INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le contrôleur 126 a accès aux données sismiques et peut être utilisé pour réaliser un contrôle de qualité ou même traiter entièrement les données sismiques acquises. Le contrôleur 126 peut également être connecté au système de navigation du navire et à d'autres éléments du système d'acquisition sismique 100, par exemple, les appareils de positionnement 128.
On constate cependant que les appareils de positionnement 128 qui sont fixés sur un câble tracté par le navire, peuvent vibrer et/ou générer du bruit qui peut perturber le traitement des données sismiques enregistrées par les capteurs sismiques. En particulier, on peut constater la génération de fréquences de résonance dans la gamme de fréquences sismiques acquises par les capteurs sismiques.
La présente invention a pour but de proposer un nouvel appareil de positionnement, et un nouveau système d’acquisition sismique, permettant de pallier tout ou partie des problèmes exposés ci-dessus.
A cet effet, l’invention a pour objet un appareil de positionnement, destiné à être couplé à un câble tracté dans l’eau par un navire, l’appareil de positionnement comprenant : - un corps principal allongé ; et - deux ailes reliées au corps principal ; caractérisé en ce que l’appareil de positionnement comprend un dispositif de réduction de turbulence hydrodynamique, appelé accessoire hydrodynamique, rapporté sur le corps principal, l'accessoire hydrodynamique comprenant une coque qui présente une forme adaptée pour limiter l’apparition de turbulences dans un écoulement d’eau autour de l’appareil lorsque l’appareil de positionnement est déplacé dans l’eau.
Une telle conception de l’appareil de positionnement qui limite la turbulence des écoulements autour de l’appareil de positionnement, permet de limiter le bruit et de supprimer les fréquences de résonance dans la bande de fréquence sismique qui risqueraient de perturber l’acquisition de données sismiques par les capteurs sismiques fixés au câble qui est tracté par le navire. L'utilisation d’un tel accessoire hydrodynamique permet aussi de limiter les vibrations subies par l’appareil de positionnement.
Le dispositif peut aussi comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises dans toute combinaison techniquement admissible.
Selon un mode de réalisation, les deux ailes formant entre elles un angle saillant en vue de face dudit appareil, l'accessoire hydrodynamique s’étend au moins en partie dans l’espace défini par l’angle saillant entre les deux ailes.
Selon un mode de réalisation, la coque de l'accessoire hydrodynamique présente une face interne, orientée vers le corps principal, qui est munie de nervures de rigidification.
Selon un mode de réalisation, la coque de l'accessoire hydrodynamique présente une face latérale, dans laquelle est ménagée une ouverture pour le passage d’une corde pour le maintien de l’appareil durant son installation sur le câble ou durant la récupération dudit appareil.
Selon un mode de réalisation, la coque de l'accessoire hydrodynamique est munie d’organes de fixation, de préférence surmoulés, qui s’étendent depuis l’intérieur de la coque en direction du corps principal, pour permettre de fixer l’accessoire hydrodynamique au corps principal de l’appareil.
Selon un mode de réalisation, le corps principal présente des orifices de fixation, de préférence répartis à l’avant et à l’arrière du corps principal, utilisables pour fixer des cordes en l’absence d'accessoire hydrodynamique, lesdits orifices de fixation coopérant avec au moins une partie des organes de fixation de la coque de l'accessoire hydrodynamique.
Selon un mode de réalisation, la coque de l'accessoire hydrodynamique présente une partie d’extrémité arrière qui définit une cavité ouverte sur l’extérieur permettant la saisie manuelle de l’accessoire hydrodynamique par un opérateur.
représente un transistor à effet de champ selon l’invention, dans un mode de réalisation de l’invention,
représente un organe de coupure selon l’invention, dans un mode de réalisation de l’invention, ainsi qu’un circuit de commande de cet organe de coupure,
représente une batterie haute tension d’un véhicule, connectée à un réseau haute tension du véhicule par l’intermédiaire d’organes de coupure selon l’invention, dans un mode de réalisation de l’invention,
représente des étapes d’un procédé de gestion de la fourniture d’énergie dans le réseau haute tension de la , dans un mode de réalisation de l’invention,
représente l’évolution d’une tension de commande d’un transistor à effet de champ d’un organe de coupure représenté à la , ainsi que l’évolution du courant dans la batterie haute tension représentée à la , et l’évolution de la tension aux bornes du réseau haute tension représenté à la , lors d’une étape de précharge du procédé de gestion de la , et
représente une étape d’ouverture sous courant lorsqu’un courant de défaut apparaît, mise en œuvre par le procédé de gestion de la .
Selon un mode de réalisation de l’invention représenté en , un transistor à effet de champ 100 à jonction et à structure latérale selon l’invention comporte : - une première couche support 10 formée de carbure de silicium (SiC) de type P, fortement dopée en bore (ce qui se traduit par la notation « P+ » ) par exemple par implantation ionique, - une deuxième couche semiconductrice 12 de type P en carbure de silicium mais moins fortement dopée en bore (ce qui se traduit par la notation « P- » ), formée par épitaxie au-dessus de la première couche support 10, - une troisième couche semiconductrice 14 de type N en carbure de silicium, formée également par épitaxie au-dessus de la deuxième couche support 12, - une première zone 16 et une deuxième zone 18 de type N en carbure de silicium, fortement dopées par exemple en phosphore (ce qui se traduit par la notation « N+ » ) et réalisées par exemple par photolithographie puis implantation et diffusion sur la troisième couche semi-conductrice 14, ces première et deuxième zones étant réalisées chacune à une extrémité distincte de la couche semi-conductrice 14, ou proches de ces extrémités, - une troisième zone 20 et une quatrième zone 22 de type P en carbure de silicium, fortement dopées par exemple en bore et réalisées par exemple par photolithographie puis implantation et diffusion sur la troisième couche semi-conductrice 14, la troisième zone 20 étant proximale à la première zone 16 par rapport à la deuxième zone 18, et la quatrième zone 22 étant proximale à la deuxième zone 18 par rapport à la première zone 16, - une première électrode e1 métallique en contact avec la première zone 16, - une deuxième électrode e2 métallique en contact avec la deuxième zone 18, - une première borne de connexion de grille g1 métallique en contact avec la troisième zone 20, - une deuxième borne de connexion de grille g2 métallique en contact avec la quatrième zone 22, et - une couche isolante 15, par exemple en dioxyde de silicium (SiO2) recouvrant la surface libre de la troisième couche conductrice 14 et isolant entre elles, les électrodes e1, e2 et les bornes de connexion de grille g1, g2.
Les première, deuxième, troisième et quatrième zones 16, 18, 20, 22 s’étendent chacune éventuellement à la surface de la troisième couche conductrice 14 au-delà des limites de l’électrode ou de la borne de connexion de grille la recouvrant en partie, auquel cas ces zones sont recouvertes, sur cette surface, de la couche isolante 15 là où elles ne sont pas recouvertes d’une électrode ou d’une borne de connexion de grille. Bien sûr les première, deuxième, troisième et quatrième zones 16, 18, 20, 22 ne se touchent pas entre elles.
La distance qui sépare la première borne de connexion de grille g1 de la deuxième borne de connexion de grille g2 est par exemple comprise entre 15 à 20 µm (micromètres) pour un transistor à effet de champ 100 supportant jusqu’à 1200V. De plus pour un tel transistor à effet de champ 100, la distance qui sépare la première borne de connexion de grille g1 de la première électrode e1, ainsi que la distance qui sépare la deuxième borne de connexion de grille g2 de la deuxième électrode e2, sont de l’ordre de 1 µm. Enfin l’épaisseur des couches d’épitaxie est par exemple de 4 à 6 µm pour un tel transistor à effet de champ 100.
Le transistor à effet de champ 100 a donc un canal N formé par la troisième couche conductrice 14. La première électrode e1 est utilisable comme drain ou source. Lorsqu’elle est utilisée comme drain, alors la deuxième électrode e2 est utilisée comme source et la deuxième borne de connexion de grille g2 permet d’ouvrir le transistor à effet de champ 100 par application d’une tension de commande Vg2 (référencée ) d’environ -15V entre la deuxième borne de connexion de grille g2 et cette deuxième électrode e2, c’est-à-dire en mettant la deuxième électrode e2 à un potentiel plus élevé de 15V que la deuxième borne de connexion de grille g2.
Lorsqu’au contraire la première électrode e1 est utilisée comme source, alors la deuxième électrode e2 est utilisée comme drain et la première borne de connexion de grille g1 permet d’ouvrir le transistor à effet de champ 100 par application d’une tension de commande Vg1 (référencée ) d’environ -15V entre la première borne de connexion de grille g1et la première électrode e1, c’est-à-dire en mettant la première électrode e1 à un potentiel plus élevé de 15V que la première borne de connexion de grille g1.
Bien sûr de nombreuses variantes de réalisation sont possibles, par exemple en variante le transistor à effet de champ selon l’invention est à canal de type P, auquel cas les types des différentes couches doivent être inversés. Également d’autres types de dopant que le bore ou le phosphore sont bien sûr utilisables, et des variantes de fabrication sont utilisables, par exemple la formation de la deuxième couche semiconductrice 12 utilise un four de diffusion ou une implantation ionique.
La illustre maintenant comment est connecté le transistor à effet de champ 100 dans un organe de coupure 200 selon l’invention. Afin de rendre l’organe de coupure 200 ouvert en l’absence de tension de commande, on connecte en série au transistor à effet de champ 100, un transistor MOSFET 110 à enrichissement, de type N dans ce mode de réalisation de l’invention, en montage cascode.
Une première borne de l’organe de coupure 200 est la première électrode e1 du transistor à effet de champ 100. Le drain du transistor MOSFET 110 est connecté à la deuxième électrode e2 du transistor à effet de champ 100, et la source du transistor MOSFET 110 comporte une électrode e3 formant une deuxième borne de l’organe de coupure 200.
La source du transistor MOSFET 110 est connectée à la deuxième borne de connexion de grille g2 par une résistance ou connexion résistive Rg.
Un circuit de commande 4 permet d’appliquer : - une première tension de commande Vg1 entre la première connexion de grille g1 et la première électrode e1, - une deuxième tension de commande Vg2 entre la deuxième connexion de grille g2 et la deuxième électrode e2, et
Par rapport à une structure à deux transistors MOSFET en série pour réaliser une coupure bidirectionnelle, le courant dans le transistor à effet de champ selon l’invention ne traverse donc la résistance que d’un seul canal au lieu de traverser les deux canaux des deux transistors MOSFET. Ainsi la dissipation en cours de fonctionnement du transistor à effet de champ selon l’invention est presque deux fois moindre que celle de la structure à deux transistors MOSFET.
De plus grâce à l’invention, on forme un transistor peu sujet aux défaillances du fait qu’il ne présente pas d’oxyde de grille. En effet le transistor à effet de champ selon l’invention comporte une couche isolante, par exemple en dioxyde de silicium, permettant d’isoler électriquement entre elles les électrodes et les bornes de connexion de grille, mais cette couche isolante ne fonctionne pas comme un oxyde de grille et n’est donc pas sujette aux mêmes contraintes. Grâce à cela le transistor à effet de champ selon l’invention a un taux de défaillance (ou « Failure In Time Rate » soit 10 9 /MTBF où MTBF est le temps moyen entre deux défaillances aussi appelé « Mean Time Between Failure ») compris entre 10 -9 et 10 -11 ce qui est conforme aux exigences de sécurité liées au réseau haute tension d’un véhicule électrique ou hybride. Ce taux de défaillance est de plus bien plus bas que celui d’une structure électromécanique avec un fusible.
Il est à noter que compte tenu de sa structure latérale, le transistor à effet de champ selon l’invention dispose d’une densité de courant plus faible qu’un transistor MOSFET équivalent vertical. Cependant, compte tenu des pointes de dissipation d’énergie que le transistor à effet de champ selon l’invention doit supporter lors de phases de précharge d’une batterie haute tension dans un véhicule, ou bien d’ouverture sous courant, cette structure latérale offre, par rapport à un transistor à effet de champ à structure verticale, une surface de contact plus grande entre la couche support et un refroidisseur et donc améliore l’échange thermique du transistor selon l’invention avec ce refroidisseur.
De plus, cette structure latérale facilite le processus de fabrication du transistor à effet de champ selon l’invention, celui-ci pouvant utiliser des étapes de gravures, de dépôt ou d’épitaxie sur sa face supérieure uniquement. Enfin du fait de sa structure latérale et de son absence d’oxyde grille, le transistor à effet de champ selon l’invention permet une plus grande tolérance aux défauts cristallins, et de fait un taux de déchet en fabrication plus favorable et qui ne pénalise pas le coût de ce type de composant par rapport à un transistor MOSFET vertical plus petit avec une densité de courant supérieure.
L’invention concerne aussi un organe de coupure comportant un transistor à effet de champ selon l’invention, caractérisé en ce qu’il comporte en outre au moins un transistor MOSFET à enrichissement, connecté en série avec le transistor à effet de champ selon un montage cascode.
Grâce au montage cascode entre le transistor MOSFET à enrichissement et le transistor à effet de champ selon l’invention, l’organe de coupure est ouvert, c’est-à-dire ne laisse pas passer le courant, lorsqu’aucune tension de commande n’est appliquée, que ce soit sur une des bornes de connexion de grille du transistor à effet de champ selon l’invention ou sur la grille du transistor MOSFET à enrichissement. Ainsi l’organe de coupure selon l’invention peut être utilisé à la place de contacteurs batterie dans un véhicule, puisqu’il laissera ouvert le circuit liant la batterie haute tension du véhicule au réseau haute tension du véhicule lorsque celui-ci sera en mode veille c’est-à-dire « endormi » ou éteint. Le transistor MOSFET à enrichissement est préférentiellement un transistor basse tension, par exemple supportant 16 ou 25V. Ainsi le coût de l’organe de coupure selon l’invention devrait à terme avoir un coût de revient moindre que celui d’un composant de coupure électronique de l’art antérieur.
L’invention concerne également un procédé de gestion de la fourniture d’énergie dans un réseau haute tension connecté à une batterie haute tension par l’intermédiaire d’au moins un organe de coupure selon l’invention, le procédé de gestion étant caractérisé en ce qu’il comporte une étape d’activation de l’organe de coupure comportant des sous-étapes de : - blocage du transistor à effet de champ par application d’une tension de blocage entre une des bornes de connexion de grille et celle de la première ou de la deuxième électrode utilisée comme source du transistor à effet de champ, - mise en conduction du transistor MOSFET, et - attente d’une demande de fermeture de l’organe de coupure.
Dans cette demande de brevet, l’organe de coupure est ouvert lorsqu’il empêche le courant de passer, et est fermé lorsqu’il conduit le courant. La demande de fermeture vise donc à fermer le circuit liant la batterie haute tension au réseau haute tension. Le procédé de gestion selon l’invention est par exemple mis en œuvre dans un calculateur du véhicule, par exemple dans le calculateur principal du véhicule, ou dans un calculateur spécifique. Ce calculateur est par exemple connecté à un circuit de commande des grilles des transistors constituant l’organe de coupure selon l’invention.
Bien sûr la valeur de la tension de blocage de la grille dépend du type N ou P du transistor à effet de champ selon l’invention. De même la mise en conduction du transistor MOSFET utilise une tension de commande dont la valeur dépend du type N ou P du transistor MOSFET de l’organe de coupure selon l’invention.
De plus, lors de l’étape de blocage, on applique en fait au moins une tension de blocage, puisqu’on l’applique éventuellement sur les deux bornes de connexion de grille, c’est-à-dire entre chacune des bornes de connexion de grille et leur électrode la plus proche. Cette option permet d’interdire le passage du courant dans les deux sens.
Une tension de commande, qu’elle soit en blocage du transistor ou en fermeture du transistor, est toujours appliquée entre une borne de connexion de grille du transistor et l’électrode du transistor proximale à cette borne de connexion de grille. Dans l’étape de blocage, on applique donc au moins une tension de blocage entre celle de la première ou de la deuxième électrode utilisée comme source du transistor à effet de champ, et la borne de connexion de grille proximale à cette électrode.
Dans un mode de réalisation de l’invention, le procédé de gestion selon l’invention comporte une étape de précharge d’au moins une capacité connectée au réseau haute tension, l’étape de précharge comportant une limitation du courant traversant l’organe de coupure par une variation progressive de la tension entre ladite une des bornes de connexion de grille et celle de la première ou de la deuxième électrode utilisée comme source du transistor à effet de champ.
Dans ce mode de réalisation, le réseau haute tension comporte une ou plusieurs capacités nécessitant une précharge avant de laisser passer entièrement le courant batterie vers le réseau haute tension. Cette ou ces capacités sont connectées en aval de l’organe ou des organes de coupure, en étant connectées par exemple en parallèle aux bornes du réseau haute tension.
Il est à noter que dans cette demande, les termes « amont » ou « aval » se réfèrent à la position relative de composants ou ensembles électriques par rapport à la direction du courant sortant de la batterie haute tension et se dirigeant vers des consommateurs de la batterie haute tension, c’est-à-dire lorsque celle-ci se décharge. Ainsi un premier composant est en amont d’un deuxième composant si le courant sortant de la batterie haute tension traverse d’abord le premier composant puis le deuxième composant avant d’entrer dans la batterie haute tension.
De plus, la variation progressive de la tension entre ladite une des bornes de connexion de grille et celle de la première ou de la deuxième électrode utilisée comme source du transistor à effet de champ correspond à un passage progressif d’une valeur proche de -15V à une valeur proche de 0V si le transistor à effet de champ selon l’invention est de type N, ou d’un passage progressif d’une valeur proche de +15V à une valeur proche de 0V si le transistor à effet de champ selon l’invention est de type P. Cette variation de tension est progressive dans le sens où la tension de commande ne passe pas de -15V ou 15V à 0V mais prend des valeurs intermédiaires, le passage de -15V ou 15V à 0V prenant plusieurs millisecondes, le transistor à effet de champ étant traversé par un courant très important. Bien sûr une ouverture ou fermeture classique sans courant traversant le transistor à effet de champ peut se faire en moins d’une microseconde.
Alternativement, l’étape de précharge comporte l’envoi d’impulsions de courant sur le réseau haute tension, réalisées par des fermetures et ouvertures successives de l’organe de coupure. Les ouvertures de l’organe de coupure sont préférentiellement conditionnées à l’atteinte d’un seuil haut de courant traversant l’organe de coupure. Cette alternative permet de dissiper moins d’énergie pendant la précharge que l’utilisation seule d’une limitation de courant par un pilotage progressif de la tension de commande du transistor à effet de champ selon l’invention.
Le fonctionnement de l’actionneur est assuré par le remplissage, ou la vidange, de l’enveloppe avec un fluide, gazeux ou liquide. Il faut donc assurer une étanchéité à ce fluide à chaque extrémité de l’enveloppe, à son interface avec la platine.
Un but de l'invention est de proposer des moyens et un procédé pour réaliser une étanchéité à une extrémité d’une enveloppe de vérin gonflable, pneumatique ou hydraulique.
Selon l’invention, un tel actionneur comprend une enveloppe tubulaire dont un tronçon est mobilisable selon un axe de déploiement, et, au moins à l’une de ses extrémités, un système pour y former une étanchéité, ce système d’étanchéité comprenant une frange de l’enveloppe et des moyens pour pincer axialement la frange.
De préférence, le tronçon mobilisable comprend de multiples plis permettant son déploiement ou sa rétraction selon l’axe de déploiement, par repliage sur lui-même. Avantageusement, les plis forment un motif de type « Kresling » ou un motif de type « Chicken wire tessellation ».
Les moyens d’étanchéité peuvent comprendre : un tronçon d’enveloppe formant un manchon, formé de panneaux sensiblement rectangulaires, de section transversale polygonale et agencé entre le tronçon mobilisable et la frange ; une contre-platine, prévue pour s’insérer de façon sensiblement ajustée dans ledit manchon ; et, une platine ;
la frange étant prévue pour être maintenue pincée entre la platine et la contre-platine.
Avantageusement, les moyens d’étanchéité comprennent en outre un patin en une matière élastomère, prévu pour être disposé entre la frange et l’une parmi la platine et le contre-platine, de préférence entre la platine et la frange.
De préférence, la frange est repliée sensiblement dans un plan transversal et peut avoir un motif de repliement, préalablement matérialisé par des plis et/ou des découpes de l’enveloppe. Avantageusement, le patin comprend une empreinte prévue pour s’ajuster à différentes épaisseurs de la frange repliée selon ce motif.
La frange peut comprendre des triangles primitifs dont chaque base est un côté d’un panneau respectif du manchon. Les autres côtés de chaque triangle primitif peuvent être libres ou captifs.
La frange peut comprendre des découpes qui, lorsqu’elle est pliée et/ou pincée, définissent : des passages pour des vis permettant de fixer la platine à la contre-platine et d’assurer le serrage axial ; et/ou, un passage central, notamment pour permettre un passage fluidique.
est une vue schématique, en élévation et en perspective, d’un vérin pneumatique selon l’invention, en position déployée ;
est une vue développée de l’enveloppe de la , donc une extrémité présente une forme de triangles libres ;
est une vue développée similaire à celle de la , dans laquelle l’enveloppe présente une forme de triangles captifs comprenant des découpes pour le passage de vis et d’une une alimentation ;
est une vue schématique axiale d’un mode de repliement de l’extrémité de la ; et,
est une vue en élévation en perspective d’une extrémité d’un vérin dont l’enveloppe et du type de la , une extrémité de cette enveloppe étant en position repliée sur une platine d’extrémité, en vis-à-vis d’une contre-platine correspondante.
Dans un mode particulier, la fraction F1 comprend au moins un monomère de formule (AP), au moins un composé I et au moins un composé II.
Dans un mode particulier, la fraction F1 comprend au moins un monomère de formule (AP), au moins un monomère cationique hydrophile B, au moins un composé I et au moins un composé II.
Dans un mode particulier, la fraction F1 comprend au moins un monomère cationique hydrophile B, au moins un composé I et au moins un composé II.
Le pH de la fraction F1 est avantageusement ajusté entre 4 et 9, préférentiellement entre 5 et 8, plus préférentiellement entre 6 et 7.