Dispositif (200 ; 300) pseudo-bidirectionnel de protection contre des décharges électrostatiques, comprenant : – des première et deuxième diodes (101-1, 101-2) reliant respectivement des première et deuxième bornes (103-1, 103-2) à un même nœud interne (105) du dispositif ; et – une troisième diode (107) reliant le nœud interne (105) à une troisième borne (109) d’application d’un potentiel de référence, dans lequel la troisième diode (107) présente une capacité supérieure à celle des première et deuxième diodes (101-1, 101-2), le dispositif comportant en outre des premier et deuxième éléments capacitifs (201-1, 201-2) connectés respectivement en parallèle des première et deuxième diodes (101-1, 101-2). Dispositif (200 ; 300) selon la revendication 1, dans lequel : – la première diode (101-1) comprend des électrodes d’anode et de cathode connectées respectivement au nœud interne (105) et à la première borne (103-1) ; et – la deuxième diode (101-2) comprend des électrodes d’anode et de cathode connectées respectivement au nœud interne (105) et à la deuxième borne (103-2). Dispositif (200 ; 300) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la troisième diode (107) comprend des électrodes d’anode et de cathode connectées respectivement au nœud interne (105) et à la troisième borne (109). Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les premier et deuxième éléments capacitifs (201-1, 201-2) sont des condensateurs. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le dispositif présente une structure monolithique. Dispositif (200 ; 300) selon la revendication 5, dans sa dépendance à la revendication 4, dans lequel les premier et deuxième éléments capacitifs (201-1, 201-2) sont des condensateurs MIM. Dispositif (300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre : – des troisième et quatrième éléments capacitifs (301-1, 301-2), distincts des premier et deuxième éléments capacitifs (201-1, 201-2), reliant respectivement les première et deuxième bornes (103-1, 103-2) à la troisième borne (109) ; et – des premier et deuxième éléments résistifs (303-1, 303-2) reliant respectivement les première et deuxième bornes (103-1, 103-2) à des quatrième et cinquième bornes (305-1, 305-2). Dispositif (300) selon la revendication 7, dans lequel : – les troisième et quatrième éléments capacitifs (301-1, 301-2) présentent chacun une capacité égale à environ 55 pF ; et – les premier et deuxième éléments résistifs (303-1, 303-2) présentent chacun une résistance égale à environ 50 Ω. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les première, deuxième et troisième diodes (101-1, 101-2, 107) sont des diodes Zener ou des diodes de suppression de tensions transitoires. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les premier et deuxième éléments capacitifs (201-1, 201-2) présentent des capacités sensiblement identiques entre elles. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les premier et deuxième éléments capacitifs (201-1, 201-2) présentent chacun une capacité égale à environ 10 pF. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la troisième diode (107) présente une capacité au moins deux fois supérieure, de préférence au moins cinq fois supérieure, plus préférentiellement environ dix fois supérieure à celles des première et deuxième diodes (101-1, 101-2). Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel : – les première et deuxième diodes (101-1, 101-2) présentent chacune une capacité égale à environ 4,5 pF ; et – la troisième diode (107) présente une capacité égale à environ 38 pF. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel les première et deuxième bornes (103-1, 103-2) sont des bornes d’entrée et/ou de sortie d’un circuit intégré. Dispositif (200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel le nœud interne (105) correspond à un substrat semiconducteur dans et sur lequel est formé le dispositif.