INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La troisième couche 123 peut être une couche de GaN fortement dopée. Par GaN fortement dopée, on entend une concentration supérieure à 6.10 18 at/cm 3 , de préférence supérieure à 8.10 18 at/cm 3 , voire supérieure à 10 19 at/cm 3 . La concentration est, par exemple, comprise entre 6. 10 18 at/cm 3 et 2 .10 19 at/cm 3 , préférentiellement entre 7.10 18 at/cm 3 et 1.10 19 at/cm 3 dans le cas d’un dopage n au Si. Dans le cas d’un dopage Ge, par exemple par épitaxie aux organométallique en phase vapeur (MOCVD), des taux de dopage plus élevés, typiquement jusqu’à 1.10 20 at/cm 3 peuvent être obtenus. La troisième couche 123 a, par exemple, un dopage dix fois plus élevé que la deuxième couche 112. Elle a une épaisseur comprise entre 200nm et 2 µm, de préférence de 500 nm à 1µm.
La troisième couche peut être une couche de GaN 123 comprenant une première partie fortement dopée dans laquelle sont disposées une ou plusieurs zones 125. Le taux de dopage de la ou des zones 125 au moins dix fois inférieur au taux de dopage de la première partie fortement dopée. Nous détaillerons par la suite la fabrication de cette couche structurée de manière à avoir différents taux de dopage.
La quatrième couche 124 est une couche (Al,In,Ga)N non intentionnellement dopée ou faiblement dopée. Par (Al,In,Ga)N faiblement dopé, on entend un dopage entre 2.10 17 at/cm 3 et 1.10 18 at/cm 3 . Par non dopée, on entend un taux de dopage inférieur à 1 e 17at/cm 3 , en particulier pour une couche de GaN. Par exemple, dans le cas d’une couche d’InGaN, le dopage est inférieur à 5.10 17 at/cm 3 . La porosification d’une couche dopée donnée dépendra tout d’abord du potentiel appliqué. De plus, si la couche à porosifier est fortement dopée, les couches faiblement dopées (typiquement ayant un dopage inférieur d’au moins une décade par rapport au dopage de la couche à porosifier) ne seront pas porosifiées.
Il peut s’agir d’une couche en AlN, AlGaN, InGaN ou GaN. Elle a par exemple une épaisseur entre 10nm et 200nm, de préférence entre 50 et 200nm. Le dopage est suffisamment faible de manière à ce que cette couche ne soit pas porosifiée lors de l’étape d).
Cette couche 124 n’est pas ou peu impactée par la porosification et sert de germe pour une reprise de croissance. Cette couche 124 est continue pour assurer la qualité de la couche réépitaxiée, d’une couche d’(In,Ga)N par exemple, sur la structure.
La couche additionnelle a une épaisseur comprise, par exemple, entre 500nm à 5 µm, de préférence entre 1µm et 3µm. De préférence, elle a une concentration de dopage supérieure ou égale à 5.10 18 at.cm 3 , de préférence supérieure à 6.10 18 at.cm 3 , encore plus préférentiellement supérieure à 8.10 18 at.cm 3 , voire supérieure à 10 19 at.cm 3 , par exemple de 1,5. 10 19 at.cm 3 . Elle a une concentration en dopage, par exemple, comprise entre 6. 10 18 at/cm 3 et 2 10 19 at/cm 3 , préférentiellement entre 7.10 18 at/cm 3 et 1.10 19 at/cm 3 . La couche additionnelle en GaN fortement dopée peut avoir un dopage identique ou différent de celui de la troisième en couche en GaN fortement dopée. La couche additionnelle en GaN fortement dopée peut avoir une épaisseur identique ou différente de celle de la troisième en couche en GaN fortement dopée.
La tension appliquée lors de la porosification sera choisie en fonction des dopages des différentes couches précitées, et notamment de la deuxième couche 112, de la troisième couche 123 et de la couche additionnelle, ainsi que du taux de dopage visé.
Les taux de dopage respectifs sont choisis pour qu’à potentiel donné, il y ait une sélectivité entre la zone fortement dopée et la zone faiblement dopée, c’est-à-dire pour que la deuxième couche 112 ne soit pas porosifiée lors de l’étape d) et pour que la troisième 123 soit porosifiée lors de l’étape d).
Lorsque la phase transitoire d’allumage de la turbine à gaz est terminée et que la chambre de combustion 2 est donc allumée. Un transfert d’alimentation de la section d’injection 6 est alors réalisé. L’alimentation en gaz combustible par le circuit de dérivation 8 via la vanne V5 est transféré vers une alimentation par le mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène provenant du réseau industriel, de transport ou de distribution, sans séparation préalable de l’hydrogène. La vanne V5 se ferme progressivement pendant que les vannes V1 et V2 s’ouvrent progressivement afin d’alimenter la section d’injection 6.
S’ensuit une phase d’accélération de la turbine à gaz.
Dans un mode de réalisation, il est possible d’alimenter la chambre de combustion 2 à partir d’hydrogène préalablement stocké dans le réservoir d’hydrogène RH 2 lors de la séparation simple ou double.
Les vannes V3 et V6 ainsi que la vanne en aval de la vanne V6 en direction de la section d’injection 6 sont ouvertes pour l’admission d’hydrogène vers la section d’injection 6 de la ligne d’alimentation 3 acheminé par la huitième portion 16, et l’alimentation de la chambre de combustion 2.
Le taux d’hydrogène de la composition de gaz combustible admis dans la chambre à combustion 2 peut être variable, de préférence de 0 à 20% ou de 5 à 20% d’hydrogène, avec une variation d’hydrogène théorique estimée par exemple entre 0 à 30% par minute.
Dans ce cas, le taux d’hydrocarbure, par exemple de méthane, et hydrogène délivré par la section d’injection 6 du système d’alimentation 1 pourra être ajusté afin d’assurer une composition constante pour les phases transitoires, par exemple afin d’assurer une réponse au réseau avec une augmentation de 10% de sa charge nominale par exemple en 30 secondes.
Ainsi, afin de maintenir des fractions d’hydrocarbure et d’hydrogène contrôlées, par exemple de méthane, et d’hydrogène constant lors d’une opération transitoire, le système d’alimentation 1 peut prévoir :
-l’ajustement du taux d’hydrogène à la hausse en injectant davantage d’hydrogène provenant du réservoir d’hydrogène RH 2 , ou
- l’ajustement du taux d’hydrogène à la baisse, soit en ajoutant de l’hydrocarbure, tel que du méthane, à partir du réservoir d’hydrocarbure RHC, soit par une injection d’hydrocarbure, tel que du méthane, directement en aval du circuit de dérivation 8, sans passer par le réservoir d’hydrocarbure RHC.
Maîtrise du comportement dynamique d’un système propulsif aéronautique La présente demande concerne de manière générale le domaine des systèmes propulsifs, et plus particulièrement des systèmes propulsifs aéronautiques comprenant une soufflante carénée ou non carénée et présentant un taux de dilution est élevé, voire très élevé.
Toutefois, l’augmentation de la vitesse de rotation de la turbine basse pression a un impact sur la dynamique du corps basse pression et en particulier sur les modes de déformation de l’arbre basse pression. Cet impact est d’autant plus important que l’on cherche à augmenter l’efficacité de la turbine basse pression.
EXPOSE Un but de la présente demande est d’optimiser les performances du système propulsif aéronautique en termes notamment de consommation spécifique tout en maîtrisant le comportement dynamique du corps basse pression.
Il est à cet effet proposé, selon un premier aspect un système propulsif aéronautique comprenant : - un rotor de soufflante configuré pour être entrainé par un arbre de soufflante ; - une turbine d’entrainement configurée pour entrainer le rotor de soufflante par l’intermédiaire d’un arbre d’entrainement autour d’un axe de rotation ; - un mécanisme de réduction couplant l’arbre d’entrainement et l’arbre de soufflante afin d’entrainer l’arbre de soufflante à une vitesse de rotation inférieure à la vitesse de rotation de l’arbre d’entrainement; - des paliers configurés pour centrer l’arbre d’entrainement par rapport à l’axe de rotation, les paliers comprenant un palier avant s’étendant en amont d’une chambre de combustion du système propulsif et deux paliers arrière s’étendant en aval de la chambre de combustion, dans lequel une position des paliers dans le système propulsif respecte la formule suivante : où : d 2 est la distance entre les centres de gravité des paliers arrière de l’arbre d’entrainement, en millimètres (mm) ; R m est un rayon moyen de la turbine d’entrainement, en millimètres (mm) ; XN est la vitesse limite de l’arbre d’entrainement, en tours par minute (tr/min) ; d 1 est la distance entre le centre de gravité du palier avant et le centre de gravité du palier arrière le plus proche du palier avant, en millimètres (mm) ; R 11b est un rayon moyen du palier arrière le plus proche du palier avant, en millimètres (mm) ; et C = 170 (mm*tr/min) -1 , E 1 = 0,18.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend : Quatrième affichage sur l’afficheur, commandé par le calculateur, d’une liste de deuxièmes objets sur une troisième ligne ; Troisième actionnement d’au moins un troisième objet actionné pris parmi les deuxièmes objets au moyen de la première commande utilisateur ; Troisième mise à jour automatique, par le calculateur, de l’ensemble des listes de premiers objets, ladite mise à jour entraînant l’affichage de nouveaux premiers objets sur les premières lignes.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend : Troisième affichage sur l’afficheur, commandé par le calculateur, d’au moins un troisième objet associé à des valeurs d’entités numériques enregistrées dans une mémoire, lesdites valeurs d’entités numériques comprenant des paramètres d’horodatages, les paramètres de requête comprenant les paramètres d’horodatages desdites valeurs d’entités numérique associées au troisième objet.
Selon un mode de réalisation, la première commande et la deuxième commande sont identiques.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un système de génération d’une requête de recherche comprenant des moyens logiciels et/ou matériels configurés pour mettre en œuvre les étapes du procédé selon l’invention.
Selon un mode de réalisation, les moyens logiciels et/ou matériels comprennent un afficheur, une mémoire et un calculateur, le système étant configuré pour : Afficher, sur l’afficheur par une commande du calculateur, une pluralité de listes de premiers objets, les premiers objets de chaque liste de premiers objets étant positionnés sur une première ligne de l’afficheur, les premiers objets des listes respectives étant positionnés sur des premières lignes respectives différentes Mettre à jour automatiquement, au moyen du calculateur et en réponse à une première commande utilisateur, les premiers objets d’au moins une liste prise parmi la pluralité de liste et distincte de la liste à laquelle appartient le premier objet actionné, ladite mise à jour automatique entraînant l’affichage d’au moins un nouveau premier objet sur la première ligne sur laquelle sont affichés les premiers objets de ladite liste distincte de la liste à laquelle appartient le premier objet actionné, Générer la requête de recherche, au moyen du calculateur et en réponse à une deuxième commande utilisateur, ladite requête de recherche comprenant des paramètres de requête associés audit premier objet actionné.
Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend des données traitées en temps réel par au moins une fonction apprenante.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un ordinateur, conduit le système selon l’invention à mettre en œuvre les étapes du procédé de l’invention.
: Un schéma bloc illustrant le procédé pour générer une requête de recherche de l’invention.
: Un schéma bloc du procédé illustré en , illustrant un mode de réalisation dans lequel il comprend une deuxième étape d’actionnement et une deuxième étape d’affichage.
: Un schéma bloc du procédé illustré en , illustrant un mode de réalisation dans lequel il comprend une étape de positionnement d’un premier objet d’une liste.
: Un schéma bloc du procédé illustré en , illustrant un mode de réalisation dans lequel l’étape de positionnement d’un premier objet d’une liste, et une étape de positionnement d’un premier objet d’une autre liste.
: Un schéma bloc du procédé illustré en , illustrant un mode de réalisation dans lequel il comprend une étape d’affichage d’un troisième objet associé à des valeurs d’entités numériques comprenant des paramètres d’horodatage.
: Un schéma bloc du procédé illustré en , illustrant un mode de réalisation dans lequel il comprend une étape d’affichage d’une liste de deuxièmes objets, une étape d’actionnement d’un des deuxièmes objets et une étape de mise à jour de l’ensemble des listes de premiers objets.
: Une illustration d’un afficheur après la mise en œuvre, par un calculateur, des étapes d’affichage d’une pluralité de listes de premiers objets, d’une liste de deuxièmes objets et d’un troisième objet.
(4) La surface du matériau obtenu à l’étape (3) a été revêtue d’une couche d’oxyde résistant aux hautes températures (un mélange de Fe-TiO 2 et de SiO 2 , dans lequel le rapport molaire de Fe-TiO 2 sur SiO 2 était de 1 : 0,4) par le procédé de revêtement par congélation par pulvérisation. Plus précisément, le matériau obtenu à l’étape (3) a été amené dans un lit fluidisé, la température du lit fluidisé a été réduite à -4°C et un matériau atomisé contenant l’oxyde résistant aux hautes températures a été introduit (une quantité pulvérisée de l’oxyde résistant aux hautes températures représentait 2% de la masse totale du précurseur après le traitement de frittage primaire) pour revêtir et geler sur la surface du précurseur après le traitement de frittage primaire, et ensuite, le matériau revêtu de l’oxyde résistant aux hautes températures a été soumis à une lyophilisation à -40°C pendant 24 h.
(5) Le matériau obtenu à l’étape (4) a été placé dans une atmosphère d’oxygène, chauffé à une vitesse de chauffage de 5°C/min jusqu’à 900°C et maintenu à cette température pendant 9 h, pour obtenir un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt co-revêtu de Fe-TiO 2 et SiO 2.
(6) Le matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt a été soumis à un lavage à l’eau pendant 30 min dans une solution d’hydroxyde de lithium à 0,5 mol/L.
Exemple 2 (1) La poudre de La-TiO 2 a été préparée par un procédé sol-gel. Plus précisément, un liquide A (éthanol anhydre : titanate de butyle (v/v) est égal à 7 : 2) a été ajouté lentement et goutte à goutte à un liquide B (éthanol anhydre : acide acétique : eau désionisée : nitrate de lanthane (v/v) est égal à 7 : 1 : 2 : 0,5, pH ≤ 2,0 ajusté avec 10% de HNO 3) , et le système a été agité pendant 2 h puis vieilli naturellement pendant 12 h. Ensuite, le système a été séché dans une étuve à 80°C pendant 3 h, puis torréfié dans un four à moufle à 500°C pendant 3 h (atmosphère d’oxygène). Dans la poudre, l’élément fer et l’élément titane avaient un taux de dopage de 0,7%.
Le sulfate de lithium, le sulfate de nickel et le sulfate ferrique ont été obtenus séparément selon un rapport stœchiométrique de LiNi 0,98 Fe 0,02 O 2, c’est-à-dire un rapport molaire de 1 : 0,98 : 0,02, et ajoutés à de l’eau désionisée pour formuler une solution mixte avec une concentration totale de sels métalliques de 1,0 mol/L.
(2) Une solution d’hydroxyde de sodium et une solution aqueuse d’ammoniaque (une concentration de la solution d’hydroxyde de sodium était de 8 mol/L et une concentration de la solution aqueuse d’ammoniaque était de 12 mol/L) ont été ajoutées dans la cuve de réaction, de sorte que le pH de la solution soit régulé à 11,5 ± 0,2 ; puis, sous agitation, la solution d’hydroxyde de sodium et la solution aqueuse d’ammoniaque (un rapport volumique de ces deux solutions était de 4 : 1) et la solution de sel métallique ont été simultanément ajoutées goutte à goutte dans la cuve de réaction, dans laquelle la température de la réaction était de 50°C et la durée de la réaction était de 6 h et le pH a été régulé à 11,5 ± 0,2 ; enfin, un précipité a été obtenu par filtration et lavage, et le précipité a été séché dans une étuve à vide à 100°C pendant 5 h, puis broyé à boulets pour obtenir une poudre de précurseur.
(3) La poudre de précurseur et l’hydroxyde de lithium ont été mélangés (un rapport molaire de l’élément nickel-fer sur l’élément lithium était de 1 : 1,1) et soumis à un traitement de frittage primaire, c’est-à-dire le premier frittage, qui a été réalisé à 400°C. pendant 3 h dans une atmosphère d’oxygène avec une vitesse de chauffage de 5°C/min, puis refroidis.
(4) La surface du matériau obtenu à l’étape (3) a été revêtue d’une couche d’oxyde résistant aux hautes températures (un mélange de La-TiO 2 et de SiO 2 , dans lequel un rapport molaire de La-TiO 2 sur SiO 2 était de 1 : 0,4) par le procédé de revêtement par congélation par pulvérisation. Plus précisément, le matériau obtenu à l’étape (3) a été amené dans un lit fluidisé, la température du lit fluidisé a été réduite à -4°C et un matériau atomisé contenant l’oxyde résistant aux hautes températures a été introduit (une quantité pulvérisée de l’oxyde résistant aux hautes températures représentait 2% de la masse totale du précurseur après le traitement de primaire) pour revêtir et geler sur la surface du précurseur après le traitement de frittage primaire, et ensuite, le matériau revêtu de l’oxyde résistant aux hautes températures a été soumis une lyophilisation à -40°C pendant 24 h.
(5) Le matériau obtenu à l’étape (4) a été placé dans une atmosphère d’oxygène, chauffé à une vitesse de chauffage de 5°C/min jusqu’à 900°C et maintenu à cette température pendant 9 h, pour obtenir un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt co-revêtu de La-TiO 2 et de SiO 2 .
Exemple 3 (1) La poudre de Ce-TiO 2 est préparée par un procédé sol-gel. Plus précisément, un liquide A (éthanol anhydre : titanate de butyle (v/v) est égal à 7 : 2) a été ajouté lentement et goutte à goutte à un liquide B (éthanol anhydre : acide acétique : eau désionisée : nitrate de cuivre (v/v) est égal à 7 : 1 : 2 : 0,5, pH ≤ 2,0 ajusté avec 10% de HNO 3 ), et le système a été agité pendant 2 h puis vieilli naturellement pendant 12 h. Ensuite, le système a été séché dans une étuve à 80°C pendant 3 h, puis torréfié dans un four à moufle à 500°C pendant 3 h (atmosphère d’oxygène). Dans la poudre de Fe-TiO 2, l’élément fer et l’élément titane avaient un taux de dopage de 2%.
(3) La poudre de précurseur et l’hydroxyde de lithium ont été mélangés (le rapport molaire de l’élément nickel-fer sur l’élément lithium était de 1 : 1,1) et soumis à un traitement de frittage primaire, c’est-à-dire le premier frittage, qui a été réalisé à 400°C pendant 3 h dans une atmosphère d’oxygène avec une vitesse de chauffage de 5°C/min, puis refroidis.
(4) La surface du matériau obtenu à l’étape (3) a été revêtue d’une couche d’oxyde résistant aux hautes températures (un mélange de Ce-TiO 2 et de SiO 2 , dans lequel le rapport molaire de Ce-TiO 2 sur SiO 2 était de 1 : 0,4) par le procédé de revêtement par congélation par pulvérisation. Plus précisément, le matériau obtenu à l’étape (3) a été amené dans un lit fluidisé, la température du lit fluidisé a été réduite à -4°C et un matériau atomisé contenant l’oxyde résistant aux hautes températures a été introduit (une quantité pulvérisée de l’oxyde résistant aux hautes températures représentait 2% de la masse totale du précurseur après le traitement de frittage primaire) pour revêtir et geler sur la surface du précurseur après le traitement de frittage primaire, et ensuite, le matériau revêtu de l’oxyde résistant aux hautes températures a été soumis à une lyophilisation à -40°C pendant 24 h.
(5) Le matériau obtenu à l’étape (4) a été placé dans une atmosphère d’oxygène, chauffé à une vitesse de chauffage de 5°C/min jusqu’à 900°C et maintenu à cette température pendant 9 h, pour obtenir un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt co-revêtu de Ce-TiO 2 et de SiO 2.
De façon préférentielle, le moyen de fixation 11 passe également par une seule étape de manœuvre de l’état de contact Z2 à l’état de sortie Z1. De façon préférentielle, aucune pièce du dispositif de liaison 100 ne se perdra.
La est une vue éclatée schématique en perspective d’un autre dispositif de connexion électrique 100. Celui-ci est réalisé de façon très analogue à celle des figures 2a et 2b. Cette vue diffère toutefois de celles-ci en ce que l’évidement de sommet 16 n’est pas réalisé comme ouverture circulaire, fermée, c’est-à-dire comme trou (oblong), mais comme fente ouverte d’un côté et fermée de l’autre côté. Le premier flanc 7 et le second flanc 8 restent reliés par le sommet 6. Ainsi, l’engagement de l’extrémité de fixation 2 du conducteur 1 n’est pas limitée (à la figure) de l’engagement par le haut à travers l’évidement de sommet 16 dans l’espace de contact 65 ou entre les flancs 7, 8, mais, il est également possible d’envisager un engagement latéral de l’extrémité de fixation 2 entre les flancs 7, 8 ou l’espace de contact 65. On atteint ainsi un degré de souplesse de montage plus important.
La est une section schématique d’un détail d’un composant électrique 70 avec un dispositif de connexion 100 analogue à celui des figures 2a et 2b.
Le composant électrique 70 est réalisé ici, à titre d’exemple, comme inverseur 71, notamment comme inverseur 71 pour un véhicule à moteur électrique ou susceptible d’être entraîné de manière électrique avec une batterie à haute tension (par exemple au moins 100V, de préférence au moins 300V). Elle peut, par exemple, dans d’autres exemples d’application, être réalisée comme machine électrique ou comme batterie ou convertisseur de tension ou comme actionneur ou comme vanne ou comme appareil de commande sans être limitée à ces formes de réalisation données à titre d’exemple.
Le dispositif de connexion électrique 100 de ce mode de réalisation donné à titre d’exemple, comporte un connecteur 50 qui comprend le conducteur électrique 1. Il comporte en outre un contre-connecteur 51 qui comprend le contre-conducteur électrique 4. Le connecteur 50 comporte un boîtier de connecteur 52. Le contre-connecteur 51 a un boîtier de contre-connecteur 53 muni, à titre d’exemple, d’une collerette 54. Le boîtier de liaison 52 est fixé ou se fixe au boîtier de contre-connecteur 53 ici à titre d’exemple, à la collerette 54. Cette fixation se fait dans le mode de réalisation présenté à titre d’exemple, par un mouvement de rotation, ici par une liaison baïonnette 55 (cette liaison est considérée comme faisant partie d’un boîtier de liaison 52) qui est couplé à la collerette 54). Dans d’autres modes de réalisation, on peut utiliser une vis ou un écrou ou un écrou chapeau pour la fixation et le blocage du boîtier de liaison 52 au deux contre-connecteurs 53. Dans d’autres formes de liaison, la fixation du boîtier de connecteur 52 se fait au boîtier de contre-liaison 53, par exemple, par une liaison par enfichage, de préférence à la manière d’une liaison enclipsée ou d’une liaison par accrochage.
Le boîtier de contre-connecteur 53 peut être réalisé, par exemple, avec le boîtier du composant électrique 70. Il peut également s’agir du boîtier de composant. Il peut toutefois, s’agir également d’un boîtier distinct qui est, par exemple, relié ou peut être relié au boîtier de composant.
Dans la partie supérieure de la divisée en deux on a :
* Sur le côté gauche, un concept d’étanchéité avec deux éléments d’étanchéité 31, 32 agissant radialement pour réaliser l’étanchéité du câble 2 vers le boîtier de liaison 52 (élément d’étanchéité 31) ou pour l’étanchéité du boîtier de connecteur 52 par rapport au boîtier de contre-connecteur 53 ou par rapport à la collerette 54 (élément d’étanchéité radiale 34).
* Sur le côté gauche, on a un concept d’étanchéité avec un élément d’étanchéité 31 agissant radialement pour rendre étanche le câble 12 par rapport au boîtier de connecteur 52 et avec l’élément d’étanchéité axiale 35 pour réaliser l’étanchéité du boîtier de connecteur 52 ou de la fermeture à baïonnette 55 par rapport au boîtier de contre-connecteur 53.