INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Enfin, l’invention concerne aussi un procédé de fabrication d’un module lumineux 1 selon l’invention selon l’invention comprenant les étapes successives suivantes : fourniture d’une couche de support 4 flexible ; dépôt d’une couche intermédiaire 5 comprenant plusieurs éléments électroluminescents 6 distincts formés par les étapes suivantes : dépôt d’une première couche d’électrode 8 flexible en matériau conducteur en plusieurs emplacements situés sur la couche de support 4 flexible ; dépôt d’une couche électriquement isolante 9 flexible en matériau diélectrique en plusieurs emplacements situés chacun sur une première couche d’électrode 8 ; dépôt d’une couche électroluminescente 10 flexible comprenant une couche de luminophore 12 en plusieurs emplacements situés chacun sur une couche électriquement isolante 9 ; dépôt d’une seconde couche d’électrode 11 flexible et transparente en matériau conducteur en plusieurs emplacements situés chacun sur une chaque couche électroluminescente 10 ; dépôt d’une couche de protection 7 flexible et transparente sur la couche intermédiaire 5 ; et comprenant également les étapes suivantes : fourniture, pour chaque élément électroluminescent 6, d’un ensemble de paires d’éléments de connexion électrique 3 comprenant un premier et un second éléments de connexion électrique 3a, 3b aptes à être raccordées à une alimentation électrique 15 en courant alternatif, connexion, pour chaque élément électroluminescent 6, d’un premier élément de connexion électrique 3a à la première couche d’électrode 8 dudit élément électroluminescent 6, et connexion, pour chaque élément électroluminescent 6, d’un second élément de connexion électrique 3b relié à la seconde couche d’électrode 11 dudit élément électroluminescent 6.
CIRCUIT DE LECTURE POUR CAPTEUR HYBRIDE La présente description concerne un circuit de lecture pour capteur hybride, le capteur hybride et un procédé d’intégration de ce dernier dans un instrument optique.
Les capteurs optiques quantiques qui sont efficaces dans le domaine spectral infrarouge sont généralement réalisés sous forme de capteurs hybrides, c’est-à-dire qu’ils sont réalisés en associant deux substrats semiconducteurs différents : un substrat semiconducteur à faible largeur de bande interdite («gap» en anglais) pour constituer un circuit de détection infrarouge, et un substrat de silicium pour constituer un circuit de lecture («readout circuit» en anglais). Le substrat semiconducteur à faible largeur de bande interdite est couramment en tellure de cadmium et de mercure (HgCdTe), en antimoniure d’indium (InSb), ou bien comprend une structure à puits quantiques telle qu’un super-réseau de type II («Type II Super-Lattice» en anglais). Chaque circuit de détection infrarouge comprend au moins un photodétecteur qui est sensible dans le domaine spectral infrarouge, et le circuit de lecture comprend généralement autant de cellules de lecture qu’il y a de photodétecteurs dans le circuit de détection infrarouge. Les deux circuits - le circuit de détection infrarouge et son circuit de lecture - sont assemblés rigidement l’un à l’autre par des connexions électriques qui relient généralement chacune un photodétecteur du circuit de détection infrarouge à une cellule de lecture du circuit de lecture. Plusieurs méthodes d’assemblage sont utilisées alternativement pour cela, notamment l’assemblage par billes d’indium, la méthode dite cuivre-cuivre ou la méthode de vias traversants dans le silicium qui est désignée par TSV pour «Through-Silicon Via» en anglais.
De tels capteurs hybrides peuvent notamment constituer des capteurs d’images matriciels. Dans ce cas, les photodétecteurs dans le circuit de détection infrarouge et les cellules de lecture dans le circuit de lecture sont disposés selon des agencements matriciels qui coïncident pour l’assemblage.
Ces capteurs hybrides qui sont efficaces dans le domaine spectral infrarouge doivent généralement être refroidis pour être utilisés. Pour cela, chaque capteur hybride est intégré dans un sous-ensemble qui est couramment désigné par IDDCA, pour «Integrated Detector-Dewar-Cooler Assembly» en anglais, et qui regroupe le capteur hybride lui-même, un hublot transparent dans le domaine spectral infrarouge, un cryostat destiné à empêcher une formation de glace sur les éléments refroidis et intégrant un plan de pose du capteur hybride, un écran froid monté sur le plan de pose pour limiter un angle de vue du capteur hybride à celui d’un système optique utilisé en amont, une machine à froid et des connexions électriques qui relient le capteur hybride à l’extérieur de l’IDDCA. Usuellement, la position du capteur hybride au sein de l’IDDCA peut être ajustée mécaniquement à quelques dizaines de micromètres près, typiquement, puis la position de l’IDDCA au sein d’un instrument optique est ajustée en refroidissant le capteur hybride et en utilisant son fonctionnement de détection optique. L’intégration du capteur hybride dans l’IDDCA est usuellement effectuée par le fabricant de cet IDDCA. Ensuite, l’IDDCA est utilisé pour refroidir le capteur hybride, typiquement jusqu’à une température qui est comprise entre 50 K (Kelvin) et 200 K, afin de régler la position de l’IDDCA au sein de l’instrument optique.
Toutefois, il existe des applications pour lesquelles un IDDCA commercial ne peut pas être utilisé, notamment dans les situations suivantes : - lorsque le capteur hybride est d’un modèle conçu à la demande pour une application spécifique, et n’est compatible avec aucun modèle commercial d’IDDCA ; - lorsque d’autres éléments optiques, par exemple d’autres capteurs optiques, doivent être intégrés très près du capteur hybride ; - lorsque les modèles commerciaux d’IDDCA ne sont pas compatibles avec des températures d’utilisation qui sont trop basses ; - lorsque les IDDCA commerciaux ne sont pas qualifiés pour les conditions d’utilisation ou d’environnement de l’application envisagée ; et - lorsque les modèles d’IDDCA commerciaux ne permettent pas de re-démonter ou de réparer un plan focal d’instrument optique dans lequel le capteur hybride est intégré. Tel est le cas la plupart des fois pour un capteur hybride qui est destiné à être utilisé à bord d’un engin spatial, notamment à bord d’un satellite. En effet, le nombre très réduit d’unités de capteurs hybrides d’un même modèle qui sont produits pour des applications spatiales n’est pas compatible avec une mise à disposition commerciale d’IDDCA qui soient adaptés pour chaque modèle. Amener le capteur hybride à basse température et sous vide afin d’utiliser ses photodétecteurs infrarouges pour réaliser l’ajustement de position nécessite alors un temps d’opérateur et des ressources matérielles considérables. Ceci est particulièrement le cas lorsque le capteur hybride fait partie d’un assemblage de plan focal qui est complexe. Il serait alors avantageux, notamment pour de telles applications spatiales, de disposer de capteurs hybrides qui puissent être ajustés en position facilement et rapidement dans un instrument d’optique.
La méthode selon l’invention permet de diminuer les quantités de chitosan apportées pour lutter contre les pathogènes.
Ainsi, du fait de l’existence d’une synergie entre le chitosan et la molécule de formule générale (I), ainsi que montré dans les exemples, on peut utiliser une dose non-biocide de chitosan, c’est-à-dire une dose très réduite (généralement divisée par au moins 2, de préférence au moins 5, voire divisée par environ 10) par rapport à la dose utilisée en pratique ou celle permettant d’obtenir un effet maximal lorsque le chitosan est utilisé seul. En diminuant la dose, on peut ainsi utiliser des doses ne permettant pas a priori de combattre le pathogène in vivo ou d’empêcher la croissance du pathogène in vitro. Si l’on ne diminue pas les doses, l’effet obtenu sera meilleur que lorsque le chitosan est utilisé seul.
La diminution possible des quantités de chitosan appliquées permet ainsi de réduire les coûts, tout en conservant un même niveau de protection. De plus, la combinaison de deux molécules possédant des modes d’actions différents permet généralement de limiter le développement de résistance chez les microorganismes pathogènes ciblés.
Dans la pratique, la quantité de chitosan apportée par hectare dépend essentiellement du type de plantes à protéger, de la pluviométrie, et de la pression parasitaire.
Du fait de la présence des molécules de formule (I), on peut ainsi réduire la quantité de chitosan à appliquer par hectare à chaque traitement. Dans un mode de réalisation, la méthode peut ainsi être mise en œuvre en ajoutant une quantité de chitosan entre 20-90 g/ha, de préférence entre 30-80 g/ha, voire entre 40-60 g/ha, à chaque application. Selon la nature du chitosan, les doses peuvent être supérieures.
Dans un mode de réalisation préféré, le chitosan et la molécule de formule (I), en particulier l’extrait de G. mangostana sont appliquées simultanément. En particulier, on prépare une composition comprenant à la fois le chitosan et la (ou les) molécule(s) de formule (I).
Selon un autre mode de réalisation, le chitosan et la (ou les) molécule(s) de formule (I) sont administrées simultanément ou successivement, par application sur les plantes (notamment pulvérisation, épandage, arrosage) ou tout autre moyen permettant de fournir le chitosan et la molécule de formule (I) au lieu infecté ou susceptible de l’être. On peut commencer par appliquer le chitosan puis la molécule de formule (I), ou apporter d’abord la molécule de formule (I) et le chitosan.
Selon un mode de réalisation, le chitosan et la (ou les) molécule(s) de formule (I) utilisées dans la présente invention sont mélangées dans un même récipient ou placées dans deux récipients séparés.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la quantité de chitosan apportée par hectare est comprise entre 20 et 90 g/ha, préférentiellement entre 30 et 80 g/ha, plus préférentiellement entre 40 et 160 g/ha par administration. On peut toutefois appliquer des doses supérieures selon la nature et qualité du chitosan. Du fait de la synergie, on peut aussi envisager de diminuer les doses appliquées.
Dans un autre mode de réalisation, la quantité de molécule(s) de formule (I) apportée(s) par hectare selon l’invention est comprise entre 1 et 6 g/ha, préférentiellement entre 1,5 et 4,5 g/ha, plus préférentiellement entre 2,4 et 3,6 g par hectare.
En protection des cultures, le chitosan se trouve généralement sous la forme de chlorhydrate de chitosan. On trouver désormais aussi du chitosan d’origine fongique. On peut aussi fabriquer un sel d’acétate de chitosan, avec de l’acide acétique.
Dans un mode de réalisation, le chitosan et la molécule de formule (I), en particulier l’extrait de G. mangostana, sont appliquées pour prévenir ou lutter contre des bactérioses ou des maladies fongiques. En particulier ces éléments peuvent être utilisés pour prévenir ou lutter contre les maladies mentionnées dans le Tableau 1, pour les plantes considérées. On peut toutefois mettre l’accent sur la prévention ou la lutte contre la tavelure du pommier ( Venturia inaequalis ) , le mildiou en particulier de la vigne, de la laitue ou de la pomme de terre, les infections à Botrytis en particulier sur vigne et tomate, les infections à Fusarium en particulier sur céréales (blé et orge), la septoriose de céréales, les infections à Septoria sp. en particulier la septoriose du blé, l’alternariose des crucifères ou des solanacées ou la cercosporiose de la betterave ( Cercospora beticola ). On note particulièrement le mildiou de la laitue, le mildiou de la pomme de terre, l’alternariose du chou et la septoriose du blé. Les deux composés sont particulièrement intéressants contre Altenaria solani , Venturia inaequalis ou Alternaria brassicicola , ou les pathogènes responsables des autres maladies citées dans cette demande.
Le chitosan peut également être utilisé dans des engrais. En effet, il accélère la croissance des plantes et améliore le rendement des cultures. Par ailleurs, ils permet de renforcer la vigueur des plantes, en tant qu’éliciteur de défenses naturelles. Ainsi, le chitosan et la molécule de formule (I) peuvent être utilisés en tant qu’engrais ou agent fertilisant pour améliorer la croissance de plantes ou la croissance foliaire. Les doses de chitosan que l’on apporte sont en effet suffisamment faibles pour avoir un effet bénéfique sur les plantes (en évitant les effets toxiques dus au surdosage de cet élément), et permettent de protéger l’environnement (sans bloquer la biodiversité) tout en apportant le chitosan nécessaire à la plante. Dans ce mode d’utilisation, on apporte également préférentiellement d’autres composés (oligoéléments tels que manganèse, zinc, fer, bore, silicium, voire molybdène…) qui sont également utiles, voire essentiels à la croissance des plantes.
L’invention se rapporte également à une composition pour application sur des plantes comprenant du chitosan, notamment du chlorhydrate de chitosan, et au moins une molécule de formule générale (I), en particulier un extrait de G. mangostana . Cette composition peut être utilisée en tant qu’agent fertilisant, ou agent phytosanitaire, en particulier selon les concentrations des deux éléments qui sont présents. Elle présente donc des avantages pour la croissance et/ou la nutrition et/ou la santé des plantes.
Ainsi, selon un mode de réalisation particulier, la première séquence protéique comprend une séquence protéique comprenant au moins 80 %, en particulier au moins 90%, plus particulièrement au moins 95% d’identité de séquence avec la séquence d’acides aminés de référence SEQ ID NO: 1 .
En particulier, la première séquence protéique consiste en une séquence d’acides aminés de référence SEQ ID NO: 1 .
Selon un mode de réalisation particulier, la première séquence protéique est codée par une séquence d’acides nucléiques comprenant au moins 80 %, en particulier au moins 90%, plus particulièrement au moins 95% d’identité de séquence avec la séquence d’acides nucléiques de référence SEQ ID NO: 2 .
En particulier, la première séquence protéique est codée par une séquence d’acides nucléiques consistant en une séquence d’acides nucléiques de référence SEQ ID NO: 2 .
Une composition, notamment aqueuse, selon l’invention peut se présenter sous toutes les formes galéniques normalement utilisées dans le domaine cosmétique, tel que par exemple sous la forme d’un gel aqueux, d’une lotion, d’une mousse, d’une eau micellaire, d’une crème, d’une pâte ou d’un sérum.
Ainsi, une composition, notamment aqueuse, selon l’invention peut comprendre tous les constituants usuellement employés dans l’application et l’administration par voie topique envisagée.
Une composition, notamment aqueuse, selon l’invention peut avantageusement se présenter sous forme d’une émulsion, notamment obtenue par dispersion d’une phase aqueuse dans une phase grasse (E/H) ou d’une phase grasse dans une phase aqueuse (H/E), de consistance liquide ou semi-liquide du type lait, ou de consistance molle, ou encore d’émulsion multiple (E/H/E ou H/E/H). Ces compositions sont préparées selon les méthodes usuelles connues.
Utilisations et procédés Selon un de ses aspects, la présente invention concerne l’utilisation cosmétique, notamment topique, d’une composition, notamment aqueuse, selon l’invention pour prévenir et/ou traiter un désordre cutané lié à une colonisation par Staphylococcus aureus chez un individu en ayant besoin, et en particulier pour prévenir et/ou traiter de l’acné et/ou de l’eczéma chez un individu en ayant besoin. de l’acné et/ou de l’eczéma chez un individu en ayant besoin.
Selon encore un de ses aspects, la présente invention concerne un procédé cosmétique non thérapeutique de soin des matières kératiniques, en particulier de la peau, comprenant l'application topique sur ces matières kératiniques d'une composition, notamment aqueuse, selon l’invention.
Une fois l’étape de charge 408 ou d’alimentation 410 du réseau haute tension terminée, le calculateur principal du véhicule commande l’ouverture des organes de coupure 200, 202. On se place à titre d’exemple dans le cas où une décharge 410 vient de se terminer.
Lors d’une étape 414 suivant immédiatement cette commande d’ouverture, si le courant Ic traversant les organes de coupure 200, 202 est nul ou quasi nul (branche Y du test 412 sur la ), le véhicule étant par exemple arrêté et aucun équipement haute tension du véhicule en marche, alors l’étape d’ouverture 414 des organes de coupure 200, 202 comporte les sous-étapes de :
- blocage 4140 des transistors à effet de champ 100, 102 par application de tensions de commande Vg2, Vg1 de -15V entre la deuxième borne de connexion de grille g2 et la deuxième électrode e2 de chaque transistor à effet de champ 100, 102 et respectivement entre la première borne de connexion de grille g1 et la première électrode e1 de chaque transistor à effet de champ 100, 102, puis
- blocage 4142 des transistors MOSFET 110, 112 par application d’une tension nulle entre leurs grilles et leurs sources respectives, puis
- coupure 4144 de l’alimentation du circuit de commande 4.
Le véhicule peut ainsi retourner en mode veille, avec une consommation minimale d’énergie par le réseau de bord 14V du véhicule pour permettre notamment un réveil ultérieur du calculateur principal.
Dans un cas d’utilisation de l’invention où un défaut apparaît dans le réseau 300 haute tension ou dans la batterie 30 haute tension (branche N du test 412 sur la ), générant un courant anormalement haut, le calculateur principal du véhicule met en œuvre une étape 416 d’ouverture des organes de coupure 200, 202 sous courant.
L’étape d’ouverture 416 comporte une première sous-étape 4160 de limitation du courant de défaut, représentée . Lorsque le courant de défaut atteint un seuil I SM haut, par exemple de 500A, le courant Ic traversant les organes de coupure 200, 202 (égal au courant Ibatt traversant la batterie 30 haute tension) est limité de façon à limiter l’énergie à dissiper lors de l’ouverture qui suivra, ainsi que le stress thermique des câbles et connecteurs qui subissent le courant de défaut.
Pour réaliser cette limitation de courant 4160, on diminue la tension Vg2 de commande de grille de chaque transistor à effet de champ 100, 102 et la tension Vg1 de commande de grille de chaque transistor à effet de champ 100,102 jusqu’à atteindre un seuil bas I SC de courant à partir duquel on bloque 4162 les transistors à effet de champ 100, 102 lors d’une deuxième sous-étape. Le seuil bas I SC est par exemple de 100 mA. En effet c’est la variation de courant dIc/dt qui crée de la surtension sur le transistor à effet de champ 100, 102 à limiter par les commandes de grilles. Cette limitation peut se faire jusqu’à annulation complète du courant Ic.
La diminution des tensions Vg2, Vg1 de commande de grille des transistors à effet de champ 100, 102 permettant au courant Ibatt d’atteindre un seuil bas I SC de courant, résulte d’un asservissement de ces tensions Vg2, Vg1 de commande de grille en fonction de la tension Vc mesurée aux bornes de l’organe de coupure 200, c’est-à-dire que les tensions Vg2, Vg1 de commande de grille sont ajustées de sorte à ce que la tension Vc mesurée aux bornes de l’organe de coupure ne dépasse pas un seuil critique de tenue en tension des transistors à effet de champ 100, 102, minoré d’une marge de sécurité par exemple d’une vingtaine de volts.
En variante, les tensions Vg2, Vg1 de commande de grille sont asservies en fonction de la mesure du courant Ic traversant l’organe de coupure 200 et plus précisément en fonction de la variation dIc/dt de ce courant en fonction du temps. Ainsi les tensions Vg2, Vg1 de commande de grille sont ajustées de sorte à ce que cette variation ne dépasse pas un seuil prédéterminé de variation maximale du courant.
Dans une autre variante, les tensions Vg2, Vg1 de commande de grille sont asservies à la fois en fonction de la mesure du courant Ic traversant l’organe de coupure 200 et en fonction de la tension Vc mesurée aux bornes de l’organe de coupure 200, de sorte que ni le seuil critique de tenue en tension des transistors à effet de champ 100, 102, minoré de la marge de sécurité, ni le seuil prédéterminé de variation maximale de courant, ne soient atteints.
Une fois le seuil bas I SC de courant atteint, l’ouverture des organes de coupure s’effectue par :
- la deuxième sous-étape 4162 de blocage des transistors à effet de champ 100, 102, en appliquant des tensions de commande Vg2, Vg1 de -15V entre la deuxième borne de connexion de grille g2 et la deuxième électrode e2 de chaque transistor à effet de champ 100, 102 et respectivement entre la première borne de connexion de grille g1 et la première électrode e1 de chaque transistor à effet de champ 100, 102, suivie
- par une troisième sous-étape de blocage 4164 des transistors MOSFET 110, 112 par application d’une tension nulle entre leurs grilles et leurs sources respectives, suivie
- par une quatrième sous-étape de coupure 4166 de l’alimentation du circuit de commande 4.
Les préparations comparatives avec les autres polysaccharides testés présentent une activité significativement beaucoup plus faible à 1 semaine dans les mêmes conditions.
De manière surprenante, les résultats montrent ainsi que la combinaison de l’endolysine de séquence SEQ ID NO: 10 avec le pullulane permet un meilleur maintien de l’activité antibactérienne contre S. aureus dans le temps, par rapport à la combinaison de l’endolysine avec d’autres agents filmogènes polysaccharides, naturels ou synthétiques.
En relation avec les figures, l’alésage 7 est directement pourvu de cannelures 7a d’accouplement avec l’arbre 1a du premier organe 1.
En particulier, le couple résultant du couple de pédale M+ appliqué sur la bague intérieure 5 et du couple Mbv appliqué sur le manchon 2a ou le pignon 2b par la bague extérieure 6 induit une torsion entre les bagues 5, 6 et donc un déplacement angulaire relatif desdites bagues suivant un angle de torsion qui est fonction dudit couple.
Selon une réalisation, le dispositif de détermination comprend : un codeur réalisé en équipant chacune des bagues 5, 6 d’un anneau 9, 10 portant une piste magnétique respectivement intérieure 9a et extérieure 10a qui est apte à émettre un signal périodique représentatif du déplacement en rotation de la bague 5, 6 correspondante ; un capteur comprenant un premier 11 – respectivement un deuxième 12 – motif d’éléments sensibles disposé à distance de lecture de la piste intérieure 9a – respectivement de la piste extérieure 10a – pour former un signal représentatif de la position angulaire de l’anneau 9, 10 correspondant ; un dispositif de comparaison des signaux délivrés par le capteur, ledit dispositif étant apte à déterminer un angle entre les bagues 5, 6 qui est fonction du couple appliqué.
En relation avec les figures, l’axe du pédalier est monté en rotation dans un carter 13 sur lequel le capteur est implanté avec les motifs 11, 12 à distance de lecture des pistes 9a, 10a correspondantes.
Selon une réalisation, chacun des anneaux 9, 10 est porté par une armature respectivement intérieure 9b et extérieure 10b, la bague intérieure 5 – respectivement extérieure 6 – présentant des moyens de fixation de l’armature intérieure – respectivement extérieure – sur elle.
En particulier, chacune des bagues 5, 6 présente des orifices 5a, 6a de fixation des armatures 9b, 10b, notamment par des rivets 14 ou par vissage. En relation avec les figures, la bague intérieure 5 – respectivement extérieure 6 – présente une paroi circonférentielle extérieure – respectivement intérieure – pourvue de trois lobes radiaux 15, 16, ainsi que trois orifices 5a, 6a de fixation disposés à 120° les uns des autres en étant formés sur chacun des lobes 15, 16.
Selon une réalisation, une succession de paires de pôles Nord et Sud est aimantée sur respectivement un anneau 9, 10 pour former une piste magnétique multipolaire 9a, 10a apte à émettre un signal magnétique de forme pseudo-sinusoïdale.
Les anneaux 9, 10 peuvent comprendre une matrice annulaire, par exemple réalisée à base d’un matériau plastique ou élastomère, dans laquelle sont dispersées des particules magnétiques, notamment des particules de ferrite ou de terres rares comme le NdFeB, lesdites particules étant aimantées pour former les pistes magnétiques 9a, 10a.