Procédé de formation d’une zone de fragilisation (5) dans un substrat (6) semi-conducteur, comprenant successivement les étapes suivantes : a. formation d’une couche écran (4) présentant un profil contrôlé non-plan sur une première face (61) du substrat, b. implantation d’espèces au travers de la couche écran et de la première face (61) du substrat pour former la zone de fragilisation, le profil de la couche écran étant choisi pour compenser une non-uniformité de profondeur d’implantation des espèces de sorte que la zone de fragilisation (5) soit sensiblement comprise dans un plan parallèle à la première face (61). Procédé selon la revendication précédente, la couche écran (4) présentant un profil convexe ou concave. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, les espèces implantées dans la première face (61) du substrat comprenant des ions hydrogène et des ions hélium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, une distance entre deux points quelconques d’une surface libre (41) de la couche écran (4) selon un axe normal à la première face (61) étant comprise entre 0.2 nm et 5 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, le substrat (6) comprenant du silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, la couche écran (4) comprenant un oxyde d’un matériau semi-conducteur, notamment du dioxyde de silicium. Procédé selon la revendication précédente, la couche écran (4) étant obtenue par oxydation thermique d’une région superficielle du substrat semi-conducteur (6) Procédé selon la revendication précédente, la formation de la couche écran (4) par oxydation comprenant un chauffage du substrat (6) sous une atmosphère neutre jusqu’à une température supérieure à une température d'oxydation du substrat, puis un refroidissement du substrat à ladite température d’oxydation, et une application d’une atmosphère oxydante pour former la couche écran (4). Procédé selon la revendication 7, comprenant, avant l’oxydation thermique, une application sélective d’un plasma oxydant sur une zone de la première face (61) du substrat (6) de sorte à former une surépaisseur d’oxyde dans ladite zone. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant préalablement à la formation de la couche écran (4) une calibration du profil de la couche écran (4) comprenant les étapes suivantes : - implantation (701) d’atomes au travers d’une première face (601) d’un substrat de calibration (600), de sorte à créer une zone de fragilisation (500), - séparation (702) du substrat de calibration le long de la zone de fragilisation en une première partie (602), comprenant la première face (601), et une deuxième partie (603), - définition (703) d’un profil cible (400) dont la forme est sensiblement identique à une surface (621) de la première partie (602) exposée par la séparation, le profil cible (400) étant utilisé pour définir le profil de la couche écran (4) lors de sa formation. Procédé de fabrication d’un composant semiconducteur (10) de type semi-conducteur sur isolant, comprenant successivement les étapes de : - fourniture d’un substrat donneur (6) et d’un substrat receveur (7) en matériau semiconducteur, - formation (101) d’une couche électriquement isolante (2) sur une face (71) du substrat receveur, - formation (102, 103) d’une zone de fragilisation (5) dans le substrat donneur (6) au moyen du procédé de formation selon l’une quelconque des revendications précédentes, la zone de fragilisation (5) ainsi formée délimitant une couche semi-conductrice, - retrait (104) de la couche écran (4), - collage (105) de la première face (601) du substrat donneur (6) sur la couche électriquement isolante (2) du substrat receveur (7), - séparation (106) du substrat donneur (6) au niveau de la zone de fragilisation (5) de sorte à transférer la couche semi-conductrice du substrat donneur (6) sur le substrat receveur (7). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche électriquement isolante (2) et la couche écran (4) sont formées par traitement thermique dans un même four. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 et 12, la couche électriquement isolante (2) présentant une épaisseur d’au moins 150 nanomètres.