Procédé de préparation d’un substrat final (S) comprenant une couche diélectrique (4) enterrée épaisse, le procédé comprenant : une étape de préparation d’un substrat support (1) comprenant une couche de piégeage de charges électriques (2) disposés sur un substrat de base (3); une étape de formation de la couche diélectrique (4) présentant une épaisseur supérieure à 200 nm sur la couche de piégeage de charges électriques (2) ; une étape de report d’une couche supérieure (5) comprenant un matériau semiconducteur sur la couche diélectrique (4) ; une étape de finition de la face exposée de la couche supérieure (5); le procédé de préparation étant caractérisé en ce que l’étape de formation de la couche diélectrique (4) est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur à haute densité de plasma et en ce que l’étape de finition comprend un premier recuit conduit dans une atmosphère neutre ou réductrice à une température supérieure à 1050°C pendant une durée supérieure à 30 minutes. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’étape de formation de la couche diélectrique (4) comprend, après le dépôt chimique en phase vapeur à haute densité de plasma de la couche diélectrique, un recuit de densification du substrat support. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel le recuit de densification est réalisé dans une atmosphère neutre à une température inférieure à 1000°C et pendant une durée inférieure à 1h. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de finition comprend, avant et/ou après le premier recuit, un amincissement de la couche supérieure (5). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de finition comprend un second recuit, le second recuit étant conduit dans une atmosphère neutre ou réductrice à une température supérieure à 1050°C pendant une durée inférieure à 2 minutes. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’atmosphère neutre ou réductrice du premier recuit comprend ou est constituée d’argon. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation de la couche diélectrique (4) est dépourvue de polissage de la face exposée de la couche diélectrique (4). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le matériau semiconducteur de la couche supérieure (5) est du silicium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (4) est en dioxyde de silicium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (4) présente une épaisseur supérieure ou égale à 400 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de report de la couche supérieure comprend une étape d’implantation d’espèce dites « légères » dans un substrat donneur (1’) pour y former un plan fragile, l’assemblage du substrat donneur avec le substrat support (1), et la fracture du substrat donneur au niveau du plan fragile. Substrat final (S) comprenant, successivement en contact les unes avec les autres, une couche supérieure (5) en matériau semiconducteur, une couche diélectrique (4) présentant une épaisseur supérieure à 200 nm, une couche de piégeage de charges électriques (2) et un substrat de base (3), le substrat final (S) étant caractérisé en ce qu’il présente une courbure inférieure à 60 micromètres, préférentiellement inférieure à 40 micromètres, et en ce qu’une surface exposée de la couche supérieure (5) présente une rugosité inférieure à 0,3 nm en mesure quadratique moyenne sur un champ de 30 micromètres par 30 micromètres. Substrat final (S) selon la revendication précédente dans lequel la couche supérieure (5) est en silicium. Substrat final (S) selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (4) est en oxyde de silicium. Substrat final (S) selon l’une des 3 revendications précédentes présentant une longueur cumulée de plans ou de lignes de dislocations, mesurée par déflectométrie, moindre que 20 mm.