INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Intégration sur un support – Solution 1 Le procédé d’inversion sélective de polarisation selon la profondeur dans la couche ferroélectrique décrit ci-dessus est illustré dans les figures 1 et 2 dans la situation où il est appliqué à un cristal ferroélectrique seul, utilisé comme l’élément ferroélectrique 10. Ce procédé d’inversion sélective selon la profondeur peut également s’appliquer à un ensemble formé d’un cristal ferroélectrique intégré sur un substrat, cet ensemble pouvant alors constituer l’élément ferroélectrique 10 illustré par les figures 1 et 2.
L’intégration sur un substrat peut être effectuée comme expliqué ci-dessous à l’aide la , et en référence à la publication WO 2020/200986 A1 qui décrit en particulier le report d’une couche mince ferroélectrique monodomaine sur un substrat.
La représente un procédé de fabrication d’une structure Struct intégrée illustrée en (D), comportant une couche ferroélectrique Ferro lay fixée sur un support Sprt avec une couche métallique M1 électriquement conductrice interposée entre ces deux éléments. Dans cet exemple, la couche métallique M1 est en contact direct avec chacun du support Sprt et de la couche ferroélectrique Ferro lay . La couche M1 pourra être utilisée par la suite en tant qu’électrode enterrée destinée à appliquer un champ électrique à la couche ferroélectrique Ferro lay . La présence d’une couche M1 métallique ne représente qu’une option et d’autres applications que celles de cet exemple ne requièrent pas la présence d’une telle couche.
De manière conventionnelle, la structure Struct peut se présenter sous la forme d'une plaquette circulaire dont le diamètre peut être de 100, 200, 300 voire même 450 mm, mais l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme.
La couche ferroélectrique Ferro lay est constituée d’un matériau ferroélectrique monocristallin, tel que du tantalate de lithium LiTaO 3 ou du niobate de lithium LiNbO3, ou encore des matériaux tels que LiAlO 3 , BaTiO 3 , PbZrTiO 3 , KNbO 3 , BaZrO 3 , CaTiO 3 , PbTiO 3 ou de KTaO 3 . Ces matériaux présentent également des propriétés piézoélectriques. D’une manière générale, la couche ferroélectrique peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nanomètres et 10 micromètres, selon l’application envisagée de la structure Struct et les performances attendues des composants, mais l’invention n’exclut pas l’utilisation d’épaisseurs différentes, toujours selon l’application envisagée. On rappelle qu’un matériau ferroélectrique est un matériau qui possède une polarisation électrique à l'état naturel, polarisation qui peut être renversée par l'application d'un champ électrique extérieur supérieur au champ coercitif du matériau. Comme illustré dans le présent document, la couche ferroélectrique présente préférablement une première polarisation P1 monodomaine, c’est-à-dire que tous les moments dipolaires sont alignés parallèlement les uns aux autres suivant une direction donnée. Ici, la direction donnée est la perpendiculaire au plan de la couche ferroélectrique, c’est-à-dire perpendiculaire à la face libre de cette couche, ou encore perpendiculaire à un plan de surface de cette couche.
Pour des raisons de disponibilité et de coût, le support Sprt est préférentiellement choisi, quant à lui, en silicium. Il peut s’agir d’un support constitué d’un substrat de base massif en silicium monocristallin, mais l’invention n’est pas limitée à ce support qui peut, plus généralement, être constitué de tout matériau, par exemple du silicium, même électriquement isolant tel que du saphir ou du verre. Le support Sprt, lorsque celui-ci est formé d’un substrat massif présente typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de micromètres. En silicium monocristallin, le support Sprt est conducteur électrique, mais, préférentiellement, présente une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohms On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de se déplacer, ce qui pourrait affecter le bon fonctionnement d’un composant RF qui serait formé sur la base de la structure Struct. Mais l’invention n’est pas limitée à un support présentant de telles caractéristiques.
La couche métallique peut présenter une épaisseur comprise entre quelques nanomètres et plusieurs micromètres, par exemple 100 nm ou plus. Elle peut typiquement être formée d’un métal tel que du chrome, du nickel, de l’aluminium, du platine, du titane, du tungstène, de l’or ou toutes combinaisons de ces éléments entre eux ou avec d’autres éléments métalliques, en une couche unique ou en une combinaison de couches.
En référence à la , la structure Struct peut être réalisée par un procédé de fabrication par report de couche comprenant : la préparation du support Sprt illustré en (A) avec ici la formation de la couche métallique M1 à sa surface ; l’éventuelle préparation d’un substrat donneur ferroélectrique Ferro sub illustré en (B); l’assemblage d’une première face du support Sprt et d’une face du substrat donneur ferroélectrique Ferro s ub afin de constituer une structure intermédiaire Struct inter illustrée en (C) avec la couche métallique M1 interposée entre le support Sprt et la face du donneur du substrat ferroélectrique Ferro sub ; et le détachement d’une partie du substrat donneur Ferro sub de la structure intermédiaire pour définir la couche ferroélectrique Ferro lay sur le support Sprt et obtenir la structure Struct illustrée en (D).
Le substrat donneur Ferro sub illustrée en (B) est un substrat constitué du matériau ferroélectrique de la couche ferroélectrique Ferro lay , ou comprenant une épaisseur superficielle en ce matériau. Ainsi, le substrat donneur peut, à titre d’exemple, être formé d’un substrat massif de tantalate de lithium ou de niobate de lithium, ou encore d’un substrat composite formé d’un premier substrat sur lequel repose une épaisseur (au moins égale à celle de la couche Ferro lay ) de tantalate de lithium ou de niobate de lithium. Le substrat donneur présente de préférence une première polarisation P1 monodomaine perpendiculaire à la face d’implantation Imp par laquelle des ions hydrogène H + seront implantés dans le substrat donneur en vue d’une étape de détachement ultérieure. Cette orientation se fait conventionnellement en choisissant le mode de croissance du cristal et son plan de coupe.
La couche ferroélectrique Ferro lay peut être transférée du substrat donneur ferroélectrique Ferro sub par mise en œuvre de la technologie Smart Cut TM , auquel cas le substrat donneur doit être préparé par introduction d’espèce(s) légère(s) telles que de l’hydrogène ou de l’hélium dans ce substrat donneur. Cette introduction peut correspondre à une implantation d’hydrogène, c’est-à-dire, un bombardement ionique d’hydrogène de la face plane Imp du substrat donneur Ferro sub . De façon connue en soi, et comme cela est illustré en (B), les ions hydrogène H + implantés ont pour but de former un plan de fragilisation Frgl délimitant la couche ferroélectrique Ferro lay de matériau ferroélectrique à transférer qui est située du côté de la face Imp et une autre partie Ferro sep formant le reste du substrat et qui sera séparée de la couche ferroélectrique Ferro lay à une étape ultérieure.
La nature, la dose des espèces implantées et l’énergie d’implantation sont choisies en fonction de l’épaisseur de la couche que l’on souhaite transférer et des propriétés physico-chimiques du substrat donneur Ferro sub . Dans le cas d’un substrat donneur en LiTaO 3 , on pourra choisir d’implanter une dose d’hydrogène comprise entre 10 16 et 5.10 17 at/cm² avec une énergie comprise entre 30 et 300 keV pour délimiter une couche ferroélectrique Ferro lay de l’ordre de 200 à 2000 nm d’épaisseur.
Suite aux préparations du support Sprt et du substrat donneur Ferrosub, incluant la formation de la couche métallique M1 sur le support ou le substrat donneur, ces deux éléments sont assemblés par leur mise en contact, de manière à ce que la couche métallique M1 soit interposée entre le support Sprt et la couche ferroélectrique Ferro lay , cette dernière se situant en vis-à-vis du support Sprt, de manière à obtenir la structure intermédiaire Struct inter illustrée en (C) de la . Le substrat support Sprt peut présenter la même dimension et la même forme que celles du substrat donneur Ferro sub , mais l’invention ne se limite pas à une telle configuration et des dimensions, des formes et des configurations différentes peuvent être employées.
Préalablement à l’assemblage, il peut être envisagé de préparer les faces des substrats à assembler par une étape de nettoyage, brossage, séchage, polissage, ou une activation par plasma.
L’assemblage peut correspondre à la mise en contact intime du substrat donneur Ferro sub avec le support Sprt par adhésion moléculaire et/ou collage électrostatique, comme mentionné par exemple dans la demande de brevet français publiée sous le n°2 914 492.
Pour les besoins de la présente invention, un tel IDE est miniaturisé pour être intégré à l’architecture d’un circuit intégré microscopique, afin d’offrir les ressources et fonctionnalités identiques à celles décrites ci-dessus, pour contribuer à simplifier et accélérer la programmation dudit circuit intégré par l’opérateur humain, selon l’invention.
6 - Sous-ensembles du circuit intégré ou « constituant »
Selon l’invention « sous-ensembles du circuit intégré » désigne des microcircuits (par exemple sous forme de Dies bondés sur le substrat silicium d’un « SOC Hybride », ou gravés sur un même substrat de silicium dans un « SOC Monolithique ») qui sont des constituants de l’architecture interne, tels que par exemple ses périphériques, ses interfaces, ses mémoires, ses dispositifs de mesure, ses microprocesseurs…
Les codes programmes associés à ces composants sont également considérés comme « des sous-ensembles logiciels » du circuit intégré.
7 - Réseau multi couche reconfigurable Selon l’invention, « Réseau multi couche commutable » désigne au moins 2 réseaux de transmission de données sérielles qui sont superposés et reliés aux mêmes périphériques. Chaque réseau possède une couche logicielle (Session, transport) et une couche matérielle (paquet, trame, réseau). Chaque couche peut interconnecter certains périphériques, tandis qu’elle peut en ignorer d’autres. Les couches peuvent être interconnectées pour échanger des données, ou distinctes pour isoler des données. Selon l’invention, les différentes configurations sont opérées par un agent-S.
Les descriptions qui vont suivre se réfèrent au Glossaire ci-dessus pour tous les termes concernés.
La représente une vue schématique de l’architecture matérielle du circuit intégré (950) selon un exemple de l’invention
La représente une vue schématique de l’architecture matérielle du circuit intégré (1000) selon une version plus évoluée de l’invention
La représente une vue schématique de l’architecture matérielle de l’agent maître (500), qualifiée « d’agent de gestion du système »
La représente une vue schématique de l’architecture matérielle d’un agent de simplification
La représente une vue schématique de l’architecture matérielle de l’agent de renseignement (250)
La représente une vue schématique de l’architecture fonctionnelle du circuit intégré (1000) selon l’invention
La représente une vue schématique spécifique à l’invention, du boîtier (1100) du circuit intégré (1000) selon un exemple de réalisation.
Architecture matérielle L’invention concerne un circuit intégré constitué d’une unité de microcontrôleur (MCU) ou d’un système sur une puce (SOC) (1000) dédié à une fonction, par exemple reconnaissance faciale, traitement de flux audio, traitement de flux vidéo, traitement de l’information, etc… et comprenant un ou plusieurs microprocesseurs (100), de la mémoire vive (230) et de la mémoire réinscriptible non-volatile (220), et une pluralité de périphériques (550) (ex. d’interface, de génération et traitement du signal, etc), ainsi qu’au moins une interface de communication (340) (Ethernet, USB, WIFI,…), et au moins un bus de configuration (580),
Un autre objet de l’invention concerne un procédé de soin cosmétique non thérapeutique de la peau et/ou des phanères et/ou des muqueuses en vue d’améliorer leur état et/ou leur aspect, avantageusement en vue d'améliorer la fermeté, l'élasticité ou la tonicité de la peau, comprenant l’administration topique ou orale, d’un extrait ou d’une composition selon l’invention
Ledit procédé de soin cosmétique est préférentiellement réalisé en vue d’améliorer le confort cutané, typiquement sur des peaux saines, des phanères sains ou des muqueuses saines, particulièrement avantageusement pour traiter et/ou prévenir les peaux sèches, la xérose, les peaux sensibles et les peaux irritées.
Un autre objet de l’invention concerne une méthode de traitement cosmétique des peaux sèches, de la xérose, des peaux sensibles, des peaux irritées, comprenant l’administration, par voie topique ou orale, d’un extrait ou d’une composition selon l’invention.
Les peaux sèches, la xérose, les peaux sensibles et irritées entraînent des sensations de tiraillement, de manque de confort et de souplesse de la peau.
FIGURES : Résultats actif vs placebo pour chacun des dix paramètres de la « sensitive scale » (à gauche : actif, à droite : placebo).
: Score global actif vs placebo de la « sensitive scale » (à gauche : actif, à droite : placebo).
: Évolution du stress vocal (à gauche : actif, à droite : placebo).
: Évolution de la cohérence cardiaque (à gauche : actif, à droite : placebo).
: Évolution de la réponse électrodermique (à gauche : actif, à droite : placebo).
: Évaluation de la cornéométrie (à gauche : actif, à droite : placebo) et de l’hydratation (à gauche : actif, à droite : placebo).
EXEMPLES Exemple 1 : Concentrat selon l’invention Un exemple de concentrat selon l’invention est une huile raffinée de Camellia oleifera concentrée en sa fraction insaponifiable. L’extrait est préparé par distillation moléculaire.
Condition de vide : 10 -2 à 10 -3 mbar
Température du corps de distillation entre 250 et 280 °C
La répartition massique est représentée dans le tableau ci-dessous.
Coupe grasse (% en poids par rapport au poids total de l’extrait lipidique) C16 (acide palmitique) 11 C16’ (acide 5-hexadécénoïque) 0,1 C18 (acide stéarique) 2,0 C18’ (acide oléique) 77 C18’’ (acide linoléique) 9 C18’’’ (acide α-linolénique) 0,2 C20 (acide eicasénoïque) 0,1 C20’ (acide eicasénoïque) 0,3 C22 (acide béhénique) 0 C22’ 0 Teneur en Tocophérols (g/100g) 0,07 Teneur en Stérols (g/100g) 2,21 Teneur en Squalène (g/100 g) 0,07 Teneur totale en Insaponifiables (g/100 g) 2,8
La répartition massique des tocophérols est représentée dans le tableau ci-dessous.
Comme cela est bien connu, au cours d’un procédé d’adhésion moléculaire, les surfaces exposées du support Sprt et du substrat donneur Ferro sub , parfaitement propres, planes et lisses, sont mises en contact intime pour favoriser un collage électrostatique ou le développement de liaisons moléculaires, par exemple de type van der Waals ou covalentes. L’assemblage des deux corps est alors obtenu sans utilisation d’un adhésif.
L’assemblage peut comprendre l’application d’un traitement thermique de faible température (compris par exemple entre 50 et 300°C, typiquement 100°C) permettant de guérir des défauts cristallins présents dans la couche ferroélectrique et de renforcer suffisamment l’énergie de collage pour permettre une éventuelle étape ultérieure d’amincissement.
Dans le présent mode de réalisation, l’étape de détachement d’une partie du substrat donneur est réalisée par application de la technologie Smart Cut™, selon laquelle une couche destinée à former la couche ferroélectrique Ferro lay est délimitée par le plan de fragilisation Frgl. Après l’étape d’assemblage, cette couche est détachée du substrat donneur par fracture au niveau du plan de fragilisation Frgl et ainsi reportée sur le support Sprt.
Cette étape de détachement peut ainsi comprendre l’application à la structure intermédiaire Struct inter d’un traitement thermique dans une gamme de température de l’ordre de 80°C à 300° pour permettre le détachement de la partie du substrat donneur de la couche ferroélectrique Ferrol ay et le transfert de celle-ci sur le substrat support Sprt. En remplacement ou en complément du traitement thermique, cette étape peut comprendre l’application d’une lame ou un jet de fluide gazeux ou liquide, ou de tout autre effort de nature mécanique au niveau du plan de fragilisation Frgl.
Alternativement à la mise en œuvre du procédé Smart Cut TM détaillé ci-dessus, l’étape de détachement d’une partie du substrat donneur peut être remplacée par une étape d’amincissement mécano-chimique de ce substrat ferroélectrique donneur Ferro sub .
Que l’élimination d’une partie de l’épaisseur du substrat donneur soit réalisée par amincissement ou par fracture, on peut appliquer à la structure Struct ainsi formée tout type de traitement de finition permettant de conformer la couche ferroélectrique Ferro lay à des spécifications d’épaisseur, d’uniformité d’épaisseur, de rugosité, de qualité cristalline ou à tout autre type de spécifications.
En particulier, dans l’optique d’utiliser une couche ferroélectrique Ferro lay qui aurait une polarisation monodomaine, on peut appliquer un traitement particulier à la couche ferroélectrique Ferrolay reportée sur le substrat Subst, le tout dans le but d’obtenir une polarisation monodomaine de la couche ferroélectrique Ferro lay .
On peut par exemple appliquer à la couche ferroélectrique Ferro lay un traitement thermique de préparation suivi d’une étape d’amincissement.
Le traitement thermique de préparation permet de guérir des défauts cristallins présents dans la couche ferroélectrique. En outre, il peut aussi contribuer à consolider le collage entre cette couche ferroélectrique Ferro lay et le support Sprt. Il a également pour effet, s’il présente une température suffisante, de provoquer la diffusion de l'hydrogène contenue dans la couche ferroélectrique et la transformation multidomaine d'une portion superficielle de cette couche ferroélectrique. Cette portion superficielle peut présenter une épaisseur de l’ordre de 50 nm ou moins et se développer sur toute l’étendue de la couche ferroélectrique. A l’issue du traitement thermique de préparation, la couche ferroélectrique présente une concentration d’hydrogène relativement constante dans son épaisseur. Dans le cas du LiTaO3, ce traitement thermique de préparation est prévu pour amener la couche ferroélectrique à une température comprise entre 300°C et la température de Curie du matériau ferroélectrique (et préférentiellement supérieure ou égale à 450°C, 500° ou 550° pour favoriser la diffusion de l’hydrogène) pendant une durée comprise entre 30 minutes et 10 heures. Ce traitement thermique est préférentiellement réalisé en exposant la face libre de la couche diélectrique à une atmosphère gazeuse oxydante ou neutre, c’est à dire sans recouvrir cette face de la couche mince d’une couche de protection qui pourrait prévenir l’exodiffusion de l’hydrogène.
A la suite du traitement thermique de préparation, on opère l’amincissement de la couche ferroélectrique. Cet amincissement peut correspondre au polissage de la face libre de la couche ferroélectrique Ferro lay , par exemple par des techniques d’amincissement mécanique, mécano-chimique et/ou de gravure chimique. Il permet de préparer la face libre pour qu’elle présente une rugosité faible, par exemple inférieure à 0,5nm RMS 5x5 µm par mesure par force atomique (AFM) et d’enlever la portion superficielle multidomaine de la couche ferroélectrique Ferro lay . On prévoit généralement un enlèvement de 50 à 300 nm d’épaisseur pour atteindre l’épaisseur cible de la couche ferroélectrique Ferro lay , et dans tous les cas une épaisseur supérieure à celle de la portion superficielle multidomaine. On constitue ainsi une couche mince monodomaine présentant les qualités requises d’état de surface, de qualité cristalline et de polarisation.
A la suite des opérations décrites ci-dessus, une inversion sélective de polarisation comme illustré par les figures 1 et 2 appliquée à la structure Struct illustrée en (D) de la permet de former la structure Struct illustrée en (D) de la .
Intégration sur un support – Solution 2 La solution 1 illustre un procédé d’assemblage d’un substrat donneur Ferro sub présentant de préférence une première polarisation P1 monodomaine perpendiculaire à une face plane du substrat. Par la suite, une inversion sélective de polarisation peut être appliquée à la couche ferroélectrique Ferro lay de la structure Struct obtenue pour arriver à deux polarisations verticales de sens opposées au sein de cette couche ferroélectrique.
La présente section présente une solution 2 alternative à la solution 1 en ce qu’au lieu d’appliquer une inversion sélective de la polarisation après l’assemblage, une inversion sélective de polarisation est appliquée à un substrat ferroélectrique donneur avant l’assemblage, comme illustré par la .
Ainsi, sauf indications contraires, on peut se reporter à la solution 1 pour l’ensemble des étapes du procédé d’assemblage illustré par la , y compris l’alternative par amincissement du substrat donneur Ferro sub plutôt que par fracture de celui-ci. En revanche, dans cette solution 2, le substrat donneur Ferro sub présente deux polarisations verticales P1 et P2 de sens opposés. Un tel substrat peut par exemple être obtenu à partir d’un substrat de polarisation monodomaine par inversion sélective de polarisation selon la profondeur comme illustré par les figures 1 à 2 et le procédé de fabrication associé.
Cette solution permet d’obtenir une couche ferroélectrique Ferro lay dont la polarisation en surface est contrôlée sans avoir à utiliser une implantation à forte énergie
Cette solution permet en outre de déterminer lequel du volume V1 et du volume V2 se trouvera en surface de la couche ferroélectrique Ferro lay dans la structure illustrée en (D) de la . En effet, selon la localisation en profondeur du plan de fragilisation Frgl, celui-ci pourra se trouver soit (1) dans le volume V1 comme illustrée par la , soit (2) dans le volume V2 (situation non illustré). Dans le premier cas, c’est le volume V1, et donc la polarisation P1, qui se trouvera en surface libre de la couche ferroélectrique Ferro lay , le volume V2 étant enterré sous le volume V1, comme illustré par la . Dans le second cas, c’est le volume V2, et donc la polarisation P2, qui se trouvera en surface libre de la couche ferroélectrique Ferro lay , le volume V1 étant enterré sous le volume V2.
De préférence, les premier et deuxième orifices 2, 3 se présentent sous la forme de trous oblongs pour pouvoir incliner le support de calculateur 1 lors du montage. Plus précisément, l’inclinaison permet la fixation du terminal de connexion de batterie BFT sur le support de calculateur 1. Les premier et deuxième orifices 2, 3 s’étendent suivant la troisième direction Z, c’est-à-dire perpendiculairement à la face interne 11 du corps 6.
Le troisième orifice 4 présente une forme circulaire pour bloquer la translation du support de calculateur 1 par rapport au bloc support 5.
La deuxième branche 8 comprend un deuxième élément cylindrique 27 comprenant un fond 28. Le deuxième orifice 3 est formé dans le fond 28.
Le deuxième orifice 3 est positionné à une première extrémité 14 de la deuxième branche 8 la plus proche du corps principal 6. Le troisième orifice 4 est positionné à une deuxième extrémité 15 de la deuxième branche 8 la plus éloignée du corps principal 6.
Les orifices des premiers moyens de fixation 2, 3, 4 permettent l’insertion de vis ou des rivets, par exemple dans ces derniers pour fixer le support de calculateur 1 au bloc support 5.
Le support de calculateur 1 comprend des deuxièmes moyens de fixation 16, 17 configurés pour fixer le terminal de connexion de batterie BFT au support de calculateur 1.
Les deuxièmes moyens de fixation 16, 17 comprennent un premier trou oblong 16 formé dans le corps principal 6 et un deuxième trou oblong 17 formé sur une patte latérale 18 s’étendant depuis le deuxième côté du corps principal 6. Le premier trou oblong 16 et le deuxième trou oblong 17 sont sensiblement à la même hauteur par rapport à la partie inférieure 13 du corps 5. Le premier trou oblong 16 et le deuxième trou oblong 17 s’étendent suivant la deuxième direction Y.