INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Une première approche peut être par exemple effectuée par l'application de technologies d'imagerie médicale de reconstruction 3D basées sur un travail de segmentation pour identifier les fragments osseux. Cette segmentation est toutefois particulièrement difficile à réaliser de façon automatisée, par exemple dans le cas où des fragments osseux peuvent se chevaucher et être mal distingués par imagerie médicale. Cette approche nécessite donc le plus souvent un travail manuel long et compliqué à réaliser.
Une deuxième approche consiste par exemple à utiliser des modèles statistiques de forme qui génèrent un modèle osseux incluant les principaux modes de variations géométriques d'une population moyenne donnée. Le modèle statistique de forme prend également en compte des données spécifiques du patient pour déterminer certains modes de variation. Cependant ces modèles statistiques de forme ne sont pas entièrement satisfaisant en ce qu’ils ne permettent pas d’obtenir un modèle précis. En outre, ces modèles permettent uniquement de déterminer la forme saine d’un ensemble osseux (c’est-à-dire avant sa forme pathologique, notamment fracturé) mais ne permettent pas d’obtenir une représentation réaliste de l’ensemble osseux dans sa forme pathologique, notamment fracturée, permettant de réaliser par la suite des simulations numériques plus poussées.
Pour remédier à ces limites, il est nécessaire de disposer d'une méthode plus précise et fiable pour générer des modèles 3D satisfaisants de l'ensemble osseux à opérer.
Présentation de l’invention La présente invention est définie par les revendications indépendantes ci-jointes. D'autres caractéristiques et avantages découlant des concepts divulgués ici sont exposés dans la description qui suit. Ils se dégagent en partie de manière évidente de la description ou pourront être acquis par la pratique des technologies décrites. Les caractéristiques et avantages de ces concepts peuvent être réalisés et obtenus au moyen des instruments et combinaisons signalés en particulier dans les revendications ci-jointes. Ces caractéristiques et d'autres caractéristiques des technologies décrites transparaîtront plus largement au travers de la description suivante et des revendications ci-jointes, ou pourront être déduites de la pratique des concepts exposés ici.
A ce titre, l’invention propose un procédé de génération d’un modèle d’un ensemble osseux mis en œuvre par ordinateur, comprenant les étapes suivantes : acquérir une image d’un ensemble osseux dans une forme pathologique ; identifier une zone pathologique d’au moins une région d’intérêt de l’image ; générer une représentation d’une forme saine de la région d’intérêt à partir d’une analyse statistique de forme  ; générer un modèle reconstruit de l’ensemble osseux dans la forme pathologique en appliquant au moins une déformation à la représentation de la forme saine de la région d’intérêt.
Selon une réalisation, le procédé comprend une étape de segmentation de l’image de l’ensemble osseux dans la forme pathologique, lors de laquelle l’image est décomposée en une ou plusieurs régions d’intérêt.
Selon une autre réalisation, l’image obtenue par l’étape de segmentation est un nuage de points 2D, 3D ou volumique des une ou plusieurs régions d’intérêt.
Selon une autre réalisation, l’étape d’identification d’une zone pathologique consiste en distinguer manuellement, semi-automatiquement ou automatiquement, la zone pathologique d’une zone non pathologique de la région d’intérêt.
Selon une autre réalisation, l’étape de génération d’une représentation d’une forme saine de la région d’intérêt comprend la détermination de points de référence de la région d’intérêt en dehors de la zone pathologique.
La est une vue en perspective d’un exemple de réalisation d’un outil de travail rotatif selon l’invention selon une première orientation ;
La est une vue en perspective de l’exemple de réalisation d’un outil de travail rotatif selon l’invention illustré sur la selon une deuxième orientation ;
La est une vue partielle en perspective de l’exemple de réalisation d’un outil de travail rotatif selon l’invention illustré sur les figures 1 et 2 ;
La est une vue en coupe d’un dispositif de préparation d’aliments motorisé comportant l’exemple de réalisation d’un outil de travail rotatif selon l’invention illustré sur les figures 1 à 3.
Un exemple de réalisation d’un outil de travail 30 rotatif selon l’invention est illustré sur les figures 1 à 3. L’outil de travail 30 rotatif comporte un organe d’entraînement 11 en rotation selon un axe de rotation R et une paroi latérale circonférentielle 32 s’étendant autour de l’axe de rotation R. La paroi latérale circonférentielle 32 présente une bordure circonférentielle 37 ménageant une ouverture frontale 36 pour l’évacuation des aliments découpés. L’organe d’entraînement 11 en rotation est porté par une extrémité d’entraînement 31 agencée à l’opposé de la bordure circonférentielle 37. L’outil de travail 30 comporte une paroi de fond 12 agencée à l’opposé de l’ouverture frontale 36. L’organe d’entraînement 11 est formé dans la paroi de fond 12. Ainsi la paroi de fond 12 forme l’extrémité d’entraînement 31.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, la paroi latérale circonférentielle 32 présente une géométrie tronconique. La paroi latérale circonférentielle 32 s’évase en direction de la bordure circonférentielle 37, pour faciliter l’évacuation des aliments découpés. A titre de variante, une géométrie cylindrique ou une géométrie conique peuvent notamment être envisagées pour la paroi latérale circonférentielle 32.
La paroi latérale circonférentielle 32 présente au moins un organe de découpe externe 33 présentant un bord d’attaque 34 adjacent à un passage traversant 35 ménagé dans la paroi latérale circonférentielle 32.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, la paroi latérale circonférentielle 32 présente plusieurs organes de découpe externe 33 présentant chacun bord d’attaque 34 adjacent à un passage traversant 35 ménagé dans la paroi latérale circonférentielle 32. Plusieurs organes de découpe externe 33 sont agencés sur la paroi latérale circonférentielle 32 entre la paroi de fond 12 et l’ouverture frontale 36. Les organes de découpe externe 33 de l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3 sont prévus pour effiler les aliments. A titre de variante, d’autres types d’organe de découpe externe 33 peuvent être envisagés, par exemple des organes de découpe externe 33 allongés prévus pour trancher les aliments.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, la paroi latérale circonférentielle 32 présente une pluralité d’organes de découpe externe 33 présentant chacun un bord d’attaque 34 adjacent à un passage traversant 35 ménagé dans la paroi latérale circonférentielle 32. A titre de variante, d’autres
La face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32 porte au moins une nervure interne 40 configurée pour éjecter les aliments découpés vers l’ouverture frontale 36 lors de la rotation de l’outil de travail 30 rotatif pour découper les aliments. Tel que bien visible sur la , ladite au moins une nervure interne 40 se rapproche de la bordure circonférentielle 37 lorsque parcourue dans une direction allant du passage traversant 35 au bord d’attaque 34 adjacent.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, la face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32 porte quatre nervures internes 40 configurées pour éjecter les aliments découpés vers l’ouverture frontale 36 lors de la rotation de l’outil de travail 30 rotatif pour découper les aliments. Les nervures internes 40 sont régulièrement réparties sur la face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32. A titre de variante la face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32 peut porter une pluralité de nervures internes 40 configurées pour éjecter les aliments découpés vers l’ouverture frontale 36 lors de la rotation de l’outil de travail 30 rotatif pour découper les aliments. La face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32 peut notamment porter de 2 à 6 nervures internes 40 configurées pour éjecter les aliments découpés vers l’ouverture frontale 36 lors de la rotation de l’outil de travail 30 rotatif pour découper les aliments. Si désiré la face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32 peut porter une seule nervures interne 40 configurée pour éjecter les aliments découpés vers l’ouverture frontale 36 lors de la rotation de l’outil de travail 30 rotatif pour découper les aliments.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, les nervures internes 40 s’étendent sur environ la moitié de la circonférence de la paroi latérale circonférentielle 32. A titre de variante, les nervures internes 40 peuvent s’étendre sur au moins 90° autour de l’axe de rotation R, et de préférence sur au moins 120° autour de l’axe de rotation R.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, les nervures internes 40 s’étendent jusqu’à la bordure circonférentielle 37. Les nervures internes 40 s’étendent à partir de la paroi de fond 12. Les nervures internes 40 présentent une configuration hélicoïdale.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur les figures 1 à 3, la paroi latérale circonférentielle 32 comprend une partie métallique circonférentielle 38 présentant les passages traversants 35. La partie métallique circonférentielle 38 est par exemple réalisée en acier inoxydable. Les organes de découpe externe 33 sont issus de la partie métallique circonférentielle 38. L’outil de travail 30 présente une construction surmoulée. La bordure circonférentielle 37 est surmoulée sur l’une des extrémités de la partie métallique circonférentielle 38 pour former l’ouverture frontale 36. L’extrémité d’entraînement 31 est surmoulée sur l’autre extrémité de la partie métallique circonférentielle 38. La bordure circonférentielle 37 et l’extrémité d’entraînement 31 sont par exemple réalisées en matière plastique. Les nervures internes 40 sont surmoulées sur la face intérieure de la paroi latérale circonférentielle 32. Les nervures internes 40 sont par exemple réalisées en matière plastique.
La illustre des cas particuliers de la couche Trap de la ;
La schématise un procédé de fabrication du substrat composite de la .
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La représente un substrat composite S comprenant un support Sprt intégrant un support BSprt de base et une couche Trap de piégeage de charges électrique sur le support BSprt de base, une couche superficielle Crist disposée sur le support Sprt, et une couche diélectrique Diel interposée entre la couche superficielle Crist et le support Sprt, de préférence en contact direct avec la couche superficielle Crist et la couche Trap de piégeage de charges électrique, désignée par couche Trap de piégeage par la suite.
La couche superficielle Crist est une couche permettant de donner des fonctions, par exemple semiconductrices ou ferroélectriques, à un dispositif élaboré sur ou dans le substrat composite S. Il s’agit en général d’une couche de structure cristalline, éventuellement monocristalline.
De manière conventionnelle, le substrat composite S peut se présenter sous la forme d'une plaquette circulaire dont le diamètre peut être de 100, 200, 300 voire même 450mm ou d’autres dimensions.
Ainsi que cela est présenté dans les documents formant l'état de la technique présenté en préambule, le substrat composite S peut être réalisé de multiples manières. Très généralement, le substrat composite S peut être réalisé par un procédé de fabrication comprenant l’assemblage du support Sprt et d’un substrat donneur, la couche diélectrique Diel étant intercalée entre ces deux éléments, suivi d’une étape d’élimination d’une partie du substrat donneur pour former la couche superficielle Crist. L’étape d’élimination d’une partie du substrat donneur peut être réalisée par amincissement mécano-chimique de ce substrat. Cependant, le substrat composite S est préférentiellement fabriqué par application de la technologie Smart Cut™, selon laquelle une couche destinée à former la couche superficielle Crist est délimitée par l’intermédiaire d’un plan de fragilisation formé par implantation d’espèces légères telles que de l’hydrogène dans le substrat donneur. Cette couche est ensuite séparée du substrat donneur collé au support via la couche diélectrique Diel, par fracture au niveau du plan de fragilisation, la couche superficielle Crist restant fixée sur le support Sprt muni de la couche Trap de piégeage, avec la couche diélectrique Diel interposée entre eux. La couche Diel a essentiellement pour fonction d’améliorer l’adhérence de la couche superficielle Crist au support Sprt.
Le support Sprt présente typiquement une épaisseur de plusieurs centaines de microns. Préférentiellement, le support Sprt présente une résistivité élevée, supérieure à 1000 ohm.centimètre, et plus préférentiellement encore, supérieure à 2000 ohm.centimètre. On limite de la sorte la densité des charges, trous ou électrons, qui sont susceptibles de se déplacer dans le support. Cependant, l’invention n’est pas limitée à un support Sprt présentant une telle résistivité, et elle procure également des avantages de performances RF lorsque le substrat présente une résistivité plus faibles, de l’ordre de quelques centaines d’ohm.centimètre, par exemple inférieure à 1000 ohm.cm, ou à 500 ohm.cm voire même à 10 ohm.cm.
Pour des raisons de disponibilité et de coût, le support BSprt de base compris dans le support Sprt est préférentiellement en silicium monocristallin. Il peut s'agir par exemple d'un substrat de silicium CZ à faible teneur en oxygène interstitiel comprise entre 6 et 10 ppm, ou d’un substrat de silicium FZ qui présente notamment une teneur en oxygène interstitiel naturellement très faible. Il peut également s'agir d'un substrat de silicium CZ présentant une quantité élevée d'oxygène interstitiel (désigné par l'expression « High Oi ») supérieure à 26 ppm. Le support BSprt de base peut alternativement être formé d'un autre matériau : il peut s'agir par exemple de saphir, de verre, de quartz, de carbure de silicium… Dans certaines circonstances, et notamment lorsque la couche de piégeage présente une épaisseur suffisante, par exemple supérieure à 30 microns, le support BSprt de base peut présenter une résistivité standard, inférieure à 1 kohm.cm.
La couche Trap de piégeage peut être de natures très variées, ainsi que cela est reporté dans les documents formant l'état de la technique. D'une manière générale, il s'agit d'une couche non cristalline présentant des défauts structurels tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores… Ces défauts structurels forment des pièges pour les charges susceptibles de circuler dans le matériau, par exemple au niveau de liaisons chimiques non complètes ou pendantes. On prévient ainsi la conduction dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée.
De préférence, la couche Trap de piégeage est intégrée directement au contact du support BSprt de base. Ce support peut donc avoir une composition considérée comme homogène et se trouver en contact direct avec la couche Trp de piégeage, mais ces caractéristiques n’excluent pas la présence d’un oxide natif à la surface du substrat de base et à son interface avec la couche Trap de piégeage. Il peut s’agir d’une couche d’oxide d’épaisseur de l’ordre de 10 nm ou moins, générée par la simple exposition du support BSprt de base à l’atmosphère ambiante.
Dans le cadre du présent document, la couche Trap de piégeage de charges électriques comprend une couche d’un matériau de faible permittivité diélectrique, c’est-à-dire un matériau de permittivité diélectrique relative plus faible que la permittivité diélectrique relative du dioxyde de silicium. Parmi les matériaux à faible permittivité diélectrique relative, on peut citer la silice poreuse, les verres de fluorosilicates (FSG ou fluorosilicates en terminologie anglaise), les composants organosiliciés ou les polymères diélectriques à base de silicium. Dans ce document, on considère en particulier le SiOC et le SiOCH, et plus en particulier le SiOCH poreux. On considère ainsi des matériaux de permittivités diélectriques relatives comprises entre 2,25 et 3,1.
La illustre en (a) une couche Trap de piégeage de charges composite, formée d’une couche Lk d’un matériau de faible permittivité diélectrique et d’une couche intercalaire Inter interposée entre la couche Lk et le substrat de base. Cette couche intercalaire peut être formée d’une couche de carbure de silicium SiC, de préférence de 10 à 100 nm d’épaisseur, ou bien une couche d’un second matériau de faible permittivité diélectrique mais supérieure à celle du matériau de la couche Lk telle qu’une couche d’un matériau dit DLK pour Dense Low-K en terminologie anglaise comme une couche de SiOCH non poreux ou moins poreux que la couche Lk, de préférence de 10 à 500 nm d’épaisseur. Cette couche intercalaire crée des pièges électriques supplémentaires en son sein et augmente donc la capacité de piégeage de la couche Trap. Augmenter l’épaisseur de la couche Trap au moyen de la couche intercalaire a aussi pour effet de réduire sa capacité et en conséquence pour avantage d’améliorer la linéarité d’un signal électrique se propageant dans une couche active formée en surface du support Sprt. En outre la couche de SiC renforce la solidité mécanique de la couche LK et son adhérence au support de base BSprt. Une couche de SiC possède des avantages supplémentaires, dus pour partie à une forte caractéristique de tension mécanique, avec la création de pièges supplémentaires dans la couche Lk par diffusion d’atomes de carbone au sein de celle-ci et sa relaxation, ainsi que la génération d’une fine couche de compression à l’interface avec le support de base, qui diminue la mobilité des porteurs de charge électrique et donc augmente avantageusement la résistivité électrique.
Alternativement, comme illustré en (b) de la , la couche Trap de piégeage peut être constituée uniquement d’une couche Lk d’un matériau à faible permittivité diélectrique, tel que du SiOC, du SiOCH ou du SiOCH poreux. Le SiOC et le SiOCH peuvent être non poreux ou très faiblement poreux (moins de 5% de porosité).
La couche diélectrique Diel peut être constituée d’un oxyde de silicium et préférentiellement contient de l’azote, favorable pour former une couche barrière empêchant la diffusion des espèces, en particulier l’hydrogène, le bore et le lithium le cas échéant.
La couche superficielle Crist peut être de toute nature qui convient aux applications pratiques considérées. Elle est très préférentiellement formée d’un matériau monocristallin. Lorsque le support Sprt est destiné à recevoir des composants intégrés à semi-conducteur, la couche superficielle Crist peut être ainsi composée de silicium monocristallin, ou de tout autre matériau semi-conducteur. Lorsque le support Sprt est destiné à recevoir des filtres à onde acoustique de surface, la couche superficielle Crist peut être composée d’un matériau ferroélectrique, tel que du LiTaO3, LiNbO3, LiAlO3, BaTiO3, PbZrTiO3, KNbO3, BaZrO3, CaTiO3, PbTiO3 ou de KTaO3. Cette couche peut prendre la forme d'une plaquette circulaire, de dimension normalisée, par exemple de 150 mm ou 200 mm de diamètre. Mais l'invention n'est nullement limitée à ces dimensions ou à cette forme. La couche peut avoir été prélevée d’un lingot de matériaux ferroélectrique, ce prélèvement ayant été réalisé de manière à ce que l'orientation cristalline est prédéterminée. L’orientation est choisie en fonction de l’application visée. Ainsi, il est usuel de choisir une orientation 42°RY dans le cas où l’on souhaite exploiter les propriétés de la couche mince pour former un filtre SAW. Mais l’invention n’est nullement limitée à une orientation cristalline particulière. La couche superficielle Crist peut également comprendre des composants intégrés finis ou semi-finis, formés sur le substrat donneur et reportés sur le support Sprt au cours de l’étape de fabrication du substrat composite S. D’une manière générale, la couche superficielle peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 10 µm.
On présente maintenant, à titre d’illustration seulement, à l’aide de la un procédé de fabrication d'un substrat composite S conforme à celui représentée sur la , la couchez superficielle Crist étant constitué d’un matériau ferroélectrique.
La (b-1) charge peut comprendre un seul type de charge ou deux types ou plus de charges en combinaison.
Le terme « charge » doit être entendu comme désignant des particules minérales ou naturelles de toute forme, qui sont insolubles dans le milieu de la composition, quelle que soit la température à laquelle la composition est fabriquée.
La ou les (b-1) charge(s) de la présente invention peuvent conférer à la composition une ténacité mécanique, pour conduire à un dépôt plus prononcé de la composition, en particulier, une résistance à une température plus élevée. Ainsi, la (b-1) charge peut conférer une telle résistance à la composition.
La ou les charges peuvent être de toute forme, plaquettaire, sphérique ou oblongue, quelle que soit la forme cristallographique (par exemple lamellaire, cubique, hexagonale, orthorhombique, etc.).
La charge peut être une poudre inorganique ou organique, qui peut ou non être enrobée en surface.
La taille moyenne de particule de la charge n’est pas limitée, mais en général est de 100 μm ou moins, préférentiellement de 50 μm ou moins, et plus préférentiellement de 10 μm ou moins. La taille moyenne de particule de la charge est de 0,01 μm ou plus, préférentiellement de 0,05 μm ou plus, et plus préférentiellement de 0,1 μm ou plus. L'expression « taille moyenne de particule » utilisée ici représente un diamètre moyen en taille moyenne en nombre qui est donné par la distribution de taille de particule statistique à la moitié de la population, désigné par D50. Par exemple, le diamètre moyen en taille moyenne en nombre peut être mesuré par un analyseur de distribution de taille de particule par diffraction laser, tel que Mastersizer 2000 de Malvern Corp.
Il convient de noter que la (b-1) charge de la présente invention est différente d’un « pigment ». Les pigments sont généralement caractérisés par leur taille moyenne de particule de 200 μm ou plus.
En tant que charge inorganique, on peut citer talc, mica, silice, silicate de magnésium-aluminium, siloxysilicate de triméthyle ou silylate de silice, kaolin, bentone, carbonate de calcium, hydrogénocarbonate de magnésium, hydroxyapatite, nitrure de bore, fluorphlogopite, séricite, talc calciné, mica calciné, séricite calcinée, mica synthétique, perlite, savon métallique, oxychlorure de bismuth, sulfate de baryum, carbonate de magnésium, hydrocarbonate de magnésium, hydroxyapatite, microsphères creuses de silice (Silica Beads® de Maprecos), microcapsules de verre ou de céramique, et leurs mélanges, facultativement soumis à un traitement hydrophile ou hydrophobe. Le savon métallique peut être un savon métallique dérivé d’acides carboxyliques organiques contenant de 8 à 22 atomes de carbone, préférentiellement de 12 à 18 atomes de carbone, par exemple, du stéarate de zinc, du stéarate de magnésium, du stéarate de lithium, du laurate de zinc ou du myristate de magnésium.
En tant que charge organique, on peut citer poudres de polymère acrylique, poudres de silicone, poudres de cire, poudres de polyamide, poudres de polymère uréthane, poudres de polymère tétrafluoroéthylène, poudres de polyacrylonitrile, poudres de poly-β-alanine, poudres de polyéthylène, poudres de polytétrafluoroéthylène, lauroyl lysine, amidon, poudre de cellulose, poudres de polymère tétrafluoroéthylène et leurs mélanges.
En tant que poudres de polymère acrylique, on peut citer poudres de polyméthacrylate de méthyle, poudres de polyméthacrylate de méthyle/diméthacrylate d'éthylène glycol, poudres de méthacrylate de polyallyle/diméthacrylate d'éthylène glycol, poudres de méthacrylate de lauryle/diméthacrylate d'éthylène glycol, poudres d'acrylate/acrylate d'éthylhexyle, et particules creuses expansées de (co-)polymère d'acrylonitrile, tel que copolymère d'acrylonitrile/méthacrylate/chlorure de vinylidène.