Dispositif optoélectronique (D1) comprenant : au moins un pixel (Pxl) comprenant : une couche d’absorption (CA) en un premier matériau et disposé sur une première face d’un premier substrat (sub1), la couche d’absorption étant destinée à convertir un rayon incident en charges électriques ; une électrode inférieure (EL1) pour collecter les charges électriques ; et une électrode supérieure (EL2) disposée sur la couche d’absorption (CA) ; un circuit de lecture (ROIC) disposé sur un second substrat (sub2) et comprenant au moins une électrode de lecture (EL_lect) dédiée au pixel (Pxl) ; le premier substrat (sub1) comprenant au moins un via (V1) partant d’une seconde face du premier substrat (sub1) opposée à ladite première face ; ledit via (V1) étant connecté électriquement d’une part à l’électrode inférieure (EL1) et d’autre part à au moins un connecteur d’hybridation (CEM) pour coupler électriquement et mécaniquement le pixel (Pxl) à l’électrode de lecture (EL_lect) dédiée audit pixel (Pxl). Dispositif optoélectronique (D1) selon la revendication 1 dans lequel le premier matériau est une pérovskite ou le tellurure de cadmium ou le tellurure de cadmium dopé avec du Zinc ou le sélénium amorphe ou l’oxyde de plomb ou l’iodure de mercure ou l’iodure de plomb. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel le via (V1) est débouchant depuis la seconde face du premier substrat (sub1) vers la première face du premier substrat (sub1). Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel le pixel (Pxl) comprend en outre pour chaque via (V1) une couche d’interface supérieure (C1) électriquement conductrice déposée sur la première face du premier substrat (sub1), la couche d’interface supérieure (C1) étant confinée entre l’extrémité du via (V1) associé et un volume de la couche d’absorption (CA). Dispositif optoélectronique (D1) selon la revendication 4 dans lequel au moins le via (V1) et/ou la couche d’interface supérieure (C1) constitue une couche bloquante à un type de porteurs de charges prédéterminé. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 3 à 5 dans lequel le pixel (Pxl) comprend en outre pour chaque via (V1) une couche d’interface inférieure (C2) électriquement conductrice déposée sur la seconde face du premier substrat (sub1) ; la couche d’interface inférieure (C2) étant en contact avec l’extrémité inférieure du via (V1) associé. Dispositif optoélectronique (D1) selon la revendication 6 dans lequel la largeur (L1) de la couche d’interface inférieure (C2) est inférieure à la distance de séparation (L2) entre deux électrodes de lecture (EL_lect) adjacentes. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 dans lequel : le via (V1) est rempli par un second matériau électriquement conducteur ; ou les parois internes du via (V1) sont recouvertes par un second matériau électriquement conducteur. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 6 ou 7 en combinaison avec la revendication 4 dans lequel le via (V1) est rempli par un matériau diélectrique ; l’ensemble formé par la couche d’interface supérieure (C1), le via (V1) et la couche d’interface inférieure (C2), formant un élément capacitif (Cap1) apte à stocker les charges électriques générées. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 dans lequel le via (V1) est rempli par un empilement comprenant un matériau diélectrique (M1) confiné entre deux matériaux électriquement conducteur (M2, M2’) de manière à former un élément capacitif (Cap1) dans le via apte à stocker les charges électriques générées. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel le via (V1) est non débouchant sur la première face du premier substrat (sub1) à partir de la seconde face du premier substrat (sub1) ; le premier substrat étant réalisé par un matériau diélectrique ou semi-conducteur; le via (V1) étant conducteur. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier substrat (sub1) présente une structure cristalline en accord de maille avec celle du premier matériau. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier substrat (sub1) est opaque à des longueurs d’ondes dans le domaine du visible et/ou aux rayonnements X ou gamma. Dispositif optoélectronique (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau est la pérovskite CsPbBr 3 . Capteur d’image matriciel comprenant un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications précédentes.