Dispositif semi-conducteur comprenant successivement, en empilement selon une direction z, une couche de support (10), une couche isolante (11) et une couche semi-conductrice (12) dans laquelle est définie une zone active (12A), le dispositif comprenant en outre une première grille latérale (G1) sur un premier bord (120) de la zone active (12A), configurée pour contrôler électrostatiquement une distribution de porteurs de charge dans la couche semi-conductrice (12) perpendiculairement à la direction z, et une grille verticale (30, 30a, 30b) au-dessus de la zone active (12A), configurée pour contrôler électrostatiquement la distribution de porteurs de charge dans la couche semi-conductrice (12) selon la direction z, le dispositif étant caractérisé en ce qu’il comprend une deuxième grille latérale (G2) sur un deuxième bord (120) de la zone active (12A), configurée pour contrôler électrostatiquement une distribution de porteurs de charge dans la couche semi-conductrice (12) perpendiculairement à la direction z, ladite deuxième grille latérale (G2) étant isolée électriquement vis-à-vis de la première grille latérale (G1), la grille verticale (30, 30a, 30b) étant isolée électriquement vis-à-vis des première et deuxième grilles latérales (G1, G2), le dispositif comprenant en outre un matériau diélectrique (15) encapsulant lesdites première et deuxième grilles latérales (G1, G2). Dispositif selon la revendication précédente dans lequel la distribution de porteurs de charge est localisée au niveau d’un point quantique, le dispositif étant un dispositif quantique. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel les première et deuxième grilles latérales (G1, G2) et la grille verticale (30, 30a, 30b) sont métalliques ou conductrices à des températures cryogéniques inférieures ou égales à 50 mK. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la grille verticale comprend des première et deuxième parties (30a, 30b) non reliées électriquement entre elles et couvrant partiellement la zone active (12A). Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche semi-conductrice (12) présente, en projection selon la direction z, une forme comprenant un premier et un deuxième contours (C1, C2) fermés qui partagent une section commune (C0), et dans lequel la zone active (12A) est située dans ladite section commune (C0), les première et deuxième grilles latérales (G1, G2) se trouvant respectivement à l’intérieur des premier et deuxième contours (C1, C2) fermés. Dispositif selon la revendication précédente comprenant en outre des grilles secondaires (31, 32) au-dessus de la couche semi-conductrice (12) de part et d’autre de la section commune (C0), lesdites grilles secondaires (31, 32) étant configurées pour isoler électriquement des régions de source et drain (S, D) situées aux extrémités de la section commune (C0). Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant plusieurs grilles verticales (30, 30a, 30b), certaines grilles verticales recouvrant au moins partiellement la zone active (12A), et certaines autres grilles verticales ne couvrant pas la zone active (12A). Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant au moins un réservoir de charge de part et d’autre de la zone active (12A), à fleur de la grille verticale (30, 30a, 30b). Procédé de réalisation d’un dispositif comprenant une structure de type métal-oxyde-semiconducteur formée à partir d’un empilement comprenant successivement, selon une direction z, une couche de support (10), une couche isolante (11) et une couche semi-conductrice (12), le dispositif comprenant en outre au moins une grille latérale (G1, G2) configurée pour contrôler électrostatiquement une distribution de porteurs de charge dans la couche semi-conductrice (12) perpendiculairement à la direction z, ledit procédé comprenant : une formation d’au moins une tranchée (20) traversant la couche semi-conductrice (12) et s’étendant jusque dans la couche isolante (11), ladite formation de tranchée (20) définissant ainsi une zone active (12A) de la couche semi-conductrice (12), et exposant des bords (120) de ladite zone active (12A), une formation d’une première barrière diélectrique sur chaque bord (120) exposé de la zone active (12A), ladite première barrière diélectrique formant en partie un flanc (200) de ladite au moins une tranchée (20), un dépôt d’une couche d’électrode (14) sur le flanc (200) de l’au moins une tranchée (20), et de préférence sur un fond (201) de l’au moins une tranchée (20), ladite couche d’électrode (14) présentant au moins une portion (14l) dite latérale sur le flanc (200) de l’au moins une tranchée (20), ladite portion latérale (14l) formant la grille latérale (G1, G2), et de préférence une portion (14b) dite basale sur le fond (201) de l’au moins une tranchée (20), un remplissage de l’au moins une tranchée (20) par un matériau diélectrique (15), une formation d’une deuxième barrière diélectrique (16) sur une face supérieure de la zone active (12A) et sur une extrémité (140) supérieure de la grille latérale (G1, G2) bordant la zone active (12A), une formation d’une grille verticale (30, 30a, 30b) sur la deuxième barrière diélectrique (16), au-dessus de la zone active (12A), configurée pour contrôler électrostatiquement la distribution de porteurs de charge dans la couche semi-conductrice (12) selon la direction z, de façon à obtenir la structure de type métal-oxyde-semiconducteur. Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, avant formation de la deuxième barrière diélectrique (16), une gravure partielle de la portion latérale (14l) de couche d’électrode (14), configurée pour abaisser l’extrémité (140) supérieure de la grille latérale (G1, G2) sous un plan (P0) passant par la face supérieure de la zone active (12A). Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 10 comprenant, après remplissage de l’au moins une tranchée (20) et avant formation de la deuxième barrière diélectrique (16), une planarisation configurée pour que l’extrémité (140) supérieure de la grille latérale (G1, G2) soit plane parallèlement à un plan (P0) passant par la face supérieure de la zone active (12A). Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 11 dans lequel le dépôt de la couche d’électrode (14) est effectué également sur un fond (201) de l’au moins une tranchée (20), ladite couche d’électrode (14) présentant ainsi une portion basale (14b) sur le fond (201) de l’au moins une tranchée (20) en contact avec la portion latérale (14l) sur le flanc (200) de l’au moins une tranchée (20), ledit procédé comprenant en outre une formation d’un via de contact (40, 41, 42) au travers du matériau diélectrique (15) configurée pour contacter électriquement la portion basale (14b) de la couche d’électrode (14). Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 12 dans lequel la formation d’au moins une tranchée (20) est configurée pour former une première tranchée (21) d’un premier côté de la zone active (12A) et une deuxième tranchée (22) d’un deuxième côté de la zone active (12A), séparée de la première tranchée (21), et dans lequel le dépôt de la couche d’électrode (14) forme, respectivement dans les première et deuxième tranchées (21, 22), des première et deuxième grilles latérales (G1, G2) non reliées électriquement entre elles. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche semi-conductrice (12) présente une forme comprenant un premier et un deuxième contours (C1, C2) fermés qui partagent une section commune (C0), et dans lequel la zone active (12A) est située dans ladite section commune (C0), les première et deuxième grilles latérales (G1, G2) se trouvant respectivement à l’intérieur des premier et deuxième contours (C1, C2) fermés, ledit procédé comprenant en outre une étape de gravure configurée pour couper la couche semi-conductrice (12) de part et d’autre de la section commune (C0), de façon à isoler électriquement des régions de source et drain (S, D) situées aux extrémités de la section commune (C0). Procédé selon la revendication 13 dans lequel la couche semi-conductrice (12) présente une forme comprenant un premier et un deuxième contours (C1, C2) fermés qui partagent une section commune (C0), et dans lequel la zone active (12A) est située dans ladite section commune (C0), les première et deuxième grilles latérales (G1, G2) se trouvant respectivement à l’intérieur des premier et deuxième contours (C1, C2) fermés, ledit procédé comprenant en outre, lors de la formation de la grille verticale (30, 30a, 30b) au-dessus de la zone active (12A), une formation de grilles secondaires (31, 32) au-dessus de la couche semi-conductrice (12) de part et d’autre de la section commune (C0), lesdites grilles secondaires (31, 32) étant configurées pour isoler électriquement des régions de source et drain (S, D) situées aux extrémités de la section commune (C0).