INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 comporte un circuit en pont complet côté primaire 30. Le circuit en pont complet côté primaire 30 comporte une première branche 31 et une deuxième branche 32. La première branche 31 et la deuxième branche 32 sont connectées en parallèle l’une à l’autre. La première branche 31 comporte un premier élément de commutation Q1, un deuxième élément de commutation Q2, et des diodes D1 et D2. Le premier élément de commutation Q1 et le deuxième élément de commutation Q2 sont connectés en série l’un à l’autre. La deuxième branche 32 comporte un troisième élément de commutation Q3, un quatrième élément de commutation Q4, et des diodes D3 et D4. Le troisième élément de commutation Q3 et le quatrième élément de commutation Q4 sont connectés en série l’un à l’autre. Le premier élément de commutation Q1 et le troisième élément de commutation Q3 forment un bras supérieur. Le deuxième élément de commutation Q2 et le quatrième élément de commutation Q4 forment un bras inférieur.
Le premier élément de commutation Q1, le deuxième élément de commutation Q2, le troisième élément de commutation Q3, et le quatrième élément de commutation Q4 sont de multiples éléments de commutation côté primaire Q1 à Q4. Les éléments de commutation côté primaire Q1 à Q4 sont par exemple des transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) de type n. Les éléments de commutation côté primaire Q1 à Q4 peuvent être des MOSFET de type p, des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), ou des GaN-HEMT.
Les diodes D1 à D4 sont respectivement connectées en parallèle aux éléments de commutation côté primaire Q1 à Q4. Les diodes D1 à D4 peuvent être des diodes ou éléments parasites.
Un nœud de connexion entre le premier élément de commutation Q1 et le deuxième élément de commutation Q2 et un nœud de connexion entre le troisième élément de commutation Q3 et le quatrième élément de commutation Q4 sont connectés à l’enroulement côté primaire 22. Ainsi, le circuit en pont complet côté primaire 30 est connecté à l’enroulement côté primaire 22.
Le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14 comporte un circuit en pont complet côté secondaire 40. Le circuit en pont complet côté secondaire 40 comporte une troisième branche 41 et une quatrième branche 42. La troisième branche 41 comporte un cinquième élément de commutation Q5, un sixième élément de commutation Q6, et des diodes D5 et D6. Le cinquième élément de commutation Q5 et le sixième élément de commutation Q6 sont connectés en série l’un à l’autre. La quatrième branche 42 comporte un septième élément de commutation Q7, un huitième élément de commutation Q8, et des diodes D7 et D8. Le septième élément de commutation Q7 et le huitième élément de commutation Q8 sont connectés en série l’un à l’autre. Le cinquième élément de commutation Q5 et le septième élément de commutation Q7 forment un bras supérieur. Le sixième élément de commutation Q6 et le huitième élément de commutation Q8 forment un bras inférieur.
Le cinquième élément de commutation Q5, le sixième élément de commutation Q6, le septième élément de commutation Q7, et le huitième élément de commutation Q8 sont de multiples éléments de commutation côté secondaire Q5 à Q8. Les éléments de commutation côté secondaire Q5 à Q8 sont par exemple des MOSFET de type n. Les éléments de commutation côté secondaire Q5 à Q8 peuvent être des MOSFET de type p, des IGBT ou des GaN-HEMT.
Les diodes D5 à D8 sont respectivement connectées en parallèle aux éléments de commutation côté secondaire Q5 à Q8. Les diodes D5 à D8 peuvent être des diodes ou éléments parasites.
Un nœud de connexion entre le cinquième élément de commutation Q5 et le sixième élément de commutation Q6 et un nœud de connexion entre le septième élément de commutation Q7 et le huitième élément de commutation Q8 sont connectés à l’enroulement côté secondaire 23. Ainsi, le circuit en pont complet côté secondaire 40 est connecté à l’enroulement côté secondaire 23.
La troisième branche 41 et la quatrième branche 42 sont connectées à la batterie 120 de manière à être connectées en parallèle l’une à l’autre. Le circuit en pont complet côté secondaire 40 est connecté électriquement à la batterie 120. La puissance de sortie du circuit en pont complet côté secondaire 40 est fournie à la batterie 120. Cela permet au dispositif de conversion de puissance 10 de charger la batterie 120.
Le dispositif de conversion de puissance 10 comporte un condensateur intermédiaire 50. Le condensateur intermédiaire 50 est un condensateur de liaison ou un condensateur de lissage. Le condensateur intermédiaire 50 est connecté en parallèle à la première branche 31 et à la deuxième branche 32. Le condensateur intermédiaire 50 est agencé entre le convertisseur AC/DC 13 et le convertisseur DC/DC bidirectionnel 14. Le condensateur intermédiaire 50 est un condensateur agencé à une extrémité d’entrée du convertisseur DC/DC bidirectionnel 14.
Le dispositif de conversion de puissance 10 comporte un premier capteur de tension 61. Le premier capteur de tension 61 détecte une tension VH du condensateur intermédiaire 50.
Le dispositif de conversion de puissance 10 comporte un deuxième capteur de tension 62. Le deuxième capteur de tension 62 détecte la tension de la batterie 120.
Le dispositif de conversion de puissance 10 comporte un circuit de commande 71. Le circuit de commande 71 comporte un processeur et une unité de stockage. Le processeur est par exemple une unité centrale de traitement (CPU), une unité de traitement graphique (GPU), ou un processeur de signaux numériques (DSP). L’unité de stockage comporte une mémoire vive (RAM) et une mémoire morte (ROM). L’unité de stockage stocke des codes de programme ou des instructions configurés pour amener le processeur à exécuter des processus. L’unité de stockage, qui est un support lisible par ordinateur, comporte tout type de support accessible par un ordinateur universel ou un ordinateur spécialisé. Le circuit de commande 71 peut être configuré par un circuit matériel tel qu’un circuit intégré à application spécifique (ASIC) ou un réseau de portes programmables par l’utilisateur (FPGA). Le circuit de commande 71, qui est une circuiterie de traitement, peut comporter un ou plusieurs processeurs fonctionnant selon un programme informatique, un ou plusieurs circuits matériels tels qu’un ASIC ou un FPGA, ou une combinaison de ceux-ci.
Le circuit de commande 71 commande le dispositif de conversion de puissance 10. Le circuit de commande 71 délivre un signal de commande côté primaire aux éléments de commutation côté primaire Q1 à Q4 lors de la mise en marche et à l’arrêt des éléments de commutation côté primaire Q1 à Q4. Le circuit de commande 71 délivre un signal de commande côté secondaire aux éléments de commutation côté secondaire Q5 à Q8 lors de la mise en marche et à l’arrêt des éléments de commutation côté secondaire Q5 à Q8.
Le procédé d’entraînement
Comme illustré sur la , l’invention concerne également un procédé 300 implémenté par ordinateur pour l’entraînement supervisé d’un modèle d’apprentissage machine qui est destiné à prédire le prochain modèle d’évaluation d’une activité courante qui mobilise le geste graphomoteur dans le contexte indiqué plus haut.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une première étape de fourniture 310 d’au moins un processeur 130.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une étape d’obtention 320, par le processeur 130, d’une pluralité de segments d’historique de séquence de mouvements.
En pratique, chaque séquence de mouvement est produite par au moins un doigt de l’individu ou au moins un accessoire de pointage qui est utilisable par l’individu lors de la réalisation d’au moins un tracé dans le cadre de l’activité.
En particulier, la pluralité de segments d’historique de séquence de mouvements comprend une pluralité de points séquentiels de trajectoire dont chaque point est associé à moins une pluralité d’attributs.
Ainsi, l’invention peut comprendre l’obtention d’une pluralité de segments d’historique de séquence de mouvements chacun étant produit par deux ou plus de deux doigts de l’individu ou par deux ou plus de deux accessoires de pointage qui sont utilisables par l’individu lors de la réalisation d’au moins un tracé dans le cadre de l’activité.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une première étape de calcul 330, par le processeur 130, d’une pluralité d’indicateurs cinématiques et/ou cinétiques à partir des attributs qui sont associés à tout ou partie de la pluralité de points séquentiels de trajectoire de la séquence de mouvements.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une étape d’exécution 340, par le processeur 130, d’un premier modèle d’évaluation courant à partir de tout ou partie de la pluralité d’indicateurs cinématiques et/ou cinétiques, de manière à obtenir au moins un indice composite.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une deuxième étape de calcul 350, par le processeur 130, d’au moins un écart entre l’indice composite et au moins un seuil prédéterminé qui est associé au modèle d’évaluation courant.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une première étape de formation 360, par le processeur 130, d’un premier vecteur qui comprend une première information qui est représentative de l’activité, une deuxième information qui est représentative du modèle d’évaluation courant, l’indice composite et l’écart calculé.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une deuxième étape de formation 370, par le processeur 130, d’un deuxième vecteur qui comprend une quatrième information qui est représentative d’un deuxième modèle d’évaluation, le deuxième modèle d’évaluation étant obtenu par évaluation par au moins un expert pour savoir s’il convient de remplacer le premier modèle d’évaluation de l’activité par le deuxième modèle d’évaluation.
Ainsi, l’invention peut comprendre l’évaluation par deux ou plus de deux experts pour savoir s’il convient de remplacer le premier modèle d’évaluation de l’activité par le deuxième modèle d’évaluation.
Dans l’invention, le procédé 300 comprend une étape d’entraînement supervisé 380, par le processeur 130, d’un modèle d’apprentissage qui comprend au moins une entrée conçue pour recevoir le premier vecteur et au moins une sortie conçue pour recevoir le deuxième vecteur.
Le retrait du substrat support temporaire est typiquement réalisé par combustion sous un flux d’oxygène. La température pendant la combustion est typiquement comprise entre 700 et 1100 °C, de préférence entre 800°C et 900°C.
Le retrait des couches de séparation, par exemple de carbone ou de graphite, peut également être réalisé par combustion. De préférence, le substrat support et les couches de séparation sont retirées dans une seule étape de retrait. Un retrait unique permet d’augmenter l’efficacité et ainsi le rendement du procédé et évite des étapes de combustion et de chauffage supplémentaires.
La température de combustion peut être choisie en fonction du matériau et de l’épaisseur des couches de séparation et être égale ou différente de la température de combustion du substrat support temporaire. De manière alternative, les couches de séparation peuvent être retirées par sciage, par gravure chimique ou par une découpe par laser, selon le matériau, l’épaisseur et le nombre des couches de séparation. Ces méthodes seront expliquées plus en détail dans la section sur les couches de séparation.
L’épaisseur des couches de séparation peut également être choisie en fonction de la technique de retrait. Quand la couche de séparation est destinée à être retirée par une attaque chimique ou par combustion, l’épaisseur de ladite couche est de préférence micrométrique afin de faciliter le passage des gaz et produits chimiques utilisés pour le retrait, et pour l’évacuation des sous-produits obtenus lors du retrait. Cette méthode est notamment utilisée pour des couches de séparation en carbone, en graphite, ou en silicium ou nitrure de silicium.
Dans des modes de réalisation incluant un retrait par attaque par chimie liquide, par exemple pour des couches de séparation de silicium ou de nitrure de silicium, l’épaisseur de chaque couche de séparation est de préférence supérieure à un micromètre par pouce de diamètre, c’est-à-dire environ 25 mm de diamètre.
Dans les modes de réalisation dans lesquels le retrait est réalisé par une attaque par un gaz, par exemple la combustion de carbone et/ou graphite, l’épaisseur de chaque couche de séparation est de préférence supérieure à 0,1 micromètre par pouce de diamètre, c’est-à-dire par environ 25 mm de diamètre.
Dans certains modes de réalisation, le retrait du substrat support est réalisé dans une étape distincte du retrait des couches de séparation. Par exemple, le retrait du substrat support temporaire peut être réalisé à une température différente ou par un type de procédé différent par rapport au retrait des couches de séparation. On peut notamment retirer le substrat support temporaire avant de retirer les couches de séparation. Cela permet par la suite de traiter simultanément les deux structures multicouches initialement disposées sur les deux faces du substrat support temporaire.
En référence à la , les couches de p-SiC sont séparés par l’étape de retrait et forment des substrats de p-SiC 200 indépendants. On peut maintenant procéder à des étapes de finalisation tel qu’un meulage des substrats de p-SiC 200, notamment pour ajuster l’épaisseur de chaque couche à l’épaisseur cible avant un polissage, un polissage desdits substrats, des traitements thermiques et/ou des traitements de surface.
Le dépôt de la structure multicouche et le retrait subséquent du substrat support temporaire permettent ainsi de fabriquer simultanément une pluralité de substrats de p-SiC. Ce procédé présente un rendement supérieur à celui de la fabrication de substrats de p-SiC individuels et permet d’économiser du temps de fabrication, de l’énergie, et de faciliter le procédé.
On peut par la suite utiliser les substrats de p-SiC en tant que substrat de base pour fabriquer des substrats pour composants électroniques.
Couches de séparation Les couches de séparation sont en un matériau qui peut facilement être retiré en une étape ultérieure du procédé. De préférence, le matériau des couches de séparation peut être déposé dans la même enceinte dans laquelle est réalisé le dépôt des couches de p-SiC. Par exemple, les couches de séparation peuvent être déposées par un procédé de CVD.
Les couches de séparation sont en un matériau qui présente une structure de surface proche de la structure cristalline du p-SiC pour faciliter le dépôt d’autres couches de p-SiC après le dépôt de chaque couche de séparation. Le coefficient de dilatation thermique des couches de séparation est proche du coefficient de dilatation du p-SiC afin d’éviter des contraintes aux interfaces lors de toutes les étapes du procédé réalisées à haute température. De manière avantageuse, le module d’Young du matériau des couches de séparation est inférieur au module d’Young du p-SiC. Par exemple, les couches de séparation peuvent être en carbone, en graphite, en silicium ou en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ). Ces matériaux permettent également un bon maintien à chaque interface entre une couche de séparation et une couche de p-SiC. Ce maintien facilite la manipulation de la structure multicouche pendant les étapes entre le dépôt et le détachement des couches de p-SiC.
Comme décrit ci-dessus, on peut augmenter l’épaisseur des couches de séparation avec le nombre de dépôts et la distance de chaque couche du substrat support temporaire. Cela permet de compenser l'augmentation de la rugosité et d’obtenir une surface relativement lisse pour les couches extérieures.
L’épaisseur des couches de séparation est en outre choisie de sorte qu’elles puissent facilement être retirées lors de la séparation des couches de p-SiC. L’épaisseur en outre dépend du matériau de la couche de séparation, de la taille de la surface du substrat, et de la méthode de retrait utilisée. Dans certains cas, l’épaisseur de la couche de séparation est de quelques nanomètres. Dans d’autres modes de réalisation, elle est plus épaisse et peut atteindre des valeurs jusqu’à 50 µm.
La technique de retrait est également choisie en fonction du matériau et de l’épaisseur des couches de séparation.
De manière illustrative et non limitative, une couche de séparation en carbone ou graphite d’une épaisseur de quelques µm peut facilement être retirée par combustion simultanément ou successivement avec le substrat support temporaire.
L’utilisation du masque d’objets dynamiques pour l’apprentissage du deuxième modèle de prédiction permet ainsi d’exclure des pixels associés à des objets en mouvement durant la phase d’apprentissage.
Selon une autre variante, le procédé comprend en outre une étape de détermination d’un premier masque de visibilité associé à la première image et représentatif d’un quatrième ensemble de pixels de la première image ayant au moins un pixel correspondant dans la deuxième image à partir des premières et deuxièmes données, l’apprentissage du deuxième modèle de prédiction étant en outre fonction du premier masque de visibilité.
L’utilisation du premier masque de visibilité pour l’apprentissage du deuxième modèle de prédiction permet ainsi d’exclure des pixels n’ayant pas de pixel correspondant dans la deuxième image durant la phase d’apprentissage.
Selon une variante supplémentaire, le procédé comprend en outre les étapes de : - réception de quatrièmes données représentatives d’une troisième image acquise par la au moins une deuxième caméra au premier instant temporel d’acquisition ; - prédiction de quatrièmes profondeurs associées à un cinquième ensemble de pixels de la première image par le système de vision stéréoscopique à partir des premières et troisièmes données, l’apprentissage du premier modèle de prédiction étant en outre fonction des quatrièmes profondeurs.
La supervision du système de vision monoscopique par le système de vision stéréoscopique permet ainsi d’ajuster les profondeurs calculées par le système de vision monoscopique et d’obtenir la précision métrique du système de vision stéréoscopique pour le système de vision monoscopique.
Selon une autre variante du procédé, une supervision du premier modèle de prédiction est obtenu par minimisation d’une fonction de perte définie par la fonction suivante : avec : - la première profondeur prédite pour un pixel de la première image, et - la quatrième profondeur prédite pour un pixel de la première image.
Selon une variante, le procédé comprend en outre une étape de détermination d’un deuxième masque de visibilité associé à la première image et représentatif d’un sixième ensemble de pixels de la première image ayant au moins un pixel correspondant dans la troisième image à partir des premières et quatrièmes données, l’apprentissage du premier modèle de prédiction étant en outre fonction du deuxième masque de visibilité.
L’utilisation du deuxième masque de visibilité pour l’apprentissage du premier modèle de prédiction permet ainsi d’exclure des valeurs aberrantes de profondeurs prédites par le système de vision stéréoscopique.
Selon un deuxième aspect, la présente invention concerne un dispositif de détermination d’une profondeur par un système de vision monoscopique embarqué dans un véhicule, le dispositif comprenant une mémoire associée à au moins un processeur configuré pour la mise en œuvre des étapes du procédé selon le premier aspect de la présente invention.
Dans d’autres modes de réalisation, le retrait de chaque couche de séparation est réalisé par sciage ou par gravure chimique ou par découpe par laser.
Dans certains modes de réalisation, l’épaisseur du substrat support temporaire est comprise entre 1 et 15 mm.
Dans certains modes de réalisation, l’épaisseur de chaque couche de carbure de silicium polycristallin est comprise entre 300 et 1200 µm.
Dans certains modes de réalisation, l’épaisseur de chaque couche de séparation est comprise entre 1 et 50 µm.
Dans d’autres modes de réalisation, l’épaisseur de chaque couche de séparation est comprise entre 1 et 500 nm.
Dans certains modes de réalisation, l’épaisseur de chaque couche de séparation augmente avec la distance du substrat support temporaire.
Un autre objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une pluralité de substrats comprenant chacun un substrat de base de carbure de silicium polycristallin et une couche d’un matériau monocristallin, le procédé comprenant successivement : la mise en œuvre du procédé tel que décrit plus haut pour fabriquer chaque substrat de carbure de silicium polycristallin, le lissage d’une face avant de chaque substrat de base de carbure de silicium polycristallin, et le transfert d’une couche d’un matériau monocristallin sur la face avant de chaque substrat de base de carbure de silicium monocristallin.
Dans certains modes de réalisation, le transfert de la couche de matériau monocristallin comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur en un matériau monocristallin pour délimiter une couche de matériau monocristallin à transférer, le collage dudit substrat donneur sur la face avant du substrat de base, le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche du matériau monocristallin sur le substrat de base.
Un autre objet de l’invention concerne un substrat intermédiaire comprenant : un substrat support temporaire, sur au moins une face du substrat temporaire, un empilement alterné d’une pluralité de couches de carbure de silicium polycristallin et de couches de séparation.
De manière avantageuse, le substrat support temporaire est en graphite.
De préférence, chaque couche de séparation est en carbone, en graphite, en silicium ou en nitrure de silicium.
La illustre un substrat support temporaire.
La illustre un substrat support temporaire comportant une première couche de p-SiC.
La illustre un substrat support temporaire comportant une première couche de p-SiC et une première couche de séparation.
La est une vue schématique d’un substrat support temporaire comprenant une pluralité de couches de p-SiC et une pluralité de couches de séparation.
Dans une étape 506 (USER ATTENTION), la valeur d’attention est calculée, par exemple par le microcontrôleur 106, sur la base de l’orientation de la tête de l’utilisateur. A titre d’exemple, le capteur 104 est configuré pour effectuer plusieurs mesures, à des instants qui sont distants les uns par rapport aux autres d’un intervalle de temps régulier, ou d’un intervalle de temps dépendant des estimations effectuées par le réseau de neurones 120. En association à chaque instant, le réseau de neurones 120 estime l’orientation de la tête de l’utilisateur et cette estimation est par exemple stockée dans une mémoire volatile. La valeur d’attention de l’utilisateur à un instant donné est, par exemple, en outre calculée sur la base d’au moins deux estimations de l’orientation de la tête de l’utilisateur pour des instants antérieurs.
Dans une étape 507 (APPLICATION), l’estimation de l’orientation de la tête de l’utilisateur 200 et la valeur d’attention sont par exemple utilisées, par le microcontrôleur 106, ou par un autre processeur, pour la mise en œuvre d’une ou plusieurs applications telles que par exemple les applications 304 et/ou 306 et/ou 308.
Les figures 6A, 6B et 6C illustrent des modes de réalisation d’un procédé d’estimation de l’attention d’un utilisateur du système, selon un mode réalisation de la présente description.