Procédé de réduction de la concentration en bore d’une couche semi-conductrice (12) d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant (1), comprenant : - au moins un cycle de traitement thermique, chaque cycle comprenant une oxydation thermique de ladite couche semi-conductrice (12) de sorte à former une couche d’oxyde (120) sur la couche semi-conductrice (12), dans laquelle, par ségrégation du bore, des atomes de bore de la couche semi-conductrice (12) diffusent dans la couche d’oxyde (120) de sorte à créer un déficit de concentration en bore dans la couche semi-conductrice (12) à l’interface avec la couche d’oxyde (120), et - un retrait de la couche d’oxyde (120). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel ledit au moins un cycle de traitement thermique comporte, après l’oxydation thermique, un recuit sous atmosphère inerte pendant une durée adaptée pour uniformiser la concentration en bore dans la couche semi-conductrice (12) et/ou augmenter la diffusion des atomes de bore vers l’interface oxyde sacrificielle (120) / couche semi-conductrice (12). Procédé selon la revendication 2, dans lequel le recuit est mis en œuvre à une température comprise entre 800 °C et 1200°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’oxydation thermique est mise en œuvre à une température comprise entre 800 et 1200°C sous atmosphère oxydante. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’oxydation thermique est mise en œuvre dans des conditions contrôlées pour former la couche d’oxyde (120) avec une épaisseur supérieure au centre de la couche semi-conductrice (12) qu’au bord de ladite couche semi-conductrice (12). Procédé selon la revendication 5, dans lequel l’oxydation thermique comprend une montée en température sous atmosphère inerte au-dessus d’une température cible d’oxydation thermique suivie d’une descente en température jusqu’à ladite température cible d’oxydation thermique de sorte à former un gradient de température dans le substrat pour générer une vitesse de formation de la couche d’oxyde (120) supérieure au centre de la couche semi-conductrice par rapport au bord. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche semi-conductrice (12) présente une épaisseur comprise entre 0,01 et 1 µm. Procédé selon l’une des revendications 2 à 3, dans lequel, dans chaque cycle de traitement, l’oxydation thermique et le recuit sont mis en œuvre dans un même four. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, comprenant au moins un premier et un second cycle de traitement. Procédé selon la revendication 9, comprenant, entre le premier et le second cycle de traitement, un retrait de la couche d’oxyde (120) formée lors du premier cycle de traitement thermique. Procédé selon la revendication 9, dans lequel le second cycle de traitement suit directement le premier cycle de traitement, la couche d’oxyde (120) formée lors du premier cycle et du second cycle de traitement étant retirée après le second traitement. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la couche semi-conductrice (12) présente une concentration initiale en bore supérieure ou égale à 10 15 at/cm 3 . Procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche semi-conductrice (12) présente, après le retrait de la couche d’oxyde (120), une teneur finale en bore inférieure ou égale à 5.10 14 at/cm 3 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le retrait de la couche d’oxyde (120) est mis en œuvre par une gravure chimique sélective. Procédé de fabrication d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant (1), comprenant : - la formation d’une zone de fragilisation (11) par implantation d’espèces ioniques dans un substrat donneur (10) pour délimiter une couche semi-conductrice (12), - l’assemblage du substrat donneur (10) avec un substrat support (20) par l’intermédiaire d’une couche électriquement isolante (21), - le détachement du substrat donneur (10) le long de la zone de fragilisation (11) pour transférer la couche semi-conductrice (12) sur le substrat support (20), de sorte à former le substrat de type semi-conducteur sur isolant (1), - la mise en œuvre du procédé de réduction de la concentration en bore de la couche semi-conductrice (12) selon l’une des revendications 1 à 14. Procédé selon la revendication 15, comprenant, après le transfert de la couche semi-conductrice (12) sur le substrat support (20), au moins un traitement thermique rapide de lissage de la surface de ladite couche semi-conductrice (12), chaque traitement thermique rapide étant réalisé avant la mise en œuvre du procédé de réduction de la concentration en bore de la couche semi-conductrice (12). Procédé de fabrication d’un dispositif photonique, comprenant la fabrication d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant selon le procédé de la revendication 15 ou de la revendication 16, et la formation d’un composant photonique passif dans la couche semi-conductrice (12) présentant une concentration réduite en bore. Substrat (1) de type semi-conducteur sur isolant comportant : un substrat support (20), une couche électriquement isolante (21) disposée sur le substrat support (2), une couche semi-conductrice (12) transférée sur le substrat support (2), la couche électriquement isolante (21) étant interposée entre le substrat support (20) et la couche semi-conductrice, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice a une concentration moyenne en bore inférieure à 5.10 14 at/cm 3 . Substrat (1) selon la revendication précédente, dans lequel l’épaisseur de la couche semi-conductrice (12) est comprise entre 100 et 600 nm et l’épaisseur de la couche électriquement isolante est comprise entre 200 nm et 3000 nm. Substrat (1) selon la revendication précédente, dans lequel la couche semi-conductrice (12) comporte un composant photonique passif.