Procédé de fabrication d’une pluralité de substrats (200) de carbure de silicium polycristallin, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : la formation d’une structure multicouches par le dépôt alterné d’une pluralité de couches de carbure de silicium polycristallin (20, 21, 22, 23, 24) et d’une pluralité de couches de séparation (30, 31, 32, 33) sur au moins une face d’un substrat support temporaire (10), le détachement de chaque couche de silicium polycristallin (20, 21, 22, 23, 24) de la structure multicouche par retrait du substrat temporaire (10) et de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) pour former un substrat (200) de silicium polycristallin respectif. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel le dépôt de chaque couche de carbure de silicium polycristallin (20, 21, 22, 23, 24) et de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est effectué simultanément sur toute la surface extérieure du substrat support temporaire (10) et/ou de la couche sous-jacente respective. Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre une étape de retrait des bords de la structure multicouche après le dépôt de la couche finale de carbure de silicium polycristallin (24), de sorte à exposer un bord du substrat support temporaire (10). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat support temporaire (10) est en graphite. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est en carbone, en graphite, en silicium ou en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) est réalisé par combustion sous un flux d’oxygène à une température comprise entre 700 et 1100 °C, de préférence entre 800°C et 900°C. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel le retrait de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est réalisé par combustion. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le retrait de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est réalisé par sciage ou par gravure chimique ou par découpe par laser. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur du substrat support temporaire (10) est comprise entre 1 et 15mm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de chaque couche de carbure de silicium polycristallin (20, 21, 22, 23, 24) est comprise entre 300 et 1200 µm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est comprise entre 1 et 50 µm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’épaisseur de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est comprise entre 1 et 500 nm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) augmente avec la distance du substrat support temporaire. Procédé de fabrication d’une pluralité de substrats comprenant un substrat de base de carbure de silicium polycristallin (200) et une couche (40) d’un matériau monocristallin, le procédé comprenant successivement : un procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes pour fabriquer chaque substrat de carbure de silicium polycristallin, le lissage d’une face avant de chaque substrat de base (200) de carbure de silicium polycristallin, et le transfert d’une couche (40) d’un matériau monocristallin sur la face avant de chaque substrat de base (200) de carbure de silicium monocristallin. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le transfert de la couche (40) de matériau monocristallin comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation (41) par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur (400) en un matériau monocristallin pour délimiter une couche de matériau monocristallin à transférer, le collage dudit substrat donneur (400) sur la face avant du substrat de base (200), le détachement du substrat donneur (400) le long de la zone de fragilisation (41) de sorte à transférer la couche (40) du matériau monocristallin sur le substrat de base (200). Substrat intermédiaire comprenant : un substrat support temporaire (10), sur au moins une face du substrat temporaire (10), un empilement alterné d’une pluralité de couches de carbure de silicium polycristallin (20, 21, 22, 23, 24) et de couches de séparation (30, 31, 32, 33). Substrat intermédiaire selon la revendication 16, dans lequel le substrat support temporaire (10) est en graphite. Substrat support intermédiaire selon la revendication 16 ou la revendication 17, dans lequel chaque couche de séparation (30, 31, 32, 33) est en carbone, en graphite, en silicium ou en nitrure de silicium.