INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Circuit de détection d'un court-circuit de sortie (2100) d'une alimentation à découpage (400), formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique (101) ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium (102), ledit circuit étant adapté à commander un transistor de puissance (404) de ladite alimentation à découpage (400). Circuit selon la revendication 1, comprenant un circuit comparateur (506) d'une première tension (Vsense500) représentative du courant de drain dudit transistor (404) et d'un courant de rétroaction (IFB400) de ladite alimentation à découpage. Circuit selon la revendication 2, dans lequel ledit circuit comparateur (506) est adapté à rendre ledit transistor (404) non conducteur si ladite première tension (Vsense500) est inférieure à une deuxième tension de seuil (VthOV506). Circuit selon la revendication 2 ou 3, comprenant, en outre, un premier circuit de filtrage (507) permettant de ne prendre en compte un résultat dudit circuit comparateur (506) uniquement pendant une phase de non-conduction dudit transistor de puissance (404). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant, en outre, un circuit oscillant (2101) adapté à fournir une tension d'horloge à basse fréquence. Circuit de modulation de largeur d'impulsion (405) comprenant un circuit de détection (2100) d'un court-circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 5. Circuit selon la revendication 6, comprenant, en outre, un circuit logique adapté à recevoir une tension de comparaison fournie par ledit circuit de détection (2100). Circuit selon la revendication 7, comprenant, en outre un circuit de pilotage (502) dudit transistor de puissance (404) adapté à recevoir une tension de commande dudit circuit logique (503). Commutateur de puissance (403 ; 500) comprenant un transistor de puissance (404) adapté à recevoir une tension maximale de 650 V entre son drain et sa source, et un circuit de modulation en largeur d'impulsion (405) selon l'une quelconque des revendications 6 à 8. Commutateur selon la revendication 9, dans lequel ledit transistor de puissance est un transistor (404) de type HEMT de type e-mode. Alimentation à découpage (400 ; 2700) comprenant le commutateur de puissance (403 ; 500) selon la revendication 9 ou 10.
Procédé de formation d’un contact ohmique sur une couche (12) en un matériau semi-conducteur comprenant du germanium et de l’étain, comprenant une étape de dépôt d’une couche de nickel-germanium (20) sur la couche de matériau semi-conducteur (12) au moyen d’une technique de dépôt physique en phase vapeur. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la technique de dépôt physique en phase vapeur est choisie parmi les techniques d’évaporation, notamment l’évaporation thermique et l’évaporation par faisceau d’électrons (EBPVD), les techniques de pulvérisation, notamment la pulvérisation cathodique et la pulvérisation par faisceau d’ions (IBD), le dépôt assisté par faisceau d’ion (IBAD) et l’ablation laser pulsé (PLD). Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la couche de nickel-germanium (20) est formée par pulvérisation d’une unique cible de nickel-germanium (21). Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la couche de nickel-germanium (20) est formée par co-pulvérisation d’une cible de nickel (22a) et d’une cible de germanium (22b). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre une étape de recuit de la couche de nickel-germanium (20) à une température inférieure ou égale à 350 °C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dépourvu d’étape de recuit. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le matériau semi-conducteur est du germanium-étain (GeSn) ou du silicium-germanium-étain (SiGeSn). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau semi-conducteur présente un pourcentage atomique d’étain inférieur ou égal à 25 %. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de matériau semi-conducteur appartient à un dispositif semiconducteur de type transistor à effet de champ, photodétecteur, diode électroluminescente ou laser.
Bloc de cellules (10) de batterie, notamment pour véhicule automobile, comprenant : une pluralité d’accumulateurs (1) souples, juxtaposés les uns aux autres et comprenant chacun deux languettes (6, 7) disposées à des côtés opposés dudit accumulateur et formant les pôles électriques de l’accumulateur, caractérisé en ce que ledit bloc (10) comprend en outre : une pluralité de paires d’éléments de fixation (13) empilées comprenant chacune un premier élément de fixation (14) supportant une première languette (15) d’un accumulateur, et un deuxième élément de fixation (16) supportant une deuxième languette (17) dudit accumulateur, ladite paire d’éléments de fixation étant destinée à maintenir en contact avec pression lesdites languettes contre une paire adjacente d’éléments de fixation et à constituer des liaisons électriques avec lesdites languettes, des couches (11) comprenant un matériau isolant électriquement destinées à réduire les vibrations des accumulateurs et disposées entre chaque paire d’accumulateurs adjacents, et des moyens de fixation amovible permettant d’assembler de façon démontable les éléments de fixation (13). Bloc selon la revendication 1, dans lequel lesdites liaisons électriques sont réalisées au moyen de pattes métalliques (18) disposées sur lesdits éléments de fixation (13) et mises en contact avec pression avec lesdites languettes (15, 17) par l’empilement de deux éléments de fixation (13). Bloc selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel lesdites couches (11) comprennent une mousse ou un adhésif. Bloc selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque élément de fixation (13) est muni d’au moins un bossage (23) disposé sur une face supérieure (24) dudit élément de fixation et d’une cavité (25) formée en alignement dudit bossage sur une face inférieure (26) dudit élément de fixation, ladite cavité ayant une forme complémentaire audit bossage et étant destinée à loger le bossage (23) d’un élément de fixation adjacent lors de son empilement. Bloc selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les moyens de fixation amovible comprennent des moyens de clipsage et/ou des moyens de vissage (19, 20). Bloc selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les éléments de fixation (13) sont munis de moyens de mesure (31) de tension et/ou de température. Bloc selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les éléments de fixation sont munis de moyens de mise en pression (30) des pattes métalliques (18) et des languettes (15, 17). Bloc selon l’une quelconque des revendications précédentes, muni de moyens de connexion électrique (21) qui traversent les éléments de fixation (13) à l’intérieur de gaines (22) agencées dans lesdits éléments de fixation. Batterie électrique comprenant une pluralité de blocs (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, lesdits blocs étant associés en série et/ou en parallèle. Véhicule automobile équipé d’une batterie selon la revendication 9.
Dispositif de dégazage (10) pour évacuer des gaz et/ou de la fumée en dehors d’une enceinte (3) d’une batterie (2), caractérisé en ce que le dispositif de dégazage (10) comprend une partie tubulaire (20) comprenant des orifices radiaux (23) et des membranes (40), les membranes (40) obstruant les orifices radiaux (23) et étant configurées pour rompre sous une pression exercée dans l’enceinte par les gaz et/ou la fumée. Dispositif de dégazage (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que chaque membrane (40) comprend au moins une rainure (41) agencée sur une face externe (42) et/ou sur une face interne (43) de la membrane (40) de sorte à créer une amorce de rupture. Dispositif de dégazage (10) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la partie tubulaire (20) comprend une base (30) agencée à une première extrémité (21) de la partie tubulaire (20), la base (30) étant destinée à la fixation du dispositif de dégazage (10). Dispositif de dégazage (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la base (30) comprend une collerette (31) s’étendant radialement depuis la partie tubulaire (20), notamment une collerette (31) comprenant au moins un trou (32) pour le passage d’au moins un moyen de fixation (50). Dispositif de dégazage (10) selon l’une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que la partie tubulaire (20) comprend une deuxième extrémité (22) opposée à la première extrémité (21), la deuxième extrémité (22) étant fermée. Dispositif de dégazage (10) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les membranes (40) sont réparties angulairement régulièrement sur la partie tubulaire (20), notamment en étant au nombre de quatre réparties tous les 90 degrés. Batterie (2) pour véhicule, notamment pour véhicule automobile (1), la batterie (2) comprenant une enceinte (3) de réception pour des cellules (8), caractérisé en ce que la batterie (2) comprend un dispositif de dégazage (10) selon l’une des revendications précédentes s’étendant au sein de l’enceinte (3). Batterie (2) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’enceinte (3) a une forme générale cylindrique s’étendant autour d’un axe principal (A) et en ce que le dispositif de dégazage (10) est centré ou sensiblement centré sur l’axe principal (A). Agencement (7) comprenant : - une caisse (4) de véhicule, notamment de véhicule automobile (1), la caisse (4) comprenant un logement (5), notamment un logement (5) initialement destiné à recevoir une roue de secours, le logement (5) comprenant un orifice (6), - une batterie (2) selon la revendication 8, caractérisé en ce que l’agencement (7) comprend une entretoise (55), l’entretoise (55) comprenant un conduit (56), l’entretoise (55) étant agencée entre l’enceinte (3) de la batterie (2) et le logement (5), le conduit (56) étant agencé en vis-à-vis de, ou dans, l’orifice (6) du logement (5). Véhicule, notamment véhicule automobile (1), caractérisé en ce qu’il comprend un agencement (7) selon la revendication précédente, ou une batterie (2) selon l’une des revendications 7 ou 8, ou un dispositif de dégazage (10) selon l’une des revendications 1 à 6.
Préparation de levure Saccharomyces boulardii soumise à un rayonnement bêta ou gamma. Préparation selon la revendication 1, dans laquelle la préparation de levure Saccharomyces boulardii est soumise à un rayonnement beta ou gamma d’au moins 10 kGy. Préparation selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la préparation de levure Saccharomyces boulardii est sous forme de poudre, notamment séchée ou lyophilisée. Préparation selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant essentiellement 0 Unités Formant Colonies (UFC) par gramme de préparation de levure Saccharomyces boulardii . Procédé d’inactivation d’une préparation de levure Saccharomyces boulardii comprenant une étape de soumission de la préparation de levure Saccharomyces boulardii à un rayonnement bêta ou gamma. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la préparation de levure Saccharomyces boulardii est soumise à un rayonnement bêta ou gamma d’au moins 10 kGy. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la préparation de levure Saccharomyces boulardii est sous forme de poudre, notamment séchée ou lyophilisée. Préparation de levure Saccharomyces boulardii inactivée susceptible d’être obtenue par le procédé tel que défini dans l’une quelconque des revendications 5 à 7. Préparation telle que définie dans l’une quelconque des revendications 1 à 4 et 8, pour une utilisation à titre de médicament. Composition pharmaceutique ou dispositif médical comprenant une préparation telle que définie dans l’une quelconque des revendications 1 à 4 et 8. Composition pharmaceutique ou dispositif médical selon la revendication 10, comprenant en outre une cire. Composition pharmaceutique ou dispositif médical selon la revendication 10 ou 11, pour une utilisation à titre d’ovule. Préparation telle que défini dans l’une quelconque des revendications 1 à 4 et 8, composition pharmaceutique ou dispositif médical tel que défini dans l’une quelconque des revendications 10 à 11, pour une utilisation dans la prévention ou le traitement de la vulvovaginite et/ou pour une utilisation dans la restauration de la flore vaginale, et/ou pour la prévention des récidives de vulvovaginite, et/ou la prévention ou le traitement des symptômes de vulvovaginite, chez un individu. Produit cosmétique comprenant une préparation telle que définie dans l’une quelconque des revendications 1 à 4 et 8.
Pièce (10) de turbomachine revêtue comprenant : un substrat (20) en superalliage, une sous-couche de liaison (101) métallique présente sur le substrat, une structure protectrice (103) présente sur la sous-couche de liaison (101), cette structure comprenant un empilement d’une pluralité de couches d’au moins un matériau de protection contre les aluminosilicates de calcium et de magnésium, chaque couche de l’empilement présentant une épaisseur comprise entre 0,05 µm et 4 µm, une barrière thermique (105) en céramique recouvrant la structure protectrice, et une barrière environnementale (107) recouvrant la barrière thermique. Pièce selon la revendication 1, dans laquelle chaque couche de l’empilement présente une épaisseur comprise entre 0,05 µm et 0,8 µm. Pièce selon la revendication 1, dans laquelle chaque couche de l’empilement présente une épaisseur comprise entre 1 µm et 4 µm, plus préférentiellement entre 1 µm et 2 µm. Pièce selon l’une des revendications 1 à 3, dans laquelle l’empilement de couches comprend au moins 10 couches, préférentiellement au moins 50 couches, plus préférentiellement au moins 150 couches. Pièce selon l’une des revendications 1 à 4, dans laquelle la structure protectrice (103) comprend une couche en alumine en contact avec la sous-couche de liaison métallique. Pièce selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la structure protectrice (103) forme une barrière optique apte à réfléchir un rayonnement thermique présentant une longueur d’onde comprise entre 0.2 et 6 µm, , et dans laquelle la structure protectrice (103) comprend une alternance de premières couches et de deuxièmes couches en matériaux distincts, les premières et deuxièmes couches ayant une différence d’indice optique d’au moins 0,3 pour une longueur d’onde comprise entre 0.2 et 6 µm. Pièce selon la revendication 6, dans lequel les premières couches sont en Al 2 O 3 et les deuxièmes couches sont en CeO 2 . Procédé de de fabrication d’une pièce revêtue selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : - le dépôt de la structure protectrice (103) sur la sous-couche de liaison métallique (101) par un procédé de pulvérisation cathodique magnétron en régime d’impulsion de haute puissance, - le dépôt de la barrière thermique (105) sur la structure protectrice (103), et - le dépôt de la barrière environnementale (107) sur la barrière thermique 105).
Procédé de fabrication d’ammoniac à partir d’un milieu réactif dans lequel un élément présent dans le milieu réactif (202a) est revêtu par un revêtement de protection (202b) de nitrure de tantale TaN de structure cristallographique hexagonale ou de nitrure de tantale TaN dopé de structure cristallographique hexagonale. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 1, dans lequel le procédé de fabrication d’ammoniac est un procédé électrocatalytique. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 2, dans lequel le revêtement de protection (202b) est en contact avec un électrolyte à sel fondu. Procédé de fabrication d’ammoniac selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le revêtement de protection (202b) est au contact de l’ammoniac. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 2, 3 ou 4 rattachée à la revendication 2 ou 3, dans lequel l’élément revêtu (202a) est choisi parmi une plaque terminale, une plaque d’interconnexion, une électrode (202) ou une plaque bipolaire d’une cellule électrocatalytique. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 5, dans lequel l’élément revêtu est une électrode (202). Procédé de fabrication d’ammoniac selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le revêtement (202b) est en nitrure de tantale dopé de structure cristallographique hexagonale, le revêtement comprenant une teneur totale en dopant inférieure ou égale à 5 % atomique et le dopant étant choisi parmi les métaux alcalins, les métaux alcalino-terreux et/ou les métaux de transition ou un mélange de deux ou plus de ces éléments. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 7, dans lequel le dopant est choisi parmi le potassium K, le sodium Na, le calcium Ca, le magnésium Mg, l’yttrium Y, le vanadium V, le titane Ti et un mélange d’un ou plusieurs de ces éléments. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la teneur en dopant est comprise entre 0,01 % et 5,0 % atomique. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 1 à 9, dans lequel l’élément revêtu (202a) est un élément métallique. Procédé de fabrication d’ammoniac selon la revendication 10, dans lequel l’élément revêtu est en acier inoxydable ou en alliage à base de nickel ou en alliage à base de titane.
Matériau d’électrode comprenant un substrat métallique (11) recouvert par un revêtement (12) de protection de nitrure de tantale TaN de structure cristallographique hexagonale ou de nitrure de tantale TaN hexagonal dopé, le revêtement de protection étant semi-conducteur et sa bande interdite présente une largeur d’au plus 50 meV. Matériau d’électrode selon la revendication 1, dans lequel le substrat (11) comprend de l’oxyde de cuivre (I) Cu 2 O, du silicium Si, de l’arséniure de bore BAs, du diséléniure de tungstène WSe 2 , du sulfure de zinc ZnS, du phosphure d’indium InP, du phosphure de gallium-indium GaInP 2 ou un mélange de plusieurs de ces composés. Matériau d’électrode selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le revêtement de protection (12) est en nitrure de tantale dopé Ta 1-x A x N de structure cristallographique hexagonale avec A désignant un dopant correspondant à un ou plusieurs éléments choisis parmi les métaux alcalins, les métaux alcalino-terreux et/ou les métaux de transition et avec x strictement positif et inférieur à 0,05. Matériau d’électrode selon la revendication 3, dans lequel le dopant A est un ou plusieurs éléments choisis parmi le potassium K, le sodium Na, le calcium Ca, le magnésium Mg, l’yttrium Y, le vanadium V, le cuivre Cu et le titane Ti. Matériau d’électrode selon la revendication 3 ou 4, dans lequel x prend une valeur comprise entre 0,01 et 0,05. Procédé de fabrication de dihydrogène H 2 par photocatalyse de l’eau, le procédé comprenant une étape d’exposition d’une électrode comprenant un matériau selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 à source lumineuse. Procédé de fabrication de dihydrogène H 2 selon la revendication 6, dans lequel la source lumineuse est le soleil (31).
Matelas isolant (2) formé d’une superposition de couches (4) formées d’une pluralité de fibres (8) liées les unes aux autres au moyen d’un élément liant (10), le matelas isolant (2) étant formé d’une superposition d’au moins 30 couches (4). Matelas isolant (2) selon la revendication 1, dans lequel le matelas isolant (2) est formé d’une superposition d’au moins 50 couches (4). Matelas isolant (2) selon l’une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel chaque couche du matelas isolant (2) présente un grammage compris en 8 g.m -2 et 30 g.m - ². Matelas isolant (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel chaque couche (4) présente une épaisseur comprise entre 0,05 mm et 2 mm. Matelas isolant (2) selon la revendication 4, dans lequel chaque couche (4) présente une épaisseur comprise entre 0,1 mm et 1 mm. Matelas isolant (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’élément liant (10) est formé d’éléments thermoliants. Matelas isolant (2) selon la revendication 6, dans lequel le matelas isolant (2) comprend entre 2% et 30% d’éléments thermoliants. Matelas isolant selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les fibres (8) présentent une longueur maximale de 20 mm. Matelas isolant (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque couche (4) superposée est inclinée, par rapport à un plan perpendiculaire à une direction selon laquelle est mesurée l’épaisseur du matelas isolant (2), d’un angle d’orientation (α) inférieur à 10°. Procédé de fabrication d’un matelas isolant (2) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, le matelas isolant étant obtenu par la superposition d’au moins 30 couches, le procédé de fabrication mettant en œuvre : - au moins une première étape au cours de laquelle au moins un mélange de fibres (8) et d’éléments liants (10) est déposé sur un premier convoyeur (32) par un dispositif de formage à air (16) de sorte à former un voile primaire (18), - au moins une deuxième étape au cours de laquelle le voile primaire (18) est déposé en couches (4) successives superposées par un dispositif de nappage (36) sur un deuxième convoyeur (40) de sorte à former une superposition de couches (42), - au moins une troisième étape au cours de laquelle la superposition de couches (42) est chauffée dans une étuve de sorte former le matelas isolant (2). Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel au cours de la première étape, le voile primaire (18) est déposé sur un voile support (30) présent sur le premier convoyeur (32). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 et 11, dans lequel le procédé de fabrication met en œuvre une étape antérieure à la deuxième étape au cours de laquelle le voile primaire (18) est chauffé par un dispositif de chauffage (37).