INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- la priorité de la demande ;
- la quantité de sources à utiliser pour générer la réponse.
Dans un mode de réalisation, la prévision (de plus) dépend de la charge du serveur qui détermine la réponse. Par exemple, il peut exister un facteur de pondération qui conduit à un envol ou une chute du coût calculé, par exemple si la charge est supérieure à une moyenne, les coûts seront augmentés de 20 % (facteur de pondération = 1,20). Si elle est inférieure à la moyenne, les coûts seront réduits de 10 % (facteur de pondération = 0,90). Ainsi, le système de l’invention aide à répartir la charge sur le(s) serveur(s) uniformément dans le temps. Des pics de charge sont évités, ce qui aide à établir un paramétrage qui a une meilleure charge de travail moyenne.
Pour estimer l’électricité et/ou la puissance de calcul, le système peut fournir des modèles adéquats qui prennent en compte une consommation d’électricité et/ou une puissance de calcul nécessaire pour satisfaire à des demandes précédentes et/ou pour générer des réponses précédentes. Encore une fois, des modèles entraînés peuvent être utilisés.
Dans un mode de réalisation, le système comprend une application de formation pour entraîner le modèle entraîné, en particulier le modèle entraîné pour fournir la réponse, sur la base de messages de retour d’information, dans lequel l’application de paiement est adaptée pour réduire le montant alloué à payer, si un message de retour d’information reçu depuis l’autre participant est utilisé pour entraîner le modèle entraîné. Encore une fois, le retour d’information respectif peut être utilisé pour améliorer le modèle. Dans un mode de réalisation, l’utilisateur peut être doté d’un crédit qui dépasse ce que l’utilisateur a dépensé jusqu’à présent.
Dans un mode de réalisation, le système est adapté pour mettre en œuvre au moins l’une des étapes décrites en combinaison avec les procédés de l’invention renseignés ci-dessus.
Le problème ci-dessus peut également être résolu par l’utilisation d’un système de micropaiement et/ou paiement fractionné pour réduire la charge de travail sur un système de chat. Le système de chat respectif peut comprendre au moins un modèle entraîné, en particulier un modèle de langage autorégressif, de préférence un modèle d’apprentissage profond, pour répondre à des questions émises dans ce système de chat.
L’utilisation respective fournit des effets et des avantages similaires à ceux discutés ci-dessus.
D’autres modes de réalisation sont discutés dans les revendications dépendantes.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L’invention va maintenant être décrite de manière plus détaillée à l’aide de plusieurs modes de réalisation en exemple et en faisant référence aux dessins, sur lesquels :
représente un appareil client, un système de chat et un système de paiement connectés via Internet ;
représente plusieurs composants du système de paiement conformément à la ;
représente un exemple de structure de données pour le système de paiement conformément à la ;
représente un diagramme illustratif d’un procédé pour fournir une réponse à une demande de client,
9) L’adduction d’air au niveau du sol (410) permet d’augmenter la densité de CO 2 et d’augmenter la productivité à moindre coût, du fait que le CO 2 est plus lourd que l’air ; et
10) Permet une expansion facile du réseau énergétique via son réseau de glycol. Par exemple, la configuration en parallèle des thermopompes ne nécessite qu’un branchement au réseau en cas d’ajout.
Domaine d’application et étendu: La présente invention s’applique principalement aux différentes cultures sous serres. La variété et/ou le type de plantes n’ont aucun effet sur le brevet et ce brevet demeure en tout point applicable. La présente invention s’applique peu importe la forme de la serre, sa grandeur, sa hauteur, son recouvrement etc. ; Les divers fluides utilisés dans les boucles d’énergie alternative sont principalement prévus pour être de la vapeur, de l’huile et du glycol sans s’y limiter. Les divers fluides utilisés dans les boucles d’énergie venant des thermopompes (220) sont principalement prévus pour être du glycol ou de l’eau sans s’y limiter. Les chaudières (120) sont potentiellement alimentées en gaz naturel, propane ou électricité sans toutefois s’y limiter. La présente invention s’applique peu importe le dimensionnement des chaudières (120), la source d’approvisionnement de celles-ci, leur type ; La présente invention s’applique peu importe le type de thermopompes (220) utilisé (air-air / air-eau / eau-eau) ; Les températures citées (90 °C, 60 °C, 45 °C, 3 °C) seront potentiellement optimales à un moment précis au cours de l’année. Tout ajustement ou calibration différentes de ces températures n’a aucun effet sur la protection conférée par le brevet ; La forme, les dimensions, le type de piles d’énergie n’ont aucun effet sur la protection conférée par le brevet ; L’utilisation de diverses sources d’énergie électrique (270) tel que le réseau (280), l’éolien ou le solaire ne sont qu’a titre indicatif, l’utilisation de toutes autres sources d’énergie n’a aucun effet n’a aucun effet sur la protection conférée par le brevet ; Les plages de températures peuvent différer d’une région à l’autre et/ou d’un pays à l’autre. La variation de ces plages d’utilisation d’énergie n’a aucun effet sur la protection conférée par le brevet ; L’utilisation ou non de mécanisme de ventilation naturelle (400) n’a aucun effet sur le brevet et ce brevet demeure en tout point applicable ; et Le dimensionnement des éléments mécaniques, le type, le débit, le voltage etc.. Lesquels approvisionnent la serre en air et en CO 2 n’ont aucun effet sur le brevet et ce brevet demeure en tout point applicable.
LOGIQUE DE GESTION MINIMISANT LES COUTS EN ÉNERGIE(S) ET CO2
Solution optimale = Fonction minimisant les 2 variables suivantes : Coûts énergétiques & Émission de CO 2
Hypothèses de départ: Plage de température donnant un fonctionnement optimal des pompes à chaleur maximisant le COP est les suivant -10 °C Le dimensionnement des pompes à chaleur est égal ou supérieur à 35% de la puissance de pointe de chauffage et 120% de la puissance de pointe en refroidissement. Le dimensionnement des réserves (piles) est en fonction des besoins cumulés hors plage, i.e. périodes de grands froids ou caniculaires. Le circuit haute température est alimenté par une énergie tierce.
Ces hypothèses peuvent varier d’un site à l’autre, d’une culture à une autre et/ou selon les technologies choisies (pompes à chaleur).
Consignes de gestion primaires : A) Si Text (température extérieure) est dans la plage optimale de fonctionnement (par exemple : Text ≥ 10 °C) on favorise les pompes à chaleur;
B) Si Text est inférieure au seuil minimal de fonctionnement des pompes à chaleur (par exemple : Text ≤ 10 °C) , on utiliser en premier lieu l’énergie accumulée dans les 2 piles (100, 200);
C) Si la période de froid se prolonge et/ou que la pile 45 °C (200) devient faible, on effectue un transfert d’énergie entre les piles;
D) Au fil des saisons et sur une base régulière (ex. bi hebdomadaire), on peut revoir les consignes de puissance des pompes à chaleur à savoir quel pourcentage de l’énergie disponible sera utilisé pour le chaud et quel pourcentage sera utilisé pour le froid. Ces calculs tiennent compte de préférence des éléments suivants : besoins énergétiques requis selon les prévisions météo et degré-jour calculés, état des piles, apport quotidien d’énergie de fonctionnement (ex : lampes, puissance motrice)
E) S’il n’y a aucun besoin d’énergie fossile, on peut ajouter du CO 2 dans la serre via le système d’adduction;
F) On fait diminuer (si possible) la température du réseau haute température à 45 ou 60 °C en période estivale;
G) On peut toujours maximiser l’utilisation de la pile centrale (45 °C).
Consignes journalières : En période hivernale (diurne) et en période normale :
a) On peut utiliser la serre comme une serre conventionnelle ;
On travaille sur des aliquots de 1 à 5 mL dans lesquels on ajoute, pour chaque métal que l’on veut chélater dans les particules, 100µL d’une solution aqueuse de chlorure du métal correspondant à 100g/L. On chauffe la solution obtenue à 60°C pendant 4 jours. On obtient un lot de particules liés aux métaux par chélation.
Deux cents lots de particules uniques sont synthétisés par cette méthode. Chaque lot contient un à huit métaux parmi : cérium, dysprosium, lanthane, terbium, gadolinium, samarium, néodyme, yttrium. A chaque fois, la solution obtenue est claire avec des particules en suspension (concentration comprise entre 39 et 49 g/L selon le nombre de lanthanides ajoutés) et peut être utilisée pour une application de marquage.
EXEMPLE 4 : Marquage d’encre de maculage pour billets de banque par des codes particulaires uniques
On a rempli deux cents flacons en verre de 15 mL avec 9mL d’une encre indélébile de maculage, conçue spécialement pour le marquage de billets de banque. Cette encre est commercialisée par la société Feerica SA (Portugal), Feerica SA (Portugal), et approuvée conformément à l'arrêté français du 18 décembre 2013 fixant les conditions techniques nécessaires à l’agrément prévu aux articles R. 613-53 à R. 613-56 du code de la sécurité intérieur.
Cette encre est spécifiquement destinée au marquage de billets de banque. On ajoute ensuite dans chaque flacon 1mL de suspension selon l’exemple 3 comprenant des particules codées, afin d’obtenir une encre de maculage marquée. Les flacons sont fermés et scellés.
EXEMPLE 5 : Obtention de particules mixtes de type x é rogel de chitosane 50%- dérivé de chitosane 50% par spray-drying
On mélange 400 mL d’une solution comprenant 8.375 g/L de dérivé de chitosane préparé à l'exemple 1 et 3,350 g/L de chitosane visé à l'exemple 2. On atomise ensuite cette solution par spray drying grâce à un Buchi B-290 Mini spray dryer. La température d’entrée du spray dryer est fixée à 200°C. On obtient environ 1g d’une poudre fine (d'environ 10 µm à environ 50 µm) comprenant des particules de l’invention légèrement électrostatique.
Les figures 2A et 2B représentent les images au MEB (JEOL JSM-6010LV Plus ) des particules obtenues grâce à la méthode de l’exemple 5. Les particules présentent une forme spécifique de sphères rétractées et/ou de tores dont la plus grande dimension est comprise entre 1 et 50 µm.
EXEMPLE 6 : Obtention de particules mixtes chitosane 56%- dérivé de chitosane 44% dopées avec des nanoparticules de Bi
Dans un réacteur de 1 L on mélange 16,377g de dérivé de chitosane (exemple 2) et 21,123 g de chitosane (exemple 1) avec 337,5 mL d’eau ultra pure (résistivité de 18.2mOhm.cm; COT < 10 ppb ; bactéries < 10 CFU/ml). On ajoute de l’acide acétique glacial jusqu’à dissolution complète des polymères. Sous agitation mécanique on ajoute 18,300 g de nanoparticules d’oxydes de bismuth, fournies par la société NanoH SHS, dispersés dans 340 mL d’eau ultra pure.
Après 48h à température ambiante, la solution est versée dans une solution aqueuse comprenant 1 mol/L de soude, puis est laissée ainsi pendant 30 minutes permettant la formation d’un gel. Le gel formé est ensuite lavé par filtration et lavé 3 fois avec 1 L d’eau ultra pure. Le gel est séché à 60°C pendant 48 heures. Environ 60g de gel sec sont obtenus puis broyés trois fois grâce à un broyeur à couteaux (PULVERISETTE 14 classic line FRITSCH) équipé successivement d’un tamis de 2mm puis d’un tamis de 500 µm et finalement d’un tamis de 80µm. On obtient environ 41 g de particules fines.
La représente une image obtenue en MEB (JEOL JSM-6010LV Plus ) des particules obtenues grâce à la méthode de l’exemple 6. La donne les compositions élémentaires obtenues par analyse EDX (EDS Oxford Aztec-DDI detector X MAXN 50/ Logiciel INCA) de 6 différentes particules (6 spectres) comprises dans l'observation correspondant à la et dont 5 sont visisbles sur la . On obtient des particules en forme de sphères rétractées dont la plus grande dimension est comprise entre 100 à 500 µm de diamètre comprenant des nanoparticules d’oxyde de bismuth. Les nanoparticules apportent une augmentation de contraste en MEB comparativement aux particules sans nanoparticules de bismuth. En EDX (EDS Oxford Aztec-DDI detector X MAXN 50/ Logiciel INCA) sur 6 points d’analyse, on retrouve une teneur massique en bismuth de 32 à 58%.
EXEMPLE 7 : Marquage au praséodyme de particules mixtes chitosane 50% dérivé de chitosane 50% dopées avec des nanoparticules de bismuth
A 50 ml de la solution décrite dans l'exemple 6, sont ajoutés 2ml d’une solution commerciale de glyoxal à 40% dans l’eau. La solution est agitée manuellement jusqu’à obtention d’une texture solide. Environ 3,5 grammes de gel séché sont ainsi obtenus puis séchés à 60°C pendant 48 heures. Le produit obtenu est broyé manuellement dans un mortier. On obtient un peu moins de 2 grammes de particules
20 mg de particules sont dispersés dans 10 ml d’une solution aqueuse comprenant environ 10g/L de PrCl 3 . Après 4 jours d’agitation à température ambiante la solution est centrifugée à 3000 tours par minute pendant 5 minutes puis le culot est récupéré et lavé trois fois par 10 ml de tampon acétate pH=4.5.
Les figures 4A & 4B représentent une image au MEB (JEOL JSM-6010LV Plus) du culot après centrifugation et lavage selon l’exemple 7. L'image de la fait apparaître les 6 points 1 à 6 d'analyse EDX. La représente les spectres EDX (EDS Oxford Aztec-DDI detector X MAX N 50/logiciel INCA) réalisés des particules observées dans les figures 4A & 4B. On observe une colocalisation entre le bismuth et le praséodyme au niveau des particules.
Dans un second temps, les métallisations de contact de source 29 et de drain 31 sont, par exemple, formées dans les ouvertures précédemment réalisées. Les métallisations 29, 31 et une région 47 sont, par exemple, formées par dépôt d'une ou plusieurs couches en un matériau métallique sur l'ensemble de la face supérieure de la structure, ici la face supérieure des couches 13 et 39, suivie d'une étape de gravure.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d’un transistor HEMT 43 selon un deuxième mode de réalisation.
Le transistor 43 illustré en est similaire au transistor HEMT 41 illustré en à la différence près que les parties périphériques de la grille 15 ne sont pas dopées du type N. Le procédé de fabrication du transistor 43 diffère du procédé de fabrication du transistor 41 en ce que, dans le procédé de fabrication du transistor 43, la deuxième étape de compensation est omise. En outre, le transistor 43 illustré en est similaire au transistor HEMT 41 illustré en à la différence près que l'étape de gravure décrite en relation avec la est une gravure complète et que l'étape de poursuite de la gravure de la couche de grille 15 est omise.
Ainsi, dans le procédé de fabrication du transistor 43, la gravure de la couche de grille 15 est réalisée en une seule étape, c'est-à-dire que la couche de grille 15 est retirée hors du vis-à-vis de la couche de masquage 25 dans toute son épaisseur au cours d'une unique étape de gravure. Le procédé de fabrication du transistor 43 comprend, à la suite de l'étape de gravure de la couche de grille 15 de façon à former la grille 15, l'étape de formation des couches 17 et 33 similairement à ce qui a été décrit en relation avec la .
Plus particulièrement, dans cet exemple, le transistor 43 est différent du transistor 41 en ce que la grille 15 ne comprend pas de parties périphériques 155 dopées du type N.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d’un transistor HEMT 45 selon un troisième mode de réalisation.
Le transistor 45 illustré en est similaire au transistor HEMT 41 illustré en à la différence près que, dans le procédé de fabrication du transistor 45, les métallisations de contact de source 29 et de drain 31 ont été formées avant la formation de la métallisation de contact de grille 27 alors que dans le procédé de fabrication du transistor 41, les métallisations de contacts de source 29 et de drain 31 ont été formées après la formation de la métallisation de contact de grille 27.
Plus particulièrement, dans cet exemple, le transistor 45 est différent du transistor 41 en ce que la métallisation de contact de grille 27 traverse la couche 39 et en ce que la couche 39 recouvre les métallisations de contact 29 et 31.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les deuxièmes et troisième modes de réalisation décrits respectivement aux figures 4 et 5 peuvent être combinés.
Par ailleurs, les modes de réalisation ne se limitent pas aux exemples de valeurs numériques ni aux exemples de matériaux mentionnés dans la présente description.
Procédé de production d’un substrat semiconducteur comportantune couche déposée par épitaxie Le domaine de l'invention est celui des procédés de production d'un substrat de semi-conducteur comportant une couche déposée par épitaxie.
DESCRIPTION DE L'ART ASSOCIÉ Un procédé de dépôt épitaxial sur un substrat de semi-conducteur est par exemple décrit dans le document US 7 479 187 B2, qui divulgue qu'il est avantageux et souvent nécessaire d'éliminer des surfaces du réacteur d'épitaxie des résidus qui ont été déposés sur ces surfaces de manière incontrôlée pendant le dépôt, par exemple, de silicium sur le substrat de semi-conducteur. Cette étape, appelée "gravure en chambre" ( chamber etch en anglais), est réalisée plus ou moins fréquemment en fonction du degré de contamination et des exigences de qualité. Dans certains cas, il est opportun d'effectuer une gravure en chambre après le dépôt d'une couche épitaxiale sur un substrat de semi-conducteur avant qu'un dépôt épitaxial ultérieur ne soit effectué sur un autre substrat de semi-conducteur. Dans d'autres cas, la gravure en chambre peut également avoir lieu moins fréquemment, par exemple tous les 2 à 8 dépôts épitaxiaux sur des substrats de semi-conducteur.
Le document US 7 479 187 B2 propose également de revêtir les surfaces gravées dans le réacteur d'épitaxie d'un film mince de silicium en faisant passer un gaz de dépôt à travers le réacteur d'épitaxie. Le film mince de silicium scelle les surfaces et empêche les contaminants qui diffusent à partir des surfaces de pénétrer dans la couche épitaxiale en croissance lors d'un dépôt épitaxial ultérieur. Le dépôt d'un film mince de silicium sur les surfaces du réacteur d'épitaxie après la gravure en chambre est appelé "revêtement en chambre" ( chamber coating en anglais).
Les procédés de dépôt épitaxial font appel à un suscepteur, par exemple à un suscepteur en graphite, qui comprend une ou plusieurs concavités circulaires appelées poches, par exemple en carbure de silicium, chacune formée à une position de mise en place d’un substrat. Le passage de gaz réactifs entre une poche et la face arrière d’un substrat positionné sur cette poche peut entraîner un dépôt de gaz réactifs en face arrière du substrat. Un tel dépôt est susceptible de dégrader l’état de surface de la face arrière du substrat. Cet état de surface dégradé peut rendre le substrat impropre à être utilisé dans un processus de fabrication de composants électroniques, notamment une fabrication de circuits CMOS.
Bien que la description qui suit concerne particulièrement un réducteur du type planétaire, elle peut s’appliquer à un réducteur de type épicycloïdal ou encore s’appliquer également à un différentiel mécanique dans lequel les trois composants, que sont le porte-satellites 22, la couronne externe 23 et le pignon solaire 20, sont mobiles en rotation, la vitesse de rotation de l’un de ces composants dépendant notamment de la différence de vitesses des deux autres composants.
Le réducteur 16 (ou RGB) est positionné dans la partie amont de la turbomachine dans le présent exemple. Bien entendu, le réducteur 16 pourrait être agencé en aval de la turbomachine.
Une structure fixe comportant schématiquement, ici, une partie amont 6a et une partie aval 6b qui compose le carter moteur ou stator 6 est agencée de manière à former une enceinte 18 entourant le réducteur 16. Un brouillard de lubrifiant règne dans l’enceinte 18. Cette enceinte 18 est ici fermée en amont par des joints au niveau d’un palier amont 19 permettant la traversée de l’arbre de soufflante 15, et en aval par des joints au niveau de la traversée de l’arbre basse pression 8.
La turbomachine 1 décrite est une turbomachine 1 double flux destinée à être montée sur un aéronef. Bien entendu, l’invention peut être appliquée à d’autres types de turbomachines telles que des turbopropulseurs équipés d’une seule hélice non carénée ou d’un doublet d’hélices contrarotatives, non carénées, et connus sous l’expression anglaise « open rotor ». L’invention peut s’appliquer à d’autres domaines dans lesquels un réducteur de vitesse est nécessaire.
La , décrit un réducteur 16 qui peut prendre la forme de différentes architectures selon si certaines pièces sont fixées ou en rotation.
En entrée, le réducteur 16 est relié à l’arbre basse pression 8, par exemple par l’intermédiaire de cannelures 7a. Ainsi l’arbre basse pression 8 entraîne un pignon planétaire appelé le solaire 20. Classiquement, le solaire 20, dont l’axe de rotation est confondu avec celui de l’axe longitudinal X de la turbomachine, entraîne une série de pignons satellites appelés satellites 21, qui sont équirépartis sur le même diamètre autour de l’axe longitudinal de rotation X. Ce diamètre est égal au double de l’entraxe de fonctionnement entre solaire 20 et satellites 21. Le nombre de satellites 21 est généralement défini entre trois et sept pour ce type d’application.
L’ensemble des satellites 21 est maintenus par un châssis appelé porte-satellites 22. Chaque satellite 21 tourne autour de son propre axe Y, et engrène la couronne 23 externe.
En sortie nous avons : Dans une configuration épicycloïdale, l’ensemble des satellites 21 entraine en rotation le porte-satellite 22 autour de l’axe X de la turbomachine. La couronne 23 est fixée au carter moteur ou stator 6 via un porte-couronne 27 et le porte-satellites 22 est fixé à l’arbre de soufflante 15. Dans une configuration planétaire, l’ensemble des satellites 21 est maintenu par un porte-satellites 22 qui est fixé au carter moteur ou stator 6. Chaque satellite entraine la couronne qui est rapportée à l’arbre de soufflante 15 via un porte-couronne 27. La couronne externe 23 est mobile en rotation autour de l’axe longitudinal X.
Dans le cas du présent exemple, le réducteur de vitesse (ou RGB) comprend un train d’engrenage planétaire.
Chaque satellite 21 est monté libre en rotation à l'aide d'un palier 24, par exemple de type roulement ou palier hydrodynamique. De manière générale, un palier hydrodynamique est alimenté avec des pressions « faibles » (usuellement inférieures à 10 bars). La rotation du palier permet de faire monter en pression le coin d’huile et de séparer les satellites et les paliers. Chaque palier 24 (cf. ) est monté sur un des axes du porte-satellites 22 et tous les axes sont positionnés les uns par rapport aux autres à l'aide d'un ou plusieurs châssis structurels 22a du porte-satellites 22. Chaque satellite 21 engrène avec des dentures externes du solaire 20 et des dentures internes de la couronne externe 23. Les dentures internes de la couronne externe 23 peuvent être droites (parallèle à l’axe longitudinal), hélicoïdales ou en chevron.
Il existe un nombre d’axes et de paliers égal au nombre de satellites. Pour des raisons de fonctionnement, de montage, de fabrication, de contrôle, de réparation ou de rechange les axes et le châssis peuvent être séparés en plusieurs pièces.