INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour en revenir à la configuration faisant l’objet des figures, la montre la roue (12) selon trois positions différentes permises par la configuration de l’invention, illustrant l’amplitude du déplacement vertical de ladite roue (12). Ainsi, en haut de la , la roue (12) est représentée dans sa position nominale de roulement, alors que dans les deux représentations situées en dessous, ce sont respectivement la position haute et la position basse qui sont représentées. Les positions proches de la position nominale et la position basse traduisent un contact de la roue (12) avec le sol qui nécessite la présence d’une personne debout sur la plate-forme (14), selon l’invention. La mise en pression de la roue (12) au contact du sol se fait en effet nécessairement, dans la conception décrite, sous l’effet du poids d’un patient qui contraint la plate-forme (14) à une déflection/rotation vers le bas. La position nominale correspond à un sol sensiblement plat, alors qu’en cas de creux, trous ou évidements, la roue descend sous le niveau des roulettes (20) et s’enfonce pour maintenir le contact, localement abaissé, avec le sol.
A l’inverse, lorsque l’appareil (1) de l’invention est à vide, il peut être prévu, dans le cadre de l’invention, que la roue (12) s’élève, par exemple sous l’effet de moyens élastiques s’appliquant au niveau de la charnière matérialisant l’articulation (A) de la plate-forme (14) par rapport au châssis (1). Il peut par exemple s’agir de ressorts de torsion interposés entre l’axe et la plate-forme (14), au niveau de l’articulation (A) dans chaque chant latéral (15). C’est ce qui est montré dans la représentation du milieu, en . Dans ce cas, l’entraînement de l’appareil (1) se fait sans pivot central, et permet les rotations/translations classiques du chariot sans imposer un effort physique démesuré au soignant, l’appareil (1) étant à vide. Ces translations latérales de l’appareil (1) sont notamment utiles lors des phases de mise en parking après utilisation.
Dans l’hypothèse d’une roue (12) motorisée, les commandes de levée d’un patient et de déplacement de l’appareil peuvent de préférence être pilotées via une télécommande et, comme déjà mentionné, les risques d’accident peuvent dans ce cas être évités si les opérations motorisées de levée du patient et de déplacement assisté électriquement de l’appareil (1) ne sont jamais réalisables simultanément. Pour ce faire, un système (par exemple un contact magnétique situé dans la télécommande) permet de n'activer la motorisation de la roue qu'uniquement si cette télécommande (50) est placée sur son support sur le guidon (70) situé coté aidant, qu’on munit alors d’un aimant.
Les figures montrent un exemple de réalisation possible de l'appareil de l'invention, non exhaustif de celle-ci, l’invention englobant au contraire des variantes de forme et de constitution, notamment applicables à des appareils de levage de personnes dont le montant surmontant le châssis est prolongé par un système pendulaire comportant une potence à laquelle est suspendu un hamac supportant le patient.
Système de rééducation d’une partie de corps à dispositif haptique La présente invention concerne le domaine des dispositifs et systèmes médicaux.
La présente invention concerne plus particulièrement un système de rééducation d’une partie de corps d’un utilisateur, stimulant les capacités sensorielles d’un utilisateur par l’emploi de dispositifs haptiques.
Par rééducation au sens de la présente invention, on entend dans toute la description qui suit les méthodes de facilitation de l’exécution de tâches, en particulier la réalisation de mouvements corrects, chez les utilisateurs victimes d’un handicap physique.
La présente invention trouvera ainsi de nombreuses applications avantageuses dans les domaines de la physiothérapie et de l’ergothérapie, notamment dans l’assistance au développement des fonctions musculaires.
Etat de la technique Le relâchement des connexions neuronales et des transmissions entre le cerveau et différentes parties du corps a de graves conséquences dans le temps. Cela peut avoir un impact significatif sur le niveau du handicap. Les déficiences motrices concernant les membres supérieurs et les membres inférieurs sont fréquentes chez ces personnes. Ces handicaps surviennent en raison de la perte de communication entre le cerveau et le côté affecté du corps, par exemple en raison d’un Accident Vasculaire Cérébral, dit AVC.
Un an après le début du premier AVC, l'indépendance physique (pour 66 % des survivants d'un AVC) et la profession (pour 75 % des survivants d'un AVC) sont les domaines de handicap les plus touchés.
Dans des scénarios à mémoire limitée pour mettre en mémoire des clés privées, une solution peut consister à mettre en mémoire seulement l’amorce secrète utilisée pour la génération de clé et à réutiliser cette amorce pour régénérer la clé (privée) si nécessaire. Une telle (re-)génération implique que le PRNG (SHAKE) opère avec une amorce secrète fixe, conformément à la solution décrite dans le présent mémoire.
La représente un dispositif 500 de traitement comprenant une CPU 500, une RAM 502, une mémoire 503 non volatile (NVM), un crypto-module 504, un module 506 analogique, une interface 507 d’entrée / sortie et un générateur 512 de nombres aléatoires en matériel.
Dans cet exemple, la CPU 501 a accès à au moins un crypto-module 504 par un bus 505 partagé, auquel chaque crypto-module 504 est relié. Chaque crypto-module 504 peut comprendre en particulier un ou plusieurs noyaux cryptos pour effectuer certaines opérations cryptographiques. Les exemples de noyaux cryptos sont : un noyau AES 509, un noyau SHA 510, un noyau ECC 511, et un crypto-noyau à base de réseau 508.
La CPU 501, le générateur 512 de nombres aléatoires en matériel, le NVM 503, le crypto-module 504, la RAM 502 et l’interface 507 d’entrée / sortie sont connectés au bus 505. L’interface 507 d’entrée / sortie peut avoir une connexion à d’autres dispositifs qui peuvent être semblables au dispositif 500 de traitement.
Le crypto-module 504 peut être ou peut ne pas être équipé de caractéristiques de sécurité reposant sur du matériel.
Le bus 505 soi-même peut être masqué ou en clair. Des instructions pour procéder aux stades décrits dans le présent mémoire peuvent être en particulier mises en mémoire dans le NVM 503 et traitées par la CPU 505. Les données traitées peuvent être mises en mémoire dans le NVM 503 ou dans la RAM 502. Des fonctions de support peuvent être données par les crypto-modules 504 (par exemple expansion de données pseudo-aléatoires).
Les stades du procédé décrits dans le présent mémoire peuvent être effectués exclusivement ou au moins en partie sur le crypto-module 504, par exemple sur le crypto-noyau 508 à base de réseau.
Le dispositif 500 de traitement peut être une carte à puce alimentée par contact électrique direct ou par un champ électromagnétique. Le dispositif 500 de traitement peut être un circuit fixe ou reposer sur du matériel reconfigurable (par exemple un réseau pré-diffusé programmable par l’utilisateur, FPGA). Le dispositif 500 de traitement peut être relié à un ordinateur personnel, une micro-unité de commande, un FPGA ou un téléphone intelligent.
La solution décrite dans le présent mémoire peut être utilisée par un client qui a l’intention de procurer une mise en œuvre sécurisée d’une cryptographie à base de réseau sur une carte intelligente ou sur tout élément de sécurisation.
La représente un autre exemple d’un dispositif 600 de traitement. Le dispositif 600 de traitement comprend un module 601 de sécurité en matériel, une mémoire non volatile (NVM) 608, une mémoire vive (RAM) 609, une interface 610 de communication avec d’autres dispositifs et un processeur 607 d’application, qui est relié au module de sécurité en matériel (HSM) 601 à la RAM 609, au NVM 608 et à l’interface 610.
Le HSM 601 comprend une unité 602 de commande, un générateur de nombres aléatoires en matériel (HRNG) 606 et au moins un crypto-module 603. Le crypto-module 603 comprend, à titre d’exemple, un noyau AES 604 et un crypto-noyau à base de réseau (LBC) 605.
Suivant un mode de réalisation, le HSM 601 et le processeur 607 d’application peuvent être fabriqués sur la même puce physique en liaison étroite. Le HSM 601 donne des services cryptographiques et une mémoire de clé sécurisée, tandis que le processeur d’application peut effectuer des tâches informatiques intensives (par exemple reconnaissance d’image, communication, commande de moteur). Le HSM 601 peut être accessible seulement par une interface définie et est considéré comme indépendant du reste du système, en ce
sens qu’un compromis sur la sécurité du processeur 607 d’application n’a qu’un impact limité sur la sécurité du HSM 601. Le HSM 601 peut effectuer toutes les tâches ou un sous-ensemble de tâches décrit à propos du dispositif 600 de traitement en utilisant l’unité 602 de commande, le LBC 605, supporté par, par exemple, un AES 604 et l’HRNG 606. Il peut exécuter les procédures décrites dans le présent mémoire (au moins en partie) soit commandées par une unité de commande interne, soit sous la forme d’un circuit CMOS. En outre, le processeur 607 d’application peut également effectuer les procédés décrits dans le présent mémoire (au moins en partie, par exemple en collaboration avec le HSM 601).
Le dispositif 600 de traitement avec ce processeur 607 d’application et l’HSM 601 peut être utilisé comme passerelle centrale de communication ou comme unité (électrique) de commande de moteur dans des automobiles ou d’autres véhicules.
Dans un exemple ou dans plusieurs exemples, les fonctions décrites dans le présent mémoire peuvent être mises en œuvre au moins en partie en matériel, tel que sous la forme de composants matériel précis ou d’un processeur. D’une manière plus générale, les techniques peuvent être mises en œuvre en matériel dans des processeurs, des logiciels, des micrologiciels ou leurs combinaisons. Si elles sont mises en œuvre en logiciel, les fonctions peuvent être mises en mémoire ou transmises sous la forme d’une ou de plusieurs instructions ou codes sur un support déchiffrable par ordinateur et exécutées par une unité de traitement à base de matériel. Des supports déchiffrables par ordinateur peuvent comprendre des supports de mémoire déchiffrables par ordinateur, qui correspondent à un support tangible, tels que des supports de mémoire de données ou des supports de communication comprenant tout support qui facilite un transfert de programme d’ordinateur d’un endroit à un autre, par exemple suivant un protocole de communication. Des supports déchiffrables par ordinateur peuvent ainsi, d’une manière générale, correspondre à (1) des supports de mémoire tangibles déchiffrables par ordinateur qui ne sont pas transitoires ou (2) un support de communication, tel qu’un signal ou une onde porteuse. Des supports de mémoire de données peuvent être tout support disponible, auquel peut accéder un ou plusieurs ordinateurs ou un ou plusieurs processeurs pour rechercher des instructions, un code et/ou des structures de données pour une mise en œuvre des techniques décrites dans le présent mémoire. Un produit de programme d’ordinateur peut comprendre un support déchiffrable par ordinateur.
A titre d’exemple et sans limitation, des supports de mémoire déchiffrables par ordinateur de ce genre peuvent comprendre une RAM, une ROM, une EEPROM, une CD-ROM, ou d’autres mémoires à disque optique, mémoire à disque magnétique ou d’autres dispositifs de mémoire magnétique, une mémoire flash, ou tout autre support qui peut être utilisé pour mettre en mémoire un code de programme souhaité sous la forme d’instructions ou de structures de données et auquel un ordinateur peut accéder. Toute liaison est désignée également correctement comme un support déchiffrable par ordinateur, c’est-à-dire un support de transmission déchiffrable par ordinateur. Si, par exemple, des instructions sont transmises d’un site web, un serveur, ou une autre source éloignée utilisant un câble coaxial, un câble à fibre optique, une paire torsadée, une ligne de souscripteur numérique (DSL), ou des technologies sans fil, telles que l’infrarouge, la radio et la micro-onde, le câble coaxial, le câble à fibre optique, la paire torsadée, la DSL, ou des technologies sans fil, telles que l’infrarouge, la radio, et la micro-onde sont inclus dans la définition de support. Il va toutefois de soi que des supports de mémoire déchiffrables par ordinateur et des supports de mémoire de données n’incluent pas des connexions, des ondes porteuses, des signaux, ou d’autres supports transitoires, mais visent, au contraire, des supports de mémoire tangibles non transitoires. Disk et disque, tels qu’utilisés dans le présent mémoire, inclus un disque (CD) compact, un disque laser, un disque optique, un disque numérique polyvalent (DVD), un disk souple et un disque blu-ray, dans lesquels des disks reproduisent habituellement des données magnétiquement, tandis que des disques reproduisent des données optiquement par des lasers. Des combinaisons de ce qui précède doivent être également inclues dans la portée des supports déchiffrables par ordinateur.
Ce revêtement 1 comprend au moins deux couches, à savoir une première couche, dite sous-couche 3, et une seconde couche, dite couche de finition 4 ou top coat en anglais (cf. ).
Le revêtement 1 se particularise en ce que la sous-couche 3 comprend un oxynitrure de silicium de formule Si x N y O z .
L’oxynitrure de silicium Si x N y O z est préférentiellement sous forme amorphe.
Préférentiellement, la formule de l’oxynitrure de silicium est sous la forme SiN ( 4/3)w O 2 (1-w) , avec 0 ≤ w ≤ 1, x=1, y=(4/3)w et z=2(1-w).
Par exemple, si w =0, la formule de l’oxynitrure de silicium est SiO 2 .
Selon un autre exemple, si w = 1, la formule de l’oxynitrure de silicium est SiN (4/3) , qui est équivalent à Si 3 N 4 en multipliant la quantité de chaque atome de la formule par 3. Selon cet exemple, pour chaque atome de Si il y a 4/3 d’atome de N attaché en proportion. Pour avoir une notation plus cohérente, mais sans changer les proportions, il est d’usage d’utiliser un coefficient multiplicateur qui permet d’avoir un nombre entier d’atomes. On obtient donc Si 3 N 4 , soit pour 3 atomes de Si, il y a atomes 4 N attachés en proportion, ce qui est équivalent à 1 pour 4/3.
Selon un exemple supplémentaire, si w = 3/4, la formule de l’oxynitrure de silicium est SiNO 1/2 , qui est équivalent à Si 2 N 2 O en multipliant chaque quantité d’atome de la formule par 2.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, l’oxynitrure de silicium est de formule Si 2 N 2 O. En effet, toute composition proche de Si 2 N 2 O est particulièrement intéressante car, même en cas de cristallisation, un tel composé présente peu de modifications chimiques et dimensionnelles.
A titre d’illustration, le tableau suivant présente des propriétés physico-chimiques de plusieurs oxynitrures de silicium et les compare à d’autre composés similaires :
Si 2 N 2 O SiN 1,24 O 0,14 SiN 0,95 O 0,58 Si 3 N 4 Si SiC Module de Young (GPa) 230 252 207 320 160-180 400 Densité 2,81 3,5 2,4 3,27 2,33 3,21 Coefficient dilatation (K -1 ) 3,5.10 -6 5.10 -6 2,6.10 -6 5.10 -6 Point de fusion (°C) ~1600°C 1415°C
A partir de ce tableau, on peut constater que les oxynitrure de silicium de Si x N y O z présentent tous une stabilité thermique très supérieure à celle du silicium, et similaire à celle du carbure de silicium. Ils présentent également un coefficient de dilatation bien plus proche de celui du matériau composite à matrice de carbure de silicium, comparativement au silicium. Par ailleurs, ils présentent une excellente résistance à l’oxydation.
La sous-couche 3 est préférentiellement déposée par un procédé de dépôt en voie gazeuse, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour l'anglais Chemical Vapor Deposition), ou par dépôt physique en phase vapeur (PVD pour l'anglais Physical Vapor Deposition ).
Des essais en laboratoire ont donné des résultats très satisfaisants avec l’oxynitrure de silicium.
Un essai a notamment été réalisé avec une couche d’oxynitrure de silicium Si 2 N 2 O 0,6 amorphe déposée sur un substrat plan par CVD, dont le comportement après un traitement à très haute température a été comparé à un substrat nu en carbure de silicium. Le traitement thermique a été effectué à 1450°C pendant une durée de deux heures.
Les résultats de ces essais ont été photographiés, il s’agit des à , où : représente le substrat nu SiC avant traitement thermique ; représente le substrat nu SiC après traitement thermique ; représente la surface du dépôt Si 2 N 2 O 0,6 avant traitement thermique ; et représente la surface du dépôt Si 2 N 2 O 0,6 après traitement thermique.
Sur , il apparaît clairement que le substrat nu SiC après traitement thermique présente une forte réorganisation de surface avec recristallisation de SiC, tandis que sur , il apparaît clairement que la surface du dépôt Si2N2O0,6 n’a pas du tout évoluée.
PROCÉDÉ DE DÉPOLYMÉRISATION D’UN POLYESTER COMPRENANT DU POLYÉTHYLÈNE TÉRÉPHTALATE AVEC RECYCLE D’UN EFFLUENT D’OLIGOMERES L’invention concerne un procédé de dépolymérisation d’un polyester, en particulier le polyester téréphtalate, comprenant du polyéthylène téréphtalate (PET), en vue de son recyclage dans une unité de polymérisation. Plus particulièrement, l’invention concerne un procédé de dépolymérisation d’une charge polyester comprenant du PET, avec un recycle optimisé d’un effluent d’oligomères.
Le recyclage chimique de polyester, en particulier du polyéthylène téréphtalate (PET), a fait l’objet de nombreux travaux visant à décomposer le polyester récupéré sous forme de déchets en monomères qui pourront de nouveau être utilisés comme charge d’un procédé de polymérisation.
De nombreux polyesters sont issus de circuits de collecte et de tri de matières. En particulier, le polyester, en particulier le PET, peut provenir de la collecte de bouteilles, barquettes, films, résines et/ou fibres composées de polyester (comme par exemple des fibres textiles, des fibres de pneus). Le polyester issu de filières de collecte et de tri est appelé polyester à recycler.
Les résultats, en termes de sélectivité et rendement en méthane, sont excellents à partir de 250 mg de paille de fer, c’est-à-dire à partir d’un ratio massique paille de fer / polymère de 0,25. La sélectivité vis-à-vis du méthane est particulièrement importante à partir de 300 mg de paille de fer, c’est-à-dire pour les ratios massiques paille de fer / polymère de 0,3 et au-dessus.
H/ Exemple 6 – Transformation de LDPE en présence de paille de fer sans catalyseur, pour différentes quantités de LDPE
Le protocole opératoire décrit dans l’Exemple 1 a été appliqué à du LDPE basse M w en utilisant différentes quantités (500, 1000 et 1500 mg) de ce substrat et 300 mg de paille de fer « Paille de fer FINE » telle que décrite ci-dessus, sans Pt/Siralox. La bouteille FP a été chargée à une pression de 5 bars en H 2 , puis soumise à 18% de l’amplitude maximale de champ magnétique, pendant 2 h ou 5 h.
Les résultats obtenus, en termes de quantités de méthane, éthane et propane obtenues en fin de réaction, rendements en méthane obtenus, ainsi que les températures de la surface externe de paroi des bouteilles FP relevées après 10 min de réaction, selon le temps de réaction, sont indiqués dans le tableau 11.
Quantité de LDPE (mg) Temps de réaction (h) Méthane (mmol) Ethane (mmol) Propane (mmol) Y CH4 (%) Temp. (°C) 500 2 14,88 0 0 47,7 250 1000 2 29,05 0 0 46,6 265-270 1000 5 32,35 0 0 51,9 250-275 1500 2 34,81 9,07 0 37,2 220-245 1500 5 43,30 9,29 0 46,3 230-240
Tableau 11 - Rendements en méthane, quantités de méthane, éthane et propane obtenues en fin de réaction, et températures relevées, pour 300 mg de paille de fer
Le rendement en méthane est excellent pour toutes les quantités de LDPE (ratios massiques paille de fer / polymère supérieurs ou égaux à 0,2). La sélectivité vis-à-vis du méthane est particulièrement importante pour 1000 mg de LDPE et moins, c’est-à-dire pour les ratios massiques paille de fer / polymère supérieurs ou égaux à 0,3.
I/ Exemple 7 – Transformation de LDPE en présence de fer sous différentes formes, avec catalyseur Pt/Siralox
Le protocole opératoire décrit dans l’Exemple 1 a été appliqué à du LDPE basse M w (500 mg) et 200 mg de fer, soit sous forme de paille de fer « Paille de fer FINE » telle que décrite ci-dessus, soit sous forme de poudre de fer nanométrique (taille moyenne 0,5 µm, SAR à 93 kHz and 47 mT de 1-10 W.g -1 ), en présence de 200 mg de Pt/Siralox. La bouteille FP a été chargée à une pression de 5 bars en H 2 , puis soumise à 18% ou 100% de l’amplitude maximale de champ magnétique, pendant 2 h.
Les résultats obtenus, en termes de quantités de méthane, éthane et propane obtenues en fin de réaction, rendements en méthane obtenus, selon le temps de réaction, ainsi que les températures de la surface externe de paroi des bouteilles FP relevées après 10 min de réaction, sont indiqués dans le tableau 12.
Fer % d’amplitude du champ Méthane (mmol) Ethane (mmol) Propane (mmol) Y CH4 (%) Temp. (°C) Paille 18 11,61 4,42 0 37,3 175-180 Poudre 100 nég. 0 0 0 150-200
Tableau 12 - Rendements en méthane, quantités de méthane, éthane et propane obtenues en fin de réaction, et températures relevées – « nég » signifie « quantité négligeable »
La mise en œuvre de fer sous forme de poudre nanométrique ne donne lieu à aucune production de méthane, contrairement à la paille de fer micrométrique.
La partie tubulaire 41 s’étend dans la direction longitudinale (direction X) du connecteur 1. La forme de la surface périphérique interne de la partie tubulaire 41 est formée pour correspondre à la forme de la surface périphérique externe des parties d’extrémité arrière 60b et 60b des premières parties de logement 60 et 60, qui seront décrites plus tard, dans le support de bornes 50. Avec cette configuration, dans un état dans lequel le support arrière 40 est fixé sur le support de bornes 50, la partie tubulaire 41 gaine les parties d’extrémité arrière 60b et 60b des premières parties de logement 60 et 60.
La partie de couvercle 43 ferme l’ouverture d’extrémité arrière de la partie tubulaire 41. La partie de couvercle 43 a des trous d’insertion de câble 45 et 45 qui pénètrent à travers cette dernière. Dans un état dans lequel le support arrière 40 est fixé sur le support de bornes 50, les câbles 200 et 200 électriquement raccordés aux bornes LA 20 et 20 sont insérés dans les trous d’insertion de câble 45 et 45 et maintenus par le support arrière 40 (voir la ). De plus, dans un état dans lequel le support arrière 40 est fixé sur le support de bornes 50, les ouvertures d’extrémité arrière des premières parties de logement 60 et 60 du support de bornes 50 sont fermées par la partie de couvercle 43 du support arrière 40.
[Configuration du support de bornes] On décrit ensuite une configuration du support de bornes 50. Le support de bornes 50 comprend les premières parties de logement 60 et 60, une seconde partie de logement 70 et une partie de fixation 80 (voir la ).
Les premières parties de logement 60 et 60 s’étendent dans la direction longitudinale (direction X) du connecteur 1. Les premières parties de logement 60 et 60 sont raccordées entre elles par une partie de raccordement 63 et agencées côte à côte dans la direction de largeur (direction Y) du connecteur 1 (voir les figures 2 et 3).