INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L'empilement 68 comprend une couche 76 isolante. La couche 76 est de préférence en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau de la couche 74, c’est-à-dire gravable au moins deux fois plus vite, par exemple au moins cinq fois plus vite. La couche 76 est par exemple en oxyde de silicium. La couche 76 recouvre, de préférence entièrement la couche 74.
L'empilement 68 comprend une couche 78 isolante. La couche 78 est de préférence en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau de la couche 76, c’est-à-dire gravable au moins deux fois plus vite, par exemple au moins cinq fois plus vite. La couche 78 est par exemple en le matériau de la couche 74. La couche 78 est par exemple en nitrure de silicium. La couche 78 recouvre, de préférence entièrement la couche 76.
Au cours de cette étape, une cavité 80 est formée dans l'empilement 68, dans la région 64 et dans l'élément 62. La cavité 80 est située à l'emplacement de la portion 40a et de la région 34. La cavité 80 s'étend de la face supérieure de la couche 78, c’est-à-dire la couche supérieure de l'empilement 68. La cavité 80 traverse les couches de l'empilement 68, la région 64, l'élément 62 et la couche 60. La cavité 80 s'étend ainsi jusqu'à la face supérieure de la couche 32' sous la région 62. La cavité 80 n'atteint pas la couche 32'.
La cavité 80 a des dimensions horizontales, c'est-à-dire dans le plan de la face supérieure de l'élément 62, inférieures aux dimensions de l'élément 62. La cavité 80 est formée de manière à être entourée par les portions non gravées de l'élément 62.
L'étape de la comprend en outre la formation d'espaceurs 82 sur les parois latérales de la cavité 80. Les espaceurs 80 sont de préférence en le matériau de la couche 60, par exemple en oxyde de silicium. Les espaceurs 82 recouvrent les parois latérales d'au moins les couches 70 et 72.
Les espaceurs 82 recouvrent en outre les parois latérales de l'élément 62, de manière à former l'élément 36.
L'étape de la comprend en outre la formation, par croissance épitaxiale, d'une région 84 à l'emplacement de la région 34. La région 84 est par exemple en un matériau semiconducteur intrinsèque, par exemple en le matériau de la région 34, par exemple en silicium intrinsèque.
L'étape de la comprend en outre la formation, par croissance épitaxiale, de la portion 40a. La portion 40a est située sur la face supérieure de la portion 84. La portion 40a s'étend sur les faces supérieures des espaceurs 82. Autrement dit, la face supérieure de la portion 40 est située à un niveau supérieur au niveau de la face supérieure des espaceurs 82.
Au cours de cette étapes, la région 50 est formée. Plus précisément, l'étape de la comprend la formation d'une couche non représentée en le matériau de la couche 76, par exemple en oxyde de silicium. Ladite couche non représentée est formée de manière conforme sur la structure résultant de l'étape de la . En particulier, la couche non représentée recouvre la face supérieure de la portion 40a et les parois latérales de la cavité 80 non recouvertes par la région 84 et de la portion 40a
L'étape de la comprend la formation d'espaceurs non représentés. Les espaceurs non représentés sont en un matériau gravable sélectivement par rapport au matériau de la couche non représentée. Les espaceurs non représentés recouvrent les portions de la couche non représentée correspondant à la région 50. Les portions de la couche non représentée non recouvertes par les espaceurs sont ensuite gravées et les espaceurs sont retirés.
La couche 78 est ensuite retirée.
Pour réaliser cette prédiction, la solution proposée exploite uniquement les débits spécifiques sélectionnés, donc des mesures de performance du puits fiables et comparables. De ce fait, la solution proposée permet d’évaluer de manière fiable l’évolution à venir du débit spécifique du puits. Elle peut ainsi être utilisée pour déterminer un état de fonctionnement futur du puits, tel que décrit ci-après.
À l’étape S430 , le dispositif APP détermine, à partir des débits spécifiques prédits Qs M+1 -Qs M+K , une date à laquelle une opération de maintenance du puits est considérée comme nécessaire. À cet effet, et selon le mode de réalisation de la , l’étape S430 comprend les étapes S431 à S433.
À l’étape S431 , le dispositif APP détermine un indicateur I p de qualité de prédiction. Cet indicateur est calculé à partir de différences entre des débits spécifiques déterminés Qs 1 -Qs M ; et des débits spécifiques prédits (i.e. calculés par le modèle de régression).
L'indicateur I p caractérise ainsi la précision du modèle de régression. En d'autres termes, il caractérise la capacité du modèle de régression à décrire et à prédire le débit spécifique du puits.
Lorsqu’une régression linéaire est utilisée pour effectuer la prédiction, l’indicateur I P peut correspondre au coefficient de détermination R², ou à l’erreur quadratique moyenne (ou « root-mean-square error » en anglais).
Aucune limitation n’est attachée au type d’indicateur de qualité de prédiction utilisé. Dans le cadre de l'invention, il peut être envisagé d'utiliser tout type d'indicateur de qualité de prédiction.
À l’étape S432 , le dispositif APP vérifie que l’indicateur I p de qualité de prédiction est supérieur à un quatrième seuil λ P . Si le résultat de cette vérification est positif, le procédé se poursuit à l’étape S433 ; sinon, l’étape S430 s’interrompt.
Le dispositif APP vérifie ainsi que le modèle de régression utilisé pour la prédiction est capable de décrire avec précision l'évolution du débit spécifique du puits au cours du temps.
À l’étape S433 , le dispositif détermine un instant ultérieur T N+k auquel une différence entre : le débit spécifique de référence Qs 0 ; et le débit spécifique Qs N+k prédit pour l’instant T N+K , est supérieure à un pourcentage donné du débit spécifique de référence Qs 0 .
De manière avantageuse, la solution proposée permet de déterminer la date à laquelle une opération de maintenance sera nécessaire. En effet, les valeurs prédites du débit spécifique sont utilisées ici pour déterminer si une chute significative du débit spécifique du puits est à venir. La solution proposée peut ainsi être utilisée pour détecter la formation d'un colmatage du puits et déterminer la date à laquelle une opération de maintenance sera nécessaire pour y remédier.
Bien évidemment, si aucune chute de débit spécifique n'est observée, le dispositif APP peut indiquer qu'aucune opération de maintenance n'est considérée nécessaire.
En comparaison aux solutions existantes, la solution proposée détermine si une opération de maintenance sera nécessaire uniquement lorsque l'indicateur de qualité de prédiction est supérieur à un seuil. Cela garantit que les conclusions sur l'état de fonctionnement futur du puits reposent sur un modèle de régression décrivant précisément l'évolution du débit spécifique du puits au cours du temps.
Variantes additionnelles : Il est à noter que l’ordre dans lequel s’enchaînent les étapes d’un procédé conforme à l’invention, notamment en référence aux dessins ci-joints, ne constitue qu’un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif, des variantes étant possibles. En particulier, un procédé conforme à l’invention peut comprendre une ou plusieurs itérations des étapes décrites ci-dessus, notamment en référence aux dessins ci-joints. Par ailleurs, les signes de référence ne limitent pas l’étendue de la protection, leur unique fonction étant de faciliter la compréhension des revendications.
SYSTEME DE PRÉLEVEMENT DE GAZ DANS UN MILIEU POREUX SOLIDE DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte au domaine général de la caractérisation des gaz du sol. Elle concerne plus particulièrement un système de prélèvement de gaz dans un milieu poreux solide pour son analyse. Ce système de prélèvement vise à recueillir, notamment à des fins d’analyse, tout type de gaz emprisonné dans un milieu solide poreux, comme l’hydrogène ou l’hélium.
ARRIERE-PLAN TECHNIQUE Un intérêt croissant est porté à l’hydrogène dans un contexte de transition énergétique.
La représente un mode de réalisation d'un dispositif 10 comprenant un transistor bipolaire 12. Le dispositif 10 peut aussi comprendre, par exemple, un transistor 14 à effet de champ à grille isolée ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Les transistors 12 et 14 sont formés dans et sur un substrat 16. Le substrat 16 est un substrat semiconducteur, par exemple en silicium.
Des portions 17a et 17b du substrat 16 dans lesquelles sont situées, respectivement, le transistor 12 et le transistor 14 sont séparées l'une de l'autre par des tranchées isolantes 18, par exemple des tranchées dites profondes. Les tranchées 18 séparent, en outre, les portions 17a et 17b d'autres portions du substrat 16. Ainsi, les portions 17a et 17b sont par exemple entourées par les tranchées 18. Les tranchées 18 sont par exemple en oxyde de silicium.
La portion du substrat dans laquelle est situé le transistor 14 comprend un caisson 20 semiconducteur, par exemple en le matériau du substrat, dopé d'un premier type de conductivité, par exemple de type P. Le caisson 20 est par exemple entouré latéralement par des régions isolantes, par exemple des régions en le même matériau que les tranchées 18, par exemple en oxyde de silicium. Le caisson 20 est par exemple séparé du reste du substrat par un caisson 24 semiconducteur, par exemple en le même matériau que le caisson 20, dopée du type de conductivité opposé à celui du caisson 20, par exemple de type N.
Le transistor 14 est formé dans et sur le caisson 20. Autrement dit, le caisson 20 comprend des régions 26 dopée du type de conductivité opposé à celui du caisson 20, formant des régions de source et de drain. Le transistor 14 comprend en outre une grille 28 située sur une face supérieure du substrat 16.
Le transistor 12 comprend des régions 30, 32, et 34 de collecteur. Les régions 30 sont situées dans le substrat 16, et plus précisément dans la portion 17a. Les régions 30 sont par exemple dopées du même type que la région 24. Alternativement, les régions 30 peuvent être par exemple dopées du type de dopage opposé au type de la région 24. Les régions 30 sont par exemple dopées de type N. Le transistor 12 comprend par exemple deux régions 30 s'étendant dans des directions parallèles. Alternativement, le transistor 12 comprend une unique région 30 formant un anneau dans la portion 17a. l'unique portion 30 entoure alors une région du substrat de préférence non dopée.
La région 32 est située sur les régions 30. Autrement dit, une face inférieure de la région 32 est en contact avec des faces supérieures des régions 30. La région 32 relie électriquement les régions 30. La région 32 est par exemple dopée du même type de conductivité que la région 30. La région 32 comprend de préférence une partie centrale 32a et une partie périphérique 32b. La partie périphérique forme par exemple un anneau entourant la partie 32a.
La partie 32a a par exemple une hauteur inférieure à la hauteur de la partie 32b. Les parties 32a et 32b ont par exemple une face inférieure plane. Les faces inférieures des parties 32a et 32b sont donc par exemple coplanaires. La face supérieure de la partie 32b est par exemple coplanaire avec la face supérieure des tranchées 18.
La région 34 est en contact avec la région 32. La région 34 s'étend depuis la face supérieure de la partie 32a. Par exemple, la hauteur de la région 34 est supérieure à la différence de hauteur entre les parties 32a et 32b. Ainsi, la face supérieure de la région 34 est de préférence à un niveau supérieur au niveau de la face supérieure de la partie 32b.
De préférence, les régions 30 ont une concentration de dopants sensiblement constante. De préférence, la région 32 a une concentration de dopants sensiblement constante. Les régions 30 et 32 ont de préférence une concentration de dopants supérieure à la concentration de dopants de la région 34, par exemple au moins cent fois supérieure, par exemple au moins mille fois supérieure. Par exemple, la concentration de dopants des régions 30 et 32 est par exemple supérieure à 10 18 atomes/cm², par exemple supérieure à 10 20 atomes/cm². Par exemple, la concentration de dopants dans la région 34 est inférieure à 10 16 atomes/cm², par exemple comprise entre 10 14 atomes/cm² et 10 16 atomes/cm².
Le transistor 14 comprend un élément conducteur 36 entourant la région 34. L'élément 36 est séparé du collecteur par une région isolante 38.
Plus précisément, la région isolante 38 est située sur les faces supérieures des parties 32a et 32b. La région 38 recouvre par exemple entièrement la face supérieure de la partie 32a et partiellement la face supérieure de la partie 32b. La face supérieure de la région 38 est par exemple plane. La face supérieure de la région 38 est de préférence coplanaire avec une face supérieure de la région 34.
L'élément conducteur 36 est enterré dans la région 38. Autrement dit, l'élément 36 est séparé de la région 34 par une portion de la région 38 et est séparé de la région 32 par une autre portion de la région 38. L'élément 36 est de préférence situé en regard de la face supérieure de la partie 32a. Par exemple, l'élément 36 est situé en regard de la portion de substrat entourée par les régions 30. Par exemple, l'élément 36 n'est pas en regard des régions 30.
illustre schématiquement et fonctionnellement un exemple de réalisation d’un véhicule terrestre comprenant un dispositif de contrôle selon l’invention, un calculateur de contrôle de vitesse, un calculateur de surveillance, et une chaîne de transmission à GMP hybride et calculateur de supervision,
Description détaillée de l’invention L’invention a notamment pour but de proposer un procédé de contrôle, et un dispositif de contrôle DC3 associé, destinés à permettre un contrôle de l’autorisation/interdiction de la désactivation d’une fonction de régulation adaptative de vitesse FRA dans un véhicule terrestre V.
Dans ce qui suit, on considère, à titre d’exemple non limitatif, que le véhicule terrestre V est de type automobile. Il s’agit par exemple d’une voiture, comme illustré sur la . Mais l’invention n’est pas limitée à ce type de véhicule terrestre. Elle concerne en effet tout type de véhicule terrestre comprenant un groupe motopropulseur (ou GMP), une fonction de régulation adaptative de vitesse et une fonction de surveillance de cette dernière.
On a schématiquement représenté sur la un véhicule (terrestre) V comprenant une chaîne de transmission à GMP hybride (et donc notamment à machine motrice thermique MMT et machine motrice électrique MME), un calculateur de supervision CS1, une batterie rechargeable BR, une pédale d’accélérateur PA, un calculateur de contrôle de vitesse CC (participant à une fonction de régulation adaptative de vitesse FRA), un calculateur de surveillance CS2 (mettant en œuvre une fonction de surveillance FS), et un dispositif de contrôle DC3 selon l’invention.
On notera que le GMP pourrait aussi être purement thermique ou tout électrique. Par ailleurs, la chaîne de transmission pourrait aussi permettre un mode quatre roues motrices (ou 4x4) ou 4x2.
Le fonctionnement de la chaîne de transmission (et donc du GMP) est supervisé par un calculateur de supervision CS1.
La machine motrice thermique MMT comprend un vilebrequin (non représenté) qui est solidarisé fixement à l’arbre moteur AM afin d’entraîner ce dernier (AM) en rotation. Cette machine motrice thermique MMT est propre à fonctionner selon un régime pour fournir un premier couple c1, sur ordre du calculateur de supervision CS1. De plus, elle (MMT) est propre à être couplée à l’arbre primaire AP de la boîte de vitesses BV via le premier dispositif de couplage DC1, ainsi qu’ici via le second dispositif de couplage DC2 (optionnel). Ce dispositif de couplage DC1 est propre à délivrer un deuxième couple c2 à partir du premier couple c1 produit par la machine motrice thermique MMT, pour la boîte de vitesses BV. Enfin, cette boîte de vitesses BV est propre à délivrer un troisième couple c3 à partir du deuxième couple c2 délivré par le dispositif de couplage DC1, pour au moins un train T1 de roues motrices. Ce troisième couple c3 est défini par une consigne de couple ccg qui est transmise par le calculateur de supervision CS1.
A titre d’exemple non limitatif, la boîte de vitesses BV peut être de type dit « à double embrayage (ou DCT) ». Mais l’invention n’est pas limitée à ce type de boîte de vitesses. En effet, la boîte de vitesses BV peut être automatisée ou manuelle.
Dans l’exemple illustré non limitativement, le vilebrequin de la machine motrice thermique MMT est aussi couplé à une courroie CO, elle-même couplée à un alterno-démarreur AD qui est alimenté en énergie électrique par la batterie rechargeable BR (et qui peut aussi recharger cette dernière (BR)). Ainsi, l’alterno-démarreur AD peut fournir du couple à la courroie CO, laquelle peut fournir ce couple au vilebrequin.
Au cours de cette étape, les tranchées 18 sont formées dans le substrat 16. De plus, les régions isolantes 22 sont formées dans la portion 17b du substrat.
L'étape de la comprend en outre la formation d'une couche isolante 56. La couche 56 est située à l'emplacement de l'élément 36 et de la région 34 du collecteur. La couche 56 affleure la face supérieure du substrat 16. La couche 56 est de préférence en le matériau de la couche 38.
Au cours de cette étape, une cavité 58 est formée dans la couche 56 à partir de la face supérieure du substrat. La hauteur de la cavité 58 est de préférence inférieure à la hauteur de la couche 56. Ainsi, le fond de la cavité 58 est formé par la couche 56. De même, les parois latérales de la cavité 58 sont formées par la couche 56.
Au cours de cette étape, une couche isolante 60 est formée de manière conforme sur la structure résultant de l'étape de la , de préférence sur toute la structure. La couche 60 recouvre ainsi les parois latérales et le fond de la cavité 58. La couche 60 ne remplit pas la cavité 58. La couche 60 recouvre en outre la face supérieure du substrat 16, des murs 18 et des régions 22.
La représente une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif de la .
Au cours de cette étape, la cavité 58 est remplie par une région 62 conductrice. La cavité 58 est par exemple entièrement remplie par la région 62. De préférence, la face supérieure de la région 62 est par exemple coplanaire avec la face supérieure de la couche 60.
La région 62 conductrice est par exemple en silicium polycristallin. La région 62 est par exemple dopée. La région 62 a par exemple une concentration de dopants comprise entre 1 e 18 et 1 e 22 atomes par cm 3 .
L'étape de la comprend une étape d'oxydation de la couche 62. Ainsi, la partie supérieure de la couche 62 est oxydée et est remplacée par une couche isolante 64. La couche 64 est par exemple en oxyde de silicium. La face supérieure de la couche 64 est de préférence coplanaire avec la face supérieure de la couche 60.
L'étape de la comprend des étapes de dopage. Plus précisément, l'étape de la comprend la formation, par dopage, des régions 20, 24 et 30. L'étape de la comprend la formation, par dopage, d'une couche 32', dopée du même type que la région 32 et avec la même concentration que la région 32. La couche 32' a de préférence une épaisseur sensiblement constante. La couche 32' s'étend de préférence sur toute la largeur de la portion 17a du substrat. La couche 32' s'étend au-dessus des régions 30.
Au cours de cette étape, un masque 66 de gravure est en outre formé sur la structure résultant de l'étape de dopage. Le masque 66 comprend une ouverture à l'emplacement de la portion 17a du substrat. Le masque 66 recouvre de préférence entièrement la structure à l'exception de la portion 17a du substrat. En particulier, le masque 66 recouvre la portion 17b du substrat.
Au cours de cette étape, un empilement 68 de couches est formé sur la structure, de préférence sur toute la structure, résultant de l'étape de la . L'empilement 68 est de préférence formé de manière conforme sur la structure. L'empilement 68 recouvre ainsi le masque 66, la région 64 et la couche 60.
La machine motrice électrique MME est (ici) installée entre la machine motrice thermique MMT et le premier dispositif de couplage DC1, et est propre à fournir du couple sur ordre du calculateur de supervision CS1 lorsqu’elle est alimentée en énergie électrique par la batterie rechargeable BR. Elle (MME) peut aussi être propre à récupérer un couple de freinage récupératif, défini par une consigne de couple de freinage récupératif (négative), pour freiner le véhicule V, et à transformer en énergie électrique ce couple de freinage récupératif récupéré pour recharger la batterie rechargeable BR.
La pédale d’accélérateur PA est actionnable (ici) par un pied du conducteur du véhicule V. Elle a un pourcentage d’enfoncement à partir duquel est définie la consigne de couple ccg qui est représentative de la volonté du conducteur en dehors des phases de contrôle de vitesse assisté assurées (ici) par la fonction de régulation adaptative de vitesse FRA.
Le calculateur de contrôle de vitesse CC participe à une fonction de régulation adaptative de vitesse FRA, par exemple avec un radar RD chargé d’acquérir des données dans l’environnement du véhicule V (au moins devant ce dernier (V) ainsi qu’éventuellement derrière ce dernier (V)). On notera que le radar RD peut faire partie de la fonction de régulation adaptative de vitesse FRA, comme illustré non limitativement sur la . Mais cela n’est pas une obligation.
Il est rappelé que la fonction de régulation adaptative de vitesse FRA (ou ACC (Adaptative Cruise Control)) est chargée, en cas d’activation (ou de sélection), de délivrer une consigne de couple ccg à destination du calculateur de supervision CS1 pour assurer une régulation de la vitesse du véhicule V en tenant compte de la distance séparant ce dernier (V) d’autres véhicules situés dans son environnement. Ces autres véhicules sont ici détectés à partir des données d’environnement acquises par le radar RD. Mais dans une variante de réalisation non illustrée, les données d’environnement pourraient être acquises par une fonction de contrôle de trajectoire (par exemple de type ESP/ABS (Electronic Stability Program / Anti-Blocking System)).
La fonction de régulation adaptative de vitesse FRA détermine chaque consigne de couple ccg en fonction d’une consigne d’accélération ca et d’une accélération résistive ar. La consigne d’accélération ca est fonction d’informations qui sont déduites des données d’environnement acquises (ici) par le radar RD. L’accélération résistive ar est représentative de l’accélération qui est subie par le véhicule V lorsque son GMP ne fournit pas de couple moteur (ou troisième couple c3) aux roues motrices.
On notera que le calculateur de contrôle de vitesse CC et le calculateur de supervision CS1 peuvent, par exemple, communiquer via un réseau de communication interne RC du véhicule V, éventuellement multiplexé, comme illustré non limitativement sur la .
Le calculateur de surveillance CS2 met ici en œuvre la fonction de surveillance FS qui est chargée de surveiller la fonction de régulation adaptative de vitesse FRA pour éviter que les consignes de couple ccg qu’elle fournit mettent en danger les passagers et les personnes situées dans leur environnement. A cet effet, elle (FRA) est agencée, lorsqu’un écart entre la consigne d’accélération ca et l’accélération en cours av du véhicule V est supérieur à un premier seuil s1 (éventuellement pendant une durée prédéfinie), pour générer une demande de désactivation temporaire de la fonction de régulation adaptative de vitesse FRA.
Par exemple, ce premier seuil s1 peut être compris entre 1,5 m/s² et 2,5 m/s². Egalement par exemple, cette durée prédéfinie peut être comprise entre 600 ms et 1,2 s.
On notera que le calculateur de surveillance CS2 et le calculateur de supervision CS1 peuvent, par exemple, communiquer via le réseau de communication interne RC du véhicule V, comme illustré non limitativement sur la .
On notera également que dans une variante de réalisation la fonction de surveillance FS pourrait être assurée par le calculateur de supervision CS1.