INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La quantité du ou des (c) alcool(s) monovalent(s) dans la composition selon la présente invention peut être de 0,01 % en poids ou plus, de préférence de 0,1 % en poids ou plus, et plus préférentiellement de 1 % en poids ou plus, par rapport au poids total de la composition.
Par ailleurs, la quantité du ou des (c) alcool(s) monovalent(s) dans la composition selon la présente invention peut être de 20 % en poids ou moins, de préférence de 15 % en poids ou moins et, plus préférentiellement, de 10 % en poids ou moins, par rapport au poids total de la composition.
La quantité du ou des (c) alcool(s) monovalent(s) dans la composition selon la présente invention peut aller de 0,01 % à 20 % en poids, préférentiellement de 0,1 % à 15 % en poids, et plus préférentiellement de 1 % à 10 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
la composition de remise en forme des fibres kératineuses comprend
(a-4) les amines cycliques et leurs sels ; et
(a-5) les hydroxylamines à l’exception de la monoéthanolamine, et leurs sels ;
(a-6) des composés choisis dans le groupe consistant en les esters d’acide aminé, urées, guanidines, amides, sels de ceux-ci et mélanges de ceux-ci, et
la composition a un pH de 7,5 à 12.0, de préférence de 8,0 à 11,5, et plus préférentiellement de 8,5 à 11,0.
Les détails de la composition utilisée dans le processus selon la présente invention sont déjà expliqués dans la section intitulée [Composition] ci-dessus. Ainsi, la composition utilisée dans le processus selon la présente invention peut être la même que la composition selon la présente invention.
Le processus selon la présente invention est destiné à remettre en forme ou à déformer, de préférence à onduler ou raidir de façon temporaire ou permanente, et plus préférentiellement à onduler ou raidir de façon permanente, des fibres kératineuses telles que les cheveux.
En variante, la deuxième extrémité du pied et la pieuvre de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol est fixée indirectement au sol.
Dans un premier mode de réalisation de cette variante, la deuxième extrémité du pied et la pieuvre de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol sont fixés sur un bloc de béton, de préférence installé au sol.
Dans un deuxième mode de réalisation de cette variante, la deuxième extrémité du pied et la pieuvre de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol sont chacune fixée sur un pieu, de préférence installé dans le sol.
Le pied de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol peut être un tube métallique, notamment de section carrée, ou peuvent être chacun un profilé métallique ouvert, notamment de type C, Omega, W ou UPAF.
Les premier et deuxième bracons sont de préférence symétriques par rapport au plan médian de la structure métallique fixe d’ancrage au sol.
Les troisième et quatrième bracons sont de préférence symétriques par rapport au plan médian de la structure métallique fixe d’ancrage au sol
Chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol peut comporter une traverse reliant entre eux les longerons inférieur et supérieur, cette traverse s’étendant dans le plan médian de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol.
Chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol peut comporter un cinquième bracon reliant le longeron supérieur à la pieuvre, ce cinquième bracon s’étendant dans le plan médian de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol.
Chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol peut comporter un sixième bracon reliant le longeron inférieur à la pieuvre, ce sixième bracon s’étendant dans le plan médian de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol.
La structure métallique peut comporter une, deux, trois, quatre, cinq, six ou sept traverses reliant entre eux les longerons inférieur et supérieur.
La ou les traverses reliant entre eux les longerons inférieur et supérieur s’étendent de préférence selon une direction qui est perpendiculaire à la direction principale d’extension.
Lorsque la structure métallique comporte plusieurs traverses reliant entre eux les longerons inférieur et supérieur, notamment deux, trois, quatre, cinq, six ou sept traverses, ces dernières sont de préférence parallèles entre elles.
De préférence, la structure métallique comporte une traverse reliant les extrémités supérieures des premier et troisième bracons de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol.
De préférence, la structure métallique comporte une traverse reliant les extrémités supérieures des deuxième et quatrième bracons de chaque structure métallique fixe d’ancrage au sol.
La sous-couche est en général du silicium déposé par projection thermique (APS ou VPS). Dans le cas d’une oxydation de cette couche, une couche de silice se forme entre le silicium et les couches supérieures de l’EBC et passive le système.
Toutefois, après de nombreuses études, le déposant a constaté que la formation de cette silice induit un changement de volume qui conduit à un endommagement de l’EBC pouvant aller jusqu’à l’écaillage du système de protection.
En outre, pour une pièce en CMC revêtue de son revêtement, il est aujourd’hui nécessaire de gérer la thermique pour que la température d’interface sous-couche Si / EBC soit en-dessous de la température de fusion du silicium, soit à une température inférieure à 1415°C. Ainsi, le point de fusion du silicium de 1415°C représente une limitation en température pour la sous-couche d’une EBC.
Il existe donc un besoin pour améliorer la durée de vie des barrières environnementales et augmenter la température d’utilisation de ces dernières.
L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en remplaçant la sous-couche de silicium d’un revêtement de type barrière environnementale par une sous-couche d’oxynitrure de silicium Si x N y O z . Ce revêtement de type barrière environnementale EBC sera ci-après simplement désigné en tant que revêtement.
Un aspect de l’invention concerne un revêtement pour composite à matrice céramique, comprenant une première couche, dite sous-couche, et une seconde couche, dite couche de finition ou top coat en anglais, dans lequel la sous-couche comprend un oxynitrure de silicium de formule Si x N y O z .
Avantageusement, toutes les valeurs de x, y, z de la formule de l’oxynitrure de silicium sous la forme Si x N y O z appartiennent à une droite définie entre Si3N4 (avec x=3/7, y=4/7 et z=0) et SiO 2 (avec x=1/3, y=0 et z=2/3).
Selon un aspect de l’invention, la formule de l’oxynitrure de silicium sous la forme Si x N y O z est notée SiN ( 4/3)w O 2 (1-w) , avec 0 ≤ w ≤ 1, x=1, y=(4/3)w et z = 2(1-w).
Selon un autre aspect de l’invention, l’oxynitrure de silicium est de formule Si 2 N 2 O.
Un autre aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication du revêtement tel que décrit précédemment, dans lequel la sous-couche est déposée par un procédé de dépôt en voie gazeuse.
Selon un aspect de l’invention, la sous-couche est déposée par l’un des procédés suivants : dépôt chimique en phase vapeur, dépôt physique en phase vapeur.
Selon un aspect de l’invention, la couche de finition comprend une ou plusieurs couches choisies parmi : une couche de silicate de terre rare, une couche de di-silicate de terre rare, une couche de mono-silicate de terre rare, une couche de barium-strontium-aluminum-silicium et une couche de mullite.
Un aspect de l’invention concerne également un procédé de fabrication du revêtement tel que décrit précédemment, dans lequel la couche de finition est déposée par l’un des procédés suivants : projection thermique, revêtement au trempé, et électrophorèse.
Un aspect supplémentaire de l’invention concerne un ensemble comprenant un élément en matériau composite à matrice céramique et un revêtement recouvrant au moins partiellement ledit élément, dans lequel le revêtement est un revêtement tel que décrit précédemment.
Selon un aspect de l’invention, l’ensemble est une chambre de combustion, un liner de chambres de combustion, un anneau de turbine haute pression, un distributeur haute pression, une aube de turbine haute pression ou une aube de turbine basse pression.
Un autre aspect de l’invention concerne un aéronef équipé d’un ensemble tel que décrit précédemment.
Le revêtement de l’invention présente de nombreux avantages par rapport aux solutions actuelles.
En effet, un oxynitrure de silicium Si x N y O z peut être stable à très haute température. Avec un point de fusion d’environ 1600°C, il présente une stabilité thermique supérieure à celle du silicium.
Le revêtement de l’invention présente également une meilleure résistance à l’oxydation que le silicium et donc une cinétique de formation de la TGO plus lente.
En outre, il présente un coefficient de dilatation plus proche de celui du matériau composite à matrice SiC/SiC ou SiC/SiC-MI, comparativement au silicium.
Enfin, le revêtement de l’invention joue avantageusement un rôle de barrière de diffusion permettant de limiter la migration éventuelle du bore depuis le matériau sous-jacent vers la couche de finition.
Ainsi, les principaux avantages du nouveau revêtement de l’invention sont d’améliorer la durée de vie des EBC et d’autoriser une augmentation de la température à l’interface entre la sous-couche et la couche de finition d’une EBC.
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt physique en phase vapeur (PVD) permettent avantageusement de fournir une couche d’oxynitrure de silicium à la fois dense, homogène et de faible épaisseur.
est une vue en coupe schématique d’un ensemble comprenant un élément en matériau composite à matrice céramique et un revêtement selon l’invention.
est une photographie d’un substrat nu de type SiC avant traitement thermique.
est une photographie du substrat nu de après un traitement thermique à 1450°C.
est une photographie d’un substrat de type SiC recouvert d’un dépôt de Si 2 N 2 O 0,6 avant traitement thermique.
est une photographie du substrat de après un traitement thermique à 1450°C.
Le revêtement 1 selon l’invention est prévu pour protéger une pièce ou un élément 2 en composite à matrice céramique (CMC) contre l'atmosphère environnante oxydante et/ou corrosive où elles sont situées. Il est notamment prévu pour protéger une pièce ou un élément 2 en CMC dont le renfort est à base de carbure de silicium, par exemple de type SiC/SiC ou SiC/SiC-MI.
La représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un exemple d'un système électronique 1 comprenant un dispositif REFGEN de génération de tension de référence selon un mode de réalisation.
Plus particulièrement, le système 1, correspondant par exemple à une portion d'une puce de circuit intégré, comprend un dispositif IP, par exemple une mémoire résistive, et le dispositif REFGEN.
Le dispositif IP est alimenté par une tension d'alimentation VDDE, par exemple disponible sur un plot de connexion de la puce. A titre d'exemple, la tension VDDE a une valeur nominale sensiblement égale 3,3 V. Le dispositif IP comprend une borne configurée pour recevoir la tension VDDE, et une autre borne configurée pour recevoir un potentiel de référence GND, par exemple la masse, auquel est référencée la tension VDDE.
Le dispositif IP comprend des structures cascodes à transistors MOS. Par exemple, le dispositif IP comprend des structures cascodes 100 à transistors MOS à canal N et des structures cascodes 102 à transistors MOS à canal P.
A titre d'exemple, chaque structure 100 comprend deux transistors MOS T1 et T2 à canal N connectés en série entre un noeud 104 recevant la tension VDDE et un noeud 106 recevant le potentiel GND. Le transistor T1 a sa source connectée au noeud 106 et son drain connecté à la source du transistor T2, la source du transistor T2 étant couplée au noeud 104 par une charge L. La grille du transistor T2 est configurée pour recevoir une tension de référence ou de polarisation VrefH. Le transistor T2 est, par exemple, appelé transistor cascode. La grille du transistor T1 est configurée pour recevoir une tension de commande comprise entre 0 V et la tension de polarisation VrefH.
De manière symétrique, à titre d'exemple, chaque structure 102 comprend deux transistors MOS T3 et T4 à canal P connectés en série entre les noeuds 104 et 106. Le transistor T2 a sa source connectée au noeud 104 et son drain connecté à la source du transistor T2, la source du transistor T2 étant couplée au noeud 106 par une charge L. La grille du transistor T4 est configurée pour recevoir une tension de référence ou de polarisation VrefL. Le transistor T4 est, par exemple, appelé transistor cascode. La grille du transistor T3 est configurée pour recevoir une tension de commande comprise entre la tension de référence VrefL et la tension d'alimentation VDDE.
Dans la suite de la description, on appelle Vmax la tension maximale qui peut être appliquée entre la grille et la source ou entre la source et le drain de chacun des transistors du dispositif IP sans que cela n'endommage le transistor. Dit autrement, Vmax est la limite de tenue en tension des transistors MOS du dispositif IP.
De préférence, les tensions VrefL et VrefH ont des valeurs différentes. Par exemple, pour optimiser le fonctionnement des transistors à canal N et à canal P du dispositif IP, la tension VrefL est choisie égale à tension VDEE moins la tension VrefH. Toutefois, dans d'autres exemples, les tensions VrefL et VrefH ont la même valeur.
Les tensions VrefH et VrefL sont reçues par le dispositif IP.
Le dispositif REFGEN est configuré pour fournir les tensions VrefL et VrefH. Le dispositif REFGEN est alimenté par la tension VDDE. Le dispositif REFGEN a, par exemple, une borne recevant la tension VDDE, et une autre borne recevant le potentiel de référence GND.
Selon un mode de réalisation, le dispositif REFGEN est en outre configuré pour recevoir une tension d'alimentation VDD et un signal binaire EN-S.
La tension VDD a une valeur nominale plus faible que celle de la tension VDDE. En particulier, la tension VDD est inférieure à la limite de tenue en tension Vmax. Par exemple, le résultat de la soustraction de la valeur nominale de la tension VDD à celle de la tension VDDE est inférieure à la limite de tenue en tension des transistors T1, T2, T3 et T4 du dispositif IP. A titre d'exemple, la tension VDD est une tension générée par un circuit (non représenté) de la puce de circuit intégré comprenant le système 1.
Le signal EN-S est un signal binaire dont le niveau bas correspond à une tension nulle, et dont le niveau haut correspond à la tension VDD. Le signal EN-S est configuré pour être par défaut à son niveau bas. Le signal EN-S est en outre configuré pour être à son niveau bas lorsque la valeur courante de la tension VDDE est supérieure à la tension Vmax. Lorsque la valeur courante de la tension VDDE est inférieure à la tension Vmax, le niveau du signal EN-S est déterminé par un signal de commande cmd. Par exemple, la mise au niveau du signal EN-S avec le signal cmd lorsque la tension VDDE est inférieure à la tension Vmax correspond à un mode de fonctionnement basse consommation où la tension VDDE est à une valeur courante plus faible que sa valeur nominale, par exemple une valeur courante égale à la valeur nominale de la tension VDD.
A titre d'exemple, le système 1 comprend un circuit 108 configuré pour recevoir les tensions VDDE et VDD, le potentiel GND et le signal cmd, et pour fournir le signal EN-S. La mise en œuvre d'un tel circuit 108, et, plus généralement la génération du signal EN-S, sont à la portée de la personne de métier, par exemple en utilisant des circuits usuels de réinitialisation à l'allumage (PoR de l'anglais "Power-on Reset").
Selon un mode de réalisation du système de conditionnement thermique 100, le circuit 200 de liquide caloporteur LC comprend un sixième capteur de température T6, non représenté, de mesure de la température du liquide caloporteur LC en aval de l’échangeur de chaleur bifluide 7 selon le sens du flux de liquide caloporteur Flc. Un signal de sortie dudit cinquième capteur de température T6 de mesure de la température du liquide caloporteur LC en aval de l’échangeur de chaleur bifluide est la valeur de ladite température du liquide caloporteur LC en aval de l’échangeur de chaleur bifluide.
Selon un mode de réalisation du système de conditionnement thermique 100, le système de conditionnement thermique 100 comprend un septième capteur de température T7, non représenté, de mesure de la température de fluide caloporteur Tfce en amont du premier échangeur de chaleur 4 selon le sens de circulation du flux de fluide caloporteur. Un signal de sortie dudit septième capteur de température T7 de mesure de la température de fluide caloporteur Tfce en amont du premier échangeur de chaleur 4 est la valeur de ladite température de fluide caloporteur Tfce. La présence de ce septième capteur de température T7 de mesure de la température de fluide caloporteur Tfce en amont du premier échangeur de chaleur 4 fait sens dans un mode de réalisation du système de conditionnement thermique 100 dans lequel le flux de fluide caloporteur Ffc et le flux air intérieur Fi sont deux flux distincts.
La illustre l’exemple de réalisation du système de conditionnement thermique 100 fonctionnant dans un mode de chauffage dit mode « pompe à chaleur », dans lequel l’air extérieur sert de source de chaleur pour évaporer le fluide réfrigérant FR dans le deuxième échangeur de chaleur 5, ladite chaleur prélevée par le deuxième échangeur de chaleur 5 étant restituée par le premier échangeur de chaleur 4 au fluide caloporteur FC le traversant, grâce à la compression du fluide réfrigérant FR au sein du dispositif de compression 3. Dans cet exemple de réalisation comme déjà indiqué précédemment, le flux de fluide caloporteur Ffc est un flux d’air interne Fi destiné à la cabine. Dans ledit mode « pompe à chaleur », le fluide réfrigérant FR circule uniquement dans la boucle principale A. Ledit fluide réfrigérant FR est comprimé dans le dispositif de compression 3, puis traverse le premier échangeur de chaleur 4 dans lequel il cède de la chaleur au flux d’air interne Fi le traversant. Le fluide réfrigérant FR rejoint ensuite l’entrée 15a de la vanne trois voies 15, traverse ladite vanne 3 voies 15 et sort par la sortie 15c de ladite vanne 3 voies 15. Le fluide réfrigérant FR traverse ensuite le quatrième organe de détente 14 dans lequel il subit une première détente dite pré-détente, avant d’entrer dans le dispositif d’accumulation 10. Dans cet exemple de réalisation comme déjà indiqué précédemment, le dispositif d’accumulation 10 est une bouteille 10’ de séparation gaz/liquide. Le fluide réfrigérant FR en sortie de la bouteille 10’ entre ensuite dans le premier organe de détente 6 où il subit une seconde détente dite détente principale, avant d’entrer dans le deuxième échangeur de chaleur 5 où il s’évapore et absorbe de la chaleur du flux d’air extérieur Fe. Le fluide réfrigérant FR traverse ensuite la vanne d’arrêt 18, ladite vanne d’arrêt 18 étant alors dans une position ouverte, puis traverse le premier clapet anti-retour 11 avant de rejoindre l’entrée du dispositif de compression 3.
La illustre l’exemple de réalisation du système de conditionnement thermique 100 fonctionnant dans un mode dit mode « chauffage électrique», dans lequel le dispositif de chauffage électrique est actif et sert de source de chaleur pour chauffer le liquide caloporteur LC et évaporer le fluide réfrigérant FR dans l’échangeur de chaleur bifluide, la chaleur étant restituée par le premier échangeur de chaleur au fluide caloporteur FC le traversant, grâce à la compression du fluide réfrigérant FR au sein du dispositif de compression 3, sans circulation de fluide réfrigérant FR au sein du deuxième échangeur de chaleur 5. Dans ledit mode « chauffage électrique », le fluide réfrigérant FR circule dans une partie de la boucle principale A et dans la première branche secondaire B. Ledit fluide réfrigérant FR est comprimé dans le dispositif de compression 3, puis traverse le premier échangeur de chaleur 4 dans lequel il cède de la chaleur au flux d’air interne Fi le traversant. Le fluide réfrigérant FR rejoint ensuite l’entrée 15a de la vanne trois voies 15, traverse ladite vanne 3 voies 15 et sort par la sortie 15c de ladite vanne 3 voies 15. Le fluide réfrigérant FR traverse ensuite le quatrième organe de détente 14 dans lequel il subit une première détente dite pré-détente, avant d’entrer dans le dispositif d’accumulation 10. Dans cet exemple de réalisation comme déjà indiqué précédemment, le dispositif d’accumulation 10 est une bouteille 10’ de séparation gaz/liquide. Le fluide réfrigérant FR prend la première branche secondaire B depuis le point de dérivation d1 et rejoint le deuxième organe de détente 8 où il subit une détente avant d’entrer dans l’échangeur de chaleur bifluide 7 où il s’évapore et absorbe de la chaleur du flux de liquide caloporteur Flc. Le fluide réfrigérant FR rejoint ensuite l’entrée du dispositif de compression 3. Au sein du circuit caloporteur 200, le pompe 19 met en circulation le liquide caloporteur LC pour créer un flux de fluide caloporteur Flc traversant successivement le dispositif de chauffage électrique 9 et l’échangeur de chaleur bifluide 7. Le dispositif de chauffage électrique étant actif et chauffant le liquide caloporteur LC quand celui-ci le traverse.
La illustre un exemple de cartographie de choix de mode entre le mode « pompe à chaleur », le mode « pompe à chaleur et chauffage électrique » et le mode « chauffage électrique », appliquée par le procédé 2 selon un aspect de l’invention, et dépendant au moins d’une puissance de chauffage de consigne HC et de la température extérieure Text.
Dans au moins un premier intervalle I1,I1’ de température extérieure, le mode de chauffage est choisi selon ladite cartographie, ce choix n’est pas modifié tant que la température extérieure reste dans ledit premier intervalle I1, I1’ de température extérieure. Lorsque la température extérieure Text est par exemple inférieure à -20°, le mode choisi est le mode « chauffage électrique ».
Dans au moins un deuxième intervalle I2 de température extérieure, par exemple entre -20°C et 0°C, le mode de chauffage initial est choisi dans un premier temps selon ladite au moins une cartographie dépendant de la température extérieure Text et de la puissance de chauffage de consigne HC, puis dans un second temps selon des conditions de passage d’un mode de chauffage vers un autre. Lors du fonctionnement du système de conditionnement thermique 100, le choix de mode est de nouveau appliqué selon la cartographie dès lors que la température extérieure Text et/ou la puissance de chauffage de consigne sont modifiées depuis le dernier choix issu de la cartographie et suggèrent un changement de mode selon ladite cartographie. Dans ledit second intervalle I2 de température, tant que la température extérieure Text et la puissance de chauffage de consigne HC sont figées, le procédé 2 vérifie des conditions de passage d’un mode de chauffage vers selon un aspect du procédé 2 de l’invention.
Dans le au moins premier intervalle I1, I1’ de température extérieure Text, la cartographie indique le mode de fonctionnement à exécuter qui est capable d’atteindre la performance de chauffage souhaitée avec le moins de consommation électrique possible. On entend par consommation électrique la somme de la consommation du dispositif de compression 3 et du dispositif de chauffage électrique 9. Dans le au moins deuxième intervalle I2 de température extérieure Text, la cartographie indique dans un premier temps en première approximation le mode de fonctionnement à exécuter qui est capable d’atteindre la performance de chauffage souhaitée avec le moins de consommation possible. Ce sont ensuite les vérifications de critères de conditions de passage d’un mode vers un autre qui viennent préciser dans un second temps le mode de fonctionnement à exécuter qui est capable d’atteindre la performance de chauffage souhaitée avec le moins de consommation possible.
La cartographie est définie préalablement et enregistrée sur une mémoire de l’unité de commande centrale UC.
La définition préalable de ladite cartographie est basée par exemple sur des calculs théoriques et/ou des tests en laboratoire et/ou en conditions réelles.