Dispositif électronique comprenant au moins une cellule (300) de transistors, chaque cellule comprenant : - une première zone active (311) d’au moins un transistor parmi les transistors de ladite cellule ; - une première région d’isolation (341) formant une première isolation de la première zone active ; - une première grille d’isolation (333) s’étendant au-dessus de la première zone active, formant une deuxième isolation de la première zone active ; et - un premier contact de grille d’isolation (335) relié à la première grille d’isolation et adapté à coupler ladite première grille d’isolation à un rail d’alimentation (351), ledit premier contact de grille d’isolation étant positionné au-dessus, et à cheval entre, la première zone active et la première région d’isolation. Mémoire non transitoire configurée pour stocker une bibliothèque de cellules, chaque cellule étant définie de façon à comprendre : - une première zone active (311) d’au moins un transistor parmi des transistors de ladite cellule ; - une première région d’isolation (341) formant une première isolation de la première zone active ; - une première grille d’isolation (333) s’étendant au-dessus de la première zone active, formant une deuxième isolation de la première zone active ; et - un premier contact de grille d’isolation (335) relié à la première grille d’isolation et adapté à coupler ladite première grille d’isolation à un rail d’alimentation (351), ledit premier contact de grille d’isolation étant positionné au-dessus, et à cheval entre, la première zone active et la première région d’isolation. Dispositif selon la revendication 1, chaque cellule comprenant en outre : - une deuxième grille d’isolation (334) s’étendant au-dessus de la première zone active, formant une troisième isolation de la première zone active ; et - un deuxième contact de grille d’isolation (336) relié à la deuxième grille d’isolation et adapté à coupler ladite deuxième grille d’isolation au rail d’alimentation (351), ledit deuxième contact de grille d’isolation étant positionné au-dessus et à cheval entre la première zone active et la première région d’isolation, la deuxième grille d’isolation étant par exemple sensiblement parallèle à la première grille d’isolation. Dispositif selon la revendication 1 ou 3, le premier et/ou le deuxième contact de grille d’isolation étant intentionnellement positionné à cheval entre la première zone active et la première région d’isolation. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3, 4, le premier et/ou le deuxième contact de grille d’isolation étant centré par rapport à une zone intermédiaire entre la première région d’isolation et la première zone active. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 5, le premier et/ou le deuxième contact de grille d’isolation présentant une première surface positionnée au-dessus de la première zone active et une deuxième surface positionnée au-dessus de la première région d’isolation, le rapport entre la première surface et la deuxième surface, ou entre la deuxième surface et la première surface, étant compris entre 0,2 et 0,8, par exemple entre 0,25 et 0,75, par exemple entre 0,35 et 0,65. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 6, le premier et/ou le deuxième contact de grille d’isolation présentant une première surface positionnée au-dessus de la première zone active et une deuxième surface positionnée au-dessus de la première région d’isolation, la première surface étant supérieure à la deuxième surface. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 7, chaque cellule comprenant en outre une première grille de transistor (331) s’étendant au-dessus de la première zone active (311) entre une première région de source (S1) et une première région de drain (D1) de ladite première zone active, ladite première grille de transistor étant par exemple sensiblement parallèle à la première grille d’isolation (333). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 8, la première zone active (311) correspondant à une zone active d’au moins un transistor MOS à canal P (P1). Dispositif selon la revendication 9 en combinaison avec la revendication 8, la première région de source (S1) étant couplée au rail d’alimentation (351) et/ou la première région de drain (D1) étant couplée à un rail de connexion de drain (353). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 10, la première zone active (311) correspondant à une zone active d’au moins deux transistors MOS à canal P (P1, P2). Dispositif selon la revendication 11chaque cellule comprenant en outre une deuxième grille de transistor (332) s’étendant au-dessus de la première zone active (311) entre une deuxième région de source (S1) et une deuxième région de drain (D2) de ladite première zone active, ladite deuxième grille de transistor étant par exemple sensiblement parallèle à la première grille d’isolation (333). Dispositif selon la revendication 12, les première et deuxième régions de source (S1) correspondant à une même région couplée au rail d’alimentation (351) et/ou la deuxième région de drain (D2) étant couplée au rail de connexion de drain (353). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 13, chaque cellule comprenant en outre une deuxième zone active (321) correspondant à une zone active d’au moins un transistor MOS à canal N (N1), par exemple deux transistors MOS à canal N (N1, N2). Dispositif selon la revendication 14 en combinaison avec la revendication 8 et/ou 12, la première grille de transistor (331) s’étendant également au-dessus de la deuxième zone active (321) entre une troisième région de source (S2) et une troisième région de drain (D3) de ladite deuxième zone active, et/ou la deuxième grille de transistor (332) s’étendant également au-dessus de la deuxième zone active (321) entre une quatrième région de source (S2) et une quatrième région de drain (D4) de ladite deuxième zone active, les troisième et quatrième régions de source correspondant par exemple à une même région couplée à un rail de mise à la masse (352). Circuit intégré comprenant un dispositif électronique selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 15.