Procédé de fabrication d'un dispositif électronique (10) comprenant un transistor bipolaire (12), le collecteur (30, 32, 34) du transistor bipolaire comprenant des première (30, 32) et deuxième (34) régions, la deuxième région (34) étant entre la première région (30, 32) et la base (40, 40a, 40b) du transistor bipolaire, le procédé comprenant la fabrication d'un élément conducteur (36) entourant au moins partiellement la deuxième partie (34) et étant situé entre la première partie (30, 32) et la base (40, 40a, 40b), le procédé comprenant la formation d'une première couche isolante (56) dans un substrat (16), la gravure d'une première cavité (58) dans la première couche (56) et le remplissage de la première cavité (58) par un matériau conducteur de manière à former une région conductrice (62) le procédé comprenant la formation d'une deuxième couche isolante (64) recouvrant la région conductrice (62), la formation d'une deuxième cavité (80) traversant la région conductrice (62) de manière à former l'élément conducteur (36) à partir de la région conductrice et la formation de troisième couche isolante (82) recouvrant les parois latérales découvertes de l'élément conducteur (36). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'élément conducteur (36) entoure entièrement la deuxième partie (34). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'élément conducteur (36) est en silicium polycristallin. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le transistor bipolaire comprend un plot de polarisation relié à l'élément conducteur (36). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le dispositif comprend un transistor MOSFET (14) dans et sur une portion (17b) du substrat (16) dans et sur lequel est formé le transistor bipolaire. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le procédé comprend la formation de la première région (30, 32) du collecteur par dopage du substrat et la formation de la deuxième région (34) du collecteur dans la deuxième cavité (80) par croissance épitaxiale à partir de la première partie (30, 32). Procédé selon la revendication 6, dans lequel le procédé comprend la formation d'un transistor à effet de champ à grille isolée (14), des portions du transistor à effet de champ à grille isolée étant formée lors de l'étape de dopage de la première région. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le procédé comprend la formation de la base sur la deuxième couche isolante (64). Dispositif électronique (10) comprenant un transistor bipolaire (12), le collecteur (30, 32, 34) du transistor bipolaire comprenant des première (30, 32) et deuxième (34) régions, la deuxième région (34) étant entre la première région (30, 32) et la base (40, 40a, 40b) du transistor bipolaire, le transistor bipolaire comprenant un élément conducteur (36) entourant au moins partiellement la deuxième partie (34) et étant situé entre la première partie (30, 32) et la base (40, 40a, 40b), le dispositif étant obtenu par un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8. Procédé d'utilisation d'un dispositif selon la revendication 9, dans lequel le procédé comprend la polarisation de l'élément conducteur (36) à un potentiel positif si le transistor bipolaire est de type NPN et à un potentiel négatif si le transistor bipolaire est de type PNP. Procédé selon la revendication 10, dans lequel le potentiel a une valeur absolue inférieure à 5V. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel la valeur du potentiel est indépendante de la valeur appliquée à la base, au collecteur et à l'émetteur du transistor bipolaire. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 0 à 12, dans lequel le dispositif comprend deux transistors bipolaires (12), le dispositif étant configuré pour que l'élément conducteur (36) de l'un des transistors (12) soit polarisé à une tension comprise entre 0 V et 5 V et que l'élément conducteur de l'autre transistor (12) soit polarisé à une tension comprise entre -5 V et 0 V.