INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La composition sous forme de gel est préparée à partir des proportions pondérales décrites ci-dessous. Les pourcentages sont en poids par rapport au poids total de la composition. Le pourcentage en matières actives (M.A) est également précisé lorsque nécessaire.
Le poids moléculaire en poids MW est exprimé en Da. Composés Quantité (g) Propriétés CAFEINE (1,3,7-TRIMETHYL XANTHINE) ANHYDRE appelé « caféine » 0,5 MW : 194 logP : -0,07 2,4-DIAMINO 6-PIPERIDINO PYRIMIDINE N-OXYDE Appelé « minoxidil » 0,5 MW : 209 LogP : 0,87 ACRYLATES/C-10-C30 ALKYL ACRYLATE CROSSPOLYMER 3 -- ALCOOL ETHYLIQUE 96° NON DENATURE 40 -- 2 METHYLPENTANE-2,4-DIOL 15 -- EAU DESIONNISEE qsp 100 --
Comme représenté sur les figures 1 et 2, un échantillon de peau humaine 1 est fixé par sa périphérie à une cellule de Franz 2, de sorte qu’une surface d’exposition 3 soit exposée aux radiofréquences. Des conditions opératoires spécifiques sont attribuées à chaque dispositif. L’application de la RF est faite en déporté, et l’échantillon est mis sur cellule de Franz ensuite.
On prépare les échantillons de peau suivants :
« Passi ve »: L’échantillon est traité uniquement par la composition.
« Stripp ed » : L’échantillon est traité par un décapage.
« Newa » : Peau traitée avec Newa ® et avec la composition pendant 1min. Puis, la composition reste sur la peau pendant 1h.
« Panasonic » : Peau co-traitée avec Panasonic (Radiofréquence + mode Ultrasons) et avec la composition pendant 1min. Puis, la composition reste sur la peau pendant 1h.
Le protocole détaillé est indiqué à la .
La montre le profil d’absorption de la caféine dans le stratum cornéun (SC), l’épiderme (épidermis), le derme (dermis) ainsi que l’absorption cumulée dans le stratum corneum, l’épiderme et le derme.
HRMS (ESI) calculé m/z 844,16072 pour [C 39 H 34 BrIrN 5 ] + ; trouvé m/z 844.15908.
Ce composé possède un rendement quantique de génération d’oxygène singulet (Φ Δ ), enregistré dans CHCl 3 , de 66%.
EXEMPLE 2 Préparation du bis[2-phenylpyridinato-C 2 , N ]-µ-[2,2'-bis(5-bromopyridin-2-yl)-1,1'-dibutyl-1-H,1-H-5,5'-bibenzimidazolyl]iridium(III) hexafluorophosphate :
Composé ci-après appelé dimère Ir 2 L 2
Le mode opératoire général a été appliqué avec le précurseur µ-Cl 2 Ir 2 (50 mg, 47 mmol), le ligand L 2 (31 mg, 47 mmol) et 10 ml de solvant. Le mélange dimère a été isolé après recristallisation avec diffusion de vapeur d'éther diéthylique dans une solution de CH 2 CI 2 , sous la forme d'un solide jaunâtre foncé (72 mg, 79 %).
HRMS (ESI) calculé m/z 826,13735 pour [C 76 H 62 Ir 2 Br 2 N 10 ] 2+ ; trouvé m/z 829,13747. EA calculé pour [C 76 H 62 Ir 2 Br 2 N 10 P 2 F 12 ] C, 46,52; H, 3,21; N, 7,19; trouvé C, 47,09; H, 3,04; N, 7,25.
Ce composé possède un rendement quantique de génération d’oxygène singulet (φ Δ ), enregistré dans CHCl 3 , de 78%.
EXEMPLE 3 Préparation du bis[2-phenylpyridinato-C 2 , N ]-[ 2-(5-pyridin-2-yl)-1-butyl-5-methyl-1-H-benzimidazolyl-N,N’]iridium(III)
Composé ci-après appelé monomère H
Le mode opératoire général a été appliqué avec le précurseur µ-Cl 2 Ir 2 (140 mg, 0,13 mmol), le ligand 2-pyridin-2-yl-1-butyl-5-methyl-1-H-benzimidazole (70 mg, 0,26 mmol) et 10 ml de solvant. Le monomère a été isolé après recristallisation avec diffusion de vapeur d'éther diéthylique dans une solution de CH 2 CI 2 , sous la forme d'un solide jaunâtre foncé (87 mg, 93 %).
EXEMPLE 4 Préparation du bis[2-phenylpyridinato-C 2 , N ]-[2-(5-chloropyridin-2-yl)-1-butyl-5-methyl-1-H-benzimidazolyl-N,N’]iridium(III)
Composé ci-après appelé monomère Cl
Le mode opératoire général a été appliqué avec le précurseur µ-Cl 2 Ir 2 (180 mg, 0,17 mmol), le ligand 2-(5-chloropyridin-2-yl)-1-butyl-5-methyl-1-H-benzimidazole (10 mg, 0,34 mmol) et 10 ml de solvant. Le monomère a été isolé après recristallisation avec diffusion de vapeur d'éther diéthylique dans une solution de CH 2 CI 2 , sous la forme d'un solide jaunâtre foncé (164 mg, 51%).
EXAMPLE 5 Préparation du bis[2-phenylpyridinato-C 2 , N ]-[2-(5-fluoropyridin-2-yl)-1-butyl-5-methyl-1-H-benzimidazolyl-N,N’]iridium(III)
Composé ci-après appelé monomère F
Par exemple, ledit au moins un orifice est formé dans la paroi latérale de sorte à créer un passage entre l’extérieur de la tête d’application et la cavité de la tête d’application.
La tête d’application creuse permet en outre de réduire le poids du dispositif d’application et de fournir en outre un dispositif d’application léger.
Selon une caractéristique, la cavité débouche à l’extérieur de la tête d’application par une pluralité d’orifices.
Selon une caractéristique, les orifices sont agencés sur une première face latérale de la tête d’application uniquement et la zone d’application correspond à une deuxième face latérale de la tête d’application. Ainsi la zone de chargement peut par exemple correspondre à la cavité et à la première face latérale de la tête d’application sur laquelle est agencé ledit au moins un orifice.
On entend par première face latérale et deuxième face latérale, des faces latérales de la paroi latérale de la tête d’application.
Par exemple, la surface de la première face latérale, sur laquelle sont agencés les orifices, est supérieure à la surface de la deuxième face latérale.
Par surface de la première face latérale on entend la surface comprenant la surface de la première face latérale y compris les orifices et/ou la partie de la surface de l’enveloppe convexe, de la tête ou de la paroi latérale, correspondant à la première face latérale.
Par exemple, la première face latérale comprend les aspérités. Par exemple, la première face latérale uniquement comprend les aspérités. Ainsi, la zone de chargement uniquement comprend les aspérités.
Par exemple, la deuxième face latérale comprend les aspérités. Par exemple, la deuxième face latérale uniquement comprend les aspérités. Ainsi la zone d’application uniquement comprend les aspérités.
Par exemple, la première face latérale et la deuxième face latérale comprennent les aspérités. Ainsi la zone de chargement et la zone d’application comprennent les aspérités.
Selon une caractéristique, les orifices sont agencés sur une première face latérale et sur une troisième face latérale de la tête d’application, la première face latérale et la troisième face latérale étant opposées l’une à l’autre et la zone d’application correspond à une deuxième face latérale et une quatrième face latérale de la tête d’application. La deuxième face latérale et la quatrième face latérales sont disposées entre la première face latérale et la troisième face latérale de la tête d’application. Ainsi la zone de chargement peut par exemple correspondre à la cavité et aux première et troisième faces latérales de la tête d’application sur lesquelles sont disposées les orifices.
On entend par première face latérale, deuxième face latérale, troisième face latérale et quatrième face latérale, des faces latérales de la paroi latérale de la tête d’application.
Par exemple, la première face latérale et/ou la troisième face comprennent les aspérités. Par exemple, la première face latérale et/ou la troisième face uniquement comprend les aspérités. Ainsi, la zone de chargement uniquement comprend les aspérités.
Par exemple, la deuxième face latérale et/ou la quatrième face latérale comprennent les aspérités. Par exemple, la deuxième face latérale et/ou la quatrième face latérale uniquement comprennent les aspérités. Ainsi la zone d’application uniquement comprend les aspérités.
Par exemple, la première face latérale et la deuxième face latérale et la troisième face latérale et la quatrième face latérale comprennent les aspérités. Ainsi la zone de chargement et la zone d’application comprennent les aspérités.
Selon une caractéristique, la zone de chargement s’étend entre l’extrémité supérieure et l’extrémité inférieure de la tête d’application uniquement.
3- Analyse par microscopie à force atomique (AFM)
L’AFM permet d'analyser une surface point par point grâce à un balayage par une sonde constituée d’une pointe fine. Il permet l’observation d’objets à très petite échelle.
La montre une image réalisée par AFM d’un échantillon de suspension de Pal-KTTKS encapsulé selon l’invention (à 100 ppm). Sur l’image on voit que les particules ont été éclatées par la sonde montrant qu’elles sont solides mais restent souples et déformables. La structure des particules de type enveloppe et cœur est visible.
F- Études de stabilité Pour ces études, les formulations de peptides encapsulés ont été stockées dans des flacons en polyéthylène PEHD à la température de l’étude (Température ambiante et 40°C). A chaque temps d'analyse, un nouveau flacon de 30 g est ouvert pour la première fois. Tous les échantillons sont manipulés sous un éclairage de laboratoire régulier et dans des conditions d'air normales. Aucun gaz inerte n’est utilisé pour remplir les flacons ou manipuler les échantillons.
1- Stabilité à température ambiante Les peptides encapsulés suivants ont été suivis : Pal-KTTKS, Pal-GHK, Pal-GQPR, Pal-KTFK, Pal-KMO 2 K, Pal-VGVAPG et Pal-PP.
1.1- Résultats pour le Pal-KTTKS encapsulé : Analyse Temps 0 1 mois 3 mois 6 mois 12 mois pH 5,26 5,42 5,41 5,41 5,98 D50 (µm) 0,254 0,263 0,280 0,292 0,276 Dosage (ppm) 100 89 81 85 89
1.2- Résultats pour le Pal-GHK encapsulé : Analyse Temps 0 1 mois 3 mois pH 5,55 5,62 5,63 D50 (µm) 0,298 0,385 0,424 Dosage ppm 105 107 72
1.3- Résultats pour le Pal-GQPR encapsulé Analyse Temps 0 1 mois 3 mois pH 5,98 5,92 6,21 D50 (µm) 0,229 0,262 0,287 Dosage (ppm) 112 106 104
1.4- Résultats pour le Pal-KTFK encapsulé Analyse Temps 0 1 mois 3 mois 6 mois pH 4,92 4,95 5,09 4,96 D50 (µm) 0,343 0,283 0,366 0,370 Dosage (ppm) 61 77 58 75
1.5- Résultats pour le Pal-KMO2K encapsulé Analyse Temps 0 2 mois pH 5,65 5,59 D50 (µm) 0,263 0,275 Dosage (ppm) 75,7 78
1.6- Résultats pour le Pal-VGVAPG encapsulé Analyse Temps 0 3 mois pH 5,6 5,9 D50 (µm) 0,304 0,295 Dosage (ppm) 240 238
1.7- Résultats pour le Pal-PP encapsulé Analyse Temps 0 1 mois 2 mois pH 8,43 8,22 / D50 (µm) / / / Dosage (ppm) 100 106 102
L’ensemble de ces résultats montrent une bonne stabilité à température ambiante de la suspension selon l’invention, le pH, la taille moyenne des capsules, leur polydispersité ainsi que leur teneur en peptide encapsulé change légèrement mais dans des limites acceptables. Il n’y a pas d’indication de dégradation ou de déstabilisation des capsules.
Pour le Pal-KTTKS une stabilité jusqu’à 1 an à température ambiante a été observée. La formule est stable, capable de maintenir la taille des capsules et la quantité de peptide encapsulé. Pour comparaison, le Matrixyl® renfermant le Pal-KTTKS non encapsulé doit être stocké à environ 5°C.
2- Stabilité accélérée L’étude est réalisée à 40°C. A cette température, la dégradation est accélérée. Il existe une corrélation avec une dégradation à température ambiante, 90 jours à 40°C équivalant habituellement à 1 an à température ambiante. Cette étude constitue donc un bon indicateur de la stabilité des suspensions de peptides encapsulés selon l’invention.
Les peptides encapsulés suivants ont été suivis : Pal-KTTKS, Pal-GHK, Pal-GQPR et Pal-KTFK.
Les résines hydrocarbonées cycloaliphatiques partiellement ou totalement hydrogénées sont bien connues de l’homme du métier. Il s’agit de résines issues de la polymérisation de mélanges d’hydrocarbures cycloaliphatiques insaturés ayant par exemple 10 atomes de carbone (qui peuvent par exemple être issus de coupes pétrolières ou autres), suivie d’une éventuelle étape d’hydrogénation (totale ou partielle). Elles peuvent notamment être obtenues à partir de dicyclopentadiène et de leurs dérivés (méthyldicyclopentadiène, diméthyldicyclopentadiène, …). Parmi les résines hydrocarbonées cycloaliphatiques, les résines DCPD (dicyclopentadiène) sont particulièrement préférées.
Les résines hydrocarbonées aliphatiques ou cycloaliphatiques modifiées aromatique peuvent être issues de la copolymérisation d’oléfines aliphatiques (par exemple en C5) ou cycloaliphatiques, et d’oléfines aromatiques (par exemple en C9), suivie d’une éventuelle étape d’hydrogénation (totale ou partielle), la teneur en oléfines aliphatiques ou cycloaliphatiques étant majoritaire par rapport aux oléfines aromatiques.
On peut par exemple citer l’Eastotac® H100W (résine C5 hydrogénée) de la société Eastman ayant un point de ramollissement de 100°C, la résine Escorez ® 5400 de la société Exxon Chemicals (résine DCPD hydrogénée) ayant un point de ramollissement de 100°C, la Sukorez® SU 100 (résine DCPD hydrogénée) de Kolon ayant un point de ramollissement de 105°C.
De préférence, la résine tackifiante (B) est choisie parmi les résines terpènes, et encore plus préférentiellement parmi les résines terpènes-phénoliques.
De préférence, la composition adhésive selon l’invention comprend de 15% à 90% en poids de résine(s) tackifiante(s) (B), préférentiellement de 30% à 80% en poids, et encore plus préférentiellement de 40% à 70% en poids par rapport au poids total de ladite composition.
Composé (C) Le composé (C) est choisi dans le groupe constitué :
○ des composés de formule (F1) et leurs dérivés oligomères/polymères:
dans laquelle : R 0 est indépendamment choisi parmi les alkyles et les aryles, t représente un entier allant de 1 à 20, préférentiellement de 1 à 7 ;
○ des composés de formule (F2) : (F2)
dans laquelle : R’ 0 est indépendamment choisi parmi les groupes alkyles comprenant de 1 à 10 atomes de carbone, u est un nombre entier allant de 3 à 5000,
○ des composés aminopolysiloxanes; et
○ de leurs mélanges.
Composés de formule (F1) et leurs dérivés Dans la formule (F1) susmentionnée, les groupes R 0 peuvent être identiques ou différents. Ceci est également vrai pour différentes unités répétitives t, R 0 peuvent être identiques ou différents.
Les dérivés oligomères/polymères des composés de formule (F1) peuvent typiquement être obtenus par partielle hydrolyse et partielle condensation des composés de formule (F1). Ceci peut être effectué par ajout d’eau et de quantités catalytiques d’acide (tel que par exemple HCl). Certains groupes -OR hydrolysés rejettent alors de l’eau et les silanols intermédiaires réagissent par condensation pour former des liaisons Si-O-Si et de l’eau.
De préférence, les composés de formule (F1), et leurs dérivés oligomères/polymères sont ceux dans laquelle :
Chaque cellule 12 comprend un empilement 18 de couches. Les couches de l'empilement 18 ont de préférence des dimensions horizontales, c’est-à-dire dans un plan parallèle à la face supérieure de la couche 14, sensiblement identiques. Les couches de l'empilement 18 ont des parois latérales coplanaires les unes avec les autres. Les parois latérales de l'empilement 18 sont ainsi planes.
L'empilement 18 repose sur la couche 14 et sur un des éléments 16. Plus précisément, une paroi latérale de l'empilement 18 est située sur la face supérieure d'un élément 16. Une autre paroi latérale de l'empilement, de préférence la paroi opposée à la paroi située sur l'élément 16, est située sur la couche isolante 14, de préférence uniquement sur la couche 14.
Chaque empilement 18 comprend une couche inférieure 20. La couche 20 est une couche isolante, par exemple en oxyde de silicium. La couche 20 s'étend sur l'élément 16 et sur la couche 14.
Chaque empilement 18 comprend une couche intermédiaire 22. La couche 22 est en un matériau à changement de phase, par exemple un alliage de germanium, d'antimoine et de tellure (GST). Le couche 22 est située sur la couche 20, de préférence en contact avec la couche 20. De préférence, la couche 22 recouvre entièrement la face supérieure de la couche 20. De préférence, la face inférieure de la couche 22 est entièrement en contact avec la face supérieure de la couche 20.
Chaque empilement 18 comprend une couche supérieure 24. La couche 24 est une couche isolante, par exemple en oxyde de silicium. Le couche 24 est située sur la couche 22, de préférence en contact avec la couche 22. De préférence, la couche 24 recouvre entièrement la face supérieure de la couche 22. De préférence, la face inférieure de la couche 24 est entièrement en contact avec la face supérieure de la couche 22.
Par exemple, chaque empilement 18 ne comprend que les couches 20, 22, 24. Par exemple, chaque empilement 18 ne comprend pas d'autre couche conductrice ou semiconductrice que la couche 22.
De préférence, toutes les couches 20 ont la même épaisseur. Similairement, toutes les couches 22 ont de préférence la même épaisseur. Les couches 24 ont de préférence la même épaisseur.
Chaque cellule 12 comprend deux éléments résistifs 26 et 28. Les éléments 26 et 28 on une forme de L. Autrement dit, les éléments 26 et 28 comprennent chacun une partie horizontale, de préférence plane, et une partie verticale, de préférence plane.
L'élément 26 est situé sur l'élément 16 associé à la cellule. Plus précisément, la partie horizontale de l'élément 26 s'étend au moins partiellement, de préférence entièrement, sur l'élément 16. Ainsi, la face inférieure de la partie horizontale de l'élément 26 est en contact avec l'élément 16. La partie verticale de l'élément 26 s'étend sur la paroi latérale de l'empilement 18. Plus précisément, la partie verticale de l'élément 26 s'étend sur la paroi latérale de l'empilement 18 situé sur l'élément 16. La partie verticale de l'élément 26 s'étend au moins sur la paroi latérale de la couche 20 et sur au moins une partie de la paroi latérale de la couche 22. De préférence, la partie verticale de l'élément 26 s'étend sur toute la paroi latérale de l'empilement 18, c’est-à-dire sur toute la paroi latérale de la couche 20, de la couche 22 et de la couche 24. La face supérieure de la partie verticale de l'élément 26 est par exemple coplanaire avec la face supérieure de l'empilement 18.
L'élément 28 est située sur la couche 14. Plus précisément, la partie horizontale de l'élément 28 s'étend sur la couche 14, de préférence au pied de la paroi latérale de l'empilement 18 opposée à la paroi sur laquelle repose l'élément 26. Ainsi, la face inférieure de la partie horizontale de l'élément 28 est uniquement en contact avec la couche 14. La partie verticale de l'élément 28 s'étend sur la paroi latérale de l'empilement 18. Plus précisément, la partie verticale de l'élément 28 s'étend sur la paroi latérale de l'empilement 18 opposée à la paroi sur laquelle repose l'élément 26. La partie verticale de l'élément 28 s'étend sur toute la paroi latérale de l'empilement 18, c’est-à-dire sur toute la paroi latérale de la couche 20, de la couche 22 et de la couche 24. Ainsi, la partie verticale de l'élément 28 s'étend sur toute la hauteur de la paroi latérale de l'empilement 18, et atteint le niveau de la face supérieure de l'empilement 18.
Les cellules 12, plus précisément les empilements 18 et les éléments 26, 28 associés, sont entourés par une couche isolante 30. Ainsi, la couche 30 sépare les cellules 12, plus précisément les empilements 18 et les éléments 26, 28 associés, les unes des autres. Chaque empilement 18 correspond de préférence à une unique cellule 12. Les empilement 18 de chaque cellule comprennent des parois latérales, non recouvertes par les éléments 26, 28, recouvertes par la couche 30. La couche 30 correspond
La couche 30 s'étend sur toute la hauteur de l'empilement 18. Ainsi, la face supérieure de la couche 30 est par exemple coplanaire avec la face supérieure de l'empilement 18, et plus particulièrement avec la face supérieure de la couche 24.
Le dispositif 10 comprend une couche isolante 32. La couche isolante 32 est par exemple en oxyde de silicium. La couche 32 correspond par exemple à une couche d'un réseau d'interconnexion. La couche 32 est traversée par des éléments conducteurs 34. Les éléments 34 sont par exemple en métal, par exemple en cuivre. La couche 32 et les éléments 34 correspondent par exemple à un niveau de métallisation, par exemple le niveau MX+1. Les cellules 12 sont ainsi situées entre deux niveaux successifs du réseau d'interconnexion.
Les éléments 34 s'étendent de préférence sur toute la hauteur de la couche 32. Les éléments 34 ont par exemple une extrémité inférieure coplanaire avec la face supérieure de la couche 32. Chaque élément 34 a une extrémité inférieure en contact avec la face supérieure d'un élément 28. Les éléments 34 ont par exemple une extrémité supérieure reliée, par un via, avec une métallisation d'un niveau MX+2.
Lors de la programmation de chaque cellule mémoire, un courant est transmis entre l'élément 16, par exemple relié à une ligne de mot, et l'élément 34, par exemple relié à une ligne de bit. Le courant entraine la chauffe des élément résistifs 26, 28 et ainsi la chauffe du matériau à changement de phase de la couche 22. Le matériau à changement de phase bascule ainsi entre la phase cristalline et la phase amorphe.
De préférence, la couche 22 et les éléments 26, 28 ont des dimensions permettant de créer un confinement thermique dans la couche 22. Par exemple, la couche 22 a une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la portion verticale des éléments 26, 28, par exemple comprise entre 5 nm et 20 nm. Alternativement, les éléments 26, 28 peuvent être en un matériau moins résistif que le matériau de la couche 22, par exemple en tungstène ou en nitrure de titane.
D’autres modes de réalisation de l’étape 82 d’oxydation sont possibles. Par exemple, en variante, au lieu de placer une bobine entière du fil d’ébauche dans un four, le fil d’ébauche est déroulé puis il traverse un tunnel chauffant puis il est à nouveau enroulé sur une bobine à la sortie de ce tunnel. A l’intérieur du tunnel, la température est égale à la température T four . Ainsi, dans cette variante, le fil d’ébauche est chauffé à la température T four portion après portion. Dès lors le problème du temps nécessaire pour obtenir une température uniforme au sein d’une bobine entière du fil d’ébauche ne se pose pas. Dans ce cas, il est possible d’utiliser une température T four plus élevée et une durée D four très courte. Par exemple, lorsqu’un tunnel chauffant est utilisé, la valeur de la température T four peut être supérieure à 600°C ou 700°C. La vitesse de défilement du fil d’ébauche à l’intérieur du tunnel est alors réglée pour que la durée D four , pendant laquelle une portion du fil d’ébauche reste à l’intérieur du tunnel, permette d’obtenir l’épaisseur e 0 souhaitée.
L’étape 82 d’oxydation peut aussi être réalisée dans un autre milieu que l’atmosphère terrestre. Par exemple, l’étape 82 peut aussi être réalisée dans un milieu contenant plus de 20 % ou 30 %, en volume, de dioxygène.
Dans une autre variante de l’étape 82, la température T four varie pendant la durée D four . Par exemple, la température T four croît continûment pendant la durée D four .
Le refroidissement du fil d’ébauche oxydé peut aussi être réalisé différemment. Par exemple, le four est éteint et la bobine est laissée à l’intérieur du four jusqu’à qu’elle atteigne la température ambiante.
Dans un mode de réalisation simplifié, lors de l’étape 84, le recuit de détente est omis.
Le fait que la couche d’oxyde de zinc soit directement formée sur la face périphérique de l’âme métallique rend possible la fabrication de cette couche d’oxyde de zinc par simple oxydation de la face périphérique en laiton d’un fil d’ébauche. Ainsi, il n’est pas nécessaire de déposer sur la face périphérique du fil d’ébauche une couche en zinc comme, par exemple, dans le cas de la fabrication d’un fil conforme à l’enseignement donné dans le brevet US8338735B2. En particulier, il est souligné que le dépôt, par électrodéposition, d’une couche de zinc sur un fil d’ébauche consomme beaucoup plus d’énergie que l’étape de traitement thermique. Ainsi, le fil électrode décrit ici peut être fabriqué par des procédés plus simples et plus économiques.
Le fait que l’épaisseur de la couche d’oxyde soit supérieure à 100 nm améliore la vitesse d’usinage et permet, notamment, d’obtenir des vitesses d’usinage voisines ou supérieures à celle d’un fil électrode comportant un revêtement fracturé en alliage cuivre-zinc en phase gamma comme celui décrit dans US8338735B2.
Le fait que l’épaisseur de la couche d’oxyde soit inférieure à 461 nm, permet d’améliorer l’adhérence de cette couche d’oxyde sur l’âme métallique.