INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, les phosphonates, notamment de potassium, et la molécule de formule (I), en particulier l’extrait de G. mangostana, sont appliquées pour prévenir ou lutter contre des bactérioses ou des maladies fongiques. En particulier ces éléments peuvent être utilisés pour prévenir ou lutter contre les maladies mentionnées dans le Tableau 1, pour les plantes considérées. On peut toutefois mettre l’accent sur la prévention ou la lutte contre la tavelure du pommier ( Venturia inaequalis ) , le mildiou en particulier de la vigne, de la laitue ou de la pomme de terre, les infections à Botrytis en particulier sur vigne et tomate, les infections à Fusarium en particulier sur céréales (blé et orge), la septoriose de céréales, les infections à Septoria sp. en particulier la septoriose du blé, l’alternariose des crucifères ou des solanacées ou la cercosporiose de la betterave ( Cercospora beticola ). On note particulièrement le mildiou de la laitue, le mildiou de la pomme de terre, l’alternariose du chou et la septoriose du blé. Les deux composés sont particulièrement intéressants contre Altenaria solani , Venturia inaequalis ou Alternaria brassicicola , ou les pathogènes responsables des autres maladies citées dans cette demande.
Les phosphonates peuvent également être utilisés dans des engrais. En effet, ils permettent de renforcer la vigueur des plantes, en tant qu’éliciteurs de défenses naturelles. Ainsi, les phosphonates et la molécule de formule (I) peuvent être utilisés en tant qu’engrais ou agent fertilisant pour améliorer la croissance de plantes ou la croissance foliaire. Dans ce mode d’utilisation, on apporte également préférentiellement d’autres composés (oligoéléments tels que manganèse, zinc, fer, bore, silicium, voire molybdène…) qui sont également utiles, voire essentiels à la croissance des plantes.
L’invention se rapporte également à une composition pour application sur des plantes comprenant des phosphonates, notamment de potassium, et au moins une molécule de formule générale (I), en particulier un extrait de G. mangostana . Cette composition peut être utilisée en tant qu’agent fertilisant, ou agent phytosanitaire, en particulier selon les concentrations des deux éléments qui sont présents. Elle présente donc des avantages pour la croissance et/ou la nutrition et/ou la santé des plantes.
Il est entendu que les concentrations de chacun des composés sont déterminées par l’homme du métier, et peuvent être augmentées ou diminuées, selon la quantité de composition que l’on désire appliquer par hectare, et de la dilution de composition « mère » avant application. Ainsi, en fonction de la nature de la plante à traiter, du pathogène envisagé (et de la force de l’attaque de ce pathogène) ou de l’utilisation en tant qu’agent fertilisant, les quantités peuvent être faibles, ou élevées.
On mélange avantageusement les phosphonates avec un extrait de G. mangostana , ainsi que vu plus haut, qui apporte la γ-mangoustine en tant que molécule de formule (I).
Elle peut se présenter sous la forme d’une suspension, émulsion ou dispersion dans une phase préférentiellement aqueuse, mais également sous la forme d’une poudre ou de granulés ou tablettes. Dans ces derniers modes de réalisations, on ajoute de l’eau avant administration, pour obtenir les quantités de phosphonates et de molécule de formule (I) adéquates.
L’invention se rapporte également à un procédé de fabrication d’une composition telle que décrite comprenant l’incorporation simultanément ou successivement d’au moins des phosphonates, notamment de potassium, et d’au moins une molécule de formule (I) avec des agents co-formulants. Ces éléments peuvent ensuite être mélangés pour obtenir une suspension, une émulsion ou une dispersion dans une phase préférentiellement aqueuse.
Tensioactif non ionique comprenant un ou plusieurs résidu(s) carbohydrate(s)
La composition selon l’invention peut comprendre en outre au moins au moins un tensioactif non ionique comprenant un ou plusieurs résidu(s) carbohydrate(s).
Par « carbohydrate » on entend au sens de la présente invention un composé de type sucre ou hydrate de carbone, correspondant à une molécule essentiellement composée d’atomes de carbone, d’hydrogène et d’oxygène.
Selon un mode de réalisation particulier, le(s) résidu(s) carbohydrate(s) est(sont) des monosaccharides comportant 5 à 6 atomes de carbone, plus particulièrement choisi(s) parmi le glucose, le fructose, le xylose ou le galactose, encore plus particulièrement le glucose.
Selon un mode de réalisation particulier, le ou les tensioactif(s) non ionique(s) comprenant un ou plusieurs résidu(s) carbohydrate(s) est(sont) choisi(s) pami les : (i) esters de sucre(s) et d’acide(s) gras tels que les (poly)esters de glycérol de glucose ou d’alkylglucose et d’acide gras présentant une chaine hydrocarbonée, linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, en C6-C22, en particulier en C16-20 ; (ii) les éthers de sucre(s) et d’alcool(s) gras tels que les alkyl(poly)glycoside ; et (iii) leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation particulier, le ou les tensioactif(s) non ionique(s) comprenant un ou plusieurs résidu(s) carbohydrate(s) est(sont) choisi(s) pami les alkyl(poly)glycoside et les (poly)esters de glycérol de glucose ou d’alkylglucose et d’acide gras présentant une chaine hydrocarbonée, linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, en C6-C22, en particulier en C16-20, et leurs mélanges.
- Alkyl(poly)glycoside Les tensioactifs non ioniques de type alkyl(poly)glycoside sont notamment représentés par la formule générale (III) suivante :
R 1 O-(R 2 O) t -(G) v (III) dans laquelle: - R 1 représente un radical alkyle ou alcényle linéaire ou ramifié comportant 6 à 24 atomes de carbone, notamment 8 à 20 atomes de carbone, ou un radical alkylphényle dont le radical alkyle linéaire ou ramifié comporte 6 à 24 atomes de carbone, notamment 8 à 20 atomes de carbone ; - R 2 représente un radical alkylène comportant 2 à 4 atomes de carbone, - G représente un motif sucre comportant 5 à 6 atomes de carbone, - t désigne une valeur allant de 0 à 10, en particulier de 0 à 4, - v désigne une valeur allant de 1 à 15, en particulier de 1 à 4.
Selon un mode de réalisation particulier, les tensioactifs alkyl(poly)glycoside sont des composés de formule décrite ci-dessus dans laquelle : - R 1 désigne un radical alkyle saturé ou insaturé, linéaire ou ramifié comportant de 8 à 20 atomes de carbone, - R 2 représente un radical alkylène comportant 2 à 4 atomes de carbone, - t désigne une valeur allant de 0 à 3, en particulier égale à 0, - G désigne le glucose, le fructose ou le galactose, en particulier le glucose; - le degré de polymérisation, c'est-à-dire la valeur de v, pouvant aller de 1 à 15, en particulier de 1 à 4; le degré moyen de polymérisation étant plus particulièrement compris entre 1 et 2.
Les liaisons glucosidiques entre les motifs sucre sont généralement de type 1-6 ou 1-4, en particulier de type 1-4.
A titre d’exemples d’alkyl(poly)glycoside, on peut citer le caprylyl/capryl glucoside comme le produit commercialisé sous la dénomination ORAMIX CG 110L® par la société SEPPIC ; le décyl glucoside commercialisé sous la dénomination SORBITHIX L-100® par la société APPLECHEM ; l’arachidylglucoside glucoside éventuellement en mélange avec l’alcool arachidylique et l’alcool béhénylique, commercialisé par exemple sous la dénomination MONTANOV 202® par la société SEPPIC ; le cetylstearyl glucoside éventuellement en mélange avec l’alcool cetylstearylique, commercialisé par exemple sous la dénomination MONTANOV 68MB® par la société SEPPIC, sous la dénomination EMULGADE PL 68/50® par la société BASF et sous les dénominations TEGO CARE CG 90 MB® par la société EVONIK GOLDSCHMIDT ; le cocoglucoside comme le produit commercialisé sous la dénomination LAMESOFT PO65® par la société BASF ; l’octyldodécyl xyloside commercialisé par exemple sous les dénominations FLUIDANOV 20X par la société SEPPIC.
Parmi les mélanges alcool gras/ alkyl(poly)glycoside, on peut citer les produits vendus par la société SEPPIC sous les appellations MONTANOV® tels que les mélanges suivants : - Alcool arachidylique et alcool béhénylique/arachidylglucoside- MONTANOV 202® - Alcool cétylstéarylique/Cétylstéarylglucoside – MONTANOV 68MB®.
Dans un message m 7 , le premier serveur S U transmet ce segment à la passerelle G, qui, dans un message m 8 , la retransmet au dispositif de lecture T. Ce dernier peut stocker ce segment dans la mémoire tampon où il sera « consommé » par une application de lecture de contenu audio-vidéo.
Le dispositif de lecture T peut transmettre une nouvelle requête, m 9 , d’un nouveau segment. Dans un exemple de réalisation, cette requête m 9 peut être transmise avec des informations sur les segments stockées dans sa mémoire tampon.
L’entité de gestion de la passerelle G peut vérifier à nouveau si la condition est vérifiée.
On suppose cette fois-ci que la condition prévue est vérifiée, c’est-à-dire que le dispositif de lecture T a transmis des informations indiquant qu’il dispose d’un nombre de segments, ou d’une durée correspondant à ces segments, suffisant par rapport à un seuil prédéfini.
Cette condition étant vérifiée, l’entité de gestion peut déclencher un basculement vers une poursuite de l’obtention des segments depuis le second serveur de contenu, c’est-à-dire le serveur de contenu multicast, S M . L’entité de gestion de la passerelle G peut alors transmettre un message m 10 de requête d’un nouveau segment (en identifiant le segment souhaité) vers le second serveur de contenu S M .
Autrement dit, ce basculement peut générer un changement du mode d’obtention depuis un mode unicast vers un mode multicast.
Le basculement vers un mode multicast peut dépendre de la technologie multicast utilisée.
En mode multicast, les terminaux, par exemple l’entité de gestion de la passerelle G, intéressés par la réception d’un contenu doivent joindre un groupe de terminaux ayant requis un abonnement au même contenu en utilisant, par exemple, un protocole IGMP (Internet Group Management Protocol) s’il s’agit de terminaux IPv4 ou le protocole MLD (Multicast Listener Discovery) s’il s’agit de terminaux IPv6. En effet, un terminal doit être membre d’un groupe pour recevoir un flux multicast donné.
Le protocole IGMP peut être conforme, dans sa version 3, au RFC 3376 de l’IETF.
Selon ce protocole, l’entité de gestion envoie un message à un routeur « de rendez-vous » RP (pour « Rendezvous Point » en anglais) pour s’abonner au groupe multicast correspondant au contenu souhaité par le dispositif de lecture T. Ce message peut être un message « IGMP Membership Report ».
Ce routeur de rendez-vous est choisi dans un arbre de distribution du contenu multicast en fonction de critère topologique. Typiquement, l’entité de gestion s’abonne auprès d’un routeur RP le plus proche, afin que la transmission du contenu entre la source de contenu et ce routeur RP soit la plus longue possible, afin d’optimiser la mutualisation des transmissions.
Le routeur RP maintient une table des membres du groupe multicast. Lorsqu'il reçoit des données multicast, il les envoie uniquement aux entités qui se sont abonnés au groupe. Ainsi, après abonnement, l’entité de gestion peut commencer à recevoir les segments en mode multicast.
Ce processus, illustré schématiquement par l’étape A 3 sur la , peut entraîner un temps substantiel et incertain.
Toutefois, selon le procédé proposé, assujettir le déclenchement du basculement vers un mode multicast au respect d’une condition sur les segments déjà obtenus (et stockés dans la mémoire tampon du dispositif de lecture) permet de se prémunir d’une famine du dispositif de lecture, c’est-à-dire de l’absence momentanée de segments à lire et produire, dans l’attente de la réception des segments selon le mode d’obtention multicast.
Le second serveur de contenu S M (c’est-à-dire le serveur multicast) peut transmettre un segment dans l’arbre de distribution, et ce segment peut ainsi être obtenu par le l’entité de gestion de la passerelle G (message m 11 ).
A réception d’un segment, l’entité de gestion retransmet le segment obtenu vers le dispositif de lecture, dans un message m 12 . Cette transmission peut être effectuée en mode unicast puisqu’il s’agit d’une transmission entre deux parties uniquement.
Par ailleurs, comme cela est visible en , la couche de protection comporte un profil de surface ayant des ouvertures 6A, 6B et 6C au niveau des pads du drain, de la source et de la grille obtenues par les étapes de photolithographie et permettant la connexion électrique de la puce à une carte de circuit imprimé ou tout type d’interface électrique. La couche de protection 6 est déposée avant le découpage du wafer, dernière étape avant l’obtention des dispositifs semi-conducteurs individuellement.
La illustre une étape de conditionnement E5 par enfouissement d’une puce encapsulée 10. On envisage que l’enfouissement puisse être réalisé sur une puce 10 n’ayant pas la couche d’encapsulation. L’encapsulation est le mode de fabrication préféré en prévision d’un enfouissement. Le procédé de fabrication comporte des étapes de laminage à haute température et forte pression de la puce entre des couches comprenant au moins une couche de PCB 8A. Il peut être prévu en outre une ou plusieurs couches de feuille époxy 7A. Dans un mode de réalisation non limitatif, comme illustré en , le circuit intégré 9 comporte une première couche de PCB 8A et une feuille époxy 7A du côté de la surface supérieure de la puce 10 où les pads sont accessibles, la puce étant encapsulée sous un film polymère, une deuxième couche de feuille époxy 7B du côté de la surface inférieure et une deuxième couche de PCB 8B. Le circuit intégré 9 obtenu à la suite des étapes d’enfouissement comporte des interfaces électriques à la surface d’une couche de PCB. Les couches PCB correspondent aux couches de contact de métallisation qui relient les pads de source, de drain et de grille aux pads de contact sur la surface du circuit intégré. Les couches de contact PCB permettent d’améliorer les performances électriques des dispositifs en réduisant la résistance de contact et en améliorant la fiabilité des connexions électriques. Les couches de contact PCB peuvent améliorer la dissipation de la chaleur, en permettant la connexion de la puce à un dissipateur thermique pour améliorer les performances à haute puissance.
Par ailleurs, le procédé de fabrication peut comporter des étapes supplémentaires avant l’étape E3 de métallisation, par exemple pour le dépôt d’une couche de passivation entre un support de pont et un contact de grille ou pour le dépôt d’une couche de résine entre la couche de métallisation d’un pont et le support de pont. Le procédé peut comporter en outre, à la suite de l’étape E3 de métallisation une étape de retrait de cette couche de résine, par exemple.
En , plusieurs modes de réalisation de la structure de support de pont sont illustrés et représentés dans un plan en coupe dans le plan longitudinal du pont. Dans chacun de ces modes de réalisation, donnés à titre d’exemple non limitatifs, le dispositif semi-conducteur 10 obtenu par le procédé de fabrication selon l’invention comporte les contacts ohmiques de source et de drain disposés dans une région active centrale et sont agencés selon une configuration multi-doigts séparés les uns des autres par un canal de contrôle de grille, chaque doigt est relié à un pad. Dans chaque canal, dans le même plan que les contacts ohmiques de source et de drain, une ligne de contrôle de grille est disposée et est reliée à deux branches de contact de grille disposées de part et d’autre de la région active, chaque branche étant reliée au pad de grille. Chaque branche de contrôle de grille est disposée perpendiculairement aux lignes de contacts ohmiques et est couverte par un support de pont en polyimide de manière à permettre le passage d’un pont de connexion d’un doigt au-dessus des branches de contrôle de grille.
Il convient de noter que pour chacune de ces variantes, le dispositif semi-conducteur est enfoui entre au moins deux couches de PCB (non représentées en ) pour former un circuit intégré à structure en sandwich renforcée.
Dans une première variante 41, la structure en sandwich sur le substrat 1 est formée par le contact de grille 3B, le support de pont 4B en polyimide et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre. Cette variante est avantageuse de par sa simplicité de mise œuvre. Néanmoins, le polyimide est susceptible de provoquer des effets capacitifs sous l’action de la compression par laminage.
Dans une deuxième variante 42, la structure en sandwich, formée par le contact de grille 3B, le support de pont 4B en polyimide et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre, comporte un espace vide V0 ayant une épaisseur voulue à la fin de l’étape de métallisation du procédé. Cet espace vide V0 est obtenu, par exemple, par une étape de dépôt d’une résine photosensible distincte d’un polyimide par-dessus le support de pont en polyimide, une étape de développement en solution alcaline post-exposition avant la métallisation en cuivre du pont 5E, puis par une étape de retrait de cette résine par un solvant après la métallisation du pont 5E. L’espace vide V0 est recherché en prévision de l’enfouissement de la puce par laminage. La distance V0 avant laminage permet d’adapter la densité du polyimide du fait qu’il s’agit d’un matériau déformable et compressible. Selon sa densité obtenue post-laminage, les propriétés diélectriques résultantes du polyimide en termes de constante diélectrique et de facteur de dissipation vont varier. L’espace V0 permet d’obtenir une densité optimale post-laminage pour réduire l’effet capacitif de la couche de polyimide.
Dans une troisième variante 43, le procédé de fabrication comporte une étape de dépôt d’une couche de passivation 11 avant le dépôt du support de pont 4 en polyimide. La structure en sandwich est formée par le contact de grille 3B, la couche de passivation 11, le support de pont 4B en polyimide et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre. La couche de passivation a pour effet de limiter les effets capacitifs induits par le polyimide sur les transistors sous l’effet de la compression par laminage.
Dans une quatrième variante 44, le procédé de fabrication comporte l’ajout de la couche de passivation 11 et les étapes nécessaires à la formation d’un espace vide V0 entre le polyimide 4B et le pont 5E. La structure en sandwich est formée par le contact de grille 3B, la couche de passivation 11, le support de pont 4B en polyimide, l’espace vide V0 et le pont 5E formé par la couche de métallisation en cuivre. La couche de passivation est suffisante pour réduire les effets capacitifs induits par le polyimide. L’espace vide V0 avant laminage permet toutefois d’adapter la densité du polyimide pour obtenir des caractéristiques mécaniques optimales de la structure en sandwich.
Le procédé de fabrication selon l’invention s’applique pour les semi-conducteurs dits III-V et III-N contenant des éléments tels que l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphure d'indium (InP), l'azote (N), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'indium-gallium (InGaN) et le nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN). Les dispositifs semi-conducteurs concernés sont par exemple des puces à transistors multi-doigts HMET ou HEFT, pouvant être enfouis dans des couches de PCB ou encapsulés par un film polymère. Les doigts de chaque électrode de source et drain peuvent être au nombre de deux ou plus.
Les dispositifs semi-conducteurs obtenus par le procédé sont avantageux du fait que les pads et les ponts sont formés par une même couche métallique obtenue par électrodéposition. Les supports de pont sont conservés lors de l’enfouissement des dispositifs dans des couches de PCB. La couche métallique, de préférence en cuivre, est une couche d’épaississement métallique adaptée aux applications d’électroniques de puissance, et a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence comprise entre 6 µm et 10 µm. Du fait que les ponts sont formés par électrodéposition, leur épaisseur est uniforme sur toute la surface de la couche métallisée formant les pads, les contacts ohmiques et les ponts. En particulier, cette technique résout les problèmes d’homogénéité de la métallisation en bordure des supports de pont par rapport à d’autres techniques de type évaporation sous-vide et assure la continuité de la couche métallique. Les supports de pont du dispositif semi-conducteur et la couche d’encapsulation sont préférentiellement réalisés en polyimide. Ils peuvent être toutefois réalisés en polymères distincts ou différents l’un de l’autre. En outre, des ponts peuvent être prévus pour connecter deux pads l’un à l’autre.
L’invention s’applique aux domaines de fabrication des dispositifs à semi-conducteurs pour les applications d’optoélectroniques tels que les LED, les lasers à semi-conducteurs et les photodétecteurs, pour les systèmes d’électronique de puissance, notamment pour des applications de véhicules électrifiés, de systèmes photovoltaïques et de systèmes de stockage d’énergie équipés de dispositifs semi-conducteurs obtenus par un procédé de fabrication selon l’invention.
Module lumineux comprenant un film électroluminescent mince, flexible et lumineux DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des modules lumineux.
La présente invention s’applique en particulier, mais non exclusivement, à l’affichage d’informations statiques, dynamiques ou d’animations à partir de motifs lumineux générés par un film électroluminescent.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION De nos jours, il est connu d’utiliser des écrans, tels que des écrans LCD afin de réaliser de telles affichages dans de nombreux équipements, à des fins de signalisation, d’information, dans un but esthétique de personnalisation ou de création d’ambiance.
L’homme du métier saura adapter ces quantités non fongicides si une fraction riche en γ-mangoustine ou pauvre en γ-mangoustine est utilisée à la place de l’extrait brut de péricarpe de Garcinia mangostana .
La méthode selon l’invention permet de diminuer les quantités de phosphonates apportées pour lutter contre les pathogènes.
Ainsi, du fait de l’existence d’une synergie entre les phosphonates et la molécule de formule générale (I), ainsi que montré dans les exemples, on peut diminuer la dose de phosphonates, c’est-à-dire utiliser une dose plus réduite (généralement divisée par au moins 2) par rapport à la dose utilisée en pratique ou celle permettant d’obtenir un effet maximal lorsque les phosphonates sont utilisés seuls. En diminuant la dose, on peut ainsi utiliser des doses ne permettant pas a priori de combattre le pathogène in vivo ou d’empêcher la croissance du pathogène in vitro . Si l’on ne diminue pas les doses, l’effet obtenu sera meilleur que lorsque les phosphonates sont utilisés seuls.
La diminution des quantités de phosphonates appliquées permet ainsi de s’affranchir de l’apparition d’effets indésirables, tout en conservant un même niveau de protection. De plus, la combinaison de deux molécules possédant des modes d’actions différents permet généralement de limiter le développement de résistance chez les microorganismes pathogènes ciblés. L’application d’agents antifongiques à des doses faibles permet d’en diminuer les effets indésirables potentiels sur la faune et la flore et d’en réduire les résidus.
Dans la pratique, la quantité de phosphonates apportée par hectare dépend essentiellement du type de plantes à protéger, de la pluviométrie, et de la pression parasitaire.
Du fait de la présence des molécules de formule (I), on peut ainsi réduire la quantité de phosphonates à appliquer par hectare à chaque traitement.
Ainsi, on peut envisager de diminuer la dose annuelle de phosphonates, si l’on conserve le même nombre d’applications, ou d’augmenter le nombre d’applications et/ou la fréquence entre deux applications, en mettant en œuvre le procédé selon l’invention, du fait de la diminution de la dose par application.
Dans un mode de réalisation préféré, les phosphonates et la molécule de formule (I), en particulier l’extrait de G. mangostana sont appliquées simultanément. En particulier, on prépare une composition comprenant à la fois les phosphonates et la (ou les) molécule(s) de formule (I).