Procédé de fabrication d’un capteur d’image pour la détection de la lumière visible et des rayons infrarouges à ondes courtes, caractérisé en ce qu’il comprend les étapes suivantes : fourniture d’un substrat support (1, 1’) comprenant un premier matériau semiconducteur ; formation, dans le substrat support (1, 1’), de cavités (5) afin de définir des pixels (11, 11’) sensibles à la lumière visible dans le premier matériau semiconducteur entre lesdites cavités (5) ; formation d’une couche protectrice (4) électriquement isolante au moins sur les surfaces latérales de chaque pixel (11, 11’) sensible à la lumière visible ; croissance, dans les cavités (5), d’un second matériau semi-conducteur, différent du premier matériau, de sorte à former des pixels (12, 12’) sensibles aux rayons infrarouges à ondes courtes. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend : entre l’étape a et l’étape b, une étape a’ de formation d’un film protecteur (3) du substrat support (1, 1’), pour protéger les pixels (11, 11’) sensibles à la lumière visible lors de l’étape b de formation des cavités (5) ; après l’étape d, une étape d’ de retrait du film protecteur (3) afin d’exposer la surface supérieure des pixels (11, 11’) sensibles à la lumière visible. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape c comprend la formation de la couche protectrice (4) par oxydation thermique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau semiconducteur est du silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le second matériau semiconducteur est un semiconducteur III-V, préférentiellement choisi parmi le phosphure d’indium, l’arséniure d’indium gallium, des alliages de germanium, ou des points quantiques colloïdaux à base de sulfure de plomb(II) ou de séléniure de plomb. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat support (1) est de type silicium sur isolant (SOI), et comprend successivement un substrat de base (13), une couche intermédiaire (14) électriquement isolante et une couche monocristalline (15) du premier matériau semiconducteur. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend, entre l’étape b et l’étape c, une étape b’ d’épaississement de la couche monocristalline (15) par homo-épitaxie. Procédé selon l’une quelconque des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que l’étape b est une étape de gravure pratiquée dans le substrat support (1) jusqu’à atteindre la couche intermédiaire (14) électriquement isolante. Procédé selon l’une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce qu’il comprend après l’étape c, une étape c’’ de retrait, dans les cavités, du matériau formant la couche intermédiaire (14) électriquement isolante, et en ce que les pixels (12) sensibles aux rayons infrarouges à ondes courtes sont formés, à l’étape d, sur la face du substrat de base (13) révélée par l’étape c’’ de retrait. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat support (1’) est un substrat massif du premier matériau semiconducteur. Capteur d’image pour la détection de la lumière visible et des rayons infrarouges à ondes courtes, comprenant : un substrat support (1, 1’) une pluralité de pixels (11, 11’) sensibles à la lumière visible, formés dans le substrat support, et de pixels (12, 12’) sensibles aux rayons infrarouges à ondes courtes, lesdits pixels (12, 12’) sensibles aux rayons infrarouges étant disposés sur une région superficielle du substrat support ; une couche protectrice (4) disposée au moins sur les parois latérales de chaque pixel de sorte à isoler électriquement chaque pixel des pixels adjacents ; les pixels (11, 12) formant un agencement disposé sur un même plan. Capteur d’image selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le substrat support (1) est de type silicium sur isolant (SOI), comprenant successivement un substrat de base (13) dans un matériau semiconducteur, une couche intermédiaire (14) électriquement isolante et une couche monocristalline (15) dans un matériau semiconducteur. Capteur d’image selon la revendication 11, caractérisé en ce que le substrat support (1’) est un substrat support massif en silicium.