Procédé de collage comprenant les étapes suivantes : - fournir un premier substrat (100) comprenant une première face (101) et une deuxième face (102), la première face (101) du premier substrat (100) comprenant un premier matériau diélectrique (110) et des plots métalliques (120), - fournir un deuxième substrat (200) comprenant une première face (201) et une deuxième face (202), la première face (201) du deuxième substrat (200) comprenant un deuxième matériau diélectrique (210), des plots métallique (220) et une partie métallique (230), - mettre en contact la première face (101) du premier substrat (100) avec la première face (201) du deuxième substrat (200), - réaliser un traitement thermique pour assembler le premier substrat (100) au deuxième substrat (200), Caractérisé en ce que les plots métalliques (120) du premier substrat (100), les plots métalliques (220) et la partie métallique (230) du deuxième substrat (200) sont disposés de manière à ce que, lors de la mise en contact de la première face (101) du premier substrat (100) avec la première face (201) du deuxième substrat (200), dans une première zone (Z1) les plots métalliques (120) du premier substrat (100) sont disposés en regard des plots métalliques (220) du deuxième substrat (200) et dans une deuxième zone (Z2) les plots métalliques (120) du premier substrat (100) sont disposés en regard du deuxième matériau diélectrique (210) et la partie métallique (230) du deuxième substrat (200) est disposée en regard du premier matériau diélectrique (110). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier matériau diélectrique (110) est un oxyde ou un nitrure, de préférence un oxyde de silicium et/ou en ce que le deuxième matériau diélectrique (120) est un oxyde ou un nitrure, de préférence un oxyde de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les plots métalliques (120) du premier substrat (100), les plots métalliques (220) et/ou la partie métallique (230) du deuxième substrat (200) sont en cuivre. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre une étape de retrait ultérieure au cours de laquelle la partie du deuxième substrat (200), disposée au niveau de la deuxième zone (Z2), est retirée. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape de retrait est réalisée selon les sous-étapes suivantes : i) découper le deuxième substrat (200) par exemple à la scie, avec un laser ou par gravure chimique, la découpe étant réalisée de manière à pouvoir libérer la partie du deuxième substrat (200) disposée au niveau de la deuxième zone (Z2), ii) retirer la partie du deuxième substrat (200) au niveau de la deuxième zone (Z2). Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la sous-étape ii) est réalisée en collant un élément adhésif sur le deuxième substrat (200). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, après le traitement thermique, le procédé comporte une étape au cours de laquelle le deuxième substrat (200) est aminci depuis la deuxième face (202). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les plots métalliques (120) du premier substrat (100) et/ou les plots métalliques (220) du deuxième substrat (200) ont une surface, de préférence carrée ou rectangulaire, la plus grande dimension de la surface étant comprise entre 1 µm et 1 mm. Dispositif comprenant un premier substrat (100) assemblé avec un deuxième substrat (200) : - le premier substrat (100) comprenant une première face (101) et une deuxième face (102), la première face (101) du premier substrat (100) comprenant un premier matériau diélectrique (110) et des plots métalliques (120), de préférence en cuivre, - le deuxième substrat (200) comprenant une première face (201) et une deuxième face (202), la première face (201) du deuxième substrat (200) comprenant un deuxième matériau diélectrique (210), des plots métalliques (220), de préférence en cuivre, et une partie métallique (230), de préférence en cuivre, La première face (101) du premier substrat (100) étant disposée en regard de la première face (201) du deuxième substrat (200), Caractérisé en ce que, dans une première zone (Z1), les plots métalliques (120) du premier substrat (100) sont disposés en regard des plots métalliques (220) du deuxième substrat (200) et, dans une deuxième zone (Z2), les plots métalliques (120) du premier substrat (100) sont disposés en regard du deuxième matériau diélectrique (210) et la partie métallique (230) du deuxième substrat (200) est disposée en regard du premier matériau diélectrique (110). Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le premier matériau diélectrique (110) est un oxyde ou un nitrure, de préférence un oxyde de silicium et/ou en ce que le deuxième matériau diélectrique (210) est un oxyde ou un nitrure, de préférence un oxyde de silicium.