INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans une première étape de préparation représentée sur la , on prépare le substrat support 1. La fabrication de la couche de piégeage 2 sur le substrat de base 3, lorsqu’elle est en silicium polycristallin ou formé d’un oxyde riche en silicium, peut être réalisée avec des équipements de dépôt standards dans l’industrie. Il peut ainsi s’agir d’un dépôt du type RPCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Remote Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma déporté) ou encore du type PECVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Il peut également s’agir d’un dépôt LPCVD (acronyme de l’expression anglo-saxonne « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » ou dépôt chimique en phase vapeur à pression sous atmosphérique). Mais, comme on l’a vu précédemment, la formation de la couche de piégeage sur ou dans le substrat de base 3 peut être réalisée par bien d’autres manières, par exemple par implantation d’espèces lourdes ou par porosification d’une couche superficielle du substrat de base 3.
Optionnellement, on peut avoir prévu au cours de cette étape de préparation la formation d’une fine couche diélectrique sur le substrat de base 3, par exemple par oxydation ou dépôt d’une épaisseur d’oxyde, avant d’y former la couche de piégeage 2.
Dans une seconde étape du procédé de préparation représentée sur la , on forme la couche diélectrique 4 présentant une épaisseur supérieure à 200 nm. D’une manière très générale, il existe de nombreuses possibilités pour former cette couche diélectrique 4 pour qu’elle soit au final enterrée dans le substrat S. Elle peut être formée du côté du substrat support 1 par dépôt ou par traitement (oxydation par exemple) de la couche de piégeage 2. Elle peut également être formée du côté d’un substrat dit « donneur » qui fournit la couche supérieure 5. Selon la présente invention, et pour des raisons qui seront rendues apparentes dans la suite de cette description, la couche diélectrique 4 est par réalisée sur la couche de piégeage 3, par dépôt chimique en phase vapeur à haute densité de plasma (« High Density Plasma Chemical Vapor Deposition » selon l’expression anglo-saxonne). Cette technique met simultanément en œuvre le dépôt et la pulvérisation ionique (« sputtering » selon l’expression anglo-saxonne employée dans le métier) de cette couche diélectrique 4. Elle présente notamment l’avantage de fournir une couche épaisse et peu rugueuse, si bien que son étape de formation peut être dépourvue de tout traitement de lissage tel qu’un polissage. A l’issue de cette étape de formation de la couche diélectrique, on dispose du substrat support 1. Ce substrat support peut présenter une courbure importante, parfois supérieure à 60 micromètres lorsque le substrat support 1 est de forme circulaire et de diamètre de 300 mm.
On note que le procédé de préparation du substrat support 1 peut également incorporer une étape de recuit de la couche diélectrique 4. Ce recuit, dit de densification, est avantageusement mené dans une atmosphère neutre. Il est réalisé à une température excédant la température de dépôt de la couche diélectrique 4, et de préférence inférieure à 1000°C, pendant une durée relativement courte inférieure à 1h, comme par exemple 30 minutes.
Poursuivant la description du procédé de fabrication du substrat final S, celui-ci comprend, dans une troisième étape qui succède à la deuxième étape, le report de la couche supérieure 5 comprenant un matériau semiconducteur sur la couche diélectrique 4. Comme cela est bien connu en soi, ce report peut être réalisé en assemblant une face libre d'un substrat donneur 1’ au substrat support 1, préférentiellement par adhésion moléculaire. La couche diélectrique 4 ayant été préalablement formé sur le substrat support 1, il n’est pas nécessaire que le substrat donneur 1’ soit lui-même muni d’une telle couche diélectrique. On peut néanmoins prévoir que ce substrat donneur soit muni d’une fine épaisseur de diélectrique (par exemple inférieure à 150nm). De préférence toutefois, le substrat donneur est dépourvu de toute couche superficielle diélectrique intentionnellement formée. La nature du substrat donneur 1’ est choisie selon la nature désirée de la couche supérieure 5, comme celle-ci a déjà été décrite dans une section antérieure de cet exposé. Il peut donc s’agir d’un substrat formé d’un semi-conducteur monocristallin, par exemple de silicium.
Après cette étape d'assemblage, le substrat donneur est réduit en épaisseur pour former la couche supérieure 5, comme cela est représenté sur la . Cette étape de réduction peut être réalisée par amincissement mécanique et/ou chimique. De préférence toutefois, la réduction d’épaisseur du substrat donneur 1’ est réalisée par fracture au niveau d’un plan de fragilisation préalablement introduit, par exemple selon les principes de la technologie Smart Cut TM . Conformément aux principes de cette technologie, le report de la couche supérieure 5 comprend une étape d’implantation d’espèces dites « légères », par exemple des ions d’hydrogène et/ou d’hélium, dans le substrat donneur 1’ pour y former un plan fragile. Ce plan fragile définit, avec la surface libre du substrat donneur, la couche supérieure 5 qui sera reportée. Après assemblage du substrat donneur 1’ avec le substrat support 1, on fracture du substrat donneur au niveau du plan fragile, par application d’effort d’origine mécanique ou thermique.
Après cette étape d’amincissement ou, préférentiellement, de fracture, des étapes de finition de la couche mince 5, telle qu’un traitement thermique sous atmosphère réductrice ou neutre, une oxydation sacrificielle peuvent être enchaînées à l’étape de réduction d'épaisseur.
De manière très surprenante, la demanderesse a découvert qu’il était possible d’obtenir à la fois une courbure réduite et un état de surface satisfaisant lorsque la couche diélectrique 4 est formée par dépôt chimique en phase vapeur à haute densité de plasma et lorsque l’étape de finition comprend un recuit conduit dans une atmosphère neutre ou réductrice à une température supérieure à 1050°C pendant une durée supérieure à 30 minutes.
On a ainsi représenté sur les figures 5a et 5b les caractéristiques mesurées de la courbure du substrat final S ( ) et de rugosité de la surface exposée de la couche supérieure 5 ( , cette mesure de rugosité, exprimée en nm, étant obtenue par force atomique sur un champ de mesure de 30 micromètres par 30 micromètres) d’un substrat préparé selon le procédé qui vient d’être détaillé. On observe sur la qu’il est possible de réduire la courbure du substrat final S en augmentant la température du recuit de l’étape de finition. Lorsque ce recuit porte le substrat à 1050°C, cette courbure est de l’ordre de 55 micromètres, ce qui est déjà très satisfaisant. On note que les résultats à 1200°C obtenues à l’aide d’un recuit rapide, permettent également de réduire la courbure du substrat, mais peut engendrer des défauts de types dislocation, comme cela a été évoqué en introduction de cette demande.
On observe également, sur la , et de manière inattendue, que la rugosité mesurée de la couche supérieure 5 après l’application du recuit de l’étape de finition est stable avec l’accroissement de cette température et d’un niveau inférieur à 0,3 nm en mesure quadratique moyenne, ce qui est également très satisfaisant, tant en bord de substrat (marque « B ») qu’en son centre (marque « C »). On rappelle que les observations préparatoires de la demanderesse, rapporté en montrait une rugosité croissante de la surface exposée de cette couche supérieure 5 avec l’augmentation de la température.
Un procédé de préparation conforme à l’invention exploite donc ces résultats pour proposer différentes séquences de finition d’une étape de finition. Dans toutes ces séquences possibles, on retrouve au moins un recuit, désigné « premier recuit », ce premier recuit étant conduit dans une atmosphère neutre ou réductrice à une température supérieure à 1050°C pendant une durée supérieure à 30 minutes. Dans tous les cas également, la couche diélectrique 4, enterrée dans le substrat final, a été obtenue par dépôt chimique en phase vapeur à haute densité de plasma sur la couche de piégeage de charges 2.
Ainsi, l’étape de finition peut comprendre au moins une étape d’amincissement de la couche supérieure 5. Cette au moins une étape d’amincissement peut être réalisée avant et/ou après le premier recuit. La séquence de finition conduite pendant l’étape de finition peut donc correspondre à une séquence amincissement-recuit ou recuit-amincissement ou encore amincissement-recuit-amincissement. Cet amincissement de la couche peut notamment être réalisé par oxydation sacrificielle (c’est-à-dire l’oxydation d’une épaisseur superficielle de cette couche, suivie par le retrait de cette épaisseur oxydée) de la couche supérieure.
Par ailleurs, l’étape de finition peut comprendre d’autres recuits que le premier recuit déjà décrit. Ainsi, dans une variante de mise en œuvre, la séquence de finition peut incorporer comprend un second recuit rapide, ce second recuit étant conduit dans une atmosphère neutre ou réductrice à une température supérieure à 1050°C pendant une durée inférieure à 2 minutes. Le second recuit peut être mené avant ou après le premier recuit.
L'épaisseur de l'empilement 18 peut être telle que la distance entre les couches 14 et 32 correspond à l'épaisseur d'un niveau d'un réseau d'interconnexion dans les technologies metal-oxyde-semiconducteur complémentaire ou CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). Par exemple l'empilement 18 a une épaisseur comprise entre 100 nm et 700 nm.
La , la , la , la , la et la représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la .
La représente une étape d'un exemple de procédé de fabrication du dispositif de la .
Cette étape comprend une étape de formation du niveau de métallisation MX comprenant les éléments 16.
Cette étape comprend la formation de la couche isolante 14. Des cavités traversant la couche 14 sont formées aux emplacements des éléments 16. Les cavités sont ensuite remplies du matériau des éléments 16, par exemple un métal, de préférence du cuivre ou du tungstène, de manière à former lesdits éléments 16. Les cavités sont remplies de manière à ce que le matériau des éléments 16 ne soit pas situé hors des cavités.
Au cours de cette étape, un empilement 36 de couches est formé sur la couche 14 et sur les éléments 16. L'empilement 36 comprend, dans cet ordre à partir de la couche 14 : - une couche isolante 38 ; - une couche 40 en matériau à changement de phase ; et - une couche isolante 42.
La couche isolante 38 est en le matériau de la portion couche 20 de l'empilement 18 de la , par exemple en nitrure de silicium. La couche 40 est en le matériau de la couche 22 de l'empilement 18 de la . La couche 42 est de préférence en le même matériau que la couche 24 de l'empilement 18 de la , par exemple en nitrure de silicium.
Similairement, l'épaisseur de la couche 38 correspond à l'épaisseur des couches 20 de la . L'épaisseur de la couche 40 correspond à l'épaisseur des couches 22 de la . L'épaisseur de la couche 42 correspond à l'épaisseur des couches 24 de la .
Au cours de cette étape, une gravure est effectuée de manière à former des cavités 44 dans l'empilement 36. Chaque cavité 44 traverse l'empilement 36. Ainsi, le fond des cavités 44 correspond au niveau de la face supérieure de la couche 14. Le fond des cavités 44 comprend ainsi des portions des faces supérieures de la couche 14 et des éléments 16.
Les cavités 44 forment entre elles des bandes à partir de l'empilement 36. L'empilement 36 est gravé de manière à former une bande 46 pour chaque ligne de mot, c’est-à-dire pour chaque élément 16 correspondant à une ligne de mot. Chaque bande 36 comprend une bande 48 de la couche 38 correspondant la couche 20 des empilements 18 des cellules de la ligne de mot, une bande 50 de la couche 40 correspondant la couche 22 des empilements 18 des cellules de la ligne de mot et une bande 52 de la couche 42 correspondant la couche 24 des empilements 18 des cellules de la ligne de mot. Les parois latérales des cavités 44 correspondent aux flancs des bandes 50.
Chaque bande 50 recouvre partiellement un élément 16 et recouvre partiellement la couche 14. Chaque bande 50 s'étend de préférence sur toute la longueur de l'élément 16.
Chaque bande 50 comprend une paroi latérale, ou un flanc, correspondant à la paroi sur laquelle repose l'élément 26 de la et s'étendant sur l'élément 16, dans la direction de la ligne de mot. Ainsi, chaque élément 16 est partialement recouvert par une, de préférence une unique, bande 50. Chaque bande comprend une paroi latérale, ou un flanc, correspondant à la paroi sur laquelle repose l'élément 28 de la et s'étendant sur la couche 14.
Au cours de cette étape, une couche 54 en le matériau des éléments 26 et 28 est formée de manière conforme sur l'ensemble de la structure. La couche 54 recouvre en particulier les parois latérales de l'empilement 46 et les portions de la couche 14 et des éléments 16 situées aux pieds des empilements 46. En particulier, la couche 54 recouvre les parois latérales des couches 50. La couche 54 a de préférence une épaisseur sensiblement constante. L'épaisseur de la couche 54 est sensiblement égale à l'épaisseur des parties horizontales et verticales des éléments 26 et 28 de la .
– elle n’assure pas notamment le blocage en rotation tant que la tige de liaison n’est pas verrouillée dans le connecteur,
– l’impactage, c’est-à-dire l’installation du connecteur sur la tête requiert un effort important à des fins de déformation de la bague fendue,
– elle n’autorise pas un désimpactage, c’est-à-dire un démontage, aisé.
Le document US2017224386 décrit des dispositifs de fixation orthopédiques qui comprennent un élément de connexion ou tulipe et une attache osseuse, l'attache osseuse pouvant être chargée dans l'élément de connexion à travers le fond d'un alésage dans l'élément de connexion. Les dispositifs de fixation orthopédique décrits peuvent comprendre des ensembles de pinces de verrouillage modulaires qui peuvent être fixés sur des éléments de fixation ou vis déjà implantés dans l'os. Les ensembles de serrage de verrouillage modulaires peuvent comprendre des ensembles de serrage de verrouillage polyaxial, ainsi que des ensembles de serrage de verrouillage monoaxial.
Pour cela, le dispositif comprend deux pièces venant se loger dans la tulipe :
– une première pièce ou berceau coopérant à une extrémité avec la tige de liaison et à une autre extrémité avec un palier sphérique élastique,
– une deuxième pièce ou palier sphérique élastique s’ouvrant et se refermant pour autoriser l’insertion de la tête sphérique de la vis dans la tulipe, la retenir et guider la liaison rotule formée.
- elle requiert deux pièces un élément formant coin et un élément de serrage,
– elle ne freine pas la liaison rotule mais crée des crans correspondant à autant de positions angulaires différentes,
– elle n’autorise pas un désimpactage aisé.
La facilité de montage et de démontage est dans ce domaine d’autant plus importante lorsque les vis sont cimentées, c’est-à-dire lorsqu’elles sont non seulement vissées mais également scellées rendant leur dévissage très difficile.
Le document US2015032162 décrit un ensemble de couplage pour coupler une tige à un élément d'ancrage osseux, l'ensemble de couplage comprenant une partie de réception ayant une première extrémité, une seconde extrémité et un axe central s'étendant à travers la première extrémité et la seconde extrémité, un évidement pour recevoir une tige, et un espace de logement pour loger une tête d'un ancrage osseux, l'espace de logement ayant une ouverture au niveau de la deuxième extrémité pour insérer la tête; un élément de pression configuré pour être positionné au moins partiellement dans l'espace de logement, l'élément de pression ayant une première extrémité comprenant une première surface d'extrémité et une seconde extrémité tournée vers la seconde extrémité de la partie réceptrice, un axe central coaxial à l'axe central de la partie réceptrice, et une partie flexible pour serrer une tête insérée, un élément de réception de tige qui est une pièce séparée comprenant une première extrémité comprenant une première surface d'extrémité et un canal pour l'insertion d’une tige adjacente à la première extrémité et une seconde extrémité ayant une seconde surface d'extrémité tournée vers la seconde extrémité de la partie réceptrice, dans lequel la première surface d'extrémité fait saillie sur un surface supérieure d'une tige insérée; dans lequel la première surface d'extrémité de l'élément de pression est configurée pour s'étendre dans le canal de l'élément de réception de tige; et dans lequel l'élément de pression comprend une partie qui est configurée pour coopérer avec une partie de l'élément de réception de tige sous une charge axiale de sorte que soit la partie de l'élément de pression ou la partie de l'élément de réception de tige soit déformée de manière à déplacer la première surface d'extrémité de l'élément de pression plus loin dans le canal de l'élément de réception de tige dans un direction axiale.
Cette solution propose un blocage en rotation mais elle a les inconvénients suivants :
– elle requiert deux pièces pour le verrouillage sur la vis,
La illustre un exemple de réalisation d’un système sur puce SOC, ayant des fonctionnalités, et comprenant un dispositif de gestion du cycle de vie LCMS capable d’activer ou désactiver des fonctionnalités dynamiquement pendant toute la durée de vie du système sur puce SOC.
La durée de vie du système sur puce, qui peut également être appelé le cycle de vie, commence en fin de chaine de production, lorsque le circuit intégré est fonctionnel et apte à être paramétré par le fabricant pour une commercialisation donnée, puis comporte la commercialisation et l’usage du système sur puce, jusqu’à ce que le produit soit un déchet, potentiellement recyclé.
Les fonctionnalités du système sur puce SOC peuvent être mises en œuvre par des ressources IPS spécifiquement dédiées, telles que par exemple un capteur d’image et un accélérateur matériel de traitement d’image ou de traitement neuronal, et/ou par des ressources communes telles qu’un microcontrôleur µC ; de la mémoire vive RAM, des interfaces de communications COMM telles que le « WiFi » (normes du groupe IEEE 802.11), la « 4G/5G/LTE » (normes de l’UIT et le 3GPP), l’« USB », l’« I2C », la « SPI », etc ; ainsi que d’autres ressources matérielles ou logicielles.
On désignera de manière générale toute fonctionnalité pouvant être identifiée distinctement par la référence « IPS », indifféremment du moyen qui permet de l’obtenir.
Ainsi, et comme il apparaîtra dans la description ci-après, la capacité à activer ou désactiver dynamiquement des fonctionnalités IPS est avantageuse dès cette première étape du cycle de vie du système sur puce SOC, en permettant une diversification des paramétrages possibles d’une même production du circuit intégré du système SOC, par exemple selon différentes gammes commerciales ; tout en facilitant la procédure de paramétrage par le fabricant et la gestion de son stock.
Au cours de la durée de vie du système, c’est-à-dire lors de sa commercialisation et de son utilisation, la capacité à activer ou désactiver dynamiquement des fonctionnalités IPS peut permettre au fabricant ou au possesseur du système sur puce SOC de par exemple mettre en œuvre une location adaptative (« smart renting » en anglais) de certaines fonctionnalités, ou bien une mise à disposition de « nouvelles » fonctionnalités à un produit, telle que dans le cadre d’une mise à jour.
La capacité à activer ou désactiver dynamiquement des fonctionnalités permet par ailleurs une meilleure gestion de propriétaires du système sur puce SOC, offrant notamment des possibilités de multipropriété et de transfert de propriété des fonctionnalités, et des moyens de preuve de la propriété.
En outre, à la fin du cycle de vie d’un produit, le système sur puce SOC peut être recyclé activement, c’est-à-dire par exemple être réutilisé avec une reconfiguration adaptée à la seconde application, là-encore grâce à la capacité à activer ou désactiver dynamiquement des fonctionnalités.
Le système sur puce SOC comporte avantageusement un système d’isolation des ressources RIF capable d’autoriser et d’interdire des accès aux fonctionnalités IPS du système sur puce SOC. Par exemple le système d’isolation des ressources RIF s’inscrit dans un système de gestion des accès aux ressources tel que décrit dans la publication FR 3103586 A1 (28/05/2021), qui est notamment apte à des configurations dynamiques selon les applications du système sur puce.
Par exemple, le système d’isolation des ressources RIF peut être capable de lire le contenu d’un ou plusieurs registre(s) de configuration CFGBK afin de configurer en accord l’autorisation ou l’interdiction d’accès à une ressource donnée par un dispositif demandeur donné.
Le ou les registre(s) de configuration CFGBK peut(peuvent) par exemple appartenir au système d’isolation des ressources RIF, auquel cas le dispositif de gestion du cycle de vie LCMS peut être capable d’écrire la configuration dans le ou les registre(s) de configuration CFGBK.
Le ou les registre(s) de configuration CFGBK peut(peuvent) par exemple appartenir au dispositif de gestion du cycle de vie LCMS, et être contenu dans une mémoire sécurisée SECMEM.
Le circuit d’évacuation de vapeur comprend de plus plusieurs ouvertures d’évacuation de vapeur 38 prévues sur le couvercle 11 et reliées fluidiquement à la chambre interne 35 délimitée par le couvercle 11. Les ouvertures d’évacuation de vapeur 38 sont configurées pour permettre une évacuation de la vapeur contenue dans la chambre interne 35 vers l’extérieur de la bouilloire 2.
Selon le mode de réalisation représenté sur les figures, les ouvertures d’évacuation de vapeur 38 débouchent dans une surface périphérique externe du couvercle 11, et sont situées à proximité de l’ouverture de sortie d’eau 26. Les ouvertures d’évacuation de vapeur 38 sont donc configurées pour être situées à proximité du bec verseur 9, et par exemple pour être situées en regard du bec verseur 9, lorsque le couvercle 11 est fixé au contenant 4. Une telle configuration de la bouilloire 2 permet une évacuation de la vapeur hors du contenant 4 via le couvercle 11 et le bec verseur 9.
Avantageusement, la bouilloire 2 est dépourvue d’élément d’obturation du circuit d’évacuation de vapeur.
Comme montré plus particulièrement sur les figures 9 et 10, la bouilloire 2 est configurée :
- de telle sorte que, lorsque la bouilloire 2 est renversée et que la poignée de préhension 8 et un premier côté latéral, à savoir le côté gauche, du contenant 4 reposent de manière stable sur une surface horizontale, le premier orifice d’admission de vapeur 33 est situé au-dessus du niveau d’eau dans le volume interne 5, et
- de telle sorte que, lorsque la bouilloire 2 est renversée et que la poignée de préhension 8 et un deuxième côté latéral, à savoir le côté droit, du contenant 4 reposent de manière stable sur une surface horizontale, le deuxième orifice d’admission de vapeur 34 est situé au-dessus du niveau d’eau dans le volume interne 5.
Ainsi, la bouilloire 2 selon la présente invention permet d’éviter ou du moins de limiter considérablement les risques d’écoulement d’eau bouillante hors de la bouilloire 2 en cas de renversement de cette dernière.
La bouilloire 2 comporte en outre un dispositif de mise à l’air libre 39 prévu sur le couvercle 11 et configuré pour relier fluidiquement le volume interne 5, délimité par le contenant 4, à la chambre interne 35, délimitée par le couvercle 11, lorsque le couvercle 11 est fixé au contenant 4.
Le dispositif de mise à l’air libre 39 comporte plus particulièrement un orifice de mise à l’air libre 41 débouchant dans la face inférieure 12 du couvercle 11. L’orifice de mise à l’air libre 41 est plus particulièrement formé par un orifice calibré, et présente une section de passage inférieure à la section de passage de chacun des premier et deuxième orifices d’admission de vapeur 33, 34.