INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans certains modes de réalisation de l’invention, certaines des clés publiques ou privées (par exemple, les clés de preuve et clés applicatives) sont des clés étendues, et les clés peuvent être dérivées les unes des autres grâce à une dérivation de clé étendue.
La dérivation de clé étendue permet de dériver séparément, à partir d’une paire de clé publique / clé privée parente, une paire de clé publique / clé privée enfant : la clé publique enfant peut être dérivée à partir de la clé publique parente (ou de la clé privée parente), mais la clé privée enfant correspondante doit être dérivée à partir de la clé privée parente.
Ainsi, la clé publique enfant peut être dérivée à partir de la clé publique parente sans avoir à aucun moment besoin de générer la clé privée enfant, mais il reste possible si besoin de dériver la clé privée enfant à partir de la clé privée parent.
La dérivation de clés étendue peut par exemple utiliser une fonction de hachage de type HMAC.
En complément, une clé privée et une clé publique d’une même paire peuvent être liées entre elles par une courbe elliptique. Elles peuvent par exemple être liées par l’algorithme ECDSA (Elliptic Curve Digital Signature Algorithm).
D’autres algorithmes peuvent être mis en œuvre pour lier les clés publiques et clés privées. Par exemple, elles peuvent être liées par l’algorithme Schnorr.
Ceci permet de dériver la clé publique d’une paire à partir de la clé publique et de la courbe elliptique, mais il est en pratique impossible de dériver la clé privée à partir de la clé publique. Ceci permet donc de regénérer au besoin les clés publiques à partir des clés privés, sans permettre aux détenteurs d’une clés publique de retrouver la clé privée correspondante.
La méthode P3 peut ainsi comprendre une étape P34 de dérivation de la clé publique applicative à partir de la clé publique de preuve.
Le calcul de la moyenne glissante des mesures du capteur à effet Hall décrit précédemment peut également être mis en œuvre pour déterminer l’arrivée dans une position stabilisée de l’organe par rapport au corps, tel que cela est évoqué précédemment.
Selon un mode de réalisation particulier, de la pluralité de mesures (M 1 , M 2 , …M n ) acquises sont extraites les valeurs minimale M min et maximale M max pour déterminer l’écart d’amplitude de la pluralité de mesures (M 1 , M 2 , …M n ). Cet écart d’amplitude est calculé en soustrayant la valeur minimale M min à la valeur maximale M max précédemment extraites. Si l’écart d’amplitude ainsi déterminé est inférieur au seuil limite fixé, alors on calcul la moyenne de la pluralité de mesures (M 1 , M 2 , …M n ), qui fixe la valeur de référence du champ magnétique CMR. Dans le cas où l’écart d’amplitude est supérieur au seuil limite fixé, on reprend la procédure par l’acquisition d’une nouvelle pluralité de mesures (M 1 , M 2 , …M n ) qui écrase la précédente pluralité de mesures, afin de calculer un nouvel écart d’amplitude et poursuivre les étapes précédemment décrites jusqu’à obtenir la valeur de référence du champ magnétique CMR.
L’unité électronique 6 est paramétrée pour déclencher périodiquement le cycle de calibration. De cette manière, la première borne et la seconde borne enregistrées dans l’unité électronique 6 sont mises à jour régulièrement.
Le capteur distinct 91 est également utilisé pour déclencher le cycle de calibration.
En effet, l’unité électronique 6 est paramétrée pour surveiller la position de l’ouvrant 1 par rapport au dormant 2 et détecter une stabilisation de la position de l’ouvrant 1. Cette détection est réalisée par le biais du capteur distinct 91.
Suite à la détection d’une stabilisation de la position de l’ouvrant 1 dans une position prédéterminée, l’unité électronique 6 est paramétrée pour déclencher le cycle de calibration.
De manière similaire, une variation de température ambiante ou de l’hygrométrie ambiante peut déclencher le cycle de calibration.
En effet, le système comprend un capteur de température 92 ambiante, et l’unité électronique 6 est paramétrée pour surveiller la température par le biais du capteur de température 92 et détecter une variation de température. Dans ce cas, l’unité électronique 6 est paramétrée pour déclencher le cycle de calibration.
Le cycle de calibration précédemment décrit correspond à un procédé de calibration d’au moins une borne de déclenchement d’une action prédéterminée, et en l’occurrence de deux bornes dont l’une déclenche une action prédéterminée qui est la fermeture de l’ouvrant, et l’autre déclenche une autre action prédéterminée qui est l’ouverture de l’ouvrant.
Le procédé comprend également les différentes étapes du cycle de calibration précédemment détaillées.
Pour résumer, et en référence à la , ce procédé comprend : - une étape de détection de la stabilisation ES de la position de l’organe par rapport au corps ; - une étape de détermination ED d’une valeur de référence du champ magnétique CMR à l’aide du capteur à effet Hall 51 ; - une première étape de paramétrage EB1 de la première borne B 1 en fonction de la valeur de référence du champ magnétique CMR ; - une deuxième étape de paramétrage EB2 de la seconde borne B 2 en fonction de la valeur de référence du champ magnétique CMR ; - une étape de surveillance EU de paramètres du système pour déclencher un nouveau cycle de calibration au besoin.
L’étape de détection de la stabilisation ES peut mettre en œuvre : - une sous-étape de réalisation d’une pluralité de mesures M1, M2, …Mn du champ magnétique capté par le capteur à effet Hall 51 ; - une sous-étape de calcul d’une moyenne de la pluralité de mesures M1, M2, …Mn pour déterminer, grâce au maintien d’une nouvelle mesure Mn+1 dans la moyenne, une stabilisation de la position de l’organe par rapport au corps.
Le système et le procédé selon l’invention permettent de déclencher des actions prédéterminées, c’est-à-dire notamment une fermeture, et une ouverture pour le mode de réalisation précédemment décrits, de manière particulièrement réactive dès que l’organe est manipulé, et sans permettre de déclenchement non désiré d’une action prédéterminée.
Dispositif de serrure pour boîte aux lettres ou boîte à colis et boîte équipée d’un tel dispositif La présente invention concerne le domaine des systèmes de fermeture ou d’accès contrôlé, notamment en relation avec des contenants du type boîte aux lettres ou boîte à colis, ou en relation avec des ensembles collectifs de telles boîtes, et a pour objets un dispositif de serrure pour boîte aux lettres ou boîte à colis, ou pour un ensemble de telles boîtes, et une boîte ou ensemble équipé(e) d’un tel dispositif.
Dans de nombreux pays, dont la France, les portes des boîtes aux lettres et boîtes à colis, ainsi que les portes des ensembles collectifs de telles boîtes, sont équipées de serrures recommandées ou imposées par les services postaux. Celles-ci se caractérisent généralement par leur montage dans une ouverture standardisée dans la porte concernée et par leur utilisation en association avec des clés passe-partout (ou « pass ») normalement détenues par un nombre limité de personnes accréditées.
Toutefois, à fur et à mesure, ces pass sont volées ou copiées et les systèmes de fermeture existants moins sécurisés.
Le fournisseur de services transmet une requête REQ_3 de demande de fonction sécurisée dédiée, pour lui.
Selon certains modes de réalisation, cette demande de fonction sécurisée dédiée peut être dédiée à un ou à plusieurs, voire tous, les services proposés par le fournisseur de services. Ainsi, le fournisseur de services peut transmettre une requête REQ_3 dédiée pour chacun de ses services, il peut ainsi transférer autant de requêtes que de services qu’il propose. Il peut également transmettre une requête REQ_3 pour l’ensemble de ses services.
L’opérateur d’infrastructure transmet une demande de singularisation, pour le fournisseur de services ou pour un service particulier du fournisseur de service, au service de singularisation. Le service de singularisation détermine alors une troisième fonction de singularisation G’ et une quatrième fonction de singularisation V’. Le service de singularisation enregistre les fonctions G’ et V’.
La troisième fonction de singularisation G’ est transmise au dispositif, message TR_SG3 et la quatrième fonction de singularisation V’ est transmise au fournisseur de services, message TR_SG4.
Les messages TR_SG3 et TR_SG4 peuvent comprendre la quatrième fonction de singularisation sous la forme : - de code logiciel de la fonction, - d’un ensemble d’informations permettant audispositif client et au fournisseur de service de construire la fonction, ledit ensemble d’informations pouvant comprendre : - un identifiant de la fonction de sécurité transmise, - une liste LBA, - un accès sécurisé à un serveur comprenant le code de la fonction de sécurité transmise.
Ainsi, le fournisseur de services et le dispositif client disposent à la fois de fonctions de singularisation propres au dispositif client, G et G’ et propres au fournisseur de services, V et V’. Les deux fonctions sont combinées pour fournir une nouvelle fonction de sécurité singularisée. Les deux fonctions G et G’ peuvent être combinées simplement en les appliquant l’une après l’autre (la fonction G est appliquée sur le résultat de la fonction G’, ou inversement) et de même pour les fonctions V et V’, pour rendre possible le codage et le décodage (ou chiffrement/déchiffrement).
On peut ainsi avoir comme fonction de sécurité :
[MATH. 1] ou
[MATH. 2] ou
Comme mentionné précédemment, lorsque le composant ou le dispositif client ne dispose pas des capacités fonctionnelles suffisantes pour garantir le niveau de sécurité, alors la fonction de sécurité peut être distribuée sur plusieurs entités sur un chemin entre le dispositif client et le fournisseur de services, respectant des conditions préétablies par l’opérateur d’infrastructure et le fournisseur de services. Selon certains modes de réalisation, on peut alors envisager que les fonctions G et G’ sont distribuées, l’une sur le dispositif client, G par exemple et l’autre, G’, sur une passerelle située entre le dispositif client et le fournisseur de services. Dans ce mode de réalisation, les capacités fonctionnelles du dispositif client ne sont pas suffisantes pour implémenter le niveau de sécurité à garantir mais suffisantes pour implémenter une fonction G dont le niveau de sécurité est inférieur. Le niveau de sécurité à garantir, que garantit la combinaison des fonctions G et G’ est alors garantie en distribuant G et G’, si la passerelle ‘accès a les capacités fonctionnelles pour implémenter la fonction G’.
Suite au déploiement des fonctions de sécurité au dispositif et au fournisseur, l’opérateur d’infrastructure peut transmettre au dispositif client un message lui donnant des droits d’utilisation du service de singularisation, dans le message OPEN.
Les fonctions G et V peuvent être des fonctions de sécurité en elles-mêmes, peuvent être des fonctions de brouillage ajoutées avant une fonction de sécurité et/ou après une fonction de sécurité.
Ainsi, selon certains modes de réalisation, G et V comprennent une ou plusieurs fonctions de brouillage et une fonction brouillée par celle ou ces fonctions de brouillage, la fonction pouvant être existante dans le dispositif.
Selon certains modes de réalisation, G et V peuvent être des fonctions de sécurité totalement créées par le service de singularisation.
La représente un second mode de réalisation d’une mise en œuvre d’un service de déploiement d’une fonction de sécurité. Elle représente les échanges entre les dispositifs du système.
Les messages REQ_1, REQ_2, REP_2, TR_SG1, TR_SG2 peuvent être identiques à ceux décrits en regard de la . Ainsi, une fois la ou les fonctions G et V déployées, le fournisseur de service souhaiterait une singularisation ou personnalisation supplémentaire de son service, à savoir une singularisation dédiée. Il demande à cet effet, une fonction de singularisation par service ou pour l’ensemble de ses services. Cette singularisation ou personnalisation est combinée avec la fonction de singularisation liée au composant et décrite précédemment. Ceci a pour avantage de renforcer davantage la sécurisation des services. Selon la , une singularisation différente est dédiée à chaque dispositif client qui utilise les services d’un fournisseur de service. Selon la : - Un dispositif client A qui utilise un service B1 d’un fournisseur de service FS1 peut bénéficier d’une fonction singularisée différente que lorsqu’il utilise un service B2 d’un fournisseur de service FS2, ou - Un dispositif client A qui utilise un service S1 d’un fournisseur de service FS1 peut bénéficier d’une fonction singularisée différente que lorsqu’il utilise un service S1’ du même fournisseur de service FS1.
Comme cela est visible sur la , le substrat comprend également des barres de connexion 217 en haut en bas de la matrice, sous la forme de lignes métalliques horizontales (bus bar), pour la connexion de l’électrode supérieure du dispositif d’affichage OLED, comme cela sera expliqué ci-dessous en relation avec la .
Cette structure de substrat permet de créer par la suite des îlots 225 de zones émettrices élémentaires OLED qui sont complètement isolés et encapsulés ; un tel îlot 225 est représenté sur la par la boite aux contours pointillés. Sur la ces îlots présentent une forme de colonne verticale qui traverse la zone active de haut en bas, comme cela ressort également de la comparaison entre la et la ; ces deux figures seront expliquées ci-dessous. La fonction de l’élément de remplissage 203 est ici d’assurer la continuité de l’électrode supérieure 207 le long de la colonne verticale (y).
On se réfère maintenant à la et à la , qui montrent toutes les deux le même dispositif au même stade intermédiaire de fabrication. A l’instar des et , la représente une coupe dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la , et la représente une coupe dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la . En revanche, les et représentent un stade de fabrication plus avancé que celui représenté sur la , à savoir un stade de fabrication qui suit celui des et .
Comme cela est montré sur la , on dépose d’abord un empilement des couches organiques 205a qui forme l’empilement OLED (i.e. une diode OLED capable d’émettre de la lumière), typiquement par la méthode d’évaporation thermique ; cette technique pour déposer les couches d’un empilement OLED forme actuellement le standard dans l’industrie des dispositifs OLED. Il s’agit d’un dépôt directif, c’est-à-dire les couches vont se former principalement sur les surfaces horizontales, mais pas sur les surfaces verticales, comme indiqué dans la . L’empilement OLED 205a est complété par une électrode supérieure 207a. Elle doit être transparente. Comme cela ressort de la comparaison entre la et la , l’électrode supérieure 207a est commune pour chaque groupe de sous-pixels dans une colonne.
Les couches organiques qui forment l’empilement OLED 205a sont très sensibles notamment à l’eau et à l’oxygène, et il faut les protéger contre ces molécules. A cette fin, on dépose une couche d’encapsulation 290a qui couvre la topographie entière du dispositif, notamment à la fois les surfaces horizontales et verticales. Elle consiste typiquement en une fine couche d’un matériau isolant transparent. Son épaisseur est avantageusement comprise entre environ 10 nm et environ 30 nm. Son matériau est de préférence sélectionné dans le groupe formé par Si 3 N 4 , SiO 2 et Al 2 O 3 . Ces matériaux présentent l’avantage de bien résister à l’étape de la gravure destinée à enlever l’empilement OLED ; cette gravure pouvant être réalisée par un plasma d’oxygène. Cette couche d’encapsulation 290a est avantageusement déposée par une méthode de dépôt conforme tel que PECVD ou ALD.
On obtient ainsi un espace hermétiquement isolé autour du dispositif OLED de l’ensemble des sous-pixels dans une colonne 225a (appelé ici aussi « îlot ») ; ces sous-pixels appartiennent au même groupe de sous-pixels (par exemple au groupe des sous-pixels rouge ou au groupe des sous-pixels bleus).
Afin de connecter l’électrode supérieure 207a à la barre de connexion 217, le dépôt des matériaux organiques de l’empilement OLED 205 ne devrait pas dépasser trop sur les barres de connexion 217, et le dépôt de la couche d’électrode 207 doit couvrir au moins partiellement les bus bars. La montre une vue d’en haut sur le substrat après le dépôt de la couche 207.
Ce dispositif intermédiaire présente plusieurs avantages et améliorations par rapport à l’état de la technique.
Premièrement, il permet une excellente isolation électrique des couches OLED entre sous-pixels voisins, et conduit donc à une réduction de la diaphonie qui est de de même qualité que celle décrite dans WO 2019/193290.
Deuxièmement, la structure des couches organiques de l’empilement OLED sous forme d’îlots hermétiquement isolés améliore la fiabilité du dispositif. Notamment, un défaut ponctuel (par exemple une rentrée d’eau à travers un trou d’aiguille (pinhole) dans la couche d’encapsulation) ne peut pas se propager plus loin que la dimension d’un sous-pixel dans la direction horizontale car il sera arrêté par l’espace naturel 211 entre sous-pixels voisin qui a été aménagé en forme de tranchée.
Troisièmement, les îlots 225 isolés permettent une structuration de la couche OLED avec des méthodes de photolithographie, ce qui permet de réaliser par exemple le dispositif selon la et la , qui est un dispositif selon l’invention, avec trois groupes d’empilements OLED différents (rouge 205a, vert 205b et bleu 205c) et une résolution spatiale améliorée pouvant atteindre une taille de zone émettrice élémentaire d’une taille inférieure à 5 µm, avec une efficacité optimale, et sans risque d’endommager les bords des empilements OLED lors d’une étape de gravure. Cette technique permet également de réaliser le dispositif selon l’invention, avec une matrice à trois groupes de sous-pixel RGB, sans filtre de couleur, avec une telle résolution.
On va maintenant décrire, en relation avec les à , comment on dépose les trois groupes de zones émettrices élémentaires (sous-pixels). Ces figures montrent pour chacun de ces trois groupes de zones émettrices élémentaires une de ces zones. Pour réaliser un dispositif avec trois groupes de zones émettrices élémentaires (sous-pixels) émettant chacun de la lumière d’une couleur différente (ces groupes étant désignés ici, à titre d’un exemple, qui représente un mode de réalisation avantageux, par les lettres R, V et B (Rouge, Vert, Bleu)), il faut trois groupes d’étapes de fabrication. Chaque groupe d’étapes comprend des étapes de dépôt et de structuration d’une couche de photorésist, suivi d’au moins une étape de gravure de l’ensemble de la couche d’encapsulation, de la cathode et de l’empilement OLED, et enfin l’enlèvement (« stripping ») du photorésist.
Dans le cadre de la présente décription, en ce qui concerne le photorésist, on peut utiliser les techniques qui sont usuelles dans le domaine de la microélectronique. Elles comprennent typiquement le dépôt d’une couche de photorésist, son exposition pour la structurer sur la surface, puis son développement. Ces techniques sont connues de l’homme du métier et ne seront pas décrites ici ; on résume ici ces étapes liées au dépôt localisé de photorésist par l’expression « aménagement » d’un photorésist.
On obtient ainsi un dispositif de type micro-afficheur OLED, représenté sur les , et , avec les trois sous-pixels électriquement et hermétiquement isolés, lesdits sous-pixels présentant des empilements OLED émettant dans une couleur différente, à savoir R (205(a)), V (205(b)) et B (205(c)).
Dans un premier groupe d’étapes, représenté schématiquement sur les à , on dépose un premier groupe de zones émettrices élémentaires (sous-pixels), émettant de la lumière d’une première couleur, par exemple rouge.
On approvisionne d’abord un substrat 210 pourvu d’une électrode de commande 202a,202b,202c pour chaque zone émettrice élémentaire (cette électrode de commande 202 étant typiquement l’anode), d’une couche d’isolant 223 entre deux électrodes 202a,202b,202c voisines, et d’un élément de remplissage 203 dans l’espace naturel 211 entre deux électrodes de commande 202 voisines appartenant au même groupe de zones émettrices élémentaires. Cette couche d’isolant présente avantageusement un rebord 224 sur la surface de l’électrode 202.
Le substrat 210 est typiquement une tranche de silicium avec des circuits structurés selon la technologie CMOS qui sont configurés pour adresser les zones émettrices élémentaires ; cette technologie est connue en tant que telle et ne sera pas expliquée ici. Ce substrat 210 comporte typiquement une couche d’isolant (non représentée sur les figures) qui peut notamment être un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure ; on utilise typiquement du Si 3 N 4 . Les contacts électriques entre vers les pixels sont pris par l’intermédiaire de canaux verticaux aménagés à travers cette couche d’isolant par gravure; cela est également connu et n’est pas représenté sur les figures. Sur cette couche d’isolant est déposée l’électrode 202 de commande des pixels, qui est typiquement choisie de manière à être hautement réfléchissante.
Dans un mode de réalisation très avantageux, l’électrode 202 de commande présente une épaisseur comprise entre environ 150 nm et environ 800 nm. Une valeur trop grande nuit à la résolution du micro-afficheur car elle oblige d’augmenter l’espace entre deux zones émettrices élémentaires. Il est par ailleurs très avantageux que l’épaisseur de l’électrode 202 de commande soit supérieure à l’épaisseur de l’empilement OLED 205 qui sera déposé sur cette électrode.
Ladite électrode inférieure 202 peut comporter une ou plusieurs couches. Elle peut par exemple être en argent, aluminium, cuivre, chrome ou un autre métal à haute réflectivité. Si l’aluminium est utilisé, il est très avantageux de le protéger par une fine couche d’un oxyde transparent conducteur (abrégé TCO, Transparent Conductive Oxide) présentant une forte résistance à la gravure humide et au plasma d’oxygène. Un tel TCO est appelé ici « TCO dur ». Il est avantageusement sélectionné dans le groupe formé par le SnO 2 et le SnO 2 dopé, ce dopage étant de préférence à l’arsenic et/ou au fluore et/ou à l’azote et/ou au niobium et/ou au phosphore et/ou à l’antimoine et/ou à l’aluminium et/ou au titane
Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un premier empilement OLED 205a, déposé avec une technique de dépôt directionnelle, c’est-à-dire une technique de dépôt, telle que l’évaporation, qui ne dépose substantiellement que sur une surface horizontale ; (b) une électrode supérieure 207a, et (c) une première couche d’encapsulation 290a. Ladite électrode supérieure 207a présente une polarité opposée à celle de l’électrode de commande 202 ; il s’agit typiquement d’une cathode. Ladite électrode supérieure est typiquement déposée avec une technique de dépôt directionnelle ; elle peut être déposée par une technique conforme.
Selon une caractéristique essentielle de l’invention, ladite couche d’encapsulation 290a est déposée à l’aide d’une technique de dépôt conforme, telle que l’ALD ; cela assure qu’elle recouvre et protège aussi la tranche de l’empilement OLED. Cette protection est essentielle lors des étapes ultérieures de gravure. Ladite première couche d’encapsulation 290 doit être transparente ; elle est avantageusement en alumine. Dans une variante on dépose à ce stade plusieurs couches d’encapsulation transparentes (un tel empilement est compris ici dans l’expression « première couche d’encapsulation »), en utilisant le même matériau ou non ; au moins la première de ces couches doit avoir été déposée par une technique de dépôt conforme, alors que les autres couches le sont préférablement.