INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La plaque de platelage 12 s’étend transversalement entre les poutres principales 14 et 16 (voir ) et, selon la direction D3, sensiblement sur toute la longueur des poutres principales 14 et 16 (voir ).
En référence à la , la plaque de platelage 12 comprend une surface inférieure 22 et une surface supérieure 24 définissant l’épaisseur de cette plaque 12, dans cet exemple une épaisseur de 8 mm.
Afin d’assurer notamment un écoulement d’eaux pluviales, la plaque de platelage 12 présente un ou plusieurs bombements définissant des pentes transversales.
Plus spécifiquement, la plaque 12 comprend un premier tronçon transversal s’étendant le long de la direction D3 depuis une coordonnée médiane 26 jusqu’à une première extrémité transversale 27 de la plaque 12 et un deuxième tronçon transversal s’étendant le long de la direction D3 depuis ladite coordonnée médiane 26 jusqu’à une deuxième extrémité transversale 28 de la plaque 12. Sur chacun de ces tronçons transversaux, la surface supérieure 24 présente une pente transversale respective qui est ici de l’ordre de 1,1 %.
La surface supérieure 24 de la plaque de platelage 12 présente ainsi des parties de surface qui sont obliques par rapport à un plan de référence D1-D3.
Concernant les poutres principales 14 et 16 de la structure 10, celles-ci s’étendent le long de la direction longitudinale D3, c’est-à-dire dans la direction de la portée de la structure 10.
Les poutres 14 et 16, aussi appelées « poutres de rive », sont espacées l’une de l’autre selon la direction transversale D1 et, dans cet exemple, sont symétriques par rapport à un plan de référence D2-D3 passant par ladite coordonnée médiane 26 de la plaque de platelage 12.
Les poutres 14 et 16 sont ici des profilés porteurs métalliques, de type profilés reconstitués soudés.
En référence aux figures 2 et 5, la poutre 16 comprend de manière connue en soi une âme 32, une aile inférieure 34 et une aile supérieure 36.
Les ailes 34 et 36 de la poutre 16 forment respectivement une surface inférieure 40 et une surface supérieure 42 de la poutre 16 qui sont espacées l’une de l’autre selon la direction D2 de sorte à définir une hauteur X1 de la poutre 16 (voir ).
À titre indicatif, la hauteur X1 peut être comprise entre 400 mm et 800 mm, par exemple égale à 500 mm.
Les figures 1A et 1B illustrent un mode de réalisation d'une cellule mémoire 10 reprogrammable. La représente une vue en perspective d'un mode de réalisation d'une cellule mémoire. La représente une vue en coupe du mode de réalisation de la . Plus précisément, le représente le mode de réalisation de la selon un plan de coupe B-B représenté en . La représente une vue en coupe du mode de réalisation de la . Plus précisément, le représente le mode de réalisation de la selon un plan de coupe C-C représenté en .
La cellule 10 est formée dans et sur un substrat 12 semiconducteur. Le substrat 12 comprend une région 14 intermédiaire permettant d'isoler du reste du substrat 12, c'est-à-dire d'une région 18 inférieure du substrat, une région 16 supérieure du substrat 12. Les régions 14, 16 et 18 sont par exemple en le même matériau semiconducteur. La région supérieure 16 est la région sur laquelle est formée la cellule mémoire. La région 14 est par exemple une région dopée d'un premier type de conductivité opposé à un deuxième type de conductivité, les régions 18 et 16 étant dopées du deuxième type de conductivité. Les régions 16 et 18 ont par exemple le même type de conductivité. Ainsi, les régions 16 et 18 sont dopées du deuxième type de conductivité, par exemple de type N, et la région 14 est dopée du premier type de conductivité, par exemple de type P.
A titre de variante, la région 14 pourrait être une couche en un matériau isolant, par exemple en oxyde de silicium. Par exemple, le substrat 12 pourrait être un substrat de type semiconducteur sur isolant ou SOI. La région 14 correspondrait alors à la couche isolante du substrat SOI.
Des régions 20, 22, 24 sont situées sur la région 16. Plus précisément, les régions 20, 22, 24 s'étendent à partir de la région 16. De préférence, les régions 20, 22, 24 ont une même hauteur. De préférence, les faces supérieures des régions 20, 22, 24 sont coplanaires. Les régions 20, 22, 24 sont représentées en pointillés en . Les régions 20, 22, 24 sont en un matériau semiconducteur. Les régions 20, 22, 24 sont par exemple en le matériau du substrat 12. Les régions 20, 22, 24 sont de préférence des régions du substrat. Les régions 20, 22, 24 ont par exemple une forme de parallélépipède rectangle. Les régions 20, 22, 24 forment par exemple chacune une barre. Les régions 20, 22, 24 s'étendent dans des directions parallèles. Autrement dit, en vue de dessus, les directions principales des régions 20, 22, 24, c’est-à-dire les directions des dimensions les plus importantes des régions 20, 22, 24, sont parallèles entre elles.
La région 20 comprend une partie supérieure 20a, correspondant à la partie la plus éloignée de la région 16. La partie supérieure affleure la face supérieure de la région 20. La partie supérieure 20a de la région 20 est dopée du deuxième type de conductivité, par exemple de type N. Le dopage de la partie supérieure de la région 20 est supérieure au dopage du reste de la région 20. Le dopage de la partie supérieure de la région 20 est par exemple supérieure au dopage de la région 18.
La région 24 comprend une partie supérieure 24a, correspondant à la partie la plus éloignée de la région 16. La partie supérieure 24a affleure la face supérieure de la région 24. La partie supérieure de la région 24 est dopée du premier type de conductivité, par exemple de type P. Le reste de la région 24 est par exemple dopée du deuxième type de conductivité. Le dopage de la partie supérieure de la région 24 est par exemple supérieure au dopage de la région 14.
La région 22 comprend une portion supérieure 22'. La partie 22' est par exemple dopée du type de conductivité opposé au type de conductivité de la portion inférieure de la région 22, c’est-à-dire opposé au type de conductivité de la région 16 et de la région 18. La portion 22' s'étend depuis la face supérieure de la région 22. Des parties supérieures 22a, 22b et 22c sont situées, dans la portion 22', au niveau de l'extrémité supérieure de la région 22, c’est-à-dire l'extrémité de la région 22 la plus éloignée de la région 16. Les parties 22a, 22b sont du même type de conductivité, par exemple de type N. Les parties 22a et 22b sont du type de conductivité opposé au type de conductivité de la portion 22'. Les parties 22a et 22b sont du type de conductivité opposé au type de conductivité de la partie 22c. Les parties 22a et 22b est dopée du premier type de conductivité. La partie 22b est dopée du deuxième type de conductivité. Les parties 22a, 22b et 22c affleurent la face supérieure de la région 22. Les partie 22a et 22b ont de préférence un niveau de dopage supérieure au niveau de dopage de la portion inférieure de la région 22. La partie 22c a de préférence un niveau de dopage supérieure au niveau de dopage de la portion 22'. Les parties 22a, 22b et 22c sont de préférence séparées les unes des autres par des portions de la portion 22'. Ainsi, les parties 22a, 22b et 22c ne sont pas en contact.
Dans l'exemple des figures 1A et 1B, la région 22 est située entre la région 20 et la région 24. La région 22 est ainsi séparée de la région 20 par une cavité, ou tranchée, 26, et de la région 24 par une autre cavité 26. Les cavités 26 sont des cavités dites profondes, c'est-à-dire d'au moins 2 µm de profondeur. Les régions 20 et 24 sont ainsi séparées par deux cavités 26 et la région 22. A titre de variante, la région 24 pourrait être située entre les régions 20 et 22. A titre de variante, la région 20 pourrait être située entre les régions 22 et 24.
Les régions 20, 22, 24 sont délimitées des cavités 26. Autrement dit, les régions 20, 22, 24 sont séparées les unes des autres par les cavités 26. Les régions 20, 22, 24 sont entourées latéralement par les cavités 26.
Les cavités 26 sont remplies par des murs 28 conducteurs isolés. Autrement dit, les régions 20, 22, 24 sont délimitées des murs 28. Autrement dit, les régions 20, 22, 24 sont séparées les unes des autres par murs 28. Les régions 20, 22, 24 sont entourées latéralement par les murs 28. Chaque mur 28 comprend une gaine isolante 20 et un cœur conducteur 32. Autrement dit, les parois latérales et le fond des cavités 26 sont recouverts par une couche conforme de matériau isolant, par exemple de l'oxyde de silicium. Le reste de la cavité est remplie d'un matériau conducteur, de préférence du silicium polycristallin.
De préférence, les régions 20, 22, 24 sont uniquement séparées par les cavités 26 et les murs 28.
La cellule comprend en outre une couche isolante 34 recouvrant la face supérieure du substrat 12. Plus précisément, la couche 34 recouvre la face supérieure des murs 28 et des régions 20, 22 et 24. La couche 34 recouvre de préférence entièrement les régions 20, 22, 24 à l'exception d'emplacements dans lesquels sont situés des plots de contact 36 des régions 20, 22, 24. Chaque région 20, 22, 24 comprend au moins un plot de contact. Plus précisément, chaque partie 20a, 22a, 22b, 22c, 24a comprend au moins un plot de contact 36. Ainsi, chaque partie peut être polarisée, de préférence indépendamment des autres parties 20a, 22a, 22b, 24a. Les plots de contact 36 de la partie 20a sont configurés pour recevoir une tension V40. Les plots de contact 36 de la partie 22a sont configurés pour recevoir une tension V46a. Les plots de contact 36 de la partie 22b sont configurés pour recevoir une tension V46b. Les plots de contact 36 de la partie 24a sont configurés pour recevoir une tension V42.
Le procédé 100 de communication permet la communication entre au moins deux équipements via un bus de type DALI comprenant une paire de fils, chaque équipement étant configuré pour une connexion au bus par un même connecteur dédié. En particulier, dans le mode de réalisation décrit, le premier équipement est un capteur et au moins un deuxième équipement est un contrôleur.
Le procédé 100 de communication comprend une étape 110 de démarrage dans laquelle le mode de communication entre le capteur et le contrôleur n’est pas établi. Le procédé 100 de communication comprend ensuite une étape 112 de configuration du mode de communication avec le capteur via une étape transmission par le contrôleur vers le capteur d’une information représentative du mode de communication sélectionné par le contrôleur pour la communication.
Selon le mode de communication sélectionné, le procédé 100 comprend une étape 114 de communication via le bus entre au moins un contrôleur et le capteur en utilisant un premier mode de communication selon le protocole DALI, ou bien une étape 116 de communication via le bus entre au moins un contrôleur et le capteur en utilisant un deuxième mode de communication en utilisant un protocole de communication différent du protocole de communication DALI.
La représente schématiquement un système de communication selon un mode de réalisation de l’invention, dans lequel un capteur 10 est connecté à un contrôleur de type pilote 14 d’éclairage (en anglais « driver »). Cette connexion permet de communiquer suivant le bus 15 de protocole DALI avec un pilote d’éclairage destiné au pilotage d’un appareil d’éclairage de type ballast d’éclairage ou un autre accessoire de cet appareil d’éclairage. Les fonctions peuvent en particulier être les fonctions d’éclairage suivantes : allumage, extinction, réglage de la puissance lumineuse, pilotage d’un ou plusieurs luminaires DALI adressables, etc.
La connexion au pilote 14 d’éclairage s’effectue grâce à trois broches d’un connecteur dédié, une première broche 12a du capteur dédiée à l’alimentation et reliée à une première broche 16a du pilote 14 d’éclairage, et une paire de broches 12b et 12c formant un bus DALI via une paire de fils connectée d’autre part aux broches 16b et 16c du pilote 14 d’éclairage.
Cette configuration permet au système de communication d’être configuré pour un premier mode de communication via le bus entre le capteur 10 et le pilote 14 d’éclairage, en utilisant un protocole de communication DALI pour le pilotage d’au moins un ballast d’éclairage.
La représente schématiquement un système de communication selon un mode de réalisation de l’invention, dans lequel un capteur 10 est connecté à un contrôleur de type contrôleur 18 de configuration. Cette connexion permet le dialogue du capteur avec un outillage spécifique ou un support communiquant dans un autre protocole de communication pour, par exemple, assurer sa configuration/son paramétrage, récupération de données de paramétrages, de données de fréquentations, photos, vidéos, etc. sans utiliser un autre connecteur sur ce capteur.
La connexion au contrôleur 18 de configuration s’effectue grâce à quatre broches d’un connecteur dédié, une première broche 12a du capteur dédiée à l’alimentation et reliée à une première broche 20a du contrôleur 18 de configuration, et une paire de broches 12b et 12c formant un bus DALI via une paire de fils connectée d’autre part aux broches 20b et 20c du pilote 14 d’éclairage.
Cette configuration permet au système de communication d’être configuré pour un deuxième mode de communication via le bus entre le capteur 10 et le contrôleur 18 de configuration, en utilisant un protocole de communication différent du protocole de communication DALI.
La sélection du mode de communication s’effectue, dans ce mode de réalisation, grâce à la broche 12d du capteur formant un moyen de configuration du mode de communication entre le capteur et chaque contrôleur connecté via le connecteur dédié. Le moyen de configuration est destiné à la transmission par chaque contrôleur vers le capteur d’une information représentative du mode de communication sélectionné par le contrôleur pour la communication. En particulier, dans le mode de réalisation de la , le capteur ne reçoit aucun signal sur la broche 12d (tension nulle sur la broche 12d), ce qui indique au capteur que le premier mode de communication est sélectionné. Dans le mode de réalisation de la , le capteur reçoit un signal, dit signal de configuration, sur la broche 12d (tension non nulle sur la broche 12d) transmis par le contrôleur 18 de configuration via sa broche 20d et une connexion 22, ce qui indique au capteur que le deuxième mode de communication est sélectionné.
Ainsi, suivant le mode, le système s’auto configure logiciellement pour répondre aux caractéristiques des protocoles de communication différents : DALI ou autre, par exemple UART RS-232.
- dans le cas du protocole DALI : débit binaire de 1200 bauds (bits/ secondes), encodage/décodage synchrone de type Manchester.
- dans le cas de l’UART RS232 : débit binaire de 1200 bauds (bits/ secondes) à 38400 bauds (bits/ secondes) suivant les besoins (32 fois la vitesse DALI), encodage/décodage asynchrone, half duplex. Dans une communication RS232, l’appareil DUAL MODE et l’appareil couplé doivent logiciellement gérer la communication half duplex, à la différence d’une liaison série classique qui est full duplex, les données communiquent dans un sens ou dans l’autre, mais pas simultanément. En effet l’utilisation de l’électronique du bus hôte Dali induit nécessairement une communication half duplex.
Ce système de communication permet donc, avec exactement le même équipement, d’être couplé soit à un système d’éclairage soit à un outillage spécifique sans aucune intervention autre que son branchement par le connecteur Zhaga.
Par exemple, une application du capteur consiste à faire de la détection de forme (depuis un luminaire vers la rue) et d’ajuster en fonction de la présence ou de l’absence d’usagers l’intensité lumineuse. Dans un souci d’optimisation de la détection, il est parfois nécessaire d’exclure des zones (jardins privés par exemple). Ainsi le capteur couplé à son appareil de configuration permet de transférer une image et de traiter les zones d’exclusion via le contrôleur de configuration.
Une utilisation possible du système est de rendre possible « in situ » le paramétrage d’un module équipé d’un seul connecteur Zhaga en intégrant le capteur au sein d’un dispositif portatif.
Chaque armature 46, 48 comprend une bordure 50, une portion centrale 51 de forme circulaire, et des branches 52 qui relient la bordure 50 à la portion centrale 51. La surface restante de chaque armature 46, 48 est évidée. L’évidement accroît la surface filtrante par laquelle passe le gaz, et donc l’efficacité du filtrage.
Tout comme le média filtrant 43, la bordure 50 de chaque armature a la forme d’un rectangle aux coins arrondis. Les bords de la bordure sont évidés dans leur épaisseur.
La bordure 50 de chaque armature 46, 48 a la même forme que le contour du média filtrant 43, mais la largeur et la longueur du média filtrant 43 sont légèrement supérieures à celles de ladite bordure, typiquement de 1 à 5 mm.
Lorsque le filtre 40 est assemblé, la portion centrale 51 de chaque armature 46, 48 coïncide à peu près avec la circonférence du trou principal 44 du média filtrant 43, mais le trou principal 44 a un diamètre légèrement inférieur à celui de chaque portion centrale 51, typiquement de 1 à 5 mm.
Chaque armature 46, 48 comprend huit branches 52 : quatre branches 52 relient les quatre coins de la bordure 50 à la portion centrale 51 (dans chaque coin, l’angle entre une branche 52 et chaque bord formant le coin est égal à 45°), et quatre branches 52 relient les milieux des quatre bords de l’armature à la portion centrale 51 (chacune de ces branches s’étendant perpendiculairement depuis le bord en question).
Les portions des bords de la bordure 50, situées entre les coins et les points d’où s’étendent les branches 52, sont évidées dans leur épaisseur.
La première armature 46 comprend quatre pions 53 situés dans les coins de la bordure 50 de ladite première armature 46. L’extrémité libre de chaque pion 53 est légèrement élargie. Chaque pion 53 comporte des ailettes radiales 54 ayant une extrémité libre inclinées vers l’extrémité libre du pion 53.
La deuxième armature 48 comprend quatre trous 55 situés dans les coins de ladite deuxième armature 48.
Le filtre 40 est assemblé de la manière suivante. La première armature 46 est positionnée contre la première face 47 du média filtrant 3, de sorte que les pions 53 passent dans les trous de fixation 45 du média filtrant 43. La forme des ailettes 54 facilite l’insertion et le passage des pions 53. Puis, La deuxième armature 48 est positionnée contre la deuxième face 49 du média filtrant 43. Les pions 53 de la première armature 46 pénètrent dans les trous 55 de la deuxième armature. L’insertion des extrémités élargies des pions 53 dans les trous 55 permet de fixer la première armature 46 et la deuxième armature entre elles par emboîtage élastique.
Les armatures 46, 48 permettent de rigidifier le filtre 40 et d’éviter que le média filtrant 43 ne gondole ou ne forme des creux sous l’effet du gaz qui le traverse.
L’assemblage du filtre 40, utilisant les pions 53 et les trous 45, 55, est facile, rapide, et ne nécessite aucune machine d’assemblage complexe.
Les dimensions (largeur et longueur) des armatures 46, 48 sont normalement égales à celles de la section de la première chambre 15 du compteur 1 selon le plan P1 (à un jeu de montage près), de sorte que lorsque le filtre 40 est positionné dans le compteur 1, les bordures 50 des armatures 46, 48 sont en contact avec les parois internes de la cuve 14 du compteur (au jeu de montage près).
Le fait que les dimensions du média filtrant 43 en longueur et en largeur soient légèrement supérieures à celles des armatures 46, 48 permet de compenser les tolérances mécaniques qui pourraient créer des passages pour la poussière. Le média filtrant 43 est compressé contre les parois internes de la cuve 14, ce qui forme un joint empêchant tout passage de gaz entre les parois de la cuve 14 et le filtre 40.
De même, le fait que le trou principal 44 ait un diamètre légèrement inférieur à celui de chaque portion centrale 51 permet de compresser le média filtrant contre le conduit de sortie 28, ce qui forme un joint empêchant tout passage de gaz entre le conduit de sortie 28 et le filtre 40.
Les armatures 46, 48 sont ici fabriquées en polyoxyméthylène (ou « POM »), qui est un thermoplastique semi-cristallin. D’autres types de plastique pourraient être utilisés mais le POM présente plusieurs avantages qui le rendent parfaitement adapté à l’utilisation dans un compteur de gaz. Le POM présente par exemple : une bonne stabilité dimensionnelle en fonction de la température ; une bonne résistance aux produits chimiques agressifs (par exemple à l’ammoniaque et au soufre) ; une résistance élevée à la fatigue et à l’usure ; une facilité de moulage : le POM est facile à mouler, ce qui en fait un matériau idéal pour les pièces mécaniques de précision.
On s’intéresse maintenant au choix du matériau formant le média filtrant 43.
De préférence, le mécanisme de déroulement/enroulement est agencé pour, de préférence encore l’agencement du tube réfractaire, du mécanisme de déroulement/enroulement du fil et/ou du tube creux supplémentaire, sont agencés pour, de préférence l’un ou les uns par rapport à l’autre ou aux autres pour, ajuster un axe selon lequel s’étend le fil dans le tube réfractaire principalement parallèlement à un axe de révolution du tube réfractaire et/ou un axe selon lequel s’étend l’extrémité distale du fil principalement parallèle à un axe de révolution du tube réfractaire.
Le dispositif comprend un dispositif de lévitation, dit lévitateur, comprenant une ouverture ou un passage, reliant l’extérieur à l’intérieur du lévitateur, à travers lequel le fil et/ou le tube creux en matériau réfractaire s’étend.
De préférence, le lévitateur est un lévitateur acoustique.
De préférence, le lévitateur comprend un ensemble d’émetteurs à ultra-sons, dits émetteurs, agencés pour émettre, chacun, une onde acoustique focalisée en un centre du lévitateur. L’ensemble d’émetteurs est agencé pour obtenir des ondes acoustiques stationnaires dont une intensité est maximale au centre du lévitateur.
De préférence, le lévitateur comprend deux coupoles en vis-à-vis.
De préférence, chaque coupole comprend : - un premier groupe d’émetteurs à ultra-sons, dits émetteurs, formant une calotte s’étendant entre un pôle et un stabilisateur, - un second groupe d’émetteurs à ultra-sons, dits émetteurs, formant le stabilisateur et s’étendant depuis la calotte en direction d’un plan du lévitateur, dit plan médian, qui est perpendiculaire à l’axe reliant le pôle de chacune des coupoles, dit axe de révolution, et qui est situé à équidistance des deux pôles ; les stabilisateurs sont agencés pour former au moins deux couples d’émetteurs comprenant, chacun, deux sous-groupes d’émetteurs radialement opposés dont un sous-groupe d’émetteurs du stabilisateur d’une coupole et un sous-groupe d’émetteurs du stabilisateur de l’autre coupole, chaque sous-groupe d’émetteurs comprend au moins un émetteur.
De préférence, les émetteurs de la calotte de chacune des coupoles sont agencés pour émettre une onde acoustique présentant une première fréquence f 1 et les émetteurs du stabilisateur de chacune des coupoles sont agencés pour émettre une onde acoustique présentant une fréquence f 2 différente de f 1 .
De préférence, les deux sous-groupes d’émetteurs d’un des couples d’émetteurs sont agencés pour émettre des ondes acoustiques dont une phase diffère d’une phase des ondes acoustiques émises par les deux sous-groupes d’émetteurs d’un autre des couples.
De préférence, le système de contrôle du lévitateur est agencé et/ou programmé pour, à partir d’informations de position d’une extrémité distale du fil et/ou d’informations du centre du lévitateur positionner une extrémité distale du fil dans le lévitateur de sorte que l’extrémité distale du fil destiné à être mis en fusion et/ou lors de sa mise en fusion soit stabilisée par le lévitateur.
Les informations de position d’une extrémité distale du fil et/ou les informations du centre du lévitateur sont dites informations dans la présente description. Les informations peuvent être des données provenant d’un système d’imagerie. Le système d’imagerie peut être un capteur optique ou système optique comprenant un capteur optique, par exemple une caméra.