INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, la cristallisation est en film tombant, opérée dans un échangeur multitubulaire ; en pratique, chaque tube est alimenté en continu par le flux 18 en tête, un flux de fluide caloporteur. Cette opération comprend en fait 3 étapes : d’abord la cristallisation à une température contrôlée de l’ordre de 14 °C par exemple pour l’acide acrylique, puis le ressuage par une montée en température progressive du fluide caloporteur pour éliminer les impuretés incluses dans les cristaux, et enfin la fusion par une montée de température rapide au-delà de la température de fusion de l’acide carboxylique α-β insaturé contrôlée (environ 14 °C pour l’acide acrylique), mais de préférence en deçà de 35-40 °C.
Le pied de la colonne de séparation (COL) est un flux d’acide carboxylique α-β insaturé comportant l’essentiel des impuretés lourdes et une grande proportion de l’inhibiteur est recyclé en tout ou partie au réacteur de thermolyse.
Selon un mode de réalisation, le rapport massique entre le flux soutiré latéralement et le flux d’alimentation de la colonne est compris entre 60 et 95%, de préférence entre 75% et 90%.
Selon un mode de réalisation, le rapport massique entre le flux soutiré en pied et le flux d’alimentation de la colonne est compris entre 5% et 30%, de préférence entre 5% et 10%.
Selon un mode de réalisation particulier, la colonne est équipée d'un condenseur et d'une alimentation liquide en tête (non représentés), qui assure un reflux liquide dans la colonne. Le taux de reflux, que l’on peut définir comme étant le débit de recyclage de la tête de colonne vers la colonne de séparation (COL) rapporté à celui de soutirage latéral, est compris entre 1 et 3, de préférence entre 1 et 2, par exemple est égal à 1,2. Ces conditions permettent de conduire au meilleur compromis entre la taille de la colonne / nombre d’étages de séparation à utiliser et l’énergie à mettre en œuvre pour assurer la distillation efficace.
Selon un deuxième mode de réalisation de l’invention représenté à la , le flux 1 représente l’apport d’un ou plusieurs inhibiteurs dans le réacteur de thermolyse, tels que décrits ci-dessus.
Le flux 2 est constitué de biomasse. Il alimente également le réacteur de pyrolyse qui est dans ce cas un mélangeur convoyeur du type séchoir à hélice (Paddle Dryer).
Les flux 1 et 2 sont amenés dans le réacteur de thermolyse par une conduite, une vis sans fin, un tapis convoyeur ou une trémie, un transport pneumatique, un transporteur vibrant, une extrudeuse. En outre ils peuvent être couplés à un dispositif doseur.
La proportion massique d’inhibiteur dans le mélange avec la biomasse est de moins de 1%.
Selon un mode de réalisation, la température dans le réacteur de thermolyse est comprise entre 20 °C et 250 °C, de préférence 150 °C-200 °C et la pression dans le réacteur est comprise entre 3 kPa et 101 kPa, de préférence entre 15 kPa et 40 kPa.
Selon un mode de réalisation, le temps de séjour dans le réacteur est compris entre 0,5 h et 5 h, de préférence entre 2 h et 4 h.
De surcroit, quand PREP est éteinte, une modification de l’expression et de l’abondance de nombreuses protéines exprimées au cours des étapes tardives de la différenciation kératinocytaire est observée, suggérant que PREP pourrait également être impliquée au-delà, dans le contrôle de la cornification.
Alliage résistif de précision à base de cuivre, de manganèse, de nickel et d’étain La présente invention concerne le domaine des alliages résistifs de précision à base de cuivre et, plus particulièrement, un alliage résistif dont les constituants principaux sont le cuivre et le manganèse, et comportant également du nickel, de l’étain, et éventuellement du silicium.
Les alliages à base de cuivre et de manganèse sont connus pour leurs propriétés électriques, et notamment pour leur résistivité.
Dans les alliages résistifs dits « de précision », viennent s’ajouter à la résistivité comme caractéristique incontournable, le coefficient de température en résistance, également noté TCR (Temperature Coefficient Resistance), ainsi que le pouvoir thermoélectrique, noté PTE.
La présente invention concerne plus spécifiquement un alliage présentant une stabilité optimale de la résistivité après exposition en température sur une longue période d’utilisation (plusieurs centaines d’heures), un très faible coefficient de température et un très faible pouvoir thermoélectrique, qui sera utilisé dans les résistances de précision pour la mesure du courant ou dans les résistances étalons.
Ainsi, un tel alliage trouvera notamment une application dans la fabrication de résistances de précision telles que des shunts (ou micro-shunts) qui sont en particulier essentiels dans le système de contrôles des batteries d'accumulateur (ou BMS - Battery Management System) où la température a un effet majeur sur la capacité de charge de la batterie, voir sa destruction.
Cet alliage pourra également être employé dans la fabrication de résistances de précision à puce (ou SMD - Surface Mount Résistor and Chip Resistors) telles que les résistances à feuille métallique ou les résistances de détection de courant (Current Sense Resistors).
Enfin, cet alliage trouvera également une application dans la fabrication de jauges de déformation pour lesquelles les mesures requièrent une grande précision et une stabilité en température.
Le shunt, notamment, est constitué d’un cœur fabriqué à partir d’un alliage résistif, et de deux connecteurs en cuivre, et lesdits connecteurs sont assemblés au cœur par soudage, la différence de potentiel entre les matériaux du cœur et des connecteurs en cuivre conditionnant le PTE, celui-ci devant être le plus faible possible.
En d’autres termes, le pouvoir thermoélectrique traduit l’apparition d’une différence de potentiel électrique entre un couple de matériau soumis à un gradient de température.
Dans les applications visées, à savoir les résistances de précision, un PTE le plus faible possible est recherché, afin d'éviter l'existence de courant parasite nuisible pour certaines applications, avec, en parallèle, une valeur de résistivité importante.
La résistivité, notée ϱ, en opposition à la conductivité, définit la capacité d’un matériau à bloquer le passage des charges électriques, et donc du courant.
La résistivité ϱ du cuivre est très faible (1,724 µΩ.cm à l’état recuit), ce qui en fait un excellent conducteur électrique. En effet, la conductivité électrique du cuivre est définie comme étant égale à 100 % IACS (International Annealed Copper Standard).
Enfin, le coefficient de température, TC, représente la variation d’une propriété physique, qui peut être, par exemple, la conductivité thermique d’un matériau, la résistance mécanique, ou la résistance d’un conducteur, en fonction de la température.
Dans les applications de la présente invention, la grandeur physique d’intérêt est le coefficient de température de la résistance (TCR) ; c’est donc cette propriété qui sera mesurée, et pour laquelle on cherche à atteindre une valeur la plus faible possible.
Dans les alliages dont le constituant principal est le cuivre, du manganèse peut être ajouté à ce cuivre, ce qui a pour effet d’augmenter la résistivité de l’alliage et le pouvoir thermoélectrique, tout en abaissant le coefficient de température.
Système d’alimentation électrique, et objet en mouvement comportant le système d’alimentation électrique Arrière-plan de l’inventionDomaine technique La présente invention concerne un système d’alimentation électrique et un objet en mouvement comportant le système d’alimentation électrique.
Le document JP H06-003975 B divulgue un système d’alimentation électrique pour un avion, qui peut alimenter en énergie électrique une charge même en cas d’urgence en combinant une pluralité de générateurs et de batteries de stockage
On a connu une demande d’un système d’alimentation électrique offrant davantage de redondance et d’un objet en mouvement comportant un tel système d’alimentation électrique.
Un premier système d’alimentation électrique de la présente invention comprend : un premier circuit d’alimentation électrique configuré pour alimenter un premier dispositif de charge en courant électrique continu délivré depuis un premier dispositif de production d’énergie ; un premier dispositif de stockage d’énergie connecté au premier circuit d’alimentation électrique en parallèle avec le premier dispositif de production d’énergie ; un deuxième circuit d’alimentation électrique configuré pour alimenter un deuxième dispositif de charge en courant électrique continu délivré depuis un deuxième dispositif de production d’énergie ; un deuxième dispositif de stockage d’énergie connecté au deuxième circuit d’alimentation électrique en parallèle avec le deuxième dispositif de production d’énergie ; un premier dispositif relais comportant un premier circuit partiel qui fait partie du premier circuit d’alimentation électrique, et comportant aussi un premier dispositif contacteur configuré pour déconnecter le premier dispositif de stockage d’énergie du premier circuit partiel ; un deuxième dispositif relais comportant un deuxième circuit partiel qui est une autre partie du premier circuit d’alimentation électrique, et comportant aussi un deuxième dispositif contacteur configuré pour déconnecter le premier dispositif de production d’énergie du premier circuit partiel ; un troisième dispositif relais comportant un troisième circuit partiel qui fait partie du deuxième circuit d’alimentation électrique, et comportant aussi un troisième dispositif contacteur configuré pour déconnecter le deuxième dispositif de stockage d’anergie du troisième circuit partiel ; un quatrième dispositif relais comportant un quatrième circuit partiel qui est une autre partie du deuxième circuit d’alimentation électrique et comportant aussi un quatrième dispositif contacteur configuré pour déconnecter le deuxième dispositif de production d’énergie du troisième circuit partiel ; et un premier circuit de connexion comportant un premier dispositif de connexion configuré pour connecter le premier circuit partiel et le troisième circuit partiel l’un à l’autre, étant entendu que le premier dispositif relais, le deuxième dispositif relais, le troisième dispositif relais, le quatrième dispositif relais, et le premier dispositif de connexion sont disposés dans une pluralité de zones différentes les unes des autres.
Un objet en mouvement de la présente invention comprend le système d’alimentation électrique décrit ci-dessus.
Selon la présente invention, il est possible de fournir un système d’alimentation électrique avec davantage de redondance et un objet en mouvement comportant un tel système d’alimentation électrique.
Brève description des figures est une première vue schématique d’un système d’alimentation électrique ;
est une deuxième vue schématique du système d’alimentation électrique ;
est un diagramme illustrant le fonctionnement du système d’alimentation électrique lorsqu’une première anomalie se produit ;
est un diagramme illustrant le fonctionnement du système d’alimentation électrique lorsqu’une deuxième anomalie se produit ;
Ensuite, pour chaque fonction détectée configurée pour recevoir des données provenant de l’extérieur, le procédé comprend un ajout 32, par le compilateur, d’instructions additionnelles à exécuter lors de l’appel et du retour de ladite fonction. Ces instructions additionnelles peuvent donc être seulement ajoutées pour les fonctions identifiées par ladite balise dans le code source. Ces instructions additionnelles sont donc générées sans intervention d’un développeur.
Comme vu précédemment, ces instructions additionnelles servent à protéger ces fonctions contre les attaques de type dépassement de pile (en anglais « stack overflow »), notamment les attaques « ROP » de l’anglais « Return-Oriented Programming ».
En particulier, les instructions additionnelles ajoutées pour l’appel de la fonction permettent de dupliquer, dans un circuit de mémoire du système informatique destiné à exécuter le programme, l’adresse de retour dans ce circuit de mémoire du système informatique. Ces instructions additionnelles permettent également de dupliquer dans ce circuit de mémoire du système informatique la valeur du pointeur de pile lors de l’ajout de l’adresse de retour dans la pile.
Les instructions additionnelles ajoutées pour le retour de fonction comprennent des instructions additionnelles permettant de comparer la valeur de l’adresse de retour du registre LR à la valeur dupliquée de l’adresse de retour stockée dans le circuit de mémoire CMEM. Cette comparaison permet de vérifier que la valeur de l’adresse de retour du registre LR n’a pas été modifiée lors de l’exécution de ladite fonction. Comme vu précédemment, ces instructions additionnelles comprennent également des instructions permettant de prendre des contre-mesures si la valeur du pointeur de pile lors de la récupération de l’adresse de retour est différente de la valeur dupliquée du pointeur de pile et/ou si la valeur de l’adresse de retour du registre LR est différente de la valeur dupliquée de l’adresse de retour.
Circuit et procédé d’interface avec des circuits périphériques La présente description concerne de façon générale les circuits et les procédés pour assurer une interface avec des circuits périphériques.
Certains processeurs génériques compris dans des dispositifs électroniques sont amenés à interagir avec des circuits périphériques. Dans certains cas, ces circuits périphériques peuvent assurer des fonctions liées à la sécurité, comme des opérations cryptographiques, telles que des opérations de chiffrement, de génération de signature et/ou valeur d’hachage, etc.
Un problème avec des interactions entre le processeur générique et des circuits périphériques est la demande importante subis par le processeur générique en termes de traitement des communications avec les circuits périphériques.
De plus, le processeur générique peut être amené à manipuler des secrets du dispositifs, tels que par exemple des clefs de chiffrements. Ces secrets sont, par exemple, manipulés par le processeur générique lors de l’exécution des opérations cryptographiques. Cependant, il est souhaitable que des logiciels, exécutés par le processeur générique, n’ait pas accès à ces secrets.
Il existe donc un besoin d’une solution pour améliorer les interactions entre un processeur générique et des circuits périphériques.
Un mode de réalisation prévoit un circuit d’interface relié à au moins un premier et un deuxième circuits périphériques, et comprenant un registre stockant un paramètre d’état, le circuit d’interface étant configuré pour : - recevoir une demande d’accès pour écriture ou lecture, en provenance d’un processeur et vers une adresse de destination dans le premier circuit périphérique ; et - générer une opération d’écriture et/ou de lecture vers le premier et/ou le deuxième circuit périphérique, l’opération et sa destination étant sélectionnées en fonction de la valeur d’état et de l’adresse de destination.
Selon un mode de réalisation, lorsque la demande d’accès est une demande d’accès pour écriture d’une donnée, le circuit d’interface est en outre configuré pour sélectionner l’opération et/ou sa destination en fonction en outre de la valeur de la donnée.
Selon un mode de réalisation, lorsque la demande d’accès est une demande d’accès pour écriture d’une première valeur de donnée ou d’une deuxième valeur de donnée, différente de la première valeur de donnée, dans le premier circuit et lorsque le paramètre d’état est programmé à une première valeur d’état, l’opération générée comprend l’écriture d’une autre valeur de donnée, générée par le deuxième circuit périphérique, à l’adresse de destination dans le premier circuit périphérique.
Selon un mode de réalisation, lorsque le paramètre d’état est programmé à une deuxième valeur d’état, différente de la première valeur d’état, l’opération comprend la lecture dans le premier circuit périphérique d’une valeur de donnée stockée à l’adresse de destination et l’écriture de la valeur de donnée dans le deuxième circuit périphérique.
Selon un mode de réalisation, le circuit ci-dessus est en outre configuré pour, lorsque le paramètre d’état est programmé à une valeur d’initialisation, autoriser l’accès, par le processeur, vers chacun des au moins deux circuits périphériques.
Selon un mode de réalisation, lorsque la demande d’accès est une demande d’accès pour écriture d’une valeur de donnée interdite, l’opération générée comprend la programmation de la valeur du paramètre d’état à la valeur d’initialisation et la suppression du contenu d’au moins un des circuits périphériques.
Selon un mode de réalisation, l’opération générée comprend en outre la lecture et/ou l’écriture dans un troisième circuit périphérique relié au circuit d’interface.
est un diagramme illustrant une relation entre l’espace virtuel et l’image d’affichage affichée sur l’écran.
est un diagramme illustrant une modification d’un widget lors du défilement.
est un diagramme illustrant une autre forme d’affichage de la barre d’état affichée sur l’écran.
est un diagramme illustrant un exemple de disposition de widgets dans un espace virtuel bidimensionnel.
est un diagramme illustrant un exemple de disposition de widgets dans un espace virtuel tridimensionnel.
La description ci-après concerne un dispositif de commande d’affichage et un programme de commande d’affichage selon la présente invention. Il convient de noter que les éléments communs ou correspondants sont représentés par des références identiques ou similaires, et que les descriptions répétées sont simplifiées ou omises de manière appropriée.
À titre d’exemple, le dispositif de commande d’affichage selon un mode de réalisation de la présente invention est un appareil embarqué, tel qu’un dispositif de navigation ou IVI (infodivertissement embarqué). Il convient de noter que le dispositif de commande d'affichage n’est pas limité aux appareils embarqués et peut être un appareil d’une autre forme tel qu’un smartphone, un téléphone polyvalent, une tablette, un ordinateur personnel (PC), un assistant numérique personnel (PDA), un appareil de navigation portable (PND), un appareil de jeu portable, etc.
La est un bloc diagramme illustrant une configuration d’un dispositif de commande d’affichage 1 selon un mode de réalisation de la présente invention. Comme illustré à la , le dispositif de commande d’affichage 1 comporte une unité de commande 100, une unité d’interface de communication 110, une unité d’opération 120, une unité de stockage 130, une unité d’affichage 140, une unité de sortie audio 150 et une unité de vibration 160. La illustre schématiquement les principaux éléments constitutifs nécessaires à la description du présent mode de réalisation, et omet l’illustration schématique de certains éléments constitutifs, tel qu’un boîtier, qui sont des éléments constitutifs essentiels du dispositif de commande d’affichage 1.
L’unité de commande 100 commande l’ensemble du dispositif de commande d’affichage 1. L’unité de commande 100 est configurée, par exemple, comme micro-ordinateur comprenant une CPU 100A, une RAM (mémoire vive) 100B, une ROM (mémoire morte) 100C, un port E/S 100D, et une ligne de bus connectant ces ports.
La CPU 100A lit un programme stocké sur la ROM 100C, décompresse le programme dans une zone de travail enregistrée sur la RAM 100B et commande le périphérique de commande d’affichage 1 selon ce programme.
Le programme exécuté par l’unité de commande 100 comporte un programme de commande d’affichage 102 selon un mode de réalisation de la présente invention.
La CPU 100A peut être un monoprocesseur ou un multiprocesseur, cependant, l’unité de commande comporte au moins un processeur. Lorsqu’elle est configurée pour comporter une pluralité de processeurs, l’unité de commande 100 peut être emballée comme un seul dispositif ou peut être configurée comme une pluralité de périphériques physiquement séparés à l'intérieur de l’unité de commande d’affichage 1.
Dans la suite de la caractéristique précédente, selon une autre caractéristique, l’épaississement d’une paroi 4 est appliqué au plus à la moitié de la périphérie d’une cellule 5, afin de conserver une section passante à toute cellule 5.
Le tracé d’un chemin 6 est conçu pour passer au large d’un retournement 3, afin d’éviter la formation d’un point chaud PC au retournement 3, à l’extrémité E2 de la découpe 2. Il peut arriver que l’élément chauffant 1 présente encore au moins un point froid PF. C’est le cas par exemple de la périphérie de l’élément chauffant 1 où une partie de l’élément chauffant 1 est masquée par un flasque de fixation. Les gaz d’échappement ne circulent alors pas dans les cellules 5 de cette zone masquée. Selon une autre caractéristique, il peut être remédié à ce point froid PF en déviant un chemin 6, de telle manière à le faire passer par le point froid PF. Ceci permet avantageusement de supprimer ou au moins de réduire le point froid PF.
Ainsi, la création de chemins 6 permet au moins deux fonctions, d’une part le contournement d’un retournement 3 au large afin d’éviter la formation d’un point chaud PC et d’autre part la suppression ou la réduction d’un point froid PF.
Afin d’obtenir le but de l’invention, l’analyse a montré que l’épaississement d’une paroi 4 était plus efficace parallèlement à la découpe 2 que perpendiculairement à la découpe 2. Aussi, selon une autre caractéristique, l’épaississement d’une paroi 4 sensiblement parallèle à la découpe 2 est supérieur à l’épaississement d’une paroi 4 sensiblement perpendiculaire à la découpe 2.
Procédé et système de commande d’un moteur à combustion interne à allumage commandé suralimenté configurés pour purger un refroidisseur d’air de suralimentation La présente invention concerne le domaine des moteurs à combustion interne à allumage commandé, notamment pour véhicules automobiles, et plus particulièrement les moteurs à combustion interne suralimentés, à essence ou alcool ou GPL, comportant un système de recirculation partielle des gaz d’échappement à l’admission du moteur.
Plus particulièrement, l’invention concerne la réduction de la condensation, voire la purge dans un refroidisseur d’air de suralimentation.
Les normes d’émission de polluants des moteurs à combustion interne tels que les moteurs diesel étant de plus en plus strictes, ces moteurs sont généralement conçus avec des systèmes de recirculation de gaz d’échappement à l’admission, dit en termes anglo-saxons « Exhaust Gas Recirculation » ou « EGR ». De tels systèmes EGR comprennent, généralement, un circuit de recirculation pour le conduit à haute pression prélevant les gaz d’échappement en amont de la turbine du turbo-compresseur, un circuit de recirculation pour le conduit à basse pression prélevant les gaz d’échappement en aval d’un organe de dépollution de la ligne d’échappement, et un échangeur thermique afin de refroidir les gaz présents dans le circuit de recirculation à basse pression et de les réintroduire à l’entrée du moteur. Le circuit EGR à basse pression permet de ré-aspirer à l’admission des gaz brûlés issus de la combustion et de les réintroduire en amont du compresseur de suralimentation.
Ces gaz inertes permettent notamment d’augmenter la masse totale de gaz admis dans la chambre de combustion dans un moteur à essence, ce qui réduit la nécessité d’abaisser la pression du collecteur d’admission pour gérer la charge en air. Ceci limite les pertes par pompage et améliore la combustion. Il en résulte une diminution de la consommation de carburant.
Plus particulièrement, la présente invention concerne les systèmes de recirculation de gaz comprenant un refroidisseur d’air de suralimentation à eau froide, ou Water Charge Air Cooler (W-CAC) en termes anglo-saxons, situé en aval du compresseur du système de turbocompresseur et en amont du collecteur d’amission.
Afin de passer les normes de dépollution, les moteurs à combustion interne peuvent être contraints d’utiliser le circuit de recirculation de gaz à basse pression à froid. Or, le circuit de recirculation de gaz à basse pression contient des gaz brûlés chargés en eau. Ainsi, lorsque le moteur est froid, il y a un risque de condensation de l’eau présente dans le système de recirculation de gaz au niveau du refroidisseur d’air de suralimentation.