Installation (1) pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma (2) micro-ondes, l’installation (1) comprenant : - un générateur micro-ondes (3) générant des ondes électromagnétiques à une fréquence source (F) donnée comprise dans au moins un intervalle de fréquences d’une plage de fréquences des micro-ondes, - un système de couplage des ondes électromagnétiques (5) raccordé au générateur micro-ondes (3), et qui est conformé pour transférer les ondes électromagnétiques à une cavité résonante (6), laquelle cavité résonnante (6) comprenant au moins : - une chambre à plasma (7) dans laquelle est disposé un porte-substrats (8) sur lequel peut être posé au moins un substrat (81), ladite chambre à plasma (7) étant munie d’une entrée d’un gaz de réaction, et d’un système de pompage (71) pour établir une pression réduite à l’intérieur de la chambre à plasma (7), - au moins un diélectrique (9), transparent aux micro-ondes, séparant la chambre à plasma (7) du système de couplage des ondes électromagnétiques (5) pour une propagation des ondes électromagnétiques à l’intérieur de la chambre à plasma (7) et au travers dudit diélectrique (9), l’installation (1) étant caractérisée en ce qu’elle comprend au moins un dispositif de surveillance (10) pour mesurer un paramètre physique (Phy) dépendant d’une position du plasma (2) à l’intérieur de la chambre à plasma (7), en ce que le générateur micro-ondes (3) est un générateur à état solide et à fréquence variable, et en ce qu’elle comprend une unité de contrôle (11) raccordée à l’au moins un dispositif de surveillance (10) et audit générateur micro-ondes (3) pour faire varier la fréquence source (F) en fonction d’une mesure du paramètre physique (Phy) pour contrôler la position du plasma (2). Installation (1) selon la revendication 1, dans laquelle la fréquence source (F) est initialement à une fréquence initiale (Fi), et l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer un changement de position du plasma (2) généré à cette fréquence initiale (Fi) depuis une première position (P1) vers une seconde position (P2) distincte de la première position (P1), à partir d’une variation du paramètre physique (Phy) mesurée par l’au moins un dispositif de surveillance (10), et pour faire varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) jusqu’à atteindre une fréquence de correction (Fc) ramenant le plasma (2) depuis la seconde position (P2) vers sensiblement la première position (P1). Installation (1) selon la revendication 2, dans laquelle l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer le changement de position du plasma (2) lorsque le paramètre physique (Phy) varie depuis une première valeur (val1) vers une seconde valeur (val2), et pour faire varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) jusqu’à la fréquence de correction (Fc) jusqu’à ce que le paramètre physique (Phy) varie inversement depuis la seconde valeur (val2) vers sensiblement la première valeur (val1). Installation (1) selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle l’unité de contrôle (11) : - suite à une détection du changement de position du plasma (2), est conformée pour envoyer un signal de commande au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal de commande, fait varier la fréquence source (F) dans l’au moins un intervalle de fréquences ; - suite à un retour du plasma (2) dans la première position (P1), est conformée pour envoyer un signal d’arrêt au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal d’arrêt, cesse de faire varier en fréquence la fréquence source (F) dans l’au moins un intervalle de fréquences, la fréquence source (F) étant alors égale à la fréquence de correction (Fc). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans laquelle une fois le plasma (2) repositionné dans la première position (P1) suite à la variation de la fréquence source (F), l’unité de contrôle (11) est conformée pour faire varier la fréquence source (F) du générateur micro-ondes (3) depuis la fréquence de correction (Fc) jusqu’à revenir à la fréquence initiale (Fi). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la fréquence source (F) est initialement à la fréquence initiale (Fi), et l’unité de contrôle (11) est conformée pour faire varier la fréquence source (F) du générateur micro-ondes (3) depuis la fréquence initiale (Fi) jusqu’à atteindre une fréquence de croissance (Fg) comprise dans l’au moins un intervalle de fréquence, en réponse à une variation du paramètre physique (Phy) mesuré par l’au moins un dispositif de surveillance (10) telle que ledit paramètre physique (Phy) n’est plus conforme à une valeur de seuil de croissance donnée, ladite fréquence de croissance (Fg) étant établie par ladite unité de contrôle (11) de sorte que ledit paramètre physique (Phy) est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance pour cette fréquence de croissance (Fg). Installation (1) selon la revendication 6, dans laquelle l’unité de contrôle (11) est conformée pour : - en réponse à la variation du paramètre physique (Phy) telle que ledit paramètre physique (Phy) n’est plus conforme à la valeur de seuil de croissance, envoyer un signal de début au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal de début, fait varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) dans l’au moins un intervalle de fréquences ; et - en réponse à la mesure du paramètre physique (Phy) telle que ledit paramètre physique (Phy) redevient conforme à la valeur de seuil de croissance, envoyer un signal de fin au générateur micro-ondes (3) lequel, à réception dudit signal de fin, cesse de faire varier la fréquence source (F) qui a atteint la fréquence de croissance (Fg). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) comprend un détecteur de luminosité comprenant une fibre optique orientée en direction d’un point dans la chambre à plasma (7) où elle capte une intensité lumineuse du plasma (2) qui constitue ainsi le paramètre physique (Phy) associé audit détecteur de luminosité, de telle sorte que ledit détecteur de luminosité détecte une variation de l’intensité lumineuse en ce dit point dans le cas où le plasma (2) se déplace. Installation (1) selon les revendications 2 et 8, dans laquelle la fibre optique est orientée en direction de la première position (P1), le changement de position du plasma (2) à la fréquence initiale (Fi) étant détecté par l’unité de contrôle (11) suite à la variation de l’intensité lumineuse détectée par le détecteur de luminosité. Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) comprend un dispositif de mesure de puissance micro-ondes conformé pour mesurer une puissance réfléchie (Pr) par la cavité résonante (6), laquelle puissance réfléchie constituant ainsi le paramètre physique (Phy) associé audit dispositif de mesure de puissance micro-ondes. Installation (1) selon les revendications 2 et 10, dans laquelle l’unité de contrôle (11) détecte à la fréquence initiale (Fi) le changement de position du plasma (2) lorsque le dispositif de mesure de puissance micro-ondes mesure une augmentation de la puissance réfléchie (Pr). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) comprend un dispositif de mesure de température conformé pour mesurer une température cible (Tm) à l’intérieur de la chambre à plasma (7), au niveau du dépôt chimique sur l’au moins un substrat (81), laquelle température cible (Tm) constituant ainsi le paramètre physique (Phy) associé audit dispositif de mesure de température. Installation (1) selon les revendications 2 et 12, dans laquelle l’unité de contrôle (11) détecte à la fréquence initiale (Fi) le changement de position du plasma (2) lorsque le dispositif de mesure de température mesure une diminution de la température cible (Tm). Installation (1) selon les revendications 6 et 12, dans laquelle la valeur de seuil de croissance correspond à une température critique de croissance (Tcrit) de la température cible (Tm) mesurée par le dispositif de mesure de température, de sorte que le paramètre physique (Phy) n’est plus conforme à la valeur de seuil de croissance lorsque la température cible (Tm) est supérieure ou égale à ladite température critique de croissance (Tcrit), et le paramètre physique (Phy) est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance lorsque la température cible (Tm) redevient inférieure à la température critique de croissance (Tcrit). Installation (1) selon la revendication 14, dans laquelle la température critique de croissance (Tcrit) est égale à 1000°C, à plus ou moins 100 degrés. Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la plage de fréquences des micro-ondes est comprise entre 300 MHz et 10 GHz. Installation (1) selon la revendication 16, dans laquelle l’au moins un intervalle de fréquences est compris entre 902 MHz et 928 MHz, ou bien entre 2400 MHz et 2500 MHz. Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le système de couplage des ondes électromagnétiques (5) comprend une antenne (12). Installation (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la cavité résonante (6) comprend une précavité (13), ayant une pression supérieure à celle de la chambre à plasma (7), et interfacée à la chambre à plasma (7) au moyen de l’au moins un diélectrique (9). Procédé (100) pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma (2) micro-ondes, le procédé (100) étant mis en œuvre par une installation (1) conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, et comprenant au moins : - une étape de surveillance (S1) durant laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) effectue une mesure du paramètre physique (Phy) dépendant de la position du plasma (2) à l’intérieur de la chambre à plasma (7) ; - une étape de transmission (S2) durant laquelle l’au moins un dispositif de surveillance (10) transmet la mesure du paramètre physique (Phy) à l’unité de contrôle (11) ; - une étape de contrôle (S3) durant laquelle l’unité de contrôle (11) fait varier la fréquence source (F) en fonction de la mesure du paramètre physique (Phy) pour contrôler la position du plasma (2). Procédé (100) selon la revendication 20, dans lequel l’étape de contrôle (S3) comprend les étapes suivantes : - une étape de détection (Q1) durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine, à la fréquence initiale (Fi), un changement de position du plasma (2) depuis une première position (P1) vers une seconde position (P2), à partir d’une variation du paramètre physique (Phy) mesurée par l’au moins un dispositif de surveillance (10) ; - une étape de balayage (S4) se déroulant après l’étape de détection (Q1), durant laquelle l’unité de contrôle (11) envoie au générateur micro-ondes (3) un signal de commande afin qu’il fasse varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) dans l’au moins un intervalle de fréquences; - une étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc) durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine le retour du plasma (2) depuis la seconde position (P2) vers sensiblement la première position (P1), puis envoie au générateur micro-ondes (3) un signal d’arrêt afin qu’il cesse de faire varier la fréquence source (F), la fréquence de correction (Fc) étant alors désormais considérée comme la fréquence source (F). Procédé (100) selon la revendication 21 pour lequel, durant l’étape de détection (Q1), l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer le changement de position du plasma (2) lorsque le paramètre physique (Phy) varie depuis une première valeur (val1) vers une seconde valeur (val2). Procédé (100) selon la revendication 21 ou 22 pour lequel, durant l’étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc), l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer le retour du plasma (2) depuis la seconde position (P2) vers sensiblement la première position (P1) lorsque le paramètre physique (Phy) varie de la seconde valeur (val2) vers sensiblement la première valeur (val1). Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 21 à 23, dans lequel le procédé (100) comprend une étape de retour (S6) à la fréquence initiale (Fi) qui se déroule après l’étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc), et durant laquelle l’unité de contrôle (11), après avoir déterminé le retour du plasma (2) à la première position (P1), est conformée pour envoyer un signal de retour au générateur micro-ondes (3) afin qu’il fasse varier la fréquence source (F) depuis la fréquence de correction (Fc) jusqu’à la fréquence initiale (Fi). Procédé (100) selon la revendication 24, dans lequel le procédé (100) comprend une étape de vérification de stabilité (Q3) qui se déroule après l’étape de retour (S6) à la fréquence initiale (Fi), durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine, lorsque la fréquence source (F) est à nouveau égale à la fréquence initiale (Fi), si le plasma (2) effectue à nouveau un changement de position depuis la première position (P1) vers la seconde position (P2) ; le procédé (100) mettant alors à nouveau en œuvre, si le changement de position est déterminé, l’étape de balayage (S4) et l’étape de détermination (S5) de la fréquence de correction (Fc). Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 20 à 25, dans lequel ledit procédé (100) comprend : - une étape de détermination de limite de croissance (Q4), durant laquelle l’unité de contrôle (11) est conformée pour déterminer si le paramètre physique (Phy) mesuré par l’au moins un dispositif de surveillance (10) n’est plus conforme à une valeur de seuil de croissance donnée ; - une seconde étape de balayage (S7) se déroulant après l’étape de détermination de limite de croissance (Q4), durant laquelle l’unité de contrôle (11) envoie au générateur micro-ondes (3) un signal de début afin qu’il fasse varier la fréquence source (F) depuis la fréquence initiale (Fi) dans l’au moins un intervalle de fréquence ; - une étape de détermination (S8) d’une fréquence de croissance (Fg), durant laquelle l’unité de contrôle (11) détermine que le paramètre physique (Phy) redevient conforme à la valeur de seuil de croissance et que le plasma (2) est localisé dans une position de croissance telle que celle-ci soit distante d’une distance de croissance donnée au-dessus de la première position (P1), puis envoie un signal de fin au générateur micro-ondes (3) afin qu’il cesse de faire varier la fréquence source (F) qui est alors égale à la fréquence de croissance (Fg) établie par ladite unité de contrôle (11) de sorte que ledit paramètre physique (Phy) est à nouveau conforme à la valeur de seuil de croissance pour cette fréquence de croissance (Fg).