Structure comprenant un substrat (1) recouvert successivement par une première électrode (2), une couche diélectrique ionique (3) et une deuxième électrode (4), caractérisée en ce que la couche diélectrique ionique comprend : - une première partie (31), en contact avec la première électrode (2), comprenant une matrice à base d’un conducteur ionique dans laquelle un dopant est incorporé ; - une deuxième partie (32), en contact avec la deuxième électrode (4), comprenant un oxyde du dopant ou comprenant la matrice à base du conducteur ionique dans laquelle est incorporé le dopant ; la teneur atomique en dopant de la deuxième partie (32) de la couche diélectrique ionique (3) étant supérieure à la teneur atomique en dopant de la première partie (31) de la couche diélectrique ionique (3). Structure selon la revendication 1, dans laquelle la deuxième partie (32) de la couche diélectrique ionique (3) présente une teneur atomique en dopant allant de 50 % à 97 %, de préférence allant de 90 % à 97 % et dans laquelle la première partie (31) présente une teneur atomique en dopant allant de 3 % à 50 %, de préférence allant de 3 % à 10 %. Structure selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans laquelle la couche diélectrique ionique (3) a une épaisseur totale comprise entre 3 nm et 100 nm, de préférence entre 5 nm et 20 nm et, mieux encore, égale à 10 nm. Structure selon la revendication 3, dans laquelle la deuxième partie (32) de la couche diélectrique ionique (3) représente de 5 % à 20 % de l’épaisseur totale de la couche diélectrique ionique (3) et, mieux encore, de 5 % à 10 %. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle le dopant de la couche diélectrique ionique (3) est choisi parmi le silicium, l’aluminium, le titane, le tantale, le zirconium et le lanthane, préférence étant donnée au silicium. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la matrice de la couche diélectrique ionique (3) est en un matériau choisi parmi l’oxynitrure de phosphore de lithium, le métasilicate de lithium et le phosphate de magnésium, préférence étant donnée à l’oxynitrure de phosphore de lithium. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la couche diélectrique ionique (3) a une conductivité ionique au moins égale à 10 -6 S.cm -1 , de préférence au moins égale à 10 -5 S.cm -1 . Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle la première électrode (2) et la deuxième électrode (4), identiques ou différentes, sont en un métal tel que le titane, le platine, le tungstène, le ruthénium, ou le molybdène ou en un nitrure métallique tel que le nitrure de titane, le nitrure de tantale, le nitrure de tungstène ou le nitrure de molybdène, préférence étant donnée au nitrure de titane. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans laquelle le substrat (1) présente une surface plane ou microstructurée. Procédé de fabrication d’une structure telle que définie selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant au moins les étapes successives suivantes : a) dépôt de la première électrode (2) sur le substrat (1) ; puis b) dépôt de la couche diélectrique ionique (3) ; puis c) dépôt de la deuxième électrode (4) ; le procédé étant caractérisé en ce que l’étape b) s’effectue par ALD selon les sous-étapes suivantes : i) formation de la première partie (31) de la couche diélectrique ionique (3) en répétant plusieurs fois, par exemple entre 40 et 180 fois, le premier cycle de sous-étapes i1) et i2) suivant : i1) introduction et circulation alternée de précurseurs du conducteur ionique sur la première électrode (2) ; puis i2) introduction et circulation alternée de précurseurs du dopant sur la première électrode (2) ; ii) formation de la deuxième partie (32) de la couche diélectrique ionique (3) en répétant plusieurs fois, par exemple entre 5 et 30 fois, une sous-étape consistant à introduire et faire circuler de manière alternée des précurseurs de l’oxyde du dopant sur la première électrode (2), ou formation de la deuxième partie (32) de la couche diélectrique ionique (3) en répétant plusieurs fois, par exemple entre 5 et 30 fois, le deuxième cycle de sous-étapes ii1) et ii2) suivant : ii1) introduction et circulation alternée des précurseurs du conducteur ionique sur la première électrode (2) ; puis ii2) introduction et circulation alternée des précurseurs du dopant sur la première électrode (2). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la sous-étape i1) est répétée au moins 10 fois avant d’effectuer la sous-étape i2) et dans lequel, si les sous-étapes ii1) et ii2) sont réalisées, alors ii2) est répétée au moins 10 fois lors de la mise en œuvre du deuxième cycle. Procédé selon la revendication 10 ou la revendication 11, dans lequel lors des sous-étapes i1), i2), ii1) et ii2), après l’introduction et la circulation de chaque précurseur du conducteur ionique ou après l’introduction et la circulation de chaque précurseur du dopant, un temps d’attente d’une durée comprise entre 15 secondes et 100 secondes, de préférence entre 20 secondes et 50 secondes et, mieux encore, égale à 30 secondes, est respecté avant d’effectuer une purge. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel les précurseurs du conducteur ionique sont choisis parmi l’un des couples de précurseurs suivants : de l’hexaméthyldisilazane de lithium couplé avec du phosphoramidate de diétyle, du tert-butylate de lithium couplé avec le phosphoramidate de diétyle et le tert-butylate de lithium couplé avec du phosphite de triméthyle et/ou dans lequel les précurseurs du dopant ou les précurseurs de l’oxyde du dopant sont choisis parmi l’un des couples de précurseurs suivants : du tris(diméthylamino)silane couplé avec de l’ozone ou de l’eau, du bis(diméthylamino)diméthylsilane couplé avec de l’ozone ou de l’eau. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel les étapes a) et c) sont réalisées en déposant par ALD un halogénure métallique et/ou un organométallique, l’halogénure métallique comprenant de préférence du chlore, de l’iode ou du brome. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l’halogénure métallique est choisi parmi le tétrachlorure de titane, l’iodure de titane et le tétrabromure de titane, préférence étant donnée au tétrachlorure de titane. Couche diélectrique ionique (3) comprenant : - une première partie (31) comprenant une matrice à base d’un conducteur ionique dans laquelle un dopant est incorporé ; - une deuxième partie (32) comprenant un oxyde du dopant ou comprenant la matrice à base du conducteur ionique dans laquelle est incorporé le dopant ; la teneur atomique en dopant de la deuxième partie (32) de la couche diélectrique ionique (3) étant supérieure à la teneur atomique en dopant de la première partie (31) de la couche diélectrique ionique (3).