Dispositif émetteur-récepteur optique, comprenant : une carte de circuit imprimé (PCB) (110) ; un substrat de circuit intégré (CI) (120) monté sur la PCB (110) par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB (110) et une première surface du substrat CI (120), le substrat CI (120) comprenant au moins un parmi des éléments actifs et des éléments passifs ; un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) (130) monté sur une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI, avec une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux ; et un détecteur optique (140) monté adjacent au VCSEL (130) sur la seconde surface du substrat CI (120) avec une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux ; dans lequel le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI (120) et une seconde surface du substrat CI (120), et une pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b) s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction, et dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) confiné dans le substrat CI (120) comprend une pluralité de chemins de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130), chacun étant confiné dans le substrat CI (120). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au détecteur optique (140) est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au VCSEL (130). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel la pluralité de piliers conducteurs (132) comprend du cuivre. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel une largeur de la pluralité de piliers conducteurs (132) est comprise entre environ 40 µm et environ 120 µm. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 7, dans lequel un pas entre la pluralité de piliers conducteurs (132) est compris entre environ 30 et environ 120 µm. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, comprenant également un composé thermiquement conducteur disposé entre le VCSEL (130) et la seconde surface du substrat CI (120). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le détecteur optique (140) est séparé du VCSEL (130) par un espace ayant une largeur comprise entre environ 300 et environ 500 µm. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 10, comprenant également un composé de moulage (150) qui s’étend dans l’espace. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 11, dans lequel le composé de moulage (150) formé sur la seconde surface du substrat CI (120) recouvre une pluralité de côtés du VCSEL (130) et une pluralité de côtés du détecteur optique (140). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 12, dans lequel une surface supérieure du composé de moulage (150) est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL (130) et d’une surface supérieure du détecteur optique (140). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le VCSEL (130) est un VCSEL à émission arrière. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le VCSEL (130) comprend des matériaux III-V. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le détecteur optique (140) comprend des matériaux InP. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel un sommet de VCSEL (130) et un sommet de détecteur optique (140) sont sensiblement coplanaires. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel une distance entre une surface inférieure du VCSEL (130) et la seconde surface du substrat CI (120) est comprise entre environ 50 µm à environ 100 µm. Procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, comprenant : le montage d’un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) (130) sur une première surface d’un substrat de circuit intégré (CI) (120) à l’aide d’une première pluralité de connecteurs électriques entre eux, le substrat CI (120) comprenant au moins un parmi des éléments actifs et des éléments passifs ; le montage d’un détecteur optique (140) adjacent au VCSEL (130) sur la première surface du substrat CI (120) à l’aide d’une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux, et dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120) ; et la couverture d’une pluralité de côtés du VCSEL (130) et d’une pluralité de côtés du détecteur optique (140) avec un composé de moulage (150). Procédé selon la revendication 19, comprenant également le montage du substrat CI (120) sur une carte de circuit imprimé (PCB) (110) à l’aide d’une troisième pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB (110) et une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120). Procédé selon la revendication 19, dans lequel le détecteur optique (140) est séparé du VCSEL (130) par un espace ayant une largeur comprise entre ~300 µm et ~500 µm. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le composé de moulage (150) s’étend dans l’espace. Procédé selon la revendication 19, dans lequel la première pluralité de connecteurs électriques comprend un processus de refusion de soudure et la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI et une seconde surface du substrat CI, et une pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b) s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction. Procédé selon la revendication 24, dans lequel un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au détecteur optique (140) est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au VCSEL (130). Procédé selon la revendication 19, dans lequel une surface supérieure du composé de moulage (150) est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL (130) et d’une surface supérieure du détecteur optique (140). Procédé selon la revendication 19, dans lequel le VCSEL (130) est un VCSEL à émission arrière. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le VCSEL (130) comprend des matériaux III-V. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le détecteur optique (140) comprend des matériaux InP. Procédé selon la revendication 19, dans lequel un sommet de VCSEL (130) et un sommet de détecteur optique (140) sont sensiblement coplanaires. Procédé selon la revendication 19, dans lequel une distance entre une surface inférieure du VCSEL (130) et la première surface du substrat CI (120) est comprise entre environ 50 µm et environ 100 µm. Procédé selon la revendication 19, dans lequel un substrat CI (120) comprend une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant verticalement de la première surface du substrat CI (120) à une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120), et une pluralité de couches conductrices s’étendant horizontalement. Procédé selon la revendication 32, dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120). Procédé selon la revendication 19, comprenant également la formation, avant le montage du détecteur optique (140), d’un composé thermiquement conducteur entre le VCSEL (130) et la première surface du substrat CI (120). Assemblage optoélectronique comprenant : une carte de circuit imprimé (PCB) (110) ; un substrat de circuit intégré (CI) (120) monté fonctionnellement sur la PCB (110), le substrat CI (120) comprenant au moins l’un parmi des éléments actifs et des éléments passifs ; un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) (130) monté fonctionnellement sur une première surface du substrat CI (120) ; un détecteur optique (140) monté fonctionnellement adjacent au VCSEL (130) sur la première surface du substrat CI (120) ; et un composé de moulage (150) formé sur le substrat CI (120) encapsulant une pluralité de côtés du VCSEL (130) et une pluralité de côtés du détecteur optique (140), dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (120) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le substrat CI (120) comprend : une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI (120) et une seconde surface du substrat CI (120), et une pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b) s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction. Assemblage optoélectronique selon la revendication 36, dans lequel l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) confiné dans le substrat CI (120) est réalisé par la pluralité de piliers conducteurs (132) et la pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b). Assemblage optoélectronique selon la revendication 36, dans lequel un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au détecteur optique (140) est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au VCSEL (130). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel un sommet du VCSEL (130) et un sommet du détecteur optique (140) sont sensiblement coplanaires. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel une première distance entre une surface inférieure du VCSEL (130) et la première surface du substrat CI (120) est comprise entre environ 50 µm et environ 100 µm. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le substrat CI (120) est monté fonctionnellement sur la PCB (110) par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB (110) et une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120). Assemblage optoélectronique selon la revendication 41, dans lequel la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le VCSEL (130) est monté fonctionnellement sur la première surface du substrat CI (120) par une seconde pluralité de connecteurs électriques entre eux, et dans lequel le détecteur optique (140) est monté fonctionnellement adjacent au VCSEL (132) sur une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120), par une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux. Assemblage optoélectronique selon la revendication 43, dans lequel la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le détecteur optique (140) est séparé du VCSEL (130) par un espace ayant une largeur comprise entre ~300 µm et ~500 µm. Assemblage optoélectronique selon la revendication 45, dans lequel le composé de moulage (150) s’étend dans l’espace. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel une surface supérieure du composé de moulage (150) est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL (130) et d’une surface supérieure du détecteur optique (140). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le VCSEL (130) est un VCSEL à émission arrière. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le VCSEL (130) comprend des matériaux III-V. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le détecteur optique (140) comprend des matériaux InP.