéaire à accès unique (8) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du premier dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne du premier dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2, le premier dispositif linéaire à accès unique comportant une résistance (81) ; un second dispositif linéaire à accès unique (9) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du second dispositif linéaire à accès unique étant directement couplée à la première extrémité du conducteur interne de T2, la première borne du second dispositif linéaire à accès unique étant donc également couplée à la première extrémité du conducteur interne de T1, la seconde borne du second dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la première extrémité du conducteur externe de T2, le second dispositif linéaire à accès unique comportant un condensateur (91) ; et un accès de l’antenne passive, l’accès de l’antenne passive ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T1, la seconde borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T1.
La est une vue de face de l’antenne passive. La base (3) est une boîte. Cette boîte est conductrice. Elle peut par exemple être une boîte métallique. La est une vue de face de l’antenne passive sans le couvercle de la base, et sans les vis utilisées pour fixer le couvercle de la base à la base. La montre que le premier dispositif linéaire à accès unique se trouve dans la base. La montre un connecteur coaxial (7) qui matérialise l’accès de l’antenne passive. La première borne de l’accès de l’antenne passive est le conducteur central du connecteur coaxial, qui est couplé à la seconde extrémité du conducteur interne de T1. La seconde borne de l’accès de l’antenne passive est le conducteur périphérique du connecteur coaxial, qui est directement couplé à la base, et donc couplé à la seconde extrémité du conducteur externe de T1, à travers la base.
La résistance (81) a une valeur qui est proche des impédances caractéristiques nominales de T1 et de T2, par exemple une valeur de 47 ohms. La montre un schéma électrique équivalent de l’antenne passive de ce deuxième mode de réalisation. Dans la , nous voyons : une ligne de transmission idéale (41) correspondant à T1 ; une ligne de transmission idéale (42) correspondant à T2 ; l’accès de l’antenne passive (43) ; une source de tension (44) qui représente une tension induite dans ledit cadre monospire lorsque l’antenne passive est utilisée pour la réception ; une impédance (45) du dit cadre monospire ; ladite résistance (81), cette résistance ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2 ; et ledit condensateur (91), ce condensateur ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du condensateur étant couplée à la première extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne du condensateur étant couplée à la première extrémité du conducteur externe de T2. Ainsi, le premier dispositif linéaire à accès unique a une résistance en courant continu, la résistance en courant continu étant supérieure à 10 ohms, la résistance en courant continu étant inférieure à 500 ohms.
Enfin, lorsque l’état de charge SOCBAT atteint l’état de charge cible S2, alors le procédé commande à l’étape E3 l’arrêt de l’opération de recharge de la batterie de puissance BAT.
Dans une variante du système, on envisage que la batterie BAT comporte une unique ligne de courant, par exemple la ligne LT1. Celle-ci sera connectée sans besoin de configurer en série des lignes de courant. L’ensemble de dérivation du module de diodes comporte également une unique ligne de dérivation et une unique diode. Le procédé de commande est applicable pour une charge en courant monophasé alternatif uniquement.
En un mode de réalisation du système électrique est représenté pour un véhicule électrifié à motorisation entièrement électrique ou motorisation hybride. Le véhicule comporte une machine électrique motrice 64 apte à transmettre un couple aux roues motrices 62 du véhicule à travers une transmission 61. La machine électrique 64 peut être triphasée. Le véhicule comporte un système électrique comportant la batterie 60 selon l’architecture à onduleur multiniveaux distribué dans la batterie conformément à la description faite en . La batterie comporte trois lignes de courant pouvant générer des ondes de tension triphasées ou monophasées. Le véhicule comporte en outre une interface de recharge de la batterie 68 à partir d’un réseau d’alimentation fonctionnant en tension alternative. L’interface de recharge 68 est un boitier de recharge connectant électriquement les bornes de la batterie 60 à la borne pour une recharge en tension alternative en courant monophasé conformément au procédé de commande selon l’invention. L’interface de recharge 68 est apte aussi à une recharge rapide en tension continue. Le système de batterie 60 est avantageux en ce que son unité de commande 65 adapte l’onde de tension en forme alternative ou en forme d’onde continue sans avoir recours à un convertisseur de tension. Le véhicule comporte en outre un système de supervision 66 coopérant avec l’unité de commande 65 du système de batterie 60. Le système de batterie 60 peut être connecté directement électriquement à la machine électrique motrice 64 améliorant ainsi son rendement énergétique en traction.
La batterie peut être en outre connectée à un bus de tension continue, haute tension, par exemple fonctionnant à une tension nominale comprise entre 350 à 800 volts, par exemple 450 volts, et à un réseau de bord basse tension 67 fonctionnant à une tension nominale de type 12 volts. A cet effet, le système électrique comporte de l’électronique de puissance 69 comprenant un module de diodes relié électriquement à trois branches de phase de la batterie par trois dérivations. Le module de diodes est formé par trois diodes connectées, chacune, à une branche de dérivation. La sortie du module de diodes fournit le bus de tension 450 volts. En outre, l’électronique de puissance 69 comporte un convertisseur DC/DC reliant le bus de tension au réseau de bord 67 (450 volts/12 volts) comprenant une batterie de servitude. Le système électrique est commandé de sorte que la batterie de servitude alimente ledit réseau DC lors de la première phase du procédé et que le convertisseur convertit la tension du bus continu (350 volts) en basse tension (12 volts) pour alimenter le réseau de bord et charger la batterie de servitude lors de la deuxième phase du procédé.
Procédé de commande d’un alternateur de véhicule automobile. L’invention concerne un procédé de commande d’un alternateur de véhicule automobile. L’invention porte aussi sur un dispositif de commande d’un alternateur de véhicule automobile. L’invention porte encore sur un véhicule automobile équipé d’un tel dispositif de commande. L’invention porte également sur un programme d’ordinateur mettant en œuvre le procédé mentionné. L’invention porte enfin sur un support d’enregistrement sur lequel est enregistré un tel programme.
Les véhicules à moteur thermique doivent répondre à un besoin réduire leur consommation de carburant tout en alimentant en électricité des équipements de plus en plus nombreux, notamment des fonctions d’éclairage, des systèmes de gestion du confort thermique de l’habitacle, des systèmes d’aide à la conduite et des systèmes multimédia incluant des services connectés.
Le couple généré par le moteur thermique doit ainsi fournir une énergie nécessaire au déplacement du véhicule, mais aussi fournir suffisamment d’énergie à un alternateur pour recharger la batterie et alimenter en courant les équipements du véhicule. Or il peut arriver que le couple généré par le moteur thermique ne soit pas suffisant pour couvrir simultanément tous les besoins précédemment décrits.
Il existe des solutions permettant d’améliorer la gestion de l’énergie électrique. Toutefois, ces solutions présentent des inconvénients.
Le but de l’invention est de fournir un dispositif et un procédé de commande d’un alternateur de véhicule automobile remédiant aux inconvénients mentionnés ci-dessus et améliorant les dispositifs et procédés de commande d’un alternateur de véhicule automobile connus de l’art antérieur. En particulier, l’invention permet de réaliser un dispositif et un procédé qui soient simples et fiables et qui optimise la gestion de l’énergie électrique.
A cet effet, l’invention porte sur un procédé de commande d’un alternateur relié électriquement à une batterie d’un véhicule automobile et à un premier réseau électrique du véhicule automobile, comprenant : - une première étape de fonctionnement de l’alternateur selon un premier mode dans lequel un premier courant électrique produit par l’alternateur alimente le premier réseau électrique, et la batterie pour sa recharge, - une deuxième étape de détection d’une situation de conduite nécessitant de limiter une intensité d’un courant circulant dans un rotor de l’alternateur à une première valeur maximale d’intensité, puis - une troisième étape de fonctionnement de l’alternateur selon un deuxième mode dans lequel un deuxième courant électrique produit par l’alternateur alimente uniquement le premier réseau électrique. De plus, une intensité d’un troisième courant électrique circulant dans le rotor de l’alternateur pour produire le deuxième courant électrique est inférieure à la première valeur maximale d’intensité.
Dans un mode de réalisation, la première valeur maximale d’intensité est déterminée en fonction d’une vitesse de rotation du moteur thermique.
Dans un mode de réalisation, le premier réseau électrique est un réseau basse tension, notamment un réseau dont la tension varie entre 12V et 14V, voire entre 12V et 15,6V, alimentant un ensemble d’équipements d’un véhicule automobile, l’ensemble d’équipements comprenant un système de freinage antiblocage des roues et/ou un système de réglage des sièges d’un l’habitacle et/ou un système de gestion d’éclairages et/ou un système de gestion d’un confort thermique de l’habitacle et/ou un système d’aide à la conduite et/ou des systèmes multimédias.
Dans un mode de réalisation, la première étape et la troisième étape mettent en œuvre une boucle de régulation entre une consigne de tension transmise à l’alternateur et une tension mesurée aux bornes du premier réseau électrique.
Dans un mode de réalisation, la première étape comprend une application par l’alternateur d’une première tension aux bornes du premier réseau électrique, la première tension étant strictement supérieure à une tension de référence de la batterie, la tension de référence de la batterie correspondant à une valeur de tension n’entrainant ni charge ni décharge de la batterie lorsqu’elle est appliquée aux bornes de la batterie. De plus, la troisième étape comprend une application par l’alternateur d’une deuxième tension aux bornes du premier réseau électrique, la deuxième tension étant inférieure ou égale à la tension de référence de la batterie. Par ailleurs, si la deuxième tension est strictement inférieure à la tension de référence de la batterie, alors la troisième étape comprend une fourniture, par la batterie, d’un quatrième courant électrique alimentant le premier réseau électrique.
Comme illustré à la , une couche 76 à base de SiN est ensuite formée par dépôt conforme à 400°C sur la couche 75, et sur les contacts de collecteur 30. Cette couche 76 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 30 nm. Une couche 77 à base de SiO2 est ensuite formée sur la couche 76, par exemple par dépôt à 400°C. Cette couche 77 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 400 nm. Une étape de planarisation par polissage CMP est ensuite effectuée sur la couche 77.
Un transistor HBT à base de matériaux III-V, sur substrat Si, et encapsulé par des matériaux diélectriques SiO2/SiN, est ainsi obtenu. Les étapes suivantes visent à former les vias de contact sur les différents contacts d’émetteur, de base et de collecteur du transistor HBT.
Comme illustré à la , une couche de masquage 85 à base de résine est formée sur la couche 77 et structurée, typiquement par lithographie électronique e-beam. Une ouverture 104 est réalisée au-dessus du contact d’émetteur 60, d’abord dans la couche 85, puis dans l’empilement de couches diélectriques jusqu’au contact d’émetteur 60.
Comme illustré à la , après stripping de la couche de masquage 85, une nouvelle couche de masquage 86 à base de résine est formée sur la couche 77 et structurée, typiquement par lithographie électronique e-beam. Une ouverture 105 est réalisée au-dessus du contact de base 50, d’abord dans la couche 86, puis dans l’empilement de couches diélectriques jusqu’au contact de base 50. L’ouverture 104 au-dessus du contact d’émetteur 60 est typiquement remplie par la couche 86 à ce stade.
Comme illustré à la , après stripping de la couche de masquage 86, une nouvelle couche de masquage 87 à base de résine est formée sur la couche 77 et structurée, typiquement par lithographie électronique e-beam. Une ouverture 106 est réalisée au-dessus du contact de collecteur 30, d’abord dans la couche 87, puis dans l’empilement de couches diélectriques jusqu’au contact de collecteur 30. Les ouvertures 104, 105 respectivement au-dessus du contact d’émetteur 60 et du contact de base 50 sont typiquement remplies par la couche 87 à ce stade.
Comme illustré à la , après stripping de la couche de masquage 87, des interconnexions 55, 65, 35, également appelées vias de contact, sont formées dans les ouvertures 105, 104, 106, de façon à connecter respectivement les contacts de base, d’émetteur, de collecteur. Un dépôt d’une couche métallique est d’abord effectué, de manière à remplir les ouvertures 105, 104, 106. Cette couche métallique peut comprendre comme précédemment plusieurs sous-couches, par exemple des couches d’accroche à base de Ti et de TiN, d’épaisseurs 10 nm respectivement, et une couche principale à base de tungstène W, d’épaisseur suffisante pour remplir les ouvertures 105, 104, 106. Cette couche principale à base de tungstène W présente par exemple une épaisseur de l’ordre de 700 nm. Un polissage mécano-chimique est ensuite effectué de manière à retirer l’excès de métal déposé sur la couche 77. Les interconnexions 55, 65, 35 sont ainsi individualisées.
Les étapes suivantes visent à isoler le transistor HBT vis-à-vis d’autres composants (non illustrés).
Comme illustré à la , une couche 78 à base de SiN peut être formée par dépôt à 400°C sur la couche 77, et sur les interconnexions 55, 65, 35. Cette couche 78 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 150 nm. Une couche de masquage 88 à base de résine est formée sur la couche 78 et puis structurée par lithographie. Des ouvertures sous forme de tranchées 107 sont réalisées autour du transistor HBT, typiquement autour des contacts de collecteur 30, d’abord dans la couche 88, puis dans l’empilement de couches diélectriques jusqu’à la couche 34 à base d’InGaAs N+.
Comme illustré à la , après stripping de la couche de masquage 88, la gravure des tranchées 107 est prolongée dans l’empilement de couches à base de matériaux III-V, jusqu’à la couche 2 à base de SiO2.
Comme illustré à la , ces tranchées 107 sont ensuite remplies par un matériau diélectrique 79, typiquement par dépôt de SiO2 TEOS à 300°C sur une épaisseur de 2 µm. Un polissage mécano-chimique du SiO2 est ensuite effectué avec arrêt sur la couche 78 à base de SiN.
Les étapes suivantes visent à former le premier niveau de métal M1 comprenant les pistes métalliques connectant les différentes interconnexions 55, 65, 35. Les interconnexions 55, 65, 35 forment un niveau d’interconnexions I1.
Comme illustré à la , une couche de masquage 89 à base de résine est formée sur la couche 78 et structurée, typiquement par lithographie électronique e-beam. Des ouvertures 108 sont réalisées au-dessus des interconnexions 55, 65, 35, d’abord dans la couche 89, puis dans la couche 78 jusqu’aux interconnexions 55, 65, 35.
Comme illustré à la , après « stripping » de la couche de masquage 89, un dépôt d’une couche métallique 14 est effectué, de manière à connecter les interconnexions 55, 65, 35. Cette couche métallique 14 peut comprendre plusieurs sous-couches, par exemple des couches d’accroche à base de Ti et de TiN, d’épaisseurs 10 nm respectivement, une couche principale à base d’alliage AlCu, d’épaisseur 440 nm par exemple, et des couches superficielles à base de Ti et de TiN, d’épaisseurs 10 nm respectivement.
Comme illustré à la , cette couche métallique 14 est ensuite structurée par lithographie et gravure de façon à former une piste 56 connectée au via 55, une piste 66 connectée au via 65, et une piste 36 connectée au via 35.
Un transistor HBT comprenant des structures en mésa 6M, 45M formées dans un empilement de matériaux III-V sur substrat Si, intégré dans des matériaux diélectriques SiO2, SiN et connecté par des interconnexions 55, 65, 35 à base de W est ainsi obtenu. Un tel transistor HBT et son premier niveau d’interconnexions I1, M1 est avantageusement intégrable dans un système comprenant des transistors CMOS et des interconnexions CMOS.
Les figures 35, 36 illustrent une variante du procédé de réalisation du transistor HBT, dans lequel les contacts de base sont formés avant le contact d’émetteur.
En suivant les liens de parenté définis par les hachés de la chaîne de blocs pour le sous-graphe d’une partie, l’instance ECN i peut vérifier que la clé publique de portefeuille numérique KPUBWD A associée au bloc racine BR A du sous graphe SG A appartient à l’utilisateur A (par exemple associé à la clé publique KPUB A de l’utilisateur A dans une base de données) et reconstituer l’intégralité de l’historique des données personnelles de cette partie et effectuer une analyse sur les données personnelles visées par la description DDP.
Comme décrit précédemment en référence à la , lorsque l’utilisateur A du terminal T A créé son compte auprès du service HIST d’historisation de données personnelles fourni par le serveur SDP, le serveur SDP de gestion de données personnelles créé une clé publique de portefeuille numérique KPUBWD A dont il accorde la propriété à l’utilisateur A et il associe l’historique des données personnelles chiffrées à cette clé.
La présente l’architecture matérielle d’un terminal conforme à l’invention. Il comprend notamment un processeur 10, une mémoire morte 11 (de type « ROM »), une mémoire non volatile réinscriptible 12 (de type « EEPROM » ou « Flash NAND » par exemple), une mémoire volatile réinscriptible 13 (de type « RAM »), et une interface de communication 14.