Structure (Struct) comprenant une couche ferroélectrique (Ferro lay ) présentant une première polarisation (P1) dans une première zone et une deuxième polarisation (P2), opposée à la première polarisation, dans une deuxième zone (V) distincte de la première zone, caractérisée en ce qu e la première polarisation et la deuxième polarisation sont orientées perpendiculairement ou obliquement par rapport à la couche ferroélectrique, la structure comprenant en outre un support (Sprt) et une couche diélectrique (Diel) interposée entre ce support et la couche ferroélectrique. Structure selon la revendication 1, dans laquelle la première zone de polarisation présente une concentration d’hydrogène supérieure à la deuxième zone de polarisation. Structure selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la première zone et la deuxième zone définissent des motifs périodiques. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la couche ferroélectrique est formée d’un monocristal. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la couche ferroélectrique comprend du niobate de lithium ou du tantalate de lithium. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche diélectrique comprend de l’oxyde de silicium. Structure selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle le support comprend du silicium monocristallin. Procédé de fabrication d’un élément ferroélectrique (10), comprenant les étapes de : - fournir un élément ferroélectrique (10, Ferro lay ) présentant une première polarisation (P1) ; - enrichir sélectivement l’élément ferroélectrique en ions hydrogène (H + ) à travers une face (Sup) de l’élément ferroélectrique ; et - appliquer un recuit à l’élément ferroélectrique après introduction des ions hydrogène, à une température comprise entre 400°C et 700°C, de manière à faire basculer la polarisation (P1) de la couche ferroélectrique dans un volume (V) défini par l’introduction sélective des ions hydrogène. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la polarisation (P1) est monodomaine, perpendiculaire ou oblique par rapport à une face (Sup) de l’élément ferroélectrique. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l’enrichissement sélectif des ions hydrogène est mis en œuvre par implantation ionique des ions hydrogène à travers un masque (M) définissant une région de l’élément ferroélectrique ne recevant pas d’ions hydrogène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel l’implantation d’ions hydrogène est mise en œuvre à une énergie comprise entre 3 keV et 210 keV. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel une sélectivité de l’introduction des ions hydrogène est assurée par des éléments (M/El) prévus pour faire partie d’un dispositif à ondes acoustiques de surface. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel l’élément ferroélectrique (10, Ferro lay ) est une couche de niobate de lithium ou de tantalate de lithium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 13, comprenant en outre l’assemblage d’un substrat ferroélectrique (Ferro sub ) et d’un support (Sprt), suivi d’une séparation ou d’un amincissement du substrat ferroélectrique de manière à définir l’élément ferroélectrique (Ferro lay ). Procédé selon la revendication 14, dans lequel le support (Sprt)est un substrat de silicium monocristallin, et une couche diélectrique (Diel) comprenant de l’oxyde de silicium est interposée entre ce substrat de silicium monocristallin et le substrat ferroélectrique (Ferro sub ).