INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans ce mode réalisation, ce ventilo-convecteur comprend un échangeur 11, un ventilateur 12 et une turbine hydraulique 13 génératrice d’électricité.
Avantageusement, la turbine hydraulique 13 est placée dans le circuit hydraulique 17 d’eau chaude alimentant l’échangeur thermique 11. Lorsque l’eau circule dans le circuit, elle entraine avec elle les pales, engendrant une rotation du rotor de la turbine hydraulique 13. Cette rotation génère ainsi de l’électricité destinée à alimenter un circuit électrique 16, comprenant le ventilateur 12. Le ventilateur 12 une fois alimenté en énergie entre en rotation et crée un flux d’air 18 brassant l’air à travers l’échangeur thermique 11.
La turbine hydraulique 13 est avantageusement placée dans le circuit d’eau 17 en amont de l’échangeur thermique 11.
Alternativement, la turbine hydraulique 13 pourrait être placée en aval de l’échangeur thermique 11.
Le ventilo-convecteur comprend ici une batterie 14 dans le circuit électrique 16 alimenté en électricité par la turbine hydraulique 13. Cette batterie 14 emmagasine le surplus d’électricité lorsque la turbine hydraulique 13 génère plus d’électricité que le ventilo-convecteur n’en consomme.
De manière avantageuse, cette batterie 14 peut aussi d’alimenter le ventilateur 12 à la place ou en complément de la turbine hydraulique 13 lorsque celle-ci ne génère plus assez d’électricité pour un fonctionnement nominal du ventilo-convecteur. En effet, la quantité d’électricité générée par la turbine hydraulique 13 dépend directement du débit d’eau dans le circuit hydraulique 17. Selon les configurations du système de chauffage dans lequel le ventilo-convecteur est installé, ce débit peut être amené à varier, et la quantité d’électricité générée par la turbine hydraulique 13 aussi.
Le ventilo-convecteur comprend également un panneau de contrôle 15 relié au circuit électrique 16, permettant notamment à un opérateur de contrôler les paramètres de fonctionnement du ventilo-convecteur. Selon la taille d’une pièce, son l’isolation thermique ou son niveau d’occupation par exemple, la force avec laquelle le ventilo-convecteur chauffe la pièce peut être ainsi ajustée. En modifiant notamment la tension moyenne à laquelle le ventilateur 12 est alimenté, on peut contrôler sa vitesse de rotation et de brassage de l’air 18, et donc la force avec laquelle le ventilo-convecteur va chauffer la pièce en question.
Dans une variante non illustrée, le ventilo-convecteur comprend en plus un ou plusieurs capteurs de température intégrés, ou encore déportés, placés dans la même la pièce que le ventilo-convecteur. Ce ou ces capteurs communiquent leur température de mesure au ventilo-convecteur qui comprend en plus un calculateur pour traiter les signaux reçus de ce ou ces capteurs de température. Le panneau de contrôle 15 permet en outre à un opérateur de fixer une température de consigne et permet au ventilo-convecteur de fonctionner à un régime adapté pour que la température mesurée par le capteur atteigne ou maintienne la température de consigne.
Dans cette variante, le panneau de contrôle comprend aussi un écran d’affichage, sur lequel est affiché la température de l’eau dans le circuit hydraulique et de l’air dans la pièce.
Alternativement, le panneau de contrôle permet à l’utilisateur de fixer deux températures de consigne et de définir les plages horaires habituelles « de présence » et « d’absence » de l’utilisateur, dans lesquelles chaque température de consigne est respectivement effective.
Ce dispositif de contrôle peut être commandé à distance par exemple par un réseau de communication sans-fil.
Certains ventilo-convecteurs sont équipés d’un second échangeur thermique connecté à un second circuit d’un fluide caloporteur. Habituellement, tandis que le premier circuit est un circuit d’eau chaude, le second est un circuit d’eau froide. Cet agencement permet à un ventilo-convecteur aussi bien de chauffer que de refroidir une pièce, notamment lorsqu’il fait trop chaud dans celle-ci. Un tel ventilo-convecteur est alors qualifié de « réversible ».
Ledit système 2 comprend au moins une paire d’organes d’encliquetage 10a, 10b complémentaires, l’un situé sur l’actionneur 4 et l’autre situé sur le support 6. Ledit système comprend en outre au moins une paire d’organes de montage 12a, 12b complémentaires, l’un situé sur l’actionneur 4 et l’autre situé sur le support 6.
Ledit système 2 est configuré pour une mise en place et une fixation de l’actionneur 4 sur le support 6 par un mouvement de translation, selon ledit premier axe 8, tel qu’illustré par la flèche repérée F, et pour bloquer l’actionneur 4 en rotation autour du premier axe 8, à l’aide de la ou desdites paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b et de la ou desdites paires d’organe de montage 12a, 12b.
En outre, la ou lesdites paires d’organe d’encliquetage 10a, 10b sont situées à distance de la ou desdites paires d’organes de montage 12a, 12b. Autrement dit, les paires d’organes de montage 12a, 12b sont spatialement distinctes et éloignées des paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b. Encore autrement dit, lesdits organes d’encliquetage 10a, 10b ne présentent pas de zones communes avec les organes de montage 12a, 12b ni sur le support 6, ni même sur l’actionneur 4.
De la sorte, grâce à l’encliquetage, l’invention permet de réduire le nombre de pièces en éliminant l’utilisation de vis. Elle facilite ainsi la logistique ainsi que le procédé de fabrication de l’ensemble formé par le boîtier et son ou ses actionneurs. Elle limite aussi les défaillances rencontrées avec les systèmes à vis en raison des risques de dévissage. Elle offre en outre, grâce au mouvement de fixation par translation, un encombrement limité permettant une plus grande intégration d’autres composants à proximité de l’actionneur. Grâce à l’éloignement des organes d’encliquetage et de montage, elle permet encore d’être fabriquée sans avoir recours à des formes et/ou moules complexes en évitant d’avoir des formes exigeantes à mouler trop proches l’une de l’autre.
La ou desdites paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b assurent une fixation empêchant un démontage non-désiré de l’actionneur 4. De leur côté, la ou les paires d’organe de montage 12a, 12b ne participent pas à une telle fixation mais uniquement au blocage en rotation autour du premier axe 8, ceci à elles seules ou en combinaison avec la ou lesdites paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b.
A nouveau pour faciliter la fabrication, la ou lesdites paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b sont au plus au nombre de deux et/ou la ou lesdites paires d’organes de montage 12a, 12b sont au plus au nombre de deux.
Par ailleurs, comme cela est plus particulièrement visible aux figures 4 et 11, trois de la ou desdites paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b et de la ou desdites paires d’organes de montage 12a, 12b sont positionnées au sommet d’un triangle, illustré en pointillé, ledit triangle étant positionné de sorte à ce que ledit premier axe 8 passe à travers une lumière 14 (visible figures 2 et 8), située à l’intérieur dudit triangle. Une telle configuration permet de renforcer une fixation de l’actionneur 4 sur le support 6 à proximité de l’arbre d’actionnement qu’il est destiné à entraîner et de limiter les vibrations et les couples d’effort appliqués audites paires d’organes d’encliquetage 10a, 10b et d’organes de montage 12a, 12b, à tout le moins pour celles situées au sommet du triangle.
Préférentiellement, l’un des sommets du triangle est situé à proximité d’un premier 16 des côtés transversaux dudit actionneur 4. Autrement dit, ledit arbre d’entrainement est destiné à se trouver dans une première moitié de l’actionneur 4 plus proche du premier côté transversal 16 que d’un second 18 des côtés transversaux dudit actionneur 4. Ceci permet de positionner l’actionneur 4 à proximité d’un bord de la paroi du boîtier de chauffage, climatisation et/ou ventilation avec son arbre d’entrainement situé à proximité dudit bord tout en évitant que l’actionneur dépasse en porte à faux dudit boîtier.
Dans une telle configuration, le moteur de l’actionneur est situé, par exemple, dans l’autre moitié dudit actionneur 4.
Préférentiellement, ledit système présente au moins une butée verticale 22, configurée pour bloquer le mouvement de translation de l’actionneur 4 vers le support 6 lors de l’encliquetage. Elles permettent d’éviter de poursuivre le mouvement de montage alors que l’encliquetage s’est déjà produit.
Comme illustré aux figures 1 à 6, selon des premiers modes de réalisation de l’invention, la ou lesdites paires d’organes de montage 12a, 12b, dits alors organes de guidage, sont configurés pour assurer en outre un guidage en translation selon ledit premier axe 8, lors du montage.
Pour cela, lesdits organes de guidage 12a, 12b d’une même paire sont formés, par exemple, d’une part d’un pion 30 et d’autre part d’un orifice de montage 32, destiné à être traversé par ledit pion 30. Ledit pion 30 et/ou ledit orifice 32 sont de section circulaire. Ledit pion 30 et ledit orifice de montage 30 présentent ici un jeu de montage, en particulier radial. Avantageusement, ledit pion 30 présente la ou l’une desdites butées verticales 22, notamment définies par un épaulement 34 formé dans ledit pion 30 à la hauteur voulue pour l’encliquetage. Plus précisément, une fois l’encliquetage réalisé, une surface inférieure 36 de l’organe de guidage 12b définissant ledit orifice 32 est en contact avec ledit épaulement 34.
Ici, le pion 30 est situé sur le support 6 et l’orifice de montage est situé sur l’actionneur 4, l’inverse étant possible.
Lesdites paires d’organe de guidage 12a, 12b sont au nombre de deux et sont localisées de manière à bloquer mutuellement la rotation de l’actionneur 4 autour dudit premier axe 8. Elles sont ici situées au niveau de deux côtés, opposés, dudit actionneur 4, par exemple les côtés longitudinaux 38, 40.
Ladite paire d’organe d’encliquetage 10a, 10b et lesdites paires d’organes de guidage 12a, 12b forment ledit triangle évoqué plus haut. Le sommet du triangle situé à proximité du premier côté transversal 16 de l’actionneur 4 est ici formé par ladite paire d’organes d’encliquetage 10a, 10b. Il est situé à proximité d’une arrête 39 dudit actionneur 4.
On peut également noter que ladite paire d’organes d’encliquetage 10a, 10b est située dans un plan de symétrie desdites paires d’organes de guidage 12a, 12b. Autrement dit, ledit triangle est sensiblement isocèle avec pour sommet ladite paire d’organe d’encliquetage 10a, 10b, voire sensiblement équilatéral.
En particulier, le module de détermination M4 est configuré pour minimiser la fonction dite Hamiltonien : (22) les variations de co-états pondérant chaque dynamique, sont calculés de la manière suivante : (23) et (24) la commande de freinage optimale non contrainte est alors déduite : (25) et (26) et la commande de freinage optimale contrainte étant également de préférence déduite selon : (27) et la commande de couple moteur optimale contrainte étant également de préférence déduite selon : (28) où ; avec ; et ; étant une commande de couple singulière définissant une phase de vitesse constante telle que ; en particulier, au final, le système d’équation décrit est défini selon : (29) (30) (36)
Ainsi, selon un aspect, le système de calculs comprend en outre un module de calculs de vitesse de croisière optimale M8 suivant l’équation (32) où, est le régime et le couple moteur associé à la vitesse (en rad/s et N/m) ; est la fenêtre de vitesse utilisée pour la recherche de (en m/s) ; est la carte de la consommation de carburant du moteur ; est le facteur d’échelle associant la pénalité de temps à la vitesse constante optimale et .
Habituellement, une structure anti-fusible comprend un premier transistor MOS ayant un oxyde de grille fin, monté en condensateur, de façon à permettre le claquage de cet oxyde, ainsi qu’un deuxième transistor ayant un oxyde de grille plus épais destiné à gérer le claquage de l’oxyde du premier transistor et lire la structure de façon à déterminer son état logique.
Cependant une telle structure de cellule-mémoire OTP utilise deux transistors ce qui est préjudiciable du point encombrement sur silicium.
Il existe par conséquent un besoin de proposer une cellule-mémoire OTP plus compacte.
Selon un aspect il est proposé un dispositif intégré de mémoire comprenant une cellule mémoire programmable une fois.
Cette cellule mémoire comporte -un premier barreau semiconducteur possédant une face inférieure et une face supérieure opposée à la face inférieure, -une première région électriquement isolante, par exemple une fine couche diélectrique située entre une première zone de la face inférieure du barreau et une région semiconductrice, par exemple une zone active de substrat, -une deuxième région électriquement isolante, par exemple une couche diélectrique comportant un empilement du type dioxyde de silicium- nitrure de silicium-dioxyde de silicium (connu par l’homme du métier sous l’acronyme anglosaxon ONO), plus épaisse que la première région isolante et située entre une deuxième zone de la face inférieure et ladite région semiconductrice.
La cellule mémoire possède un premier état logique en présence d’une première région isolante non électriquement claquée et un deuxième état logique en présence d’une première région isolante électriquement claquée.
Le dispositif intégré de mémoire comprend également -des premiers moyens configurés pour appliquer une différence de potentiel de claquage entre la région semiconductrice et le barreau semiconducteur de façon à claquer la première région isolante, et -des deuxièmes moyens configurés pour appliquer une tension de lecture entre deux emplacements de la face supérieure du barreau de silicium et pour déterminer la valeur du courant circulant entre les deux emplacements de façon à déterminer l’état logique de la cellule mémoire.
La cellule-mémoire comporte ainsi par exemple au moins -un premier contact électriquement conducteur, -un deuxième contact électriquement conducteur, et -un troisième contact électriquement conducteur, -les premiers moyens étant configurés pour appliquer la différence de potentiel de claquage entre le troisième contact et le premier ou le deuxième contact et -les deux moyens étant configurés pour appliquer la tension de lecture et déterminer la valeur dudit courant entre le premier contact et le deuxième contact.
Selon une variante possible, le premier barreau semiconducteur peut avoir un unique type de conductivité, de préférence opposé au type de conductivité de la région semiconductrice.
Le premier barreau a par exemple le type de conductivité P.
Un tel barreau forme alors un élément résistif.
Le premier barreau chevauche une partie de la région semiconductrice, par exemple une région de substrat pour permettre le claquage de l’oxyde situé entre cette partie chevauchante et la région semiconductrice de substrat.
Et on utilise le même barreau pour déterminer l’état logique de la cellule mémoire.
On obtient donc une cellule mémoire OTP ayant un encombrement réduit par rapport à une cellule mémoire de l’art antérieur à deux transistors.
Selon une autre variante possible le premier barreau peut comprendre une diode PIN.
Une diode PIN (pour « Positive Intrinsic Negative » en anglais) est une diode comprenant une région de polysilicium intrinsèque, c’est-à-dire non dopée, intercalée entre deux régions respectivement dopées de type P (région d’anode) et de type N (région de cathode).
De manière alternative, le procédé selon l’invention comprend (a) une étape d’application sur lesdites fibres d’une composition comprenant un ou plusieurs silicones vinyliques non acrylates et (b) une étape d’application sur lesdites fibres d’une composition comprenant une ou plusieurs silicones mercapto l'une au moins des deux compositions comprenant un ou plusieurs corps gras liquides.
Selon cette alternative, l’étape (a) peut être mise en œuvre avant l’étape (b) ou inversement.
Le temps de pose de la composition ou de chacune des compositions définies ci-avant peut être compris entre 30 secondes et 1 heure, de préférence de 1 à 30 minutes et mieux de 2 à 15 minutes.
Le procédé de traitement selon l’invention peut être rincé ou non.
Les fibres kératiniques peuvent être chauffées au cours du procédé selon l’invention à au moins une température allant de 40°C à 210°C.
De préférence, les fibres kératiniques sont chauffées après l’application de la ou des silicones vinyliques et de la ou des silicones mercapto.
(a) une étape d’application sur lesdites fibres d’une composition comprenant une ou plusieurs silicones vinyle non acrylates, et
(b) une étape d’application sur lesdites fibres d’une composition comprenant une ou plusieurs silicones comprenant un ou plusieurs groupements mercapto
l'une au moins des compositions des étapes (a) et (b) comprenant un ou plusieurs corps gras liquides et
(c) au moins une étape de chauffage des fibres kératiniques à une température allant de 40°C à 210°C mise en œuvre après les étapes (a) et (b).
Conformément à ce mode de réalisation, le procédé selon l’invention peut comprendre deux étapes de chauffage des fibres kératiniques.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de chauffage des fibres kératiniques à une température allant de 40°C à 80°C et une étape de chauffage des fibres kératiniques à une température allant de 100°C à 210°C, préférence de 120 à 180°C au moyen d’une source chaleur.
Dans la pratique, cette opération peut être conduite au moyen d’un casque de coiffure, d’un sèche-cheveux, d’un fer rond ou d’un fer plat, d’un dispensateur de rayons infrarouges et d’autres appareils chauffants.
De préférence, la source de chaleur allant de 100°C à 210°C est un fer à lisser.
Le procédé selon l’invention peut comprendre une étape de traitement photochimique des fibres kératiniques en substitution ou en complément de l’étape chauffage telle que décrite précédemment.
Dans un mode de réalisation, le promoteur est pT7. Ce promoteur est préféré.
Dans un mode de réalisation, ladite souche de bactérie est modifiée au moins en ce qu’elle présente une surexpression chromosomique du gène aroL sous le contrôle d’un promoteur fort, de préférence le promoteur T7.
Dans un mode de réalisation, ladite souche de bactérie est modifiée au moins en ce qu’elle contient une copie additionnelle du gène aroL sous contrôle du promoteur T7, de préférence au sein du locus chromosomique ybfP.
Dans un mode de réalisation, ladite souche de bactérie est modifiée au moins en ce qu’elle présente une sous-expression chromosomique ou une non-expression chromosomique du gène ubiC .
Dans un mode de réalisation, ladite souche de bactérie est modifiée au moins en ce qu’elle présente une sous-expression chromosomique ou une non-expression chromosomique du gène ubiC par ajout de plusieurs thymines devant le codon d'initiation ATG.
Dans un mode de réalisation, ladite souche de bactérie est modifiée au moins en ce qu’elle présente une sous-expression chromosomique ou une non-expression chromosomique du gène ubiC par ajout de deux thymines devant le codon d'initiation ATG.
Dans un mode de réalisation, ladite sous-expression chromosomique du gène ubiC est réalisée au moyen de l’ajout de quatre thymines devant le codon d'initiation ATG.
Dans un mode de réalisation, ladite souche de bactérie est modifiée :
- selon un des modes de réalisation concernant les gènes menF , menD , menH , menB , menC et menE présentés ci-avant ; et
- selon un des modes de réalisation concernant le gène aroL présentés ci-avant ; et
- selon un des modes de réalisation concernant le gène ubiC présentés ci-avant.
Dans un mode de réalisation préféré, ladite souche de bactérie est de préférence aérobie, de préférence de genre Escherichia , de préférence d’espèce Escherichia coli , de préférence Escherichia coli BELT21 , caractérisée en ce :
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur les figures 2 à 4, la face externe FE1 de la cloison de séparation CS peut comprendre au moins trois premières protubérances PA1 qui définissent des zones d’appui saillantes sur lesquelles s’appuie la première face F1 de la carte électronique CE.
Cela permet d’améliorer la mise au point, et de protéger les circuits et/ou composants électroniques de la carte électronique CE. En outre, ces premières protubérances PA1 agissant comme des espaceurs, elles facilitent la circulation d’air et donc le refroidissement des circuits et/ou composants électroniques et de la première source de photons S1 installés sur la première face F1 de la carte électronique CE.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur les figures 2 à 4, la face interne FI2 de la seconde pièce P2 peut comprendre au moins trois secondes protubérances PA2 qui définissent des zones d’appui saillantes sur lesquelles s’appuie la seconde face F2 de la carte électronique CE.
Cela permet aussi d’améliorer la mise au point, et de protéger les circuits et/ou composants électroniques de la carte électronique CE.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur les figures 2 à 4, l’une au moins des première P1 et seconde P2 pièces peut aussi comprendre au moins un pion de centrage ou d’indexage PC saillant en direction de la carte électronique CE et traversant un trou traversant dédié défini dans cette dernière (CE). Cela permet aussi de faciliter l’assemblage et d’améliorer la précision du positionnement et de l’immobilisation de la carte électronique CE par rapport aux première P1 et seconde P2 pièces.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur la , le premier réflecteur R1 peut avoir une extension suivant la direction transversale dt qui est sensiblement égale à l’extension de la première zone de sortie ZS1 suivant cette même direction transversale dt. Cet agencement est destiné à délivrer un faisceau collimaté de premiers photons au niveau de l’éventuel premier écran EC1. Mais des variantes d’agencements du premier réflecteur R1 pourraient permettre d’obtenir un faisceau convergent ou divergent, selon les besoins.
Egalement par exemple, et comme illustré non limitativement et au moins partiellement sur la , le second réflecteur R2 peut avoir une extension suivant la direction transversale dt qui est strictement supérieure à l’extension de la seconde zone de sortie ZS2 suivant cette même direction transversale dt. Cet agencement est destiné à délivrer un faisceau convergent de seconds photons au niveau de l’éventuel second écran EC2, par exemple dans le but d’avoir un second écran ET2 de faible extension transversale (par exemple pour un effet de style). Dans ce cas, la plus grande extension transversale du second réflecteur R2 est destinée à permettre une collection suffisante de photons (angle solide) pour satisfaire à une réglementation en vigueur. Mais des variantes d’agencements du second réflecteur R2 pourraient permettre d’obtenir un faisceau collimaté ou divergent, selon les besoins.
On notera qu’au moins la seconde face F2 de la carte électronique CE (orientée vers le second réflecteur R2 et sur laquelle est installée la seconde source S2) peut présenter une couleur blanche. Cela permet de la rendre (beaucoup) plus discrète, voire invisible, en particulier en présence du second écran ET2. Dans ce cas, la première face F1 de la carte électronique CE peut aussi, éventuellement, présenter une couleur blanche.
On notera également que les première P1 et seconde P2 pièces sont réalisées par moulage d’une matière plastique ou synthétique qui est de préférence rigide et résistante.
Ventilo-convecteur La présente divulgation relève du domaine des radiateurs et plus particulièrement des radiateurs ventilés ou ventilo-convecteurs.
Un ventilo-convecteur comprend généralement un échangeur thermique permettant d’assurer des échanges thermiques entre un fluide caloporteur et un flux d’air. L’air, une fois chauffé dans l’échangeur thermique par le fluide caloporteur, garantit alors le chauffage d’une pièce dans laquelle le ventilo-convecteur est installé. Classiquement, un tel ventilo-convecteur comprend également un ventilateur dans le but de forcer le mouvement du flux d’air à travers l’échangeur thermique.