INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Bien que le rotor et le stator aient été décrits sous la forme de disques parallèles et en regard l’un de l’autre, le stator et le rotor peuvent avoir d’autres formes. Le dispositif décrit est à flux axial mais l’invention est applicable à un fonctionnement en flux radial ou un fonctionnement hybride combinant un flux axial et un flux radial. Ainsi, les stators peuvent par exemple être agencés sous la forme d’un tambour externe et d’un tambour interne entre lesquels s’étend un tambour central formant le rotor de telle manière que le tambour central ait une surface extérieure en regard d’une surface intérieure du tambour externe et une surface intérieure en regard d’une surface extérieure du tambour interne. Les aimants sont portés par la surface extérieure du tambour interne et par la surface intérieure du tambour externe.
Le dispositif de freinage magnétique selon l’invention peut être associé à un dispositif de freinage par friction classique qui comprend des organes de friction, par exemple une pile de disques de carbone, et une pluralité d’actionneurs électromécaniques portés par un porte-actionneurs. Chaque actionneur électromécanique comprend un moteur électrique et un poussoir apte à être déplacé par le moteur électrique pour presser la pile de disques. L’actionneur électromécanique est ainsi destiné à produire un effort de freinage commandé sur la pile de disques. Un mode de pilotage des dispositifs de freinage est par exemple connu du document FR-A-2953196.
En variante, les aimants peuvent être directement fixés sur les disques rotoriques ou les disques statoriques du frein à friction, ou les aimants peuvent être recouverts d’une garniture de friction, de sorte que le dispositif de freinage assure un freinage magnétique pour ralentir la roue quand les disques sont écartés les uns des autres d’un entrefer adéquat et un freinage par friction lorsque les disques sont appliqués les uns contre les autres. Il n’y a donc plus de butée axiale entre les disques dans ce mode de réalisation.
Il est possible d’utiliser, pour l’actionnement mécanique du dispositif de freinage magnétique, un actionneur agissant sur plusieurs stators coulissant dans le même sens pour être rapprochés du rotor adjacent, plutôt qu’un actionneur pour chaque stator. Un unique actionneur peut également agir sur deux stators pour les déplacer dans des sens opposés.
Les électroaimants 9 sont ici pilotés pour produire le couple de freinage avec les aimants permanents. Il est envisageable qu’ils ne servent qu’en cas de blocage pour annuler le champ magnétique des aimants permanents. De préférence cependant, les électroaimants sont pilotés pour fonctionner avec les aimants permanents de manière à compléter le réseau d'aimants, et donc le champ, pour qu'il fonctionne de manière optimale. Ceci est particulièrement le cas avec un réseau de Halbach où l'interaction entre les aimants adjacents dans le réseau d'aimants est importante.
Le dispositif ne peut comprendre que des électroaimants.
L'exemple de logique illustré à la n'est qu'une solution possible et on peut imaginer d'autres façons d'agencer la logique afin d'incorporer l'un ou l'autre ou les deux moyens de contrôle d'antipatinage pour le freinage par courants de Foucault : par exemple en utilisant à la fois la commande de l'entrefer et la commande de l'électroaimant, ou au contraire la commande de l'électroaimant uniquement.
Les modes de pilotage peuvent être combinés par exemple en fonction d’informations externes telles que l’état de la piste ou les conditions atmosphériques pour déterminer des premières conditions externes dans lesquelles un pilotage grossier des électroaimants suffit (premier mode de pilotage), des deuxièmes conditions nécessitant un pilotage fin (deuxième mode de pilotage) et des troisièmes conditions nécessitant un pilotage fin de plus grande amplitude (troisième mode de pilotage). Tout paramètre utile (vitesse de l’aéronef, vitesse de la roue, couple…) peut être utilisé pour réaliser une boucle d’asservissement ou de rétroaction dans la commande du système de freinage.
D’autres modes d’actionnement du frein magnétique sont envisageables : par exemple uniquement au moyen de bobines engendrant un champ magnétique annulant celui des aimants permanents, rotors et stators étant fixes axialement.
Selon une caractéristique avantageuse, plus particulièrement illustrée aux figures 2-4, 6, la face 3 comprend au moins une fente 4. Ladite au moins une fente 4 permet à la face 3, au moins localement, de se déformer sous l’effet d’une pression inférieure à un seuil en provenance de l’évent E, afin de s’ouvrir de manière à laisser passer le fluide et permettre un délestage. Ceci est plus particulièrement illustré à la .
Selon une autre caractéristique, plus particulièrement illustrée à la , la face 3 est convexe. Une telle face 3 convexe présente un bombé vers l’extérieur de l’évent E. Une telle forme offre une résistance plus importante à une tentative d’ouverture de la fente 4 depuis l’extérieur. Ceci permet au bouchon de mieux résister à une tentative d’introduction d’un corps étranger depuis l’extérieur, y compris une pression issu d’un nettoyeur haute pression.
Selon une autre caractéristique, plus particulièrement illustrée aux figures 2, 4 et 6 ladite au moins une fente 4 comprend deux fentes 4. Ces deux fentes 4 sont préférentiellement perpendiculaires entre elles.
Selon une autre caractéristique, la face 3 est en matériau élastique. Ceci permet avantageusement que sa déformation soit réversible. Ainsi, sous l’effet d’une pression différentielle inférieure à un seuil, la face 3 se déforme et s’ouvre au niveau des lèvres des fentes 4, de manière à laisser sortir le fluide, lors d’un délestage. Ensuite, lorsque la pression diminue, l’élasticité du matériau agit pour replacer les lèvres des fentes 4 dans leur position initiale, assurant une fermeture de l’évent E. L’élasticité du matériau permet avantageusement une réversibilité automatique, s’activant dès que le niveau de pression diminue.
Selon une autre caractéristique, la face 3 est complétée par un élément anti-retour (non représenté). Cet élément anti-retour peut prendre la forme d’une grille disposée contre la face 3 du côté intérieur. Ainsi, un fluide issu de l’évent E peut traverser l’élément anti-retour et ouvrir la fente 4 pour sortir de l’évent E. Au contraire une pression contre la face 3 issue de l’extérieur, poussant vers l’intérieur, pousse la face 3 contre l’élément anti-retour et ne peut pas ouvrir la fente 4, dont les lèvres restent plaquées contre l’élément anti-retour.
Selon une autre caractéristique, le bouchon 1 comprend un élément de rattachement (non représenté) conformé pour être attaché à l’évent E. Cet élément de rattachement empêche le bouchon 1 de devenir un projectile dangereux pour les personnes pouvant se trouver autour du bouchon 1 en cas d’éjection.
De manière indépendante ou complémentaire, selon une autre caractéristique, le corps 2 est aussi en matériau élastique. Ceci permet avantageusement que l’assemblage du corps 2 avec l’extrémité X de l’évent E s’effectue avec une force de rappel. Ceci est obtenu en conformant et dimensionnant le corps 2 de manière à ce que son installation sur l’extrémité X nécessite une légère déformation. Aussi, l’élasticité du matériau, sous l’effet de ladite déformation, produit une force de rappel. Cette force de rappel, associée à un dimensionnement ajusté du corps 2 relativement à la section de l’extrémité X, assure un maintien du bouchon 1 sur l’extrémité X, tant que la pression reste inférieure au seuil.
Au contraire, lorsque la pression devient supérieure au seuil, le bouchon 1 doit être éjecté de l’extrémité X. Pour cela, le corps 2 est conformé et dimensionné afin que la force de rappel devienne insuffisante et que le bouchon 1 soit éjecté de l’extrémité X de l’évent E sous l’effet d’une pression supérieure au seuil. Aussi, le dimensionnement du corps 2 est tel que la force de rappel créée maintienne le bouchon 1 sur l’extrémité X tant que la pression reste inférieure au seuil, privilégiant une sortie de fluide par ladite au moins une fente 4, mais qu’elle s’efface devant une pression supérieure au seuil et que le bouchon 1 glisse le long de l’évent E jusqu’à être éjecté. La conformation et le dimensionnement du corps 2 inclus l’état de surface, plus ou moins lisse, de la surface du corps 2 en contact avec la surface de l’extrémité X. Une telle éjection du bouchon 1 est plus particulièrement illustrée à la .
L’homme du métier sait choisir le matériau, et conformer et dimensionner le corps 2 du bouchon 1 en fonction d’une pression d’éjection.
Une telle éjection du bouchon 1 est avantageuse en ce qu’elle privilégie la fonction critique de délestage relativement à une protection de l’évent E.
Il apparaît que ce second mode de délestage n’est pas réversible. Une fois le bouchon 1 éjecté, il ne revient pas en place. Cependant, ceci n’est pas préjudiciable, car une pression supérieure au seuil n’intervient que dans un cas critique, pour lequel une intervention de maintenance est nécessaire.
Ainsi, le bouchon 1 permet le fonctionnement suivant.
En dessous du seuil la face 3 du bouchon s’ouvre de manière à laisser échapper le fluide. L’ouverture/fermeture de la face 3 est réversible. Ceci est adapté à un fonctionnement nominal de l’évent où la régulation conduit à des délestages fonctionnels de petites quantités de fluide, typiquement inférieure à 1 litre par délestage.
Si la pression augmente, jusqu’à dépasser le seuil , le bouchon 1 est éjecté. Cette opération est non réversible et correspond à un fonctionnement critique où l’évent E est utilisé pour un délestage d’une plus grande quantité de fluide, typiquement supérieure à 1 litre. Il s’agit ici d’un délestage de sécurité ou d’urgence, et la pleine capacité de délestage doit être cherchée avec une section de l’évent E maximale.
Selon une autre caractéristique, le seuil est compris entre 1 et 2 bars. Préférentiellement le seuil est égal à 1,5 bars.
Les différentes contraintes d’élasticité des matériaux peuvent avantageusement être remplies avec un même matériau. Ce matériau est préférentiellement un matériau de type matière plastique ou élastomère.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce système de batterie comprend une pâte thermique intercalée entre la première et la seconde face.
Selon un mode de réalisation de l’invention, cet enfoncement s’étend le long de la seconde face jusqu’à déboucher sur la périphérie de cette seconde face.
Ainsi, si l’ensemble des premières faces recouvre entièrement la seconde face, le gaz pourra toujours s’échapper par une ou plusieurs extrémités du canal en périphérie de cette seconde face et donc en périphérie ou sur un ou plusieurs bords du moyen de refroidissements, ces bords n’étant par recouverts par les éléments de batterie. On notera que si une partie de la seconde face « déborde » de l’ensemble des premières faces, le canal formé peut déboucher par une ou plusieurs de ses extrémités sur la seconde face non recouverte par les premières faces, et non pas en périphérie de cette seconde face.
Ainsi, dans tous les cas le gaz émis ne traverse pas la seconde face du moyen de refroidissement, cette seconde face ne comprend donc pas de trou de passage pour ce gaz. Au contraire, le gaz longe, ou lèche cette seconde surface au niveau de l’enfoncement formant canal.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le moyen de refroidissement comprend une première plaque formant la seconde face, et une deuxième plaque solidaire de la première plaque et formant entre-elles la chambre interne.
On comprendra par solidaire ou solidarisation, dans tout le texte de ce document, le fait que deux pièces (ici les deux plaques) soient liées entre-elles dans les six degrés de liberté, c’est-à-dire que ces deux pièces solidaires entre-elles forment un sous-ensemble rigide.
Par exemple la première plaque est soudée à la deuxième plaque, ou collée, ou brasée, ou vissée, rivetée, clipsée, ou poinçonnée ou tout moyen ou combinaison de moyens réalisant cette solidarisation. Un joint ou colle d’étanchéité peut être inséré entre les deux plaques.
Ces deux plaques sont par exemple des tôles métalliques embouties, du même métal ou non. Par exemple le matériau de la première plaque comprend du cuivre dont la conductivité thermique est de l’ordre de 391 W/m.K à 20°C et le matériau de la deuxième plaque comprend de l’aluminium dont la conductivité thermique est de l’ordre de 185 W/m.K à 20°C. Mais pour des raisons économiques, les deux plaques peuvent comprendre de l’aluminium.
On notera que l’absence de trous traversant dans le moyen de refroidissement pour l’évacuation des gaz, et qui améliore la rigidité, autorise que la première plaque soit constituée d’un matériau plus malléable que la deuxième plaque, mais qui soit thermiquement plus conducteur, notamment du cuivre. L’avantage de cette disposition et de pouvoir mieux refroidir l’élément électrochimique, et avec une meilleure réactivité.
En effet, plus le matériau sera thermiquement conducteur, plus la réponse temporelle du moyen de refroidissement sera rapide. Or justement, cet emballement thermique présente en générale une grande célérité, et le matériau de la première plaque étant thermiquement plus conducteur il permet judicieusement d’apporter un refroidissement rapide de l’élément électrochimique au contact de la première et deuxième face, mais également du un refroidissement rapide du gaz généré dans l’enfoncement ou le canal formé par l’enfoncement, permettant donc de contenir une élévation de température qui aurait lieu sans ce matériau plus conducteur.
Selon un mode de réalisation de l’invention, l’enfoncement présente un fond, la première plaque et la deuxième plaque étant en contact l’une de l’autre au droit de ce fond.
Par exemple, la première plaque et la deuxième plaque sont solidaires l’une de l’autre sur cette zone de contact. Par exemple, le contact est réalisé sur l’ensemble de la surface du fond.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ce système comprend en outre un bac délimitant un espace interne hermétique, cet espace interne logeant : - l’élément de batterie électrochimique, et - le moyen de refroidissement, le canal débouchant dans l’espace interne.
Ce bac comprendra par exemple un second système de sécurité de dégazage propre à libérer un gaz généré par un emballement thermique de l’élément de batterie électrochimique, de sorte qu’il n’y ait pas une pression trop élevée dans l’espace interne si ce gaz est libéré en provenance de ce canal.
Selon une variante de réalisation de l’invention, ce système comprend en outre le bac délimitant un espace interne hermétique, cet espace interne logeant : - l’élément de batterie électrochimique, - le moyen de refroidissement, et - une conduite d’échappement du gaz, fluidiquement couplée au canal et configurée pour échapper le gaz en dehors de l’espace interne et au travers du bac.
Selon un mode de réalisation, les transistors des branches 310 et 312 sont chacun mis en œuvre sur un substrat semiconducteur massif ("bulk" en anglais), par exemple en silicium. Toutefois, dans des variantes de réalisation, certains au moins de ces transistors sont mis en œuvre sur une structure de type SOI ("Semiconductor On Insulator" – semiconducteur sur isolant). A titre d'exemple, lorsque les transistors T1 à T4 sont mis en œuvre sur SOI, l'ordre de connexion du transistor T1, respectivement T3, et de la résistance R1, respectivement R3, entre la diode D1 et la borne 300, respectivement 302, peut être inversé par rapport à ce qui est illustré en .
Le dispositif SIC-DEV comprend en outre un circuit de commande CMD. Le circuit CMD est configuré, à chaque transmission successivement d'un bit dominant et d'un bit récessif sur le bus par le dispositif Dev1' comprenant le circuit SIC-DEV, pour mettre les transistors T1, T2, T3 et T4 à l'état passant pendant toute la durée de la durée Tsic correspondante. En dehors de ces durées Tsic, le circuit CMD est configuré pour maintenir les transistors T1 à T4 à l'état bloqué. Ainsi, le circuit CMD fournit les signaux sig1 de commande des transistors T1 et T3, et sig2 de commande des transistors T2 et T4. Par exemple, le circuit CMD comprend une borne 314 configurée pour fournir le signal sig1 et une borne 316 configurée pour fournir le signal sig2.
Selon un mode de réalisation, les sources des transistors T1 et T3 sont connectées l'une à l'autre, et, en outre, à une borne 318 du circuit CMD.
Le circuit CMD a en outre une borne 320 connectée au potentiel de référence, cette borne 320 étant donc connectée à la borne 306 du dispositif SIC-DEV.
Dans le dispositif Dev1' de la , tout au long de chaque durée Tsic correspondant au début d'un bit récessif émis par le circuit Dev1' immédiatement après l'émission d'un bit dominant par ce même circuit Dev1', les interrupteurs T1, T2, T3 et T4 sont maintenus passants par le circuit CMD. Il en résulte que , lorsque les résistances R1 à R4 ont chacune une valeur sensiblement égale, de préférence égale, à 100 ohms moins la valeur de résistance à l'état passant des interrupteurs T1 à T4, l'impédance différentielle entre les lignes CANH et CANL est sensiblement égale, de préférence égale, à 100 ohms, et chacune des lignes CANH et CANL voit une impédance de fin de ligne sensiblement égale, de préférence égale, à 50 ohms par rapport à son mode commun. Lorsque les interrupteurs T1 à T4 sont maintenus ouverts par le circuit CMD, en dehors de la durée Tsic, le fonctionnement du bus n'est pas modifié par rapport au cas où le dispositif SIC-DEV est absent.
Par ailleurs, la présence de la diode D1 couplant les lignes respectives CANH et CANL au potentiel VDD avec l'anode de la diode D1 du côté du potentiel VDD permet d'absorber les surtensions positives du mode commun de sorte que cette surtension ne s'applique pas au potentiel VDD ou, dit autrement, que le potentiel VDD ne soit pas modifié par cette surtension positive du mode commun. Cela est vrai que les transistors T1 et T3 soient à l'état passant, ou qu'ils soient à l'état bloqué. En effet, dans ce dernier cas, la surtension positive du mode commun des lignes CANH et CANL est propagée dans ces transistors T1 et T3 par l'intermédiaire de leurs diodes de corps ("body diode") . De manière symétrique, la présence dans chacune des branches 310 et 312 d'une diode couplant les lignes respectives CANH et CANL au potentiel GND avec la cathode de la diode du côté du potentiel GND permet d'absorber les surtensions négatives du mode commun de sorte que cette surtension ne s'applique pas au potentiel GND ou, dit autrement, que le potentiel GND ne soit pas modifié par cette surtension négative du mode commun. Cela est vrai que les transistors T2 et T4 soient à l'état passant, ou qu'ils soient à l'état bloqué. En effet, dans ce dernier cas, la surtension négative du mode commun des lignes CANH et CANL est propagée dans ces transistors T2 et T4 par l'intermédiaire de leurs diodes de corps ("body diode") .
A titre d'exemple, le circuit CMD commande les interrupteurs T1 à T4 à partir du signal SIC-SIG. Dans ce cas, le circuit CMD comprend une borne 322 connectée à la borne 308 du circuit SIC-DEV, de sorte à recevoir le signal SIC-SIG et à générer les signaux sig1 et sig2 à partir du signal SIC-SIG.
La illustre un exemple de mode de réalisation du circuit CMD de la . Dans l'exemple de la , le circuit CMD comprend la borne 320 configurée pour être connectée au potentiel de référence GND, et la borne 318 connectée aux sources des transistors T1 et T3 qui sont elles-mêmes connectées à la cathode de la diode D1 ( ). Dans cet exemple, la borne 318 reçoit un potentiel qui sert de potentiel d'alimentation local au circuit CMD.
Le circuit CMD comprend la borne 314 configurée pour fournir le signal sig1 de commande des transistors T1 et T3.
Dans ce mode de réalisation, le circuit CMD comprend une résistance R6 connectée entre les bornes 318 et 314, c'est-à-dire entre la source et la grille du transistor T1. Le circuit CMD comprend en outre une source de courant 400. La source de courant 400 est configurée pour fournir, à chaque transmission successivement d'un bit dominant et d'un bit récessif sur le bus par le dispositif Dev1' comprenant le circuit SIC-DEV comprenant lui-même le circuit CMD, un courant I à la résistance R6 pendant la durée Tsic correspondante, c'est-à-dire pendant toute cette durée Tsic. De plus, la source 400 est configurée pour ne pas fournir le courant I en dehors de ces durées Tsic. De préférence, la source de courant 400 a une borne connectée à la borne 320 du circuit CMD et une borne couplée à la résistance R6, plus particulièrement la borne de la résistance R6 connectée à la borne 314.
Ainsi, pendant chaque durée Tsic, la résistance R6 présente une tension non nulle à ses bornes qui est suffisante pour rendre passant les transistors T1 et T3. Le choix de la valeur de résistance de la résistance R6 et de la valeur du courant I pour obtenir ce fonctionnement est à la portée de la personne du métier.
Selon un mode de réalisation, pour que la source 400 ne délivre le courant I à la résistance R6 que pendant les durées Tsic, le circuit de commande CMD comprend un interrupteur IT1 connecté entre la source de courant 400 et la résistance R6 (borne 314), et le circuit CMD est configuré pour mettre cet interrupteur IT1 à l'état passant pendant toute la durée de chaque durée Tsic, et à l'état bloqué sinon. Dit autrement, la résistance R6, l'interrupteur IT1 et la source de courant 400 sont connectés en série, dans cet ordre, entre les bornes 318 et 320.
A titre d'exemple, le circuit CMD comprend un circuit DRIVER configuré pour commander l'interrupteur IT1 de la manière décrite ci-dessus. Selon un mode de réalisation, le circuit DRIVER a une borne connectée à la borne 322 pour recevoir le signal SIC-SIG, le circuit DRIVER commandant alors l'interrupteur IT1 à partir du signal SIC-SIG.
Selon une variante de réalisation, la source de courant 400 est configurée pour être sélectivement éteinte ou allumée par le circuit CMD, par exemple par le circuit DRIVER, par exemple sur la base du signal SIC-SIG. Le circuit CMD n'active alors la source 400 que pendant les durées Tsic, et, en outre, l'interrupteur IT1 est omis.
Le circuit CMD comprend en outre la borne 316 configurée pour fournir le signal sig2 de commande des transistors T2 et T4.
Du fait que les transistors T2 et T4 ont leurs sources connectées au potentiel GND ( ), la mise en œuvre dans le circuit CMD d'un circuit générant le signal sig2, par exemple à partir du signal SIC-SIG, est à la portée de la personne du métier.
Cependant, dans certains cas, le processeur d’images peut être incapable de déterminer la position du motif lumineux de visée, et peut donc être incapable de déterminer une distance pour régler l’élément de mise au point. Ainsi, le module de mise au point peut fixer la caractéristique focale de l’ensemble d’imagerie sur la base du dépassement par les conditions d’éclairage ambiant d’un seuil prédéterminé (bloc 510b). Le processeur d’images peut déterminer les conditions d’éclairage ambiant à partir d’au moins une parmi la première image, la deuxième image ou une troisième image. Dans un exemple, la troisième image est une quelconque image capturée après la première image ou la deuxième image. Dans un autre exemple, le processeur d’images utilise un seuil prédéterminé de 2000 lux.