Procédé de gestion du fonctionnement d’une cellule-mémoire non volatile multi-niveaux, la cellule-mémoire (MLB) comportant N niveaux, N étant pair et supérieur à deux, correspondant respectivement à N données logiques susceptibles d’être stockées dans la cellule-mémoire et à N plages de courants de lecture correspondantes, le procédé comprenant une lecture de la donnée stockée dans la cellule-mémoire comportant des comparaisons successives d’un courant de lecture (Iread) délivré par la cellule-mémoire avec des courants de référence (Iref) choisis dans un jeu de de N-1 courants de référence ayant des valeurs respectivement situées entre deux plages successives différentes, à l’aide d’un algorithme dichotomique commençant par le courant de référence ayant la valeur médiane. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la lecture comprend un placement à côté de la cellule-mémoire, d’une cellule-mémoire de référence (CELR) structurellement identique à la cellule-mémoire, et des lectures successives de cette cellule-mémoire de référence pour lui faire délivrer les courants de référence correspondants. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la lecture comprend une fourniture d’une source de courant réglable (SC) et des réglages successifs de la source de courant pour lui faire délivrer les courants de référence successivement choisis. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la cellule-mémoire (MLB) est une cellule-mémoire du type à changement de phase. Procédé selon les revendications 2 et 4, dans lequel la cellule-mémoire de référence (CELR) est à changement de phase et la délivrance d’un courant de référence comprend le placement de la cellule-mémoire de référence dans un état initialisé et une application d’une tension de référence choisie sur la cellule-mémoire de référence pour lui faire délivrer le courant de référence correspondant. Procédé selon l’une des revendications précédentes, comprenant en outre une programmation de la cellule-mémoire (MLB) au niveau souhaité et une vérification de la programmation en utilisant ladite lecture de la cellule-mémoire. Procédé selon les revendications 4 et 6, dans lequel la programmation de la cellule-mémoire à un niveau inférieur au niveau maximum comprend une programmation (PLS) de la cellule-mémoire au niveau maximum puis des délivrances successives d’impulsions d’effacement (PLRS) de la cellule-mémoire respectivement suivies de lectures successives de la cellule-mémoire jusqu’à atteindre un courant de lecture correspondant au niveau de programmation souhaité. Dispositif de mémoire non volatile multi-niveaux, comprenant au moins une cellule-mémoire non volatile (MLB) comportant N niveaux, N étant pair et supérieur à deux, correspondant respectivement à N données logiques susceptibles d’être stockées dans la cellule-mémoire et à N plages de courants de lecture correspondantes, des moyens de lecture (DGC, CELR, GEN1, GEN2, AMP) de la donnée (D) stockée dans la cellule-mémoire configurés pour effectuer des comparaisons successives d’un courant de lecture délivré par la cellule-mémoire avec des courants de référence choisis dans un jeu de de N-1 courants de référence ayant des valeurs respectivement situées entre deux plages successives différentes, à l’aide d’un algorithme dichotomique commençant par le courant de référence ayant la valeur médiane. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les moyens de lecture comprennent une cellule-mémoire de référence (CELR) située à côté de la cellule-mémoire et structurellement identique à la cellule-mémoire, et un module de lecture (GEN1, GEN2) configuré pour effectuer des lectures successives de cette cellule-mémoire de référence pour lui faire délivrer les courants de référence correspondants. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les moyens de lecture comprennent une source de courant réglable (SC) et des moyens de contrôle (DGC) configurés pour effectuer des réglages successifs de la source de courant pour lui faire délivrer les courants de référence successivement choisis. Dispositif selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel la cellule-mémoire (MLB) est une cellule-mémoire du type à changement de phase. Dispositif selon les revendications 9 et 11, dans lequel la cellule-mémoire de référence (CELR) du type à changement de phase est dans un état initialisé et le module de lecture est configuré pour appliquer une tension de référence choisie sur la cellule-mémoire de référence pour lui faire délivrer le courant de référence correspondant. Dispositif selon l’une des revendications 8 à 12, comprenant en outre des moyens de traitement (DGC) configurés pour effectuer une programmation de la cellule-mémoire au niveau souhaité et effectuer une vérification de la programmation en utilisant ladite lecture de la cellule-mémoire. Dispositif selon les revendications 11 et 13, dans lequel les moyens de traitement sont configurés pour effectuer une programmation de la cellule-mémoire (MLB) à un niveau inférieur au niveau maximum en effectuant une programmation de la cellule-mémoire au niveau maximum puis en effectuant des délivrances successives d’impulsions d’effacement de la cellule-mémoire respectivement suivies de lectures successives de la cellule-mémoire jusqu’à atteindre un courant de lecture correspondant au niveau de programmation souhaité.