INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Notons ici que, si l’épaisseur critique Ec d’une couche de nitrure de titane est de 4 nm seulement, il est envisageable de faire croître une couche tampon 3 à base de nitrure de titane présentant une épaisseur supérieure à 4 nm, voire allant jusqu’à 8 nm, sans pour autant que des défauts ou dislocations ne s’y créent qui soient tels qu’ils ne permettraient pas la croissance d’une couche d’intérêt 11 monocristalline à base de SiC depuis sa surface exposée. En outre, l’absorbance d’une couche à base de nitrure de titane d’une épaisseur sensiblement inférieure à 8 nm et supérieure à l’absorbance d’une couche de même nature mais d’une épaisseur sensiblement égale à 4 nm, et donc supérieure à 22% (Cf. table 1), ce qui peut être satisfaisant.
Notons encore qu’il est possible d’exprimer l’absorbance que doit présenter la couche tampon 3 en rapport avec l’absorbance qu’aurait une couche de même épaisseur en SiC monocristallin, et de poser comme préférentiel que le matériau à base duquel la couche tampon 3 est formée présente une absorbance d’au moins 10%, de préférence d’au moins 20%, supérieure à une absorbance d’une telle couche de SiC monocristallin, pour la longueur d’onde choisie du rayonnement laser et pour l’épaisseur critique Ec de la couche tampon 3. Selon une formulation alternative, le coefficient d’absorption de la couche tampon 3 doit être supérieur au coefficient d’absorption du SiC. Idéalement, la couche tampon 3 doit pouvoir être considérée comme absorbante à la longueur d’onde du rayonnement laser, tandis que l’empilement 10 et le substrat initial 2 doivent pouvoir être considérés comme transparents à la longueur d’onde du rayonnement laser s’ils présentaient la même épaisseur que la couche tampon 3.
Si le nitrure de titane TiN et le nitrure d'hafnium HfN semblent être de bons candidats, remplissant le cahier des charges décrit ci-dessus, ils présentent néanmoins une différence de paramètres de maille avec le SiC monocristallin qui induit une épaisseur critique relativement faible ; et il ressort de la table ci-dessus que le meilleur candidat, parmi les nitrures dont la table fait mention, est le nitrure de niobium NbN qui présente à la fois une température de fusion élevée, un paramètre de maille très proche de celui du SiC monocristallin, et donc une épaisseur critique Ec significative laissant envisager de pouvoir faire croître la couche tampon 3 jusqu’à une épaisseur sensiblement égale à 30 nm, à laquelle la couche tampon 3 présenterait une absorbance : supérieure à 54%, alors même qu’une telle absorbance est déjà très satisfaisante, et de nature à garantir la fonctionnalité sacrificielle de la couche tampon 3 sous insolation laser à une longueur d’onde de 1200 nm.
Notons que les mesures/données d’absorbance qui sont mentionnées dans la table ci-dessus correspondent à celles obtenues pour un rayonnement laser présentant une longueur d’onde égale à 1200 nm, située dans l’infrarouge. Des rayonnements laser infrarouges présentant d’autres longueurs d’ondes peuvent être envisagés, dès lors qu’ils permettent de sacrifier la couche tampon 3, de préférence sans dégrader l’intégrité des autres couches. Il en va potentiellement de même des rayonnements laser dont les longueurs d’onde se situent dans le spectre visible (typiquement entre 380 et 750 nanomètres).
Notons encore que les paramètres discutés dans les paragraphes ci-dessus et compulsés dans la table sont définis à température ambiante, voire à température et pression ambiantes.
En alternative ou en complément aux nitrures susmentionnés, la couche tampon 3 peut être constituée à base de certains carbures, et notamment à base de carbures choisis parmi TiC, VC, ZrC, TaC, NbC, et HfC, voire MoC, WC et CrC.
Par ailleurs, la couche tampon 3 peut être crue en mettant en œuvre n’importe quelle technique existante de croissance épitaxiale adaptée au cas d’espèce, et notamment au moins l’une parmi : une pulvérisation cathodique réactive (ou « reactive sputtering » en anglais), une ablation laser pulsée (ou PLD pour « Pulsed Laser Deposition » en anglais), une épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour « Molecular Beam Epitaxy » en anglais) ou un dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais « chemical vapor deposition »).
Toujours en référence aux figures 1A à 1E et 5, le procédé de fabrication 100 selon le mode de réalisation illustré comprend, à la suite de la croissance 120 épitaxiale de la couche tampon 3, une étape consistant à faire croître 130 par épitaxie, sur la couche tampon 3, au moins la couche d’intérêt 11 susmentionnée. La couche d’intérêt 11 peut être crue en mettant en œuvre, conformément aux compétences ordinaires de la personne du métier, n’importe quelle technique existante de croissance épitaxiale adaptée au cas d’espèce, et typiquement un dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais « chemical vapor deposition »).
Notons ici que, si l’étape 130 comprend a minima la croissance épitaxiale d’une couche mince de SiC monocristallin en tant que couche d’intérêt 11, elle peut comprendre d’autres étapes technologiques de la micro-électronique que ce soit avant et/ou après la croissance épitaxiale de la couche mince 11. Il est entendu que, si la couche tampon 3 doit pouvoir supporter des températures, pouvant atteindre jusqu’à 1600°C ou plus, nécessaires à la croissance épitaxiale du SiC, certaines étapes technologiques parmi celles potentiellement comprises par l’étape 130 du procédé de fabrication 100 peuvent nécessiter des températures plus élevées ; la couche tampon 3, et en particulier le matériau à base duquel elle est constituée, seront alors de préférence choisis pour supporter ces températures plus élevées.
On comprend déjà ici que le dispositif 1 à fabriquer comprend a minima la couche d’intérêt 11 à base de SiC monocristallin, mais que le dispositif 1 peut comprendre d’autres couches, à base du même matériau semi-conducteur ou à base d’au moins un autre matériau semi-conducteur, de sorte à constituer par exemple un dispositif 1 épitaxié à base de SiC. Et la croissance de chaque couche à base d’un matériau semi-conducteur du dispositif 1 peut être réalisée de sorte qu’elle soit, au moins par zone, dopée, de type N ou de type P, le cas échéant avec des atomes différents d’une couche à une autre ou d’une zone à une autre. Un tel dispositif 1 épitaxié à base de SiC peut ainsi comprendre par exemple : au moins l’un parmi un composant de puissance et un composant radiofréquence, tel qu’une diode ou un transistor, notamment à effet de champ, mais aussi des éléments conducteurs, tels que des pistes conductrices, formant par exemple une couche de redistribution (ou RDL pour « Redistribution Layer » en anglais) et des éléments diélectriques, par exemple à base d’un oxyde d’un matériau semiconducteur, typiquement l’oxyde de silicium ou une résine époxy. Nous reviendrons plus bas sur ce point en référence aux figures 3A, 3B, 4A et 4B.
Lorsque le dispositif 1 à fabriquer est constitué de la couche d’intérêt 11 à base de SiC monocristallin, il peut être considéré comme formant une couche de germination (ou « seed layer » en anglais), c’est-à-dire une couche sur laquelle il sera possible de faire croître par épitaxie d’autres couches à base de SiC monocristallin, typiquement pour obtenir un substrat à base de SiC monocristallin. Tel est le mode de réalisation illustré sur les figures 2A et 2B.
Quoiqu’il en soit, à la suite de la croissance 130 du dispositif 1, ou à tout le moins d’une partie de ce dispositif 1 que constitue la couche d’intérêt 11, un empilement 10 est obtenu qui comprend successivement le substrat initial 2, la couche tampon 3 et au moins la couche d’intérêt 11 du dispositif 1 à fabriquer, l’empilement 10 s’étendant depuis une face arrière 101 constituée par le substrat initial 2 jusqu’à une face avant 102 opposée à la face arrière 101, et constituée d’une partie au moins du dispositif 1.
Toujours en référence aux figures 1A à 1E et 5, le procédé de fabrication 100 selon le mode de réalisation illustré comprend, à la suite de la croissance 130 du dispositif 1, ou à tout le moins d’une partie de ce dispositif 1 que constitue la couche d’intérêt 11, une étape consistant à reporter 150 l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5 fourni 140.
Plus particulièrement, le report de l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5 peut comprendre, ou consister en, une étape de collage de l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5. L’étape de collage est de préférence réalisée en mettant en œuvre une technique permettant au collage de résister aux conditions, notamment de température, déjà évoquées plus haut qui sont destinées à être rencontrées notamment lors d’étapes ultérieures de fabrication et/ou de traitement et/ou d’assemblage du dispositif 1.
Notons ici que le substrat receveur 5 peut être choisi parmi : Un substrat à base de SiC polycristallin, dont le coût est bien moindre qu’un substrat à base de SiC monocristallin et qui présente avantageusement un coefficient d’expansion thermique proche de SiC monocristallin ; Un substrat à base d’un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique sensiblement égal au coefficient d’expansion thermique du SiC (mono)cristallin, voire le substrat à base de SiC (mono)cristallin ; Un substrat intégrant un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS ; Un substrat à base de silicium, intégrant potentiellement un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS ; un substrat métallique ; à bas coût, ce type de substrat pourrait avoir le cas échéant juste une fonction de support mécanique, de protection de transistors et/ou d’évacuation de la chaleur ; et de préférence lorsque le dispositif 1 est finalisé avant l’étape d’insolation 160, un substrat comprenant une plaque de base (par laquelle l’empilement 10 est destiné à être reporté sur le substrat receveur 5), de la graisse thermique, et un dissipateur thermique ; il pourrait alors s’agir d’un substrat dit d’emballage (ou « packaging substrate » en anglais) et ainsi de reporter l’empilement, par collage, directement sur un substrat d’emballage.
Dans cet exemple de réalisation, la deuxième butée élastique 7 s’étend radialement vers l’extérieur de l’armature extérieure 3 et forme une protubérance 9.
De façon non limitative, un insert 10 peut également être emmanché dans l’armature intérieure 2. Dans un exemple de réalisation non limitatif, l’insert 10 peut être formé par un roulement.
Comme illustré à la , lorsque l’armature élastique 1 est emmanchée dans un logement que comporte une biellette 11, la protubérance 9 est comprimée et la deuxième butée élastique 7 est précontrainte. Il n’existe donc pas de jeu entre cette deuxième butée élastique 7 et sa surface d’appui.
Ainsi, la deuxième butée élastique 7 présente une épaisseur comprimable importante augmentant la plage de compression progressive de la deuxième butée élastique 7. L’absence de jeu entre l’extrémité de la deuxième butée élastique 7 et sa surface d’appui permet d’éviter la consommation d’une course morte de sorte que le filtrage des vibrations s’effectue de manière progressive.
La illustre un deuxième exemple de réalisation d’une armature élastique 1 selon l’invention.
Dans cet exemple de réalisation, les deux bras élastique 4 sont diamétralement opposés. Autrement dit, les deux bras élastiques 4 forment un angle de 180 degrés entre eux.
En outre, la première butée élastique 5 est formée de deux éléments élastiques disposés en regard de la deuxième butée élastique 7.
La illustre un troisième exemple de réalisation d’une armature élastique 1 selon l’invention.
Dans cet exemple de réalisation, la deuxième butée élastique 7 comporte une surface périphérique 12 alignée avec une surface périphérique 13 de l’armature extérieure 3. Autrement dit, la deuxième butée élastique 7 ne comporte pas de protubérance.
La illustre quatrième exemple de réalisation d’une armature élastique 1 selon l’invention.
L’articulation élastique 1 comporte une armature intérieure 2, une armature extérieure 3 entourant l’armature intérieure 2 ainsi que deux bras élastiques 4 (non représentés) adhérisés à l’armature intérieure 2 et à l’armature extérieure 3.
L’articulation élastique 1 comporte également une première butée élastique 5 disposée entre les deux bras élastiques 4. Dans cet exemple de réalisation, la première butée élastique 5 est adhérisée à l’armature extérieure 3 et est distante de l’armature intérieure 2.
En outre, l’articulation élastique 1 comporte une deuxième butée élastique disposée en regard de la première butée élastique 5.
Dans cet exemple de réalisation, la deuxième butée élastique est adhérisée à l’armature intérieure 2 et adhérisée à l’armature extérieure 3.
Plus particulièrement, l’armature extérieure 3 comporte une zone formant un vantail 14, la deuxième butée élastique 7 étant formée d’une première demi-butée 7a adhérisée à l’armature intérieure 2 et d’une deuxième demi-butée 7b adhérisée à l’armature extérieure 3, et plus précisément au vantail 14 que comporte l’armature extérieure 3.
Ainsi, comme illustré à la , la première demi-butée 7a et la deuxième demi-butée 7b sont au contact l’une de l’autre lorsque l’articulation élastique 1 est emmanchée dans un logement venant fermer le vantail 14, le logement pouvant par exemple être un logement cylindrique que comporte une biellette.
Le connecteur XLR 300 selon ce deuxième mode de réalisation est sensiblement cylindrique, avec une direction longitudinale correspondant à la direction de la génératrice du cylindre. Le connecteur XLR 300 comprend un corps 301, un insert 302 et une tête 303.
Le corps 301 est de forme généralement cylindrique, creux, et constitué d’une partie avant 304 et d’une partie arrière 305, formées d’un seul tenant, généralement en métal moulé ou usiné (zinc ou alliage cuivré) et dans certains cas, en matière plastique moulée par injection.
La surface périphérique de la partie avant 304 comprend une partie d’extrémité filetée 306 et une partie d’embase 307, de plus grand diamètre que la partie d’extrémité filetée 306.
Une crénelure 304a est formée sur le bord libre de la partie d’extrémité filetée 306, avec des rainures 304b radiales séparant chaque créneau. Le rôle de la crénelure 304a sera décrit ci-après en liaison avec la description de l’insert 302.
La partie arrière 305 est quant à elle cylindrique, de diamètre inférieur à la partie d’embase 307, une nervure longitudinale 305a étant formée à la surface de la partie arrière 305, et servant de détrompeur lors de l’enfichage du connecteur XLR 300. Il est bien entendu que l’invention n’est pas limitée à cet égard et qu’un connecteur selon l’invention peut ne pas comporter de détrompeur.
Deux sections cylindriques de même axe 310a et 310b sont formées dans le corps 301, délimitées par un épaulement 311 dont le rôle sera décrit ci-après, la section cylindrique avant 310a à l’avant du corps 301 étant de plus grand diamètre que la section cylindrique arrière 310b à l’arrière du corps 301.
Un détrompeur 312 est formé à l’extrémité de la section cylindrique arrière 310. Son rôle sera décrit ci-après. L’invention n’est pas non plus limitée à cet égard, et il n’est pas nécessaire d’avoir un détrompeur pour le montage de l’insert dans le corps. Le détrompeur 312 assure toutefois en conjonction avec la nervure 305 le bon alignement des broches 313 avec celles du connecteur dans lequel vient s’enficher le connecteur 300.
L’insert 302 est également généralement cylindrique, formé en matière plastique moulée par injection, et est destiné à réaliser la connexion de signal entre les broches 313 et les contacts 314 aux deux extrémités de l’insert 302.
Chaque contact 314 est connecté de manière bijective à l’une des broches 313 par l’intermédiaire de tiges métalliques évidées 313a.
Les contacts 314 sont formés sur la partie avant 315 de l’insert 302, les broches 313 étant formées sur la partie arrière 316 de l’insert 302.
Une saignée longitudinale 317 est formée sur la surface externe de la partie arrière 316 de l’insert 302, et est destinée à coopérer avec le détrompeur 312 pour garantir un positionnement adéquat de l’insert 302 dans le corps 301 et prévenir toute rotation autour de l’axe de révolution de l’insert 302 pendant l’enfichage du connecteur 300 conduisant en association avec la nervure 305a, à un alignement optimal des fiches 313 avec les broches du connecteur opposé (sur lequel vient s’enficher le connecteur 300, non représenté ici). Des évidements 318 sont également formés sur la surface externe de la partie arrière 316 dans un souci d’économie de matière.
La partie avant 315 est de plus grand diamètre que la partie arrière 316, formant un épaulement 319 destiné à venir en butée contre l’épaulement 311 formé dans le corps 301 pour former une butée d’introduction de l’insert 302 dans le corps 301, l’insert 302 une fois introduit dans le corps 301 affleurant le bord libre de la partie avant 304.
De manière analogue au premier mode de réalisation, la partie avant 315 de l’insert 302 présente des saillies 315a s’étendant suivant la direction longitudinale de l’insert 302 dans le prolongement de la surface latérale de l’insert 302, en face de chaque contact 314, les saillies 315a étant séparées par des espaces 315b (trois saillies 315a dans le cas d’un connecteur XLR à trois broches). Les saillies 315a se situent à la périphérie des contacts 314 et ont pour fonction de prévenir tout contact électrique (court-circuit) avec le corps 301 (quand ce dernier est métallique). Les espaces 315b permettent quant à eux de faciliter l’accès aux bornes de raccordement pendant l’assemblage (soudure) du câble C sur les contacts 314.
La tête 303 est constituée de trois éléments : une collerette 320, une bague 321, et un capuchon 322.
La collerette 320 est analogue à la collerette 120 du premier mode de réalisation, cylindrique et creuse, et repose à son extrémité arrière sur une embase 324 ouverte pour le passage des fils du câble C vers les contacts 314 de l’insert 302, des nervures radiales 325 étant formées sur la surface arrière de l’embase 324 et étant destinées à garantir un positionnement correct de l’embase 324 sur le corps 301, par positionnement des nervures 325 dans les rainures 304b.
Ces nervures 325 permettent également de choisir l’angle de sortie du câble par rapport aux contacts 314 (0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270°, 315°) dans le cas représenté.
A l'étape 305, successive à l'étape 304, l'état du système n'est ni l'état STOP, ni l'état STRAIGHT, le module de détermination analyse, de nouveau, les données et détermine si le système est à l'état TURN. Selon un exemple, le module compare les données des capteurs avec une série de données typiques de l'état TURN. Si le module détermine que le système est à l'état TURN (sortie Y de l'étape 305) alors l'étape suivante est l'étape 303 (MOTION STATUS), sinon (sortie N de l'étape 305) l'étape suivante est une étape 306 (ACC ?).
A l'étape 303, successive à l'étape 305, le module de détermination indique que le système est à l'état TURN.
A l'étape 306, successive à l'étape 305, l'état du système n'est ni l'état STOP, ni l'état STRAIGHT, ni l'état TURN, le module de détermination analyse, de nouveau, les données et détermine si le système est à l'état ACC. Selon un exemple, le module compare les données des capteurs avec une série de données typiques de l'état ACC. Si le module détermine que le système est à l'état ACC (sortie Y de l'étape 306) alors l'étape suivante est l'étape 303 (MOTION STATUS), sinon (sortie N de l'étape 306) l'étape suivante est une étape 306 (UNKONWN).
A l'étape 303, successive à l'étape 306, le module de détermination indique que le système est à l'état ACC.
A l'étape 307, successive à l'étape 306, l'état du système n'est ni l'état STOP, ni l'état STRAIGHT, ni l'état ACC. Le système est donc à l'état indéterminé UNKNOWN. le module de détermination indique que le système est à l'état UNKOWN.
Selon une variante de réalisation, l'ordre dans lequel les différents états du système sont testés peut être modifié.
La comprend quatre séries (A), (B), (C) et (D) de graphiques illustrant des exemples de données typiques de capteurs d'un état d'un système du type des données SENSOR1 à SENSORN décrites en relation avec la .
Plus particulièrement, chaque séries (A), (B), (C) et (D) comprend trois courbes 401, 402 et 403. La courbe 401 représente des données obtenues par un capteur de vitesse angulaire, aussi appelé gyroscope, selon l'axe Oz. La courbe 402 représente des données obtenues par un capteur d'accélération selon l'axe Ox. La courbe 403 représente des données obtenues par un capteur d'accélération selon l'axe Oy. Les axes Ox, Oy, et Oz ont été défini en relation avec la .
Selon un premier exemple, la série (A) illustre les données typiques d'un état immobile STOP du système, décrit en relation avec la . En effet, aucune des courbes 401 à 403 ne présente de variation.
Selon un deuxième exemple, la série (B) illustre les données typiques d'un état STRAIGHT du système, décrit en relation avec la . En effet, seule la courbe 402 présente des variations sensiblement constante, ainsi le système ne se déplace que selon une direction rectiligne.
Selon un troisième exemple, la série (C) illustre les données typiques d'un état ACC du système, décrit en relation avec la . En effet, la courbe 402 présente une variation importante, ainsi le système présente une phase d'accélération.
Selon un quatrième exemple, la série (D) illustre les données typiques d'un état TURN du système, décrit en relation avec la . En effet, la courbe 401 présente une variation importante, et les courbes 402 et 403 présentent aussi des variations, ainsi le système est en train de décrire une ligne courbe.
La représente un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fonctionnement 500 d'un module de détermination de paramètres d'un système, du type du module 206 et du système 200 décrits en relation avec la . La illustre en particulier une matrice de paramètres 501 utilisée par le module de calcul. Selon un exemple, la matrice 501 est obtenue en utilisation le module 206 pour mettre en oeuvre le procédé 300 décrit en relation avec la .
Le mode de fonctionnement 500 représente la génération, par le module de génération de paramètres 206, de paramètres, du type des paramètres Tuned_Param de la , destinés à configurer un module de calcul du type du module 201-3 décrit en relation avec la .
Pour générer ces paramètres, le module de génération de paramètre utilise une matrice de configuration 501 comprenant toutes les valeurs que peuvent prendre les paramètres de configuration du module de calcul pour chaque état du système. Selon un exemple, chaque ligne de la matrice 501 comprend les valeurs des paramètres de configuration pour un seul état du système, et chaque colonne de la matrice 501 comprend les valeurs d'un même paramètre pour chaque état du système. Selon une variante, les lignes et colonnes peuvent être inversées.
Le module de génération de paramètres utilise, en outre, un outil de sélection 502 adapté à recevoir la donnée Motion_State figurant l'état du système, et à choisir les paramètres dans la matrice de configuration. Plus particulièrement, selon un exemple, l'outil de sélection 502 est adapté à choisir une ligne de la matrice 501, ou le cas échéant une colonne, en fonction de la valeur de la donnée Motion_State. La ligne, ou colonne, de paramètres est ensuite fournies au module de calcul.