INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, suivant l’exemple de la table 1, si la deuxième portion de route sélectionnée est la deuxième portion de route de continuation 102, alors la vitesse du véhicule 10 est égale à la vitesse V1 précédemment définie. Le véhicule aborde alors puis passe l’intersection à la deuxième vitesse, ici V1, empruntant la deuxième portion de route de continuation à une vitesse idéale.
Toujours suivant l’exemple de la , si la deuxième portion de route sélectionnée est l’autre deuxième portion de route 103, alors la vitesse du véhicule 10 est égale à la vitesse V2 précédemment définie. Le véhicule 10 passe alors de la première vitesse, ici V1, à la deuxième vitesse, ici V2, avant d’arriver dans l’intersection qu’il passe à la deuxième vitesse idéale pour emprunter l’autre deuxième portion de route 103.
Ainsi, le système d’aide à la conduite en charge du contrôle de la vitesse du véhicule 10 dans une intersection permet au véhicule 10 de passer une intersection à une vitesse idéale.
Par exemple, s’agissant d’un système P-ACC, la vitesse et/ou l’accélération du véhicule 10 sont régulées automatiquement lorsqu’une intersection est détectée, en fonction de la distance entre le véhicule 10 et le début de la deuxième portion de route sélectionnée indiquée dans la Table 1 et/ou en fonction de l’angle associé à la deuxième portion de route sélectionnée qui est indiqué dans la Table 1. Par exemple, la vitesse du véhicule 10 est définie automatiquement au fur et à mesure que le véhicule 10 s’approche de l’intersection avec un passage de l’intersection à une vitesse adéquate pour emprunter la deuxième portion de route sélectionnée.
La illustre schématiquement un dispositif 2 configuré pour le contrôler une vitesse d’un véhicule dans une intersection, par exemple le véhicule 10, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le dispositif 2 correspond par exemple à un dispositif embarqué dans le véhicule 10, par exemple un calculateur.
Le module de supervision MS6 surveille le lissage de couple effectué par le module fonctionnel MF6.
Le module de supervision MS7 surveille l'estimation de couple de l'arbre primaire de la boîte de vitesses effectuée par le module fonctionnel MF7.
Le module de supervision MS8 surveille la répartition de couple entre le moteur thermique et la machine électrique tournante pilotée par le module fonctionnel MF8.
Le module MD21 gère les diagnostics émis par les modules de supervision MS1-MS8. Les modules MD22 assurent l'élaboration des requêtes de reconfiguration et de coupure de communication du calculateur moteur.
Toutefois, une fois que la vérification a été effectuée par un module de supervision MS(n) donné, le module de supervision suivant MS(n+1) ne reprend pas en entrée la sortie du module de supervision MS(n) mais la sortie du module fonctionnel MF(n).
Le système existant ne permet donc pas détecter plusieurs erreurs de détermination de couple consécutives inférieures à un seuil de détection. La somme de toutes ces erreurs peut conduire à une réalisation finale de couple supérieure au couple souhaité par le conducteur, ce qui est susceptible de rendre dangereux le comportement du véhicule.
L'invention vise à remédier efficacement à cet inconvénient en proposant un procédé de supervision de couple d'un groupe motopropulseur hybride de véhicule automobile comportant au moins un premier producteur de couple, et une boîte de vitesses associée à au moins un embrayage et comportant au moins un arbre primaire et un arbre secondaire destiné à être relié à au moins une roue d'un véhicule automobile, un deuxième producteur de couple, un embrayage de connexion et de déconnexion du premier producteur de couple étant apte à sélectivement connecter le premier producteur de couple à la boîte de vitesses lorsque ledit embrayage est à l'état fermé et à isoler le premier producteur de couple par rapport à la boîte de vitesses lorsque ledit embrayage est à l'état ouvert, ledit procédé comportant: - une étape de détermination d'un couple à la roue réel en tenant compte d’un couple du premier producteur de couple, d’un couple du deuxième producteur de couple, d'un couple au niveau de l'arbre primaire, d’un état de l’embrayage de connexion et de déconnexion du premier producteur de couple, et d'un état de l'embrayage de la boîte de vitesses, - une étape de comparaison entre le couple à la roue réel et un couple à la roue demandé par le conducteur, et - une étape de déclenchement d'un évènement correctif dans le cas où un écart entre le couple à la roue réel et le couple à la roue demandé par le conducteur est supérieur à un seuil.
L'invention permet ainsi, en supervisant directement le couple à la roue, d’éviter l'accumulation de petites erreurs dans la demande de couple conduisant à un événement dangereux, tel qu'une accélération involontaire. L’invention permet également de réduire la complexité du système, ce qui se traduit par une plus grande robustesse de mise en œuvre du procédé selon l'invention.
Selon une mise en œuvre de l'invention, le premier producteur de couple étant un moteur thermique et le deuxième producteur de couple étant une machine électrique tournante, le couple à la roue réel Cwr est déterminé par la formule suivante: Cwr=((Cmth*Et_K0 + Cmel)* Et_cl_K1/K2+ Cprim*Et_sl_K1/K2) - Cmth étant le couple du moteur thermique, - Et_K0 étant une valeur correspondant à l'état de l'embrayage de connexion et de déconnexion du moteur thermique valant 1 lorsque l'embrayage de connexion et de déconnexion du moteur thermique est fermé et 0 lorsque l'embrayage de connexion et de déconnexion du moteur thermique est ouvert, - Cmel étant le couple de la machine électrique tournante, - Et_cl_K1/K2 correspondant à l'état de fermeture de l'embrayage de la boîte de vitesses valant 1 lorsque l'embrayage de la boîte de vitesses est fermé et 0 lorsque l'embrayage de la boîte de vitesses est ouvert, - Cprim étant le couple au niveau de l'arbre primaire de la boîte de vitesses, - Et_sl_K1/K2 correspondant à l'état de glissement de l'embrayage de la boîte de vitesses valant 1 lorsque l'embrayage de la boîte de vitesses est glissant et 0 lorsque l'embrayage de la boîte de vitesse est ouvert ou fermé.
Selon une mise en œuvre de l'invention, dans le cas où l'embrayage de la boîte de vitesses est fermé, alors Et_cl_K1/K2 correspondant à l'état de fermeture de l'embrayage de la boîte de vitesses vaut 1 et Et_sl_K1/K2 correspondant à l'état de glissement de l'embrayage de la boîte de vitesses vaut 0.
Selon une mise en œuvre de l'invention, dans le cas où l'embrayage de la boîte de vitesses est ouvert, alors Et_cl_K1/K2 correspondant à l'état de fermeture de l'embrayage de la boîte de vitesses vaut 0 et Et_sl_K1/K2 correspondant à l'état de glissement de l'embrayage de la boîte de vitesses vaut 0.
Selon une mise en œuvre de l'invention, dans le cas où l'embrayage de la boîte de vitesses est glissant, alors Et_cl_K1/K2 correspondant à l'état de fermeture de l'embrayage de la boîte de vitesses vaut 0 et Et_sl_K1/K2 correspondant à l'état de glissement de l'embrayage de la boîte de vitesses vaut 1.
Selon une mise en œuvre de l'invention, le couple du moteur thermique est estimé par un calculateur moteur, le couple de la machine électrique tournante est estimé par un calculateur de la machine électrique tournante, et le couple au niveau de l'arbre primaire de la boîte de vitesses est estimé par un calculateur de transmission.
Selon une mise en œuvre de l'invention, l’événement correctif est une reconfiguration d’un calculateur moteur mettant en œuvre ledit procédé.
Selon une mise en œuvre de l'invention, l’événement correctif est une coupure de communication d’un calculateur moteur mettant en œuvre ledit procédé.
L'invention a également pour objet un calculateur moteur comportant une mémoire stockant des instructions logicielles pour la mise en œuvre du procédé tel que précédemment défini.
Un exemple de cran 212d représenté a une forme triangulaire dont un côté est une rampe d’inclinaison faible, de l’ordre de 20° et l’autre côté de cette forme triangulaire est orienté pratiquement radialement et constitue ainsi un cran d’arrêt.
Plusieurs tels crans 212d sont répartis à la périphérie de la feuillure circulaire 211d de la jupe 21d.
Les crans 212d sont réalisés avec la jupe 21d qui est une pièce moulée ou injectée.
La partie (c) de la montre une tête 2d-2 dont le bord 226d du manchon supérieur 22d est renforcé intérieurement par des nervures 228d. La forme du bord 211d de la jupe 21d est le même que ci-dessus.
La montre un manchon intérieur 25d-1 comportant en partie supérieure un filetage extérieur 251d pour la capsule, suivi d’une collerette d’étanchéité 253d’ délimitant le filetage et servant d’arrêt au vissage de la capsule et une collerette 253d pour retenir la bande de garantie 51d.
La collerette de butée 252d surmonte un filetage 2551 sur la couronne d’assemblage 255d pour le vissage de la jupe 21d.
Ensuite, le prolongement 24d a une couronne d’assemblage 256d pour fixer l’embout 32d de la poche 3d. Cette couronne 256d est constituée par des organes de retenue, par exemple, des mesures 2561 formées dans la matière et sur lesquels on engage de force l’embout 32d de la poche souple 3d.
La vue en coupe axiale (A-A) montre ces différentes parties.
La montre un autre mode de réalisation du manchon intérieur 25d-2 ayant en partie supérieure un filetage 251d pour la capsule, suivi de deux collerettes253’, 253d puis en dessous la collerette de butée 252d et en dessous de celle-ci une couronne lisse 2552 pour l’emmanchement de force du manchon supérieur 22d de la tête 2d-2.
Sous cette couronne lisse 2552, il y a une couronne d’assemblage 2556 pour la fixation de l’embout 32d de la tête 2d-1 comme dans le mode de réalisation précédent, par des anneaux de retenue sur lesquels on emmanche de force l’embout 32d de la poche 3d.
La vue en coupe axiale BB associée à cette vue de face montre le profil des différentes parties décrites ci-dessus.
En résumé et en conclusion, l’invention a pour objet une bouteille dont la coque rigide est formée par un corps et une tête, le corps est composé d’un manchon ayant une extrémité inférieure fermée par un fond et une extrémité supérieure ; la tête est mise en forme d’épaule, de col et au bord supérieur du corps ; la poche souple reliée à la tête se loge dans le corps ;
- notamment la bouteille 100 en matière recyclable est composée d’une coque rigide recevant une poche souple délimitant le volume étanche de la bouteille, d’un embout fixé à la coque et recevant la capsule ; la coque rigide est formée par un corps 1 et une tête 2, le corps 1 est composé d’un manchon ayant une extrémité inférieure 11 fermée par un fond 13 et une extrémité supérieure 12, la tête 2 est mise en forme d’épaule E, de col C et de goulot G et la poche souple 3 est fixée à la tête elle-même fixée au bord supérieur 12 du corps 1 et le goulot G reçoit une capsule 4.
La tête 2 de cette bouteille 100a, composée d’une jupe 21 formant l’épaule E solidaire d’un manchon supérieur 22 formant le col C, terminé par le goulot G muni d’un filetage 222 recevant la capsule 4 et le dessous du manchon supérieur 22 formant le col C se prolonge dans la jupe 21 par un manchon intérieur 24 auquel est fixé l’embouchure 31 de la poche souple 3.
La jupe 21, le manchon supérieur 22 et le prolongement intérieur 24 sont réunis par une couronne de jonction 23.
La tête 2b est composée d’une jupe 21b formant l’épaule C et se fixant au corps 1 et d’un manchon supérieur 22b formant le col C et recevant un manchon intérieur 25 muni en partie supérieure d’un filetage 2 51 pour la capsule 5, le manchon supérieur 22b se poursuivant dans la jupe 21b par un prolongement intérieur 24b pour recevoir l’embouchure 31 de la poche souple 3.
La présence de ces dislocations affecte la propagation de la lumière et génère une biréfringence optique et une luminescence de fond indésirable, ce qui rend impossible l’utilisation du diamant monocristallin pour des fenêtres optiques ou certaines technologies électroniques ou quantiques.
Des solutions visant à résoudre en partie les problèmes évoqués précédemment ont vu le jour, notamment une première solution est décrite dans le brevet n°EP3325696 B1 qui propose la formation de fenêtres traversantes dans des substrats de diamant avant de procéder à une croissance latérale. L’article de Fernando Lloret et al. ; MPCVD Diamond Lateral Growth Through Microterraces to Reduce Threading Dislocations Density ; Phys. Status Solidi A 2017, 214, 1700242 propose d’utiliser l'effet des terrasses micrométriques sur la distribution des défauts étendus. L'évolution de ces défauts au cours de la croissance est déterminée en utilisant des couches très fines dopées au bore. Cette méthode, connue sous le nom d'approche stratigraphique, permet de déterminer l'orientation de la croissance tous les 100 nm. Cet article montre ainsi que les dislocations peuvent être redirigées loin des structures en terrasses, grâce à la croissance latérale. Il est possible de générer des zones exemptes de défauts cristallins en fonction de la taille des terrasses pour une direction de croissance selon la famille de plans {111}.
Une autre solution est également décrite dans l’article scientifique A. Boussadi et al . ; Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector ; Diamond & Related Materials 83 (2018) 162–169. Dans cette étude, des substrats de forme pyramidale avec un angle de 20° ayant à la fois leurs faces latérales et supérieures orientées selon la famille de plans {100} sont utilisées et l'effet des différentes conditions de croissance sur la propagation des dislocations est déterminé. Ainsi, le maintien d’un angle limite du secteur de croissance d’environ 45° et l'utilisation de densités de puissance modérées permet une croissance respective des faces supérieures et latérales tout en assurant un confinement des dislocations dans les régions latérales du substrat de diamant monocristallin.
Bien que ces solutions permettent de limiter l’apparition de dislocations lors de la croissance d’un substrat de diamant monocristallin, sont peu pratiques de mise en œuvre et ne permettent pas de générer des substrats de diamant monocristallin de qualité suffisante pour des applications opto-électroniques. En effet, les solutions proposées dans l’état de l’art permettent l’obtention de substrats de diamant monocristallin assez contraints après croissance et qui comprennent des dislocations supérieures à 3*10 3 dislocations/cm 2 . En outre, les solutions présentées précédemment ne permettent pas de réaliser des substrats de l’ordre du cm 2 ou plus.
Ainsi, il existe un besoin pour la fourniture de substrats de diamant monocristallin de 1 cm 2 et plus qui présentent une densité de dislocations bien inférieure et dont les contraintes compressives ou extensives sont fortement réduites.
L’invention a pour but de remédier aux inconvénients de l’art antérieur. En particulier, l’invention a pour but de proposer un procédé de formation d’une couche de diamant monocristallin présentant une densité de dislocations inférieure ou égale à 10 3 dislocations par cm 2 , ledit procédé permettant d’assurer la formation de substrats de diamant monocristallin de haute qualité, c’est-à-dire avec une densité de défauts cristallins et par voie de conséquence de contraintes limitées par rapport aux solutions existantes.
L’invention vise en particulier un procédé de formation d’une couche de diamant monocristallin présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 comprenant les étapes suivantes : fourniture d’un substrat de diamant monocristallin ayant une densité de défauts cristallins initiale supérieure à 10 3 défauts cristallins par cm 2 , le substrat de diamant monocristallin présentant un angle de désorientation, par rapport à la face exacte du substrat de diamant monocristallin supérieur à 0° et inférieur ou égal à 10°, première micro structuration d’une surface de croissance du substrat de diamant monocristallin par ablation laser non traversante, l’étape de micro structuration comportant la réalisation de premières figures de gravure de sorte que chaque première figure de gravure comprend une ouverture d’une largeur prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi, chacune des premières figures de gravure présentant en outre une profondeur d’au moins 30 µm, ladite profondeur étant supérieure à la largeur de l’ouverture ; première croissance homoépitaxiale, dans un réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, la première croissance étant réalisée : normalement par rapport à la surface de croissance de manière à former une première couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la surface de croissance, et latéralement par rapport à la paroi délimitant la première gravure, de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la paroi confinés dans la première figure de gravure et une cavité, de sorte que, la première figure de gravure est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 dislocations par cm 2 , deuxième micro structuration du substrat de diamant monocristallin par ablation laser non traversante, ladite deuxième étape de micro structuration comportant la réalisation de deuxièmes figures de gravure au niveau de la première couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la surface de croissance, chaque deuxième figure de gravure comprend une ouverture d’une largeur prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi, chacune des deuxièmes figures de gravure présente en outre une profondeur d’au moins 30 µm, ladite profondeur étant supérieure à la largeur de l’ouverture, deuxième croissance homoépitaxiale d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin, dans un réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, la deuxième croissance étant réalisée latéralement par rapport à la paroi délimitant la deuxième figure de gravure, l’autre deuxième couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la paroi confinés dans la deuxième figure de gravure et une cavité, de sorte que, la deuxième figure de gravure est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 .
Selon d’autres caractéristiques optionnelles du procédé de formation d’une couche de diamant monocristallin, ce dernier peut inclure facultativement une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, seules ou en combinaison : la surface de croissance est une face cristallographique (100) désorientée par rapport à une famille de faces cristallographiques {100} parallèles à une des faces latérales du substrat de diamant monocristallin. la surface de croissance est une face cristallographique (100) désorientée par rapport à une famille de faces cristallographiques {110} ou à une famille de faces cristallographiques {113}. une étape de croissance homoépitaxiale normale, dans le réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, de sorte que la troisième couche de diamant monocristallin atteigne une épaisseur d’au moins 500 µm. une étape de découpe de la troisième couche de diamant monocristallin, de préférence au laser. une étape de recuit de la troisième couche de diamant monocristallin à une température allant de 1500°C à 2300°C. au moins une étape de recuit intermédiaire du substrat de diamant monocristallin à une température allant de 1500°C à 2300°C, l’étape de recuit intermédiaire étant mise en œuvre entre l’étape de fourniture et l’étape de première micro structuration, entre la première croissance homoépitaxiale et l’étape de deuxième micro structuration et/ou entre l’étape de deuxième micro structuration et l’étape de deuxième croissance homoépitaxiale. la largeur de l’ouverture des première et deuxième figures de gravure est comprise entre 20 µm et 200 µm. une étape de préparation, préalable à la deuxième étape de micro-structuration, de la surface de croissance du substrat de diamant monocristallin par découpe laser ou par polissage, lorsque l’angle de désorientation est inférieur à un seuil prédéterminé, de façon à induire une désorientation au moins égale au seuil prédéterminé. les étapes de première et/ou deuxième micro-structuration et de première et/ou deuxième croissance homoépitaxiale sont répétées jusqu’à l’obtention d’une densité de défauts cristallins, dans la troisième couche de diamant monocristallin, inférieure ou égale à un seuil prédéterminé, de préférence inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 et de façon préférée inférieure ou égale à 5*10 2 défauts cristallins par cm 2 .
Selon un deuxième objet, l’invention porte sur un substrat de diamant monocristallin comprenant une couche de diamant monocristallin, ladite couche de diamant monocristallin ayant été obtenue par : formation de premières figures de gravure par micro structuration d’une surface de croissance du substrat de diamant monocristallin par ablation laser non traversante, de sorte que chaque première figure de gravure comprend une ouverture d’une largeur prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi, chacune des premières figures de gravure présentant en outre une profondeur d’au moins 30 µm, ladite profondeur étant supérieure à la largeur de l’ouverture, une première croissance homoépitaxiale, la première croissance comprenant : une croissance normale par rapport à la surface de croissance de manière à former une première couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la surface de croissance, et une croissance latérale par rapport à la paroi délimitant la première gravure, de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la paroi confinés dans la première figure de gravure et une cavité, de sorte que, la première figure de gravure est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 dislocations par cm 2 , formation de deuxièmes figures de gravure par micro structuration de la première couche de diamant monocristallin par ablation laser non traversante, de sorte que chaque deuxième figure de gravure comprend une ouverture d’une largeur prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi, chacune des deuxièmes figures de gravure présente en outre une profondeur d’au moins 30 µm, ladite profondeur étant supérieure à la largeur de l’ouverture, une deuxième croissance homoépitaxiale d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin, la deuxième croissance étant réalisée latéralement par rapport à la paroi délimitant la deuxième figure de gravure, l’autre deuxième couche de diamant monocristallin comportant les défauts cristallins de la paroi confinés dans la deuxième figure de gravure et une cavité, de sorte que, la deuxième figure de gravure est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 .
Selon d’autres caractéristiques optionnelles du substrat de diamant monocristallin, ce dernier peut inclure facultativement une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, seules ou en combinaison : les premières et deuxièmes figures de gravure non traversantes sont réalisées sur toute la surface de croissance. la largeur de l’ouverture des première et deuxième figures de gravure est comprise entre 20 µm et 200 µm.
Selon un troisième objet, l’invention porte sur une utilisation d’un substrat de diamant monocristallin selon l’invention pour l’obtention d’une couche de diamant monocristallin adaptée en tant que substrat pour des technologies quantiques, pour la fabrication d’une fenêtre optique, d’un substrat pour semi-conducteur ou pour la gestion thermique.
La représente un schéma d’un procédé de formation d’une couche de diamant monocristallin selon l’invention. Les étapes encadrées en pointillées sont facultatives.