INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la première étape E1, le véhicule automobile est avantageusement placé à hauteur d’homme, les roues du véhicule se situant à proximité du sol. Une trappe disposée sur le plancher du véhicule automobile 100 permet à un opérateur d’intervenir sous le véhicule, notamment sur la face inférieure 71 de la caisse 7 du véhicule automobile 100.
Sauf spécification contraire, toutes les valeurs numériques exprimant une quantité d'ingrédients et similaires qui sont utilisées dans la description et les revendications doivent être comprises comme étant modifiées par le terme « environ ». En conséquence, sauf indication contraire, les valeurs numériques et les paramètres décrits ici sont des valeurs approximatives qui peuvent être changées en fonction de l’objectif souhaité, le cas échéant.
Au sens de la présente invention, l'expression « matières kératineuses » est censée couvrir la peau humaine et les muqueuses comme les lèvres. Le cuir chevelu est tout particulièrement considéré selon la présente invention.
La composition selon la présente invention comprend : au moins un solvant liquide choisi parmi les monoalcools contenant 6 atomes de carbone ou plus, les diols contenant 4 atomes de carbone ou plus et les diol éthers contenant 4 atomes de carbone ou plus ; et un mélange d’acide gras et d’ester comprenant un composant acide gras comprenant au moins 3 acides gras à chaîne moyenne, et, un composant ester comprenant au moins 3 monoesters d’acides gras à chaîne moyenne avec un polyol,
dans laquelle le rapport en poids entre le solvant liquide et le mélange d’acide gras et d’ester est supérieur à 1,5 : 1 et inférieur à 25:1.
Solvants liquides Selon le premier aspect, la composition de la présente invention comprend au moins un solvant liquide choisi parmi les monoalcools contenant 6 atomes de carbone ou plus, les diols contenant 4 atomes de carbone ou plus, et les diol éthers contenant 4 atomes de carbone ou plus.
L'expression « solvant liquide » signifie que le solvant est capable de s’écouler sous son propre poids, à température ambiante (20 °C) et à pression atmosphérique (760 mmHg).
Tels qu’ils sont utilisés ici, les monoalcools désignent des alcools comprenant un seul hydroxyle.
À titre d’exemples de monoalcools appropriés pour la composition selon la présente invention, on peut citer l’octyldodécanol, l’alcool isostéarylique et l’éthoxydiglycol.
Tels qu’ils sont utilisés ici, les diols désignent les alcools comprenant deux hydroxyles.
À titre d’exemples de diols appropriés pour la composition selon la présente invention, on peut citer le butylène glycol, le pentylène glycol, l’hexylène glycol et le caprylyl glycol.
Tels qu’ils sont utilisés ici, les diols éthers désignent les éthers formés par les diols.
À titre d’exemples de diol éthers appropriés pour la composition selon la présente invention, on peut citer le dipropylène glycol et le diéthylène glycol.
Préférentiellement, le solvant liquide est choisi parmi le caprylyl glycol, l’hexylène glycol, le dipropylène glycol, l’octyldodécanol, l'alcool isostéarylique, l’éthoxydiglycol et leur combinaison.
Plus préférentiellement, le solvant liquide est choisi parmi l’octyldodécanol, le dipropylène glycol, l’hexylène glycol, le caprylyl glycol et leur combinaison.
Avantageusement, le solvant liquide présent dans la composition selon la présente invention en une quantité allant de plus de 5 % en poids à 80 % en poids, par rapport au poids total de la composition.
Il serait donc souhaitable de disposer de dispositifs similaires aux dispositifs Dev1 et Dev2 qui soient destinés à être connectés au bus 2 et qui permettent de réduire, voire de supprimer, les oscillations parasites sur les lignes CANH et CANL qui se produisent à chaque début d'un bit récessif rb suivant immédiatement un bit dominant db.
Par exemple, il serait souhaitable d'avoir un dispositif destiné à être connecté au bus 2 qui permette d'assurer, à chaque transmission par le dispositif sur le bus 2 d'un bit dominant db immédiatement suivi d'un bit récessif rb, une impédance différentielle entre les lignes CANH et CANL de l'ordre de 100 ohms pendant une durée Tsic débutant avec le bit récessif rb, et, en outre une impédance de fin de ligne de l'ordre de 50 ohms sur chacune des lignes CANH et CANL pendant cette durée Tsic. Comme cela est illustré en pour le bit rb dont la transmission commence à l'instant t2, la durée Tsic se termine avant la fin de l'émission du bit récessif rb correspondant, par exemple à un instant t3 postérieur à l'instant t2 dans l'exemple de la .
Par ailleurs, il serait également souhaitable que ce dispositif destiné à être connecté au bus 2 permette de supporter et/ou d'absorber des variations de la valeur du mode CM, ces variations ayant des valeurs pouvant atteindre jusqu'à 40 V ou -40V par rapport au mode commun CM nominal, par exemple, sensiblement égal à 2,5 V.
Il est ici proposé un circuit, ou dispositif, destiné à être implémenté dans un dispositif du type des dispositifs Dev1 et Dev2 décrits précédemment, c'est-à-dire dans un dispositif destiné à être connecté à bus bifilaire série sur lequel des bits dominants et récessifs sont transmis via la tension différentielle entre les deux lignes du bus. Le dispositif proposé permet de résoudre tout ou partie des inconvénients des dispositifs Dev1 et Dev2 connus destinés à être connectés à un tel bus.
Par exemple, le dispositif proposé permet de mettre en œuvre, pendant toute la durée de chaque durée Tsic au début d'un bit récessif transmis par le dispositif immédiatement après un bit dominant transmis par ce même dispositif, les valeurs d'impédances différentielles et de fin de ligne données ci-dessus.
La représente, de manière schématique, un mode de réalisation d'un tel dispositif, référencé SIC-DEV en .
Comme cela est illustré en , le dispositif SIC-DEV est destiné à faire partie, ou fait partie, d'un dispositif Dev1' similaire aux dispositifs Dev1 et Dev2 décrits précédemment. Ainsi, sauf indication contraire, tous ce qui a été indiqué pour les dispositifs Dev1 et Dev2 s'applique au dispositif Dev1'.
En particulier, le dispositif Dev1' comprend les mêmes bornes 100, 102, 104 et 106 que les dispositifs Dev1 et Dev2.
Le dispositif Dev1' comprend, comme les dispositif Dev1 et Dev2, un circuit R/W ayant ses bornes 108, 110, 116 et 114 connectées aux bornes 100, 102, 104 et 106 du dispositif Dev1', de la même façon qu'en pour les dispositifs Dev1 et Dev2.
Toutefois, par rapport aux circuits R/W décrits en relation avec la , de préférence le circuit R/W du dispositif Dev1' est en outre configuré pour fournir, à chaque transmission successivement d'un bit dominant et d'un bit récessif sur le bus 2 par le dispositif Dev1', un signal SIC-SIG indiquant le début et la fin de la durée Tsic correspondante. Par exemple, le signal Tsic est un signal binaire dans un premier état binaire pendant chaque durée Tsic, et dans un deuxième état binaire sinon.
De manière similaire aux dispositifs Dev1 et Dev2 précédemment décrits, le dispositif Dev1' comprend un ou plusieurs circuits mettant en œuvre des fonctionnalités du dispositif Dev1', ces circuits étant représentés sous la forme d'un bloc FCT1 en . A titre d'exemple, le bloc FCT1 du dispositif Dev1' est connecté au circuit R/W du dispositif Dev1', par exemple pour fournir au circuit R/W des bits à transmettre sur le bus et/ou pour recevoir du circuit R/W des bits lus sur le bus.
Par rapport aux dispositifs Dev1 et Dev2, le dispositif Dev1' comprend en outre le dispositif SIC-DEV.
Comme cela est illustré en et en , le dispositif SIC-DEV comprend une borne 300 destinée à être connectée à la ligne CANL, cette borne 300 étant donc connectée à la borne 102 du dispositif Dev1' en , et une borne 302 destinée à être connectée à la ligne CANH, cette borne 302 étant donc connectée à la borne 100 du dispositif Dev1' en .
En outre, le circuit SIC-DEV comprend une borne 304 destinée à être connectée à un potentiel d'alimentation, cette borne 304 étant donc connectée à la borne 106 du dispositif Dev1' en pour recevoir le potentiel VDD, et une borne 306 destinée à être connectée à un potentiel de référence, cette borne 306 étant donc connectée à la borne 104 du dispositif Dev1' en pour recevoir le potentiel GND.
Selon un mode de réalisation, le dispositif SIC-DEV reçoit, par exemple sur une borne 308, le signal SIC-SIG fourni par le circuit R/W du dispositif Dev1'. Par exemple, la borne 308 du dispositif SIC-DEV est connectée à une borne 500 du circuit R/W, la borne 500 fournissant le signal SIC-SIG.
Comme cela se voit en , le dispositif SIC-DEV comprend une diode D1 ayant une première électrode, par exemple son anode, connectée à la borne 304, ainsi qu'une première branche 310 et une deuxième branche 312 chacune connectée entre une deuxième électrode de la diode D1, par exemple sa cathode, et la borne 306.
L’invention porte en outre sur un procédé de montage d’un véhicule automobile selon l’invention, comprenant : - une étape de fixation du boîtier de protection contenant la batterie sur la structure de fixation, puis - une étape de fixation d’un moyen de fixation du deuxième type, équipant le premier ensemble de câblages reliant la batterie au boîtier à fusibles, à un moyen de fixation du premier type disposé sur l’au moins une sangle du boîtier de protection, puis - une étape de pré-positionnement sous la caisse du véhicule du deuxième ensemble de câblages et des premier et deuxième tuyaux, puis - une étape de fixation d’au moins un moyen de fixation du deuxième type équipant chacun des deuxième ensemble de câblages, premier tuyau et deuxième tuyau, à un moyen de fixation du premier type disposé sur l’au moins une sangle du boîtier de protection.
Les dessins annexés représentent, à titre d’exemple, un mode de réalisation d’un boîtier de protection selon l’invention.
La représente un mode de réalisation d’un véhicule automobile équipé d’un boîtier de protection selon l’invention.
La illustre un mode de réalisation d’un agencement comprenant un boîtier de protection selon l’invention.
Un mode de réalisation d’un véhicule automobile 100 selon l’invention est décrit ci-après en référence aux figures 1 et 2. Le véhicule automobile 100 est un véhicule automobile de n’importe quel type, notamment un véhicule de tourisme ou un véhicule utilitaire.
Le véhicule automobile 100 comprend une caisse 71. Dans la suite du document, le terme « face inférieure de la caisse » désigne une surface de la caisse 71 qui est située sous le véhicule automobile, en vis-à-vis de la route.
Le véhicule automobile 100 comprend un agencement 10 comprenant un boîtier de protection 1 pour batterie selon l’invention, une batterie 2 disposée dans le boîtier de protection, et au moins un équipement fixé à l’au moins un deuxième moyen de fixation de l’au moins une sangle 11, 12 du boîtier de protection 1. L’équipement 3 peut être par exemple un boîtier de dépollution 34, ou un tuyau 41, 42, ou un ensemble de câblages 51, 52.
Dans la suite du document, les termes « boîtier de protection » ou « boîtier de protection pour batterie » désignent un contenant destiné à contenir une batterie 2 de véhicule automobile. Le boîtier de protection 1 protège la batterie 2 contre les chocs, ou encore les projections d’eau. En effet, dans le mode de réalisation décrit, la batterie 2 est préférentiellement disposée sous une face inférieure de la caisse 71 du véhicule automobile 100.
Dans le mode de réalisation décrit, la batterie 2 est une batterie 14 Volts, dite de taille L5.
Un boîtier de protection 1 selon l’invention est équipé d’au moins une sangle 11, 12 comprenant un premier moyen de fixation 111, 121 du boîtier 1 sur une première structure de fixation 7 du véhicule automobile 100.
Dans la suite du document, le terme « sangle » désigne une pièce allongée et pliée, dont l’épaisseur significativement plus faible que les autres dimensions de la pièce. Dans un mode de réalisation préférentiel, le terme « sangle » désigne une pièce rigide. Dans un mode de réalisation, une sangle est une pièce métallique, notamment une sangle peut être obtenue par découpage et pliage d’une feuille métallique.
Dans le mode de réalisation décrit par la , le boîtier de protection comprend une première sangle 11 et une deuxième sangle 12, chaque sangle comprenant un premier moyen de fixation 111, 121 permettant de fixer la sangle à la face inférieure de la caisse 7 du véhicule automobile 100.
Dans ce mode de réalisation, l’au moins une sangle 11, 12 est en forme d’un arceau 1110, 1210, et le premier moyen de fixation 111, 121 comprend une fixation d’une première extrémité 1111, 1211 et d’une deuxième extrémité 1112, 1212 de l’arceau 1110, 1210 à la première structure de fixation 7.
De plus, une partie médiane 1113, 1213 de l’au moins une sangle 11, 12 en forme d’arceau est apte à supporter un poids du boîtier de protection 1 et d’une batterie 2 contenue dans le boîtier de protection 1 lorsque le boîtier est fixé sous la structure de fixation 7.
Dans le mode de réalisation décrit, la fixation des extrémités 1111, 1211, 1112, 1212 à la structure de fixation peut être réalisée par des écrous.
De plus, l’au moins une sangle d’un boîtier de protection selon l’invention comprend au moins un deuxième moyen de fixation 1121, 1122, 1123, 1124, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225 d’un équipement 3 du véhicule automobile 100. Un équipement 3 peut comprendre un tuyau 4 un câblage 5 du véhicule automobile 100. Un équipement 3 peut également comprendre, par exemple, un boîtier de dépollution des gaz d’échappement du véhicule.
Le Tab. 10 montre que les trois exemples E24’c, E2c et E24’’c selon l’invention permettent un gain (augmentation) de sélectivité, s, par rapport, respectivement, au contre-exemple CEc sans couche à base d’oxyde de tungstène.
Le Tab. 10 montre que pour une transmission lumineuse TL similaire de l’ordre de 70 %, le facteur solaire, g, est meilleur (plus bas) lorsque chaque module diélectrique comporte une (et une seule) couche à base d’oxyde de tungstène (exemple E24’’c). La sélectivité est légèrement plus élevée (quoiqu’en pratique très proche), lorsqu’une couche à base d’oxyde de tungstène est prévue dans le premier et le dernier module diélectrique (exemple E2c).
La comparaison des propriétés des exemples E24’’c et E24c selon l’invention montre que l’effet de la couche à base d’oxyde de tungstène est plus grand (facteur solaire plus bas) lorsque les trois modules diélectriques comportent tous une couche à base d’oxyde de tungstène par rapport à une configuration dans laquelle seul le premier module diélectrique comporte une couche à base d’oxyde de tungstène.
Dans une autre série d’exemples E15’a, E16’a, E15’b, E16’b, E15’c, et E16’c de substrat selon le premier aspect de l’invention la présence de la couche d’oxyde de tungstène C1 est testée dans le premier module diélectrique 120 pour tous ces exemples avec en outre : - pour la série E15’ : une couche diélectrique à haut indice de réfraction à base de nitrure 204 dans le troisième module diélectrique 200 ; et - pour la série E16’ : une couche de contact à base d’oxyde 203 dans le troisième module diélectrique 200. Ces exemples sont comparés aux mêmes exemples E13’a, E13’b et E13’c que précédemment (pour les propriétés).
Tab. 11 E15’a E16’a E15’b E16’b E15’c E16’c 300 TiOx 1 1 1 1 1 1 206 SiN 6 5 5 5 5 10 204 SiZr17N 21 - 23 - 24 - 200 200a CWO - - - - - - 203 TiOx - 24 - 24 - 20 202 ZnO 5 - 5 - 5 - 190 NiCr 0,7 - 0,7 - 0,7 - 180 Ag 18,8 19,3 17,8 18,8 17,0 18,1 170 NiCr 0,2 0,2 - - - - 169 ZnO 5 5 5 5 5 5 140 168 SnZnO 10 10 10 10 10 10 164 SiN 69 69 71 71 71 71 162 ZnO 5 5 5 5 5 5 150 NiCr 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 140 Ag 14,7 15,3 15,3 14,4 14,5 16,7 130 NiCr 1,0 1,0 1,3 3,0 - - 129 ZnO 5 5 5 5 5 5 120a CWO 15 13 24 19 16 16 120 126 SiN 9 31 - - - - 125 NiCr 1,8 1,7 - - - - 124 SiN 7 6 5 5 10 10 10 verre 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm
Le tableau 12 présente des propriétés de ces exemples et les compare aux contre-exemples précédant.
Tab. 12 E13’a E15’a E16’a E13’b E15’b E16’b E13’c E15’c E16’c TL 49,4 49,9 49,8 60,0 59,2 59,6 69,0 69,0 69,0 g 25,9 24,8 24,7 30,5 29,3 29,2 35,9 35,3 34,8 s 1,908 2,015 2,013 1,968 2,024 2,040 1,921 1,952 1,983 a*T -7,5 -8,3 -6,9 -6,7 -6,6 -5,6 -5,2 -5,1 -5,2 b*T -3,1 -1,7 -2,9 -3,0 -2,3 -2,2 -1,3 -0,9 -1,4 Rext 18,0 15,5 17,9 16,5 16,3 16,2 15,0 15,0 15,0 a*Rext -1,0 -2,3 -3,0 -1,0 -2,3 -3,0 -1,1 -1,0 -1,0 b*Rext 0,0 0,0 0,0 -1,1 -2,1 -2,2 -4,2 -4,0 -4,0 Rint 20,5 18,5 20,3 18,1 18,0 16,4 15,7 15,7 15,6 a*Rint -0,7 -0,5 -2,7 -1,5 -3,0 -2,3 -1,6 -2,1 -1,3 b*Rint -5,1 -5,0 -5,0 -6,2 -5,7 -5,6 -5,0 -2,8 -3,9
Le Tab. 12 montre que les six exemples E15’a, E16’a, E15’b, E16’b, E15’c, et E16’c selon l’invention présentent une transmission lumineuse TL similaire à celle, respectivement des contre-exemples CEa, CEb et CEc et un facteur solaire, g, meilleur (plus bas) que ceux des contre-exemples CEa, CEb et CEc.
Le Tab. 12 montre que les six exemples E15’a, E16’a, E15’b, E16’b, E15’c, et E16’c selon l’invention permettent un gain (augmentation) de sélectivité, s, par rapport, respectivement, aux exemples E13’a, E13’b et E13’c. Ce gain illustre l’effet synergique de la combinaison de la couche C1 à base d’oxyde de tungstène dans le premier module diélectrique avec dans le troisième module diélectrique : une couche diélectrique à haut indice de réfraction à base de nitrure 204 ou une couche de contact à base d’oxyde 203.
La résume les sélectivités des exemples E1a, E1b et E1c selon l’invention, des exemples E13’a, E13’b et E13’c selon l’invention, des exemples E15’a, E16’a, E15’b, E16’b, E15’c, et E16’c selon l’invention et des contre-exemples CEa, CEb et CEc et montre que la sélectivité des exemples est toujours plus élevée que celle des contre-exemples pour une transmission lumineuse similaire et que cette sélectivité est plus élevée ou similaire pour les basses transmissions lumineuses de 50 % et 60 % lorsque le premier et le troisième module diélectrique comportent chacun une couche à base d’oxyde de tungstène. Pour les moyennes ou hautes transmissions lumineuses (70 % ou plus), il peut être préférable de prévoir une seule couche à base d’oxyde de tungstène, dans le premier module diélectrique ; une couche diélectrique à haut indice de réfraction à base de nitrure ou une couche de contact à base d’oxyde dans le troisième module diélectrique peut favoriser l’obtention d’une sélectivité élevée.
Des exemples E25’a, E25’b et E25’c selon l’invention et des exemples E26’a, E26’b et E26’c selon l’invention ont été réalisés de manière similaire, respectivement un à un aux exemples E15’a, E15’b, E15’c E16’a, E16’b, et E16’c selon l’invention en remplaçant uniquement la couche C1 par la couche C2 ; des exemples E25’d et E26’d ont en outre été conçus pour des configurations de double vitrage présentant une transmission lumineuse d’environ 75 %. Des exemples E24’a, E24’b et E24’d selon l’invention ont été réalisés de manière similaire, respectivement un à un aux exemples E2a, E2b et E2d selon l’invention en utilisant une seule couche C2, dans le premier module diélectrique (c’est-à-dire sans couche dans le troisième module diélectrique), comme pour l’exemple E24’c présenté ci-avant.
La résume les sélectivités des exemples E2a, E2b, E2c et E2d selon l’invention, des exemples E24’a, E24’b, E24’c, et E24’d selon l’invention, des exemples E25’a, E25’b, E25’c, et E25’d selon l’invention, des exemples E26’a, E26’b, E26’c et E26’d selon l’invention et des contre-exemples CEa, CEb, CEc et CEd. Cette montre que la sélectivité des exemples est toujours plus élevée que celle des contre-exemples pour une transmission lumineuse similaire. Cette montre en outre que cette sélectivité est plus élevée ou similaire lorsque le premier et le troisième module diélectrique comportent chacun une couche à base d’oxyde de tungstène pour les basses transmissions lumineuses de 50 % et 60 % ou pour la transmission lumineuse moyenne de 70 %. Pour les hautes transmissions lumineuses (plus que 70 %), il peut être préférable de prévoir une seule couche à base d’oxyde de tungstène, dans le premier module diélectrique ; une couche diélectrique à haut indice de réfraction à base de nitrure ou une couche de contact à base d’oxyde dans le troisième module diélectrique peut favoriser l’obtention d’une sélectivité élevée.
Ces exemples illustrent très clairement les avantages des substrats de l’invention, à savoir qu’ils possèdent un facteur solaire réduit, une sélectivité plus élevée, et présentent une couleur neutre, tant en transmission que pour les réflexions.
DISPOSITIF DE COMPOSTAGE Domaine de l’invention L’invention concerne un dispositif de compostage, plus particulièrement destiné à un usage collectif ou professionnel, tel que notamment destiné à la restauration collective ou commerciale, aux cantines, aux immeubles collectifs, aux EHPAD, aux commerces de fruits et légumes etc… de manière générale à tout producteur de déchets organiques également appelés biodéchets.
Plus précisément, une première couche catalytique forme la cathode et une deuxième couche catalytique forme l’anode.
La ou les couches catalytiques présentent une épaisseur de l’ordre de 0,001 à 0,010 mm.
La ou les couches catalytiques présentent généralement une charge de catalyseur supporté d’environ 0,1 à 0,5 mg/cm 2 .
L’invention concerne aussi un assemblage membrane-électrode qui comporte une membrane de base de pile à combustible, ou membrane polymère échangeuse de protons, portant sur une ou ses deux faces une couche catalytique formée d’une encre telle que décrite ici, séchée, ou une couche catalytique telle qu’obtenue par la mise en œuvre du procédé de formation d’une telle couche tel que décrit ici.
Notamment, la membrane de base comprend ou est constituée d’un matériau polymère, notamment un ionomère perfluorosulfoné acide ou acide perfluorosulfonique (PFSA), de préférence un copolymère de tétrafluoroéthylène et d’éther vinylique de fluorure de sulfonyle comme le NAFION®. La membrane ainsi revêtue peut être maintenue dans un cadre, formant ainsi l’assemblage membrane-électrode.
Suivant une caractéristique, cette membrane de base comporte ou est constituée d’un matériau polymère qui est un ionomère perfluorosulfoné acide ou acide perfluorosulfonique (PFSA), de préférence un copolymère de tétrafluoroéthylène et d’éther vinylique de fluorure de sulfonyle comme le NAFION™. Elle peut notamment présenter une épaisseur de l’ordre de 0,005 à 0,050 mm.
Cette membrane de base peut éventuellement être composée de plusieurs couches, dont l’une contient un ionomère perfluorosulfoné acide ou acide perfluorosulfonique (PFSA), seul ou en association avec un ou plusieurs matériaux, de nature polymère ou non.
Une couche de diffusion de gaz (GDL) est un média poreux et électriquement conducteur. Elle peut être notamment réalisée en fibres de carbone qui sont tissées ou tricotées ensemble ou sont sous forme de textile non-tissé ou mat. Suivant une caractéristique, une GDL peut être traitée pour lui apporter une propriété additionnelle, comme de l’hydrophobicité avec un revêtement en polymère hydrophobe (PTFE par exemple), chargé de particules ou de fibres de carbone pour conserver le caractère électriquement conducteur.
L’invention concerne alors une GDL portant sur une de ses faces une couche catalytique formée d’une encre telle que décrite ici, séchée, ou une couche catalytique telle qu’obtenue par la mise en œuvre du procédé de formation d’une telle couche tel que décrit ici. La couche catalytique présente une épaisseur de l’ordre de 0,001 à 0,010 mm.
L’invention concerne donc aussi une membrane-électrode ou un assemblage membrane-électrode associant au moins une membrane de base portant une couche catalytique selon l’invention, et une GDL portant une couche catalytique selon l’invention. La membrane de base porte une couche catalytique sur une première face, la deuxième face en étant dépourvue. La GDL porte une couche catalytique sur une première face. C’est par cette face portant la couche catalytique que la GDL est appliquée sur la membrane de base, sur la deuxième face de cette dernière, dépourvue de couche catalytique.
L’invention concerne encore une pile à combustible comportant plusieurs de ces membrane-électrode ou assemblages membrane-électrode.