Dispositif (200) comprenant deux oscillateurs (LO ; 200, 202) couplés l'un à l'autre de sorte à fonctionner en quadrature, chaque oscillateur comprenant une inductance (L) et une capacité (C) à valeur sélectionnable parmi au moins deux valeurs correspondant chacune à une valeur de fréquence de fonctionnement des oscillateurs, chaque oscillateur étant configuré pour que, pour chaque valeur de fréquence de fonctionnement des oscillateurs, le facteur de qualité de son inductance (L) soit inférieur au facteur de qualité de sa capacité (C). Dispositif selon la revendication 1 dans lequel, dans chaque oscillateur : l'inductance (L) comprend des premier et deuxième enroulements (L1, L2) identiques ; le premier enroulement (L1) a une première extrémité (102) couplée à un premier noeud (104) d'application d'un potentiel d'alimentation (VDD) et une deuxième extrémité (106) couplée à un deuxième noeud (A) de sortie de l'oscillateur ; le deuxième enroulement (L2) a une première extrémité (108) couplée au premier noeud (104) et une deuxième extrémité (110) couplée à un troisième noeud (B) de sortie de l'oscillateur ; et une première électrode de la capacité (C) est connectée au deuxième noeud (A) et une deuxième électrode de la capacité est connectée au troisième noeud (B). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel, dans chaque oscillateur (200, 202), l'inductance (L) comprend une première résistance (R1) connectée en série avec le premier enroulement (L1) entre les premier et deuxième noeuds (104, A), et une deuxième résistance (R2) connectée en série avec le deuxième enroulement (L2) entre les premier et troisième noeuds (104, B), les première et deuxième résistances (R1, R2) ayant une même valeur de résistance. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel chacune des première et deuxième résistances (R1, R2) a une valeur de résistance comprise entre 0,5 et 5 ohms, lesdites au moins deux valeurs de la capacité (C) étant par exemple comprises entre 0,5 et 2,0 pF et l'inductance (L) ayant par exemple une valeur comprise entre 300 et 700 pH. Dispositif selon la revendication 3 ou 4, dans lequel, dans chaque oscillateur (200, 202), chacune des première et deuxième résistances (R1, R2) est mise en œuvre par au moins une portion de silicium polycristallin (300, 302), de préférence non dopé. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel, chacune des première et deuxième résistances (R1, R2) comprend : une première portion conductrice (308) d'un premier niveau de métal (Mtop) d'une structure d'interconnexion (IT), la première portion conductrice (308) correspondant à une première borne de la résistance ; une deuxième portion conductrice (310) du premier niveau de métal (Mtop) correspondant à une deuxième borne de la résistance ; au moins une troisième portion conductrice (314, 316) d'un deuxième niveau de métal (Mlow) de la structure d'interconnexion (IT) ; au moins une quatrième portion conductrice (320, 322) du deuxième niveau de métal (Mlow) ; des premiers vias conducteurs (318) couplant électriquement la première portion (308) à ladite au moins une troisième portion (314, 316) et la deuxième portion (310) à ladite au moins une quatrième portion (320, 322) ; et des deuxièmes vias conducteurs (312) couplant électriquement ladite au moins une portion de silicium polycristallin (300, 302) à ladite au moins une troisième portion (314, 316) et à ladite au moins une quatrième portion (320, 322). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel, dans chacun des oscillateurs (200, 202), la capacité (C) comprend une pluralité de capacités associées à des interrupteurs configurés pour que chacune des au moins deux valeurs corresponde à une combinaison donnée d'états ouvert et fermé desdits interrupteurs. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel, dans chacun des oscillateurs (200, 202), la capacité à valeur sélectionnable comprend en outre des diodes varicap. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, dans lequel chacun des oscillateurs comprend en outre : un premier transistor MOS (T1) et un deuxième transistor MOS (T2) ayant chacun une première borne de conduction connectée au deuxième noeud (A) et une deuxième borne de conduction couplée à un cinquième noeud (114) d'application d'un potentiel de référence (GND), le premier transistor (T1) ayant sa grille couplée au troisième noeud (B) ; un troisième transistor MOS (T3) et un quatrième transistor MOS (T4) ayant chacun une première borne de conduction connectée au troisième noeud (B) et une deuxième borne de conduction couplée au cinquième noeud (114), le troisième transistor (T3) ayant sa grille couplée au deuxième noeud (A). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel : le deuxième transistor (T2) d'un premier (200) des deux oscillateur (200, 202) a sa grille couplée au deuxième noeud (A) d'un deuxième (202) des deux oscillateurs (200, 202) ; le quatrième transistor (T4) du premier oscillateur (200) a sa grille couplée au troisième noeud (B) du deuxième oscillateur (202) ; le deuxième transistor (T2) du deuxième oscillateur (202) a sa grille couplée au troisième noeud (B) du premier oscillateur (200) ; et le quatrième transistor (T4) du deuxième oscillateur (202) a sa grille couplée au deuxième noeud (A) du premier oscillateur (200). Dispositif selon la revendication 9 ou 10, dans lequel chacun des oscillateurs comprend : une première source de courant (116) ayant une première borne connectée aux deuxièmes bornes de conduction des premier et troisième transistors (T1, T3) de l'oscillateur, et une deuxième borne connectée au cinquième noeud (114) ; et une deuxième source de courant (118) ayant une première borne connectée aux deuxièmes bornes de conduction des deuxième et quatrième transistors (T2, T4) de l'oscillateur, et une deuxième borne connectée au cinquième noeud (114). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel chaque valeur de fréquence de fonctionnement appartient à une plage allant de 5 GHz à 10 GHz. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les valeurs de fréquence de fonctionnement comprennent une première valeur comprise entre 5 et 6,5 Ghz et une deuxième valeur comprise entre 8,5 et 10 Ghz. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel chacune des valeurs de fréquence de fonctionnement est séparée des autres valeurs de fréquence de fonctionnement par au moins 0,5 GHz.