INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Pour cela, la présente invention propose un dispositif mémoire comprenant au moins un empilement mémoire connecté électriquement en série avec un transistor de sélection, le dispositif mémoire comprenant un substrat sur lequel le transistor de sélection comprend : - une couche de semi-conducteur comprenant plusieurs premières zones superposées les unes au-dessus des autres, les premières zones formant un canal de conduction électrique du transistor de sélection ; - une grille de commande électrostatique et une couche de diélectrique de grille du transistor de sélection, des parties de la couche de diélectrique de grille étant chacune disposée entre une partie de la grille de commande électrostatique et l’une des premières zones de la couche de semi-conducteur ; - des espaceurs diélectriques disposés contre des flancs de la grille de commande électrostatique ; - des régions de contact couplées électriquement aux premières zones de la couche de semi-conducteur par des deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur, les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur s’étendant entre les régions de contact et les espaceurs diélectriques, les régions de contact formant des régions de source / drain du transistor de sélection, dans lequel l’une des régions de contact comprend l’empilement mémoire interposé entre une première portion conductrice, reliant électriquement l’empilement mémoire à la couche de semi-conducteur, et une deuxième portion conductrice formant un contact électrique de l’empilement mémoire ; et dans lequel les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur ne sont pas disposées directement contre la grille de commande électrostatique et forment, avec les premières zones, une couche continue.
Le dispositif mémoire proposé se base sur une architecture ne comportant pas d’interface de type « side contact » entre le canal et les régions de contact grâce aux deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur réalisant le couplage électrique entre le canal formé par les premières zones de la couche de semi-conducteur et les régions de contact. Ces deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur, qui s’étendent contre au moins une partie des parois latérales, ou flancs, des régions de contact, forment une grande surface de contact avec les régions de contact, ce qui permet de réduire les résistances de contact de ces régions de contact. Ainsi, le courant électrique circulant dans le canal n’est pas réduit à cause de ces résistances de contact, ce qui ne réduit pas les performances du dispositif.
De plus, avec l’architecture proposée, la couche de semi-conducteur peut être réalisée après la grille de commande électrostatique et avant la réalisation des régions de contact. Ainsi, la couche de semi-conducteur dont les premières zones sont destinées à former le canal de conduction n’est pas détériorée par les étapes liées à la réalisation de la grille de commande électrostatique. Cela est particulièrement avantageux lorsque la couche de semi-conducteur comporte un matériau 2D.
Échange de chaleur carburant-huile La présente divulgation concerne un procédé de fonctionnement d’un moteur à turbine à gaz utilisant des carburants différents des carburéacteurs à base de kérosène traditionnels.
Dans un exemple, le dispositif de commande 908 est conçu pour commander le fonctionnement de l’échangeur de chaleur carburant-huile 903 pour abaisser la viscosité de carburant à 0,58 mm 2 /s ou moins à l’entrée du dispositif combustor 16 à des conditions de croisière. Alternativement, le dispositif de commande 908 peut être conçu pour commander le fonctionnement de l’échangeur de chaleur carburant-huile 903 pour abaisser la viscosité de carburant entre 0,58 mm 2 /s et 0,30 mm 2 /s, par exemple 0,58, 0,57, 0,56, 0,55, 0,54, 0,53, 0,52, 0,51, 0,50, 0,49, 0,48, 0,47, 0,46, 0,45, 0,44, 0,43, 0,42, 0,41, 0,40, 0,39, 0,38, 0,37, 0,36, 0,35, 0,34, 0,33, 0,32, 0,31 ou 0,30 mm 2 /s à l’entrée du dispositif combustor 16 à des conditions de croisière. Alternativement, le dispositif de commande 908 peut être conçu pour commander le fonctionnement de l’échangeur de chaleur carburant-huile 903 pour abaisser la viscosité de carburant à 0,57, 0,56, 0,55, 0,54, 0,53, 0,52, 0,51, 0,50, 0,49, 0,48, 0,47, 0,46, 0,45, 0,44, 0,43, 0,42, 0,41, 0,40, 0,39, 0,38, 0,37, 0,36, 0,35, 0,34, 0,33, 0,32, 0,31 ou 0,30 mm 2 /s ou moins, ou dans une quelconque plage définie entre deux quelconques de ces valeurs, à l’entrée du dispositif combustor 16 à des conditions de croisière. Le dispositif de commande 908 peut être conçu pour commander le fonctionnement de l’échangeur de chaleur carburant-huile 903 pour abaisser la viscosité de carburant entre 0,55 mm 2 /s et 0,35 mm 2 /s, 0,53 mm 2 /s et 0,35 mm 2 /s, 0,50 mm 2 /s et 0,35 mm 2 /s, 0,48 mm 2 /s et 0,35 mm 2 /s, 0,48 mm 2 /s et 0,38 mm 2 /s, 0,48 mm 2 /s et 0,40 mm 2 /s, 0,46 mm 2 /s et 0,40 mm 2 /s, 0,44 mm 2 /s et 0,40 mm 2 /s, ou 0,44 mm 2 /s et 0,42 mm 2 /s à l’entrée du dispositif combustor 16 dans des conditions de croisière.
La illustre un procédé 1100 de fonctionnement d’un moteur à turbine à gaz. Le procédé 1100 comprend le fonctionnement 1101 du moteur à turbine à gaz de telle sorte qu’une réduction de 20 à 80 % dans une moyenne de particules/kg de nvPM dans l’échappement du moteur 10 à turbine à gaz lorsque le moteur 10 fonctionne à une poussée disponible de 85 % pour des conditions de fonctionnement données et de particules/kg de nvPM dans l’échappement du moteur 10 à turbine à gaz lorsque le moteur 10 fonctionne à une poussée disponible de 30 % pour les conditions de fonctionnement données est obtenue lorsqu’un carburant fourni au dispositif combustor est un carburant aviation durable au lieu d’un carburant hydrocarboné d’origine fossile. Dans d’autres exemples, la réduction de nvPM peut être telle que définie autrement ici.
Fonctionnement d’un moteur à turbine à gaz La présente description se rapporte à des systèmes de propulsion d’aéronef, ainsi que les procédés de fonctionnement d’aéronefs impliquant la gestion de fluides différents.
La représente schématiquement un capteur d'image 101B selon un mode de réalisation de la présente description.
Le capteur d'image 101B de la est similaire au capteur d'image 101A de la , et les éléments similaires sont désignés par de mêmes références, et ne seront pas détaillés ici de nouveau. Toutefois, le DAC 108 du capteur d'image 101B est mis en œuvre en utilisant les pixels 103B de la matrice 102. En particulier, les pixels 103A de la matrice 102 sont des pixels d'imagerie utilisés pour capturer une image, alors que les pixels 103B de la matrice 102 sont des éléments DAC utilisés pour générer une tension analogique sur la base d'un signal d'entrée numérique. Les pixels 103B ont une structure similaire aux pixels 103A de la matrice 102, si ce n'est que les pixels 103B sont commandés par un circuit de commande 109 (CTRL) de sorte qu'ils fonctionnent comme un DAC. En outre, les pixels 103B sont interconnectés différemment des pixels 103A, comme cela sera détaillé ci-après. Les pixels 103B du DAC de la n'utilisent pas de lumière pour fonctionner et sont par exemple aveugles à la scène d'image. Les pixels 103B du DAC de la profitent de tout ou partie de la structure de pixel pour produire un transfert de charge commandé à un conducteur VX_pix. Les pixels 103A et les pixels 103B partagent par exemple au moins certains des rails d'alimentation de tension. Les pixels 103B sont appelés ici pixels, bien qu'ils ne capturent pas d'informations de pixel, en raison du fait qu'ils font partie de la matrice de pixels 102 et ont une structure similaire aux pixels d'imagerie de la matrice 102, ce qui est un aspect qui est exploité dans des modes de réalisation de la présente description.
Les pixels 103B du DAC 108 de la sont, par exemple, agencés dans une même région de la matrice 102 que la région dans laquelle les pixels 103A du capteur d'image sont mis en œuvre. Bien que la représente un exemple dans lequel le DAC 108 est mis en œuvre par groupe deux à deux de pixels 103B dans le coin inférieur droit de la matrice 102, plus généralement le DAC 108 est mis en œuvre à l'aide de pixels 103B agencés dans une ou plusieurs colonnes de la matrice 102 et/ou à l'aide de pixels 103B agencés dans une ou plusieurs lignes de la matrice 102. Le nombre de pixels 103B utilisés pour mettre en œuvre le DAC 108 est par exemple choisi en fonction de l'amplitude de tension souhaitée et de la granularité de pas du signal de tension analogique à générer par le DAC 108. La structure des pixels 103B du DAC et la structure des pixels 103A étant similaires, les coûts de fabrication sont relativement faibles. En outre, comme cela ressortira de la description qui suit, le bruit introduit par le DAC est également relativement faible et peut être commandé en réglant le nombre d'unités de pixels DAC, plus le nombre d'unités de pixel DAC étant grand, plus le bruit étant faible.
La représente schématiquement le DAC 108 de la plus en détail selon un exemple de mode de réalisation de la présente description.
Le DAC 108 de la comprend un premier pixel 103B. Le premier pixel 103B comprend une première grille de connexion 215 commandée par un signal de commande TGDAC2 , reliant un nœud mémoire 214 du premier pixel 103B et un nœud de lecture SN du DAC. Le signal de commande TGDAC2 est généré, par exemple, par un circuit de commande 109 (CTRL). Le circuit de commande 109 est par exemple mis en œuvre à l'extérieur de la matrice 102, dans le DAC ou dans un capteur d'image comprenant le DAC. Le nœud de lecture SN est, par exemple, relié capacitivement à un potentiel de masse par l'intermédiaire d'un condensateur 240.
Dans l'exemple de la , le premier pixel 103B comprend une diode 216 (MEM2), l'anode de la diode étant reliée, par exemple, à un potentiel VSS et la cathode de la diode étant reliée au nœud mémoire 214. La diode 216 fournit une solution possible pour permettre un stockage de charge au niveau du nœud mémoire 214. Dans des variantes de mode de réalisation, un autre dispositif de stockage de charge, tel qu'un condensateur configuré pour commander le niveau d'électrons, pourrait être utilisé à la place de la diode 216.
Dans l'exemple de la , le DAC 108 comprend, par exemple, un transistor de réinitialisation 220 reliant le nœud de lecture SN à un premier rail d'alimentation de tension VRTRST. Le premier rail d'alimentation de tension VRTRST est configuré, par exemple, pour fournir une tension VRT ou une tension de référence VLOW lorsqu'il est commandé, par exemple, par le circuit de commande 109. Le transistor de réinitialisation 220 reçoit au niveau de son nœud de commande un signal de commande RST généré, par exemple, par le circuit de commande 109.
Dans l'exemple de la , le premier pixel 103B comprend une deuxième grille de connexion optionnelle 217, commandée par un signal de commande TGMEM2 , la deuxième grille de connexion 217 reliant le nœud mémoire 214 du premier pixel 103B à un nœud d'entrée optionnel 210 du premier pixel 103B.
Dans l'exemple de la , le premier pixel 103B comprend une barrière de potentiel constant optionnelle 212 (PEM) reliant le nœud mémoire 214 du premier pixel à la deuxième grille de connexion 217 du premier pixel 103B. La barrière de potentiel constant 212 est, par exemple, mise en œuvre par des étapes de procédé particulières, par exemple en dopant le substrat dans la région de la barrière de potentiel et est éventuellement utilisée pour commander le nombre d'électrons à l'intérieur du nœud MEM2.
Dans l'exemple de la , le premier pixel comprend une troisième grille de connexion optionnelle 219, commandée par un signal de commande TGAB , la troisième grille de connexion 219 reliant un deuxième rail d'alimentation de tension VRT au nœud d'entrée 210 du premier pixel 103B.
Dans l'exemple de la , le premier pixel 103B peut comprendre une photodiode optionnelle PPD. L'anode de la photodiode PPD est reliée à un rail d'alimentation VSS et la cathode de la photodiode PPD est reliée au nœud d'entrée 210. Dans un exemple, la photodiode est occultée, par exemple dans un niveau métallique supérieur, pour éviter que la lumière ne génère des charges indésirables dans la photodiode.
Le DAC de la comprend, par exemple, des deuxième et troisième pixels supplémentaires 103B qui sont chacun similaires au premier pixel 103B, et qui, pour simplifier la représentation, ne sont pas représentés en détail en . Le DAC peut en outre comprendre des pixels supplémentaires 103B non représentés.
Dans un exemple non représenté, le DAC comprend X unités de pixel DAC similaires au premier pixel 103B, X étant un entier de un ou plus pour générer un LSB (de l'anglais "Least Significant Bit", bit le moins significatif). Le nombre X de pixels est par exemple choisi en fonction de contraintes de bruit du circuit. Le nombre X de pixels est par exemple supérieur à trente, et supérieur à un millier (ou 10 bits) dans certains modes de réalisation, ou même plus si un DAC ayant une meilleure précision est souhaité. Les X pixels du DAC sont, par exemple, reliés au même nœud de lecture SN.
Dans l'exemple de la , le transistor de réinitialisation 220, le nœud de lecture SN et le condensateur 240 sont communs à tous les pixels du DAC 108. Dans un autre exemple, le nœud de lecture SN est commun à tous les pixels du DAC, mais un transistor de réinitialisation différent 220 est relié au nœud de lecture SN dans chaque ligne de pixels.
Dans un exemple, le circuit de commande 109 est configuré pour commander tous les pixels du DAC 108.
Le DAC de la comprend, par exemple, un tampon d'impédance 250 configuré pour relier le nœud de lecture SN à un rail de conduction de tampon du DAC 260 (RAMP_DAC_BUF). Le tampon d'impédance 250 comprend, par exemple, un premier transistor 270 (SF) et un deuxième transistor 222 relié en série l'un à l'autre entre un troisième rail d'alimentation de tension VSF et le rail de conduction de tampon du DAC 260. Le nœud de commande du premier transistor 270 est, par exemple, relié au nœud de lecture SN. Un nœud de conduction principal, par exemple la source, du deuxième transistor 222 est, par exemple, relié au rail de conduction de tampon du DAC 260.
A noter que, sur la , la somme des densités en microstructures croît de manière continue car il est représenté une unique zone d’extraction, non interrompue par une ou plusieurs zones sombres. Toutefois, l’invention s’applique indifféremment aux motifs lumineux présentant des zones sombres, et la croissance de la densité des microstructures en fonction de la distance à la tranche d’injection de lumière ne s’applique qu’à des parties de zones d’extraction de lumière, et non aux zones sombres, qui ne comprennent aucune microstructure.
D’autres répartitions des microstructures 113 que celles représentées sur la sont envisageables dans le cadre de l’invention.
Par exemple, la présente une vue de côté, une vue du dessus et une vue de dessous d’un film 111 d’une nappe de guidage de module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention, avec une répartition de microstructures 113 différente de celle de la .
Selon la répartition de la , les densités de microstructures sont croissantes avec la distance depuis la tranche d’injection de lumière 114 pour chacune des faces supérieure 701 et inférieure 702. La somme des densités est par conséquent également croissante avec la distance depuis la tranche d’injection de lumière 114.
Selon l’exemple de la , quelles que soient les parties de ladite au moins une zone d’extraction de lumière, la densité de microstructures sur la face supérieure 701 dans une partie est une première fonction croissante de la distance de la partie à la tranche d’injection de lumière 114. De même, la densité de microstructures sur la face inférieure 702 dans une partie est une deuxième fonction croissante de la distance de la partie à la tranche d’injection de lumière. Comme représenté sur la , les première et deuxième fonctions peuvent être différentes. La fonction correspondant à la somme des densités des microstructures sur les faces supérieure 701 et inférieure 702 est ainsi une somme de la première fonction et de la deuxième fonction, qui est également croissante.
Dispositif d’éclairage La présente invention concerne le domaine de l’éclairage, ce qui inclut la signalisation, et celui des organes, notamment optiques, qui y participent. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine des véhicules automobiles. Notamment, elle est relative à un dispositif d’éclairage.
Néanmoins, ce type de solution comporte des inconvénients et notamment le fait qu’elle est pénalisée par le nombre d’optiques nécessaires et donc par l’encombrement du dispositif.
Un objet de la présente invention est donc de proposer un dispositif permettant de s’affranchir au moins en partie de l’inconvénient cité.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un dispositif d’éclairage comprenant : un ensemble de sources lumineuses, une première rangée de sources lumineuses comprenant des sources lumineuses alignées selon une première direction, une lentille primaire comprenant un premier dioptre d’entrée, un deuxième dioptre d’entrée et un dioptre de sortie, le premier dioptre d’entrée étant configuré pour recevoir des rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses, le deuxième dioptre d’entrée étant configuré pour recevoir des rayons lumineux issus de la première rangée de sources lumineuses, le dioptre de sortie étant configuré pour transmettre des rayons lumineux issus de la première rangée de sources lumineuses après leur transmission dans la lentille primaire depuis le deuxième dioptre d’entrée, un axe optique et un premier plan, le premier plan étant défini de manière à contenir la première direction d et être perpendiculaire à l’axe optique, une première surface de réflexion et une deuxième surface de réflexion, la première surface de réflexion étant configurée pour réfléchir, vers la deuxième surface de réflexion, des rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses après leur transmission dans la lentille primaire depuis le premier dioptre d’entrée, caractérisé en ce que la deuxième surface de réflexion est configurée pour réfléchir, vers le dioptre de sortie, les rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses après leur réflexion sur la première surface de réflexion.
Ainsi, étant donné le positionnement de surfaces de réflexion sur le trajet des rayons lumineux du premier faisceau, le premier faisceau et le deuxième faisceau produits partagent un même dioptre de sortie (pour la lentille primaire), ceci ayant pour conséquence de réduire le nombre d’optiques nécessaire pour ce dispositif.
Par ailleurs, cette configuration permet une localisation spécifique de la sortie de lumière des faisceaux à produire, créant notamment, dans la lentille primaire, une zone commune de passage des rayons pour le faisceau à coupure et le faisceau de complément route.
La configuration angulaire de la lame quart d’onde définissant directement l’angle d’ellipticité de la lumière issue du contrôleur de polarisation, le contrôle de la lame quart d’onde selon l’instruction de contrôle Pol permet ainsi de moduler, de façon continue, l’état de polarisation du faisceau lumineux F1 selon le signal modulant Sig. En d’autres termes, le faisceau lumineux modulé F1 présente un angle d’ellipticité variable, cette variation reproduisant sensiblement le signal modulant Sig. Le faisceau lumineux modulé F1 transporte ainsi le signal modulant Sig, tout en réalisant une fonction photométrique de type feu de jour.
Du point de vue de la chaine de réception, le module de réception 3 comporte, pour chaque module d’acquisition élémentaire 32, une pluralité de photodétecteurs 32e et une pluralité de filtres polariseurs 32d, chacun apte à filtrer, dans une quatrième étape, une composante dudit faisceau lumineux F2 reçu présentant un état de polarisation donné.
On comprend donc que les filtres polariseurs 32d agissent comme des échantillonneurs de la valeur de l’état de polarisation du faisceau lumineux reçu F2, la précision de cet échantillonnage dépendant du nombre de filtres polariseurs employés.
Dans une cinquième étape, l’unité de démodulation 33 peut ainsi, selon qu’un signal électrique provienne de l’un ou l’autre des photodétecteurs 32e, convertir ce signal en une valeur Val, correspondant à l’état de polarisation filtré par le filtre polariseur 32d associé à ce photodétecteur.
Enfin, dans une sixième étape, l’unité de démodulation 33 extrapole un signal démodulé Sig_d à partir de ces valeurs converties Val.
Ce signal démodulé peut alors être transmise à l’unité de calcul 4, pour y être traité selon que le système 1 réalise une fonction de télémétrie ou de communication.
La description qui précède explique clairement comment l'invention permet d'atteindre les objectifs qu'elle s'est fixée, à savoir fournir un système d’un véhicule automobile capable de réaliser à la fois une fonction photométrique donnée et une fonction de transmission d’information, et dont le rapport signal à bruit soit amélioré. Ces objectifs sont notamment atteints en modulant la polarisation du faisceau lumineux émis par le système, cette modulation pouvant être numérique ou analogique.
En tout état de cause, l'invention ne saurait se limiter aux modes de réalisation spécifiquement décrits dans ce document, et s'étend en particulier à tous moyens équivalents et à toute combinaison techniquement opérante de ces moyens. En particulier, on pourra prévoir d’employer d’autres types de source lumineuse que celui décrit, comme une diode laser, une VCSEL ou une SLED. On pourra encore prévoir de réaliser d’autres fonctions photométriques que celle décrite, et notamment des fonctions d’éclairage de type croisement ou des fonctions de signalisation de type feu de position.
Circuit photonique intégré de démultiplexage d’un faisceau optique incident fortement multimode et de recombinaison. DOMAINE DE L’INVENTION L’invention concerne le domaine des communications optiques selon un canal de propagation multimode spatial. C’est notamment le cas en espace libre, où le front de phase de l’onde vecteur de l’information est plus ou moins fortement distordu par la traversée d’un milieu perturbé, tel une couche atmosphérique dans une liaison terre-satellite. Selon un autre exemple, une propagation dans une fibre multimode induit une perturbation du faisceau par couplage entre les modes spatiaux.
Plus particulièrement l’invention concerne un circuit photonique planaire comprenant les fonctionnalités nécessaires au démultiplexage spatial du faisceau incident, c’est à dire la collecte du faisceau incident multimode et sa décomposition en une pluralité de faisceaux optiques monomodes. L’invention concerne également un circuit photonique planaire intégrant les fonctionnalités de recombinaison et de détection/traitement des faisceaux monomodes.
ETAT DE LA TECHNIQUE Un problème à résoudre pour les communications optiques, lorsque le front de phase d’un faisceau optique porteur d’information est distordu par une traversée en espace libre, est de maintenir un bilan de liaison optimal en dépit de ces perturbations.
Si ce faisceau dégradé était directement couplé à un guide monomode une grande majorité de l’énergie sur les autres modes spatiaux serait perdue et le rapport signal sur bruit serait très dégradé. En outre, à cause des perturbations atmosphériques, l’énergie peut passer rapidement d’un mode à l’autre. Dans le cas d’une détection monomode, on arrive à des fluctuations énormes d’intensité couplée (allant par exemple jusqu’à 30 dB), alors qu’en récupérant et en sommant l’énergie de chacun des modes, on réduit énormément ces fluctuations d’énergie couplée. On cherche ainsi à récupérer le maximum de modes spatiaux possibles contenus dans le faisceau dégradé pour récupérer le maximum d’énergie et ainsi améliorer le rapport signal sur bruit.