INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il convient de noter par ailleurs que la tension Vdc est ajustable en amplitude selon la configuration de fonctionnement de la batterie de puissance BAT. En mode de recharge en courant triphasé alternatif, la tension Vdc peut être générée simultanément à la recharge par l’injection d’une tension de mode commun aux trois lignes de courant LT1, LT2 et LT3. Ce mode de fonctionnement a fait l’objet de la demande de brevet français FR-A1-3121797 par la demanderesse.
En , on a représenté une configuration de charge du système polyphasé permettant la recharge de la batterie BAT à partir d’un courant alternatif monophasé simultanément à la génération d’une tension continue Vdc en sortie du module de diodes RD. Dans cette configuration, les deux branches de phase BP1, BP2 sont connectées en parallèle à une ligne d’alimentation monophasée du réseau d’alimentation. Les commutateurs KR1 et KR2 sont fermés. La branche de phase BP3 est déconnectée du réseau d’alimentation alternatif, KR3 est ouvert. Par ailleurs, les commutateurs K6 et K7 sont ouverts. La ligne LT3 uniquement est utilisée pour générer le bus de tension continu BDC en sortie du module de diode RD. K8 est fermé.
Par ailleurs, un procédé de commande de la batterie BAT comporte la commande de plusieurs configurations de charge, comprenant au moins une configuration de charge, durant lesquelles le procédé comporte la génération de la tension continue Vdc par une tension continue formée par les cellules d’une des lignes de courant, la tension Vlt3 de la ligne LT3 comme illustrée en . A cet effet, les cellules de la ligne LT3 sont pilotées en fonction d’une consigne de référence Vref3 de forme continue et de valeur comprise entre 100 volts et 450 volts. Les cellules des deux autres lignes de courant, LT1 et LT2 en , sont pilotées chacune en fonction d’une consigne de référence synchronisée avec la tension alternative du réseau d’alimentation monophasé. Ainsi, le procédé de commande permet la recharge électrique en courant monophasé simultanément à la génération du bus de tension continue Vdc.
A l’étape c), les valeurs des résistances électriques peuvent être mesurées par un dispositif de mesure I-V apte à réaliser les mesures I-V en injectant un courant de mesure à travers deux électrodes de mesure adjacentes et en mesurant la tension obtenue entre ces électrodes, ou en appliquant une tension entre deux électrodes de mesure adjacentes et en mesurant le courant circulant entre ces électrodes. Les mesures I-V réalisées pour obtenir les valeurs des résistances électriques peuvent correspondre à des mesures dites « 4 fils». L’équipement utilisé pour réaliser ces mesures de résistance électrique est par exemple une unité de source et de mesure SMU.
La valeur cible peut être calculée à partir d’une valeur cible de résistance de couche de la couche de matériau absorbeur ou d’une valeur cible d’un taux d’injection de porteurs de charge dans la couche de matériau absorbeur.
En particulier, la valeur peut être calculée par méthode TLM en illuminant ladite première face de l’échantillon photovoltaïque avec une lumière dont les caractéristiques spectrales et l’intensité sont prédéterminées et d’intérêt, o la valeur peut être prédéfinie, c’est-à-dire choisie par l’utilisation dans une plage d’intérêt pour lui.
En variante, la valeur peut aussi être obtenue par calcul à partir de la valeur cible .
Selon un autre mode de réalisation, la valeur cible peut être définie à partir d’une mesure de photoluminescence d’une valeur en illuminant l’échantillon photovoltaïque (100) avec une lumière dont les caractéristiques spectrales et l’intensité sont prédéterminées ; l’illumination de l’échantillon photovoltaïque et la mesure de photoluminescence sont réalisées sur ladite première face.
Selon un autre mode de réalisation, la valeur cible peut aussi être prédéfinie ou choisie.
En effet, la densité de signal de photoluminescence émis depuis la région de l’échantillon photovoltaïque localisée entre les électrodes de mesure adjacentes présentant la distance inter-électrodes d i peut s’exprimer par l’équation : , avec K : constante optique dont la valeur dépend des propriétés de l’équipement d’illumination de l’échantillon photovoltaïque utilisé et d’un équipement de mesure du signal de photoluminescence utilisé, ainsi que de l’échantillon photovoltaïque (présence ou non de texturations, de couches antireflets, résolution de l’équipement, etc.) ; n : la densité d’électrons libres, s’exprimant par l’équation , avec N D correspondant à la densité de porteurs de charge de type donneur à l’obscurité dans le matériau absorbeur, en cm -3 , et Δn correspondant à la densité d’électrons générés en excès sous lumière dans le matériau absorbeur ; p : la densité de trous libres, s’exprimant par l’équation , avec N A correspondant à la densité de porteurs de charge de type accepteur dans le matériau absorbeur, en cm -3 , et de valeur nulle dans le cas d’une couche de semi-conducteur de type n, et Δp correspondant à la densité d’électrons générés en excès sous lumière dans le matériau absorbeur.
Lorsque le matériau absorbeur de l’échantillon photovoltaïque est un semi-conducteur de type n, et en illuminant l’échantillon photovoltaïque dans une gamme d’excitation lumineuse telle que Δn = Δp, la densité de signal de photoluminescence mesurée peut donc s’exprimer par l’équation :
Pour un échantillon et des équipements d’illumination et de mesure donnés, les valeurs de K et de N D sont constantes. Les mesures de photoluminescence de l’échantillon peuvent donc être vues comme des mesures du paramètre Δp dans le matériau absorbeur et qui affectent directement la valeur de la résistance de couche de la couche de matériau absorbeur.
Si la valeur mesurée est constante d’un pixel à l’autre ou d’un groupe de pixels à l’autre du spécimen de mesure, cela signifie donc que la valeur du paramètre Δp est constante pour ces pixels ou ces différents groupes de pixel.
La valeur de densité surfacique du signal de photoluminescence émis depuis la région de l’échantillon photovoltaïque localisée entre les électrodes de mesure adjacentes présentant la distance inter-électrodes d i , peut être définie comme la somme du signal photoluminescent mesurée sur la surface d’intérêt qui correspond la surface égale à la largeur des électrodes (c’est-à-dire le côté parallèle des électrodes 2 à 2) multipliée par la distance inter-électrode d i .
La valeur cible peut être calculée à partir de la valeur de N D , de la constante K et de la valeur cible . Dans ce cas, la valeur de N D peut être obtenue par une mesure 4 pointes ou TLM à l’obscurité. La valeur de K peut être déterminée par une calibration du système de mesure par photoluminescence pour chaque type d’échantillon photovoltaïque (la constante K dépend de la transmission de la lumière jusqu’au matériau absorbeur).
En outre, et selon un exemple de mise en œuvre, la valeur peut être obtenue en fonction de celle de en utilisant les deux équations suivantes : et avec correspondant à la résistivité électrique, en Ω.cm, de la couche de matériau absorbeur ; q correspondant à la charge élémentaire, en C ; µ n correspondant à la mobilité des électrons dans le matériau absorbeur, en cm 2 /(V.s) ; μ p correspondant à la mobilité des trous dans le matériau absorbeur, en cm 2 /(V.s) ; N D correspondant à la densité de porteurs de charge de type donneur à l’obscurité dans le matériau absorbeur, c’est-à-dire la concentration d’atomes dopants actifs dans le matériau absorbeur, en cm -3 ; correspondant à la valeur prédéterminée du taux d’injection de porteurs de charge cible dans la couche de matériau absorbeur, en cm -3 ; correspondant à la valeur cible de la résistance de couche de la couche de matériau absorbeur, en Ω/□ ; e correspondant à l’épaisseur de la couche équivalente, c’est-à-dire de la couche de matériau absorbeur, en cm. A l’étape b), le signal de photoluminescence peut être mesuré par un dispositif de mesure de photoluminescence. Ce dispositif de mesure de photoluminescence peut comporter au moins un capteur CCD.
L’étape a) peut être mise en œuvre en illuminant l’échantillon photovoltaïque et en mesurant le signal de photoluminescence émis depuis l’une des régions de l’échantillon photovoltaïque localisées entre les électrodes de mesure de chacune des N paires d’électrodes de mesure adjacentes. Lors de l’étape a), l’échantillon photovoltaïque peut être illuminé par un simulateur solaire.
L’étape b) peut être mise en œuvre : - en réalisant une cartographie, avec le spectre S PL et sous une illumination d’intensité , de la densité surfacique de signal de photoluminescence de l’échantillon photovoltaïque (100) entre chacune des N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4), et en calculant les différentes valeurs de permettant d’obtenir la même valeur entre chaque paire d’électrode telle que ; ou - par essais successifs ou avec un balayage de différentes valeurs possibles de .
Ici, le frein est positionné, le long de l’axe X10, entre le moteur électrique 12 et réducteur 32. En variante non représentée de l’invention, le réducteur 32 peut être positionné, le long de l’axe X10, entre le moteur électrique 12 et le frein 34. Selon une autre variante non-représentée, le frein est positionné, le long de l’axe X10, entre deux étages du réducteur 32.
L’actionneur 10 comprend également un boîtier 36 dans lequel sont disposés les éléments 12, 14, 32 et 34 et qui s’étend entre une première extrémité axiale 362 et une deuxième extrémité axiale 364, ces extrémités étant opposées l’une à l’autre le long de l’axe X10. L’extrémité axiale 362 du boîtier 36 est orientée du même côté qu’une extrémité axiale 62 du tube d’enroulement 6 visible aux figures 1 à 3.
Le boîtier 36 est de forme cylindrique. Il peut être réalisé en métal ou en matériau plastique.
Le fil d’antenne 30 s’étend, à partir de l’unité de contrôle électronique 14, jusqu’à l’extérieur du boîtier 36.
Une couronne-palier 37 est disposée autour de l’extrémité 362 du boîtier 36 et supporte l’extrémité 62 du tube d’enroulement
Une tête 38 appartient également à l’actionneur 10 et permet de maintenir celui-ci en position engagée à l’intérieur de l’arbre d’enroulement 6. Cette tête d’actionneur 38 est, de préférence, réalisée dans un matériau synthétique.
La tête d’actionneur 38 permet notamment d’accrocher l’actionneur 10 sur un support 40 qui peut être monté sur le mur M ou sur un flasque d’un caisson qui entoure le tube d’enroulement 6. A cet effet, la tête d’actionneur 38 est pourvue d’un logement central 382 configuré pour recevoir un pion de centrage 402 porté par le support 40. La tête d’actionneur assure donc notamment une fonction de support mécanique pour l’actionneur électromécanique 10. En outre, la tête d’actionneur constitue un point fixe, ou point de référence, pour le moteur électrique 12.
Pour la clarté du dessin, le support 40 et son pion 402 ne sont représentés qu’à la , en traits mixtes.
Un arbre de sortie 42 de l’actionneur électromécanique 10 fait saillie du boîtier 36, à l’opposé de la tête d’actionneur 38, c’est-à-dire du côté de l’extrémité 364 de ce boîtier. Cet arbre de sortie 42 est équipé d’une roue 44 solidaire en rotation, autour de l’axe d’enroulement X6, du tube d’enroulement 6.
Une rotation de l’arbre de sortie 42 autour de l’axe de rotation X10, qui résulte du fonctionnement du moteur électrique 12, a pour effet de faire tourner le tube d’enroulement 6 autour de l’axe d’enroulement X6, dans deux sens de rotation opposés, et de dérouler ou d’enrouler l’écran 2 autour du tube d’enroulement 6, en déplaçant la barre de charge 4 dans l’une des directions représentées par la double flèche F1.
Ainsi, le tube d’enroulement 6 et l’actionneur électromécanique 10 appartiennent à un dispositif d’entraînement motorisé 8, qui permet de déplacer sélectivement l’écran 2 entre des positions choisies par l’utilisateur du dispositif d’occultation 3.
Un couvercle 50, qui fait partie de l’actionneur électromécanique 10, est rapporté, de préférence de façon amovible, sur la tête d’actionneur 38, du côté de cette tête opposée au boîtier 36.
En pratique, le fil d’antenne 30 est raccordé de façon permanent à l’unité de contrôle électronique 14 et traverse le logement central. Il peut être monté sur le couvercle 50 avant ou après que celui-ci est rapporté sur la tête d’actionneur, au choix du concepteur de l’actionneur électromécanique 10 et/ou de l’installateur.
On note 38A une face frontale de la tête d’actionneur 38 opposée à l’actionneur 10. Cette face frontale est visible depuis l’extérieur du tube d’enroulement 6. Le couvercle permet de masquer des reliefs 384 apparents sur la face frontale 38A de la tête d’actionneur 38 et participe ainsi à l’esthétique globale de l’actionneur électromécanique.
Ce couvercle 50 est une pièce monobloc réalisée, de préférence, dans un matériau synthétique perméable, de préférence transparent, aux ondes radio, tel qu’un matériau plastique.
Le couvercle 50 est une pièce de forme extérieure cylindrique définie par une jupe périphérique 502 circulaire centrée sur un axe X50 central du couvercle 50, qui est confondu avec l’axe de rotation X10 en configuration assemblée de l’actionneur électromécanique 10. Le couvercle 50 comprend également un voile principal 504 qui recouvre la tête d’actionneur 38 sur l’essentiel de sa face frontale 38A visible à la , alors que la jupe 502 entoure une collerette périphérique 386 de la tête d’actionneur 38, qui dépasse au-delà du tube d’enroulement 6.
ordinogramme simplifié d’un mode de réalisation,
schéma par blocs simplifié d’un mode de réalisation,
schéma de l’application d’une forme de réalisation.
Des modes de réalisation donnés à titre d’exemple (figures 1, 2) concernent un procédé, par exemple, un procédé implémenté par ordinateur pour traiter des données d’image BD-IR d’une caméra 1, associées à l’habitacle 10-IR d’un véhicule, par exemple, d’un véhicule automobile 10 et consistant à :
- fournir 100 ( ) une segmentation sémantique SS-BD des données d’image BD-IR,
- déterminer 102 au moins une première région REG-1 associée aux données d’image BD-IR, par exemple, la région de l’avant-plan en se fondant sur la segmentation sémantique SS-BD,
- déterminer 104 au moins l’un des éléments suivants en s’appuyant sur au moins la première région REG-1 :
a) position 1-POS de la caméra 1 dans l’habitacle 10-IR du véhicule,
b) orientation 1-OR de la caméra 1 dans l’habitacle 10-IR du véhicule. Cela permet pour ces formes de réalisation, de vérifier, la disposition correcte ou l’orientation correcte de la caméra 1 dans l’habitacle 10-IR du véhicule.
Dans des exemples de réalisation ( ) il est prévu que fournir (100) la segmentation sémantique SS-BD d’au moins l’un des éléments consiste à :
a) déterminer 100a la segmentation sémantique SS-BD, par exemple, en utilisant un réseau neuronal,
b) recevoir 100b la segmentation sémantique SS-BD, par exemple, d’une autre unité (non représentée),
c) appeler 100c la segmentation sémantique SS-BD, par exemple, d’une autre unité.
Dans des formes de réalisation données à titre d’exemple ( ) le procédé consiste à :
- utiliser 106 la position 1-POS ou l’orientation 1-OR de la caméra 1 pour au moins l’une des étapes suivantes :
Le système d’intégration d’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction selon l’invention comprend typiquement, en empilement selon une direction z : un premier substrat à base de silicium, une couche comprenant des transistors métal-oxyde-semiconducteur complémentaires CMOS et des premiers niveaux d’interconnexions métalliques reliés auxdits transistors CMOS, une couche de collage comprenant une interface de type collage hybride, comprenant des connexions électriques avec les premiers niveaux d’interconnexions métalliques reliés aux transistors CMOS, une couche comprenant au moins un transistor bipolaire à hétérojonction, et des deuxièmes niveaux d’interconnexions métalliques intercalés entre la couche de collage et la couche comprenant l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction, lesdits deuxièmes niveaux d’interconnexions métalliques étant connectés électriquement à la couche de collage et à l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction.
Le procédé d’intégration d’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction selon l’invention comprend typiquement : une fourniture d’un premier empilement comprenant selon une direction z : un premier substrat à base de silicium, une couche comprenant des transistors métal-oxyde-semiconducteur complémentaires CMOS et des premiers niveaux d’interconnexions métalliques reliés auxdits transistors CMOS, une première partie d’une couche de collage comprenant une interface de type collage hybride, comprenant des connexions électriques avec les premiers niveaux d’interconnexions métalliques reliés aux transistors CMOS, une fourniture d’un deuxième empilement comprenant selon une direction z : un deuxième substrat à base de silicium, une couche comprenant au moins un transistor bipolaire à hétérojonction selon l’invention, et des deuxièmes niveaux d’interconnexions métalliques reliés audit transistor bipolaire à hétérojonction, une deuxième partie d’une couche de collage comprenant une interface de type collage hybride, comprenant des connexions électriques avec lesdits deuxièmes niveaux d’interconnexions métalliques reliés au transistor bipolaire à hétérojonction, un collage hybride de la deuxième partie de la couche de collage sur la première partie de la couche de collage, un retrait du deuxième substrat à base de silicium, une formation, sur la couche comprenant l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction, d’au moins un troisième niveau d’interconnexions. Selon une possibilité, l’au moins un troisième niveau d’interconnexions comprend une couche de métal dit épais présentant une épaisseur au moins deux fois supérieure aux différentes épaisseurs de métal des premiers et deuxièmes niveaux d’interconnexions métalliques situés sous la couche comprenant l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction. La couche de métal épais présente typiquement une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm, par exemple de l’ordre de 3 µm.
Ainsi, l’intégration du ou des transistors HBT se fait au plus près des niveaux métalliques BEOL. Les circuits d’amplification à base de transistors HBT peuvent ainsi être interconnectés avec les composants et les éléments passifs des circuits CMOS avec des distances de connexions réduites. Un tel système d’intégration présente une compacité améliorée. Cela permet de limiter les pertes de transmissions liées à des interconnexions HBT/CMOS trop longues. Un système RF basé sur une telle architecture peut avantageusement fonctionner à plus haute fréquence. L’efficacité énergétique, en particulier le rendement électrique du système, est également améliorée.
Le transistor HBT et le système d’intégration de ce transistor HBT permettent avantageusement de réaliser des architectures de circuits RF compactes et optimisées, présentant des performances RF améliorées.
Les figures 1 à 34 illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de réalisation d’un transistor HBT selon un mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 35 et 36 illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de réalisation d’un transistor HBT selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les figures 37 à 39 illustrent schématiquement un procédé d’intégration et un système d’intégration d’un transistor HBT dans un circuit intégré CMOS selon un autre mode de réalisation de la présente invention.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, sur les schémas de principe, les épaisseurs des différentes couches et portions, et les dimensions des motifs et structures ne sont pas représentatives de la réalité.
Selon un exemple, le transistor bipolaire à hétérojonction comprend, en empilement selon une direction z sur un substrat à base de silicium : une première couche en un premier matériau III-V présentant un premier type de conductivité avec un premier niveau de dopage N+, une première structure en mesa sur la première couche, comprenant : une couche dite de collecteur, à base d’un deuxième matériau III-V présentant le premier type de conductivité avec un deuxième niveau de dopage N, et une couche dite de base, à base d’un troisième matériau III-V présentant un deuxième type de conductivité avec un premier niveau de dopage P+, une deuxième structure en mesa sur la première structure en mesa, comprenant une couche d’émetteur à base d’un quatrième matériau III-V présentant le premier type de conductivité avec un troisième niveau de dopage N. un contact de collecteur sur la première couche, en bordure de la première structure en mesa, un contact de base sur la couche de base, en bordure de la deuxième structure en mesa, un contact d’émetteur sur la couche d’émetteur, les contacts de collecteur, de base et d’émetteur étant à base d’un matériau conducteur, typiquement à base d’un matériau conducteur pris parmi W, Ti, TiN, Cu, Ni et ses alliages NiPt, NiSi, une couche d’encapsulation à base d’un matériau d’encapsulation diélectrique, ladite couche d’encapsulation couvrant la première couche, les première et deuxième structures en mesa, et les contacts de collecteur, de base et d’émetteur, la couche d’encapsulation étant à base d’un matériau diélectrique, typiquement à base d’un matériau diélectrique pris parmi SiO2, SiN, Al203, SiCO, HfO2.
Selon un exemple, le matériau diélectrique est pris parmi SiO2, SiN, Al203, SiCO, HfO2. Ces matériaux sont avantageusement parfaitement compatibles avec les procédés BEOL en technologie CMOS.
Selon un exemple, le matériau conducteur est pris parmi W, Ti, TiN, Cu, Nb, Ni et ses alliages NiPt, NiSi. Ces matériaux sont avantageusement parfaitement compatibles avec les procédés BEOL en technologie CMOS.
Selon un exemple, les premier et quatrième matériaux III-V sont à base d’InP, et les deuxième et troisième matériaux III-V sont à base d’InGaAs.
Selon un autre exemple, le deuxième matériau III-V est à base d’InP, et le troisième matériau III-V est à base de GaAsSb, et le quatrième matériau III-V est à base d’InGaP et/ou d’InP.
Selon un exemple, la première couche en un premier matériau III-V est directement sur le substrat à base de silicium. Selon un autre exemple, une couche intercalaire, typiquement une couche de collage à base d’un matériau diélectrique ou métallique, est intercalée entre la première couche en un premier matériau III-V et le substrat à base de silicium.
Selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif, le dispositif 3 peut fournir des signaux de sortie à un ou plusieurs dispositifs externes, tels qu’un écran d’affichage 340, 12, tactile ou non, un ou des haut-parleurs 350, 11 et/ou d’autres périphériques 360 via respectivement des interfaces de sortie 34, 35 et 36. Selon une variante, l’un ou l’autre des dispositifs externes est intégré au dispositif 3.
La illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de localisation d’un dispositif de communication mobile dans un habitacle d’un véhicule, par exemple dans le véhicule 10, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention. Le procédé est par exemple mis en œuvre par un dispositif embarqué dans le véhicule 10 ou par le dispositif 3 de la .
Dans une première étape 41, des premières données représentatives d’une demande d’aide à la localisation du dispositif de communication mobile 100 dans l’habitacle du véhicule 10 sont reçues.
Dans une deuxième étape 42, des deuxièmes données représentatives d’une requête de réponse du dispositif de communication mobile 100 sont transmises.
Dans une troisième étape 43, des troisièmes données représentatives de la réponse du dispositif de communication mobile 100 sont reçues.
Dans une quatrième étape 44, une position du dispositif de communication mobile 100 dans l’habitacle du véhicule 10 est déterminée à partir des troisièmes données.