Dispositif comprenant : - une couche superficielle (20) ferroélectrique contenant du lithium ; - une couche diélectrique (16) comprenant un oxyde et disposée en contact avec la couche superficielle ferroélectrique ; et - un substrat (10) en contact avec la couche diélectrique, le substrat comprenant une couche (14) de piégeage de charges disposée sur un support (12), la couche (14) de piégeage de charges étant disposée entre le support (12) et la couche diélectrique (16), le dispositif étant caractérisé en ce que : la couche diélectrique (16) présente une épaisseur comprise entre 150 nm et 500 nm, de préférence entre 150 nm et 300 nm ; et une concentration d’azote dans la couche diélectrique (16) et une rugosité de surface de la couche (14) de piégeage de charges sont telles que la couche (14) de piégeage de charges présente une dose de lithium inférieure à 5.10 11 at/cm 2 . Dispositif selon la revendication 1, dans lequel : la concentration en azote de la couche diélectrique est comprise entre 5.10 20 at/cm 3 et 10 22 at/cm 3 ; et la rugosité de surface de la couche (14) de piégeage est inférieure, en mesure pic-vallée, à 800 nm, de préférence inférieure à 400 nm, et encore plus préférentiellement inférieure à 100 nm. Le dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche diélectrique (16) présente une épaisseur comprise entre 150 nm et 250 nm. Le dispositif selon l’une quelconque de revendications 1 à 3, dans lequel la concentration en azote de la couche diélectrique (16) est comprise entre 10 21 at/cm 3 et 6.10 21 at/cm 3 . Le dispositif selon l’une quelconque de revendications 1 à 4, dans lequel la couche diélectrique est une couche d’oxyde de silicium et une concentration en hydrogène de la couche diélectrique (16) est strictement inférieure à la concentration en azote de la couche diélectrique (16). Le dispositif selon la revendication 5, dans lequel une concentration en hydrogène de la couche diélectrique (16) est au moins trois fois inférieure à la concentration en azote de la couche diélectrique (16). Le dispositif selon l’une quelconque de revendications 1 à 6, dans lequel une concentration en hydrogène dans la couche diélectrique (16) est inférieure à 10 22 at/cm 3 . Le dispositif selon l’une quelconque de revendications 1 à 7, dans lequel la dose en lithium dans la couche (14) de piégeage de charges est inférieure à 10 1 1 at/cm 2 . Le dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche superficielle (20) ferroélectrique comprend du niobate de lithium ou du tantalate de lithium. Le dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes 1 à 9 dans lequel la couche (14) de piégeage de charges comprend du silicium polycristallin. Le dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche superficielle (20) ferroélectrique est constituée d’un matériau monocristallin. Procédé de fabrication d’un dispositif comprenant les étapes suivantes : - former une couche (14) de piégeage de charges sur un support (12) pour former un substrat (10) ; - lisser une surface exposée de la couche (14) de piégeage de manière à réduire une rugosité de cette surface exposée sous une rugosité seuil ; - former une couche diélectrique (16) au moins sur la couche (14) de piégeage de charges lissée et optionnellement sur un substrat donneur (200) comprenant un matériau ferroélectrique contenant du lithium, la couche diélectrique (16) présentant une épaisseur comprise entre 150 nm et 500 nm; - assembler le substrat donneur (200) et le substrat (10) par l’intermédiaire de la couche diélectrique (16) ; - éliminer une partie du substrat donneur pour former une couche superficielle (20) ferroélectrique contenant du lithium, la rugosité seuil et une concentration d’azote dans une couche d’oxyde comprise dans la couche diélectrique (16) étant choisies de sorte que la dose en lithium dans la couche de piégeage de charges soit inférieure à 5.10 1 1 at/cm 2 à l’issue du procédé de fabrication. Procédé de fabrication selon la revendication 12 dans lequel : - la concentration en azote de la couche diélectrique est comprise entre 5.10 20 at/cm 3 et 10 22 at/cm 3 ; et - la rugosité de surface de la couche (14) de piégeage est inférieure, en mesure pic-vallée, à 800 nm, de préférence inférieure à 400 nm, et encore plus préférentiellement inférieure à 100 nm. Procédé de fabrication selon la revendication 12 ou 13 dans lequel l’étape de lissage comprend le polissage mécano-chimique de la couche (14) de piégeage de charge. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 12 à 14 dans lequel la couche (14) de piégeage de charges comprend du silicium polycristallin. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes 12 à 15, comprenant la formation d’un plan de fragilisation (220) par implantation d’espèces légères dans le substrat donneur (200) pour y définir la couche superficielle (20), et l’étape d’élimination d’une partie du substrat donneur comprend le détachement de la couche superficielle (20) au niveau du plan de fragilisation (220).