INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La montre un exemple de cible 201 prescrit par la norme NF EN 4861 pour réaliser un tel étalonnage ainsi qu’une série de déplacements 203 (symbolisés par les flèches entre les différentes positions de la cible) également prescrit par la norme pour la même application.
Dans ce contexte, il est impératif de pouvoir déplacer, de manière très précise, la ou les cibles utilisées au cours de l’étalonnage. Ainsi, il est par exemple possible d’utiliser des systèmes manuels ou motorisés permettant de déplacer une cible sur un ou plusieurs axes afin d'effectuer une série de déplacement choisis.
A titre d’exemple, la montre un dispositif 301 de déplacement de cibles qui comprend une première platine 303 de déplacement motorisée (ayant par exemple une précision micrométrique) alignée selon un premier axe et une seconde platine 305 de déplacement motorisée (ayant par exemple également une précision micrométrique) alignée selon un second axe orthogonal au premier axe. La second platine 305 est fixée sur la première platine 303 et un ensemble de cibles 307 de différentes tailles est montée sur le tout de sorte qu’il est possible de déplacer ces cibles dans un plan avec la précision de déplacement des platines.
Un tel dispositif est à la fois encombrant, lourd et peu ergonomique (i.e. complexe d’utilisation et de manipulation).
Ainsi, un objectif de l’invention est de réduire l’encombrement et la complexité du dispositif utilisé pour déplacer une cible lors de l’étalonnage d’un système de corrélation d’images numériques.
À cet effet, l’invention selon un premier aspect a pour objet un procédé d’étalonnage d’un système de corrélation d’images numériques, ledit système de corrélation d’images numériques comprenant au moins une caméra configurée pour faire l’acquisition d’une pluralité d’images numériques d’un objet, et une unité de traitement configurée pour déterminer au moins un déplacement dudit objet à partir de la pluralité d’images numériques acquises par ladite caméra,
- l’affichage, sur un écran, d’une cible à une pluralité de positions déterminées sur ledit écran ;
- l’acquisition, par la caméra, pour chaque position de la cible, d’images numériques de ladite cible ; et,
- la détermination, à partir des images numériques de la cible, de déplacements associés à chaque changement de position de ladite cible.
28 : premiers aimants permanents
30 : deuxièmes aimants permanents
32 : zone de coupure
34 : écran
36 : troisièmes aimants permanents
38 : logement
Cependant, un substrat supportant de tels pavés est difficile à utiliser dans les lignes de fabrication conventionnelles de la microélectronique permettant de fabriquer des composants électroniques. De telles lignes de fabrication incluent notamment des équipements de photolithographie, et/ou de métrologie, dont le fonctionnement est perturbé par les différences de hauteur entre la surface principale du substrat et la surface libre des pavés.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de concevoir un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant au moins deux pavés sur un substrat support, qui soit compatible avec les lignes de fabrication conventionnelles de la microélectronique.
La est une vue en coupe schématique d’un exemple de mécanisme de réduction selon une deuxième variante de réalisation ;
La est un organigramme illustrant des exemples d’étapes d’un procédé de dimensionnement et de fabrication conforme à une forme de réalisation de l’invention.
A cet effet, l’invention propose, selon un aspect, un procédé de tatouage de modèle de segmentation sémantique d’images mis au point par apprentissage machine, le tatouage permettant d’associer ledit modèle de segmentation sémantique à un propriétaire légitime, ledit modèle de segmentation sémantique étant configuré pour, à partir d’une image numérique d’entrée, fournir une image numérique de sortie comportant une segmentation de l’image numérique d’entrée en classes sémantiques parmi un ensemble prédéterminé de classes sémantiques, le modèle de segmentation sémantique mettant en œuvre des opérations paramétrées, les valeurs des paramètres étant ajustées lors d’une phase d’apprentissage sur des images numériques d’apprentissage faisant partie d’une base de données d’apprentissage, chaque image numérique d’apprentissage étant associée à une image de sortie d’apprentissage. Ce procédé comporte des étapes, mises en œuvre par un processeur, durant la phase d’apprentissage, de :
a)- sélection d’au moins une image numérique d’apprentissage,
b)- pour la ou chaque image numérique d’apprentissage sélectionnée, modification de ladite image numérique d’apprentissage en image numérique de tatouage correspondante, par incrustation d’au moins une image de marquage, chaque image de marquage étant incrustée dans l’image numérique d’apprentissage à une position spatiale d’incrustation prédéterminée,
c) - association de la ou de chaque image numérique de tatouage à une même image de sortie de tatouage prédéterminée, l’image de sortie de tatouage étant distincte de l’image de sortie d’apprentissage associée à l’image numérique d’apprentissage correspondante,
d) - injection de la paire formée par l’image numérique de tatouage et l’image de sortie de tatouage associée dans la base de données d’apprentissage et
e) - application de l’apprentissage machine du modèle de segmentation sémantique sur ladite base de données d’apprentissage.
Avantageusement, le procédé de tatouage de modèle de segmentation sémantique proposé permet d’authentifier le propriétaire légitime, tout en préservant une bonne performance de segmentation sémantique du modèle mis en œuvre. De plus, avantageusement, le procédé de tatouage proposé a un niveau de sécurité élevé, c’est-à-dire qu’il est difficile pour un tiers malveillant d’enlever le tatouage ou de le remplacer par son propre tatouage sans mettre en péril la performance de segmentation sémantique.
Le procédé de tatouage de modèle de segmentation sémantique selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, prises indépendamment ou selon toutes les combinaisons techniquement envisageables.
L’étape de modification comporte l’incrustation d’une pluralité d’images de marquage, chaque image de marquage ayant une taille inférieure à la taille de l’image numérique d’apprentissage et étant incrustée à une position spatiale d’incrustation prédéterminée.
Dans l’étape de modification, la ou chaque image de marquage est incrustée dans une zone centrale de l’image numérique d’apprentissage.
L’image numérique d’apprentissage est de forme rectangulaire ayant un centre géométrique, ladite zone centrale est définie par une bande horizontale ou verticale, de largeur choisie, centrée sur le centre géométrique de l’image numérique d’apprentissage.
Lors de l’incrustation d’une pluralité d’images de marquage, les positions spatiales d’incrustation des images de marquage sont réparties sur une ligne ou une colonne de l’image numérique d’apprentissage correspondante.
L’image de sortie de tatouage prédéterminée représente un logo ou message représentatif du propriétaire légitime du modèle de segmentation sémantique entraîné par apprentissage machine.
La ou chaque image de marquage comporte un objet de forme géométrique simple et comporte une majorité de pixels d’une couleur choisie.
La mise au point par apprentissage machine modèle de segmentation sémantique d’images est effectuée par cycles d’apprentissage, une pluralité d’images numériques d’apprentissage étant utilisées pour chaque cycle d’apprentissage, le procédé comportant, pour chaque cycle d’apprentissage, l’étape a) de sélection met en œuvre un tirage aléatoire d’une ou plusieurs images numériques d’apprentissage.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un système de tatouage de modèle de segmentation sémantique d’images mis au point par apprentissage machine, le tatouage permettant d’associer ledit modèle de segmentation sémantique à un propriétaire légitime, ledit modèle de segmentation sémantique étant configuré pour, à partir d’une image numérique d’entrée, fournir une image numérique de sortie comportant une segmentation de l’image numérique d’entrée en classes sémantiques parmi un ensemble prédéterminé de classes sémantiques, le modèle de segmentation sémantique mettant en œuvre des opérations paramétrées, les valeurs des paramètres étant ajustées lors d’une phase d’apprentissage sur des images numériques d’apprentissage faisant partie d’une base de données d’apprentissage, chaque image numérique d’apprentissage étant associée à une image de sortie d’apprentissage. Ce système de tatouage comporte un processeur configuré pour mettre en œuvre, durant la phase d’apprentissage :
h) gravure des portions du deuxième matériau, puis i) réalisation d’une couche de semi-conducteur, avantageusement un matériau 2D dont l’épaisseur peut être comprise entre 1 et 5 atomiques, comprenant plusieurs premières zones configurées pour former un canal de conduction électrique du transistor de sélection et disposées contre la grille dans des emplacements formés par la gravure des portions du deuxième matériau, la couche de semi-conducteur se prolongeant, sans discontinuité avec les premières zones, en formant des deuxièmes zones couvrant au moins une partie des flancs des espaceurs diélectriques et qui ne sont pas disposées directement contre la grille de commande électrostatique, puis
j) réalisation, sur le substrat, des régions de contact couplées électriquement aux premières zones de la couche de semi-conducteur par les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur, chaque deuxième zone de la couche de semi-conducteur s’étendant entre les régions de contact et les espaceurs diélectriques, les régions de contact formant des régions de source / drain du transistor de sélection, l’une des régions de contact comportant l’empilement mémoire interposé entre une première portion conductrice, reliant électriquement l’empilement mémoire à la couche de semi-conducteur, et une deuxième portion conductrice formant un contact électrique de l’empilement mémoire.
Le procédé peut comporter en outre, avant la mise en œuvre de l’étape c), un dépôt d’un matériau diélectrique d’isolation autour des espaceurs diélectriques, puis une gravure de cavités dans le matériau diélectrique d’isolation telle que chacune des cavités comprenne au moins une paroi latérale formée par l’un des espaceurs diélectriques, et : - l’étape i) peut être mise en œuvre telle que les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur recouvrent au moins une partie des parois latérales des cavités, et - l’étape j) peut être mise en œuvre telle que chacune des régions de contact soit disposée dans une des cavités.
Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d’un diélectrique de grille du transistor de sélection mise en œuvre : - entre les étapes f) et g), dans l’espace formé par la gravure de la grille temporaire, la grille de commande électrostatique du transistor de sélection étant dans ce cas réalisée sur le diélectrique de grille, et/ou - entre les étapes h) et i), dans les emplacements formés par la gravure des portions du deuxième matériau, la couche de semi-conducteur étant dans ce cas réalisée en recouvrant le diélectrique de grille.
Selon une première option de réalisation, l’étape i) peut être mise en œuvre telle que les premières zones de la couche de semi-conducteur recouvrent des parois des emplacements formés par la gravure des portions du deuxième matériau, et le procédé peut comporter en outre, entre les étapes i) et j), une réalisation de portions diélectriques dans des espaces restants des emplacements et telles que chacune des portions diélectriques soient entourées par les premières zones de la couche de semi-conducteur.
Selon une deuxième option de réalisation, l’étape i) peut être mise en œuvre telle que les premières zones de la couche de semi-conducteur remplissent les emplacements formés par la gravure des portions du deuxième matériau.
Le procédé peut comporter en outre, entre les étapes d) et e), une gravure de parties des portions du premier matériau disposées à l’aplomb des espaceurs diélectriques, et une réalisation d’espaceurs diélectriques internes à la place des parties gravées des portions du premier matériau.
représentent schématiquement les étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif mémoire, objet de la présente invention, selon mode de réalisation particulier ; , et représentent schématiquement une partie des étapes d’un procédé de réalisation du dispositif mémoire, objet de la présente invention, selon une variante de réalisation.
La montre une deuxième itération de la méthode qui débute par l’introduction de nouvelles contraintes fournies par l’utilisateur. En l’occurrence, la piste 505 est identifiée par l’utilisateur qui lui attribue une nouvelle identité. Les pistes déjà annotées 501,502,505 sont contraintes par une contrainte de non association puisqu’elles correspondent à trois identités différentes. D’autres contraintes d’association et de non association sont introduites pour des paires de pistes.
La montre le résultat de la seconde itération de partitionnement qui conduit au raffinement des groupes. Sur cet exemple, trois groupes G1,G2,G3 sont finalement constitués au lieu des quatre groupes obtenus à la première itération qui ne bénéficiait pas de toutes les contraintes fournies par l’utilisateur.
Procédé d’affichage de la trajectoire d’un véhicule automobile en mouvement La présente invention se rapporte à un procédé d’affichage de la trajectoire future d’un véhicule automobile en mouvement.
La présente invention se rapporte également à un véhicule automobile incluant les moyens de mettre en œuvre ledit procédé d’affichage.
Dans le cadre de la mise en œuvre des véhicules autonomes notamment, il est envisagé de pouvoir représenter le plus fidèlement possible, sur un dispositif d’affichage interne au véhicule, l’environnement perçu par le conducteur.
Il est connu d’équiper les véhicules automobiles d’un dispositif d’enregistrement numérique adapté à fournir des signaux numériques représentatifs de la scène se déroulant à l’avant du véhicule lorsque celui-ci est en mouvement.
Autrement dit, on installe une caméra numérique à l’avant du véhicule automobile et on oriente la caméra précisément vers l’avant. Il est alors possible de procéder à l’affichage de ces signaux numériques via un ordinateur de bord, sur un écran installé dans le véhicule.
Il est également possible de traiter ces signaux numériques pour pouvoir reconstituer, vue de dessus, une image du véhicule automobile en mouvement et de son environnement ainsi que de sa trajectoire future. Cette image peut bien évidemment être affichée sur l’écran du véhicule.
Aussi, il est possible de reporter sur l’image, la représentation des autres véhicules situés dans l’environnement du véhicule EGO. Elle peut également comprendre des pictogrammes permettant de mettre en valeur le véhicule qui précède, par exemple, ou bien encore de mettre en valeur la trajectoire, lorsque le véhicule est mal centré.
Toutefois, une telle reconstitution de la trajectoire future du véhicule est relativement fidèle à la réalité dans un environnement proche, mais plus on se projette vers l’avant, moins elle est fidèle. Lorsque le véhicule automobile évolue sur une ligne droite, peu de distorsions apparaissent. En revanche, lorsque le véhicule enchaîne des parcours sinueux, la représentation de la trajectoire future de l’environnement perçu par le conducteur est fluctuante et est moins fidèle.
Aussi, un problème qui se pose et que vise à résoudre la présente invention est de fournir un procédé d’affichage de la trajectoire future du véhicule automobile qui soit plus fidèle à la réalité.
Dans le but de résoudre ce problème, et selon un premier objet, il est proposé un procédé d’affichage, dans un véhicule automobile en mouvement, de la trajectoire future dudit véhicule automobile, ledit véhicule automobile comportant un dispositif d’enregistrement numérique adapté à fournir des signaux numériques représentatifs de la scène se déroulant à l’avant dudit véhicule automobile. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : on traite lesdits signaux numériques pour élaborer au moins deux lignes de délimitation latérales de la trajectoire future dudit véhicule automobile en mouvement et on détermine deux fonctions polynomiales correspondant respectivement auxdites au moins deux lignes de délimitation ; on évalue les rayons de courbures desdites au moins deux lignes de délimitation latérales à partir desdites deux fonctions polynomiales ; on définit des facteurs d’amortissement respectivement en fonction desdits rayons de courbure desdites au moins deux lignes de délimitation latérales ; et, on applique lesdits facteurs d’amortissement respectivement auxdites deux fonctions polynomiales pour pouvoir afficher deux lignes de délimitation latérales amorties de la trajectoire future dudit véhicule automobile.
Ainsi, une caractéristique de l’invention réside dans la mise en œuvre de facteurs d’amortissement sur les deux lignes de délimitation latérales de la trajectoire représentative des deux fonctions polynomiales correspondantes en fonction du rayon de courbure de ces deux lignes. Ces facteurs d’amortissement visent en particulier à atténuer la courbure des deux lignes de délimitation latérales, notamment en fond de champ lorsque la trajectoire du véhicule est très sinueuse. En effet, les rayons de courbure sont très fluctuants et sans correction conformément à l’invention, les lignes de délimitation latérales oscillent violemment et offrent une impression visuelle désagréable pour le conducteur.
Par exemple, les deux lignes de délimitation latérales de la trajectoire, correspondent, sur la droite de la trajectoire, à la ligne blanche en trait interrompu délimitant la chaussée du bas-côté, et sur la gauche, à la ligne blanche centrale de la chaussée.
La plus grande dimension de la surface des mésas va de 500nm à 500µm, de préférence de 1 à 10µm et encore plus préférentiellement de 3 à 5 µm. Par exemple, la plus grande dimension d’une surface circulaire est le diamètre.
L’épaisseur (ou profondeur) des mésas correspond à la dimension de la mésa perpendiculaire à l’empilement sous-jacent. La profondeur des mésas va de 0,5 à 1µm, de préférence de 0,3 à 2µm.
L’espacement entre deux mésas consécutives va de 50nm à 20µm.
Lors de l’étape f), une deuxième électrode 301 est déposée sur la couche porosifiée 104’ (i.e. sur la face supérieure de la couche porosifiée 104’). La deuxième électrode est une couche d’oxyde transparent conducteur. Il peut s’agir d’une couche en oxyde d'indium-étain (ou ITO pour « indium tin oxide »), oxyde de zinc dopé à l'alumine (ou AZO pour « aluminium-doped zinc oxide »), en oxyde de Zinc Gallium (GZO) ou SnO 2 . Cette couche recouvre les mésas. La couche d’oxyde transparent conducteur joue le rôle d’électrode supérieure ou de cathode.
Après l’étape f), il est possible de mettre en œuvre une étape g) pour déposer une couche d’encapsulation 302 sur la couche d’oxyde transparent conducteur 301. La couche d’encapsulation 302 est, par exemple, une couche en SiN, SiO 2 ou SiON. Il pourrait également s’agir d’un multi-couche.
Une structuration de la couche d’encapsulation 302 par des micro-lentilles peut aussi être réalisée.
Il est également possible de déposer un anti-réflecteur 303 (i.e. une couche anti-reflet) sur la couche d’encapsulation 302 (étape h)).
Avantageusement, le procédé comprend entre l’étape e) et l’étape f), une étape au cours de laquelle un matériau ou un empilement planarisant 304 est déposé entre les mésas. Le matériau ou l’empilement peut être conducteur ou isolant. De préférence, il inclut du cuivre. Le matériau est, par exemple, déposé par dépôt électrolytique (ou ECD pour « Electrochemical Deposition »). Avantageusement, une étape de polissage mécano-chimique (CMP) du matériau déposé 304 est réalisée.
Nous allons maintenant décrire deux variantes de réalisation pour lesquelles le cœur de la couche de GaN fortement dopée des pixels n’est pas porosifiée. Le cœur représente, par exemple, de 5 % à 25 % du volume de la couche.
Selon une variante de réalisation avantageuse, représentée sur les figures 2A à 2G, le procédé comprend les étapes suivantes :
a) fournir un premier empilement 100 comprenant un substrat de base 101, éventuellement une couche tampon en AlGaN 102, une couche nid en GaN 103, une couche de GaN fortement dopée n 104, une couche de GaN dopée n 105, des puits quantiques Gan/InGaN 106 et une couche de GaN dopée p 107 ( ),
b) reporter le premier empilement 100 sur un deuxième empilement comprenant un substrat support 201 recouvert par une couche métallique 202 ( ),
c) retirer le substrat de base 101, puis retirer la couche tampon 102 le cas échéant, et la couche nid GaN 103 par exemple par amincissement, moyennant quoi on obtient un substrat d’intérêt comprenant un substrat support 201, l’électrode inférieure 202, la couche de GaN dopée p 107, des puits quantiques GaN/InGaN 106, une couche de GaN dopée n 105, une couche de GaN fortement dopée n 104 ( ),
- modifier localement le taux de dopage de la couche 104 pour former des zones 110 ayant une conductivité électrique inférieure à la première conductivité électrique, par exemple au moyen une implantation ionique, la couche de GaN N++ 104 est ainsi localement ‘dé-dopée’ et les zones 110 de moindre conductivité ne seront pas porosifiées lors de l’étape d) ( ),
d) porosifier la couche de GaN fortement dopée n 104, moyennant quoi on obtient une couche porosifiée 104’ comprenant localement des zones 110 peu ou pas porosifiées ( ),
e) former des mésas dans le substrat d’intérêt, en gravant la deuxième partie de la couche de GaN dopée 105, les puits quantiques 106, la couche de GaN dopée p 107, l’électrode inférieure 202 et une partie du substrat support 201, les mésas comprenant ainsi la couche la couche de GaN porosifiée 104’ ayant localement des zones non porosifiées 110, la couche de GaN dopée 105, les puits quantiques 106, la couche de GaN dopée p 107, l’électrode inférieure 202 et une partie du substrat support 201 ( ),
Après la quatrième étape 48, les quatrièmes moyens de calcul 50 provoquent alors l’affichage de quatre lignes de délimitation latérales amorties 22’, 24’, 26’, 28’ comme illustrées sur la . On observera alors que les deux premières courbes proximales 22, 24, illustrées sur la et délimitant la course future du véhicule automobile 18, à l’abscisse - 60 m, sont à l’ordonnée sensiblement supérieure à 70 m, tandis que les deux premières courbes proximales amorties 22’, 24’, à l’abscisse - 60 m, sont à une ordonnée proche de 80 m.
On comprend ainsi que sans correction, la représentation des lignes de délimitation latérales 22, 24, 26, 28 tendent à avoir des courbures sensiblement augmentées.
Aussi, on opère l’algorithme de l’organigramme ci-dessus à une fréquence comprise entre 1 Hz et 20 Hz. De préférence, l’algorithme est opéré à une fréquence de 10 Hz, soit toutes les 10 ms. En conséquence, si le véhicule automobile est à la vitesse de 72 km/h, les quatre lignes de délimitation latérales 22, 24, 26, 28 sont réévaluées tous les deux mètres parcourus par le véhicule.
Par ailleurs, préférentiellement, préalablement à l’application du facteur d’amortissement au seul coefficient C 3 , et ce à chaque cycle de 10 ms, on applique à tous les coefficients coefficient C 3 , C 2 , C 1 , C 0 , des quatre fonctions polynomiales, un premier amortissement pour pouvoir assurer un mouvement et une continuité « harmonieuse » du tracé des lignes.
On se référera à présent aux et illustrant un autre exemple d’une autre scène et de sa reproduction amortie, où la courbure originelle des lignes de délimitation latérale est moindre.
La montre, une scène 116 fournie par la caméra numérique 10, et une représentation graphique dans un repère (X, Y), d’une première ligne droite 122 et d’une première ligne gauche 124 de chaque côté du véhicule EGO 118 et, d’une deuxième ligne droite 126 et d’une deuxième ligne gauche 128.
La première ligne droite 122 correspond à la ligne blanche en trait interrompu 130 apparaissant sur la scène 116 et délimitant la chaussée 132 du bas-côté 134. Et la première ligne gauche 124 correspond à la ligne blanche centrale en trait interrompu 136 de la chaussée 132.