Des aspects préférés mais non limitatifs du procédé selon l’invention sont les suivants : l’agent germinant peut comprendre un milieu fluide à base de nitrure incluant des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns, et préférentiellement entre 1 et 100 microns, l’étape de dépôt comprenant les sous-étapes suivantes : application du milieu fluide sur le fond et les parois latérales du creuset, le milieu étant appliqué en une quantité suffisante pour procurer, au séchage, un film à la surface duquel des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns s’étendent en saillie, exposition du creuset traité selon la sous-étape précédente, à un traitement thermique sous atmosphère oxydante et dans des conditions suffisantes pour provoquer la formation d'une couche de silice et une couche de nitrure de silicium oxydée Si2N2O en surface des particules de taille comprise entre 1 et 200 microns ; la concentration en particules dans le milieu fluide peut être comprise entre 20 et 60% en poids du milieu fluide ; l’agent germinant peut comprendre une poudre composée de particules de taille comprise entre 1 et 200 microns, et préférentiellement entre 1 et 100 microns, l’étape de dépôt comprenant une sous-étape consistant à disposer la poudre au fond du creuset pour obtenir une couche de particules d’épaisseur comprise entre 1 et 10 millimètres ; les particules de taille comprise entre 1 et 200 microns peuvent être choisies parmi : des particules à base de silicium telles que des particules de SiC, des particules de SiO, des particules de SiO2, des particules de Si3N4, des particules d’alumine Al2O3, des particules de céramique ; l’agent germinant peut comprendre au moins une plaque de silicium obtenue par frittage d’une poudre micrométrique avec un composé ayant une température de fusion supérieure ou égale à la température de fusion du silicium, l’étape de dépôt comprenant une sous-étape consistant à disposer ladite et au moins une plaque au fond du creuset ; l’étape de solidification dirigée peut comprendre une sous-étape d’injection, en surface de la charge de silicium à l’état liquide, d’un gaz incluant un composé à base de carbone, tel que du dioxyde de carbone CO2 ; avantageusement, durant la sous-étape d’injection : le gaz peut être injecté à un débit compris entre 0.01 et 1.5L/min, préférentiellement de l’ordre de 1 L/min, et la concentration du gaz en composé à base de carbone peut être de 100% ; l’étape de solidification dirigée peut également comprendre une autre sous-étape d’injection d’un gaz incluant un composé à base d’argon ; avantageusement, durant l’autre sous-étape d’injection : le gaz peut être injecté à un débit compris entre 0.5 et 150 L/min, et la concentration du gaz en composé à base de carbone peut être comprise entre 1% et 20% ; l’étape de solidification dirigée peut comprendre une sous-étape consistant à établir un gradient thermique entre le fond du creuset et une ouverture supérieure du creuset opposée au fond, le gradient thermique étant compris entre 10°C/cm et 50°C/cm, préférentiellement entre 10°C/cm et 20°C/cm, et encore plus préférentiellement sensiblement égal à 15°C/cm ; la phase de formation d’un bloc peut également comprendre une étape de refroidissement du lingot à une vitesse comprise entre 100°C/h et 400°C/h, préférentiellement comprise entre 200°C/h à 300°C/h ; le procédé peut également comprendre une phase de pulvérisation du bloc de silicium pour obtenir une poudre de silicium ; la phase de pulvérisation peut comprendre une étape de concassage du bloc de silicium en morceaux de plus grandes dimensions inférieures à 3mm, et une étape de broyage mécanique, tel qu’un broyage en lit fluidisé pour réduire la taille des particules de silicium à des tailles micrométriques et submicroniques.