Structure semi-conductrice (150) pour former une ou plusieurs diode(s) laser à cavité verticale comprenant : - un empilement (E) de couches semi-conductrices à base de composés III-V définissant un miroir de Bragg supérieur (30b), disposé sur une couche active (20) constituée d’au moins un puits quantique permettant une émission laser à une longueur d’onde définie (λ), ladite couche active (20) étant disposée sur un miroir de Bragg inférieur (30a), l’émission laser étant destinée à sortir de l’empilement (E) de couches semi-conductrices par le miroir de Bragg inférieur (30a), - un film de contact (40) semi-conducteur, directement disposé sous le miroir de Bragg inférieur (30a), le film de contact (40) présentant une première épaisseur (h 1 ) et un premier indice de réfraction complexe (n 1 ’) noté n 1 ’ = n 1 + i.k 1 , avec n 1 premier indice de réfraction et k 1 premier coefficient d’extinction pour la longueur d’onde définie (λ), - un substrat support (10) en arséniure de gallium semi-isolant présentant une face avant (10’) et une face arrière (10’’), - une couche d’oxyde (50) en contact avec la face avant (10’) du substrat support (10), et disposée entre ladite face avant (10’) et le film de contact (40), la couche d’oxyde (50) présentant une deuxième épaisseur (h 2 ) et un deuxième indice de réfraction complexe (n 2 ’) noté n 2 ’ = n 2 + i.k 2 , avec n 2 deuxième indice de réfraction et k 2 deuxième coefficient d’extinction pour la longueur d’onde définie (λ), la structure semi-conductrice (150) étant caractérisée en ce que : - la couche d’oxyde (50) est en contact direct avec le film de contact (40), du côté opposé au miroir de Bragg inférieur (30a), - les premier (k 1 ) et deuxième (k 2 ) coefficients d’extinction sont inférieurs ou égaux à 1, et - les première (h 1 ) et deuxième (h 2 ) épaisseurs sont respectivement définies par : h 1 = m 1 *λ/(4n 1 ) et h 2 = m 2 *λ/(4n 2 ), avec m 1 et m 2 des entiers. Structure semi-conductrice (150) selon la revendication précédente, dans laquelle les premier (k 1 ) et deuxième (k 2 ) coefficients d’extinction sont inférieurs ou égaux à 0,1. Structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la couche de contact (40) et la couche d’oxyde (50) présentent des coefficients d’extinction sur la gamme de longueurs d’onde 0,5 μm – 2 μm, inférieurs ou égaux à 1, préférentiellement inférieurs ou égaux à 0,1. Structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle la couche d’oxyde (50) est formée par un oxyde de silicium, un verre ou un oxyde de zinc. Structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le miroir de Bragg inférieur (30a) comprend moins de sept alternances de couches d’arséniure de gallium et d’arséniure d’aluminium, pour une longueur d’onde λ comprise entre 800 μm et 950 μm. Structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une interface de collage (60) direct, entre la couche d’oxyde (50) et le film de contact (40). Structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications 1 à 5, comprenant une interface de collage (60) direct, entre la couche d’oxyde (50) et le substrat support (10). Structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications 1 à 5, comprenant une interface de collage (60) direct, dans la couche d’oxyde (50). Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications précédentes, comprenant les étapes suivantes : - l’élaboration de l’empilement (E) de couches semi-conductrices sur un substrat initial (70) muni d’une couche de matériau de van der Waals (75), dans l’ordre suivant : le miroir de Bragg supérieur (30b) formé sur la couche de matériau de van der Waals (75), la couche active (20) formée sur le miroir de Bragg supérieur (30b) et le miroir de Bragg inférieur (30a) formé sur la couche active (20), - l’élaboration du film de contact (40) sur le miroir de Bragg inférieur (30a), formant ainsi une structure donneuse (130) comprenant le substrat initial (70), la couche de matériau de van der Waals (75), l’empilement (E) de couches semi-conductrices et le film de contact (40), - la formation de la couche d’oxyde (50), en tout ou partie, sur le film de contact (40) et/ou sur le substrat support (10), - l’assemblage par collage direct entre la structure donneuse (130) et le substrat support (10), le long d’une interface de collage (60) impliquant une face de la couche d’oxyde (50) ou étant incluse dans la couche d’oxyde (50), - la séparation au niveau de la couche de matériau de van der Waals (75), pour donner lieu à la structure semi-conductrice (150). Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice (150) selon l’une des revendications 1 à 8, comprenant les étapes suivantes : - l’élaboration du film de contact (40) sur un substrat initial (70), formant ainsi une structure donneuse (130’), - la formation de la couche d’oxyde (50), en tout ou partie, sur le film de contact (40) et/ou sur le substrat support (10), - l’assemblage par collage direct entre la structure donneuse (130’) et le substrat support (10), le long d’une interface de collage (60), impliquant une face de la couche d’oxyde (50) ou étant incluse dans la couche d’oxyde (50), - le retrait d’au moins une partie du substrat initial (70), donnant lieu une face libre du film de contact (40), - l’élaboration de l’empilement (E) de couches semi-conductrices sur la face libre du film de contact (40), dans l’ordre suivant : le miroir de Bragg inférieur (30a) disposé sur le film de contact (40), la couche active (20) disposée sur le miroir de Bragg inférieur (30a), et le miroir de Bragg supérieur (30b) disposé sur la couche active (20). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape de retrait implique une séparation le long d’un plan fragile enterré (71), parallèle à l’interface de collage (60), et la récupération de tout ou partie (73) du substrat initial (70).