INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, l’additif organométallique est formé par un complexe métallique comprenant un noyau métallique, par exemple un noyau de cuivre, qui, dans l’état non-activé, est lié par liaison covalente à la matière plastique polymère. Cet additif organométallique est apte à être activé sélectivement, en surface de l’armature, par application locale et sélective d’un rayonnement laser approprié, par exemple un rayonnement laser infrarouge pulsé. Pour activer l’additif organométallique, le rayonnement laser brise le complexe, ce qui libère le noyau métallique seulement à l’endroit où le rayonnement est appliqué. Plus précisément, le laser entraîne une réduction du métal du complexe, le noyau se présentant alors sous forme métallique, ici du cuivre métallique. En outre, le rayonnement laser chauffe localement la surface du matériau entraîne une augmentation locale de la rugosité de la surface, par ablation partielle de la matière plastique polymère.
De préférence, une fois la gravure par laser effectuée, on effectue un nettoyage de l’armature 12 pour retirer tout débris causé par cette opération.
La pistes d’amorce ainsi gravée n’est pas suffisamment conductrice d’électricité pour que le composant électrique 10 puisse fonctionner. On procède donc au traitement chimique de l’armature 12 pour faire croître cette piste d’amorce.
Le traitement chimique consiste en premier lieu en une métallisation de la piste d’amorce, pour former les segments 46B, 46D, 48B et 48D de la ligne électrique 40, directement en surface de l’armature 12. La métallisation entraîne une croissance de la piste d’amorce, alors que le reste de la surface de l’armature 12 reste électriquement isolante.
Par « métallisation », on entend par exemple une métallisation autocatalytique. On plonge l’armature portant la piste d’amorce dans une solution comprenant des ions métalliques du métal avec lequel on souhaite former les pistes conductrices, par exemple du cuivre. Par exemple, la solution comprend un sel métallique contenant les ions métalliques, ici les ions cuivre, un agent réducteur pour la réduction des ions métalliques. Par réaction d’oxydo-réduction, le métal des ions métalliques se déposent seulement sur la piste d’amorce sans se déposer sur le reste de la surface de l’armature 1, la piste d’amorce constituant un catalyseur de la réaction d’oxydo-réduction. La couche de métal déposée par ce procédé constitue un catalyseur pour le dépôt de davantage de métal par oxydo-réduction. C’est ainsi que croit les segments 46B, 46D, 48B et 48D de la ligne électrique 40 par la métallisation. Mécaniquement, les segments de la ligne électrique ainsi formés sont fortement solidaire du matériau plastique polymère en s’ancrant mécaniquement aux aspérités constituées par le caractère abrasif de la surface de l’armature 12, du fait de la gravure par laser.
De préférence, une fois les segments 46B, 46D, 48B et 48D de la ligne électrique 40 formés par la métallisation, les traitements chimiques incluent le dépôt de couches de finition pour protéger ces segments. À cette fin, par exemple, on met en œuvre un procédé de type ENIG (en anglais « Electroless Nickel Immersion Gold »). Pour cela, on applique d’abord une couche de nickel-phosphore par métallisation autocatalytique sur la face libre de la piste conductrice, c’est-à-dire la face opposée à la surface de l’armature 12. Cette métallisation autocatalytique est avantageusement effectuée après que les pistes conductrices en cuivre aient été activées au palladium. Ensuite, on applique une couche d’or externe, par exemple par déplacement chimique. La couche d’or empêche l’oxydation des pistes conductrices recouvertes, alors que la couche de nickel-phosphate empêche la migration de l’or vers le cuivre.
L’invention offre une alternative à la configuration présentée précédemment pour répondre au besoin d’illumination de différentes régions de la nappe de guidage de lumière.
Un premier aspect de l’invention porte sur un guide de lumière pour dispositif lumineux comprenant : une nappe de guidage de lumière flexible et transparente adaptée pour guider la lumière par réflexion totale interne et pour permettre à la lumière de sortir par une face de sortie selon une première direction x; au moins deux groupes d’éléments d’injection de lumière adaptés pour coupler la nappe de guidage de lumière à au moins une source de lumière; chaque groupe d’éléments d’injection de lumière injectant de la lumière dans une région différente de ladite nappe de guidage de lumière; ladite nappe de guidage de lumière et lesdits au moins deux groupes d’éléments d’injection de lumière faisant partie d’une nappe brute; les éléments d’injection de lumière étant des bandes parallèles découpées de ladite nappe brute, lesdits éléments d’injection de lumière étant pliés et regroupés pour former lesdits au moins deux groupes d’éléments d’injection de lumière.
Selon l’invention, le guide de lumière comprend un élément de support au pliage des éléments d’injection de lumière. Cet élément de support : présente une épaisseur selon la première direction x et une longueur selon une deuxième direction z, la deuxième direction z étant sensiblement perpendiculaire à la première direction x ; comprend au moins deux séries d’éléments de pliage s’étendant le long de la deuxième direction z, chaque série étant associée à un groupe d’éléments d’injection de lumière différent, chaque élément d’injection de lumière étant au contact d’un élément de pliage; lesdites au moins deux séries d’éléments de pliage étant décalées selon la première direction x.
En outre, lesdits au moins deux groupes d’éléments d’injection de lumière sont décalés selon la première direction x.
Le guide de lumière selon le premier aspect de l’invention permet de réaliser un dispositif lumineux présentant plusieurs régions lumineuses. Grâce à l’utilisation de plusieurs groupes d’éléments d’injection de lumière il est possible d’illuminer efficacement chaque région du guide de lumière tout en limitant l’encombrement du dispositif.
La nappe brute présente les mêmes caractéristiques physiques et optiques que la nappe de guidage de lumière et les éléments d’injection de lumière. Notamment, la nappe brute est transparente et flexible et permet la propagation des rayons lumineux en son sein par réflexion totale interne.
Selon un mode de réalisation du guide de lumière, le contact entre chaque élément d’injection de lumière et l’élément de pliage qui lui est associé forme un pli dans ledit élément d’injection de lumière de façon à diviser cet élément en une partie principale et une partie terminale. Par exemple, les parties terminales des éléments d’injection de lumière appartenant à un même groupe peuvent être superposées pour former un empilement. Les extrémités des empilements sont positionnées en regard d’une source de lumière de sorte à récolter la lumière émise par la source. Les rayons lumineux sont guidés par les éléments d’injection de lumière jusqu’à la région de la nappe associée à chaque groupe d’éléments d’injection de lumière.
Selon un mode de réalisation, on entend par décalage des deux groupes d’éléments d’injection de lumière selon la direction x, le décalage des extrémités des empilements d’éléments d’injection de lumière correspondants.
Grâce à l’élément de support au pliage des éléments d’injection de lumière, le guide de lumière selon le premier aspect de l’invention permet une segmentation efficace de la nappe de guidage de lumière tout en limitant les dimensions du dispositif d’affichage et notamment du support des sources de lumière.
On entend par élément d’injection de lumière une partie de la nappe brute opportunément découpée. Selon un mode de réalisation, chaque élément d’injection de lumière possède une forme de bande rectangulaire s’étendant de la nappe brute. L’élément d’injection de lumière ainsi obtenu est un guide d’ondes permettant de coupler la lumière à la nappe de guidage flexible et transparente de sorte à illuminer un ensemble d’éléments d’extraction de lumière disposés à la surface du film ou d’une des couches de la nappe de guidage de lumière.
L’élément de support au pliage permet de plier chaque élément d’injection de lumière au niveau d’un l’élément de pliage avec lequel l’élément d’injection de lumière est en contact. Une fois pliés, les éléments d’injection de lumière associés à une même région de la nappe de guidage de lumière forment un empilement, comme il a été décrit en relation aux figures illustrant l’état de la technique. L’empilement ainsi obtenu possède une section selon un plan de coupe normale à la direction de propagation de la lumière de taille adaptée pour être couplée à une des sources de lumière.
Grâce au fait que les série d’éléments de pliage sont décalées selon la première direction x, les empilements associés à des groupes de guides d’ondes différents sont eux aussi décalées selon la même direction.
En d’autres termes, l’élément de support au pliage du guide d’onde selon le premier aspect de l’invention permet de positionner les empilements correspondant aux différents groupes de guides d’ondes sur deux ou plusieurs rangées, les rangées étant elles aussi décalées selon la première direction x.
Le positionnement des empilements sur deux ou plusieurs rangées permet d’utiliser une matrice bidimensionnelle de sources de lumière.
En d’autres termes, grâce à la structure de l’élément de support au pliage compris dans le guide de lumière selon le premier aspect de l’invention, il est possible de réduire la taille du support des sources de lumière. En particulier l’extension du support des sources de lumière selon la direction y résulte fortement réduite grâce à l’élément de couplage selon le premier aspect de l’invention.
Avantageusement, le guide de lumière selon le premier aspect de l’invention comprend un élément de séparation disposé entre lesdits au moins deux groupes d’éléments d’injection de lumière.
Selon un mode de réalisation, les premières régions d’isolation sont des premières tranchées d’isolation, par exemple des tranchées d’isolation peu profondes, et les deuxièmes régions d’isolation sont des deuxièmes tranchées d’isolation, par exemple des tranchées d’isolation profondes.
Selon un mode de réalisation, les deuxièmes régions d’isolation s’étendent selon une première direction sensiblement parallèle à la direction longitudinale des zones actives.
Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend en outre des troisièmes régions d’isolation positionnées de manière à isoler les zones actives de la pluralité de transistors par rapport à d’autres cellules de transistors, les troisièmes régions d’isolation s’étendant jusqu’à une troisième profondeur dans le substrat semiconducteur, la troisième profondeur étant supérieure à la première profondeur, par exemple sensiblement égale à la deuxième profondeur, les troisièmes régions d’isolation étant, par exemple, des tranchées d’isolation profondes.
Selon un mode de réalisation, les troisièmes régions d’isolation s’étendent selon une deuxième direction sensiblement parallèle à la direction transversale des zones actives.
Selon un mode de réalisation, au moins certaines parmi les premières et deuxièmes régions d’isolation entourent les zones actives de tout ou partie des transistors de la pluralité de transistors.
Selon un mode de réalisation, les transistors de la pluralité de transistors sont destinés à fonctionner à des tensions supérieures ou égales à 10 volts, par exemple supérieures ou égales à 15 volts.
Selon un mode de réalisation, la cellule de transistors comprend en outre une structure de grille, par exemple du type à double grille, s’étendant au-dessus des zones actives de la pluralité de transistors, entre une région de source et une région de drain de chaque zone active.
Selon un mode de réalisation, les transistors de la pluralité de transistors sont des transistors MOS à canal P et/ou des transistors MOS à canal N.
Selon un mode de réalisation, le circuit électronique est compris dans une mémoire non volatile, par exemple une mémoire non volatile électriquement effaçable et programmable.
Selon un mode de réalisation, les transistors de la pluralité de transistors forment des transistors de commutation d’un circuit de commutation couplé à des cellules de mémoire d’une mémoire non volatile, par exemple d’une mémoire non volatile électriquement effaçable et programmable.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un circuit électronique comprenant au moins une cellule de transistors, chaque cellule de transistors comprenant une pluralité de transistors formés dans et sur un substrat semiconducteur, chaque transistor comprenant une zone active, le procédé comprenant : - la formation de premières régions d’isolation localisées au moins partiellement autour des transistors et s’étendant jusqu’à une première profondeur dans le substrat semiconducteur ; et - la formation de deuxièmes régions d’isolation positionnées de manière à isoler entre elles les zones actives de tout ou partie des transistors de la pluralité de transistors, les deuxièmes régions d’isolation s’étendant jusqu’à une deuxième profondeur dans le substrat semiconducteur, la deuxième profondeur étant supérieure à la première profondeur.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre : - la formation de troisièmes régions d’isolation positionnées de manière à isoler les zones actives de la pluralité de transistors par rapport à d’autres cellules de transistors, les troisièmes régions d’isolation s’étendant jusqu’à une troisième profondeur dans le substrat semiconducteur, la troisième profondeur étant supérieure à la première profondeur, par exemple sensiblement égale à la deuxième profondeur.
Les modes de réalisation suivants peuvent s’appliquer à un circuit électronique ou à un procédé de fabrication.
Selon un mode de réalisation, la première profondeur est comprise entre 250 et 450 nm, par exemple entre 300 et 400 nm, et la différence entre la troisième profondeur et la première profondeur est supérieure ou égale à 100 nm, par exemple comprise entre 100 et 200 nm.
Selon un mode de réalisation, la première profondeur est comprise entre 250 et 450 nm, par exemple entre 300 et 400 nm, et la différence entre la deuxième profondeur et la première profondeur est supérieure ou égale à 100 nm, par exemple comprise entre 100 et 200 nm.
Un mode de réalisation prévoit un circuit intégré comprenant l’un quelconque des circuits électroniques décrits précédemment.
En outre, le calculateur de bord est également adapté pour traiter lesdits signaux numériques et pour élaborer les deux autres lignes de délimitation latérales et pour déterminer deux autres fonctions polynomiales correspondantes.
Aussi, le calculateur de bord permet d’évaluer les rayons de courbures desdites au moins deux autres lignes de délimitation latérales à partir desdites deux autres fonctions polynomiales ; de calculer d’autres facteurs d’amortissement respectivement proportionnels auxdits rayons de courbure ; et, d’appliquer lesdits autres facteurs d’amortissement respectivement auxdites deux autres fonctions polynomiales.
Autrement dit, le calculateur de bord du véhicule automobile permet la mise en œuvre du procédé selon invention définit ci-dessus. Aussi, les mêmes avantages en découlent.
est une vue schématique de la représentation d’une scène et de sa retranscription sur un écran en l’absence de traitement ;
est une vue schématique de la représentation de la scène illustrée sur la et de sa retranscription sur l’écran après traitement ;
est une vue schématique de la représentation d’une autre scène et de sa retranscription sur un écran en l’absence de traitement ;
est une vue schématique de la représentation de ladite autre scène illustrée sur la et de sa retranscription sur l’écran après traitement ;
est un synoptique d’une installation permettant la mise en œuvre du procédé selon invention ; et,
un organigramme de traitement représentant l’enchaînement des étapes du procédé selon l’invention.
On se référera tout d’abord à la montrant une caméra numérique 10 installée à l’avant d’un véhicule automobile non représenté. La caméra numérique 10 est reliée à un ordinateur de bord 12. Et le véhicule automobile est équipé d’un écran d’affichage 14 relié à l’ordinateur de bord 12. La caméra numérique 10, ou dispositif d’enregistrement numérique, est orientée de telle façon, qu’elle peut fournir à l’ordinateur de bord 12, des signaux numériques représentatifs de la scène qui se déroule à l’avant dudit véhicule automobile. Autrement dit, les signaux numériques fournissent une image de ce que peut voir le conducteur installé dans son véhicule.
Une telle installation présente un intérêt lorsque le véhicule est en mouvement. L’ordinateur de bord 12 inclut des moyens de calcul que l’on détaillera dans la suite de la description.
La montre, d’une part une scène 16 fournie par la caméra numérique 10, et d’autre part une représentation graphique dans un repère (X, Y) exprimé en mètres, de lignes de délimitation de la trajectoire future du véhicule automobile 18, lequel est représenté sur la ligne des abscisses.
Ces lignes de délimitation latérales sont élaborées par des premiers moyens de calcul 20 grâce aux signaux numériques fournis par la caméra numérique 10. Les premiers moyens de calcul 20 déterminent alors des fonctions polynomiales du troisième degré sous la forme : Y = C 3 X 3 + C 2 X 2 + C 1 X + C 0 , pour chacune des lignes de délimitation latérale, et procède à leur affichage sur l’écran 14.
Ainsi, parmi ces lignes de délimitation latérales, on observe deux premières lignes proximales, de chaque côté du véhicule EGO 18, une première ligne droite 22 et une première ligne gauche 24. On observe également deux deuxièmes lignes distales, une deuxième ligne droite 26 et une deuxième ligne gauche 28.
La première ligne droite 22 correspond à la ligne blanche en trait interrompu 30 apparaissant sur la scène 16 et délimitant la chaussée 32 du bas-côté 34. Et la première ligne gauche 24 correspond à la ligne blanche centrale en trait interrompu 36 de la chaussée 32.
Par exemple, avec une couche tampon en GaN, la couche barrière comprend de l’Al x Ga 1-x N, de l’In 1-x Al x N ou du ScAlN ou une séquence In 1-x Al x N/AlN ou Al x Ga 1-x N/AlN. L’épaisseur de la couche barrière est typiquement comprise entre 3 nm et 40 nm, l’épaisseur de la couche tampon est typiquement comprise entre 0.2 µm et 3 µm. La couche tampon BUF0 et la couche barrière Bar0 sont classiquement réalisées par épitaxie par MOCVD ou par MBE. A titre d’exemple, on peut citer une couche tampon à base de GaN avec une couche barrière à base d’AlGaN ou d’InAlN, et plus précisément à base d’Al x Ga 1-x N ou d’In z Al 1-z N, avec x compris typiquement entre 15% et 35% et z compris typiquement entre 15% et 25%.
Des couches supplémentaires peuvent être présentes soit en surface, soit entre la couche tampon et la couche barrière.
L’interface entre la couche tampon et la couche barrière constitue une hétérojonction Het qui s’étend également dans le plan XY. Un gaz bidimensionnel d’électrons 9 (dénommé 2DEG pour « Two-Dimensional Electron Gas ») est localisé dans la couche tampon au voisinage de l’hétérojonction Het. L’utilisation de ces matériaux III-N permet d’obtenir une densité d’électrons supérieure à quelques 10 12 /cm² sans dopage de la couche barrière, grâce à leur polarisation spontanée et piézoélectrique.
Un transistor HEMT comprend classiquement une source S, un drain D et une grille G. La source S et le drain D sont en contact électrique avec 2DEG. On définit l’axe X comme l’axe d’alignement de S, G et D. La grille G est déposée sur la face supérieure 12 de la couche barrière Bar0 entre la source S et le drain D, et permet de commander le transistor. Typiquement la distance grille source est comprise entre 0.4 et 1 µm et la distance grille drain est comprise entre 0.6 et 3µm. On définit la longueur de grille Lg comme la dimension de la grille selon l’axe X.
La conductance entre la source S et le drain D est modulée par l’action électrostatique de la grille G, classiquement de type Schottky ou de type MIS (pour métal/isolant/semiconducteur), et la tension V GS appliquée entre la grille et la source commande le transistor.
Les électrons du 2DEG sont mobiles dans le plan XY et ont une forte mobilité électronique μe, typiquement supérieure à 1000cm²/Vs. Dans un fonctionnement normal du transistor ces électrons ne peuvent pas circuler dans la direction Z car ils sont confinés dans le puits de potentiel se formant dans le plan XY au voisinage de l’hétérojonction het. Le gaz d’électrons 9, confiné dans ce qui est dénommé le canal du transistor, est donc apte à transporter un courant I ds circulant entre le drain et la source.
Classiquement en fonctionnement une différence de potentiel V ds est appliquée entre la source S et le drain D, avec typiquement une source S à la masse, et la valeur du courant I DS est une fonction de la tension appliquée V gs entre la grille G et la source S.
L’effet transistor est basé sur la modulation du nombre de porteurs libres dans le canal entre les contacts S et D (et donc du courant circulant entre la source et le drain) par l'action électrostatique de l’électrode de commande G. L’amplitude de tension V gs à appliquer est inversement proportionnelle à la transconductance gm du transistor, cette transconductance étant elle-même inversement proportionnelle à l’épaisseur de la barrière. C'est l'effet d'amplification transistor qui permet de transformer un faible signal appliqué sur la grille en un signal plus fort récupéré sur le drain.
Préférentiellement pour des applications RF la grille G présente une forme en T et est constituée d’un tronc surmonté d’au moins un chapeau (il peut y en avoir plusieurs l’un sur l’autre). Les deux branches du chapeau ne sont pas nécessairement symétriques, et la branche côté drain ou source peut même être inexistante (grille dite en Γ). La base du tronc est couramment dénommée pied de grille. Lorsque les transistors sont en fonctionnement il est connu que le champ électrique au pied de la grille est très élevé.
En outre selon l’état de l’art on recouvre la face 12 d’une couche de diélectrique dite de passivation, car la face supérieure 12 de la couche barrière Bar0 doit être protégée des contacts avec l’extérieur. Classiquement les matériaux diélectriques utilisés sont : Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 , SiOxNy, BN ou AlN.
Les transistors HEMT standards tels que décrits précédemment sont réalisés avec une croissance des couches tampon et barrière selon l’axe [0001]. Dans les transistors réalisés selon cette croissance le gaz d’électron 9 est localisé dans la couche tampon.
Un autre type de transistor est obtenu avec une croissance selon l’axe , dite aussi N-face. Avec ce type d’épitaxie le gaz d’électron 9 est localisé dans la barrière.
Classiquement les transistors HEMT utilisés pour les applications d’intérêt (RF, commutation) présentent une source S connectée à la masse électrique, typiquement à un plan de masse réalisé classiquement par une couche de métallisation disposée du côté du substrat opposé à la couche tampon (côté inférieur de SUB0 sur la ). La connexion est par exemple réalisée à l’aide de trous de connexion également dénommés « via hole » qui traversent le substrat de la source jusqu’au plan de masse.
Structurellement il existe un désaccord de maille entre la couche barrière et la couche tampon, ce qui génère des défauts qui se propagent dans la structure. Ces défauts constituent des points de fragilité du transistor qui, sous l’action d’un champ électrique élevé et des contraintes mécaniques induites par effet piézoélectrique inverse, vont être à l’origine d’une dégradation des performances (augmentation du courant de grille notamment) voire même d’une défaillance des composants. Cette zone de champ électrique intense a été identifiée dans la littérature comme impactant la fiabilité des dispositifs (voir par exemple la publication «Correlation between Physical Defects and performance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Devices » Transactions on electrical and Electronic materials, Vol 11, n°2, p49-53 (2010)).