INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention propose ainsi de combiner les technologies des figures 1 et 2 au sein d’un même réducteur, c’est-à-dire les technologies de réducteur épicycloïdal à offset et de réducteur compound. Le réducteur selon l’invention comprend ainsi des caractéristiques propres à un réducteur épicycloïdal telles que le solaire, les satellites, le porte-satellites et la couronne. Comme c’est le cas d’un réducteur à offset, le solaire est solidaire en rotation d’une roue qui est destinée à prélever de la puissance. Le réducteur selon l’invention comprend en outre des caractéristiques propres à un réducteur compound à savoir une paire de pignons en entrée du réducteur. On comprend ainsi que la ligne d’entrée du réducteur selon l’invention est formée par une paire de pignons qui engrènent avec la roue solidaire en rotation du solaire. Les pignons d’entrée de couple sont configurés pour être entrainés en rotation respectivement par des rotors de deux moteurs, qui peuvent être deux machines électriques, ou bien une machine électrique et une turbine à gaz, comme évoqué dans les scenarii précités.
La solution proposée ci-dessous est compatible d’un réducteur à plusieurs étages. Elle est compatible d’un réducteur dont le porte-satellites est mobile en rotation comme c’est le cas d’un réducteur épicycloïdal. Elle est également compatible de dentures droites, hélicoïdales ou en chevron. Elle est compatible de tout type de porte-satellites, et en particulier d’un porte-satellites monobloc ou de type cage et porte-cage. Elle est en outre compatible de tout type de palier, qu’il soit composé d’éléments roulants, d’un palier hydrodynamique, etc.
Le réducteur selon l’invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément les unes des autres, ou en combinaison les unes avec les autres : les deux pignons d’entrée de couple sont identiques ; les deux pignons d’entrée de couple comprennent chacun une denture externe formée d’une seule pièce avec un troisième arbre ; le réducteur comprend une première paire de pignons additionnels, qui comprend un premier pignon engrené avec l’un des pignons d’entrée de couple, et un second pignon engrené avec l’autre des pignons d’entrée de couple, ces premier et second pignons additionnels étant mobiles en rotation autour de quatrièmes axes parallèles au premier axe ; le réducteur comprend une seconde paire de pignons additionnels, qui comprend un troisième pignon engrené avec le premier pignon, et un quatrième pignon engrené avec le second pignon, ces troisième et quatrième pignons additionnels étant mobiles en rotation autour de cinquièmes axes parallèles au premier axe ; les pignons d’entrée de couple sont disposés, par exemple de manière symétrique, par rapport à un plan passant par le premier axe et entre les troisièmes axes, voire les premier et second pignons de la première paire de pignons additionnels sont disposés, par exemple de manière symétrique, par rapport à ce plan passant également entre les quatrièmes axes, voire les troisième et quatrième pignons de la seconde paire de pignons additionnels sont disposés, par exemple de manière symétrique, par rapport à ce plan passant également entre les cinquièmes axes ; les deux pignons d’entrée de couple sont respectivement accouplés aux rotors de deux moteurs, ou les premier et second pignons de la première paire de pignons additionnels sont respectivement accouplés aux rotors de deux moteurs, ou les troisième et quatrième pignons de la seconde paire de pignons additionnels sont respectivement accouplés aux rotors de deux moteurs ; l’un des deux moteurs est une première machine électrique, et l’autre des moteurs est une seconde machine électrique, de préférence identique à la première machine électrique, ou est une turbine à gaz ; le premier arbre comprend un tronçon de liaison à la roue, qui est situé radialement à l’intérieur de la roue et qui présente une souplesse prédéterminée en direction radiale ; le second arbre relié au porte-satellites traverse axialement le solaire et la roue et est tubulaire pour autoriser le passage axial de servitudes à travers lui ; les deux pignons d’entrée de couple constituent la seule entrée de couple du réducteur ; le réducteur comprend en outre des accessoires comportant des rotors engrenés avec ladite roue pour un prélèvement de couple.
L’invention concerne en outre une turbomachine en particulier d’aéronef, comportant au moins une hélice accouplée au second arbre d’un réducteur tel que décrit ci-dessus. Cette turbomachine est par exemple un turbopropulseur.
la est une vue très schématique d’un réducteur mécanique épicycloïdal à offset,
la est une vue très schématique d’un réducteur compound,
Dans les deux alternatives, le procédé de découpe comprend, en outre, une étape de découpe par plasma (« plasma dicing » en anglais) de la plaquette semiconductrice WF en dispositifs de puce semiconductrice séparés les uns les autres DISP dans le chemin de découpe SL_REG définit par le motif du masque dur HM.
Le dispositif de puce semiconductrice DISP, tel que représenté sur la , est délimité par un bord extérieur FL de la puce. Le dispositif de puce semiconductrice DISP comprend un substrat semiconducteur SUB et un réseau d’interconnexions INTRCX muni de niveaux de métaux séparés par des couches diélectrique inter-métaux possédant une constante diélectrique ultra-faible. Le réseau d’interconnexions INTRCX est disposé sur le substrat semiconducteur SUB. Le dispositif de puce semiconductrice DISP comprend également des couches diélectriques D1, D2, D3 recouvrant le réseau d’interconnexions INTRCX et découvrant un contact métallique PAD dans une zone de contact BOND_REG.
Le réseau d’interconnexions INTRCX est recouvert par une couche diélectrique verticale CDV1, par exemple par une couche de nitrure de silicium (ou une couche d’oxyde de silicium selon le matériau utilisé lors de l’étape 103 précédemment décrite en relation avec la ), sur le bord extérieur FL de la puce.
Dans une alternative illustrée à la , la couche diélectrique verticale CDV2 est une portion verticale des couches diélectriques D1, D2, D3 recouvrant le réseau d’interconnexions INTRCX sur le bord extérieur FL de la puce.
Par ailleurs, la couche diélectrique verticale CDV1, CDV2 s’étend sur le bord extérieur FL de la puce depuis le niveau du substrat SUB , de préférence sur tout le long du réseau d’interconnexions INTRCX, et possède une face externe en forme d’arc. Avantageusement, la couche diélectrique verticale CDV1, CDV2 est adaptée pour recouvrir le réseau d’interconnexions INTRCX sur le bord extérieur FL de la puce, sur tout le pourtour du dispositif semiconducteur DISP.
PROCEDE DE COLLAGE La présente invention se rapporte au domaine général des procédés de collage, et en particulier des procédés de collage hybride.
L’invention concerne un procédé de collage.
L’invention concerne également une structure obtenue par un procédé de collage.
L’invention trouve des applications dans de nombreux domaines industriels, et notamment pour la fabrication des composants micro- et nano-électroniques.
L’invention est particulièrement intéressante puisqu’elle permet de faciliter les reprises de contact sur des assemblages obtenus avec un procédé de collage hybride.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Actuellement, pour créer des circuits intégrés empilés et connectés verticalement, le collage hybride (« hybrid bonding ») est mis en œuvre.
Comme représenté sur les figures 1A et 1B, ce type de collage consiste à coller l’un à l’autre deux substrats 10, 20 et plus particulièrement deux surfaces 11, 21, comprenant des plots métalliques 13 et un matériau isolant 12. Sous chaque surface, les plots métalliques 13 sont connectés aux transistors. En assemblant les substrats 10, 20, les zones métalliques entrent en contact et les transistors sont connectés de part et d’autre de l’interface.
Ce type de collage est particulièrement intéressant car il permet d’atteindre un pas d’interconnexion de l’ordre du micromètre et de fortes densités d’interconnexion.
Cependant, il nécessite l'utilisation de vias 30 traversant le silicium (ou TSV pour « through-silicon via ») car les contacts électriques sont inaccessibles après le collage (figures 1A et 1B).
Or, la fabrication des TSV nécessite de nombreuses étapes, ce qui augmente considérablement les coûts de fabrication et le nombre d’étapes du procédé (mise en œuvre des TSV, traitement de la face arrière, révélation des TSV, couche de redistribution en face arrière (RDL pour « redistribution layer »).
Un but de la présente invention est de proposer un procédé de collage remédiant aux inconvénients de l’art antérieur et permettant, notamment, de rendre facilement accessibles les contacts électriques.
L’installation comprend en outre une ligne de captage 29, pour capter les gaz résiduels dans le carter 20 et pour recycler les gaz résiduels dans la ligne d’admission 6. En sortie du carter, la ligne de captage 29 comprend un système de déshuilage 8 pour séparer l’huile des gaz résiduels. L’huile étant réintroduite dans le carter 20 au moyen de la conduite 7 et les gaz étant introduits dans les conduites de la ligne de captage 29. La ligne de captage 29 est équipée, en sortie du système de déshuilage 8 d’un capteur de concentration en hydrogène 9. Pour le mode de réalisation illustré, la ligne de captage 29 se sépare en deux branches 11 et 12. La branche 11 est reliée à la ligne d’admission en aval du compresseur 13 et de la vanne pilotée 14. La branche 11 comprend un clapet anti-retour 10. La branche 12 est reliée à la ligne d’admission en amont du compresseur 13.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, une installation de moteur à combustion interne selon un deuxième mode de réalisation. Ce mode de réalisation concerne une installation de moteur à combustion interne suralimenté à injection indirecte utilisant partiellement ou totalement de l’hydrogène en tant que carburant. Les éléments identiques à la ne sont pas redétaillés. Pour ce deuxième mode de réalisation, l’injecteur d’hydrogène 25 est agencé dans la ligne d’admission 6 en amont de la soupape d’admission 15, et en aval de la connexion entre la ligne de captage 29 et la ligne d’admission 6.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, une installation de moteur à combustion interne selon un troisième mode de réalisation. Ce mode de réalisation concerne une installation de moteur à combustion interne atmosphérique (non suralimenté) à injection directe utilisant partiellement ou totalement de l’hydrogène en tant que carburant. Les éléments identiques à la ne sont pas redétaillés. Pour ce mode de réalisation, la ligne d’admission de comprend pas de compresseur. De plus, la ligne de captage 29 comprend une unique branche 11 reliée à la ligne d’admission 6.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, une installation de moteur à combustion interne selon un quatrième mode de réalisation. Ce mode de réalisation concerne une installation de moteur à combustion interne atmosphérique (non suralimenté) à injection indirecte utilisant partiellement ou totalement de l’hydrogène en tant que carburant. Les éléments identiques à la ne sont pas redétaillés. Pour ce quatrième mode de réalisation, l’injecteur d’hydrogène 25 est agencé dans la ligne d’admission 6 en amont de la soupape d’admission 15, et en aval de la connexion entre la ligne de captage 29 et la ligne d’admission 6.
Des modes de réalisation peuvent également concerner un système d’acquisition de données de présence de piétons, comprenant : une pluralité de dispositifs d’acquisition, tels que précédemment définis, une pluralité de capteurs de présence de piétons, une liaison de transmission étant établie entre chaque capteur et l’un des dispositifs d’acquisition, et un service de traitement de données de présence de piétons, configuré pour : recevoir des dispositifs d’acquisition des données de présence de piétons, déterminer des données d’affluence de piétons comprenant des nombres de piétons présents, entrant et sortant d’une zone couverte par l’un des capteurs à partir des données de présence de piétons reçues, et fournir les données d’affluence en réponse à des requêtes de données d’affluence de piétons.
Un tel système comportant un grand nombre de dispositifs d’acquisition et de capteurs de présence de piétons peut recueillir des données d’affluence ou de flux de piétons à l’échelle d’une ville ou d’un quartier de ville.
Selon un mode de réalisation, le système comprend un service de supervision configuré pour : recevoir les données d’état des dispositifs d’acquisition, et déclencher une opération de maintenance d’un des dispositifs d’acquisition lorsque les données d’état signalent que le dispositif d’acquisition présente un organe défaillant.
Selon un mode de réalisation, la pluralité de capteurs de présence de piétons comprend au moins un dispositif émetteur/récepteur configuré pour : établir une liaison de transmission sans fil avec l’un des dispositifs d’acquisition avec lequel il se trouve à portée de transmission sans fil, recevoir un message émis par un objet connecté porté par un piéton et situé dans une zone de détection du dispositif émetteur/récepteur, et transmettre le contenu du message reçu par la liaison de transmission avec le dispositif d’acquisition.
La mise en œuvre de tels dispositif émetteur/récepteur permet d’obtenir des identifiants d’objets connectés et donc de distinguer les piétons les uns des autres. Il est donc possible de suivre le parcours d’un piéton en particulier.
Selon un mode de réalisation, le dispositif émetteur/récepteur est configuré pour calculer une empreinte cryptographique d’un identifiant d’objet connecté se trouvant dans le message reçu, et remplacer l’identifiant d’objet connecté par l’empreinte cryptographique calculée dans les données de présence de piétons qu’il transmet au dispositif d’acquisition avec lequel il est connecté.
La ﬁgure 1 est une vue schématique d’un plan urbain montrant un exemple d’implantation d’équipements d’un système d’acquisition de données de présence de piétons, selon un mode de réalisation,
La ﬁgure 2 représente schématiquement l’architecture du système d’acquisition, selon un mode de réalisation,
La ﬁgure 3 représente schématiquement des circuits électriques d’un dispositif de d’acquisition de données de présence de piétons, selon un mode de réalisation,
La ﬁgure 4 représente schématiquement des étapes d’un procédé mis en œuvre par le système d’acquisition de données de présence de piétons, selon un mode de réalisation,
Description détaillée La ﬁgure 1 représente un plan urbain d’un quartier de ville, montrant des implantations d’équipements d’un système d’acquisition de données de présence de piétons, selon un mode de réalisation. Le système d’acquisition comprend des dispositifs DP1, DP2, DP3, DP4, DP5 d’acquisition de données de présence de piétons et des capteurs PS1, PS2 PS3, PS4, PS5, PS6, PS7 de présence de piétons, installés en différents emplacements dans une ville. Chacun des capteurs PSj (j=1, …, 7) est configuré pour détecter un ou plusieurs piétons présents ou se déplaçant dans une zone de détection CD1 autour ou à proximité du capteur. Chacun des dispositifs d’acquisition DPi (i = 1, …, 5) est configuré pour recevoir des données de présence de piétons des capteurs PSj auxquels il est connecté. Pour pouvoir communiquer entre eux, les dispositifs d’acquisition DPi et les capteurs PSj peuvent être équipés d’un circuit de communication filaire ou sans fil ayant une portée radio RR1.
Dans l’exemple de la ﬁgure 1, les capteurs PS1, PS2, PS3 se trouvent à portée radio du dispositif DP1, les capteurs PS3, PS4, PS5 se trouvent à portée radio du dispositif DP2. La zone couverte par la portée radio RR1 du dispositif DP4 comprend deux capteurs. La zone couverte par la portée radio RR1 du dispositif DP3 comprend quatre capteurs. La zone couverte par la portée radio RR1 du dispositif DP5 comprend trois capteurs. Par ailleurs, la portée de détection CD1 des capteurs PSj se trouve bien inférieure à la portée radio RR1 des transmissions entre les dispositifs d’acquisition DPi et les capteurs PSj. Selon un exemple, la portée radio RR1 est de l’ordre de 100 m (à + ou – 10% près), tandis que la portée de détection CD1 est de l’ordre de 20 m (à + ou – 10% près).
Selon un mode de réalisation, les dispositifs d’acquisition DPi sont également équipés d’un capteur de détection de présence ayant par exemple la portée de détection CD1.
De manière particulière, le corps du dispositif de verrouillage est rappelé vers la position reculée par au moins un deuxième ressort.
L’invention concerne aussi un atterrisseur d’aéronef comprenant un essieu sur lequel est montée à rotation une telle roue. L’essieu comprend une gorge annulaire interne agencée pour recevoir et coopérer avec l’extrémité libre des griffes du dispositif de verrouillage lorsque l’organe d’entraînement est en position connectée dans l’essieu et le corps dudit dispositif de verrouillage en position reculée.
la est une vue en coupe axiale du dispositif de verrouillage, selon un mode de réalisation particulier de l’invention, équipant l’organe d’entraînement illustré à la ;
la est une vue en perspective du dispositif de verrouillage illustré à la ;
la est une vue en coupe du dispositif de verrouillage illustré à la , en service ;
la est une vue identique à la , dans laquelle le dispositif de verrouillage est inactif.
Dans un mode de réalisation, le revêtement en nitrure de tantale TaN de structure cristallographique hexagonale ou en nitrure de tantale TaN dopé de structure cristallographique hexagonale peut être obtenu par une méthode de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance (désignée par l’acronyme « HiPIMS » dans la littérature en langue anglaise pour « High-Power Impulse Magnetron Sputtering »).
Dans une telle méthode, on utilise une cible de tantale ou de tantale dopé et le revêtement de l’élément est effectué sous une atmosphère contenant de l’azote, la polarisation de la cible étant contrôlée durant le revêtement en imposant à celle-ci la superposition d’une polarisation continue à un potentiel compris entre -199 V et -100 V et d’une polarisation pulsée dont les pulses sont à un potentiel compris entre -900 V et -701 V.
De manière alternative, la cible utilisée peut être une cible de tantale dopée, comprenant un taux de dopant assurant le dépôt de la quantité souhaitée de dopant.
De manière alternative, on peut utiliser une cible de tantale pure, et une ou plusieurs cible(s) secondaire(s) constituée(s) du (ou des) dopant(s).
Exemples Les figures 2 et 3 illustrent l’amélioration que représente l’utilisation d’un revêtement en nitrure de tantale non dopé de structure hexagonale par rapport à un revêtement en nitrure de tantale de structure cubique.
Les mesures sont données pour un revêtement de 0,5 µm réalisé à la surface d’un acier 316L par une mesure dite 4 pointes.
La présente les résultats de conductivité électrique σ (en Ω -1 .cm -1 ) obtenus en fonction de la température (en °C) pour un revêtement de nitrure de tantale TaN de structure cubique.
Les courbes 21, 22, 23, 24 représentent respectivement des résultats obtenus sous argon 21, sous argon avec 5% de dihydrogène H 2 22, sous air 23 et sous dioxygène O 2 24.
La présente les résultats de conductivité électrique (en Ω -1 .cm -1 ) obtenus en fonction de la température (en °C) pour un revêtement de nitrure de tantale TaN de structure hexagonale.
Les courbes 31, 32, 33, 34 représentent respectivement des résultats obtenus sous argon 21, sous argon avec 5% de dihydrogène H 2 22, sous air 23 et sous dioxygène O 2 24.
Les figures 2 et 3 illustrent d’une part que les propriétés de conduction sont au moins 10 fois meilleurs pour le revêtement de structure hexagonale que cubique.
En outre, les figures 2 et 3 montrent que les propriétés de conduction du nitrure de tantale de structure hexagonale restent excellentes en température, et quelle que soit la température.
En outre, il a pu être observé que même après 1 heure dans un bain d’acide phosphorique chaud, une pièce en acier 316L revêtue par du nitrure de tantale de structure hexagonale d’une épaisseur de 0,5 µm, déposé par une méthode de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance, ne montrait aucun signe de corrosion.
La plaque 51 de l’organe de reconstitution 50 correspond donc à une partie radialement interne de tube aplati 68. Ici également, la surface radialement externe 58a de la plaque 51 coopère par frottement avec les surfaces de fond 56 des évidements 54a, 54b, ces surfaces 56 correspondant aux surfaces radialement internes des languettes de retenue radiale 70a, 70b.
L’autre partie du tube aplati 68, à savoir la partie radialement externe également en forme de plaque 53 aux bords recourbés pour la jonction avec la plaque 51, constitue les moyens de retenue radiale de cette plaque 51 en recouvrant radialement vers l’extérieur les première et seconde languettes 70a, 70b. En effet, à ses deux extrémités circonférentielles opposées, le tube aplati 68 est pénétré par les première et seconde languettes 70a, 70b, ce qui permet non seulement de former le dispositif d’amortissement par frottements entre les surfaces 56, 58a, mais également de retenir la plaque 51 dans toutes les directions 24, 35, 37. Les deux extrémités du tube aplati 68 forment ainsi des moyens de retenue radiale creux, pénétrés respectivement par les première et seconde languettes de retenue radiale 70a, 70b.
Selon une alternative, le tube aplati 68 peut être fendu selon la direction circonférentielle 24. Selon encore une autre alternative montrée sur la , le tube aplati est remplacé par une structure 74 de section en forme de C s’ouvrant radialement vers l’extérieur. L’organe de reconstitution 50 intègre alors des crochets 72 au niveau des bords axiaux opposés de la plaque 51, pour former les moyens de retenue radiale de cette plaque en coopérant avec les bords axiaux des languettes 70a, 70b, qui pénètrent dans les crochets.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l’homme du métier à l’invention qui vient d’être décrite, uniquement à titre d’exemples non limitatifs et dans la limite de la portée des revendications annexées. En particulier, les caractéristiques techniques des différents modes de réalisation préférés et de leurs alternatives sont interchangeables et/ou cumulables.
CARTER POUR UNE TURBOMACHINE D’AERONEF Domaine technique de l’invention La présente invention concerne un carter pour une turbomachine, en particulier d’aéronef, une turbomachine d’aéronef comportant un tel carter, et un procédé de fabrication de ce carter.
Arrière-plan technologique De manière générale, une turbomachine 100, en particulier d’aéronef, telle qu’illustrée sur la , comprend d’amont en aval (c’est-à-dire dans le sens d’écoulement des flux de gaz), une soufflante 110, un ou plusieurs compresseurs 102 1 , 102 2 , une chambre de combustion 104, une ou plusieurs turbines 106 1 , 106 2 et une tuyère d’éjection 108 des gaz de combustion sortant de la ou des turbines.
La illustre schématiquement et partiellement une soufflante 110 d’une turbomachine. La soufflante 110 comprend une roue à aubes 112 qui est entourée par un carter 114 de soufflante, encore appelé carter de rétention du fait de sa fonction de rétention des aubes en cas de rupture de celles-ci, ou en cas d’entrée de débris dans la soufflante.
En référence à , le carter de soufflante 114 comprend typiquement une enveloppe annulaire 120, qui peut être, par exemple et de manière non limitative, en matériau métallique ou en matériau composite à partir de fibres tissées et noyées dans une résine polymérique. De préférence, l’enveloppe annulaire est en matériau composite. Cette enveloppe annulaire comporte un axe de révolution A et s’étend autour des aubes 112 de soufflante de la turbomachine. Le carter 114 comprend une bride annulaire de fixation 202, 204 à chacune des extrémités axiales de l’enveloppe annulaire 120. Ces brides 202, 204 sont utilisées pour fixer le carter 114 à des parois annulaires d’une nacelle qui entoure la turbomachine 100 pour former un ensemble propulsif d’aéronef.