INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une passerelle peut être soit dans un état de gestionnaire de ressources (RM de l’anglais « Ressources Manager »), soit dans une état « répartiteur » (en anglais « dispatcher »), soit dans une état candidat (en anglais « Candidate »).
Une passerelle RM est adaptée pour la mise en œuvre du procédé 20 de contrôle d’un réseau de communication maillé pour l’exécution de tâches relatives à des fonctions sans état. En particulier, une passerelle RM est adaptée pour gérer toutes les demandes des utilisateurs (si un utilisateur émet une requête vers une autre passerelle du réseau de communication maillé 1, cette requête est redirigée vers la passerelle RM). Elle est également adaptée pour assigner une tâche à exécuter à des nœuds suiveurs d’une unité de calcul UC, pour sélectionner dynamiquement les nœuds OC et pour retransmettre une réponse finale à un utilisateur émetteur d’une demande d’exécution de tâche.
Une passerelle RM est également adaptée pour mettre en œuvre le procédé 20 de mise à jour de la topologie du réseau de communication maillé 1. En particulier, une passerelle RM est adaptée pour gérer la dynamique des nœuds IoT et de diffuser un état d’une topologie du réseau de communication maillé 1, tel qu’il est connu de la passerelle RM, à destination des autres passerelles du réseau de communication maillé 1. Une passerelle RM synchronise également entre elles les tables GTT et TTT mémorisées par les passerelles du réseau de communication maillé 1.
La passerelle RM est également adaptée pour mettre en œuvre un procédé 30 de formation des unités de calcul UC par regroupement des nœuds IoT.
Par exemple, la passerelle RM peut déterminer un groupe de nœuds IoT et ajouter de nouveaux nœuds IoT à ce groupe sans consulter d'autres passerelles, n'ayant à propager les informations concernant cet ajout qu'une fois la décision prise. En particulier, une passerelle RM est adaptée pour choisir de manière optimale un nœud OC pour chaque unité de calcul UC.
L’utilisation d’une passerelle RM centrale simplifie la gestion des table GTT, SFTT et TTT hautement dynamiques qui sont utilisées pour l’exécution des tâches.
la est une vue schématique d’un réducteur d’un système d’accouplement du système propulsif de la ;
la est une vue schématique partielle en perspective d’un système d’accouplement du système propulsif de la selon un premier mode de réalisation de l’invention ;
la est une vue schématique partielle et en coupe du système d’accouplement de la ;
la est une vue schématique partielle et en coupe d’un système d’accouplement du système propulsif de la selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ;
la est une vue schématique partielle et en coupe d’un système d’accouplement du système propulsif de la selon un troisième mode de réalisation de l’invention.
Description détaillée d’un exemple de réalisation L’aéronef 1 représenté sur la comprend des systèmes propulsifs 10 pour le propulser.
Dans l’exemple représenté, l’aéronef 1 est un avion. Celui-ci comprend, de manière classique, un fuselage 4, un empennage 6 et deux ailes 8. Les systèmes propulsifs 10 sont ici au nombre de deux et sont chacun logés sous une aile 8 respective. En variante (non représentée), les systèmes propulsifs 10 sont disposés le long du fuselage 4, par exemple à proximité de l’empennage 6. En variante encore (également non représentée), l’aéronef 1 comprend un seul système propulsif 10 ou au moins trois systèmes propulsifs 10.
Le système de commande 204A comporte en outre un lecteur sans contact 210A conçu pour lire une étiquette sans contact présente dans une zone de lecture 212A associée au lecteur sans contact 210A. Le lecteur sans contact 210A utilise de préférence des ondes radio pour lire l’étiquette sans contact. Il comporte par exemple un lecteur RFID (de l’anglais « radio frequency identification ») et sa zone de lecture 212A s’étend par exemple sur au plus un mètre, de préférence au plus vingt centimètres.
Chaque zone de lecture 210A, 212B, 212C s’étend sur l’emplacement 104A, 104B, 104C associé, mais de préférence pas sur les autres emplacements. En particulier, les zones de lecture 210A, 212B, 212C sont disjointes, c’est-à-dire qu’elles ne se chevauchent pas car cela pourrait poser des problèmes d’identification de l’objet posé à un emplacement.
Le système de commande 204A comporte en outre un module de traitement de données 214A, implémenté dans l’exemple décrit de manière logicielle. Ainsi, le module de traitement de données 214A comporte une unité de traitement centrale 216A (par exemple, un microprocesseur) et une mémoire 218A (par exemple, une mémoire principale telle qu’une mémoire RAM de l’anglais « Random Access Memory »). La mémoire 218A est connectée à l’unité de traitement centrale 216A et contient un programme d’ordinateur comportant des instructions que l’unité de traitement centrale 216A est conçue pour exécuter pour mettre en œuvre les fonctions qui seront décrites plus loin en référence à la .
Alternativement, ces fonctions sont au moins en partie micro programmées ou micro câblées dans des circuits intégrés dédiés. Ainsi, en variante, le module de traitement de données 214A peut être remplacé par un dispositif électronique composé uniquement de circuits numériques ou analogiques (sans programme d’ordinateur) pour la réalisation des mêmes fonctions.
Le système de commande 204A comporte en outre des deux connecteurs d’échange de données 220A, 221A. Le connecteur 220A est conçu pour être connecté, de manière sélective, au connecteur 221B, 221C n’importe lequel des systèmes de commande 204B, 204C, ou bien au terminal 114. Dans l’exemple illustré, le connecteur 221A est connecté au terminal 114. Le connecteur 221A est conçu pour être connecté au connecteur 220B, 220C de n’importe lequel des systèmes de commande 204B, 204C. Dans l’exemple illustré, le connecteur 221A est connecté au connecteur 220B du système de commande 204B.
Le système de commande 204A comporte en outre une carte de circuit imprimé 222A portant au moins certains des éléments 206A, 210A, 214A, 216A, 218A, 220A, 221A et présentant un circuit imprimé (non représenté) les interconnectant.
Ainsi, les systèmes de commande 204A, 204B, 204C sont modulaires. Ils sont ainsi interchangeables dans la chaîne et de nouveaux systèmes de commande 204 peuvent être facilement ajoutés à la chaîne, en fonction des besoins.
En outre, cette configuration en chaîne de systèmes de commande présente l’avantage de limiter l’encombrement de l’installation en diminuant le nombre de connexions les systèmes de commande 204A, 204B, 204C et le terminal 114.
En référence à la , un exemple de fonctionnement de l’installation de vente 100 va à présent être décrit.
Initialement, seul l’objet 106A est exposé sur le présentoir 102, à l’emplacement 104A. L’écran 202A du système d’affichage 110A associé à cet emplacement 104A affiche des informations relatives à l’objet 106A, comme son prix.
Au cours d’une étape 302, l’objet 106B est posé à l’emplacement 104B du présentoir 102, de sorte que l’étiquette sans contact 108B entre dans la zone de lecture 212B.
Au cours d’une étape 304, le module de traitement de données 214B détecte automatiquement (c’est-à-dire par exemple sans intervention extérieure d’une personne), via le lecteur sans contact 210B, la pose dans la zone de lecture 212B de l’objet 106B. Cette détection est réalisée en détectant la présence de l’étiquette sans contact 108B dans la zone de lecture 212B.
Au cours d’une étape 306, le module de traitement de données 214B obtient, via le lecteur sans contact 210B, l’identifiant contenu dans l’étiquette sans contact 108B.
Au cours d’une étape 308, le module de traitement de données 214B récupère au moins une information associée à l’identifiant obtenu, auprès de la base de données 112.
Cette étape 308 comporte les étapes 310 à 320 suivantes.
Tout d’abord, au cours d’une étape 310, le module de traitement de données 214B envoie une requête à la base de données 112, via le connecteur 220B. Cette requête contient par exemple l’identifiant obtenu ou bien une données dérivée de l’identifiant et permettant à la base de données de retrouver l’identifiant.
La forme et les dimensions du tronçon supérieur 6 et du tronçon inférieur 7 peut bien entendu varier en fonction des applications. Par exemple, ces tronçons peuvent avoir une section transversale rectangulaire, triangulaire, oblongue, en étoile ou toute autre forme adaptée. Le tronçon supérieur peut également avoir une section transversale différente de celle du tronçon inférieur.
L’organe d’interconnexion 1 comprend de plus une broche de connexion 9. La broche de connexion 9 est rattachée au corps 2. La broche de connexion 9 est configurée pour établir une connexion électrique entre le corps 2 et le premier composant électronique. Pour ce faire, la broche de connexion 9 comprend une portion conductrice (électriquement) destinée à être insérée au moins partiellement dans un connecteur du premier composant électronique.
Dans le mode de réalisation représenté, l’organe d’interconnexion 1 comprend deux broches de connexion 9, ce qui garantit une meilleure tenue mécanique de l’organe d’interconnexion sur le premier composant électronique. Les broches de connexion 9 sont disposés symétriquement par rapport à l’axe longitudinal X, pour améliorer la répartition, sur le premier composant électronique, de potentiels efforts induits par la rotation de l’organe d’interconnexion 1 autour de son axe longitudinal X.
La broche de connexion 9 est avantageusement réalisée à partir d’un matériau conducteur, tel que le cuivre, l’acier, l’aluminium, le laiton, l’or ou encore l’argent. De fait, la broche de connexion 9 peut être réalisée à partir du même matériau que le corps 2. La broche de connexion 9 et le corps 2 peuvent être réalisés d’un seul tenant, à partir d’un même procédé de fabrication.
Dans l’exemple représenté, la broche de connexion 9 a une section circulaire. Le diamètre de la broche de connexion 9 est par exemple compris entre 0,5 mm et 5 mm, voire entre 1 mm et 4 mm, voire encore entre 1,5 mm et 3 mm, ou même sensiblement égal à 2 mm pour l’application spécifique à un onduleur électrique.
La broche de connexion 9 s’étend parallèlement à l’axe longitudinal X de l’organe d’interconnexion 1. La portion conductrice de la broche de connexion 9 est située axialement entre un plan P5 défini par la surface conductrice du corps 2 et un plan P8 défini par la surface d’appui 8, ce qui permet un assemblage particulièrement avantageux décrit dans la suite de la description.
La portion conductrice est située sur la broche de connexion 9 de sorte que, lorsque la surface d’appui 8 vient en appui contre le premier composant électronique, la portion conductrice est insérée dans le connecteur du premier composant électronique. En pratique, l’insertion de la portion conductrice dans le connecteur suffit à établir une connexion électrique. La broche de connexion peut par exemple être insérée selon un ajustement serré, ou selon un montage en force, ce qui offre une connexion fiable et résistante.
La broche de connexion 9 est rattachée au tronçon supérieur 6 du corps 2 par un bras 12. Le bras 12 s’étend transversalement (radialement dans le présent exemple) depuis le tronçon supérieur 6 de sorte à maintenir la broche de connexion 9 à distance du corps 2. A titre d’exemple, la distance entre l’axe longitudinal X et un axe central de la broche de connexion 9 peut être comprise entre 5 mm et 11 mm, par exemple de l’ordre de 8 mm.
Le bras 12 est raccordé du côté d’une première extrémité 10 de la broche de connexion 9. La broche de connexion 9 comprend une deuxième extrémité 11, opposée à la première extrémité 10, par laquelle la broche de connexion 9 est insérée dans le connecteur du premier composant électronique.
La deuxième extrémité 11 de la broche de connexion 9 est revêtue d’un métal ou d’un alliage d’apport couramment utilisé pour les soudures électroniques afin de faciliter une étape de soudure, décrite plus en détail dans la suite de la description, entre la broche de connexion 9 et le premier composant électronique. Un tel métal d’apport est par exemple l’étain, l’argent, ou l’or. Pour faciliter la fabrication, la totalité de la broche de connexion, ou la totalité de l’organe d’interconnexion peut être revêtue avec le métal ou de l’alliage d’apport.
L’étape de soudure est susceptible d’induire un déplacement longitudinal de la broche de connexion 9 vers le bas (vers la face inférieure 5), et une déformation du bras 12 dans cette même direction. Pour éviter que la déformation du bras 12 n’endommage le premier composant électronique, le bras 12 est agencé pour que, lorsque la surface d’appui 8 est en appui contre le premier composant électronique, le bras 12 est à distance du premier composant électronique.
En d’autres termes, le bras 12 est à distance du plan P8 défini par la surface d’appui 8. Comme le montre la , le tronçon supérieur 6 et le bras 12 s’étendent selon l’axe X depuis la face supérieure 4, le tronçon supérieur 6 possédant une épaisseur, selon l’axe X, qui est supérieure à celle du bras 2. Ainsi, un espace est formé entre le premier composant électronique et le bras 12 lorsque la surface d’appui 8 est en appui contre le premier composant électronique.
La représente, selon une vue en coupe longitudinale, un ensemble 100 comprenant l’organe d’interconnexion 1 des figures 1 à 3, un premier composant électronique 13, un deuxième composant électronique 14 et des moyens de serrage 15.
Dans l’ensemble représenté, le premier composant électronique 13 et le deuxième composant électronique 14 s’étendent parallèlement l’un à l’autre. Le premier composant électronique 13 comprend une première face 16 et une deuxième face 17, opposée à la première face 16, tournée vers le deuxième composant électronique 14.
Le premier composant électronique 13 comprend un connecteur 18 adapté pour recevoir la broche de connexion 9 et un orifice 19 adapté pour le passage du tronçon inférieur 7 du corps 2. Le connecteur 18 est formé par un trou dans le premier composant électronique 13, lequel trou est entouré d’un matériau métallique raccordé électriquement aux éléments du premier composant électronique 13. D’autres connecteurs peuvent être envisagés, par exemple des connecteurs rapportés sur le premier composant électronique.
La surface d’appui 8 du corps 2 est en appui contre la première face 16 du premier composant électronique 13 et la portion conductrice de la broche de connexion 9 est insérée au moins partiellement dans le connecteur 18 de sorte qu’une connexion électrique est établie entre le premier composant électronique 13 et le corps 2 de l’organe d’interconnexion 1.
TH température de l'huile
T tableau
VM10 vitesse de rotation du moteur
Hz fréquence
10 moteur thermique
20 circuit d'huile
30 capteur de niveau d'huile
40 pompe
50 électrovanne
60 capteur de température
70 capteur de pression
90 calculateur électronique
100 procédé de contrôle du moteur thermique
110 sous procédé
120 étape d'acquisition
130 étape de détermination
L'amplificateur 80 comprend une borne 82, correspondant à la borne reliée, de préférence connectée, au noeud 50 correspondant. La borne 82 est reliée à un noeud 84 d'application d'une tension d'alimentation VDD par des transistors 86 et 88. Les transistors 86 et 88 sont par exemple des transistors à effet de champ à grille isolée ou MOSFET. Le transistor 86 est par exemple un transistor à canal P et le transistor 88 est par exemple un transistor à canal N. Les transistors 86 et 88 sont reliés en série. Autrement dit, une borne de conduction, par exemple la source, du transistor 86 est reliée, de préférence connectée, au noeud 84 et une autre borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 86 est reliée, de préférence connectée, à un noeud 90. Une borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 88 est reliée, de préférence connectée, au noeud 90 et une autre borne de conduction du transistor 88, par exemple la source, est reliée, de préférence connectée, à la borne 82.
Le transistor 86 est monté en diode. Autrement dit, une borne de commande, par exemple la grille, du transistor 86 est reliée, de préférence connectée, à la source du transistor 90. Autrement dit, la borne de commande du transistor 86 est reliée, de préférence connectée, à un noeud 92, le noeud 92 étant relié, de préférence connecté, au noeud 90. Une borne de commande, par exemple la grille, du transistor 88 est configurée pour recevoir une tension de consigne VREF.
La borne 82 est par exemple reliée au noeud d'application de la tension de référence GND par deux transistors 94 et 96. Les transistors 94 et 96 sont par exemple des transistors à effet de champ à grille isolée ou MOSFET. Par exemple, les transistors 94 et 96 sont des transistors à canal N.
Les transistors 94 et 96 sont reliés en série. Autrement dit, une borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 94 est reliée, de préférence connectée, à la borne 82 et une autre borne de conduction, par exemple la source, du transistor 94 est reliée, de préférence connectée, à un noeud 98. Une borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 96 est reliée, de préférence connectée, au noeud 98 et une autre borne de conduction du transistor 96, par exemple la source, est reliée, de préférence connectée, au noeud d'application de la tension de référence GND.
Une borne de commande du transistor 94 est configuré pour recevoir une tension VREFN. Une borne de commande du transistor 96 est configuré pour recevoir une tension PRECH. Lors de la précharge, la tension PRECH a une valeur correspondant à une valeur logique 1.
L'amplificateur 80 comprend en outre des transistors 100 et 102. Les transistors 100 et 102 sont par exemple des transistors à effet de champ à grille isolée ou MOSFET. Le transistor 100 est par exemple un transistor à canal P et le transistor 102 est par exemple un transistor à canal N. Les transistors 100 et 102 sont reliés en série entre le noeud 84 et le noeud d'application de la tension de référence GND. Autrement dit, une borne de conduction, par exemple la source, du transistor 100 est reliée, de préférence connectée, au noeud 84 et une autre borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 100 est reliée, de préférence connectée, à un noeud 104. Une borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 102 est reliée, de préférence connectée, au noeud 104 et une autre borne de conduction du transistor 102, par exemple la source, est reliée, de préférence connectée, au noeud d'application de la tension de référence GND. Le noeud 104 est ainsi le point milieu entre les transistors 100 et 102.
Une borne de commande du transistor 100 est reliée, de préférence connectée, au noeud 92, et est donc reliée, de préférence connectée, à la borne de commande du transistor 86. Une borne de commande du transistor 102 est configurée pour recevoir la tension VREFN. La tension VREFN est une tension de référence. De préférence, la tension VREFN est de l'ordre de la tension de seuil des transistors 94 et 102. Les transistors 94 et 102 fonctionnent ainsi en saturation en source de courant.
Le noeud 104 est relié à un noeud 106 de sortie de l'amplificateur 80 par un inverseur 108 et une porte logique NON-ET 110. L'inverseur 108 est relié entre le noeud 104 et un noeud 112. Plus précisément, une entrée de l'inverseur 108 est reliée, de préférence connectée, au noeud 104 et une sortie de l'inverseur 108 est reliée, de préférence connectée, au noeud 112.
L'inverseur est alimenté par une tension fournie entre des bornes 114 et 116 de l'inverseur 108. La borne 114 est configurée pour recevoir une tension VDDsense et la borne 116 est configurée pour recevoir une tension de référence GNDsense. Un exemple de dispositif générant les tensions VDDsense et GNSsense est représenté en . Lors de la précharge, la tension PRECHN a une valeur correspondant à une valeur logique 0.
La porte logique 110 comprend une entrée reliée, de préférence connectée, au noeud 112. Une autre entrée de la porte logique 110 est configurée pour recevoir une tension PRECHN. Une sortie de la porte logique 110 est reliée, de préférence connectée, au noeud de sortie 106.
L'entrée et la sortie de l'inverseur 108 sont reliées par un transistor 118. Le transistor 118 est par exemple un transistor MOSFET, par exemple à canal N. Une borne de conduction du transistor 118, par exemple le drain, est reliée, de préférence connectée, au noeud 104 et une autre borne de conduction, par exemple la source, du transistor 118 est reliée, de préférence connectée, au noeud 112.
Une borne de commande, par exemple la grille, du transistor 118 est configurée pour recevoir une tension PRECHHV. Le rôle de la tension PRECHHV est de mettre suffisamment en conduction le transistor 118 de sorte que sa tension source-drain Vds soit quasiment nulle. Les noeuds 104 et 112 sont alors à des potentiels similaires, ce qui polarise l'inverseur 114 à son point de commutation. Plus précisément, la tension PRECHHV est un signal ayant une valeur correspondant à la valeur logique 0 pendant la phase de lecture, et ayant une valeur suffisamment élevée lors de la phase de précharge pour que les noeuds 104 et 112 soient à des potentiels proches l'un de l'autre, par exemple sensiblement égaux, par la conduction du transistor 118. Ce niveau doit être sensiblement supérieur au seuil de basculement de l'inverseur 114, augmenté de la tension de seuil du transistor 118. Il peut éventuellement être supérieur à la tension d'alimentation VDD.
Lors de la lecture d'une cellule mémoire selon les modes de réalisation décrits précédemment, le fonctionnement de l'amplificateur est par exemple le suivant.
Le transistor 102 est configuré pour être traversé par un courant, par exemple de 2µA. Selon le courant traversant le transistor 100, la tension sur le noeud 104 correspond à la tension d'alimentation du noeud 84 ou la tension de référence. Plus précisément, si le courant traversant le transistor 100 est supérieur au courant traversant le transistor 102, la tension sur le noeud 104 est la tension d'alimentation. Si le courant traversant le transistor 100 est inférieur au courant traversant le transistor 102, la tension sur le noeud 104 est la tension de référence.
Lors de la précharge, la tension PRECH a une valeur correspondant à la valeur logique 1. Le transistor 96 est ainsi passant, et le noeud 98 est porté au potentiel de référence. Le transistor 94, qui reçoit VREFN, sur sa grille, injecte un courant de référence dans le transistor 86 à travers le transistor 88 monté en grille commune. Ce courant est recopié homothétiquement par le transistor 100. Ce courant, ainsi que les dimensions des transistors 86 et 100, est défini de sorte que le courant traversant le transistor 100 soit sensiblement identique au courant traversant le transistor 102. Ceci fait que la résultante des courants reçus par le noeud 104 depuis les transistors 100 et 102 est sensiblement nulle.
Durant la précharge, le transistor 118 est passant et polarise au même potentiel l'entrée et la sortie de l'inverseur 108, ce qui place 104 au seuil de basculement de l'inverseur 108.
Les essais électrochimiques réalisés par le Demandeur sont donc sévérisés par rapport aux exigences du DOE, et se déroulent dans une solution acide de pH égal à 3, à 80°C et avec 0,1ppm d’ion fluorure. Ce milieu de test est défini par le DOE aux Etats-Unis d’Amérique pour simuler le milieu de fonctionnement d’une PEMFC. Dans le cadre des essais présents, le potentiel est fixé à +1,6V/NHE sur l’électrode de travail sur laquelle est monté le matériau à tester. Le potentiel utilisé est supérieur à ce qui est préconisé par le DOE (0,8V/NHE) afin de sévériser le test et de sélectionner uniquement les meilleurs dépôts qui puissent résister à des conditions accidentelles. L’ajout d’un bullage d’air permet de simuler le compartiment cathodique d’une pile à combustible. L’essai est effectué sur une durée de 20h.