Plaque en SiC polycristallin présentant une orientation cristalline préférentielle, ladite plaque étant caractérisée en ce que sur chacune de ses faces : (i) son coefficient de texture C 422 est inférieur à 40 %, et (ii) son coefficient de texture C 220 + C 200 + C 400 est supérieur à 50 %, et de préférence supérieur à 80 %. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 1, caractérisée en ce que sa résistivité électrique est inférieure à 10 mOhm.cm, de préférence inférieure à 5 mOhm.cm, et encore plus préférentiellement inférieure à 3 mOhm.cm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, caractérisée en ce qu’elle est dopée à l’azote avec un taux d’azote, mesuré par spectroscopie de masse des ions secondaires, supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , de préférence supérieur à 1 x 10 20 atomes/cm 3 , et encore plus préférentiellement supérieur à 1,5 x 10 20 atomes/cm 3 . Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que sur chacune de ses deux faces son coefficient de texture C 422 est inférieur à 20 %, de préférence inférieure à 15 %, et encore plus préférentiellement inférieur à 10 %. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dopée à l’azote avec un taux d’azote, mesuré par spectroscopie de masse des ions secondaires, supérieur à 5 x 10 19 atomes/cm 3 , ladite plaque présentant une résistivité électrique inférieure à 5 mOhm.cm et une orientation cristalline préférentielle, et ladite plaque étant caractérisée en ce que sur chacune de ses deux faces : (i) son coefficient de texture C 422 est inférieur à 20 %, et (ii) son coefficient de texture C 220 + C 200 + C 400 est supérieur à 60 %, et de préférence supérieur à 80 %. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu’il s’agit d’une ébauche brute issue d’un procédé de dépôt par phase vapeur, qui a subie au moins une étape de traitement thermique à une température comprise entre 1 800 °C et 2 300 °C, préférentiellement entre 1 850 °C et 2 200 °C, plus préférentiellement entre 1 900 °C et 2 150 °C, en et encore plus préférentiellement entre 1 950 °C et 2 150 °C, sachant que, avant ou après ledit traitement thermique, ladite ébauche brute a été débarrassée, au moins sur sa face qui était en contact avec un substrat de croissance, d’une épaisseur de matière d’au moins 100 µm, et sachant que de préférence, pendant ce traitement thermique ladite plaque est maintenue à plat sur une surface plane. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu’il s’agit d’une ébauche intermédiaire pour la fabrication d’un wafer obtenue par rectification d’une ébauche brute selon la revendication 6. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 7, caractérisée en ce que son épaisseur est inférieure à 550 µm, de préférence inférieure à 500 µm, plus préférentiellement inférieure à 450 µm, et encore plus préférentiellement comprise entre 355 µm et 420 µm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce qu’elle présente un diamètre compris entre 140 mm et 165 mm, une épaisseur comprise entre 350 µm et 450 µm et une déformation caractérisée par un Warp inférieur à 100 µm, de préférence inférieur à 50 µm et encore plus préférentiellement inférieur à 30 µm. Plaque en SiC polycristallin selon la revendication 9, caractérisée en ce qu’elle présente une épaisseur comprise entre 350 µm et 400 µm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce qu’elle présente un diamètre compris entre 185 mm et 210 mm, une épaisseur comprise entre 500 µm et 650 µm, de préférence comprise entre 500 µm et 600 µm, et en ce qu’elle présente une déformation caractérisée par un Warp inférieur à 70 µm, de préférence inférieur à 50 µm et encore plus préférentiellement inférieur à 40 µm. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des recvendications 1 à 11 , caractérisée en ce que la contribution C 200 + C 400 est supérieure à 1%, de manière plus préférée supérieure à 2 %, et encore plus préférentiellement supérieure à 5%. Plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisée en ce qu’elle a été obtenue par un procédé de CVD. Procédé de fabrication d’une plaque en SiC polycristallin selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 comprenant une étape de dépôt chimique en phase vapeur d’une couche de SiC polycristallin sur la surface en graphite d’un substrat (12) comprenant une surface en graphite, dans lequel on introduit dans une enceinte (2) chauffée un mélange de gaz de manière à créer une phase gazeuse comprenant : - au moins un précurseur gazeux de silicium et/ou de carbone, - au moins un gaz dopant comprenant au moins un atome d’azote, - un gaz porteur, ledit mélange de gaz se décomposant sur la surface dudit substrat (12) en graphite pour former une couche de SiC polycristallin sur ladite surface en graphite dudit substrat, et ledit procédé étant caractérisé en ce que la température dans ladite enceinte chauffée (2) est comprise entre 1450 K et 1650 K et la pression partielle totale desdits précurseurs gazeux est inférieure à 350 mbar, et de préférence inférieure à 300 mbar, l’étape de dépôt chimique en phase vapeur est suivie d’au moins étape de traitement thermique de ladite couche de SiC polycristallin, à une température comprise entre 1 800 °C et 2 300 °C, préférentiellement entre 1 850 °C et 2 200 °C, plus préférentiellement entre 1 900 °C et 2 150 °C, en et encore plus préférentiellement entre 1 950 °C et 2 150 °C, sachant que de préférence, pendant ce traitement thermique l’ébauche brute est maintenue à plat sur une surface plane. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit gaz dopant est sélectionné dans le groupe formé par : NH 3 , N 2 H 4 , N 2 , H 2 NCH 3 .