Procédé de fabrication d’un contact (250) sur une région semiconductrice (224, 226) d’un composant électronique (200 ; 400A ; 400B), ledit procédé comprenant : - la formation d’une couche de revêtement (231) en matériau diélectrique, d’une épaisseur (E1) donnée, sur au moins une paroi latérale d’un orifice (244) traversant une région diélectrique (234) du composant électronique selon une direction longitudinale à partir d’une première surface (234A) de ladite région diélectrique et débouchant au droit de la région semiconductrice ; puis -la formation d’une couche de remplissage (238) en métal de manière à remplir l’orifice revêtu de la couche de revêtement. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’orifice (244) a une section donnée, par exemple fixée, et l’épaisseur (E1) est déterminée pour adapter la section utile du contact (250) par réduction de la section de l’orifice. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’orifice (244) a une forme de cylindre circulaire d’un premier diamètre (D0) donné, par exemple fixé, le contact (250) a une forme de cylindre circulaire d’un deuxième diamètre (D1) inférieur au premier diamètre, et l’épaisseur (E1) est déterminée pour adapter le deuxième diamètre en réduisant le premier diamètre d’au moins deux fois ladite épaisseur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la formation de la couche de revêtement (231) comprend : - le dépôt d’une couche en matériau diélectrique (235) à partir de la première surface (234A) de la région diélectrique (234) au moins sur les parois latérales et au fond de l’orifice (244) ; et - la suppression par gravure d’une portion de la couche en matériau diélectrique localisée au fond de l’orifice. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la suppression par gravure comprend également la suppression d’une portion de la couche en matériau diélectrique (235) localisée sur la première surface (234A) de la région diélectrique (234). Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la gravure est une gravure plasma anisotrope, adaptée à graver la couche en matériau diélectrique (235) préférentiellement dans la direction longitudinale. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre la formation d’une couche de barrière de diffusion (236) au fond de l’orifice (244) et latéralement dans ledit orifice sur la couche de revêtement, la formation de la couche barrière de diffusion étant réalisée après la formation de la couche de revêtement (231) et avant la formation de la couche de remplissage (238). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la formation de la couche de remplissage (238) en métal comprend : - le dépôt d’une couche en métal (237) à partir de la première surface (234A) de la région diélectrique (234) ; puis - le retrait d’une portion de la couche en métal s’étendant au-dessus des orifices (244) et de la première surface (234A) de la région diélectrique (234), de manière à faire affleurer le contact (250) à ladite première surface. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le retrait comprend un aplanissement, par exemple, un polissage mécano-chimique. Composant électronique (200 ; 400A ; 400B) comprenant au moins un contact (250) sur une région semiconductrice (224, 226) dudit composant électronique, chaque contact étant positionné dans un orifice (244) traversant une région diélectrique (234) du composant électronique selon une direction longitudinale à partir d’une première surface (234A) de ladite région diélectrique et débouchant au droit de la région semiconductrice, ledit contact comprenant une couche de revêtement (231) en matériau diélectrique, d’une épaisseur donnée (E1), s’étendant le long d’au moins une paroi latérale de l’orifice et une couche de remplissage (238) en métal dans l’orifice revêtu de la couche de revêtement. Composant électronique (200 ; 400A ; 400B) selon la revendication 10, comprenant en outre une couche de barrière de diffusion (236) au fond de l’orifice (244) et latéralement dans ledit orifice entre la couche de revêtement (231) et la couche de remplissage (238). Composant électronique (400A ; 400B) selon la revendication 10 ou 11, comprenant en outre une cavité de gaz (420), par exemple une cavité d’air, traversant une région d’interconnexion du composant électronique et la région diélectrique (234), par exemple à proximité du contact (250). Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel : - le matériau diélectrique de la couche de revêtement (231), ou de la couche en matériau diélectrique (235), est choisi parmi un ou plusieurs matériaux parmi : un nitrure de silicium, un oxyde de silicium, un matériau à faible constante diélectrique, tel qu’un oxycarbure de silicium, un oxycarbonitrure de silicium, ou un carbonitrure de silicium ; et/ou - le métal de la couche de remplissage (238), ou de la couche en métal (237), est choisi parmi le tungstène ou le cuivre. Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel l’épaisseur (E1) de la couche de revêtement (231) est supérieure ou égale à 20 nm, par exemple supérieure ou égale à 50 nm. Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel le composant électronique comprend au moins un transistor MOS (210) disposé dans et sur un substrat (220), la région semiconductrice étant une région de drain (224), une région de source (226), voire une région de grille (212) dudit transistor. Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 15, dans lequel le composant électronique comprend une couche d’interface de siliciure (232) adaptée à former une interface entre la région semiconductrice (224, 226) et le contact (250). Dispositif électronique comprenant au moins un composant électronique selon l’une quelconque des revendications 10 à 16. Dispositif électronique selon la revendication 17, ledit dispositif électronique étant un commutateur de signaux radiofréquences.