INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les couches du réseau d’interconnexions INTRCX sont ensuite retirées jusqu’à découvrir le substrat SUB dans la zone de découpe SL_REG. Avantageusement, le retrait de ces couches est réalisé par une gravure par un plasma de type ionique réactif.
La illustre le résultat d’une étape 202 de formation des couches diélectriques D1, D2 et D3. Les couches diélectriques D1 et D2 représentent les couches dites de « passivation » précédemment décrites avec les mêmes références en relation avec les figures 2 à 6 sans toutefois être limitatives en termes de nombre de couches diélectriques. Les couches diélectriques D1, D2, D3 peuvent présenter des matériaux et une épaisseur commune Ed identiques à celles décrites précédemment en relation avec la . Plus particulièrement, les couches diélectriques D1, D2, D3 sont formées uniformément sur la plaquette semiconductrice de sorte que l’épaisseur Ed soit équivalente, voire égale dans la zone de découpe SL_REG et dans la zone de contact BOND_REG.
En particulier, une portion verticale des couches diélectriques D1, D2 et D3 recouvre le bord FL des couches du réseau d’interconnexions INTRCX située sur les flancs de l’ouverture du chemin de découpe faite à l’étape 201. La portion verticale des couches diélectriques D1, D2, D3 correspond à la couche diélectrique verticale BUFF2, qui possédera la même fonction de protection du bord extérieur FL des couches du réseau d’interconnexions INTRCX décrite précédemment en relation avec la .
Les couches diélectriques D1, D2, D3 du masque dur HM auront la même structure formée à l’intérieur de la partie gravée lors de la première étape de gravure 201 ainsi qu’au-dessus du contact PAD.
La illustre schématiquement le résultat d’une deuxième étape 203 de gravure.
La deuxième étape 203 de gravure comprend une formation d’un quatrième masque provisoire RES4 sur les couches diélectriques D1, D2, D3 de la plaquette. Le quatrième masque provisoire RES4, typiquement en résine, présente une ouverture dans la zone de contact BOND_REG et une ouverture dans la zone de découpe SL_REG. Plus particulièrement, le quatrième masque provisoire RES4 recouvre la portion verticale des couches diélectriques D1, D2 et D3 dans la zone de découpe SL_REG.
La deuxième étape 203 de gravure comprend un retrait des couches diélectriques D1, D2, D3 dans la zone de contact BOND_REG et dans la zone de découpe SL_REG. Les couches diélectriques D1, D2, D3 sous l’ouverture du masque RES4 dans la zone de contact BOND_REG sont retirées jusqu’à découvrir le contact métallique PAD et celles sous l’ouverture du masque RES4 dans la zone de découpe SL_REG sont retirées jusqu’à découvrir le substrat SUB.
Ainsi, une épaisseur Ed égale de couches diélectriques D1, D2, D3 est retirée, dans une même étape de gravure, dans la zone de découpe SL_REG et dans la zone de contact BOND_REG tout en préservant la portion verticale de couches diélectriques D1, D2, D3 correspondant à la couche diélectrique verticale BUFF2.
La deuxième étape 203 de gravure s’achève donc lorsque le contact métallique PAD dans la zone de contact BOND_REG et le substrat SUB dans la zone de découpe SL_REG sont découverts sans pour autant exposer à une gravure prolongée la zone de contact BOND_REG et ainsi ne pas engendrer de dispersion de métal dans les chambres sous-vide.
De plus, les dimensions de l’ouverture du quatrième masque provisoire RES4 dans la zone de découpe SL_REG (plus petites et situées à l’intérieur de la localisation de l’ouverture du troisième masque provisoire RES3) permettent de préserver, à la fin du retrait des couches diélectriques, une portion verticale de couches diélectriques protégeant le réseau d’interconnexions INTRCX dans le chemin de découpe.
Le masque dur HM possède ainsi un motif résultant de la deuxième étape 203 de gravure et définissant le chemin de découpe dans la zone de découpe SL_REG.
La illustre schématiquement un résultat d’une étape 204 de traitement chimique. L’étape 204 est identique à l’étape de traitement chimique décrite précédemment en relation avec la . La partie verticale CDV2 des couches diélectriques D1, D2, D3 protège le bord extérieur FL du réseau d’interconnexions INTRCX du plasma à dioxygène utilisé pour le nettoyage de la surface S_PAD du contact métallique PAD.
La illustre un exemple de dispositif de puce semiconductrice DISP obtenu après la mise en œuvre du procédé de découpe selon la première alternative décrite précédemment en relation avec les figures 2 à 6.
La illustre un exemple de dispositif de puce semiconductrice DISP obtenu après la mise en œuvre du procédé de découpe selon la deuxième alternative décrite précédemment en relation avec les figures 7 à 11.
Selon un mode de mise en œuvre, le masque périphérique est réalisé par un processus de photolithographie mettant en œuvre une résine photosensible négative.
Selon un mode de mise en œuvre, le masque principal est réalisé par un autre processus de photolithographie mettant en œuvre une résine photosensible.
Selon un mode de mise en œuvre, l’étape de report de couche conduit à la formation d’une couronne de bord sur la face principale et qui s’étend sur une distance D à partir du bord du substrat support, ladite couronne de bord étant une zone sur laquelle la couche de scellement est absente, la longueur L étant supérieure à la distance D et inférieure la somme de la distance D et d’une distance H, H étant inférieur à 500 micromètres, avantageusement inférieur à 200 micromètres, encore plus avantageusement inférieur à 100 micromètres.
Selon un mode de mise en œuvre, la longueur L est comprise entre 500 micromètres et 2500 micromètres, avantageusement entre 500 micromètres et 1500 micromètres, toujours avantageusement entre 500 micromètres et 1000 micromètres, encore plus avantageusement entre 500 micromètres et 800 micromètres, toujours encore plus avantageusement entre 500 micromètres et 700 micromètres.
Selon un mode de mise en œuvre, les cavités sont de forme rectangulaire et dont chaque côté présente une longueur comprise entre 2 micromètres et 500 micromètres, avantageusement entre 2 micromètres et 500 micromètres, encore plus avantageusement entre 2 micromètres et 40 micromètres.
Selon un mode de mise en œuvre, l’étape b) est exécutée de sorte que la couche de scellement présente une épaisseur comprise entre 100 nm et 2000 nm.
Selon un mode de mise en œuvre, l’étape b) comprend la séquence de sous-étapes suivantes :
Selon un mode de mise en œuvre, la sous-étape b1) de formation d’un plan de fragilisation comprend une implantation d’espèces.
Selon un mode de mise en œuvre, la sous-étape b2) comprend un collage moléculaire de la face d’assemblage avec la face principale.
Selon un mode de mise en œuvre, la sous-étape b3) comprend un traitement thermique destiné à initier la propagation de l’onde de fracture.
On notera également, comme illustré non limitativement sur la , que le calculateur d’aide à la conduite CF (ou le calculateur du dispositif de contrôle DC2) peut aussi comprendre une mémoire de masse MM1, notamment pour stocker la consigne de vitesse cv, la vitesse réelle vrv, l’accélération mesurée amr et l’accélération théorique atv, ainsi que d’éventuelles données intermédiaires intervenant dans tous ses calculs et traitements. Par ailleurs, ce calculateur d’aide à la conduite CF (ou le calculateur du dispositif de contrôle DC2) peut aussi comprendre une interface d’entrée IE pour la réception d’au moins les consigne de vitesse cv, vitesse réelle vrv, accélération mesurée amr et accélération théorique atv, éventuellement après les avoir mises en forme et/ou démodulées et/ou amplifiées, de façon connue en soi, au moyen d’un processeur de signal numérique PR2. De plus, ce calculateur d’aide à la conduite CF (ou le calculateur du dispositif de contrôle DC2) peut aussi comprendre une interface de sortie IS, notamment pour délivrer chaque message contenant la consigne de couple cc déterminée.
On notera également que l’invention propose aussi un produit programme d’ordinateur (ou programme informatique) comprenant un jeu d’instructions qui, lorsqu’il est exécuté par des moyens de traitement de type circuits électroniques (ou hardware), comme par exemple le processeur PR1, est propre à mettre en œuvre le procédé de contrôle décrit ci-avant pour contrôler la consigne de couple cc définissant le couple devant être fourni par le GMP du véhicule terrestre V aux roues motrices de ce dernier (V), au moins pendant les phases de freinage.
CONTRÔLE TRÈS PRÉCIS DE LA CONSIGNE DE COUPLE DU GMP D’UN VÉHICULE TERRESTRE PENDANT UNE PHASE DE FREINAGE Domaine technique de l’invention L’invention concerne les véhicules terrestres comprenant un groupe motopropulseur (ou GMP) fournissant à des roues motrices un couple qui est fonction d’une consigne de couple, et plus précisément le contrôle de cette consigne de couple.
Ce procédé de contrôle se caractérise par le fait que dans son étape, lorsque le véhicule est dans une phase de freinage, on détermine l’estimation d’accélération résistive en fonction d’une accélération mesurée au niveau des roues motrices, d’une accélération théorique qu’aurait le véhicule s’il circulait sur une voie de circulation plate en ayant une masse prédéfinie, et d’une décélération de freinage subie par le véhicule.
Ainsi, pendant toute la durée d’une phase de freinage le calcul de l’estimation d’accélération résistive peut tenir compte de la décélération de freinage du véhicule, et donc il n’y a plus de risque de surestimation de cette accélération résistive, ce qui permet de maintenir l’agrément de conduite pendant cette phase de freinage.
- dans son étape, on peut déterminer l’estimation d’accélération résistive dans une phase de freinage en soustrayant les accélération mesurée au niveau des roues motrices et décélération de freinage de l’accélération théorique ;
- dans son étape, on peut déterminer chaque estimation d’accélération résistive en dehors d’une phase de freinage en soustrayant l’accélération mesurée au niveau des roues motrices de l’accélération théorique qu’aurait le véhicule s’il circulait sur une voie de circulation plate en ayant une masse prédéfinie ;
- dans son étape, lorsque le véhicule comprend une fonction d’aide à la conduite propre à contrôler des déplacements du véhicule pendant une phase de conduite autonome (au moins partielle), on peut déterminer l’estimation d’accélération résistive en fonction des accélération mesurée au niveau des roues motrices, accélération théorique et décélération de freinage lorsque le véhicule est dans une phase de freinage pendant une phase de conduite autonome (au moins partielle).
La présente invention a pour objectif de résoudre ces problèmes liés à la formation incontrôlée de méthane et au phénomène de corrosion par poussiérage métallique dans le système de chauffe de la charge du réacteur de RWGS.
Dans le contexte précédemment décrit, un premier objet de la présente description est de surmonter les problèmes de l’art antérieur et de fournir un procédé et un dispositif permettant d’améliorer la production de monoxyde de carbone, de limiter la surconsommation d’hydrogène, de limiter la production de méthane et de limiter la corrosion par poussiérage métallique. Un deuxième objet de la présente description est de pouvoir contrôler la composition de la phase gazeuse en entrée de réacteur de RWGS, et de pouvoir produire un gaz de synthèse de composition contrôlé, et ce même lorsque l’unité fonctionne avec un débit total réduit.
Selon un premier aspect, les objets précités, ainsi que d’autres avantages, sont obtenus par un procédé de production de gaz de synthèse par conversion d’une charge comprenant du dioxyde de carbone, comprenant les étapes suivantes : - chauffer séparément un flux de dioxyde de carbone et un flux d’hydrogène dans une section de chauffe, pour produire un flux de dioxyde de carbone chauffé de première température cible comprise entre 700°C et 1100°C, et un flux d’hydrogène chauffé de deuxième température cible comprise entre 700°C et 1100°C ; - mélanger le flux de dioxyde de carbone chauffé et le flux d’hydrogène chauffé, pour produire un mélange de troisième température cible supérieure à 760°C et inférieure à 1100°C ; - introduire le flux de dioxyde de carbone chauffé et le flux d’hydrogène chauffé dans une unité réactionnelle de conversion du gaz à l'eau inversée RWGS, avant ou après l’étape de mélange ; - traiter le mélange dans l’unité réactionnelle de conversion du gaz à l'eau inversée RWGS pour produire un gaz de RWGS enrichi en monoxyde de carbone (et enrichi en eau et appauvri en dioxyde de carbone et en hydrogène) par rapport au mélange.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le flux de dioxyde de carbone chauffé (11) et le flux d’hydrogène chauffé (12) sont mélangés avant ou après introduction dans l’unité réactionnelle de RWGS (7)
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le flux de dioxyde de carbone (1) présente une température initiale inférieure à 300°C, de préférence inférieure à 250°C, de préférence inférieure à 200°C, et/ou dans lequel le flux d’hydrogène (2) présente une température initiale inférieure à 300°C, de préférence inférieure à 200°C, de préférence inférieure à 150°C.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la première température cible est comprise entre 760°C et 1100°C, de préférence entre 780°C et 1050°C, de préférence entre 800°C et 1050°C, et/ou la deuxième température cible est comprise entre 760°C et 1100°C, de préférence entre 780°C et 1050°C, de préférence entre 800°C et 1050°C.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la section de chauffe (3) comprend au moins un premier four (17) et/ou au moins un premier échangeur de chaleur (9) adapté pour chauffer séparément le flux de dioxyde de carbone (1) et le flux d’hydrogène (2).
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, on chauffe le mélange (4) dans un deuxième four (5) pour produire un mélange chauffé (6) de quatrième température cible comprise entre 880°C et 1050°C, de préférence entre 930°C et 1050°C, de préférence entre 980°C et 1050°C.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le premier four (17) et/ou le deuxième four (5) est un four alimenté au moins en partie par une énergie électrique et/ou par un combustible.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la section de chauffe (3) comprend au moins un premier échangeur de chaleur (9) adapté pour chauffer séparément le flux de dioxyde de carbone (1) et le flux d’hydrogène (2) avec le gaz de RWGS (8).
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de RWGS (8) présente une température de sortie de l’unité réactionnelle de RWGS (7) d’au moins 700°C, préférablement d’au moins 750°C, très préférablement d’au moins 800°C.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le flux de dioxyde de carbone chauffé (11) et/ou le flux d’hydrogène chauffé (12) après l’échange thermique avec le gaz de RWGS (8) présentent une température supérieure ou égale à 760°C, préférablement une température supérieure ou égale à 780°C.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la section de chauffe (3) comprend : - au moins un premier échangeur de chaleur (9) adapté pour préchauffer séparément le flux de dioxyde de carbone (1) et le flux d’hydrogène (2) avec le gaz de RWGS (8), et produire un flux de dioxyde de carbone préchauffé (18) de première température intermédiaire cible comprise entre 80°C et 900°C, et un flux d’hydrogène préchauffé (19) de deuxième température intermédiaire cible comprise entre 80°C et 900°C ; et - au moins un premier four (17) adapté pour chauffer séparément le flux de dioxyde de carbone préchauffé (18) et/ou le flux d’hydrogène préchauffé (19) et produire le flux de dioxyde de carbone chauffé (11) et le flux d’hydrogène chauffé (12).
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de RWGS (8) est refroidi directement en sortie de l’unité réactionnelle de RWGS (7) avec au moins un deuxième échangeur de chaleur (13) pour produire un gaz de RWGS tiédi (14) présentant une température comprise entre 80°C et 800°C, de préférence entre 150°C et 600°C, de préférence entre 250°C et 400°C, le gaz de RWGS tiédi (14) étant envoyé dans l’au moins un premier échangeur de chaleur (9) pour préchauffer séparément le flux de dioxyde de carbone (1) et le flux d’hydrogène (2) en lieu et place du gaz de RWGS (8).
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le flux de dioxyde de carbone préchauffé (18) présente une première température intermédiaire cible comprise entre 80°C et 300°C ou entre 80°C et 400°C et le flux d’hydrogène préchauffé (19) présente une deuxième température intermédiaire cible comprise entre 80°C et 300°C ou entre 80°C et 400°C.
Le matériau thermoplastique injecté formant la couche biréfringente 22 est par exemple du polycarbonate. Le polycarbonate comprend par exemple des groupes phényle conférant à la couche biréfringente 22 son caractère biréfringent.
Chaque groupe phényle définit en particulier une orientation de groupe phényle, l’orientation du groupe phényle étant par exemple déterminée par l’orientation du radical du groupe phényle.
L’orientation des groupes phényle de la couche biréfringente 22, c’est-à-dire par exemple l’orientation moyenne de ces groupes phényles, définit par exemple l’un des axes principaux B. L’orientation des groupes phényle est par exemple parallèle ou perpendiculaire à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L sur l’ensemble de la couche biréfringente 22. En outre, l’orientation des groupes phényle est par exemple perpendiculaire à la direction de propagation du rayonnement lumineux L. On comprendra en particulier qu’au moins 80% des groupes phényle du polycarbonate formant la couche biréfringente 22 sont orientés de sorte à ce que leur orientation forme un angle inférieur à 15° avec la direction de polarisation P ou avec une direction perpendiculaire à la direction de polarisation P.
En particulier, l’orientation des groupes phényle de la couche biréfringente 22, c’est-à-dire par exemple l’orientation moyenne de ces groupes phényle, définit l’un des axes principaux B du panneau translucide 14 formé par la couche biréfringente 22.
Comme illustré sur les figures 1 et 2, le support 16 est par exemple agencé autour de la source lumineuse 12. Le panneau translucide 14 recouvre alors par exemple au moins partiellement le support 16 en une région de débordement 24.
La région de débordement 24 s’étend par exemple autour de la région de recouvrement 20, dans la continuité de de la région de recouvrement, les régions de recouvrement 20 et de débordement 24 étant venues de matière.
Comme illustré sur la , l’un des axes principaux B du panneau translucide 14 n’est pas nécessairement parallèle ou perpendiculaire à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux sur la région de débordement 24.
Un procédé 100 de fabrication d’un élément de garnissage 10 tel que décrit plus haut va maintenant être présenté.
Comme cela sera décrit plus en détails par la suite, un tel procédé 100 est par exemple mis en œuvre à l’aide d’un outil de fabrication 40 comprenant par exemple une unité d’injection 42 et un moule 44, l’unité d’injection 42 comprenant par exemple au moins une entrée d’injection 46 d’un matériau thermoplastique à mouler dans le moule 44.
Le procédé 100 comprend une étape d’injection 120. Comme illustré sur la le procédé 100 comprend par exemple une étape de fourniture 110 précédent l’étape d’injection 120 et comprend par exemple une étape de recouvrement 130 ultérieure à l’étape d’injection 120.
Lors de l’étape de fourniture 100, une source lumineuse 12 telle que décrite plus haut est par exemple fournie. En outre, lors de cette étape, un support 16 est par exemple fourni. Dans un mode de réalisation, le support 16 et la source lumineuse 12 sont fournis simultanément, le support 16 étant par exemple fourni en étant agencé autour de la source lumineuse 12 et étant par exemple solidarisé à la source lumineuse 12. Dans un mode de réalisation le support 16 est fourni ultérieurement et la source lumineuse 12 est solidarisé au support après le recouvrement du support 16 par le panneau translucide 14.
Lors de l’étape d’injection 120, un matériau thermoplastique est injecté, par exemple avec l’outil de fabrication 40. Le matériau thermoplastique est par exemple injecté dans le moule 44 au travers d’au moins une entrée d’injection 46. Dans l’exemple de la , le matériau plastique est par exemple surmoulé sur le support 16 et la source lumineuse 12 pour former le panneau translucide 14. A titre d’exemple, le support 16 et le panneau translucide 14 sont réalisés par injection bi composant, par exemple connue sous le nom « 2K injection ».
Le matériau thermoplastique est par exemple du polycarbonate et est injecté pour former le panneau translucide 14, et notamment pour former la couche biréfringente 22.
Le matériau thermoplastique est injecté en définissant les axes principaux B, le matériau étant en particulier injecté de sorte à ce que les axes principaux B définis soient constants sur la région de recouvrement 20 du panneau translucide 14 formé.
Le matériau thermoplastique est en outre injecté de sorte à ce que les axes principaux B de la région de recouvrement 20 du panneau translucide 14 formé soient parallèles ou perpendiculaires à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L généré par la source lumineuse 12 que le panneau translucide 14 est destiné à recouvrir ou qu’il recouvre, et par exemple en outre perpendiculaires à la direction de propagation de ce rayonnement.
Dans le mode de réalisation décrit par la suite, l’étape de recouvrement 130 a lieu simultanément à l’étape d’injection 120, le panneau translucide 14 étant par exemple surmoulé sur la source lumineuse 12. En variante, l’étape de recouvrement 130 est réalisée ultérieurement à l’étape d’injection 120, le panneau translucide 14 formé lors de l’étape d’injection 120 étant alors par exemple rapporté, par exemple solidarisé, sur la source lumineuse 12 lors de l’étape de recouvrement 130.
Le paramètre physique représentatif du fonctionnement de la source électrique est un cout de fonctionnement de la source électrique.
Selon un aspect du procédé de contrôle, la puissance électrique produite par une source électrique diffère de la puissance électrique produite par les autres sources électriques de l’ensemble de sources électriques.
En différenciant la puissance électrique produite par les différentes sources, il est possible de privilégier la ou les sources les plus efficaces. Les sources électriques restantes fournissent le complément de puissance électrique nécessaire à fournir le besoin de puissance électrique totale du réseau. Le fonctionnement global du réseau électrique est ainsi optimisé.
Les sources de production dites non polluantes ou à pollution moindre sont privilégiées, et la production électrique restant à fournir pour satisfaire le besoin global du réseau est laissée aux sources électriques restantes. De plus, la proportion de la production totale qui est assurée par les sources dites non polluantes peut être limitée à une valeur maximale afin de garantir la possibilité de répondre aux variations instantanées du besoin de production totale.
Autrement dit, les différentes sources électriques du réseau ne contribuent pas de manière équilibrée à la production électrique totale à fournir au réseau électrique.
Selon un aspect du procédé de contrôle, la puissance électrique produite par une source électrique diffère de la puissance électrique de sortie du réseau électrique divisée par le nombre de sources électriques du réseau électrique.
Selon un mode de réalisation du procédé de contrôle, un écart entre la puissance électrique produite par une source électrique du réseau électrique et la puissance électrique de sortie du réseau électrique divisée par le nombre de sources électriques du réseau électrique est supérieur à un seuil prédéterminé.
Selon un mode de réalisation du procédé de contrôle, la valeur du paramètre physique représentatif du fonctionnement d’une source électrique est une valeur tabulée en fonction d’une puissance électrique fournie par la source électrique.
L’utilisation d’une valeur tabulée permet de réduire les ressources de calcul nécessaires.
La table fournissant une valeur du paramètre physique représentatif du fonctionnement de la source électrique peut être une cartographie monodimensionnelle.