Dispositif (1) d’amplification du signal magnonique comprenant : une cavité RF (C) résonante à une fréquence ; un substrat (Sub) ; un guide d’onde magnonique (WG) de direction , déposé sur le substrat ; un dispositif d’excitation (S RF ) adapté pour exciter, à partir d’un champ magnétique RF dit d’excitation (H RF ) de fréquence , une onde de spin (OS) à une fréquence se propageant au sein du guide d’onde ; une source d’onde RF dite source d’amplification (S amp ), la source d’amplification et la cavité RF étant adaptées pour émettre un champ magnétique additionnel (H add ) à une fréquence , selon la direction ; une pluralité de blocs d’amplification paramétrique (Amp) passifs, disposés au-dessus dudit guide d’onde, ou disposés entre le guide d’onde et le substrat, ou formés par des parties du guide d’onde, ladite source d’amplification et lesdits blocs étant adaptés pour que, localement en une pluralité de zones (ZA) distinctes dudit guide d’onde, une puissance du champ magnétique additionnel soit supérieure à un seuil d’amplification paramétrique, dénommé puissance seuil (P s ), formant un champ magnétique d’amplification (H amp ) générant ainsi une amplification paramétrique parallèle (APP) de l’onde de spin. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel deux blocs successifs sont espacés d’une distance (D 1, D 2 ) inférieure à trois fois une longueur d’atténuation de ladite onde de spin guidée dans ledit guide d’onde, et dans lequel une distance (D 0 ) entre ledit dispositif d’excitation et un bloc est inférieure à trois fois la longueur d’atténuation . Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel : ladite source d’amplification est adaptée pour qu’une puissance rayonnée dudit champ magnétique additionnel au sein du guide d’onde et en dehors desdites zones, soit inférieure à la puissance seuil (P s ), et, les blocs sont des résonateurs métalliques, résonants à la fréquence , disposés au-dessus dudit guide d’onde, ou disposés entre le guide d’onde et le substrat, chaque résonateur étant orienté sensiblement perpendiculairement audit guide d’onde, de manière à amplifier localement ledit champ magnétique additionnel, les zones (ZA) étant formées par des intersections entre lesdits blocs et ledit guide d’onde. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ladite source d’amplification est adaptée pour qu’une puissance rayonnée dudit champ magnétique additionnel soit supérieure à la puissance seuil (P s ), ledit dispositif comprenant des patchs métalliques déposés au dessus du guide d’onde ou entre le guide d’onde et le substrat, lesdits patchs métalliques (MP) étant adaptés pour qu’un courant de Foucault au sein des patchs génère un champ magnétique local de Oersted (H F ) écrantant ledit champ magnétique additionnel de sorte que les blocs soient des parties du guide d’onde non recouvertes par les patchs métalliques, formant lesdites zones (ZA) où l’amplification paramétrique parallèle est générée. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ladite source d’amplification est adaptée pour qu’une puissance rayonnée dudit champ magnétique additionnel soit supérieure à la puissance seuil (P s ), ledit dispositif comprenant des patchs diélectriques (DP) déposés au-dessus du guide d’onde, lesdits patchs diélectriques étant adaptés pour écranter ledit champ magnétique additionnel, de sorte que les blocs soient des parties du guide d’onde non recouvertes par les patchs diélectriques, formant lesdites zones (ZA) où l’amplification paramétrique parallèle est générée. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel les patchs sont réalisés dans un matériau diélectrique présentant une constante diélectrique . Dispositif selon l’une quelconques des revendications précédentes, dans lequel le guide d’onde est réalisé en NiFe, ou en CoFeB ou encore en YIG. Dispositif selon l’une quelconques des revendications précédentes, dans lequel la cavité RF est une cavité 3D qui comprend le substrat (Sub), le dispositif d’excitation (S RF ), la source d’amplification (S amp ), et la pluralité de blocs d’amplification paramétrique (Amp). Dispositif selon l’une quelconques des revendications 1 à 7, dans lequel la cavité RF est une cavité 1D qui est une antenne résonnante à la fréquence disposée au voisinage du guide d’onde. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel ladite antenne est déposée sur ledit substrat.