INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’élément de détente 70 se présente sous la forme d’une broche de détente réalisée en un matériau ferromagnétique. La broche de détente 70 est montée coulissante dans le passage 710 et dans le cylindre creux intérieur 37i. Ainsi, le trajet de déplacement en translation de la broche 70 se situe à l’intérieur du cylindre creux intérieur 37i, tandis que le trajet de déplacement en translation du corps de maintien 55 se situe à l’extérieur du cylindre creux intérieur 37i, le trajet de la broche 70 et le trajet du corps de maintien 55 communiquant tous les deux avec les ouvertures traversantes 38 recevant les billes 60. La broche de détente 70 est un corps cylindrique ayant un premier côté axial 70a, dirigé vers l’extrémité arrière 3b du tube de lancement 3, qui est fermé, et un second côté axial 70b, dirigé vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3, qui est ouvert et formé par une extrémité annulaire 70c. Le premier côté axial 70a est solidaire d’une butée axiale 73. La butée axiale 73 comporte une partie tige 73a dont une extrémité est rendue solidaire de la broche 70 et dont l’autre extrémité porte une partie disque 73b. La partie tige 73a s’étend dans le passage 710, selon l’axe longitudinal A1, et la partie disque 73b s’étend perpendiculairement à la partie tige 73a à l’extérieur du passage 710. La butée axiale 73 est dimensionnée de telle sorte que, dans la position de repos, la partie disque 73b vient en appui contre la face de l’électro-aimant 71 côté culot 31. Cette butée axiale 73 permet de limiter la course de la broche de détente 70, à savoir son coulissement, en direction de l’extrémité avant du logement de détente 37.
La broche de détente 70 comporte une première section cylindrique 700 et une seconde section cylindrique 701 de diamètre supérieur à celui de la première section cylindrique 700, de telle sorte qu’un épaulement 70d est formé entre les deux sections 700, 701. La première section cylindrique 700 s’étend du premier côté axial 70a à l’épaulement 70d et la seconde section cylindrique 701 s’étend de l’épaulement 70d à l’extrémité annulaire 70c. L’épaulement 70d est agencé et dimensionné de telle sorte qu’il vient en contact avec la surface d’arrêt 711 lorsque la broche 70 est dans la position de détente. La première section cylindrique 700 a un diamètre sensiblement égal au diamètre du passage 710. La seconde section cylindrique 701 a un diamètre sensiblement égal au diamètre intérieur du cylindre creux intérieur 37i.
La broche 70 comporte une gorge externe 702 destinée à recevoir les moyens de verrouillage 6 dans la position de déverrouillage. À cet effet, la gorge externe 702 est disposée sur la seconde section cylindrique 701, à une distance de l’épaulement 70d qui est égale à la distance axiale entre la surface d’arrêt 711 et le bord arrière des ouvertures traversantes 38. La gorge externe 702 est de forme complémentaire de celle des billes 60 et est formée sur la totalité de la circonférence extérieure de la broche 70.
Un ressort de compression 74 s’étend autour de la broche 70, en particulier autour de la seconde section cylindrique 701. Ce ressort 74 a son extrémité avant reliée à l’extrémité annulaire 70c et son extrémité arrière reliée à l’extrémité libre du cylindre creux intérieur 37i, par tout moyen approprié. Ce ressort 74 est un ressort de rappel destiné à solliciter la broche de détente 70 vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3, autrement dit à l’opposé de la surface d’arrêt 711. Ainsi, une fois que la broche de détente 70 n’est plus soumise au champ magnétique de l’électro-aimant 71, la broche de détente 70 est automatiquement ramenée vers sa position de repos, à savoir vers une position dans laquelle la broche de détente 70 place les éléments de retenue 60 en position de verrouillage.
Ainsi, l’activation de l’électro-aimant 71 par passage d’un courant vers les bornes de l’électro-aimant 71 provoque sous l’action du champ magnétique créé, un déplacement de la broche de détente 70 en direction de l’électro-aimant 71 jusqu’à ce que l’épaulement 70d vienne en butée contre la surface d’arrêt 711. Autrement dit, l’électro-aimant 71 sollicite en déplacement la broche 70 de la position de repos à la position de détente à l’encontre de l’action du ressort de rappel 74. Dans la position de repos de la broche 70, la seconde section cylindrique 701 vient en contact avec les billes 60 qui se retrouvent poussées en position de verrouillage dans le trajet du corps de maintien 55. Dans la position de détente de la broche 70, la gorge externe 702 se trouve en regard des ouvertures traversantes 38 et les billes 60 en acier sont attirées dans la gorge externe 702 sous l’effet du champ magnétique, de telle sorte que les billes 60 ne se trouvent plus dans le trajet du corps de maintien 55 qui est donc libre de coulisser vers l’extrémité avant 3a du tube de lancement 3.
La broche de détente 70 délimite un logement interne 75 ayant une extrémité arrière 75a fermée et une extrémité avant 75b ouverte débouchant au niveau de l’extrémité annulaire 70c. Ce logement interne 75 s’étend axialement selon l’axe longitudinal A1. Le logement interne 75 est délimité par une première paroi cylindrique 750, une seconde paroi cylindrique 751 et une rampe conique présentant une paroi inclinée 752. La première paroi cylindrique 750 s’étend entre l’extrémité arrière 75a et l’extrémité convergente de la rampe. La seconde paroi cylindrique 751 s’étend entre l’extrémité divergente de la rampe et l’extrémité avant 75b. Ainsi, le diamètre de la seconde paroi cylindrique 751 est supérieur au diamètre de la première paroi cylindrique 750.
Le mécanisme de repositionnement automatique 8 est reçu dans un logement interne 75. Ce mécanisme 8 comprend un guide 80, un ressort souple 81, une bague de guidage 82, un ressort dur 83, un marteau 84 et une butée ressort 85.
Le guide 80 est destiné à coopérer avec l’élément d’éjection 50, en particulier avec la saillie centrale 56a de l’élément d’éjection 50, avant l’éjection. Ainsi, l’élément d’éjection 50, avant son éjection et lors de son repositionnement en position armée, coopère avec le mécanisme 8 logé dans la broche 70 via le guide 80, mais ne coopère pas directement avec la broche 70. Le guide 80 comporte une tête 80a cylindrique, une saillie 80b cylindrique et une tige 80c cylindrique, d’un seul tenant. La tête 80a est une tête cylindrique creuse montée coulissante axialement dans la seconde paroi cylindrique 751 et a un diamètre extérieur sensiblement égal au diamètre de la seconde paroi cylindrique 751. La saillie 80b s’étend à partir de la face de la tête 80a dirigée vers l’extrémité avant 75b, de manière centrale, selon l’axe longitudinal A1. En position armée, l’extrémité libre de la saillie 80b est au niveau de l’extrémité ouverte 75b, et après l’éjection, la saillie 80b fait saillie hors du logement interne 75. La tige 80c s’étend axialement à l’intérieur de la seconde paroi cylindrique 751, selon l’axe longitudinal A1, à partir de la face de la tête 80a opposée à la saillie 80b. La tige 80c est reçue, de manière coulissante, à travers un orifice traversant 820 pratiqué dans la bague de guidage 82. La bague de guidage 82 est une bague cylindrique ayant un diamètre extérieur sensiblement égal au diamètre de la seconde paroi cylindrique 751. La bague de guidage 82 est montée coulissante le long de cette seconde paroi 751.
Le ressort souple 81 est monté autour de la tige 80c et est relié d’une part à la bague de guidage 82 et d’autre part au guide 80, l’extrémité du ressort souple 81 solidaire du guide 80 étant reçue dans la tête 80a du guide 80. Ce ressort souple 81 est un ressort de compression de raideur inférieure à la raideur du ressort de rappel 74 sollicitant la broche 70 en position de repos. Ce ressort souple 81 est destiné à solliciter le guide à 80 l’opposé de la bague de guidage 82.
La butée ressort 85 est également un corps cylindrique traversé par un passage 850 cylindrique central et pourvue d’un aimant 851. Ce passage 850 est dimensionné pour être apte à recevoir la tige 80c du guide 80 de manière coulissante. Le diamètre extérieur de la butée ressort 85 est inférieur au diamètre de la seconde paroi cylindrique 751 et supérieur au diamètre de l’extrémité convergente de la paroi inclinée 752. Ainsi, la butée ressort 85 est apte à se déplacer à la fois au niveau de la seconde paroi 751 et au niveau de la paroi inclinée 752. Lorsque la butée ressort 85 se trouve en contact avec la paroi inclinée 752, la paroi inclinée 752 amène la butée ressort 85 en position centrée, l’aimant 851 n’étant plus en contact avec la paroi du logement interne 75. L’aimant 851 est agencé de telle sorte que lorsque la butée ressort 85 se trouve au niveau de la seconde paroi cylindrique 751 elle vient en contact, par sa section comportant l’aimant 851, avec la seconde paroi 751, son passage traversant 850 se trouvant alors désaxé par rapport à l’axe longitudinal A1 et donc par rapport à l’axe de la tige 80c. La butée ressort 85 est interposée entre la bague de guidage 82 et le marteau 84.
Le marteau 84 est un corps cylindrique de diamètre extérieur égal au diamètre de la première paroi cylindrique 750. Ainsi, le marteau 84 est monté coulissant le long de la première paroi 750 et est apte à s’étendre au-delà de la première paroi 750.
Le ressort dur 83 est monté entre l’extrémité fermée 75a du logement interne 75 et le marteau 84. Le diamètre du ressort dur 83 est sensiblement égal au diamètre de la première paroi cylindrique 750 et donc au diamètre du marteau 84. Ce ressort dur 83 est un ressort de compression de raideur supérieure à la raideur du ressort de rappel 74 sollicitant la broche 70 en position de repos. Ce ressort dur 83 est destiné à solliciter l’ensemble comprenant le marteau 84, la butée ressort 85 et la bague de guidage 82 à l’opposé de l’extrémité fermée 75a, autrement dit à solliciter la butée ressort 85 vers sa position excentrée.
Ce mécanisme 8 comprend en outre deux éléments annulaires 86a, 86b de type circlips agencés dans le logement interne 75 et destinés à servir de butée limitant le déplacement des différents éléments du mécanisme 8. Les circlips 86a, 86b s’étendent orthogonalement à l’axe longitudinal A1 et ont une ouverture centrale d’axe coaxial à l’axe longitudinal A1. Le circlips avant 86b est solidaire de la broche 70 au niveau de l’extrémité annulaire 70c ouverte et son ouverture est dimensionnée pour être apte à être traversée par la saillie 80b du guide 80. Le circlips arrière 86a est solidaire de la broche 70 au niveau de la seconde paroi 751 du logement interne 75 et son ouverture est dimensionnée pour être traversée par la tige 80c du guide 80. Le circlips arrière 86a est disposé de telle sorte que lorsque le ressort dur 83 est détendu, la bague de guidage 82 vient en appui contre le circlips arrière 86a.
Si l’on se réfère à nouveau à la , on peut voir que le dispositif 1 comprend en outre un sabot de lancement 9 destiné à recevoir le drone 2.
Le sabot de lancement 9 est dimensionné et configuré pour être reçu dans la chambre de lancement 34 afin de permettre le guidage du drone 2 dans le tube de lancement 3 lors de la phase de lancement, et pour entourer le drone 2 afin de permettre de protéger le drone 2 lors du lancement. Il convient de souligner qu’un sabot 9 différent est défini suivant le profil du drone 2 et de sa charge utile 21.
Les inventeurs démontrent donc que les oxylipines issues d’akènes de Silybum marianum (L.) Gaertn. sont dotées d’une activité anti-séborrhéique.
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On entend par « argile lipophile » toute argile liposoluble ou lipodispersible dans une phase huileuse.
Le terme argile désigne plus particulièrement une matière à base de silicates et/ou d'aluminosilicates hydratés de structure lamellaire.
Les argiles peuvent être naturelles ou synthétiques. A titre d’exemples de tels produits, on peut citer les argiles de la famille des smectites, ainsi que de la famille des vermiculites, de la stévensite, des chlorites. Ces argiles peuvent être d’origine naturelle ou synthétique.
Plus particulièrement les argiles sont rendues lipophiles par un traitement avec un sel d’alkyl ammonium comme un halogénure, d’ammonium, tel que, par exemple un chlorure d’ammonium en C10 à C22, comprenant ou non un groupement aromatique. En particulier, on peut citer les halogénures, tels que les chlorures, de stearalkonium, de benzalkonium ou encore de di-alkyl di-méthyl ammonium, par exemple distearyl dimethyl ammonium.
L’argile lipophile peut se présenter sous la forme d’une poudre ou sous une forme prédispersée dans un solvant choisi par exemple parmi les alcools en C1-C2, comme le méthanol, l’éthanol ; le carbonate de propylène, le triethyl citrate, et leurs mélanges.
L’argile lipophile convenable à la mise en œuvre de l’invention peut être choisie parmi les hectorites modifiées de noms INCI suivants : Disteardimonium hectorite, Stearalkonium Hectorites, Quaternium-18 Hectorite, seules ou en mélanges. De préférence, la composition comprend la Disteardimonium hectorite.
Parmi les hectorites modifiées utilisables dans le cadre de l’invention, on peut citer : *parmi les Disteardimonium Hectorite : la Bentone 38V, la Bentone 38V CG, les Bentone Gel ; *parmi les Stearalkonium Hectorite : la Bentone 27V ; commercialisées par la société Elementis Specialties.
Selon un mode de réalisation préféré, la charge de type argile lipophile comprenant au moins un groupement ammonium quaternaire est choisi parmi les hectorites lipophiles, en particulier la disteardimonium hectorite.
TRIHYDROXYSTEARATE DE GLYCERYLE L’agent épaississant lipophile utilisable dans le cadre de la présente invention peut également être le trihydroxystéarate de glycéryle (ou encore trihydroxystearin – nom INCI), qui est donc le triester de glycérine et d’acide 12-hydroxystéarique . Ce produit est par exemple commercialisé sous la dénomination THIXCIN® par la société Elementis Specialties.
ESTERS DE DEXTRINE Selon un autre mode de réalisation, l’agent épaississant lipophile est choisi parmi les esters de dextrine, plus particulièrement, un ester de dextrine et d’acide gras, de préférence en C 8 - C 30 .
Plus particulièrement l’ester de dextrine et d'acide gras, répond à la formule suivante :
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les enceintes métalliques sur lesquelles peuvent être disposés les dispositifs électroniques radiofréquence décrits ne sont pas détaillées, les modes de réalisation de la présente description étant compatibles avec toutes ou la plupart des enceintes métalliques susceptibles de tirer profit de la mise en œuvre d’un dispositif électronique radiofréquence pour alimenter et/ou communiquer avec un ou plusieurs autres dispositifs électroniques radiofréquence situés à l’intérieur de l’enceinte métallique.
La est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de système 100 comprenant des dispositifs électroniques radiofréquence selon un mode de réalisation.
Dans l’exemple représenté, le système 100 comprend une enceinte 101 comportant une cuve 103 obturée, en partie supérieure, par un couvercle 105. La cuve 103 et le couvercle 105 forment ainsi une chambre, ou cavité, délimitée par les parois et le fond de la cuve 103, et par la face interne du couvercle 105 (la face inférieure du couvercle 105, dans l’orientation de la ). L’enceinte 101 du système 100 est par exemple essentiellement constituée d’un matériau conducteur, par exemple un métal ou un alliage métallique conducteur. Le couvercle 105 peut être constitué du même matériau que la cuve 103, ou d’un matériau différent. Bien que la illustre un exemple dans lequel l’enceinte 101 comprend la cuve 103 obturée par le couvercle 105, cet exemple n’est pas limitatif, l’enceinte 101 du système 100 pouvant, de manière plus générale, être réalisée au moyen d’éléments quelconques permettant de former une cavité, ou chambre, entièrement délimitée par des parois constituées majoritairement d’un matériau conducteur.
Bien que cela n’ait pas été détaillé en , le couvercle 105 est isolé électriquement de la cuve 103. À titre d’exemple, le couvercle 105 est séparé de la cuve 103 par un élément isolant, par exemple un joint en un matériau diélectrique, interposé entre le couvercle 105 et la cuve 103. La cuve 103 est par exemple portée à un potentiel de référence, par exemple la masse.
Dans l’exemple illustré, le système 100 comprend en outre un dispositif électronique radiofréquence 107 situé à l’extérieur de l’enceinte 101. Le dispositif électronique radiofréquence 107 est par exemple destiné à communiquer, par couplage électromagnétique, avec un ou plusieurs autres dispositifs électroniques radiofréquence 109 situés à l’intérieur de l’enceinte 101. Plus précisément, dans cet exemple, le dispositif électronique radiofréquence 107 est destiné à alimenter le couvercle 105, afin que le couvercle 105 produise un champ électromagnétique à l’intérieur de l’enceinte 101 pour permettre de communiquer avec les dispositifs électroniques radiofréquence 109. Bien que la illustre un exemple dans lequel cinq dispositifs électroniques radiofréquence 109-1, 109-2, 109-3, 109-4 et 109-5 sont placés à l’intérieur de l’enceinte 101, cet exemple n’est pas limitatif, l’enceinte 101 pouvant contenir un nombre quelconque, non nul, de dispositifs électroniques radiofréquence 109 susceptibles de communiquer avec le dispositif électronique radiofréquence 107 placé hors de l’enceinte 101.
Dans l’exemple illustré en , les dispositifs électroniques radiofréquence 109 sont solidaires d’un substrat 111. Le substrat 111 est par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette dans et sur lequel sont formés les dispositifs électroniques radiofréquence 109. Dans l’exemple représenté, le substrat 111 repose sur un support 113, par exemple une platine chauffante. Le support 113 présente par exemple, en vue de côté, une forme de T dont une extrémité de la partie verticale repose sur le fond de la cuve 103 et dont la partie horizontale est sensiblement parallèle au fond de la cuve 103 et aux faces inférieure et supérieure du couvercle 105. Dans l’exemple illustré, les dispositifs électroniques radiofréquence 109 sont situés du côté d’une face du substrat 111 opposée au support 113 (du côté de la face supérieure du substrat 111, dans l’orientation de la ), les dispositifs électroniques radiofréquence 109 étant disposés en vis-à-vis du couvercle 105 de l’enceinte 101.
À titre d’exemple, les dispositifs électroniques radiofréquence 109 du système 100 sont des capteurs, par exemple des capteurs de température ou de pression, destinés à être alimentés par un champ électromagnétique EMF produit par le couvercle 105 excité par le dispositif 107 et à transmettre en retour, au dispositif 107, des informations relatives à des grandeurs physiques, par exemple la température ou la pression régnant à l’intérieur de l’enceinte 101. Dans un cas où les dispositifs électroniques radiofréquence 109 sont des capteurs de température, cela permet par exemple de connaître la température en différents emplacements à l’intérieur de l’enceinte 101, par exemple en différents points à la surface du substrat 111, afin par exemple de permettre de cartographier la température dans différentes zones situées à l’intérieur de l’enceinte 101. À titre d’exemple, cela permet d’effectuer un suivi de la température du substrat 111 en temps réel pendant que le substrat 111 est chauffé par le support 113.
Bien que cela n’ait pas été détaillé en , chaque dispositif électronique radiofréquence 109 du système 100 comprend par exemple, dans le cas où les dispositifs 109 sont des capteurs, une antenne reliée à un capteur d’ondes acoustiques de surface (« Surface Acoustic Wave » - SAW, en anglais). Le capteur d’ondes acoustiques de chaque dispositif électronique radiofréquence 109 présente par exemple une fréquence de résonance variable en fonction de la température à laquelle le dispositif électronique radiofréquence 109 est soumis, dans le cas où les dispositifs 109 sont des capteurs de température. À titre d’exemple, les fréquences de résonance des dispositifs 109-1, 109-2, 109-3, 109-4 et 109-5 varient autour de fréquences centrales f 1 , f 2 , f 3 , f 4 et f 5 , respectivement. Les fréquences centrales f 1 , f 2 , f 3 , f 4 et f 5 sont par exemple différentes les unes des autres, de manière à pouvoir discriminer les signaux provenant des différents dispositifs électroniques radiofréquence 109.
Dans l’exemple représenté, le dispositif électronique radiofréquence 107 comprend un circuit diviseur de puissance 115 (DIV) dont une sortie est reliée, par l’intermédiaire d’un circuit déphaseur 117 (ϕ), à une borne de transition radiofréquence 119a et dont une autre sortie est connectée à une autre borne de transition radiofréquence 119b. Dans l’exemple illustré, les bornes de transition radiofréquence 119a et 119b du dispositif électronique radiofréquence 107 sont sur et en contact avec une face extérieure de l’enceinte 101. Plus précisément, dans l’exemple représenté, les bornes 119a et 119b sont sur et en contact avec la face externe du couvercle 105 de l’enceinte 101 (la face supérieure du couvercle 105, dans l’orientation de la ), de sorte à exciter le couvercle 105 au moyen des signaux radiofréquence appliqués par les bornes de transition radiofréquence 119a et 119b.
À titre d’exemple, chaque borne de transition radiofréquence 119a, 119b est un plot métallique présentant, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement circulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque borne de transition radiofréquence 119a, 119b pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque.
Le circuit diviseur de puissance 115 du dispositif 107 est par exemple destiné à recevoir un signal radiofréquence SIG, et à retransmettre le signal radiofréquence sur chacune de ses sorties. La puissance du signal sur chaque sortie du circuit 115 est par exemple sensiblement égale à la moitié de la puissance du signal d’entrée SIG. Le signal radiofréquence est ensuite transmis aux bornes de transition radiofréquence 119a et 119b de sorte à permettre l’émission du champ électromagnétique EMF au moyen du couvercle 105. Dans l’exemple représenté, le champ électromagnétique EMF est produit à l’intérieur de l’enceinte 101, par exemple en direction des dispositifs électroniques radiofréquence 109. Le champ électromagnétique EMF permet par exemple d’alimenter et de communiquer avec les dispositifs électroniques radiofréquence 109, par exemple de déterminer la fréquence de résonance de chaque dispositif 109 afin d’estimer la température à laquelle est exposée ce dispositif 109, dans le cas où les dispositifs 109 sont des capteurs de température. Le signal SIG est par exemple une tension référencée par rapport au potentiel appliqué à la cuve 103.
La est un graphique illustrant des variations, en fonction d’une fréquence d’émission f, d’un coefficient de réflexion S 11 des dispositifs électroniques radiofréquence 107 et 109 du système 100 de la . Plus précisément, la comprend une courbe 207 illustrant les variations du coefficient de réflexion S 11 du dispositif électronique radiofréquence 107 en fonction de la fréquence d’émission f, et des courbes 209-1, 209-2, 209-3, 209-4 et 209-5 illustrant les variations du coefficient de réflexion S 11 des dispositifs électroniques radiofréquence 109-1, 109-2, 109-3, 109-4 et 109-5, respectivement, en fonction de la fréquence d’émission f.