INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cet exemple, en référence à la , le dispositif de navigation 3 est fixé sur le système optique 1 de manière définitive ou amovible. Le dispositif de navigation 3 est ainsi solidaire dans ses déplacements du système optique 1. Toute modification de l’orientation angulaire du système optique 1 induit une modification de l’orientation angulaire du dispositif de navigation 3.
Il va de soi que le dispositif de navigation 3 et le système optique 1 pourraient être intégrés dans un même équipement. Par exemple, le dispositif de navigation 3 pourrait être directement intégré dans un boitier du système optique 1.
Il est représenté de manière schématique à la , un dispositif de navigation 3 selon une forme de réalisation de l’invention. Le dispositif de navigation 3 est configuré pour déterminer une attitude de navigation An correspondant à celle du système optique 1.
En référence à la , le dispositif de navigation 3 comprend : un module inertiel 31, configuré pour déterminer une attitude inertielle courante Ac de manière continue, un module de vision 32, configuré pour capturer au moins une image courante IMc de la scène SC de manière continue, une base de données 33 stockant une pluralité d’attitudes de référence Ari, chaque attitude de référence Ari étant associée à une signature optique de référence Sri, un calculateur 34 configuré pour déterminer l’attitude de navigation An à partir de l’attitude inertielle courante Ac, de l’image courante IMc et de la base de données 33.
Les différents éléments du dispositif de navigation 3 vont être dorénavant présentés. Ils sont de préférence alimentés par une batterie électrique non représentée.
Dans cet exemple, le module inertiel 31 comporte trois gyroscopes déterminant une attitude inertielle courante Ac du dispositif de navigation 3, et donc du système optique 1. L’attitude inertielle courante Ac est déterminée par référence à une attitude initiale A0 obtenue par calibrage à partir d’un système de navigation extérieur, notamment, un dispositif de visée astrale ou une boussole. L’attitude inertielle courante Ac est par exemple déterminée en intégrant les vitesses angulaires des trois gyroscopes. Comme présenté dans le préambule, l’attitude inertielle courante Ac possède une dérive croissante au fil du temps. L’attitude inertielle courante Ac est déterminée de manière continue par le module inertiel 31.
Dans cet exemple, le module de vision 32 comporte un capteur optique, en particulier une caméra, dirigée vers la scène extérieure SC. Le module de vision 32 est configuré pour capturer une image courante IMc de la scène SC de manière continue. Il est précisé que l’image courante IMc est indépendante des images de la scène SC qui sont acquises par le système optique 1. Il est néanmoins possible que l’image courante IMc soit identique à celle acquise par le système optique 1. De préférence, le module de vision 32 et le module inertiel 31 sont solidaires l’un de l’autre afin de garder une cohérence entre les données. Il va de soi que le module de vision 32 pourrait appartenir au système optique 1.
- l’extrémité avant est située entre 1 mm et 2 mm, de préférence 1,5 mm, d’un côté latéral du dispositif d’imagerie d’étagère,
- une distance entre l’élément de mise en prise et le côté avant du dispositif d’imagerie d’étagère est comprise entre 1 cm et 2 cm, de préférence 1,5 cm,
- le dispositif d’imagerie d’étagère comprend également un élément de guidage et un ressort, l’élément de guidage et le ressort étant configurés pour pousser ensemble vers le haut l’élément de mise en prise afin de faire saillie par une ouverture du dispositif d’imagerie d’étagère,
- le dispositif d’imagerie d’étagère comprend également une liaison reliant l’élément de guidage (504), l’élément de mise en prise et l’actionneur ensemble,
- l’élément de guidage, l’élément de mise en prise et l’actionneur forment une pièce d’un seul tenant.
Un autre objet de l’invention est un système d’étagère comprenant une étagère, de préférence pour une gondole d’une surface de vente. L’étagère comprend un support d’étagère configuré pour s’étendre le long d’un bord de l’étagère, le support d’étagère comprenant une section de réception configurée pour recevoir les étiquettes électroniques sur le support d’étagère et un dispositif d’imagerie, le côté arrière du dispositif d’imagerie étant configuré pour être monté, de manière amovible, dans la section de réception du support d’étagère.
Dans le système d’étagère, de manière avantageuse et non limitative, la section de réception comprend deux ailes en vis-à-vis s’étendant dans une direction longitudinale, l’une des deux ailes a, dans sa région médiale, une rainure longitudinale, la rainure a une pluralité de trous et l’élément de mise en prise est configuré pour mettre en prise l’un des trous.
Présentation générale des dessins D’autres caractéristiques, objectifs et avantages de l’invention sont présentés dans la description détaillée suivante, qui n’est qu’illustrative et non limitative, et doit être lue conjointement avec les dessins joints suivants qui représentent, en plus des figures et déjà commentées ci-dessus :
La est une coupe schématique de la section de réception d’un support d’étagère, tel qu’un rail.
La est une vue schématique en perspective d’un dispositif d’imagerie d’étagère de l’invention.
La est une coupe du même dispositif d’imagerie d’étagère de l’invention.
La représente le mécanisme de blocage d’un dispositif d’imagerie d’étagère de l’invention.
Comme mentionné ci-dessus, la représente l’étagère 3 d’une gondole prévue pour être agencée dans une surface de vente. L’étagère 3 comprend un support d’étagère 20. Le support d’étagère 20 est par exemple un rail et comprend une section de réception 21 adaptée pour recevoir les ESL 4 et les dispositifs d’imagerie d’étagère 1. Le support d’étagère 20 est installé sur l’un des bords de l’étagère 3. Dans cet exemple, le support d’étagère 20 est un rail ayant une section creuse dans laquelle les ESL et le dispositif d’imagerie d’étagère peuvent être mis en prise et bloqués.
Sur la , on ne représente que deux ESL 4 ; cependant, selon sa longueur le long de l’étagère 3, le support d’étagère 20 peut recevoir un nombre différent d’ESL 4. Il est possible d’avoir jusqu’à plus de dix ESL 4 par mètre linéaire du support d’étagère 20, et par conséquent plusieurs milliers, ou même des dizaines de milliers de ESL 4 dans une surface de vente. Les ESL 4 peuvent être placées côte à côte dans une série continue, adjacentes entre elles, sur le support d’étagère 20.
Également, on ne représente qu’un dispositif d’imagerie d’étagère 1 sur la . Cependant, chaque support d’étagère 20 de la surface de vente peut comprendre plus d’un dispositif d’imagerie d’étagère 1. Le caractère compact du dispositif d’imagerie d’étagère 1 décrit ci-après permet de recevoir une pluralité de dispositifs d’imagerie d’étagère 1, par exemple, régulièrement espacés dans les étagères 3 de la surface de vente pour chaque ESL 4 de visualisation qui est positionnée en face du dispositif d’imagerie d’étagère, typiquement de l’autre côté de l’allée séparant deux gondoles.
Un pad est une plaque ou surface de connexion, zone de contact métallique ou interface métallique sur une puce électronique qui est utilisée pour relier électriquement la puce à une carte de circuit imprimé ou à d'autres composants électroniques. Un pad peut être rond, carré, rectangulaire ou tout autre type de forme plus complexe.
Dans ce mode de réalisation non limitatif, les contacts ohmiques 2 sont fabriqués selon une structure multi-laminée de métaux. Les contacts ohmiques 2 ont pour fonction de connecter les électrodes de source et de drain au substrat 1 du transistor afin de permettre la circulation du courant à travers la jonction hétérostructure. Le contact de grille 3 a pour fonction de contrôler le courant qui circule dans le canal entre les contacts ohmiques 2.
Plus précisément, selon un mode de réalisation non limitatif, l’obtention E1 du substrat 1 comporte une étape de dépôt de la couche de matériau semi-conducteur, tel que l’AIGaN ou le GaN, sur le substrat par une technique de croissance cristalline. Les contacts ohmiques 2 sont obtenus ensuite par le dépôt en sandwich de couches de Titanium, d’Or et de Paladium (Ti/Au/Pd) pour former les contacts ohmiques 2. Les contacts de grille 3 sont obtenus par le dépôt en sandwich de couches de Nickel et d’Or par exemple. L’homme du métier adaptera l’étape d’obtention E1 du substrat 1 en fonction de l’application recherchée et des propriétés recherchées pour le transistor.
Ces couches sont généralement obtenues par des techniques d’évaporation sous vide par exemple. L’obtention E1 du substrat comportent en outre, de façon connue en soi par l’homme du métier, des étapes de lithographie, gravure, développement et nettoyage. Les étapes de dépôts de métal, lithographie et gravure peuvent se répéter selon le nombre de couches de métal et épaisseur recherchés. La référence publiée par Michael H. Willemann, intitulée “Polymer-Supported Bridges for Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs), Virginia Polytechnic Institute and State University, 2007, décrit une technique de fabrication des contacts ohmiques comprenant des couches de titanium, d’aluminium, du nickel et de l’Or.
Le procédé de fabrication selon l’invention comporte ensuite une étape de dépôt E2 d’au moins un support de pont 4 réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille 3. Un support de pont 4 est destiné au support et le renfort d’un ou plusieurs ponts de connexion électrique entre des contacts ohmiques 2 et leurs pads respectifs. Dans cet exemple non limitatif, les deux branches 3A et 3B du contact de grille sont recouvertes par deux parties 4A et 4B respectivement du support de pont 4. A cette phase du procédé de fabrication, le support de pont 4 forme un relief en surface du substrat 1 au-dessus des contacts de grille 3 dans la zone où il est prévu de déposer des ponts. Le support de pont 4 forme un relief au-dessus des faces supérieures des contacts ohmique 2 et de la surface du substrat 1.
De préférence, le premier matériau en polymère est un polyimide. Le polyimide est un polymère organique synthétique utilisé dans ce cas d’application pour ses propriétés thermiques. Le polyimide a une conductivité thermique très faible, ce qui signifie qu'il est un isolant thermique efficace. Sa conductivité thermique typique varie de 0,1 à 0,4 W/mK à température ambiante. Le polyimide a également une excellente résistance à la chaleur. Il peut résister à des températures élevées allant jusqu'à 500°C sans se dégrader ou se ramollir. Cette propriété thermique élevée permet l'utilisation du polyimide dans des applications d’électronique de puissance telles que les films pour circuits intégrés où il peut résister à des températures de fonctionnement élevées. De plus, le polyimide a un faible coefficient de dilatation thermique, ce qui signifie qu'il ne se dilate que très peu lorsqu'il est exposé à des variations de température.
La phase de dépôt E2 du support de pont 4 comporte des étapes de photolithographie au-dessus des contacts de grille 3. Dans cet exemple non limitatif, le support de pont 4 est un polyimide contenant des composés photosensibles pour développer le motif recherché. Ce type de composé présente en outre l’avantage d’obtenir une rigidité diélectrique supérieure à un composé photorésistant. Toutefois, on n’écarte pas la possibilité d’utiliser un polymère photorésistant. En outre, le polymère est un polyimide pouvant être chargé de d’autres matériaux, par exemple de microparticules de diamant. La charge ne doit pas affecter les propriétés thermiques, mécaniques et diélectriques du polymère. On envisage que le support de pont 4 puisse être réalisé dans un polymère différent du polyimide à condition qu’il conserve des propriétés adaptées à l’application cible et à une technique d’enfouissement du dispositif semi-conducteur.
Selon une technique de dépôt préférentielle pour un polymère de type photosensible, la phase de dépôt E2 du support de pont 4 comporte une première étape de prétraitement de la surface du composant par un nettoyage par solvants à base d’une solution d’Acétone, Isopropanol, eau désionisée et séchage Azote, et une déshydratation à une température d’au moins 100°C. Cette première étape peut prévoir en outre un traitement chimique à base d’une solution acide oxydante et corrosive et de rinçage, ou un traitement de type plasma oxygène. Ensuite, la phase de dépôt E2 comporte une deuxième étape de dépôt par centrifugation de la résine polyimide sur le substrat comportant les composants en cours de fabrication. La vitesse de rotation dépend de la viscosité de la résine polyimide et l’épaisseur cible. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une troisième étape de traitement thermique sur plaque chauffante. Ce traitement vise à évaporer le ou les solvants de la résine polyimide. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une quatrième étape d’exposition aux UV à l’aide d’un aligneur de masque et à travers le masque de photolithographie permettant de former le motif structurant le support de pont 4. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une cinquième étape de développement post-exposition qui permet de révéler les motifs en polyimide. La phase de dépôt E2 comporte ensuite une sixième étape de rinçage puis une septième étape de traitement thermique des motifs du support de pont 4. Cette dernière étape de traitement thermique vise à stabiliser le polyimide. Le choix de la température et la durée des traitements thermiques déterminent notamment l’épaisseur cible du support de pont 4.
A cette étape E2 du procédé de fabrication, les pads et les épaississements métalliques des contacts ohmiques ne sont pas encore déposés. Le polymère est donc déposé par centrifugation sur une surface libre d’interstices ce qui facilite le contrôle de l’épaisseur cible. Par ailleurs, la dernière étape de traitement thermique a pour effet en outre d’arrondir les arêtes du support de pont 4 en sa partie supérieure. L’arrondissement des arêtes améliore la continuité de l’épaisseur du pont au niveau des bordures du support 4, ce qui renforce la tenue mécanique et le comportement électrique et thermique du pont. Les phases spécifiques de dépôt E2 du polymère peuvent varier en fonction du type utilisé (photosensible ou photorésistant) que l’homme du métier saura adapter.
Ensuite, le procédé de fabrication comporte une étape de dépôt E3 par électrodéposition des pads 5A et 5B des contacts ohmiques 2 et du pad 5C du contact de grille, et de ponts 5D et 5E connectant électriquement chaque contact ohmique 2 au pad respectif 5A et 5B. Les pads 5A, 5B et 5C et lesdits ponts 5D et 5E sont formés par une même couche métallique d’épaisseur uniforme lors d’une même phase d’électrodéposition. La métallisation a pour fonction d’épaissir la couche métallique des contacts ohmiques 2 et du contact de grille 3 au niveau du pad du fait de l’application de puissance à laquelle le transistor est destiné. La couche métallique a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence elle est comprise entre 6 µm et 10 µm. Le métal électrodéposé est par exemple du cuivre. Les ponts ont une forme sensiblement arquée ou bombée résultante de la forme du relief et de l’épaisseur des supports de pont en surface du substrat. La forme arquée permet de conserver la continuité de la couche métallique entre les pads et les doigts. Cette continuité renforce la structure.
L’électrodéposition est une technique connue de l’homme du métier comportant des étapes de préparation de la surface, notamment l’intégration d’une couche porteuse, appelée également couche de germination et de mise en contact du substrat avec un électrolyte puis de polarisation permettant l’électrodéposition de cuivre.
En outre, le fait d’obtenir une même couche métallique formant les ponts 5D et 5E et les pads 5A, 5B et 5C permet d’améliorer la résistance mécanique de la structure de pont et d’assurer une continuité de structure entre les pads 5A et 5B et les contacts ohmiques 2. La tenue mécanique est particulièrement importante en prévision d’un conditionnement par enfouissement qui fait intervenir des étapes de laminage à haute température et forte pression. En outre, l’électrodéposition présente l’avantage d’épaissir uniformément et de manière fiable les arrêtes du support de pont 4 en polyimide L’électrodéposition présente en outre l’avantage d’être une technique peu onéreuse par rapport aux techniques sous-vide.
Les profils du support de pont 4 et des ponts 5D et 5E visibles en sont fournis à titre d’exemple non limitatif et dépend de la structure du transistor et de l’agencement des contacts ohmiques 2 et du contact de grille 3. D’autres variantes sont envisageables, en particulier des ponts peuvent être prévus pour connecter électriquement des pads les uns entre les autres qui seraient séparés par un contact de grille. Le nombre de doigts et de ponts des contacts ohmiques 2 peuvent être de deux, trois, quatre, cinq ou plus. Il peut être prévu un pont pour chaque doigt mais ce n’est pas obligatoire. Dans cet exemple non limitatif, tous les contacts ohmiques 2 de source et de drain sont connectés aux pads 5A et 5B respectifs par des ponts 5D et 5E. Pour d’autres types d’architectures de transistor une partie seulement des contacts sont reliés électriquement par des ponts à leur pad. Par exemple, seuls les contacts de source peuvent être reliés à leur pad par des ponts, ou seuls les contacts de drain peuvent être reliés à leur pad par des ponts.
Une fois l’étape de dépôt E3 terminée, le procédé de fabrication permet d’obtenir un dispositif semi-conducteur 10, désigné par composant à circuit intégré ou puce, appelé également « wafer » pour un ensemble de puces, comprenant un ou plusieurs transistors multi-doigts comprenant une structure de pont renforcée grâce au support 4 réalisé en polymère.
En , une étape supplémentaire E4 du procédé de fabrication est décrite et consiste à encapsuler au moins les supports de pont et les ponts du dispositif semi-conducteurs sous une deuxième couche 6 d’un deuxième matériau en polymère agissant comme un film protecteur. De préférence, la totalité de la surface de la puce 10 est recouverte par cette couche 6. Le polymère est par exemple du polyimide, identique au polymère utilisé pour le support de pont. On envisage que le polymère 6 puisse être un matériau différent du support de pont. La résine peut être distincte, ou elle peut comporter une charge adaptée à la protection voulue. La couche de polymère 6 permet d’aplanir la structure du dispositif semi-conducteur en atténuant les reliefs en surface de la puce liés à la présence des ponts et permet d’obtenir une structure renforcée multi-laminée. La couche de protection 6 permet de répartir la pression lors du laminage, limitant le risque d’écrasement des ponts, et de protéger la puce thermiquement.
La couche de protection 6 est déposée par centrifugation et comporte des étapes de traitement thermique, d’exposition, développement et rinçage similairement aux étapes réalisées lors du dépôt E2 du support de pont. Ces étapes sont adaptées en fonction des caractéristiques du polymère utilisé.
Elle propose à cet effet un système de traitement d’air pour véhicule automobile comportant un conduit d’admission en air extérieur, un conduit de recirculation de l’air habitacle, un conduit de diffusion débouchant dans l’habitacle dudit véhicule et dans lequel est agencé un groupe moto-ventilateur, au moins un premier filtre à air monté dans ledit conduit d’admission en air extérieur, ainsi qu’au moins un premier volet de pilotage du flux d’air agencé à l’interface entre la sortie dudit conduit d’admission, celle dudit conduit de recirculation et l’entrée dudit conduit de diffusion, ledit premier volet étant mobile entre une position d’ouverture dans laquelle lesdits conduits d’admission et de diffusion sont reliés fluidiquement et une position de fermeture dans laquelle lesdits conduits de recirculation et de diffusion sont reliés fluidiquement ; caractérisé en ce qu’il comporte un second filtre à air de type HEPA monté dans ledit conduit de recirculation.
Ce positionnement particulier du second filtre à air de type HEPA permet d’éviter que ce dernier ne soit sollicité lorsque le groupe moto-ventilateur générant de l’air pulsé dans l’habitacle est alimenté en air extérieur, de sorte notamment à limiter les pertes de charges et à optimiser la consommation électrique dans les phases de refroidissement rapide où le groupe moto-ventilateur fonctionne à sa puissance électrique maximale.
Selon des caractéristiques préférées dudit système de traitement d’air selon l’invention : - ledit système de traitement d’air comporte un second volet de pilotage du flux d’air agencé dans ledit conduit de recirculation en amont dudit second filtre HEPA et mobile entre une position par défaut d’ouverture dans laquelle ce conduit de recirculation est entièrement ouvert et une position de fermeture dans laquelle ce même conduit de recirculation est fermé ; - ledit système de traitement d’air est apte à fonctionner dans un mode de refroidissement rapide dans lequel ledit premier volet de pilotage occupe sa position d’ouverture de sorte que l’air pulsé pénétrant dans l’habitacle provienne uniquement de l’extérieur du véhicule et ledit groupe moto-ventilateur fonctionne à sa puissance électrique maximale de sorte qu’un débit d’air maximal entre dans l’habitacle ; - ledit second volet de pilotage, ouvert par défaut, est configuré pour venir occuper sa position de fermeture lorsque ledit mode de refroidissement rapide est activé ; - ledit mode de refroidissement rapide est configuré pour s’activer de manière automatisée lorsque la température au sein de l’habitacle est supérieure à une température seuil prédéterminée ; - ledit système de traitement d’air est apte à fonctionner dans un mode de convergence thermique dans lequel ledit premier volet de pilotage occupe sa position de fermeture de sorte que l’air pulsé pénétrant dans l’habitacle soit uniquement de l’air recyclé ayant traversé ledit second filtre HEPA ; - ledit mode de convergence thermique est configuré pour s’activer de manière automatisée lorsque la température au sein de l’habitacle est inférieure ou égale à une température seuil prédéterminée ; - ledit second filtre HEPA est de classe H13 ; et/ou - la face amont dudit second filtre HEPA est recouverte d’un pré-filtre antistatique.
L’invention vise également sous un second aspect, un véhicule automobile comportant un tel système de traitement d’air.
L’exposé de l’invention sera maintenant poursuivi par la description détaillée de plusieurs exemples de réalisation, donnée ci-après à titre illustratif mais non limitatif, en référence aux dessins annexés, sur lesquels représente une vue schématique d’un système de traitement d’air HVAC selon l’invention pour véhicule automobile.
Dans la suite de cette description, les termes « amont » et « aval » utilisés pour caractériser la position de certains éléments du système de traitement de l’air 1 seront à considérer par rapport au sens de circulation du flux d’air dans ces conduits 2, 3 et 4.
Le système traitement d’air HVAC 1 comporte également un groupe moto-ventilateur 5 agencé dans le conduit de diffusion 4, ainsi qu’un premier filtre à air habitacle 6 monté dans le conduit d’admission 2 et chargé de retenir certaines particules polluantes en suspension dans l’air extérieur.
Ce premier filtre à air habitacle 6 est avantageusement constitué par un filtre à haute efficacité (HE) permettant de filtrer les polluants gazeux tels que des composés organiques volatils (COV), les poussières et les particules fines telles que celles de diamètre moyen de 2,5 µm (PM 2,5) et celles de diamètre moyen 10 µm (PM 10).
Ce premier filtre 6 peut également être constitué par un simple filtre à pollen, un filtre à charbon actif permettant de filtrer de neutraliser les odeurs, ou encore un filtre au Polyphénol assurant un filtrage plus efficace des allergènes. Ce filtre 6 peut également être constitué d’une pluralité de couches, chaque couche assurant la fonction d’un des filtres définis précédemment.