Procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur (10) comprenant les étapes successives suivantes : - l’obtention (E1) d’un substrat semi-conducteur (1) comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques (2) et un contact de grille (3), les contacts ohmiques (2) formant des doigts séparés l’un (2A) de l’autre (2B), - le dépôt (E2) d’un support de pont (4) réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille (3) et destiné au support d’un pont (5D, 5E) de connexion électrique, caractérisé en ce qu’il comporte en outre: - le dépôt (E3) par électrodéposition de surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) des contacts ohmiques (2) et du contact de grille (3), et de ponts (5D, 5E) recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques (2) à la surface de connexion respective (5A, 5B), lesdites surfaces de connexion (5A, 5B) et lesdits ponts (5D, 5E) étant formés par une même couche métallique (5). Procédé de fabrication selon la revendication 1, comportant en outre après le dépôt (E3) de la couche métallique (5), le dépôt d’une première couche de passivation (6) réalisée dans un deuxième matériau en polymère encapsulant au moins le support de pont (4) et lesdits ponts (5D, 5E) et comportant des ouvertures (6A, 6B, 6C) des surfaces de connexion (5A, 5B, 5C). Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier matériau est un polyimide. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche métallique (5) est en cuivre et a une épaisseur supérieure à 4 µm, de préférence comprise entre 6 µm et 10 um. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le dépôt (E2) du support de pont (4) comporte au moins une étape de traitement thermique du motif du support de pont (4). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comportant en outre l’enfouissement du dispositif semi-conducteur (10) entre au moins deux couches de carte de circuit imprimé (8A, 8B). Circuit intégré comprenant un dispositif semi-conducteur (10) obtenu à partir du procédé de fabrication selon la revendication 6 comprenant : - un substrat semi-conducteur (1) comprenant en surface au moins une paire de contacts ohmiques (2) et un contact de grille (3), les contacts ohmiques (2) formant des doigts séparés l’un (2A) de l’autre (2B), - un support de pont (4) réalisé dans un premier matériau en polymère recouvrant le contact de grille (3) et destiné au support d’un pont (5D, 5E) de connexion électrique, - des surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) des contacts ohmiques (2) et du contact de grille (3), - des ponts (5D, 5E) recouvrant ledit support et connectant électriquement les contacts ohmiques (2) à la surface de connexion (5D, 5E) respective, caractérisé en ce que lesdites surfaces de connexion (5A, 5B, 5C) et lesdits ponts (5D, 5E) sont formés par une même couche métallique (5) obtenue par électrodéposition, - et dans lequel le dispositif semi-conducteur (10) est enfoui entre au moins deux couches de carte de circuit imprimé (8A, 8B). Circuit intégré (9) selon la revendication 7, dans lequel lesdits ponts (5D, 5E) ont une forme arquée et s’étendent depuis les surfaces de connexion (5A, 5B) jusqu’en surface des contacts ohmiques (2A, 2B). Circuit intégré (9) selon la revendication 7 ou 8, comportant en outre une première couche de passivation (6) réalisée dans un deuxième matériau en polymère encapsulant au moins le support de pont (4) et lesdits ponts (5D, 5E) et comportant des ouvertures (6A, 6B, 6C) des surfaces de connexion (5A, 5B, 5C). Circuit intégré (9) selon l’une quelconque des revendications 7 à 9 dans lequel le premier matériau est un polyimide.