Transistor à effet de champ (100, 102) à jonction et à structure latérale, comportant : - au moins une couche support (10) d’un premier type de conductivité, - au moins une couche semiconductrice (14) d’un second type de conductivité superposée à la couche support (10) et apte à former un canal entre une source et un drain, - une première électrode (e1) implantée sur la couche semiconductrice (14) et apte à former la source ou le drain, - une deuxième électrode (e2) implantée sur la couche semiconductrice (14) et apte à former le drain ou la source, - une zone (18) dopée selon le premier type de conductivité en contact d’une part avec la couche semiconductrice (14) et d’autre part avec une borne de connexion de grille (g1) située entre les première et deuxième électrodes (e1, e2) et isolée électriquement des première et deuxième électrodes (e1, e2), le transistor à effet de champ (100, 102) étant caractérisé en ce qu’il comporte en outre une zone supplémentaire (20) dopée selon le premier type de conductivité, en contact avec d’une part la couche semiconductrice (14) et d’autre part avec une autre borne de connexion de grille (g2) située entre la borne de connexion de grille (g1) et la deuxième électrode (e2), et isolée électriquement de la borne de connexion de grille (g1) et de la deuxième électrode (e2). Organe de coupure (200, 202) comportant un transistor à effet de champ (100, 102) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comporte en outre au moins un transistor MOSFET (110, 112) à enrichissement, connecté en série avec le transistor à effet de champ (100) selon un montage cascode. Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension connecté à une batterie (30) haute tension par l’intermédiaire d’au moins un organe de coupure (200) selon la revendication 2, le procédé de gestion (400) étant caractérisé en ce qu’il comporte une étape d’activation (404) de l’organe de coupure (200) comportant des sous-étapes de : - blocage (4040) du transistor à effet de champ (100) par application d’une tension de blocage entre une des bornes de connexion de grille (g2) et celle de la première ou de la deuxième électrode (e2) utilisée comme source du transistor à effet de champ (100) - mise en conduction (4042) du transistor MOSFET (110), et - attente (4044) d’une demande de fermeture de l’organe de coupure (200). Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension selon la revendication 3, comportant une étape de précharge d’au moins une capacité (28) connectée au réseau (300) haute tension, l’étape de précharge comportant une limitation du courant (Ic) traversant l’organe de coupure (200) par une variation progressive de la tension (Vg2) entre ladite une des bornes de connexion de grille (g2) et celle de la première ou de la deuxième électrode (e2) utilisée comme source du transistor à effet de champ (100). Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension selon la revendication 3, comportant une étape de précharge d’au moins une capacité (28) connectée au réseau (300) haute tension, l’étape de précharge comportant l’envoi d’impulsions de courant sur le réseau (300) haute tension, réalisées par des fermetures et ouvertures successives de l’organe de coupure (200). Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension selon la revendication 3, comportant une étape de précharge (406) d’au moins une capacité (28) connectée au réseau (300) haute tension, l’étape de précharge (406) comportant : -une sous-étape d’envoi d’impulsions (4060) de courant sur le réseau haute tension, réalisées par des fermetures et ouvertures successives de l’organe de coupure (200), suivie - d’une sous-étape de limitation du courant (4062) traversant l’organe de coupure (200) par une variation progressive de la tension (Vg2) entre ladite une des bornes de connexion de grille (g2) et celle de la première ou de la deuxième électrode (e2) utilisée comme source du transistor à effet de champ (100). Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension selon l’une quelconque des revendications 3 à 6, comportant une étape d’ouverture (416) de l’organe de coupure (200) alors que celui-ci est traversé par un courant (Ic) non nul, l’étape d’ouverture (416) comportant un asservissement de la tension entre ladite une des bornes de connexion de grille (g2) et celle de la première ou de la deuxième électrode (e2) utilisée comme source du transistor à effet de champ (100) en fonction de la tension (Vc) aux bornes de l’organe de coupure (200) et/ou en fonction d’une variation du courant (Ic) traversant l’organe de coupure (200) en fonction du temps (t). Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension selon l’une quelconque des revendications 3 à 6, comportant une étape d’ouverture (414) de l’organe de coupure (200), celui-ci étant traversé par un courant (Ic) nul, l’étape d’ouverture (414) comportant les sous-étapes de : - blocage (4140) du transistor à effet de champ (100) par application d’une tension de blocage entre ladite une des bornes de connexion de grille (g2) et celle de la première ou de la deuxième électrode (e2) utilisée comme source du transistor à effet de champ (100), - blocage (4142) du transistor MOSFET (110), - coupure (4144) d’une alimentation d’un circuit de commande (4) de l’organe de coupure (200). Procédé de gestion (400) de la fourniture d’énergie dans un réseau (300) haute tension selon l’une quelconque des revendications 4 à 6, dans laquelle l’étape de précharge (406) est suivie d’une étape de recharge (408) de la batterie (30) haute tension par une borne de charge. Véhicule comportant une batterie (30) haute tension et un réseau (300) haute tension, chacune des bornes de la batterie (30) haute tension étant connectée au réseau (300) haute tension par l’intermédiaire d’un organe de coupure (200, 202) selon la revendication 2.