INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation de l’invention, la source de matrice liquide comprend de préférence un réservoir contenant un liquide aqueux. Selon un mode de réalisation de l’invention, la source de matrice liquide est branchée à un réseau de distribution d’eau.
Selon un mode de réalisation de l’invention, ladite au moins une source de substances d’enrichissement comprend au moins un pousse-seringue contenant une substance d’enrichissement respective et en communication stérile avec la ligne de débit de liquide, de préférence connectable de manière amovible à la ligne de débit de liquide via une interconnexion stérile. Un pousse-seringue est un moyen pratique pour maintenir la stérilité en formant une connexion avec la ligne de débit. En effet, le pousse-seringue et la ou les réserve(s) de nutriments concentrés peuvent être passées à l’autoclave ensemble avec le circuit principal. De plus, le pousse-seringue permet un dosage très précis. Selon un mode de réalisation de l’invention, un filtre peut être placé en aval du pousse-seringue. Selon un mode de réalisation de l’invention, on peut également mettre en œuvre toute solution qui permette un rechargement stérile du pousse-seringue.
Selon un mode de réalisation de l’invention, les moyens pour amener la matrice liquide à s'écouler à travers la ligne de débit de liquide comprennent une pompe.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le débitmètre est configuré pour mesurer un débit de la matrice liquide à travers la ligne de débit de liquide.
Selon un mode de réalisation de l’invention, les moyens pour initier la fourniture du milieu de culture au bioréacteur comprennent une vanne entre la ligne de débit de liquide et le bioréacteur.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le système comprend une pluralité de bioréacteurs avec de multiples vannes respectives dirigeant le milieu de culture vers ceux-ci.
Selon un mode de réalisation de l’invention, le système comprend en outre un contrôleur connecté de manière opérationnelle à chacun des moyens pour amener la matrice liquide à s'écouler à travers la ligne de débit de liquide, les moyens pour injecter ladite au moins une source de substances d’enrichissement , et les moyens pour fournir une quantité souhaitée du milieu de culture au bioréacteur, de sorte qu'un milieu de culture ayant une concentration en substances d’enrichissement dynamiquement ajustable peut être fourni au bioréacteur d'une manière automatisée.
Liste des figures Des modes de réalisation de l'invention seront maintenant décrits à titre d'exemple uniquement en référence aux dessins des figures 1 à 5.
illustre un système connu pour l'alimentation en milieu de culture d’un bioréacteur d’une manière manuelle;
Exemple 3 : Synthèse de polymères de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique
Des polymères hydrosolubles de différentes compositions monomériques sont obtenus par réaction dans un réacteur de 1,5 L équipé d’un agitateur mécanique, d’un thermomètre et d’une arrivée d’azote. Les monomères sont introduits dans le réacteur en présence d’eau distillée. Une quantité appropriée de soude est ajoutée afin de neutraliser exactement 100% des monomères acides (ATBS). La concentration totale des monomères dans le mélange réactionnel est de 25% en poids.
Deux types d’ATBS (acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique) poudre sont utilisés, l’un sous forme cristalline du sel de sodium (polymère B) ; l’autre ne se trouve pas sous forme cristalline du sel de sodium, mais sous forme d’aiguille et acide (polymère A).
Le mélange obtenu est homogénéisé puis refroidi et dégazé sous un flux d’azote. La polymérisation est ensuite initiée à l’aide d’un système redox hypophosphite de sodium et tert-Butyl Hydroperoxyde. Le gel résultant, obtenu après polymérisation est ensuite broyé et séché dans un four de séchage de manière à obtenir une poudre.
Les différents polymères obtenus sont tous des polymères hydrosolubles de haut poids moléculaires compris entre 10 et 12 millions de g/mol.
Le polymère A (contre-exemple) est un polymère d’acrylamide (70 mol%) et d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique sous forme non cristalline et acide (30 mol%).
Le polymère B (exemple selon l’invention) est un polymère d’acrylamide (70 mol%) et d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique sous forme cristalline du sel de sodium (30 mol%).
Les polymères A et B sont dissous dans de l’eau du robinet afin d’obtenir des solutions aqueuses présentant une concentration de 0,4 % en poids de polymère par rapport au poids total de la solution. Les deux solutions sont agitées mécaniquement à 500 t/min jusqu’à la solubilisation complète des polymères et l’obtention de solutions claires et homogènes.
Exemple 4 : Traitement d’un effluent minier Une série de tests de floculation est effectuée sur un effluent minier provenant d’une mine de charbon, et présentant une teneur en solides de 18,2 % en poids.
Une quantité de chaque solution, correspondant à un dosage en polymère de 280 g de polymère par tonne de matière sèche de l’effluent minier, est ajoutée dans 200 g d’effluent minier puis un mélange complet est effectué manuellement jusqu’à ce qu’on observe une floculation et une libération d’eau optimale.
Le résultat est exprimé grâce à la LNE (Libération Nette de l’Eau) qui correspond à la quantité totale d’eau récupérée 1 heure après le test de floculation moins la quantité d’eau indument ajoutée lors de l’incorporation de la solution aqueuse polymérique dans la suspension. La même LNE est calculée après 24 heures, ce qui permet d’avoir un bon aperçu de la libération maximale d’eau.
La LNE avec le polymère A est de 59 mL contre 83 mL avec le polymère B. La LNE après 24 heures avec le polymère A est de 70 mL contre 90 mL avec le polymère B. L’eau libérée lors de la floculation avec le polymère B est plus claire que celle libérée lors de la floculation avec le polymère A.
Les résultats de cette expérience démontrent bien que l’utilisation d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique sous forme cristalline sel de sodium permet d’obtenir un polymère plus efficace pour floculer un effluent minier provenant d’une mine de charbon.
Exemple 5 : Traitement d’une b oue rouge provenant d’un procédé Bayer
Une autre série de test est effectuée sur une boue rouge provenant d’un procédé Bayer, et présentant une teneur en solides de 22.8 % en poids.
Le polymère C (contre-exemple) est un polymère d’acrylamide (35 mol%) et d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique sous forme non cristalline et acide (65 mol%).
En outre, de telles architectures permettent de conserver une masse en position basse, ce qui favorise la résistance de l’infrastructure photovoltaïque aux efforts induits par le vent.
Selon un autre aspect avantageux, la structure photovoltaïque est montée mobile à rotation sur la portion supérieure de l’armature.
Cela permet de ne déplacer que la structure photovoltaïque en fonction de la position du soleil, ce qui limite la consommation d’énergie de l’infrastructure photovoltaïque.
Selon un autre aspect avantageux, la portion supérieure de l’armature comprend des moyens d’inclinaison de la structure photovoltaïque.
Les moyens d’inclinaison permettent d’optimiser la position de la structure photovoltaïque en fonction de la position du soleil.
Ainsi, en optimisant la position de la structure photovoltaïque le rendement de production de l’infrastructure photovoltaïque est amélioré.
Selon un autre aspect avantageux, les moyens d’inclinaison comprennent un moteur secondaire situé dans une partie basse de la portion supérieure et des éléments de transmission reliant le moteur secondaire à la structure photovoltaïque.
La position du moteur secondaire dans une partie basse de la portion supérieure permet de limiter le poids dans la partie haute de l’infrastructure, au bénéfice de la stabilité de l’infrastructure photovoltaïque.
En outre, la position du moteur secondaire dans une partie basse de la portion supérieure permet d’en faciliter sa maintenance puis qu’un technicien n’a pas à escalader la portion supérieure pour atteindre le moteur secondaire, ou d’avoir recours à une nacelle qui alourdirait les coûts de maintenance.
Selon un autre aspect avantageux, les premières extrémités des pieds de la portion inférieure forment un premier plan et les deuxièmes extrémités des pieds de la portion inférieure forment un deuxième plan, le premier plan et le deuxième plan étant distants l’un de l’autre.
Une telle architecture permet un enfouissement partiel de la portion inférieure de l’armature tout en maintenant la deuxième extrémité au-dessus du sol pour y accéder facilement.
En outre, cela permet de positionner toutes les machines nécessaires à la production d’électricité sous la portion inférieure de l’armature, et ainsi de les protéger.
Selon un autre aspect avantageux, la portion inférieure et la portion supérieure sont formées par assemblage mécano-soudé de tubes.
L’utilisation d’un assemblage mécano-soudé de tubes permet de rendre l’armature résistante tout en limitant son poids.
Selon un autre aspect avantageux, la première extrémité de chaque pied présente une interface de liaison à un poids destiné à lester la portion inférieure de l’armature.
Lorsque la portion inférieure de l’armature n’est pas enfouie, cela permet de garantir la stabilité de l’infrastructure photovoltaïque.
Il y a donc un réel besoin d’un procédé et d’un système de gestion d’interface qui permettent d’éviter ces perturbations associées aux fenêtres d’alerte ou de notification.
Description de l’invention Pour résoudre un ou plusieurs des inconvénients cités précédemment, selon un premier mode de réalisation, un procédé de gestion d’une interface d’un système automatique comprend : présentation d’informations sélectionnables sur l’interface ; détection d’une sélection d’une information par un utilisateur de l’interface ; si la présentation d’informations est restée inchangée pendant une durée prédéterminée précédant la détection de sélection, validation de la sélection.
Ainsi, on est sûr que la validation porte sur l’information que l’utilisateur souhaite sélectionner.
Des caractéristiques ou des modes de réalisation particuliers, utilisables seuls ou en combinaison sont : si la présentation d’informations a été modifiée pendant la durée prédéterminée, la sélection n’est pas validée  ; si la présentation d’informations a été modifiée pendant la durée prédéterminée, la sélection est validée sur la présentation d’informations non modifiée  ; la durée prédéterminée est comprise entre 100 et 500 ms ; et/ou si la présentation d’information a été modifiée pendant la durée prédéterminée sur une partie de l’interface, la sélection est validée si l’information sélectionnée se trouve sur la partie non modifiée de l’interface.
Dans un second mode de réalisation, un produit-programme d’ordinateur téléchargeable depuis un réseau de communication et/ou enregistré sur un support lisible par ordinateur et/ou exécutable par un processeur, est caractérisé en ce qu’il comprend des instructions de code de programme pour la mise en œuvre du procédé ci-dessus.
Dans un troisième mode de réalisation, un système de gestion d’une interface d’un système automatique comprend : une interface adaptée pour présenter des informations sélectionnables ; associée à un dispositif de sélection d’une information par un utilisateur de l’interface ; connectés à un contrôleur adapté pour ne valider la sélection réalisée par le dispositif que si la présentation d’informations est restée inchangée pendant une durée prédéterminée précédant la détection de sélection.
Brève description des figures L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite uniquement à titre d’exemple, et en référence aux figures en annexe dans lesquelles : représente une première vue d’un système de gestion d’interface selon un premier mode de réalisation et dans un premier état ; représente une seconde vue du système de la dans un second état ; représente un ordinogramme du procédé de gestion de l’interface selon un premier mode de réalisation ; et représente un ordinogramme du fonctionnement d’une variante du procédé de la .
Modes de réalisation En référence à la , une interface comprend un écran 1 associé à un clavier 3 et une souris 5.
L’écran 1 affiche des informations visuelles de tout ordre telles que du texte, des images, des vidéos, etc. Certaines de ces informations sont sélectionnables par un utilisateur via le clavier 3 ou la souris 5. L’interface est connectée à un contrôleur 7, par exemple un ordinateur, qui pilote l’affichage des informations et reçoit les saisies de l’utilisateur à travers le clavier 3 et la souris 5.
Par exemple, l’écran 1 affiche une liste de liens HTML (pour « HyperText Markup Language » en anglais, soit « Langage de Balisage Hypertexte ») 9. Chaque lien sélectionné ouvre un nouveau fichier, par exemple une nouvelle page HTML.
La présente la même interface que celle de la . Sur l’écran 1, une fenêtre de notification 11 est apparue cachant une partie des liens 9, en particulier le lien « CCCCC ». Cette fenêtre de notification apparait à la suite d’un événement intervenu sur l’ordinateur 7. Par exemple, l’arrivée d’un nouveau courriel dans la boite aux lettres de l’utilisateur peut déclencher une fenêtre de notification.
Or, si l’utilisateur est en train de sélectionner le lien « CCCCC » au moment où la fenêtre 11 apparait, c’est la fenêtre 11 qui est sélectionnée entrainant, dans l’exemple, l’affichage du courriel venant d’arriver dans la boite aux lettres au lieu du fichier correspondant au lien « CCCCC ».
En effet, il y a un délai neuromusculaire de quelques dixièmes de milliseconde entre la décision de sélectionner le lien et, par exemple, le clic de souris de sélection, et donc il est possible de se trouver dans la situation suivante : Décision de sélection du lien ; Affichage de la fenêtre de notification ; Clic de sélection ; Sélection de la fenêtre de notification.
Pour éviter ce que l’utilisateur va considérer comme une sélection erronée, la gestion de l’interface est alors la suivante, :
L’ordinateur 7 affiche, étape 31, sur l’écran 1, une fenêtre comprenant des informations sélectionnables.
L’ordinateur 7 affiche, étape 33, sur l’écran 1, une fenêtre de notification.
Les cavités 30 se trouvent à l’aplomb soit des premières zones Z1, soit des deuxièmes zones Z2 du plan fragile enterré fonctionnel 12, selon les modes de mise en œuvre.
Le principe du collage direct, bien connu dans l’état de l’art, ne sera pas décrit en détail ici. Parce qu’il est basé sur une adhésion moléculaire entre des faces assemblées, un très bon état de surface (propreté, faible rugosité, ...) des substrats 11,20 est requis, pour obtenir une bonne qualité d’assemblage.
Préalablement à l’assemblage, une préparation des substrats donneur 11 et support 20, est habituellement réalisée. A titre d’exemple, une séquence classique utilisée en microélectronique, notamment pour des substrats à base de silicium, comprend un nettoyage à l’ozone, un nettoyage de type SC1 (« Standard Clean 1 ») et un nettoyage de type SC2 (« Standard Clean 2 »), avec des rinçages intercalés. Une activation des surfaces à assembler, par exemple par plasma, pourra également être effectuée avant la mise en contact, pour favoriser une forte énergie de collage entre lesdites surfaces.
Optionnellement, le substrat donneur 11 et/ou le substrat support 20 peuvent comprendre une couche intermédiaire 50, au moins au niveau de leurs faces avant 11a,20a respectives, pour favoriser la qualité de collage et l’énergie de collage de leur interface, ou pour les besoins de l’application ( , , , ). Cette couche intermédiaire peut notamment être formée en un matériau isolant, tel que l’oxyde de silicium, le nitrure de silicium, etc. Dans le cas particulier où le substrat donneur 11 et le substrat support 20 sont en silicium, la structure 100 obtenue à l’issue du procédé est alors une structure SOI (silicium sur isolant) avec cavités 30 enterrées.
La couche intermédiaire 50, disposée sur le substrat donneur 11 et/ou sur le substrat support 20 peut être formée par croissance ou dépôt après l’une des étapes a) à d) du procédé.
Le collage direct de l’étape e) peut être opéré sous atmosphère ambiante ou sous atmosphère contrôlée (par exemple, dans une enceinte sous basse pression).
L’étape f) suivante du procédé de fabrication correspond à l’application d’un traitement thermique à la structure collée 90 pour provoquer la séparation spontanée le long du plan fragile enterré fonctionnel 12 et former d’une part la structure 100 et d’autre part le reste du substrat donneur 11’ ( , , , ). La structure 100 comprend la couche mince 10, assemblée au substrat support 20, soit directement, soit via une couche intermédiaire 50, le long d’une interface de collage 40, et des cavités enterrées 30.
Comme évoqué précédemment, le demandeur a identifié que la qualité du transfert de la couche mince 10 du substrat donneur 11 sur le substrat support 20, était améliorée par l’application de températures de séparation plus élevées. La présente des images d’une portion de la surface de plusieurs structures SOI avec cavités (non conformes à l’invention), après transfert, pour différentes températures de traitement thermique entre 350°C et 450°C (recuit isotherme). Il apparaît clairement que la densité de défauts de transfert (en noir sur les images) diminue avec l’augmentation de la température du traitement thermique de l’étape f).
Dans le procédé de fabrication selon l’invention, le plan fragile enterré fonctionnel 12 est composé de deux zones Z1, Z2 présentant des caractéristiques d’implantation distinctes, qui permettent de favoriser d’une part une cinétique de transfert compatible avec des températures « élevées » (dans les régions bénéficiant de l’effet raidisseur), et d’autre part, la formation de cloques de taille importante à ces températures avec, éventuellement, un minimum d’exfoliation locale (dans les régions à l’aplomb des cavités 30, ne bénéficiant pas de l’effet raidisseur).
Selon un exemple de mise en œuvre, ce sont les deuxièmes zones Z2 du plan fragile enterré fonctionnel 12 qui sont à l’aplomb des cavités 30 dans la structure collée 90.
Dans le cas particulier d’une structure 100 visée de type SOI avec cavités, les premières espèces légères peuvent être des ions ou atomes d’hydrogène, et les deuxièmes espèces des ions ou atomes d’hélium. En pratique, le substrat donneur 11 est donc en silicium monocristallin, le substrat support 20 est en silicium, et une couche intermédiaire 50 en oxyde de silicium (par exemple, d’épaisseur 200 nm) est disposée en tout ou partie sur l’une et/ou l’autre des faces avant 11a,20a, avant l’assemblage. A titre d’exemple, les cavités 30 sont réalisées sur le substrat donneur 11, et présentent une profondeur de 100 nm, des dimensions latérales de 40μm et un espacement de 7μm. L’énergie d’implantation des premières espèces légères (hydrogène) est de 140 keV, avec une dose de 6 E 16 /cm 2 ; l’énergie d’implantation des deuxièmes espèces (hélium) est de 220 keV, avec une dose de 2 E 16 /cm 2 .
Les premières zones Z1 du plan fragile enterré fonctionnel 12, qui ne comportent que les espèces hydrogène, sont à l’aplomb de régions bénéficiant d’un effet raidisseur ; les caractéristiques d’implantation dans les premières zones Z1 sont ici favorables à un transfert dans les gammes de températures plus élevées (typiquement supérieures ou égales à 450°C).
Les deuxièmes zones Z2 du plan fragile enterré fonctionnel 12, qui comportent les premières espèces (hydrogène) et les deuxièmes espèces (hélium), sont à l’aplomb de régions ne bénéficiant pas de l’effet raidisseur (cavités 30) ; les caractéristiques d’implantation dans les deuxièmes zones Z2 sont ici favorables à la formation de cloques de grandes dimensions, dans les gammes de températures « élevées » susmentionnées.
Selon un autre exemple de mise en œuvre, ce sont les premières zones Z1 du plan fragile enterré fonctionnel 12 qui sont disposées à l’aplomb des cavités 30 dans la structure collée 90.
Dans le cas particulier d’une structure 100 visée de type SOI avec cavités, les premières espèces légères peuvent être des ions ou atomes d’hydrogène, ou des ions ou atomes d’hélium, ou encore des ions ou atomes d’hydrogène et d’hélium (l’étape c) consisterait alors à une co-implantation, c’est-à-dire deux implantations successives de ces deux espèces légères). Les deuxièmes espèces implantées localement sont des ions ou atomes susceptibles de ralentir la cinétique de croissance de microfissures dans les deuxièmes zones Z2 du plan fragile enterré fonctionnel 12, comparativement à la cinétique de croissance de microfissures dans les premières zones Z1. Ces deuxièmes espèces peuvent par exemple être des ions ou atomes de silicium qui vont endommager le matériau du substrat donneur 11 jusqu’à un niveau plus ou moins proche de l’amorphisation et ainsi modifier la cinétique de croissance des microfissures. Des deuxièmes espèces de nature différente pourraient bien sûr être implantées pour atteindre ce même objectif.
En pratique, le substrat donneur 11 est en silicium monocristallin, le substrat support 20 est en silicium, et une couche intermédiaire 50 en oxyde de silicium (par exemple, d’épaisseur 200 nm) est disposée sur la face avant 20a, avant l’assemblage. A titre d’exemple, les cavités 30 sont réalisées dans le substrat donneur 11, et présentent une profondeur de 100nm, des dimensions latérales de 40μm et un espacement de 7μm. L’énergie d’implantation des premières espèces légères (hydrogène et hélium co-implantés) est de 32 keV (H) et de 52 keV (He), avec des doses respectives de 1 E 16 /cm 2 et 1.5 E 16 /cm 2 ; l’énergie d’implantation des deuxièmes espèces (Si) est de 360 keV, avec une dose de 10 E 14 /cm 2 .
Condition C2 de défaut associée à P 5 :
C21) -dispositif de protection 8 2 : présence de défaut dans le sens 1 ou absence de détection de défaut ;
C22) -dispositif de protection 8 9 : présence de défaut dans le sens 1 ou absence de détection de défaut ;
C23) - dispositif de protection 8 10 : présence de défaut dans le sens 1 ou absence de détection de défaut ;
C24) dispositif de protection 8 6 : absence de détection de défaut.
Dans le cas où la condition de défaut en P 5 est validée, le déclenchement (e.g. l’ouverture) en priorité des dispositifs de protection 8 2 ,8 9 et 8 10 , lorsqu’ils détectent la présence d’un défaut, est commandé, avec une temporisation de déclenchement inférieure à la temporisation nominale, voir égale à zéro.
Condition de défaut C3 associée à P 7 :
C31) -dispositif de protection 8 10 : présence de défaut dans le sens 2 ou absence de détection de défaut ;
C32) -dispositif de protection 8 11 : présence de défaut dans le sens 2 ou absence de détection de défaut ;
Dans le cas où la condition de défaut en P 7 est validée, le déclenchement (e.g. l’ouverture) en priorité des dispositifs de protection 8 10 et 8 1 1 , lorsqu’ils détectent la présence d’un défaut, est commandé, avec une temporisation de déclenchement inférieure à la temporisation nominale, voir égale à zéro.
Condition de défaut C4 associée à P 9 :
C41) -dispositif de protection 8 3 : présence de défaut dans le sens 1 ou absence de détection de défaut ;
C42) -dispositif de protection 8 11 : présence de défaut dans le sens 1 ou absence de détection de défaut ;
C43) - dispositif de protection 8 12 : présence de défaut dans le sens 2 ou absence de détection de défaut ;
C44) dispositif de protection 8 7 : absence de détection de défaut.
Dans le cas où la condition de défaut en P 9 est validée, le déclenchement (e.g. l’ouverture) en priorité des dispositifs de protection 8 3 , 8 11 et 8 1 2 , lorsqu’ils détectent la présence d’un défaut, est commandé, avec une temporisation de déclenchement inférieure à la temporisation nominale, voir égale à zéro.
- le moteur est positionné sur le couvercle supérieur du boitier et à l’extérieur de la cavité, le moteur étant connecté au disque au moyen d’une vis de liaison fixée au disque d’une part et au moteur d’autre part, et traversant le couvercle supérieur ;
- le disque est supporté par le couvercle supérieur au moyen :
- de la vis de liaison et d’une goupille, bloquant en translation la vis de liaison par rapport au couvercle supérieur du boitier et