INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En parallèle, de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique sous forme cristalline du sel de potassium préparé selon l’exemple 2 et de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique préparé selon l’exemple 1 sont conservés sous forme solide durant la même durée.
Tous les trimestres, 500 g d’une solution de sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique est nouvellement préparée selon l’exemple 10 ou 11 avec les cristaux de l’exemple 2 ou 1 stockés. On mesure alors le taux d’homopolymères de sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique présent afin de pouvoir comparer le stockage solide de cette nouvelle forme.
Les solutions de sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique sont diluées à 2000 ppm (en poids dans l’eau) avant d’être injectées. L’intégration du signal UV à 250 nm en sortie de colonne est réalisée pour les pics de polymères avant d’être reportée dans le tableau 4 ci-dessous. Plus l’aire du signal est importante, plus il y a de polymère, et donc moins la stabilité du produit dans le temps est bonne.
On peut voir que la nouvelle forme cristalline de sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique permet d’obtenir des solutions de sel d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique plus stables dans le temps.
Outre une meilleure conservation sous forme liquide, la nouvelle forme cristalline du sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique permet un stockage sous forme solide offrant un temps de stockage amélioré.
Exemple 1 3 : Préparation d ’ u n polymère acrylamide/acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique (75/25 mol%)
Dans un bécher de 2000 mL sont ajoutés 628,3 g d’eau déionisée, 500 g d’acrylamide en solution à 50% (en poids dans l’eau), 16,2 g d’urée et 288,7 g de cristaux de sel de potassium d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique obtenus selon l’exemple 2.
Procédé de lecture d'une mémoire La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les mémoires et leurs procédés de lecture.
L’adressage mémoire est, en électronique et en informatique, la façon dont se fait l'accès aux données conservées en mémoire. Une adresse mémoire est un nombre entier naturel qui désigne une zone particulière de la mémoire, ou juste le début d'une zone. Le plus souvent, une donnée peut être lue ou écrite. La mémoire peut être temporaire (mémoire vive) pour le travail ou au contraire durable (mémoire non volatile) pour le stockage.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de lecture de mémoires connus.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de lecture d’un mot d’une mémoire, le mot étant compris dans un premier ensemble de mots pouvant être lu par la mémoire, chaque mot du premier ensemble comprenant au moins un octet de données , chaque mot étant contenu dans des cellules mémoire, le procédé comprenant une étape de précharge durant laquelle le premier ensemble et au moins un deuxième ensemble de mots sont préchargés, une première borne de chaque cellule des premier et deuxième ensembles étant flottante durant l’étape de précharge.
Selon un mode de réalisation, le mot à lire est désigné par une adresse ayant des première, deuxième et troisième parties, une adresse partielle comprenant les première et deuxième parties indiquant le premier ensemble, une adresse partielle comprenant la première partie indiquant les premier et deuxième ensembles de mots, le procédé comprenant : la réception de la première partie ; la précharge des premier et deuxièmes ensembles de mots, la première borne de chacune des cellules correspondant auxdits mots étant flottante ; la réception de la deuxième partie ; le maintien de la précharge uniquement du premier ensemble de mots ; la lecture du premier ensemble de mots ; la réception de la troisième partie ; et la détermination du mot adressé parmi l'ensemble lu.
Selon un mode de réalisation, l'adresse comprend une coordonnée de ligne et une coordonnée de colonne.
Selon un mode de réalisation, la première partie comprend au moins la coordonnée de ligne.
Selon un mode de réalisation, la première partie comprend les bits de poids les plus forts et la troisième partie comprend les bits de poids les plus faibles de l'adresse.
Selon un mode de réalisation, la deuxième partie comprend un unique bit.
Le gel est ensuite séché et broyé pour obtenir le polymère sous forme de poudre. On obtient alors le polymère P1.
Des polymères P2 et P3 sont obtenus selon le procédé d’obtention du polymère P1 en faisant varier la quantité d’hypophosphite de sodium.
Un polymère P1’ est obtenu selon le procédé d’obtention du polymère P1, mais en remplaçant l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique de forme cristalline du sel de potassium par 243g d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique n’étant pas de forme cristalline du sel de potassium (exemple 1) et 131,7 g d’hydroxyde de potassium à 50% en poids dans l’eau.
Des polymères P2’ et P3’ sont obtenus selon le procédé d’obtention du polymère P1, mais en remplaçant l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique de forme cristalline du sel de potassium par 243g d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique n’étant pas de forme cristalline du sel de potassium (exemple 1) et 131,7 g d’hydroxyde de potassium à 50% en poids dans l’eau et en faisant varier la quantité d’hypophosphite de sodium.
Exemple 1 4 : Préparation d’homopolymères à partir de la forme cristalline du sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique
Dans un bécher de 2000 mL sont ajoutés 562,1 g d’eau déionisé et 418,3 g de cristaux du sel de potassium de l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique obtenus selon l’exemple 2.
Après quelques minutes l’arrivée d’azote est fermée et le réacteur est clos. La réaction de polymérisation se déroule pendant 2 à 5 heures jusqu’à atteindre un pic de température. Le gel caoutchouteux obtenu est haché en particules d’une taille comprise entre 1 et 6 mm.
Le gel est ensuite séché et broyé pour obtenir le polymère sous forme de poudre. On obtient alors le polymère P4.
Un polymère P5 est obtenu selon le procédé d’obtention du polymère P4 en faisant varier la quantité d’hypophosphite de sodium.
Un polymère P4’ est obtenu selon le procédé d’obtention du polymère P4, mais en remplaçant l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique de forme cristalline du sel de potassium par 352,1 d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique n’étant pas de forme cristalline du sel de potassium (exemple 1) et 190,8 g d’hydroxyde de potassium à 50% en poids dans l’eau.
Un polymère P5’ est obtenu selon le procédé d’obtention du polymère P4 mais en remplaçant l’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique de forme cristalline du sel de potassium par 243g d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique n’étant pas de forme cristalline du sel de potassium (exemple 1) et 190,8 g d’hydroxyde de potassium à 50% en poids dans l’eau et en faisant varier la quantité d’hypophosphite de sodium.
Exemple 1 5 : Préparation d ’ u n terpolymère acrylamide/acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique /acide acrylique ( 71 / 9 / 20 mol%)
Dans un bécher de 2000 mL sont ajoutés 1022g d’eau déionisée, 558,7g d’acrylamide en solution à 50%, 124,6 g d’hydroxyde de sodium à 50%, 80g d’acide acrylique glacial, 15,3 g d’urée et 125 g de cristaux d’acide 2-acrylamido-2-méthylpropane sulfonique (forme cristalline du sel de potassium) issus de l’exemple 2.
La solution ainsi obtenue est refroidie entre 0 et 5°C et transférée dans un réacteur de polymérisation adiabatique, un bullage d’azote est réalisé pendant 30 minutes afin d’éliminer toute trace d’oxygène dissout
Nous introduisons un nouveau concept de Serveur (B) dans le cloud permettant de définir, d'évaluer dynamiquement et de certifier l'État (S) d'un Terminal (E). Le service utilise une approche décentralisée qui respecte à la fois la confidentialité en évitant toute divulgation de Données de Terminal (ED) ou en déduisant des informations non autorisées telles que des Informations Personnelles Identifiables (PII) au Serveur (B) ou à tout autre tiers et offre une sécurité renforcée basée sur des Validations de Plausibilité (PV) dynamiques effectués par les Terminaux Participants (PE), dont l'État (S) a été préalablement validé. Lors de la représentation d'une Posture de Sécurité (SP), l'état certifié (S) peut être utilisé par exemple pour accorder ou refuser dynamiquement en toute sécurité l'accès à des Ressources (R) particulières.
Définition et calcul d'un État (S)
A titre d'exemple, pour évaluer la Posture de Sécurité d'un Terminal (E) nous définissons un État (S) du Terminal (E) en considérant une combinaison de différentes Validations d'État (SVi) vérifiant l'existence ou l'absence de logiciels ou de configurations spécifiques : - Selon des « modèles de menaces » standardisés couvrant par exemple : ▪ État opérationnel des éléments de la pile de sécurité (Plateforme de Protection des Terminaux (EPP), pare-feux du Terminal (E)…) ▪ État spécifique fortifié de la configuration et des services du Système d'Exploitation des Terminaux (EOS) ▪ Présence de configurations/services du Système d'Exploitation des Terminaux (EOS) qui mettraient en danger la sécurité et/ou la confidentialité ▪ Attestation à distance du Système d'Exploitation des Terminaux (EOS) et du chargeur d'amorçage du Terminal (E), comme avec l'attestation à distance du système d'exploitation Apple - Prise en compte de plusieurs dimensions, par exemple : ▪ Applications : comprend les autorisations d'application, la signature correcte des applications, l'existence d'une Plate-forme de Protection des Terminaux (EPP) installée couvrant les menaces applicatives… ▪ Réseau : inclut l'état des pare-feux des Terminaux (E), la visibilité du Terminal (E) sur le Réseau Local (LAN) comme avec l'activation de la réponse au ping… ▪ Identifiants : activation de la connexion automatique sans mot de passe, existence du verrouillage de l'écran sans mot de passe… ▪ Intégrité du système : Gestion Unifiée des Terminaux (UEM) installée et d'autres outils d'administration tiers, menaces facilitant la falsification comme les trousse administrateur pirate… ▪ Services système : menaces liées aux services système (accès à distance activé…) - Tirant parti des normes telles que définies par exemple : ▪ Par le Center for Internet Security (CIS) des États-Unis d'Amérique (USA) ▪ Et d'autres instances gouvernementales (NIST aux USA, ANSSI en France…) - Qui peut être personnalisé pour correspondre à des profils spécifiques ou à des exigences imposées par les différents Propriétaires de Ressources (OR). - Qui se fait de manière normalisée (où le même État (S) a la même signification sur différents Systèmes d'Exploitation des Terminaux (EOS))
L'État (S) est calculé localement sur le Terminal (E) et est défini comme un score et ses composants, c'est-à-dire une série de Validations d'État (SV) binaires de divers criticités/poids. Le score peut être représenté sous la forme d'un entier et les validations (SV) peuvent être représentées sous la forme d'un vecteur de booléens avec des poids.
Sécurité grâce aux Validations de Plausibilité (PV) dynamiques
Les Données de Terminal (ED) sont rassemblées localement sur le Terminal (E) sous la forme d'une liste de séquences d'octets (chaînes, binaires, hachages...) extraites d'emplacements spécifiques définis comme Spécifications de Données de Terminal (EDS) décrivant des portions de mémoire, de disque ou d'autres ressources du Terminal (E)
Des fonctions mettant en œuvre diverses vérifications sur les Données de Terminal (ED) sont utilisées pour calculer la Plausibilité (P). Les vérifications comprennent entre autres : - La vérification de l'intégrité des dépendances utilisées dans le calcul du score. Par exemple, en considérant cette vérification sous macOS : "defaults read /Library/Preferences/com.apple.alf globalstate | grep 0" ◦ Obtention du hachage, du chemin et des droits d'accès de /bin/defaults (pour les tester par rapport aux propriétés "normales") ◦ Obtention des droits d'accès de /Library/Preferences/com.apple.alf (pour les tester par rapport aux propriétés "normales") ◦ Obtention du hachage, du chemin et des droits d'accès du binaire de grep (pour les tester par rapport aux propriétés "normales") ◦ Obtention du binaire complet de /Library/Preferences/com.apple.alf (pour le tester par rapport au contenu « normal ») - Analyse de l'état de fonctionnement des éléments de la pile de sécurité. Par exemple: ◦ Le binaire Plateforme de Protection des Terminaux (EPP) est présent ◦ Un journal donné affiche le contenu qui démontre qu'il est actif ◦ Une injection d'une menace test montre une réponse valide - Détection explicite de falsification. Par exemple: ◦ SSH est désactivé, mais des artefacts récents d'accès SSH à distance sont présents dans les journaux ◦ La protection de l'intégrité du système a été désactivée et est maintenant activée, mais aucune action de correction par l’utilisateur n'a eu lieu - Un modèle de menace définissant la manière de calculer l'État (S) et la Plausibilité (P) est stocké dans le Serveur (B) avec deux structures : ◦ Les Validations d'État (SV) et la logique définissant l'État (S) (le modèle « public »). Le modèle public est présent sur le Terminal (E) (et le Serveur (B)) sous une forme lisible par l'utilisateur pour son information et la correction éventuelle de problèmes. Ce modèle n'est pas censé changer fréquemment et est basé sur des profils standards. ◦ La logique définissant la Plausibilité (P) et les Validations de Plausibilité (PV) à appliquer aux Données du Terminal (ED) (le modèle « privé »). Nous l'appelons le Modèle de Plausibilité Dynamique (DPM), qui est : ▪ présent sur un élément de confiance de l’Orchestrateur de Terminaux (EO) de l'Arbitre Numérique de Terminaux (EDA) et est gardé secret pour assurer la sécurité des Ressources (R) du Propriétaire de la Ressource (OR) ; ▪ constamment modifié par un processus opérationnel comprenant des humains et/ou des logiciels assistants afin de garder un avantage sur les attaquants potentiels.
Des Validations de Plausibilité (PV) supplémentaires peuvent être effectuées par l'Arbitre Numérique de Terminaux (EDA) dans d’autres domaines (comme on le voit dans les plateformes Identity as a Service (IaaS) comme Azure AD). Par exemple, ces Validations de Plausibilité (PV) supplémentaires pourraient utiliser la réputation de l'adresse IP (comme calculée avec https://talosintelligence.com/reputation_center/ ).
Propagation de groupe de l'État (S)
L'État (S) et la Plausibilité (P) du Terminal (E) peuvent : - prendre en compte l'État (S) ou la Plausibilité (P) d'autres Terminaux (E) avec lequel il serait en communication; - être calculé sur la base de l'État (S) ou de la Plausibilité (P) d'autres terminaux (E) dans le même Réseau Local (LAN) ; - être calculé sur la base de l'État (S) ou de la Plausibilité (P) des autres Terminaux (E) participant à la même application ou au même projet/groupe.
Confidentialité en utilisant la décentralisation et le chiffrement.
La confidentialité est obtenue en contrôlant strictement les informations qui peuvent être extraites des Données de Terminal (ED) pour calculer l'État (S) et la Plausibilité (P). Chaque Terminal (E) inscrit dans le système a reçu un certificat d'appareil unique (avec sa clé privée) par le Serveur (B). L'inscription se fait de manière sécurisée. - En utilisant un certificat de confiance pour l'authentification initiale, par exemple, sur la base d'un mécanisme tel que l’"Allocation par revendications" d'AWS, ou en utilisant le protocole d'inscription de certificat simple (SCEP) pour communiquer les détails des certificats avec une infrastructure à clé publique (PKI). - En exigeant des garanties initiales suffisantes de sécurité du Terminal (E), par exemple en exigeant une Posture de Sécurité (SP) initiale suffisante représentée par un État (S).
Chaque Terminal (E) peut distribuer les Données de Terminal (ED) aux Validateurs de Terminaux (EV) via l'Orchestrateur de Terminaux (EO), sous une forme préservant la confidentialité. Les Données de Terminal (ED) sont chiffrées à l'aide d'un chiffrement homomorphe ou de tout autre type de forme chiffrée prenant en charge le calcul des Validations de Plausibilité (PV) sans qu'il ne soit nécessaire d'accéder aux versions en clair des Données de Terminal (ED). L'adresse IP d'origine et l'identité du Terminal (E) peuvent être masquées à l'aide de relais intermédiaires, tels que l'Orchestrateur de Terminaux (EO).
Pour calculer l'État (S), nous utilisons une communication sécurisée avec le Serveur (B) où : - le Terminal (E) reçoit d'un Serveur (B) une requête correspondante à un modèle de menace donné et un Nonce Cryptographique de Posture (SPN) - l'État (S) est calculé localement sur le Terminal (E) selon le modèle de menace - pour valider l'État (S), on s'appuie directement sur le Serveur (B).
Optionnellement, la communication de l'État (S) au Serveur (B) peut être sécurisée avec un modèle de plateforme sécurisée (TPM) si disponible.
Optionnellement, une certaine protection contre une éventuelle falsification de la transmission de l'État (S) par le Terminal (E) peut être assurée en vérifiant sa cohérence par rapport à une version anonymisée de ses composants. Par exemple, en tirant parti du fait que l'État (S) soit un entier et que les Validations d'État (SV) associées soient une série de booléens de différents poids et utilisant un chiffrement homomorphe : - Utilisation du chiffrement totalement homomorphe (FHE) d'une matrice binaire ; - Où l'État (S) et ses propriétés sont transmis comme une seule propriété signée par la clé privée d'un certificat d'appareil et chiffrée de manière homomorphe - L'État (S) est recalculé à partir de ses propriétés dans le Serveur (B) sur les propriétés chiffrées et comparé avec le score reçu. - Si le score recalculé est différent du score transmis, l'État (S) est invalidé
Durant la lecture de la cellule mémoire, la tension sur la sortie de la porte logique 110 dépend de l'état de la cellule mémoire.
L'inverseur 108 comporte par exemple un transistor MOSFET à canal P et un transistor MOSFET à canal N reliés en série entre le noeud d'application de la tension d'alimentation VDD et le noeud d'application du potentiel de référence. Le caisson du transistor MOSFET à canal P est relié au noeud d'application de la tension d'alimentation VDD, la source du transistor MOSFET à canal P est reliée à la borne 114, le substrat du transistor MOSFET à canal N est relié au noeud d'application du potentiel de référence, et la source du transistor MOSFET à canal N est reliée à la borne 116. Les grilles desdits transistors sont reliées ensemble à l'entrée 104, leurs drains étant reliés ensemble à la sortie 112.
Lors de la phase de précharge, lorsque l'inverseur 108 est polarisé à son seuil de basculement, le transistor MOSFET à canal N et le transistor MOSFET à canal P conduisent simultanément, entraînant une consommation potentiellement élevée entre les bornes 114 et 116. De manière à réduire cette consommation, l'amplificateur 80 comprend un circuit 120, décrit plus en détail en relation avec la , introduisant des impédances identiques, en série entre la borne 114 et le noeud d'application de la tension d'alimentation VDD d'une part, et entre la borne 116 et le noeud d'application du potentiel de référence d'autre part. Ces impédances augmentent le potentiel de la borne 116, et réduisent le potentiel de la borne 114 d'une valeur sensiblement identique. En réduisant les tensions grille-source des transistors MOSFET à canal N et P, elles réduisent fortement le courant transitant entre les bornes 114 et 116.
En dehors des phases de précharge, le circuit 120 est de préférence configuré de sorte que l'inverseur soit polarisé de façon classique, le noeud 114 étant polarisé à la tension d'alimentation VDD et le noeud 116 étant polarisé au potentiel de référence.
La représente un circuit 120 de génération de tensions du mode de réalisation de la . Le circuit 120 est par exemple configuré pour générer les tensions VDDsense et GNDsense décrites en relation avec la .
Le circuit 120 comprend une entrée 122 et des sorties 124 et 126. L'entrée 122 est configurée pour recevoir la tension PRECH. La sortie 124 est configurée pour fournir la tension VDDsense, c'est-à-dire la tension appliquée sur la borne 114 de la . La sortie 126 est configurée pour fournir la tension GNDsense, c'est-à-dire la tension appliquée sur la borne 116 de la .
La sortie 124 est reliée au noeud 84 par une résistance 128 et un transistor 130 reliés en parallèle. Le transistor 130 est par exemple un transistor MOSFET, par exemple de canal P. Autrement dit, la résistance 128 est reliée entre le noeud 84 et la sortie 124. De même, le transistor 130 est relié entre le noeud 84 et la sortie 124. Autrement dit, une borne de la résistance 128 est reliée, de préférence connectée, au noeud 84 et une autre borne de la résistance 128 est reliée, de préférence connectée, à la sortie 124. Similairement, une borne de conduction, par exemple la source, du transistor 130 est reliée, de préférence connectée, au noeud 84 et une autre borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 130 est reliée, de préférence connectée, à la sortie 124.
La sortie 126 est reliée au noeud d'application de la tension de référence GND par une résistance 132 et un transistor 134 reliés en parallèle. Le transistor 134 est par exemple un transistor MOSFET, par exemple de canal N. Autrement dit, la résistance 132 est reliée entre le noeud d'application de la tension de référence GND et la sortie 126. De même, le transistor 134 est relié entre le noeud d'application de la tension de référence GND et la sortie 126. Autrement dit, une borne de la résistance 132 est reliée, de préférence connectée, au noeud d'application de la tension de référence GND et une autre borne de la résistance 132 est reliée, de préférence connectée, à la sortie 126. Similairement, une borne de conduction, par exemple la source, du transistor 134 est reliée, de préférence connectée, au noeud d'application de la tension de référence GND et une autre borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 134 est reliée, de préférence connectée, à la sortie 126.
Une borne de commande du transistor 130 est reliée, de préférence connectée, à l'entrée 122. Une borne de commande du transistor 134 est reliée à l'entrée 122 par un inverseur 136. Autrement dit, une entrée de l'inverseur 136 est reliée, de préférence connectée, à l'entrée 122 et une sortie de l'inverseur 136 est reliée, de préférence connectée, à la borne de commande du transistor 134.
Lors de la phase de précharge, c'est-à-dire lorsque la tension PRECH a une valeur correspondant à une valeur logique 1, le transistor 130 est bloqué. La borne 124, correspondant à la borne 114 de la , est reliée au noeud d'application de la tension VDD par l'intermédiaire de la résistance 128 et la borne 126, correspondant à la borne 116 de la , est reliée au noeud d'application du potentiel de référence par l'intermédiaire de la résistance 132. En dehors de la phase de précharge, c'est-à-dire lorsque la tension PRECH a une valeur correspondant à une valeur logique 0, la borne 124, correspondant à la borne 114 de la , est reliée au noeud d'application de la tension VDD par l'intermédiaire du transistor 130 et la borne 126, correspondant à la borne 116 de la , est reliée au noeud d'application du potentiel de référence par l'intermédiaire du transistor 134.
Lors de la phase de précharge, le noeud 112, qui est au potentiel de basculement de l'inverseur 108, peut entrainer une surconsommation dans la porte NON-ET 110 et un état indéfini à sa sortie. La tension d'entrée PRECHN de la porte 110, qui est à une valeur logique 0 lors de la phase de précharge, a pour but d'éviter ces deux problèmes.
Selon un mode de réalisation, le circuit 120 est commun à plusieurs amplificateurs 80, par exemple commun à tous les amplificateurs 80.