INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le cadre de la présente invention, la première pièce 2 peut être montée sur la seconde pièce 3 par un procédé de montage comportant les étapes suivantes : - mise en place d’un dispositif de connexion 1a, 1b, 1c et d’une pièce de serrage 4 sur ladite seconde pièce 3. Par l’action du moyen de rappel 10, la pièce de serrage 4 est alors maintenue à une distance prédéterminée de sa position serrée, éventuellement dans une position prête à être serrée en s’emboîtant dans la zone de réception 13. Le placement et le maintien du dispositif de connexion 1a, 1b, 1c et de la pièce de serrage 4 peut être aidé par l’insertion de la pièce de fixation 17 dans la pièce de serrage 4 et dans une ouverture de la première pièce 2, en passant optionnellement par un premier trou 16 et/ou un deuxième trou 20 du dispositif de connexion 1a, 1b, 1c, -mise en place de la première pièce 2, de sorte que le dispositif de connexion 1a, 1b, 1c soit au moins en partie intercalé entre la première pièce 2 et la seconde pièce 3, - serrage de ladite pièce de serrage 4 de façon à comprimer ledit au moins un moyen de rappel 10, provoquant automatiquement la création d’une liaison équipotentielle entre ledit équipement électrique et ladite structure de support, et optionnellement aussi avec la pièce de serrage 4.
Du fait de la composition spécifique de l’alliage résistif de précision de l’invention, le procédé de l’invention, avantageusement, ne nécessite pas d’effectuer la fusion et la coulée dans une enceinte sous vide.
En d’autres termes, on effectue, dans le procédé de l’invention, une fusion et une coulée conventionnelles, pas sous vide.
En outre, la mise en œuvre de ce procédé permet de réduire les hétérogénéités de microstructures pour permettre les transformations, et assurer l’homogénéité et la constance des propriétés électriques du produit final obtenu.
A noter également qu’une température d’homogénéisation de l’alliage, avant transformation, ne dépassant pas 800 °C, permet une mise en solution des phases CuMnSn riches en Sn (plus de 20 % de Sn) et ainsi éviter leur fusion ce qui serait susceptible d’entrainer une décohésion et un endommagement lors de la transformation.
Tout préférentiellement, lorsque l’alliage de départ incorpore une proportion de Si comprise entre 0,02 % et 0,15 %, en respectant le critère Sn+0,4*Si<2,0 %, de préférence <1,6 %, le Si est introduit en fin de fusion, après introduction et fusion des autres éléments constitutifs de l’alliage, Cu, Mn, Ni et Sn.
procédé de formation d’un revêtement par dépôt chimique en phase vapeur Cette divulgation concerne le domaine des revêtements et plus particulièrement celui des procédés pour former des revêtements par dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD, de l’anglais Chemical Vapor Deposition), notamment pour protéger d’environnements agressifs les substrats à base céramique.
Cependant, dans l’environnement corrosif d’une turbine, les CMC SiC/SiC peuvent être soumis à oxydation donnant lieu à la formation d’oxyde de silicium, et la volatilisation de cet oxyde de silicium sous l’effet de la vapeur d’eau. Ainsi, pour des applications à température intermédiaires (comprises entre 800°C et 1400°C) en environnement riche en oxygène et vapeur d’eau, l’application d’un revêtement de protection est préconisé sur les pièces en composite à matrice céramique.
Pour cela, le revêtement de protection peut comprendre typiquement un revêtement barrière ou revêtement barrière environnementale (en anglais : « Environmental Barrier Coating » ou EBC), par exemple à base de silicate de terre rare et, entre le substrat et le revêtement barrière, un revêtement d’accrochage (en anglais : « bond coating »), par exemple à base de silicium, pour assurer l’adhésion du revêtement barrière au substrat. L’oxydation du silicium du revêtement d’accrochage peut par ailleurs former une couche intermédiaire de silice, nommée oxyde de croissance thermique (en anglais : « Thermal Growth Oxide » ou TGO), entre le revêtement d’accrochage et le revêtement barrière.
Le dépôt d’un tel revêtement d’accrochage sur un substrat peut s’effectuer par un procédé CVD, dansun réacteur approprié, comprenant une chambre de réaction. Typiquement, des EBC peuvent être obtenues à partir de précurseurs halogénosilane, comme par exemple HSiCl 3 . Ce type de précurseur est privilégié car il permet d’obtenir des revêtements d’accrochage présentant des propriétés satisfaisantes en termes de protection du substrat.
Cependant, ce type de précurseurs est susceptible de former des espèces pyrophoriques, qui se déposent sur les parois du réacteur. Ces espèces sont inflammables à l’air, voire explosives. Elles représentent un risque important pour un opérateur qui doit ouvrir le réacteur afin de nettoyer les canalisations en aval de la chambre de réaction. Ces risques sont un frein considérable à l’industrialisation du procédé de dépôt du revêtement, et donc, plus généralement, à l’industrialisation de pièces SiC/SiC pour une application dans une turbomachine.
Il existe donc un besoin d’amélioration du procédé pour compenser, au moins en partie, ces défauts précités.
Le présent exposé concerne un procédé de dépôt d’un revêtement par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur dans un réacteur, le procédé comprenant la formation d’un revêtement d’accrochage sur une surface d’un substrat, à partir d’un précurseur comprenant du silicium, et l’insertion d’un acide de Lewis dans le réacteur lors de la formation du revêtement d’accrochage.
Les inventeurs ont pu constater empiriquement que l’introduction d’un acide de Lewis lors de la formation du revêtement d’accrochage permet de réduire -voire d’éliminer- la formation d’espèces pyrophoriquesen aval de la chambre de réaction. Ainsi, la sécurité du procédé est grandement améliorée.
De plus, un tel procédé sécurisé est plus simple à industrialiser car la maîtrise du risque permet de simplifier considérablement la mise en place du procédé pour l’opérateur.
Dans certains modes de réalisation, le réacteur comprend une chambre chaude présentant un amont et un aval et configurée pour recevoir un substrat, un canal d’entrée relié à l’amont la chambre chaude configuré pour convoyer des gaz dans la chambre chaude ; un canal de sortie relié à aval de la chambre chaude configuré pour évacuer des gaz dela chambre chaude.
Dans certains modes de réalisation, le taux de dopage du silicium dopé du revêtement d’accrochage est compris entre 0,05% et 0,5% atomique.
Dans certains modes de réalisation, le taux de dopage du silicium dopé du revêtement d’accrochage est compris entre 0,1% et 0,2% atomique.
Un dopage au bore prévu dans les plages ci-dessus permet d’obtenir de meilleures propriétés pour le revêtement d’accrochage. En particulier, ces plages préférentielles de dopages garantissent un bon compromis de propriétés pour le revêtement d’accrochage. En effet, le revêtement d’accrochage présente alors un fluage suffisant aux alentours de 800°C et un fluage faible au-delà de 1000°C.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement d’accrochage est déposé sur le substrat par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur.
L’utilisation d’une méthode CVD facilite la maîtrise du dopage du revêtement d’accrochage. Par ailleurs, cette méthode est facilement industrialisable. En effet, cette méthode est adaptée aux géométries complexes et est donc plus favorable à l’industrialisation, particulièrement pour les pièces complexes qui ne peuvent pas être obtenues par des méthodes plus simples.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement barrière est déposé sur le revêtement d’accrochage par électrophorèse.
L’utilisation d’une telle méthode permet d’obtenir un bon compromis entre coût, facilité de mise en œuvre et propriétés du revêtement barrière formé. De plus, le procédé par électrophorèse permet d’obtenir des revêtements à forte hermiticité. D’autres méthodes peuvent être envisagées, comme par exemple la projection thermique ou le dépôt vapeur en phase physique.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement d’accrochage comprend une alternance de premières couches intermédiaires et de deuxièmes couches intermédiaires, les premières couches intermédiaires comprenant du silicium dopé au bore et les deuxièmes couches intermédiaires étant en silicium pur ou en carbure de silicium.
Un tel revêtement d’accrochage multicouche permet de diminuer d’avantage le fluage du revêtement d’accrochage à haute température. Par conséquent, la résistance à la corrosion de la pièce revêtue est améliorée.
La représente schématiquement une pièce composite revêtue selon un premier mode de réalisation de l’invention.
La représente une comparaison des courbes de fluage à 800°C pour différentes pièces présentant différents revêtements d’accrochage.
La représente une comparaison des courbes de fluage à 1000°C pour différentes pièces présentant différents revêtements d’accrochage.
La représente schématiquement une vue détaillée du revêtement d’accrochage d’une pièce composite revêtue selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.
Afin de rendre plus concret l’exposé, un exemple de dispositif est décrit en détail ci-après, en référence aux dessins annexés. Il est rappelé que l'invention ne se limite pas à ces exemples.
Indicateur pour indiquer la survenance d’une fuite de fluide pressurisé dans une chambre d’évent d’un appareil à fluide pressurisé La présente invention concerne un indicateur pour indiquer la survenance d’une fuite de fluide pressurisé dans une chambre d’évent d’un appareil à fluide pressurisé et un appareil à fluide pressurisé comprenant un tel indicateur.
FR3100302A1 concerne un système d’application de produit de revêtement, équipée d’une vanne. La vanne comprend un corps, avec un orifice central interne et une chambre, et un piston, formant une tige montée dans l’orifice interne et une tête de piston située dans la chambre. Une partie de la chambre de la vanne est remplie d’un fluide de commande sous pression de manière à obtenir, à l’encontre de l’effort d’un ressort logé dans le corps, un déplacement du piston par rapport au corps. La vanne est montée dans un alésage du système d’application, dans lequel du produit de revêtement sous pression circule et dans lequel le déplacement de la tige autorise ou interrompt cette circulation de produit. La vanne comprend aussi un dispositif d’étanchéité logé dans le corps autour de la tige de piston, d’un côté de la vanne où la tige de piston se prolonge hors du corps.
La vanne comprend un conduit d’évent, prévu dans la tige du piston et communicant avec l’orifice central interne, par-delà le dispositif d’étanchéité vis-à-vis de l’alésage, le conduit d’évent communiquant avec l’extérieur du système d’application. En cas de fuite de produit de revêtement au travers du dispositif d’étanchéité, le produit de revêtement ayant fuit est reçu dans le conduit d’évent et dévié vers l’extérieur de la vanne, par différence de pression avec l’extérieur du système. Cela limite les dégâts occasionnés par la fuite, en ce que la fuite n’affecte que la vanne, laquelle peut être démontée et réparée ou remplacée, sans endommager le reste du système d’application.
Lorsque la fuite concerne un produit de revêtement, un solvant ou un autre liquide, la fuite peut généralement être détectée par le technicien, qui peut constater visuellement la présence de la fuite sur la machine. Toutefois, la détection de la fuite n’intervient qu’après une durée relativement longue où le liquide a colmaté, corrodé et/ou durablement endommagé la vanne, en ce que c’est le fait que la vanne est devenue inopérante qui incite le technicien à rechercher une cause à la panne. Alors, la vanne est particulièrement difficile à réparer, et est généralement remplacée par une vanne neuve. Dans certains cas, la fuite est détectée si tard que le produit a envahi d’autres parties de la machine, notamment lorsque le débouché du conduit d’évent est dissimulé sous un capot.
Lorsque la fuite concerne un fluide invisible ou volatile, par exemple une fuite d’air, le technicien ne détecte généralement pas la fuite. En effet, en fonctionnement, le bruit de fonctionnement de la machine peut couvrir le bruit de la fuite elle-même. Lors d’une opération de maintenance, la fuite peut ne pas être détectée car les fluides et les énergies alimentant la machine sont coupés. La fuite est généralement détectée tardivement, lorsque l’on constate une perte d’efficacité significative de la machine sure laquelle la vanne est équipée.
C’est à ces inconvénients qu’entend remédier l’invention en proposant une solution pour détecter de façon précoce et certaine la survenance d’une fuite de fluide dans une chambre d’évent d’un appareil à fluide pressurisé.
L’invention a pour objet un indicateur, pour indiquer la survenance d’une fuite de fluide pressurisé dans une chambre d’évent d’un appareil à fluide pressurisé. L’indicateur comprend un tube de support, comprenant : une ouverture de connexion, configurée pour être fluidiquement connectée à la chambre d’évent de l’appareil à fluide pressurisé, et une ouverture externe, configurée pour déboucher sur un extérieur vis-à-vis de l’appareil à fluide pressurisé. L’indicateur comprend en outre un témoin, agencé dans le tube de support et mobile par rapport au tube de support, entre une position initiale et une position de signalement, sous l’effet d’une surpression survenant à l’ouverture de connexion, comparativement à l’ouverture externe, le témoin étant positionné plus loin de l’ouverture de connexion dans la position de signalement que dans la position initiale, pour indiquer la survenance de la fuite de fluide pressurisé dans la chambre d’évent lorsque le témoin est en position de signalement.
Grâce à l’invention, un technicien peut constater immédiatement et de façon fiable qu’une fuite est survenue dans la chambre d’évent, en observant la position du témoin, quel que soit le fluide pressurisé concerné. Par « chambre d’évent », on entend un volume interne de l’appareil à fluide pressurisé, constitué d’une ou plusieurs chambres et/ou éventuellement d’un ou plusieurs conduits, ce volume interne étant spécialement conçu pour servir de réceptacle à la fuite de fluide pressurisé dans l’appareil, le volume interne étant adjacent à une paroi ou à un organe, notamment un dispositif d’étanchéité, dont on sait qu’il est particulièrement sujet aux défaillances, intempestives ou liées à la durée de vie de parties de l’appareil à fluide pressurisé, susceptibles de causer une fuite de fluide pressurisé. La mise en œuvre de l’indicateur permet une détection précoce de la fuite dans la chambre d’évent.
L’invention s’applique particulièrement, mais pas seulement, au cas où le fluide constitue un produit de revêtement et/ou un fluide de commande, notamment de l’huile ou de l’air et où l’appareil est une vanne.
De préférence, le témoin comprend une extrémité de signalement qui : dépasse hors de l’ouverture externe lorsque le témoin est dans la position de signalement, pour indiquer la survenance de la fuite ; et est au moins partiellement escamotée dans l’ouverture externe lorsque le témoin est dans la position initiale, pour indiquer une absence de fuite de fluide pressurisé dans la chambre d’évent.
Egalement par exemple, dans la sous-étape 30 de l’étape 10-40, on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut utiliser un premier coefficient cp1 qui présente soit une première variation décroissante lorsque la pente pv est montante et croissante, soit une deuxième variation croissante lorsque la pente pv est descendante et croissante en valeur absolue (car négative).
Chacune des première et deuxième variations peut être déterminée au moyen d’au moins une équation ou bien au sein d’une table établissant une correspondance entre des pentes et des premières ou deuxièmes variations.
Egalement par exemple, dans la sous-étape 30 de l’étape 10-40, on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut utiliser un premier coefficient cp1 présentant soit une première variation qui décroît entre une valeur égale à 1 (soit cp1 = 1) et une valeur égale à 0,5 (soit cp1 = 0,5), et une deuxième variation qui croît entre une valeur égale à 1 (soit cp1 = 1) et une valeur égale à 1,5 (soit cp1 = 1,5). Le premier coefficient cp1 est égal à 1 lorsque la pente pv est nulle. Mais d’autres valeurs de premier coefficient cp1 peuvent être utilisées.
On notera que chaque consigne d’accélération ca pourrait être déterminée autrement qu’avec le premier coefficient cp1, et notamment au moyen d’au moins une équation.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement sur la , l’étape 10-40 du procédé peut aussi comprendre une sous-étape 20 dans laquelle on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut déterminer les accélérations minimale amin et maximale amax en fonction non seulement de l’écart de vitesse ev mais aussi de la pente pv. Cela permet d’utiliser des accélérations minimale amin et maximale amax qui sont toujours adaptées précisément à la situation en cours en termes de pente, et donc un contrôle encore plus précis de la consigne d’accélération ca et par conséquent aussi de la consigne de couple ccg.
Egalement par exemple, dans la sous-étape 20 de l’étape 10-40, on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut commencer par déterminer des accélérations minimale abmin et maximale abmax brutes en l’absence de pente, puis on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut déterminer les accélérations minimale amin et maximale amax en pondérant ces accélérations minimale abmin et maximale abmax brutes déterminées par un second coefficient cp2 qui est inférieur à 1 lorsque la pente pv est montante (et donc positive) ou supérieur à 1 lorsque la pente pv est descendante (et donc négative). On comprendra que les accélérations minimale abmin et maximale abmax brutes sont déterminées classiquement (c’est-à-dire de façon connue de l’homme de l’art puisqu’elles ne tiennent pas compte de la pente pv). On comprendra également que l’accélération minimale amin est le résultat de la multiplication de l’accélération minimale brute abmin par le second coefficient cp2 (soit amin = abmin*cp2), et l’accélération maximale amax est le résultat de la multiplication de l’accélération maximale brute abmax par le second coefficient cp2 (soit amax = abmax*cp2).
Egalement par exemple, dans la sous-étape 20 de l’étape 10-40, on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut utiliser un second coefficient cp2 qui présente soit une troisième variation décroissante lorsque la pente pv est montante et croissante, soit une quatrième variation croissante lorsque la pente pv est descendante et croissante en valeur absolue (car négative).
Chacune des troisième et quatrième variations peut être déterminée au moyen d’au moins une équation ou bien au sein d’une table établissant une correspondance entre des pentes et des premières ou deuxièmes variations.
On notera que les premier cp1 et second cp2 coefficients peuvent être identiques ou différents.
Egalement par exemple, dans la sous-étape 20 de l’étape 10-40, on (par exemple le dispositif de contrôle DC2) peut utiliser un second coefficient cp2 présentant soit une troisième variation qui décroît entre une valeur égale à 1 (soit cp2 = 1) et une valeur égale à 0,5 (soit cp2 = 0,5), et une quatrième variation qui croît entre une valeur égale à 1 (soit cp2 = 1) et une valeur égale à 1,5 (soit cp2 = 1,5). Le second coefficient cp2 est égal à 1 lorsque la pente pv est nulle. Mais d’autres valeurs de second coefficient cp2 peuvent être utilisées.
On notera que les première et troisième variations peuvent être identiques ou différentes. De même, les deuxième et quatrième variations peuvent être identiques ou différentes.
On notera également que chaque accélération minimale amin ou maximale amx pourrait être déterminée autrement qu’avec le second coefficient cp2, et notamment au moyen d’au moins une équation.
On notera également, comme illustré non limitativement sur la , que le calculateur de contrôle de vitesse CF (ou le calculateur du dispositif de contrôle DC2) peut aussi comprendre une mémoire de masse MM1, notamment pour stocker la consigne de vitesse cv, la vitesse en cours vv et la pente pv ainsi que d’éventuelles données intermédiaires intervenant dans tous ses calculs et traitements. Par ailleurs, ce calculateur de contrôle de vitesse CF (ou le calculateur du dispositif de contrôle DC2) peut aussi comprendre une interface d’entrée IE pour la réception d’au moins la consigne de vitesse cv, la vitesse en cours vv et la pente pv, éventuellement après les avoir mises en forme et/ou démodulées et/ou amplifiées, de façon connue en soi, au moyen d’un processeur de signal numérique PR2. De plus, ce calculateur de contrôle de vitesse CF (ou le calculateur du dispositif de contrôle DC2) peut aussi comprendre une interface de sortie IS, notamment pour délivrer chaque message contenant la consigne de couple ccg déterminée.
On notera également que l’invention propose aussi un produit programme d’ordinateur (ou programme informatique) comprenant un jeu d’instructions qui, lorsqu’il est exécuté par des moyens de traitement de type circuits électroniques (ou hardware), comme par exemple le processeur PR1, est propre à mettre en œuvre le procédé de contrôle décrit ci-avant pour contrôler la consigne de couple ccg destinée au GMP du véhicule V dans chaque phase de contrôle de vitesse assisté.
CONTRÔLE DE LA LOI DE PASSAGE DE RAPPORT UTILISÉE DANS UN VÉHICULE TERRESTRE À FONCTION DE CONTRÔLE DE VITESSE Domaine technique de l’invention L’invention concerne les véhicules terrestres comprenant un groupe motopropulseur (ou GMP) à boîte de vitesses automatisée et au moins une fonction de contrôle de vitesse, et plus précisément le contrôle de la loi de passage de rapport qui est utilisée avec une telle boîte de vitesses.
Entre l’instant t2 et un instant t5, le transmetteur est configuré pour attendre et/ou recevoir une réponse du récepteur.
Entre l’instant t2 qui correspond à la fin de la réception de l’unité de donnée de protocole de rang N et un instant t3 postérieur, le récepteur est par exemple désactivé pour observer la durée d’ajustement (Delay to Ack).
Entre l’instant t3 et un instant t4 postérieur, antérieur à un instant t5, le récepteur est réactivé et il renvoie un accusé de réception (Ack). Néanmoins, dans l’exemple de la , le transmetteur, attendant la réponse du récepteur, ne reçoit pas cet accusé de réception (No reception).
Entre les instants t4 et t5, une période tampon est prévue pour pallier par exemple les différences de fréquences d’horloge entre émetteur et récepteur.
L’exemple de la entre les instants successifs t0 et t5 correspond à l’enchaînement des étapes de la , 202, 204, 210, 212, 214 et 218. L’exemple de la entre les instants successifs t5 et t9 correspond à l’enchaînement des étapes de la , 202, 204, 206, 207, 209, 214 et 218.
L’intervalle entre les instants t0 et t5 correspond à une première tentative de transmission de donnée. Puisque le transmetteur ne reçoit pas l’accusé de réception, il va retenter de renvoyer la même unité de donnée de protocole (Re-transmit#1).
Pour cela, à l’instant t5 et jusqu’à un instant t6 postérieur, l’entête (Header SeqNr N) de l’unité de donnée de protocole (PDU payload) de rang N est renvoyé par le module en mode transmetteur vers le module en mode récepteur. Après la lecture et l’identification du rang N de l’entête par le récepteur, le récepteur ou une partie des circuits de celui-ci sont désactivés jusqu’à un instant t7 (remaining receive time) et, après avoir respecté la durée d’ajustement (Delay to Ack) entre l’instant t7 et un instant t8, un nouvel accusé de réception est envoyé par le récepteur réactivé entre l’instant t8 et un instant t9.
L’unité de donnée de protocole de rang N ayant déjà été reçue lors du premier intervalle (transmit#1), le récepteur, qui est désactivé pendant le renvoi de l’unité de donnée déjà reçue, n’a pas à mettre en oeuvre de l’énergie pour recevoir une unité de donnée de protocole déjà reçue.