Dispositif comprenant un transistor bipolaire (66), le transistor bipolaire (66) comprenant : - une région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), une région de base (40, 40a, 40b), et une région d'émetteur (44) ; - une première métallisation (54) en contact avec la région d'émetteur ; et - un élément de connexion (72) relié avec la première métallisation (54) et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation (54) et l'élément de connexion (72), supérieures aux dimensions de la première métallisation (54). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la distance entre chaque paroi et la paroi opposée de l'élément de connexion (72) est supérieure à la distance entre les parois opposées de la première métallisation dans la même direction. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel une face supérieure de la première métallisation (54) est entièrement en contact avec l'élément de connexion (72). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le transistor bipolaire comprend en outre : - une deuxième métallisation (52) en contact avec la région de base ; et - un premier espaceur (70) recouvrant partiellement la deuxième métallisation (52). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le premier espaceur (70) entoure la région d'émetteur (44). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le transistor est recouvert d'une première couche isolante (56) traversée par l'élément de connexion (72). Dispositif selon la revendication 4 ou 5 et selon la revendication 6, dans lequel le dispositif comprend des contacts conducteurs (60) traversant la première couche (56) de manière à être en contact avec la deuxième métallisation (52). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel au moins un contact conducteur (60) traverse le premier espaceur (70). Dispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le matériau de la première couche isolante (56) est gravable sélectivement par rapport au matériau du premier espaceur (70). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le transistor comprend des deuxièmes espaceurs (52') recouverts au moins partiellement par les premier espaceurs (70). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le transistor comprend une troisième métallisation (51) en contact avec la région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), et des troisièmes espaceurs (68) recouvrant partiellement la troisième métallisation. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un transistor bipolaire (66), le procédé comprenant : - la formation d'une région de collecteur (30, 32, 32a, 32b, 34), d'une région de base (40, 40a, 40b), et d'une région d'émetteur (44); - la formation d'une première métallisation (54) en contact avec la région d'émetteur ; et - la formation d'un élément de connexion (72) en contact avec la première métallisation (54) et ayant des dimensions, dans le plan de l'interface entre la première métallisation (54) et l'élément de connexion (72), supérieures aux dimensions de la première métallisation. Procédé selon la revendication 12, appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé selon la revendication 13, dans son rattachement aux revendications 4 et 10, dans lequel les deuxièmes espaceurs (52') sont formés avant la formation de la deuxième métallisation (52). Procédé selon la revendication 13 ou 14 dans son rattachement à la revendication 4, dans lequel le premier espaceur (70) est formé après la formation de la deuxième métallisation (52).