Procédé de croissance épitaxiale (E100) pour former un empilement épitaxial (1a), comprenant : une obtention (E10) d’une partie de base (10) de l’empilement épitaxial (1a) avec une couche de barrière (14) en AlN monocristallin au sommet ; caractérisé en ce qu’il comprend en outre : une croissance (E12) d’une couche intermédiaire (18) en AlN polycristallin et/ou amorphe directement sur la couche de barrière (14) ; et une oxydation (E14) de la couche intermédiaire (18) de manière à obtenir une couche cap (19) en AlO polycristallin et/ou amorphe s’étendant directement sur la couche de barrière (14), de manière à remplacer intégralement la couche intermédiaire (18). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la partie de base (10) de l’empilement épitaxial (1a) comprend une couche de canal (12) en GaN, la couche de barrière (14) s’étendant directement sur la couche de canal (12). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la partie de base (10) de l’empilement épitaxial (1a) comprend : une couche de substrat (10.1), de préférence constituée d’un des éléments suivants : Si, SiC, Sapphire, GaN et SicOl ; une couche de nucléation (10.2) s’étendant directement sur la couche de substrat, la couche de nucléation (10.2) étant constituée de préférence de AlGaN ; et une couche de tampon (10.3) s’étendant directement sur la couche de nucléation (10.2), la couche de tampon (10.3) étant constituée de préférence de GaN et d’un élément sélectionné parmi : Fe, C et AlGaN, la couche de canal (12) s’étendant sur la couche de tampon (10.3), soit directement, soit indirectement avec au moins une couche intercalaire. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche intermédiaire (18) a une épaisseur (E) inférieure à 5 nm, par exemple comprise entre 1 et 3 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la croissance (E12) de la couche intermédiaire (18) est mise en œuvre à une température comprise entre 750°C et 900°C, par exemple par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur à précurseurs métallo-organiques ou bien par une méthode d’épitaxie par jets moléculaires. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’oxydation (E14) comprend un recuit, dit principal, lors duquel l’empilement épitaxial (1a) est chauffé sous une atmosphère de dioxygène. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le recuit principal (E14) est réalisé à une température (T1) comprise entre 750°C et 900°C. Procédé selon la revendication 6 ou 7, comportant en outre, après le recuit principal (E14), un recuit (E16), dit de stabilisation, lors duquel l’empilement épitaxial (1a) est chauffé sous une atmosphère d’argon. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le recuit de stabilisation (E16) est réalisé à une température (T2) comprise entre 500°C et 900°C. Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant en outre, après le recuit de stabilisation (E16), un recuit d’optimisation (E18) lors duquel l’empilement épitaxial (1a) est chauffé sous une atmosphère sous vide. Procédé selon la revendication 10, dans lequel le recuit d’optimisation (E18) est réalisé à une température (T3) inférieure à 550°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications 6 à 11, dans lequel les recuits (E14, E16, E18) sont réalisés tout en gardant l’empilement épitaxial (1a) dans un même four. Empilement épitaxial (1a) comprenant : une couche de barrière en AlN monocristallin (14) ; caractérisé en ce qu’il comprend en outre : une couche cap (19) en AlO polycristallin et/ou amorphe s’étendant directement sur la couche de barrière (14). Empilement épitaxial (1a) selon la revendication 13, comportant en outre une couche de canal (12) en GaN, la couche de barrière (14) s’étendant directement sur la couche de canal (12). Empilement épitaxial (1a) selon la revendication 14, comprenant en outre : une couche de substrat (10.1), de préférence constituée d’un des éléments suivants : Si, SiC, Sapphire, GaN et SicOl ; une couche de nucléation (10.2) s’étendant directement sur la couche de substrat, la couche de nucléation (10.2) étant constituée de préférence de AlGaN ; et une couche de tampon (10.3) s’étendant directement sur la couche de nucléation (10.2), la couche de tampon (10.3) étant constituée de préférence de GaN et d’un élément sélectionné parmi : Fe, C et AlGaN, la couche de canal (12) s’étendant sur la couche de tampon (10.3), soit directement, soit indirectement avec au moins une couche intercalaire. Transistor (32), par exemple transistor MOSHEMT, comprenant : un empilement épitaxial (1e) selon l’une quelconque des revendications 13 à 15 ; et une grille (G), une source (S) et un drain (D) connectés à l’empilement épitaxial (1a). Transistor (32) selon la revendication 16, dans lequel : la couche cap (19) s’étend entre la source (S) et le drain (D) ; et la grille (G) est fixée directement sur la couche cap (19) en AlO polycristallin et/ou amorphe. Transistor (32) selon la revendication 16 ou 17, présentant, sous la couche de barrière (14), un gaz d’électrons à deux dimensions (16) avec une densité d’électrons telle que le transistor (32) présente une fréquence de coupure supérieure à 200 GHz. Convertisseur de puissance électrique (500) comprenant au moins un transistor (Q, Q’) selon l’une quelconque des revendications 16 à 18. Dispositif d’entraînement électrique (404) comportant : un convertisseur de puissance électrique (410) selon la revendication 19 ; et une machine électrique (408) connectée au convertisseur de puissance électrique (410). Engin de mobilité (400) comprenant un convertisseur de puissance électrique (410) selon la revendication 19 ou un dispositif d’entraînement électrique (404) selon la revendication 20. Amplificateur de puissance hyperfréquence comportant au moins un transistor selon l’une quelconque des revendications 16 à 18. Système de communication sans fil comportant un amplificateur selon la revendication 22. Système radar comportant un amplificateur selon la revendication 22. Procédé de fabrication d’un transistor (32), comprenant: une obtention d’un empilement épitaxial (1a) selon la revendication 13, par exemple au moyen d’un procédé de croissance épitaxial (E100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12 ; et une connexion d’une grille (G), d’une source (S) et d’un drain (D) à l’empilement épitaxial (1a). Procédé selon la revendication 25, comportant en outre une étape d’optimisation (E34), lors de laquelle la couche cap (19) est partiellement supprimée, de manière à réduire une épaisseur (E) de la couche cap (19).