INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il a cependant été observé que la présence de métal dans le corps d’une carte à puce pose des difficultés majeures lorsque la carte embarque une antenne RF pour fonctionner en mode sans contact. Le métal agit comme blindage électromagnétique et bloque ou gêne les signaux RF échangés par l’antenne RF avec l’extérieur. Le métal présent dans le corps de carte peut ainsi perturber les communications sans contact d’une carte à puce avec un lecteur NFC externe et gêner par exemple la réalisation d’une transaction sans contact (de paiement ou autre).
Le problème se pose en particulier lorsque la carte est déplacée dans le plan hors du centre du lecteur NFC. Ceci est très courant dans l'environnement RFID HF NFC, par exemple lors d’un paiement lorsque l'utilisateur approche sa carte de manière décentrée par rapport au lecteur du point de vente.
La illustre par exemple un volume opérationnel dans l’ensemble duquel la carte doit être opérationnelle pour être conforme à une norme définie par un organisme international EMVCO. L’homme du métier peut se reporter au document « EMV Contactless Specifications for Payment Systems, Book D: EMV Contactless C ommunication Protocol Specification. Version 2.6, March 2016. ». L’un des objectifs d’EMVCo est de garantir l’interopérabilité et la compatibilité des cartes à puce et des lecteurs de ces cartes dans des conditions opérationnelles déterminées.
Ce volume opérationnel est défini par des dimensions S 1 , S 2 , D 1 , D 2 rappelées sur la .
Cette figure représente également la projection de 9 points de de volume sur un plan. Par exemple, le point 6 illustre une situation dans laquelle le centre de la carte est décalé de 25 mm par rapport au centre du lecteur NFC.
Dans l’état actuel de la technique, les cartes à puce métallique ne fonctionnent pas de manière satisfaisante dans l’ensemble du volume opérationnel EMVCo, notamment pour les positions de la carte correspondant au point 6.
Il existe donc un besoin pour des cartes à puce métalliques performantes (de type RFID par exemple) et de fabrication simple, capables de coopérer efficacement en sans contact avec un lecteur NFC externe, et ce quelle que soit la position de la carte par rapport à un lecteur NFC externe, dans des conditions opérationnelles déterminées.
A cet effet, la présente invention concerne une carte à puce comprenant une carte à puce comprenant un corps de carte de forme générale rectangulaire formé au moins en partie par une couche métallique comprenant une zone d’évidement ; - une puce RF ; - une première antenne RF disposée dans ou en regard de la zone d’évidement, ladite première antenne RF étant connectée électriquement à la puce RF ; ladite couche métallique étant constituée par une première région et une deuxième région entièrement délimitées par une droite parallèle à un petit côté de la carte, la première région contenant entièrement la zone d’évidement et sa surface étant plus petite que celle de la deuxième région , - une première fente connectant la zone d’évidement à un bord périphérique de la première région ; - une deuxième fente débouchant soit sur un bord périphérique de la couche métallique soit dans la zone d’évidement, la deuxième fente se terminant par une partie fermée dans la deuxième région; et - une deuxième antenne RF isolée électriquement de la couche métallique et de la première antenne RF et configurée pour permettre un couplage avec la première antenne, la deuxième antenne comportant au moins une spire en regard de la première fente et au moins une spire en regard de la deuxième fente.
L’invention offre ainsi une carte à puce métallique performantes (de type RFID par exemple) et de fabrication simple, capable de coopérer efficacement en sans contact avec un lecteur NFC externe, et ce quelle que soit la position et l’orientation de la carte vis-à-vis du lecteur NFC externe.
De façon très avantageuse, la couche métallique comporte donc au moins deux fentes, une première fente étant située dans la première région, la deuxième fente étant située dans la deuxième région.
Préférentiellement, la première fente débouche sur un petit côté de la carte à puce, au plus près de la zone d’évidement.
Préférentiellement, la deuxième fente métallique débouche dans la cavité et se termine dans une zone de la carte située entre la cavité et le centre de la carte à puce.
Avantageusement, le procédé comporte les étapes suivantes : Génération, par une unité de calcul du système lumineux, d’une séquence de données initiale de type binaire ; Génération d’une séquence de données modulante à partir de la séquence initiale en insérant les données de la séquence initiale dans une séquence nulle de taille supérieure à la séquence initiale, chaque donnée de la séquence initiale étant insérée dans la séquence nulle à une position dépendante de sa position dans la séquence initiale ; Modulation, par une unité de modulation du système lumineux, d’un faisceau lumineux émis par un module lumineux du système lumineux ; Réception et conversion, par un module d’acquisition élémentaire du système lumineux, d’un faisceau lumineux en un signal électrique ; Démodulation, par une unité de démodulation du système lumineux, du signal électrique pour extraire une séquence de données démodulée ; Estimation de valeurs, par l’unité de calcul, d’une fonction de corrélation entre ladite séquence de données démodulée et ladite séquence de données modulante ; et Détermination d’un temps de vol séparant l’émission dudit faisceau lumineux modulé émis de la réception dudit faisceau lumineux reçu à partir des valeurs de la fonction de corrélation.
Selon un mode de réalisation, le premier type de conductivité est le type N, chaque premier transistor MOS étant un transistor NMOS, et le deuxième type de conductivité est le type P, chaque deuxième transistor MOS étant un transistor PMOS.
Selon un mode de réalisation, le substrat semiconducteur comprend du silicium, et les au moins une première et une deuxième régions d’isolation comprennent un oxyde de silicium, par exemple du dioxyde de silicium.
Selon un mode de réalisation, la formation des au moins une première et une deuxième régions d’isolation comprend la formation de la au moins une deuxième région d’isolation ; puis la formation de la au moins une première région d’isolation.
Selon un mode de réalisation, la formation des au moins une première et une deuxième régions d’isolation comprend une étape de gravure de régions d’isolation initiales délimitant la première zone active et la deuxième zone active, ladite étape de gravure comprenant : - une première gravure des régions d’isolation initiales à partir de la première face du substrat semiconducteur et jusqu’à la deuxième profondeur, de manière à former des deuxièmes régions d’isolation ; puis - une deuxième gravure d’au moins une parmi les deuxièmes régions d’isolation, à partir de la première face du substrat semiconducteur et jusqu’à la première profondeur, de manière à former la au moins une première région d’isolation ; la deuxième gravure étant réalisée à travers un deuxième masque de gravure configuré pour accéder à chaque premier transistor et masquer chaque deuxième transistor.
Par "régions d’isolation initiales", on entend des régions d’isolation initialement formées dans le substrat semiconducteur. Par exemple, ces régions d’isolation initiales affleurent sensiblement la première face du substrat semiconducteur.
Selon un mode de réalisation, la première gravure est réalisée à travers un premier masque de gravure configuré pour accéder à chaque premier transistor et à chaque deuxième transistor.
la représente, par une vue en coupe, un exemple de circuit électronique comprenant des transistors NMOS et PMOS formés dans, et sur, un même substrat semiconducteur ;
la représente, par une vue en coupe, une variante du circuit électronique de la ;
la représente, par une vue de dessus, un des transistors du circuit électronique de la ;
la représente un exemple de procédé de fabrication d’un circuit électronique similaire au circuit électronique de la ou de la ;
la représente un circuit électronique selon un mode de réalisation comprenant des transistors NMOS et PMOS formés dans, et sur, un même substrat semiconducteur ; et
la représente un procédé de fabrication selon un mode de réalisation d’un circuit électronique comprenant des transistors NMOS et PMOS dans et sur un même substrat semiconducteur;
la représente une variante du procédé de fabrication de la ;
Le contacteur électrique 7 comporte de plus un moyen élastique sollicitant l’enceinte à volume variable vers une position de repos dans laquelle le contact électrique mobile 12 est maintenu à l’écart de la paroi d’appui 3 d’une distance supérieure à une distance prédéterminée. Cette distance prédéterminée est choisie, lors du dimensionnement du boitier 1 pour une application particulière, pour que lorsque le contact électrique mobile 12 est dans cette position de repos, il soit éloigné de la paroi d’appui 3 d’une distance supérieure à la dimension correspondante de l'accumulateur 6 (sa hauteur, dans l’exemple illustré), de sorte à garantir la déconnexion de cet accumulateur 6, et à supprimer le risque d’arc électrique.
Les figures 7 à 10 illustrent un autre exemple de réalisation d’un module accumulateur électrochimique à sept accumulateurs 6 cylindriques et sept contacteurs électrique 7 qui sont du même type que celui des figures 4A et 5A. Sur les figures 7 à 10, la paroi supérieure du boitier 1 est la paroi de connexion 4, et la paroi inférieure est la paroi d’appui 3.
La paroi d’appui 3 porte les logements 5 qui sont, dans cet exemple, des empreintes cylindriques dans lesquelles viennent se loger les accumulateurs 6.
La paroi de connexion 4 porte trois raccords fluidiques 8 saillant latéralement depuis sa tranche, correspondant dans cet exemple à trois tronçons du réseau de conduits fluidiques 14, relatifs à trois groupes de contacteurs électriques 7. Les accumulateurs 6 sont ainsi regroupées selon trois groupes qui peuvent être connectés et déconnectés indépendamment. La illustre l’une des tubulures pneumatiques 33 destinées à raccorder chaque raccord fluidique 8 à son moyen de mise en pression.
La est une vue éclatée partielle du module d’accumulateur électrochimique de la , représentant seulement la paroi de connexion 4 en vis-à-vis d’une partie des accumulateurs 6. Chaque contacteur électrique 7 comporte une enceinte à volume variable 11 portant son contact électrique mobile 12 adapté à venir contre la borne supérieure de l'accumulateur 6 pour sa connexion, ou venir à l’écart de cette borne, pour sa déconnexion.
La représente la paroi de connexion 4 du boitier des figures 7 et 8. Les contacts électriques mobiles 12 sont reliés entre eux par les conducteurs de jonction 13 selon l’architecture électrique choisie.
Les contacts électriques mobiles 12 ainsi que les conducteurs de jonction 13 les reliant peuvent également être réalisés conjointement par des lames métalliques rapportées sur plusieurs enceintes 11 à volume variable adjacentes, avec une lame métallique présentant suffisamment de souplesse. La est une vue de détail de la paroi de connexion 4 avec des contacteurs électriques 7 activés, et illustre cette variante avec lames métalliques.
La vue de détail de la illustre également la forme de type soufflet, avec au moins une zone de plus faible section, de l’enceinte 11 à volume variable. Cette forme permet à l’enceinte 11 à volume variable : – de présenter une position de repos, en l’absence de sollicitation, qui correspond à un contacteur électrique 7 désactivé ; – de pouvoir se déformer longitudinalement sous l’effet d’une augmentation de la pression à l’intérieur, permettant de rendre mobile le contact électrique mobile 12 en direction de la paroi d’appui 3 (et donc en direction de l'accumulateur 6 lorsqu’il est mis en place), selon une course suffisante pour assurer la connexion électrique.
Dans le présent exemple, la paroi de connexion 4, le réseau de conduits fluidiques 14, et l’enceinte 11 à volume variable, sont avantageusement réalisés d’une seule pièce, par exemple par fabrication additive, ce qui permet d’obtenir une paroi de connexion 4 rigide (en prévoyant une épaisseur suffisante de matière), un réseau de conduits fluidiques 14 réalisé sous forme d’évidements au sein de la matière dans l’épaisseur de la paroi de connexion 4, et l’enceinte 11 à volume variable (en prévoyant une enveloppe d’épaisseur suffisamment faible et en choisissant une matière suffisamment flexible à cette épaisseur).
Le plan d’antisymétrie P ant est un plan pour lequel deux conditions sont vérifiées simultanément : La section du guide d’onde est symétrique par rapport au plan P ant, Le champ électrique est antisymétrique par rapport au plan P ant, c’est à dire que le vecteur du champ électrique E présente une symétrie miroir complétée par un retournement par rapport à ce plan.
Le plan d’antisymétrie P ant correspond à un conducteur électrique parfait, c’est à dire qu’on peut y placer un conducteur sans changer la configuration du champ électrique.
Les figures 10 et 11 illustrent la définition des plans d’antisymétrie pour les grilles de cellules TEM selon l’invention.
La montre un exemple, en vue de dessus, d’une grille de quatre cellules TEM C 1 ,C 2 ,C 3 ,C 4 pour un balayage selon le plan H (xOz) et pour une polarisation de l’onde selon l’axe Oy.
Cette structure comporte cinq plans d’antisymétrie P ant1 , P ant2 , P ant3, P ant4, P ant5 qui passent par les côtés et les centres des cellules et sont parallèles à l’axe Ox.
En effet, le champ électrique E varie en phase selon l’axe Ox. Il est identique sur les deux moitiés (gauche et droite) d’une même cellule et sur deux cellules consécutives d’une même ligne. Autrement dit, la distribution du champ électrique est identique entre les cellules C 1 et C 2 d’une part et entre les cellules C 3 et C 4 d’autre part. Les plans d’antisymétrie sont donc des plans selon l’axe Ox.
La montre, sur le même exemple de grille de quatre cellules TEM, la répartition du champ électrique pour un balayage dans le plan E (xOy) toujours pour une polarisation de l’onde selon l’axe Oy.
Dans ce cas, le champ électrique varie en phase selon l’axe Oy. Il est le même sur les deux moitiés (haute et basse) d’une même cellule et sur deux cellules consécutives d’une même colonne. Autrement dit, le champ électrique est identique entre les cellules C 1 et C 3 d’une part et entre les cellules C 2 et C 4 d’autre part. Les plans P sym1 , P symt2 , P sym3, P sym4, P sym5 sont des plans de symétrie. Il n’y a aucun plan d’antisymétrie dans cette configuration.
Dans le cas où l’onde est polarisée selon l’axe Ox, les plans de symétrie décrits à la deviennent des plans d’antisymétrie.
Sans sortir du cadre de l’invention, le réseau de cellules TEM peut être remplacé par un dispositif d’adaptation d’impédance de l’art antérieur basé par exemple sur des métasurfaces monocouches ou multicouches.
Quel que soit le dispositif de base choisi pour adapter l’impédance pour le balayage dans le plan H, les pointes métalliques permettant l’adaptation d’impédance pour le balayage dans le plan E doivent être placées à l’intersection des plans d’antisymétrie pour les deux polarisations.
De tels plans d’antisymétrie sont définis en fonction de la structure choisie.
La montre les cinq plans d’antisymétrie P’ant1, P’ant2, P’ant3, P’ant4, P’ant5 pour une structure imprimée à base de patchs P1,P2,P3,P4 , toujours pour une polarisation selon l’axe Oy. La variation du champ électrique est également représentée sous forme de flèches.
Les plans d’antisymétrie pour une polarisation selon l’axe Ox sont obtenus par rotation de 90° appliquée aux plans d’antisymétrie de la .
Le dispositif d’adaptation d’impédance pour le balayage dans le plan H peut aussi être une structure composée d’une ou plusieurs couches diélectriques.
La montre un deuxième mode de réalisation de l’invention dans lequel les cellules TEM sont remplacées par des structures à base de métasurfaces comprenant au moins une couche diélectrique sur laquelle sont positionnés des motifs métalliques périodiques M 1 ,M 2 ,M 3 . L’ensemble des motifs forme une grille dont les dimensions et paramètres sont choisis de manière à adapter l’impédance de l’antenne pour un balayage dans le plan H.
La montre un exemple de schéma électrique équivalent d’une cellule TEM du type décrit à la .
La structure d’interconnexion 300 qui réalise le chargement réactif de la cellule est modélisée par une impédance Z x (θ), où θ est l’angle de dépointage. De chaque côté de cette structure, deux sections de la cellule TEM de longueurs respectives l 1 et l 2 sont modélisées par des lignes de transmission de paramètres Z 1 (θ),β 1 (θ), Z 2 (θ),β 2 (θ).
Les impédances Z cap (θ) modélisent l’effet des discontinuités entre les extrémités de la cellule et l’air. Les impédances Z 0 (θ) correspondent à la propagation des ondes dans le vide.
Les paramètres de dimensionnement de la cellule sont, notamment, les tailles des tiges inductives de la structure d’interconnexion, leur diamètre, la largeur des fentes sur les parois de la cellule, les longueurs l 1 et l 2 .
Dans une variante de réalisation, plusieurs structures d’interconnexion peuvent être disposées en cascade pour réaliser plusieurs chargements réactifs et augmenter le nombre de paramètres d’optimisation.
Dans la deuxième phase de conception, l’ajout de pointes métalliques orthogonales sur la grille optimisée ne modifie pas l’adaptation déjà réalisée pour le plan H, dès lors que les pointes sont placées dans les plans d’antisymétrie de la structure associés à ce balayage plan H. En effet, le fait que la composante tangentielle du champ électrique soit nécessairement nulle dans de tels plans garantie que l’introduction d’un conducteur parfait à cet endroit ne modifiera pas la distribution du champ observée pour la grille seule. Au contraire, un tel conducteur aura un effet non négligeable sur la distribution du champ pour un balayage dans le plan E, puisque les plans d’antisymétrie ne sont plus les mêmes pour ce balayage. Par conséquent, le conducteur introduit peut être utilisé pour optimiser l’adaptation dans le plan E, sans modifier l’adaptation réalisée préalablement dans le plan H grâce à la seule grille de cellules.
On en conclut que l’optimisation de la grille de cellules TEM et de son chargement permet d’adapter le balayage dans le plan H. C’est la première phase de la méthode de conception. L’optimisation ultérieure des pointes métalliques permet ensuite d’adapter l’impédance dans le plan E, sans dégrader l’adaptation préalablement réalisée pour le plan H. C’est la seconde phase de la méthode de conception.
La montre plusieurs plans d’antisymétrie P_ V-ant1 , P_ V-ant2 , P_ V-ant3 , de la grille de cellules TEM pour le balayage dans le plan H et pour une polarisation linéaire verticale V (selon l’axe y). Il s’agit de plans perpendiculaires au champ électrique E et donc parallèles au plan xOz passant par les coins des cellules ou par leurs centres. En théorie, un conducteur parfait destiné à réaliser l’adaptation d’impédance pour un balayage dans le plan E peut être placé n’importe où dans ces plans sans modifier l’optimisation faite pour le plan H.
La montre plusieurs plans d’antisymétrie P_ H-ant1 , P_ H-ant2 , P_ H-ant3 , P_ H-ant4 cette fois pour une polarisation linéaire horizontale H (selon l’axe x). Ces plans sont cette fois parallèles au plan yOz passant par les coins des cellules ou leurs centres.
Ainsi, pour rester compatible des deux polarisations linéaires verticale et horizontale, les pointes métalliques doivent être disposées à l’intersection des plans d’antisymétrie relatifs à la polarisation verticale (représentés à la ) et des plans d’antisymétrie relatifs à la polarisation horizontale (représentés à la ). C’est pour cette raison que des lames métalliques s’étendant sur tout un côté d’une cellule dans un plan d’antisymétrie pour l’une des deux polarisations ne vérifient pas cette condition et ne permettent pas d’assurer un fonctionnement en bipolarisation.
De même, pour assurer un fonctionnement en bipolarisation, il est aussi nécessaire que la structure d’interconnexion qui réalise le chargement réactif de la cellule ait une symétrie de révolution. Une structure en forme de croix telle que présentée aux figures 4 et 5 respecte cette propriété.
Le dispositif d’adaptation d’impédance décrit ci-dessus peut être fabriqué entièrement en métal, par exemple via un procédé de fabrication additive tout métal ou à partir de matériaux diélectriques métallisés après coup. Cela présente l’avantage d’une réduction des couts de fabrication, d’une réduction des pertes et d’une élimination des inconvénients associés à l’utilisation d’un matériau diélectrique dans le cas où le dispositif est fabriqué directement en métal.
Le dimensionnement du dispositif est réalisé en deux étapes, comme introduit ci-dessus : Une première étape de dimensionnement de la grille de cellules TEM de manière à réaliser une adaptation d’impédance pour un balayage dans le plan H, Une seconde étape de dimensionnement des pointes métalliques, essentiellement leurs longueurs et leurs diamètres, de manière à réaliser une adaptation d’impédance pour un balayage dans le plan E tout en restant transparent pour le plan H
Une contrainte importante à respecter pour assurer l’indépendance des optimisations respectives pour le plan H et le plan E est que les pointes métalliques doivent être disposées dans des plans d’antisymétrie pour les deux polarisations linéaires horizontale et verticale.
La illustre sur un exemple simple d’un champ électromagnétique E propagé dans un guide d’ondes G de section carrée ou rectangulaire, la définition d’un plan de symétrie P sym et d’un plan d’antisymétrie P ant . Le champ électrique est représenté schématiquement par des flèches de longueur proportionnelle à son amplitude.
Le plan de symétrie P sym est un plan pour lequel deux conditions sont vérifiées simultanément : La section du guide d’onde est symétrique par rapport au plan P sym, Le champ électrique est symétrique par rapport au plan P sym , c’est à dire que le vecteur du champ électrique E présente une symétrie miroir par rapport à ce plan.
3. Par rapport à d’autres modes de désorption de sels fondus, l’utilisation de nitrite de sodium facilite une réduction supplémentaire d’un matériau de cathode et améliore l’efficacité de la lixiviation. Par ailleurs, en raison de sa propriété oxydante, le nitrate de sodium a du mal à interagir avec le matériau de cathode. Par conséquent, le nitrate de sodium généré est consommé avec de l’ammoniaque aqueuse dans une réaction ultérieure. L’ammoniaque aqueuse sert à la fois d’agent de lixiviation et d’agent réducteur, évitant le problème d’un excès de nitrate de sodium résiduel dans le nitrite de sodium récupéré, ce qui permet d’utiliser directement le nitrite de sodium récupéré pour la désorption de sels fondus.
La présente divulgation sera décrite plus en détail ci-après en référence aux dessins et exemples qui l’accompagnent, dans lesquels :
est un organigramme du processus de l’exemple 1 selon la présente divulgation.
DESCRIPTION dÉTAILLÉe des modes de rÉalisation La conception et les effets techniques de la présente divulgation seront décrits clairement et en détail ci-après, en référence aux exemples suivants, afin de permettre une compréhension approfondie des objectifs, des particularités et des effets de la présente divulgation. Il ressort que les exemples décrits ne représentent qu’une partie des exemples de la présente divulgation, mais pas tous. Sur la base des exemples de la présente divulgation, chacun des autres exemples obtenus par une personne compétente dans le métier sans impliquer d’effort inventif entre dans de la portée de protection de la présente divulgation.
Exemple 1 En référence à la , un procédé d’extraction du lithium d’une batterie au lithium usagée par lixiviation à l’ammoniaque comprend spécifiquement les étapes suivantes :
S2. chauffage du matériau broyé à 180 °C et séchage pendant 2 heures pour éliminer une solution électrolytique et obtenir un matériau séché ;
S3. mélange du matériau séché avec du nitrite de sodium dans un rapport massique de 1:1,5, chauffage à 310 °C et maintien de la température pendant 1 h ;