INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de mise en œuvre, les moyens d’alignement associés à une cavité d’alignement sont logés dans une cavité, dite cavité annexe débouchant par la première face, directement au contact de la cavité d’alignement par un coin dit premier coin formé entre les deux premières faces internes, l’élément de poussée débouchant par le premier coin et étant agencé pour exercer l’effort de poussée contre la première arrête.
Selon un mode de mise en œuvre, ledit dispositif d’alignement comprend également un premier insert et un deuxième insert, le premier insert et le deuxième insert présentant chacun une forme d’équerre, le premier insert étant mécaniquement solidaire de l’élément de poussée, le deuxième insert étant mécaniquement solidaire des deuxièmes parois internes, le premier insert et le deuxième insert ménageant un espace permettant de loger un empilement.
Selon un mode de mise en œuvre, les butées d’alignement sont solidaires de la deuxième plaque et en projection par rapport au fond d’alignement, de sorte que le déplacement de la première plaque par rapport à la deuxième plaque, de la première position vers la deuxième position, provoque le basculement des moyens d’alignement de leur position de désengagement vers leur position d’engagement, tandis que le déplacement de la première plaque par rapport à la deuxième plaque de la deuxième position vers la première position provoque le basculement des moyens d’alignement de leur position d’engagement vers leur position de désengagement.
Selon un mode de mise en œuvre, les butées d’alignement sont portées par les deuxièmes faces internes, et le dispositif d’alignement comprend en outre des taquets en projection par rapport au fond d’alignement et destinés à coopérer avec les moyens d’alignements par déplacement relatif de la deuxième plaque par rapport à la première plaque.
Selon un mode de mise en œuvre, les taquets sont agencés pour que le déplacement relatif de la première plaque de la deuxième position vers la première position positionne les moyens d’alignement dans leur position de désengagement et pour que le déplacement relatif de la première plaque de la première position vers la deuxième position positionne les moyens d’alignement dans leur position d’engagement.
La est une représentation schématique d’une cavité de centrage dans laquelle sont disposés une cale et un capteur d’image en recouvrement d’une face support de ladite cale, la cavité de centrage étant une cavité connue de l’état de la technique ;
La est une représentation en perspective d’un exemple de dispositif d’alignement conforme aux principes de la présente invention, notamment le dispositif d’alignement est représenté par sa première face ;
La est une représentation schématique d’une cavité d’alignement du dispositif d’alignement représenté à la ;
La est une représentation schématique d’un empilement mis en œuvre dans le cadre de la présente invention ;
les mésas comprenant la couche la couche de GaN porosifiée 104’, la couche de GaN dopée 105, les puits quantiques 106, la couche de GaN dopée p 107, l’électrode inférieure (ou anode) 202 et une partie du substrat support 201,
- une électrode supérieure 301 (ou cathode) formée d’une couche d’oxyde transparent conducteur, de préférence une couche d’oxyde d’indium étain, recouvrant les mésas,
- éventuellement, par une couche d’encapsulation 302 et une couche anti-reflet 303.
Comme mentionnée, la couche de GaN 104’ des mésas peut être complètement porosifiée ou partiellement porosifiée.
Avantageusement, la couche de GaN 104’ des mésas comprend une partie centrale non porosifiée 110 et un pourtour porosifié.
La partie centrale peut être faiblement dopée ou fortement dopée.
L’approche est particulièrement intéressante :
- pour des structures dont la couche de GaN est recouverte et en contact avec une électrode transparente puis par une couche d’encapsulation (le GaN ayant un indice optique proche de celui de l’électrode transparente)
- pour des structures où le contact de l’électrode est un contact latéral et où la couche de GaN est recouverte et en contact avec la couche d’encapsulation (le GaN ayant un indice optique proche de celui de la couche d’encapsulation).
Dans tous les cas l’uniformité de l’émission dans l’encapsulation se retrouve dans l’air grâce soit à une structuration qui casse l’effet cavité, soit par l’ajout d’une couche anti-reflet qui permet à la lumière émise dans la couche d’encapsulation, notamment en SiN, de passer directement dans l’air sans de nouveau interagir avec l’empilement de la structure.
Exemples comparatifs et exemples illustratifs et non limitatifs de différents modes de réalisation :
E xemple 1 : exemple comparatif avec une structure LED recouverte d’ITO et de SiN :
Dans ce premier exemple illustratif, l’empilement LED étudié comprend successivement ( ) : une couche d’aluminium 202, une couche dopée p 107, des puits quantiques 106, une couche de GaN dopée n 105 d’indice optique 2,4, une couche d’oxyde transparent conducteur 301 en ITO d’indice optique 1,91 et une couche d’encapsulation 302 en SiN d’indice optique 1,95.
La simulation de la luminance à 0° (dans l’axe perpendiculaire au plan du de la structure) dans le SiN en fonction de l’épaisseur de n-GaN ( ) montre que la luminance dépend très fortement des variations de l’épaisseur GaN.
Exemple 2 : exemple illustratif avec une structure LED recouverte d’ITO et de SiN :
Dans cet exemple, l’empilement LED étudié comprend successivement ( ) : une couche d’aluminium 202, une couche dopée p 107, des puits quantiques 106, une couche de GaN dopée n 105 d’indice optique 2,4, une couche de GaN poreuse 104’ d’indice optique 1,9, une couche d’oxyde transparent conducteur 301 en ITO d’indice optique 1,91 et une couche d’encapsulation 302 en SiN d’indice optique 1,95. Par rapport à l’exemple précédent, une couche de GaN poreux a été ajoutée. L’épaisseur de GaN non porosifié est choisie de manière à être à un maximum d’extraction.
De préférence, le recuit de stabilisation E16 est réalisé à une température T2 comprise entre 500°C et 900°C. En particulier, la température T2 utilisée pour réaliser le recuit de stabilisation E16 peut être avantageusement fixée dans le même domaine de températures que la température T1 utilisée pour le recuit principal E14, i.e. entre 750°C et 900°C. La température T2 peut être en outre ajustée en fonction de la couche de substrat 10.1 servant de support dans l’empilement épitaxial 1a.
Un avantage du recuit de stabilisation E16 est qu’il permet de stabiliser efficacement la surface de la couche cap 19 en AlO polycristallin et/ou amorphe, tout en réduisant le nombre de sites de piégeage dans l’hétérostructure, en particulier dans la couche de barrière 14 et/ou dans la couche cap 19, ainsi qu’aux interfaces (e.g. à l’interface entre la couche de barrière 14 de la couche cap 19).
Ainsi, l’empilement épitaxial 1a tel qu’obtenu à l’issue de l’étape de recuit de stabilisation E16 présente une couche cap 19 de stabilité mécanique renforcée et limitant encore plus les effets de piégeage de charges électriques.
Le procédé E100 comprend, après l’étape d’oxydation E14 ou bien le recuit de stabilisation E16 lorsque présent, un recuit d’optimisation E18 lors duquel l’empilement épitaxial 1a est chauffé dans une atmosphère sous vide, c’est-à-dire présentant une pression inférieure ou égale à 10 -6 Torr. De préférence, le recuit d’optimisation E18 est réalisé à une température T3 inférieure à 550°C. Un avantage du recuit d’optimisation E18 est de stabiliser les propriétés de transport électronique dans la couche de canal 14, en particulier dans le gaz d’électrons à deux dimensions 16, notamment en ramenant la densité de porteurs de charges (e.g. trous, électrons), la mobilité et la vitesse de saturation des électrons, à sa valeur avant oxydation. Autrement dit, l’oxydation E14 réduit cette densité et le recuit d’optimisation E18 permet d’augmenter cette densité pour atteindre une densité environ équivalente à celle présente dans l’empilement épitaxial avant de l’introduire dans le four pour effectuer l’oxydation E14.
A l’issue du recuit d’optimisation E18, la couche cap 19 est adaptée pour être connectée à une grille de transistor sans risque de provoquer des courants de fuite. En outre, la couche cap 19 réduit fortement les effets de piégeage en fonction des champs électriques et/ou des températures mises en œuvre pour la fabrication d’un transistor.
Comme décrit ci-dessus, les domaines de températures utilisés pour les trois étapes de recuits E14, E16, E18 sont peu élevés par rapport aux températures d’épitaxie, de sorte que le risque de détérioration de la couche de barrière et/ou de canal est réduit.
La illustre un exemple d’un procédé selon l’invention E300 de fabrication d’un transistor 32, associée à une représentation schématique des états intermédiaires du transistor 32 obtenus à différentes étapes du procédé. Le transistor 32 est par exemple un MOSHEMT et dispose d’un gaz d’électrons à deux dimensions 16 avec une densité d’électrons telle que le transistor présente une fréquence de coupure supérieure ou égale à 200 GHz.
Le procédé E300 comprend tout d’abord une étape d’obtention d’un empilement épitaxial selon l’invention, par exemple celui décrit en référence à la . L’étape d’obtention comporte par exemple la mise en œuvre du procédé E100 décrit en référence à la .
Le procédé E300 comprend en outre une étape E32 de connexion de contacts ohmiques, par exemple métallique, à savoir une source S, un drain D et une grille G à l’empilement épitaxial 1a. La source S et le drain D sont formés à distance l’un de l’autre, et de manière à atteindre chacun le gaz d’électrons à deux dimensions 16. La grille G est formée de manière à être en contact avec la couche cap 19.
Afin que la source S et le drain D atteignent le gaz d’électrons à deux dimensions 16, l’étape E32 comprend par exemple une gravure de la couche cap 19. Cette gravure peut être effectuée à deux extrémités de la couche cap 19, à l’endroit où la source S et le drain D doivent être implantés, comme illustré sur la . De préférence, la gravure est mise en œuvre par un procédé de gravure à faisceaux d’électrons (de l’anglais « ion beam etching ») ou un procédé de gravure à plasma conventionnel, par exemple couplée par induction (de l’anglais « inductively coupled plasma etching ») en présence de chlore.
La source S et le drain D peuvent être formés par recroissance épitaxiale, ou dopage par implantation localisée et/ou gravure et recuit rapide de la couche de barrière 14. La source S et le drain D sont ensuite chauffés, de manière à activer la connexion électrique entre eux et le gaz d’électrons à deux dimensions 16.
Ainsi, à l’issue de l’étape E32, la couche cap en AlO polycristallin et/ou amorphe 19 s’étend entre la source S et le drain D et la grille G est fixée directement sur la couche cap 19, comme illustré sur la .
La grille G comporte un corps principal G1 (également appelé « chapeau de grille ») et un connecteur de grille G2 (également appelé « pied de grille ») sous forme d’une tige s’étendant depuis le chapeau de grille G1 jusqu’à une face supérieure de la couche cap 19 (cette face supérieure s’étendant à l’opposé de la couche de barrière 14). Pour atteindre des fréquences de fonctionnement élevées, le rapport entre la largeur L du pied de grille G2 et la distance d entre le pied de grille G2 et le plan de gaz d’électrons 16 sera de préférence le plus petite possible. En outre, toujours pour atteindre des fréquences de fonctionnement élevées, la distance L’ entre le chapeau de grille G2 et le plan de gaz d’électrons 16 sera de préférence la plus grande possible.
Le procédé E300 peut en outre comprendre une étape optionnelle d’optimisation E34, lors de laquelle l’épaisseur E de la couche cap 19 est réduite (i.e. ramenée à une épaisseur E’ telle que E’<E) en supprimant une partie de cette couche cap 19, sauf au contact du pied de grille G2.
La réduction d’épaisseur de la couche cap 19 permet de réduire les effets de piégeage en présence d’une champ électrostatique, tels que décrits précédemment.
Par exemple, la réduction de l’épaisseur de la couche cap 19 peut être réalisée par un procédé conventionnel de gravure (de l’anglais « etching ») humide.
En effet, pour mémoire, le présent dispositif 1 de studio vidéographique, miniaturisé, selon l’invention, trouvera une application particulièrement intéressante dans le domaine de la vidéographie culinaire mais aussi de la photographie culinaire ou d'artisanat.
En particulier, les caractéristiques et la conception spécifique dudit dispositif 1, et notamment la présence du plateau rotatif 7 au centre ou sensiblement au centre de l’embase support 2, de même que la configuration de la portion de dôme 3 conçue pour permettre un accès 5 à l’intérieur de cette portion de dôme et donc une intervention sur le produit P, en l’occurrence un plat P, disposé via un support (assiette, plat, bol…) sur le plateau tournant 7 qui est mis en rotation à une vitesse contrôlée, vont permettre à un chef cuisinier d’effectuer le dressage du plat pendant que le dispositif de prise de vues 9 dont est muni le bras support 8 enregistre une vidéo, ou bien prend des photographies à intervalles de temps réguliers.
Le dressage du plat peut ainsi être effectué confortablement et en toute sécurité pendant l’enregistrement, l’utilisateur pouvant accéder aisément au plat disposé sur le plateau rotatif 6, et en évitant toute gêne visuelle qui serait susceptible d’être occasionnée par une rotation trop rapide dudit plateau rotatif 7, la vitesse de rotation de celui-ci étant limitée, pour mémoire à une vitesse inférieure située entre 3 et 4 tr/min.
A noter que l’embase support 2 et la portion de dôme 3 reliées entre elles par la liaison arrondie concave 4 sont avantageusement fabriquées d’un seul tenant à partir d’un composant plastique, type PETG (polyéthylène téréphtalate glycol) ou PLA (acide polylactique), qui confère un aspect naturellement mat au dispositif de studio miniature 1 de l’invention.
Plusieurs aspects visuels, notamment lisse, rugueux, imprimé, etc., peuvent avantageusement être obtenus au moyen de ces matières plastiques de base.
Le dispositif 1 de studio miniature, dans son application dans la réalisation de vidéos culinaires, est particulièrement intéressant en ce qu’il permet aux consommateurs une visualisation de vidéos réelles, sans filtres, de chacun des plats proposés par un établissement de restauration.
Les plats effectuant une rotation à 360° lors de la réalisation de leur dressage grâce aux caractéristiques du dispositif 1 de l’invention, il est envisageable de connaitre avec précision ce qu’ils contiennent.
La rotation du plateau tournant 6 du dispositif 1 à une vitesse précise, limitée, et maintenue constante, permet à un professionnel de la restauration de dresser en toute sécurité pendant l’enregistrement simultané d’une vidéo, sans aucune gêne visuelle.
En outre, de manière avantageuse, la présence et le positionnement de sources lumineuses 12 telles que décrites ci-dessus permettent d’éviter la génération d’ombres et de points de surexposition susceptibles de dénaturer une vidéo culinaire, tandis que les températures des sources lumineuses sélectionnées permettent un rendu optimal des couleurs chaudes et froides que peuvent présenter différents aliments mis en association, sans les dénaturer.
La conception du dispositif 1, aussi bien en ce qui concerne l’emplacement du dispositif de prise de vues (caméra) porté par un bras support 8, que l’association d’une embase support 2 horizontale et d’une portion de dôme 3 via une liaison arrondie, en sorte de laisser la possibilité d’une intervention sur le produit positionné sensiblement au centre de l’embase sur un plateau rotatif 6, permet au professionnel de travailler son produit sans être gêné par la présence d’un obstacle entre ses mouvements et le plateau 6, tout en évitant par ailleurs la génération d’ombres du fait d’obstacles entre les sources lumineuses 12 et le produit.
A noter encore que, préférentiellement, le dispositif de prise de vue connecté, spécifique, est fourni avec le dispositif de studio 1 vidéographique connecté miniaturisé et portable de l’invention, adapté pour être positionné dans le logement 87 que comporte le bras support 8.
Également, le déclenchement des moyens moteurs 7 pour l’entrainement en rotation du plateau 6 à une vitesse limitée et contrôlée, l’allumage des sources lumineuses 12, ainsi que le déclenchement du dispositif de prise de vues et le mouvement du bras support 8 de ce dernier, peuvent être commandés par des moyens de contrôle/commande embarqués comprenant notamment un algorithme développé à cet effet et une intelligence artificielle pour une réalisation et un traitement instantanés de vidéos portant sur le produit P.
Dans le cadre de l’application préférentielle de la réalisation de vidéos culinaires, les images générées au moyen du dispositif de prise de vues peuvent ainsi être complétées d’un descriptif, comportant notamment une liste des ingrédients entrant dans la composition du plat constituant le produit P, dont l'intelligence artificielle embarquée reconnait les allergènes éventuellement présents.
Les vidéos ainsi générées peuvent être ensuite partagées facilement, via une application de gestion, un menu en ligne, ou sur des réseaux de communication, type réseaux sociaux, selon les préférences de l’utilisateur du dispositif 1 de l’invention.
Procédé de contrôle d’un actionneur par un système de contrôle et système de contrôle d’un actionneur La présente invention concerne un procédé de contrôle d’un actionneur par un système de contrôle. Elle se rapporte également à un système de contrôle d’un actionneur.
Dans le domaine des systèmes de contrôle, il est commun de chercher à maitriser un processus, souvent basé sur des grandeurs physiques, avec l’objectif de réguler le comportement d’un système.
L’enchevêtrement de la ligne électrique 40, dont les segments sont successivement portés par l’armature 12 et par la carte de circuit imprimé 14, est particulièrement avantageux pour améliorer la diaphonie du composant électrique 10, c’est-à-dire son immunité aux perturbations extérieures. En effet, grâce à cet enchevêtrement, la longueur de la première boucle formée par les segments 46A-46D est sensiblement égale à la longueur de la deuxième boucle formée par les segments 48A-48D.
Avantageusement, le composant électrique 10 comprend également un troisième point de connexion 54 et une ligne électrique auxiliaire 56, qui sont portés par la carte de circuit imprimé 14. Comme mieux visible sur la , la ligne électrique auxiliaire 56 est connectée d’une part au troisième point de connexion 54 et d’autre part au plot de contact 50A’, c’est-à-dire à jointure entre le dernier segment 46D de la première boucle et le premier segment 48A de la deuxième boucle de la ligne électrique 40. En variante non-représentée, la ligne électrique auxiliaire 56 n’est pas connectée au plot de contact 50A’, mais est connecté directement au segment 46D ou au segment 48A de la ligne électrique 40. En d’autres termes, la ligne électrique auxiliaire est connectée à la ligne électrique entre le quatrième et le cinquième segment de la ligne électrique, c’est-à-dire au centre ou à proximité du centre de la ligne électrique. De préférence, le troisième point de connexion 54 est également représenté à un point de masse non-représenté de la carte de circuit imprimé 14, c’est-à-dire à un point de connexion dont la tension est égale à 0V. La présence du troisième point de connexion 54 et de la ligne électrique auxiliaire 56 est particulièrement avantageuse, car elle permet, lorsque le composant électrique 10 est utilisé comme un capteur de Rogowski, de réaliser de la mesure différentielle permettant d’améliorer la précision de mesure du composant électrique et d’éviter des phénomènes capacitifs d’interaction entre la ligne électrique 40 et le conducteur passant par les ouvertures 16, 30. Notamment, la précision de mesure du capteur est améliorée, car une conversion du signal analogique provenant du capteur en signal numérique est plus précis, le signal analogique pouvant alors être recentré autour d’une valeur nulle, ce qui permet de limiter des phénomènes de saturation du signal. Le positionnement de la ligne électrique auxiliaire 56 décrit ici est particulièrement avantageux, car en étant connectée au centre de la ligne électrique 40, les performances du composant électrique 10 sont optimisées.
L’utilisation combinée de l’armature 12 fabriquée par plastronique, sur laquelle une partie des segments de la ligne électrique 40 sont formés, et de la carte de circuit imprimé 14, sur laquelle une autre partie des segments de la ligne électrique 40 sont formés, est particulièrement avantageuse en ce qu’elle permet d’obtenir une boucle aller et une boucle retour dont les dimensions des segments portés par l’armature sont maximisées, permettant ainsi la formation d’un capteur de courant de type Rogowski particulièrement compact et performant, dont les performances sont ainsi optimisées, avec un gain et une précision élevée, sans subir de saturation.
Un autre avantage de l’invention est de permettre de facilement intégrer le composant électrique 10 à un circuit électrique, car la carte de circuit imprimé 14 peut facilement être fixée sur une autre carte de circuit imprimé, par exemple par soudure, ou bien connectée à une autre carte de circuit imprimé par des fils électriques. En outre, le composant électrique peut également être directement intégré à un circuit électrique, en intégrant les différents éléments portés par la carte de circuit imprimé 14 à une autre carte de circuit imprimé.
Le composant électrique 10 des figures 1 à 3 est obtenu à l’aide du procédé de fabrication défini ci-dessous.
Pour l’essentiel, le procédé de fabrication comprend successivement une fourniture ou une fabrication de l’armature 12, puis une gravure par laser de l’armature 12, puis un traitement chimique de l’armature 12 incluant une métallisation, pour former la ligne électrique 40, puis un assemblage de l’armature 12 sur la carte de circuit imprimé 14.
La fabrication de l’armature 12 comprend préférentiellement un moulage de l’armature par injection du matériau dans un moule, alors que le matériau est dans un état visqueux. Le moule est configuré pour conformer, en une seule opération de moulage, toutes les parties de l’armature 12.
Une fois l’armature 12 fabriquée, on procède à la gravure par laser de l’armature. En particulier, sur toutes les faces 18, 20, 22 et 24 de l’armature, et sur les quatre bras 26A-26D de l’armature, on effectue une gravure par laser d’une piste d’amorce, qui servira plus tard de base pour la formation des segments de la ligne électrique 40 portés par l’armature.
Le matériau de l’armature 12 est spécialement prévu pour permettre la formation de la piste d’amorce par gravure laser, par exemple à l’aide de tout graveur laser approprié. Par « graveur laser », on entend par exemple un appareil comprenant à la fois une source d’un faisceau laser, des moyens pour orienter le faisceau laser, par exemple un jeu de miroirs orientables, et des moyens pour focaliser le faisceau laser, tel qu’un jeu de lentilles.
L’application du laser localement sur la surface du matériau conduit à la formation de la piste d’amorce, qui peut être dessinée, avec tout tracé souhaité, par application du laser. La gravure laser vise à former la piste d’amorce sur l’armature 12 de sorte que la piste d’amorce a exactement le même tracé que les segments de la ligne électrique 40 portés par l’armature. La piste d’amorce s’enroule en spirale autour de l’armature 12, afin de former une succession de spires qui constitueront les segments 46B, 46D, 48B et 48D de la ligne électrique 40 à une étape ultérieure du procédé. Ces segments forment donc des enroulements. La piste d’amorce se distingue du reste de la surface de l’armature 12 en ce qu’elle est constituée par des parties activées de l’additif organométallique, alors que l’additif organométallique est dans un état non activé pour le reste de l’armature. De plus, la piste d’amorce se distingue du reste de la surface de l’armature 12 en ce qu’elle forme un sillon, ou pour le moins en ce qu’elle présente un état de surface plus abrasif.