INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans certains exemples l'huile peut contenir un ou plusieurs contaminants. Les contaminants peuvent, par exemple, comprendre un métal alcalin, un métal alcalino-terreux, un métal de transition, un métal basique, un semi-métal, un non-métal, un halogène, un sel ou un composé de ceux-ci, ou une combinaison de ceux-ci. Les exemples de contaminants comprennent, sans s'y limiter, lithium, sodium, béryllium, magnésium, calcium, strontium, titane, vanadium, chrome, manganèse, fer, cobalt, nickel, cuivre, zinc, molybdène, cadmium, mercure, aluminium, silicium titane, étain, plomb, azote, phosphore, arsenic, antimoine, oxygène, soufre, sélénium, fluor, chlore, brome, leurs composés et des combinaisons de ceux-ci. Dans certains exemples l'huile contient un contaminant composé de chlorure, d'azote, de silicium, de sodium, de fer, de phosphore, de soufre, de calcium, de nickel, de cuivre, de vanadium ou d'une combinaison de ceux-ci.
En référence à la , on colle le substrat donneur 200 ainsi implanté sur un substrat temporaire 10 de graphite. Le collage peut être réalisé par l’intermédiaire d’une couche adhésive qui est appliquée sur le substrat donneur et/ou sur le substrat support temporaire avant la mise en contact des deux substrats. La couche adhésive est par exemple une couche de silicium, une couche de tungstène, une couche d’un polymère ou une couche d’un oxyde.
Typiquement, le substrat support en graphite présente la même dimension de surface que le substrat donneur 200, par exemple un diamètre d’environ 150 mm 2 ou de 200 mm 2 . Ce dimensionnement facilite la manipulation des substrats collés ensemble et permet d’utiliser les équipements disponibles dans la fabrication des substrats semiconducteurs. De manière alternative, le substrat support temporaire peut présenter des dimensions de surface supérieures aux dimensions du substrat donneur 200. Une surface plus large du substrat support temporaire permet d’éviter des effets de bord et notamment des déformations (warping) à proximité des bords du substrat lors de l’étape de collage et des étapes de dépôt décrites ci-dessous. L’épaisseur du substrat support temporaire est typiquement comprise entre 1 et 15 mm pour assurer une stabilité mécanique suffisante pour maintenir la couche de m-SiC pendant le procédé.
En référence à la , on détache le substrat donneur 200 le long de la zone de fragilisation 21, par exemple par un traitement thermique ou par l’application d’une contrainte mécanique, ce qui conduit au transfert de la couche de m-SiC 20 sur le substrat temporaire de graphite 10. On peut par la suite mettre en œuvre un traitement de finition de la couche transférée 20, par exemple un polissage et/ou un traitement thermique. Un tel traitement est utilisé pour guérir les défauts liés à l’implantation et à lisser la surface libre de ladite couche de m-SiC 20 afin d’optimiser la qualité de surface pour les étapes suivantes. Dans la présente invention, un traitement de finition peut souvent être évité car le dépôt de la couche de p-SiC sera réalisé sur la face résultant du détachement. Il n'est donc pas nécessaire de prévoir un lissage accru de la surface obtenue lors du détachement, puisqu'aucun collage n'est effectué sur cette surface. De plus, une éventuelle rugosité sera compensée lors du dépôt de la couche de p-SiC.
En référence à la , on dépose par la suite une couche de carbure de silicium polycristallin 30 sur la face libre de la couche de m-SiC 20 agencée sur le substrat support temporaire 10. De préférence, la couche de p-SiC est déposée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon Chemical Vapour Deposition). Lors du dépôt par CVD, des atomes de silicium et de carbone sont envoyés sur la couche de m-SiC 20. Ainsi, des liaisons chimiques directes sont établies entre les atomes de la couche de m-SiC 20 et les atomes la couche de p-SiC 30 en cours de dépôt, avec une continuité cristallographique à l’interface entre les deux couches. Le dépôt chimique en phase vapeur permet ainsi d’assurer un très bon contact électrique et mécanique entre la couche de p-SiC et la couche de m-SiC.
Typiquement, on ajuste les paramètres de dépôt de sorte que la couche de p-SiC présente une microstructure fine et micrométrique. Cela permet de favoriser la continuité cristallographique à l’interface entre les deux couches, et de limiter ainsi la déformation mécanique du substrat à fabriquer. De manière illustrative et non limitative, le dépôt de la couche de p-SiC est réalisé à une température comprise entre 1100-1500°C.
Le dépôt par CVD est réalisé sur la surface principale de la couche de m-SiC 20. Cependant, une certaine quantité de p-SiC peut être déposée sur les bords du substrat et sera retirée dans une étape ultérieure. De la même manière, une quantité de SiC peut être déposée sur la face arrière et être retirée avec le substrat support temporaire.
On peut ensuite appliquer un traitement thermique afin d’activer des dopants dans la couche 20 de m-SiC et la couche 30 de p-SiC. Un traitement thermique peut également favoriser la relaxation de contraintes mécaniques dans le substrat comprenant la couche 20 de m-SiC et la couche 30 de p-SiC. Ces effets améliorent la qualité cristalline et ainsi la conductivité électrique et thermique à l’interface entre la couche de m-SiC et la couche de p-SiC.
De tels traitements thermiques sont typiquement réalisés à une température d’environ 1700°C. Grace au collage, la couche de m-SiC est maintenue sur le substrat support temporaire 10 sans risque de détachement pendant le traitement thermique.
Lors du dépôt de la couche de p-SiC, par exemple dans une enceinte CVD, on dépose souvent de la matière sur les bords et/ou sur la face arrière du substrat. Si le bord du substrat support temporaire a été recouvert pendant le dépôt de la couche de p-SiC, on procède à un retrait du bord du substrat pour exposer le bord de la couche de m-SiC et du substrat support temporaire. Typiquement, on retire le p-SiC déposé sur le bord du substrat par une attaque chimique, un meulage ou polissage mécanique ou par un traitement thermique.
En référence à la , le substrat support temporaire 10 est ensuite retiré. De manière illustrative et non limitative, le retrait du substrat support temporaire 10 peut être réalisé par combustion ou par une attaque chimique. Par exemple, la combustion peut être réalisée sous flux d’oxygène à une température comprise entre 800 et 900°C. Une attaque chimique peut par exemple être mise en œuvre par l’application de l’acide nitrique ou par de l’hydroxyde de potassium. De manière alternative, le substrat support temporaire peut être retiré par une étape de gravure au plasma d’oxygène. Ces étapes permettent également de retirer la couche de collage appliquée pour le transfert de la couche de m-SiC.
Dans certains cas, on applique également une étape de meulage afin de retirer le substrat support temporaire sans résidus sur la couche de m-SiC.
Dans certains modes de réalisation, illustrés dans les figures 6 à 8, on utilise les deux faces du substrat support temporaire pour la fabrication de deux substrats 300A et 300B comprenant chacun une couche fine de m-SiC et une couche de p-SiC. En référence à la , on transfère une première couche de m-SiC 20A sur une face avant du substrat support temporaire 10 en graphite, et une seconde couche de m-SiC 20B sur une face arrière du même substrat support temporaire 10. Les deux couches de m-SiC peuvent par exemple être déposées successivement à partir d’un même substrat donneur de m-SiC, ou à partir de deux substrats de m-SiC distincts.
En référence à la , on dépose une couche de p-SiC 30A, 30B respective sur chacune des couches de m-SiC 20A, 20B. De préférence, les deux couches de p-SiC sont déposées simultanément dans la même enceinte, par exemple une enceinte de CVD. Cela permet d’augmenter l’efficacité du procédé, en réalisant le dépôt de deux couches au lieu d’une seule pendant un temps limité, et dans le même espace de l’enceinte CVD. Pour un tel dépôt simultané des deux faces respectives du même substrat, une certaine quantité de p-SiC est typiquement déposée sur les bords du substrat et sera retirée dans une étape ultérieure.
Les autres étapes lors d’un procédé utilisant les deux faces du substrat support temporaire sont réalisées de la même manière que décrit ci-dessus pour le procédé utilisant une seule face du substrat support temporaire.
Dans ce mode de réalisation, on dépose également de la matière sur les bords du substrat support et des couches de p-SiC respectives. Pour cette raison, on réalise un retrait du bord du substrat de sorte à exposer les bords des deux couches de m-SiC et du substrat support temporaire. Typiquement, on retire le p-SiC déposé sur le bord du substrat par une attaque chimique, un meulage ou polissage mécanique ou par un traitement thermique.
Dans un autre aspect, la présente invention porte sur un procédé pour l’immunomodulation comprenant l’administration de la cellule génétiquement modifiée et/ou du milieu de culture cellulaire conditionné de celle-ci à un sujet.
Tel qu'il est utilisé ici, le terme « immunomodulation » signifie soulager le déséquilibre immunitaire dans le sang et maintenir l'homéostasie immunitaire. Le maintien de l'homéostasie immunitaire fait référence à un état dans lequel la tolérance immunitaire, qui est un mécanisme d'inhibition de l'immunité, et l'immunité qui favorise la réponse immunitaire, sont équilibrées, et le maintien d'un tel état est un facteur essentiel dans le traitement des maladies immunitaires, en particulier les maladies auto-immunes.
Le terme « immunosuppression » ou « suppression du système immunitaire » tel qu'utilisé ici fait référence à diverses substances utilisées pour réduire ou bloquer la capacité d'un hôte à produire des anticorps (réponse immunitaire humorale) ou la capacité à déclencher une réponse immunitaire cellulaire à l'action d’un antigène.
Dans certains modes de réalisation, la cellule génétiquement modifiée et/ou le milieu de culture cellulaire conditionné peuvent manifester un effet hyper-immunosuppresseur. L'effet hyper-immunosuppresseur est un effet de suppression de l'hyper-immunité en inhibant la surexpression des lymphocytes provoquée par un stimulateur non spécifique dans les splénocytes.
Les compositions selon la présente invention peuvent être administrées en combinaison avec des protéines liées à l'immunité, en particulier des protéines liées à l’auto-immunité ou aux allergies. Des exemples spécifiques des protéines incluent les auto-antigènes impliqués dans des maladies auto-immunes. Par exemple, les protéines peuvent inclure des auto-antigènes impliqués dans la polyarthrite rhumatoïde, tels que des protéines de choc thermique (HSP, de l’anglais « heat-shock proteins »), la filaggrine citrullinée, la glucose-6-phosphate isomérase, la p205, le collagène, et similaires ; les auto-antigènes impliqués dans le diabète de type I, tels que l'insuline, la protéine transporteur de zinc 8 (ZnT8), l'homéoboîte 1 pancréatique et duodénale (PDX1, de l’anglais « Pancreatic and duodenal homeobox 1 »), la chromogranine A (CHGA) et l’amyline (IAPP, de l’anglais « Islet amyloid polypeptide ») ; et les auto-antigènes impliqués dans la myasthénie, tels qu'un récepteur de l'acétylcholine. En plus de tous les types d'auto-antigènes connus dans les maladies auto-immunes, les protéines peuvent inclure divers allergènes connus pour provoquer des allergies alimentaires, tels que les arachides, le lait, les œufs, les noix, les haricots, les crustacés tels que les crevettes et similaires, les substances dérivées du poisson, et similaires.
Utilisation - une composition ou un procédé de culture de lymphocytes T régulateurs
Comme décrit ci-dessus, l'importance du rôle du TNFR2 dans la prolifération et la fonction des Treg a été démontrée dans diverses études. Les souris déficientes en TNFR2 ont montré des nombres réduits de Tregs thymiques et périphériques (2013_Chen X, et al. PMID: 23277487), et les Tregs TNFR2 -/- n'ont pas été capables de contrôler la réponse inflammatoire in vivo (2008_Van Mierlo GJ, et al. PMID: 18292492). Chez l'humain, il a été démontré que les Treg expriment un niveau plus élevé de TNFR2 que les lymphocytes effecteurs T (2013_Okubo Y, et al. PMID: 24193319 & 2002_ Annunziato F, et al. PMID: 12163566) et les Tregs TNFR2+ ont manifesté la suppression la plus puissante de la prolifération et de la production de cytokines des lymphocytes répondeurs T cocultivés (en anglais « co-cultured T-responder cells ») (2010_Chen X, et al. PMID: 20127680).
Ainsi, dans un autre aspect, la présente invention porte sur une composition ou milieu pour la culture d’une lymphocyte T régulateur comprenant la cellule génétiquement modifiée et/ou du milieu de culture cellulaire conditionné de celle-ci.
Dans un autre aspect, la présente invention porte sur un procédé pour la culture d’un lymphocyte T régulateur comprenant la culture d’un lymphocyte T régulateur en présence de la cellule génétiquement modifiée et/ou du milieu de culture cellulaire conditionné de celle-ci.
Dans un autre aspect, la présente invention porte sur une utilisation de la cellule génétiquement modifiée et/ou du milieu de culture cellulaire conditionné de celle-ci une la culture d’un lymphocyte T régulateur.
Dans un autre aspect, de la présente invention porte sur une utilisation de la cellule génétiquement modifiée et/ou du milieu de culture cellulaire conditionné de celle-ci pour fabriquer une composition ou un milieu pour une culture de lymphocytes T régulateurs.
Dans certains modes de réalisation, la composition ou le milieu de culture des lymphocytes T comprend en outre l'un quelconque sélectionné dans le groupe constitué d'une source d'énergie, d'acides aminés, de sucres, de sels inorganiques et de vitamines. du sérum bovin fœtal (FBS, de l’anglais « fetal bovine serum »), de l’acide 4-(2-hydroxyéthyl)-1-pipérazine éthane sulfonique (HEPES, de l’anglais « hydroxyethyl piperazine ethane sulfonic acid »), des protéines, des glucides, du mercaptoéthanol, et des facteurs de croissance.
Dans certains modes de réalisation, la composition ou le milieu peut en outre comprendre - des composants nécessaires aux cellules pour la croissance et la survie des cellules in vitro, ou comprendre des composants qui aident la croissance et la survie des cellules. Plus précisément, les composants peuvent être des vitamines, des acides aminés essentiels ou non essentiels, et des oligo-éléments.
Tel qu'utilisé ici, le terme « lymphocyte T régulateur (Treg ou lymphocyte Treg) » comprend les lymphocytes T régulateurs naturels (nTreg, de l’anglais « natural regulatory T cells ») ou les lymphocytes T régulateurs induits (iTreg, de l’anglais « induced regulatory T cells »). Les lymphocytes T régulateurs maintiennent l'homéostasie immunitaire et bloquent une réponse auto-immune, et similaire en inhibant une réponse immunitaire. Dans certains modes de réalisation, les lymphocytes T régulateurs peuvent être des lymphocytes T régulateurs modifiées par ingénierie génétique. Des exemples de lymphocytes T régulateurs modifiées par ingénierie génétique incluent, mais sans s'y limiter, les CAR-Treg et TCR-Treg.
Dans certains modes de réalisation, les lymphocytes T régulateurs sont de préférence des lymphocytes T régulateurs CD4+Foxp3+, mais ne se limitent pas à ceux-ci.
- une molette montée mobile en rotation sur le capot autour d’un axe de rotation,
- un circuit imprimé fixé au boîtier dans un plan perpendiculaire à l’axe de rotation et présentant un bord,
- un commutateur avec un corps fixé au circuit imprimé, un levier mobile en rotation sur le corps entre deux positions d’activation qui sont de part et d’autre d’une position zéro, et un système de retour qui rappelle le levier en position zéro lorsqu’il en est écarté, où le levier est mobile autour d’un axe parallèle à l’axe de rotation, où le commutateur est fixé de manière à présenter son corps sur le circuit imprimé en-deçà du bord et son levier au-delà du bord, et
- un système de transmission transformant le déplacement de la molette en un déplacement du levier, et comportant un moyeu solidaire de la molette et mobile en rotation autour de l’axe de rotation, et un plateau denté solidaire du moyeu et coaxial avec l’axe de rotation, où le plateau denté présente des premières dents réparties angulairement et régulièrement autour de l’axe de rotation, où le moyeu est disposé, par rapport au circuit imprimé, de manière à ce que lors de la rotation du plateau denté, chaque première dent engrène successivement avec le levier et où le moyeu est disposé, par rapport au circuit imprimé, de manière à ce que le plateau denté soit au-delà du bord.
Avantageusement, le moyeu prend la forme d’un fût coaxial avec l’axe de rotation qui se projette à travers le capot qui présente une couronne coaxiale avec l’axe de rotation et dont le diamètre intérieur est dimensionné pour recevoir le fût.
Avantageusement, le boîtier électronique comporte un système d’arrêt comportant une pluralité de deuxièmes dents où les deuxièmes dents sont solidaires du moyeu et réparties angulairement et régulièrement autour du moyeu, et au moins un cliquet solidaire du capot et arrangé pour s’engager entre deux deuxièmes dents successives à chaque position d’arrêt de la molette, et où lorsque le cliquet est engagé entre deux deuxièmes dents, le levier n’est plus en contact avec une première dent.
Avantageusement, le boîtier électronique comporte un circuit électrique comportant :
- le commutateur comportant une ligne de neutre et pour chaque position d’activation, une borne d’activation,
- pour chaque borne d’activation, une ligne d’activation électriquement connectée entre la borne d’activation et une entrée d’interruption de l’unité de contrôle,
- des moyens de coupure commandés par l’unité de contrôle et adaptés pour prendre alternativement une position d’alimentation dans laquelle chaque ligne d’activation est sous une tension non nulle et une position de non-alimentation dans laquelle chaque ligne d’activation est sous une tension nulle,
où l’unité de contrôle est configurée pour commander les moyens de coupure pour qu’ils passent en position de non-alimentation pendant une durée de veille, puis repassent en position d’alimentation pendant une durée d’éveil, où pendant la durée d’éveil, l’unité de contrôle est configurée pour analyser le niveau logique de chaque ligne d’activation ; si pendant la durée d’éveil, l’un des niveaux logiques reste au niveau logique 0, alors l’unité de contrôle est configurée pour commander les moyens de coupure pour qu’ils passent en position de non-alimentation pendant la durée de veille.
est une vue en perspective d’un boîtier électronique selon l’invention,
est une vue en perspective de l’intérieur du boîtier électronique selon l’invention,
est une vue en coupe par un plan axial du boîtier électronique selon l’invention et vu de dessous,
Les résultats obtenus sont représentés à la .
La représente les coefficients d’extinction k’ x et k’ y mesurés selon les axes transverses X et Y en fonction de la longueur d’onde λ, sur une bande spectrale s’étendant entre 400 nanomètres et 1800 nanomètres, respectivement pour des éléments allongés en colonnes normales (courbes NC), en colonnes inclinées (courbe TC), en colonnes hélicoïdales (courbes HC) et en colonnes anisotropes (courbes ANC).
Il en résulte que la perte optique par diffusion est très inférieure dans le cas des éléments allongés en forme de colonnes hélicoïdales, à porosité et épaisseur constante. Cet écart est notamment sensible pour les basses longueurs d’onde, par exemples inférieures à 550 nm, comme dans le bleu, le violet et le proche UV.
Ce résultat a été confirmé par des mesures de spectrophotométrie (mesure de transmission et de réflexion permettant de remonter aux pertes optiques), de même que par des simulations par éléments finis de type « Finite Difference Time Domain ». Les résultats expérimentaux par spectrophotométrie sont représentés à la et les résultats de simulation sont représentés à la , avec des notations identiques à celles utilisées précédemment. Les figures 5 et 6 représentent les variations du coefficient de pertes optiques (OL) par diffusion, en pourcentage, en fonction de la longueur d’onde, pour chacune des géométries des éléments allongés 40 considérées.
De plus, les simulations par éléments finis ont montré que la faible diffusion des colonnes hélicoïdales ne provient pas de leur faible volume de matière mais de leur géométrie. En effet, à volume de matière identique, des courbes de diffusion différentes ont été obtenues et les colonnes hélicoïdales engendrent nettement moins de pertes optiques par diffusion que toutes les autres géométries.
Ainsi, selon l’invention, les éléments allongés 40 sont des colonnes hélicoïdales sensiblement perpendiculaires à la surface optique 34 localement, de manière à minimiser les pertes optiques par diffusion.
Les paramètres géométriques des colonnes hélicoïdales influent sur la quantité de pertes optiques par diffusion, ce qui a entraîné des travaux d’optimisation de ces paramètres décrits ci-après.
Comme représenté à la , chaque élément allongé 40 est une colonne hélicoïdale, ou hélice, qui comprend une branche 42 inclinée, solide, enroulée en spirale autour d’un axe central H de l’hélice, à l’intérieur d’une enveloppe externe E sensiblement cylindrique d’axe H. Les paramètres considérés comprennent un pas P, mesuré selon la direction de l’axe central H entre deux spires successives de l’hélice, un diamètre global D, mesuré perpendiculairement à l’axe central H entre deux points diamétralement opposés de l’enveloppe E, un diamètre de branche d de la branche 42, mesuré perpendiculairement à la direction locale d’étendue de la branche 42, et un angle d’inclinaison ϴ local de la branche 42, mesuré par rapport au plan local de la surface optique.
Plusieurs combinaisons de ces paramètres P, D, d, ϴ montrent des quantités de pertes optiques par diffusion différentes, avec des influences variables d’un paramètre à l’autre.
Le diamètre global D des hélices influence considérablement leur diffusion. En effet, plus les éléments allongés 40 sont larges, plus leur diffusion est importante.
Ainsi, afin de réduire les pertes par diffusion optique, le diamètre global D est choisi inférieur ou égal à 100 nm (nanomètres), notamment inférieur ou égal à 80 nm, préférentiellement inférieur ou égal à 50 nm et mieux inférieur ou égal à 30 nm.
Le second paramètre par ordre d’influence est le pas P, qui fixe le nombre de spires de chaque hélice. Plus ce nombre de spire est élevé, plus les partes par diffusion sont importantes.
Ainsi, afin de réduire encore les pertes par diffusion, le pas P est choisi supérieur ou égal à 50 nm, notamment supérieur ou égal à 100 nm, préférentiellement supérieur ou égal à 200 nm, plus préférentiellement supérieur ou égal à 400 nm et mieux supérieur ou égal à 600 nm.
Le pas P est par exemple choisi inférieur ou égal à 1000 nm, de façon à conserver un nombre suffisant de spires, par exemple au moins 5 spires, et un caractère hélicoïdal de l’élément allongé 40 afin de se distinguer suffisamment du cas des colonnes rectilignes.
L’angle d’inclinaison ϴ est fixé par le choix du pas P et du diamètre global D, de sorte qu’avec les valeurs précédentes, l’angle d’inclinaison ϴ est compris entre 10° et 80°.
Enfin, le troisième paramètre en termes d’influence sur la diffusion est le diamètre de branche d, avec un faible diamètre de branche d qui réduit les pertes par diffusion.
On entend par photo-élément un élément apte à émettre un faisceau lumineux. Un photo-élément peut par exemple être une structure 3D active, par exemple un fil ou nanofil actif.
On entend par fil ou par nanofil une structure 3D de forme allongée selon la direction longitudinale. La dimension longitudinale de la structure 3D, selon z sur les figures, est supérieure, et de préférence très supérieure, aux dimensions transverses de la structure 3D, dans le plan xy sur les figures. La dimension longitudinale est par exemple au moins cinq fois, et de préférence au moins dix fois, supérieure aux dimensions transverses. Un nanofil est un fil présentant des dimensions transverses inférieures à 2 µm (1 µm = 10 -6 m).