Appareil pour la production du silicium de pureté 3N ou supérieure, l’appareil comprenant un dispositif de production de silicium de pureté 2N incluant : une enceinte (2) étanche raccordée à au moins une pompe d’aspiration pour générer une dépression à l’intérieur de l’enceinte (2) lorsque la pompe d’aspiration est activée, un four à arc électrique (1) logé à l’intérieur de l’enceinte (2) étanche, le four à arc (1) incluant une cuve (11) pour contenir un mélange de matières premières, et un ensemble d’électrodes (12) configurées pour chauffer ledit mélange afin de produire le silicium de pureté 2N, caractérisé en ce que l’appareil comprend en outre un dispositif de purification pour l’obtention de silicium de pureté 3N, ledit dispositif de purification comportant une poche de coulée (4) et un brasseur électromagnétique (5) en aval de la poche de coulée : la poche de coulée (4) incluant : un réservoir (41) adapté pour contenir un bain de silicium à l’état liquide, ledit bain étant composé du silicium de pureté 2N issu du dispositif de production, une buse (43) d’injection pour injecter un gaz dans le bain de silicium à l’état liquide, l’injection du gaz permettant d’obtenir un silicium liquide affiné ayant une pureté supérieure au silicium de pureté 2N issu du dispositif de production, un filtre (44) disposé en amont du brasseur électromagnétique (5) pour filtrer le silicium liquide affiné, le filtrage permettant d’obtenir un silicium liquide filtré ayant une pureté supérieure au silicium liquide affiné, et le brasseur électromagnétique (5) étant configuré pour recevoir le silicium filtré liquide et pour le solidifier à une vitesse de solidification supérieure ou égale à 5 cm/h, préférentiellement supérieure ou égale à 10 cm/h, la solidification permettant d’obtenir une cloche de silicium solide purifié formant le silicium de pureté 3N ou supérieure. Appareil selon la revendication 1, dans lequel le brasseur électromagnétique comprend un agitateur mécanique et/ou un brasseur inductif pour induire un déplacement du silicium filtré liquide à une vitesse supérieure ou égale à 1 m.s. Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le filtre (44) comprend des pores dont les dimensions sont comprises entre 75 micromètres et 3 millimètres, préférentiellement entre 100 micromètres et 2.5 millimètres, et encore plus préférentiellement entre 500 micromètres et 2 millimètres. Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la poche de coulée inclut en outre un système de chauffage configuré pour maintenir le bain de silicium à l’état liquide contenu dans le réservoir (41) à une température supérieure ou égale à 1600°C, préférentiellement supérieure ou égale à 1700°C. Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la buse (43) est alimentée en gaz par une source d’alimentation configurée pour injecter ledit gaz à un débit compris entre 2 et 10m 3 /h. Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le brasseur électromagnétique (5) est dépourvu d’isolant thermique pour induire le refroidissement du bloc de silicium solide purifié à une vitesse comprise entre 150°C/h et 500°C/h, préférentiellement comprise entre 200°C/h et 300°C/h. Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le dispositif de production de silicium de pureté 2N comprend en outre une unité de contrôle configurée pour : lors d’une étape de prétraitement : diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur inférieure à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage résistif du mélange de matières premières, lors d’une étape de carboréduction : augmenter la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, puis lorsque la température du mélange est supérieure à 2000°C : maintenir la pression à l’intérieur de l’espace clos à la valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, maintenir le chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, lors d’une étape de posttraitement : diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur inférieure à la pression atmosphérique. Procédé pour la production de silicium de pureté 3N ou supérieure, le procédé comprenant : une phase de production de silicium de pureté 2N à partir d’un dispositif de production incluant une enceinte (2) étanche raccordée à une pompe d’aspiration, et un four à arc électrique (1) logé à l’intérieur de l’enceinte (2) étanche, la phase de production comportant les étapes suivantes : charger une cuve (11) du four à arc électrique (1) avec un mélange de matières premières, générer une dépression à l’intérieur de l’enceinte (2) en activant la pompe d’aspiration, chauffer le mélange en utilisant un ensemble d’électrodes (12) du four à arc (1) de sorte à produire le silicium de pureté 2N, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre et une phase de purification pour l’obtention du silicium de pureté 3N à partir d’un dispositif de purification incluant une poche de coulée (4) et un brasseur électromagnétique (5) en aval de la poche de coulée (4), ladite phase de purification comportant les étapes suivantes : d’injection, en utilisant une buse (43) d’injection de la poche de coulée (4), d’un gaz dans un bain de silicium à l’état liquide composé du silicium de pureté 2N issu du dispositif de production, ledit bain étant contenu dans un réservoir (41) de la poche de coulée (4), l’injection du gaz permettant d’obtenir un silicium liquide affiné ayant une pureté supérieure au silicium de pureté 2N issu du dispositif de production, de filtrage, en utilisant un filtre (44) disposé en amont du brasseur électromagnétique (5), du silicium liquide affiné pour obtenir un silicium liquide filtré ayant une pureté supérieure au silicium liquide affiné, et de solidification, en utilisant le brasseur électromagnétique (5), du silicium filtré liquide à une vitesse de solidification supérieure ou égale à 5 cm/h, préférentiellement supérieure ou égale à 10 cm/h. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l’étape de solidification comprend une sous-étape consistant à brasser le silicium filtré liquide à une vitesse supérieure ou égale à 1 m.s. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 ou 9, dans lequel l’étape de filtrage consiste à faire circuler le silicium liquide affiné au travers d’un filtre (44) ayant des pores dont les dimensions sont comprises entre 75 micromètres et 3 millimètres, préférentiellement entre 100 micromètres et 2.5 millimètres, et encore plus préférentiellement entre 500 micromètres et 2 millimètres. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel durant l’étape d’injection, le gaz est injecté dans le bain de silicium liquide à un débit comprise entre 2 et 10m 3 /h. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel la phase de production de silicium de pureté 2N comprend les étapes suivantes : une étape de prétraitement incluant les sous-étapes consistant à : diminuer la pression à l’intérieur de l’enceinte à une valeur inférieure à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage résistif du mélange de matières premières, une étape de carboréduction incluant les sous-étape consistant à : augmenter la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, puis lorsque la température du mélange est supérieure à 1500°C : maintenir la pression à l’intérieur de l’espace clos à la valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, maintenir le chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, une étape de posttraitement incluant une sous-étape consistant à diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos.