INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’au moins un cendrier soit repose directement sur le support de grille en dessous de la grille de foyer (ce qui implique que le poids des cendres est pris en compte par le dispositif de pesée), soit est disposé sous la grille de foyer mais en étant indépendant du support de grille (par exemple, relié au bâti de l’appareil de chauffage) de sorte que son poids n’est pas pris en compte par le dispositif de pesée.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, l’appareil de chauffage comprend en outre un capteur de présence de combustible solide disposé en partie haute de la partie inclinée de la grille de foyer et relié à l’unité de commande, l’unité de commande étant configurée pour détecter un état de foyer de combustion plein lorsque le capteur de présence de combustible solide détecte la présence d’un combustible solide en partie haute de la partie inclinée de la grille de foyer.
Ainsi, le capteur de présence de combustible solide permet de détecter la présence d’un combustible solide en partie haute de la grille de foyer pour s’assurer qu’il y a suffisamment de place dans le foyer de combustion pour recharger un nouveau combustible solide dans celui-ci. Dans le cas où ce capteur détecte la présence d’un combustible solide, alors l’unité de commande empêche le chargement d’un nouveau combustible solide dans le foyer de combustion.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, le foyer de combustion comprend en outre une vanne d’entrée d’air motorisée et une sortie de fumées, l’appareil de chauffage comprenant en outre au moins un premier capteur de température disposé dans le foyer de combustion et relié à l’unité de commande, et au moins un second capteur de température relié à l’unité de commande et configuré pour mesurer la température ambiante à l’extérieur de l’appareil de chauffage, l’unité de commande étant configurée pour ajuster la puissance du feu dans le foyer de combustion, en commandant la vanne d’entrée d’air motorisée et le système de chargement automatique, en fonction des températures mesurées par l’au moins un premier capteur de température et l’au moins un second capteur de température.
La vanne d’entrée d’air motorisée (par exemple, une vanne papillon motorisée) permet ainsi d’ajuster la puissance du feu dans le foyer de combustion, en fonction de la température de flamme mesurée par l’au moins un premier capteur de température dans le foyer de combustion et en fonction de la température ambiante mesurée par l’au moins un second capteur de température (de type thermostat) dans la pièce à chauffer.
La sortie de fumées permet l’évacuation des fumées issues de la combustion dans le foyer de combustion.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, l’appareil de chauffage comprend en outre une porte d’accès au foyer de combustion configurée pour permettre un chargement manuel d’un ou plusieurs combustibles solides dans le foyer de combustion.
Ainsi, l’appareil de chauffage peut être rechargé manuellement si nécessaire, par exemple en cas de coupure de courant.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, l’espace de stockage possède une entrée d’air, de préférence à clapet anti-retour, configurée pour créer une circulation d’air dans l’espace de stockage et le sas d’acheminement en vue de leur refroidissement.
Dans ce cas, les deux portes de sas sont quasi-étanches pour permettre une légère circulation d’air afin de refroidir en permanence l’espace de stockage et le sas d’acheminement, l’entrée d’air permettant de laisser entrer dans l’espace de stockage de l’air frais provenant de la pièce où est installé l’appareil de chauffage.
Dans le cas d’un clapet anti-retour, l’air frais peut alors entrer depuis le bas de l’espace de stockage en cas de dépression, mais ne pourra pas sortir en cas de suppression.
Facultativement, il peut exister une petite connexion d’air entre le sas d’acheminement et le tubage des gaz brûlés (sortie de fumées) ou le foyer de combustion, de manière à mettre en légère dépression le sas d’acheminement.
Selon une caractéristique particulière de l’invention, l’appareil de chauffage est l’un parmi un poêle, une chaudière, un insert de cheminée et un four.
La présente invention a également pour objet un système de chauffage central comprenant au moins un appareil de chauffage tel que décrit ci-dessus.
Un récupérateur d’air chaud pourrait également être greffé à l’appareil de chauffage selon la présente invention afin de récupérer la chaleur de l’appareil de chauffage et la diffuser à l’intérieur de l’habitation. En variante, un radiateur avec fluide caloporteur pourrait également être greffé sur l’appareil de chauffage et relié sur le système de chauffage central de l’habitation.
La représente en coupe longitudinale, partielle et schématique, un dispositif de conditionnement et d’application conforme à l’invention.
La représente isolément, en coupe longitudinale partielle et schématique, l’organe d’essorage du dispositif de la .
La est une vue en élévation, de face, de l’organe d’application.
La est une vue de côté de l’organe d’application, selon la flèche III de la .
La est une vue de dessus de l’organe d’application, selon la flèche IV de la .
La représente isolément, en perspective, l’organe d’application.
Description détaillée On a illustré à la un dispositif 1 de conditionnement et d’application selon l’invention, comportant un applicateur 2 et un récipient 3 contenant une composition cosmétique F à appliquer sur la peau ou les lèvres, par exemple un produit anticerne.
Un organe d’essorage 6 comportant une lèvre d’essorage 6a peut être monté dans le col 4, comme illustré. L’organe d’essorage 6 est illustré isolément à la .
L’applicateur 2, d’axe longitudinal Y, comporte une tige 7 dont une extrémité est reliée au capuchon 5, qui sert d’organe de préhension, et l’autre extrémité porte un organe d’application 10, qui sert à appliquer la composition F sur la peau.
L’organe d’application 10 est représenté isolément sur les figures 2 à 5.
Il comporte un corps 11 prolongé par un embout de fixation 12, destiné à être inséré dans un logement correspondant de la tige 7. Le corps 11 et l’embout 12 peuvent être réalisés par moulage par injection d’une matière thermoplastique, notamment élastomère.
Le corps 11 présente une première facette 20 qui est avantageusement plane, comme illustré, et qui s’étend obliquement par rapport à l’axe longitudinal Y, étant inclinée d’un angle α avec l’axe longitudinal Y du corps, cet angle α étant de l’ordre d’environ 30 à 40° dans l’exemple considéré.
Dans un mode de réalisation, la différence de profondeur H1 entre l’extrémité radialement supérieure du secteur d’anneau interne et la zone aval 312 du motif 31 de la première rangée peut être supérieure ou égale à 0,2 mm, par exemple comprise entre 0,2 mm et 4,0 mm.
Dans le mode de réalisation représenté sur la , le motif 32 de la deuxième rangée de motifs présente une profondeur du motif H5 constante.
La particularité de l’invention réside dans la disposition de ces deux réseaux 6, 7 qui sont disposés du même côté de la couche qubits 2, notamment en regard de la face avant 2a.
Les lignes et colonnes de couplage 61, 62 sont destinées à appliquer un champ électrostatique sur deux portions distinctes de chaque pilier 3, permettant de former deux vannes permettant permettre ou bloquer le passage d’électrons dans le pilier 3 vers la boîte quantique disposé à sa verticale ou à partir de celle-ci. Pour cela, les lignes et colonnes 61, 62 forment avantageusement, avec les diélectriques de flanc 41, deux grilles distinctes au niveau de chaque pilier 3. Afin d’améliorer le couplage des ligne et colonne de couplage 61, 62 avec le pilier 3, il est préférable que la ligne de couplage 61 entoure une première portion annulaire du diélectrique de flanc 41 du pilier 3 et que la colonne de couplage 62 entoure une deuxième portion annulaire du diélectrique de flanc 41 du pilier 3. Les première et deuxième portions annulaires sont préférentiellement placée l’une au-dessus de l’autre (c’est-à-dire selon la direction Z dans la ).
La modulation du champ électrique au niveau de deux portions annulaires distinctes permet de former deux vannes électrostatiques. Les deux vannes doivent être « ouvertes » simultanément pour qu’un électron puisse transiter par le pilier 3. Dans tous les autres cas (une seule des deux ouverte ou les deux vannes fermées), le passage est bloqué. Ce principe permet d’adresser individuellement un pilier 3 (et donc la boite quantique correspondante) avec un minimum d’électrodes de couplage 61, 62.
Les lignes de couplage 61 s’étendent parallèlement à la face avant 2a. Les lignes de couplage 61 sont agencées parallèlement les unes par rapport aux autres. Pour éviter les courts-circuits, les lignes sont distantes les unes des autres. De plus, elles sont agencées pour que chaque ligne 61 soit en contact avec le diélectrique de flanc 41 d’au moins un pilier 3. Dans le mode de réalisation de la , chaque ligne 61 s’étend sur l’espaceur 42 qui s’étend lui-même sur la face avant 2. Elles sont également parallèles les unes aux autres. Dans le mode de réalisation de la , les piliers 3 sont agencés en quinconce selon les directions X et Y. Chaque ligne 61 s’étend également selon la direction Y et entoure (en étant en contact) une portion annulaire du diélectrique de flanc 41 de plusieurs piliers 3, à la base 31 de chaque pilier 3.
Les colonnes de couplage 62 s’étendent également parallèlement à la face avant 2a. Elles sont également parallèles les unes aux autres. Les colonnes 62 s’étendent également dans un plan qui est distant du plan dans lequel s’étendent les lignes de couplages 61. Dans le mode de réalisation de la , les colonnes 62 sont enrobées dans un matériau isolant 5, tel qu’un diélectrique, séparant les colonnes 62 des lignes 61. Les colonnes de couplage 62 croisent les lignes de couplage 61 perpendiculairement, à plus ou moins 20° près.
Les colonnes 62 sont également agencées pour que chaque colonne 62 soit en contact avec le diélectrique de flanc 41 d’au moins un pilier 3. Dans le mode de réalisation de la , chaque colonne 62 s’étend selon la direction X et entoure (en étant en contact) une portion annulaire du diélectrique de flanc 41 de plusieurs piliers 3, à distance de la base 31 de chaque pilier 3.
Ainsi, le réseau de couplage 6 est formé par des lignes et des colonnes de couplage 61, 62 se croisant de manière sensiblement perpendiculaire, c’est-à-dire perpendiculaire à +/- 20° près.
Dans le mode de réalisation de la , les lignes de couplage 61 s’étendent contre directement contre l’espaceur 42. Elles pourraient, dans un mode de réalisation alternatif, être distantes de l’espaceur 42, entourant une portion annulaire de chaque pilier 3 qui serait disposée entre la base 31 des piliers 3 et la tête 32 des piliers 3. Dans un autre mode de réalisation alternatif, les lignes de couplage 61 pourraient être au-dessus des colonnes de couplage 62 (en considérant le haut comme étant la direction Z croissante). Les colonnes de couplages 62 seraient alors disposées entre l’espaceur 42 (mais préférentiellement à distance de celui-ci) et le plan dans lequel s’étendent les lignes de couplage 61.
Les lignes et colonnes de couplages 61, 62 sont réalisées dans un matériau conducteur, par exemple en métal (TiN, W) ou en silicium dopé polycristallin.
Le rôle du réseau de contrôle 7 a pour but de contrôler le potentiel électrostatique dans la couche qubits 2, alors que le rôle du réseau de couplage 6 a pour but de contrôler le potentiel électrostatique dans les piliers 2. Ceci permet de créer les boîtes quantiques à même de recevoir un qubits. La particularité du circuit 1 est que le réseau de contrôle 7 est disposé du même côté que le réseau de couplage 6. Ceci permet de facilité la fabrication et l’alignements des réseaux entre eux, réduisant notamment la variabilité qui peut être observée entre deux circuits 1. Pour cela, le réseau de contrôle 7 comprend des troisièmes électrodes 71 dites « lignes de contrôle » et des vias conductrices 72 dites « vias de contrôle ».
Les lignes de contrôle 71 sont des lignes conductrices qui forment, avec l’espaceur 42, des grilles au niveau de la couche qubits 2. Pour cela, elles s’étendent parallèlement à la face avant 2a de la couche qubits 2 et directement sur l’espaceur 42. Ainsi, les lignes de contrôle 71 ne sont espacées de la couche qubits 2, que par l’épaisseur de l’espaceur 42. Les lignes de contrôlé 71 forment, avec les portions de l’espaceur 42 disposées entre les lignes 71 et la couche qubits 2, des grilles au niveau de la couche qubits 2. Le couplage de ces grilles peut être déterminée par l’épaisseur, mesurée perpendiculairement à la face avant 2a, de l’espaceur 42.
De manière avantageuse, et tel que présenté dans les figures 1 à 3, les lignes de contrôles 71 s’étendent parallèlement aux lignes de couplage 61. Elles sont notamment distantes des lignes de couplage 61 et des colonnes de couplage 62. Les lignes de contrôle 71 diffère des lignes de couplage en ce qu’elles sont distantes des piliers 3 et notamment des diélectriques de flanc 41 des piliers 3. Ainsi, elles n’influencent pas, ou sinon de façon négligeable, le potentiel électrostatique dans les piliers 3.
Les vias de contrôle 72 sont des électrodes conductrices qui forment également des grilles au niveau de la couche qubits 2. À la différence des lignes de contrôle 71 (ou des lignes de colonnes de couplage 61, 62), les vias 72 s’étendent perpendiculairement à la face avant 2a de la couche qubits 2. Elles s’insèrent ainsi sans peine dans les réseaux de couplage et de contrôle 6, 7 qui sont imbriqués l’un dans l’autre. Dans le mode de réalisation des figures 1 à 3, les vias s’étendent selon la direction Z.
Chaque via 72 présente des première et deuxième extrémités 721, 722, dites « base » et « tête », opposées l’une à l’autre. Chaque via 72 s’étend alors vers la couche qubits 2 de sorte que la base 721 dudit via 72 soit à proximité de la face avant 2a, sans toutefois réaliser de contact électrique avec cette dernière. Grâce à la proximité de la base 721 et de la couche qubits 2, le via 72 peut moduler le potentiel électrostatique dans la couche qubits 2.
Dans un premier développement, les bases 721 des vias 72 sont directement en contact avec l’espaceur 42. La base 721 est par exemple en contact avec l’espaceur 42 et la tête 722 est disposée à l’aplomb de la première extrémité 721. L’espaceur 42 isole électriquement les vias 72 de la couche qubits 2. L’épaisseur de l’espaceur 42 impose ainsi une distance entre la base 721 des vias 72 et la couche qubits 2.
Dans le mode de réalisation des figures 1 à 3, les vias 72 peuvent être entourés d’une couche isolante 724 qui enrobe le flanc 723 des vias 72 et s’étend entre la base 721 des vias 72 et la couche qubits 2. La couche isolante 724 isole les vias 72 de la couche qubits 2. Elle peut être formée à partir d’un matériau diélectrique tel que le SiO 2 . Cette couche isolante 724 peut présenter une épaisseur environ inférieure à 10 nm, par exemple de 3 nm.
Le module de gestion des données 16 est donc conçu pour transmettre des données en provenance du terminal client 2 vers le réseau de données 20, et réciproquement, au sein de sessions gérées par le module de gestion de session 14.
Le réseau de données 20 comprend notamment un serveur 22 d’allocation d’adresse (ici d’adresse IP). Un tel serveur d’allocation d’adresse 22 est ici conçu pour allouer des adresses conformément à un protocole dynamique de configuration d’hôte ou DHCP (pour " Dynamic Host Configuration Protocol ").
Sur la , sont représentées en traits pleins certaines interfaces permettant des échanges de données de signalisation (ou données du plan de contrôle, généralement dénoté CP pour " Control Plane "), à savoir une interface I1 entre le réseau d’accès radio 4 et le module de gestion d’accès 12, une interface I2 entre le module de gestion d’accès 12 et le module de gestion de session 14 et une interface I3 entre le module de gestion de session 14 et le module de gestion de données 16.
Ces interfaces utilisées pour le transport des données de signalisation utilisent des techniques de transmission incluant une protection de l’intégrité des données transmises.
Sont en revanche représentées en traits pointillés des interfaces permettant des échanges de données utilisateur (ou données du plan utilisateur, ou UP pour " User Plane "), à savoir une interface I4 entre l’équipement utilisateur 2 et le module de gestion de données 16 et une interface I5 entre le module de gestion de données 16 et le réseau de données 20, cette interface I6 étant utilisée dans la suite pour échanger des données entre le module de gestion de données 16 et le serveur d’allocation d’adresse 22.
On choisit ici d’utiliser des techniques de transmission sans protection d’intégrité des données pour les interfaces I4 et I5, ce qui permet de ne pas réduire la bande passante effective lors du transfert des données du plan utilisateur.
Par ailleurs, les données (en particulier les données de configuration mentionnées ci-dessous) sont ici transmises au terminal client 2 via au moins un canal de communication chiffré au moyen d’un chiffrement malléable.
On remarque que l’illustration de ces interfaces en ne représente pas le parcours physique des données : par exemple, les données échangées entre le terminal client 2 et le module de gestion de données 16 transitent par le réseau d’accès radio 4, bien que cela ne soit pas représenté sur la .
La illustre les étapes principales d’un exemple de configuration d’une adresse IP pour le terminal client 2.
Ce procédé débute par une étape E2 au cours de laquelle le terminal client 2 et le module de gestion d’accès 12 mettent en œuvre (via le réseau d’accès radio 4) un protocole d’authentification de manière à s’assurer que le terminal client 2 détienne bien (ici au sein de son module d’identification) les informations (par exemple une clé secrète) justifiant son droit d’accès au réseau.
Le protocole d’authentification est par exemple un protocole d’authentification et de mise en place de clés, ou protocole AKA (pour " Authentication and Key Agreement "), par exemple tel que spécifié dans la spécification technique 3GPP TS 33.501 version 15.2.0 (décembre 2020).
En pratique, ce protocole d’authentification peut impliquer d’autres éléments du réseau central 10, tels qu’une fonction d’authentification (ici la fonction AUSF pour " Authentication Server Function ") et un élément de stockage des données d’utilisateurs (ici la fonction UDM pour " Unified Data Management "), ces éléments étant dans ce cas utilisés sur requête du module de gestion d’accès 12.
Lorsque le terminal client 2 est authentifié, les échanges peuvent se poursuivre, ici par l’émission d’une requête d’établissement de session SE.REQ (étape E4). Comme illustré en , cette requête d’établissement de session SE.REQ est émise par le terminal client 2 et transmise au module de gestion d’accès 12 via le réseau d’accès radio 4.
Le module de gestion d’accès 12 transmet alors à l’étape E6 la requête d’établissement de session SE.REQ au module de gestion de session 14.
Du fait de la réception de la requête d’établissement de session SE.REQ émise initialement par le terminal client 2, le module de gestion de session 14 met en œuvre un protocole dynamique de configuration d’hôte (ou DHCP comme déjà indiqué) pour le compte du terminal client 2, comme expliqué à présent.
Le module de gestion de session 14 émet tout d’abord pour ce faire une demande DHCP.SLCT à destination au moins du serveur d’allocation d’adresse 22, ici via le module de gestion des données 16 (étape E8). Cette demande DHCP.SLCT est par exemple une demande de type " DHCP Solicit " et peut être diffusée à destination d’une pluralité de serveurs d’allocation d’adresse (serveurs DHCP).
L’oxydation thermique a pour effet de transformer une partie du matériau semiconducteur de chaque pilier 3 en matériau diélectrique. L’interface entre le matériau semiconducteur et le diélectrique de chaque pilier 3 n’est pas à l’aplomb du plot de protection 3a mais légèrement en retrait, rapprochée du centre de chaque pilier 3. L’interface entre le matériau semiconducteur d’un pilier 3 et le diélectrique de flanc 41 est déplacée d’une distance comprise entre 5 nm et 10 nm par rapport à l’aplomb du plot de protection 3a, en direction du centre dudit pilier 3. Le retrait de l’interface par rapport à l’aplomb permet de protéger le matériau semiconducteur du pilier 3lors des étapes suivantes du procédé, notamment les étapes mettant en œuvre une gravure anisotrope. Ainsi, l’intégrité cristalline du pilier 3 et ses propriétés cristallines sont préservées. De plus, une partie du diélectrique de flanc 41 est masquée par le plot de protection 3a et est ainsi protégée des étapes suivantes de gravure. Une oxydation thermique forme un oxyde de meilleure qualité, il est donc avantageux de conserver un tel oxyde au niveau du flanc de chaque pilier 41.
En revanche, le volume de matériau oxydé peut croître lors de l’oxydation thermique, si bien que la surface libre de chaque diélectrique de flanc 41 peut être distante de l’aplomb du plot de protection 3a et légèrement exposée par rapport audit plot 3a. Ainsi, les étapes suivantes du procédé, mettant en œuvre une gravure anisotrope, peuvent également graver la partie exposée dudit diélectrique de flanc 41.
Les lignes et colonnes de couplage 61, 62, réalisée dans un deuxième temps, forment avec chaque diélectrique de flanc 41, une grille au niveau de chaque pilier 3. Il est donc avantageux, pour réduire la variabilité des circuits fabriqués, de contrôler l’épaisseur de chaque diélectrique de flanc 41. Il est plus aisé de contrôler l’épaisseur de chaque diélectrique de flanc 41 pendant leur formation, c’est à dire pendant l’étape d’oxydation S2, que lors d’une gravure anisotrope.
Une variante de mise en œuvre de l’étape d’oxydation S2 permet d’améliorer la variabilité des circuits 1 fabriqués. Selon cette variante, l’étape d’oxydation S2 comprend une première sous-étape d’oxydation du flanc 33 de chaque pilier 3 de manière à former, au niveau du flanc de chaque pilier 3, une première couche diélectrique sacrificielle. Cette couche sacrificielle est également formée sur la face avant 2a de la couche qubits 2. Chaque première couche diélectrique sacrificielle est ensuite retirée lors d’une deuxième sous-étape, préférentiellement par gravure isotrope, pour libérer la surface libre de chaque pilier 3. Enfin, une troisième sous-étape d’oxydation S23 de la surface nouvellement libérée de chaque pilier 3 permet ainsi de former, au niveau du flanc 33 de chaque pilier 3, un diélectrique de flanc 41 final. Grâce à la gravure de la première couche sacrificielle et la réoxydation S23 du flanc des piliers 3, la surface libre de chaque diélectrique de flanc 41 est à l’aplomb du plot de protection 3a, ou légèrement en retrait. Ainsi, les étapes suivantes du procédé, pouvant mettre en œuvre une gravure anisotrope, ne détériorent pas ou n’amincissent pas les diélectriques de flanc 41. De cette manière, la variabilité de comportement des grilles formées avec les lignes et colonnes de couplage 61, 62 est réduite. De plus, la réoxydation S23 permet également de reformer l’espaceur 42 final sur la face avant 2a de la couche qubits 2.