Procédé de fabrication d’un cristal (1) sur un substrat (2) cristallin, comportant les étapes : a) modéliser une interface (I) entre un réseau cristallin du cristal (1) et un réseau cristallin du substrat (2) cristallin ; b) déterminer une distribution spatiale d’une énergie potentielle élastique à l’interface (I) modélisée lors de l’étape a) ; c) identifier des minima (E min ) de l’énergie potentielle élastique à partir de la distribution spatiale déterminée lors de l’étape b) ; d) former une couche interfaciale (3), nanostructurée, sur le substrat (2) cristallin ; la couche interfaciale comportant des nanotunnels (30) traversants, agencés selon une répartition correspondant aux minima (E min ) de l’énergie potentielle élastique identifiés lors de l’étape c) ; la couche interfaciale (3) étant formée d’une matière différente du cristal (1) et du substrat (2) cristallin ; e) former le cristal (1) sur la couche interfaciale (30), via les nanotunnels (30) traversants délimitant des sites de nucléation (20) du substrat (2) cristallin. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche interfaciale (3) formée lors de l’étape d) est une monocouche formant un matériau bidimensionnel. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la matière de la couche interfaciale (3) formée lors de l’étape d) est en phase solide ou en phase gazeuse. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la matière en phase solide de la couche interfaciale (3) formée lors de l’étape d) est choisie parmi : - un dichalcogénure d’un métal de transition, de préférence le disulfure de molybdène MoS 2 , le disulfure d’étain SnS 2 , le disulfure de tungstène WS 2 , le disulfure de vanadium VS 2 , le disulfure de titane TiS 2 ; - le graphène ou un dérivé du graphène, le dérivé du graphène étant de préférence un carbone amorphe notamment hydrogéné, un carbone de type diamant, une structure haeckelite ; - un nitrure de bore BN, notamment hydrogéné, de préférence hexagonal ; - un matériau de formule brute SiO x C y H z ; - un copolymère à blocs, de préférence auto-organisé ; - un carbure d’un métal de transition, de préférence de type MXene ; - un réseau métallo-organique, - le borophène, le silicène, le germanène, le stanène, le phosphorène. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la matière en phase gazeuse de la couche interfaciale (3) formée lors de l’étape d) est choisie parmi le dihydrogène H 2 , le diazote N 2 , le dioxygène O 2 , l’argon Ar, l’hélium He, l’air, le néon Ne, le krypton Kr, le xénon Xe, le monoxyde de carbone CO, le dioxyde de carbone CO 2 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche interfaciale (3) formée lors de l’étape d) présente une épaisseur comprise entre 1 pm et 5 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape d) comporte les étapes : d 1 ) former une couche interfaciale (3) sur le substrat (2) cristallin ; d 2 ) nanostructurer la couche interfaciale (3) en formant des nanotunnels (30) traversants, agencés selon une répartition correspondant aux minima (E min ) de l’énergie potentielle élastique identifiés lors de l’étape c). Procédé selon la revendication 7, dans lequel l’étape d 1 ) est exécutée par une technique choisie parmi : - un collage, un collage avec activation de surface, un collage hybride, un collage par diffusion atomique ; - un dépôt par laser pulsé ; - un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, un dépôt de couches atomiques, un dépôt de couches atomiques assisté par plasma, un dépôt assisté par faisceau d’ions, un dépôt assisté par faisceau d’électrons, un dépôt par faisceau d’ions ; - une pulvérisation ; - une évaporation ; - une croissance additive ; - une épitaxie, une épitaxie par jets moléculaires, une épitaxie en phase solide, une épitaxie induite par effet laser impulsionnel. Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel l’étape d 2 ) est exécutée par une technique choisie parmi : - une gravure à travers un masque, la gravure pouvant être une gravure sèche, une gravure humide ou une gravure plasma ; le masque étant de préférence auto-organisé ; - une lithographie par faisceau d’ions, de préférence des ions hélium ; - une lithographie par faisceau d’électrons ; - une lithographie par faisceau de protons ; - une lithographie par nano-impression, de préférence avec des motifs pyramidaux ; - une lithographie par sonde à balayage, de préférence à balayage thermique ; - une lithographie extrême ultraviolet. Procédé selon l’une des revendications 7 à 9, dans lequel l’étape d 2 ) est suivie d’une étape d 20 ) appliquer un nettoyage de la couche interfaciale (3) nanostructurée, adapté pour retirer des résidus de la nanostructuration exécutée lors de l’étape d 2 ). Procédé selon la revendication 10, dans lequel l’étape d 20 ) est exécutée par : - un nettoyage chimique, en phase vapeur, en phase liquide, ou de type plasma ; ou par - une gravure par faisceau d’ions. Procédé selon l’une des revendications 7 à 11, dans lequel l’étape d 2 ) est suivie d’une étape d 21 ) appliquer un traitement de surface de la couche interfaciale (3) nanostructurée avec des ions hydrogène, de préférence implantés ou sous forme d’un plasma. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel l’étape e) est exécutée par une technique choisie parmi : - un collage, un collage direct, un collage direct assisté par laser, un collage avec activation de surface pouvant être sous vide, un collage hybride, un collage eutectique, un collage par thermocompression, un collage par diffusion atomique, un collage anodique, un collage humide pouvant être hydrophile ou hydrophobe, un collage avec activation plasma, un collage ultraviolet ; - un dépôt par laser pulsé ; - un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt chimique en phase vapeur, un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, un dépôt de couches atomiques, un dépôt de couches atomiques assisté par plasma, un dépôt assisté par faisceau d’ions, un dépôt assisté par faisceau d’électrons, un dépôt par faisceau d’ions ; - une pulvérisation ; - une évaporation, de préférence sous vide ; - une croissance additive ; - un dépôt à la tournette ; - une sérigraphie ; - une épitaxie, une épitaxie à distance, une épitaxie par jets moléculaires, une épitaxie en phase solide, une épitaxie induite par effet laser impulsionnel, une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel l’étape b) comporte une étape choisie parmi : b 1 ) effectuer un calcul atomistique de l’interface (I) modélisée lors de l’étape a) à l’aide d’un potentiel interatomique ; ou b’ 1 ) obtenir une figure de Moiré de l’interface (I) modélisée lors de l’étape a) ; ou b’’ 1 ) effectuer un calcul ab initio d’une structure de l’interface (I) modélisée lors de l’étape a) ; les étapes b 1 ), b’ 1 ) et b’’ 1 ) étant mises en œuvre au moyen d’un ordinateur. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, dans lequel l’étape a) comporte une étape a 1 ) construire des mailles cristallines du cristal (1) sur des mailles cristallines du substrat (2) cristallin ; l’étape a 1 ) étant mise en œuvre au moyen d’un ordinateur.