INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Parmi les matériaux utilisés pour faire office de couche bloquante, on peut citer de manière non exhaustive, les diélectriques organiques, inorganiques ou hybrides organique/inorganique tel que : SiO 2 , HfO 2 , Al 2 O 3 , LiF, MgF2, des polymères types polyimide, PVC, PMMA, parylène, PC, PVDF, PVDF-TrFE, des céramiques, des pérovskites. Alternativement, les matériaux utilisés pour faire office de couches bloquantes sont des semi-conducteurs organiques, inorganiques ou hybrides organique/inorganique tel que le silicium, SnO 2 , TiO 2 , NiOx, PTAA, TFB, P3HT, pérylène diimide, acène diimide, fullerène et les dérivés de fullerènes, pérovskites.
La illustre une vue en coupe d’un exemple d’hybridation d’un dispositif optoélectronique D1 selon un troisième mode de réalisation de l’invention. Comparé au premier mode de réalisation, le dispositif optoélectronique D1 comprend en outre pour chaque via V1 une couche d’interface inférieure C2 électriquement conductrice déposée sur la seconde face du premier substrat sub1. La couche d’interface inférieure C2 est en contact avec l’extrémité inférieure du via V1 associé et au connecteur d’hybridation CEM associé. La couche d’interface inférieure C2 peut être réalisée par un métal (In, Bi, Sn, Pb, Cr, Pt), un matériau organique conducteur (polymère, encre graphène, encre à base de noir de carbone, encre à base de nanotubes de carbone), encre à base d’Ag, un oxyde conducteur (ITO, SnO 2 , TiO 2 ) ou tout autre matériau conducteur.
Dans le cas où le via V1 est un via conducteur, l’électrode inférieure EL1 est formée par au moins un via V1 et la couche d’interface inférieure C2 qui lui est associée. Cette variante présente l’avantage d’améliorer la surface de contact entre le via V1 et le connecteur d’hybridation CEM. L’amélioration de la surface de contact permet de minimiser la résistance électrique pour le transfert des charges de la couche d’absorption CA vers l’électrode de lecture El_lect.
Alternativement, le second matériau remplissant chaque via V1, ou l’ensemble formé par le second matériau remplissant chaque via V1 et la couche d’interface inférieure C2, comprennent au moins un matériau faisant office de couche bloquante (le matériau peut être différent entre la couche d’interface inférieure C2 et le vias V1). Ainsi, l’ensemble joue le rôle d’une couche bloquante à un type de porteurs de charges (trous ou électrons). La couche bloquante dans cette variante est réalisable de manière similaire à la couche bloquante décrite pour le mode de réalisation de la .
La illustre une vue en coupe d’un exemple d’hybridation d’un dispositif optoélectronique D1 selon un quatrième mode de réalisation de l’invention. Le dispositif D1 comprend la couche d’interface supérieure C1 et la couche d’interface inférieure C2 comme décrit précédemment.
Si le via V1 est conducteur, l’électrode inférieure EL1 est formée par la combinaison du via V1 avec la couche d’interface supérieure C1 et la couche d’interface inférieure C2 associées.
Alternativement, la couche d’interface supérieure C1, ou l’ensemble formé par la couche d’interface supérieure C1 et le second matériau remplissant chaque via V1, ou l’ensemble formé par la couche d’interface supérieure C1 et le second matériau remplissant chaque via V1 et la couche d’interface inférieure C2, comprennent d’au moins un matériau faisant office de couche bloquante (le matériau peut être différent entre la couche d’interface supérieure C1, la couche d’interface inférieure C2 et le vias V1). Ainsi, l’ensemble joue le rôle d’une couche bloquante à un type de porteurs de charges (trous ou électrons). La couche bloquante dans cette variante est réalisable de manière similaire à la couche bloquante décrite pour le mode de réalisation de la . Cette variante présente l’avantage de minimiser le courant d’obscurité du dispositif détecteur D1. Alternativement, le second matériau remplissant chaque via V1 est un diélectrique. L’ensemble de la couche d’interface supérieure C1, le via V1 et la couche d’interface inférieure C2, forme un élément capacitif Cap1 apte à stocker les charges électriques générées. Cela présente l’avantage de réaliser une capacité de stockage intégrée dans le premier substrat sub1 pour accumuler les charges générées. Il est ainsi possible de réaliser des dispositifs optoélectroniques avec une fonction d’accumulation des charges générées. La couche d’interface supérieure C1 joue simultanément le rôle de l’électrode inférieure EL1 de la structure photo détectrice et le rôle de la première plaque conductrice de l’élément capacitif Cap1. La couche d’interface inférieure C1 joue le rôle de la seconde plaque conductrice de l’élément capacitif Cap1. Le via V1 rempli par un diélectrique joue le rôle du volume isolant de l’élément capacitif Cap1. Le matériau diélectrique a de préférence une permittivité diélectrique supérieure à 10 et peut être choisi parmi un composite avec des charges céramiques tel que ZrO2, TiO2 ou PZT, un polymère (PVDF) ou une céramique.
La illustre une vue en coupe d’un exemple d’hybridation d’un dispositif optoélectronique D1 selon un cinquième mode de réalisation de l’invention. L’élément capacitif Cap1 à l’intérieur du via V1 à travers l’empilement suivant : conducteur électrique M2 / diélectrique M1 / conducteur électrique M2’. La fonctionnalité du via V1 en tant qu’élément capacitif par un empilement interne est compatible avec tous les modes de réalisation de l’invention préalablement décrit.
La illustre une vue en coupe d’un exemple d’hybridation d’un dispositif optoélectronique D1 selon un sixième mode de réalisation de l’invention. Le premier substrat sub1 est réalisé en un matériau diélectrique ou semiconducteur. Le via V1 est non débouchant sur la face supérieure du premier substrat sub1 à partir de la face inférieure du premier substrat sub1. Le via V1 est électriquement conducteur. Le volume confiné entre l’extrémité supérieure du via V1 et la face supérieure du premier substrat présente une épaisseur d1 inférieure ou égale à 100 µm, de préférence inférieure à 50µm et encore plus de préférence inférieure à 10µm. Lorsque le dispositif n’est pas exposé à un rayonnement, le volume de confiné joue le rôle de couche bloquante pour l’injection des charges à partir de l’électrode inférieure. Cela permet de diminuer le courant d’obscurité dans le dispositif optoélectronique D1. Lorsque la couche d’absorption CA est exposée à un rayon incident, la zone diélectrique d1 permet de propager tout ou une partie du champ électrique dans la couche d’absorption CA soit en devenant légèrement conductrice sous flux du rayonnement incident, soit en piégeant des charges à l’interface entre Sub1 et la couche d’absorption CA. Les charges générées pourront être ensuite lues par effet capacitif.
La illustre une vue en coupe d’un exemple d’hybridation d’un dispositif optoélectronique D1 selon un septième mode de réalisation de l’invention. Le connecteur d’hybridation CEM est une couche conductrice anisotrope. De préférence, l’électrode de lecture EL_lect a une topologie sortante par rapport à la surface du second substrat sub2. La couche conductrice anisotrope est par exemple une résine en époxy comprenant des microbilles conductrices. Une fois mise en forme par compression, elle est alors électriquement conductrice uniquement selon la direction normale à la surface du premier substrat sub1. Le diamètre d’au moins une bille écrasée est au moins inférieur à la distance inter-pixel L2. Pour chaque pixel Pxl, l’électrode EL1 comprend un via V1 et de préférence une couche d’interface inférieure C2. Chaque couche d’interface inférieure C2 présente une largeur L1 inférieure à la distance de séparation L2 entre deux électrodes de lecture EL_lect adjacentes. Cela permet de réaliser le couplage indirect sans nécessité d’une étape d’alignement. En effet, même si une couche d’interface inférieure C2 n’est pas alignée avec une électrode de lecture EL_lect, il n’y a pas un risque de court-circuit entre deux électrodes de lecture EL_lect adjacente par insertion d’une couche d’interface inférieure C2 non alignée.
Alternativement, chaque couche d’interface inférieure C2 présente une largeur L1 inférieure à la somme de la distance inter-pixel L2 et la largeur de l’électrode de lecture EL_lect.
La illustre une vue en coupe d’un exemple d’hybridation d’un dispositif optoélectronique D1 selon un huitième mode de réalisation de l’invention. Le connecteur d’hybridation CEM est une couche conductrice anisotrope. De préférence, l’électrode de lecture EL_lect présente une topologie sortante par rapport à la surface du second substrat Sub2. Le diamètre d’au moins une bille écrasée est au moins inférieur à la distance inter-pixel L2. Pour chaque pixel Pxl, l’électrode inférieure EL1 est formée par une pluralité de vias V1 adjacentes. La multiplication du nombre de vias permet d’améliorer la conductivité de l’électrode inférieure EL1 et ainsi de favoriser la collection des charges générées dans le dispositif de détection D1. La surface de l’ouverture d’un via V1 d’un pixel Pxl est inférieure ou égale à celle de l’électrode de lecture EL_lect associée audit pixel Pxl. La distance séparant deux vias V1 est inférieure à la distance séparant deux électrodes de lecture adjacentes EL_lect.
La illustre les étapes d’un procédé P1 de fabrication d’un dispositif optoélectronique D1 selon l’invention.
La première étape consiste à fabriquer un premier substrat sub1 comprenant une pluralité de vias V1. Le premier substrat sub1 présente une première face et une seconde face opposée. Les vias V1 peuvent être débouchant ou non en partant de la seconde face. Selon une première variante, cette étape est réalisée par perçage du premier substrat sub1. L’opération de perçage est réalisable par une méthode soustractive, par exemple la gravure chimique ou physique ou une ablation laser. Un faisceau laser est appliqué en un point unique de la seconde face du substrat sub1 afin de percer un trou par fonte et évaporation. Un perçage d’une précision nanométrique peut être réalisé en adaptant la longueur d’onde et la puissance d’émission selon le matériau du premier substrat sub1. Le faisceau laser balaie la zone sélectionnée pour découper un trou dans le volume du premier substrat sub1. Par exemple, pour un premier substrat en polyimide, un laser ayant une longueur d'onde de 532 nm est adapté pour réaliser une série de vias V1 à un diamètre compris entre 100nm et 1000µm. La technologie laser présente un certain nombre d'avantages par rapport aux méthodes conventionnelles : vitesse, précision, flexibilité et économie. De plus, le perçage par laser permet de réduire la sensibilité aux brûlures du premier substrat sub1 pour ne pas impacter la robustesse mécanique du substrat sub1.
est une vue générale en perspective de la cuve de la comprenant au moins une coque intégrant un couvercle ;
est une vue de face de la cuve de la montrant un dispositif de séparation d’une pièce d’au moins un média abrasif, comprenant un élément de séparation et un ensemble de guidage de l’élément de séparation ;
est une vue de détail de l’ensemble de guidage du dispositif de séparation de la ;
est une vue de côté de la cuve montrant une platine comprenant entre autres une rainure de guidage et une glissière de contrôle de l’ensemble de guidage du dispositif de séparation de la ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position d’ouverture et l’élément de séparation est dans une position escamotée, la cuve étant dans une deuxième position ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position de fermeture et l’élément de séparation est dans sa position escamotée, la cuve étant dans la deuxième position ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position de fermeture et l’élément de séparation est dans sa position escamotée, la cuve étant dans une première position ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position de fermeture et l’élément de séparation est dans une position déployée, la cuve étant dans la première position ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position de fermeture et l’élément de séparation est dans sa position déployée ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position de fermeture et l’élément de séparation est dans sa position déployée, la cuve étant dans la deuxième position ;
est une vue en coupe radiale de la cuve de la dans laquelle le couvercle est en position d’ouverture et l’élément de séparation est dans sa position déployée, la cuve étant dans la deuxième position.
La illustre une machine 10 de dégraissage et d’ébavurage à sec selon un exemple de l’invention non limitatif et dont une partie d’une calandre externe a été ôtée afin de laisser apparaitre une cuve 12 de traitement.
La machine 10 comprend notamment deux caissons qui s’étendent de part et d’autre de la cuve 12, et comprenant entre autres les systèmes électroniques et de motorisation de la machine 10, non visibles ici et qui ne feront pas l’objet d’une description détaillée.
En rapport avec la , on définit un bâti 14 de la machine 10 autour duquel est disposée la calandre de la machine 10 et délimitant une enceinte de traitement 16 dans laquelle s’étend la cuve 12.
La cuve 12 de traitement selon l’exemple de l’invention illustré, est rotative et est entrainée en rotation autour d’un axe principal R au moyen d’un moteur disposé dans l’un des caissons de la machine 10 et ici non visible. Notamment, le moteur est apte à venir en prise sur un arbre de rotation 13 de la cuve 12, visible à la .
De manière similaire, l'élément 12 menant du deuxième mécanisme de transmission est en prise par engrènement avec une couronne dentée 130 d'axe parallèle à l'élément 12 menant. Cette couronne 130 dentée est également équipée d'un pignon 131 coaxial et solidaire en rotation de la couronne 130 dentée. Ce pignon 131 vient en prise par engrènement avec une couronne 132 dentée montée solidaire en rotation de la deuxième section 92 d'arbre de sortie.
Pour parfaire l'engin 1, lorsque ce dernier comprend plusieurs roues non motrices 11, comme illustré à la où l'engin 1 comprend deux roues non motrices 11 réalisées chacune sous forme d'une roue folle fixée au châssis 2, le boîtier 5 peut être monté à pivotement autour d'un axe XX’ orthogonal à l'arbre de sortie 9. Cet axe XX’, dit horizontal, s'étend sensiblement à l'horizontale à l’état positionné des première et deuxième roues motrices 31 et 32 de l'engin 1 sur une surface plane horizontale. En particulier dans les exemples représentés, le châssis 2 comprend au moins une partie avant 181 et une partie arrière 182 et se développe longitudinalement depuis la partie avant 181 en direction de la partie arrière 182. L'arbre 9 de sortie s'étend suivant une direction transversale à la direction longitudinale prise suivant la direction avant-arrière du châssis 2.
La partie avant 181 du châssis 2 est ici représentée moins large que la partie arrière 182. Pour permettre un tel déplacement relatif à pivotement du boitier 5, le boitier 5 est équipé de deux bouts d'axe 14 disposés chacun à l'intérieur d'un logement 19 formant palier du châssis 2. Ces bouts d’axe 14 sont coaxiaux et s’étendent en saillie de deux parois opposées du boîtier 5. Ces bouts d’axe 14 peuvent être réalisés d'une seule pièce avec le boîtier 5. Grâce à ce déplacement à pivotement, lorsque l'une des roues motrices de l'engin 1 doit franchir un obstacle au sol, on constate que le boîtier et l'arbre de sortie pivotent tandis que la position du châssis 2 demeure inchangée. Le châssis 2 reste ainsi parallèle au sol de sorte que le ou les éléments fonctionnels 20 équipant le châssis 2 conservent toute leur efficacité.
En pratique, le fonctionnement d'un tel engin 1 est tel que suit. Des instructions sont adressées par l'unité de commande aux premier et deuxième moteurs. Le sens de fonctionnement des premier et deuxième arbres moteurs et la vitesse d'entraînement en rotation desdits arbres moteurs sont fonction de ces instructions. Le mouvement de rotation de l'arbre 81 moteur du premier moteur 71 est transmis à la première section 91 d'arbre de sortie, tandis que le mouvement de rotation de l'arbre 82 moteur du deuxième moteur 72 est transmis à la deuxième section 92 d'arbre de sortie. Les première et deuxième roues motrices sont entraînées en rotation, tandis que les roues non motrices tournent, si nécessaire, sur elle-même autour d'un axe, dit vertical. Lorsque le boîtier est un boîtier pivotant, comme illustré la , la rencontre d'au moins l'une des roues motrices avec un obstacle entraîne un déplacement à pivotement du boîtier autour de l'axe XX’ tandis que la position du châssis 2 demeure inchangée. En cas de défaillance du dispositif 4 moteur, il suffit de le désolidariser du châssis et de procéder à son remplacement qui peut s'opérer de manière extrêmement simple.
PROCEDE D’APPLICATION D’UN SURCROÎT MOMENTANE DE PUISSANCE DANS UN VEHICULE A PROPULSION ELECTRIQUE L’invention se rapporte à un procédé et à un système pour appliquer un surcroît de puissance momentané dans un véhicule à propulsion électrique.
D’une manière générale, dans certaines conditions de conduite d'un véhicule automobile, il peut être nécessaire de dépasser un autre véhicule un peu plus lent. Dans ces circonstances, le conducteur doit réaliser un dépassement rapide, notamment lorsque ce dépassement nécessite d'emprunter la voie à sens de circulation opposé momentanément.
Il est connu dans certains véhicules d'activer une fonction d'appel maximum de puissance en enfonçant à fond la pédale d'accélérateur, ce qui est aussi connu sous le terme anglais de « kick-down ».
Il est apparu que le temps de réponse pour effectivement enfoncer la pédale d'accélérateur à fond représente quelques centaines de millisecondes qui se rajoutent au temps nécessaire au groupe motopropulseur pour délivrer le surcroît de puissance demandé.
Les inventeurs ont cherché à améliorer la situation, notamment pour répondre aux circonstances d'un dépassement à effectuer le plus rapidement et le plus sûrement possible.
A cet effet il est proposé ici un procédé pour commander un moteur électrique dans un véhicule à propulsion électrique, le véhicule comprenant au moins un dispositif de stockage d'énergie électrique, un moteur électrique, une pédale d'accélérateur, une unité de commande, un volant comprenant un bouton poussoir, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend : a - fournir une première calibration de couple de référence donnant une consigne de couple à appliquer au moteur électrique en fonction au moins d’une position de la pédale d'accélérateur, b - fournir une deuxième calibration d’un surcroît de couple dynamique donnant une valeur de surcroît de couple disponible en cas d’appui sur le bouton poussoir, en fonction d’un ensemble de conditions opérationnelles courantes, pour toute valeur de vitesse instantanée non nulle du véhicule, c- déterminer une condition d’autorisation d’application d’un surcroît de couple dynamique, d - en réponse à un état activé du bouton poussoir et si la condition d’autorisation est présente, alors appliquer un surcroît de couple selon la deuxième calibration, e - stopper l’application du surcroît de couple selon la deuxième calibration dès que le bouton poussoir n’est plus activé ou si la condition d’autorisation devient fausse.
Dans le présent document, on désigne par « dispositif de stockage d'énergie électrique » une batterie d'accumulateurs électriques qui peut inclure des cellules de batterie électrochimique à base de lithium-ion et qui peut inclure la présence de super condensateurs. Pour la concision et la clarté de l'exposé, nous utiliserons dans la suite le terme « batterie » pour désigner généralement le « dispositif de stockage d'énergie électrique ».
Grâce aux dispositions présentées ci-dessus, le conducteur peut disposer d'un surcroît de couple quelle que soit la position de la pédale d'accélérateur et quelle que soit la vitesse du véhicule non nulle. Le surcroît de couple est aussi appelé dans la suite par sa dénomination anglaise « boost ».
De plus, le conducteur obtient ce surcroît de couple sans avoir à enfoncer la pédale d'accélérateur, il lui suffit d'appuyer sur le bouton au volant par exemple avec le pouce sans lâcher le grip du volant avec les autres doigts.
Les inventeurs ont remarqué que cette solution apporte un aspect ludique à la conduite du véhicule, en mettant la fonction Boost au bout du doigt du conducteur.
On remarque en outre que, du fait que le bouton doit être volontairement maintenu appuyé tout le temps que le surcroît de couple est demandé, cette fonction s'avère intuitive, ne surprend pas le conducteur et répond aux standards de sécurité.
Une manœuvre de dépassement peut ainsi être réalisée en toute sécurité grâce à cet appel de surcroît de couple disponible au bout du doigt.
La est une vue en coupe transversale II-II (voir ) de la tête de l’appareil des figures 6 à 8 ;
La illustre une face interne de l’élément de traitement chauffant de l’appareil des figures 6 à 9 ;
La est une vue de face en perspective des appareils des figures 1 à 5 et 6 à 10, dont des éléments de capotage et des éléments de la tête ont été omis de manière à faire apparaître des détails de conception interne de ces appareils ;
La illustre, selon une vue en perspective, certains éléments des moyens d’émission de vapeur des appareils des figures 1 à 5 et 6 à 10. Les moyens d’émission de vapeur comprennent ici autant de pièces d’étanchéité, distinctes et distantes l’une de l’autre, que le dispositif de vaporisation comprend de sorties de vapeur, chacune des pièces d’étanchéité étant ici illustrée agencée autour d’une sortie de vapeur correspondante ;
La illustre, selon une vue en perspective, les éléments des moyens d’émission de vapeur illustrés à la . Les pièces d’étanchéité sont ici illustrées séparées des sorties de vapeur du dispositif de vaporisation ;
La illustre schématiquement, à la manière des figures 3 et 8, une vue tronquée en coupe sagittale de la tête d’un appareil similaire à ceux des figures 1 à 5 et 6 à 10, dans lequel un orifice d’éjection de vapeur débouche de la surface d’une face externe de l’élément de traitement chauffant entre deux picots chauffant, une portion extrémité de l’une des pièces d’étanchéité étant agencée au ras de la surface de la face externe de l’élément de traitement chauffant ;
La illustre schématiquement, à la manière des figures 3 et 8, une vue tronquée en coupe sagittale de la tête d’un appareil similaire à ceux des figures 1 à 5 et 6 à 10, dans lequel deux orifices d’éjection de vapeur débouchent de faces opposées d’un picot à vapeur, une portion d’extrémité de l’une des pièces d’étanchéité étant agencée au ras de la surface d’une face externe de l’élément de traitement chauffant en s’étendant de part et d’autre du picot à vapeur.
L’invention concerne un appareil 1 de coiffure, c’est-à-dire un appareil conçu et configuré pour permettre à un utilisateur (femme ou homme) de réaliser une ou plusieurs opérations de coiffure, par exemple pour assurer une mise en forme de cheveux, et / ou un embellissement de cheveux et / ou une amélioration de la santé de cheveux, c’est-à-dire une opération de soin sur les cheveux (ou éventuellement de poils, dans le cas d’une utilisation sur un animal par exemple). Plus spécifiquement, ledit appareil 1 est un appareil de coiffure à vapeur, c’est-à-dire un appareil de coiffure comprenant des moyens d’émission de vapeur, pour soumettre des cheveux à un flux de vapeur dans le cadre, en particulier, d’une opération de coiffure des cheveux.