Procédé de fabrication de silicium de pureté 3N ou supérieure, le procédé comprenant une phase de formation (10) d’un bloc de silicium par solidification directionnelle dans un four de solidification directionnelle incluant un creuset, caractérisé en ce que ladite phase de formation comprend : une étape de dépôt d’un agent germinant pour tapisser un fond du creuset, ledit agent germinant incluant un nombre de centres de germination par centimètre carré supérieur ou égal à 1.000, et une étape de solidification dirigée d’une charge de silicium pour former un lingot de silicium, et une étape d’éboutage du lingot pour former le bloc de silicium de pureté 3N ou supérieure. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’agent germinant comprend un milieu fluide à base de nitrure incluant des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns, et préférentiellement entre 1 et 100 microns, l’étape de dépôt comprenant les sous-étapes suivantes : application du milieu fluide sur le fond et les parois latérales du creuset, le milieu étant appliqué en une quantité suffisante pour procurer, au séchage, un film à la surface duquel des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns s’étendent en saillie, exposition du creuset traité selon la sous-étape précédente, à un traitement thermique sous atmosphère oxydante et dans des conditions suffisantes pour provoquer la formation d'une couche de silice et une couche de nitrure de silicium oxydée Si2N2O en surface des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la concentration en particules dans le milieu fluide est comprise entre 20 et 60% en poids du milieu fluide. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’agent germinant comprend une poudre composée de particules de taille comprise entre 1 et 200 microns, et préférentiellement entre 1 et 100 microns, l’étape de dépôt comprenant une sous-étape consistant à disposer la poudre au fond du creuset pour obtenir une couche de particules d’épaisseur comprise entre 1 et 10 millimètres. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel les particules de taille comprise entre 1 et 200 microns sont choisies parmi : des particules à base de silicium telles que des particules de SiC, des particules de SiO, des particules de SiO2, des particules de Si3N4, des particules d’alumine Al2O3, des particules de céramique. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’agent germinant comprend au moins une plaque de silicium obtenue par frittage d’une poudre micrométrique avec un composé ayant une température de fusion supérieure ou égale à la température de fusion du silicium, l’étape de dépôt comprenant une sous-étape consistant à disposer ladite et au moins une plaque au fond du creuset. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape de solidification dirigée comprend une sous-étape d’injection, en surface de la charge de silicium à l’état liquide, d’un gaz incluant un composé à base de carbone, tel que du dioxyde de carbone CO 2 . Procédé selon la revendication 7, dans lequel durant la sous-étape d’injection : le gaz est injecté à un débit compris entre 0.01 et 1.5L/min, préférentiellement de l’ordre de 1 L/min, et la concentration du gaz en composé à base de carbone est de 100%. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l’étape de solidification dirigée comprend en outre une autre sous-étape d’injection d’un gaz incluant un composé à base d’argon. Procédé selon la revendication 9, dans lequel durant l’autre sous-étape d’injection : le gaz est injecté à un débit compris entre 0.5 et 150 L/min, et la concentration du gaz en composé à base de carbone est comprise entre 1% et 20%. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape de solidification dirigée comprend une sous-étape consistant à établir un gradient thermique entre le fond du creuset et une ouverture supérieure du creuset opposée au fond, le gradient thermique étant compris entre 10°C/cm et 50°C/cm, préférentiellement entre 10°C/cm et 20°C/cm, et encore plus préférentiellement sensiblement égal à 15°C/cm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la phase de formation d’un bloc comprend en outre une étape de refroidissement du lingot à une vitesse comprise entre 100°C/h et 400°C/h, préférentiellement comprise entre 200°C/h à 300°C/h. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, lequel comprend en outre une phase de pulvérisation (20) du bloc de silicium pour obtenir une poudre de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 13, dans lequel la phase de pulvérisation comprend une étape de broyage mécanique, tel qu’un broyage en lit fluidisé pour réduire la taille des particules de silicium à des tailles micrométriques et submicroniques.