Procédé de préparation d’une couche mince monodomaine (3’) en matériau ferroélectrique, le procédé comprenant : une étape d’implantation d’espèces dites « légères » dans une première face (4) d’un substrat donneur (1) ferroélectrique pour former un plan de fragilisation (2) et définir une première couche (3) entre le plan de fragilisation (2) et la première face (4) du substrat donneur (1) ; une étape d’assemblage de la première face (4) du substrat donneur (1) à un support (7) pour former un assemblage intermédiaire ; une étape de fracture de l’assemblage intermédiaire, comprenant un premier traitement thermique, cette étape conduisant à la fracture du substrat donneur (1) au niveau du plan de fragilisation (2) et à la formation d’une face libre (8) de la première couche (3) ; une séquence de finition de la première couche (3) comprenant une étape de recuit comportant un deuxième traitement thermique et, après l’étape de recuit, une étape d’amincissement de la première couche (3) pour former la couche mince monodomaine (3’); le procédé de préparation étant caractérisé en ce qu’il comprend, entre l’étape de fracture et la séquence de finition, l’application d’un traitement de la face libre (8) pour produire une concentration d’hydrogène supérieure à 2.0 E21 at/cm^3 dans une épaisseur superficielle de la première couche (3). Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’épaisseur superficielle, dans laquelle la concentration d’hydrogène est supérieure à 2.0 E21 at/cm^3, est supérieure ou égale à 100 nm. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’épaisseur superficielle est supérieure ou égale à 200 nm. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le traitement de la face libre (8) introduit une dose d’hydrogène supérieure ou égale à 2.0 E16 at/cm^2 dans la première couche (3). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le traitement de la face libre (8) comprend l’immersion de la première couche (3) dans une première solution présentant une température supérieure à la température ambiante. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la première solution comprend du SC1 et/ou du SC2. Procédé de préparation selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel la température de la première solution est supérieure à 50°C, préférentiellement supérieure à 65°C. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le traitement de la face libre (8) comprend une séquence d’étapes de nettoyage à l’aide d’une deuxième solution, les étapes de nettoyage de la séquence étant séparées les unes des autres d’un temps d’attente supérieur ou égale à 24h. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la deuxième solution comprend de l’eau désionisée, les étapes de nettoyage comprenant simultanément le brossage et la dispense d’eau désionisée sur la face libre (8) de la première couche (3). Procédé de préparation selon l’une des deux revendications précédentes dans lequel la deuxième solution est à température ambiante. Procédé de préparation selon l’une des trois revendications précédentes dans lequel la séquence d’étapes de nettoyage comprend au moins trois étapes de nettoyage, préférentiellement au moins cinq étapes de nettoyage. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le traitement de la face libre (8) comprend le dépôt sur la face libre (8) d’une couche de recouvrement présentant une concentration en hydrogène supérieure à 1.0 E20 at/cm^3. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la couche de recouvrement comprend du dioxyde de silicium, de nitrure de silicium ou d’oxynitrure de silicium. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la couche de recouvrement présente une épaisseur de 20nm ou plus. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche mince monodomaine (3) est constituée d’un matériau piézoélectrique monocristallin, tel que du tantalate de lithium ou du niobate de lithium. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel la couche mince monodomaine (3) est constituée de niobate de lithium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’étape d’assemblage comprend la formation d’une couche diélectrique intercalaire (3) sur la première face du substrat donneur (1) et/ou sur le support (7).