Procédé de formation d'un composant électronique de puissance (100 ; 200) dans et sur un substrat semiconducteur (13), comportant les étapes successives suivantes : a) formation d'un sillon périphérique (15, 15') dans le substrat semiconducteur (13) du côté d’une première face du substrat semiconducteur (13) ; b) dépôt d'une couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21'), sur et en contact avec le fond et les parois du sillon périphérique (15, 15') et avec ladite première face du substrat semiconducteur (13) ; c) dépôt localisé d’une couche en verre (31, 31'), sur la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21'), la couche en verre (31, 31') s’étendant dans le sillon périphérique (15, 15') et se prolongeant sur une partie de ladite première face du substrat semiconducteur (13) ; et d) gravure de la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') de sorte qu'elle s'étende sur ladite première face du substrat semiconducteur (13) au-delà de la couche en verre (31, 31'). Procédé de formation d'un composant électronique de puissance selon la revendication 1, comportant, entre les étapes b) et c), une étape e) de dépôt d'une couche électriquement isolante (29, 29') sur et en contact avec la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21'). Procédé de formation d'un composant électronique de puissance selon la revendication 1, comportant, entre les étapes c) et d), une étape e) de dépôt d'une couche électriquement isolante (29, 29') sur et en contact avec la couche de verre (31, 31') et une partie de la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') non recouverte par la couche en verre (31, 31'). Procédé de formation d'un composant électronique de puissance selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la couche électriquement isolante (29, 29') est gravée, en même temps que la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') lors de l'étape d). Procédé de formation d'un composant électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, le dépôt de la couche en verre (31, 31') lors de l'étape c) est effectué par sérigraphie. Procédé de formation d'un composant électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le sillon (15, 15') a une profondeur supérieure à 75 µm. Procédé de formation d'un composant électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') a une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 2 µm. Composant électronique de puissance (100 ; 200), comportant : - un sillon périphérique (15, 15') formée dans un substrat semiconducteur (13) du côté d’une première face du substrat semiconducteur (13) ; - une couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21'), formée sur et en contact avec le fond et les parois du sillon périphérique (15, 15') et avec ladite première face du substrat semiconducteur (13) ; et - une couche en verre (31, 31'), formée sur la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21'), la couche en verre (31, 31') s’étendant dans le sillon périphérique (15, 15') et se prolongeant sur une partie de ladite première face du substrat semiconducteur (13) et la couche en polysilicium dopé en oxygène (31, 31') s'étendant sur ladite première face du substrat semiconducteur (13) au-delà de la couche en verre. Composant électronique de puissance (100 ; 200) selon la revendication 8, comportant une couche électriquement isolante (29, 29') entre la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') et la couche en verre (31, 31'), la couche électriquement isolante (29, 29') étant en contact, par une première face, avec la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') et, par une deuxième face opposée à la première face, avec la couche en verre (31, 31'). Composant électronique de puissance (100 ; 200) selon la revendication 8, comportant une couche électriquement isolante (29, 29'), la couche en verre étant en contact, par une première face, avec la couche électriquement isolante (29, 29') et, par une deuxième face opposée à la première face, avec la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') et la couche électriquement isolante (29, 29') étant en contact avec une partie de la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') non recouverte par la couche en verre (31, 31'). Composant électronique de puissance (100 ; 200) selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel le sillon (15, 15') a une profondeur supérieure à 75 µm. Composant électronique de puissance (100 ; 200) selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel la couche en polysilicium dopé en oxygène (21, 21') a une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 2 µm. Circuit de contrôle de puissance comprenant un composant électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 8 à 12.