Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif comprenant une membrane métallique suspendue au-dessus d’une ligne de transmission RF ( 110 ) disposée selon un premier axe X à la surface d’un substrat ( 100 ), des électrodes d’activation et des plans de masse sur lesquels repose ladite membrane caractérisé en ce que : - ladite membrane métallique comporte : un élément inférieur ( 501 ) présentant une première partie située partiellement au-dessus desdites électrodes ( 200a , 200b ) recouvertes par des éléments ( 300a , 300b ) comprenant au moins un premier matériau diélectrique ( D1 ) et partiellement au-dessus de ladite ligne RF recouverte par un élément ( 111) en second matériau diélectrique ( D2 ), ledit élément inférieur présentant des deuxièmes parties situées partiellement en contact avec lesdits plans de masse ; un élément supérieur ( 502 ) situé au-dessus de ladite première partie de l’élément inférieur; - les électrodes d’activation étant disposées de part et d’autre de la ligne de transmission RF ; - lesdits plans de masse étant disposés de part et d’autre de la ligne RF et selon des axes parallèles audit premier axe X ; - ladite membrane comprenant des zones flexibles ( ZF ) constituées par une partie des deuxièmes parties de l’élément inférieur et une zone rigide ( ZR ) constituée par l’empilement de la première partie de l’élément inférieur et de l’élément supérieur. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits éléments comprenant au moins un premier matériau diélectrique ( D1 ) sont structurés et présentent des motifs de structuration, de dimensions comprises entre 50 nanomètres et 5 micromètres. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le premier matériau diélectrique ( D1 ) présente une rigidité supérieure ou égale à 5MV/cm, et est par exemple en SiO 2 ou en SiN ou en Al 2 O 3. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l’élément en second matériau diélectrique ( D2 ) est recouvert d’un élément métallique supérieur ( 120 ). Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l’épaisseur totale d’une électrode d’activation et d’un élément en premier matériau diélectrique est égale à l’épaisseur totale de l’épaisseur de la partie de ladite ligne RF sous la membrane et d’un élément en second matériau diélectrique. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l’épaisseur de l’élément inférieur de la membrane est comprise entre 500 nanomètres et 2 micromètres. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l’épaisseur de l’élément supérieur de ladite membrane est supérieure à 2 micromètres. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l’élément supérieur de ladite membrane est structuré, ladite structure étant par exemple en treillis et présentant des motifs de dimensions supérieures à un micromètre. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le second matériau diélectrique a une constante diélectrique ε 0 supérieure à celle de l’oxyde de silicium, ledit second matériau diélectrique étant par exemple HfO 2 ou ZrO 2 ou Y 2 O 3 ou Al 2 O 3 ou SiN. Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l’élément inférieur de la membrane est en multicouches à base de matériau(x) réfractaire(s) par exemple W, Mo, Ta, TaN, TiN, TiW et de matériau(x) conducteur(s) par exemple Au, Al, Cu, l’élément supérieur de la membrane étant en matériau conducteur par exemple Au ou Cu. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant : - une étape de réalisation des électrodes d’activation à la surface d’un substrat ; - une étape de réalisation d’éléments en au moins un premier matériau diélectrique ( D1 ) à la surface d’une partie desdites électrodes d’activation ; - une étape de réalisation de la ligne RF située entre lesdites électrodes d’activation ; - une étape de réalisation d’un élément en second matériau diélectrique ( D2 ) au-dessus d’une partie de la ligne RF ; - une étape de réalisation desdits plans de masse de part et d’autre de ladite ligne RF ; - une étape de réalisation de l’élément inférieur de ladite membrane ; - une étape de réalisation de l’élément supérieur de ladite membrane. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon la revendication précédente 11, dans lequel l’étape de réalisation des électrodes d’activation à la surface d’un substrat est effectuée par pulvérisation cathodique ou par évaporation. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 11 ou 12, dans lequel l’élément inférieur de la membrane est réalisé par dépôts multicouches comprenant au moins une couche métallique en Au ou Al ou Cu et au moins une autre couche métallique par exemple en matériau réfractaire effectués par pulvérisation cathodique et/ou évaporation. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif selon l’une des revendications 11 à 13, dans lequel l’élément supérieur de ladite membrane est réalisé par dépôt électrolytique. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif) selon l’une des revendications 11 à 14, dans lequel l’élément en deuxième matériau diélectrique à la surface de ladite ligne RF est réalisé par dépôt physique en phase vapeur (PVD) ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou par dépôt de couches minces atomiques (ALD) d’épaisseurs par exemple comprises entre 20 nanomètres et 300 nanomètres. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence selon l’une des revendications 11 à 15, comprenant la réalisation d’une étape d’épaississement partiel de ladite ligne RF dans des régions situées en périphérie de ladite membrane. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence selon la revendication 16, dans lequel l’étape d’épaississement partiel de ladite ligne RF et l’étape de réalisation desdits plans de masse sont réalisées lors d’une même étape de dépôt métallique. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence selon la revendication 17, dans lequel la réalisation des plans de masse ou la réalisation des plans de masse et l’étape d’épaississement partiel de ladite ligne RF sont réalisés par croissance électrolytique. Procédé de fabrication d’un Microsystème Electromécanique radiofréquence selon l’une des revendications 11 à 18, dans lequel les motifs de structuration desdits éléments en au moins un premier matériau diélectrique ( D1 ) et présents au dessus desdites électrodes sont réalisés par gravure d’un premier matériau diélectrique ( D1 ) ou par dépôt localisé d’un matériau diélectrique sur un premier matériau diélectrique ( D1 ).