INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour atteindre cet objectif, l’invention propose un véhicule automobile comprenant : - un premier moteur comprenant un premier arbre ; - un deuxième moteur comprenant un deuxième arbre ; - au moins un embrayage de couplage pour coupler le premier arbre au deuxième arbre ; le deuxième moteur comprenant au moins un embrayage de changement de rapport ; - des roues ; - au moins une boite de vitesses reliant l’embrayage de changement de rapport aux roues via un ou plusieurs rapports de démultiplication, le véhicule automobile comprenant en outre un moyen de pilotage de l’embrayage de couplage mettant en œuvre : - une première phase de pré-remplissage de l’embrayage de couplage par de l’huile, puis - une phase de démarrage et d’accouplement, pour transmettre un couple entre le premier moteur et le deuxième moteur, et - une phase de fermeture complète pour verrouiller l’embrayage de couplage ; le véhicule automobile comprenant en outre un moyen de pilotage de l’embrayage de changement de rapport mettant en œuvre : - une deuxième phase de pré-remplissage de l’embrayage de changement de rapport, puis - une phase de couplage pour transmettre un couple aux roues, et - une phase de régime où le régime du deuxième moteur se synchronise avec le régime du premier moteur, caractérisé en ce que les moyens de pilotage sont configurés de sorte que la phase de pré-remplissage de l’embrayage de couplage est réalisée pendant la phase de pré-remplissage de l’embrayage de changement de rapport, et pouvant continuer pendant la phase de couplage. Il s’agit en particulier d’un changement de rapport croissant.
Avantageusement, l’invention propose une stratégie qui anticipe le pré-remplissage hydraulique de l’embrayage CC afin qu’il se réalise en temps masqué pendant la phase dite « de couple » (TQ) du changement de rapport montant.
La stratégie d’anticipation du pré-remplissage de l’embrayage CC permet une réduction du temps de glissement de l’embrayage de changement de rapports (GSC). Il en résulte : - une réduction de l’énergie dissipée améliorant la consommation globale du véhicule - une réduction de l’endommagement permettant une plus grande longévité de cet embrayage GSC.
Toutefois, les mémoires résistives OxRAM présentent encore certaines propriétés à améliorer.
Il serait ainsi notamment souhaitable d’augmenter la fenêtre mémoire des mémoires OxRAM. La fenêtre mémoire d’une mémoire OxRAM est définie comme un intervalle de valeurs de résistance compris entre deux bornes. La borne inférieure est la valeur de résistance la plus élevée parmi les résistances des états passants LRS. La borne supérieure est la valeur de résistance la moins élevée parmi les résistances des états isolants HRS. Une fenêtre mémoire étroite est donc associée à des états isolant et passant avec des valeurs de résistance rapprochées, ce qui conduit à des problèmes de fiabilité de la cellule mémoire résistive OxRAM.
En outre, l’endurance en écriture et effacement des mémoires OxRAM est assez limitée (de l’ordre de 10 4 -10 5 cycles).
Les mémoires OxRAM présentent par ailleurs des tensions de forming relativement élevées ainsi qu’une variabilité également relativement élevée au sein des valeurs de résistance à l’état LRS et à l’état HRS.
Enfin, il serait également souhaitable de diminuer le courant de compliance des mémoires OxRAM. Pour mémoire, le courant de compliance est la valeur d’intensité de courant que l’on fixe via un transistor de sélection en série avec la mémoire OxRAM qui permet de limiter la valeur maximale de courant autorisée à circuler dans la mémoire afin de ne pas la détériorer. Pour pouvoir utiliser une valeur de résistance basse la plus réduite possible, il faut disposer d’un courant de compliance suffisant pour atteindre une valeur suffisamment basse de la résistance à l’état passant. Un niveau de courant de compliance élevé nécessite d’utiliser des transistors de sélection encombrants ce qui limite la densité d’intégration, et d’autre part une baisse de la durée de vie des points mémoire. Ainsi, la diminution du courant de compliance permet de réduire l’empreinte spatiale du transistor de sélection et par conséquent celle de la cellule complète 1T-1R.
Il est connu que la variabilité des mémoires OxRAM peut être améliorée par l’utilisation d’un matériau actif de résistance électrique variable qui soit plutôt amorphe que cristallin, par exemple du HfO 2 amorphe.
Il est également connu que la réduction de la tension de forming des mémoires OxRAM peut être obtenue par une étape d’implantation ionique de silicium dans la couche active, par exemple en HfO 2 , afin d’obtenir une couche active dopée. Les doses d’implantation sont de l’ordre de 3 à 4.10 15 cm -2 avec une énergie d’implantation comprise entre 2keV et 4keV afin d’avoir une présence de 4 à 5% de silicium dans la couche active présentant une épaisseur comprise entre 5 et 10nm.
On comprend de ce qui précède que l’homme du métier voulant réaliser une mémoire OxRAM présentant de bonnes propriétés utilisera une couche active en HfO 2 amorphe implanté avec du silicium à des doses élevées (i.e. supérieures ou égales à 3.10 15 cm -2 ).
Les mémoires ferroélectriques ou mémoires FeRAM ont pour principales qualités d’être non volatiles, c’est-à-dire de conserver l’information stockée même quand la tension est coupée, de consommer peu d’énergie, d’avoir des temps d’écriture et de lecture faibles par rapport à d’autres types de mémoires non volatiles comme les mémoires FLASH, d’avoir une excellente tenue en température et de permettre une intégration « back end » compatible avec la technologie CMOS.
Comme les mémoires OxRAM, les mémoires FeRAM présentent une structure M-I-M (Métal-Isolant-Métal) comprenant un matériau actif de résistance électrique variable, par exemple du HfO 2 disposé entre deux électrodes métalliques, par exemple en TiN. Le dioxyde d’hafnium est ici utilisé dans sa phase orthorhombique lui conférant des propriétés ferroélectriques : il est connu que cette cristallisation dans la phase orthorhombique est obtenue par une implantation, par exemple de Si, dans la couche active, avec une dose de l’ordre de 3.10 1 4 cm -2 avec une énergie d’implantation de l’ordre de 4keV, soit typiquement 10 fois moins de dopants silicium que ce qui est utilisé dans une mémoire de type OxRAM.
Les mémoires ferroélectriques sont des mémoires de type capacitif présentant deux états de polarisation rémanente +Pr et -Pr. La illustre le fonctionnement des mémoires ferroélectriques. Ce dernier est basé sur les propriétés ferroélectriques de leur matériau actif placé entre deux électrodes. Par l’application d’une différence de potentiels entre les deux électrodes créant un champ électrique d’une valeur supérieure au champ coercitif positif +Ec, la mémoire ferroélectrique est placée dans un état de polarisation rémanente haute +Pr et par l’application d’une différence de potentiels créant un champ électrique d’une valeur inférieure au champ coercitif négatif -Ec, la mémoire ferroélectrique est placée dans un état de polarisation rémanente basse -Pr. L’état de polarisation rémanente haute +Pr correspond alors à l’état logique binaire ‘0’ et l’état de polarisation rémanente basse -Pr à l’état logique binaire ‘1’, ce qui permet le stockage de l’information. On notera que lorsqu’on arrête l’application de la différence de potentiels, l’état de polarisation rémanente demeure : ceci explique le caractère non volatil des mémoires ferroélectriques. S’agissant de la lecture d’une mémoire ferroélectrique, on ne sait pas a priori dans quel état de polarisation se trouve la mémoire. Donc, pour la lecture, on suppose qu’on est dans un état donné et on applique une tension, par exemple positive, au-delà de la tension créant un champ électrique d’une valeur supérieure au champ coercitif positif +Ec : si la mémoire était déjà dans l’état de polarisation rémanente haute +Pr, on ne change pas cet état de polarisation et aucun pic de courant ne sera observé (ou un très faible pic de courant sera observé). A l’inverse, si la mémoire était dans l’état de polarisation rémanente basse -Pr, on observe un pic de courant beaucoup plus important. La conséquence de cette opération de lecture est qu’elle est destructrice de l’état de polarisation.
Il peut par ailleurs s’avérer utile d’avoir sur une même matrice une cointégration de mémoires OxRAM et de mémoires FeRAM du fait de la limitation soit en lecture pour les FeRAM soit en écriture pour les OxRAM.
L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment en proposant une matrice de cellules mémoire, lesdites cellules ayant un fonctionnement de type OxRAM amélioré, notamment en termes de fenêtre mémoire augmentée et de courant de compliance plus faible.
Pour ce faire, l’invention a notamment pour objet une matrice mémoire comportant une pluralité de cellules mémoire d’un premier type ,ladite matrice ne comportant aucune autre cellule mémoire d’un autre type que le premier type, chacune desdites cellules mémoire du premier type comportant une première électrode, une deuxième électrode et une couche de matériau actif cristallin disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, la couche de matériau actif présentant une épaisseur comprise entre 2nm et 20nm le matériau actif étant : soit du dioxyde d’hafnium dopé par un élément dopant choisi parmi l’un des éléments suivants : Si, Al, Zr, Gd, Ge, Y ou N ; soit un alliage Hf x Zr 1-x O 2 non dopé ou dopé par un élément dopant choisi parmi l’un des éléments suivants : Si, Al, Gd, Ge, Y ou N, avec 0 l’une au moins desdites première ou deuxième électrode étant formée d’au moins deux couches comportant : une première couche conductrice en contact avec la couche de matériau actif et choisie pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche de matériau actif ; une deuxième couche conductrice disposée sur la première couche conductrice.
On entend par cellules mémoire d’un premier type, un ensemble de cellules identiques en termes de couches formant leur empilement, de matériaux de ces couches et d’épaisseurs de ces couches mesurées suivant l’axe perpendiculaire au plan des couches ; les cellules d’un premier type peuvent en revanche présenter des dimensions latérales différentes, voire des formes différentes.
Grâce à l’invention, la structure particulière des cellules mémoire permet d’obtenir une matrice de cellules fonctionnant à la fois en tant que FeRAM et en tant qu’OxRAM, en dépit d’une structure identique.
Un autre mode de réalisation particulièrement avantageux comprend un empilement qui comprend en partant du substrat : - un premier revêtement diélectrique comprenant au moins une couche à base de nitrure de silicium et une couche à base d’oxyde de zinc, - éventuellement une couche de blocage, - une première couche fonctionnelle, - éventuellement une couche de blocage, - un deuxième revêtement diélectrique comprenant au moins trois couches successives, une couche à base d’oxyde de zinc, une couche à base de nitrure de silicium et une couche à base d’oxyde de zinc, - éventuellement une couche de blocage, - une deuxième couche fonctionnelle, - éventuellement une couche de blocage, - un troisième revêtement diélectrique comprenant au moins au moins trois couches successives, une couche à base d’oxyde de zinc, une couche à base de nitrure de silicium et une couche à base d’oxyde de zinc, - éventuellement une couche de blocage, - une troisième couche fonctionnelle, - éventuellement une couche de blocage, - un quatrième revêtement diélectrique comprenant au moins une couche à base d’oxyde de zinc, une couche à base de nitrure de silicium et - éventuellement une couche de protection.
L’invention concerne également un vitrage comprenant au moins un matériau tel que défini ci-dessus sous forme de vitrage monolithique, feuilleté ou multiple, en particulier double vitrage ou triple vitrage.
Un vitrage feuilleté comprend le matériau tel que défini ci-dessus et au moins un second substrat, le matériau et le second substrat sont liés entre eux par l’intermédiaire d’un intercalaire de feuilletage. Il comporte une face 1 située à l'extérieur du bâtiment ou du véhicule qu’il équipe, des faces 2 et 3 au contact de l’intercalaire de feuilletage et une face 4 à l'intérieur du bâtiment ou du véhicule, le revêtement fonctionnel est positionné en face 2 ou 3. Il présente : - une transmission lumineuse supérieure à 70 %, de préférence supérieure à 75 %, et/ou - une transmission énergétique totale inférieure à 50 %, de préférence inférieure à 48,5% et/ou - une réflexion lumineuse extérieur inférieure à 15 %.
Dans les configurations sous forme de vitrage feuilleté, les propriétés colorimétriques sont calculées avec : - des matériaux comprenant un substrat revêtu d’un revêtement fonctionnel montés dans un vitrage feuilleté, - le vitrage feuilleté comprend un matériau comprenant un substrat de type verre sodo-calcique ordinaire de 1 à 2,1 mm et un autre substrat de verre de type verre sodo-calcique de 1 à 2,1 mm, les deux substrats sont séparés par un intercalaire de feuilletage en Polyvinyl Butyral (PVB) de 0,76 mm, - le revêtement fonctionnel à base d’argent est de préférence positionné en face 3.
Le vitrage feuilleté peut comprendre en outre un revêtement fonctionnel à base d’oxyde conducteur. Il est de préférence positionné en face 4. La couche d’oxyde conducteur est choisie parmi l'oxyde d'étain dopé au fluor, l'oxyde d'étain dopé à l'antimoine et/ou l'oxyde d'indium et d'étain.
Les substrats peuvent être en matériau polymère transparent qui comprennent les substrats en poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), en polycarbonate (PC), en polyuréthane ou en polyurée (PU).
Le substrat est de préférence transparent, incolore (il s’agit alors d’un verre clair ou extra-clair) ou coloré, par exemple en bleu, gris ou bronze.
Le revêtement fonctionnel à base d’argent peut être avantageusement déposé sur un substrat de verre clair pour permettre une réflexion maximale des rayonnements infra-rouge et obtenir ainsi un faible transmission énergétique totale.
Le revêtement fonctionnel à base d’argent peut être déposé sur un substrat teinté afin de neutraliser l’aspect en réflexion extérieur. Toutefois, dans ce cas un compromis doit être trouvé entre neutralisation des couleurs et performances énergétiques.
A l’étape 16, la polarisation du flux de photons P20 est mesurée par un instrument de mesure 45.
Si, en moyenne, un résultat intermédiaire est obtenu, par exemple une polarisation à 45°, on en déduit que le premier photon P1 n’a pas été mesuré, et un bit "0" est reçu.
Si un état quantique correspondant à une mesure dans le premier récepteur 3 est obtenu, par exemple une polarisation verticale (90°) ou horizontale (0°), on en déduit que le premier photon P1 a été mesuré, et un bit "1" est reçu.
A l’étape 17, le photon P1 atteint le modificateur de polarisation 32, qui convertit la polarisation linéaire du photon P1 en une paire sélectionnée de polarisations complémentaires, la paire ayant été sélectionnée selon le formalisme de Jones et correspondant à une valeur discrète à transmettre.
A l’étape 13, le photon P1 est absorbé par l’instrument 35 dans l’un des deux états complémentaires de la paire sélectionnée, projetant par la même occasion le photon intriqué P2 dans son état complémentaire.
L’invention n’est pas limitée à la mesure d’une polarisation linéaire des photons. D’autres types d’état quantique peuvent être mesurés et/ou d’autres moyens de mesure peuvent être utilisés, notamment des mesures dans d’autres bases observables.
En variante, les photons P1 et P2 sont émis avec une polarisation intriquée linéaire, et l’instrument de mesure 35 projette, en mesurant une polarisation circulaire, le photon P1 et par intrication le photon P2, selon cette base observable.
Dans une variante, le récepteur 3 comporte deux instruments de mesure 35, l’un mesurant une polarisation linéaire, l’autre mesurant une polarisation circulaire. Le sélecteur optique envoie par exemple le photon P1 vers le premier instrument de mesure si un bit "1" doit être transmis, vers le deuxième instrument de mesure si un bit "2" doit être transmis, et l’empêche d’être mesuré si un bit "0" doit être transmis.
- R, identiques ou différents, représentent un radical divalent hydrocarboné en C 2 -C 12 , linéaire ou ramifié, comportant éventuellement un ou plusieurs hétéroatomes tels que l'oxygène; de préférence, R désigne un radical éthylène, un radical propylène linéaire ou ramifié, un radical butylène linéaire ou ramifié, ou un radical CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(OH)CH 2 -; préférentiellement R désigne un radical CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(OH)CH 2 -; - R', identiques ou différents, représentent un radical divalent hydrocarboné en C 2 -C 12 , linéaire ou ramifié, comportant éventuellement un ou plusieurs hétéroatomes tels que l'oxygène; de préférence, R' désigne un radical éthylène, un radical propylène linéaire ou ramifié, un radical butylène linéaire ou ramifié, ou un radical CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(OH)CH 2 -; préférentiellement R' désigne -CH(CH 3 )-CH 2 -.
g) les silicones aminées de formules (L) et (M) : (L) dans laquelle :
- R, R’ et R’’’, identiques ou différents, désignent un groupe alkyle en C 1 -C 4 ou un groupe hydroxyle,
- m et n sont des nombres tels que la masse moléculaire moyenne en poids du composé est comprise entre 5000 et 500000 ; (M) dans laquelle :
- x et y sont des nombres allant de 1 à 5000 ; de préférence x va de 10 à 2000, et plus préférentiellement de 100 à 1000 ; de préférence y va de 1 à 100 ; - R 1 et R 2 , identiques ou différents, de préférence identiques, désignent un groupe alkyle, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone, et plus préférentiellement de 12 à 20 atomes de carbone ; et
La ou les silicones aminées sont de préférence de formule (M) avec: - x allant de 10 à 2 000, et en particulier de 100 à 1 000; - y allant de 1 à 100; - A comprenant de 3 à 6 atomes de carbone et notamment 4 atomes de carbone; de préférence, A est ramifié; et plus particulièrement, A est choisi parmi les groupes divalents suivants: -CH 2 CH 2 CH 2 et -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; et - R 1 et R 2 étant indépendamment des groupes alkyles linéaires saturés comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone et en particulier de 12 à 20 atomes de carbone; choisis notamment parmi les groupes dodécyle, tétradécyle, pentadécyle, hexadécyle, heptadécyle, octadécyle, nonadécyle et éicosyle; préférentiellement, R 1 et R 2 , identiques ou différents, étant choisis parmi les groupes hexadécyle (cétyle) et octadécyle (stéaryle).
Une silicone préférée de formule (M) est la bis-cétéarylamodiméthicone. On peut citer en particulier la silicone aminée vendu sous le nom SILSOFT AX par Momentive.
- les copolymères d’acrylamide et de diméthylaminoéthyl méthacrylate quaternisé au sulfate de diméthyle ou avec un halogénure de diméthyle, tels que celui vendu sous la dénomination HERCOFLOC par la société HERCULES,
- les copolymères d’acrylamide et de chlorure de méthacryloyloxyéthyltriméthylammonium, tels que ceux vendus sous la dénomination BINA QUAT P 100 par la société CIBA GEIGY,
- le copolymère d’acrylamide et de méthosulfate de méthacryloyloxyéthyltriméthylammonium, tel que celui vendu sous la dénomination RETEN par la société HERCULES,
- les copolymères vinylpyrrolidone/acrylate ou méthacrylate de dialkylaminoalkyle, quaternisés ou non, tels que les produits vendus sous la dénomination « GAFQUAT » par la société ISP comme par exemple « GAFQUAT 734 » ou « GAFQUAT 755 » ou bien les produits dénommés « COPOLYMER 845, 958 et 937 ». Ces polymères sont décrits en détail dans les brevets français 2.077.143 et 2.393.573 ;
- les copolymères vinylpyrrolidone/ méthacrylamidopropyldimethylamine, tels que ceux commercialisés sous la dénomination STYLEZE CC 10 par ISP ;
- les copolymères vinylpyrrolidone/ méthacrylamide de diméthylaminopropyle quaternisés, tel que le produit vendu sous la dénomination « GAFQUAT HS 100 » par la société ISP,
- les polymères, de préférence réticulés, de sels de méthacryloyloxyalkyl(C1-C4) trialkyl(C1-C4)ammonium tels que les polymères obtenus par homopolymérisation du diméthylaminoéthylméthacrylate quaternisé par le chlorure de méthyle, ou par copolymérisation de l’acrylamide avec le diméthylaminoéthylméthacrylate quaternisé par le chlorure de méthyle, l’homo- ou la copolymérisation étant suivie d’une réticulation par un composé à insaturation oléfinique, en particulier le méthylène bisacrylamide. On peut plus particulièrement utiliser un copolymère réticulé acrylamide/chlorure de méthacryloyloxyéthyltriméthylammonium (20/80 en poids) sous forme de dispersion comprenant 50% en poids dudit copolymère dans de l’huile minérale. Cette dispersion est commercialisée sous le nom de « SALCARE® SC 92 » par la société CIBA. On peut également utiliser un homopolymère réticulé du chlorure de méthacryloyloxyéthyltriméthylammonium comprenant environ 50% en poids de l’homopolymère dans de l’huile minérale ou dans un ester liquide. Ces dispersions sont commercialisées sous les noms « SALCARE® SC 95 » et « SALCARE® SC 96 » par la société CIBA.
(2) les polysaccharides cationiques, notamment les celluloses et les gommes de galactomannanes cationiques. Parmi les polysaccharides cationiques, on peut citer plus particulièrement les dérivés d’éthers de cellulose comportant des groupements ammonium quaternaires, les copolymères de cellulose cationiques ou les dérivés de cellulose greffés avec un monomère hydrosoluble d’ammonium quaternaire et les gommes de galactomannanes cationiques.
Les dérivés d’éthers de cellulose comportant des groupements ammonium quaternaires sont notamment décrits dans FR1492597, et on peut citer les polymères commercialisés sous la dénomination « UCARE POLYMER JR » (JR 400 LT, JR 125, JR 30M) ou « LR » (LR 400, LR 30M) par la Société AMERCHOL. Ces polymères sont également définis dans le dictionnaire CTFA comme des ammonium quaternaires d’hydroxyéthylcellulose ayant réagi avec un époxyde substitué par un groupement triméthylammonium.
Les copolymères de cellulose cationiques ou les dérivés de cellulose greffés avec un monomère hydrosoluble d’ammonium quaternaire, sont décrits notamment dans le brevet US4131576, et on peut citer les hydroxyalkylcelluloses, comme les hydroxyméthyl-, hydroxyéthyl- ou hydroxypropyl celluloses greffées notamment avec un sel de méthacryloyléthyl triméthylammonium, de méthacrylamidopropyl triméthylammonium, de diméthyl-diallylammonium. Les produits commercialisés répondant à cette définition sont plus particulièrement les produits vendus sous la dénomination « Celquat L 200 » et « Celquat H 100 » par la Société National Starch.
(3) les polymères constitués de motifs pipérazinyle et de radicaux divalents alkylène ou hydroxyalkylène à chaînes linéaires ou ramifiées, éventuellement interrompues par des atomes d’oxygène, de soufre, d’azote ou par des cycles aromatiques ou hétérocycliques, ainsi que les produits d’oxydation et/ou de quaternisation de ces polymères.
(4) les polyaminoamides solubles dans l’eau, préparés en particulier par polycondensation d’un composé acide avec une polyamine ; ces polyaminoamides peuvent être réticulés par une épihalohydrine, un diépoxyde, un dianhydride, un dianhydride non saturé, un dérivé bis-insaturé, une bis-halohydrine, un bis-azétidinium, une bis-haloacyldiamine, un bis-halogénure d’alkyle ou encore par un oligomère résultant de la réaction d’un composé bifonctionnel réactif vis-à-vis d’une bis-halohydrine, d’un bis-azétidinium, d’une bis-haloacyldiamine, d’un bis-halogénure d’alkyle, d’une épilhalohydrine, d’un diépoxyde ou d’un dérivé bis-insaturé ; l’agent réticulant étant utilisé dans des proportions allant de 0,025 à 0,35 mole par groupement amine du polyaminoamide ; ces polyaminoamides peuvent être alcoylés ou s’ils comportent une ou plusieurs fonctions amines tertiaires, quaternisés.