INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention propose un système propulsif aéronautique dimensionné de sorte à réduire la consommation de carburant nécessaire pour la production d’une poussée donnée. Selon son mode de réalisation le plus général, le système propulsif est dimensionné de sorte à vérifier le couple de relations suivant :
En l’absence d’ajouts de monomères C’i lors de l’étape b’), à l’issue de l’étape b’), un copolymère de type polyA’-polyB’ est obtenu, en particulier un polymère micellaire de type polyA’-polyB’.
Etape de réticulation Les copolymères P2, en particulier les polymères micellaires P2, peuvent être des polymères réticulés. Le procédé de préparation des copolymères P2, en particulier des polymères micellaires P2, peut éventuellement comprendre une étape de réticulation mise en œuvre à l’aide d’un ou plusieurs agents réticulants C’i. Au cours de cette étape, un ou plusieurs agents réticulants C’i sont ajoutés. Les agents réticulants C’i sont aussi dénommés monomères C’i.
Cette étape de réticulation peut être mise en œuvre pendant l’étape b’), c’est-à-dire de manière concomitante à la polymérisation par RAFT des monomères B’i. Dans ce cas, les monomères C’i sont ajoutés avant la fin de la polymérisation du bloc polyB’, par exemple en même temps que les monomères B’i. Selon ce mode de réalisation, à l’issue de l’étape b’), un bloc polyB’C’ est obtenu et les polymères micellaires obtenus à la fin du procédé de préparation des polymères P2 sont de type polyA’-polyB’C’.
Le bloc polyC’ désigne le bloc obtenu par réticulation du ou des monomères C’i.
Selon un autre mode de réalisation, cette étape de réticulation est mise en œuvre après la fin de la polymérisation du bloc polyB’. Dans ce cas, les monomères C’i sont ajoutés aux copolymères, en particulier aux polymères micellaires polyA’-polyB’. Selon ce mode de réalisation, l’étape de réticulation permet l’obtention d’un bloc polyC’ et les copolymères P2, en particulier les polymères micellaires P2, obtenus à la fin du procédé de préparation des polymères micellaires P2 sont de type polyA’-polyB’-polyC’.
De préférence, l’étape de réticulation comprend une étape de polymérisation par RAFT des monomères C’i.
De préférence, même lorsque le ou les monomères Ci sont ajoutés après l’étape b), la réticulation est mise en œuvre dans le même solvant S que l’étape de polymérisation par RAFT.
Lorsque le ou les monomères C’i sont ajoutés pendant l’étape b’), de manière concomitante avec le ou les monomères B’i, les inventeurs ont observé que la réticulation permettait de favoriser la formation de micelles.
Ainsi, pour favoriser la formation de micelles, il est possible de choisir au moins un monomère A’i tel que le bloc polyA’i soit soluble dans le solvant S, et de choisir une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
- choisir au moins un monomère B’i tel que le bloc polyB’i soit soluble dans le solvant S, et/ou
- ajouter un ou plusieurs monomères réticulants C’i pendant l’étape b’).
- ajouter un ou plusieurs monomères réticulants Ci pendant l’étape b’).
Afin de favoriser encore davantage la formation de micelles, les monomères C’i seront de préférence non solubles. Autrement dit, de préférence, le bloc polyC’i sera non soluble dans le solvant S, alors que le bloc polyA’i sera soluble dans le solvant S.
Les monomères C’i peuvent être choisis parmi les monomères di(méth)acrylates, les monomères di(méth)acryliques, les monomères di(vinyliques), les monomères di(esters de vinyle) et leurs mélanges, de préférence parmi les monomères di(méth)acrylates, les monomères di(méth)acryliques, et leurs mélanges.
Le circuit oscillant 700 comprend, en outre, un transistor T701 de type e-mode comprend une première borne de conduction reliée, de préférence connectée, au noeud C700, et une deuxième borne de conduction reliée, de préférence connectée, à la borne 403-GND. La grille du transistor T701 est reliée de préférence à la sortie de l'élément à retard 702.
Le circuit oscillant 700 comprend, en outre, un transistor T702 de type e-mode et une résistance R704. Une première borne de conduction du transistor T702 est reliée, de préférence connectée, à une première borne de la résistance R704, et une deuxième borne de conduction du transistor T702 est reliée, de préférence connectée, à la borne 403-GND. Une deuxième borne de conduction de la résistance R704 est reliée, de préférence connectée, à une borne 403_R_clk constituant une autre borne du commutateur de puissance 403 décrit en relation avec la .
Le circuit oscillant 700 comprend, en outre et pour finir, deux résistances R705 et R706 et un condensateur C701. Une première borne de la résistance R705 est reliée, de préférence connectée, à la borne 403_R_clk, et une deuxième borne de la résistance R705 est reliée, de préférence connectée, à la borne 403_c_clk. Une première borne de la résistance R706 est reliée, de préférence connectée, à la borne 403_R_clk, et une deuxième borne de la résistance R705 est reliée, de préférence connectée, au noeud recevant la tension d'alimentation VDD700. Une première borne du condensateur C701 est reliée, de préférence connectée, à la borne 403_c_clk, et une deuxième borne du condensateur C701 est reliée, de préférence connectée, à la borne 403-GND.
Le fonctionnement du circuit oscillant 700 est décrit en relation avec la .
La représente des chronogrammes illustrant le fonctionnement du circuit oscillant 700 décrit en relation avec la .
Plus particulièrement, la comprend les chronogrammes suivants : - un chronogramme représentant l'évolution temporelle de la tension C_clk_700 égale à la différence de potentiels entre la borne 403-c_clk et la borne 403-GND ; - un chronogramme représentant l'évolution temporelle de la tension d'horloge CK500 ; et - un chronogramme représentant l'évolution temporelle de la tension Ton_max505.
Le circuit de type RC série formé par le condensateur C701 et la résistance R706 est alimenté par la tension d'alimentation VDD700. La tension C_clk_700 est une tension périodique qui est comparée en continue, par le circuit comparateur 701 à la tension seuil Vth701.
La tension d'horloge CK500 est une tension périodique présentant des impulsions positives à intervalles réguliers. La période de la tension d'horloge CK500 est fixée par la durée de charge du condensateur C701. La durée des impulsions positives de la tension d'horloge CK500 est fixée par la durée de la décharge du condensateur C701 dans les résistances R706 et R705.
La tension Ton_max505 est une tension périodique présentant des impulsions positives à intervalles réguliers. La période de la tension Ton_max505 est égale à la période la tension d'horloge CK500. Une période de la tension Ton_max505 démarre, à un état bas, à l'instant où la tension d'horloge CK500 présente un front montant, c'est-à-dire à partir du moment ou une impulsion positive de la tension d'horloge démarre. La tension Ton_max505 présente un état haut à partir d'une durée fixée par à l'élément à retard 702. La période de la tension Ton_max505 se termine par un front descendant au moment où la tension d'horloge CK500 présente un nouveau front montant.
La représente un exemple de réalisation d'un circuit comparateur 900 pouvant être utilisé dans le mode de réalisation du commutateur de puissance 400 décrit en relation avec la .
Le circuit comparateur 900 comprend deux noeuds d'alimentation VSUPP900 et VREF900, deux noeuds d'entrée N900+ et N900- et un noeud de sortie OUT900. Le noeud d'alimentation VSUPP900 reçoit une tension supérieure à la tension reçue par le noeud VREF900, par exemple, le noeud d'alimentation VSUPP reçoit une tension de l'ordre de 6 V et le noeud VREF900 reçoit une tension de l'ordre de 0 V. Les noeuds d'entrée N900+ et N900- reçoivent les tensions à comparer. Le noeud OUT900 fournit la tension représentant le résultat de la comparaison des tensions reçues par les noeuds N900+ et N900-.
Le circuit 900 comprend, entre les noeuds VSUPP900 et VREF900, et sur une première branche, un transistor T901 de type d-mode, une résistance R901, et un transistor T902 de type d-mode. Le drain du transistor T901 est reliée, de préférence connectée, au noeud VSUPP900, et la source du transistor T901 est reliée, de préférence connectée, à une première borne de la résistance R901. La deuxième borne de la résistance R901 est reliée, de préférence connectée, au drain et à la grille du transistor T902. La source du transistor T902 est reliée, de préférence connectée, au noeud VREF900.
Le circuit 900 comprend, en outre, entre le noeud VSUPP900 et le noeud milieu entre la résistance R901 et le transistor T902, et sur une deuxième branche, un transistor T903 de type d-mode et une résistance R902. Le drain du transistor T903 est relié, de préférence connecté, au noeud VSUPP900, et la source du transistor T903 est reliée, de préférence connectée, à une première borne de la résistance R902. La deuxième borne de la résistance R902 est reliée, de préférence connectée, au noeud milieu entre la résistance R901 et le transistor T902. Selon une variante de réalisation, les transistors T901 et T902 peuvent être des transistors de type e-mode.
Le circuit 900 comprend, entre les noeuds VSUPP900 et VREF900, et sur une troisième branche, un résistance R903, un transistor T904 de type d-mode, et un transistor T905 de type d-mode. Une première borne de la résistance R903 est reliée, de préférence connectée, au noeud VSUPP900, et deuxième borne de la résistance R903 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T904 et à la grille du transistor T903. La source du transistor T904 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T905. La source du transistor T905 est reliée, de préférence connectée, au noeud VREF900. La grille du transistor T904 est reliée, de préférence connectée, au noeud N900+.
Le circuit 900 comprend, entre les noeuds VSUPP900 et VREF900, et sur une quatrième branche, un résistance R904, un transistor T906 de type d-mode, et le transistor T905. Une première borne de la résistance R904 est reliée, de préférence connectée, au noeud VSUPP900, et deuxième borne de la résistance R904 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T906 et à la grille du transistor T901. La source du transistor T906 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T905. La grille du transistor T906 est reliée, de préférence connectée, au noeud N900-.
Le circuit 900 comprend, entre les noeuds VSUPP900 et VREF900, et sur une cinquième branche, un transistor T907 de type e-mode, et un transistor T908 de type e-mode. Le drain du transistor T907 est relié, de préférence connecté, au noeud VSUPP900, et la source du transistor T907 est reliée, de préférence connectée, au drain du transistor T908. La source du transistor T908 est reliée, de préférence connectée, au noeud VREF900. La grille du transistor T907 est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor T903.
SILTEM® STM1500, commercialisé par la société Sabic. C’est un copolymère poly(étherimide-diméthylsiloxane) (PEI-PDMS). Il a une proportion massique de 40% en polydiméthylsiloxane par rapport au poids total du polymère
Le SILTEM® STM1500 est amorphe et possède une température de transition vitreuse Tg de 168°C.
PEEK 450G TM , commercialisé par la société Victrex, adapté pour l’extrusion (semi-cristallin ayant une température de fusion de 343°C).
Nanotubes de carbone (NTC), GraphiStrength® C100, commercialisés par la Société Arkema.
Préparation de granulés Plusieurs formulations comprenant un PAEK, un copolymère poly(étherimide-siloxane), et optionnellement un agent nucléant ont été réalisées par compoundage sur une extrudeuse Bi-Vis COPERION ZSK MC26 L/D =40 et 10 fourreaux.
Après séchage des matières premières, ces dernières ont été introduites en différentes proportions (voir Tableau 1) via 1 ou 2 doseurs sur le premier fourreau et un troisième doseur permettant un gavage latéral avant la zone de fondu sur le 4ème fourreau du copolymère poly(étherimide-siloxane). La vitesse de vis pour l’ensemble des essais a été fixée à environ 200 rpm et le débit à 20 kg/h. Le temps de séjour où les compositions se trouvent en fondu est estimé être très inférieur à 1 minute.
Pour fabriquer les granulés des compositions 2,3 et 4, le profil de température utilisé possède une température de consigne maximale à 320°C et une température filière à 320°C.
Pour fabriquer les granulés de composition 5, le profil utilisé possède une température de consigne maximale de 340°C et une température filière à 340°C. Ce profil permet notamment de donner un meilleur aspect du jonc que le profil de température précédent.
Pour fabriquer les granulés de composition 1c, le profil utilisé possède une température de consigne maximale de 370°C et une température filière à 370°C. En effet, les deux profils précédents n’étaient pas adaptés et subsistait la présence d’infondus dans le jonc. Il est à noter que l’aspect du jonc s’améliore en augmentant les températures du profil jusqu’à 370°C, mais le jonc casse facilement à l’étirage.
Pour fabriquer les granulés de composition 7c, le profil possède une température de consigne maximale de 370°C, et une température filière à 370°C.
Composition PAEK PEKK (ratio T/I) % massique PAEK %massique PEI/PDMS Additif % massique additif 1c PEEK * 90 10 * 0 2 PEKK 60/40 90 10 * 0 3 PEKK 60/40 54 10 * 0 PEKK 70/30 36 4 PEKK 60/40 89,3 10 NTC 0,7 5 PEKK 60/40 72 10 * 0 PEKK 80/20 18 0 6c PEKK 70/30 100 0 * 0 7c PEKK 80/20 90 10 * 0
Exemple 1 - Extrusion de bandes de 7mm d’épaisseur
Après séchage pendant une nuit à 150°C, les granulés des différentes formulations ont été utilisés pour préparer des bandes extrudées.
Une extrudeuse mono-vis Collin, de diamètre de vis 30 mm de diamètre, avec un L/D=25, a été utilisée. L'extrudeuse est reliée à une filière plate avec une laize de 50mm et un entrefer de 8mm. A la sortie de la filière, la matière fondue est convoyée sur un système de calandrage à 3 rouleaux. L'espacement entre les rouleaux a été adapté juste au-dessus de l'épaisseur souhaitée pour produire des bandes de 7 mm d'épaisseur. Les bandes ont ensuite été découpées à la « guillotine » à la longueur souhaitée en fin de ligne.
Les conditions de température de l’extrudeuse ont été les suivantes :
Pour fabriquer les bandes de composition 2,3 et 4, un profil de température avec des températures ascendantes jusqu'à la dernière zone et filière à 320°C a été utilisé.
Les composés mentionnés dans la description peuvent être d’origine fossile ou biosourcée. Dans ce dernier cas, ils peuvent être partiellement ou totalement issus de la biomasse ou être obtenus à partir de matières premières renouvelables issues de la biomasse. Sont en particulier concernés les polymères, les plastifiants, les charges et autres.
Un premier aspect de l'invention est une composition de caoutchouc à base d'au moins une matrice élastomère ; d'une charge de renforcement ; et d'un caoutchouc granulaire ; la quantité totale de la charge de renforcement étant inférieure à 50 pce ; la charge de renforcement comprenant au moins un noir de carbone et au moins une silice ; et la quantité totale de noir de carbone étant inférieure à celle de la silice.
La composition spécifique du caoutchouc permet un équilibre amélioré et inattendu entre les performances d'hystérésis et l’aptitude au traitement.
Chacun des aspects, des modes de réalisation, des instanciations et des variantes ci-dessous, y compris chacune des plages, des matières ou des deux, préférées, peut être appliqué à l'un quelconque des autres aspects, des autres modes de réalisation, des autres instanciations et des autres variantes de l'invention, sauf indication expressément contraire.
La composition de caoutchouc selon l’invention est basée sur une matrice élastomère.
Comme il est d'usage, les termes « élastomère » et « caoutchouc », qui sont interchangeables, sont utilisés sans distinction dans le texte.
Par élastomère (ou plus librement « caoutchouc », les deux termes étant considérés comme synonymes) de type « de diène », on entend de manière connue un (ou plusieurs) élastomère(s) issu(s) au moins partiellement (c'est-à-dire un homopolymère ou un copolymère) de monomères de diène (monomères portant deux doubles liaisons carbone-carbone, conjugués ou non).
Ces élastomères de diène peuvent être classifiés en deux catégories : « essentiellement insaturés » ou « essentiellement saturés ». D'une manière générale, on entend par l'expression « essentiellement insaturé » un élastomère de diène résultant au moins en partie de monomères de diène conjugués possédant une teneur en motifs d'origine diénique (diènes conjugués) qui est supérieure à 15 % (% en moles) ; c'est ainsi que les élastomères de diène tels que les caoutchoucs de butyle ou les copolymères de diène/α-oléfine de type EPDM ne répondent pas à la définition précédente et peuvent notamment être qualifiés d'élastomères de diène « essentiellement saturés » (faible ou très faible teneur en motifs d'origine diénique, toujours inférieure à 15 %). Dans la catégorie des élastomères de diène « essentiellement insaturés », on entend par élastomère de diène « hautement insaturé » notamment un élastomère de diène dont la teneur en motifs d'origine diénique (diènes conjugués) est supérieure à 50 %.
Bien qu'elle s'applique à tout type d'élastomère de diène, elle est de préférence employée avec des élastomères de diène essentiellement insaturés.
Compte tenu de ces définitions, on entend notamment par l'expression élastomère de diène susceptible d'être utilisé dans les compositions selon l'invention :
- (a) tout homopolymère obtenu par polymérisation d'un monomère de diène conjugué, possédant de préférence de 4 à 12 atomes de carbone ;
- (b) tout copolymère obtenu par copolymérisation d'un ou plusieurs diènes conjugués entre eux ou avec un ou plusieurs composés aromatiques vinyliques possédant de préférence de 8 à 20 atomes de carbone.
Les composés suivants sont appropriés en particulier en tant que diènes conjugués : 1,3-butadiène, 2-méthyl-1,3-butadiène, 2,3-di(alkyle en C1-C5)-1,3-butadiènes, comme par exemple, 2,3-diméthyl-1,3-butadiène, 2,3-diéthyl-1, 3-butadiène, 2-méthyl-3-éthyl-1,3-butadiène ou 2-méthyl-3-isopropyl-1,3-butadiène, un aryl-1,3-butadiène, 1,3-pentadiène ou 2,4-hexadiène. Les composés vinylaromatiques suivants, par exemple, sont appropriés : le styrène, l'ortho-méthylstyrène, le méta-méthylstyrène ou le para-méthylstyrène, le mélange commercial de « vinyltoluène », le para-(tert-butyl)styrène, les méthoxystyrènes, les chlorostyrènes, le vinylmésitylène, le divinylbenzène ou le vinylnaphtalène.
Un deuxième aspect de l'invention est la composition de caoutchouc selon le premier aspect, la matrice élastomère comprenant au moins un élastomère choisi dans le groupe constitué par un élastomère d'isoprène et un élastomère de butadiène.
Un troisième aspect de l'invention est la composition de caoutchouc selon le premier aspect ou le deuxième aspect, la matrice élastomère comprenant au moins un élastomère d’isoprène, de préférence, la quantité totale de l'élastomère d’isoprène étant supérieure à 30 pce et inférieure à 70 pce.
Par élastomère d'isoprène, on entend tous les élastomères composés principalement de monomères d'isoprène.
La reconstruction est d’autant plus complète que l’élément mobile 12 se déplace par rapport au système optronique 16, et effectue le cas échéant des mouvements de rotation. La reconstruction est d’autant plus précise que les images sont de meilleure résolution, conditionnée par les caractéristiques de la voie optronique utilisée du système, ainsi que de la distance à l’objet. Par ailleurs, la précision du modèle est aussi améliorée par la redondance des images utilisées pour la reconstruction
Le processus de reconstruction 3D d'un élément mobile proposé est qualifié de reconstruction inverse optronique (RIO), puisque à la différence de la plupart des techniques de reconstruction 3D classique qui exploitent le mouvement du senseur pour reconstruire une scène 10, le problème de reconstruction 3D d'un élément exploite ici la mobilité de l'élément, le senseur pouvant à l'extrême être fixe durant les acquisitions.
Le modèle tridimensionnel obtenu permet également d’améliorer la robustesse d’autres algorithmes mis en œuvre par le système optronique 16 (suivi, pistage…), ainsi que la décision visuelle des opérateurs. Le procédé permet aussi d’améliorer la visualisation, en permettant une meilleure résolution de l’élément mobile 12, et la possibilité de détacher l’élément mobile 12 de la scène 10, de le présenter sous différentes faces avec indices visuels complémentaires utiles à son identification (réduit le délai et améliore l’analyse).
Le procédé est aussi applicable pour le suivi et la reconstruction en simultanée de plusieurs éléments mobiles de la scène 10, tant que ces éléments restent visibles à partir d’une même ligne de visée pour l’imageur 20.
De préférence, le procédé comprend, soit à chaque instant (en temps réel), soit avec un ensemble d’images, une mise à jour des paramètres de prise de vue en bénéficiant des correspondances entre les primitives extraites de l’image courante et les primitives fixes de la scène précédemment extraites au moyen d’un processus de type cartographie et localisation simultanées (SLAM) ou de type aéro-triangulation.
De préférence, la reconnaissance d’un objet de type véhicule pourra par exemple donner lieu à un traitement de complétion du modèle 3D par symétries si l’on souhaite proposer d’une vision plus exhaustive du modèle partiel reconstruit. Cette complétude par symétrisassions se limite à dupliquer les formes et structures extraites sur la face latérale opposée du véhicule.
Le procédé est particulièrement adapté pour les applications industrielles suivantes :
- reconstruction de véhicule depuis un senseur positionné sur un autre véhicule.
- aide à une meilleure identification d’un élément mobile par ajout d’une dimension spatiale et d’une amélioration de la résolution grâce à la multiplicité des images (super résolution).
- caractérisation de la cinématique de l’élément mobile en terme de vitesse et orientation 3D au cours du temps.
L’homme du métier comprendra que les modes de réalisation et variantes de la description peuvent être combinés pourvu qu’ils soient compatibles techniquement.
Dispositif de mesure optique multipoints, utilisation et procédé associés La présente invention concerne le domaine de la métrologie optique.
Elle propose un dispositif de mesure optique multipoints, ainsi qu’un procédé mis en œuvre au moyen de ce dispositif.
Elle trouve en particulier avantageusement application pour la mesure par spectroscopie laser dans un écoulement instationnaire ou encore pour la mesure en microscopie hyperspectrale ou multiphotonique.
ETAT DE LA TECHNIQUE Classiquement, les technologies de diagnostic laser reposent sur l’acquisition et l’analyse de la réponse d’un milieu à une excitation laser, afin de déduire des données d’états physico-chimiques (température, composition, concentrations, …) caractérisant ce milieu. Ces données d’état sont déduites à partir de caractéristiques telles que l’amplitude, la polarisation ou le spectre du faisceau laser réfléchi par le milieu ou transmis à travers celui-ci ou même à partir de telles caractéristiques d’un faisceau lumineux généré par le milieu.
Pour obtenir des mesures résolues spatialement, le faisceau laser est focalisé en un point du milieu à l’aide d’une lentille (mesure macroscopique) ou d’un objectif de microscope (mesure microscopique). Les données sont alors collectées en ce point focal, de sorte que les données collectées proviennent d’un volume de mesure du milieu restreint, et que l’analyse de ces données collectées fournisse une information locale sur le milieu analysé. Si le milieu est hétérogène, cette information est parcellaire et il est nécessaire de multiplier les mesures en différents points pour décrire fidèlement le milieu.
Bien entendu, on pourra prévoir que la tuile de drainage 2 comprennent une forme générale parallélépipédique différente d’un rectangle, ou une forme différente d’un parallélépipède.
Chaque tuile de drainage 2 peut comporter deux coins 3 et 4 sur la première extrémité 2a et deux coins 5 et 6 sur la deuxième extrémité 2b.