INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Alternativement, afin de déterminer les recommandations alimentaires, il est possible d'identifier un ou des individus d’intérêt parmi l’ensemble d’individus dont les données ont été reçues. L’identification de ces individus d’intérêt peut être basée sur un critère de richesse de leur microbiome intestinal, par exemple les individus ayant une richesse de microbiome supérieure à une valeur de richesse du microbiome intestinal prédéfinie et/ou supérieure à richesse du microbiome intestinal de l’individu cible sont considérés des individus d’intérêt. L’identification de ces individus d’intérêt peut aussi être basée sur une absence d’un syndrome métabolique ou une glycémie, un tour de taille et une cholestérolémie inférieure à l’individu cible. Enfin, les recommandations alimentaires pour l’individu cible peuvent être déterminées afin d’obtenir l’empreinte moléculaire de l’activité du microbiome intestinal identifiée d’un ou des individus d’intérêt.
Dans la seconde variante, pour chaque individu des individus maximisant une similarité avec l’individu cible, le modèle de communauté à l’échelle du microbiome construit est utilisé pour obtenir à l’étape 60c, une empreinte moléculaire de l’activité du microbiome intestinal en simulant un suivi d’un régime alimentaire déterminé à partir des données sur le mode de vie dudit chaque individu. Ensuite, à partir de ces empreintes moléculaires calculées, des recommandations alimentaires sont déterminées à une étape 70c à partir de l’empreinte moléculaire obtenue à une étape 60c pour chaque individu des individus maximisant une similarité avec l’individu cible. Ces recommandations alimentaires peuvent être déterminées afin d’améliorer la richesse métabolique du microbiome intestinal de chaque individu ou afin d’obtenir une empreinte moléculaire identifiée comme permettant de modifier des caractéristiques phénotypiques et/ou médicales dudit chaque individu. Enfin, afin de déterminer des recommandations alimentaires pour l’individu cible, les recommandations alimentaires déterminées à une étape 70c sont combinées à une étape 80c.
Dans une variante de l’invention, compatible avec les variantes précédentes, le procédé selon la variante précédente comprend le suivi des recommandations alimentaires par l’individu cible. Dit autrement, l’individu cible suit le régime alimentaire déterminé 90. Sous l’effet du nouveau régime alimentaire suivi par l’individu cible, le microbiome intestinal de l’individu sera progressivement modifié et permettra ainsi d’avoir une influence positive sur les caractéristiques phénotypiques et/ou médicales de l’individu cible.
Installation de cogénération électronucléaire à réacteur à eau légère (REL) et système(s) d’électrolyse de l’eau à haute température pour production d’hydrogène à partir de la chaleur du réacteur REL. La présente invention concerne le domaine des réacteurs nucléaires à eau légère (REL), notamment à eau pressurisée (REP) ou à eau bouillante (REB). Plus particulièrement, l’invention a trait aux installations de cogénération comprenant de tels réacteurs nucléaires. Sauf mention particulière, par « cogénération », on entend ici et dans le cadre de l’invention, la production simultanée ou non d'électricité et le cas échéant de chaleur, et la production d’hydrogène par électrolyse de l’eau à partir de la chaleur et de l’électricité fournies par les réacteurs nucléaires.
L’invention a pour objectif principal d’optimiser l’efficacité du couplage avant tout thermique afin d’optimiser la production d’hydrogène à partir de la chaleur fournie par les réacteurs nucléaires.
La production d’hydrogène dans le cadre de l’invention est réalisée par une électrolyse de l’eau à haute température (EHT, ou EVHT pour électrolyse de la vapeur d’eau à haute température, ou HTE acronyme anglais pour « High Temperature Electrolysis », ou encore HTSE acronyme anglais pour « High Temperature Steam Electrolysis ») également à oxydes solides (SOEC, acronyme anglais pour « Solid Oxide Electrolysis Cell »).
Bien que décrite en référence à un réacteur nucléaire à eau pressurisée, l’invention s’applique à tout réacteur nucléaire avec cycle thermodynamique indirect de la famille des réacteurs dits de deuxième, troisième, quatrième génération (GEN IV). Elle s’applique en particulier aux réacteurs nucléaires à eau bouillante (REB), à neutrons rapides refroidis avec du métal liquide, notamment du sodium liquide dit RNR-Na ou SFR (acronyme anglais de « Sodium Fast Reactor ») et qui fait partie de la famille des réacteurs de GEN IV.
Le serveur de communication 50 est configuré pour communiquer via la liaison de communication 55 avec l’au moins un équipement électronique externe 60, ledit au moins un équipement électronique externe 60 étant par exemple une station au sol, ou encore un équipement informatique en nuage (de l’anglais cloud computing ).
Le serveur de communication 50 est connu en soi, et comporte notamment un émetteur-récepteur, non représenté, compatible avec la liaison de communication 55. La liaison de communication 55 est typiquement une liaison radioélectrique, c’est-à-dire une liaison par ondes radioélectriques, tel qu’une liaison par satellite. L’émetteur-récepteur est alors un émetteur-récepteur radioélectrique.
L’équipement électronique externe 60 est typiquement connecté à une infrastructure informatique d’un centre de commande opérationnel, également appelé OCC (de l’anglais Operational Control Center ). L’équipement électronique externe 60 est alors avantageusement configuré pour transmettre des données, comme par exemple un plan de vol de l’aéronef 5 et des informations relatives à l’aéronef 5, telles que sa masse, sa configuration, son équilibrage, ou encore son identifiant.
Le module d’acquisition 65 est configuré pour acquérir le plan de vol de la part de l’équipement électronique externe 60. Le module d’acquisition 65 est typiquement configuré pour acquérir ce plan de vol via le serveur de communication 50.
Le module de prétraitement 70 est configuré pour appliquer au moins une action de prétraitement au plan de vol acquis par le module d’acquisition 65, puis pour générer un plan de vol modifié résultant de l’au moins une action de prétraitement.
L’au moins une action de prétraitement est par exemple d’un type choisi parmi un groupe de types d’action de prétraitement consistant en : une action relative à une grandeur météorologique, une action relative à une consommation de l’aéronef, une action relative à une performance au décollage de l’aéronef et une action relative à un format de données associé au plan de vol.
Le module de prétraitement 70 est avantageusement configuré pour appliquer plusieurs actions de prétraitement au plan de vol acquis, chaque action étant d’un type choisi parmi ledit groupe de types d’action de prétraitement.
Le module de prétraitement 70 est avantageusement encore configuré pour appliquer, au plan de vol acquis, au moins une action de chacun des types du groupe de types d’action de prétraitement.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une grandeur météorologique, le module de prétraitement 70 est par exemple configuré pour associer à au moins un point de passage (de l’anglais waypoint ) du plan de vol, de préférence à chaque point de passage du plan de vol, une grandeur relative au vent, telle qu’une direction du vent ou une force du vent, la valeur de ladite grandeur associée à chaque point de passage étant avantageusement la valeur la plus à jour, obtenue typiquement de la part d’un équipement électronique externe 60 correspondant.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une grandeur météorologique, le module de prétraitement 70 est avantageusement configuré pour associer ladite grandeur relative au vent à des points de la trajectoire de l’aéronef qui sont distincts des points de passage du plan de vol, c’est-à-dire à un ou plusieurs points de la trajectoire entre deux points de passage successifs du plan de vol. Selon ce complément, la précision de la gestion du vol est alors encore améliorée, le système de gestion du vol 15 disposant d’informations météorologiques seulement pour les points de passage du plan de vol.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une grandeur météorologique, le module de prétraitement 70 est, en complément ou en variante, configuré pour identifier des risques météorologiques, tels que des risques orageux, également appelés RDT (de l’anglais Rapidly Developing Thunderstrom ), tout au long du plan de vol grâce à un ou plusieurs modèles météorologiques mis à jour, obtenus typiquement de la part d’un équipement électronique externe 60 correspondant.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une consommation de l’aéronef, le module de prétraitement 70 est par exemple configuré pour calculer une performance de consommation de l’aéronef 5, telle qu’une consommation instantanée en un point de passage ou une consommation cumulée depuis le début du vol jusqu’au point de passage, en fonction du tracé du plan de vol et des données météorologiques, notamment des données de vent. Le calcul de la consommation de l’aéronef 5 est effectué en utilisant un modèle de consommation de l’aéronef 5, de préférence un modèle personnalisé de consommation prenant en compte des caractéristiques spécifiques de l’aéronef 5, telles qu’une date de la dernière révision de l’aéronef 5 pouvant avoir un impact sur les réglages moteur, la vétusté de l’aéronef 5, des options installées (antenne satellite, système de ravitaillement en vol pour un avion militaire), et une implantation des sièges au sein d’un avion de ligne, avec un type associé de chaque siège. La masse du siège varie d’un type à l’autre, et l’implantation des sièges a alors une influence sur la masse globale de l’aéronef 5, ainsi que sur la répartition des masses au sein de l’aéronef 5.. En complément, le modèle de consommation est mis à jour en tenant compte des précédents vols de l’aéronef 5.
L’homme du métier observera alors que le modèle de consommation utilisé par le dispositif de gestion auxiliaire du vol 20, notamment par le module de prétraitement 70, est alors plus précis que celui du système de gestion du vol 15, et est en outre mis à jour plus régulièrement. En effet, le modèle de consommation utilisé par le système de gestion du vol 15 ne prend notamment pas en compte les données météorologiques ou encore les précédents vols de l’aéronef 5, et n’est également pas personnalisable avec des caractéristiques spécifiques de l’aéronef 5.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une consommation de l’aéronef, le module de prétraitement 70 est, en complément, configuré pour calculer une quantité de carburant à embarquer dans l’aéronef, en utilisant le modèle de consommation de l’aéronef 5.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une performance au décollage de l’aéronef, le module de prétraitement 70 est par exemple configuré pour calculer une répartition des masses dans l’aéronef 5 en fonction du nombre de passagers, de la quantité de bagages et d’une quantité de carburant à embarquer.
Lorsque l’action de prétraitement est du type action relative à une performance au décollage de l’aéronef, le module de prétraitement 70 est, en complément, configuré pour calculer une performance au décollage, telle qu’une distance de roulement au décollage, un taux de montée, ceci en fonction de la répartition des masses calculée, de données relatives à la piste de décollage correspondante. Les données relatives à la piste de décollage incluent par exemple une pente de la piste, un niveau d’usure de la piste (susceptible d’influer sur la résistance au roulage de la piste), une altitude de la piste, une pression atmosphérique à proximité de la piste, une température à proximité de la piste.
Selon l’un des aspects de l’invention, la branche radiale intercalaire du support multifonction est positionnée circonférentiellement entre deux branches radiales délimitant un siège pour la dent.
Cette coopération entre la rainure de la dent et cette branche radiale intercalaire permet de renforcer le maintien mécanique de la dent sur le support multifonction.
Selon l’un des aspects de l’invention, les spires de fil formant l’enroulement s’étendent entre les deux parties d'extrémité de la dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, la dent présente une symétrie miroir suivant un plan de symétrie contenant l’axe de rotation.
En variante, la dent ne possède pas de symétrie miroir suivant un plan de symétrie contenant l’axe de rotation.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque dent comprend un empilement de tôles, cet empilement étant notamment radial.
Selon l’un des aspects de l’invention, ces tôles sont des tôles en acier électrique, notamment des tôles en acier électrique à grains orientés.
Selon l’un des aspects de l’invention, l’orientation des grains est parallèle à l’axe de rotation.
En variante, chaque dent est réalisée en matériau composite magnétique doux, ou « Soft Magnetic Composite (SMC) » en anglais, notamment obtenu par frittage.
L’invention vise par ailleurs à améliorer les opérations d’assemblage des dents d’un stator lors de la fabrication et également leur maintien sur la machine électrique à flux axial, au cours de la vie de la machine électrique à flux axial.
L’invention a ainsi pour objet un stator de machine électrique à flux axial, la machine électrique à flux axial ayant un axe de rotation, le stator comprenant : une pluralité d’enroulements électriques, une pluralité de dents portant chacune l’un des enroulements électriques, un support multifonction, ou support d’interconnexion, configuré pour porter la pluralité de dents et ce support multifonction étant muni de conducteurs d’interconnexion électrique agencés pour être connectés aux enroulements électriques.
Ce support multifonction selon l’invention permet de réduire le nombre de pièces nécessaires pour la fabrication de la machine électrique à flux axial. Il est ainsi possible de simplifier la fabrication de la machine électrique à flux axial et de mieux gérer l’encombrement de cette machine électrique à flux axial. L’invention permet en outre de bien maintenir les dents, grâce au support multifonction, lors de la fabrication de la machine et lors de la vie de la machine électrique.
Les enroulements sur les dents forment ensemble un bobinage général du stator, par exemple de type triphasé.
Selon l’un des aspects de l’invention, le support multifonction comprend une pluralité de sièges sur chacun desquels est en appui une dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, les sièges de dent sont disposés autour de l’axe de rotation, notamment de manière régulière.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque siège est délimité par deux branches radiales du support multifonction.
Dans un mode de réalisation, la carte à puce est conforme à la norme EMVCo, la zone d’exploitation des courants de Foucault est un disque de 25mm de rayon centré sur ladite carte.
Lorsque la carte à puce est soumis à un champ magnétique, l’action combinée du courant image acheminé depuis la première partie et/ou la deuxième partie de la deuxième antenne d’une part, et d’un courant induit dans la deuxième partie et/ou la troisième partie de la deuxième antenne par le champ magnétique reçu à travers la couche métallique d’autre part, permet de maximiser la quantité d’énergie collectée dans la deuxième antenne RF à partir du champ magnétique, et donc de garantir un couplage magnétique performant entre les deux antennes RF, ce qui permet de délivrer un maximum d’énergie à la puce RF reliée à la première antenne RF.
En fonctionnement, sous l’effet du champ magnétique auquel est soumise la carte à puce, la puce RF est ainsi capable d’utiliser la deuxième antenne RF couplée avec la première antenne RF pour communiquer avec un lecteur NFC externe (en particulier pour échanger des signaux RF en transmission et/ou réception avec le lecteur NFC). Lorsqu’un utilisateur présente la carte à puce du lecteur NFC, dans des conditions opérationnelles déterminées, une communication sans contact peut ainsi être établie entre le lecteur NFC et la carte à puce, et ce quelle que soit l’orientation de cette dernière vis-à-vis du lecteur NFC. En effet, des courants de Foucault sont générés dans la couche métallique quelle que soit l’orientation de la carte à puce relativement au lecteur NFC. De même, quelle que soit la face de la carte à puce qui est présentée devant le lecteur NFC, la troisième partie d’antenne de la deuxième antenne est capable de collecter une composante de courant induite par le champ magnétique au niveau de la zone d’évidemment.
Selon un mode de réalisation particulier, la deuxième antenne RF est configurée de sorte que la troisième partie d’antenne s’étend exclusivement en regard de la zone d’évidement.
Selon un mode de réalisation particulier, les première et troisième parties d’antenne de la deuxième antenne RF sont connectées en parallèle avec un composant capacitif.
L’invention vise également un procédé de fabrication d’une carte à puce de forme générale rectangulaire à partir d’un corps de carte formé au moins en partie par une couche métallique, ladite couche métallique comprenant une zone d’évidement, la couche métallique étant constituée par une première région et une deuxième région entièrement délimitées par une droite parallèle à un petit côté de la carte, la première région contenant entièrement la zone d’évidement et sa surface étant plus petite que celle de la deuxième région, une première fente de la couche métallique connectant la zone d’évidement à un bord périphérique de la couche métallique de la première région et une deuxième fente de la couche métallique débouchant soit sur un bord périphérique de la couche métallique soit dans la zone d’évidement, la deuxième fente se terminant par une partie fermée dans la deuxième région, le procédé comprenant : - formation sur ou dans le corps de carte d’une première antenne RF dans ou en regard de la zone d’évidement de la couche métallique ; - assemblage d’une puce RF avec le corps de carte de sorte que la puce RF est connectée électriquement à la première antenne RF ; et - formation sur ou dans le corps de carte d’une deuxième antenne RF de sorte que la deuxième antenne RF est isolée électriquement de la couche métallique et de la première antenne RF, la deuxième antenne étant configurée pour permettre un couplage avec la première antenne, la deuxième antenne comportant au moins une spire située en regard de la première fente et au moins une spire située en regard deuxième fente.
La représente schématiquement une carte à puce coopérant avec un lecteur NFC, selon au moins un mode particulier de réalisation de l’invention;
La est une vue de dessus (ou dessous) d’une couche métallique d’une carte à puce selon au moins un mode particulier de réalisation de l’invention ;
La est une vue éclatée en coupe représentant schématiquement la structure d’une carte à puce selon au moins un mode particulier de réalisation de l’invention ;
La est une vue de détail en coupe d’une portion d’une carte à puce, selon au moins un mode particulier de réalisation de l’invention;
La illustre une zone d’exploitabilité des courants de Foucault sur une couche métallique ;
la et la illustrent des exemples de positionnement des masques de gravure et/ou d’ouvertures des masques de gravure au cours de l’étape de gravure d’un procédé de fabrication selon un mode de réalisation.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, toutes les étapes du procédé de fabrication des transistors MOS n'ont pas été décrites, étant réalisables avec les procédés usuels de la microélectronique. De même, tous les détails des transistors MOS n’ont pas été décrits. En particulier, les contacts et les circuits d’interconnexion des transistors n’ont pas été représentés. En outre, les applications que peuvent avoir les transistors décrits n’ont pas toutes été détaillées.
Dans la description qui suit, pour alléger celle-ci, un transistor du type MOSFET peut être désigné transistor MOS, ou transistor.
Lorsqu’on fait référence à une "zone active", il est fait référence à une zone d’un substrat semiconducteur d’un transistor, par exemple, une zone délimitée par des régions d’isolation. Une zone active comprend typiquement une région de source, une région de drain et une région de formation de canal, ou région de canal, entre la région de source et la région de drain. La zone active peut être formée dans le substrat semiconducteur ou dans un caisson formé dans le substrat semiconducteur.
Un substrat semiconducteur peut être un substrat massif, par exemple en silicium, ou une couche de semiconducteur d’un substrat de type silicium sur isolant (SOI, de "Silicium On Insulator" en anglais).
Dans la description qui suit, une longueur correspond à une dimension dans une première direction, correspondant à la direction X repérée dans les figures, d’un plan principal XY. Le plan principal correspond sensiblement au plan principal du substrat semiconducteur dans, et sur, lequel le transistor est formé. La première direction correspond à une direction parallèle à la direction de conduction du transistor. Une largeur correspond à une dimension dans une deuxième direction du plan principal XY, correspondant à la direction Y repérée dans les figures, orthogonale à la première direction. Une épaisseur ou une profondeur correspond à une dimension dans la direction perpendiculaire au plan principal XY, correspondant à la direction verticale Z repérée dans les figures.
La représente un exemple de circuit électronique 11 comportant deux transistors adjacents, un transistor 101 (premier transistor) de type NMOS (TrN) et un transistor 102 (deuxième transistor) de type PMOS (TrP), formés dans, et sur, un substrat semiconducteur 120.
Le transistor NMOS 101 comporte, au sein du substrat semiconducteur 120, un caisson 121 de type P, une première zone active ZA1 délimitée dans le caisson 121 par une ou plusieurs régions d’isolation 140, par exemple du type tranchées d’isolation peu profondes (STI, pour "Shallow Trench Isolation" en anglais). La première zone active ZA1 comporte une région de source 123 (S1) et une région de drain 125 (D1) fortement dopées de type N (N+), ainsi qu’une région de formation de canal comprise entre la région de source et la région de drain.
Le transistor NMOS 101 comporte également, sur la face supérieure 120A (première face) du substrat 120, au-dessus de la première zone active ZA1, une région de grille 131 isolée par un oxyde de grille 133. Les flancs de la région de grille 131, ainsi qu’une portion du substrat 120 autour de la région de grille, sont recouverts d’une couche d’oxyde 135, elle-même recouverte d’un espaceur isolant 137.
Le transistor PMOS 102 comporte, au sein du substrat semiconducteur 120, un caisson 122 de type N, une deuxième zone active ZA2 délimitée dans le caisson 122 par une ou plusieurs régions d’isolation 140. La deuxième zone active ZA2 comporte une région de source 124 (S2) et une région de drain 126 (D2) fortement dopées de type P (P+), ainsi qu’une région de formation de canal comprise entre la région de source et la région de drain.
Le transistor PMOS 102 comporte également, sur la face supérieure 120A (première face) du substrat 120, au-dessus de la deuxième zone active ZA2, une région de grille 132 isolée par un oxyde de grille 134. Les flancs de la région de grille 132, ainsi qu’une portion du substrat 120 autour de la région de grille, sont recouverts d’une couche d’oxyde 136, elle-même recouverte d’un espaceur isolant 138.
Par exemple, les zones actives sont en silicium (Si). Par exemple, les régions d’isolation sont des tranchées d’isolation en dioxyde de silicium (SiO 2 ). Par exemple, les régions de grille sont en polysilicium. Les régions de grille peuvent être du type à simple grille ou du type multi-grilles, par exemple à double grille.