INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
SYSTÈME DE TENSIOACTIF La composition cosmétique capillaire de la présente invention comprend un système de tensioactif comprenant au moins un tensioactif cationique, au moins un tensioactif non ionique, au moins un tensioactif anionique, ou leurs mélanges.
Dans un mode de réalisation, la composition cosmétique capillaire est composée préférentiellement d’au moins un tensioactif cationique, d’au moins un tensioactif non ionique ou de leurs mélanges.
Tensioactifs cationiques La composition cosmétique capillaire de la présente invention peut comprendre au moins un tensioactif cationique.
Des exemples non limitatifs de l’au moins un tensioactif cationique (non polymérique) peuvent être incorporés dans la composition cosmétique capillaire de la présente divulgation. L'expression « tensioactif cationique » désigne un tensioactif chargé positivement. Cet agent tensioactif peut porter une ou plusieurs charges permanentes positives ou contenir une ou plusieurs fonctions cationisables dans la composition selon la divulgation.
Puis en référence à la , dans ce mode de réalisation le procédé comprend l’implantation d’espèces ioniques à travers une face F du substrat rigide 4 de sorte à y former un plan de fragilisation 5 séparant une couche mince 6 d’une partie massive du substrat rigide. Les espèces implantées comprennent typiquement de l’hydrogène et/ou de l’hélium. L’homme du métier est à même de définir l’énergie et la dose d’implantation requises.
Une fois fournis l’hétérostructure et le substrat rigide implanté, le procédé selon l’invention comprend en référence à la la réalisation d’un premier assemblage par collage du substrat rigide 4 avec l’hétérostructure. Ce collage est réalisé de sorte que la première face du substrat rigide 4 et la couche épitaxiale 3 de l’hétérostructure soient à l’interface de collage du substrat rigide et de l’hétérostructure.
Le collage est réalisé de manière à obtenir une énergie de liaison à l’interface de collage du substrat rigide et de l’hétérostructure supérieure à l’énergie de liaison de l’interface de Van der Waals entre le matériau bidimensionnel et la couche épitaxiale.
Le collage peut être réalisé à température ambiante. Dans une réalisation possible, il est réalisé sous pression réduite. Un traitement thermique de renforcement du collage peut en outre être mis en œuvre, à une température inférieure à celle d’un traitement thermique qui conduirait à la séparation du substrat rigide au niveau du plan de fragilisation.
Dans un mode de réalisation préférentiel permettant d’obtenir une interface de collage fortement résistante, le collage du substrat rigide avec l’hétérostructure pour la réalisation du premier assemblage est un collage avec activation de surface (collage dit SAB pour « Surface Activated Bonding »), un collage par diffusion atomique (collage dit ADP pour « Atomic Diffusion Bonding ») ou encore un collage hydrophile accompagné d’un recuit de renforcement du collage.
En référence à la , le procédé comprend ensuite la séparation du premier assemblage au niveau de la couche intercalaire de matériau bidimensionnel 2 de manière à obtenir, comme représenté sur la , un deuxième assemblage résultant du transfert de la couche épitaxiale 3 de l’hétérostructure vers le substrat rigide 4.
Cette séparation de la couche épitaxiale 3 du substrat de croissance 1 peut être réalisée au moyen d’un apport d’énergie mécanique et/ou thermique au niveau de la couche de matériau bidimensionnel 2. Lorsque réalisée au moyen d’un apport d’énergie thermique en conjonction ou non avec un apport d’énergie mécanique, la séparation exploite une contrainte induite lors du chauffage ou d'un refroidissement ultérieur du fait d’une différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat de croissance 1 et le substrat rigide 4. Pour ce faire, le substrat de croissance et le substrat rigide présentent de préférence des coefficients de dilatation thermique qui diffèrent d’au moins 0,3ppm/K. L’apport d’énergie thermique est réalisé à une température inférieure à celle d’un traitement thermique qui conduirait à la séparation du substrat rigide au niveau du plan de fragilisation. A titre d’exemple de réalisation, on peut exploiter un substrat de croissance 1 en GaN (qui présente un coefficient de dilatation thermique de 5.6ppm/K) et un substrat rigide 4 en Si (qui présente un coefficient de dilatation thermique de 2.6ppm/K), réaliser le premier assemblage par collage à température ambiante et ensuite mettre en œuvre un chauffage pour induire une contrainte en compression dans le substrat de GaN.
On notera qu’il est avantageux de réaliser l’implantation dans le substrat rigide avant le collage et le détachement illustrés sur les figures 6 et 7. Cela permet en effet de préserver l’intégrité de la couche épitaxiale 3 par rapport à une solution qui consisterait à réaliser l’implantation dans le substrat rigide après le détachement de la dans la couche épitaxiale 3 et à travers elle.
Dans un mode de réalisation possible, après le détachement de la , le deuxième assemblage illustré par la , et plus particulièrement la couche épitaxiale 3 transférée sur le substrat rigide 4, est soumis à une ou plusieurs étapes technologiques de fabrication de structures semi-conductrices. Ces étapes peuvent notamment consister en un nettoyage, un polissage, un dépôt ou une gravure. Chacun de ces étapes est réalisée à une température inférieure à celle d’un traitement thermique qui conduirait à la séparation du substrat rigide au niveau du plan de fragilisation.
Suite à l’obtention du deuxième assemblage illustré par la , le procédé comprend en référence à la la réalisation d’un troisième assemblage par collage du second assemblage avec un substrat cible 7, la couche épitaxiale 3 étant à l’interface de collage du second assemblage avec le substrat cible. Ce collage peut être un collage hydrophile, éventuellement accompagné d’un recuit de renforcement du collage.
Puis en référence à la , le procédé comprend la séparation du troisième assemblage le long du plan de fragilisation 5 du substrat rigide 4. Comme représenté sur la , cette séparation conduit à l’obtention d’un quatrième assemblage résultant du transfert de la couche épitaxiale 3 et de la couche mince 6 du troisième assemblage vers le substrat cible 7. Cette séparation est typiquement obtenue en mettant en œuvre un traitement thermique de séparation à une température qui peut être comprise entre 200°C et 600°C pour le silicium.
Il est à noter que le procédé selon l’invention permet de recycler le substrat de croissance et le substrat rigide pour leur réutilisation dans un procédé identique ou à une fin autre.
Comme représenté sur la , le procédé peut ensuite comprendre le retrait de la couche mince 6 du quatrième assemblage, par exemple par gravure, de manière à ne conserver que la couche épitaxiale 3 sur le substrat cible 7.
Après retrait de la couche mince 6, le procédé peut également comprendre une reprise d’épitaxie sur la couche épitaxiale. On notera que lorsque la couche épitaxiale est une couche de matériau polaire, le double transfert réalisé par l’invention permet avantageusement d’exposer la surface (par exemple de type Ga, Al ou Si) de la couche épitaxiale permettant une telle reprise d’épitaxie du matériau semi-conducteur sur la couche épitaxiale.
Le substrat cible 7 peut être un substrat de SiC polycristallin ou un substrat d’AlN polycristallin. Ou bien, le substrat cible 7 peut être un substrat de Si à haute résistivité électrique. Ou encore, le substrat cible peut être un substrat portant une couche de SiC semi-isolant, par exemple un substrat de Si, éventuellement à haute résistivité électrique, portant une telle couche de SiC semi-isolant. La couche épitaxiale 3 transférée sur un substrat cible conforme à ces exemples peut être une couche de GaN. Par matériau semi-isolant, on entend un matériau présentant typiquement une résistivité électrique supérieure ou égale à 10 5 Ω/cm. Par matériau à haute résistivité électrique, on entend un matériau présentant typiquement une résistivité électrique supérieure ou égale à 100 Ω/cm.
PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE STRUCTURE DE PONT RENFORCEE, ET CIRCUIT INTEGRE Le domaine de l’invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteurs, notamment de transistors HFETs comportant une structure multi-doigts 3D et des ponts.
Le contrôle de la source laser 5 se fait par un signal d’émission qui est envoyé depuis une baie de contrôle du robot jusqu’à la source laser. La gestion des gaz dans la tête se fait par un boitier en amont qui n’est pas représenté.
Le faisceau laser 5 est supporté par le support de sorte que l’axe du faisceau qu’il émet est centré sur le centre de la bride étanche de fixation 30.
En outre, un ou plusieurs support d’instrumentation 36, par exemple des capteurs d’O 2 et/ou H 2 O ou de température et/ou de pression, peuvent être fixés dans la partie inférieure du support 31 pour instrumenter l’intérieur de l’enceinte d’inertage 10. De manière générale, les supports 36 peuvent être destinés à recevoir de l’instrumentation, telle que des caméras dans le visible et l’infrarouge notamment, des pyromètres, une caméra thermique, etc.. Ces supports 36 sont de préférence amovibles et peuvent être retirés manuellement, sans outil, de l’effecteur terminal 3.
L’installation 1 qui vient d’être décrite permet de réaliser rapidement des pièces de grandes dimensions et/ou de formes complexes dans un environnement inerte à très faibles valeurs d’O 2 et/ou H 2 O, qui garantit la qualité du bain de fusion par le laser.
Par exemple, si dans l’exemple illustré, le robot mis en œuvre est un robot à bras articulé, on peut envisager d’autres types de robot, comme un robot cartésien.
Également, si dans l’exemple illustré, l’enceinte d’inertage est en forme de parallélépipède droit, on peut envisager toute autre forme rigide qui permet une fixation étanche d’une jupe souple qui assure l’interface d’étanchéité avec l’extrémité d’un robot et garantit un environnement inerte avec de très faibles valeurs d’O 2 et/ou H 2 O.
Procédé de découpe, soudage, rechargement ou fabrication additive métallique par faisceau laser à inertage amélioré, Installation avec système d’inertage associée. La présente invention concerne principalement le domaine de la fabrication additive métallique.
Plus particulièrement, l’invention a trait à une amélioration de l’inertage lors d’un procédé de fabrication additive mettant en œuvre un faisceau laser.
Bien que décrite en particulier en référence à un procédé de fabrication additive métallique par laser avec apport de fil, d’acronyme anglo-saxon WLAM pour « Wire Laser Additive Manufacturing » l’invention concerne de manière plus générale tout procédé de découpe de soudage, de rechargement, de fabrication additive métallique, par faisceau laser dans tous les domaines industriels, d’ingénieries et de fabrications de pièces, notamment dans le domaine nucléaire.
En outre, dans un procédé WLAM, les risques liés à l’utilisation d’une poudre sont écartés. Un procédé WLAM permet ainsi une réduction importante des coûts liés aux équipements de protection individuels et au suivi santé des opérateurs.
Malgré tous les avantages précités, le niveau de maturité technologique d’un procédé WLAM est moins élevé que pour le procédé WAAM.
Des composés polyol peuvent également être utilisés. Les exemples non limitatifs incluent les diols aliphatiques, tels que 2-éthyl-2-méthyl-1,3-propanediol, 3,3-diméthyl-1,2-butanediol, 2,2-diéthyl-1,3-propanediol, 2-méthyl-2-propyl-1,3-propanediol, 2,4-diméthyl-2,4-pentanediol, 2,5-diméthyl-2,5-hexanediol, 5-hexène-1,2-diol et 2-éthyl-1,3-hexanediol et un de leurs mélanges.
Acide Aminé Les compositions selon la divulgation comprennent au moins un acide aminé. Tel qu’il est utilisé ici, le terme « acide aminé » inclut les acides aminés tels que les acides aminés protéinogènes, les acides aminés sulfoniques et leurs sels.
(I) (II) dans lesquelles : R représente un atome d’hydrogène, un groupe alkyle linéaire ou ramifié, préférentiellement linéaire, en C 1 -C 5 , ledit groupe alkyle étant facultativement substitué par au moins un groupe choisi parmi hydroxyle, -C(O)-OH, -S(O) 2 -OH, -C(O)-O - et M + , et S(O) 2 -O - et M + , M + représentant un contre-ion cationique tel qu’un métal alcalin, un métal alcalino-terreux ou l’ammonium, et n vaut 0 ou 1.
Les un ou plusieurs acides aminés peuvent également se présenter sous leur forme de base conjuguée (Ib) et (IIb) :
Des exemples non limitatifs d’acides amino sulfoniques incluent l’acide aminométhane sulfonique, l’acide 2-aminoéthane sulfonique (taurine), l’acide aminopropane sulfonique, l’acide aminobutane sulfonique, l’acide aminohexane sulfonique, l’acide aminoisopropyl sulfonique, l’acide aminododécyl sulfonique, l’acide aminobenzène sulfonique, l’acide aminotoluène sulfonique, l’acide sulfanilique, l’acide chlorosulfanilique, l’acide diamino benzène sulfonique, l’acide amino phénol sulfonique, l’acide amino propyl benzène sulfonique, l’acide aminohexyl benzène sulfonique et un de leurs mélanges.
COMPOSÉ GRAS L’au moins un composé gras de la composition cosmétique capillaire de la présente invention peut être choisi parmi les huiles végétales, les résines végétales, les cires végétales et leurs mélanges.
Résine végétale Dans un mode de réalisation, l’au moins un composé gras de la présente invention comprend au moins une résine végétale.
Préférentiellement, la résine végétale de la présente invention est la Copaifera officinalis (BALSAM COPAIBA) RESIN (nom INCI) qui peut prendre la forme d’une résine d’huile de copaïba ou résine de copaïba. La Copaifera officinalis (BALSAM COPAIBA) RESIN est disponible dans le commerce sous le nom commercial de RAIN FOREST RF3310 (également connu sous le nom chimique Oléorésine copaiba) ou sous le nom commercial de RAIN FOREST 03370 (également connu sous le nom chimique de résine de copaïba), tous deux auprès du fournisseur Clariant.
La matière transparente et/ou la matière opaque comprend préférentiellement un polymère.
Par exemple, la matière transparente et/ou la matière opaque est du poly méthacrylate de méthyle acrylique ou du polycarbonate.
Selon un mode de réalisation, le feu de position comporte un masque, le masque ayant une cavité logeant la lame, la lame remplissant par exemple toute la cavité, la cavité comprenant : Un fond opaque empêchant de voir une deuxième partie des pièces techniques (distincte de la première partie des pièces techniques) au travers de la lame depuis l’extérieur du véhicule (le fond opaque est par exemple en regard de la deuxième partie des pièces techniques), Une première partie saillante, sans fond, formant un angle aigu, en regard du cache, ce qui est particulièrement esthétique
Le fait que la première partie saillante soit sans fond permet de fabriquer le masque dans un seul moule.
En variante, par exemple, le feu de position ne comporte pas de masque, et la première partie des pièces techniques et la deuxième parties des pièces techniques sont cachées par le cache.
Le cache peut par exemple s’étendre sur toute la face intérieure.
Le masque peut être en polymère, par exemple en méthacrylate de méthyle acrylique ou du polycarbonate.
La matière opaque est par exemple noire, et/ou par exemple, de la même couleur que le masque.
Selon un mode de réalisation, la source lumineuse comprend un guide d’ondes apte à émettre la lumière.
Le guide d’onde transporte par exemple la lumière depuis une diode électroluminescente.
Le feu de position comprend par exemple également un capot de protection transparent. Le capot de protection transparent constitue par exemple une paroi (extérieure) fermant le boitier. Le capot de protection transparent peut être en regard de la face extérieure (autrement dit : la face extérieure du corps peut être tournée vers le capot de protection transparent). Le capot assure notamment une étanchéité et une protection mécanique du feu de position.
L’invention concerne également un véhicule automobile comprenant le feu de position.
Les caractéristiques et avantage du véhicule automobile sont identiques à ceux du feu de position selon l’invention (sans qu’il soit nécessaire de les répéter ici).
On entend que la source lumineuse, le guide d’ondes, le corps ou un autre élément est « configuré pour » (ou « apte à ») réaliser ou mettre en œuvre une étape, une opération, ou pour produire un résultat, par le fait que l’élément comporte des moyens pour (autrement dit « conformés pour » ou « adaptés pour ») réaliser l’étape ou l’opération, ou pour produire le résultat. Il s’agit préférentiellement de moyens électroniques, mécaniques ou optiques.
D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaitront plus clairement à la lecture de la description détaillée qui suit comprenant des modes de réalisation de l’invention donnés à titre d’exemples nullement limitatifs et illustrés par les dessins annexés, dans lesquels : représente un feu de position et un véhicule, selon un mode de réalisation de l’invention. , et représentent le feu de position de la . et représentent des sous-ensembles ou des pièces du feu de position de la .
Dans l’étape S804, dans le cas où la catégorie de maintenance planifiée inclut seulement une révision lors d’un rechargement de combustible d’îlot nucléaire, un troisième intervalle d’ajustement est déterminé en tant qu’intervalle d’ajustement pour les jours de révision lors du rechargement de combustible d’îlot nucléaire, et le nombre de jours de révision lors du rechargement de combustible d’îlot nucléaire à l’intérieur du troisième intervalle d’ajustement est optimisé.
Dans l’étape S805, dans le cas où la catégorie de maintenance planifiée inclut seulement une maintenance planifiée lors des congés, un quatrième intervalle d’ajustement est déterminé en tant qu’intervalle d’ajustement pour les jours de maintenance planifiée lors des congés, et le nombre de jours de maintenance planifiée lors des congés à l’intérieur du quatrième intervalle d’ajustement est optimisé.
Dans l’étape S806, dans le cas où la catégorie de maintenance planifiée inclut seulement une révision planifiée d’îlot conventionnel, ou la catégorie de maintenance planifiée inclut seulement une révision lors d’un rechargement de combustible d’îlot nucléaire, ou la catégorie de maintenance planifiée inclut seulement une maintenance planifiée lors des congés, ou la catégorie de maintenance planifiée est une maintenance non planifiée, un deuxième intervalle d’ajustement est déterminé en tant qu’intervalle d’ajustement pour les jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés, et le nombre de jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés à l’intérieur du deuxième intervalle d’ajustement est optimisé.
Dans l’étape S807, le procédé d’obtention de valeurs de prédiction de la fiabilité est à nouveau réalisé jusqu’à ce que les valeurs de prédiction de la fiabilité obtenues remplissent les critères de qualification de surveillance.
Dans certains modes de réalisation, si la catégorie de prédiction de la fiabilité de la centrale nucléaire en service 1 est la première catégorie de prédiction de la fiabilité, le procédé pour l’augmentation de la fiabilité pour la centrale nucléaire en service 1 est réalisé comme suit.
Manière 1 : Si la catégorie de maintenance planifiée inclut seulement une révision planifiée d’îlot conventionnel, une limite inférieure du premier intervalle d’ajustement est supérieure ou égale à 60 jours, une limite supérieure du premier intervalle d’ajustement est inférieure ou égale à 80 jours. Une limite inférieure du deuxième intervalle d’ajustement est supérieure ou égale à 1 jour, et une limite supérieure du deuxième intervalle d’ajustement est inférieure ou égale à 12 jours.
Les facteurs de disponibilité équivalente cible E AF1 ( t i ) de la centrale nucléaire en service 1 correspondant à différents jours de révision planifiée d’îlots conventionnels m 1 , et les jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d sont indiqués dans le Tableau 6.
[Tableau 6] E AF1 ( t i ) correspondant à différents m 1 et Δu d de la centrale nucléaire en service 1
jours de révision planifiée d’îlots conventionnels m 1 jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d 2 3 4 5 6 7 66 0,7840 0,7812 0,7785 0,7758 0,7730 0,7703 67 0,7813 0,7786 0,7759 0,7731 0,7704 0,7676 68 0,7787 0,7760 0,7732 0,7705 0,7677 0,7650 69 0,7760 0,7733 0,7706 0,7678 0,7651 0,7624 70 0,7734 0,7707 0,7679 0,7652 0,7625 0,7597
Tel qu’indiqué dans le Tableau 6, on voit que l’optimisation des données de fiabilité anormales seulement lors des années de révision planifiée d’îlot conventionnel inclut les mises en œuvre suivantes.
Dans une première amélioration, le nombre de jours de révision planifiée d’îlot conventionnel m 1 pour la centrale nucléaire en service 1 est ajusté à 66 jours, le nombre de jours de révision non planifiée nouvellement ajoutés Δu d est déterminé comme étant de 1 à 7 jours, et le nombre de jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d pour la centrale nucléaire en service 1 est optimisé à l’intérieur de la plage de 1 à 7 jours.
Dans une deuxième amélioration, le nombre de jours de révision planifiée d’îlot conventionnel m 1 pour la centrale nucléaire en service 1 est ajusté à 67 jours, le nombre de jours de révision non planifiée nouvellement ajoutés Δu d est déterminé comme étant de 1 à 6 jours, et le nombre de jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d pour la centrale nucléaire en service 1 est optimisé à l’intérieur de la plage de 1 à 6 jours.
Dans une troisième amélioration, le nombre de jours de révision planifiée d’îlot conventionnel m 1 pour la centrale nucléaire en service 1 est ajusté à 68 jours, le nombre de jours de révision non planifiée nouvellement ajoutés Δu d est déterminé comme étant de 1 à 5 jours, et le nombre de jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d pour la centrale nucléaire en service 1 est optimisé à l’intérieur de la plage de 1 à 5 jours.
Dans une quatrième amélioration, le nombre de jours de révision planifiée d’îlot conventionnel m 1 pour la centrale nucléaire en service 1 est ajusté à 69 jours, le nombre de jours de révision non planifiée nouvellement ajoutés Δu d est déterminé comme étant de 1 à 4 jours, et le nombre de jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d pour la centrale nucléaire en service 1 est optimisé à l’intérieur de la plage de 1 à 4 jours.
Dans une cinquième amélioration, le nombre de jours de révision planifiée d’îlot conventionnel m 1 pour la centrale nucléaire en service 1 est ajusté à 70 jours, le nombre de jours de révision non planifiée nouvellement ajoutés Δu d est déterminé comme étant de 1 à 3 jours, et le nombre de jours de maintenance non planifiée nouvellement ajoutés Δu d pour la centrale nucléaire en service 1 est optimisé à l’intérieur de la plage de 1 à 3 jours.
Elle concerne de plus un procédé cosmétique non thérapeutique de soin des matières kératiniques, en particulier de la peau, comprenant l'application topique sur ces matières kératiniques d'une composition, notamment aqueuse, selon l’invention.
Par « composition aqueuse », on entend une composition comprenant au moins une phase aqueuse, et en particulier comprenant au moins 10% en poids d’eau, en particulier au moins 20% en poids d’eau, plus particulièrement au moins 30% en poids d’eau, encore mieux au moins 40% en poids d’eau par rapport au poids total de la composition.
Par « la peau », on entend l'ensemble de la peau du corps, en particulier la peau du visage, du cuir chevelu, du décolleté, du cou, des bras et avant-bras, des paupières, autour de la bouche ou l'arrière des oreilles, du creux du coude, de l'arrière des genoux, des mains, des poignets et des chevilles, plus particulièrement, la peau du visage (en particulier du front, nez, joues, menton), du décolleté et du cou.
Un milieu physiologiquement acceptable selon l’invention possède en particulier un pH compris entre 4 à 8, plus particulièrement entre 4,5 et 7,5. Ainsi, une composition selon l’invention peut comprendre un ou plusieurs ajusteur(s) de pH.
Endolysine Une composition, en particulier aqueuse, notamment cosmétique, selon l’invention est tout d’abord caractérisée en ce qu’elle comprend au moins une endolysine .