INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre d’exemples indicatifs et nullement limitatifs de l’invention.
La est une vue éclatée d’un mode de réalisation d’un ensemble lumineux.
La est une vue partielle du mode de réalisation d’un tel ensemble.
La est une autre vue partielle du mode de réalisation d’un tel ensemble.
La est une vue schématique d’un premier mode de réalisation d’un système lumineux.
Elle concerne également un dispositif mémoire comprenant une mémoire résistive, ayant une capacité de (m+1)x(n+1) bits, et (m+1) amplificateurs de lecture configurés chacun pour amplifier et verrouiller un signal de donnée lu, via une ligne de bit particulière parmi les (m+1) lignes de bit, dans une des (n+1) cellules de mémoire associées à la ligne de bit particulière.
L’invention s’applique notamment, mais non exclusivement, à la lecture d’une mémoire résistive de type non-volatil. En d’autres termes, elle s’applique également à la lecture d’une mémoire résistive de type volatil. Chaque information élémentaire, appelée bit, est stockée dans une cellule de mémoire sous forme d’une valeur de résistance pouvant prendre deux valeurs, haute ou basse, représentant un bit de données (1 ou 0).
Un amplificateur de lecture est parfois aussi appelé « amplificateur de détection » (ou « sense amplifier » en anglais). Il fait partie des circuits de lecture qui sont utilisés lorsque des données sont lues à partir d’une mémoire. Sa tâche est de polariser la résistance connectée à une ligne de bit (ou « bit-line » en anglais) puis d'amplifier la tension développée aux bornes de la résistance à un niveau permettant l'utilisation de la donnée par d’autres circuits hors de la mémoire. Il y a un amplificateur de détection pour chaque ligne de bit, de sorte qu'il y a des dizaines ou même des centaines d'amplificateurs de détection identiques sur une puce de mémoire moderne.
2. ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE On s'attache plus particulièrement dans la suite de ce document à décrire la problématique existant dans le cas particulier des mémoires résistives de type non-volatil. Comme déjà mentionné plus haut, l'invention ne se limite bien sûr pas à cette application particulière et elle s’applique également aux mémoires résistives de type volatil.
Bien que les technologies de mémoire non volatile (NVM, pour « Non-Volatile Memory » en anglais) résistive telles que la RAM magnétique (MRAM, pour « Magnetic RAM » en anglais), la RAM à changement de phase (PCRAM, pour « Phase Change RAM » en anglais), la RAM résistive à base d'oxyde (OxRAM) et la RAM résistive (RRAM, pour « Resistive RAM » en anglais) soient des candidates prometteuses pour apporter la non-volatilité aux circuits de stockage de données, la faible consommation d'énergie, l'accès à grande vitesse, les densités élevées et l'évolutivité, les NVM résistives souffrent d'une faible fiabilité de lecture en raison de la mise à l'échelle de la technologie et des problèmes qui en résultent tels que les courants de fuite et les variations de processus croissantes.
Bien que les mémoires STT-MRAM (pour « Spin Transfer Torque MRAM » en anglais) soient considérées comme une alternative pour surmonter les problèmes de réduction d'échelle des technologies microélectroniques, elles sont confrontées à un problème de conception de circuit pour maintenir une fiabilité de lecture suffisante en raison de leur faible tension d'alimentation, de leur faible courant de lecture et des variations de processus croissantes. Au cours des dernières années, la conception de circuits de détection capables de surmonter la dégradation du rendement de lecture est devenue critique pour la mise en œuvre de STT-MRAM dans les nœuds des technologies fortement submicroniques (« deep-submicrometer technologies » en anglais).
Pour résoudre les problèmes de faible fiabilité de lecture induite par le décalage (« offset » en anglais), diverses techniques et topologies de détection ont été proposées. Les circuits de détection conventionnels sont composés d'un circuit de détection et d'un amplificateur de détection à verrouillage.
Dans la solution OC-VLSA (pour « Offset Cancellation - Voltage Latched Sense Amplifier » en anglais), un amplificateur de détection à verrouillage de tension avec annulation de décalage est proposé. Un comparateur compensé est utilisé pour verrouiller la tension détectée. Il stocke les tensions de seuil sur des condensateurs de couplage pour réduire l'impact de la tension de décalage d'entrée. A la suite de cet amplificateur de détection se trouve un DSTA-VLSA (pour « Double Switches and Transmission gate Access transistors - VLSA » en anglais) utilisé avec un SDSC (pour « Source Degeneration Sensing Circuit » en anglais). Le SDSC convertit le courant appliqué à la jonction tunnel magnétique (MTJ pour « Magnetic Tunnel Junction » en anglais) en une différence de tension, puis le signal précédemment généré est amplifié via un PCL (« PMOS Cross-coupled Latch » en anglais) et enfin verrouillé grâce au DSTA-VLSA pour générer un signal numérique. Cet amplificateur de détection conventionnel souffre d'une tension de décalage ramenée en entrée élevée (« high input-referred offset voltage ») causée par des variations de processus pendant la phase de verrouillage dans les nœuds avancés.
On présente ci-après plusieurs amplificateurs de détection à verrouillage (ou « latched-based sense amplifiers » en anglais) récemment proposés pour les STT-MRAMs : la solution LOC-SA (pour « Latch Offset Cancellation – Sense Amplifier » en anglais), décrite dans la publication suivante : « Song, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, S. H. Kang, and S.-O. Jung, “Latch Offset Cancellation Sense Amplifier for Deep Submicrometer STT-RAM,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 62, no. 7, pp. 1776–1784, jul 2015 » ; la solution OCHS-SA (pour « Offset-Compensated High-Speed – Sense Amplifier » en anglais), décrite dans la publication suivante : « D. G. Lee and S. G. Park, “STT-MRAM read-circuit with improved offset cancellation,” Journal of Semiconductor Technology and Science, vol. 17, no. 3, pp. 347–353, 2017 » ; et la solution IORC (pour « Improved Offset Read Circuit » en anglais), décrite dans la publication suivante : « L. Bagheriye, S. Toofan, R. Saeidi, and F. Moradi, “Offset-Compensated High-Speed Sense Amplifier for STT-MRAMs,” IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 26, no. 6, pp. 1051– 1058, 2018 ».
La solution LOC-SA, illustrée sur la , est un amplificateur de détection à verrouillage et annulation de décalage. Son mode de lecture est basé sur quatre phases consistant à égaliser (P1), développer (P2), comparer (P3) et verrouiller (P4). Le but de P1 est d'égaliser V data et V ref en court-circuitant les deux sorties pour améliorer la vitesse de détection puis de comparer V ref à V data pendant la phase P2 par les courants de saturation des transistors M1, M2, M5 et M6. Le signal est amplifié sans décalage ajouté en P3 pour être finalement verrouillé et produire ainsi une sortie numérique. Cette architecture remplit plusieurs fonctions. Elle fusionne le SDSC, le PCL et le DSTA-VLSA mentionnés plus haut.
La solution OCHS-SA, illustrée sur la , est un amplificateur de détection à haute vitesse compensé en décalage. Sa topologie est similaire à celle du LOC-SA. Il effectue l'opération de détection en trois phases : précharge (P1), évaluation (P2) et verrouillage (P3). Pendant la phase de précharge, les lignes de bit sont polarisées par les transistors M1 et M2 connectés par des diodes. De la même manière que le LOC-SA, la phase d'évaluation ou de développement (P2) utilise le mécanisme de rétroaction positive du PCL pour amplifier la différence de tension de la ligne de bit. La marge de détection étant suffisamment grande, la dégradation des performances due au désappariement (« mismatch ») entre les charges PMOS peut être atténuée. La phase de verrouillage P3 amplifie la différence de tension développée dans P2 pour fournir des signaux numériques.
L'intérêt principal des architectures LOC-SA et OCHS-SA, outre le fait qu'elles offrent une solution compacte, est leur robustesse face au désappariement entre dispositifs pendant la phase d'amplification par le PCL. Cependant, elles souffrent toujours du désappariement pendant l'étape de développement du signal (P2) où, si le désappariement est suffisamment important, le signe de la différence de tension produite peut être inversé, produisant ainsi une erreur.
La solution IORC, illustrée sur la , est un circuit de lecture à annulation de décalage amélioré. Dans le cadre de l'annulation du décalage, la solution IORC propose une architecture dans laquelle l'information de désappariement (« mismatch ») est stockée dans un condensateur. Cela présente l'avantage d'annuler le décalage (« offset ») dans la phase de développement du signal et dans la phase d'amplification du signal. Basée sur la même topologie de verrouillage que dans les travaux décrits précédemment, l'opération de lecture se compose de quatre phases. Dans un premier temps, des courants identiques, issus de transistors identiques utilisés comme sources de courant, sont fournis aux deux cellules de référence connectées. La différence de tension due au désappariement des dispositifs entre les références identiques est stockée dans un condensateur. Dans la deuxième phase, le condensateur est déconnecté et la cellule de donnée est connectée. Les sources de courant M3 et M4 fournissent des courants comme dans la première phase. La différence entre les tensions générées, corrigée par le désappariemment stocké dans le condensateur, est amplifiée par la rétroaction positive du PCL pendant la troisième phase. Enfin, le signal préamplifié est détecté par le verrouillage et produit une sortie numérique. Des temps de détection plus longs et des consommations d'énergie importantes sont signalés dans cette architecture en raison du stockage du désappariement (« mismatch ») dans le condensateur.
A la lecture de ce qui précède, on comprend qu’il existe aujourd’hui un besoin pour un amplificateur de lecture (« sense amplifier ») pour mémoires résistives, qui offre de meilleurs résultats que les solutions connues.
En d’autres termes, il existe un besoin pour un amplificateur de lecture qui présente les avantages d’une fiabilité de détection, d'une surface de silicium compacte, d'une faible consommation d'énergie (faible puissance), d'un temps de détection rapide (haute vitesse) et d’une compensation efficace du décalage (« offset ») résultant des effets de désappariement (« mismatch »).
3. RÉSUMÉ Dans un mode de réalisation de l’invention, il est proposé un circuit de lecture comprenant un amplificateur de lecture configuré et commandé par une unité de commande pour amplifier et verrouiller un signal de donnée lu, via une ligne de bit, dans une cellule de mémoire d’une mémoire résistive, la cellule de mémoire possédant une résistance variable. L’amplificateur de lecture comprend : une première branche comprenant des premier et deuxième transistors montés pour former un premier inverseur logique, et dont les électrodes d’entrée sont raccordées, directement ou non, à une alimentation et à la masse respectivement ; une deuxième branche comprenant des troisième et quatrième transistors montés pour former un deuxième inverseur logique, et dont les électrodes d’entrée sont raccordées, directement ou non, à l’alimentation et à la masse respectivement ; un condensateur reliant une sortie du premier inverseur logique avec une entrée du deuxième inverseur logique ; un jeu d’interrupteurs comprenant : un premier interrupteur reliant l’électrode de commande et l’électrode de sortie du premier transistor ; un deuxième interrupteur reliant l’électrode de commande et l’électrode de sortie du troisième transistor ; un troisième interrupteur reliant l’électrode de commande du premier transistor et l’électrode de sortie du troisième transistor ; un quatrième interrupteur reliant la résistance variable, via la ligne de bit, à l’électrode d’entrée d’un des transistors qui est situé sur une des première et deuxième branches ; et un cinquième interrupteur reliant ladite électrode d’entrée d’un des transistors à une première extrémité d’une première résistance de référence dont une deuxième extrémité est reliée à un élément donné du groupe constitué de l’alimentation et de la masse ; une deuxième résistance de référence, de même valeur que la première résistance de référence, et ayant une première extrémité reliée audit élément donné du groupe constitué de l’alimentation et de la masse, et une deuxième extrémité reliée à l’électrode d’entrée d’un autre des transistors qui est situé sur l’autre des première et deuxième branches.
Elle est présente notamment chez certaines bactéries, chez certains champignons et chez certaines algues, mais est absente chez les animaux.
Si cette voie métabolique est globalement commune aux organismes qui l'utilisent, chacun d'entre eux la met en œuvre d'une manière particulière, de sorte qu’il en existe, en réalité, de nombreuses variantes.
Le DHNA est naturellement produit en petites quantités par la bactérie Escherichia coli dans la biosynthèse de la ménaquinone, en tant qu’intermédiaire de biosynthèse de la ménaquinone, au sein de la voie du shikimate.
De manière générale, la production de molécules chimiques au niveau industriel peut s’avérer être complexe, et/ou avoir des conséquences négatives sur l’environnement. S’agissant de la synthèse chimique, évidemment, elle n’est pas sans conséquences sur l’environnement, et elle ne conduit pas à une molécule susceptible d’être qualifiée de naturelle, notamment d’un point de vue réglementaire, au contraire de la molécule obtenue par synthèse bactérienne.
L’élaboration de procédés naturels alternatifs aux synthèses chimiques est difficile, notamment s’agissant de procédés de fermentation, car il est nécessaire dans ce cas de transformer des organismes afin de faire évoluer leur fonctionnement, toujours complexe, dans le sens d’une production de molécules d’intérêt particulières.
Dans ce cadre, la maitrise d’un procédé de synthèse fermentaire de DHNA simple à mettre en œuvre et efficace est particulièrement stratégique.
Dans ce contexte, un certain nombre de démarches ont été entreprises dans l’art antérieur, sans toutefois donner lieu à l’élaboration d’une synthèse par voie fermentaire de DHNA simple à mettre en œuvre et efficace.
Par exemple, dans l’art antérieur, de nombreuses méthodes de production de DHNA au moyen de bactéries anaérobies sont divulguées.
C’est ainsi que dans la publication Furuichi, Keisuke, Ken-ichi Hojo, Yoshio Katakura, Kazuaki Ninomiya, et Suteaki Shioya. « Aerobic Culture of Propionibacterium Freudenreichii ET-3 Can Increase Production Ratio of 1,4-Dihydroxy-2-Naphthoic Acid to Menaquinone. », Journal of Bioscience and Bioengineering 101, no 6 (juin 2006): 464-70, il est divulgué que certaines cultures de bactéries anaérobies Propionebacterium freudenreichii ET-3 peuvent présenter de forte production de DHNA et de ménaquinone.
Il y est précisé qu’en présence d’oxygène, les bactéries peuvent utiliser le propionate pour synthétiser du DHNA, mais que l’oxygène empêche le développement des bactéries et oxyde le DHNA à terme.
Globalement, cette publication dissuade l’homme du métier de produire du DHNA en présence d’oxygène, quel que soit le procédé employé.
De plus, ce procédé apparait immédiatement à l’homme du métier comme étant relativement complexe.
Par ailleurs, dans la publication Furuichi, Keisuke, Atsuko Amano, Yoshio Katakura, Kazuaki Ninomiya, et Suteaki Shioya. « Optimal Aerobic Cultivation Method for 1,4-Dihydroxy-2-Naphthoic Acid Production by Propionibacterium Freudenreichii ET-3 . », Journal of Bioscience and Bioengineering 102, no 3 (septembre 2006): 198-205, il est divulgué une optimisation de la culture de bactéries anaérobies Propionebacterium freudenreichii ET-3 dans des conditions d’anaérobie puis aérobie, aux fins de la production de DHNA.
Une des conclusions tirées est qu’il est opportun de prévoir plusieurs cycles anaérobie-aérobie, notamment trois cycles anaérobie-aérobie. Ce procédé apparait immédiatement à l’homme du métier comme étant relativement complexe.
Par ailleurs, dans la publication Furuichi, Keisuke, Yoshio Katakura, Kazuaki Ninomiya, et Suteaki Shioya. « Enhancement of 1,4-Dihydroxy-2-Naphthoic Acid Production by Propionibacterium Freudenreichii ET-3 Fed-Batch Culture. », Applied and Environmental Microbiology 73, no 10 (mai 2007): 3137-43, il est divulgué qu’une culture de bactéries anaérobies Propionebacterium freudenreichii ET-3 peut donner lieu à la production d’une grande quantité de DHNA, notamment en combinant des étapes anaérobies avec supplémentation et aérobies.
Ce procédé apparait immédiatement à l’homme du métier comme étant relativement complexe.
Cela permet avantageusement de permettre un montage dans une zone critique dépourvue d’exposition au soleil, par exemple, un tunnel. Une telle configuration permet en outre de réduire l’encombrement étant donné qu’il n’est pas nécessaire de prévoir un capot.
Selon un aspect, le dispositif de surveillance comprend au moins un accumulateur électrique configuré pour être alimenté en énergie électrique par le générateur d’énergie électrique. Le stockage d’énergie électrique permet l’utilisation d’énergie électrique générée préalablement lorsque les conditions ne permettent pas au générateur d’énergie électrique d’alimenter le dispositif de surveillance.
Selon un aspect, le dispositif de surveillance comprend au moins une sonde météo configurée pour réaliser une mesure de point de rosée au voisinage du fil de contact , la sonde météo étant alimentée en énergie électrique par le générateur d’énergie électrique.
Selon un aspect, le dispositif de surveillance comprend au moins un capteur de mesure de la pression atmosphérique. Selon un aspect, le dispositif de surveillance comprend au moins un capteur de mesure de la température ambiante.
L’invention concerne également un ensemble comprenant un fil de contact de caténaire et au moins un dispositif de surveillance tel que présenté précédemment, le dispositif de surveillance étant positionné au-dessus du fil de contact.
Selon un aspect, le fil de contact comprenant au moins une rainure longitudinale, le dispositif de surveillance comprend au moins un organe de fixation configuré pour coopérer avec la rainure longitudinale.
L’invention concerne également un procédé de surveillance de température d’un fil de contact de caténaire par un dispositif de surveillance tel que présenté précédemment, le dispositif de surveillance étant positionné au-dessus du fil de contact, le procédé comprenant des étapes consistant à : Réaliser une mesure de température d’une surface supérieure du fil de contact avec le capteur de température ; transmettre au moins une mesure de température issue du capteur de température avec l’organe de transmission sans fil ; générer de l’énergie électrique par effet Seebeck pour alimenter le capteur de température et l’organe de transmission avec le générateur d’énergie électrique.
Avantageusement, le procédé de surveillance comprend des étapes consistant à : comparer la température mesurée à une température de référence avec l’organe de transmission sans fil ; transmettre la température mesurée dans le cas où ladite température mesurée est supérieure à la température de référence avec l’organe de transmission sans fil à un récepteur à distance ; itérer les étapes précédentes selon un pas temporel prédéfini.
Dans une telle configuration, le dispositif peut transmettre une information de température à un récepteur à distance uniquement si ladite température représente une anomalie, ce qui permet de réduire sensiblement l’énergie électrique consommée par l’organe de transmission sans fil. De préférence, des mesures sont émises néanmoins de manière périodique pour s’assurer du bon fonctionnement du dispositif de surveillance.
L’invention concerne également un procédé de montage d’un ensemble de surveillance comme décrit ci-dessus, comprenant : le montage du dispositif de surveillance sur le fil de contact de sorte que le dispositif de surveillance est positionné au-dessus du fil de contact et que le capteur de température du dispositif de surveillance est en contact avec la surface supérieure du fil ; la mise en position des organes de fixation dans les rainures du fil de contact ; le maintien en position des mors des organes de fixation par serrage, dans les rainures du fil de contact.
La est une représentation schématique de côté d’un fil de contact de caténaire équipé d’une pluralités de dispositifs de surveillance selon une forme de réalisation de l’invention ;
La est une représentation schématique fonctionnelle d’un dispositif de surveillance selon une forme de réalisation de l’invention ;
La est une représentation schématique en perspective de dessous d’un dispositif de surveillance selon une forme de réalisation de l’invention ;
La est une représentation schématique de côté du dispositif de surveillance de la ;
La est une représentation schématique de côté d’un dispositif de surveillance selon un autre forme de réalisation de l’invention ;
De manière plus précise, la partie de guidage 11 comprend avantageusement au moins une joue de guidage 25, préférentiellement deux joues de guidage 25 destinées chacune à s’insérer dans une fente 10. De telles joues de guidage 25 sont un exemple de moyen mis en œuvre pour bloquer la rotation de la partie de guidage 11.
Comme il peut être observé sur les figures, les joues de guidage 25 comprennent un passage 14 débouchant entre le creux 3, qui définit l’intérieur du boîtier 2, et l’extérieur du boîtier 2, c’est-à-dire l’espace entourant le pan externe 42.
De cette façon, en positionnant la lame 16 de l’organe de coupe 6 face au passage 14, il est possible d’évacuer les découpes dans une direction sécante voire perpendiculairement à la direction d’élongation du boîtier 2, autrement dit latéralement. Une telle disposition offre l’avantage de conférer la possibilité à l’utilisateur de l’ensemble de coupe 1 de récupérer facilement les découpes, sans qu’il soit nécessaire d’ouvrir le boîtier 2.
Plus précisément, et sans que cela soit limitatif, les joues de guidage 25 comprennent chacune deux surfaces de guidage 44 parallèles reliées par un bord de liaison 45, formant le passage 14.
De cette façon, les joues de guidage 25 jouent à la fois un rôle de guide pour l’élément découpant mobile 5, et un rôle d’évacuation des découpes. De cette façon, le nombre de pièces constituant l’ensemble de coupe 1 est limité, ce qui facilite la fabrication, mais également rend le nettoyage après utilisation aisé.
Dans le premier mode de réalisation, l’organe de coupe 6 est assemblé et verrouillé sur la partie de guidage 11, grâce à un moyen de verrouillage (non représenté sur les figures), par exemple actionnable manuellement. L’utilisateur peut ainsi facilement séparer l’organe de coupe 6 de la partie de guidage 11, autrement dit l’organe de coupe 6 est amovible par rapport à la partie de guidage 11.
Dans d’autres variantes non représentées du premier mode de réalisation, l’organe de coupe 6 est venu de matière de la partie de guidage 11.
Comme il peut être observé en particulier sur la , l’organe de coupe 6 comprend un flanc 8 formant une enveloppe définissant une cavité 7. Autrement dit l’organe de coupe 6 présente une forme général d’un volume creux. Plus spécifiquement, le flanc 8 présente une forme sensiblement conique ou tronconique, ayant une embase 46 faisant face au support d’aliment 4.
Dans le premier mode de réalisation, l’organe de coupe 6 comprend un sommet 51, opposé à l’embase 46. Un tel sommet 51 permet la solidarisation de l’organe de coupe 6 par l’intermédiaire d’un organe de retenue 52 ménagé dans la partie de guidage 11, par exemple par un système de baïonnettes.
En d’autres termes, l’organe de coupe 6 présente une forme sensiblement conique, ou tronconique, autrement dit une forme de taille-crayon, ce qui permet de réaliser des découpes en forme de spirale. En outre, en raison de la forme générale du moyen de coupe conique ou tronconique, le flanc définit un angle solide, permettant de faciliter la mise en position de l’aliment et donc du légume dans le boîtier 2.