Procédé de commande d'un dispositif optoélectronique (10, 32) comprenant une diode (12, 12') à effet d'avalanche déclenché par un photon individuel (SPAD) dans un substrat (14), la diode comprenant une première région (16), dopée d'un premier type de conductivité, affleurant une première face (14a) du substrat (14) et une deuxième région (18), dopée d'un deuxième type de conductivité, s'étendant de la première face (14a) à une deuxième face du substrat (14b), opposée à la première face (14a), le dispositif (10, 32) comprenant une troisième région (18b, 36) conductrice ou semiconductrice au niveau de la deuxième face (14b), le procédé comprenant l'application d'une tension de polarisation (Vca) à la troisième région (18b, 36) de manière à générer un champ électrique accélérant les charges générées dans la diode. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première région (16) est la cathode et la deuxième région (18) est l'anode, la tension de polarisation (Vca) étant négative. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la tension de polarisation (Vca) est comprise entre -20 V et -1 V. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le dispositif comprend une pluralité de diodes (12, 12') à effet d'avalanche déclenché par un photon individuel (SPAD), chaque diode comprenant la troisième région (18b, 36), les troisièmes régions de toutes les diodes étant polarisées par la même tension de polarisation (Vca). Procédé selon la revendication 4, dans lequel le dispositif comprend des murs conducteurs isolés (19) séparant les unes des autres les diodes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième région (18) comprend une première partie (18a) affleurant la première face (14a) du substrat (14) et s'étendant sur une hauteur supérieure à la hauteur de la première région (16), et une deuxième partie (18c) s'étendant de la première partie (18a) vers la deuxième face (14b). Procédé selon la revendication 6, dans lequel un courant inférieur à 50 pA s'étend entre la première partie (18a) et la troisième région (18b, 36). Procédé selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la deuxième partie (18c) est entièrement appauvrie. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel la troisième région est une troisième partie (18b) de la deuxième région (18), la troisième partie (18b) affleurant la deuxième face (14b) du substrat, la troisième partie (18b) étant séparée de la première partie (18a) par la deuxième partie (18c). Procédé selon les revendications 4 et 9, dans lequel les troisièmes parties (18b) de toutes les diodes (12) sont reliées par des plots conducteurs (24) situés entre les troisièmes parties (18b), dans l'alignement des murs (19). Procédé selon la revendication 9 ou 10, comprenant l'application d'une tension croissante à la troisième partie (18b) jusqu'à atteindre une valeur pour laquelle le courant entre les première (18a) et troisième (18b) parties atteint une valeur de seuil, la valeur de seuil étant inférieure ou égale à 50 pA. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel la troisième région est une couche conductrice (36) s'étendant sur la deuxième face (14b) du substrat, séparée de la deuxième face (14b) du substrat par une couche isolante (34). Procédé selon la revendication 12, dans lequel la troisième région (36) est en un matériau transparent à des longueurs d'onde de fonctionnement de la diode. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la tension de polarisation est générée par une pompe de charge négative. Dispositif optoélectronique (10, 32) comprenant une diode (12, 12') à effet d'avalanche déclenché par un photon individuel (SPAD) dans un substrat (14), la diode comprenant une première région (16), dopée d'un premier type de conductivité, affleurant une première face (14a) du substrat (14) et une deuxième région (18), dopée d'un deuxième type de conductivité, s'étendant de la première face (14a) à une deuxième face du substrat (14b), opposée à la première face (14a), le dispositif (10, 32) comprenant une troisième région (18b, 36) conductrice ou semiconductrice au niveau de la deuxième face (14b), le dispositif étant configuré pour appliquer une tension de polarisation (Vca) à la troisième région (18b, 36) de manière à générer un champ électrique accélérant les charges générées dans la diode. Dispositif selon la revendication 15 configuré pour être commandé par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.