INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour déterminer les boîtes de référence AN, les dimensions des boîtes annotées BOI* associées ) au moins une partie des images d’entraînement I* de chaque zone z sont par exemple partitionnées (de l’anglais « clustering ») pour obtenir un ou plusieurs groupes (« clusters » en anglais) de dimensions similaires des boîtes annotées BOI*. Par exemple, un partitionnement par moyenne-K (de l’anglais « K-means ») est réalisé. Une boîte de référence AN est alors associée à chacun des groupes trouvés, avec des dimensions dérivées des dimensions du groupe considéré, par exemple en prenant un centroïde du groupe considéré.
Par exemple, en référence à la où la largeur de boîte est en abscisse et la hauteur de boîte en ordonnée, le partitionnement peut donner quatre groupes pour la zone A (pale d’aube), soit quatre boîtes de référence AN A1 , AN A2 , AN A3 , AN A4 , et trois groupes pour la zone B (pieds d’aube), soit trois boîtes de référence AN B1 , AN B2 , AN B3 .
De tels problèmes d’interférences sont particulièrement présents dans la bande 3,7-3,98 GHz qui a été autorisée pour la 5G. Une telle bande de fréquences est proche de celle utilisée dans les radioaltimètres fonctionnant dans une bande de fréquences comprise entre 4,2 à 4,4 GHz.
Les autorités ont émis des bulletins d’informations à l’attention des avionneurs et des opérateurs aériens reportant de tels problèmes d’interférences (Service Information Bulletin EASA 2021-16 du 17 Décembre 2021 et Special Airworthiness Information Bulletin FAA « AIR-21-18 » du 2 Novembre 2021).
Aujourd’hui, un personnel navigant cabine d’un aéronef demande aux passagers d’éteindre leurs équipements de télécommunication mobile ou de les commuter dans un mode « avion ». A part une vérification visuelle des équipements de télécommunication des passagers présents dans l’aéronef, il n’existe pas de solution efficace pour vérifier la bonne application de telles consignes.
La présente invention permet de fournir au personnel navigant cabine un système de détection permettant de vérifier de manière simple et rapide que tous les dispositifs émettant des ondes électromagnétiques des passagers présents dans un aéronef sont éteints, commutés dans un mode « avion » ou n’émettent pas d’ondes électromagnétiques dans une bande de fréquences prédéterminée.
A cette fin, selon un premier aspect, un mode de réalisation propose un procédé de détection, dans un aéronef, d’un dispositif émettant des ondes électromagnétiques dans une bande de fréquences prédéterminée. A cet effet, l’aéronef comporte au moins un capteur d’ondes électromagnétiques, apte à mesurer des ondes électromagnétiques émises par le dispositif émettant des ondes électromagnétiques dans la bande de fréquences prédéterminée.
Plus spécifiquement, le procédé de détection comporte au moins :
une étape d’obtention de mesures, consistant à obtenir au moins une mesure d’un signal reçu par le capteur d’ondes électromagnétiques ; une étape de contrôle, consistant à vérifier si la mesure obtenue est supérieure à un seuil prédéterminé ; une étape d’identification de capteur, consistant à identifier le capteur d’ondes électromagnétiques ayant fourni la mesure qui est supérieure au seuil prédéterminé ; une étape d’identification de zone, consistant à identifier au moins une zone dans laquelle se trouve le capteur d’ondes électromagnétiques ayant fourni la mesure supérieure au seuil prédéterminé ; et une étape de notification, consistant à générer au moins une information et/ou un signal indiquant la zone identifiée.
Selon l’invention, l’étape d’obtention de mesures, l’étape de contrôle, l’étape d’identification de capteur, l’étape d’identification de zone et l’étape de notification sont exécutées par un dispositif contrôleur.
Le dispositif émettant des ondes électromagnétiques dans une bande de fréquences prédéterminée peut être un équipement de télécommunication.
Par ailleurs, selon l’invention, l’information et/ou le signal indiquant la zone identifiée généré(e) à l’étape de notification est à destination du personnel navigant cabine de l’aéronef.
L’invention permet ainsi de détecter de façon fiable la présence de dispositifs émettant des ondes électromagnétiques, détenus par des passagers présents dans l’aéronef, qui ne sont pas éteints ou commutés dans un mode « avion » et de notifier au personnel navigant cabine une localisation précise de tels dispositifs émettant des ondes électromagnétiques.
Pa railleurs, le procédé de détection selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des étapes suivantes prises isolément ou en combinaison, selon lesquelles : au moins une étape de comparaison, réalisée préalablement à l’étape de contrôle, consistant à comparer la mesure dans au moins une sous-bande de fréquence avec au moins un seuil correspondant à la sous-bande de fréquence ; au moins une étape de sélection, consistant à sélectionner au moins une mesure d’un premier capteur d’ondes électromagnétiques, préalablement à l’étape de comparaison et/ou l’étape de contrôle ; une étape de mémorisation consistant à mémoriser un identifiant du capteur d’ondes électromagnétiques sélectionné, si, lors de l’étape de contrôle, la mesure obtenue est supérieure au seuil prédéterminé ; une étape de vérification de traitement consistant à vérifier si des mesures reçues d’un autre capteur d’ondes électromagnétiques n’ont pas été traitées, si, lors de l’étape de contrôle, la mesure obtenue est inférieure au seuil prédéterminé ou suite à l’étape de mémorisation ; une étape de nouvelle sélection consistant à sélectionner un autre capteur d’ondes électromagnétiques et à retourner à l’étape de comparaison, si, lors de l’étape de vérification de traitement, il a été déterminé que des mesures reçues d’un autre capteur d’ondes électromagnétiques n’ont pas été traitées ; une étape de vérification de mémorisation consistant à vérifier si au moins un identifiant du capteur d’ondes électromagnétiques a été mémorisé, si, lors de l’étape de vérification de traitement, il a été déterminé que des mesures reçues d’un autre capteur d’ondes électromagnétiques ont été traitées ; une étape de génération consistant à générer une information et/ou un signal indiquant qu’aucune onde électromagnétique dans une bande de fréquences prédéterminée n’a été détectée, si, lors de l’étape de vérification de mémorisation, il a été déterminé qu’aucun identifiant du capteur d’ondes électromagnétiques a été mémorisé ; et/ou si, lors de l’étape de vérification de mémorisation, il a été déterminé qu’au moins un identifiant du capteur d’ondes électromagnétiques a été mémorisé, passer à l’étape d’identification.
Le procédé de détection selon l’invention est particulièrement adapté à une bande de fréquences comprise entre 900MHz et 4,4GHz.
Toutefois, le procédé de détection selon l’invention est susceptible d’être appliqué dans le cadre de l’application du standard EUROCAE ED-14G « Environmental conditions and test procedures for airborne equipment », qui définit une série d’environnements de tests et de procédures de tests pour les équipements embarqués dans l'aéronef. Il est rappelé que standard EUROCAE ED-14G est identique techniquement au standard RTCA DO-160G Change 1.
Notamment, le procédé de détection selon l’invention trouve une application particulière des tests d’émission de radiofréquences détaillés à la section 21 « Emission of Radio Frequency Energy » de ce dernier et des gammes de fréquences associées.
Le standard EUROCAE ED-14G / RTCA DO-160G expose le respect des procédures de test et des conditions d’environnement susceptibles d’être exigées pour les aéronefs en Europe et aux États-Unis.
Selon un exemple, le contact de base présente une portion centrale et une portion périphérique autour de la portion centrale telles que la portion périphérique présente une épaisseur inférieure à celle de la portion centrale. L’épaisseur de la portion périphérique du contact de base décroit en s’éloignant de la portion centrale. Cela permet typiquement de diminuer une capacité parasite entre le contact de base et le contact d’émetteur.
Selon un exemple, le contact de collecteur présente une portion centrale et une portion périphérique autour de la portion centrale telles que la portion périphérique présente une épaisseur inférieure à celle de la portion centrale. L’épaisseur de la portion périphérique du contact de collecteur décroit en s’éloignant de la portion centrale. Cela permet typiquement de diminuer une capacité parasite entre le contact de collecteur et le contact de base et/ou le contact d’émetteur.
Selon un exemple, le procédé de réalisation d’un transistor bipolaire à hétérojonction comprend au moins les étapes suivantes : une fourniture d’un empilement comprenant selon une direction z un substrat à base de silicium, une couche diélectrique, une première couche en un premier matériau III-V présentant un premier type de conductivité avec un premier niveau de dopage N+, une formation par épitaxie sur la première couche d’une couche dite de collecteur, à base d’un deuxième matériau III-V présentant le premier type de conductivité avec un deuxième niveau de dopage N, et une formation par épitaxie sur la couche de collecteur d’une couche dite de base, à base d’un troisième matériau III-V présentant un deuxième type de conductivité avec un premier niveau de dopage P+, une formation par épitaxie sur la couche de base d’une couche dite d’émetteur, à base d’un quatrième matériau III-V présentant le premier type de conductivité avec un troisième niveau de dopage N, une première structuration sous forme de mésa des couches de collecteur et de base, configurée pour former une première structure en mésa présentant une dimension L1 selon une direction y perpendiculaire à la direction z, une deuxième structuration sous forme de mésa de la couche d’émetteur, configurée pour former une deuxième structure en mésa présentant une dimension L2 inférieure à la dimension L1 selon la direction y, une formation d’un contact de collecteur sur la première couche, de préférence en bordure de la première structure en mesa, une formation d’un contact de base sur la couche de base, en bordure de la deuxième structure en mesa, une formation d’un contact d’émetteur sur la couche d’émetteur, lesdits contacts de collecteur, de base et d’émetteur étant formés à base d’un matériau électriquement conducteur, typiquement à base d’un matériau électriquement conducteur pris parmi W, Ti, TiN, Cu, une formation d’au moins une couche d’encapsulation couvrant la première couche, les première et deuxième structures en mesa, les contacts de collecteur, de base et d’émetteur, ladite couche d’encapsulation étant formée à base d’un matériau diélectrique, typiquement à base d’un matériau diélectrique pris parmi SiO2, SiN.
Selon un exemple, les formations des première et deuxième structures en mesa se font respectivement par une première gravure selon z des couches de collecteur et de base, et par une deuxième gravure selon z de la couche d’émetteur. Un tel procédé de réalisation est généralement appelé « top-down ». Cela permet de mieux maîtriser la qualité cristalline des différentes couches et le dimensionnel des différentes structures.
Selon un exemple, les première et deuxième gravures comprennent chacune une étape de gravure isotrope par voie humide, de sorte à ce que les première et deuxième structures en mesa présentent chacune des flancs inclinés, en surplomb respectivement de la première couche et de la couche de base. Cela permet de réduire les capacités parasites (notamment sous le collecteur). Cela permet de réaliser des contacts auto-alignés.
Selon un autre exemple, les première et deuxième gravures comprennent chacune une étape de gravure mixte par voie sèche et humide.
Selon un exemple, les étapes suivantes sont effectuées selon l’ordre chronologique suivant : formation du contact d’émetteur, puis formation de la deuxième structure en mésa, puis formation du contact de base, puis formation de la première structure en mésa, puis formation du contact de collecteur.
Selon un exemple, les étapes suivantes sont effectuées selon l’ordre chronologique suivant : formation de la deuxième structure en mésa, puis formation du contact de base, puis formation du contact d’émetteur, puis formation de la première structure en mésa, puis formation du contact de collecteur. La formation du contact de base avant celle du contact d’émetteur permet d’obtenir une faible épaisseur de contact de base de façon plus simple, avec un nombre d’étapes limité, typiquement par polissage mécano-chimique (CMP) sans gravure du contact de base. Le contact de base peut dès lors présenter une face supérieure sensiblement dans un même plan qu’une face inférieure du contact d’émetteur. Cela permet également de limiter la présence de métal lors de la gravure des couches semiconductrices qui constituent l’émetteur. Cela évite une contamination métallique du substrat ou du wafer.
Selon un exemple, la formation du contact de collecteur comprend un premier dépôt assisté par plasma azoté de tungstène, destiné à former une portion périphérique du contact de collecteur. La formation du contact de collecteur comprend en outre un amincissement de la portion périphérique du contact de collecteur par gravure préférentielle de la portion périphérique du contact de collecteur vis-à-vis d’une portion centrale du contact de collecteur. Cela permet d’éloigner la portion périphérique du contact de collecteur vis-à-vis du contact de base. La capacité parasite entre le contact de collecteur et le contact de base est diminuée. Cela permet également d’éloigner la portion périphérique du contact de collecteur vis-à-vis du contact d’émetteur. La capacité parasite entre le contact de collecteur et le contact d’émetteur est diminuée.
Selon un exemple, la formation du contact de base comprend un premier dépôt assisté par plasma azoté de tungstène, destiné à former une portion périphérique du contact de base. La formation du contact de base comprend en outre un amincissement de la portion périphérique du contact de base par gravure préférentielle de la portion périphérique du contact de base vis-à-vis d’une portion centrale du contact de base. Cela permet d’éloigner la portion périphérique du contact de base vis-à-vis du contact d’émetteur. La capacité parasite entre le contact de base et le contact d’émetteur est diminuée.
Selon un exemple, le système d’intégration comprend en outre, sur la couche comprenant l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction, au moins un troisième niveau d’interconnexions. La couche comprenant l’au moins un transistor HBT est ainsi située entre les premiers niveaux d’interconnexions CMOS et l’au moins un troisième niveau d’interconnexions. Le troisième niveau d’interconnexions est typiquement un niveau d’interconnexions CMOS.
Selon un exemple, le troisième niveau d’interconnexions comprend une couche de métal dit épais présentant une épaisseur au moins deux fois supérieure aux différentes épaisseurs de métal des premiers et deuxièmes niveaux d’interconnexions métalliques situés sous la couche comprenant l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction. Une telle couche de métal épais comprend par exemple des motifs de composants passifs, tels que des lignes de transmission, des antennes etc.
Selon un exemple, la couche de métal épais est connectée à la première couche en un premier matériau III-V du transistor bipolaire à hétérojonction par une connexion électrique de dissipation thermique, ladite connexion électrique de dissipation thermique faisant office de contact de collecteur pour le transistor bipolaire à hétérojonction. Une telle connexion électrique en face arrière du transistor HBT, pour le collecteur, permet de mieux gérer l’échauffement et la dissipation thermique du transistor HBT. L’épaisseur significative de la couche de métal épais permet typiquement de former un radiateur pour le collecteur du transistor HBT.
Selon un exemple, la première couche en un premier matériau III-V de la couche comprenant l’au moins un transistor bipolaire à hétérojonction est continue et couvre, en projection selon la direction z, totalement le premier substrat à base de silicium. La première couche en un premier matériau III-V et le premier substrat à base de silicium sont typiquement de mêmes dimensions dans le plan normal à la direction z. Cela correspond typiquement à l’utilisation de substrats InPoSi (acronyme de « InP on Silicon ») pouvant atteindre avantageusement de grandes dimensions, par exemple un diamètre de 200 mm voire 300 mm. La possibilité de concevoir des systèmes d’intégration HBT sur CMOS de grandes dimensions améliore la mise en œuvre industrielle de cette technologie (moins de pertes de matière et coût réduit).
Selon un exemple, les premiers niveaux d’interconnexions métalliques reliés aux transistors CMOS comprennent entre trois et cinq couches de métal.
Sauf incompatibilité, il est entendu que l’ensemble des caractéristiques optionnelles ci-dessus peuvent être combinées de façon à former un mode de réalisation qui n’est pas nécessairement illustré ou décrit. Un tel mode de réalisation n’est évidemment pas exclu de l’invention. Les caractéristiques d’un aspect de l’invention, par exemple le transistor HBT ou le système d’intégration, peuvent être adaptées mutatis mutandis à un autre aspect de l’invention, par exemple les procédés de réalisation ou d’intégration .
Le procédé 400 comporte ensuite une phase de prédiction.
Au cours d’une étape 416, une image à inspecter Img est obtenue, par exemple au moyen du système d’acquisition 200. Cette image à inspecter Img représente une des zones z selon une vue parmi la ou les vues prédéfinies de cette zone z. Par exemple, comme illustré sur la , l’image à inspecter Img représente la pale (zone A) d’une aube, selon l’unique vue prédéfinie pour la pale.
Au cours d’une étape 418, l’image à inspecter Img doit de préférence être traitée de la même manière que les images d’entraînement I* par le module de traitement 302.
Au cours d’une étape 420, l’image à inspecter Img est fournie au système de détection 300, le cas échéant après traitement.
Au cours d’une étape 422, lorsque le module de sélection 304 est présent, la zone z représentée sur l’image à inspecter Img est indiquée au module de sélection 304, qui désactive par exemple la ou têtes associés à la ou aux zones autres que celle indiquée. Par exemple, comme illustré sur la , la zone A est indiquée au module de sélection 304. En réponse, ce dernier désactive la tête HB et laisse active la tête HA.
Au cours d’une étape 424, le réseau dorsal BB fournit une représentation intermédiaire RI de l’image à inspecter Img.
Au cours d’une étape 426, la tête Hz associée à la zone z représentée sur l’image à inspecter Img recherche une ou des anomalies et localise chaque anomalie trouvée, à partir de la représentation intermédiaire RI.
Au cours d’une étape 428, un résultat R de cette recherche et de cette localisation est récupéré en sortie de la tête Hz associée à la zone z représentée sur l’image à inspecter Img.
Par exemple, le résultat R comporte, pour chaque boîte de référence AN associée à la zone z représentée sur l’image à inspecter Img, une position de cette boîte de référence AN dans l’image Img et une probabilité de présence d’une anomalie dans cette boîte de référence AN. Une anomalie peut ainsi être considérée comme trouvée lorsque cette probabilité est supérieure à un seuil prédéfini.
Les têtes Hz peuvent en outre être conçue pour réaliser une segmentation de chaque anomalie trouvée, c’est-à-dire un classement de chaque pixel de la boîte de référence AN contenant cette anomalie, par exemple selon deux valeurs : un valeur indiquant un pixel avec anomalie et une autre valeur indiquant un pixel sans anomalie. Cette segmentation est par exemple réalisée en ajoutant dans chaque tête un réseau de neurones de segmentation, qui sera entraîné de manière similaire aux réseaux de détection Lz et de classification Cz.
La phase de prédiction peut être répétée pour plusieurs pièces à inspecter, par exemple pour plusieurs aubes à inspecter.
En référence à la , le dispositif de détection 300 est par exemple un système informatique comportant une unité 1502 de traitement de données (telle qu’un microprocesseur) et une mémoire principale 1504 (telle qu’une mémoire RAM, de l’anglais « Random Access Memory ») accessible par l’unité de traitement 1502. Le système informatique comporte en outre par exemple une interface réseau et/ou un support lisible par ordinateur, comme par exemple un support local 1506 (tel qu’un disque dur local) ou bien un support distant (tel qu’un disque dur distant et accessible via par l’interface réseau au travers d’un réseau de communication) ou bien encore un support amovible (tel qu’une clé USB, de l’anglais « Universal Serial Bus », ou bien un CD, de l’anglais « Compact Disc » ou bien un DVD, de l’anglais « Digital Versatile Disc ») lisible au moyen d’un lecteur approprié du système informatique (tel qu’un port USB ou bien un lecteur de disque CD et/ou DVD). Un programme d'ordinateur P contenant des instructions pour l’unité de traitement 1502 est enregistré sur le support local 1506 et/ou téléchargeable via l’interface réseau. Ce programme d’ordinateur P est par exemple destiné à être chargé dans la mémoire principale 1504, afin que l’unité de traitement 1502 exécute ses instructions. Les instructions sont par exemple organisées en modules logiciels implémentant respectivement les éléments du dispositif de détection 300, tels que décrits en référence à la .
Procédé de détection d’un être vivant La présente invention se rapporte à un procédé de détection d’un être vivant. Elle trouve une application particulière mais non limitative dans les véhicules automobiles.
- pendant l’étape A), la pièce de centrage est positionnée au voisinage d’une extrémité libre de la broche de connexion par enfilement de la pièce de centrage sur la broche de connexion au travers d’un orifice de montage associé agencé sur la pièce de centrage ;
- l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : a1) montage d’au moins un élément d’interconnexion femelle sur la première face d’interconnexion de la première plaque à circuit imprimé, l’élément d’interconnexion femelle comportant au moins un logement apte à recevoir la broche de connexion de l’élément d’interconnexion mâle, a2) insertion de la broche de connexion dans le logement de l’élément d’interconnexion femelle associé ;
- l’étape a) comprend la sous-étape suivante, mise en œuvre avant la sous-étape a2) : a1.1) assemblage d’au moins un stabilisateur, le stabilisateur étant prévu pour s’appuyer sur la première plaque à circuit imprimé et maintenir la broche de connexion selon la direction axiale lorsque l’élément d’interconnexion mâle est fixé sur la première plaque à circuit imprimé ;
- l’étape a) comprend la sous-étape suivante, mise en œuvre après la sous-étape a1.1) et avant la sous-étape a2) : a1.2) positionnement de l’élément d’interconnexion mâle, équipé du stabilisateur, sur un élément de support intermédiaire apte à porter au moins un élément d’interconnexion mâle suivant la direction axiale de raccordement, et l’étape a2) est mise en œuvre par déplacement relatif de la première plaque à circuit imprimé vis-à-vis de l’élément de support intermédiaire suivant la direction axiale de raccordement jusqu’à ce que la broche de connexion soit insérée dans le logement de l’élément d’interconnexion femelle associé et que le stabilisateur soit en appui contre la première face d’interconnexion de la première plaque à circuit imprimé ;
L’invention propose aussi un ensemble de plaques à circuit imprimé interconnectées comportant au moins une première et une seconde plaques à circuit imprimé au moins partiellement superposées selon une direction axiale de raccordement électrique, la première plaque à circuit imprimé comportant sur une première face d’interconnexion au moins un élément d’interconnexion mâle muni d’au moins une broche de connexion qui s’étend parallèlement à la direction axiale de raccordement électrique, et qui est insérée dans un logement appartenant à un élément d’interconnexion femelle monté sur une seconde face d’interconnexion de la seconde plaque à circuit imprimé.