INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans cet exemple des figures 1 à 3, le gabarit 1 comprend une nervure de renfort 49 afin d’augmenter la solidité du corps 10.
Deuxième forme de réalisation (figures 4 à 6 )
Dans cette deuxième forme de réalisation, le gabarit 1 est de préférence réalisé en métal, par exemple en acier. En variante, le gabarit 1 pourrait être réalisé dans tout autre matériau adapté ou combinaison de matériaux adaptés, par exemple en matériau plastique. Le corps 10 est également muni dans cet exemple non limitatif de quatre orifices 12 situés chacun dans un coin du corps 10 et permettant par exemple de visser le corps 10 sur une paroi ou bien de monter des ventouses, notamment afin de maintenir le corps 10 sur du carrelage, pour faciliter le traçage du contour de l’ouverture à former dans la paroi.
Le gabarit 1 comprend un unique organe de traçage 30 monté de manière coulissante sur le corps 10 à l’aide de deux vis de blocage 50 ( ), pouvant être vissée chacune à un bloc de fixation 52 ( ) à travers l’un des rails 60 parallèles formés dans le corps 10 de part et d’autre de l’ouverture traversante 110, afin de régler manuellement la position de traçage.
En référence à la , chaque bloc de fixation 52 présente une section en forme de T dont le pied est adapté pour recevoir la vis de blocage 50 et pour coulisser dans le rail 60.
Toujours en référence à la , l’organe de traçage 30 comporte une platine de montage 32 de même largeur que le corps 10 et munie de deux ouvertures rectangulaires 34 recevant chacune un bloc de fixation 52. La platine de montage 32 comprend une portion semi-circulaire 32A permettant de tracer l’une des extrémités du contour à tracer sur la paroi.
De tels moyens de déplacement permettent de déplacer chacun des bras simultanément.
Ainsi, par la manipulation du disque, l'utilisateur peut déplacer chacun des bras et ainsi verrouiller le dispositif sur une roue.
L'installation du dispositif sur une roue s'en trouve alors facilitée.
Selon un autre aspect avantageux, chaque chemin de came présente une première terminaison écartée d’un centre de rotation du disque et correspondant à la première position du bras, et une deuxième terminaison proche du centre de rotation et correspondant à la deuxième position du bras.
Les deux terminaisons permettent de limiter le déplacement des bras.
En effet, lorsque les suiveurs de came sont situés dans la première terminaison ou dans la deuxième terminaison, le mouvement en rotation du disque est empêché, ce qui évite d'endommager le dispositif et/ou le véhicule en venant faire heurter les patins contre le passage de roue.
En outre, les deux terminaisons permettent à l'utilisateur de se rendre compte, par retour apathique, que les bras sont soit dans leur première position soit dans leur deuxième position.
Selon un autre aspect avantageux, le disque présente une empreinte et le dispositif comprend un outil amovible complémentaire de forme avec l’empreinte pour permettre la rotation du disque.
L'utilisation d'un outil amovible permet de sécuriser le dispositif ainsi que d'en faciliter son utilisation.
En effet, par sa caractéristique amovible, l'outil peut être retiré du dispositif lorsque celui-ci est installé sur une roue, ce qui évite une rotation du disque de manière accidentelle ou malveillante qui provoquerait le déplacement des bras de leur deuxième position à leur première position et rendrait alors le dispositif libre de mouvement par rapport à la roue.
Par ailleurs, l'outil peut permettre de créer un bras de levier permettant de faciliter la rotation du disque et donc le passage des bras de leur première position à leur deuxième position, ou inversement.
Selon un autre aspect avantageux, le dispositif comprend également des moyens de fixation sur une jante, les moyens de fixation comprenant des goujons destinés à coopérer avec des vis de fixation de la jante sur un moyeu, les goujons étant réglables en profondeur pour permettre une adaptation du dispositif à la largeur de la roue.
L'utilisation de goujons réglables permet d'adapter le dispositif à différentes jantes.
En effet, pour se démarquer des autres véhicules, les constructeurs proposent des jantes présentant différentes formes et notamment différents retraits par rapport à une face externe du pneumatique.
Ainsi, en réglant le goujon de manière optimale, le dispositif peut être adapté à différentes jantes, ce qui limite les besoins en équipement d'un foyer par exemple.
Selon un autre aspect avantageux, les moyens d’adhérence comprennent des saillies formant une alternance de creux et de crêtes sur le patin.
Arrière-plan technique A ce jour, les dispositifs pour aider une personne à se concentrer sur une activité sont de quatre types:
- soit des appareils de type casques anti-bruit comme enseignés dans la demande brevet KR20150028792A de 2015 et qui améliorent la concentration, d’une part en empêchant de gêner les personnes avoisinantes car le son généré depuis l'intérieur de l'appareil n'est pas transféré vers l'extérieur, et d’autre part en bloquant le bruit extérieur pour fournir un environnement apte à se concentrer sans être dérangé par le bruit extérieur.
- soit des lunettes ou arceaux de tête tels qu’enseignés dans la demande de brevet JPH0990285A décrivant des lunettes fournies avec des obstacles latéraux pour rétrécir les angles visuels droit et gauche, ou la demande JPH0990865A décrivant un arceau de tête équipé aussi d’obstacles latéraux semi-circulaires en forme d’écouteurs qui rétrécissent les angles de vision gauche et droit pour concentrer l'attention d'un élève vers l'avant et empêcher également que celui-ci triche lors d'un examen…
- soit des aides à l’enseignement de la concentration à base de jeux ou d’équipements spécifiques et complexes attirant et captant l’attention des personnes et/ou des enfants comme décrit dans les demandes de certificats d’utilité CN215895737 ou CN208954409
- soit enfin des écrans de concentration amovibles constitués de 3 panneaux (ils peuvent être ainsi pliables) qui se posent sur une table ou un bureau pour créer de manière temporaire un espace de travail au calme en forme de U, minimisant les distractions sonores et visuelles pour faciliter la concentration de la personne, tel qu’un élève, qui place sa tête dans l’espace ainsi constitué entre les deux panneaux latéraux qui forment les branches du U.
Tous ces dispositifs connus permettent certes, chacun à leur manière, à une personne de se concentrer sur une activité personnelle mais soit ils sont complexes et donc couteux, soit, s’ils aident certes à la concentration, la personne ne peut pas faire une autre activité que celle que le dispositif propose en lui-même, soit ils ne satisfont pas aux deux critères nécessaires à une bonne concentration, à savoir le silence et l’isolation visuelle pour ne pas être distrait par une agitation entourant la personne qui veut se concentrer.
Le problème posé est alors de pouvoir disposer d’un dispositif simple, et donc peu couteux, qui aide toute personne à se concentrer sur une activité personnelle, en particulier lors d’apprentissage ou d’application d’une tache spécifique indépendante du dispositif lui-même, telle que la lecture ou l’écriture pour un enfant, et nécessitant de s’isoler de son environnement tant sonore que visuel ; par ailleurs le dispositif a aussi pour objectif de répondre au problème de la difficulté de faire comprendre aux autres personnes de l’entourage de la personne que celle-ci a besoin de calme et de silence pour se concentrer.
Une solution au problème posé est un dispositif d’aide à la concentration de toute personne et qui est composé d’un bandeau apte à entourer le front et la tête de cette personne et comportant:
- une échancrure médiane destinée à être disposée devant les yeux de la personne et dégageant son champ de vision vers l’avant,
- deux lobes entourant de part et d’autre ladite échancrure, destinées à être placés contre les oreilles de la personne et à les recouvrir, et formant deux œillères aptes à limiter latéralement le champ de vision de cette personne,
- ces lobes pouvant comporter sur leur face interne des tampons souples, tels qu’en mousse polyuréthane, et pouvant être ajoutés ou retirés grâce par exemple à une fixation en deux parties auto-agrippantes entre elles à crochets et boucles, de type « Velcro », afin de boucher au mieux les oreilles de la personne qui porte le dispositif et limiter ainsi que celle-ci soit dérangée par les bruits externes.
Dans un mode préférentiel de réalisation, le bandeau selon l’invention est constitué :
- d’une part par une pièce réalisée dans une feuille souple de forme allongée, de largeur plus étroite en son milieu, constituant l’échancrure, et plus large de part et d’autre de celle-ci, constituant les lobes aptes à recouvrir les oreilles de la personne,
- d’autre part par un système de fixation solidarisant les deux extrémités de la pièce et apte à maintenir celle-ci autour de la tête de la personne.
Selon une autre caractéristique de l’invention le bandeau comporte sur sa face externe au moins un terme exprimant le silence, tel que le mot « chut », afin de faire comprendre aux autres que la personne qui porte le dispositif a besoin d’isolement : les autres personnes savent ainsi que cette personne veut se concentrer et doivent respecter le silence, ce qui répond à un des objectifs de l’invention.
La présente invention répond de plus à l’ensemble du problème posé en permettant à toute personne désirant se concentrer sur une activité personnelle de disposer d’un dispositif simple, et peu couteux, qui l’aide, en particulier lors d’apprentissage ou d’application d’une tache spécifique indépendante du dispositif lui-même, à s’isoler de son environnement tant sonore, grâce aux lobes et tampons recouvrant les oreilles, que visuel, grâce aux lobes latéraux formant des œillères qui limitent le champ de vision en ne permettant à ladite personne que de regarder devant elle.
PROCEDE DE DECOUPE D’UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent la microélectronique, notamment la découpe dans une plaquette semiconductrice de dispositifs semiconducteurs comportant des couches de diélectrique à constante diélectrique ultra-faible (plus connues sous les termes anglosaxons « ultra low-k »).
Les dispositifs semiconducteurs sont typiquement fabriqués à partir d’une plaquette semiconductrice, usuellement désignée par le terme anglais « wafer » et sont séparés (usuellement « singulated » en anglais) lors d’une étape de découpe.
Les dispositifs semiconducteurs comprennent notamment typiquement un réseau d’interconnexions (usuellement dénommé par l’acronyme « BEOL » de « Back-End Of Line » en anglais) sur une partie semiconductrice comportant notamment les composants électroniques tels que des transistors (également dénommée « Front-End Of Line » en anglais).
Le réseau d’interconnexions, comporte typiquement des couches de métaux et peut avantageusement comporter des couches de diélectrique à constante diélectrique ultra-faible.
Usuellement, on appelle « matériau diélectrique à constante diélectrique ultra-faible » les diélectriques qui présentent une constante diélectrique « k » ou « kappa » inférieure à 95 % de la valeur de la constante diélectrique de l’oxide de silicium.
L’étape de découpe, lors de laquelle les dispositifs semiconducteurs sont séparés, est typiquement précédée d’une étape de formation d’un masque dur permettant d’exposer des chemins de découpe sur la plaquette semiconductrice, c’est-à-dire les zones de la plaquette dans lesquelles la découpe est à effectuer.
Le masque dur permet de protéger de la gravure le réseau d’interconnexions sur le reste de la plaquette semiconductrice. Des plots métalliques du dispositif semiconducteur sont exposés en formant une ouverture dans le masque dur, mais ne réagissent pas ou extrêmement peu à la gravure de l’étape de séparation des dispositifs semiconducteurs.
Les chemins de découpe et l’ouverture dans le masque dur pour exposer les plots métalliques peuvent être gravés simultanément dans le masque dur. Toutefois, la durée de gravure pour former les chemins de découpe peut être plus longue que la durée suffisante pour exposer les plots métalliques, puisque des couches du réseau d’interconnexions sont également gravées dans les chemins de découpe en plus de la couche de masque dur. La gravure de l’ouverture, lorsqu’elle est réalisée en même temps que celle formant les chemins de découpe, peut donc se prolonger sur les plots métalliques découverts et produire une pulvérisation du métal (« sputtering » en anglais) contaminant les chambres sous-vides dans lesquelles sont réalisées les gravures.
Les gravures pour former les chemins de découpe et exposer les plots métalliques peuvent également être réalisées indépendamment. Dans ce cas, un masque épais de résine photosensible est utilisé pour délimiter les ouvertures exposant plots métalliques. Néanmoins, le masque risque de présenter une faible adhérence sur la plaquette, et lors des étapes de retrait de ce masque provisoire, des délaminations peuvent apparaitre dans les couches diélectriques du réseau d’interconnexions situées en bordure des chemins de découpe. En outre, une étape de traitement chimique des plots métalliques a typiquement lieu après retrait de ce masque provisoire et risque également de causer ces délaminations. Ces délaminations, en plus de détériorer les couches diélectriques du réseau d’interconnexions, peuvent engendrer une pénétration d’humidité dans ces couches qui peut conduire à une dérive des caractéristiques et performances des dispositifs semiconducteurs. Le risque de délamination est encore plus probable lorsque les couches diélectriques du réseau d’interconnexion sont du type « à constante diélectrique ultra-faible ».
Ainsi, il existe un besoin de limiter le risque de dégradation des couches diélectriques à constante diélectrique ultra faible.
Selon un aspect, il est proposé un procédé de découpe d’une plaquette semiconductrice comportant un substrat semiconducteur, un réseau d’interconnexions muni de couches de métaux et d’au moins une couche diélectrique à constante diélectrique ultra-faible, au moins une zone de contact et au moins une zone de découpe, présentant par exemple une largeur inférieure à 100µm, le procédé comprenant une formation d’un masque dur dont le motif définit le chemin de découpe, la formation du masque dur comprenant : - une étape de formation de couches diélectriques sur la plaquette dans la zone de contact et dans la zone de découpe, - une première étape de gravure d’une ouverture dans la zone de découpe, à travers lesdites couches du réseau d’interconnexions, - une deuxième étape de gravure d’une ouverture dans la zone de contact découvrant un contact métallique du réseau d’interconnexions, - une étape de traitement chimique de nettoyage de la surface découverte du contact métallique.
Le procédé comprend en outre une étape de dépôt d’une couche diélectrique verticale recouvrant les flancs de l’ouverture définissant le chemin de découpe, avant ledit traitement chimique de nettoyage du contact métallique.
Ainsi, il est proposé selon cet aspect, de protéger la (ou les) couche(s) diélectrique(s) à constante diélectrique ultra-faible, qui est exposée en bordure du chemin de découpe de la plaquette, notamment lors du traitement chimique de nettoyage du contact métallique. Par « formation d’un masque dur », on entend une réalisation de plusieurs étapes permettant de façonner un masque incluant une couche diélectrique, généralement en nitrure de silicium, ayant un rôle de masque dur à proprement dit, mais incluant également une ou plusieurs couches de passivation, généralement de l’oxyde de silicium, permettant de protéger la plaquette contre la corrosion par exemple. Le masque dur ainsi formé par le procédé selon cet aspect permet d’éviter, lors du traitement chimique du contact métallique une détérioration de la couche diélectrique à constante diélectrique ultra-faible par des délaminations pouvant laisser pénétrer de l’humidité dans cette couche.
Selon un mode de mise en œuvre, ladite première étape de gravure est faite après ladite étape de formation des couches diélectriques, et à travers lesdites couches diélectriques et lesdites couches du réseau d’interconnexions jusqu’à découvrir le substrat semiconducteur, de manière à façonner ledit motif du masque dur définissant le chemin de découpe.
La première étape de gravure est avantageusement configurée pour ne pas produire de délaminations dans les couches diélectriques à constante diélectrique ultra-faible du réseau d’interconnexions. A cet égard, les techniques de gravure et de masquage utilisées pour réaliser cette première étape de gravure peuvent être les mêmes techniques que celles prévues pour la formation des couches du réseau d’interconnexions, et notamment pour la formation des couches diélectriques à constante diélectrique ultra-faible.
Selon un mode de mise en œuvre, la première étape de gravure comprend une formation d’un premier masque provisoire dédié, le premier masque provisoire recouvrant les couches diélectriques dans la zone de contact et découvrant les couches diélectriques dans la zone de découpe, et un retrait des couches diélectriques et desdites couches du réseau d’interconnexions dans la zone de découpe jusqu’à découvrir le substrat semiconducteur dans le motif du masque dur.
A cet effet, l’invention propose une cellule pour magnétomètre à pompage optique, comportant : une enceinte renfermant un gaz ; et un circuit d’excitation d’un plasma dans l’enceinte, qui comprend un ou plusieurs éléments en matériau électriquement conducteur agencés par rapport à l’enceinte de manière à permettre l’application d’une décharge électrique au gaz renfermé dans l’enceinte.
Une conductance du circuit d’excitation est définie comme la somme de la conductance de chacun du ou des éléments en matériau électriquement conducteur où la conductance d’un élément en matériau électriquement conducteur correspond à la conductivité du matériau électriquement conducteur pondérée par le ratio entre le volume de matériau électriquement conducteur dudit élément et le carré de la distance entre ledit élément et le centre de la cellule. Selon l’invention, la conductance du circuit d’excitation est inférieure à 8000 Siemens, de préférence inférieure à 5000 Siemens, encore plus de préférence inférieure à 1500 Siemens.
Certains aspects préférés mais non limitatifs de cette cellule sont les suivants : l’enceinte présente une dimension caractéristique comprise entre 3 mm et 3 cm, de préférence comprise entre 5 mm et 2 cm ; le circuit d’excitation est couplé capacitivement à la cellule, le ou les éléments en matériau électriquement conducteur consistant en deux électrodes ; chacune des électrodes est constituée d’un anneau de matériau électriquement conducteur qui entoure l’enceinte ; chacune des électrodes est constituée d’un dépôt de matériau électriquement conducteur sur l’enceinte ; chacune des électrodes est constituée d’une impression de matériau électriquement conducteur sur un film diélectrique rapporté sur l’enceinte ; le film diélectrique est flexible ; le circuit d’excitation est couplé inductivement à l’enceinte, le ou les éléments en matériau électriquement conducteur consistant en une bobine enroulée en plusieurs boucles autour de la cellule ; la bobine est un solénoïde ; la bobine est une hélice d’un résonateur hélicoïdal.
L’invention vise également un magnétomètre à pompage optique comprenant une cellule selon l’invention ainsi qu’un casque de magnétoencéphalographie, comprenant une pluralité de magnétomètres selon l’invention.
D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la un schéma d’un magnétomètre intégrant une cellule conforme à l’invention ; la est un exemple d’électrode déposée sur un film diélectrique flexible selon un motif en fourche.
Contrairement aux magnétomètres à pompage optique des alcalins, les magnétomètres à pompage optique de l’hélium métastable sont basés sur un état atomique qui n’est pas l’état fondamental (1 1 S 0 en notation spectroscopique pour l’hélium-4), mais un état excité, en l’occurrence l’état métastable triplet (noté 2 3 S 1 pour l’hélium-4). Pour que le magnétomètre puisse fonctionner, cet état doit être peuplé. Cela est habituellement obtenu en utilisant une décharge électrique fonctionnant dans le domaine des hautes fréquences, typiquement entre 1 MHz et 100 MHz. Cette décharge crée un plasma à l’intérieur de la cellule dans lequel des collisions de forte énergie entre atomes et électrons permet d’exciter une partie des atomes à l’état métastable. Différentes stratégies pour amorcer et maintenir cette décharge plasma sont utilisables : Un circuit de décharge couplé capacitivement, constitué par deux électrodes placées de part et d’autre de la cellule de gaz ; ou Un circuit de décharge couplé inductivement, constitué par un solénoïde situé de manière à ce que le flux magnétique qu’il crée soit en partie appliqué au gaz placé à l’intérieur de la cellule. Une variante consiste en un résonateur hélicoïdal connecté à un générateur uniquement à l’une de ses extrémités et faisant face à un plan de masse. Pour certaines fréquences, ce résonateur se comporte comme un solénoïde, avec des avantages en termes d’adaptation d’impédances au générateur.
Pour les applications de mesure sur le corps humain, il est préférable que le magnétomètre soit de taille réduite. Idéalement il faut pour cela que les éléments du magnétomètre autres que l’élément sensible (notamment l’élément capacitif ou inductif qui permet l’allumage et le maintien du plasma) soient peu encombrants et qu’ils puissent être situés au voisinage immédiat de cet élément sensible, de manière à ce que l’encombrement global du capteur soit seulement très légèrement supérieur à l’encombrement de l’élément sensible qu’il contient. Les électrodes capacitives sont en ce sens intéressantes, ainsi qu’un circuit inductif comprenant une bobine de diamètre très légèrement supérieur à celui de la cellule d’hélium.
Une étude sur les régimes de décharge optimaux pour obtenir un signal de magnétométrie de forte amplitude a été menée et est publiée dans la thèse de J. Rutkowski [2], pour des cellules de 5 mm et 1 cm de dimension caractéristique et des électrodes consistant en des fragments de scotch cuivre.
D’autres électrodes capacitives sont évoquées dans la littérature, notamment des électrodes constituées de deux (ou plus) anneaux qui entourent la cellule. Ces électrodes sont évoquées notamment dans la thèse de Marie-Constance Corsi [3], qui mentionne un fil « plus épais » que celui servant à connecter le scotch cuivre (qui est de 0.1 mm). La demande de brevet [4] associée à ces travaux divulgue un diamètre de fil de 315 microns.
En plus d’obtenir un fort signal de magnétométrie, il est souhaitable également que le bruit intrinsèque du magnétomètre soit limité à ses composantes inévitables, notamment le bruit de photons, ce qui se produit lorsque d’autres bruits techniques (bruit de courant dans le laser, par exemple) deviennent négligeables. Or le bruit de photons pouvant être calculé, la Demanderesse a pu constater qu’il existait encore des bruits techniques, de nature inconnue, qui limitaient le bruit total du capteur. La Demanderesse a suspecté que ce bruit technique était en lien avec les électrodes, ce qui est maintenant avéré comme il sera décrit plus bas.
La Demanderesse a ainsi pu montrer que dans le cas de capteurs basés sur le pompage optique de l’hélium métastable, les électrodes en scotch cuivre utilisées traditionnellement (épaisseur entre 35 et 100 microns) ainsi que les électrodes en boucles de fil épais utilisées également de par le passé (épaisseur de 315 ou 500 microns) introduisent un bruit magnétique significatif, qui, pour des capteurs optimisés, devient le bruit limitant du capteur.