INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’article en élastomère silicone obtenu peut être n’importe quel article avec une géométrie simple ou complexe. Il peut par exemple s’agir de moules en silicones, de masques, de tuyaux, de modèles anatomiques (fonctionnels ou non fonctionnels) comme un cœur, un rein, une prostate, de modèles pour chirurgien ou pour l’enseignement, d’orthèses, de prothèses, tels que des prothèses dentaires, d’aligneurs, de protège-dents, ou d’implants de classes différentes, tels que des implants à long terme, des appareils auditifs, des stents, des implants du larynx, etc.
L’article en élastomère silicone obtenu peut également être un vérin pour la robotique, un joint, une pièce mécanique pour l’automobile ou l’aéronautique, une pièce pour des appareils électroniques, une pièce pour l’encapsulation de composants, un isolant vibrationnel, un isolant d’impact ou un isolant sonore.
Composition photoréticulable X : Selon un mode de réalisation, la composition silicone photoréticulable X a une viscosité dynamique comprise entre 0,01 et 20 Pa.s à une vitesse de cisaillement de 17s -1 à 25°C, de préférence entre 1 et 15 Pa.s, plus préférentiellement entre 1 et 10 Pa.s à une vitesse de cisaillement de 17s -1 à 25°C.
Dans la présente demande, selon la méthode de l’invention les compositions silicones photoréticulables X comprennent au moins un organopolysiloxane A .
De préférence, selon la méthode de l’invention les compositions silicones photoréticulables X comprennent au moins un organopolysiloxane A comportant au moins un groupe (méth)acrylate, de préférence au moins 2 groupes (méth)acrylate.
A titre représentatif de fonctions (méth)acrylates portés par le silicone et convenant tout particulièrement à l’invention, on peut plus particulièrement citer les dérivés acrylates, méthacrylates, éthers de (méth)acrylates et esters de (méth)acrylates liés à la chaîne polysiloxane par une liaison Si-C.
La présente invention a notamment pour objet la réduction au maximum de la puissance dissipée Pdiss et en tout état de cause de maintenir Pdiss en dessous d’une valeur maximale jugée acceptable, de telle sorte que l’élévation de la température des tissus vivants n’excède pas les limites imposées par la physiologie et/ou les normes internationales.
Toff est la durée pendant laquelle l’interrupteur IT est fermé (phase Off), la puissance n’est alors pas transférée de la source vers la charge de l’implant. Cet interrupteur IT se ferme lorsque la tension UsDC(t) a atteint la valeur UsDCmax, et il reste fermé jusqu’à ce que celle-ci atteigne la valeur UsDCmin. Pendant la phase Off, la charge est alimentée par le condensateur de filtrage du redresseur, dont la capacité est notée CStock et aura servi à accumuler une énergie pendant la phase de charge (IT ouvert). Pendant la phase Off PinDC(t) est sensiblement constante et vaut Poff. Cette puissance Poff est essentiellement dissipée en chaleur dans les câbles, les bobinages et l’interrupteur. Cette puissance Poff varie sensiblement suivant la formule suivante dans laquelle Rsp représente les effets résistifs série du circuit primaire et Rss représente les effets résistifs série du circuit secondaire. Le coefficient Coeff1 dépend du design et est sensiblement constant quel que soit k et PoutDC.
(Équation 5 )
La durée Toff de la phase Off est sensiblement définie par la formule suivante dans laquelle Coeff2 dépend du design et est sensiblement constant quel que soit k et PoutDC.
(Équation 6 )
On constate dans l’équation ci-dessus que la mesure de Toff permet d’estimer finement la valeur de PoutDC en appliquant la formule suivante :
(Équation 7 )
Coeff2 est déterminé par le design et sa valeur peut être stockée dans une mémoire du circuit de contrôle 3. Par ailleurs, sa valeur peut être réactualisée/affinée par échange de données entre l’implant et le circuit de contrôle 3, par exemple lors d’une phase d’initialisation et/ou régulièrement.
On constate que POff dépend du couplage k et de UpDC. On comprend l’intérêt de connaitre la valeur de Toff afin de pouvoir éventuellement « désactiver » l’onduleur (UpDC=0 ou une valeur faible) pendant une durée sensiblement égale à Toff dès lors que l’on a détecté ce changement d’état. La connaissance de PoutDC en temps réel par échange de données entre l’implant et le circuit de contrôle 3 permet d’améliorer l’estimation de Toff. Cette désactivation n’est cependant pas nécessaire si le design a permis de réduire suffisamment la contribution de Poff aux pertes totales. Ce faisant, on élimine des effets de pollution électromagnétique inacceptable dans certains environnements contraints, c’est pourquoi la réalisation préférentielle ne met pas en œuvre une telle désactivation pendant la phase Off.
On constate dans l’équation précédente qu’en l’absence de couplage (k=0 ou inférieur à kmini), la puissance en entrée PinDC devient très élevée. Cette puissance est alors entièrement dissipée dans la partie externe. On peut ainsi détecter une absence de couplage et « désactiver » l’onduleur (UpDC=0 ou une valeur faible) pendant une durée prédéterminée, typiquement un temps d’attente de 1s, déclencher une alerte à destination de l’utilisateur puis le réactiver par intermittence pour détecter à nouveau un couplage lorsque l’utilisateur aura réaligné les bobines primaire et secondaire.
Ton est la durée pendant laquelle l’interrupteur IT est ouvert, la puissance est alors transférée du circuit primaire externe vers le circuit secondaire implantable. Pendant la phase On, lorsque le TETS est dans sa plage de fonctionnement correcte, la puissance absorbée par le TETS est notée POn et est sensiblement constante, elle ne dépend que du coefficient de couplage k ni de la tension continue UpDC. On peut noter que cette puissance POn ne dépend sensiblement pas non plus de la puissance absorbée par la charge PoutDC.
(Équation 8 )
Le rendement du TETS peut s’exprimer en fonction d’un rendement maximal qui dépend du couplage k, de la puissance PoutDC et de la tension continue UpDC ainsi que de la durée Ton et d’une constante de temps de design notée TEq. L’équation suivante prend en considération le comportement fortement non linéaire du TETS. Ainsi, et selon l’invention, le dispositif va modifier automatiquement la valeur de UpDC de telle sorte qu’à la fois le rendement maximum théorique atteignable soit atteint, mais également que la durée Ton soit la plus grande possible, en tout état de cause largement plus grande que TEq.
( Équation 9 )
Cette grandeur TEq dépend à la fois des paramètres de design (la largeur de l’hystérésis en sortie, la tension moyenne UsDC et la capacité de stockage Cstock), mais également de la résistance de charge et d’une résistance interne équivalente RgEq(k), elle-même dépendant du couplage k. On comprend la forte non-linéarité du TETS qui rend son optimisation délicate puisque à la fois TEq, Ton, et le rendement dépendent de UpDC, PoutDC et de k.
(Équation 10 )
À titre d’exemples du groupe sortant représenté par X, on peut citer les atomes d’halogène tels que le chlore et le brome ; les groupes alcoxy tels que le groupe méthoxy et le groupe éthoxy ; les groupes représentés par -NH-SiR 3 (où la définition de R est la même que celle de R dans la formule (1)).
De préférence, le chlorotriméthylsilane, le dichlorodiméthylsilane, le trichlorométhylsilane et/ou l’hexaméthyldisilazane peuvent être utilisés du point de vue d'une réactivité favorable.
Le nombre de liaisons de l’atome de Si avec le groupe silanol sur le squelette de silice varie en fonction du nombre (4-n) du groupe partant X. Par exemple, si n est égal à 2, la liaison suivante se produira :
De cette manière, les groupes silanol peuvent être silylés, et par conséquent, une hydrophobisation peut être effectuée.
Dans la formule (2) ci-dessus, R 1 peut être un groupe alkylène, de préférence un groupe alkylène ayant un nombre de carbones de 2 à 8 et notamment un groupe alkylène ayant un nombre de carbones de 2 à 3.
Dans la formule (2) ci-dessus, R 2 et R 3 sont indépendamment un groupe hydrocarbyle, et les mêmes groupes préférables que ceux de R dans la formule (1) peuvent être soulignés. R 4 représente un atome d’hydrogène ou un groupe hydrocarbyle, et lorsqu’il s’agit d’un groupe hydrocarbyle, les mêmes groupes préférentiels que ceux de R dans la formule (1) peuvent être soulignés. Lorsqu’un gel de silice est traité avec le composé (silazane cyclique) représenté par la formule (2), un clivage de liaisons Si-N se produit par la réaction avec des groupes silanol, et par conséquent la liaison suivante se produira à la surface du squelette de silice dans le gel :
De cette manière, le groupe silanol peut aussi être silylé par les silazanes cycliques de formule (2) ci-dessus, et par conséquent, une hydrophobisation peut être effectuée.
Des exemples spécifiques des silazanes cycliques représentées par la formule ci-dessus (3) incluent l’hexaméthylcyclotrisilazane et l’octaméthylcyclotétrasilazane.
Dans la formule (3) ci-dessus, R 6 et R 7 sont indépendamment un groupe hydrocarbyle, et les mêmes groupes préférentiels que ceux de R dans la formule (2) peuvent être soulignés. m représente un nombre entier de 3 à 6. Lorsqu’un gel de silice est traité avec le composé (siloxane cyclique) représenté par la formule (3), la liaison suivante se produira à la surface du squelette de silice dans le gel :
De cette manière, les groupes silanol peuvent aussi être silylés par les siloxanes cycliques de formule (3) ci-dessus, et par conséquent, une hydrophobisation peut être effectuée.
Le ressort de compression 23 prend appui, au niveau de sa première extrémité 23a, contre une extrémité inférieure 15a de la plaque inférieure 15.
Lorsque le support 3 est intégré dans la planche de bord 1, le ressort de compression 23 prend appui au niveau d’une deuxième extrémité 23b contre un fond inférieur 25 de la fente inférieure 11 de la découpe 5 de la planche de bord 1.
Les ressorts 19, 23 peuvent être fixés aux fonds 21, 25 des fentes 9, 11 de la découpe 5 pratiquée dans la planche de bord 1 par tout moyen de fixation adapté.
Le ressort de compression 19 supérieur et le ressort de compression 23 inférieur sont agencés dans le support 3 pour rappeler l’élément de recouvrement, ici formé par les plaques 13, 15, dans leur position déployée.
Les ressorts de compression 19, 23 sont représentés aux figures 1 et 2 en position étirée, position selon laquelle le support 3 occupe sa position de fermeture correspondant à une position déployée des plaques 13, 15.
En position de fermeture du support 3, les plaques 13, 15 du support 3 sont en contact l’une relativement à l’autre respectivement au niveau de leurs extrémités inférieure 13b et supérieure 15b .
En position de fermeture du support 3, les plaques 13, 15 du support 3 sont en position déployée et recouvrent sensiblement la totalité de l’ouverture 7 de la découpe 5 pratiquée dans la planche de bord 1.
En position de fermeture support 3, le ressort de compression 19 est dissimulé dans la fente supérieure 9 de la découpe 5 et le ressort de compression 21 est dissimulé dans la fente inférieure 11 de la découpe 5.
On se réfère à la illustrant schématiquement la planche de bord 1 recevant le support 3 représenté en position d’ouverture supportant un appareil électronique, et à la montrant le support 3 en vue isométrique en position d’ouverture.
Le passage de la position de fermeture du support 3 vers la position d’ouverture est opéré en déplaçant les plaques supérieure 13 et inférieure 15 du support 3 le long de l’axe 17, respectivement vers le haut et vers le bas du support 3.
Les ressorts de compression 19, 23 passent alors de leur position étirée vers une position comprimée et autorisent ainsi le passage des plaques 13, 15 de leur position déployée vers leur position escamotée lorsque les ressorts de compression 19, 23 sont contraints par l’action de l’utilisateur contre les plaques 13, 15.
En position d’ouverture du support 3, les plaques 13, 15 occupent une position dite escamotée, position selon laquelle les plaques 13, 15 découvrent au moins partiellement l’ouverture 7 de la découpe 5.
En position d’ouverture du support 3, les plaques 13, 15 sont au moins partiellement dissimulées respectivement dans les fentes 9, 11 de la découpe 5.
Lorsque le support 3 est en position d’ouverture, l’appareil électronique à supporter, ici un téléphone portable 27, peut être inséré dans le support 3.
Lorsque le téléphone portable 27 est inséré dans le support 3, les plaques 13, 15 du support 3 sont en contact avec le téléphone portable 27. Le téléphone portable 27 vient au contact, au niveau de son bord inférieur, contre l’extrémité supérieure 15b de la plaque supérieure 15 du support 3, et au niveau de son bord supérieur contre l’extrémité inférieure 13b de la plaque supérieure 13 du support 3.
Les ressorts de compression 19, 23 conservent leur position comprimée par la présence du téléphone portable 27 en position et maintiennent alors, via les plaques 13, 15 du support, le téléphone portable 27 en position fixe relativement à la planche de bord 1 de l’habitacle du véhicule automobile.
Le (c) acide non polymérique ou sel(s) de celui-ci peut être choisi dans le groupe consistant en l’acide phytique, l’acide citrique, l’acide lactique et un mélange de ceux-ci.
Le (d) sel de métal facultatif peut être choisi parmi des sels de métal polyvalents, de préférence des sels de métal divalents, plus préférentiellement des sels de calcium tels que le chlorure de calcium et le pyrrolidone carboxylate de calcium, et des sels de magnésium tels que le chlorure de magnésium.
Le rapport pondéral de la quantité du (d) sel de métal facultatif par rapport au poids total des nanoparticules dans la composition selon la présente invention peut être de 0,001 à 0,30, de préférence de 0,005 à 0,25, et plus préférentiellement de 0,01 à 0,20.
Le (e) acide gras peut être choisi parmi les acides gras saturés et insaturés, linéaires ou ramifiés en C 4 -C 22 , de préférence C 6 -C 20 , plus préférentiellement C 8 -C 18 .
Le rapport pondéral de la quantité du (e) l’acide gras par rapport au poids total des nanoparticules dans la composition selon la présente invention peut être de 0,001 à 0,4, de préférence de 0,002 à 0,3, et plus préférentiellement de 0,003 à 0,2.
La présente invention porte également sur un processus cosmétique pour une substance kératineuse tel que la peau, comprenant : l’application, sur la substance kératineuse, de la composition selon la présente invention.
Après une recherche minutieuse, les inventeurs ont découvert qu’il est possible de proposer une composition stable, transparente ou translucide, comprenant une nanoparticule incluant de l'acide hyaluronique, qui pourrait délivrer de l’acide hyaluronique plus profondément dans une substance kératineuse telle que la peau.
Ainsi, la composition selon la présente invention qui est de préférence une composition cosmétique, et plus préférentiellement une composition cosmétique pour la peau, comprend
des nanoparticules comprenant :
R 13 , R 14 , R 15 et R 16 , qui peuvent être identiques ou différents, sont choisis parmi des groupes alkyle et hydroxyalkyle comprenant de 1 à 4 atomes de carbone, n et p, qui peuvent être identiques ou différents, sont des entiers allant de 2 à 20, et X - est un anion dérivé d’un acide inorganique ou organique.
Pour TbVSP1, la réaction étudiée est l’hydrolyse du pyrophosphate en phosphate en présence du cofacteur Mg 2+ . La charge protéique utilisée est de 10% en masse. Le mélange réactionnel est constitué de pyrophosphate de sodium (5mM), de MgCI (1mM) en solution dans du tampon Tris-HCI 50mM NaCI 200 mM pH 8,5. Le solide constitué de 1mg de TbVSP1 porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ (10mg) est ajouté au mélange réactionnel. La formation du phosphate est suivie par dosage du phosphmolybdate/vert de malachite en spectroscopie visible à 630nm. Les résultats sont résumés dans le Tableau 5.
Pour w-TA, la réaction étudiée est la transamination du pyruvate en présence de α-methylbenzylamine racémique en alanine et acétophénone en présence du cofacteur pyridoxal phosphate (PLP). La charge protéique utilisée est de 10% en masse. Le mélange réactionnel est constitué de pyruvate (25mM), d’α-methylbenzylamine racémique (25mM) de PLP (0,1mM) et de DMSO (1% wt) en solution dans du tampon Phosphate 50mM NaCI 300mM pH 7,5. Le solide constitué de 1mg de w-TA porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ (10mg) est ajouté au mélange réactionnel. La formation de l’acétophénone est suivie en continu en spectroscopie UV à 245nm. Les résultats sont résumés dans le Tableau 5.
Pour GsOYE, la réaction étudiée est la réduction de la cyclohexenone et en cyclohexanone en présence du cofacteur NADH qui s’oxyde en NAD+. La charge protéique utilisée de 10% en masse. Le mélange réactionnel est constitué de cyclohexenone (50mM), de NADH (75mM) et de DMSO (1%wt) en solution dans du tampon Tris-HCI 50mM NaCI 150mM pH 7,5. Le solide constitué de 1mg de GsOYE porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ (10mg) est ajouté au mélange réactionnel. La disparition du NADH est suivie en spectroscopie UV à 340nm. Les résultats sont résumés dans le Tableau 5.
w-TA (N=4) TbVSP1 (N=3) GsOYE (N=3) TON enzyme non immobilisée (libre) 520 154 533 145 860 250 TON enzyme immobilisée 898 87 916 155 1624 28 Enz.Immobilisée/libre(%) 172 172 189 Taux de conversion avec enzyme non immobilisée (libre)(%) 33 55 75 25 14 2 Taux de conversion avec enzyme immobilisée(%) 37 3 93 9 52 1 Immobilisée/libre(%) 112 124 371
Tableau 5 : Performances catalytique (Turnover numbers, TON et Taux de conversion) des 3 enzymes libres ou immobilisées en présence d’ions Fe 3+ (la pyrophosphatase de Trypanosoma brucei (TbVSP1, EC3 Hydrolase), la transaminase B9L0N2 (w-TA, EC2 Transférase) et la Old Yellow Enzyme de G. sulphuraria ( GsOYE , EC1 Oxydoréductase).
Dans les 3 cas, le TON de l’enzyme immobilisée est significativement supérieur à celui de l’enzyme non immobilisée. Les conversions obtenues avec les enzymes immobilisées sont toujours égales ou supérieures à celles obtenues avec les enzymes libres respectives.
Un aérogel complexé aux ions Co 2+ obtenus dans les mêmes conditions que celles décrites ci-dessus en présence d’ions Fe 3+ et une transaminase B9L0N2 (w-TA, EC2 transférase) porteuse d’une étiquette polyhistidine en son extrémité N-terminale a été préparé. Le ratio TON enzyme immobilisée vs TON enzyme non immobilisée (libre) est de 764/520.
Exemple 5 : Réutilisation Les performances enzymatiques mesurées sont exprimées en nombre de réactions catalysées par enzyme (Turnover numbers, TON) sur un temps donné. Ces activités sont mesurées pour les enzymes non immobilisées (libres) et pour les enzymes immobilisées dans les conditions réactionnelles ci-dessous.
Pour TbVSP1, la réaction étudiée est l’hydrolise du pyrophosphate en phosphate en présence du cofacteur Mg 2+ . La charge protéique utilisée est de 10% en masse. Le mélange réactionnel est constitué de pyrophosphate de sodium (5mM), de MgCI 2 (1mM) en solution dans du tampon Tris-HCI 50mM NaCI 200mM pH 8,5. Le solide constitué de 1mg de TbVSP1 porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ (10mg) est ajouté au mélange réactionnel. La formation du phosphate est suivie par dosage du phosphomolybdate/vert de malachite en spectroscopie visible à 630nm.
Pour w-TA, la réaction étudiée est la transamination du pyruvate en présence de α-methylbenzylamine racémique en alanine et acétophénone en présence du cofacteur pyridoxal phosphate (PLP). La charge protéique utilisée est de 10% en masse. Le mélange réactionnel est constitué de pyruvate (25mM), d’α-methylbenzylamine racémique (25mM) et de PLP (0,1mM) et de DMSO (1%wt) en solution du tampon Phosphate 50mM NaCI 300mM pH 7,5. La solide constitué de 1mg de w-TA porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ (10mg) est ajouté au mélange réactionnel. La formation de l’acétophénone est suivie en continu en spectroscopie UV à 245nm.
Pour GsOYE, la réaction étudiée est la réduction de cyclohexenone et en cyclohexanone en présence du cofacteur NADH qui s’oxyde en NAD+. La charge protéique utilisée de 10% en masse. Le mélange réactionnel est constitué de cyclohexenone (50mM), de NADH (75mM) et de DMSO (1%wt) en solution dans du tampon Tris-HCI 50mM NaCI 150mM pH 7,5. Le solide constitué de 1mg de GsOYE porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ (10mg) est ajouté au mélange réactionnel. La disparition du NADH est suivie en spectroscopie UV à 340nm.
Etape 1 : Le solide est constitué d’une protéine porteuse d’une séquence polyhistidine immobilisée sur un hydrogel complexé avec des ions Fe 3+ est ajouté au mélange réactionnel.
Etape 2 : après 10 minutes de réaction à 25°C pour TbVSP1 et w-TA ou après 1h de réaction à 30°C pour GsOYE, la suspension est centrifugée. Le surnageant et le culot sont séparés.
Etape 3 : Le solide ainsi obtenu est lavé 2 fois avec une solution aqueuse tamponnée : 1) Du tampon est ajouté (1mL). 2) La suspension ainsi obtenue est agitée pendant quelques minutes (généralement 5 minutes) à température ambiante. 3) La suspension est centrifugée. 4) Après centrifugation, le surnageant est éliminé. Les étapes 1 à 4 sont recommencées 1 fois.
La résistance interne équivalente RgEq ne dépend sensiblement que de Ton, Toff, du couplage k et des paramètres de design. On définit RdssOn comme représentant la résistance série du circuit de l’interrupteur IT et on obtient :
( Équation 11 )
Comme déjà vu, Rss représente les résistances séries du circuit secondaire et Rsp représente les résistances séries du circuit primaire.
On observe que cette résistance équivalente RgEq doit être minimisée avant tout et que Ton doit être maximisé avant tout. Afin de réduire Rss, on utilise prioritairement un bobinage secondaire avec une très forte section de cuivre, et classiquement un fil de Litz afin de ne pas subir l’effet de peau lorsque la fréquence Fex est élevée. Cependant, selon la présente invention, on minimise cette résistance Rss en utilisant une fréquence Fex pas trop élevée (typiquement < 300kHz) et par l’utilisation d’une bobine secondaire en PCB (« Printed Circuit Board » en anglais) avec des conducteurs multicouches.
La contribution de la résistance RdssOn devient très élevée si l’interrupteur IT est trop éloigné de la bobine secondaire. Selon l’invention, on prévoit également de placer l’interrupteur IT à proximité immédiate de la bobine secondaire, et idéalement directement sur le PCB. Dans cette configuration préférée, l’ensemble de l’électronique du circuit de commande 9 est placé sur le PCB de la bobine secondaire. Ainsi la liaison entre le TETS et l’implant peut se faire par une liaison DC très basse tension, améliorant considérablement la sécurité des patients en cas de rupture accidentelle de l’isolation.
Le coefficient de couplage k peut être estimé selon la loi suivante dépendant de Ton, Toff et UpDC, sachant que Coeff3 ne dépend que de paramètres de design. On comprend l’intérêt d’identifier précisément Ton et TOff ainsi que UpDC.
(Équation 12 )