INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé de conversion d’un ensemble de véhicules à motorisation thermique déjà mis en circulation par une version bicarburation au gaz selon l’invention comporte une première étape de montage d’un kit de conversion composé d’un kit de conversion arrière et d’un kit de conversion avant, montage d’un kit de conversion arrière consistant au moins à l’ajout d’un deuxième réservoir avec sa goulotte d’alimentation et son orifice de remplissage par du gaz en plus du réservoir d’origine avec sa goulotte d’alimentation et son orifice de remplissage par le carburant d’origine et au montage d’un kit de conversion avant consistant au moins à l’ajout d’un système d’injection avec son propre calculateur électronique et ses injecteurs pour le gaz en plus du système d’injection d’origine avec le calculateur d’injection électronique d’origine et ses injecteurs pour le carburant d’origine.
Il comporte une deuxième étape consistant à la validation du fonctionnement du véhicule (V),
De façon avantageuse le traitement de données va ensuite sélectionner pour chaque véhicule au moins un kit avant et au moins un kit arrière.
De façon avantageuse, le traitement de données va ensuite ordonnancer automatiquement la séquence de conversions à partir du VIN en effectuant un tri sur les modèles des véhicules, puis par kit arrière, puis par kit avant.
Enfin de façon avantageuse, le tri s’effectuera sur le numéro VIN si besoin pour finir d’ordonnancer la séquence des conversions à faire.
Dans les modes de réalisation où le module 210 de traitement de signaux RF de la plateforme spatiale 20 comprend une unité 214 de compression de trames à valeurs souples, le module 330 de reconstruction de données peut comprendre une unité 332 de décompression de trames à valeurs souples configurée pour reconstituer les composantes LLR de la trame de données décodées B* 1-n et avantageusement compressées.
Par exemple et sans limitations, l’unité 332 de décompression de trames à valeurs souples peut être définie en fonction de la compression appliquée par l’unité 214 de compression de la plateforme spatiale 20.
En outre, le module 330 de reconstruction de données peut comprendre une unité 334 de décodage souple configurée pour appliquer une fonction de décodage à l’ensemble des N trames de données décodées B* 1-n (qui peuvent être optionnellement décompressées), de manière à déterminer une pluralité de N trames de données régénérées T* 0-n . Les valeurs LLR, ainsi récupérées à la sortie du module 316 (ou optionnellement 332), alimentent l’algorithme de décodage du premier code correcteur d’erreur de l’unité 334 de décodage souple, le premier code correcteur d’erreur ayant été implémenté au niveau du module 112-q d’encodage de données du module 110-q de génération de signal du terminal de communication sans fil 10-q.
Chaque trame de données régénérées T* 0-n (ou T* 0- q ) correspond alors à la trame de données initiales T 0-n (ou T 0- q ) associée reconstituée (i.e. régénérée) en prenant en compte l’évanouissement du canal optique subi par le ou les signaux optiques et les pertes subies par les signaux radiofréquence. Un tel décodage implémenté par exemple sous la forme d’un décodage souple itératif permet un gain de code ou de redondance suffisant pour reconstruire les trames de données initiales T 0-n à partir des valeurs LLR reconstituées à la sortie du module 310.
L’algorithme utilisé pour le décodage de données binaires codées peut être par exemple un algorithme de décodage FEC correspondant au type de codes correcteurs d’erreurs utilisés dans le module 110-q (c’est-à-dire un algorithme de Viterbi, un algorithme dit ‘BCJR’, un algorithme de propagation de croyances, un algorithme de turbo-décodage, etc.).
La est un organigramme représentant les étapes du procédé de transmission de signaux optiques, mis en œuvre par le satellite de communication 20 (et en particulier par la charge utile de communication de la plateforme spatiale), selon des modes de réalisation de l’invention.
A l’étape 500, un signal radiofréquence ou une pluralité de signaux radiofréquence modulés et encodés est reçue par le satellite de communication 20.
A l’étape 510, une démodulation souple du ou des signaux RF reçus est appliquée pour déterminer N trames démodulées intermédiaires B 1-n .
A l’étape 520, une compression des N trames démodulées intermédiaires B 1-n peut être appliquée.
A l’étape 530, un encodage des N trames démodulées intermédiaires B 1-n est appliqué pour déterminer N trames démodulées intermédiaires encodées B 2 -n , l’encodage appliqué correspondant à une fonction associée à un deuxième code correcteur d’erreur.
A l’étape 540, un entrelacement des N trames démodulées intermédiaires encodées B 2 -n est appliqué pour déterminer M trames entrelacées I 2 - m .
A l’étape 550, une modulation sur une ou plusieurs porteuses optiques des M trames entrelacées I 2 - m est effectuée pour déterminer un signal S 2 optique (résultant).
A l’étape 560, le signal S 2 optique est émis par le satellite de communication 20, via le canal optique de transmission.
Les opérations de modulation, encodage, et compression sont mises en œuvre selon les modes de réalisation décrits ci-avant.
La est un organigramme représentant le procédé de réception du ou de signaux optiques, mis en œuvre par la station de communication 30, selon des modes de réalisation de l’invention, afin de reconstituer les trames de données initiales associées aux signaux optiques reçus.
A l’étape 600, le signal S 2 optique (résultant), émis par le satellite de communication 20, via le canal optique de transmission, est reçu par la station de communication 30.
La première couche 3 comprend en outre une troisième sous-couche 3c, déposée sur la deuxième sous-couche 3b, en un matériau comportant au moins un élément choisi parmi le chrome, le nickel, le cobalt, le phosphore, le titane, le silicium, l’azote, leurs alliages et leurs mélanges.
Dans ce deuxième mode, la deuxième couche 4 est déposée sur la troisième sous-couche 3c.
La illustre une pièce 1 présentant une surface externe 1a qui est recouverte d’un revêtement 2 selon un troisième mode de réalisation selon l’invention.
Tout comme la pièce 1 telle que décrite dans le deuxième mode de réalisation, le revêtement 2 comprend une première couche 3, déposée sur la surface externe 1a de la pièce 1, et une deuxième couche 4 déposée sur la première couche 3.
La première couche 3 comprend également au moins une première sous-couche 3a, une deuxième sous-couche 3b et une troisième sous-couche 3c.
Les mêmes modes préférentiels tels que décrits dans les premier et deuxième modes de réalisation sont valables pour ce troisième mode de réalisation.
La première couche 3 comprend en outre une quatrième sous-couche 3d, déposée sur la troisième sous-couche 3c, en un matériau comportant au moins un élément choisi parmi le chrome, le nickel, le titane, le silicium, le cobalt, le phosphore, l’azote, leurs alliages et leurs mélanges.
Dans ce troisième mode, la deuxième couche 4 est déposée sur la quatrième sous-couche 3d.
La illustre une pièce 1 présentant une surface externe 1a qui est recouverte d’un revêtement 2 selon un quatrième mode de réalisation selon l’invention.
Tout comme la pièce 1 telle que décrite dans le troisième mode de réalisation, le revêtement 2 comprend une première couche 3, déposée sur la surface externe 1a de la pièce 1, et une deuxième couche 4 déposée sur la première couche 3.
La première couche 3 comprend également au moins une première sous-couche 3a, une deuxième sous-couche 3b, une troisième sous-couche 3c et une quatrième sous-couche 3d.
Les mêmes modes préférentiels tels que décrits dans les premier, deuxième et troisième modes de réalisation sont valables pour ce quatrième mode de réalisation.
La première couche 3 comprend en outre une cinquième sous-couche 3e, déposée sur la quatrième sous-couche 3d, en un matériau comportant au moins un élément choisi parmi le chrome, le nickel, le cobalt, le phosphore, l’azote, le titane, le silicium, leurs alliages et leurs mélanges.
Dans ce quatrième mode, la deuxième couche 4 est déposée sur la cinquième sous-couche 3e.
Exemple Cinq pièces en acier ont été utilisées, dénommées dans la suite pièces 1 à 5.
Des essais pions disques ont été réalisés suivant les normes DIN 50324-07, ASTM G99-05 ou ISO 18535, générant les résultats disponibles dans le Tableau 1.
Le procédé de fabrication comprend ensuite une étape de dépôt d’une première couche métallique sur la couche diélectrique 8. La première couche métallique est plus précisément imprimée sur la couche diélectrique 8. La première couche métallique est formée d’un alliage nickel/chrome, par exemple.
Quatre résistances 9, 10, 11, 12 sont gravées à partir de la première couche métallique et interconnectées en série pour former une boucle appelée pont de Wheatstone 43. Ce pont de Wheatstone 43 forme, entre chaque résistances adjacentes 9, 10, 11, 12, quatre pôles 13, 14, 15, 16 possédant chacun leur potentiel électrique propre. Chaque pôle électrique 13, 14, 15, 16 est formé entre deux résistances 9, 10, 11, 12.
Le procédé de fabrication comprend une étape de dépôt d’une deuxième couche métallique sur la première couche métallique et la couche diélectrique 8 pour former une zone conductrice 17, 18, 19, 20 sur une portion de chaque pôle électrique 13, 14, 15, 16.
Les quatre zones conductrices 17, 18, 19, 20 sont couramment appelées « pads » et s’étendent sur la couche diélectrique 8. Chaque zone conductrice 17, 18, 19, 20 présente une forme générale de triangle, par exemple. D’autres formes sont possibles.
Les quatre zones conductrices 17, 18, 19, 20 permettent d’accéder aux quatre potentiels électriques des quatre pôles 13, 14, 15, 16. Les quatre zones conductrices 17, 18, 19, 20 sont formées d’un alliage nickel/or, par exemple.
De préférence, le pont de Wheatstone 43 et les quatre zones conductrices 17, 18, 19, 20 sont obtenus en utilisant le procédé d’impression sur couche mince (appelé « thin-film » en anglais) qui est bien connu.
Le procédé de fabrication comprend ensuite une étape de liaison entre la zone conductrice 17, 18, 19, 20 et une zone de connexion 21, 22, 23, 24 formée sur le circuit imprimé 3 par un élément de liaison 25, 26, 27, 28.
Quatre zones de connexion 21, 22, 23, 24 sont formées sur le circuit imprimé 3 à proximité et autour du substrat 6.
Quatre éléments de liaison 25, 26, 27, 28 sont ainsi formés pour connecter électriquement les quatre zones conductrices 17, 18, 19, 20 de l’élément sensible à la pression 5 aux quatre zones de connexion 21, 22, 23, 24 respectives du circuit imprimé 3.
Cette liaison est réalisée en utilisant la technologie du pontage aussi appelée câblage par fil (ou « wire bonding » en anglais).
Les quatre éléments de liaison 25, 26, 27, 28 sont des fils conducteurs dans cet exemple.
En variante, chaque zone conductrice 17, 18, 19, 20 est reliée à chaque zone de connexion 21, 22, 23, 24 par un circuit flexible (non représenté).
Le circuit imprimé 3 comprend une unité de traitement du signal 29. Les quatre zones de connexion 21, 22, 23, 24 du circuit imprimé 3 sont connectées électriquement à l’unité de traitement du signal 29.
Ainsi, une pression appliquée sur la face interne de l’élément sensible à la pression 5 (ou membrane) induit une déformation de l’élément sensible à la pression 5, des quatre résistances 9, 10, 11, 12 et par conséquent une variation des résistances 9, 10, 11, 12.
Les variations de la valeur des résistances 9, 10, 11, 12 induisent un déséquilibre du pont de Wheatstone 43. Une tension, image de la pression due au déséquilibre du pont de Wheatstone 43, est mesurée via les zones de connexion 21, 22, 23, 24 et traitée par l’unité de traitement de signal 29.
Selon l’invention, le procédé de fabrication du capteur de pression 1 comprend une opération de mise à la masse de l’élément sensible à la pression 5 comportant une étape de formation d’au moins une zone de mise à la masse 30, 31 sur la face externe 7 du substrat 6.
En , le système de batterie BAT est représenté de manière plus simplifiée dans le système électrique polyphasé. Par souci de clarté, l’ensemble de dérivation de la machine électrique motrice n’est plus représenté. Le système électrique comporte un premier mode de réalisation d’un module de diodes RD permettant la génération d’une tension continue Vdc pendant une recharge en courant monophasé.
Le système électrique polyphasé comporte un troisième ensemble de dérivations des branches de phases PB1, PB2 et PB3 pour la connexion de la batterie BAT à un bus de tension continue BDC. Cet ensemble de dérivations comporte quatre dérivations DV1, DV2, DV3 et DV4 reliés aux lignes de courant de la batterie. Les dérivations DV1, DV2, DV3 et DV4 sont reliées au module de diodes RD comprenant quatre diodes d1, d2, d3 et d4, chaque dérivation comprenant une diode respectivement. Le module de diodes RD a pour fonction de générer une première tension continue Vdc ajustable en forme et amplitude et est alimenté à un instant donné à partir de deux lignes seulement parmi lesdites trois lignes de courant de la batterie BAT durant une charge de la batterie en courant alternatif monophasé. Lors d’une charge en courant monophasé, il est prévu de commander un protocole de recharge lors duquel les tensions de chacune des trois lignes LT1, LT2 et LT3 sont pilotées en fonction de paramètres de répartition de tension de sorte à générer la première tension continue Vdc aux bornes de deux lignes, simultanément à la génération de la tension alternative monophasée sur la branche de phase BP1. La première tension Vdc est générée à partir d’une composition des tensions des lignes LT1 et LT2 ou des lignes LT2 et LT3. De plus, les diodes d1, d2, d3 et d4 et les dérivations respectives DV1, DV2, DV3 et DV4 sont agencées de manière que la polarité de la tension du courant de charge détermine quelles lignes sont utilisées pour la génération de la première tension Vdc.
Concernant l’architecture électrique du module de diodes RD, la dérivation DV1 et la diode d1 relient le point A vers le point E dans le sens bloqué de la diode d1. Le point A est positionné en entrée de la ligne de courant LT1, entre le réseau d’alimentation RES et la batterie BAT. Le point E est connecté à un pôle négatif du bus de tension continue Vdc. La dérivation DV2 et la diode d2 relient le point B vers le pôle positif du bus de tension continue BDC dans le sens passant de la diode d2. Le point B est positionné entre la ligne LT1 et la ligne LT2. La dérivation DV3 et la diode d3 relient le point C vers le pôle positif du bus de tension continue BDC dans le sens passant de la diode d3. Le point C est positionné entre la ligne de courant LT2 et la ligne LT3. La dérivation DV4 et la diode d4 relient le point D vers le point E dans le sens bloqué de la diode d4. Le point D est positionné sur la borne de la ligne LT3 connectée à la ligne neutre. En outre, il est prévu des commutateurs K6, K7, K8 et K9 agencés pour connecter et déconnecter sélectivement les diodes d1, d2, d3 et d4 à leur dérivation respective DV1, DV2, DV3 et DV4. Les diodes d2 et d3 sont reliées ensemble au bus de tension BDC.
Comme vu précédemment, trois règles candidates vont être créées, rajoutant à la règle R1 une opération de compression sur le champ C2 sélectionné. La première sera une opération d’effacement de valeur, cette valeur étant choisie selon les potentiels de compression de valeur. Comme le champ C2 est de longueur fixe, les potentiels de compression de valeur donnent les mêmes classements que la fréquence d’apparition. La valeur sera celle qui apparaît le plus fréquemment et donc sera la valeur qui apparaît avec une fréquence de 80%. La deuxième règle candidate consistera en l’ajout d’une opération de dictionnaire. Comme il n’y a pas d’opération de dictionnaire pour le champ C2, il s’agit donc d’une création qui remplacera deux valeurs prises par le champ C2, à savoir la valeur , dont le potentiel de compression de valeur est le plus élevé et l’une des deux valeurs et , dont les potentiels de compression de valeur sont égaux. Mettons que la valeur soit retenue aléatoirement. La troisième règle candidate consiste en l’ajout d’une opération d’effacement de préfixe, et on suppose que les valeurs prises par le champ C2 sont similaires à celles prises par le champ C3, et ne présentent donc pas de préfixe commun.
La première règle candidate réalise l’effacement de la valeur qui a une longueur de 8 bits, et qui apparaît dans 8000 paquets de l’ensemble d’apprentissage E. La compression réalisée par cette règle candidate est donc de 64000 bits.
La deuxième règle candidate réalise le remplacement des valeurs et par un index d’un dictionnaire, qui doit donc utiliser au moins un bit. La deuxième règle candidate remplace donc une valeur d’une longueur de 8 bits par un index d’un bit. Elle réalise donc une compression de 7 bits pour chaque paquet où elle est appliquée. En l’occurrence, cette deuxième règle est appliquée pour 9000 paquets, ceux pour lesquels la valeur du champ C2 est prise par ou . La compression réalisée est donc de 7*9000 = 63000 bits.
La première règle candidate réalise donc une meilleure compression que la deuxième.
On suppose que la troisième règle candidate n’est pas efficace car les valeurs prises par le champ C2 ne présentent pas de préfixe commun.
C’est donc la première règle candidate qui va être retenue et ajoutée à l’ensemble de règles de compression RS, donnant la règle R2. Celle-ci est notée dans la figure 2.B de la façon suivante : , afin de montrer que l’opération d’effacement de la valeur , notée , est ajoutée à l’opération d’effacement de la valeur qui était déjà présente dans R1. Nous rappelons que la règle R2 a été créée en sélectionnant la règle R1 et en lui ajoutant une opération de compression, ici d’effacement de la valeur .
Dans cette étape S1, contrairement à l’étape S0, la règle R2 qui vient d’être ajoutée à l’ensemble RS de règles de compression ne s’applique pas à tous les paquets de l’ensemble d’apprentissage E auxquels s’applique la règle R1. En effet, la règle R1 s’applique à tous les paquets de l’ensemble d’apprentissage E, alors que la règle R2 ne s’applique qu’aux 8000 paquets de l’ensemble d’apprentissage E dans lesquels le champ C2 prend la valeur . Pour cette raison, dans le mode de réalisation présenté ici, la règle R1 n’est pas effacée de l’ensemble RS de règles de compression qui va maintenant comprendre les deux règles R1 et R2.
Dans le mode de réalisation présenté dans cet exemple, l’algorithme d’apprentissage par renforcement va utiliser une partition de l’ensemble d’apprentissage E en attribuant des sous-ensembles de l’ensemble d’apprentissage E aux règles de compression de l’ensemble RS. Tant qu’il n’y avait qu’une règle R0 puis R1 dans l’ensemble RS, ceci n’était pas important. Ici, on va attribuer les 8000 paquets de l’ensemble d’apprentissage E pour lesquels la règle R2 s’applique à celle-ci, et créer un sous-ensemble dédié, et attribuer le résidu de 2000 paquets à la règle R1.
Cette attribution des paquets de l’ensemble d’apprentissage E à des règles de l’ensemble RS est faite dans notre exemple de réalisation au moment de l’ajout d’une nouvelle règle dans l’ensemble RS de règles de compression, au moment de décider de la suppression ou non de la règle sélectionnée de l’ensemble RS. Comme la règle créée est créée à partir de la règle sélectionnée en lui ajoutant une opération de compression, la règle créée va forcément s’appliquer à un sous-ensemble des paquets auxquels la règle sélectionnée s’applique et est attribuée. Si la règle créée s’applique à tous les paquets auxquels la règle sélectionnée s’appliquait, l’algorithme d’apprentissage va attribuer tous les paquets de la règle sélectionnée à la règle créée, et il n’est pas nécessaire de conserver la règle sélectionnée dans l’ensemble RS de règles de compression. Si la règle créée ne s’applique pas à tous les paquets de la règle sélectionnée, on attribue à la règle créée les paquets auxquels elle s’applique et on conserve la règle créée dans l’ensemble RS de règles de compression et on lui attribue le résidu de paquets auxquels la règle créée ne s’applique pas.
Cette partition va permettre d’affiner le calcul des potentiels de compression de champ comme on va le voir dans les prochaines étapes.
Nous supposons là encore qu’un critère d’arrêt n’est pas satisfait et allons présenter l’étape suivante de l’algorithme d’apprentissage par renforcement.
La [Fig 2].C correspond à l’état S2 de l’apprentissage, tel qu’il est obtenu après la deuxième étape, et à la troisième étape de l’apprentissage par renforcement selon un mode de réalisation.
A ce stade S2, l’ensemble RS de règles de compression comprend deux règles R1 et R2. Pour réaliser une sélection parmi ces deux règles afin de créer des règles candidates, un mode de réalisation possible utilise le calcul de potentiels de compression de champ PCC selon une partition de l’ensemble d’apprentissage E en sous-ensembles attribués aux règles R1 et R2. On a vu précédemment, lors de la description de la fin de la deuxième étape, comment procéder à cette partition.
Dans notre mode de réalisation, 8000 paquets de l’ensemble d’apprentissage E ont été attribués à la règle R2, ceux pour lesquels la règle R2 s’applique, et le résidu de 2000 paquets est attribué à la règle R1. Les potentiels de compression de champ PCC(C1), PCC(C2), PCC(C3) et PCC(C4) sont alors calculés pour les deux sous-ensembles réalisant la partition de l’ensemble d’apprentissage E, en appliquant à ces paquets la règle de compression qui leur a été attribuée.
Pour le champ C1, que ce soit dans les 2000 paquets attribués à la règle R1 ou les 8000 paquets attribués à la règle R2, l’application respective des règles R1 et R2 va effacer la valeur prise par le champ C1. Le champ C1 n’apparaît donc dans aucun paquet des deux sous-ensembles, et la grandeur N utilisée dans la formule de calcul du potentiel de compression de champ PCC(C1) est donc nulle dans les deux cas. Autrement dit, que ce soit pour les paquets attribués à la règle R1 ou pour ceux attribués à la règle R2, le potentiel de compression de champ PCC du champ C1 est nul. Ceci se comprend bien, puisque ces deux règles R1 et R2 effacent la valeur unique prise par le champ C1.
L’invention se rapporte notamment à la détermination de la qualité optique d’une pluralité de vitrages correspondant à un même modèle de vitrage destiné à séparer des environnements intérieur et extérieur à un véhicule.
Par « vitrage », on entend une plaque formée à partir d’un matériau transparent. Par exemple, le matériau transparent peut être du verre minéral, tel qu’un verre sodocalcique, aluminosilicate, ou borosilicate. Alternativement, le matériau transparent peut être du verre organique, tel que du polyméthacrylate de méthyle étiré (PMMA étiré), du polyméthacrylate de méthyle non étiré, du polycarbonate (PC), du polytéréphtalate d’éthylène (PET) ou du polyuréthane (PU).
Pour la suite de la description, on considère de manière nullement limitative que le modèle de vitrage est un pare-brise d’une voiture.
Le fait de considérer un tel modèle de vitrage ne constitue toutefois qu’une variante d’implémentation de l’invention, et rien n’exclut d’envisager d’autres variantes, comme par exemple une lunette arrière ou encore une vitre latérale de ladite voiture.
En outre, l’invention n’est pas plus limitée par le fait d’envisager un vitrage d’une voiture. Ainsi, l’invention s’applique indifféremment pour tout type de véhicule de transport, que ce soit un véhicule routier (e.g. voiture, camion, bus, etc.) ou bien encore un véhicule ferroviaire.
Le modèle de vitrage est donc ici fabriqué en série, typiquement au sein d’une usine, et l’invention vise donc à déterminer la qualité optique de l’ensemble des vitrages fabriqués en série sur la base dudit modèle, de sorte à offrir la possibilité de supprimer (compenser, annuler) d’éventuels défauts optiques pour l’ensemble de la gamme, et non en considérant les vitrages un à un de manière séparée.
La représente schématiquement un exemple de pare-brise 10 de voiture selon une réalisation connue de l’état de la technique.