Pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) comprenant : - un transistor (118) adapté à être commandé par un signal d'activation (EN) ayant un premier état pour commander l'activation du pixel et un deuxième état pour commander la désactivation du pixel, le transistor étant configuré pour relier une photodiode à avalanche (114) du pixel à un nœud d'application d'une tension de substrat (V SUB ) lorsque le signal d'activation est dans le premier état ; et - un circuit de sortie (210, 130) adapté à être commandé par le signal d'activation et configuré pour fournir un signal de sortie du pixel (152) lorsque le signal d'activation est dans le premier état et pour bloquer le signal de sortie du pixel lorsque le signal d'activation est dans le deuxième état. Pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) selon la revendication 1, dans lequel le signal d'activation (EN) est une tension d'activation. Pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre un circuit de détection (203 ; 303) relié à la photodiode à avalanche (114) et configuré pour générer le signal de sortie du pixel (152). Pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) selon la revendication 3, dans lequel le circuit de détection (203 ; 303) comprend un inverseur (130), par exemple configuré pour convertir un signal analogique (151) généré par la photodiode à avalanche (114) en un signal numérique pour générer le signal de sortie du pixel (152). Pixel à photodiode à avalanche (201) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le circuit de sortie comprend une porte ET de sortie (210) comprenant un premier nœud d'entrée auquel le signal de sortie du pixel (152) est adapté à être appliqué, un deuxième nœud d'entrée auquel le signal d'activation (EN) est adapté à être appliqué, le nœud de sortie de la porte ET de sortie étant relié, ou correspondant, à un nœud de sortie (212) du pixel. Pixel à photodiode à avalanche (201) selon la revendication 5 en combinaison avec la revendication 4, dans lequel le premier nœud d'entrée de la porte ET de sortie (210) est relié, par exemple connecté, à un nœud de sortie (136) de l'inverseur (130). Pixel à photodiode à avalanche (201) selon la revendication 6, dans lequel l'inverseur (130) est adapté à être alimenté par une tension d'alimentation dédiée (V DD ). Pixel à photodiode à avalanche (301) selon la revendication 4, dans lequel le circuit de sortie comprend l'inverseur (130), l'inverseur étant adapté à être commandé par le signal d'activation (EN), par exemple le signal d'activation étant appliqué à un nœud d'application d'une tension d'alimentation de l'inverseur. Pixel à photodiode à avalanche (301) selon la revendication 8, dans lequel un nœud de sortie (136) de l'inverseur est relié, ou correspond, à un nœud de sortie du pixel. Pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le circuit de sortie (210, 130) est relié, par exemple connecté, à un compteur (120), par exemple le compteur étant configuré pour intégrer le signal de sortie du pixel (152) lorsque le signal d'activation (EN) est dans le premier état. Pixel à photodiode à avalanche selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 en combinaison avec la revendication 4, comprenant en outre un autre inverseur entre l'inverseur (130) et le nœud de sortie du circuit de détection. Pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre un tampon (145) adapté à augmenter la puissance du signal d'activation (EN). Matrice de pixels (200 ; 300) comprenant une pluralité de pixels à photodiode à avalanche (201 ; 301) selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les pixels à photodiode à avalanche sont organisés en différentes sous-régions de pixels à photodiode à avalanche, les pixels à photodiode à avalanche de la même sous–région étant reliés à un compteur commun (120). Matrice de pixels (200 ; 300) selon la revendication 13, comprenant en outre un circuit de sélection (104) configuré pour adresser sélectivement le signal d'activation (EN) à un pixel à photodiode à avalanche (201 ; 301) parmi les pixels à photodiode à avalanche d'une sous-région, le circuit de sélection comprenant un nœud de sortie relié au moins au transistor (118) du pixel à photodiode à avalanche. Matrice de pixels (200) selon la revendication 14 en combinaison avec l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans laquelle le nœud de sortie du circuit de sélection (104) est également relié ou connecté au deuxième nœud d'entrée de la porte ET de sortie (210). Matrice de pixels (300) selon la revendication 14 en combinaison avec la revendication 8 ou 9, dans laquelle le nœud de sortie du circuit de sélection (104) est également relié ou connecté à un nœud d'application d'une alimentation de l'inverseur (130). Matrice de pixels (200 ; 300) selon l'une quelconque des revendications 14 à 16 en combinaison avec la revendication 12, dans laquelle le tampon (145) est inclus dans le circuit de sélection (104).