Installation, comportant : - un réacteur (1) photoélectrochimique solaire, comprenant : une photoanode (PA) et une photocathode (PC), sensibles à un rayonnement solaire (RS) ; des première et seconde parois (P1, P2), transparentes au rayonnement solaire (RS), faisant face respectivement à la photoanode (PA) et à la photocathode (PC) ; - un système optique, agencé hors du réacteur (1) photoélectrochimique solaire, et comprenant des premier et second réflecteurs (R1, R2), conçus pour respectivement réfléchir : un premier domaine spectral d’un rayonnement solaire (RS) incident vers la première paroi (P1), un second domaine spectral du rayonnement solaire (RS) incident, différent du premier domaine spectral, vers la seconde paroi (P2). Installation selon la revendication 1, dans laquelle les premier et second réflecteurs (R1, R2) sont conçus pour respectivement réfléchir les premier et second domaines spectraux selon respectivement des première et seconde intensités lumineuses différentes. Installation selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle : - la photoanode (PA) comporte une couche photocatalytique (10) réalisée dans un premier matériau semiconducteur (SC1) possédant une énergie de bande interdite, notée Eg 1 ; - le premier réflecteur (R1) est conçu pour filtrer tout ou partie des longueurs d’onde, notées λ 1 , du rayonnement solaire (RS) incident vérifiant , où « h » est la constante de Planck et « c » est la vitesse de la lumière dans le vide. Installation selon la revendication 3, dans laquelle le premier matériau semiconducteur (SC1) est choisi parmi le dioxyde de titane TiO 2 , le vanadate de bismuth BiVO 4 , l’oxyde de zinc ZnO, le dioxyde d’étain SnO 2 , le trioxyde de tungstène WO 3 , l’oxyde ferrique Fe 2 O 3 . Installation selon l’une des revendications 1 à 4, dans laquelle le second réflecteur (R2) est conçu pour filtrer des longueurs d’onde, notées λ 2 , du rayonnement solaire (RS) incident vérifiant . Installation selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle : - la photocathode (PC) comporte une couche photocatalytique (20) réalisée dans un second matériau semiconducteur (SC2) possédant une énergie de bande interdite, notée Eg 2 ; - le second réflecteur (R2) est conçu pour filtrer tout ou partie des longueurs d’onde, notées λ 2 , du rayonnement solaire (RS) incident vérifiant , où « h » est la constante de Planck et « c » est la vitesse de la lumière dans le vide. Installation selon la revendication 6, dans laquelle le second matériau semiconducteur (SC2) est choisi parmi l’oxyde de cuivre Cu 2 O, une pérovskite, une delafossite, un spinelle, le silicium, l’arséniure de bore BAs, le séléniure de tungstène WSe 2 , le sulfure de zinc ZnS, le phosphure d’indium InP, le phosphure de gallium-indium GaInP 2 . Installation selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel chacun des premier et second réflecteurs (R1, R2) comporte au moins un miroir (M1, M2) choisi parmi un miroir plan, un miroir parabolique, un miroir cylindro-parabolique. Installation selon l’une des revendications 1 à 8, dans laquelle les premier et second réflecteurs (R1, R2) comportent respectivement des premier et second revêtements adaptés pour réfléchir respectivement les premier et second domaines spectraux. Installation selon l’une des revendications 1 à 9, dans laquelle : - le premier domaine spectral est situé dans les ultraviolets ; - le second domaine spectral est situé dans l’infrarouge ou dans le visible. Installation selon l’une des revendications 1 à 10, comportant des moyens de déplacement, configurés pour déplacer les premier et second réflecteurs (R1, R2) selon le rayonnement solaire (RS) incident de sorte que les premier et second réflecteurs (R1, R2) réfléchissent respectivement les premier et second domaines spectraux respectivement vers les première et seconde parois (P1, P2).