Matrice mémoire (100) comportant une pluralité de cellules mémoire (1) d’un premier type, ladite matrice (100) ne comportant aucune autre cellule mémoire d’un autre type que le premier type, chacune desdites cellules mémoire (1) du premier type comportant une première électrode (2), une deuxième électrode (3) et une couche (4) de matériau actif cristallin disposée entre la première électrode (2) et la deuxième électrode (3), la couche de matériau actif (4) présentant une épaisseur comprise entre 2nm et 20nm le matériau actif étant: soit du dioxyde d’hafnium dopé par un élément dopant choisi parmi l’un des éléments suivants: Si, Al, Zr, Gd, Ge, Y ou N ; soit un alliage Hf x Zr 1-x O 2 non dopé ou dopé par un élément dopant choisi parmi l’un des éléments suivants: Si, Al, Gd, Ge, Y ou N, avec 0 l’une au moins desdites première ou deuxième électrode (3) étant formée d’au moins deux couches comportant: une première couche conductrice (5) en contact avec la couche de matériau actif et choisie pour créer des lacunes d’oxygène dans la couche de matériau actif (4); une deuxième couche conductrice (6) disposée sur la première couche conductrice. Matrice selon la revendication précédente caractérisée en ce que, dans le cas du matériau actif en dioxyde d’hafnium dopé par un élément dopant choisi parmi l’un des éléments suivants: Si, Al, Zr, Gd, Ge, Y ou N, l’élément dopant est présent à un pourcentage inférieur ou égal à 2% dans le matériau actif par rapport au nombre total d’atomes dans le matériau actif. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que la couche (4) de matériau actif cristallin est cristallisée dans une phase orthorhombique ou tétragonale. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce qu’elle comporte une pluralité de premières lignes d’accès et une pluralité de secondes lignes d’accès, chaque cellule mémoire étant située à une intersection entre une première ligne d’accès et une seconde ligne d’accès permettant son adressage individuel. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’épaisseur de la couche de matériau actif est comprise entre 2 et 10nm et préférentiellement entre 4 et 6nm. Matrice selon la revendication précédente caractérisée en ce que l’épaisseur de la couche de matériau actif est sensiblement égale à 5nm. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’élément dopant est du Silicium implanté dans la couche de matériau actif et la dose d’implantation du Si dans la couche de matériau actif est comprise entre 2.10 14 cm -2 et 5.10 14 cm -2 . Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que le matériau conducteur de la deuxième couche conductrice est choisi parmi les matériaux suivants : TiN, TaN ou W. Matrice selon la revendication précédente caractérisée en ce que le matériau conducteur de la première couche conductrice est du Ti ou de l’Hf lorsque le matériau de la deuxième couche conductrice est du TiN ou du Ta ou de l’Hf lorsque le matériau de la deuxième couche conductrice est du TaN ou du Ti, de l'Hf ou du Ta lorsque le matériau de la deuxième couche du W. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que l’épaisseur de la première couche conductrice est inférieure ou égale à l’épaisseur de la couche de matériau actif. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que chaque cellule mémoire est montée en série avec un transistor de sélection. Matrice selon la revendication précédente caractérisée en ce que ledit transistor de sélection est choisi pour délivrer un courant de compliance traversant la cellule mémoire ayant une intensité inférieure ou égale à 150µA. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que la deuxième couche conductrice a une épaisseur comprise entre 10 nm et 200 nm. Matrice selon l’une des revendications précédentes caractérisée en ce que le premier type de cellules mémoire (1) correspond à une même nature et une même épaisseur de la couche de matériau actif (4).