INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Tour de récupération des aromatiques 8 La tour de récupération des aromatiques 8 sépare l’extrait purifié 17 issu du fond de la section de stripage de l’extrait 7 en un flux aromatique 9 et la formulation de solvants 5. Préférablement, la tour de récupération des aromatiques 8 fonctionne sous vide. Avantageusement, le fonctionnement sous vide permet d’éviter une température de fond excessive, pouvant conduire à la décomposition du solvant et/ou du co-solvant. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, de la vapeur d’eau 18, optionnellement associée à de la formulation de solvants (régénéré) est injectée dans le fond de la tour de récupération des aromatiques 8, pour améliorer l'extraction des aromatiques du solvant et du co-solvant. Les vapeurs de tête 19 de la tour de récupération des aromatiques 8 (comprenant essentiellement des composés aromatiques et optionnellement de l’eau) sont condensées et optionnellement décantées dans un deuxième condenseur décanteur 20. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, une partie des vapeurs de tête condensées 21 est utilisée pour le reflux de la tour de récupération des aromatiques 8, le reste, constituant le flux aromatique 9 est sorti du procédé et préférablement envoyé à un complexe aromatique (unité de séparation et de production de composés aromatiques, et notamment de BTX). Une partie de l'eau décantée 22 dans le deuxième condenseur décanteur 20 peut optionnellement être envoyée vers la tour de lavage à l’eau 6 et le reste est recyclé à la section de stripage de l’eau. Le flux issu du fond de la tour de récupération des aromatiques 8 est composé de solvant et de co-solvant régénérés envoyé vers l’extracteur liquide-liquide 4, et optionnellement vers la section de stripage de l’extrait 7 et/ou vers la section de régénération (non représentée).
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la tour de récupération des aromatiques 8 est opérée à une pression de tête comprise entre 0,001 et 2 MPaa (0,01 et 20 bara), de préférence entre 0,005 et 1 MPaa (0,05 et 10 bara), de préférence entre 0,01 et 0,5 MPaa (0,1 et 5 bara), de préférence entre 0,015 et 0,2 MPaa (0,15 et 2 bara), telle que 0,06 ±0,04 MPaa. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la tour de récupération des aromatiques 8 est opérée à une température de fond comprise entre 50 et 300°C, de préférence entre 100 et 250°C, de préférence entre 120 et 200°C, de préférence entre 130 et 195°C, telle que 170 ±25°C.
Avantageusement, le flux aromatique 9 comprend au moins 95% poids, préférablement au moins 99% poids, très préférablement au moins 99,5% poids de composés aromatiques, par rapport au poids total du flux aromatique 9.
Exemples Une charge 1 et une formulation de solvants 5 sont ajoutées en un point intermédiaire et en tête de l’extracteur liquide-liquide 4, respectivement. Un flux de recycle de raffinat 10 est également envoyé dans l’extracteur liquide-liquide 4.
L’extracteur liquide-liquide 4 est opéré à une température de 54°C.
Un raffinat 2 est extrait en tête de l’extracteur liquide-liquide 4 puis est envoyé vers la tour de lavage à l’eau 6 pour enlever le peu de solvant et de co-solvant qui sont entrainés dans le raffinat 2. L’eau de lavage 13 est composée essentiellement d’eau, le flux non-aromatique 12 est composé du raffinat essentiellement exempt de solvant et de co-solvant.
Par soucis de simplification, les sections optionnelles de stripage de l’eau et de régénération du solvant ne sont pas représentées sur la . Lesdites sections optionnelles de stripage de l’eau et de régénération du solvant permettent de traiter les flux d’eau utilisés dans le procédé selon l’invention et de purifier le solvant et le co-solvant.
L’extrait 3 de l’extracteur liquide-liquide 4 alimente la section de stripage de l’extrait 7 qui permet d’éliminer les non aromatiques entrainés avec le solvant, le co-solvant et les aromatiques et créer le flux de recycle de raffinat 10 suffisant pour retourner à l’extracteur liquide-liquide 4. Au préalable, le flux gazeux 14 en tête de la section de stripage de l’extrait 7 est envoyé vers le premier condenseur décanteur 15 afin d’éliminer la phase aqueuse 16.
La section de stripage de l’extrait 7 comprend une colonne de stripage opérée à une température de fond d’au moins 180°C.
L’extrait purifié 17 en fond de la section de stripage de l’extrait 7 contenant essentiellement le solvant, le co-solvant et des aromatiques est envoyé vers la tour de récupération des aromatiques 8, qui permet de récupérer en fond le solvant et le co-solvant recyclés vers l’extracteur liquide-liquide 4 en tant que formulation de solvants 5, et de récupérer un flux de tête qui est envoyé vers le deuxième condenseur décanteur 20 qui permet de soutirer une eau décantée 22 et un flux aromatique 9. La tour de récupération des aromatiques 8 fonctionne par l’envoi de vapeur d’eau 18 en fond de colonne.
La tour de récupération des aromatiques 8 est opérée à une température de fond d’au moins 180°C.
Les performances d’un procédé d’extraction liquide-liquide des aromatiques d’une charge essence ex-FCC (Voir Table 2) fonctionnant comme décrit dans la sont présentées dans les Tables 3 et 4.
L’exemple 1 de référence concerne l’utilisation de sulfolane seul en tant que formulation de solvants. Les exemples 2 et 3 selon l’invention concernent l’utilisation de 80% poids de sulfolane en mélange avec 20% poids de tetraethylèneglycolmonométhylether.
A iso taux de solvant (exemples 1 et 2), il est montré que les rendements en aromatiques sont améliorés de 2 points avec le mélange de solvants (Voir Table 3 : 95,13% vs 97,26%). Ce constant est vrai pour toutes les familles d’aromatiques. En outre, la pureté des aromatiques récupérés reste supérieure à 99,5% dans le cas de l’exemple 2 selon l’invention (voir Table 4).
L’exemple 3 selon l’invention présente le même procédé que l’exemple 2 avec un ratio formulation de solvants sur charge diminué approximativement de 19% (6,5 vs 8,0) et dont les performances sont équivalentes à celles de l’exemple 1 de référence (voir Table 4). Les couts opérationnels liés au procédé (OPEX) étant directement liés au débit de solvant, une diminution de ce taux de solvant permet une réduction significative des couts.
Le premier matériau m1 et le deuxième matériau m2 sont des matériaux semi-conducteurs préférentiellement de type III-V.
La première et la deuxième valeur de gap d’énergie Eg 1 et Eg 2 sont proches l’une de l’autre avec une différence absolue inférieure à 20meV. Cela permet d’obtenir une hétérostructure d’absorption SPA apte à convertir les rayonnements à la longueur d’onde de fonctionnement. Avantageusement, la première et la deuxième valeur de gap d’énergie Eg 1 et Eg 2 sont égaux.
Avantageusement, la deuxième valeur de minimum de bande de conduction Ec 2 est distincte de la première valeur de minimum de bande de conduction Ec 1 avec un écart (appelé aussi décalage) d’énergie inférieur à 4.K b T avec K b la constante de Boltzmann et T la température de fonctionnement du détecteur.
La limitation des décalages entre les bandes d’énergie de valence (et de conduction) à 4K b T permet de garder une configuration de bandes quasiment planaire du potentiel d’énergie dans la zone d’absorption. Ainsi, on évite la création de zone de charge d’espace avec désertion de porteurs de charge propice à la création d’un fort courant de génération - recombinaison dans l’hétérostructure d’absorption SPA selon l’invention. Il en résulte une réduction du phénomène de diaphonie sans augmenter le courant d’obscurité.
Dans l’exemple illustré, le nombre de répétition N est égal à 4 à titre indicatif non limitatif. L’effet technique relatif à l’invention est obtenu à partir de N=1, avec une première structure planaire d’absorption C 11 et une deuxième structure planaire d’absorption C 12 . L’hétérostructure d’absorption SPA comprend au moins une première structure planaire d’absorption C 11 et une deuxième structure planaire d’absorption C 12 avec les caractéristiques de diagramme de bandes précitées. La première structure planaire d’absorption C 11 et la deuxième structure planaire d’absorption C 12 sont adjacentes. L’interface formée entre les deux structures planaires présente une différence de potentiel qui induit un champ électrique E ayant une direction parallèle à celle de l’axe Δ du pixel Pxl.
Une première structure planaire d’absorption C i1 réalisée en le premier matériau m1 et de rang i présente une épaisseur e i1 selon la direction Z. Une deuxième structure planaire d’absorption C i2 réalisée en le deuxième matériau m2 et de rang i présente une épaisseur e i2 selon la direction Z. L’épaisseur e i1 (et e i2 ) de chacune des structures planaires d’absorption C i 1 (et C i2 ) est supérieure ou égale à 20nm. En effet, l’empilement alterné formant l’hétérostructure d’absorption SPA n’est pas un super-réseau ni un multi-puits quantique. On rappelle la définition d’un super-réseau et d’un puits quantique : En physique des semi-conducteurs, un super réseau est un empilement périodique de couches de faibles épaisseurs de quelques nanomètres. Si ces couches sont suffisamment fines (généralement inférieure à 10nm) un couplage quantique est possible. Les porteurs (trous et électrons) ont alors accès à un continuum énergétique selon des « mini-bandes ». Dans le cas d’un puits quantique, la couche avec le matériau qui a le minimum de la bande de conduction la plus basse en énergie et/ou le maximum de la bande de valence la plus haute en énergie possède une épaisseur inférieure à 20 nm, le ou les autres couches ayant une épaisseur supérieure à 20nm. Dans ce cas, les porteurs de charge accèdent à des niveaux énergétiques discrets selon l’axe de la période. Les épaisseurs e i1 et e i2 sont choisies afin d’éviter le couplage quantique entre les couches superposées et ainsi rester dans une structure de bandes d’énergie
La illustre la structure des bandes de l’hétérostructure d’absorption SPA dans la direction de l’axe du pixel Pxl de la . On observe une structure de bandes alternée avec des variations de niveaux de valence ΔEv et des variations des niveaux de conduction ΔEc correspondant aux interfaces entre les couches adjacentes de différents matériaux. À titre d’exemple, lorsque les porteurs de charge positif sont collectés pour la détection, les variations de niveaux de valence ΔEv vues par les trous correspondent à des champs électriques d’interface selon l’axe du pixel. On obtient ainsi une canalisation des charges selon l’axe Δ. Cela permet de réduire le phénomène de diaphonie.
Le sens de migration des porteurs de charges photogénérés est dirigé de l’électrode inférieure EL_INF vers l’électrode supérieure EL_SUP à travers l’hétérostructure d’absorption SPA. D’une part, lors du passage d’une structure planaire en ledit premier matériau m1 (C 11 , C 21 , C 31 …) vers une structure planaire en ledit deuxième matériau m2 (C 12 , C 22 , C 32 …), le vecteur champ électrique d’interface E est dirigé selon un sens contraire au sens de migration. Dans ce cas, on considère que le champ électrique d’interface E est négatif. D’autre part, lors du passage d’une structure planaire en ledit deuxième matériau m2 vers une structure planaire en ledit premier matériau m1, le champ électrique d’interface E est dirigé selon le sens de migration. On considère dans ce cas que le champ électrique d’interface E est positif. La illustre la distribution du champ électrique dans l’hétérostructure d’absorption SPA dans la direction de l’axe du pixel. L’alternance entre des champs électriques d’interface E négatifs et positifs est illustrée par ce diagramme. Les champs électriques d’interface E négatifs freinent le mouvement des porteurs de charge vers l’électrode supérieure EL_SUP et les champs électriques d’interface E positifs accélèrent le mouvement des porteurs de charge vers l’électrode supérieure EL_SUP. Cependant, malgré l’effet d’opposition desdits champs électriques d’interface E négatifs, les charges photogénérées se propagent toujours vers l’électrode supérieure EL_SUP sous l’effet global de la structure de bande.
Dans le cas où l’hétérostructure d’absorption SPA est constituée de deux structures planaires C 11 et C 12 tel que la première structure planaire C 11 déposée sur l’électrode inférieure EL_INF et la seconde structure planaire C 12 est déposée sur ladite première structure planaire C 11 . La première structure planaire C 11 présente une première valeur de maximum de bande de valence Ev 1 supérieure à la valeur de maximum de bande de valence Ev 2 de la seconde structure planaire C 12 avec un écart (appelé aussi décalage) d’énergie inférieur à 4.K b T avec K b la constante de Boltzmann et T la température de fonctionnement du détecteur. Cela permet de créer un champ électrique d’interface E positif.
À titre d’exemple non limitatif du premier mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en GaSb ; le premier matériau m1 est l’alliage InAs 1-y1 Sb y1 avec y1 la fraction molaire du Sb dans l’alliage InAs 1-y1 Sb y1 tel que 0,05≤y1≤0,15 ; le deuxième matériau m2 est l’alliage Ga x 2 In 1-x 2 As 1-y 2 Sb y 2 avec x2 la fraction molaire du Ga dans l’alliage Ga x 2 In 1-x 2 As 1-y 2 Sb y 2 tel que 0≤x2≤0,5 et y2 la fraction molaire de Sb dans l’alliage Ga x 2 In 1-x 2 As 1-y 2 Sb y 2 tel que y2=0,914.x2+z avec 0,05≤ z ≤0,15. L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du premier mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en InAs ; le premier matériau m1 est l’alliage InAs 1-y 3 Sb y 3 avec y3 la fraction molaire du Sb dans l’alliage InAs 1-y 3 Sb y 3 tel que 0≤y3≤0,07 ; le deuxième matériau m2 est l’alliage Ga x4 In 1-x4 As 1-y4 Sb y4 avec x4 la fraction molaire du Ga dans l’alliage Ga x4 In 1-x4 As 1-y4 Sb y4 tel que 0≤x4≤0,5 et y4 la fraction molaire de Sb dans l’alliage Ga x4 In 1-x4 As 1-y4 Sb y4 tel que y1=0,914.x1+z avec 0≤ z ≤0,07. L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du premier mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en InP ; le premier matériau m1 est l’alliage Ga 1-y 5 In y 5 As avec y5 la fraction molaire du In dans l’alliage Ga 1-y 5 In y 5 As tel que 0,46≤y5≤0,6 ; le deuxième matériau m2 est l’alliage In x6 Ga 1-x6 As 1-y 6 P y 6 avec x6 la fraction molaire du Ga dans l’alliage In x6 Ga 1-x6 As 1-y 6 P y 6 tel que 0,55≤x6≤0,85 et y6 la fraction molaire de P dans l’alliage In x6 Ga 1-x6 As 1-y 6 P y 6 tel que y6=2.x5-z avec 1,13≤ z ≤1,37. L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du premier mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en InP ; le premier matériau m1 est l’alliage Ga x 7 In 1-x 7 As 1-y 7 Sb y 7 avec x7 la fraction molaire du Ga dans l’alliage Ga x 7 In 1-x 7 As 1-y 7 Sb y 7 tel que 0≤x7≤0,3 et avec y7 la fraction molaire du Sb dans l’alliage Ga x 7 In 1-x 7 As 1-y 7 Sb y 7 tel que y7=-0,9.x7+z avec 0,46≤ z ≤ 0,5 ; le deuxième matériau m2 est l’alliage Ga x 8 In 1-x 8 As 1-y 8 Sb y 8 avec x8 la fraction molaire du Ga dans l’alliage Ga x 8 In 1-x 8 As 1-y 8 Sb y 8 tel que 0≤x8≤0,3 et avec y8 la fraction molaire du Sb dans l’alliage Ga x 8 In 1-x 8 As 1-y 8 Sb y 8 tel que y8=-0,9.x8+z avec 0,46≤ z ≤ 0,5. La fraction molaire x7 du Ga dans l’alliage Ga x 7 In 1-x 7 As 1-y 7 Sb y 7 du premier matériau m1 est différente de la fraction molaire x8 du Ga dans l’alliage Ga x 8 In 1-x 8 As 1-y 8 Sb y 8 du deuxième matériau m2. La fraction molaire y7 du Sb dans l’alliage Ga x 7 In 1-x 7 As 1-y 7 Sb y 7 du premier matériau m1 est différente de la fraction molaire y8 du Sb dans l’alliage Ga x 8 In 1-x 8 As 1-y 8 Sb y 8 du deuxième matériau m2. L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
À titre d’exemple non limitatif du premier mode de réalisation de l’invention, le substrat SUB est en GaAs ; le premier matériau m1 est l’alliage In 1-x 9 Ga x 9 As 1-y 9 P y 9 avec x9 la fraction molaire du Ga dans l’alliage In 1-x 9 Ga x 9 As 1-y 9 P y 9 tel que 0≤x9≤0,3 et y9 la fraction molaire de P dans l’alliage In 1-x 9 Ga x 9 As 1-y 9 P y 9 tel que y9=0,2.x9+z avec 0≤ z ≤0,05; le deuxième matériau m2 est l’alliage Ga 1-x 10 In x 10 As avec x10 la fraction molaire du In dans l’alliage Ga 1-x 10 In x 10 As tel que 0≤x10≤0,03. L’hétérostructure d’absorption SPA est réalisée par une croissance épitaxiale sur le substrat SUB.
La illustre une vue en coupe d’un pixel Pxl détecteur infrarouge comprenant une hétérostructure d’absorption SPA selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. L’hétérostructure d’absorption SPA reprend les caractéristiques structurelles détaillées dans le premier mode de réalisation. La différence entre le premier mode de réalisation et le deuxième mode de réalisation consiste en la distribution du profil de dopage des structures planaires d’absorption C i1 et C i2 avec i=1 à N.
On considère un exemple où les porteurs de charge minoritaires sont les trous. Ainsi l’ensemble des couches empilées de l’hétérostructure d’absorption SPA est dopé N, selon une première concentration d’impuretés prédéterminée. Il a été établi que lors du passage des trous d’une structure planaire en le premier matériau m1 vers une structure planaire adjacente en le second matériau m2 selon le sens de migration, les trous voient un champ électrique d’interface E négatif. Dans ce mode de réalisation, au niveau de chaque interface présentant un champ électrique E négatif, une asymétrie de dopage est intégrée de part et d’autre de la dite interface. Plus particulièrement, la seconde structure planaire d’absorption en le second matériau m2 présente une zone de dopage d’interface N - qui s’étend à partir de ladite interface vers le volume de ladite seconde structure planaire d’absorption en le second matériau m1. La zone de dopage d’interface N - présente une seconde concentration d’impuretés inférieure à la première concentration d’impuretés prédéterminée. À titre d’exemple, chaque zone de dopage d’interface N - est dopée avec une concentration de 2.10 14 cm -3 et le reste du volume de l’hétérostructure d’absorption SPA est dopé N avec une concentration de 1.10 15 cm -3 . La zone de dopage d’interface N - présente une profondeur de pénétration l1 dans le volume de la seconde structure planaire d’absorption supérieure à 10nm.
L’actionneur hydraulique selon l’exemple illustré aux et comprend en outre une réserve d’huile auxiliaire et une pompe auxiliaire pour la mise en drapeau des aubes d’hélice (non représentées, mais classiquement une pompe électrique et un réservoir alimenté par l’huile de retour du bloc de servovalves) indépendantes du système d’actionnement principal 80, 81, 82.
La représente une vue en perspective d’un mode de réalisation de la paroi cylindrique 65 entourant le vérin 20. La paroi 65 et le vérin 20 délimitent la deuxième cavité 38. Selon l’exemple illustré à la la paroi cylindrique comprend un renfoncement 65a pouvant accueillir le liquide hydraulique s’échappant de la première cavité 3 en cas de perte. Grâce à la position non axisymétrique du renfoncement 65a, le volume de liquide s’échappant de la deuxième cavité crée un balourd générant des vibrations lors de la rotation de l’hélice. Les vibrations sont détectées à l’aide du capteur de vibrations 93 qui agît alors en tant que détecteur de pertes.
Pour maintenir l’équilibrage de la pièce en absence de pertes hydraulique, un contrepoids 65b est ajouté à l’emplacement diamétralement opposé au renfoncement 65a. Par exemple le contrepoids 65b peut être une vis plus longue que les autres vis utilisées pour fixer la paroi 65 à l’arbre d’hélice de la turbomachine.
La représente une partie de l’actionneur hydraulique 1. L’actionneur hydraulique 1 tel qu’illustré à la comprend : Le vérin 2 comprenant le support de vérin 21 et le corps 20 ; La cavité 3 délimitée par le support 21 et le corps 20 ; la cavité 3 comprend une première partie 33 et une deuxième partie 34.
La illustre l’acheminement du liquide hydraulique en cas de perte d’étanchéité de l’élément d’étanchéité 32. Dans ce cas, le liquide hydraulique s’échappe de la deuxième partie 34 de la cavité 3 en passant par le deuxième le canal de drainage 35. Le liquide hydraulique s’écoule alors vers la deuxième cavité 38 selon la direction indiquée par la flèche.
La illustre l’acheminement du liquide hydraulique en cas de perte d’étanchéité de l’élément d’étanchéité 31. Dans ce cas, le liquide hydraulique s’échappe de la première partie 33 de la première cavité 3 en passant par le deuxième le canal de drainage 35 Le liquide hydraulique s’écoule alors vers la deuxième cavité 38 selon la direction indiquée par la flèche C.
La illustre l’acheminement du liquide hydraulique en cas de perte d’étanchéité de l’élément 22. Dans ce cas, le liquide hydraulique s’échappe en passant par le premier le canal de drainage 30. Le liquide hydraulique s’écoule alors vers la deuxième cavité 38 selon la direction indiquée par la flèche C.
Dans tous ces cas, à la suite de la dégradation d’un des joints, la pression d’actionnement dans les deux chambres 33 et 34 est toujours supérieure à la pression atmosphérique à l’extérieur de la première cavité 3, l’huile s’écoule vers la sortie du moteur via le canal de drainage entre les deux joints, et préférentiellement dans la veine secondaire de sorte à contourner autant que possible la veine primaire si les débits sont importants. Cela permet de limiter le risque de feu dans le compresseur, même si les débits envisagés sont faibles.
Quand le liquide hydraulique arrive dans la deuxième cavité 38, il existe donc trois possibilités : le liquide hydraulique est capturé par le renfoncement 65a ; le liquide hydraulique est éjecté à l’extérieur de sorte à ne pas être réinjecté dans la veine ; le liquide hydraulique est simplement éjecté à l’extérieur.
Le volume d’huile du système d’actionnement du pas étant faible (une dizaine de litres), le système de régulation détectera soit une baisse anormale du niveau d’huile, confirmée sur une durée de quelques minutes pour être insensible à l’attitude de l’avion, soit une absence d’huile demandant au pilote la coupure du moteur.
Lorsque cette absence d’huile impacte le système d’actionnement du pas, il se verrouille naturellement grâce au système de verrouillage du pas, permettant au moteur de rester à son point de fonctionnement tant que soit les conditions de Mach soit le pilote lui imposent une fermeture du calage (augmentation du pas). La perte de pression d’huile est une alarme remontée au pilote, et vraisemblablement, il coupera le moteur pour éviter que le système coupe le moteur sur augmentation de Mach de manière impromptue.
Lorsque le pilote coupe le moteur, le système de régulation utilisera le système auxiliaire de mise en drapeau, soit systématiquement à la coupure, soit sur détection d’absence de pression / niveau d’huile. Ce système auxiliaire comporte, comme dans l’état de l’art, une pompe et un réservoir indépendants du circuit principal (état de l’art turbopropulseurs sans contrepoids) pour permettre la mise en drapeau en toutes circonstances (notamment perte du circuit principal, qui sont sa raison principale d’être).
Sur les différents cas illustrés aux , et , le dimensionnement de la pompe de mise en drapeau auxiliaire doit intégrer les éventuelles fuites supplémentaires au travers des canaux de drainage. Chaque canal de drainage doit donc être dimensionné pour avoir un débit compris entre 10 et 100l/h pour : ne pas demander un débit pompe trop important ; ni causer d’obstructions durant la durée de vie du moteur.
Ces pertes restent faibles par rapport aux fuites au travers du transfert tournant 83. Ces fuites sont alors détectables dans un horizon suffisamment proche pour rendre extrêmement improbable le scénario de double panne de joint. A titre d’exemple, une vingtaine de litres de réservoir sous 100L/h donne un temps de détection d’absence d’huile dans l’ordre de 12minutes.
Avantageusement, le noyau aromatique porteur d’au moins deux fonctions hydroxyles en position méta l’une par rapport à l’autre, les deux positions ortho d’au moins une des fonctions hydroxyles étant non substituée, est un noyau benzénique.