INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cet ensemble de plaques à circuit imprimé interconnectées, la broche de connexion est équipée d’au moins une pièce de centrage qui est enfilée sur la broche de connexion et qui comporte un orifice de centrage apte à coopérer avec une broche de centrage lors du branchement de la broche de connexion dans l’élément d’interconnexion femelle.
Selon d’autres caractéristiques de cet ensemble :
- l’élément d’interconnexion mâle comporte deux broches de connexion et la pièce de centrage comporte deux orifices de montage agencés de part et d’autre de l’orifice de centrage, la pièce de centrage étant enfilée sur les deux broches de connexion par les orifices de montage ;
- l’élément d’interconnexion mâle comporte un groupe de plusieurs broches de connexion sur lesquelles la pièce de centrage est enfilée au travers d’orifices de montage associés, ledit groupe de broches de connexion étant inséré dans un groupe de logements de l’élément d’interconnexion femelle associé ;
- la pièce de centrage comporte deux orifices de centrage agencés de part et d’autre du groupe de broches de connexion, ces orifices de centrage étant aptes à coopérer avec deux broches de centrage associées lors du branchement du groupe de broches de connexion dans l’élément d’interconnexion femelle associé ;
- l’élément d’interconnexion mâle est équipé d’un stabilisateur qui s’appuie sur la première plaque à circuit imprimé de manière à maintenir la broche de connexion selon la direction axiale ;
- le stabilisateur comporte au moins un plot de fixation qui est inséré dans un trou de fixation associé de la première plaque à circuit imprimé ;
- le stabilisateur comporte au moins un pied qui s’appuie sur la première face d’interconnexion de la première plaque à circuit imprimé ;
- le stabilisateur comporte un corps principal muni de trous de montage permettant au stabilisateur d’être enfilé sur la ou les broches de connexion par lesdits trous de montage.
Comme illustré à la , les couches 73 et 72 sont ensuite gravées au travers des ouvertures 102, typiquement par gravure sèche. L’arrêt de gravure se fait sur la couche 5 à base d’InGaAs P++. Une face supérieure 500 de la couche 5 est ainsi exposée après gravure au travers des ouvertures 102.
Comme illustré à la , la couche de masquage 82 est retirée par « stripping ». Un dépôt d’une couche métallique 12 est ensuite effectué, de manière à remplir les ouvertures 102 de la couche 73. Cette couche métallique 12 peut comprendre plusieurs sous-couches, par exemple des couches d’accroche à base de Ti et de TiN, d’épaisseurs 10 nm respectivement, et une couche principale à base de tungstène W, d’épaisseur suffisante pour remplir les ouvertures de la couche 73. Cette couche principale à base de tungstène W présente par exemple une épaisseur de l’ordre de 375 nm.
Comme illustré à la , un polissage mécano-chimique est d’abord effectué de manière à retirer l’excès de métal déposé sur la couche 73. Le polissage CMP est arrêté sur la couche 73, afin de conserver les portions 50’ de couche métallique 12 dans les ouvertures de la couche 73.
Comme illustré à la , ces portions de couche métallique sont ensuite amincies pour former les contacts de base 50, typiquement de façon à ce que les faces supérieures des contacts de base 50 soient situées sous un plan passant par la face inférieure du contact d’émetteur 60. Cela permet de minimiser les capacités parasites entre le contact d’émetteur 60 et les contacts de base 50. Un tel amincissement permet typiquement de réduire de 55% ces capacités parasites, en comparaison de contacts de base 50’ non amincis et présentant une hauteur sensiblement égale à l’épaisseur de la couche 73, tels qu’illustrés à la .
Les portions de couche métallique en W peuvent être amincies par gravure humide à base de Triiodure De Potassium KII2. Les portions de couche métallique en Ti/TiN, au niveau des flancs des contacts de base 50, peuvent être retirées par gravure sèche. Des contacts de base 50 directement au contact de la couche 5 à base d’InGaAs dopée P++ sont ainsi formés.
Selon une possibilité illustrée à la , l’amincissement est effectué de façon différentielle, afin d’obtenir des portions périphériques 50p du contact 50 plus minces que la portion centrale 50c du contact 50. Un tel amincissement différentiel peut se produire lorsque le dépôt de la couche principale à base de tungstène W est effectué par CVD assisté par plasma d’espèces azotées N+. Les portions périphériques 50p du contact 50 sont alors gravées préférentiellement à la portion centrale 50c du contact 50. Les portions périphériques 50p présentent typiquement un profil d’épaisseur décroissant depuis la portion centrale 50c. Dans ce cas, les capacités parasites entre le contact d’émetteur 60 et les contacts de base 50 sont encore plus diminuées. Un tel amincissement différentiel permet typiquement de réduire de 70% ces capacités parasites, en comparaison de contacts de base 50’ non amincis et présentant une hauteur sensiblement égale à l’épaisseur de la couche 73, tels qu’illustrés à la .
Comme illustré à la , une couche 74 à base de SiN est ensuite formée par dépôt conforme à 400°C sur la couche 73, et sur les contacts de base 50 et le contact d’émetteur 60. Cette couche 74 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 60 nm. Une couche de masquage 83 à base de résine est alors formée et structurée, par exemple par lithographie électronique e-beam, au-dessus des contacts de base 50 et du contact d’émetteur 60, en conservant des parties de couche 74 exposées en pourtour des contacts de base 50.
Comme illustré à la , les couches 74, 73 et 72 sont ensuite gravées autour de la couche de masquage 83, typiquement par gravure sèche. L’arrêt de gravure se fait sur la couche 5 à base d’InGaAs P++. Une face supérieure 500 de la couche 5 est ainsi exposée après gravure. La structure en saillie de la couche 5, comprenant les contacts de base 50, la structure en mésa 6M, le contact d’émetteur 60 et la couche de masquage 83, présente typiquement une dimension L1 selon x. La couche de masquage 83 est ensuite retirée par « stripping » ( ).
Comme illustré à la , les couches 5, 44, 43, 42 et 41 de l’empilement sont ensuite gravées autour des contacts de base 50. Les couches 5, 44, 43, 42 et en partie la couche 41 à base d’InP sont typiquement gravées par gravure sèche, avec arrêt dans la couche 41. La gravure sèche partielle des couches 43, 42 et 41 à base d’InP peut être configurée pour s’arrêter à une profondeur de gravure de l’ordre de 140 nm depuis l’interface entre la couche 43 et la couche 44, de manière à conserver une épaisseur résiduelle de la couche 41 en fin de gravure sèche.
Comme illustré à la , une gravure de finition par gravure humide permet ensuite de retirer la partie restante de la couche 41 à base d’InP, de préférence sélectivement à la couche 34 à base d’InGaAs N+, de façon à exposer une face supérieure 300 de la couche 34. Une structure en mésa 45M est ainsi obtenue sous les contacts de base 50. Cette structure en mésa 45M de dimension L1 selon x présente typiquement des flancs 451 qui peuvent être légèrement inclinés vis-à-vis de la verticale. Ceci est typiquement dû au caractère isotrope des gravures, notamment de la gravure humide.
Comme illustré à la , une couche 74 à base de SiN est ensuite formée par dépôt conforme à 300°C sur la face exposée 300, et sur les flancs 451, les contacts de base 50 et le contact d’émetteur 60. Cette couche 74 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 60 nm. Une couche 75 à base de SiO2 est ensuite formée sur la couche 74, par exemple par dépôt à 400°C. Cette couche 75 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 750 nm. Une étape de planarisation par polissage CMP est ensuite effectuée sur la couche 75, avec arrêt sur les parties en saillie de la couche 74 à base de SiN.
Comme illustré à la , une couche de masquage 84 à base de résine est alors formée sur la couche 75 et sur les parties en saillie de la couche 74, puis structurée par lithographie pour former des ouvertures 103. Les ouvertures 103 sont formées de part et d’autre des contacts de base 50.
Comme illustré à la , les couches 75 et 74 sont ensuite gravées au travers des ouvertures 103, typiquement par gravure sèche. L’arrêt de gravure se fait sur la couche 34 à base d’InGaAs N+. Une face supérieure 300 de la couche 34 est ainsi exposée après gravure au travers des ouvertures 103.
Comme illustré à la , la couche de masquage 84 est retirée par « stripping ». Un dépôt d’une couche métallique 13 est ensuite effectué, de manière à remplir les ouvertures 103 de la couche 75. Cette couche métallique 13 peut comprendre plusieurs sous-couches, par exemple des couches d’accroche à base de Ti et de TiN, d’épaisseurs 10 nm respectivement, et une couche principale à base de tungstène W, d’épaisseur suffisante pour remplir les ouvertures de la couche 75. Cette couche principale à base de tungstène W présente par exemple une épaisseur de l’ordre de 750 nm.
Comme illustré à la , un polissage mécano-chimique est d’abord effectué de manière à retirer l’excès de métal déposé sur la couche 75. Les portions de couche métallique 13 dans les ouvertures de la couche 75 sont ensuite amincies pour former les contacts de collecteur 30, typiquement de façon à ce que les faces supérieures des contacts de collecteur 30 soient situées sous un plan passant par les faces inférieures des contacts de base 50. Cela permet de minimiser les capacités parasites entre les contacts de collecteur 30 et les contacts de base 50. Cela permet également de minimiser les capacités parasites entre les contacts de collecteur 30 et le contact d’émetteur 60.
Les portions de couche métallique 13 en W peuvent être amincies par gravure humide à base de Triiodure De Potassium KII2, par exemple sur une profondeur de gravure d’environ 270 nm. Les portions de couche métallique en Ti/TiN, au niveau des flancs des contacts de collecteur 30, peuvent être retirées par gravure sèche. Des contacts de collecteur 30 directement au contact de la couche 34 à base d’InGaAs dopée N+ sont ainsi formés. Selon une possibilité, les contacts de collecteur 30 peuvent être amincis par amincissement différentiel comme précédemment. Les contacts de collecteur 30 présentent dès lors une portion périphérique relativement plus mince que leur portion centrale.
la deuxième source lumineuse présente un deuxième indice de rendu des couleurs supérieur à 80, notamment supérieur à 90,
la deuxième source lumineuse produit un delta E inférieur à 1 pendant au moins 1000 heures d’usage,
la deuxième source lumineuse présente un angle de divergence inférieur à 2° pendant au moins 1000 heures d’usage,
la première source lumineuse présente une première température de couleur proximale variant de plus de 1% après 1000 heures d’usage,
la première source lumineuse produit un premier spectre lumineux dont le pic de lumière bleue se décale de plus de 1 nm après 1000 heures d’usage,
la première source lumineuse présente un premier indice de rendu des couleurs inférieur à 70, notamment inférieur à 50,
la première source lumineuse produit un premier Delta E supérieur à 1 après moins de 1000 heures d’usage,
la première source lumineuse présente un premier angle de divergence supérieur à 2° après moins de 1000 heures d’usage,
la première source lumineuse produit un Delta E supérieur à 1 pendant au moins 1000 heures d’usage,
la première source lumineuse présente un premier indice de couleur et le deuxième indice de rendu des couleurs est au moins 1,2 fois plus élevé que le premier indice de rendu des couleurs,
la première source lumineuse et la deuxième source lumineuse comportent des diodes électroluminescentes,
les premières sources lumineuses sont réparties sur un premier anneau d’éclairage intérieur et les deuxièmes sources lumineuses sont réparties sur un deuxième anneau d’éclairage extérieur concentrique au premier anneau d’éclairage,
le système optique comprend au moins comprend au moins un miroir concave,
le système optique comprend au moins une lentille.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description détaillée qui va suivre, d’exemples de mise en œuvre non limitatifs de celle-ci, et à l’examen du dessin annexé, sur lequel :
Description des figures ,
L’utilisateur peut alors retirer les béquilles 700 utilisées pour maintenir en position les panneaux aboutés et maintenus l’un à l’autre.
Lorsque la bordure 300 est intégralement positionnée et assemblée au socle 100, c’est-à-dire que le panneau avant 301, le panneau arrière 302 et les panneaux latéraux 303 sont solidaires du socle 100, l’utilisateur peut positionner le toit 200 de sorte que les profilés 400 du toit 200 reçoivent chacun le cadre 307 de l’un des panneaux et que la lumière 3071de chaque panneau soit en regard de l’ouverture 450 de chaque profilé 400.
L’utilisateur peut alors solidariser le toit 200 à la bordure 300 à l’aide d’organes de retenue amovibles.
Lorsque la cabine 1 est utilisée pour former des toilettes sèches, l’utilisateur déploie alors l’embase 610 de l’assise 600 pour la positionner à l’intérieur de la cabine 1 de sorte que la paroi frontale 611 s’étende parallèlement au panneau arrière 302.
La planche 620 peut alors être placée sur l’embase 610 pour former l’assise 600 sous laquelle est placée la cuvette 650.
La mise en place de la cuvette 650 est réalisée par l’extérieur de la cabine 1.
Plus précisément, l’utilisateur utilise la première trappe 3021 pour insérer la cuvette 650 dans la cabine 1, sous l’assise 600.
Par ailleurs, l’utilisateur utilise la première trappe 3021 pour mettre en place les moyens de mise sous tension afin de rendre fixe, et donc indémontable de manière malveillante, l’assise 600.
Pour ce faire, l’utilisateur utilise au moins un câble qu’il relie au socle 100 par une première extrémité puis à la planche 620 par une deuxième extrémité. Des moyens d’arrimage ad hoc du câble à la planche 620 et au socle 100 sont alors prévus à cet effet.
De préférence, au moins deux câbles sont utilisés, les deux câbles étant chacun positionnés adjacent à une paroi latérale 303 de sorte qu’un effort de retenue de la planche 620 sur l’embase 610 soit exercé à chaque extrémité de la planche 620.
Le démontage de la cabine 1, c’est-à-dire sa désinstallation, peut être effectué en suivant les mêmes étapes, en sens inverse.
La cabine 1 qui vient d’être décrite peut ainsi être montée ou démontée de manière rapide et simple par une seule personne et offre l’avantage d’être faiblement encombrante pour son transport. Ce faible encombrement est principalement dû au fait que les différents éléments constituant la cabine 1, c’est-à-dire le socle 100, le toit 200 et la bordure 300 sont formés par des éléments plats.
Ensemble formant profilé bandeau, destiné à être fixé à l’ouvrant, respectivement le dormant, d’une porte dont l’ouverture/fermeture est réalisée par une serrure électromagnétique La présente invention se rapporte à un ensemble formant profilé bandeau, destiné à être fixé à l’ouvrant, respectivement le dormant, d’une porte dont l’ouverture/fermeture est réalisée par une serrure électromagnétique, l’ensemble comportant d’une part un profilé bandeau en U et d’autre part, fixé à demeure à l’intérieur du profilé, l’un des deux éléments, à savoir la ventouse électromagnétique et la contreplaque en matériau attiré par un aimant, de préférence la contreplaque, constitutifs de la serrure électromagnétique, tandis que l’autre des deux éléments de la serrure électromagnétique, de préférence la ventouse, étant fixé au dormant, respectivement à l’ouvrant, de la porte. La présente invention se rapporte également à une installation formant porte comportant un ouvrant et un dormant, un ensemble formant profilé bandeau du genre ci-dessus étant fixé à l’ouvrant.
On connaît déjà de FR2884273A1 un ensemble de ce genre. Le profilé s’étend dans une direction longitudinale correspondant à la direction verticale de la porte, en ayant une section transversale sensiblement en forme de U comportant un sommet et deux branches latérales s’étendant de part et d’autre du sommet pour définir un espace intérieur destiné à recevoir à demeure la contreplaque d’une serrure électromagnétique. Pour fixer à demeure la contreplaque au profilé bandeau, il est prévu un écrou qui bute, par deux épaulements latéraux, contre chacune des faces distales de deux rebords issus des branches latérales et se faisant face à distance l’un de l’autre. L’écrou coopère avec une vis filetée traversant la contreplaque pour rendre solidaire la contreplaque à l’écrou par vissage dans le taraudage de l’écrou. D’autre part, pour assurer l’immobilisation de la contreplaque dans la direction verticale, il est prévue une plaque proximale percée, également de plus grande largeur que la distance entre les deux rebords, disposée entre la contreplaque et l’écrou et venant porter, sous la pression exercée par le vissage de la vis dans l’écrou, contre les faces proximales des deux rebords, l’écrou et la plaque proximale prenant en étau chacun des deux rebords.
En outre, un élément en matériau élastomère, appelé silent bloc, est disposé entre la plaque proximale et la contreplaque. Le serrage de la vis dans l’écrou est réalisé de manière à ne pas comprimer, ou du moins pas trop comprimer (par exemple pas plus de 30% en épaisseur), cet élément élastomère, ce qui permet que la contreplaque ne soit pas fixée trop rigidement au profilé et reste flottante. En effet, si la contreplaque était fixée trop rigidement par un serrage à fond de la vis au point que le matériau élastomère soit complètement comprimé entre la contreplaque et la plaque proximale, la serrure électromagnétique, dans la pratique, ne pourrait pas fonctionner, car les deux surfaces, respectivement de la contreplaque et de la ventouse, supposées venir en contact plan sur plan l’une avec l’autre pour réaliser une solidarisation mutuelle par électromagnétisme, n’étant jamais parfaitement parallèles, ne pourraient pas venir en contact plan l’une avec l’autre, et la fermeture de la porte ne pourrait pas se réaliser.
Il en résulte deux injonctions contradictoires sur la force suivant laquelle il convient de serrer la vis dans l’écrou, puisqu’il est nécessaire d’une part d’assurer que l’étau suivant lequel l’écrou et la plaque proximale prennent les rebords ne se relâche pas et d’autre part de ne pas trop comprimer l’élément élastomère. Ainsi, si l’on ne serre pas assez fort la vis dans l’écrou, l’étau se relâche et la contreplaque se détache et glisse le long du profilé sous l’effet de son poids, et si l’on serre trop fort, la serrure ne fonctionne pas.
Au cours d’une étape 414, le système de détection 300 est entraîné par apprentissage supervisé à partir des images d’entraînement I* et des résultats d’entraînement associés. Pour cela, chaque image d’entraînement I* est fournie au réseau dorsal BB et le module d’entraînement 306 ajuste les paramètres ϑ BB du réseau dorsal BB et de la tête Hz associée à la zone z représentée sur l’image d’entraînement I* considérée, pour améliorer la détection et la localisation dans cette zone z. En revanche, les paramètres de la ou des autres têtes ne sont pas ajustés à partir de l’image d’entraînement I* considérée. Ainsi, les paramètres ϑ L z , ϑ C z des têtes Hz sont ajustés avec respectivement les images d’entraînement des zones z qui leur sont associées. Dit autrement, les autres têtes sont laissées inchangées.
L’entraînement vise par exemple tout d’abord à associer, à chaque boîte annotée BOI* entourant une anomalie dans l’image d’entraînement I*, une boîte de référence AN parmi celles associées à la zone z représentée dans l’image d’entrainement I* et une position de cette boîte de référence AN, de sorte que la boîte de référence AN à cette position soit proche de la boîte annotée BOI*. L’entraînement vise par exemple en outre à associer, à chaque boîte annotée BOI* entourant une anomalie dans l’image d’entraînement I*, une probabilité forte d’anomalie dans la boîte de référence AN repositionnée, ainsi que la classe d’anomalie annotée lorsque des classes sont utilisées.
À la différence du procédé décrit dans la demande de brevet français publiée sous le numéro FR 3 058 816 A1, qui réalise un pavage de l’image pour travailler sur des imagettes, chaque image d’entraînement est fournie en entier au réseau dorsal BB. Cela est avantageux notamment en temps de calcul car un unique passage dans le système de détection 300 est suffisant pour obtenir une prédiction sur l’image d’entraînement complète. En plus, il n’est pas nécessaire de réaliser une étape de post-traitement pour assembler les prédictions obtenues sur chaque imagette.
Les paramètres sont par exemple ajustés de manière itérative, par exemple par lot (de l’anglais « batch ») d’images d’entraînement et l’ajustement des paramètres est par exemple réalisé par un algorithme de descente de gradient. Comme cela est connu en soi, un algorithme de descente de gradient permet de trouver le minimum de n’importe quelle fonction convexe en convergeant progressivement vers celle-ci.
Ainsi, dans le cas d’utilisation de lots, les images d’entraînement I* sont réparties en lots Kj (1 ≤ j ≤ J), chaque lot Kj pouvant comporter des images d’entraînement de zones z différentes.
Les images d’entraînement I* de chaque lot Kj sont alors successivement fournies en entrée du dispositif de détection 300 pour respectivement obtenir des résultats de prédiction Rj. Ces résultats de prédiction Rj sont comparés aux résultats d’entraînement des images d’entraînement du lot Kj. À partir de cette comparaison, une fonction de perte partielle de détection et, le cas échéant, une fonction de perte partielle de classification , sont déterminés pour le lot Kj considéré et pour chaque zone z.
Les fonctions de perte partielles de détection d’une même zone z sont alors combinées, par exemple additionnées, pour obtenir une fonction de perte de détection pour le réseau de détection Lz de chaque zone z. La fonction de perte de détection est par exemple la fonction de perte L1 ou bien la fonction de perte L1 lisse (de l’anglais « smooth L1 ») .
Le cas échéant, de manière similaire, les fonctions de perte partielles de classification d’une même zone z sont alors combinées, par exemple additionnées, pour obtenir une fonction de perte de classification pour le réseau de classification Cz de chaque zone z. La fonction de perte de classification est par exemple la fonction de perte d’entropie croisée ou bien la fonction de perte focale (de l’anglais « focal loss »).
Ainsi, en notant Z le nombre total de zones z, 2xZ fonctions de pertes sont déterminées : Z fonctions de perte pour la localisation et Z fonctions de perte pour la classification.
Ensuite, pour chaque zone z, les paramètres ϑ BB du réseau dorsal BB, les paramètres ϑ Lz du réseau de détection Lz et, le cas échéant, les paramètres ϑ Cz du réseau de classification Cz de la tête Hz sont mis à jour à partir des fonctions de perte et déterminées. Par exemple, l’algorithme de descente de gradient utilise l’équation suivante pour chaque zone z : [Math. 1] .
Ainsi, chaque image d’entraînement I* participe à l’élaboration de la ou des fonctions de perte et associées à la zone z représentée sur cette image d’entraînement I*. Ainsi, par l’utilisation de ces fonctions de pertes pour mettre à jour les paramètres, les paramètres ϑ BB du réseau dorsal BB sont ajustés à partir de chaque image d’entrainement I*, quelle que soit la zone z représentée, tandis que seuls les paramètres ϑ Lz , ϑ Cz de la tête Hz associée à la zone z représentée sur l’image d’entraînement I* sont ajustés, et pas les paramètres de la où des autres têtes.
Par exemple, en référence à la , un premier lot K1 comporte les images d’entraînement I* A1 , I* A2 , I* B 3 et un deuxième lot K2 comporte les images d’entraînement I* B 1 , I* B 2 , I* A 3 .