INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A cet effet, le procédé comporte une étape E2 consistant à mesurer une quantité de mouvement dans l’image corrigée IMc par comparaison à une image corrigée antérieure (en particulier la dernière image) et à stopper le procédé d’étalonnage si la quantité de mouvement mesurée est inférieure à un seuil de mouvement prédéterminé. De manière préférée, le mouvement peut être mesuré comme une variation de la valeur des pixels de l’image corrigé IMc. Il va de soi que la quantité de mouvement pourrait être mesurée de manière différente, par exemple, par des mesures inertielles, un asservissement de la ligne de visée ou analogue. Le mouvement peut être estimé globalement à partir d’estimateur externe (consignes si la ligne de visée du dispositif d’imagerie 1 est pilotée par un système mécanique ou estimation par un gyroscope), globalement ou localement à partir de fonctions de traitement d’image. Le mouvement est supposé suffisant si la translation des pixels dans l’espace, la rotation de l’axe de visée ou la variation des intensités des pixels est suffisante. Les seuils d’acceptation sont à définir en fonction du compromis entre la robustesse de la calibration désirée et la vitesse de convergence souhaitée.
Comme cela sera présenté par la suite, le traitement temporel des hautes fréquences repose sur l’indépendance des hautes fréquences spatiales en fonction du temps. Lorsque la scène SC est fixe, la haute fréquence n’est pas indépendante en fonction du temps. L’étape de calcul E1 est donc mise en œuvre uniquement sur les images corrigées IMc avec mouvement.
La est une représentation schématique des sous-étapes de l’étape de calcul E1.
L’étape de calcul E1 comporte une étape E3 consistant à décomposer l’image corrigée IMc de manière pyramidale en une pluralité de résolutions spatiales élémentaires Ri. Dans cet exemple, l’image corrigée IMc est décomposée en n résolutions spatiales élémentaires Ri avec i étant un entier compris entre 0 et n. Dans cet exemple, chaque résolution Ri est deux fois plus faible que la résolution précédente Ri-1. Il va de soi que le rapport de résolution pourrait être différent. Le passage d’une résolution spatiale à une autre correspond à un filtrage basse fréquence.
La représente plusieurs résolutions spatiales élémentaires R0-R10 dans laquelle la résolution spatiale élémentaire R0 correspond à l’image corrigée IMc du type VGA (640x480 pixels). Toutes les résolutions successives correspondent à l’image corrigée IMc réduite successivement par 2 (selon chaque dimension) jusqu’à obtention d’une image de taille 1 pixel (Résolution spatiale élémentaire R10). Le passage d’une résolution spatiale élémentaire à la suivante a un effet de filtrage basse fréquence. L’ensemble des résolutions spatiales élémentaires R0-R10 de la pyramide permet de représenter l’ensemble des fréquences de l’image corrigée IMc.
Le procédé comporte une étape E4 consistant à déterminer, pour chaque résolution spatiale élémentaire Ri, une pluralité de hautes fréquences HFi, c’est-à-dire, les fréquences pertinentes dans chaque bande de fréquences.
Selon un aspect, la pluralité de haute fréquences est obtenue en extrayant la partie statique de chaque résolution spatiale élémentaire Ri de l’image corrigée IMc. La partie statique peut être aisément retirée lors d’un mouvement du dispositif d’imagerie 10 lorsqu’il balaye la scène à observer SC. Par exemple, une haute fréquence est obtenue pour chaque pixel en soustrayant à ce pixel, la moyenne de son voisinage spatial. Le voisinage peut être défini librement par exemple les 8 pixels voisin (carré de 3x3). On obtient ainsi pour chaque résolution spatiale élémentaire Ri des hautes fréquences HFi.
L’ensemble des hautes fréquences HFi pour l’ensemble des résolutions spatiales élémentaires Ri permet de représenter le complément de paramètre de décalage dOF. En référence à la , le procédé comporte une étape E5 consistant à déterminer de manière statistique, pour chaque résolution spatiale élémentaire Ri, un complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi (notamment une matrice) déterminé à partir des images corrigées IMc obtenues lors d’un mouvement.
Le complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi comprend une pluralité de coefficients. Chaque coefficient est associé à un photodétecteur 10.
L’étape de détermination statistique E5 est présentée à la et comporte des étapes consistant, pour chaque résolution spatiale Ri, pour chaque signal de réponse associé à un photodétecteur 10, à : E51 : Comparer les hautes fréquences HFi pour un signal de réponse pour une résolution spatiale Ri, en valeur absolue, à un seuil haut SH prédéterminé et déterminer un coefficient de complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi de valeur nulle en cas de dépassement. Cela permet de supprimer les bords des objets de la scène SC. De manière préférée, le seuil haut SH est défini en fonction de l’amplitude attendue du défaut à corriger et de la scène SC. Ce seuil haut SH peut être déterminé automatiquement de manière statistique sur les images corrigées IMc. E52 : Multiplier par une constante de vitesse de convergence Kv, comprise entre 0 et 1, le coefficient de complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi de manière à moyenner les valeurs du coefficient de complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi dans le temps. Cette constante de vitesse de convergence Kv permet de définir un compromis entre la précision et la vitesse de convergence souhaitée. Une valeur proche de 1 accélère la convergence tandis qu’une valeur proche de 0 rend l’estimation plus précise. La constante de vitesse de convergence Kv est réglable par l’opérateur. E53 : Saturer les valeurs du coefficient de complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi pour limiter les variations du paramètre de décalage dOF. Dans cet exemple, les valeurs sont limitées à l’intervalle [-SAT, +SAT] où la constante de saturation SAT est permet de définir un compromis entre la précision et la vitesse de convergence souhaitée. Une constante de saturation élevée accélère la convergence tandis qu’une valeur proche de 0 rend l’estimation plus précise. La constante de saturation SAT est réglable par l’opérateur.
Les étapes E51, E52, E53 sont de préférence toutes mises en œuvre, en particulier de manière successive, pour déterminer les coefficients de complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi. Il va néanmoins de soi que seules certaines étapes E51, E52, E53 pourraient être mises en œuvre.
Comme illustré à la , l’étape E5 permet de déterminer un complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi qui est brute pour chaque résolution spatiale élémentaire Ri. Le procédé d’étalonnage comporte une étape E6 consistant à remettre à l’échelle le complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi en fonction de la résolution spatiale élémentaire Ri à laquelle elle est associée, en particulier, en fonction du rapport de résolution. Chaque complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi est remis à l’échelle. Chaque complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi se présente ainsi sous la forme d’une matrice de même dimension.
Ainsi, pour la résolution spatiale élémentaire R1 dans laquelle chaque dimension de l’image est réduite par 2 (rapport de résolution), le complément élémentaire de paramètre de décalage dOF1 déterminé pour la résolution spatiale élémentaire R1 est multiplié par 2 lors de sa remise à l’échelle. Autrement dit, il existe une étape de ré-interpolation à la taille originale de l’image corrigée IMc.
Le procédé comporte une étape E7 consistant à déterminer, pour la matrice de photodétecteurs 10, la somme des complément élémentaire de paramètre de décalage dOFi afin de déterminer le complément de paramètre de décalage dOF.
De façon surprenante, la demanderesse a découvert le fonctionnement de l’invention en voulant réaliser un matériau V 2 O 3 isolant pour une mémoire de Mott par une technique de dépôt par faisceau d’ions IBD (« Ion Beam Deposition » selon la terminologie anglaise) ; en utilisant cette technique de dépôt, les inventeurs ont obtenu un matériau V 2 O 3 conducteur et donc non adapté à une mémoire de Mott connue de l’état de la technique. Toutefois, en réalisant des opérations de cycles RESET/SET sur un empilement incluant une couche active de V 2 O 3 conducteur telle que déposée prise entre deux électrodes, les inventeurs ont constaté un fonctionnement de type mémoire résistive. Ils ont par ailleurs observé que, lors de la première opération d’initialisation (ou forming selon la terminologie anglaise), la couche de V 2 O 3 conducteur passait d’un état bassement résistif LRS à un état hautement résistif HRS avec l’apparition de cette zone locale singulière à base titane, d’oxygène et de vanadium hautement résistive dans la couche de V 2 O 3 . Cette structure particulière de cellule incluant cette zone formée d’un alliage V-Ti-O confère à la cellule selon l’invention un rôle de cellule mémoire résistive bipolaire. Nous reviendrons dans la suite de la description sur la structure de cette cellule, sur son fonctionnement et sur le mécanisme de création de cette zone localisée en V-Ti-O, probablement liée à un fort échauffement au niveau de l’interface entre l’électrode inférieure et la couche active au moment de l’étape de forming. On notera que les techniques de dépôt IBD permettent la réalisation de couches de V 2 O 3 conducteur cristallines ou partiellement cristallines à des températures de cristallisation supérieur à 280°C, donc parfaitement compatibles avec une intégration back end CMOS.
On notera que les termes « inférieure » et « supérieure » sont bien entendu utilisés pour une meilleure compréhension de l’invention mais restent relatifs de sorte que l’électrode inférieure peut être considérée comme l’électrode supérieure et l’électrode supérieure comme l’électrode inférieure en retournant la cellule mémoire tout en restant dans le champ d’application de la cellule mémoire selon l’invention.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, la cellule mémoire selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : L’électrode supérieure est à base de nitrure de titane ; la zone locale est sans contact avec la deuxième surface de contact ; l’épaisseur de la couche active est comprise entre 5 et 200 nm et préférentiellement entre 10 et 100 nm ; la zone locale présente une forme de dôme dont la section parallèle au plan des couches diminue depuis la première surface de contact ; l’électrode inférieure à base de nitrure de titane comporte du vanadium, du titane et de l’oxygène dans une zone localisée à proximité de la première surface de contact. Dans ce cas, la zone locale présente par exemple une forme de champignon avec un dôme dont la section parallèle au plan des couches diminue depuis la première surface de contact ; la première surface de contact présente une aire inférieure ou égale à 6000 nm 2 ; la première surface de contact est égale à la surface supérieure de l’électrode inférieure et strictement inférieure à la surface totale inférieure de la couche active ; l’électrode inférieure présente une forme de parallélépipède rectangle de type « Wall » ou une forme en L ; l’oxyde de vanadium V 2 O 3 conducteur est cristallin ou partiellement cristallin; la zone locale est réalisée dans un matériau cristallin ou partiellement cristallin.
Un autre objet de l’invention est un procédé de fabrication d’une cellule mémoire comportant les étapes suivantes : Réalisation d’une électrode inférieure à base de nitrure de titane ; Dépôt d’une couche réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 ayant une première surface de contact avec l’électrode inférieure ; Réalisation d’une électrode supérieure ; ledit procédé comportant une étape, dite étape d’initialisation, consistant à injecter un courant à travers l’empilement formé par l’électrode inférieure, la couche de V 2 O 3 et l’électrode supérieure, la densité de courant étant choisie pour créer ladite zone locale comportant du vanadium, du titane et de l’oxygène.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le procédé de fabrication selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : Le procédé comporte une étape de traitement thermique pendant ou après ladite étape de dépôt jusqu’à rendre conducteur ladite couche en oxyde de vanadium V 2 O 3 ; ladite couche déposée est réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 amorphe ; la densité de courant de l’étape d’initialisation est supérieure ou égale à 50.10 6 A/cm 2 ; le dépôt de la couche réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 est réalisé par une technique de dépôt par faisceau d’ions ; le procédé comporte une étape de nettoyage de l’électrode inférieure par décapage ionique (Ar, Xe, ou Kr) in situ (i.e. dans le même équipement que l’étape de dépôt du V 2 O 3 , sans remise à l’air) avant l’étape de dépôt de V 2 O 3 ; la réalisation de l’électrode supérieure peut être réalisée in situ ou après remise à l’air.
La représente schématiquement une vue à 3D de la cellule mémoire selon l’invention.
La représente le comportement lors de 1000 cycles d’écriture (SET) et d’effacement (RESET) d’une cellule mémoire selon l’invention.
La montre une image STEM en champ sombre d’une cellule avant forming.
La montre une image STEM en champ sombre d’une cellule mémoire selon l’invention.
Les , , et montrent des analyses par spectroscopie X à dispersion d'énergie EDX et par microscopie TEM d’une cellule mémoire selon l’invention.
Les , , et , et montrent des résultats de cycles d’écriture (SET) et d’effacement (RESET) pour des cellules selon l’invention avec différentes surfaces de contact et différentes épaisseurs de couche active.
La illustre schématiquement le fonctionnement d’une cellule mémoire selon l’invention.
Les et sont des analyses EELS montrant la présence d’oxygène et de vanadium dans la partie supérieure de l’électrode inférieure de la cellule mémoire selon l’invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique.
Selon une réalisation connue de l’art antérieur, les boîtiers électroniques de chaque unité roue émettent des signaux basse fréquence (appelés « signaux LF » pour « Low Frequency » en terminologie anglo-saxonne) grâce à une antenne basse fréquence vers l’unité centrale de calcul du véhicule ou un terminal mobile.
Afin de réduire les coûts de fabrication et de simplifier le procédé de fabrication, la communication radio ultra-haute fréquence ou « UHF », par exemple selon la norme Bluetooth®, est également utilisée dans le domaine des systèmes TPMS.
Si l’opération d’émission de signaux basse fréquence (LF) est peu consommatrice d’énergie, ce n’est pas le cas de la communication ultra-haute fréquence selon la norme Bluetooth ®.
Or, la batterie d’une unité roue présente une durée de vie limitée et n’est pas prévue pour être rechargée.
Il existe ainsi un besoin, récurrent dans le domaine de la communication des systèmes TPMS, de limiter la consommation de la batterie d’une unité roue.
Un des problèmes rencontrés lors de la transmission de données entre les boîtiers électroniques montés sur les roues des véhicules automobiles et l'unité centrale intégrée dans ces véhicules automobiles, résulte de l'existence de zones de non couverture radiofréquence, communément dénommées « zones d'ombre » (« black spots » en langue anglaise), qui consistent en des positions relatives entre les boîtiers électroniques et l'unité centrale pour lesquelles les communications entre ces derniers sont coupées ou altérées.
La position de ces zones de non-couverture étant très difficilement prévisible et définissable, les solutions actuelles mises en œuvre en vue de pallier les inconvénients liés à leur présence consiste, de façon globale, à multiplier le nombre de messages émis.
A titre d'exemple, dans le cadre de l'émission par les boîtiers électroniques des signaux comportant des données représentatives de paramètres de fonctionnement de chaque roue, la solution actuelle consiste à émettre des signaux comportant plusieurs trames de données identiques à intervalles de temps réguliers sur une rotation de la roue.
Aussi, dans le cadre de la mise en œuvre de procédés de localisation des roues par synchronisation et corrélation angulaire, dont le concept est basé sur la corrélation d'informations angulaires existant entre les signaux délivrés par le boîtier électronique et des signaux délivrés par un capteur de vitesse de roue monté dans le véhicule à proximité de chaque roue, la solution mise en œuvre pour éviter une perte d’informations lors d’émissions sur des zones d’ombre, consiste à commander l'émission, par chaque boîtier électronique, de plusieurs signaux, dits synchronisés, délivrés à des instants successifs pour des positions angulaires différentes du boîtier électronique.
Par conséquent, afin de garantir statistiquement les performances des transmissions radiofréquence, les solutions actuelles consistent à multiplier le nombre de messages émis par les boîtiers électroniques des unités roue en jouant soit sur une répétition du nombre de trames transmises lors de chaque émission, soit sur une répartition des émissions synchronisées sur plusieurs angles.
La multiplication du nombre de messages émis par les boîtiers électroniques réduit fortement la durée de vie de la batterie d’une unité roue.
La présente invention vise à surmonter les inconvénients de l’art antérieur, et concerne pour ce faire un procédé de communication entre au moins une unité roue d’un système de surveillance de la pression de pneumatiques et une unité centrale de calcul dudit système de surveillance, ladite au moins une unité roue étant destinée à être intégrée dans au moins une roue d’un véhicule automobile et comportant : - un boîtier électronique, comprenant un ensemble de capteurs conçus pour détecter une anomalie de ladite au moins une roue et un moyen de mesure de la position angulaire dudit boîtier électronique, - une batterie fournissant l’énergie nécessaire à la communication entre ladite au moins une unité roue et ladite unité centrale de calcul, ledit procédé comprenant les étapes suivantes visant à : - émettre, depuis ladite au moins une unité roue, un ensemble de trames d’émission contenant des informations relatives à ladite au moins une roue associée à ladite au moins une unité roue, - envoyer, depuis ladite unité centrale de calcul, une trame d’acquittement dès lors que ladite unité centrale de calcul a reçu au moins une trame dudit ensemble de trames d’émission émises par ladite au moins une unité roue, ledit procédé étant remarquable en ce qu’il comprend, consécutivement à ladite étape visant à envoyer ladite trame d’acquittement, une étape visant à interrompre l’envoi d’au moins une trame dudit ensemble de trames d’émission émises par ladite au moins une unité roue.
Ainsi, en prévoyant d’interrompre l’envoi de trames consécutivement à l’étape d’envoi d’une trame d’acquittement, on évite que les unités roue du système TPMS ne continuent d’émettre alors que l’unité centrale de calcul a reçu l’information attendue.
De la sorte, on limite le nombre d’échanges entre les boîtiers électroniques des unités roue et l’unité centrale du véhicule automobile.
En optimisant de la sorte les échanges, on optimise la consommation énergétique des batteries des unités roue.
On augmente ainsi par rapport à l’art antérieur la durée de vie des batteries de telles unités roue, malgré l’utilisation de la communication par ondes radio ultra-haute fréquence selon la norme Bluetooth® et tout en s’affranchissant d’un mode de communication avec émission de signaux basse fréquence (LF), mode de communication selon lequel l’architecture est plus coûteuse et plus complexe que celle déployée pour communiquer selon la norme Bluetooth ®.
En d’autres termes, la première zone de transition 2030 est formée dans la première chambre ALD et la seconde zone de transition est formée dans la troisième chambre ALD, c’est-à-dire que la première zone de transition 2030 et la seconde zone de transition 3040 sont toutes les deux formées dans des chambre ALD sous vide, dédiées aux dépôts d’électrodes, à une température de 400 °C.
Une structure S4 de type MIM est ainsi obtenue et représentée à la (partie de gauche). Cette structure comprend un substrat 10 recouvert par un empilement comprenant successivement : - l’ensemble 200 qui comprend successivement la première électrode 20 en TiN et la première zone de transition 2030 en AlN ; - la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; puis - l’ensemble 400 qui comprend successivement la seconde zone de transition 3040 en AlN et la deuxième électrode 40 en TiN.
Dans les exemples précédents, le substrat est un substrat ayant une surface plane. Cependant, comme représenté sur la , le procédé de préparation d’une structure telle qu’une capacitance de type MIM pourrait être appliqué à un substrat 100 ayant une surface microstructurée. Les différents éléments (première électrode 20, ensemble 300 et deuxième électrode 40) sont alors déposés successivement sur le substrat 100.
PRÉPARATION D’UNE COUCHE PRIMAIRE DE CATHODE L’invention concerne une méthode de préparation d’une couche primaire de cathode combinant deux agents liants polyacryliques de masses moléculaires différentes et des particules de carbone. L’invention concerne également une composition adaptée à cette méthode ainsi qu’une cathode utilisable pour la fabrication de cellules pour batterie secondaire.
Par ailleurs, la compatibilité des différents ingrédients des compositions de préparation de la cathode et de la batterie est également un facteur important à considérer lors de la préparation de ces compositions ainsi qu’au moment de préparer les cathodes au moyen de ces compositions. En particulier, la compatibilité, et notamment l’absence de solubilité ou la faible solubilité, avec l’électrolyte de la batterie est une propriété primordiale.
Ainsi, l’invention fournit une méthode de préparation d’une couche primaire de cathode comprenant : * l’application : - d’au moins un agent Q liant comprenant au moins un polymère P1 hydrosoluble, de masse moléculaire Mw, mesurée par CES, allant de plus de 100 000 g/mol à 1 000 000 g/mol, préparé par une réaction de polymérisation, en présence d’au moins un composé initiateur, d’au moins un composé (a1) choisi parmi acide acrylique, acide méthacrylique, un oligomère d’acide acrylique, un oligomère d’acide méthacrylique, un sel d’acide acrylique, un sel d’acide méthacrylique, un sel d’oligomère d’acide acrylique, un sel d’oligomère d’acide méthacrylique et leurs combinaisons, - d’au moins un agent liant R comprenant au moins un polymère P2 hydrosoluble, de masse moléculaire Mw, mesurée par CES, allant de 2 000 g/mol à strictement moins de 100 000 g/mol, préparé par une réaction de polymérisation, en présence d’au moins un composé initiateur, d’au moins un composé (a2) choisi parmi acide acrylique, acide méthacrylique, un oligomère d’acide acrylique, un oligomère d’acide méthacrylique, un sel d’acide acrylique, un sel d’acide méthacrylique, un sel d’oligomère d’acide acrylique, un sel d’oligomère d’acide méthacrylique, et leurs combinaisons, et - d’au moins un matériau E comprenant des particules de carbone ; * le séchage de la couche primaire.
De manière préférée pour la méthode selon l’invention, le composé (a1) est choisi parmi acide acrylique, acide méthacrylique, un sel d’acide acrylique, un sel d’acide méthacrylique et leurs combinaisons, de préférence le composé (a1) est l’acide acrylique ou l’acide méthacrylique.