INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi la présence de défauts dus au désaccord de maille couche tampon/couche barrière combinée au fort champ électrique présent au pied de la grille dans ces structures HEMT conduit à des problèmes de fiabilité des composants.
Pour améliorer la fiabilité une solution est de réduire l’intensité du champ électrique en réduisant les tensions appliquées au transistor, notamment la tension de drain V ds . Cela se ferait cependant au détriment du rendement en puissance ajoutée (PAE) et de la puissance disponible en sortie du transistor.
Avantageusement, et comme illustré plus particulièrement sur la , ladite embase support 2 comporte au moins deux encoches, voire un nombre supérieur à deux encoches, en sorte de proposer au moins deux positions différentes pour la solidarisation du bras support 8 à l’embase support 2. Par conséquent, le dispositif de prise de vues dont est muni le bras support 8, préférentiellement au travers du logement 87 que comporte à cet effet ledit bras 8, peut passer aisément de l’une à l’autre de ces positions.
Ainsi, les deux encoches que comporte préférentiellement l’embase support 2 du dispositif 1 constituent des moyens de passage du bras support 8, et par conséquent dudit dispositif de prise de vues 9, entre une première position et une deuxième position.
A noter que, sur la , sont représentées deux cales 10, 11 magnétiques au moyen d’aimants 101, lesdites cales 10, 11 étant destinées à venir combler les deux encoches de l’embase support 2 du dispositif 1 de studio miniaturisé de l’invention, lorsque l’embout de connexion 84 du bras support 8 du dispositif de prise de vues 9 n’est pas positionné dans l’une de ces deux encoches.
Comme déjà évoqué ci-dessus, le dispositif de prise de vues 9 peut consister en un terminal connecté doté d’une caméra de prise de vue 4K, ou d’un smartphone ou tout autre moyen (tablette, appareil vidéographique, caméra connectée…) apte à permettre d’enregistrer des vidéos du produit P lorsque celui-ci est disposé sur le plateau tournant 6 entraîné en rotation par les moyens moteurs 7.
Le dispositif de prise de vues 9 peut permettre de réaliser le montage automatique et instantané des vidéos réalisées, et d’envoyer lesdites vidéos moyennant tout réseau wifi ou Bluetooth (marque déposée) accessible, vers une plateforme, un site web, une adresse mail, un réseau social ou toute autre plateforme numérique de réception de données numériques.
Ainsi, un tel dispositif de prise de vues 9 est positionné dans le logement 87 que comporte avantageusement le bras support 8 au niveau de son extrémité 82 opposée à sa première extrémité 81 qui coopère avec l’embase support 2.
Les dimensions intérieures du logement 87 en question peuvent donc préférentiellement être ajustables aussi bien en largeur, en longueur qu’en profondeur, afin de recevoir différents modèles de dispositifs de prise de vues aux dimensions variables.
En outre, le positionnement du logement 87 peut être, de manière avantageuse, adapté en hauteur selon un axe de mouvement vertical a1 et en inclinaison selon deux axes de mouvement rotatif a2 et a3, ces axes de mouvement a1, a2 et a3 étant représentés par les doubles flèches de la .
Avantageusement, le positionnement du logement 87 porté par le bras support 8, donc le positionnement du dispositif de prise de vues 9, peut être contrôler par les moyens de contrôle et de commande auxquels ledit dispositif 9 est associé.
Selon une caractéristique particulièrement avantageuse du dispositif 1 de studio vidéographique ou photographique de l’invention, celui-ci comporte également au moins deux sources lumineuses, dont l’une d’elle, référencée 12 et est illustrée sur la .
Lesdites sources lumineuses 12 sont préférentiellement intégrées à la portion de dôme 3, en étant positionnées au niveau de la paroi intérieure 33 de ladite portion de dôme 3 dudit dispositif 1.
Tout préférentiellement, lesdites sources lumineuse 12 qui sont intégrées au dispositif de studio miniature 1 de l’invention présentent une température comprise entre 4300 K et 4800 K.
Une telle température pour les sources lumineuses est en effet particulièrement avantageuse car elle permet de cibler à la fois les couleurs chaudes et froides du produit P qui doit être mis en valeur au moyen du studio miniature 1 de l’invention, notamment lorsque celui-ci consiste en un produit culinaire. En outre, les sources de lumière étanchéisée et utilisant des modules de projection LED, permettent également d’éviter une surchauffe qui peut être induite par les sources de lumière halogène ou incandescente qui peuvent être utilisées par les professionnels de la vidéographie.
La mise en tension de l’éclairage est avantageusement pilotée par les moyens de contrôle et de commande qui sont associés au dispositif de prise de vues 9 qui est préférentiellement intégré au dispositif 1 de studio miniature de l’invention.
Il est avantageux qu’une première source lumineuse soit placée en sorte que le faisceau lumineux soit orienté selon un angle de 15° vers l’extérieur de la portion de dôme 3, tandis qu’une deuxième source lumineuse est placée en sorte que son faisceau lumineux soit orienté selon un angle de 15° également, vers l’intérieur cette fois-ci, de ladite portion de dôme 3, les deux faisceaux lumineux pointant en direction du centre du plateau rotatif 6 au niveau duquel est positionné le produit P.
Ainsi, on crée un éclairage indirect par diffusion en sorte d’éviter la génération d’ombres et de points de surexposition tout en permettant une mise en valeur optimale du volume du produit P en particulier lorsque celui-ci consiste en un produit culinaire.
De plus, la deuxième paroi d’appui 3 peut optionnellement jouer le même rôle que la première paroi d'appui, en portant également des connecteurs coupe-circuit 7 (voir mode de réalisation des figures 4B, 5B).
Dans l’exemple illustré, les accumulateurs 6 sont des accumulateurs électrochimiques cylindriques, étant entendu que les accumulateurs 6 peuvent être de tout autre type connu, notamment prismatique, tant que ces accumulateurs présentent au moins une borne de connexion externe adaptée à coopérer avec les connecteurs coupe-circuit 7 disposés au niveau de la première paroi d'appui 4.
Les accumulateurs 6 cylindriques de cet exemple comportent une électrode à chacune de leurs extrémités, l’une de ces électrodes étant électriquement connectée du côté de la deuxième paroi d'appui 3, et l’autre électrode étant connectée de manière déconnectable, par le biais de l’invention, du côté de la première paroi d'appui 4.
La est similaire à la , sans les accumulateurs 6 et rend visible l’agencement des connecteurs coupe-circuit 7 sur la première paroi d'appui 4.
Optionnellement, le boitier 1 comporte de plus des raccords fluidiques 8, qui sont dans cet exemple au nombre de deux. Ces raccords fluidiques 8 sont reliés aux connecteurs coupe-circuit 7 par un réseau de conduits fluidiques 14.
La est une vue identique à la mais montrant la première paroi d'appui 4 en transparence pour rendre visible le cheminement du réseau de conduits fluidiques 14.
Dans cet exemple, le réseau comporte donc plusieurs conduits fluidiques 14, correspondant aux différents connecteurs coupe-circuit 7, s’étendant dans l’épaisseur de la première paroi d'appui 4 selon deux tronçons indépendants correspondant chacun à l’un des deux raccords fluidiques 8. Chaque tronçon du réseau de conduits fluidiques 14 forme un volume non cloisonné, regroupant plusieurs conduits fluidiques 14 et agissant sur un groupe de connecteurs coupe-circuit 7.
Dans chacun de ces tronçons, tous les connecteurs coupe-circuit 7 sont fluidiquement connectés entre eux et sont connectés au raccord fluidique 8 correspondant. Ces deux tronçons peuvent être gérés indépendamment, c’est-à-dire que les connecteurs coupe-circuit 7 d’un tronçon peuvent être activés et désactivés indépendamment des connecteurs coupe-circuit 7 de l’autre tronçon.
Les conduits fluidiques 14 sont des conduits étanches dont le diamètre est, dans cet exemple de l’ordre de 1 à 5 mm.
L’activation de tous les connecteurs coupe-circuit 7 d’un tronçon se fait par une mise en pression (éventuellement par le raccord fluidique 8), et le maintien de cette pression, dans ce tronçon. La désactivation des tous les connecteurs coupe-circuit 7 d’un tronçon se fait par une perte de pression dans ce tronçon, en cas d’avarie d’un accumulateur 6 apte à perforer un connecteur coupe-circuit 7.
Le réseau de conduits fluidiques 14 peut comporter autant de tronçons que nécessaire en fonction de l’architecture souhaitée et des possibilités souhaitées de découplage pour les accumulateurs 6, notamment à des fins de maintenance, de test, d’équilibrage de charges, de déconnexion de sécurité ou de continuité de service, etc. Ceci est particulièrement avantageux pour les accumulateurs de chimie lithium, et pour les systèmes de gestion de batterie BMS (« Battery Management System », en anglais) avancés, qui sont à même de tirer parti de tels regroupements indépendants des accumulateurs 6 d’un même boitier 1.
Les figures 4A, 4B et 5A, 5B sont des vues schématiques en coupe d’un module accumulateur électrochimique comportant un boitier 1 avec, dans cet exemple simplifié, un seul accumulateur 6.
Les figures 4A et 5A correspondent à un mode de réalisation où seule la première paroi d'appui 4 est munie de connecteurs coupe-circuit 7, comme dans le mode de réalisation des figures 1 à 3, la deuxième paroi d'appui 3 ne portant que des contacts électriques fixes 9. En variante, dans le cas où les accumulateurs 6 ne comportent pas d’électrodes du côté de la deuxième paroi d'appui 3, ces parois ne comportent aucun contact électrique. Les figures 4B et 5B correspondent à un mode de réalisation où la deuxième paroi d'appui 3 joue également un rôle de connexion, en portant également des connecteurs coupe-circuit 7, chaque accumulateur étant ainsi connecté par deux connecteurs coupe-circuit 7.
En référence au mode de réalisation des figures 4A et 5A, la deuxième paroi d'appui 3 comporte un contact électrique fixe 9 contre lequel l’accumulateur 6 est sollicitée, de sorte à connecter électriquement cette électrode de l’accumulateur 6 avec le reste du circuit, c’est-à-dire avec les autres accumulateurs 6 (lorsque le boitier comporte plusieurs accumulateurs), et avec un bornier externe du boitier 1 pour la connexion de l’accumulateur à la charge à alimenter électriquement, et au circuit de recharge. Cette connexion du contact électrique fixe 9 au reste du circuit est schématisée par un trait en pointillés 10 sur les figures 4A à 6.
Le connecteur coupe-circuit 7 qui est disposé sur la première paroi d'appui 4 comporte une enceinte à volume variable 11 qui est solidaire d’un contact électrique mobile 12.
Dans cet exemple, le contact électrique mobile 12 est fixé sur la partie supérieure de l’enceinte 11 à volume variable (le terme supérieur est ici employé compte tenu de l’orientation des figures 3 et 4, qui peut bien entendu varier), c’est-à-dire du côté de l’emplacement 5 de l’accumulateur 6. La illustre l’enceinte à volume variable 11 dans une configuration de volume maximal et la illustre l’enceinte à volume variable 11 dans une configuration de volume minimal.
L’étape S180, qui suit l’étape S170, est une étape de retrait par gravure sélective (de préférence humide) de la sous-couche d’arrêt de gravure 420 vis-à-vis de la sous-couche active 430.
A l’issue de l’étape S180 de retrait de la sous-couche d’arrêt de gravure 430, la sous-couche active 430 est libérée et présente avantageusement une surface lisse et une épaisseur réduite.
Également de façon commune au premier mode de réalisation et au deuxième mode de réalisation, le procédé de transfert comprend en outre une ou plusieurs étapes visant à préparer la surface libre 11 du substrat donneur 10 en vue de l’épitaxie S130 de la couche semiconductrice 40.
Dans le premier mode de réalisation, la préparation de la surface en vue de l’épitaxie S130 comprend les étapes supplémentaires S115 et S125 illustrées respectivement et .
Dans le deuxième mode de réalisation, la préparation de la surface en vue de l’épitaxie S130 comprend les étapes supplémentaires S115A, S115B et S125A et S125B, illustrées respectivement , et et .
La préparation de surface telle que réalisée dans le premier mode de réalisation est décrite en premier ci-après.
L’étape S115 ( ) a lieu avant l’implantation S120 des premiers ions 3a, et consiste en la formation d’une couche sacrificielle 50 sur la surface libre 11 du substrat donneur 10. De préférence, la couche sacrificielle 50 est une couche diélectrique 500, par exemple une couche d’oxyde de silicium (ou SiO 2 ).
La couche diélectrique 500 est obtenue par croissance d’oxyde ou par dépôt du diélectrique à partir de la surface libre 11 du substrat donneur 10.
A l’issue de l’étape S115, le substrat donneur 10 comprend donc une couche diélectrique dite sacrificielle qui protège avantageusement la surface libre de défauts et d’impuretés (par exemple d’atomes de carbone ou d’oxygène). A l’étape d’implantation S120 des premiers ions 3a, les premiers ions 3a seront implantés à travers la couche sacrificielle en diélectrique 50,520.
L’étape S125 ( ) a lieu après l’implantation S120 des premiers ions et avant l’étape S130 d’épitaxie de la couche semi-conductrice 40 à transférer. L’étape S125 consiste en le retrait de la couche sacrificielle 50,510 formée à l’étape S115.
Ce retrait est par exemple réalisé par gravure humide en utilisant une solution à base d’acide fluorhydrique.
A l’issue de l’étape S125, la surface libre 11 du substrat donneur 10 présente avantageusement une surface propre, c’est-à dire dépourvue d’impuretés ou contaminants.
Dans le deuxième mode de réalisation (cf. ), la couche sacrificielle 50 comprend un empilement d’une première sous-couche 510, dite première couche d’arrêt de gravure 510, et d’une deuxième sous-couche 520 diélectrique disposée sur la première sous-couche 510.
Ainsi, l’étape S115A est une étape de formation de la première couche d’arrêt de gravure 510 et de l’étape S115B est une étape de formation de la deuxième sous-couche de diélectrique 520.
Le diélectrique est préférentiellement de l’oxyde de silicium.
La première couche d’arrêt de gravure 510 est par exemple une couche d’alliage de silicium et germanium (SiGe) avec les proportions suivantes 25% (Si) et 50% (Ge).
Les figures nA (n=1…17) illustrent schématiquement en coupe transverse des étapes de fabrication d’une grille arrière sous un dispositif semi-conducteur, selon un mode de réalisation. Les figures nB (n=1…17) illustrent schématiquement en vue de dessus les étapes de fabrication illustrées aux figures nA correspondantes.
Comme illustré aux figures 1A, 1B, les premières étapes consistent à former de façon connue un empilement comprenant une couche de support 10, typiquement un substrat massif de silicium dit « bulk », une couche sacrificielle 11, par exemple une couche SiGe épitaxiée présentant une concentration atomique en germanium de l’ordre de 20% à 30%, et une couche superficielle semi-conductrice 12, par exemple une couche de silicium épitaxiée dite topSi dans la suite. La couche sacrificielle 11 présente typiquement une épaisseur e 11 de l’ordre de 5 nm à 50 nm. La couche topSi 12 présente typiquement une épaisseur e 12 de l’ordre de 5 nm à 20 nm.
Comme illustré aux figures 2A, 2B, un masque dur comprenant typiquement une couche 13 à base de SiO2 et une couche 14 à base de SiN. La couche 13 peut être une couche de type PADOX (PAD OXide) selon un acronyme anglo-saxon bien connu de l'homme de métier. La couche 13 présente par exemple une épaisseur de l’ordre de 5 nm. La couche 14 présente par exemple une épaisseur de l’ordre de 30 nm. Ce masque dur est typiquement structuré et utilisé pour la gravure de motifs définis par lithographie.
Comme illustré aux figures 3A, 3B, après définition par lithographie des motifs 20, 23 correspondant respectivement aux motifs de tranchée 20 et aux motifs de dispositifs 23, une gravure sèche anisotrope selon z est effectuée. La profondeur de gravure dp est choisie de façon à former les motifs de tranchée 20 au sein de la couche de support 10, à travers les couches 11, 12 de l’empilement. La profondeur de gravure dp est par exemple de l’ordre de 200 nm. Une gravure ionique réactive (RIE) ou une gravure plasma à base d’espèces fluorocarbonées peut être utilisée pour graver successivement les couches 12, 11 et 10 de l’empilement. Des motifs de tranchée 20 présentant des flancs 21 et un fond 22 sont ainsi formés. Ces motifs de tranchée 20 présentent une dimension en largeur selon y L 20 .
Comme illustré aux figures 4A, 4B, un dépôt conforme d’une couche de revêtement sacrificielle 15 est d’abord effectué, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur CVD. La couche 15 présente typiquement une épaisseur e 15 de l’ordre de 10 nm à 20 nm. Selon une possibilité préférée, l’épaisseur e 15 est choisie telle que e 15 ≤ L 20 /3. La couche de revêtement sacrificielle 15 est de préférence à base d’un matériau diélectrique, par exemple SiN ou SiC. Selon une possibilité illustrée aux figures 4A, 4B, après dépôt conforme de la couche de revêtement sacrificielle 15, un remplissage des motifs de tranchée 20 par un matériau isolant 16 est ensuite effectué. Le matériau isolant 16 est typiquement à base de SiO2. Le remplissage peut être effectué de façon usuelle par dépôt conforme de type plasma à haute densité HDP (High Density. Plasma) ou de type dépôt chimique en phase vapeur FCVD (Flowable Chemical Vapor Deposition), ou une combinaison de ceux-ci. Selon une possibilité, les dimensions latérales selon y e 15 et e 16 sont telles que e 15 ≤ e 16 /3.
Selon une autre possibilité illustrée aux figures 4C, 4D, 4E, après dépôt conforme de la couche de revêtement sacrificielle 15 ( ), les portions basales 15b de la couche 15 sont retirées par gravure anisotrope selon z. Le fond 22 des motifs de tranchée est ainsi exposé et tandis que les flancs 21 des motifs de tranchée sont couverts par les portions latérales 15l de la couche 15 ( ). Le remplissage des motifs de tranchée 20 par le matériau isolant 16 est ensuite effectué comme précédemment ( ).
Comme illustré aux figures 5A, 5B, après remplissage, une étape de planarisation, typiquement par polissage mécano-chimique CMP, est effectuée. Cette étape de planarisation vise à retirer le matériau isolant 16 en excès pour former la face supérieure des tranchées d’isolation 2. Le polissage CMP est typiquement configuré pour s’arrêter dans la couche 14 de masque dur, en laissant un film résiduel 14r. Des tranchées d’isolation 2 de type STI (acronyme de « Shallow Trench Isolation » signifiant tranchée d’isolation superficielle ou peu profonde) comprenant des portions de couche de revêtement sacrificielle 15 au moins sur les flancs 21 ou sur les flancs 21 et sur le fond 22 (comme illustré à la ), et un noyau isolant 16, sont ainsi formées.
Comme illustré aux figures 6A, 6B, le film résiduel 14r de masque dur est ensuite retiré sélectivement vis-à-vis de la couche 13, du matériau isolant 16 et de préférence vis-à-vis des portions 15l exposées, par exemple en chimie humide de type H3PO4.
Comme illustré aux figures 7A, 7B, un empilement de grille standard est ensuite formé, comprenant par exemple, la couche d’oxyde 13 et/ou une couche dite « high k » à haute constante diélectrique, une couche 17 conductrice, par exemple en silicium polycristallin (polySi) et/ou en métal (TiN), surmontée par un masque dur comprenant typiquement une couche 18 à base de SiN et une couche 19 à base de SiO2.
Comme illustré aux figures 8A, 8B, après définition par lithographie de motifs de grille 1, et structuration du masque dur, une gravure anisotrope selon z de l’empilement de grille est effectuée. Les motifs de grille 1 comprennent typiquement une grille 17g surmontée par le masque dur 18, 19. A ce stade, le film d’oxyde 13 protège la couche topSi 12 sous-jacente.
Comme illustré aux figures 9A, 9B, des espaceurs E sont ensuite formés sur les flancs des motifs de grille 1, par dépôt conforme puis gravure sèche d’une couche à base d’un diélectrique d’espaceur connu tel que SiO2, SiN, SiBCN, SiOCN, SiCO etc. Pour une application quantique, l’épaisseur de cette couche est de préférence définie pour combler l’espace entre les grilles 17g adjacentes. Pour une application en microélectronique classique, l’épaisseur de cette couche peut être choisie de manière arbitraire et laisser des espaces non comblés, notamment pour permettre une reprise ultérieure de contacts sur la couche topSi 12, entre les grilles 17g. La dimension selon y des espaceurs E est par exemple de l’ordre de 30 nm pour un espace inter-grille de 60 nm. La couche 13 est ensuite retirée autour des espaceurs E, de façon à exposer la couche topSi 12.
Comme illustré aux figures 10A, 10B, des régions source et drain 3S, 3D, ou des réservoirs pour des dispositifs quantiques, peuvent être formés par épitaxie sur les parties de la couche topSi 12 exposée. Ces régions 3S, 3D sont typiquement dopées in situ lors de l’épitaxie. Elles peuvent être à base de silicium dopé phosphore Si:P ou de silicium-germanium dopé bore SiGe:B par exemple.
Comme illustré aux figures 11A, 11B, le masque dur couvrant le sommet des grilles 17g est retiré avant de mettre en œuvre un procédé de siliciuration configuré pour former des portions siliciurées 31, 32, par exemple à base de NiPtSi(Ge), au sommet des régions 3S, 3D et des grilles 17g.
Comme illustré aux figures 12A, 12B, un dépôt conforme d’une couche 41 d’arrêt de gravure de contact CESL (Contact Etch Stop Layer), par exemple en SiN d’épaisseur e 41 de l’ordre de 30 nm, est d’abord effectué. Ce dépôt peut se faire selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD. Un dépôt de matériau 42 diélectrique pré-métallique (PMD), par exemple à base de SiO2, est ensuite effectué. Ce dépôt peut se faire selon un procédé connu de dépôt HDP, HARP (acronyme de « high aspect ratio process » soit procédé pour facteurs de forme élevés), FCVD ou à partir de précurseurs de type TEOS (orthosilicate de tétraéthyle). La couche 42 est ensuite planarisée par CMP.
Comme illustré aux figures 13A, 13B, des ouvertures 40a sont ensuite pratiquées dans la couche 42 et la couche 41, par gravures sèches successives, à l’aplomb des portions 15l de la couche de revêtement sacrificielle des tranchées d’isolation STI. Avantageusement, la dimension latérale CD selon y des ouvertures 40a est supérieure ou égale à l’épaisseur e 15 de la couche de revêtement sacrificielle 15, 15l.
Comme illustré aux figures 14A, 14B, une gravure sélective partielle de la couche de revêtement sacrificielle 15, 15l est ensuite effectuée au travers des ouvertures 40a de manière à former des ouvertures 40b débouchant sur les flancs 110 de la couche sacrificielle 11. La gravure partielle est de préférence configurée pour découvrir totalement les flancs 110 de la couche sacrificielle 11. Dans cet exemple, la gravure partielle est arrêtée de façon à conserver au moins en partie les portions basales 15b de la couche de revêtement sacrificielle 15, de façon à préserver la tenue mécanique du noyau 16 dans les tranchées d’isolation. Des parties inférieures des portions latérales 15l de la couche de revêtement sacrificielle 15, situées sous les flancs 110, peuvent également être conservées pour améliorer la tenue mécanique. Dans cet exemple, la couche de revêtement sacrificielle 15 est à base d’un matériau diélectrique, par exemple SiN ou SiC, pour assurer la fonction d’isolation électrique avec le noyau 16. La gravure sélective partielle se fait de préférence par voie sèche. Dans le cas de SiN, une gravure humide à base d’une solution d’acide phosphorique H3PO4 peut également être mise en œuvre.