Dispositif de détection (D1) configuré pour détecter des rayonnements infrarouges à une température de fonctionnement prédéterminée, comprenant au moins un pixel (Pxl) réalisé par un empilement de couches sur un substrat (SUB) selon la première direction (Z) normale audit substrat (SUB), ledit pixel comprenant une hétérostructure d’absorption (SPA) ; ladite hétérostructure d’absorption (SPA) comprenant au moins: une première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) ayant une première valeur de maximum de bande de valence (Ev 1 ) ; et une deuxième structure planaire d’absorption (C 12 , SR 2 ) adjacente à la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) ; ladite deuxième structure planaire d’absorption (C 12 , SR 2 ) ayant une deuxième valeur de maximum de bande de valence (Ev 2 ) distincte de la première valeur de maximum de bande de valence (Ev 1 ) ; l’épaisseur (e 11 , e 12 , e SR1 , e SR2 ) de chacune de la première et de la deuxième structure planaire d’absorption étant choisie de manière à créer au moins un champ électrique d’interface (E) au niveau de l’interface entre la deuxième structure planaire d’absorption (C 12 , SR 2 ) et la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) ; ledit champ électrique d’interface (E) étant orienté selon ladite première direction (Z). Dispositif de détection (D1) selon la revendication 1 dans lequel la différence entre la première valeur de maximum de bande de valence (Ev 1 ) et la deuxième valeur de maximum de bande de valence (Ev 2 ) est inférieure à quatre fois le produit de la constante de Boltzmann par la température de fonctionnement. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel l’épaisseur (e 11 , e 12 , e SR1 , e SR2 ) de chacune de la première et de la deuxième structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1, C 12 , SR 2 ) est supérieure ou égale à 20 nm. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) présente un premier gap d’énergie (Eg 1 ) et la deuxième structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) présente un deuxième gap d’énergie (Eg 2 ) ; l’écart absolu entre le premier gap d’énergie (Eg 1 ) et le deuxième gap d’énergie (Eg 2 ) est inférieur ou égal à 20 meV . Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) présente une première valeur de minimum de bande de conduction (Ec 1 ) et la deuxième structure planaire d’absorption (C 12 , SR 2 ) présente une deuxième valeur de minimum de bande de conduction (Ec 2 ) distincte de la première valeur de minimum de bande de conduction (Ec 1 ) avec un écart d’énergie inférieur à quatre fois le produit de la constante de Boltzmann par la température de fonctionnement. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’hétérostructure d’absorption (SPA) comprend une alternance périodique de la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) et de la deuxième structure planaire d’absorption (C 21 , SR 2 ). Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel l’hétérostructure d’absorption (SPA) est dopée par des dopants de type N ou P, la concentration desdits dopants étant asymétrique de part et d’autre d’au moins une interface entre une première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) et une deuxième structure planaire d’absorption (C 12 , SR 2 ). Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel ledit pixel (Pxl) comprend, en partant du substrat, selon la direction de l’axe du pixel Δ : une électrode inférieure (EL_INF), la zone d’absorption (SPA) et une électrode supérieure (EL_SUP) ; l’hétérostructure d’absorption (SPA) étant dopée par des dopants de type N ou P, la concentration desdits dopants présentant un gradient décroissant en partant de l’interface avec l’électrode inférieure vers l’interface avec l’électrode supérieure. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la zone d’absorption (SPA) comprend un empilement d’une succession de plusieurs structures planaires d’absorption (C 1 , C 2 , C 3 , C 4 , C 5 ) de rang i=1 à N croissant en partant du substrat (SUB) selon la première direction (Z), avec N un entier naturel strictement supérieur à 1, tel que : chaque structure planaire d’absorption (C 1 , C 2 , C 3 , C 4 ) de rang i=1 à N-1 présente une valeur de maximum de bande de valence (Ev i ) strictement supérieure à la valeur de maximum de bande de valence de la structure planaire d’absorption (Ev i+1 ) de rang i+1, de manière à créer au moins un champ électrique d’interface (E) dirigé selon la première direction (Z) au niveau de chaque interface ; ladite succession de plusieurs structures planaires d’absorption (C 1 , C 2 , C 3 , C 4 , C 5 ) comprenant l’ensemble formé par la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) et la deuxième structure planaire d’absorption (C 12 , SR 2 ). Dispositif de détection (D1) selon la revendication 9 dans lequel la différence entre d’une part la valeur de maximum de bande de valence (Ev i ) d’une structure planaire d’absorption (C 1 , C 2 , C 3 , C 4 ) de rang i=1 à N-1 et d’autre part la valeur de maximum de bande de valence (Ev i ) d’une structure planaire d’absorption (C 2 , C 3 , C 4 , C 5 ) adjacente de rang i+1 est inférieure à quatre fois le produit de la constante de Boltzmann par la température de fonctionnement . Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications 9 ou 10 dans lequel l’écart absolu entre les gaps d’énergies associés à deux structures planaires d’absorption (C 1 , C 2 , C 3 , C 4 , C 5 ) adjacentes est inférieur ou égal à 20 meV. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel chaque structure planaire d’absorption est réalisée par des matériaux semiconducteurs de type III-V. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat est en GaSb ou en InAs ou en InP ou en GaAs. Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel : la première structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) est réalisée par une première couche massive (C 11 ) en un premier matériau (m1) ou un premier super-réseau (SR 1 ) ; la deuxième structure planaire d’absorption (C 11 , SR 1 ) est réalisée par une deuxième couche massive (C 12 ) en un deuxième matériau (m2) différent dudit premier matériau ou un deuxième super-réseau (SR 2 ). Dispositif de détection (D1) selon la revendication 14 dans lequel le premier matériau (m1) est l’alliage InAs 1-y Sb y ou l’alliage Ga 1-x In x As ou l’alliage Ga x In 1-x As 1-y Sb y ou l’alliage Ga x In 1-x As 1-y P y . Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications 14 ou 15 dans lequel le deuxième matériau (m2) est l’alliage Ga x In 1-x As 1-y Sb y ou l’alliage Ga 1-x In x As ou l’alliage Ga x In 1-x As 1-y P y . Dispositif de détection (D1) selon la revendication 14 dans lequel le premier super-réseau et/ou le deuxième super-réseau est constitué par une alternance selon une période spatiale prédéterminée (p1, p2) d’un couple de couches en InAs 1-y Sb y /Ga x In 1-x As 1-y Sb y ; ou en In x Ga 1-x As/In x Ga 1-x As 1-y P y ; ou en In x1 Ga 1-x1 As 1-y1 Sb y1 /In x2 Ga 1-x2 As 1-y2 Sb y2 Dispositif de détection (D1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant une matrice de pixels (Pxl) ayant un pas de pixel inférieur ou égal à 15µm.