INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, le système de verrouillage et de déverrouillage comporte une patte crantée solidaire de l’une des parties et des crans disposés dans un évidement de l’autre partie, la patte crantée étant destinée à être introduite dans l’évidement et à coopérer mutuellement avec les crans (la patte crantée et les crans présentent en particulier des pans coupés d’inclinaison opposée pour leur engagement mutuel). La multiplicité de crans autorise notamment un serrage de la broche avec ou sans jeu.
De préférence, l’une des parties présente sur sa face externe en regard de l'environnement extérieur une surface concave favorisant le positionnement d’un doigt de l'utilisateur pour appuyer sur ladite partie et fermer e dispositif de sécurité.
L’invention porte également sur un procédé de mise en œuvre du dispositif de sécurité précité de l’invention pour agencer et verrouiller le dispositif de sécurité sur une broche de présentoir, caractérisé en ce que le procédé comporte une étape d’ouverture du dispositif de sécurité, une étape de sélection du logement de réception de la broche parmi les logements à disposition de différentes dimensions, de préférence les logements étant déplaçables, l’étape de sélection comporte éventuellement le déplacement du logement approprié de réception (à proximité immédiate de l’axe de pivotement), et une étape de mise en coopération du logement de réception avec la broche, ainsi qu’une étape de fermeture du dispositif de sécurité.
La présente invention est maintenant décrite à l’aide d’exemples uniquement illustratifs et nullement limitatifs de la portée de l’invention, et à partir des illustrations jointes, dans lesquelles : - représente une vue en perspective et de côté d’un dispositif de sécurité selon l’invention dans sa position fermée. - est une vue en perspective et de dessus du dispositif de sécurité de la dans sa position ouverte. [ ] est une autre vue en perspective du dispositif de sécurité 1 dans sa position ouverte. - [ ] est une vue de côté de la . - [ ] correspond à une vue en coupe de la montrant les différents logements du magasin. - [ ] montre une vue schématique en perspective plongeante du dispositif de sécurité verrouillé sur une broche de présentoir de magasin. - [ ] correspond à une vue de côté de la .
Le dispositif de sécurité 1 de l’invention illustré sur les figures est destiné à être installé sur une broche 10 de présentoir de magasin comme schématiquement illustré sur les figures 6 et 7. Le dispositif de sécurité 1 enveloppe toute la périphérie cylindrique de la broche 10 longitudinale sur une partie de sa longueur.
Le dispositif de sécurité 1 a pour but de s’adapter à différentes dimensions de section de broches. Dans l’exemple représenté, le dispositif de sécurité 1 permet de s’adapter à quatre dimensions différentes de section de broches, en particulier des broches de section circulaire et ayant un diamètre de 5 mm, ou 6 mm, ou 7 mm ou 8 mm.
Le dispositif de sécurité 1 comporte deux parties 2 et 3 qui sont mobiles l’une par rapport à l’autre pour être ouvertes ou être fermées, un système de verrouillage et de déverrouillage 4 pour verrouiller la fermeture des deux parties 2 et 3 et permettre de les ouvrir, et une pluralité de logements 50 à 53 pour y accueillir la broche 10 en fonction de son diamètre.
La première partie 2, dite partie d’accueil, comporte la pluralité de logements 50 à 53. La seconde partie 3, dite partie de fermeture, est apte à être refermée sur la partie d’accueil 2 pour emprisonner la broche 10 autour de son corps longitudinal.
En position ouverte des deux parties d’accueil 2 et de fermeture 3, le dispositif de sécurité 1 est ouvert. En position fermée et donc verrouillée des deux parties d’accueil 2 et de fermeture 3, le dispositif de sécurité 1 est fermé. Avantageusement, comme il sera vu plus loin, le système de verrouillage et de déverrouillage 4 est conçu de sorte à, soit serrer fermement la broche 10 sans possibilité de glissement sur celle-ci, soit emprisonner la broche 10 avec un jeu réduit pour autoriser le dispositif de sécurité à coulisser sur celle-ci. Dans ce dernier cas, l’opérateur enfile par exemple sur la broche plusieurs articles puis dispose le dispositif de sécurité 1 en le fermant sans le bloquer en position sur la broche et réapprovisionne en façade d’autres articles ; une fois que les articles du fond de la broche sont serrés ou espacés comme souhaité, le dispositif de sécurité 1 ayant pu être translaté si besoin, et que le dispositif de sécurité est à l’emplacement exact attendu sur la broche, l’opérateur verrouille à fond le dispositif de sécurité 1 qui est totalement bloqué en position sans possibilité de bouger, de glisser.
Les deux parties d’accueil 2 et de fermeture 3 sont articulées l’une par rapport à l’autre selon un axe de pivotement longitudinal 20. L’axe de pivotement 20 est de préférence associé à un ressort de rappel 21. Le ressort de rappel 21 présente une position de repos qui correspond à la position lorsque le dispositif de sécurité 1 est totalement ouvert, et est contraint en position fermée du dispositif de sécurité. Le ressort de rappel 21 permet lorsque le déverrouillage a été actionné d’ouvrir automatiquement le dispositif de sécurité 1 sans manipulation de l’opérateur. De plus, le ressort de rappel 21 présente une raideur qui est adaptée à l’angle limite d’ouverture du dispositif de sécurité 1. En particulier, l’angle limite d’ouverture de la partie de fermeture 3 par rapport au plan général (de dessus) d’ouverture P de la partie d’accueil 2 ( ), peut être de l’ordre de 90° de façon à ce qu’il soit plus facile et rapide pour l’opérateur de fermer le dispositif de sécurité 1. En effet, lorsque le dispositif de sécurité 1 est pris en main dans son état ouvert, c’est la partie d’accueil 2 qui est saisie tandis que la partie de fermeture 3 à la perpendiculaire de la partie d’accueil 2 comme illustré sur la , suffit à permettre d’engager le dispositif de sécurité autour de la broche 10 et se trouve placé juste à hauteur des doigts ; l’opérateur n’a alors qu’à refermer sa main ce qui appuie directement sur la face externe de la partie de fermeture 3 et fait pivoter ladite partie de fermeture 3 jusqu’à sa coopération avec le système de verrouillage 4.
Le système de verrouillage et de déverrouillage 4 qui sera décrit ultérieurement plus en détail comprend un organe 40 qui est en saillie de la partie d’accueil 2 et à l’opposé de l’axe de pivotement 20.
Les deux parties d’accueil 2 et de fermeture 3 forment deux demi-coques. Elles présentent des lignes ou des zones de jointure qui coopèrent ensemble pour qu’en position fermées des deux demi-coques, le dispositif de sécurité 1 soit totalement fermé. En position refermée des deux parties d’accueil 2 et de fermeture 3, seul un passage (référencé ultérieurement 33) est traversant d’un côté à l’autre du dispositif de sécurité et parallèlement à l’axe de pivotement 20 (et à proximité immédiate dudit axe de pivotement 20). En position refermée des deux parties d’accueil 2 et de fermeture 3, la broche 10 est entièrement emprisonnée à l’intérieur des deux demi-coques (à l’intérieur du passage 33).
La partie d’accueil 2 comporte les logements 50 à 53. Avantageusement, les logements 50 à 53 sont espacés les uns des autres tout en étant groupés selon un magasin 5 cylindrique. Les logements 50 à 53 se présentent dans le magasin 5 sous la forme de rainures s’étendant sur toute la longueur du cylindre du magasin en étant ouvertes dans une direction radiale vers l’opposé du centre du cylindre et ouvertes au niveau des deux bases d’extrémité 5A et 5B du cylindre. Les bases d’extrémité 5A et 5B du magasin cylindrique s’étendent dans des plans parallèles et en regard des parois latérales respectives 22A et 22B de la demi-coque de la partie d’accueil 2. La broche 10 est destinée à être accueillie dans un des logements 50 à 53 dont la dimension correspond au diamètre de ladite broche. La broche est destinée à être mise en appui contre le fond du logement. Les logements 50 à 53 sont de préférence espacées régulièrement.
De préférence, chacun des logements 50, 51, 52 et 53 est associé à un élément de repérage R pour identifier la dimension de la section de chacun des logements (et par conséquent de repérage du diamètre d’une broche). Par exemple, l’élément de repérage R est un chiffre qui correspond au diamètre de la broche, ce chiffre étant indiqué de part et d’autre de chaque logement. Ici, le logement 50 correspond à un diamètre de 5 mm, le logement 51 correspond à 7 mm, celui 52 correspond à 6 mm et le logement latéral 53 de réception de la broche 10 correspond à un diamètre de 8 mm.
Par exemple, dans le cas où le procédé vise à déterminer la hauteur du dispositif d’acquisition d’images 201 avec deux images, l’étape 110 vise à déterminer pour une pluralité de points caractéristiques de la mire 202, la distance e séparant les projections P 1 ’ et P 2 ’ de chaque point caractéristique.
Le procédé comprend ensuite une étape 120 de sélection d’une pluralité de points caractéristiques dont l’écart calculé à l’étape précédente satisfait une condition prédéterminée. Ladite condition de sélection permet d’obtenir une pluralité de points dont leur distance h p au plan de référence sont suffisamment proches de celle h c du dispositif d’acquisition d’images 201 pour être considérées linéairement liées à leur écart e respectif.
Dans un mode de réalisation de l’étape 120, sont sélectionnés les points dont les écarts e respectifs en valeur absolue sont inférieurs à un seuil prédéterminé.
Alternativement à l’étape 120 les points dont les écarts respectifs en valeur absolue sont inférieurs à un percentile prédéterminé peuvent être sélectionnés.
En variante, l’étape 120 comprend la sélection d’un nombre déterminé de points, par exemple entre deux et cinq points, par exemple entre deux et trois points, dont les écarts e séparant les projections des points sont minimums parmi l’ensemble des points pour lesquels ces écarts ont été calculés.
A titre d’exemple, dans un mode de réalisation où l’on cherche à déterminer la hauteur d’une caméra 201, à l’étape 120, sont sélectionnés les trois points dont les écarts e respectifs en valeur absolue sont les plus faibles, c’est-à-dire les trois points dont les hauteurs h p sont les plus proches de h c , celle de ladite caméra 201.
Le procédé comprend la détermination 130 de la distance h c du dispositif d’acquisition d’images 201 au plan de référence à partir des écarts calculés à l’étape 110 pour les points sélectionnés à l’étape 120, et de la distance de ces points par rapport au plan de référence lors de l’acquisition des images.
Pour ce faire, on détermine l’équation d’une droite reliant, pour un point caractéristique donné, l’écart entre la projection du point sur les deux images avec la distance du point caractéristique par rapport au plan de référence. Cette détermination peut être réalisée, dans le cas où deux points caractéristiques ont été sélectionnés à l’étape 120, par interpolation linéaire, ou, quand trois points ou plus ont été sélectionnés à l’étape 120, par régression linéaire.
Une fois l’équation de la droite déterminée, la distance h c du dispositif d’acquisition d’images 201 au plan de référence est déterminée en calculant la racine de la droite. Cette estimation est avantageusement obtenue plus rapidement et plus précisément que ce que l’état de la technique ne permet de faire.
Dans des modes de réalisation, la détermination de la distance du dispositif d’acquisition d’images au plan de référence peut être suivie par une étape 140 de détermination de l’orientation du dispositif d’acquisition d’images, par exemple par l’application d’une technique de minimisation, par exemple l’algorithme de Levenberg-Marquardt.
Le tableau illustré à la rend compte de la performance de la précision du présent procédé pour la détermination de la hauteur d’une caméra par rapport au sol, par rapport à l’utilisation de l’algorithme de Levenberg-Marquardt.
Il est clair, à travers les résultats présentés dans le tableau de la , que la hauteur estimée du dispositif 201 par le présent procédé est plus proche de la hauteur réelle dudit dispositif 201 que celle estimée avec les techniques de l’Art antérieur, et ce pour différentes configurations d’orientation du dispositif d’acquisition d’images 201 et de hauteur de mire 202.
Il est à noter que les algorithmes de minimisation non-linéaire sont aussi généralement plus couteux en termes de temps que leurs homologues linéaires. C’est particulièrement le cas pour le présent procédé.
PROCEDE DE CARACTERISATION D’UN DEFAUT D’UNE CANALISATION Domaine de l’invention L’invention concerne le domaine des canalisations, notamment le domaine des canalisations des réseaux d’assainissement collectifs. L’invention concerne également le domaine des ouvrages accueillant ou permettant la circulation de fluides, notamment des châteaux d’eau, des réseaux de chaleur ou de froid. L’invention concerne le domaine de la maintenance desdits réseaux d’assainissement. Plus précisément, l’invention concerne le domaine de l’inspection desdites canalisations, notamment le domaine de la détection et de l’identification de défauts à l’intérieur desdites canalisations. L’invention concerne également le domaine de l’automatisation de la détection et de l’identification de défauts de canalisation. Enfin, l’invention concerne le domaine de la reconnaissance automatisée de défauts ou d’observations sur des images de canalisation.
État de la technique Il existe un besoin d’inspecter les canalisations des réseaux d’assainissement pour détecter des défauts dans celles-ci. De tels défauts sont notamment dus à l’usure et à l’encrassement de ces canalisations.
On utilise habituellement en Europe la norme ISO EN-13508-2 pour classifier des défauts de canalisation. Cette norme définit un système de codage des défauts de canalisations sous forme de trigramme. Pour les réseaux et les collecteurs, la norme comprend un total de 36 trigrammes différents correspondant chacun à un type de défaut particulier ou à une observation particulière dans la canalisation.
Selon ce procédé, sur un support BSprt de base en silicium, on forme par dépôt une couche Trap de piégeage en SiOCH poreux par un procédé conventionnel de dépôt en phase vapeur assisté par plasma ou PECVD pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en terminologie anglaise suivi d’un recuit UV, par exemple selon l’un des procédés décrits dans l’article « SiOCH thin ﬁlms deposited by chemical vapor deposition: From low-κ to chemical and biochemical sensors » par V Jousseaume et al., Microelectronic Engineering 167 (2017) 69-79. La couche de SiOCH peut présenter une porosité comprise entre 5% et 50%, ou plus, juste après sa formation. On peut ainsi former des couches Trap de piégeage d’épaisseurs comprises entre 80 nm et 4 µm, préférablement entre 200 nm et 1 µm pour satisfaire un compromis entre l’efficacité de piégeage et d’isolation qui motivent des dépôts épais, et les contraintes de fabrications qui motivent des faibles épaisseurs pour limiter la mobilisation des machines employées. Il est à noter que, suite au dépôt, on peut observer un retrait des couches formées lié à la libération de porogènes lors du recuit UV, qui peuvent perdre jusqu’à de l’ordre de 40% de leur épaisseur. Les épaisseurs indiquées correspondent à l’épaisseur après retrait. On peut également moduler la porosité des couches obtenues de manière à l’amener, après retrait, entre 5% et 50%, ou encore entre 14% et 50%.
Il est également possible de nitrurer la couche de SiOCH (ou de SiOC le cas échant) par adjonction d’azote, ce qui lui confère des propriété d’étanchéité à certaines espèces chimiques telles que l’hydrogène, le bore et le lithium, qui peuvent être présents par exemple dans une couche ferroélectrique formée par la suite, ou bien de manière plus générale par contamination de la couche superficielle par l’équipement lors de la fabrication, ces espèces étant susceptibles d’amoindrir la capacité de piégeage de charges de la couche de piégeage si ces espèces sont laissées libres de migrer et d’occuper les sites de piégeage de charges. Ainsi, la nitruration de l’oxyde Diel placé sur la couche Trap peut devenir optionnelle, la nitruration de la couche Trap permettant de garder le bénéfice sur l’étanchéité à la diffusion de l’hydrogène, du bore et du lithium : on peut alors garder une couche Diel de SiO2 pur (sensiblement non nitruré) en contact avec la couche superficielle Crist et garder une interface enterrée de bonne qualité entre les couches Crist et Diel, en particulier lorsque la couche Crist est formée de silicium. Le matériau constituant la couche Trap peut ainsi comprendre de l’azote à une concentration comprise entre 10 16 et 10 21 at/cm 3 Un autre avantage de l’apport d’azote est de renforcer la stabilité mécanique de la couche, ce qui peut être très avantageux lors de la fabrication d’un dispositif sur celle-ci.
La couche de piégeage est ensuite optionnellement polie par une étape de polissage mécano-chimique (CMP).
Sur la couche Trap de piégeage on dépose, par exemple par une technique PECVD conduite à une température comprise entre 300°C et 500°C, une couche d'oxyde de silicium incluant ou non de l’azote de 100 nm à 1500 nm, de préférence de 150 nm à 500 nm d'épaisseur formant la couche diélectrique Diel du substrat composite 1. La couche est ensuite optionnellement polie par une étape de polissage mécano-chimique (CMP).
La couche diélectrique Diel peut être déposée de manière à présenter une proportion entre les concentrations d’azote et d’hydrogène qui soit favorable au blocage de la diffusion de l’hydrogène, avec un excès d’azote par rapport à la quantité d’hydrogène, c'est-à-dire un ratio entre les concentrations d’azote et d’hydrogène qui soit strictement supérieur à 1, préférablement supérieur à 1,5, et encore plus préférablement supérieur à 3, pour des concentrations mesurées par une méthode SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry en terminologie anglaise). Ainsi, la concentration en hydrogène dans la couche diélectrique est préférablement inférieure à environ 10 22 at/cm 3 .
Comme illustré par ce mode de réalisation, on préfère généralement disposer la couche diélectrique Diel sur le support BSprt de base (via la couche Trap de piégeage) plutôt que sur un substrat donneur. En effet, il est généralement possible de traiter thermiquement ce support BSprt de base à des températures relativement élevées, ce qui peut être souhaitable pour certaines applications, ce qui n'est pas toujours le cas du substrat donneur. Par exemple, ce substrat donneur peut présenter un plan de fragilisation, ou être composé d'un matériau ferroélectrique présentant une température de Curie relativement faible ou comporter des composants, ce qui, dans chacun de ces cas, limite le budget thermique qui lui est applicable à quelques centaines de degrés pendant un temps relativement court, inférieur à 1 heure. Toutefois, l'invention n'exclut pas que, dans certains cas favorables, la couche diélectrique 16 puisse être formée au moins en partie sur le substrat donneur 200.
Parallèlement à la préparation du support Sprt, des ions d’hydrogène sont implantés dans un substrat donneur 200 ferroélectrique de tantalate de lithium à travers une première 210 de ses faces afin de former un plan de fragilisation 220 enterré. On définit de la sorte une la couche superficielle Crist entre ce plan de fragilisation 220 et la première face 210 du substrat donneur et une couche complémentaire 22 comprenant le reste du substrat donneur.
Le substrat donneur obtenu à ce stade est illustré en (b) de la .
On assemble le substrat donneur 200 à la couche diélectrique Diel disposée sur le support Sprt comme illustré en (c) de la , et on fracture ensuite le substrat donneur 200 au niveau du plan de fragilisation 220 à l'aide d'un traitement thermique modéré de l’ordre de 400°C. On libère la couche complémentaire 22 du substrat donneur pour exposer une face libre 230 de cette couche qui peut ensuite être préparée pour en améliorer la qualité cristalline et l’état de surface. Cette préparation comprend une étape d'amincissement de la première couche par polissage mécano-chimique et une étape de traitement thermique à 500°C dans une atmosphère neutre pendant 1h. La structure obtenue, indiquée en (d) de la est celle de la .
Le procédé décrit ci-dessus est appliqué à une couche ferroélectrique de tantalate de lithium utilisée en tant que couche superficielle Crist, mais d’autres types de matériaux ferroélectrique tels que du niobate de lithium pourraient être employés. En outre, alternativement à une couche superficielle ferroélectrique, une couche superficielle semiconductrice comme une couche de silicium ou comprenant du silicium tel que du silicium monocristallin pourrait être employée. On peut également procéder au report d’une couche portant des composants finis ou semi-finis, le report visant à placer ces composants sur le support Sprt pour tirer profit de ses propriétés dans le domaine radiofréquence.
Résultats de tests
La performance RF (radiofréquence) d’un composant peut être estimée en procédant à une caractérisation RF du substrat composite (et plus particulièrement du support de ce substrat composite) sur ou dans lequel le composant est destiné à être formé. Comme cela est documenté dans la publication « White paper – RF SOI Characterisation » de janvier 2015 et publié par la société SOITEC, la performance RF d'un substrat peut être caractérisée par une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2.
On cherche donc généralement à former un support comprenant une couche de piégeage permettant de former un support présentant des performances RF élevées et stables avec la température, ces performances étant établies par la mesure HD2.
La demanderesse a procédé à des tests de performance RF pour diverses géométries et procédés de supports Sprt munis d’une couche diélectrique Diel d’oxyde de silicium et formé d’un support BSprt de base constitué de silicium monocristallin comprenant une couche Trap incluant une couche de SiOCH poreux en tant que matériau de faible permittivité diélectrique relative.
La méthode de dimensionnement de l’invention a été utilisée pour deux stratégies : En optimisant la consommation énergétique par le planificateur d’itinéraires (on a alors λ=1) ; En optimisant le temps de parcours par le planificateur d’itinéraires (on a alors λ=0).
Ces stratégies ont été comparées à un comportement probable de l’utilisateur qui n’aurait pas accès à la méthode selon l’invention et qui commencerait à chercher la prochaine station de recharge rapide dès que l’état de la batterie tomberait en dessous de 40% et qui constitue l’art antérieur.
Avec la méthode de l’art antérieur (arrêt dès que possible lorsque l’état de charge de la batterie devient inférieur à 40%), l’utilisateur, qui n'accepterait que deux arrêts au cours du trajet, aurait besoin d'une batterie d'au moins 55 kWh installée dans le véhicule. Avec une batterie de 68 kWh, le trajet dure malgré tout près de 11 heures et la consommation d’énergie est d’environ 126kWh (à 91 km/h sur les portions d’autoroute). Avec une batterie de 55 KWh, le trajet dure environ 12 heures et la consommation énergétique est d’environ 126kWh (à 91km/h sur les portions d’autoroute).
Pour réduire la consommation d’énergie pour cette méthode de l’art antérieur, le paramètre principal est la vitesse de circulation sur les portions d’autoroute et ce indépendamment de la capacité de la batterie. En d’autres termes, cette méthode incite les usagers à investir dans des batteries de plus grande capacité et donc à augmenter les émissions de CO 2 .