Dispositif électronique (10, 30) comprenant des première (12', 12, 84, 136) et deuxième (12, 32, 44, 138) résistances diffusées en contact l'une avec l'autre de manière à former une jonction PN, le dispositif étant configuré pour que la différence de potentiel entre les première et deuxième résistances soit constante en tout point de la jonction PN, le dispositif étant configuré pour que la jonction PN soit polarisé en inverse. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacune des première (12', 12, 84, 136) et deuxième résistances (12, 32, 44, 138) diffusées est constituée de matériaux semiconducteurs dopés, les première (12', 12, 84, 136) et deuxième (12, 32, 44, 138) résistances diffusées étant dopées de types de conductivité opposés. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel : - la première résistance (12', 84) comprend une première couche (16) enterrée dans un substrat (14) et des premiers caissons (18), les premier caissons (18) s'étendant à partir de la périphérie de la première couche (16) vers une première face du substrat (14), la première couche (16) et les premiers caissons (18) étant en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité ; et - la deuxième résistance (12) comprend une deuxième couche (26) reposant sur la première couche (16), la deuxième couche (26) étant en un matériau semiconducteur dopé d'un deuxième type de conductivité. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel : - la deuxième résistance (32) comprend une troisième couche (36) semiconductrice dopée d'un premier type de conductivité, la troisième couche (36) affleurant une face supérieure d'un substrat (14) ; et - la première résistance (12) comprend une deuxième couche (26) en un matériau semiconducteur dopé d'un deuxième type de conductivité, la troisième couche (36) reposant sur la deuxième couche (26). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le dispositif comprend en outre une troisième résistance (12'), la troisième résistance (12') comprenant une première couche (16) enterrée dans le substrat (14) et des premiers caissons (18), les premiers caissons (18) s'étendant à partir de la périphérie de la première couche (16) vers la première face du substrat (14), la première couche (16) et les premiers caissons (18) étant en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, la première couche (16) et les premiers caissons (18) délimitant la deuxième couche (26). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la jonction PN entre la première (12) et la troisième résistance (12') est configurée pour être polarisée en inverse. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel : - la première résistance (136) comprend un caisson semiconducteur (132) dans un substrat (14), le caisson étant dopé du type opposé au type de dopage du substrat ; et - la deuxième résistance (138) comprend une troisième couche (36) semiconductrice dopée du type opposé au type de dopage du caisson, la troisième couche (36) affleurant une face supérieure d'un substrat (14). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chacune des résistances (12, 12', 32) comprend une première extrémité (A1, B1 C1) et une deuxième extrémité (A2, B2, C2), chaque résistance comprenant, au niveau des première et deuxième extrémités, une région semiconductrice (20, 24, 38), plus fortement dopée que le reste de la résistance, constituant une borne de ladite résistance. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque première (12', 12, 84, 136) et deuxième (12, 32, 44, 138) résistance comprend des première (A1, B1, C1) et deuxième (A2, B2, C2) bornes, les deuxièmes bornes (A2, B2, C2) des première (12', 12, 84, 136) et deuxième (12, 32, 44, 138) résistances étant reliées à un même premier noeud (50) d'application d'une tension de référence. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le dispositif comprend un circuit de commande configuré pour fournir les potentiels sur les bornes des première (12', 12, 84, 136) et deuxième (12, 32, 44, 138) résistances. Dispositif selon les revendications 8 et 10, dans lequel le circuit de commande comprend un premier transistor (82) relié en série avec la première résistance (84) entre un deuxième noeud (48) d'application d'une tension d'alimentation et le premier noeud (50) et un deuxième transistor (46) relié en série avec la deuxième résistance (44) entre le deuxième noeud et le premier noeud, les premier et deuxième transistors étant montés en diode. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel le premier transistor (82) a un ratio largeur sur longueur de canal égale au ratio largeur sur longueur de canal du deuxième transistor (46) multiplié par le quotient de la valeur de la deuxième résistance (12, 32, 44, 138) sur la valeur de la première résistance (12', 12, 84). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le dispositif étant configuré pour que la différence de potentiel entre les première et deuxième résistances soit nulle en tout point de la jonction PN. Procédé de commande d'un dispositif (10, 30) comprenant des première (12', 12, 84 , 136) et deuxième (12, 32, 44, 138) résistances diffusées en contact l'une avec l'autre de manière à former une jonction PN, la différence de potentiel entre les première et deuxième résistances étant constante en tout point de la jonction PN, le procédé comprenant une étape de polarisation de la jonction PN en inverse. Procédé selon la revendication 14, appliqué à un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13. Capteur comprenant un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, le capteur étant configuré pour qu'une valeur de mesure du capteur soit dépendante de la valeur de résistance de la deuxième résistance (12, 32, 44, 138).