INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, le procédé selon l’invention permet d’interrompre temporairement l’état fonctionnel de l’unité roue en vue de préserver l’intégrité de la batterie en limitant la sollicitation de la batterie lorsqu’un seuil haut est atteint, comme un seuil haut de température.
- l’unité roue émet un premier message d’alerte à destination de l’unité centrale du véhicule automobile lorsque ledit paramètre de fonctionnement atteint un seuil critique prédéterminé, en amont du passage à un état non fonctionnel. Le premier message d’alerte permet à l’unité centrale d’adapter son comportement en conséquence ;
- après réception du premier message d’alerte, l’unité centrale avertit le conducteur du véhicule automobile de l’imminence d’un dysfonctionnement de l’unité roue par un premier signalement. Cette caractéristique permet à l’unité centrale d’avertir le conducteur du véhicule de l’imminence d’un dysfonctionnement de l’unité roue, le conducteur ainsi averti pouvant adapter sa conduite en conséquence ;
- le passage à l’état fonctionnel de l’unité roue entraîne l’émission d’un second message d’alerte de retour à l’état fonctionnel, depuis l’unité roue et à destination de l’unité centrale du véhicule automobile. L’unité centrale ainsi alertée pourra adapter son comportement à la situation si besoin, par exemple en relançant une phase de localisation partielle de l’unité roue ;
- le procédé comprend une étape de réinitialisation de l’unité roue, qui est réalisée à la suite du passage de l’unité roue à l’état fonctionnel ;
- le procédé comprend un test d’intégrité de la batterie qui vise à vérifier l’intégrité de la batterie suite au retour à l’état fonctionnel de l’unité roue, et après être passé par l’état non fonctionnel ;
- le test d’intégrité consiste à : calculer une première tension de chute de la batterie qui correspond à la différence entre une première tension à vide et une première tension en charge de la batterie lorsque l’unité roue occupe son état non fonctionnel, et avant la limitation de l’activité de l’unité roue, calculer une seconde tension de chute qui correspond à la différence entre une seconde tension à vide et une seconde tension en charge de la batterie lorsque l’unité roue occupe un état fonctionnel, à la suite d’un passage vers un état non fonctionnel, et après rétablissement de l’activité de l’unité roue à un niveau nominal de consommation d’énergie, et à calculer un indice d’intégrité qui correspond à la différence entre la première tension de chute et la seconde tension de chute, et établir un diagnostic d’intégrité de la batterie selon ledit indice d’intégrité calculé ;
Les produits exfoliants ou de gommage, connus aussi sous le nom de "scrub", ont pour but de rendre la peau du visage, du corps et/ou du cou plus douce, mieux préparée pour l'application d'un produit notamment de soin, de maquillage, ou auto-bronzant. Ils se présentent généralement sous forme d'émulsions qui contiennent comme particules exfoliantes de la poudre de polyéthylène, de fines particules de quartz, de noyaux ou de graines végétales (coques de noix par exemple). Ces particules ont généralement un diamètre médian en nombre D50 allant de 300 µm à 800 µm.
Du fait de leur dureté, de leur forme plus ou moins contrôlée, et/ou de la taille même des particules exfoliantes utilisées, les produits exfoliants connus présentent généralement l'inconvénient d'être abrasifs, irritants et d'être mal supportés par les peaux sensibles, les peaux les plus fragiles et fines comme celles du contour des yeux. En outre, ces produits classiques peuvent provoquer des dessèchements de la peau notamment par suite d'une élimination trop forte de la barrière hydrolipidique protectrice de l'épiderme, ce qui nécessite, après leur utilisation, l’application d'une crème nutritive, protectrice et/ou hydratante.
De plus, malgré toutes les précautions prises lors de l’application de ces formules pour éviter le contour des yeux, on a également pu observer dans certains cas des problèmes d’intolérance oculaire.
La présente invention a donc pour objectif de fournir une composition cosmétique performante dans les trois utilisations : nettoyant, masque, exfoliant ; qui soit également stable, à effet sensoriel plus doux qu’abrasif à l’application, et sans risque ophtalmologique.
En particulier, la présente invention vise à obtenir une composition cosmétique de viscosité et de texture suffisantes pour assurer une mise en suspension efficace de charges exfoliantes spécifiques, permettant un nettoyage en profondeur de la peau, une absorption optimale des impuretés de la peau, et un gommage ou une exfoliation efficace, qui soit bien tolérée par les peaux même sensibles, et présentant une bonne tolérance oculaire.
L'invention a donc pour objet une composition aqueuse cosmétique, en particulier de soin de la peau, comprenant au moins :
- une argile,
- un tensioactif anionique,
- un gélifiant hydrophile,
- un amidon,
- une cellulose, et
L’invention a en particulier pour objet l’utilisation cosmétique d’une telle composition à titre de :
- de masque de soin de la peau à rincer,
- de nettoyant moussant de la peau à rincer,
- d’exfoliant de la peau à rincer,
% en poids A B Silicone thiol (1) 2,50% 2,50% Vinyl terminated diphenylsiloxane)-dimethylsiloxane copolymer (2) 2,50% - Silicone à groupement terminaux acrylate (5) - 2,50% 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenyl phosphine oxide (3) 0,2% 0,2% Amodimethicone (4) 1,88% 1,88% Isododécane Qs 100% Qs 100%
(1) vendue sous la dénomination KF2001 par la société SHIN ETSU (formule IV avec R1= C3H6 et R2 = CH3)
(2) vendue sous la dénomination PDV-0325par la société GELEST
(3) Speedcure TPO de LAMBSON
(4) BELSIL ADM 1370 de WACKER
(5)vendue sous la dénomination X-62-7943 par la société SHIN ETSU
On applique les compositions A et B décrites dans le tableau ci-avant sur des mèches de cheveux SA20 sensibilisés et décolorés selon le protocole suivant : Lavage avec un shampooing DOP, rinçage et essorage Application des compositions avec rapport de bain : de 0,05 g de formule par gramme de cheveux Séchage au sèche-cheveux Activation avec un outil lumière de 4W/cm2 à 2 cm/s à 405 nm
On a constaté que la composition A selon l’invention conduisait à une rémanence aux shampoings des propriétés de démêlage et de lisse au toucher après 5 shampoings contrairement à la composition comparative contenant une silicone vinyl acrylate.
Les spectres IR ont montré la présence de silicones sur les mèches traitées avec la composition A après 5 shampooings alors qu’il y en a nettement moins pour les mèches traitées avec la composition B.
On a constaté que la composition A selon l’invention (silicone vinyle non avrylate) conduisait à une rémanence aux shampoings des propriétés de démêlage et de lisse au toucher après 10 shampoings contrairement à la composition comparative contenant une silicone vinyl acrylate.
Les spectre IR ont montré la présence de silicones sur les mèches traitées avec la composition A après 5 shampooings alors qu’il y en a nettement moins pour les mèches traitées avec la composition B.
% en poids MA A Silicone thiol (1) 2,50% Vinyl terminated diphenylsiloxane)-dimethylsiloxane copolymer (2) 2,50% 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (3) 0,2% BIS-CETEARYL AMODIMETHICONE (4) 1,88% Dodécaméthylpentasiloxane Qs 100%
Les textures préférentielles, associées au fort dopage, permettent l’obtention d’un substrat support 20 répondant aux spécifications physiques, mécaniques et électriques attendues dans la structure composite 100, à savoir, une excellente planéité (faible courbure), une faible résistivité électrique et une très bonne conductibilité thermique.
Le procédé comprend une première étape a) de fourniture d’un substrat support 20 en carbure de silicium polycristallin présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : le coefficient de texture C 422 est inférieur à 40%, et la somme des coefficients de texture C 220 +C 200 +C 400 est supérieure à 50%.
Préférentiellement, pour adresser les applications d’électronique de puissance, le substrat support 20 présente un dopage à l’azote ou au phosphore permettant d’atteindre une résistivité électrique inférieure ou égale à 10 mOhm.cm, à 5 mOhm.cm, voire inférieure à 3 mOhm.cm.
L’étape a) met en œuvre une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition »). Cette technique fait intervenir un mélange gazeux comprenant au moins un gaz précurseur de silicium (tel qu’un silane ou un chlorosilane) et/ou au moins un gaz précurseur de carbone (tel qu’un alcane ou un alcène), et/ou au moins un gaz précurseur de silicium et de carbone (tel que le méthyltrichlorosilane, abrégé MTCS), et, si nécessaire, au moins un gaz dopant. Dans le cas d’un dopage à l’azote, le gaz dopant pourra par exemple être le NH 3 , le N 2 H 4 , le N 2 ). Notons que le gaz dopant peut aussi être un précurseur de carbone et/ou de silicium (par exemple une amine telle que le H 2 NCH 3 ). Ces gaz peuvent être dilués dans un gaz porteur, qui peut être un gaz réducteur tel que l’hydrogène et/ou un gaz inerte tel que l’argon. A partir de ce mélange gazeux, la couche de SiC polycristallin se forme sur un substrat dit de croissance.
Ce mélange gazeux est admis dans un réacteur se trouvant à haute température où les gaz précurseurs sont décomposés et réagissent sur la surface du substrat de croissance, préférentiellement en graphite isostatique à grain fin et purifié, pour former le polytype 3C-SiC dont les propriétés de résistance mécanique et thermique, le coefficient de dilatation thermique et la pureté sont parfaitement compatibles avec les spécifications de la structure composite 100. Le polytype 3C-SiC, par ailleurs, peut être dopé avec de l’azote jusqu’à des niveaux très élevés, typiquement 10 20 atomes/cm 3 , et présenter ainsi une résistivité inférieure à 10mOhm.cm, sans dégradation de la qualité du substrat qui serait préjudiciable à la qualité de la structure composite et ultérieurement aux performances des composants microélectroniques. Enfin, c’est un matériau capable de résister aux procédés à hautes températures que devra subir le substrat support 20 pendant la fabrication de la structure composite 100 et des composants.
La température du réacteur lors du dépôt par CVD du SiC doit se situer entre environ 1000°C et environ 1600°C, préférentiellement entre environ 1100°C et environ 1400°C, voire entre environ 1200°C et environ 1400°C. Dans cette plage de température, les vitesses de dépôt peuvent évoluer dans des plages assez larges, du micromètre/h à plus de 100 micromètres/h. Avantageusement, la pression totale dans le réacteur ne dépasse pas 350 mbar, voire 300 mbar.
A titre d’exemple, pour obtenir un substrat support 20 de diamètre 150 mm, le dépôt est réalisé sur un cylindre de graphite en forme de disque, de diamètre approchant un nominal de 150 mm et d’épaisseur supérieure à 2 mm pour assurer une planéité suffisante du substrat. Le réacteur peut comprendre une pluralité de ces disques, dont le diamètre peut être identique ou différent. Les deux faces des disques ont de préférence une planéité < 15 µm, obtenue par un usinage suffisamment précis. Le coefficient de dilatation thermique du graphite isostatique est choisi judicieusement pour être compatible avec la couche de p-SiC lors du refroidissement après dépôt. Un substrat commercialisé par la société MERSEN sous la désignation « grade 2303 » peut être utilisé.
A l’issue du dépôt, le substrat de croissance en graphite, revêtu par une couche de dépôt de p-SiC, est usiné, puis oxydé à l’air typiquement à 900°C pour éliminer tout résidu de graphite. Notons que le retrait du graphite pourrait également être opéré par des techniques d’usinage uniquement mécaniques ou encore essentiellement par brulage/oxydation. Un disque de p-SiC brut est récupéré pour chaque face d’un substrat de croissance et présente une courbure du fait de la relaxation des contraintes de la couche déposée.
Le disque brut en p-SiC (éventuellement après avoir été débarrassé, au moins sur sa face qui était en contact avec le substrat de croissance, d’une épaisseur de matière d’environ 100 µm ou plus) est doté de caractéristiques cristallographiques particulières, à savoir une orientation cristalline préférentielle qui est caractérisée sur chacune de ses deux faces par : un coefficient de texture C 422 est inférieur à 40 %, de préférence inférieur à 30%, et un coefficient de texture C 220 est supérieur à 50 %, et de préférence supérieur à 60%, voire supérieur à 80 %.
Un traitement thermique est ensuite appliqué au disque brut en p-SiC, dans une gamme de températures allant de 1800°C à 2300°C. Lors de ce traitement thermique, le disque brut est avantageusement maintenu à plat sur une surface plane. Ce traitement thermique conduit à une modification spécifique de la taille des grains p-SiC et de leur orientation cristallographique, qui n’est observée que dans le cas où le disque brut présente les caractéristiques cristallographiques spécifiques précitées, après dépôt. Ce traitement thermique est effectué à une température comprise entre 1800°C et 2300°C, préférentiellement comprise entre 1850°C et 2200°C, plus préférentiellement comprise entre 1900°C et 2150°C, et encore plus préférentiellement comprise entre 1950°C et 2150°C. Sa durée est avantageusement d’au moins 10 minutes, et se situe avantageusement entre environ 1 heure et environ 12 heures, et de préférence entre environ 2 heures et environ 9 heures. Une durée trop longue peut conduire à une recristallisation non souhaitée, avec une durée trop courte le traitement thermique peut être inefficace.
Le disque p-SiC brut subit ensuite des amincissements par rectification grossière puis fine. Ces étapes de rectification, connues de l’état de la technique, visent notamment à éliminer une épaisseur suffisante (au moins 100 μm) du côté de la face du disque qui était en contact avec le graphite, pour retirer la zone de croissance initiale des cristaux, génératrice de fortes contraintes. Elles permettent également, par enlèvement de matière sur les deux faces du disque brut, d’obtenir un disque de p-SiC intermédiaire qui présente une deuxième épaisseur, proche de l’épaisseur finale visée pour le substrat support 20, et une faible déformation. Cette deuxième épaisseur est typiquement inférieure à 550 μm, préférentiellement comprise entre 350 μm et 450 μm.
Les solutions de l’art antérieur ne sont pas totalement satisfaisantes car elles consistent généralement à juxtaposer des conteneurs ce qui conduit à des ensembles de compartiments habitables de formats constants.
Afin de remédier à ces inconvénients, la présente invention concerne selon son acception la plus générale une construction modulaire à base de conteneur caractérisée en ce qu’elle est formée par une paire de conteneurs disposés parallèlement, réunis par une couverture fermant l’espace séparant lesdits conteneurs et optionnellement par au moins une face arrière assurant la fermeture du fond ainsi.
Avantageusement, ladite construction modulaire comporte en outre une cloison de fermeture de la face avant s’étendant entre les parois intérieures de ladite paire de conteneurs.
Selon une variante, l’un au moins des conteneurs présente une face intérieure découpée pour former un passage entre l’intérieur dudit conteneur et l’espace compris entre les deux conteneurs.
Avantageusement, lesdits conteneurs constituent des espaces d’habitation ou de stockage complémentaires.
Avantageusement, les assemblages sont réalisés par des verrous tournants.
la représente une vue de dessus d’une construction selon l’invention.
La construction est constituée de deux conteneurs (1, 2) de type contenaires maritimes. Ces conteneurs (1, 2) sont posés sur une dalle bétonnée par exemple ou sur des calles en bois ou autres matériaux. Ils délimitent un espace intérieur (10) dont la dimension et notamment la largeur peut être modulée facilement en écartant ou rapprochant les conteneurs (1, 2). L’espace arrière est fermé par une cloison (3), par exemple un panneau métallique. La face avant est fermée par une autre cloison (4) présentant une ouverture (5) refermable par une porte par exemple. Les faces intérieures des conteneurs (1, 2) peuvent également être traversées par des ouvertures (6, 7) de telle sorte que les conteneurs (1, 2) forment des espaces de stockage ou d’habitation.
La construction pourrait être limitée à une surface couverte ouverte mais non fermée avec des zones de stockage/ateliers dans les dits containers. L’espace couvert pourrait servir d’abris pour engins de chantier, ou du foin par exemple…
Les containers peuvent être superposés sur plusieurs hauteurs, avec une couverture fermant l’espace entre les deux conteneurs supérieurs.
La face arrière peut aussi être constituée par un conteneur disposé transversalement.
L’assemblage est réalisé par des verrous tournants (en anglais « twist lock »). Le verrou tournant se loge dans le coin du conteneur, une pièce femelle possédant un trou ovale de 12,44 cm de diamètre. Le verrou tournant lui-même est une pièce mâle, soit fixée sur les grues et les transporteurs (par exemple sur le pont des navires), soit amovible pour relier deux conteneurs entre eux. Le twist-lock est long de 10 cm et large de 5,6 cm environ, avec un sommet pointu pour faciliter son insertion. Une fois tourné (twisted en anglais) de 90°, il se verrouille (lock en anglais) et ne peut être enlevé à moins de le tourner à nouveau de 90°.
Elément de châssis pour la réalisation d’un espace de vie tel qu’une pergola et étrier de renfort pour un tel élément de châssis La présente invention concerne un élément de châssis pour la réalisation d’un espace de vie placé à l’extérieur d’une habitation ou d’un bâtiment, tel qu’une pergola.
On entend par cycle de charge une séquence de charge, c’est-à-dire de 0% à 100% de SOC, ou plus généralement dans le cas de véhicules électrifiés de 10% à 90% SOC. Un cycle de charge peut se définir aussi par l’instant de déclenchement d’une charge jusqu’à l’arrêt et débranchement de la source d’énergie.
La caractérisation des cellules consiste à déterminer par des techniques expérimentales connues de l’homme du métier dans le domaine des cellules électrochimiques les paramètres caractéristiques des cellules en fonctionnement, tels la résistance interne et l’OCV. Par exemple, la résistance interne peut être cartographiée grâce à la technique dite d’interruption de courant (« Current interrupt technique », CI) présente dans le logiciel EC-lab de BioLogic ®. L’OCV peut être cartographiée par la mesure de la tension à différent états de charge dans des conditions de température donnée. Les paramètres de caractérisation sont enregistrés en mémoire de l’unité de commande de la batterie et déterminable à chaque instant.
Par exemple, on peut déterminer l’OCV à chaque instant à partir d’une cartographie prenant en entrée une estimation de l’état de charge et la résistance interne à partir d’une cartographie prenant en entrée une mesure de la température et une estimation de l’état de charge.
Les fonctions de contrôle de l’unité de commande 5 et du dispositif de charge 3 peuvent être mises en œuvre sous la forme de modules logiciels (ou informatiques (ou encore « software »)), ou bien de circuits électroniques (ou « hardware »), ou encore d’une combinaison de circuits électroniques et de modules logiciels comme par exemple des circuits de type ASIC (« Application Specific Integrated Circuit » en anglais), ou DSP (« Digital Signal Processor » en anglais).
Le dispositif de charge 3 est configuré pour la mise en œuvre du procédé de charge impulsionnelle selon l’invention comportant deux phases permettant d’assurer un cycle de charge complet dans une durée prédéterminée tout en limitant les effets de vieillissement des cellules.
Les figures 3 et 4 décrivent deux modes de réalisation du procédé de charge pour un cycle de charge entre 10% du SOC et 90% du SOC. La première phase E1 à paliers de tension et la deuxième phase E2 à impulsions de tension consistent à piloter un profil de tension à paliers de tension ou impulsions de tension d’amplitude contrôlée selon la relation suivante :
[Math 3] :
Où, V( SOCi ) est l’amplitude en tension d’un palier calculée à l’instant d’un pas de calcul i, Vocv (SOC i ) est l’estimation de la tension à vide en fonction de l’état de charge de l’élément de stockage au pas i exprimée en Volt, Ri est l’estimation de la résistance interne de l’élément de stockage au pas i exprimée en milliohms, n est le coefficient déterminant la durée prédéterminée de charge en heure, Q nominal est la capacité nominale de l’élément de stockage en mAh.
Par exemple, le coefficient n a une valeur de 1/3 pour une durée de charge voulue de 20 minutes pour un cycle de charge complet d’un élément de stockage d’énergie.
La valeur de l’amplitude de tension est judicieusement contrôlée au fil du cycle de charge en fonction d’une première composante dépendante du suivi de la tension à vide OCV et de la deuxième composante visant d’une part à compenser les pertes ohmiques liées à la variation d’état de charge d’une cellule et d’autre part à limiter la durée du cycle de charge. Ce contrôle de tension permet de piloter le profil de courant de charge de sorte que le cycle de charge complet se déroule dans le temps recherché.
Plus précisément, la première phase s’initie dès le début du cycle de charge. L’état de charge initial de déclenchement de la première phase peut être situé entre 0% et 70% du SOC de l’élément de stockage d’énergie, de préférence la première phase se déclenche quand le SOC est au moins égal ou supérieur à 10%. Généralement, en application automobile on interdit la décharge de la batterie sous un SOC de 10%. Par conséquent, la première phase à profil de tension piloté selon l’amplitude définie par la relation Math 3 est donc appliquée dès le déclenchement d’un cycle de charge. Néanmoins, sous 10% de SOC, il peut être prévu un contrôle de charge à courant continu du fait de la résistance interne élevée dans cette zone de fonctionnement d’une cellule, par exemple à un ratio de vitesse de charge de 0,5 C-rate.
En référence aux figures 3 et 4, dans cet exemple du protocole, la première phase E1 comporte 5 pas ou paliers de calcul, référencés S1, S2, S3, S4 et S5, et la deuxième phase E2 comporte deux pas ou paliers de calcul référencés S6 et S7. D’autres quantités de pas sont envisageables pour un cycle de charge, pouvant être compris entre 5 et 100 par exemple.
Dans la première phase E1, les paliers de tension évoluent de manière croissante et ces paliers se succèdent de préférence sans incorporer des phases de relaxation, présentant donc un profil de tension en forme d’escalier. Toutefois, on envisage que la première phase E1 puisse comprendre en outre des phases de relaxation entre chaque palier, comme cela est montré en .
La tension du premier palier S1 peut être comprise entre 3,7 Volts et 3,9 Volts. La première phase E1 se finalise lorsque l’amplitude d’un palier de tension pilotée par le dispositif de charge 3 et calculée selon la relation Math 3 devient égale ou supérieure au seuil de tension maximal Smax. Smax correspond à la valeur de tension maximale autorisée de la cellule ou de la batterie, désignée par le terme anglais « upper cutt-off voltage ». Ce seuil Smax est déterminé par le fabricant de la cellule d’énergie chargée et dépend principalement de la chimie. Pour une cellule individuelle de type NMC, ce seuil Smax est généralement proche de 4,2 volts.