INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Cependant ces caisses sont notamment fragiles ; elles ne sont pas prévues pour être réutilisables. Or, une telle caisse doit pouvoir être transportée sur de grandes distances, par voie aérienne, maritime ou routière. Elle doit pourvoir être chargée et déchargée plusieurs fois. A la fin du trajet, on doit pouvoir être raisonnablement assuré de l’intégrité de la caisse et de son contenu ; notamment, on doit pouvoir s’assurer que la température du chargement est bien restée dans l’intervalle de températures voulu, tout au long du trajet, malgré toutes les manipulations subies par la caisse qui le contient.
Le but de l'invention est notamment de proposer une caisse de transport améliorée, réutilisable, permettant une meilleure garantie d’intégrité pour le chargement qu’elle contient.
Selon l’invention, il est proposé un système de caisse de transport sensiblement parallélépipédique, comprenant un ensemble de parois isolantes fixes formant une ouverture frontale, une porte isolante articulée avec les parois fixes pour fermer l’ouverture et des rails horizontaux fixés sur des faces intérieures des certaines des parois fixes, ces rails étant disposés pour y glisser de façon amovible des blocs eutectiques et maintenir ces blocs le long des parois respectives, ces blocs ayant de préférence une forme de plaque.
Les parois fixes sont chacune de forme sensiblement rectangulaire et comprennent deux parois latérales verticales, un plancher et une paroi supérieure, entre lesquelles l’ouverture est formée, et, face à l’ouverture, une paroi arrière verticale, certains au moins des rails étant fixés à au moins une des parois latérales. Les rails sont avantageusement disposés pour former trois rangées superposées de blocs. Certains au moins des rails peuvent être fixés à la paroi supérieure. De préférence, chaque rail a une forme de « U » dont un montant est fixé à une paroi respective, l’autre montant étant prévu pour maintenir au moins un bloc, deux rails étant disposés en vis-à-vis pour y glisser une rangée d’au moins un bloc.
Les parois, et/ou la porte, peuvent comprendre des panneaux isolants formés d’une couche isolante en sandwich entre deux peaux, la couche étant de préférence une mousse polyuréthane ayant une dureté shore A comprise entre 30 et 40, et, les peaux étant de préférence un gelcoat, de préférence un gelcoat blanc. La caisse peut aussi comprendre une cornière pour protéger une arête formée par deux panneaux voisins.
Avantageusement, la caisse comprend un piétement disposé pour permettre un passage d’une fourche de levage par chaque côté de la caisse. Ce piétement comprend de préférence cinq pieds, chacun de quatre premiers étant proche d’un angle respectif de la caisse et le cinquième sensiblement équidistant des quatre premiers.
Avantageusement, la caisse comprend un logement, pour un enregistreur de paramètres, formé dans une des parois, et, un passage au travers de cette paroi pour un fil reliant l’enregistreur à au moins une sonde de température fixée à l’intérieur de la caisse.
De préférence, une caisse selon l’invention a pour dimensions extérieures : - hauteur hors tout inférieure ou égale à1600 mm ; - profondeur inférieure ou égale à 1600 mm ; - largeur (L1) inférieure ou égale à 1210 mm. et/ou pour dimensions intérieures : - hauteur utile supérieure ou égale à 1300 mm ; - profondeur utile supérieure ou égale à 1200 mm ; - largeur utile supérieure ou égale à 800 mm, de préférence à ou égale 1200 mm.
Des modes d'exécution de l'invention seront décrits ci-après, à titre d'exemples non limitatifs, avec référence au dessin annexé, dans lequel :
La polarisation de la cible peut être réalisée à une fréquence comprise entre 100 et 9000 Hz.
Le dispositif permettant de réaliser un dépôt par pulvérisation cathodique magnétron pulsée à haute puissance comprenant une enceinte ou chambre de dépôt illustré dans la et décrit en détail dans la demande FR 3 097 237, est tout à fait adapté à la mise en œuvre du procédé de l’invention.
Comme déjà indiqué, la phase cristallographique tétragonale du nitrure de vanadium a été prédite par calculs comme une phase métastable, mais n’a jamais pu être stabilisée ni observée à température ambiante (20 ± 5°C). Or, les inventeurs ont réussi à obtenir et à stabiliser la phase cristallographique tétragonale du nitrure de vanadium à température ambiante (20 ± 5°C) et à la caractériser, grâce à l’utilisation et à la maîtrise des paramètres d’un procédé de pulvérisation cathodique magnétron pulsée haute puissance (HiPIMS ou High Power Impulse Magnetron Sputtering en anglais), ce qui n’a jamais été fait à ce jour.
Dans la technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsée à haute puissance (HiPIMS), la cible est polarisée de manière particulière afin de former un revêtement de nitrure de vanadium tétragonal lequel constitue un matériau satisfaisant par ses propriétés physiques, chimiques et de résistance à l’usure dans divers environnements, pour le remplacement du chrome dur.
L’invention a également pour objet un substrat revêtu d’au moins une couche mince de nitrure de vanadium tétragonal.
En effet, le procédé de l’invention peut permettre de revêtir le substrat par une ou par plusieurs couche(s) mince(s) de nitrure de vanadium tétragonal selon les conditions opératoires choisies.
Lorsque le substrat est revêtu de plusieurs couches, lesdites couches peuvent être éventuellement détectées selon leur microstructure. En HiPIMS, les couches seront denses et la distinction entre deux couches pourra être réalisée, par exemple, par microscopie électronique à balayage (MEB). Il est également envisageable de revêtir le substrat par une ou par plusieurs couche(s) mince(s) de nitrure de vanadium tétragonal et/ou une ou plusieurs couches de différents matériaux et/ou de nitrure de vanadium de différentes phases.
La technologie de pulvérisation cathodique magnétron pulsée à haute puissance (HiPIMS) mise en œuvre par le procédé de l’invention permet de développer des revêtements denses, homogènes et sans défauts, dont la microstructure et la composition chimique sont parfaitement maîtrisées. Le procédé de l’invention ajoute de nouveaux paramètres modifiables comme par exemple, l’intensité et la durée de l’impulsion, la fréquence, etc. à ceux habituellement optimisés pour les dépôts par pulvérisation cathodique magnétron, ce qui a permis la stabilisation de nouvelles phases cristallines métastables.
Ainsi, le procédé de l’invention est particulièrement intéressant car il permet la stabilisation à température ambiante (20 ± 5°C), de la phase de nitrure de vanadium tétragonale grâce à l’utilisation de la pulvérisation cathodique magnétron pulsée à haute puissance (HiPIMS). Cette phase, non prédite dans le diagramme de phases et observée seulement une fois expérimentalement en poudre lors d’un changement de phase à basse température (205 K) de la phase cubique, n’a jamais pu être caractérisée à température ambiante (20 ± 5°C).
Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaitront au cours de la lecture de la description détaillée qui va suivre et des figures annexées.
représente schématiquement une enceinte de dépôt dans laquelle on réalise un procédé de revêtement d’un substrat par du nitrure de vanadium tétragonal par la technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsée à haute puissance selon un mode de réalisation de l’invention.
représente un diffractogramme de rayons X PANalytical X’Pert Pro de substrats en Inox 316L de dimensions 2,5 cm x 2,5 cm et d’épaisseur 500 µm, revêtus par une couche de nitrure de vanadium tétragonal selon le procédé de l’invention. En partant du bas, le premier diffractogramme est celui du substrat nu, c’est-à-dire de la pièce sur laquelle le revêtement est déposé. Les deux diffractogrammes du milieu et du haut sont les diffractogrammes de deux dépôts de VN tétragonal effectués à un mois d’intervalle. En comparant les pics et les angles de diffraction, nous observons la reproductibilité du procédé de l’invention.
Les rayons X pénètrent dans l’échantillon (i.e. substrat + revêtement) avec une profondeur supérieure à celle du revêtement. On observe donc sur le diffractogramme de l’échantillon (les diffractogrammes du milieu et du haut), des pics correspondant au revêtement et des pics correspondant au substrat. Le diffractogramme du substrat métallique sans revêtement permet de reconnaître sur le diffractogramme de l’échantillon, les pics du substrat et les pics du revêtement.
Description détaillée de l'invention La présente invention concerne un procédé de revêtement d’un substrat par du nitrure de vanadium tétragonal par la technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsée à haute puissance, caractérisé en ce que le revêtement du substrat est réalisé dans une enceinte de dépôt dans laquelle le vanadium est sous forme de cible de vanadium massif, face à laquelle se trouve le substrat à revêtir,
le procédé de revêtement ayant lieu
- à une pression entre 0,1 et 20 Pa,
Dans certains modes de réalisation, la première séquence d’hybridation cible spécifique à CFB de (a) comprend au moins la séquence de SEQ ID N O : 28, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci. Dans certains de ces modes de réalisation, la première séquence d’hybridation cible spécifique à CFB de (a) est présente dans la séquence de SEQ ID N O : 27, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci ; dans certaines de ces variations, la première séquence d’hybridation cible spécifique à CFB de (a) est SEQ ID N O : 12 ou SEQ ID N O : 14, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci. Dans d’autres modes de réalisation, la première séquence d’hybridation cible spécifique à CFB de (a) est SEQ ID N O : 18, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci. Les première (A') et seconde (B') séquences d’hybridation cibles spécifiques à CFB de (a) particulièrement appropriées comprennent (A) SEQ ID N O : 12, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci, et (B) SEQ ID N O : 13, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci ;
Dans certaines variantes, le kit comprend en outre un oligomère de sonde de détection spécifique à CFB comprenant une séquence d’hybridation cible de sonde de détection spécifique à CFB qui a une longueur d’environ 15 à environ 35 nucléotides et qui est configurée pour s’hybrider à une séquence cible présente dans un amplicon CFB amplifiable par les premier et second oligomères d’amplification spécifiques à CFB . Dans certains de ces modes de réalisation, les première et seconde séquences d’hybridation cibles spécifiques à CFB sont les séquences d’hybridation cibles de (b) et la séquence d’hybridation cibles de détection spécifique à CFB est SEQ ID N O : 24, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci ; les première et seconde séquences d’hybridation cibles spécifiques à CFB sont des séquences d’hybridation cibles de (d) et la séquence d’hybridation cible de sonde de détection spécifique à CFB est SEQ ID N O : 25, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci ; les première et seconde séquences d’hybridation cibles spécifiques à CFB sont les séquences d’hybridations cibles de (a) et la séquence d’hybridation cible de sonde de détection spécifique à CFB est SEQ ID N O : 22 ou SEQ ID N O : 23, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci ; ou les première et seconde séquences d’hybridation cibles spécifiques à CFB sont les séquences d’hybridation cibles de (c) et la séquence d’hybridation cible de sonde de détection spécifique à CFB est SEQ ID N O : 23, ou un équivalent d’ARN ou une chimère d’ADN/ARN de celui-ci. Dans certaines variantes, l’oligomère de sonde de détection spécifique à CFB comprend en outre un marqueur détectable tel que, par exemple, un marqueur fluorescent ou chimioluminescent. Dans certains modes de réalisation comprenant un oligomère de sonde marqué de manière détectable, le marqueur détectable est un marqueur fluorescent et l’oligomère de sonde de détection spécifique à CFB comprend en outre un extincteur non fluorescent. Dans certaines variantes d’un kit comme ci-dessus, le kit comprend en outre une seconde combinaison d’oligomères d’amplification capables d’amplifier une région cible d’un acide nucléique cible SIP à GBS.
Dans un autre aspect, la présente invention propose un procédé destiné à déterminer la présence ou l’absence de GBS dans un échantillon. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend
(1) la mise en contact d’un échantillon suspecté de contenir du GBS présentant une première combinaison d’oligomères d’amplification et/ou une seconde combinaison d’oligomères d’amplification, où
(I) la première combinaison d’oligomères d’amplification comprend des premier et second oligomères d’amplification spécifiques à SIP destinés à amplifier une région cible d’un acide nucléique cible SIP à GBS, où les premier et second oligomères d’amplification spécifiques à SIP comprennent, respectivement, des première (A) et seconde (B) séquences d’hybridation cibles spécifiques à SIP choisies parmi
- à une température comprise entre la température ambiante (20 ± 5°C) et 900°C, et
- sous une atmosphère contenant un mélange d’azote et d’argon avec une teneur en azote comprise entre 5 et 99%,
la polarisation de la cible étant contrôlée durant le dépôt du revêtement en imposant à celle-ci une superposition d’une polarisation continue à un potentiel (Vc) compris entre 0 et -900V et d’une polarisation pulsée dont les impulsions ont un potentiel (Vp) compris -1200 et -100 V.
Dans le cadre de la présente invention, l’expression « cible de vanadium massif » désigne une cible en vanadium dont la pureté est d’au moins 99,5% en masse de vanadium.
Selon un mode de réalisation, le procédé de revêtement a lieu à une pression de 1 Pa.
Même si une atmosphère contenant un mélange d’azote et d’argon tel que décrit ci-dessus est préférée, il peut être envisagé de mettre en œuvre le procédé de revêtement de l’invention sous une atmosphère d’azote en mélange avec d’autres gaz plasmagènes connus de l’homme du métier.
Dans le contexte de l’invention, l’expression « compris(e) entre … et … » doit se comprendre comme incluant les bornes.
Dans le contexte de l’invention, l’expression « supérieur(e) à… ou inférieure à… » doit se comprendre comme n’incluant pas les bornes.
Le revêtement est sous forme de couche mince.
La couche mince est réalisée dans une enceinte de dépôt à basse pression, dont le vide de base est inférieur à 10 -4 mbar, de préférence inférieur à 10 -6 mbar. Le vanadium est présent dans l’enceinte de dépôt sous forme de cible de vanadium massif, face à laquelle se trouve le substrat à revêtir. La cible constitue la cathode. Le substrat à revêtir constitue une anode.
Le substrat est maintenu à une température comprise entre température ambiante (20 ± 5°C) et 900°C toute la durée du dépôt.
Lors du dépôt, un mélange de gaz plasmagènes tel que décrit ci-dessus est introduit dans l’enceinte de dépôt. La cible est en contact avec une cathode refroidie couplée à des aimants permanents tandis que le substrat est relié à la masse ou éventuellement polarisé positivement ou laissé au potentiel flottant. Une différence de potentiels est imposée entre les deux électrodes, permettant d’atteindre la tension de claquage du gaz ou du mélange de gaz pour amorcer un plasma à basse pression, c’est-à-dire une pression comprise entre 1.10 -4 à 1 mbar, en particulier entre 10 -3 et 5.10-1 mbar pendant le dépôt.
En addition du champ électrique continu (de 0 et -900V ou de -100 à -600V selon un autre mode de réalisation), le générateur transmet un courant pulsé de tension élevée. Les tensions utilisées sont comprises entre -1200 et -100V ou -1000 et -500 V selon un autre mode de réalisation. Les pics de tension sont maintenus pendant des durées comprises entre 10 et 900 µs ou entre 50 et 400 µs selon un autre mode de réalisation, et des fréquences de 100 et 9000 Hz ou de 100 à 5000 Hz selon un autre mode de réalisation.
Comme indiqué précédemment, le procédé de revêtement a lieu sous une atmosphère contenant de l’azote en mélange avec de l’argon, avec une teneur en azote comprise entre 5 et 99%.
Plus particulièrement, comme divulgué dans le brevet européen EP1522454, la décontamination du dessus des véhicules militaires à décontaminer est usuellement réalisée au moyen d’une nacelle dans laquelle prend place un opérateur équipé d’une lance. La nacelle est située au bout d’un bras de grue et placée en surplomb du véhicule à décontaminer.
Cependant, l’utilisation d’une telle nacelle présente un grand nombre d’inconvénients. Tout d’abord, cette nacelle implique un travail en hauteur et expose donc l’opérateur à des risques de chute. Ces risques de sécurité pour l’opérateur sont augmentés dans un contexte de stress élevé, tel qu’un contexte de guerre ou d’exposition à des substances pathogènes. Pour réduire ces risques de sécurité, un entretien périodique et rigoureux de la nacelle et de ses moyens d’élévation est nécessaire. Or, un tel entretien réduit la disponibilité technique du matériel. En outre, pour réduire ces risques de sécurité, les opérateurs doivent être formés et habilités pour le travail en hauteur. Enfin, l’utilisation de telles nacelles suppose un temps de déploiement conséquent, ce qui augmente le délai d’intervention et la durée des opérations de décontamination. En outre, l’utilisation d’une telle nacelle implique que l’opérateur doit maintenir la lance, ce qui est pénible et occasionne de la fatigue pour l’opérateur.
La Société déposante a donc cherché à proposer une solution de décontamination de surfaces en hauteur, applicable notamment à une surface de toit d’un véhicule militaire, facile et rapide à mettre en œuvre, y compris dans des conditions difficiles telles que des conditions de guerre, et permettant d’éviter les risques et les inconvénients liés au travail en hauteur.
La présente invention a donc pour objet un dispositif de décontamination de surfaces en hauteur, pour décontaminer notamment une surface de toit d’un véhicule militaire soumis à une contamination, le dispositif étant caractérisé par le fait qu’il comprend : - un mât s’étendant selon un axe longitudinal et ayant une première extrémité destinée à être fixée à une structure support et une seconde extrémité opposée ; - un ensemble bras monté en porte-à-faux au niveau de la seconde extrémité du mât, perpendiculairement à l’axe longitudinal du mât, et monté à rotation libre autour de l’axe longitudinal du mât ; - un ensemble rampe de décontamination monté à l’extrémité en porte-à-faux de l’ensemble bras et à rotation libre autour d’un axe parallèle à l’axe longitudinal du mât, l’ensemble rampe de décontamination comprenant au moins une rampe destinée à être reliée à une unité d’alimentation en produit décontaminant, ladite au moins une rampe s’étendant perpendiculairement à l’axe longitudinal du mât et étant munie de buses de diffusion disposées sur la face de la rampe côté première extrémité ; et - une perche de commande configurée pour être accessible par un opérateur au sol et accouplée à l’ensemble rampe de décontamination de telle sorte qu’une manipulation de la perche de commande par un opérateur au sol permet de commander les rotations de l’ensemble bras et de l’ensemble rampe de décontamination autour de leurs axes de rotation libre.
La perche de commande permet d’assurer la liaison entre un opérateur au sol, l’ensemble bras et l’ensemble rampe de décontamination. L’agencement de l’ensemble bras de manière déportée par rapport au mât, ainsi que le montage à rotation libre de l’ensemble bras par rapport au mât et de l’ensemble rampe de décontamination par rapport à l’ensemble bras, permettent à un opérateur de déplacer la rampe au-dessus de l’ensemble de la surface à décontaminer en évoluant au sol autour de ladite surface, notamment autour d’un véhicule à décontaminer. Ainsi, le dispositif selon l’invention permet à un opérateur de décontaminer une surface située en hauteur en restant debout au sol, sans utiliser de nacelle élévatrice portée par une grue ou de passerelle d’accès en hauteur.
Par rapport à l’état antérieur de la technique connu, le dispositif de décontamination selon la présente invention permet donc une mise en œuvre rapide et sécurisée et une amélioration de l’ergonomie de travail de l’opérateur.
En utilisation, lorsque le mât est en position verticale et que l’ensemble bras et la rampe s’étendent au-dessus d’une surface à décontaminer, avec les buses de diffusion tournées vers le sol, une manipulation de la perche de commande par un opérateur au sol permet de commander les rotations de l’ensemble bras et de la rampe autour d’axes verticaux. En particulier, en raison du montage à rotation libre de l’ensemble rampe de décontamination, un mouvement de rotation de la perche de commande permet de commander un mouvement de balayage de la rampe dans un plan horizontal au-dessus de la surface à décontaminer. Ce mouvement de balayage, associé au déplacement en rotation de l’ensemble bras dans un plan horizontal, permet de déplacer la rampe par rapport à la surface à décontaminer de façon à placer les buses en diffusion en regard de l’ensemble de ladite surface à décontaminer.
De préférence, l’ensemble bras comprend au moins deux bras manipulateurs articulés entre eux, à savoir au moins un bras manipulateur proximal articulé au mât et un bras manipulateur distal articulé au bras manipulateur proximal par une liaison pivot libre d’axe parallèle à l’axe longitudinal du mât et portant l’ensemble rampe de décontamination.
L’ensemble bras peut comprendre un bras manipulateur intermédiaire articulé entre le bras manipulateur proximal et le bras manipulateur distal par des liaisons pivot libre d’axes parallèles à l’axe longitudinal du mât.
De préférence, la liaison pivot libre entre deux bras manipulateurs articulés entre eux est configurée pour autoriser le pivotement des bras entre une position rabattue, dans laquelle les axes longitudinaux des bras forment un angle nul ou quasi-nul, et une position d’utilisation, dans laquelle les axes longitudinaux des bras forment des angles non nuls.
Dans un mode de réalisation particulier, l’ensemble rampe de décontamination comprend un bras porte-rampe portant la rampe, le bras porte-rampe s’étendant selon un axe parallèle à l’axe longitudinal du mât, la liaison pivot libre entre l’ensemble bras et l’ensemble rampe de décontamination étant une liaison pivot autour de l’axe longitudinal du bras porte-rampe, la perche de commande étant reliée solidaire en rotation au bras porte-rampe et s’étendant selon un axe coaxial à l’axe longitudinal du bras porte-rampe.
Avantageusement, afin de permettre d’ajuster la hauteur de la rampe, la rampe est montée mobile en translation le long du bras porte-rampe par une liaison glissière avec le bras porte-rampe.
L’ensemble rampe de décontamination pourrait également comprendre une rampe s’étendant parallèlement à l’axe longitudinal du mât et munie de buses de diffusion orientées perpendiculairement à l’axe longitudinal du mât. En utilisation, une telle rampe est une rampe verticale dont les buses sont aptes à disperser un produit décontaminant latéralement.
En variante, la rampe est montée mobile en rotation autour d’un axe de rotation qui est perpendiculaire à la fois à l’axe longitudinal du bras porte-rampe et à un axe longitudinal de la rampe, et/ou autour de son axe longitudinal. Cette mobilité en rotation peut être assurée par des liaisons pivots classiques, par exemple à indexage de position, bien connues en soi, permettant par exemple de placer la rampe dans une orientation horizontale pour la décontamination du dessus ou du dessous d’un véhicule et une orientation verticale pour la décontamination des parois verticales d’un véhicule, et de placer la rampe dans une orientation horizontale avec buses dirigées vers le bas pour la décontamination du dessus d’un véhicule et une orientation horizontale avec buses dirigées vers le haut pour la décontamination du dessous d’un véhicule.