INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l’exemple illustré sur la , le système de focalisation 20 est une lentille sphérique plan-concave. En d’autres termes, la première face 21 est plane et la seconde face 22 est concave.
Le facteur multiplicatif M de la lentille sphérique plan-concave se définit alors comme le rapport entre la section transversale (l’aire) de la première face 21 et la section transversale de la zone focale dans le plan focal.
Dans une forme de réalisation du dispositif, le système de focalisation 20 est disposé et maintenu fixement dans un cylindre 19. Le barillet 15, comportant les générateurs 10 d’ondes acoustiques, est disposé au niveau d’une première extrémité 191 du cylindre. Une plaque, formant couvercle 18, est disposée au niveau d’une seconde extrémité 192 du cylindre. Le système de focalisation 20 et le couvercle 18 sont séparés par le milieu de propagation 40.
Dans l’exemple non limitatif de la , le cylindre 19 est de section circulaire.
De préférence, le milieu de propagation 40 est choisi de sorte à favoriser la propagation des ondes acoustiques en sortie du système de focalisation 20 vers l’échantillon 50. Le milieu de propagation 40 est préférentiellement un milieu solide ou un milieu liquide.
Le milieu de propagation 40 est par exemple de l’eau ou du gallium liquide.
De préférence, le système de focalisation 20 est réalisé dans un matériau présentant d’une part une vitesse de propagation des ondes acoustiques très supérieure à celle du milieu de propagation pour minimiser la distance focale du système de focalisation, et ainsi minimiser les dimensions de la zone focale. Le système de focalisation 20 est réalisé dans un matériau présentant d’autre part une impédance acoustique proche de l’impédance acoustique du milieu de propagation 40 pour maximiser la transmission des ondes acoustiques du système de focalisation 20 vers le milieu de propagation 40.
Dans un exemple préféré de réalisation, le système de focalisation 20 est réalisé en aluminium. La vitesse de propagation des ondes acoustiques dans l’aluminium est de l’ordre de 6400 m.s -1 , et celle du gallium de 2850 m.s -1 . L’impédance acoustique de l’aluminium est de l’ordre de 17 MRayls, tout comme celle du gallium, permettant ainsi une transmission de 100% des ondes acoustiques du système de focalisation 20 vers le milieu de propagation 40.
Le dispositif 100 comporte en outre un système de chauffage (non représenté sur les figures) de l’échantillon 50. Le système de chauffage est configuré pour assurer une température de chauffage uniforme de l’échantillon 50.
Dans une première variante de réalisation, le système de chauffage permet un chauffage par l’effet Joule. Le système de chauffage comporte par exemple deux câbles électriques reliés chacun au récipient 70 contenant l’échantillon 50. Les deux câbles électriques sont préférentiellement disposés à distance l’un de l’autre. Le récipient est parcouru par un courant électrique, continu ou alternatif, de forte intensité, avec une tension de quelques volts. Le courant appliqué est de l’ordre de plusieurs kiloampères. Le passage du courant électrique au sein du récipient entraine l’échauffement de l’échantillon 50.
De préférence, le récipient 70 est réalisé dans un matériau électriquement conducteur, par exemple en graphite.
Avec un récipient en graphite, il est possible de chauffer l’échantillon 50 jusqu’à 3000 °C.
Dans une deuxième variante de réalisation, le système de chauffage permet un chauffage par effet inductif. Ledit système de chauffage comporte par exemple une bobine d’induction enroulée autour du récipient 70. Le récipient est, de préférence, réalisé sous la forme d’un tube. La bobine d’induction est alimentée en courant électrique alternatif de sorte à générer un courant induit dans le récipient 70 pour le chauffer et chauffer l’échantillon 50.
Par exemple, la valeur Tcritcap est déduite d’une courbe délivrée par le constructeur de la capacité du module DCLINK 400 représentative de la durée de vie de ladite capacité en fonction de la température d’utilisation.
Ainsi, dans le cas où, la valeur moyennée des mesures représentatives de la température réelle d’au moins une capacité du module DCLINK 400 MTCrelcapM est inférieure à la température seuil critique Tcritcap (50°C), le procédé propose de passer à une huitième étape S8), sinon le procédé prévoit le passage à une neuvième étape S9).
Lors de la huitième étape S8), la puissance de consigne du chargeur 100 pour charger la batterie haute tension 600 est maximale, permettant une charge rapide de la batterie haute tension 600. Le procédé propose ensuite le passage à la troisième étape S3).
Lors de la neuvième étape S9), le procédé compare la valeur moyenne des mesures représentatives de la température réelle d’au moins une capacité du module DCLINK 400, MTrelcap_M à la valeur moyenne des mesures représentatives de la température du liquide circulant dans le module de refroidissement 800, MTL_M. Le procédé propose, dans le cas où le résultat de la comparaison est négatif, de passer à la huitième étape S8), et dans le cas ou, le résultat est positif, de passer à une dixième étape S10).
Durant la dixième étape S10), il est proposé de comparer la valeur moyenne MTL_M des mesures représentatives de la température du liquide circulant dans le module de refroidissement 800 à une première valeur de liquide de refroidissement seuil Tliqseuil1. Par exemple, la valeur Tliqseuil1 est égale à 50°C. Dans le cas où la valeur moyenne MTL_M est supérieure à la première valeur de liquide de refroidissement seuil Tliqseuil1, le procédé passe à une onzième étape S11). Dans le cas où la valeur moyenne MTL_M est inférieure à la première valeur de liquide de refroidissement seuil Tliqseuil1, le procédé passe à la troisième étape S3.
Durant la onzième étape S11), il est proposé de comparer la valeur moyenne de toutes les valeurs des mesures représentatives de la température réelle d’au moins une capacité du module DCLINK 400, MTrelcap_M à la valeur moyenne des mesures représentatives de la température du liquide circulant dans le module de refroidissement 800, MTL_M.
Dans le cas où le résultat de la comparaison, ou soustraction, est inférieur à une première valeur delta de température PVDT1 alors le procédé prévoit le passage à une douzième étape S12) ; dans le cas où le résultat de la comparaison, ou soustraction, est supérieur à la première valeur delta de température PVDT1 alors le procédé prévoit le passage à une treizième étape S13). Par exemple, la valeur de la première valeur delta de température PVDT1 est 15°C.
Lors de la douzième étape S12), le procédé prévoit une diminution du courant de consigne de charge pour une diminution de la puissance de consigne du chargeur de 20%. Le procédé propose ensuite le passage à la troisième étape S3).
Lors de la treizième étape S13), le procédé prévoit, dans le cas où le résultat de la comparaison, ou soustraction, est inférieur à une seconde valeur delta de température PVDT2, le passage à une quatorzième étape S14) ; dans le cas où le résultat de la comparaison, ou soustraction, est supérieur à la seconde valeur delta de température PVDT2 alors le procédé prévoit le passage à une quinzième étape S15).
Par exemple, la valeur de seconde valeur delta de température PVDT2 est 20°C.
Lors de la quatorzième étape S14), le procédé prévoit une diminution du courant de consigne de charge pour une diminution de la puissance de consigne du chargeur de 50%. Le procédé propose ensuite le passage à la troisième étape S3).
Lors de la quinzième étape S15), le procédé prévoit une coupure complète du courant de consigne de charge, en d’autres termes la charge est stoppée. Le procédé propose ensuite le passage à la troisième étape S3).
Grâce à l’invention et à son procédé détaillé ci-dessus il est possible de contrôler la température pour prolonger la durée d’utilisation des capacités du module DCLINK 400 en évitant de les faire monter en température et astucieusement, il est pris en considération la durée d’utilisation des capacités. Ainsi, en réduisant ou diminuant la température seuil des capacités lors de la charge à un niveau en dessous du niveau de la température critique seuil desdites capacités, ces dernières subissent moins les détériorations liées à la température et donc sont plus dans un mode d’utilisation permettant de prolonger la durée de vie desdites capacités.
En variante, tant que le deuxième compteur Compt_vie_charg_2 ne dépasse pas la valeur de 5000 heures, le procédé propose uniquement de limiter la charge de la batterie haute tension 600 en contrôlant uniquement la température des capacités et, lorsque le deuxième compteur Compt_vie_charg_2 dépasse la valeur de 5000 heures, le procédé propose de réguler également la puissance lors de la charge de la batterie haute tension 600. Ainsi, il est prolongé la durée d’utilisation du chargeur en prenant toutes les précautions pour que les capacités du module DCLINK 400 ne dépassent pas la température critique et que la puissance soit contrôlée également. Bien entendu, cette solution permet de prolonger la durée d’utilisation du chargeur 100 mais peut engendrer une gêne auprès de l’utilisateur car le temps de charge est prolongé mais, en contrepartie, l’impact écologique est amélioré. En effet, le chargeur n’est pas changé mais encore utilisé.
Procédé pour contrôler la température d’au moins une capacité d’un chargeur embarqué. L’invention concerne le domaine du véhicule électrique et plus précisément un procédé de contrôle de la température d’au moins une capacité d’un chargeur embarqué d’un véhicule électrique.
La zone usinée 10 du dispositif électro-optique 50 de la , 8 ou 9 peut être usinée avant ou après le dépôt des électrodes 6, 7.
La montre un troisième exemple de dispositif électro-optique 50. La zone usinée 10 a ici une longueur L inférieure à la longueur L6 des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est ici supérieure à la largeur totale T des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est par exemple égale à la largeur du substrat 1, ce qui facilite l’utilisation d’un usinage mécanique. La zone usinée est alors façonnée avant le dépôt des électrodes.
La montre un quatrième exemple de dispositif électro-optique 50. La zone usinée 10 a ici une longueur L égale à la longueur L6 des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est ici supérieure à la largeur totale T des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est par exemple égale à la largeur du substrat 1 ce qui facilite l’utilisation d’un usinage mécanique.
La montre un cinquième exemple de dispositif électro-optique 50. La zone usinée 10 a ici une longueur L supérieure à la longueur L6 des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est ici supérieure à la largeur totale des électrodes 6, 7. La zone usinée 10 s’étend ici par exemple sur toute la surface du substrat 1. La zone usinée 10 peut être façonnée par gravure, rodage et/ou polissage de la surface de façon à ce que le dispositif électro-optique ait une surface plane en dehors des électrodes. L’usinage de toute la surface permet d'assurer l'élimination de toutes les parties résiduelles de la couche 3 modifiée par échange protonique. De plus, l’usinage de toute la surface 2 est facile à mettre en œuvre car c'est un usinage pleine plaque sans masquage.
En variante, le dispositif électro-optique 50 illustré sur l’une quelconque des figures 10 à 12 comporte une zone usinée ou plusieurs zones usinées disjointes situées en dehors des électrodes 6, 7. Par exemple, sur la ou 11, le dispositif peut aussi être façonné en formant une zone usinée située entre les deux électrodes 6, 7 et deux zones usinées à l’extérieur des électrodes 6, 7. Dans ce cas, la zone usinée ou les zones usinées disjointes peuvent être façonnées avant ou après le dépôt des électrodes 6,7.
La montre un sixième exemple de dispositif électro-optique 50 comprenant plusieurs zones usinées 10, 11, 12 disposées en série suivant la direction longitudinale Y du guide d’onde optique 5. Plus précisément, une zone usinée 10 s’étend sur une longueur L inférieure à la longueur L6 des électrodes 6,7 et sur une largeur W supérieure à la largeur totale des électrodes 6, 7, par exemple sur la largeur du substrat 1. Une autre zone usinée 11 s’étend sur une longueur L1 inférieure à la longueur L6 des électrodes 6,7 et sur une largeur W1 inférieure ou égale à la distance D entre les deux électrodes 6, 7. Encore une autre zone usinée 12 s’étend longitudinalement sur une longueur L2 en partie entre les électrodes 6, 7 et en partie au-delà des électrodes 6,7. La zone usinée 12 s’étend transversalement sur une largeur W2 supérieure à la distance D entre les deux électrodes 6, 7 et inférieure ou égale à la largeur totale T des électrodes 6, 7. Les zones usinées 10, 11, 12 peuvent être usinées en une seule fois, par la même technique d’usinage, ou être fabriquées séquentiellement en mettant en œuvre différentes techniques d’usinage précitées. Par exemple la zone usinée 11 peut être façonnée après le dépôt des électrodes, dans la cas où des dérives temporelles ou en fréquence subsistent, pour limiter encore ces dérives.
La montre une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique 50 tel que par exemple illustré sur l’une des figures 10 à 13. De façon avantageuse, la zone usinée 10, 11 et/ou 12 est façonnée avant le dépôt des électrodes 6, 7. La zone usinée 10, 11 et/ou 12 est dans cet exemple usinée sur une largeur W supérieure à la largeur totale T des électrodes, et de préférence sur toute la largeur du substrat 1. Par exemple, la ou les zones usinées sont ici formées en enlevant une couche d’épaisseur P sur toute la largeur du substrat après l’étape de recuit thermique et avant l’étape de dépôt des électrodes. Dans la coupe transverse, on observe que l’usinage de la surface a supprimé une couche d’épaisseur P du guide d’onde optique 5, où se trouvait le résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. Ici aussi, en dessous de la zone usinée entre les électrodes 6,7, la zone de diffusion 5 a une profondeur égale à P4-P.
La montre une vue en coupe transverse d’un exemple de dispositif électro-optique 50 tel qu’illustré sur l’une des figures 10 à 13. Ici, la zone usinée 10, 11 et/ou 12 est façonnée avant ou après le dépôt des électrodes 6, 7. La zone usinée 10, 11 et/ou 12 est dans cet exemple façonnée sur une largeur W inférieure ou égale à la distance D entre les électrodes. En option, on usine aussi des zones latérales en dehors des électrodes, entre la largeur totale T et la largeur du substrat. Par exemple, la ou les zones usinées sont ici formées en enlevant une bande centrale d’épaisseur P sur toute la longueur ou sur une partie de la longueur des électrodes et éventuellement deux bandes latérales après l’étape de recuit thermique et avant ou après l’étape de dépôt des électrodes. Dans la coupe transverse, on observe que l’usinage de la surface a supprimé une couche d’épaisseur P du guide d’onde optique 5, où se trouvait le résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. Après dépôt des électrodes 6, 7, le dispositif électro-optique présente un creux entre les électrodes 6, 7 dans la zone usinée 10. Dans cet exemple, les électrodes 6, 7 sont situées à une hauteur supérieure à P par rapport au guide d’onde optique.
De façon optionnelle, après fabrication de la zone usinée, le procédé comporte une étape supplémentaire de dépôt d’une couche diélectrique 24, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou de nitrure de silicium (SiN). La couche diélectrique 24 est disposée en surface du substrat après usinage, entre chaque électrode 6, 7 et le substrat 1. En variante, la couche diélectrique 24 s’étend non seulement sous les électrodes mais sur toute la surface du substrat.
De façon alternative ou complémentaire, le procédé comporte une autre étape de dépôt d’une couche diélectrique 24, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou de nitrure de silicium (SiN). Les deux électrodes 6, 7 sont déposées sur cette couche diélectrique 24. La couche diélectrique 24 permet de protéger la surface du guide d’onde optique 5. La couche diélectrique 24 permet aussi d’isoler l'onde optique circulant dans le guide d’onde optique vis à vis des électrodes métalliques.
La présence d’un résidu de la couche correspondant à la couche 3 modifiée par échange protonique après recuit thermique peut être détectée et mesurée par différentes techniques de caractérisation telles que : la profilométrie optique ou par contact, la spectrométrie Raman, la spectroscopie de masse d’ions secondaires (SIMS pour « secondary-ion mass spectrometry » en anglais), la diffraction de rayons X (« X-ray rocking curves » en anglais), la microscopie électronique en transmission (TEM pour « transverse electron microscopy » en anglais), la spectroscopie à transformée de Fourier (FTIR) ou l’ellipsométrie UV. Ces techniques permettent d’évaluer la profondeur P d’usinage à effectuer. La profondeur P d’usinage est en général inférieure à 500 nm. Le contrôle de la profondeur P d’usinage peut être effectué par vérification de la profondeur usinée pendant la fabrication ou éventuellement par mesure de la conductivité de surface avant/après gravure. De plus, on contrôle le fonctionnement électro-optique du dispositif après la fabrication.
On obtient ainsi un dispositif électro-optique 50 intégré comportant au moins une zone usinée 10, 11, 12 sur une faible profondeur P, la zone usinée 10, 11, 12 étant située au moins en partie entre la paire d’électrodes 6, 7. La zone usinée est adaptée pour supprimer au moins en partie un résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique dans une zone située au moins en partie entre ladite paire d’électrodes 6, 7. Dans certains modes de réalisation, la zone usinée reste vide et peut former un creux par rapport à la surface du substrat. Dans d’autres modes de réalisation, la zone usinée est au moins partiellement comblée par une couche diélectrique par exemple. Enfin, dans d’autres modes de réalisation, la zone usinée s’étend sur toute la surface du substrat qui présente alors le même relief de surface qu’un dispositif électro-optique non usiné.
Le procédé s’applique aussi à un dispositif électro-optique comprenant un guide d’onde optique formé par échange protonique sur niobate de lithium (ou tantalate de lithium ou antimoniate de lithium), suivant une coupe Z, comme illustré sur les figures 16-17. Dans ce cas, une électrode 6 est en contact avec le guide d’onde optique 5. L’autre électrode 7 est disposée à côté du guide d’onde optique 5 sur la même face que l’électrode 6 (voir ) ou sur la face opposée 9 du substrat 1 (voir ). Dans cette configuration de coupe Z, une différence de potentiel électrique appliquée entre les deux électrodes génère un champ électrique E orienté suivant l’axe Z dans le guide d’onde optique 5. Selon la présente divulgation, en configuration de coupe Z, de manière analogue avec la configuration coupe X, après l’étape de recuit thermique, on usine au moins une partie du résidu de la couche 3 dans une zone destinée à être placée en contact avec l’électrode 6, et entre la paire d’électrodes 6, 7, de façon à diminuer ou éliminer le résidu de la couche 3 dans la zone usinée. La profondeur P de la zone usinée est de l’ordre de la faible profondeur P3 de la couche 3 modifiée par échange protonique. En pratique, la profondeur P peut être inférieure, égale ou légèrement supérieure à la faible profondeur P3. Par exemple, la profondeur P de la zone usinée est telle que : 0,02*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3, et de préférence 0,50*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3 et de manière encore plus préférentielle 0,90*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3. Par exemple, pour une profondeur P3 de 500 nm, la profondeur P de la zone usinée est d’environ 500 nm±50 nm. L’étape d’usinage est effectuée sur une faible profondeur P pour conserver la majeure partie de la zone de diffusion 4.
Dans la configuration de coupe Z, l’étape d’usinage est nécessairement effectuée avant l’étape de dépôt de l’électrode 6. L’étape d’usinage peut être réalisée sur toute la surface 2 du substrat, après l’étape de recuit thermique, de façon à obtenir une surface plane avant le dépôt de l’électrode 6, comme par exemple illustré sur la . En variante, comme illustré sur la figures 16, l’usinage est appliqué sur une surface limitée en largeur et/ou en longueur de la face 2 du substrat, au-dessus du guide d’onde optique 5. L’usinage partiel ou étendu sur toute la surface peut s’appliquer aussi bien que l’électrode 7 soit située sur la même face 2 que l’électrode 6 ou sur la face opposée 9.
On obtient ainsi un dispositif électro-optique en configuration de coupe X ou de coupe Z, dans lequel au moins une partie du résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique est enlevée dans une zone située ou destinée à être placée entre la paire d’électrodes 6, 7.
De façon non-intuitive, cet usinage superficiel et qui peut être limité localement à une petite portion du substrat entre la paire d’électrodes, permet d’obtenir une grande amélioration de la réponse du dispositif électro-optique, que ce soit en fonction du temps, de la température, de la pression (par exemple sous vide) ou à basse et très basse fréquence de modulation.
Un tel mode de réalisation a pour avantage de ne pas solliciter l’utilisateur pour définir le profil sensoriel de ce dernier, un tel profil sensoriel étant généré automatiquement à l’aide de traces numériques laissées par l’utilisateur, via le réseau de communication, telles que par exemple des cookies, des données du journal d’appels du terminal de l’utilisateur, des informations de géolocalisation de l’utilisateur, etc. De telles traces numériques sont destinées à être corrélées à des valeurs d’intensité d’au moins un sens définissant ainsi le profil sensoriel de l’utilisateur.
Selon un autre mode de réalisation particulier, la première valeur d’intensité dudit au moins un sens du profil de l’utilisateur du terminal, respectivement la deuxième valeur d’intensité dudit au moins un sens du profil dudit au moins un lieu, sont variables ou invariables dans le temps.
Les différents modes ou caractéristiques de réalisation précités peuvent être ajoutés indépendamment ou en combinaison les uns avec les autres, au procédé de communication tel que défini ci-dessus.
L'invention concerne également un procédé de communication entre un terminal de communication et un équipement de communication, via un réseau de communication, au cours de laquelle le terminal requiert l’obtention d’un contenu auprès dudit équipement, ledit contenu étant relatif à un lieu accueillant du public.
Un tel procédé de communication est caractérisé en ce qu’il met en œuvre, au niveau du terminal :
- une transmission audit équipement de communication, via ledit réseau, d’une requête de recherche d’au moins un lieu accueillant du public, ladite requête comprenant au moins un type de lieu accueillant du public et au moins un mot caractérisant ledit type de lieu, ledit au moins un mot étant associé à une première valeur d’intensité attribuée à au moins un sens de l’être humain,
- en réponse à la requête, une réception en provenance dudit équipement, via ledit réseau, d’un contenu comprenant des informations d’identification d’un ou de plusieurs lieux pour le(s)quel(s) une deuxième valeur d’intensité dudit au moins un sens a été attribuée et dont la deuxième valeur s’approche le plus de la première valeur.
L’invention concerne également un terminal de communication adapté pour mettre en œuvre une communication, via un réseau de communication, avec un équipement de communication, au cours de laquelle le terminal requiert l’obtention d’un contenu auprès dudit équipement, ledit contenu étant relatif à un lieu accueillant du public.
Un tel terminal est caractérisé en ce qu’il est configuré pour :
- transmettre audit équipement de communication, via ledit réseau, une requête de recherche d’au moins un lieu accueillant du public, ladite requête comprenant au moins un type de lieu accueillant du public et au moins un mot caractérisant ledit type de lieu, ledit au moins un mot étant associé à une première valeur d’intensité attribuée à au moins un sens de l’être humain,