Procédé de formation d’un circuit intégré, comprenant : - la formation d’une zone de fragilisation (21) dans un substrat donneur (2), ladite zone de fragilisation définissant une couche superficielle (22) du substrat donneur ; - le placement d’au moins deux micropuces (24) et/ou pavés (25) constitués d'un matériau semi-conducteur ou piézoélectrique sur la couche superficielle du substrat donneur fragilisé ; - le revêtement des micropuces et/ou des pavés semi-conducteurs et/ou piézoélectriques par au moins un matériau diélectrique ; - le collage du substrat donneur (2) sur un substrat support (1) comprenant au moins un circuit électronique, les au moins deux micropuces et/ou pavés étant au niveau d’une interface de collage (I) avec le substrat support ; - le détachement du substrat donneur (2) le long de la zone de fragilisation (21) de façon à transférer les micropuces (24) et/ou les pavés (25) et la couche superficielle (22) sur le substrat support (1) ; - la formation d'au moins une interconnexion électrique entre les micropuces et/ou les pavés et d'au moins une interconnexion électrique entre les micropuces et/ou les pavés et le circuit électronique. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la zone de fragilisation (21) comprend l’implantation d’espèces atomiques, telles que l’hydrogène et/ou l’hélium, dans le substrat donneur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, comprenant en outre la découpe du substrat support après la formation desdites interconnexions pour former au moins un module système ou système en boîtier comprenant au moins deux pavés et/ou micropuces. Procédé selon la revendication 3, dans lequel les pavés semi-conducteurs ou piézoélectriques sont plus petits que le module système ou système en boîtier. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel au moins un pavé comprend un matériau semi-conducteur choisi dans le groupe consistant en : les matériaux III-V, en particulier nitrure d’indium (InN), phosphure d’indium (InP), nitrure de gallium (GaN), nitrure d’aluminium (AlN), nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), arséniure d’indium (InAs), arséniure de gallium (GaAs), arséniure d’aluminium (AlAs), phosphure d’indium (InP), phosphure de gallium (GaP) ou phosphure d’aluminium (AlP), et les matériaux IV ou IV-IV, en particulier germanium ou carbure de silicium (SiC). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel au moins un pavé comprend un matériau piézoélectrique choisi dans le groupe consistant en : tantalate de lithium (LiTaO 3 ), niobate de lithium (LiNbO 3 ), aluminate de lanthane (LaAlO 3 ), niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), titanate de baryum (BaTiO 3 ), quartz, titanate-zirconate de plomb (PZT), composés de niobate de plomb et magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), et oxyde de zinc (ZnO). Procédé selon la revendication 5 ou la revendication 6, dans lequel au moins un pavé comprend un matériau semi-conducteur ou piézoélectrique différent d’un matériau semi-conducteur ou piézoélectrique d’au moins un autre pavé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le substrat donneur comprend du silicium, du carbure de silicium ou un empilement de couches de silicium et de carbure de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le détachement du substrat donneur (2) le long de la zone de fragilisation (21) est effectué à une température inférieure à 900 °C, préférentiellement inférieure à 400 °C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre l’enlèvement de la couche superficielle (22) du substrat donneur transféré sur le substrat support (1). Procédé selon la revendication 10, dans lequel l’enlèvement de la couche superficielle (22) du substrat donneur comprend la gravure chimique de ladite couche. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre la formation d’au moins un composant électronique, tel qu’un transistor, un condensateur, une diode et/ou une interconnexion métallique dans ou sur la couche superficielle (22) du substrat donneur transféré sur le substrat support (1). Procédé selon la revendication 12, dans lequel la formation dudit au moins un composant électronique dans ou sur la couche superficielle est effectuée à une température inférieure à 900 °C, préférentiellement inférieure à 400 °C. Procédé selon la revendication 12 ou la revendication 13, comprenant en outre le dépôt d’au moins une couche de redistribution métallique (27) sur la couche superficielle (22). Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, comprenant en outre la formation de vias traversants à travers la couche superficielle pour connecter électriquement les micropuces et/ou les pavés à l’au moins une couche de redistribution. Procédé selon l’une quelconque des revendications 12 à 15, comprenant en outre le dépôt d’au moins une couche de silicium amorphe et/ou polycristallin et/ou d'une couche diélectrique sur la couche superficielle (22). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, comprenant en outre le traitement de chaque pavé pour former un composant RF, un filtre et/ou un amplificateur de puissance. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ledit traitement des pavés est effectué à une température inférieure à 900 °C, préférentiellement inférieure à 400 °C.