INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans l’exemple illustré à la , la tuile de drainage 2 est une structure monobloc et la canal longitudinal 7 possède une section en U dont les extrémités débouchent sur ailettes de fixation 8 et 9.
L’ensemble modulaire 1 comporte, en outre, des moyens de fixation amovible des ailettes de fixation 8 et 9 sur l’ouvrage de manière à fixer chaque tuile de drainage 2 de part et d’autre du joint ou de la fissure. Les moyens de fixation amovible permettent de démonter une tuile de drainages, plusieurs tuiles de drainage 2, voire la totalité de l’ensemble modulaire 1, afin de pouvoir effectuer rapidement et simplement une étape de maintenance.
Avantageusement, des moyens de fixation amovible des ailettes de fixation 8 et 9 sur l’ouvrage comprenne des moyens de fixation mécanique, comme par exemple des vis ou des clous propulsés par gaz ou poudre.
De tels moyens de fixation mécanique résistent à l’aspiration provoqués par le passage d’un train dans un tunnel.
Les modes de réalisation décrits prévoient de rendre la valeur d'une résistance diffusée (ou implantée) stable en tension, c'est-à-dire de rendre la valeur de la résistance indépendante des potentiels appliqués à ses bornes.
Selon les modes de réalisation décrits, on prévoit de polariser la région (le caisson et la région enterrée) entourant le barreau résistif pour compenser l'effet d'instabilité en tension. Plus particulièrement, on prévoit d'opérer une polarisation particulière de la région entourant le barreau résistif de telle sorte que la différence de potentiel, au niveau de chaque point de l'interface entre le barreau résistif et la région l'entourant, entre la barre résistive et la région l'entourant soit constante. En conséquence, le gradient de tension qui se développe dans la région entourant le barreau résistif dans la direction longitudinale soit le même que celui se développant dans le barreau résistif. On obtient alors une différence de potentiel entre le barreau et la région de type opposé qui l'entoure qui est constante quelle que soit la position longitudinale entre les deux bornes du barreau. Cela revient à exploiter la résistance longitudinale (dans la direction du barreau résistif) de la région de type de type de conductivité opposé dans lequel se trouve le barreau. On évite ainsi la variation de la zone de charge d'espace entre les régions P et N dans la direction longitudinale du barreau, ce qui rend la valeur de la résistance indépendante des tensions appliquées à chacune de ses bornes. En d'autres termes, la résistance est indépendante des potentiels à ses bornes, donc de la différence de potentiels entre ses bornes.
La est une vue de dessus d'un mode de réalisation d'un dispositif 10 répondant à l'objectif ci-dessus. La est une vue en coupe selon la ligne B-B de la . La est une vue en coupe selon la ligne C-C de la . Note en réponse au commentaires relatifs au paragraphe [0037] : Nous allons corriger les flèches de la . C'est effectivement volontaire qu'il y ait moins de référence d'un côté que de l'autre et cela n'a aucune conséquence sur la protection. C'est juste pour qu'un côté soit plus visible que l'autre en ayant moins de références.
Le dispositif 10 comprend un substrat 14 (P-) en un matériau semiconducteur, par exemple du silicium. Le substrat 14 est dopée, de préférence de type P.
Le dispositif 10 comprend un caisson 18 de type de conductivité (N) opposé à celui du substrat 14, et une couche 16 ou plateau, du même type de conductivité (N) que le caisson, enterrée dans le substrat 14 sous le caisson 18. Le caisson 18 est par exemple un anneau de forme rectangulaire. Le caisson 18 et la région enterrée 16 délimitent, côté face avant, une région 26 du substrat du premier type de conductivité (P-) formant un barreau résistif 12. Le caisson 18 et la région 16 forment une autre résistance 12'.
La couche 16 forme par exemple une bande. La couche 16 a par exemple une forme approximative de parallélépipède rectangle. Le caisson 18 a la forme d'un anneau rectangulaire s'étendant de la face avant ou supérieure du substrat 14 jusqu'à la couche enterrée 16. Le caisson 18 comprend une première extrémité 18a et une deuxième extrémité 18b. Les première et deuxième extrémités 18a, 18b correspondent de préférence aux deux côtés opposés les plus éloignés l'un de l'autre du caisson 18.
La face avant du substrat, donc du dispositif 10 est recouverte d'une couche 15 isolante. Plus précisément, la couche 15 recouvre, de préférence partiellement, une face supérieure du substrat 14. La couche 15 n'est pas représentée en pour plus de clarté.
Des zones de reprise de contact, respectivement 20 et 24 sont prévues aux voisinages respectifs des extrémités longitudinales du caisson 18 et de la région 26. Les zones 20 et 24 sont respectivement surdopées N+ et P+ et des contacts 22 et 28 définissent des bornes de raccordement électrique des zones respectives 20 et 24.
Un exemple de procédé de formation du dispositif 10 comprend la formation, dans un substrat semiconducteur par exemple dopé de type P, du caisson 18. La formation du caisson 18 est par exemple effectuée par une étape de dopage, par exemple à travers les ouvertures d'un masque situé sur la face supérieure du substrat. L'étape de dopage est telle que les caissons s'étendent à partir de la face supérieure du substrat. Le procédé comprend ensuite une étape de formation de la couche 16, par exemple par implantation d'un dopage à travers les ouvertures d'un autre masque situé sur la face supérieure du substrat. La couche 16 est formée de manière à s'étendre partiellement dans les caissons 18. Il existe ainsi une continuité électrique entre la couche 16 et le caisson 18.
La couche 15 est par exemple formée après la formation du caisson 18. La couche 15 correspond par exemple à une tranchée isolante peu profonde. La couche 15 est par exemple formée par un procédé connu de formation de tranchée isolante peu profonde, par exemple comprenant la formation d'un masque découvrant les emplacements de la couche 15, la gravure partielle du substrat, et le remplissage de la cavité obtenue par un matériau isolant. Alternativement, le matériau de la couche 15 peut être obtenu à partir du matériau du substrat, par exemple par oxydation.
Au niveau des extrémités 18a et 18b du caisson 18, la couche 15 comprend des ouvertures 19a et 19b destinées à la formation de la zone de reprise de contact 20 affleurant la face supérieure du substrat De préférence, l'épaisseur des zones 20 est inférieure à la hauteur de la couche 15.
De même, la couche 15 est ouverte au voisinage des extrémités de la région 26 pour la formation des zones 24 de reprise de contact et des contacts 28. Autrement dit, la couche 15 comprend des ouvertures 19c et 19d destinées à la formation de la zone de reprise de contact 24 affleurant la face supérieure du substrat De préférence, l'épaisseur des zones 24 est inférieure à la hauteur de la couche 15.
Le procédé de fabrication du dispositif 10 comprend par exemple une étape de formation des régions 20, par exemple par dopage du substrat à travers des ouvertures d'un autre masque situé sur la face supérieure du substrat. Plus précisément, la formation des régions 20 comprend le dopage de la partie du caisson 18 affleurant la face supérieure du substrat. De préférence, les ouvertures dudit masque découvrent entièrement les ouvertures 19a et 19b.
Le caisson 18 et la couche 16 forment la résistance 12'. La résistance 12' est une résistance diffusée de type de conductivité N. La région 20 située dans l'ouverture 19a constitue une première borne B1 de la résistance 12'. La région 20 située dans l'ouverture 19b constitue une deuxième borne B2 de la résistance 12'. Les contacts 22 sont destinés à contacter les régions 20 de manière à relier la résistance 12' à un circuit électronique. La valeur de la résistance 12' correspond à la résistance entre les bornes B1 et B2. La direction X s'étendant de la borne B1 à la borne B2 correspond à la direction principale de la résistance 12' et est représentée par une flèche en figures 1A et 1C.
Le procédé de fabrication du dispositif 10 comprend par exemple une étape de formation des régions 24, par exemple par dopage du substrat à travers des ouvertures d'un masque situé sur la face supérieure du substrat. De préférence, les ouvertures dudit masque découvrent entièrement les ouvertures 19c et 19d.
La région 26 forme la résistance 12. La résistance 12 est une résistance diffusée de type de conductivité P. La région 24 située dans l'ouverture 19c constitue une première borne A1 de la résistance 12. La région 24 située dans l'ouverture 19d constitue une deuxième borne A2 de la résistance 12. Les contacts 28 sont destinés à contacter les régions 24 de manière à relier la résistance 12 à un circuit électronique. La valeur de la résistance 12 correspond à la résistance entre les bornes A1 et A2. La direction principale de la résistance 12 est la même direction X que la direction principale de la résistance 12'.
Une fermeture 70 est disposée en haut du boîtier 62 et comprend une surface supérieure 72 entourée d’une lèvre annulaire 75 s’étendant vers le haut. Une pluralité d’ouvertures 76A, 76B et 76C (collectivement, les « ouvertures 76 ») s’étendent à travers la fermeture 70, chaque ouverture 76 étant dimensionnée et configurée pour recevoir une buse 66A, 66B, 66C (collectivement, les « buses 66 ») à travers laquelle un composé cosmétique de la cartouche respective est évacué.
En se référant aux FIGURES 3-6, un mode de réalisation d’un système de distribution 50 selon des aspects de la présente divulgation est montré. Dans le mode de réalisation illustré, le système 50 comprend le distributeur 60 représenté sur les FIGURES 1 et 2. Dans un mode de réalisation, différents modes de réalisation d’un distributeur sont utilisés. Dans un mode de réalisation, le distributeur comprend tout nombre approprié de cartouches configurées pour distribuer tout composant cosmétique approprié ou toute combinaison de composants cosmétiques. Dans un mode de réalisation, le nombre, les positions et les interfaces des buses de cartouche ont toute configuration appropriée. Dans un mode de réalisation, la fermeture a toute configuration appropriée pour s’interfacer avec un ou plusieurs autres composants du système (comme décrit ci-dessous).
Comme mieux représenté en -4, le système comprend une plaque 80 couplée, c’est-à-dire montée, à la fermeture 70 du distributeur 60. La plaque 80 comprend une portion inférieure généralement cylindrique 82 dimensionnée et configurée pour être reçue dans la lèvre annulaire 74 de l’obturateur 70 pour accoupler de manière amovible la plaque 80 à l’obturateur 70.
Une surface supérieure de la plaque 80 comporte un renfoncement 84 entouré d’une lèvre annulaire 86. Dans un mode de réalisation, le renfoncement 84 est un renfoncement concave. Dans un mode de réalisation, le renfoncement 84 a un rayon constant. Dans un mode de réalisation, le renfoncement a toute forme et tout contour appropriés pour engager un outil, dont des modes de réalisation représentatifs sont décrits ici. Dans un mode de réalisation, la lèvre annulaire 86 présente une surface supérieure plane qui définit la surface supérieure de la plaque 80.
Une pluralité d’ouvertures 88A, 88B et 88C (collectivement, les « ouvertures 88 ») s’étendent à travers le renfoncement 84. Chaque ouverture 88A, 88B et 88C correspond à l’une des ouvertures 76 qui s’étend à travers la fermeture. Comme le représente mieux la , un bossage s’étend vers le bas à partir du bas de la plaque 80 au niveau d’une ou de plusieurs des ouvertures 88A, 88B et 88C. Chaque bossage est dimensionné et configuré pour être reçu par l’ouverture correspondante 76A, 76B et 76C, respectivement, qui s’étend à travers la fermeture 70. Chaque bossage engage l’ouverture correspondante dans la fermeture 70 pour aligner la plaque 80 avec la fermeture et empêcher la rotation de la plaque 80 par rapport à la fermeture.
Comme le représente mieux la , lorsque la plaque 80 est montée sur la fermeture 70, chaque buse 66 s’étend à travers une ouverture 76 correspondante dans la fermeture 70 et dans les ouvertures 88 de la plaque 80. Dans un mode de réalisation, chaque buse 66 engage hermétiquement l’ouverture 88 correspondante de la plaque 80 de manière étanche à l’air. Dans un mode de réalisation, un joint torique ou un autre joint approprié assure l’engagement d’étanchéité de la buse 66 avec l’ouverture 88 correspondante de la plaque.
Dans un mode de réalisation, la plaque 80 est couplée de manière détachable à la fermeture 70. Dans un mode de réalisation, la plaque 80 est couplée de manière permanente à la fermeture 70. Dans un mode de réalisation, la plaque 80 est couplée à la fermeture 70 par un ajustement serré, un ajustement à enclenchement, un engagement fileté, des adhésifs ou tout autre moyen approprié. Dans un mode de réalisation, la plaque 80 et/ou au moins certaines des caractéristiques associées de la plaque font partie intégrante de la fermeture 70.
Le système 50 comprend en outre un couvercle 110 configuré pour être couplé de manière amovible à la plaque 80. Le couvercle 110 comprend une surface interne 112 entourée d’une lèvre annulaire 114 s’étendant dans une direction axiale à partir de la surface interne. Dans un mode de réalisation, le couvercle 110 est fixé par engagement de la lèvre annulaire 114 du couvercle avec la lèvre annulaire 86 de la plaque 80. Dans un mode de réalisation, le couvercle 110 est fixé sur la plaque 80, la fermeture 70 ou toute autre partie appropriée du distributeur 60 par engagement fileté, ajustement serré, à enclenchement ou toute autre configuration d’engagement appropriée.
En se référant maintenant aux FIGURES 3-6, le système 50 comprend un outil 90 pour mélanger et appliquer les produits cosmétiques 68 à partir des cartouches 64. Comme expliqué plus en détail, l’outil 90 scelle également les ouvertures 88 de la plaque 80 pour empêcher les composants cosmétiques 68 de sécher dans les cartouches 64, le distributeur 60, la plaque 80, etc.
Comme le montrent les FIGURES 6A-6D, l’outil 90 est en forme de disque, avec un profil circulaire dans une vue en plan. Vue de côté, une portion centrale 92 de l’outil a une épaisseur constante entourée d’une portion conique annulaire 94. Dans un mode de réalisation, la portion conique comprend au moins une surface supérieure concave ou une surface inférieure concave. Dans un mode de réalisation, la portion conique comprend au moins une surface supérieure convexe ou une surface inférieure convexe. Dans un mode de réalisation, l’outil 90 comprend toute forme appropriée pour fonctionner de la manière décrite ici.
Dans un mode de réalisation, l’outil 90 est formé à partir d’une éponge sans latex, de mousse, de silicone, de matériaux d’origine végétale ou de tout autre matériau approprié connu pour être utilisé avec des applicateurs de maquillage. Dans un mode de réalisation, l’outil 90 est formé à partir d’un matériau homogène. Dans un mode de réalisation, l’outil 90 comprend deux matériaux différents ou plus, chaque matériau ayant une dureté différente. Dans un mode de réalisation, l’outil 90 comprend un plan central 96 qui définit une interface entre une première matière et une deuxième matière. Dans un mode de réalisation, l’outil 90 est tout matériau ou combinaison de matériaux appropriés pour collecter, mélanger et appliquer une composition cosmétique telle que décrite ici.
En se référant maintenant aux FIGURES 4 et 5, l’outil 90 est dimensionné et configuré pour être rangé entre le couvercle 110 et la plaque 80 lorsque le couvercle est monté sur le distributeur 50. Plus précisément, lorsque le couvercle 110 est monté sur le distributeur 60, l’outil 90 est comprimé entre la surface interne 112 du couvercle 110 et le renfoncement 84 de la plaque 80, comme illustré en . L’outil 90 étant comprimé contre la surface du renfoncement 84, l’outil comprimé recouvre les ouvertures 88 de la plaque 80 pour assurer l’étanchéité à l’air des ouvertures et donc de la buse 66 des cartouches 64. Par conséquent, les cartouches 64 sont hermétiquement protégées de l’air ambiant lorsque le couvercle 110 est monté sur le distributeur avec l’outil 90 rangé entre le couvercle 110 et la plaque 80.
Les FIGURES 7A-7E représentent un autre mode de réalisation d’un outil 100 convenant à une utilisation avec le système divulgué 60. L’outil 100 est similaire à l’outil 90 décrit précédemment dans les FIGURES 6A-6D sauf pour l’inclusion d’une pluralité de protubérances 106 formées sur un côté de l’outil. Les protubérances 106 sont dimensionnées et configurées de manière à ce que chaque protubérance engage une ouverture 88 correspondante dans la plaque. Lorsque le couvercle 110 est monté sur le distributeur 60, l’outil 100 est comprimé entre la surface interne 112 du couvercle 110 et le renfoncement 84 de la plaque 80. En outre, chaque protubérance 106 s’étend dans et est comprimée par une ouverture 88 correspondante dans la plaque 80 pour protéger hermétiquement davantage les buses 66 des cartouches 64 de l’air ambiant.
L’utilisation du système 50 sera décrite à présent en . Pour utiliser le système 50, un utilisateur désaccouple le couvercle 110 du système 50 et retire l’outil 90 du renfoncement 84 de la plaque 80 (étape 1). L’utilisateur actionne ensuite le distributeur 60 pour distribuer une quantité souhaitée, c’est-à-dire personnalisée, de composant cosmétique 68 à partir de chacune des cartouches 64. Comme le montrent les FIGURES 3 et 8, les composants cosmétiques 68A, 68B, 68C distribués (collectivement, « les composants cosmétiques 68 ») sont évacués des ouvertures 88 de la plaque 80 dans le renfoncement 84.
L’utilisateur mélange ensuite les composants cosmétiques 68A, 68B, 68C dans le renfoncement 84 à l’aide de l’outil 100 pour former une composition cosmétique homogène 52 (étape 2). L’utilisateur collecte ensuite la composition cosmétique 52 sur l’outil 90 (étape 3) et applique la composition cosmétique à l’aide de l’outil de la manière d’un applicateur compact connu.
Lorsque l’utilisateur a terminé d’appliquer la composition cosmétique 52, il nettoie l’outil 90 pour éliminer toute composition cosmétique restante 52. L’utilisateur retire également la plaque 80 du distributeur 60 et nettoie toute composition cosmétique restante 52 laissée dans le renfoncement 84, les ouvertures 88 et sur toute autre portion de la plaque 80. L’utilisateur monte ensuite la plaque 80 sur le distributeur 50, place l’outil 90 dans le renfoncement 84 et rattache le couvercle 110 sur le distributeur 50. Avec le couvercle 110 refixé sur le distributeur 50, l’outil 90 est comprimé contre les ouvertures 88 de la plaque 80, isolant ainsi les buses 66 des cartouches 64 de l’air ambiant pour « sceller » les cartouches. L’étanchéité des cartouches de cette manière empêche le dessèchement des composants cosmétiques 68, ce qui empêche les déchets et l’obstruction du distributeur.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, un circuit comparateur d'une première tension représentative du courant de drain dudit transistor et d'un courant de rétroaction de ladite alimentation à découpage.
Selon un mode de réalisation, ledit circuit comparateur est adapté à rendre ledit transistor non conducteur si ladite première tension est inférieure à une deuxième tension de seuil.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un premier circuit de filtrage permettant de ne prendre en compte un résultat dudit circuit comparateur uniquement pendant une phase de non-conduction dudit transistor de puissance.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un circuit oscillant adapté à fournir une tension d'horloge à basse fréquence.
Un autre mode de réalisation prévoit un circuit de modulation de largeur d'impulsion comprenant un circuit de détection d'un court-circuit décrit précédemment.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un circuit logique adapté à recevoir une tension de comparaison fournie par ledit circuit de détection.
Selon un mode de réalisation, dans lequel ledit transistor de puissance est un transistor de type HEMT de type e-mode.
la représente, schématiquement et partiellement sous forme de blocs, une partie d'une alimentation à découpage comprenant un mode de réalisation d'un dispositif électronique formé dans et sur une structure comprenant du Nitrure de Gallium ;
la représente, schématiquement et sous forme de blocs, un schéma électrique plus détaillé d'un mode de réalisation d'un commutateur de puissance de l'alimentation à découpage de la ;
Il est à présent décrit un exemple particulier de centrale électrique virtuelle (VPP) en référence à la . Différentes installations (102, 104, 106) y sont agrégées, à savoir dans cet exemple des sources d’énergie photovoltaïque (102) et éolienne (104) ainsi qu’un système pilotable avec stockage d’énergie (106), par exemple à l’aide de batteries. Ces installations permettent d’alimenter un réseau électrique (108) en énergie. Le pilotage commun des installations de la VPP permet de fournir des services supplémentaires.
Il est à présent décrit un exemple de mécanisme de contrôle-commande (200) d’une VPP en référence à la .
En général, trois couches fonctionnelles (210, 220, 230) agissant à différentes échelles de temps permettent de faire fonctionner une VPP constituée de plusieurs actifs physiques (ressources pilotées) :
Une première couche d’optimisation (230), appelée parfois « operational planning scheduler » en anglais, ou encore dans le contexte de ce document « optimiseur », permet de déterminer les programmes de marche de l’ensemble des ressources pilotées et alloue les capacités de services en prenant en compte les prévisions de production des énergies renouvelables, les contraintes opérationnelles et les informations disponibles des marchés (ex : prévision des prix SPOT et des prix des services système). En général, cette couche optimise le fonctionnement de la VPP depuis J-1 jusqu’à l’horizon 15 - 30 minutes avant temps réel, sur chaque pas de 30 minutes (ou 15 minutes au plus précis).
Une deuxième couche de contrôle-commande (220), intermédiaire, appelée parfois « short-term control » en anglais ou STC, intervient entre chaque pas d’optimisation (ex : 30min) et le temps réel, et permet de monitorer la performance de la VPP et de prendre des actions nécessaires pour gérer des aléas ou des imprévus à l’intérieur de chaque pas de programmation optimale. Cette gestion peut en particulier être relative à la gestion de l’état de charge du stockage, à la compensation de la variabilité court-terme des EnR, à un dysfonctionnement fortuit d’un composant ou d’un système de communication prévu pour la transmission de données mesurées et/ou de consignes, à la correction de la performance d’un service, etc.
Une troisième couche de contrôle-commande (210) agit au plus proche du temps réel et comporte les fonctions ou algorithmes correspondants aux services à rendre et adaptés aux technologies pilotées. Cette couche est implémentée physiquement au niveau local par des contrôleurs locaux (202, 204, 206) des installations (102, 104, 106). Elle a pour rôle d’exécuter les programmes définis par la couche supérieure en amont du temps réel et de fournir les différents services au système électrique en fonction des mesures locales (tension, fréquence, etc.), tout en respectant les lois physiques spécifiées dans les codes de réseau pour chaque service.
En l’absence de la couche de contrôle-commande intermédiaire (STC), les contrôleurs locaux prennent en compte directement les valeurs calculées par l’optimiseur comme consignes d’exécution (ex : puissances de référence de chaque ressource, volume de réserve à placer, etc.). Ces valeurs sont mathématiquement constantes sur chaque pas d’optimisation (i.e. sur une durée de 15 ou 30 minutes). Cela peut plus ou moins correctement fonctionner quand la VPP n’est composée que des ressources peu variables dans le temps (ex : batterie, centrale hydraulique avec barrage, etc.), mais pourrait poser des problèmes sur la performance quand la VPP comporte des producteurs variables.