INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’armature tubulaire 5 est un tube de renfort métallique monté sur la structure du véhicule et forme un arceau de sécurité permettant notamment d’éviter un affaissement du toit de l’habitacle du véhicule en cas de renversement. L’armature tubulaire contribue aussi à rendre robuste la zone arrière de chargement 105 du véhicule.
S’agissant du repérage dans l’espace, la direction X correspond à la direction longitudinale du véhicule, la direction Z correspond à la direction verticale par rapport au sol local et la direction Y perpendiculaire aux deux précédentes et correspond à la direction transversale du véhicule.
Selon la réalisation représentée aux figures, l’armature tubulaire 5 est cylindrique de révolution autour d’un axe de base X0. Dans l’exemple illustré, l’axe de base X0 de l’armature tubulaire 5 est parallèle à l’axe longitudinal X du véhicule, en position sensiblement horizontale.
L’armature tubulaire 5 comprend une extrémité ouverte, dirigée vers l’arrière et positionnée au-dessus d’un feu arrière. L’extrémité ouverte est délimitée par une embouchure 50.
L’armature tubulaire est fabriquée en métal ou alliage métallique. Le principe de l'invention fonctionne aussi pour un tube fabriqué dans une autre matière, par exemple en plastique à haute performance mécanique.
Comme annoncé dans la partie introductive, il est prévu un câble électrique de recharge repéré 7 qui comprend à son extrémité une fiche de recharge 9 pouvant être enfichée dans un socle 220V monophasé (2P +T). La fiche 9 comprend un corps 90 et des deux broches saillantes 91 (voir ). Le corps 90 a un diamètre extérieur D9 compris entre 35 mm et 38 mm.
L’invention a aussi pour objet une station de test d’un système d’aéronef pour un banc d’essai d’aéronef, destinée à être raccordée à un superviseur de transfert de données par un lien de transfert de données, le lien de transfert étant propre à faire circuler des messages comportant un entête ayant au moins un indicateur de type de message,
la station étant propre à engendrer des données de simulation de paramètres d’au moins un équipement d’un système d’aéronef et étant propre à recevoir des données de configuration d’états du au moins un équipement du système d’aéronef,
la station étant propre à recevoir, lorsqu’un mode de transfert de données de configuration d’états d’au moins un équipement de système d’aéronef est activé, un message de données de configuration provenant du superviseur de transfert de données sur le même lien de transfert, le message de données de configuration comportant un entête ayant un indicateur de type de message correspondant à un message de données de configuration, et un champ de données comprenant des données de configuration d’états de l’équipement, la station étant propre à piloter au moins un état d’un équipement en utilisant les données de configuration d’états de l’équipement.
L’invention a également pour objet un superviseur de transfert de données destiné à être relié à une pluralité de stations de test de systèmes d’aéronef dans un banc d’essai d’aéronef par un lien de transfert de données, le lien de transfert étant propre à faire circuler des messages comportant un entête comprenant au moins un indicateur de type de message,
chaque station étant propre à engendrer des données de simulation de paramètres d’au moins un équipement d’un système d’aéronef et étant propre à recevoir des données de configuration d’états du au moins un équipement du système d’aéronef, le superviseur de transfert de données étant propre, lorsqu’un mode de transfert de données de simulation est activé, de recevoir au moins un message de données de simulation provenant d’au moins une station sur le lien de transfert, le message de données de simulation comprenant un entête ayant un indicateur de type de message correspondant à un message de données de simulation, et un champ de données comprenant des données de simulation engendrées par la station et étant propre à utiliser les données de simulation, notamment pour les afficher sur une interface homme machine ou pour les renvoyer à au moins une station via un message de données de simulation sur le lien de transfert;
- lorsqu’un mode de transfert de données de configuration d’états d’au moins un équipement de système d’aéronef est activé, le superviseur de transfert de données étant propre à émettre, à l’attention de la station d’un message de données de configuration sur le même lien de transfert, le message de données de configuration comportant un entête ayant un indicateur de type de message correspondant à un message de données de configuration, et un champ de données comprenant des données de configuration d’états de l’équipement.
- La est une vue schématique d’un système de partage de données au sein d’un banc d’essai d’aéronef, comprenant un superviseur de transfert de données et une pluralité de stations de test de systèmes d’aéronef, pour la mise en œuvre d’un premier procédé de partage de données selon l’invention ;
- La est une représentation schématique de la structure d’un message destiné à être envoyé via un lien de transfert de données du système de la ;
- La est une vue du champ de données d’un message de table de définition de données échangées circulant sur le lien de transfert de données ;
- La est une vue du champ de données d’un message de données de simulation ;
- La est une vue schématique d’un champ de données d’un message de données de configuration ;
- La est une vue schématique de la mise en œuvre du procédé selon l’invention, lors de l’initialisation du système de partage ;
- La est une vue schématique de la mise en œuvre du procédé, dans un mode de transmission de données de simulation ;
- La est une vue analogue à la , dans un mode conjoint de transmission de données de simulation et de configuration d’états.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, illustrant un circuit mémoire 400 selon un mode de réalisation.
Dans l’exemple représenté, le circuit mémoire 400 comprend une pluralité de cellules mémoire élémentaires 100 dont l’une des électrodes, par exemple l’électrode 103A, est connectée à une piste conductrice 401 (SL) et dont l’autre électrode, l’électrode 103B dans cet exemple, est reliée, par l’intermédiaire d’un transistor de sélection T, ou sélecteur T, à une autre piste conductrice 403 (BL). Dans l’exemple représenté, chaque cellule mémoire 100 est connectée à une première borne de conduction (source ou drain) du transistor T, l’autre borne de conduction du transistor T étant connectée à la piste conductrice 403. Par ailleurs, dans cet exemple, chaque transistor T comporte une borne de commande (grille) connectée à une autre piste conductrice 405 (WL). À titre de variante, les transistors T peuvent être omis, chaque cellule mémoire élémentaire 100 reliant la piste conductrice 401 à la piste conductrice 403. Dans ce cas, les électrodes 103A et 103B de chaque cellule 100 sont par exemple respectivement connectées aux piste conductrices 401 et 403.
À titre d’exemple, les pistes conductrices 401, 403 et 405 correspondent respectivement à des lignes de source, à des lignes de bit et à des lignes de mot du circuit mémoire 400.
Dans l’exemple illustré en , le circuit mémoire 400 comporte en outre un circuit de commande 407 (CMD), comprenant par exemple un microcontrôleur. Le circuit de commande 407 est par exemple configuré pour mettre en œuvre les opérations de lecture, les opérations d’écriture et les séquences de rafraîchissement pour chaque cellule mémoire élémentaire 100 du circuit mémoire 400 comme exposé précédemment en relation avec la . Les liaisons entre le circuit de commande 407 et les pistes conductrices 401, 403 et 405 n’ont pas été représentées en afin de ne pas surcharger le dessin. À titre de variante, plusieurs circuits peuvent être prévus pour mettre en œuvre les opérations de lecture, d’écriture et de rafraîchissement.
À titre d’exemple, les opérations d’écriture sont mises en œuvre en appliquant, entre la piste conductrice 401 et la piste conductrice 403, la tension Vbias, pour l’écriture d’un état fortement résistif, ou -Vbias, pour l’écriture d’un état faiblement résistif, comme exposé précédemment. En pratique, pour l’écriture d’un état fortement résistif dans une cellule mémoire 100, la piste 401 est par exemple portée à un potentiel positif V1 référencé à un potentiel de référence Vref, par exemple la masse, appliqué à la piste 403, la tension Vbias entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100 étant dans ce cas égale à la différence de potentiel V1-Vref. Les polarités sont par exemple inversées pour l’écriture d’un état faiblement résistif, c’est-à-dire que la piste 401 est portée au potentiel de référence Vref tandis que la piste 403 est portée au potentiel V1, la tension -Vbias entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100 étant dans ce cas égale à la différence de potentiel Vref-V1.
Les séquences de rafraîchissement sont par exemple mises en œuvre, par le circuit de commande 407, de façon analogue aux opérations d’écriture. Plus précisément, lors d’une séquence de rafraîchissement d’une cellule mémoire 100, un signal de tension V triangulaire ou trapézoïdal est par exemple appliqué à la cellule mémoire 100 en alternant entre des phases d’application d’un potentiel V2 sur la piste 401, la piste 403 étant alors par exemple mise à la masse, et des phases d’application du potentiel V2 sur la piste 403, la piste 401 étant alors par exemple mise à la masse. Le potentiel V2 est par exemple strictement supérieur au potentiel V1.
À titre de variante, le circuit mémoire 400 comprend en outre des circuits de polarisation 409 (CP), par exemple autant de circuits 409 que de pistes conductrices 401, chaque circuit 409 étant connecté à une piste 401 différente de celles auxquelles sont connectés les autres circuits 409. À titre d’exemple, chaque circuit 409 comprend au moins une pompe de charges, par exemple deux étages de pompes de charges, destinée à fournir un potentiel positif, par exemple le potentiel V2, et au moins une autre pompe de charges, par exemple deux autres étages de pompes de charges, destinée à fournir un potentiel négatif, par exemple un potentiel égal à environ -V2. Dans cette variante, chaque séquence de rafraîchissement est par exemple mise en œuvre en alternant entre des phases d’application du potentiel V2 et des phases d’application du potentiel -V2 sur la piste 401, la piste 403 étant alors par exemple maintenue au potentiel Vref lors de ces phases.
Lors des opérations d’écriture, des opérations de lecture et des séquences de rafraîchissement dans la cellule mémoire 100, le transistor de sélection T correspondant est commandé à l’état passant par une tension de commande appliquée, par exemple par le circuit de commande 407, sur la piste conductrice 405 à laquelle est connectée la borne de commande du transistor T. La commande des transistors T est à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
La est une vue de dessus, schématique et partielle, illustrant un circuit mémoire 500 selon un mode de réalisation.
Le circuit mémoire 500 de la comprend des éléments communs avec le circuit mémoire 400 de la . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le circuit mémoire 500 de la diffère du circuit mémoire 400 de la en ce que le circuit mémoire 500 comprend en outre des circuits de filtrage 501 comprenant chacun un élément capacitif 503 et un commutateur 505 associés en parallèle entre des nœuds 507 et 509.
Dans l’exemple représenté, le circuit mémoire 500 comprend autant de circuits 501 que de pistes 401 (SL), chaque circuit 501 étant connecté, par son nœud 507, à une piste 401 différente de celles auxquelles sont connectés les autres circuits 501. Le commutateur 505 de chaque circuit 501 est par exemple piloté par un signal de commande SIG, par exemple un signal présentant deux états permettant respectivement de commander l’ouverture et la fermeture du commutateur 505. Le signal SIG est par exemple généré par le circuit de commande 407. Les éléments capacitifs 503 sont par exemple réalisés en technologie CMOS (de l’anglais « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor » - métal-oxyde-semiconducteur complémentaire). À titre d’exemple, l’élément capacitif 503 de chaque circuit 501 présente une capacité de l’ordre du picofarad, par exemple comprise entre 0,1 et 10 pF.
Le commutateur 505 est par exemple un transistor, par exemple un transistor MOS (de l’anglais « Metal-Oxide-Semiconductor » - métal-oxyde-semiconducteur) sur la grille duquel est appliqué le signal SIG.
Le circuit mémoire 500 de la tire profit du fait que la jonction tunnel de chaque cellule mémoire 100 présente une résistance élevée, par exemple de l’ordre de 10 GΩ, et du fait que cette résistance varie en fonction de la valeur absolue de la tension V appliquée à ses bornes. Chaque circuit 501 permet en effet de former un filtre passe-haut de type « CR », dont l’élément résistif R est constitué majoritairement de la jonction tunnel de la cellule mémoire 100 et dont l’élément capacitif C est constitué majoritairement de l’élément capacitif 503. Ce filtre passe-haut permet avantageusement, lorsque le commutateur 505 est ouvert, de supprimer la composante continue d’un signal monoalternance c’est-à-dire un signal présentant des alternances de même signe, par exemple un signal à alternances positives uniquement, par exemple appliqué au nœud 509 du circuit 501 par le circuit 407, pour le transformer en un signal double alternance comprenant des alternances positives et négatives. Ainsi, lors des séquences de rafraîchissement, un signal de tension V à alternances positives et de valeur maximale égale environ au double de la tension V2 est par exemple appliqué au nœud 509, conduisant ainsi à l’application, sur la piste 401, d’un signal de tension V à alternances positives et négatives dont les valeurs extrémales sont égales, en valeur absolue, à environ V2. Dit autrement, le signal monoalternance appliqué au nœud 509 présente une amplitude sensiblement égale au double de celle du signal double alternance présent au nœud 507.
À titre d’exemple, le commutateur 505 est fermé en dehors des séquences de rafraîchissement.
Un avantage du circuit mémoire 500 tient au fait qu’il permet de mettre en œuvre les séquences de rafraîchissement à partir d’un signal à alternances positives uniquement, permettant de générer un signal à alternances positives et négatives sur une même piste 401, la piste 403 étant par exemple portée au potentiel de référence Vref durant les séquences. Cela permet de réduire la complexité de pilotage et la consommation électrique du circuit mémoire, par exemple par rapport au circuit mémoire 400 de la dans lequel les séquences de rafraîchissement sont mises en œuvre par la logique de pilotage ou au moyen des pompes de charges des circuits 409.
La est un chronogramme 300 illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple d’évolution, en fonction du temps t, d’une tension V appliquée entre des électrodes d’un élément résistif d’une cellule mémoire élémentaire, par exemple entre les électrodes 103A et 103B de la cellule 100, selon un mode de réalisation.
Dans l’exemple représenté, une opération d’écriture 301-1 est d’abord mise en œuvre. L’opération d’écriture 301-1 comprend l’application de la tension négative -Vbias entre les électrodes 103A et 103B. Cela conduit par exemple à la mémorisation de l’état fortement résistif dans la cellule mémoire 100.
Dans cet exemple, une opération de lecture 303-1, consécutive à l’opération d’écriture 301-1, est ensuite mise en œuvre. L’opération de lecture 303-1 comprend l’application d’une tension de lecture Vr entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100. Dans l’exemple illustré, la tension de lecture Vr est négative et par exemple comprise entre -1 et -2 V, par exemple égale à environ -1,5 V. À titre de variante, dans le cas d’un empilement différent de celui de la cellule 100 précédemment décrite en relation avec la , la tension de lecture Vr peut être positive.
Dans l’exemple illustré en , une séquence de rafraîchissement 305-1 comprenant l’application, entre les électrodes 103A et 103B, d’une succession d’impulsions de tension V de polarités alternées, est ensuite mise en œuvre. La séquence de rafraîchissement 305-1 est, dans cet exemple, mise en œuvre postérieurement à l’opération d’écriture 301-1 et préalablement à toute opération d’écriture ultérieure.
Dans l’exemple représenté, une opération d’écriture 301-2, par exemple analogue à l’opération d’écriture 301-1, est mise en œuvre après la séquence de rafraîchissement 305-1. L’opération d’écriture 301-2 diffère par exemple de l’opération d’écriture 301-1 en ce que l’opération d’écriture 301-2 comprend l’application de la tension positive Vbias entre les électrodes 103A et 103B. Cela conduit par exemple à la mémorisation de l’état faiblement résistif dans la cellule mémoire 100.
Dans cet exemple, une opération de lecture 303-2, consécutive à l’opération d’écriture 301-2 et analogue ou identique à l’opération de lecture 303-1, est ensuite mise en œuvre. Dans l’exemple illustré, l’opération de lecture 303-2 comprend l’application de la tension de lecture -Vr entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100.
La illustre un exemple dans lequel chaque opération d’écriture 301-1, 301-2 est suivie d’une opération de lecture 303-1, 303-2 précédant l’opération d’écriture suivante. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, au moins une des opérations de lecture pouvant, à titre de variante, être omise.
Dans l’exemple illustré en , une séquence de rafraîchissement 305-2 analogue à la séquence de rafraichissement 305-1 et comprenant l’application, entre les électrodes 103A et 103B, d’une succession d’impulsions de tension V de polarités alternées, est mise en œuvre après l’opération de lecture 303-2.
Par la suite, d’autres opérations d’écriture et/ou d’autres opérations de lecture (non détaillées), par exemple des opérations analogues ou identiques respectivement aux opérations d’écriture 301-1 et 301-2 et aux opérations de lecture 303-1 et 303-2, peuvent être mises en œuvre, une séquence de rafraîchissement analogue ou identique à la séquence de rafraîchissement 305-1 ou 305-2 étant appliquée après chaque opération d’écriture et avant l’opération d’écriture suivante dans la cellule 100.
Dans l’exemple illustré en , une n-ième opération d’écriture 301-n, par exemple identique à l’opération d’écriture 301-1, est ensuite mise en œuvre, suivie d’une p-ième opération d’écriture 303-p, avec p inférieur ou égal à n, et d’une n-ième séquence de rafraîchissement 305-n.
Dans l’exemple représenté, chaque séquence de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n débute par une impulsion de tension V de polarité opposée à la tension appliquée durant l’opération d’écriture 301-1, 301-2, … 301-n précédente et se termine par une impulsion de même polarité que la tension appliquée durant l’opération d’écriture 301-1, 301-2, … 301-n précédente. Ainsi, dans un cas où la séquence de rafraîchissement succède à une opération d’écriture durant laquelle est appliquée la tension positive Vbias entre les électrodes 103A et 103B de la cellule 100, par exemple la séquence de rafraîchissement 305-2 succédant à l’opération d’écriture 301-2, la séquence de rafraîchissement débute par une impulsion négative et s’achève par une impulsion positive. Dans le cas contraire, c’est-à-dire si la séquence de rafraîchissement succède à une opération d’écriture durant laquelle est appliquée la tension négative -Vbias entre les électrodes 103A et 103B de la cellule 100, par exemple les séquences de rafraîchissement 305-1 et 305-n succédant respectivement aux opérations d’écriture 301-1 et 301-n, la séquence de rafraîchissement débute par une impulsion positive et s’achève par une impulsion négative.
Dans l’exemple illustré, durant les séquences de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n, les impulsions de tension V appliquées entre les électrodes 103A et 103B atteignent des valeurs extrémales (minimales et maximales) strictement supérieures, en valeur absolue, aux valeurs extrémales Vbias et -Vbias des impulsions de tension appliquées entre les électrodes 103A et 103B lors des opérations d’écriture 301-1, 301-2, … 301-n. Dit autrement, les signaux de tension V appliqués entre les électrodes 103A et 103B de la cellule mémoire 100 lors des séquences de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n présentent une amplitude supérieure à celle des signaux appliqués entre ces électrodes lors des opérations de lecture 301-1, 301-2, … 301-n.
Les valeurs extrémales atteintes par les impulsions de tension V lors des séquences de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n sont par exemple égales, en valeur absolue, à environ deux fois la tension Vc correspondant au champ coercitif Ec de la couche 101. À titre d’exemple, les valeurs extrémales de la tension V sont égales, en valeur absolue, à environ 6 V.
À titre d’exemple, chaque séquence de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n comprend entre dix et cent impulsions de tension V, par exemple environ cent impulsions de tension V. La fréquence des impulsions est par exemple de l’ordre de 100 kHz.
La illustre un cas dans lequel le signal de tension V appliqué entre les électrodes 103A et 103B pendant chaque séquence de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n présente une forme triangulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, le signal de tension V appliqué pendant chaque séquence de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque, par exemple une forme trapézoïdale, une forme créneau, etc.
L’application des séquences de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n à la cellule mémoire 100 permet d’éviter que la résistance de la couche ferroélectrique 101 ne dérive, par exemple n’augmente, après plusieurs opérations d’écriture 301-1, 301-2, … 301-n successives, par exemple lorsque le nombre n d’écritures successives est de l’ordre de plusieurs dizaines, par exemple égal à environ 50. L’application des séquences de rafraîchissement 305-1, 305-2, … 305-n permet ainsi avantageusement d’obtenir des états mémoire fiables et répétables, ce qui tend à accroître la durée de vie de la cellule mémoire 100. Par ailleurs, ces avantages ne se limitent pas au cas de deux états mémoire, par exemple les états fortement et faiblement résistifs décrits précédemment, mais sont également obtenus quel que soit le nombre d’états mémoire, par exemple dans le cas où la cellule 100 comprend au moins un état de résistance intermédiaire compris entre les états fortement et faiblement résistifs.
La matrice extracellulaire est principalement composée de protéines (collagènes, élastine), de glycoprotéines (fibronectine, laminines) et de glycosaminoglycanes et protéoglycanes ou GAGs (acide hyaluronique, chondroïtine sulfate, aggregan, perlecan entre autres). Les GAGs sont des polymères linéaires constitués de répétitions de disaccharides spécifiques. L’acide hyaluronique (HA) est le GAG le plus abondant. C’est un GAG non sulfaté (c’est le seul GAG qui ne le soit pas), présent sous forme de sel sodique. Il est formé d’une répétition d’un disaccharide d’acide glucuronique et de N-acétylglucosamine, liés entre eux par des liaisons glycosidiques alternées b-1,4 et b-1,3.
L’acide hyaluronique est synthétisé par les fibroblastes grâce à une enzyme liée à la membrane plasmique (HA synthase). Il est directement secrété dans l’espace intercellulaire. L’acide hyaluronique est un constituant essentiel de la matrice extra cellulaire. En raison de ses propriétés physiques remarquables, il joue un rôle prépondérant dans la structure et l’organisation du derme et participe ainsi à assurer sa fermeté et son élasticité. De plus, grâce à son pouvoir de rétention d’eau, l’acide hyaluronique joue un rôle primordial dans la régulation de l’hydratation de la peau.
On constate que la teneur en HA dans le derme et l’épiderme diminue avec l’âge. Les peaux matures connaissent de nombreuses altérations, comme la perte d’élasticité cutanée, l’apparition de rides et une déshydratation qui sont intimement liés à la réduction de la quantité d’acide hyaluronique dans la peau.