Structure semi-conductrice (1) comprenant : une plaquette (20) ; un chiplet (2) fixé à ladite plaquette (20) et comprenant un dispositif semi-conducteur (44) et une ou plusieurs couches métalliques connectées audit dispositif semi-conducteur (44); une structure d’interface (42) pour connecter un boîtier électronique à la plaquette (20) ; et une structure de dissipation de chaleur pour transférer la chaleur du chiplet (2) à la structure d’interface (42). Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 1, dans laquelle la plaquette (20) est une plaquette de silicium sur isolant, SOI. Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la structure de dissipation de chaleur comprend une broche thermique (36) située dans ledit chiplet (2) et comprenant une partie d’une couche métallique supérieure desdites une ou plusieurs couches métalliques dudit chiplet et un trou d’interconnexion (38) connecté à ladite partie de la couche métallique supérieure. Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 3, dans laquelle la structure de dissipation de chaleur comprend une pluralité de telles broches thermiques (36) dans ledit chiplet (2). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite structure de dissipation de chaleur comprend au moins une partie d’une couche métallique factice constituée par une couche métallique supérieure (18) desdites une ou plusieurs couches métalliques dudit chiplet (2). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la structure de dissipation de chaleur comprend une partie d’une couche de redistribution (12) connectée audit chiplet (2). Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 6, dans laquelle ladite couche de redistribution (12) comprend des lignes métalliques ayant une épaisseur dans la plage de 1 µm à 5 µm. Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite structure de dissipation de chaleur comprend une couche diélectrique. Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 8, dans laquelle ladite couche diélectrique comprend une céramique à base d’aluminium. Structure semi-conductrice (1) selon la revendication 8 ou 9, dans laquelle ladite couche diélectrique comprend un élément parmi le nitrure d’aluminium, AlN, et l’oxyde d’aluminium, Al 2 O 3 . Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite plaquette (20) comprend une pluralité de couches métalliques (52), et dans laquelle ladite structure de dissipation de chaleur comprend une partie d’une couche métallique de ladite pluralité de couches métalliques (52). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle ladite plaquette (20) comprend une pluralité de couches métalliques (52) et dans laquelle ladite structure de dissipation de chaleur comprend une partie de chaque couche métallique de ladite pluralité de couches métalliques et dans laquelle lesdites parties sont connectées par des trous d’interconnexion. Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite structure de dissipation de chaleur (6) comprend une couche de passivation constituée par ledit chiplet (2). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle ladite structure d’interface (42) comprend un plot de connexion (43) dans une ouverture d’une couche de passivation (34) sur ladite plaquette (20). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans laquelle ladite structure d’interface (42) comprend au moins l’un d’un plot de connexion (43), d’une bosse de soudure (58), d’une liaison filaire, d’un pilier de cuivre et d’un trou d’interconnexion traversant de silicium, TSV (56). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une première couche de passivation constituée par ladite plaquette (20), dans laquelle ledit chiplet (2) est fixé à ladite première couche de passivation (32), une deuxième couche de passivation (6) constituée par ledit chiplet (2), et une troisième couche de passivation (34) recouvrant ledit chiplet (2) et ladite plaquette (20). Structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une couche d’amélioration de l’adhérence (22) située entre ledit chiplet (2) et ladite plaquette (20). Système comprenant : une structure semi-conductrice (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 17 ; une carte de circuit imprimé, PCB, connectée à ladite structure semi-conductrice (1) par la structure d’interface (42) ; et un dissipateur thermique fixé à la PCB pour dissiper la chaleur transférée via ladite structure d’interface (42). Procédé de formage d’une structure semi-conductrice, le procédé comprenant les étapes consistant à : fournir une plaquette (20) ; fournir une structure d’interface (42) pour connecter un boîtier électronique à la plaquette (20) ; fournir un chiplet comprenant un dispositif semi-conducteur- (44) et une ou plusieurs couches métalliques connectées audit dispositif semi-conducteur (44) ; fixer le chiplet (2) à ladite plaquette (20) ; fournir une structure de dissipation de chaleur pour transférer la chaleur du chiplet (2) à la structure d’interface (42).