INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l’exemple illustré, les informations 10h sur le type d’irrégularité détectée et/ou les informations 10i de détection d’une dite irrégularité sont en outre directement utilisées pour exécuter ladite étape 36 de correction. Les informations 10k de détection de mauvaise basse fréquence route sont également directement utilisées pour exécuter ladite étape 36 de correction.
Comme illustré à la , préférentiellement, ladite étape de détermination d’au moins un paramètre de contrôle desdits amortisseurs exploite ladite loi de commande avec les données des informations de commande provenant de ladite modélisation avec un temps d’anticipation par rapport à une exploitation de ladite loi de commande avec les données des informations de commande obtenues par réaction instantanée. Ceci permet d’anticiper les actions à mettre en œuvre et de bénéficier d’un pilotage amélioré des amortisseurs.
A la , une première et une deuxième courbe 50, 52 illustrent le profil de la chaussée 1 le long d’une trajectoire des roues gauche et droite du véhicule, l’axe des abscisses illustrant la distance parcourue par le véhicule. La hauteur du profil 4a, 4b des irrégularités est illustrée en ordonnée. Une troisième courbe 52 et une quatrième courbe 54 donnent respectivement, selon le même repérage en abscisse, le niveau de pilotage des amortisseurs avec usage de la loi de commande par anticipation en exploitant les données des informations de commande provenant de la modélisation des irrégularités ou avec usage de la loi de commande en exploitant les données des informations de commande obtenues par réaction instantanée.
On constate que les profils 4a, 4b des irrégularités s’étendent entre les repères 43 et 43,5, en abscisse. On constate également, dans le cas de l’usage de la loi de commande par anticipation en exploitant les données des informations de commande provenant de la modélisation des irrégularités (courbe 52), le déclenchement du pilotage des amortisseurs a lieu plus tôt que dans le cas de l’usage de la loi de commande en exploitant les données des informations de commande obtenues par réaction instantanée (courbe 54). Dans le premier cas, grâce à l’anticipation, ce déclenchement a lieu lors du passage sur l’irrégularité alors que, dans le second cas, il a lieu avec retard compte-tenu des temps de traitement et de réponse en jeu.
Dans le cas de mauvaise route basse fréquence, on cherchera notamment à détecter de manière anticipée les portions de routes pouvant engendrer des mouvements de pompages importants. En effet ces mouvements sont particulièrement inconfortables et l’apport de l’anticipation sur ce type de route est très important car les détections instantanées sont faites lorsque le véhicule a déjà subi le mouvement de pompage. L’anticipation permet ainsi de dissiper plus d’énergie plus tôt et de limiter les tassements pouvant être ressentis par les passagers.
Préférentiellement, ledit procédé comprend une étape d’annulation d’une transmission desdites informations de commande provenant de ladite modélisation. Ladite étape d’annulation intervient, par exemple, lors de ladite étape 12g de temporisation, en fonction d’informations relevées lors de l’étape 12h d’autorisation de détection et/ou de l’étape de détermination de la trajectoire des roues.
Une couche de matériau de van der Waals 75 est formée sur le substrat initial 70. Un matériau de van der Waals est défini comme un matériau constitué d’atomes fortement liés les uns aux autres par des liaisons covalentes ou ioniques uniquement dans le plan de formation du matériau (ici, plan (x,y)), sans liaisons fortes perpendiculairement à ce plan. Les matériaux tels que le graphite, graphène, MoS 2 , WSe 2 , h-BN, … sont des matériaux de van der Waals ou matériaux 2D. D’un point de vue pratique, on peut ainsi utiliser une ou plusieurs couches de graphène (ou autre matériau 2D), de préférence une monocouche, comme détaillé par exemple par Celesta Chang et al. dans « Remote Epitaxy », Nature Methods, June 2022, ou encore dans le document WO 2017/044577 A1. La couche de graphène peut être obtenue par exemple par une méthode de transfert humide d’une couche obtenue par CVD sur un substrat de métal catalytique. Il est à noter que le motif cristallin du substrat initial 70 est capable de guider la croissance cristalline des couches de l’empilement E à travers la couche de graphène lorsqu’elle est suffisamment fine, préférablement de 1 à moins de 10, préférablement de 1 à 3 feuilles de graphène.
La deuxième étape correspond à l’élaboration de l’empilement E de couches semi-conductrices au moins du côté de la face avant 70’ du substrat initial 70, sur la couche de matériau de van der Waals 75, dans l’ordre suivant : le miroir de Bragg supérieur 30b formé sur ladite couche 75, la couche active 20 formée sur le miroir de Bragg supérieur 30b et le miroir de Bragg inférieur 30a formé sur la couche active 20 ( ). Cet empilement est réalisé par épitaxies successives en utilisant le substrat initial 70 comme germe d’épitaxie. Ces étapes, connues de l’état de la technique, ne seront pas détaillés ici.
La troisième étape consiste en l’élaboration du film de contact 40 sur le miroir de Bragg inférieur 30a, formant ainsi une structure donneuse 130 comprenant le substrat initial 70, la couche de matériau de van der Waals 75, l’empilement E de couches semi-conductrices et le film de contact 40 ( ). Là encore, le film de contact 40 peut être élaboré par épitaxie. Il respecte les conditions énoncées précédemment en termes d’épaisseur et de propriétés optiques.
Au cours de la quatrième étape, la couche d’oxyde 50 est formée, en tout ou partie, sur le film de contact 40 et/ou sur le substrat support 10 ( ). En d’autres termes, la couche d’oxyde 50 peut être élaborée en totalité du côté de la structure donneuse 130 ou, en totalité du côté du substrat support 10 comme illustré sur la ; elle peut encore être former en partie du côté de la structure donneuse 130 et en partie du côté du substrat support 10 : après l’assemblage (qui intervient dans la prochaine étape du procédé), les deux parties de la couche d’oxyde 50 seront collées le long d’une interface de collage 60, pour constituer, ensemble, la couche d’oxyde 50 de la structure semi-conductrice 150.
La couche d’oxyde 50 peut être formée par toute technique connue de dépôt, tel que notamment, dépôts chimiques en phase vapeur (CVD) éventuellement avec plasma PECVD (« Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition »), éventuellement avec un plasma haute densité HDP (« High density Plasma »), dépôts physiques en phase vapeur (PVD), dépôts atomiques ALD (Atomic Layer Deposition). Le dépôt est typiquement opéré à une température comprise entre 100°C et 700°C. La couche d’oxyde 50 respecte les conditions énoncées précédemment en termes d’épaisseur et de propriétés optiques.
La cinquième étape comprend l’assemblage par collage direct entre la structure donneuse 130 et le substrat support 10, du côté de leurs faces avant 10’,70’ respectives, le long d’une interface de collage 60, pour former un ensemble collé 140. Dans l’exemple illustré sur la , le collage direct s’opère par la mise en contact intime des faces libres du film de contact 40 et de la couche d’oxyde 50.
Comme évoqué précédemment, un collage direct par adhésion moléculaire à température ambiante, ou alternativement un collage direct sous atmosphère et température contrôlée (de type ADB ou SAB) peut être réalisé. On peut bien sûr prévoir des nettoyages ou activations de surfaces (par exemple par plasma) préalablement à la mise en contact des faces à assembler. Ces préparations de surface sont connues et éprouvées sur une couche d’oxyde, c’est la raison pour laquelle il peut être avantageux de former une partie de la couche d’oxyde 50 sur chacune des surfaces à assembler. En outre, le fait que l’interface de collage 60 implique une face de la couche d’oxyde 50 ou soit incluse dans la couche d’oxyde 50, ladite couche pouvant être relativement épaisse (typiquement supérieure à 150nm), assure une meilleure gestion des espèces chimiques impliquées dans le collage par adhésion moléculaire et donc une meilleure qualité de l’interface 60.
L’ensemble collé 140 peut avantageusement subir un traitement thermique pour la consolidation de l’interface de collage 60, typiquement à une température comprise entre 150°C et 600°C, pendant quelques minutes à quelques heures.
Une sixième étape du procédé correspond à la séparation de l’ensemble collé 140 au niveau de la couche de matériau de van der Waals 75, pour donner lieu à la structure semi-conductrice 150 selon l’invention ( ). La séparation peut être provoquée par une sollicitation mécanique appliquée dans la région périphérique de l’ensemble collé 140, par exemple au niveau de la couche de matériau de van der Waals 75, et/ou par l’addition d’une couche supérieure (non mentionnée) présentant une contrainte permettant le détachement.
A l’issue de la sixième étape, on obtient d’une part la structure semi-conductrice 150, et d’autre part, le substrat initial 70 ( ).
Même si cette première variante a été particulièrement décrite en référence à la technologie 2DLT, toute autre technique connue de transfert compatible avec l’empilement de couches à reporter pourrait, bien sûr, être mise en œuvre dans le procédé selon l’invention.
Deuxième variante du procédé : La première étape du procédé selon cette deuxième variante comprend la fourniture d’un substrat initial 70 adapté à l’élaboration de l’empilement E de couches semi-conductrices ( ). La première étape comprend également la fourniture du substrat support 10. Chacun des substrats 10,70 présente une face avant 10’,70’ et une face arrière 10’’,70’’.
La deuxième étape correspond à l’élaboration du film de contact 40 directement sur le substrat initial 70, formant ainsi une structure donneuse 130’ ( ). Le film de contact 40 est élaboré par épitaxie et servira, ultérieurement dans le procédé, de germe pour la croissance épitaxiale de l’empilement E.
Au cours d’une troisième étape, la couche d’oxyde 50 est formée, en tout ou partie, sur le film de contact 40 et/ou sur le substrat support 10 ( ). La description faite à la quatrième étape de la première variante du procédé s’applique ici. Dans l’exemple illustré en , une partie 51 de la couche d’oxyde 50 est formée sur le film de contact 40 et une autre partie 52 est formée sur le substrat support 10 ; après assemblage, ces deux parties 51,52 constitueront la couche d’oxyde 50, laquelle doit satisfaire aux conditions d’épaisseur et de propriétés optiques précédemment énoncées.
La quatrième étape de cette deuxième variante comprend l’assemblage par collage direct entre la structure donneuse 130’ et le substrat support 10, du côté de leurs faces avant respectives, le long d’une interface de collage 60, pour former un ensemble collé 140’. Dans l’exemple illustré sur la , le collage direct s’opère par la mise en contact intime des faces libres des parties 51,52 de la couche d’oxyde 50. La description faite à la cinquième étape (assemblage) de la première variante du procédé s’applique ici également.
Une cinquième étape de la deuxième variante du procédé correspond au retrait en tout ou partie du substrat initial 70 de l’ensemble collé 140’, pour donner lieu à une structure intermédiaire 145’ comprenant le substrat support 10, la couche d’oxyde 50, le film de contact 40 et potentiellement une couche résiduelle 72 du substrat initial 70 ( ).
L’invention sera davantage détaillée par la description de modes de réalisation non limitatifs, et sur la base des figures annexées illustrant des variantes de l’invention, dans lesquelles : illustre schématiquement une embase standard et type CCS Combo2 ; illustre schématiquement une embase standard et type CCS Combo2 avec un obturateur sur les voies L1, L2, L3 et N; illustre en vue de perspective une prise CCS Combo2. illustre schématiquement, en vue de face une prise type 2 conforme à la norme IEC62196.2 ; illustre schématiquement, en vue de coupe selon la ligne de coupe V des figures 1 et 2, une embase avec obturateur et une prise CCS Combo2, l’accouplement étant possible ; illustre schématiquement, en vue de coupe selon la ligne de coupe VI des figures 1 et 2, une embase avec obturateur et une prise type 2 conforme à la norme IEC62196.2, l’accouplement étant impossible illustre en vue de perspective un véhicule automobile avec premiers moyens de raccordement et des deuxièmes moyens de raccordement ; illustre un bloc diagramme du circuit électrique du véhicule ; est analogue à la et illustre schématiquement des variantes de réalisation est analogue à la et illustre schématiquement une autre variante de réalisation.
Comme visible aux figures 7 et 8, il est représenté un véhicule automobile à traction électrique, le véhicule 9 comprenant au moins une batterie BATT et un moteur de traction électrique.
Le véhicule présente un repère dans l’espace comprenant un axe longitudinal X suivant une direction de déplacement dudit véhicule automobile, un axe transversal Y perpendiculaire à l’axe longitudinal X, et un axe vertical Z perpendiculaire à l’axe longitudinal X et à l’axe transversal Y.
Le véhicule 9 peut être rechargé dans un contexte domestique en monophasé alternatif et le véhicule 9 peut être rechargé sur des bornes de forte puissance en courant continu.
A cet effet, le véhicule 9 comporte des premiers moyens de raccordement RAC1. Les premiers moyens de raccordement RAC1 sont destinés à permettre une recharge de la batterie à partir d’une source de courant alternatif. Les premiers moyens de raccordement RAC1 sont agencés à une première position P1. Dans l’exemple illustré, les premiers moyens de raccordement RAC1 sont agencés au dessus du passage de roue arrière gauche (position P1).
Les premiers moyens de raccordement peuvent inclure un enrouleur de câble ou un dévidoir de manière à faciliter l'usage au quotidien de la recharge à domicile. En variante, pour faciliter l'usage au quotidien de la recharge à domicile, les premiers moyens de raccordement RAC1 peuvent inclure un câble de conformation hélicoïdale au repos, que l’utilisateur peut extraire et qui peut être substantiellement allongé pour aller rejoindre un socle de connexion domestique à quelques mètres.
Les premiers moyens de raccordement peuvent inclure une embase de type 2 à laquelle est habituellement connecté le câble télescopique intégré discuté juste au dessus. Cette embase de type 2 peut aussi être utilisée pour y brancher un cordon de type 2 mis à disposition sur les bornes publiques à puissance faible (monophasé ou triphasé).
Le véhicule 9 comporte des deuxièmes moyens de raccordement RAC2. Les deuxièmes moyens de raccordement RAC2 sont destinés à permettre une recharge rapide de la batterie à partir d’une source de courant continu. Les deuxièmes moyens de raccordement RAC2 sont agencés à une deuxième position P2. Dans l’exemple illustré, les deuxièmes moyens de raccordement RAC2 sont agencés au dessus du passage de roue arrière droite (position P2).
Il faut remarquer que les positions des premiers et deuxièmes moyens de raccordement pourraient être inversées par rapport à l’axe longitudinal X.
Il faut aussi noter que les premiers et deuxièmes moyens de raccordement pourraient se situer ailleurs qu’au dessus des passages de roues, sans exclure aucune configuration. Par exemple, les premiers moyens de raccordement RAC1 pourraient être agencés à l’avant du véhicule.
Sur la , la partie droite illustre la recharge en courant continu DC depuis les deuxièmes moyens de raccordement vers la batterie. La recharge se fait directement vers la batterie du véhicule sans passer par un convertisseur DC/DC dans le véhicule.
Sur la partie gauche du schéma, la recharge est faite depuis une source alternative AC grâce aux premiers moyens de raccordement RAC1, le chemin de charge passe par un contrôleur embarqué OBC équipé d'un convertisseur DCDC et par un boitier de distribution et de protection repéré JB.
Le schéma de la illustre une configuration particulièrement pertinente du point de vue économique, qui permet une recharge rapide et une recharge lente à domicile.
Les interfaces de connexion électrique pour la recharge de véhicules électriques ont été normalisées dans la norme IEC62196. Dans cette norme, on trouve notamment les définitions d’une embase « type 2 » à 7 voies et une embase dite CCS Combo2 à 9 voies. Dans cette norme IEC62196, on trouve aussi la définition d’une prise CCS combo2 aussi appelée dans le présent document « prise de recharge à courant continu», ainsi que la définition d’une prise de type 2 appelée dans le présent document « prise de recharge à courant alternatif».
Ledit polymère acrylique B comprend des unités monomériques contenant un ou plusieurs groupement(s) fonctionnel(s) CO 2 - Li + . De préférence, ledit polymère acrylique B a un taux de lithiation d’au moins 30%. Le taux de lithiation correspond au ratio entre le nombre de moles de groupements -CO 2 - Li + et le nombre de moles de groupements carboxyliques et de groupements -CO 2 - Li + dans ledit polymère acrylique B . En particulier, ledit polymère acrylique a un taux de lithiation d’au moins 35%, avantageusement au moins 40%, de préférence au moins 50%. Ledit polymère acrylique B ayant un taux de lithiation tel qu’exprimé ici permet d’améliorer la conductivité d’une électrode contenant ledit liant.
De préférence, ledit polymère acrylique B en solution dans l’eau a un pH compris entre 2,0 et 10,0, avantageusement entre 2,5 et 9,0, de préférence entre 3,0 et 8,0 mesuré à température ambiante.
De préférence, ledit polymère acrylique B comprend au moins 5%, avantageusement au moins 10%, de préférence au moins 15%, en particulier au moins 20% en moles d’unités monomériques contenant un groupement fonctionnel –CO 2 H ou anhydride d’acide carboxylique. La présence de groupements carboxyliques ou d’anhydride d’acide carboxylique améliore également l’adhésion sur le collecteur de courant.
Ainsi, le procédé selon l’invention permet d’obtenir un flux de polymères thermoplastiques purifiés, et plus particulièrement de polyoléfines purifiées, à partir de tout type de charge plastique et en particulier de déchets plastiques. En particulier, le procédé selon l’invention permet d’éliminer au moins 70% poids, préférentiellement au moins 80% poids, des impuretés, et en particulier des impuretés inorganiques, contenues dans la charge plastique. Le procédé selon l’invention permet également d’éliminer des composés organiques et des polymères notamment insolubles autres que les thermoplastiques visés. De plus, très avantageusement, le flux de thermoplastiques purifiés, en particulier de polyoléfines purifiées, obtenu à l’issue du procédé est moins coloré voire décoloré par rapport la charge plastique qui alimente par le procédé selon l’invention. Le flux de polymères thermoplastiques purifiés obtenu à l’issue du procédé selon l’invention peut alors être utilisé dans toute application par exemple en remplacement des mêmes polymères à l’état vierge. Le flux de polymères thermoplastiques purifiés, obtenu par le procédé selon l’invention, en continu, présente ainsi une teneur en impuretés suffisamment faible pour pouvoir être utilisé dans toute application.
De manière très préférée, le flux de polymères thermoplastiques purifiés obtenu à l’issue du procédé selon l’invention présente avantageusement une teneur en impuretés inférieure ou égale à 5% poids, très avantageusement en impuretés inférieure ou égale à 1,0% poids d’impuretés, voire une teneur inférieure ou égale à 0,5% poids d’impuretés. Très avantageusement, le flux de polymères thermoplastiques purifiés obtenu à l’issue du procédé selon l’invention (présente une teneur en solvant résiduel (en particulier en solvant de dissolution) inférieure ou égale à 5% poids, de préférence inférieure ou égale à 1,0% poids, de manière préférée inférieure ou égale à 0,1% poids inférieure ou égale à, voire une teneur inférieure ou égale à 500 ppm poids, par rapport au poids total du flux de thermoplastiques purifiés.
Dispositif d’extraction par exclusion stérique
- des moyens pour mettre en contact et dissoudre au moins en partie la charge plastique dans un solvant de dissolution, comme une extrudeuse, un(des) mélangeurs(s) statique(s), un ou des réacteur(s) agité(s) en continu, appelés encore « Continuous Stirred Tank Reactor » (CSTR) selon la terminologie anglo-saxonne, muni(s) de système(s) d’agitation adapté(s), pour obtenir une solution polymère brute ;
- un dispositif de décantation comprenant au moins un décanteur (appelé aussi décanteur statique), de préférence entre un et dix décanteur(s), préférentiellement entre deux et cinq décanteurs ;
lorsque le dispositif de décantation comprend plusieurs décanteurs, lesdits décanteurs fonctionnent en série ou en parallèle, de préférence en parallèle,
ledit(ou lesdits) décanteur(s) étant vertical(verticaux) ou horizontal(horizontaux), de préférence de forme cylindrique ou globalement cylindrique, voire de forme multi-cylindrique, présentant de préférence un ratio L/D entre la hauteur ou longueur totale L du décanteur et le diamètre (ou largeur) D du décanteur compris entre 0,5 et 12, de préférence entre 1,0 et 6,0,
ledit(ou lesdits) décanteur(s) comprenant un point d’alimentation, pour être alimenté(s) en solution polymère, en particulier en solution polymère brute ou en un effluent enrichi en solution polymère,
avantageusement le point d’alimentation du décanteur ou du premier décanteur des décanteurs en série ou encore de chaque décanteur en parallèle étant connecté auxdits moyens pour mettre en contact et dissoudre pour alimenter ledit(ou lesdits) décanteur en au moins une fraction, ou la totalité, de ladite solution polymère brute,
de préférence lorsque le décanteur considéré est un décanteur vertical, le point d’alimentation dudit décanteur est avantageusement situé entre le quart supérieur de la hauteur dudit décanteur et les trois quarts supérieurs de la hauteur dudit décanteur, de préférence entre le tiers supérieur de la hauteur dudit décanteur et les deux tiers supérieurs de la hauteur dudit décanteur, ledit point d’alimentation définissant alors deux zones dans le décanteur vertical considéré, une zone supérieure située entre le point d’alimentation et la tête du décanteur vertical, et une zone inférieure située entre le point et le fond du décanteur vertical,
de préférence lorsque le décanteur considéré est un décanteur horizontal, le point d’alimentation dudit décanteur est avantageusement situé vers une extrémité du décanteur horizontal considéré, c’est-à-dire à l’une des extrémités du décanteur horizontal ou proche d’une des extrémités du décanteur horizontal, de préférence dans une zone comprise entre une des deux extrémités du décanteur horizontal et un tier de la longueur dudit décanteur à partir de ladite extrémité, de préférence comprise entre une des deux extrémités du décanteur horizontal et un quart de la longueur dudit décanteur à partir de ladite extrémité,
ledit(ou lesdits) décanteur(s) comprenant une première sortie pour un effluent enrichi en solution polymère et une deuxième sortie pour un flux de résidus,
lorsque le dispositif de décantation comprend plusieurs décanteurs en série, la première sortie (i.e. la sortie de l’effluent enrichi en solution polymère) du décanteur en aval est avantageusement connectée au point d’entrée du décanteur directement en amont (c’est-à-dire la première sortie du décanteur i est connectée au point d’alimentation du décanteur i+1), sauf pour le dernier décanteur de la série pour lequel la première sortie (i.e. la sortie de l’effluent enrichi en solution polymère) est connectée à des moyens situés en aval du dispositif de décantation, en particulier des moyens de séparation solvant-polymère ou éventuellement un système de purification supplémentaire,