INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le pied avant ou montant avant fait ainsi partie de l’ossature de flanc de la carrosserie d’un véhicule automobile. Un pied avant définit notamment avec une première poutre, appelée arceau de pavillon, une deuxième poutre de châssis, appelée longeron de châssis, et un pied milieu, une ouverture avant dans la structure du véhicule permettant l’accès à bord, cette ouverture ainsi définie pouvant être fermée par une porte latérale avant.
Un pied avant comprend généralement une partie centrale, ainsi que deux extrémités reliées respectivement à un arceau de pavillon et à un longeron de châssis, tel que le longeron inférieur dudit châssis. La partie centrale du pied avant comprend habituellement (sous forme de moyens rapportés) des moyens de fermeture et verrouillage de la porte latérale avant et/ou des charnières d’articulation de la porte latérale arrière, la partie centrale du pied avant est également généralement reliée au tablier du véhicule (c’est-à-dire la structure séparant le compartiment moteur de l’habitacle du véhicule).
De plus, un pied avant est habituellement réalisé à partir de plusieurs éléments assemblés entre eux par soudure ou rivetage. Chaque élément dudit pied avant est, par exemple, obtenu par emboutissage et/ou pliage d’une ou plusieurs tôles d’acier.
Cependant, un pied avant comprend en général deux éléments principaux : un renfort de pied avant donnant vers l’extérieur de la structure du véhicule et une doublure de pied avant donnant vers l’intérieur de la structure du véhicule.
Par ailleurs, en raison de la localisation du pied avant dans la structure du véhicule, on comprend que celui-ci à un rôle crucial pour l’obtention de bonnes caractéristiques de rigidité à la caisse du véhicule, et donc d’assurer la sécurité des passagers du véhicule lors d’un accident, notamment lors d’une collision frontale ou latérale.
En effet, les caractéristiques (notamment structurelles et mécaniques) du pied avant sont déterminantes lors d’une collision frontale ou latérale, le pied avant étant l’un des premiers éléments de structure de la caisse du véhicule à être mis en contrainte, et sa tenue lors d’un choc, notamment au début de celui-ci, est indispensable pour laisser le temps aux dispositifs de protection des occupants présents dans l’habitacle de se déclencher (tels que les airbags, les ceintures de sécurité, etc.).
Par ailleurs, dans le domaine automobile, les véhicules doivent également répondre à des contraintes de sécurité, notamment à des protocoles de tests relatifs aux collisions frontales, tels que les exigences de sécurité imposées par le protocole américain IIHS (acronyme anglais pour « Insurance Institute for Highway Safety »).
Plus particulièrement dans le protocole IIHS, dans le cas d’un choc frontal à haute vitesse contre une barrière rigide à faible recouvrement, le pied avant subit un impact localisé de la part d’un disque de frein situé en regard dudit pied avant. En effet, lors de l’impact, le disque de frein heurte le pied avant, causant alors un arrachement de matière localisé qui peut altérer l’intégrité du châssis du véhicule, ceci pouvant empêcher toute réparation dudit pied en raison de la nature de la détérioration subie.
Malheureusement, le pied avant d’un véhicule automobile peut présenter un manque de raideur et/ou de résistance mécanique qui empêche le véhicule de satisfaire aux exigences du protocole IIHS mentionné ci-dessus, et donc a pour conséquence l’impossibilité de vendre un véhicule sur le marché américain, car ne répondant pas aux normes de sécurités réglementaires locales.
La présente invention se propose ainsi de remédier à au moins un des inconvénients précités en proposant un nouveau type de pied avant pour véhicule automobile, ledit pied avant comprenant : – une première extrémité, dite extrémité supérieure, configurée pour être fixée à un arceau de pavillon du véhicule ; – une deuxième extrémité, dite extrémité inférieure, configurée pour être fixée à un longeron de châssis du véhicule ; – une partie centrale reliant lesdites première et deuxième extrémités entre elles ; caractérisé en ce que ledit pied avant comprend au moins un élément de renfort qui est, d’une part, fixé sur l’extrémité inférieure dudit pied avant et, d’autre part, situé, en position montée, en regard du longeron de châssis.
Le plancher supérieur 2, les traverses centrales 4, et les renforts des bavolets latéraux 3 participant à la tenue et à la protection en choc latéral des modules de batterie 6, sont ainsi regroupés en un seul étage, directement au-dessus de la zone de stockage d’énergie électrique, et notamment des modules de batterie 6. Ceci permet d’assurer la protection en choc latéral des modules de batterie 6 en limitant efficacement l’intrusion d’un élément étranger extérieur, et ceci sans qu’il soit nécessaire de prévoir un boîtier dédié à cette fonction. De plus, l’incompressible fin de choc qui contribue à l’écrasement des modules de batterie 6 lors d’un choc latéral est réduite.
De préférence, le plancher supérieur 2 et les traverses centrales 4 comprennent un matériau possédant une limite élastique d’une valeur supérieure ou égale à 400 mPa, tel qu’un acier, afin de leur apporter une résistance mécanique optimisée pour leur fonction de protection des modules de batterie 6 lors d’un choc latéral.
Plus préférentiellement, le plancher supérieur 2 et les traverses centrales 4 comprennent un matériau possédant une limite élastique d’une valeur supérieure ou égale à 1000 mPa, tel qu’un acier.
Renfort pour bavolet latéral La présente invention concerne, de manière générale, les véhicules électriques ou hybrides et, en particulier, la résistance aux chocs latéraux des bavolets latéraux d’un véhicule électrique ou hybride.
Plus précisément, l’invention se rapporte à un renfort pour bavolet latéral de véhicule automobile électrique ou hybride, à un soubassement comprenant un tel renfort, ainsi qu’à un véhicule automobile incorporant un tel soubassement.
Techniques antérieures Dans les véhicules électriques actuels, l’énergie électrique est stockée dans des cellules de batterie conditionnées dans un boîtier extérieur étanche lui-même logé sous le plancher du véhicule.
Ce boîtier assure la fonction de stockage et de maintien des cellules dans le véhicule, généralement en incluant des conditionnements intermédiaires appelés modules. Il contribue également à la protection en choc frontal et en choc latéral des cellules.
Selon une nouvelle conception, le boîtier extérieur présent sous le plancher est supprimé afin de maximiser le volume disponible de la zone de stockage d’énergie électrique, destinée à recevoir les cellules de batterie. Le soubassement a été reconfiguré et forme lui-même une enceinte structurelle de réception des cellules de batterie.
La zone de stockage d’énergie électrique est délimitée au-dessus par un plancher supérieur. Des modules de batterie sont suspendus sur la face inférieure du plancher supérieur.
De plus, le plancher supérieur est fixé à un cadre central du soubassement comprenant une traverse avant, une traverse arrière et deux bavolets latéraux gauche et droit.
En plus d’assurer le portage des modules de batterie, le cadre central doit contribuer à leur protection en cas de choc latéral.
Pour assurer la protection des modules de batterie en cas de choc latéral, il existe donc un besoin de renforcer les zones des bavolets latéraux afin de compenser la suppression du boîtier.
L’invention a donc pour but de remédier à ces inconvénients et de proposer une solution permettant de renforcer les bavolets latéraux de façon à protéger la zone de stockage d’énergie électrique d’un véhicule automobile électrique ou hybride.
Il est donc proposé un renfort pour bavolet latéral de véhicule automobile électrique ou hybride, comprenant au moins un élément profilé formé par une feuille pliée, ladite feuille comportant au moins deux zones de pliage formant au moins une boucle, la boucle délimitant une cavité s’étendant longitudinalement entre des première et deuxième extrémités opposées dudit élément profilé.
De préférence, le renfort comprend un matériau possédant une limite élastique d’une valeur supérieure ou égale à 400 mPa, de préférence supérieure ou égale à 1000 mPa, tel qu’un acier.
(2) l’application d’un agent (b) sur des fibres kératiniques qui sont encore soumises à l’agent (a) et la préparation d’un mélange des deux agents (a) et (b) sur les fibres kératiniques par mélange manuel des deux agents.
L’eau contenue dans l’agent (b) initie la polymérisation. À cette fin, la teneur en eau dans l’agent (b) - par rapport au poids total de l’agent (b) - est réglée à une plage de 19,0 à 70,0 % en poids. Dans ce contexte, il s’est avéré particulièrement avantageux que l’agent (b) – par rapport au poids total de l’agent (b) – contienne 20 à 65 % en poids, plus préférablement 30 à 65 % en poids et de manière très particulièrement préférée 45,0 à 65,0 % en poids d’eau.
Dans un autre mode de réalisation très particulièrement préféré, un procédé selon l’invention est caractérisé en ce que l’agent (b) – par rapport au poids total de l’agent (b) – contienne 45,0 à 65,0 % en poids d’eau.
Polyéthylèneglycol(s) (b2) dans l’agent (b)
Pour garantir une miscibilité suffisamment élevée des agents (a) et (b) et assurer que l’agent (b) ne s’égoutte pas des fibres kératiniques ou, selon le cas, des cheveux après l’application, l’agent (b) contient, outre la quantité d’eau définie (b1) en plus 20,0 à 80,0 % en poids de polyéthylèneglycol(s) (b2).
Des polyéthylèneglycols particulièrement bien appropriés pour l’utilisation dans l’agent (b) possèdent la formule (EG)
Dans le cadre d’un autre mode de réalisation très particulièrement préféré, le procédé selon l’invention comprend l’application d’un agent (b) sur les fibres kératiniques, qui sont encore soumises à l’agent (a), l’agent (b) contenant – par rapport au poids total de l’agent (b) -
20,0 à 80,0 % en poids de polyéthylèneglycol(s) de formule (EG),
x représente un nombre entier de 2 à 10 000, de préférence un nombre entier de 2 à 800, plus préférablement un nombre entier de 3 à 600, encore plus préférablement un nombre entier de 3 à 400 et de manière très particulièrement préférée un nombre entier de 4 à 200 et
1,0 à 10,0 % en poids d’alcool(s) gras en C 8 -C 30 .
Pour les polyéthylèneglycol(s) appropriés, préférés et particulièrement préférés, il s’agit de composés qui ont également été décrits comme appropriés, préférés et particulièrement préférés pour l’utilisation dans l’agent (a), c’est-à-dire qu’on peut de préférence utiliser également dans l’agent (b) les polyéthylèneglycol(s) des formules (EG), (EG-1) et/ou (EG-2).
Dans le cadre d’un autre mode de réalisation très particulièrement préféré, le procédé selon l’invention
En outre, dans le mode de réalisation de la , la sortie 218 du circuit tampon BUFFa1 fournit la tension VrefL et non pas la tension VrefH comme en . L'entrée 218 du circuit BUFFa1 est connectée à un noeud intermédiaire du pont 208, par exemple au noeud 214.
Dans le mode de réalisation de la où le dispositif REFGEN est configuré pour fournir la tension VrefL, la source du transistor To1 est connectée au noeud 204 et le transistor To1 est à canal N. Comme en , dans le dispositif REFGEN de la , le transistor To1 est configuré pour être à l'état passant lorsque le transistor Ten est à l'état bloqué, et pour être à l'état bloqué lorsque le transistor Ten est à l'état passant. Plus particulièrement, le transistor To1 est configuré pour que son état passant ou bloqué soit déterminé par une valeur de tension sur un noeud intermédiaire du pont diviseur 208, par exemple sur le noeud 216 du pont 208.
Dans l'exemple de la , le dispositif REFGEN comprend le transistor MOS T5 et l'élément résistif R4 en série entre les noeud 202 et 204. Toutefois, par rapport à ce qui a été décrit en relation avec la , en le transistor T5 est à canal N et a sa source connectée au noeud 204.
Comme en , en le pont diviseur 200 est configuré pour que le transistor Ten soit à l'état bloqué si la tension VDDE est inférieure à un seuil VT1, par exemple sensiblement égal à 0,9 V, et pour que le transistor Ten soit passant si la tension VDDE est supérieure au seuil VT1. Plus particulièrement, le pont diviseur 200 est configuré pour avoir le fonctionnement ci-dessus lorsqu'il est pris seul.
Ainsi, lorsque le pont 200 est pris seul et que la tension VDDE est inférieure au seuil VT1, l'écart entre les tensions EN et VDDE n'est pas suffisant pour que le transistor Ten soit passant. L'état bloqué du transistor Ten implique que le noeud 216 est au potentiel GND d'où il résulte que le transistor T5 est à l'état bloqué et que la grille du transistor To1 reçoit la tension VDDE. Le transistor To1 est alors à l'état passant et la tension VrefL est nulle. A l'inverse, lorsque le pont 200 est pris seul et que la tension VDDE est supérieure ou égale au seuil VT1, l'écart entre les tensions EN et VDDE est suffisant pour que le transistor Ten soit passant, d'où il résulte que le transistor T5 devient passant ce qui met le transistor To1 à l'état bloqué. La tension VrefL est alors égale à la tension sur l'entrée 220 du circuit BUFFa1. A titre d'exemple, quand la sortie 218 du circuit BUFFa1 fournit la tension VrefL, le pont 208 est configuré pour que la tension sur le noeud 214 soit égale à 0,45 fois la tension VDDE lorsque le transistor Ten est passant.
Dans un mode de réalisation (non illustré), le circuit REFGEN ne reçoit pas le signal EN-S et la tension VDD.
Dans un autre mode de réalisation, comme cela est illustré par la , le dispositif REFGEN reçoit le signal EN-S et la tension VDD. Le dispositif REFGEN comprend alors le circuit 222 configuré pour recevoir le signal EN-S et pour tirer, lorsque le signal EN-S est à son niveau haut, le noeud 206 à celui du potentiel GND et de la tension VDDE qui commande l'état bloqué du transistor Ten. Ainsi, dans le mode de réalisation de la où le transistor Ten est à canal P et a sa source connectée au noeud 202, le circuit 222 est configuré pour tirer le noeud 206 au noeud 202 lorsque le signal EN-S est à son niveau haut.
Lorsque la valeur courante de la tension VDDE est inférieure à Vmax et que le signal cmd commande le niveau haut du signal EN-S, la prévision du circuit 222 permet que la tension VrefL soit égale à la tension du noeud 204 auquel est connectée la source du transistor To1. A titre d'exemple, un tel fonctionnement permet que, dans un mode basse alimentation où la tension VDDE est à une valeur faible par rapport à sa valeur nominale et inférieure à la tension Vmax, la tension VrefL soit à une valeur permettant le fonctionnement des structures cascodes 102 du dispositif IP ( ).
Dans le mode de réalisation de la , le circuit 222 comprend le circuit tampon BUFFn1 et le transistor MOS T6. Toutefois, dans cet exemple, le transistor T6 est à canal P et a sa source connectée au noeud 202, et sa grille n'est pas connectée à la sortie du circuit BUFFn1. Le circuit 222 comprend alors en outre un transistor MOS à canal N T7 et un pont diviseur de tension 300 connecté en série entre les noeuds 202 et 204. Le pont 300, de préférence un pont diviseur résistif, est connecté entre le noeud 202 et le transistor T7. Le transistor T7 a sa source connectée au noeud 204, sa grille connectée à la sortie du circuit BUFFn1 et son drain connecté au pont 300. La grille du transistor T6 est connectée à un noeud intermédiaire 302 du pont 300.
Dans la mise en œuvre décrite ici du circuit 222, lorsque la tension VDDE est supérieure à la tension Vmax et que le signal EN-S est donc à son niveau bas, le transistor T7 a alors une tension grille-source nulle mais une tension drain-source égale à la VDDE et donc supérieure à la tenue en tension Vmax des transistors du dispositif IP. Ainsi, le transistor T7 est choisit pour pouvoir tenir la tension VDDE sur son drain. Par exemple, le transistor T7 est un transistor à drain étendu.
Le dispositif REFGEN décrit en relation avec la présente l'avantage de pouvoir être mis en œuvre avec des transistors MOS similaires à ceux du dispositif IP, c'est à dire des transistors MOS ayant une tenue en tension Vmax, sauf en ce qui concerne le transistor T7 qui est dimensionner pour pouvoir tenir la tension VDDE sur son drain.
On a décrit ci-dessus en relation avec la , un mode de réalisation où le dispositif REFGEN est configuré pour fournir la tension VrefL, ce qui implique que le transistor To1 a sa source connectée au noeud 204.
Dans une variante de réalisation, le dispositif décrit en relation avec la est configuré pour générer la tension VrefH. Dans ce cas, le transistor To1 est à canal P, et a sa source connectée au noeud 202. Dans une telle variante, le transistor To1 reste commandé à partir d'une tension sur un noeud intermédiaire du pont 208, par exemple le noeud 216, de sorte à être passant lorsque le transistor Ten est bloqué, et à être bloqué lorsque le transistor Ten est passant. Dans une telle variante, la grille du transistor To1 est, par exemple, connectée au noeud 216, le transistor T5 et l'élément résistif R4 pouvant être omis. Dans une telle variante, la tension VrefH est alors fournie sur la sortie du circuit BUFFa1 à la place de la tension VrefL, la tension VrefH suivant la tension VDDE tant que le transistor Ten est bloqué et étant égale à la tension sur le noeud 214 lorsque le transistor Ten est passant. A titre d'exemple, quand la sortie 218 du circuit BUFFa1 fournit la tension VrefH, le pont 208 est configuré pour que la tension sur le noeud 214 soit égale à 0,55 fois la tension VDDE lorsque le transistor Ten est passant.
La représente, sous la forme d'un circuit, une variante de réalisation du circuit REFGEN de la . Par rapport au circuit REFGEN de la qui est configuré pour fournir la tension VrefH, le circuit REFGEN de la est configuré pour générer la tension VrefH et la tension VrefL.
Le dispositif REFGEN de la comprend de nombreux éléments en commun avec celui de la , et seules les différences entre ces deux dispositifs sont ici mises en exergue. En particulier, sauf indication contraire, tous ce qui a été indiqué pour le dispositif REFGEN décrit en relation avec la s'applique au dispositif REFGEN de la .
Par rapport au dispositif REFGEN de la , le dispositif REFGEN de la comprend en outre un pont diviseur de tension résistif 400 et un transistor MOS T8 en série entre les noeuds 202 et 204.
Dans le cadre d’un autre mode de réalisation, un procédé selon l’invention est caractérisé en ce que l’agent (a) est appliqué dans l’étape (1) sur des fibres kératiniques séchées à la serviette ou sèches.
Dans le cadre d’un autre mode de réalisation, un procédé selon l’invention est caractérisé en ce que l’agent (a) est appliqué dans l’étape (1) sur des cheveux humains séchés à la serviette ou secs, de manière très particulièrement préférée sur des cheveux humains séchés à la serviette.
Après l’application sur les fibres kératiniques ou, selon le cas les cheveux, l’agent (a) peut encore être incorporé par massage. L’incorporation par massage peut par exemple être effectuée par frottement ou friction mécanique des cheveux avec une main gantée.
L’agent (a) est un agent prêt à l’emploi. Il est caractérisé en ce qu’il contient - par rapport au poids total de l’agent (a) - moins de 10 % en poids d’eau (a1) et au moins un composé organique du silicium (a2) de formule (I) ainsi qu’au moins un pigment (a3).
Teneur en eau (a1) dans l’agent (a)
Par rapport au poids total de l’agent (a), celui-ci contient moins de 10 % en poids d’eau. On assure ainsi que l’agent (a) reste stable sur toute la durée d’application et qu’une oligomérisation ou, selon le cas, polymérisation des silanes prématurée, non souhaitée peut être évitée dans une mesure suffisante. Même si la stabilité de l’agent peut déjà être assurée à une teneur en eau de jusqu’à 10 % en poids, il s’est avéré préféré de régler la teneur en eau de l’agent (a) à une valeur inférieure à 10 % en poids pour une optimisation supplémentaire de la stabilité et des intensités de couleur. On a obtenu ainsi des résultats particulièrement bons lorsque la teneur en eau dans l’agent (a) - par rapport au poids total de l’agent (a) - se situe à 0 jusqu’à 7,5 % en poids, de préférence de 0,0 à 5,0 % en poids, plus préférablement de 0,0 à 4,0 % en poids et de manière très particulièrement préférée de 0 à 2,5 % en poids.
Dans le cadre d’un autre mode de réalisation très particulièrement préféré, un procédé selon l’invention est caractérisé en ce que l’agent (a) contient - par rapport au poids total de l’agent (a) - 0 à 7,5 % en poids, de préférence 0,01 à 5,0 % en poids, plus préférablement de 0,01 à 4,0 % en poids et de manière très particulièrement préférée 0,05 à 2,5 % en poids d’eau (a1).
La plage de 0 à 7,5 % en poids d’eau signifie que l’agent ne contient si possible pas d’eau ou alors que la quantité d’eau qui est entraînée dans l’agent (a) le cas échéant par d’autres constituants contenus dans l’agent (a) ne dépasse pas une teneur de 7,5 % en poids.
Composés organiques du silicium (a2) de formule (I) dans l’agent (a)
Comme deuxième constituant essentiel de l’invention (a2), l’agent (a) contient au moins un composé organique du silicium de formule (I).
Les composés organiques du silicium de formule (I) sont des silanes. L’appellation silane représente, selon les règles IUPAC, un groupe de substances de composés chimiques qui sont basés sur une structure de base siliciée et de l’hydrogène. Dans les silanes organiques, les atomes d’hydrogène sont remplacés totalement ou partiellement par des groupes organiques tels que par exemple des groupes alkyle et/ou alcoxy (substitués). Dans les silanes organiques, une partie des atomes d’hydrogène peut également être remplacée par des groupes hydroxy.
Pour les silanes de formule (I)
Ex. 20 Ex. 21 Ex. 22 Ex. 23 Ex. 24 Cyclohexylamine 0,8 mol/L - - - - Pipéridine - 0,8 mol/L - - - Pyridine - - 0,8 mol/L - - 4-Aminopyridine - - - 0,8 mol/L - Imidazole - - - - 0,8 mol/L Taurine qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 Éthanol 5 5 5 5 5 Eau qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 Diamètre de boucle mouillée (mm) 50,5 54 76 53,5 69,5 Nombre de boucles mouillées 5,75 6 3,5 6 4 Nombre de boucles sèches 6,75 6,5 3 7 5 Efficacité de boucle (%) 16,0 12,9 6,7 13,1 11,2
Ex. 25 Ex. 26 Ex. 27 Ex. 28 Ex. 29 Ex. 30 Ex. 31 2-(Méthylamino)éthanol 0,8 mol/L - - - - - - Diéthanolamine - 0,8 mol/L - - - - - 2-(2-Aminoéthoxy)éthanol - - 0,8 mol/L - - - - Triéthanolamine - - - 0,8 mol/L - - - Hydroxylamine - - - - 0,8 mol/L - - (S)-(+)-2-pyrrolidineméthanol - - - - - 0,8 mol/L - (S)-(+)-2-Amino-3-méthyl-1-butanol - - - - - - 0,8 mol/L Taurine qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 Éthanol 5 5 5 5 5 5 5 Eau qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 Diamètre de boucle mouillée (mm) 48,5 49,5 46 71,5 65 45,5 47 Nombre de boucles mouillées 6,5 6,5 6,5 4,5 4,5 6,75 6,25 Nombre de boucles sèches 7,25 6,75 7,25 4,5 5 7,75 7 Efficacité de boucle (%) 13,5 13,5 14,4 11,3 10,8 14,8 13,8
Ex. 32 Ex. 33 Ex. 34 Ex. 35 Ex. 36 Ex. 37 Ex. 38 1-Aminopropane-2-ol 0,8 mol/L - - - - - - 2-Amino-1-butanol - 0,8 mol/L - - - - - 1,3-Diamino-2-propanol - - 0,8 mol/L - - - - 2-Amino-1,3-propanediol - - - 0,8 mol/L - - - Hydrazinoéthanol - - - - 0,8 mol/L - - 3-Amino-1-propanol - - - - - 0,8 mol/L - 4-amino-1-butanol - - - - - - 0,8 mol/L Taurine qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 qs pH 10,6 Éthanol 5 5 5 5 5 5 5 Eau qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 qsp 100 Diamètre de boucle mouillée (mm) 42 45 40 57,5 58,5 44,5 46 Nombre de boucles mouillées 7 6,5 7,5 5,5 5 6,5 6,5 Nombre de boucles sèches 7,5 7 8,75 5,75 6 7 6,75 Efficacité de boucle (%) 11,9 11,9 16,3 12,7 12,1 15,0 14,2