INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A cet effet, le dispositif externe DV1 est par exemple configuré pour envoyer des signaux SG1 comprenant des données d’authentification DT1, ces signaux SG1 pouvant être captées à distance par le système de détection 14 embarqué dans le véhicule 2 lorsque le dispositif externe DV1 se trouve à portée de communication du système de détection 14 (figures 1-3).
Le système de détection 14 peut comprendre de quelconque moyens aptes à détecter et authentifier le dispositif de commande externe DV1. Comme décrit par la suite, le système de détection 14 est en outre configuré pour détecter la position du dispositif externe DV1 lorsque ce dernier se trouve à proximité du véhicule 2. Pour ce faire, le système de détection 14 comprend par exemple des antennes de détection 14a embarqués dans le véhicule 2 ( ). Le dispositif de contrôle 10 est configuré pour détecter la position du dispositif de commande DV1 (et donc celle de l’utilisateur UR1 portant le dispositif DV1) au moyen du système de détection 14, et plus particulièrement grâce aux antennes 14a. A cet effet, le dispositif 10 peut recevoir des données de détection générées par le système de détection 14 sur détection du dispositif externe DV1, ces données de détection étant traitées par le dispositif 10 pour déterminer la localisation du dispositif externe DV1 lorsque l’utilisateur UR1 demande l’ouverture du volet arrière 6.
Le dispositif 10 est configuré pour recevoir et traiter une commande d’ouverture CM1 reçue en provenance de l’utilisateur UR1 et pour contrôler le volet arrière 6 en réponse à cette commande d’ouverture. Ce contrôle peut conduire à l’ouverture automatique MV1, totale ou partielle, du volet arrière 6 ou au blocage (ou suspension) du volet arrière 6 si un obstacle OB risquant de rentrer en collision avec le volet arrière 6 en cas d’ouverture est détecté dans une zone de détection Z3 ( ) comme décrit ci-après dans des exemples particuliers.
La commande d’ouverture CM1 requérant l’ouverture du volet arrière 6 peut être transmise de diverses manières par l’utilisateur UR1 au dispositif de contrôle 10 selon le cas. L’utilisateur UR1 peut par exemple envoyer la commande d’ouverture CM1 en actionnant manuellement un bouton (ou moyen) 22a de commande d’ouverture dont peut être équipé le véhicule 2. Un tel bouton peut par exemple être intégré dans le volet arrière 6 de sorte à être accessible par l’utilisateur UR1. Selon un exemple, l’utilisateur UR1 envoie la commande d’ouverture CM1 à distance, par exemple au moyen d’un geste qu’il réalise à proximité du véhicule (fonction « bras chargés ») et qui est détecté par un capteur de mouvement 22b dont peut être équipé le véhicule 2 (par exemple dans le parechoc arrière), ou encore via un dispositif externe tel que le dispositif de commande externe DV1 par exemple. Selon un exemple, le dispositif de commande externe DV1 est non seulement utilisé pour authentifier et localiser l’utilisateur UR1 à proximité du véhicule 2 mais aussi pour envoyer une commande d’ouverture CM1.
L’usage d’un dispositif externe, tel que le dispositif DV1, ou le recours à un geste à proximité du véhicule 2, permet avantageusement à l’utilisateur UR1 de commander l’ouverture MV1 du volet arrière 6 sans avoir besoin de toucher physiquement le véhicule 2.
Comme mentionné ci-avant, le dispositif de contrôle 10 est en outre configuré pour coopérer avec le capteur d’obstacle 16 de type radar (appelé aussi par la suite « capteur radar » ou « capteur »). Ce capteur radar 16 est par exemple positionné dans ou sur le volet arrière 6 pour détecter d’éventuels obstacles OB dans une zone de détection Z3 à l’arrière du véhicule 2, plus précisément dans le (ou à proximité du) volume d’ouverture (ou volume de débattement) du volet arrière 6. Ainsi, il est possible de mettre en œuvre une fonction « anticollision » au moyen du capteur 16 pour détecter la présence d’un éventuel obstacle OB risquant de rentrer en collision avec le volet arrière 6 en cas d’ouverture de ce dernier.
En excluant la zone de masquage Z2 de la zone de détection Z3, on peut ainsi avantageusement s’assurer que l’utilisateur UR1 positionné à proximité du volet arrière 6 n’est pas traité par le dispositif de contrôle 10 comme un obstacle OB risquant d’entrer en collision avec le volet arrière en cas d’ouverture. En excluant la zone de masquage Z2 lors de l’analyse, le dispositif 10 peut ainsi ignorer un éventuel obstacle (tel que l’utilisateur UR1) bien qu’il se trouve dans l’environnement d’ouverture du volet arrière 6.
A cet effet, le dispositif de contrôle 10 est par exemple configuré pour recevoir et analyser des données de capteur DT2, dites aussi données radar, générées par le capteur radar 16. Ces données DT2 sont représentatives d’une zone de scrutation Z1 située à proximité du volet arrière 6, c’est-à-dire dans son environnement d’ouverture (par exemple dans ou proche de son volume d’ouverture). Comme décrit ci-après en détail, la zone de scrutation Z1 comprend au moins la zone de détection Z3 définie par le dispositif 10, c’est-à-dire la zone Z3 dans laquelle d’éventuels obstacles OB sont recherchés par le dispositif 10.
Les données radar DT2 sont par exemple générées par scrutation radar dans la zone de scrutation Z1, c’est-à-dire dans un cône d’émission radar, au moyen du capteur radar 16. Autrement dit, le capteur radar 16 peut scruter une région Z1 par projection de signaux radar dans un cône (ou zone) d’émission Z1.
Selon un exemple particulier, le dispositif de contrôle 10 est en outre configuré pour contrôler un système de verrouillage 20 dont le volet arrière 6 peut éventuellement être équipé. Le dispositif 10 peut ainsi actionner si besoin le déverrouillage du système de verrouillage 20 pour permettre l’ouverture MV1 du volet arrière 6 en réponse à une commande d’ouverture CM1 de l’utilisateur UR1, sous réserve toutefois qu’aucun obstacle OB n’est détecté dans la zone de détection Z3. Une fois déverrouillé, le volet arrière 6 peut ainsi être ouvert par actionnement des moyens d’entraînement 18.
Comme illustré en figures 1-3, le véhicule 2 peut comprendre un réseau de bord NT1, c’est-à-dire un réseau de communication embarqué permettant au dispositif de contrôle 10 de communiquer (et interagir) avec les différents éléments embarqués du véhicule 2, en particulier avec le système de détection 14, le capteur radar 16, voir le cas échéant l’un ou plusieurs parmi le bouton 22a, le capteur de mouvement 22b et le système de verrouillage 20.
Selon un exemple particulier illustré en , le dispositif de contrôle 10 comprend au moins un processeur 11 et une mémoire non volatile (non représentée). Le dispositif de contrôle 10 est configuré pour mettre en œuvre un processus (ou procédé) de contrôle comme décrit ci-après. A cet effet, le dispositif de contrôle 10 peut comprendre un programme d’ordinateur PG1 stockée dans la mémoire non volatile (une mémoire flash ou ROM par exemple), ce programme d’ordinateur PG1 comprenant des instructions pour la mise en œuvre du procédé (ou processus) de contrôle comme décrit ci-après. Le processeur 11 est ainsi configuré pour exécuter notamment les instructions définies par le programme d’ordinateur PG1.
Comme indiqué ci-avant, le dispositif de contrôle 10 est configuré pour mettre en œuvre un processus de contrôle. Ce processus est à présent décrit conjointement aux figures 1-3 selon des modes de réalisation particuliers.
On suppose à titre d’exemple que le véhicule 2 est à l’arrêt et qu’un utilisateur UR1, portant sur lui le dispositif de commande externe DV1, s’approche du véhicule 2 et commande l’ouverture automatique MV1 du volet arrière 6.
Dans certains modes de réalisation, la surface périphérique du boîtier comprend un épaulement délimitant deux portions de boîtier ayant des contours différents. Cet épaulement peut constituer une butée lors de la fixation de la traversée de cloison dans la cloison.
Dans certains modes de réalisation, le boîtier est configuré pour être fixé dans le passage de la cloison.
Dans certains modes de réalisation, le boîtier comprend une portion de fixation configurée pour coopérer avec une portion de fixation du passage de la cloison, la portion de fixation comprenant de préférence au moins un filetage.
Dans certains modes de réalisation, l’alliage ou métal du boîtier possède un coefficient de dilatation thermique supérieur à 16ppm/°C. Ainsi, le métal du boîtier possède un coefficient de dilatation thermique relativement proche des autres matériaux de la traversée de cloison, ce qui réduit les phénomènes de dilatation différentielle.
Dans certains modes de réalisation, l’alliage ou métal du boîtier est de l'inox, notamment 304L ou 316L. Ces alliages possèdent un coefficient de dilatation thermique de l’ordre de 17ppm/°C.
Dans certains modes de réalisation, l’alliage ou métal du boîtier est choisi dans le groupe constitué par le nickel et les alliages à base de nickel, notamment Ni-Fe, Ni-Fe-Cr ou encore Ni-Fe-Cr-Mo. Ces alliages possèdent un coefficient de dilatation thermique de l’ordre de 13ppm/°C.
Dans certains modes de réalisation, la traversée de cloison comprend au moins un joint installé dans ladite au moins une rainure périphérique de la surface périphérique du boîtier. Ce joint est utile pour réduire le débit de fuite dans le passage de la cloison une fois la traversée de cloison fixée.
Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un joint est un joint torique.
Dans certains modes de réalisation, ledit au moins un joint est un joint élastomère.
Dans certains modes de réalisation, la traversée de cloison comprend deux joints, installés chacun dans une rainure périphérique différente de la surface périphérique du boîtier, configurés pour être écrasés entre le boitier et la surface interne du passage.
Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une broche possède un diamètre supérieur ou égal 2 mm, de préférence supérieur ou égal à 3 mm.
Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une broche est pleine.
Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une broche possède une longueur supérieure ou égale à 30 mm, de préférence supérieure ou égale à 50 mm.
Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une broche fait saillie d’au moins 5 mm, de préférence d’au moins 10 mm, sur chacune des surfaces avant et arrière du boîtier.
Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une broche comprend, à l’une au moins de ses extrémités, un fût à souder ou un fût de sertissage.
Dans certains modes de réalisation, ladite au moins une broche est en alliage à base de cuivre comprenant du béryllium, du zinc, du nickel, de l’étain et/ou du zirconium, éventuellement revêtu. Il peut notamment s’agir d’un alliage Cu-Be ou Cu-Be-Co. Ces alliages présentent un bon compromis entre les propriétés électrique, mécanique et thermique. Ils présentent en outre un coefficient de dilatation thermique compris entre 16 et 18 ppm/°C.
L’éthyl-p-methoxycinnamate est un composé qui peut être d’origine naturelle. En effet, il est naturellement présent au sein des plantes de la famille des Zingibéracées, plus couramment utilisées comme épices ou condiments, ainsi que comme herbes médicinales en Asie du sud-est. C’est notamment le cas des espèces Kaempferia galanga et Alpina galanga, dont l’huile essentielle issue du rhizome contient de 0,1% à 30,0% d’éthyle-p-methoxycinnamate.
De manière préférentielle, l’éthyl-p-methoxycinnamate est sous la forme d’un extrait de racine de Kaempferia galanga, dont la concentration en poids en éthyl-p-methoxycinnamate est de préférence supérieure à 70%, et plus spécifiquement supérieure à 98%.
La composition comprend les composés A et B dans des proportions pouvant varier en une large mesure.
Toutefois, une composition préférée comprend :
- de 5 à 95% en poids de composé A ; et
- de 5 à 95% en poids de composé B ;
par rapport au poids total des composés A et B.
Cette composition est particulièrement efficace pour protéger au moins un composé actif d’une formulation contre les dégradations dues à la lumière, notamment aux rayonnements UV, et/ou à la chaleur et/ou à l’oxydation.
Sont particulièrement préférées les compositions qui comprennent :
- de 20 à 95% en poids de composé A ; et
- de 5 à 80% en poids de composé B ;
- de 30 à 85% en poids de composé A ; et
- de 15 à 70% en poids de composé B ;
Le registre 142 reçoit un signal de sélection de colonne COL_SEL provenant d'un circuit de sélection de colonne SPAD (non représenté en ) et un signal de sélection de ligne ROW_SEL provenant d'un circuit de sélection de ligne SPAD (également non représenté en ). Par exemple, le registre 142 est configuré pour programmer la valeur D avec la valeur du signal de sélection de colonne COL_SEL lorsque le signal de sélection de ligne ROW_SEL est activé. Selon l'exemple de la , le registre 142 comprend une entrée de ligne de mot WL recevant le signal de sélection de ligne ROW_SEL, une entrée de ligne de bit positive BL recevant le signal de sélection de colonne COL_SEL, et une entrée de ligne de bit négative BL_N recevant l'inverse du signal de sélection de colonne COL_SEL, généré par un autre inverseur 143.
Le circuit de sélection 104 comprend par exemple une porte ET 144 (AND) dédiée au pixel SPAD 101 de la matrice. La porte ET 144 fournit un signal d'activation EN à la grille du transistor d'activation 118. Dans certains modes de réalisation, le signal d'activation EN est amplifié par un tampon 145 (BUFFER), par exemple un amplificateur tampon, relié entre la sortie de la porte ET 144 et la grille du transistor d'activation 118. Ainsi, le signal d'activation EN peut correspondre à un signal de sortie de la porte ET 144 ou du tampon 145. La porte ET 144 a un de ses nœuds d'entrée relié à une sortie correspondante du registre 142 sur laquelle la donnée D est présente, et l'autre de ses nœuds d'entrée relié à une ligne d'entrée qui reçoit un signal d'activation commun EN_SPAD pour une sous-région de la matrice SPAD 100.
Le compteur 120 peut être couplé séquentiellement avec d'autres pixels SPAD d'une même sous-région (non représentés). Lorsqu'un pixel SPAD d'une sous-région est activé (ON), les autres pixels SPAD de la même sous-région sont de préférence désactivés (OFF). Par exemple, un pixel SPAD est activé lorsque le signal d'activation EN appliqué à son transistor d'activation est dans le premier état, par exemple à environ 1,1 V, et est désactivé lorsque le signal d'activation EN appliqué à son transistor d'activation est dans le deuxième état, par exemple à environ 0 V. Si les autres pixels SPAD de la même sous-région ne sont pas désactivés, cela peut compromettre le comptage dans la sous-région de la matrice qui a des pixels reliés au même compteur.
Malheureusement, la fonction d'activation/désactivation d'un pixel SPAD peut ne pas fonctionner correctement. Par exemple, en raison de défauts de fabrication, une isolation par tranchée profonde (DTI, de l’anglais "Deep Trench Isolation") qui est dédiée à isoler une photodiode d'autres circuits tels qu'un circuit d'activation/désactivation, pourrait échouer à atteindre la surface arrière du substrat, formant un chemin résistif. Le circuit d'activation/désactivation, par exemple le transistor d'activation 118, pourrait être court-circuité et l'anode de la photodiode être mise à la masse de façon permanente, c'est-à-dire la photodiode toujours activée. En d'autres mots, un tel défaut de fabrication pourrait compromettre la capacité à désactiver le pixel SPAD. Dans ce cas, le pixel SPAD affecté est en permanence connecté au compteur commun, impactant toute une sous-région de pixels.
Selon une procédure standard, un pixel endommagé peut être identifié initialement, en utilisant par exemple un circuit de vérification interne, et devrait être désactivé, par exemple pour éviter de perturber d’autres pixels reliés au même compteur. Cette procédure standard ne fonctionne toutefois pas pour un pixel dont la fonction d'activation/désactivation est endommagée.
Les inventeurs proposent un pixel à photodiode à avalanche qui peut remplir les besoins d'amélioration décrits précédemment, et pallier tout ou partie des désavantages des pixels SPAD décrits précédemment. En particulier, les inventeurs proposent une solution pour rendre les pixels à photodiode à avalanche plus robustes vis-à-vis de défauts de fabrication, de préférence sans ajouter de circuit, ni de dispositif, complexe.
Des modes de réalisation de pixels SPAD seront décrits dans la suite. Les modes de réalisation décrits le sont à titre non limitatif et de nombreuses variantes de ceux-ci apparaîtront à la personne du métier sur la base des indications de la présente description. Des pixels SPAD sont décrits, mais les modes de réalisation s'appliquent également à d'autres pixels à photodiode à avalanche.
La représente une partie d'une matrice SPAD 200 comprenant un pixel SPAD 201 selon un mode de réalisation. De façon similaire à la matrice SPAD 100 de la , la matrice SPAD 200 comporte une pluralité de différentes sous-régions de pixels SPAD, chaque sous-région étant reliée à un compteur commun 120, par exemple au moyen d'un arbre OU (non représenté).
La représente un pixel SPAD 201 comprenant un circuit SPAD 102 similaire à celui de la , et un circuit de détection 203. La représente également un circuit de sélection 104 de la matrice SPAD 200 similaire au circuit de sélection de la .
Le circuit de détection 203 de la diffère de celui de la essentiellement en ce qu'il comprend une porte ET de sortie 210 (AND OUT). La porte ET de sortie 210 comprend un premier nœud d'entrée relié, de préférence connecté, au nœud de sortie 136 de l'inverseur 130, et un deuxième nœud d'entrée relié, de préférence connecté, à une sortie du tampon 145, ou de la porte ET 144, afin de recevoir le signal d'activation EN. Autrement dit, le signal d'activation EN est appliqué au transistor d'activation 118 et à la porte ET de sortie 210. La porte ET de sortie 210 a son nœud de sortie relié, de préférence connecté, au compteur 120.
Par conséquent, même si la fonction d'activation/désactivation est endommagée, par exemple si le transistor d'activation 118 est court-circuité, et que l'anode de la photodiode SPAD 114 est mise à la masse en permanence, c'est-à-dire la photodiode toujours activée, le signal d'activation EN est toujours envoyé à la porte ET de sortie 210. La fonction ET appliquée par la porte ET de sortie 210 entre le signal d'impulsion 152 généré par l'inverseur 130 et le signal d'activation EN génère, au niveau d’un nœud de sortie du pixel 212, un signal numérique de sortie du pixel qui est appliqué au compteur 120. La porte ET de sortie 210 est configurée pour bloquer, ou annuler, le signal d'impulsion 152 lorsque le signal d'activation EN est dans le deuxième état. En d'autres termes, lorsque le signal d'activation EN est dans le deuxième état, la porte ET de sortie 210 bloque tout signal qui sinon aurait été intégré par le compteur 120. La porte ET de sortie 210 est configurée pour laisser passer le signal d'impulsion 152 lorsque le signal d'activation EN est dans le premier état. Lorsque le signal d'activation EN est dans le premier état, alors le signal d'impulsion 152 généré par l'inverseur 130 peut être intégré par le compteur 120.
Cette première solution est efficace pour désactiver un pixel SPAD même lorsque la fonction d'activation/désactivation de ce pixel SPAD est endommagée. De plus, la première solution permet une extinction, ou désactivation, rapide du pixel SPAD dans la mesure où l'extinction est directement effectuée au niveau du nœud de sortie du pixel 212.
La première solution nécessite d'ajouter un composant (une autre porte ET) qui peut consommer de la surface.
La représente une partie d'une matrice SPAD 300 comprenant un pixel SPAD 301 selon un autre mode de réalisation. De façon similaire à la matrice SPAD 100 de la , la matrice SPAD 300 comporte une pluralité de différentes sous-régions de pixels SPAD, chaque sous-région étant reliée à un compteur commun 120, par exemple au moyen d'un arbre OU (non représenté).
La représente un pixel SPAD 301 comprenant un circuit SPAD 102 similaire à celui de la , et un circuit de détection 303. La représente également un circuit de sélection 104 de la matrice SPAD 300 similaire au circuit de sélection de la .
Le circuit de détection 303 de la diffère de celui de la essentiellement en ce que l'inverseur 130 n'est plus alimenté par la tension d'alimentation V DD , mais est alimenté (commandé) par le signal d'activation EN. Dans l'exemple représenté, le nœud d'application d'une tension d'alimentation au transistor du type P 132 est relié, de préférence connecté, à une sortie du tampon 145, ou de la porte ET 144 directement, afin de recevoir le signal d'activation EN. De façon similaire à la , dans le mode de réalisation de la , le nœud de sortie du pixel correspond au nœud de sortie 136 de l'inverseur 130.
La photodiode SPAD 114 est reliée, de préférence connectée, entre le premier nœud 113 et un deuxième nœud 115. La cathode de la photodiode SPAD 114 est reliée, de préférence connectée, au deuxième nœud 115 et l'anode de la photodiode SPAD 114 est reliée, de préférence connectée, au premier nœud 113.
Le circuit SPAD 102 comprend en outre une résistance d'extinction 116 (R Q ), en anglais "quench resistance", reliée, de préférence connectée, entre le deuxième nœud 115 et un nœud d'application d'une tension (V HV ), par exemple une tension haute, par exemple une tension supérieure ou égale à la tension de claquage de la diode, qui est typiquement comprise entre 10 V et 40 V.
Le circuit SPAD 102 comprend en outre un transistor d'activation 118 et un transistor monté en cascode 117, en anglais "cascode-mounted transistor", les transistors 117, 118 étant reliés, de préférence connectés, en série entre un nœud d'application d'une tension basse (V SUB ), par exemple la masse, et le premier nœud 113. Plus particulièrement, le transistor monté en cascode 117 est relié, de préférence connecté, par ses bornes de conduction, par exemple ses drain et source, entre le premier nœud 113 et un troisième nœud 119. Le transistor d'activation 118 est relié, de préférence connecté, par ses bornes de conduction, par exemple ses drain et source, entre le troisième nœud 119 et le nœud V SUB .
La tension basse V SUB correspond de préférence à la tension du substrat sur et dans lequel la photodiode, et les circuits associés, sont formés, et peut être appelée "tension de substrat". Le substrat peut être relié à la masse, et la tension basse peut être sensiblement égale à 0 V.
Les transistors 117 et 118 sont de préférence des transistors MOS à effet de champ de type N.
Le transistor monté en cascode 117 est polarisé par une tension V CASN , qui est une tension déterminée et, de préférence, a une valeur intermédiaire entre la tension haute V HV et la tension basse V SUB , alors que le transistor d'activation 118 est polarisé par un signal d'activation EN, par exemple une tension d'activation. La tension V CASN est par exemple comprise entre 1 V et 2,5 V.
Lorsque le signal d'activation EN est dans le premier état, par exemple a une tension haute d'environ 1,1 V, le transistor d'activation 118 devient passant, reliant l'anode de la SPAD 114 à la tension basse V SUB , par exemple la masse, plaçant la tension de polarisation inverse de la SPAD 114 au-dessus de la tension de claquage, alors que la diode de protection 112 déconnecte l'anode de la SPAD 114 de la tension de mise à niveau haut V PULLUP . Lorsqu'un photon arrivant frappe la SPAD 114, sa tension de cathode diminue entre la tension haute V HV et une tension plus faible, créant une impulsion de courant qui est recueillie par le circuit de détection 103. L'avalanche peut être éteinte par la résistance d'extinction 116, réinitialisant la SPAD 114 pour une nouvelle détection. Lorsque la fonction d'activation/désactivation fonctionne correctement, et que le signal d'activation EN est dans le deuxième état, par exemple a une tension basse d'environ 0 V, le transistor d'activation 118 est adapté pour déconnecter l'anode de la SPAD 114 de la tension basse V SUB , l'anode de la SPAD 114 étant alors reliée à la tension de mise à niveau haut V PULLUP et la SPAD 114 est désactivée.