Pointe en silicium apte à être disposée à une extrémité d’un élément de liaison (C) caractérisée en ce que ladite pointe comporte une première partie (PT) et une seconde partie (ZI) disposée entre ladite première partie (PT) et l’élément de liaison (C), ladite première partie (PT) ayant une forme tétraédrique présentant une section triangulaire dont une hauteur est continument variable, ladite seconde partie (ZI) ayant une section (S ZI ) non triangulaire et en ce que, à l’interface entre la première partie (PT) et la seconde partie (ZI) de la pointe (P), la hauteur (H PT ) de la section (S PT ) triangulaire de la première partie (PT) est inférieure à une largeur (Wc) de l’élément de liaison (C). Pointe en silicium selon la revendication 1, dans laquelle la seconde partie (ZI) comprend une première portion (ZI 1 ) s’étendant à partir de l’élément de liaison (C) et une seconde portion (ZI 2 ) disposée entre la première portion (ZI 1 ) et la première partie (PT). Pointe en silicium selon la revendication 2, dans laquelle la première portion (ZI 1 ) comprend un plan incliné (P ZI1 ), ledit plan incliné s’étendant entre l’élément de liaison (C) et la seconde portion (ZI 2 ). Sonde comportant : - un support ; - un élément de liaison (C) s’étendant à partir du support ; - une pointe en silicium selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, ladite pointe en silicium étant disposée à une extrémité de l’élément de liaison (C), à l’opposé du support. Sonde selon la revendication 4, dans laquelle l’élément de liaison (C) comporte une portion principale (C y ) reliée au support et une portion (C x ) de réduction en largeur prolongeant la portion principale (C y ). Sonde selon la revendication 4, dans laquelle la portion de réduction (C x ) comporte un premier plan incliné (P1 Cx ) s’étendant à partir de la portion principale (C y ) et un second plan incliné (P2 Cx ) s’étendant à partir du premier plan incliné (P1 Cx ) jusqu’à la sonde (ZI, PT), l’inclinaison du premier plan incliné (P1 Cx ) étant différente de l’inclinaison du second plan incliné (P2 Cx ). Sonde selon la revendication 4, dans laquelle le second plan incliné (P2 Cx ) a une même inclinaison que le plan incliné (P ZI1 ) de la première portion (ZI 1 ) de la seconde partie (ZI) de la pointe. Sonde selon l’une des revendications 6 ou 7, dans laquelle la première partie (PT) de la pointe comprend un plan incliné (P PT ), ledit plan incliné (P PT ) ayant une même inclinaison que le premier plan incliné (P1 Cx ) de la portion de réduction (C x ). Microscope à sonde locale comportant une sonde selon l’une quelconque des revendications 4 à 8. Procédé de fabrication d’une pointe en silicium dans un substrat SOI, ledit substrat comportant une couche inférieure (HL) de silicium d’épaisseur comprise entre 150 µm et 700 µm, une couche d’oxyde (BOX) SiO 2 reposant sur la couche inférieure (HL), ladite couche d’oxyde (BOX) ayant une épaisseur comprise entre 0,2 µm et 2 µm, une couche supérieure (DL) de silicium d’épaisseur E et reposant sur la couche d’oxyde (BOX), ledit procédé de fabrication comprenant : - une étape de gravure (E1) d’une préforme à travers la couche supérieure (DL) de silicium jusqu’à la couche d’oxyde (BOX), ladite préforme ayant une première partie (PF), s’étendant selon une première direction, destinée à former ladite pointe et une seconde partie, reliée à ladite première partie, s’étendant selon une seconde direction destinée à former un élément de liaison (C) pour une liaison de la pointe avec un support ; - une étape (E2) d’encapsulation de la préforme dans une gaine d’oxyde par oxydation thermique et/ou dépôt d’oxyde ; - une étape (E3) d’ouverture dans la gaine d’oxyde à l’aide d’un masque comportant une fenêtre (FO) rectangulaire ouvrant sur une zone de la préforme de sorte à mettre à jour une surface supérieure de la couche supérieure (DL) de silicium du substrat SOI sans retirer de l’oxyde sur des parties verticales de ladite préforme ; - une étape (E4) de gravure chimique de la couche supérieure (DL) de silicium à travers ladite fenêtre (FO) rectangulaire, ladite couche supérieure (DL) étant gravée avec une pente ; - une étape (E5) de gravure de l’oxyde autour de la préforme, ledit procédé de fabrication étant caractérisé en ce que la première partie (PF) de la préforme a une première largeur W PF , ladite première largeur W PF étant inférieure à E/√2 et/ou ledit procédé de fabrication étant caractérisé en ce que la fenêtre rectangulaire (FO) du masque ouvre sur l’ensemble de la première partie (PF) de ladite préforme et ouvre partiellement sur la seconde partie de ladite préforme. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel l’étape (E3) d’ouverture comprend une étape supplémentaire (E3b) dans laquelle on vient graver partiellement et localement tout ou partie de la première partie (PF) de la préforme.