Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b), comprenant : un cylindre (110), ayant un premier trou traversant (115) ; et deux bases (120, 120', 130), disposées respectivement sur des côtés opposés du cylindre (110), dans lequel chaque base (120, 120', 130) comprend un motif de saillie continu (122, 122', 132) et a une surface plate (121, 131), une surface courbée (123, 133), et un second trou traversant (125, 135), la surface plate (121, 131) étant reliée à la surface courbée (123, 133), un premier côté (E1, E3) de la surface courbée (123, 133) étant relié au cylindre (110), le second trou traversant (125, 135) traversant la surface courbée (123, 133) et communiquant avec le premier trou traversant (115), et le motif de saillie continu (122, 122', 132) étant relié à un second côté (E2, E4) de la surface courbée (123, 133) et étant situé sur la surface plate (121, 131). Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 1, dans lequel le motif de saillie continu (122, 122', 132) comprend une pluralité de portions de saillie (124, 124', 134) et une pluralité de portions de liaison (126, 126', 136), les portions de saillie (124, 124', 134) et les portions de liaison (126, 126', 136) étant reliées alternativement pour former un motif continu. Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 2, dans lequel les portions de saillie (124, 124', 134) du motif de saillie continu (122, 122', 132) de chaque base (120, 120', 130) et un bord périphérique (S1, S2, S2', S3) de chaque base (120, 120', 130) sont agencés à intervalles. Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 2, dans lequel les portions de saillie (124, 124', 134) du motif de saillie continu (122, 122', 132) de chaque base (120, 120', 130) sont reliées à un bord périphérique (S1, S2, S2', S3) de chaque base (120, 120', 130). Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 1, dans lequel un côté du motif de saillie continu (122, 122', 132) éloigné de la surface courbée (123, 133) est présenté sous forme de profil d’arc. Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 1, dans lequel une direction d’extension (L1, L2) du cylindre (110) est perpendiculaire à une direction d’extension (L1, L2) de chaque base (120, 120', 130). Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 1, dans lequel un bord périphérique (S1, S2, S2', S3) de chaque base (120, 120', 130) et un bord périphérique (S1, S2, S2', S3) du cylindre (110) sont séparés par une distance horizontale (D1, D2). Composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) selon la revendication 1, dans lequel il existe une différence de hauteur (H1, H2) entre le premier côté (E1, E3) et le second côté (E2, E4) de la surface courbée (123, 133). Module à semi-conducteur (10), comprenant : un substrat stratifié (200), ayant une surface de contact (221) ; un composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b), disposé sur la surface de contact (221) du substrat stratifié (200), dans lequel le composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) comprend : un cylindre (110), ayant un premier trou traversant (115) ; et deux bases (120, 120', 130), disposées respectivement sur des côtés opposés du cylindre (110), dans lequel chaque base (120, 120', 130) comprend un motif de saillie continu (122, 122', 132) et a une surface plate (121, 131), une surface courbée (123, 133), et un second trou traversant (125, 135), la surface plate (121, 131) étant reliée à la surface courbée (123, 133), un premier côté (E1, E3) de la surface courbée (123, 133) étant relié au cylindre (110), le second trou traversant (125, 135) traversant la surface courbée (123, 133) et communiquant avec le premier trou traversant (115), et le motif de saillie continu (122, 122', 132) étant relié à un second côté (E2, E4) de la surface courbée (123, 133) et étant situé sur la surface plate (121, 131) ; et une brasure (300), disposée entre l’une des deux bases (120, 120', 130) du composant de liaison de signaux de boîtier de semi-conducteur de puissance (100a, 100b) et le substrat stratifié (200), dans lequel le motif de saillie continu (122, 122', 132) de l’une des deux bases (120, 120', 130) vient directement en contact avec la brasure (300) et le motif de saillie continu (122, 122', 132) et le substrat stratifié (200) sont agencés à intervalles. Module à semi-conducteur (10) selon la revendication 9, dans lequel le substrat stratifié (200) comprend : une couche d’isolation (210), ayant une première surface (211) et une seconde surface (213) à l'opposé l’une de l’autre ; une couche de câblage (220), disposée sur la première surface (211) de la couche d’isolation (210) et ayant la surface de contact (221) ; et une couche en métal (230), disposée sur la seconde surface (213) de la couche d’isolation (210).