INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le second type de système de détection de biofilms couramment utilisé contient du peroxyde d’hydrogène qui réagit avec les catalases des bactéries aérobies présentes sur les surfaces. Ce n’est donc pas une mesure directe de la présence de biofilms. Les documents US10927397, EP 2902497 et US 20180105861 illustrent cette technologie et présentent un système de détection de biofilms où le peroxyde d’hydrogène réagit avec les catalases naturellement présentes dans les bactéries aérobies et anaérobies facultatives. Il s’agit donc d’un système de détection de bactéries et non de la matrice du biofilm. Par ailleurs, les bactéries et les catalases sont atténuées transitoirement après les opérations de nettoyage et d’assainissement, ce qui entraîne donc nécessairement des faux négatifs lorsque le système de détection catalase est appliqué avant que les bactéries n’aient eu le temps de récupérer. En effet, la plupart des opérations de nettoyage et d’assainissement agissent dans la couche superficielle du biofilm en diminuant la population microbienne et en inactivant les enzymes engendrant ainsi de faux négatifs si le biofilm n’a pas été complètement retiré. C’est pourquoi il est important de détecter la matrice du biofilm et non les microorganismes ou leurs enzymes.
Enfin, les systèmes de détection de biofilms courants manquent parfois de sensibilité envers les biofilms, ce qui peut conduire à des faux négatifs également.
Le besoin subsiste par conséquent de proposer des systèmes de détection dotés d’une meilleure sensibilité et d’une plus grande spécificité de manière à limiter les faux négatifs.
L’invention répond à ces diverses problématiques en proposant un produit de détection de biofilms comprenant un azurant optique qui peut être révélé par fluorescence sous exposition de rayons ultraviolets (UV). L’azurant optique peut également être désigné dans la présente description sous les termes « agent fluorescent » ou « marqueur ».
L’invention propose également un produit de détection dotée de multiples avantages particulièrement adapté à la détection de biofilms sur des surfaces qui sont régulièrement en contact avec des aliments ou des denrées alimentaires.
L’inventeur a en effet découvert de manière surprenante qu’un azurant optique particulier, le Fluorescent Brightener 351 (FB351) ou le Fluorescent Brightener 87 (FB87), détecte des biofilms alimentaires avec une sensibilité très élevée. En effet, la quantité nécessaire à la détection est beaucoup plus faible (environ 1000 fois moins) en comparaison aux marqueurs à base de colorants visibles traditionnellement utilisés pour cette application. Cela s’avère particulièrement important pour la détection des biofilms jeunes ou immatures qui sont très minces et ainsi indétectables au toucher ou à l’œil nu.
On a préparé une ébauche intermédiaire en p-SiC par rectification et polissage à partir d’une ébauche brute obtenue par un procédé de CVD selon invention. Pour préparer l’ébauche, on a déposé une couche de 800 µm sur un substrat en graphite en opérant à une température de 1 550 K, une pression partielle de 15 mbar de MTCS et une fraction molaire de NH 3 de 4%. L’orientation observée avant ledit traitement thermique est une texturation orientée préférentiellement (220) avec des coefficients de texture rassemblés ci-dessous :
C 111 +C 222 +C 511 = 2 % ; C 220 = 91 % ; C 422 = 4 %
La contribution C 200 + C 400 était de zéro.
La couche contenait une concentration d’azote mesuré par SIMS de 1,8 x 10 20 atomes d’azote par cm 3 et une résistivité électrique mesurée à 10 mOhm.cm par la méthode 4 pointes. On déduit la conductivité thermique de la couche par une mesure de diffusivité thermique grâce à la méthode flash laser. On obtient 240 W/m/K ce qui est au-dessus de l’objectif visé. Malgré des grains de petites dimensions, la texture arborescente semble favoriser une bonne conductivité thermique, malgré un dopage élevé.
La déformation mesurée sur l’ébauche brute avant recuit est également très bonne. Sur un total de 16 disques produits, la déformation moyenne est de 210 µm avec un écart type de 82 µm. Cela permet de produire par rectification des wafers p-SiC à partir d’un disque brut d’épaisseur inférieur à 1 000 µm à un coût raisonnable.
Après plusieurs dépôts selon ces conditions, la texture observée est très orientée préférentiellement (220) avec le coefficient de texture C 220 > 90% et C 422 < 10%.
On a préparé une ébauche intermédiaire en p-SiC par rectification et polissage à partir d’une ébauche brute obtenue par un procédé de CVD selon l’invention. Les figures 7 et 8 montrent des images obtenues par microscopie électronique à balayage des électrons rétrodiffusés d’une section transversale, de l’ébauche brute avant le traitement thermique (voir la ) et de l’ébauche intermédiaire après (voir la ) un traitement thermique à 2 000 °C. Sur chacune de ces figures la barre blanche indique une longueur de 100 µm.
L’ébauche brute montrait un coefficient de texture C 220 dominant, avec une composante (111) significative proche de l’interface avec la surface graphitique sur laquelle l’ébauche a été déposée. Cette épaisseur de l’ébauche brute riche en texture C 111 a été enlevée par rectification lors de la fabrication de l’ébauche intermédiaire.
Après un traitement thermique selon l’invention, au cours duquel l’ébauche a été maintenue à plat sur une surface plane, on observe une évolution significative de la microstructure et de l’orientation des grains : les petits grains d’orientation (220) tendent à coalescer et on obtient une orientation mixte (111) + (220) + (200). On observe peu de petits grains d’orientation (111). La contribution C 200 +C 400 apparaît après le traitement thermique ; elle est égale à 5% après traitement thermique.
Le Warp diminue grâce au traitement thermique et se situe à l’intérieur du cahier des charges, ce qui coïncide avec une répartition plus uniforme de la taille de grain dans l’épaisseur de l’ébauche intermédiaire. La résistivité électrique diminue jusqu’à atteindre 1,2 mOhm.cm et la conductivité thermique augmente à 270 W/m/K. Cet exemple est conforme à l’invention.
ARRANGEMENT ÉLECTRIQUE DE PUISSANCE POUR VÉHICULE AUTOMOBILE Le contexte technique de la présente invention est celui des véhicules automobiles électriques ou hybrides, et plus particulièrement des modules de batteries électriques, dites de traction, servant à alimenter en énergie électrique une chaîne de traction des véhicules automobiles.
Dans l’état de la technique, on connait des véhicules automobiles électriques de type BEV pour l’acronyme anglais Battery Electric Vehicle , dotés d'une motorisation électrique et des véhicules automobile électriques de type PHEV, pour l’acronyme anglais Plug-in Hybrid Electric , dotés à la fois d'une motorisation thermique et d'une motorisation électrique. Dans ces véhicules automobiles électriques, un moteur électrique transmet un couple moteur à un arbre de transmission du véhicule automobile. Le moteur électrique est alimenté en énergie électrique par un ou plusieurs modules de batteries électriques de traction.
De tels modules de batteries de traction comportent plusieurs cellules électrochimiques qui sont chainées les unes aux autres afin de fournir la puissance électrique souhaitée à l’arbre de transmission du véhicule électrique. Afin de garantir un fonctionnement optimal du moteur électrique, les modules de batteries de traction font l’objet de nombreuses mesures au travers de sondes et de capteurs qui permettent de mesurer des grandeurs environnementales, telles qu’une température par exemple, ou des grandeurs électriques, telles que par exemple une intensité de courant électrique, une tension électrique.
En particulier, il est connu de mesurer les grandeurs électriques au niveau d’une barre omnibus qui relie électriquement les différentes cellules électrochimiques formant les modules de batteries. Des sondes électriques qui réalisent ces mesures transmettent leurs données vers un module de contrôle qui permet de traiter des données ainsi mesurées.
En situation de montage ou en situation d’après-vente, la mesure directe de grandeurs électrique au niveau de la barre omnibus reliant plusieurs modules de batterie présente l’inconvénient de faire apparaître une tension résiduelle d’environ 400 V entre des bornes de connexion de la barre omnibus, lorsque celle-ci n’est pas encore montée sur et entre les modules de batterie.
DISPOSITIF LIMITEUR DE COURANT SUPRACONDUCTEUR ET AERONEF COMPRENANT UN TEL DISPOSITIF. La présente invention concerne un dispositif limiteur de courant destiné à opérer une limitation de courant en présence d’un défaut dans un circuit électrique. L’invention concerne plus particulièrement un dispositif limiteur de courant supraconducteur. Au moins un mode de réalisation concerne un tel dispositif configuré pour une utilisation à bord d’un aéronef.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE De nombreux dispositifs de limitation d’un courant électrique existent et leurs structures varient selon le contexte d’utilisation. Deux architectures de dispositifs limiteurs sont fréquemment utilisées. L’une s’appuie sur une structure résistive, de sorte que la résistance d’un matériau utilisé augmente avec un courant croissant en présence d’un défaut, ce qui produit un effet contraire de limitation du courant dans le matériau. L’autre, ressemblant à un transformateur, s’appuie sur une structure inductive dans laquelle, en présence d’un défaut, le flux magnétique de la bobine secondaire court-circuitée ne s’oppose plus au flux magnétique de la bobine primaire connectée à la ligne d’alimentation et cette dernière voit son impédance croître, ce qui limite alors le courant. De nombreuses applications dans lesquelles circulent de forts courants électriques utilisent des barres de bus (encore appelées parfois busbar , de l’anglais) agissant comme des conducteurs guides de courant électrique. Ces barres de bus sont généralement réalisées en cuivre ou en aluminium. Des barres de bus refroidies par un fluide cryogénique sont utilisées dans des systèmes cryogéniques configurés pour réduire sensiblement les pertes par effet Joule, optimiser le rendement de systèmes électriques, et accroître le rapport entre le poids des équipements utilisés et la puissance électrique disponible dans et pour des équipements. Dans le cas d’une barre de bus supraconductrice refroidie par un fluide cryogénique, une limitation d’un courant de défaut peut être introduite et la situation peut être améliorée.
Un objet de la présente invention est de proposer un dispositif limiteur de courant supraconducteur permettant à la fois de fournir des courants forts en l’absence de défaut et de limiter efficacement un courant de défaut en présence d’un défaut dans un circuit électrique de puissance refroidi par un fluide cryogénique.
A cet effet, il est proposé un dispositif limiteur de courant supraconducteur comprenant une enceinte étanche présentant deux ouvertures agencées pour permettre une circulation d’un fluide cryogénique à l’intérieur de la dite enceinte étanche. Le dispositif limiteur de courant supraconducteur comprend en outre une barre de bus supraconductrice traversant l’enceinte étanche via deux ouvertures de connexion, dont une partie dite « centrale » est agencée à l’intérieur de l’enceinte étanche et dont deux parties dites « terminales » sont respectivement agencées de part et d’autre de la partie centrale et dans la continuité de la partie centrale et sont au moins partiellement agencées à l’extérieur de l’enceinte étanche, le dispositif limiteur de courant supraconducteur étant configuré tel que : une inductance comprenant deux pôles est agencée à l’intérieur de l’enceinte étanche et est disposée en regard de la partie centrale de la barre de bus supraconductrice et, chacun des deux pôles de l’inductance est électriquement connecté à l’une des parties terminales de la barre de bus supraconductrice via un lien de connexion.
Avantageusement, le dispositif limiteur de courant supraconducteur opère comme un conducteur cryogénique de courant efficace en l’absence de défaut, et comme un limiteur efficace de courant en présence d’un défaut, par l’effet combiné de l’inductance et de la résistance propre de la barre de bus supraconductrice.
Le dispositif limiteur de courant supraconducteur selon l’invention peut comprendre en outre les caractéristiques suivantes, considérées seules ou en combinaison : La barre de bus supraconductrice comprend des rubans supraconducteurs dépourvus de couche stabilisatrice. La barre de bus supraconductrice comprend un matériau supraconducteur céramique. L’inductance comprend un dispositif de détection d’un courant de défaut.
Un autre objet de l’invention est un aéronef comprenant au moins un dispositif limiteur de courant supraconducteur tel que précédemment décrit.
Avantageusement, l’étape de retrait implique une séparation le long d’un plan fragile enterré 71 parallèle à l’interface de collage 60 et la récupération de tout ou partie du substrat initial 70. Pour cela, et comme cela est connu du procédé Smart Cut TM , on peut prévoir, préalablement à l’étape d’assemblage (quatrième étape), une étape additionnelle comprenant l’introduction d’ions légers dans le substrat initial 70 (ou alternativement dans le film de contact 40) de manière à former un plan fragile enterré 71 qui délimite, avec une face avant de la structure donneuse 130’, la couche qui sera transférée, à savoir une partie 51 de la couche de collage, tout ou partie du film de contact 40, et potentiellement une couche résiduelle 72 du substrat initial 70 ( ’). Typiquement, dans un substrat initial en GaAs, une implantation ionique d’hélium ou hydrogène ou de ces deux ions, à une dose de 1 E +16 at/cm 2 à 5 E +17 at/cm² et une énergie de l’ordre de 100keV permet de former le plan fragile enterré 71 qui autorisera le transfert de 500 nm (implantation He) à 700 nm (implantation H) d’épaisseur de couches. Notons que des nettoyages et préparations de surface pourront être réalisés préalablement et/ou après implantation, de manière à éliminer de potentielles contaminations particulaires, organiques et/ou métalliques.
Revenant à la cinquième étape du procédé selon la deuxième variante, ladite étape comprend la séparation le long du plan fragile enterré 71, du fait de la présence et/ou de la croissance de cavités et de microfissures dans ledit plan. Comme cela est connu en soi, une telle séparation s’opère, par exemple, au cours d’un traitement thermique apte à provoquer le développement des cavités et leur mise sous pression, et à conduire à la propagation spontanée d’une onde de fracture dans le plan fragile enterré 71. Le traitement thermique de séparation correspond typiquement à un recuit à 200 °C, d’une durée allant, par exemple, de 30min à 2h. Alternativement ou conjointement au traitement thermique, la séparation peut être provoquée par une sollicitation mécanique appliquée au plan fragile enterré 71.
A l’issue de la cinquième étape, on obtient d’une part structure intermédiaire 145’, et d’autre part, le reste 73 du substrat initial ( ). Cette étape peut ensuite être complétée par des traitements de surface (nettoyage, polissage, gravure) ou autres traitements de lissage, pour améliorer la qualité superficielle de la couche de contact 40 ou de la couche résiduelle 72, ou encore pour éliminer cette couche 72.
Même si la cinquième étape de retrait a été particulièrement décrite en référence au procédé Smart Cut TM , toute autre technique connue de transfert de couches minces monocristallines pourrait, bien sûr, être mise en œuvre dans le procédé selon l’invention.
Une sixième étape de la deuxième variante du procédé correspond à l’élaboration de l’empilement E de couches semi-conductrices sur la structure intermédiaire 145’. Si une couche résiduelle 72 du substrat initial 70 a été transférée à l’étape précédente, on peut choisir de la retirer préalablement à la réalisation de l’empilement E. Ce dernier est ensuite formé dans l’ordre suivant : le miroir de Bragg inférieur 30a formé sur le film de contact 40, la couche active 20 formée sur le miroir de Bragg inférieur 30a et le miroir de Bragg supérieur 30b formé sur la couche active 20 ( ). Cet empilement est réalisé par épitaxies successives en utilisant le film de contact 40 comme germe d’épitaxie. Ces étapes, connues de l’état de la technique, ne seront pas détaillés ici.
A l’issue de cette sixième étape, on obtient une structure semi-conductrice 150 selon la présente invention.
La première et la deuxième variante du procédé de fabrication peuvent comprendre des étapes additionnelles de dépôt et de gravure permettant notamment d’isoler entre elles une pluralité de diodes laser formées collectivement sur une même structure 150, de former un film de contact 41 sur le miroir de Bragg supérieur 30b et de réaliser un contact électrique 80,81 sur chacun des deux films de contact 40,41, comme illustré sur la .
La structure semi-conductrice 150 selon l’invention est avantageuse car elle facilite grandement les étapes de préparation des surfaces avant assemblage et procure une excellente qualité de collage, du fait de la présence de la couche d’oxyde 50 à l’interface de collage 60. Cette couche 50 élimine en plus le risque de formation de dislocations entre les cristaux des matériaux assemblés. Les règles de design des épaisseurs et des propriétés d’absorption, définies pour le film de contact 40 et la couche d’oxyde 50 évitent que ces couches, intercalées entre le miroir de Bragg inférieur 30a et le substrat support 10, ne viennent dégrader les performances des VCSEL, en perturbant ou en absorbant l’émission laser sortante, avant sa traversée du substrat support 10. Le film de contact 40 et la couche d’oxyde 50 selon l’invention participent en outre à la fonction de miroir et permettent de mettre en œuvre un nombre moindre d’alternances de couches pour la fabrication du miroir de Bragg inférieur 30a, ce qui constitue un autre point de simplification du procédé de fabrication.
Les résultats sont montrés dans la ligne intitulée « Stabilité (UV) » du Tableau 1.
Les compositions selon les Exemples 1 à 4, qui correspondent à la présente invention, montrent une stabilité supérieure, en termes de non-solidification et de non-séparation de phase, même dans des conditions de chaleur et des conditions d’irradiation UV.
Les compositions selon les Exemples Comparatifs 1à 4, qui comportaient une quantité substantielle d’eau, n’étaient pas stables au point de se solidifier.
La composition selon l’Exemple Comparatif 5, qui ne comportait pas d’amine grasse, n’était pas non plus stable au point de provoquer une séparation de phase dans des conditions de chaleur et des conditions d’irradiation UV.
Composition à base d’argile et d’acide salicylique La présente invention concerne une composition cosmétique, plus particulièrement une composition de nettoyage de la peau et notamment une composition de masque nettoyant de la peau du visage, pouvant être utilisée aussi bien comme nettoyant pour le visage que comme masque.
Conventionnellement, une composition cosmétique qualifiée de masque est une composition cosmétique formulée pour être appliquée sur la peau sous la forme d’une couche plus ou moins épaisse car dédiée à procurer un soin cosmétique cutané, généralement de nettoyage en profondeur de l’épiderme. Après un temps d’application nécessaire à l’accomplissement de ce soin, généralement supérieur à 1, 2, 3, 5, 10, voire 15 minutes, cette couche est ensuite éliminée.
La présente invention concerne plus spécifiquement des compositions de masques nettoyants moussants, capable de former aussi bien un masque rinçable à l’eau qu’un nettoyant moussant au contact de l’eau et rinçable à l’eau.
Un masque rinçable à l’eau se distingue des masques pelliculables, s'enlevant par pelage (ou masques « peel-off »), qui sont des compositions filmogènes qui, après application sur le visage, sèchent pour donner un film que l'on retire par décollement et/ou arrachage.
Les compositions de masque contiennent classiquement des charges absorbantes, notamment des composés argileux, telles que le kaolin, qui par leur pouvoir absorbant fixent les composés gras de la surface de l’épiderme (sébum), entraînant un nettoyage en profondeur de la peau.
Il est également connu d’utiliser des actifs dans les produits cosmétiques nettoyants et les masques pour améliorer le nettoyage de la peau et l’aspect de la peau. En particulier, l’acide salicylique est un actif utilisé sur la peau pour son action anti-imperfections globale, notamment pour :
- débarrasser la peau des cellules mortes qui ternissent le teint, empêcher le blocage des pores à l’origine de l’acné,
- stimuler le renouvellement cellulaire, minimiser les pores ou l’apparence des pores, lisser la peau,
- unifier le teint, en éliminant les cellules remplies de mélanine accumulées à la surface de la couche cornée, réduisant ainsi les taches pigmentaires,
Appareil de cuisson électrique équipé d’une cuve de cuisson La présente invention concerne de manière générale un appareil de cuisson électrique pour la cuisson de produits alimentaires.
- une structure chauffante supérieure comportant une plaque de cuisson pourvue d’une surface de cuisson, et
- une liaison pivot reliant la structure chauffante supérieure à la structure chauffante inférieure et configurée pour permettre un pivotement de la structure chauffante supérieure par rapport à la structure chauffante inférieure autour d’un axe de pivotement et entre une position de fermeture dans laquelle la structure chauffante supérieure empêche un accès à la cuve de cuisson et dans laquelle la structure chauffante inférieure et la structure chauffante supérieure délimitent un volume de cuisson dans lequel est apte à être cuit un aliment, et une position d’ouverture maximale dans laquelle la structure chauffante inférieure et la structure chauffante supérieure présentent un écartement maximal lorsque l’appareil de cuisson repose sur une surface d’appui et dans laquelle chacune de la cuve de cuisson et la plaque de cuisson est apte à supporter et cuire un aliment respectif.
Un tel appareil de cuisson électrique permet par exemple la cuisson de viandes, poissons ou légumes sur la plaque de cuisson lorsque la structure chauffante supérieure occupe la position d’ouverture maximale, et la cuisson de recettes plus complexes dans le volume de cuisson lorsque la structure chauffante supérieure occupe la position de fermeture.
Par ailleurs, le système comporte en outre une plateforme distante 300 pour la mise en œuvre de l’apprentissage supervisé du modèle de classification. La plateforme 300 comporte des moyens de réception des données d’apprentissage issues de la flotte des véhicules 200, et issues de serveurs de services tiers 400, comme par exemple un fournisseur 41 de données d’environnement de circulation (météo, état des routes ou profil des routes, etc…) et un fournisseur 42 de données de mesure de performance et état d’usure des systèmes de frein à friction, par exemple un service après-vente en atelier de réparation ou en atelier de suivi spécifiquement pour l’apprentissage du modèle de classification. Un fournisseur 42 peut par exemple assurer la mise à jour d’une base données relatives aux véhicules aux réparations et évaluation d’état des systèmes de frein en vue de communiquer ces données à la plateforme 300. Ces données peuvent inclure des données d’identification de chaque véhicule, gamme et type qui sont associées à un suivi périodique de l’état des systèmes de frein.
Il est prévu en outre qu’un véhicule 100 roulant dans une phase de production du modèle de classification puisse être configuré pour transmettre des données à la plateforme distante 300.