INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans une autre alternative où la liste de commandes spéciales LST contient des commandes autorisées d_cmd, si le niveau de sécurité courant SOC_LVL est supérieur ou égal (c’est-à-dire a la permission équivalente ou plus) à celui de la commande identifiée d_lvl, alors la commande cmd est autorisée et la transaction est exécutée normalement, c’est-à-dire que le contrôleur de mémoire CNTMEM pilote l’accès ACC à la mémoire MEM.
Dans le cas contraire, si le niveau de sécurité courant SOC_LVL est inférieur (c’est-à-dire ayant des accès plus restreints) à celui de la commande identifiée d_lvl, ou si l’information de transaction qui définit la commande cmd n’appartient pas à la liste de commandes autorisées LST, est bloquée ou rejetée DEN, et le contrôleur de mémoire CNTMEM peut renvoyer une erreur.
La liste des commandes spéciales LST peut être un simple ensemble de registres. Le nombre « M » de registres dépend des besoins du produit.
La illustre un exemple de processus de démarrage du système sur puce SOC, tel que décrit ci-avant en relation avec les figures 1 et 2, au cours duquel un niveau de sécurité du système sur puce LVL0-LVL3, évolue au fur et à mesure de l’avancée du processus de démarrage.
En particulier, on rappelle que le niveau de sécurité LVL0-LVL3 (ou SOC_LVL - figures 1 et 2) évolue temporellement de façon à avoir des accès de plus en plus restreints, notamment de façon à bloquer les accès aux régions mémoires contenant des informations du processus de démarrage, dès que ces informations ont été utilisées dans le processus de démarrage.
On notera que dans cet exemple, les valeurs numériques représentatives des niveaux de sécurité LVL0-LVL3 sont incrémentées au fur et à mesure que le niveau de sécurité baisse, c’est-à-dire au fur et à mesure que le contexte a de moins en moins de permissions d’accès.
Ainsi par exemple, lors d’une étape d’initialisation de démarrage Bootrom le code de démarrage initial est chargé depuis un emplacement fixe de la mémoire externe MEM immédiatement disponible pour le processeur lorsque l’exécution commence, par exemple l’emplacement DAT_LVL0.
Dans le contexte de cette toute première étape Bootrom, le niveau de sécurité LVL0 a le plus de permissions d’accès possible, et toutes les régions mémoires DAT_LVL0-DAT_LVL3 (et donc tous les éventuels secrets qu’elles contiennent) sont accessibles.
Ensuite, par exemple une étape FSBL dite première phase de démarrage (usuellement « first stage bootloader » en anglais) est mise en œuvre.
Dans le contexte de cette première phase de démarrage FSBL, le niveau de sécurité LVL1 correspond à un niveau sécurisé de démarrage, dans lequel les secrets de l’étape d’initialisation de démarrage Bootrom ne sont plus utilisé, et sont donc cachées. A cet effet, l’accès à la région mémoire DAT_LVL0 correspondant au contexte Bootrom est bloqué DEN. Les autres régions mémoires DAT_LVL1-DAT_LVL3 sont accessibles.
Ensuite, par exemple une étape SecOS d’exécution d’un système d’exploitation sécurisé est mise en œuvre.
Dans le contexte du système d’exploitation sécurisé SecOS, le niveau de sécurité LVL2 correspond à un niveau sécurisé, dans lequel les secrets de la première phase de démarrage FSBL, tels que des clés spécifiques, ne sont plus utilisé, et sont donc cachées. A cet effet, l’accès à la région mémoire DAT_LVL1 correspondant au contexte FSBL est bloqué DEN. L’accès à la région mémoire DAT_LVL0 du contexte Bootrom est toujours bloqué DEN. Les autres régions mémoires DAT_LVL2-DAT_LVL3 sont accessibles.
Ensuite, par exemple des étapes SSBL, OS correspondant à un contexte non-sécurisé NSEC sont mises en œuvre.
Dans le contexte non-sécurisé NSEC, le niveau de sécurité LVL3 correspond à un niveau non-sécurisé, dans lequel seuls les « secrets » utilisable par le système d’exploitation non-sécurisé OS sont accessibles. A cet effet, l’accès à la région mémoire DAT_LVL2 correspondant au contexte SecOS est bloqué DEN. L’accès aux régions mémoire DAT_LVL0-DAT_LVL1 des contextes précédents FSBL, Bootrom sont toujours bloqués DEN. La région mémoire DAT_LVL3 est accessible.
Bien entendu, le processus de démarrage décrit ci-dessus correspond à un exemple simplifié, à vocation illustrative.
Les conditions de mise en œuvre de la méthode de concentration selon l’invention peuvent varier, notamment la durée ou le débit de l’étape de séparation. De manière préférée pour la méthode selon l’invention, la durée de séparation, mesurée selon la méthode des exemples, est inférieure à 20 minutes. De manière plus préférée, elle est inférieure à 10 minutes ou inférieure à 5 minutes. Selon l’invention, la durée de séparation est avantageusement supérieure à 30 secondes ou supérieure à 1 minute. Selon l’invention, la durée de séparation est la durée effective de l’étape active au cours de laquelle l’eau est séparée du concentré de minerai métallique. Également de manière préférée selon l’invention, le débit de séparation du concentré de minerai métallique et de l’eau, mesuré par rapport à la surface de séparation et à la quantité de minerai métallique, mesurée selon la méthode des exemples, est supérieur à 950 kg/(m 2 .h). De manière plus préférée, le débit de séparation est supérieur à 1 200 kg/(m 2 .h) ou supérieur à 1 300 kg/(m 2 .h). De manière bien plus préférée, le débit de séparation est supérieur à 1 400 kg/(m 2 .h).
Selon l’invention, le débit de séparation mesure, en fonction du temps, la quantité en masse de concentré de minerai métallique qui est séparé en fonction de la surface de séparation, notamment de la surface de filtration. Selon l’invention, le débit de séparation mesure le débit de concentration ou le débit de filtration.
La méthode de concentration selon l’invention est mise en œuvre à partir d’une composition aqueuse comprenant au moins un concentré de minerai métallique, en particulier une composition aqueuse de concentré de minerai métallique obtenue après séparation du minerai de la gangue généralement par flottation ou par flottation et décantation.
De manière préférée selon l’invention, la composition aqueuse à concentrer possède une concentration en matière sèche, de préférence de concentré de minerai métallique, mesurée par mesure de perte de masse, supérieure à 10 % en poids ou supérieure à 15 % en poids. De manière plus préférée, elle possède une concentration en matière sèche supérieure à 20 % en poids.
Également de manière préférée selon l’invention, la composition aqueuse à concentrer possède une concentration en matière sèche, de préférence de concentré de minerai métallique, mesurée par mesure de perte de masse, inférieure à 45 % en poids ou inférieure à 35 % en poids ou inférieure à 30 % en poids. De manière plus préférée, elle possède une concentration en matière sèche inférieure à 35 % en poids ou inférieure à 30 % en poids.
De manière également préférée, la composition aqueuse à concentrer possède une concentration en matière sèche, de préférence de concentré de minerai métallique, mesurée par mesure de perte de masse, allant de 10 à 45 % en poids ou de 10 à 40 % en poids ou de 10 à 35 % en poids ou de 10 à 30 % en poids.
De manière également préférée, la composition aqueuse à concentrer possède une concentration en matière sèche, de préférence de concentré de minerai métallique, mesurée par mesure de perte de masse, allant de 15 à 45 % en poids ou de 15 à 40 % en poids ou de 15 à 35 % en poids ou de 15 à 30 % en poids.
De manière plus préférée, la composition aqueuse à concentrer possède une concentration en matière sèche, de préférence de concentré de minerai métallique, mesurée par mesure de perte de masse, allant de 20 à 45 % en poids ou de 20 à 40 % en poids ou de 20 à 35 % en poids ou de 20 à 30 % en poids.
La méthode selon l’invention met en œuvre une composition aqueuse à concentrer ayant une viscosité ou un seuil d’écoulement qui sont particulièrement avantageux. De manière préférée selon l’invention, la composition aqueuse à concentrer possède une viscosité Brookfield, mesurée à 100 tour/min et à 25°C, inférieure à 1 800 mPa.s, de préférence inférieure à 1 500 mPa.s ou inférieure à 1 200 mPa.s. Plus préférentiellement, la viscosité est inférieure à 1 000 mPa.s ou inférieure à 900 mPa.s. Bien plus préférentiellement, la viscosité de la composition aqueuse à concentrer est inférieure à 800 mPa.s ou inférieure à 700 mPa.s, voire inférieure à 500 mPa.s.
Également de manière préférée selon l’invention, la composition aqueuse à concentrer possède un seuil d’écoulement mesuré à une température de 25°C au moyen d’un rhéomètre à contrainte imposée, équipé d’un mobile à ailettes, pour un couple de torsion particulier, inférieur à 20 Pa ou inférieur à 10 Pa.
De manière préférée, le seuil d’écoulement est supérieur à 1,0 Pa. De manière plus préférée, le seuil d’écoulement est supérieur à 1,2 Pa, plus préférentiellement supérieur à 1,5 Pa.
Selon l’invention, le seuil d’écoulement, qui caractérise la résistance à l’écoulement, est mesuré sur un échantillon de concentré de composition aqueuse de minerai métallique. Le seuil d’écoulement est la contrainte qu’il faut appliquer à une composition afin de provoquer son écoulement. Si la contrainte est insuffisante, la composition se déforme de manière élastique alors que si la contrainte est suffisante, la composition peut s’écouler à la manière d’un liquide.
Selon l’invention, le seuil d’écoulement exprimé en Pascal (Pa) est mesuré à la température de 25°C au moyen d’un rhéomètre Brookfield DV3T à contrainte imposée équipé d’un mobile à ailettes adapté. Sans détruire la structure sous-jacente, le mobile à ailettes est plongé dans la composition jusqu’au premier repère d’immersion. Après un temps d’attente de 1 minute, la mesure est effectuée sans pré-cisaillement à la vitesse de 0,5 tour/min. Cette vitesse relativement faible est préférée afin de minimiser les effets d’inertie du mobile à ailettes. La variation du couple de torsion mesurée par l’appareil afin de maintenir une vitesse de rotation de 0,5 tour/min est suivie en fonction du temps. La valeur de la limite d’écoulement ou seuil d’écoulement de la composition est indiquée par l’appareil lorsque cette variation devient nulle.
De manière préférée, le minerai métallique est choisi parmi un minerai de lithium, strontium, lanthanides, actinides, uranium, terres rares, titane, zirconium, vanadium, niobium, chrome, molybdène, tungstène, manganèse, fer, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium, platine, cuivre, argent, or, zinc, cadmium, étain, plomb. De manière particulièrement préférée, le minerai métallique est choisi parmi un minerai de cuivre, un minerai de molybdène, un minerai de nickel, en particulier un minerai de cuivre.
Selon l’invention, le minerai métallique peut comprendre un oxyde de métal, un sulfure de métal ou un carbonate de métal.
Lors de la mise en œuvre de la méthode de concentration selon l’invention, le concentré de minerai métallique est sous forme de particules, de préférence sous forme de particules dont la taille, mesurée par diffraction laser, possède un diamètre D90 inférieur à 150 µm, de préférence un diamètre D90 inférieur à 100 µm.
Dans cet exemple, en référence à la , la béquille 3 comprend deux jambes 31 parallèles reliées par un organe de liaison 32 de manière à former une structure en U inversé. Chaque jambe 31 comporte une extrémité libre 310 destinée à venir en contact avec le plancher P. Il va de soi que la béquille 3 pourrait avoir une autre structure.
La béquille 3 est montée de manière articulée selon un axe latéral Yd par rapport au dossier 2, en particulier, par rapport à la partie inférieure 21 du dossier 2. On définit par la suite un angle de béquille θ entre la partie inférieure 21 du dossier 2 et la béquille 3. Dans cet exemple, comme illustré à la , l’organe de liaison 32 s’étend selon l’axe latéral Yd et remplit la fonction d’articulation.
Selon un aspect de l’invention, la béquille 3 est configurée pour évoluer entre une position rétractée QR de rangement dans laquelle la béquille 3 s’étend entièrement dans un plan sensiblement parallèle à la partie inférieure 21 du dossier 2 et une position déployée QD ( ) dans laquelle la béquille 3 forme avec le dossier 2 un angle déployé θ3 de l’ordre de 90°. De manière préférée, dans la position déployée QD, l’extrémité libre 310 de chaque jambe 31 est configurée pour reposer sur un emplacement précis du plancher P, par exemple sur une zone renforcée ZR, comme représenté sur la , de manière à limiter tout risque d’endommagement du plancher P.
Dans une forme de réalisation, en référence à la , la face arrière 2B du dossier 2 comprend un logement 24, ménagée par exemple dans une garniture du dossier 2 et configurée pour recevoir la béquille 3 en position rétractée QR. Autrement dit, dans la position rétractée QR, la béquille 3 est configurée pour être escamotée, ce qui évite de former un obstacle en saillie susceptible de perturber les mouvements dans la cabine de pilotage.
Pour permettre le déplacement de la béquille 3 dans la position rétractée QR, le siège pilote S comprend un système de rétraction 5 de la béquille 3 qui va être dorénavant décrit.
Selon un aspect de l’invention, le système de rétraction 5 de la béquille 3 est configuré pour déplacer automatiquement la béquille 3 depuis la position déployée QD dans la position rétractée QR lorsque le pilote tire sur l’organe de préhension 41. Autrement dit, lorsque le dossier 2 est relevé et que le siège pilote S passe de la position de repos POSR à la position de travail POST, la béquille 3 est configurée pour être déplacée automatiquement dans la position rétractée QR. Cela permet au pilote de revenir rapidement et en toute sécurité dans la position de travail POST, sans que la béquille 3 ne représente un quelconque danger pour les personnes présentes dans la cabine de pilotage de l’aéronef.
Un exemple de réalisation d’un système de rétraction 5 est illustré sur les figures 7 et 8. Le système de rétraction 5 est monté entre la béquille 3 et le dossier 2. Dans cet exemple, le système de rétraction 5 est monté entre l’organe de liaison 32 de la béquille 3 et la partie supérieure 22 du dossier 2 mais il va de soi que cela pourrait être différent.
En référence à la , le système de rétraction 5 comprend, d’une part, un premier bras 51 relié solidairement à l’organe de liaison 32 de la béquille 3 et, d’autre part, un deuxième bras 52 relié solidairement à la partie supérieure 22 du dossier 2. Le premier bras 51 et le deuxième bras 52 sont reliés par une liaison pivot de manière à ce que le deuxième bras 52 entraine en rotation le premier bras 51 avec la béquille 3 de manière fluide.
Le premier bras 51 comprend un pion 510 tandis que le deuxième bras 52 comprend une ouverture 520 dans laquelle le pion 510 est guidé pour permettre le coulissement de la liaison pivot. Dans cet exemple, l’ouverture 520 se présente sous la forme d’une gorge longitudinale dans laquelle le pion 510 peut se déplacer en fonction, d’une part, de l’angle de béquille θ et, d’autre part, de l’angle d’inclinaison β défini entre la partie inférieure 21 et la partie supérieure 22 du dossier 2.
Un exemple de cinématique du système de rétraction 5 va dorénavant être présenté en référence aux figures 9 et 10.
A la , le siège pilote est en position de repos POSR, l’angle de dossier α est de l’ordre de 180° et l’angle de béquille θ est de l’ordre de 90° (position déployée QD). Lorsque le pilote doit reprendre les commandes alors qu’il se repose, il lui suffit de tirer sur l’organe de préhension 41 de manière à tirer vers l’avant la partie supérieure 22 du dossier 2, ce qui réduit l’angle d’inclinaison β (position intermédiaire POSC) puis réduit l’angle de dossier α afin de retrouver la position de travail POST comme expliqué précédemment.
De manière plus précise, en référence à la , le procédé comporte des étapes consistant à : Exercer une traction R1 sur l’organe de préhension 41 ( ) pour relever la partie supérieure 22 du dossier 2 afin de réduire l’angle d’inclinaison β, Déplacer R2 le deuxième bras 52 de manière à ce que le pion 510 vienne en butée dans l’ouverture 520 Entrainer R3 en rotation le premier bras 51 par le deuxième bras 52 et Déplacer R4 la béquille 3 vers la position rétractée QR suite à la traction par le pilote de l’organe de préhension 41.
De manière avantageuse, c’est la modification de l’angle d’inclinaison β du dossier 2 qui amorce la rétraction de la béquille 3 concomitamment au relevage du dossier 2.
De manière préférée, comme illustré à la , le système de rétraction 5 comprend en outre un vérin 7 reliant la béquille 3 au dossier 2, en particulier, à la partie inférieure 21 du dossier 2. Le vérin 7 permet avantageusement d’améliorer la cinématique de rétraction en fournissant un couple rotatif dans un sens ou dans l’autre pour modifier l’angle de béquille θ. Afin d’optimiser l’encombrement, le vérin 7 et les bras 51, 52 sont positionnés de manière latéralement opposée. De préférence, le vérin 7 est un vérin à gaz ou un ressort à gaz appelé « gas spring ».
Le vérin 7 possède une plage de fonctionnement qui est fonction de l’angle de béquille θ. En référence à la , le vérin 7 définit une première plage de fonctionnement P1, entre un angle de béquille nul (θ0=0°) correspondant à la position rétractée QR et un angle neutre θ1 (angle d’équilibre), dans laquelle le vérin 7 exerce un effort de déplacement visant à réduire l’angle de béquille θ, en particulier, jusqu’à l’angle de béquille nul (θ0=0°).
De manière avantageuse, le vérin 7 permet de prendre le relais des bras 51, 52 en venant accompagner la béquille 3 jusqu’à la position rétractée QR. Autrement dit, il suffit uniquement que les bras 51, 52 déplacent la béquille 3 au-delà de l’angle neutre θ1 pour assurer une rétraction optimale. De manière avantageuse, une course réduite des bras 51, 52 liée à l’inclinaison des deux parties 21, 22 du dossier 2 est suffisante. De manière préférée, l’angle neutre θ1 est choisi en fonction de la course des bras 51, 52. Dans cet exemple, l’angle neutre θ1 est de l’ordre de 25° +/- 10°.
En fait, l’halogénure et/ou l’organométallique sont choisis en fonction de la nature souhaitée de la première et de la deuxième électrode. Par exemple en mettant en œuvre les étapes a) et c) avec du tétrachlorure de titane couplé avec de l’ammoniac, alors une électrode en nitrure de titane est obtenue.
Il est à noter que la deuxième électrode peut comprendre une seule couche ou une multitude de couches dont la nature et la technique de dépôt peuvent différer de la première électrode.
Alternativement au dépôt par ALD, les étapes a), b) et c) peuvent également être mises en œuvre par un procédé ALD assisté par plasma (aussi dit PEALD pour « Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition »), par un procédé ALD spatiale (aussi dit SALD pour « Spatial Atomic Layer Deposition ») ou encore par un procédé ALD à pression atmosphérique.
D’autres alternatives peuvent être mises en œuvre, en particulier pour les étapes a) et c), telles que des techniques de dépôt adaptées aux couches minces, comme le dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour « Physical Vapour Deposition ») ou encore comme le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour « Chemical Vapor Deposition »).
L’homme du métier sait parfaitement choisir le procédé de dépôt le plus adapté, notamment en fonction de la surface du substrat utilisée (plane ou microstructurée).
L’invention a-t-elle aussi pour objet une couche diélectrique ionique comprenant : - une première partie comprenant une matrice à base d’un conducteur ionique dans laquelle un dopant est incorporé ; - une deuxième partie comprenant un oxyde du dopant ou comprenant la matrice à base du conducteur ionique dans laquelle est incorporé le dopant ; la teneur atomique en dopant de la deuxième partie de la couche diélectrique ionique étant supérieure à la teneur atomique en dopant de la première partie de la couche diélectrique ionique.
Brève description des figures représente un substrat 1 ayant une surface plane recouverte par une première électrode 2, une couche diélectrique 3 comprenant une première partie 31 et une deuxième partie 32 et une deuxième électrode 4 selon un premier mode de réalisation particulier de l’invention.
représente un substrat 1 ayant une surface microstructurée recouverte par une première électrode 2 selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention.
représente les étapes d’une synthèse de dépôt d’une couche diélectrique ionique comprenant une première partie et une deuxième partie, selon un mode de réalisation particulier de l’invention.
représente une structure comprenant le substrat 1 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant la première électrode 2 et une couche diélectrique ionique 3, selon un autre mode de réalisation particulier (pour des raisons de lisibilité, le détail de la couche diélectrique ionique n’est pas représenté sur cette figure).
est un agrandissement d’une partie de la ; elle représente une structure comprenant le substrat 1 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant la première électrode 2, la couche diélectrique ionique 3 comprenant une première partie 31 et une deuxième partie 32.
représente une structure S1 de type MIM comprenant le substrat 1 dont sa surface est recouverte par un empilement comprenant la première électrode 2, la couche diélectrique ionique 3 et une deuxième électrode 4, selon un autre mode de réalisation particulier (pour des raisons de lisibilité, le détail de la couche diélectrique ionique n’est pas représenté sur cette figure).
représente les étapes d’une synthèse de dépôt d’une couche diélectrique ionique comprenant une première partie et une deuxième partie, selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention.
Il est à noter que les figures décrites ci-dessus sont des représentations schématiques dont les dimensions et proportions relatives du substrat 1, de la première électrode 2, de la couche diélectrique ionique 3 et de la deuxième électrode 4 ne sont pas représentatives de celles susceptibles d’être présentées en situation réelle et ce, pour des questions de lisibilité.
Comme illustré sur la le combineur permet de faire circuler le fluide caloporteur du circuit de refroidissement directement sous le dissipateur thermique 6a d'un SSPA 6.
Dans les dispositifs de l'état de l'art, le dissipateur thermique décrit servait uniquement de conducteur thermique. De plus, sa surface d’échange utile n’était pas optimale puisque l’échange thermique ne se faisait pas suivant la plus grande de ses faces et ne donnait donc pas les meilleures conditions d’échange. Dans l’état de l’art le dissipateur des combineurs circulaires est une part de tarte tandis que pour le combineur rectangulaire c’est un pavé droit. Ce changement est lié à la géométrie particulière de chacun de ces combineurs. Ces dissipateurs ont deux rôles, conduire et dissiper. La conduction représente l’acheminement des calories vers la surface d’échange avec la source froide qui est la seule à dissiper à proprement parler. Il faut que le chemin de la conduction soit le plus court possible et la surface d’échange la plus grande possible. En considérant que les matériaux ont une conductivité thermique parfaite, il est possible de compenser parfaitement une moindre dissipation par une surface d’échange plus grande, seulement, cela se fait au détriment de la compacité. Clairement notre dispositif garantit un chemin plus court d’au moins un ordre de grandeur (passage du cm au mm) et permet ainsi une compacité accrue. On peut estimer qu’avec un système conventionnel à ailettes le volume serait doublé.
Dans la présente invention, le dissipateur thermique 6a d'un SSPA 6 et le fluide caloporteur circulant dans une portion traversante 8 du circuit de refroidissement ne font qu’un. L’avantage thermique est de maximiser la surface d’échange tout en minimisant la distance thermique entre la source chaude (le SSPA 6) et la source froide (le fluide caloporteur). L’avantage en terme de compacité est que le même dispositif remplit deux fonctions, établir un pont thermique et faire circuler le fluide caloporteur.
Comme illustré sur la , la partie centrale d'une carte électronique amplificatrice de puissance 5 comprend une découpe de la forme de l'amplificateur à état solide ou SSPA 6, dans laquelle est inséré un amplificateur traversant la carte 5.