Procédé de fabrication d’une structure tridimensionnelle comprenant les étapes suivantes : une fourniture d’un empilement (1) comprenant, empilés selon une direction dite verticale (Z), au moins : un substrat support (400), une couche sacrificielle (300), une couche d’intérêt (200) délimitée dans toutes les directions d’un plan perpendiculaire à la direction verticale (Z), dit plan horizontal (XY), par un flanc (203), une couche tenseur (100) délimitée dans toutes les directions du plan horizontal (XY) par un flanc (103), la couche tenseur (100) présentant une contrainte résiduelle σ 100 , un retrait d’une portion de la couche sacrificielle, dite portion de retrait (350), sélectivement à la couche d’intérêt (200) et à la couche tenseur (100), la portion de retrait (350) formant un contour fermé en projection dans le plan horizontal, la portion de retrait (350) étant entièrement située au droit d’une portion latérale (250) de la couche d’intérêt (200) s’étendant depuis l’intégralité du flanc (203) de la couche d’intérêt (200), le retrait de la portion de retrait (350) étant effectué de sorte à conserver une portion de la couche sacrificielle (300), dite portion restante (360), située au droit de la couche d’intérêt (200) et de la couche sacrificielle (300), la contrainte résiduelle σ 100 de la couche tenseur (100) étant configurée pour provoquer une flexion de la couche d’intérêt (200) lors de l’étape de retrait de la portion de retrait (350). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le flanc (203) de la couche d’intérêt (200) et le flanc (103) de la couche tenseur (100) présentent chacun une forme sensiblement elliptique ou sensiblement circulaire en projection dans le plan horizontal (XY). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la portion restante (360) présente un flanc (363) présentant une forme sensiblement elliptique ou sensiblement circulaire en projection dans le plan horizontal (XY). Procédé selon la revendication précédente en combinaison avec la revendication 2 dans lequel le flanc (203) de la couche d’intérêt (200), le flanc (103) de la couche tenseur (100) et le flanc (363) de la portion restante (360) présentent chacun une forme sensiblement circulaire en projection dans le plan horizontal (XY), dans lequel la couche d’intérêt (200) présente un diamètre D 200 dans le plan horizontal (XY) et la portion restante (360) présente un diamètre D 360 dans le plan horizontal (XY), et dans lequel, après le retrait de la portion de retrait (350), la couche d’intérêt (200) présente une flèche f 200 , avec f 200 ≥0,05*(D 200 -D 360 ), de préférence f 200 ≥0,10*(D 200 -D 360 ). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la couche d’intérêt (200) présente un diamètre D 200 dans le plan horizontal (XY) et la portion restante (360) présente un diamètre D 360 dans le plan horizontal (XY), et dans lequel, après le retrait de la portion de retrait (350), le rapport D 200 /D 360 est supérieur à 2, de préférence supérieur à 3. Procédé selon les revendications 2 et 3 en combinaison dans lequel le flanc (203) de la couche d’intérêt (200), le flanc (103) de la couche tenseur (100) et le flanc (363) de la portion restante (360) présentent chacun une forme sensiblement elliptique en projection dans le plan horizontal (XY), dans lequel la couche d’intérêt (200) présente un petit axe D 200,y dans le plan horizontal (XY) et la portion restante (360) présente un petit axe D 360,y dans le plan horizontal (XY), et dans lequel, après le retrait de la portion de retrait (350), la couche d’intérêt (200) présente, en coupe selon un plan perpendiculaire au plan horizontal (XY) et contenant le petit axe de la couche d’intérêt 200, une flèche f 200 , avec f 200 ≥0,05*(D 200,y -D 360,y ), de préférence f 200 ≥0,10*(D 200 ,y -D 360 ,y ). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, au moins lors de l’étape de retrait, le flanc (103) de la couche tenseur (100) est dans le prolongement du flanc (203) de la couche d’intérêt (200) selon la direction verticale (Z). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de retrait de la portion de retrait (350), une étape de retrait de la couche tenseur (100). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes configuré de sorte que la flexion de la couche d’intérêt (200) rapproche son flanc (203) du substrat (400). Procédé selon la revendication précédente configuré de sorte que la flexion de la couche d’intérêt (100) provoque le contact de la couche d’intérêt (200) avec le substrat support (400). Procédé selon la revendication précédente comprenant le collage d’une partie au moins de la couche d’intérêt (200) avec le substrat support (400). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le collage d’une partie au moins de la couche d’intérêt (200) avec le substrat support (400) est provoqué au moins en partie, et de préférence uniquement, par la mise en contact de la couche d’intérêt (200) avec le substrat support (400). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 dans lequel la flexion de la couche d’intérêt (200) éloigne son flanc (203) du substrat (400). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche d’intérêt (200) présente une épaisseur e 200 selon la direction verticale (Z) avec e 200 ≤300 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel │σ 100 │> 500 MPa et de préférence │σ 100 │> 1 000 MPa. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, avant l’étape de retrait, la couche d’intérêt (200) présente une contrainte résiduelle σ 200 avec │σ 200 │≤100 MPa. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche sacrificielle (300) est à base d’au moins l’un parmi un oxyde tel que le SiO 2 ou le SiON, et un nitrure tel que le SiN, ou est une couche anti-reflet à base de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche tenseur (100) est à base d’au moins l’un parmi le TiN, le SiN et le Si 3 N 4 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche d’intérêt (200) est à base d’un matériau amorphe. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche d’intérêt (200), après l’étape de retrait de la portion de retrait (350) de la couche sacrificielle (300), forme une lentille. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’empilement (1) comprend une pluralité de couches d’intérêt (200) distinctes les unes des autres et contenues dans un même plan parallèle au plan horizontal (XY) avant l’étape de retrait de la portion de retrait (350) de la couche sacrificielle (300). Procédé selon la revendication précédente dans lequel chaque couche d’intérêt (200) forme une lentille. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant, préalablement à l’étape de retrait de la portion de retrait (350) de la couche sacrificielle (300), une étape de structuration de l’au moins une couche d’intérêt (200). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 22 dans lequel l’empilement (1) comprend en outre une couche d’intérêt secondaire (200’) au-dessus de la couche tenseur (100), dans lequel le retrait de la portion de retrait (350) se fait également sélectivement à la couche d’intérêt secondaire (200’), le procédé comprenant en outre, préalablement à l’étape de retrait de la portion de retrait (350), une étape de structuration de la couche d’intérêt secondaire (200’). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l’étape de structuration comprend la mise en œuvre d’au moins une technique parmi la lithographie optique, l’autoassemblage de copolymères à blocs et la nanoimpression.