INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les images d’entraînement I* A1 , I* A2 , I* B3 du premier lot K1 sont ainsi tout d’abord fournies au dispositif de détection 300. En référence à la figure 10, pour les images d’entraînement I* A1 , I* A2 , la tête HA fournit alors les résultats R A1 , R A2 . En référence à la figure 11, pour l’image d’entraînement I* B3 , la tête HB fournit alors le résultat R B3 . À partir des résultats R A1 , R A2 , R B3 , les fonctions de perte partielles suivantes sont déterminées : , , et .
De la même manière, les images d’entraînement I* B1 , I* B2 , I* A3 du deuxième lot K2 sont fournies au système de détection 300 pour obtenir les résultats R B 1 , R B 2 , R A 3 et, à partir d’eux, les fonctions de perte partielles , et et .
En référence à la figure 12, les fonctions de perte , , et sont alors utilisées pour mettre à jour les paramètres ϑ BB , ϑ LA , ϑ LB , ϑ CA , ϑ CB du système de détection 300, par exemple selon l’équation [Math. 1].
Une nouvelle itération d’entraînement peut alors commencer, en fournissant à nouveau les images d’entraînement I* au système de détection 300.
(iii) le brasage ou le collage d'une extrémité de l'assemblage obtenu à l'issue de l'étape (ii) ;
(iv) la co-déformation de l'assemblage obtenu à l'issue de l'étape (iii) ;
(v) le tronçonnage des extrémités de l'assemblage co-déformé à l'issue de l'étape (iv) ;
(vi) le soudage des extrémités tronçonnées de l'assemblage obtenu à l'issue de l'étape (v) ; et
(vii) le traitement thermique de l'assemblage obtenu à l'issue de l'étape (vi), ce traitement thermique étant réalisé par compression isostatique à chaud, moyennant quoi on obtient le tube échangeur de chaleur à double paroi.
Le procédé selon l'invention permet de former, entre les tubes externe et interne, une interphase métallique dense en fer pur qui comble tout le volume initial de l'interstice existant entre les premier et second tubes et permet ainsi d'assurer une jonction mécanique uniforme entre les tubes externe et interne. L'absence de jeu mécanique entre les tubes externe et interne permet d'éviter le mouvement de ces deux tubes l'un par rapport à l'autre : ces deux tubes ne formant en quelque sorte plus qu'un seul tube, ils se déforment alors de la même manière qu'un tube monolithique lors d'une sollicitation mécanique. Grâce au procédé de fabrication selon l'invention, on obtient un tube échangeur de chaleur à double paroi présentant une qualité géométrique particulièrement performante.
Cette interphase métallique en fer pur permet également de conférer au tube échangeur de chaleur à double paroi d'excellentes propriétés de conductivité thermique en assurant un très bon transfert thermique entre les tubes externe et interne, ce qui a pour effet d'augmenter le rendement d'un échangeur thermique équipé d'un tel échangeur de chaleur à double paroi. De manière inattendue et surprenante, l'Inventeur a constaté que cette interphase ductile et dense en fer Fe 0 assure une excellente conductivité thermique qui tend à une valeur proche de celle d'une paroi équivalente massive.
Cette ductilité de l'interphase métallique en fer permet également de dévier et/ou d'arrêter la propagation de fissures de fatigue, en particulier de fatigue à grand nombre de cycles, qui se seraient formées et propagées au sein de l'un des deux tubes, préservant ainsi l'intégrité de l'autre tube. En particulier, lorsque les fissures de fatigue sont déviées, elles se propagent dans l'interphase métallique ductile offrant ainsi une durée de vie prolongée de 30 % à température ambiante.
Cette interphase en fer se caractérise, en outre, par une étanchéité lui permettant d'éviter la propagation capillaire de fluide provenant d'une telle fissure entre les deux tubes et, partant, de réduire drastiquement les risques de contact entre les premier et second fluides de l'échangeur de chaleur, ce qui est fondamental, en particulier lorsque les premier et second fluides sont réactifs, lorsqu'il y a un risque de contamination ou encore lorsque les tubes non sont pas contrôlables en service.
De plus, le procédé selon l'invention ne met en œuvre aucune étape exposant les éléments constitutifs du tube à double paroi à l'hydrogène, contrairement au dépôt électrolytique qui est mis en œuvre dans le procédé du document [2] et qui, lorsque l'exposition à l'hydrogène n'est pas maîtrisée, peut fragiliser le matériau métallique formant les éléments constitutifs du tube, notamment lorsque ce matériau est de l'acier.
Le procédé selon l'invention permet de fabriquer un tube échangeur de chaleur à double paroi qui présente un diamètre interne d INT et un diamètre externe d EXT .
Selon un mode de réalisation, le diamètre interne d INT du tube à double paroi est compris entre 6 mm et 30 mm et, avantageusement, entre 8 mm et 15 mm.
Selon un mode de réalisation, le diamètre externe d EXT du tube à double paroi est compris entre 6 mm et 30 mm et, avantageusement, entre 10 mm et 20 mm.
Il est précisé que l'expression "compris entre … et …" qui est utilisée ci-dessus mais également dans la suite de la présente description pour définir un intervalle, doit être comprise comme définissant non seulement les valeurs de l'intervalle, mais également les valeurs des bornes de cet intervalle.
Le procédé selon l'invention comprend les étapes (i) à (vii) mentionnées ci-dessus et détaillées ci-après.
Lors de l'étape (i) du procédé de fabrication selon l'invention, on fournit deux tubes, un premier tube qui est destiné à former le tube externe du tube échangeur de chaleur à double paroi, et un second tube qui est destiné à former le tube interne de ce tube échangeur de chaleur à double paroi.
L’invention concerne aussi un procédé d’inspection d’une portion de corps humain mis en œuvre au moyen d’un dispositif d’inspection tel que décrit précédemment, le procédé comprenant les étapes suivantes : mise en place de la portion de corps humain en regard de la fenêtre d’observation du bâti, production d’un rayonnement lumineux émis par la première source lumineuse, extinction du rayonnement lumineux émis par la première source lumineuse et production d’un rayonnement lumineux émis par la deuxième source lumineuse.
L’invention concerne aussi un procédé de fabrication d’un dispositif d’inspection d’une portion de corps humain tel que défini précédemment, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : fourniture d’une modélisation d’un dispositif d’inspection d’une portion de corps humain non adaptée, un arrangement d’illumination comportant une première partie éclairante formée par au moins une première source lumineuse de la modélisation étant configuré pour produire une modélisation de rayonnement lumineux émis et une surface réfléchissante de la modélisation étant disposée entre la première partie éclairante et une fenêtre d’observation, adaptation de l’arrangement d’illumination par ajout d’une deuxième partie éclairante formée par au moins une deuxième source lumineuse produisant un deuxième rayonnement lumineux émis, la surface réfléchissante étant disposée entre la deuxième parties éclairantes et la fenêtre d’observation, fabrication du dispositif d’inspection d’une portion de corps humain, ledit dispositif comprenant un arrangement d’illumination fabriqué à partir de celui de la modélisation.
Définitions principales Les mesures de tous les paramètres ci-dessous sont effectuées à une température de 25 °C.
Est extrait du « Guide de l’évaluation des performances des luminaires LED », Lighting Europe, The voice of the lighting industry , Janvier 2019.
Term e D é finition Normes de référence Distribution de l’intensité lumineuse Intensité lumineuse (d’une source dans une direction donnée) IV, I Quotient du flux lumineux d Φ V quittant la source et propagé dans l’élément d’angle solide d Ω dans la direction donnée, par l’élément d’angle solide. I V = d Φ V/d Ω Unite : cd = lm/sr Note 1 : la définition ne comprend strictement qu’une source. Note 2 : l’intensité lumineuse des LED est exprimée selon la procédure de mesure CIE 127 :2007. [IEC 60050-845 :1987, 845-01-31] et [CIE S 017/E :2011 ILV, 17-739 modifie] Source : IEC 62504 :2014 IEC 62722-1 :2014-09 IEC 62722-2-1 :2014-11 Les dispositions du paragraphe 8.2.3. de la norme IEC 62717 s’appliquent aux LED. IEC 62717 :2014-12 – Exigences de performance pour modules LED : La distribution de l’intensité lumineuse doit être conforme à celle déclarée par le fabricant. La mesure est effectuée conformément au point A. 3.3. Indice de rendu des couleurs IRC Mesure du degré auquel la couleur psychophysique d’un objet éclaire par l’illuminant d’essai est conforme à celle du même objet éclairé par l’illuminant de référence, compte tenu de l’état d’adaptation chromatique. Voir aussi CIE 13 – Méthode de mesure et spécification du rendu des couleurs des sources lumineuses Abréviation : IRC Source : CIE 13 IEC 62722-1:2014-09 IEC 62722-2-1:2014-11 Les dispositions du paragraphe 9.3. de la norme IEC 62717 s’appliquent aux luminaires LED. Lorsque des données appropriées sur la fiabilité des composants sont disponibles, la durée de l’essai peut être ramenée de 6 000 h a 2 000 h. IEC 62717:2014-12 – Exigences de performance pour modules LED : L'indice de rendu des couleurs initial (IRC) d’un module LED est mesure. Une deuxième mesure est effectuée à un moment opérationnel, comme indique au point 6.1. (= 6 000 h / 25 % de la durée de vie nominale) Conformité : Pour tous les éléments d'un échantillon soumis à l'essai, les valeurs IRC mesurées ne doivent pas avoir diminué de plus de : - 3 points par rapport à la valeur nominale de l’IRC (voir le tableau 1) pour les valeurs initiales de l’IRC ; et - 5 points par rapport à la valeur nominale de l’IRC (voir le tableau 1) pour les valeurs maintenues de l’IRC. Température de couleur proximale (CCT en K) La température de couleur proximale définit l’apparence des couleurs d’une LED blanche. La température de couleur proximale se mesure en degrés Kelvin. Il est à noter que cette mesure ne prend pas en compte la capacité de rendu des couleurs d’une LED. Il s’agit de la température d’un radiateur de Planck dont la chromaticité est la plus proche de celle associée à la répartition spectrale donnée sur un diagramme où les coordonnées basées sur un observateur de référence de la CIE 1931 du lieu de Planck sont représentés. Unité : K Abréviation : CCT Source : ISO 11664 IEC 62722-1:2014-09 ; IEC 62722-2-1:2014-11 et IEC 62717:2014-12 - Exigences de performance pour modules LED - Les dispositions du paragraphe 9.2 de la norme IEC 62717 s’appliquent aux luminaires LED.
La « divergence » de faisceau est une mesure angulaire de l'augmentation de son diamètre.
La divergence d'un faisceau peut être calculée si l'on connaît le diamètre du faisceau en deux points distincts éloignés de tout foyer ( D i , D f ), et la distance ( l ) entre ces points. La divergence du faisceau est donnée par:
L’« écart de couleur » appelé « d elta E » mesure la différence entre chaque couleur demandée et celle restituée, éventuellement pondérée par la sensibilité de l’œil humain.
Si delta E > 3 : la couleur demandée diffère sensiblement de celle affichée ; si 2 < delta E < 3 : le rendu des couleurs est satisfaisant ; si 1 < delta E < 2 : le rendu des couleurs est fidèle ; Si delta E < 1, le rendu des couleurs est parfait. Cette valeur est à la base de la précision dans le rendu des couleurs.
Le delta E est défini par trois facteurs : le delta L*, le delta a* et le delta b*. Chacune de ces valeurs est associée, sous forme de coordonnée, à un paramètre définissant une couleur dans un espace colorimétrique : dL* désigne la différence de luminance entre l’échantillon et la valeur du standard de couleur ; da* désigne la différence de vert et de rouge entre l’échantillon et la valeur du standard de couleur ; db* désigne la différence de bleu et de jaune entre l’échantillon et la valeur du standard de couleur.
La formule mathématique pour obtenir la valeur de l’écart de couleur est :
L1, a1, b1 correspondent aux coordonnées de la couleur à comparer dans l’espace colorimétrique, et L2, a2, b2 correspondent à celle de la seconde.
la deuxième source lumineuse produit un deuxième spectre lumineux possédant un pic de lumière bleue et le sommet du pic de lumière bleue se décale de moins de 1 nm après 1000 heures d’usage,
La montre que la probabilité de reconnaissance de la forme d’onde prend la valeur maximale 1 pour de faibles taux de mitage et reste très robuste jusqu’à ce que le taux de mitage atteigne 45%. Entre 45% et 65%, les performances de reconnaissance diminuent mais restent acceptables, avec une probabilité de reconnaissance supérieure à 0.7. Au-delà de 65%, la probabilité de reconnaissance chute rapidement. Ainsi, comme illustré par la , le procédé de reconnaissance est très robuste au mitage et aux mélanges.
La figure 15 illustre les résultats du procédé de reconnaissance de forme d’onde appliqué à des données réelles. Plus précisément, la figure 15 représente les niveaux des impulsions interceptées en fonction du temps sur 30 min d’enregistrements réels, en dB (avec une modification des valeurs de niveaux non précisée). Comme montré sur la figure 15, il y a environ 51.000 impulsions, ce qui correspond à une densité moyenne bien plus faible que dans les simulations illustrées par les figures précédentes. Dans cet exemple, le procédé de reconnaissance de forme d’onde selon les modes de réalisation de l’invention a été appliqué dans des petites fenêtres temporelles adjacentes de durée environ 100ms, dans lesquelles la reconnaissance de la forme d’onde pseudo-aléatoire est testée. Le seuil de reconnaissance est fixé à 2.2.
Les losanges représentés sur la indiquent les impulsions extraites lorsque la reconnaissance est positive. Il peut être observé que l’émetteur 3 est présent à partir de l’heure 03:55’. Vers 04:10’, l’émetteur n’est plus reconnu dans les données pendant un peu plus de deux minutes, avant de réapparaître vers 04:13’.
Même sans disposer de la réalité de terrain qui indiquerait de quel émetteur provient chacune des 51.000 impulsions, il est possible d’établir par un examen des impulsions reconnues qu’elles forment des passages de lobes d’antenne radar périodiques, avec un éclairement toutes les 2.5 s.
La représente les niveaux des impulsions dans une fenêtre où la reconnaissance est positive. La est un agrandissement (zoom) sur un lobe reconnu par le procédé de reconnaissance de forme d’onde selon des modes de réalisation de l’invention (à partir de données réelles).
La montre un lobe formé par les impulsions reconnues, les impulsions étant seulement au nombre de 5, alors que le nombre de moments de DTOA est égal à 32 (i.e. nombre de valeurs des états). Les approches classiques de l’état de la technique reposant sur les valeurs minimale et maximale ou sur l’histogramme de DTOA, ne disposent pas assez d’informations pour pouvoir reconnaître la forme d’onde, dans ce cas où les impulsions sont seulement au nombre de 5.
Les figures 17 et 18 montrent les DTOAs des impulsions extraites par le procédé de reconnaissance de la forme d’onde selon des modes de réalisation de l’invention.
La illustre les DTOA des impulsions extraites au cours de la reconnaissance de forme d’onde (données réelles) tandis que la est un agrandissement (zoom) en ordonnée de cette .
Dans les figures 17 et 18, les DTOA des impulsions extraites prennent des valeurs proches des états (i.e. les 32 moments de DTOA de la forme d’onde, qui sont les valeurs proches de 0 compte tenu de l’échelle en ordonnée), ainsi qu’autour de 2.5 s, qui est l’intervalle de temps entre deux passages de lobes (c’est-à-dire la période de rotation d’antenne d’un radar tournant).
Sur la , trois harmoniques de 2.5 s, à savoir deux harmoniques à 5 s et une à 7.5 s, peuvent être observés, représentant 4 lobes manqués en tout. Sur la , il peut également être observé une très grande valeur de 130s correspondant à l’intervalle approximatif [04:10’ - 04:13’] de la où l’émetteur n’est momentanément pas visible. Ce résultat permet de considérer qu’il n’y pas d’erreurs de reconnaissance sur ce jeu de données.
Le nombre de lobes reconnus étant 423 au total, il peut en être déduit que la probabilité de reconnaissance de la forme d’onde est autour de et que la probabilité d’erreur est inférieure à puisqu’il y a 10 fenêtres de 100ms par seconde soit fenêtres dans 30 min.
Ainsi, bien qu’ils ne soient pas limités à de telles applications, les modes de réalisation de l’invention permettent de reconnaître des formes d’ondes pseudo-aléatoires en environnement difficile, avec des mélanges, des manques d’impulsions, et/ou un faible nombre d’impulsions des formes d’onde d’intérêt dans les données testées.
L’homme du métier comprendra que le système ou des sous-système selon les modes de réalisation de l’invention peuvent être mis en œuvre de diverses manières par matériel (« hardware »), logiciel, ou une combinaison de matériel et de logiciels, notamment sous la forme de code de programme pouvant être distribué sous la forme d'un produit de programme, sous diverses formes. En particulier, le code de programme peut être distribué à l'aide de supports lisibles par ordinateur, qui peuvent inclure des supports de stockage lisibles par ordinateur et des supports de communication. Les procédés décrits dans la présente description peuvent être notamment implémentés sous la forme d’instructions de programme d’ordinateur exécutables par un ou plusieurs processeurs dans un dispositif informatique d'ordinateur. Ces instructions de programme d’ordinateur peuvent également être stockées dans un support lisible par ordinateur.
Par ailleurs, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-avant à titre d’exemple non limitatif. Elle englobe toutes les variantes de réalisation qui pourront être envisagées par l'homme du métier.
Procédé de détection d’un moment fixe L’invention concerne le domaine de la gestion d’un confort thermique intérieur d’un bâtiment et plus particulièrement un procédé de gestion d’une installation domotique et un terminal d’une installation domotique.
Les termes « vertical », « verticalement » se réfèrent à une direction selon z. Les termes « horizontal », « horizontalement », « latéral » se réfèrent à une direction dans le plan xy. Sauf mention explicite, l’épaisseur, la hauteur et la profondeur sont mesurées selon z.
Les figures 1 à 32 illustrent un premier mode de réalisation du procédé de réalisation du transistor HBT. Dans cet exemple de réalisation, le transistor HBT est de type N-P-N (émetteur-base-collecteur), avec une hétérojonction InGaAs/InP. D’autres configurations sont parfaitement envisageables. En particulier d’autres matériaux III-V peuvent être utilisés pour les jonctions ou hétérojonctions, de façon connue. Les alliages suivants peuvent notamment être utilisés pour la réalisation du transistor HBT : InGaAs, InP, InGaP, GaAsSb. L’homme du métier saura adapter l’exemple de réalisation décrit ci-dessous selon ces besoins.
Comme illustré à la , un substrat 1 à base de silicium (substrat Si) est d’abord fourni. Selon une possibilité, un empilement de couches 3, 4, 5, 6 à base de matériaux III-V, formé séparément, peut être reporté sur le substrat 1 à base de silicium, par collage SiO2-SiO2 par exemple. Le substrat 1 à base de silicium comprend dès lors typiquement une première couche de collage 21 à base de SiO2 et l’empilement comprend dès lors typiquement une deuxième couche de collage 22 à base de SiO2. Dans ce cas, le substrat 1 à base de silicium et l’empilement à base de matériaux III-V peuvent être assemblés par collage moléculaire entre les première et deuxième couches de collage 21, 22. La première couche de collage 21 peut être à base de SiO2 thermique. Elle présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 200 nm. La deuxième couche de collage 22 peut être formée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur l’empilement de couches à base de matériaux III-V. Elle présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 100 nm. Dans ce cas de report de l’empilement de couches à base de matériaux III-V sur le substrat Si, ledit empilement présente une dimension latérale, dans le plan xy, par exemple un diamètre, typiquement inférieure à la dimension latérale, par exemple le diamètre, du substrat Si, comme illustré sur la .
Selon une autre possibilité, le substrat à base de silicium peut typiquement être du type InPoSi et comprendre une partie 1 « massive » en silicium, dite « bulk », une couche 2 d’oxyde enterrée dénommée BOX (acronyme de « Burried Oxide »), surmontée par une couche 31 d’InP superficielle. Un tel substrat InPoSi peut être obtenu par un procédé dénommé « smart cut » largement connu de l’homme du métier, Dans ce cas, l’empilement de couches 3, 4, 5, 6 à base de matériaux III-V peut être formé directement par épitaxie sur le substrat InPoSi. Avantageusement, l’empilement de couches à base de matériaux III-V présente dans ce cas une dimension latérale, dans le plan xy, par exemple un diamètre, sensiblement égale à la dimension latérale, par exemple le diamètre, du substrat InPoSi.
Après formation de l’empilement de couches à base de matériaux III-V, cet empilement est structuré par différentes étapes de lithographie et gravure, et des contacts sont formés pour réaliser le transistor HBT.
Comme illustré à la , une étape de planarisation peut être d’abord effectuée. Cette étape comprend typiquement un dépôt d’une couche 71 à base de SiN, destinée d’une part à remplir les espaces bordant l’empilement de couches à base de matériaux III-V, et destinée d’autre part à former un masque sur l’empilement de couches à base de matériaux III-V. Après dépôt, un polissage mécano-chimique (CMP) permet typiquement de planariser la couche 71. La couche 71 surmontant l’empilement présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 150 nm après planarisation.
Une couche de masquage 81 à base de résine est alors formée sur la couche 71, puis structurée par lithographie pour former une ou des ouvertures 101 présentant une dimension L2 selon x. La couche 71 est ensuite gravée au travers de l’ouverture 101, typiquement par gravure sèche à base de plasma ou par gravure ionique réactive (RIE). La couche 64 de l’empilement est ensuite gravée au travers de l’ouverture 101, typiquement par gravure humide sélective vis-à-vis de la couche 63 sous-jacente. Une face supérieure 630 de la couche 63 est ainsi exposée après les gravures successives au travers de l’ouverture 101.
Comme illustré à la , la couche de masquage 81 est ensuite retirée de façon connue par une étape dite de « stripping », typiquement par plasma à base d’O2. Un dépôt d’une couche métallique 11 est ensuite effectué, de manière à remplir l’ouverture 101 de la couche 71. Cette couche métallique 11 peut comprendre plusieurs sous-couches, par exemple des couches d’accroche à base de Ti et de TiN, d’épaisseurs 10 nm respectivement, et une couche principale à base de tungstène W, d’épaisseur suffisante pour remplir l’ouverture de la couche 71. Cette couche principale à base de tungstène W présente par exemple une épaisseur de l’ordre de 225 nm.
Comme illustré à la , un polissage mécano-chimique est effectué de manière à retirer l’excès de métal déposé sur la couche 71. Le polissage CMP est arrêté sur la couche 71, afin de conserver la portion de couche métallique dans l’ouverture de la couche 71. Le contact d’émetteur 60 est ainsi formé. Il est ici au contact de la couche 63 à base d’InGaAs dopée N+.
Comme illustré à la , une partie de la couche 71 est ensuite retirée par gravure, de façon à exposer une face supérieure 640 de la couche 64.