Procédé de fabrication d’un substrat (300) comprenant une couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) et une couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A, 30B) en contact direct avec la couche de carbure de silicium polycristallin, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : le transfert d’une première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) sur une face avant d’un substrat support temporaire en graphite (10), un dépôt de carbure de silicium polycristallin sur la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) pour former la couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A), le retrait du substrat support temporaire en graphite (10). Procédé de fabrication selon la revendication 1, comprenant en outre, avant le dépôt de carbure de silicium polycristallin, le transfert d’une seconde couche de carbure de silicium monocristallin (20B) sur une face arrière du substrat support temporaire (10), le dépôt de carbure de silicium polycristallin comprenant la formation d’une seconde couche de carbure de silicium polycristallin (30B) sur la seconde couche de carbure de silicium monocristallin (20B). Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou la revendication 2, comprenant l’application d’une couche de collage entre chaque couche de carbure de silicium monocristallin (20A, 20B) et le substrat support temporaire (10). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le transfert de chaque couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A, 20B) sur le substrat support temporaire (10) comprend les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation (21) par implantation d’espèces atomiques dans un substrat donneur (200) en carbure de silicium monocristallin, le collage dudit substrat donneur (200) sur une face libre du substrat support temporaire (10), le détachement du substrat donneur (200) le long de la zone de fragilisation (21) de sorte à transférer une couche (20, 20A, 20B) de carbure de silicium monocristallin sur le substrat support temporaire (10). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de chaque couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) est réalisé par dépôt chimique en phase vapeur. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un traitement thermique après le dépôt d’une couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A, 30B) à une température supérieure à la température de dépôt. Procédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel le traitement thermique est réalisé à une température supérieure ou égale à 1700°C. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) comprend une combustion du graphite sous un flux d’oxygène à une température comprise entre 800°C et 900°C. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) comprend une attaque chimique ou gravure au plasma d’oxygène. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait du substrat support temporaire (10) comprend une étape de meulage. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur du substrat support temporaire (10) est comprise entre 1 et 15 mm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) est comprise entre 400 et 5000 nm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la première couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A) est comprise entre 100 et 2000 µm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la face avant du support temporaire en graphite (10) présente une première taille, et la première couche de carbure de silicium monocristallin présente une seconde taille inférieure ou égale à la moitié de la première taille, de sorte que ladite première couche forme un premier pavé (20C), le procédé comprenant en outre le transfert d’au moins un second pavé de carbure de silicium monocristallin (20D, 20E) sur la face avant du substrat support temporaire (10) de sorte que les premiers et seconds pavés (20C, 20D, 20E) soient agencés côte à côte sur la face avant du substrat support temporaire (10), le dépôt de la couche de carbure de silicium polycristallin comprenant la formation d’une couche respective de carbure de silicium polycristallin sur chaque pavé (20C, 20D, 20E). Substrat intermédiaire comprenant : un substrat support temporaire (10) en graphite, une première couche en carbure de silicium monocristallin (20, 20A) agencée sur une face avant du substrat support temporaire (10), et une première couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A) agencée en contact direct avec la première couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A). Substrat intermédiaire selon la revendication 15 dans lequel la couche de carbure de silicium monocristallin (20, 20A) présente une épaisseur comprise entre 400 et 5000 nm et la couche de carbure de silicium polycristallin (30, 30A) présente une épaisseur comprise entre 100 et 2000 µm. Substrat intermédiaire selon la revendication 15 ou la revendication 16, dans lequel la face avant du substrat support temporaire en graphite (10) présente une première taille, et la première couche de carbure de silicium monocristallin présente une seconde taille inférieure ou égale à la moitié de la première taille de sorte que ladite première couche forme un premier pavé (20C), le substrat intermédiaire comprenant en outre au moins un second pavé (20D, 20E) de carbure de silicium monocristallin, de sorte que les premiers et seconds pavés (20C, 20D, 20E) soient agencées côte à côte sur la face avant du substrat support temporaire (10), une couche de carbure de silicium polycristallin étant agencée sur chaque pavé (20C, 20D, 20E) de carbure de silicium monocristallin.