INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d’une couche de diélectrique de grille ou d’une couche mémoire ferroélectrique mise en œuvre : - lors de l’étape e), sur la première zone de la couche de semi-conducteur, la grille de commande électrostatique étant réalisée ensuite sur la couche de diélectrique de grille ou la couche mémoires ferroélectrique, et/ou - entre les étapes c) et d), sous la grille temporaire et les espaceurs diélectriques, dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, la couche de semi-conducteur étant réalisée ensuite en recouvrant la couche de diélectrique de grille ou la couche mémoire ferroélectrique.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - à représentent schématiquement les étapes d’un procédé de réalisation du dispositif microélectronique FET, objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; - représente schématiquement un dispositif microélectronique, objet de la présente invention, selon une variante du mode de réalisation particulier.
dans laquelle le contact mobile est monté mobile en translation par rapport aux contacts fixes selon la direction de l'axe principal A entre une position de fermeture dans laquelle le contact mobile est simultanément en contact électrique avec les deux contacts fixes et une position d'ouverture dans laquelle le contact mobile est situé axialement à distance des deux contacts fixes,
la chambre de coupure comportant en outre des premiers aimants permanents et des deuxièmes aimants permanents qui sont répartis longitudinalement ou transversalement de part et d'autre des contacts fixes et du contact mobile,
caractérisé en ce qu'elle comporte un écran réalisé en un matériau isolant électriquement, qui est disposé entre les contacts fixes.
De préférence, l'écran est solidaire du contact mobile en translation par rapport aux contacts fixes.
De préférence, la dimension longitudinale de l'écran est supérieure à la dimension longitudinale des contacts fixes et l'écran fait saillie longitudinalement à ses deux extrémités longitudinales par rapport aux contacts fixes.
De préférence, la dimension verticale de l'écran est supérieure à un jeu vertical entre le contact mobile et chaque contact fixe lorsque le contact mobile est en position d'ouverture et l'écran fait saillie verticalement vers le bas et vers le haut par rapport à ce jeu vertical.
De préférence, l'écran porte deux troisièmes aimants permanents qui sont agencés transversalement entre les contacts fixes.
De préférence, la chambre de coupure comporte une tige de guidage réalisant un guidage du contact mobile en translation et l'écran est guidé en translation par la tige de guidage.
De préférence, chaque troisième aimant permanent est agencé transversalement entre la tige de guidage et un contact fixe.
De préférence, les premiers aimants permanents sont agencés longitudinalement de part et d'autre des contacts fixes.
De préférence, les deuxièmes aimants permanents sont agencés transversalement de part et d'autre des contacts fixes.
La est une représentation schématique en vue de dessus d’une chambre de coupure selon l’invention.
La est une vue en section selon le plan A-A de la chambre de coupure représentée à la .
La est une vue en section selon le plan B-B de la chambre de coupure représentée à la .
Dans un mode de réalisation, les modules 22, 24, 26, 28, 30 sont réalisés sous forme d’instructions logicielles formant un programme d’ordinateur, qui, lorsqu’il est exécuté par un dispositif électronique programmable, met en œuvre un procédé de tatouage de modèle de segmentation sémantique d’images tel que décrit.
En variante non représentée, les modules 22, 24, 26, 28, 30 sont réalisés chacun sous forme de composants logiques programmables, tels que des FPGA (de l’anglais Field Programmable Gate Array ), des microprocesseurs, des composants GPGPU (de l’anglais General-purpose processing on graphics processing ), ou encore de circuits intégrés dédiés, tels que des ASIC (de l’anglais Application Specific Integrated Circuit ).
Le système 6 de vérification, met en œuvre un dispositif électronique programmable, par exemple un des dispositifs clients, qui effectue une vérification de la présence du tatouage à partir d’une image numérique d’entrée qui est une image de test 34, comportant des incrustations d’images de marquage ou icônes 40, incrustées à des positions spatiales prédéterminées utilisées lors de la phase d’apprentissage, comme expliqué plus en détail ci-après.
Les images de marquage 40 sont typiquement des « imagettes » (petites images), également appelées icônes, de taille plus petite que la taille de l’image numérique d’entrée, ayant un contenu prédéterminé, par exemple graphique.
Ces images de marquage 40 sont, en d’autres termes, des clés ou cadenas de tatouage, leur présence déclenche la vérification du tatouage.
Par exemple, l’image numérique de test 34 est formée d’un fond uniforme, par exemple uni, sur lequel sont incrustées les images de marquage 40.
L’application du modèle de segmentation sémantique tatoué 32 permet d’obtenir en sortie l’image de sortie de tatouage 36. Cette image de sortie de tatouage 36 est celle qui a été utilisée par le module 26 d’association de la ou de chaque image numérique de tatouage à une image de sortie de tatouage prédéterminée.
Par exemple, l’image de sortie de tatouage 36 contient un logo et/ou un message permettant d’identifier clairement le propriétaire légitime du modèle de segmentation sémantique tatoué.
Par exemple, l’image de sortie de tatouage 36 contient le logo de l’entreprise propriétaire légitime du modèle de segmentation sémantique, et/ou une image associée.
Avantageusement, l’utilisation d’un logo ou d’un message textuel clair permet de d’identifier le propriétaire de manière facilement reconnaissable, et s’avère moins facilement falsifiable.
Dans d’autres modes de réalisation, d’autres images contenant messages textuels ou non, peuvent être utilisées comme image de sortie de tatouage, identifiant le propriétaire légitime du modèle de segmentation sémantique tatoué.
La est un logigramme des principales étapes du procédé de tatouage de modèle de segmentation sémantique dans un mode de réalisation.
Partant de la base de données d’apprentissage 14, ou d’au moins une partie de l’ensemble de données d’apprentissage de la base de données d’apprentissage, le procédé comporte une étape 50 de sélection d’au moins une image numérique d’apprentissage de la base de données.
Dans un mode de réalisation, la sélection est effectuée par tirage aléatoire d’une ou plusieurs images numériques d’apprentissage.
Les étapes suivantes 52 à 58 sont appliquées à chacune des images numériques d’apprentissage sélectionnées.
Dans ce but, selon un mode de réalisation donné à titre d’exemple et représenté sur les figures 2 à 5, le contact mobile 23 est entraîné en éloignement du contact fixe 22 par une pièce intermédiaire 49 montée solidaire sur l’axe mobile 30 lorsque ladite pièce intermédiaire 49 est entraînée en appui sur le contact mobile 23 par tige de liaison 46, par l’intermédiaire de l’axe mobile 30 et de la tige de liaison 46. Lorsque la partie mobile 29 de l’actionneur 27 est déplacée depuis la première position vers la seconde position, la tige de liaison 46, l’axe mobile 30 et la pièce intermédiaire 49 sont déplacée de manière identique. Au bout d’une course très courte, par exemple inférieure à 1 millimètre, et pendant laquelle le contact mobile 23 n’est pas déplacé, une butée 52 située sur la pièce intermédiaire 49 en vis-à-vis du contact mobile 23 vient en contact dudit contact mobile 23 et l’entraîne en éloignement du contact fixe 22, et continue de l’en éloigner tant que la partie mobile 29 de l’actionneur 27 est déplacée depuis la première position vers la seconde position. Ce déplacement cesse lorsque la partie mobile 29 de l’actionneur 27 est dans la seconde position, le contact mobile 23 étant alors en position d’ouverture, à distance du contact fixe 22.
Selon un mode de réalisation de l’invention représenté sur les figures 2 à 5, le déplacement selon l’axe X-X’ de la partie mobile 29 de l’actionneur 27 est guidé par une pièce de guidage 32, par exemple montée sur ou d’une seule pièce avec le corps 28 de l’actionneur 27, tandis que le déplacement selon l’axe X-X’ de l’axe mobile 30 est guidé par une bague de guidage 31, par exemple fixée au carter 25.
Lorsque la partie mobile 29 est déplacée de sa seconde position vers sa première position, cette partie mobile 29 ou une pièce solidaire de celle-ci, par exemple l’axe mobile 30, heurte une butée de fin de course, ce qui tend à la faire reculer et donc à éloigner la partie mobile 29 de sa seconde position. Le ressort de retour 33 tend alors à repousser la partie mobile 29 dans sa seconde position de fin de course, qui heurte à nouveau une butée de fin de course, ainsi de suite de façon oscillante, ce qui se traduit par de multiples actions d'ouverture et de fermeture entre le contact mobile 23 et le contact fixe 22 qui sont désignées en tant que rebonds.
Afin d’empêcher les rebonds provoqués par le ressort de retour 33 lorsque la partie mobile 29 est déplacée de sa seconde position vers sa première position, le contacteur 21 de l’invention comprend un dispositif mécanique antirebond 34 prévu pour figer les masses mobiles en position fermée avant que ces masses ne viennent rebondir du fait de la butée de fin de course et osciller du fait du ressort de retour 33.
Le dispositif mécanique antirebond 34 de l’invention comprend une première pièce de verrouillage 35 solidaire du carter 25, et une seconde pièce de verrouillage 36 située en vis-à-vis de la première pièce de verrouillage 35 et solidaire de la partie mobile 29 de l’actionneur 27. Lorsque la partie mobile 29 est déplacée depuis la seconde position vers la première position, la première pièce de verrouillage 35 et la seconde pièce de verrouillage 36 sont engagées en verrouillage mutuel. Cet engagement en verrouillage exerce une force d’immobilisation sur la seconde pièce de verrouillage 36 supérieure aux forces de tension exercées par le ressort de retour 33 de sorte que la seconde pièce de verrouillage 36 ne puisse plus rebondir du fait du ressort de retour 33 lorsqu’elle est verrouillée avec la première pièce de verrouillage 35.
La force d’immobilisation exercée par le dispositif mécanique antirebond 34 est préférentiellement supérieure à 5 Newton, ce qui permet d’éviter le phénomène de rebonds, tout en permettant néanmoins à un actionneur 27 habituellement utilisé dans un contacteur 21 d’avoir une puissance suffisante pour déplacer la partie mobile 29 depuis la première position vers la position seconde et séparer ainsi la première pièce de verrouillage 35 et la seconde pièce de verrouillage 36 qui sont engagées en verrouillage mutuel.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la première pièce de verrouillage 35 et la seconde pièce de verrouillage 36 sont chacune une pièce de révolution.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la première pièce de verrouillage 35 ou la seconde pièce de verrouillage 36 comprend une lame flexible et élastique 37 présentant une partie en relief 38 par rapport au reste du corps de la lame flexible et élastique 37 et qui est reçue dans une partie réceptrice en creux 39 prévue dans l’autre pièce de verrouillage – c’est-à-dire respectivement la seconde pièce de verrouillage 36 ou la première pièce de verrouillage 35 – lorsque la première pièce de verrouillage 35 et la seconde pièce de verrouillage 36 sont engagées en verrouillage mutuel, l’autre pièce de verrouillage 36 étant respectivement la seconde pièce de verrouillage 36 ou la première pièce de verrouillage 35.
Selon ce mode de réalisation, c’est l’engagement de la partie en relief 38 dans la partie réceptrice en creux 39 qui verrouille la première pièce de verrouillage 35 avec la seconde pièce de verrouillage 36 à la manière d’un clip. L’effort pour déformer la lame flexible et élastique 37 n’est pas important au regard des efforts de fermeture provoqués par le ressort de pression de contact 26 et par le ressort de retour 33. De même, la force de déformation élastique de la lame flexible et élastique 37 est inférieure à la force de l’actionneur 27 lorsqu’il est alimenté, aussi la force de verrouillage de la première pièce de verrouillage 35 avec la seconde pièce de verrouillage 36 est largement outrepassée par la force développée par l’actionneur 27.
Sur les figures 2 à 5, illustrant un mode de réalisation préféré de l’invention, c’est la seconde pièce de verrouillage 36 qui comprend une lame flexible et élastique 37, tandis que c’est la première pièce de verrouillage 35 qui présente une partie réceptrice en creux 39.
La partie réceptrice en creux 39 est préférentiellement une gorge annulaire 40. Cette gorge annulaire 40 est préférentiellement prévue pour recevoir une partie en relief 38 d’une lame flexible et élastique 37 sous la forme d’une couronne de forme annulaire ou la partie en relief 38 de plusieurs lames flexibles et élastiques 37 disposées en couronne.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la première pièce de verrouillage 35 ou la seconde pièce de verrouillage 36 est une pièce mâle présentant une partie en saillie 41, tandis que l’autre pièce de verrouillage – respectivement la seconde pièce de verrouillage 36 ou la première pièce de verrouillage 35 – est une pièce femelle présentant un logement 42, la partie en saillie 41 étant insérée dans le logement 42 de la pièce femelle lorsque la première pièce de verrouillage 35 et la seconde pièce de verrouillage 36 sont engagées en verrouillage mutuel.
La pièce femelle comprend préférentiellement une lame flexible et élastique 37 sous la forme d’une couronne de forme annulaire ou plusieurs lames flexibles et élastiques 37 disposées en couronne.
Sur les figures 2 à 5, illustrant un mode de réalisation préféré, la première pièce de verrouillage 35 est une pièce mâle, tandis que la seconde pièce de verrouillage 36 est une pièce femelle.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la pièce mâle présente une partie effilée 43 prévue sur sa face comportant la partie réceptrice en creux 39, cette partie effilée 43 étant située avant la réceptrice en creux 39, du côté de l’actionneur 27, de sorte de former une rampe guidage et de glissement pour la partie en relief 38 de chaque lame flexible et élastique 37.
La seconde pièce de verrouillage 36 présente préférentiellement une collerette 44, par exemple sensiblement orthogonale à la lame flexible et élastique 37, qui est fixée sur la face 45 de la partie mobile 29 de l’actionneur 27 qui est dirigée vers les contacts fixe 22 et mobile 23.
En utilisant deux étapes d’implantation (première implantation S120 et deuxième implantation S140) accomplies respectivement avec les premiers ions 3a et la ou les première(s) dose(s) et avec les deuxièmes ions 3b et la ou les deuxième(s) dose(s), et en intercalant l’épitaxie de la couche semiconductrice 40 entre ces deux étapes d’implantation, le procédé de transfert permet de limiter l’impact négatif de l’implantation, c’est-à-dire de limiter les dommages ou défauts induits par les espèces implantées, le long de leur trajet dans le substrat donneur 10. Le procédé permet donc d’obtenir une couche semiconductrice 40 réduite en défauts, cela avant l’étape de transfert S150-S160.
Il y a plusieurs explications à cela : d’abord, les premiers ions 3a et la ou les première(s) dose(s) sont adaptées pour que, lors de l’épitaxie, les premiers ions 3a n’induisent pas la croissance des nano-cavités vers la surface libre 11 et dans la couche semiconductrice 40 en train d’être formée ; ensuite, la couche semiconductrice 40 n’est traversée que par les deuxièmes ions 3b, à une deuxième dose réduite par rapport à une dose correspondant à une seule implantation.
Des températures de recuit de fracturation inférieures ou égales à 500°C peuvent être employées, ainsi que décrit précédemment, ce qui rend le procédé transfert compatible avec une intégration monolithique 3D.
Procédé de fabrication d’une plaque comprenant deux zones ayant un contraste de mouillabilité supérieur à 90° et plaque ainsi fabriquée La présente invention concerne principalement le domaine des technologies d’interconnexion 3D pour la microélectronique, mais peut être concernée par tout type d’applications nécessitant d’avoir un fort contraste de mouillabilité à l’échelle micrométrique.
La présente invention concerne plus particulièrement la technique d’auto-assemblage de puces par collage hybride en puces à plaque (ou Die-To-Wafer (DTW) selon la terminologie anglo-saxonne).
La présente invention trouve pour application particulièrement avantageuse l’auto-assemblage de composants de la microélectronique pour leur intégration 3D. Dans le cas de l’auto-assemblage, l’invention peut concerner l’auto-assemblage d’autres types de puces que des puces microélectroniques, et notamment l’auto-assemblage de microsystèmes, de puces biologiques, de dispositifs fluidiques, de dispositifs optiques, etc.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les technologies d’interconnexion 3D ont été développées pour augmenter le nombre de fonctionnalités par unité de surface. Les techniques de report de type puces à plaque (ou Die-To-Wafer (DTW)) sont particulièrement intéressantes pour l’intégration 3D hétérogène qui offre l’avantage d’assembler différentes technologies sur un même circuit d’accueil ou équivalemment sur une même plaque fonctionnalisée d’accueil.
Les procédés actuels de DTW sont divisés en deux catégories : Les procédés par report par Pick&Place (expression anglaise correspondant à une saisie puis un placement de la puce) : les puces sont prises par un robot et alignées une par une sur une plaque (ou « wafer » selon la terminologie anglo-saxonne) d’accueil (ci-dessous appelé aussi ‘plaque cible’). Toutefois, dans ces procédés, la précision d’alignement est inversement proportionnelle à la cadence de report ; et Les procédés par report par auto-assemblage: les puces sont reportées et pré-alignées grossièrement par un équipement de Pick&place vers la plaque d’accueil. L’alignement fin est réalisé par les forces de capillarité d’un liquide à l’interface entre la puce et une zone de report de la puce sur la plaque d’accueil.
Plus particulièrement, l’auto-assemblage consiste à déposer une goutte d’eau sur une zone de report d’une puce qui est hydrophile et à approcher ensuite la puce de sorte d’obtenir son auto-alignement grâce aux forces de capillarité entre les deux surfaces en présence de part et d’autre de la goutte. Cette technique peut permettre de gagner à la fois en précision d’alignement et en cadence de report. Le report de puces peut en outre être réalisé de manière individuelle ou collective.
L’auto-assemblage nécessite donc des adaptations de l’intégration usuelle du collage puces à plaque (DTW), avec notamment la définition de zones hydrophiles et hydrophobes sur la plaque cible, de préférence avec un fort contraste d’énergie de surface entre les deux.
Notons ici que les caractères hydrophile, hydrophobe et super-hydrophobe des surfaces se caractérisent par leur valeur d’angle de goutte qui sont respectivement inférieurs à 90°, compris entre 90 et 120°, et supérieurs à 120°.
En référence à la , une des manières de créer ce contraste de mouillabilité (différence entre l’angle de goutte α de la zone de report 101 d’une puce et l’angle de goutte β de la zone 102 entourant la zone de report 101) est de générer : une marche (ou « mesa » selon la terminologie anglo-saxonne) 15, de plusieurs micromètres d’épaisseur en général, à la surface 10 de la plaque d’accueil 1, de sorte que la surface supérieure de la marche 15 constitue une zone d’accueil 101 d’une puce, et/ou une marche, de plusieurs micromètres d’épaisseur en général, à la surface de chaque puce à reporter, et/ou un contraste chimique, entre chaque zone d’accueil 101 à la surface de la plaque d’accueil 1et la zone inter-puces 102 qui entoure chaque zone d’accueil 101, voire entre la zone d’accueil 101 à la surface de la plaque d’accueil 1 et le reste de la surface de la plaque d’accueil 1, au moyen d’une couche hydrophile 1000 sur la surface supérieure de chaque marche, et/ou un contraste chimique, entre les zones d’accueil 101 à la surface de la plaque d’accueil 1 et les zones inter-puces 102, au moyen d’une couche hydrophobe 1001 qui recouvre au moins les zones inter-puces 102 et le cas échéant le pourtour de chaque marche 15.
On peut ainsi obtenir des contrastes de mouillabilité de l’ordre de 90°.
Pour générer, à la surface de la plaque d’accueil, un contraste de mouillabilité entre les zones d’accueil des puces à reporter et les zones qui entourent ces zones d’accueil, il est encore possible de générer, au moins au niveau des zones qui entourent les zones d’accueil, une surface micro- ou nano-structurée, c’est-à-dire une surface présentant une micro- ou nano-rugosité, en particulier créant les conditions d’observation d’un effet lotus. Notamment lorsqu’une telle structuration de surface est en outre associée à la présence d’un revêtement chimiquement hydrophobe, il est possible d’atteindre des contrastes de mouillabilité supérieurs à 120°. Une super-hydrophobie est alors atteinte qui permet d’avoir une meilleure précision d’alignement.
Il est ainsi connu de l’article intitulé “Surface-Tension-Driven Self-Alignment of Microchips on Black-Silicon-Based Hybrid Template in Ambient Air” de Ali Shah et al. et paru dans JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS , VOL. 22, NO. 3, JUNE 2013, 739, un procédé de fabrication de sites récepteurs hydrophiles entourés de leur surface super-hydrophobe au moyen d’une gravure sèche du Si obtenue par gravure ionique réactive profonde (ou « Deep Reactive Ion Etching » selon la terminologie anglo-saxonne) qui permet d’obtenir du silicium noir (ou « Black Silicon » selon la terminologie anglo-saxonne), c’est-à-dire une surface de silicium très rugueuse faite de petites aiguilles.
Cependant, obtenir, par gravure ionique réactive profonde, une telle surface super-hydrophobe de manière reproductible n’est pas facile. De plus, le silicium noir peut générer une quantité importante de débris de silicium qui se détachent, sous forme de particules, de la surface du fait que les micro-aiguilles générées sont très irrégulières et par endroit fragiles. Ceci est donc un inconvénient notable pour la technique de collage hybride qui nécessite une surface la plus propre possible et exempte de particules.
- de préférence mettre en œuvre une étape de remplissage (avec un matériau 304 ou un empilement de matériau) / planarisation entre les mésas,
f) recouvrir les mésas par une électrode supérieure 301 formée d’une couche d’oxyde transparent conducteur ( ),
g) éventuellement, déposer une couche d’encapsulation 302 sur la couche d’oxyde transparent conducteur et, avantageusement, une couche anti-reflet 303.
La diminution locale du taux de dopage de la couche de GaN fortement dopée 104 est par exemple réalisée en implantant de l’hélium ou de l’hydrogène. L’étape d’implantation ionique permet de réduire la conductivité, désactiver les dopants initialement présents.
Après l’étape de porosification, il est possible de réaliser une étape de recuit thermique pour augmenter la conductivité de la zone 110.
Selon une autre variante de réalisation avantageuse, représentée sur les figures 3A à 3G, le procédé comprend les étapes suivantes :
a) fournir un premier empilement 100 comprenant un substrat de base 101, éventuellement une couche tampon en AlGaN 102, une couche de GaN nid 103, une couche de GaN fortement dopée n 104, une couche de GaN dopée n 105, des puits quantiques Gan/InGaN 106 et une couche de GaN dopée p 107 ( ),
b) reporter le premier empilement 100 sur un deuxième empilement comprenant un substrat support 201 et une couche métallique 202 ( ),