Procédé de fabrication (100) d’un dispositif (1) comprenant au moins une couche dite d’intérêt (11) à base, voire constituée, de carbure de silicium (SiC) cristallin, de préférence monocristallin, le procédé de fabrication (100) comprenant les étapes suivantes : Fournir (110) un substrat dit initial (2) à base, voire constitué, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, puis Faire croître (120) par épitaxie, sur le substrat initial (2), une couche dite tampon (3) à base d’un matériau présentant, sous sa forme cristalline, de préférence monocristalline : un paramètre de maille égal, à plus ou moins 6% près, de préférence à plus ou moins 2% près, à un paramètre de maille du SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial (2), et une température de fusion strictement supérieure à 1600°C, de préférence supérieure à 2000°C, et encore plus préférentiellement supérieure ou sensiblement égal à 2500°C, et jusqu’à ce que la couche tampon (3) présente une épaisseur strictement supérieure à 2 nm, de préférence supérieure ou égale à 4 nm, et strictement inférieure à deux fois, de préférence sensiblement égale ou inférieure à, une épaisseur critique Ec au-delà de laquelle des défauts ou dislocations apparaissent dans la couche tampon (3) crue (120), Faire croître (130) par épitaxie, sur la couche tampon (3), au moins la couche d’intérêt (11), pour obtenir un empilement (10) comprenant successivement le substrat initial (2), la couche tampon (3) et au moins la couche d’intérêt (11), l’empilement (10) s’étendant depuis une face arrière (101) portée par le substrat initial (2) jusqu’à une face avant (102) opposée à la face arrière (101), et Fournir (140) un substrat dit receveur (5), puis Reporter (150) l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5), puis Insoler (160) l’empilement (10), de préférence par sa face arrière (101), avec un rayonnement laser présentant une longueur d’onde davantage absorbée par la couche tampon (3) que par le SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial (2), le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon (3) de sorte à détacher le substrat initial (2) depuis le reste de l’empilement (10) en sacrifiant au moins partiellement la couche tampon (3), et obtenir (170) ainsi un dispositif (1) comprenant au moins la couche d’intérêt (11) reporté sur le substrat receveur (5). Procédé (100) selon la revendication précédente, comprenant en outre, à la suite du détachement du substrat initial (2) depuis le reste de l’empilement (10), une étape consistant à récupérer (180) le substrat initial (2), et le cas échéant à le fournir (110) de nouveau. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est constituée est choisi parmi : TiN, VN, ZrN, TaN, NbN, et HfN, voire MoN, WN et CrN, et TiC, VC, ZrC, TaC, NbC, et HfC, voire MoC, WC et CrC, Ou un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est constituée est choisi parmi NbN, HfN et TiN, ou un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est constituée est le nitrure de niobium (NbN). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche tampon (3) est comprise entre 1,5 et 15 nm, de préférence entre 3 et 12 nm, et sera par exemple sensiblement égale à 4 nm ou 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif (1) consiste en ladite couche d’intérêt (11) et forme une couche de germination. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape de croissance par épitaxie de ladite au moins la couche d’intérêt comprend, outre la croissance de ladite couche (11), la croissance d’autres couches pour former, conjointement avec ladite couche d’intérêt, un dispositif (1) épitaxié à base de SiC, comprenant par exemple au moins l’un parmi un composant de puissance et un composant radiofréquence, tels qu’une diode ou un transistor, notamment à effet de champ. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le report de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5) comprend, ou consiste en, une étape de collage de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5), l’étape de collage étant de préférence réalisée en mettant en œuvre une technique permettant au collage de résister à des conditions, notamment de température, destinées à être rencontrer lors d’étapes ultérieures de fabrication et/ou de traitement et/ou d’assemblage du dispositif (1). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le collage de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5) est réalisé par l’intermédiaire d’au moins une couche de liaison (6). Procédé (100) selon la revendication 8 et la revendication 9, dans lequel, le dispositif (1) épitaxié à base de SiC et le substrat receveur (5) comprenant chacun des zones de reprise de contact affleurants de la face par laquelle il est opposé à l’autre, l’étape de collage de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5) comprend au moins une mise en contact électrique d’une zone de reprise de contact du dispositif (1) épitaxié à base de SiC avec une zone de reprise du substrat receveur (5), le collage étant par exemple hybride. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat receveur (5) est choisi parmi : Un substrat à base de SiC polycristallin, Un substrat à base d’un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique sensiblement égal au coefficient d’expansion thermique du SiC cristallin, de préférence monocristallin, Un substrat intégrant un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS, Un substrat à base de silicium, Un substrat métallique, et de préférence lorsque le dispositif (1) est finalisé avant l’étape d’insolation (160), un substrat comprenant une plaque de base, de la graisse thermique et un dissipateur thermique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est formée présente une absorbance d’au moins 10%, de préférence d’au moins 20%, supérieure à une absorbance d’une couche de SiC cristallin, de préférence monocristallin, de même épaisseur que la couche tampon, pour la longueur d’onde choisie du rayonnement laser et pour l’épaisseur critique Ec de la couche tampon (3). Utilisation du dispositif (1) fabriqué par mise en œuvre du procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 comprenant la croissance, par épitaxie, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, sur la couche d’intérêt (11) du dispositif (1), la couche d’intérêt (11) consistant en une couche mince. Utilisation du procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 pour obtenir un dispositif (1) épitaxié à base de SiC décollé depuis le substrat receveur (5). Utilisation du procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 pour assembler le dispositif (1) fabriqué avec un dispositif de type CMOS en tant que substrat receveur (5), le cas échéant en interconnectant électriquement entre eux le dispositif (1) et le dispositif de type CMOS par des zones de reprise de contact respectives du dispositif (1) et du dispositif de type CMOS, le dispositif de type CMOS étant par exemple à base de silicium.