Support (Sprt) pour un substrat composite, le support (Sprt) comprenant une couche (Trap) de piégeage de charges électriques en contact avec un support (BSprt) de base, la couche (Trap) de piégeage comprenant une couche (Lk) de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Support (Sprt) selon la revendication 1, la couche (Lk) de faible permittivité étant poreuse. Support (Sprt) selon la revendication 2, la couche de faible permittivité présentant une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50%. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendication 1 à 3, la couche (Lk) de faible permittivité étant en contact direct avec le support (BSprt) de base. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendication 1 à 3, une couche (Inter) intercalaire étant interposée entre la couche (Lk) de faible permittivité et le support (BSprt) de base, la couche intercalaire étant constituée de SiC ou d’un matériau dense low-k dit DLK. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, le support (BSprt) de base ayant une composition homogène. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium étant du SiOC. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium étant du SiOCH. Support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, le matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium comprenant de l’azote à une concentration comprise entre 10 16 et 10 21 at/cm 3 . Substrat composite (S) comprenant une couche superficielle (Crist) cristalline disposée sur un support (Sprt) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9. Substrat composite (S) selon la revendication 10, la couche superficielle (Crist) étant constituée de silicium. Substrat composite (S) selon la revendication 10, la couche mince étant constituée d’un matériau ferroélectrique. Substrat composite (S) selon l’une quelconque des revendications 7 à 12, une couche (Diel) de matériau diélectrique étant interposée entre la couche (Crist) cristalline et la couche (Trap) de piégeage. Procédé de fabrication d’un support (Sprt) pour un substrat composite, comprenant les étapes de : - fournir un substrat (BSprt) de base ; - former, sur le substrat (BSprt) de base, une couche (Trap) de piégeage de charges électriques comprenant une couche (Lk) de faible permittivité constituée d’un matériau présentant une permittivité diélectrique relative plus faible que le dioxyde de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 14, dans lequel la couche (Lk) de faible permittivité présente une porosité comprise entre 0% et 50%, préférablement entre 5% et 50%, plus préférablement entre 14% et 50%. Procédé de fabrication d’un substrat composite (S), comprenant le procédé de fabrication d’un support (Sprt) pour un substrat composite selon la revendication 14 ou 15, et en outre les étapes de : - former une couche diélectrique (Diel) sur la couche (Trap) de piégeage de charges électriques ; et - fixer une couche superficielle (Crist) sur la couche diélectrique (Diel). Procédé de fabrication d’un substrat composite (S) selon la revendication 16, la couche superficielle (Crist) étant une couche cristalline ou monocristalline.