INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une variante, la première matelassure latérale 111 et/ou la deuxième matelassure latérale 112 peuvent être des éléments indépendants et amovibles par rapport à la portion centrale 110 de la matelassure 11. En cas de maintenance ; il est ainsi possible de changer uniquement l’élément usé de la matelassure en conservant les autres : par exemple, il est possible de changer la première matelassure latérale 111 et/ou la deuxième matelassure latérale112 qui ont tendance à s’user plus rapidement, en conservant la portion centrale 110.
La portion centrale de la matelassure peut encore comprendre une portion arrière 110b, fixe, et une portion avant 110a, mobile. La portion arrière 110b est fixé sur la base 10 alors qu’un système de glissière 18 peut être prévue entre la base 10 et la portion avant 110a. Ce système de glissière permet d’avancer ou de reculer la portion avant 110a de la portion centrale 110 par rapport à la portion arrière 110b
Le coussin modulaire peut encore comprendre, à l’état assemblé, tout ou partie des composants suivant : - une nappe électrique chauffante 15, résistive, et/ou - un système de ventilation 16 électrique, configuré pour souffler de l’air au travers d’évents dans ladite base, et/ou - un système de massage 17, comprenant un ou plusieurs actionneurs mécaniques, et/ou - un système d’exciteur haptique, comprenant un ou plusieurs exciteurs configuré(s) pour générer des vibrations dans ladite base.
Selon un mode de réalisation, la base 10 peut être un corps obtenu par moulage par injection ; ladite interface mécanique avant 14 et ladite interface mécanique arrière 13 peuvent être agencées respectivement sur la partie avant et arrière de la base 10, et être d’un seul tenant avec le corps, lesdites interfaces mécaniques arrière et avant 13,14 étant obtenues lors du moulage par injection. Alternativement, l’interface mécanique avant 14 et/ou l’interface mécanique arrière 13 peut être formées par des éléments rapportés sur le corps de la base 10.
L’invention a pour but de réduire le risque de fissures lors du transfert d’une couche superficielle d’un substrat donneur sur un substrat support comprenant une couche de silicium poreux et de limiter le phénomène de courbure de la structure multicouche ainsi obtenue.
Selon l’invention, on tend vers ce but en prévoyant un procédé de fabrication d’une structure multicouche, comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat support comprenant une couche de support et une couche de silicium poreux disposée sur la couche de support ; fournir un substrat donneur comprenant une première face, un plan fragile enterré et une couche superficielle délimitée par la première face et le plan fragile enterré ; assembler le substrat support et le substrat donneur par collage, la couche superficielle du substrat donneur étant disposée en contact avec le substrat support ; et séparer la couche superficielle du substrat donneur par fracture suivant le plan fragile enterré. Ce procédé de fabrication est remarquable en ce qu’au moins l’un des substrats support et donneur, dit substrat dégradé, comprend une portion dégradée de manière à empêcher son collage à l’autre des substrats support et donneur lors de l’étape d’assemblage, la portion dégradée ayant une forme annulaire ou sensiblement annulaire et étant située à moins de 25 mm du flanc dudit substrat dégradé, de préférence à moins de 5 mm du flanc dudit substrat dégradé.
Dans certains modes de mise en œuvre du procédé de fabrication, le substrat support comprend en outre une portion périphérique en silicium non-poreux disposée autour de la couche de silicium poreux et la portion dégradée est située, dans l’assemblage du substrat support et du substrat donneur, à la verticale d’une interface entre la portion périphérique en silicium non-poreux et la couche de silicium poreux.
Dans un autre mode de mise en œuvre, la couche de silicium poreux comprend une portion centrale ayant une première épaisseur sensiblement constante et une portion périphérique ayant une deuxième épaisseur croissante en direction du flanc du substrat support et la portion dégradée est située, dans l’assemblage du substrat support et du substrat donneur, à la verticale d’une transition entre la portion centrale et la portion périphérique de la couche de silicium poreux.
Dans un autre mode de mise en œuvre, le substrat support comprend en outre une portion périphérique en silicium non-poreux disposée autour de la couche de silicium poreux et la portion dégradée est constituée par une cavité s’étendant dans la couche de silicium poreux et située à une distance inférieure à 2 mm d’une interface entre la portion périphérique en silicium non-poreux et la couche de silicium poreux. La cavité avantageusement est remplie d’un matériau présentant un module de Young inférieure à celui du silicium poreux.
Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le procédé de fabrication selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : la portion dégradée s’étend en outre jusqu’au flanc dudit substrat dégradé ; la portion dégradée est espacée du flanc dudit substrat dégradé et présente une largeur comprise entre 10 µm et 4 mm ; la portion dégradée est constituée par une portion en retrait ; la portion en retrait appartient au substrat donneur ; l’étape de fourniture du substrat donneur comprend une étape d’implantation d’ions légers dans un premier substrat à une profondeur d’implantation pour former le plan fragile enterré, la portion en retrait étant obtenue en formant une cavité d’une profondeur supérieure à la profondeur d’implantation. la portion en retrait appartient au substrat support ; la portion dégradée est constituée par une portion texturée présentant une rugosité de surface supérieure ou égale à 1 nm ; la portion dégradée est constituée par une portion chanfreinée ; le substrat support comprend en outre une couche diélectrique disposée sur la couche de silicium poreux ; et la portion dégradée est sensiblement annulaire et le substrat dégradé comprend une portion dite non-dégradée située dans le prolongement de la portion dégradée, ladite portion non-dégradée étant collée à l’autre des substrats support et donneur lors de l’étape d’assemblage.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : la , précédemment décrite, représente une structure multicouche selon l’art antérieur, pouvant être utilisée comme substrat de départ pour la fabrication de circuits intégrés radiofréquences ; la , précédemment décrite, représente une autre structure multicouche selon l’art antérieur, également adaptée à la fabrication de circuits radiofréquences ; les figures 3A à 3C représentent un premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche selon l’invention ; les figures 4A à 4C représentent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche ; les figures 5A à 5C représentent un troisième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche ; les figures 6A à 6C représentent un quatrième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche ; les figures 7A à 7C représentent un cinquième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche ; les figures 8A à 8C représentent un sixième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche ; les figures 9A à 9C représentent un septième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de structure multicouche ; les figures 10A à 10C représentent un mode de mise en œuvre de l’étape de fourniture du substrat support comprenant la couche de silicium poreux ; et la représente une face principale d’un substrat comprenant une zone dégradée de forme sensiblement annulaire.
DESCRIPTION DETAILLEE Les figures 3A-3C, 4A-4C, 5A-5C, 6A-6C, 7A-7C, 8A-8C et 9A-9C illustrent différents modes de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’une structure multicouche 30. La structure multicouche 30 est destinée à servir de support pour la fabrication de composants microélectroniques, en particulier de circuits intégrés radiofréquences (RF). Elle constitue ainsi une plaquette.
Ces figures représentent en vue de coupe une partie seulement de la structure multicouche 30 et des substrats 40, 50 nécessaires à sa fabrication. La structure multicouche 30 et les substrats 40, 50 comprennent chacun deux faces principales (communément appelées faces avant et face arrière), par exemple en forme de disque, qui s’étendent perpendiculairement au plan de coupe des figures. En outre, la structure multicouche 30 et les substrats 40, 50 présentent avantageusement un plan de symétrie, symbolisé par un trait mixte (et passant par le centre des deux faces principales).
D’une manière commune à tous les modes de mise en œuvre, le procédé de fabrication de la structure multicouche 30 comprend les étapes S1 à S4 suivantes : S1 : fournir un substrat support 40 comprenant une couche de support 41 et une couche de silicium poreux 42 disposée sur la couche de support 41 (cf. , , , , , et ) ; S2 : fournir un substrat donneur 50 comprenant une première face 50A, un plan fragile enterré 50B et une couche superficielle 51 délimitée par la première face 50A et le plan fragile enterré 50B (cf. , , , , , et ) ; S3 : assembler le substrat support 40 et le substrat donneur 50 par collage, la couche superficielle 51 du substrat donneur 50 étant disposée en contact avec le substrat support 40 (cf. , , , , , et ) ; et S4 : séparer la couche superficielle 51 du substrat donneur 50 par fracture suivant le plan fragile enterré 50B (cf. , , , , , et ).
La structure multicouche 30 comprenant la couche de silicium poreux 42 est adaptée aux applications radiofréquences visant : de faibles pertes d’insertion (faible atténuation du signal) et une bonne linéarité (faible distorsion du signal à l’origine d’harmoniques) ; une stabilité de ces performances en température, en particulier dans la gamme d’utilisation des circuits intégrés RF [-40 °C ; 150 °C], voire jusqu’à 225 °C ; un faible couplage capacitif entre les circuits intégrés RF et la couche de support 41, typiquement grâce à une permittivité diélectrique inférieure à celle du silicium.
La couche de support 41 du substrat support 40 est destinée à assurer la tenue mécanique de la structure multicouche 30, afin notamment qu’elle puisse être manipulée lors des étapes de fabrication des composants microélectroniques. Son épaisseur peut être comprise entre 500 µm et 1 mm. La couche de support 41 est de préférence constituée de silicium. Avantageusement, le silicium de la couche de support 41 présente une résistivité électrique comprise entre 5 mΩ.cm et 20 Ω.cm, préférentiellement entre 0,5 Ω.cm et 4 Ω.cm.
La couche de silicium poreux 42 comprend des pores creux dont le diamètre est de préférence compris entre 2 nm et 50 nm. Par pores creux, on entend des pores qui ne sont pas entièrement remplis par un matériau solide. Les parois internes des pores sont avantageusement tapissées d’oxyde, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ). Le fait que les parois internes des pores soient tapissées d'oxyde traduit un état stabilisé de la couche de silicium poreux 42, dans lequel des liaisons pendantes de type Si-Hx ont été majoritairement remplacées par des liaisons Si-O-Si beaucoup plus stables. La stabilité mécanique de la couche de silicium poreux 42 en est améliorée.
De manière avantageuse, le taux de porosité de la couche de silicium poreux 42 se situe entre 40 % et 70 %. Ce taux de porosité assure un bon équilibre entre les propriétés mécaniques et propriétés électriques de la couche de silicium poreux 42.
La couche de silicium poreux 42 présente avantageusement une résistivité supérieure à 20 kΩ.cm.
est une vue schématique du corps principal de la boîte de connexion électrique de la , dans lequel un premier câble de connexion électrique et un second câble de connexion électrique sont connectés ;
est une vue schématique en perspective de la boîte de connexion électrique de la , avec le couvercle fermé ;
est une vue schématique en perspective de la boîte de connexion électrique de la , avec le couvercle ouvert ; et
est une vue schématique en coupe de la boîte de connexion électrique de la , avec le couvercle fermé, positionnée sur le châssis du véhicule automobile.
Un véhicule automobile 100 est représenté en . Ce véhicule automobile 100 comprend un châssis 110 et des sièges fixés sur le châssis 110. Le véhicule automobile 100 est ici un véhicule utilitaire.
Ce véhicule automobile 100 comporte des sièges avant (un siège conducteur et un siège passager) et au moins un siège arrière. Dans le mode de réalisation illustré sur les figures, il comporte ici cinq sièges arrière disposés sur deux rangs.
Afin de pouvoir transporter du matériel ou des personnes, il est prévu que ces sièges arrière soient amovibles.
Lorsque tous les sièges amovibles 120 sont fixés sur le châssis 110, le véhicule automobile 100 peut alors transporter jusque 7 passagers (en comptant un conducteur et un passager avant). Lorsque tous les sièges amovibles 120 sont détachés du châssis 110, le véhicule automobile 100 présente une grande capacité volumique de transport de matériel.
Sur la , on a représenté une partie arrière de l’intérieur du véhicule automobile 100 lorsque les sièges amovibles 120 ont été détachés du châssis 110. On y observe cinq boîtes de connexion électrique 130, une placée sous chaque emplacement de siège amovible 120.
Les sièges amovibles 120 (et les boîtes de connexion électrique 130 associées) étant tous identiques, un seul d’entre eux sera ici plus précisément décrit.
Ce siège amovible 120 comprend classiquement un dossier et une assise. Le dossier peut être rabattu sur l’assise, le siège amovible 120 est alors en position replié. Des fixations avant et arrière sont prévus pour permettre de détacher l’arrière du siège indépendamment de la fixation avant qui reste attachée. Ainsi, le dossier et l’assise peuvent être rabattus vers l’avant, en position escamotée. Dans cette position, il est possible de détacher l’avant afin de sortir le siège amovible 120 de l’habitacle.
Le siège amovible 120 est équipé d’un capteur (non visible sur les figures). Ce capteur permet par exemple de détecter la présence d’un utilisateur assis sur le siège amovible 120. Le capteur est ici une nappe de détection de pression intégrée dans la garniture de l’assise du siège amovible 120.
Le siège amovible 120 comprend également une boucle de ceinture de sécurité, permettant de recevoir et bloquer un verrou de sangle de ceinture de sécurité. Cette boucle est électronisée pour détecter la présence du verrou dans la boucle.
Le véhicule automobile 100 comporte alors une unité de traitement électronique et/ou informatique programmée pour recevoir des signaux du capteur et de la boucle de ceinture de sécurité, et pour émettre un signal d’alarme (haptique, sonore ou visuel) pour alerter le conducteur si un utilisateur est détecté sur le siège amovible 120 et que la ceinture de sécurité n’est pas attachée.
Afin de permettre à l’unité de traitement de recevoir ces signaux, la nappe de détection de pression ainsi que la boucle de ceinture électronisée sont ici adaptés à être reliées au circuit électrique de la voiture de façon filaire. Pour garantir l’amovibilité du siège amovible 120, il est prévu que la connexion électrique du siège amovible 120 avec le véhicule automobile 100 puisse être coupée physiquement.
La nappe de détection de pression et la bouche de ceinture électronisée sont alors ici connectées électriquement à un premier câble de connexion électrique 122 comportant un premier connecteur 123 à son extrémité libre ( ).
La portion dégradée 60 présente une forme annulaire ou sensiblement annulaire. L’expression « sensiblement annulaire » fait référence à un segment d’un anneau, ce segment ayant une circonférence (ou périmètre extérieur) supérieure ou égale à 90 % de la circonférence de l’anneau (entier). Elle peut également faire référence à plusieurs segments d’un même anneau dont la circonférence totale est supérieure ou égale à 90 % de la circonférence de l’anneau.
Dans le premier mode de mise en œuvre représenté par les figures 3A-3C, le substrat dégradé est le substrat donneur 50. Autrement dit, la portion dégradée 60 appartient au substrat donneur 50. Elle est située, dans l’assemblage des substrats 40 et 50, à la verticale de l’interface entre la couche de silicium poreux 42 et la portion périphérique en silicium non-poreux 44 (autrement dit, la projection verticale de l’interface traverse la portion dégradée 60). En outre, elle s’étend jusqu’au flanc du substrat dégradé (ici le substrat donneur 50).
La portion dégradée 60 des figures 3A-3C est formée par une portion en retrait par rapport à la première face 50A du substrat donneur 50. Cette portion en retrait, aussi appelée portion évidée, peut être obtenue en formant une cavité (annulaire ou sensiblement annulaire) dans le substrat donneur 50 depuis la première face 50A (cf. ). La profondeur P de cette cavité, mesurée depuis la première face 50A, est supérieure à la topologie du bord du substrat support 40 (pour ne pas risquer de coller au substrat support). En outre, elle est avantageusement supérieure à la profondeur d’implantation des ions légers pour former le plan fragile enterré 50B. Elle est de préférence comprise entre 200 nm et 10 µm, par exemple 6 µm. La cavité peut être obtenue par gravure ou microfraisage.
Un avantage de ce premier mode de mise en œuvre est que la couche superficielle 51 transférée sur le substrat support 40 présente alors un contour net (cf. ). Par ailleurs, lorsque la profondeur P de la cavité est supérieure ou égale à deux fois la profondeur d’implantation, le substrat donneur 50 peut être réutilisé sans avoir besoin de former à nouveau la cavité.
Dans le deuxième mode de mise en œuvre représenté par les figures 4A-4C, le substrat dégradé est au contraire le substrat support 40. Autrement dit, la portion dégradée 60 appartient au substrat support 40. Comme précédemment, elle s’étend depuis le flanc du substrat dégradé (ici le substrat support 40) jusqu’à atteindre ou dépasser la projection verticale de l’interface entre la couche de silicium poreux 42 et la portion périphérique 44.
La portion dégradée 60 des figures 4A-4C est constituée par une portion texturée de la couche diélectrique 43, cette portion étant texturée de manière à présenter une rugosité de surface supérieure ou égale à 1 nm. En effet, une trop forte rugosité empêche le collage du substrat support 40 et du substrat donneur 50. En dehors de la portion dégradée 60, la rugosité de surface des substrats support et donneur 40, 50 est donc strictement inférieure à 1 nm.
La portion texturée peut être obtenue par gravure de la couche diélectrique 43, par traitement chimique, par traitement plasma, par bombardement par faisceau d’ions, par recuit laser nanoseconde ou par application (poinçonnage) d’un anneau texturé pour créer des défauts.
Dans une première variante de mise en œuvre (non représentée par les figures), la portion dégradée 60 est une portion texturée (Rq ≥ 1 nm) appartenant au substrat donneur 50, et plus particulièrement à la couche superficielle 51.
Dans une deuxième variante de mise en œuvre (également non représentée par les figures), la portion dégradée 60 est une portion en retrait appartenant au substrat support 40, et plus particulièrement à la couche diélectrique 43. La profondeur de la cavité correspondante est de préférence strictement inférieure à l’épaisseur de la couche diélectrique 43.
Ainsi, dans ces deux premiers modes de mise en œuvre et leurs variantes, la portion dégradée 60 est agencée de sorte à obtenir une onde de fracture qui se propage au-dessus d’un milieu homogène comprenant la couche de silicium poreux 42. Il n’y a alors pas de fissures. La largeur L2 de la portion dégradée 60 est strictement supérieure à la largeur L1 de la portion périphérique 44, et de préférence comprise entre 2 mm et 6 mm.
Dans le troisième mode de mise en œuvre représenté par les figures 5A-5C, la portion dégradée 60 appartient au substrat support 40. Elle est également située (dans l’assemblage des substrats 40 et 50) à la verticale de l’interface entre la couche de silicium poreux 42 et la portion périphérique 44. En revanche, et contrairement au deuxième mode de mise en œuvre (Figs. 4A-4C), elle ne s’étend pas jusqu’au flanc du substrat support 40. Autrement dit, elle est espacée du flanc du substrat support 40. Elle se situe à une distance d inférieure à 5 mm du flanc du substrat support 40.
La portion dégradée 60 peut être formée par une portion en retrait de la couche diélectrique 43, comme cela est représenté sur les figures 5A-5C (et comme dans la deuxième variante de mise en œuvre), ou par une portion texturée de forte rugosité de la couche diélectrique 43 (comme dans le mode de mise en œuvre des figures 4A-4C).
Dans le quatrième mode de mise en œuvre représenté par les figures 6A-6C, la portion dégradée 60 appartient au substrat donneur 50. Elle est également située à la verticale de l’interface entre la couche de silicium poreux 42 et la portion périphérique 44. En revanche, et contrairement au premier mode de mise en œuvre (Figs. 3A-3C), elle ne s’étend pas jusqu’au flanc du substrat donneur 50. Elle se situe néanmoins à une distance d inférieure à 5 mm du flanc du substrat donneur 50. La portion dégradée 60 peut être formée par une portion en retrait par rapport à la première face 50A du substrat donneur 50, comme cela est représenté sur les figures 6A-6C (et comme dans le mode de mise en œuvre des figures 3A-3C), ou par une portion texturée de forte rugosité de la couche superficielle 51 (comme dans la première variante de mise en œuvre).
Dans ces troisième et quatrième modes de mise en œuvre, la portion dégradée 60 est agencée de sorte à obtenir deux ondes de fracture se propageant chacune dans une région spécifique (périphérique ou centrale) du plan fragile enterré 50B, au-dessus d’un milieu homogène (comprenant soit la couche de silicium poreux 42, soit la portion périphérique 44). Il n’existe donc que deux fronts de fracture qui n’ont pas la possibilité de se rejoindre, étant donné que les ondes de fracture ne se propagent pas en regard de la portion dégradée 60 (absence de collage de la couche superficielle 51). La largeur L3 de la portion dégradée 60 est de préférence comprise entre 10 µm et 4 mm.
Les troisième et quatrième modes de mise en œuvre du procédé de fabrication permettent en outre d’obtenir une portion (annulaire) de couche active à la périphérie de la structure multicouche 30 (contrairement aux précédents modes de mise en œuvre), ce qui peut s’avérer utile pour l’intégration des composants microélectroniques.
Dans le cinquième mode de mise en œuvre représenté par les figures 7A-7C, la portion dégradée 60 est constituée par une cavité (annulaire ou sensiblement annulaire) qui s’étend (depuis la face de collage du substrat support 40) dans la couche de silicium poreux 42, à une distance d inférieure à 7 mm du flanc du substrat support 40 et à une distance d’ inférieure à 2 mm de l’interface entre la couche de silicium poreux 42 et la portion périphérique 44. La cavité 60 peut être formée par gravure, microfraisage ou recuit laser nanoseconde. Sa largeur L4 est de préférence comprise entre 10 µm et 1 mm.
Etat de la technique Au sein d’un véhicule automobile, il est connu d’équiper les sièges avant d’un système de détection de ceinture de sécurité (ou « SBR » pour « Seat Belt Reminder » en anglais). Ces systèmes de détection permettent à une unité de traitement du véhicule de détecter si un passager assis sur un siège concerné a ou non attaché sa ceinture de sécurité, et d’émettre au besoin un signal visuel et/ou sonore à l’intention du conducteur.
Ces systèmes de détection sont pour cela connectés à l’unité de traitement par des câbles de connexion électrique.
On souhaite alors équiper les sièges arrière du même type de systèmes.