Dispositif semiconducteur (100) comportant un substrat (1) formant un plan, une zone de fabrication (2) pour un circuit électronique actif (21, 22) en surface d’une première face (F1) du substrat (1) et un condensateur de découplage (3) formé d’une structure stratifiée comprenant au moins deux lames (4, 5) conductrices électriquement et une couche isolante (6) intercalée entre les deux lames (4, 5), caractérisé en ce que la structure stratifiée est positionnée sur une deuxième face du substrat (F2) opposée à la zone de fabrication (2) du circuit actif et en ce que le plan de chaque lame conductrice (4, 5) est disposé perpendiculairement au plan de la première face (F1) du substrat (1). Dispositif semiconducteur (100) selon la revendication 1 dans lequel le condensateur de découplage (3) est enfoui dans l’épaisseur du substrat (1). Dispositif semiconducteur (100) selon la revendication 1 ou 2 comportant des interconnexions électriques traversant perpendiculairement le plan du substrat (1) connectées d’une part à des bornes (10, 11) du circuit électronique positionnées sur la première face (F1) et d’autre part aux lames conductrices (4, 5) sur la deuxième face opposée (F2). Dispositif semiconducteur (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel chaque lame conductrice (4, 5) est formée dans une tranchée réalisée dans l’épaisseur du substrat (1) et en ce que le substrat (1) forme la couche isolante (6) intercalée entre les deux lames (4, 5). Dispositif semiconducteur (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel les lames conductrices (60, 62) et la couche isolante (61) du condensateur de découplage (30) forment une structure stratifiée et compressée qui est intégrée dans un unique évidement (41) du substrat (40). Procédé de fabrication d’un dispositif semiconducteur comportant un substrat (400) comprenant une zone de fabrication prévue pour un circuit électronique actif en surface d’une première face (F1) du substrat (400) et un condensateur de découplage, caractérisé en ce qu’il comporte la formation, sur une deuxième face (F2) opposée à la zone de fabrication, d’une structure stratifiée formant le condensateur de découplage et comprenant au moins deux lames conductrices électriquement (404, 405) et une couche isolante (407) intercalée entre les deux lames (404, 405) et durant laquelle le plan de chaque lame conductrice (404, 405) est disposé perpendiculairement au plan de la première face (F1) du substrat (400). Procédé de fabrication selon la revendication 6 comportant en outre préalablement à la formation de la structure stratifiée, la réalisation (E1) d’au moins deux évidements (401, 402) dans l’épaisseur du substrat (400) en forme de tranchées linéaires et perpendiculaires au plan de la première face (F1) du substrat (400), chaque lame conductrice étant formée dans un évidement spécifique et la couche isolante étant formée par la partie du substrat (407) séparant les deux évidements. Procédé de fabrication selon la revendication 6 comportant en outre la réalisation d’un unique évidement dans l’épaisseur du substrat, la structure stratifiée du condensateur de découplage étant intégrée dans l’évidement. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 6 à 8 comportant en outre une étape de réalisation d’interconnexions (406a, 406b) à travers le substrat (400) entre la première face (F1) et la deuxième face (F2) pour connecter électriquement chaque lame conductrice (404, 405) à une borne spécifique (408, 409) prévue pour le circuit électronique. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 6 à 9 comportant en outre la fabrication d’un circuit électronique dans la zone de fabrication et dans lequel le circuit électronique comporte au moins deux transistors de commutation, par exemple de type HFET ou HEMT.