Procédé de transfert de couche sur une face principale d’un substrat support, le procédé comprenant : a) une étape de formation de cavités dans un substrat support, lesdites cavités débouchant par une face principale dudit substrat support ; b) une étape de report d’une couche, dite couche de scellement, à partir d’un substrat donneur, en recouvrement de la face principale et destinée à sceller l’ensemble des cavités formées au cours de l’étape a) ; l’étape a) étant exécutée de sorte que l’ensemble des cavités sont réparties régulièrement sur une zone, dite zone principale, de la face principale, et de sorte que ladite face principale comprenne une couronne périphérique dépourvue de cavités et à l’intérieure de laquelle la zone principale est circonscrite, la couronne périphérique s’étend à partir du bord du substrat support sur une longueur L inférieure à une longueur prédéterminée Lp, ladite longueur prédéterminée Lp étant une longueur en deçà de la laquelle la couche de scellement est exempte de zones non transférées au niveau de la couronne périphérique. Procédé de transfert selon la revendication 1, dans lequel l’étape a) de formation des cavités comprend les sous-étapes suivantes : a1) une sous-étape de formation d’un masque périphérique en recouvrement de la couronne périphérique, et destiné à protéger d’une gravure physique ou chimique ladite couronne périphérique ; a2) une sous-étape de formation d’un masque principal en recouvrement de la zone principale et au moins partiellement du masque périphérique, le masque principal comprenant des ouvertures définissant le positionnement et la taille des cavités destinées à être formées ; a3) une sous-étape de gravure conduisant à la formation des cavités dans la zone principale. a4) une sous-étape de retrait du masque principal et du masque périphérique afin d’exposer à l’environnement extérieur l’intégralité de la face principale. Procédé de transfert selon la revendication 2, dans lequel le masque périphérique est réalisé par un processus de photolithographie mettant en œuvre une résine photosensible négative. Procédé de transfert selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le masque principal est réalisé par un autre processus de photolithographie mettant en œuvre une résine photosensible. Procédé de transfert selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape de report de couche conduit à la formation d’une couronne de bord sur la face principale et qui s’étend sur une distance D à partir du bord du substrat support, ladite couronne de bord étant une zone sur laquelle la couche de scellement est absente, la longueur L étant supérieure à la distance D et inférieure la somme de la distance D et d’une distance H, H étant inférieur à 500 micromètres, avantageusement inférieur à 200 micromètres, encore plus avantageusement inférieur à 100 micromètres. Procédé de transfert selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la longueur L est comprise entre 500 micromètres et 2500 micromètres, avantageusement entre 500 micromètres et 1500 micromètres, toujours avantageusement entre 500 micromètres et 1000 micromètres, encore plus avantageusement entre 500 micromètres et 800 micromètres, toujours encore plus avantageusement entre 500 micromètres et 700 micromètres. Procédé de transfert selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel les cavités sont de forme rectangulaire et dont chaque côté présente une longueur comprise entre 2 micromètres et 500 micromètres, avantageusement entre 2 micromètres et 500 micromètres, encore plus avantageusement entre 2 micromètres et 40 micromètres. Procédé de transfert selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape b) est exécutée de sorte que la couche de scellement présente une épaisseur comprise entre 100 nm et 2000 nm. Procédé de transfert selon la revendication 1, dans lequel l’étape b) comprend la séquence de sous-étapes suivantes : b1) une étape de formation d’un plan de fragilisation dans le volume du substrat donneur, le plan de fragilisation délimitant avec une face, dite face d’assemblage, du substrat donneur, la couche de scellement ; b2) une étape d’assemblage du substrat donneur et du substrat support par mise en contact de la face d’assemblage et de la face principale ; b3) une étape de fracture destinée à initier une onde de fracture le long du plan de fragilisation permettant le détachement de couche de scellement du substrat donneur. Procédé de transfert selon la revendication 9, dans lequel la sous-étape b1) de formation d’un plan de fragilisation comprend une implantation d’espèces. Procédé de transfert selon la revendication 9 ou 10, dans lequel la sous-étape b2) comprend un collage moléculaire de la face d’assemblage avec la face principale. Procédé de transfert selon l’une des revendications 9 à 11, dans lequel la sous-étape b3) comprend un traitement thermique destiné à initier la propagation de l’onde de fracture.