INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La génération d’une alerte correspond à la détection d’une non-conformité dans le traitement effectivement réalisé par l’usine de production à l’instant courant, par rapport à ce qui est requis pour respecter les contraintes de sécurité sanitaire.
Le dispositif 50 comporte un programme d'affichage 56 qui est adapté pour afficher des informations sur un écran de l’IHM 60.
Cette dernière est reliée à l’ordinateur 50, soit directement soit indirectement, par une liaison filaire ou une liaison sans fil. De préférence, l’IHM 60 se comporte comme un client et l’ordinateur 50 comme un serveur.
Le programme d'affichage 56 est adapté pour extraire les informations à afficher dans la base de données 40.
Les informations présentées sur l’IHM 60 doivent permettre à un opérateur de surveiller le fonctionnement de l'usine, tout au moins sur le plan microbiologique.
Par exemple, le programme d'affichage 56 permet d'afficher à l'écran une première fenêtre ( ) présentant, pour un pathogène particulier sélectionné par l’opérateur, l’évolution temporelle de l'abattement unitaire instantané pour chaque processus élémentaire le long de la chaîne de traitement de l’eau brut, ainsi que l'abattement total instantané.
Par exemple encore, le programme d'affichage 56 permet d'afficher à l’écran une seconde fenêtre ( ) présentant, pour un processus unitaire sélectionné par l’opérateur, l’évolution temporelle de l’abattement instantané de ce processus unitaire pour chaque pathogène de tout ou partie de la liste des pathogènes de référence.
Par exemple encore, le programme d'affichage 56 permet d'afficher à l’écran une troisième fenêtre ( ) présentant, sous la forme de graphiques ergonomiques, un tableau de bord présentant les performances de chaque processus unitaire ainsi que la performance globale de l’usine. La performance est par exemple définie comme le rapport de la durée cumulée des intervalles de temps au cours desquels l’eau en sortie d’un processus est conforme aux attendus, sur la durée de la période de référence d’exploitation de l’usine (par exemple une année). Par exemple, la performance globale de l’usine est le pourcentage de conformité au cours de la période de référence.
Avantageusement, le dispositif de contrôle 50 comporte un programme de commande 58.
Le programme de commande 58 est adapté pour définir des points de fonctionnement pour un ou plusieurs processus unitaires.
Un point de fonctionnement permet d’atteindre une valeur cible de l’abattement instantané du processus unitaire considéré.
En variante, le fil d’ébauche fourni lors des étapes 80, 90 et 92 comporte une âme métallique, par exemple dépourvue de zinc, recouverte d’une couche superficielle de zinc. La couche superficielle de zinc est souvent déposée sur l’âme métallique par électrolyse. Dans un tel cas, le bain d’électrolyse peut comporter un composé chloré de sorte qu’en sortie du bain d’électrolyse, des résidus de ce composé chloré peuvent subsister sur la face extérieure de la couche de zinc. Toutefois, sauf à prendre des mesures particulières, la quantité résiduelle de ce composé chloré issu du bain d’électrolyse est trop faible pour obtenir, après l’étape d’oxydation, de l’oxyde de zinc enrichi en chlore avec une fraction molaire x supérieure à 0,01. Ainsi, sauf à prendre des mesures particulières pour préserver, sur la face extérieure de la couche de zinc, une quantité substantielle du composé chloré issu du bain d’électrolyse, le trempage dans la solution aqueuse de chlorure de zinc ne peut pas être omis dans ce cas.
D’autres modes de réalisation de l’étape 82 ou 122 d’oxydation sont possibles. Par exemple, de très nombreuses autres solutions contenant un composé chloré peuvent être utilisées pour remplacer la solution aqueuse de chlorure de zinc. Par exemple, une solution d’acide chlorhydrique ou une solution contenant de l’eau de Javel convient aussi. Une solution contenant du NaCl peut aussi convenir.
Dans une autre variante, le chlore est déposé sur le fil à traiter non pas en le faisant tremper dans une solution liquide contenant un composant chloré mais en le mettant en contact avec un gaz contenant un composé chloré comme le dichlore (Cl 2 ).
En variante, au lieu de placer une bobine entière du fil d’ébauche dans un four, le fil d’ébauche est déroulé puis il traverse un tunnel chauffant puis il est à nouveau enroulé sur une bobine à la sortie de ce tunnel. A l’intérieur du tunnel, la température est égale à la température T four . Ainsi, dans cette variante, le fil d’ébauche est chauffé à la température T four portion après portion. Dès lors le problème du temps nécessaire pour obtenir une température uniforme au sein d’une bobine entière du fil d’ébauche ne se pose pas. Dans ce cas, il est possible d’utiliser une température T four plus élevée et une durée D four très courte. Par exemple, lorsqu’un tunnel chauffant est utilisé, la valeur de la température T four peut être supérieure à 300°C ou 400°C. La vitesse de défilement du fil d’ébauche à l’intérieur du tunnel est alors réglée pour que la durée D four , pendant laquelle une portion du fil d’ébauche reste à l’intérieur du tunnel, permette d’obtenir l’épaisseur e 0 souhaitée.
Pour obtenir une épaisseur e 12 supérieure à 522 nm, même dans le contexte du procédé de la , l’épaisseur e 0 peut être choisie supérieure à 600 nm ou 800 nm.
L’étape 82 d’oxydation peut aussi être réalisée dans un autre milieu que l’atmosphère terrestre. Par exemple, l’étape 82 peut aussi être réalisée dans un milieu contenant plus de 20 % ou 30 %, en volume, de dioxygène ou, au contraire, appauvri en oxygène mais avec une quantité résiduelle d’oxygène suffisante pour oxyder le fil d’ébauche.
Dans une autre variante de l’étape 82, la température T four varie pendant la durée D four . Par exemple, la température T four croît continûment pendant la durée D four . Par exemple, le procédé de fabrication est le suivant : un fil de laiton à 60% de cuivre et 40% de zinc, de 1,25 mm de diamètre à l’état recuit est fourni puis tréfilé au diamètre de 0,464 mm. Le fil de diamètre égal à 0,464 mm est alors trempé au défilé dans une solution aqueuse de chlorure de zinc à 252 g/l et à 20°C (+/- 5°C), pendant une durée de 5 secondes. Après avoir été trempé dans la solution aqueuse de chlorure de zinc, le fil est enroulé sur une bobine en acier et placé dans un four sous air à pression atmosphérique. La température T four est alors progressivement augmentée de 20°C à 260°C à raison de 10°C par heure. La durée D four est donc de 24 heures. Après la durée D four , le fil est retiré du four et laissé dans l’air à température ambiante pour se refroidir. Il est alors tréfilé au diamètre de 0,25 mm en utilisant des filières d’allongements compris entre 15% et 22% et un lubrifiant consistant en une émulsion d’huile dans l’eau à une température comprise entre 20°C et 80°C. Enfin, il subit un recuit de détente. La charge à la rupture du fil ainsi obtenu est supérieure à 900 N/mm².
Lors de l’étape 120, les blocs du fil d’ébauche fourni peuvent être en phase gamma et en phase epsilon. Pour cela, lors de la fabrication du fil d’ébauche, la température du traitement thermique qui a permis de former les couches en phase bêta et gamma est abaissée pour former, à la place, une superposition d’une couche en phase gamma et d’une couche en phase epsilon. Par exemple, pour cela, la température du traitement thermique est abaissée entre 130°C et 160°C. L’épaisseur de la couche en phase epsilon est suffisamment faible pour que, lors du tréfilage, la couche en phase epsilon se fracture en même temps que la couche en phase gamma de sorte que le fil fourni comporte une couche fracturée comportant essentiellement des blocs en phase gamma et en phase epsilon au lieu de comporter seulement des blocs en phase gamma.
Lors de l’étape 120, les blocs du fil d’ébauche peuvent aussi être des blocs en phase bêta. Par exemple, pour cela un fil d’ébauche contenant des blocs en phase gamma est d’abord fabriqué puis un traitement thermique est appliqué pour transformer les blocs en phase gamma en blocs en phase bêta. Un tel procédé de fabrication d’un fil contenant essentiellement des blocs en phase bêta est décrit dans la demande US2022212277A1.
Dans une autre variante, l’étape 124 est omise. Dans ce cas, plus de 50 % ou 70 % ou 90 % de la surface des faces extérieures des blocs 110 de la couche fracturée est recouverte d’une couche d’oxyde enrichie en chlore. Par contre, les fractures ne sont pas nécessairement remplies d’oxyde de zinc enrichi en chlore.
Dans un mode de réalisation simplifié, le recuit de détente est omis.
Le fait que le revêtement comporte de l’oxyde de zinc enrichi en chlore améliore la vitesse d’usinage par rapport à un fil identique ou pratiquement identique mais dans lequel l’oxyde de zinc n’est pas enrichi en chlore.
Dans ce qui suit, les termes « avant », « arrière », « gauche », « droit », « inférieur », « supérieur », « intérieur », « extérieur » s'entendent par rapport au véhicule.
On se réfère à la , qui est une vue en perspective montrant partiellement un véhicule automobile 1 selon l’invention, centrée sur la zone avant-gauche du véhicule automobile 1, au niveau du train avant-gauche.
La description de l’invention faite pour la zone avant-gauche du véhicule automobile 1 s’applique par analogie à la zone avant-droite du véhicule automobile 1.
La caisse 3 définit un habitacle 5, susceptible de recevoir les occupants du véhicule automobile 1, et un bloc avant 7, qui définit un berceau pour le groupe motopropulseur du véhicule automobile 1.
La caisse 3 comporte en outre un auvent 9, défini par la zone comprise entre l’habitacle 5 et le bloc avant 7.
L’auvent 9 comporte un collecteur 11 d’auvent, typiquement utilisé par exemple pour supporter différents réservoirs et filtres ainsi qu’un système d'essuie vitre, pour assurer l'évacuation de l'eau provenant de l’extérieur et pour guider l'air extérieur vers l'habitacle 5 du véhicule automobile 1.
Le collecteur 11 d’auvent est positionné en avant d’un tablier de caisse (non représenté) relié à une partie avant d’une ouverture de baie destinée à accueillir un pare-brise (non représenté), par l’intermédiaire d’une traverse inférieure de baie qui assure la liaison entre le tablier et le pare-brise.
Le collecteur 11 d’auvent s’étend sensiblement transversalement relativement au véhicule automobile 1, d'un côté à l'autre de la caisse 3 du véhicule automobile 1.
L’auvent 9 comporte en outre un raidisseur 13 d’auvent, conférant de la rigidité à l’auvent et s’étendant également sensiblement transversalement relativement au véhicule automobile 1, d’un côté à l’autre de la caisse 3 du véhicule automobile 1.
La caisse 3 comprend par ailleurs, au niveau du bloc avant 7, une paire d'éléments porteurs 15 latéraux (un seul élément porteur 15 latéral gauche étant visible à la ).
Chaque élément porteur 15 latéral est destiné à loger une tête d'amortisseur (non représentée) d'un train avant du véhicule automobile 1. L’élément porteur 15 se présente sous la forme d'un dôme creux 17, ou coupelle.
En fonctionnement normal du véhicule automobile 1, les éléments porteurs 15 absorbent les vibrations remontant du train avant et assurent la reprise des efforts de la suspension.
Chaque élément porteur 15 latéral est supporté par une face intérieure 19 d’une doublure d’aile 21 de la caisse 3 (seule la doublure d’aile 21 avant gauche étant visible à la ).
Chaque doublure d’aile 21 s’étend au-dessus d'un passage de roue 23 et est agencée latéralement relativement au collecteur 11 d’auvent, en vis-à-vis des extrémités latérales du collecteur d’auvent 11 (seule l’extrémité latérale 11a étant visible à la ).
Selon l’invention, la caisse 3 comporte par ailleurs une paire de pièces de renfort 25 des éléments porteurs 15, chacune étant agencée en arrière de chaque élément porteur 15.
La portion 30 LNO formée sur la couche de nucléation 20 est de préférence stœchiométrique, par exemple Li 1 Nb 1 O 3 . Le pourcentage atomique de lithium est idéalement proche de celui du niobium. Selon un exemple, les pourcentages atomiques du lithium et du niobium sont de l’ordre de 20 %. La portion 30 LNO présente une épaisseur e 3 comprise entre 50 et 500 nanomètres, par exemple de l’ordre de 200 nm. L’épaisseur e 3 de la portion 30 LNO peut être choisie en fonction de l’application souhaitée.
Après formation de la portion 30 LNO dans l’ouverture 3a, une portion d’encapsulation 31, typiquement à base d’AlN, est de préférence formée par épitaxie sur la portion 30 LNO. La portion 31 présente une épaisseur e 31 typiquement comprise entre 5 et 20 nanomètres, par exemple de l’ordre de 10 nm. La somme des épaisseurs des portions 30, 31 est typiquement inférieure à l’épaisseur e 301 de la couche 301 sous-jacente à la couche 302. La couche 302 reste ainsi au-dessus des portions 30, 31 selon z. Cela permet d’utiliser la couche 302 comme couche de détection de fin de polissage lors du polissage CMP ultérieur.
Selon une possibilité, la portion d’encapsulation 31 et la portion 30 LNO sont toutes deux réalisées in situ par PLD dans un même réacteur de croissance. La croissance de la portion d’encapsulation 31 peut ainsi être réalisée directement après la fin de croissance de la portion 30 LNO. Cela permet d’éviter une remise à l’air de la portion 30 LNO avant épitaxie de la portion d’encapsulation 31. La surface de la portion 30 LNO reste donc propre. Cela évite une étape de nettoyage intermédiaire. La durée du procédé est ainsi diminuée. Cela permet également de limiter l’apparition de rugosité lors de la formation de la portion d’encapsulation 31. L’état de surface de cette dernière est ainsi optimisé.
Des résidus de croissance 30r, 31r peuvent se déposer en périphérie de l’ouverture 3, sur la couche de masquage 300, lors de l’épitaxie des portions 30, 31 dans l’ouverture 3a.
Comme illustré à la , l’ouverture 3 peut ensuite être remplie par un matériau diélectrique de remplissage 32, typiquement par du SiO2. Cela permet de planariser la structure.
Comme illustré à la , après remplissage, un polissage mécano-chimique CMP est effectué de manière à éliminer les résidus de croissance 30r, 31r. La couche 302 à base de SiN est avantageusement utilisée comme couche d’arrêt ou comme couche de détection de fin de polissage. Le polissage est typiquement arrêté dans la couche 301, juste après que la couche 302 ait été éliminée. Après CMP, il subsiste les portions 30, 31 bordées par une partie de couche 301, et surmontées par une partie de matériau de remplissage 32.
Comme illustré à la , après polissage, une nouvelle ouverture 3b est réalisée au-dessus des portions 30, 31, de manière à exposer la surface 310 de la portion d’encapsulation 31. Cette nouvelle ouverture 3b présente typiquement des dimensions latérales l 3 inférieures ou sensiblement égales à celles de l’ouverture 3a. La nouvelle ouverture 3b est typiquement centrée sur les portions 30, 31. L’ouverture 3b peut être réalisée de façon standard par lithographie et gravure.
Comme illustré à la , selon une possibilité préférée, une couche d’espaceur 41 à base de SiO2 puis une couche 40 sont ensuite formées sur la portion d’encapsulation 31. La couche 40 est ici destinée à être structurée sous forme de motif de guide d’onde pour guider une propagation de lumière dans le dispositif selon x. La couche 40 présente typiquement une épaisseur e 4 de l’ordre de 100 nm à 800 nm, en fonction des applications visées, par exemple en fonction de la longueur d’onde de la lumière à guider, et du matériau utilisé. La couche 40 peut être à base de SiN, TiO2, ZrO2, Ta2O5 par exemple. Alternativement, cette couche 40 peut être à base de silicium amorphe Si-a. La couche d’espaceur 41 peut être déposée de façon conforme dans l’ouverture 3b. Elle présente typiquement une épaisseur e 41 de l’ordre de 200 nm. Cette couche d’espaceur 41 permet de contrôler le couplage optique entre le motif de guide d’onde et la portion LNO. Cela permet notamment de limiter les pertes de couplage optique lors du passage entre des zones comprenant uniquement des motifs de guide d’onde, sans portion LNO, et des zones hybrides comprenant à la fois des portions LNO et des motifs de guide d’onde.
Comme illustré à la , la couche 40 est structurée de façon standard par lithographie et gravure pour former un motif de guide d’onde 4. Le motif de guide d’onde 4 présente typiquement une dimension latérale l 4 selon y comprise entre 200 nm et 2000 nm, et une hauteur e 4 selon z comprise entre 100 nm et 800 nm. Le motif de guide d’onde 4 est configuré pour guider une propagation de lumière dans le dispositif selon x dans l’exemple illustré. La propagation peut se faire également selon y, ou plus généralement dans le plan xy en fonction du design du motif de guide d’onde 4 dans le cas où l’orientation de la portion LNO est Z-cut. Le motif de guide d’onde 4 peut former un guide d’onde en arête avec la portion 30 LNO sous-jacente. Cela permet typiquement de guider la propagation d’un mode optique TM dans un dispositif de modulation de phase basé sur une portion LNO Z-cut.
Comme illustré à la , après réalisation du motif de guide d’onde 4, une encapsulation par un matériau diélectrique 33, typiquement du SiO2, est effectuée sur et autour du motif de guide d’onde 4. Une étape de planarisation par CMP peut être effectuée après remplissage par le matériau diélectrique 33, de manière à obtenir une surface 330 plane.
Comme illustré à la , après planarisation, des interconnexions 50v sous forme de vias traversants peuvent être réalisées pour connecter électriquement la portion 13p de silicium dopée p, qui forme une électrode inférieure 51 du dispositif 1. Ces interconnexions 50v traversent typiquement la couche 301 et la couche de nucléation 20 et présentent une extrémité au contact de la couche topSi 13+ dopée p+. Un niveau de contact en face avant du dispositif 1 peut ensuite être réalisé. Ce niveau comprend typiquement les contacts 50 connectés aux vias traversants 50v, et une électrode supérieure 52 disposée au-dessus de la portion 30 LNO. Un dispositif 1 électro-optique est ainsi formé. Avantageusement, ce dispositif 1 comprend une portion 30 LNO orientée (0001) sur un substrat silicium orienté (111). La portion 30 LNO est typiquement intercalée entre deux couches 20, 31 d’AlN (0001). Le dispositif 1 comprend en outre une électrode inférieure 51 située sous la portion 30 LNO et une électrode supérieure 52 située au-dessus de la portion 30 LNO. Selon une possibilité, le dispositif 1 comprend un motif de guide d’onde 4 en arête surmontant la portion 30 LNO. Ce dispositif 1 électro-optique permet avantageusement de moduler la phase d’une onde lumineuse se propageant selon x dans le guide d’onde formé par la portion 30 LNO et le motif de guide d’onde 4 en arête, par effet Pockels, en appliquant un champ électrique entre les électrodes inférieure et supérieure 51, 52.
La illustre en vue de dessus le dispositif 1 électro-optique. Le plan de coupe A-A correspond à la vue transverse illustrée sur la . Le dessin des contacts 50 et électrode 52 coplanaires peut être effectué de façon à minimiser les pertes optiques de propagation, selon des règles connues de l’homme du métier.
La présente un résultat de simulation illustrant la distribution de l’onde lumineuse au sein du guide d’onde formé par la portion 30 LNO et le motif de guide d’onde 4 en arête, dans le dispositif 1. L’onde lumineuse présente ici une longueur d’onde λ = 1,55 µm. La couche topSi 13 présente une épaisseur e 13 = 20 nm. La couche de nucléation 20 en AlN présente une épaisseur e 2 = 20 nm. La portion 30 LNO présente une épaisseur e 3 = 300 nm. La couche d’encapsulation 40 en AlN présente une épaisseur e 4 = 20 nm. Le motif de guide d’onde 4 présente une hauteur e 4 = 200 nm, et une largeur l 4 = 1200 nm. L’indice de réfraction effectif du guide d’onde ainsi formé est 2,35. Le recouvrement de l’onde lumineuse sur la portion LNO est ici de 50%. La modulation de l’indice de réfraction de la portion 30 LNO par effet Pockels dans ce dispositif permet donc effectivement de moduler la phase de l’onde lumineuse. Un modulateur de phase optique comprenant une portion LNO sur silicium est ainsi avantageusement réalisé. Ce modulateur de phase peut être intégré dans une architecture Mach-Zehnder sur silicium.
La illustre une variante de dispositif 1 électro-optique dans lequel le guide d’onde est totalement formé par la portion 30 LNO intercalée entre la portion d’encapsulation 31 et la couche de nucléation 20, sans autre motif de guide d’onde en saillie. Ce type de guide d’onde présente typiquement une hauteur e 3’ comprise entre 100 et 500 nanomètres, et une largeur l 3 selon y comprise entre 500 et 2000 nanomètres. Ce type de guide d’onde nécessite moins d’étapes de fabrication et est moins coûteux à réaliser.
La illustre une autre variante de dispositif 1 électro-optique dans lequel l’électrode inférieure 51b est formée en face arrière du dispositif, sous la couche 11 de support à base de silicium dopé. La couche topSi 13 est dans ce cas non dopée. Cela réduit les pertes optiques du dispositif 1.
D’autres applications sont également envisageables. L’épitaxie localisée de LNO sur silicium peut être avantageusement mise en œuvre pour co-intégrer différents dispositifs présentant des fonctions différentes.
En reprenant la séquence temporelle de la , au bout d’un certain temps, les pics audios n’ont plus la même période que celle du premier instrument et le score de corrélation diminue jusqu’au seuil pour lequel un changement d’instrument s’impose. Un second jeu est sélectionné et activé en fonction de la nouvelle période rythmique, qui prend le relais du premier pour générer des signaux de synchronisation plus pertinents que ceux du premier instrument. Ce second jeu représenté par le second rectangle « Instrument 2 », est associé à la nouvelle période rythmique pendant un certain temps jusqu’à ce que le rythme évolue encore une fois. Dès que la valeur du score de corrélation diminue et atteint le même seuil que précédemment, un troisième jeu d’instrument est recherché et activé en fonction de la nouvelle valeur de période rythmique. La montre l’enchaînement de 4 jeux d’instruments qui se succèdent en fonction des périodes rythmiques calculées, la transition d’un jeu à l’autre est appelée « un raccord ». Le choix des jeux d’instruments obéit à certaines règles, enregistrées dans le programme exécutable. Si deux jeux d’instruments se rejoignent sur une même période rythmique et une même phase, alors le jeu d’instrument ayant le plus bas score de corrélation est désactivé. Si la période rythmique évolue trop vite ou change complètement, un nouveau jeu d’instrument est activé et préféré sur l’instrument précédant.
Lors d’un raccord, il peut être nécessaire de générer un signal de synchronisation pour assurer une transition sans créer de rupture trop longue dans la succession des signaux. Chaque pic du signal de synchronisation ne doit pas être éloigné du précédent et du suivant de plus d’une durée déterminée, par exemple une seconde. De même, chaque pic du signal de synchronisation ne doit pas être temporellement proche du précédent et du suivant de moins de 0,4 seconde. Cette contrainte garantit la génération de signaux de synchronisation d’une période variant entre 60 et 200 pics par minute (BPM), cette valeur est programmable et enregistrée dans la mémoire de données 4. Si une période de 57 BPM est détecté par exemple en dessous de 60 alors le système doublera sa fréquence faisant correspondre une blanche à une noire et sera interprété comme 114 BPM. Si en revanche un tempo de 222 BPM est détecté au-delà des 200 BPM, alors le système divisera sa fréquence faisant correspondre une croche à une noire et sera interprété comme 111 BPM.
Pour produire des effets lumineux qui correspondent le mieux au contenu sonore et ainsi créer une ambiance propice à la danse par exemple, il est utile d’indiquer la façon dont les signaux de synchronisation sont générés et notamment si ces signaux sont obtenus par traitement des signaux sonores ou sont produits par une horloge interne car le son reçu par le contrôleur 1 n’est pas exploitable.