Boîtier de circuit intégré (1) comprenant un substrat-porteur (2) et un dissipateur thermique (4) comportant une paroi latérale (41) fixée sur une face de montage (21) du substrat-porteur (2) par des moyens de fixation (60, 61), dans lequel les moyens de fixation (60, 61) sont logés dans des logements (51) de la paroi latérale (41) et traversent le substrat-porteur (2) à travers des premiers orifices (50), les moyens de fixation (60, 61) et les premiers orifices (50) étant configurés pour permettre une fixation de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) et un déplacement relatif des moyens de fixation (60,61) par rapport aux premiers orifices (50). Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le substrat-porteur (2) comporte une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21) et les moyens de fixation comprennent des rivets (60) comprenant chacun une première extrémité (601) logée dans un logement correspondant (51) et une deuxième extrémité (602) sous la face inférieure (20) du substrat-porteur (2), la distance (Lfix) entre la première extrémité (601) et la deuxième extrémité (602) étant égale à l’épaisseur (Esub) du substrat-porteur augmentée d’un jeu (J) permettant à la fois un maintien de la paroi latérale (41) fixée à la face de montage (21) du substrat-porteur (2) et un déplacement de chaque rivet (60) dans les premiers orifices (50). Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le substrat-porteur (2) comporte une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21) et les logements (51) présentent un filetage et les moyens de fixation comprennent des vis (61) adaptées pour être vissées dans les logements (51) filetés en laissant un jeu (J) entre les têtes de vis (602) et la face inférieure (20) du substrat-porteur (2). Boîtier selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel la valeur du jeu (J) est comprise entre 10 et 20 µm . Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les premiers orifices (50) présentent une forme oblongue. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la paroi latérale (41) du dissipateur thermique (4) est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire, et le substrat-porteur (2) comporte quatre premiers orifices (50) respectivement situés en regard des quatre zones de coins de la paroi latérale (41). Boîtier selon les revendications 5 et 6, dans lequel l’axe de chaque premier orifice (50) dans le plan de la face de montage (21) fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale (41) adjacents à ce premier orifice (50). Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les moyens de fixation (60, 61) sont thermiquement conducteurs. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat-porteur (2) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 et le dissipateur thermique (4) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 15×10 -6 K -1 et 17×10 -6 K -1 Procédé de fabrication d’un boîtier de circuit intégré (1), comprenant : - une fourniture (100) d’un substrat-porteur (2) comprenant une face de montage (21), - une fourniture (101) d’un dissipateur thermique (4) comprenant une paroi latérale (41), - une formation (102) de logements (51) dans la paroi latérale (41) du dissipateur thermique (4), – une formation (103) de premiers orifices (50) dans le substrat-porteur (2), - une fixation (104) de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) du substrat-porteur (2) par des moyens de fixation (60, 61), les moyens de fixation (60, 61) étant logés dans les logements (51) de la paroi latérale (41) du dissipateur (4) et traversant le substrat-porteur (2) à travers les premiers orifices (50) de façon à permettre un déplacement relatif des moyens de fixation (60, 61) par rapport aux premiers orifices (50). Procédé selon la revendication 10, le substrat-porteur (2) comportant une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21), dans lequel la fixation (104) de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) comprend un rivetage par des rivets (60) comprenant chacun une première extrémité (601) logée dans un logement correspondant (51) et une deuxième extrémité (602) sous la face inférieure (20) du substrat-porteur (2), la distance (Lfix) entre la première extrémité (601) et la deuxième extrémité (602) étant égale à l’épaisseur (Esub) du substrat-porteur augmentée d’un jeu (J) permettant à la fois un maintien de la paroi latérale (41) fixée à la face de montage (21) du substrat-porteur (2) et un déplacement de chaque rivet (60) dans les premiers orifices (50). Procédé selon la revendication 10, le substrat-porteur (2) comportant une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21), dans lequel la formation (102) des logements (51) dans la paroi latérale (41) du dissipateur thermique (4) comprend un filetage des logements (51) et la fixation (104) de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) comprend un vissage par des vis (61) dans les logements (51) filetés en laissant un jeu (J) entre les têtes de vis (602) et la face inférieure (20) du substrat-porteur (2). Procédé selon l’une des revendications 11 ou 12, dans lequel la valeur du jeu (J) est comprise entre 10 et 20 µm Procédé selon l’une des revendications 10 à 13, dans lequel on réalise les premiers orifices (50) de sorte qu’ils présentent une forme oblongue. Procédé selon l’une des revendications 10 à 14, dans lequel on fournit le dissipateur thermique (4) dont la paroi latérale (41) est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire, et on forme quatre premiers orifices (50) dans le substrat-porteur (2) respectivement situés en regard des quatre zones de coin de la paroi latérale (41). Procédé selon l’une des revendications 14 ou 15, dans lequel l’axe de chaque premier orifice (50) dans le plan de la face de montage (21) fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale (41) adjacents à ce premier orifice (50). Procédé selon l’une des revendications 10 à 16, dans lequel on réalise les moyens de fixation (60, 61) de sorte qu’ils sont thermiquement conducteurs. Procédé selon l’une des revendications 10 à 17, dans lequel le substrat-porteur (2) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 et le dissipateur thermique (4) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 15×10 -6 K -1 et 17×10 -6 K -1