Procédé de dimensionnement d’un masque (1) de lithographie en échelle de gris, le masque (1) s’étendant principalement selon un plan horizontal (XY) défini par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), le plan étant perpendiculaire à une direction principale d’un rayonnement d’insolation d’une résine photosensible (20) au travers du masque (1), le masque (1) comprenant une pluralité de zones opaques au rayonnement, chaque zone opaque se situant dans une zone du masque (1) dite pixel, la pluralité de zones opaques comprenant des premières zones opaques (120) se trouvant dans des premiers pixels (110), les premiers pixels (110) formant un premier réseau (100) du masque (1), le procédé comprenant les étapes suivantes : Etablir une première densité cible D 100 * d’une première densité surfacique D 100 de premières zones opaques (120) au sein du premier réseau (100), la première densité cible D 100 * étant configurée pour permettre d’insoler la résine (20) sur une première épaisseur cible e 1 * donnée lorsque la résine (20) est exposée au rayonnement au travers du premier réseau (100) du masque (1), la première épaisseur cible e 1 * étant mesurée selon la direction principale du rayonnement, Obtenir une première valeur, pour la première densité cible D 100 *, de la dérivée par rapport à la première densité surfacique D 100 de la première épaisseur e 1 sur laquelle la résine photosensible (20) est insolée lorsqu’elle est exposée à un rayonnement au travers du premier réseau (100) présentant la première densité surfacique D 100 , ladite première valeur étant notée , Déterminer une première dimension P x ,1 des premiers pixels (110) dans la première direction (X), une première dimension P y ,1 des premiers pixels (110) dans la deuxième direction (Y), une première dimension L x ,1 des premières zones opaques (120) dans la première direction (X), une première dimension L y ,1 des premières zones opaques (120) dans la deuxième direction (Y), de façon à ce que la valeur d’une erreur sur la première épaisseur cible e 1 *, notée MEEF(e 1 * ), soit inférieure à un premier seuil donné, MEEF(e 1 * ) étant calculée à partir de la formule suivante : Avec et , δL x, 1 étant une erreur sur L x, 1 et δL y , 1 étant une erreur sur L y , 1 , Utiliser les dimensions obtenues pour le dimensionnement du premier réseau (100) du masque (1). Procédé selon la revendication précédente dans lequel a 1 est compris entre 0,8 et 1,2, de préférence a est égal à 1. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’étape d’obtention de la première valeur de la dérivée comprend les étapes suivantes : Fournir une résine secondaire (80) de même nature que la résine photosensible (20), Insoler une pluralité de régions (81, 82, 83, 84) de la résine secondaire (80) avec un rayonnement, chaque région (81, 82, 83, 84) étant insolée avec une dose (Q 81 , Q 82 , Q 83 , Q 84 ) de rayonnement distincte, Pour chaque région (81, 82, 83, 84) de la résine secondaire (80), déterminer selon la direction principale du rayonnement une épaisseur d’insolation du rayonnement dans ladite région (81, 82, 83, 84), Etablir, pour chaque région (81, 82, 83, 84) de la résine secondaire (80), une densité théorique (D 81 , D 82 , D 83 , D 84 ) de zones opaques théoriques sur un masque théorique, qui, lors de l’exposition à un rayonnement de ladite région (81, 82, 83, 84) au travers du masque théorique, aurait permis d’exposer ladite région à la dose (Q 81 , Q 82 , Q 83 , Q 84 ) de rayonnement à laquelle ladite région (81, 82, 83, 84) est exposée, Etablir un modèle reliant l’épaisseur d’insolation de la couche de résine secondaire (80) à la densité de zones opaques à partir des données d’épaisseur d’insolation et de densité théorique (D 81 , D 82 , D 83 , D 84 ) obtenues pour chacune des régions (81, 82, 83, 84). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape d’établissement, pour chaque région (81, 82, 83, 84) de la résine secondaire (80), de la densité théorique (D 81 , D 82 , D 83 , D 84 ) de zones opaques théoriques, se fait au moins par application de la formule suivante : avec i indexant les différentes régions (81, 82, 83, 84) de la résine secondaire (80), D i la densité théorique associée à la région i, Q i la dose de rayonnement à laquelle la région i est exposée et Q max =max(Q i ). Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2 dans lequel l’étape d’obtention de la première valeur de la dérivée comprend les étapes suivantes : Fournir un masque test présentant une pluralité de réseaux test présentant chacun une densité distincte de zones opaques test, Fournir une résine test de même nature que la résine photosensible (20), Insoler une pluralité de régions de la résine test avec un rayonnement au travers du masque test, l’insolation de chaque région se faisant au travers d’un réseau test distinct, Déterminer, pour chaque région de la résine test, une épaisseur d’insolation du rayonnement dans ladite région, Etablir un modèle reliant l’épaisseur d’insolation de la couche de résine test à la densité de zones opaques test à partir des données d’épaisseur d’insolation obtenues pour chacune des régions. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première dimension P x ,1 des premiers pixels (110) selon la première direction (X) et la première dimension P y ,1 des premiers pixels (110) selon la deuxième direction (Y) sont chacune inférieures à une longueur d’onde principale du rayonnement (50). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les premiers pixels (110) présentent une forme carrée dans le plan horizontal (XY) et dans lequel P x ,1 =P y ,1 =P. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les premières zones opaques (120) présentent une forme carrée dans le plan horizontal (XY) et dans lequel L x ,1 =L y ,1 =L. Procédé selon les deux revendications précédentes prises en combinaison dans lequel : Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la pluralité de zones opaques comprend au moins des deuxièmes zones opaques (220) se trouvant dans des deuxièmes pixels (210), les deuxièmes pixels (210) formant un deuxième réseau (200) du masque (1), le procédé comprenant en outre les étapes suivantes : Etablir une deuxième densité cible D 2 00 * d’une deuxième densité surfacique D 2 00 de deuxièmes zones opaques (220) au sein du deuxième réseau (200), la deuxième densité cible D 2 00 * étant configurée pour permettre d’insoler la résine sur une deuxième épaisseur cible e 2 * donnée lorsque la résine est exposée au rayonnement au travers du deuxième réseau (200) du masque (1), la deuxième épaisseur cible e 2 * étant mesurée selon la direction principale du rayonnement, la deuxième épaisseur cible e 2 * étant distincte de la première épaisseur cible e 1 *, Obtenir une deuxième valeur, pour la deuxième densité cible D 2 00 *, de la dérivée par rapport à la deuxième densité surfacique D 2 00 de la deuxième épaisseur e 2 sur laquelle la résine photosensible est insolée lorsqu’elle est exposée à un rayonnement au travers du deuxième réseau (200) présentant la deuxième densité surfacique D 2 00 , notée , Déterminer une deuxième dimension P x ,2 des deuxièmes pixels (210) dans la première direction (X), une deuxième dimension P y ,2 des deuxièmes pixels (210) dans la deuxième direction (Y), une deuxième dimension L x ,2 des deuxièmes zones opaques (220) dans la première direction (X), une deuxième dimension L y ,2 des deuxièmes zones opaques (220) dans la deuxième direction (Y), de façon à ce que la valeur d’une erreur sur la deuxième épaisseur cible e 2 *, notée MEEF(e 2 * ) soit inférieure à un deuxième seuil donné, MEEF(e 2 * ) étant calculé à partir de la formule suivante : Avec et , δL x, 2 étant une erreur sur L x, 2 et δL y , 2 étant une erreur sur L y , 2 , Utiliser les dimensions obtenues pour le dimensionnement du deuxième réseau (200) du masque (1). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le deuxième réseau (200) forme dans le plan horizontal (XY) un contour fermé dans lequel se trouve le premier réseau (100). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le contour fermé formé par le deuxième réseau (200) est sensiblement circulaire. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le deuxième seuil pour l’erreur sur la deuxième épaisseur cible e 2 * est inférieur au premier seuil pour l’erreur sur la première épaisseur cible e 1 *. Procédé de fabrication d’un masque (1) de lithographie en échelle de gris comprenant les étapes suivantes : Dimensionner le masque (1) par mise en œuvre du procédé selon de l’une quelconque des revendications précédentes, Fabriquer le masque (1) ainsi dimensionné.