INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon l’invention, l’étape de dépolymérisation peut comporter deux sections de réaction. Alternativement, selon l’invention, l’étape de dépolymérisation peut comporter trois sections de réaction, la deuxième section de réaction et la troisième section de réaction étant chacune alimentées par une partie, variant entre 0 et 100% poids, de l'effluent oligomères recyclés, la sommes desdites parties constituant 100% poids dudit effluent oligomères recyclés.
L’étape de dépolymérisation peut comporter au moins une boucle interne de recirculation mettant en œuvre au moins les opérations suivantes : le soutirage d’une fraction du système réactionnel de l’une des sections de réaction, la filtration de ladite fraction, et la réinjection de ladite fraction dans l’une des sections de réaction.
L’étape de séparation e) peut être réalisée de manière à obtenir une première fraction enrichie en oligomères et une deuxième fraction enrichie en impureté lourdes, la première fraction enrichie en oligomères comportant une teneur en oligomères strictement supérieure à la teneur en oligomères dudit effluent impuretés lourdes et la deuxième fraction comportant une teneur en impuretés lourdes strictement supérieures à la teneur en impuretés lourdes dudit effluent impuretés lourdes.
Exemple 2 : Pr éparation d’une deuxième structure S2
Une deuxième structure S2 de type MIM est préparée selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention.
La préparation de la deuxième structure S2 comprend les étapes et sous-étapes successives suivantes : a) i) dépôt de la première électrode 20 en TiN ; ii) formation de la première zone de transition 2030 en AlN ; b) i) dépôt de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; ii) formation de la seconde zone de transition 3040 en AlN ; c) dépôt de la deuxième électrode 40 en TiN.
Les étapes et sous-étapes ci-dessus sont toutes mises en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites dans l’exemple 1, à l’exception que la première zone de transition est, ici, formée à la fin de l’étape a) – correspondant au dépôt de la première électrode 20 – c’est-à-dire qu’elle est formée dans la première chambre ALD sous vide, dédiée aux dépôts d’électrodes, à une température de 400 °C.
Une structure S2 de type MIM est ainsi obtenue et représentée à la (partie de gauche). Cette structure comprend un substrat 10 recouvert par un empilement comprenant successivement : - un ensemble 200 qui comprend successivement la première électrode 20 en TiN et la première zone de transition 2030 en AlN ; - un ensemble 301 qui comprend successivement la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 et la seconde zone de transition 3040 en AlN ; puis - la deuxième électrode 40 en TiN.
Le détail de cet empilement est représenté à la (partie de droite).
Exemple 3 : Pr éparation d’une troisième structure S3
Une troisième structure S3 de type MIM est préparée selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention.
La préparation de la troisième structure S3 comprend les étapes et sous-étapes successives suivantes : a) dépôt de la première électrode 20 en TiN ; b) i) formation de la première zone de transition 2030 en AlN ; ii) dépôt de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; c) i) formation de la seconde zone de transition 3040 en AlN ; ii) dépôt de la deuxième électrode 40 en TiN.
Les étapes et sous-étapes ci-dessus sont toutes mises en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites dans l’exemple 1, à l’exception que la seconde zone de transition est, ici, formée au début de l’étape c) – correspondant au dépôt de la deuxième électrode 40 – c’est-à-dire qu’elle est formée dans la troisième chambre ALD sous vide, dédiée aux dépôts d’électrodes, à une température de 400 °C.
Une structure S3 de type MIM est ainsi obtenue et représentée à la (partie de gauche). Cette structure comprend un substrat 10 recouvert par un empilement comprenant successivement : - la première électrode 20 en TiN ; - un ensemble 302 qui comprend successivement la première zone de transition 2030 en AlN et la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; puis - un ensemble 400 qui comprend successivement la seconde zone de transition 3040 en AlN et la deuxième électrode 40 en TiN.
Exemple 4 : Pr é paration d’une quatrième structure S 4
Une quatrième structure S4 de type MIM est préparée selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention.
La préparation de la quatrième structure S4 comprend les étapes et sous-étapes successives suivantes : a) i) dépôt de la première électrode 20 en TiN ; ii) formation de la première zone de transition 2030 en AlN ; b) dépôt de la couche diélectrique 30 en Al 2 O 3 ; c) i) formation de la seconde zone de transition 3040 en AlN ; ii) dépôt de la deuxième électrode 40 en TiN.
Les étapes et sous-étapes ci-dessus sont toutes mises en œuvre selon les mêmes modalités que celles décrites dans l’exemple 1, à l’exception toutefois que la première zone de transition 2030 est formée à la fin de l’étape a) – correspondant au dépôt de la première électrode 20 – et que la seconde zone de transition 3040 est, quant à elle, formée au début de l’étape c) – correspondant au dépôt de la deuxième électrode 40.
Le cas échéant, les fonctions hydroxyle, autres que celles déjà engagées dans une liaison ester avec l’acide dimerdilinoléique, peuvent être également engagées, toutes ou en partie, dans d’autres liaisons ester après réaction avec des molécules d’acides autres que l’acide dimerdilinoléique.
Le polyol ou un de ses esters convenant à la mise en œuvre de la présente invention peut être, notamment, choisi parmi les alcools linéaires, ramifiés, cycliques ou polycycliques, saturés ou insaturés.
Ainsi, le polyol peut être choisi par exemple parmi un diol, un triol, un tétraol, ou un pentaol, ou un de leurs esters.
Le polyol peut être un diol, ou un de ses esters, notamment choisi parmi un dimère d’alcool gras, un mono- ou poly-alkylène en C 2 -C 4 glycol, le 1,4 butanediol, et le pentaérythritol. Il peut également être un mono- ou poly-glycérol ou un de ses esters, l’huile de ricin hydrogénée ou non (triglycéride d’un acide hydroxylé).
A titre d’exemple de diol pouvant également convenir à la mise en œuvre de l’invention, on peut citer, de manière non exhaustive, le butanediol, le pentanediol, le propanediol, l’hexanediol, l’hexylèneglycol, l’heptanediol, l’octanediol, le nonanediol, le décanediol, l’un-décanediol, le dodécanediol, le tridécanediol, le tétradécanediol, le pentadécanediol, l’hexadécanediol, le nonadécanediol, l’octadecènediol, le cyclohexanediol, le diglycérol, l’érythritol, le pentaérythritol, le xylitol, le sorbitol, l’éthylèneglycol, le xylèneglycol et leurs isomères.
Un dimère d’alcool gras peut également être le produit d’hydrogénation, par exemple catalytique, d’un dimère d’acide gras, lui-même obtenu par dimérisation d’un acide gras insaturé notamment en C 8 à C 34 , notamment en C 12 à C 22 , en particulier en C 16 à C 20 , et plus particulièrement en C 18 .
Selon un mode de réalisation particulier, le dimère d'alcool gras peut être un dimère diol dérivant de l’hydrogénation du diacide dilinoléique. Il est généralement sous une forme saturée.
De préférence, le polyol est un dimère d’alcool gras comme par exemple, le dimère de dilinoléol (dimer dilinoleyl alcohol : nom INCI).
A titre d'exemple de diol susceptible de convenir à la mise en œuvre de l’invention on peut notamment citer le diglycérol. Ce composé est un dimère de glycérol résultant de la condensation de deux molécules de glycérol avec perte d’une molécule d’eau. On entend par "diglycérol", l’ensemble des isomères susceptibles de résulter d’une telle condensation, comme par exemple, les isomères linéaires, les isomères ramifiés et le cas échéant, les isomères cycliques résultant d’une déshydratation intra-moléculaire d’une molécule de diglycérol. Le diglycérol peut être obtenu par tout procédé connu de l’homme de l’art et notamment ceux décrits dans le brevet EP 0 750 848.
A titre d’exemple de molécules d’acides susceptibles d’interagir avec une ou plusieurs fonctions hydroxyle du polyol, non engagée(s) dans la liaison ester avec l’acide dimerdilinoléique on peut mentionner, de manière non limitative, les molécules dérivées de l’acide isostéarique, l’acide béhénique, l’acide phytostérique, l'acide stéarique, l’acide hydroxystéarique, ou l'acide cétylique.
Un ester convenant à la mise en œuvre de la présente invention peut être obtenu par réaction d’un polyol ou un de ses esters avec un acide dimerdilinoléique, selon un rapport molaire d’environ 1,0 : 0,2-1,0.
Un ester susceptible de convenir à la mise en œuvre de la présente invention peut, notamment, être obtenu par réaction d’un acide dimerdilinoléique avec un dilinoléol, et le cas échéant, au moins un monoalcool additionnel, notamment choisi parmi le béhénol, l’isostéarol, le stérol, notamment le phytostérol, le stéarol, le cétol et leurs mélanges.
Ainsi, un ester mis en œuvre dans le cadre de la présente invention peut être utilisé sous la forme d'un mélange de différents esters par exemple.
Un ester convenant à l’invention peut par exemple être obtenu par réaction d’un glycérol, d’un acide isostéarique et d’un acide dimerdilinoléique, notamment, selon un rapport molaire de 1,0 : 0,2-1,0 : 0,5-0,9.
A titre d’exemple d’ester d’acide dimerdilinoléique et de polyol(s) ou un de ses esters convenant à l’invention, on peut citer les esters décrits dans les demandes JP2003-226609, JP2004-256515, JP2005-179377 et JP2011-020933.
Le premier composé solide ou pâteux (B) est plus particulièrement choisi parmi les composés de nom INCI suivants : Bis-Behenyl / Isostearyl / Phytosteryl Dimer Dilinoleyl Dimer Dilinoleate, Phytosteryl / Isosteryl / Cetyl / Stearyl / Behenyl Dimerdilinoleate, Hydrogenated Castor Oil Dimer Dilinoleate, Diglycerin / Dilinoleic Acid / Hydroxystearic Acid Copolymer ainsi que leurs mélanges.
Selon une alternative de l’invention, la au moins une fibre optique droite comprend une seule fibre optique de détection. Dans ce cas, une source lumineuse extérieure en dehors du passage vertical et éclairant la tôle 12 est employée. Une telle source lumineuse peut alors être commune à plusieurs dispositifs de détection optique.
Selon une autre alternative, l’unique fibre optique droite est une fibre optique d’émission. Dans cette configuration, des moyens de détection photosensibles sont en dehors du passage vertical.
La représente un support de montage 46 pour une tête optique 42 de dispositif de détection optique de tôle pour un outillage d’emboutissage. L’outillage d’emboutissage correspond à celui présenté en relation avec l’une des figures 1 à 2. La surface supérieure 60 du support de montage 46 est en premier plan.
Le support de montage 46 comprend un logement inférieur 48 pour la tête optique 42 ; et un conduit supérieur 50 s’étendant verticalement depuis le logement inférieur 48. La tête optique 42 est circulaire. Son diamètre est sensiblement égal à celui du logement inférieur 48. Le conduit supérieur 50 est ouvert vers le haut. La tête optique 42 reçoit la fibre optique d’émission 52 et la fibre optique de détection 56. Elles sont respectivement aptes à émettre un rayon lumineux vers la tôle, et à capter une réflexion de ce même rayon lumineux ; via le conduit supérieur 50.
Le support de montage 46 est un adaptateur. Le support de montage 46 comprend un perçage transversal 80 avec des moyens de blocage 82 de la tête optique 42 dans le support de montage 46. Les moyens de blocage 82 sont agencés dans le perçage transversal 80. Le perçage transversal 80 communique avec le logement inférieur 48. Grâce à cette configuration, les moyens de blocage 82 sont protégés dans le passage vertical. Leur présence dans le perçage transversal évite leur perte dans l’éventualité d’un desserrage qui est lui-même évité grâce à leur protection au cœur du support de montage 46.
Le support de montage 46 comprend un perçage vertical 84 parallèle à la au moins une fibre optique droite 40. Le perçage vertical 84 facilite le démontage du support de montage 46. Il peut comprendre un filetage. Il est à l’opposé du perçage transversal 80. Le parallélisme entre chaque fibre optique droite 40 et le perçage vertical 84 permet un démontage sans toucher ces dernières.
La présente un diagramme d’un procédé d’emboutissage avec un outillage d’emboutissage. L’outillage d’emboutissage correspond à celui présenté en relation avec l’une des figures 1 à 3.
Le procédé d’emboutissage comprend les étapes suivantes :
fourniture 100 d’une tôle brute tel un flan de tôle plan ;
ébauche 102 d’une tôle ébauchée par un premier emboutissage de la tôle brute ; puis
reprise 106 de la tôle ébauchée à l’aide d’un outillage d’emboutissage.
A l’étape de reprise 106, la tôle ébauchée est verticalement à distance du passage vertical, par exemple une distance verticale comprise entre 5 mm et 70 mm.
Selon une option, le procédé d’emboutissage comprend une étape de détection 104 de tôle par le dispositif de détection optique avant l’étape de reprise 106. Toujours selon cette option, le procédé comprend en outre une étape d’arrêt 108 de la presse d’emboutissage en cas de non détection de tôle par le dispositif de détection optique.
L’étape de détection 104 peut être une étape d’analyse de présence de la tôle dans l’outillage d’emboutissage. Concrètement, l’amplificateur génère un signal électrique qui est analysé par des moyens informatiques d’un pupitre de commande de la presse d’emboutissage. Les moyens informatiques comparent le signal électrique à un critère de présence de seuil ; et concluent à la présence d’une tôle lorsque le critère de présence n’est pas rempli.
Le procédé d’emboutissage peut être un procédé de détection de tôle qui conditionne l’opération d’emboutissage à la détection d’une tôle par le dispositif de détection optique.
Le substrat support 21 assure le support de la couche mince intercalaire 22, de la couche mince structurée 23 et de la portion cristalline semiconductrice 10. Il peut être réalisé à base de silicium, par exemple en silicium et/ou en un oxyde ou nitrure de silicium. Il peut toutefois être réalisé en un matériau choisi parmi le saphir, le borosilicate, le verre, le quartz ou tout autre matériau adapté. Il peut présenter une épaisseur de l’ordre de quelques microns à quelques centaines de microns. Par ailleurs, le substrat support 21 peut comporter des éléments optiques actifs ou passifs (modulateurs, multiplexeurs, réseaux de couplage…), notamment dans le cadre de la technologie dite photonique sur silicium.
La couche mince intercalaire 22 assure l’espacement des bras 23.1 de la couche mince structurée 23 vis-à-vis du substrat support 21, et délimite la cavité dans le plan XY. Elle est réalisée de préférence à base de silicium, par exemple en un oxyde ou nitrure de silicium, voire en alumine Al 2 O 3 , entre autres. Elle repose sur le substrat support 21, et peut présenter une épaisseur de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres à quelques microns. Elle définit latéralement, dans le plan XY, une cavité au-dessus de laquelle sont suspendus les bras 23.1 de la couche mince structurée 23.
La couche mince structurée 23 repose sur la couche mince intercalaire 22. Elle est formée d’une partie de maintien 23.2, qui repose sur la couche mince intercalaire 22, et de bras 23.1 suspendus au-dessus de la cavité. Les bras 23.1 sont allongés suivant l’axe principal X, c’est-à-dire qu’ils présentent une largeur moyenne suivant l’axe Y inférieure à la longueur suivant l’axe Z. Ils s’étendent longitudinalement, de manière coaxiale, suivant l’axe principal X, de sorte que cet axe forme l’axe de déformation principale de la portion cristalline semiconductrice 10.
Les bras 23.1 présentent une longueur Lb et une largeur moyenne , laquelle est inférieure à la largeur de la cavité. La largeur est ici la dimension suivant l’axe transversal Y. Les bras 23.1 peuvent présenter une forme dans le plan XY sensiblement rectangulaire, avec éventuellement une diminution progressive ou brutale (comme illustré sur les et 1C) de la largeur locale en direction de la portion cristalline semiconductrice 10. Dans cet exemple, les bras 23.1 présentent une largeur locale lb qui passe, à partir de la partie de maintien 23.2, une première valeur lb1 sensiblement constante, puis diminue brutalement à une deuxième valeur lb2 sensiblement constante. De préférence, pour induire efficacement une déformation de la portion cristalline semiconductrice 10, la valeur moyenne de la largeur des bras 23.1 est supérieure à la valeur moyenne de la portion cristalline semiconductrice 10, et de préférence supérieure à la valeur moyenne de la largeur de la partie centrale 11 de la portion cristalline semiconductrice 10 (là où se situe le milieu à gain).
Notons que les bras 23.1 peuvent être physiquement distincts l’un de l’autre suivant l’axe principal X, comme illustré sur la (pas de continuité entre les bras 23.1 par le ou les matériaux dont ils sont formés) . En variante (non représentée), ils peuvent être raccordés l’un à l’autre par une partie centrale de la couche mince structurée 23, cette partie centrale s’étendant continument d’un bras à l’autre sous la portion cristalline semiconductrice 10 et présentant de préférence une largeur locale au plus égale à celle de la portion cristalline semiconductrice 10.
Dans ce mode de réalisation où la déformation à la demande des bras 23.1 est obtenue par un effet piézoélectrique inverse, la couche mince structurée 23 est réalisée à base d’un matériau piézoélectrique, de préférence en plomb zirconate titanate PbZrTiO 3 (PZT), mais d’autres matériaux peuvent être utilisés, tels que le BaTiO 3 , l’AlN, le ZnO, LiNbO 3 , Pb(NbO 3 ) 2 , PbTiO 3 , Pb(Mg 0,33 Nb 0,66 )O 3 , Pb(Sc 0,5 Ta 0,5 )O 3 ou tout autre matériau piézoélectrique adapté. Elle présente une épaisseur de l’ordre de quelques microns, par exemple comprise entre 0.5 et 2 µm. Il s’agit d’une couche mince déposée sur la couche mince intercalaire 22 par des techniques de dépôt de la microélectronique, par exemple par une méthode sol gel ou par pulvérisation. Elle se distingue donc des substrats piézoélectriques dont l’épaisseur est de plusieurs centaines de microns voire de plusieurs millimètres.
La portion cristalline semiconductrice 10 est réalisée en au moins un matériau semiconducteur cristallin, et de préférence monocristallin. Ce matériau peut être choisi notamment parmi les éléments de la colonne IV de la classification périodique, tels que le germanium Ge, le silicium Si, et parmi les composés formés de ces éléments, par exemple le GeSn, le SiGe et le SiGeSn. Il peut également être choisi parmi les composés III-V comportant des éléments des colonnes III et V de la classification périodique, comme par exemple l’InP et le GaInAs, voire parmi les composés II-VI, comme par exemple le CdHgTe.
De préférence, la portion cristalline semiconductrice 10 est réalisée à base d’un matériau semiconducteur dont la structure de bandes, en l’absence d’une déformation en tension suffisante, est indirecte. La déformation en tension de la portion cristalline semiconductrice 10, induite par l’actionneur électromécanique, peut alors être suffisante pour rendre directe sa structure de bandes. La portion cristalline semiconductrice 10 est de préférence réalisée à base de germanium. Par « réalisée à base de germanium », on entend que la portion cristalline semiconductrice 10 est formée majoritairement en germanium ou en ses composés. Dans cet exemple, la portion cristalline semiconductrice 10 est réalisée en GeSn.
La portion cristalline semiconductrice 10 présente de préférence une forme allongée suivant l’axe principal X. Elle repose sur les bras 23.1, de sorte que la déformation des bras 23.1 suivant l’axe principal X entraîne celle de la portion cristalline semiconductrice 10 suivant le même axe. Elle comporte une partie centrale 11, qui forme ici le milieu à gain de la diode laser, et deux parties d’extrémité 12, lesquelles reposent sur les bras 23.1. Dans cet exemple où les bras 23.1 sont distincts l’un de l’autre (pas de continuité de matière), la partie centrale 11 est directement suspendue au-dessus du substrat support 21 sans reposer sur les bras 23.1, alors que les parties d’extrémité 12 reposent sur les bras 23.1. Pour améliorer la tenue mécanique de la portion cristalline semiconductrice 10 sur les bras 23.1 d’une part, et pour optimiser la déformation de celle-ci, la partie centrale 11 présente de préférence une largeur moyenne inférieure à celle des parties d’extrémité 12. Par ailleurs, la partie centrale 11 présente ici une longueur Lpc et une largeur lpc ici sensiblement constante. De préférence, comme indiqué précédemment, de manière à optimiser la déformation induite par les bras 23.1 dans la portion cristalline semiconductrice 10, sa largeur moyenne est inférieure à la largeur moyenne des bras 23.1. La portion cristalline semiconductrice 10 présente une épaisseur suivant l’axe Z pouvant être comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques microns, par exemple comprise entre 100 nm et 2 µm environ.
Le dispositif optoélectronique 1 comporte un dispositif électrique de déformation, adapté à générer un champ électrique dans les bras 23.1 de la couche mince structurée 23, induisant une déformation des bras 23.1 (par effet piézoélectrique inverse), et donc de la portion cristalline semiconductrice 10, suivant l’axe principal X. Ce dispositif électrique de déformation comporte une source électrique (non représentée) et un circuit électrique adapté à générer le champ électrique.
La source électrique est adaptée à générer un signal électrique de commande, par exemple une différence de potentiel électrique entre deux électrodes 31, 32, de manière à provoquer une déformation en compression ou en tension, par effet piézoélectrique inverse, de la couche mince structurée 23 suivant l’axe principal X.
Le circuit électrique est connecté à la source électrique. Il comporte deux électrodes inférieure 31 et supérieure 32, qui se présentent sous la forme de couches minces conductrices situées de part et d’autre de la couche mince structurée 23 suivant l’axe vertical Z. Les électrodes 31, 32 sont réalisées en un matériau électriquement conducteur, par exemple en CrAu, Pt/TiO2, entre autres, et présentent une épaisseur par exemple de l’ordre de 100 nm. Le circuit électrique peut comporter des plots de contact 33, 34, qui assurent la connexion des électrodes inférieure 31 et supérieure 32 à la source électrique. Les plots de contact 34 traversent ici la couche mince structurée 23 pour venir au contact des électrodes inférieures 31 (sans contacter l’électrode supérieure 32).
Enfin, le dispositif optoélectronique 1 comporte un guide d’onde 2 couplé optiquement à la portion cristalline semiconductrice 10. Dans cet exemple où le dispositif optoélectronique 1 est une diode laser, le guide d’onde 2 est adapté à recevoir un rayonnement lumineux issu de la portion cristalline semiconductrice 10 (cf. flèche en pointillé sur la ). Le guide d’onde 2 est ici une portion linéaire réalisée dans le même matériau que celui de la portion cristalline semiconductrice 10, et assurant une continuité physique avec celle-ci. Il peut présenter une largeur différente de celle de la portion cristalline semiconductrice 10. Notons qu’une couche diélectrique d’isolation optique (non représentée) peut être située entre le guide d’onde 2 et l’électrode supérieure 32 pour limiter les pertes optiques et ainsi améliorer les performances du guide d’onde 2.
En variante, comme l’illustre la , le guide d’onde 2 peut être un guide d’onde intégré situé dans le substrat support 21. Le couplage optique est alors un couplage évanescent, où le mode optique issu de la portion cristalline semiconductrice 10 est couplé tout d’abord à la couche mince structurée 23 sous-jacente puis au guide d’onde intégré 2. Ce type de couplage est similaire à celui décrit dans le document EP3462555A1.
Le guide d’onde 2 peut appartenir ou être couplé optiquement à un circuit photonique du dispositif optoélectronique 1, situé par exemple au moins en partie dans le substrat support 21. Le circuit photonique peut comporter des éléments optiques actifs et/ou passifs. En variante ou en complément, le guide d’onde 2 peut être couplé optiquement à une fibre optique externe par le biais d’un réseau de diffraction.