INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La résistance (81) a une valeur qui est proche des impédances caractéristiques nominales de T1 et de T2, par exemple une valeur de 47 ohms. La résistance (81) est connectée en parallèle avec le condensateur (82). La montre un schéma électrique équivalent de l’antenne passive de ce deuxième mode de réalisation. Dans la , nous voyons : une ligne de transmission idéale (41) correspondant à T1 ; une ligne de transmission idéale (42) correspondant à T2 ; l’accès de l’antenne passive (43) ; une source de tension (44) qui représente une tension induite dans ledit cadre monospire lorsque l’antenne passive est utilisée pour la réception ; une impédance (45) du dit cadre monospire ; ladite résistance (81), cette résistance ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne de la résistance étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2 ; et ledit condensateur (82), ce condensateur ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du condensateur étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne du condensateur étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2. Ainsi, le dispositif linéaire à accès unique a une résistance en courant continu, la résistance en courant continu étant supérieure à 10 ohms, la résistance en courant continu étant inférieure à 500 ohms.
Au titre d’un troisième mode de réalisation d’un dispositif selon l’invention, donné à titre d’exemple non limitatif, nous avons représenté sur les figures 10, 11 et 12 des dessins d’une antenne passive selon l’invention, l’antenne passive comportant : un premier élément (1), le premier élément comportant une ligne de transmission nommée T1, T1 ayant un conducteur externe (11) et un conducteur interne (12), T1 ayant une première extrémité (101) et une seconde extrémité (102), le conducteur externe de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur externe de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une première extrémité à la première extrémité de T1, le conducteur interne de T1 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T1, le premier élément étant une partie d’un cadre blindé ; un deuxième élément (2), le deuxième élément comportant une ligne de transmission nommée T2, T2 ayant un conducteur externe (21) et un conducteur interne (22), T2 ayant une première extrémité (201) et une seconde extrémité (202), le conducteur externe de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur externe de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une première extrémité à la première extrémité de T2, le conducteur interne de T2 ayant une seconde extrémité à la seconde extrémité de T2, le deuxième élément étant une partie du cadre blindé, la première extrémité du conducteur interne de T2 étant directement couplée à la première extrémité du conducteur interne de T1 ; une base (3), la base procurant un contact électrique entre la seconde extrémité du conducteur externe de T2 et la seconde extrémité du conducteur externe de T1, la base étant une partie du cadre blindé ; un dispositif linéaire à accès unique (8) ayant une première borne et une seconde borne, la première borne du dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T2, la seconde borne du dispositif linéaire à accès unique étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T2 ; et un accès de l’antenne passive, l’accès de l’antenne passive ayant une première borne et une seconde borne, la première borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur interne de T1, la seconde borne de l’accès de l’antenne passive étant couplée à la seconde extrémité du conducteur externe de T1.
Dans les figures 10, 11 et 12, les arêtes cachées et les contours cachés ne sont pas représentés, sauf les contours cachés du conducteur interne de T1 et du conducteur interne de T2 dans la .
On désigne ici par l’expression « champ d’illumination » 200 ; 400 la répartition spatiale de l’intensité de la lumière (i.e. des faisceaux séparés décrits ultérieurement) émise par la source de lumière et acheminée jusqu’à l’échantillon 3. L’intensité du champ d’illumination 200 ; 400 produit par la source de lumière présente une variation temporelle et spatiale.
Une telle variation temporelle et spatiale de l’intensité du champ d’illumination 200 est par exemple représentée en dans le contexte du premier mode de réalisation du dispositif selon l’invention. Comme le montre la , à chaque instant t donné, l’intensité du champ d’illumination 200 produit par la source lumineuse du dispositif 100 selon l’invention présente des valeurs différentes à différents endroits de l’espace correspondant ici à différentes distances à l’origine O du repère orthogonal OXYZ ( ) le long de l’axe X. En particulier, ici, l’intensité du champ d’illumination 200présente un ou des maxima (représentés par les zones blanches) et un ou des minima (représentés par les zones noires) le long de cet axe X.
La variation spatiale de l’intensité du champ d’illumination est différente à chaque instant t, ce qui conduit à la variation temporelle de cette intensité.
La variation temporelle de l’intensité du champ d’illumination 200 est illustrée sur la par un déplacement du ou des maxima et de ou des minima au cours du temps. L’intensité du champ d’illumination 200 est par exemple définie au niveau d’une surface supérieure 32 de l’échantillon 3 qui fait face à la source de lumière. L’intensité du champ d’illumination 200 peut aussi être définie au niveau de la plaque 111.
Comme mentionné précédemment, quel que soit le mode de réalisation du dispositif considéré, la source de lumière est plus particulièrement agencée pour que l’intensité du champ d’illumination 200 ; 400 présente, dans chaque région 31 de l’échantillon 3, un motif temporel prédéterminé différent des motifs temporels de l’intensité dans les autres régions 31 de l’échantillon 3. En d’autres termes, chaque région 31 est associée de façon bijective à un motif temporel du champ d’illumination 200. 400. La variation temporelle du champ d’illumination 200 ; 400 attribue un code temporel spécifique à chaque zone de la plaque 111 ; 311 formant le support 110 ; 310 et donc à chaque région 31 de l’échantillon 3.
Pour cela, la source de lumière est ici agencée précisément par rapport au support 110 ; 310 de l’échantillon 3, par exemple par rapport aux zones de la plaque 111 ; 311 ou par rapport au référentiel OXYZ. Une fois l’échantillon 3 placé sur le support 110 ; 310, la source de lumière est alors agencée par rapport à l’échantillon 3 lui-même par la correspondance entre le support 110 ; 310 et l’échantillon 3.
Chaque motif temporel est une variation de l’intensité selon un schéma, ou une structure, prédéterminé. Chaque motif temporel est ainsi caractérisé par sa variation temporelle. Ainsi, pour chaque région 31 de l’échantillon, l’intensité du champ d’illumination 200 ; 400 varie temporellement de façon spécifique et prédéterminée.
Chaque motif temporel comprend par exemple une variation périodique de l’intensité. A titre d’exemple, chaque motif peut être plus spécifiquement une variation temporelle sinusoïdale de l’intensité, comme cela est décrit en détail ultérieurement.
Pour produire cette variation temporelle et spatiale du champ d’illumination 200 ; 400, la source de lumière comprend plus particulièrement un émetteur de lumière 130 ; 330 adapté à produire de la lumière et un ensemble d’éléments optiques agencés pour générer la variation du champ d’illumination 200 ; 400 à partir de la lumière produite par l’émetteur de lumière 130 ; 330. Dans l’exemple des premier et deuxième modes de réalisation décrits ici, cet ensemble d’éléments optiques comprend notamment un dispositif optique de séparation de faisceaux lumineux 122 ; 322 adapté à diviser le faisceau émis par l’émetteur de lumière 130 ; 330 en deux faisceaux lumineux, un élément optique mobile et un élément optique convergent adapté à superposer les deux faisceaux séparés pour les faire interférer.
L’émetteur de lumière 130 ; 330 (figures 2, 3 et 7) est par exemple un laser, par exemple une diode laser. Le laser émet ici un faisceau lumineux initial 210 ; 410 dont la longueur d’onde centrale (i.e. d’amplitude la plus élevée) est par exemple comprise entre 405 nm et 800 nm. L’émetteur de lumière 130 : 330 peut être adapté à produire de la lumière de manière continue avec une intensité constante. Il peut également s’agir d’une source de lumière pulsée, produisant de la lumière à intervalles de temps réguliers.
Le détecteur 140 ; 340 (figures 1 et 7) du dispositif 100 ; 300 selon l’invention est adapté à convertir les photons émis par la particule 2 en réponse à son éclairement par le champ d’illumination 200 ; 400, en un signal. Le signal est ainsi représentatif de l’intensité du champ d’illumination 200 ; 400 reçue par la particule 2. Le signal est ici un signal électrique, numérique ou analogique. La variation temporelle du signal comprend une information sur le motif temporel du faisceau lumineux qui a éclairé la particule 2.
L’amplitude du signal produit par le détecteur 140 ; 340 est plus particulièrement représentative d’un nombre de photons émis par la particule 2 en réponse à son éclairement par le champ d’illumination 200 ; 400 par unité de temps. Par exemple, lorsque la particule 2 présente une réponse linéaire à la lumière quelle reçoit, l’amplitude du signal est alors proportionnelle à l’intensité du champ d’illumination 200 ; 400 reçue par la particule 2.
Le détecteur 140 ; 340 présente ici une fréquence d’échantillonnage supérieure à 1MHz. Le détecteur est par exemple sélectionné dans le groupe comprenant : les mono-détecteurs, les matrices de mono-détecteurs, les détecteurs comprenant des diodes à avalanche à photon unique, les détecteurs événementiels dont les pixels génèrent des signaux en réponse à un changement d’intensité lumineuse reçue, les détecteurs neuromorphiques. Un mono-détecteur est défini comme un détecteur comprenant un seul élément photosensible, il ne présente donc pas de résolution spatiale intrinsèque.
Le dispositif 100 ; 300 peut comprendre également un ensemble d’éléments optiques de mise en forme et d’orientation du ou des faisceaux lumineux.
Comme le montre plus particulièrement la , les éléments optiques de mise en forme comprennent par exemple un ou plusieurs diaphragmes 331, ainsi qu’une ou plusieurs lentilles optiques 332 et un élargisseur de faisceau 334. Chaque diaphragme 331 permet d’éliminer de la lumière parasite du faisceau lumineux. Les lentilles optiques 332 permettent de mettre en forme le faisceau : ajuster son diamètre, le focaliser en un endroit précis ou créer un faisceau parallèle. Les éléments optiques d’orientation du ou des faisceaux comprennent par exemple des miroirs 333.
Ces éléments optiques étant bien connus de l’Homme du métier, ils ne seront pas décrits en détails dans la suite de la description.
L’étape S5 comprend l’ionisation du matériel biologique par une décharge corona délivrée à la sortie du tube de transfert.
À la suite de la désolvatation des molécules de matériel biologique à l’étape S4 , les molécules de matériel biologique sont ionisées par une décharge corona délivrée par une aiguille de décharge corona à la sortie du tube de transfert. La tension à laquelle la décharge corona est délivrée a une incidence sur la proportion de molécules de matériel biologique désolvatées qui sont ionisées . La décharge corona délivrée peut être comprise dans l’absolu entre 2 et 8 kV, de préférence 5 kV.
Une décharge corona délivrée à cette tension permet de maximiser la proportion de molécules de matériel biologique qui est ionisé durant l’étape S5 .
À l’issue de l’étape S5 , les molécules de matériel biologique sont ionisées et prêtes à être transférées vers le spectromètre de masse afin d’être analysées. Le procédé selon le second aspect de l’invention permet d’améliorer l’ionisation des molécules de matériel biologique et par extension la quantité de signal analysable par le spectromètre de masse et donc la qualité de l’analyse.
Procédé de réduction de la concentration en bore d’une couche semi-conductrice L’invention concerne un procédé de réduction de la concentration en bore d’une couche semi-conductrice, ainsi qu’un procédé de fabrication d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant dans lequel ledit procédé de réduction de la concentration en bore peut être implémenté pour remédier à une contamination de ladite couche semi-conductrice par du bore.
Etat de la technique Les applications photoniques font appel à des substrats de type semi-conducteur sur isolant. De tels substrats comprennent, de leur face arrière vers leur face avant, un substrat support, une couche électriquement isolante et une couche semi-conductrice monocristalline, dite couche active.
Des dispositifs photoniques, tels que des lasers, des modulateurs, des guides d’onde ou des multiplexeurs, peuvent être avantageusement formés au moins en partie dans la couche active d’un substrat semi-conducteur sur isolant.
Cependant, ces applications sont très sensibles à la présence de bore dans la couche active. Par exemple, pour un guide d’onde, la présence de bore dans la couche active induit l’absorption de photons qui engendre une atténuation d’une onde électromagnétique circulant dans la couche active.
On cherche donc à diminuer la teneur en bore dans la couche active.
Dans certains cas, la concentration en bore dans la couche active peut provenir du matériau même de ladite couche.
En particulier, un substrat semi-conducteur sur isolant peut typiquement être formé par le procédé Smart Cut™, comprenant : la formation d’une zone de fragilisation dans un substrat donneur pour délimiter une couche semi-conductrice destinée à former la couche active, le collage du substrat donneur sur un substrat support par l’intermédiaire d’une couche électriquement isolante, et le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la couche semi-conductrice sur le substrat support et la couche électriquement isolante.
Une première solution consiste donc à diminuer la teneur en bore dans le substrat donneur dont provient la couche active. A cet effet, on peut choisir un substrat donneur dopé N, qui présente une teneur en bore inférieure aux substrats donneurs classiquement utilisés dans l’industrie microélectronique, qui sont généralement des substrats semi-conducteurs dopés P et qui présentent une teneur en bore de l’ordre de 10 15 at/cm 3 ou davantage.
Toutefois, même en minimisant la teneur en bore dans le substrat donneur, il existe une contamination extérieure, liée notamment à l’atmosphère à laquelle le substrat semi-conducteur sur isolant est soumis au cours de sa fabrication, ainsi qu’aux équipements utilisés dans les procédés de fabrication, qui est difficilement évitable.
Ainsi, par exemple, après le transfert de la couche semi-conductrice du substrat donneur sur le substrat support, on met généralement en œuvre un traitement thermique rapide (RTA, acronyme du terme anglo-saxon « Rapid Thermal Annealing ») destiné à lisser la surface de la couche semi-conductrice transférée. Pendant ce traitement thermique, le bord du substrat semi-conducteur sur isolant est entouré par un outil annulaire de protection (appelé « edge guard ring » en anglais) destiné à uniformiser la température au sein du substrat. Un tel outil est typiquement en silicium polycristallin, présentant une forte teneur en bore pour augmenter sa résistance mécanique. Sous l’effet de la température du traitement thermique et des gaz ambiants, le bore présent dans l’outil réagit et vient contaminer le bord du substrat entouré par l’outil.
Des essais ont été réalisés avec des outils de maintien présentant une teneur en bore inférieure, mais, malgré cette mesure, la teneur en bore dans la couche active du substrat semi-conducteur sur isolant reste supérieure à la teneur maximale souhaitée.
Un but de l’invention est de réduire encore la concentration en bore de la couche active d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, notamment pour des applications photoniques.
La montre la courbe caractéristique de la force en fonction de la course de l’actionneur selon l’invention avec une hauteur H de la surface interne 12 mesurant 3,51 mm, une largeur L de la troncature 13 mesurant 1,70mm et un angle α de 10°. Comme visible sur cette courbe, un pic maximum de force se forme proche de 0 mm de course et un pic minimum de force se forme proche de 2.3 mm de course.
La montre un exemple d’application utilisant un actionneur tel que précédemment décrit. Cette figure montre une vanne 200 d’un circuit d’air secondaire d’un véhicule notamment pour le préchauffage d’un catalyseur.
Cette vanne 200 comprend un corps 201, de préférence en aluminium, avec un entrée 202 de fluide et une sortie 203. Entre l’entrée 202 et la sortie 203 se trouve une cartouche 204 qui sert de siège à une soupape 205. La cartouche 204 est bridée sur le corps 201. La cartouche 204 est de préférence réalisée avec un matériau thermoplastique. La soupape 205 est actionnée par l’actionneur 1 par l’intermédiaire d’une tige 206 de soupape. Cette tige 206 de soupape coulisse dans la cartouche entre une position fermée et une position ouverte grâce à un palier de guidage 207. Un ressort 208 permet à la soupape 205 de rester en position normalement fermée.
La tige 206 de soupape est liée à la tige d’actionnement 7 de l’actionneur 1 ce qui permet de transmettre l’effort d’actionnement de l’actionneur 1 à la soupape 205 afin d’ouvrir la soupape.
procédé de déformation d’une puce DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte au domaine de la micro-électronique et plus particulièrement à la mise en forme de capteurs d’images. Notamment, la présente invention concerne un procédé de déformation d’une puce sur une face support d’une cale. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé qui permet une meilleure répartition de la colle à l’interface de la puce et de la cale, ainsi qu’une déformation plus homogène de ladite puce.
Le document [1] cité à la fin de la description propose un procédé permettant de courber un capteur d’image. Plus particulièrement, le procédé décrit dans le document [1] propose de positionner un capteur d’image plan, par une de ses faces dite face contact, sur une face concave d’une cale et d’imposer une déformation audit capteur d’image afin qu’il épouse de manière conforme la face concave. Notamment, et tel que décrit dans le document [1], la déformation implique la mise en œuvre d’un film reposant sur une face utile, opposée à la face contact, du capteur d’image et qui, par un jeu de différences de pression, exerce une force permettant de déformer le capteur d’image selon une forme imposée par la face concave.
Un but de la présente invention est donc de proposer un procédé de déformation d’une puce reposant sur une face concave d’une cale permettant une répartition plus homogène de la colle, à l’interface entre la puce et la cale.
Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé permettant une déformation plus homogène de la puce.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Les buts sont, au moins en partie, atteints par un procédé de déformation d’une puce reposant sur une face, dite face support, d’une cale, la face support étant concave, le procédé comprenant :
b) une étape de positionnement d’une membrane en recouvrement d’une face, dite face utile, de l’au moins une puce, opposée à la face contact, la membrane séparant de manière hermétique un premier espace d’un deuxième espace dans lequel se trouvent l’au moins une cale et l’au moins une puce ;
Sur les figures 1 à 2, certains éléments sont, bien entendu, vus par transparence.
En référence aux figures 1 à 3, à l’étape S00, le véhicule automobile 100 ralenti à l’arrivée à une destination d’un trajet à une vitesse de 10 kilomètres à l’heure.
A l’étape S10, le dispositif électronique 110 (qui peut avoir l’architecture d’un microprocesseur ou d’un microcontrôleur) reçoit une information selon laquelle la vitesse instantanée de circulation du véhicule est de 8 kilomètres par heure depuis un indicateur de vitesse du véhicule 100.
A l’étape S20, le dispositif électronique 110 reçoit, depuis le capteur de température extérieur 140, une information selon laquelle la température à l’extérieur 200 du véhicule 100 est de 30 degrés Celsius.
A l’étape S30, le dispositif électronique détermine que la vitesse instantanée est inférieure à 10 kilomètres par heure, et que la température extérieure est supérieure à 30 degrés Celsius, et en conséquence, automatiquement, un besoin de stationnement ombragé.
En cas d’absence de détection de besoin de stationnement ombragé, les autres étapes ci-dessus ne sont pas mises en œuvre.
A l’étape S40, le dispositif électronique 100, reçoit, de la part de l’interface vocale 160, l’information selon laquelle la fin de stationnement est prévue à 16 heures le 31 juillet 2023, à partir de paroles prononcées par le conducteur.
A l’étape S50, le dispositif électronique 100 détermine une heure de début 1 heure avant la fin de stationnement, c’est-à-dire égale à 15 heures le 31 juillet 2023.
A l’étape S60, le dispositif électronique 100 reçoit la localisation géographique du véhicule 100 depuis un module de localisation géographique satellitaire 120 (appelé usuellement « GPS ») du véhicule 100.
La localisation géographique peut comporter une latitude et une longitude.
A l’étape S70, le dispositif électronique 100 calcule, de manière connue, une position du soleil, à la localisation géographique, toutes les 10 minutes, entre 15 heures et 16 heures.
A l’étape S80, le dispositif électronique 100 calcule (de manière connue par l’homme de métier) une durée d’ombrage autour de la localisation, entre 15 heures et 16 heures, à partir de la pluralité de positions du soleil calculés à l’étape S70, et d’une carte d’une carte géographique en trois dimensions 111 mémorisée dans le dispositif électronique 100. Ainsi, la hauteur des bâtiments est prise en compte par exemple.
A l’étape S90, le dispositif électronique 100 commande l’affichage d’une image 300 par l’écran 150 situé à l’intérieur de l’habitacle du véhicule 100.
L’image 300 comprends une représentation 100’ du véhicule 100, une cartographie autour de la localisation du véhicule 100 comprenant les voies 320 et 340 ainsi que les bâtiments 320 et 310. L’image comprend également des représentations 311, 312, 313, 314, 315, 331, 332 et 333 de zones ombragées entre 15 heures et 16 heures autour de la localisation. Les représentations 312, 314 et 332 ont une première couleur pour indiquer que les zones correspondantes sont ombragées tout le temps entre 15 heures et 16 heures. Les représentations 311, 313, 315, 331 et 333 ont une deuxième couleur pour indiquer que les zones correspondantes sont ombragées pendant plus de 30 minutes et moins d’une heure entre 15 heures et 16 heures.
ETIQUETTE AUTOCOLLANTE MULTICOUCHES L’invention concerne une étiquette autocollante multicouches, utile notamment pour dupliquer des informations inscrites sur l'étiquette.
L’activation manuelle de ces deux types de dispositifs, par un utilisateur, est classiquement réalisée grâce à une gâchette ou un bouton d’appui.
Mais bien que ces techniques demeurent faciles d’utilisation, elles présentent cependant quelques inconvénients.
Pour commencer, toute modulation de pincement du conduit flexible peut entrainer une dégradation dans le temps des propriétés mécaniques, notamment l’étanchéité, du conduit flexible de l’appareil de nettoyage.