Dispositif (1) comprenant, en empilement selon une direction dite verticale (z), un substrat (10) à base de silicium, une couche de nucléation (20) sur ledit substrat (10), la couche de nucléation (20) étant en un matériau réfractaire à base de nitrure, une portion (30) de couche à base de niobate de lithium ou de tantalate de lithium, appelée portion LNO, en mésa sur ladite couche de nucléation (20), ladite portion LNO étant bordée par une couche de masquage, ledit dispositif (1) comprenant en outre deux électrodes (51, 51b, 52) configurées pour appliquer un champ électrique à la portion LNO (30). Dispositif (1) selon la revendication précédente, dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires III-N à base d’un élément du groupe III, tel que le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, et l’alliage AlGaN. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) est à base de silicium orienté selon une orientation (111), la couche de nucléation (20) est à base de nitrure d’aluminium AlN orienté selon une orientation (0001), et la portion LNO (30) est orientée selon l’orientation (0001). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion LNO (30) est surmontée par une portion d’encapsulation (31) à base d’aluminium, par exemple à base de nitrure d’aluminium AlN ou à base de saphir Al2O3. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une électrode (52) dite supérieure parmi les deux électrodes est disposée au-dessus de la portion LNO (30) et une électrode (51, 51b) dite inférieure parmi les deux électrodes est disposée en-dessous de la portion LNO (30). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes configuré pour former un dispositif électro-optique tel qu’un modulateur de phase optique. Dispositif (1) selon la revendication précédente, dans lequel la portion LNO (30) est surmontée par un motif (4) de guide d’onde configuré pour former avec la portion LNO (30) un guide d’onde en arête. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la portion LNO (30) est surmontée par des structures (6) en un matériau supraconducteur à base d’un nitrure de métal de transition tel que le nitrure de Niobium NbN, le nitrure de titane TiN, ou un alliage NbTiN, le dispositif formant un détecteur supraconducteur (2). Système comprenant, sur un même substrat (10) à base de silicium, au moins un dispositif (1) électro-optique selon l’une quelconque des revendications 6 à 7, et un composant électronique, par exemple un détecteur supraconducteur (2) selon la revendication 8. Procédé de réalisation d’un dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat (10) à base de silicium, Former sur le substrat (10) une couche de nucléation (20) en un matériau réfractaire à base de nitrure, Former sur la couche de nucléation (20) une couche de masquage (300) comprenant au moins une ouverture (3a) exposant une partie de la couche de nucléation (20), Former par épitaxie une portion (30) de couche à base de niobate de lithium, appelée portion LNO, en mésa sur la partie exposée de la couche de nucléation (20), dans l’au moins une ouverture (3a), Former deux électrodes (51, 51b, 52) configurées pour appliquer un champ électrique à la portion LNO (30). Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, après épitaxie de la portion LNO (30), un retrait au moins partiel de la couche de masquage (300) en conservant la portion LNO (30) formée localement dans l’au moins une ouverture (3a). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le retrait est effectué par polissage mécano-chimique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 12 comprenant en outre, après épitaxie de la portion LNO (30), une formation par épitaxie, sur la portion LNO (30), d’une portion d’encapsulation (31) à base d’aluminium, par exemple à base de nitrure d’aluminium AlN ou à base de saphir Al2O3. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 13 comprenant en outre, après épitaxie de la portion LNO (30), une formation d’un motif (4) de guide d’onde à base de nitrure de silicium SiN configuré pour former avec la portion LNO (30) un guide d’onde en arête. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 14 dans lequel la formation de la couche de nucléation (20) et la formation de la portion LNO (30) sont effectuées par ablation laser pulsée.