INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La présente invention a pour but de fournir une alternative aux solutions envisagées jusqu’à présent. Plus spécifiquement, les solutions conventionnelles tendent à se concentrer sur la piégeage des charges électriques au niveau d’une interface entre une couche de piégeage de charges électriques et un support, à l’exclusion d’autres approches. Cependant, la demanderesse a considéré une solution agissant non seulement sur l’aspect du piégeage de charges à une interface extérieure, mais aussi sur l’aspect de la polarisation électrique de la couche de piégeage de charges et, éventuellement, sur la possibilité de piéger des charges au sein même de la couche de piégeage.
A cet effet, l’invention propose un procédé de réduction de la concentration en bore d’une couche semi-conductrice d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, comprenant :
- au moins un cycle de traitement thermique, chaque cycle comprenant une oxydation thermique de ladite couche semi-conductrice de sorte à former une couche d’oxyde sur la couche semi-conductrice, dans laquelle, par ségrégation du bore, des atomes de bore de la couche semi-conductrice diffusent dans la couche d’oxyde de sorte à créer un déficit de concentration en bore dans la couche semi-conductrice à l’interface avec la couche d’oxyde, et
- un retrait de la couche d’oxyde.
Ainsi, grâce au phénomène de ségrégation, on peut réduire, en un ou plusieurs cycles de traitement thermique, la teneur en bore dans la couche semi-conductrice. Ce procédé permet donc de compenser les contaminations en bore susceptibles de se produire au cours de la fabrication du substrat de type semi-conducteur sur isolant.
Selon une mise en œuvre du procédé, ledit au moins un cycle de traitement thermique comporte, après l’oxydation thermique, un recuit sous atmosphère inerte pendant une durée adaptée pour uniformiser la concentration en bore dans la couche semi-conductrice et/ou augmenter la diffusion des atomes de bore vers l’interface oxyde sacrificielle / couche semi-conductrice.
Selon une mise en œuvre du procédé, le recuit est mis en œuvre à une température comprise entre 800 °C et 1200°C.
Selon une mise en œuvre du procédé, la durée du recuit est comprise entre quelques secondes et plusieurs heures, par exemple entre deux secondes et vingt heures.
Selon une mise en œuvre du procédé, l’oxydation thermique est mise en œuvre à une température comprise entre 800 et 1200°C sous atmosphère oxydante.
Selon une mise en œuvre du procédé, l’oxydation thermique est mise en œuvre dans des conditions contrôlées pour former la couche d’oxyde avec une épaisseur supérieure au centre de la couche semi-conductrice qu’au bord de ladite couche semi-conductrice.
Selon une mise en œuvre du procédé, l’oxydation thermique comprend une montée en température sous atmosphère inerte au-dessus d’une température cible d’oxydation thermique suivie d’une descente en température jusqu’à ladite température cible d’oxydation thermique de sorte à former un gradient de température dans le substrat pour générer une vitesse de formation de la couche d’oxyde supérieure au centre de la couche semi-conductrice par rapport au bord.
Selon une mise en œuvre du procédé, la couche semi-conductrice présente une épaisseur comprise entre 0,01 et 1 µm.
Selon une mise en œuvre du procédé, dans chaque cycle de traitement, l’oxydation thermique et le recuit sont mis en œuvre dans un même four.
Selon une mise en œuvre, le procédé comprend au moins un premier et un second cycle de traitement.
Selon une mise en œuvre, le procédé comprend, entre le premier et le second cycle de traitement, un retrait de la couche d’oxyde formée lors du premier cycle de traitement thermique.
Selon une mise en œuvre, le second cycle de traitement suit directement le premier cycle de traitement, la couche d’oxyde formée lors du premier cycle et du second cycle de traitement étant retirée après le second traitement.
Selon une mise en œuvre, la couche semi-conductrice présente une concentration initiale en bore supérieure ou égale à 10 15 at/cm 3 .
Ce diagramme représente le changement de phase de l’eau en fonction de la pression exprimée en bar sur l’axe des ordonnées et la température exprimée en Kelvin sur l’axe des abscisses. Les phases de l’eau sont la phase liquide « L », la phase solide « S » et la phase gazeuse « V ». Le trait continu « E » représente la pression atmosphérique d’une valeur de 1 bar à la surface de la terre et le point M a pour coordonnées (P1, T1) et correspond au point de changement d’une phase liquide à une phase vapeur de l’eau pour une température de 35°C (environ 308 Kelvins). On observe sur ce diagramme que la pression P1 du point de changement de phase M (P1, 308K) est inférieure à la pression atmosphérique terrestre de sorte que le fluide à changement de phase est en dépression. Le fait de mettre en dépression l’eau formant le fluide de travail permet ainsi, à la lecture de ce diagramme, d’abaisser la température d’ébullition de l’eau de 373 Kelvins à 308 Kelvins.
Le principe de fonctionnement de l’organe 20 est le suivant. Au contact de la source chaude 30 par l’évaporateur 20A, les calories sont transmises au fluide caloporteur à l’état liquide contenu dans le réseau de capillaires 28. Ce fluide s’évapore en absorbant une chaleur latente d’évaporation qui refroidit la source chaude 30.
La pression des vapeurs du fluide caloporteur conduit alors ces gaz par le volume axial creux du conduit 22 vers l’autre extrémité de condensation 20B du conduit 22 couplée à la source froide 32. Au contact de la source froide 32, les vapeurs se condensent en dégageant une chaleur latente de condensation qui réchauffe la source froide 32 et produit une baisse de pression qui permet avec l’augmentation de pression du côté de l’évaporateur 20A de faire circuler les gaz au travers du conduit 22.
Le fluide caloporteur condensé est alors conduit par capillarité dans le réseau de capillarité 28 vers la source chaude 30 ce qui renouvelle ce fluide liquide qui est alors prêt à subir un nouveau cycle d’évaporation-condensation.
Dans l’exemple décrit, la paroi extérieure périphérique 22E du conduit 22 est en matière plastique, par exemple réalisé par moulage par injection d’une matière plastique tel qu’un thermoplastique. La matière plastique présente l’avantage d’être un matériau léger et économique à fabriquer par exemple par moulage par injection de la matière plastique. En variante, la paroi périphérique 22E du conduit externe 22 peut être réalisée en élastomère ou en aluminium.
Quel que soit le matériau choisi (aluminium, plastique ou élastomère), un contrôle de la pression à l’intérieur du conduit 22 présente l’avantage de garantir des transferts thermiques efficaces entre la source chaude 30 et la source froide 32 au cours du temps.
En effet, l’aluminium peut être à l’origine d’un problème de corrosion au contact de l’eau ce qui génère des gaz incondensables dans le conduit 22 et vient à modifier les conditions de pression dans le conduit 22. En outre, la sélection de matériaux plastiques pour cette application nécessite la prise en compte de la perméation de gaz au travers de la paroi externe périphérique 22E du conduit 22, en particulier la vapeur d’eau, à travers de tels matériaux. Par perméation, on entend le mécanisme de passage d’un gaz à travers un matériau suivant les étapes d’absorption du gaz dans le matériau, de diffusion de ce gaz à travers le matériau et de désorption du gaz de l’autre côté du matériau.
A cet effet, conformément à l’invention, le système 10 comprend un moyen de pilotage de la pression dans l’enceinte de l’organe 20 configuré pour garantir des échanges thermiques efficaces et maîtrisés entre la source chaude 30 et la source froide 32. En particulier, selon l’invention, le moyen de pilotage comprend un moyen 40 d’aspiration et/ou de refoulement de gaz dans l’enceinte pour faire varier la pression en fonction d’une valeur de température mesurée dans l’enceinte.
Le moyen de pilotage de la pression permet de faire varier les échanges thermiques entre la source chaude 30 et la source froide 32 entre un premier mode de transfert thermique avec le fluide de travail en équilibre liquide-vapeur et un deuxième mode de blocage de transfert thermique avec le fluide de travail hors équilibre.
Dans le premier mode de transfert thermique, la valeur de la pression est réglée à une valeur de pression de consigne, ladite valeur de pression de consigne étant déterminée au moyen d’une relation Pc=f(T) ; f étant une fonction monotone croissante et T une variable représentative d’une température mesurée dans l’enceinte, la fonction f étant une fonction représentative d’une courbe d’équilibre liquide-vapeur dans un diagramme de température-pression du fluide de travail.
Dans le mode de blocage thermique la valeur de la pression est réglée de telle sorte que le couple pression-température dans l’enceinte appartienne à la phase liquide ou à la phase vapeur dans un diagramme de température-pression du fluide de travail.
Le moyen 40 d’aspiration et/ou de refoulement de gaz, ci-après désigné également par moyen de variation de la pression, comprend par exemple une pompe volumétrique ou une pompe à vide qui est de préférence étanche à l’arrêt. En faisant tourner la pompe dans un premier sens, il est possible de refouler de l’air à l’intérieur du conduit 22 ce qui va augmenter la pression dans l’enceinte. Inversement, en faisant tourner la pompe 40 dans un deuxième sens, il est possible d’aspirer de l’air du conduit 22 ce qui va faire la pression dans l’enceinte. En variante, le système 10 peut comporter un clapet régulateur de pression.
Grâce à la pompe 40, il est possible de régler la pression en fonction de la température à la pression d’ébullition ce qui permet de favoriser les échanges thermiques de la source chaude 30 vers la source froide 32 par changement de phase (Mode de transfert thermique). Inversement, il est possible de bloquer les échanges thermiques en réglant la pression en fonction de la température hors de la courbe pression-température dans la phase liquide ou dans la phase vapeur à l’intérieur desquelles les flux thermiques sont plus faibles et limités à des phénomènes de convection.
Au-delà d’une température déterminée, une commande de dissipation maximale est activée (Mode transfert thermique). Si la température mesurée est inférieure à une température déterminée, ici 35°C, une commande de dissipation minimale est activée (Mode blocage thermique).
Le moyen de pilotage comprend encore de préférence au moins un capteur de température transmettant via une liaison de communication, un signal représentatif de la température du fluide dans le caloduc 22, un calculateur réalisant au moins une comparaison avec une valeur seuil mémorisée en fonction de laquelle le mode de transfert thermique ou le mode de blocage du transfert thermique est sélectionné par le moyen de pilotage.
Le moyen de pilotage comprend également un capteur de pression transmettant via une liaison de communication, un signal représentatif de la pression dans le caloduc. Le capteur de pression est par exemple intégré dans la pompe ou disposé dans le conduit de l’organe de transfert thermique.
Dans une étape 25, une première valeur représentative d’un défaut d’étalonnage du système de vision stéréoscopique est déterminée en fonction d’une moyenne de ratios entre une distance d’une composante du flux optique calculée pour chaque pixel suivant une direction déterminée et une norme du flux optique calculé pour chaque pixel.
Procédé de calibrage d’un dispositif d’acquisition d’images La présente divulgation concerne un procédé de calibrage d’un dispositif d’acquisition d’images, un dispositif de calibrage associé, et un produit programme d’ordinateur associé.
De nombreuses technologies sont actuellement développées pour aider les conducteurs dans la conduite de véhicules, en leurs fournissant par exemple des informations supplémentaires quant à leur environnement au moyen de différents capteurs embarqués. Ces technologies sont également nécessaires dans une perspective de véhicules complètement autonomes.
Pour permettre un traitement correct des informations issues de ces capteurs, ces derniers doivent être correctement calibrés.
C’est notamment le cas pour les dispositifs d’acquisition d’images de ces véhicules ; leur placement et leur orientation peuvent varier d’un véhicule à l’autre et il est nécessaire de les calibrer correctement.
Il est connu dans la technique antérieure plusieurs méthodes de calibration permettant de déterminer la position et l’orientation d’un dispositif d’acquisition d’images.
Parmi celles-ci, l’utilisation de l’algorithme de Levenberg-Marquardt dans les applications de calibrage est bien connue.
Cependant, pour déterminer la position et l’orientation par rapport à un référentiel d’un dispositif d’acquisition d’images, cette méthode présente plusieurs inconvénients. En effet, on peut d’abord retrouver une forte corrélation dans la détermination de la position avec celle de l’orientation, apportant ainsi de l’imprécision dans les résultats. De plus, cet algorithme d’optimisation peut aussi se retrouver coûteux en termes de temps et de ressources de calcul, lorsqu’il est appliqué à une pluralité de paramètres.
Résumé La présente divulgation vise à pallier les inconvénients de l’art antérieur en proposant un procédé et un dispositif de calibrage d’un dispositif d’acquisition d’images, simples dans leur conception et dans leur mode opératoire, fiables et rapides.
Il est proposé un procédé de calibrage d’un dispositif d’acquisition d’images, comprenant la détermination de la distance du dispositif d’acquisition d’images par rapport à un plan de référence, le procédé comprenant : l’acquisition, par le dispositif d’acquisition d’images, d’au moins deux images d’une mire de calibrage comprenant une pluralité de points caractéristiques, la mire de calibrage étant positionnée, de sorte que : lors de l’acquisition de chaque image, plusieurs points caractéristiques présentent des distances différentes par rapport au plan de référence, et la mire de calibrage soit positionnée à une distance constante du plan de référence et à deux distances différentes du dispositif d’acquisition d’images respectivement lors des acquisitions des deux images, pour une pluralité de points caractéristiques de la mire, déterminer un écart entre les positions d’un même point caractéristique sur les deux images, et sélectionner les points caractéristiques de la mire dont l’écart entre les positions sur les deux images satisfait une condition prédéterminée, et à partir des distances par rapport au plan de référence des points caractéristiques sélectionnés, et des écarts entre les positions de ces points sur les deux images, déterminer la distance du dispositif d’acquisition d’images par rapport au plan de référence.
Dans des modes de réalisation, le procédé comprend la sélection d’un nombre déterminé de points caractéristiques de la mire présentant les écarts entre les positions sur les deux images, les plus faibles parmi l’ensemble des points caractéristiques.
Dans des modes de réalisation, le procédé comprend la sélection des points caractéristiques de la mire dont les écarts entre les positions sur les deux images sont inférieurs à un seuil prédéterminé.
Dans des modes de réalisation, le procédé comprend l’estimation, par régression linéaire, des paramètres d’une droite reliant la distance d’un point au plan de référence et l’écart entre les positions de ce point sur les deux images, et la détermination de la distance du dispositif d’acquisition d’images par rapport au plan de référence, ladite distance étant la racine de la droite.
La plaque de refroidissement selon cet aspect de l’invention est remarquable en ce que le circuit de refroidissement est un caloduc oscillant construit et agencé pour contenir un fluide de refroidissement diphasique et en ce que la plaque de refroidissement comporte un premier dispositif d’échappement construit et agencé pour autoriser une évaporation d’une partie du fluide de refroidissement diphasique lorsque le fluide de refroidissement diphasique atteint une première température seuil prédéterminée ou une première pression seuil prédéterminée.
Ainsi, par exemple, dès lors que le fluide de refroidissement diphasique atteint une première température seuil prédéterminée, par exemple de 130°C, le premier dispositif d’échappement laisse échapper une partie du fluide de refroidissement diphasique en phase vapeur de sorte à refroidir la cellule sur laquelle est projeté le fluide de refroidissement diphasique en phase vapeur.
Le dispositif d’échappement peut être formé par un fusible thermique utilisant une cire qui réagit en fonction de la température pour laisser passer le fluide de refroidissement. En cas d’utilisation de ce fusible thermique, il est facile de le remplacer à moindre coût.
Dans une réalisation différente, le dispositif d’échappement peut être formé par une soupape de surpression qui réagit en fonction de la pression pour laisser passer le fluide de refroidissement. Une telle soupape de surpression peut être utilisée de nombreuse fois soit nécessiter un quelconque remplacement.
En outre, l’utilisation d’un caloduc oscillant comme circuit de refroidissement permet de ne pas utiliser de pompe pour la circulation du fluide de refroidissement.
En effet, le caloduc oscillant comporte un fluide caloporteur diphasique qui forme naturellement une succession de bulles de vapeur et de bouchons de liquide. Les écarts de température présents dans le caloduc oscillant génèrent des fluctuations de pression qui agissent comme un système de pompage permettant de faire circuler le liquide de refroidissement.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le dispositif selon cet aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, la plaque de refroidissement comporte un premier port de remplissage du circuit de refroidissement, le premier port de remplissage étant muni du premier dispositif d’échappement.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, la plaque de refroidissement comporte une réserve d’un gaz inerte et un deuxième dispositif d’échappement construit et agencé pour autoriser une évaporation d’une partie du gaz inerte lorsque le gaz inerte atteint une deuxième température seuil prédéterminée ou une deuxième pression seuil prédéterminée.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, la plaque de refroidissement comporte un deuxième port de remplissage de la réserve d’un gaz inerte, le deuxième port de remplissage étant muni du deuxième dispositif d’échappement.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, le deuxième dispositif d’échappement est formé par un fusible thermique ou une soupape de surpression.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, le premier dispositif d’échappement est formé par un fusible thermique ou une soupape de surpression.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, la plaque de refroidissement présente une épaisseur comprise entre 1,8 mm et 3,2 mm.
Un autre aspect de l’invention se rapporte à un dispositif de stockage électrique comportant deux cellules électrochimiques adjacentes, le dispositif de stockage électrique étant remarquable en ce qu’il comporte une plaque de refroidissement de cellules électrochimiques selon l’un quelconque des aspects de l’invention précités, la plaque de refroidissement étant prise en sandwich entre les deux cellules électrochimiques.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, le premier dispositif d’échappement débouche au niveau d’un bord périphérique des deux cellules électrochimiques.
Selon un aspect non limitatif de l’invention, la plaque de refroidissement de cellules électrochimiques est posée sur un support de refroidissement de la plaque de refroidissement.
En relation avec la , trois branches 19 sont disposées chacune sur un secteur angulaire SECTb, lesdites branches étant espacées deux à deux d’un secteur angulaire SECTore qui est complémentaire à 120° de l’angle SECTb.
Dans les modes de réalisations représentés, la bague intérieure 5 présente trois oreilles 5b qui s’étendent entre les bagues 5, 6 dans le secteur angulaire SECTore, chacune desdites oreilles présentant un orifice 5a de fixation et les orifices de fixation 6a étant également disposés dans les secteurs angulaires SECTore.
Chacun des lobes 11 est disposé dans un secteur angulaire SECTb de branche 19, ledit lobe s’étendant à l’intérieur du coude 21 de la section de tête S t . En particulier, le lobe 11 présente un rayon de courbure analogue au rayon de courbure RAtI du coude 21 de sorte à former un jeu JAp réduit avec ledit coude.
Cette réalisation permet de dégager de l’encombrement et, dans cette position, il n’y a que de très faibles déformations sous charge et ainsi le mouvement relatif dans le jeu JAp est réduit au minimum, évitant des phénomènes d’usure.
Dans le mode de réalisation représenté, le jeu JAp entre la bague extérieure 6 et la branche 19 est sensiblement constant depuis le lobe 11 jusqu’au coude 20, de sorte à définir une largeur LargBANmin de la bague 6 qui est suffisante pour limiter sa déformation en regard dudit coude.
Par ailleurs, le jeu JAt entre le coude 21 et la bague intérieure 5, c’est-à-dire la différence entre le rayon RAt dans lequel le coude 21 est circonscrit et le rayon Rp de la bague intérieure 5 en regard, est également réduit tout en conservant une épaisseur LcI, c'est-à-dire la différence entre le rayon Rp et le rayon Rarbre du premier organe 1, qui est suffisante pour la résistance de ladite bague notamment en assurant la rigidité de l’encastrement du pied de branche 19.
En relation avec la , le bord de l’alésage 7 de la bague intérieure 5 est pourvu de trois jeux de deux orifices complémentaires 7a permettant le rivetage de la noix 8 au moyen des rivets 10, lesdits jeux étant espacés de 120°.
Dans la mesure où la bague intérieure 5 est relativement souple comparé aux branches 19, elle participe à la souplesse du corps d’épreuve en pouvant induire des micromouvements entre la noix 8 et ladite bague intérieure.
Pour éviter des sur-contraintes au niveau du rivetage, le premier rivet 10 d’un jeu est positionné dans un secteur où ces possibles mouvements sont les plus faibles, à savoir proche d’un pied de branche 19, notamment sur un secteur angulaire SECTriv1 inférieur à 15° avec la direction diamétrale D d .
Le deuxième rivet 10 d’un jeu peut être positionné dans un secteur angulaire SECTriv2 compris dans le secteur angulaire SECTore, notamment en étant de l’ordre de 45° par rapport à la direction diamétrale D d .
Dispositif de détection de fluide dans une turbomachine Domaine technique de l’invention La présente invention appartient au domaine du contrôle qualité dans l’aéronautique. Elle concerne plus particulièrement un dispositif de détection d’un fluide, et notamment d’huile, dans une région interne d’une turbomachine.
L’invention concerne également un procédé de détection d’un fluide, et notamment d’huile mettant en œuvre ce dispositif.
Etat de la technique antérieure La illustre un turboréacteur 1 à double flux de l’art antérieur, destiné à équiper un aéronef, en particulier un avion. Le turboréacteur 1 s’étend selon un axe X et comporte, d’amont en aval dans le sens de circulation des gaz F, une soufflante 2, un compresseur basse pression 3, un compresseur haute pression 4, une chambre de combustion 5, une turbine haute pression 6 et une turbine basse pression 7. Les compresseurs basse et haute pression 3, 4, la chambre de combustion 5 et les turbines haute et basse pression 6, 7 sont situées dans une veine dite primaire 8. Une veine 9 dite secondaire s’étend autour de la veine primaire 8, en aval de la soufflante 2.