INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- défaut d’étanchéité aux emboîtements ou aux liaisons avec d’autres composants réseau ;
- défaut d’accès pour l’entretien du réseau.
Avec l’offre produit actuelle, la résolution de ces défauts repose pour beaucoup sur le savoir-faire des artisans poseurs. Pour ce faire, les installateurs ont couramment recours à des rivets, visseries, outils de découpe, mastic et bandes autocollantes de raccords.
C’est dans ce contexte que les réglementations liées à la construction et à la rénovation des bâtiments tendent vers la mise en place d’obligation de vérification des systèmes de ventilation, dans le but d’avoir une garantie des performances de l’installation.
Il existe ainsi un besoin de nouvelles solutions techniques pouvant participer à la maîtrise de la qualité de l’air intérieur et des installations associées.
Présentation de l'invention Afin de répondre à ces problématiques de l’état de la technique, la présente invention propose un collier d’assemblage, pour le positionnement et le maintien des extrémités de deux éléments de conduit qui sont mises bout à bout, par exemple des éléments de conduit pour le transport des gaz, avantageusement d’air ou des fumées.
Le collier d’assemblage comporte une face intérieure adaptée à coopérer avec les extrémités mises bout à bout desdits deux éléments de conduit.
Ce collier d’assemblage comporte des moyens de fermeture, autorisant la manœuvre dudit collier d’assemblage entre deux configurations :
- une configuration ouverte, pour le positionnement et le retrait des extrémités desdits deux éléments de conduit, et
- une configuration fermée, pour le maintien des extrémités mises bout à bout desdits deux éléments de conduit.
Et ce ledit collier d’assemblage comprend au moins une partie berceau, s’étendant sur un secteur angulaire supérieur ou égal à 180°. Cette partie berceau est apte à subir, en configuration ouverte, une déformation élastique radiale pour autoriser un emboitement élastique desdits deux éléments de conduit lors dudit positionnement et/ou dudit retrait, assurant un positionnement avec maintien temporaire desdits deux éléments de conduit.
Et ladite face intérieure du collier d’assemblage comporte des premiers moyens d’assemblage annulaire qui sont adaptés à coopérer par un emboîtement annulaire avec des seconds moyens d’assemblage annulaire, complémentaires, qui sont ménagés au niveau des extrémités desdits éléments de conduit.
La présente invention, un collier d’assemblage avec une partie berceau, permet le montage/démontage d’éléments de conduit, avec un maintien temporaire des éléments de conduit à associer, avant et après l’opération de fermeture du collier d’assemblage.
la est une illustration d’un mode de réalisation d’isolants annulaires recouvrant des contacts électriques selon l’invention ;
la est une représentation schématique d’un mode de réalisation d’un ensemble comprenant deux connecteurs électriques, avec une représentation des lignes de fuites, selon l’invention ;
la est une représentation schématique d’un mode de réalisation d’un ensemble comprenant deux connecteurs électriques, avec une représentation du positionnement d’au moins un joint plat en élastomère, selon l’invention ;
la est une illustration d’un mode de réalisation d’isolants annulaires recouverts d’une couche d’un matériau électriquement conducteur pour un connecteur électrique selon l’invention ;
la est une illustration d’un mode de réalisation d’isolants annulaires recouverts d’une couche d’un matériau électriquement conducteur pour un connecteur électrique selon l’invention ; et,
la est une vue de profil en coupe d’un mode de réalisation d’un ensemble de connecteurs électriques où le corps cylindrique creux, sur tout ou partie de sa surface radialement interne, est recouvert d’une couche d’un polymère.
En référence aux figures 1 à 4, nous allons maintenant décrire un mode de réalisation d’un ensemble 101 comprenant deux connecteurs électriques 103 et 105 complémentaires selon l’invention.
L’exemple représenté dans ces figures porte plus particulièrement sur un ensemble 101 comprenant deux connecteurs électriques 103 et 105 complémentaires qui sont respectivement une fiche, qui comprend un contact électrique 107 de type mâle, et une embase, qui comprend un contact électrique 107 de type femelle. En outre, dans l’exemple représenté à la , les deux connecteurs électriques 103 et 105 sont assemblés.
Le terme « complémentaire » signifie ici que chaque connecteur électrique est complémentaire de l’autre dans le sens où il est configuré pour s’emboîter dans l’autre de manière à être maintenus ensemble (par exemple via des moyens de serrage) et à établir une connexion électrique.
Outre l’exemple non-limitatif représenté dans ces figures, de manière générale, l’invention décrite ci-après s’applique aussi bien à un connecteur électrique de type embase que de type fiche, dans lequel le contact électrique est connecté électriquement à une barre-bus (par exemple en formant une pièce unique avec cette barre-bus ; de l’anglais « bus bar ») ou à un câble électrique (par exemple par sertissage du câble électrique dans le contact électrique).
De même, l’invention s’applique à un connecteur électrique, dans lequel le contact électrique peut être de type mâle comme de type femelle. A titre d’exemple, un contact électrique mâle peut avoir une forme générale de plot alors qu’un contact électrique femelle peut avoir une forme générale de trou, complémentaire de la forme du plot, pour permettre l’emboîtement de ces éléments conducteurs l’un dans l’autre.
Les connecteurs électriques décrits dans ce qui suit peuvent être, par exemple, des connecteurs électriques dits de forte puissance (également appelés connecteurs de puissance), c’est-à-dire des connecteurs électriques configurés pour supporter une tension continue supérieure ou égale à 800 Volts et un courant supérieur ou égal à 500 Ampères. Il peut par exemple s’agir de connecteurs électriques utilisés pour le transport de forte puissance dans un aéronef.
Ainsi, l’ensemble 101 montré à la comprend deux connecteurs 103 et 105. Chaque connecteur électrique 103 ou 105 est destiné à établir une connexion électrique avec l’autre connecteur électrique 105 ou 103 qui est dit complémentaire.
Chaque connecteur 103 et 105 comprend un corps cylindrique creux 109 qui s’étend autour d’un axe de révolution X. Ce corps cylindrique creux 109, par exemple réalisé en métal (par exemple en Inox ou en Aluminium), n’est pas représenté à la mais est montré à la .
Dans toute la suite, les directions « longitudinale » et « radiale » sont définies par référence audit axe de révolution du connecteur.
Chaque connecteur 103 et 105 comprend également un contact électrique 107 qui est positionné à l’intérieur du corps cylindrique creux 109 et qui s’étend parallèlement à l’axe de révolution X.
Le milieu réactionnel est ensuite dégazé à l’azote pendant 1h puis refroidit à 10°C environ et 187.2g (2.15 moles)d’une solution de soude 46% préalablement dégazée est additionnée en 35min via une ampoule de coulée. Le milieu réactionnel est laissé sous agitation sous azote à 25°C pendant 19h.
Une analyse GC/FID montre une conversion totale du tétrathioacétate.
Le milieu réactionnel est ensuite refroidi à 20°C, 294.4 g (1.61 moles) d’HCl 20% (préalablement dégazé avec de l’azote) sont alors ajoutés goutte à goutte via une pompe péristaltique dans le milieu réactionnel. La phase trithiol est soutirée. La phase aqueuse est extraite trois fois avec 41.6g (0.49 moles) de dichlorométhane.
Les phases organiques sont rassemblées, puis lavées avec quatre fois avec 17.6g (0.98 moles) d’eau puis concentrée à l’évaporateur rotatif.
Une composition comprenant 61,24% en poids du tétrathiol du farnésène et 25,77% en poids du trithiol du farnésène est obtenue (par rapport au poids total de la composition).
Le ratio massique est de 61,24 : 25,77 soit 2,4 :1
COMPOSITIONS DE POLYTHIOLS ET LEUR PROCEDE DE PREPARATION La présente invention concerne un procédé de préparation de compositions de polythiols, ainsi que les compositions de polythiols susceptibles d’être obtenues par ce procédé.
Les polythiols sont des molécules présentant un grand intérêt industriel. Ils sont par exemple utilisés comme agents de réticulation, notamment à basse température.
Il existe aujourd’hui plusieurs voies de synthèse pour obtenir des polythiols. Parmi les méthodes les plus utilisées, on peut citer la réaction entre des polyols et des mercaptoacides (décrite par exemple dans la demande US 2005153231). Si cette réaction est aisée et permet d’accéder à des structures de polythiols variées, les produits obtenus présentent généralement des résistances faibles à l’hydrolyse en raison de la présence importante de fonctions esters.
Alternativement, l’addition directe d’hydrogène sulfuré sur des polyènes par catalyse acide ou photochimique permet l’obtention de molécules sans fonctions hydrolysables. Cette addition est notamment décrite dans la demande WO 12018757. Cependant, avec cette méthode, de grandes quantités de composés de type sulfures peuvent être co-produites et, selon les réactifs utilisés, des problèmes de conversion peuvent apparaitre. Ainsi, les molécules obtenues peuvent comporter de nombreuses doubles liaisons non converties, ce qui génère des problèmes de stabilité et abaisse le taux de fonctions -SH global. Dans le cas d’un réactif de départ de type triène par exemple, cela se traduit notamment par la présence de mono- et/ou de dithiols en quantité importante dans la composition obtenue.
Or, le contrôle et/ou la diminution de la formation de ces sous-produits tels que les mono- et/ou di-thiols est important selon les domaines applicatifs visés. En effet, leur teneur a une influence sur le degré de réticulation des matériaux ensuite préparés, en particulier des matériaux thermodurcissables produits à partir d’une résine et d’un durcisseur de type polythiol. Il a ainsi été démontré que le degré de réticulation influence les propriétés physiques et visco-élastiques des polymères tels que leur densité, leur module, leurs limites du domaine d’élasticité ou leur température de transition vitreuse (Tv, ou Tg en langue anglaise pour glass) . La Tg est classiquement déterminée par la méthode DSC pour Differential Scanning Calorimetry en langue anglaise ou par analyse mécanique dynamique (DM(T)A). Ces paramètres sont directement liés au comportement des matériaux tels que la dureté, l’élasticité, la flexibilité ou encore la résistance à la déchirure.
On cherche notamment à obtenir des polymères ayant une température de transition vitreuse élevée, afin d’obtenir des matériaux avec une résistance thermique plus importante (c’est-à-dire qui conservent leurs caractéristiques sur une plage de température plus large).
Il existe donc un besoin pour un procédé de préparation industriel de polythiols qui permette de contrôler, voire de maximiser, la conversion des doubles liaisons C=C en fonctions -SH. Il existe également un besoin pour un procédé de préparation de polythiols qui permette de contrôler, voire de réduire, la formation des sous-produits (par exemple les mono- et/ou dithiols dans le cas de la préparation de trithiols ou encore les sulfures).
Une solution technique consiste à passer par des intermédiaires polythioesters : les doubles liaisons C=C sont converties en fonctions de type -R’-C(O)-S-R’’, qui sont ensuite déprotégées pour obtenir les polythiols souhaités. Cependant, ces intermédiaires polythioesters représentent une grande difficulté technique pour une mise en œuvre industrielle. Il s’agit généralement de composés très visqueux voire solides. Ils sont ainsi difficilement manipulables pour être engagés dans l’étape de déprotection. Ils génèrent donc de nombreux problèmes pratiques au niveau industriel et sont en réalité peu utilisés.
On connait, notamment du document EP-3 994 679, un écran de protection acoustique destiné à être monté sous un véhicule automobile, ledit écran comprenant une coque thermoformée, ladite coque étant à base de fibres structurelles liées entre elles par un agent de liaison activé à chaud, ladite coque étant pourvue d’une face externe destinée à être tournée vers la route, ladite coque comprenant : entre 10% et 50% de fibres de structure minérales, notamment de verre, pour apporter la tenue mécanique, entre 30% et 50% de fibres en polypropylène formant l’agent de liaison entre les fibres suite à leur fusion, entre 15% et 25% en poids de fibres d’absorption acoustique à base de polyéthylène téréphtalate (PET), de titre compris entre 1,5 et 2 dtex.
Un tel écran présente l’avantage, du fait de la porosité de la coque, de permettre une absorption acoustique du bruit émis par le moteur, et ceci d’autant plus que sont intégrées des fibres fines permettant d’accentuer cette absorption.
Par ailleurs, il présente une très bonne tenue mécanique apportée par la présence de fibres minérales.
Cependant, un tel écran présente une grande fragilité face à la projection de gravillons, les fibres minérales étant très cassantes.
Pour pallier cet inconvénient, il a été proposé de revêtir la face exposée aux projections d’un film de matière plastique ou d’une enduction de matériau plastique.
L’invention a pour but de pallier ces inconvénients en proposant un écran présentant à la fois une grande robustesse face à la projection de gravillons, ceci tout en offrant de bonnes performances en tenue mécanique et en absorption acoustique.
A cet effet, l’invention propose un écran de protection acoustique destiné à être monté sous un véhicule automobile, ledit écran comprenant une coque thermoformée, ladite coque étant à base de fibres structurelles liées entre elles par un agent de liaison activé à chaud, ladite coque étant pourvue d’une face externe destinée à être tournée vers la route, ladite coque comprenant : entre 10% et 50% de fibres de structure minérales pour apporter la tenue mécanique, entre 30% et 50% de fibres de liaison, formant ledit agent de liaison, permettant la liaison des différentes fibres constitutives de ladite coque entre elles, entre 15% et 25% en poids de fibres d’absorption acoustique à base de polyéthylène téréphtalate (PET), de titre compris entre 1,5 et 2 dtex,
ledit écran comprenant en outre une couche fibreuse de protection contre la projection de gravillons recouvrant ladite face externe, ladite couche comprenant : entre 30 et 50% en poids de fibres bi-composant comprenant une âme fusible à haute température et une gaine fusible à température moindre, ladite gaine ayant été portée à son point de fusion, entre 70 et 50 % de fibres de polytéréphtalate d’éthylène (PET) de titre compris entre 6 et 7 dtex.
Avec un tel agencement, comme on le verra en détail plus loin, on dispose d’un écran présentant à la fois une grande robustesse face à la projection de gravillons, ceci tout en offrant de bonnes performances en tenue mécanique et en absorption acoustique.
On notera ici que la présence de fibres de polytéréphtalate d’éthylène (PET) de titre important – à savoir compris entre 6 et 7 dtex – dans la couche de protection contribue à la tenue mécanique de l’écran.
est une représentation graphique de la performance en absorption acoustique (coefficient alpha en ordonnée) en fonction de la fréquence 1/3 octave en Hertz, en champ diffus, d’un échantillon issu d’un écran (B) selon l’invention (courbe en trait plein) et d’un autre échantillon (A) issu d’un écran de référence (courbe en pointillé) selon l’art antérieur (dont les caractéristiques sont présentées plus bas).
On décrit à présent un écran 1 de protection acoustique destiné à être monté sous un véhicule automobile, ledit écran comprenant une coque 2 thermoformée, ladite coque étant à base de fibres structurelles liées entre elles par un agent de liaison activé à chaud, ladite coque étant pourvue d’une face externe 3 destinée à être tournée vers la route, ladite coque comprenant : entre 10% et 50% de fibres de structure minérales – notamment de verre – pour apporter la tenue mécanique, entre 30% et 50% de fibres de liaison, formant ledit agent de liaison, permettant la liaison des différentes fibres constitutives de ladite coque entre elles, entre 15% et 25% en poids de fibres d’absorption acoustique à base de polyéthylène téréphtalate (PET), de titre compris entre 1,5 et 2 dtex,
ledit écran comprenant en outre une couche fibreuse de protection 4 contre la projection de gravillons recouvrant ladite face externe, ladite couche comprenant : entre 30 et 50% en poids de fibres bi-composant comprenant une âme fusible à haute température et une gaine fusible à température moindre, ladite gaine ayant été portée à son point de fusion, entre 70 et 50 % de fibres de polytéréphtalate d’éthylène (PET) de titre compris entre 6 et 7 dtex.
On entend par support monolithique un support unique, réalisé d’un seul tenant.
Un écran d’affichage selon un premier mode de réalisation de l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 1, 6 et 7.
L’écran d’affichage s’étend principalement selon le plan xy représenté sur la . Ce plan est défini par une première direction x et une deuxième direction y, de préférence perpendiculaires entre elles.
L’écran d’affichage comprend un réseau de pixels 1 s’étendant lui aussi principalement selon le plan xy. Les pixels du réseau de pixels 1 comprennent chacun au moins deux sous-pixels dits premiers sous-pixels 110, 210 et deuxièmes sous-pixels 120, 220. Un sous-pixel se caractérise entre autres par la couleur qu’il peut émettre. Les premiers sous-pixels 110, 210 de chacun des pixels émettent une première couleur C 1 tandis que les deuxièmes sous-pixels 120, 220 émettent une deuxième couleur C 2 distincte de la première couleur C 1 .
La couleur d’un sous-pixel peut être rendue de différentes manières. Typiquement, un sous-pixel est formé, entre autres, par un réseau de photo-éléments 10, par exemple des structures 3D de type nanofils, configuré pour émettre un flux lumineux associé à la couleur en question.
Comme illustré à la , ces photo-éléments 10 sont typiquement fabriqués par épitaxie et s’étendent alors typiquement depuis un substrat 2 s’étendant selon le plan xy. Le substrat 2 présente une face supérieure 20 s’étendant elle aussi selon le plan xy. Le substrat 2 peut se présenter sous forme d’un empilement comprenant par exemple, selon la direction z, un support 21, une couche superficielle dite couche de nucléation 22 et une couche de masquage 23.
Le support 21 peut être notamment en saphir pour limiter le désaccord de paramètre de maille avec le GaN si les photo-éléments 10 sont à base de ce matériau, ou en silicium pour réduire les coûts et pour des problématiques de compatibilité technologique. Dans ce dernier cas, il peut se présenter sous forme d’un wafer de diamètre 200 mm ou 300 mm. Il sert notamment de support aux structures 3D.
La couche de nucléation 22 est de préférence à base de nitrures métalliques, par exemple d’AlN, GaN ou AlGaN. Elle peut être formée sur le support 21 en silicium par épitaxie, de préférence par épitaxie en phase vapeur à précurseurs organométalliques MOVPE (acronyme de « MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy »). De façon connue, une ou plusieurs couches tampon intermédiaires peuvent être disposées entre la couche de nucléation 22 et le support 21. Selon un exemple la couche de nucléation 22 présente une épaisseur comprise entre 1 nm et 10 µm. Elle présente de préférence une épaisseur de l’ordre de quelques centaines de nanomètres, par exemple environ 100 nm ou 200 nm, à quelques microns, par exemple de l’ordre de 2 µm. Elle peut également présenter une épaisseur inférieure à 100 nm. Une telle épaisseur permet de limiter l’apparition de défauts structuraux dans la couche de nucléation 22. En particulier, la croissance de cette couche de nucléation 22 peut être pseudomorphe, c’est-à-dire que les contraintes d’épitaxie liées notamment à la différence de paramètres de maille entre le support 21 et la couche de nucléation 22 peuvent être relâchées élastiquement pendant la croissance. La qualité cristalline de cette couche de nucléation 22 peut ainsi être optimisée.
La couche de masquage 23 est de préférence en un matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium Si 3 N 4 . Elle peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur CVD (acronyme de « Chemical Vapor Deposition ») sur la couche de nucléation 22. Elle masque en partie la couche de nucléation 22 et comprend des ouvertures de préférence circulaires exposant des zones de la couche de nucléation 22. Ces ouvertures présentent typiquement différentes dimensions, par exemple différents diamètres, en fonction des zones considérées, notamment chacun des sous-pixels du réseau de pixels. Les ouvertures peuvent être distribuées de façon régulière au sein de chaque zone, par exemple sous forme d’un réseau ordonné. Différents pas d , i.e. la distance séparant les centres de deux ouvertures adjacentes, peuvent être définis en fonction desdites zones et notamment, comme cela sera décrit plus avant, en fonction des sous-pixels. Ces ouvertures peuvent être réalisées par exemple par lithographie UV ou DUV (acronyme de Deep UV), par lithographie par faisceau électronique ou par NIL (acronyme de Nanoinprint lithography). Une telle couche de masquage 23 permet une croissance localisée d’une structure 3D telle qu’un nanofil à partir de la couche de nucléation 22 et au niveau de chaque ouverture. La partie inférieure de la structure 3D prend alors appui sur la couche de nucléation du substrat 2 par l’intermédiaire de sa base. Les photo-éléments 10 se répartissent sur l’intégralité de l’écran dans ses dimensions selon les directions x et y.
Les dimensions et les limites d’un sous-pixel dans le plan xy sont typiquement définies par une zone du substrat 2, dite zone d’implantation, à partir de laquelle sont cru les photo-éléments 10 formant le réseau du sous-pixel.
On entend par « photo-élément » un élément actif, c’est-à-dire apte à émettre un rayonnement, mais il est entendu que chacun de ces éléments peut être électriquement alimenté ou non et ainsi être « allumé » ou « éteint ».
Un photo-élément actif 10 ou nanofil actif 10 comprend une région active 11 et est typiquement connecté électriquement. Cette région active 11 est le lieu de recombinaisons radiatives de paires électron-trou permettant d’obtenir un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale. La région active 11 comprend typiquement une pluralité de puits quantiques, par exemple formés par des couches émissives à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGap, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlIlAs, ou d’une combinaison de plusieurs de ces matériaux.
Comme mentionné précédemment, un sous-pixel est typiquement formé par un réseau de photo-éléments 10 tel que venant d’être décrit. Un tel réseau est constitué d’un cristal photonique pouvant être décrit par plusieurs paramètres et notamment : la longueur d’onde d’émission, le pas de réseau, le taux de remplissage, aussi appelé taux d’ouverture ou densité, généralement compris entre 10 et 90%, le type de maille (hexagonal, carré…), l’indice de réfraction du matériau remplissant les espaces entre les photo-éléments 10, couramment appelé « filler » (terme anglais se traduisant par « remplisseur »), préférentiellement compris entre 1 et 1,7, les matériaux constitutifs des photo-éléments 10, et les dimensions des photo-éléments 10.
L’état dans lequel le dispositif de connexion 20a dysfonctionne est, par exemple un état, dans lequel au moins un du premier connecteur 20a1 ou du deuxième connecteur 20a2 du dispositif de connexion 20a est fermé par erreur.
Contrairement au système d’alimentation électrique 10 ( ) du présent mode de réalisation, dans le système d’alimentation électrique 100 d’un exemple comparatif représenté sur , le dispositif de connexion 20a est commandé par l’unique premier dispositif de commande 28a. Donc, si le premier dispositif de commande 28a échoue, le premier dispositif de commande 28a ayant échoué peut fermer à la fois le premier connecteur 20a1 et le deuxième connecteur 20a2. Par exemple, lorsqu’un court-circuit se produit dans le premier circuit d’alimentation électrique 12a, l’ensemble du premier dispositif de charge 16a, du deuxième dispositif de charge 16b, du troisième dispositif de charge 16c et du quatrième dispositif de charge 16d peuvent s’arrêter.