INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, la composition de l’invention comprend de 1-15% d’hydrolysat et 1-5% d’extrait de microalgues, et éventuellement un support ou véhicule acceptable dans le domaine agricole.
La présente invention concerne également un procédé de préparation de la composition susmentionnée comprenant : - la fourniture d’au moins un hydrolysat protéique d’origine animale, de préférence issu de l’hydrolyse de coproduits de l’élevage de porc, - la fourniture d’un extrait de microalgues, et - leurs mélanges.
La présente invention porte également sur l’utilisation d’une telle composition en tant que biostimulant agricole, et notamment dans des conditions d’irrigation normale ou en condition de stress hydrique.
La composition de l’invention est de préférence utilisée en tant que biostimulant pour les grandes cultures, le maraîchage, la viticulture, la sylviculture, l’arboriculture et l’horticulture.
Enfin, la présente invention se rapporte également à un kit pour la préparation d’un biostimulant qui comprend d’une part, au moins un hydrolysat protéique d’origine animale, en particulier issu de l’hydrolyse de coproduits de l’élevage de porc et un extrait de microalgues ou bien un mélange de ceux-ci, d’autre part au moins un support ou véhicule acceptable dans le domaine agricole, et éventuellement une notice d’utilisation.
Afin de pouvoir former un agencement rectangulaire de boîtes quantiques dans la couche qubits 2, chaque ligne de contrôle 71 est disposée entre deux lignes de couplage 61 consécutives et chaque via de contrôle 72 est disposé entre deux colonnes de couplage 62 consécutives.
De manière préférée, chaque via 72 peut s’étendre perpendiculairement à la face avant 2a, depuis la face avant 2a (mais sans contact électrique avec elle), en traversant, sans contact électrique, une des lignes couplages 61. Par exemple, dans le mode de réalisation des figures 1 à 3, les lignes de couplage 62 s’étendent le long de la direction Y, en joignant des piliers 3 qui sont agencés selon cette direction. Les lignes de couplages 62 entourent alors la base 721 des vias 72 qui sont également disposés entre les piliers 3. Afin d’éviter tout court-circuit, la couche isolante 724 entoure le flanc 723 de chaque via 72, au moins au niveau de la portion de flanc 723 en regard de la ligne de couplage 61.
Les vias 72 sont préférentiellement distants des colonnes de couplage 62, des lignes de contrôle 71 et des diélectriques de flanc 41 des piliers 3.
Les têtes 722 d’une pluralité de vias 72 peuvent être connectées électriquement entre elles. Les vias 72 connectées sont par exemple les vias 72 qui sont alignées selon une direction parallèle à la face avant 2a et perpendiculaire aux lignes de couplage 61. Dans les figures 1 à 3, il s’agit des vias 71 alignés selon la direction X.
Le circuit 1 comprend préférentiellement des quatrième électrodes 81 dites « électrodes de lecture » qui permettent de déterminer l’état de charge des boîtes quantiques qui se trouveraient à la verticale des piliers 3. Chaque ligne de lecture 81 est en contact direct avec le flanc 33 d’au moins un pilier 3. Les lignes de lecture 81 s’étendent préférentiellement dans un plan parallèle à la face avant 2a de la couche qubits 2, ledit plan étant proche des têtes 32 des piliers 3. Par proche, on entend à +/- 20 nm près, mesuré perpendiculairement à la face avant 2a. Les lignes de lecture 81 s’étendent préférentiellement parallèlement aux lignes de couplage 61. Toutefois, à la différence de ces dernières, les lignes de lecture 81 peuvent être électriquement connectées entre elles. Elles connectent également une pluralité de piliers 3 (par l’intermédiaire de leur flanc 33).
Les diélectriques de flanc 41 peuvent être formés de manière à ne recouvrir qu’une partie de la hauteur des piliers 3, laissant dépasser la tête 32 des piliers 3 et une partie 330 de chaque flanc 33 au voisinage de la tête 32, dite « surface de contact ». Les lignes de lectures 81 sont avantageusement directement connectées à ces surfaces de contact 330 des flancs 33 des piliers 3.
Le circuit 1 comprend préférentiellement des structures de grilles 82, dites « grilles de chargement » qui permettent d’initialiser les qubits dans les boîtes quantiques à l’aplombs des piliers. Ces grilles de chargement 82 sont directement connectées sur la tête 32 d’au moins un pilier 3 voire de plusieurs piliers 3. Une grille de chargement comprend un conducteur, par exemple en métal, et une couche isolante formée, par exemple, dans un oxyde. Le conducteur est disposé en regard de la tête 32 d’un pilier 3 (ou d’une pluralité de piliers 3) et isolé de ces derniers au moyen de la couche isolante.
Dans le mode de réalisation des figures 1 à 3, les lignes de lectures 81 sont disposées de manière à entourer la surface de contact 330 du flanc 33 des piliers 3 tout en laissant libre la tête 32 en tant que tel des piliers 3. Les lignes de lectures forment d’ailleurs des puits autour de la tête 32 des piliers 3, le fond des puits correspondant à la tête 32 des piliers 3. Les grilles de chargement 82 remplissent ces puits. La couche isolante précité tapisse les bords et le fond des puits et le conducteur comble l’espace laissé libre.
Dans le mode de réalisation de ces figures, chaque grille de chargement 82 s’étend selon la direction X et connecte la tête des piliers 3 qui sont alignés selon cette direction.
Le circuit 1 comprend préférentiellement une couche isolante 5 qui s’étend sur l’espaceur 42. La couche isolante 5 s’étend sur l’espaceur 41 et entoure les parties des piliers 3 laissées libres par les lignes et colonnes de couplages 61, 62 ainsi que par les lignes de lecture 81 et grilles de chargement 82. Elle enrobe également les lignes et colonnes de couplage 61, 62 ainsi que les lignes et vias de contrôle 71, 72. Bien entendu, lorsque les lignes de couplages 61 et lignes de contrôle 71 s’étendent contre l’espaceur 42, la couche isolante 5 recouvre ces dernières, sans s’intercaler entre ces lignes 61, 71 et l’espaceur 42. La couche isolante 5 peut être réalisée en matériau diélectrique tel que le SiO 2 .
La montre un schéma équivalent du circuit 1 présenté dans les figures 1 à 3. La couche qubits 2 n’est pas matérialisée mais un agencement des boîtes quantiques qui peuvent être formée dans la couche qubits 2 est représenté par des ronds avec un flèche (pour matérialiser un qubits).
Les piliers 3 sont agencés en quinconce. Les lignes de couplages 61 et les colonnes de couplages 62 sont agencées en se croisant, avec un pas constant et connectent les piliers selon qui sont alignés selon, respectivement, les directions Y et X. Les lignes de contrôles s’étendent parallèlement aux lignes de couplages 62, à équidistance des lignes de couplages 61 voisines. Les vias 72, dont la base est représentée sont disposés selon un réseau carré. Chaque via 72 (la base 721 de chaque via 72) étant disposé à équidistance des lignes de contrôle 71 et des colonnes de couplage 62. Chaque via 72 est matérialisé sur les lignes de couplage 61. Il faut comprendre par-là que les vias 72 traversent les lignes de couplages 62, sans contact électrique. Cet agencement des réseaux de couplage et de contrôle 6, 7 permet de former des boîtes quantiques selon un maillage carré. La moitié des boîtes quantiques sont disposées sous un pilier 3 et l’autre moitié est distante de ces piliers 3.
Les figures 1 à 3 montrent des coupes A-A, B-B et C-C dont les plans sont montrés dans la .
Les figures 5 à 28 présentent schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication selon l’invention, permettant d’obtenir un circuit 1 électronique selon les figures 1 à 3. Les étapes sont matérialisées par le schéma de la . Le procédé comprend les étapes suivantes : former S1 les piliers 3 ; et la couche qubits 2, ladite couche qubits 2 présentant une face arrière 2b et une face avant 2a, les piliers étant en contact avec la face avant 2a de la couche qubits 2 ; oxyder S2 le flanc de chaque pilier 3 et de la face exposée (qui correspond à la face avant 2a) de la couche qubits 2 de manière à former une couche diélectrique 4. La couche diélectrique 4 comprend : une première portion 41 qui correspond à l’espaceur 42, s’étendant sur la face avant 2a de la couche qubits 2 et entourant la base 31 de chaque pilier 3 ; et des deuxièmes portions 42 qui correspondent aux diélectriques de flanc qui entourent le flanc 33 de chaque pilier 3 ; former S3 les lignes de couplage 61, parallèles les unes aux autres et s’étendant parallèlement à la face avant 2a de la couche qubits 2, chaque lignes de couplage 61 étant en contact avec le diélectrique de flanc 41 d’au moins un des piliers 3 ; former S4 les lignes de contrôle 71, parallèles les unes aux autres et parallèles aux lignes de couplages 61 et s’étendant sur l’espaceur 42, chaque ligne de contrôle 71 étant distante des lignes de couplage 61 et des diélectriques de flanc 41 des piliers semiconducteurs 3 ; former S6 les colonnes de couplage 62, parallèles les unes aux autres et perpendiculaires aux lignes de couplage 61, s’étendant parallèlement à la face avant 2a de la couche qubits 2 et distantes des lignes de couplage 61 et des lignes de contrôle 71, chaque colonne de couplage 62 étant en contact avec le diélectrique de flanc 41 d’au moins un des piliers semiconducteurs 3 ; former S10 les vias de contrôle 72, distants des colonnes de couplage 62, des lignes de contrôle 71 et des diélectriques de flanc 41 des piliers semiconducteurs 3, chacun des vias de contrôle 72 s’étendant perpendiculairement à la face avant 2a de la couche qubits 2, chaque via 72 présentant une première extrémité 721 disposée à proximité de la face avant 2a de la couche qubit 2, sans contact électrique avec la couche qubits 2.
Le procédé permet ainsi de fabriquer le circuit 1 comprenant une couche qubits 2. La couche qubits 2 peut recevoir les qubits pendant leur stockage et leur manipulation.
Le procédé proposé par le document de l’art antérieur FR 3 066 297 comprend une reprise de contact par épitaxie au niveau des boîtes quantiques. Toutefois, une croissance par épitaxie peut provoquer un réajustement cristallin et/ou l’apparition de défaut à l’interface entre la couche de démarrage et la couche épitaxiée. Le procédé selon l’invention permet d’obtenir la couche qubits 2 et les piliers 3 gravés dans la même première couche semiconductrice 91, c’est à dire dans le même cristal. Ladite gravure permet de délimiter la pluralité de piliers 3 et la couche qubits 2 tout en conservant une continuité cristalline entre la couche 2 et les piliers 3, évitant ainsi l’apparition de défauts ou d’une interface. La continuité cristalline peut être contrôlée par des techniques d’imagerie telles que la microscopie électronique à balayage ou la microscopie électronique à transmission. Un circuit obtenu par le procédé selon l’invention montrerait une absence d’interface entre la couche qubits 2 et les piliers 3. Un circuit obtenu par un procédé de l’art antérieur montrerait des défauts ou une interface entre la couche qubits et les piliers.
L'électrode externe 150 est agencée sur la surface externe 120S du tube de décharge 120. L'électrode externe 150 est composée d'un matériau réfléchissant. L'électrode externe 150 peut être un film réfléchissant, une membrane ou une plaque réfléchissante à conductivité thermique élevée. Ici, l'électrode externe 150 est composée d'un film (par exemple, un film d'aluminium) qui réfléchit de la lumière ultraviolette incluant 172 nm. L'électrode externe 150 recouvre la surface externe 120S du tube de décharge 120 à l'exception de la fenêtre 120D.
De la lumière générée dans le tube de décharge 120 est dirigée vers la fenêtre 120D par réflexion sur l'électrode externe 150 et par un effet de fibre optique via le diélectrique 130 et le tube de décharge 120, après quoi la lumière est émise depuis la fenêtre 120D. Par conséquent, un objet externe S opposé à la fenêtre 120D est irradié dans un processus de stérilisation ou analogue.
Le diélectrique 130 formé aplati permet la configuration d'un espace de décharge S relativement grand, d’une manière similaire au premier mode de réalisation. Ainsi, l'atténuation optique est supprimée lorsque la lumière réfléchie par l'électrode externe 150 progresse vers la fenêtre 120D. Cela permet à la lampe à excimère 110 d'avoir un long tube de décharge le long de l'axe C, ce qui améliore la luminosité quelle que soit la taille de la lampe à excimère 110.
En se reportant aux figures 9 à 11, le troisième mode de réalisation est expliqué.
La est une vue en section transversale d'une lampe à excimère selon le troisième mode de réalisation. La est une vue de dessus de la lampe à excimère vue depuis le côté inférieur. La est une vue en section transversale au niveau de la ligne XI-XI représentée sur la .
La lampe à excimère 210 est une lampe du type à irradiation en ligne, qui émet une lumière linéaire le long de l'axe C. Ici, la lampe à excimère 210 est incorporée dans une unité d'irradiation UV 1200. La lampe à excimère 210 est équipée d'un tube de décharge 220, d'un diélectrique 230, d'une électrode interne 240 et d'une électrode externe 250.
L'électrode externe 250 est agencée sur la surface externe 220S du tube de décharge 220. D’une manière similaire au deuxième mode de réalisation, l'électrode externe 250 est composée d'un matériau réfléchissant tel qu'un film d'aluminium. L'électrode externe 250 ne recouvre que partiellement la surface externe 220S du tube de décharge 220. Une partie de la surface externe 220S reste non-recouverte par l'électrode externe 250 pour permettre à de la lumière ultraviolette d'être transmise à l'extérieur. Cette partie transparente est formée sous la forme d’une fenêtre 220W, qui présente un profil de section transversale en forme d'arc et s'étend à l'opposé de l'électrode interne 240 le long de l'axe C. Les extrémités de la fenêtre 220W le long de l'axe C correspondent aux extrémités de l'électrode interne 240. Ici, la fenêtre 220W présente une surface en forme d'arc avec un profil semi-circulaire. L'électrode externe 250 présente des segments de couverture 250M1 et 250M2 aux deux extrémités du tube de décharge 220, qui recouvrent toute la circonférence du tube de décharge 220.
La lumière ultraviolette est émise par le tube de décharge 220 via la fenêtre 220W directement, ou par réflexion sur l'électrode externe 250. La lumière ultraviolette émise irradie un objet externe S agencé adjacent à la fenêtre 220W.
Comme représenté sur la , la pointe E1 de l'électrode interne 240 est opposée à la fenêtre 220W et l'autre pointe E2 est opposée à l'électrode externe 250. Par conséquent, une concentration de champ électrique survient au niveau de la pointe E2 de l'électrode interne 240, ce qui permet à un faible niveau de tension de générer une décharge. Une excellente réactivité d'éclairage est maintenue quelle que soit la taille de la fenêtre 220W.
Le diélectrique 230 est symétrique par rapport à la direction de largeur (direction Y) de l'électrode interne 240. Ainsi, plus de lumière ultraviolette réfléchie par l'électrode externe 250 progresse vers la fenêtre 220W sans transmission à travers ou réflexion par le diélectrique 230. C’est-à-dire qu’une atténuation de lumière est supprimée, ce qui augmente la luminosité de la lampe à excimère minimisée 210.
En outre, la fenêtre 220W est symétrique par rapport à la direction Y, c'est-à-dire la direction de largeur de l'électrode interne 240. Ainsi, la distribution de lumière transmise à travers la fenêtre 220W est uniforme. L'orientation des pointes E1 et E2 de l'électrode interne 240 correspond à la position intermédiaire de la fenêtre 220W le long de la direction circonférentielle. Le profil de section transversale de la fenêtre 220W peut être un arc autre qu'un demi-cercle.
Dans les premier à troisième modes de réalisation, une lumière ultraviolette est émise à partir du tube de décharge ; cependant, une lumière visible ou une lumière fluorescente peut également être émise à partir du tube de décharge.
PROCEDE DE TRANSFERT D’UNE COUCHE DE SCELLEMENT DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte au domaine des substrats et/ou des micros-systèmes électromécaniques, notamment au domaine des dispositifs à base de membrane.
En particulier, la présente invention concerne un procédé de transfert d’une couche afin de sceller de manière collective une pluralité de cavités formées sur un substrat support.
Plus particulièrement, le procédé de transfert selon la présente invention est destiné à limiter l’apparition de zones, dites zones non-transférées, susceptible d’apparaître au niveau d’un contour du substrat support.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les procédés de report de couche sont aujourd’hui largement mis en œuvre dès lors qu’il s’agit de former des membranes suspendues et/ou sceller des cavités.
Exemples de l’invention 1 à 3 et Exemples Comparatifs 1 à 4
Les compositions selon les exemples de l’invention (IE) 1-3 et les exemples comparatifs (CE) 1-4 comprenant les ingrédients figurant dans le tableau 2 ont été préparées, toutes les quantités étant exprimées en pourcentages en poids d’ingrédient actif par rapport au poids total de chaque composition, sauf indication contraire.
Composants EI. 1 EI. 2 EI. 3 EC. 1 EC. 2 EC. 3 EC. 4 Ceramide NP 1,2 1,5 2,0 1,2 0,9 0 1,2 glycinate de cocoyle de potassium (et) cocoate de potassium 1) 20 20 20 3 20 20 0 Cocamidopropyl bétaïne 3,8 3,8 3,8 0 3,8 3,8 0 Hyaluronate de sodium 1 1 1 1 1 1 1 Glycérine 30 30 30 30 30 30 30 Eau QS100 QS100 QS100 QS100 QS100 QS100 QS100
GLYCINATE DE COCOYL DE POTASSIUM (et) COCOATE DE POTASSIUM 1) : comprenant 21 % en poids de GLYCINATE DE COCOYLE DE POTASSIUM, 9 % en poids de COCOATE DE POTASSIUM et 70 % en poids d’eau.
Les compositions des exemples de l'invention1-3 sont des compositions selon la présente invention.
La composition de l'exemple comparatif 1 comprend moins de 1.0 % en poids d’un tensioactif par rapport au poids total de la composition.
La composition de l’exemple comparatif 2 comprend moins de 1.0 % en poids de CERAMIDE NP, par rapport au poids total de la composition.
La composition de l’exemple comparatif 3 ne comprend pas de CERAMIDE NP.
La composition de l’exemple comparatif 4 ne comprend pas de tensioactif.
Procédé de préparation : Les compositions ont été préparées comme suit, en prenant comme exemple la composition de l'exemple inventif 1 :
1). ajout d’eau, de glycérine, de cocoylglycinate de potassium et de cocoate de potassium, et de cocamidopropyl bétaïne dans un bécher principal ;
2). ajout de hyaluronate de sodium dans le bécher avec cisaillement et chauffage à 50C ;
3). ajout de céramide NP dans le bécher principal et
4). ajout d’eau, puis refroidissement de la température à 30C pendant 24 heures.
Évaluation des compositions. Les compositions préparées ont été évaluées sur la vitesse de rinçage, la sensation de craquant, le sensoriel de nettoyage et le fini de la peau.
La vitesse de rinçage, la sensation de craquant, le sensoriel de nettoyage et le fini de la peau ont été évalués par au moins 6 volontaires comme suit.
L’amplitude d’une modification effectuée peut être caractérisée par un paramètre d’amplitude dont la détermination en temps réel dépend non seulement de la valeur cible, mais aussi de la fonction mathématique permettant de calculer le paramètre d’amplitude en fonction de l’écart entre la valeur cible et la valeur relevée de la vitesse de rotation du point de vue physique de l’utilisateur. De manière générale, les modifications de la référence visuelle peuvent être pilotées en fonction de différents critères, seuls ou combinés entre eux, ces critères pouvant être relatifs par exemple à des seuils perceptifs, au temps écoulé, ainsi qu’à la vitesse de rotation de la tête de l’utilisateur par rapport au monde réel et/ou à d’autres paramètres mesurés ou inférés.
Les paramètres influant sur l’amplitude d’une modification effectuée peuvent inclure des paramètres d’une telle fonction mathématique, telles que des valeurs maximale et minimale prévues pour le paramètre d’amplitude, une pente dans le cas particulier d’une fonction linéaire, etc.
Par ailleurs, comme déjà indiqué, la valeur cible est calculée en fonction des mouvements relevés du point de vue physique et du point de vue virtuel, selon une méthode de calcul préétablie. La méthode de calcul préétablie peut elle-même résulter d’un choix parmi plusieurs méthodes de calcul disponibles. Ainsi, les paramètres influant sur l’amplitude d’une modification effectuée peuvent se rapporter au choix de la méthode de calcul pour déterminer la valeur cible et/ou à l’ajustement de coefficients intervenant dans cette méthode de calcul.
Il est également possible de mettre en œuvre des moyens d’apprentissage automatique supervisés pour déterminer le mode de modification à privilégier parmi l’ensemble de modes de modification disponibles.
De tels moyens peuvent s’appuyer par exemple sur une analyse des mouvements effectués par l’utilisateur en réponse à différents modes de modifications testés de la référence visuelle et/ou sur des réponses de l’utilisateur à des requêtes portant par exemple sur son confort au cours d’une session d’immersion dans l’environnement virtuel où différents types de modifications sont successivement testés.
Système de suivi de flux de piétons La présente invention concerne la détection et le suivi de flux de piétons. Dans de nombreuses situations, il est souhaitable de pouvoir détecter et suivre des flux de piétons, notamment pour suivre le trajets habituels d’habitants d’une ville ou d’un quartier ou de détecter des rassemblements importants de piétons, par exemple lors de manifestations, et de suivre les déplacements éventuels de ces rassemblements.
Etat de la technique Il existe de nombreux dispositifs permettant de détecter la présence de piétons, comme des tourniquets de comptage de passage de piétons, des tapis de sol équipés de détecteurs de pression pour détecter des personnes marchant sur le tapis, des caméras associées à un système de comptage de personnes configuré pour compter le nombre de personnes présentes dans les images prises par la caméra, etc. Cependant des dispositifs ne permettent pas de déterminer des flux de piétons à l’échelle d’un quartier ou d’une ville.
Il peut donc être souhaitable de développer un système d’acquisition de données de présence de piétons qui soit capable de déterminer des flux de piétons à l’échelle d’un quartier ou d’une ville. Il peut également être souhaitable que les données acquises préservent l’anonymat des piétons...
Des modes de réalisation concernent un dispositif d’acquisition de données de présence de piétons, comprenant : un premier circuit de communication configuré pour communiquer avec des capteurs de présence de piétons et recevoir des données de présence de piétons émises par les capteurs de présence de piétons, un second circuit de communication configuré pour communiquer avec des serveurs distants, et une unité de commande connectée aux premier et second circuits de communication, et configurée pour : établir une liaison de transmission avec au moins un capteur de présence de piétons, recevoir du capteur des données de présence de piétons, et transmettre les données de présence de piétons à un serveur de traitement de données de présence de piétons.
Le dispositif d’acquisition de données de présence de piétons peut ainsi se connecter à un grand nombre de capteurs et donc surveillance une zone relativement grande. La transmission des données acquises à un serveur distant offre la possibilité de rassembler les données de présence de piétons fournies par d’autres dispositifs d’acquisition en communication avec le serveur distant. Le serveur distant peut ainsi acquérir des données de présence de piétons à l’échelle d’une ville entière et procéder au traitement de ces données pour déterminer des flux de piétons dans les différents axes de circulation de la ville.
Selon un mode de réalisation, l’unité de commande est configurée pour calculer une empreinte cryptographique de chacun des identifiants d’objets connectés reçus, et remplacer les identifiants d’objets connectés par les empreintes cryptographiques calculées dans les données de présence de piétons transmises au serveur de traitement de données.