Procédé (10) de fabrication d’un élément optoélectronique (1), l’élément optoélectronique (1) comprenant un matériau semi-conducteur (2) comprenant une région active localisée à proximité immédiate d’une surface du matériau semi-conducteur, le procédé (10) comprenant les étapes suivantes : dépôt (12) d’un couche d’isolant électrique (4) sur le matériau semi-conducteur à l’aide d’un premier masque (14) posé sur la région active, de sorte à ce que la couche d’isolant électrique (4) présente un évidement (5) au niveau de la région active ; dépôt (16) d’une couche métallique (18), dite d’injection, sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, de sorte à ce que la couche métallique d’injection (18) forme une électrode (7) sur la surface du matériau semi-conducteur au niveau de la région active. Procédé (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : préalablement au dépôt (16) de la couche métallique d’injection (18), création (14) d’une électrode de contact (8) sur la couche d’isolant électrique (4) à l’aide d’un deuxième masque (9), le deuxième masque (9) ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact (8). Procédé (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : après le dépôt (16) de la couche métallique d’injection (18), création d’une électrode de contact sur la couche métallique à l’aide d’un deuxième masque photosensible, le masque ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact. Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications 2 à 3, caractérisé en ce que la création (14) de l’électrode de contact (8) comprend les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le deuxième masque (9) ; dépôt (32) directif d’une couche métallique (15), dite de contact, sur le deuxième masque (9) ; et lift-off (33) du deuxième masque (9) ; la partie de la couche métallique de contact (15) restante après le lift-off formant l’électrode de contact (8). Procédé (10) de fabrication selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend en outre : délimitation latérale (43) de la couche métallique d’injection (18) de sorte à ce qu’elle couvre essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact (8), à l’aide d’un troisième masque (17) couvrant essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact. Procédé (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la délimitation latérale (43) de la couche métallique d’injection (18) comprend les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le troisième masque (17) ; attaque chimique des parties de la couche métallique d’injection non couvertes par le troisième masque (17) ; et lift-off du troisième masque (17). Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d’isolant électrique (4) est déposée par dépôt directif. Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur comprend un empilement (2) de couches semi-conductrices comprenant, selon une direction Z perpendiculaire à la surface du matériau semi-conducteur, une alternance de couches d’indice de réfraction élevé et faible pour former un miroir interférentiel. Procédé (10) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la région active comprend au moins un émetteur (3) ou détecteur de lumière. Procédé (10) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’au moins un émetteur ou détecteur de lumière comprend un puit quantique (3) ou une boite quantique (3). Procédé (10) selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que l’au moins un émetteur (3) ou détecteur de lumière est localisé à proximité de la surface du matériau semi-conducteur. Élément optoélectronique (1) obtenu par le procédé (10) de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes.