Procédé de préparation d’un dispositif photonique comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat de départ (1) comprenant un substrat de base (1a), une couche diélectrique enterrée (1b) disposée sur et en contact avec le substrat de base (1a) et une couche superficielle (1c) présentant un indice de réfraction supérieure à l’indice de réfraction de la couche diélectrique enterrée (1c) disposée sur et en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b); traiter le substrat de départ (1) pour former une couche de composants photoniques (2), les composants photoniques étant dans un matériau de recouvrement (2e) et comprenant au moins un guide d’ondes (2a) formé dans la couche superficielle (1c) ; reporter la couche de composants photoniques (2) sur un substrat support (1e) et éliminer le substrat de base (1a) pour exposer la couche diélectrique enterrée (1b); reporter une couche électro-optique (3) sur une partie au moins de la couche diélectrique enterrée (1b), la couche électro-optique (3) présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b) et une seconde surface opposée à la première, la couche électro-optique (3) s’étendant au moins en partie au-dessus du guide d’ondes (2a) afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes (2a) et dans la couche électro-optique (3) ; former au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a) afin de pouvoir développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans laquelle la couche superficielle (1c) est formée d’un matériau semi-conducteur. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation des électrodes comprend le dépôt d’une couche d’encapsulation (5) en contact avec la seconde face de la couche électro-optique (3) et/ou en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation des électrodes comprend le dépôt de plots métalliques (4a) au-dessus de la seconde face de la couche électro-optique (3) et/ou au-dessus de la couche diélectrique enterrée (1b). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de formation des électrodes comprend la formation d’au moins deux vias métalliques (4b). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape de traitement du substrat de départ (1) comprend la formation d’au moins deux plots dopés (6) dans la couche superficielle semi-conductrice (1c), les deux plots dopés (6) étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a). Procédé de préparation selon l’une des revendications 5 à 7 dans lequel l’étape de traitement du substrat de départ (1) comprend la formation d’au moins deux pistes métalliques (7) dans la couche de composants photoniques (2). Dispositif photonique comprenant : un substrat support (1e) ; une couche de composants photoniques (2) disposée sur et en contact avec le substrat support (1e) et comprenant au moins un guide d’ondes (2a) disposé dans un matériau de recouvrement (2) ; une couche diélectrique enterrée (1b) disposée sur la couche de composants photoniques (2), en contact avec le guide d'ondes (2a) ; une couche électro-optique sur la couche diélectrique enterrée (1b), la couche électro-optique (3) présentant une première surface en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b) et une seconde surface, opposée à la première, s'étendant au moins en partie au-dessus du guide d'ondes (2a) afin de pouvoir développer un mode optique hybride dans le guide d’ondes (2a) et dans la couche électro-optique (3) ; au moins deux électrodes disposées latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a) afin de développer un champ électrique de modulation interceptant le mode optique hybride. Dispositif photonique selon la revendication précédente dans lequel la couche diélectrique enterrée (1b) présente une épaisseur inférieure à 300nm, préférentiellement inférieure à 100 nm et/ou présente une uniformité d’épaisseur inférieure ou égale à 50 nm. Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 et 9, dans lequel le guide d’ondes (2a) est formé d’un matériau semi-conducteur, de préférence formé de silicium, ou de nitrure de silicium. Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 10 dans lequel le guide d’onde (2a) s’étend longitudinalement de part et d’autre de la couche électro-optique (3), le guide d’onde (2a) présentant une épaisseur plus réduite au droit de la couche électro-optique (3) que dans le reste du guide d’ondes (2a). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 11 comprenant une couche d’encapsulation (5) en contact avec la seconde face de la couche électro-optique (3) et/ou en contact avec la couche diélectrique enterrée (1b). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 12 dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent respectivement deux plots métalliques (4a) disposés au-dessus de la couche électro-optique (3) et/ou au-dessus de la couche diélectrique enterrée (1b). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 13 dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent au moins deux vias métalliques (4b). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 14 dans lequel dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent respectivement au moins deux plots (6) formés d’un matériau semiconducteur dopé et disposés dans la couche de composants photoniques (2), les deux plots dopés (6) étant disposés latéralement de part et d’autre du guide d’ondes (2a). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 15 dans lequel les aux moins deux électrodes comprennent respectivement deux pistes métalliques (7) disposés dans la couche de composants photoniques (2), les pistes métalliques étant situés dans des plans placés entre le guide d’onde (2a) et le substrat support (1e). Dispositif photonique selon l’une des revendications 8 à 16 comprenant deux guides d’ondes (2a) disposés au moins en partie sous la couche électro-optique (3), les deux guides d’ondes formant les deux bras d’un modulateur (MOD).