INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le circuit de refroidissement comporte une première boucle 100 destinée au refroidissement d’au moins une pile à combustible FC 110. La première boucle 100 comporte au moins une pompe P1 130 afin d’assurer une circulation du liquide de refroidissement dans la première boucle 100. Dans un mode de réalisation particulier, ladite au moins une pompe P1 130 est présente en aval de ladite au moins une pile à combustible FC 110 comparativement au sens de circulation du liquide de refroidissement dans la première boucle 100. Par exemple, le système de refroidissement comporte une pompe P1 130 par pile à combustible FC 110. Par exemple, ladite au moins une pompe P1 130 assure la circulation de liquide de refroidissement dans la première boucle 100 à un débit massique de 30 kg.s -1 .
La première boucle 100 comporte en outre un échangeur de chaleur à air dynamique primaire (« primary ram air heat exchanger » en anglais) PHX 120.
En parallèle de l’échangeur de chaleur à air dynamique primaire PHX 120, la première boucle comprend une branche de recirculation 101, à savoir une canalisation entre la sortie de ladite au moins une pompe P1 130 et l’entrée de ladite au moins une pile à combustible FC 110.
La sortie de ladite au moins une pompe P1 130 est reliée à l’entrée de l’échangeur de chaleur à air dynamique primaire PHX 120 et l’alimentation en liquide de refroidissement de l’échangeur de chaleur à air dynamique primaire PHX 120 est contrôlée en débit par un contrôleur CTRL 300, typiquement grâce à une vanne V1 140.
Le contrôleur CTRL 300 contrôle aussi le débit dans la branche de recirculation 101, typiquement grâce à une autre vanne V2 141.
Une composition selon l’invention s'avère ainsi tout particulièrement efficace pour traiter les états de sécheresse cutanée, pour traiter les peaux sèches, pour traiter les démangeaisons et/ou tiraillements associés aux peaux sèches, pour restaurer physiologiquement un état d'hydratation convenable au stratum corneum , pour traiter les peaux sèches hypo-séborrhéiques, pour améliorer le confort des peaux sèches, ou encore pour lutter contre l'aspect terne et/ou atone de la peau conséquence de son dessèchement.
Comme indiqué précédemment, une composition selon l’invention comprend (i) de l’acide indole-3-lactique (ILA) et/ou l’un de ses sels ; (ii) de l’indole-3-carboxaldehyde (IAld) et/ou l’un de ses sels et (iii) de l’acide indole-3-acetique (IAA) et/ou l’un de ses sels.
Comme exemples de sels d’acide, on peut citer les sels sulfate, citrate, acétate, oxalate, chlorure, bromure, iodure, nitrate, bisulfate, phosphate, isonicotinate, lactate, salicylate, tartrate, tannate, pantothenate, bitartrate, ascorbate, succinate, maléate, gentisinate, fumarate, gluconate, glucuronate, saccharate, formate, benzoate, glutamate, méthanesulfonate, éthanesulfonate, benzènesulfonate, p-toluènesulfonate, aspartate et glutamate.
Comme exemples de sels de base, on peut citer les hydroxydes de métal alcalin comme sodium, potassium et lithium ; les hydroxydes de métal alcalino-terreux comme calcium et magnésium ; les hydroxydes d’autres métaux, comme aluminium et zinc ; l’ammoniaque et les amines organiques telles que les mono-, di- ou tri-alkylamines non substituées ou hydroxy-substituées ; les dicyclohexylamines ; les tributyl amines ; la pyridine ; la N-methyl-N-ethylamine ; la diéthylamine ; la triéthylamine ; les mono-, bis- ou tris-(2-hydroxy-alkylamines) telles que mono-, bis- ou tris-(2-hydroxyéthyl)amine, 2-hydroxy-tert-butylamine, tris-(hydroxymethyl)méthylamine ; les N,N-di-alkyl-N-(hydroxyalkyl)-amines, telles que N,N-dimethyl-N-(2-hydroxyethyl)amine ; N-methyl-D-glucamine ; et les acides aminés tels que arginine et lysine.
Selon une variante, dans la composition selon l’invention, l’acide indole-3-acetique est sous forme de sel de base, de préférence sous forme de sel de base inorganique, plus préférentiellement sous forme de sel de métal alcalin comme sodium, potassium et lithium, encore plus préférentiellement sous forme de sel de sodium.
Selon une variante, dans la composition selon l’invention, l’indole-3-carboxaldehyde est présent sous forme non salifiée.
Selon une variante, dans la composition selon l’invention, l’acide indole-3-lactique est présent sous forme non salifiée ou sous forme de sel de base, de préférence sous forme de sel de base inorganique, plus préférentiellement sous forme de sel de métal alcalin comme sodium, potassium et lithium, encore plus préférentiellement sous forme de sel de sodium ; de préférence l’acide indole-3-lactique est présent sous forme non salifiée.
Une composition selon l’invention comprend de préférence (i) de l’acide indole-3-lactique (ILA) ou l’un de ses sels ; (ii) de l’indole-3-carboxaldehyde (IAld) ou l’un de ses sels et (iii) de l’acide indole-3-acetique (IAA) ou l’un de ses sels.
L’acide indole-3-lactique (ILA) d’une composition selon l’invention est de formule (I) suivante :
Une composition selon l’invention peut comprendre une teneur en acide indole-3-lactique, et/ou en l’un de ses sels, d’au moins 0,00001% en poids par rapport au poids total de la composition , et en particulier d’au moins 0,0001% en poids par rapport au poids total de la composition.
Une composition selon l’invention peut comprendre une teneur en acide indole-3-lactique, et/ou en l’un de ses sels, d’au moins 0,001% en poids par rapport au poids total de la composition, et en particulier d’au moins 0,005% en poids par rapport au poids total de la composition.
La région 44 est entourée latéralement par une région 46 isolante. La région 46 recouvre ainsi, par exemple entièrement, les faces latérales de la région d'émetteur 44. La région 46 recouvre par exemple aussi une partie inférieure de la région 44. La face inférieure de l'émetteur est entièrement recouverte par la région 46 et une région isolante 48, à l'exception d'une portion de la face inférieure de la région 44 en contact avec la partie 40a. Ladite portion de la face inférieure est par exemple entourée par la région 50, ayant par exemple un profil en forme de L. La région 46 entoure par exemple la région 48. Autrement dit, la région 48 comprend par exemple une partie horizontale recouvrant une partie périphérique de la face supérieure de la partie 40a et une partie verticale s'étendant depuis la face supérieure de la partie 40a. la paroi latérale de la partie verticale est par exemple au moins partiellement en contact avec une face latérale de la région 46.
Le transistor 12 comprend en outre des métallisations 51, 52, 54 reposant respectivement sur des portions du collecteur, de la base et de l'émetteur. Les métallisations 51, 52, 54 sont plus précisément situées respectivement sur la face supérieure la portion 32b, sur la face supérieure d'une portion de la portion 40b et sur la face supérieure de l'émetteur 44. Les métallisations 51 sont séparées de la région 38 et de la portion 40b par des espaceurs 51'. Similairement, les métallisations 52 sont séparées de la région 56 par des espaceurs 52'.
Le dispositif 10 comprend en outre une couche isolante 56 recouvrant par exemple le transistor 12. La couche 56 a une épaisseur supérieure à la distance entre la face supérieure du substrat 16 et la face supérieure de la métallisation 54. Le transistor 12 est ainsi entièrement recouvert par la couche 56.
Le dispositif 10 comprend des contacts conducteurs 58, 60, 62 traversant la couche 56 de manière à atteindre, respectivement, les métallisations 51, 52, 54.
La diminution des dimensions de la région d'émetteur 44 permet la diminution de la résistance de base extrinsèque. On souhaite cependant diminuer la résistance de base extrinsèque, sans modifier la fréquence de fonctionnement du transistor.
La représente un mode de réalisation d'un dispositif 64 comprenant un transistor bipolaire 66.
Le dispositif 64 et le transistor 66 comprennent les éléments décrits précédemment en relation avec la . Ainsi, le transistor 66 comprend les régions 30, 32, 34 de collecteur, la région 40 de base et la région 44 d'émetteur. Le transistor 66 comprend par exemple la région semiconductrice 36 et les régions isolantes 38, 46 et 48. Le transistor 66 comprend les espaceurs 51', 52' et les métallisations 51, 52 et 54. Le dispositif 64 comprend les murs 18 et la couche 56. Le dispositif 64 comprend en outre les contacts 58 et 60 tels que décrits précédemment.
De manière plus générale, le transistor 66 peut avoir des caractéristiques différentes de celles du transistor décrit en relation avec la .
De manière générale, un transistor bipolaire usuel comprend une région de collecteur, correspondant aux régions 30, 32, 34 en , situé par exemple dans un substrat semiconducteur, correspondant au substrat 16. La région de collecteur comprend de préférence des portions, correspondant aux régions 32b de la , affleurant la face supérieure du substrat.
Le transistor bipolaire comprend en outre une région de base, correspondant à la région 40 en , située sur la région de collecteur. De préférence, la région de base a des dimensions horizontales inférieures aux dimensions horizontales de la région de collecteur. Ainsi, une partie de la région de collecteur, correspondant à la portion 32b de la , affleurant la face supérieure du substrat n'est de préférence pas recouverte par la région de base.
Similairement, le transistor comprend une région d'émetteur, correspondant à la région 44 de la , située sur la région de base. De préférence, la région d'émetteur a des dimensions horizontales inférieures aux dimensions horizontales de la région de base. Ainsi, une partie de la région de base, correspondant à la portion 40b2 de la , n'est de préférence pas recouverte par région d'émetteur.
Le transistor bipolaire comprend par exemple des métallisations, correspondant aux métallisation 51, 52 de la , sur les parties des régions de collecteur et de base non recouvertes par, respectivement, les régions de base et d'émetteur. Le transistor bipolaire comprend par exemple des vias, ou contacts, atteignant lesdites métallisations.
Lesdites métallisations sont de préférence séparées des régions de base ou d'émetteur par des espaceurs en des matériaux isolants électriquement.
Selon un mode de réalisation, le dispositif 64 diffère du dispositif 10 de la , et d'un transistor bipolaire usuel, en ce que le transistor 66 comprend des espaceurs 68 et 70. Les espaceurs 68 sont situés sur les espaceurs 51' et sur les métallisations 51. De préférence, les espaceurs 51' sont entièrement recouverts par les espaceurs 68. Les contacts 58 traversent, en plus de la couche 56, les espaceurs 68 de manière à atteindre les métallisations 51. Les espaceurs 70 sont situés sur les espaceurs 52' et sur les métallisations 52. De préférence, les espaceurs 52' sont entièrement recouverts par les espaceurs 70. Les contacts 60 peuvent traverser, en plus de la couche 56, les espaceurs 70 de manière à atteindre les métallisations 52.
Le dispositif 64 diffère du dispositif 10 de la en outre en ce que le dispositif 64 ne comprend pas de contact 62 mais comprend un élément de connexion, ou contact, 72. Les dimensions de l'élément de connexion 72, en particulier les dimensions horizontales, sont telles que la face supérieure de la métallisation 54 est entièrement en contact avec l'élément 72. Autrement dit, les dimensions horizontales de l'élément 72 sont supérieures aux dimensions horizontales de la métallisation 54. De préférence, les dimensions horizontales de l'élément de connexion 72 sont telles que la face inférieure de l'élément 72 est en contact avec au moins une partie de la face supérieure de la couche 46, de préférence toute la face supérieure de la couche 46. Autrement dit, la distance entre chaque paroi et la paroi opposée de l'élément de connexion 72 est supérieure à la distance entre les parois opposées de la métallisation 54 dans la même direction. Les dimensions horizontales de l'élément de connexion 72 sont telles que la face inférieure de l'élément 72 est en contact avec une partie supérieure des parois latérales de l'élément 46. Ainsi, une partie de la hauteur de la métallisation 54 est par exemple entourée par l'élément de connexion.
Les informations de programme Ip peuvent être obtenues par le boîtier décodeur 1 depuis une source de données externe 21 (visible sur la ). Le boîtier décodeur 1 obtient ces informations de programme par un moyen adapté 22 (liaison IP, DSL, câble, satellite, etc.).
Les informations de programme Ip couvrent à minima les informations relatives au programme en cours de visualisation (premier programme courant), mais peuvent également couvrir l’ensembles des programmes disponibles, immédiatement ou dans un futur proche (par exemple dans les 7 ou 14 prochains jours).
Les informations de programme peuvent être envoyées au boîtier décodeur 1 sous forme d’EIT ( Event Information Table ), comme défini dans la norme ETSI TS 101 211 (DVB), ou sous tout autre forme appropriée.
Les informations de programme peuvent aussi être contenues dans le fichier manifest (e.g. dans le cas d’une diffusion DASH ou HLS).
La source externe 21 comprend par exemple un serveur de l’opérateur télécom (dans le cas d’une diffusion par IP), ou bien un serveur du diffuseur, ou encore le serveur d’un tiers fournissant des metadonnées supplémentaires liées aux programmes. Le serveur peut éventuellement être interrogé à la demande par le boîtier décodeur 1.
La base de données programmes 20 peut être stockée localement dans le boîtier décodeur 1 (par exemple via un téléchargement périodique, et par exemple dans l’une des mémoires 11), ou être située sur un serveur distant.
Si la base de données programmes 20 ne contient pas de premières informations de programme Ip1 associées au premier programme courant, l’unité de traitement 9 pourra optionnellement les remplacer par les informations de genre/sous-genre de la chaine comprenant le programme.
L’unité de traitement 9 accède alors à une deuxième base de données 23, appelée ici « base de paramètres lumineux ». La base de paramètres lumineux 23 comprend des valeurs de référence Vref de paramètres lumineux associées à des métadonnées de programme.
Les métadonnées de programme comprennent ici : des premiers identifiants, qui identifient chacun un programme particulier ; des deuxièmes identifiants, qui identifient chacun un genre ou un sous-genre de programme ; des troisièmes identifiants, qui identifient chacun une chaîne diffusant des programmes.
L’unité de traitement 9 tente de déterminer les premières valeurs courantes Vc1 des paramètres lumineux qui correspondent le mieux au premier programme courant, en utilisant les premières informations de programmes Ip1 issues de la base de données de programmes 20 et associées au premier programme courant. L’unité de traitement 9 récupère les premières valeurs courantes des paramètres lumineux : étape E11.
Une fois que l’unité de traitement 9 a récupéré les premières valeurs courantes des paramètres lumineux, le procédé repasse à l’étape E6 (de la ).
On s’intéresse maintenant à la base de paramètres lumineux 23.
Dans un premier mode de réalisation, la base de paramètres lumineux 23 comprend des premières valeurs de référence Vref1 des paramètres lumineux associées à des premières métadonnées de programme, lesdites premières valeurs de référence étant définies par l’utilisateur.
L’ajustement des paramètres lumineux correspond donc à un apprentissage basé sur les actions utilisateur : la base 23, qui peut être locale (et donc stockée dans le boîtier décodeur 1, et par exemple dans l’une des mémoires 11) ou distante, est alimentée par les actions utilisateur.
On décrit, toujours en référence à la , la manière dont est alimentée la base 23.
Lorsque l’utilisateur visualise un deuxième programme courant Pc2, qui est donc en cours de diffusion, de nouveaux paramètres lumineux sont appliqués (par exemple au démarrage du deuxième programme courant) : étape E6’. Cette étape E6’ est ici optionnelle. On appelle cette étape E6’ et non E7 : l’étape E7 est en effet requise dans la mise en œuvre du procédé de gestion représenté sur la , alors que l’étape E6’ n’est qu’optionnelle dans la mise en œuvre de la méthode de la . Dans le cas de la , lorsque l’utilisateur visualise le deuxième programme courant, il n’est en effet pas nécessaire que de nouveaux paramètres aient été appliqués au début de la diffusion pour que l’utilisateur ajuste lui-même les paramètres lumineux.
Les figures 1 à 6 illustrent schématiquement en coupe transverse des étapes de fabrication d’une grille latérale d’un dispositif semi-conducteur, selon un mode de réalisation.
Comme illustré à la , un dépôt de masque dur 13, par exemple à base d’alumine est d’abord effectué sur un substrat de type SOI comprenant en empilement selon z une couche de support 10, typiquement un substrat massif de silicium dit « bulk », une couche isolante 11, typiquement une couche d’oxyde enterrée dite « BOX », et une couche semi-conductrice 12, par exemple une couche de silicium dite topSi. La couche isolante 11 présente typiquement une épaisseur e11 de l’ordre de 200 nm à 300 nm. La couche topSi 12 présente typiquement une épaisseur e12 de l’ordre de 5 nm à 20 nm.
Comme illustré à la , après définition par lithographie d’un motif comprenant la zone active 12A du dispositif, une gravure sèche anisotrope selon z est effectuée. La profondeur de gravure dp est choisie de façon à former des tranchées 20 s’étendant jusque dans la couche isolante 11, à travers la couche 12 de l’empilement. La profondeur de gravure dp est par exemple de l’ordre de 100 nm. Une gravure ionique réactive (RIE) ou une gravure plasma à base d’espèces fluorocarbonées peut être utilisée pour graver successivement les couches 12 et 11 de l’empilement. Une ou des tranchées 20 présentant des flancs 200 et un ou des fonds 201 sont ainsi formées. Les tranchées 20 exposent les bords 120 de la couche semi-conductrice 12. Une oxydation thermique est effectuée de manière à former une première barrière diélectrique sur chaque bord 120 exposé de la zone active 12A.
Comme illustré à la , un dépôt conforme d’une couche d’électrode 14 est d’abord effectué, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur CVD. La couche 14 présente typiquement une épaisseur e14 de l’ordre de 10 nm à 20 nm. La couche 14 présente à ce stade des portions basales 14b sur le fond des tranchées 20, des portions latérales 14l sur le flanc des tranchées 20, et une portion sommitale 14t sur le masque dur 13. La couche d’électrode 14 est de préférence à base d’un matériau métallique, par exemple Ti. Après dépôt conforme de la couche d’électrode 14, un remplissage des tranchées 20 par un matériau diélectrique 15 est ensuite effectué. Le matériau diélectrique 15 est typiquement à base de SiO2. Le remplissage peut être effectué de façon usuelle par dépôt conforme de type plasma à haute densité HDP (High Density Plasma) ou de type dépôt chimique en phase vapeur CVD.
Comme illustré à la , après remplissage, une étape de planarisation, typiquement par polissage mécano-chimique CMP, est effectuée. Cette étape de planarisation vise à retirer le matériau diélectrique 15 en excès et la portion sommitale 14t. Le polissage CMP est typiquement configuré pour s’arrêter dans la couche 13 de masque dur. Les extrémités 140 des portions latérales 14l sont ainsi formées. Les portions latérales 14l de la couche d’électrode forment une grille latérale autour de la zone active 12A du dispositif.
Comme illustré à la , selon une possibilité préférée, après planarisation, une gravure sélective du matériau de la couche d’électrode vis-à-vis de la couche 13 et du matériau diélectrique 15 est effectuée, par exemple en chimie humide de type « hot SPM » (Sulfuric Peroxide Mixture). Une gravure sèche par plasma à base de chlore (BCL3+CL2) ou de fluor (SF6+CHF3) est également possible, avec de bons résultats de sélectivité entre le matériau de la couche d’électrode et le matériau diélectrique et celui de la couche 13. Cela permet d’abaisser les extrémités 140 des portions latérales 14l sous la face de planarisation. Un retrait R, typiquement dénommé « recess », est ainsi formé. En particulier, la gravure est configurée pour abaisser les extrémités 140 sous un plan P0 correspondant à la face supérieure de la zone active 12A. Cela permet d’éloigner les extrémités 140 des éléments formés ultérieurement sur la face supérieure de la zone active 12A, en particulier de la grille verticale formée ultérieurement sur la face supérieure de la zone active 12A. Les capacités parasites entre la grille latérale et la grille verticale sont ainsi diminuées ou supprimées. Selon un exemple, après recess R les extrémités 140 se trouvent sensiblement dans un plan P1 parallèle au plan P0 et distant du plan P0 d’une distance d comprise entre 2 nm et 10 nm, par exemple de l’ordre de 5 nm. Après formation du recess R, une deuxième barrière diélectrique 16, par exemple à base d’alumine, est formée sur les extrémités 140 et à la surface de la zone active 12A.
Selon une autre possibilité non illustrée, la deuxième barrière diélectrique 16 est formée directement sur la structure illustrée à la , sans formation préalable de recess R. La deuxième barrière diélectrique 16 est dans ce cas plus épaisse au-dessus de la zone active 12A.
Comme illustré à la , une ou plusieurs grilles verticales sont ensuite formées, comprenant par exemple, la deuxième barrière diélectrique 16 et/ou une couche dite « high k » à haute constante diélectrique, une couche 30 conductrice, par exemple en silicium polycristallin (polySi) ou en métal (TiN). Le motif de grille verticale couvre au moins en partie la zone active 12A. Il peut comprendre une première partie 30a et une deuxième partie 30b non reliées électriquement entre elles, comme illustré à la . Ce type d’architecture est typiquement mis en œuvre pour le contrôle et la détection de qubits dans des dispositifs quantiques. La ou les grilles verticales peuvent être des grilles « factices » ou sacrificielles.
De façon classique, après formation du ou des motifs de grille verticale, un dépôt conforme d’une couche 17 d’arrêt de gravure de contact CESL (Contact Etch Stop Layer), par exemple en SiN, peut être effectué. Ce dépôt peut se faire selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD. Un dépôt de matériau 18 diélectrique, par exemple à base de SiO2, est ensuite effectué. Ce dépôt peut se faire selon un procédé connu de dépôt HDP ou à partir de précurseurs de type TEOS (orthosilicate de tétraéthyle). La couche 18 est ensuite planarisée par CMP. Des ouvertures de vias sont ensuite pratiquées au travers des couches 18, 17, 15 par gravures sèches successives, à l’aplomb des grilles verticales et des portions 14l de la couche d’électrode. Des vias de contact 50 sont ainsi formés de façon connue pour contacter électriquement les grilles verticales 30a, 30b. Des vias de contact 40 sont ainsi formés de façon connue pour contacter électriquement les grilles latérales 14l. Les grilles latérales 14l peuvent ainsi être polarisées indépendamment des grilles verticales 30a, 30b. Cela permet de positionner plus précisément la distribution de porteurs de charge au sein de la zone active 12A.
Selon un mode de réalisation illustré plus en détail dans la suite, deux grilles latérales G1, G2 indépendantes l’une de l’autre sont formées de part et d’autre de la zone active 12A. Cela permet de polariser indépendamment ces deux grilles latérales G1, G2. Cela augmente les possibilités de contrôle et de positionnement de la distribution de porteurs de charge au sein de la zone active 12A. Selon une possibilité, les grilles latérales G1, G2 permettent avantageusement d’assister un échange de qubit entre les deux parties 30a, 30b de grilles verticales.
Les figures 7A, 7B illustrent un motif M en forme de huit permettant de réaliser deux grilles latérales G1, G2 indépendantes l’une de l’autre. Ce motif M est formé par lithographie et gravure de la couche semi-conductrice 12 après dépôt du masque dur 13, lors de la formation des tranchées 21, 22. Le motif M comprend typiquement deux contours C1, C2 fermés délimitant deux tranchées 21, 22 sans communication entre elles. La zone active 12A se situe typiquement au niveau de la barre centrale C0 du huit illustré sur les figures.