INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, lors de la sous-étape (S201) de regonflage partiel, la membrane de cuisson 10 s’étend librement, sous l’effet de la différence de pression qui existe entre la surface interne 10_in, soumise au fluide de gonflage, et la surface externe 10_out de la membrane de cuisson, soumise à la pression de l’atmosphère ambiante, jusqu’à atteindre un état d’équilibre qui dépend de cette différence de pression et de l’élasticité intrinsèque de ladite membrane de cuisson 10.
Avantageusement, le fait que la membrane de cuisson 10 se gonfle librement permet notamment de s’assurer qu’aucune perforation affectant la membrane de cuisson 10 ne sera obstruée, et, au contraire, que toute perforation sera dilatée par l’opération de regonflage partiel, et donc plus aisément détectable, de sorte que la totalité de la surface de la membrane de cuisson 10, comprise entre les deux talon 12, 13, est effectivement soumise au test d’étanchéité.
La couche en GaN nid 103 est une couche non intentionnellement dopée (nid) pour ne pas être porosifiée. Par GaN non intentionnellement dopée, on entend une concentration inférieure à 5 e 17at/cm 3 . La couche en GaN nid 103 a, par exemple, une épaisseur allant de 500nm à 5µm. Avantageusement, son épaisseur est entre 1 et 4 µm pour absorber les contraintes liées au désaccord de maille entre le GaN et les couches sous-jacentes.
La couche de GaN fortement dopée n 104 est déposée sur la couche de GaN nid. Par GaN fortement dopée, on entend une concentration supérieure à 6.10 18 at/cm 3 , de préférence d’au-moins 8. 10 18 at/cm 3 , voire supérieure à 10 19 at/cm 3 . Elle a une épaisseur comprise entre 100nm et 500 nm, de préférence entre 200nm et 500 nm et encore plus préférentiellement entre 300nm et 500 nm. Cette couche permet d’absorber les TTV dues au procédé de fabrication des micro-LEDs. Cette couche est porosifiée lors de l’étape d).
La couche de GaN fortement dopée n 104 comprend deux faces principales (une face supérieure et une face inférieure) parallèles ou sensiblement parallèles entre elles et une face latérale.
La couche de GaN dopée 105 est formée sur la couche de GaN fortement dopée 104. Par GaN dopé, on entend une concentration supérieure à 10 18 at/cm 3 , de préférence entre 1.10 18 at/cm 3 et 5.10 18 at/cm 3 . La couche en GaN a, par exemple, une épaisseur allant de 100nm à 1µm. Elle doit être suffisamment électriquement conductrice pour pouvoir réaliser une reprise de contact sur cette couche lors de l’étape d’anodisation électrochimique. Cette couche électriquement conductrice est électriquement connectée au générateur de tension ou de courant. Avantageusement, elle assure la qualité du matériau de la couche supérieure. L’épaisseur minimale varie en fonction du taux de dopage.
La couche de GaN dopée n 105 comprend deux faces principales (une face supérieure et une face inférieure) parallèles ou sensiblement parallèles entre elles et une face latérale.
Par la suite, on décrit un dopage de type n, mais il pourrait s’agir d’un dopage de type p. Les dopages pourraient être inversés.
Les puits quantiques 106 sont, par exemple, des puits GaN/InGaN.
La couche dopée p 107 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 100nm et 200nm Elle a, par exemple, un taux de dopage de 1 e 19.cm -3 voire d’au moins 1 e 20.cm -3 dans le cas d’un dopage Mg.
Les différentes couches de GaN précitées ainsi que les puits quantiques 106 sont formés par épitaxie.
Le premier empilement 100 peut être un empilement plus complexe et peut contenir, par exemple, un ou plusieurs des éléments suivants : une couche de blocage d’électrons AlGaN (ou EBL pour « Electron Blocking Layer »), un multicouche avec différents dopages pour réaliser des mésas poreux, etc.
Lors de l’étape b), le premier empilement (côté p) est reporté sur un deuxième empilement comprenant un substrat support 201 et une électrode inférieure 202 (ou première électrode). La première électrode 108 est déposée sur le premier empilement puis l’ensemble est reporté sur le substrat support 201 recouvert par la couche métallique 202.
Le substrat support 201 est, de préférence, un substrat comprenant un circuit intégré de type « ASIC », (« Application-Specific Integrated Circuit »). Le circuit ASIC peut comprendre des composants électroniques (transistor(s), condensateur(s), résistances, etc.) permettant la commande/alimentation individuelle de chaque micro-LED en fonction de la couleur attendue pour le pixel. Les composants électroniques sont réalisés directement dans le volume (ou « bulk ») du substrat.
Le substrat support 201 peut être également un substrat matriciel de transistors en couches minces (TFT), notamment pour obtenir des écrans plus grands à vision directe.
Le substrat 201 est de préférence une tranche de silicium (ou « wafer »).
L’électrode inférieure 202 (ou première électrode) recouvre le substrat support. Elle pourrait également être en ITO. L’électrode inférieure 202 est par exemple en aluminium ou en argent. Elle peut avoir par exemple une épaisseur comprise entre 40 et 200nm.
Lors de l’étape c), le substrat de base 101, la couche tampon 102 le cas échéant, et la couche nid GaN 103 sont retirés. Par exemple, le substrat de base 101 est retiré par laser (aussi appelée technique de décollement ou « lift off »). La couche tampon 102 et la couche nid GaN 103 peuvent être retirées par amincissement. L’amincissement peut se terminer à l’interface couche nid 103/couche de GaN 104 fortement dopée. De préférence, l’amincissement se termine dans la couche de GaN fortement dopée 104.
est une vue en perspective de l’intérieur du corps de boîtier ;
est une vue de détail en perspective de l’intérieur du corps de boîtier montrant un orifice de passage de liquide indésirable ménagé à travers une cloison de sécurité;
est une vue de détail en perspective de l’ensemble rigide à circuit imprimé recouvrant le corps de boîtier du terminal, montrant des saillies d’accrochage formant chacune à la fois butée d’appui de l’ensemble rigide et bouton d’accrochage sur le corps de boîtier d’une feuille de détection d’effraction formant circuit imprimé.
Description détaillée On a représenté la un ensemble selon l’invention, désigné par la référence générale 10, comprenant un terminal de paiement électronique 12. Cette ensemble 10 comprend un support fixe dont on a représenté une paroi 14 séparant un espace EI intérieur au support, généralement non visible par un utilisateur du terminal de paiement 12, d’un espace EE extérieur au support.
De façon connue en soi, le terminal de paiement 12 comprend une platine 16 de fixation sur la paroi 14 du support portant une interface 18 pour un utilisateur accessible depuis l’espace extérieur EE. L’interface 18 comporte notamment un clavier 20 et une ouverture 22 pour l’introduction dans le terminal de paiement 12 d’un support de données de paiement classique, par exemple d’une carte munie d’une puce électronique ou bien d’une piste magnétique ou encore des deux. La puce électronique aussi bien que la piste magnétique permettent des échanges de données.
La partie du terminal de paiement 12 destinée à s’étendre dans l’espace intérieur EI comprend un corps de boîtier 24 dans lequel sont logés des moyens classiques de lecture du support de données de paiement.
Plus particulièrement, les moyens de lecture du support de données de paiement, de même que d’autres moyens électroniques sensibles, sont agencés dans un espace protégé s’étendant à l’intérieur du corps du boîtier 24.
Comme on peut le voir sur les figures 2 à 4, la partie du terminal de paiement 12 s’étendant dans l’espace intérieur EI comprend également un ensemble rigide classique, comprenant un circuit imprimé, dit ensemble rigide 26 à circuit imprimé.
Le corps de boîtier 24 est fabriqué par moulage dans un matériau comprenant de préférence du plastique. Comme on peut le voir notamment sur les figures 5 et 6, le corps de boîtier 24 a, de préférence, une forme générale aplatie et comprend un fond 28 s’étendant entre des parois périphériques. Ces parois périphériques comprennent des première 30 et seconde 32 parois latérales opposées, reliées entre elles par des première 34 et seconde 36 parois d’extrémité opposées.
On notera que les parois latérales opposées 30, 32 sont sensiblement droites et parallèles entre elles. De même, les parois d’extrémité opposées 34, 36 sont sensiblement droites et parallèles entre elles.
La première paroi d’extrémité 34 délimite, au moins en partie, une fente 38 d’introduction dans le corps de boîtier 24 du support de données de paiement.
Comme on peut le voir notamment sur les figures 3, 5 et 6, le corps de boîtier 24 est recouvert au moins partiellement d’un revêtement de détection d’effraction. De préférence, ce revêtement de détection d’effraction est formé par au moins une feuille formant circuit imprimé souple, désignée notamment par le sigle anglais FPC correspondant aux termes anglais « Flexible Printed Circuit ». Dans ce type de feuille, un réseau ou treillis dense de conducteurs fins imprimés sur la feuille est relié de façon connue en soi à un circuit électronique déclenchant une alarme dès qu’une dégradation d’un conducteur est détectée notamment par destruction ou mise en court-circuit.
Dans l’exemple décrit, le revêtement de détection d’effraction est formé par une seule et même feuille 40 formant circuit imprimé souple.
Cette feuille 40 comporte une partie extérieure 40E recouvrant au moins partiellement des surfaces extérieures du corps de boîtier 24, à savoir des surfaces extérieures du fond 28 et des parois périphériques, plus particulièrement des parois latérales 30, 32 et d’extrémité 34, 36 (voir notamment ). La feuille 40 comporte également une partie intérieure 40I, repliée vers l’intérieur du corps de boîtier 24, recouvrant au moins partiellement des surfaces intérieures du corps de boîtier 24, à savoir des surfaces intérieures du fond 28 et des parois périphériques, plus particulièrement des parois latérales 30, 32 et d’extrémité 34, 36 (voir notamment ).
L’ensemble rigide 26 à circuit imprimé est monté de façon connue en soi en appui sur des bords libres 30L, 32L, 36L des parois latérales 30, 32 et au moins de la seconde paroi d’extrémité 36, par exemple par vissage.
Afin de détecter en particulier une effraction tendant à séparer l’ensemble rigide 26 du corps de boîtier 24, au moins un connecteur déformable 39 connu en soi, comprenant des couches conductrices s’étendant dans une matrice en élastomère, est agencé légèrement en compression entre le corps de boîtier 24 et l’ensemble rigide 26 à circuit imprimé. Le terminal de paiement 12 peut comporter, par exemple, deux connecteurs déformables 39 (voir ), chaque connecteur 39 étant raccordé électriquement à un circuit électronique de détection d’effraction par des moyens classiques de raccordement électriques 39R tels que visibles sur la .
Selon un autre aspect de l’invention, le propulseur comporte en outre un élément en matériau diélectrique configuré pour isoler électriquement l’écran du conducteur externe.
Selon une variante, la partie en matériau conducteur recouvre la partie en matériau diélectrique. Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur recouvre complètement la partie en matériau diélectrique. Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur recouvre complètement la partie en matériau diélectrique de sorte qu’une surface externe de l’écran est en matériau conducteur.
Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur d’électricité comporte une polarisation différente de celle du conducteur externe ou de celle d’un autre élément du propulseur. Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur d’électricité comporte une polarisation différente de celle du conducteur externe ou de celle d’un autre élément du propulseur hormis l’écran. Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur d’électricité comporte une polarisation négative par rapport au conducteur externe ou par rapport à un autre élément du propulseur. Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur d’électricité comporte une polarisation négative par rapport au conducteur externe ou par rapport à un autre élément du propulseur hormis l’écran.
Grâce à l’invention, il est possible d’améliorer significativement les performances du propulseur. La poussée produite par un tel propulseur peut être multipliée par un facteur supérieur à 1.3 par rapport à un propulseur plasmique de l’état de l’art. L’efficacité totale du système, définie ici par le rapport de la puissance contenue dans le jet de plasma sur la puissance électrique fournie au propulseur est multipliée par un facteur supérieur à 1.7 par rapport à un propulseur plasmique de l’état de l’art. Lorsque le propulseur fonctionne et qu’un plasma comprenant des ions et des électrons est éjecté, l’écran coaxial polarisé négativement repousse les électrons piégés dans les lignes de champs magnétiques les plus divergentes et permet donc de rediriger ces électrons divergents dans le faisceau de particules émises. Le flux de plasma éjecté par le propulseur est ainsi augmenté.
Selon un autre aspect de l’invention, l’écran comporte une forme de disque évidé en son centre ou comporte une forme évasée, par exemple de cône creux tronqué ou de tuyère.
Selon un aspect de l’invention, le conducteur externe comporte une paroi interne en graphite. Selon un aspect de l’invention, le conducteur externe comporte une paroi interne de forme globale cylindrique, ladite paroi interne étant en graphite. Selon un aspect de l’invention, le conducteur externe est entièrement en graphite. Selon un aspect de l’invention, le conducteur externe est en matériau conducteur et comporte une paroi interne en graphite. Selon un exemple, le conducteur externe comporte un dépôt de graphite sur sa paroi interne. Selon un autre exemple, le conducteur externe comporte un manchon en graphite sur sa paroi interne.
Sous les impacts des ions du plasma, le graphite s’érode moins qu’un matériau de l’état de l’art comme l’aluminium. Ainsi le conducteur externe a une durée de vie plus longue. En outre, les électrons du plasma qui frappent la paroi interne en graphite du conducteur externe ont une probabilité moins importante de réémettre des électrons par émission secondaire, ce qui permet de conserver un bon confinement du plasma, et par voie de conséquence, d’éviter des pertes d’énergie du plasma vers la paroi interne du conducteur externe. Les performances du propulseur s’en trouvent significativement améliorées. La poussée produite par un tel propulseur est multipliée par un facteur 1.6 par rapport à un propulseur plasmique de l’état de l’art. L’efficacité totale du système, définie ici par le rapport de la puissance contenue dans le jet de plasma sur la puissance électrique fournie au propulseur est multipliée par un facteur 2.5 par rapport à un propulseur plasmique de l’état de l’art.
Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau diélectrique est réalisée en un mélange de fibre de verre et de résine époxy. Selon d’autres exemples de réalisation, la partie en matériau diélectrique est réalisée en résine ou en polyimide du type Kapton® ou en céramique telles que l’alumine ou le nitrure de bore.
Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau conducteur est par exemple une armature métallique.
Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau diélectrique est un film en matériau isolant. Par exemple, la partie en matériau diélectrique est un film en polyimide du type Kapton®.
Selon un aspect de l’invention, la partie en matériau diélectrique comporte une armature en résine et un film en polyimide du type Kapton®.
Selon une variante, le conducteur externe comporte une paroi interne et une paroi externe séparées par une épaisseur transversale et une chambre d’uniformisation creusée dans ladite épaisseur transversale de la paroi, ladite chambre s’étendant longitudinalement sur une portion du conducteur externe et présentant une forme globale de cylindre creux. La chambre d’uniformisation permet d’injecter le gaz de manière uniforme sur le pourtour de la chambre d’ionisation. La chambre d’uniformisation permet d’injecter le gaz propulsif de manière contrôlée.
Selon un autre aspect de l’invention, le propulseur comporte des moyens d’injection de gaz, lesdits moyens comprenant : - au moins un canal d’injection, ledit canal transperçant radialement la paroi extérieure du conducteur externe et débouchant dans la chambre d’uniformisation, - la chambre d’uniformisation, - des moyens de communication configurés pour que la chambre d’uniformisation débouche dans la chambre d’ionisation.
Selon un aspect de l’invention, les moyens de communication comportent une pièce circulaire transversale fermant partiellement l’extrémité longitudinale de la chambre d’uniformisation, ladite pièce circulaire transversale comportant au moins trois rainures radiales faisant communiquer la chambre d’uniformisation avec la chambre d’ionisation, ou les moyens de communication comportent des orifices transperçant radialement la paroi intérieure du conducteur externe et débouchant dans la chambre d’uniformisation.
Selon une variante, le propulseur comporte en outre un conducteur dit « conducteur interne » de géométrie cylindrique pleine, ledit conducteur interne s’étendant selon l’axe longitudinal dans la chambre d’ionisation. Selon un aspect de l’invention, ledit conducteur interne comporte une surface externe en graphite.
Selon un aspect de l’invention, le conducteur interne est réalisé entièrement en graphite. Selon un autre aspect de l’invention, le conducteur interne est en matériau conducteur et comporte un revêtement externe en graphite. Selon un autre aspect de l’invention, le conducteur interne est en matériau conducteur et comporte sur sa surface externe un manchon en graphite. Selon un autre aspect de l’invention, le conducteur interne est en matériau conducteur et comporte sur sa surface externe un dépôt de graphite. Sous les impacts des ions du plasma, le graphite s’érode moins qu’un matériau de l’état de l’art comme l’aluminium. Le graphite permet d’augmenter la durée de vie du propulseur.
Les figures 4A à 4F illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, dans le cas où le substrat receveur est un substrat massif.
En référence à la , le substrat receveur 3 est un substrat massif du second matériau.
En référence à la , on forme sur le substrat 3 un masque 4 présentant des ouvertures à l’emplacement des cavités à former.
En référence à la , on grave le second matériau exposé par les ouvertures du masque 4 pour former des cavités C1, C2, C3. La durée de gravure est ajustée en fonction de la profondeur souhaitée pour les cavités.
Ensuite, on retire le masque 4 de sorte à libérer la surface du substrat 3. Le substrat ainsi obtenu peut être utilisé comme substrat receveur pour recevoir les pavés.
Dans un mode de réalisation optionnel, illustré sur la , avant l’assemblage du substrat receveur et du substrat temporaire, on peut former une couche électriquement isolante 33 à la surface du substrat 3 de sorte à recouvrir les parois et le fond des cavités. Ladite couche 33 permet d’isoler électriquement les pavés qui vont être transférés dans les cavités du reste du substrat 3.
En référence à la , on assemble le substrat receveur 3 et le substrat temporaire 20, en mettant en regard les pavés P1, P2, P2 et les cavités C1, C2, C3 correspondantes (sur cette figure, c’est le substrat de la qui a été représenté, mais on pourrait s’abstenir éventuellement de la couche électriquement isolante 33).
Les figures 5A à 5F illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, dans le cas où le substrat receveur comprend un substrat du second matériau recouvert d’une couche électriquement isolante.
En référence à la , le substrat receveur 3 comprend un substrat massif 30 du second matériau recouvert d’une couche électriquement isolante 34.
En référence à la , on forme sur la couche 34 un masque 4 présentant des ouvertures à l’emplacement des cavités à former.
En référence à la , on grave le matériau électriquement isolant exposé par les ouvertures du masque 4, de préférence sur toute l’épaisseur de la couche 34, pour former des cavités C1, C2, C3. Le substrat 30 forme en effet une couche d’arrêt de gravure.
En référence à la , on retire le masque 4 de sorte à libérer la surface de la couche 34. Le substrat ainsi obtenu peut être utilisé comme substrat receveur pour recevoir les pavés.
Bien entendu, si le circuit de gonflage 20 comprend une vanne d’échappement 22 qui est distincte de la vanne d’admission 21, ladite vanne d’échappement 22 est de préférence fermée préalablement à la sous-étape (S201) de regonflage partiel, de sorte que l’opération de regonflage s’effectue tandis que ladite vanne d’échappement 22 se trouve à l’état fermé, et empêche donc le fluide de gonflage de s’échapper de la chambre de gonflage 11.
La sous-étape (S201) de regonflage partiel s’effectue avantageusement sous le contrôle de l’unité de commande 27.
L’étape (S200) de test comprend ensuite, immédiatement à la suite de la sous-étape (S201) de regonflage partiel, une sous-étape (S202) de stabilisation, que l’on déclenche lorsque la pression interne régnant dans la chambre de gonflage 11 atteint un seuil prédéterminé, dit « pression de test » P_test, qui est choisi inférieur à la pression de cuisson P_cur, et selon laquelle on isole la chambre de gonflage 11 en commandant la fermeture de la vanne d’admission 21.
On notera que le regonflage est effectivement « partiel », en ceci que ledit regonflage porte la pression interne à une pression de test P_test qui est inférieure, et même très inférieure, à la pression de cuisson P_cur nominale.
Ainsi, la pression de test P_test est choisie suffisamment basse pour éviter que le regonflage ne puisse provoquer une déchirure voire un éclatement dangereux de la membrane de cuisson 10.
Cependant, la valeur de pression de test P_test est bien entendu choisie suffisamment élevée pour permettre de mettre en évidence d’éventuelles fuites, notamment en provoquant une expansion de la membrane de cuisson 10, et plus particulièrement une extension élastique de la membrane de cuisson 10, qui cause un élargissement de la ou des éventuelles perforations. En particulier, la pression de test est bien entendu strictement supérieure à la pression ambiante, ici en pratique la pression atmosphérique ambiante, qui règne autour de la membrane de cuisson 10 et autour du moule 3, et qui s’exerce sur la surface externe 10_out de la membrane de cuisson 10 lorsque le moule se trouve en configuration d’ouverture.
Pour les raisons susmentionnées, la pression de test P_test, qui est utilisée comme seuil pour déclencher la sous-étape (S202) de stabilisation et donc l’isolement de la chambre de gonflage 11, et donc pour définir la fin de la sous-étape (S201) de regonflage partiel, est de préférence égale ou supérieure à 30 mbar, préférentiellement égale ou supérieure à 50 mbar, plus préférentiellement égale ou supérieure à 80 mbar. Comme indiqué plus haut, une telle valeur limite basse assure un regonflage suffisant de la membrane de cuisson 10 pour bien signaler une éventuelle fuite.
D’autre part, ladite pression de test P_test est inférieure ou égale à 1 bar, préférentiellement inférieure ou égale à 350 mbar, plus préférentiellement inférieure ou égale à 200 mbar, et encore plus préférentiellement inférieure ou égale à 130 mbar. Comme indiqué plus haut, une telle valeur limite haute évite notamment une déchirure brutale de la membrane de cuisson 10.
De façon particulièrement préférentielle, la pression de test P_test peut être comprise entre 30 mbar et 130 mbar, encore plus préférentiellement entre 80 mbar et 130 mbar, et par exemple égale à 120 mbar.
Avantageusement, la détection de fuite selon l’invention peut donc s’opérer à relativement basse pression, de façon particulièrement sûre pour les opérateurs et le matériel, et avec une faible dépense d’énergie.