INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La couche de silicium 105 correspond dans cet exemple à la future membrane flexible du transducteur.
La illustre une étape de formation, pour chaque cellule élémentaire du transducteur, d’un ou plusieurs trous 107 dans la couche de silicium 105, en vue de la formation d’un ou plusieurs vias conducteurs de reprise de contact sur l’électrode supérieure de la cellule élémentaire du transducteur. Dans cet exemple, plusieurs trous 107 de petites dimensions sont formés dans une région périphérique de chaque cellule élémentaire du transducteur.
La , ainsi que les figures 1C, 1D, 1E et 1F décrites ci-après comprennent chacune une vue en coupe verticale b) de la structure, et une vue en coupe horizontale partielle a) dans un plan compris entre la face inférieure et la face supérieure de la couche de silicium 105, représentant la région périphérique de formation des trous 107.
Dans l’exemple représenté, neuf trous 107 agencés en matrice selon trois rangées et trois colonnes sont formés pour chaque cellule élémentaire du transducteur. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à cet agencement particulier.
A titre d’exemple, la largeur de chaque trou 107 est comprise entre 0,5 et 100 µm. Les trous ont par exemple, en vue de dessus, une forme circulaire, carrée, rectangulaire ou polygonale.
Les trous 107 sont formés à partir de la face inférieure de la couche 105 et débouchent dans la couche d’oxyde de silicium 103 ou sur la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 103.
Les trous 107 sont par exemple formés par photolithographie et gravure.
La illustre une étape de formation d’une couche d’oxyde de silicium 109 sur la face inférieure de la structure de la . La couche 109 est par exemple formée par oxydation thermique de la couche de silicium 105. Ainsi, la couche 109 se forme, par exemple avec une épaisseur sensiblement constante, sur la face inférieure de la couche 105 et sur les parois latérales des trous 107. L’épaisseur de la couche 109 est par exemple comprise entre 1 et 20 µm.
La illustre une étape de remplissage des trous 107 par du métal de façon à former des vias conducteurs 111. Le métal utilisé pour remplir les trous 107 présente de préférence une température de fusion élevée, par exemple supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. A titre d’exemple préférentiel, le métal utilisé pour remplir les trous 107 est du molybdène (Mo). A titre de variante, le métal peut être du platine (Pt), du titane (Ti), du tantale (Ta), de l’Hafnium (Hf), de l’iridium (Ir) ou du tungstène (W). Le dépôt du métal dans les trous 107 peut être réalisé par dépôt physique en phase vapeur, par exemple par pulvérisation cathodique (« sputter deposition » en anglais), par évaporation par faisceau d’électrons et électro-plaquage (« e-beam evaporation and electroplating » en anglais), ou par plaquage autocatalytique (« electroless plating » en anglais) après formation d’une couche d’amorce métallique localisée au fond et sur les parois latérales des trous 107 (par exemple par dépôt pleine plaque puis gravure localisée).
La illustre une étape gravure localisée, par exemple par photolithographie, d’une partie de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 109, de manière à former dans la couche 109, dans chaque cellule élémentaire du transducteur, un renfoncement 113 destiné à accueillir l’électrode supérieure de la cellule élémentaire. Dans cet exemple, une partie de l’épaisseur de la couche 109 est conservée au fond du renfoncement 113 de façon à isoler électriquement la future électrode supérieure de la couche de silicium 105.
Dans cet exemple, le renfoncement 113 est situé principalement dans une partie centrale (en vue de dessous) de la structure, destinée à être positionnée en vis à vis de la future cavité de la cellule élémentaire du transducteur. Le renfoncement 113 se prolonge en outre en vis à vis de la partie périphérique comprenant les vias 111, pour permettre la reprise d’une connexion électrique sur l’électrode supérieure par l’intermédiaire des vias 111.
La illustre une étape de formation d’une électrode supérieure 115 du transducteur, localisée dans le renfoncement 113. Dans cet exemple, l’électrode 115 est métallique. L’électrode 115 est par exemple formée par dépôt pleine plaque puis gravure localisée d’une couche métallique. Dans cet exemple, l’électrode 115 est entièrement localisée dans le renfoncement 113 et présente une épaisseur inférieure ou égale à la profondeur du renfoncement 113. Ainsi, dans cet exemple, la face inférieure de l’électrode supérieure 115 est en retrait par rapport à la face inférieure des parties de la couche d’oxyde de silicium 109 non gravées à l’étape de la , ou affleure la face inférieure des parties de la couche d’oxyde de silicium 109 non gravées à l’étape de la . L’électrode 115 s’étend par exemple sur sensiblement toute la surface du renfoncement 113 et est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure des vias métalliques 111.
Le métal utilisé pour former l’électrode présente de préférence une température de fusion élevée, par exemple supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Le métal utilisé pour former l’électrode 115 peut être identique ou différent du métal utilisé pour former les vias 111. A titre d’exemple préférentiel, le métal utilisé pour former l’électrode 115 est du molybdène (Mo). A titre de variante, le métal peut être du platine (Pt), du titane (Ti), du tantale (Ta), de l’Hafnium (Hf), de l’iridium (Ir) ou du tungstène (W).
On désigne par la référence 120 la structure obtenue à l’issue de cette étape, comprenant notamment l’électrode supérieure 115 et la future membrane flexible 105 du transducteur CMUT, ainsi que des vias conducteurs 115 traversant la membrane 105 et permettant de connecter l’électrode 115 à un circuit de contrôle externe.
La vue (a) de la illustre la forme, dans cet exemple, en vue de dessous, de l’électrode supérieure 115 du transducteur, correspondant sensiblement à la forme du renfoncement 113 formé à l’étape de la .
Selon certains modes de réalisation lequel lesdits indicateurs de service sont obtenus à partir de logiciels de surveillance de l’infrastructure et des services.
Selon certains modes de réalisation, lesdites perturbations comprennent une ou plusieurs parmi les perturbations suivantes : - un déséquencement des paquets de données transmis aux services, - l’introduction de délais additionnels dans le service de requêtes vers des fournisseurs de service ; - la modification du contenu de requêtes entrantes ou de réponses, - l’insertion de nouvelles requêtes inconnues des services.
Selon certains modes de réalisation, le procédé comprend au moins une requête d’obtention de métriques des infrastructures et des services afin de constituer les données de configuration de ladite base de données, lesdites métriques comprenant les performances, la charge d’un ou plusieurs processeurs de l’infrastructure, un taux de mémoire utilisée par les services ou l’infrastructure.
Selon certains modes de réalisation, les données de configuration de la base de données comprennent un ensemble de perturbations auxquelles sont associés leur impact sur les infrastructures et sur les services, des indicateurs de niveau de service, (SLI) et des objectifs de niveau de service pour les infrastructures et pour les services.
L’invention concerne également un programme d’ordinateur comprenant des instructions pour l’exécution des étapes du procédé selon l’invention, selon l’un quelconque de ses modes de réalisations, lorsque ledit programme est exécuté par un ordinateur.
L’invention concerne également un support d’enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d’ordinateur comprenant des instructions pour l’exécution des étapes du procédé selon l’invention, selon l’un quelconque de ses modes de réalisations.
L’invention concerne également un serveur de génération de perturbations dans un réseau pour en vérifier sa robustesse, comprenant un ou plusieurs processeurs configurés ensemble ou séparément pour instructions pour l’exécution des étapes du procédé selon l’invention, selon l’un quelconque de ses modes de réalisations. Ainsi l’invention concerne un serveur de génération de perturbations dans un réseau pour en vérifier sa robustesse, ledit réseau comprenant une pluralité d’infrastructures et de services déployés et hébergés dans ledit réseau, lesdits services étant fournis par au moins un fournisseur de services, le serveur comprend un ou plusieurs processeurs configurés ensemble ou séparément pour - obtenir au moins une base de données comprenant des données de configuration pour la pluralité d’infrastructures et de services - déterminer une valeur maximale d’indisponibilité de ladite infrastructure et des services en fonction d’un niveau de service minimal toléré calculé à partir d’indicateurs de services de ladite infrastructure et desdits services et si ladite valeur maximale d’indisponibilité est positive : - transmettre dans le réseau de données de perturbations de l’infrastructure réseau et des services déployés, les perturbations étant déterminées à partir d’au moins les données de configuration de la base de données et de la valeur maximale d’indisponibilité calculée, - mettre à jour ladite valeur maximale d’indisponibilité suite aux perturbations.
La représente un exemple de système mettant en œuvre certains modes de réalisation de la présente invention.
La illustre des variations du budget d’erreur selon un mode de réalisation,
La représente un mode de réalisation d’obtention de la base de données comprenant des données de configuration pour la pluralité d’infrastructures et de services,
La représente un mode de réalisation de détermination des perturbations et de lancement des perturbations.
Dans la suite on entend par nouveau service tout ajout d’applications ou de parties d’application de CSP (aka une application d’un CSP ou d’un nouveau CSP) ou de l’infra (aka un nouveau service dans les containers ) dans les serveurs de l’infrastructure.
En outre, une loi de commande corrective peut être définie. Cette dernière est conçue pour donner une commande corrective à partir de l’état observé et de l’état nominal du système mobile 100. La commande corrective est destinée à être combinée à la commande nominale afin de compenser les perturbations, c’est-à-dire une erreur entre l’état observé et l’état nominal. La combinaison de ces deux commandes , donne ainsi la commande fournie au dispositif de manœuvre 102. Par exemple, les commandes nominale et corrective sont additionnées : . La loi de commande corrective est par exemple définie par l’équation suivante : [Math. 4] où : est la commande corrective à l’instant en cours ; est l’état observé à l’instant en cours ; est l’état nominal à l’instant en cours ; et est une matrice de commande corrective (généralement appelée « gain ») choisie telle que , avec un opérateur donnant les valeurs propres de la matrice .
Ainsi, d’après les équations précédentes, l’erreur entre l’état observé et l’état nominal suit l’équation : [Math. 5] avec .
De manière similaire, il existe une erreur entre l’état réel et l’état observé , définie par et suivant l’équation : [Math. 6] avec .
Au cours d’une étape 404, un ensemble est déterminé à partir des ensembles de perturbations , et de la loi de commande corrective de sorte que l’état du système mobile 100 reste à chaque instant dans cet ensemble centré sur l’état nominal à cet instant. Alternativement, la loi de commande corrective peut être déterminée en même temps que l’ensemble .
Pour cela, par exemple, un ensemble robuste positif invariant pour l’équation [Math. 5] de l’erreur et un ensemble robuste positif invariant pour l’équation [Math. 6] de l’erreur sont déterminés. Un ensemble est robuste positif invariant (de l’anglais « Robust Positive Invariant Set », appelé par la suite « ensemble RPI ») pour un système autonome discrétisé : avec , si, pour tout appartenant à cet ensemble, appartient également à cet ensemble.
De préférence, chacun des ensembles et est sélectionné comme étant le plus petit ensemble RPI inclus intégralement dans tous les ensembles RPI possibles. Ce plus petit ensemble RPI est habituellement qualifié de minimum et désigné par mRPI (de l’anglais « minimum Robust Positive Invariant »). En pratique, l’ensemble mRPI est très difficile à déterminer, de sorte qu’une approximation de ce dernier est de préférence utilisée à la place. Par exemple, chacun des ensembles et pourra être déterminé selon la méthode présentée dans l’article de Rakovic, S. V., Kerrigan, E. C., Kouramas, K. I., & Mayne, D. Q. (2005) « Invariant approximations of the minimal robust positively invariant set”, IEEE Transactions on automatic control , 50 (3), 406-410, qui permet de déterminer l’ensemble mRPI ou bien une approximation de ce dernier.
Ensuite, l’ensemble est pris comme la somme de Minkowski des ensembles RPI et : .
Comme montré dans Mayne et al. (2006), moyennant que les erreurs et soient respectivement dans et à un instant initial, l’état reste alors dans l’ensemble centré sur l’état nominal , ce qui s’exprime par l’équation : . En pratique, si les erreurs et à l’instant initial sont respectivement à l’extérieur mais proches de et , alors l’état peut également rester dans l’ensemble centré sur l’état nominal .
Au cours d’une étape 406, l’ensemble est projeté orthogonalement sur le sous-espace vectoriel spatial, cette projection orthogonale formant une zone spatiale d’incertitude Z. La illustre un exemple de mise en œuvre de cette étape 406 dans un cas où les variables d’état sont les coordonnées X, Y et l’orientation θ du système mobile 100. La illustre plus spécifiquement la zone d’incertitude spatiale Z obtenue par la projection illustrée sur la .
Par la suite, la projection de l’état , de l’état observé et de l’état nominal sur le sous espace vectoriel spatial seront des positions notées respectivement , et .
De retour à la , au cours d’une étape 408, le module d’entrée 302 obtient la zone spatiale d’incertitude Z. Par exemple, les étapes 402 à 406 sont mises en œuvre à l’extérieur du système mobile 100 et le module d’entrée 302 reçoit la zone spatiale d’incertitude Z depuis l’extérieur du système mobile 100, par exemple par le dispositif de communication 110. Alternativement, les étapes 404 et 406 peuvent être mises en œuvre par le module d’entrée 302, qui obtient la zone spatiale d’incertitude Z comme résultat de cette mise en œuvre.
Comme illustré sur la figure 7, de manière générale, la zone spatiale d’incertitude Z est définie de sorte que, si la position du système mobile 100 se trouve dans la zone spatiale d’incertitude Z centrée sur la position nominale , alors la position du système mobile 100 à l’instant suivant reste dans cette zone spatiale d’incertitude Z centrée sur la position nominale à l’instant suivant. Cette propriété dérive directement de celle de l’ensemble à partir duquel la zone spatiale d’incertitude Z est obtenue. Avec cette propriété de la zone spatiale d’incertitude Z, la position du système mobile 100 reste dans un tube T défini par un glissement de la zone spatiale d’incertitude Z sur la trajectoire nominale regroupant les positions nominales successives, obtenues en appliquant les commandes nominales dans la représentation nominale (équation [Math. 3]).
De retour à la , au cours d’une étape 410, l’environnement 200 est modélisé pour obtenir l’environnement modélisé ENV. Un exemple de modélisation est illustré sur la .
Chaque obstacle 202 est par exemple modélisé par une ou plusieurs formes F. Les formes F sont choisies pour contenir l’obstacle 202 modélisé, en étant proche de ce dernier, par exemple de sorte que l’obstacle 202 affleure la ou les formes F le modélisant. Ces formes F sont de préférence convexes, étant donné que tout objet géométrique peut être approximé par une forme convexe. Comme cela est connu en soi, une forme est convexe lorsque, pour chaque paire de points comprise à l’intérieur de cette forme, le segment qui joint la paire de points est entièrement contenu à l’intérieur de la forme. Les formes F convexes sont par exemple des polyèdres ou bien des polytopes, c’est-à-dire des polyèdres bornés (« bounded polyhedron » en anglais).
Les formes F seront appelées par la suite obstacles modélisés.
Les obstacles modélisés F peuvent être agrandis afin de tenir compte de la taille du système mobile 100. Avec cet agrandissement, il est possible de considérer par la suite le système mobile 100 comme ponctuel, ce qui simplifie les calculs.
- la surface spécifique Blaine de l’addition est supérieure à 0,6 m 2 /g ou supérieure à 0,8 m 2 /g ou supérieure à 1,0 m 2 /g ou supérieure à 1,2 m 2 /g, et est de préférence inférieure à 5,0 m 2 /g ;
- l’addition est constituée de particules inorganiques, notamment de SiO 2 , les particules inorganiques étant plus fines et/ou moins denses que le ciment ;
- l’addition comprend ou est constituée de l’une ou de plusieurs des espèces minérales suivantes : diatomite, moler, perlite expansée, andalousite, bentonite, chamotte, charbon actif, biochar, feldspath, graphite, graphène, halloysite, kaolin, mica, molochite, mullite, noir de carbone, talc et wollastonite ;
- l’addition constitue, en volume, au moins 50% de la couche intérieure d’extrémité, plus particulièrement au moins 60% de la couche intérieure d’extrémité ;
- l’élément de canalisation ou de réservoir comprend
. une deuxième couche disposée sur la première couche du côté intérieur, la deuxième couche étant à base de liant cimentaire et étant sensiblement dépourvue de charge, et
. une troisième couche disposée sur la deuxième couche du côté intérieur, la troisième couche étant la couche intérieure d’extrémité ;
- la troisième couche est fermée et continue sur la deuxième couche et ceci en particulier sur toute l’étendue de la deuxième couche ;
- le ciment est à base de ciment Portland (CEM I) ou de ciment au laitier (CEM III), notamment du ciment Portland ou du ciment au laitier comprenant un ou plusieurs des ajouts suivants : calcite, pouzzolanes tels que laitier de haut fourneau, laitier d’aciérie, fumée de silice, cendres volantes, métakaolin ;
- l’élément comprend une couche de support, qui est en métal, notamment en fonte grise ou en fonte ductile ou en acier et qui est une couche extérieure à la première couche ; et
- l’élément a une forme de symétrie axiale.
L’invention a également pour objet un procédé de fabrication, d’un élément tel que défini ci-dessus, comprenant les étapes successives suivantes : fourniture d’un moule, préparation d’un mélange de mortier comprenant le liant à base de ciment, la charge, l’addition et de l’eau, introduction du mélange de mortier de ciment à l’état non-solide dans le moule, le moule étant notamment en rotation, centrifugation du moule rempli du mélange de mortier de sorte à séparer le mélange de mortier en une phase essentiellement liquide et une phase essentiellement solide, la phase essentiellement solide comprenant une première couche de mortier de ciment, et une couche intérieure comprenant l’addition, en particulier la phase essentiellement solide comprenant en plus une deuxième couche de pâte cimentaire disposée entre la première couche et la couche intérieure comprenant l’addition, solidification du mélange de mortier en obtenant l’élément dans lequel la première couche de mortier de ciment correspond à la première couche de l’élément et la couche intérieure comprenant l’addition correspond à la couche intérieure d’extrémité de l’élément, en particulier la deuxième couche de pâte cimentaire correspondant à la deuxième couche de l’élément et la couche intérieure d’extrémité correspondant à la troisième couche de l’élément.
L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple et faite en se référant au dessin annexé.
La montre schématiquement et en coupe transversale un élément de canalisation selon l’invention.
Sur cette figure, on décrit une canalisation 2, avantageusement enterrée, adaptée pour transporter ou stocker un liquide 6, par exemple de l’eau potable. La canalisation 2 comprend un élément de canalisation 10 revêtu, et d’autres éléments de canalisation revêtus non représentés.
Alternativement, l’élément de canalisation 10 est remplacé par un réservoir ou forme un tel réservoir.
Un autre but de la présente invention est de fournir une installation et un procédé de production d’hydrogène permettant d'obtenir des coûts de production d’hydrogène moins élevés que ceux des installations et procédés de l'art antérieur.
A cet effet, l’invention propose une installation pour la production de dihydrogène comprenant : une enceinte réactionnelle destinée à contenir un matériau oxydable, un système d’alimentation en solution alcaline raccordé fluidiquement à l’enceinte réactionnelle, un système d’approvisionnement en eau pure raccordé fluidiquement à l’enceinte réactionnelle, un système de collecte du dihydrogène en aval de l’enceinte réactionnel, le système de collecte étant raccordé fluidiquement : d’une part à l’enceinte réactionnelle, et d’autre part au système d’approvisionnement, et comprenant une borne pour connecter un récipient de stockage à l’installation, ledit récipient étant configuré pour stocker le dihydrogène produit à une haute pression désirée supérieure ou égale à 60 bars, préférentiellement supérieure à 150 bars, encore plus préférentiellement supérieure à 250 bars, notamment de l’ordre de 350bars, remarquable en ce que l’enceinte réactionnelle comprend : une chambre de réaction dans laquelle une réaction de corrosion du matériau oxydable par la solution alcaline est réalisée, ladite réaction produisant un gaz contenant le dihydrogène, et un fluide réactionnel composé d’un mélange de solution alcaline et de matériau oxydé, une chambre de décantation dans laquelle une réaction de précipitation du matériau oxydé contenu dans le fluide réactionnel est réalisée, et une unité de brassage raccordée fluidiquement à la chambre de réaction et à la chambre de décantation pour assurer la circulation du fluide réactionnel entre la chambre de réaction et la chambre de décantation, la vitesse de circulation du fluide réactionnel dans la chambre de réaction étant supérieure à la vitesse de circulation du fluide réactionnel dans la chambre de décantation.
Le fait que l’enceinte réactionnelle comporte : deux chambres distinctes, à savoir : une première chambre – dite « chambre de réaction » – dans laquelle la réaction de corrosion du matériau oxydable (par exemple l’aluminium) est réalisée, et une deuxième chambre – dite « chambre de décantation » – dans laquelle la réaction de précipitation du matériau oxydé (par exemple aluminate de sodium) est réalisée, et une unité de brassage pour assurer la circulation du fluide réactionnel à travers les première et deuxième chambres, la vitesse de circulation du fluide réactionnel dans la première chambre (« chambre de réaction ») étant supérieure à la vitesse de circulation du fluide réactionnel dans la deuxième chambre (« chambre de décantation »), permet d'une part d'attaquer le matériau oxydable avec une solution aqueuse alcaline présentant un pH élevé assurant l'initiation et le maintien de la réaction de corrosion du matériau oxydable avec l'eau contenue dans la solution aqueuse alcaline, et d'autre part d'assurer une précipitation du matériau oxydé majoritairement dans la chambre de décantation, c'est-à- dire dans un compartiment différent de celui dans lequel a lieu la réaction de corrosion.
Cet agencement permet d'assurer une précipitation (par exemple sous forme d'alumine) de la totalité du matériau oxydé produit (par exemple aluminate de sodium), et donc une régénération de la solution aqueuse alcaline avant son passage à travers la chambre de réaction.
Le dispositif selon l’invention permet ainsi la production d’hydrogène sans qu’il soit nécessaire d’ajouter d’alcali (tel que de l’hydroxyde de sodium (soude), de l’hydroxyde de potassium (potasse), de l’hydroxyde de lithium, de l’hydroxyde d’ammonium (ammoniaque), etc.) durant la réaction de corrosion du matériau oxydable, ce qui diminue les coûts de production de l’hydrogène.