Circuit de modulation de largeur d'impulsion (405) d'une alimentation à découpage (400) formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique (101) ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium (102), ledit circuit étant adapté à commander un transistor de puissance (404) de ladite alimentation à découpage. Circuit selon la revendication 1, comprenant un premier circuit comparateur (505) d'une première tension (Vsense500) représentative d'un courant de drain dudit transistor et d'un courant de rétroaction (IFB400) de ladite alimentation à découpage. Circuit selon la revendication 2, dans lequel ledit premier circuit comparateur (505) est adapté à rendre ledit transistor (404) non conducteur si ladite première tension (Vsense500) est supérieure à une première tension de seuil (VthIMAX505). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant, en outre, un deuxième circuit comparateur (506) de ladite première tension (Vsense500) représentative du courant de drain dudit transistor (404) et d'un courant de rétroaction (IFB400) de ladite alimentation à découpage. Circuit selon la revendication 4, dans lequel ledit deuxième circuit comparateur (506) est adapté à rendre ledit transistor (404) non conducteur si ladite première tension (Vsense500) est inférieure à une deuxième tension de seuil (VthOV506). Circuit selon la revendication 4 ou 5, comprenant, en outre, un premier circuit de filtrage (507) permettant de ne prendre en compte un résultat dudit deuxième circuit comparateur (506) uniquement pendant une phase de non-conduction dudit transistor de puissance (404). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, en outre, un troisième circuit comparateur (508) de ladite première tension (Vsense500) représentative du courant de drain dudit transistor (404) et d'un courant de rétroaction (IFB400) de ladite alimentation à découpage. Circuit selon la revendication 7, dans lequel ledit troisième circuit comparateur (508) est adapté à rendre ledit transistor (404) non conducteur si ladite première tension (Vsense500) est supérieure à une troisième tension de seuil (VthOP508). Circuit selon la revendication 7 ou 8, comprenant, en outre, un deuxième circuit de filtrage (509) permettant de ne prendre en compte un résultat dudit troisième circuit comparateur (509) uniquement pendant une phase de non-conduction dudit transistor de puissance (404). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant, en outre, un circuit oscillant (504) adapté à fournir une tension d'horloge (CK500). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant, en outre, un circuit logique (503) adapté à recevoir au moins une tension d'horloge (CK500), et au moins une tension de comparaison (VCompIMAX505, VCompOV506, VCompOP508). Circuit selon la revendication 11, comprend, en outre un circuit de pilotage (502) dudit transistor de puissance (404) adapté à recevoir une tension de commande dudit circuit logique (503). Commutateur de puissance (403 ; 500) comprenant un transistor de puissance (404) adapté à recevoir une tension maximale de 650 V entre son drain et sa source, et un circuit de modulation en largeur d'impulsion (405) selon l'une quelconque des revendications 1 à 12. Commutateur selon la revendication 13, dans lequel ledit transistor de puissance est un transistor (404) de type HEMT de type e-mode. Alimentation à découpage (400 ; 2700) comprenant le commutateur de puissance (403 ; 500) selon la revendication 13 ou 14