INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Des turbines haute pression 7 respectant la formule (1) peuvent alors présenter un rapport moyeu-tête, qui correspond au rapport entre un rayon externe R2 de la turbine haute pression 7 et un rayon interne R1 du rotor 7a (roues d’aubes mobiles) de la turbine haute pression 7, supérieur à 0,77 et inférieur à 0,90. Le rayon externe R2 de la turbine haute pression 7 et le rayon interne R1 sont mesurés ici dans un plan normal à l’axe de rotation X à mi-distance entre le bord d’attaque 7c et le bord de 7d fuite des aubes mobiles du rotor 7a au niveau du moyeu (c’est-à-dire à 50 % de la corde en pied d’aube) du rotor 7a le plus en aval de la turbine haute pression 7 (c’est-à-dire, du dernier étage de la turbine haute pression 7). Le rayon externe R2 de la turbine haute pression 7 correspond à la distance, dans ce plan, entre le sommet 7e des aubes du rotor 7a de la turbine haute pression 7 et l’axe de rotation X de la turbine haute pression 7. Le rayon interne R1 du rotor 7a correspond à la distance, dans un plan normal à l’axe de rotation X de la turbine haute pression 7, entre la surface radiale externe du moyeu du rotor 7a (qui délimite radialement à l’intérieur la veine d’écoulement dans le rotor 7a) et l’axe de rotation X, à mi-distance entre le bord d’attaque 7c et le bord de 7d fuite des aubes mobiles du rotor 7a au niveau du moyeu (à 50 % de la corde en pied d’aube).
De telles turbines haute pression 7 présentent alors une section de sortie S s optimisée. En effet, plus le rapport moyeu-tête est réduit, plus le diamètre externe de la turbine haute pression 7 est faible (à iso-section). Un rapport moyeu-tête compris entre 0,77 et 0,90, en combinaison avec un rayon moyen R m_a de l’alésage réduit (respectant la formule (1)) et une vitesse de rotation optimisés comme décrit plus haut, permet ainsi d’obtenir non seulement une turbine haute pression 7 plus efficace (de par sa vitesse de rotation adaptée), dans un encombrement adapté, tout en optimisant la surface de sortie qui détend les gaz en sortie de la chambre de combustion 5. Le dimensionnement de la turbine haute pression 7 de sorte à obtenir un rapport moyeu-tête compris entre 0,77 et 0,90 permet par conséquent de rendre la turbine haute pression 7 plus efficace, et donc de réduire la consommation spécifique du système propulsif 1, sans pour autant pénaliser le comportement dynamique de l’arbre basse pression 11.
- la montre encore un autre mode de réalisation d’un portefeuille de cryptoactifs permettant de mettre en œuvre le procédé selon l'invention.
Description détaillée L'invention prévoit un procédé permettant de réaliser un portefeuille de cryptoactifs offrant une fonctionnalité unique dans le domaine des portefeuilles matériels, à savoir une fonctionnalité de sauvegarde de la graine qui est automatisée tout en étant hautement sécurisée. Une telle fonctionnalité permet aux utilisateurs de s'affranchir de toutes les difficultés et dangers qui s'attachent au fait de devoir préserver eux-mêmes dans un lieu sûr une phrase de récupération. Les fonctionnalités uniques offertes par un portefeuille de cryptoactifs selon l'invention seront décrites plus loin en relation avec les figures 8, 9 et les tableaux 2 et 3. Des modes de réalisation du procédé selon l'invention seront tout d'abord décrits.
La montre un portefeuille de cryptoactifs CW1 et un système prévu pour la mise en œuvre d'un mode de réalisation du procédé de l'invention. Le portefeuille de cryptoactifs CW1 comprend ici un dispositif HW et un dispositif hôte HDV. Le dispositif HW est un portefeuille matériel ("hardware wallet") assurant le stockage à froid d’une graine S ou clé maître, d’un ensemble de cryptoactifs. Le dispositif HW ne comporte aucun moyen de connexion à l'internet et est relié au dispositif hôte HDV, qui exécute un logiciel compagnon HSW lui permettant de se relier à l'Internet, par exemple au moyen d'une liaison USB ou Bluetooth. Le système et le procédé selon l'invention permettent de sauvegarder ou de restaurer la graine S (clé maître) stockée dans le dispositif HW.
Le système comprend essentiellement un ensemble de m serveur de sauvegarde BCKi (BCK1, BCK2,… BCKi,…BCKm) pourvu chacun d'une mémoire de sauvegarde MEM (disque dur magnétique ou mémoire à l'état solide) pour sauvegarder des parts Si de la graine S. Chaque serveur de sauvegarde comporte un programme dorsal BEi (BE1,…BEi,…BEm), ou programme "back-end", conçu pour la mise en œuvre du procédé. Chaque serveur de sauvegarde BCKi est également associé à un module de sécurité HSM.
Selon le procédé de l'invention, le dispositif HW est configuré pour diviser la graine S en une pluralité de données secrètes Si (S1, S2…Si,…Sm) qui seront sauvegardées sur les serveurs BCKi. Plutôt qu'un simple fractionnement, qui n'est toutefois pas exclu du champ de la présente invention, cette "division" est de préférence assurée au moyen d'une fonction de partage de secret SS permettant de générer un nombre m de données secrètes appelées "parts " ("shares"), et permettant la reconstitution de la graine à partir d’un seuil de n données secrètes Si :
Par exemple si m est égal à 3 et n égal à 2, la fonction SS permet de diviser la graine en trois parts S1, S2, S3 mais deux parts seulement seront nécessaires pour reconstituer la graine.
Lorsque l'utilisateur souhaite sauvegarder sa graine, le dispositif HW établit avec chaque serveur de sauvegarde BCKi, par l'intermédiaire du dispositif hôte HDV, des liaisons de données LNKi (LNK1 à LNKm), par exemple de type HTTPS. Ces liaisons de données sont ensuite sécurisées par la création de canaux sécurisés de type SCP ("Secure Channel Protocol") entre le dispositif HW et chaque serveur de sauvegarde BCKi, d'une manière qui va être décrite.
La création de tels canaux sécurisés est assurée au moyen d'une infrastructure à clés publiques gérée par une autorité de certification CA. Le dispositif HW et les serveurs de sauvegarde BCKi possèdent chacun une clé privée, une clé publique, un certificat signé par l'autorité de certification, ou certificat statique, ainsi que la clé publique de l'autorité de certification. La notation suivante sera utilisée dans ce qui suit :
pL : clé privée de l'autorité de certification
PL : clé publique de l'autorité de certification
pD : clé privée du dispositif HW
PD : clé publique du dispositif HW
CD = [PD, Sign(pL, PD)] : certificat du dispositif (certificat statique), comprenant sa clé publique PD et une signature de sa clé publique au moyen de la clé privée pL de l'autorité de certification
pBi : clé privée d'un serveur BCKi (pour i allant de i à m)
PBi : clé publique d'un serveur BCKi (pour i allant de i à m)
Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur la cette technique utilise l’ajout d’un transistor T 1 au niveau de la cellule mémoire qui permet alternativement de connecter entre eux ou déconnecter l’un de l’autre les nœuds internes N T , N F en fonction de l’état d’un signal S MET . Lorsque les nœuds internes N T , N F sont égalisés (transistor T 1 rendu passant), on effectue l’équivalent d’une opération d’effacement de la cellule mémoire. Si on devait réaliser une opération de lecture avec les nœuds ainsi reliés, on aurait sensiblement 50% de probabilité de lire une valeur « 1 » et 50% de probabilité de lire une valeur « 0 », et quoi qu’il en soit la valeur lue ne correspond plus du tout à celle ayant pu être mémorisée préalablement à l’opération d’égalisation. Le transistor T 1 sera rendu non passant après « effacement » des nœuds N T , N F pour pouvoir « réinitialiser » la cellule et la remettre dans une configuration lui permettant d’être à nouveau accessible en mode « normal » d’écriture et de lecture.
On peut préférer conserver un agencement conventionnel des cellules, sans modification de leur structure interne, afin notamment de limiter l’encombrement. Dans ce cas, la mise en état « métastable » peut se faire par d’autres moyens comme cela est précisé ci-après.
Ainsi, sur la , une cellule de structure conventionnelle SRAM C ij est représentée avec ses deux nœuds de stockage N T et N F , prévus pour conserver une première information logique, et une information logique complémentaire de la première information. Le maintien des informations logiques dans les nœuds est assuré par des transistors formant des inverseurs INV1, INV2 bouclés sur eux-mêmes. Par exemple, lorsque la cellule SRAM est de type communément appelé « 6T » et formée ainsi de 6 transistors. Les deux inverseurs INV1, INV2, sont typiquement réalisés par deux transistors de charge et deux transistors de conduction. Les inverseurs INV1, INV2 sont connectés à une première ligne d’alimentation, en particulier une ligne d’alimentation VirVDD dite « haute », et à une deuxième ligne d’alimentation LGND, en particulier une ligne d’alimentation dite « basse ».
La cellule C ij reçoit une alimentation par le biais de la ligne d’alimentation haute VirVDD lorsqu’elle est reliée à une alimentation générale du plan mémoire, par exemple mise à un potentiel VDD. L’accès aux nœuds de stockage N T et N F est réalisé par le biais de deux transistors d’accès TA T et TA F connectés respectivement à des lignes de bit BL T et BL F généralement partagées par les cellules SRAM d’une même colonne de cellules du plan matriciel. Cet accès aux nœuds de stockage N T et N F est commandé par une ligne de mot WL généralement partagée par les cellules SRAM d’une même ligne de cellules du plan matriciel. Les transistors d’accès TA T et TA F sont ainsi prévus pour permettre, lorsqu’ils sont activés (i.e. rendus passants), d’accéder au premier nœud N T et au deuxième nœud N F , et lorsqu’ils sont désactivés, de bloquer l’accès au premier nœud N T et au deuxième nœud N F depuis les lignes de bit BL T et BL F .
Différentes manières de placer dans un « état métastable » un premier ensemble E1 de cellules dont la structure interne est conventionnelle et comme décrite précédemment en liaison avec la sont illustrées sur les figures 4A-4C.
Pour ne pas surcharger ces figures, seule une colonne de cellules Ci n-1 ,…C i0 du premier ensemble E1 est représentée. Les cellules Ci n-1 ,…C i0 sont ici mises dans un état métastable en déconnectant ou en laissant déconnectée une ligne d’alimentation haute VirVDD des cellules mémoires.
Dans l’exemple illustré sur la , un élément interrupteur 160, typiquement sous forme d’un transistor, dans cet exemple de type PMOS, est disposé entre la ligne d’alimentation haute VirVDD et l’alimentation générale du plan mémoire, par exemple véhiculée par une grille ou une ligne 170 d’alimentation mise à un potentiel VDD.
En fonction de l’état d’un signal de commande (non représenté) émis par un circuit de contrôle 120, l’élément interrupteur 160 est configuré pour connecter ou déconnecter la ligne haute d’alimentation virVDD de l’alimentation 170. La déconnexion est réalisée ici lorsque le transistor 160 est rendu bloqué. Le premier inverseur INV1 et le deuxième inverseur INV2 ne sont alors pas alimentés. Les nœuds internes N T et N F des cellules Ci n-1 ,…C i0 s’établissent alors typiquement à un même potentiel ou sensiblement à un même potentiel, correspondant ici typiquement à la masse. Par sensiblement à un même potentiel on entend qui diffère de moins de 10 mV.
Dans ce cas, là aussi les cellules sont dans un état métastable de sorte que l’on ne peut pas distinguer un quelconque état logique en accédant aux nœuds des cellules.
Une autre manière de placer les cellules dans un état métastable est d’égaliser les nœuds internes N F , N T des cellules mémoires.
Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur la , l’égalisation des nœuds N F , N T des cellules de la i-éme colonne est réalisée en connectant ensemble les lignes de bit BLTi et BLFi et en couplant les lignes de bit BLTi et BLFi à ces nœuds N F , N T à travers les transistors d’accès TA T et TA F . Les transistors d’accès sont ainsi dans cet exemple activés (i.e. rendus passants) par le biais des lignes de mots WL 0 …WL n-1 pour permettre l’égalisation des nœuds NF, NT.
Un élément commutateur 180, formé par exemple d’un transistor 180, ici de type N, peut être prévu entre les lignes de bit BLTi et BLFi.
Ainsi, en fonction de l’état d’un signal appliqué sur la grille de ce transistor 180, on peut alternativement connecter ensemble les lignes de bit BLTi et BLFi lorsqu’on souhaite réaliser une mise dans un mode de fonctionnement dans lequel les cellules sont placées dans un état métastable ou bien déconnecter l’une de l’autre les lignes de bit BLTi et BLFi pour permettre l’établissement des nœuds NF, NT à des valeurs respectives différentes l’une de l’autre dans un autre mode fonctionnement, par exemple où l’on souhaite lire les données stockées par les cellules du premier ensemble.
Lorsque les lignes de bits BLTi et BLFi sont connectées entre elles, ces lignes de bits BLTi et BLFi, peuvent également être isolées de lignes de polarisation 193, 194 mises par exemple au potentiel VDD d’un circuit périphérique au plan mémoire et qui peut être situé à une extrémité de la colonne de cellules, généralement en pied de colonne. Un élément interrupteur 191 est ainsi prévu pour permettre alternativement d’assurer le couplage ou le découplage entre la première ligne de bit BLTi et une première ligne de polarisation 193. De même, un élément interrupteur 192 est prévu pour permettre alternativement d’assurer le couplage ou le découplage entre la deuxième ligne de bit BLF et la deuxième ligne de polarisation 194. Dans l’exemple illustré, ces éléments interrupteurs sont sous forme de transistors 191, 192 de couplage par exemple de type PMOS. Les interrupteurs éléments interrupteurs 191 et 192 peuvent être utilisés et éventuellement activés lors d’une opération d’initialisation
Un mode de réalisation préféré pour placer les cellules dans un état métastable tout en limitant la consommation de la matrice est illustré sur la .
Il prévoit, pour mettre les cellules en état métastable, à la fois une égalisation des nœuds internes N F , N T (ici lorsque l’élément commutateur 180 est rendu passant) et un maintien des cellules sans alimentation (ici lorsque l’élément interrupteur 160 est rendu bloqué). Le dispositif diffère ainsi de celui décrit précédemment avec la de par la commande supplémentaire de l’élément interrupteur 160 pour ne plus alimenter les cellules lorsqu’elles sont mises dans l’état métastable.
Ainsi, dans la première zone d’inversion 150, la première surface guide 140 est de forme convexe par rapport à la zone d’échange thermique 10 et concave par rapport au premier segment S1. Et, dans la deuxième zone d’inversion 152, la deuxième surface guide 142 est de forme concave par rapport au premier segment S1 et par rapport à la surface d’échange thermique 10.
Autrement dit, la première surface guide 140 dans la première zone d’inversion 150 est de forme concave entre deux bornes S1’ et S1’’ du premier segment S1 et la deuxième surface guide 142 dans la deuxième zone d’inversion 152 est de forme concave entre les deux bornes S1’ et S1’’ du premier segment S1 obtenues par la forme gauche et non réglée du guide de brassage 14.
Ainsi, le guide de brassage 14 permet de générer deux couloirs rectilignes superposés et parallèles à la surface d’échange thermique 10 et l’interface d’inversion 15 permet d’inverser la position de ces deux couloirs rectilignes, à savoir le premier volume v1 et le deuxième volume v2, par rapport à la surface d’échange thermique 10 sans que le fluide caloporteur compris dans l’un des volumes parmi le premier volume v1 ou le deuxième volume v2 soit en contact du fluide caloporteur compris dans l’autre volume parmi le premier volume v1 ou le deuxième volume v2, à l’image d’une chicane de redirection.
L’interface d’inversion 15 présente ainsi l’avantage de permettre d’obtenir une inversion en un seul mouvement, la déviation du fluide caloporteur dans le premier volume v1 et la déviation du fluide caloporteur dans le deuxième fluide v2 se faisant de manière simultanée, et non pas de manière successive le long de la surface d’échange thermique 10.
Autrement dit l’interface d’inversion 15 permet d’inverser la position du premier volume v1 et du deuxième volume v2 à un point A unique par rapport à la surface d’échange thermique 10 limitant ainsi le nombre de composants ou formes nécessaires pour procéder à l’inversion de la position des flux caloporteurs 2 dans l’ailette de refroidissement 12.
La représente une vue agrandie de l’interface d’inversion 15 sous un angle du dessus.
Ainsi, comme énoncé précédemment, l’interface d’inversion 15 permet d’inverser la position de ces deux couloirs rectilignes, à savoir le premier volume v1 et le deuxième volume v2, par rapport à la surface d’échange thermique 10 sans que le fluide caloporteur compris dans l’un des volumes parmi le premier volume v1 ou le deuxième volume v2 soit en contact du fluide caloporteur compris dans l’autre volume parmi le premier volume v1 ou le deuxième volume v2, à l’image d’une chicane de redirection. Cette chicane permet de diriger le fluide caloporteur frais 2’’ selon la deuxième direction D2 à proximité de la surface d’échange thermique 10 et le fluide caloporteur chaud 2’ selon la troisième direction D3 de sorte à l’éloigner de la surface d’échange thermique 10. Afin de générer cette redirection du fluide caloporteur 2 selon la deuxième direction D2 ou selon la troisième direction D3, l’interface d’inversion 15 du fluide peut comprendre une butée d’orientation 153 permettant de faire barrage au fluide caloporteur et de diriger le fluide caloporteur dans la troisième direction D3 comme représentée en . En outre, il peut également être envisagé une butée d’orientation permettant de diriger le fluide caloporteur compris dans le deuxième volume v2 dans la deuxième direction D2. La butée d’orientation 153 permet donc d’orienter davantage le fluide caloporteur 2 en cumulant un moyen supplémentaire en plus de la première surface guide 140 dans la première zone d’inversion 150.
En outre, plusieurs configurations peuvent être envisagées.
Il peut être envisagé, comme représenté en , que l’interface d’inversion 15 et le guide de brassage 14 soient disposés parallèlement par rapport à la surface d’échange thermique 10. Dès lors, la première paroi 120 est connectée à la première zone d’inversion 150, qui est reliée également à la deuxième zone d’inversion 152. Et, la deuxième zone d’inversion 152 est connectée à la deuxième paroi 122.
Selon une autre configuration architecturale, il peut également être envisagé que le guide de brassage de fluide 14 et que l’interface d’inversion 15 soient reliés à la surface d’échange thermique 10. Dès lors, la première zone d’inversion 150 peut être reliée à la surface d’échange thermique 10 et à la deuxième zone d’inversion 152.
Cette configuration présente l’avantage de permettre au guide de brassage de fluide 14 d’être également conducteur de chaleur. Dès lors, le fluide caloporteur 2 au contact du guide de brassage 14 et de l’interface d’inversion 15 peut également permettre un échange de chaleur avec le fluide caloporteur 2.
Selon une configuration représentée en , il peut être envisagé que le guide de brassage de fluide 14 et que l’interface d’inversion 15 soient reliés à la surface d’échange thermique 10 et aux parois 120 et 122 de l’ailette de refroidissement. Dès lors, la première zone d’inversion 150 peut être reliée à la surface d’inversion thermique 10 alors que la deuxième zone d’inversion 152 peut être reliée à la deuxième paroi 122. Cette configuration présente l’avantage de permettre une bonne conduction thermique dans le guide de brassage 14 tout en permettant une bonne fixation du guide de brasage 14 dans l’ailette de refroidissement. En variante, il peut être envisagé que la première zone d’inversion 150 soit reliée à la première paroi 120 et à distance faible de la surface d’échange thermique 10. Selon une autre variante, la deuxième zone d’inversion 152 peut être reliée à la surface d’échange thermique 10 et la première zone d’inversion 150 est reliée à la première paroi 120.
Selon une autre configuration représentée en , il peut également être envisagé que l’interface d’inversion 15 comprenne plus de deux zones d’inversions. A titre d’exemple indicatif, l’interface d’inversion 15 peut comprendre la première zone d’inversion 150, la deuxième zone d’inversion 152 et une troisième zone d’inversion 152’ permettant de diriger le flux caloporteur selon une direction D2’ orientée vers la surface d’échange thermique 10. En outre, la première zone d’inversion 150 peut être comprise entre la deuxième zone d’inversion 152 et la troisième zone d’inversion 152’ permettant de répartir de façon plus homogène le fluide caloporteur froid 2’’ à proximité de la surface d’échange thermique 10.
Selon une autre configuration représentée en , il peut également être envisagé de relier l’interface d’inversion 15 de la directement à la surface d’échange thermique 10 afin que le guide de brassage de fluide 14 soit conducteur de chaleur. En outre, selon cette configuration de guide de brassage 14 parallèle aux parois de l’ailette de refroidissement 12, il peut être envisagé que la deuxième zone d’inversion 152 soit comprise entre la première zone d’inversion 150 et la troisième zone d’inversion 152’. A la différence de la configuration de la , la troisième zone d’inversion 152’ est disposée de sorte que la direction D2’ est sécante de la troisième direction D3. Dès lors, le fluide caloporteur 2 réorienté par la troisième zone d’inversion 152’ entre en contact avec le fluide caloporteur chaud 2’ réorienté par la première zone d’inversion 150 de sorte à refroidir le fluide caloporteur chaud 2’. Ainsi, il y a interversion des fluides caloporteurs par le biais de la première zone d’inversion 150 et de la deuxième zone d’inversion 152 et il y a également un brassage de fluide caloporteur pour refroidir le fluide caloporteur chaud qui se trouvait initialement à proximité de la surface d’échange thermique 10 de sorte à le refroidir le plus efficacement possible.
De plus, il peut être envisagé, comme représenté en , que la première zone d’inversion 150 soit apte à induire une première rotation du fluide caloporteur 2’ chaud du premier volume v1 de fluide caloporteur selon un axe de rotation A1 parallèle à la première direction D1 et que la deuxième zone d’inversion 152 est apte à induire une deuxième rotation du fluide caloporteur 2’’ froid du deuxième volume v2 de fluide caloporteur 2 selon un axe de rotation A2 parallèle à la première direction D1. Dès lors, la génération d’une rotation ou d’un mouvement hélicoïdale autour de l’axe de rotation A2 présente l’avantage d’améliorer le brassage du fluide caloporteur à proximité de la surface d’échange thermique 10 permettant d’obtenir une température homogène dans le premier volume v1. En outre, ce type de mouvement hélicoïdal présente également l’avantage d’allonger la distance parcourue par le fluide caloporteur 2 le long de la surface d’échange thermique 10 et donc d’allonger le temps d’échange thermique par convection.
La configuration de la représente une configuration préférentielle d’inversion du flux entre un flux qui est éloigné de la surface d’échange thermique 10 et un flux qui en est proche de la surface d’échange thermique, puis qui s’inversent par l’action de l’interface d’inversion 15.
A titre d’exemple et sans que cela soit de nature à limiter la portée de la présente invention, le déplacement relatif de la première plaque 19 par rapport à la deuxième plaque 20 peut être limité par un bord 26 délimitant la deuxième face intermédiaire 24 et en projection par rapport à ladite deuxième face intermédiaire 24.
Notamment, ledit bord 26 peut être ajusté pour permettre un léger déplacement de la première plaque 19 en recouvrement de la deuxième face intermédiaire 24.
De manière complémentaire et/ou alternative, le déplacement relatif de la première plaque 19 par rapport à la deuxième plaque 20 peut être limité par un lien mécanique.
Notamment, ce lien mécanique peut notamment comprendre un ou plusieurs trous oblong formés sur l’une de la première face intermédiaire 21 et de la deuxième face intermédiaire 24, et un ou plusieurs pions formé sur l’autre de ces deux faces et coopérant avec l’un ou plusieurs trous oblong.