INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- débit entrant Qin dans la chambre d’entrée (C1 ou C2).
Selon la manœuvre effectuée par le vérin V, l’une des chambres est la chambre d’entrée recevant le débit entrant Qin et l’autre chambre est la chambre de sortie fournissant le débit sortant Qout. Il y a alternance de ce fonctionnement suivant la phase de fonctionnement du piston qui tire ou pousse l’équipement O.
Les paramètres permettent à l’unité de commande UC de calculer la section de sortie Ses de l’étranglement Se pour le débit sortant Qout imposé par le débit entrant théorique lié à la position de la manette Mn.
L’unité centrale UC applique une équation de Bernoulli simplifiée pour obtenir la section de sortie de consigne : Sec pour le débit sortant Qout.
Sec=k
ΔP=PCP-PT k’ : coefficient constant
Le coefficient k dépend du coefficient de section Cd de la conduite, c’est-à-dire de la structure de la conduite (longueur, rugosité intérieure, perte de charge, etc) et de la masse volumique du liquide (ρ).
La section de sortie de consigne Sec du module recevant le débit sortant Qout est émise par l’unité centrale UC sous la forme d’un signal électrique de commande (ΣS).
La section de sortie qui est une valeur dépendant de paramètres fixes ou variables, est réglée au début d’une manœuvre du vérin.
Par ce fonctionnement de soutirage/injection du catalyseur supporté, il n'est donc pas nécessaire d'arrêter l'unité pour changer le catalyseur usagé, ni d'augmenter les températures de réaction le long du cycle pour compenser la désactivation. De plus, le fait de travailler à des conditions opératoires constantes permet d'obtenir des rendements et des qualités de produits constants le long du cycle. Aussi, du fait que le catalyseur supporté est maintenu en agitation par un recyclage important de liquide, la perte de charge sur le réacteur reste faible et constante, et les exothermes de réaction sont rapidement moyennés sur le lit catalytique, qui est donc presque isotherme et ne nécessite pas l'injection de flux de refroidissement (« quenches » selon la terminologie anglo-saxonne).
La ou les autres coupes sont une ou des coupes légère(s) et intermédiaire(s). La coupe légère ainsi séparée contient principalement des gaz (H 2 , H 2 S, NH 3 , et C 1 -C 4 ), du naphta (coupe qui bout à une température inférieure à 150°C), du kérosène (coupe qui bout entre 150°C et 250°C), et au moins une partie du diesel (fraction qui bout entre 250°C et 375°C). La coupe légère peut ensuite être envoyée au moins partiellement à une unité de fractionnement (non représentée dans les figures) où les gaz légers sont extraits de ladite coupe légère, par exemple par passage à travers un ballon de détente. L’hydrogène gazeux ainsi récupéré, qui peut avoir été envoyé à une installation de purification et de compression, peut avantageusement être recyclé à la première étape d’hydroconversion (b), et/ou à la deuxième étape d’hydroconversion (d) si elle est mise en œuvre. L’hydrogène gazeux récupéré peut également être utilisé dans d’autres installations de la raffinerie.
Dans cette deuxième étape d’hydroconversion, les conditions d’opération peuvent être similaires ou différentes de celles dans l’étape d’hydroconversion (d), la température restant dans la plage comprise entre 350°C et 550°C, préférablement entre 350°C et 500°C, plus préférablement entre 370°C et 450°C, plus préférablement entre 400°C et 440°C, et encore plus préférablement entre 410°C et 435°C, et la quantité d’hydrogène introduite dans le réacteur reste dans la plage comprise entre 50 Nm 3 /m 3 et 5 000 Nm 3 /m 3 de charge liquide, préférablement entre 100 Nm 3 /m 3 et 3 000 Nm 3 /m 3 , et encore plus préférablement entre 200 Nm 3 /m 3 et 2 000 Nm 3 /m 3 . Les autres paramètres de pression et de VVH sont dans des plages identiques à celles décrites pour l’étape hydroconversion (d).
Dans un mode de réalisation du procédé de formation 100 d’une couche de diamant monocristallin 10’, celui-ci peut inclure une étape de préparation 140 de la surface de croissance 12 du substrat de diamant monocristallin 10 par découpe laser ou par polissage. L’étape de préparation 140 peut être mise en œuvre lorsque l’angle de désorientation est inférieur à un seuil prédéterminé de façon à induire une désorientation au moins égale au seuil prédéterminé.
Selon l’invention, le procédé de formation 100 d’une couche de diamant monocristallin 10’ comprend une deuxième micro structuration 150 du substrat de diamant monocristallin 10 par ablation laser non traversante.
La deuxième étape de micro structuration 150 comporte la réalisation des deuxièmes figures de gravure G2 prédéterminées, de préférence selon une deuxième matrice de retrait M2, au niveau de la première couche de diamant monocristallin 10-1 comportant les défauts cristallins de la surface de croissance 12, chaque deuxième figure de gravure G2 comprend une ouverture d’une largeur L2 prédéterminée et est délimitée par au moins une paroi 11’, chacune des deuxièmes figures de gravure G2 présente en outre une profondeur P2 d’au moins 30 µm, ladite profondeur P2 étant supérieure à la largeur L2 de l’ouverture.
Les deuxièmes figures de gravure G2 sont formées par une paroi 11’ et séparées par la deuxième couche de diamant monocristallin 10-2 surmontée par la troisième couche de diamant monocristallin 10’, lesdites deuxième et troisième couches pouvant prendre la forme d’un créneau CR2 comme indiqué à titre d’exemple en . Comme présenté dans la , la paroi 11’ de la deuxième figure de gravure G2 correspond au contour décrivant l’intérieur de la deuxième figure de gravure G2 après ablation et est notamment formée par la deuxième couche de diamant monocristallin 10-2 et par le substrat de diamant monocristallin 10.
A titre d’exemple illustratif, les figures de gravure G1, G2 peuvent être réalisées avec un laser présentant une longueur d'onde inférieure ou égale à 1 µm.
En outre, dans un mode de réalisation particulier, la durée du pulse du laser, lors de la formation des première et deuxième gravures G1, G2 des étapes de première et deuxième micro structuration 120, peut être de 200 ns.
Selon un mode de réalisation optionnel, les première et deuxième figures de gravure G1, G2 peuvent prendre diverses formes en fonction de la puissance du laser utilisé, de manière préférée, les figures de gravure G1, G2 peuvent prendre la forme d’une courbe Gaussienne.
Le procédé de formation 100 d’une couche de diamant monocristallin 10’ selon l’invention comprend en outre une deuxième croissance C2 homoépitaxiale 160 d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin 10-2’, dans un réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud.
La deuxième croissance C2 homoépitaxiale 160 latérale est réalisée latéralement par rapport à la paroi 11’ délimitant la deuxième figure de gravure G2. L’autre deuxième couche de diamant monocristallin 10-2’ comporte les défauts cristallins de la paroi 11’ confinés dans la deuxième figure de gravure G2 et une cavité 15’, de sorte que, la deuxième figure de gravure G2 est recouverte par une troisième couche de diamant monocristallin 10’ présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 .
Afin de favoriser la deuxième croissance C2 homoépitaxiale 160 latérale par rapport à la paroi 11’ de la deuxième figure de gravure G2, les conditions de croissance peuvent comprendre la génération d’une pression comprise entre 50 hPa et 400 hPa au sein du réacteur, l’injection de microondes à une puissance comprise par exemple entre 1 kW et 50 kW (ou plus), selon le type de générateur utilisé (fréquence utilisée), l’injection de gaz, par exemple à un débit total d’au moins 100 standard cm 3 par minute (sccm), de préférence d’au moins 1000 standard cm 3 par minute (sccm), les gaz comprenant par exemple du méthane, de l’argon et du dihydrogène ou un mélange de tout ou partie de ces gaz, et des additifs tels que oxygène, azote, bore, phosphore et argon, ou encore des halogènes et la mise en fonctionnement de systèmes de refroidissement de l’enceinte, du substrat pour contrôler la température de la surface de croissance dans un intervalle allant de préférence de 750°C à 1250°C.
Dans un mode de réalisation optionnel d’un procédé de formation 100 d’une couche de diamant monocristallin 10’ selon l’invention, les étapes de première et/ou de deuxième micro-structuration 120, 150 et de première et/ ou deuxième croissance homoépitaxiale 130, 160 peuvent être répétées jusqu’à l’obtention d’une densité de défauts cristallins, dans la troisième couche de diamant monocristallin 10’, inférieure ou égale 160-Y à un seuil prédéterminé, de préférence inférieure ou égale à 10 3 défauts cristallins par cm 2 et de façon préférée inférieure ou égale à 5*10 2 défauts cristallins par cm 2 . Notamment, une étape de caractérisation des défauts cristallins de la couche de diamant monocristallin 10’ peut être mise en œuvre, par des techniques connues, et si la densité de défauts cristallins, dans la troisième couche de diamant monocristallin 10’, est supérieure à un seuil prédéterminé 160-N, les étapes de première et/ou de deuxième micro-structuration 120, 150 et de première et/ou deuxième croissance homoépitaxiale 130, 160 sont répétées. De manière avantageuse, les étapes de première et deuxième micro-structuration et de première et deuxième croissance homoépitaxiale latérale peuvent être répétées entre une et vingt fois, de préférence entre une et quatre fois.
En complément, le procédé de formation 100 d’une couche de diamant monocristallin 10’ selon l’invention peut comprendre une étape de croissance C3 homoépitaxiale normale 170, dans le réacteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma ou par filament chaud, de sorte que la troisième couche de diamant monocristallin 10’ atteigne une épaisseur d’au moins 500 µm. En effet, en fonction des applications à laquelle est destinée la couche de diamant monocristallin 10’ ou à tout le moins pour favoriser la séparation de couche de diamant monocristallin 10’, une croissance homoépitaxiale normale 170 supplémentaire pourra être nécessaire.
Afin de récupérer la couche de diamant monocristallin 10’, le procédé de formation 100 selon l’invention peut comprendre une étape de découpe 180 de la troisième couche de diamant monocristallin 10’, de préférence au laser.
Pour réduire les défauts cristallins et plus particulièrement les contraintes dans la troisième couche de diamant monocristallin 10’, le procédé de formation 100 selon l’invention peut comprendre une étape de recuit 190 de la troisième couche de diamant monocristallin 10’, après découpe 180, à une température allant de 1500°C à 2300°C, de préférence de 1500°C à 1800°C, de manière encore plus préférée de 1800°C à 2000°C et de manière encore plus préférée de 2000°C à 2300°C pendant une durée allant de 1h à 72h, de préférence de 5 min à 1h et de manière encore plus préférée une durée inférieure à 5 min.
De manière avantageuse, l’étape de recuit 190 de la troisième couche de diamant monocristallin 10’ peut être effectuée à une température allant de 1500°C à 1800 °C pendant une durée allant de 10 heures à 24 heures. Cela permet de réduire les contraintes de près de 50%.
Pour réduire les défauts cristallins et plus particulièrement les contraintes, le procédé de formation 100 d’une couche de diamant monocristallin 10’ peut comprendre une ou plusieurs étapes de recuit intermédiaire (non représentées sur les figures). Au moins une étape de recuit intermédiaire peut être mise en œuvre après l’étape de fourniture 110 d’un substrat de diamant monocristallin 10, après l’étape de première micro structuration 120, après l’étape de première croissance C1 homoépitaxiale 130, après l’étape de deuxième micro structuration 150, après l’étape de deuxième croissance C2 homoépitaxiale 160 et/ou après l’étape de croissance C3 homoépitaxiale normale 170. A l’instar de l’étape de recuit 190, la ou les étapes de recuit intermédiaire peuvent être mise en œuvre à une température allant de 1500°C à 2300°C, de préférence de 1500°C à 1800°C, de manière encore plus préférée de 1800°C à 2000°C et de manière encore plus préférée de 2000°C à 2300°C pendant une durée allant de 1h à 72h, de préférence de 5 min à 1h et de manière encore plus préférée une durée inférieure à 5 min.
De façon résumée, l’installation hydraulique 100, reliée à un vérin V à deux chambres VA, VB séparées par un piston VP, dont la tige VT traversant l’une VB des chambres VA, VB est reliée à un équipement O recevant une charge CH, installation comprenant : une unité de commande UC reliée à une manette Mn actionnée par l’opérateur pour manœuvrer l’équipement O avec le vérin V une pompe P alimentant les chambres VA, VB du vérin par une ligne d’alimentation LP et un réservoir T recevant le liquide hydraulique de retour du vérin par une ligne de réservoir LT, installation caractérisée en ce qu’elle comprend en outre : deux unités électrohydrauliques UA, UB associées à une chambre VA, VB respective par une ligne de chambre LEA, LEB et reliées à la ligne d’alimentation LP et à la ligne de réservoir LT)et comprenant chacune : un étranglement SeA, SeB de section réglable, commandée indépendamment, reliant la ligne de chambre LEA, LEB à la ligne de pompe LP et à la ligne de retour LT,
- l’unité de commande UC étant reliée à la manette Mn pour générer les signaux électriques de commande ΣEA et ΣEB de la section d’entrée Ses de l’unité UA, UB recevant le débit Qin du vérin V et de la section de sortie Ses de l’unité UA, UB recevant le débit sortant Qout du vérin (V), en fonction des paramètres : contrepression de consigne Pcp de la sortie du vérin V, pression de consigne du réservoir PT, débit entrant Qin dans le vérin V.
L’installation 100 est alimentée en liquide hydraulique sous pression réglée par une pompe commandée P prenant le liquide hydraulique dans un réservoir T alimenté par le retour de liquide hydraulique. La sortie de la pompe est reliée à une ligne LP à laquelle sont reliés les modules MA, MB dont les sorties sont reliées à la ligne de réservoir LT.
Selon la , l’unité UX qui représente l’unité UA ou l’unité UB comporte un tiroir principal de distribution 1, proportionnel, commandé par une chambre pilote 11 déplaçant le tiroir 1 à partir de sa position de repos représenté à la ; l’unité UX a une ligne LeA, LeB reliée à une chambre VA ou VB du vérin et à la ligne de réservoir LT. Le tiroir 1 est représenté dans sa position de repos S11 reliée à la ligne de réservoir LT, car lorsque la commande de tiroir 1 est coupée, le ressort 12 rappelle le tiroir 1 dans sa position de repos (représentée par convention de dessin) dans laquelle la section S11 est reliée à la ligne LT du réservoir T.
La chambre pilote 11 commandée par le liquide hydraulique fourni par le tiroir de commande 2 déplace le tiroir principal 1 pour mettre sa section d’alimentation S13 entre les conduites LP et (Lex, LeA, LeB) pour fournir le liquide hydraulique à la chambre VA ou VB.
Les deux sections S11 et S13 sont séparées par la section intermédiaire S12 qui coupe la communication à travers le tiroir 1.
La chambre pilote 11 combinée au tiroir principal 1 est commandée par le tiroir de commande 2. Celui-ci est un tiroir proportionnel, actionné par une commande électrique 21 recevant le signal de commande ΣS de l’unité de commande UC. Le tiroir de commande 2 est rappelé par le ressort 22 dans sa position de repos dans laquelle la ligne reliée à la chambre pilote 11, est reliée à la ligne de réservoir LT.
Pour régler le débit entrant Qin, le tiroir de commande 2 reçoit le signal ΣS de l’unité de commande UC et relie son entrée déjà reliée à la ligne LP de la pompe à sa sortie vers la chambre pilote 11. Le tiroir de commande 2 applique ainsi un signal proportionnel de liquide hydraulique à la chambre pilote 11 qui actionne de manière proportionnelle le tiroir principal 1 en réglant sa section de son étranglement en fonction du signal ΣEA, ΣEB.
La chambre active du vérin V, a la section de son tiroir principal ouverte et pour le débit commandé par la manette actionnée par le conducteur.
L’unité UX décrite ci-dessus comme unité d’entrée dans sa fonction de réglage de la section d’entrée du vérin, fonctionne de façon analogue s’il s’agit de la fonction d’unité de sortie mais en calculant alors la section de sortie en appliquant l’équation de Bernoulli simplifiée comme indiqué ci-dessus.
La contrepression de consigne Pcp peut être une contrepression fixe ou variable selon une courbe C prédéfinie ou la pression de consigne est choisie parmi : une valeur fixe prédéfinie, une valeur variable en fonction de la manœuvre de la manette, une valeur obtenue à partir d’une mesure d’un capteur de pression. La pression de réservoir est une pression choisie parmi : une valeur fixe prédéfinie, une valeur obtenue à partir d’une pression fournie par un capteur de pression.
La montre une courbe C de la variation de la contrepression de consigne ou pression de réaction cible, imposée à l’installation hydraulique 100 en fonction de la manœuvre de la manette Mn à partir de sa position neutre Mno jusqu’à l’amplitude maximale de son excursion dans un sens ou dans l’autre à partir de sa position de repos Mno.
La courbe C est composée dans sa partie droite partant de la contrepression P0 au repos de la manette de quatre segments C1, C2, C3, C4. La courbe commence par un segment de forte pente C1 se poursuivant par un segment de pente atténuée C2 vers le maximum de pression Pmax et ensuite une pente décroissante C3 jusqu’à une pression minimum Pmin se poursuivant par un segment C4 de niveau constant. Cette courbe est uniquement un exemple représentatif.
Le mouvement de la manette Mn en sens inverse décroit par le segment C5 prolongeant le segment C1 puis rejoignant le segment C6 légèrement décroissant.
La courbe C se traduit par une variation de la section d’étranglement de sortie Se puisque la contrepression intervient dans le calcul de la section Se par √Δp=√Pcp- PT au dénominateur, PT étant supposé constant de sorte que le dénominateur augmente jusqu’à la pression Pcpmax puis diminue et devient constant si bien que la section Se diminue jusqu’à la contrepression Pcmax puis augmente et ensuite reste constante. Du côté négatif de la courbe, la section augmente d’abord fortement puis se stabilise pratiquement.
La est un graphique très schématique du signal de réponse au signal de commande de la manette en fonction du temps t, appliqué par l’unité de commande UC.
représente en perspective la housse de sécurisation illustrée sur la .
représente en vue de côté la housse de sécurisation illustrée sur les figures 1 et 2.
Sur la , une barrière de sécurité 100 est équipée d’une housse de sécurisation 1 selon la présente invention, la housse de sécurisation 1 étant illustrée de manière transparente pour mieux expliciter l’invention.
La barrière de sécurité 100 comprend une palissade 101 qui est pourvue d’un piètement 102 reposant au sol et portant la palissade 101. La palissade 101 est couramment plane. La palissade 101 est couramment d’une longueur de 2 mètres et d’une hauteur de 1,04 mètre. La palissade 101 comprend un cadre tubulaire 103 à l’intérieur duquel sont ménagées des entretoises tubulaires 104 disposées parallèlement les unes aux autres. Les entretoises tubulaires 104 sont régulièrement au nombre de quatorze. Le cadre tubulaire 103 comporte un montant supérieur 105 qui est ménagé en vis-à-vis d’un montant inférieur 106 porteur du piètement 102. Le cadre tubulaire 103 comporte également deux montants latéraux 107, 108, dont un premier montant latéral 107 pourvu de premiers organes de fixation 107a et un deuxième montant latéral 108 pourvu de deuxièmes organes de fixation 108a. Les organes de fixations 107a, 108a sont agencés pour coopérer entre eux afin de relier entre elles deux barrières de sécurité 100 adjacentes et former ainsi une ligne de sécurité. Le piètement 102 est par exemple formé de deux paires de pieds 109 qui assurent un maintien de la barrière de sécurité 100 en position.
La housse de sécurisation 1 comprend une enceinte 2 prolongée d’une jupe 3. L’enceinte 2 est destinée à loger la palissade 101 tandis que la jupe 3 est prévue pour loger le piètement 102. Autrement dit, en position d’utilisation, l’enceinte 2 surplombe la jupe 3.
L’enceinte 2 comporte une face supérieure 4 qui est prévue pour être posée sur le montant supérieur 105. L’enceinte 2 comporte également deux faces latérales 5, 6, dont une première face latérale 5 destinée à jouxter le premier montant latéral 107 et une deuxième face latérale 6 destinée à jouxter le deuxième montant latéral 108, les deux faces latérales 5, 6 étant ménagées en vis-à-vis l’une de l’autre. L’enceinte 2 comporte également deux faces longitudinales 7, 8 qui sont ménagées en vis-à-vis l’une de l’autre et entre lesquelles sont interposées les entretoises tubulaires 104. Chaque face longitudinale 7, 8 est bordée par les deux faces latérale 5, 6 et la face supérieure 4.
L’enceinte 2 est globalement de forme parallélépipédique et délimite un volume interne 9 qui est prévu pour loger le cadre tubulaire 103. L’enceinte 2 comporte une ouverture 10 qui est ménagée en vis-à-vis de la face supérieure 4 et qui est délimitée par un pourtour 11 qui forme un rebord inférieur de l’enceinte 2. Ce pourtour 11 est successivement constitutif d’une première face longitudinale 7, puis d’une première face latérale 6, puis d’une deuxième face longitudinale 8, puis d’une deuxième face latérale 5.
Le pourtour 11 est porteur de la jupe 3 qui est d’une conformation évasée. On comprend que la jupe 3 prolonge les faces 5, 6, 7, 8 de l’enceinte 2. Plus particulièrement, la jupe 3 est agencé en un manchon évasé qui s’étend depuis le pourtour 11 jusque vers une bordure inférieure 12. On note qu’une première longueur L1 du pourtour 11 est strictement inférieure à une deuxième longueur L2 de la bordure inférieure 12. Préférentiellement, la deuxième longueur L2 est comprise entre 1,2 fois et 1,5 fois la première longueur L1, et préférentiellement comprise entre 1,3 et 1,4 fois la première longueur L1. Par ailleurs, la jupe 3 est d’une première hauteur H1 prise entre le pourtour 11 et la bordure inférieure 12 qui est de l’ordre d’une deuxième hauteur H2 du piètement 102 prise entre le montant inférieur 106 et une extrémité de pied 109a reposant au sol.
Ces dispositions sont telles que la jupe 3 protège les passants et/ou des cyclistes qui viendraient à frôler la barrière de sécurité 100 et évite à ces derniers de s’entraver dans ou de buter contre le piètement 102 de la barrière de sécurité 100. De plus, la jupe 3 forme une enveloppe du piètement 102 et matérialise ce dernier sur de plus grandes dimensions, ce qui le rend plus visible qu’en l’absence de jupe 3 et donc plus aisé à éviter pour un cycliste ou un passant. On comprend notamment que si la housse de sécurisation 1 est réalisée en une couleur vive, rouge notamment, ou fluorescente, une telle signalisation est encore plus efficace. Il en résulte finalement une meilleure protection des passants et des cyclistes en leur évitant des chutes potentiellement graves.
La housse de sécurisation 1 est couramment réalisé en un matériau souple, polyuréthane notamment ou en un matériau analogue.
Sur la , les faces latérales 5, 6 sont chacune pourvues d’au moins un orifice 13 pour le passage des organes de fixations 107a, 108a à travers la housse de sécurisation 1.
La jupe 3 comprend deux parois latérales 14, 15 qui sont ménagées dans le prolongement respectif des faces latérales 5, 6. La jupe 3 comprend également deux parois longitudinales 16, 17 qui son ménagées dans le prolongement des faces longitudinales 7, 8. Autrement dit, une première paroi longitudinale 16 de la jupe 3 prolonge la première face longitudinale 7 de l’enceinte 2, une première paroi latérale 15 de la jupe 3 prolonge la première face latérale 6 de l’enceinte 2, une deuxième paroi longitudinale 17 de la jupe 3 prolonge la deuxième face longitudinale 8 de l’enceinte 2, et une deuxième paroi latérale 14 de la jupe 3 prolonge la deuxième face latérale 5 de l’enceinte 2.