INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De manière plus précise, la première roue dentée 42 et la deuxième roue dentée 44 de chacun des engrenages 34 sont mobiles en translation radiale par rapport à l’arbre moteur 28 entre la position active dans laquelle la première roue dentée 42 ou la deuxième roue dentée 44 est engrainée en rotation par la roue moteur 32, et la position passive dans laquelle la première roue dentée 42 ou la deuxième roue dentée 44 est découplée de la roue moteur 32.
Une telle commutation entre la position active et la position passive est notamment rendue possible par la surface de commande périphérique 40 de la came 30, prenant ici la forme de l’encoche 40, qui permet de rapprocher radialement l’une des roues dentées 42, 44 de la roue moteur 32 en logeant l’ergot 50, 56 du support 46 ou du doigt 52.
En d’autres termes, l’encoche 40 de la came 30 permet de loger l’ergot 50, 56 du support 46 ou du doigt 52, mettant en contact tangentiel l’une des roues dentées 42, 44 qu’il porte avec la roue moteur 32, de telle sorte qu’elles soient liées en rotation.
Dit encore autrement, dans la position active de la première roue dentée 42 ou de la deuxième roue dentée 44, l’ergot 56, 50 respectivement du doigt 52 ou du support 46 est en contact avec le fond 41 de l’encoche 40 et dans la position passive de la première roue dentée 42 ou de la deuxième roue dentée 44, l’ergot 56, 50 respectivement du doigt 52 ou du support 46 est au contact du bord de contact 39 de la came 30 évoqué précédemment.
Ainsi, la came 30 est configurée pour prendre trois positions angulaires distinctes par rapport à chacun des engrenages 34, les trois positions angulaires distinctes étant visibles aux figures 7a à 7c.
Le fonctionnement et l’impact de chacune des trois positions angulaires de la came 30 vont maintenant être décrites en rapport avec les figures 7a à 8c.
On définit une première position angulaire de la came 30, visible à la , correspondant à l’alignement radial de l’encoche 40 de la came 30 avec l’ergot 56 du doigt 52.
Ainsi, dans la première position angulaire de la came 30, l’ergot 56 du doigt 52 portant la première roue dentée 42 est en contact avec le fond 41 de l’encoche 40 de la came 30.
Selon encore une autre caractéristique, le dispositif de délivrance 1 comporte des moyens de détection 13 de la présence d’au moins une pastille adhésive 2 sur les moyens de réception 9.
Tel que mentionné ci-dessus, ces moyens de réception 9 comportent une surface de réception 90 qui est configurée pour recevoir ladite au moins une portion 21 de ladite au moins une partie décollée 20 de ladite au moins une pastille adhésive 2. De manière additionnelle, ces moyens de réception 9 comportent un orifice 91, qui débouche au niveau de ladite surface de réception 90, et à l’intérieur duquel ou au droit duquel les moyens de détection 13 sont positionnés.
En ce qui concerne les moyens de détection 13, ceux-ci peuvent comporter au moins un capteur, plus particulièrement une pluralité de capteurs, notamment en parallèle, voire (et de préférence) en série.
De manière additionnelle, ces moyens de détection 13 peuvent, encore, comporter au moins une fibre optique (plus particulièrement une pluralité de fibres optiques, notamment en parallèle, voire - et de préférence - en série) associée à un tel capteur.
Tel que mentionné ci-dessus, les moyens de décollement 6 sont configurés en sorte que, en amont et au moins à proximité (voire au niveau) de ces moyens de décollement 6, ledit ensemble 4 s’étend selon un plan déterminé.
Le dispositif de délivrance 1 comporte, alors, des moyens de maintien 14 qui sont configurés pour maintenir ledit ensemble 4 en sorte que celui-ci s’étende selon ce plan déterminé. De tels moyens de maintien 14 peuvent adopter la forme d’au moins un doigt, qui est monté sur ladite platine 3, et qui s’étend de manière perpendiculaire par rapport au plan selon lequel s’étend cette platine 3.
Tel que mentionné ci-dessus, le dispositif de délivrance 1 comporte des moyens de montage en rotation 43 qui sont configurés pour monter ledit rouleau 41 en rotation autour dudit axe de rotation X1 sur la platine 3, ceci de manière réversible.
Tel que visible sur la , de tels moyens de montage en rotation 43 comportent, d’une part, une embase 430, qui est montée en rotation autour dudit axe X1 sur la platine 3, et qui est configurée pour être entraînée en rotation par les moyens d’entraînement 11, d’autre part, un bloc 431, qui est fixé sur l’embase 430, qui est solidaire en rotation autour de l’axe X1 de l’embase 430, qui adopte une forme cylindrique, qui comporte une collerette 432 (du côté opposé à l’embase 430), et qui s’étend selon l’axe X1, d’autre part encore, une couronne annulaire rigide 433, qui est positionnée autour du bloc 431, et qui coulisse en translation selon l’axe X1 par rapport audit bloc 431, d’autre part aussi, une tige filetée 434, qui traverse le bloc 431, qui s’étend selon l’axe X1, qui est solidaire en déplacement de la couronne annulaire rigide 433, d’autre part également, un écrou 435, qui prend appui (directement ou indirectement) contre le bloc 431 et/ou contre la collerette 432, qui coopère avec la tige filetée 434 et qui est positionné à l’opposé de l’embase 430 par rapport au bloc 431 qui est alors interposé entre cette embase 430 et cet écrou 435, et, d’autre part encore, au moins une bague annulaire déformable élastique 436 (plus particulièrement compressible et expansible, notamment réalisée en un matériau synthétique et/ou polymère, plus particulièrement du polyuréthane), qui est positionnée autour du bloc 431, et qui est interposée entre la couronne annulaire rigide 433 et la collerette 432 du bloc 431. Le rouleau 41 comporte, alors, un mandrin 410, autour duquel la première partie 40 de l’ensemble 4 est enroulée, et qui est positionné autour de ladite au moins une bague annulaire déformable élastique 436. Sous l’effet d’un actionnement (plus particulièrement du serrage) de l’écrou 435, la couronne annulaire rigide 433 s’approche de l’écrou 435 ce qui compresse axialement ladite au moins une bague annulaire déformable élastique 436 qui s’expand radialement et prend appui contre le mandrin 410 du rouleau 41 réalisant, ainsi, l’immobilisation de ce rouleau 41 par rapport au bloc 431. Sous l’effet d’un actionnement inverse (plus particulièrement du déserrage) de l’écrou 435, la couronne annulaire rigide 433 s’éloigne de l’écrou 435 ce qui détend axialement ladite au moins une bague annulaire déformable élastique 436 qui se rétracte radialement et ne prend plus appui contre le mandrin 410 du rouleau 41 permettant, ainsi, le retrait du rouleau 41 par rapport au bloc 431. Ces moyens de montage en rotation 43 permettent, avantageusement, un montage et un démontage rapides et aisés du rouleau 41 sur la platine 3.
A ce propos, on observera que de tels moyens de montage en rotation 43 ne sont aucunement limités au dispositif de délivrance 1 conforme à l’invention mais peuvent, également, être envisagés pour le montage en rotation autour d’un axe d’un rouleau quelconque (notamment comportant un ensemble comportant une bande ainsi que des pastilles adhésives collées sur cette bande ou autre) sur une platine quelconque.
On observera que les caractéristiques particulières du dispositif de délivrance 1 conforme à l’invention permettent, avantageusement, la réception d’un rouleau 41 qui comporte un grand nombre de pastilles adhésives 2, en particulier plus de 300 pastilles adhésives 2.
De plus, ces caractéristiques particulières, plus particulièrement les moyens de gestion (des moyens d’entraînement en rotation 11 du rouleau 41 et/ou des moyens d’entraînement en déplacement 7 de l’ensemble 4 et/ou des moyens d’enroulement 8 de la bande 5), permettent, avantageusement, une délivrance d’une pluralité de pastilles adhésives 2 à un dispositif de dépose de ces pastilles adhésives 2 avec une vitesse de délivrance élevée pouvant atteindre au moins une pastille adhésive 2 toutes les 3 secondes (voire toutes les 2 secondes), ceci avec une grande maîtrise, avec une grande précision, avec une grande fiabilité et avec un risque de rupture de l’ensemble 4 particulièrement réduit.
L’invention concerne, également, une installation de dépose 15 d’au moins une pastille adhésive 2 sur un élément de véhicule automobile, plus particulièrement en vue d’obturer un orifice (notamment traversant) que comporte un tel élément de véhicule automobile.
Cette installation de dépose 15 d’au moins une pastille adhésive 2 (non représentée) comporte, d’une part, un robot 16 (notamment multiaxe) qui comporte au moins un bras mobile, d’autre part, au moins un dispositif de dépose 17 d’au moins une pastille adhésive 2 qui est configuré pour déposer au moins une pastille adhésive 2 sur l’élément de véhicule automobile et, d’autre part encore, au moins un dispositif de délivrance 1 d’au moins une pastille adhésive 2 qui est configuré pour délivrer au moins une pastille adhésive 2 audit au moins un dispositif de dépose 17 d’au moins une pastille adhésive 2.
Cette installation de dépose 15 est caractérisée par le fait que ledit au moins un dispositif de délivrance 1 d’au moins une pastille adhésive 2, que comporte cette installation de dépose 15, présente (notamment chacun) au moins une partie des caractéristiques du dispositif de délivrance 1 d’au moins une pastille adhésive 2 décrit ci-dessus.
Une autre caractéristique de cette installation de dépose 15 concerne le fait qu’elle comporte des moyens de fixation réversible qui sont configurés pour fixer, de manière réversible, ledit au moins un dispositif de délivrance 1 d’au moins une pastille adhésive 2 et/ou ledit au moins un dispositif de dépose 17 d’au moins une pastille adhésive 2 sur le robot 16, plus particulièrement sur le bras de ce robot 16, notamment sur l’extrémité libre de ce bras de ce robot 16.
Selon un mode particulier de réalisation, ces moyens de fixation réversible sont configurés pour fixer, de manière réversible, ledit au moins un dispositif de délivrance 1 d’au moins une pastille adhésive 2 sur le robot 16, plus particulièrement sur le bras de ce robot 16, notamment sur l’extrémité libre de ce bras de ce robot 16.
Le substrat 10 présente typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de microns. Préférentiellement, le substrat présente une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohm.centimètre, et plus préférentiellement encore, supérieure à 2000 ohm.centimètre. On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de se déplacer dans le substrat. Cependant, l’invention n’est pas limitée à un substrat 10 présentant une telle résistivité, et elle procure également des avantages de performance RF lorsque le substrat présente une résistivité plus conforme, de l’ordre de quelques centaines d’ohm.centimètre, par exemple inférieure à 1000 ohm.cm, ou à 500 ohm.cm voire même à 10 ohm.cm.
Pour des raisons de disponibilité et de coût, le support 12 est préférentiellement en silicium monocristallin. Il peut s'agir par exemple d'un substrat de silicium CZ à faible teneur en oxygène interstitiel comprise entre 6 et 10 ppm, ou d’un substrat de silicium FZ qui présente notamment une teneur en oxygène interstitiel naturellement très faible. Il peut également s'agir d'un substrat de silicium CZ présentant une quantité élevée d'oxygène interstitiel (désigné par l'expression « High Oi ») supérieure à 26 ppm. Le support 12 peut alternativement être formé d'un autre matériau : il peut s'agir par exemple de saphir, de verre, de quartz, de carbure de silicium… Dans certaines circonstances, et notamment lorsque la couche de piégeage 14 présente une épaisseur suffisante, par exemple supérieure à 30 microns, le support 12 peut présenter une résistivité standard, inférieure à 1 kohm.cm.
La couche de piégeage 14 peut être de natures très variées, ainsi que cela est reporté dans les documents formant l'état de la technique. D'une manière générale, il s'agit d'une couche non cristalline présentant des défauts structurels tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores… Ces défauts structurels forment des pièges pour les charges susceptibles de circuler dans le matériau, par exemple au niveau de liaisons chimiques non complètes ou pendantes. On prévient ou on limite ainsi la conduction dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée.
De manière avantageuse, et pour des raisons de simplicité de mise en œuvre, cette couche de piégeage 14 est formée d'une couche de silicium polycristallin. Son épaisseur, notamment lorsqu'elle est formée sur un support 12 résistif, peut être comprise entre 0,3 et 3 µm. Mais d'autres épaisseurs inférieures ou supérieures à cet intervalle sont tout à fait envisageables, selon le niveau de performance RF attendu de la structure 1.
Afin de chercher à préserver la qualité polycristalline de cette couche au cours des traitements thermiques que peut subir la structure 1, on peut avantageusement prévoir une couche amorphe, en dioxyde de silicium par exemple, sur le support 12 avant le dépôt de la couche de piégeage de charges 14.
On peut alternativement former la couche de piégeage 14 par une implantation d’espèce lourde, tel que de l’argon, dans une épaisseur superficielle du support 12, afin d’y former les défauts structurels constituant les pièges électriques. On peut également former cette couche 14 par porosification d’une épaisseur superficielle du support 12.
La couche diélectrique est d’ordinaire constituée d’un oxyde de silicium et préférentiellement contient de l’azote, favorable pour former une couche barrière empêchant la diffusion des espèces, en particulier l’hydrogène et le lithium mentionnés ci-dessus.
La couche superficielle 20 peut être de toute nature qui convient. Elle est très préférentiellement formée d’un matériau monocristallin. Lorsque la structure 1 est destinée à recevoir des composants intégrés à semi-conducteur, la couche superficielle 20 peut être ainsi composée de silicium monocristallin, ou de tout autre matériau semi-conducteur. Dans un tel cas, une contamination au lithium peut avoir pour origine l’équipement utilisé pour la fabrication de la structure. Lorsque la structure 1 est destinée à recevoir des filtres à onde acoustique de surface, la couche superficielle 20 peut être composée d’un matériau piézoélectrique et/ou ferroélectrique, tel que du tantalate de lithium ou du niobate de lithium. Dans ce cas, en plus d’éventuelles contaminations par l’extérieur, la contamination au lithium a aussi avoir pour origine la couche superficielle elle-même. La couche superficielle 20 peut également comprendre des composants intégrés finis ou semi-finis, formés sur le substrat donneur et reportés sur le substrat 10 au cours de l’étape de fabrication de la structure 1. D’une manière générale, la couche mince peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm.
On présente maintenant, à titre d’illustration seulement, à l’aide de la un procédé de fabrication d'une structure conforme à celle représentée sur la , dans laquelle la couche superficielle 20 est une couche ferroélectrique.
Selon ce procédé, sur un support 12 en silicium, on forme par dépôt une couche de piégeage de charges 14 en silicium polycristallin, par exemple à l'aide d'une technique LPCVD conduite entre 600°C et 650°C. La couche piégeage 14 présente une épaisseur d'environ 500 nm, voir 1 micron.
La couche de piégeage 14 est ensuite polie par une étape de polissage mécano-chimique (ou CMP pour Chemical-Mechanical Polishing en terminologie anglaise) conduisant à un enlèvement d'environ 100 à 200 nanomètres de la couche de piégeage, résultant en une couche d’épaisseur comprise entre 500 et 1000 nanomètre pour présenter une surface de rugosité inférieure à 300 nm, préférentiellement inférieure à 140 nm, ou encore plus préférentiellement inférieure à 100 nm, en mesure pic-vallée. De manière non-limitative une rugosité pic-vallée de 800 nm peut être obtenue avec un dépôt d'une couche de piégeage de charges en silicium polycristallin de plusieurs microns (environ 4 µm). Une telle rugosité pourrait permettre d'éviter des modes parasites, en particulier présent dans une structure type POI (Piezoelectric-On-Insulator en terminologie anglaise) avec une épaisseur de la couche piézoélectrique supérieur à la longueur d’onde utilisée, dus au rayonnement de ces modes de volumes dans le volume et leur interaction avec les interfaces.
Préférablement, afin de réduite le contenu en hydrogène de la couche de piégeage, on peut prévoir un premier recuit de cette couche dans une atmosphère pauvre en hydrogène (i.e. inférieur à 5 ppm) à une température comprise entre la température de dépôt et 1000°C. Avantageusement la température du premier recuit est supérieure à 620°C et préférentiellement inférieure à 900°C, pendant au moins une heure et préférentiellement pendant quelques heures. On exodiffuse efficacement dans ces conditions préférentielles de recuit l’hydrogène présent dans la couche de piégeage 3 pour réduire sa concentration sous le seuil de 10 18 at/cm 3 , préférablement 10 1 7 at/cm 3 , sans détériorer la nature polycristalline de la couche de piégeage, par effet de recristallisation.
Sur la couche de piégeage 14 on dépose, par exemple par une technique PECVD conduite à une température comprise entre 600°C et 800°C, une couche diélectrique 16 formée d’une couche d'oxyde de silicium incluant de l’azote de 300 nm à 1000 nm d'épaisseur formant la couche diélectrique 16 de la structure 1. La couche est ensuite polie par une étape de polissage mécano-chimique (CMP) conduisant à un enlèvement d'environ 200 à 800 nanomètres de l’oxyde pour fournir une surface présentant une rugosité inférieure à 0,3 nm RMS, par exemple sur un champ de 5*5 microns ou un champ de 30*30 microns par une mesure par microscopie à force atomique. Les dimensions du champ de mesure sont adaptées par le praticien de manière à obtenir une caractérisation représentative de la couche considérée. Ici, la couche diélectrique 16 présente une épaisseur comprise entre 150 nm et 500 nm, préférentiellement entre 150 nm et 250 nm, et une concentration en hydrogène importante de plus de 10 20 at/cm 3 mais restant de préférence inférieure à une concentration en azote dans la couche diélectrique 16.
Pour réduire cette concentration, on peut applique un deuxième recuit, dit « de densification », similaire au premier recuit décrit précédemment. Il s'agit donc d'un recuit sous atmosphère pauvre en hydrogène (i.e. inférieure à 5 ppm) et exposant la couche diélectrique 16 à une température supérieure à sa température de dépôt. Il peut s’agir d’une atmosphère neutre ou oxydante. Préférentiellement cette température est supérieure à 800°C, typiquement comprise entre 800°C et 900°C. Le recuit est poursuivi pendant au moins une heure, et préférentiellement pendant plusieurs heures, enfin d'exodiffuser l'hydrogène de la couche diélectrique 16, et éventuellement de la couche de piégeage 14. A l’issue de ce recuit de densification, la couche diélectrique 16 présente une concentration en hydrogène inférieure 10 20 at/cm 3 et la couche de piégeage 14 présente une concentration en hydrogène inférieures 10 18 at/cm 3 , préférablement 10 1 7 at/cm 3 .
La présence d’azote dans une couche d’oxyde de silicium améliore son effet barrière vis-à-vis de la diffusion d’espèces chimiques telles que le lithium et l’hydrogène. La demanderesse a estimé par simulations et confirmé par expériences qu’une diminution de la rugosité de la couche de piégeage s’accompagne d’une diminution de la teneur en azote nécessaire pour obtenir un effet barrière satisfaisant. Ainsi, une concentration en azote comprise entre 5.10 20 at/cm 3 et 10 22 at/cm 3 , préférablement entre 10 21 at/cm 3 et 6.10 21 at/cm 3 , permet, en combinaison avec une couche de piégeage de rugosité inférieure à 800 nm, préférentiellement inférieur à 400 nm, préférentiellement inférieure à 100 nm, en mesure pic-vallée, d’obtenir un effet barrière suffisant de la couche diélectrique pour élaborer sur le substrat ainsi obtenu des dispositifs capables de fonctionner en hautes fréquences. Les valeurs hautes des plages ci-dessus ne constituent pas une limite haute à la concentration en azote pour obtenir un l’effet barrière, mais assurent une concentration en azote suffisamment basse pour pouvoir appliquer la structure selon l’invention à des dispositifs connus sans risquer d’influencer négativement leurs performances.
L’importance de la minimisation de la rugosité en mesure pic-vallée s’explique de manière empirique au moyen de la : chaque pic 310 de rugosité de la couche de piégeage 14 créée un ou plusieurs chemins privilégiés (représentés par des flèches droites) pour la migration des espèces à travers la couche diélectrique 16 en raison d’un amincissement local de la couche diélectrique 16 au niveau des ces pics 310. La n’est qu’une représentation schématique utilisée à des fins explicatives et aucunement une représentation réaliste des couches dans un dispositif réel.
De ce fait, les composés oxygénés, en particulier les aldéhydes présents dans le courant de gaz de tête 36, résultant du traitement conjoint des charges 20, 22 dans le craqueur catalytique 30 sont sensiblement éliminés, et ne se retrouvent plus en aval du point d’injection du courant de bisulfite 108.
En particulier, ces aldéhydes ne se retrouvent pas dans le courant de gaz de pétrole liquéfié traité 172, ni dans le courant aval d’amine de lavage chargé 174. Leur concentration au passage du filtre amont 146 est inférieure à 2% en masse, ce qui évite leur combinaison avec le sulfure d’hydrogène contenu dans le courant 100 en amont du filtre amont 146 et donc l’encrassement du filtre amont par un composé solide.
De même, leur teneur dans l’ensemble des courants en amont du point d’injection du courant de bisulfite 108 est très faible, évitant la coloration de ces courants
Il est ainsi possible d’opérer de manière fiable et sûre l’installation de production 10, même avec des teneurs relativement élevées en charge d’huile issue de sources renouvelables 22, ce qui permet d’obtenir des fractions 12, 14, 16A à 16C au moins en partie issues de sources renouvelables.
Dans les variantes d’unités de fractionnement 38 représentées sur les figures 2 à 5, le système d’ajout de bisulfite 106 est piqué en aval du séparateur aval 130, dans le flux liquide huileux 90 ou dans un courant produit au moins partiellement à partir du flux liquide huileux 90.
Dans la variante d’unité de fractionnement 38 représentée sur la , dans le séparateur liquide-gaz 122B du deuxième étage de compression, le liquide récupéré est réinjecté entre le compresseur 124B et l’aéroréfrigérant 126B.
Le système d’ajout de bisulfite 106 est piqué en aval de la colonne aval 168 de mise en contact du courant aval d’amine de lavage 170 avec le courant de gaz de pétrole liquéfié 164.
Le courant de bisulfite 108 est injecté dans le courant aval d’amine de lavage chargé 174.
La teneur en composés oxygénés, notamment en aldéhydes, notamment des aldéhydes en C1 à C5, du courant aval d’amine de lavage chargé 174 en amont du point d’injection du courant de bisulfite 108 est supérieure à 0,2 % en moles et est comprise entre 0,5 % en moles et 10 % en moles.
Le courant aval d’amine de lavage chargé 174, en aval du point d’injection du courant de bisulfite 108 contient ainsi moins de 4 % en masse des composés oxygénés, en particulier des aldéhydes, notamment des aldéhydes en C1 à C5, présents dans le courant aval d’amine de lavage chargé 174 en amont du point d’injection du courant de bisulfite 108.
Comme précédemment, leur concentration au passage du filtre amont 146 est inférieure à 2% en masse, ce qui évite leur combinaison avec le sulfure d’hydrogène contenu dans le courant 100 en amont du filtre amont 146 et donc l’encrassement du filtre amont par un composé solide.
Dans la variante d’unité de fractionnement 38 représentée sur la , le système d’ajout de bisulfite 106 est piqué entre le séparateur aval 130 et le stripeur d’hydrocarbures 160, en amont du stripeur d’hydrocarbures 160.
Le courant de bisulfite 108 est injecté dans le flux liquide huileux 90.