INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ce cas, ce décalage 17 peut entrainer un impact important sur les performances radiofréquence de la carte à puce. En effet, ce décalage 17 horizontal, dans le plan du corps de carte, est pénalisant, le métal n’étant plus masqué dans cette zone par le matériau ferrimagnétique. Or de tels décalages sont présents de façon certaine dans les processus de fabrication consistant à superposer des couches et à les assembler entre elles.
Afin de remédier à ce problème, l’invention prévoit de s’assurer, comme représenté en figures 6 à 8, que malgré les tolérances de fabrication, le bord 19 de l’ouverture 40 aménagée dans le matériau ferrimagnétique6 soit toujours légèrement décalé d’un décalage 17 vers l’intérieur de la cavité prévue pour le module, au-delà du bord 18 de la cavité aménagée dans la couche métallique 3. Autrement dit, l’invention prévoit que la cavité dans la couche 6 soit moins étendue que celle prévue pour le module électronique, ce qui permet d’avoir dans tous les cas de figure une marge de sécurité 17 pour absorber les tolérances de positionnement de la couche 6 par rapport à la couche métallique 3.
La correspond au cas de figure où l’empilement des couches s’est fait de façon nominale, c’est-à-dire sans décalage de positionnement entre la couche métallique et la couche ferrimagnétique 6. En conséquence, la limite interne 19 du matériau ferrimagnétique autour de l’ouverture 40 est décalée de façon régulière sur toute la périphérie de l’ouverture 40, vers l’intérieur, d’un décalage 17 uniforme, par rapport à la limite interne 18 de la couche métallique.
Ce cas idéal ne se reproduit pas en pratique en fonction des tolérances de positionnement de la couche métallique et de la couche ferrimagnétique. Comme représenté en , en cas de désalignement entre la couche métallique 3 et la couche 6, le décalage de la limite 19 de la couche 6 vers l’intérieur de l’ouverture 40 permet de laisser partout subsister un décalage 17 positif ou nul, signifiant que le matériau ferrimagnétique recouvre toujours le métal dans tout le périmètre de l’ouverture 40. De cette manière, on évite toute mise à nu du métal 3. Il vaut mieux avoir du matériau ferrimagnétique entre le module et l’antenne que du métal mis à nu. En pratique, on constate qu’un décalage 17 compris dans une fourchette de 0,4 mm à 1,6 mm, de préférence environ 0,8 mm, permet d’obtenir de très bons résultats.
Un dernier problème technique à résoudre est lié à la structure du matériau ferrimagnétique 6 et notamment à sa capacité d’adhésion aux couches adjacentes 5 et 7. Celle-ci doit être suffisante pour résister à des efforts de délamination normalisés selon la norme ISO 7810, d’au moins 3,5 N/cm.
Comme représenté en , dans l’état actuel de la technique, en dehors du domaine des cartes à puce, on utilise des feuilles de ferrite 20 fritté ou non fritté, encapsulées de part et d’autre entre des couches 21 d’adhésif sensible à la pression (noté « PSA » en terminologie anglo-saxonne) surmontées par des couches 22 en PET. Cette structure est couramment utilisée dans le domaine des systèmes de recharge sans contact ou pour protéger des circuits électroniques d’agressions extérieures dans des systèmes tels que des voitures ou des téléphones portables. Mais elle n’est pas adaptée au domaine des cartes à puce car elle ne présenterait pas une adhésion suffisante aux couches 5, 7 ( ) de la carte à puce, le risque de délamination du corps de carte étant alors élevé, ce qui est encore plus rédhibitoire pour une carte premium.
Pour remédier à ce problème, l’invention prévoit d’utiliser pour la couche isolante ferrimagnétique 6 de préférence un complexe ferritique utilisant du ferrite fritté 23, comme schématisé en . Le ferrite fritté n’est pas utilisé à ce jour dans l’industrie de la carte à puce, et il impose des contraintes particulières à cause de sa texture poudreuse et de son mode de réalisation en petites feuilles. Afin de le rendre compatible avec les processus de fabrication des cartes à puce, l’invention prévoit que le ferrite fritté est encapsulé entre des couches externes adhésives 24 de type « hotmelt », par exemple en PUR (polyuréthane), POR (polyoléfine), Époxy ou Acrylique pour former un complexe ferritique 6 adéquat. La couche externe 24 en « hotmelt » est mise en œuvre à chaud, le matériau adhésif s’insérant dans les pores du ferrite fritté, ce qui assure une cohésion maximale du complexe ferritique 6, bien supérieure à celle du complexe 6 de la . En outre, le complexe ferritique 6 de la présente une épaisseur moindre que les complexes connus, ce qui dans le cadre d’une carte à puce à couche métallique permet, à épaisseur totale constante, d’augmenter l’épaisseur de la couche métallique 3, et donc d’alourdir davantage la carte à puce.
En définitive, cette nouvelle structure de couche ferrimagnétique sous la forme d’un complexe ferritique fritté 6 présente à la fois une grande adhésion avec les couches adjacentes 5 et 7 de la carte à puce, et une efficacité maximale de guidage des lignes de champ électromagnétique.
En effet, le ferrite, (à ne pas confondre avec la ferrite), est un matériau ayant pour caractéristiques d’avoir une très grande résistivité (environ 10 8 Ohms par mètre soit 10 14 fois plus que l’aluminium), rendant négligeable les courants de Foucault, tout en ayant une grande susceptibilité magnétique. Son action de blindage ne se concentre donc pas sur la destruction du champ magnétique nuisible, mais sur sa réorientation.
Dans le monde industriel, les ferrites se caractérisent par une perméabilité complexe caractérisée par des valeurs 𝜇′ et 𝜇′′ représentant d’un côté les pertes en courant de Foucault à une fréquence donnée, par exemple 13,56 MHz, et de l’autre la capacité à dévier des lignes de champ à la même fréquence donnée. Plus 𝜇′′ est petit plus les pertes magnétiques c’est-à-dire les pertes par courant de Foucault sont faibles, et plus 𝜇′ est grand plus la capacité à modifier les lignes de champ est grande.
Dans le cadre de l’invention, on utilisera de préférence un ferrite ayant les caractéristiques suivantes : µ’ supérieur ou égal à 150, de préférence proche de 170, et µ’’ inférieur ou égal à 10, de préférence proche de 2.
Afin de fabriquer une carte à puce selon l’invention, on procède par exemple de manière suivante. On prépare une couche isolante ferrimagnétique 6 aux dimensions adéquates, notamment un complexe formé par une couche de ferrite fritté 23 entouré de couches 24 d’adhésif thermo-activable, ce complexe ferritique 6 étant pourvu d’une ouverture 40 destinée à recevoir un insert 16, et on reporte un tel insert 16 dans l’ouverture 40 du complexe ferritique. Séparément, on prépare une couche d’antenne 7 et on superpose sur une de ses faces une couche adhésive 8. Puis on place le complexe ferritique 6 sur la face de la couche d’antenne 7 opposée à celle qui porte l’adhésif 8. De préférence, ces premières opérations de positionnement se font sans pré-fixage, pour éviter des contraintes mécaniques susceptibles de générer de craquelures dans le complexe ferritique 6. Puis on dispose au-dessus du complexe ferritique 6 une couche de matériau isolant 5, pourvue de sa couche d’adhésif thermo-activable 4. A ce stade, le complexe ferritique 6 se trouve donc pris entre le matériau isolant 5 et la couche d’antenne 7. Il est à noter que le positionnement des différentes couches 6, 5, 8, 9 peut se faire par rapport à un squelette (non représenté) positionné en fonction de repères apparents sur la couche d’antenne 7. Puis on préfixe les couches 8,3,6,5 entre elles à l’aide de quelques points de soudure localisés obtenus par une sonde à ultrasons. Puis on rajoute d’une part la feuille métallique 3 au-dessus de l’adhésif 4, et d’autre part la couche imprimée 9 et la couche transparente de protection 10 pour obtenir l’empilement final, qu’on assemble définitivement par une lamination à chaud de l’ensemble des couches, ce qui termine la construction du corps de carte 2. Il reste alors à usiner les plans P1 et P2 de la cavité du corps de carte, et à y reporter et coller le module électronique 11, selon des opérations classiques bien connues dans l’état de la technique.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, la deuxième partie 42 de perçage comprend une portion cylindrique, l’axe de révolution de cette portion cylindrique étant parallèle à la première partie 41 de perçage suivant l’angle α prédéterminé. Ainsi, la deuxième partie 42 de perçage peut être cylindrique suivant l’angle α prédéterminé et être parallèle à la première partie 41 de perçage suivant l’angle α prédéterminé.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, la surface de liaison 35 est formée par un trou borgne 33 (ou non débouchant) aval faisant partie de la portion 32 de diffusion. Le trou borgne 33 est formé par la deuxième partie 42 de perçage.
La surface de liaison 35 peut être sensiblement plane dans un plan distant de la première surface 11 et de la deuxième surface 12 et peut être par exemple sensiblement parallèle au premier plan tangent P1 pris à l’intersection de la première surface 11 et de la surface de dosage 310 et/ou est sensiblement parallèle au deuxième plan tangent P2 pris à l’intersection de la deuxième surface 12 et de la surface de diffusion 320.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, l’angle α prédéterminé est supérieur ou égal à 30° et inférieur ou égal à 60° par rapport à la direction (Z) d’épaisseur.
Les figures 2 et 3 représentent un premier exemple de forme possible pour le perçage 3 de refroidissement. La représente en vue de dessus la forme de la deuxième ouverture 121 dans la deuxième surface 12, les autres parties de la paroi 10 située sous la deuxième surface 12 n’étant pas représentées. La représente en perspective le perçage 3 de refroidissement, les parties de la paroi 10 n’étant pas représentées. Aux figures 2 et 3, la deuxième partie 42 de perçage se trouve dans le prolongement dans le sens S1 vers l’aval par rapport à la première partie 41 de perçage au-dessus de la surface de liaison 35.
Aux figures 2 et 3, le procédé de fabrication suivant l’invention permet d’avoir dans la surface de diffusion 320 raccordant la première partie 41 de perçage à la deuxième partie 42 de perçage une zone 321 de transition, qui est plane dans des plans parallèles au sens S1 et à la direction Z d’épaisseur locale. On évite ainsi dans cette zone de transition 321 un rétrécissement de la section transversale de passage de fluide du perçage 3 de refroidissement dans le sens S1 vers l’aval, qui provoquerait des perturbations du refroidissement par film d’air (décollement, recirculation) réduisant l’efficacité de refroidissement du perçage. Un tel rétrécissement de la section transversale de passage de fluide du perçage 3 de refroidissement dans le sens S1 vers l’aval, engendrant des perturbations du refroidissement par film d’air (décollement, recirculation) réduisant l’efficacité de refroidissement du perçage, est provoqué par les procédés de fabrication de l’état de la technique dans lesquels la broche 503 de l’électrode 501 d’électroérosion est complètement sortie de la portion 31 de dosage pour réaliser la portion 32 de diffusion.
Les figures 4 et 5 représentent un deuxième exemple de forme possible pour le perçage 3 de refroidissement. La représente en vue de dessus la forme de la deuxième ouverture 121 dans la deuxième surface 12, les parties de la paroi 10 située sous la deuxième surface 12 n’étant pas représentées. La représente en perspective le perçage 3 de refroidissement, les autres parties de la paroi 10 n’étant pas représentées.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, la surface de liaison 35 comporte un premier bord 35a en forme de lobe (ou courbe et concave) et un deuxième bord 35b en forme de lobe (ou courbe et concave), qui sont situés de part et d’autre d’une direction médiane S10 du perçage 3 de refroidissement ou d’un plan médian du perçage 3 de refroidissement. La direction médiane S10 du perçage 3 de refroidissement est sensiblement parallèle au sens S1 allant de l’amont vers l’aval et au premier plan tangent P1 et/ou au deuxième plan tangent P2. Le plan médian du perçage 3 de refroidissement contient le sens S1 et la direction Z d’épaisseur. La surface de liaison 35 comporte un creux aval 35c situé entre le premier bord 35a en forme de lobe et le deuxième bord 35b en forme de lobe.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le premier bord 35a en forme de lobe et le deuxième bord 35b en forme de lobe sont symétriques par rapport à la direction médiane S10 du perçage 3 de refroidissement ou au plan médian du perçage 3 de refroidissement. Le creux aval 35c peut être situé sur la direction médiane S10 du perçage ou sur le plan médian du perçage 3 de refroidissement.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le premier bord 35a en forme de lobe et le deuxième bord 35b en forme de lobe sont planes et dans le même plan.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, la partie aval 323 de la surface de diffusion 320 comporte une première surface aval 323a en forme de lobe et une deuxième surface aval 323b en forme de lobe, qui sont situées de part et d’autre de la direction médiane S10 du perçage 3 de refroidissement décrite ci-dessus ou d’un plan médian du perçage 3 de refroidissement décrit ci-dessus. Une saillie 323c tournée vers l’amont peut être située sur la partie aval 323 de la surface de diffusion 320 entre la première surface aval 323a en forme de lobe et la deuxième surface aval 323b en forme de lobe. La saillie 323c est reliée au creux aval 35c.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, la première surface aval 323a en forme de lobe et la deuxième surface aval 323b en forme de lobe sont symétriques par rapport à la direction médiane S10 du perçage 3 de refroidissement ou au plan médian du perçage 3 de refroidissement. La saillie 323c peut être située sur la direction médiane S10 du perçage ou sur le plan médian du perçage 3 de refroidissement.
Suivant un mode de réalisation de l’invention, aux figures 4 et 5, deux deuxièmes parties 42 de perçage, à savoir la deuxième partie 42a de perçage et l’autre deuxième partie 42b de perçage sont réalisées au cours de la troisième étape E3. Cette deuxième partie 42a de perçage et l’autre deuxième partie 42b de perçage délimitent la première surface aval 323a en forme de lobe et la surface aval 323a en forme de lobe, le premier bord 35a en forme de lobe et le deuxième bord 35b en forme de lobe. La deuxième partie 42a de perçage est située en aval de la première partie 41 de perçage et s’élargit au-delà de la première partie 41 de perçage suivant un premier sens Y1 de l’autre direction de Y latérale. L’autre deuxième partie 42b de perçage est située en aval de la première partie 41 de perçage et s’élargit au-delà de la première partie 41 de perçage suivant un deuxième sens Y2 de l’autre direction Y latérale, inverse du premier sens Y1.
La structure représentée aux figures 4 et 5 permet également d’éviter dans la zone de transition 322 de transition de la surface de diffusion 320 raccordant la première partie 41 de perçage aux deuxièmes parties 42a, 42b de perçage un rétrécissement de la section transversale de passage de fluide du perçage 3 de refroidissement dans le sens S1 vers l’aval, qui provoquerait des perturbations du refroidissement par film d’air (décollement, recirculation) réduisant l’efficacité de refroidissement du perçage.
Le procédé de fabrication suivant l’invention permet également d’enlever une étape par rapport aux procédés de fabrication de l’état de la technique dans lesquels la broche 503 de l’électrode 501 d’électroérosion est complètement sortie de la portion 31 de dosage pour réaliser la portion 32 de diffusion, ce qui simplifie la réalisation du perçage 3 de refroidissement et réduit ainsi son coût. Le procédé de fabrication suivant l’invention est rapide à mettre en œuvre et permet d’améliorer la résistance du perçage 3 de refroidissement. En outre, le procédé de fabrication suivant l’invention permet de réduire les non-conformités en production.
On décrit ci-dessous plus en détail en référence à la un exemple de turbomachine T aéronautique, dans laquelle peut être utilisé le composant 1 de turbomachine suivant l’invention.
Le bus d’interconnexion BUS peut par exemple être un bus du type « AXI » pour « Advanced eXtensible Interface » en anglais, ou du type « AHB » pour « Advanced High-performance Bus » en anglais, qui sont des types de bus de microcontrôleur « AMBA » pour « Advanced Microcontroller Bus Architecture ».
Chaque transaction TR1, TR2 contient des informations de transaction TINF définissant un accès respectif à la mémoire MEM. Les informations de transaction TINF peuvent par exemple contenir une information du type d’accès cmd en lecture, en écriture ou éventuellement en effacement ; une identification de la région mémoire MEM avec une adresse de début addr et une taille dlen ; des données data en écriture ; et d’autres informations de transaction « status », « ctrl ».
Par ailleurs, on considère que pour accéder à la mémoire MEM, il existe un premier type de transaction TR1 basé sur une commande communiquée au contrôleur CNTMEM ; et un deuxième type de transaction TR2 basé sur une adresse ou une région de la mémoire, par exemple en fonction d’une partition (ou « mappage ») de la mémoire MMAP (usuellement « memory map » en anglais).
Par exemple, un premier pare-feu RISUP peut être prévu pour autoriser ou restreindre les accès au contrôleur CNTMEM par des transactions du premier type TR1, c’est-à-dire en fonction des droits d’accès à la mémoire du dispositif maître CPU vis-à-vis d’un contexte d’exécution ; et un deuxième pare-feu RISAF peut être prévu pour autoriser ou restreindre les accès au contrôleur CNTMEM par des transactions du deuxième type TR2, c’est-à-dire en fonction des droits d’accès à respectivement chaque régions mémoire MMAP par le dispositif maître CPU.
Cela étant, les deux types de transactions TR1, TR2 contiennent lesdites informations de transaction TINF qui définissent l’accès.
Dans les deux cas également, le contrôleur de mémoire CNTMEM est configuré pour stocker les informations de transaction TINF dans un registre de commande REG, et pour piloter l’accès à la mémoire MEM à partir du contenu dudit registre de commande REG.
En outre, le contrôleur de mémoire CNTMEM comporte, en interne, des moyens de vérification CMP configurés pour conditionner l’accès effectif ACC à la mémoire MEM, en fonction d’une comparaison entre les informations de transaction stockées dans le registre de commande REG et une liste d’informations spéciales LST.
Chaque information spéciale de la liste LST définit par exemple une transaction interdite, ou un accès ACC interdit à la mémoire MEM.
Par exemple, les moyens de vérification CMP sont configurés à cet égard pour bloquer l’accès DEN si au moins l’une desdites informations de transaction stockées dans le registre de commande REG appartient à ladite liste d’informations interdites LST.
En alternative, chaque information spéciale de la liste LST définit par exemple une transaction autorisée, ou un accès ACC autorisé à la mémoire MEM.
Par exemple, les moyens de vérification CMP sont configurés à cet égard pour bloquer l’accès DEN si au moins l’une desdites informations de transaction stockées dans le registre de commande REG n’appartient pas à ladite liste d’informations autorisées LST.
Selon le choix de conception (notamment l’exhaustivité) de la liste d’informations spéciales, les moyens de vérification CMP peuvent être configurés pour bloquer l’accès DEN si aucunes desdites informations de transaction stockées dans le registre de commande REG n’appartient à ladite liste d’informations autorisées LST.
Avantageusement, les moyens de vérification CMP sont configurés pour effectuer ledit conditionnement de l’accès à la mémoire en fonction du niveau de sécurité du système sur puce SOC_LVL ; et par exemple la liste d’informations spéciales LST peut être faite respectivement pour chaque niveau de sécurité possible SOC_LVL du système sur puce SOC.
A cet égard, chaque élément de la liste LST est par exemple lié à une identification du niveau de sécurité r_lvl, d_lvl ( ).
Le niveau de sécurité du système sur puce SOC_LVL est par exemple communiqué par un bus interne dédié matériellement et de façon centralisée pour système sur puce SOC. On notera en particulier que le niveau de sécurité SOC_LVL n’est pas modifiable par une programmation logicielle.
Le niveau de sécurité SOC_LVL (ou LVL0-LVL3 – ) correspond par exemple en pratique à un niveau de sécurité évolutif qui est automatiquement modifié dans l’avancée du processus de démarrage, de façon à avoir des accès de plus en plus restreints. Par exemple, le niveau de sécurité évolue temporellement de façon à bloquer les accès aux régions mémoires contenant des informations du processus de démarrage, dès que ces informations ont été utilisées dans le processus de démarrage.
L’invention est particulièrement intéressante puisqu’elle permet de former des billes de biomasse de dimension calibrée et de forme quasi sphérique. Ces billes présentent de bonnes propriétés de coulabilité et peuvent être stockées sans risque d’explosion ou de compaction.
L’invention trouve des applications dans de nombreux domaines industriels, notamment pour la gazéification de la biomasse (par exemple poussières et autres déchets carbonés de taille fine dans l’industrie, par exemple dans l’industrie papetière) ou encore pour la production d’engrais.
L’étape de broyage conduit également à la formation de particules fines de dimensions inférieures à 200 µm. Les poudres fines contenant des composants ligno-cellulosiques sont cohésives et allongées, ce qui conduit à des difficultés d’écoulement à cause de l’attraction électrostatique (forces de Van der Waals) entre les parois des réacteurs et la poudre. Ces fines particules, généralement difficiles à convoyer, augmentent aussi les risques ATEX (atmosphère explosive) et occasionnent des problèmes de blocage dans tout le système, conduisant à l’arrêt du procédé.
Bien entendu, le vase à ressort 14 peut être réalisé selon une autre conception. Le vase à ressort 14 peut par exemple comprendre des éléments mobiles en silicone ou tout autre matériau adapté. De manière générale, le vase à ressort comprend une première chambre permettant d’activer le frein de service et une deuxième chambre permettant d’activer le frein de parc.
La illustre schématiquement un premier mode de réalisation des moyens d’immobilisation 13.
Les moyens de contrôle 10 sont reliés aux moyens d’immobilisation 16 de la semi-remorque 2.
Les moyens de contrôle 10 sont reliés à l’entrée de commande 171 du circuit de pilotage 17 du vase à ressort.
Le circuit de pilotage 17 du vase à ressort comprend un premier interrupteur 40 relié à l’entrée de commande 171 pour être commandé par les moyens de contrôle 10, une source d’alimentation électrique continue 41, un deuxième interrupteur 42, un contrôleur 43 de freinage pilotant le deuxième interrupteur 42, une valve électropneumatique 44 et le vase à ressort 14.
Le robinet 18 est normalement ouvert de sorte que les bouteilles 15 alimentent la valve électropneumatique 44.
La source d’alimentation électrique continue 41 comprend par exemple une batterie dédiée qui est incorporée dans la semi-remorque 2. Alternativement, la source d’alimentation électrique continue 41 peut être constituée par le groupe frigorifique lorsque la semi-remorque est une semi-remorque frigorifique.
Les moyens de contrôle 10 sont par exemple alimentés par la source 41 de sorte que la semi-remorque 2 ne nécessite pas de source d’alimentation extérieure pour actionner les moyens d’immobilisation 13.
Cependant, il reste possible d’alimenter les moyens de contrôle 10 par une source d’alimentation extérieure à la semi-remorque 2, la source d’alimentation extérieure comprenant par exemple un pupitre de commande.