INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Afin d’améliorer l’efficacité du système propulsif 1 tout en garantissant la possibilité de transmettre le couple au rotor de soufflante 9, la poussée du système propulsif 1 respecte la formule suivante : (1) où: FN est la poussée générée par le rotor de soufflante 9 et est exprimée en Newton (N) ; R est le rapport moyeu-tête du rotor de soufflante 9 ; R i est le rayon interne du rotor de soufflante 9, exprimé en mètres (m), et correspond à une distance entre l’axe de rotation X et un point d’intersection entre le bord d’attaque 21 des aubes 14 du rotor de soufflante 9 et une surface du rotor de soufflante 9 qui délimite radialement à l’intérieur une veine d’écoulement dans le rotor de soufflante 9 ; et A = 1 792 x 10 3 Newton (N) et B = 368 x 10 3 Newton mètre (N.m).
Comme indiqué précédemment, FN est déterminé lorsque le système propulsif 1 est stationnaire, non-installé, en régime de décollage dans une atmosphère standard (telle que définie par le manuel de l’Organisation de l’aviation civile internationale (OACI), Doc 7488/3, 3 e édition) et au niveau de la mer. Le rapport de moyeu (qui correspond au rapport entre le rayon externe R e et le rayon interne R i du rotor de soufflante 9) et le rayon interne R i sont déterminés en revanche lorsque le système propulsif 1 est à froid pour simplifier les mesures.
En outre, il est proposé d’utiliser les moyennes synchrones du signal vibratoire associées à des multiples de la fréquence de rotation (i.e. les harmoniques, les ordres) communs à ladite pièce considérée et aux autres pièces du sous-système – dites deuxièmes moyennes synchrones. Cela permet de tenir compte des interférences entre la pièce considérée et les autres pièces du sous-système.
Ce mode de réalisation permet d’extraire, du signal vibratoire de la machine tournante, la contribution exclusive d’une des pièces d’un sous-système de la machine tournante et de déterminer de manière fiable si cette pièce est défectueuse.
Selon un mode de réalisation , le procédé de surveillance comprend pour chacune des pièces du sous-système des étapes consistant à : estimer la contribution vibratoire de la pièce depuis la contribution vibratoire estimée du sous-système ; et à déterminer si la pièce est défectueuse par analyse comparative d’un indicateur dit de santé correspondant à la contribution estimée de ladite pièce.
Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux en ce qu’il permet de surveiller individuellement chacune des pièces du sous-système. De la sorte, si le sous-système est défectueux, ce mode de réalisation permet d’identifier la ou les pièces du sous-système présentant défaut.
Selon un mode de réalisation , la contribution vibratoire de ladite pièce est estimée à partir d’une différence entre : ladite troisième moyenne synchrone ; et une somme desdites une ou plusieurs quatrièmes moyennes synchrones.
Dans ce mode de réalisation, ladite troisième moyenne synchrone associée à la fréquence de rotation de la pièce considérée est utilisée pour extraire les composantes fréquentielles (i.e. la fréquence fondamentale et les harmoniques) de la contribution vibratoire de la pièce.
Il est en outre proposé, pour isoler la contribution vibratoire exclusive de la pièce considérée, d’éliminer les interférences entre la pièce considérée et les autres pièces du sous-système, et ce en soustrayant lesdites quatrièmes moyennes synchrones associées à des harmoniques communes (i.e. des ordres communs).
Ainsi, ce mode de réaliser permet d’estimer précisément la contribution vibratoire d’une pièce d’un sous-système de la machine tournante depuis la contribution vibratoire du sous-système.
Selon un mode de réalisation , la contribution estimée de ladite pièce est exprimée par : avec : , un indice temporel ou angulaire ; , la fréquence de rotation de ladite pièce ; , les fréquences de rotation des pièces dudit sous-système ; , la plus petite fréquence multiple de et de ; et , la moyenne synchrone de la contribution vibratoire estimée dudit sous-système (S A ) associée à la fréquence et définie par : où est un nombre d’échantillons moyennés de la contribution vibratoire estimée , et est un nombre d’échantillons de la contribution vibratoire estimée pour une période associée à la fréquence .
La moyenne synchrone associée à , la plus petite fréquence multiple des fréquences de rotation et , permet d’extraire les harmoniques communes (i.e. les ordres communs) à la pièce considérée et à une autre pièce du sous-système et représentatives des interférences entre ces deux pièces.
La contribution vibratoire exclusive de la pièce considérée est, selon ce mode de réalisation, obtenue en : déterminant la contribution vibratoire de la pièce considérée (y compris les interférences avec d’autres pièces) ; puis en éliminant les interférences avec les autres pièces du sous-système.
Selon un mode de réalisation , si un défaut d’un dit sous-système est détecté, le procédé de surveillance comprend pour chacune des pièces du sous-système une étape consistant à déterminer si la pièce est défectueuse par analyse comparative d’un indicateur dit de santé correspondant à la contribution estimée de ladite pièce.
Ce mode de réalisation est avantageux en ce qu’il permet de localiser précisément un défaut de la machine tournante. En effet, si un sous-système de la machine tournante est défectueux, ce mode de réalisation permet d’identifier la ou les pièces du sous-système présentant un défaut.
Selon un mode de réalisation , un défaut est détecté si une moyenne quadratique d’une dite contribution estimée est supérieure à un seuil.
Plus précisément, un sous-système est déterminé défectueux si une moyenne quadratique de la contribution vibratoire estimée dudit sous-système est supérieure à un seuil ; et une pièce est déterminée défectueuse si une moyenne quadratique de la contribution vibratoire estimée de ladite pièce est supérieure à un seuil.
Selon ce mode de réalisation, un indicateur de santé correspondant à une contribution vibratoire estimée d’un sous-système ou d’une pièce est une moyenne quadratique de la contribution vibratoire estimée du sous-système ou de la pièce. Ainsi, un défaut est détecté si cet indicateur de santé est supérieur à un seuil.
6.1.1.2.2. Stimulation de la synthèse des collagènes -IV et -XVII
Protocole Un gel comprenant l’extrait selon l’invention a été appliqué quotidiennement pendant 7 jours à la surface d'explants de peau. Les peaux ont ensuite été sectionnées et les synthèses des collagène-I, collagène-IV et collagène-XVII ont été révélées par immunohistochimie (marquage des sections par un premier anticorps spécifique de la protéine à doser et révélation de ce marquage par un anticorps secondaire fluorescent spécifique du premier anticorps). L'intensité du marquage a ensuite été quantifié par analyse d'image des photos réalisées.
Résultats Variation de la quantité du collagène-IV et collagène-XVII dans des explants de peau après 7 jours (n=3). Effet de 0,66% de l’extrait selon l’invention par rapport au contrôle :
Collagène-IV (UAF*) Variation (%) ; significativité Collagène-XVII (UAF*) Variation (%) ; significativité Contrôle 66,0 ± 2,6 Référence 9,7 ± 1,9 Référence 0,66% de l’extrait selon l’invention 80,6 ± 11,2 + 22% ; p , 01 12,6 ± 1,4 + 30% ; p , 01
* UAF : Unités arbitraires de fluorescence.
Les résultats montrent que l’extrait selon l’invention stimule nettement et significativement la production de collagènes -IV et -XVII qui sont aussi des éléments essentiels de la JDE.
L’ensemble de ces résultats montrent que l’extrait de Monarda didyma selon l’invention a une action directe de renfort de la JDE en stimulant les collagènes et laminines la constituant. L’extrait selon l’invention peut donc agir sur le vieillissement de la peau lié à une désorganisation de la JDE, en contrecarrant la perte de souplesse et d’élasticité qu’elle occasionne. En outre, les collagènes -IV et -XVII sont connus pour être impliqués dans le bon ancrage du mélanocyte. La stimulation de leur synthèse par l’extrait selon l’invention permet d’éviter le vieillissement prématuré du mélanocyte entraînant l’apparition de défauts de pigmentation et une perte d’uniformité du teint.
6.1.1.3. Protection de la matrice extracellulaire dermique
L’élastase et les MMPs (« Matrix Metallo Proteases » : protéases de la matrice dermique) sont des protéases qui détruisent les protéines de la matrice extracellulaire comme l’élastine ou les différents collagènes. Leurs productions augmentent avec l’âge et les stress aigus ou chroniques amplifient ce phénomène. La production trop importante de MMPs conduit à la réduction de la tenue du derme par la perte de sa densité et son affinement. La production trop importante d’élastase conduit à une perte d’élasticité de la peau.
Protocole Des fibroblastes sont cultivés jusqu’à atteindre leur confluence. La culture est exposée une fois par jour pendant 4 jours à une irradiation solaire. A l'issue de l'exposition, les cellules irradiées ou non, sont mises au contact de l’extrait selon l'invention. Les ARN totaux sont alors extraits pour analyser l’élastase, les MMP-2 et les MMP-3 par RT-qPCR.
Résultats Variation de la quantité d’élastase (n=4), de MMP2 (n=4) et de MMP3 (n=3) dans les fibroblastes irradiés. Effet de 0,16% de l’extrait selon l’invention par rapport au contrôle :
Elastase MMP2 MMP3 Variation (%) ; significativité - 33% ; p - 27% ; p - 30% ; p
Les résultats montrent que les quantités d’élastase, de MMP2 et de MMP3 sont significativement diminuées par l’extrait selon l’invention. En limitant la production des protéases, l’extrait réduit leur activité globale néfaste sur les protéines de la MEC, comme les collagènes et l’élastine, contribuant ainsi à une bonne tenue du derme et la protection du microenvironnement des cellules présentes.
6.1.1.4. Stimulation de la synthèse des molécules de la matrice extracellulaire dermique
6.1.1.4.1. Stimulation de la synthèse d’élastine
L’élastine est une protéine de la matrice extracellulaire dermique. L’élasticité de la peau est modifiée au cours du vieillissement du fait de la baisse de la quantité d’élastine produite conduisant à un assemblage inapproprié des fibres d’élastine.
La illustre les sous-étapes ii.a) – ii.c) selon un premier mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption SPA selon l’invention. Ce mode réalisation permet de réaliser une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3.
La première sous-étape ii.a) consiste à monter le support sup au regard de la source S1 d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché CSS. La source S1 est un échantillon en phase pure du ABX 3 . La source S1 est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via le thermostat Th1.
La deuxième sous-étape ii.b) est destinée à déposer une couche en AB 2 X 5 à partir de la source S1 en ABX 3 en se plaçant hors équilibre thermodynamique du matériau ABX 3 . Pour cela, le thermostat T2 est configuré pour commander la seconde température T2 à une valeur inférieure à la première température T1 La différence de température ΔT par rapport à la première température T1 est supérieure ou égale à 200°C. Cela déclenche une phase transitoire pendant laquelle l’ensemble est hors-équilibre thermodynamique. Cela induit un dépôt d’une couche en AB 2 X 5 à partir de la source S1 durant le régime transitoire à partir de la source en ABX 3 par sublimation. La couche déposée en AB 2 X 5 correspond à la couche d’interface 17 décrite précédemment. La durée du régime transitoire est comprise entre 1min et 10min. Cette technique s’explique par le mécanisme suivant : En augmentant la différence de consigne de température ΔT (>=200°C), Les particules subissent un refroidissement brutal lorsqu’elles rentrent en contact avec la surface du support sup. L’adhésion des particules provenant de la source S1 et déposées sur support sup ne se fait pas à l’équilibre thermodynamique et une phase en AB 2 X 5 apparait sous ces conditions particulières. Les conditions générales de pression et de distances restent inchangées par rapport à un dépôt « standard ».
À titre d’exemple illustratif et non limitatif, la source S1 est préchauffée à T1=475°C et le support sup est préchauffé à T2=100°C. Cela permet de déposer une d’interface 17 en AB 2 X 5 pendant 5min pour une épaisseur de 2µm.
On souligne que le support sup est placé à quelques millimètres de la source S1 ce qui permet un transfert de chaleur entre les deux entités tout au long de la deuxième sous étape ii.b). De plus, l’apport de matière sublime réchauffe le support sup. Cet échange thermique va augmenter la température réelle T2 de support sup au-delà de la température consigne. Ainsi, la différence de température ΔT va progressivement se réduire pour atteindre une valeur inférieure à 200°C. Cela induit un passage aux conditions d’un dépôt « standard » tel que décrit précédemment, correspondant à un régime permanent d’équilibre thermodynamique.
Ainsi, la troisième sous-étape ii.c) est déclenchée spontanément via le passage du régime transitoire au régime permanent d’équilibre thermodynamique. La troisième sous-étape ii.c) consiste à déposer la couche d’absorption 17 en ABX 3 à partir de la source S1 pendant ledit régime permanent correspondant à un équilibre thermodynamique. Dans ce cas, le support n’est pas chauffé à une température comparable à celle de la source S1. Ainsi, ce mode de réalisation présente l’avantage d’éviter la dégradation des composants du circuit de lecture 12 (températures limites pour les transistors par exemple).
On obtient ainsi à l’issue des sous-étapes ii.a) – ii.c) une structure planaire d’absorption SPA comprenant l’empilement suivant cet ordre : une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3.
Alternativement, la illustre les sous-étapes ii.a’) – ii.c’) selon un deuxième mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. Ce mode réalisation permet aussi de réaliser une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3.
La première sous-étape ii.a’) est identique à la sous-étape ii.a) décrite dans le premier mode de réalisation. La deuxième sous-étape ii.b’) est identique à la sous-étape ii.b) décrite dans le premier mode de réalisation.
La troisième sous-étape ii.c’) consiste à déposer la couche d’absorption 17 en ABX 3 à partir de la source S1. À la différence de la troisième sous-étape ii.c) du premier mode de réalisation, le thermostat T2 est configuré pour commander la seconde température T2 à une valeur inférieure ou égale à la première température T1 de manière à obtenir différence de température ΔT par rapport à la première température T1 strictement inférieure à 200°C, de préférence comprise entre 50°C et 150°C. On se place ainsi dans les conditions d’un dépôt « standard » pour déposer la couche d’absorption 15 en ABX 3 à partir de la source S1 en ABX 3 . Ce mode de réalisation présente l’avantage d’obtenir une structure cristallographique plus robuste de la couche d’absorption 15 par rapport au dépôt à basse température du premier mode de réalisation.
On obtient ainsi à l’issue des sous-étapes ii.a’) – ii.c’) une structure planaire d’absorption SPA comprenant l’empilement suivant cet ordre : une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3.
Alternativement, la illustre les sous-étapes ii.a’’) – ii.e’’) selon un troisième mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption SPA selon l’invention. Ce mode réalisation permet de réaliser une couche d’interface 18 en AB 2 X 5 disposée au dessus de la couche d’absorption 15 en ABX 3 .
La première sous-étape ii.a’’) consiste à monter le support sup au regard de la source S1 d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché CSS. La source S1 est un échantillon en phase pure du ABX 3 . La source S1 est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via le thermostat Th1.
La deuxième sous-étape ii.b’’) consiste à commander la seconde température T2 à une différence de température ΔT par rapport à la première température T) inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption 15 constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source S1. Avantageusement, la différence de température ΔT est comprise entre 50°C et 150°C pour améliorer la robustesse de la structure cristallographique de la couche d’absorption 15 déposée
Ensuite, la troisième sous-étape ii.c’’) consiste à désactiver le dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) et démonter le support sup. Cela est nécessaire pour refroidir le support sup mais aussi la source S1. Il s’agit d’une étape de réinitialisation de l’état thermodynamique du système composé du support, de la source et de la chambre du dispositif de dépôt. La réinitialisation de l’état thermodynamique du système peut se faire en baissant significativement la température à une valeur inférieure à 200°C et/ou en augmentant la pression (dans la chambre du dispositif de dépôt par sublimation pour arrêter la sublimation.
Suite à la sous-étape de refroidissement, la quatrième sous- étape ii.d’’) consiste à remonter le support sup en face de la source S1 dudit dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché CSS afin de déclencher le dépôt de la couche d’interface 18.
la représente une vue schématique d’un guide de brassage et une surface d’échange thermique d’une ailette de refroidissement selon l’invention ;
la représente une vue schématique d’une configuration préférentielle d’une ailette de refroidissement comprenant le guide de brassage ;
la représente une vue du dessus du guide de brassage de l’ailette de refroidissement de la ;
la représente une interface d’inversion de flux selon l’invention ;
la représente une vue du dessus de l’interface d’inversion de flux de la ;
la représente une vue schématique d’une première configuration de positionnement du guide de brassage selon l’invention ;
la représente une vue schématique d’une deuxième configuration de positionnement du guide de brassage selon l’invention ;
la représente une vue schématique d’une troisième configuration de positionnement du guide de brassage selon l’invention ;
la représente une vue schématique d’une quatrième configuration de positionnement du guide de brassage selon l’invention ;
la représente une vue schématique d’une cinquième configuration de positionnement du guide de brassage selon l’invention ;
la représente une vue schématique de l’interface d’inversion de flux générant une rotation du flux ;
la est une représentation spatiale du déplacement de deux fluides caloporteurs traversant l’ailette de refroidissement selon un premier modèle ;
la est une représentation spatiale du déplacement des deux fluides caloporteurs traversant l’ailette de refroidissement selon un deuxième modèle ;
la est une représentation spatiale du déplacement de deux fluides caloporteurs traversant l’ailette de refroidissement selon un troisième modèle ;
la est une représentation spatiale du déplacement de deux fluides caloporteurs traversant l’ailette de refroidissement selon un quatrième modèle.
D’une manière générale, le substrat ici présenté a pour vocation de porter des composants microélectroniques durant différentes étapes de leur fabrication. Après la fabrication des composants, le substrat est divisé en autant de parties que de dispositifs microélectroniques à former à partir des composants. Cependant, grâce à invention, cette division est facilitée par la structure du substrat. En effet, des tranchées sont préalablement formées de sorte que, lorsque le substrat est utilisé pour fabriquer les composants, elles sont déjà en place. En fin de procédé, les tranchées servent de zones de division des dispositifs microélectroniques. Alors que la phase de singularisation des dispositifs est habituellement perçue comme une étape intégralement postérieure à la fabrication des composants sur le substrat, la présente structure de substrat combat ce préjugé en anticipant cette singularisation par une fabrication des tranchées en amont de celle des composants.
Également, la taille des tranchées est potentiellement très faible en largeur, si bien que l’espace occupé par cette partie de singularisation peut être largement diminuée en comparaison aux techniques actuelles.
Selon un exemple, au moins la paroi de fond et la paroi latérale des tranchées sont en matériau diélectrique. Les parois en matériaux diélectriques étant formées au préalable, elles permettent une bonne isolation et/ou passivation des tranchées et peuvent notamment être mises en œuvre par des procédés à températures élevées (en particulier des recuits d’oxydation thermique) sans impact sur les composants qui ne sont pas encore formés.
Un deuxième aspect concerne un procédé de fabrication du substrat selon le premier aspect, comprenant : une fourniture d’un sous-substrat support comprenant au moins une première couche à base d’un matériau semi-conducteur, le sous-substrat support présentant une surface exposée , une gravure d’une pluralité de tranchées de sorte que les tranchées s’étendent suivant une dimension en épaisseur du substrat depuis la surface exposée sur une portion de la première couche, chaque tranchée étant délimitée par une paroi latérale et une paroi de fond enterrée dans le première couche, les tranchées formant un contour fermé autour d’au moins une zone individuelle de formation de composants microélectroniques, une fourniture d’un sous-substrat donneur comprenant une couche superficielle présentant une surface exposée, un assemblage du sous-substrat support et du sous-substrat donneur par leurs surfaces exposées de façon à recouvrir les tranchées, chaque tranchée étant alors délimitée par la paroi latérale, la paroi de fond, et une paroi supérieure opposée à la paroi de fond.
Ce procédé permet ainsi la fabrication du substrat qui pourra ensuite servir à obtenir les dispositifs microélectroniques, en les individualisant . Ce procédé présente les effets et avantages décrits relativement au premier aspect.
Un troisième aspect concerne un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique comprenant : une fourniture d’un substrat présentant une surface exposée avant et une surface exposée arrière , un amincissement de la première couche depuis la face arrière jusqu’à ouvrir les tranchées.
Ce procédé permet avantageusement in fine de séparer les dispositifs microélectroniques. Par cet amincissement ou au moins en partie grâce à lui, le procédé permet d’individualiser chaque dispositif.
La représente une vue en coupe transversale d’un substrat portant une pluralité de composants destinés à former des dispositifs microélectroniques selon un mode de réalisation.
La représente une vue en coupe transversale d’un substrat portant une pluralité de composants destinés à former des dispositifs microélectroniques selon un autre mode de réalisation.
La représente une vue partielle selon la coupe AA des deux figures précédentes.
La montre un exemple de résultat d’individualisation de dispositifs microélectroniques à partir d’un substrat selon la .
Les figures 4A à 4E représentent des vues en coupe transversale d’étapes du procédé de fabrication du substrat selon des exemples de réalisation.
Les figures 5A et 5B présentent des étapes ultérieures du procédé de fabrication du substrat selon des exemples de réalisation.
Les figures 6A à 6E illustrent des étapes successives allant de la fabrication de composants sur le substrat jusqu’au report du substrat sur un support.
Les figures 7A et 7B représentent une alternative à l’enchaînement représenté entre les figures 6A et 6B.