Procédé de réalisation d'une puce (40) de dépôt de films minces, comportant : a) - la formation, sur un substrat (4) isolant ou semi-conducteur, d'une pluralité d’électrodes de mesure (2), chaque électrode ayant une partie centrale et des bords (2 1 , 2 2 ) inclinés vers la surface du substrat (4); b) - la formation d'un masque (6) de dépôt, non conducteur, définissant une fenêtre (8) de dépôt, ce masque comportant des échancrures (10) au voisinage du substrat et de ladite fenêtre de dépôt. Procédé selon la revendication 1, comportant en outre une étape de réalisation d'une électrode (12) de protection entre le masque (6) et le substrat (4). Procédé selon la revendication 2, l'électrode de protection ayant une résistance supérieure à 1 MΩ. Procédé selon la revendication 2 ou 3, l'électrode de protection étant en chrome et/ou d'épaisseur comprise entre 3 nm et 100 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, le substrat (4) étant en silicium ou en quartz ou en saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, le substrat ayant une surface de rugosité R A comprise entre 0,01 nm et 1 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, les électrodes (2) de mesure étant en Ti/Au. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, comportant en outre une étape de réalisation d'une couche (30) de protection du substrat. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, la fenêtre (8) de dépôt ayant une orientation perpendiculaire à celle d’au moins une partie des électrodes (2) de mesure. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, les électrodes (2) étant réalisées par évaporation sous angle. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, les électrodes (2) ayant des bords (2 1 , 2 2 ), formant des pentes latérales, avec un angle, avec la surface du substrat, inférieur à 80°, par exemple compris entre 15° et 60°. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, comportant une étape préalable de planarisation de la surface du substrat (4). Puce (40) de dépôt de film mince, comportant : a) un substrat (4) en un matériau isolant ou semi-conducteur b) sur ledit substrat (4) une pluralité d’électrodes (2) de mesure, chaque électrode ayant une partie centrale et des bords (21, 22) inclinés vers la surface du substrat (4); c) un masque non conducteur (6) de dépôt, définissant une fenêtre (8) de dépôt, ce masque comportant des échancrures (10) au voisinage du substrat et de ladite fenêtre de dépôt. Puce selon la revendication 13, comportant en outre une électrode (12) de protection entre le masque (6) et le substrat (4). Puce selon la revendication 14, l'électrode de protection ayant une résistance supérieure à 1 MΩ. Puce selon la revendication 14 ou 15, l’électrode de protection étant en chrome et/ou d'épaisseur comprise entre 3 nm et 10 nm. Puce selon l’une des revendications 13 à 16, le substrat (4) étant en silicium ou en chrome ou en saphir. Puce selon l’une des revendications 13 à 17, les électrodes (2) de mesure étant en Ti/Au. Puce selon l’une des revendications 13 à 18, comportant en outre une couche (30) de protection du substrat . Puce selon l’une des revendications 13 à 19, la fenêtre (8) de dépôt ayant une orientation perpendiculaire à celle d’au moins une partie des électrodes (2) de mesure. Puce selon l’une des revendications 13 à 20, les électrodes (2) ayant des bords (2 1 , 2 2 ), formant des pentes latérales, avec un angle inférieur à 80°, par exemple compris entre 15° et 60°. Procédé de dépôt d’une couche, dite couche mince, comportant une étape de dépôt d'une couche dans la fenêtre (8) de dépôt d’une puce selon l’une des revendications 13 à 21, et de mesure d’au moins une grandeur électrique aux bornes d’au moins 2 électrodes (2) de mesure. Procédé selon la revendication 22, le dépôt de la couche étant obtenu par pulvérisation, ou par dépôt chimique en phase vapeur ou par canon à électrons ou par co-évaporation ou par co-pulvérisation. Procédé selon l'une des revendications 22 ou 23, la couche déposée formant : - une couche métallique formée d’un élément choisi parmi l’or, l’argent, le cuivre, le platine, l’iridium, le titane, le vanadium, le niobium, le tantale, le chrome; - ou une couche métallique formée d’un élément en présence d’un gaz réactif (oxygène et/ou azote et/ou hydrogène), comme par exemple l’aluminium granulaire , ou les nitrures d’aluminium, ou de titane ou de niobium, ou les hydrures de silicium ; - ou un dépôt d’un alliage en Niobium-silicium, ou en Yttrium-silicium, ou en Nickel – Chrome ; - ou une jonction tunnel comportant deux dépôts métalliques séparés par une barrière d’isolant, par exemple une jonction Josephson en Al-AlO x -Al, ou en Nb-Al-AlO x -Al-Nb ; - ou une couche isolante ou semiconductrice comme par exemple Si, ou Si-O, ou Si-H, ou Ge ; dans ce cas on peut utiliser une mesure simultanée de la capacitance et de la résistance de la couche. Procédé selon l'une des revendications 22 à 24, la couche déposée ayant une épaisseur comprise entre 1 nm et 200 nm. Procédé de gravure d’une couche réalisée dans la fenêtre (8) d’une puce selon l’une des revendications 13 à 21, comportant une étape de gravure de cette couche, et de mesure d’au moins une grandeur électrique aux bornes d’au moins 2 électrodes (2) de mesure. Procédé selon l’une des revendications 22 à 26, le dépôt ou la gravure de la couche étant arrêté lorsque ladite grandeur électrique atteint une valeur cible. Procédé selon l'une des revendications 22 à 27, la mesure d'au moins une grandeur électrique étant effectuée à l'aide d'un micro-connecteur, par exemple un connecteur micro-USB. Procédé selon l'une des revendications 22 à 28, au moins une grandeur électrique mesurée étant la conductivité ou la résistance électrique d’une couche en cours de dépôt ou en cours de gravure et réalisée en partie sur le substrat (4), en partie sur les électrodes (2).