Dispositif de mémoire du type à changement phase, comprenant une cellule-mémoire à changement de phase (CEL) configurée pour avoir un état initialisé ou un état réinitialisé correspondant respectivement à deux valeurs logiques d’une donnée stockée dans la cellule-mémoire et à deux valeurs de référence correspondantes de courants délivrés par la cellule-mémoire, et une cellule-mémoire de référence (CELR) à changement de phase placée dans un état initialisé, la cellule-mémoire de référence étant placée à côté de la cellule-mémoire et ayant une structure identique à celle de la cellule-mémoire, des moyens de lecture configurés pour lire la donnée stockée et comportant -des premiers moyens (GEN1) configurés pour appliquer une première tension sur la cellule-mémoire et faire délivrer un premier courant (Iread) par la cellule-mémoire, -des deuxièmes moyens (GEN2) configurés pour appliquer une deuxième tension sur la cellule-mémoire de référence et faire délivrer un deuxième courant (Iref) par la cellule-mémoire de référence dont la valeur est comprise entre lesdites deux valeurs de référence, -un amplificateur de lecture (AMP) possédant une première entrée couplée à la cellule-mémoire et une deuxième entrée couplée à la cellule-mémoire de référence et configuré pour délivrer une information représentative de la valeur logique de la donnée en fonction des valeurs respectives du premier courant et du deuxième courant. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la valeur du deuxième courant (Iref) est égale à la moitié de la différence entre les deux valeurs de référence. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la distance (D) entre la cellule-mémoire et la cellule-mémoire de référence est comprise entre 10 micromètres et 20 micromètres. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, comprenant en outre des moyens de rafraîchissement (GEN3, SC) configurés pour replacer régulièrement la cellule-mémoire de référence dans son état initialisé. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel les moyens de rafraîchissement comprennent un générateur de courant (GEN3) configuré pour délivrer une impulsion de courant à la cellule-mémoire de référence de façon à la placer dans son état initialisé et des moyens de vérification (SC, AMP) de l’état initialisé de la cellule mémoire de référence incluant l’amplificateur de lecture (AMP). Dispositif selon l’une des revendications précédentes, comprenant plusieurs cellules-mémoires CELD i , CELG i ) respectivement couplées à la première entrée de l’amplificateur de lecture (AMP) par l’intermédiaire d’interrupteurs commandables (SW), et des moyens de commande (MCM) configurés pour sélectionner successivement lesdits interrupteurs de façon que les moyens de lecture puissent lire successivement chaque cellule-mémoire. Dispositif selon la revendication 6, comportant au moins un groupe de N cellules-mémoires, N étant un nombre pair, partitionné en deux sous-groupes de N/2 cellules-mémoires, et une cellule-mémoire de référence (CELR) par groupe encadrée par les deux sous-groupes de cellules-mémoires. Procédé de lecture d’un dispositif de mémoire du type à changement phase, le dispositif comprenant une cellule-mémoire à changement de phase (CEL) configurée pour avoir un état initialisé ou un état réinitialisé correspondant respectivement à deux valeurs logiques d’une donnée stockée dans la cellule-mémoire et à deux valeurs de référence correspondantes de courants délivrés par la cellule-mémoire, procédé dans lequel -on place une cellule-mémoire de référence à changement de phase (CELR) dans un état initialisé à côté de la cellule-mémoire et ayant une structure identique à celle de la cellule-mémoire, - on applique une première tension (VBL1) sur la cellule-mémoire pour lui faire délivrer un premier courant, -on applique une deuxième tension (VBL2) sur la cellule-mémoire de référence pour lui faire délivrer un deuxième courant dont la valeur est comprise entre lesdites deux valeurs de référence, -on compare la valeur du premier courant et la valeur du deuxième courant et on délivre une information représentative de la valeur logique de la donnée en fonction des valeurs respectives du premier courant et du deuxième courant. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la valeur du deuxième courant (Iref) est égale à la moitié de la différence entre les deux valeurs de référence. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel on place la cellule-mémoire de référence à une distance (D) de la cellule-mémoire comprise entre 10 micromètres et 20 micromètres. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, comprenant en outre un rafraîchissement régulier (ST40, ST41) de la cellule-mémoire de référence pour la replacer dans son état initialisé. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le rafraîchissement comprend une délivrance d’une impulsion de courant (PLS) à la cellule-mémoire de référence de façon à la placer dans son état initialisé et une vérification (ST41) de l’état initialisé de la cellule mémoire de référence. Procédé selon l’une des revendications 8 à 11, dans lequel on associe une cellule-mémoire de référence (CELR) à plusieurs cellules-mémoires et on lit successivement chaque cellule-mémoire en utilisant la cellule-mémoire de référence. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on associe une cellule-mémoire de référence (CELR) à un groupe de N cellules-mémoires, N étant un nombre pair, partitionné en deux sous-groupes de N/2 cellules-mémoires, et on place la cellule-mémoire de référence entre les deux sous-groupes de cellules-mémoires.