INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Après avoir reconstruit le spectre de masse individuel de chaque ion précurseur détecté, le procédé peut comprendre, de manière optionnelle, une étape d’analyse 1090 du spectre de masse individuel de l’ion précurseur déterminé et des ions fragments associés pour caractériser la composition chimique de l’ion précurseur déterminé et la composition chimique des ions fragments associés à l’ion précurseur considéré. En effet, après l’étape de reconstruction (et après l’étape de vérification si présente dans le procédé 1000), la composition chimique de l’ion précurseur et des différents fragments de l’ion précurseur sont inconnues (l’étape de reconstruction fournit un spectre avec des ratio m/z et des valeurs d’abondance associées à chaque ratio m/z). A cet effet, l’étape d’analyse 1090 permet de retrouver la composition chimique des fragments et de l’ion précurseur de chaque spectre de masse individuel déterminé. Cela peut typiquement réalisé par des techniques connues, en utilisant une base de données comprenant des spectres de masse de référence (connus) et en comparant chaque spectre de masse déterminé par le procédé 1000 aux spectres de masse de référence.
Procédé de fabrication d’un dispositif à base de carbure de silicium (SiC) cristallin La présente invention concerne le domaine de la fabrication de substrats et autres dispositifs comprenant chacun une couche cristalline, de préférence monocristalline, de carbure de silicium (ci-dessous « SiC »). Typiquement de tels substrats et dispositifs (appelés ci-dessous « substrats SiC » et « dispositifs SiC », respectivement) forment ou sont destinés à former tout ou partie de composants de puissance ou de dispositifs intégrant un transistor basé sur la technologie CMOS (pour « Complementary Metal Oxide Semiconductor » selon la terminologie anglo-saxonne).
ETAT DE LA TECHNIQUE Le SiC est un matériau semiconducteur couramment utilisé dans l’industrie, notamment pour fabriquer des dispositifs électroniques de puissance.
Un substrat dit initial en SiC est le plus adapté à la croissance, notamment épitaxiale, d’une couche monocristalline à base de SiC.
Il serait envisageable d’utiliser d’autres substrats initiaux, mais cela poserait différents problèmes parmi lesquels : La difficulté à assurer une croissance épitaxiale du SiC sous un polytype utile pour le dispositif SiC fabriqué (typiquement, le polytype 4H), La dégradation de la qualité de la structure cristalline du SiC crû, notamment du fait de sa différence de paramètres de maille avec le substrat initial choisi, et La présence de contraintes générées dans le substrat initial choisi et le SiC pendant et à la suite de sa croissance.
Pour ces différentes raisons, les procédés de croissance d’une couche monocristalline de SiC mettent généralement en œuvre des substrats initiaux en SiC monocristallin ; or il se trouve que le coût de ces substrats initiaux est élevé, de même que le coût des dispositifs SiC existants issus de tels procédés.
Afin de réduire les coûts de production liés à la fabrication de substrats et autres dispositifs à base de SiC, la fabrication de substrats de type SiCOI (pour « SiC On Insulator » selon la terminologie anglo-saxonne) par une technologie connue sous l’appellation SmartSiC TM a été développée par Soitec®. Selon cette technologie, les substrats de type SiCOI sont réalisés à partir d’une couche mince de SiC détachée d’un substrat initial monocristallin de SiC par un procédé de type ‘clivage ionique de cristal’ (plus connu en anglais sous l’appellation « Crystal Ion Slicing »).
Cependant, le procédé SmartSiC TM nécessite un recuit pour réaliser le détachement/clivage de la couche monocristalline de SiC et cela empêche certaines intégrations, notamment par hybridation desdits substrats de type SiCOI avec un dispositif intégrant un transistor basé sur la technologie CMOS (ci-dessous appelé « dispositif CMOS »). Il est en outre impossible de réaliser l’épitaxie de SiC sur un substrat dans lequel une implantation d’ions selon le procédé SmartSiC TM a été réalisée car une telle épitaxie suppose un bilan thermique qui conduirait au détachement de la couche épitaxiée pendant sa croissance. On pourrait envisager de réaliser l’implantation ionique prévue par le procédé SmartSiC TM à travers des couches à base de SiC déjà crues, donc après la croissance, mais cela endommagerait certainement les propriétés d’un dispositif SiC à travers lequel l’implantation aurait lieu. C’est probablement pour ces raisons que le procédé SmartSiC TM n’est utilisé que pour réaliser des couches minces dite de germination (ou « template » ou « seed layers » en anglais) destinées à la croissance de SiC. En outre, il est impossible de décoller les substrats SiCOI réalisés en mettant en œuvre le procédé SmartSiC TM , tout en les reportant sur des substrats ou dispositifs sensibles à la température, comme un substrat ou dispositif CMOS (pour « Complementary Metal Oxide Semiconductor » selon la terminologie anglo-saxonne), du fait que le détachement des substrats SiCOI au niveau de la zone d’implantation ionique implique un recuit à haute température, typiquement à une température sensiblement égale à 1100°C. Enfin, le coût des substrats SiCOI obtenus par mise en œuvre du procédé SmartSiC TM , même s’il est moins élevé que le coût des substrats SiC obtenus par d’autres méthodes (par exemple, par meulage (ou « grinding » selon la terminologie anglo-saxonne), est toujours non négligeable.
Il serait donc souhaitable de proposer un procédé de fabrication de substrats et autres dispositifs à base de SiC cristallin, de préférence monocristallin, dont la mise en œuvre serait d’un coût réduit, notamment depuis un substrat initial en SiC cristallin, de préférence monocristallin, et/ou par rapport au procédé SmartSiC TM .
RESUME Pour atteindre au moins l’un de ces objectifs, selon un premier aspect, on prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant au moins une couche dite d’intérêt à base, voire constituée, de carbure de silicium (SiC) cristallin, de préférence monocristallin, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat dit initial à base, voire constitué, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, puis Faire croître par épitaxie, sur le substrat initial, une couche dite tampon à base d’un matériau présentant, sous sa forme cristalline, de préférence monocristalline : un paramètre de maille égal, à plus ou moins 6% près, de préférence à plus ou moins 2% près, à un paramètre de maille du SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial, et une température de fusion strictement supérieure à 1600°C, de préférence supérieure à 2000°C, et encore plus préférentiellement supérieure ou sensiblement égale à 2500°C, et jusqu’à ce que la couche tampon présente une épaisseur strictement supérieure à 2 nm, de préférence supérieure ou égale à 4 nm, et strictement inférieure à deux fois, de préférence sensiblement égale ou inférieure à, une épaisseur critique Ec au-delà de laquelle des défauts ou dislocations apparaissent dans la couche tampon crue, Faire croître par épitaxie, sur la couche tampon, au moins la couche d’intérêt, pour obtenir un empilement comprenant successivement le substrat initial, la couche tampon et au moins la couche d’intérêt, l’empilement s’étendant depuis une face arrière portée par le substrat initial jusqu’à une face avant opposée à la face arrière, et Fournir un substrat dit receveur, puis Reporter l’empilement par sa face avant sur le substrat receveur, puis Insoler l’empilement, de préférence par sa face arrière, avec un rayonnement laser présentant une longueur d’onde davantage absorbée par la couche tampon que par le SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial, le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon de sorte à détacher le substrat initial depuis le reste de l’empilement en sacrifiant au moins partiellement la couche tampon, et obtenir ainsi un dispositif comprenant au moins la couche d’intérêt reportée sur le substrat receveur.
Le procédé de fabrication tel qu’introduit ci-dessus prévoit ainsi de combiner : l’utilisation, comme couche de germination de SiC sous forme cristalline, de préférence monocristalline, d’une couche tampon spécifique, pour former le dispositif d’intérêt (celui qui comprend au moins la couche d’intérêt à base, voire constituée, de carbure de silicium (SiC) cristallin, de préférence monocristallin, et le décollage laser (ou « laser lift-off » en anglais) du dispositif d’intérêt en sacrifiant au moins en partie la couche tampon.
Bien entendu, une telle situation est inconfortable pour le conducteur et les éventuels passagers du véhicule automobile ; elle contribue à l’arrivée précoce d’une fatigue pour le conducteur.
On connait le document KR101822970 qui décrit un système de contrôle actif de la qualité du son pour le bruit d'entraînement du moteur lève-vitre. Le système de contrôle actif mesure le bruit de fonctionnement du moteur lève-vitre avec des capteurs et émet des sons de contrôle actif autour des oreilles du conducteur. L’inconvénient d’un tel système de contrôle actif est qu’il ne prend pas en compte toutes les sources de bruit, et en particulier celles relatives au frottement de la vitre sur les organes d’étanchéité, demeurant ainsi trop inefficace.
La présente invention a pour objet de proposer un nouveau procédé de réduction du bruit de fonctionnement d’un moteur lève-vitre afin de répondre au moins en grande partie aux problèmes précédents et de conduire en outre à d’autres avantages.
Un autre but de l’invention est d’améliorer l’efficacité d’un tel procédé de réduction du bruit en atténuant toutes les sources de bruits.
Un autre but de l’invention est de rendre plus silencieux les moteurs lève-vitre d’un véhicule automobile.
Selon un premier aspect de l’invention, on atteint au moins l’un des objectifs précités avec un procédé de réduction d’un bruit de fonctionnement d’un moteur lève-vitre d’un ensemble électrique pour véhicule automobile, l’ensemble électrique comportant :
- le moteur lève-vitre configuré pour monter ou descendre une vitre du véhicule automobile ;
- au moins un haut-parleur situé dans un habitacle du véhicule automobile ; et
- une unité ce commande configurée pour piloter le moteur lève-vitre et pour mettre en œuvre le procédé de réduction de bruit ;
ledit procédé de réduction de bruit comportant :
- une étape de détermination d’au moins une variable caractéristique du bruit de fonctionnement émis par le moteur lève-vitre ; et
- une étape de pilotage de l’au moins un haut-parleur afin d’émettre une fréquence inverse à celle du moteur lève-vitre.
Dans le contexte de la présente invention, le moteur lève-vitre est du type d’un moteur électrique. Le moteur lève-vitre est associé à une vitre mobile de l’habitacle du véhicule automobile, telle que par exemple une vitre latérale ou un toit ouvrant.
Dans le contexte de la présente invention, l’au moins haut-parleur est un dispositif électrique configuré pour pouvoir émettre des sons à plusieurs fréquences différentes. L’invention permet ainsi de piloter le fonctionnement d’au moins un des haut-parleurs en fonction du bruit généré et/ou induit par le moteur lève-vitre durant son fonctionnement, de sorte que les ondes acoustiques produites par l’au moins haut-parleur atténuent celles émises ou induites par le moteur lève-vitre. Cette atténuation est obtenue par le biais d’interférences destructrices entre les ondes acoustiques générées par l’au moins un haut-parleur et celles produites ou induites par l’au moins un moteur lève-vitre.
Dans le contexte de la présente invention, l’unité de commande est configurée pour pouvoir mettre en œuvre le procédé conforme au premier aspect de l’invention et pour pouvoir interfacer, c’est-à-dire piloter l’au moins un haut-parleur et l’au moins un moteur lève-vitre. L’unité de commande est reliée électriquement à l’au moins un haut-parleur et à l’au moins un moteur lève-vitre. L’unité de commande comporte un microcontrôleur et/ou un circuit imprimé et/ou un microprocesseur ;
Dans le contexte de la présente invention, l’étape de détermination permet de déterminer une ou plusieurs variables représentatives du bruit de fonctionnement émis ou induit par le moteur lève-vitre. Cette étape permet de quantifier et qualifier la nature du bruit de fonctionnement émis ou induit par le moteur lève-vitre afin de pouvoir calculer ensuite, au travers de l’étape de pilotage, les meilleurs paramètres pour piloter chaque au moins un haut-parleur dans le but d’atténuer le brui de fonctionnement dudit au moins un moteur lève-vitre.
est une représentation schématique d’un dendrogramme obtenu par une méthode de regroupement utilisée dans un procédé selon la présente divulgation ;
est un exemple représentation d’un spectre de masse individuel d’un ion précurseur d’un échantillon ionisé, ledit spectre de masse individuel étant obtenu selon un procédé selon la présente divulgation;
est un exemple représentation d’un autre spectre de masse individuel d’un autre ion précurseur de échantillon ionisé, ledit spectre de masse individuel étant obtenu selon un procédé selon la présente divulgation;
est une représentation schématique d’une carte en deux dimensions obtenue par une méthode de regroupement utilisée dans un procédé selon la présente divulgation ;
est une représentation schématique de la carte en deux dimensions obtenue de la sur lequel a été appliqué un autre algorithme de regroupement.
Il va être décrit à l’aide de la et de la un dispositif 100 de reconstruction d’un spectre de masse d’un ion individuel présent dans un échantillon selon la présente divulgation.
Le dispositif illustré en comprend un module de mesure 110 configuré pour déterminer au moins un spectre de masse 2, de préférence une pluralité de spectres de masse.
A cet effet, le module de mesure 110 comprend un dispositif de spectrométrie de masse 10 comme illustré en . Le dispositif de spectroscopie de masse 10 peut comprendre un dispositif spectromètre de masse à un seul étage (par opposition à un spectromètre de masse tandem).
Dans l’exemple illustré en , le dispositif de spectroscopie de masse 10 est un dispositif à un seul étage. Il comprend une source d’ionisation 11 pour former des ions à partir de l’échantillon 1 à analyser et un moyen d’activation 12 configuré pour fragmenter les ions. Dans la présente divulgation, la composition chimique de l’échantillon est inconnue. De ce fait, elle comprend un mélange comprenant un ou plusieurs ions en suspension dans une solution. En d’autres termes, l’échantillon peut comprendre différentes espèces moléculaires.
Dans la présente divulgation, l’échantillon 1 est par exemple une solution contenant des molécules. Cet échantillon 1 est ensuite placé en phase gazeuse et est ensuite ionisé par la source d’ionisation 11.
La source d’ionisation 11 comprendre au moins une des sources d’ionisation suivantes, à savoir : une source d’ionisation par impact électronique, une source électro-nébulisation, une source d’ionisation chimique, une source de photo-ionisation, une source d’ionisation laser, une source de désorption ionisation induite par laser assistée par matrice (connue sous l’acronyme de source MALDI), une source de désorption ionisation aidée par surface (SELDI), une source MALDI à pression atmosphérique, une source d’évaporation ionisation rapide assistée par matrice, tout autre procédé mettant en jeu une matrice ou une surface, tout procédé mettant en jeu un laser, une source de désorption ionisation à plasma, une source d’ionisation chimique à pression atmosphérique ou une source de photoionisation à pression atmosphérique, une source d’ionisation à pression atmosphérique.
Dans un mode préféré de l’invention, la source d’ionisation 11 comprend une source d’électronébulisation. Ces ions sont ensuite activés par le moyen d’activation 12 configuré pour fragmenter les ions ionisés en phase gazeuse dans une étape d’activation en source (in-source CID). Tous les ions sont activés simultanément et peuvent produire des fragments chargés électriquement ou ions fragments, aussi appelés fragments dans la suite de la présente divulgation.
Dans ces différentes variantes, le moyen d’activation 12 comprend au moins un des moyens suivants: activation par collision, activation par absorption d’un rayonnement électromagnétique, activation thermique, etc.
Dans un autre mode de réalisation, le dispositif de spectrométrie de masse 10 est dépourvu de moyen d’activation 12. Dans ce cas, la source d’ionisation peut aussi être configurée pour fragmenter les ions de l’échantillion. En d’autres termes, ce type de source d’ionisation 11 fournit suffisamment d’énergie lors de l’ionisation pour produire des fragments. En pratique, une telle source d’ionisation 11 comprend par exemple une source d’ionisation 11 par impact électronique ou une source d’ionisation 11 utilisant la technologie de désorption laser (LDI).
Dans un autre mode de réalisation (non illustré), le dispositif de spectrométrie de masse 10 comprend un premier filtre de masse permettant de sélectionner une gamme de rapport m/z d’intérêt, un moyen d’activation 12 et un second filtre de masse permettant l’analyse de produits de fragmentation issus de l’activation. Dans ce mode de réalisation, un ou plusieurs précurseurs sont sélectionnés et activés simultanément. Ces ions vont chacun produire un ou plusieurs ions fragments. Le spectre de masse tandem enregistré comprend donc l’ensemble des fragments générés et éventuellement les ions précurseurs. Un tel dispositif de spectroscopie de masse est aussi appelé dispositif de spectrométrie de masse à deux étages.
Les ions obtenus en sortie du moyen d’activation 12 sont appelés échantillons ionisés. Ils comprennent, notamment au moins un ion, dit ion précurseur.
Cependant, le fait d’enrouler un câble sur lui-même dans un enrouleur entraîne un effet similaire à ce qui se passe dans une bobine, le câble s’échauffant alors naturellement. Des commutateurs de température, ou disjoncteurs thermiques, sont installés pour couper le courant lorsque la température excède un seuil, par exemple fixé à 65°C. Toutefois, il n’est pas toujours aisé de réenclencher le disjoncteur, notamment si celui-ci est fixé en hauteur et/ou dans une station de self-service sans personnel.
De plus, la puissance de recharge, si le câble n’est pas entièrement déroulé, est inférieure à celle annoncée. Cela entraîne alors une durée de recharge plus longue.
En outre, la force rencontrée s’accentue au fur et à mesure que le câble est distribué. Ainsi, il est particulièrement difficile physiquement de dérouler entièrement le câble.
De plus, ces enrouleurs sont fragiles car ils sont équipés d’un ressort.
Le but de l’invention est alors de proposer un dispositif de déploiement d’un câble électrique permettant une recharge rapide, facile pour l’utilisateur et en toute sécurité, d’un véhicule électrique ou hybride rechargeable.
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif de déploiement du type précité, dans lequel le dispositif de déploiement comprend un deuxième ensemble de poulie comprenant au moins une deuxième poulie, le câble électrique faisant alternativement le tour de la ou d’une des premières poulies et de la ou d’une des deuxièmes poulies, le premier ensemble de poulie et le deuxième ensemble de poulie étant espacés selon un axe longitudinal, le premier ensemble de poulie et le deuxième ensemble de poulie étant mobiles en translation l’un par rapport à l’autre selon l’axe longitudinal.
L’enroulement du câble autour des deux ensembles de poulie, qui sont espacés l’un de l’autre, évite l’effet de bobine. Cela permet donc une recharge plus rapide et en toute sécurité.
Suivant d’autres aspects avantageux de l’invention, le dispositif de déploiement comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles :
- le dispositif de déploiement comprend un boîtier, le premier ensemble de poulie étant fixe par rapport au boîtier, le deuxième ensemble de poulie étant mobile en translation par rapport au boîtier selon l’axe longitudinal ;
- le dispositif de déploiement comprend au moins un rail de guidage s’étendant parallèlement à l’axe longitudinal, l’ensemble des premières poulies et/ou l’ensemble des deuxièmes poulies étant montés sur un chariot ou un chariot respectif monté mobile en translation sur l’au moins un rail de guidage ;
- le premier ensemble de poulie comprend une pluralité de premières poulies, le deuxième ensemble de poulie comprenant une pluralité de deuxièmes poulies, le nombre de deuxièmes poulies étant préférentiellement égal au nombre de premières poulies, ou égal au nombre de premières poulies moins un ou plus un, le câble électrique faisant le tour de chacune des premières poulies et des deuxièmes poulies une unique fois ;
- les premières poulies présentent un premier axe de rotation commun, les deuxièmes poulies présentant un deuxième axe de rotation commun ;
- chaque première et deuxième poulie présente une gorge prévue pour recevoir un passage du câble électrique, le câble électrique passant une unique fois dans chaque gorge ;
- le dispositif de déploiement comprend un élément de rappel, l’élément de rappel exerçant une force écartant le premier ensemble de poulie et le deuxième ensemble de poulie l’un de l’autre selon l’axe longitudinal ;
- l’élément de rappel comprend un vérin comprenant un cylindre et une tige, le cylindre comprenant un fluide, la tige étant adaptée pour glisser de manière étanche dans le cylindre, l’un du cylindre ou de la tige étant fixe par rapport au premier ensemble de poulie, l’autre du cylindre ou de la tige étant fixe par rapport au deuxième ensemble de poulie, le vérin étant agencé pour se comprimer lorsque le premier ensemble de poulie et le deuxième ensemble de poulie se rapprochent selon l’axe longitudinal ;
- le dispositif de déploiement comprend un boîtier dans lequel est agencé le premier ensemble de poulie et le deuxième ensemble de poulie, le boîtier présentant une ouverture d’entrée pour le passage du câble électrique et une ouverture de sortie pour le passage du câble électrique, le dispositif de déploiement comprenant un système de fixation du câble électrique au boîtier au niveau de l’ouverture d’entrée et/ou le câble électrique présentant un élément de butée à l’extérieur du boîtier, l’élément de butée étant apte à venir en butée en cas d’un écartement donné dit maximal entre le premier ensemble de poulie et le deuxième ensemble de poulie ; et/ou
La platine 42 comprend un élément de saille 611 muni d’un trou d’ancrage 612 permettant la fixation du dispositif d’ancrage 6 à l’encontre de la surface d’une structure de support sur laquelle l’utilisateur doit se déplacer en sécurité. L’élément en saillie 611 est orienté de manière perpendiculaire à la matrice 62 et au câble 21 traversant la matrice 62.
Les éléments de fixations 63 sont disposés le long de la matrice 62 et de part et d’autre de la gorge 621 de guidage traversante permettant de maintenir sous tension un câble 21, servant ainsi à soutenir tout utilisateur qui pourrait tomber en traversant le chemin associé.
Afin de permettre au crochet d’engagement 3 de passer au travers du dispositif d’ancrage 6, l’épaisseur de l’élément de saille 611 est inférieure à la première dimension 38 du crochet d’engagement 3 et l’épaisseur de la matrice 62 montée sur la platine 61 est supérieure à ladite première dimension 38, de sorte de créer une butée afin de prévenir de tout décrochage involontaire.
De plus, l’épaisseur de la matrice 62 montée sur la platine 61 est inférieure à la deuxième dimension 37 du crochet d’engagement 3 afin que ledit crochet puisse coulisser le long du dispositif d’ancrage 6.
Ainsi, pour passer le dispositif d’ancrage 6, l’utilisateur positionne l’espace d’emboitement 36 au niveau de l’élément en saillie 611 et la première cavité 32 au niveau de la matrice 62 et fait glisser le crochet d’engagement 3 jusqu’à ce qu’il franchisse la matrice 62 du dispositif d’ancrage 6.
Afin de connecter différents systèmes de câbles 2, le système d’assurage 1 comprend un dispositif de jonction 5.