INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Au cours de cette étape, la couche isolante 28 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 4A, 4B et 4C.
La couche 28 est formée, comme la couche 26 et la couche 32, par le procédé de fabrication additive. La couche 28 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. Les gouttes sont en un matériau isolant, par exemple en polymère ou résine époxy.
La couche 28 recouvre, de préférence entièrement, la portion de la face supérieure de la couche 32 située entre les plots 18b et la puce 12. La couche 28 recouvre, de préférence entièrement, la portion de la face supérieure de la couche 32 située entre le plot 18a et le plot 14a.
La couche 32 ne recouvre de préférence pas entièrement la portion de la couche 32 située sur les plots 14b et 18b. Au moins une portion de chaque plot 18b, 14b, ou de la portion de couche 32 sur ledit plot 18b, 14b, n'est pas recouverte par la couche 28. La couche 28 ne recouvre de préférence pas les plots 14a et 18a. La couche 28 ne recouvre pas entièrement les plots 14a et 18a.
La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 5A, 5B, 5C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la .
Au cours de cette étape, la couche conductrice 34 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 5A, 5B et 5C.
La couche 34 est formée, comme les autres couches de l'empilement 24, par le procédé de fabrication additive. La couche 34 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. La couche 34 est par exemple en métal, par exemple en cuivre ou en or.
Lorsque le courant I_app apparent ou la somme de celui-ci Strom I_app ensemble avec un courant technique de fuite (qui n'entraînerait en soi pas encore un déclenchement) dépasse le seuil de déclenchement du RCD, il se produit un déclenchement intempestif du RCD.
La valeur du courant différentiel, qui peut se créer par l'aimantation permanente du noyau, est en général de l'ordre de peu de mA. Pour un RDC ayant un déclenchement nominal de 30 mA, cela ne représente pas en règle générale un problème réel, parce que ce courant I_app apparent correspond quasiment à une précision de mesure tolérable. En revanche, pour un appareil ayant un déclenchement nominal de 6 mA, ce courant provoqué par l'aimantation du noyau représente un problème considérable, parce qu'il prend des valeurs (quelques mA) qui ne peuvent plus être négligées et qui modifient significativement le comportement au déclenchement.
La représente un mode de réalisation possible de l'invention. Elle représente un circuit d'aide de détection habituel d'un RCD de type B (voir la ) avec les compléments suivants :
- une sortie "MAG" (repère 44) de la MCU, qui commande l'état d'un interrupteur 'switch" (repère 39). Cet interrupteur peut ménager une liaison de la résistance Rmag (repère 38) en parallèle à la résistance Rsense (repère 33) de mesure.
- une entrée "POL" (repère 43) de la MCU, pour le contrôle de la polarité du circuit d'excitation : l'entrée est un signal binaire, dont les états logiques correspondent à une tension d'excitation positive et à une tension d'excitation négative.
En fonctionnement régulier, l'interrupteur 39 est ouvert et la résistance 38 n'est pas montée en parallèle à la résistance 33. L'intensité de champ périodique appliquée au transformateur de courant est alors
si l'interrupteur 39 est fermé, la résistance d'ensemble devient :
et l'intensité de champ s'élève à :
L'intensité Hexc2 de champ est substantiellement plus grande que l'intensité Hexc1 de champ, mais ne peut pas être si grande que l'intensité Hsurge de champ. La valeur de l'intensité Hexc2 de champ peut prendre par exemple une valeur de l'ordre de 1000 A/m. Sur la base de ce qui entre à l'entrée 43, la MCU peut ouvrir l'interrupteur 39 après une impulsion positive de l'intensité +Hexc2 positive de champ ou d'une impulsion négative de l'intensité –Hexc2 de champ.
Les figures 7a et 7b représentent qu'il se produit une aimantation après une première impulsion positive et qu'il subsiste ensuite un courant Iapp2+ apparent. D'une manière correspondante, un courant Iapp2- apparent négatif est détecté après une impulsion négative de l'intensité Hexc2 de champ, comme cela est montré à la .
La valeur Im moyenne des courants Iapp2+ et Iapp2- apparents est presque nulle et correspond à la réalité. Dans la phase de travail suivante, la MCU doit compenser le courant Iapp2- apparent restant lors du calcul du courant différentiel. Si par exemple à la , la procédure est finie (c'est-à-dire dans le temps après le deuxième pic négatif), et s'il ne s'est pas produit de déclenchement du RCD, on continue à contrôler sur le RCD si le courant résiduel dépasse un seuil de déclenchement. Pour ce contrôle de la valeur des seuils, on compense l'aimantation induite. Soit par exemple Iapp, la valeur du courant obtenue lors du contrôle. La compensation peut alors consister en ce que l'on compare non pas Iapp mais (Iapp + (Im – Iapp2-)) à la valeur de seuil, Im et Iapp2- étant les valeurs obtenues lors de la dernière détermination dans le temps de Im. Les figures 8a et 8b représentent un scénario, dans lequel il passe dans le RDC, un courant Idiff différentiel en courant continu. Celui-ci produit une intensité Hdiff – Idiff / Lfe de champ d'aimantation, que l'on compense par le circuit et qui se traduit en un courant Iapp1, qui possède la même valeur que le courant Idiff. Si on effectue une aimantation aux intensités +Hexc2 et –Hexc2 de champ, la valeur Im moyenne de Iapp2+ et Iapp2-correspond au courant Iapp1 et au courant Idiff. La formation de la valeur moyenne après l'aimantation en des polarités positives et négatives n'influence pas le résultat et le courant mesuré correspond au courant différentiel réel.
La ainsi que les figures 10a et 10b représentent un scénario, dans lequel le noyau du transformateur de courant a été aimanté à Hsurge par un courant différentiel très intense. La MCU détecte, après le courant intense, un courant Iapp1 apparent, qui est provoqué par l'aimantation intempestive. A cet instant la MCU ne peut pas distinguer entre l'effet d'une aimantation et un courant différentiel en courant continu réel. La MCU se tourne alors vers les intensités +Hexc2 et –Hexc2 de champ d'excitation très grandes et mesure les nouveaux courants Iapp2+ et Iapp2- apparents. La valeur Im moyenne de ces courants est considérablement plus petite que le courant Iapp1 apparent précédent. Il peut s'ensuivre qu'au moins la différence Iapp1- Im soit provoquée par l'aimantation du noyau.
Le courant Im moyen ne correspond peut-être pas exactement à la valeur réelle du courant différentiel, parce que l'intensité Iexc2 du champ d'excitation est encore considérablement plus petite que l'aimantation à Hsurge, c'est-à-dire que l'effet de l'aimantation intempestive ne peut pas être compensé complètement. L'erreur restante a approximativement la valeur de Iapp1 – Iapp2+. Toutefois, l'erreur à la détection du courant différentiel en courant continu est réduite significativement par ce procédé, si la valeur Im moyenne est interprétée comme le courant différentiel en courant continu.
La est un organigramme d'un procédé suivant l'invention. Dans un premier stade S1 a lieu un contrôle d'un courant résiduel éventuel par un circuit conforme à la . Au début, la résistance R mag n'est pas en circuit et on détermine le courant Iapp1 induit. En fonction du point de savoir, s'il y a un courant induit, on poursuit le procédé. On peut utiliser à cet effet comme critère pour la demande S2, éventuellement également l'intensité du courant Iapp1 déterminé. Ce courant Iapp1 apparent peut être provoqué éventuellement aussi par une aimantation intempestive du noyau du transformateur. On pourrait par exemple penser lors de la demande S2, à contrôler si la valeur du courant Iapp1 induit dépasse une valeur de seuil pour le déclenchement du RCD. Si c'était le cas, on effectuerait les stades S3 à S10, afin d'empêcher la probabilité d'un déclenchement (nuisance tripping) intempestif provoqué par une aimantation du noyau. Au stade S3, on détecte pour la tension Vexc d'excitation un changement de signe et on le communique par l'entrée Pol à la MCU. La MCU ferme alors par la sortie Mag l'interrupteur 39, grâce à quoi la résistance R mag est montée en parallèle à la résistance R sense . Lors du changement de signe suivant, on ouvre à nouveau l'interrupteur 39 (stade S4). On détermine alors le courant Iapp2+ induit. Ensuite on répète les stades S3-S5 avec un changement de signe contraire (stades S6 à S8) et on obtient ainsi la valeur Iapp2- du courant induit. Au stade S9 on forme la valeur Im moyenne à partir de Iapp2+ et de Iapp2- et on en tire parti comme critère pour un déclenchement (S10). Si une valeur limite pour le déclenchement est dépassée, le RDC interrompt la voie de courant contrôlée (stade S11), sinon on poursuit par son contrôle. L'aimantation du noyau du transformateur est prise en compte par les stades S6 et S7.
La représente une variante du procédé suivant l'invention. La considération suivante est à la base de ce procédé : la façon de procéder suivant l'invention cherche à améliorer la sécurité du déclenchement en compensant au moins en partie une aimantation du noyau du transformateur lors de l'évaluation du courant Iapp1 induit. Cette compensation n'est pas nécessaire si le courant Iapp1 induit est si intense qu'en tout cas le seuil d'un déclenchement est dépassé. Soit ΔB R,max , l'aimantation maximum du noyau, qui arrive dans des situations de fonctionnement. Cela donne un courant I app,max induit suivant l'équation
ΔH C,max = ΔB R,max / μ
Le rotor de pompe 3 comporte un disque à aubes 20 pourvu d’une aspiration axiale 21 de fluide. Le rotor de pompe 3 est configuré pour délivrer le fluide dans une direction centrifuge. Le rotor de pompe 3 est monté sur un arbre 22 d’un moteur électrique 8 sans balai (encore appelé moteur Brushless) représentés sur les figures 2 et 5.
Le corps principal 7 comprend des ajours 23a à 23f qui correspondent aux voies de la vanne multivoies 11a à 11f. Les voies de sortie sont disposées sur un pourtour du corps principal 17 visibles sur la .
Le corps principal 17 comprend des colonnettes 24a à 24f qui forment chacune un conduit de fluide, ces colonnettes sont configurées pour permettre le raccord de tuyaux extérieurs pour réaliser un circuit de fluide. Le corps principal 7 est réalisé d’un seul tenant en matière plastique ou, dans des variantes, en matière métallique ou en alliage.
Un joint 25 est interposé entre le rotor de vanne 5 et le corps principal 7, il est ajouré en vis-à-vis des voies de la vanne multivoies 11a à 11f. Il présente une forme cylindrique coaxiale à l’axe de rotation du rotor de vanne 3.
Le joint 25 s’étend sur toute la hauteur du rotor de vanne 3.
Le rotor de vanne 3 glisse de manière étanche sur ce joint 25, lors des rotations du rotor de vanne 3.
Peut être prévu un système de gestion thermique qui comprend un dispositif combiné 1. Ce système de gestion thermique est configuré pour refroidir une batterie de véhicule automobile.
Le système de gestion thermique est configuré pour permettre le fonctionnement dans un mode de refroidissement de batterie et un mode de récupération de chaleur. Le système de gestion thermique comprend ici une pompe à chaleur, et le dispositif combiné 1 est configuré pour réguler les circulations de fluide caloporteur dans cette pompe à chaleur selon différents modes.
MODULE DE DISTRIBUTION D’UN FLUIDE Domaine technique de l'invention L’invention concerne un module de distribution d’un fluide, notamment un module destiné à distribuer un fluide frigorigène apte à circuler dans un circuit de thermorégulation d’un véhicule, notamment d’un véhicule automobile hybride ou électrique.
Arrière-plan technique Les modules de distribution de fluide sont connus de l’état de la technique. Ils permettent de distribuer du fluide frigorigène entre plusieurs branches d’un circuit de thermorégulation en l’orientant entre différents échangeurs de ce circuit, en fonction de besoins spécifiques. Les modules de distribution comportent des vannes qui permettent d’orienter ou d’interrompre le flux en différents points de ces modules.
Il est en particulier connu des modules comportant des vannes à aiguilles. L’intérêt d’une vanne à aiguille est qu’elle est montée dans une cartouche qui est facilement intégrable dans le corps d’un module.
De telles vannes présentent cependant des inconvénients.
D’une part, ces vannes sont nécessairement des vannes à deux voies qui ne permettent que le passage ou l’interruption du flux de frigorigène, mais ne permettent pas son orientation entre deux directions. Leur utilisation ne permet pas d’orienter directement le flux de fluide frigorigène dans le module. Elles sont donc limitées en ce qui concerne le nombre de circulations possibles.
D’autre part, ces vannes impliquent un déplacement linéaire d’aiguilles par rapport à des sièges formés dans les cartouches. La garantie d’une étanchéité satisfaisante implique des jeux des aiguilles en coulissement par rapport aux cartouches qui sont très réduits. Or ces jeux réduits peuvent à terme être source de coincements des aiguilles dans les cartouches.
Il existe donc un réel besoin pour des modules comportant des vannes simples, fiables et peu coûteuses à mettre en œuvre.
L’invention satisfait à ce besoin en proposant un module de distribution d’un fluide comportant une ou des vannes à sphères rotatives.
A cet égard, de tels procédés peuvent comprendre l’exécution des étapes suivantes :
Ai) une étape de fourniture d’un substrat donneur 1 ( ) et d’un substrat support 2 ( ) pourvu d’une pluralité de cavités 3 débouchant par une face principale 4 dudit substrat support 2 ;
Bi) une étape d’assemblage du substrat donneur 1 et du substrat receveur 2 de manière à sceller les cavités 3 ( ) ;
Ci) une étape d’amincissement du substrat donneur 1 de manière à ne conserver qu’une partie dudit substrat 1, dite couche de scellement 5.
L’étape Ci) d’amincissement peut être exécutée selon un premier aspect au moyen d’une gravure mécanique (« Grinding » selon la terminologie Anglo-Saxonne) et/ou chimique, consomme de manière définitive le substrat donneur ( ).
Par ailleurs, l’uniformité de la couche de scellement à l’issue de l’étape Ci), est très dépendante de la technique employée lors de l’étape Ci), et reste difficilement contrôlable.
Afin de pallier les problématiques liées à l’uniformité et à l’obtention de membranes fines, l’approche dite « Smart-Cut™ », décrite dans le document EP533551, peut être considérée. Cette approche permet de transférer une couche de scellement en détachant cette dernière du substrat donneur, au niveau d’une zone de fracture. La zone de fracture formée par implantation et/ou amorphisation permet de délimiter une couche de scellement relativement fine.
Néanmoins, le mise en œuvre de ce procédé, sans autres considérations, conduit à la formation de défauts, et plus particulièrement à l’apparition de zones non transférées ou de trous (« void » selon la terminologie Anglo-Saxonne) traversant la couche de scellement. La en donne un exemple. Notamment, la est une photographie d’un trou apparaissant dans une zone à proximité du bord de la couche de scellement et diamétralement opposée à l’encoche du substrats support. Ces trous obèrent le rendement global du procédé considéré et sont également source de contamination.
Un but de la présente invention est de proposer un procédé de scellement d’une pluralité de cavités par une couche de scellement limitant l’apparition de défauts dans ladite couche de scellement.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Le but de l’invention est atteint par un procédé de transfert de couche sur un face principale d’un substrat support, le procédé comprenant :
Selon un mode de mise en œuvre, l’étape a) de formation des cavités comprend les sous-étapes suivantes :
Lors de l’étape de recouvrement 130, la source lumineuse 12 est par exemple recouverte par le panneau translucide 14 en la région de recouvrement 20 du panneau translucide 14.
Lors de l’étape de recouvrement 130, le panneau translucide 14 recouvre par exemple la source lumineuse 12 de sorte à ce que le panneau translucide 14 soit traversé par le rayonnement lumineux L généré par la source lumineuse 12. Le matériau thermoplastique est alors injecté de sorte à ce que le panneau translucide 14 formé recouvre la source lumineuse, en particulier en une région de recouvrement, le rayonnement lumineux L émis par la source lumineuse traversant ledit panneau translucide 14 et en particulier la région de recouvrement 20.
Le panneau translucide 14 recouvre en particulier la source lumineuse 12 de sorte à ce que les axes principaux B du panneau translucide 14 soient parallèles ou perpendiculaires à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L sur l’ensemble de la région de recouvrement 20.
En particulier, lorsque le matériau thermoplastique injecté pour former le panneau translucide 14, et en particulier la couche biréfringente 22, est du polycarbonate comprenant des groupes phényle, le panneau translucide 14 recouvre la source lumineuse 12 de sorte à ce que l’orientation des groupes phényle formant la couche biréfringente 22 soit parallèle ou perpendiculaire à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L sur l’ensemble de la région de recouvrement 20. En outre, l’orientation des groupes phényles est perpendiculaire à la direction de propagation du rayonnement lumineux.
Le matériau thermoplastique est en particulier injecté pour que les groupes phényle de la couche biréfringente 22 formant le panneau translucide 14 soient orientés parallèlement ou perpendiculairement à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L sur l’ensemble de la région de recouvrement 20.
Lors de l’étape 120 d’injection du matériau thermoplastique, le matériau thermoplastique est injecté en définissant un front d’injection 48. Le front d’injection 48 correspond au front d’avancée du matériau thermoplastique injecté au sein du moule 44, pendant son injection. Le front d’injection évolue ainsi au sein du moule 44 tout au long de l’étape d’injection 120 jusqu’à l’obtention du panneau translucide 14.
Le front d’injection garde en particulier une orientation sensiblement constante tout au long de l’injection dans la région de recouvrement 20.
Comme cela est illustré sur la , le front d’injection 48 est par exemple sensiblement parallèle ou perpendiculaire, dans la zone de recouvrement 20, à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L, tout au long de l’injection (la représentant le front d’injection 48 à un temps donné lors de l’injection).
L’unité d’injection 42 comprend en outre par exemple une pluralité d’entrées d’injection 46, disposées d’un même côté du moule 44, c’est-à-dire d’un même côté du panneau translucide 14 formé. L’étape 120 d’injection du matériau thermoplastique est alors réalisée à l’aide de la pluralité d’entrées 46.
Comme illustré dans le mode de réalisation de la , les entrées d’injection 46 configurées pour injecter la région de recouvrement 20, c’est-à-dire les entrées 46 par lesquelles sort le matériau thermoplastique formant la région de recouvrement 20, sont par exemple sensiblement alignées selon un axe d’injection IA. En particulier, l’axe d’injection IA est médian à ces entrées 46 et est parallèle ou perpendiculaire à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L destiné à traverser la région de recouvrement 20 injectée.
En outre, lorsque l’unité d’injection 40 comprend une pluralité d’entrées d’injection 46 formant une nappe d’injection comme présenté dans la , l’écart E entre les ouvertures d’injection d’au moins deux nappes d’injection adjacentes est par exemple inférieur à 10mm.
En particulier, selon ce mode de réalisation, l’ensemble nappes d’injections sont aplaties et alignées selon un même plan formant un plan d’injection IP.
Dans l’exemple de la , et afin d’obtenir un panneau translucide 14 dans lequel les axes principaux B des indices de réfraction du panneau translucide 14 sont parallèles ou perpendiculaires à la direction de polarisation P du rayonnement lumineux L sur l’ensemble de la région de recouvrement 20, l’injection du matériau thermoplastique est en outre réalisée séquentiellement par la pluralité d’entrées d’injection 46.
Dans cet exemple, au moins l’une des entrées d’injection 46 est obturée pour ne pas injecter de matériau thermoplastique pendant l’injection de matériau thermoplastique par au moins l’une des autres entrées 46 pendant au moins une première séquence de l’injection du matériau thermoplastique pour former le panneau translucide 14. L’ensemble des entrées 46 est alors par exemple ensuite libérée pour l’injection de matériau thermoplastique lors d’une seconde séquence de l’injection du matériau thermoplastique pour former le panneau translucide 14.
Dans l’exemple de la , trois entrées d’injections sont configurées pour injecter le matériau formant la région de recouvrement 20, ces trois entrées 46 étant disposées d’un même côté de ladite région de recouvrement 20, l’une des entrées, dite entrée centrale, étant disposée entre les deux autres entrées 46, dites entrées de bord. Deux entrées 46 sont en outre configurées pour injecter du matériau formant la région de débordement 24 (voir sur la droite de la ).
Lors de la première séquence d’injection, le matériau thermoplastique n’est injecté que par l’entrée centrale, les entrées de bord étant obturées. Lors de la deuxième séquence d’injection, les entrées de bord sont libérées, l’injection du matériau formant la région de recouvrement 20 ayant alors lieu simultanément au travers des trois entrées précitées.
Les propriétés mécaniques du carter de soufflante sont donc améliorées.
Selon un autre mode particulier de réalisation de l’invention, l’élément de renfort présente une section trapézoïdale.
Ainsi, l’élément de renfort peut plus facilement être inséré dans la gorge du mandrin contre la première partie de la texture fibreuse. En outre, une telle forme trapézoïdale permet de soumettre les couches de la première partie de la texture fibreuse à des angles plus doux, et donc moins susceptibles de générer des tensions dans les fibres.
Selon un autre mode particulier de réalisation de l’invention, l’élément de renfort comprend des fibres de carbone tissées ou tressées.
Ainsi, l’élément de renfort peut être densifié avec la texture fibreuse, la liaison créée par la matrice entre l’élément de renfort et la texture fibreuse est donc plus forte. Un tel élément de renfort en fibres de carbone permet également d’améliorer les caractéristiques mécaniques du carter final. En outre, un tel élément de renfort est également relativement facile à disposer à l’intérieur de la gorge du mandrin.
Selon un autre mode particulier de réalisation de l’invention, l’élément de renfort présente une structure en nid d’abeille.
L’élément de renfort présente alors une bonne résistance mécanique tout en conservant une masse légère. En outre, la matrice peut facilement se former à l’intérieur des nids d’abeille, ce qui assure une bonne liaison avec la texture fibreuse enroulée après densification.
Selon un autre mode particulier de réalisation de l’invention, l’élément de renfort est réalisé en métal.