INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Chaque ensemble de commande 17 comprend un adaptateur 19 solidaire du couvercle 11 de la cuve sous pression, un carter 21 de réception d’un mécanisme 23 de levée de la tige de commande 15 de la grappe de contrôle et une gaine de réception de la tige de commande. Sur la , les gaines ne sont pas représentées pour laisser apparaitre les tiges de commande 15.
L’adaptateur 19 est engagé dans un orifice traversant du couvercle de cuve 11 et rigidement fixé à celui-ci. Il traverse le couvercle de cuve 11 et délimite un passage à travers lequel se déplace la tige de commande 15.
Des manchettes thermiques 25 sont agencées à l’intérieur des adaptateurs 19, de manière à protéger la surface interne de ceux-ci lors de la remontée des tiges 15 à haute température.
Lorsque le résultat de la détermination à l’étape S3 est négatif, le circuit de commande 71 n’effectue ni la première commande de déphasage ni la deuxième commande de déphasage. Dans ce cas, le circuit de commande 71 émet par exemple le signal de commande côté primaire et le signal de commande côté secondaire de sorte qu’une tension positive soit appliquée à l’enroulement côté primaire 22 et à l’enroulement côté secondaire 23 en même temps.
Opération dans le présent mode de réalisation
Une valeur idéale d’une puissance de sortie P du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 est exprimée par L’Équation (3). [Équation 3]
Dans L’Équation (3), ω représente fréquence de commutation, et θ représente une quantité de déphasage.
Cependant, il se peut que la puissance de sortie P du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 ne soit pas toujours être idéale en raison du temps mort ou d’une tension d’entrée/sortie. Ainsi, la puissance de sortie P peut ne pas être nulle lorsque le signal de commande côté primaire et le signal de commande côté secondaire sont émis, de sorte qu’une tension positive soit appliquée à l’enroulement côté primaire 22 et à l’enroulement côté secondaire 23 en même temps.
Lorsque la puissance de sortie P est non nulle et que la tension VH du condensateur intermédiaire 50 est supérieure à la valeur de conversion côté primaire de la tension de batterie VCHG, une surintensité peut se produire. Lorsque la puissance de sortie P est non nulle et que la tension VH du condensateur intermédiaire 50 est inférieure à la valeur de conversion côté primaire de la tension de batterie VCHG, une surtension peut se produire.
La montre la relation entre la quantité de déphasage et la puissance de sortie P. Une ligne L11 indique les caractéristiques de la puissance de sortie P idéale. Une ligne L12 indique les caractéristiques d’une puissance de sortie P réelle. La relation entre la quantité de déphasage et la puissance de sortie P peut varier en fonction de divers facteurs tels que le temps mort, une puissance d’entrée/sortie temps, et la valeur de conversion côté primaire de la tension de batterie VCHG. La relation entre la quantité de déphasage et la puissance de sortie P indiquée par la ligne L12 dans la est un exemple dans lequel les facteurs sont fixés à des valeurs spécifiques.
Comme le montre la , lorsque la quantité de déphasage est nulle, la puissance de sortie P réelle est non nulle. Dans l’exemple de la , lorsque la quantité de déphasage est supérieure ou égale à θ ini et inférieure à 0, la puissance de sortie P est réduite par rapport au cas où la quantité de déphasage est nulle.
Avantages du présent mode de réalisation
(1) Lorsque la tension VH du condensateur intermédiaire 50 est supérieure à la valeur de conversion côté primaire de la tension de batterie VCHG, le circuit de commande 71 effectue la première commande de déphasage. Lorsque la tension VH du condensateur intermédiaire 50 est inférieure à la valeur de conversion côté primaire de la tension de batterie VCHG, le circuit de commande 71 effectue la deuxième commande de déphasage. Ceci réduit la puissance de sortie P pendant l’activation du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14.
(2) Le dispositif de conversion de puissance 10 comporte le condensateur intermédiaire 50 entre le convertisseur AC/DC 13 et le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14. Dans ce cas, lorsqu’une puissance de sortie P relativement importante est générée pendant l’activation du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14, la tension du condensateur intermédiaire 50 fluctue, et une surtension ou une surintensité est générée. Toutefois, dans le présent mode de réalisation, comme la puissance de sortie P est réduite pendant l’activation du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14, la fluctuation de la tension du condensateur intermédiaire 50 est supprimée.
Le présent mode de réalisation peut être modifié comme suit. Le présent mode de réalisation et les modifications suivantes peuvent être combinés tant que les modifications combinées restent techniquement cohérentes entre elles.
Le circuit de commande 71 peut n’effectuer qu’une seule parmi la première commande de déphasage et la deuxième commande de déphasage. Par exemple, lorsque la tension VH du condensateur intermédiaire 50 est toujours supérieure à la valeur de conversion côté primaire de la tension de batterie VCHG, le circuit de commande 71 peut effectuer uniquement la première commande de déphasage.
Il n’est pas nécessaire que le dispositif de conversion de puissance comporte le convertisseur AC/DC 13. Dans ce cas, le condensateur connecté à l’extrémité d’entrée du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 est un condensateur d’entrée.
Diverses modifications de formes et de détails peuvent être apportées aux exemples ci-dessus sans s’écarter de l’esprit et de la portée des revendications et de leurs équivalents. Les exemples ne sont donnés qu’à des fins de description et non de limitation. Les descriptions des caractéristiques de chaque exemple doivent être considérées comme applicables à des caractéristiques ou aspects similaires dans d’autres exemples. Des résultats appropriés peuvent être obtenus si les séquences sont effectuées dans un ordre différent et/ou si les composants d’un système, d’une architecture, d’un dispositif ou d’un circuit décrit sont combinés différemment et/ou remplacés ou complétés par d’autres composants ou leurs équivalents. La portée de la divulgation n’est pas définie par la description détaillée, mais par les revendications et leurs équivalents. Toutes les variantes entrant dans la portée des revendications et de leurs équivalents sont incluses dans la divulgation.
Selon l’exemple d’architecture matérielle représenté à la , le dispositif de contrôle d’altitude 10 comprend alors, reliés par un bus de communication 19 : un processeur ou CPU (« Central Processing Unit » en anglais) 11 ; une mémoire vive RAM (« Random Access Memory » en anglais) 12 ; une mémoire morte ROM (« Read Only Memory » en anglais) 13 ; une unité de stockage telle qu’un disque dur (ou un lecteur de support de stockage, tel qu’un lecteur de cartes SD (« Secure Digital » en anglais) 14 ; un module d’interfaces de communication 15 permettant au dispositif de contrôle d’altitude 10 de communiquer avec des dispositifs distants, tels que d’autres systèmes embarqués de l’aéronef 1, par exemple un ou des systèmes de supervision de vol de l’aéronef 1 ou encore un système de contrôle de la navigation aérienne ou un système de contrôle à distance de l’aéronef 1.
Le processeur 11 du dispositif 10 de contrôle d’altitude est capable d’exécuter des instructions chargées dans la RAM 12 à partir de la ROM 13, d’une mémoire externe (non représentée), d’un support de stockage (tel qu’une carte SD), ou d’un réseau de communication. Lorsque le dispositif de contrôle d’altitude 10 d’aéronef est mis sous tension, le processeur 11 est capable de lire de la RAM 12 des instructions et de les exécuter. Ces instructions forment un programme d’ordinateur causant la mise en œuvre, par le processeur 11, de tout ou partie d’un procédé de contrôle d’altitude décrit en relation avec la ou de variantes décrites de ce procédé.
Tout ou partie du procédé décrit en relation avec la ou ses variantes décrites peut être implémenté sous forme logicielle par exécution d’un ensemble d’instructions par une machine programmable, par exemple un DSP (« Digital Signal Processor » en anglais) ou un microcontrôleur, ou être implémenté sous forme matérielle par une machine ou un composant dédié, par exemple un FPGA (« Field-Programmable Gate Array » en anglais) ou un ASIC (« Application-Specific Integrated Circuit » en anglais). En général, le dispositif de contrôle d’altitude 10 de l’altitude d’un aéronef comprend de la circuiterie électronique configurée pour mettre en œuvre le procédé décrit en relation avec lui-même. Bien évidemment, le dispositif de contrôle 10 d’altitude d’un aéronef comprend en outre tous les éléments usuellement présents dans un système comprenant une unité de contrôle et ses périphériques, tels que, un circuit d’alimentation, un circuit de supervision d’alimentation, un ou plusieurs circuits d’horloge, un circuit de remise à zéro, des ports d’entrées-sorties, des entrées d’interruptions, des drivers de bus, cette liste étant non exhaustive.
CELLULE MEMOIRE RESISTIVE DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des mémoires résistives. La présente invention concerne une cellule mémoire résistive non volatile.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Pour des applications qui nécessitent un stockage de l'information même lorsque la tension est coupée, des mémoires non volatiles de type EEPROM ou FLASH sont classiquement utilisées. Ces mémoires présentent toutefois des inconvénients tels que des temps d’écriture longs, une densité de points mémoire limitée par la taille des transistors utilisés ou encore un nombre de cycles de réécriture limité.
Plus récemment, les mémoires non volatiles résistives constituent une alternative prometteuse aux mémoires de type FLASH ou EEPROM.
Les mémoires résistives reposent sur l’utilisation d’un milieu actif dont la résistance électrique dépend de la tension électrique appliquée aux bornes du matériau. En d’autres termes une cellule mémoire résistive présente deux états : un état HRS (« High Resistive State » selon la terminologie anglaise) correspondant à un état hautement résistif et un état LRS (« Low Resistive State » selon la terminologie anglaise) correspondant à un état faiblement résistif. Le milieu actif est inséré entre deux électrodes permettant l’application d’une tension électrique et assurant la lecture et l’écriture de l’état de la cellule mémoire résistive.
Selon le type de matériau actif utilisé, différents types de mémoire résistive peuvent être réalisées : matériaux à changement de phase (mémoires PCRAM ou « Phase Change RAM » également appelée PCM « Phase Change Memory »), à conduction ionique (mémoires CBRAM ou « Conductive Bridging RAM »), à oxydes métalliques (mémoires OxRAM ou « Oxide Resistive RAM »), magnétiques (mémoires MRAM ou « Magnetic RAM), magnétiques à transfert de spin (mémoires STTRAM ou « Spin Torque Transfer RAM ») ou isolants de Mott.
Les mémoires dites « de Mott » sont basées sur l’utilisation d’une couche active réalisée dans des matériaux isolants de Mott qui sont des matériaux qui d’après la théorie des bandes, devraient être conducteurs, mais en réalité se trouvent isolants à cause de fortes corrélations électroniques. Il est possible de faire passer le matériau de cet état isolant de Mott à un état métallique en appliquant une pression ou un champ électrique. Dans les mémoires de Mott, une tension de SET appliquée aux électrodes de la mémoire permet de contrôler la transition de l’état isolant vers l’état métallique et une tension de RESET appliquée aux électrodes de la mémoire permet de contrôler la transition de l’état métallique à l’état isolant. On notera que les mémoires de Mott sont du type apolaire : dit autrement, peu importe le signe de la tension de SET ou RESET appliquée contrairement à des mémoires résistives de type bipolaire telles que les mémoires CBRAM par exemple, pour lesquelles il est nécessaire d’inverser le signe du potentiel appliqué aux électrodes selon que l’on cherche à réaliser une opération de SET ou de RESET.
Parmi les isolants de Mott, le sesquioxyde de vanadium cristallisé dans lequel on substitue une partie des atomes de vanadium par du chrome, par exemple le (V 2- x Cr x )O 3 (avec x ≥ 0.011), est un isolant de Mott dans lequel le phénomène de commutation résistive réversible induit par impulsion électrique est possible. Il est donc utilisé pour la réalisation de mémoires de Mott. L’avantage des mémoires résistives de Mott par rapport à d’autres mémoires résistives RRAM est qu’elles sont basées uniquement sur des phénomènes de transition électronique. Contrairement à certaines autres mémoires résistives avec un état initial où le matériau actif de la zone active de mémorisation est isolant (état pristine), la mémoire de Mott ne nécessite pas d’étape d’initialisation ou de forming (i.e. une étape durant laquelle un premier stress électrique doit donc être appliqué sur la cellule mémoire vierge afin de générer l’état LRS pour la première fois).
La réalisation de couches fines de (V 2-x Cr x )O 3 (avec x ≥ 0.011) cristallisé utilisable dans une mémoire de Mott a été obtenue par des techniques de dépôt physique par phase vapeur PVD (« Physical Vapor Deposition » selon la terminologie anglaise) telles que la pulvérisation cathodique magnétron : pour ce faire, une abrasion de cibles à base de vanadium et chrome par des ions argon sous pression d’oxygène est réalisée afin d’obtenir un oxyde de vanadium amorphe, non stœchiométrique en oxygène et en chrome. Or le matériau (V 2- x Cr x )O 3 (avec x ≥ 0.011) utilisé dans les mémoires de Mott doit être cristallisé et parfaitement stœchiométrique. En conséquence, l’étape de dépôt par PVD est suivie d’une étape de recuit à une température supérieure ou égale à 500°C sous atmosphère réductrice. Une telle technique présente certains inconvénients dans une logique d’intégration CMOS en back end dans laquelle le budget thermique ne doit pas dépasser 450°C.
L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en proposant une cellule mémoire résistive non volatile à base d’oxyde de vanadium qui soit notamment plus facilement intégrable dans un processus back end CMOS.
On entend par cellule mémoire résistive un dispositif électrique possédant un premier état hautement résistif ou état HRS ou encore état RESET et un deuxième état faiblement résistif ou état LRS ou encore état SET. La non-volatilité réside dans le fait que la cellule mémoire conserve son état résistif une fois que la tension de SET ou de RESET n’est plus appliquée.
L’invention a plus spécifiquement pour objet une cellule mémoire résistive comportant : Une électrode inférieure à base de nitrure de titane, Une électrode supérieure, Une couche active ayant une première surface de contact avec l’électrode inférieure et une deuxième surface de contact avec l’électrode supérieure, ladite couche active comportant une zone, dite zone locale, ladite zone locale étant dans un matériau comportant du vanadium, du titane et de l’oxygène s’étendant depuis la première surface de contact, le reste de la couche active étant réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 conducteur.
On entend par oxyde de vanadium V 2 O 3 conducteur un matériau V 2 O 3 avec une résistivité inférieure ou égale à 0.1 ohm.cm.
Contrairement aux mémoires de Mott qui reposent sur l’utilisation d’un matériau (V 2-x Cr x )O 3 (avec x ≥ 0.011) dans la phase isolant de Mott, la cellule mémoire selon l’invention utilise une couche active principalement réalisée en V 2 O 3 avec une zone singulière dans cette couche au niveau de l’interface entre la couche active et l’électrode inférieure : cette zone de la couche active au niveau de l’électrode inférieure n’est pas en oxyde de vanadium V 2 O 3 conducteur et comporte un matériau hautement résistif incluant du vanadium, du titane et de l’oxygène. De façon surprenante, le demandeur s’est aperçu qu’une telle cellule présentait un fonctionnement de mémoire résistive permettant de commuter entre un état hautement résistif HRS et un état bassement résistif LRS. Ces opérations de RESET et de SET se font par l’application d’une différence de potentiel de polarité inverse entre les électrodes supérieure et inférieure de la cellule mémoire : en d’autres termes, contrairement aux mémoires de Mott, la cellule selon l’invention possède un fonctionnement bipolaire.
- le système de surveillance est logé dans un boitier de contrôle solidaire de l’une des parois de l’élément de stockage ;
- le boitier de contrôle est solidaire du couvercle de fermeture ;
- le boitier de contrôle est maintenu en prise contre l’une des parois de l’élément de stockage par l’intermédiaire d’une bride de fixation ;
- la bride de fixation comporte une embase qui s’étend entre le boitier de contrôle et la paroi correspondante de l’élément de stockage, l’embase étant fixée solidairement à ladite paroi ;
- la bride de fixation comporte au moins une patte de fixation montée rotative par rapport à l’embase, ladite au moins une patte de fixation collaborant avec le boitier de contrôle afin de le brider contre l’embase ;
- l’embase prend la forme d’une plaque. L’embase est par exemple visée dans la paroi correspondante de l’élément de stockage ;
- Chaque au moins une patte est associée à un ressort configuré pour maintenir la patte de fixation ;
- le capteur de température s’étend au niveau d’une face d’appui du boitier de contrôle et au travers de la paroi du logement située en regard. La face d’appui est ici prise comme l’une des faces du couvercle ou de l’une des parois de l’élément de stockage ;
- préférentiellement, le module de contrôle comporte un premier témoin lumineux configuré pour s’allumer lorsqu’un niveau de batterie électrique est supérieur à un premier seuil, le premier témoin lumineux étant relié électriquement à la batterie électrique ; un deuxième témoin lumineux configuré pour s’allumer lorsque le niveau de batterie électrique est inférieur au premier seuil et supérieur à un deuxième seuil, le deuxième témoin lumineux étant relié électriquement à la batterie électrique ; un troisième témoin lumineux configuré pour s’allumer lorsque le niveau de batterie électrique est inférieur au deuxième seuil, le troisième témoin lumineux étant relié électriquement à la batterie électrique ;
- le système de surveillance comporte un capteur de fumée configuré pour détecter la présence de fumée dans le logement de l’élément de stockage ;
- le capteur de fumée s’étend au niveau de la face d’appui du boitier de contrôle et au travers de la paroi du logement située en regard ;
- le système de surveillance comporte un connecteur de recharge pour la batterie électrique. Préférentiellement, le connecteur de recharge est du type d’un port USB, préférentiellement encore du type USB-C.
Selon un deuxième aspect de l’invention, il est proposé un procédé de surveillance d’un équipement logé dans un élément de stockage conforme au premier aspect de l’invention ou selon l’un quelconque de ses perfectionnements, le procédé de surveillance comportant les étapes suivantes :
- une étape de mesure de la température dans le logement, la température étant mesurée selon une fréquence d’échantillonnage prédéterminée ;
- une étape de comparaison de la température mesurée avec une valeur seuil ;
- si la température mesurée est supérieure à la valeur seuil, une étape d’activation du dispositif d’alerte et une étape d’émission d’un signal d’alerte vers un appareil distant.
Dans le cas d’une intervention de maintenance dans la cuve d’un réacteur nucléaire, sur les internes de cuve ou sur le couvercle de la cuve ou encore sur des éléments de générateur de vapeur du réacteur nucléaire, les organes de manutention équipant le réacteur sont fréquemment employés pour effectuer les opérations de maintenance. Ces organes de manutention sont équipés d’organes d’acquisition d’images utilisés pour visualiser la zone d’intervention. Les organes de manutention se déplacent en fonction des besoins, de telle sorte que la position de l’organe d’acquisition d’images se modifie par rapport à l’équipement sur lequel l’intervention doit être effectuée.
Avec la méthode de l’invention, le signe permettant de distinguer l’équipement de son environnement est toujours positionné correctement. Les images acquises par l’organe d’acquisition d’images sont analysées de manière à connaitre en permanence la position de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement. Ceci permet de positionner correctement ce signe, à proximité de l’équipement faisant l’objet de l’opération de maintenance.
La méthode de maintenance peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- l’environnement de l’équipement comprend plusieurs autres équipements du même type, avec lesquels l’équipement peut être confondu, le signe permettant de distinguer l’équipement des autres équipements ;
- l’installation industrielle est un réacteur nucléaire, l’équipement étant choisi dans la liste suivante :
* organe appartenant aux Eléments Internes Supérieur d’une cuve sous pression du réacteur nucléaire, tel qu’un tube guide pour le guidage d’une grappe de contrôle, une colonne de thermocouple, un pion de positionnement de combustible ou un Ensemble Tige de Commande ;
* organe appartenant aux Eléments Internes Inférieur de la cuve, tel qu’une plaque inférieure de cœur, un pion de positionnement de combustibles, une colonne de support de cœur, une traversée de doigts de gant ;
* pénétration traversant un fond inférieur de la cuve ;
* organe porté par un couvercle de la cuve, tel qu’un ensemble de commande d’une grappe de contrôle, un adaptateur de passage de la grappe de contrôle à travers le couvercle, une manchette de protection thermique de l’adaptateur ;
* plaque tubulaire de générateur de vapeur ;
* assemblage de combustible nucléaire ;
- l’organe d’acquisition d’images est mobile par rapport à l’équipement ;
- l’étape de comparaison comprend les sous-étapes suivantes :
* identification de points caractéristiques sur l’image ;
* identification desdits points caractéristiques sur l’image acquise à la séquence opératoire précédente ; * calcul d’un déplacement de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement entre l’acquisition de ladite image et l’acquisition de l’image acquise à la séquence opératoire précédente, en utilisant les points caractéristiques identifiés sur ladite image et les mêmes points caractéristiques identifiés sur l’image acquise à la séquence opératoire précédente ;
- l’étape de détermination de la position de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement comprend les sous-étapes suivantes : * considérer la position de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement déterminée à la séquence opératoire précédente ;
* calcul de la position de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement en appliquant le déplacement calculé à l’étape de comparaison à la position de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement déterminée à la séquence opératoire précédente ;
- la position déterminée du signe par rapport à l’équipement est la même sur les images de toutes les séquences opératoires ;
- la position de l’organe d’acquisition d’images par rapport à l’équipement est enregistrée dans une cartographie théorique de l’équipement et de son environnement ;
- la méthode comprend l’exécution d’une opération de maintenance de l’équipement, effectuée par un opérateur de manière concomitante à la séquence opératoire répétée, l’opérateur identifiant l’équipement à maintenir en regardant le signe affiché sur les images.
Selon un second aspect, l’invention porte sur un ensemble de maintenance d’un équipement d’une installation industrielle, l’ensemble comprenant un organe d’acquisition d’images et un dispositif de calcul, l’ensemble de maintenance étant configuré pour l’exécution d’une séquence opératoire de manière répétée, la séquence opératoire comprenant les étapes suivantes :
- acquisition d’une image par l’organe d’acquisition d’images, l’image montrant l’équipement et un environnement de l’équipement ;