Transistor HEMT (11) comportant : - une première couche semiconductrice (13) ; - une grille (15) disposée sur une première face de la première couche semiconductrice (13) ; et - une première couche de passivation (17) en un premier matériau diélectrique s'étendant sur ladite première face de la première couche semiconductrice, les flancs de la grille (15) et au moins une partie périphérique d'une face de la grille opposée à la première couche semiconductrice, dans lequel une deuxième couche de passivation (25) en un deuxième matériau diélectrique s'étend entre ladite face de la grille et la première couche de passivation, les flancs de la grille (15) n’étant pas revêtus par ladite deuxième couche de passivation (25). Transistor selon la revendication 1, dans lequel la première couche semiconductrice (13) est à base de nitrure de gallium. Transistor selon la revendication 2, dans lequel la première couche semiconductrice (13) est en nitrure d'aluminium-gallium. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche de passivation (17) est en alumine. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième couche de passivation (25) est en nitrure. Transistor selon la revendication 5, dans lequel la deuxième couche de passivation (25) est en nitrure de silicium, en carbonitrure de silicium ou en nitrure d'aluminium. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième couche de passivation (25) est en oxyde, par exemple en alumine (Al 2 O 3 ) ou en dioxyde de silicium (SiO 2 ). Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comportant une deuxième couche semiconductrice (23) en contact avec une deuxième face de la première couche semiconductrice (13), opposée à la première face. Transistor selon la revendication 8, dans lequel la deuxième couche semiconductrice (23) est en nitrure de gallium. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comportant une métallisation de contact de source (29) et une métallisation de contact de drain (31), disposées respectivement de part et d’autre de la grille (15). Circuit de conversion ou d’adaptation de puissance comportant au moins un transistor selon l’une quelconque des revendications 1 à 10. Procédé de formation d'un transistor HEMT comportant les étapes suivantes : a) former une première couche semiconductrice (13) ; b) former une grille (15) disposée sur une première face de la première couche semiconductrice (13) ; et c) former une première couche de passivation (17) en un premier matériau diélectrique s'étendant sur ladite première face de la première couche semiconductrice, les flancs de la grille (15) et au moins une partie périphérique d'une face de la grille opposée à la première couche semiconductrice, et dans lequel une deuxième couche de passivation (25) en un deuxième matériau diélectrique est formée entre ladite face de la grille et la première couche de passivation, les flancs de la grille (15) n’étant pas revêtus par ladite deuxième couche de passivation (25). Procédé selon la revendication 12, comportant les étapes successives suivantes : - dépôt d'une couche en le matériau de la grille (15) sur la première face de la première couche semiconductrice (13); - dépôt d'une couche en le deuxième matériau diélectrique sur toute la surface de la couche en le matériau de la grille (15) ; - gravure localisée, à travers un même masque de gravure, de la couche en le matériau de la grille (15) et de la couche en le deuxième matériau diélectrique de façon à former respectivement la grille (15) et la deuxième couche de passivation (25).