Structure comprenant un substrat (10, 100) recouvert par un empilement comprenant une première couche (20) et une deuxième couche (30), la première couche (20) étant électriquement conductrice et comprenant un premier élément chimique spécifique, la deuxième couche (30) étant une couche diélectrique ou une couche électriquement isolante, la deuxième couche (30) comprenant un deuxième élément chimique spécifique, caractérisée en ce que la structure comprend une première zone de transition (2030) entre la première couche (20) et la deuxième couche (30) et en ce que la première zone de transition (2030) comprend le premier élément chimique spécifique et le deuxième élément chimique spécifique. Structure selon la revendication 1, dans laquelle le premier élément chimique spécifique est de l’azote et le deuxième élément chimique spécifique est un métal, la première couche (20) étant en un nitrure métallique et la deuxième couche (30) étant en un oxyde métallique ou en un oxynitrure métallique. Structure selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans laquelle la première couche (20) est en un nitrure de titane, nitrure de molybdène, nitrure de tungstène, nitrure de tantale ou nitrure de niobium ou en un mélange de ceux-ci et la deuxième couche (30) est en un oxyde de silicium, d’aluminium, d’hafnium, de zirconium, de tantale, de lanthane ou de titane, en un mélange de ceux-ci ou en un oxynitrure de silicium. Structure selon la revendication 3, dans laquelle la première zone de transition (2030) est en nitrure d’aluminium, nitrure de tantale, nitrure d’hafnium, nitrure de niobium, en carbonitrure de titane ou en carbonitrure de tantale. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la première zone de transition (2030) a une épaisseur comprise entre 0,1 nm et 3 nm et, mieux encore, égale à 0,5 nm. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle l’empilement comprend une troisième couche (40) électriquement conductrice, la deuxième couche (30) étant disposée entre la première couche (20) et la troisième couche (40). Structure selon la revendication 6, dans laquelle la troisième couche (40) comprend un troisième élément chimique spécifique, la structure étant caractérisée en qu’elle comprend une seconde zone de transition (3040) entre la deuxième couche (30) et la troisième couche (40) et en ce que cette seconde zone de transition (3040) comprend le deuxième élément chimique spécifique et le troisième élément chimique spécifique, le troisième élément chimique spécifique étant de préférence identique au premier élément chimique spécifique. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle le substrat (10, 100) a une surface plane ou microstructurée. Procédé de préparation d’une structure telle que définie selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant au moins les étapes successives suivantes : a) dépôt, de préférence par ALD, de l’une de la première couche (20) ou de la deuxième couche (30) sur le substrat (10, 100) ; b) dépôt, de préférence par ALD, de l’autre de la première couche (20) ou de la deuxième couche (30) ; le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend une sous-étape de formation de la première zone de transition (2030) à la fin de l’étape a) ou au début de l’étape b). Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la sous-étape de formation de la première zone de transition (2030) s’effectue par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée un premier couple de précurseurs pour former la première zone de transition (2030), caractérisé en ce que l’un des précurseurs du premier couple de précurseurs comprend le premier élément chimique spécifique et l’autre précurseur de ce premier couple comprend le deuxième élément chimique spécifique. Procédé selon la revendication 9 ou la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche (20) est déposée lors de l’étape a) et la deuxième couche (30) est déposée lors de l’étape b), le procédé comprenant en outre une étape c) au cours de laquelle on dépose, de préférence par ALD, la troisième couche (40) sur la deuxième couche (30), le procédé comprenant une sous-étape de formation de la seconde zone de transition (3040) à la fin de l’étape b) ou au début de l’étape c). Procédé de préparation selon la revendication 11, dans lequel la sous-étape de formation de la seconde zone de transition (3040) s’effectue par ALD en introduisant et en faisant circuler de manière alternée un second couple de précurseurs pour la formation de la seconde zone de transition (3040), caractérisé en ce que l’un des précurseurs du second couple de précurseurs comprend le deuxième élément chimique spécifique et l’autre précurseur de ce second couple comprend le troisième élément chimique spécifique.