INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On note qu’à l’issue du premier sous-groupe d’étapes, l’empilement OLED déposé sur l’électrode 202b du deuxième groupe de zones émettrices élémentaires et sur l’électrode 202c de troisième groupe de zones émettrices élémentaires est un empilement OLED 205a du type premier empilement OLED. Comme cela sera expliqué ci-dessous, lors des groupes d’étapes ultérieurs, il sera par la suite remplacé par un empilement OLED de type deuxième empilement OLED 205b, et enfin, pour les emplacements de troisièmes zones émettrices élémentaires, par un empilement OLED de type troisième type d’empilement OLED 205c.
Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on aménage sur le premier de ces groupes de zones émettrices élémentaires un photorésist 280a. Ce photorésist 280a doit protéger la surface horizontale de la zone émettrice élémentaire, mais aussi son flanc (c’est-à-dire sa surface latérale, qui peut être verticale).
Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on procède, sur les zones non protégées par le photorésist 280a, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la couche d’encapsulation 290a, l’électrode supérieure 207a, et l’empilement OLED 205a, Le procédé de gravure doit être choisi de manière à ce que la gravure s’arrête à la surface horizontale supérieure des électrodes 202b et 202c. Pour la gravure de la couche d’encapsulation et de l’électrode, on utilise typiquement une gravure humide, par exemple une gravure humide habituellement utilisé en microélectronique, à savoir un décapage avec une solution aqueuse d’hydroxyde de tétraméthylammonium (n° CAS : 75-59-2) à 2,38 % massiques ; un tel produit est commercialement disponible, par exemple auprès de la société ThermoFischer Scientific™ (grade électronique, n° de catalogue 44940). Alternativement, on peut également utiliser une méthode de gravure sèche, par exemple par RIE (Reactive-Ion Etching, gravure réactive ionique) ou IBE (Ion Beam Etching, gravure au faisceau d’ions). La gravure de l’empilement OLED est effectuée typiquement par un plasma d’oxygène.
Dans un quatrième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on enlève le photorésist 280a. Cela peut se faire par une technique appropriée, connue de l’homme du métier.
Si un plasma d’oxygène est utilisé pour graver une couche déposée directement sur l’électrode supérieure dans ce but, il est préférable d’éviter que la surface supérieure de l’électrode supérieure ne soit en aluminium, car le plasma d’oxygène va créer une couche d’alumine isolante. L’aluminium peut être utilisé à condition de protéger sa surface supérieure par une couche transparente conductrice qui n’est pas attaquée par le plasma d’oxygène ; à ce titre on utilise avantageusement une couche en dioxyde d’étain (SnO 2 ).
Dans un deuxième groupe d’étapes, représenté schématiquement sur les à , on dépose un deuxième groupe de zones émettrices élémentaires (sous-pixels), émettant de la lumière d’une deuxième couleur, qui est différente de ladite première couleur, par exemple verte.
Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un deuxième empilement OLED 205b, déposé avec une technique de dépôt directionnelle ; (b) une électrode supérieure 207b, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour l’électrode supérieure 290a du premier groupe de zones émettrices élémentaires, et (c) une deuxième couche d’encapsulation 290b’, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour la première couche d’encapsulation 290a du premier groupe de zones émettrices élémentaires. On note qu’à l’issue du premier sous-groupe d’étapes, l’empilement OLED déposé sur l’électrode 202c du troisième groupe de zones émettrices élémentaires est un empilement OLED du type deuxième empilement OLED. Comme cela sera expliqué ci-dessous, lors des groupes d’étapes ultérieurs, il sera par la suite remplacé par un empilement OLED de type troisième empilement OLED 205c. On note par ailleurs que les zones émettrices élémentaires du premier groupe comportent un empilement dit ici « empilement transitoire » constitue par un empilement OLED 207b de type deuxième empilement OLED, une électrode supérieure 207b et une couche d’encapsulation 290b ; cet empilement transitoire sera enlevé par la suite. La couche d’encapsulation 290b couvre notamment les flancs de l’empilement OLED 205b. Elle est désignée ici, en fonction de sa position par rapport au dispositif final, par les repères numériques 290a, 290b, 290c, alors qu’il s’agit du même matériau. Elle peut être continue et s’étend alors sur les trois zones d’émission élémentaires.
Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on aménage sur un deuxième de ces groupes de zones émettrices élémentaires un photorésist 280b, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes.
Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on procède, sur les zones non protégées par le photorésist 280b, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la deuxième couche d’encapsulation 290b, l’électrode supérieure 207b, et l’empilement OLED 205b. Le procédé de gravure et les matériaux des différentes couches doivent être choisis de manière à ce que la gravure s’arrête à surface horizontale supérieure de l’électrode 202c et à la couche d’isolant 223 et à la couche d’encapsulation 290a . Ladite couche d’isolant 223 peut être en Al 2 O 3 , qui présente l’avantage de résister à la gravure au plasma d’oxygène qui est utilisé pour enlever l’empilement OLED. Le même matériau est utilisé pour la couche d’encapsulation 290.
Dans un quatrième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la , on enlève le photorésist 280b, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes, et avec les mêmes remarques concernant le choix des techniques et de protection de l’électrode supérieure en aluminium contre un éventuel plasma d’oxygène.
Dans un troisième groupe d’étapes, représenté schématiquement sur les à , on dépose un troisième groupe de zones émettrices élémentaires (sous-pixels), émettant de la lumière d’une troisième couleur, qui est différente de ladite première couleur et de ladite deuxième couleur, par exemple bleue.
Les figures 3 à 6 illustrent plus particulièrement un mode de réalisation dans lequel l’au moins une position d’actionnement comprend une première position d’actionnement et une deuxième position d’actionnement. La illustre le dispositif d’actionnement 101, 103 dans la position de repos, tandis que la illustre le dispositif d’actionnement 101, 103 dans la première position d’actionnement et la illustre le dispositif d’actionnement 101, 103 dans la deuxième position d’actionnement. Dans ce cas, il est préféré que l’au moins un élément de rappel 131, 133 comprenne un premier élément de rappel 131 tendant à faire basculer le bouton de commande 110 autour de l’au moins un axe de basculement A vers la position de repos lorsque le bouton de commande 110 est basculé vers la première position d’actionnement et un deuxième élément de rappel 133 tendant à faire basculer le bouton de commande 110 autour de l’au moins un axe de basculement A vers la position de repos lorsque le bouton de commande 110 est basculé vers la deuxième position d’actionnement. En d’autres termes :
- lorsqu’un dispositif d’actionnement a été manuellement actionné dans un premier sens sT1 entre la position de repos et la première position d’actionnement, le premier élément de rappel 131 exerce sur le bouton de commande 110 un premier couple de rappel sollicitant le bouton de commande 110 à pivotement autour de l’au moins un axe de basculement A dans un sens de basculement inverse allant de la première position d’actionnement vers la position de repos,
- lorsqu’un dispositif d’actionnement a été manuellement actionné dans un deuxième sens sT2 entre la position de repos et la deuxième position d’actionnement, le deuxième élément de rappel 133 exerce sur le bouton de commande 110 un deuxième couple de rappel sollicitant le bouton de commande 110 à pivotement autour de l’au moins un axe de basculement A dans un sens de basculement inverse allant de la deuxième position d’actionnement vers la position de repos.
De cette manière, il est possible d’obtenir un dispositif d’actionnement 101, 103 dans lequel le bouton de commande 110 est apte à varier entre deux positions d’actionnement, par exemple pour actionner deux éléments de commutation 310, 330 distincts. Plus particulièrement, le sens de basculement du bouton de commande 110 autour de l’au moins un axe de basculement A depuis la première position d’actionnement vers la position de repos est opposé au sens de basculement du bouton de commande 110 autour de l’au moins un axe de basculement A depuis la deuxième position d’actionnement vers la position de repos. De cette manière, le bouton de commande 110 est apte à actionner un ou plusieurs éléments de commutation 310, 330 dans un mouvement de va-et-vient, ce qui rend le dispositif d’actionnement 101, 103 ergonomique et convivial.
La illustre en outre une variante dans laquelle chacun du premier élément de rappel 131 et du deuxième élément de rappel 133 comprend deux lames élastiques de rappel décalées l’une par rapport à l’autre le long de l’axe de basculement A. Ces deux lames élastiques de rappel du premier élément de rappel 131 sont en outre opposées aux deux lames élastiques de rappel du deuxième élément de rappel 133 par rapport à l’élément de guidage 170, permettant un bon équilibrage symétrique.
Enfin, le dispositif d’actionnement 101, 103 comprend au moins un organe d’actionnement 151, 153 solidaire en basculement du bouton de commande 110. L’au moins un organe d’actionnement 151, 153 coopère avec l’un des éléments de commutation 310, 330 du circuit électronique de commande 300 et est configuré pour actionner cet élément de commutation 310, 330 pour le placer dans l’état actif ou dans l’état inactif. Autrement dit, l’au moins un organe d’actionnement 151, 153 assure le passage de l’élément de commutation 310, 330 avec lequel il coopère de l’état actif à l’état inactif et/ou le passage de l’état inactif vers l’état actif. Par exemple, l’un au moins des organes d’actionnement 151, 153 est configuré pour placer l’élément de commutation 310, 330 avec lequel il coopère dans l’état actif lorsque le bouton de commande 110 est basculé dans la position d’actionnement.
Comme cela est illustré sur les figures 3 à 6, les organes d’actionnement 151, 153 peuvent comprendre un plot d’appui faisant saillie par rapport au bouton de commande 110. Par exemple, le plot d’appui de l’organe d’actionnement 151, 153 fait saillie depuis l’élément de guidage 170. Le plot d’appui présente avantageusement une surface d’appui s151, s153 configurée pour venir prendre appui, au moins dans la position d’actionnement du bouton de commande 110, sur l’élément de commutation 310, 330. Cela permet de former un organe d’actionnement 151, 153 suffisamment précis et robuste pour actionner l’élément de commutation 310, 330.
Sur les variantes non limitatives présentées sur les figures 3 à 6, l’au moins un élément de commutation 310, 330 du circuit électronique de commande 300 comprend un premier élément de commutation 310 et un deuxième élément de commutation 330. Par ailleurs l’au moins un organe d’actionnement 151, 153 du dispositif d’actionnement 101, 103 comprend un premier organe d’actionnement 151 configuré pour actionner le premier élément de commutation 310 lorsque le bouton de commande 110 est basculé vers la première position d’actionnement, et un deuxième organe d’actionnement 153 configuré pour actionner le deuxième élément de commutation 330 lorsque le bouton de commande 110 est basculé vers la deuxième position d’actionnement. Selon une variante non limitative, le deuxième organe d’actionnement 153 est disposé du côté opposé au premier organe d’actionnement 151 par rapport au bouton de commande 110, ou par rapport à l’élément de guidage 170. De cette manière, un dispositif d’actionnement 101, 103 de la télécommande T est apte à commander à lui seul, deux actions différentes par l’intermédiaire d’un seul bouton de commande 110. De plus, le dispositif d’actionnement 101, 103 est ainsi apte à actionner deux éléments de commutation 310, 330 distincts lorsque le bouton de commande 110 est basculé vers les différentes positions d’actionnement. Dans le cas de l’utilisation de la télécommande T pour commander un dispositif d’occultation 9 d’une installation de protection solaire I, un unique dispositif d’actionnement 101, 103 peut actionner l’une des barres 10, 12 du dispositif d’occultation 9 dans un premier sens de déplacement sB1 et dans un deuxième sens de déplacement sB2. En particulier, l’actionnement dans le premier sens sT1 du bouton de commande 110 du premier dispositif d’actionnement 101 permet de commander un mouvement de la barre supérieure 10 dans un premier sens de déplacement sB1 et l’actionnement dans le deuxième sens sT2 du bouton de commande 110 du premier dispositif d’actionnement 101 permet de commander un mouvement de la barre supérieure 10 dans un deuxième sens de déplacement sB2. De même, l’actionnement dans le premier sens sT1 du bouton de commande 110 du deuxième dispositif d’actionnement 103 permet de commander un mouvement de la barre inférieure 12 dans un premier sens de déplacement sB1 et l’actionnement dans le deuxième sens sT2 du bouton de commande 110 du deuxième dispositif d’actionnement 103 permet de commander un mouvement de la barre inférieure 12 dans un deuxième sens de déplacement sB2.
Enfin, comme cela est visible sur les figures, il peut être prévu que l’élément de rappel 131, 133 vienne de matière avec le bouton de commande 110. En d’autres termes, l’au moins un élément de rappel 131, 133 et le bouton de commande 110 sont formés de manière intégrale dans une seule et même pièce. De la même manière, il peut être prévu que l’organe d’actionnement 151, 153 vienne de matière avec le bouton de commande 110, et de manière plus générale, que le dispositif d’actionnement 101, 103 soit une pièce unique d’un seul tenant. Par exemple, le dispositif d’actionnement 101, 103 comprend ou est constitué d’un matériau polymère, comme le polyoxyméthylène.
La réalisation d’un dispositif d’actionnement 101, 103 dans lequel le bouton de commande 110 et/ou l’organe d’actionnement 151, 153 vient de matière avec l’élément de rappel 131, 133 présente de nombreux avantages. Cela permet notamment : de rendre simple la fabrication du dispositif d’actionnement 101, 103, ce qui limite les coûts de production d’un tel dispositif d’actionnement 101, 103 ; de réaliser le dispositif d’actionnement 101, 103, sans nécessiter un assemblage mécanique ajusté entre l’élément de rappel 131, 133 et le bouton de commande 110, le dispositif d’actionnement 101, 103 obtenu est ainsi robuste, efficace et économique ; et de limiter le nombre de pièces à utiliser lors de l’assemblage du dispositif d’actionnement 101, 103.
En outre, l’utilisation d’un matériau polymère permet de réaliser le dispositif d’actionnement 101, 103 avec des procédés de fabrication à bas coût. Le polyoxyméthylène est tout particulièrement adapté en tant que matière formant l’élément de rappel 131, 133 pour résister aux frottements notamment induits lors du déplacement du dispositif d’actionnement 101, 103.
Selon une variante non limitative représentée sur la , il est possible que la télécommande T comprenne en outre un bouton indépendant 105, activant un élément de commutation supplémentaire (non représenté). Dans ce cas l’unité de contrôle 30 peut être configurée pour commander le déplacement simultané de la barre inférieure 12 et de la barre supérieure 10 dans un même sens de déplacement lorsque l’élément de commutation supplémentaire est activé par le bouton indépendant 105. Par exemple, un tel déplacement simultané de la barre inférieure 12 et de la barre supérieure 10 est effectué pendant une période prédéterminée. Par exemple, le bouton indépendant 105 est maintenu éclairé lorsqu’il active l’élément de commutation supplémentaire, et notamment pendant ladite période prédéterminée.
Les dispositions précédemment décrites permettent de proposer une télécommande T apte à commander une installation commandée par une unité de contrôle, par exemple une installation de protection solaire I comprenant une unité de contrôle 30. La présence de deux dispositifs d’actionnement 101, 103 permet d’augmenter le nombre de commandes pouvant être transmises par la télécommande T lorsqu’un utilisateur actionne l’un des deux dispositifs d’actionnement 101, 103. Par ailleurs, et de manière avantageuse, si la télécommande T est configurée pour commander une installation de protection solaire I comprenant deux barres 10, 12 déplaçables au choix indépendamment ou conjointement, le positionnement des deux dispositifs d’actionnement 101, 103 sur la télécommande T peut correspondre à la répartition spatiale des deux barres 10, 12. De cette manière, la commande de déplacement des deux barres 10, 12 est intuitive et la solution est conviviale, de manière simple et économique. Les dispositions précédemment décrites permettent également de proposer une télécommande T dans laquelle chaque dispositif d’actionnement 101, 103 est adapté pour actionner un élément de commutation 310, 330 lorsque le bouton de commande 110 est actionné par l’utilisateur et pour revenir à la position de repos lorsque le bouton de commande 110 n’est pas actionné.
Procédés de fabrication d’une chaîne de cellules photovoltaïques électriquement interconnectées et d’un module photovoltaïque comprenant une telle chaîne La présente invention concerne la fabrication des modules photovoltaïques et des chaînes de cellules photovoltaïques. Elle concerne en particulier une chaîne de cellules photovoltaïques électriquement interconnectées.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les modules photovoltaïques comportent plusieurs cellules photovoltaïques interconnectées entre elles pour former une chaîne appelée également chaîne photovoltaïque. L’interconnexion des cellules est un enjeu majeur car elle définit les caractéristiques de production d’énergie électrique des modules, notamment en termes de puissance électrique. Il existe différentes méthodes pour interconnecter des cellules photovoltaïques.
On peut citer un procédé dans lequel des cellules sont interconnectées entre elles par une brasure de fils de cuivre étamés aux bus de collecte des cellules. Les bus de collecte, appelés également « busbars » en langue anglaise, sont des éléments électriquement conducteurs placés au contact du substrat de la cellule et connectés aux électrodes de la cellule. Les électrodes habituellement appelées « doigts de collecte » ont pour rôle de collecter les porteurs de charge photo-générés par la cellule pour produire un courant électrique. En particulier, les bus de collecte s’étendent le long de la cellule et perpendiculairement aux doigts de collecte. La brasure consiste à souder les fils de cuivre étamés aux bus de collecte, par une étape effectuée à haute température (220 à 260°C). De façon générale, une brasure s’obtient par fusion d'un métal d'apport sans fusion du métal de base. Le point de fusion du métal d’apport doit donc être à une température inférieure à celle du métal de base. On entend par « étamés », le fait que les fils de cuivre comprennent un revêtement d’un alliage métallique servant comme un apport de métal pour réaliser la brasure. Mais ce procédé nécessite de former des plots de métallisation en argent sur les bus de collecte, afin de faciliter la brasure entre la cellule et les fils de cuivre étamés. Par ailleurs, dans le cas des cellules à hétérojonction, les fils de cuivre doivent être recouverts d’un alliage métallique ayant une basse température de fusion, par exemple à base de Pb ou de Bi, afin de ne pas dégrader les performances des cellules. Les cellules à hétérojonction sont des cellules comprenant un substrat de type cristallin et de type amorphe, le substrat pouvant être à base de silicium ou de pérovskite. En outre, un tel procédé nécessite une grande quantité d’argent au niveau de la métallisation de la cellule, ce qui rend le procédé de fabrication très coûteux.
Par exemple, un transistor NMOS de modulation 214 couplé entre la masse GND et l’anode (nœud drain-gille) du transistor 202, et commandé par un signal de commande de modulation Vvar, peut permettre une telle extraction du courant Ivar de signe positif au deuxième courant de copie Iref2 de signe positif.
Enfin, dans cet exemple, le convertisseur d’entrée 210 est adapté pour générer le courant de modulation Ivar correspondant à la valeur moyenne de l’amplitude du signal d’entrée alternatif Vin ; de sorte que, la composante modulée Imod est inversement proportionnel à ladite valeur moyenne de l’amplitude du signal d’entrée alternatif Vin (notamment selon l’intensité du courant de modulation Ivar et les facteurs k3, k4).
A cet égard, le convertisseur d’entrée 210 peut comporter un circuit redresseur ou écrêteur RECT recevant le signal d’entrée Vin, typiquement via un élément capacitif 211 retirant un décalage, suivi d’un circuit de filtre passe-bas LPF fournissant le signal de commande de modulation Vvar.
Ainsi, le courant de commande Iout sur le nœud de sortie Nout résulte de la somme des courants circulant sur le nœud de sortie, c’est-à-dire la somme de la composante continue Idc générée par le premier étage 100 et de la composante modulée Imod générée par le deuxième étage 200.
La illustre, sous la forme d’un graphique, le procédé de génération du courant de commande Iout = Idc + Imod dont l’intensité est modulée par le signal d’entrée Vin ( ), comportant une première génération autonome de la composante constante Idc0 du courant de commande Iout, et une deuxième génération autonome de la composante modulée Imod du courant de commande, la composante modulée Imod étant modulée par le signal d’entrée.
Le courant de commande Iout est par exemple obtenu par la somme de la composante continue Idc et de la composante modulée Imod circulant sur le nœud de sortie Nout ( ).
Etant donné que la première génération par le premier étage 100 et la deuxième génération par le deuxième étage 200 génèrent respectivement, de manière autonome et indépendante, la composante constante Idc0 et la composante modulée Imod, les deux composantes Idc, Imod du courant de commande Iout peuvent être réglées et paramétrées 301, 302 facilement et avec une grande souplesse.
Dans le cas de la , et la composante modulée est proportionnelle à une grandeur d’entrée GRD_IN, et le réglage 302 peut par exemple correspondre au coefficient de la proportionnalité, c’est-à-dire l’inclinaison de la pente.
La composante continue Idc peut par exemple être réglée 301 à un niveau supérieur à une limite NA, de sorte que le signal de commande Iout reste toujours supérieure à cette valeur limite NA.
Le courant constant Idc peut ainsi être dimensionné 301 pour éviter des points de polarisation spécifiques NA, par exemple afin d’éviter de couper la polarisation de l’ensemble du circuit et d’éviter un comportement non-linéaire indésirable du circuit (une cause possible d’un effet de pompage cyclique). Le courant constant Idc peut également être prévu pour éviter certaines zones de polarisation spécifiques telles que des zones de polarisation pouvant engendrer un effet de bosse ou effet « hump ».
Par ailleurs, on pourra aussi adapter le circuit convertisseur 210 à une fonction souhaitée pour la modulation, par exemple une fonction linéaire telle que représentée Imod, ou un échelon carré, ou une fonction parabolique, ou toute autre transformation mathématique.
L’architecture décrite en relation avec la permet également de revenir à un point de polarisation de départ lorsque tous les stimuli sont désactivés, sans recourir à une génération d’un signal de réinitialisation.
La illustre deux exemples de systèmes asservis 410, 420 par une boucle de commande 411, 421, et comportant des moyens FT prévus pour générer un signal de sortie Vout.