INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Au cours d’une étape 516, en réponse à la détection de l’étape 514, alors que les modules 302, 304 maintiennent la tension V1 sensiblement égale à la tension source V0, le module de commande 336 commande le contacteur 112 à l’état fermé, afin que le jeu d’enroulements E1 soit alimenté électriquement par la source 106 en recevant la tension source V0. Ainsi, la tension V1 devient égale à la tension V0. Comme la tension V1 était préalablement sensiblement égale à la tension V0, la connexion à la source n’entraîne pas d’appel de courant important.
Au cours d’une étape 518, le module de commande 336 désactive l’onduleur 118, par exemple en cessant de lui fournir les commande C118. Ainsi, la machine électrique 108 est alimentée par la source 106 uniquement par le jeu d’enroulements E1. En outre, le module de commande 336 commande le module 404 pour activer la correction du facteur de puissance. Ceci est illustré sur la , où l’onduleur 118 désactivé est représenté en pointillé et où une double-flèche épaisse indique la correction du facteur de puissance mise en œuvre par le redresseur 116.
De retour à la , au cours d’une étape 520, sur demande de puissance supplémentaire, le module de commande 336 active à nouveau l’onduleur 118 afin que le jeu d’enroulements E2 soit alimenté par le convertisseur 114, en plus de la liaison directe par le commutateur 112 fermé.
La représente une étape de préparation d’une couche mince selon un premier mode de mis en œuvre ;
La représente une étape de préparation d’une couche mince selon un second mode de mis en œuvre ;
La est un graphe d’une analyse d’une couche prélevée ;
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de préparation d’une couche mince monodomaine 3 en un matériau ferroélectrique transférée d’un substrat donneur 1 monocristallin sur un substrat support 7 par une technique de transfert incluant une implantation d’espèces légères dans un substrat donneur 1. Plusieurs modes de réalisation de cette étape de fourniture d’une couche mince existent.
Suivant un premier mode de réalisation, représenté sur les figures 1A à 1F, le substrat donneur 1 est composé d’un bloc massif, monocristallin et monodomaine de matériau ferroélectrique, par exemple de LiTaO3, LiNbO3, LiAlO3, BaTiO3, PbZrTiO3, KNbO3, BaZrO3, CaTiO3, PbTiO3 ou de KTaO3. Le substrat donneur 1 peut prendre la forme d'une plaquette, circulaire, de dimension normalisée, par exemple de 150 mm ou 200 mm de diamètre. Mais l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme. Le substrat donneur peut avoir été prélevé d’un lingot de matériaux ferroélectrique, ce prélèvement ayant été réalisé de manière à ce que le substrat donneur 1 présente une orientation cristalline prédéterminée. L’orientation est choisie en fonction de l’application visée. Ainsi, il est usuel de choisir une orientation comprise entre 30° et 60°RY, ou entre 40° et 50°RY, dans le cas où l’on souhaite exploiter les propriétés d’une couche mince en LiTaO3 pour former un filtre SAW. Mais l’invention n’est nullement limitée à une orientation cristalline particulière.
Quelle que soit l’orientation cristalline du substrat donneur 1, le procédé comprend l’introduction dans le substrat donneur 1 d’au moins une espèce dite « légère », notamment des espèces choisies parmi les gaz inertes ou l’hydrogène. Cette introduction peut correspondre à une implantation, c’est-à-dire un bombardement ionique d’une face plane 4 du substrat donneur 1 par des espèces légères telles que des ions d’hydrogène et/ou d’hélium.
De façon connue en soi, et comme cela est représenté sur la figure 1B, les ions implantés ont pour but de former un plan de fragilisation 2 délimitant une première couche 3 de matériau ferroélectrique à transférer qui est située du côté de la face plane 4 et une autre partie 5 formant le reste du substrat.
La nature, la dose des espèces implantées et l’énergie d’implantation sont choisies en fonction de l’épaisseur de la couche que l’on souhaite transférer et des propriétés physico-chimiques du substrat donneur. Dans le cas d’un substrat donneur 1 en LiTaO3, on pourra ainsi choisir d’implanter une dose d’hydrogène comprise entre 1 E 16 et 5 E 17 at/cm² avec une énergie comprise entre 30 et 300keV pour délimiter une première couche 3 de l’ordre de 200 à 2000 nm.
Dans une étape suivante, représentée sur la figure 1C, on assemble la face plane 4 du substrat donneur 1 avec une face 6 d’un substrat support 7. Le substrat support 7 peut présenter la même dimension et la même forme que celles du substrat donneur 1. Pour des raisons de disponibilité et de coût, le substrat support 7 est une plaquette de silicium, monocristallin ou polycristallin. Mais plus généralement, le substrat support 7 peut être constitué de tout matériau, par exemple du silicium, du saphir ou du verre, et présenter toute forme.
L’étape d’assemblage peut correspondre à la mise en contact intime du substrat donneur 1 avec le substrat support 7 par adhésion moléculaire et/ou collage électrostatique. Optionnellement, pour faciliter l’assemblage des deux substrats 1,7 notamment lorsqu’ils sont assemblés par collage direct, au moins une couche intercalaire amorphe peut être formée préalablement à l’assemblage, soit sur la face plane 4 du substrat donneur 1, soit sur la face plane 6 à assembler du substrat support 7, soit sur les deux. Cette couche intercalaire est par exemple constituée d’oxyde de silicium, de nitrure de silicium, d’oxynitrure de silicium. Elle peut présenter une épaisseur comprise entre quelques nanomètres et quelques microns.
On privilégiera une couche intercalaire présentant une faible concentration en hydrogène ou faisant barrière à la diffusion d’hydrogène pour suivre les enseignements du document WO2020200986 et éviter ainsi la formation d’une zone multi-domaine à l’interface entre la première couche 3 et la couche intercalaire amorphe, du côté de la seconde face de la première couche 3. La couche intercalaire peut être élaborée selon les différentes techniques connues de l’état de l’art, tels des traitements thermiques d’oxydation ou de nitruration, des dépôts chimiques (PECVD, LPCVD…), etc.
Le corps de piston 53 est un corps cylindrique creux ayant un premier côté axial 53a, dirigé vers l’extrémité arrière 3b du tube de lancement 3, qui est ouvert, et un second côté axial 53b, dirigé vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3, qui est fermé par une paroi transversale 56. Cette paroi transversale 56 ferme également un côté du corps de maintien 55. Le corps de piston 53, le corps de maintien 55 et la paroi transversale 56 sont formés d’un seul tenant.
Le corps de maintien 55 est un corps cylindrique creux s’étendant à partir de la paroi transversale 56 et dont l’axe longitudinal est coaxial à l’axe longitudinal A1. Le corps de maintien 55 a un premier côté axial 55a, dirigé vers l’extrémité arrière 3b du tube de lancement 3, qui est ouvert, et un second côté axial 55b, dirigé vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3, qui est fermé par la paroi transversale 56. Le diamètre externe du corps de maintien 55 est inférieur au diamètre interne du corps de piston 53. Ainsi, un espace tubulaire est défini entre la paroi externe du corps de maintien 55 et la paroi interne du corps de piston 53. L’espace tubulaire est agencé et dimensionné de telle sorte que le ressort d’éjection 51 est reçu à l’intérieur de cet espace tubulaire.
Le corps de maintien 55 s’étend de manière coulissante dans un espace tubulaire 36 formé dans un logement de détente 37. Ce logement de détente 37 s’étend à l’intérieur du corps de piston 53. Ce logement 37 comprend un cylindre creux extérieur 37e s’étendant à partir du culot 31 et ayant un côté avant, à savoir dirigé vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3, ouvert et un cylindre creux intérieur 37i porté par le cylindre creux extérieur 37e et ayant un côté avant ouvert et un côté arrière ouvert. Le cylindre creux extérieur 37e et le cylindre creux intérieur 37i sont reliés entre eux par une paroi transversale 37t annulaire.
Le cylindre creux extérieur 37e s’étend perpendiculairement à partir de la paroi transversale du culot 31, autrement dit parallèlement audit axe longitudinal A1, en direction de l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3. Le cylindre creux intérieur 37i s’étend également parallèlement audit axe longitudinal A1 à l’intérieur du cylindre creux extérieur 37e. Les diamètres des cylindres creux extérieur 37e et intérieur 37i sont définis de telle sorte que l’espace tubulaire 36 formé entre ceux-ci est apte à recevoir le corps de maintien 55 avec la paroi extérieure du corps de maintien 55 qui vient en contact avec la paroi intérieure du cylindre creux extérieur 37e et la paroi intérieure du corps de maintien 55 qui vient en contact avec la paroi extérieure du cylindre creux intérieur 37i. De préférence, le logement de détente 37 est formé d’un seul tenant avec le culot 31.
Le logement de détente 37 est dimensionné de telle sorte qu’il est contenu à l’intérieur du corps de piston 53 dans la position armée de l’ensemble d’éjection 5, et que l’extrémité libre du corps de maintien 55, au niveau du premier côté axial 55a, vient en contact avec la paroi transversale annulaire 37t dans la position armée de l’ensemble d’éjection 5.
Le corps de maintien 55 comporte, au niveau de sa région d’extrémité libre, opposée à sa région d’extrémité reliée à la paroi transversale 56, une gorge interne 550 destinée à recevoir les moyens de verrouillage 6 dans la position de verrouillage. La gorge interne 550 est formée sur la totalité de la circonférence intérieure du corps de maintien 55.
Le ressort d’éjection 51 se situe dans l’espace formé entre la paroi extérieure du logement de détente 37 et la paroi intérieure du corps de piston 53, entre l’extrémité arrière 3b du tube de lancement 3 et la paroi transversale 56. Plus précisément, le ressort d’éjection 51 a une première extrémité prenant appui sur la paroi transversale du culot 31 et une seconde extrémité en appui contre la paroi transversale 56, rendues solidaires de celles-ci par tout moyen approprié.
La tête de poussée 54 est un corps de forme hémisphérique solidaire de la paroi transversale 56, côté extérieur du corps de piston 53. Le diamètre de la base de ce corps hémisphérique est égal au diamètre extérieur du corps de piston 53.
La paroi transversale 56 comporte, en son centre, du côté opposé à la tête de poussée 54, une saillie centrale 56a cylindrique qui s’étend à l’intérieur du corps de maintien 55, à partir de la paroi transversale 56. La saillie centrale 56a s’étend selon l’axe longitudinal A1.
Les moyens de verrouillage 6 permettent de maintenir le ressort d’éjection 51 à l’état comprimé, et donc d’empêcher un coulissement du piston d’éjection 52 vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3, ce par quoi ils maintiennent l’ensemble d’éjection 5 dans la position armée.
Dans le mode de réalisation particulier représenté sur les Figures 1 à 8, les moyens de verrouillage 6 comprennent trois éléments de retenue 60.
Chaque élément de retenue 60 est monté mobile en translation dans une ouverture traversante 38 tubulaire pratiquée dans le cylindre creux intérieur 37i. Chaque ouverture traversante 38 s’étend selon un axe de translation radial, perpendiculaire à l’axe longitudinal A1, les trois ouvertures traversantes 38 étant situées dans un même plan transversal. Chaque ouverture traversante 38 débouche d’une part dans l’espace tubulaire 36 du logement de détente 37 et d’autre part à l’intérieur du cylindre creux intérieur 37i. Les ouvertures traversantes 38 sont agencées de telle sorte qu’elles se trouvent en regard de la gorge interne 550 du corps de maintien 5 dans la position armée.
Chaque élément de retenue 60 se présente ici sous la forme d’une bille 60 de diamètre sensiblement égal au diamètre de l’ouverture traversante 38 tubulaire. L’épaisseur de paroi du cylindre creux intérieur 37i, et donc la longueur de chaque ouverture traversante 38 tubulaire est inférieure au diamètre de la bille 60 reçue dans l’ouverture 38. Ainsi, lorsque la bille 60, au niveau d’une ses calottes, est à fleur avec la paroi intérieure du cylindre creux intérieur 37i, sa région de calotte opposée fait saillie dans l’espace tubulaire 36. Inversement, lorsque la bille 60, au niveau d’une calotte, est à fleur avec la paroi extérieure du cylindre creux intérieur 37i, sa région de calotte opposée fait saillie à l’intérieur du cylindre creux intérieur 37i. Chaque bille 60 est réalisée en un matériau ferromagnétique, de préférence en acier trempé. La région de chaque bille 60 apte à faire saillie dans l’espace tubulaire 36 est dimensionnée de manière à être apte à être reçue dans la gorge interne 550, de forme complémentaire, du corps de maintien 55.
Les moyens de commande 7 sont destinés à commander le déplacement des éléments de retenue 60 vers leur position de déverrouillage, par l’action d’un champ magnétique.
Les moyens de commande 7 comprennent un élément de détente 70 et un électro-aimant 71 apte à être relié à une source d’électricité 72.
L’électro-aimant 71 est disposé à l’arrière du tube de lancement 3 et s’étend du culot 31 à la paroi transversale annulaire 37t. L’électro-aimant 71 est un corps cylindrique de diamètre extérieur sensiblement égal au diamètre intérieur du cylindre creux extérieur 37e. L’électro-aimant 71 présente un passage cylindrique 710 le traversant selon l’axe longitudinal A1. Le diamètre du passage 710 est inférieur au diamètre intérieur du cylindre creux intérieur 37i, de sorte que la face de l’électro-aimant coopérant avec la paroi transversale 37t annulaire et faisant saillie latéralement à l’intérieur du cylindre creux intérieur 37i forme une surface d’arrêt 711 circulaire.
L’architecture du switch MEMS-RF shunt capacitif décrite précédemment peut être adaptée à un contact ohmique, contact métallique entre la membrane et la ligne RF, sans rien changer à la nature mécanique de la membrane ni à la façon de l’activer. L’architecture diffère en ce qu’il n’y aura pas de diélectrique au-dessus de la ligne RF à son passage sous la membrane et que le contact se fera directement entre la ligne RF et la membrane lorsque celle-ci est à l’état bas.
De même, l’architecture du switch MEMS-RF shunt capacitif décrite précédemment peut être adaptée à une ligne micro-strip au lieu de coplanaire. L’architecture diffère en ce que le plan de masse n’est pas situé de part et d’autre de la ligne de signal centrale mais en face arrière du substrat de fabrication, et que des vias métallisés, trous dans le substrat reliant la face avant à la face arrière et tapissés/remplis d’un matériau conducteur permettant ainsi de connecter électriquement les deux faces, relient électriquement la membrane au plan de masse en face arrière.
De même, l’architecture du switch MEMS-RF shunt capacitif décrite précédemment peut être adaptée à une architecture série du switch MEMS-RF. L’architecture diffère en ce que la ligne RF est discontinue et que la membrane n’est pas reliée au plans de masse, elle est suspendue au-dessus de la première partie de la ligne RF et est reliée à la seconde partie de la ligne RF. Lorsque la membrane est à l’état bas, les deux morceaux de la ligne RF sont reliés, ce qui permet le passage du signal RF.
La combinaison de ces caractéristiques permet la réalisation des huit types de structures suivantes : MEMS-RF shunt coplanaire capacitif, MEMS-RF série coplanaire capacitif, MEMS-RF shunt coplanaire ohmique, MEMS-RF série coplanaire ohmique, MEMS-RF shunt micro-strip capacitif, MEMS-RF série micro-strip capacitif, MEMS-RF shunt micro-strip ohmique, MEMS-RF série micro-strip ohmique.
Procédé de formation d’un circuit intégré Domaine de l’invention La présente invention concerne un procédé de formation d’un circuit intégré.
Contexte technique Un système sur puce (SoC, « system on a chip ») est un circuit intégré intégrant une pluralité de composants sur une seule puce. Un tel système peut comprendre une unité centrale de traitement, une mémoire, des interfaces d’entrée/sortie, des fonctions de traitement de signaux numériques, analogiques, mixtes et/ou de radiofréquences (RF) et la gestion de puissance.
Un tel système est en particulier utilisé dans des systèmes informatiques mobiles tels que les tablettes et les smartphones, ainsi que dans les systèmes incorporés.
Les systèmes sur puce deviennent de plus en plus complexes et exigeants en termes de hautes performances et de fonctionnalités, notamment pour la connectivité 5G/6G.
L’intégration 2.5D combine plusieurs pastilles de circuit intégré (également connues sous le nom de micropuces ou « chiplets ») dans un seul boîtier avec et sans leur empilement dans un circuit tridimensionnel (3D) avec des couches de redistribution (RDL) avec et sans vias traversants (TSV) pour les connecter.
Les Figures 1A à 1D illustrent un procédé connu d’intégration 2.5D.
En référence à la , un substrat support 1' est traité pour inclure les circuits électroniques. Ledit substrat support peut comprendre plusieurs couches 10', 11', 12', 13' de matériaux différents, des composants électroniques 110' et des interconnexions métalliques 111' étant disposés dans et/ou entre lesdites couches 10', 11', 12', 13'.
En référence à la , au moins deux pavés 24', 25' d'un matériau semi-conducteur ou piézoélectrique sont placés sur un substrat intermédiaire 2' et le substrat intermédiaire avec les pavés est lié au substrat support 1'.
En référence à la , le substrat intermédiaire 2' est enlevé pour exposer les pavés 24', 25'. Ledit enlèvement se fait généralement par meulage du substrat intermédiaire, et polissage de la surface exposée des pavés, par exemple à l’aide d’un polissage chimico-mécanique (CMP, « chemical mechanical polishing »).
Ensuite, des dispositifs supplémentaires sont formés dans les pavés pour fournir des fonctions RF, de filtrage et/ou d’alimentation. Après la formation desdits dispositifs supplémentaires, des interconnexions métalliques avec le circuit électronique sous-jacent sont formées.
Ensuite, comme le montre la , une couche électriquement isolante 26' est déposée sur le substrat support 1' et les pavés 24', 25'.
Un inconvénient du procédé ci-dessus est que le meulage doit être effectué à faible vitesse afin de ne pas endommager et de ne pas déplacer les pavés. Par conséquent, le procédé est relativement chronophage ou implique un coût accru.
Etape b) L’étape b) comprend l’extraction de l’ADN des microorganismes du rétentat, pour obtenir une solution comprenant de l’ADN extrait.
L’étape b) d’extraction de l’ADN des microorganismes du rétentat comprend : une étape de lyse chimique et, optionnellement enzymatique, notamment au moyen d’une solution de lyse, pour obtenir un premier lysat, et optionnellement, une étape de lyse mécanique du premier lysat, par exemple par broyage, pour obtenir un deuxième lysat.
L’étape de lyse chimique et, optionnellement enzymatique, comprend de préférence de placer le filtre dans un récipient en présence d’une solution de lyse, de sorte que le filtre et le rétentat présent sur le filtre soient au contact de la solution de lyse. Le récipient est mis, de préférence sous agitation, de préférence au moyen d’un agitateur vortex, par exemple pendant une minute.
Le fait de placer le filtre lui-même dans la solution de lyse permet d’augmenter le rendement de l’extraction.
Toute solution de lyse bien connue de l’homme du métier pour l’extraction d’ADN peut être utilisée.
Par exemple, la solution de lyse comprend au moins un agent chaotropique, au moins un agent dénaturant et/ou au moins un détergent.
Par exemple, la solution de lyse comprend du chlorure de guanidinium et/ou du SDS (dodécylsulfate de sodium) et/ou du CTAB (bromure de cétyltriméthylammonium).
La solution de lyse peut en outre comprendre au moins une enzyme, par exemple une protéinase K et/ou du lysozyme. Dans ce cas, il s’agit à la fois d’une lyse chimique et enzymatique.
L’étape d’extraction comprend de préférence en outre une étape de lyse mécanique du premier lysat, par exemple par broyage, pour obtenir un deuxième lysat.
L’étape de lyse mécanique, en particulier par broyage, permet également d’augmenter le rendement de l’extraction.
L’étape de lyse mécanique est par exemple effectuée en plaçant le premier lysat dans un récipient en présence de billes, puis en broyant l’ensemble.
Les billes sont par exemple des billes de verre, par exemple d’un diamètre de 0,5 mm.
Le broyage peut par exemple comprendre plusieurs cycles, par exemple 3 cycles de broyage, par exemple d’une durée de 30 secondes, par exemple à environ 8000 g (par exemple à 5500 rpm dans un broyeur Precellys Evolution) entrecoupés d’une pause, par exemple de 30 secondes.
La solution comprenant l’ADN extrait est la solution obtenue à l’issue de l’étape de lyse chimique et, optionnellement enzymatique, i.e. le premier lysat, ou, si une étape de lyse mécanique est réalisée, la solution obtenue à l’issue de l’étape de lyse mécanique, i.e. le deuxième lysat.
Dans un mode de réalisation préféré, l’étape b) d’extraction de l’ADN des microorganismes du rétentat comprend : une étape de lyse chimique, au moyen d’une solution de lyse, pour obtenir un premier lysat, et une étape de lyse mécanique du premier lysat, de préférence par broyage, pour obtenir un deuxième lysat.
Dans ce mode de réalisation préféré, il n’y a donc pas de lyse enzymatique.
Par exemple, la lèvre de blocage 2023A s’étend sur la totalité de la périphérie de ladite extrémité libre du pion 2023.
Dans un autre exemple de réalisation, non représenté, la lèvre de blocage 2023A s’étend sur moins de la moitié de la périphérie de ladite extrémité libre du pion 2023.
Dans le présent exemple, l’extrémité libre du pion 2023 porte en outre sur sa périphérie un ergot de blocage 2023B du pion 2023 dans l’alésage 2014.
Dans un autre exemple de réalisation, non représenté, l’extrémité libre du pion 2023 ne porte pas un tel ergot de blocage.
Ce ou ces éléments de blocage sont dimensionnés pour empêcher le retrait du pion hors de l’alésage, sauf à appliquer une force de démontage prédéterminée.
La est une vue de détail d’un pion 2023 du capot mobile 202 logé dans un alésage 2014 du capot fixe 201 lorsque le capot mobile 202 est en position fermée.
On note que l’ergot de blocage 2023B et la lèvre de blocage 2023A s’étendent symétriquement par rapport à l’axe vertical de symétrie du pion 2023, et sont disposés en vis-à-vis sur la périphérie de l’extrémité libre du pion 2023.
La est une vue de détail d’un pion 2023 du capot mobile 202 logé dans un alésage 2014 du capot fixe 201 lorsque le capot mobile 202 est en position ouverte, l’ergot de blocage 2023B et la lèvre de blocage 2023A ayant pivoté de 90° par rapport à leur position de la .
La est une vue de détail de la montrant un pion 2023 du capot mobile 202 inséré dans un alésage 2014 du capot fixe 201.
La mise en œuvre de lèvres de blocage et éventuellement d’ergots de blocage assure un assemblage fiable et une rotation aisée du capot mobile sur le capot fixe du couvercle, sans risque de désolidarisation intempestif des deux capots.
Comme visible sur les figures 3, 4 et 11 notamment, le capot mobile 202 mobile présente sur un premier bord libre une patte de préhension 2021. Celle-ci permet de saisir et déplacer aisément le capot mobile 202 autour du capot fixe 201 pour ouvrir ou fermer la poubelle 1. Le capot mobile 202 coiffe, dans une position d’ouverture de la poubelle 1, le capot fixe 201 et donne accès à l’ouverture pour déposer des déchets dans la poubelle 1.
Dans la position de fermeture de la poubelle 1, le capot mobile 202 ferme l’ouverture d’accès à la poubelle 1 et prolonge la paroi 2012 incurvée du capot fixe 201 de sorte à former une demi-sphère surplombant le socle 2011 du couvercle 20.
Lorsque des ordures doivent être jetées dans la poubelle 1, le capot mobile 202 est ouvert à la main par basculement à l’aide de la patte de préhension 2021 jusqu’à ce qu’il coiffe la paroi 2012 incurvée du capot fixe 201.
L’ouverture pour déposer des déchets est en forme de quart de sphère dans la configuration ouverte de la poubelle 1.
L’ouverture du capot mobile 202 à 90° permet de faciliter l’introduction des déchets tout en évitant les salissures sur le couvercle 20 qui reste donc propre.