INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon les différents modes de réalisation de l’invention, qui pourront être pris ensemble ou séparément : la cloison interne partielle s’étend alternativement, depuis l’une desdites parois transversales dans un canal, et depuis l’autre paroi transversale dans un canal adjacent : cette alternance dans les canaux permet de déformer alternativement l’une ou l’autre paroi transversale, afin d’équilibrer les forces exercées sur le tube au moment de l’enfonçage pour créer les bossages primaires. chaque cloison interne partielle est située au milieu du canal : ainsi la cloison interne partielle divise le canal en deux sous-canaux de section identique. le bossage primaire est centré par rapport à la cloison interne partielle : le point bas du bossage est alors celui qui vient au contact de la tranche libre de la cloison interne partielle. la paroi transversale située en vis-à-vis de la cloison interne partielle est brasée à la cloison interne partielle au niveau du bossage primaire : le brasage sert à recréer une continuité de matière entre les parois transversales et les cloisons internes partielles. Cette continuité de matière contribue à la résistance mécanique du tube, et évite que les parois entourant chaque canal ne gonflent lorsqu’on injecte le fluide à l’intérieur. ladite cloison interne partielle s’étend sur une hauteur d’axe Z comprise entre 60% et 80% de la hauteur du canal. chaque bossage primaire s’étend sur une hauteur d’axe Z comprise entre 20% et 40% de la hauteur du canal. pour chaque cloison interne partielle, des bossages primaires sont répartis régulièrement sur la paroi transversale opposée le long de l’axe X. des bossages secondaires sont prévus dans les parois transversales, entre une cloison interne complète et une cloison interne partielle, et dirigés vers l’intérieur du canal.
L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un échangeur de chaleur, comprenant au moins une étape de texturation de surface des parois transversales du tube extrudé au moyen d’une molette pour former les bossages primaires en relief.
Avantageusement, ladite molette forme des bossages secondaires en relief lors de l’étape de texturation.
La est une vue en coupe d’un tube extrudé selon l’art antérieur ;
La est une vue en coupe d’un tube extrudé selon l’invention, avant la formation de bossages, ou en dehors des sections contenant des bossages ;
La est une vue en coupe et en perspective d’un tube extrudé selon la ;
La est une vue en coupe d’un tube extrudé selon l’invention, dans une section contenant des bossages primaires ;
La est une vue en coupe d’un tube extrudé selon l’invention, dans une section contenant des bossages primaires et des bossages secondaires ;
La est une vue de dessus et en transparence, d’un tronçon d’un tube extrudé selon l’invention après la formation des bossages primaires et secondaires, et avec une vue en coupe du tube selon A-A pour la correspondance des canaux.
La représente un exemple d'une partie d'un dispositif électronique 10. Le dispositif 10 est par exemple un circuit intégré.
Le dispositif 10 comprend un substrat 12. Le substrat 12 est, de préférence, en un matériau semiconducteur, par exemple en silicium. Le substrat est par exemple un substrat dopé P.
Le dispositif 10 comprend par exemple des composants électroniques, formés dans et/ou sur le substrat 12. Les composants électroniques sont, par exemple, des transistors, des résistances, des diodes, des condensateurs. Dans l'exemple de la , un transistor 14 est situé dans et sur le substrat 12. Le transistor 14 n'est représenté que par sa grille.
Le substrat est recouvert d'un réseau d'interconnexion 16. Le réseau 16 comprend plusieurs niveaux de métallisation. Dans l'exemple de la , seulement trois niveaux M1, M2, M3 sont représentés. En pratique, le réseau 16 peut comprendre, par exemple, au moins deux niveaux, par exemple entre trois et six niveaux.
Le niveau M1 est le niveau le plus proche du substrat. Le niveau M2 est au-dessus du niveau M1. En d'autres mots, le niveau M2 est le deuxième niveau le plus proche du substrat. Par conséquent, le niveau M1 est entre le niveau M2 et le substrat. Le niveau M3 est au-dessus des niveaux M1 et M2. En d'autres termes, le niveau M3 est le troisième niveau le plus proche du substrat. Par conséquent, les niveaux M1 et M2 sont entre le niveau M3 et le substrat.
Chaque niveau comprend de préférence une seule couche. Chaque couche comprend des métallisations 18, autrement dit des régions métalliques 18, entourées latéralement par des régions isolantes 20, par exemple, en oxyde de silicium. Les régions 18 d'un niveau s'étendent depuis la surface supérieure du niveau jusqu'à la surface inférieure du niveau. En d'autres mots, les régions 18 s'étendent sur toute la hauteur dudit niveau. Les régions 18 sont par exemple en cuivre ou en tungstène.
Chaque niveau est séparé du niveau, ou du substrat, situé en-dessous par une couche intermédiaire isolante 22, par exemple en oxyde de silicium. En d'autres termes, le niveau M1 est séparé du substrat par une couche 22. Le niveau M2 est séparé du niveau M1 par une couche 22. Le niveau M3 est séparé du niveau M2 par une couche 22. Le réseau d'interconnexion 16 est par conséquent un empilement de couches comprenant une alternance de couches 22 et de niveaux de métallisation M1, M2, M3, la couche la plus basse de l'empilement étant de préférence une couche 22, la couche la plus haute de l'empilement étant de préférence un niveau de métallisation.
Chaque couche 22 comprend par exemple des vias 24. Les vias 24 d'une couche 22 s'étendent à travers ladite couche 22. Autrement dit, chaque via 24 s'étend depuis la surface supérieure de la couche 22 jusqu'à la surface inférieure de la couche 22. Les vias 24 d'une couche 22 située entre deux niveaux de métallisation sont, de préférence, configurés pour connecter une région 18 de chaque couche. En d'autres mots, les vias 24 d'une couche 22 située entre deux niveaux de métallisation comprennent une extrémité inférieure en contact avec la surface supérieure d'une région 18 et une extrémité supérieure en contact avec la surface inférieure d'une autre région 18.
La couche 22 située entre le substrat et le niveau M1 comprend des vias 22 s'étendant entre des régions 18 dans le niveau M1 et des portions du substrat. En d'autres termes, les vias de la couche 22 située entre le substrat et le niveau M1 comprennent une extrémité inférieure en contact avec le substrat et une extrémité supérieure en contact avec la surface inférieure d'une région 18 du niveau M1.
La couche 22 située entre le substrat et le niveau M1 peut également comprendre des parties de composants situées dans et sur le substrat. Dans l'exemple de la , la grille du transistor 14 est située dans la couche 22 entre le substrat et le niveau M1.
La représente schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif électronique 30. Le dispositif 30 est par exemple un circuit intégré. Le dispositif 30 est par exemple un circuit intégré comprenant un sérialiseur et/ou un désérialiseur. Le dispositif 30 est par exemple un quelconque type de dispositif comprenant des condensateurs. Le dispositif 30 est par exemple un circuit réservoir LC.
Le dispositif 30 comprend un substrat 12 et un réseau d'interconnexion 16 tel que décrit en relation avec la . Par conséquent, le réseau 16 comprend, comme cela a été décrit en relation avec la , une alternance de couches 22 et de niveaux de métallisation M1, M2, M3, la couche la plus basse de l'empilement étant de préférence une couche 22, la couche la plus haute de l'empilement étant de préférence un niveau de métallisation. Dans l'exemple de la , un niveau M4 du réseau 16 est représenté.
De préférence, chaque niveau M1, M2, M3, M4 et chaque couche 22 est plane. Autrement dit, les surfaces supérieures des niveaux M1, M2, M3, M4 et des couches 22 sont planes et, de préférence, parallèles les unes aux autres. De façon similaire, les surfaces inférieures des niveaux M1, M2, M3, M4 et des couches 22 sont planes et, de préférence, parallèles les unes aux autres et aux surfaces supérieures. Les hauteurs des niveaux et de la couche 22 sont de préférence constantes.
De préférence, les hauteurs des niveaux, en d'autres mots les distances entre les surfaces supérieure et inférieure de chaque niveau, augmentent ou sont constantes à mesure que la distance par rapport au substrat augmente. En d'autres termes, la hauteur d'un niveau donné est supérieure, ou égale, aux hauteurs des niveaux situés entre le niveau donné et le substrat.
Le dispositif 30 comprend une région 32. La région 32 comprend une pluralité de condensateurs. Les condensateurs de la région 32 sont de préférence des condensateurs métal-oxyde-métal (MOM). Les condensateurs de la région 32 font par exemple partie du sérialiseur ou du désérialiseur. Par exemple, la région 32 comprend seulement des condensateurs, de préférence seulement des condensateurs MOM. Au moins une partie des condensateurs font partie, par exemple, du sérialiseur et/ou du désérialiseur. Au moins une partie des condensateurs font partie, par exemple, du circuit réservoir LC.
L’étape 9 de récupération est effectuée régulièrement au cours du temps afin d’obtenir lors de l’étape 11 suivante la valeur de la contrainte de cisaillement sur une échelle de temps. L’étape 9 de récupération est par exemple effectuée à une fréquence comprise entre 500 Hz et 5 kHz.
On effectue ensuite une étape 11 de calcul des contraintes de cisaillement appliquées à l’élément 3 en fonction des valeurs de couple récupérées.
Cette étape 11 de calcul dépend de la position et de la taille de l’élément 3 dans la chaine mécanique.
On a représenté sur la une coupe schématique de l’élément 3 précédemment illustré sur la . Les paramètres essentiels au calcul des contraintes de cisaillement sont également représentés.
L’étape 11 de calcul comprend le calcul du couple généré par le moteur à partir de l’intensité du courant en sortie dudit moteur, avec la constante de couple du moteur en N.m/A :
Puis, si la chaine mécanique comprend des étages de réduction, on déduit le couple appliqué à la goupille tel que :
, avec R le rapport de réduction total de la chaîne mécanique et μ le rendement cumulé des étages de réduction.
Afin de calculer la contrainte de cisaillement appliquée à l’élément, on a d’une part :
, avec la force de cisaillement de l’élément 3 le long de la section de cisaillement dudit élément, d étant le diamètre de l’élément 3, l’élément 3 étant ici une goupille pleine 3 telle qu’illustrée sur la .
D’autre part, on a :
, avec la force tangentielle de cisaillement, l’angle entre la force de cisaillement et la force tangentielle de cisaillement , et D le diamètre d’un arbre, ici l’arbre tel qu’illustré sur la et relié au manche de pilotage.
Ainsi, l’étape de calcul permet bien de calculer les contraintes de cisaillement appliquées à l’élément en fonction des valeurs de couple récupérées, et en particulier en fonction de l’intensité .
La contrainte de cisaillement est généralement exprimée en N/m² ou en Mpa.
On effectue ensuite une étape 13 d’identification et de comptage de cycles de contraintes par application d’une méthode de comptage pour analyse de la fatigue de l’élément 3.
Dans un mode de mise en œuvre, l’étape 13 d’identification et de comptage est effectuée par une méthode de type Rainflow.
Afin d’identifier un cycle de contrainte, l’étape 13 d’identification et de comptage comprend l’association de minima croissants et de maxima décroissants des contraintes de cisaillements calculées précédemment sur une échelle de temps. Un cycle de contrainte correspond donc à un regroupement temporel de minima croissants et de maxima décroissants.
Tableau 3. Séquences peptidiques signal Protéine native Séquence signal SEQ ID NO : Albumine sérique humaine (HSA) MKWVTFISLLFLFSSAYS 483 Ig kappa chaîne légère MDMRAPAGIFGFLLVLFPGYRS 394 Préprotéine azurocidine humaine MTRLTVLALLAGLLASSRA 395 IgG chaîne lourde MELGLSWIFLLAILKGVQC 396 IgG chaîne lourde MELGLRWVFLVAILEGVQC 397 IgG chaîne lourde MKHLWFFLLLVAAPRWVLS 398 IgG chaîne lourde MDWTWRILFLVAAATGAHS 399 IgG chaîne lourde MDWTWRFLFVVAAATGVQS 400 IgG chaîne lourde MEFGLSWLFLVAILKGVQC 401 IgG chaîne lourde MEFGLSWVFLVALFRGVQC 402 IgG chaîne lourde MDLLHKNMKHLWFFLLLVAAPRWVLS 403 Ig kappa légère MDMRVPAQLLGLLLLWLSGARC 404 Ig kappa légère MKYLLPTAAAGLLLLAAQPAMA 405 Gaussia luciférase MGVKVLFALICIAVAEA 406 Chymotrypsinogène humain MAFLWLLSCWALLGTTFG 407 interleukine-2 shumaine MQLLSCIALILALV 408 Trypsinogène-2 humain MNLLLILTFVAAAVA 409 CD33 humain MPLLLLLPLLWAGALA 410 Prolactine MDSKGSSQKGSRLLLLLVVSNLLLCQGVVS 411 tPA humain MDAMKRGLCCVLLLCGAVFVSPS 412 Synthétique/Consensus MLLLLLLLLLLALALA 413 Synthétique/Consensus MWWRLWWLLLLLLLLWPMVWA 414
Tableau 4. Séquences de lieurs. Séquence SEQ ID NO : (GGGGS) n (e.g., n = 1-6) 415 (Gly) 8 416 (Gly) 6 417 KESGSVSSEQLAQFRSLD 418 EGKSSGSGSESKST 419 GSAGSAAGSGEF 420 (EAAAK) n (e.g., n = 1-6) 421 A(EAAAK) 4 ALEA(EAAAK) 4 A 422 PAPAP 423 AEAAAKEAAAKA 424 (Ala-Pro)n (10 to 34 aa) 425 GGSG 426 GSGS 427 GGGS 428 S(GGS)n (n=1-7) 429 GGGSGGG 430 ESGGGGVT 431 LESGGGGVT 432 GRAQVT 433 WRAQVT 434 ARGRAQVT 435 SGTTSGTTRLLSGHTCFTLTGLLGTLVTMGLLT 436 SGTSPGLSAGATVGIMIGVLVGVALI 437 SAPVLSAVATVGITIGVLARVALI 438 SSPDLSAGTAVSIMIGVLAGMALI 439 TLGGNSASYTFVSLLFSAVTLLLLC 440 SGTSPGLSAGATVGIMIGVLVGVALI 441
Le polypeptide AFFIMER® peut en outre comprendre, par exemple être fusionné à, un domaine transmembranaire (domaine TM). De tels domaines TM garantissent que le polypeptide AFFIMER® reste à la surface de la cellule exprimant l'AFFIMER®. Ces domaines TM sont facilement disponibles et incluent les CD3, CD8, CD28, PDGFR TMD et autres.
D'autres modifications, encore, qui peuvent être apportées à la séquence polypeptidique AFFIMER® ou à un groupement polypeptidique flanquant fourni en tant que partie d'une protéine de fusion sont au moins une séquence qui est un site de modification post-traductionnelle par une enzyme. Celles-ci peuvent inclure, mais sans s'y limiter, une glycosylation, une acétylation, une acylation, une modification lipidique, une palmitoylation, une addition de palmitate, une phosphorylation, une modification de la liaison glycolipidique, etc.
Dans certains modes de réalisation, un agent AFFIMER® est un polypeptide multispécifique incluant, par exemple, un premier polypeptide TNFR2 AFFIMER® et au moins un domaine de liaison supplémentaire. Le domaine de liaison supplémentaire peut être une séquence polypeptidique sélectionnée parmi, pour illustrer, un second polypeptide AFFIMER® (qui peut être identique ou différent du premier polypeptide AFFIMER®), un anticorps ou un fragment de celui-ci ou un autre polypeptide de liaison à antigène, une partie de liaison à ligand, d'un récepteur (tel qu'un polypeptide piège de récepteur, de l’anglais « receptor trap polypeptide »), un ligand de liaison à récepteur (tel qu'une cytokine, un facteur de croissance ou similaire), un récepteur de lymphocyte T d’ingénierie, une enzyme ou un fragment catalytique de celle-ci.
Dans certains modes de réalisation, un agent AFFIMER® inclut au moins une séquence polypeptidique AFFIMER® supplémentaire qui est également dirigée contre le TNFR2. Le(s) polypeptide(s) TNFR2 AFFIMER® supplémentaire(s) peu(ven)t être identique(s) ou différent(s) (ou un mélange de ceux-ci) du premier polypeptide TNFR2 AFFIMER® afin de créer une protéine de fusion AFFIMER® multispécifique. Les agents AFFIMER® peuvent se lier aux mêmes sites ou à des sites chevauchants sur TNFR2 ou peuvent se lier à deux sites différents de sorte que l'agent TNFR2 AFFIMER® peut se lier simultanément à deux sites sur la même protéine TNFR2 (biparatopique) ou à plus de deux sites (multiparatopique).
Dans certains modes de réalisation, un agent AFFIMER® inclut au moins un site de liaison à antigène provenant d'un anticorps. L'agent AFFIMER® résultant peut être une chaîne unique comprenant à la fois le polypeptide TNFR2 AFFIMER® et le site de liaison à antigène (comme dans le cas d'un scFv) ou peut être un complexe protéique multimérique comme dans un anticorps assemblé avec des chaînes lourdes et/ou légères auxquelles la séquence de l'anticorps anti-TNFR2 a également été fusionnée.
Dans certains modes de réalisation, par rapport à un agent AFFIMER® multispécifique comprenant une immunoglobuline de pleine longueur, la fusion de la séquence polypeptidique AFFIMER® à l'anticorps préservera la fonction Fc de la région Fc de l'immunoglobuline. Par exemple, l'agent AFFIMER® peut être capable de se lier, via sa partie Fc, au récepteur Fc des cellules positives au récepteur Fc. Dans certains autres modes de réalisation, l'agent AFFIMER® peut activer la cellule positive au récepteur Fc en se liant à la cellule positive au récepteur Fc, initiant ou augmentant ainsi l'expression de cytokines et/ou d'antigènes costimulateurs. De plus, l'agent AFFIMER® peut transférer au moins un second signal d'activation nécessaire à l'activation physiologique de la lymphocyte T à la lymphocyte T via les antigènes costimulateurs et/ou les cytokines.
Comme décrit ci-dessus, outre la cytotoxicité médiée par Fc, la partie Fc peut contribuer au maintien des niveaux sériques de l’agent AFFIMER®, critiques pour sa stabilité et sa persistance dans l'organisme. Par exemple, lorsque la partie Fc se lie aux récepteurs Fc sur les cellules endothéliales et sur les phagocytes, l'agent AFFIMER® peut être internalisé et recyclé dans la circulation sanguine, amplifiant sa demi-vie dans le corps.
Des exemples de cibles des polypeptides AFFIMER® supplémentaires incluent, mais sans s'y limiter, une autre protéine de point de contrôle immunitaire et un récepteur costimulateur immunitaire (en particulier si le(s) AFFIMER® supplémentaire(s) peuvent agoniser le récepteur costimulateur), un récepteur, une cytokine, un facteur de croissance ou un antigène associé à une tumeur, purement à titre illustratif. Dans certains modes de réalisation, la partie d’immunoglobuline peut être un anticorps monoclonal dirigé contre au moins une cible auto-immune (par ex. TNFR2 ou IL6-R). Dans certains modes de réalisation, le polypeptide TNFR2 AFFIMER® fait partie d'un agent AFFIMER® qui comprend un ou plus domaines de liaison qui se lient à une protéine régulée positivement dans des affections auto-immunes (par ex. TNFR2 ou IL6-R).
Voir William BA et al. J. Clin. Med. 2019; 8(8): 1261 pour passer en revue les formats d'agents TNFR2 AFFIMER® englobés par la présente divulgation.
Dans certains modes de réalisation, un agent TNFR2 AFFIMER® multispécifique peut en outre comprendre un groupement d'extension de demi-vie, tel que l'un quelconque de ceux décrits ici. Par exemple, un agent TNFR2 AFFIMER® peut comprendre au moins un polypeptide TNFR2 AFFIMER® lié par un lieur peptidique à un domaine de liaison spécifique d'au moins un domaine de liaison (par ex. CD3ε chaîne ou CD16) de cellule immunitaire (par ex. lymphocyte T et/ou lymphocyte NK) lié en outre à un groupement d'extension de demi-vie, tel qu'un domaine fragment cristallisable (Fc) (par ex. un Fc de non liaison à Fc-gammaR), de l'albumine sérique humaine (HSA) ou un polypeptide HSA AFFIMER®. Dans certains modes de réalisation, le groupement d'extension de demi-vie est un domaine fragment cristallisable (Fc). Dans certains modes de réalisation, le groupement d'extension de demi-vie est une albumine sérique humaine (HSA). Dans certains modes de réalisation, le groupement d'extension de demi-vie est un polypeptide HSA AFFIMER®.
Avantageusement, l’étape de détermination de la valeur de dommage est effectuée avec une méthode de type Basquin.
Dans un mode particulier de mise en œuvre, la valeur de dommage déterminée pour chaque cycle de contrainte identifié d’un certain type correspond à l’inverse du nombre de cycle dudit type avant rupture de l’élément, le tableau d’équivalence donnant le nombre de cycle avant rupture pour un type de cycle donné.
Avantageusement, l’étape d’identification et de comptage des cycles de contraintes est effectuée uniquement pour chaque cycle dont l’amplitude entre les contraintes de cisaillement minimale et maximale dudit cycle est supérieure à une amplitude de référence prédéterminée.
Dans un mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre une étape de génération d’une alerte lorsque la valeur de dommage total est supérieure à 80% de la valeur de dommage seuil.
Dans un mode de mise en œuvre, l’élément comprend une goupille positionnée dans le diamètre d’un arbre et d’un élément de liaison en contact annulaire avec ledit arbre, l’étape de calcul de la contrainte de cisaillement étant effectuée telle que :
avec la contrainte de cisaillement, R le rapport de réduction total de la chaîne mécanique, μ le rendement cumulé d’étages de réduction de la chaine mécanique, l’intensité du courant en sortie du moteur, la constante de couple du moteur, d le diamètre de l’élément et D le diamètre de l’arbre.
Avantageusement, le procédé est une méthode mise en œuvre par ordinateur.
dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe schématique d’une première et d’une seconde goupilles positionnées à l’interface entre un arbre relié à un manche de pilotage et un élément de liaison de la chaine mécanique d’un système de compensation d’effort ;
est une représentation schématique des différentes étapes du procédé de surveillance de l’usure d’un élément d’une chaine mécanique selon l’invention ; et
est une vue en coupe schématique d’un élément dont l’usure est surveillée par le procédé selon l’invention.
Exposé détaillé d’au moins un mode de réalisation On a représenté schématiquement sur la les différentes étapes d’un procédé de prédiction de l’usure d’un élément 3 d’une chaine mécanique mise en rotation par un moteur.
L’élément 3 comprend par exemple une goupille 3 telle que définie ci-avant et représentée sur la . La goupille 3 est par exemple seule à l’interface entre un arbre 5 relié à un manche de pilotage et un élément de liaison 7 d’une chaine mécanique d’un système de compensation d’effort.
Pour la mise en œuvre du procédé de prédiction de l’usure de l’élément 3, on effectue en premier lieu une étape 9 de récupération des valeurs de couples appliquées à l’élément 3 lors de la rotation de la chaine mécanique.
Dans la chaine mécanique, la contrainte appliquée sur l’élément 3 est liée directement au couple produit par le moteur, ce couple étant lui-même relié au courant sortant du moteur.
Ainsi, l’étape 9 de récupération de données du couple peut être effectuée par mesure de l’intensité du courant de sortie du moteur. Grâce à l’analyse des courants de sortie, on peut représenter les contraintes appliquées à l’élément 3 en fonction du temps. Le moteur est donc utilisé comme capteur de couple.
est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un deuxième exemple ;
est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré selon le premier ou le deuxième exemple ;
est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un troisième exemple ;
est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un quatrième exemple ;
est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un cinquième exemple ;
est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un sixième exemple ;
est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré selon l’un quelconque des troisième à sixième exemples ;
est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré selon une variante de l’un quelconque des troisième à sixième exemples ;
est une vue en coupe transverse d’une variante de dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE et des électrodes ;
est une vue en coupe transverse d’une autre variante de dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE et des électrodes.