Appareil pour la production de silicium à partir de quartz, l’appareil comprenant : une enceinte (2) étanche définissant un espace clos, l’enceinte (2) étant raccordée à au moins une pompe d’aspiration pour générer une différence de pression entre l’intérieur et l’extérieur de l’espace clos, la pression à l’intérieur de l’espace clos étant inférieure à la pression à l’extérieur de l’espace clos lorsque la pompe d’aspiration est activée, un four à arc électrique (1) logé à l’intérieur de l’enceinte (2) étanche, le four à arc (1) incluant : une cuve (11) pour contenir un mélange de matières premières pour la production du silicium, un ensemble d’électrodes (12) configurées pour former un arc électrique de chauffage du mélange, caractérisé en ce que l’appareil comprend en outre un couvercle (3) mobile logé dans l’enceinte (2), le couvercle (3) étant adapté pour coiffer une ouverture supérieure (113) de la cuve (11). Appareil selon la revendication 1, dans lequel le couvercle (3) comprend un plateau de couverture (31), et au moins un arbre de soutien (32) fixé au plateau de couverture (31), le couvercle (3) mobile pouvant être déplacé entre : une position fermée dans laquelle le plateau de couverture (31) recouvre totalement l’ouverture supérieure (113) de la cuve (11), et une position ouverte dans laquelle l’ouverture supérieure (113) de la cuve (11) est au moins partiellement découverte. Appareil selon la revendication 2, dans lequel le plateau de couverture (31) comprend au moins une lumière traversante (231) et au moins un composant d’obturation (232) associé, chaque composant d’obturation étant mobile entre : une position dégagée dans laquelle la lumière traversante (231) est débouchée pour permettre la circulation d’un gaz entre : une première région (R1) définie entre la cuve (11) et le plateau de couverture (31), et une deuxième région (R2) extérieure à la première région (R1), une position obturée dans laquelle la lumière traversante est bouchée pour limiter la circulation du gaz entre les première et deuxième régions (R1, R2). Appareil selon la revendication 3, dans lequel : chaque lumière traversante (231) est composée d’un évent tronconique ménagé dans le plateau de couverture (31), chaque élément d’obturation associé est composé : d’un bouchon de forme complémentaire à l’évent tronconique et d’une tige de suspension fixée au bouchon pour permettre son déplacement en translation entre les positions dégagée et obturée. Appareil selon la revendication 2, dans lequel le plateau de couverture (31) comporte : une plaque (311) incluant des perforations cylindriques (313), un palet rotatif (312) configuré pour reposer sur la plaque (311) de manière à pouvoir tourner autour d’un axe (A-A’), le palet rotatif (312) incluant des perforations traversantes (314) pouvant être amenées, par rotation autour de l’axe (A-A’), à se superposer avec les perforations traversantes (313) de la plaque (311). Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, lequel comprend en outre une unité de contrôle configuré pour piloter : la pompe d’aspiration de l’enceinte (2), une source d’alimentation en gaz neutre de l’enceinte (2), une source d’alimentation en énergie électrique des électrodes (12), un moteur de déplacement du couvercle (3). Appareil selon la revendication 6, dans lequel l’unité de contrôle est configurée pour : lors d’une phase de prétraitement : diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur inférieure à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage résistif du mélange de matières premières, séparer le couvercle (3) des bords de l’ouverture supérieure (113), lors d’une phase de carboréduction : exécuter une étape d’initiation composée des sous-étapes consistant à : augmenter la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, mettre le couvercle (3) en contact avec les bords de l’ouverture supérieure (113), puis lorsque la température du mélange est supérieure à 2000°C, exécuter une étape de traitement consistant à : maintenir la pression à l’intérieur de l’espace clos à la valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, maintenir le chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, entrouvrir le couvercle (3), lors d’une phase de posttraitement : diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur inférieure à la pression atmosphérique, séparer le couvercle (3) des bords de l’ouverture supérieure (113). Appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’enceinte (2) étanche comprend : un plancher (21), un plafond (22) ‘s’étendant parallèlement au plancher (21), et au moins une cloison latérale (23) s’étendant entre le plancher (21) et le plafond (22). Appareil selon l’une quelconque des revendications 2 à 8, dans lequel le couvercle (3) comprend des éléments d’interface (33) constitués dans un matériau électriquement isolant : au moins un élément d’interface étant positionné entre le plateau de couverture (31) et une électrode de l’ensemble d’électrodes (12), au moins un élément d’interface étant positionné entre le plateau de couverture (31) et la cuve (11). Procédé pour la production de silicium à partir de quartz à partir d’un appareil selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le procédé comprend les phases suivantes : une phase de prétraitement incluant les étapes consistant à : diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur inférieure à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage résistif du mélange de matières premières, séparer le couvercle des bords de l’ouverture supérieure, une phase de carboréduction incluant : une étape d’initiation composée des sous-étapes consistant à : augmenter la pression à l’intérieur de l’espace clos à une valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, mettre en œuvre un chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, mettre le couvercle en contact avec les bords de l’ouverture supérieure, puis lorsque la température du mélange est supérieure à 1500°C, une étape de traitement composée des sous-étapes consistant à : maintenir la pression à l’intérieur de l’espace clos à la valeur sensiblement égale à la pression atmosphérique, maintenir le chauffage par arc électrique du mélange de matières premières, entrouvrir le couvercle, une phase de posttraitement incluant les étapes consistant à : diminuer la pression à l’intérieur de l’espace clos, séparer le couvercle des bords de l’ouverture supérieure.