INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Alternativement ou en complément, l’algorithme pourra intégrer un temps de réaction à l’ouverture ou à la fermeture, variable en fonction de l’indice i de mode de pilotage.
Dans les différents exemples de gestion automatique de manière générale, il est souhaitable d’ajouter un filtre temporel pour éviter des micromouvements.
Alors que les étapes relatives à la définition du mode de pilotage peuvent n’être basées que sur un paramètre de température intérieure T, l’algorithme de gestion automatique peut se baser sur d’autres paramètres. Il prend en compte avantageusement un capteur d’ensoleillement pour déterminer les flux d’énergie entrants disponibles, une horloge, qui permet de décliner le fonctionnement en mode sur certaines plages horaires, un capteur de température extérieure, et/ou des données météorologiques externes.
Selon un mode de réalisation, la valeur de décalage est pondérée par au moins un paramètre extérieur, notamment un paramètre de prévision météorologique, un paramètre de température extérieur, un paramètre de rayonnement solaire. Ceci permet notamment de prendre en compte les différences entre la température intérieure T et la température extérieure.
Dans une telle configuration, les flux énergétiques traversant la fenêtre seule ou traversant la fenêtre et la protection solaire 3 sont estimés. L’une des deux configurations favorisera davantage de flux entrant qu’une autre (généralement, le flux entrant est plus important avec la protection solaire repliée la journée, et c’est l’inverse la nuit).
Notons φ - le flux minimum et φ + 0 le flux maximum. Dans le cas d’un coefficient limitant des apports solaires α qui ne dépend que des modes de pilotage, l’indice i du mode en cours placera les protections solaires dans une position de fermeture partielle de façon à avoir un flux entrant (pour i variant de 0 à 10) :
Optionnellement, en utilisant les prédictions météorologiques, les étapes du procédé et en particulier la détermination de l’indice i du mode de pilotage peut être améliorée en adoptant une approche prédictive plutôt que réactive. La méthode sera plus efficace lorsque les conditions climatiques varient fortement d’une journée à l’autre.
Selon un mode de réalisation, après une première phase de fonctionnement selon les étapes ci-dessus, le procédé de gestion comprend une deuxième phase de fonctionnement dans lequel le mode de pilotage est déterminé en fonction des valeurs archivées et d’une température extérieure prévisionnelle. A chaque période prédéfinie, dans l’exemple chaque jour, les valeurs de température extérieure et d’illuminance extérieure (moyenne horaire) peuvent être archivées ainsi que l’indice i du mode de pilotage correspondant (après correction en début ou fin de période). On construit ainsi au fur et à mesure des jours un modèle de régression (un lien numérique) par apprentissage capable de prédire selon les conditions climatiques à venir, l’indice i du mode de pilotage le plus performant.
Selon un mode de réalisation, en plus de spécifier une plage de température de confort [T c - , T c + ], l’utilisateur pourra spécifier une plage de confort lumineux (relatif par exemple à une quantité de lux) [L c - , L c + ] par fenêtre/baie à maintenir/ne pas dépasser pour assurer un minimum de lumière naturelle et éviter les risques d’éblouissement. Le positionnement des protections solaires 3 selon l’étape de pilotage S1 devra respecter les contraintes de luminosité quand cela est possible ou s’en approcher au mieux.
Optionnellement, une gestion d’occupation/inoccupation du logement peut être ajoutée (via capteurs de présence, badge, agenda…) pour activer/désactiver la prise en compte du confort lumineux. En période d’inoccupation, cela permet d’assurer une gestion thermique optimale du bâtiment sans aucune contrainte de confort visuel.
Procédé et système de conception d’une pièce mécanique La présente invention se rapporte au domaine général de la conception des pièces mécaniques.
Fig. 1 est un schéma montrant les étapes d’un exemple de procédé de fabrication d’endoprothèse selon l’invention.
Fig. 2 est un schéma montrant les étapes d’un premier exemple de fixation d’une armature métallique sur une membrane creuse du procédé de la .
Fig. 3 est une illustration des étapes de la .
Fig. 4 est un schéma montrant les étapes d’un autre exemple de fixation d’une armature métallique sur une membrane creuse du procédé de la .
Fig. 5 est une illustration des étapes de la .
Fig. 6 est un schéma montrant les étapes d’un autre exemple de procédé de fabrication d’endoprothèse selon l’invention.
Un procédé de fabrication d’endoprothèse, notamment une endoprothèse aortique vasculaire, selon la présente invention sera décrit ci-après en référence aux à 6.
Ce procédé comprend : - l’impression 3D 100 d’une membrane creuse 10 en élastomère thermoplastique ; et - la solidarisation 200 d’une armature métallique 12 sur la membrane creuse 10 pour former un assemblage 18 membrane-armature.
L’impression 3D 100 peut être réalisée par une technologie de fabrication additive, par exemple l’extrusion de matière fondue, l’agglomération ou durcissement de matière à l’aide de la lumière ou encore le frittage de poudre. Parmi les techniques d’extrusion de matière fondue, on peut citer l’extrusion directe de granulés (en anglais direct pellet printing , DPP) et le dépôt de filament fondu (en anglais fuse d deposition mode l ling , FDM). Le filament utilisé peut être à son tour issu d’une extrusion à partir de granulés. Parmi les techniques d’agglomération ou durcissement de matière à l’aide de la lumière, on peut citer la stéréolithographie (SLA). Enfin, parmi les techniques de frittage de poudre, on peut citer le frittage sélectif laser (en anglais selective laser sintering , SLS). De préférence, les techniques d’extrusion de matière fondue sont préférées, notamment pour leur facilité de mise en forme n’impliquant ni solvant, ni liant ou initiateur de polymérisation.
L’impression 3D 100 peut être notamment réalisée à partir de données d’imagerie médicale telle que l’angioscanner préopératoire. Ainsi, les limitations concernant la forme de l’endoprothèse pourraient être levées car cette technique rendrait l’endoprothèse réellement sur-mesure. En effet, les variations de diamètre ainsi que les différentes courbures propres à l’anatomie aortique du patient pourraient être rendues compte dans la forme de l’endoprothèse.
En outre, avec l’évolution et l’intégration dans les services de chirurgie vasculaire des logiciels d’imagerie pour le diagnostic des AAA et le dimensionnement des endoprothèses, les endoprothèses aortiques fabriquées par impression 3D à partir de l’angioscanner préopératoire du patient pourraient être fabriquées sur site, en pharmacie centrale par exemple. Cette éventualité présente l’avantage de réduire les délais de fabrication et d’acheminement. Ainsi, les étapes de fabrication, de stérilisation et de livraison en salle blanche de l’endoprothèse aortique fabriquée par impression 3D pourront être réalisées en quelques jours.
L’impression 3D 100 peut comprendre la randomisation des points de départ, notamment pour les épaisseurs les plus élevées. Si les points de départ ne sont pas randomisés, l’impression peut former à l’endroit des points de départ une jointure marquée le long de la longueur de l’endoprothèse. Cette jointure présente potentiellement des risques d’éclatement lors de la manipulation de la membrane pendant la fabrication de l’endoprothèse, voire lors de l’utilisation de cette dernière. En revanche, la randomisation des points de départ permet d’éviter la formation d’une telle jointure renforçant la solidité de l’endoprothèse.
La membrane creuse 10 peut présenter une forme tubulaire, c’est-à-dire avec une paroi latéralement refermée sur elle-même formant une lumière et deux extrémités ouvertes. Alternativement, la membrane creuse peut être bifurquée et formée d’une portion de tronc tubulaire bifurquant à l’une de ses extrémités en deux portions jambières tubulaire de plus petit diamètre que la portion de tronc. Une telle forme est particulièrement adaptée à l’aorte abdominale. L’une des portions jambières peut être plus longue que l’autre. Cependant, la membrane creuse n’est pas limitée à ces formes et peut prendre toute forme adaptée anatomiquement au site de pose de l’endoprothèse.
Les élastomères thermoplastiques sont des matériaux peu coûteux et leur utilisation comme matière première pour la fabrication des EDP réduit ainsi le coût de production.
L’élastomère thermoplastique peut être un polyuréthane thermoplastique, c’est-à-dire qu’il comprend une fonction uréthane –NH(CO)O– pouvant être obtenue par polyaddition entre un polyol, –(OH–R’–OH) n –, et un diisocyanate, OCN–R–NCO, donnant –(R’OOC–NH–R–NH–COOR’)–.
Le diisocyanate peut être un diisocyanate aromatique ou un diisocyanate aliphatique. Parmi les diisocyanates aromatiques, on peut citer le 4,4-diisocyanate de diphénylméthylène (4,4-MDI), le 2,4-diisocyanate de toluène (2,4-TDI) et le 2,6-diisocyanate de toluène (2,6-TDI). Parmi les diisocyanates aliphatiques, on peut citer le 1,6-diisocyanate d’hexaméthylène (HDI), le 4,4-diisocyanate de dicyclohexylméthane (H 12 MDI) et le diisocyanate d’isophorone (IPDI).
illustre schématiquement un environnement de communication de données, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement un processus de stockage d’empreinte numérique d’un document dans un dispositif de stockage de données de l’environnement de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre schématiquement un dispositif configuré pour la communication de données relatives à des certificats d’un ensemble de véhicules dans l’environnement de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
illustre un organigramme des différentes étapes d’un procédé de communication de données relatives à des certificats d’un ensemble de véhicules dans l’environnement de la , selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention.
Un procédé et un dispositif de communication de données relatives à des certificats d’un ensemble de véhicules vont maintenant être décrits dans ce qui va suivre en référence conjointement aux figures 1 à 4. Des mêmes éléments sont identifiés avec des mêmes signes de référence tout au long de la description qui va suivre.
Selon un exemple particulier et non limitatif de réalisation de la présente invention, le traitement de données d’un ensemble de véhicules comprenant une pluralité de véhicules, par exemple une ou plusieurs centaines de véhicules ou encore un ou plusieurs milliers de véhicules, par exemple des données relatives à des certificats pour ces véhicules (certificats attestant du kilométrage à un instant déterminé, certificats attestant de l’état de la batterie à un instant déterminé, certificats attestant de l’historique de changement d’un ou plusieurs organes, etc.), comprend la réception de premières données représentatives de signatures numériques associées aux certificats de cet ensemble de véhicules. Les premières données sont écrites ou encodées dans un fichier pour former un registre des signatures numériques de ces certificats. Une empreinte numérique est calculée pour le fichier en appliquant une fonction de hachage déterminée à ce fichier. Le fichier formant le registre des signatures numériques est enregistré dans un dispositif de stockage de données (par exemple une base de données ou un disque mémoire d’un serveur) et l’empreinte numérique associée à ce fichier est encodée ou inscrite dans un bloc d’une chaine de blocs.
La illustre schématiquement un environnement 1 de communication de données, notamment pour la communication de données représentatives de certificats d’un ensemble de véhicule, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention.
L’environnement de communication 1 comprend par exemple un dispositif de traitement de données de type serveur ou ordinateur 103, lequel correspond par exemple à un dispositif contrôlé et géré par un constructeur automobile, par exemple un constructeur de véhicules 10 à moteur thermique, à moteur(s) électrique(s) et/ou encore un véhicule hybride avec un moteur thermique et un ou plusieurs moteurs électriques. Les véhicules 10 correspondent ainsi par exemple à un véhicule terrestre, par exemple une automobile, un camion et/ou un car.
Dans la description qui suit, les qualificatifs « isolant » et « conducteur » signifient respectivement, sauf précision contraire, électriquement isolant et électriquement conducteur.
La est une vue en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de cellule mémoire 100 du type auquel s’appliquent, à titre d’exemple, des modes de réalisation décrits.
Dans l’exemple représenté, la cellule mémoire 100 comprend une couche de matériau ferroélectrique 101, ou couche ferroélectrique 101, interposée entre deux électrodes 103A et 103B. Plus précisément, dans l’exemple illustré, l’électrode 103B revêt une face de la couche ferroélectrique 101 (la face inférieure de la couche 101, dans l’orientation de la ). Par ailleurs, dans cet exemple, une couche diélectrique 105 revêt une face de la couche ferroélectrique 101 opposée à l’électrode 103B (la face supérieure de la couche 101, dans l’orientation de la ), l’électrode 103A revêtant une face de la couche diélectrique 105 opposée à la couche ferroélectrique 101 (la face supérieure de la couche 105, dans l’orientation de la ). À titre d’exemple, la couche ferroélectrique 101 est à base de dioxyde d’hafnium (HfO 2 ), par exemple dopé par des atomes de silicium ou d’aluminium, à base d’un oxyde d’hafnium et de zirconium (HZO), par exemple de type Hf x Zr (1- x) O 2 où x est égal à environ 0,5, ou à base de tellurure de germanium (GeTe). Le matériau de la couche ferroélectrique 101 est par exemple cristallisé, au moins partiellement, dans un système non centrosymétrique, par exemple le système orthorhombique. À titre de variante, le matériau de la couche 101 peut être à base de nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), par exemple cristallisé au moins partiellement dans une phase hexagonale. À titre d’exemple, la couche 101 présente une épaisseur égale à environ 10 nm.
La couche diélectrique 105 est par exemple en un matériau et présente une épaisseur tels qu’un courant puisse circuler entre la couche ferroélectrique 101 et l’électrode 103B, par effet tunnel à travers la couche 105, lorsqu’une tension de l’ordre de quelques volts est appliquée entre les électrodes 103A et 103B. À titre d’exemple, la couche diélectrique 105 est en alumine (Al 2 O 3 ) ou en dioxyde de silicium (SiO 2 ) et présente une épaisseur comprise entre 0,5 et 3,5 nm.
Les électrodes 103A et 103B peuvent être en un même matériau. Les électrodes 103A et 103B sont en un matériau conducteur, par exemple un matériau à base d’un métal, d’un alliage métallique ou d’un matériau semiconducteur dopé. À titre d’exemple, chaque électrode 103A, 103B est en tungstène ou en nitrure de titane.
À titre de variante, la couche diélectrique 105 peut être omise. Dans ce cas, l’électrode 103B est en un matériau différent de celui de l’électrode 103A, de sorte qu’il existe une différence de travail de sortie entre les électrodes 103A et 103B. Par ailleurs, la couche ferroélectrique 101 est par exemple plus mince que dans le cas illustré en où la cellule mémoire 100 comprend la couche 105 interposée entre la couche ferroélectrique 101 et l’électrode 103A. Dans le cas où la cellule mémoire 100 est dépourvue de la couche diélectrique 105, la couche ferroélectrique 101 présente par exemple une épaisseur égale à environ 5 nm.
La est un exemple de cycle d’hystérésis 200 illustrant des variations de polarisation P d’une couche de matériau ferroélectrique, par exemple la couche 101 de la cellule mémoire 100 de la , en fonction d’un champ électrique E appliqué à la couche ferroélectrique.
Dans un cas où le matériau de la couche ferroélectrique 101 est cristallisé dans une phase non centrosymétrique, la couche 101 comprend une pluralité de dipôles électriques formés chacun par une maille élémentaire du réseau cristallin. Chaque dipôle électrique de la couche 101 présente une polarisation sensiblement verticale et orientée soit depuis l’électrode 103A vers l’électrode 103B, la charge négative du dipôle étant alors plus proche de l’électrode 103A que ne l’est sa charge positive, soit depuis l’électrode 103B vers l’électrode 103A, la charge positive du dipôle étant alors plus proche de l’électrode 103A que ne l’est sa charge négative. Par l’application d’une tension entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100, il est possible de modifier, dans la couche ferroélectrique 101, les proportions de dipôles orientés depuis l’électrode 103A vers l’électrode 103B, présentant une polarisation notée Pdown, et de dipôles orientés depuis l’électrode 103B vers l’électrode 103A, présentant une polarisation notée Pup. Cela permet ainsi d’obtenir au moins deux états de polarisation opposés de la couche de matériau ferroélectrique 101, correspondant respectivement à deux niveaux de résistance différents : – un niveau fortement résistif, correspondant à un cas dans lequel les dipôles de la couche 101 sont majoritairement dans l’état de polarisation Pdown ; et – un niveau faiblement résistif, présentant par exemple une résistance électrique inférieure, par exemple entre dix et dix mille fois inférieure, à celle du niveau fortement résistif, correspondant à un cas dans lequel les dipôles de la couche 101 sont majoritairement dans l’état de polarisation Pup.
À un instant initial, par exemple postérieur à des opérations de fabrication de la cellule mémoire 100 et antérieur à toute opération d’écriture dans la cellule mémoire 100, les dipôles électriques de la couche 101 sont par exemple majoritairement dans l’état de polarisation Pup (point 201). Une tension Vbias est par exemple ensuite appliquée entre l’électrode 103A et l’électrode 103B de la cellule mémoire 100. La tension Vbias est par exemple positive et présente une valeur strictement supérieure à une tension Vc telle que le champ électrique E appliqué à la couche ferroélectrique 101 soit égal à un champ coercitif Ec du matériau. Le champ coercitif Ec correspond à la valeur minimale du champ E à appliquer à la couche 101 pour que sa polarisation P change de sens et s’oppose à la polarisation P de la couche 101 préalablement à l’application du champ E. Dit autrement, le champ coercitif Ec correspond au champ E à appliquer pour que la polarisation P de la couche ferroélectrique 101 soit nulle, c’est-à-dire pour que la couche 101 comprenne environ autant de dipôles dans l’état de polarisation Pup que de dipôles dans l’état de polarisation Pdown. L’application de la tension Vbias provoque une transition (flèche 203) de la couche 101 vers le niveau fortement résistif (point 205), dans lequel les dipôles électriques de la couche 101 sont majoritairement dans l’état de polarisation Pdown. Après avoir cessé d’appliquer la tension Vbias (flèche 207), la polarisation P de la couche 101 est égale à une polarisation rémanente Pr (point 209).
Une tension -Vbias est par exemple ensuite appliquée entre l’électrode 103A et l’électrode 103B de la cellule mémoire 100. La tension -Vbias est par exemple négative et présente une valeur strictement inférieure à une tension -Vc telle que le champ électrique E appliqué à la couche ferroélectrique 101 soit égal à un champ coercitif -Ec du matériau. À titre d’exemple, la tension -Vbias et le champ coercitif -Ec sont sensiblement égaux, en valeur absolue, à la tension Vbias et au champ coercitif Ec, respectivement. En pratique, le champ coercitif -Ec peut être différent du champ coercitif Ec, l’écart entre les champs Ec et -Ec correspondant à un champ de compensation (« offset », en anglais). L’application de la tension -Vbias provoque une transition (flèche 211) de la couche 101 vers le niveau faiblement résistif (point 213), dans lequel les dipôles électriques de la couche 101 sont majoritairement dans l’état de polarisation Pup. Après avoir cessé d’appliquer la tension -Vbias (flèche 215), la polarisation P de la couche 101 est égale à une polarisation rémanente -Pr (point 201). La polarisation -Pr est par exemple sensiblement égale, en valeur absolue, à la polarisation Pr.
À des fins de simplification, la illustre un exemple dans lequel la polarisation P de la couche 101 est, au point 205, sensiblement égale Pr et, au point 213, sensiblement égale à -Pr. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la polarisation P pouvant, en pratique, être égale, au point 205, à une polarisation de saturation Psat supérieure à Pr et, au point 213, à une polarisation de saturation -Psat inférieure à -Pr.
Les tensions de polarisation Vbias et -Vbias sont par exemple appliquées chacune sous la forme d’une impulsion de tension d’une durée de l’ordre de quelques nanosecondes, par exemple supérieure ou égale à 10 ns. À titre d’exemple, chaque tension Vbias, -Vbias est, en valeur absolue, inférieure à 5 V, par exemple égale à environ 2,5 V, dans un cas où la couche ferroélectrique 101 présente une épaisseur de l’ordre de 10 nm.
À un instant ultérieur, la tension Vbias est par exemple à nouveau appliquée entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100. L’application de la tension Vbias provoque alors une transition (flèche 203) de la couche 101 vers le niveau fortement résistif (point 205), dans lequel les dipôles électriques de la couche 101 sont majoritairement dans l’état de polarisation Pdown. Après avoir cessé d’appliquer la tension Vbias (flèche 207), la polarisation P de la couche 101 est à nouveau égale à la polarisation rémanente Pr (point 209).
Dans l’exemple représenté, l’application de la tension positive Vbias entre les électrodes 103A et 103B correspond à une opération d’écriture d’un premier état de résistance, par exemple un état de haute résistance ou état fortement résistif, dans la cellule mémoire 100, tandis que l’application de la tension négative -Vbias entre les électrodes 103A et 103B correspond à une opération d’écriture d’un deuxième état de résistance différent du premier état de résistance, par exemple un état de faible résistance ou état faiblement résistif, présentant une résistance inférieure à celle du premier état de résistance, dans la cellule mémoire 100. Bien que cela ne soit pas détaillé dans la présente description, d’autres états de résistance intermédiaires peuvent en outre être obtenus, par exemple en agissant sur la durée d’application des tensions de polarisation Vbias et -Vbias et/ou sur les valeurs de ces tensions.
On peut également citer les cires hydrocarbonées apolaires (c’est-à-dire constituées uniquement d’atomes de carbone et d’hydrogène), résultant de la transformation du pétrole, telles que par exemple les cires de polyéthylène, les cires de polyméthylène (cire synthétique, Fischer-Tropsch), seules ou en mélanges.
Par « composé pâteux », au sens de la présente invention, on entend un composé lipophile comprenant, à une température ambiante, une fraction liquide et une fraction solide. Ainsi, un composé pâteux peut avoir un point de fusion de départ inférieur à 25 °C.
Le point de fusion du composé pâteux est déterminé selon le même principe que celui détaillé ci-dessus pour les cires. Dans le cas d’un composé pâteux, le protocole de mesure est toutefois le suivant :
Un échantillon de 5 mg de composé pâteux placé dans un creuset est soumis à une première élévation de température allant de -20 °C à 100 °C, à une vitesse de chauffe de 10 °C/minute, puis refroidi de 100 °C à -20 °C à une vitesse de refroidissement de 10 °C/minute et enfin soumis à une seconde élévation de température allant de -20 °C à 100 °C à une vitesse de chauffe de 5 °C/minute. Le point de fusion du composé pâteux est la valeur de température correspondant au sommet du pic de la courbe représentant la variation de la différence de puissance absorbée en fonction de la température.