INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un dispositif selon l'invention peut en outre comporter un système de localisation du gant ou de la mitaine ou de la moufle selon l’invention. Le gant ou la mitaine ou la moufle comportant au moins une balise de positionnement, de préférence de type UWB, ce système comportant en outre au moins une balise pour former un point d’ancrage.
Un tel système peut comporter en outre :
- des moyens pour estimer une position de ladite balise ;
- et/ou au moins 3 balises supplémentaires pour former au moins 3 points d’ancrage.
- et/ou des moyens mettant en œuvre une technique de positionnement par trilatération.
- et/ou des moyens mettant en œuvre une technique de type « Two Way Ranging » (ou mesure en « temps de vol bidirectionnel ») entre au moins 2 balises.
Un dispositif selon l'invention peut en outre comporter des moyens de traitement de données fournies par un ou plusieurs capteurs, ces moyens étant avantageusement eux aussi intégrés dans le gant ou dans la mitaine ou dans la moufle, au sens expliqué ci-dessus ; de tels moyens :
- peuvent être programmés pour effectuer au moins une partie des calculs pour traiter et/ou exploiter lesdites données ;
- et/ou sont ou comportent par exemple un processeur ou un microcontrôleur, programmé pour les opérations de traitement et/ou d’exploitation de données qu’il doit réaliser ;
- et/ou comportent des moyens de communication sans fil (par exemple par communication radio ou bluetooth) avec un récepteur distant, par exemple un ordinateur ou un microordinateur, lequel peut, lui aussi, comporter des moyens pour, et/ou être programmé pour, traiter et/ou analyser tout ou partie des données reçues.
L’invention concerne également un système de reconnaissance de geste, comportant :
- un dispositif de type gant ou mitaine ou moufle selon l’invention,
- des moyens pour comparer le résultat d’au moins une mesure de distance et/ou d'écartement entre deux doigts ou entre 2 compartiments entre un doigt et un compartiment du gant ou de la mitaine ou de la moufle et des valeurs préalablement mémorisées et pour identifier un geste sur la base de cette comparaison ; de tels moyens sont par exemple dans le gant ou la mitaine ou la moufle (ils peuvent faire partie des moyens de traitement de données mentionnés ci-dessus) ou bien être des moyens distants auxquels au moins une partie des données mesurées est envoyée, de préférence par liaison sans fil comme expliqué ci-dessus.
L’invention concerne également un procédé d’identification de la distance et/ou l'écartement entre deux doigts entre 1 doigt et 1 compartiment entre 2 compartiments d’un dispositif de type gant ou mitaine ou moufle, par exemple un dispositif de type gant ou mitaine ou moufle selon l’invention telle que décrite ci-dessus et/ou dans la suite de la présente demande, ce dispositif ou ce gant ou cette mitaine ou cette moufle comportant, ou étant muni(e) de, au moins, 2 bobines inductives, l’une située sur ou dans un premier doigt ou 1 premier compartiment du gant ou de la mitaine ou de la moufle, un compartiment pouvant accueillir au moins 2 doigts d’un utilisateur, et l’autre bobine située sur ou dans un 2 e doigt ou un 2 e compartiment du gant ou de la mitaine de la moufle, par exemple au niveau des phalanges, ce procédé comportant :
- générer un courant alternatif dans une des bobines, dite bobine émettrice ;
Lorsque qu'une étiquette (1) de ce type présente un QR code (2), les dimensions de ce dernier sont donc limitées par les dimensions de l'étiquette. En revanche, le contenu du QR code (2) dépend de l'information codée.
En l'espèce, plus un QR code (2) doit coder d'information, plus il doit comprendre de modules-carrés (ou pixels). Il s’ensuit que pour un QR code (2) de dimension imposée, plus la quantité d'informations à coder est importante, plus la dimension des pixels du QR code (2) est petite.
Il peut donc y avoir une incompatibilité entre la résolution nécessaire du QR code (2) (basée sur sa dimension maximale et sur la quantité d'informations à coder) ; par rapport à la résolution du tissage Jacquard (qui est définie par la contexture et par le titrage des fils utilisés) : - Utiliser des fils trop gros ne permet pas d'obtenir la résolution nécessaire pour tisser le code (2). - Utiliser une contexture trop lâche fournit un tissu souple sur lequel le QR code (2) peut être déformé et donc peu lisible. - Tisser des pixels de trop petite taille implique des croisements de fils trop nombreux, trop denses, de sorte que le tissu peut être déformé lors du tissage, ce qui complique la lisibilité du code. Ou encore, l'étiquette (1) peut ne pas être tissable car il y a des bourrages sur le métier à tisser.
L'invention réside essentiellement dans l'adéquation trouvée entre le titrage des fils et la contexture de l'étiquette.
Dans le premier mode de réalisation : - la densité de fils en chaîne de l’étiquette (1) est comprise entre 38 et 70 fils par cm ; - les fils de chaîne de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 55 et 105 dtex ; - la densité de fils en trame de l’étiquette (1) est comprise entre 65 et 120 fils par cm ; - les fils de trame de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 20 et 65 dtex. En particulier les fils de trame peuvent comprendre des fils de fond et des fils de broché de titrages différents, sélectionnés parmi : - des premiers fils, de titrage compris entre 20 et 40 dtex ; et - des seconds fils, de titrage compris entre 35 et 65 dtex.
Dans le second mode de réalisation : - la densité de fils en chaîne de l’étiquette (1) est comprise entre 75 et 140 fils par cm ; - les fils de chaîne de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 40 et 72 dtex ; - la densité de fils en trame de l’étiquette (1) est comprise entre 55 et 105 fils par cm ; - les fils de trame de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 20 et 100 dtex. En particulier les fils de trame peuvent comprendre des fils de fond et des fils de broché de titrages différents, sélectionnés parmi : - des premiers fils, de titrage compris entre 20 et 40 dtex ; et - des seconds fils, de titrage compris entre 35 et 65 dtex ; et - des troisièmes fils, de titrage compris entre 55 et 100 dtex.
Le choix d’un mode ou de l’autre est principalement basé sur la gamme de densité de fil de chaîne désirée, qui impose une construction particulière du métier à tisser (taille et disposition de la mécanique Jacquard, position des lisses, linéature du peigne, préparation de l’ensouple).
La sélection de la gamme de densité de fils de chaîne permet d’obtenir des contextures du tissage plus ou moins serrées. La sélection des autres paramètres (titrage en chaîne et trame, densité en trame) est effectuée ensuite.
De tels choix de contexture et de titrage fournissent un tissu suffisamment rigide pour rassurer la lisibilité du code, et présente une résolution adaptée au tissage de QR code.
Avantageusement, la construction du premier mode de réalisation est réalisée selon les sélections préférées suivantes : - la densité de fils en chaîne de l’étiquette (1) est comprise entre 45 et 65 fils par cm, ou entre 50 et 60 fils par cm, ou entre 52 et 57 fils par cm, et vaut par exemple 54 fils/cm ; - les fils de chaîne de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 65 et 95 dtex, ou entre 72 et 88 dtex, ou entre 76 et 84 dtex et vaut par exemple 80 dtex ; - la densité de fils en trame de l’étiquette (1) est comprise entre 75 et 110 fils par cm ou entre 83 et 100 fils par cm, ou entre 87 et 97 fils par cm, et vaut par exemple 92 fils/cm ; - les fils de trame de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 25 et 60 dtex, ou entre 27 et 55 dtex, ou entre 29 et 53 dtex, et vaut par exemple 50 dtex. En particulier les fils de trame peuvent comprendre des fils de fond et des fils de broché de titrages différents, sélectionnés parmi : - des premiers fils, de titrage compris entre 24 et 36 dtex, ou entre 27 et 33 dtex, ou entre 29 et 32 dtex, et valant par exemple 30 dtex ; et - des seconds fils, de titrage compris entre 40 et 60 dtex, ou entre 45 et 55 dtex, ou entre 48 et 53 dtex, et valant par exemple 50 dtex.
Avantageusement, la construction du second mode de réalisation est réalisée selon les sélections préférées suivantes : - la densité de fils en chaîne de l’étiquette (1) est comprise entre 86 et 130 fils par cm, ou entre 97 et 120 fils par cm, ou entre 103 et 113 fils par cm, et vaut par exemple 108 fils/cm ; - les fils de chaîne de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 44 et 66 dtex, ou entre 50 et 60 dtex, ou entre 52 et 58 dtex et vaut par exemple 55 dtex ; - la densité de fils en trame de l’étiquette (1) est comprise entre 64 et 96 fils par cm ou entre 72 et 88 fils par cm, ou entre 76 et 84 fils par cm, et vaut par exemple 80 fils/cm ; - les fils de trame de l’étiquette (1) ont un titrage compris entre 24 et 90 dtex, ou entre 27 et 84 dtex, ou entre 29 et 80 dtex, et vaut par exemple 50 dtex. En particulier les fils de trame peuvent comprendre des fils de fond et des fils de broché de titrages différents, sélectionnés parmi : : - des premiers fils, de titrage compris entre 24 et 36 dtex, ou entre 27 et 33 dtex, ou entre 29 et 32 dtex, et valant par exemple 30 dtex ; et - des seconds fils, de titrage compris entre 40 et 60 dtex, ou entre 45 et 55 dtex, ou entre 48 et 53 dtex, et valant par exemple 50 dtex ; et éventuellement - des troisièmes fils, de titrage compris entre 60 et 90 dtex, ou entre 68 et 84 dtex, ou entre 72 et 80 dtex, et valant par exemple 76 dtex.
Dans un mode de réalisation particulier, l'étiquette (1) est à données variables. Cela signifie qu’au sein d'un même lot de fabrications d'étiquettes, toutes ne présentent pas le même code. Cela est utilisé dans plusieurs situations : - Sérialisation d’étiquette (1) à code (2) unique, de manière à pouvoir être utilisée dans des applications traçabilité ou d'authentification ; - Traçabilité de lots de fabrications, dans lesquels plusieurs étiquettes (1) présentent un code (2) identique et correspondant à une famille d'articles, par exemple un même modèle de vêtement (modèle, couleur, taille).
Des exemples de lots de fabrication d’étiquettes à données variables sont donnés ci-après.
Le tableau 1 illustre le principe d’un lot de fabrication dans lequel chaque étiquette (1) présente en identifiant unique (ici composé de huit caractères alphanumériques).
Incrément Identifiant 1 BMPRPQBY 2 4AT3ZYZM 3 JD7PFAQ7 4 YEQDN7F3 5 NBDEE39B 6 5RZBCP5B 7 1PFQE6E6 8 Z51W0Z0A 9 YDU73UUG 10 543FND1D
Le tableau 2 illustre le principe d’un lot de fabrication dans lequel chaque étiquette (1) présente une adresse Internet (« URL » selon l’anglais « Uniform Ressource Locator »). En particulier, chaque URL est unique.
L’amplificateur opérationnel AOP présente une tension continue de décalage Vos (en anglais « offset »). Cette tension de décalage Vos impacte la tension de référence VREF générée en sortie du circuit générateur de tension de référence BDGP.
Le circuit générateur de tension de référence BDGP est configuré pour ajuster le courant injecté dans le transistor bipolaire Q2 pour limiter l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP sur la tension de référence VREF.
En particulier, le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend plusieurs branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3. Ces branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 sont parallèles les unes par rapport aux autres entre l’alimentation et l’émetteur du transistor bipolaire Q2. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré à la , le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend trois branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3. Néanmoins, il est possible de prévoir un circuit générateur de tension de référence comprenant plus ou moins de branches de recopie de courant. Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend notamment un nombre de branches de recopie de courant correspondant au nombre de modes de fonctionnement du microcontrôleur MCU.
Chaque branche de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 comprend un transistor M3, M4, M5 de type PMOS. Ainsi, une première branche de recopie de courant BRCH1 comprend un transistor M3 de type PMOS, la deuxième branche de recopie de courant BRCH2 comprend un transistor M4 de type PMOS et la troisième branche de recopie de courant BRCH3 comprend un transistor M5 de type PMOS.
Les transistors M3, M4, M5 présentent chacun une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel AOP de manière à recevoir le signal Pg généré par l’amplificateur opérationnel AOP, une source configurée pour recevoir une tension VDD et un drain connecté à l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP et à l’émetteur du deuxième transistor bipolaire Q2.
De préférence, les transistors M1, M2, M3, M4 et M5 sont identiques.
Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend également un élément capacitif CC entre l’alimentation et les grille des transistors M3, M4 et M5. L’élément capacitif CC permet d’assurer une stabilité du circuit générateur de tension de référence BDGP.
En outre, les branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 sont connectées à l’émetteur du transistor Q2 par l’intermédiaire de commutateurs INT1, INT2, INT3. Ces commutateurs sont commandés par l’unité de contrôle UC. Les commutateurs INT1, INT2, INT3 sont commandés par l’unité de contrôle UC de manière à ajuster la quantité de courant injecté au travers du transistor bipolaire Q2.
En particulier, le courant injecté au travers du transistor bipolaire Q2 s’exprime selon la formule suivante :
, où est la différence de tensions entre la tension au travers du transistor Q1 et la tension au travers du transistor Q2, Vos est la tension de décalage de l’amplificateur opérationnel AOP, R1 est la valeur résistive de la résistance R1, k B est une constante est la constante de Boltzmann, q est la charge d’un électron, T est la température, N correspond au rapport entre la taille des transistors bipolaires Q1 et Q2, et M est le nombre de branches de recopie de courant parallèles utilisées pour injecter du courant au travers du transistor bipolaire Q2 (en fonction des commutateurs INT1, INT2, INT3 fermés). Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 1, M est compris entre 0 et 3.
La tension de référence VREF générée par le circuit générateur de tension de référence BDGP s’exprime alors par l’expression :
, où Vd est la tension de diode du transistor bipolaire Q2, R2 est la valeur résistive de la résistance R2.
L’augmentation du nombre M de branches de recopie de courant connectées au transistor Q2 permet d’injecter plus de courant au travers du transistor bipolaire Q2 de façon à augmenter la différence de tensions ΔVbe pour réduire l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP.
La différence de tensions est proportionnelle à la température absolue (désignée par l’acronyme « PTAT » de l’anglais « proportional to absolute temperature ») et la tension de diode est complémentaire à la température absolue (désignée par l’acronyme « CTAT » de l’anglais « complementary to absolute temperature »)
Afin de maintenir la tension de référence indépendante de la température absolue lorsque le nombre M de branches de recopie de courant utilisées pour injecter du courant au travers du transistor bipolaire Q2 varie, l’unité de contrôle est configurée pour adapter la valeur du rapport en fonction du nombre M de branches de recopie de courant en adaptant la valeur résistive des résistances R1 et R2.
En particulier, les commutateurs INT1, INT2, INT3 permettent de définir différentes configurations en faisant varier le nombre M de branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 utilisées pour injecter du courant au travers du transistor bipolaire Q2. Chacune de ces configurations est associée à un couple de valeurs résistives des résistances R1 et R2 permettant de maintenir la tension de référence indépendante de la température absolue. L’unité de contrôle UC est configurée pour adapter les valeurs résistives RV des résistances en fonction de la configuration choisie à l’aide des commutateurs INT1, INT2, INT3.
Autrement dit, l’élément d’injection 120.1a1 correspond à un ensemble de positions d’injection en Y correspondant au moins partiellement à un ensemble de positions d’injection en Y de l’élément d’injection 120.1b10.
Dans l’exemple illustré sur la , N1 est égal à N2, et pour chaque élément d’injection d’indice i du premier ensemble 120a, i étant compris entre 1 et 10 (égal N1 et N2), la longueur Lh de l’élément d’injection d’indice i, est égale à la longueur Lh de l’élément d’injection d’indice N1-i (ou N2-i) du deuxième ensemble 120b. Autrement dit, le deuxième ensemble 120b est obtenu par symétrie centrale du premier ensemble 120a par rapport au centre de la nappe de guidage 110.
De manière plus générale, pour réduire au maximum les pertes en matériau lors de la fabrication du guide de lumière 105, le premier ensemble 120a et le deuxième ensemble 120b peuvent être tels que: chaque élément d’injection du premier ensemble 120a est en regard d’un élément d’injection du deuxième ensemble 120b, formant ainsi une paire d’éléments d’injection; et la somme des longueurs Lh des éléments d’injection d’une paire, est constante quelle que soit la position en Y considérée.
La nappe de guidage 110 peut alors comprendre une zone d’émission lumineuse 111.1 telle que précédemment décrite, ainsi qu’une première zone non gravée 111.2a, ou première zone de mixage 111.2a, en regard de la première tranche d’injection 114a, et une deuxième zone non gravée 111.2b, ou deuxième zone de mixage 111.2b, en regard de la deuxième tranche d’injection 114b.
La illustre le guide de lumière 105 de la avec deux ensembles d’injection 120a et 120b, lorsque les éléments d’injection sont pliés, avec des sources de lumière 130a et 130b respectives.
Les éléments d’injection du premier ensemble 120a sont ainsi pliés dans un premier sens selon la direction Y, et les éléments d’injection du deuxième ensemble 120b sont pliés dans un second sens selon la direction Y, opposé au premier sens.
Une surface d’entrée du premier ensemble 120a est ainsi en regard d’une première source de lumière 130a et une surface d’entrée du deuxième ensemble 120b est en regard d’une deuxième source de lumière 130b.
La illustre un système de fabrication d’un guide de lumière 105 pour module lumineux 100 selon des modes de réalisation de l’invention.
Le système 800 est apte à fabriquer une série de guides de lumière 105 à partir d’un rouleau de matériau 820, du même matériau et de la même épaisseur que le film flexible 111 précédemment décrit. Le rouleau de matériau 820 peut par ailleurs être recouvert d’une couche de colle, en silicone ou acrylique, non représentée sur la .
Le système 800 comprend à cet effet un tapis 801 sur lequel est disposé le rouleau de matériau 820, le tapis étant entraîné en translation par un premier dispositif d’entraînement 802.
Le système comprend en outre au moins un dispositif apte à former des microstructures dans une première partie du rouleau de matériau 820, les microstructures étant formées en fonction d’un motif lumineux prédéterminé. Aucune restriction n’est attachée à la manière dont les microstructures sont formées dans la première partie. Des exemples de techniques de formation de microstructures ont été données précédemment. Le procédé de fabrication est décrit dans le cadre d’une technique donnée à titre illustratif uniquement.
Selon cette technique, le dispositif apte à former les microstructures comprend: un masque 811, comprenant un ensemble de picots répartis en fonction du motif à réaliser sur la nappe de guidage 110 de chacun des guides de lumière 105 produits en série. Les picots sont aptes à percer la couche de colle qui recouvre le rouleau 820 à des positions données déterminées en fonction du motif. Ainsi, le masque 811 est dédié à la fabrication de guides de lumière 105 produisant un motif lumineux donné. Le masque 811 est en circuit fermé et a ainsi une longueur donnée. Le masque 811 est agencé sur un deuxième dispositif d’entraînement 812. Le premier dispositif d’entraînement 802 et le deuxième dispositif d’entraînement 812 sont agencés de manière à exercer une pression mécanique entre le masque 811 et une partie du rouleau 820. La pression mécanique est telle que les picots du masque 811 percent certaines positions de la partie du rouleau 820; un dispositif d’irradiation UV 830 du système 800 apte à soumettre la première partie à laquelle le masque a été appliqué, à une irradiation UV.
Les microstructures 113 précédemment décrites sont ainsi formées aux positions définies par les picots du masque 811. Les microstructures sont formées dans la zone d’émission lumineuse 111.1 du guide de lumière 115.
Les zones du rouleau 820 correspondant aux zones 111.2a et 111.2b ainsi qu’aux premier et deuxième ensembles d’injection 120a et 120b sont prévues sur le masque 811 qui ne comprend aucun picot dans ces zones, puisqu’elles ne sont pas destinées à renvoyer des rayons lumineux.
D’autres techniques de formation des microstructures peuvent être prévues, comme décrit précédemment. En particulier, d’autres techniques rouleau à rouleau peuvent être utilisées pour former les microstructures.
Le système 800 comprend en outre au moins un dispositif de découpe 840 apte à découper les bords obliques de chaque guide de lumière 105, comme il sera mieux compris à la lecture de la description de la , ainsi que les séparations entre les éléments d’injection de chaque ensemble d’injection 120a et 120b par une découpe selon l’axe X.
illustre une vue partielle et de face des éléments d’un guide de lumière pour module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention;
illustre une vue de face d’un ensemble d’injection de guide de lumière pour module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention;
illustre une vue de face d’un guide de lumière pour module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention;
illustre une vue de face du guide de lumière selon la ;
illustre un système de fabrication d’une série de guides de lumière pour module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention;
illustre une série de guides de lumière produite par le système de fabrication selon des modes de réalisation de l’invention;
illustre les étapes d’un procédé de fabrication d’un guide de lumière pour module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention.
La description se concentre sur les caractéristiques qui démarquent le module lumineux et le guide de lumière de ceux connus dans l’état de l’art.
Le guide de lumière 105 comprend une nappe de guidage flexible 110 apte à recevoir des rayons lumineux par au moins deux tranches d’injection de lumière 114 et à renvoyer les rayons lumineux dans une direction Z sensiblement normale à une surface de la nappe de guidage flexible qui s’étend ainsi dans un plan X-Y sur la . Une seule tranche d’injection est représentée sur la , pour en simplifier l’exposé.
On entend par nappe de guidage un élément de guidage optique dont l’une des dimensions est très inférieure aux deux autres dimensions dans l’espace, par exemple inférieure d’un ou plusieurs ordres de grandeur. Comme illustré sur la , on considère ici une nappe de guidage flexible 110 dont l’épaisseur selon l’axe Z est inférieure d’au moins deux ordres de grandeur à ses dimensions selon le plan X-Y dans lequel la nappe de guidage flexible 110 s’étend.
Le film flexible 111 peut être un film de substrat en polycarbonate, PC, en polyméthacrylate de méthyle, PMMA, en polyuréthane thermoplastique, TUP, ou en polytéréphtalate d’éthylène, PET. Le film flexible 111 peut avoir une épaisseur, soit une dimension selon l’axe Z, comprise entre 12 et 1000 micromètres. Plus précisément, l’épaisseur du film flexible 111 peut être comprise entre 25 et 1000 micromètres, notamment entre 50 et 1000 micromètres, par exemple entre 200 et 500 micromètres. En variante, c’est la nappe de guidage flexible 110 qui a une épaisseur comprise entre 200 et 1000 micromètres.
La rainure d’accrochage 404 est de préférence placée de sorte que le point P par lequel elle passe, se trouve sensiblement en son milieu, par exemple entre 40% et 60% de la longueur Lo