Circuit de lecture (10) intégré à substrat de silicium, adapté pour être connecté à un circuit intégré de photodétecteurs (21) sensibles dans un domaine spectral infrarouge, qui est externe au circuit de lecture et appelé circuit de détection infrarouge (20), afin de former un capteur hybride (1), ledit circuit de lecture comprenant : - des cellules de lecture (11, 16) qui sont séparées les unes des autres à l’intérieur du circuit de lecture (10) ; et - des zones de contacts électriques (12) qui sont dédiées respectivement à certaines au moins des cellules de lecture (11), et adaptées pour transférer auxdites certaines au moins des cellules de lecture, dans un premier mode de fonctionnement du circuit de lecture (10) pour lequel ledit circuit de lecture est connecté au circuit de détection infrarouge (20), des charges photoélectriques qui ont été générées dans les photodétecteurs (21) du circuit de détection infrarouge, le circuit de lecture (10) étant caractérisé en ce qu’il comprend en outre : - des photodétecteurs supplémentaires (15) qui sont intégrés audit circuit de lecture (10), et qui sont distincts des photodétecteurs (21) du circuit de détection infrarouge (20), et en ce que le circuit de lecture (10) est agencé pour, dans un second mode de fonctionnement dudit circuit de lecture, transférer à certaines des cellules de lecture (11, 16), d’une façon interne audit circuit de lecture, d’autres charges photoélectriques qui ont été générées dans les photodétecteurs supplémentaires (15). Circuit de lecture (10) selon la revendication 1, agencé de sorte qu’une partie des cellules de lecture (11) dudit circuit de lecture soient connectées électriquement aux zones de contacts électriques (12) sans être connectées électriquement à des sorties des photodétecteurs supplémentaires (15) dudit circuit de lecture, et qu’une partie supplémentaire des cellules de lecture (16) dudit circuit de lecture soient connectées électriquement aux sorties des photodétecteurs supplémentaires sans être connectées électriquement aux zones de contacts électriques. Circuit de lecture (10) selon la revendication 1 ou 2, adapté en outre pour empêcher que des charges photoélectriques soient générées dans les photodétecteurs (21) du circuit de détection infrarouge (20), ou pour empêcher que des charges photoélectriques qui sont générées dans les photodétecteurs du circuit de détection infrarouge soient transférées à des cellules de lecture (11) du circuit de lecture, dans le second mode de fonctionnement dudit circuit de lecture et si ledit circuit de lecture est connecté audit circuit de détection infrarouge. Circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les photodétecteurs supplémentaires (15) dudit circuit de lecture sont de technologie CMOS à base de silicium. Circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque photodétecteur supplémentaire (15) dudit circuit de lecture est une photodiode réalisée dans ou sur le substrat de silicium dudit circuit de lecture, une capacité Metal-Oxyde-Silicium ou Polysilicium-Oxyde-Silicium réalisée sur le substrat de silicium dudit circuit de lecture, ou un phototransistor réalisé dans ou sur le substrat de silicium dudit circuit de lecture. Circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque photodétecteur supplémentaire (15) dudit circuit de lecture est sensible dans un intervalle spectral compris entre 0,4 µm et 1,1 µm. Circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les photodétecteurs supplémentaires (15) du circuit de lecture sont situés sur un même côté dudit circuit de lecture que les zones de contacts électriques (12) destinées à connecter le circuit de détection infrarouge (20) audit circuit de lecture. Circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les photodétecteurs supplémentaires (15) du circuit de lecture sont répartis sur une face dudit circuit de lecture selon au moins une disposition matricielle, en étant situés à des intersections de colonnes et de lignes de ladite disposition matricielle. Circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les zones de contacts électriques (12) dudit circuit de lecture sont réparties selon une autre disposition matricielle, en étant situés à des intersections de colonnes et de lignes de ladite autre disposition matricielle. Capteur hybride (1) comprenant : - le circuit de lecture (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes ; - le circuit de détection infrarouge (20), qui comprend les photodétecteurs (21) sensibles dans le domaine spectral infrarouge, et qui est connecté au circuit de lecture (10) ; et - des éléments de connexions électriques (30) qui relient une-à-une les zones de contacts électriques (12) du circuit de lecture (10) à des zones de contacts électriques du circuit de détection infrarouge (20), de façon à transférer pendant une utilisation du capteur hybride (1) conforme au premier mode de fonctionnement dudit circuit de lecture, les charges photoélectriques générées dans les photodétecteurs (21) dudit circuit de détection infrarouge aux cellules de lecture (11) correspondantes dudit circuit de lecture. Procédé d’intégration d’un capteur hybride (1) dans un instrument optique qui comprend un système imageur (100), le système imageur étant destiné à former une image sur un circuit de détection infrarouge (20) du capteur hybride pendant une utilisation de l’instrument optique, le procédé étant caractérisé en ce que : - le capteur hybride (1) est conforme à la revendication 10, et le circuit de lecture (10) dudit capteur hybride est conforme à la revendication 8 ; et - le procédé comprend au moins une étape d’alignement optique lors de laquelle une position du circuit de lecture (10) par rapport au système imageur (100) est mesurée ou ajustée en utilisant les photodétecteurs supplémentaires (15) dudit circuit de lecture. Procédé selon la revendication 11, suivant lequel l’étape d’alignement optique comprend d’ajuster la position du circuit de lecture (10) perpendiculairement à un axe optique (A-A) du système imageur (100), en utilisant une mire (102) qui est positionnée fixement par rapport au système imageur de sorte que ledit système imageur forme une image de la mire sur les photodétecteurs supplémentaires (15) du circuit de lecture, puis le second mode de fonctionnement du circuit de lecture est activé pour saisir l’image formée sur les photodétecteurs supplémentaires, et la position du circuit de lecture est ajustée perpendiculairement à l’axe optique du système imageur pour réduire un décalage entre l’image saisie et lesdits photodétecteurs supplémentaires. Procédé selon la revendication 11, suivant lequel l’étape d’alignement optique comprend d’ajuster la position du circuit de lecture (10) le long d’un axe optique (A-A) du système imageur (100), en utilisant un motif de contraste (110’) qui est positionné fixement par rapport au système imageur de sorte que ledit système imageur forme une image du motif de contraste sur les photodétecteurs supplémentaires (15) du circuit de lecture, puis le second mode de fonctionnement du circuit de lecture est activé pour saisir l’image formée sur les photodétecteurs supplémentaires, et la position du circuit de lecture est ajustée le long de l’axe optique du système imageur pour maximiser un contraste de l’image saisie. Procédé selon la revendication 12 ou 13 suivant lequel, pour l’étape d’alignement optique, la mire (110) ou le motif de contraste (110’), respectivement, est combiné(e) rigidement avec un collimateur (101) de sorte que ladite mire ou ledit motif de contraste soit situé(e) dans un plan focal objet (PF 101 ) du collimateur, puis le système imageur (100) de l’instrument optique forme l’image qui est saisie par les photodétecteurs supplémentaires (15) à partir de rayons lumineux transmis par le collimateur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 14, comprenant en outre une étape de test électrique ou électromagnétique, lors de laquelle un fonctionnement d’une chaîne de traitement de signaux électriques qui est connectée en aval du circuit de lecture (10), est testée en mettant en œuvre le second mode de fonctionnement dudit circuit de lecture.