INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Enfin, dans ce mode de réalisation du procédé 200, celui-ci comprend une étape de détermination 293, par le processeur 130, s’il convient de proposer une nouvelle activité à l’individu, en fonction de paires qui sont chacune constituées d’un indice composite et de l’écart associé, les paires étant extraites d’au moins un nombre prédéterminé de vecteurs.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que les estimations sont effectuées, entre autres, sur la base d’une mesure de distance, ce qui permet d’obtenir, pour un nombre de pixels relativement faible par rapport à la résolution d’une image provenant d’une caméra, des estimations de fiabilité similaire à celles obtenues sur la base d’image obtenues par une caméra.
Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, pour ce qui est de l’adaptation, en fonction des estimations effectuées par le réseau de neurones, de la luminosité de l’écran peut varier. De même le calcul de l’attention de l’utilisateur et son usage peuvent varier. De plus, le système peut comprendre plusieurs écrans. Dans ce cas un écran de référence est un écran que l’utilisateur regarde la majorité du temps. L’écran de référence ne comprend pas nécessairement le capteur à temps de vol configuré pour effectuer les captures. La personne du métier saura calibrer le capteur afin que les estimations effectuées par le réseau de neurones correspondent à l’orientation de la tête de l’utilisateur par rapport à l’écran de référence. De même, lorsque le système comprend plusieurs écrans, l’utilisateur peut regarder un autre écran que l’écran de référence sans que cela signifie qu’il n’est pas attentif. La personne du métier saura adapter le contrôle de la luminosité et/ou la mise en œuvre d’application telles que par exemple les applications décrites en relation avec la à la configuration du système.
Procédé et dispositif de détermination d’une profondeur par un système de vision pseudo-stéréoscopique. La présente invention concerne les procédés et dispositifs de détermination d’une profondeur par système de vision monoscopique embarqué dans un véhicule, par exemple dans un véhicule automobile. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif de mesurage d’une telle profondeur. La présente invention concerne également un procédé et un dispositif de contrôle d’un ou plusieurs systèmes ADAS embarqués dans un véhicule à partir de la profondeur déterminée.
Un autre objet de la présente invention est d’améliorer la qualité des données issues de ces systèmes de vision.
Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé de détermination d’une profondeur par un système de vision monoscopique embarqué dans un véhicule en mouvement, le système de vision monoscopique comprenant une première caméra apte à coopérer avec au moins une deuxième caméra d’un ensemble de caméras d’au moins deux caméras disposées de manière à acquérir chacune une image d’une scène tridimensionnelle selon un point de vue différent, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes : - réception de premières et deuxièmes données respectivement représentatives d’une première et deuxième images acquises par la première caméra de l’ensemble de caméras respectivement à un premier instant temporel d’acquisition et à un deuxième instant temporel d’acquisition ; - détermination de troisièmes données représentatives d’un déplacement de la première caméra entre le premier instant temporel d’acquisition et le deuxième instant temporel d’acquisition en fonction des première et deuxième données ; - prédiction de premières profondeurs associées à un premier ensemble de pixels de la première image par le système de vision monoscopique à partir d’un premier modèle de prédiction appris et supervisé par un système stéréoscopique composé de la première caméra et de la au moins une deuxième caméra, les premières profondeurs étant prédites en fonction des premières données ; - rectification des première et deuxième images en fonction des troisièmes données pour obtenir une première image rectifiée et une deuxième image rectifiée ; - détermination de valeurs de disparité associées à un deuxième ensemble de pixels de la première image rectifiée correspondant à un ensemble de pixels de la deuxième image rectifiée ; et - prédiction de deuxièmes profondeurs associées au deuxième ensemble de pixels par un système de vision pseudo-stéréoscopique composé de la première caméra en mouvement à partir d’un deuxième modèle de prédiction appris et supervisé par le système de vision monoscopique, les deuxièmes profondeurs étant prédites en fonction des valeurs de disparité et en fonction d’une distance séparant des positions de la première caméra au premier instant temporel d’acquisition et au deuxième instant temporel d’acquisition, la distance étant déterminée à partir des troisièmes données.
Selon une variante de procédé, une supervision du deuxième modèle de prédiction est obtenu par minimisation d’une fonction de perte définie par la fonction suivante : avec : - la deuxième profondeur prédite pour un pixel de la première image, et - la première profondeur prédite pour un pixel de la première image.
La supervision du système de vision pseudo-stéréoscopique par le système de vision monoscopique permet ainsi d’obtenir des premières et deuxièmes profondeurs cohérentes.
Selon une autre variante, le procédé comprend en outre les étapes de : - prédiction de troisièmes profondeurs associées à un ensemble de pixels de la deuxième image par le système de vision monoscopique à partir du premier modèle de prédiction, les troisièmes profondeurs étant prédites en fonction des deuxièmes données ; - détermination d’un masque d’objets dynamiques associé à la première image et représentatif d’un troisième ensemble de pixels de la première image associés à un objet en mouvement dans la scène tridimensionnelle, l’apprentissage du deuxième modèle de prédiction étant en outre fonction du masque d’objets dynamiques.
On peut ainsi réaliser un polissage du substrat de p-SiC pour optimiser sa qualité de surface et atteindre l’épaisseur finale.
En référence à la , on dépose par la suite une couche de séparation 30 sur la couche de p-SiC 20. L a couche de séparation 30 peut être en carbone, graphite, silicium, nitrure de silicium, nitrure de titane, ou un autre matériau qui peut être facilement retiré d’une couche de p-SiC. De préférence, le dépôt de la couche de séparation 30 est réalisé dans la même enceinte de dépôt que le dépôt de la couche de p-SiC 20. Il n’est donc pas nécessaire de sortir le substrat de l’enceinte entre les dépôts successifs. On évite ainsi des manipulations du substrat et le risque de contamination à l’interface entre la couche de p-SiC 20 et la couche de séparation 30. On évite également l’ouverture et l’éventuelle contamination de l’enceinte de dépôt. L’épaisseur de la couche de séparation 30 peut être nanométrique, par exemple comprise entre 1 et 500 nm, ou micrométrique, par exemple comprise entre 1 et 50 µm.
La couche de séparation peut être déposée sur toute la surface de la couche de p-SiC. Dans certains modes de réalisation, la couche de séparation est déposée uniquement sur la face avant du substrat support temporaire comportant la couche de p-SiC sur sa face avant, ou sur la face avant et la face arrière d’un substrat support temporaire 10 comportant une couche de p-SiC sur sa face avant et sur sa face arrière.
On dépose par la suite, en référence à la , successivement des couches de p-SiC 20, 21, 22, 23, 24 et des couches de séparation 30, 31, 32, 33 pour fabriquer une structure multicouche. On alterne les dépôts des deux types de couches pour obtenir une structure dans laquelle les couches de p-SiC et les couches de séparation se succèdent. Une couche de séparation est toujours agencée entre deux couches de p-SiC successives. De manière illustrative et non limitative, la dernière couche 24 déposée est une couche de p-SiC. Ainsi, pour une structure multicouche comportant n couches de p-SiC, on dépose n-1 couches de séparation, n étant un nombre entier. On dépose typiquement un nombre n de couches de p-SiC compris entre 2 et 20, de préférence compris entre 5 et 15.
Typiquement, chaque couche de p-SiC et chaque couche de séparation sont déposées sur la surface entière de la couche sous-jacente respective. De cette manière, on peut réaliser une structure multicouche uniquement sur une face avant du substrat support temporaire. De manière alternative, on peut réaliser une structure multicouche simultanément sur la face avant et sur la face arrière du substrat support temporaire. Dans un mode de réalisation préféré, on installe le substrat support temporaire dans une enceinte de dépôt et on dépose chaque couche sur toute la surface du substrat support temporaire ou respectivement sur toute la surface de la couche sous-jacente respective.
L’utilisation simultanée de la face avant et la face arrière du substrat support temporaire permet d’augmenter le rendement du procédé en doublant le nombre de couches formées par une même étape de dépôt.
Typiquement, lors d’un dépôt simultané sur les deux faces d’un substrat, on dépose également de la matière sur les bords.
Lors du dépôt des deux types de couches, à savoir les couches de p-SiC et les couches de séparation, dans une seule enceinte, une manipulation du substrat support temporaire n’est pas nécessaire avant la finalisation de la structure multicouches. De plus, on évite des transferts pour entrer et sortir le substrat dans une enceinte de dépôt, ce qui évite des contaminations de l’enceinte et des interfaces entre les couches respectives.
L’épaisseur de la couche de séparation est supérieure à la rugosité des couches de p-SiC après le dépôt de chaque couche respective afin d’assurer une continuité de la couche de séparation sur toute l’interface entre deux couches de p-SiC successives
Typiquement, lors du dépôt d’une pluralité de couches superposées, la rugosité augmente successivement avec le nombre des couches déposées, du fait que la rugosité de chaque couche inférieure a une influence sur la rugosité des couches déposées par la suite.
Pour cette raison, pendant le dépôt de plusieurs couches de p-SiC successives, on peut avantageusement augmenter l’épaisseur des couches de séparation avec le nombre de dépôts et la distance de chaque couche vis-à-vis du substrat support temporaire. Cela permet de compenser l'augmentation de la rugosité et d’obtenir une surface relativement lisse pour les couches déposées en fin de procédé.
On peut augmenter également l’épaisseur des couches de p-SiC au fur et à mesure des dépôts. De préférence, l’épaisseur de chaque couche correspond à l’épaisseur du substrat à fabriquer plus la variation totale de l’épaisseur au niveau de la couche agencée directement au-dessous de ladite couche. Cela permet d’une part de compenser l’augmentation de la rugosité. De plus, la fabrication de couches plus épaisses dans les zones plus rugueuses en fin de dépôt permet de réaliser un polissage plus important après la séparation des couches afin de lisser les substrats de p-SiC obtenus.
Ainsi, partant d’une épaisseur de la première couche de p-SiC d’environ 360 µm pour un substrat d’un diamètre de 150 mm, la dernière couche de p-SiC peut présenter une épaisseur jusqu’à 900 µm, de préférence d’environ 500 µm. Partant d’une épaisseur de la première couche de p-SiC d’environ 510 µm pour un substrat d’un diamètre de 200 mm, la dernière couche de p-SiC peut présenter une épaisseur jusqu’à 1200 µm, de préférence d’environ 650 µm.
Séparation des substrats de p-SiC Après la fabrication de la structure multicouche, on procède aux étapes de séparation des couches de p-SiC afin de former un substrat de p-SiC à partir de chaque couche de p-SiC respective.
Si les couches de p-SiC et les couches de séparation ont été déposées sur la surface entière du substrat support temporaire et/ou si le bord du substrat support temporaire a été recouvert pendant le dépôt des couches successives, on procède à un retrait du bord de la structure multicouches. En référence à la , on retire les couches de p-SiC et les couches de séparation le long du bord de la structure multicouche pour exposer le bord de chaque couche respective et du substrat support temporaire. Le retrait de matière le long du bord de la structure multicouche est de préférence réalisé par un détourage mécanique. Dans certains cas, le retrait peut être réalisé par une découpe laser.
On réalise ensuite le retrait du substrat support temporaire et des couches de séparation agencées entre les couches de p-SiC respectives afin de séparer les couches de SiC.
Toutefois, selon les besoins et les ressources disponibles, on pourra envisager d’autres capteurs, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans l’invention, la séquence de mouvements comprend une pluralité de points séquentiels de trajectoire.
En pratique, chaque point de trajectoire de la séquence de mouvements est associé à moins une pluralité d’attributs.
Par exemple, les attributs d’un point peuvent comprendre des données spatiales (p. ex. ses coordonnées x, y et éventuellement z) par rapport à la surface de manipulation interactive 110, des données temporelles par rapport à un référentiel temporel prédéterminé, et des données kinesthésiques (p. ex. la position, l’orientation, la vitesse, l’accélération et les forces exercées lors de ces mouvements).
Toutefois, selon les besoins et les ressources disponibles, on pourra envisager d’autres attributs, et ce, sans nécessiter de modifications substantielles de l’invention.
Dans l’invention, le processeur 130 est couplé au capteur 120.
Par ailleurs, le processeur 130 est conçu pour calculer une pluralité d’indicateurs cinématiques et/ou cinétiques à partir des attributs qui sont associés à tout ou partie de la pluralité de points séquentiels de trajectoire de la séquence de mouvements.
En outre, le processeur 130 est également conçu pour exécuter le modèle d’évaluation courant à partir de tout ou partie de la pluralité d’indicateurs cinématiques et/ou cinétiques, de manière à obtenir au moins un indice composite.
Toujours dans l’invention, le processeur 130 est également conçu pour calculer au moins un écart entre l’indice composite et au moins un seuil prédéterminé qui est associé au modèle d’évaluation courant.
Ainsi, le processeur 130 peut calculer deux ou plus de deux écarts entre l’indice composite et deux ou plus de deux seuils prédéterminés qui sont associés au modèle d’évaluation courant.
Dans une première mise en œuvre particulière, le seuil prédéterminé comprend un seuil de réussite et/ou un seuil d’échec.
Dit autrement, le seuil prédéterminé peut comprendre, soit seulement un seuil de réussite, soit seulement un seuil d’échec ou soit à la fois un seuil de réussite et un seuil d’échec.
On entend par « seuil de réussite » le niveau que l’individu doit atteindre pour être considéré comme ayant réussi l’activité.
On entend par « seuil d’échec » le niveau en dessous duquel l’individu ne peut pas être considéré comme ayant réussi l’activité.
Dans une deuxième mise en œuvre particulière, l’écart est choisi parmi un écart absolu et un écart relatif.
On entend par « écart absolu » la différence entre l’indice composite et le seuil prédéterminé.
illustre schématiquement un système de vision comprenant un ensemble de caméras d’au moins deux caméras équipant un véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement un dispositif configuré pour la détermination d’une profondeur par système de vision monoscopique embarqué dans le véhicule de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre un organigramme des différentes opérations d’un processus de détermination d’une profondeur par système de vision monoscopique embarqué dans le véhicule de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de de détermination d’une profondeur par système de vision monoscopique embarqué dans le véhicule de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention.
Un procédé et un dispositif de détermination d’une profondeur par système de vision monoscopique embarqué dans un véhicule vont maintenant être décrits dans ce qui va suivre en référence conjointement aux figures 1 à 4. Des mêmes éléments sont identifiés avec des mêmes signes de référence tout au long de la description qui va suivre.
Selon un exemple particulier et non limitatif de réalisation de la présente invention, un procédé de détermination d’une profondeur par système de vision monoscopique embarqué dans un véhicule est par exemple mis en œuvre par un calculateur du système embarqué du véhicule contrôlant ce système de vision.
Le système de vision monoscopique comprend une première caméra apte à coopérer avec au moins une deuxième caméra d’un ensemble de caméras d’au moins deux caméras disposées de manière à acquérir chacune une image d’une scène tridimensionnelle selon un point de vue différent.
A cet effet, le procédé de détermination d’une profondeur par un système de vision monoscopique embarqué dans un véhicule comprend réception de premières et deuxièmes données respectivement représentatives d’une première et deuxième images acquises par la première caméra de l’ensemble de caméras respectivement à un premier instant temporel d’acquisition et à un deuxième instant temporel d’acquisition, la détermination de troisièmes données représentatives d’un déplacement de la première caméra entre le premier instant temporel d’acquisition et le deuxième instant temporel d’acquisition en fonction des première et deuxième données et la prédiction de premières profondeurs associées à un premier ensemble de pixels de la première image par le système de vision monoscopique à partir d’un premier modèle de prédiction appris et supervisé par un système stéréoscopique composé de la première caméra et de la au moins une deuxième caméra.
Le procédé comprend aussi la rectification des première et deuxième images en fonction des troisièmes données pour obtenir une première image rectifiée et une deuxième image rectifiée, la détermination de valeurs de disparité associées à un deuxième ensemble de pixels de la première image rectifiée correspondant à un ensemble de pixels de la deuxième image rectifiée et la prédiction de deuxièmes profondeurs associées au deuxième ensemble de pixels par un système de vision pseudo-stéréoscopique composé de la première caméra en mouvement à partir d’un deuxième modèle de prédiction appris et supervisé par le système de vision monoscopique, les deuxièmes profondeurs étant prédites en fonction des valeurs de disparité et en fonction d’une distance séparant des positions de la première caméra au premier instant temporel d’acquisition et au deuxième instant temporel d’acquisition, la distance étant déterminée à partir des troisièmes données.
La illustre schématiquement un système de vision comprenant un ensemble de caméras d’au moins deux caméras équipant un véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention.
Le véhicule 10 comprend avantageusement plusieurs caméras 11, 12 embarquées, chacune configurée pour acquérir des images d’une scène dans l’environnement du véhicule 10. Cet ensemble de caméras 11, 12 forme un système de vision stéréoscopique. Deux caméras 11 et 12 sont illustrées sur la . La présente invention ne se limite cependant pas à un système de vision comprenant deux caméras mais s’étend à tout système de vision comprenant 2 ou plus caméras, par exemple 2, 3, 4 ou 5 caméras. Chaque caméra 11, 12 forme également un système de vision monoscopique.
Toujours dans les exemples des figures 10 et 12, les zones de forte perte de charge 330, 332 sont symétriques par rapport à la nervure 313.
En référence à la , les zones de forte perte de charge 331 de part et d’autre de la nervure sont décalées l’une par rapport à l’autre suivant l’axe principal de la nervure N1. Le décalage entre les zones de forte perte de charge 331 est compris entre 5 et 100 % des dimensions des zones de forte perte de charge 331, de préférence entre 10 et 50 % des dimensions des zones de forte perte de charge 331.
On peut voir sur les figures 13 à 16, d’autres modes de réalisations de l’échangeur de chaleur 11.
La plaque 400 comporte une pluralité de zones de faible perte de charge 420, appelées des zones bypass 420. En référence aux figures 13, 15 et 16, la plaque 400 comporte trois zones de faible perte de charge 420.
Ces zones de faible perte de charge 420 ont une forme rectangulaire.
En se référant par exemple aux figures 13 à 16, les zones de faible perte de charge 420 sont entourées, en amont et en aval, par des zones de forte perte de charge 430.
Les zones de forte perte de charge 430 comportent une pluralité de perturbateurs d’écoulement 450.
Bien entendu, en se référant aux figures 10 à 12, on peut prévoir que les zones de forte perte de charge 330, 331, 332 comportent également une pluralité de perturbateurs d’écoulement 350.
La nervure 413 a une forme rectangulaire. Cette nervure 413 a un axe principal N2. Ces zones de faible perte de charge 420 sont situées sur l’extérieur de virage du canal 406 en U et ces zones de faible perte de charge 420 sont exemptes de perturbateurs d’écoulement 450.
Les deux des zones de faible perte de charge 420 sont situées aux bords relevés 417 opposés de la plaque 400.
En se référant plus particulièrement aux figures 14 et 15, les deux des zones de faible perte de charge 420 sont situées l’une en face de l’autre.
En référence à la , la plaque 400 comporte quatre zones de faible perte de charge 420. L’un des bords opposés 417 de la plaque 400 comporte au moins deux zones de faible perte de charge 420. Ces deux zones de faible perte de charge 420 du même bord opposé 417 sont alignées par rapport à l’axe d’allongement longitudinal A10.
En se référant plus particulièrement aux figures 13 et 16, les deux des zones de faible perte de charge 420 sont décalées l’une par rapport à l’autre par rapport à l’axe principal de la nervure N2.
Une des zones de faible perte de charge 420 est située à l’une des deux extrémités de la plaque 414, à savoir la deuxième extrémité de la plaque 414.
Le ratio entre la longueur horizontale, x_bypass, de la zone de faible perte de charge lorsque ladite zone est orientée parallèlement à l’axe d’allongement longitudinal A10 et la longueur totale d'une zone d’écoulement de fluide de la plaque, x_tot, est supérieur à 20 % (x_bypass/x_tot *100 > 20%)
Le ratio entre la longueur verticale, z_bypass, de la zone de faible perte de charge lorsque ladite zone est orientée perpendiculairement à l’axe d’allongement longitudinal A10 et la largeur totale de la zone d’écoulement de fluide de la plaque, z_tot, est supérieur à 20 % (z_bypass/z_tot *100 > 20%).
Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 est un convertisseur DC/DC de type à double pont actif. Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 est agencé entre le convertisseur AC/DC 13 et la batterie 120. Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 convertit le courant continu (DC) appliqué en entrée par le convertisseur AC/DC 13, et délivre la puissance convertie à la batterie 120. Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 convertit le courant continu appliqué en entrée par la batterie 120, et délivre la puissance convertie au convertisseur AC/DC 13.
Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 comporte un transformateur 20. Le transformateur 20 est de type isolé. Le transformateur 20 comporte un noyau magnétique 21, un enroulement côté primaire 22, et un enroulement côté secondaire 23. L’enroulement côté primaire 22 et l’enroulement côté secondaire 23 sont enroulés autour du noyau 21. Le transformateur 20 comporte un réacteur L1. Le réacteur L1 peut être un élément tel qu’une bobine d’arrêt, ou être une inductance de fuite de l’enroulement côté primaire 22 et de l’enroulement côté secondaire 23.