Dispositif optoélectronique (1), comportant : une structure de déformation (20) d’une portion cristalline semiconductrice (10), comportant un empilement de : un substrat support (21) ; puis une couche mince intercalaire (22) délimitant une cavité dans un plan parallèle à celui du substrat support (21) ; puis une couche mince structurée (23), reposant sur la couche mince intercalaire (22), comportant au moins deux bras (23.1) suspendus au-dessus de la cavité, s’étendant longitudinalement suivant un même axe principal ; la portion cristalline semiconductrice (10), reposant sur les deux bras (23.1), et s’étendant longitudinalement suivant l’axe principal ; un guide d’onde (2), couplé optiquement à la portion cristalline semiconductrice (10) ; caractérisé en ce qu’il comporte un dispositif électrique de déformation, adapté à déformer à la demande la portion cristalline semiconductrice (10) suivant l’axe principal, comportant : une source électrique, adaptée à générer un signal électrique de commande ; un circuit électrique (31, 32, 33, 34 ; 35, 36), connecté à la source électrique, et adapté à générer dans les bras (23.1), en réponse au signal électrique de commande, un champ électrique ou un champ de température, induisant une déformation, suivant l’axe principal, des bras (23.1) et donc de la portion cristalline semiconductrice (10). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1, dans lequel la portion cristalline semiconductrice (10) présente une partie centrale (11) située entre deux parties d’extrémité (12) qui reposent sur les bras (23.1), la partie centrale (11) présentant une largeur moyenne inférieure à celle des parties d’extrémité (12). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la portion cristalline semiconductrice (10) présente une partie centrale (11) située entre deux parties d’extrémité (12) qui reposent sur les bras (23.1), la partie centrale (11) présentant une largeur moyenne inférieure à celle des bras (23.1). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat support (21) est réalisé à base de silicium, et la portion cristalline semiconductrice (10) est réalisée à base de germanium. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche mince structurée (23) est réalisée en un matériau piézoélectrique, et dans lequel le circuit électrique comporte deux électrodes inférieure (31) et supérieure (32), en forme de couches minces, situées de part et d’autre des bras (23.1) suivant un axe d’épaisseur de la couche mince structurée (23), et connectées à la source électrique pour générer, en réponse au signal électrique de commande, un champ électrique dans les bras (23.1) induisant une déformation de ces derniers par effet piézoélectrique inverse. Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 5, comportant une couche mince de protection (41), réalisée en un matériau inerte à un acide fluorhydrique, recouvrant une surface libre des bras (23.1). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 5 ou 6, comportant deux couches minces de collage (42.1, 42.2), réalisées à base d’un matériau métallique, en contact l’une de l’autre, et situées entre la portion cristalline semiconductrice (10) et les bras (23.1). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le circuit électrique comporte des pistes métalliques (35), reposant sur et au contact thermique des bras (23.1), et connectées à la source électrique pour générer, en réponse au signal électrique de commande, un champ de température dans les bras (23.1) induisant une déformation de ces derniers par dilatation thermique. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le guide d’onde (2) repose sur les bras (23.1), est réalisé en le même matériau que celui de la portion cristalline semiconductrice (10) et est en continuité physique avec celle-ci ; ou dans lequel le guide d’onde (2) est intégré dans le substrat support (21). Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 5 à 7, comportant les étapes suivantes : réalisation d’un premier empilement comportant la couche mince structurée (23) recouverte par une première couche mince de collage (42.1) ; réalisation d’un deuxième empilement comportant une couche mince cristalline semiconductrice (46) destinée à former la portion cristalline semiconductrice (10) et recouverte par une deuxième couche mince de collage (42.2) ; report et collage du deuxième empilement sur le premier empilement, par mise en contact des première et deuxième couches minces de collage (42.1, 42.2). Procédé de fabrication selon la revendication 10, comportant les étapes suivantes : préalablement à l’étape de report, structuration d’une couche mince de déformation (23c) du premier empilement pour former la couche mince structurée (23) et les bras (23.1) ; dépôt d’une couche mince de protection (41), réalisée en un matériau inerte à un agent de gravure utilisé lors d’une étape ultérieure de suspension des bras (23.1), de manière à recouvrir une surface libre des bras (23.1). Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 8, comportant l’étape suivante : réalisation d’un empilement formé du substrat support (21), puis de la couche mince intercalaire (22), puis d’une couche mince de déformation (23c) destinée à former la couche mince structurée (23), puis d’une couche mince semiconductrice (46) destinée à former la portion cristalline semiconductrice (10), la couche mince semiconductrice (46) étant réalisée par épitaxie à partir de la couche mince de déformation (23c). Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comportant les étapes suivantes : réalisation d’un empilement formé du substrat support (21), puis de la couche mince intercalaire (22), puis de la couche mince structurée (23), puis de la portion cristalline semiconductrice (10) ; gravure chimique d’une partie de la couche mince intercalaire (22) située sous les bras (23.1), de manière à réaliser une cavité au-dessus de laquelle les bras sont suspendus.