Dispositif comprenant une puce (12) fixée sur un support (16), la puce comprenant un premier plot de connexion (14a) et deux deuxièmes plots de connexion (14b), le support comprenant un troisième plot de connexion (18a) et deux quatrièmes plots de connexion (18b), le dispositif comprenant un empilement (24) comprenant des première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes (26, 28, 30), les première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice (34) étant située entre les première (32) et troisième (36) couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les premier (14a) et troisième (18a) plots sont configurés pour recevoir un signal de données et les deuxièmes (14b) et troisième (18b) plots sont configurés pour recevoir une tension de référence. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel la tension de référence est la masse. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le plan comprenant les premier (14a) et troisième (18a) plots est situé entre le plan comprenant un des deuxièmes plots (14b) et un des quatrièmes plots (18b) et un plan comprenant l'autre deuxième plot (14b) et l'autre quatrième plot (18b). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le troisième plot (18a) est plus éloigné de la puce (12) que les quatrièmes plots (18b). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche inférieure de l'empilement est une des quatrièmes couches isolantes. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la quatrième couche isolante (28) située entre les première (32) et deuxième (34) couches conductrices comprend des portions (42) non recouvertes par deuxième couche conductrice (34) et la quatrième couche isolante (30) située entre les deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices, chacune desdites portions étant au moins partiellement recouverte par la troisième couche conductrice (36). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les première, deuxième et troisième couches conductrices sont en or ou en cuivre. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche supérieure de l'empilement est une des quatrièmes couches isolantes. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les premier (14a) et deuxième (14b) plots sont situés sur une face supérieure de la puce et les troisième (18a) et quatrième (18b) plots sont situés sur une face supérieure du support (16). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'empilement (24) s'étend sur une face latérale de la puce. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant une puce (12) fixée sur un support (16), la puce comprenant un premier plot de connexion (14a) et deux deuxièmes plots de connexion (14b), le support comprenant un troisième plot de connexion (18a) et deux quatrièmes plots de connexion (18b), le procédé comprenant la fabrication d'un empilement (24) comprenant des première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes (26, 28, 30), les première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice (34) étant située entre les première (32) et troisième (36) couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Procédé selon la revendication 12 appliqué à un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'empilement (24) est formé par un procédé de fabrication additive. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le procédé de fabrication additive est un parmi projections de gouttes ou dépôt de fil fondu.