INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, le centrage radial du support est assuré par les portions axiales de la plaque de montage, ce qui améliore la précision de l’alignement angulaire entre le support et la plaque de montage.
Dans ce cas, la portion radiale de la plaque de montage peut être axialement en appui contre un des flancs latéraux du support et les portions axiales de centrage sont radialement en appui contre la portion de montage dudit support.
De préférence, la plaque de montage comprend en outre une portion de montage décalée radialement vers l’extérieur par rapport aux portions axiales de centrage et aux languettes de retenue, et pourvue d’une surface extérieure définissant le diamètre extérieur de la plaque de montage.
illustre, pour la première configuration présentée et , le profil du champ électrique dans la cavité résonante lorsque la fréquence source est égale à 2,40 GHz (a), 2,45GHz (b) et 2,50 GHz (c) ;
illustre au moyen de la modélisation tridimensionnelle du réacteur plasma de la une seconde configuration pour laquelle un plasma a été modélisé dans la chambre à plasma, et tel qu’il soit localisé au-dessus du porte-substrat ; laquelle illustration comprend également la première position et la seconde positions où sont mesurées les intensités du champ électrique E1, E2 dans la chambre à plasma en fonction de la fréquence source, comme pour le contexte applicatif de la ;
illustre, pour la seconde configuration présentée , l’évolution du rapport R entre les intensités de champ électriques E1, E2 mesurées respectivement à la première et à la seconde position, tel que R = E1/E2 pour différentes valeurs de fréquence source ;
illustre une évolution de la puissance réfléchie par la cavité résonante de l’installation dans le cadre de la seconde configuration faisant l’objet des Figures 11 et 12 ;
illustre, pour la seconde configuration présentée dans les Figures 11 à , le profil du champ électrique dans la cavité résonante lorsque la fréquence source est égale à 2,40 GHz (a), 2,45GHz (b) et 2,50 GHz (c) ;
illustre au moyen de la modélisation tridimensionnelle du réacteur plasma de la une troisième configuration dans laquelle le plasma est positionné/collé au niveau du diélectrique transparent aux micro-ondes ; laquelle illustration comprend également la première et la seconde position où sont mesurées les intensités du champ électrique E1, E2 dans la chambre à plasma en fonction de la fréquence source, comme pour les contextes applicatifs des Figures 8 et 11 ;
illustre, pour la troisième configuration présentée , l’évolution du rapport R entre les intensités de champ électriques E1, E2 mesurées à la première et à la seconde position, tel que R = E1/E2 pour différentes valeurs de fréquence source ;
illustre une évolution de la puissance réfléchie par la cavité résonante de l’installation dans le cadre de la troisième configuration faisant l’objet des Figures 15 et 16 ;
illustre, pour la troisième configuration présentée dans les Figures 15 à , le profil du champ électrique dans la cavité résonante lorsque la fréquence source égale à 2,40 GHz (a), 2.473 GHz (b) et 2.5 GHz (c) ;
est une illustration schématique, en référence au premier mode de réalisation de la , d’un contexte applicatif d’un dépôt de longue durée d’une couche de matière sur un substrat à la fréquence initiale, avec l’épaisseur du dépôt chimique qui finit par être telle qu’il est en contact ou pénètre dans le plasma ((a) et (b)) ; l’installation étant alors conformée pour que la fréquence source à laquelle le générateur micro-ondes génère les ondes électromagnétiques varie depuis la fréquence initiale jusqu’à atteindre une fréquence de croissance pour laquelle le plasma est déplacé depuis sa position initiale, dans laquelle il est donc en contact avec le dépôt chimique, jusqu’à une nouvelle position pour que le dépôt puisse se poursuivre efficacement et sans altérer ou détériorer le dépôt chimique (c); la détection que le dépôt chimique entre en interaction avec le plasma et la détermination de la fréquence de croissance reposant respectivement sur un dépassement de la température du dépôt chimique au-dessus d’une température dite température de croissance critique pour laquelle les conditions favorables de dépôt ne sont plus rencontrées, et une diminution de la température du dépôt chimique sous la température de croissance critique ;
est équivalente à la , et illustre un contexte applicatif pour lequel, suite à l’interaction entre le plasma et le dépôt chimique (a), l’installation fait varier la fréquence source jusqu’à atteindre une fréquence dite fréquence intermédiaire pour laquelle la température du dépôt chimique est sous la température de croissance critique mais également inférieure à une température minimale de croissance, signifiant que la plasma n’est pas positionné dans une position favorable au dépôt chimique sur le substrat (b) ; l’installation étant alors conformée pour faire à nouveau varier la fréquence source du générateur micro-ondes jusqu’à une fréquence de croissance vérifiant que le température du dépôt chimique est bien comprise entre la température minimale de croissance et la température de croissance critique (c) ;
présente un logigramme illustrant le procédé automatique pour un dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes mis en œuvre par l’installation de l’invention, dans un mode de réalisation pour lequel l’unité de contrôle est conformée pour faire varier la fréquence source du générateur micro-ondes dans le cas où, à la fréquence initiale : le plasma change de position dans la chambre à plasma, la variation de fréquence source ayant pour but de ramener le plasma dans une position sensiblement équivalent à sa position initiale ; les conditions pour un dépôt efficient de la couche de matière sur un substrat ne sont plus réunies, la variation de fréquence source ayant alors pour but la détermination d’une fréquence dit fréquence de croissance telle que lesdites conditions soient à nouveau respectées.
L’invention est mise en œuvre au moyen d’une installation 1 pouvant être conçue selon différents modes de conception. Non limitativement, cinq conceptions différentes de l’installation 1 sont présentées en référence aux à (telle chaque figure présente une des cinq conceptions).
Chacune des cinq installations 1 présentées comprend un générateur micro-ondes 3 à état solide et à fréquence variable conformé pour générer des ondes électromagnétiques à une fréquence source F dans la plage de fréquence des micro-ondes, cela dans un intervalle de fréquence compris, selon deux modes de réalisation de l’invention, entre 902 MHz et 928 MHz, ou bien alors entre 2,4 GHz et 2,5 GHz ; les deux intervalles de fréquence correspondant à un intervalle de fréquences autorisées pour l’émission des ondes électromagnétiques par les normes en Radiofréquence. Ces deux intervalles de fréquences comprennent les deux fréquences d’excitation pour lesquelles sont générés les plasmas 2 et réalisés les dépôts chimiques en phase vapeur assisté par un plasma 2 micro-ondes ; et qui sont respectivement égales à 915 Mhz et 2,45 GHz.
Un guide micro-ondes 4 est raccordé en sortie du générateur micro-ondes 3 pour guider les ondes électromagnétiques vers l’entrée d’un système de couplage des ondes électromagnétiques 5. Dans un autre mode de conception, le guide micro-ondes 4 est remplacé par un câble coaxial pour guider les ondes électromagnétiques depuis le générateur micro-ondes 3 jusqu’au système de couplage des ondes électromagnétiques 5.
Les plaquettes d’étanchéité 16 sont habituellement en métal.
Habituellement, deux secteurs d’anneau 12 et 12’ successifs présentent des formes similaires. Ils présentent chacun une rainure 17, 17’ ménagée dans une face radiale 18, 18’, ces deux rainures 17, 17’ étant prévues pour recevoir une plaquette d’étanchéité 16 entre leur face inférieure 24, 24’ et leur face supérieure 25, 25’.
En effet, comme cela est visible sur , une plaquette d’étanchéité 16 est positionnée dans une première rainure 17 ménagée dans la face radiale 18 d’un premier secteur d’anneau 12 et dans une deuxième rainure 17’ ménagée dans la face radiale 18’ d’un second secteur d’anneau 12’.
Dans un but d’illustration, sur , l’écartement E susceptible d’exister entre deux secteurs d’anneau adjacents a été considérablement exagéré.
L’ensemble d’étanchéité 100 selon l’invention comprend ainsi deux secteurs d’anneau 12 et 12’ successifs et une plaquette d’étanchéité 16 positionnée dans un logement 19 formé par des rainures 17, 17’ en vis-à-vis ménagées dans les secteurs d’anneau successifs.
La face radiale 18 du premier secteur d’anneau 12 et la face radiale 18’ du second secteur d’anneau 12’ sont adjacentes et leurs rainures respectives 17, 17’ sont en vis-à-vis l’une de l’autre de sorte de former un logement 19 pour une plaquette d’étanchéité 16.
L’ensemble d’étanchéité 100 selon l’invention s’intéresse plus particulièrement à un anneau 10 équipé d’une tôle thermique 20 annulaire sur la face axiale aval 22 ou sur la face axiale amont 23 de ses secteurs d’anneau 12, 12’.
Comme les anneaux 10, la tôle thermique annulaire est formée de secteurs de tôle thermique 21, 21’. Ainsi, chaque secteur d’anneau 12 et 12’ est préférentiellement équipé d’une tôle thermique 21, 21’ sous la forme d’un secteur.
Bien que l’invention puisse être utilisée pour n’importe quel anneau 10 de turbine à gaz 1 équipé d’une tôle thermique 20 sur sa face axiale aval 22 ou sur sa face axiale amont 23, les figures illustrent le cas le plus courant dans lequel c’est l’anneau 10A du premier étage A d’une turbine à gaz 1 basse pression qui est équipé d’une tôle thermique 20 annulaire sur sa face axiale aval 22.
En coupe, la section de chaque secteur de tôle thermique 21, 21’ présente habituellement un profil en S ou en Z pivoté à 90 degrés.
La tôle thermique 20 comprend une collerette 26, ainsi chaque secteur de tôle thermique 21, 21’ comprend un secteur de collerette 27. Un secteur de collerette 27 de la tôle thermique 21, 21’ est fixé, par exemple par brasage ou soudage, sur la face axiale aval 22 ou sur la face axiale amont 23 d’un secteur d’anneau 12, 12’.
Pour des raisons de simplification, la face axiale aval 22 ou la face axiale amont 23 d’un secteur d’anneau 12 sur laquelle est fixée le secteur de collerette 27 de chaque secteur de tôle thermique 21, 21’ sera désignée par la suite en tant que « face axiale d’introduction 28 », car c’est par le côté où se situe cette face axiale d’introduction 28 qu’une plaquette d’étanchéité 16 peut être introduite pour être mise ou remise en place dans son logement 19.
En effet, pour l’introduction d’une plaquette d’étanchéité 16 dans son logement 19 défini entre deux rainures 17, 17’, on prévoit une ouverture d’introduction 29 dans la face axiale d’introduction 28 de chaque secteur d’anneau 12, 12’, chaque ouverture d’introduction 29 communiquant avec la rainure 17, 17’ du secteur d’anneau concerné.
Pour l’introduction d’une plaquette d’étanchéité 16 dans son logement 19, on prévoit également une fente d’introduction 30 dans le secteur de collerette 27 de chaque secteur de tôle thermique 21, 21’. Cette fente d’introduction 30 est située dans la partie du secteur de collerette 27 qui est fixée sur le secteur d’anneau.
L’ouverture d’introduction 29 et la fente d’introduction 30 communiquent entre elles et avec le logement 19 défini entre deux rainures 17, 17’ pour permettre l’introduction d’une plaquette d’étanchéité 16 dans ledit logement 19.
L’ouverture d’introduction 29 d’un secteur d’anneau 12 communique avec l’ouverture d’introduction du secteur d’anneau 12’ voisin afin de former une ouverture d’introduction suffisamment large pour le passage d’une plaquette d’étanchéité 16.
De préférence, le sabot est pourvu d’au moins une paroi verticale pourvue d’une ouverture traversante, le kit comprenant en outre une jambe de force montée de manière amovible entre une position montée sur le sabot dans laquelle la jambe de force s’étend horizontalement et au travers de ladite ouverture traversante, et une position de démontage dans laquelle la jambe de force est séparée du sabot.
Avantageusement, le kit comprend en outre au moins un plot de lestage monté sur la jambe de force du côté de son extrémité libre dans la position montée de celle-ci sur le sabot. Après montage du kit, le ou les plots de lestage montés sur la jambe de force permettent d’assurer son blocage.
Avantageusement, dans sa position montée, la jambe de force vient en butée contre le montant dans sa position verrouillée. Ainsi, après montage du kit, la jambe de force permet d’empêcher une éventuelle rotation non souhaitée du montant de sa position verrouillée vers la position déverrouillée.
Le sabot peut être pourvu de parois latérales verticales externes se raccordant aux parois inférieure et supérieure, l’une des parois latérales externes étant pourvue de ladite ouverture traversante au travers de laquelle s’étend la jambe de force dans sa position montée.
Le sabot peut comprendre en outre une paroi interne verticale de rigidification s’étendant entre les parois inférieure et supérieure et reliée auxdites parois inférieure et supérieure, la paroi interne de rigidification étant pourvue d’une ouverture traversante au travers de laquelle s’étend la jambe de force dans sa position montée.
L’invention concerne également un garde-corps comprenant une pluralité de kits tel que définis précédemment, une lisse supérieure s’étendant horizontalement et raccordée aux extrémités supérieures des montants des kits, et au moins une lisse intermédiaire s’étendant horizontalement, raccordée aux montants des kits et située verticalement en-dessous de la lisse supérieure.
est une vue en perspective d’un garde-corps selon un premier exemple de réalisation de l’invention en position installée,
est une vue en perspective d’un kit de garde-corps de la avec un montant en position déverrouillée,
est une vue de détail en perspective selon une autre orientation du kit avec le montant en position déverrouillée,
est une vue en perspective du kit de garde-corps avec le montant en position verrouillée,
est une vue de dessus du kit de garde-corps avec le montant en position verrouillée,
est une vue en coupe partielle selon l’axe VII-VII de la ,
est une vue en coupe partielle selon l’axe VIII-VIII de la ,
Dans une variante du deuxième mode de réalisation, le composé A1 est de formule générale (A) : dans laquelle : X comprend N, S ou O R représente -H ou –CHO.
Préférentiellement, le composé A1 est de formule générale (A’) : dans laquelle X représente O.
Dans une variante du composé A1 de formule générale (A) , X représente O et R représente –H. Le composé A1 utilisé est alors de formule (Ba) :
Dans une variante de l’aldéhyde de formule générale (A’) , X représente O et R représente –H. Le composé A1 utilisé est alors le furfuraldéhyde et est de formule (B’a) :
Dans une autre variante du composé A1 de formule générale (A) , X représente O et R représente –CHO. Le composé A1 utilisé est alors de formule (Bb) :
Dans une autre variante du composé A1 de formule générale (A’) , X représente O et R représente –CHO. Le composé A1 utilisé est alors le 2,5-furanedicarboxaldéhyde et est de formule (B’b) :
Les parcelles se chevauchent en fonction de leur emplacement d’origine dans l’image d’origine. Par exemple, un pixel particulier dans une première parcelle chevauche un pixel particulier dans une seconde parcelle si chacun de ces pixels particuliers est rogné à partir de la même position de pixel dans l’image d’origine. Les pixels se chevauchant à partir de parcelles d'images de sortie se chevauchant sont utiles pour construire une image de sortie finale en fusionnant les valeurs de pixels se chevauchant pour construire un pixel unique dans l’image de sortie. Dans un mode de réalisation, l’image de sortie a la même résolution que l’image d’entrée.
Ainsi, dans un mode de réalisation, au moment de l’apprentissage, le réseau 102 est formé pour faire l’apprentissage des deux directions de la translation de l’image via des pertes de consistance cyclique telles que l’utilisation des techniques décrites dans Zhu, J.Y., Park, T., Isola, P., Efros, A.A. : Translation image à image non appariées utilisant des réseaux antagonistes à consistance cyclique (Actes de la conférence internationale IEEE sur la vision par ordinateur p.p. 2223-2232 (2017)).
Les modes de réalisation des Figures 1A et 1B concernent la translation image à image entre les domaines RVB et UV. D’autres paires de domaines pour la translation image à image peuvent être utilisées, par exemple entre un modèle de couleur différente et les UV, entre les domaines de sexe féminin et masculin, entre différents domaines d’âge, etc. Bien qu’un paradigme d’apprentissage GAN (ccGAN) à cohérence cyclique soit représenté, une autre architecture de modèle GAN peut être utilisée.
En référence à la , le pipeline d’inférence 100B représente une image RVB représentative 120 et une fenêtre 122 (glissante) avec laquelle extraire des pixels pour définir des parcelles d’entrée se chevauchant (non illustré). Pour une image de visage complet, la fenêtre glissante est utilisée pour scanner de manière dense le visage afin de générer des parcelles avec des coordonnées se chevauchant. De cette manière, les pixels de l’image d’entrée 120 sont échantillonnés sur plusieurs parcelles se chevauchant de sorte que l’emplacement d’un pixel de l’image d’entrée 120 se trouve à différents endroits dans les parcelles se chevauchant. Pour un pixel particulier qui a le même emplacement dans l’image d’origine, son emplacement dans une parcelle se chevauchant variera en distance par rapport au centre. En d’autres termes, dans une parcelle se chevauchant, le pixel particulier peut être situé près du centre d’une parcelle se chevauchant et dans une autre parcelle se chevauchant, le pixel particulier peut être situé plus loin du centre, par exemple plus près d’un bord de l’autre parcelle se chevauchant.
Dans un mode de réalisation, toutes les parcelles d’entrée se chevauchant à partir de l’image RVB 120 sont traitées par le générateur A ayant suivi l’apprentissage (c’est-à-dire 102A, tel qu’ayant suivi l’apprentissage) pour produire des parcelles de sortie se chevauchant 124. Ces parcelles UV se chevauchent de la même manière que les images d’entrée se chevauchant. Le pipeline 100B présente un composant d’étape de fusion 126 qui accumule les pixels (se chevauchant) correspondant au même pixel par un vecteur de pondération calculé séparément décrit à la . Un composant de fusion 128 assemble les pixels fusionnés répondant aux parcelles se chevauchant en une image de sortie 130, une image UV qui correspond à l’image d’entrée 120 translatée du modèle de couleur RVB en UV. Conformément à un mode de réalisation, par le biais d’approches basées sur des parcelles, le générateur A est configurable pour un fonctionnement (par exemple, exécution), par exemple à l’aide d’appareils grand public courants, tels que les smartphones et les tablettes. Le fonctionnement peut se faire via une application native du système d’exploitation ou une application Web.
B. Fusion de parcelles L’un des inconvénients des modèles basés sur des parcelles est le problème du quadrillage (en reconstruction). Sur les tâches de translation image à image, le générateur a tendance à se concentrer sur la zone centrale d’une image de sortie et peut être moins invariant sur les pixels environnants. Une solution antérieure révèle une numérisation dense sur l’ensemble de l’image et prend la moyenne de toutes les valeurs de pixels (par ex. valeurs de pixels de nuance de gris dans le mode de réalisation illustré pour une image translatée dans le domaine UV) prédites aux mêmes coordonnées de pixels. Bien que cette méthode réduise considérablement l’effet de quadrillage à une quantité minimale avec la diminution de la taille de la fenêtre glissante, elle peut toujours apparaître lorsque l’on regarde les images de près. En outre, le temps d’inférence augmente de manière exponentielle avec la fréquence des scannages, par exemple pour produire de petites parcelles avec de petits pas.
Pour surmonter un effet de quadrillage sans encourir de pénalité de calcul, conformément à un mode de réalisation, il est proposé une nouvelle méthode de fusion qui calcule un vecteur pondéré à partir de masques gaussiens se chevauchant. L’idée est d’appliquer un vecteur de lissage qui pondère l’importance des pixels se chevauchant en fonction de leurs distances respectives par rapport au centre dans les parcelles générées.
La est une illustration de la fusion du composant 126 et de la fusion du composant 128 pour les opérations sur des pixels représentatifs dans les parcelles 124A, 124B et 124C se chevauchant. Dans un mode de réalisation, les composants de fusion fournissent une fusion de parcelles se chevauchant par pondération gaussienne normalisée. Comme illustré à la , le générateur A 102A génère plusieurs parcelles se chevauchant 124. À des fins d’illustration d’un exemple, on suppose qu’un emplacement de pixel particulier dans l’image RVB 120 est représenté dans trois parcelles RVB se chevauchant et qui, une fois les parcelles appliquées sur le générateur A, entraînent trois parcelles UV 124A, 124B et 124C se chevauchant. Il est entendu qu’une quantité plus ou moins importante de parcelles se chevauchant peut se produire en fonction de l’emplacement d’origine du pixel particulier dans l’image RVB 120, de la taille d’image d’origine et des paramètres de génération de parcelle utilisée pour générer les parcelles RVB.
Dans l’exemple de la , l’emplacement d’origine d’un pixel dans l’image 120 correspond à des emplacements de chevauchement 200A, 200B et 200C dans les trois parcelles UV 124A, 124B et 124C. Selon le présent mode de réalisation, l’emplacement original d’un pixel dans l’image 120 correspond au même emplacement dans l’image 130. Les valeurs de pixels 202A, 202B et 202C aux emplacements de chevauchement 200A, 200B et 200C sont obtenues pour l’opération de fusion. Trois masques gaussiens 203 correspondant aux parcelles UV 124A, 124B et 124C sont également représentés sur la . Pour les emplacements correspondants 200A, 200B et 200C, le(s) masque(s) UV fournissent des valeurs de masque de fusion 204A, 204B et 204C qui sont normalisées 204A', 204B' et 204C' pour utilisation. La normalisation est sensible à l’échelle du domaine UV, par exemple, le vecteur est normalisé pour s’ajouter à un. Il est entendu que des instances distinctes du masque 203 sont présentées à titre d’illustration, mais plusieurs masques ne sont pas nécessaires lors de l’exécution informatique des opérations. L’opération 206, un produit à points, illustre une application des valeurs de masque normalisées 204A', 204B' et 204C' aux valeurs de pixels 202A, 202B et 202C donnant une valeur de pixel fusionnée 208 avec laquelle produire une image UV 130. Des opérations similaires se répètent pour tous les pixels des parcelles respectives. Certains pixels peuvent être fusionnés avec plus ou moins d’autres pixels répondant à la présence ou non d’une ou plusieurs parcelles se chevauchant pour l’emplacement du pixel dans l’image d’origine. Dans un mode de réalisation, par exemple pour que les pixels près d’un coin de l’image d’entrée soient échantillonnés sur des parcelles se chevauchant, une image d’entrée peut être complétée avec des valeurs 0 pour les pixels (par exemple, une bordure noire) autour de la bordure de l’image en fonction de la taille de la fenêtre glissante et du pas. Les pixels de bordure noire n’ont pas d’impact sur le traitement et la bordure peut être rejetée lors de la construction de l’image de sortie pour obtenir une image d’une résolution égale à celle de l’image d’entrée d’origine.
Par conséquent, plusieurs parcelles se chevauchant sont fusionnées au moment de l’inférence pour rendre l’image UV de sortie. Le vecteur normalisé des valeurs de masque gaussien pondère le pixel généré à partir de chaque parcelle pour produire le pixel fusionné pour l’emplacement du pixel dans l’image de sortie.