Structure (Struct) comprenant une couche ferroélectrique (Ferro lay ) présentant une première polarisation (P1) dans un premier volume (V1) et une deuxième polarisation (P2), opposée à la première polarisation, dans un deuxième volume (V2) distinct du premier volume, caractérisée en ce qu e la première polarisation et la deuxième polarisation sont orientées perpendiculairement ou obliquement à la couche ferroélectrique, une surface du premier volume (V1) forme une face (Sup) de la couche ferroélectrique (Ferro lay ) et le premier volume (V1) est interposé entre cette face de la couche ferroélectrique et le deuxième volume (V2). 2. Structure selon la revendication 1, comprenant en outre un support (Sprt) et une couche métallique (M1) interposée entre ce support et la couche ferroélectrique. 3. Structure selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le deuxième volume présente une concentration d’hydrogène, dite concentration d’inversion de polarité, plus élevée que le premier volume. 4. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle le premier volume présente une concentration d’hydrogène, dite concentration d’inversion de polarité, plus élevée que le deuxième volume. 5. Structure selon la revendication 4, dans laquelle la concentration d’inversion de polarité est comprise entre 10 19 et 10 22 atomes d’hydrogène par centimètre cube. 6. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche ferroélectrique est formée d’un monocristal. 7. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la couche ferroélectrique comprend du niobate de lithium ou du tantalate de lithium. 8. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle le support comprend du silicium monocristallin. 9. Procédé de fabrication d’un élément ferroélectrique (10), comprenant les étapes de : - fournir un élément ferroélectrique (10, Ferro lay ) présentant une première polarisation (P1) perpendiculaire ou oblique par rapport à une surface (Sup) de la couche ferroélectrique ; - enrichir un volume donné (V2) enterré de l’élément ferroélectrique en ions hydrogène (H + ) à travers une face (Sup) de l’élément ferroélectrique ; et - appliquer un recuit à l’élément ferroélectrique après introduction des ions hydrogène, à une température comprise entre 500°C et 700°C, de manière à faire basculer la première polarisation (P1) de la couche ferroélectrique dans le volume donné (V2) vers une deuxième polarisation (P2) opposée en orientation à la première polarisation (P1). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la première polarisation (P1) est monodomaine. 11. Procédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel, lors de l’enrichissement sélectif des ions hydrogène, une concentration d’hydrogène comprise entre 10 19 et 10 22 atomes d’hydrogène par centimètre cube est employée. 12. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 11, dans lequel l’implantation d’ions hydrogène est mise en œuvre à une énergie comprise entre 3 keV et 210 keV. 13. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel l’élément ferroélectrique (10, Ferro lay ) est une couche de niobate de lithium ou de tantalate de lithium. 14. Procédé selon l’une quelconque des revendications 9 à 13, comprenant en outre l’assemblage d’un substrat ferroélectrique (Ferro sub ) et d’un support (Sprt), suivi d’une séparation ou d’un amincissement du substrat ferroélectrique de manière à définir l’élément ferroélectrique (Ferro lay ). 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le support (Sprt) est un substrat de silicium monocristallin, et une couche métallique (M1) est interposée entre ce substrat de silicium monocristallin et le substrat ferroélectrique (Ferro sub ).