Procédé de structuration d’une couche fonctionnelle (130 ; 230 ; 1400 ; 1500), comprenant au moins les étapes suivantes : a) fourniture d’un substrat (110 ; 210 ; 1100) ayant une surface recouverte localement par une couche dite sacrificielle (120 ; 220 ; 1200) en un matériau lithié, une ou plusieurs zones de la surface du substrat (110 ; 210 ; 1100) étant dépourvues de la couche sacrificielle(120 ; 220 ; 1200) ; b) croissance de la couche fonctionnelle (130 ; 230 ; 1400 ; 1500) de manière sélective sur la ou les zones de la surface du substrat (110 ; 210 ; 1100) dépourvues de la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200), la couche fonctionnelle (130 ; 230 ; 1400 ; 1500) étant obtenue à partir d’un précurseur halogéné comprenant du chlore, de l’iode ou du brome, de préférence du chlore ; c) élimination de la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200) ; moyennant quoi la surface du substrat (110 ; 210 ; 1100) est recouverte par une couche fonctionnelle (130 ; 230 ; 1400 ; 1500) structurée. Procédé de structuration selon la revendication 1, caractérisé en ce que l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : i) dépôt de la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200) sur tout ou partie de la surface du substrat (110 ; 210 ; 1100), de préférence par ALD ; ii) élimination partielle de la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200) en des endroits prédéterminés par gravure au plasma, gravure humide ou par gravure laser, préférence étant donnée à la gravure au plasma. Procédé de structuration selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200) est en un oxyde de lithium ou un oxynitrure de lithium, par exemple choisi choisi parmi LiPON, Li 2 SiO 3 , LiPO, LiSiPON, LiAlO 2 , LiOH, Li 2 O et Li 2 CO 3 , de préférence LiPON. Procédé de structuration selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape b) s’effectue par ALD. Procédé de structuration selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche fonctionnelle est une couche électrique (130 ; 230 ; 1500) en un nitrure métallique tel que du nitrure de titane, du nitrure de tantale, du nitrure de molybdène ou du nitrure de tungstène, de préférence du nitrure de titane. Procédé de structuration selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche fonctionnelle est une couche diélectrique (1400) en un oxyde métallique choisi de préférence parmi l’oxyde d’hafnium, l’oxyde de silicium, l’oxyde de zirconium et l’oxyde de titane, de préférence l’oxyde d’hafnium. Procédé de structuration selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape c) s’effectue par gravure au plasma, gravure humide ou par gravure laser, préférence étant donnée à la gravure au plasma, et encore plus préférentiellement à une gravure au plasma qui comprend du fluor, tel que du trifluorométhane, ou qui comprend du chlore, tel que du dichlore, préférence étant donnée au fluor. Procédé de structuration selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la surface du substrat (110 ; 210 ; 1100) est plane ou comprend une ou plusieurs zones planes et une ou plusieurs zones microstructurées. Procédé de structuration selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la surface du substrat (210) comprend une ou plusieurs zones planes et une ou plusieurs zones microstructurées formées, par exemple de pores ou de vias, la surface du substrat (210) étant recouverte par la couche sacrificielle (220) uniquement sur sa ou ses zones planes tandis que la ou les zones microstructurées sont dépourvues de la couche sacrificielle (220). Procédé de préparation d’une capacitance de type Métal-Isolant-Métal qui comprend au moins les étapes suivantes : - structuration d’une couche fonctionnelle électrique (130 ; 230 ; 1500) en mettant en œuvre le procédé tel que défini dans les revendications 1 à 5 et 7 à 9 ; - dépôt d’une couche diélectrique (240) ; - dépôt d’une autre couche électrique (250), identique ou différente de la première couche fonctionnelle électrique (130 ; 230 ; 1500), de préférence identique. Procédé de préparation d’une capacitance de type Métal-Isolant-Métal qui comprend au moins les étapes suivantes : - structuration d’une couche fonctionnelle diélectrique (1400) en mettant en œuvre le procédé tel que défini dans les revendications 1 à 4 et 6 à 9, le substrat (110 ; 210 ; 1100) fourni à l’étape a) comprenant un substrat support et une première couche électrique (1300), la première couche électrique (1300) étant recouverte localement par la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200), - dépôt d’une deuxième couche électrique sur la couche fonctionnelle diélectrique (1400), la deuxième couche électrique étant identique ou différente de la première couche électrique (1300), de préférence identique. Procédé de préparation d’une capacitance de type Métal-Isolant-Métal qui comprend au moins une étape correspondant à la structuration d’une couche fonctionnelle électrique (130 ; 230 ; 1500) en mettant en œuvre le procédé tel que défini dans les revendications 1 à 5 et 7 à 9, le substrat (110 ; 210 ; 1100) fourni à l’étape a) comprenant un substrat support, une première couche électrique (1300) et une couche diélectrique (240), la première couche électrique (1300) étant identique ou différente de la couche fonctionnelle électrique (130 ; 230 ; 1500), de préférence identique et la couche diélectrique (240) étant recouverte localement par la couche sacrificielle (120 ; 220 ; 1200).