INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ce bouton sert aujourd’hui à : - basculer entre une charge immédiate CI et une charge différée CD dans le cas d'une charge mode 2/3 ; - arrêter la charge mode 4.
Le diagramme d’état de la résume le fonctionnement actuel : La référence CI désigne la charge immédiate CI, le câble de charge étant branché. La LED est verte clignotante et la LED de verrouillage est rouge.
Si on appuie sur le bouton en mode 2 ou en mode 3, la charge différée CD est mise en œuvre. La LED est bleue et la LED de verrouillage est rouge si le véhicule est verrouillé, ou éteinte dans le cas contraire.
Si on appuie de nouveau sur le bouton, la charge immédiate CI est de nouveau mise en œuvre.
Dans l’invention, on propose que le bouton soit utilisé pour réaliser une commande à appuis successifs de sorte à basculer entre charge immédiate CI, charge suspendue CS et charge différée CD (seulement en mode 2/3 si elle est sélectionnée), illustrée en .
Les étapes sont les suivantes : - le câble de recharge est branché, et la LED est en blanc fixe ; - la charge est initialisée, et la LED est en blanc fixe tant que la borne de recharge n’est pas en fonction ; - la charge immédiate CI est lancée, la LED est en vert clignotant dès le début de transfert d'énergie (charge en cours) et le câble de charge est verrouillé ; - si on appuie sur le bouton, on passe en charge suspendue CS, la LED est en blanc fixe et le câble de charge est déverrouillé si le véhicule est déverrouillé (le déverrouillage du véhicule étant de préférence réalisé au moyen d’un deuxième bouton de commande dédié au déverrouillage de véhicule) ; - si on appuie de nouveau sur le bouton, si charge différée CD est active, on passe en charge différée CD, et la LED est en bleu fixe ; si charge différée CD est inactive, on passe en charge immédiate CI, la LED est en vert clignotant, et le câble de charge est verrouillé.
La charge différée CD n'est possible qu'en mode 2 ou en mode 3 et si la fonction est activée depuis l'écran central ou le smartphone.
Si on est en mode 2 ou le mode 3 et la charge différée CD est activée depuis un écran central du véhicule ou une application de smartphone, alors, la charge différée CD est active ; sinon la charge différée CD est inactive.
SERVICE 5G EN NUAGE POUR UN ÉCHANGE BIDIRECTIONNEL D’ÉNERGIE STOCKÉE POUR UNE GESTION OPTIMISÉE DE CAPACITÉ DE RÉSEAU ÉTAT ANTÉRIEUR
Le capteur de courant 24 est connecté au module de commande 26. Il est configuré pour mesurer l’intensité du courant destiné à circuler dans la charge 3, en mesurant l’intensité du courant par exemple en entrée du dispositif de protection 10. Le capteur de courant 24 consiste par exemple en un tore de Rogowski, en un élément semi-conducteur placé dans un circuit magnétique, ou encore en une résistance de shunt, dont on mesure la tension afin d’en déduire l’intensité du courant qui la traverse.
Le capteur de tension 25 est connecté aux pôles de conduction 30 et 31 de l’arrangement d’au moins un transistor 20 d’une part et au module de commande 26 d’autre part. Il est configuré pour mesurer la tension aux bornes des pôles de conduction 30 et 31. Le capteur de tension 25 consiste par exemple en un dispositif diviseur de tension utilisant des résistances électriques.
Le module de commande 26 est configuré pour commander le pôle de commande 32 de l’arrangement d’au moins un transistor 20. Le module de commande 26 est adapté pour remplir une fonction de disjoncteur statique, symbolisée par la fonction disjoncteur statique 35, et en outre – selon l’invention, une fonction de diode, symbolisée par la fonction diode 37, en fonction des mesures d’intensités et de tension fournies par le capteur de courant 24 et le capteur de tension 25. Le module de commande 26 est alors configuré pour recevoir une valeur d’intensité I du courant destiné à circuler à travers la charge 3, mesurée par le capteur de courant 24, puis pour comparer la valeur d’intensité I reçue à un premier seuil d’intensité I 1 et à un deuxième seuil d’intensité I 2 . Le module de commande 26 est alors configuré pour recevoir également une valeur de tension V, mesurée entre les pôles de conduction 30 et 31 par le capteur de tension 25, puis pour comparer la valeur de tension V à un seuil de tension V th . Plus précisément, la fonction disjoncteur statique 35 utilise la valeur d’intensité I mesurée par le capteur de courant 24, et la fonction diode 37 utilise à la fois la valeur d’intensité I et la valeur de tension V mesurées respectivement par le capteur de courant 24 et le capteur de tension 25.
Avantageusement, le module de commande 26 est configuré pour effectuer un certain nombre d’opérations, notamment afin de traiter les valeurs d’intensité et de tension respectivement mesurées par les capteurs d’intensité 24 et de tension 25. Ces opérations comprennent par exemple l’utilisation d’un premier et d’un deuxième filtres passe-bas. L’intensité I est traitée par le premier filtre passe-bas, et la tension V est traitée par le deuxième filtre passe-bas.
En variante, les filtres passe-bas sont remplacés par des filtres plus complexes.
Les filtres utilisés sont configurés pour éliminer le bruit de mesure, et donc rendre plus stable le fonctionnement du module de commande 26.
Dans le cas où le capteur de tension 25 ne mesure qu’un potentiel en chaque pôle de conduction 30 et 31, le module de commande 26 est avantageusement configuré pour effectuer la soustraction des valeurs des potentiels mesurés par le capteur de tension 25 afin d’obtenir la tension V aux bornes des pôles de conduction 30 et 31. Cette tension V est alors typiquement traitée par le deuxième filtre.
Le module de commande 26 est configuré pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 via son pôle de commande 32, et est donc adapté pour remplir une fonction de commande de l’arrangement d’au moins un transistor 20, symbolisée par une fonction de commande 39. Les fonctions disjoncteurs 35 et diode 37 sont reliées en sortie à la fonction de commande 39 qui symbolise la commande de l’émission d’un signal de commande, reçu par le pôle de commande 32, afin de commander l’arrangement d’au moins un transistor 20. La fonction de commande 39 est avantageusement adaptée pour traiter des données en sortie des fonctions disjoncteur 35 et diode 37, par exemple en étant adaptée pour effectuer une opération logique « et » sur les données.
En pratique, il est possible que les fonctions disjoncteur 35, diode 37 et de commande 39 ne soient pas implémentées de façon distincte au sein du module de commande 26, mais sous forme d’une seule fonction globale au sein du module de commande 26 par exemple.
Le diagramme d’état du dispositif de protection 10 est représenté en partie inférieure de la . Si l’intensité I est inférieure au deuxième seuil d’intensité I 2 , le dispositif de protection 10 bascule de l’état passant A, également appelé état fermé, à un premier état bloqué B, également appelé premier état ouvert, et le module de commande 26 est en particulier configuré pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 dans son premier état bloqué B. Le premier état bloqué B est alors comparable à une configuration bloquée d’une diode. Si la tension V est supérieure au seuil de tension V th , le dispositif de protection 10 bascule du premier état bloqué B à l’état passant A, et le module de commande 26 est en particulier configuré pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 dans son état passant A. Ainsi, en cas de mauvais branchement entraînant une inversion de polarité, ou de retour de courant, le dispositif de protection 10 ouvre le circuit.
Si l’intensité I est supérieure au premier seuil d’intensité I 1 , le premier seuil d’intensité I 1 et le deuxième seuil d’intensité I 2 étant des seuils d’intensité distincts, le dispositif de protection 10 bascule de l’état passant, à un deuxième état bloqué C, également appelé deuxième état ouvert, et le module de commande 26 est en particulier configuré pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 dans son deuxième état bloqué C. Lorsque le dispositif de protection 10 est dans le deuxième état bloqué C, même si la tension V est supérieure au seuil de tension V th le dispositif de protection 10 n’est pas apte à basculer à nouveau en état passant A. Le deuxième état bloqué C est alors comparable à une configuration déclenchée d’un disjoncteur. Seule une commande d’un utilisateur, qu’elle soit manuelle ou numérique, permet de faire basculer le dispositif de protection 10 du deuxième état bloqué C à l’état passant A, c’est-à-dire de faire revenir le dispositif de protection 10 dans l’état passant A depuis le deuxième état bloqué C.
L’implémentation d’une diode sous forme de la fonction diode 37 à l’intérieur du dispositif de protection 10 permet d’éviter l’utilisation d’une diode réelle, telle une diode au silicium, en plus d’un disjoncteur ou d’un autre dispositif de protection du circuit électrique contre les surintensités. D’autre part, une diode réelle nécessite d’être alimentée en tension, et de ce fait consomme une puissance électrique non nulle, par exemple de l’ordre de 0.7*I pour une diode au silicium. En revanche, implémenter une fonction diode 37 au sein du dispositif de protection 10 permet de supprimer cette consommation d’énergie, la consommation supplémentaire du dispositif de protection 10 par rapport à un dispositif de protection équivalent sans la fonction diode 37 étant négligeable. Le dispositif de protection 10 permet donc d’économiser de l’énergie par rapport à une installation classique avec une diode réelle.
Le fonctionnement du dispositif de protection 10 selon l’invention va à présent être expliqué en regard de la représentant un organigramme du procédé de commande du dispositif de protection 10 selon l’invention.
Une étape 50 consiste en la mesure de la tension V, par l’intermédiaire du capteur de tension 25, et en son évaluation. Si la tension V est supérieure au seuil de tension V th , alors le module de commande 26 effectue une étape 51 consistant à commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 via le pôle de commande 32 dans l’état passant A. Dans ce cas, le dispositif de protection 10 se comporte comme une diode passante, et le module de commande 26 utilise la fonction diode 37 et la fonction de commande 39 pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20.
Une autre étape 52 consiste en la mesure de l’intensité I, par l’intermédiaire du capteur de courant 24, et en son évaluation. Si l’intensité I est supérieure au premier seuil d’intensité I 1 , ce qui correspond à une surintensité dans le circuit électrique, alors le module de commande 26 effectue une étape 53 consistant à commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 via le pôle de commande 32 dans le deuxième état bloqué C. Dans ce cas, le dispositif de protection 10 se comporte comme un disjoncteur ayant déclenché et le module de commande 26 utilise la fonction disjoncteur 35 et la fonction de commande 39 pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20 dans le deuxième état bloqué C.
Sinon, si l’intensité I est inférieure au premier seuil d’intensité I 1 et aussi au deuxième seuil d’intensité I 2 , alors le module de commande 26 effectue l’étape 54 et commande l’arrangement d’au moins un transistor 20 via le pôle de commande 32 dans le premier état bloqué B. Dans ce cas, le dispositif de protection 10 se comporte comme une diode bloquée en inverse, et le module de commande 26 utilise la fonction diode 37 et la fonction de commande 39 pour commander l’arrangement d’au moins un transistor 20. En pratique, les étapes 50 et 52 ont avantageusement lieu dans n’importe quel ordre l’une par rapport à l’autre, ou simultanément.
La est une représentation schématique, vue de dessus, du convertisseur de tension de la , sans le couvercle et rendant visible un premier et un second connecteurs de puissance ainsi que leur connecteurs électriques respectifs ;
La est une représentation schématique, vue de dessus du convertisseur de tension de la , rendant visible, de manière éclatée, seul un des connecteurs de puissance ;
La est un agrandissement du connecteur de puissance de la ;
La est une représentation schématique en perspective de la liaison entre les connecteurs électriques du premier et du second connecteurs de puissance ;
La est une représentation très schématique du convertisseur de tension de la , selon un premier mode de réalisation ; et
La est une représentation semblable à la du convertisseur de tension, mais selon un second mode de réalisation.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La illustre un convertisseur de tension 1, par exemple configuré pour être embarqué dans un véhicule. Il s’agit par exemple ici d’un onduleur. Le convertisseur 1 comporte un carter 100 et un couvercle 200 amovible entre une position retirée dans laquelle un espace intérieur du carter est accessible et une position fermée qui correspond à une position de fonctionnement du convertisseur de tension 1.
Le convertisseur de tension 1 comporte au moins un module électronique de puissance 300. Le module électronique de puissance 300 comprend au moins un bras de commutation permettant de recevoir ou de fournir un signal électrique de puissance à des phases électrique d’un bobinage d’une machine électrique. Le module de puissance forme un pont redresseur de tension comportant au moins un interrupteur tel qu’un transistor pour transformer la tension alternative générée par les phases du stator en une tension continue et/ou, à l’inverse, pour transformer une tension continue en une tension alternative pour alimenter les phases du stator.
Les figures 2 à 5 illustrent le convertisseur de tension 1 en position retirée du couvercle 200.
En particulier, tel que cela est visible sur la , le convertisseur de tension 1 comporte un module de refroidissement 2. Le module de refroidissement 2 est configuré pour dissiper la chaleur générée par le module électronique de puissance 300. Le module de refroidissement comporte un boitier, correspondant ici au carter 100 dans lequel est ménagé un canal 201 configuré pour recevoir un liquide de refroidissement circulant dans le canal. Le canal est fermé par un couvercle.
Le module de refroidissement 2 délimite une première cavité 5 et une seconde cavité 6 à l’intérieur du carter 100.
Le couvercle 200 est configuré pour recouvrir la première cavité 5 et la seconde cavité 6 de sorte à les rendre étanches.
La première cavité 5 et la seconde cavité 6 sont séparées par une paroi de séparation 9 configurée pour assurer une fonction de bouclier électromagnétique entre la seconde cavité 6 et la première cavité 5.
Une telle paroi 9 permet aussi de s’adapter au carter 100 déjà existant du convertisseur de tension 1.
Le convertisseur de tension 1 comporte en outre un premier connecteur de puissance 3 et un second connecteur de puissance 4.
Dans la suite de la description, la transmittance interne d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. L'absorption de la couche est égale à la différence entre 1 et la transmittance interne. Dans la suite de la description, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque l’absorption du rayonnement au travers de la couche est inférieure à 60 %. Dans la suite de la description, une couche est dite absorbante à un rayonnement lorsque l'absorption du rayonnement dans la couche est supérieure à 60 %.
Dans la suite de la description, on appelle efficacité quantique externe (EQE, sigle anglais pour External Quantum Efficiency) d'une diode électroluminescente le rapport entre le nombre le nombre de photons émis par la diode électroluminescente et le nombre d'électrons traversant la zone active de la diode électroluminescente.
La présente invention concerne la fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes formées à partir d'éléments semiconducteurs tridimensionnels de taille nanométrique ou micrométrique, en particulier des microfils, des nanofils, ou des éléments coniques ou tronconiques de taille micrométrique ou nanométrique, notamment des pyramides.
Des essais ont été réalisés pour caractériser la dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes formées sur des plaques semiconductrices de 200 mm de diamètre dans des conditions de formation identiques. Pour les essais, les diodes électroluminescentes sont de type radial et sont formées par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). En outre, les éléments semiconducteurs tridimensionnels des diodes électroluminescentes sont des fils. Les diodes électroluminescentes, et en particulier les fils, sont formées dans des conditions de croissance identiques pour toutes les plaques de sorte que les diodes électroluminescentes devraient théoriquement avoir la même structure et les mêmes dimensions.
La et la représentent, pour plusieurs plaques en fonction du diamètre médian Dmed des fils des diodes électroluminescentes de la plaque, respectivement la longueur d'onde médiane λmed et la longueur d'onde maximale λmax du rayonnement émis par l'ensemble des diodes électroluminescentes de la plaque. Sur les figures 1 et 2, chaque point correspond à une plaque. Le diamètre médian Dmed est déterminé à partir de cent fils situés au centre de la plaque. Sur les figures 1 et 2, les droites D1 et D2 ont été obtenues par régression linéaire. Les figures 1 et 2 illustrent la dispersion sur les longueurs d'ondes qui résulte des procédés de formation des diodes électroluminescentes par croissance par épitaxie. Cette dispersion est particulièrement importante pour des diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type radial dans la mesure où la zone active d'une telle diode électroluminescente recouvre les parois latérales du fil. La structure et la composition des couches de la zone active sont alors particulièrement sensibles aux dimensions du fil, en particulier son diamètre.
Selon un mode de réalisation, la dispersion de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes est réduit en modifiant la densité de courant traversant les diodes électroluminescentes. En effet, les inventeurs ont mis en évidence que, pour des diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type radial, la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par la diode électroluminescente varie de façon importante en fonction de la densité de courant traversant la diode électroluminescente, de sorte qu'un ajustement de la longueur d'onde centrale émis par la diode électroluminescente peut être réalisé en faisant varier la densité de courant traversant la diode électroluminescente.
Des essais ont été réalisés pour caractériser la variation de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes formées sur des plaques semiconductrices de 200 mm de diamètre dans des conditions de formation identiques. Pour les essais, les diodes électroluminescentes sont de type radial et sont formées par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). En outre, les éléments semiconducteurs tridimensionnels des diodes électroluminescentes sont des fils. Les diodes électroluminescentes, et en particulier les fils, sont formées dans des conditions de croissance identiques pour toutes les plaques de sorte que les diodes électroluminescentes devraient théoriquement avoir la même structure et les mêmes dimensions.
La représente des courbes d'évolution de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par des groupes de diodes électroluminescentes filaires (un groupe étant constitué de 256 diodes électroluminescentes filaires) en fonction de la densité de courant J traversant chaque diode électroluminescente filaire du groupe de diodes électroluminescentes, les groupes de diodes électroluminescentes étant formées sur des plaques différentes ou à des emplacements différents d'une même plaque. Comme cela apparaît en , pour une même densité de courant J, la longueur d'onde centrale λc varie d'une diode électroluminescente à l'autre et une variation de la densité de courant entre 0,1 A/cm 2 et 10 A/cm 2 entraîne une variation de la longueur d'onde centrale λc d'au moins 10 nm.
Ici, les reliefs 67 sont des languettes d’emboîtage élastique adaptées à fixer une tringle montée à une extrémité de la housse à fixer. D’autres moyens de fixer une housse sur la face arrière 46B de la coque 46 sont cependant accessibles à l’Homme de l’art.
Avantageusement, le siège de véhicule 11 ne comporte pas d’habillage arrière, notamment pas de plaque d’habillage arrière. Ceci permet de réduire le poids du siège de véhicule 11 , limitant d’autant la consommation du véhicule automobile équipé du siège de véhicule 11 . Comme indiqué précédemment, il est ainsi possible de laisser un espace accessible à un occupant d’un siège situé derrière le siège de véhicule 11 , notamment pour les genoux de cet occupant.
Ainsi, la coque 46 est une pièce technique fonctionnelle qui remplit les fonctions de support de matelassure, support de confort pour l’occupant du siège de véhicule et support d’équipements remplissant une fonction de confort ou de sécurité, mais également une pièce d’aspect assurant en partie l’esthétisme du siège de véhicule 11 . La coque 46 se substitue en effet à la nappe de support élastique généralement mise en œuvre pour supporter la matelassure du dossier de siège de véhicule. La coque 46 constitue par ailleurs un support de la matelassure du dossier du siège de véhicule, voire d’une housse recouvrant cette matelassure. La coque 46 permet encore de porter des équipements de confort et/ou de sécurité du siège de véhicule, qui peuvent facilement être retirés ou remplacés. Des équipements de confort peuvent également être ajoutés tout au long de la vie du dossier de siège de véhicule. Le dossier de siège de véhicule est ainsi modulable en fonction des envies de l’occupant, par ajout ou retrait d’équipements de confort. Enfin, la coque 46 est réalisée en matière plastique comme une pièce d’aspect destinée à assurer l’esthétique et un toucher agréable du dossier de siège de véhicule. Ainsi, il est possible qu’aucune pièce d’habillage ne soit ajoutée sur la face arrière du dossier du siège de véhicule, pour laisser la coque 46 accessible et/ou visible, depuis l’arrière du siège de véhicule 11 .
Ensemble supérieur de siège comportant un dossier et un appui-tête, et siège comportant un tel ensemble La présente divulgation est relative à un ensemble supérieur de siège comportant : - un dossier de siège comprenant une structure de dossier et au moins un module de garniture de dossier comportant au moins une portion centrale de garniture de dossier - un appui tête comportant une garniture d’appui-tête destinée à recevoir la tête de l’occupant du siège, et un support de garniture - une liaison structurelle s’étendant suivant une direction Z en hauteur entre le dossier et l’appui-tête; reliant la structure de dossier et le support de garniture de l’appui tête.
Ledit ensemble selon la présente divulgation est notable en ce qu’il présente un système de cache agencé entre l’appui tête et le dossier configuré pour cacher ladite liaison structurelle entre le dossier et l’appui tête.
La présente divulgation concerne encore : - un siège de véhicule comportant une assise et un ensemble supérieur de siège selon la présente divulgation, - un procédé de maintenance d’un ensemble de dossier selon la présente divulgation ou appartenant à un siège selon la présente divulgation, dans lequel on procède à un retrait du module de garniture du dossier, sans démontage de l’appui-tête, - un procédé de montage d’un ensemble de dossier selon la présente divulgation, ou appartenant à un siège selon la présente divulgation dans lequel on procède à la mise en place de ledit au moins un module de garniture du dossier, sans démontage de l’appui-tête. Domaine technique