INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La portion à décélération constante réelle dépend notamment des paramètres pistes.
Par exemple, le profil de décélération réelle comprend en outre au moins une portion transitoire entre le point de toucher réel 22 et le point d’établissement de la décélération constante réelle.
L’au moins une portion transitoire du profil de décélération réelle est située avant l’au moins une portion à décélération constante réelle.
Par exemple, la portion transitoire du profil de décélération réelle comprend une partie à décélération sensiblement nulle suivie d’une ou plusieurs rampes de décélération jusqu’à la décélération constante réelle.
La portion transitoire du profil de décélération réelle dépend de la vitesse réelle de l’aéronef 12 au toucher, de la valeur de décélération constante réelle, des paramètres de conditions d’atterrissage au toucher et des paramètres piste.
La portion transitoire du profil de décélération réelle correspond par exemple à une période de temps comprise entre 0 s et 5 s après le toucher réel de l’aéronef 12 sur la piste d’atterrissage 12.
Le système 30 est configuré pour déterminer le profil de décélération réelle en fonction de la distance sol réelle d 2f .
Lors de l’utilisation de la composition selon la présente invention, elle sera mélangée, par exemple, par agitation avec les mains (agitation manuelle). Après mélange de la composition selon la présente invention, la composition peut former une composition monophasique. La composition monophasique peut être appliquée sur une substance kératineuse pour réaliser des effets cosmétiques cibles.
La substance kératineuse peut être la peau, les ongles, les muqueuses telles que les lèvres, ou les fibres kératineuses telles que les sourcils et les cils.
La composition selon la présente invention peut préférentiellement être utilisée comme composition cosmétique, plus préférentiellement comme composition cosmétique nettoyante, et encore plus préférentiellement comme composition cosmétique nettoyante pour la peau et les cils.
La peau englobe ici la peau du visage, la peau du cou et le cuir chevelu. La composition selon la présente invention peut également être utilisée pour les muqueuses telles que les lèvres.
La composition selon la présente invention peut offrir des effets cosmétiques tels que le démaquillage.
La composition selon la présente invention est confortable parce qu’elle est moins irritante, et est douce pour la peau, en particulier la peau sensible telle que la peau autour des yeux.
La composition selon la présente invention pourrait également offrir une bonne texture telle qu’une sensation lisse au toucher, et par conséquent, elle pourrait offrir un fini lisse pour la peau.
La composition selon la présente invention peut être utilisée telle quelle (en tant que produit topique), ou peut être utilisée en étant imprégnée dans un substrat poreux tel qu’un tissu non tissé préférentiellement réalisé à partir de fibres de cellulose telles que le coton.
En particulier, la composition selon la présente invention peut être destinée à être appliquée sur une substance kératineuse telle que la peau, les lèvres, les cils et les cils. Ainsi, la composition selon la présente invention peut être utilisée pour un processus cosmétique pour une substance kératineuse telle que la peau, les lèvres, les sourcils et les cils, préférentiellement la peau et les cils.
La composition selon la présente invention peut être utilisée pour le soin ou le nettoyage, et non pour le maquillage, d’une substance kératineuse. Il est préférable que la composition selon la présente invention soit utilisée pour des produits de soin de la peau tels qu’une lotion ou des produits nettoyants tels qu’un démaquillant, et non pour des produits de maquillage tels qu’un fond de teint. Préférentiellement la composition selon la présente invention ne comprend pas d'oxyde de fer, ou comprend de l'oxyde de fer en une quantité de 0,5 % en poids ou moins, préférentiellement de 0,2 % en poids ou moins, encore plus préférentiellement de 0,1 % en poids ou moins, par rapport au poids total de la composition selon la présente invention.
Le processus cosmétique pour une substance kératineuse selon la présente invention peut comprendre, au moins, les étapes de
mélange de la composition selon la présente invention pour former une composition monophasique ; et
application de la composition monophasique sur la substance kératineuse.
La composition monophasique n'a pas deux phases visuellement distinctes. Au lieu de cela, la composition monophasique a une phase unique qui est généralement une phase d’émulsion. La phase d’émulsion peut ne pas être transparente, mais elle peut être translucide ou opaque.
La présente invention peut concerner l’utilisation
(b) d'au moins un composé cétone aromatique, et
Pour ce faire, une représentation cartographique CR du corps de chaque patient peut être stockée dans la mémoire 7.
Il est connu de l’homme du métier qu’il existe plusieurs techniques pour générer une représentation cartographique CR du corps d’un individu, et d’un patient en particulier.
Une telle représentation cartographique CR peut être construite à partir d’images ou de photographies du patient, par exemple en utilisant un appareil de type scanner tridimensionnel. Dans le contexte médical, il est possible d’utiliser des images acquises à l’aide d’une technique d’imagerie médicale telle qu’une tomodensitométrie – aussi appelée scanographie et souvent désignée par l’abréviation anglophone CT-scan pour « computed tomography » – ou une imagerie par résonance magnétique (IRM).
Le dispositif 1 peut aussi être équipé d’une caméra ou d’un appareil photographique numérique qui peut être utilisé pour acquérir des images ou des photographies du patient aux fins de génération d’une représentation cartographique CR du corps de celui-ci.
Une autre possibilité est d’utiliser un logiciel apte à générer une représentation cartographique CR à partir de données morphologiques du patient telles que l’indice de masse corporelle (IMC).
À titre d’exemples, le problème de l’obtention d’une représentation cartographique CR aussi fidèle que possible au corps du patient est abordé par les brevets européens EP 3 043 706 B1 et EP 3 043 707 B1 qui traitent d’une manière générale de la cartographie des douleurs d’un patient et de la conversion en centimètres carrés (cm 2 ) des pixels d’une zone douloureuse dessinée par le patient sur la représentation cartographique CR.
La mise en œuvre de la fonction graphique se traduit par la mise à disposition d’un utilisateur – typiquement le patient – d’outils graphiques permettant de délimiter, sur la représentation cartographique CR affichée par l’écran 3, une ou plusieurs zones douloureuses et d’attribuer à chacune de ces zones un coefficient représentatif de l’intensité de la douleur.
Un exemple des fonctionnalités et options associées à la fonction graphique sont représentées sur la , la , la et la qui illustrent la représentation cartographique CR d’un même patient au cours de plusieurs sessions d’utilisation du dispositif 1.
De telles fonctionnalités et options permettent à un patient de dessiner une zone douloureuse sous la forme d’une courbe fermée. Il est possible pour le patient, soit de délimiter une zone douloureuse puis de sélectionner le coefficient à attribuer à la zone délimitée, soit directement de sélectionner le coefficient puis de délimiter la zone douloureuse qui se voit alors attribuer automatiquement le coefficient sélectionné.
La fonction graphique peut autoriser un dessin libre ou proposer des formes géométriques prédéterminées, notamment une forme circulaire, dont le patient peut ajuster les dimensions. Par ailleurs, la fonction graphique peut offrir au patient des fonctionnalités et options classiques d’une application de dessin telles qu’une gomme – pour effacer tout ou partie du dessin réalisé –, un zoom, une palette de sélection de l’épaisseur des outils de dessin, une annulation de la dernière action réalisée ou encore la possibilité de se déplacer, via une rotation ou une translation, pour accéder à toutes les zones de la représentation cartographique CR.
Avantageusement, la fonction graphique comporte un mécanisme d’auto-calibrage pour compenser les éventuelles approximations du patient lorsque celui-ci indique les zones douloureuses sur l’écran 3.
Là encore, les brevets européens EP 3 043 706 B1 et EP 3 043 707 B1 évoqués plus haut détaillent une solution possible pour programmer un tel auto-calibrage. Pour ce faire, le professionnel de santé peut demander au patient d’indiquer, sur la représentation cartographique CR, des points-cibles désignés par contact sur le corps physique du patient. Les points-cibles peuvent être choisis dans une liste prédéfinie de repères morphologiques. Les écarts éventuels entre les points-cibles et les points désignés par le patient sont calculés puis utilisés pour adapter la configuration de la fonction graphique afin de corriger ultérieurement les imprécisions de la perception que le patient a des positions des points douloureux de son corps.
Par ailleurs, le processeur 5 est agencé pour générer, à chaque session d’utilisation du dispositif 1, un jeu de données graphiques. Un tel jeu de données graphiques permet de restituer les interactions du patient avec le dispositif 1, à savoir la délimitation des zones douloureuses et le coefficient attribué à chacune.
Étant donné que le phénomène de la centralisation correspond à une évolution temporelle de la répartition de la douleur, chaque jeu de données graphiques inclut un marqueur temporel – aussi désigné par le terme anglophone « timestamp » – qui correspond à une session d’utilisation du dispositif 1. Un tel marqueur temporel permet, au sein du dispositif 1, de conserver un historique des sessions d’utilisation du dispositif 1 et donc d’enregistrer le déplacement de la douleur.
En plus du marqueur temporel, un jeu de données graphiques inclut des données de position de la ou des zones douloureuses délimitées par le patient au cours de la session d’utilisation du dispositif 1 ainsi que le ou les coefficients respectivement attribués.
Comme détaillé dans la suite de la description, le processeur 5 est agencé en outre pour sélectionner un jeu de données graphiques de référence – qui fait office de point de départ pour établir la présence d’un phénomène de centralisation – et pour en déduire un point source.
Les figures 13 à 15 illustrent l’étape de formation S6 des colonnes de couplage 62. De la même manière que les lignes de couplage 61, Les colonnes de couplage 62 forment avantageusement, avec les diélectriques de flanc 41, une grille au niveau de chaque pilier 3. Les lignes et les colonnes de couplage 61, 62 sont ainsi destinées à appliquer un champ électrostatique sur deux portions distinctes d’un même pilier 3, permettant d’autoriser ou bloquer le passage d’électrons dans ledit pilier 3. Les lignes et colonnes de couplage 61, 62 sont agencées de sorte qu’appliquer un potentiel électrique à l’une des lignes 61 et l’une des colonnes 62 permet d’autoriser ou bloquer le passage d’électrons d’un seul pilier 3 parmi la pluralité de piliers 3. Les lignes et colonnes de couplage 61, 62 permettent ainsi l’indexation individuelle des qubits pour, par exemple, initialiser ou mesurer leur état.
Il est ainsi également avantageux que le couplage de chaque colonne de couplage 62 avec les piliers 3 soit reproductible et maximal. Il est ainsi préférable que les colonnes de couplage 62 entourent, de la même manière que les lignes de couplage 61, une portion annulaire d’un diélectrique de flanc 41 d’un pilier 3. Pour cela, chaque colonne de couplage 62 est en contact avec au moins un diélectrique de flanc 41. De préférence, chaque colonne de couplage 62 est formée S6 de manière à entourer une portion annulaire d’au moins un diélectrique de flanc 41, dépassant de la première couche de séparation 51.
Les colonnes de couplage 62 s’étendent avantageusement sur la première couche de séparation 51. Elles s’étendent ainsi parallèlement à la face avant 2a de la couche qubits 2. La première couche de séparation 51, recouvrant les lignes de couplage 61 et de contrôle 71, permet d’assurer une isolation électrique entre les lignes et les colonnes 61, 71, 62. Toutefois, il peut subsister un couplage capacitif entre les lignes et les colonnes 61, 71, 62. Afin de réduire le couplage capacitif, il est avantageux que les colonnes de couplage 62 soient réalisées de manière à croiser les lignes de couplages 61 et les lignes de contrôle 71 selon un angle sensiblement droit. Par angle sensiblement droit, on entend droit à ± 30° près, préférentiellement à ± 20° près, voire à ± 10° près.
Ainsi, les colonnes de couplage 62 s’étendent préférentiellement parallèlement entre elles et selon la direction X. Ainsi, elles peuvent contacter les diélectriques de flanc 41 d’une pluralité de piliers 3 alignés selon la direction X et réduire le couplage capacitif avec les lignes de couplages 61 et de contrôle 71.
Les piliers 3 étant agencés en quinconce et formant des lignes et des colonnes selon, respectivement, la direction Y et la direction X, les colonnes de couplages 62 sont alors préférentiellement orientées perpendiculairement aux lignes de couplage 61. Il est toutefois envisageable que les colonnes de couplage 62 forment un autre angle avec les lignes de couplage 61, par exemple égal à 45°. Auquel cas, les deuxièmes électrodes conductrices 62 sont appelées « diagonales de couplage ».
L’étape de formation S6 des colonnes de couplage 62 est préférentiellement similaire à l’étape de formation S3 des lignes de couplage 61 telle qu’illustrée par les figures 8 à 10. Elle fait intervenir le dépôt d’une deuxième couche métallique M2 de manière à former des capuchons CAP sur les piliers 3. L’emploi d’une couche diélectrique sacrificielle F permet alors de retirer, en deux temps les capuchons CAP et former les colonnes 62.
La illustre l’étape de dépôt S7 d’une deuxième couche de séparation 52. Ladite deuxième couche de séparation 52 repose sur la pluralité de colonnes de couplage 62 et enrobe ladite pluralité de colonnes 62. Le dépôt S7 de la deuxième couche de séparation 52 peut être réalisée de la même manière que le dépôt S5 de la première couche de séparation 51. La deuxième couche de séparation 52 peut également être réalisée à partir d’oxyde de silicium SiO 2 . La deuxième couche de séparation 52 enrobe les colonnes de couplage 62 et peut également recouvrir la première couche de séparation 51. Aussi, la deuxième couche de séparation 52 présente une épaisseur, mesurée à partir de la première couche de séparation 51, comprise entre 20 nm et 40 nm.
L’épaisseur de la deuxième couche de séparation 52 est configurée pour qu’une portion de chaque pilier 3 dépasse de ladite deuxième couche de séparation 52. De la sorte, une troisième portion annulaire de chaque diélectrique de flanc 41, entourant chaque pilier 3, dépasse également de ladite deuxième couche 52. Cette portion annulaire s’étend alors sur toute la hauteur du pilier 3 qui dépassent de la deuxième couche 52, c’est à dire de la surface libre de la deuxième couche 52 jusqu’à la tête 32 de chaque pilier 3, affleurant ainsi les plots de protection 3a posés sur chaque pilier 3. L’épaisseur de la deuxième couche de séparation 52 et/ou la hauteur de chaque pilier 3 est choisie de sorte que la hauteur de la portion dépassant de la couche de séparation 52 soit comprise entre 5 nm et 20 nm inclus, par exemple 10 nm.
Afin d’ajuster l’épaisseur de la deuxième couche de séparation 52, elle peut être, dans un premier temps, déposée de manière à dépasser le sommet des plots de protection 3a. Dans un second temps, elle peut être aplanie jusqu’à affleurer le sommet des plots de protection 3a. Enfin, la deuxième couche de séparation 52 peut être gravée de manière anisotrope afin de mettre à nu les plots de protection 3a et les portions annulaires de chaque diélectrique de flanc 41.
Les figures 17 à 18 illustrent la formation S8 des lignes de lecture 81. Chaque ligne de lecture 81 formée est préférentiellement en contact avec le matériau semiconducteur d’un pilier 3. Afin d’obtenir un bon contact électrique entre les lignes de lecture et les pilier 3, il est avantageux que chaque ligne de lecture 81 soit en contact avec une surface de contact dédiée pour chaque pilier 3. Dans l’exemple de la , les lignes de lecture 81 s’étendent selon la direction Y et connectent une surface de contact d’une pluralité de piliers 3. Chaque ligne de lecture 81 peut également être en contact avec le flanc d’un plot de protection 3a. Dans l’exemple des à 18, les lignes de lecture 81 s’étendent sur la deuxième couche de séparation 52 et recouvrent le chaque plot de protection 3a.
Afin de réduire le couplage capacitif entre les colonnes de couplage 62 et les lignes de lecture 81, ces dernières sont avantageusement orientées perpendiculairement aux colonnes de couplage 62.
La formation S8 des lignes de lecture 81 peut comprendre, dans un premier temps, le retrait du diélectrique de flanc 41 libre, dépassant de la deuxième couche de séparation 52, tel qu’illustré par la . Ce retrait comprend par exemple la gravure des portions annulaires de chaque diélectrique de flanc 41 dépassant de la deuxième couche de séparation 52, de manière à mettre à nu une portion annulaire 330 au niveau de la tête 32 de chaque pilier 3. Cette portion annulaire 330 peut également être appelée « surface de contact ». La surface de contact 330 peut être utilisée pour connecter électriquement le pilier 3 à une électrode de lecture 81 permettant de lire l’état du qubit situé à l’aplomb dudit pilier 3.
La gravure du diélectrique de flanc 41 est préférentiellement réalisée de manière à les retirer complètement. Pour cela, ladite gravure peut être réalisée sélectivement, au moins par rapport aux plots de protection 3a. Lorsque les diélectriques de flanc 41 sont composés de SiO2, la gravure peut être réalisée au moyen d’acide fluorhydrique HF dilué.
La formation S8 des lignes de lecture 81 peut comprendre, dans un deuxième temps, le dépôt d’une troisième couche conductrice M3, en contact avec la surface de contact 330 de chaque pilier 3 et sur la deuxième couche de séparation 52, tel qu’illustré par la . La troisième couche conductrice M3 présente une épaisseur pouvant être comprise entre 10 nm et 15 nm. La troisième couche conductrice M3 peut être réalisée à partir de silicium polycristallin dopé. Son dépôt peut être précédé d’une épitaxie de silicium dopé au phosphore Si :P ou de silicium et germanium dopé au bore SiGe :B. De cette manière, l’interface entre la surface de contact 330 de chaque pilier 3 et la troisième couche conductrice M3 est améliorée.
La formation S8 des lignes de lecture 81 peut également comprendre la structuration de la troisième couche conductrice M3 de manière à obtenir chaque ligne de lecture 81 telles qu’illustrées par la . La structuration de troisième couche conductrice M3 peut être réalisée par photolithographie d’un masque de résine à travers lequel troisième couche conductrice M3 est gravée. La structuration est préférentiellement réalisée de manière à former des lignes de lecture 81 sensiblement parallèles les unes aux autres. Par sensiblement parallèle, on entend parallèle à ± 30° près, préférentiellement à ± 20°, voire à ± 10° près. Elle est également réalisée de manière à disposer deux lignes de lecture 81 de part et d’autre d’un pilier 3, chacune des lignes étant au moins en contact avec la surface de contact 330 dudit pilier 3. Les lignes de lecture 81 illustrées par la comprennent également une pluralité de portions transversales 810 recouvrant entièrement les plots de protection 3a et les surface de contact 330 des piliers 3. Les portions transversales 810 apparaissent lorsque le masque en résine photolithographié comporte des portions au-dessus de chaque pilier 3, protégeant ces dernier pendant la gravure et évitant de retirer la troisième couche conductrice M3 des flancs des plots de protection 3a et des surfaces de contact 330.
La structuration de la troisième couche conductrice M3 peut également être réalisée de manière auto-alignée, sans nécessiter de portions transversales 810. La gravure de la troisième couche conductrice M3 est par exemple réalisée de manière anisotrope à travers un masque en résine photolithographié ne comprenant pas de portions au-dessus de chaque pilier 3. La topologie de chaque pilier 3 a pour effet de former des flancs de troisième couche conductrice M3 autour de chaque pilier 3.
En variante, la pointe en silicium peut servir de micro-anode ou de micro-cathode dans un dispositif d’émission par effet de champ.
Circuit de mesure d'une dérivée La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, par exemple les circuits intégrés, et, plus particulièrement, un circuit de mesure d'une dérivée et un dispositif comprenant un tel circuit de mesure.
De nombreuses applications connues et dispositifs connus mettent en œuvre une mesure (ou calcul) d'une dérivée, par exemple de la dérivée d'une tension indiquant une valeur d'une grandeur physique telle qu'un courant ou une température.
Pour obtenir une mesure de la dérivée d'une tension, c'est-à-dire une valeur de la dérivée de la tension, une solution consiste à utiliser un amplificateur opérationnel monté en dérivateur de tension. Toutefois, cette solution présente divers inconvénients. En particulier, cette solution n'est pas adaptée pour des larges gammes de fréquence du signal d'entrée de l'amplificateur opérationnel. En outre, cette solution requiert un amplificateur opérationnel ayant une bande passante supérieure à la gamme de fréquence du signal d'entrée.
Une autre solution consiste à utiliser un convertisseur analogique numérique (ADC de l'anglais "Analog to Digital Converter") pour numériser la tension sur laquelle la dérivée va être calculée, et un microprocesseur qui lit la sortie de l'ADC et calcule la dérivée de la tension d'entrée de l'ADC. Toutefois, cette solution est complexe du fait qu'elle nécessite un ADC et un microprocesseur. En outre, le temps de conversion de l'ADC auquel s'ajoute le temps de calcul du microprocesseur peut être trop long, par exemple lorsque des contremesures doivent être mises en œuvre dès que la dérivée dépasse un seuil.
Il existe encore d'autres solutions connues pour mesurer, c'est-à-dire calculer, la dérivée d'une tension, mais, ces solutions connues souffrent elles aussi d'inconvénients.
Il existe donc un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des circuits connus de mesure d'une dérivée.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des circuits connus de mesure d'une dérivée.