Circuit mémoire (400 ; 500) comprenant une pluralité de cellules élémentaires (100) comportant chacune un élément résistif de résistance variable, ledit élément comprenant des première et deuxième électrodes (103A, 103B) séparées par une couche d’un matériau ferroélectrique (101), et un circuit de commande (407) configuré pour mettre en œuvre des opérations de lecture (303-1, 303-2, 303-p) et/ou des opérations d’écriture (301-1, 301-2, 301-n), le circuit de commande étant en outre configuré pour, après chaque opération d’écriture d’une cellule élémentaire et avant l’opération d’écriture suivante de ladite cellule élémentaire, appliquer à la cellule une séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n) comprenant l’application, entre les première et deuxième électrodes de l’élément résistif de la cellule, d’une succession d’impulsions de tension (V) de polarités alternées. Circuit mémoire (400 ; 500) selon la revendication 1, dans lequel la première électrode (103A) est connectée à une première piste conductrice (401) et la deuxième électrode (103B) est reliée ou connectée à une deuxième piste conductrice (403). Circuit mémoire (400 ; 500) selon la revendication 2, dans lequel la deuxième électrode (103B) est reliée, au moyen d’un sélecteur ou d’un transistor de sélection (T), à la deuxième piste conductrice. Circuit mémoire (400) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le circuit de commande (407) est en outre configuré pour, lors de chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n), appliquer en alternance un potentiel positif sur la première piste conductrice (401) et sur la deuxième piste conductrice (403). Circuit mémoire (400) selon la revendication 2 ou 3, comprenant en outre des circuits de polarisation (409) connectés aux premières pistes conductrices (401), chaque circuit de polarisation comprenant au moins une première pompe de charges destinée à fournir un potentiel positif et au moins une deuxième pompe de charge destinée à fournir un potentiel négatif. Circuit mémoire (400) selon la revendication 5, dans lequel le circuit de commande (407) est configuré pour, lors de chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n), appliquer en alternance les potentiels positif et négatif sur la première piste conductrice (401). Circuit mémoire (500) selon la revendication 2 ou 3, comprenant en outre un circuit de filtrage (501) connecté à la première piste conductrice (401), le circuit de filtrage comportant un élément capacitif (503) et un commutateur (505) associés en parallèle entre des premier et deuxième nœuds (507, 509), le deuxième nœud étant connecté à la première piste conductrice. Circuit mémoire (500) selon la revendication 7, dans lequel le circuit de commande (407) est en outre configuré pour, lors de chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n), appliquer un signal de tension présentant des alternances de même signe sur le deuxième nœud (509) du circuit de filtrage (501). Circuit mémoire (400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n) comprend entre dix et cent impulsions de tension. Circuit mémoire (400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les impulsions de tension (V) lors de chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n) présentent une amplitude égale, en valeur absolue, environ au double d’une tension telle qu’un champ électrique (E) appliqué à la couche (101) soit égal au champ coercitif (Ec) du matériau ferroélectrique. Circuit mémoire (400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n) débute par une première impulsion de tension (V) et s’achève par une dernière impulsion de tension, les première et dernière impulsions de tension présentant respectivement des polarités opposées et identiques à celles d’une impulsion de tension appliquée par le circuit de commande (407), entre les première et deuxième électrodes (103A, 103B) de l’élément résistif de la cellule (100), lors de l’opération d’écriture précédente (301-1, 301-2, 301-n). Circuit mémoire (400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les impulsions de tension appliquées lors de chaque séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n) présentent, en valeur absolue, une amplitude strictement supérieure à celle des impulsions de tension appliquées lors des opérations d’écriture (301-1, 301-2, 301-n). Circuit mémoire (400 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le matériau ferroélectrique de la couche (101) est à base d’oxyde d’hafnium dopé, d’un oxyde d’hafnium et de zirconium, de nitrure d’aluminium et de scandium, ou de tellurure de germanium. Circuit mémoire (400 ; 500) selon la revendication 13, dans lequel le matériau ferroélectrique de la couche (101) est à base d’oxyde d’hafnium dopé ou d’un oxyde d’hafnium et de zirconium et est cristallisé au moins partiellement dans un système orthorhombique. Circuit mémoire selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel ledit élément résistif de résistance variable comprend en outre une couche diélectrique (105) interposée entre la couche du matériau ferroélectrique (101) et la première électrode (103A). Procédé de commande d’un circuit mémoire (400 ; 500) comprenant une pluralité de cellules élémentaires (100) comportant chacune un élément résistif de résistance variable, ledit élément comprenant des première et deuxième électrodes (103A, 103B) séparées par une couche d’un matériau ferroélectrique (101), et un circuit de commande (407) configuré pour mettre en œuvre des opérations de lecture (303-1, 303-2, 303-p) et des opérations d’écriture (301-1, 301-2, 301-n), le procédé comprenant les étapes suivantes : a) effectuer, au moyen du circuit de commande (407), au moins une opération d’écriture (301-1, 301-2, 301-n) d’une cellule élémentaire ; et b) après chaque opération d’écriture et avant l’opération d’écriture suivante de ladite cellule élémentaire, appliquer à la cellule, au moyen du circuit de commande (407), une séquence de rafraîchissement (305-1, 305-2, 305-n) comprenant l’application, entre les première et deuxième électrodes de l’élément résistif de la cellule, d’une succession d’impulsions de tension (V) de polarités alternées.