INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Optionnellement, la requête est générée par le calculateur CLC 1 suite à l’actionnement d’un nombre prédéterminé de premiers objets A 1 , …, A x par l’utilisateur au moyen d’une commande. Il s’agit par exemple de la première commande utilisateur C 1 .
Optionnellement, la requête est générée suite à l’actionnement par l’utilisateur, au moyen d’une commande, d’au moins un objet de chacune des listes affichées sur l’afficheur E 1 .
Optionnellement, la première commande utilisateur C 1 et la deuxième commande utilisateur C 2 sont la même commande. Dans ce cas, la requête de recherche est par exemple générée par le calculateur CLC 1 directement suite à l’actionnement par l’utilisateur, au moyen de la première commande utilisateur C 1 , d’un ou plusieurs premiers objets A 1 , …, A x .
Deuxième actionnement et troisième commande utilisateur
Optionnellement, en référence à la , le procédé comprend une étape de deuxième actionnement ACT 2 d’un deuxième objet actionné pris parmi les premiers objets A 1 , …, A x d’une liste L 1 , …, L x au moyen d’une troisième commande utilisateur C 3 , ledit deuxième actionnement ACT 2 entraînant une extraction de valeurs d’entités numériques enregistrées dans une première mémoire MEM 1 , lesdites entités numériques étant chacune associées au deuxième objet actionné. La mémoire MEM 1 comprend par exemple un serveur de données distant, une adresse d’un site ou d’une page internet, une mémoire locale de d’un appareil comprenant l’afficheur E 1 ou encore une unité de stockage de ressources partagées accessible à partir d’un réseau de télécommunications, également désigné par le terme anglo-saxon « cloud ».
Optionnellement, la mémoire MEM 1 comprend des données traitées par une fonction apprenante. On définit une fonction apprenante comme un algorithme d’apprentissage automatique permettant à un modèle mathématique à s'adapter à des données en fonction d'un objectif. La fonction apprenante est par exemple un algorithme d’apprentissage supervisé, un algorithme d’apprentissage non supervisé ou un algorithme d’apprentissage par renforcement. Le modèle utilisé comprend par exemple un réseau de neurone telle qu’un réseau neuronal convolutif.
Les réseaux de neurones sont des classes de modèles non linéaires organisés en couches, composées d'un certain nombre de nœuds interconnectés qui contiennent des fonctions d'activation. Les modèles peuvent être présentés au réseau via une couche d'entrée connectée aux couches cachées, et le traitement peut être effectué via les connexions pondérées des nœuds. La réponse est ensuite fournie par une couche de sortie connectée aux couches cachées. Un réseau neuronal convolutif est un réseau neuronal qui est une version régularisée d'un perceptron multicouche. Un perceptron multicouche est une classe de réseaux de neurones qui met en œuvre une technique d’apprentissage supervisée pour distinguer des données qui ne sont pas linéairement séparables.
La troisième commande utilisateur C 3 correspond à une interaction entre un utilisateur et l’afficheur E 1 , par l’intermédiaire ou non d’une interface d’entrée.
Optionnellement, la troisième commande utilisateur C 3 est une commande digitale. Il s’agit par exemple d’une commande tactile. Dans un exemple illustré en Figure 8C, la troisième commande utilisateur C3 est une commande tactile dans laquelle l’utilisateur appose deux doigts sur l’afficheur E1 et écarte ses doigts pour effectuer un « zoom » sur l’écran. Dans un autre exemple, la troisième commande utilisateur C3 est un double clic effectué au moyen d’un pointeur, par exemple un stylet adapté pour être utilisé sur un écran tactile.
Dans un autre exemple, non illustré, la troisième commande utilisateur C 3 correspond à un double clic sur un objet affiché sur l’afficheur E 1 . Cela est par exemple rendu possible lorsque l’afficheur E 1 est connecté à une interface d’entrée comprenant une souris ou tout autre dispositif de pointage.
Sous-listes de premiers objets Optionnellement, en référence à la , le procédé comprend une étape de deuxième affichage AFF 2 , au moyen du calculateur CLC 1 et en réponse à la troisième commande utilisateur C 3 , d’une sous-liste SL A1 , … , Ax de premiers objets A 1 , …, A x sur l’afficheur E 1 . La sous liste SL A1 , … , Ax de premiers objets A 1 , …, A x est par exemple affichée sur une deuxième ligne 2Lin 1 , …, 2LIN x . La deuxième ligne 2Lin 1 , …, 2LIN x est par exemple une ligne parallèle à une première ligne Lin 1 , …, Lin x . Selon un autre exemple, la deuxième ligne 2LIN 1 , …, 2LIN x est confondue avec une première ligne LIN 1 , …, LIN x . Selon un autre exemple dans lequel au moins une liste L 1 , …, L x de premiers objets A 1 , …, A x est affichée sur un cercle, la sous-liste SL A1 , …, Ax de premiers objets A 1 , …, A x est affichée sur un cercle concentrique audit cercle. La sous-liste SL A1 , … , A x de premiers objets A 1 , …, A x symbolise par exemple des sous-catégories des premiers objets A 1 , …, A x . Par exemple, si un premier objet A 1 , …, A x symbolise une catégorie « transport », les premiers objets A 1 , …, A x de la sous-liste SL A1 , …, Ax symbolisent par exemple des catégories « avions », « bateaux », « voiture », etc. Dans un autre exemple, les premiers objets A 1, …, A x de la liste L 1, …, L x se réfèrent à des instruments de musique, et les premiers objets A 1, …, A x de la sous-liste SL A1, …, Ax symbolisent par exemple différentes catégories d’instruments. Par exemple, en réponse à l’actionnement d’un premier objet A 1, …, A x représentant une guitare, une sous liste de premiers objets A 1, …, A x peut comprendre différents premier objets A 1, …, A x associés à des catégories telles que « acoustique », « électro-acoustique », « électrique ».
L’épaisseur intermédiaire e 100,inter de la première couche 100 après pré-amincissement est avantageusement supérieure à 300 µm. Cela permet de limiter l’affaiblissement de l’interface entre la première couche 100 et la deuxième couche 200 (ou la première couche active 150 et la deuxième couche active 250). En effet, à ce stade du procédé, ces couches n’adhèrent entre elles que grâce à des liaisons faibles (Van der Waals, liaisons hydrogènes…) encore non consolidées. Un amincissement trop important de la première couche 100 pourrait conduire à un phénomène de délamination. Maintenir une épaisseur de première couche 100 supérieure à 300 µm avant le recuit de consolidation des liaisons (qui sera décrit plus avant ci-dessous) permet de conserver une bonne qualité structurelle des différentes couches, et notamment de la première couche 100.
La illustre une deuxième étape, consistant en la formation d’un réseau de tranchées 120 dans la première couche 100. Les tranchées 120 sont formées à partir de la première face supérieure 101 de la première couche 100 et s’étendent sur toute son épaisseur. Ainsi, la profondeur des tranchées, prise selon la direction Z, peut être sensiblement égale à e 100,ini , ou à e 100,inter si l’étape facultative de pré-amincissement de la première couche 100 préalablement à la formation des tranchées est mise en œuvre.
Le réseau de tranchées 120 peut comprendre des tranchées 120 sensiblement parallèles entre elles et s’étendant principalement selon la direction Y, comme représenté sur la . Il peut également comprendre un ensemble de tranchées 120 sensiblement parallèles entre elles et s’étendant principalement selon une direction distincte de la direction Y, typiquement la direction X, normale à la direction Y. Cet exemple est illustré à la .
Les tranchées 120 s’étendant principalement selon la direction Y présentent chacune une largeur de tranchée notée l 120 ,X , prise selon la dimension X. Les tranchées 120 s’étendant principalement selon la direction X présentent elles chacune une largeur de tranchée secondaire notée l 120 ,Y , prise selon la dimension Y. La largeur de tranchée l 120,X et la largeur de tranchée secondaire l 120,Y sont typiquement égales entre elles. Elles sont par exemple comprises entre 5 µm et 100 µm, de préférence entre 10 µm et 30 µm.
Les tranchées 120 sont séparées par des îlots 110 formés par les parties restantes de la première couche 100 après formation des tranchées 120. Les îlots 110 présentent donc, à ce stade du procédé et selon la direction Z, une dimension égale à celle des tranchées 120 : e 100,ini ou e 100,inter , dépendant de la mise en œuvre ou non de l’étape de pré-amincissement de la première couche 100. Selon la direction X, les îlots 110 présentent une dimension dite première dimension d’îlot l 110,X . Par construction, cette première dimension est égale à l’écartement entre deux tranchées 120 consécutives s’étendant selon la direction Y. Si le réseau de tranchées 120 comprend également un ensemble de tranchées 120 s’étendant selon la direction X, les îlots 110 sont, dans le plan XY, de forme rectangulaire et de préférence carrée et présentent selon la direction Y une dimension dite deuxième dimension d’îlot l 110, Y . Cette deuxième dimension est par construction égale à l’écartement entre deux tranchées 120 consécutives s’étendant selon la direction Y. La première dimension d’îlot l 110,X et la deuxième dimension d’îlot l 110, Y sont avantageusement égales entre elles. Une telle symétrie permet en effet une uniformité dans la relaxation mécanique de la première couche 100 qu’apporte la formation de tranchées 120. Dans ce cas, les îlots 110 présentent, dans le plan XY, une forme carrée.
On définit par ailleurs un premier rapport de forme défini par le rapport entre la première dimension d’îlot l 1 1 0,X et la largeur de tranchée l 120,X . Ce premier rapport de forme est avantageusement supérieur à 1 et/ou inférieur à 100. On définit également un deuxième rapport de forme égal au rapport entre la deuxième dimension d’îlot l 110,Y et la largeur de tranchée secondaire l 120,Y , lui aussi avantageusement supérieur à 1 et/ou inférieur à 100. Ces rapports de forme sont de préférence sensiblement égaux entre eux.
Les tranchées 120 – et, par construction, les îlots 110 – peuvent être formés de différentes manières. Il est par exemple possible de former les tranchées 120 de façon mécanique en utilisant une lame de découpe (« blade dicing » en anglais). Il est également envisageable de procéder à une découpe laser (« laser dicing » en anglais) ou une découpe plasma (« plasma dicing » en anglais) pour former ces tranchées 120.
Dans tous les cas, la formation des tranchées 120 peut être suivie d’une étape de retrait de potentiels résidus dus à cette formation.
Une troisième étape, illustrée à la , consiste à soumettre l’empilement 1 à un recuit de consolidation. Ce recuit de consolidation est typiquement effectué à une température supérieure à 100°C, de préférence supérieure à 200°C et avantageusement supérieure à 400°C. Il permet de consolider le collage de la première couche 100 et de la deuxième couche 200 ou de la première couche active 150 et de la deuxième couche active 250. Un simple collage des deux couches – la première couche 100 et la deuxième couche 200 ou bien la première couche active 150 et la deuxième couche active 250 – sans recuit de consolidation ne permet en effet pas toujours d’obtenir un niveau d’adhésion entre elles suffisamment élevé pour les applications visées ou les étapes technologiques à suivre. L’énergie d’adhésion entre les deux couches impliquées passe typiquement d’une valeur inférieure à 1 J/m² avant le recuit de consolidation à une valeur sensiblement égale ou supérieure à 5 J/m² après ce recuit.
La représente une étape facultative de post-amincissement de la première couche 100. Cette étape permet de réduire son épaisseur de l’épaisseur initiale e 100,ini (ou de l’épaisseur intermédiaire e 100,inter si un pré-amincissement de la première couche 100 a été effectué préalablement à la formation des tranchées 120) à une épaisseur finale e 100,finale . L’épaisseur finale e 100,finale constitue une épaisseur cible étant préférentiellement choisie en fonction des applications visées. Elle est de préférence inférieure à 200 µm, typiquement sensiblement égale à 150 µm. Pour des applications dans des puces électroniques particulièrement fines, l’épaisseur finale peut être fixée à une valeur inférieure à 20 µm, avantageusement inférieure à 15 µm. Cette étape de post-amincissement permet d’atteindre des niveaux d’épaisseurs ne pouvant pas être atteints par un amincissement classique réalisé pleine plaque.
La illustre une étape facultative de remplissage des tranchées 120 avec une couche de remplissage 300.
La couche de remplissage 300 est préférentiellement à base d’un ou plusieurs polymères, comme par exemple un polyimide.
Un tel remplissage permet d’aplanir l’empilement 1 de sorte à pouvoir réaliser, suite à la mise en œuvre du procédé, d’autres étapes classiques de microélectronique.
Il est à noter que l’étape de remplissage des tranchées peut être réalisé après, de préférence avant, l’étape de post-amincissement décrite précédemment. Dans le cas où le remplissage est effectué avant l’amincissement, on peut ensuite amincir simultanément les îlots de la première couche 100 et la couche de remplissage 300.
Avantageusement, l’étape de remplissage est mise en œuvre après le recuit de consolidation. Cependant, dans le cas où la couche de remplissage 300 est constituée de matériaux dont la température de fusion est supérieure à la température de recuit T recuit , l’étape de remplissage des tranchées 120 peut également être effectuée avant le recuit de consolidation.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, l’étape de formation des tranchées 120 dans la première couche 100 est immédiatement suivie par ou réalisée de façon simultanée avec une étape de formation de tranchées additionnelles 120’ dans la première couche active 150 et dans la deuxième couche active 250. Il est possible que toutes les tranchées 120 soient prolongées par une tranchée additionnelle 120’ sous-jacente, comme cela est illustré à la . Il est également envisageable de sélectionner les tranchées 120 à partir desquelles sont formées les tranchées additionnelles 120’. Dans tous les cas, on peut ainsi procéder au « dicing » de la première couche active 150 et de la deuxième couche active 250 de façon à former des « smart pixels » ou « pixels intelligents », chacun composé d’une portion de la première couche active 150 et d’une portion de la deuxième couche active 250, en regard. Le ou les éléments de commande compris dans la portion de première couche active 150 permet alors de contrôler les photo-éléments 155 compris dans la portion de deuxième couche active 250 se situant en regard.
- une troisième couche de GaN fortement dopée (GaN n+ ou GaN n++) 123 ou une troisième couche de GaN comprenant une première partie fortement dopée et une deuxième partie moins dopée 125, et
- une quatrième couche en AlN, InGaN ou GaN (noté (Al,In,Ga)N) non intentionnellement dopée (nid) ou faiblement dopée 124 le cas échéant.
Selon un mode de réalisation avantageux, une première partie de la deuxième couche 112 fait partie du substrat de base 110 et une deuxième partie de la deuxième couche 112 fait partie des mésas 120.
Les mésas 120 sont formées en gravant une partie de la quatrième couche 124, la troisième couche 123 et une première partie de la deuxième couche dopée 112 (figures 4A, 5A, 6A et 7A). En arrêtant la gravure dans la couche dopée, toute la hauteur de la troisième couche n++ 123 est disponible pour la relaxation.
Chaque mésa 120 comprend successivement depuis la base : la deuxième partie de la couche de GaN dopée 112, la troisième couche de GaN 123 et la quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée 124.
La première partie de la deuxième couche de GaN dopée 112 protège la couche additionnelle 113 lors de l’étape de porosification. Ainsi, la couche additionnelle n’est pas en contact avec la solution. La première partie de la couche GaN dopée est une couche commune à toutes les mésas.
La structuration de l’empilement est, par exemple, réalisée par photolithographie.
La surface des mésas peut être, par exemple, circulaire, hexagonale, carrée ou rectangulaire.
La plus grande dimension de la surface des mésas 120 va de 500nm à 500µm, de préférence de 1 à 10µm et encore plus préférentiellement de 3 à 5 µm. Par exemple, la plus grande dimension d’une surface circulaire est le diamètre.
L’épaisseur (ou profondeur) des mésas correspond à la dimension de la mésa perpendiculaire à l’empilement sous-jacent. La profondeur des mésas va de 0,3 à 2µm, de préférence de 0,5 à 1µm.
La représente un mode de réalisation des diodes électroluminescentes élémentaires LED. Chaque diode électroluminescente élémentaire LED comprend un fil 21 en contact avec la couche de germination 16 au travers de l'une des ouvertures 20 et une coque 22 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant les parois latérales et le sommet du fil 21. L'ensemble formé par chaque fil 21 et la coque 22 associée constitue une diode électroluminescente élémentaire LED.
La coque 22 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment une couche active 23 et une couche de liaison 25. La couche active 23 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente élémentaire LED. Selon un exemple, la couche active 23 peut comporter des moyens de confinement, tels qu'un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. La couche de liaison 25 peut comprendre un empilement de couches semiconductrices du même matériau que le fil 21 mais du type de conductivité opposé au fil 21. L'épaisseur de la couche active 23 peut être comprise entre 2 nm et 100 nm.
La est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'agencement, dit en maillage carré, des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED sur le substrat 10, les autres éléments du dispositif optoélectronique 5 n'étant pas représentés. Dans l'agencement illustré en , une diode électroluminescente élémentaire LED est située à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne, les lignes étant perpendiculaires aux colonnes, trois lignes de trois diodes électroluminescentes élémentaires LED étant représentées à titre d'illustration. Dans le mode de réalisation illustré sur la , chaque fil 21 a une section droite circulaire de diamètre D dans un plan parallèle à la face 12. A titre de variante, chaque fil 21 peut avoir une section droite qui n'est pas circulaire, par exemple une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Dans ce cas, on considère le diamètre équivalent de la section droite du fil 21 tel que défini précédemment. Le pas selon les rangées et/ou les colonnes peut être compris entre 0,1 µm et 50 µm. A titre de variante, les diodes électroluminescentes élémentaires LED peuvent être disposées selon un autre agencement, par exemple selon un agencement hexagonal. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente élémentaire LED est adaptée à émettre un rayonnement R_LED dont la longueur d'onde centrale est dans la plage de 380 nm à 480 nm, ou dans la plaque de 500 nm à 570 nm, ou dans la plaque de 590 nm à 650 nm.
Selon un mode de réalisation, au moins certains des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaire LED composant la diode électroluminescente GLED ont des diamètres équivalents D différents. On appelle dispersion globale d'un paramètre physique lié aux diodes électroluminescentes élémentaires l'écart-type de ce paramètre qui est mesuré en prenant en compte toutes les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente GLED, l'écart-type est pris par rapport à la moyenne du paramètre pour toutes les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente GLED. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des diamètres équivalents des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 20 nm, de préférence supérieure à 100 nm, plus préférentielle supérieure à 300 nm. Le diamètre équivalent moyen, qui est la moyenne des diamètres équivalents D des fils 21 peut être compris entre 0,05 µm et 4 µm. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des diamètres équivalents des fils 21 est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des fils, de préférence entre 3 % et 25 % du diamètre équivalent moyen des fils, plus préférentiellement entre 5 % et 25 % du diamètre équivalent moyen des fils.
On appelle dispersion locale d'un paramètre physique lié aux diodes électroluminescentes élémentaires l'écart-type de ce paramètre qui est mesuré en un point de la face 12 en prenant en compte les cent diodes électroluminescentes élémentaires les plus proches de ce point, l'écart-type est pris par rapport à la moyenne du paramètre pour ces cent diodes électroluminescentes élémentaires. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale des diamètres équivalents des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 20 nm, de préférence supérieure à 100 nm, plus préférentielle supérieure à 300 nm, à n'importe quel endroit de la diode électroluminescente GLED.
Les dispersions locales/globales indiquées précédemment sont supérieures strictement à celles qui résultent de procédé de formation des diodes électroluminescentes élémentaires par croissance par épitaxie.
Selon un mode de réalisation, la dispersion locale et/ou globale des diamètres équivalents indiquée précédemment est obtenue en prévoyant des ouvertures 20 dont les diamètres équivalents sont différents. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale des ouvertures 20 de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 20 nm. Le diamètre équivalent moyen des ouvertures 20 peut être compris entre 0,01 µm et 4 µm. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale des ouvertures 20 de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 10 nm, à n'importe quel endroit de la diode électroluminescente GLED.
Selon un mode de réalisation, la dispersion locale et/ou globale des diamètres équivalents indiquée précédemment est obtenue en disposant les fils 21 selon un agencement irrégulier. En effet, le diamètre des fils dépend notamment du pas du maillage. Selon un mode de réalisation, la dispersion globale du pas des fils 21 de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 10 nm. Selon un mode de réalisation, la dispersion locale du pas des fils de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 10 nm, à n'importe quel endroit de la diode électroluminescente GLED.
La représente, de façon schématique, en fonction de la longueur d'onde λ, une courbe d'évolution C1 de l'intensité lumineuse I du rayonnement RL émis par la diode électroluminescente GLED, qui correspond à la somme des rayonnements R_LED émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED de la , c’est-à-dire avant filtrage par le filtre optique F_LED obtenue lorsque la dispersion locale des diamètres équivalents des fils 21 des diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED est supérieure à 80 nm.