Quelle que soit la façon dont est formé l’empilement de couches à base de matériaux III-V, soit séparément puis reporté par collage SiO2-SiO2 sur le substrat Si, soit directement par épitaxie sur le substrat InPoSi, l’empilement comprend de préférence, selon z et en partant de la couche d’oxyde 2 : une couche 31 à base d’InP, qui peut être selon les cas une couche de liaison à base d’InP avec la deuxième couche de collage 22 ou une couche d’InP superficielle d’un substrat InPoSi. Cette couche 31 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 50 nm. une couche 32 à base d’InGaAs, qui sert de couche d’arrêt à la gravure. De façon connue, un arrêt de gravure peut être effectué par détection de fin d’attaque, en détectant le changement de nature des matériaux gravés lors de la gravure et/ou en tirant parti de la sélectivité à la gravure des matériaux de la couche à graver et de la couche d’arrêt. Cette couche 32 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 20 nm. une couche 33 à base d’InP dopée N+, qui assure une bonne conductivité électrique sous le collecteur du transistor HBT. Cette couche 33 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 350 nm. une couche 34 à base d’InGaAs dopée N+, qui assure une bonne conductivité électrique sous le collecteur du transistor HBT. Cette couche 34 fait typiquement office d’interface avec le contact de collecteur du transistor HBT. Cette couche 34 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 20 nm. Les couches 33, 34 peuvent former une couche 3 dite de sous-collecteur. une couche 41 à base d’InP dopée N+, destinée à former une partie du collecteur. Cette couche 41 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 50 nm. une couche 42 à base d’InP dopée N-, destinée à former une partie du collecteur. Cette couche 42 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 85 nm. une deuxième couche 43 à base d’InP dopée N-, destinée à former une partie du collecteur. Cette couche 43 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 25 nm. une couche 44 à base d’InGaAs dopée N-, destinée à former une partie du collecteur. Cette couche 44 présente typiquement une épaisseur inférieure ou égale à 20 nm, par exemple de l’ordre de 10 nm ou de 5 nm. Les couches 41, 42, 43, 44 forment typiquement la couche 4 de collecteur. Ces différentes couches 41, 42, 43, 44 sont de préférence configurées de manière à ce que le dopage de type N diminue progressivement entre la couche 41 et la couche 44. Cela permet de mieux accommoder les variations de conductivité et les contraintes mécaniques au sein de l’empilement. Ces couches 41, 42, 43, 44 sont typiquement dimensionnées en épaisseur et en dopage de façon à gérer le champ électrique et l’écoulement des charges dans le collecteur.. une couche 5 à base d’InGaAs dopée P++, destinée à former une première jonction P/N avec la couche 44. Cette couche 5 forme typiquement la base du transistor HBT. Elle est typiquement directement connectée au contact de base du transistor HBT. Cette couche 5 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 28 nm. D’autres matériaux sont également envisageables pour cette couche 5 de base, par exemple GaAsSb. une couche 61 à base d’InP dopée N-, destinée à former une deuxième jonction P/N avec la couche 5, de type hétérojonction. Cette couche 61 forme typiquement une partie de l’émetteur. Cette couche 61 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 20 nm. une couche 62 à base d’InP dopée N+, destinée à former une partie de l’émetteur. Cette couche 62 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 30 nm. une couche 63 à base d’InGaAs dopée N+, destinée à former une partie de l’émetteur. Cette couche 63 fait typiquement office d’interface avec le contact d’émetteur du transistor HBT. Cette couche 63 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 20 nm. Les couches 61, 62, 63 forment typiquement la couche 6 d’émetteur. une couche 64 à base d’InP, qui sert de couche d’arrêt à la gravure. Cette couche 64 présente typiquement une épaisseur de l’ordre de 20 nm.