Procédé de fabrication d’une pluralité de premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) comportant chacun un deuxième composant électronique (100), chaque deuxième composant électronique (100) comportant au moins deux métallisations de contact (102) du côté d’une face de connexion du deuxième composant électronique (100), le procédé comportant les étapes successives suivantes : a) former, sur une face d’un substrat (11), pour chaque deuxième composant électronique (100), au moins deux piliers métalliques (21) destinés à être connectés respectivement auxdites au moins deux métallisations de contact (102) du deuxième composant électronique (100), lesdits piliers métalliques (21) présentant chacun une surface supérieure à la surface de la métallisation de contact (102) correspondante du deuxième composant électronique (100) ; b) former, sur une partie seulement de la surface de chaque pilier métallique (21), une métallisation de contact (23) du composant électronique (31 ; 33 ; 35) ; c) recouvrir ladite face du substrat (11), les piliers métallique (21) et les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) par une première couche en résine (27) ; d) retirer le substrat (11) de façon à dévoiler une face des piliers métalliques (21), opposée aux métallisations de contact (23) des composants électroniques (31 ; 33; 35) ; e) fixer et connecter électriquement les deuxièmes composants électroniques (100), par leurs métallisations de contact (102), sur la face des piliers métalliques (21) opposée aux métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) ; f) amincir la première couche en résine (27) de façon à dévoiler la face des métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) opposée aux piliers métalliques (21) ; et g) découper la première couche en résine (27) de façon à individualiser les premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35). Procédé selon la revendication 1, dans lequel les piliers métalliques (21) sont formés par croissance électrolytique. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) sont formées par croissance électrolytique. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comportant après l'étape e) une étape de recouvrement des deuxièmes composants électroniques (100), et des métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) par une deuxième couche en résine (29). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel lors de la découpe de l'étape g), les flancs des piliers métalliques (21) et des métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) sont dévoilés. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les piliers métalliques (21) sont en cuivre, en or, en étain, en argent ou en un alliage de plusieurs de ces matériaux. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) sont en cuivre, en or, en étain, en argent ou en un alliage de plusieurs de ces matériaux. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) ont une hauteur comprise entre 20 µm et 100 µm. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) ont une hauteur supérieure ou égale à 30 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les piliers métalliques (21) ont une hauteur comprise entre 80 µm et 150 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel, lors de l'étape g), la découpe de la première couche en résine (27) est réalisée de sorte que la première couche en résine (27) subsiste sur des flancs du composant électronique (31 ; 33 ; 35). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel, lors de l'étape g), la découpe de la première couche en résine (27) est réalisée de sorte que, à l'issue de cette étape, les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) et les piliers métalliques (21) affleurent des flancs du composant électronique (31 ; 33 ; 35). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel, lors de l'étape g), un premier trait de découpe traversant est réalisé de sorte que les métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35) et les piliers métalliques (21) affleurent des flancs du composant électronique (31 ; 33 ; 35) et un deuxième trait de découpe non traversant, dont la largeur de découpe est supérieure à la largeur de découpe du premier trait de découpe, est réalisé de façon à découvrir une partie de la face des piliers métalliques (21) opposée aux métallisations de contact (23) des premiers composants électroniques (31 ; 33 ; 35). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel, après l'étape e), la structure est stockée pour être utilisée ultérieurement.