Procédé de fabrication d’un transducteur CMUT, comprenant les étapes suivantes : a) former une première structure (150) comportant une cavité (137) s’étendant dans une première couche d’oxyde de silicium (133) revêtant une face d’une première couche de silicium (131) ; b) former une électrode métallique inférieure (141) du transducteur au fond de la cavité ; c) former une deuxième structure (120) comportant une deuxième couche de silicium (105) ; d) après les étapes a), b) et c), reporter et fixer la deuxième structure (120) sur la première structure (150) par collage moléculaire, de façon à fermer la cavité. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième structure (120) comporte une deuxième couche d’oxyde de silicium (109) revêtant une face de la deuxième couche de silicium (105), et dans lequel, à l’étape d), la deuxième structure (120) est fixée sur la première structure (150) par collage moléculaire de la deuxième couche d’oxyde de silicium (109) sur la première couche d’oxyde de silicium (133). Procédé selon la revendication 2, comprenant, avant l’étape d), une étape de formation d’une électrode métallique supérieure (115) du transducteur sur et en contact avec la face de la deuxième couche d’oxyde de silicium (109) opposée à la deuxième couche de silicium (105). Procédé selon la revendication 3, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) est non intentionnellement dopée ou présente un niveau de dopage inférieur à 10 13 atomes/cm 3 . Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) présente une résistivité électrique supérieure à 100 Ω.cm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 à 5, comprenant, avant la formation de l’électrode métallique supérieure (115), une étape de formation de vias conducteurs (111) traversant la deuxième couche de silicium (105), l’électrode métallique supérieure (115) du transducteur étant ensuite formée en contact avec les vias conducteurs (111). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) présente un niveau de dopage supérieur à 10 16 atomes/cm 3 et forme une électrode supérieure non métallique du transducteur. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième couche de silicium (105) présente une résistivité électrique inférieure à 0,2 Ω.cm et forme une électrode supérieure non métallique du transducteur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, à l’étape d), un recuit à une température comprise entre 700 et 1200°C, par exemple à une température de l’ordre de 1100°C, est est mis en oeuvre après le report de la deuxième structure (120) sur la première structure (150). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l’électrode métallique inférieure (141) du transducteur est en un métal présentant une température de fusion supérieure à 1100°C, par exemple supérieure à 1500°C, par exemple supérieure à 1600°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’électrode métallique inférieure (141) du transducteur est en molybdène, en platine, en titane, en tantale, en hafnium, en iridium ou en tungstène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant, après l’étape d), une étape e) de formation d’une ouverture (143) localisée dans la deuxième couche de silicium (105) en vis à vis d’une partie périphérique de la cavité (137), de façon à exposer une région de reprise de contact de l’électrode métallique inférieure (141) du transducteur, conduisant à réouvrir latéralement la cavité (137). Procédé selon la revendication 12, comprenant, après l’étape e), une étape de formation d’un bouchon de scellement (147) en un matériau diélectrique, par exemple de l’oxyde de silicium ou du nitrure de silicium, au niveau de l’ouverture latérale de la cavité formée à l’étape e). Procédé selon la revendication 13, dans lequel le bouchon de scellement (147) est formé par dépôt physique en phase vapeur, de préférence à une pression inférieure à la pression atmosphérique.