INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avantageusement, la première couche de recouvrement peut être en parylène de type C, en parylène de type D, en parylène de type N (CAS 1633-22-3), en parylène de type F ou un mélange de parylène de type C, D, N et/ou F. Le parylène (appelé aussi polyparaxylylène ou poly(p-xylylène)) est un matériau diélectrique, transparent, semi cristallin qui présente une grande stabilité thermodynamique, une excellente résistance aux solvants ainsi qu’une très faible perméabilité. Le parylène a également des propriétés barrières permettant de protéger la batterie de son environnement externe. La protection de la batterie est accrue lorsque cette première couche de recouvrement est réalisée à partir de parylène de type F. Cette première couche de recouvrement est avantageusement obtenue à partir de la condensation de monomères gazeux déposés par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur les surfaces, ce qui permet d’avoir un recouvrement conformal, mince et uniforme de l’ensemble des surfaces accessibles de l’empilement. Cette première couche de recouvrement est avantageusement rigide ; elle ne peut pas être considérée comme une surface souple.
La deuxième couche de recouvrement est composée d’une matière électriquement isolante, de préférence inorganique. Elle est déposée par dépôt de couches atomiques (ALD), de manière à obtenir un recouvrement conformal de l’ensemble des surfaces accessibles de l’empilement préalablement recouvert de la première couche de recouvrement. Les couches déposées par ALD sont très fragiles mécaniquement et nécessitent une surface d’appui rigide pour assurer leur rôle protecteur. Le dépôt d’une couche fragile sur une surface souple conduirait à la formation de fissures, engendrant une perte d’intégrité de cette couche de protection. Par ailleurs, la croissance de la couche déposée par ALD est influencée par la nature du substrat. Une couche déposée par ALD sur un substrat présentant des zones de natures chimiques différentes aura une croissance inhomogène, pouvant engendrer une perte d’intégrité de cette couche de protection.
Les techniques de dépôt par ALD sont particulièrement bien adaptées pour recouvrir des surfaces présentant une forte rugosité de manière totalement étanche et conforme. Elles permettent de réaliser des couches conformales, exemptes de défauts, tels que des trous (couches dits « pinhole free », i.e. exempts de trous) et représentent de très bonnes barrières. Leur coefficient WVTR est extrêmement faible. Le coefficient WVTR (water vapor transmission rate) permet d’évaluer la perméance à la vapeur d'eau du système d’encapsulation. Plus le coefficient WVTR est faible plus le système d’encapsulation est étanche.
La deuxième couche de recouvrement peut être en matériau céramique, en matériau vitreux ou en matériau vitrocéramique, par exemple sous forme d'oxyde, de type Al 2 O 3 , de nitrure, de phosphates, d’oxynitrure, ou de siloxane. Cette deuxième couche de recouvrement présente, de préférence, une épaisseur comprise entre 10 nm et 50 nm.
Préférentiellement la structure comprend un compartiment avant, la tôle structurelle délimitant le compartiment avant.
Préférentiellement, la structure comprend un profilé, la tôle structurelle étant fixée audit profilé.
Préférentiellement, la tôle structurelle est venue de matière.
Préférentiellement, la tôle structurelle comprend des soudures, notamment des points de soudure.
Préférentiellement, la portion principale entoure l’ouverture.
Préférentiellement, la patte de fixation comprend une plaque principale.
Préférentiellement, la patte de fixation est inclinée par rapport à l’ouverture.
Préférentiellement, la butée de positionnement est inclinée par rapport à la plaque principale.
Préférentiellement, le contour intérieur comprend au moins une courbe attenante à la patte de fixation.
Préférentiellement, la portion coudée forme le bord de jonction.
Selon un autre aspect, l’invention propose une structure de véhicule automobile, ladite structure comprenant une tôle structurelle avec une portion principale formant un passage de roue, remarquable en ce que la tôle structurelle présente une ouverture dans la portion principale, et une patte de fixation avec des moyens de fixation, ladite patte de fixation s’étendant depuis l’ouverture et étant inclinée par rapport à la portion principale et/ou l’ouverture, la patte de fixation étant au niveau du passage de roue.
La tôle de fixation assure une double fonction puisqu’elle offre la patte de fixation pour un équipement, et une partie structurelle délimitant la zone de passage de roue. Elle permet également la fixation d’une paroi de logement.
Selon un autre aspect, l’invention propose un véhicule automobile comprenant une structure, remarquable en ce que la structure est conforme à l’invention ; préférentiellement, le véhicule automobile comprend une batterie électrique supportée par la patte de fixation.
Préférentiellement, le véhicule automobile comprend un revêtement recouvrant la patte de fixation.
Selon un autre aspect, l’invention propose un véhicule automobile avec une structure comprenant une tôle structurelle avec une portion principale, remarquable en ce que la tôle structurelle présente une ouverture dans la portion principale, et une patte de fixation, ladite patte de fixation s’étendant depuis l’ouverture et étant inclinée par rapport à l’ouverture, le véhicule comprenant en outre une paroi de logement de roue, ladite paroi de logement étant fixée à la portion principale.
Selon un autre aspect, l’invention propose un procédé de fabrication d’une structure de véhicule automobile, ladite structure comprenant une patte de fixation avec des moyens de fixation ; ledit procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : fourniture ou réalisation d’une tôle structurelle comprenant une portion principale ; remarquable en ce que le procédé de fabrication comprend en outre les étapes suivantes : découpe de la tôle structurelle afin de former une ouverture délimitant une patte de fixation adaptée à la fixation d’un équipement du véhicule automobile ; pliage de la patte de fixation par rapport à la portion principale de sorte à s’écarter de l’ouverture.
Les différentes étapes de cette méthode sont illustrées aux figures 8A à 8F.
La illustre la fourniture d’un empilement comprenant une couche de résine secondaire 80 de même nature que celle qui sera utilisée en association avec le masque optimisé (couche de résine 20). La couche de résine secondaire 80 est exposée à partir de sa face supérieure à un rayonnement d’insolation. Différentes zones 81, 82, 83, 84 de la résine 80 sont insolées avec différentes doses Q 81 , Q 82 , Q 83 , Q 84 , induisant chacune une certaine épaisseur e de résine insolée. De ce fait, après développement ( ) de la résine exposée, la couche de résine secondaire 80 présente différentes hauteurs h 81 , h 82 , h 82 , h 83 , au niveau des différentes zones 81, 82, 83, 84. On peut ainsi associer à chaque dose une hauteur de résine obtenue après développement.
On peut ensuite établir, à partir des points expérimentaux ainsi obtenus, une courbe de tendance mettant en lien la dose appliquée à la résine et la hauteur de la résine après développement ( ).
Il est par ailleurs possible de déterminer, pour chaque zone i de la résine 80, la densité théorique D i de zones opaques au niveau d’un masque théorique qui aurait permis d’insoler la zone en question, lors de son insolation au travers du masque théorique, avec une dose Q i qu’elle a effectivement reçue lors de l’étape d’étalonnage illustrée à la . La formule suivante permet de calculer cette densité D i , Q i correspondant à la dose de rayonnement reçue par la zone i lors de l’étape d’étalonnage ( ), et Q max correspondant à la dose de rayonnement ayant été reçue par la zone de la résine secondaire 80 ayant été la plus insolée (dans l’exemple illustré à la , Q max =Q 81 ) :
On fait donc l’hypothèse que pour Q i =Q max , la densité de zones opaques au niveau du masque théorique est nulle. Cela revient à considérer que lors de l’utilisation de ce masque théorique, à temps d’exposition t expo égal, l’intensité I 0 du rayonnement avant son passage au travers du masque correspond à l’intensité I max permettant d’obtenir la dose Q max (c’est-à-dire : I 0 =I max avec I max =Q max /t expo ).
Grâce à la formule ci-dessus et aux points expérimentaux obtenus par étalonnage, on peut établir une courbe de tendance reliant la densité D de zones opaques au niveau du masque théorique et la hauteur h de résine après développement lorsque la résine a été insolée au travers de ce masque ( ). Cette courbe de tendance, qui correspond à une courbe de contraste, est continue et permet d’estimer la relation entre h et D pour des valeurs de doses (et donc de densités théoriques) non testées lors de l’étalonnage.
Ainsi, à l’aide d’un simple étalonnage sur une résine secondaire 80 de même nature que la résine 20 qui sera employée avec le masque optimisé, on peut obtenir un paramètre clef pour le dimensionnement de ce masque optimisé.
Premier exemple de mise en œuvre du procédé de dimensionnement selon l’invention
Les figures 7A et 7B illustrent la façon dont le procédé selon l’invention peut être employé pour redimensionner un masque de lithographie à échelle de gris présentant une résolution en Z insatisfaisante.
La illustre deux réseaux R 1 , R 2 d’un même masque 1 (ou éventuellement de deux masques 1 distincts) utilisés pour insoler une couche de résine sur deux épaisseurs distinctes, et donc former dans la couche de résine, une fois celle-ci développée, deux régions de hauteurs h 1 et h 2 distinctes. Les hauteurs h 1 et h 2 sont obtenues en dimensionnant les masques pour qu’ils présentent la densité surfacique de zones opaques adéquate. Dans la , les dimensions des pixels et des zones opaques ont été choisies arbitrairement, avec pour seule contrainte la nécessité que la densité surfacique de zones opaques permette d’obtenir la hauteur de résine souhaitée. Les deux réseaux présentent des pixels carrés de côté P. Le réseau R 1 donnant une hauteur de résine h 1 présente des zones opaques carrées de côté L 1 , tandis que le réseau R 2 donnant une hauteur de résine h 2 présente des zones opaques carrés de côté L 2 .
Le procédé selon l’invention permet de déterminer quelles sont les dimensions idéales des deux réseaux R 1 , R 2 pour limiter l’erreur sur les hauteurs de résine h 1 , h 2 . D’après les résultats du procédé, concernant le réseau R 1 , il est nécessaire, pour atteindre les niveaux de précision souhaités, d’affecter aux pixels un côté P 1 ’ avec P 1 ’>P et aux zones opaques un côté L 1 ’ avec L 1 ’>L 1 . Naturellement, pour que la hauteur h 1 soit la même avant et après dimensionnement, on a L 1 ²/P²=L 1 ’²/P 1 ’². En écrivant L 1 ’= αL 1 et P 1 ’=αP 1 , on peut établir un facteur d’échelle α.
Concernant le réseau R 2 , on trouve, par application du procédé selon l’invention, que les dimensions P et L 2 induisent une erreur selon z satisfaisante. Ces dimensions peuvent donc être conservées pour le dimensionnement du masque optimisé 1.
Ainsi, le passage de la à la illustre un redimensionnement du masque 1 permettant d’obtenir les mêmes structures 3D au niveau de la résine photosensible, mais en garantissant une erreur plus faible dans la direction verticale Z.
Deuxième exemple de mise en œuvre du procédé de dimensionnement selon l’invention
Les paragraphes suivants décrivent, en référence au logigramme présenté en , une séquence d’étapes permettant le dimensionnement du premier réseau 100 du masque 1. Ces séquences sont décrites pour des premiers pixels 110 et des premières zones opaques 120 de forme carrée, mais il est entendu qu’il peut être adapté à toute autre forme de premiers pixels 110 et de premières zones opaques 120. Bloc 1001 : Dans cette étape, on définit la première densité cible D 1 0 0 * permettant d’insoler la résine photosensible sur la première épaisseur cible e*. On choisit ensuite premier un couple de valeurs (P 1 i=1 , L 1 i=1 ) pour le côté P 1 des premiers pixels 110 et pour le côté L 1 des zones opaques 120. Un compteur i repérant les couples de valeurs est initialisé (i=1). Bloc 1002 : On calcule l’erreur Δh sur la première épaisseur cible e* pour le couple (P 1 i , L 1 i ). Bloc 1003 : On compare l’erreur Δh obtenue à l’étape précédente par rapport à un seuil d’erreur Δh seuil préalablement fixé. Si l’erreur obtenue est supérieure à ce seuil, on passe à l’étape décrite au bloc 1004. Sinon, on passe à l’étape décrite au bloc 1005. Bloc 1004 : L’erreur sur la première épaisseur cible e* pour le couple (P 1 i , L 1 i ) n’étant pas satisfaisante, on choisit un nouveau couple de valeurs (P 1 i +1 , L 1 i +1 ) pour le côté P 1 des premiers pixels 110 et pour le côté L 1 des zones opaques 120, avec P 1 i +1 >P 1 i et en respectant (L 1 i )²/(P 1 i )²=(L 1 i +1 )²/(P 1 i +1 )² pour conserver la même densité de zones opaques 120. On repasse ensuite au bloc 1002. A chaque passage du bloc 1004 au bloc 1002, on incrémente i de 1. Bloc 1005 : L’erreur sur la première épaisseur cible e* pour le couple qui a fait l’objet du dernier calcul au bloc 1002 est satisfaisante. Ce couple peut donc être conservé pour le dimensionnement du premier réseau 100 du masque 1.
L’étape de dépôt 101 d’un agent germinant permet de générer une densité maximale de défauts cristallins – notamment de joints de grains – dans le lingot de silicium une fois celui-ci solidifié.
A cet effet, l’agent germinant choisi pour tapisser le fond 11 et la (ou les) paroi(s) latérale(s) du creuset 1 comprend un nombre de centres de germination par centimètre carré supérieur ou égal à 1000.
En fonction de la nature de l’agent germinant, différentes techniques de dépôt peuvent être mises en œuvre dans le cadre de la présente invention.
3.1.1.1. Première solution pour le dépôt de l’agent germinant
Dans une première variante de la présente invention, l’agent germinant peut consister en un milieu fluide à base de nitrure incluant des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns.
Dans ce cas, une première solution pour le dépôt 101 de l’agent germinant peut comprendre les sous-étapes suivantes : appliquer le milieu fluide sur le fond et la (ou les) paroi(s) latérale(s) du creuset 1, puis à sécher le milieu fluide incluant les particules de taille comprise entre 1 et 200 microns.
Avantageusement, le milieu fluide est appliqué en une quantité suffisante pour procurer, au séchage, une couche formée au moins des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns, préférentiellement entre 1 et 100 µm.
La sous-étape de séchage peut consister en un traitement thermique sous atmosphère oxydante (et dans des conditions suffisantes) pour provoquer la formation d'une couche de silice et d’une couche de nitrure de silicium oxydée Si2N2O en surface des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns. Ceci permet de faciliter le démoulage du lingot de silicium de pureté 2N obtenu après solidification du silicium à l’état liquide.
La concentration en particules dans le milieu fluide peut être comprise entre 20 et 60% en poids du milieu fluide afin de disposer d’un nombre suffisant de centres de germination tout en garantissant l’adhésion de ceux-ci sur le fond et la (ou les) paroi(s) latérale(s) du creuset 1.
Dans certains modes de réalisation, les particules contenues dans le milieu fluide peuvent être des particules de Silicium ou à base de silicium telles que des particules de SiC, des particules de SiO, des particules de SiO2, des particules de Si3N4. Ces particules à base de silicium peuvent être issues soit : de déchets de sciage de l’industrie solaire ( « kerfs » ). du broyage de silicium métallurgique pour l’obtention de particules de 50µm par exemple.
Dans d’autres modes de réalisation, les particules peuvent être des particules d’alumine Al2O3, ou des particules de céramique. Dans tous les cas, les particules choisies sont des particules permettant une germination, à leur surface, du silicium à l’état liquide.
3.1.1.2. Deuxième solution pour le dépôt de l’agent germinant
Dans une deuxième variante de la présente invention, l’agent germinant peut consister en une poudre de particules de taille comprise entre 1 et 200 microns, et préférentiellement comprise entre 1 et 100 microns. Ces particules peuvent être du même type que les particules décrites ci-dessus (particules à base de silicium ou d’alumine ou de céramique).
Dans ce cas, une deuxième solution pour le dépôt 101 de l’agent germinant peut consister à disposer (par pulvérisation, saupoudrage, etc.) la poudre sur le fond 11 du creuset 1 pour obtenir une couche de particules d’épaisseur comprise entre 1 et 10 millimètres. Une telle épaisseur permet de garantir la présence de centres de germination entre le creuset et le silicium liquide.
3.1.1.3. Troisième solution pour le dépôt de l’agent germinant
Enfin, l’agent germinant peut consister en une (ou plusieurs) plaque(s) de silicium aggloméré obtenue par exemple par frittage (ou toute autre technique connue de l’homme du métier) d’une poudre micrométrique (de 1 à 20µm) avec un composé ayant une température de fusion supérieure ou égale à la température de fusion du silicium. La plaque de Silicium aura une porosité ouverte élevée d’où la présence d’une quantité importante de centre de germination.
la est une vue en coupe longitudinale d’une installation de méthanisation selon un mode de réalisation de l’invention ;
la est une vue en coupe horizontale de l’installation de la ; et
la est une vue en section transversale de l’installation des figures 1 et 2.
Les figures 1 à 3 représentent une installation 10 de méthanisation, selon un mode de réalisation de l’invention.
L’installation 10 comprend : un couloir 12 de digestion ; un collecteur 14 de gaz ; un dispositif 16 d’introduction ; un dispositif 18 d’évacuation ; et un module électronique 20 de commande, représenté schématiquement sur la .
Dans le mode de réalisation représenté, comme il sera précisé par la suite, l’installation 10 est partiellement enterrée dans un sol 22, ledit sol étant défini par une surface 24. Dans la présente description, on considère que la surface 24 du sol 22 est sensiblement horizontale et orientée vers le haut.
On considère une base orthonormée (X, Y, Z) associée à l’installation 10, la direction Z représentant la verticale.
Le couloir 12 de digestion de l’installation 10 est apte à recevoir de la matière organique à digérer. Ledit couloir 12 s’étend de manière sensiblement linéaire entre une première 26 et une seconde 28 extrémités. On considère que le couloir 12 s’étend selon la direction longitudinale X. Chaque extrémité 26, 28 est matérialisée par une paroi s’étendant sensiblement dans un plan (Y, Z).
De manière générale, le couloir 12 de digestion a la forme d’un canal ouvert vers le haut.
Plus précisément, le couloir 12 de digestion comprend : une zone principale 30, une zone d’introduction 32 ; et une zone d’évacuation 34.
La zone principale 30 présente une surface 36 sensiblement cylindrique s’étendant selon la direction longitudinale X. Par « surface sensiblement cylindrique », on entend que la surface 36 est sensiblement formée de droites génératrices parallèles à X. La forme de la surface 36 dans le mode de réalisation représenté sera précisée ultérieurement.
La zone d’introduction 32 est disposée selon X entre la première extrémité 26 du couloir 12 et la zone principale 30. La zone d’évacuation 34 est disposée selon X entre la zone principale 30 et la seconde extrémité 28 du couloir 12.
Une longueur selon X de la zone principale 30 est significativement supérieure à des longueurs selon X des zones d’introduction 32 et d’évacuation 34.
Comme il sera précisé par la suite, la zone d’introduction 32 présente une largeur croissante de manière continue entre la première extrémité 26 et la zone principale 30 ; et la zone d’évacuation 34 présente une largeur décroissante de manière continue entre la zone principale 30 et la seconde extrémité 28.
Dans le mode de réalisation représenté, le couloir 12 de digestion comporte : un fond 40 ; une première et une seconde parois inclinées 42 ; une première et une seconde parois principales 44 ; une première et une seconde parois d’introduction 46 ; et une première et une seconde parois d’évacuation 48.
Dans le mode de réalisation représenté, le couloir 12 est sensiblement symétrique par rapport à un plan (X, Z).
Puisque ce processus repose sur la comparaison de tables SFTT, il est avantageux de garder la comparaison aussi légère que possible. Cependant, les tailles de ces tables sont différentes. La table SFTT a une liste d'une douzaine de nœuds, et la table GTT a une liste de dizaines de tables SFTT par exemple.
Selon une variante du processus de mise à jour de la topologie du réseau de communication maillé 1, la passerelle RM compare le couple du message reçu à celui stocké localement, ce qui permet d'identifier quelle est la table la plus récente parmi des tables SFTT et la table GTT locale. Le processus se poursuit ensuite par la comparaison des tables SFTT entre elles une fois que les tables SFTT contenue dans le message reçu est plus récent que la table GTT locale (a une ère plus élevée ou une même ère mais un index de table plus élevé que celui de la table SFTT de la table GTT).
illustre un organigramme des différentes étapes du procédé 30 de formation des unités de calcul par regroupement de nœuds IoT, selon un exemple de réalisation particulier et non limitatif de la présente invention ;
La performance de chaque unité de calcul UC dépend fortement de la rapidité de la réception d'au moins la moitié des votes des nœuds de l’unité de calcul UC afin que le nœud OC puisse déterminer une réponse finale à une requête.
En conséquence, le procédé de formation d’unité de calcul (étape 110) tente de minimiser l'écart entre les périodes de disponibilité des nœuds.
Dans une étape 310, la passerelle RM classe les nœuds IoT en fonction de leur degré de disponibilité et de leurs capacités de calcul : un nœud IoT est dit performant lorsque son degré de disponibilité et ses capacités de calcul sont élevées et dit non performant dans le cas contraire.
De plus, compte tenu des capacités limitées des appareils IoT, et afin de perdre le moins de périodes de calcul possible, le procédé de formation d’unité de calcul examine également la distribution des unités de calcul courante pour assigner les nœuds à une unité de calcul de manière à minimiser les changements de cette distribution.
Dans une étape 320, un nombre d’unité de calcul N est calculée en fonction d’un nombre de nœuds M par unité de calcul.
Selon un mode de réalisation particulier et non limitatif, N est égal à 5.
Ce mode de réalisation est avantageux car il permet d’obtenir des performances de calcul optimales selon des tests réalisés par l’inventeur.
Dans une étape 330, chaque unité de calcul UC est formée par regroupement de N nœuds IoT du réseau de communication maillé 1, au moins un desdits nœuds étant performant et au moins un desdits nœuds étant non performant.
Selon un mode de réalisation particulier et non limitatif, les N nœuds les plus rapides sont par exemple distribués parmi les unités de calcul UC.
Selon un mode de réalisation particulier et non limitatif, chaque unité de calcul comprend un nœud OC.
Selon un mode de réalisation particulier et non limitatif, lorsque une unité de calcul comprend 5 nœuds, l’un des nœuds d’une unité de calcul est considéré comme étant un nœud orchestrateur de calcul, deux autres nœuds sont des nœuds performants et deux autres nœuds sont des nœuds non performants.
Dans une étape 340, chaque unité de calcul UC forme un sous-réseau du réseau de communication maillé 1 qui est rattaché à une passerelle du réseau de communication maillé 1. La passerelle mémorise une table SFTT représentant la disponibilité et les caractéristiques des nœuds IoT du sous-réseau. Les nœuds IoT de cette unité de calcul UC sont informés de leur rattachement à cette unité de calcul UC.
Ce procédé de formation d’unités de calcul permet d’augmenter le nombre de périodes de calcul et d’homogénéiser les capacités de l'infrastructure du réseau de communication maillé 1 tout en cherchant maintenir une distribution antérieure des nœuds.