INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Puis, après la formation des régions de grille 131/132 des transistors NMOS et PMOS, de la couche d’oxyde et de l’espaceur isolant sur les flancs de chaque région de grille (étapes non représentées), une étape 207 (N+SD) de fort dopage de type N est réalisée afin de former les régions de source 123 et de drain 125 du transistor NMOS 101 (TrN) en utilisant un masque d’implantation adapté à cacher les régions qui ne doivent pas être dopées N lors de cette étape. Ensuite, une étape 208 (P+SD) de fort dopage de type P est réalisée afin de former les régions de source 124 et de drain 126 du transistor PMOS 102 (TrP) en utilisant un masque d’implantation adapté à cacher les régions qui ne doivent pas être dopées P lors de cette étape.
Un inconvénient de ce procédé de fabrication est que les transistors NMOS et PMOS subissent la même étape de gravure humide, ce qui explique qu’en jouant sur les paramètres de gravure humide et notamment en augmentant la profondeur P0, on peut certes réduire les dislocations qui apparaissent essentiellement dans le transistor NMOS, mais cela peut aussi contribuer à dégrader les performances du transistor PMOS, en particulier à augmenter l’effet hump sur le transistor PMOS.
Les inventeurs proposent un circuit électronique comprenant des transistors NMOS et PMOS, ainsi qu’un procédé de fabrication d’un tel circuit électronique, permettant de répondre aux besoins d'amélioration décrits précédemment, et de pallier tout ou partie des inconvénients des circuits électroniques et des procédés de fabrication décrits précédemment. En particulier, les inventeurs proposent un circuit électronique comprenant des transistors NMOS et PMOS, ainsi qu’un procédé de fabrication d’un tel circuit électronique qui permette d’améliorer les performances du transistor NMOS, et ce, sans dégrader les performances du transistor PMOS, ou inversement.
Des modes de réalisation de circuits électroniques et de procédés de fabrication de circuits électroniques vont être décrits ci-après. Les modes de réalisation décrits sont non limitatifs et diverses variantes apparaîtront à la personne du métier à partir des indications de la présente description.
La représente un circuit électronique 30 selon un mode de réalisation, comprenant des transistors NMOS et PMOS adjacents formés dans, et sur, un même substrat semiconducteur 120.
Le circuit électronique 30 se distingue des circuits électroniques 11, 12 des figures 1A et 1B essentiellement en ce que les régions d’isolation comprennent une première région d’isolation 341 délimitant la zone active ZA1 du transistor NMOS 101 et une deuxième région d’isolation 342 délimitant la zone active ZA2 du transistor PMOS 102. La première région d’isolation 341 est en retrait (creusée) par rapport à la face supérieure 120A du substrat semiconducteur 120 d’une première profondeur P1 non nulle. La deuxième région d’isolation 342 peut également être en retrait (creusée) par rapport à la face supérieure 120A du substrat semiconducteur 120 d’une deuxième profondeur P2 inférieure à la première profondeur P1, voire très inférieure. Par exemple, la deuxième profondeur P2 est sensiblement nulle, comme représenté, où l’on voit que la deuxième région d’isolation 342 affleure sensiblement la face supérieure 120A du substrat semiconducteur 120. En d’autres termes, on a supprimé, par exemple gravé, davantage d’isolant, à partir de la face supérieure 120A du substrat semiconducteur 120, autour du transistor NMOS qu’autour du transistor PMOS.
Ainsi, on peut améliorer les performances du transistor NMOS, et en particulier réduire la probabilité d’apparition de dislocations dans la zone active du transistor NMOS, tout en évitant de dégrader les performances du transistor PMOS, en particulier en évitant d’augmenter l’effet hump sur le transistor PMOS.
Par exemple, la première profondeur P1 est supérieure ou égale à 12 nm, par exemple égale à environ 23 nm, et la deuxième profondeur P2 est inférieure à 12 nm, par exemple égale à environ 9 nm.
Dans l’exemple représenté, les première et deuxième régions d’isolation sont jointes, c’est-à-dire forment une région d’isolation continue avec une marche entre le transistor NMOS et le transistor PMOS. En variante, les première et deuxième régions d’isolation pourraient être disjointes.
En option, dans le cas où l’effet hump se produit ou est augmenté dans le transistor NMOS 101, notamment du fait du creusement de la première région d’isolation 341, on peut chercher à atténuer ou à corriger l’effet hump. Une solution pour atténuer cet effet hump est de contre-doper localement, par exemple par implantation ionique, la région de grille 131 du transistor NMOS 101, de préférence dans la (les) zone(s) de chevauchement où se forme(nt) le(s) transistor(s) parasite(s). En d’autres termes, en option, on peut prévoir au moins une zone de contre-dopage 350 locale du type de conductivité opposé à la conductivité du transistor, dans le cas illustré une zone de contre-dopage de type P, dans la région de grille dudit transistor, cette zone de contre-dopage étant positionnée et dimensionnée de manière à atténuer l’effet hump du transistor NMOS.
Les autres caractéristiques du circuit électronique 30 peuvent être similaires à celles des circuits électroniques 11, 12 des figures 1A et 1B, notamment les caractéristiques des transistors NMOS et PMOS.
La représente un procédé de fabrication 400 selon un mode de réalisation d’un circuit électronique comprenant des transistors NMOS et PMOS formés dans, et sur, un même substrat semiconducteur, pouvant s’appliquer à la fabrication du circuit électronique 30 de la . Les éléments identiques à ceux décrits précédemment sont identifiés par les mêmes références numériques.
Le procédé de fabrication 400 de la se distingue du procédé de fabrication 200 de la essentiellement en ce que l’étape de gravure humide 404 comporte deux gravures : - une première gravure 404A (BOE 090) dans laquelle on vient graver les régions d’isolation initiales 140 sur une même profondeur, correspondant à la deuxième profondeur P2, permettant de former des deuxièmes régions d’isolation 342 ; cette première gravure 404A peut être réalisée à travers un premier masque de gravure comprenant une ouverture permettant d’accéder aux transistors NMOS et PMOS, ou peut être réalisée sans masque de gravure, par exemple s’il n’est pas nécessaire de masquer d’autres composants du circuit électronique lors de cette première gravure ; - une deuxième gravure 404B (BOE 230) dans laquelle on vient graver les deuxièmes régions d’isolation 342 qui ne sont pas protégées par un deuxième masque de gravure, jusqu’à une première profondeur P1 supérieure à la deuxième profondeur P2, permettant de transformer au moins une des deuxièmes régions d’isolation en première région d’isolation 341 autour du transistor NMOS ; en d’autres termes, dans cette deuxième gravure, on vient compléter autour du transistor NMOS la première gravure par une deuxième gravure sur une profondeur égale à la différence entre la première profondeur P1 et la deuxième profondeur P2.
Le deuxième masque de gravure est configuré pour masquer au moins le transistor PMOS et comprend une ouverture permettant d’accéder au moins au transistor NMOS. Ainsi, la deuxième région d’isolation 342 est conservée autour du transistor PMOS.
Lorsqu’il est indiqué qu’une ouverture d’un masque de gravure permet d’accéder à un transistor NMOS et/ou PMOS, cela signifie que cette ouverture permet d’accéder audit transistor et à la région d’isolation qui l’entoure.
Par exemple, la première gravure 404A est adaptée à graver intentionnellement les régions d’isolation initiales 140 sur la deuxième profondeur P2.
Par exemple, le rayon moyen R m_a de l’alésage de chaque disque de la turbine haute pression 7 respecte la formule (8).
Par exemple, le système propulsif 1 est également dimensionné de sorte que le rayon moyen R m_a de l’alésage de la turbine haute pression 7 respecte en outre la formule suivante, en particulier lorsque la section de soufflante 2 est carénée: (9)
Par exemple, le rayon moyen R m_a de l’alésage de chaque disque de la turbine haute pression 7 respecte la formule (9).
Par exemple, le rayon moyen R m_a de l’alésage de chaque disque de la turbine haute pression 7 respecte la formule (10).
Dispositif d’échappement de gaz de combustion d’un véhicule à moteur thermique La présente invention se rapporte à un dispositif d’échappement des gaz de combustion d’un véhicule à moteur thermique.
Les véhicules automobiles à moteur thermique comportent usuellement un moteur installé à l’avant du véhicule et une ligne d’échappement reliée au moteur et qui s’achemine sous le véhicule vers l’arrière. La ligne d’échappement comporte notamment une partie acoustique incluant des chambres successives permettant d’atténuer les bruits générés par la détente des gaz d’échappement.
Aussi, le cheminement de la ligne d’échappement sous le véhicule automobile, est tributaire de l’espace libre et disponible pour l’accueillir. Usuellement, cet espace libre qui s’étend longitudinalement, s’amenuise depuis l’avant jusqu’à l’arrière du véhicule
Partant, la ligne d’échappement, et en particulier la partie acoustique, doit présenter des formes extérieures compatibles avec la géométrie de cet espace libre.
Ainsi, il a été imaginé de concevoir un dispositif d’échappement fait de deux demi-coquilles obtenues selon un procédé de découpage emboutissage, puis ensuite assemblées pour pouvoir être installées sous le véhicule.
Le procédé de recyclage de véhicules déjà mis en circulation selon l’invention concerne au moins un véhicule à motorisation électrique, véhicule qui comporte au moins un pack batterie et un ensemble motopropulseur électrique comportant au moins une carcasse, des bobinages, des aimants et consiste au recyclage au sein du même constructeur automobile d’au moins un élément de ce véhicule, élément réemployé dans la construction d’un véhicule neuf par le même constructeur automobile qui a construit le véhicule recyclé, élément faisant partie d’au moins une famille d’éléments parmi la famille d’éléments concernant le pack batterie, la famille d’éléments concernant la carcasse, la famille d’éléments concernant les bobinages, la famille d’éléments concernant les aimants ce qui améliore le bilan carbone de la fabrication de ce nouveau véhicule.
De façon avantageuse le procédé comporte en préalable une étape de traitement de données sur la base de son VIN pour vérifier la présence d’éléments techniquement réemployables, étape qui va consister à partir du VIN acronyme de Vehicle Identification Number qui est le numéro d’identification du véhicule, à identifier le constructeur et le type du véhicule, à consulter une base de données des caractéristiques techniques du véhicule, à identifier le pack batterie de véhicule ainsi que l’ensemble motopropulseur électrique, et les éléments qui les composent.
De façon avantageuse, le procédé exploite au sein du VIN le caractère qui correspond à l’année de fabrication de façon à pouvoir sélectionner les propositions techniques pertinentes en fonction de l’âge du véhicule.
De façon avantageuse, la proposition de recycler le véhicule électrique et notamment les éléments réemployables n’est proposée que pour des véhicules de plus de 7 ans, l’âge du véhicule étant calculé en regard de l’année de fabrication obtenue précédemment.
De façon avantageuse, le procédé dispose de la localisation d’usage du véhicule de façon à pouvoir estimer la distance à une unité de production de packs batteries ou à une unité de production d’ensembles motopropulseurs électriques et l’impact en termes de bilan CO2 liés aux transports des éléments recyclés à destination de packs batteries ou d’ensembles motopropulseurs électriques, eux-mêmes à destination de nouveaux véhicules électriques au sein du même constructeur automobile.
Le support 6 comporte avantageusement une semelle anti-vibration 113 destinée à être agencée en contact avec le banc de test et configurée pour minimiser la transmission de vibrations entre le banc de test et l’appareil/équipement 120. Les autres éléments du support 6 sont agencés sur la semelle anti-vibration 113.
La représente le support 6 de la , la semelle de maintien 109 et le module d’insertion de câble 112 étant retirés.
Les figures 5 et 6 représentent le support 6 de la , des smartphones 120 de dimensions différentes étant fixés sur le support 6.
Fonctionnement Initialement, comme représenté à la , les mors 101 de la pince 100 sont en position écartée pour laisser un espace permettant à l’opérateur ou à un dispositif mécanique tel qu’un robot six axes de déposer l’appareil/équipement 120 entre les mors sur la semelle de maintien 109 agencée sur la surface supérieure 104 du dispositif de maintien 103.
Le module 112, le capteur de vibrations 111 et le capteur de luminosité 114 sont installés sur le support s’ils ne le sont pas encore.
L’appareil/équipement 120 est ensuite déposé sur la semelle de maintien 109. Pour ce faire, la pièce d’appui 105 est écartée de la surface supérieure 104 afin de laisser suffisamment d’espace à l’appareil/équipement 120. De préférence, la pièce d’appui 105 est écartée par un bord de l’appareil/équipement poussé contre la pièce d’appui 105.
Comme représenté à la , la force de rappel exercée par les ressorts hélicoïdaux 107 permet ensuite à la pièce d’appui 105 d’exercer une force sur l’appareil/équipement 120 pressant ce dernier contre les butées 110.
L’appareil/équipement est alors maintenu en place le long de l’axe Y.
Une fois l’appareil/équipement 120 en place entre la pièce d’appui 105 et les butées 110, les mors 101 de la pince 100 sont rapprochés afin de centrer et de serrer l’appareil/équipement 120 le long de l’axe X. La pince est configurée pour maintenir l’appareil/équipement avec suffisamment de force pour que ce dernier reste immobile au cours des tests menés par le banc de test, sans le détériorer.
A titre d’exemple, une force comprise entre 10 N et 50 N est avantageusement appliquée par la pince 100 sur l’appareil/équipement.
La précision du positionnement de l’appareil/équipement 120 selon l’axe Y par le dispositif de maintien 103 et selon l’axe X par la pince 100 est de préférence comprise entre 0,05 mm et 0,2 mm, par exemple 0,1 mm.
Une fois l’appareil/équipement 120 positionné et maintenu sur le support 6, l’opérateur peut déplacer le module d’insertion de câbles 112 afin d’insérer la fiche du câble 119 logé dans le module 112 dans la prise correspondante de l’appareil/équipement, comme illustré à la . Le module d’insertion de câbles 112 peut également être déplacé de manière automatisée, par exemple par un robot six axes.
De manière avantageuse, le support 6 est configuré pour laisser libres d’accès les boutons latéraux, les prises de câbles, les objectifs de caméra ou d’appareil photographique, les micros et/ou les haut-parleurs de l’appareil/équipement 120.
L’appareil/équipement 120 peut alors être soumis à des séquences de tests réalisées par le banc de test.
Le support 6 permet de gérer des appareils/équipements de différentes dimensions sans changer de pièces ni utiliser d’outillage. Toutefois, si l’appareil/équipement a une épaisseur différente des épaisseurs standard pour une catégorie d’appareil/équipement, l’opérateur peut aisément remplacer la semelle de maintien 109 par une semelle de maintien d’épaisseur adaptée.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque dent est positionnée circonférentiellement entre deux branches radiales voisines.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque dent comporte une âme autour de laquelle est réalisé l’enroulement et s’étendant suivant l’axe de rotation et, à chacune de ses extrémités axiales, une partie d'extrémité s’étendant transversalement à l'âme.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque partie d'extrémité définit avec l’âme une forme sensiblement en T. La partie d’extrémité sert à la fixation mécanique de la dent sur le support multifonction ou sur un boîtier de stator.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque partie d'extrémité présente une face principale externe qui est généralement plane et orientée à l’opposé de l’âme.
Selon l’un des aspects de l’invention, cette face principale externe s’étend perpendiculairement à l’axe de rotation de la machine électrique à flux axial.
Selon l’un des aspects de l’invention, la partie d'extrémité de la dent s’étend au moins partiellement dans un espace circonférentiel entre deux branches radiales voisines du support multifonction.
Ainsi la dent se rapproche axialement du rotor voisin, ce qui permet de réduire l’entrefer entre le stator et le rotor.
Ceci améliore les performances électromécaniques de la machine.
Selon l’un des aspects de l’invention, la partie d'extrémité de la dent traverse l’espace circonférentiel en venant, côté entrefer, sensiblement à affleurement des branches radiales.
Ainsi, du côté de l’entrefer, les branches radiales du support multifonction ne font pas saillie axialement au-delà des parties d’extrémité des dents, et la face principale externe de la partie d'extrémité de la dent vient sensiblement en continuité des branches radiales. Dans un autre exemple de mise en œuvre de l’invention, les branches radiales du support multifonction sont en retrait axialement des parties d'extrémité des dents. Autrement dit, les parties d'extrémité des dents font davantage saillie, axialement dans l’entrefer, que les branches radiales du support multifonction.
Selon l’un des aspects de l’invention, les branches radiales du siège du support multifonction sont plates, s’étendant notamment perpendiculairement à l’axe de rotation.
Selon l’un des aspects de l’invention, les branches s’étendent de manière rectiligne, dans la direction radiale.
Selon un autre des aspects de l’invention, l’une des branches radiales est pourvue d’une nervure de renfort. Ainsi cette branche radiale peut présenter par exemple, en section transversale, une forme en T. Cette forme permet d’augmenter la rigidité des branches radiales.
Selon l’un des aspects de l’invention, le support multifonction comprend un moyeu central et une couronne externe, et les branches radiales délimitant les sièges s’étendent radialement entre ce moyeu central et la couronne externe.
Selon l’un des aspects de l’invention, le moyeu central comporte une ouverture centrale configurée pour laisser passer un arbre rotatif lié à un rotor ou plusieurs rotors de la machine électrique à flux axial.
Selon l’un des aspects de l’invention, la couronne externe comprend une jupe externe de forme cylindrique d’axe parallèle à l’axe de rotation.
La est une vue éclatée d’un module accumulateur électrochimique selon ce mode de réalisation. Ce module est similaire en tout point module de la , si ce n’est la constitution de la paroi de connexion 4 qui est ici formée des éléments empilés suivants : – un corps 20 refermé par un couvercle 21 ; – un support d’actionneur 22 ; – une membrane souple 23 serrée entre le corps 20 et le support d’actionneur 22 ; – un clinquant 24 (dont seule une moitié est représentée pour des raisons de clarté de la figure).
La est une vue latérale en perspective illustrant l’assemblage formant la paroi de connexion 4, avec la membrane souple 23 serrée par des vis entre le corps 20 et le support d’actionneur 22, ainsi que les raccords fluidiques 8 saillants latéralement.
Les figures 14 et 15 sont des vues de dessous du support d’actionneur 22, montrant la liaison élastique entre les entretoises mobiles 26 et le support d’actionneur par des ressorts en spirale. Sur la , les contacteurs électriques 7 sont désactivés, les entretoises mobiles 26 ne sollicitant pas le clinquant 24. Sur la , les contacteurs électriques 7 sont activés, la mise en pression des enceintes 11 à volume variable entrainant une déformation de la membrane souple 23, qui repousse les entretoises mobiles 26 en direction du clinquant 24, de sorte que les contacts électriques mobiles 12 soient sollicités en direction des accumulateurs 6.
Selon une autre variante non-représentée de l’invention, le portail 10 ne comprend qu’un seul vantail, qui s’étend entre les deux poteaux 12A, 12B, en étant mobile en rotation autour du poteau 12A, autour de l’axe vertical ZA. Dans une telle variante, le boîtier 32 ou bien la pièce de détection 38 est fixée sur le poteau 12B, de sorte que le détecteur d’ouverture 30 détecte lorsque le portail 10 est fermé, c’est-à-dire lorsque le vantail s’étend entre les deux poteaux. Dans une telle variante, le vantail forme un premier élément de fermeture du portail et le poteau 12B forme un deuxième élément de fermeture du portail.
Selon une autre variante non-représentée de l’invention, le portail 10 comprend deux vantaux qui sont chacun mobile en translation le long de l’axe de largeur X. En pratique, chaque vantail est mobile par rapport à un poteau de sorte à pouvoir coulisser par rapport à ce poteau. Dans une telle variante, le fonctionnement du détecteur d’ouverture 30 reste inchangé, le capteur 34 étant configuré pour détecter la présence d’une partie de recouvrement de l’un des deux vantaux en vis-à-vis d’une partie d’extrémité de l’autre des deux vantaux. Dans une telle variante, le vantail coulissant par rapport au poteau 12A forme un premier élément de fermeture et le vantail coulissant par rapport au poteau 12B forme un deuxième élément de fermeture.
Selon une autre variante non-représentée de l’invention, le portail 10 ne comprend qu’un seul vantail, qui s’étend entre les deux poteaux 12A, 12B, en étant mobile en translation le long de l’axe de largeur X. En pratique, le vantail est mobile par rapport au poteau 12A de sorte à pouvoir coulisser par rapport à ce poteau. Dans une telle variante, le boîtier 32 ou bien la pièce de détection 38 est fixée sur le poteau 12B, de sorte que le détecteur d’ouverture 30 détecte lorsque le portail 10 est fermé, c’est-à-dire lorsque le vantail s’étend entre les deux poteaux. Dans une telle variante, le vantail forme un premier élément de fermeture du portail et le poteau 12B forme un deuxième élément de fermeture du portail.
Toute caractéristique décrite pour une variante dans ce qui précède peut être mise en œuvre pour les autres variantes décrits précédemment, pour autant que techniquement faisable.
SYSTEME D’OCCULTATION COMPORTANT UN CONNECTEUR DE RECHARGE RAPIDE DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR La présente invention se rapporte à un système d’occultation à actionnement électrique destiné à déplacer un élément d’occultation.
Une installation d’occultation à actionnement électrique comporte un élément d’occultation tels qu’un volet ou un store, et un système d’occultation comportant un actionneur destiné à enrouler ou dérouler le store ou volet, une batterie rechargeable pour alimenter l’actionneur. Certaines installations comportent un panneau photovoltaïque relié à la batterie pour la recharger, ce qui permet de ne pas avoir à disposer d’une alimentation secteur à proximité de la zone de mise en place de l’installation d’occultation. Cependant la recharge de la batterie ne peut s’effectuer que lorsque le panneau photovoltaïque est suffisamment éclairé.
Il est donc souhaitable de prévoir de pouvoir recharger la batterie par un dispositif de recharge par exemple rapide, désigné powerbank en terminologie anglosaxonne, pour pallier l’insuffisance d’énergie électrique fournie par le panneau photovoltaïque, par exemple dans le cas d’une météo particulièrement pluvieuse prolongée et/ou d’un usage intensif de l’installation et / en présence d’obstacles solaires Pour opérer une recharge par un dispositif de recharge autre que le panneau photovoltaïque, il est généralement requis de démonter l’installation pour accéder au connecteur de la batterie, et permettre sa connexion au dispositif de recharge. Une telle opération est donc complexe d’autant plus que la batterie est peu accessible. En outre le risque de détérioration de l’installation est non négligeable du fait du montage et du démontage.
C’est par conséquent un but de la présente invention d’offrir un système d’occultation alimenté par panneau photovoltaïque permettant une opération de recharge de la batterie simplifiée par un dispositif d’alimentation autre que le panneau photovoltaïque.