INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La figure 5 illustre schématiquement le deuxième mode de réalisation M2 de l’invention. Dans ce mode M2, la source d’amplification est adaptée pour que la puissance rayonnée du champ magnétique additionnel soit supérieure à la puissance seuil P s . Ainsi, à l’inverse du mode de réalisation M1, dans le mode de réalisation M2, l’APP est théoriquement possible en tout point du guide d’onde WG. Afin que l’APP ne détruise pas la cohérence spatiale de l’onde de spin à la fréquence il est nécessaire que l’APP se produise uniquement dans des zones ZA du guide d’onde. Pour cela, le dispositif comprend des patchs métalliques MP déposés au-dessus du guide d’onde ou entre le guide d’onde et le substrat. Ces patchs vont permettre de réduire la puissance du champ effectif (ou écranter) dans les portions du guide d’onde recouvertes (ou au dessus) des patchs. En effet, les patchs métalliques étant traversés par le champ magnétique additionnel à , variable au cours du temps, ils vont naturellement créer des courants de Foucault à . Dans le dispositif du mode M2, la géométrie, l’agencement par rapport au guide d’onde et le matériau des patchs métalliques sont adaptés pour que le courant de Foucault au sein des patchs génère un champ magnétique local de Oersted écrantant le champ magnétique additionnel. Plus précisément, l’agencement par rapport au guide d’onde est adapté pour que le champ de Oersted soit selon la direction de sorte qu’il applique un couple supplémentaire aux ondes de spin à générées par le champ magnétique additionnel . Ainsi, la condition d’accord de phase entre l’onde à et celle à n’est plus remplie et l’APP dans les portions du guide d’onde recouvertes par les patchs est inférieure au seuil d’APP.
Préférentiellement, le guide d’onde est réalisé en NiFe, ou en CoFeB ou encore en YIG.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la cavité RF est une cavité 3D qui comprend le substrat, le dispositif d’excitation, la source d’amplification, et la pluralité de blocs d’amplification paramétrique.
Alternativement, selon un autre mode de réalisation, la cavité RF est une cavité 1D qui est une antenne résonnante à la fréquence disposée au voisinage du guide d’onde. Préférentiellement, l’antenne est déposée sur le substrat.
D’autres caractéristiques, détails et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d’exemple et qui représentent, respectivement
, une vue schématique d’une onde de spin se propageant suivant un vecteur d’onde avec un angle par rapport à la direction d’aimantation statique ,
, une vue schématique d’une onde de spin MsSW, guidée dans un film ferromagnétique de largeur L et d’épaisseur , avec une aimantation statique selon dans la direction transverse du film,
, une vue schématique d’un dispositif de l’art antérieur d’amplification paramétrique parallèle (APP) de l’onde de spin guidée dans un guide d’onde magnonique,
, une vue schématique d’un dispositif d’amplification du signal magnonique selon l’invention,
, une vue schématique d’un dispositif d’amplification du signal magnonique selon le premier mode de réalisation M1 de l’invention,
, une vue schématique d’un dispositif d’amplification du signal magnonique selon le deuxième mode de réalisation M2 de l’invention,
, une vue schématique d’un dispositif d’amplification du signal magnonique selon le troisième mode de réalisation M3 de l’invention,
La figure 3 illustre schématiquement un dispositif 1 d’amplification du signal magnonique selon l’invention. Le dispositif comprend une cavité RF C résonante à une fréquence et un substrat Sub en un matériau semiconducteur tel que le Silicium ou isolant tel qu’un grenat ou du saphir.
Un guide d’onde magnonique WG (« Spin-wave Waveguide » en anglais) de direction est structuré sur le substrat par des techniques conventionnelles, par exemple par lithographie optique, ou laser et électronique. Le guide d’onde WG peut être réalisé en tout matériau ferromagnétique connu de l’homme de l’art comme du NiFe, ou du CoFeB ou encore du YIG. Le guide d’onde présente des dimensions et un matériau tous deux adaptés pour présenter une excitation résonante d’un mode d’onde de spin à la fréquence .
Dans le dispositif 1, le guide d’onde guide une onde de spin de surface OS de fréquence avec un vecteur d’onde selon la direction excitée par exemple par un champ magnétique RF d’excitation de fréquence généré par un dispositif d’excitation S RF .
De préférence, lorsqu’ils sont présents, le ou les corps gras ayant un point de fusion inférieur ou égal à 25°C sont choisis parmi les huiles triglycérides d’origine végétale ou synthétique, les esters liquides d'acide gras et/ou d’alcool gras différents des triglycérides, les alcools gras liquides, les carbonates d’alkylène et leurs mélanges, et plus préférentiellement parmi le myristate d’isopropyle, l’alcool oléique, les triglycérides des acides caprylique/caprique, l’huile de soja, le carbonate de propylène et leurs mélanges .
Avantageusement, lorsqu’ils sont présents, la teneur totale du ou des corps gras ayant un point de fusion inférieur ou égal à 25°C va de 10 à 30% en poids, de préférence de 15 à 25% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Avantageusement, lorsqu’il est présent, la teneur totale en ester liquide de monoacide et de monoalcool, de préférence en myristate d’isopropyle va de 10 à 30% en poids, de préférence de 15 à 25% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Corps gras solides La composition cosmétique selon la présente invention peut éventuellement comprendre en outre un ou plusieurs corps gras ayant un point de fusion supérieur à 25°C, de préférence supérieur ou égal à 28°C, plus préférentiellement supérieur ou égal à 30°C et inférieur à 45°C à pression atmosphérique (1,013.10 5 Pa). Dans la présente demande, ce ou ces corps gras sont également appelés « corps gras solide(s) ».
Ces corps gras solides sont différents des cires, c’est-à-dire que ces corps gras solides ont un point de fusion supérieur à 25°C et inférieur à 45°C.
Lorsqu’ils sont présents, ces corps gras solides sont compris dans la phase huileuse i).
Le ou les corps gras ayant un point de fusion supérieur à 25°C et inférieur à 45°C sont de préférence choisis parmi les acides gras solides, les alcools gras solides, les esters solides d’acides gras et/ou d’alcools gras, les carbonates de di-alkyle en C 6 -C 18, les beurres, les céramides, les mono-, di- ou triglycérides solides, et leurs mélanges.
A titre d’exemple, la illustre la variation de l’atténuation du dispositif de transmission 10 des signaux RF lorsque le composant de connexion 10 est configuré pour un fonctionnement en atténuateur.
Lorsque le composant de connexion 10 est configuré à un état supraconducteur ES, la piste de connexion 20 est court-circuitée avec la masse électrique et on observe une atténuation supérieure à 40 dB et allant jusqu’à 50 dB. La résistance de composant de connexion est de l’ordre de 1mΩ. Ainsi, le composant de connexion 10 présente une meilleure performance par rapport aux diodes PIN et aux structures à base de Tellurure de germanium tout en consommant moins d’énergie.
Lorsque le composant de connexion 10 est configuré à un état résistif intermédiaire ER, la résistance couvre une large plage de variation allant de 1mΩ à 80Ω. Cela permet d’accéder à un continuum de valeurs de résistance pour configurer l’atténuation avec précision.
Lorsque le composant de connexion 10 est configuré à un état isolant EI, la piste de connexion 20 est isolée de la masse électrique et on observe une atténuation inférieure à 3dB. La résistance de composant de connexion est de l’ordre de 100Ω. Ainsi, le composant de connexion 10 présente une isolation comparable aux diodes PIN tout en consommant moins d’énergie.
La illustre un procédé de fabrication du premier mode de réalisation du dispositif de transmission 10 décrit préalablement. On part d’un substrat SUB sous forme de galette (wafer en anglais). Pour faciliter la compréhension du déroulement du procédé, on illustre pour chaque étape une ou deux vues en coupe du résultat de l’étape réalisée. La première vue en coupe correspond à l’axe de coupe A-A au niveau de l’extrémité de la piste de transmission telle qu'illustrée sur la . La seconde vue en coupe correspond à l’axe de coupe B-B au niveau d’un composant de connexion tel qu’illustré sur la .
La première étape (i) consiste à déposer une couche intermédiaire C1_int du premier matériau de type cuprate supraconducteur réparti sur toute la surface du substrat SUB. Le dépôt de la couche intermédiaire C1_int en cuprate supraconducteur est réalisé par croissance épitaxiale par exemple.
La deuxième étape (ii) consiste à déposer une couche métallique intermédiaire CM_int sur toute la surface supérieure de la couche intermédiaire C1_int du premier matériau. Le dépôt de la couche métallique intermédiaire CM_int est réalisé par pulvérisation cathodique ou par dépôt chimique en phase vapeur par exemple.
La troisième étape (iii) consiste à graver sélectivement la couche métallique pour réaliser les électrodes d’alimentation 22, 32 au niveau de l’axe A-A. La couche métallique intermédiaire CM_int est supprimée par gravure du reste de la surface tel qu’illustré sur la coupe selon l’axe B-B. La gravure est réalisable par une technique de gravure par faisceau d’ions (ion beam etching en anglais) à titre d’exemple.
La quatrième étape (iv) consiste à graver sélectivement la couche du premier matériau pour réaliser, pour chaque électrode d’alimentation, une structure de guidage 21, 31 et 31’ avec le premier matériau supraconducteur. La coupe selon l’axe A-A montre la séparation entre les différentes structures de guidage 31, 21 et 31’. Simultanément, cette étape permet de réaliser, entre au moins deux structures de guidage 21, 31 et 31’ adjacentes, au moins une première couche C1 reliant lesdites deux structures de guidage adjacentes 21, 31 et 31’ tel qu’illustré par la vue en coupe selon B-B.
La cinquième étape (v) consiste à réduire l’épaisseur des premières couches C1 par gravure par faisceau d’ions offrant plus de précision de gravure. Il s’agit d’une étape optionnelle pour obtenir une surface plane. Cette étape permet en outre d’assurer une homogénéité de la variation des ions d’oxygène dans les premières couches C1.
La sixième étape (vi) consiste à déposer, sur chaque première couche C1, une deuxième couche C2 en un second matériau plus électronégatif que le premier matériau.
La septième étape (vii) consiste à déposer, sur chaque deuxième couche C2 une troisième couche C3 en un matériau électriquement conducteur afin de former les électrodes de commande EL3 de chaque composant de connexion 10. On obtient ainsi avec chaque empilement des premières, deuxièmes et troisièmes couches, un composant électronique de connexion 10 configurable, reliant deux structures de guidage adjacentes.
L’ensemble des étapes du procédé selon l’invention est compatible avec les techniques usuelles de fabrication microélectronique dans l’industrie des semiconducteurs. Cela permet de réduire le coût d’implémentation et de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention.
Zone climatique d’un système agricole DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine de l’agriculture dans des installations dites « verticales », telles que des fermes verticales, et concerne en particulier la culture de plantes ou de champignons ou l’élevage d’animaux, notamment l’élevage d’insectes, dans de telles installations.
La présente invention est ainsi applicable aux fermes verticales, dans lesquelles des plantes ou des champignons sont cultivés ou des animaux élevés dans des systèmes d’étagères, sur plusieurs étages. Les plantes, champignons, ou animaux s’y développent dans des contenants appropriés, pouvant notamment prendre la forme générale de caisses empilables.
Bien que l’invention soit applicable à des installations agricoles variées, on prendra généralement dans la suite du présent document l’exemple d’un élevage d’insectes pour illustrer la présente invention.
De préférence, le composé de formule (I) est un composé répondant à la formule (I’) suivante : (I’)
Comme indiqué, le composé de formule (I) est présent dans une quantité supérieure à 10% en poids par rapport au poids total de la composition selon l’invention.
Au sens de la présente invention, « par une quantité ou une teneur supérieure à 10% en poids », on entend que le composé de formule (I) ou (I’) est présent dans une quantité ou une teneur strictement supérieure à 10% en poids, par rapport au poids total de la composition, c’est-à-dire que la valeur de 10% en poids est exclue.
Si la composition de l’invention comprend plusieurs composés différents de formule (I) « par une quantité ou une teneur supérieure à 10% en poids » on entend que la somme en poids des composés de formule (I) est strictement supérieure à 10 % en poids, par rapport au poids total de la composition, c’est-à-dire que la valeur de 10% en poids est exclue.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la composition ne comprend qu’un seul composé de formule (I), plus préférentiellement de formule (I’).
De préférence, le ou les composé(s) de formule (I) ou (I’) est(sont) présent(s) dans une teneur supérieure ou égale à 20% en poids, plus préférentiellement dans une teneur supérieure ou égale à 30% en poids, encore plus préférentiellement dans une teneur supérieure ou égale à 40% en poids, mieux dans une teneur supérieure ou égale à 50% en poids, encore mieux dans une teneur supérieure ou égale à 60% en poids, en particulier dans une teneur supérieure ou égale à 70% en poids, plus particulièrement dans une teneur supérieure ou égale à 80% en poids, notamment dans une teneur supérieure ou égale à 90% en poids, par rapport au poids total de la composition selon l’invention.
De préférence, le ou les composé(s) de formule (I) ou (I’) est(sont) présent(s) dans une teneur allant de 30 à 99% en poids, plus préférentiellement dans une teneur allant de 50 à 98% en poids, encore plus préférentiellement dans une teneur allant de 60 à 97% en poids, mieux dans une teneur allant de 70 à 96% en poids, encore mieux dans une teneur allant de 75 à 95% en poids, en particulier dans une teneur allant de 80 à 94% en poids, plus particulièrement dans une teneur allant de 85 à 93% en poids, tel que 90% en poids, par rapport au poids total de la composition. Avantageusement, le ou les composé(s) de formule (I) ou (I’) est(sont) présent(s) dans une teneur allant de 75 à 95% en poids, en particulier dans une teneur allant de 80 à 94% en poids, plus particulièrement dans une teneur allant de 85 à 93% en poids, tel que 90% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la composition comprend comme substance(s) liquide(s) ii) au moins un solvant organique (a)protique (a)polaire.
De préférence, le ou les solvant(s) organique(s) (a)protique(s) (a)polaire(s) ii) est(sont) choisis parmi les solvants organiques protiques polaires tels que les polyols.
De préférence, la ou les substance(s) liquide(s) sont choisis dans le groupe constitué par les solvants organiques protiques polaires, tels que les polyols.
Par « ( poly)ol  », on entend un composé liquide à température ambiante (25 °C) et à pression atmosphérique (1,013.10 5 Pa) comportant une chaine hydrocarbonée en C 2 et C 10 , particulièrement entre C 2 et C 5 , plus particulièrement entre C 3 et C 4 , tel qu’en C 3 linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, de préférence saturée et comprenant un ou plusieurs groupes hydroxy, de préférence comprenant entre 2 et 5 groupes hydroxy, plus particulièrement comprenant entre 2 et 3, plus préférentiellement 2 groupes hydroxy.
De préférence, le ou les (poly)ol est(sont) choisi(s) parmi les (C 2 -C 10 )alcane(poly)ol, plus préférentiellement choisis parmi les (C 2 -C 6 )alcane(poly)ol.
Par « (C 2 -C 10 )alcane(poly)ol », on entend au sens de la présente invention un alcane, linéaire ou ramifié, de préférence linéaire comprenant de 1 à 10 atomes de carbone et comportant un ou plusieurs groupements hydroxy (-OH), de préférence 2 ou 3 groupes hydroxy, plus préférentiellement 2 groupes hydroxy.
Particulièrement, le ou les solvant(s) organique (a)protique(s) (a)polaire(s) est un (C 2 -C 6 )alcanediol ou (C 2 -C 6 )alcanetriol, de préférence (C 2 -C 6 )alcanediol. Plus préférentiellement le ou les solvant(s) organique (a)protique(s) (a)polaire(s) est un (C 2 -C 4 )alcanediol ou (C 2 -C 4 )alcanetriol, de préférence (C 2 -C 4 )alcanediol.
De préférence, le solvant organique (a)protique (a)polaire est le propanediol, en particulier choisi dans le groupe constitué par le propane-1,2-diol (ou propylène glycol), le propane-1,3-diol, le butane-1,3-diol (ou butylène glycol) et leurs mélanges, de préférence 1,3-propanediol.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la composition comprend comme solvant organique (a)protique (a)polaire ii) un ou plusieurs (C 2 -C 6 )alcanol, de préférence (C 2 -C 4 )alcanol tels que l’éthanol.
Dans ce mode de réalisation, comme illustré à la , le tronçon chalcogénure 120 comprend un premier tronçon chalcogénure 120’ et un deuxième tronçon chalcogénure 120’’ séparés dans la direction d’empilement Z par une électrode intermédiaire 140.
Pour obtenir un point mémoire 200 présentant ces couches, il est possible de mettre en œuvre les étapes décrites ci-dessous.
L’empilement 100 fourni initialement comprend, selon cet exemple, empilées selon une direction d’empilement Z : une couche inférieure 110a, une première couche chalcogénure 120a’, une couche intermédiaire 140a, une deuxième couche chalcogénure 120a’’ et une couche supérieure 130a. La couche chalcogénure 120a décrite dans le premier mode de réalisation comprend ainsi deux couches 120a’, 120a’’ séparées par la couche intermédiaire 140a.
Une gravure de structuration permet ensuite d’obtenir le point mémoire 200. Comme décrit dans le cadre du premier mode de réalisation, cette gravure est avantageusement réalisée au travers d’ouvertures réalisées dans un masque de gravure 50 déposée sur la face supérieure 101 de l’empilement 100. La gravure de structuration traverse cette fois la couche supérieure 130a, la première couche chalcogénure 120a’, la couche intermédiaire 140a, la deuxième couche chalcogénure 120a’’ sur toutes leurs épaisseurs respectives e 130a , e 120a’’ , e 140a et e 120a ’ . La gravure de structuration peut s’arrêter dans la couche inférieure 110a, ou bien traverser entièrement cette dernière.
Suite à la gravure de structuration, on obtient un point mémoire 200 comprenant, empilés selon la direction d’empilement Z : une électrode inférieure 110 formée dans au moins une partie de la couche inférieure 110a, un premier tronçon chalcogénure 120’ formé dans la première couche chalcogénure 120a’, une électrode intermédiaire 140 formée dans la couche intermédiaire 140a, un deuxième tronçon chalcogénure 120’’ formé dans la deuxième couche chalcogénure 120a’’, et une électrode supérieure 130 formée dans la couche supérieure 130a.
Les épaisseurs e 130 , e 120’’ , e 140 et e 120 ’ selon la direction d’empilement Z de ces électrodes et tronçons sont chacune sensiblement égale à l’épaisseur e 130a , e 120a’’ , e 140a et e 120a ’ de la couche à partir de laquelle ils ont été formés. L’épaisseur e 110 de l’électrode inférieure 110 dépend de la profondeur de la gravure dans la couche inférieure 110a.
Le deuxième tronçon chalcogénure 120’’ est couramment désigné couche sélectrice. La couche sélectrice est de préférence destinée à rester amorphe.
Une couche peut être disposée entre le deuxième tronçon chalcogénure 120’’, ou couche sélectrice, et l’électrode intermédiaire 140 et/ou l’électrode supérieure 130, par exemple une couche à base de carbone, configurée pour bloquer l’interdiffusion des éléments chimiques entre ces couches.
Comme dans le premier mode de réalisation, le point mémoire 200 présente une face supérieure 201 et une surface latérale 203, dont les caractéristiques décrites dans le cadre du premier mode de réalisation se transposent ici mutatis mutandis.
De façon similaire à ce qui a été décrit pour le premier mode de réalisation, le point mémoire 200 est ensuite encapsulé par une couche d’encapsulation 300 ( ), puis est soumis à l’implantation d’une espèce dopante ( ). Les caractéristiques et avantages décrits dans le cadre du premier mode de réalisation s’étendent mutatis mutandis au cas où le point mémoire 200 comprend deux tronçons chalcogénures 120 séparés par une électrode intermédiaire.
Avantageusement, dans ce mode de réalisation, la portion dopée 125 s’étend à la fois dans le premier tronçon chalcogénure 120’ et dans le deuxième tronçon chalcogénure 120’’. La portion dopée 125 comprend alors une première portion dopée 125’, s’étendant dans le premier tronçon chalcogénure 120’, et une deuxième portion dopée 125’’, s’étendant dans le deuxième tronçon chalcogénure 120’’.
La première portion dopée 125’ du premier tronçon chalcogénure 120’ s’étend de préférence selon la direction d’empilement Z sur au moins 50%, et de manière avantageuse au moins 75%, de l’épaisseur e 120 ’ du premier tronçon chalcogénure 120. Préférentiellement, la première portion dopée 125’ s’étend sur toute l’épaisseur e 120 ’ du premier tronçon chalcogénure 120’.
De façon similaire, la deuxième portion dopée 125’’ du deuxième tronçon chalcogénure 120’’ s’étend de préférence selon la direction d’empilement Z sur au moins 50%, et de manière avantageuse au moins 75%, de l’épaisseur e 120 ’’ du deuxième tronçon chalcogénure 120’’. Préférentiellement, la deuxième portion dopée 125’’ s’étend sur toute l’épaisseur e 120 ’’ du deuxième tronçon chalcogénure 120’.
Les remarques développées sur le profil d’implantation s’appliquent parfaitement à ce mode de réalisation.
On présente ci-dessous les avantages de l’implantation selon l’invention. Les avantages décrits en référence au tronçon chalcogénure s’appliquent aussi bien au cas où ce dernier comprend une couche mémoire qu’au cas où il comprend à la fois une couche mémoire et une couche sélectrice. Les avantages propres à chacun de ces deux cas de figures sont spécifiquement mentionnés.
L’étape d’implantation a pour conséquence l’introduction d’un pic de la concentration de l’espèce dopante à l’interface entre la couche d’encapsulation 300 et le point mémoire 200. Par exemple, la concentration atomique en espèce dopante au niveau de cette interface peut atteindre 5 at.%. L’implantation a également pour effet d’introduire un gradient latéral ou tout autre profil en concentration d’espèce dopante à partir de la surface latérale 203 et vers l’intérieur du point mémoire 200. Cela permet de limiter la déplétion d’espèces chalcogénures que l’on peut observer sur la illustrant l’évolution de la concentration de différentes espèces dans une tranche d’un dispositif PCM de l’art antérieur comprenant une portion de la couche mémoire et de la couche d’encapsulation. On observe sur cette figure une déplétion en Ge induite par l’oxydation ayant lieu à la remise à l’air après gravure. Une implantation, par exemple de carbone, permet de réduire voire d’empêcher la ségrégation du Ge (ou toute autre espèce chalcogénure), qui est liée à la nucléation hétérogène ayant lieu à l’interface entre la couche d’oxyde de germanium (GeOx) et le matériau chalcogénure lui-même. Cela a pour effet une réduction du phénomène de séparation de phase, qui peut elle-même provoquer une réduction de possibles phénomènes de déplétion élémentaire.
Avantageusement, les amines grasses sont choisies parmi les amidoamines grasses, leurs sels et leurs mélanges, de préférence parmi les amidoamines de formule (A).
La présente divulgation s’intéresse toutefois plus particulièrement à ce problème en particulier dans les laminoirs 20 cylindres comme sous l’appellation anglaise « split housing » pour lequel la cage du laminoir comporte une partie de cage supérieure et une partie de cage inférieure, qui sont écartées l’une de l’autre lors de l’ouverture de la cage, offrant typiquement une ouverture de cage d’amplitude supérieure à celle d’un laminoir 20 cylindres à cage monobloc.