INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Exemple 2 Les compositions A1, A2, B1 et B2 telles que décrites dans le tableau 1 ci-dessous ont été préparées : les quantités sont exprimées en g de matière première en l’état/100g, sauf mention contraire. Dans le tableau ci-dessous, ma signifie matière active.
Compositions A1 A2 Polycarbodiimide (1) 7 ma - Polycarbodiimide (2) - 7 ma Hydroxyéthyl acrylate/sodium acryloyldiméthyl taurate copolymère (3) 3 3 Ethanol 20 20 Eau Qsp 100 Qsp 100
(2) vendu par la société STAHL B.V sous la dénomination PERMUTEX XR-13-554, (3) vendu par la société SEPPIC sous la dénomination SEPINOV EMT10 (à 90% de matière active).
La composition G peut comprendre en outre un agent colorant choisi parmi les pigments, les colorants directs, et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation, l’application de la composition G est suivie d’une étape e) de séchage des cheveux et/ou (f) d’application de la vapeur d’eau sur les cheveux en une quantité supérieure ou égale à 0,5 g/min à l’aide d’un dispositif apte à générer de la vapeur d’eau, et d’une étape g) de mise en forme les cheveux à une température supérieure ou égale à 100°C comme décrit précédemment.
Selon un mode de réalisation particulier, l’étape f) est dissociée de l’étape g), de préférence l’étape f) est suivie de l’étape g).
Selon un autre mode de réalisation particulier, l’étape f) et l’étape g) sont mises en œuvre simultanément.
Selon un mode de réalisation préféré, la composition G ne contient pas d’agent colorant tel que décrit précédemment.
De préférence, la composition C comprend en outre au moins un composé ayant au moins une fonction carboxylique tel que décrit précédemment, de préférence un polymère acrylique.
De préférence, la composition C comprend en outre au moins un agent épaississant anionique non carboxylique tel que décrit précédemment, de préférence choisis parmi les copolymères associatifs d’AMPS et d’au moins un monomère hydrophobe à insaturation éthylénique.
De préférence, la composition C comprend en outre au moins un polymère associatif tel que décrit ci-avant, différent du composé ayant au moins une fonction carboxylique et différent de l’agent épaississant anionique non carboxylique tels que définis précédemment, tel que de préférence les polymères associatifs acryliques, plus préférentiellement les polymères associatifs acryliques carboxyliques.
Selon un mode de réalisation préféré, l’étape a) consiste à mélanger extemporanément au moment de l’emploi au moins deux compositions A et B pour obtenir une composition C et à appliquer la composition C sur les cheveux, avec :
- la composition A comprenant au moins un composé (poly)carbodiimide tel que défini précédemment,
- la composition B comprenant au moins un composé ayant au moins une fonction carboxylique tel que défini précédemment ;
Selon un mode de réalisation particulier, l’eau mise en œuvre dans une composition lubrifiante aqueuse selon l’invention est de l’eau osmosée ou déminéralisée, plus préférentiellement une eau déionisée.
COMPOSE PHOSPHORE Comme indiqué précédemment, une composition lubrifiante aqueuse selon l’invention comprend au moins un composé phosphoré, c’est-à-dire un composé comprenant au moins un atome de phosphore. De préférence, les composés phosphorés considérés selon l’invention n’apportent pas de soufre et de molybdène.
Le ou lesdits composés phosphorés sont avantageusement mis en œuvre sous une forme soluble ou émulsionnable dans l’eau.
Il est entendu qu’une composition lubrifiante aqueuse selon l’invention peut comprendre un unique composé phosphoré ou un mélange de plusieurs composés phosphorés différents, par exemple de deux, trois ou plus, composés phosphorés différents.
En particulier, le composé phosphoré peut être choisi parmi les phosphates d’amine ; les esters de phosphate, en particulier les phosphates d’alkyle, d’alcényle ou d’aryle ; les polyphosphates ; les phosphonates tels que les esters de phosphonates, en particulier les phosphonates d’alkyle, d’alcényle ou d’aryle ; les polyphosphonates ; les carbamyl-phosphates ; les phosphinates ; et leurs mélanges.
Le ou les composés phosphorés peuvent être présents dans une composition lubrifiante aqueuse selon l’invention sous la forme de sels, en particulier sous la forme d’ions phosphate, phosphonate ou phosphinate neutralisés par un contre-ion approprié.
Les sels peuvent être des sels de métaux alcalins ou alcalino-terreux, d’ammonium, d’alcanolamines, en particulier en C 2 -C 8 , ou d’alcaneamines, en particulier en C 2 -C 8 , de phosphate, de phosphonate ou de phosphinate.
Des exemples de composés phosphorés convenant tout particulièrement à l’invention sont les esters de phosphate, les esters de phosphonate et leurs sels, de préférence les esters de phosphate et leurs sels.
De préférence, le composé phosphoré mis en œuvre dans une composition aqueuse selon l’invention est choisi parmi les esters de phosphate, en particulier les phosphates d’alkyle ou de dialkyle, d’alcényle ou d’aryle éventuellement éthoxylé, et leurs sels.
illustre une vue de dessus de trois pistes conductrices formées au moyen du procédé tel qu’illustré à la .
illustre une vue de dessus d’une piste de matériau résistif formée au moyen du procédé tel qu’illustré à la .
illustre, de façon schématique, un réchauffeur que comporte une carte électronique réalisée par la mise en œuvre du procédé selon l’invention illustrée à la .
montre, de façon schématique, plusieurs réchauffeurs que comporte une carte électronique réalisée par la mise en œuvre du procédé selon l’invention illustrée à la .
montre, de façon schématique, deux réchauffeurs que comporte une carte électronique réalisée par la mise en œuvre du procédé selon l’invention illustrée à la .
La illustre un diagramme d’étapes d’un mode de réalisation non limitatif d’un procédé 100 de fabrication d’une carte électronique 1 selon un aspect de l’invention.
Le procédé 100 comporte, à partir d’une première couche d’un diélectrique 2 stratifié entre deux couches conductrices 3, une étape de former 101, par gravure, des pistes conductrices 4 sur une première face 5 et une deuxième face 6 situées de part et d’autre de la première couche de diélectrique 2.
Comme illustré à la qui est une vue de dessus de la première face 5, dans cet exemple de réalisation, trois pistes conductrices 4 sont formées sur la première face 5. Deux pistes conductrices 4 des trois pistes conductrices 4 comportent une première extrémité 7 formée en une zone élargie.
Le procédé 100 comporte en outre une étape de déposer 102 une piste de matériau résistif 8 sur la première couche de diélectrique 2 et sur une partie de chacune des premières extrémités 7 formées en une zone élargie.
Ainsi, comme illustré à la qui est une vue de dessus de la première face 5, la piste de matériau résistif 8 est connectée à deux pistes conductrices 4 au niveau des premières extrémités 7 formant des zones élargies. Ces zones élargies permettent une accroche, et donc une connexion, fiable du matériau résistif sur les pistes conductrices 4.
Le dépôt de la piste de matériau résistif 8 est réalisé au moyen d’un dispositif de fabrication additive. Ce dispositif de fabrication additive est également connu sous l’appellation imprimante trois-dimensions. On peut citer à titre d’exemple non limitatif un dispositif de fabrication additive sur lit de poudre ou par projection de poudre.
Dans une mise en œuvre non limitative, le matériau des pistes conductrice 4 est du cuivre et le matériau résistif de la piste de matériau résistif 8 déposé par le dispositif de fabrication additive est un alliage formé de cuivre et de nickel, autrement dit un alliage CuNi.
Il convient de noter que le dépôt de la piste de matériau résistif 8 au moyen d’un dispositif de fabrication additive confère à la piste de matériau résistif 8, autrement dit au réchauffeur, une section purement rectangulaire et fine qui est totalement maîtrisée. Cette forme maîtrisée accroit la résistivité de la piste de matériau résistif 8 formant le réchauffeur ainsi que sa densité de puissance.
Étant déposé directement sur les pistes conductrices 4 de la carte électronique 1, la piste de matériau résistif 8 est connectée à deux pistes conductrices 4 pour créer un chemin de courant, de réchauffage.
À titre d'exemple non limitatif de dispersions aqueuses de polyuréthane, on peut citer celles vendues sous la dénomination Baycusan® par Bayer telles que, par exemple, Baycusan® C1000 (nom INCI: polyuréthane-34), Baycusan® C1001 (nom INCI: polyuréthane-34), Baycusan® C1003 (nom INCI: polyuréthane-32), Baycusan® C1004 (nom INCI: polyuréthane-35) et Baycusan® C1008 (nom INCI: polyuréthane-48).
- les alkyl éthers de type- OR 2 dans lesquels R 2 est un radical hydrocarboné linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, contenant de 1 à 6 atomes de carbone, substitué par au moins un groupe sulfonique (-SO 3 -) et/ou sulfate (-SO 4 -) et /ou phosphate (-PO 4 H 2 -).
Selon cette variante de réalisation, le ou les composés de formule (Ic), ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates, sont en particulier de formule (Iic) telle que définie précédemment.
Selon cette variante de réalisation, le ou les composés de formule (Iic) sont en particulier choisis parmi les composés (12) tels que définis précédemment, ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates.
Selon un mode de réalisation particulier, le procédé de traitement selon l’invention comprend l’application sur les matières kératiniques, notamment la peau et/ou les lèvres et/ou les cils et/ou les sourcils, d’au moins un composé de formule (I), ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates, ou une composition le/les contenant, choisis parmi les composés suivants de formule (Id), ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates :
m (AK 2 -Y) – Z – [(O)t-(AK1) q -(O-C(O)-C(R a )(R b )-C(O)-R 4 ) u ] n (Id)
formule (Id) dans laquelle :
- Z représente un radical tétravalent hydrocarboné en C 2 à C 24 , en particulier en C 3 à C 10 , en particulier en C 4 ou C 5 , linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, de préférence saturé ou acyclique, Z étant en outre substitué par un ou plusieurs radicaux –[(O) t -(AK1) q -(O-C(O)-C(R a )(R b )-C(O)-R 4 ) u ] n , de préférence n est égal à 1 ;
- AK2 représente indépendamment une chaine hydrocarbonée monovalente linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, de préférence saturée, en C 14 -C 30 , de préférence en C 16 -C 24 , de préférence en C 17 , ladite chaine étant éventuellement substituée par un ou plusieurs radicaux identiques ou différents choisis parmi -OR ou -X-AK 3 -(O-C(O)-C(Ra)(Rb)-C(O)-R 4 ) v , de préférence substituée par un ou plusieurs radicaux -OR ; et/ou ladite chaine étant éventuellement interrompue par un ou plusieurs hétéroatomes ou groupes choisis parmi -O-, -S-, -C(O)-, (hétéro)cycle(s), et leurs combinaisons, en particulier -O-C(O)-, -C(O)-O- ou (hétéro)cycle-O-(hétéro)cycle, de préférence étant non interrompue ; X est tel que défini précédemment, de préférence X désigne un atome de soufre ; Y, AK1, AK3, v, R, R 4 , R a et R b étant tels que définis précédemment,
étant entendu que ces composés contiennent au moins 2 radicaux -C(O)-C(R a )(R b )-C(O)-R 4 .
Selon un mode de réalisation préféré, tous les radicaux AK2 sont identiques. De préférence, tous les radicaux Y sont identiques.
Selon cette variante de réalisation, les composés de formule (Id), ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates, sont en particulier de formule (Iid), telle que définie précédemment.
Selon un mode de réalisation préféré, le procédé de traitement selon l’invention comprend l’application sur les matières kératiniques, notamment la peau et/ou les lèvres et/ou les cils et/ou les sourcils, d’au moins un composé de formule (I), ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates, ou une composition le/les contenant, choisis parmi les composés suivants de formule (Ie), ainsi que leurs isomères optiques, géométriques et/ou solvates, tels que les hydrates :
m (AK2-Y) – Z – [(O) t -(AK1) q -(O-C(O)-C(R a )(R b )-C(O)-R 4 ) u ] n (Ie)
formule (Ie) dans laquelle :
La contrainte circonférentielle est reliée à la déformation circonférentielle viscoplastique selon la relation suivante :
dans laquelle : σ θ est tel que précédemment défini ; Δ p représente le différentiel de pression appliqué à l’éprouvette en Zircaloy-4 ; représente le diamètre moyen initial de l’éprouvette en Zircaloy-4 ; e 0 représente l’épaisseur initiale de la paroi de l’éprouvette en Zircaloy-4.
Dans l’application de cette loi, les conditions de température et de pression sont présumées être appliquées de manière uniforme sur les éprouvettes en Zircaloy-4.
Par ailleurs, il est pris comme postulat que la déformation circonférentielle à imposer aux éprouvettes en Zircaloy-4 doit être de 0,70 % pour les géométries considérées de sorte à combler le jeu radial initialement présent entre les éprouvettes en Zircaloy-4 et les éprouvettes en composite SiC f /SiC.
La illustre sous la forme de courbes exprimant le pourcentage de déformation circonférentielle, notée , en fonction du temps, noté t et exprimée en secondes, les résultats obtenus pour cinq couples pression/température différents, à savoir : - une pression de 1 MPa associée à une température de 700 °C, - une pression de 1,5 MPa associée à une température de 700 °C, - une pression de 2 MPa associée à une température de 600 °C, - une pression de 2,2 MPa associée à une température de 720 °C, et - une pression de 3 MPa associée à une température de 600 °C.
Comme le montre cette figure, trois couples pression/température permettent d’obtenir une déformation circonférentielle de 0,70 % en moins de 1 000 secondes, à savoir : le couple 2,2 MPa/720 °C pour lequel la déformation est obtenue en 42 secondes et les couples 3 MPa/600 °C et 1,5 MPa/700 °C pour lesquels la déformation est obtenue en 800 secondes.
Toutefois, il ressort d’essais de traction uniaxiale que l’application d’une pression de 3 MPa revient à imposer aux éprouvettes en composite SiC f /SiC une contrainte radiale de 56 MPa, c’est-à-dire supérieure à la limite d’élasticité du composite et, donc, susceptible d’endommager ce dernier.
Par contre, l’application d’une pression de 1,5 MPa ou de 2,2 MPa revient à imposer aux éprouvettes en composite SiC f /SiC une contrainte radiale respectivement de 28 MPa et de 41 MPa, c’est-à-dire inférieure à la limite d’élasticité du composite et, donc, propre à éviter tout endommagement de celui-ci.
Ce sont donc des conditions de fluage utilisant une pression de 1,5 MPa d’une part, et de 2,2 MPa d’autre part, qui sont testées ci-après.
II .2 - Essai s de fluage sur d es éprouvettes en Zircaloy-4 seul e s :
Des éprouvettes en Zircaloy-4 sont soumises seules, c’est-à-dire sans la présence d’éprouvettes en composite SiC f /SiC, à des essais de fluage en leur appliquant une pression de 1,5 MPa et une température de 700 °C pendant 800 secondes afin de valider expérimentalement ces conditions.
Ces essais sont réalisés au moyen d’un banc de fluage, tel que décrit dans la référence [2], qui est adapté à la préhension de tubes métalliques. La pression est appliquée de manière uniforme sur la face interne des éprouvettes par admission d’un gaz inerte tandis que les éprouvettes sont chauffées par effet Joule. Les éprouvettes sont disposées dans une enceinte permettant de travailler sous une atmosphère pilotée. La température est mesurée sur la face externe des éprouvettes par un pyromètre bichromatique, ainsi qu’à l’intérieur des éprouvettes à l’aide d’un thermocouple.
Un contrôle métrologique par profilométrie des éprouvettes est réalisé avant et après les essais de fluage.
Les résultats de ce contrôle sont illustrés sur la , les profils en pointillés correspondant aux variations, respectivement minimales, moyennes et maximales, du diamètre externe, noté Ø et exprimé en mm, des éprouvettes avant les essais de fluage tandis que les profils en traits pleins correspondent aux variations, respectivement minimales, moyennes et maximales, de ce même diamètre à l’issue des essais de fluage.
Cette figure montre qu’à l’issue des essais de fluage, une augmentation moyenne de 1,2 % du diamètre externe des éprouvettes en Zircaloy-4 est obtenue de façon homogène sur une étendue longitudinale d’environ 120 mm, cette étendue correspondant à la partie, dite « partie utile », des éprouvettes en Zircaloy-4 devant être associée à la paroi interne des éprouvettes en composite SiC f /SiC (voir les longueurs respectives des éprouvettes en Zircaloy-4 et des éprouvettes en composite SiC f /SiC présentées dans le tableau ci-avant).
II .3 - Essai s de fluage sur des éprouvettes en Zircaloy-4 dans des éprouvettes e n composite SiC f / SiC :
sert à illustrer une matrice de cellules mémoires SRAM dont les colonnes sont dotées chacune d’un circuit d’initialisation déterministe aléatoire de colonne tel que mis en œuvre suivant l’invention ;
sert à illustrer une cellule mémoire SRAM d’agencement conventionnel et susceptible d’être intégrée dans un dispositif mémoire suivant l’invention ;
sert à illustrer un exemple de réalisation de circuit d’initialisation déterministe aléatoire de colonne pour initialiser les cellules d’une même colonne de cellules de manière aléatoire d’une initialisation à l’autre ;
servent à illustrer différents états auxquels peuvent être mis les lignes de bits couplés au circuit d’initialisation de colonne ;
sert à illustrer différentes colonnes d’une matrice de cellule dont les colonnes sont initialisées indépendamment l’une de l’autre par le biais de leurs circuits d’initialisation respectifs ;
Un exemple de dispositif mémoire SRAM est donné sur la et comporte un plan mémoire M 1 formé d’une pluralité de colonnes COL 1 , …, COL n (avec n un entier strictement supérieur à 1, les colonnes correspondant dans cet exemple à des rangées verticales) et de lignes LIN 1 , …, LIN m (avec m un entier strictement supérieur à 1, les lignes correspondant sur la à des rangées horizontales) comprenant n*m cellules mémoire SRAM distinctes C 11 , …, C nm .
De manière conventionnelle, chaque colonne de cellules est associée à une paire de lignes de bits parmi un ensemble de paires de lignes de bits BLT 1 , BLF 1 ,…, BLT n , BLF n . De même, chaque ligne de cellules est typiquement associée à une ligne de mot parmi un ensemble de lignes de mots WL 1 , …, WL m . Chaque ligne de mot permet, lorsqu’elle est activée, de sélectionner les cellules mémoires d’une ligne donnée de cellules SRAM parmi lesdites lignes de cellules SRAM.
Une phase d’initialisation des cellules de la mémoire SRAM est prévue lors de la mise sous tension du dispositif mémoire, mais également consécutivement à une opération d’effacement de la mémoire par exemple à la suite d’une détection d’une tentative d’accès frauduleux à la mémoire sans qu’il soit prévu d’éteindre tout le dispositif mémoire pour réinitialiser le contenu de la mémoire. Lors d’une opération d’effacement de la mémoire, les nœuds internes des cellules mémoires peuvent être positionnés à des valeurs identiques ou sensiblement identiques (i.e. qui diffèrent de moins 10 mV), soit par court-circuit, soit par décharge des nœuds suite à une coupure d’alimentation. Une phase possible d’initialisation consiste donc à faire passer une cellule mémoire d’un état « indéterminé » (et indéterminable par lecture) à un état avec une valeur mémorisée « déterminée » (et donc déterminable par lecture).
La présente demande fait suite à d’autres demandes de brevets de la demanderesse en lien avec le sujet des dispositifs mémoires SRAM. Ainsi, on peut se référer à la demande de brevet FR, n°1761692, déposée le 6 décembre 2017 dans laquelle un mécanisme d’effacement rapide est décrit. On peut également se référer à une deuxième demande de brevet français n°2111286 déposée par la demanderesse le 25 Octobre 2021 devant l’Institut National de la Propriété Intellectuelle dans laquelle il est décrit un dispositif d’initialisation de la mémoire SRAM, selon plusieurs modes possibles, un mode libre et un mode déterministe. Nous reprenons par la suite un vocabulaire commun avec cette deuxième demande de brevet. Un mode d’initialisation dit « libre », consiste à laisser chaque cellule mémoire s’initialiser à une valeur propre lors de la mise sous tension progressive des éléments constituants la cellule mémoire, notamment de deux inverseurs rebouclés tels qu’illustrés sur la , sans chercher à imposer de valeur « 0 » ou « 1 » sur les nœuds internes N T et N F de la cellule. Dans le mode d’initialisation libre, les transistors d’accès TA T et TA F sont non passants, la cellule étant comme « isolée » des autres cellules et des lignes de bits BLT et BLF. Par opposition, un mode d’initialisation dit « déterministe » consiste à imposer ou forcer une valeur à mémoriser par la cellule lors de son passage d’un état indéterminé à un état déterminé. Pour imposer une valeur pendant l’initialisation, le dispositif mémoire comprend en pied de colonne des moyens pour imposer une valeur sur les nœuds internes des cellules en cours d’initialisation, via les lignes de bits et en rendant conducteurs les transistors d’accès de des cellules concernées. Dans cette deuxième demande de brevet, la valeur d’initialisation que l’on souhaite imposer peut être « 0 » ou « 1 ». Les moyens d’initialisation déterministe décrits dans cette deuxième demande, notamment en lien avec sa figure 4, permettent d’écrire toutes les cellules mémoire soit à « 0 » soit à « 1 ». Pour ce faire, le dispositif prévoit de piloter, pour chaque colonne, une des lignes de bits BLT ou BLF en la connectant à une tension d’alimentation par mise en conduction d’un transistor de sélection de ligne de bits. La ligne de bits sélectionnée et alimentée tend ainsi à imposer une valeur « 1 » sur un des nœuds de chaque cellule mémoire reliée à cette ligne de bits.
Dans la présente demande de brevet un circuit d’initialisation, en particulier déterministe, selon le sens donné ci-dessus, et qui permet d’imposer une valeur à tout ou partie des cellules d’une même colonne ; cette même valeur ayant été préalablement définie par un procédé de tirage aléatoire.
On utilise par la suite l’expression « initialisation déterministe aléatoire » pour ce type d’initialisation procédant en deux temps, tirage aléatoire puis initialisation « forcée » comme cela sera mieux compris à la lecture des exemples détaillés donnés ci-après.
Le dispositif a ici pour particularité d’associer à chaque colonne COL 1 , …, COL n de cellules un circuit 100 1 , …, 100 n d’initialisation de colonne, configuré pour mettre en œuvre une phase d’initialisation des cellules d’une colonne de la matrice dite « initialisation déterministe aléatoire». Les circuits d’initialisation 100 1 ,…,100 n sont typiquement dotés en outre chacun d’une portion en extrémité de colonne et couplés à une paire de ligne de bit parmi l’ensemble de paires de lignes de bits BLT 1 , BLF 1 ,…, BLT n , BLF n . Chaque circuit 100 1 , …, 100 n d’initialisation de colonne est configuré pour, lors d’une initialisation déterministe aléatoire par colonne, initialiser la colonne de cellules à laquelle ce circuit est associé en plaçant l’ensemble des cellules composants cette colonne dans un même état donné. Ce même état d’initialisation est déterminé par l’équivalent d’un « tirage aléatoire » ou pseudo-aléatoire réalisé en dehors de la matrice de cellules et appliqué à tout ou partie des cellules d’une même colonne lors de leur initialisation. Cet état d’initialisation « déterministe aléatoire » est produit de manière aléatoire ou pseudo-aléatoire par un étage de « tirage aléatoire » 110 (non représenté sur cette figure) du circuit d’initialisation 100 1 , …, 100 n .
Selon un mode de réalisation de l’invention, chacune des première et deuxième surfaces de déflexion arrière est sensiblement plane.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la première surface de déflexion arrière s’étend depuis le premier bord latéral de la bouche d’aspiration jusqu’à la paroi de chambre arrière, et la deuxième surface de déflexion arrière s’étend depuis le deuxième bord latéral de la bouche d’aspiration jusqu’à la paroi de chambre arrière.