INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La présente invention a donc pour objet un procédé de raccordement de deux matelas ou nappes coupe-feu dans un joint de dilatation, les deux matelas ou nappes coupe-feu étant identiques et comprenant chacun une enveloppe externe en fibres de verre ayant une forme allongée et définissant un volume intérieur, et une âme interne disposée dans le volume intérieur de l’enveloppe externe et comprenant au moins deux couches de fibres minérales superposées reposant sur une couche de support en fibres de verre de telle sorte qu’une lame d’air soit formée entre la partie inférieure de l’enveloppe externe et la couche de support en fibres de verre, caractérisé par le fait que le procédé comprend : - le raccordement par aboutement des au moins deux couches de fibres minérales superposées de l’un des deux matelas ou nappes coupe-feu avec les au moins deux couches de fibres minérales superposées de l’autre des deux matelas ou nappes coupe-feu de telle sorte que deux aboutements de couches de fibres minérales adjacents dans la direction de superposition des couches de fibres minérales soient décalés dans la direction de longueur du joint de dilatation ; - le raccordement par aboutement des couches de support en fibres de verre des deux matelas ou nappes coupe-feu de telle sorte que ledit aboutement des couches de support en fibres de verre soit décalé dans la direction de longueur du joint de dilatation par rapport à l’aboutement des couches de fibres minérales inférieures des deux matelas ou nappes coupe-feu ; et - le raccordement par chevauchement des enveloppes externes des deux matelas ou nappes coupe-feu, de manière à empêcher la création d’une lame d’air entre les deux matelas ou nappes coupe-feu raccordés.
Pour chacun des au moins deux matelas ou nappes coupe-feu, étant donné que l’air est un très bon isolant en raison de sa très faible conductivité thermique, la lame d’air d’isolation présente sous la couche de support en fibres de verre et emprisonnée à l’intérieur de l’enveloppe externe permet d’améliorer la résistance au feu du matelas ou nappe coupe-feu.
Il est à noter que le matelas ou nappe coupe-feu pourrait également comprendre une lame d’air d’isolation supplémentaire formée entre la partie supérieure de l’enveloppe externe et la couche de fibres minérales supérieure des au moins deux couches de fibres minérales superposées, sans s’écarter du cadre de la présente invention, de manière à davantage améliorer la résistance au feu du matelas ou nappe coupe-feu.
Lorsque le matelas ou nappe coupe-feu est installé dans le joint de dilatation, les couches de fibres minérales sont sensiblement horizontales, c’est-à-dire perpendiculaires à l’épaisseur des éléments de construction formant le joint de dilatation (en réalité, les couches de fibres minérales sont légèrement incurvées en raison de la force de gravité).
La suspension des couches de fibres minérales dans le volume intérieur de l’enveloppe externe à l’aide de la couche de support en fibres de verre permet de créer une lame d’air suffisante en partie inférieure de l’âme interne, sur toute la largeur et toute la longueur du matelas ou nappe coupe-feu.
Avec le procédé de raccordement selon la présente invention, le décalage des aboutements à chaque couche de l’âme interne permet de garantir la continuité de l’ensemble matelas ou nappe coupe-feu, et d’éviter la création d’une lame d’air ou interstice entre les extrémités raccordées des deux matelas ou nappes coupe-feu.
représente un schéma d’un mode de réalisation de la face avant d’un boîtier selon l’invention.
schématise un mode de réalisation d’une installation 1 d’acheminement de fluide selon l’invention comprenant plusieurs lignes d’acheminement de fluide 14-1, 14-2, 14-3 faisant partie d’un réseau de canalisations 14 de fluides agencé au sein d’un établissement hospitalier, tel un hôpital, une clinique ou analogue. Par exemple, une ligne d’acheminement d’oxygène 14-1, une ligne d’acheminement d’air médical 14-2 et une ligne d’acheminement de vide 14-3, c'est-à-dire de dépression (i.e. < 1 atm).
Le réseau 14 de canalisations permet d’acheminer les fluides médicaux, i.e. ici des gaz et du vide (dépression), depuis leur site de production ou de stockage sur le site de l’établissement hospitalier, jusqu’à des prises de distribution murales 10 agencées dans leurs lieux d’utilisation au sein de l’établissement hospitalier, telles les salles de soins, d’opération ou de réveil, les urgences, les chambres ou autres.
Ainsi, l’air de qualité médicale peut être produit directement sur site au moyen d’une unité de type PSA air 12, comme décrit par EP-A-864818, et il en va de même du vide qui peut aussi être produit sur site au moyen d’une (ou plusieurs) pompe à vide 13, comme décrit par EP-A-1026567.
Par ailleurs, l’oxygène ou le protoxyde d’azote (N 2 O) peuvent être produits hors site, avant d’y être amenés par camion-citerne ou analogue, où ils sont stockés dans des réservoirs de stockage 11, ou des bouteilles de gaz qui peuvent être agencées en cadre réunissant plusieurs bouteilles reliées entre elles. Alternativement, l’oxygène peut aussi être produit sur site par unité de type VSA O 2 . De façon connue, une unité PSA (pressure swing adsorption) permet de produire du gaz par modulation de pression, alors qu’une unité VSA (vacuum swing adsorption) permet de produire du gaz par modulation de vide.
Les lignes d’acheminement de fluide 14-1, 14-2, 14-3 du réseau de canalisations 14 sont habituellement fixées sur les murs ou parois de l’établissement hospitalier. Il en va de même des prises murales 10 situées aux extrémités libres de ces lignes d’acheminement de fluide, comme décrit par EP-A-3719377.
L’installation 1 comprend par ailleurs un boitier de surveillance 3 du réseau 14 comprenant des moyens de pilotage 4 comprenant un (ou plusieurs) (micro) processeur(s) 4-1 mettant en œuvre un ou des algorithmes, et configurés notamment pour traiter des mesures, informations, données, ou autres, et/ou déclencher une ou des alarmes comme expliqué ci-après.
Les moyens de pilotage 4 peuvent aussi être appelés unité de pilotage, unité ou moyens de traitement d’information, électronique embarquée ou analogue. Les moyens de pilotage 4 comprennent avantageusement des moyens de mémorisation 4-2 servant à mémoriser ou stocker des paramètres de configuration, des données ou d’autres informations.
Le boîtier ou appareil de surveillance 3 comprend un coffret périphérique qui est lui-aussi fixé à un mur ou une paroi de l’établissement hospitalier, lequel embarque les moyens de pilotage 4 et comprend par ailleurs plusieurs voies 16 ; 16-1…16-4, c'est-à-dire des liaisons électriques, destinées au raccordement de moyens de mesure 5, typiquement des capteurs de pression 5-1, 5-2, 5-3 servant à fournir des mesures de pression mesurées ou déterminée par ces moyens de mesure 5, aux moyens de pilotage 4 qui les traitent. Eventuellement, on peut aussi prévoir un dispositif de surveillance 15 de la production de vide par la pompe à vide 13 ou par l’une des autres sources de gaz 11, 12, i.e. PSA ou autre.
Plus précisément, les capteurs de pression 5-1, 5-2, 5-3 faisant office de moyens de mesure 5 sont agencés sur les différentes lignes d’acheminement de fluide 14-1, 14-2, 14-3 du réseau 14 de manière à pouvoir mesurer la pression des fluides circulant dans ces différentes lignes 14-1, 14-2, 14-3.
Ces capteurs de pression 5-1, 5-2, 5-3 sont reliés électriquement aux moyens de pilotage 4 par les liaisons 6 électriques, tels des câbles électriques ou analogue, et des moyens de raccordement électrique, tels des connecteurs électriques, par exemple un bornier ou analogue comprenant plusieurs emplacements de raccordement, et afin de leur fournir les mesures de pression opérées, i.e. valeurs ou signaux. A titre d’exemple, on peut utiliser un capteur de pression analogique 0-16 bars de marque Huba®.
De façon analogue, la pompe à vide 13 servant à produire le vide, c'est-à-dire la dépression servant à l’aspiration, peut être équipée d’un dispositif de surveillance 15, qui renvoie une synthèse des défauts de l’équipement (i.e. pannes ou anomalies), relié, lui aussi, aux moyens de pilotage 4, via une voie dédiée 6-4, pour leur fournir des informations de fonctionnement de la pompe 13 afin de pouvoir détecter tout dysfonctionnement de cette pompe à vide 13 et déclencher une (ou des) alarme en réponse à cette détection.
Les mesures de pression provenant des moyens de mesure 5 sont traitées informatiquement par les moyens de pilotage 4, en particulier par le (ou les) processeur(s) 4-1, pour détecter tout problème de pression ou dysfonctionnement éventuel du réseau 14, c'est-à-dire des lignes d’acheminement de fluide 14-1, 14-2, 14-3, ou de la pompe à vide 13, par exemple des pressions excessives ou insuffisantes, et déclencher ensuite une (des) alarme sonore ou visuelle en réponse à la détection par exemple d’une chute de pression dans l’une des conduites de gaz du réseau 14 ou un dysfonctionnement de la pompe à vide 13, afin d’alerter le personnel soignant et lui permettre de prendre des mesures appropriées.
Des moyens d’alimentation électrique 20, tel que le secteur (110/220 V), alimentent électriquement les différents composants de l’installation 1 ayant besoin de courant électrique pour fonctionner, en particulier les moyens de pilotage 4, les différents capteurs 5, le dispositif de surveillance 15, la pompe à vide 13….
Cependant, afin que les moyens de pilotage 4 puissent remplir leur fonction, il est impératif que le boîtier de surveillance 3 soit programmé ou paramétré correctement, lors de sa mise en service notamment, afin d’assurer une conformité de l’installation, notamment en termes de sécurité. En particulier, les seuils de pression d’alarme, c'est-à-dire les seuils de pression haute et basse, doivent être définis avec précision, ainsi que d’autres paramètres de configuration, comme expliqué ci-après.
Pour ce faire, conformément à la présente invention, chaque voie 16 du boîtier 3 est paramétrée au sein du boîtier de surveillance 3, c'est-à-dire que des paramètres de configuration spécifiques associés à chacune des différentes voies 16 sont mémorisés au sein des moyens de mémorisation 4-2.
Il existe donc le besoin de proposer une nouvelle solution pour réaliser des tests in vitro les plus représentatifs de la physiologie et des variations inter-individus tout en étant facile à produire et à mettre en œuvre.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation, on prévoit un procédé d’obtention de sphéroïdes comprenant les étapes suivantes : prélèvement sanguin sur un individu, préparation d’un sérum sanguin appauvri à partir du prélèvement sanguin, culture de sphéroïdes à partir de cellules humaines, caractérisé en ce que la culture de sphéroïdes est réalisée dans un milieu de culture de reprogrammation comprenant de 30 à 60% en volume du sérum sanguin appauvri.
Avantageusement, le procédé comprend la détermination d’une cohorte d’individus représentative d’une étude et le procédé est réalisé pour chaque individu de la cohorte, c’est-à-dire qu’un prélèvement sanguin, la préparation d’un sérum sanguin appauvri et la culture des sphéroïdes sont réalisés pour chaque individu de la cohorte.
Le procédé selon l’invention permet d’obtenir des sphéroïdes qui sont faciles à manipuler tout en étant spécifiques d’un individu. Les sphéroïdes obtenus sont dits donneur dépendant, car ils sont spécifiques d’un individu. Le procédé selon l’invention, et notamment l’étape de culture des sphéroïdes par le milieu de culture de reprogrammation comprenant un sérum sanguin appauvri permet d’apporter avantageusement des facteurs de croissance et autres éléments tels que les exosomes, les cytokines, les hormones et les résidus microbiotiques utiles à la culture des sphéroïdes qui sont spécifiques d’un individu. Les sphéroïdes sont également dénommés sphéroïdes reprogrammés en comparaison aux sphéroïdes cultivés sans l’apport du milieu de culture de reprogrammation.
L’invention propose un procédé pour obtenir un nouveau modèle de sphéroïde multicellulaire reprogrammé dépendant du donneur qui représente l'hétérogénéité interindividuelle trouvée dans une cohorte d’individus.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un procédé de test sur des sphéroïdes obtenus par le précédent procédé.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un sphéroïde obtenu par le procédé décrit ci-dessus.
Selon un autre aspect, l’invention concerne une utilisation de sphéroïdes obtenus par le procédé décrit ci-dessus pour évaluer l’hépatotoxicité ou l’efficacité d’une molécule ou d’une composition.
Le procédé selon l’invention n’implique pas la destruction d’embryons humains. Les cellules primaires humaines et les lignées cellulaires humaines ne comprennent et ne sont pas obtenues à partir de cellules souches embryonnaires.
Les tests réalisés sur des sphéroïdes obtenus par le présent procédé sont particulièrement représentatifs des différences inter-individus et donnent ainsi des résultats in vitro d’une meilleure fiabilité que les systèmes de l’état de la technique.
La représente des photos de sphéroïdes non reprogrammés 100 et de sphéroïdes reprogrammés 200 après 1 jour, 2 jours et 3 jours de culture selon l’exemple 1.
La représente un graphe de la viabilité cellulaire en pourcentage en fonction du log de la concentration d’un médicament le bosentan sur des sphéroïdes non reprogrammés 100 et de sphéroïdes reprogrammés 200.
La représente un graphe de composants principaux de type PCA (en anglais Principal Component Analysis) après séquençage RNAseq des sphéroïdes non reprogrammés 100 et des sphéroïdes reprogrammés 200.
La représente une analyse des gènes différentiellement exprimés après un séquençage RNAseq des sphéroïdes non reprogrammés 100 et de sphéroïdes reprogrammés 200.
La représente des images de microscopie confocale des canalicules biliaires dans un sphéroïde reprogrammé 200 d’une femme de 41 ans.
La couche en SIPOS 21 est, par exemple déposée à la surface du substrat 13 et dans les sillons 15 par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, par exemple par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression ou LPCVD (de l'anglais " Low pressure chemical vapor deposition"). A titre d'exemple, la couche en SIPOS 21 a une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 2 µm, par exemple comprise entre 0,1 µm et 1 µm, par exemple de l'ordre de 0,5 µm.
La structure de départ illustrée en est par exemple symétrique horizontalement. Le substrat 13 comporte par exemple une partie inférieure 23 comportant des portions 231, 233 et 235 par exemple respectivement similaires aux portions 191, 193 et 195 de la partie supérieure 19. La structure comporte par exemple un sillon 15’ formé à partir de la face inférieure du substrat 13. A titre d'exemple, le sillon 15’ s'étend dans la partie inférieure 23 et débouche dans la partie centrale 17 du substrat 13. La structure de départ comporte par exemple une autre couche en SIPOS 21’ s'étendant sur et en contact avec la face inférieure du substrat 13 et sur les parois du sillon 15’ formé à partir de la face inférieure du substrat 13. Ainsi, le sillon 15’ traverse la jonction PN formée par le plan horizontal d’interface entre les parties inférieure 23 et centrale 17 du substrat.
La structure de départ comporte de plus une zone dopée localisée 25 du coté de la face supérieure du substrat 13, affleurant cette même face. La structure peut en outre comporter une zone dopée localisée 27 du coté de la face inférieure du substrat 13, affleurant cette même face.
A titre d’exemple, les couches 17, 19 et 23 s’étendent chacune sur toute la surface du substrat. Les zones 25 et 27 sont quant à elles localisées respectivement sur une partie seulement de la surface du substrat.
Les zones 25 et 27 sont, par exemple, dopées du premier type de conductivité, par exemple du type N. A titre d'exemple, les zones 25 et 27 sont plus fortement dopées que la partie centrale 17 du substrat 13 et que les portions 195 et 235 du substrat 13. A titre d'exemple les zones 25 et 27 sont dopées d'atomes de phosphore.
La structure de départ est ainsi constituée d’un premier empilement vertical de quatre régions 19, 17, 23, et 27 alternativement dopées P et N, et d’un deuxième empilement vertical de quatre régions 25, 19, 17 et 23 alternativement dopées N et P, qui définissent un triac. Les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à cet exemple de composant. A titre d'exemple, la région 27 peut être omise dans le cas d'une structure de type thyristor. Plus généralement, les modes de réalisation décrits peuvent être appliqués à tout composant électronique de puissance dit vertical, comportant une jonction PN horizontal et une structure de passivation formée dans un sillon d’isolation périphérique traversant verticalement la jonction PN.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d’une couche électriquement isolante 29 sur la face supérieure de la structure illustrée en . Dans cet exemple, une couche électriquement isolante 29’ est en outre formée sur la face inférieure de la structure.
Plus particulièrement, lors de cette étape, la couche 29 est formée pleine plaque, c'est-à-dire qu'elle est formée sur l'ensemble de la face supérieure de la structure illustrée en . Lors de cette étape, la couche 29 est formée en contact avec la couche en SIPOS 21. La couche 29 recouvre par exemple la face supérieure de la couche 21 située sur les flancs et dans le fond du sillon 15 et s'étendant à la surface du sillon 15.
Similairement, la couche 29' est formée pleine plaque, c'est-à-dire qu'elle est formée sur l'ensemble de la face inférieure de la structure illustrée en . Lors de cette étape, la couche 29' est formée en contact avec la couche en SIPOS 21'. La couche 29' recouvre par exemple la face inférieure de la couche 21' située sur les flancs et dans le fond du sillon 15' et s'étendant à la surface du sillon 15'.
A titre d'exemple, les couches 29 et 29' sont en verre non dopé, par exemple en verre de silicium non dopé (USG, de l'anglais "Undoped Silicon Glass") ou en verre phosphosilicate non dopé (PSG, de l'anglais " PhosphoSilicate Glass"). Les couches 29 et 29' sont par exemple déposées par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, par exemple par un procédé de dépôt LPCVD. A titre d'exemple les couches 29 et 29' ont une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 1,5 µm, par exemple comprise entre 0,5 µm et 1 µm.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d’une couche en verre 31 sur la face supérieure de la structure illustrée en . Dans cet exemple, une couche en verre 31’ est en outre formée sur la face inférieure de la structure.
Plus particulièrement, lors de cette étape, la couche 31 est formée localement à la surface de la couche 29 et, par exemple, en contact avec celle-ci. La couche 31 recouvre ainsi la couche 29 située dans le fond et sur les flancs du sillon 15 et à la surface du sillon 15 sans s'étendre sur toute la surface de la couche 29 à la surface de la sillon 15.
Similairement, lors de cette étape, la couche 31' est formée localement à la surface de la couche 29' et, par exemple, en contact avec celle-ci. La couche 31' recouvre ainsi la couche 29' située dans le fond et sur les flancs du sillon 15' et à la surface du sillon 15' sans s'étendre sur toute la surface de la couche 29' à la surface du sillon 15'.
Les couches 31 et 31' sont déposées par un procédé de dépôt localisé, par exemple par sérigraphie. Cette étape consiste par exemple au dépôt d'une pâte de verre à travers un masque situé à la surface de la couche 29 ou de la couche 29'. A titre d'exemple, après ce dépôt, les couches 31 et 31' subissent une ou des étapes de recuit. L'étape de recuit peut par exemple comprendre une étape de pyrolyse à une température comprise entre 300 °C et 700 °C, par exemple de l'ordre de 500 °C. L'étape de recuit peut en outre comprendre une étape de frittage à une température comprise entre 500 °C et 1000 °C, par exemple de l'ordre de 800 °C.
A titre d'exemple, les couches 31 et 31' ont une épaisseur non constante sur l'ensemble de leurs surfaces. Elle est par exemple plus importante au fond des sillons 15 et 15' (c'est-à-dire dans les sillons de la plaquette entre les composants) qu'en leur sommet et à la surface des sillons 15 et 15'.
L'épaisseur des couches 31 et 31' à la surface du substrat 13 en périphérie des sillons 15 et 15' est par exemple comprise entre 10 µm et 40 µm, par exemple comprise entre 20 µm et 30 µm.
En variante, le bras de manutention 3 peut ne pas être télescopique.
Le déplacement entre la position retractée et la position déployée du bras de manutention 3 est obtenu via un deuxième actionneur hydraulique 12 présent dans le bras de manutention 3, tel qu'un vérin de télescopage.
Comme indiqué de manière similaire ci-dessus, on peut utiliser un vérin à double effet ou deux vérins parallèles à simple effet alimentés tour à tour.
Le bras de manutention 3 est équipé d’un porte-outils 11, monté à pivotement à l’extrémité distale de la deuxième section 17 du bras de manutention 3. Le porte-outils 11 illustré sur la porte un godet 5. En variante, le porte-outils 11 est un porte-outils universel, adapté à recevoir une pluralité d’outils. L’opérateur peut alors choisir l’outil souhaité et le fixer au porte-outils 11.
Le porte-outils 11 est relié au bras de manutention 3 via un troisième actionneur 18. Ce troisième actionneur 18 permet l'entraînement en déplacement du porte-outils 11 dans un sens de cavage et dans un sens de déversement par pivotement du porte-outils 11 autour d'un axe horizontal transversal. La position de déversement correspond à la position extrême de pivotement vers le sol du porte-outils 11 et de l'outil associé. La position de cavage du porte-outils 11 correspond à une position de pivotement vers le haut du porte-outils 11 et de l'outil associé.
La machine de levage 1 comporte en outre une unité de commande 7 configurée pour commander le fonctionnement des premier, deuxième et troisième actionneurs hydrauliques 10, 12, 18, ce qui permet de piloter les déplacements du bras de manutention 3 et du porte-outils 11. Par exemple, l’unité de commande 7 reçoit un signal de demande de mouvement provenant du manipulateur 9 de type manette manipulée par un opérateur. Ces signaux de demande de mouvement peuvent être interprétés par l'unité de commande 7 comme des signaux d'instruction de déplacement du bras de manutention 3 et/ou du porte-outils 11.
L’unité de commande 7 est une unité électronique et/ou informatique qui comprend, par exemple, un microcontrôleur ou un microprocesseur associé à une mémoire.
Ainsi, lorsqu'il est précisé que l'unité de commande est configurée pour réaliser une opération donnée, cela signifie que l'unité de commande comprend des instructions informatiques et du matériel informatique d'exécution qui permettent de réaliser ladite opération et/ou des composants électroniques correspondants. Autrement dit, les fonctions et étapes décrites ci-dessous peuvent être mises en œuvre sous forme de programme informatique et/ou via des composants matériels. En particulier, les fonctions et étapes opérées par l'unité de pilotage 7 peuvent être réalisées par des jeux d'instructions et des modules informatiques implémentés dans un processeur ou contrôleur et/ou être réalisées par des composants électroniques dédiés ou des composants de type FPGA ou ASIC. Il est aussi possible de combiner des parties informatiques et des parties électroniques.
La machine de levage 1 comprend des capteurs de position 13, 14, 15. Un premier capteur de position 13 associé au premier actionneur hydraulique 10 pour mesurer un paramètre représentatif de la position du premier actionneur hydraulique 10, par exemple une position angulaire du bras de manutention 3. Un deuxième capteur de position 14 est associé au deuxième actionneur hydraulique 12 pour mesurer un paramètre représentatif de la position du deuxième actionneur hydraulique 12, par exemple une longueur du bras de manutention et un troisième capteur de position 15 est associé au troisième actionneur hydraulique 18 pour mesurer un paramètre représentatif de la position du troisième actionneur hydraulique 18, par exemple la position angulaire de l’outil.