INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI et une seconde surface du substrat CI, et une pluralité de couches d’interconnexion s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL confiné dans le substrat CI est réalisé par la pluralité de piliers conducteurs et la pluralité de couches d’interconnexion.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au détecteur optique est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au VCSEL.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, un sommet de VCSEL et un sommet de détecteur optique sont sensiblement coplanaires.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, une première distance entre une surface inférieure du VCSEL et la première surface du substrat CI se situe dans une plage d’environ 50 µm à environ 100 µm.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le substrat CI est monté fonctionnellement sur la PCB par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB et une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s).
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le VCSEL est monté fonctionnellement sur la première surface du substrat CI par une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux, dans lequel le détecteur optique est monté fonctionnellement adjacent au VCSEL sur une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI, par une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le détecteur optique est séparé du VCSEL par un espace ayant une largeur dans une plage d’environ 300 µm à environ 500 µm.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le composé de moulage s’étend dans l’espace.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, une surface supérieure du composé de moulage est sous une surface supérieure du VCSEL et une surface supérieure du détecteur optique.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le VCSEL est un VCSEL à émission arrière.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le VCSEL comprend des matériaux III-V.
Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le détecteur optique comprend des matériaux InP.
Des caractéristiques et avantages supplémentaires de l’invention seront exposés dans la description qui suit, et seront en partie évidents à partir de la description, ou pourront être appris par la pratique de l’invention. Les caractéristiques et avantages de l’invention peuvent être réalisés et obtenus au moyen des instruments et des combinaisons particulièrement indiqués dans les revendications annexées. Ces caractéristiques et d’autres de la présente invention deviendront plus pleinement apparentes à partir de la description suivante et des revendications annexées, ou pourront être apprises par la pratique de l’invention telle qu’exposée ci-après.
68 Butée
7 Groupe d’entraînement
71 Transmission
S Surface du sol
SA Surface globale d’appui du module de chenille
SA1 Surface principale d’appui
SA2 Surface auxiliaire d’appui
SAo Surface intermédiaire d’appui
SM Sommet intermédiaire
α Angle d’inclinaison du châssis par rapport à la surface de roulement
Intégration de patte de fixation au support de véhicule automobile L’invention concerne une structure de véhicule automobile. Plus précisément, l’invention concerne une structure de véhicule automobile supportant un équipement. L’invention a également pour objet un véhicule automobile avec une structure. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure de véhicule automobile.
Un véhicule automobile comprend une structure, généralement considérée comme une structure porteuse ou une structure principale. La structure s’étend du compartiment arrière au compartiment avant, en passant par l’habitacle ; également appelé compartiment passager. La structure permet également de délimiter certaines zones tels les passages de roue. En complément, la structure permet de supporter différents équipements. Des éléments de finition y sont couramment fixés selon une géométrie précise afin de respecter un critère de qualité perçue.
La structure est formée d’un ensemble de tôles embouties et fixées les unes aux autres. Après fixation, notamment par soudage, les tôles reçoivent un revêtement de surface permettant de les protéger contre la corrosion. Une couche de peinture est avantageusement appliquée. Dès lors, ces tôles permettent de former un plancher, des longerons et des piliers par exemple. La structure peut former des parties intérieures cachées, ainsi que de parties extérieures visibles.
De manière à y monter différentes parties amovibles, le véhicule automobile comprend couramment des supports de fixation intermédiaire. De tels supports sont fixés à la structure par soudage et présentent des moyens de fixation dédiés aux parties amovibles qu’ils reçoivent. Le caractère amovible permet un remplacement en cas de diminution des performances, ou un remplacement en cas de dégradation.
RÉSUMÉ Ce résumé est fourni pour présenter une sélection de concepts sous une forme simplifiée qui sont décrits plus en détail ci-dessous dans la description détaillée. Ce résumé n’est pas destiné à identifier les caractéristiques clés ou les caractéristiques essentielles de l’objet revendiqué, ni à être utilisé comme une aide pour déterminer la portée de l’objet revendiqué.
Des modes de réalisation concernent un dispositif émetteur-récepteur optique, un procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique et un assemblage optoélectronique.
Dans un exemple, un dispositif émetteur-récepteur optique comprend une carte de circuit imprimé (PCB), un substrat de circuit intégré (CI) monté sur la PCB par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB et une première surface de substrat CI, le substrat CI comprenant au moins l’un parmi des éléments actifs et des éléments passifs, un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) monté sur une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI, avec une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux, et un détecteur optique monté adjacent au VCSEL sur la seconde surface du substrat CI avec une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux, dans lequel le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI et la seconde surface du substrat CI et une pluralité de couches d’interconnexion s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction, et au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL est confiné dans le substrat CI.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL confiné dans le substrat CI comprend une pluralité de chemins de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL, chacun étant confiné dans le substrat CI.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s).
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au détecteur optique est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au VCSEL.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, la pluralité de piliers conducteurs comprend du cuivre.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, une largeur de la pluralité de piliers conducteurs est comprise entre environ 40 µm et environ 120 µm.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le rapport entre la pluralité de piliers conducteurs est compris entre environ 30 et environ 120 µm.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un composé thermiquement conducteur est disposé entre le VCSEL et la seconde surface du substrat CI.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le détecteur optique est séparé du VCSEL par un espace ayant une largeur comprise entre environ 300 et environ 500 µm.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un composé de moulage s’étend dans l’espace.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le composé de moulage formé sur la seconde surface du substrat CI recouvre une pluralité de côtés du VCSEL et une pluralité de côtés du détecteur optique.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, une surface supérieure du composé de moulage est sous une surface supérieure du VCSEL et une surface supérieure du détecteur optique.
Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le VCSEL est un VCSEL à émission arrière.
Elles peuvent être disposées sur un fil donné à intervalles réguliers ou non. Plusieurs pastilles de forme différentes peuvent être disposées sur un même fil, suivant un motif régulier ou aléatoire. Un intervalle entre deux pastilles consécutives sur un fil donné peut être d’une distance D non nulle. Elles peuvent être également réparties à différentes hauteurs du fil.
Les pastilles ou barrettes peuvent avantageusement, outre leur fonction d’écartement, jouer le rôle de perturbateur d’écoulement. En effet, elles peuvent permettre de générer des vortex locaux, et favoriser ainsi le refroidissement des bobines. Cela permet d’augmenter les zones de turbulences et de créer des perturbations, améliorant l’écoulement du fluide notamment en générant des vortex locaux.
L’organe d’écartement peut comporter des pastilles composées d’un matériau minéral, notamment en verre ou en céramique. En variante, les pastilles peuvent être composées d’un matériau organique, notamment polymère. De préférence, ce matériau polymère peut supporter des températures de l’ordre de 200 à 250°C.
Une coque peut loger une unique dent. En variante la coque peut loger une pluralité de dents, notamment deux dents. Dans un mode de réalisation, la coque peut loger l’ensemble des dents du stator.
La coque peut comporter des cloisons internes, notamment au moins une cloison interne. En variante, la coque peut comporter plus de deux cloisons internes. La coque peut comporter autant de cloisons internes que de dents. Chaque dent peut être séparée des autres dents par deux cloisons s’étendant de part et d’autre de ladite dent.
Selon ce mode de réalisation, la coque peut apporter de la rigidité au stator. De plus, ce mode de réalisation permet un assemblage plus facile de la machine.
La coque peut comporter une paroi entourant la dent portant la bobine logée dans ladite coque. Cette paroi peut être au contact de la dent.
La coque peut comporter au moins une paroi d’entrefer faisant face à l’entrefer et au rotor. La paroi d’entrefer peut recouvrir la dent. La coque peut avoir une épaisseur de la paroi d’entrefer Ep comprise entre 0,2 mm et 5 mm, de préférence entre 0,25 mm et 2 mm, mieux entre 0,3 mm et 1 mm. L’épaisseur de la paroi d’entrefer est très faible, ce qui permet de réduire l’encombrement de la coque au niveau de l’entrefer.
La coque peut également comporter une paroi périphérique qui se raccorde à la paroi d’entrefer de la coque.
Cette paroi périphérique peut comporter deux demi-coques, une première demi-coque et une seconde demi-coque. Ces deux demi-coques peuvent être symétriques l’une par rapport à l’autre. En variante, elles peuvent ne pas être symétriques l’une par rapport à l’autre.
Les deux demi-coques peuvent être assemblées entre elles de manière étanche. La fermeture des deux demi-coques l’une sur l’autre peut être réalisée avec une bonne étanchéité. Un joint d’étanchéité peut être disposé entre les deux demi-coques. Une demi-coque peut comporter une lèvre d’étanchéité venant recouvrir une rainure de l’autre demi-coque.
La coque peut avoir une hauteur Ec. La hauteur Ec peut être comprise entre 3 mm et 100 mm, de préférence entre 5 mm et 50 mm, mieux entre 10 mm et 30 mm.
La coque peut être en matière plastique, notamment en plastique moulé.
La paroi d’entrefer peut recouvrir la dent, ou en variante ne pas la recouvrir. La paroi d’entrefer peut ménager une fenêtre pour la dent. La dent peut être visible de l’extérieur de la coque, lorsque la coque est en place sur la dent. La dent peut venir affleurer la coque, notamment au niveau de sa paroi d’entrefer. En variante, la dent peut être légèrement en retrait de la coque ou au contraire être proéminente par rapport à la coque pour réduire l’entrefer magnétique.
La coque peut être fermée sur la dent de manière étanche au niveau de la fenêtre entourant la dent.
Lorsque le stator est dépourvu de culasse, la dent est insérée dans la coque, notamment en entier. Dans ce cas, la coque peut comporter notamment deux parois d’entrefer, chacune faisant face à un rotor, et qui font face aux deux entrefers.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le poly(triméthylène carbonate) téléchélique ("SH-PTMC-OH-01") synthétisé en exemple 2.1.
représente le diagramme d’élution obtenu par CES (THF, 30°C, calibration universelle), en fonction du volume de rétention, obtenu pour le poly(triméthylène carbonate) téléchélique ("SH-PTMC-OH-01") synthétisé en exemple 2.1. L’ordonnée représente la détection obtenue par un réfractomètre (RI).
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le poly(triméthylène carbonate) téléchélique ("SH-PTMC-OH-02") synthétisé en exemple 2.2.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(triméthylène carbonate) ("PPFS-g-S-PTMC-OH-01") synthétisé en exemple 3.1.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 19 F en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(triméthylène carbonate) ("PPFS-g-S-PTMC-OH-01") synthétisé en exemple 3.1.
représente le diagramme d’élution obtenu par CES (THF, 30°C, calibration TDS), en fonction du volume de rétention, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(triméthylène carbonate) ("PPFS-g-S-PTMC-OH-01") synthétisé en exemple 3.1.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(triméthylène carbonate) ("PPFS-g-S-PTMC-OH-02") synthétisé en exemple 3.2.
représente le diagramme d’élution obtenu par CES (THF, 30°C, calibration TDS), en fonction du volume de rétention, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(triméthylène carbonate) ("PPFS-g-S-PTMC-OH-02") synthétisé en exemple 3.2.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(triméthylène carbonate) après protection des extrémités des chaînes latérales ("PPFS-g-S-PTMC-Et-01") selon l’exemple 3.3.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le poly(ɛ-caprolactone) téléchélique ("SH-PCL-OH-01") synthétisé en exemple 4.1.
représente l’intensité du signal de mesure obtenu par RMN de 1 H en fonction du déplacement chimique, exprimé en ppm, pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(ɛ-caprolactone) ("PPFS-g-S-PCL-OH-01") synthétisé en exemple 4.2.
représente le diagramme d’élution obtenu par CES (THF, 30°C, calibration TDS), en fonction du volume de rétention, pour le poly(ɛ-caprolactone) téléchélique ("SH-PCL-OH-01") synthétisé en exemple 4.1, et pour le copolymère peigne poly(2,3,4,5,6-pentafluorostyrène) porteurs de greffons poly(ɛ-caprolactone) ("PPFS-g-S-PCL-OH-01") synthétisé en exemple 4.2. L’ordonnée représente la détection obtenue par un détecteur de viscosité intrinsèque (IV-DP).
représente le diagramme d’élution obtenu CES (THF, 30°C, calibration universelle), en fonction du volume de rétention, pour un PTMC avant (« PTMC ») et après mise en présence avec du NaH à 65°C (« PTMC+NaH »).
représente l’évolution de la conductivité ionique (en S.cm -1 ) en fonction de la température (T en °C, et 1000/T, T étant exprimée en degré Kelvin) pour les électrolytes solides à base des polymères en peigne "PPFS-g 0,5 -S-PTMC 3700 -Et", "PPFS-g 0,4 -S-PTMC 5500 -Et", "PPFS-g 0,2 -S-PTMC 5000 -Et" et "PPFS-g-S-PCL 3000 -OH" préparés selon l’exemple 5.
La variation du taux d’hybridation sp3 modifie les caractéristiques de la couche (C). Il est connu qu’une couche de carbone comprenant entre 10% et 35% de liaisons sp3 (le reste étant du sp2) est de la famille des couches de carbone amorphe « a-C », alors qu’une couche de carbone comprenant entre 60% et 85% de sp3 appartient à la famille des couches de carbone à liaison tétraédrique « ta-C », et qu’au sein de la famille des couches de carbone à liaison tétraédrique « ta-C », une couche de carbone comprenant 65% de liaisons sp3 ne présente pas les mêmes caractéristiques (mécaniques, électriques) qu’une couche de carbone comprenant 85% de sp3.
La teneur en liaison sp3 d’un matériau confère donc une nature particulière à ce matériau, et la variation de la teneur en liaison sp3 au sein de la couche (C) permet d’obtenir plusieurs natures de matériaux au sein de la couche.
En référence à la , la pièce (P) présente au sein de la couche (C) de carbone : - une première zone (e1) du côté du substrat (S), qui est riche en liaison sp3, et au sein de laquelle une première composition (C1) de la couche (C) est majoritairement présente ; - une seconde zone (e2) du côté de la surface externe (SE), qui est moins riche en liaison sp3, et au sein de laquelle une seconde composition (C2) de la couche (C) est majoritairement présente ; - la première zone (e1) et la seconde zone (e2) étant séparées par une zone intermédiaire considérée comme négligeable au regard de l’invention.
La première composition correspond à une teneur en liaison sp3 supérieure à un premier seuil (sp3%1b), ou à une teneur en liaison sp3 comprise entre un premier seuil (sp3%1b) et la première teneur (sp3%1h).
La seconde composition correspond à une teneur en liaison sp3 inférieure à un second seuil (sp3%2h), ou à une teneur en liaison sp3 comprise entre la seconde teneur (sp3%2b) et un second seuil (sp3%2h).
La première composition (C1) est par exemple définie par un premier seuil (sp3%1b) de la teneur en liaison sp3, supérieur à 80%, ou à 75%, ou à 70%, ou à 65%, ou à 60%, ou à 55%, ou à 50%, ou à 45%, ou à 40%, ou à 35%, ou à 30%, ou à 25%, ou à 20%, ou à 15%.
La seconde composition (C2) est définie par un second seuil (sp3% 2 h ) de la teneur en liaison sp3, inférieur à celle de la première composition (C1), et par exemple inférieur à 4%, ou à 5%, ou à 10%, ou à 15%, ou à 20%, ou à 25%, ou à 30%, ou à 35%, ou à 40%, ou à 45%, ou à 50%, ou à 55%, ou à 60%.
En fonction des valeurs retenues pour la première composition et pour la seconde composition, première zone (e1) et/ou la seconde zone (e2) mesurent chacune entre 1 nm et 30 nm, ou entre 5 nm et 15 nm, ou entre 7 nm et 10 nm.
La première zone (e1), riche en liaison sp3, présente de bonnes caractéristiques mécaniques et de résistance à l’oxydation.
La seconde zone (e2), moins riche en liaison sp3, présente l’intérêt de mieux conduire l’électricité, et implique donc une baisse de la RCI.
La combinaison de ces deux zones, au sein de la même couche (C), permet donc de combiner les avantages de chacune des natures de dépôt. Il est possible de réaliser des couches d’épaisseurs plus faibles que celles de l’art antérieur, à performance équivalente selon les exigences du DOE, voir supérieure aux exigences du DOE puisque l’invention fournit une tenue renforcée à haut potentiel.
Une épaisseur plus faible, outre un temps de dépôt plus court, fournit également une meilleure tenue à la déformation. Si la couche (C) est déposée sur une pièce plane pour être mise en forme ensuite (création de canaux de la plaque bipolaire), la pièce (P) est moins susceptible de présenter des défauts comme des fissures ou délaminations après mise en forme grâce à sa faible épaisseur et grâce à la présence d’une couche riche en sp3 près de l’interface (I) entre la couche (C) et le matériau la recevant.
Par ailleurs, la variation continue de la teneur en liaison sp3 améliore la durabilité de la couche. L’absence de discontinuité : - permet une meilleure distribution des contraintes internes de la couche (C) de carbone, et évite donc les phénomènes d’écaillage ; - permet une meilleure cohésion de la matière au sein de la couche (C), et évite donc la présence de sites préférentiels pour les attaques de corrosion.
La variation de la teneur en liaison sp3 est obtenue par la modification d’un paramètre influent lors du dépôt. Par exemple, le paramètre influent peut être la valeur de la tension de polarisation, qu’elle soit continue ou pulsée : - Il est possible de commencer le dépôt de la couche (C) avec une tension de polarisation adaptée pour que les ions carbone en cours de dépôt soient déposés sur la pièce (P) avec beaucoup d’énergie, favorisant ainsi l’hybridation sp3. - Lors du dépôt, la tension de polarisation est diminuée progressivement, de sorte que l’énergie d’impact des ions diminue progressivement elle aussi. L’hybridation sp3 est de moins en moins favorisée, de sorte que leur teneur diminue progressivement.
Le paramètre influent est choisi en fonction du procédé de dépôt mis en œuvre, le critère étant la variation continue de la quantité d’énergie apportée lors du dépôt. Par exemple dans le cas de pulvérisation magnétron à régime d’impulsion de haute puissance (HiPIMS), le paramètre influent peut être la quantité d’ions générée par la source plasma, qui dépend des paramètres d’impulsions.