INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avantageusement, le procédé comprend, après l’étape de retrait de la première couche d’arrêt de gravure et avant l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer, une étape supplémentaire de recuit du substrat donneur réalisée dans le même équipement que l’étape de retrait de la première couche d’arrêt et l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer.
Cette étape de recuit du substrat donneur effectué in-situ dans l’équipement d’épitaxie permet de compléter l’étape de retrait de la première couche d’arrêt de gravure et d’améliorer la qualité de la surface sur laquelle la couche semiconductrice à transférer sera formée.
Avantageusement, l’étape supplémentaire de recuit du substrat donneur est réalisée aux conditions de température, de pression et de durée suivantes : 500°C, 2666 Pa (ou 20 Torr), 2 minutes..
Avec un tel budget thermique, les propriétés de la couche (ou plan fragile) endommagée par la première l’implantation sont toujours compatibles avec un transfert de couche après la deuxième implantation.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le procédé selon un aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, compatibles avec toutes les variantes de réalisation précédentes et considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles.
Les premiers ions légers sont des ions hélium, des ions hydrogène, des ions Bore, un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène ou un mélange d’ions hydrogène et d’ions bore.
Les deuxièmes ions légers sont des ions hélium, des ions hydrogène ou un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène.
Il convient de noter qu’il est particulièrement avantageux d’utiliser des ions hydrogène pour la deuxième implantation, plutôt que des ions hélium, car ceux-ci induisent moins de défauts, cela même si la dose d’implantation est supérieure.
La couche semiconductrice à transférer est une couche de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), ou un empilement d’une sous-couche de silicium et d’une sous-couche d’un alliage de silicium et de germanium (Si/SiGe).
Atlernativement, la couche semiconductrice à transférer comprend une première sous-couche dite active de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), et une deuxième sous-couche dite d’arrêt de gravure telle qu’une sous-couche d’arrêt de gravure en alliage de silicium et germanium, disposée sous la première sous-couche active, et le substrat receveur présente, après l’étape de fracturation, une couche résiduelle issue du substrat donneur, le procédé comprenant alors les étapes successives suivantes : Retrait de la couche résiduelle issue du substrat donneur par gravure sélective de ladite couche résiduelle par rapport à la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure, Retrait de la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure.
l’alimentation de la chambre de combustion en mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène à fractions contrôlées.
Selon un exemple, le procédé d’alimentation peut comprendre l’obtention d’un mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène à fractions contrôlées enrichi ou appauvri en hydrogène par rapport au mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène provenant du réseau industriel, de transport ou de distribution.
L’invention concerne également un système d’alimentation en combustible d’au moins une chambre à combustion de turbine à gaz, comprenant :
une ligne d’alimentation de l’au moins une chambre à combustion en un mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène comportant :
une section d’admission destinée à être raccordée à un réseau industriel, de transport ou de distribution d’un mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène,
une section de séparation adjacente à la section d’admission et raccordée à une entrée de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène d’un circuit de dérivation comportant au moins un dispositif de séparation DS1 de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène,
une section d’injection adjacente à la section de séparation raccordée à une sortie d’hydrocarbure et à une sortie d’hydrogène du circuit de dérivation, et
une section d’alimentation adjacente à la section d’injection et raccordée à l’au moins une chambre de combustion de la turbine à gaz ; et
une pluralité de vannes chacune respectivement positionnée entre la section d’admission et la section de séparation, entre la section de séparation et la section d’injection, entre la section d’injection et la section d’alimentation, entre la section de séparation de la ligne d’alimentation et l’entrée de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène du circuit de dérivation, entre la sortie d’hydrocarbure du circuit de dérivation et la section d’injection de la ligne d’alimentation, et entre la sortie d’hydrogène du circuit de dérivation et la section d’injection la ligne d’alimentation.
De préférence, le circuit de dérivation comprend un réservoir d’hydrocarbure positionné en aval du dispositif de séparation de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène et de contenance supérieure ou égale à une valeur seuil d’hydrocarbure prédéterminée.
De préférence, le système d’alimentation comprend un calculateur de gestion configuré pour ordonner, lorsque la quantité d’hydrocarbure dans le réservoir d’hydrocarbure est inférieure à une valeur seuil d’hydrocarbure prédéterminée :
l'admission de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dans la ligne d’alimentation,
la séparation du mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène par le circuit de dérivation pour l’obtention d’hydrocarbure, et
Avantageusement, le système d’alimentation peut comprendre au moins un analyseur positionné en aval du dispositif de séparation de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène et configuré pour mesurer le taux d’hydrogène dans l’hydrocarbure obtenu après séparation par le dispositif de séparation de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène. Ceci permet de vérifier l’efficacité du processus de séparation et de comparer le taux d’hydrogène à un taux d’hydrogène attendu préalablement défini.
Avantageusement, le circuit de dérivation peut comprendre un dispositif de séparation supplémentaire de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène positionné en aval du dispositif de séparation. La présence d’un dispositif de séparation supplémentaire est particulièrement avantageuse afin d’augmenter l’efficacité du processus de séparation.
Selon un mode de réalisation, la génération du deuxième fichier informatique comprend en outre : - pour chaque première transition, l’identification, par l’unité de traitement du dispositif, dans la représentation numérique du transducteur fini minimal, de premières données d’entrée dont un blocage de la valeur inhibe la transition vers l’état de destination associé ; et - l’écriture dans le deuxième fichier, des premières données d'entrée.
Selon un mode de réalisation, la génération du deuxième fichier informatique comprend en outre : - pour chaque deuxième transition, l’identification dans la représentation numérique du transducteur fini minimal, de deuxièmes données d’entrée dont la modification de la valeur, dans l’état source associé, entraîne ladite deuxième transition.
Selon un mode de réalisation, le risque identifié associé à un élément du deuxième fichier, dans le troisième fichier, prend la forme d’une valeur d’indication codée sur au moins 2 bits.
Selon un mode de réalisation, la valeur d’un bit de la valeur d’indication indique si un blocage de la valeur de la donnée d’entrée inhibe une transition parmi les premières transitions et la valeur d’un autre bit de la valeur d’indication indique si une modification de la valeur de la donnée d’entrée entraine une transition parmi les deuxièmes transitions.
Selon un mode de réalisation, le bit le moins significatif de la valeur indique si un blocage de la valeur de la donnée d’entrée inhibe une transition parmi les premières transitions et le bit le plus significatif indique si une modification de la valeur de la donnée d’entrée entraine une transition parmi les deuxièmes transitions.
Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre une analyse de risques, l’analyse comprenant, pour chaque élément du quatrième fichier informatique : - l’identification, par l’unité de traitement, d’un événement redouté ayant lieu en cas d’attaque sur l’élément ; - le calcul, par l’unité de traitement, d’une probabilité d’occurrence de l’événement ; - la détermination, par l’unité de traitement, d’un niveau du risque sur la base d’une valeur de gravité et de la probabilité.
Selon un mode de réalisation, la probabilité d’un événement redouté est égale à l’inverse du nombre d’éléments du quatrième fichier pour lesquels l’événement redouté est identifié.
Selon un mode de réalisation, le niveau de risque d’un événement redouté est égal au produit de la probabilité de l’événement et de sa valeur de gravité.
Un mode de réalisation prévoit une mémoire non transitoire configurée pour stocker des instructions configurées pour mettre en œuvre le procédé d’identification des risques de cyberattaques ci-dessus lorsqu’elles sont exécutées par une unité de traitement.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif de traitement de données comprenant une unité de traitement et une mémoire, le dispositif étant configuré pour mettre en œuvre le procédé d’identification des risques de cyberattaques.
la est un schéma d’un procédé physique ;
la illustre schématiquement un exemple de logique automate définissant le comportement de l’automate programmable de la ;
la illustre schématiquement un autre exemple de logique automate ;
la est un graphe illustrant un exemple d’un transducteur fini ;
la est un schéma par bloc représentant un dispositif de traitement selon un mode de réalisation de la présente description ;
sert à illustrer une cellule mémoire SRAM susceptible d’être intégrée dans un dispositif mémoire suivant l’invention ;
sert à illustrer une manière de placer une cellule SRAM de structure conventionnelle en état métastable en déconnectant son alimentation d’une alimentation du plan mémoire ;
sert à illustrer une manière de placer une cellule SRAM en état métastable par égalisation de ses nœuds internes en connectant entre elles des lignes de bits auxquelles cette cellule est reliée ;
sert à illustrer une variante préférée dans lequel l’état métastable est obtenu par égalisation de ses nœuds internes et en déconnectant son alimentation d’une alimentation du plan mémoire ;
donne un exemple de chronogramme illustrant un exemple de fonctionnement de différentes zones de la mémoire et un mode de fonctionnement dans lequel un secteur particulier de la mémoire contient des cellules mises dans un état métastable afin de limiter l’influence du phénomène de NBTI tandis que d’autres secteurs sont accessibles en lecture.
Un plan mémoire est représenté de manière schématique sur la et comprend une matrice M de cellules mémoire. La matrice est formée typiquement d’une pluralité de lignes et de colonnes de cellules SRAM (non représentées sur cette figure).
On distingue ici deux zones Z1, Z2 dans la matrice M, formées chacune d’un ensemble de cellules.
La mémoire comporte en particulier un premier ensemble E1 de cellules situé dans une première zone Z1 de la matrice et que l’on souhaite particulièrement protéger des phénomènes de NBTI évoqués précédemment.
Selon un mode de réalisation particulier, la première zone Z1 contient des cellules destinées à réaliser une fonction physique non-clonable (PUF) et dont l’état logique, en particulier l’état logique d’initialisation, est susceptible de servir pour former une signature numérique ou une empreinte numérique de la mémoire.
Pour pallier les phénomènes de NBTI et de vieillissement, le dispositif mémoire est doté d’un circuit de commande 10 configuré pour, après mise sous tension de la matrice ou alors que la matrice est mise sous tension et reliée à une alimentation dite « générale » (représentée de manière schématique par un bloc 3), placer le premier ensemble E1 de la première zone de la matrice M1 dans un état particulier dit « métastable » dans lequel on ne peut distinguer l’état logique respectif des cellules de cet ensemble.
La mémoire comporte également un deuxième ensemble E2 situé dans une deuxième zone Z2 de la matrice qui, lorsque le premier ensemble E1 de la première zone de la matrice M1 est mis dans un état métastable, peut être quant à lui mis dans un mode de fonctionnement où les cellules sont librement accessibles en lecture et en écriture. Le deuxième ensemble E2 occupe une deuxième zone Z2 de la matrice typiquement plus importante en termes de taille que la première zone Z1.
Le deuxième ensemble E2 peut être formé de plusieurs sous-ensembles E21, E22 et avantageusement comporter un sous-ensemble E22 de cellules pouvant stocker des données sensibles CSP (pour « Critical Security Parameters » ou paramètre de sécurité critique).
Une manière de placer une cellule mémoire dans ledit état métastable consiste par exemple à connecter entre eux ses nœuds internes N T , N F .
Un système propulsif 1 à double corps dont la poussée générée par le rotor de soufflante respecte la formule (1) et éventuellement la formule (2) peut notamment comprendre une turbine haute pression 7 biétage, un compresseur haute pression 5 comprenant au moins huit étages et au plus onze étages, une turbine basse pression 8 comprenant au moins trois étages et au plus cinq étages et un compresseur basse pression 4 comprenant au moins deux étages et au plus quatre étages.
Maîtrise du comportement dynamique de l’arbre d’entrainement de la soufflante d’un système propulsif aéronautique La présente demande concerne de manière générale le domaine des systèmes propulsifs, et plus particulièrement des systèmes propulsifs aéronautiques présentant un taux de dilution est élevé, voire très élevé.
La tendance actuelle est d’augmenter le taux de compression global du système propulsif, qui correspond au rapport entre la pression en sortie du compresseur haute pression et la pression en entrée de la soufflante. Cela permet en effet d’augmenter la pression en entrée des gaz de la chambre de combustion, et donc d’améliorer encore l’efficacité globale du système propulsif. L’augmentation du taux de compression global impose par conséquent d’augmenter le taux de compression du compresseur haute pression et/ou du compresseur basse pression, et ce d’autant plus qu’en parallèle on cherche à réduire le taux de compression de la soufflante pour les raisons expliquées ci-avant.
L’une des conséquences est que le couple à transmettre par l’arbre basse pression au mécanisme de réduction est réduit en comparaison avec un système propulsif à entrainement direct. L’arbre basse pression peut donc présenter un plus petit diamètre, ce qui facilite l’intégration du corps haute pression dans le système propulsif. Toutefois, cette réduction du diamètre de l’arbre basse pression a pour effet de réduire la fréquence des modes propres, tandis que l’augmentation de la vitesse de rotation de l’arbre basse pression agrandit la plage de fonctionnement de l’arbre basse pression. Il en résulte que l’arbre basse pression peut dépasser une vitesse critique et peut entrer en résonnance. A la résonance, qui se produit au passage de la vitesse critique de l’arbre basse pression, celui-ci subit des phénomènes de surtension qui amplifient les déformations et les efforts provoqués par les balourds (inévitables) de l'arbre basse pression. Dans ces conditions, l’arbre basse pression est dit supercritique.
EXPOSE Un but de la présente demande est d’optimiser le système propulsif afin d’augmenter son efficacité tout en maîtrisant le comportement dynamique de l’arbre d’entrainement du rotor de soufflante.
Il est à cet effet proposé, selon un premier aspect un système propulsif aéronautique comprenant : - une première turbine configurée pour entrainer un premier compresseur par l’intermédiaire d’un premier arbre autour d’un axe de rotation ; - une deuxième turbine configurée pour entrainer un deuxième compresseur par l’intermédiaire d’un deuxième arbre, le deuxième arbre étant configuré pour tourner à une vitesse plus élevée que le premier arbre autour de l’axe de rotation ; - un rotor de soufflante raccordé à un arbre de soufflante ; - un mécanisme de réduction couplant le premier arbre et l’arbre de soufflante afin d’entrainer l’arbre de soufflante à une vitesse de rotation inférieure à la vitesse de rotation du premier arbre; dans lequel un rayon moyen d’un alésage de la deuxième turbine respecte la formule suivante : où : R m_a est le rayon moyen de l’alésage de la deuxième turbine en millimètres (mm) ; D 9 est le diamètre du rotor de soufflante en millimètres (mm), mesuré dans un plan normal à l’axe de rotation au niveau d’une intersection entre un sommet et un bord d’attaque des aubes du rotor de soufflante ; BPR est le taux de dilution du système propulsif et est mesuré lorsque le système propulsif est stationnaire en régime de décollage dans une atmosphère standard et au niveau de la mer ; T e est la température en entrée de la turbine d’entrainement lorsque le système propulsif est stationnaire en régime de décollage dans une atmosphère standard et au niveau de la mer et est exprimée en degrés Celsius (°C) ; T ref = 273K ; n est le nombre d’étages dans la deuxième turbine dans le deuxième compresseur ; GAMMA est le coefficient adiabatique de l’air ; XN est la vitesse limite du premier arbre, en tours par minute (tr/min) ; et K = 6,76, L = 153,6 m -1 .(°C) -1/2 .(tr/min) -1 , M = 421 mm.(°C) 1/2 et N 1 = -11 millimètres (mm).
Certaines caractéristiques préférées mais non limitatives du système propulsif selon le premier aspect sont les suivantes, prises individuellement ou en combinaison : - le rayon moyen de l’alésage de la deuxième turbine respecte en outre la formule suivante : où N 2 = - 21 millimètres (mm) - le rayon moyen de l’alésage de la deuxième turbine respecte en outre la formule suivante : où : L HP est une distance entre une entrée du deuxième compresseur et une sortie de la deuxième turbine en millimètres (mm) ; et E = 3,15 (mm.tr/min) -1 et F 1 = 23 millimètres (mm) ; - le rayon moyen d’un alésage de la deuxième turbine respecte en outre la formule suivante : où : L HP est une distance entre une entrée du deuxième compresseur (5) et une sortie de la deuxième turbine (7) en millimètres (mm) ; et E = 3,15 (mm.tr/min) -1 et F 2 = 13 millimètres (mm).
Selon un deuxième aspect, il est proposé un système propulsif aéronautique comprenant : - une première turbine configurée pour entrainer un premier compresseur par l’intermédiaire d’un premier arbre autour d’un axe de rotation ; - une deuxième turbine configurée pour entrainer un deuxième compresseur par l’intermédiaire d’un deuxième arbre, le deuxième arbre étant configuré pour tourner à une vitesse plus élevée que le premier arbre autour de l’axe de rotation ; - un rotor de soufflante raccordé à un arbre de soufflante ; - un mécanisme de réduction couplant le premier arbre et l’arbre de soufflante afin d’entrainer l’arbre de soufflante à une vitesse de rotation inférieure à la vitesse de rotation du premier arbre; dans lequel un rayon moyen d’un alésage de la deuxième turbine respecte la formule suivante : où : R m_a est le rayon moyen de l’alésage de la deuxième turbine en millimètres (mm) ; XN est la vitesse limite du premier arbre, en tours par minute (tr/min) ; L HP est une distance entre une entrée du deuxième compresseur et une sortie de la deuxième turbine en millimètres (mm) ; et E = 3,15 (mm.tr/min) -1 et F 1 = 23 millimètres (mm).
Certaines caractéristiques préférées mais non limitatives du système propulsif selon le deuxième aspect sont les suivantes, prises individuellement ou en combinaison : - le rayon moyen de l’alésage de la deuxième turbine respecte en outre la formule suivante : où : L HP est une distance entre une entrée du deuxième compresseur (5) et une sortie de la deuxième turbine (7) en millimètres (mm) ; et E = 3,15 (mm.tr/min) -1 et F 2 = 13 millimètres (mm) ; - le rayon moyen d’un alésage de la deuxième turbine respecte en outre la formule suivante : où : D 9 est le diamètre du rotor de soufflante en millimètres (mm), mesuré dans un plan normal à l’axe de rotation au niveau d’une intersection entre un sommet et un bord d’attaque des aubes du rotor de soufflante ; BPR est le taux de dilution du système propulsif et est mesuré lorsque le système propulsif est stationnaire en régime de décollage dans une atmosphère standard et au niveau de la mer ; T e est la température en entrée de la turbine d’entrainement lorsque le système propulsif est stationnaire en régime de décollage dans une atmosphère standard et au niveau de la mer et est exprimée en degrés Celsius (°C) ; T ref = 273K ; n est le nombre d’étages dans la deuxième turbine dans le deuxième compresseur ; GAMMA est le coefficient adiabatique de l’air ; et K = 6,76, L = 153,6 m -1 .(°C) -1/2 .(tr/min) -1 , M = 421 mm.(°C) 1/2 et N 1 = -11 millimètres (mm) ; - le rayon moyen de l’alésage de la deuxième turbine respecte en outre la formule suivante : où : D 9 est le diamètre du rotor de soufflante en millimètres (mm), mesuré dans un plan normal à l’axe de rotation au niveau d’une intersection entre un sommet et un bord d’attaque des aubes du rotor de soufflante ; BPR est le taux de dilution du système propulsif et est mesuré lorsque le système propulsif est stationnaire en régime de décollage dans une atmosphère standard et au niveau de la mer ; T e est la température en entrée de la turbine d’entrainement lorsque le système propulsif est stationnaire en régime de décollage dans une atmosphère standard et au niveau de la mer et est exprimée en degrés Celsius (°C) ; T ref = 273K ; n est le nombre d’étages dans la deuxième turbine dans le deuxième compresseur ; GAMMA est le coefficient adiabatique de l’air ; et N 2 = - 21 millimètres (mm).