Dispositif (10, 60, 76, 82 96) comprenant une cellule mémoire à changement de phase (12, 62a, 62b, 78, 84, 98), la cellule mémoire comprenant un premier empilement de couches (18), le premier empilement de couches (18) comprenant une couche intermédiaire (22) de matériau à changement de phase, une couche inférieure isolante (20) et une couche supérieure isolante (24), la cellule comprenant des premier (26) et deuxième (28) éléments conducteurs ayant une forme de L, le premier élément (26) s'étendant sur une première paroi latérale du premier empilement, le deuxième élément (28) s'étendant sur une deuxième paroi latérale de l'empilement opposée à la première paroi. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la couche intermédiaire a une épaisseur comprise entre 5 nm et 50 nm. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif comprend un réseau d'interconnexion, la cellule (12, 62a, 62b, 78, 84, 98) étant située entre un niveau inférieur et un niveau supérieur du réseau d'interconnexion, les niveaux inférieur et supérieur étant successifs. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le premier élément conducteur (26) comprenant une partie horizontale reposant sur un troisième élément conducteur (16) du niveau inférieur et une partie verticale s'étendant sur la paroi latérale du premier empilement. Dispositif selon la revendication 3 ou 4, dans lequel un quatrième élément conducteur (34) du niveau supérieur est en contact avec une extrémité supérieure d'une partie verticale du deuxième élément (28). Dispositif selon la revendication 3 ou 4, dans lequel un cinquième élément conducteur (80) s'étend du niveau supérieur à une partie horizontale du deuxième élément conducteur (28). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le dispositif comprend au moins deux cellules (62a, 62b) dont les couches intermédiaires (22a, 22b) ont des épaisseurs différentes. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la couche intermédiaire (22a) d'une des cellules (62a) a une épaisseur comprise entre 5 nm et 50 nm et dans lequel la couche intermédiaire (22b) de l'autre des cellules (62b) a une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le dispositif comprend des sixièmes éléments conducteurs (86) en forme de L s'étendant à travers la couche inférieure du premier empilement. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le dispositif comprend des septièmes éléments conducteurs (100) en forme de L s'étendant à travers la couche supérieure du premier empilement. Procédé de fabrication d'un dispositif (10, 60, 76, 82 96) comprenant une cellule mémoire à changement de phase (12, 62a, 62b, 78, 84, 98), le procédé comprenant une étape de formation d'un premier empilement de couches (18), le premier empilement de couches (18) comprenant une couche intermédiaire (22) de matériau à changement de phase, une couche inférieure isolante (20) et une couche supérieure isolante (24), le procédé comprenant en outre la formation de premier (26) et deuxième (28) éléments conducteurs ayant une forme de L, le premier élément (26) s'étendant sur une première paroi latérale du premier empilement, le deuxième élément (28) s'étendant sur une deuxième paroi latérale du premier opposée à la première paroi. Procédé selon la revendication 11 appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. Procédé selon la revendication 12 appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel le procédé comprend la formation du niveau d'interconnexion inférieur, la formation d'un deuxième empilement (36) de couches comprenant une première couche (40) en un matériau à changement de phase entre deux deuxièmes couches isolantes (38, 42), la formation de cavités traversant le deuxième empilement de manière à former le premier empilement, une paroi de chaque premier empilement étant située sur un troisième élément. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le procédé comprend la formation de manière conforme d'une troisième couche (54) en le matériau des premier et deuxième éléments, la formation d'espaceurs (56) sur les parois latérales du premier empilement (18) et la gravure des portions de la troisième couche n'étant pas situées sous les espaceurs. Procédé selon la revendication 12 appliqué à la fabrication d'un dispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le procédé comprend une étape de formation d'une couche (72) d'épaisseur égale à la différence entre les épaisseurs des couches intermédiaires des deux cellules (62a, 62b) sur l'emplacement de la cellule ayant l'épaisseur la plus grande.