INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un autre mode de réalisation, l’accessoire est configuré de manière à ce que la deuxième bride (16) dépasse d'au plus 4 mm, d'au plus 3,5 mm, d'au plus 3 mm, d'au plus 2,5 mm, d'au plus 2 mm, d'au plus 1,8 mm ou d'environ 1,6 mm par rapport au mur (mur 7 ou plaque de plâtre 24) perpendiculairement à l’ébrasement sur lequel la bride est fixée ou de sorte que la distance entre la deuxième bride (16) et le mur (plaque de plâtre 24 ou mur 7) perpendiculairement à l’ébrasement sur lequel la bride est fixée est d'au plus 4 mm, d’au plus 3,5 mm, d'au plus 3 mm, d'au plus 2,5 mm, d'au plus 2 mm ou d'au plus 1,8 mm ou d'environ 1,6 mm. Pour ce faire, la partie (17) définissant l’arête d'angle de l’accessoire dépasse d’au plus 4 mm, d’au plus 3,5 mm, d’au plus 3 mm, d’au plus 2,5 mm, d’au plus 2 mm, ou d’au plus 1,8 mm ou d’environ 1,6 mm du plan défini par la deuxième bride (16). Grâce aux ouvertures de préhension à maille très fine de la deuxième bride, après l'étalement et le durcissement de la couche de finition sur la deuxième bride susmentionnée, une liaison solide est créée entre l'élément d'une part et la finition d'autre part. Si la deuxième bride dépasse d’au plus 3 mm la plaque ou du mur placé perpendiculairement à l'élément, il suffit d'appliquer seulement 3 mm d'enduit de finition car l'arête d'angle (17) du profilé d'angle sert de guide pour l'application de l'enduit de finition. En outre, si le mur est constitué de plaques de plâtre, une finition parfaite du mur peut être obtenue si la couche de finition est appliquée sur une largeur d'environ 10 à 50 cm de la plaque de plâtre (24) à laquelle la deuxième bride (16) se raccorde, à compter à partir du profilé d'angle. Si l'on utilise le modèle précédent décrit dans le document BE1025362B1, le mur auquel la deuxième bride se raccorde doit être entièrement recouvert d'une épaisseur de plâtre d'environ 7 mm. En d'autres termes, l'avantage de la conception décrite ici permet de réaliser d'importantes économies en termes de coûts de matériaux et de main-d'œuvre et de finir les structures constituées de plaques de plâtre.
Les brides (15, 16) sont légèrement repliées vers l'intérieur le long de leur bord supérieur et sont pourvues d'ouvertures de préhension centrées sur les brides, uniformément réparties, les brides (15, 16) ayant un nombre différent d'ouvertures de préhension par unité de surface. Le profilé d'angle est ainsi asymétrique dans le sens longitudinal. La première bride (15) ne comporte aucune perforation ou une série de grandes perforations ou d'ouvertures de préhension (21), tandis que la seconde bride (16) comporte une série de petites perforations ou d'ouvertures de préhension (22). Le nombre d'ouvertures de préhension par unité de surface dans la deuxième bride (16) est au moins le double du nombre d'ouvertures de préhension par unité de surface dans la première bride (15).
Dans un mode de réalisation spécifique, toutes les ouvertures de préhension d'une bride sont de la même taille. La taille des ouvertures de préhension (21) de la première bride (15) est au moins deux fois supérieure à celle des ouvertures de préhension (22) de la seconde bride (16). Grâce à l'absence de perforations dans la première bride (15) ou à la présence d'un nombre limité de perforations plus grandes dans la première bride (15), le profilé d'angle est très bien ancré dans la plaque de plâtre et peut résister à des charges ou à des chocs importants, par exemple pendant le transport et l'installation des plaques. Grâce aux perforations plus petites de la deuxième bride (16), l'enduit de finition peut y adhérer facilement et la construction du mur ou de la plaque de plâtre peut être finie plus finement. Par conséquent, la deuxième bride (16) est également plus flexible que la première bride (15), ce qui lui permet de s'adapter aux contours du mur ou de la plaque de plâtre (24) sur laquelle elle doit être posée. Le profil à mailles fines de la deuxième bride (16) réduit également le risque de fissures ou de craquelures dans la finition et permet de la fixer mécaniquement à la surface à finir au moyen d'agrafes, par exemple, ce qui donne un résultat plus durable et plus esthétique.
Dans un mode de réalisation spécifique, la première bride (15) contient, en moyenne sur toute la surface de la bride, pas plus de 1 ouverture de préhension par cm², pas plus de 0,75 ouverture de préhension par cm², pas plus de 0,5 ouverture de préhension par cm² ou pas plus de 0,25 ouverture de préhension par cm². Dans un autre mode de réalisation spécifique, la taille des ouvertures de préhension (21) dans la première bride (15) est comprise entre 0,5 et 1,5 cm², entre 0,8 et 1,2 cm², entre 0,9 et 1,1 cm² ou est d'environ 1 cm².
Dans un autre mode de réalisation spécifique, la deuxième bride (16) comprend, en moyenne sur toute la surface de la bride, au moins 5 ouvertures de préhension par cm², au moins 6 ouvertures de préhension par cm², au moins 7 ouvertures de préhension par cm², au moins 8 ouvertures de préhension par cm², au moins 9 ouvertures de préhension par cm² ou au moins 10 ouvertures de préhension par cm². Dans un autre mode de réalisation spécifique, la taille des ouvertures de préhension (22) dans la deuxième bride (16) est comprise entre 2 et 15 mm², entre 3 et 12 mm², entre 4 et 10 mm², entre 5 et 8 mm² ou environ 6 mm² ou est d’environ 7 mm².
Ben entendu, l’invention n’est pas limitée à ce mode de réalisation pour la fausse palette 52. Quel que soit le mode de réalisation, la fausse palette 52 est positionnée entre le système de pose 38 et le support 46 sur lequel est positionnée une palette 34 à remplir, et configurée pour occuper un premier état dans lequel la fausse palette 52 supporte des sacs de manière à former des couches de sacs et un deuxième état dans lequel la fausse palette 52 laisse tomber les sacs, préalablement supportés par la fausse palette 52, sur la palette 34.
Selon une caractéristique importante, la fausse palette 52 est dimensionnée pour supporter au moins deux couches de sacs, comme illustré sur la par exemple.
Selon un mode de réalisation, au moins un élément parmi la fausse palette 52 et le système de pose 38 est mobile par rapport à l’autre pour que la distance séparant le système de pose 38 et la surface de pose des sacs positionnée sur la fausse palette 52 soit sensiblement constante. Ainsi, lorsque le système de pose 38 pose des sacs sur la fausse palette 52, le système de pose 38 est séparé de la fausse palette 52 d’une première distance. Lorsque le système de pose 38 positionne des sacs sur une couche complète déjà positionnée sur la fausse palette 52, le système de pose 38 est séparé de la couche complète d’une deuxième distance sensiblement égale à la première distance. Ainsi, les sacs lâchés par le système de pose 38 tombent toujours de la même hauteur.
Selon une configuration, la fausse palette 52 est fixe en hauteur. Seul le système de pose 38 change de position en hauteur en fonction de la couche posée sur la fausse palette 52, le système de pose 38 étant décalé vers le haut après la réalisation d’une couche de sacs directement posée sur la fausse palette 52, pour réaliser une deuxième couche de sacs posée sur la couche de sacs déjà posée sur la fausse palette 52.
Selon une autre configuration, le système de pose 38 reste fixe en hauteur. Seule la fausse palette 52 change de position en hauteur en fonction de la couche posée sur la fausse palette 52, la fausse palette 52 étant décalée vers le bas après la réalisation d’une couche de sacs directement posée sur la fausse palette 52, pour réaliser une deuxième couche de sacs posée sur la couche de sacs déjà posée sur la fausse palette 52.
Selon une autre configuration, le système de pose 38 et la fausse palette 52 changent de position en hauteur en fonction de la couche posée sur la fausse palette 52.
Selon un mode de réalisation, au moins un élément parmi le système de pose 38 et la fausse palette 52 se déplace horizontalement lors de la pose des sacs sur la fausse palette 52.
Selon une configuration, le système de pose 38 reste immobile et ne peut que pivoter autour d’un axe vertical afin de modifier l’orientation des sacs. Selon cette configuration, la fausse palette 52 se déplace horizontalement pour que le sac posé par le système de pose 38 soit correctement positionné sur la fausse palette 52.
Selon une autre configuration, la fausse palette 52 est immobile dans un plan horizontal. Seul le système de pose 38 se déplace dans un plan horizontal pour positionner chaque sac correctement sur la fausse palette 52.
Selon une autre configuration, le système de pose 38 et la fausse palette 52 peuvent se déplacer horizontalement.
La fausse palette 52 est reliée au châssis fixe 44 par une liaison qui peut être plus ou moins complexe en fonction de la cinématique de la fausse palette 52. Selon une configuration, la liaison est une liaison glissière permettant le changement d'état de la fausse palette 52. Selon une autre configuration, la fausse palette 52 est reliée à une structure par une première liaison permettant le changement d’état de la fausse palette 52 et la structure est reliée au châssis fixe par au moins une deuxième liaison permettant à la structure de se déplacer verticalement et/ou horizontalement.
Comme illustré sur la , toutes les couches de sacs posées sur la palette 34 présentent une section horizontale constante.
Le dispositif de palettisation 30 comprend un premier système de conformation 54 positionné juste au-dessus de la fausse palette 52 et configuré pour conformer au moins une couche de sacs positionnée sur la fausse palette 52 ainsi qu’un deuxième système de conformation 56 positionné juste au-dessous de la fausse palette 52 et configuré pour conformer au moins une couche de sacs positionnée sous la fausse palette 52.
Par « positionné juste au-dessus ou juste au-dessous », on entend une distance inférieure à la hauteur d’une couche de sacs.
Selon une configuration, au moins un élément parmi les premier et deuxième systèmes de conformation 54, 56 présente une hauteur suffisante pour compacter deux couches de sacs. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième systèmes de conformation 54, 56 présentent chacun une hauteur suffisante pour compacter deux couches de sacs.
Les premier et deuxième systèmes de conformation 54, 56 sont cinématiquement liés à la fausse palette 52. Lorsque cette dernière est reliée à une structure mobile verticalement et/ou horizontalement par rapport au châssis fixe 44, les premier et deuxième systèmes de compactage 54, 56 sont reliés à cette structure mobile.
Dans une démarche d’éco-design et de volonté de construire des batteries lithium-ion plus durables et plus respectueuses de l’environnement, de nombreuses recherches sont en cours sur le recyclage des différents éléments des batteries, notamment sur la matière active. Il est également connu de CN108736086 et de CN105098281 des procédés de récupération des matériaux présents dans une batterie. Il existe donc un besoin pour améliorer et allonger le cycle de vie des éléments présents dans une batterie, notamment celui du liant. Cependant, l’allongement du cycle de vie de ces composants et leur ré-utilisation présente une certaine difficulté technique car les performances de la batterie utilisant ces composants de seconde vie ne doit pas pour autant être diminué. Dans le cas du liant, il faut donc s’assurer que le liant recyclé n’introduit pas d’impuretés qui seraient susceptibles de causer des dégradations électrochimiques dans la batterie. La présente invention a pour but de pallier au moins une partie de ces inconvénients et de fournir des batteries plus performantes.
Selon un premier aspect, la présente invention concerne une composition comprenant des particules d’un polymère P1 de poly(fluorure de vinylidène) comprenant un composé C1 sélectionné parmi le groupe consistant en un polymère P1 a comprenant des unités monomériques issues d’un monomère M1 sélectionné parmi le groupe consistant en cellulose, carboxyméthylecellulose, méthylcellulose, hydroxypropylcellulose, éthylcellulose, hydroxypropylmethylcellulose et éthylméthylcellulose, un polymère P1 b comprenant des unités monomériques issues du styrène et du butadiène et un polymère P1 c comprenant des unités monomériques issues de la N-vinylpyrrolidone, ou un mélange de ceux-ci ; caractérisé en ce que la teneur massique en composé C1 dans lesdites particules P1 de poly(fluorure de vinylidène) est compris entre 1 ppm et 5% sur base du poids total desdites particules P1 .
Selon un mode de réalisation préféré, lesdites particules du polymère P1 sont issues d’un polymère poly(fluorure de vinylidène) recyclé d’un dispositif électrochimique ou d’une membrane contenant celui-ci.
Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir retirer des résidus de la nanostructuration, ainsi que d’éventuellement modifier la sélectivité des dépôts du cristal dans les nanotunnels.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape d 2 ) est suivie d’une étape d 21 ) appliquer un traitement de surface de la couche interfaciale nanostructurée avec des ions hydrogène, de préférence implantés ou sous forme d’un plasma.
Ainsi, un avantage procuré est de désoxyder la surface, passiver les liaisons pendantes, et diminuer la défectivité de l’interface épitaxiale. Un tel traitement de surface peut également modifier la sélectivité des dépôts du cristal dans les nanotunnels car la passivation des liaisons pendantes bloque temporairement la formation de liaisons interatomiques.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape e) est exécutée par une technique choisie parmi : - un collage, un collage direct, un collage direct assisté par laser, un collage avec activation de surface pouvant être sous vide, un collage hybride, un collage eutectique, un collage par thermocompression, un collage par diffusion atomique, un collage anodique, un collage humide pouvant être hydrophile ou hydrophobe, un collage avec activation plasma, un collage ultraviolet ; - un dépôt par laser pulsé ; - un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, un dépôt de couches atomiques, un dépôt de couches atomiques assisté par plasma, un dépôt assisté par faisceau d’ions, un dépôt assisté par faisceau d’électrons, un dépôt par faisceau d’ions ; - une pulvérisation ; - une évaporation, de préférence sous vide ; - une croissance additive ; - un dépôt à la tournette ; - une sérigraphie ; - une épitaxie, une épitaxie à distance (« remote epitaxy » en langue anglaise), une épitaxie par jets moléculaires, une épitaxie en phase solide, une épitaxie induite par effet laser impulsionnel, une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b) comporte une étape choisie parmi : b 1 ) effectuer un calcul atomistique de l’interface modélisée lors de l’étape a) à l’aide d’un potentiel interatomique ; ou b’ 1 ) obtenir une figure de Moiré de l’interface modélisée lors de l’étape a) ; ou b’’ 1 ) effectuer un calcul ab initio d’une structure de l’interface modélisée lors de l’étape a) ; les étapes b 1 ), b’ 1 ) et b’’ 1 ) étant mises en œuvre au moyen d’un ordinateur.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) comporte une étape a 1 ) construire des mailles cristallines du cristal sur des mailles cristallines du substrat cristallin ; l’étape a 1 ) étant mise en œuvre au moyen d’un ordinateur.
- Par « cristal/cristallin », on entend un solide dont les constituants sont assemblés de manière régulière. En d’autres termes, le diagramme de diffraction est essentiellement discret, conformément à la définition officiellement donnée par l’Union internationale de cristallographie (IUCR, « International Union of Crystallography »). Le solide peut être monocristallin ou polycristallin, mais pas amorphe.
- Par « substrat », on entend un support physique autoporté. Un substrat peut être une tranche (également dénommée « plaquette », « wafer » en langue anglaise) qui se présente généralement sous la forme d’un disque issu d’une découpe dans un lingot d’un matériau cristallin.
- Par « réseau cristallin », on entend la répétition spatiale périodique de motifs (dénommés mailles cristallines) définissant la structure cristalline du cristal ou du substrat cristallin.
- Par « énergie potentielle élastique », on entend l’énergie élastique de déformation dans un solide cristallin, liée à l’interaction élastique entre les constituants (e.g. atomes) du solide cristallin. On parle également d’énergie potentielle d’interaction ou d’énergie élastique.
- Par « couche interfaciale », on entend une couche formant une interface entre le substrat cristallin et le cristal.
- Par « nanostructurée », on entend une couche comportant des motifs, généralement périodiques, de taille nanométrique ou subnanométrique.
- Par « nanotunnels traversants », on entend des orifices de taille nanométrique, traversant la couche interfaciale de part en part.
- Par « agencés selon une répartition correspondant aux minima de l’énergie potentielle élastique », on entend que chaque nanotunnel traversant est localisé dans une zone de la couche interfaciale centrée sur un minimum de l’énergie potentielle élastique. La zone de la couche interfaciale, centrée sur un minimum de l’énergie potentielle élastique, est circonscrite par une région de la couche interfaciale où l’énergie potentielle élastique est strictement inférieure à l’énergie minimale de formation des défauts étendus. En d’autres termes, la courbe d’iso-énergie de chaque nanotunnel traversant, définissant leur contour, est inscrite dans une région de la couche interfaciale où l’énergie potentielle élastique est strictement inférieure à l’énergie minimale de formation des défauts étendus.
- Par « sites de nucléation », on entend des zones du substrat cristallin propices à la formation d’une transition entre deux phases solides cristallines. On parle également de sites de germination.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel, lors de la circulation fluidique dans chacune des chambres d’électrophorèse, le champ électrique généré est de 200V à 4 000 V.
La gamme de « 200 V à 4000 V » comprend les gammes suivantes : de 200 à 500 V ; de 500 à 1 000 V ; de 1 000 à 1 500 V ; de 1 500 à 2 000 V ; de 2 000 à 2 500 V ; de 2 500 à 3 000 V ; de 3 000 à 3 500 V ; de 3 500 à 4 000 V.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel lors de la circulation fluidique dans chacune des chambres d’électrophorèse, une température homogène, en particulier de 10°C à 40°C, est appliquée dans chacune des chambres d’électrophorèse,
et/ou dans lequel, lors de la circulation fluidique dans chacune des chambres d’électrophorèse, le champ électrique généré est de 200V à 4 000 V.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, mis en œuvre pour purifier et/ou séparer une protéine.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, mis en œuvre pour purifier et/ou séparer des isomères, en particulier des énantiomères.
Selon un mode de réalisation particulier, la présente invention concerne le procédé tel que défini ci-dessus, mis en œuvre pour purifier et/ou séparer une protéine ou mis en œuvre pour purifier et/ou séparer des isomères, en particulier des énantiomères.
Un autre objet de la présente invention concerne une utilisation d’un dispositif selon l’invention tel que défini ci-dessus, comportant une seule chambre d’électrophorèse, en particulier dont la hauteur h de la partie évidée est de 25 à 200 µm ou de 1,0 à 5,0 mm, pour déterminer et optimiser la circulation fluidique du produit à purifier et/ou à séparer afin de mettre en place un dispositif industriel selon l’invention tel que défini ci-dessus comprenant de 10 à 100 chambres d’électrophorèse
Un autre objet de la présente invention concerne une méthode de mise au point d’un dispositif industriel de purification et/ou de séparation d’une solution comprenant le produit à purifier et/ou à séparer par électrophorèse comprenant les étapes suivantes : une première étape d’étude mettant en œuvre un dispositif selon l’invention tel que défini ci-dessus comprenant une seule chambre d’électrophorèse, en particulier dont la hauteur h de la partie évidée est de 25 à 200 µm ou de 1,0 à 5,0 mm, pour déterminer et optimiser la circulation fluidique du produit à purifier et/ou à séparer, une deuxième étape de mise en place dudit dispositif industriel comprenant de 10 à 100 chambres d’électrophorèse.
Figures et Exemple
représente un schéma en vue éclatée d’un dispositif de microcellules d’électrophorèse comportant de 30 cellules d’électrophorèse réparties en rangées de 10 cellules sur 3 étages, sans représentation des moyens de serrage de toutes les plaques.
(1) représente une plaque d’électrophorèse comprenant une rangée de 10 chambres d’électrophorèse comportant chacune une partie évidée (6) en forme parallélépipède rectangle, chaque chambre comprenant des entrées ou sorties (7) et des canaux d’approvisionnement ou de récupération (8), deux parties évidées adjacentes sont séparées par une même paroi. (2) représente une plaque de saphir synthétique assurant la séparation des fluides entre deux plaques mais permettant des échanges thermiques. (3) représente une plaque de refroidissement comprenant un système de refroidissement (4) qui comprend un évidement permettant la circulation d’un fluide caloporteur d’une entrée vers une sortie. (5) représente un étage constitué d’une succession des plaques YZYXYZY. Le dispositif comprend 3 étages et est constitué de la séquence suivante YZY X YZY X YZY X YZY dans laquelle les deux séquences centrales YZY sont communes à deux étages successifs, respectivement au premier et deuxième étage et au deuxième et troisième étage.
représente la partie évidée (6) d’une chambre d’une plaque d’électrophorèse (1). La partie évidée s’inscrit dans un parallélépipède rectangle de largeur Lae, de longueur Loe et de hauteur h, délimitée par les faces (a, b, c, d, e, f), les faces (a, b, c, d) forment les parois latérales entre la partie évidée et la plaque X, les faces (a, b) étant parallèles entre elles et les faces (c, d) étant parallèles entre elles. La face (a) est délimitée par les arêtes (A1, A2) de dimension Lae, la face (b) par les arêtes (B1, B2) de dimension Lae. La face (c) est délimitée par les arêtes (C1, C2) de dimension Loe, la face (d) par les arêtes (D1, D2) de dimension Loe. Les arêtes (A1, B1, C1, D1) délimitent la face (e) et les arêtes (A2, B2, C2, D2) délimitent la face (f).
représente un schéma en vue éclaté d’un dispositif d’un étage comportant une seule chambre d’électrophorèse, sans représentation des moyens de serrage de toutes les plaques.
(1) représente une plaque d’électrophorèse comprenant une seule chambre comportant une partie évidée (6) en forme parallélépipède rectangle, comprenant des entrées ou sorties (7) et des canaux d’approvisionnement ou de récupération (8). (2) représente une plaque de saphir synthétique assurant la séparation des fluides entre deux plaques mais permettant des échanges thermiques. (3) représente une plaque de refroidissement comprenant un système de refroidissement (4) qui comprend un évidement permettant la circulation d’un fluide caloporteur d’une entrée vers une sortie, l’entrée du fluide caloporteur étant sur le même côté que celle des entrées de la chambre d’électrophorèse. Le dispositif est constitué d’un seul étage (5) comportant une succession des plaques YZYXYZY.
représente en partie a) un dispositif d’un étage comportant une rangée de 10 chambres d’électrophorèse et en partie b) un dispositif de deux étages, chaque étage comportant une rangée de 10 chambres d’électrophorèse.
Un premier procédé de fabrication du fil 2 va maintenant être décrit en référence à la .