Structure composite (100) pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince (10) monocristalline, disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium polycristallin, ledit substrat support (20) présentant, sur chacune de ses faces, une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C 422 est inférieur à 40%, et - la somme de coefficients de texture C 220 +C 200 +C 400 est supérieure à 50%, de préférence supérieure à 80%. Structure composite (100) selon la revendication précédente, dans laquelle le substrat support (20) présente une résistivité électrique inférieure ou égale à 10 mOhm.cm, préférentiellement inférieure ou égale à 5 mOhm.cm, encore préférentiellement inférieure ou égale à 3 mOhm.cm. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat support (20) est dopé à l’azote avec une concentration, mesurée par spectroscopie de masse des ions secondaires, supérieure ou égale à 5,0x10 19 atomes/cm 3 , préférentiellement supérieure ou égale à 1,0x10 20 atomes/cm 3 , encore préférentiellement supérieure ou égale à 1,5x10 20 atomes/cm 3 , ou encore préférentiellement supérieure ou égale à 3x10 20 atomes/cm 3 . Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le coefficient de texture C 422 est inférieur à 20%, préférentiellement inférieur à 15%, encore préférentiellement inférieur à 10%. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la somme des coefficients de texture C 200 +C 400 est supérieure à 1%, préférentiellement supérieure à 2%, encore préférentiellement supérieure à 5%. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la couche mince (10) est composée de carbure de silicium. Structure composite (100) selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche mince (10) est composée de nitrure de gallium. Structure composite (100) selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche mince (10) est composée d’oxyde de gallium. Structure composite (100) selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche mince (10) est composée de diamant. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une couche intermédiaire (30) continue ou discontinue, disposée entre la couche mince (10) et le substrat support (20) et composée d’au moins un matériau métallique ou semi-conducteur. Structure composite (100) selon la revendication précédente, dans laquelle la couche intermédiaire (30) est composée de silicium, de carbure de silicium, de tungstène, et/ou de titane. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat support (20) présente une épaisseur comprise entre 50 microns et 650 microns. Structure composite (100) selon l’une des revendications précédentes, comprenant un composant électronique sur et/ou dans la couche mince (10) et comprenant optionnellement un contact électrique au niveau de la face arrière du substrat support (20). Procédé de fabrication d’une structure composite (100) comportant une couche mince (10) monocristalline disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium polycristallin, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat support (20) en carbure de silicium polycristallin présentant, sur chacune de ses faces, une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C 422 est inférieur à 40%, et - la somme de coefficients de texture C 220 +C 200 +C 400 est supérieure à 50%, de préférence supérieure à 80%, b) la fourniture d’un substrat donneur (1) en un matériau monocristallin, c) le transfert d’une couche mince (10) issue du substrat donneur (1) sur le substrat support (20). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape c) de transfert comprend : c1) la formation d’un plan fragile enterré (11) dans le substrat donneur (1), délimitant la couche mince (10) entre ledit plan fragile enterré (11) et une face avant (1a) du substrat donneur (1), c2) l’assemblage par collage par adhésion moléculaire du substrat donneur (1) sur le substrat support (20), directement ou via une couche intermédiaire (30), c3) la séparation le long du plan fragile enterré (11) pour donner lieu au transfert de la couche mince (10) sur le substrat support (20). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape c2) comprend, avant l’assemblage des deux substrats (1,20) : - la formation d’une couche intermédiaire (30) sur le substrat donneur (1), avant ou après l’étape c1), et/ou - la formation d’une couche intermédiaire (30) sur le substrat support (20), la couche intermédiaire (30) étant formée en au moins un matériau métallique ou semi-conducteur, choisi parmi le silicium, le carbure de silicium, le tungstène et le titane. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 14 à 16, comprenant en outre l’élaboration de composants électroniques sur et/ou dans la couche mince (10) de la structure composite (100). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’élaboration de composants électroniques comprend notamment une étape d’homoépitaxie ou d’hétéroépitaxie sur la couche mince (10).