Composant électronique de connexion (10) configurable, réalisé sur un substrat (SUB), et destiné à un fonctionnement en interrupteur et/ou en atténuateur, ledit composant électronique (1) comprenant un empilement de couches comprenant : une première couche (C1) en un premier matériau de type cuprate supraconducteur, une deuxième couche (C2) en un second matériau plus électronégatif que le premier matériau et déposée sur la première couche (C1) ; une troisième couche (C3) en un matériau électriquement conducteur et déposée sur la seconde couche (C2) formant une électrode de contrôle; ladite première couche (C1) présentant une résistivité variable selon la fraction molaire de l’oxygène dans ledit premier matériau de manière à obtenir l’un parmi les états de conductivité suivants : un état supraconducteur (ES) ou un état isolant (EI) ou un état résistif intermédiaire (ER); le premier matériau présentant des états de conductivité rémanents. Composant électronique de connexion (10) selon la revendication 1 dans lequel le premier matériau présente des états de conductivité réversibles. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 dans lequel le premier matériau est à l’état solide pour chaque état de conductivité. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’épaisseur de la première couche (C1) est comprise entre 50 nm et 700 nm. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’épaisseur de la deuxième couche (C2) est comprise entre 2 nm et 50 nm. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une quatrième couche (C4) en un matériau diélectrique confinée entre la deuxième couche (C2) et la troisième couche (C3). Composant électronique de connexion (10) selon la revendication précédente dans lequel l’épaisseur de la quatrième couche (C4) est supérieure à 100nm. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau est le YBa 2 Cu 3 O 7-δ ou Bi 2 Sr 2 Ca 1 Cu 2 O 8-δ ou NdBa 2 Cu 3 O 7-δ, avec δ la variation de la fraction molaire de l’oxygène dans la première couche (C1). Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau est choisi parmi l’aluminium ou l’argent ou l’Yttrium ou l’Or ou le Molybdène ou le Silicium. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (SUB) est réalisé en saphir ou en MgO ou en SrTiO3 ou en Silicium. Composant électronique de connexion (10) selon la revendication précédente comprenant en outre une couche tampon (CT) confinée entre le substrat (SUB) et la première couche (C1) lorsque le substrat (SUB) est réalisé en Silicium. Composant électronique de connexion (10) selon la revendication précédente dans lequel la couche tampon est réalisée en oxyde de cérium ou en zircone stabilisée à l'yttrium. Composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes tel que l’empilement de couches forme un parallélépipède ayant une base de longueur supérieure à 10µm. Dispositif (1) de transmission de signaux radio fréquence réalisé sur un substrat (SUB) comprenant : une première microstructure (20) configurée pour propager un signal radiofréquence (Vs) ; une seconde microstructure (30, 30’) connectée à une tension de masse électrique (Vgnd) ; un composant électronique de connexion (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes tel que : la première microstructure (20) est connectée à la seconde microstructure (30, 30’) par l’intermédiaire de la première couche (C1) du composant ; l’électrode de contrôle est configurée pour recevoir un signal de contrôle (Vc) permettant de commander les états de conductivité de la première couche (C1) ; Dispositif (1) de transmission de signaux radio fréquence selon la revendication 14 comprenant en outre des moyens de contrôle configurés pour générer le signal de contrôle (Vc) selon deux configurations : une première configuration permettant d’obtenir l’état supraconducteur de la première couche (C1) de manière à mettre en court-circuit la première microstructure avec la seconde microstructure ; et une seconde configuration permettant d’obtenir l’état isolant de la première couche (C1) de manière à isoler électriquement la première microstructure de la seconde microstructure ; le composant électronique (10) ayant une fonction d’interrupteur. Dispositif (1) de transmission de signaux radio fréquence selon la revendication 14 comprenant en outre des moyens de contrôle configurés pour générer le signal de contrôle (Vc) de manière à faire varier la résistivité variable du composant électronique (10) sur une plage de valeurs correspondant à l’état résistif intermédiaire (ER) ; le composant électronique (10) ayant une fonction d’atténuateur. Dispositif (1) de transmission de signaux radio fréquence selon l’une quelconque des revendications 14 à 16 dans lequel la première microstructure (20) et la seconde microstructure (30, 30’) comprennent chacun : une structure de guidage (21,31,31’) réalisée avec le premier matériau de type cuprate supraconducteur; une couche métallique déposée sur la structure de guidage (21,31,31’) formant une électrode d’alimentation (22, 32, 32’); Procédé (P1) de fabrication d’un dispositif (1) de transmission de signaux radio fréquence comprenant les étapes suivantes : fabriquer au moins une première microstructure (20) et une seconde microstructure (30, 30’) et au moins une première couche (C1) reliant lesdites microstructures (20, 30, 30’) ; la première couche (C1) étant en un premier matériau de type cuprate supraconducteur ; déposer, sur chaque première couche (C1), une deuxième couche (C2) en un second matériau plus électronégatif que le premier matériau ; déposer, sur chaque deuxième couche (C2), une troisième couche (C3) en un matériau électriquement conducteur ; chaque empilement de la première, deuxième et troisième couche formant un composant électronique de connexion (1) configurable reliant deux structures de guidage adjacentes ; Procédé (P1) de fabrication d’un dispositif (1) de transmission de signaux radio fréquence selon la revendication 18 dans lequel l’étape a) comprend les sous-étapes suivantes : déposer une couche intermédiaire (C1_int) du premier matériau de type cuprate supraconducteur répartie sur un substrat (SUB) ; déposer une couche métallique intermédiaire (CM_int) sur la couche intermédiaire (C1_int) du premier matériau ; graver sélectivement la couche métallique pour réaliser au moins deux électrodes d’alimentation (22, 32); graver sélectivement la couche du premier matériau pour: réaliser, pour chaque électrode d’alimentation, une structure de guidage (21,31,31’) composée du premier matériau ; et réaliser, entre au moins deux structures de guidage (21,31,31’) adjacentes, au moins une première couche (C1) reliant lesdites deux structures de guidage adjacentes (21,31,31’) ; chaque microstructure (20,30,30’) comprenant : une structure de guidage (21,31,31’) réalisée avec le premier matériau et une électrode d’alimentation (22, 32, 32’).