Diode bipolaire ou PIN) à hétérojonction verticale à base d’hétérostructures entre les alliages ternaires (Mg)NiO et (Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3) caractérisée en ce que le (Mg)NiO étant de type p, le (Al)Ga 2 O 3 étant de type n et la couche intrinsèque soit en MgO ou Al2O3, et que les bandes interdites de Ga2O3 et de NiO ont été augmentées par des alliages avec Al et/ou Mg afin de concevoir de manière appropriée l'alignement desdites bandes interdites et d'optimiser l'injection de porteurs pour permettre le fonctionnement plus efficace de la diode, l’opération d’un photodétecteur à des longueurs d’onde plus courtes et l’opération de l’électronique de puissance à des tensions plus élevées. Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d’héterostructures (Mg)NiO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3 selon la revendication 1 dans laquelle n-AlGa2O3 étant dopé en impuretés peu profondes, en utilisant Si ou Sn et p-MgNiO étant dopé en impuretés peu profonde en utilisant Li de manière à concevoir la concentration de porteurs et le niveau de Fermi pour un alignement de bande interdite et une injection de porteurs plus efficace et améliorée. Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d’hétérostructures (Mg)NiO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-Al2O3/(Al)Ga2O3 selon la revendication 1 ou 2 dans laquelle, une croissance sur mesure et contrôlée des couches continues de MgO 2D avec i-dopage permet de gérer le champs électrique interne. Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d’hétérostructures (Mg)NiO/MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3selon la revendication 1 ou 2 ou 3, dans laquelle, la croissance de (Al)Ga2O3 de type n, (Mg)NiO de type p et MgO et Al2O3 intrinsèques est effectuée par épitaxie à savoir : épitaxie par jets moléculaires, (MBE) ou épitaxie de couche atomique, (ALD) ou épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) ou épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE) ou dépôt par pulvérisation cathodique (diode et rf) ou par dépôt par ablation laser(PLD) ou par déposition par faisceau d’électrons (ou ions). Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d’hétérostructures (Mg)NiO/(Al)Ga2O3 (ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3 selon l’une des revendications 1 à 4 dans laquelle la croissance adaptée et contrôlée de dopage de type n de(Al)Ga2O3, et de dopage de type p de (Mg)NiO est sur une plage de 10 14 à 10 20 /cm -3 afin d’optimiser la performance du composant et pouvant permettre la gestion du champ électrique interne. Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d’héterostructures (Mg)NiO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3 selon l’une des revendications 1à 5 dont des propriétés électriques pouvant être ajustées par un contrôle de dopage in situ, par un contrôle de la proportion d'oxygène et/ou par un dopage Sn, Si, Li et/ou par des post-traitements par irradiation et/ou thermique, de sorte à obtenir une concentration et un niveau de Fermi pour un alignement de bande interdite et une injection de porteurs plus efficace et améliorée. Diode bipolaire ou PIN à hétérojonction verticale à base d’hétérostructures (Mg)NiO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/i-MgO/(Al)Ga2O3 ou (Mg)NiO/Al2O3/(Al)Ga2O3 selon l’une des revendications 1 à 6 utilisée dans l’électronique de puissance ou dans la photodétection UVC.