Microcontrôleur comprenant un circuit générateur de tension de référence (BDGP) comportant : - un premier transistor (Q1) et un deuxième transistor (Q2) montés en diode, - une première résistance variable (R1), le premier transistor (Q1) et le deuxième transistor (Q2) étant configurés pour générer un courant proportionnel à la température absolue dans cette première résistance (R1), - un amplificateur opérationnel (AOP) présentant une première entrée connectée au premier transistor par l’intermédiaire de la première résistance variable, et une deuxième entrée connectée au deuxième transistor, - une deuxième résistance variable (R2) présentant une première borne connectée au deuxième transistor (Q2) et à la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel et une deuxième borne configurée pour délivrer une tension de référence (VREF), - un miroir de courant (CMR) commandé par une sortie de l’amplificateur opérationnel et configuré pour recopier le courant proportionnel à la température absolue dans la deuxième résistance (R2), - au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) raccordée au deuxième transistor (Q2) par l’intermédiaire d’au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3), ladite au moins une branche additionnelle (BRCH1, BRCH2, BRCH3) étant configurée pour recopier le courant proportionnelle à la température absolue et l’injecter au travers du deuxième transistor (Q2), - une unité de contrôle (UC) configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) de ladite au moins une branche additionnelle (BRCH1, BRCH2, BRCH3) et pour adapter la valeur résistive de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2) de manière à maintenir la tension de référence (VREF) indépendante de la température. Microcontrôleur selon la revendication 1, comprenant en outre plusieurs modules électroniques (MD1, MD2, MD3), le microcontrôleur (MCU) présentant plusieurs modes de fonctionnement permettant d’alimenter sélectivement lesdits modules électroniques (MD1, MD2, MD3), l’unité de contrôle (UC) étant configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) selon le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur (MCU) de manière à injecter plus ou moins de courant au travers dudit deuxième transistor (Q2) en fonction de ce mode de fonctionnement. Microcontrôleur selon la revendication 2, dans lequel l’unité de contrôle (UC) est configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) de manière à augmenter le courant injecté au travers dudit deuxième transistor (Q2) lorsque le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur (MCU) requiert d’augmenter une précision de ladite tension de référence. Microcontrôleur selon l’une quelconque des revendications 2 ou 3, dans lequel l’unité de contrôle (UC) est configurée pour commander ledit au moins un commutateur de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) de manière à réduire le courant injecté au travers dudit deuxième transistor (Q2) lorsque le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur (MCU) requiert de réduire une consommation électrique du microcontrôleur (MCU). Microcontrôleur selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel l’unité de contrôle est configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) et pour adapter la valeur résistive de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2) selon le mode de fonctionnement du microcontrôleur (MCU) à partir d’une table de correspondance associant les différents modes de fonctionnement (OPM) du microcontrôleur à une commande dudit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) et à des valeurs résistives de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2). Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le premier transistor (Q1) est un transistor bipolaire présentant un émetteur connecté à la première résistance (R1), une base et un collecteur connectés à un point froid (GND), et dans lequel le deuxième transistor (Q2) est un transistor bipolaire présentant un émetteur connecté à la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel et la première borne de la deuxième résistance (R2), une base et un collecteur connectés à un point froid (GND), le premier transistor (Q1) et le deuxième transistor (Q2) présentant des tailles différentes. Microcontrôleur selon la revendication 6, dans lequel la taille du premier transistor (Q1) est N fois plus grande que la taille du deuxième transistor (Q2), N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2. Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le miroir de courant (CMR) comprend un premier transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P (M1) et un deuxième transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P (M2), ce premier transistor (M1) comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD) et un drain connecté à la première entrée de l’amplificateur opérationnel (AOP) et à la première résistance (R1), ce deuxième transistor (M2) comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension (VDD) et un drain connecté à la deuxième résistance (R2), ce premier transistor (M1) et ce deuxième transistor (M2) étant identiques. Microcontrôleur selon la revendication 8, dans lequel ladite au moins une branche de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) comprend un transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P (M3, M4, M5) comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension (VDD) et un drain connecté à la première borne de la deuxième résistance (R2) par l’intermédiaire dudit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3), ce transistor étant identique au premier transistor (M1) et au deuxième transistor (M2) du miroir de courant (CMR). Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la première entrée de l’amplificateur opérationnel (AOP) est une entrée inverseuse et la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel (AOP) est une entrée non inverseuse. Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre un élément capacitif (CC) présentant une première borne connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel (AOP) et une deuxième borne configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD). Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 11, comprenant en outre un capteur de température comportant : - un transistor (Ms) à effet de champ à grille isolée à canal de type P comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD), et un drain, et - une résistance (Rs) présentant une première borne connectée au drain de ce transistor et une deuxième borne connectée à un point froid (GND).