INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La illustre une vue en coupe d’un pixel détecteur infrarouge Pxl comprenant une hétérostructure d’absorption SPA selon un troisième mode de réalisation de l’invention. L’hétérostructure d’absorption SPA comprend un premier groupe de N structures planaires d’absorption. Chaque structure du premier groupe est réalisée par un premier super réseau SR 1 avec N un entier naturel non nul. L’hétérostructure d’absorption SPA comprend en outre un second groupe de N structures planaires d’absorption. Chaque structure du second groupe est réalisée par un second super réseau SR 2 avec N un entier naturel non nul. Les super-réseaux SR 1 et SR 2 sont empilés de manière alternée pour obtenir une hétérostructure formée par différents super-réseaux adjacents. On rappelle que l’invention divulgue un empilement alterné d’au moins deux super-réseaux différents. Il ne s’agit pas d’un seul super-réseau unique. Le premier super réseau SR 1 est caractérisé par une première valeur de maximum de bande de valence Ev 1 , une première valeur de minimum de bande de conduction Ec 1 , et une première valeur de gap d’énergie E g1 . Le deuxième super réseau SR 2 est caractérisé par une deuxième valeur de maximum de bande de valence Ev 2 , une deuxième valeur de minimum de bande de conduction Ec 2 et une deuxième valeur de gap d’énergie Eg 2 . La deuxième valeur de maximum de bande de valence Ev 2 est distincte de la première valeur de maximum de bande de valence Ev 1 avec un écart (appelé aussi décalage) d’énergie inférieur à 4.KbT avec K b la constante de Boltzmann et T la température de fonctionnement du détecteur. Le décalage de niveau des bandes de valence induit la création d’un champ électrique local E au niveau de chaque interface entre une structure planaire d’absorption réalisée par le premier super réseau SR 1 et une structure planaire d’absorption réalisée par le deuxième super réseau SR 2 . On obtient ainsi le même diagramme de bandes d’énergie alterné décrit dans le premier mode de réalisation permettant de canaliser les porteurs de charges selon l’axe Δ du pixel et ainsi réduire le phénomène de diaphonie entre pixels adjacents.
Le premier super-réseau SR 1 et deuxième super-réseau SR 2 sont réalisés avec des matériaux semi-conducteurs préférentiellement de type III-V. Dans ce mode de réalisation, la zone d’absorption SPA est un empilement alternatif d’au moins deux super-réseaux différents ce qui ne correspond pas à un super-réseau en tant que tel.
D’une manière générale, les choix de conception d’un super-réseau selon l’invention couvrent le choix des matériaux utilisés (ingénierie des matériaux), l’épaisseur des couches qui composent super-réseau, la période du super-réseau (ici p 1 et p 2 ) et les fractions molaires dans le cas d’utilisation d’alliages. Selon un aspect particulier de l’invention, le deuxième super-réseau SR 2 est composé d’un empilement de couches en des matériaux différents de ceux qui forment le premier super-réseau SR 1 . Alternativement, le deuxième super-réseau SR 2 est composé d’un empilement de couches des mêmes matériaux que ceux qui forment le premier super-réseau SR 1 mais avec des épaisseurs de couches différentes. Alternativement, le deuxième super-réseau SR 2 est composé d’un empilement de couches des mêmes matériaux que ceux qui forment le premier super-réseau SR 1 mais avec des périodes différentes p 1 ≠p 2 . Alternativement, le deuxième super-réseau SR 2 est composé d’un empilement de couches des mêmes alliages que ceux qui forment le premier super-réseau SR 1 mais avec des fractions molaires différentes, des couches d’épaisseurs différentes et des périodes différentes p 1 ≠p 2 .
À titre d’exemple non limitatif du troisième mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en GaSb. Le premier super-réseau SR 1 est InAs 1-y 1 1 Sb y 1 1 /Ga x1 2 In 1-x1 2 As 1-y 1 2 Sb y 1 2 avec 0.084≤y11≤0.4 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0,1 ≤ x12 ≤0,5 et en x12=0,1 : 0≤ y12 ≤0,25 et en x12=0,5 : 0,2≤ y12 ≤0,4. Les épaisseurs du ternaire e InAsSb et du quaternaire e Ga In AsSb sont comprises entre 0,9nm≤e InAsSb ≤2nm et 0,9nm≤e GaInAsSb ≤5nm. Le deuxième super-réseau SR 2 est InAs 1-y’1 1 Sb y’1 1 /Ga x’1 2 In 1-x’1 2 As 1-y’ 1 2 Sb y’ 1 2 avec 0,084≤y’11≤0,4 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0,1 ≤ x’12 ≤0,5 et en x’12=0,1 : 0≤ y’12 ≤0,25 et en x’12=0,5 : 0,2≤ y’12 ≤0,4. Les épaisseurs du ternaire e InAsSb et du quaternaire e’ Ga In AsSb sont comprises entre 0,9nm≤e’ InAsSb ≤2nm et 0,9nm≤e’ GaInAsSb ≤5nm. Le deuxième super réseau SR 2 présente une période p 2 différente de celle p 1 du premier réseau SR 1 et/ou des fractions molaires d’alliages différentes des fractions molaires des alliages constituant le premier super réseau SR 1 . L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du troisième mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en InAs. Le premier super-réseau SR 1 est InAs 1-y1 3 Sb y1 3 /Ga x1 4 In 1- x1 4 As 1-y 14 Sb y 14 avec 0≤y13≤0,4 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0,1 ≤ x14 ≤0,5 et en x14=0,1 : 0≤ y14 ≤0,25 et en x14=0,5 : 0,1≤ y14 ≤0,4. Les épaisseurs du ternaire e InAsSb et du quaternaire e Ga In AsSb sont comprises entre 0,9nm≤e InAsSb ≤2nm et 0,9nm≤e GaInAsSb ≤5nm. Le deuxième super-réseau SR 2 est InAs 1-y’1 3 Sb y’1 3 /Ga x’1 4 In 1-x’1 4 As 1-y’ 14 Sb y’ 14 avec 0≤y’13≤0,4 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0,1 ≤ x’14 ≤0,5 et en x’14=0,1 : 0≤ y’14 ≤0,25 et en x’14=0,5 : 0,1≤ y’14 ≤0,4. Les épaisseurs du ternaire e InAsSb et du quaternaire e’ Ga In AsSb sont comprises entre 0,9nm≤e’ InAsSb ≤2nm et 0,9nm≤e’ GaInAsSb ≤5nm. Le deuxième super réseau SR 2 présente une période p 2 différente de celle p 1 du premier réseau SR 1 et/ou des fractions molaires d’alliages différentes des fractions molaires des alliages constituant le premier super réseau SR 1 . L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du troisième mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en InP. Le premier super-réseau SR 1 est In x15 Ga 1-x15 As/In x16 Ga 1-x16 As 1-y16 P y16 avec 0,45≤x15≤0,8 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0,4 ≤ x16 ≤0,8 et en x16=0,4 : 0≤ y16 ≤0,2 et en x16=0,8 : 0,55≤ y16 ≤1. Les épaisseurs du ternaire e InGaAs et du quaternaire e InGaAsP sont comprises entre 0,9nm≤e InGaAs ≤5nm et 0,9nm≤e InGaAsP ≤5nm. Le deuxième super-réseau SR 2 est In x’15 Ga 1-x’15 As/In x’16 Ga 1-x’16 As 1-y’16 P y’16 avec 0,45≤x’15≤0,8 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0,4 ≤ x’16 ≤0,8 et en x’16=0,4 : 0≤ y’16 ≤0,2 et en x’16=0,8 : 0,55≤ y’16 ≤1. Les épaisseurs du ternaire e’ InGaAs et du quaternaire e’ InGaAsP sont comprises entre 0,9nm≤e’ InGaAs ≤5nm et 0,9nm≤e’ InGaAsP ≤5nm. Le deuxième super réseau SR 2 présente une période p 2 différente de celle p 1 du premier réseau SR 1 et/ou des fractions molaires d’alliages différentes des fractions molaires des alliages constituant le premier super réseau SR 1 . L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du troisième mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en InP. Le premier super-réseau SR 1 est In x1 7 Ga 1-x1 7 As 1-y1 7 Sb y1 7 /In x 18 Ga 1-x 18 As 1-y 1 8 Sb y 1 8 et le second super-réseau SR 2 est réalisé par les mêmes matériaux mais avec une période différente et/ou des coefficients stoechiométriques différents.
À titre d’exemple non limitatif du troisième mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en GaAs. Le premier super-réseau SR 1 est In x19 Ga 1-x19 As/In x20 Ga 1-x20 As 1-y20 P y20 avec 0≤x19≤0,2 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0 ≤ x20 ≤0,3 et en x20=0 : 0≤ y20 ≤0,4 et en x20=0,3 : 0,6≤ y20 ≤1. Les épaisseurs du ternaire e InGaAs et du quaternaire e InGaAsP sont comprises entre 0,9nm ≤e InGaAs ≤5nm et 0,9nm≤e InGaAsP ≤5nm. Le deuxième super-réseau SR 2 est In x’19 Ga 1-x’19 As/In x’20 Ga 1-x’20 As 1-y’20 P y’20 avec 0≤x’19≤0,2 pour l’alliage ternaire et la plage en composition pour l’alliage quaternaire est un quadrilatère tel que 0 ≤ x’20 ≤0,3 et en x’20=0 : 0≤ y’20 ≤0,4 et en x’20=0,3 : 0,6≤ y’20 ≤1. Les épaisseurs du ternaire e’ InGaAs et du quaternaire e’ InGaAsP sont comprises entre 0,9nm ≤e’ InGaAs ≤5nm et 0,9nm≤e’ InGaAsP ≤5nm. Le deuxième super réseau SR 2 présente une période p 2 différente de celle p 1 du premier réseau SR 1 et/ou des fractions molaires d’alliages différentes des fractions molaires des alliages constituant le premier super réseau SR 1 . L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
Alternativement, il est possible de réaliser une hétérostructure d’absorption SPA selon l’invention dans laquelle le diagramme d’énergie alternée est obtenu par l’empilement alterné de couches massives avec des super-réseaux. Il s’agit d’un mode hybride entre le premier mode de réalisation et le troisième mode de réalisation.
La illustre une vue en coupe d’un pixel Pxl détecteur infrarouge comprenant une hétérostructure d’absorption SPA selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. L’hétérostructure d’absorption SPA comprend un empilement d’une pluralité de structures planaires C i de rang i=1 à N avec N un entier naturel supérieur ou égal à 2. La première structure planaire C 1 est réalisée en une couche d’un premier matériau massif m1 ou en un premier super-réseau SR1. La deuxième structure planaire C 2 est réalisée en une couche d’un deuxième matériau massif m2 ou en un deuxième super-réseau SR2 et ainsi de suite. Dans le sens de migration des porteurs de charge minoritaires, chaque structure planaire d’absorption C i de rang i=1 à N-1 présente une valeur de maximum de bande de valence Ev i strictement supérieure à la valeur de maximum de bande de valence Ev i + 1 de la structure planaire d’absorption C i+1 de rang i+1, avec un écart d’énergie inférieur à quatre fois le produit de la constante de Boltzmann par la température de fonctionnement. On obtient un diagramme d’énergie en escalier descendant en partant de l’électrode inférieure EL_INF vers l’électrode supérieure EL_SUP. L’écart absolu entre le gap d’énergie Eg i de la structure planaire d’absorption C i de rang i=1 à N-1 et la structure planaire d’absorption C i + 1 est inférieur ou égal à 20 meV.
Avantageusement, chaque structure planaire d’absorption C i de rang i=1 à N-1 présente une valeur de minimum de bande de conduction Ec i strictement supérieure à la valeur de minimum de bande de conduction Ec i + 1 de la structure planaire d’absorption de rang i+1, avec un écart d’énergie inférieur à quatre fois le produit de la constante de Boltzmann par la température de fonctionnement.
On obtient ainsi une succession de plusieurs couches C i de rang i=1 à N en partant de EL_INF selon la première direction Z avec un diagramme de bandes d’énergie sous forme d’escalier descendant. La illustre un schéma de la structure des bandes de l’hétérostructure d’absorption SPA selon le quatrième mode de réalisation de l’invention dans la direction de l’axe du pixel Pxl.
Les matériaux utilisés pour réaliser l’hétérostructure d’absorption sont des matériaux semi-conducteurs préférentiellement de type III-V.
Le choix des niveaux de valence et de conduction des structures planaires absorption C i permet d’obtenir un diagramme d’énergie sous forme d’escalier descendant. Chaque marche d’escalier d’énergie correspond à l’interface entre deux structures planaires d’absorption. Chaque écart d’énergie au niveau de l’interface induit un champ électrique d’interface E dirigé selon Z la direction de l’axe Δ du pixel Pxl.
Avantageusement, le bouchon empêche le démarrage du véhicule électrique.
Le bouchon antivol comprend un circuit électronique relié à une broche de proximité complémentaire d’une broche de proximité mâle de la prise mâle du véhicule.
Le circuit électronique fait varier une résistance électrique d’un circuit électronique du véhicule électrique lorsque le bouchon antivol est connecté à la prise mâle du véhicule.
Dans une alternative, le bouchon antivol est verrouillable en position une fois agencé sur la prise mâle du véhicule électrique.
Le circuit électronique comporte une pièce métallique qui entre en contact électrique avec la broche de proximité mâle du véhicule.
Dans une alternative la pièce métallique est un tube dans lequel s’engage la broche de proximité mâle du véhicule.
L’invention est également relative à un véhicule électrique pourvu d’un volet mobile entre une position ouverte et une position fermée. Le volet en position fermée obturant un renfoncement dans lequel est agencée la prise mâle de recharge électrique. Un dispositif antivol tel que présenté précédemment est agencé complémentairement sur la prise mâle de recharge électrique du véhicule.
Le volet est fermé lorsque le dispositif antivol est agencé sur la prise mâle de recharge électrique.
Dans une alternative, le volet est verrouillé en position fermée au moyen d’une serrure.
Brève description des figures L’invention sera davantage détaillée par la description de modes de réalisation non limitatifs et, sur la base des figures annexées. illustre schématiquement un véhicule électrique en cours de recharge. illustre schématiquement une prise électrique mâle de recharge d’un véhicule électrique. illustre schématiquement une prise femelle d’une borne de recharge complémentaire de la prise mâle de la . illustre schématiquement un dispositif antivol selon l’invention. illustre schématiquement une alternative du dispositif antivol de la . illustre schématiquement le dispositif antivol des figures 3A et 3B selon un point de vue différent. illustre schématiquement le dispositif antivol de la , 3B et 3C agencé sur la prise mâle de la . illustre schématiquement un circuit électronique compris dans le dispositif antivol connecté au circuit électronique du véhicule.
Description détaillée La représente un véhicule électrique V en cours de recharge et donc connecté à une borne de recharge B par un câble C. Le véhicule électrique V comprend une batterie motrice (non représentée) reliée à une prise électrique mâle 10 accessible, derrière un volet mobile 20, dans un renfoncement 30 de la carrosserie du véhicule électrique V. Pour la recharge électrique de la batterie motrice, une prise électrique femelle 40 agencée au bout du câble C est complémentairement connectée à la prise mâle 10.
La détaille la prise mâle 10 du véhicule électrique V et la détaille la prise femelle 40 de la borne de recharge B. Ces prises électriques 10, 40, sont complémentaires l’une de l’autre de sorte à pouvoir se connecter ensemble. Elles possèdent des broches pour le passage du courant en cours de recharge et une broche, dite broche de proximité.
La broche de proximité repérée 50 sur la prise mâle et 60 sur la prise femelle a un rôle d’antidémarrage du véhicule électrique V. Le véhicule électrique V comprend un premier circuit électronique 100 connecté électriquement à la broche de proximité mâle 50 et ce premier circuit électronique a une résistance électrique R prédéterminée. La borne de recharge B comprend un second circuit électronique (non représenté) connecté électriquement à la broche de proximité femelle 60.
En cours de recharge, lorsque les prises 10, 40 sont connectées, les broches de proximité mâle 50 et femelle 60 sont en contact et la résistance électrique R change. Cette variation de résistance est une information prise en compte par un contrôleur électronique du véhicule qui interdit alors tout démarrage du véhicule. Ceci empêche qu’un conducteur démarre par inadvertance alors que son véhicule électrique est en cours de recharge.
La illustre schématiquement le dispositif antivol selon l’invention, la illustre une alternative du dispositif antivol représenté en et, la illustre le dispositif antivol selon un point de vue différent.
Le dispositif antivol est un bouchon antivol 70 simulant la présence de la prise de la prise femelle 40 et interdisant le démarrage du véhicule.
Ces derniers temps, on assiste à une très forte augmentation du nombre de stations de recharge sur le domaine public ou semi-public.
Pour procéder à la recharge de véhicules électriques et hybrides, il est nécessaire d'utiliser un câble électrique de recharge destiné à relier d'une part une embase de recharge côté véhicule et d'autre part une prise de fourniture de courant du coté opposé, à savoir côté station ou prise électrique d'habitation.
En pratique, il s'avère que dans certaines configurations de recharge, il reste une certaine distance entre la borne publique (ou respectivement la prise domestique) et le véhicule en recharge, et à cet endroit il existe un intervalle physique qui permet à un individu humain de passer entre la borne publique et le véhicule en recharge.
De plus, dans certaines configurations de recharge, l’intervalle physique entre la borne et le véhicule en recharge est important et le câble électrique de recharge repose sur le sol, au moins dans une portion médiane du câble entre le véhicule et la borne de recharge (ou respectivement la prise domestique).
Il faut remarquer en outre que les câbles de recharge sont souvent de couleur sombre, le cas le plus fréquent est la couleur noire.
En conséquence, lorsqu'un câble de recharge sombre repose sur le sol, il représente un obstacle pour un piéton i.e. un individu humain qui passe à cet endroit. S'agissant des individus malvoyants, la présence d'un tel câble de recharge au sol représente un obstacle dangereux et difficile à détecter avec une canne.
Les inventeurs ont cherché à améliorer la situation et à diminuer le risque que représente un câble de recharge jonchant le sol.
A cet effet, l’invention propose un câble de recharge pour recharger des véhicules électriques comprenant au moins deux conducteurs électriques, le câble s'étendant entre une première extrémité et une deuxième extrémité, caractérisé en ce que le câble de recharge comprend au moins un dispositif de signalisation, configuré pour émettre des signaux sonores à destination d’individus humains, parmi lesquels certains individus humains malvoyants, le dispositif de signalisation étant agencé à une position intermédiaire entre la première extrémité et la deuxième extrémité, au voisinage des deux conducteurs électriques.
Grâce à un tel agencement, la signalisation sonore produite par le câble permet de diminuer le risque qu'un piéton passant sur la zone ne heurte ledit câble.
Notamment en particulier, pour les individus malvoyants, la signalisation sonore permet une identification simple du potentiel obstacle formé par le câble au sol, sans nécessiter une instrumentation particulière sur la canne blanche ou autre adaptation d'appareillage.
Il faut remarquer que les personnes malvoyantes sont déjà habituées à être informées par des indications sonores au niveau des passages de piétons des feux tricolores. Une signalisation sonore de même type sur le plan de sa signature spectrale et sera donc considéré comme intuitive par les personnes en question.
Avantageusement, la position du dispositif de signalisation dans une portion intermédiaire du câble est optimale pour les différents cas de figure et configurations de câble reliés d'une part à une borne et d'autre part à un véhicule, que ce soit à l'avant ou à l'arrière du véhicule ou même sur le côté.
Avec le dispositif de signalisation en position médiane, il se trouve le plus souvent au sol et le son de signalisation vient alors de la portion (au sol) qui présente le plus grand danger pour les passants (partie la plus exposée au risque).
Selon une réalisation, le dispositif de signalisation est configuré pour émettre en outre des signaux lumineux.
Moyennant quoi, on complète la signalisation sonore par une signalisation lumineuse. Par exemple pour des personnes à déficience auditive, dans des conditions nocturnes, cette signalisation lumineuse est particulièrement bénéfique pour éviter à certaines personnes, e.g. âgées et malentendantes, de risquer de tomber en se prenant les pieds sur le câble.
Selon une réalisation, le dispositif de signalisation est alimenté électriquement par une circulation de courant électrique dans au moins l’un des conducteurs électriques.
La courbe en pointillés sur la montre l’évolution temporelle de l’état de charge de l’élément électrochimique 12 déduite du compteur de la quantité de charge accumulée selon la formule précédente, à savoir :
Les variations observées entre la courbe en traits pleins et la courbe en pointillés sur la correspondent à l’effet des biais que le contrôleur 22 cherche à déterminer.
Lors de la deuxième étape de détection E36, le calculateur 22 détecte un deuxième instant durant lequel la valeur obtenue de l’état de charge est égale à une valeur prédéfinie.
Le deuxième instant est distinct du premier instant et est noté dans la suite.
Avec les notations introduites, la relation suivante est vérifiée :
Lors de l’étape de détermination E38, le calculateur 22 détermine la valeur du biais de courant par application d’une fonction de calcul.
La fonction de calcul est ici la suivante :
Où désigne la valeur du comptage des Ampère heure à l’instant final tel qu’obtenu par le compteur.
Cela permet d’obtenir la valeur du biais de courant de manière aisée puisque le procédé peut être mis en œuvre sans arrêt de l’élément électrochimique 12 et que la charge calculatoire associée à la mise en œuvre du procédé est suffisamment réduite pour pouvoir être réalisée en embarqué par le contrôleur 22.
Autrement formulé, le procédé de détermination permet de mesurer en temps réel le biais de courant .
En notant la valeur du comptage des Ampère heure à l’instant final , depuis l’instant initial , basé sur le courant réel, il vient une première relation R1 :
Par ailleurs, la grandeur vérifie une deuxième relation R2 :
La grandeur vérifie quant à elle une troisième relation R3 :
Où : désigne le bilan du comptage des Ampère heure démarrant à l’instant initial , et désigne le courant mesuré de l’élément électrochimique 12.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, au moins une partie de l'eau obtenue en sortie de la section de stripage de l’eau est envoyée dans la tour de récupération des aromatiques 8, afin d'augmenter la quantité de vapeur de stripage envoyée en bas de la tour de récupération des aromatiques 8.