Procédé de caractérisation électrique d’un échantillon photovoltaïque (100) comprenant au moins un empilement de couches (112, 114, 116, 118, 126) incluant une couche de matériau absorbeur (112) et des électrodes de mesure de forme et de dimension identiques et disposées sur une première face (106) de l’échantillon photovoltaïque (100) et formant N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4) présentant des distances inter-électrodes d 1 - d N différentes les unes des autres, avec N nombre entier supérieur ou égal à 2, les électrodes de mesure d’une même paire d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4) étant parallèles l’une par rapport à l’autre, caractérisé en ce qu’il comprend au moins : a) définition ou calcul (10) d’une valeur cible de densité surfacique d’un signal de photoluminescence destiné à être émis depuis des régions de l’échantillon photovoltaïque (100) localisées entre les électrodes de mesure de chacune des N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4) ; b) pour chacune des N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4), de distances inter-électrodes d i , avec i un nombre entier compris entre 1 et N , détermination (20) d’une valeur d’une intensité lumineuse, pour un spectre donné S PL illuminant une face, correspondant à la première face (106) de l’échantillon photovoltaïque (100) ou à une deuxième face (107), opposée à la première face, de l’échantillon photovoltaïque (100), telle qu’une valeur de densité surfacique d’un signal de photoluminescence émis depuis la région de l’échantillon photovoltaïque (100) localisée entre les électrodes de mesure adjacentes présentant la distance inter-électrodes d i , soit la plus proche possible de la valeur cible ; c) pour chacune des N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4), de distance inter-électrodes d i , mesure (30) d’une résistance électrique entre les électrodes de mesure adjacentes présentant la distance inter-électrodes d i , pendant une illumination de ladite face de l’échantillon photovoltaïque (100) avec le spectre S PL appliqué avec l’intensité lumineuse ; d) détermination (40) d’une valeur R Sh de résistance de couche de la couche de matériau absorbeur (112) et d’une valeur R c de résistance de contact d’une des électrodes de mesure avec la couche de matériau absorbeur (112), par interpolation linéaire entre au moins deux des valeurs mesurées à l’étape c). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la valeur cible est calculée à partir d’une valeur cible de résistance de couche de la couche de matériau absorbeur (112) ou d’une valeur cible d’un taux d’injection de porteurs de charge dans la couche de matériau absorbeur (112). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la valeur est calculée par méthode TLM en illuminant ladite première face (106) de l’échantillon photovoltaïque (100) avec une lumière dont les caractéristiques spectrales et l’intensité sont prédéterminées, ou dans lequel la valeur est prédéfinie. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la valeur est obtenue par calcul à partir de la valeur cible . Procédé selon la revendication 1, dans lequel la valeur cible est définie à partir d’une mesure de photoluminescence d’une valeur en illuminant l’échantillon photovoltaïque (100) avec une lumière dont les caractéristiques spectrales et l’intensité sont prédéterminées ; l’illumination de l’échantillon photovoltaïque et la mesure de photoluminescence sont réalisées sur ladite première face. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la valeur cible est prédéfinie. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape b) est mise en œuvre : - en réalisant une cartographie, avec le spectre S PL et sous une illumination d’intensité , de la densité surfacique de signal de photoluminescence de l’échantillon photovoltaïque (100) entre chacune des N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4), et en calculant les différentes valeurs de permettant d’obtenir la même valeur entre chaque paire d’électrode telle que ; ou - par essais successifs ou avec un balayage de différentes valeurs possibles de . Procédé selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre une étape e) de détermination de valeurs de la résistivité de contact spécifique ρ C et de la longueur de transfert L T de la couche de matériau absorbeur (112) à partir des valeurs déterminées R Sh de résistance de couche de la couche de matériau absorbeur (112) et R c de résistance de contact d’une des électrodes de mesure avec la couche de matériau absorbeur (112). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche de matériau absorbeur (112) comporte une couche de semi-conducteur cristallin, l’empilement de couches comprenant en outre au moins deux couches de semi-conducteur amorphe (114, 116, 118, 126) entre lesquelles la couche de matériau absorbeur (112) est disposée. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel chacune des électrodes de mesure comporte une portion de métal (122) disposée sur une portion d’oxyde transparent conducteur (120). Dispositif (200) de caractérisation électrique d’un échantillon photovoltaïque (100) comprenant au moins un empilement de couches (112, 114, 116, 118, 126) incluant une couche de matériau absorbeur (112) et des électrodes de mesure de forme et de dimension identiques et disposées sur une première face (106) de l’échantillon photovoltaïque (100) et formant N paires d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4) présentant des distances inter-électrodes d 1 - d N différentes les unes des autres, avec N nombre entier supérieur ou égal à 2, les électrodes de mesure d’une même paire d’électrodes de mesure adjacentes (108.1 – 108.4) étant parallèles l’une par rapport à l’autre, configuré pour mettre en œuvre un procédé de caractérisation selon l’une des revendications précédentes.