Procédé de fabrication d’une structure multicouche (30), comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) un substrat support (40) comprenant une couche de support (41) et une couche de silicium poreux (42) disposée sur la couche de support ; fournir (S2) un substrat donneur (50) comprenant une première face (50A), un plan fragile enterré (50B) et une couche superficielle (51) délimitée par la première face et le plan fragile enterré ; assembler (S3) le substrat support (40) et le substrat donneur (50) par collage, la couche superficielle (51) du substrat donneur étant disposée en contact avec le substrat support ; séparer (S4) la couche superficielle (51) du substrat donneur (50) par fracture suivant le plan fragile enterré (50B) ; procédé caractérisé en ce qu’au moins l’un des substrats support et donneur (40, 50), dit substrat dégradé, comprend une portion dégradée (60) de manière à empêcher son collage à l’autre des substrats support et donneur (50, 40) lors de l’étape d’assemblage, la portion dégradée (60) ayant une forme annulaire ou sensiblement annulaire et étant située à moins de 25 mm du flanc dudit substrat dégradé. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (40) comprend en outre une portion périphérique en silicium non-poreux (44) disposée autour de la couche de silicium poreux (42) et dans lequel la portion dégradée (60) est située, dans l’assemblage du substrat support (40) et du substrat donneur (50), à la verticale d’une interface entre la portion périphérique en silicium non-poreux (44) et la couche de silicium poreux (42). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de silicium poreux (42) comprend une portion centrale (421) ayant une première épaisseur (e1) sensiblement constante et une portion périphérique (422) ayant une deuxième épaisseur (e2) croissante en direction du flanc du substrat support (40) et dans lequel la portion dégradée (60) est située, dans l’assemblage du substrat support (40) et du substrat donneur (50), à la verticale d’une transition entre la portion centrale (421) et la portion périphérique (422) de la couche de silicium poreux (42). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la portion dégradée (60) s’étend en outre jusqu’au flanc dudit substrat dégradé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la portion dégradée (60) est espacée du flanc dudit substrat dégradé et présente une largeur (L3) comprise entre 10 µm et 4 mm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la portion dégradée (60) est constituée par une portion en retrait. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la portion en retrait appartient au substrat donneur (50). Procédé selon la revendication 7, dans lequel l’étape (S2) de fourniture du substrat donneur (50) comprend une sous-étape d’implantation d’ions légers dans un premier substrat à une profondeur d’implantation pour former le plan fragile enterré (50B), la portion en retrait étant obtenue en formant une cavité d’une profondeur (P) supérieure à la profondeur d’implantation. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la portion dégradée (60) est constituée par une portion texturée présentant une rugosité de surface supérieure ou égale à 1 nm. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (40) comprend en outre une portion périphérique en silicium non-poreux (44) disposée autour de la couche de silicium poreux (42) et dans lequel la portion dégradée (60) est constituée par une cavité s’étendant dans la couche de silicium poreux (42) et située à une distance (d’) inférieure à 2 mm d’une interface entre la portion périphérique en silicium non-poreux (44) et la couche de silicium poreux (42). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la cavité est remplie d’un matériau présentant un module de Young inférieure à celui du silicium poreux. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le substrat support (40) comprend en outre une couche diélectrique (43) disposée sur la couche de silicium poreux (42). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la portion dégradée (60) est sensiblement annulaire et dans lequel ledit substrat dégradé comprend une portion dite non-dégradée (70) située dans le prolongement de la portion dégradée (60), ladite portion non-dégradée (70) étant collée à l’autre des substrats support et donneur (50, 40) lors de l’étape (S3) d’assemblage.