INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
DESCRIPTION DÉTAILLÉE Ci-après, les descriptions détaillées de la présente divulgation sont des modes de réalisation pour la mise en œuvre de la présente divulgation, et le mode de réalisation correspondant se réfère aux dessins annexés à titre d’exemple. Les modes de réalisation seront décrits en détail pour permettre à l’homme du métier de mettre en œuvre la présente divulgation. Il est évident que les divers modes de réalisation de la présente divulgation peuvent être différents les uns des autres, mais n’ont pas besoin d’être mutuellement exclusifs. Par exemple, les formes, structures et caractéristiques particulières décrites ici peuvent être mises en œuvre dans d’autres modes de réalisation sans s’écarter de l’idée et de la portée de la présente divulgation en relation avec un mode de réalisation. De plus, il sera compris que l’emplacement ou la disposition d’un élément individuel dans chaque mode de réalisation divulgué peut être modifié sans s’écarter de l’idée et de la portée de la présente divulgation.
Des références numériques similaires sur les dessins font référence à la même fonction ou à une fonction similaire à travers plusieurs aspects.
Un terme général qui est largement utilisé depuis quelque temps a été choisi dans la présente divulgation en tenant compte de la fonction selon la présente divulgation si possible, mais cela peut varier en fonction de l’intention de l’homme du métier, de précédents, de l’émergence d’une nouvelle technologie ou similaire. Dans un certain cas, le terme peut être choisi arbitrairement par le demandeur, et dans ce cas, sa signification sera décrite en détail dans la description pertinente de la présente divulgation. Par conséquent, le terme utilisé dans la présente divulgation sera défini en fonction de la signification du terme et du contenu tout au long de la présente divulgation, et pas simplement sur le nom du terme.
Dans la présente divulgation, lorsqu’un composant « comporte » certains éléments, cela n’exclut pas d’autres éléments, mais il peut en outre comporter les autres éléments, sauf indication contraire particulière. Ci-après, un récipient cosmétique de type à décharge rotative selon les modes de réalisation de la présente divulgation sera décrit en détail en référence aux dessins annexés.
La est une vue en perspective d’un récipient cosmétique selon un mode de réalisation de la présente divulgation. La est une vue en perspective éclatée du récipient cosmétique selon ledit mode de réalisation de la présente divulgation lorsqu’il est vu de dessus. La est une vue en perspective éclatée du récipient cosmétique selon ledit mode de réalisation de la présente divulgation lorsqu’il est vu de dessous. La est une vue en coupe du récipient cosmétique selon ledit mode de réalisation de la présente divulgation.
Comme représenté sur les dessins, le récipient cosmétique de type à décharge rotative selon les modes de réalisation de la présente divulgation est configuré pour comporter un boîtier extérieur 10, un élément d’actionnement de rotation 20, un boîtier intérieur 30, un élément rotatif 40, un élément d’actionnement 50, un élément de levage 60, et un piston 70.
Ci-après, le récipient cosmétique de type à décharge rotative selon les modes de réalisation de la présente divulgation sera décrit séparément pour chaque composant de la manière suivante.
La représente un graphe mettant en relation la courbure d’un substrat de type silicium sur isolant selon la température d’un recuit appliqué lors d’une étape de finition de préparation de ce substrat ;
La représente un graphe mettant en relation, pour une couche diélectrique enterrée de de 400nm, la rugosité de la surface exposée de la couche supérieure d’un substrat final selon la température d’un recuit appliqué lors d’une étape de finition de préparation de ce substrat ;
La représente un substrat conforme à l’invention ;
Les figures 4a, 4b, 4c, 4d représentent un procédé de préparation d’un substrat final conforme à la présente invention ;
Les figures 5a, 5b représentent respectivement des mesures de courbure et de rugosité réalisées au cours d’expérimentations ayant permis d’aboutir à l’invention ;
La illustre le bénéfice apporté par l’utilisation d’un recuit « long », plutôt qu’un recuit « rapide » en termes de défauts de type dislocation dans un procédé de fabrication conforme à l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En référence à la , un substrat S d’un mode de réalisation comprend un substrat de base 3, une couche de piégeage de charges électriques 2 (désignée « couche de pigeage » dans la suite de cette description) disposée sur le substrat de base 3, une couche diélectrique 4 disposée sur et directement en contact avec la couche de piégeage 2 et une couche supérieure 5 disposée sur la couche diélectrique 4. Le substrat de base 3 muni de la couche de piégeage de charges et de la couche diélectrique 4 forme un substrat support 1 du substrat final S.
Le substrat S (et donc le substrat support 1) peut prendre la forme d'une plaquette, par exemple en forme de disque de 300 mm de diamètre. Le substrat présente une courbure inférieure à 60 micromètres, préférentiellement inférieure à 40 micromètres, pour la rendre compatible avec les étapes ultérieures de fabrications de composants.
Le substrat de base 3 présente une épaisseur de plusieurs centaines de microns. Préférentiellement, le substrat de base 3 présente une résistivité élevée, supérieure à 100 ou 1000 ohms.cm, et plus préférentiellement encore supérieure à 3000 ohms.cm. On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de se déplacer dans le substrat de base 3, et donc détériorer la performance radiofréquences du substrat final S. Mais l’invention n’est pas limitée à un substrat de base 3 présentant une telle résistivité, et elle procure également des avantages de performance RF lorsque le substrat de base 3 présente une résistivité plus conforme, inférieure à 1000 ohms.cm, de l’ordre de quelques centaines d’ohms.cm, ou 100 ohms.cm ou moins.
Pour des raisons de disponibilité et de coût, le substrat de base 3 est préférentiellement en silicium, et notamment en silicium monocristallin. Il peut s'agir par exemple d'un substrat CZ à faible teneur en oxygène interstitiel qui présente, comme cela est bien connu en soi, une résistivité qui peut être supérieure à 1000 ohms.cm. Le substrat de base 3 peut alternativement être formé d'un autre matériau : il peut s'agir par exemple de saphir, de carbure de silicium, de silicium-germanium, matériaux III-V, de verre… Il peut s'agir alternativement encore d'un substrat CZ monocristallin plus standard, dont la résistivité est inférieure à 1000 ohms.cm, ou encore d'un substrat CZ à forte, ou moyenne teneur en oxygène interstitiel, pouvant être dopé n ou p et qui présente une résistivité qui peut être de l’ordre de 500 ohms.cm ou moins.
Le substrat support 1 comporte également une couche de piégeage 2, disposée sur et directement en contact avec le substrat de base 3. La couche de piégeage 2 présente une résistivité supérieure à 500 ohm.cm et préférentiellement à 1000 ohm.cm, et encore plus préférentiellement supérieure à 10 kohm.cm. Comme cela est bien connu en soi, la couche de piégeage a pour fonction de piéger les porteurs de charges pouvant être présents dans le support 1 et de limiter leur mobilité. C’est notamment le cas lorsque le substrat S comprend une structure semi-conductrice émettant un champ électromagnétique pénétrant dans le substrat support 1, et donc susceptible d'interagir et rendre mobiles ces charges. La couche de piégeage 2 présente une épaisseur typiquement comprise entre 1 micron et 15 microns, voire même 20 microns.
La couche de piégeage 2 peut, d'une manière générale, être constituée d'une couche semi-conductrice non monocristalline présentant des défauts structurels tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores… Ces défauts structurels forment des pièges pour les charges susceptibles de circuler dans le matériau, par exemple au niveau de liaisons chimiques non complètes ou pendantes. On prévient ainsi la conduction dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée.
Pour les mêmes raisons de disponibilité et de coût qui ont déjà été évoquées, la couche de piégeage 2 est préférentiellement en silicium polycristallin. Mais elle peut être constituée ou comprendre un autre matériau semi-conducteur et polycristallin. On peut bien entendu prévoir de former cette couche de piégeage de charges 2 par d’autre technique que celle prévoyant une couche formée de silicium polycristallin. Cette couche peut également comprendre du carbone ou être constituée ou comprendre du carbure de silicium ou un alliage de silicium et de carbone, par exemple sous la forme de couches intercalaires insérées dans une épaisseur de silicium polycristallin. Lorsque la couche de piégeage 2 est constituée par du carbure de silicium ou un alliage de silicium et de carbone, son épaisseur est préférentiellement comprise entre quelques nm (par exemple 2 nm) à quelques dizaines de nm (par exemple 50nm). Il peut alternativement s’agir de réaliser les pièges électriques dans la couche 2 par bombardement ionique d’espèces relativement lourdes (par exemple de l’argon) dans une partie superficielle du substrat de base 3 afin d’y créer des défauts cristallins aptes à piéger des charges électriques. On peut également prévoir une couche de piégeage de charges 2 formée d’une matière poreuse, par exemple par porosification d’une partie superficielle du substrat de base 3 lorsque celui-ci est en silicium. La couche de piégeage peut également comprendre un oxyde riche en silicium comportant une concentration atomique de silicium comprise entre 50% et 99,9%. Cet oxyde riche en silicium peut également comprendre de l’azote. Il peut également comprendre des inclusions de silicium cristallin présentant une taille inférieure à 10 nm, et préférentiellement inférieure à 5 nm. Alternativement elle peut se présenter sous une forme polycristalline et comprendre des inclusions amorphes.
En tout état de cause, la couche de piégeage 2 présente une résistivité élevée supérieure à 500 ohm.cm. À cette fin, la couche de piégeage 2 n’est pas intentionnellement dopée, c’est-à-dire qu’elle présente une concentration en dopant porteur de charges inférieure à 10 E14 atomes par centimètre cube. Elle peut être riche en azote ou en carbone afin d’améliorer sa caractéristique de résistivité.
Revenant à la description générale de la , le substrat support 1 comprend également une couche diélectrique 4 directement disposée sur la couche de piégeage 2. A titre d’exemple, la couche diélectrique 4 peut être constituée ou comprendre du dioxyde de silicium ou du nitrure de silicium. Il peut également s’agir d’un empilement de ces matériaux. L’épaisseur de la couche diélectrique 4 peut être usuellement comprise entre 10nm et 10 microns, mais dans le cadre de la présente description, cette couche présente une épaisseur importante, supérieure à 200 nm, et préférentiellement comprise entre 200 nm et 1000 nm.
Le substrat S comprend une couche supérieure 5, sur et en contact avec la couche diélectrique 4 du substrat support 1. La couche mince est usuellement en silicium monocristallin, mais il pourrait s’agir de tout autre matériau selon la nature du dispositif destiné à y être formé. Lorsque le substrat S est destiné à recevoir des composants intégrés à semi-conducteur dans les domaines de l’électronique ou de la photonique, la couche mince 5 peut être ainsi composée de silicium monocristallin, ou de tout autre matériau semi-conducteur monocristallin tel que du germanium, du silicium germanium, du carbure de silicium.
L’invention permet ainsi de : - obtenir un temps de cycle réduit, et ainsi un gain en productivité et en capacité de production ; - réaliser la production des ceintures en bord de ligne afin de simplifier et minimiser le nombre de référence de ceinture ; -une automatisation possible de la pose de la ceinture sur la cuve, avec un robot qui tient et applique la ceinture contre la cuve pendant que celle-ci tourne sur elle- même, ce qui apporte un gain en coût de main d’œuvre directe ; - une application de la ceinture sur la cuve dans le flux de production de la cuve, ce qui permet de se passer de zone de stockage intermédiaire des cuves.
En outre, l’absence ou le nombre réduit de soudure pour réaliser le condenseur conformé par cintrage, permet une diminution du risque de fuite de réfrigérant du condenseur.
Une même référence de tube peut être utilisée pour préformer à plat différentes tailles de serpentin de condenseur selon la taille ou forme des cuves à équiper du condenseur.
L'invention n’est pas limitée aux modes de réalisation illustrés dans les dessins. La portée de l’invention est définie par les revendications jointes.
Dispositif de manutention et de pose d’un module photovoltaïque sur une structure porteuse DOMAINE DE L'INVENTION. L'invention se situe dans le domaine de la construction d’une centrale photovoltaïque.
La présente invention concerne un dispositif de manutention et de pose d’un module photovoltaïque sur une structure porteuse.
ETAT DE LA TECHNIQUE. Une grande partie du temps de construction d’une centrale photovoltaïque est occupée par la pose de chacun des modules photovoltaïques sur une structure porteuse généralement inclinée. Or, ce travail est fastidieux. En effet, aujourd’hui, la plupart des opérateurs installent et positionnent les modules photovoltaïques « à la main » sur ces structures porteuses inclinées, de façon à former des rangées de ces modules.
Le dernier module de la rangée, qui se trouve le plus haut sur la structure porteuse inclinée, est souvent positionné par deux opérateurs, qui se placent debout sur une échelle ou sur un escabeau, en arrière de la rangée et qui manipulent ainsi ce dernier module à bout de bras. Une fois les modules positionnés, ceux-ci sont généralement fixés sur la structure porteuse, par exemple avec des clamps de fixation.
Or, pour des raisons de sécurité, d’ergonomie du travail, de prévention des risques professionnels (notamment des troubles musculosquelettiques) et de rapidité d’installation d’une centrale photovoltaïque, il serait souhaitable de trouver une solution pour que les opérateurs puissent éviter de se trouver dans ces situations à risque.
Il serait également souhaitable de proposer une solution qui permette de diminuer le nombre d’opérateurs nécessaires pour installer une centrale photovoltaïque et/ou de diminuer leur temps de travail.
On connait déjà d’après les documents WO 2018/223624 et WO 2018/223624, des supports de modules photovoltaïques munis de paires de rainures de guidage et qui permettent à un opérateur de faire coulisser chaque module dans ces rainures, jusqu’à leur emplacement définitif. Toutefois, le positionnement des modules reste manuel et prend du temps surtout lorsqu’il s’agit d’atteindre les endroits plus difficilement accessibles des supports (en bout de rangée).
EXPOSE DE L'INVENTION. L’invention a donc pour but de proposer un dispositif de manutention et de pose d’un module photovoltaïque sur une structure porteuse, qui évite aux opérateurs de prendre des risques et notamment qui permette d’installer les différents modules photovoltaïques d’une rangée, y compris celui situé en partie haute de cette structure porteuse, depuis le bas de cette structure.
L’invention a également pour but de proposer un tel dispositif qui permette de prendre le module photovoltaïque, de le déplacer le long de la structure porteuse et de le détacher, lorsque ce module est positionné à l’endroit où il doit l’être.
A cet effet, l’invention concerne un dispositif de manutention et de pose d’un module photovoltaïque sur une structure porteuse.
Conformément à l’invention, ce dispositif comprend un dispositif de préhension et une perche, configurée pour pouvoir être fixée sur ledit dispositif de préhension, le dispositif de préhension comprend une barre de support transversale, au moins une plaque support dudit module photovoltaïque, deux dispositifs de serrage selon un axe perpendiculaire à celui de la plaque support et un dispositif d’actionnement conjoint desdits dispositifs de serrage, et ces deux dispositifs de serrage et ladite au moins une plaque support sont fixés sur ladite barre de support, de façon que chaque dispositif de serrage coopère avec ladite au moins une plaque de support pour permettre le pincement et le maintien dudit module photovoltaïque et ledit dispositif d’actionnement conjoint peut être actionné pour permettre le pincement et le maintien dudit module photovoltaïque ou pour permettre la libération dudit module photovoltaïque.
En référence à la , le réservoir 2, plus particulièrement sa paroi arrière 204, présente une ouverture 207 permettant le chargement de copeaux à l’intérieur du réservoir 2.
Cette ouverture 207 est située dans une zone opposée à la paroi de fond 201.
Enfin, le système 1 comprend également un déflecteur 9 solidaire de la paroi de fond 201 et faisant saillie à l’extérieur du réservoir 2.
Le déflecteur 9 est destiné à diriger les copeaux depuis le ou chaque trou 206 de déversement vers une cuvette de toilettes sèches.
Lorsque les copeaux tombent par gravité, ils sont ainsi dirigés dans la cuvette de sorte à se disperser de manière efficace.
Le fonctionnement du système 1 est à présent décrit.
Lorsqu’un utilisateur de toilettes sèches dans lesquelles le système 1 est installé a terminé ses besoins, il actionne l’organe de commande 4.
Plus précisément, l’utilisateur utilise son pied pour appuyer sur la pédale formant l’organe de commande 4 afin de la faire passer de sa position haute à sa position basse.
Cela a pour effet d’entraîner le câble 5, selon un premier sens de déplacement, à l’encontre de l’organe de rappel 6 qui se tend.
L’entraînement du câble 5 provoque la mise en rotation de la vis sans fin 3 et de chaque mélangeur 8.
Les copeaux contenus dans le réservoir 2 sont alors brassés par les mélangeurs 8 pour ne pas s’agglomérer puis sont dirigés vers le trou 206 de déversement via la vis sans fin 3 afin d’être dispersés dans la cuvette par l’intermédiaire du déflecteur 9.
Lorsque la pédale est dans sa position basse, la rotation de la vis sans fin 3 et des mélangeurs est arrêtée et les copeaux restent contenus dans le réservoir 2.
L’utilisateur peut alors relâcher la pression qu’il exerce sur la pédale de sorte que l’organe de rappel 6 se rétracte pour recouvrer sa forme initiale.
Cela a pour effet de déplacer la pédale de sa position basse vers sa position haute par l’intermédiaire du câble 5 qui est alors entraîné selon un deuxième sens de déplacement inverse au premier sens de déplacement.
Grâce aux dispositifs de roue libre 301, l’entraînement du câble 5 selon le deuxième sens de déplacement n’a pas d’influence sur la rotation de la vis sans fin 3 et des mélangeurs 8.
Autrement dit, lorsque la pédale formant l’organe de commande 4 passe de sa position basse à sa position haute, la vis sans fin 3 et les mélangeurs 8 restent immobiles et ne provoquent pas le déversement de copeaux dans la cuvette des toilettes sèches.
Après incubation, l’absorbance a été mesurée à 600 nm pour chaque puits après agitation des plaques.
Résultats Les résultats de CMI obtenus sont les suivants :
Micro-organsines CMI (pourcentage massique % ) Staphylococcus aureus ATCC 29213 0,0125-0,025 Staphylococcus aureus USA 300 MRSA 0,005-0,0125 Pseudomonas aeruginosa CIP 82.118 0,05 – 0,075 Escherichia coli DSM 1576 0,0125-0,025 Streptococcus pyogenes DSM 20565 ≤ 0,005 Cutibacterium acnes CIP 53.117 0,005-0,0125
L’ensemble des résultats obtenus montre une efficacité pour des concentrations de C. cassia inferieures à 0,05%.
EXEMPLE 6 : cytotoxicité de l’huile essentielle de C. cassia
Méthode L’essai de cytotoxicité basé sur l’ISO10993-5 sur cellules de fibroblaste BALB/3T3 clone A31 est réalisé selon la méthode de contact direct. La composition selon l’invention comprenant (i) de l’acide hyaluronique à 1,8%, de l’huile essentielle de C. cassia à 0,2% dans du tampon Tris 50 mM a été diluée à différentes concentrations et a été mise en contact de 30 000 cellules pendant 24 heures à 37°C. Le seuil de toxicité est fixé à 70% c’est-à-dire que si la mortalité des cellules est supérieure à 30% le produit est considéré comme cytotoxique.
La méthode d’évaluation de la viabilité des cellules est la méthode de coloration par du bleu trypan.
L’objectif est une absence de cytotoxicité du produit pour une concentration de 5mg/mL
Résultats La composition selon l’Invention présente une cytotoxicité légère pour une concentration de 5 mg par mL de milieu (résultats de 69% de viabilité) et aucune toxicité pour une concentration de 2.5mg/mL (résultats de 93% de viabilité). Le seuil de cytotoxicité acceptable a été obtenue pour une concentration de 0,20%.
L’absence de cytotoxicité avec la composition selon l’Invention a été donc obtenue pour une concentration équivalente en huile essentielle de C. cassia de 0,1 % en poids.
Extrait de Punica granatum variété Cybèle et ses utilisations en cosmétique Domaine de l’invention La présente invention concerne un extrait de Punica granatum variété Cybèle et une composition cosmétique comprenant ledit extrait. L’invention concerne également l’utilisation cosmétique et/ou dermatologique dudit extrait ou de ladite composition pour les soins de la peau, notamment pour lutter contre le vieillissement cutané.
Etat de la technique Le grenadier, appartenant à l’espèce Punica granatum , est un arbuste mesurant en moyenne 3 à 6m de hauteur et classée dans la famille des Lythracées.
Son aire de répartition géographique est très large. Les pays d’origine du grenadier s’étendent de la Turquie au Caucase, du Turkménistan à l’est jusqu’en Iran, Afghanistan et Pakistan. Sur tout le pourtour méditerranéen et au proche orient, le grenadier est cultivé depuis des siècles, en particulier pour ses fruits, les grenades.
Les grenades sont des baies globuleuses, au péricarpe coriace qui, à maturité ( i.e. , de septembre à octobre), vire du jaune au rouge-orangé voire violacé à noir en fonction des variétés. Le fruit est surmonté des restes du calice de la fleur, formant une couronne dentelée et lui donnant une forme atypique facilement identifiable. La grenade est constituée de 6 à 12 loges membraneuses blanchâtres de saveur âpre contenant de nombreuses graines triangulaires nommées arilles. Ces graines possèdent un mésocarpe charnu et gélatineux, généralement acidulé et sucré, représentant la partie comestible du fruit.
Il existe plus de 1200 variétés différentes de grenadier par le monde. Elles se distinguent en particulier pour ce qui concerne le fruit par l’acidité et le diamètre, la couleur du péricarpe, le nombre de graines et la précocité. On peut citer par exemple la variété Wonderful, grenade rouge d’Israël, réputée pour ses fruits doux et sucrés. Quelques variétés de grenadier ont été implantées dans les régions à hiver doux d’Europe centrale, en particulier en France où on le retrouve notamment dans les régions de la moitié sud.
La composition phytochimique des variétés donnant des fruits rouges de l’espèce Punica granatum est bien documentée et permet de mettre en évidence les familles majoritaires comme les acides hydroxycinnamiques et plus particulièrement les acides caféique, chlorogénique, férulique, quinique et p-coumarique très présents dans le péricarpe du fruit ; les flavonoïdes de type flavones et flavonols (glycosides de lutéoline, quercétine, apigénine, naringénine et isorhamnétine) en abondance également dans le péricarpe ; ou encore les tanins hydrolysables de type ellagitanins (punicalagines) et les sapogénines triterpéniques (acide ursolique) présents dans les graines, le péricarpe et les feuilles.