INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La structure d’interface peut comprendre un plot de connexion dans une ouverture d’une couche de passivation sur la plaquette. Typiquement, la structure d’interface comprend une connexion à la RDL, afin de permettre la liaison à la structure semi-conductrice. Par exemple, la structure d’interface peut comprendre au moins l’un des éléments suivants : un plot de connexion, une bosse de soudure, une liaison par fil, un pilier de cuivre et un trou d’interconnexion traversant de silicium, TSV. Par exemple, la structure d’interface peut comprendre un TSV pour la connexion à un premier côté de la plaquette et un plot de connexion pour la connexion à un deuxième côté opposé de la plaquette. Un boîtier électronique comprenant un dissipateur thermique peut alors être connecté à la structure semi-conductrice via la structure d’interface.
La structure semi-conductrice peut comprendre une pluralité de couches de passivation comprenant une première couche de passivation constituée par la plaquette, dans laquelle le chiplet est fixé à la première couche de passivation, une deuxième couche de passivation constituée par le chiplet, et une troisième couche de passivation recouvrant le chiplet et la plaquette.
D’autres modes de réalisation fournissent un système comprenant une structure semi-conductrice telle que décrite ci-dessus et une carte de circuit imprimé, PCB, connectée à la structure semi-conductrice par la structure d’interface. Le système comprend en outre un dissipateur thermique fixé à la PCB pour dissiper la chaleur transférée via la structure d’interface.
Le présent document décrit également un procédé de formation d’une structure semi-conductrice. Le procédé comprend la fourniture d’un chiplet comprenant un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs et une broche thermique comprenant une partie d’une couche métallique supérieure du chiplet et un trou d’interconnexion connecté à la partie de la couche métallique supérieure, la fixation du chiplet à une plaquette cible, la formation d’une couche de redistribution (RDL), et la formation d’une couche de passivation couvrant au moins une partie de la RDL.
Par exemple, l’étape consistant à fournir le chiplet peut comprendre un processus d’impression par micro-transfert, dans lequel le chiplet est décollé de son substrat d’origine. Le chiplet peut être recouvert d’une couche de passivation avant d’être soulevé. La couche de passivation peut comprendre un matériau diélectrique thermoconducteur tel que l’AlN.
Bien que des modes de réalisation spécifiques de l’invention aient été décrits ci-dessus, il sera apprécié que d’autres modes de réalisation sont possibles. Les descriptions ci-dessus sont destinées à être illustratives et non limitatives. Il sera évident pour un homme du métier que des modifications peuvent être apportées à l’invention telle que décrite sans s’écarter de la portée des revendications énoncées ci-dessous.
La dureté et la contrainte résiduelle peuvent être évaluées à différentes profondeurs dans la pièce 1 sous sa surface, de sorte qu’au cours de la troisième étape S3, il est possible de déterminer une courbe de dureté et une courbe de contrainte résiduelle en fonction de la profondeur de la pièce 1 traitée.
La illustre un exemple d’une courbe de dureté 7 en fonction de la profondeur de la pièce 1 traitée.
La illustre un exemple d’une courbe de contrainte résiduelle 9 en fonction de la profondeur de la pièce 1 traitée.
Il existe des bases de données permettant de déterminer la dureté et la contrainte résiduelle d’une pièce 1 en fonction de la composition chimique de la pièce 1 et du traitement qui lui est appliqué.
Un module d’apprentissage machine entraîné sur de telles bases peut également permettre de faire de telles estimations.
Au cours d’une quatrième étape S4, dans un ensemble des traitements candidats, il est identifié certains traitements dits acceptables pour lesquels : la dureté et la contrainte résiduelle correspondent à une résistance mécanique de la pièce 1 supérieure à une résistance seuil, la résistance seuil prenant en compte la contrainte en volume, et une durée du traitement est inférieure ou égale à une durée seuil.
La dureté et la contrainte résiduelle qui ont été déterminées à l’étape précédentes sont utilisées ici pour évaluer une résistance mécanique de la pièce 1. Il existe plusieurs exemples, dans la littérature technique, de lois qui lient la dureté à la résistance mécanique.
La résistance mécanique est un objet comparable à la contrainte en volume déterminée auparavant. La résistance mécanique de la pièce 1 correspond, par exemple, à une courbe de fatigue limite qui donne, en fonction de la contrainte hydrostatique appliquée dans la matière, le cisaillement appliqué dans la matière de la pièce 1 au-delà duquel un amorçage se produit.
La résistance mécanique peut notamment être évaluée à une profondeur particulière de la pièce 1, qui présente une plus faible résistance mécanique. L’identification des premiers traitements se fonde alors sur cette plus faible résistance mécanique.
Un exemple de courbe de fatigue 13 est donné en .
La résistance mécanique de la pièce 1 est comparée à une résistance seuil, la résistance seuil prenant en compte la contrainte en volume.
Par exemple, en rapport à la : il est identifié un point M d’un cycle de fatigue 11 qui présente la plus courte distance à une courbe de fatigue limite 13; la plus courte distance peut être évaluée pour chaque point du cycle de fatigue 11 par rapport à tout point de la courbe de fatigue limite 13 ; il est identifié un point D de la courbe de fatigue limite13, les points D et M présentant la même abscisse de contrainte hydrostatique ; il est identifié un point O de l’axe des abscisses de contrainte hydrostatique, correspondant à un cisaillement égal à zéro, les points O, D et M présentant la même abscisse de contrainte hydrostatique ; il est déterminé le rapport OM/OD, qui est un rapport de cisaillement, ce rapport étant sans unité ; il est comparé le rapport OM/OD à un coefficient seuil, par exemple égal à 0,8 ; et il est décidé que la résistance mécanique de la pièce 1 est supérieure à la résistance seuil lorsque le rapport est inférieur au coefficient seuil.
Un rapport OM/OD supérieur ou égal à la valeur un correspond à une courbe de fatigue limite qui croise ou qui est située en-dessous du cycle de fatigue. Cette situation correspond à un risque très important d’amorçage, la pièce 1 ne présentant pas une résistance mécanique suffisante pour résister au cycle de fatigue.
Un rapport OM/OD inférieur à la valeur un correspond à une courbe de fatigue limite située au-dessus du cycle de fatigue, ce qui indique que la pièce 1 présente une résistance mécanique supérieure à la sollicitation mécanique correspondant au cycle de fatigue.
Si le rapport OM/OD est inférieur à la valeur un, plus ce rapport diminue et plus la courbe de fatigue limite est située loin au-dessus du cycle de fatigue, et plus la résistance mécanique de la pièce 1 est supérieure à la sollicitation mécanique correspondant au cycle de fatigue. Autrement dit, plus le rapport OM/OD diminue et plus la pièce 1 présente une marge de sécurité à l’amorçage importante.
Les traitements acceptables sont aussi les traitements dont la durée du traitement est inférieure ou égale à une durée seuil. La durée seuil peut être fixée, par exemple, à 100 heures ou 150 heures.
Les deux assemblages principaux, lorsqu’ils sont chacun fixés à un terminal, sont également agencés pour permettent l’insertion de l’organe de couplage entre l’un et l’autre des au moins un clips selon une direction, dite direction de couplage, définie par la direction d’extension des bases desdits clips, les au moins un clip étant par ailleurs configurés pour assurer le serrage, par effet ressort, des ailes des au moins un clips contre l’organe de couplage.
Le dispositif de connexion 1 selon la présente invention est configuré pour connecter le terminal positif 11a avec le terminal négatif 12b. Le terminal positif 11a et le terminal négatif 12b sont disposés symétriquement par rapport au plan P.
Le dispositif de connexion 1 selon la présente invention est représenté selon une vue en éclaté à la . Cette figure représente également les deux terminaux de deux cellules élémentaires adjacentes. Notamment, chacun de ces deux terminaux peut comprendre un trou 14 traversant (ce dernier peut éventuellement être taraudé). Ce trou 14 peut notamment permettre de fixer, par exemple au moyen d’une vis, ledit terminal sur une cellule élémentaire. De manière alternative, chaque terminal peut être exempt de trou. Selon cette dernière alternative, la cellule élémentaire peut être fixée à un terminal par sertissage. Par ailleurs, chaque terminal 11a et 12b peut comprendre un ou plusieurs piédestaux 13a en projection par rapport à sa face libre.
Le dispositif de connexion selon la présente invention comprend un organe de couplage 20 fait d’un matériau conducteur. Notamment, sans nécessairement limiter la portée de la présente invention à ces seuls aspects, l’organe de couplage 20 peut être plat et de forme généralement rectangulaire.
A cet égard, la est une représentation schématique d’un organe de couplage 20 plat et rectangulaire. Notamment, l’organe de couplage 20 comprend deux faces parallèles dites respectivement, face supérieure 20a et face inférieure 20b, et reliées par un contour 20c.
En outre, l’organe de couplage 20 peut comprendre des bossages 21, notamment obtenus par emboutissage, en projection par rapport à la face supérieure 20a.
L’organe de couplage 20 peut également comprendre un moyen de préhension surmoulé 26. Notamment, le moyen de préhension 26 peut être fait d’une matière électriquement isolante, par exemple en plastique.
Le dispositif de connexion comprend deux assemblages principaux 22. Notamment, chaque assemblage principal 22 comprend au moins un clip 30. Plus particulièrement, l’au moins un clip 30 de chaque assemblage principal comprend deux ailes et une base à partir de laquelle s’étendent chaque aile vers un côté dit libre et opposé à la base. Les deux assemblages principaux sont chacun destinés à être fixés à un terminal en mettant en vis-à-vis l’un de l’autre les côtés libres de leur clips respectifs et de manière symétrique par rapport au plan P.
Les deux assemblages principaux 22, lorsqu’ils sont chacun fixés à un terminal, sont également agencés pour permettre l’insertion de l’organe de couplage entre l’un et l’autre des au moins un clips selon une direction, dite direction de couplage, définie par la direction d’extension des bases desdits clips 30, les au moins un clip étant par ailleurs configurés pour assurer le serrage, par effet ressort, des ailes des au moins un clips contre l’organe de couplage.
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, l’au moins un clip 30 de chaque assemblage principal 20 comprend un clip de connexion 30a et un clip ressort 30b.
En particulier, la représente deux clips de connexion 30a susceptibles d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. Notamment, le clip de connexion 30a comprend deux ailes, dites ailes de connexion 31a et 32a, reliées entre elles par une base, dite base de connexion 33a et qui s’étendent de ladite base de connexion 33a chacune vers leur bord libre, dit bord de connexion 35a.
De manière équivalente, la représente deux clips ressort 30b susceptibles d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention. Notamment, le clip ressort 30b comprend deux ailes, dites ailes ressort 31b, 32b, reliées entre elles par une base, dite base ressort 33b et qui s’étendent de ladite base ressort 33b chacune vers leur bord libre, dit bord ressort 35b.
Tel qu’illustré à la , le clip ressort 30b et le clip de connexion 30a d’un assemblage principal 22 sont agencés de sorte que les deux ailes ressort 31b et 32b sont disposées de part et d’autre du clip de connexion 30a. Plus particulièrement, les ailes ressort 31b et 32b sont chacune en appui contre une des ailes de connexion 31a et 31b et exercent une force par effet ressort sur chacune desdites ailes de connexion 31, 32 tendant à les resserrer l’une contre l’autre.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, en complément des éléments indiqués dans la composition selon l’invention, et un milieu cosmétiquement acceptable, celle-ci peut également comprendre des agents tensioactifs, des agents complexants, des conservateurs, des agents stabilisants, des émulsifiants, des épaississants, des gélifiants, des humectants, des émollients, des oligoéléments, des huiles essentielles, des parfums, des colorants, des agents matifïants, des filtres chimiques ou minéraux, des agents hydratants, des eaux thermales, etc.
De manière préférée, les compositions cosmétiques selon l’invention sont pour application topique.
Les compositions cosmétiques selon l’invention pourront ainsi se présenter sous les formes qui sont habituellement connues pour une administration topique, c’est-à-dire notamment les lotions, les laits, les émulsions, les sérums, les baumes, les masques, les crèmes, les dispersions, les gels, les mousses ou les sprays.
Figures La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, pour le témoin, correspondant aux cellules incubées en absence de produit à l’essai ou de produit de référence.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence de VEGF 2 ng/ml, utilisé comme activateur de référence, dilué dans le milieu de culture.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence de SURAMINE 20 µM, utilisée comme inhibiteur de référence, diluée dans le milieu de culture
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence d’un témoin à l’éthanol à 0,1% dilué dans le milieu de culture.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence d’un témoin à l’éthanol à 0,3% dilué dans le milieu de culture.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence la composition selon l’invention à 0,03%.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence la composition selon l’invention à 0,3%.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 1, en présence la composition selon l’invention à 1%.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 3. La photo A a été prise avant traitement, et la photo B après traitement, où la repousse des cheveux est visible.
La est une photographie illustrant les résultats obtenus dans l’exemple 4. La photo A a été prise avant traitement, et la photo B après traitement, où la réduction de l’inflammation est visible.
Par ailleurs, l’identification des traitements candidats prend un temps relativement court grâce au recours à l’expression analytique de la contrainte en volume.
Notamment, une telle expression permet de ne pas utiliser une méthode de simulation par éléments finis, méthode qui est bien plus longue pour donner un résultat exploitable.
Le procédé P permet de prévoir pour une pièce 1 traitée en quel lieu et pour quelle pression de contact un amorçage se produit. Ces prévisions sont en accord avec des essais physiques de fatigue de roulement.
En outre, le procédé P permet de maîtriser l’écart entre la résistance mécanique de la pièce 1 et la sollicitation mécanique qu’il est prévu de lui appliquer. Autrement dit, le procédé P permet de connaître la marge de sécurité en termes de résistance mécanique. Il est possible de maitriser le risque d’endommagement de type écaillage profond là où dans l’art antérieur jusqu’à présent, des marges de sécurité étaient prises sans être quantifiées.
En option, le procédé P, tel qu’il vient d’être présenté, peut comprendre une étape de simulation S5, notamment par éléments finis, de la résistance mécanique de la pièce 1. L’étape de simulation S5 a, de préférence, lieu avant l’application du traitement, de sorte à vérifier par la simulation que le traitement aura bien les effets mécaniques prévus.
Il est également possible d’explorer avec le procédé P de vastes domaines de propriétés géométriques et de chargement en quelques minutes pour cibler rapidement des sous-domaines à analyser finement via la simulation par éléments finis.
Les traitements thermochimiques que l’on peut mettre en œuvre peuvent comprendre au moins un type de traitement choisi parmi la nitruration (diffusion d'azote atomique de la surface de la pièce 1 vers le cœur), la nitrocarburation (nitruration avec diffusion supplémentaire de carbone), la cémentation (diffusion de carbone à la surface de la pièce 1) et la carbonitruration (cémentation avec diffusion supplémentaire d’azote).
En particulier, l’ensemble des traitements, dont une évaluation la pertinence est souhaitée, peut comprendre un sous-ensemble de traitements d’un même type de traitement, chaque traitement du sous-ensemble correspondant à un couple particulier de température et de durée du traitement. Par exemple l’ensemble des traitements peut comprendre un sous-ensemble de traitements de nitruration qui diffèrent les uns des autres par leur durée ou leur température.
Il est à noter que tout l’ensemble des traitements peut être le sous-ensemble de traitements d’un même type de traitement, c’est-à-dire que l’ensemble des traitements correspond alors à un seul et même type de traitement qui est décliné en différentes durées et en différentes températures.
Il est possible de visualiser un sous-ensemble de traitements d’un même type de traitement selon une cartographie où la durée du traitement et la résistance mécanique de la pièce 1 sont illustrées.
La est un exemple d’une telle cartographie. Elle correspond au cas où l’ensemble des traitements ne comprend que des traitements de nitruration de différentes températures et de de différentes durées.
La durée du traitement est reportée en abscisse selon un axe gradué en heures.
La température du traitement est reportée en ordonnée selon un axe gradué en degrés Celsius.
Pour chaque traitement, la résistance mécanique a été évaluée en déterminant le rapport OM/OD qui a été présenté plus haut. Des courbes selon lesquelles le rapport prend une valeur constante ont été tracées sur la cartographie.
Une courbe présente une valeur minimum du rapport, notamment égale à 0.56, et une autre courbe présente une valeur maximum du rapport, notamment égale à 0.8.
Chaque point de la cartographie illustrée en permet ainsi de connaître une durée de la nitruration, une température de la nitruration et le rapport OM/OD caractérisant la résistance mécanique de la pièce 1, notamment une marge à l’amorçage.
Selon un mode de mise en œuvre, l’organe de couplage est plat et de forme essentiellement rectangulaire.
L’invention concerne également un bloc batterie pourvu d’au moins deux cellules élémentaires, adjacentes par un plan P, et pourvues chacune d’un terminal, les deux terminaux étant disposés symétriquement l’un de l’autre par rapport au plan P et électriquement connecté au moins du dispositif de connexion selon la présente invention.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée d’un dispositif de connexion de deux cellules élémentaires d’un bloc batterie qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles :
La est une représentation schématique selon une vue en éclaté de l’ensemble des éléments formant le dispositif de connexion selon la présente invention, la figure représente également les terminaux de deux cellules élémentaire adjacentes ;
La est une représentation schématique d’un organe de couplage plat et de forme rectangulaire susceptible d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention, notamment, la est une représentation de l’organe de couplage selon une vue en perspective permettant d’observer la face supérieure dudit organe de couplage ;
La est une représentation schématique de deux clips de connexion susceptibles d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention, les deux clips de connexion étant représentés en vis-à-vis l’un de l’autre et selon une vue en perspective ;
La est une représentation schématique de deux clips ressort susceptibles d’être mis en œuvre dans le cadre de la présente invention, les deux clips ressort étant représentés en vis-à-vis l’un de l’autre et selon une vue en perspective ;
La est une représentation schématique d’un assemblage principal formé d’un clip de connexion et d’un clip ressort, notamment l’assemblage principal est représenté selon une vue en perspective ;
La est une représentation d’un bloc batterie qui comprend une pluralité de cellules élémentaires 101 disposées les unes contre les autres, les cellules élémentaires étant connectées deux-à-deux au moyens de dispositifs de connexion selon la présente invention ;
La est une représentation schématique d’un boîtier d’isolation formé d’une base d’isolation et d’un capot.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La présente invention concerne un dispositif de connexion pour connecter deux cellules élémentaires d’un bloc batterie, adjacentes par un plan P, et pourvues chacune d’un terminal. Les deux terminaux sont notamment disposés symétriquement par rapport au plan P.
Le dispositif de connexion comprend un organe de couplage fait d’un matériaux conducteur.
Le dispositif de connexion comprend également deux assemblages principaux.
Notamment chaque assemblage principal comprend au moins un clip. L’au moins un clip de chaque assemblage principal comprend deux ailes et une base à partir de laquelle s’étendent chaque aile vers un côté dit libre et opposé à la base. Par ailleurs, les deux assemblages principaux sont chacun destinés à être fixés à un terminal en mettant en vis-à-vis l’un de l’autre les côtés libres de leur clips respectifs et de manière symétrique par rapport au plan P.
Le revêtement diffusant 6 est imprimé sur le revêtement isolateur optique 5 en face arrière 52’.
- formation d’une zone de fragilisation dans le substrat donneur au moyen du procédé de formation selon l’une quelconque des revendications précédentes, la zone de fragilisation ainsi formée délimitant une couche semi-conductrice,
- retrait de la couche écran,
- collage de la première face du substrat donneur sur la couche électriquement isolante du substrat receveur,
- séparation du substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche semi-conductrice du substrat donneur sur le substrat receveur.
Selon une mise en œuvre du procédé de fabrication d’un composant semi-conducteur, la couche électriquement isolante et la couche écran sont formées par traitement thermique dans un même four.
Selon une mise en œuvre du procédé de fabrication d’un composant semi-conducteur, la couche électriquement isolante présente une épaisseur d’au moins 150 nanomètres.
DESCRIPTION DES FIGURES La illustre un substrat SOI classique.
La illustre un procédé de fabrication d’un composant de type semi-conducteur par collage inverse, connu de l’état de la technique.
La illustre un procédé de formation d’une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur selon l’invention.
La illustre une calibration réalisée dans le cadre du procédé de formation d’une zone de fragilisation dans un substrat semi-conducteur selon l’invention.
La illustre un procédé de fabrication d’un composant de type semi-conducteur sur isolant selon l’invention.
La illustre un substrat de type semiconducteur sur isolant (SOI) classique, comprenant successivement un substrat de base 11 en matériau semiconducteur, généralement du silicium, une couche intermédiaire 2 en matériau électriquement isolant, notamment de l’oxyde de silicium, et une couche en matériau semiconducteur monocristallin 13, dite « couche active », généralement formée de silicium également. L’épaisseur de la couche semiconductrice monocristalline est typiquement comprise entre 50 nanomètres et quelques micromètres.
Pour la formation de substrats SOI dont la couche active 13 est particulièrement épaisse et/ou dont la couche intermédiaire 2 est particulièrement épaisse, c’est-à-dire qui présente une épaisseur supérieure ou égale à 200 nm, il est connu d’utiliser un procédé Smart-Cut TM par collage inversé, illustré sur la et comprenant les étapes :
- formation d’une couche électriquement isolante 2 sur un substrat receveur 7,