Structure thermo-photovoltaïque (10) comprenant : un empilement alterné de cellules thermo-photovoltaïques (1 ; 1.1, 1.2, 1.3) et d’électrodes de sortie de sorte à relier les cellules en série et/ou en parallèle électrique ; au moins un revêtement (12) en un matériau, dit matériau radiatif, adapté pour dissiper la chaleur de l’environnement extérieur par refroidissement radiatif, agencé sur au moins une des faces d’extrémité de l’empilement, de sorte que le rayonnement infra-rouge émis par le corps noir du revêtement est converti par les cellules en électricité. Structure thermo-photovoltaïque selon la revendication 1, chaque cellule thermo-photovoltaïque étant en matériaux semi-conducteurs organiques et/ou non organiques. Structure thermo-photovoltaïque selon la revendication 2, au moins une des cellules thermo-photovoltaïques étant constituée de deux électrodes inférieure (3) et supérieure (6), agencées de part et d'autre d’au moins un empilement de trois couches minces successives formant un puits quantique suivant : une couche à base de matériau semi-conducteur à large bande interdite dopé par des donneurs de type P ; une couche à base de matériau semi-conducteur à faible bande interdite dopé par des donneurs de type P ; une couche à base de matériau semi-conducteur à large bande interdite dopé par des accepteurs de type N. Structure thermo-photovoltaïque selon la revendication 2, au moins une des cellules thermo-photovoltaïques étant constituée de deux électrodes inférieure (5) et supérieure (6), agencées de part et d'autre d’au moins un empilement de trois couches minces successives formant un puits quantique suivant : une couche à base de matériau semi-conducteur à large bande interdite dopé par des donneurs de type P ; une couche à base de matériau semi-conducteur à faible bande interdite dopé par des accepteurs de type N; une couche à base de matériau semi-conducteur à large bande interdite dopé par des accepteurs de type N. Structure thermo-photovoltaïque selon la revendication 3 ou 4, le matériau semi-conducteur à large bande interdite dopé par des donneurs de type P ou dopé par des accepteurs de type N. étant un alliage d’indium (In) et de gallium (Ga), de préférence l’alliage In 0.7 Ga 0.3 . Structure thermo-photovoltaïque selon la revendication 5, la couche d’alliage In 0.7 Ga 0.3 ayant une épaisseur comprise entre 300 et 2000 nm. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications 3 à 6, la couche à base de matériau semi-conducteur à faible bande interdite dopé par des donneurs de type P ou par des accepteurs de type N étant une couche d’alliage AlAs 0.8 Sb 0.2 ayant de préférence une épaisseur comprise entre 28 et 80 nm. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications 3 à 7, la au moins une cellule thermo-photovoltaïque comprenant plusieurs puits quantique en empilement les uns sur les autres en formant une cascade quantique. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications précédentes, les cellules thermo-photovoltaïques étant configurées pour absorber des longueurs d’onde de l’infrarouge comprises entre 5 et 50 µm. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications précédentes, configurée pour produire des courants électriques compris entre 15 et 600A par m 2 . Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications précédentes, les cellules de l’empilement absorbant les longueurs d’onde les plus courtes étant agencée(s) la(les) plus proche(s) du revêtement en matériau radiatif, tandis que la ou les cellules les plus éloignée(s) absorbe(nt) des longueurs d’onde plus élevées. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications précédentes, le revêtement de matériau radiatif étant en matériau conducteur thermique, de préférence en aluminium. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications précédentes, le revêtement de matériau radiatif étant de forme plane. Structure thermo-photovoltaïque selon la revendication précédente, le matériau radiatif étant en contact avec des ailettes de dissipation thermique qui s’étendent dans l’environnement extérieur. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications précédentes, le matériau radiatif étant revêtu d’un film de protection thermique sur sa face extérieure, à l’opposé de celle agencée sur l’empilement de cellules thermo-photovoltaïques, ledit film de protection thermique étant adapté pour réfléchir les rayonnements thermiques dans le domaine des infra-rouges. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications 1 à 14, la face de l’empilement de cellules thermo-photovoltaïques la plus éloignée du matériau radiatif, étant revêtue d’un film de protection thermique adapté pour réfléchir les rayonnements thermiques dans le domaine des infra-rouges. Structure thermo-photovoltaïque selon l’une des revendications 15 ou 16, le film de protection thermique étant un miroir de Bragg. Plaque thermo-photovoltaïque comprenant au moins deux structures thermo-photovoltaïques selon l’une des revendications précédentes, empilées l’une sur l’autre et reliées électriquement en série et/ou en parallèle. Plaque thermo-photovoltaïque selon la revendication 18, comprenant un ou plusieurs montants en matériau conducteur thermique traversant les structures thermo-photovoltaïques de sorte à constituer des ponts thermiques entre le ou les revêtements de matériau radiatif à au moins l’une des extrémités de l’empilement des structures et le ou les matériau radiatifs au sein des structures empilées. Module thermo-photovoltaïque comprenant au moins deux plaques thermo-photovoltaïques selon l’une des revendications 18 ou 19 espacées l’une de l’autre d’un espace adapté pour y faire circuler un fluide caloporteur. Utilisation d’un module thermo-photovoltaïque selon la revendication 20 par immersion dans un milieu environnant extérieur, de sorte que son fluide tel que l’eau d’un milieu aquatique, ou l’air ambiant, circule par convection naturelle ou forcée au sein du module.