INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A titre d’exemple, le système comprend une mémoire volatile, telle que par exemple un buffer circulaire ou une mémoire premier entré, premier sorti (en anglais « First In, first out » – FIFO). A titre d’exemple, la mémoire volatile est comprise dans le microcontrôleur 106. Dans un autre exemple, la mémoire volatile est comprise dans les mémoires 110. A chaque estimation d’une direction, par le réseau de neurones 120, la mémoire volatile est configurée pour stocker cette direction. Ainsi, à chaque nouvelle estimation de direction, par le réseau de neurones 120, la mémoire volatile est configurée pour supprimer la direction la moins récente, et pour stocker la nouvelle direction. Les directions stockées par la mémoire volatile sont donc issues de captures, par le capteur 104, consécutives. A titre d’exemple, la mémoire volatile est configurée pour stocker un nombre de directions, par exemple 10 directions. La taille de la mémoire volatile peut bien sûr varier, et celle-ci peut stocker un nombre supérieur à 10 d’estimations de directions consécutives, ou un nombre inférieur à 10 d’estimations de directions consécutives.
Dans les exemples illustrés par les figures 6A, 6B et 6C, la mémoire volatile est représentée par un tableau 600. Le tableau 600 comprend 10 estimations de directions consécutives, générées par le réseau de neurones 120. A titre d’exemple, les 10 directions estimées ont été réalisée à partir de captures d’une scène image 601, par le capteur 104, réalisées à des temps consécutifs T-9 à T. Dans l’exemple illustré par les figures 6A, 6B et 6C, la direction estimée pour l’instant T est la direction nord-ouest, la direction pour l’instant T-1 est la direction nord, etc.
A titre d’exemple, la valeur d’attention est une valeur appartenant à un intervalle, par exemple à l’intervalle [0,100]. L’intervalle [0,100] est donné à titre d’exemple, et tout autre intervalle peut être considéré, tel que par exemple un intervalle de la forme [0,1], [-1,1] etc. De manière générale, l’intervalle de confiance est caractérisé par une valeur minimale et une valeur maximale.
Dans un premier mode de réalisation 602 (USER ATTENTION: SMALL FOA), illustré par la , la valeur d’attention est mise à la valeur maximale lorsque la présence de l’utilisateur de l’écran 102 est détectée et qu’au moins une parmi les conditions suivantes est remplies : - la direction nord a été estimée pour les instants T et T-1 ; ou - la direction nord a été estimée au moins six fois parmi les estimations pour les temps T-9 à T ; ou - la distance entre l’utilisateur 200 et l’écran 102, mesurée par le capteur 104 est inférieure à une distance de référence, la valeur de la distance de référence étant par exemple inférieure à 500mm. A titre d’exemple, la valeur de la distance de référence est égale à 320mm. A titre d’exemple, la présence de l’utilisateur est détectée par l’application d’un algorithme de détection, tel que par exemple un algorithme de détection d’humain versus objet (en anglais « Human vs Object Detection » - HOD).
Lorsqu’aucune des conditions ci-dessus n’est vérifiée, la valeur d’attention décroit progressivement. A titre d’exemple la valeur d’attention décroit de la valeur maximale à la valeur minimale en un laps de temps de référence. A titre d’exemple le laps de temps de référence est de l’ordre de quelques secondes, par exemple entre 2 et 3 secondes.
Dans un deuxième mode de réalisation 603 (USER ATTENTION: BIG FOA), illustré par la , la valeur d’attention est mise à la valeur maximale lorsque la présence de l’utilisateur de l’écran 102 est détectée, par exemple suite à l’application d’un algorithme de type HOD, et qu’au moins une parmi les conditions suivantes est remplies : - la direction nord a été estimée pour les instants T et T-1 ; ou - la somme des directions nord, nord-ouest et nord-est parmi les estimations pour les temps T-9 à T est au moins égale à 8 ; ou - la distance entre l’utilisateur et l’écran 102, mesurée par le capteur 104 est inférieure à une distance de référence, la valeur de la distance de référence étant par exemple inférieure à 500mm. A titre d’exemple, la valeur de la distance de référence est égale à 320mm.
Lorsqu’aucune des conditions ci-dessus n’est vérifiée, la valeur d’attention décroit progressivement. A titre d’exemple la valeur d’attention décroit de la valeur maximale à la valeur minimale en un laps de temps de référence. A titre d’exemple le laps temps de référence est de l’ordre de quelques secondes, par exemple entre 2 et 3 secondes.
Dans un troisième mode de réalisation 604 (USER ATTENTION: ANGLE THRESHOLD), illustré par la , les directions stockées dans la mémoire volatile 600 sont utilisées pour calculer un angle 605 (HEAD ANGLE). A titre d’exemple, l’angle calculé est un angle entre -180° et 180° et correspond à une moyenne de toutes les directions stockées dans la mémoire volatile. A titre d’exemple, chaque direction est traduite en un angle, par exemple la direction nord correspond à un angle de 0°, les directions nord-est et nord-ouest correspondent respectivement à un angle de -45° et 45°. Les directions est et ouest correspondent respectivement à un angle de -90° et 90°. La direction sud correspond par exemple à l’angle 180°, ou à l’angle -180°.
La valeur d’attention est alors mise à la valeur maximale lorsque la présence de l’utilisateur de l’écran 102 est détectée, par exemple suite à l’application d’un algorithme de type HOD, et qu’au moins une parmi les conditions suivantes est remplies : - l’angle calculé appartient à un intervalle de référence. L’intervalle de référence étant par exemple un intervalle symétrique, de la forme ou est un angle, inférieur à 180°, Dans un exemple, est inférieur à 90°, ou à 45°. Dans un autre exemple, l’angle est plus petit et est, par exemple, inférieur à 30° ou même à 20°; ou - la distance entre l’utilisateur et l’écran 102, mesurée par le capteur 104 est inférieure à une distance de référence, la valeur de la distance de référence étant par exemple inférieure à 500m. A titre d’exemple, la valeur de la distance de référence est égale à 320mm.
Lorsqu’aucune des conditions ci-dessus n’est vérifiée, la valeur d’attention décroit progressivement. A titre d’exemple la valeur d’attention décroit de la valeur maximale à la valeur minimale en un laps temps de référence. A titre d’exemple le laps de temps de référence est de l’ordre de quelques secondes, par exemple entre 2 et 3 secondes.
A titre d’exemple, dans les modes de réalisation décrit en relation avec les figures 6A, 6B et 6C, la luminosité de l’écran décroit progressivement avec la valeur d’attention. A titre d’exemple, l’écran 102 est mis en veille lorsque la valeur d’attention atteint la valeur minimale.
Un avantage des modes de réalisation décrits est que l’estimation de l’orientation de la tête de l’utilisateur est effectuée sur la base de mesures effectuées par un capteur à temps de vol, beaucoup moins consommateur en énergie qu’une caméra. De plus, l’utilisation du capteur à temps de vol permet de garantir la confidentialité de l’utilisateur.
Un autre avantage des modes de réalisation d’écrits est qu’en utilisant un capteur à temps de vol, le réseau de neurones configuré pour le traitement des données est de taille extrêmement faible, par exemple moins d’une dizaine de couches et moins de 100 000 paramètres permettant ainsi de ne pas utiliser trop de ressources énergétiques.
La compression concentrique confère plusieurs avantages. Le bouchon 3 lors de sa compression translate de manière concentrique vers son centre, limitant ainsi les frottements. Cela a pour effet de moins abimer le bouchon et génère moins de poussières susceptibles d’encrasser le dispositif de compression radiale, voire de se retrouver dans le goulot du récipient. La compression est également répartie sur tout le bouchon.
Par ailleurs, le réglage du diamètre de compression se situe sur les deux coulisseaux 15, 16 permettant de conserver la concentricité de la compression à chaque changement souhaité de diamètres de compression. Ce qui n’est pas le cas sur les machines existantes où seulement un seul réglage est possible sur le jeu de mors mobiles, donc en plus de la compression excentrique, le réglage est lui aussi excentrique, ce qui engendre un bouchage de mauvaise qualité lorsque l’on souhaite utiliser des bouchons de diamètre plus large.
Il est à noter qu’un bouchon de diamètre plus large doit être moins comprimé qu’un bouchon de diamètre moins large. Cela pour ne pas détériorer les cellules liégeuses affectant les propriétés mécaniques du bouchon, en particulier son élasticité de reprise de diamètre dans le goulot du récipient après compression. Cela affecte significativement l’étanchéité du bouchon et sa durée de vie.
Les figures 7A et 7B représentent un bouchon 3 encore en position comprimée (avant son retour à l’élasticité), dans le goulot d’un récipient avec une compression forte pour les figures 7A, 7C (bouchon de faible diamètre) et avec une compression faible pour les figures 7B, 7D (bouchon de large diamètre). Dans la mesure où un tel bouchon a subit une compression concentrique conforme à l’invention, le bouchon 3 se retrouve correctement positionné à l’intérieur du goulot.
Les figures 8A et 8C représentent un bouchon 3 encore en position comprimée (avant son retour à l’élasticité), inséré dans le goulot d’un récipient, avec une compression excentrique forte pour les figures 8A, 8C (bouchon de faible diamètre) et avec une compression faible pour les figures 8B, 8D (bouchon de large diamètre). Dans la mesure où un tel bouchon a subit une compression excentrique selon l’art antérieur, le bouchon ne se retrouve pas correctement positionné à l’intérieur du goulot. Il apparait un retroussement R du bouchon 3 à cause notamment des frottements du bouchon le long du goulot. Le bouchon 3 est endommagé, affectant l’étanchéité du bouchon et sa durée de vie.
De manière complémentaire, il est à noter que la compression excentrique d’un bouchon plus large ne permet pas un centrage parfait de la rentrée du bouchon dans le goulot du récipient puisqu’il se trouve enfoncé de manière excentrique à cause de sa compression excentrique. Les figures 9A à 9D illustrent la position du dispositif d’insertion 9 avec un bouchon présentant une compression excentrique selon l’art antérieur. Tel que cela ressort des figures 9B et 9D, cela a pour effet de former un retroussement R (intérieur) du bouchon, à cause des frottements le long du goulot et à cause d’un enfoncement excentré par rapport au centre du bouchon 3. Cela provoque un bouchage de mauvaise qualité diminuant la durée de vie du bouchage et favorise le risque de coulure (bouchon qui fuit) via le retroussement. La illustre un bouchon présentant un tel défaut de retroussement R.
A contrario, les figures 10A à 10D montrent la position du dispositif d’insertion 9 avec un bouchon 3 présentant une compression concentrique conforme à l’invention n’entrainant pas de défaut quelle que soit la compression et quel que soit le diamètre du bouchon.
La machine de bouchage 1 conforme à l’invention comporte un dispositif d’insertion 9 de tous types connus en soi. Typiquement, le dispositif d’insertion 9 comporte une tige de poussée 9a, entrainée par un mouvement de va-et-vient de telle manière que la tige de poussée 9a atteigne une position d’insertion pour laquelle le bouchon 3 est complètement inséré à l’intérieur du goulot du récipient. Après l’enfoncement du bouchon, la tige de poussée 9a est dégagée de l’ouverture de réception 12 pour permettre l’insertion d’un nouveau bouchon entre les mors mobiles 11.
De manière classique, la machine de bouchage 1 comporte également un distributeur 32 de bouchons 3 permettant d’amener un bouchon dans l’ouverture de réception 12. Ce distributeur 32 est par exemple supporté par la table 10 et comprend une cavité 33 de réception d’un bouchon provenant d’une goulotte d’amenée 34. Ce distributeur 32 est monté mobile en coulissement alterné à l’aide d’un actionneur 35 pour amener le bouchon inséré dans la cavité 33, au-dessus de l’ouverture 12 du dispositif de compression radiale 8 et pour ramener le distributeur à sa position de réception d’un nouveau bouchon c’est-à-dire dans une position où la cavité 33 est située au-dessous de la sortie de la goulotte d’amenée 34.
Conformément à l’invention, le dispositif d’insertion 9 comporte un système d’actionnement 9b de la tige de poussée 9a dont le mouvement est indépendant du mouvement du système de déplacement 13 des mors mobiles 11.
Il est rappelé que le système de déplacement 13 des mors mobiles 11 comporte un premier actionneur 18. Le système d’actionnement 9b de la tige de poussée 9a comporte au moins un deuxième actionneur 9c pour insérer le bouchon comprimé à l’intérieur du goulot du récipient, dont le fonctionnement est indépendant du fonctionnement du premier actionneur 18. Ce deuxième actionneur 9c peut être réalisé de toute manière appropriée et de manière avantageuse, par un moteur sans balai permettant de déterminer la vitesse, l’accélération et la distance de déplacement pour faire varier l’enfoncement du bouchon dans le goulot. Le deuxième actionneur 9c est piloté par une unité de commande de tous types connus en soi pour former le système d’actionnement 9b.
Classiquement, le premier actionneur 18 est piloté par une unité de commande pour déplacer concentriquement tous les mors mobiles 11 pour assurer une compression concentrique du bouchon tandis que le deuxième actionneur 9c est piloté par l’unité de commande pour insérer le bouchon comprimé à l’intérieur du goulot du récipient. Bien entendu, le deuxième actionneur 9c est piloté par l’unité de commande pour dégager la tige de poussée 9a de l’ouverture de réception après l’insertion du bouchon dans le goulot tandis que le premier actionneur 18 est piloté par l’unité de commande pour déplacer les mors mobiles 11 de manière à être agencés dans leur configuration ouverte afin de pouvoir recevoir un nouveau bouchon.
La mise en œuvre d’un premier actionneur 18 pour la compression des bouchons et d’un deuxième actionneur 9c pour l’enfoncement des bouchons permet de dissocier la vitesse de compression et la vitesse d’enfoncement. D’une manière générale, le premier actionneur 18 présente une vitesse d’actionnement réglable permettant de régler la vitesse de déplacement des mors mobiles 11 en vue de régler la vitesse de compression du bouchon tandis que le deuxième actionneur 9c présente une vitesse d’actionnement réglable permettant de régler la vitesse de la tige de poussée 9a de manière à régler la vitesse d’insertion du bouchon indépendamment de la vitesse de compression du bouchon.
L’objet de l’invention permet de dissocier mécaniquement le mouvement de compression et le mouvement d’enfoncement afin de pouvoir régler indépendamment la vitesse de compression et la vitesse d’enfoncement quelle que soit la cadence. Dès lors, il est possible d’améliorer la qualité de bouchage en préservant aussi la qualité intrinsèque du bouchon : Soit en améliorant la régularité du bouchage en optimisant la vitesse de compression et la vitesse d’enfoncement à la cadence maximale de la machine et conserver cette dynamique quelle que soit la cadence. De ce fait, la qualité de bouchage est régulière quelles que soient les variations de cadence. Soit en améliorant la qualité pure du bouchage en réduisant au maximum la vitesse de compression tout en maintenant un enfoncement le plus rapide possible à chaque cadence établie. De ce fait, le bouchage est meilleur.
La combinaison des deux améliorations précédentes sur la qualité du bouchage et la préservation du bouchon permet d’améliorer la flexibilité sur les différents formats des bouteilles et des bouchons au bouchage : En effet, en utilisant deux entraînements différents permettant le contrôle de la vitesse, de l’accélération et le positionnement angulaire, il est possible de remplacer le réglage manuel de la compression des mors mobiles par un réglage automatique et maîtriser les mouvements et positions tout comme l’enfoncement du bouchon.
Le réglage automatique de compression permet de prédéfinir et de paramétrer les diamètres de compression ainsi que les vitesses des mouvements. Il est donc obtenu une optimisation parfaite de la compression entre le diamètre du bouchon et celui du goulot du récipient, en plus d’optimiser la cinématique de vitesse de compression et d’enfoncement selon la cadence, et cela de manière automatique.
La est une vue schématique d’un substrat support temporaire après polissage des bords.
La illustre une pluralité de substrats en carbure de silicium polycristallin.
La illustre la formation d’une zone de fragilisation dans un substrat donneur.
La illustre le transfert d’une couche monocristalline sur un substrat de base en p-SiC.
La illustre un substrat comprenant un substrat de base en p-SiC et une couche monocristalline sur sa face avant.
Description détaillée de modes de réalisation Les figures 1 à 6 illustrent les étapes du procédé de fabrication d’une pluralité de substrats de carbure de silicium. Les substrats sont déposés successivement sur un substrat support temporaire et séparés par des couches de séparation. On fabrique ainsi une structure multicouche qui est par la suite dissociée en une pluralité de substrats de p-SiC individuels.
Substrat support temporaire En référence à la , on commence par la mise à disposition du substrat support temporaire 10. De préférence, le substrat support temporaire 10 est en graphite. Le substrat support temporaire présente deux faces principales parallèles : une face avant et une face arrière.
Le graphite présente un coefficient de dilatation thermique proche de celui du carbure de silicium. Pour cette raison, il est particulièrement adapté en tant que matériau de substrat support temporaire pour la fabrication d'un substrat impliquant des étapes à haute température tel que des dépôts par CVD. De plus, le graphite est facile à retirer dans une étape ultérieure du procédé, par exemple par combustion ou par une attaque chimique.
Le substrat support temporaire présente une épaisseur suffisante pour être autoporté et suffisamment stable pour le dépôt de plusieurs couches successives sans déformation pertinente du substrat support temporaire. De préférence, l’épaisseur du substrat support temporaire est comprise entre 1 et 15 mm. Le substrat support temporaire présente une surface suffisamment lisse pour permettre le dépôt uniforme de plusieurs couches successives sans déformation importante de leur surface. Le substrat support temporaire présente un coefficient d’expansion thermique proche de celui du p-SiC pour éviter des délaminations et la rupture du substrat lors des traitements à température élevée (phénomène désigné par le terme de « faïençage », ou « cracking » en anglais).
Dépôt des couches En référence à la , on procède au dépôt d’une première couche 20 de carbure de silicium polycristallin (p-SiC) sur le substrat support temporaire 10. Le p-SiC peut présenter toute résistivité électrique adaptée à l’utilisation prévue. Selon des modes de réalisation préférés, le p-SiC est dopé, par exemple à l’azote ou au phosphore. Dans d’autres modes de réalisation, le p-SiC présente une résistivité électrique élevée.
Le p-SiC est de préférence déposé sous forme de grains micrométriques, présentant une taille et structure homogène sur toute l’épaisseur de la couche à déposer. Par « micrométrique » on entend dans le présent texte une taille de grain supérieure à 1 µm dans un plan parallèle à la face avant du substrat support temporaire, c’est-à-dire perpendiculaire à la direction de croissance de la couche de p-SiC. De préférence, la taille des grains dans ce plan est inférieure à 100 µm. De manière particulièrement avantageuse, les grains présentent une taille comprise entre 1 µm et 50 µm dans un plan parallèle à la face avant du substrat temporaire. Les grains sont typiquement allongés selon la direction de croissance de la couche de p-SiC, de sorte qu’ils présentent typiquement une taille dans la direction de croissance supérieure à la taille dans un plan perpendiculaire à la direction de croissance. De préférence, les grains de p-SiC présentent une taille inférieure à 250 µm dans la direction de croissance. De manière particulièrement avantageuse, la taille des grains dans la direction de croissance est comprise entre 1 µm et 100 µm.
De préférence, la couche de p-SiC 20 est déposée par un procédé de dépôt CVD. De manière illustrative et non limitative, le dépôt de la couche de p-SiC est réalisé à une température comprise entre 1100 et 1500°C. Typiquement, on place le substrat support temporaire dans une enceinte de dépôt et on réalise le dépôt de sorte que la couche de p-SiC s’étende sur la surface entière du substrat support temporaire y compris sur sa circonférence. Dans certains modes de réalisation, la couche de p-SiC est déposée sur la face avant et la face arrière du substrat support temporaire. Dans d’autres modes de réalisation, la couche de p-SiC peut être déposée sur une seule face du substrat support temporaire. Dans les deux cas, du p-SiC peut être déposé sur les côtés du substrat support.
De manière alternative, le p-SiC peut être déposé par un dépôt physique en phase vapeur (PVD, physical vapour deposition), par transport physique en phase vapeur (PVT, physical vapour transport). Le p-SiC peut également être déposé par CVD en phase liquide ou CVD sous pression atmosphérique, par CVD à haute température ou par CVD par injection directe de liquide. Le p-SiC peut également être déposé à partir de trichlorosiloxane.
L’épaisseur de la couche de p-SiC correspond à l’épaisseur du substrat de p-SiC à fabriquer et dépend de l’utilisation finale du substrat de p-SiC. Souvent, l’épaisseur d’un tel substrat est choisie en fonction de la dimension du substrat afin de mettre à disposition un substrat autoporté et mécaniquement stable. Par exemple, un substrat de p-SiC présentant un diamètre de 150 mm (6’’) présente typiquement une épaisseur supérieure à 50 µm, plus avantageusement supérieure à 100 µm, afin d’être autosupporté. Pour la fabrication d’un tel substrat, on dépose typiquement une première couche 20 présentant une épaisseur comprise entre 300 µm et 900 µm, de préférence entre 360 µm et 900 µm. Un substrat de p-SiC présentant un diamètre de 200 mm (8’’) présente typiquement une épaisseur comprise entre 510 et 1200 µm. Pour la fabrication d’un tel substrat, on dépose typiquement une première couche 20 présentant une épaisseur minimale de 510 µm.
Pour les couches ultérieures, l’épaisseur de chaque couche de p-SiC est par exemple supérieure ou égale à 500 µm pour un substrat de 150 mm de diamètre, et supérieure ou égale à 650 µm pour un substrat de 200 mm de diamètre.
L’épaisseur maximale des couches de p-SiC peut être de 900 µm pour un substrat de 150 mm de diamètre, et de 1,2 mm pour un substrat de 200 mm de diamètre.
On suppose que le dispositif sélectionné est l’ordinateur PC.
Lors d’une étape ET4, l’entité de gestion ENT requiert le téléchargement de l’entité de traitement nCDN dans le dispositif sélectionné PC. En variante, le dispositif sélectionné peut être équipé d’une entité de traitement désactivée. Lors de cette étape ET4, au lieu de transmettre l’entité de traitement, on vient activer tout simplement l’entité de traitement.
Lors d’une étape ET5, l’entité de gestion ENT ayant à disposition l’adresse IP dans le local de l’ordinateur PC désigne cette adresse IP et transmet cette adresse IP au client HAS installé dans le dispositif de lecture STB.
Dans notre exemple, l’ordinateur PC disposant d’une connexion Wi-Fi est apte à communiquer directement avec le dispositif de lecture STB.
A noter que dans le cas où le dispositif sélectionné ne peut communiquer directement avec le dispositif de lecture STB, le dispositif sélectionné communique avec le dispositif de lecture STB via la passerelle domestique. GTW.
Dans notre exemple, à ce stade, l’ordinateur PC, sous-entendu l’entité de traitement nCDN installée sur l’entité nCDN peut transmettre des segments au dispositif de lecture STB en mode Unicast.
On suppose ensuite que le dispositif de lecture STB transmet, lors d’une étape ET6, une requête d’accès à un contenu. Cette requête est transmise à l’ordinateur PC équipé de l’entité de traitement nCDN.