Procédé de formation (100) d’une couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 comprenant les étapes suivantes : fourniture (110) d’un substrat de diamant monocristallin (10) ayant une densité de défauts cristallins initiale supérieure à 10 3 défauts cristallins par cm 2 , le substrat de diamant monocristallin (10) présentant un angle de désorientation, par rapport à la face exacte du substrat de diamant monocristallin (10) supérieur à 0° et inférieur ou égal à 10°, première micro structuration (120) d’une surface de croissance (12) du substrat de diamant monocristallin (10) par ablation laser non traversante, l’étape de micro structuration (120) comportant la réalisation de premières figures de gravure (G1) de sorte que chaque première figure de gravure (G1) comprend une ouverture d’une largeur (L1) prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi (11), chacune des premières figures de gravure (G1) présentant en outre une profondeur (P1) d’au moins 30 µm, ladite profondeur (P1) étant supérieure à la largeur (L1) de l’ouverture ; première croissance (C1) homoépitaxiale (130), dans un réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, la première croissance (C1) étant réalisée : normalement par rapport à la surface de croissance (12) de manière à former une première couche de diamant monocristallin (10-1) comportant les défauts cristallins de la surface de croissance (12), et latéralement par rapport à la paroi (11) délimitant la première gravure (G1), de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin (10-2) comportant les défauts cristallins de la paroi (11) confinés dans la première figure de gravure (G1) et une cavité (15), de sorte que, la première figure de gravure (G1) est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 dislocations par cm 2 , deuxième micro structuration (150) du substrat de diamant monocristallin (10) par ablation laser non traversante, ladite deuxième étape de micro structuration (150) comportant la réalisation de deuxièmes figures de gravure (G2) au niveau de la première couche de diamant monocristallin (10-1) comportant les défauts cristallins de la surface de croissance (12), chaque deuxième figure de gravure (G2) comprend une ouverture d’une largeur (L2) prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi (11’), chacune des deuxièmes figures de gravure (G2) présente en outre une profondeur (P2) d’au moins 30 µm, ladite profondeur (P2) étant supérieure à la largeur (L2) de l’ouverture, deuxième croissance (C2) homoépitaxiale (160) d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’), dans un réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, la deuxième croissance (C2) étant réalisée latéralement par rapport à la paroi (11’) délimitant la deuxième figure de gravure (G2), l’autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’) comportant les défauts cristallins de la paroi (11’) confinés dans la deuxième figure de gravure (G2) et une cavité (15), de sorte que, la deuxième figure de gravure (G2) est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 . Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la surface de croissance (12) est une face cristallographique 100 désorientée par rapport à une famille de faces cristallographiques {100} parallèles à une des faces latérales (13) du substrat de diamant monocristallin (10). Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la surface de croissance (12) est une face cristallographique 100 désorientée par rapport à une famille de faces cristallographiques {110} ou à une famille de faces cristallographiques {113}. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu’il comprend une étape de croissance (C3) homoépitaxiale normale (170), dans le réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, de sorte que la troisième couche de diamant monocristallin (10’) atteigne une épaisseur d’au moins 500 µm. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu’il comprend une étape de découpe (180) de la troisième couche de diamant monocristallin (10’), de préférence au laser. Procédé selon la revendication 5 caractérisé en ce qu’il comprend une étape de recuit (190) de la troisième couche de diamant monocristallin (10’) à une température allant de 1500°C à 2300°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu’il comprend au moins une étape de recuit intermédiaire du substrat de diamant monocristallin (10) à une température allant de 1500°C à 2300°C, l’étape de recuit intermédiaire étant mise en œuvre entre l’étape de fourniture (110) et l’étape de première micro structuration (120), entre la première croissance (C1) homoépitaxiale (130) et l’étape de deuxième micro structuration (150) et/ou entre l’étape de deuxième micro structuration (150) et l’étape de deuxième croissance (C2) homoépitaxiale (160). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la largeur (L1, L2) de l’ouverture des première et deuxième figures de gravure (G1, G2) est comprise entre 20 µm et 200 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, ledit procédé comprenant une étape de préparation (140), préalable à la deuxième étape de micro-structuration (150), de la surface de croissance (12) du substrat de diamant monocristallin (10) par découpe laser ou par polissage, lorsque l’angle de désorientation est inférieur à un seuil prédéterminé, de façon à induire une désorientation au moins égale au seuil prédéterminé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les étapes de première et/ou deuxième micro-structuration (120, 150) et de première et/ou deuxième croissance homoépitaxiale (130, 160) sont répétées jusqu’à l’obtention d’une densité de défauts cristallins, dans la troisième couche de diamant monocristallin (10’), inférieure ou égale à un seuil prédéterminé, de préférence inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 et de façon préférée inférieure ou égale à 5*10 2 défauts cristallins par cm 2 . Substrat de diamant monocristallin (10) ayant une densité de défauts cristallins initiale supérieure à 10 3 défauts cristallins par cm 2 , le substrat de diamant monocristallin (10) comprenant une surface de croissance (12) et : un angle de désorientation, par rapport à la face exacte dudit substrat supérieur à 0° et inférieur ou égal à 10°, des premières figures de gravure (G1) comprenant une première ouverture d’une largeur (L1) prédéterminée délimitée par au moins une première paroi (11), chacune des premières figures de gravure (G1) présentant en outre une profondeur (P1) d’au moins 30 µm, ladite profondeur (P1) étant supérieure à la largeur (L1) de la première ouverture, chacune des premières figures de gravure (G1) comprenant en outre une deuxième couche de diamant monocristallin (10-2), latérale par rapport à la première paroi (11), comportant les défauts cristallins de la première paroi (11) confinés dans la première figure de gravure (G1) par une première cavité (15), des deuxièmes figures de gravure (G2) comprenant une deuxième ouverture d’une largeur (L2) prédéterminée délimitée par au moins une deuxième paroi (11’), chacune des deuxièmes figures de gravure (G2) présente en outre une profondeur (P2) d’au moins 30 µm, ladite profondeur (P2) étant supérieure à la largeur (L2) de l’ouverture, chacune des deuxièmes figures de gravure (G2) comprenant en outre une autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’), latérale par rapport à la deuxième paroi (11’), comportant les défauts cristallins de la deuxième paroi (11’) confinés dans la deuxième figure de gravure (G2) par une deuxième cavité (15’), une troisième couche de diamant monocristallin (10’), qui recouvre les premières et deuxième figures de gravure (G1, G2), présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 . Substrat de diamant monocristallin (10) selon la revendication 11, dans lequel les premières et deuxièmes figures de gravure (G1, G2) non traversantes sont réalisées sur toute la surface de croissance (12). Substrat de diamant monocristallin (10) selon l’une des revendications 11 ou 12, dans lequel la largeur (L1, L2) de l’ouverture des première et deuxième figures de gravure (G1, G2) est comprise entre 20 µm et 200 µm. Utilisation d’un substrat de diamant monocristallin (10) selon l’une quelconque des revendications 10 à 13 pour l’obtention d’une couche de diamant monocristallin (10’) adaptée en tant que substrat pour des technologies quantiques, pour la fabrication d’une fenêtre optique, d’un substrat pour semi-conducteur ou pour la gestion thermique.