INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les sources lumineuses sont réparties d’une rangée à l’autre de telle sorte que les sources lumineuses du deuxième ensemble sont réparties, en considérant la direction d’allongement principal, alternativement sur une rangée puis l’autre, et de telle sorte que les sources lumineuses du premier ensemble sont réparties, en considérant la direction d’allongement principal, deux à deux alternativement sur une rangée puis l’autre. Chaque source lumineuse du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b, disposée sur une rangée, est encadré selon la direction d’allongement principal par deux sources lumineuses du premier ensemble de sources lumineuses disposées sur l’autre rangée.
Une telle disposition des sources lumineuses 32 sur la carte de circuits imprimés permet d’augmenter le nombre de sources lumineuses au sein du premier ensemble de sources lumineuses 32a en s’assurant d’un entraxe constant entre elles, de manière à pouvoir assurer la formation d’une fonction de signalisation présentant une homogénéité optimale, tout en tenant compte de la présence des sources lumineuses du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b et du besoin d’une fonction de signalisation générée par ce deuxième ensemble de sources lumineuses qui soit là encore optimale, l’entraxe associé à ce deuxième ensemble de sources lumineuses pouvant être plus grand du fait de l’intensité d’émission lumineuse plus importante qui compense le plus grand écartement.
La représente une vue de côté de la carte de circuits imprimés 31 et de l’élément optique 4. Tel que visible sur cette vue de côté, les sources lumineuses 32 installées sur la carte de circuits imprimés 31 sont en regard de collimateurs 41 de l’élément optique 4.
Les sources lumineuses 32 du premier ensemble de sources lumineuses 32a sont, tel qu’évoqué précédemment, des diodes électroluminescentes qui sont sensiblement rondes et dont l’épaisseur est, en raison de la fonction lumineuse que celle-ci sont amenées à générer, distincte de l’épaisseur des sources lumineuses 32 du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b. L’épaisseur des sources lumineuses se définit perpendiculairement au plan de la carte de circuits imprimés sur laquelle les sources lumineuses sont disposées, selon une direction qui peut être définie arbitrairement comme verticale. Plus précisément, les sources lumineuses 32 du premier ensemble de sources lumineuses 32a présentent une épaisseur supérieure à l’épaisseur des sources lumineuses 32 du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b. Il convient de noter que chaque source lumineuse 32 d’un même ensemble de sources lumineuses 32a, 32b présentent une taille similaire.
Les collimateurs 41 associés au premier ou au deuxième ensemble de sources lumineuses 32a, 32b présentent une taille définie en fonction de la taille de la source lumineuse 32 associée, et notamment une dimension verticale définie pour être au plus près de la surface d’émission de rayons de la source lumineuse correspondante. De la sorte, tel que visible sur la , les collimateurs 41 associés aux sources lumineuses 32 du premier ensemble de sources lumineuses 32a présentent une dimension verticale plus importante que celle des collimateurs 41 associés aux sources lumineuses 32 du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b.
La surface de sortie des collimateurs 41, qui participe à former la surface de sortie 40 de l’élément optique 4, peut être différente en fonction de la lumineuse à laquelle correspond le collimateur. A titre d’exemple non limitatif, la surface de sortie des collimateurs 41 associés aux sources lumineuse du premier ensemble de sources lumineuses 32a, est grainée alors que la surface de sortie des collimateurs 41 associés aux sources lumineuse du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b ne l’est pas. Ce grainage, formé par exemple par de légers bosselages ici non visibles sur la , de la surface des collimateur 41 associés à la première fonction de signalisation permet notamment d’accentuer l’homogénéisation du faisceau lumineux généré par le premier ensemble de sources lumineuses 32a, en rendant plus diffus ce faisceau lumineux.
La représente une vue de coupe de l’élément optique 4 et du moyen d’émission 3. Conformément à ce qui a été vu sur la , les sources lumineuses 32 du premier ensemble de sources lumineuses 32a sont plus épaisses que les sources lumineuses 32 du deuxième ensemble de sources lumineuses 32b et la dimension verticale des collimateurs correspondants en ait impacté.
La représente de manière schématique, en vue de coupe latérale, un exemple de réalisation d’un dispositif générateur de flux fluidique de type longitudinal réalisé selon un premier exemple de réalisation, dans lequel comprenant deux déflecteurs mobiles selon un axe de pivotement respectif, un déflecteur amont et un déflecteur aval ;
La représente de manière schématique et en coupe diamétrale partielle, un second exemple de réalisation d’un dispositif générateur de flux fluidique, de type circulaire ;
La représente de manière schématique selon une vue en coupe partielle, un troisième exemple de réalisation d’un dispositif générateur de flux fluidique, de type longitudinal ;
La représente de manière schématique, selon une vue en coupe partielle, un quatrième exemple de réalisation d’un circulateur de fluide, de type cylindrique ;
La représente de manière schématique, en vue de profil l’agencement d’un déflecteur de flux au regard d’une membrane, la figure 5a montrant l’agencement au repos, la figure 5b montrant l’agencement lors d’ondulation ;
La représente de manière schématique, en vue de coupe latérale, un exemple de réalisation d’un dispositif générateur de flux fluidique de type longitudinal réalisé selon un cinquième exemple de réalisation, dans lequel comprenant des moyens de liaison entre les déflecteurs et une membrane ;
La représente de manière schématique, en vue de dessus ou de dessous une membrane discoïdale, d’un type conforme à la , entourée de segments de déflecteur de flux amont ;
La représente de manière schématique trois modes de réalisation de moyens de translation de déflecteur de flux, la figure 8a montrant un déflecteur représenté plusieurs fois pour illustrer les multiples positions possibles, le dispositif comprenant des moyens de translation de déflecteur uniquement, la figure 8b montrant des moyens de translation de déflecteur selon un autre mode de réalisation et un axe de rotation du déflecteur, la figure 8c montrant des moyens de translation de déflecteur selon encore un autre mode de réalisation et deux axes de rotation du déflecteur.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En se reportant principalement à la on voit représenté partiellement un dispositif générateur de flux fluidique du type pompe 1 comprenant une membrane ondulante 2, déformable, en forme de lame ou nappe longitudinale, un orifice d’admission du fluide 3, un corps de pompe 4 définissant une chambre de propulsion 5 et un orifice de refoulement 6. Le corps de pompe 4 présente deux parois, formant deux flasques, disposées en vis-à-vis au-dessus et au-dessous de la membrane. En particulier, les parois ou les flasques coopèrent avec l’au moins une membrane afin de mettre en pression localement le fluide en présence afin de produire localement une augmentation de débit et/ou pression par rapport au milieu environnant.
Le corps de pompe définit une chambre de propulsion, au moins un orifice de refoulement et une membrane déformable associée à un moyen d’entraînement pour générer un mouvement d’ondulation de la membrane entre ses bords amont et aval, en l’occurrence ce mouvement d’ondulation se propage du bord amont vers le bord aval, la membrane ondulante étant apte à déplacer un fluide en direction de l’orifice de refoulement.
La membrane ondulante 2 est associée à un moyen d’entraînement ou d’actionnement (non représenté) permettant un mouvement d’ondulation de la membrane 2 entre ses bords amont 8 et aval 9. Le moyen d’entraînement sera avantageusement constitué par un actionneur relié directement ou par un élément de liaison au bord amont (non représenté) de la membrane 2.
L’actionnement de la membrane 2 permet de créer une ondulation se propageant du bord amont 8 en direction du bord aval 9 de la membrane 2. Un exemple d’ondulation de la membrane est illustré en figure 5b. Le fluide est quant à lui introduit par l’orifice d’admission 3 dans la chambre de propulsion 5 puis déplacé en direction de l’orifice de refoulement 6 par les ondulations de la membrane 2.
Pour améliorer ce transfert en direction de l’orifice de refoulement 6, le dispositif 1 comprend au moins un déflecteur de flux du fluide. Selon le mode de réalisation représenté à la , le dispositif comprend deux déflecteurs de flux 10 disposés dans la chambre de propulsion 5 de la membrane ondulante 2 : un déflecteur de flux amont 7a et un déflecteur de flux aval 7b.
Le fonctionnement du circuit 100 est décrit en relation avec la .
La est un graphique représentant deux courbes 201 et 202 illustrant le fonctionnement du circuit 100 décrit en relation avec la .
Plus particulièrement, la courbe 202 est un chronogramme illustrant l'évolution d'une tension VDD prise entre les noeuds GND101 et VDD101. La courbe 201 est un chronogramme illustrant l'évolution d'une surintensité apparaissant à l'entrée de la batterie BAT101, c'est-à-dire au niveau du noeud VDD101, via l'inductance L101.
Le fonctionnement du circuit 100 est le suivant.
Dans un mode de fonctionnement normal, l'alimentation 101 fournit une tension d'alimentation et un courant d'alimentation à la charge, c'est-à-dire ici la batterie BAT101. Pour cela, l'interrupteur M101 est conducteur, et les diodes D101 et D102 sont adaptées à bloquer un courant provenant du noeud VDD101. La diode TVS TVS101 et le thyristor T101 ne sont pas conducteurs.
Si, par erreur, la charge BAT101 est montée à l'envers, la tension de la charge BAT101 est bloquée par la diode TVS TVS101 dont la tension d'avalanche est supérieure à la tension de la batterie BAT101. Le thyristor T101 est toujours bloqué, car aucun courant n'est fourni à sa gâchette. La batterie BAT101 n'est donc pas déchargée par le circuit de protection contre les surtensions.
Lors de l'apparition d'un court-circuit ou d'une surintensité, qui est le cas illustré en , le courant augmente rapidement et l'interrupteur M101 détecte le court-circuit, ou la surintensité. L'interrupteur M101 devient non conducteur. Une surtension due à la coupure soudaine du courant au travers des câbles reliant la batterie, ces câbles présentant une inductance représentée par la bobine L101, apparaît au niveau du circuit de protection 100, et plus particulièrement au niveau de la diode TVS TVS101 et de la diode D101. Quand cette surtension est supérieure à la somme de la tension d'écrêtage de la diode TVS TVS101 et de la tension de polarisation directe de la diode D101, un courant traverse la diode D101. Quand la tension aux bornes de la diode D101 est assez forte, c'est-à-dire lorsque la tension aux bornes de la diode 101 est supérieure à la tension maximale applicable entre la gâchette et la cathode du thyristor T101 sans le déclencher, un courant circule dans la gâchette du thyristor T101 et arrive au niveau de la cathode du thyristor T101 et de l'anode de la diode D102. Le thyristor T101 est alors démarré et conduit la surtension qui est alors emmené au noeud de référence GND101, et fonctionne comme une diode de roue libre. La charge n'est donc pas alimentée.
Un avantage du circuit 100 est qu'il permet un protection des circuits d'alimentation et des circuits alimentés par la batterie BAT101 contre d'éventuelles surtensions pouvant survenir suite à l'apparition d'une surintensité bloquée par l'interrupteur M101.
La représente un mode de réalisation d'un circuit de protection 200 contre les surintensités et contre les surtensions.
Le circuit de protection 200 est similaire au circuit de protection 100 décrit en relation avec la . Les éléments communs aux circuits 100 et 200 ne sont pas décrits de nouveau en détail ici, et seules les différences entre les circuits 100 et 200 sont mises en exergue.
Ainsi, comme le circuit 100, le circuit 200 est adapté à être placé entre l'alimentation 101 (SUPP) et une charge. Comme en , en , la charge est la batterie BAT101 accompagnée d'une inductance parasite L101.
De même, comme le circuit 100, le circuit 200 comprend : - l'interrupteur M101 ; - la diode D101 et la diode TVS TVS101 ; et - la diode D102 et le thyristor T101.
Le circuit comprend, en outre, une diode TVS TVS201 et une diode D201. Ces deux composants ont pour but d'éliminer des surtensions pouvant apparaître entre les noeuds VDD101 et GND101. Selon un exemple, la diode D201 est adaptée à avoir une tension de polarisation inverse supérieure à une tension limite Vlim définie par les circuits à protéger.
La cathode de la diode TVS TVS201 est reliée, de préférence connectée, au noeud VDD101, et l'anode de la diode TVS TVS201 est reliée, de préférence connectée, à l'anode de la diode D201. La cathode D201 de la diode D201 est reliée, de préférence connectée, au noeud GND101.
Selon un mode de réalisation, la diode TVS TVS201 est adaptée à amortir les surtensions positives survenant entre les noeuds VDD101 et GND101. Selon un mode de réalisation, la diode D201 est adaptée à bloquer les surtensions négatives survenant entre les noeuds VDD101 et GND101. Selon une variante, la diode TVS TVS201 peut être remplacée par plusieurs diode montées en série.
Un avantage du circuit 200 est qu'il permet une protection bidirectionnelle de la charge contre les surtensions provoquées par une protection contre les surintensités.
Pour limiter l’impact de la montée en température, la première valeur de liquide de refroidissement seuil (Tliqseuil1) est égale à 50°C.
Dans un exemple de réalisation, la première valeur delta de température est égale à 15°C.
Pour maîtriser la température des capacités, la valeur de n% de la diminution de la puissance de consigne est par exemple égale à 20%.
Dans un autre exemple, la valeur de m% de la diminution de la puissance de consigne est égale à 50%.
En variante, la seconde valeur delta de température PVDT2 est égale à 20°C.
Une autre variante de l’invention propose que la première durée déterminée d’utilisation du dispositif électronique est égale à 20000 heures.
La est une illustration structurelle d’un chargeur de l’art antérieur,
En référence à la , il est représenté un schéma de principe d'un chargeur électrique embarqué 100 selon l’invention. Ledit chargeur électrique embarqué 100 est adapté pour charger la batterie haute tension 600 dédiée par exemple à l’alimentation d’une machine à courant continue pour la propulsion d'un véhicule électrique ou hybride.
Comme le sait l’homme de l’art, la charge de la batterie d'alimentation basse tension, non représentée sur la , est réalisée par la batterie haute tension 600, par un deuxième convertisseur continu-continu connecté entre la batterie haute tension 600 et la batterie d'alimentation basse tension.
Il s’en suit que chaque dommage de la batterie peut être déterminé en fonction de mesures de températures, d’états de charge, de courant et de profondeur de décharge.
Le procédé 100 comporte également une étape de déterminer 102 plusieurs valeurs de perte de capacité de chacune des cellules de la batterie en fonction de mesures de capacité réalisées lors de la période prédéterminée. Ainsi, il est possible de déterminer la perte de capacité de chacune des cellules en fonction du dommage déterminé à l’étape 101.
Le procédé 100 comporte en outre une étape de déterminer 103, au moyen d’une analyse bayésienne des valeurs de dommage et des valeurs de perte de capacité déterminées, Une première variance principale d’une régression linéaire fonction d’une variance d’une erreur de mesure sur l’ensemble de la batterie et d’une variance d’un bruit de mesure des cellules ; Une deuxième variance principale de bilans de capacité fonction d’une variance de différences de vitesse de vieillissement entre les cellules et de la variance d’un bruit de mesure des cellules pour un niveau de dommage déterminé ; Une troisième variance principale fonction de la variance d’un bruit de mesure des cellules ; et Une composante d’analyse r et α de deux paramètres correctifs de correspondance entre les valeurs de dommage et les valeurs de perte de capacité déterminées.
Les première, deuxième, troisième variances principales et la composante d’analyse , , , r et α sont déterminées à partir d’une linéarisation de la formule suivante :
Avec : = perte de capacité de chacune des cellules ; = dommage ; = paramètres correctifs de correspondance entre les valeurs de dommage et les valeurs de perte de capacité ; = différences de vitesse de vieillissement entre les cellules ; = bruit de mesure sur les cellules ; et = erreur de mesure sur l’ensemble de la batterie.
S’il n’y avait pas de bruit de mesure, d’erreur de mesure et de différence de capacité entre les cellules, le modèle serait le suivant :
La linéarisation de la formule est une log-linéarisation.
Le passage en échelle log permet d’obtenir la formule suivante :
Qu’on note plus simplement :
Avec : ; ; ; et .
Dans un mode de réalisation non limitatif, pour déterminer la première variance principale , la deuxième variance principale et la troisième variance principale , on détermine : Une moyenne des cellules pour chaque bilan de capacité : ; Une moyenne des bilans de capacité pour chaque cellule : ; Une moyenne générale : .
Dans un mode de réalisation non limitatif, pour déterminer la première variance principale , la deuxième variance principale et la troisième variance principale , les combinaisons linéaires suivantes sont également réalisées Variabilité des bilans de capacité : ; et Variabilité des bilans de capacité et des dommages :
Selon un mode de réalisation non limitatif, la première variance principale d’une régression linéaire et les coefficient de correction sont déterminés par une régression linaire bayésienne entre et ; La variance de la regression linéaire est définie comme suit : ;
Avec : = première variance principale d’une régression linéaire ; = variance d’une erreur de mesure sur l’ensemble de la batterie ; = variance d’un bruit de mesure sur les cellules ; et = nombre de cellules mesurables que comporte la batterie.
Selon un mode de réalisation non limitatif, la deuxième variance principale de bilans de capacité est définie comme suit :
Dans un mode de réalisation particulier, la valeur de référence est déterminée par la valeur moyenne du niveau d’expression et/ou de l’activité enzymatique de PREP, mesurée dans une population déterminée, par exemple une population âgée de 20 à 80 ans, et/ou ayant une fonction barrière cutanée satisfaisante.
De préférence, la peau dudit sujet est diagnostiquée comme présentant une fonction barrière cutanée diminuée ou altérée, lorsque le niveau d’expression et/ou de l’activité enzymatique de PREP mesuré à l’étape a) dans l’échantillon de peau du sujet est au moins 1,2 fois inférieur à un contrôle.
Par « significativement inférieur » au sens de l’invention, on entend une variation statistiquement significative du niveau d’expression et/ou de l’activité enzymatique de PREP.
La présente invention a également pour objet une méthode de pronostic et/ou diagnostic d’une fonction barrière cutanée diminuée ou altérée chez un sujet, ladite méthode comprenant les étapes suivantes :
a) mesurer le niveau d’expression et/ou de l’activité enzymatique de la protéase Prolyl Oligopeptidase (PREP) dans un échantillon de peau dudit sujet ;
b) déduire de l’étape a) si la fonction barrière cutanée dudit sujet est diminuée ou altérée ; et
c) si la fonction barrière cutanée est identifiée comme diminuée ou altérée à l’étape b), traiter la peau avec une composition cosmétique contre la diminution ou l’altération de la fonction barrière.
L’échantillon de peau dudit sujet et le sujet peuvent être comme décrits dans la section « Méthode de pronostic et/ou de diagnostic » ci-dessus.
Dans un mode de réalisation particulier, la peau dudit sujet est diagnostiquée comme présentant une fonction barrière cutanée diminuée ou altérée, lorsque le niveau d’expression et/ou de l’activité enzymatique de PREP mesuré à l’étape a) dans l’échantillon de peau du sujet est inférieur, en particulier significativement inférieur, à un contrôle.
Si la fonction barrière cutanée est identifiée comme diminuée ou altérée à l’étape b), alors on traite la peau avec une composition cosmétique contre la diminution ou l’altération de la fonction barrière : c’est l’étape c). De préférence, cette composition comprend au moins un actif permettant de stimuler l'activité de PREP.
Par « composition cosmétique contre la diminution ou l’altération de la fonction barrière », on entend ici tout type de composition cosmétique (topique ou orale par exemple) censée améliorer la fonction barrière cutanée.
La composition cosmétique peut être appliquée par toute voie d’administration appropriée, en particulier par voie topique ou par voie orale. Elle peut se présenter par exemple sous forme de crème, de lotion, de gel ou de suspension.
Dans un mode de réalisation particulier, la composition cosmétique de l’étape c) comprend au moins un actif permettant de stimuler l'activité de PREP. De préférence, l’actif permettant de stimuler l'activité de PREP est l’acide D-aspartique (ou D-aspartate) ou une protéine PREP recombinante.
Souhaitant tirer profit de l’électroactivité intrinsèque des séquences nucléotidiques électroactives qu’ils ont conçu, les inventeurs ont alors réalisé la mise au point d’aptamères composites électroactifs issus du remplacement (= de la substitution) de tiges-boucles par des structures issues d’autres aptamères donneurs présentant des propriétés de reconnaissance pour une molécule d’intérêt. Concrètement, celle-ci est passée par trois étapes principales :
La première a consisté à sélectionner une séquence nucléotidique électroactive de l’invention parmi celles décrites dans la banque de l’invention, à savoir les séquences SEQ ID NOs : 582 et 606 telles que définies ci-dessus, et leur séquence miroir respective SEQ ID NOs : 609 et 633 telles que définies ci-dessus
La deuxième a consisté à sélectionner un aptamère donneur ayant une affinité spécifique pour une molécule d’intérêt (= sa cible). Cette étape a été facilitée lorsque l’aptamère a déjà été décrit dans la littérature scientifique, mais il a aussi été possible de procéder à une sélection in vitro en utilisant par exemple la méthode SELEX ( Systematic Evolution of Ligands by EXponential enrichment ). La prédiction des structures secondaires de l’aptamère obtenu est ensuite nécessaire et elle peut donner lieu à des structures simples ou très complexes.
A noter qu’il n’est possible de réaliser un aptamère composite électroactif que si la structure de l’aptamère donneur est constituée d’une à trois tiges-boucles associées séparées par 2 à 4 nucléotides. Des variations dans la longueur de la tige ou la taille de la boucle, ainsi que la présence de structures plus élaborées ( e.g la présence de tiges-boucles secondaires sur les tiges-boucles principales) n’écartent toutefois pas la possibilité de réaliser un aptamère composite à partir de l’aptamère donneur. Dans le cas de structures complexes, il est alors parfois important de réaliser des études de troncage de l’aptamère donneur afin de déterminer la partie impliquée dans la reconnaissance de la molécule d’intérêt, qui fera l’objet du greffage.
La troisième a consisté à greffer l’aptamère donneur (ou un fragment de cet aptamère donneur) sur la séquence nucléotidique électroactive précédemment choisie. Il s’agit de remplacer les bases de la structure électroactive par les bases de l’aptamère donneur et de prédire ensuite la structure secondaire de l’oligonucléotide obtenu ( cf. supra, Exemple No. 1, point 1.1. ). Ceci se fait comme suit : Les structures tiges-boucles sont remplacées par celles de l’aptamère donneur (ou un fragment de cet aptamère donneur) et il est possible de remplacer les tiges-boucles individuellement ou conjointement. A noter que l’incorporation de l’aptamère donneur (ou un fragment de cet aptamère donneur) peut imposer de modifier des bases à distance de la zone d’incorporation.