INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
est une vue de dessus d’un mode de réalisation d’alimentation et de dispositif barrière,
est une vue de dessus d’un mode de réalisation alternatif d’alimentation et de dispositif barrière,
Cette programmation ou paramétrage du boîtier se fait habituellement au moment de la mise en service du boîtier de surveillance, c'est-à-dire lors de son installation dans l’hôpital ou analogue. Parfois, une (re)programmation peut aussi être nécessaire après mise en service, par exemple après quelques mois, typiquement en cas de modifications faisant suite à une opération de maintenance ou analogue.
Dans tous les cas, il est impératif que le paramétrage de chaque voie de surveillance du boîtier soit réalisé correctement, en particulier lors de la mise en service du boîtier, afin d’assurer une conformité de l’installation globale, notamment en termes de sécurité. Ainsi, les seuils d’alarme doivent être réglés pour correspondre à des valeurs spécifiques de sécurité et d’utilisation.
Par ailleurs, les informations affichées sur l’écran du boîtier doivent être clairement compréhensibles par les utilisateurs, typiquement le personnel soignant, afin d’éviter les erreurs d’interprétation.
Actuellement, la programmation ou paramétrage du boitier se fait, voie par voie et paramètre par paramètre, au moment de la mise en service du boitier par l’installateur du réseau de fluide, à l’aide d’un ordinateur, d’une télécommande, d’une tablette numérique à écran tactile ou d’un téléphone multifonction (i.e. smartphone).
Or, de telles opérations de programmation ou paramétrage sont chronophages et engendrent des risques d’erreur importants sur les chantiers d’installation de réseaux de fluides médicaux car les installateurs sont spécialisés en plomberie ou analogue mais ont peu de compétences en électronique, c'est-à-dire en programmation informatique. Ils ne sont pas forcément à l’aise avec les paramétrages à réaliser, voire même, pour certains, non-habilités à intervenir dans les opérations de paramétrage d’un boîtier d’alarme.
Un problème est dès lors de pouvoir faciliter la programmation ou paramétrage d’un boitier de surveillance de fluide utilisé dans un établissement hospitalier, notamment lors de la mise en route du boitier, par exemple à la fin d’un chantier d’installation d’un réseau de fluide, typiquement de gaz médicaux et/ou de vide médical, afin d’éviter tout ou partie des problèmes susmentionnés.
Une solution de l’invention concerne alors un boitier ou appareil de surveillance de fluide comprenant : plusieurs voies de surveillance comprenant chacune des moyens de raccordement électrique à un capteur de pression, des moyens de pilotage à (micro)processeur coopérant avec les voies de surveillance pour traiter des mesures de pression provenant des capteurs de pression, des moyens d’alarme commandés par les moyens de pilotage, des moyens de mémorisation configurés pour mémoriser plusieurs ensembles (Ei) de paramètres de configuration, où chaque ensemble (Ei) de paramètres de configuration comprend plusieurs paramètres de configuration choisis parmi un type de fluide, un type de capteur de pression, un seuil de pression basse et un seuil de pression haute, et des moyens de sélection configurés pour permettre à un opérateur de choisir au moins l’un desdits ensembles (Ei) de paramètres de configuration mémorisés et de l’associer spécifiquement à l’une des voies de surveillance.
L’invention concerne en outre une installation d’acheminement de fluide, en particulier dans un établissement hospitalier, comprenant un boîtier ou appareil de surveillance de fluide selon l'invention, et des lignes d’acheminement de fluide comprenant chacune un capteur de pression, et dans laquelle les voies de surveillance du boîtier de surveillance de fluide sont reliées électriquement aux capteurs de pression, via les moyens de raccordement électrique et des liaisons électriques.
Les capteurs de pression fournissent des mesures de la pression ou dépression (i.e. vide) mesurées dans les lignes d’acheminement de fluide, aux moyens de pilotage qui traitent ces mesures afin de déclencher une alarme en cas de détection d’un problème, en particulier une pression excessive ou insuffisante.
Les lignes d’acheminement de fluide peuvent comprendre une ligne d’oxygène, une ligne d’air, tel de l’air médical, une ligne de protoxyde d’azote (e.g. un mélange N 2 O/O 2 ou MEOPA), une ligne de dioxyde de carbone (CO 2 ) et/ou une ligne de vide, de préférence au moins une ligne d’oxygène, une ligne d’air, tel de l’air médical et une ligne de vide.
De plus, l’invention porte aussi sur un procédé de paramétrage du boitier ou appareil de surveillance de fluide selon l’invention d’une installation d’acheminement de fluide selon l’invention, en particulier dans un établissement hospitalier, dans lequel un opérateur : choisit ou sélectionne, via les moyens de sélection du boîtier, des ensembles (Ei) de paramètres de configuration mémorisés au sein du boitier, en particulier des ensembles (Ei) de paramètres de configuration mémorisés sous forme de groupes (G n ), et associe spécifiquement les ensembles (Ei) de paramètres de configuration sélectionnés, en particulier au moins un groupe (G n ) de plusieurs ensemble (Ei) de paramètres de configuration, à toutes ou partie des voies de surveillance du boîtier.
De façon alternative, l’invention porte sur un procédé de raccordement du boîtier de surveillance de fluide selon l’invention aux capteurs de pression d’une installation d’acheminement de fluide selon l’invention, en particulier dans un établissement hospitalier, dans lequel: on raccorde (i.e. un opérateur), au moyen de liaisons électriques, successivement plusieurs capteurs de pression aux moyens de raccordement électrique du boîtier de surveillance de fluide, lesdits moyens de raccordement électrique comprenant plusieurs emplacements de raccordement pour y raccorder les capteurs (tel un bornier à plusieurs emplacements), et les ensembles (Ei) de paramètres de configuration mémorisés au sein du boîtier sont automatiquement et spécifiquement associés aux voies de surveillance du boîtier reliées électriquement aux emplacements de raccordement auxquels des capteurs de pression ont été raccordés.
Autrement dit, les ensembles (Ei) de paramètres de configuration ou groupe (G n ) de plusieurs ensemble (Ei) de paramètres de configuration sont automatiquement sélectionnés par le boîtier au fur et à mesure du raccordement des capteurs de pression par l’opérateur car chaque voie, lorsqu’elle est raccordée, est dédiée à un ensembles (Ei) de paramètres de configuration donné prédéfini.
schématise un mode de réalisation d’une installation d’acheminement de fluide comprenant un boîtier de surveillance selon l’invention, et
Les composants électroniques de puissance dits verticaux comportent généralement un substrat semiconducteur comportant au moins une jonction PN planaire horizontale entourée latéralement par un sillon périphérique s’étendant verticalement dans le substrat. Afin de limiter les fuites de courant et/ou d’augmenter la tenue en tension, les composants électroniques de puissance verticaux doivent comporter une structure de passivation recouvrant les flancs et le fond du sillon et une partie d'une face du substrat semiconducteur, à la surface du sillon. La structure de passivation peut par exemple comporter une couche en polysilicium dopé en oxygène ou SIPOS (de l'anglais "Semi-Insulating Polycrystalline Silicon"). La structure de passivation peut, en outre, comporter une couche en verre formée sur la couche en SIPOS et plus précisément formée dans le sillon et sur ladite face du substrat semiconducteur, à la surface du sillon, de sorte qu'elle recouvre entièrement la couche en SIPOS.
Dans les composants électroniques de puissance, la profondeur du sillon engendre une complexité dans la gravure de la couche en SIPOS qui est réalisée avant la formation de la couche en verre. Plus particulièrement elle engendre une complexité dans la formation de la résine de masquage à travers de laquelle la couche en SIPOS est gravée, notamment sa structuration par photolithographie. En effet, le dépôt de la résine de masquage n'est pas uniforme et une quantité importante de résine doit être déposée afin que le sommet du sillon soit recouvert par la résine. Dans certains cas, l'épaisseur de résine sur la face supérieure du substrat est telle qu'une unique étape de photolithographie ne permet pas de l'insoler localement dans toute son épaisseur. Par exemple, dans le cas de composants électroniques de puissance à très haute tenue en tension (par exemple supérieure ou égale à 1200 V), la profondeur du sillon peut être supérieure à une centaine de micromètres et l'épaisseur de la résine de masquage peut atteindre plusieurs dizaines de micromètres. Ainsi, plusieurs cycles de dépôt puis insolation de la résine peuvent être nécessaires pour obtenir l’épaisseur souhaitée. Il en résulte une complexité accrue et une augmentation du coût de la fabrication des composants.
Les composant électronique de puissance décrits peuvent par exemple, être utilisés dans divers circuit de contrôle, de conversion ou d’adaptation de puissance, par exemple dans des équipements industriels, des dispositifs d’affichage ou d’éclairage, des équipements de télécommunications, des équipements électroménagers, des dispositifs automobiles, etc.
La , la , la , la et la représentent, par des vues en coupe, partielles et schématiques, des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un composant de puissance selon un premier mode de réalisation. Les figures 1A à 1E illustrent plus particulièrement un exemple d’un procédé de formation d’une structure périphérique de passivation d’un composant de puissance selon le premier mode de réalisation. On notera que sur les figures, la réalisation d’un unique composant est représentée. En pratique, une pluralité de composants peuvent être formés simultanément dans et sur un même substrat semiconducteur, le substrat étant ensuite découpé en puces individuelles comportant chacune un unique composant électronique de puissance.
La représente une structure de départ comportant un substrat 13 semiconducteur dans lequel est formé, du côté de sa face supérieure, un sillon périphérique 15 entourant latéralement une jonction PN planaire horizontale du composant. En seulement une partie de la structure de départ a été représentée. En pratique la structure s'étend au-delà du bord droit représenté en pointillés en , le sillon périphérique 15 entourant la structure.
Le composant a par exemple, en vue de dessus, une forme générale carrée ou rectangulaire, par exemple à coins arrondis, ou circulaire. Le substrat 13 est, par exemple, en silicium.
A titre d'exemple, le substrat 13 comprend une partie centrale 17, par exemple dopée d'un premier type de conductivité, par exemple dopée de type N. A titre d'exemple, le substrat 13 comprend, de plus, une partie supérieure 19, par exemple dopée d'un deuxième type de conductivité différent du premier type de conductivité, par exemple dopée de type P. A titre d'exemple, la partie supérieure 19 est en contact, par sa face inférieure avec la face supérieure de la partie centrale 17 du substrat 13.
La partie supérieure 19 du substrat 13 comprend par exemple un gradient de dopage croissant à partir de sa face inférieure. De plus, la partie supérieure 19 du substrat 13 comprend par exemple plusieurs éléments dopants différents.
A titre d'exemple, la partie supérieure 19 du substrat 13 comprend une première portion 191, en contact, par sa face inférieure avec la face supérieure de la partie 17 du substrat 13. La première portion 191 est par exemple dopée en atomes d'aluminium.
De plus, la partie supérieure 19 du substrat 13 comprend par exemple une deuxième portion 193, en contact, par sa face inférieure avec la face supérieure de la portion 191. La deuxième portion 193 est par exemple dopée en atomes de gallium.
A titre d'exemple, la partie supérieure 19 du substrat 13 comprend, en outre, une troisième portion 195, en contact, par sa face inférieure avec la face supérieure de la portion 193. La troisième portion 195 est par exemple dopée en atomes, de gallium.
A titre d'exemple, le sillon 15 formé sur la face supérieure de la structure de départ s'étend à partir de la face supérieure de la partie supérieure 19 du substrat 13 dans le substrat 13 et débouche dans la première partie 17 du substrat 13. Le sillon s'étend ainsi, par exemple, à travers les portions 195, 193 et 191. Ainsi, le sillon 15 traverse la jonction PN formée par le plan horizontal d’interface entre les parties supérieure 19 et centrale 17.
La profondeur du sillon 15 à partir de la face supérieure du substrat 13 est par exemple supérieure à 30 µm, par exemple supérieure 75 µm, par exemple supérieure à 105 µm, par exemple comprise entre 105 µm et 150 µm.
La structure de la comporte, de plus, une couche 21 en polysilicium dopé en oxygène ou SIPOS (de l'anglais "Semi-Insulating Polycrystalline Silicon"), s'étendant sur les parois des sillons 15 et sur et en contact avec la face supérieure du substrat 13, à la surface des sillons 15. A titre d'exemple, la couche en SIPOS 21 a un pourcentage en oxygène compris entre 10 % et 50 %, par exemple compris entre 20 % et 40 %.
L’inductance du circuit oscillant est déterminée par la somme des inductances des équipements constituant le circuit oscillant, celle du convertisseur, L1, et celle de l’inducteur, Lind.
Selon la construction de l’installation, lorsque le système comprend un transformateur amont et un transformateur aval, elles peuvent être exprimées par :
L’inductance de l’inducteur s’exprime également selon l’expression :
La résistivité électrique du produit varie en fonction de la température, comme illustré par exemple par la . Il est nécessaire de connaitre celle-ci selon la température pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention.
(H) : inductance du circuit oscillant,
(H) : inductance de l’inducteur,
(mm) : épaisseur du produit à chauffer,
(mm) : largeur du produit à chauffer,
(Hz) : fréquence d’oscillation du circuit oscillant,
(μH.m -1 ) : perméabilité magnétique absolue du vide (1,256 μH/m),
(μH.m -1 ): perméabilité magnétique du produit qui varie en fonction de la température,
ρ (μΩ.m -1 ) : résistivité électrique du produit qui varie en fonction de la température.
Pour une température donnée, on peut ainsi exprimer la perméabilité magnétique du produit par la résolution suivante :
L'épaisseur des couches 31 et 31' dans le fond des sillons 15 et 15' est par exemple comprise entre 20 µm et 70 µm, par exemple comprise entre 40 µm et 50 µm .
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de retrait localisé des couches 21 et 29 et des couches 21' et 29' de la structure illustrée en .
Lors de cette étape, on vient par exemple dans un premier temps former par photolithographie une couche de masquage (non représentée) en une résine photosensible sur la face supérieure de la structure illustrée en .
A titre d'exemple, la résine photosensible de la couche de masquage est déposée par centrifugation (spin-coating), exposée aux UV puis développée dans un solvant. A titre d'exemple, la couche de masquage recouvre toute la surface de la couche en verre 31 . La couche de masquage se prolonge en outre latéralement au delà la couche en verre 31, et recouvre ainsi une partie des couches 21 et 29 au voisinage de la couche en verre 31. La couche de masquage ne recouvre toutefois pas les couches 21 et 29 en vis-à-vis d'une partie centrale du composant.
Lors de cette étape, et dans un second temps, on vient graver les couches 21 et 29 à travers la couche de masquage. A titre d'exemple la gravure des couches 21 et 29 est une gravure humide.
Similairement, on vient par exemple également lors de cette étape former par photolithographie une couche de masquage (non représentée) en une résine photosensible sur la face inférieure de la structure illustrée en puis graver les couches 21' et 29' à travers la couche de masquage.
A l'issue de cette étape, les couches 21 et 29 s'étendent, par exemple, dans le fond et sur les flancs des sillons 15 et à la surface du sillon 15 sur une partie de la face supérieure du substrat 13. A titre d'exemple, les couches 21 et 29 s'étendent sur la face supérieure du substrat 13 au-delà de la couche en verre 31, c'est-à-dire que les couches 21 et 29 s'étendent sur le substrat 13 dans l'ensemble du vis-à-vis de la couche en verre 31 et se prolonge sur une partie du substrat 13 en dehors du vis-à-vis de la couche en verre 31. A titre d'exemple, à l'issue de cette étape, les couches 21 et 29 ne recouvrent pas la zone 25.
Similairement, les couches 21' et 29' s'étendent, par exemple, dans le fond et sur les flancs des sillons 15' et à la surface du sillon 15' sur une partie de la face inférieure du substrat 13. A titre d'exemple, les couches 21' et 29' s'étendent sur la face inférieure du substrat 13 au delà de la couche en verre 31', c'est-à-dire que les couches 21' et 29' s'étendent sur le substrat 13 dans l'ensemble du vis-à-vis de la couche en verre 31' et se prolonge sur une partie du substrat 13 en dehors du vis-à-vis de la couche en verre 31'. A titre d'exemple, à l'issue de cette étape, les couches 21' et 29' ne recouvrent pas la zone 27.
Plus particulièrement, lors de cette étape, on vient par exemple former une couche électriquement conductrice 33 dans le prolongement des couches 21 et 29 à la surface du substrat 13. A titre d'exemple, la couche 33 est formée en contact avec une partie de la face supérieure du substrat 13 non recouverte par les couches 21 et 29. A titre d'exemple, la couche 33 s'étend à partir des couches 21 et 29 et est, par exemple, en contact par son flanc avec le flanc des couches 21 et 29.
Similairement, lors de cette étape, on vient également par exemple former une couche électriquement conductrice 33' dans le prolongement des couches 21' et 29' à la surface du substrat 13. A titre d'exemple, la couche 33' est formée en contact avec une partie de la face inférieure du substrat 13 non recouverte par les couches 21' et 29'. A titre d'exemple, la couche 33' s'étend à partir des couches 21' et 29' et est, par exemple, en contact par son flanc avec le flanc des couches 21' et 29'.
A titre d'exemple les couches 33 et 33' sont en un matériau métallique, par exemple en or et/ou en nickel. A titre d'exemple, les couches 33 et 33' sont formées par dépôt par voie humide, par exemple par un dépôt chimique dit sans électrodes (en anglais "electroless").
Lors de cette étape, le dépôt est formé uniquement sur les parties conductrices de la structure et n'est pas formé sur les parties isolantes de la structure. Les couches 33 et 33' sont ainsi formées sélectivement en contact avec les parties semiconductrices libres de la structure illustrée en . Les couches 33 et 33' sont alors formées respectivement en contact avec la face supérieure et la face inférieure du substrat 13. A titre d'exemple, les couches 29 et 29' permettent, lors de cette étape, de protéger respectivement la face supérieure de la couche 21 et la face inférieure de la couche 21' du dépôt des couches 33 et 33'. Les couches 29 et 29' permettent notamment de protéger respectivement les couches 21 et 21' du dépôt des couches 33 et 33'. En effet, en l'absence des couches 29 et 29', les couches 33 et 33' auraient tendance à se former en outre sur une partie des couches 21 et 21' qui sont semi-isolantes.
La , la , la et la représentent, par des vues en coupe, partielles et schématiques, des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un composant de puissance selon un deuxième mode de réalisation.
Plus particulièrement, les figures 2A à 2D illustrent le procédé de fabrication d'un composant de puissance selon un deuxième mode de réalisation. Le procédé des figures 2A à 2D diffère du procédé des figures 1A à 1E essentiellement en ce que, dans le procédé des figures 2A à 2D, la couche électriquement isolante 29 est formée après la couche en verre 31.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation des couches en verre 31 et 31' respectivement sur les faces supérieure et inférieure de la structure illustrée en .
Selon une possibilité, l’ensemble de classes comporte une deuxième classe d’intérêt, représentative de mouvements de draps générés par le mouvement de la personne lorsqu’elle est alitée ; l’étape c) comporte une émission du signal d’alerte en fonction d’un nombre de sons classés dans la deuxième classe d’intérêt.
Selon une possibilité, lors de l’étape c), le signal d’alerte est émis en fonction d’un deuxième score cumulé (C2), le deuxième score cumulé correspondant au cumul des scores attribués à la deuxième classe d’intérêt durant chaque période de traitement.
Lors de l’étape a), la période d’enregistrement peut comporter une nuit ou plusieurs nuits successives.
L’étape c) peut mettre en œuvre un modèle de classification, alimenté par le nombre de sons classifiés dans la première classe d’intérêt.
Un deuxième objet de l’invention est un dispositif de surveillance d’une personne, comportant un microphone, configuré pour capter un son généré par la personne durant une période d’enregistrement; une unité de traitement, programmée pour mettre en œuvre les étapes b) et c) d’un procédé selon le premier objet de l’invention à partir des sons enregistrés durant la période d’enregistrement, de façon à prévenir une survenue d’une chute de la personne en fonction de sons générés par la personne durant la période d’enregistrement
Un troisième objet de l’invention est un dispositif de détection de chute d’une personne, comportant : un capteur, configuré pour détecter un mouvement ou un son d’une personne ; une unité de détection, programmée pour détecter une chute de la personne, en fonction d’une caractéristique d’un signal résultant du capteur, l’unité de détection étant configurée pour indiquer une chute lorsque la caractéristique excède un seuil de détection ; le dispositif étant caractérisé en ce que le dispositif de détection de chute est relié à un dispositif de surveillance (1) selon le deuxième objet de l’invention, l’unité de détection étant programmée de façon que le seuil de détection est ajusté en fonction d’un signal d’alerte émis par l’unité de traitement du dispositif de surveillance.
Le capteur peut être un capteur d’actimétrie, auquel cas le signal résultant du capteur est un signal représentatif d’un mouvement de la personne. Le capteur peut être un microphone, auquel cas le signal résultant du capteur est un signal représentatif d’un son émis par la personne.
La montre des exemples spectres en fréquence enregistrés, et correspondant à des sons émis par une personne.
La montre les principales étapes de mise en œuvre de l’invention.
La représente une utilisation d’un dispositif selon l’invention couplé à un dispositif de détection de chute d’une personne.
EXPOSE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS La représente un exemple de dispositif de surveillance 1 selon l’invention. Le dispositif comporte un microphone 10, agencé pour détecter des sons généré par une personne. Le microphone peut être disposé à poste fixe, par exemple dans une pièce dans laquelle la personne se déplace. Il peut par exemple s’agir d’une chambre à coucher. Les sons détectés par le microphone sont transmis à une unité de traitement 11. L’unité de traitement 11 est reliée au microphone 10 par une liaison sans fil ou filaire. L’unité de traitement comporte un microprocesseur, programmé pour exécuter des instructions de façon à mettre en œuvre le procédé dont les principales étapes sont résumées en lien avec la . L’unité de traitement est reliée à une mémoire 12 dans laquelle lesdites instructions sont stockées.
Un aspect important de l’invention provient du constat, effectué par les inventeurs, qu’une chute de la personne peut être précédée de sons particuliers, générés par la personne, préalablement à la chute, et par exemple durant une ou plusieurs nuits précédent la chute.