Alliage résistif de précision à base de cuivre (Cu) pour la fabrication d’une résistance de précision, ledit alliage étant caractérisé en ce qu’il est constitué de, en % en masse : manganèse (Mn) dans une proportion comprise entre 20,0 et 23,0 %, nickel (Ni) dans une proportion comprise entre 4,5 et 8,0 %, étain (Sn) dans une proportion comprise entre 0,2 et 2,0 %, Eventuellement de silicium (Si) dans une proportion comprise entre 0,02 et 0,15 %, en respectant alors Sn+4*Si Le reste étant du cuivre et des impuretés inévitables, Et dans lequel alliage le rapport (en % en masse) entre la proportion de Mn et de Ni est compris entre 3,0 et 5,0. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon la revendication 1 caractérisé en ce que la proportion de Sn est comprise entre 0,6 et 1,6 %. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon la revendication 1 ou la revendication 2 caractérisé en ce que la proportion de Mn est comprise entre 20,0 et 22,0 %. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que la proportion de Ni est comprise entre 5,0 et 6,5 %. Alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisé en ce qu’il présente une résistivité comprise entre 70 et 85 µΩ.cm, un pouvoir thermoélectrique PTE avec une valeur inférieure à 2 µV/°C, de préférence inférieure à 1 µV/°C, de préférence inférieur à 0,5 µV/°C, et un coefficient de température de la résistance TCR, entre 20 et 50 °C, compris entre -50 et +50 ppm/°C, de préférence compris entre -40 et +40 ppm/°C, de préférence compris entre -20 et +20 ppm/°C. Procédé de fabrication d’une bande en alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, ledit alliage étant constitué de, en % massiques, entre 20,0 et 23,0 % de Mn, entre 4,5 et 8,0 % de Ni, entre 0,2 et 2,0 % de Sn, éventuellement entre 0,02 et 0,15 % de Si, en respectant alors Sn+4*Si Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée semi-continue en sorte d’obtenir un lingot d’épaisseur ou de diamètre compris entre 100 et 250 mm ; Opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant 2 à 5 h ; A partir d’un lingot homogénéisé, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm, par recristallisation dynamique à chaud, comprenant laminage, extrusion et forgeage, à une température comprise entre 700 et 850 °C, avec un rapport de réduction de section supérieur à 50 % Obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise entre 1 et 3h. Procédé de fabrication d’une bande en alliage résistif de précision à base de cuivre selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, ledit alliage étant constitué de, en % massiques, entre 20,0 et 23,0 % de Mn, entre 4,5 et 8,0 % de Ni, entre 0,2 et 2,0 % de Sn, éventuellement entre 0,02 et 0,15 % de Si, en respectant alors Sn+4*Si Fusion des éléments constitutifs dudit alliage et coulée continue en sorte d’obtenir une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm ; Opération de traitement thermique d’homogénéisation à une température comprise entre 600 et 800 °C pendant 2 à 5 h ; A partir d’une bande d’épaisseur inférieure à 20 mm et homogénéisée, obtention d’une bande d’épaisseur inférieure à 10 mm par recristallisation statique après écrouissage à froid avec un rapport de réduction de section compris entre 65 et 85 %, à une température comprise entre 550 °C et 700 °C, pendant une durée comprise entre 1 et 3 h.