Circuit photonique (1) intégré d’émission comportant : une source laser (LS) pour produire un rayonnement lumineux et comprenant un réseau définissant une longueur d’onde d’émission (L bragg ) et un premier milieu amplificateur (A1) présentant une première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) ; un amplificateur optique à semiconducteur (SOA) comprenant un second milieu amplificateur (A2), différent du premier milieu amplificateur (A1), et présentant une seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ) ; au moins un guide d’onde (WG) disposé entre la source laser (LS) et l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA) pour transmettre le rayonnement lumineux produit par la source laser (LS) à l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA) ; la source laser (LS) et l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA) étant configurés de sorte que : à une première température (T0), la longueur d’onde d’émission (L bragg ) est plus proche de la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) que de la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ), et ; à une seconde température (T1), supérieure à la première température (T0), la longueur d’onde d’émission (L bragg ) est plus proche de la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ) que de la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication 1 dans lequel le milieux amplificateurs (A1) de la source laser (LS) et le milieux amplificateurs (A2) de l’amplificateur (SOA) sont configurés pour que leurs longueurs d’ondes de photoluminescence respectives (L 1 , L gain ) à la première température (T0) sont séparées d’un écart en longueur d’onde inférieure ou égale à leurs dérives en température à la seconde température (T2). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications précédentes dans lequel le premier milieu amplificateur (A1) est choisi de sorte que, sur une gamme de température comprise entre la première température (T0) et la seconde température (T1), l’écart (D) existant entre la longueur d’onde d’émission (L bragg ) et la première longueur d’onde de photoluminescence (L 1 ) soit inférieur à une demi-bande passante du premier milieu amplificateur (A1). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications précédentes comprenant une pluralité de sources laser (LS) présentant un premier milieu amplificateur (A1) de composition identique, une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA) présentant un second milieu amplificateur (A2) de composition identique, et une pluralité de guides d’onde respectivement disposés entre les sources laser (LS) et les amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA) pour respectivement transmettre les rayonnements lumineux produits par les sources laser (LS) aux amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication 4 comprenant une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaire (SOA2) présentant un second milieu amplificateur complémentaire (A2’) de composition identique et présentant une longueur d’onde de photoluminescence complémentaire (L gain 2 ) inférieure ou égale, à la première température (T0), à la seconde longueur d’onde de photoluminescence (L gain ). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication précédente comprenant, optiquement en aval de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA) et de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur complémentaires (SOA2), une pluralité de commutateurs optiques (SW), chaque commutateur optique étant relié à un amplificateur optique à semiconducteur (SOA) et à un d’amplificateur optique à semiconducteur complémentaire (SOA2). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications 1 à 3 comprenant une pluralité de sources laser (LS i ) et une pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i ), les sources laser et les d’amplificateurs optiques à semiconducteur (LS i ,SOA i ) présentant deux à deux un milieu amplificateur de même composition, et une pluralité de guides d’onde (WG,WG’) respectivement disposés entre des sources laser (LS i )et des amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i+1 ) présentant des milieux amplificateur de composition différentes. Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication précédente comportant en outre un multiplexeur en longueurs d’onde (MUX) disposé en aval de la pluralité d’amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i ) et optiquement relié aux amplificateurs optiques à semiconducteur (SOA i ) pour produire un rayonnement lumineux multispectral. Circuit photonique (1) intégré d’émission selon l’une des revendications précédentes, comprenant au moins un dispositif optique additionnel disposé entre la source laser (LS) et l’amplificateur optique à semiconducteur (SOA). Circuit photonique (1) intégré d’émission selon la revendication précédente dans lequel le dispositif optique additionnel est un modulateur (MOD) ou un commutateur.