INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, le dispositif d’accouplement peut être un dispositif à crabots, la deuxième partie d’accouplement comporte une denture complémentaire orientée axialement qui est agencée pour engrener avec la deuxième denture orientée axialement de la première partie d’accouplement lorsque la première partie d’accouplement est dans la position accouplée.
Avantageusement, la deuxième partie d’accouplement du dispositif d’accouplement peut être formée d’un seul tenant avec la couronne porteuse.
De préférence, la première denture orientée radialement et la deuxième denture orientée axialement peuvent être contiguës. Ainsi, le composant appelé « première partie d’accouplement » est compact axialement.
Avantageusement, le fond de la première denture orientée radialement définie une surface circonférentielle et le fond de la deuxième denture orientée axialement définie une surface plane, les deux surfaces peuvent avoir une arête circulaire en commun.
Selon une variante de l’invention, la première denture et la deuxième denture peuvent avoir le même nombre de dents.
Selon une variante de l’invention, les dents de la première denture orientée radialement peuvent être alignées avec les dents de la deuxième denture orientée axialement, de sorte que le fond de la première denture communique directement avec le fond de la deuxième denture.
Selon une variante de l’invention, les dents de la première denture orientée radialement peuvent être décalées angulairement avec les dents de la deuxième denture orientée axialement, de sorte que le fond de la deuxième denture communique directement avec le sommet d’une dent de la première denture.
Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants : le collage du substrat rigide avec l’hétérostructure pour la réalisation du premier assemblage est un collage avec activation de surface ; le collage du substrat rigide avec l’hétérostructure pour la réalisation du premier assemblage est un collage par diffusion atomique ; la séparation du premier assemblage au niveau de la couche intercalaire de matériau bidimensionnel comprend un apport d’énergie mécanique et/ou thermique ; l’apport d’énergie thermique est réalisé à une température inférieure à une température de séparation du substrat rigide au niveau du plan de fragilisation ; le substrat de croissance et le substrat rigide présentent des coefficients de dilatation thermique qui diffèrent d’au moins 0,3ppm/K ; le deuxième assemblage est soumis à une ou plusieurs étapes technologiques de fabrication de structures semi-conductrices, chacune réalisée à une température inférieure à une température de séparation du substrat rigide au niveau du plan de fragilisation ; il comprend en outre le retrait de la couche mince du quatrième assemblage ; il comprend en outre après le retrait de la couche mince, une épitaxie du matériau semi-conducteur sur l’au moins une couche épitaxiale ; l’au moins une couche épitaxiale de matériau semi-conducteur comprend une couche de matériau polaire, par exemple une couche de GaN ; le substrat cible est un substrat de SiC polycristallin, un substrat d’AlN polycristallin, un substrat de Si à haute résistivité électrique ou un substrat portant une couche de SiC semi-isolant ; le substrat de croissance est un substrat de silicium d’orientation (111).
D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels les figures 1 à 12 représentent un mode de réalisation possible d’un procédé selon l’invention.
L’invention concerne un procédé de double transfert de couche qui conjugue le transfert d’une couche semi-conductrice d’un substrat de croissance vers un substrat rigide au moyen de la technique de transfert à base de matériau bidimensionnel (2D) puis le transfert de la couche semi-conductrice du substrat rigide vers un substrat cible au moyen de la technique de transfert Smart Cut TM .
Dans le cadre de ce double transfert, l’utilisation du substrat rigide permet de réaliser le premier transfert par détachement au niveau du matériau bidimensionnel sans engendrer de fissures dans la couche semi-conductrice et sans nécessiter de couche métallique de contrainte. Cette utilisation permet en outre la manipulation de la couche semiconductrice afin de la transférer sur le substrat cible sans fissure ni fracture dans la couche semiconductrice.
Le procédé selon l’invention comprend une étape de fourniture d’une hétérostructure comprenant un substrat de croissance, une couche intercalaire de matériau bidimensionnel sur le substrat de croissance et une (ou plusieurs) couche(s) épitaxiale(s) de matériau semi-conducteur formée(s) sur la couche intercalaire.
Cette fourniture peut être la conséquence de la fabrication de l’hétérostructure dans le cadre d’un mode de réalisation possible du procédé selon l’invention.
En référence à la , dans ce mode de réalisation le procédé comprend la fourniture du substrat de croissance 1, lequel est par exemple un substrat de Si (d’orientation (111) notamment), de saphir ou de GaN.
En référence à la , dans ce mode de réalisation le procédé comprend ensuite la formation de la couche intercalaire de matériau bidimensionnel 2 sur le substrat de croissance 1. Cette formation peut être réalisée après une planarisation de la surface du substrat de croissance, par exemple au moyen d’un polissage mécano-chimique. Un nettoyage de la surface du substrat de croissance peut également être réalisé. Cette formation peut comprendre le dépôt du matériau bidimensionnel 2 sur le substrat de croissance 1. De manière non exhaustive, ce dépôt peut être réalisé au moyen d’une épitaxie par jet moléculaire (MBE pour « Molecular Beam Epitaxy »), d’un dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition ») ou d’une épitaxie de couche atomique (ALD pour « Atomic Layer Epitaxy »).
Le matériau bidimensionnel peut être du nitrure de bore hexagonal h-BN, du graphène ou plus généralement n’importe quel matériau 2D « Van der Waals » permettant de réaliser une épitaxie à distance. La couche de matériau bidimensionnel est ainsi constituée de feuillets monoatomiques ayant des interactions faibles entre eux et dont le nombre est limité pour permettre l’épitaxie à distance de la couche de matériau semi-conducteur. Dans une réalisation possible, le nombre de feuillets peut être inférieur à trois.
En référence à la , dans ce mode de réalisation le procédé comprend en outre la croissance de la couche épitaxiale de matériau semi-conducteur 3 sur la couche intercalaire 2. Cette croissance s’effectue généralement en deux étapes principales : la nucléation sur la couche de matériau bidimensionnel et la croissance standard de la couche épitaxiale de matériau semi-conducteur. Ces deux étapes peuvent être réalisées à des températures de croissance différentes, la nucléation pouvant être effectuée à une température plus basse que la croissance standard.
L'épaisseur de la couche épitaxiale 3 est typiquement comprise entre 100 nm et quelques microns, de préférence comprise entre 500 nm et 2 microns notamment dans le cas d’une couche épitaxiale de GaN. La couche épitaxiale de matériau semi-conducteur peut être une couche de matériau polaire, par exemple une couche de GaN, d’AlN ou de SiC. Prenant le cas d’une couche de GaN ou d’AlN, elle présente par son caractère polaire la caractéristique d’avoir, sur une face, une surface constituée majoritairement d’atomes d’azote (surface dite de type N) et, sur l’autre face, une surface constituée majoritairement d’atomes de gallium (surface dite de type Ga) ou d’aluminium (surface de type Al). En l’espèce, on retrouve la surface de type Ga ou de type Al à l’interface avec la couche de matériau bidimensionnel 2 tandis que la surface de type N forme une surface libre. Il en va de même avec une couche de SiC pour laquelle on retrouve une surface de type Si à l’interface avec la couche de matériau bidimensionnel 2 tandis qu’une surface de type C forme une surface libre.
Dans un mode de réalisation possible, le procédé comprend la croissance de plusieurs couches épitaxiales formant un empilement de couches cristallines. Dans ce qui suit, on prendra l’exemple d’une seule couche épitaxiale, étant entendu que l’invention n’est pas limitée à ce cas de figure.
Le procédé selon l’invention comprend par ailleurs une étape de fourniture d’un substrat rigide qui comprend un plan de fragilisation formé par implantation ionique à travers une première face du substrat rigide. Ce plan de fragilisation sépare une couche mince d’une partie massive du substrat rigide.
Cette fourniture peut être la conséquence de la préparation du substrat rigide dans le cadre d’un mode de réalisation possible du procédé selon l’invention.
En référence à la , dans ce mode de réalisation le procédé comprend la fourniture du substrat rigide 4, de préférence un substrat peu coûteux, par exemple un substrat de silicium, notamment un substrat de silicium d’orientation cristalline (111).
Dans un mode de réalisation, il comporte en outre un algorithme qui s’appuie sur un modèle prédictif (3) du potentiel, appelé potentiel RDI pour recherche développement et innovation, d’un projet technico-scientifique, pour donner le potentiel RDI des projets à l’aide d’un pourcentage ; ledit modèle prédictif s’appuyant sur : - un domaine technico-scientifique (2) qui est associé au projet et dans lequel le potentiel RDI est évalué ; ledit domaine technico-scientifique est un domaine, un sous-domaine, ou encore la combinaison de plusieurs domaines ou sous-domaines de recherche technique, technologique ou scientifique ; - une base de connaissances techniques et scientifiques par domaine collecter sous la plateforme numérique et construite à partir des bases de données scientifiques de référence en libre-service.
Dans un mode de réalisation, un système de modélisation d’un projet technico-scientifique sur la base d’une unité de projet dont le potentiel RDI est défini par sa densité en termes de mots clés dans un domaine spécifique, d’équations, et de média (images et pièces jointes).
La densité est définie en fonction du nombre de mots clés selon un seuil prédéterminé. Par exemple, si le seuil est au-delà de 50% de mots clés d’un domaine spécifique en comparaison avec le projet. Le module d’analyses stratégiques ou aussi appelé unité de traitement permet de réaliser cette comparaison.
L’unité de traitement fait référence à un composant ou à un système capable d'effectuer des opérations de traitement sur des données. L’unité de traitement désigne un microprocesseur, un processeur graphique (GPU), un processeur central (CPU) ou tout autre dispositif capable d'exécuter des instructions et de réaliser des calculs.
Le domaine spécifique est une suite de mots qui permet de définir le domaine spécifique et classé dans la base de données.
Dans un mode de réalisation, un système de modélisation d’un projet type sur la base d’une unité de projet type, qui est construite par une cote caractéristique définie et affinée par un modèle semi-empirique ; ledit modèle semi-empirique étant construit de la manière suivantes : - une approche expérimentale basée sur la contenance de l’unité de projet type en un certain nombre de mots clés du domaine, d’équations, et ou de média ; chacun des éléments caractéristiques de l’unité de projet type (mots clés, équations, images et fichiers joints) étant associé à une cote bien définie ; - une approche mathématique permettant de définir et valider la cote des différents éléments caractéristiques et celle de l’élément du projet type par itérations successives à partir d’une valeur initiale jusqu’à une valeur de convergence ; ceci en utilisant des projets scientifiques de références.
Les projets scientifiques de références sont par exemple une thèse universitaire ou une thèse universitaire en collaboration avec une entreprise pour optimiser le modèle mathématique.
Dans un mode de réalisation, un système de notation du potentiel RDI d’un fait marquant du journal de projet, basé sur une analyse comparative de la cote caractéristique dudit fait marquant par rapport à la cote caractéristique de l’unité de projet types ; la cote caractéristique dudit fait marquant étant la sommes des cotes des mots clés, des équations, images et pièces jointes contenus dans ledit fait marquant ; le système de notation du potentiel RDI étant donnée par une note en pourcentage entre 0 et 100 (0% et 100%) ; ainsi pour une cote RDI du fait marquant, - inférieur à la cote caractéristique de l’unité de projet type, le potentiel RDI du fait marquant est égale au rapport (en pourcentage) de la cote caractéristique du fait marquant par la cote caractéristique de l’unité de projet type, - supérieur ou égal à la cote caractéristique de l’unité de projet type, le potentiel RDI du fait marquant est égale à 100%.
Dans un mode de réalisation, un système de caractérisation du potentiel RDI d’un projet permettant la qualification RDI dudit projet dans un domaine technico-scientifique bien défini ; ledit système de caractérisation du potentiel RDI du projet ici étant basé : - sur la moyenne des notations en pourcentage de la qualification RDI des faits marquants du projet considérée dans son journal de projet ; le résumé et le titre du projet comptant comme un fait marquant ; - sur la prise en compte dans une approche mathématique de cotation RDI à l’échelle dudit projet, de son caractère collaboratif, ainsi que de son type de collaboration.
Dans un mode de réalisation, un système de qualification du potentiel RDI des projets technico-scientifiques suivis et gérés via le journal collaboratif de projet basé sur, - une qualification dudit potentiel RDI du projet sur chacune des années civiles de réalisation du projet ; cette qualification annuelle s’appuyant sur l’horodatage des faits marquants dans le journal de projet ; et sur - une affectation d’un code couleur à ladite qualification en fonction dudit potentiel RDI : - pour un potentiel RDI compris entre 0 et 29 (0% et 29%), le projet est qualifié d’un projet non RDI dans le domaine technico-scientifique considéré ; - pour un potentiel RDI compris entre 50 et 100 (50% et 100%), le projet est qualifié d’un projet RDI dans le domaine technico-scientifique considéré ; - pour un potentiel RDI compris entre 30 et 49 (30% et 49%), le projet est qualifié d’un projet non RDI dans le domaine technico-scientifique considéré, avec une qualification supplémentaire adapter à des données techniques configurées pour servir de faire-valoir.
Les données techniques pouvant servir de faire-valoir sont des axes de recherche, développement et innovation.
Brève description des figures D’autres avantages, buts et caractéristiques de la présente invention ressortent de la description qui suit ; faite dans un but explicatif et nullement limitatif, en regard des dessins annexés, dans lesquels :
La représente un transfert de données dans un réseau.
La représente un schéma fonctionnel de la présente invention.
Dans le mode de réalisation représenté, le dispositif d’accouplement 6 est un dispositif à crabot. Ainsi, l’une des première et deuxième partie d’accouplement 18, 19 comporte des dents tandis que l’autre comporte des rainures correspondantes dans lesquelles sont engagées lesdites dents lorsque la première partie d’accouplement 18 est en position accouplée. Dans le mode de réalisation représenté, la deuxième partie d’accouplement 19 est formée d’un seul tenant avec la couronne porteuse 13. En d’autres termes, des dents ou des rainures sont ménagées dans la face latérale de la couronnée porteuse 13 qui est tournée en regard de la première partie d’accouplement 18. Toutefois, bien que l'invention soit décrite en liaison avec un dispositif d’accouplement à crabots, elle n'y est pas limitée et le dispositif d’accouplement pourra être d’un autre type et notamment être un dispositif d’accouplement par friction.
Comme représenté sur la , la première partie d’accouplement 18 comporte une partie annulaire 20 qui est logée à l’intérieur du boîtier 8 et des plots de liaison 22 qui sont régulièrement réparties autour de l’axe principal X et qui passent chacune au travers d’une ouverture 82 correspondante ménagée dans le boîtier 8. La première partie d’accouplement 18 comprend une cannelure externe formée sur la périphérie de la partie annulaire 20 qui coulisse axialement dans une cannelure interne du boitier 8. Cela permet de solidariser en rotation la première partie d’accouplement 18 au boîtier 8 tout en permettant un déplacement axial relatif entre la première partie d’accouplement 18 et le boîtier 8.
Par ailleurs, le système de transmission 1 comporte un actionneur électromagnétique 50, illustré plus en détail sur la , permettant de déplacer axialement la première partie d’accouplement 18. L’actionneur électromagnétique 50 comporte un carter de protection qui est destiné à être monté sur le châssis du véhicule, fixe en rotation par rapport à celui-ci, au moyen d’organes de fixation non illustrés. Le carter de protection comporte notamment une embase 51 et un carter externe 52 formant un logement creux 50a.
L’actionneur électromagnétique 50 comporte également un couvercle de fermeture 59 rapporté sur l’embase 51 pour former une ouverture annulaire dans le logement, ledit couvercle de fermeture recouvrant une des faces latérales du solénoïde. Le couvercle de fermeture 59 ferme le logement 50a et comporte une face d’arrêt 60 pour définir la position déployée du piston poussoir 54.
Selon l’invention, l’actionneur électromagnétique est remarquable en ce que le piston poussoir 54, réalisé d’une seule pièce dans une matière ferromagnétique, entoure le solénoïde 57 et comprend une surface d’arrêt 54c tronconique définissant un entrefer E avec le couvercle de fermeture 59. Le couvercle de fermeture 59 comprend également une face d’arrêt 60 tronconique complémentaire à la surface d’arrêt 54c du piston poussoir, l’entrefer E étant réalisé entre les deux troncs de cône du piston poussoir et du couvercle de fermeture. Dans le mode de réalisation illustré sur la , la surface d’arrêt 54c tronconique du piston poussoir 54 et la face d’arrêt 60 tronconique du couvercle de fermeture 59 ont dans angles différents. On évite ainsi le phénomène d’adhésion des deux surfaces.
Selon une variante de réalisation de l’invention non représentée, la surface d’arrêt 54c et la face d’arrêt 60 peuvent être partiellement sphérique, c’est-à-dire qu’il s’agit d’une portion de la surface d'une sphère comprise entre deux plans parallèles qui coupent cette sphère, les deux plans étant perpendiculaires à l’axe principal X. De manière plus générale, la surface d’arrêt 54c et la face d’arrêt 60 ne sont pas perpendiculaires à l’axe principal X.
On précisera également que l’entrefer E est situé sur un diamètre De supérieur au diamètre extérieur du solénoïde 57. La géométrie particulière du piston poussoir 54 et du couvercle de fermeture 59 limite ainsi les fuites indésirables de flux magnétiques en dehors de l’actionneur. Par exemple, l’entrefer E est défini par le diamètre extérieur du couvercle de fermeture 59.
À titre indicatif, le dispositif 8 peut se présenter sous forme de réservoir calorifugé. Dans une variante de réalisation, non limitative, un tel réservoir comprend un média de stockage de chaleur, par exemple des roches.
L’installation 1 est configurée pour pouvoir être placée, sélectivement, dans différentes configurations décrites plus loin ci-dessous en référence aux figures 2 à 8, incluant des configurations dans lesquelles l’installation 1 fonctionne en mode de fourniture de vapeur, des configurations dans lesquelles l’installation 1 fonctionne en mode de stockage d’énergie et des configurations dans lesquelles l’installation 1 fonctionne à la fois en mode de fourniture de vapeur et en mode de stockage d’énergie.
De manière générale, en mode de stockage d’énergie, les fluides circulant dans l’installation 1 présentent des températures respectives telles que, d’une part, l’échangeur 6 transfère de la chaleur du fluide d’entrée circulant dans le circuit 4 au fluide caloporteur circulant dans le circuit 3, augmentant ainsi la température du fluide caloporteur et, d’autre part, que le dispositif de stockage d’énergie 8 stocke de la chaleur du fluide caloporteur ainsi réchauffé.
En mode de fourniture de vapeur, les fluides circulant dans l’installation 1 présentent des températures respectives telles que le dispositif de surchauffe 7 transfère de la chaleur du fluide caloporteur circulant dans le circuit 3 au fluide de sortie qui circule dans le circuit 2 en arrivant dans le dispositif de surchauffe 7 sous la forme d’un flux à l’état gazeux, augmentant ainsi la température de ce flux gazeux. En mode de fourniture de vapeur, le fluide caloporteur qui arrive dans le dispositif de surchauffe 7 peut provenir de l’échangeur 6 et/ou du dispositif de stockage d’énergie 8, en fonction de la configuration dans laquelle l’installation 1 est placée (voir ci-dessous).
L’installation 1 permet ainsi de fournir de la vapeur dudit fluide de sortie, ici de la vapeur d’eau, de manière sensiblement continue en dépit de variations temporaires de la température et/ou du débit du fluide d’entrée.
De manière non limitative, l’installation 1 peut être mise en œuvre pour fournir de la vapeur à un procédé de production d’hydrogène par électrolyse à haute température. L’invention peut bien entendu être mise en œuvre dans de nombreuses applications de production de vapeur industrielle et en utilisant comme source de chaleur fatale une installation industrielle telle qu’une cimenterie ou autre.
Les figures 2 à 8 montrent une installation 1 similaire à celle de la , selon différentes configurations.
Par rapport à la représentation simplifiée de la , les figures 2 à 8 montrent quelques détails structurels non limitatifs de l’installation 1, décrits ci-après en référence à la . Les figures 2 à 8 montrant l’installation 1 avec les mêmes composants dans la même disposition, les signes de référence de ces composants placés sur la ne sont pas tous repris sur les figures 3 à 8 afin d’éviter de les surcharger.
En référence à la partie de l’installation 1 de la comportant le circuit 2 (vers la droite de la figure), l’installation 1 comprend dans cet exemple un dégazeur 11, un évaporateur 12, une pompe 13, une vanne 14 et des conduits 20-27 formant le circuit 2 d’acheminement dudit premier fluide, ou fluide de sortie, qui est ici de l’eau.
Dans cet exemple, l’eau arrive à l’état liquide dans le dégazeur 11, de type dégazeur thermique à vapeur, par le conduit 20 en provenance par exemple d’une unité de traitement d’eau (non représentée). Le dégazeur 11 permet d’éliminer des gaz tel que l’oxygène dissous dans l’eau, et de les évacuer par le conduit 21 qui peut être un évent.
La pompe 13 permet d’extraire du dégazeur 11 l’eau ainsi traitée et de l’acheminer jusqu’à l’évaporateur 12 via les conduits 22 et 23, à une pression pouvant typiquement être comprise entre 1 bara (10 5 Pa) et 15 bara (15 x 10 5 Pa).
L’évaporateur 12 permet de faire passer l’eau à l’état gazeux, sous forme de vapeur d’eau saturée. De manière non limitative, l’évaporateur 12 peut comprendre un échangeur du type Kettle ou à plaques.
La vanne 14 permet d’une part d’acheminer tout ou partie de cette vapeur saturée vers le dégazeur 11, via les conduits 24 et 25, de sorte à préchauffer l’eau tout en la maintenant dans le dégazeur 11 à température constante.
La vanne 14 permet d’autre part d’acheminer tout ou partie de la vapeur saturée sortant de l’évaporateur 12 vers le dispositif de surchauffe 7, via les conduits 24 et 26, de manière à constituer ledit flux gazeux.
Le dispositif de surchauffe 7, le dégazeur 11 et l’évaporateur 12 constitue un module de production de vapeur, cette dernière sortant de l’installation 1 par le conduit 27.