INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La illustre cette séparation des protéines carbonylées par électrophorèse pour les différents groupes d’ongles (G1 À G3) analysés. Les portions blanches des bandes correspondent à la présence de protéines carbonylées, qui sont fluorescentes. Dans le cas d’espèce, la sonde fluorescente utilisée absorbe à 647 nm et émet à 650 nm. La colonne notée PM correspond au poids moléculaire, en kilo dalton.
Ensuite, les protéines totales ont été colorées en gel avec un réactif fluorescent, SyproRuby TM (Life Technologies, USA), pour la normalisation.
Les valeurs des protéines carbonylées, représentées par un « C arbonyl S core », pour un échantillon, ont été obtenues par normalisation du signal de fluorescence spécifique par rapport à la teneur en protéines totales, par analyse densitométrique. Le Carbonyl Score pour un échantillon s’obtient par application de la formule mathématique suivante :
Carbonyl Score = valeur de fluorescence des protéines carbonylées / valeur de fluorescence des protéines totales.
Les résultats de cette analyse sont présentés dans le tableau 1 ci-après .
Lors de son évaporation, le fluide de refroidissement diphasique est vaporisé sur la cellule électrochimiques 3 adjacente de sorte à favoriser son refroidissement.
Dans cet exemple de réalisation non limitatif, le premier dispositif d’échappement 8 est intégré au premier port de remplissage 7. Il est entendu que, dans un mode de réalisation différent, le premier port de remplissage 7 et le premier dispositif d’échappement 8 peuvent être séparés l’un de l’autre.
Dans cet exemple de réalisation, la plaque de refroidissement 5 comporte également une réserve d’un gaz inerte 9. De façon non limitative, le gaz inerte contenu peut être du dioxyde de carbone ou de l’azote.
La plaque de refroidissement 5 comporte en outre, au niveau de sa partie supérieure, un deuxième port de remplissage 10 de la réserve d’un gaz inerte 9.
En outre, la plaque de refroidissement 5 comporte, au niveau de sa partie supérieure, un deuxième dispositif d’échappement 11 construit et agencé pour autoriser une évaporation d’une partie du gaz inerte lorsque le gaz inerte atteint une deuxième température seuil prédéterminée.
Dès lors que la plaque de refroidissement 5 est positionnée entre deux cellules électrochimiques 3, le deuxième dispositif d’échappement 11 débouche au niveau d’un bord périphérique des deux cellules électrochimiques 3, formé dans cet exemple par le bord supérieur des deux cellules électrochimiques 3.
Un tel deuxième dispositif d’échappement 11 peut être formé par un fusible thermique comportant une cire qui réagit en fonction de la température pour laisser passer le fluide de refroidissement diphasique.
Dans un exemple de réalisation non limitatif, le deuxième seuil de température est compris entre 110°C et 150°C, typiquement 130°C.
Lors de son évaporation, le gaz inerte est vaporisé sur la cellule électrochimique 3 adjacente de sorte à empêcher un emballement thermique de cette cellule électrochimique 3.
Dans cet exemple de réalisation non limitatif, le deuxième dispositif d’échappement 11 est intégré au deuxième port de remplissage 10. Il est entendu que, dans un mode de réalisation différent, le deuxième port de remplissage 10 et le deuxième dispositif d’échappement 11 peuvent être séparés l’un de l’autre.
Il convient en outre de noter que les plaques de refroidissement 5 sont posées sur un support de refroidissement 12. Dans un exemple de réalisation non limitatif, ce support de refroidissement 12 peut être formé par le fond du dispositif de stockage électrique 1 et être traversé par un conduit 13 contenant un fluide de refroidissement dont la circulation est réalisée au moyen d’une pompe 14 et/ou comporter des ailettes de refroidissement.
Par ailleurs, afin de compenser un éventuel gonflement des cellules électrochimiques 3 se produisant lors de la charge et décharge de celles-ci, chaque plaque de refroidissement 5 présente une épaisseur comprise entre 1,8 mm et 3,2 mm, typiquement 2mm.
Les plaques de refroidissement 5 permettent également d’assurer une précontrainte en compression de l’ensemble des cellules électrochimiques 3.
Les plaques de refroidissement 5 peuvent être réalisé dans un matériau métallique ou plastique.
Dans le cas d’un matériau métallique, le circuit de refroidissement 6 peut être usiné dans une première paroi 15 et une deuxième paroi 16 peut être soudée à ladite première paroi 15. Dans ce cas, la deuxième paroi 16 forme une partie de la paroi du circuit de refroidissement 6.
Les différents aspects de l’invention susmentionnés présentent de nombreux avantages.
En vue de la réalisation de ce but, un premier aspect de l’invention est un support pour un substrat composite, le support comprenant une couche de piégeage de charges électriques en contact avec un support de base, la couche de piégeage comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium.
Un premier avantage du support selon l’invention est de comprendre une couche de piégeage de charges électriques, immobilisant les charges de manière efficace grâce à sa structure désordonnée, comprenant de nombreux sites susceptibles de piéger les charges électriques.
Un second avantage du support selon l’invention est de réduire le couplage capacitif entre la couche active et le substrat. Cet effet est obtenu par l’utilisation d’un matériau à faible permittivité diélectrique, dit matériau « low k » en terminologie anglaise.
Un troisième avantage est de réduire l’accumulation de charge électrique aux interfaces de la couche de piégeage de charges, susceptible d’attirer des charges libres participant à la conductivité électrique du support de base et donc réduisant sa résistivité effective, en particulier au voisinage de l’interface entre la couche de piégeage et le support de base.
Un quatrième avantage du support selon l’invention est de combiner les avantages précédents au moyen d’un nombre réduit de couches, facilitant la fabrication du support et réduisant les coûts de production associés.
Selon des caractéristiques additionnelles non-limitative du premier aspect de l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche de faible permittivité peut être poreuse ; la couche de faible permittivité peut présenter une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50% ; la couche peut être de faible permittivité et en contact direct avec le support de base ; une couche intercalaire de SiC peut être interposée entre la couche de faible permittivité et le support de base, la couche intercalaire étant constituée de SiC ou d’un matériau dense low-k dit DLK ; le support de base peut avoir une composition homogène ; le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium peut être du SiOC ; le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium peut être du SiOCH ; et le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium peut comprendre de l’azote à une concentration comprise entre 10 16 et 10 21 at/cm 3 .
On notera en particulier l’aspect concernant la porosité de la couche de piégeage, avantageuse en ce qu’elle comprend naturellement des surfaces libres et des liaisons pendantes au niveau de ses pores, au sein même de la couche, formant autant de sites de piégeage de charges électriques.
En outre, l’utilisation de SiOCH ou de SiOC pour former la couche de piégeage de charges permet d’envisager une couche de piégeage de forte épaisseur, suffisante pour efficacement isoler du support tout élément formé sur la couche de piégeage de charges et destiné à fonctionner dans le domaine des radiofréquences.
Un second aspect de l’invention porte sur un substrat composite comprenant une couche superficielle cristalline disposée sur un support selon le premier aspect de l’invention.
Selon des caractéristiques additionnelles non-limitative du second aspect de l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche superficielle peut être constituée de silicium ; la couche mince peut être constituée d’un matériau ferroélectrique ; une couche de matériau diélectrique peut être interposée entre la couche cristalline et la couche de piégeage ;
Un troisième aspect de l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un support pour un substrat composite, comprenant les étapes de fournir un substrat de base ; former, sur le substrat de base, une couche de piégeage de charges électriques comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium.
Dans le procédé du troisième aspect de l’invention, la couche de faible permittivité peut présenter une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50%.
Un quatrième aspect de l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un substrat composite , comprenant les étapes de fournir un substrat de base ; former, sur le substrat de base, une couche de piégeage de charges électriques comprenant une couche de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium ; former une couche diélectrique sur la couche de piégeage de charges électrique ; et fixer une couche superficielle sur la couche diélectrique.
Dans le procédé du quatrième aspect de l’invention, la couche superficielle peut être une couche cristalline ou monocristalline.
La représente un substrat composite faisant l’objet de la présente description ;
Un exemple d’une antenne passive de l’état de l’art antérieur est montré sur la , où les arêtes cachées (c’est-à-dire non directement visibles) et les contours cachés ne sont pas représentés. L’antenne passive montrée sur la comporte : un premier élément (1), le premier élément étant une ligne de transmission nommée T1, T1 ayant un conducteur externe (11) et un conducteur interne (12), T1 ayant une première extrémité (101) et une seconde extrémité (102), le conducteur externe de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur externe de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le premier élément étant une partie d’un cadre blindé ; un deuxième élément (2), le deuxième élément étant une ligne de transmission nommée T2, T2 ayant un conducteur externe (21) et un conducteur interne (22), T2 ayant une première extrémité (201) et une seconde extrémité (202), le conducteur externe de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur externe de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le deuxième élément étant une partie du cadre blindé, la première extrémité du conducteur interne de T2 étant directement couplée à la première extrémité du conducteur interne de T1 ; une partie appelée “base” (3), la base procurant un contact électrique entre la seconde extrémité du conducteur externe de T2 et la seconde extrémité du conducteur externe de T1, la base étant une partie du cadre blindé ; et un accès de l’antenne passive, l’accès de l’antenne passive ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T1, la seconde borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T1.
Le spécialiste voit que le conducteur externe de T1, la base et le conducteur externe de T2 forment un enroulement ayant une seule spire, l’enroulement étant utilisé comme un cadre monospire. Ledit cadre monospire est distinct du dit cadre blindé.
Ledit cadre blindé est un cadre blindé monospire, constitué du premier élément, du deuxième élément et de la base. La plus grande largeur de l’antenne passive montrée sur la est environ 133 mm. La ligne de transmission T1 a une impédance caractéristique nominale, qui est égale à 50 ohms. La ligne de transmission T2 a une impédance caractéristique nominale, qui est égale à 50 ohms.
Dans une première variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la , la seconde extrémité du conducteur interne de T2 est directement couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2, et est donc directement couplée à la base. Le spécialiste voit que, dans cette première variante, ledit cadre blindé monospire est similaire à celui qui est montré dans la Fig. 9E du rapport de G.A. Morgan, Jr. intitulé “Analysis and calibration of loop probes for use in measuring interference fields”, publié par le Naval Research Laboratory sous le numéro NRL Report R-3486, en juin 1949. Le spécialiste comprend que la montre un schéma électrique équivalent de la première variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la . Dans la , nous voyons : une ligne de transmission idéale (41) correspondant à T1 ; une ligne de transmission idéale (42) correspondant à T2 ; l’accès de l’antenne passive (43) ; une source de tension (44) qui représente une tension induite dans ledit cadre monospire lorsque l’antenne passive est utilisée pour la réception (c’est-à-dire, la tension induite entre la première extrémité du conducteur externe de T2 et la première extrémité du conducteur externe de T1, lorsque l’antenne passive est utilisée pour la réception) ; une impédance (45) du dit cadre monospire (c’est-à-dire, une impédance qui existe entre la première extrémité du conducteur externe de T2 et la première extrémité du conducteur externe de T1) ; et la connexion (80) existant entre la seconde extrémité du conducteur interne de T2 et la seconde extrémité du conducteur externe de T2. La est un graphique montrant le niveau de champ de référence de la première variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la , en fonction de la fréquence, pour un emplacement de référence proche de l’antenne passive, l’impédance interne du générateur étant supposée égale à 50 ohms à toute fréquence. Plus précisément, l’emplacement de référence utilisé pour obtenir la est situé sur un axe de référence de l’antenne passive et à une distance d’environ 100 mm d’un plan de référence de l’antenne passive, l’axe de référence étant orthogonal au plan de référence.
Une deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la comporte en outre une résistance de 50 ohms, cette résistance ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2. Ainsi, dans cette deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la , la seconde extrémité du conducteur interne de T2 est indirectement couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2, à travers la résistance. Ainsi, dans cette deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la , la seconde extrémité du conducteur interne de T2 est indirectement couplée à base, à travers la résistance. Le spécialiste voit que, dans cette deuxième variante, ledit cadre blindé monospire est similaire à celui qui est montré dans la .17(a) du livre de J. Goedbloed intitulé “Electromagnetic Compatibility”, publié par Prentice-Hall en 1990. Le spécialiste comprend que la montre un schéma électrique équivalent de la deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la . Dans la , nous voyons : une ligne de transmission idéale (41) correspondant à T1 ; une ligne de transmission idéale (42) correspondant à T2 ; l’accès de l’antenne passive (43) ; une source de tension (44) qui représente une tension induite dans ledit cadre monospire lorsque l’antenne passive est utilisée pour la réception (c’est-à-dire, la tension induite entre la première extrémité du conducteur externe de T2 et la première extrémité du conducteur externe de T1, lorsque l’antenne passive est utilisée pour la réception) ; une impédance (45) du dit cadre monospire (c’est-à-dire, une impédance qui existe entre la première extrémité du conducteur externe de T2 et la première extrémité du conducteur externe de T1) ; et ladite résistance (81), cette résistance ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2. La est un graphique montrant le niveau de champ de référence de la deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la , en fonction de la fréquence, pour un emplacement de référence proche de l’antenne passive, l’impédance interne du générateur étant supposée égale à 50 ohms à toute fréquence. L’emplacement de référence utilisé pour obtenir la est le même que l’emplacement de référence utilisé pour obtenir la , si bien que nous pouvons significativement comparer la à la .
Une antenne passive selon l’invention comporte : un premier élément, le premier élément comportant une ligne de transmission nommée T1, T1 ayant un conducteur externe et un conducteur interne, T1 ayant une première extrémité et une seconde extrémité, le conducteur externe de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur externe de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le premier élément étant une partie d’un cadre blindé ; un deuxième élément, le deuxième élément comportant une ligne de transmission nommée T2, T2 ayant un conducteur externe et un conducteur interne, T2 ayant une première extrémité et une seconde extrémité, le conducteur externe de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur externe de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le deuxième élément étant une partie du cadre blindé, la première extrémité du conducteur interne de T2 étant directement couplée à la première extrémité du conducteur interne de T1 ; un dispositif linéaire à accès unique ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne du dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2, le dispositif linéaire à accès unique comportant une résistance et un condensateur ; et un accès de l’antenne passive, l’accès de l’antenne passive ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T1, la seconde borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T1.
Par exemple, il est possible que le dispositif linéaire à accès unique ait une résistance en courant continu, la résistance en courant continu étant supérieure à 10 ohms, la résistance en courant continu étant inférieure à 500 ohms.
Par exemple, il est possible que T1 ait une impédance caractéristique, la résistance en courant continu étant supérieure à la moitié d’une partie réelle de l’impédance caractéristique de T1, la résistance en courant continu étant inférieure au double de ladite partie réelle de l’impédance caractéristique de T1. Par exemple, l’impédance caractéristique de T1 peut être une impédance caractéristique nominale. Par exemple, l’impédance caractéristique de T1 peut être une impédance caractéristique mesurée à 10 MHz, ou à 200 MHz.
Par exemple, il est possible que T1 ait une impédance caractéristique et que T2 ait une impédance caractéristique, une partie réelle de l’impédance caractéristique de T2 étant supérieure à la moitié d’une partie réelle de l’impédance caractéristique de T1, ladite partie réelle de l’impédance caractéristique de T2 étant inférieure au double de ladite partie réelle de l’impédance caractéristique de T1. Par exemple, l’impédance caractéristique de T2 peut être une impédance caractéristique nominale. Par exemple, l’impédance caractéristique de T2 peut être une impédance caractéristique mesurée à 10 MHz, ou à 200 MHz.
- la est un schéma électrique équivalent d’une première variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la ;
- la est un schéma électrique équivalent d’une deuxième variante de l’antenne passive de l’état de l’art antérieur montrée sur la ;
- la est un graphique montrant un niveau de champ de référence de la première variante de l’antenne passive montrée sur la , en fonction de la fréquence ;
Les canaux centraux 162 de chacun des huit pixels reliés au moyen de déplacement 165 sont reliés, par l’intermédiaire de canaux 179, à huit moyens de déplacement différents, 164, 169, 170, 172, 175, 176, 177 et 178 reliés à un réservoir de liquide 167, par l’intermédiaire de canaux 168. Il en est de même pour les huit pixels reliés au moyen de déplacement 171. Ainsi, chaque pixel 161 du dispositif d’affichage 160 est associé à un couple unique de moyens de déplacement. Comme expliqué ci-dessus, puisqu’il faut que deux moyens de déplacement soient dans un état différent de l’état d’arrêt interdisant le passage de liquide pour qu’une chambre d’un pixel 161 reçoive un liquide pendant qu’une autre chambre de ce pixel se vide de liquide, en actionnant les deux moyens de déplacement associés à un pixel 161, on fait varier la teinte de ce pixel 161 sans qu’aucun autre pixel 161 change de teinte.
En , chaque moyen de déplacement est représenté avec une fonction vanne vers laquelle convergent deux flèches, et une fonction pompe, représentée par un cercle muni d’une flèche en formant un rayon. Cette représentation rappelle que, dans des modes de réalisation (non représentés), ces deux fonctions d’autorisation de retour de liquide vers un réservoir et d’injection de liquide dans une chambre d’un pixel sont disjointes.
Un moyen de commande 220 des moyens de déplacement 164, 165, 169 à 172 et 175 à 178 est configuré pour déterminer, entre deux images différentes à afficher successivement, les pixels 163 dont la teinte est différente entre les deux images. Puis, ce moyen de commande 220 détermine les chambres de ces pixels 163 affectées par la variation de teinte à appliquer, c’est-à-dire celles de ces chambres dont le volume de liquide doit varier pour atteindre la nouvelle teinte à afficher et les volumes de liquide à injecter ou retirer de chacune de ces chambres. Puis, le moyen de commande 220 commande successivement les couples de moyens de déplacement 164, 165, 169 à 172 et 175 à 178 de liquide qui sont spécifiques aux seules chambres ainsi déterminées pour leurs appliquer les variations de volume ainsi déterminées. Par exemple, le moyen de commande 220 est un microcontrôleur associé à une mémoire d’un programme.