Cellule mémoire résistive (1) comportant : Une électrode inférieure (2) à base de nitrure de titane, Une électrode supérieure (4), Une couche active (3) ayant une première surface de contact (S1) avec l’électrode inférieure et une deuxième surface (S2) de contact avec l’électrode supérieure, ladite couche active (3) comportant une zone, dite zone locale (5), ladite zone locale étant dans un matériau comportant du vanadium, du titane et de l’oxygène s’étendant depuis la première surface (S1) de contact, le reste de la couche active étant réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 conducteur. Cellule mémoire selon la revendication précédente caractérisée en ce que l’électrode supérieure (4) est à base de nitrure de titane. Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que ladite zone locale est sans contact avec la deuxième surface de contact (S2). Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’épaisseur de la couche active est comprise entre 5 et 200 nm et préférentiellement entre 10 et 100 nm. Cellule mémoire résistive selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que la zone locale présente une forme de dôme dont la section parallèle au plan des couches diminue depuis la première surface de contact. Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’électrode inférieure à base de nitrure de titane comporte du vanadium, du titane et de l’oxygène dans une zone localisée à proximité de la première surface de contact. Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que la première surface de contact présente une aire inférieure ou égale à 6000 nm 2 . Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que la première surface de contact est égale à la surface supérieure de l’électrode inférieure et est strictement inférieure à la surface totale inférieure de la couche active. Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’électrode inférieure présente une forme de parallélépipède rectangle de type « Wall » ou une forme en L. Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’oxyde de vanadium V 2 O 3 conducteur est cristallin ou partiellement cristallin. Cellule mémoire selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que la zone locale est dans un matériau cristallin ou partiellement cristallin. Procédé de fabrication d’une cellule mémoire résistive selon l’une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte les étapes suivantes : Réalisation d’une électrode inférieure à base de nitrure de titane Dépôt d’une couche réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 ayant une première surface de contact avec l’électrode inférieure ; Réalisation d’une électrode supérieure ; ledit procédé comportant une étape, dite étape d’initialisation, consistant à injecter un courant à travers un empilement formé par l’électrode inférieure, la couche de V 2 O 3 et l’électrode supérieure, la densité de courant étant choisie pour créer ladite zone locale comportant du vanadium, du titane et de l’oxygène. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce qu’il comporte une étape de traitement thermique pendant ou après ladite étape de dépôt jusqu’à rendre conducteur ladite couche en oxyde de vanadium V 2 O 3 . Procédé de fabrication d’une cellule mémoire selon l’une des revendications 12 à 14 caractérisé en ce que la densité de courant de l’étape d’initialisation est supérieure ou égale à 50.10 6 A/cm 2 . Procédé de fabrication d’une cellule mémoire selon l’une des revendications 12 à 14 caractérisé en ce que le dépôt de la couche réalisée en oxyde de vanadium V 2 O 3 est réalisé par une technique de dépôt par faisceau d’ions.