INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le ressort 115 applique, par élasticité, une action mécanique de ressort sur l’arbre principal 114, par rapport au carter 120, par l’intermédiaire de la liaison vis-écrou 181. L’action mécanique de ressort est ici un effort de ressort E115, appliqué sur l’écrou 183. La liaison vis-écrou 181 convertit cet effort en couple mécanique reçu par l’arbre 114. L’action mécanique de ressort est donc appliquée sur l’arbre 114 de façon indirecte, via la liaison vis-écrou 181.
L’effort de ressort E115 tend à actionner l’arbre principal 114 dans le sens retour S114’, quel que soit le sens de rotation de l’arbre 114, et que l’arbre 114 soit en rotation ou non. L’effort de ressort E115 résulte en un effort de ressort résultant E115’, appliqué par l’arbre principal 114 sur l’organe de tirage 113, par l’intermédiaire du réducteur principal 130 et de l’enrouleur 112, et étant toujours opposé à l’effort de traction d’utilisateur E113.
De préférence, on prévoit que lorsque l’enrouleur 112 est dans sa valeur initiale de course angulaire, le ressort 115 est dans une configuration de déformation initiale, et que, lorsque l’enrouleur 112 est dans sa valeur maximale de course angulaire, le ressort 115 est dans une configuration de déformation plus élevée, dite configuration de déformation maximale. Autrement dit, le ressort 115 est configuré pour que l’effort E115 soit croissant au fur et à mesure de la rotation de l’arbre 114 dans le sens aller S114. Autrement dit, la rotation de l’arbre 114 augmente la déformation élastique du ressort 115, ici en le compressant.
De préférence, le ressort 115 est précontraint, de sorte que la valeur de l’effort E115 est non nulle dans la configuration de déformation initiale, et est croissante de la configuration de déformation initiale à la configuration de déformation maximale. Grâce à cette précontrainte, on peut prévoir que la valeur de l’effort E115 en configuration de déformation maximale n’est que légèrement plus élevée qu’en configuration de déformation initiale.
Un avantage d’interposer le réducteur 130 et la liaison vis-écrou 181 entre l’enrouleur 112 et le ressort 115 est que la course en translation de l’extrémité d’action 139 du ressort 115 peut être particulièrement faible, et donc le ressort 115 particulièrement compact. On doit néanmoins prévoir que le ressort 115 présente une constante de raideur k du ressort 115 dont la valeur est suffisante pour que l’effort E115’ soit significatif.
L’appareil 101 comprend préférentiellement un réducteur secondaire 190, comprenant un arbre secondaire 184, disposé à l’intérieur du carter 120. L’arbre secondaire 184 est monté à l’intérieur du carter 120 de façon à être rotatif par rapport au carter 120 autour d’un axe principal X184, sans translation suivant l’axe X184. Les axes X114 et X184 sont avantageusement parallèles. Pour cela, l’appareil 101 comprend avantageusement deux paliers, par l’intermédiaire desquels l’arbre 184 est relié au carter 120 et guidé en rotation. Les rotations de l’arbre 114 et de l’arbre 184 sont assujetties l’une par rapport à l’autre, à l’aide d’un train d’engrenage avec une roue 185, portée par l’arbre 114, et un pignon 186, porté par l’arbre 184, le pignon 186 et la roue 185 étant mutuellement engrenés et formant partie du réducteur secondaire 190.
De préférence, le réducteur secondaire 190 comprend aussi une liaison vis-écrou à l’intérieur du carter 120. La liaison vis-écrou comprend une vis 188, fixée à l’arbre 184, et un écrou 189, qui est coulissant suivant l’axe X184 par rapport au carter 120, et empêché en rotation autour de l’axe X184 par rapport au carter 120. La vis 188 est vissée dans l’écrou 189. Ainsi, la translation de l’écrou 189 et la rotation de la vis 188, et donc de l’arbre 184 et de l’arbre 114, sont assujettis.
L’amortisseur fluidique 150 est disposé à l’intérieur du carter 120. L’amortisseur fluidique 150 est fixé au carter 120 et applique une action mécanique amortissante sur l’arbre 114, par l’intermédiaire du réducteur secondaire 190, de sorte à appliquer une action mécanique amortissante sur l’arbre 114, ici en appliquant un effort amortissant E150 sur le réducteur secondaire 190, en particulier sur l’écrou 189. L’amortisseur 150 est un composant passif, qui applique l’effort E150 en réaction à une rotation de l’arbre 114, qui lui est transmise par l’intermédiaire du réducteur secondaire 190. En particulier, selon le même principe que pour l’amortisseur 50, l’amortisseur 150 est configuré pour que la valeur de l’effort E150 dépende d’un facteur d’amortissement c et de la vitesse de rotation de l’arbre 114. De préférence, le facteur d’amortissement c est un facteur de proportionnalité, qui peut être constant ou variable en fonction du mode de réalisation considéré, et qui lie l’effort E150 à la vitesse de rotation de l’arbre 114. L’effort E150 tend à s’opposer à la rotation de l’arbre 114 par rapport au carter 120. Autrement dit, lorsque l’arbre 114 est en rotation dans le sens aller S114, l’effort E150 tend à actionner l’arbre 114 dans le sens retour S114’ et vice versa. L’application de cet effort E150 résulte en un effort amortissant résultant E150’, appliqué par l’arbre principal 114 sur l’organe de tirage E113, par l’intermédiaire du réducteur 130 et de l’enrouleur 112. Lorsque l’utilisateur exerce l’effort E113 pour mettre en rotation l’enrouleur 112 dans le sens S112 contre l’action du ressort 115, l’effort E150’ généré par l’amortisseur fluidique 150 est opposé à l’effort de traction d’utilisateur E113. Lorsque l’utilisateur exerce l’effort E113 afin de retenir l’enrouleur 112, alors que l’enrouleur 112 est mis en rotation dans le sens d’enroulement S112’ sous l’action du ressort 115, l’effort E150’ est dans le même sens que l’effort E113.
De préférence, l’amortisseur fluidique 150 comprend un variateur 151, un organe fixe 152, un organe mobile 153 et deux chambres 154 et 155. Dans le présent exemple, l’amortisseur fluidique 150 forme un vérin amortisseur linéaire. Comme vu précédemment pour le variateur 51, le variateur 151 vise à permettre une variation du facteur d’amortissement c.
L’amortisseur 150 est fixé au carter 120 par l’intermédiaire de l’organe fixe 152. Ici l’organe fixe 152 forme un boîtier cylindrique.
L’organe mobile 153 est mobile par rapport à l’organe fixe 152, ici en étant coulissant le long du cylindre de l’organe fixe 152. C’est par l’intermédiaire de l’organe mobile 153 que l’amortisseur fluidique 150 applique l’effort E150 sur l’écrou 189. Pour cela, on prévoit par exemple que l’organe mobile 153 soit fixé à l’écrou 189. Plus généralement, on prévoit que l’organe mobile 153 est mobile par rapport à l’organe fixe 152 de façon assujettie à la rotation de l’arbre principal 114, ici par l’intermédiaire du réducteur secondaire 190.
Dans le présent exemple, l’organe mobile 153 forme un piston et une tige, le piston étant disposé à l’intérieur du boîtier de l’organe fixe 152. L’organe fixe 152 délimite extérieurement les deux chambres 154 et 155, qui sont séparées l’une de l’autre, à l’intérieur de l’organe fixe 152, par le piston de l’organe mobile 153, qui forme une cloison. En fonction de la position en coulissement de l’organe mobile 153 par rapport à l’organe fixe 152, le volume respectif des chambres 154 et 155 est varié. Une réserve de fluide est stockée dans l’amortisseur 150 en étant répartie dans les deux chambres 154 et 155. Il n’y a pas d’apport de fluide extérieur. Un conduit 157 relie les chambres 154 et 155, par l’intermédiaire duquel du fluide de la réserve de fluide peut être transféré d’une chambre 154, 155 à l’autre, sous l’effet de la variation du volume respectif des chambres 154, 155 alors que l’organe mobile 153 coulisse. Ce transfert forcé de fluide se fait au prix de pertes de charges qui tendent à s’opposer au coulissement de l’organe mobile 153, générant ainsi l’effort E150.
Le variateur 151 comprend une électrovanne de régulation, c’est-à-dire une vanne de régulation qui embarque un actionneur électrique pour être réglée. L’électrovanne de régulation est portée par le conduit 157, de sorte que le fluide transféré d’une chambre 154, 155 à l’autre par l’intermédiaire du conduit 157 passe par l’électrovanne. Le réglage de l’électrovanne permet de modifier la section de passage dans le conduit 157, et donc de modifier la perte de charge impartie au fluide transféré entre les chambres 154 et 155. Dès lors, le réglage de l’électrovanne permet de modifier un facteur d’amortissement c de l’amortisseur 150, déterminant la valeur de l’effort E150. Si la vanne est plus ouverte, le facteur d’amortissement c décroit, si la vanne est plus fermée, le facteur d’amortissement c augmente. Plus généralement, le réglage du variateur 151, ici de l’électrovanne, fait varier l’intensité de l’amortissement fourni par l’amortisseur 150.
De préférence, on prévoit que l’unité électronique 118 commande le variateur 151, ici, commande l’électrovanne, en fonction d’une valeur de réglage réglée par l’utilisateur. Par exemple, pour que l’utilisateur puisse commander l’unité 118, l’appareil 101 comprend un panneau de commande et/ou l’unité électronique 118 est reliée à une interface homme-machine accessible à l’utilisateur, par exemple depuis une application exécutée sur un terminal tel qu’un smartphone ou un ordinateur. Ainsi, l’utilisateur peut indiquer à l’unité électronique 118 une valeur cible d’intensité d’effort et/ou indiquer une fonction d’intensité d’effort, en fonction de quoi l’unité électronique 118 commande le réglage du variateur 151.
La deuxième unité de filtrage 7 peut mettre en œuvre un premier filtre de Kalman étendu et un deuxième filtre de Kalman étendu.
Le premier filtre de Kalman étendu de la deuxième unité de filtrage 7 peut présenter un vecteur d’état comportant une position latérale (en mètre) de l’aéronef AC dans le repère lié à la piste d’atterrissage RWY, un biais d’alignement angulaire (en radian) d’un signal de guidage latéral délivré par le dispositif d’aide à l’atterrissage et un biais de facteur de sensibilité du signal de guidage latéral.
La position latérale correspond à la coordonnée de la position de l’aéronef selon l’axe des ordonnées dans le repère lié à la piste d’atterrissage RWY.
Le biais d’alignement angulaire du signal de guidage latéral correspond à une déviation angulaire du signal de guidage latéral (signal Localizer) qui définit un axe de guidage latéral par rapport à la composante latérale de l’axe d’approche de référence correspondant à l’axe longitudinal de la piste d’atterrissage RWY. L’axe longitudinal B1 de la piste d’atterrissage RWY correspond à un axe qui sépare la piste d’atterrissage RWY en deux parties sensiblement identiques dans le sens de la longueur de la piste d’atterrissage RWY.
Le premier filtre de Kalman étendu de la deuxième unité de filtrage 7 peut aussi présenter un vecteur de mesure comportant la position latérale courante (en mètre) dans le repère lié à la piste d’atterrissage RWY et un écart latéral courant mesuré en microampère ou en DDM à partir du signal de guidage latéral de référence et acquise par la troisième unité d’acquisition 3.
L’écart latéral courant mesuré en DDM (« Difference in the Depth Modulation » en anglais) signifie qu’il est mesuré en différence de taux de modulation. En pratique, il est exprimé comme un pourcentage. Le signal de guidage latéral comporte deux parties. Chacune des parties est émise à une fréquence différente l’une de l’autre. Le DDM correspond à une différence entre le taux de modulation d’une partie émise à une fréquence et le taux de modulation de l’autre partie émise à une autre fréquence. L’écart latéral est nul si l’aéronef AC suit une trajectoire alignée avec l’axe de guidage latéral.
Le premier filtre de Kalman étendu de la deuxième unité de filtrage 7 susceptible d’être mis en œuvre dans la deuxième unité de filtrage 7 peut mettre en œuvre un modèle d’évolution comportant les équations suivantes :
correspond à un écart latéral courant acquis par la troisième unité d’acquisition 3 à partir du ou des signaux de guidage de référence émis par le dispositif d’aide à l’atterrissage 22.
correspond à un bruit de mesure (en microampère) de l’écart latéral courant
correspond à une distance (en mètre) entre le seuil T de la piste d’atterrissage RWY et la station émettrice qui émet le signal de guidage latéral de référence.
correspond à un biais de facteur de sensibilité du signal de guidage latéral de référence (Localizer) par rapport à un signal latéral standardisé de 0,7.
Le facteur de sensibilité standardisé de 0,7 correspond à un facteur de sensibilité conforme aux normes de l’Organisation de l’aviation civile internationale ICAO (ICAO pour « International Civil Aviation Organization » en anglais).
correspond au biais d’alignement angulaire du signal de guidage latéral.
Cela permet d'avoir une bonne répartition de la composition dans les différentes couches de la peau.
Le dispositif peut être connecté par communication sans fil à un système électronique, notamment un ordinateur personnel ou un smartphone, pour le contrôle de l'injection.
Une injection de gaz CO 2 augmente le flux sanguin dans la peau, ce qui permet d'augmenter l’oxygénation de la peau pour diminuer l’intensité de cernes.
En variante, le dispositif comprend un système électronique.
Evaluation des modifications cutanées
Des méthodes d'évaluation des modifications cutanées peuvent être utilisées, telles que la tomographie par cohérence optique (OCT), la microscopie confocale, la microscopie électronique, des méthodes d'évaluation quantitatives et qualitatives.
La méthode OCT peut être utilisée pour surveiller et localiser les sites d'injection dans la peau.
La méthode OCT peut être utile pour suivre le volume de gaz rempli à l'intérieur de la peau, du cuir chevelu ou des lèvres.
La microaiguille est configurée pour délivrer le gaz à un débit inférieur à 80 cm 3 /min, notamment à un débit compris entre 20 cm 3 /min et 60 cm 3 /min.
La ligne de distribution comprend un régulateur de pression.
La ligne de distribution comprend un interrupteur de commande de la distribution de gaz vers la microaiguille.
La ligne de distribution comprend une conduite amont de raccordement du régulateur de pression à l’interrupteur de command et une conduite aval de raccordement de l’interrupteur de commande à la microaiguille.
La ligne de distribution comprend un système de purge disposé en amont de la microaiguille, pour évacuer avant une injection, des gaz résiduels stagnants dans la micro -aiguille.
Le système de purge est doté d’un corps principal incluant une valve.
Le système de purge comporte un mécanisme de commutation en deux étapes.
Comme représenté sur l’exemple de la , au temps t3, une injection de charges peut avoir lieu au niveau du nœud de commande 262, et se traduire par une variation de la tension VCORR. Il existe en outre une autre injection de charges, beaucoup plus importante, apparaissant au moment du front descendant du signal RESET. La personne du métier mettra en oeuvre des précautions pour limiter ces injections de charges et pourra, à cette fin, mettre en oeuvre un procédé de double échantillonnage corrélé (Correlated double sampling, CDS en anglais).
Le niveau de sortie VX obtenu pendant l’établissement et l’échantillonnage de la correction est principalement déterministe puisque la partie aléatoire correspondant au bruit a été corrigée.
Au temps t’3, similaire au temps t’3 de la , le signal READ passe, par exemple à un état bas, pour rendre non-passant le transistor de sélection RD.
De façon similaire à la , la première phase d’intégration démarre à partir du temps t2 ce qui provoque la baisse (dans le cas où les charges sont des électrons) de la tension VX au fur et à mesure que les charges sont photogénérées jusqu’au temps t5 similaire à la .
Au temps t4 compris entre les temps t’3 et t5 et similaire au temps t4 de la , le signal READ passe, par exemple, à un niveau haut pour rendre le transistor RD passant jusqu’au temps t8 similaire au temps t8 de la . Entre les temps t4 et t5, la tension VX est, par exemple, convertie par un convertisseur analogique numérique, non illustré sur la , qui est relié à la sortie VX du pixel.
Dans la , les échelles de temps entre les temps t1 et t’3 et entre t4 et t8 ne sont pas les mêmes qu’entre t’3 et t4 de sorte que le temps relativement long entre t’3 et t4 puisse être représenté. De ce fait, bien que la pente de la courbe de la tension VX entre t’3 et t4 apparaisse plus importante qu’entre les temps t4 et t5, elle est en réalité similaire.
Le circuit électronique et son fonctionnement, tels que décrits dans l’exemple de la et 3, permettent de corriger, en gardant une certaine rapidité, en alignant la tension VX de sortie de la cellule sur la tension de référence VREF, le bruit thermique aléatoire intrinsèque aux montages « 3T ». Une problématique similaire pourra être appliquée aux montages « CTIA ».
De façon similaire à la , la phase de deuxième échantillonnage corrélé a lieu entre les temps t7 et t8 pour appliquer la valeur de réinitialisation, avant la phase d’intégration, et en tenant compte et de la correction de bruit kT/C.
Au temps t5, après la conversion du signal avec le convertisseur analogique numérique, les signaux RESET et SMP repassent à un niveau haut pour rendre passants respectivement les transistors RST et CORR, et effectuer une nouvelle opération d’asservissement du bruit avec le circuit d’asservissement 295.
Au temps t6 similaire au temps t6 de la figure 1C, le signal RESET passe, par exemple, à un niveau bas pour rendre le transistor RST non passant. Une nouvelle valeur de bruit est alors échantillonnée sur le nœud de détection. Avant le temps t6 ou à t6 l’amplificateur est, par exemple, réactivé pour asservir la tension VX de sortie de la cellule à la tension VREF comme entre t2 et t3. Le niveau de sortie VX obtenu en fin d’établissement, à un temps t7, et l’échantillonnage de la correction est alors déterministe et égal à celui obtenu au temps t3 de par l’élimination de la partie aléatoire .
A la fin du temps d’établissement, au temps t7, compris entre les temps t6 et t8, le signal SMP passe, par exemple, à un niveau bas pour rendre le transistor d’échantillonnage CORR non-passant ce qui permet de stocker la correction VBB à appliquer sur la capacité 255. Entre les temps t7 et t8, une conversion analogique numérique de la tension VX, non illustrée, est alors réalisée ce qui permet de mesurer VX en l’absence de charges photogénérées et avec correction du bruit . Par différence entre la première conversion (entre t4 et t5) et la deuxième conversion (entre t7 et t8), la fonction de double échantillonnage corrélé (CDS) fournit uniquement le résultat de l’intégration de charges photogénérées, la partie aléatoire ayant été corrigée.
Par comparaison, pendant le même passage à l’état haut du signal READ entre la valeur de VX, obtenue entre t7 et t8, et la valeur de VX, obtenue entre t4 et t5, c’est-à-dire après la phase d’intégration, il est possible de mesurer une quantité plus précise des charges accumulées sans stockage mémoire. Les mêmes éléments (cellule 210, amplificateur 295, tensions de commande, etc.) étant utilisés entre les temps t2 à t3, puis entre les temps t6 et t7, les disparités entrant en jeu sont les mêmes, si bien que leurs effets vont se compenser exactement par l’opération de double échantillonnage corrélé.
La phase du fonctionnement du circuit électronique comprise entre les temps t5 et t8 permet de s’affranchir des dispersions de dimensionnement des transistors entre les cellules (Fixed Pattern Noise en anglais) notamment en ce qui concerne les disparités entre les transistors CORR et/ou deuxièmes transistors SF des différentes cellules 210 des différentes colonnes.
En résumé, avant la première numérisation la boucle d’asservissement permet de diviser, par le gain de la boucle, la somme du décalage déterministe dû aux différences lors de la fabrication et du premier bruit aléatoire généré . De même, avant la deuxième numérisation, la boucle d’asservissement 295 permet de corriger la somme du décalage déterministe dû aux différences lors de la fabrication et du deuxième bruit aléatoire généré .
La différence entre les deux numérisations correspond au signal dû aux charges photogénérées.
Le double échantillonnage corrélé (CDS) permet de faire la différence entre les deux numérisations pour obtenir les charges photogénérées.
Description détaillée de l’invention L'invention s'applique d'une manière générale à toute pièce de turbomachine recouverte d’un revêtement protecteur dont la couche de protection est déposée par électrophorèse bien que la description qui suit est illustrée par une telle pièce comprenant un substrat en un composite à matrice céramique en référence aux figures 1 et 2.
Le substrat 11 de cette pièce 1 est revêtu d’une couche de silicium 121 . L’épaisseur maximale de la couche de silicium 121 peut être de 1 µm à 100 µm. Dans certain cas (typiquement pour un dépôt par CVD), elle est de préférence de 1 µm à 50 µm. Dans d’autres cas (typiquement pour un dépôt par projection plasma), elle est de préférence de 50 µm à 100 µm.
Dans la présente demande, l’épaisseur maximale est comprise comme désignant l’épaisseur d’une couche ou d’un empilement de couches à l’endroit où elle est la plus grande.
Le substrat 11 de la pièce peut être entièrement revêtu de la couche de silicium 121 ou seulement partiellement revêtu.
La pièce comprend en outre, sur la couche de silicium 121 , un empilement composé d’au moins deux couches de céramique 122 et d’au moins une couche électriquement conductrice 123 , la ou les couches électriquement conductrices 123 alternant avec les couches de céramique 122 . Dans certains cas, une couche de céramique 122 est au contact de la couche de silicium 121 . L’empilement et la couche de silicium 121 forment ensemble un revêtement barrière environnementale 12 pour le substrat 11 . De préférence, une couche électriquement conductrice 123 est la dernière couche de l’empilement en partant de la couche de silicium 121 comme illustré sur la .
L’empilement peut recouvrir toute la surface de la couche de silicium 121 ou seulement une partie de celle-ci.
De manière générale, si n est le nombre de couches de céramique 122 et m le nombre de couches électriquement conductrices 123 , alors on a la relation Math. 1 si la dernière couche est une couche électriquement conductrice 123 ( ) et Math. 2 si la dernière couche est une couche de céramique 122 ( ).
[Math. 1] m = n
[Math. 2] m = n - 1
Par exemple, la pièce 1 comprend sur la couche de silicium 121, dans l’ordre à partir de cette dernière, une première couche de céramique 122 , une couche électriquement conductrice 123 et une deuxième couche de céramique 122 satisfaisant la formule Math. 2 et illustré par la . Dans un autre exemple, une deuxième couche électriquement conductrice 123 est ajoutée sur la deuxième couche de céramique 122 satisfaisant la formule Math. 1, cet exemple est illustré par la . D’autres exemples sont des empilements où n = 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, etc.
De manière générale, la céramique des couches de céramique 122 est une céramique déposable par dépôt électrophorétique. On peut citer parmi ces céramiques déposables les silicates de terre rare par exemple les monosilicates de terre rare et les disilicates de terre rare.