INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De plus, la majorité des systèmes existants d’analyse de retour d’expérience des clients proposent seulement des analyses par rapport aux produits/services achetés en ligne, alors que l’e-commerce ne représente que 9.1% des parts de marché du commerce de détail en 2018 (selon la fédération e-commerce et vente à distance).
Par conséquent, le retour d’expérience des clients des commerces physiques reste aujourd’hui inexploitable malgré le besoin croissant des entreprises.
Ainsi, aucun système, procédé ou dispositif connu de l’art antérieur n’est donc réellement exhaustif et satisfaisant.
Aujourd’hui, les entreprises ou les organismes gouvernementaux ont un réel besoin d’un système d’analyse de retour d’expérience des visiteurs / clients, appelé aussi mesure de satisfaction client, exhaustif et autonome, c’est-à-dire sans demande d’action de la part des visiteurs / client, tel qu’appui sur bouton ou utilisation d’un outil digital.
Dans ce but, la présente invention concerne un système, un procédé et un dispositif de détection automatique de retour d’expérience des visiteurs / client des ERP. Ladite invention permet non seulement d’analyser le retour d’expérience des clients après un achat en espace d’accueil, ou procuration de service, mais aussi après une simple visite.
À cet effet, plus précisément, l’invention a tout d’abord pour objet un système, un procédé et un dispositif de détection automatique de retour d’expérience des clients des commerces physiques en temps réel sans la coopération des clients.
Ces objets sont atteints à travers l’intelligence artificielle et les algorithmes d’apprentissage profond de la détection d’émotion à partir des vidéos.
Un mode de réalisation de la présente invention est un système de détection automatique de retour d’expérience des visiteurs / clients des commerces physiques en temps réel comprenant : Un module d’acquisition vidéo pour capturer le flux des vidéos issues des caméras installées au-dessus de la/les porte(s) de sortie ou les caméras fixées sur les portiques antivol ; Un module de traitement de vidéos en temps réel équipé de calculateur de type GPU (Graphics Processing Unit) et/ou CPU (Central Processing Unit) Et un module pour stocker les données relatives aux émotions détectées dans la base de données d’une manière durable et organisée.
Un mode de réalisation de la présente invention est un procédé de détection automatique de retour d’expérience des clients des commerces physiques en temps réel comprenant : Des méthodes d'acquisition vidéo pour capturer le flux des vidéos issues des caméras installées au-dessus de la/les porte(s) de sortie ou les caméras fixées sur les portiques antivol ; Des méthodes de détection de visages pour lesquels nous souhaitons analyser l’émotion ; Des méthodes de détection d’émotion qui permettent de classer l’émotion des visiteurs qui quittent le commerce physique ; Et des méthodes de stockage des données relatives aux émotions détectées dans la base de données d’une manière durable et organisée.
Un mode de réalisation de la présente invention est un équipement pour la détection automatique de retour d’expérience des visiteurs / clients fabriqué en plastique ou en panneau de fibres de bois comme indiqué dans les deux conceptions présentées dans les figures 1 et 2.
Brève description des figures/dessins L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple, et se référant aux dessins annexés donnés à titre d’exemples non limitatifs, dans lesquels des références identiques sont données à des objets semblables et sur lesquels :
Ces résultats prouvent que la composition selon l'invention a un effet dans le traitement du psoriasis.
Exemple 6 : Évaluation de l'effet de la composition selon l'invention sur l’eczéma dans un modèle in vivo réalisé chez des patients humains.
Les résultats d'une étude in vivo réalisée sur 10 patients humains atteints d’eczéma, mettent en évidence l’effet de la composition selon l'invention.
Après 3 mois d'application : Les rougeurs de la peau ont diminué ; L’étendue des plaques d’eczéma a diminué La zone de la peau a dégonflé.
Ces résultats sont confirmés en pour un patient.
Ces résultats prouvent que la composition selon l'invention a un effet dans le traitement du eczéma.
Appareil de fourniture de gaz, tel du NO, à un patient avec comptage du temps total de traitement effectif La présente invention concerne un appareil ou dispositif de fourniture de gaz thérapeutique, en particulier de monoxyde d’azote (NO) ou de protoxyde d’azote (N 2 O), et par ailleurs une installation d’administration de gaz à un patient comprenant un tel appareil de fourniture de gaz thérapeutique. L’appareil inclue des moyens permettant de comptabiliser et consigner le temps de traitement effectif des patients et ce, depuis la première utilisation de l’appareil, en excluant les périodes de pause ou de non utilisation de l’appareil, par exemple entre deux patients consécutifs.
Le monoxyde d’azote inhalé ou NOi est un médicament gazeux couramment utilisé pour traiter des patients souffrant d’hypertension artérielle pulmonaire aiguë, en particulier les vasoconstrictions pulmonaires chez l’adulte ou l’enfant, y compris les nouveau-nés ou PPHN (en anglais pour persistent pulmonary hypertension of the newborn = hypertension pulmonaire persistante du nouveau-né), comme décrit par exemple par EP-A-560928 ou EP-A-1516639.
Une installation de mise en œuvre d’un traitement par NOi, couramment appelée installation d’administration de NO, comprend classiquement une ou des bouteilles de mélange NO/N 2 alimentant un dispositif d’administration et/ou de monitoring du traitement par NO, un ventilateur médical pour délivrer un gaz respiratoire, tel un mélange O 2 /N 2 ou de l’air, auquel est ajouté le NO (i.e. NO/N 2 ) et un kit patient comprenant notamment une interface respiratoire, telle une sonde trachéale, et un ou plusieurs conduits flexibles.
Une telle installation d’administration de NO est utilisée en milieu hospitalier pour administrer le traitement par NOi et ainsi soigner les patients de l’hôpital ayant besoin d’inhaler du NO pour traiter leur hypertension artérielle pulmonaire.
Or, la posologie du traitement des patients varie d’un patient à l’autre, à savoir le dosage prescrit par le médecin, le mode en ventilation et du volume minute réglés sur ventilateur médical et de la durée de l’administration (sachant qu’elle peut être continue ou discontinue quand une reprise de l’administration de NO est nécessaire après une pause ou une tentative avortée de sevrage.
Dès lors, au sein des hôpitaux, il est très difficile de tracer l’utilisation faite de ce médicament par les équipes de soins et de suivre les données classiques de consommation.
Une problématique similaire peut exister par ailleurs pour d’autres gaz thérapeutiques, en particulier les mélanges équimolaires d’oxygène et protoxyde d’azote (MEOPA), i.e. les mélanges O 2 /N 2 O.
Or, connaître la durée de traitement donc d’utilisation réelle des appareils est nécessaire pour différentes raisons, comme des raisons médicales liées au traitement devant être suivi par le patient, des raisons de maintenance de l’appareil, des raisons comptables, notamment de facturation, des raisons de bonne gestion de l’usage des appareils dans une structure hospitalière, des raisons liées au suivi de la consommation de gaz, ou d’autres raisons.
Dans la description qui suit, les éléments correspondants ou identiques de chaque mode de réalisation de l’invention seront repérés par les mêmes signes de référence, et ne seront pas décrits en détails à chaque fois.
Deux modes de réalisation d’un dispositif 100 ; 300 de localisation d’une particule 2 individualisée dans un échantillon 3 présentant plusieurs régions 31 selon l’invention sont respectivement représentés sur les figures 1 à 6 et 7.
Le dispositif 100 ; 300 est un dispositif d’imagerie permettant de localiser la particule 2.
Selon l’invention, le dispositif 100 ; 300 de localisation de la particule 2 comprend : - un support 110 ; 310 d’échantillon 3, - une source de lumière agencée pour produire un champ d’illumination 200 ; 400 adapté à éclairer l’échantillon 3 placé sur son support 110 ; 310, une intensité du champ d’illumination 200 ; 400 présentant une variation temporelle et spatiale, de sorte que ladite intensité présente, dans chaque région 31 de l’échantillon 3, un motif temporel prédéterminé différent des motifs temporels de ladite intensité dans les autres régions ; - un détecteur 140 ; 340 adapté à convertir des photons émis par la particule 2 en réponse à son éclairement par le champ d’illumination 200 ; 400 en un signal représentatif de l’intensité du champ d’illumination 200 ; 400 reçue par la particule 2 ; - un calculateur 150 ; 350 programmé pour déterminer, sur la base d’une évolution temporelle du signal issu du détecteur 140 ; 340 et de la variation temporelle et spatiale de l’intensité du champ d’illumination 200 ; 400, la région 31 de l’échantillon 3 dans laquelle est localisée la particule 2.
La particule 2 est par exemple une molécule, un groupe de molécules ou un groupe d’atomes identiques. La particule 2 est ici adaptée à émettre des photons lorsqu’elle reçoit de la lumière. La particule 2 présente par exemple une réponse linéaire à la lumière quelle reçoit, ce qui signifie que son émission de photons est proportionnelle à l’intensité de la lumière qu’elle reçoit. La particule 2 peut aussi présenter une réponse non-linéaire à la lumière quelle reçoit, notamment lorsqu’un niveau d’excitation de la particule 2 est proche des valeurs associées à une saturation de la particule 2. Cela est par exemple le cas lorsque la particule utilisée est un fluorophore et qu’un taux d’absorption de photons par la particule 2 est du même ordre de grandeur que l’inverse d’une durée de vie de fluorescence de la particule 2.
La particule 2 est par exemple sélectionnée dans le groupe comprenant : les particules diffusantes (telles qu’une particule d’or), les particules fluorescentes, aussi appelées fluorophores, les particules phosphorescentes, les boites quantiques, les protéines fluorescentes, les molécules de colorant. La particule 2 présente ici une taille inférieure à un micromètre. Le dispositif 100 est donc plus spécifiquement un dispositif de microscopie. De manière générale, la particule 2 présente de préférence une taille comprise entre 1 nm et 40 nm.
La particule 2 est classiquement située dans le volume de l’échantillon 3 ou en surface de l’échantillon 3. L’échantillon 3 est au moins partiellement transparent à la lumière, notamment aux longueurs d’ondes générées par le dispositif 100 et décrites ci-après, afin que la lumière parvienne jusqu’à la particule 2.
Comme le montrent les figures 1 et 7, l’échantillon 3 est ici mince dans le sens où son épaisseur et nettement inférieure à sa largeur et à sa longueur. A titre d’exemple l’échantillon 3 est une tranche ou une section d’un tissu biologique. L’échantillon 3 s’étend donc sensiblement autour d’un plan moyen. L’échantillon 3 présente par exemple une épaisseur selon l’axe Z de la comprise entre 10 micromètres (µm) et 100 µm et une longueur et/ou largeur dans le plan (OXY) de la supérieure à 1 centimètre (cm).
Les régions 31 de l’échantillon 3 sont des portions distinctes de l’échantillon 3, l’ensemble des portions formant l’échantillon 3. Les régions 31 peuvent être ponctuelles ou étendues. Elles peuvent être étendues selon une, deux ou trois dimensions. Chaque région 31 peut par exemple correspondre à une position particulière au sein de l’échantillon 3. Ainsi, le terme « région » inclut notamment la notion de position ponctuelle définie par des coordonnées spécifiques (x,y,z) dans le repère (O, X, Y, Z) de la . Le terme « région » peut également désigner par exemple un plan s’étendant selon les directions Y et Z et coupant l’axe X à une position particulière.
Le fait que la particule 2 soit individualisée signifie ici que la particule est spatialement séparée d’autres particules d’une distance supérieure à la limite de résolution du dispositif selon l’invention En pratique, ici, cela signifie que deux particules 2 voisines sont au moins distantes de 2 fois, et de préférence 5 fois, la limite de résolution donnée par la diffraction qui est d’environ 1 µm. Deux particules 2 voisines sont donc par exemple au moins distantes de 2 µm. Cela signifie par exemple que la région 31 contenant la particule 2 ne comprend aucune autre particule.
Le support 110 ; 310 du dispositif 100 ; 300 est adapté à recevoir l’échantillon 3. Ici, le support 110 ; 310 comprend plus spécifiquement une plaque 111 ; 311 s’étendant le long d’un plan d’extension.
En outre, le support 110 ; 310 est également adapté à déplacer l’échantillon 3 par rapport aux éléments optiques du dispositif 100 ; 300, notamment par rapport à un objectif 170 ; 370 amenant la lumière produite par la source de lumière vers le support 110 ; 310. A cet effet, le support 110 ; 310 comprend des actionneurs 112 ; 312, par exemple piézoélectriques, adaptés à déplacer la plaque 111 ; 311 dans son plan d’extension.
L’échantillon 3 est posé sur la plaque 111 ; 311 se sorte que le plan moyen de l’échantillon 3 s’étend parallèlement au plan d’extension de la plaque 111 ; 311.
Les régions 31 de l’échantillon 3 peuvent être définies de façon discrète, par exemple de manière à quadriller l’échantillon 3 en lignes et en colonnes perpendiculairement à son épaisseur. Chaque région 31 de l’échantillon 3 peut être associée à une zone correspondante de la plaque 111 ; 311 formant le support 110 ; 310, qui se trouve en regard de la région 31 lorsque l’échantillon 3 est disposé sur le support.
Les régions 31 de l’échantillon 3 peuvent aussi être définies de façon continue. Dans ce cas, elles sont par exemple repérées par des coordonnées, par exemple cartésiennes, dans un référentiel lié au support 110 ; 310. Le référentiel lié au support 110 ; 310 comprend par exemple un repère orthogonal référencé OXYZ sur les figures 1 et 7. Dans ce repère orthogonal OXYZ, l’épaisseur de l’échantillon 3 est définie comme la dimension de l’échantillon 3 long de l’axe Z, la longueur de l’échantillon 3 est définie comme la dimension de l’échantillon 3 long de l’axe X et la largeur de l’échantillon 3 est définie comme la dimension de l’échantillon 3 long de l’axe Y. L’origine O du repère orthogonal OXYZ est par exemple placée à l’un des coins de plaque 111 ; 311 lorsque celle-ci présente la forme d’un rectangle.
La source de de lumière du dispositif 100 ; 300 est partiellement représentée sur les figures 2, 3. Elle est aussi présentée de façon complète sur la dans le cadre du deuxième mode de réalisation du dispositif 300. Elle est agencée pour produire un champ d’illumination 200 ; 400 adapté à éclairer l’échantillon 3 placé sur le support 110 ; 310. La source de lumière est donc configurée pour éclairer la particule 2 qui, en retour, émet des photons.
L’oxydation thermique peut être mise en œuvre à une température comprise entre 800 et 1200 °C sous atmosphère oxydante.
Avantageusement, le procédé est mis en œuvre dans des conditions qui permettent déjà, de manière connue, une réduction significative de la teneur en bore du substrat semi-conducteur. Notamment, on peut utiliser comme substrat donneur un substrat dopé N, avec une teneur réduite en bore. On peut également utiliser un outil annulaire de protection à faible teneur en bore.
Selon un mode de réalisation, le procédé peut comprendre plusieurs cycles de traitement thermique, notamment deux cycles de traitement thermique. Ceci permet une meilleure diffusion du bore au niveau de l’interface entre la couche semi-conductrice 12 et la couche sacrificielle d’oxyde 120. On peut alors réaliser les cycles de traitement thermique directement les uns après les autres, en retirant la couche d’oxyde 120 après le dernier cycle de traitement thermique, ou retirer la couche d’oxyde 120 formée après chaque cycle de traitement thermique. Le fait de retirer la couche d’oxyde 120 après le dernier cycle de traitement thermique présente l’avantage de ne pas nécessiter de retrait du substrat du four entre les différents cycles de traitement thermique, facilitant ainsi l’industrialisation du procédé.
De façon à davantage améliorer la diffusion du bore à l’interface entre la couche semi-conductrice 12 et la couche sacrificielle d’oxyde 120, l’étape de traitement thermique peut être un recuit sous atmosphère inerte. Un tel recuit peut avoir lieu avantageusement, à une température adaptée pour uniformiser la concentration en bore dans la couche semi-conductrice 12 et/ou augmenter la diffusion des atomes de bore vers l’interface oxyde sacrificielle 120 / couche semi-conductrice 12. Un tel recuit peut avantageusement être mis en œuvre à une température comprise entre 800 et 1200 °C, et durer entre quelques secondes et plusieurs heures voire plusieurs dizaines d’heures.
De sorte à minimiser le temps et les ressources matérielles nécessaires à la mise en œuvre du procédé proposé, les cycles de traitement thermique et l’étape de traitement thermique peuvent être réalisés dans un même four. On ne nécessite ainsi qu’un unique four pour la mise en œuvre du procédé, et aucun retrait du substrat du four n’est nécessaire avant l’étape de retrait de la couche d’oxyde 120.
Suite à l’étape d’implantation du procédé Smart Cut TM , les inventeurs ont constaté que l’uniformité de profondeur d’implantation des espèces est dégradée. Cette non-uniformité de profondeur d’implantation se traduit par une non-uniformité d’épaisseur de la couche active, qui adopte un profil typiquement concave ou convexe, ce qui est préjudiciable à la qualité des composants formés ultérieurement dans cette couche active. Un tel profil concave est illustré sur la . Selon un mode de réalisation illustré sur la , l’oxydation thermique est mise en œuvre dans des conditions contrôlées, de sorte à former la couche d’oxyde avec une épaisseur supérieure au centre de la couche semi-conductrice 12 qu’à ses bords. Ainsi, cette étape d’oxydation consomme plus de matériau de la couche semi-conductrice 12 au centre qu’au bord du substrat, compensant ainsi, au moins en partie, la non-uniformité d’épaisseur due à l’étape d’implantation du procédé de fabrication du substrat de type semi-conducteur sur isolant.
Afin d’obtenir une telle couche d’oxyde 120 d’épaisseur supérieure au centre qu’à ses bords, l’oxydation thermique peut être réalisée en deux étapes. On augmente initialement la température sous atmosphère inerte, au-delà d’une température cible d’oxydation thermique, puis on diminue la température jusqu’à cette température cible. On introduit une atmosphère oxydante durant cette deuxième étape de descente. Ceci permet de refroidir le substrat à ses bords plus rapidement qu’en son centre, de sorte à obtenir une vitesse de croissance d’oxyde supérieure au centre du substrat qu’à ses bords. On forme ainsi une couche d’oxyde avec un profil d’épaisseur plus adapté pour améliorer l’uniformité de la couche semi-conductrice 12 après désoxydation, que si nous avions formé une couche d’oxyde avec une simple montée à la température cible d’oxydation. Dans ce dernier cas, le profil d’épaisseur de la couche d’oxyde formée sera semblable au profil initial de l’épaisseur de la couche semi-conductrice 12 transférée.
La couche semi-conductrice peut, avant la mise en œuvre du procédé proposé, présenter une concentration initiale en bore supérieure ou égale à 10 15 at/cm 3 . En effet, les substrats dopés P généralement utilisés dans la fabrication de substrats semi-conducteurs sur isolant présentent une teneur en bore de cet ordre. Suite à l’utilisation du procédé, la couche semi-conductrice est avantageusement réduite à une teneur en bore inférieure ou égale à 5.10 14 at/cm 3 .
Selon un mode de réalisation, le retrait de la couche d’oxyde 120 est mis en œuvre par une gravure chimique sélective, qui est particulièrement adaptée à la réalisation de substrats semi-conducteurs sur isolant. Il pourra notamment s’agir d’une gravure à l’acide fluorhydrique. Alternativement, il peut s’agir d’une gravure ionique réactive sèche, qui présente à la fois un bon degré d’anisotropie, permettant de graver le substrat principalement dans sa direction d’épaisseur, et de ne pas significativement endommager le substrat.
L’invention porte en outre sur un procédé de fabrication d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, comprenant :
- la formation d’une zone de fragilisation 11 par implantation d’espèces ioniques dans un substrat donneur 10 pour délimiter une couche semi-conductrice 12,
- l’assemblage du substrat donneur 10 avec un substrat support 20 par l’intermédiaire d’une couche électriquement isolante 21,
- le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation 11 pour transférer la couche semi-conductrice 12 sur le substrat support 20, de sorte à former le substrat de type semi-conducteur sur isolant 1.
- la mise en œuvre du procédé de réduction de la concentration en bore décrit ci-avant.
Une ou plusieurs étapes de traitement thermique rapide (RTA) peuvent être prévues avant la mise en œuvre du procédé de réduction de la concentration en bore, de sorte à lisser la surface de la couche semi-conductrice 12.
La présente des courbes de concentration en bore en fonction de la profondeur dans le substrat semi-conducteur sur isolant, respectivement à l’issue d’un procédé de fabrication standard comprenant un traitement thermique rapide de lissage (I), d’un procédé de fabrication basé sur un substrat donneur appauvri en bore et l’utilisation d’un outil annulaire de protection du substrat pendant un traitement thermique rapide de lissage conçu pour minimiser la contamination par le bore (II) et d’un procédé mis en œuvre dans les mêmes conditions que le procédé (II) suivi du procédé de réduction de la concentration en bore selon l’invention (III). On voit que le procédé de fabrication proposé réduit considérablement la teneur en bore de la couche supérieure du substrat semi-conducteur obtenu, la couche supérieure semi-conductrice correspondant aux profondeurs inférieures à 0,5 micromètre. Notamment, la réduction de la teneur en bore obtenue est particulièrement importante au-delà de 0,1 micromètre d’épaisseur environ (le pic situé entre 0 et 0,04 µm de profondeur est un artefact de mesure). On observe en revanche un pic de teneur en bore vers 0,5 µm de profondeur, qui correspond à la profondeur de la couche électriquement isolante.
Cet interface d’utilisateur permet par exemple de visualiser la hauteur ou position verticale du support 18 le long de l’axe C. Il permet également de visualiser l’état des équipements de l’outillage 10 comme par exemple l’état de capteurs. Cet « état » peut être représenté par un code couleur, par exemple rouge pour une réponse négative à une détection et vert pour une réponse positive à cette détection. Il peut également permettre de visualiser les déplacements possibles suivant les flèches F1 F2, F3 en fonction de la hauteur du support 18 et des états des équipements.
Pour faciliter les conditions de travail de l’opérateur, l’outillage 10 peut comprendre au moins une source de lumière.
Dans l’exemple représenté, un spot de lumière 42 est porté par la console 34 et relié à cette console 34 par un bras flexible 44 ( ). L’opérateur peut ainsi orienter le spot 42 pour qu’il éclaire une zone précise du plateau 20 et du module 12 porté par le plateau 20.
Un néon 46 est également porté par le bâti 16, par exemple par l’intermédiaire d’un bras articulé 48 relié à l’extrémité supérieure du bâti 16 (figures 17a-17c). L’opérateur peut ainsi déployer le bras 48 pour orienter le néon 46 comme il le souhaite et peut ranger le néon 46 au-dessus du bâti 16 à la fin d’une opération de maintenance.
La partie 32b de l’anneau 32 est configurée pour recevoir le plateau 20. L’anneau 32 s’étend autour de l’axe B et le plateau 20 est destiné à être monté coaxialement sur l’anneau 32 et donc centré également sur l’axe B.
Pour faciliter le montage et le centrage du plateau 20 sur le support 18, ce dernier peut comprendre au moins une pige ou un drageoir amovible 50 qui s’étend parallèlement à l’axe B (figures 6 et 7).