INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'utilisation d'une approche de couche 2 peut entraîner des boucles et diffusion de données inutiles : STP empêche ces effets secondaires de se produire.
Dans un mode de réalisation, un commutateur virtuel met en œuvre le protocole ARP. Notamment, quand il a à envoyer des données à une adresse de niveau 3, nommée ci-après « adresse B », à laquelle il n’a pas encore associée d’adresse de niveau 2 envoie des requêtes ARP sur cette adresse en broadcast, i.e. à tous les commutateurs virtuels en utilisant une adresse de destination Ethernet générique prédéfinie. Une telle requête ARP (« Address Resolution Protocol ») demande qui a l’adresse B. Celui qui a l’adresse B répond en lui transmettant son adresse MAC (niveau 2).
L’invention peut être illustrée par l’exploitation de ces commandes, ici Linux, sans commutateur centralisé.
Bien sûr, d’autres types d’instanciation peuvent être utilisés, par exemple en utilisant d’autres systèmes d’exploitation, par exemple les logiciels réseaux de fournisseurs d’équipements réseaux comme CISCO ® ou JUNIPER ®.
Le processeur Proc i comporte ainsi un commutateur virtuel vCom i, i = 1 à N, opérant au niveau 2, qui se comporte comme un commutateur physique.
Le commutateur virtuel au sein d’un processeur effectue donc les tâches de routage/commutation sur des données transitant via les interfaces du processeur ayant été appariées (des données entrant par une interface du processeur ayant été appariée pouvant être à destination – ou en provenance - d’une application du processeur ou bien ne faire que transiter par le processeur agissant en tant que relais via le commutateur virtuel). Le réseau de commutateurs virtuels ainsi créé au niveau 2 fournit le même service que celui qui serait fourni par un commutateur physique connecté en direct à chacun des processeurs 10.
Le commutateur virtuel au sein d’un processeur n’effectue pas de routage/commutation sur des données transitant via toute interface du processeur qui n’a pas été appariée lors de l’étape 101.
L’invention ne fait pas appel à un équipement routeur ou commutateur embarqué et centralisé, interconnectant les éléments du réseau. Au travers de cette solution, chaque processeur héberge une partie des éléments nécessaires à l’établissement d’une communication entre chacun des processeurs même s’ils ne sont pas tous directement reliés entre eux. Chaque processeur découvre la topologie de proche-en-proche et contribue à la définition du routage optimal entre les processeurs en évitant par exemple la duplication de données et les boucles.
Le commutateur vCom i est virtuel, c’est-à-dire logiciel : ses fonctions sont mises en œuvre par exécution sur le processeur Proc i d’instructions logicielles stockées dans une mémoire du processeur Proc i.
Ensuite, pour exploiter la solution proposée, les approches suivantessont par exemple mises en œuvre : une adresse de niveau 3 (typiquement une adresse IP), statique ou dynamique, est assignée respectivement à chaque commutateur virtuel 20 ; un nom unique est associé à chaque processeur Proc i, i = 1 à N ; les services de niveau supérieur, exploitant les adresses de niveau 3 ou le nom unique de processeur, peuvent ainsi accéder aux applications s’exécutant sur n’importe lequel des processeurs 10 sans connaissance a priori de la topologie du réseau.
Les étapes 101 et 102 sont effectuées selon les modes de réalisation de manière automatique, par exemple par un dispositif électronique de mise en œuvre d’interconnexion ou encore de manière manuelle.
Dans une étape 103, lors du fonctionnement opérationnel des processeurs 10, des flux de données sont échangées entre les processeurs 10. Les données sont acheminées d’un processeur source 10 à un processeur destinataire 10, exclusivement sur les connexions du maillage et de manière pilotée par les commutateurs virtuels. Les processeurs 10 sont directement reliés entre eux, via leurs interfaces appariées.
Un commutateur virtuel 20 dans un processeur 10 et devant acheminer, vers un destinataire défini, un paquet de données reçu sur une des interfaces 11 (appelons la ‘interface 11 R’ ) associées au commutateur virtuel effectue ainsi une opération de routage vis-à-vis des interfaces dudit processeur ayant fait l’objet d’un appariement : il détermine celle des interfaces associées à laquelle doit être remis le paquet (appelons la ‘interface 11 D ‘) ainsi que la route à suivre par ce paquet.
Ce commutateur virtuel contribue ainsi à mettre en œuvre l’échange entre le processeur destinataire et le processeur source du paquet par exemple distants de deux bonds (ou davantage) en effectuant au moins cette opération de routage entre les deux interfaces 11 R et 11 D du processeur comprenant ce commutateur virtuel.
Ainsi une application logicielle (niveau 3, soit couche IP) s’exécutant sur le processeur Proc 1 pourra communiquer avec une application de même niveau exécutée, elle, sur le processeur Proc 8 sans avoir besoin de savoir/de gérer que les données doivent passer par des processeurs intermédiaires. L’invention permet donc d’obtenir un réseau unifié, permettant à chaque processeur de communiquer avec tout autre processeur de l’ensemble, sans commutateur réseau et alors qu’il n’y a pas forcément de connexion directe entre chacun des processeurs. La solution permet la communication directe au niveau applicatif sans connexion directe entre les processeurs.
L’invention correspond à une décentralisation des fonctions de routage/commutation (exercées dans l’art antérieur via des routeurs ou commutateurs physiques) permettant l’interconnexion entre les différents processeurs : le commutateur virtuel au sein d’un processeur effectue les tâches de routage sur des données transitant via toute interface du processeur ayant été appariée.
Les figures 1G à 1I illustrent des étapes successives de réalisation d’une structure 150 comprenant notamment l’électrode inférieure du transducteur CMUT.
La illustre une étape d’oxydation d’un substrat ou couche de silicium 131. Le substrat 131 correspond par exemple à une tranche (wafer en anglais) de silicium ou à une portion de tranche de silicium. Le substrat 131 présente par exemple les mêmes dimensions latérales que le substrat 101. L’épaisseur du substrat 131 est par exemple comprise entre 10 µm et 1 mm, par exemple entre 400 et 800 µm. Le substrat 131 est de préférence fortement résistif. A titre d’exemple, le substrat 131 présente un niveau de dopage relativement faible, par exemple inférieur à 10 13 atomes/cm 3 . Le substrat 131 est par exemple non intentionnellement dopé.
Lors de cette étape, on vient former une couche d’oxyde de silicium 133 sur et en contact avec la face supérieure du substrat 131. L’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 133 est par exemple comprise entre 100 nm et 800 nm. Dans l’exemple représenté, une couche d’oxyde de silicium 135 est en outre formée sur et en contact avec la face inférieure du substrat 131 lors de cette étape.
La illustre une étape gravure localisée, par exemple par photolithographie et gravure, d’une partie de l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium 133, de manière à former dans la couche 133, dans chaque cellule élémentaire du transducteur, un renfoncement 137 destiné à accueillir l’électrode inférieure de la cellule élémentaire et définissant la cavité de la cellule élémentaire.
Dans cet exemple, deux gravures successives sont mises en oeuvre pour former le renfoncement 137, de manière à obtenir deux profondeurs de gravure distinctes dans des régions distinctes du renfoncement 137. Plus particulièrement, lors de la première gravure, une première épaisseur de la couche 133 est retirée sur toute la surface du renfoncement 137, et, lors de la deuxième gravure, une ou plusieurs portions 139 de la couche isolante 133 en forme d’îlots sont conservées intactes (i.e. non gravées) dans une partie centrale de la cavité du transducteur. Les portions 139 forment des plots de butée mécanique permettant d’éviter un éventuel court-circuit entre les électrodes inférieure et supérieure du transducteur en cas d’affaissement de la membrane flexible.
Dans cet exemple, une partie de l’épaisseur de la couche 133 est conservée au fond du renfoncement 137 de façon à isoler électriquement la future électrode inférieure du substrat de silicium 131.
Dans cet exemple, le renfoncement 137 est situé principalement dans une partie centrale (en vue de dessus) de la structure, destinée à être positionnée en vis à vis de la future cavité de la cellule élémentaire du transducteur. Le renfoncement 137 se prolonge en outre en vis à vis d’une partie périphérique du transducteur, par exemple située du côté de la cavité opposé à la région périphérique comprenant les vias 111, pour permettre la reprise d’un contact électrique sur l’électrode inférieure du transducteur.
La illustre une étape de formation d’une électrode inférieure 141 du transducteur, localisée dans le renfoncement 137. L’électrode s’étend au fond du renfoncement 137 et est interrompue au niveau des plots 139, c’est à dire qu’elle entoure latéralement les plots 139. L’épaisseur de l’électrode 141 est inférieure à la hauteur des plots 139. Ainsi, la face supérieure de l’électrode 141 est en retrait par rapport à la face supérieure des plots 139, elle-même en retrait par rapport à la face supérieure de la couche 133 en dehors du renfoncement 137. Dans cet exemple, la hauteur de la cavité du transducteur CMUT est définie par la distance entre le plan de la face supérieure de l’électrode 141 et le plan de la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 133. La hauteur de la cavité est par exemple comprise entre 10 nm et 1 µm.
Dans cet exemple, l’électrode 141 est métallique. L’électrode 141 est par exemple formée par dépôt pleine plaque puis gravure localisée d’une couche métallique. Le métal utilisé pour former l’électrode présente de préférence une température de fusion élevée, par exemple supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Le métal utilisé pour former l’électrode 141 peut être identique ou différent du métal utilisé pour former l’électrode inférieure 115. A titre d’exemple préférentiel, le métal utilisé pour former l’électrode 141 est du molybdène (Mo). A titre de variante, le métal peut être du platine (Pt), du titane (Ti), du tantale (Ta), de l’Hafnium (Hf), de l’iridium (Ir) ou du tungstène (W).
On désigne par la référence 150 la structure obtenue à l’issue de cette étape, comprenant notamment l’électrode inférieure 141 et le renfoncement 137 définissant la future cavité du transducteur.
La vue (b) de la illustre la forme, dans cet exemple, en vue de dessus, de l’électrode inférieure 141 du transducteur.
Les figures 1J à 1O sont des vues en coupe verticales illustrant des étapes successives de fabrication du transducteur à partir des structures 120 et 150 des figures 1F et 1I.
La illustre une étape de report et de fixation de la structure 120 de la sur la structure 150 de la .
Plus particulièrement, lors de cette étape, la structure 120 de la est fixée sur la structure 150 par collage direct ou collage moléculaire de la face inférieure de la couche d’oxyde de silicium 109 sur et en contact avec la face supérieure de la couche d’oxyde de silicium 133. Cette étape est de préférence mise en oeuvre sous vide.
On vient ainsi fermer la cavité 137 du transducteur, les électrodes inférieure 141 et supérieure 115 étant placés en vis à vis l’une de l’autre à l’intérieur de la cavité, respectivement du côté de la paroi inférieure et du côté de la paroi supérieure de la cavité.
Pour améliorer la qualité du collage, un recuit de la structure à une température relativement élevée est de préférence prévu après le report. Le recuit est réalisé à une température inférieure à la température de fusion des métaux qui composent les vias 111, l’électrode supérieure 115 et l’électrode inférieure 141, par exemple à une température comprise entre 700 et 1200°C, par exemple à une température de l’ordre de 1100°C. On parle alors de collage fusion (« fusion bonding » en anglais).
Fig. 5 met en évidence la portion commune du chemin de came.
Fig. 6 montre une came directement formée sur le rotor d’un moteur électrique.
La montre un éclaté d’une table de transfert 1 selon l’invention. La table de transfert 1 est composée de trois éléments principaux, un premier ensemble 2 convoyeur, un second ensemble 4 convoyeur et un mécanisme de montée-descente 6 des premier et second ensembles 2, 4.
Le premier ensemble 2 est un convoyeur qui transporte des articles (non représentés) selon la direction A. Le second ensemble 4 est un convoyeur qui transporte des articles (non représentés) selon la direction B. La direction B n’est pas parallèle à la direction A et peut être perpendiculaire à la direction A.
Le premier ensemble 2 comprend un premier châssis 21 sur lequel est agencée une pluralité de premiers éléments de convoyeur 22. Dans l’exemple illustré sur la , ces éléments sont des rouleaux 22. Alternativement, ces éléments peuvent être des sections de bandes convoyeuses, de chaînes ou de courroies, ou tout autre type de convoyeur équivalent. Au moins un des éléments convoyeurs 22 peut être motorisé, par des moyens moteurs portés par le châssis 21 ou par des moyens moteurs déportés, en connexion cinématique avec au moins un des éléments 22. Alternativement, aucun des éléments 22 n’est motorisé et les articles sont convoyés par gravité ou entraînés par des moyens extérieurs.
Les éléments 22 sont agencés de sorte à laisser entre certains d’entre eux un interstice. Cet interstice est suffisamment petit pour ne pas entraver le bon convoyage des articles convoyés.
Comme illustré sur la , les rouleaux 22 peuvent être de longueur et/ou de diamètre différents. Ils sont toutefois alignés selon un plan 23 qui est un plan sur lequel reposent les articles convoyés. Le plan 23 peut être horizontal ou incliné par rapport à l’horizontale.
Le second ensemble 4 comprend un second châssis 41 sur lequel est agencée une pluralité de seconds éléments 42. Dans l’exemple illustré, les seconds éléments sont des courroies mais d’autres types d’éléments convoyeurs peuvent être prévus (chaînes, rouleaux, etc.). Les seconds éléments 42 peuvent être de même longueur ou de différentes longueurs. Par exemple, des courroies de différentes longueurs peuvent être employées pour pivoter les articles convoyés autour d’un axe vertical afin de modifier leur orientation avant et/ou pendant leur transport. Les seconds éléments 42 sont alignés pour former un second plan 43 de convoyage.
Au moins un des éléments convoyeurs 42 peut être motorisé, par des moyens moteurs portés par le châssis 41 ou par des moyens moteurs déportés, en connexion cinématique avec au moins un des éléments 42.
Le premier ensemble 2 et le second ensemble 4 sont mobiles verticalement. Alternativement, comme discuté plus loin, seul un des deux ensembles 2, 4 est mobile verticalement. Les interstices respectifs entre les premiers éléments 22 et entre les seconds éléments 42 sont tels que les seconds éléments 42 peuvent pénétrer dans les interstices entre les seconds éléments et vice versa, en accord avec le mouvement relatif vertical des premier et second châssis 21, 41. Ainsi, les articles sont convoyés selon la direction A lorsqu’ils reposent sur le plan 23 des éléments 22 ou selon la direction B lorsqu’ils reposent sur le plan 43 des éléments 42. Dans un repère absolu, les plans 23 et 43 peuvent occuper la même altitude au moment de la transition entre le transport d’un article par les éléments 22 et par les éléments 42. Cette même altitude peut être l’altitude maximale que peuvent prendre les plans 23, 43 lors du déplacement vertical des ensembles 2, 4. Alternativement, les ensembles 2, 4 peuvent convoyer les articles chacun à une altitude différente.
Le mouvement vertical des premier et second ensembles 2, 4 est réalisé par un mécanisme de montée-descente 6. Ce mécanisme 6 comprend une came 61 qui coopère avec une paire de galets suiveurs 62, 64. L’un des galets 62 est porté par le premier châssis 21 et le second galet 64 est porté par le second châssis 41. Ces deux galets 62, 64 roulent sur un chemin de roulement (noté 611 sur la ) de la came 61. La came 61 pivote autour d’un axe C qui est fixe dans un repère absolu. Ainsi, le pivotement de la came 61 engendre la montée et la descente des galets 62 et 64. L’axe des galets suiveurs 62, 64 est fixe par rapport aux châssis respectifs 21, 41.
Dans un mode de réalisation non illustré, une seule came suffit au mouvement vertical des châssis 21, 41. Il suffit en effet qu’un point des châssis 21, 41 soit soulevé/abaissé pour que les éléments de convoyeur 22, 42 prennent alternativement leur fonction de convoyage des articles transportés. Les plans 23 et 43 peuvent ainsi varier en inclinaison pour successivement convoyer les articles. Les plans 23 et 43 peuvent aussi être maintenus horizontaux par tout moyen adapté, par exemple par des actionneurs passifs (glissières, ressorts, compensation d’assiette, etc.) ou actifs (capteurs d’inclinaison, vérins, moteurs électriques, etc.).
Le mécanisme 6 peut comprendre une seconde came 71 pivotant autour d’un axe D et suivie par une seconde paire de galets suiveurs 72, 74, portés respectivement par le premier et le second châssis 21, 41. La cinématique de la seconde came 71 est identique à celle de la première came 61. La seconde came 71 peut être indépendante en pivotement de la première came 61 afin de régler l’altitude de deux points des châssis 21, 41 indépendamment.
Toutefois, dans l’exemple illustré en , les deux cames 61, 71 sont reliées par une bielle 65 de telle sorte que leur pivotement soit synchrone. Le chemin de roulement des cames 61, 71 peut être choisi pour que les altitudes des galets respectifs soient différentes mais dans un exemple privilégié, les chemins de roulement sont tels que les galets 62, 72 du premier ensemble 2 (resp. les galets 64, 74 du second ensemble 4) soient à la même altitude pour toute position angulaire des cames 61 71.
Dans l’exemple illustré, la bielle 65 est reliée (en pivot) en des positions différentes des cames 61, 71. En particulier, des points diamétralement opposés ont été choisis pour que le pivotement des deux cames 61, 71 s’opère dans des sens opposés. Les points de pivots peuvent être plus rapprochés l’un de l’autre, c’est-à-dire que dans une position médiane (voir (c)), les pivots des bielles ne sont pas alignés verticalement avec le centre des cames mais décalés angulairement d’une valeur comprise entre 5 et 10°, par exemple environ 8°. Le décalage est vers la droite pour la came de gauche, et il se fait vers la gauche pour la came de droite.
Le mouvement des cames en sens inverse permet aux efforts latéraux qui sont dus au poids des ensembles 2, 4, appliqués sur une came soient compensés par les efforts appliqués sur l’autre came. Les cames sont donc moins sollicitées et les châssis sont autocentrés.
30 Lamelle en tôle
31 Premier type
32 Deuxième type
34 Elément de serrage
35 Zone radiale intérieure
36 Zone radiale extérieure
38 Bec de liaison
39 Intervalle radial
40 Butée radiale extérieure
44 Tôle de rotor
44a Pôle nord N
44b Pôle sud S
48 Entretoise radiale
51 Premier côté radial
56 Extension dans la direction radiale
57 Extension dans la direction tangentielle
Ainsi, ces éléments de soutien sont à la fois fixés sur les parois périphériques de bassin et sur la dalle, généralement une dalle en béton.
Selon une autre possibilité, les éléments de soutien sont solidarisés entre eux, de proche en proche, rigidifiant ainsi la structure formée par les éléments de soutien ainsi interconnectés.
L’invention se rapporte également à un procédé de fabrication de l’installation de piscine décrite ci-dessus, comprenant les étapes suivantes : - couler une dalle à l’intérieur d’une cavité préalablement creusée dans un sol ; - former le bassin sur la dalle au moyen des parois périphériques de bassin disposées autour de la paroi de fond de bassin ; - fixer les éléments de soutien extérieurement sur les parois périphériques de bassin, lesdits éléments de soutien étant placés sur la dalle et disposés autour du bassin ; - monter les tubes tampon sur les éléments de soutien afin d’être supportés par ces éléments de soutien de manière à s’étendre autour du bassin ; - connecter fluidiquement les tubes tampon au réseau de récupération d’eau, par exemple de récupération d’eau pluviale et/ou d’eau sanitaire usagée pour pouvoir remplir en eau les tubes tampon ; et - connecter fluidiquement les tubes tampon à la pompe de distribution du système hydraulique de distribution pour pouvoir distribuer l’eau stockée dans les tubes tampon.
est une vue schématique de dessus d’une installation de piscine selon l’invention ;
est une vue schématique en coupe transversale et partielle d’une installation de piscine selon l’invention dans laquelle sont schématisés un réseau de récupération et un système de traitement du bassin ;
est une vue schématique en coupe transversale et partielle d’une installation de piscine selon l’invention dans laquelle est schématisé un système hydraulique de distribution ;
est une vue schématique en coupe transversale et partielle d’une installation de piscine selon l’invention dans laquelle est schématisée une entretoise supportant une margelle et présentant une section de caniveau ;
est une vue schématique en coupe transversale et partielle d’une installation de piscine selon l’invention dans laquelle est schématisée une paroi périphérique de bassin sous la forme d’un panneau béton ;
est une vue schématique en coupe transversale et partielle d’une autre installation de piscine selon l’invention.
En référence à la , une installation de piscine 1 enterrée ou semi-enterrée, selon l’invention, comprend : - un bassin 2 enterré ou semi-enterré comprenant au moins des parois périphériques de bassin 20 disposées autour d’une paroi de fond de bassin 21 pour délimiter intérieurement le bassin 2 ; - des éléments de soutien 3 fixés extérieurement sur les parois périphériques de bassin 20 et disposés autour du bassin 2 ; - des tubes tampon 4 servant à un stockage d’eau et qui sont supportés par les éléments de soutien 3 de manière à s’étendre autour du bassin 2.
Le bassin 2 est de préférence un bassin enterré. Ce bassin 2 est ménagé à l’intérieur d’une cavité préalablement creusée dans un sol, sur une dalle 90, par exemple formée d’une chape de béton, de préférence renforcée.
Les parois 20, 21 du bassin 2 pourront être réalisées avec différents matériaux, tels que l’inox, l’acier, un matériau plastique comme par exemple le PVC, le bois, ou tout autres matériaux susceptibles de tenir ce rôle. Les parois périphériques de bassin 20 peuvent être formées de panneaux assemblés, comme par exemple des panneaux béton comme illustré sur la .
Selon le cas, le bassin 2 comprendra également une ou plusieurs couches d’étanchéification sur les parois 20, 21 du bassin 2. La paroi de fond de bassin 21 peut ainsi être formée d’une telle couche d’étanchéification fixée sur la dalle 90. La couche d’étanchéification fixée sur la dalle 90 (et formant donc en partie la paroi de fond de bassin 21) peut, dans un exemple de réalisation illustré sur la , dépasser des parois de fond de bassin 21 (à l’extérieur du bassin 2 donc) et passer sous les éléments de soutien 3.
La dalle 90 est dimensionnée de sorte à déborder des parois de fond de bassin 21, formant ainsi une bande périphérique de dalle 91 sur tout le pourtour de la paroi de fond de bassin 21. Comme visible sur les Figures 2 à 6, les éléments de soutien 3 sont fixés sur cette bande périphérique de dalle 91, par exemple par vissage, boulonnage, ou autres moyens de fixation/solidarisation. Ainsi, les éléments de soutien 3 présentent chacun une base 30 fixée sur la dalle 90 supportant le bassin 2. Dans l’exemple de la , la base 30 de l’un au moins des éléments de soutien 3 peut être fixée sur la dalle 90 avec interposition de pieds réglables 33, préalablement ajustés à la bonne hauteur, avant fixation sur la dalle 90.
- de 70% massique à moins de 100% massique d’au moins un additif technologique comestible pharmaceutiquement acceptable.
De préférence, ladite composition pharmaceutique comestible (Cp) comprend pour 100% massique :
- de 10% massique à 30% massique de ladite composition (C) telle que définie ci-dessus et