INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En référence à la , on réalise les diodes D1, D2, D3 à partir du substrat de croissance 20, de manière simultanée, par reprise d’épitaxie à partir des mésas M1, M2, M3. Ainsi, on dépose, sur chaque mésa, lors d’une même étape de dépôt par épitaxie, une première portion à base d’InGaN dopé de type n, qui sera alors plus ou moins relaxé en fonction des catégories M1, M2, M3 de mésas. Ainsi, une épaisseur de 200nm d’une première portion d’InGaN avec 8.5% d’indium permet d’obtenir un paramètre de maille effectif de 3.208Å sur les mésas M3. Lors du même dépôt, sur les mésas M1, la première portion comporte moins d’indium à cause de la portion supérieure 24 à base d’AlGaN, et sur les mésas M3, la première portion comporte davantage d’indium grâce à la portion inférieure 22 porosifiée et à l’absence de la portion supérieure 24 d’AlGaN non porosifié. Ensuite, on réalise la zone active à puits quantiques, une deuxième portion à base d’InGaN dopé p. Une portion intercalaire de blocage d’électrons en GaN ou AlGaN peut être prévue entre la zone active et la deuxième portion dopée p.
Ainsi, le procédé de fabrication permet de réaliser de manière native des diodes D1, D2, D3 qui émettront à des longueurs d’onde différentes, ici dans les trois couleurs RGB. Ceci est possible par le fait que les mésas M1, M2, M3 présentent des déformabilités différentes d1, d2, d3. Aussi, l’incorporation d’indium dans les diodes, et en particulier dans les premières portions dopées n puis dans les puits quantiques des zones actives, dépend en effet de la déformabilité des mésas et du paramètre de maille effectif. Plus le paramètre de maille effectif de la portion de reprise d’épitaxie est important (après réalisation des diodes), plus la longueur d’onde principale de la diode correspondante sera grande. Le procédé de fabrication du substrat de croissance 20 met ainsi en jeu une étape de gravure photoélectrochimique, et au moins une étape de porosification électrochimique. Il n’a donc pas été besoin d’effectuer, comme dans l’art antérieur mentionné plus haut, des étapes d’implantation ionique localisée de dopants pour obtenir les différents types de mésas.
Les figures 2A à 2D illustrent des étapes d’un procédé de fabrication d’un substrat de croissance 20, puis d’une matrice de diodes D1, D2, D3, selon une variante du premier mode de réalisation, où l’empilement cristallin 10 comporte une couche intercalaire de reprise d’épitaxie 15 de faible épaisseur destinée à ne pas être porosifiée.
- au moins 2 ingrédients choisi dans le groupe constitué par :
- du calcium pantéthéine sulfonate commercialisé par la société Sigma sous la dénomination commerciale ‘CA D PANTETHEINE S SULFONATE’, de nom INCI : CALCIUM PANTETHEINE SULFONATE (and) AQUA,
- de l’hydroxypropyl cyclodextrine commercialisé par la société Sigma sous la dénomination commerciale ‘KLEPTOSE HP’, de nom INCI : Hydroxypropyl Cyclodextrin,
Lorsque ces silicones aminées sont mises en œuvre, une forme de réalisation particulièrement intéressante est leur utilisation sous forme d’émulsion huile dans eau. L’émulsion huile dans eau peut comprendre un ou plusieurs tensioactifs. Les tensioactifs peuvent être de toute nature mais de préférence cationique et/ou non ionique. La taille moyenne en nombre des particules de silicone dans l’émulsion va généralement de 3 nm à 500 nanomètres. De préférence, notamment comme silicones aminées de formule (V), on utilise des microémulsions dont la taille moyenne des particules va de 5 nm à 60 nm (bornes incluses) et plus particulièrement de 10 nm à 50 nm (bornes incluses). Ainsi, on peut utiliser selon l’invention les microémulsions de silicone aminée de formule (V) proposées sous les dénominations FINISH CT 96 E® ou SLM 28020® par la société WACKER.
(iv) les silicones de formule suivante (VI) : dans laquelle : - m et n sont des nombres tels que la somme (n + m) varie de 1 à 2000 et en particulier de 50 à 150, n désignant un nombre de 0 à 1999 et notamment de 49 à 149 et m désignant un nombre de 1 à 2000, et notamment de 1 à 10 ; et - A désigne un radical alkylène linéaire ou ramifié, de préférence linéaire, ayant de 4 à 8 atomes de carbone et de préférence 4 atomes de carbone. La masse moléculaire moyenne en poids (Mw) de ces silicones aminées va de préférence de 2000 à 1000000 g/mol et plus particulièrement de 3500 à 200000 g/mol. Une silicone répondant à cette formule est par exemple la XIAMETER MEM 8299 EMULSION de DOW CORNING.
(v) les silicones de formule suivante (VII) : dans laquelle : - m et n sont des nombres tels que la somme (n + m) varie de 1 à 2000 et en particulier de 50 à 150, n pouvant désigner un nombre de 0 à 1999 et notamment de 49 à 149 et m pouvant désigner un nombre de 1 à 2000, et notamment de 1 à 10 ; et - A désigne un radical alkylène linéaire ou ramifié ayant de 4 à 8 atomes de carbone et de préférence 4 atomes de carbone. Ce radical est de préférence ramifié. La masse moléculaire moyenne en poids (Mw) de ces silicones aminées va de préférence de 500 à 1000000 g/mol et plus particulièrement de 1000 à 200000 g/mol. Une silicone répondant à cette formule est par exemple la DC2-8566 Amino Fluid de DOW CORNING.
c) les silicones aminées répondant à la formule (VIII) : dans laquelle : - R 5 représente un radical hydrocarboné monovalent ayant de 1 à 18 atomes de carbone, et en particulier un radical alkyle en C 1 -C 18 , ou alcényle en C 2 -C 18 , par exemple méthyle ; - R 6 représente un radical hydrocarboné divalent, notamment un radical alkylène en C 1 -C 18 ou un radical alkylèneoxy divalent en C 1 -C 18 , par exemple en C 1 -C 8 relié au Si par une liaison SiC ; - Q - est un anion tel qu’un ion halogénure, notamment chlorure ou un sel d’acide organique, notamment acétate ; - r représente une valeur statistique moyenne allant de 2 à 20, en particulier de 2 à 8 ;
d) les silicones à ammonium quaternaire de formule (IX) : dans laquelle : - R 7 , identiques ou différents, représentent un radical hydrocarboné monovalent ayant de 1 à 18 atomes de carbone, et en particulier un radical alkyle en C 1 -C 18 , un radical alcényle en C 2 -C 18 ou un cycle comprenant 5 ou 6 atomes de carbone, par exemple méthyle ; - R 6 représente un radical hydrocarboné divalent, notamment un radical alkylène en C 1 -C 18 ou un radical alkylèneoxy divalent en C 1 -C 18 , par exemple en C 1 -C 8 relié au Si par une liaison SiC ; - R 8 , identiques ou différents, représentent un atome d'hydrogène, un radical hydrocarboné monovalent ayant de 1 à 18 atomes de carbone, et en particulier un radical alkyle en C 1 -C 18 , un radical alcényle en C 2 -C 18 , un radical -R 6 -NHCOR 7 ; - X - est un anion tel qu'un ion halogénure, notamment chlorure ou un sel d'acide organique, notamment acétate ; et - r représente une valeur statistique moyenne allant de 2 à 200, en particulier de 5 à 100. Ces silicones sont par exemple décrites dans la demande EP-A-0530974 ; on peut en particulier citer la silicone de nom INCI : QUATERNIUM 80. Des silicones entrant dans cette classe sont les silicones commercialisées par la société GOLDSCHMIDT sous les dénominations ABIL QUAT 3270, ABIL QUAT 3272, ABIL QUAT 3474.
e) les silicones aminées de formule (X) : dans laquelle : - R 1 , R 2 , R 3 et R 4 , identiques ou différents, désignent un radical alkyle en C 1 -C 4 ou un groupement phényle, - R 5 désigne un radical alkyle en C 1 -C 4 ou un groupement hydroxyle, - n est un entier variant de 1 à 5, - m est un entier variant de 1 à 5, et - x est choisi de manière telle que l'indice d'amine varie de 0,01 à 1 meq/g.
f) les silicones aminées polyoxyalkylénées multibloc, de type (AB) n , A étant un bloc polysiloxane et B étant un bloc polyoxyalkyléné comportant au moins un groupement amine. Lesdites silicones sont de préférence constituées d'unités répétitives de formules générales suivantes : [-(SiMe 2 O) x SiMe 2 -R-N(R’’)-R’-O(C 2 H 4 O) a (C 3 H 6 O) b -R’-N(H)-R-] ou bien [-(SiMe 2 O) x SiMe 2 -R-N(R’’)-R’-O(C 2 H 4 O) a (C 3 H 6 O) b -] dans lesquelles : - a est un nombre entier supérieur ou égal à 1, de préférence allant de 5 à 200, plus particulièrement allant de 10 à 100 ; - b est un nombre entier compris entre 0 et 200, de préférence allant de 4 et 100, plus particulièrement entre 5 et 30 ; - x est un nombre entier allant de 1 à 10000, plus particulièrement de 10 à 5000 ; - R’’ est un atome d'hydrogène ou un méthyl ; - R, identiques ou différents, représentent un radical divalent hydrocarboné en C 2 -C 12 , linéaire ou ramifié, comportant éventuellement un ou plusieurs hétéroatomes tels que l'oxygène ; de préférence, R, identiques ou différents, désignent un radical éthylène, un radical propylène linéaire ou ramifié, un radical butylène linéaire ou ramifié, ou un radical CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(OH)CH 2 - ; préférentiellement R désignent un radical CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(OH)CH 2 - ; et - R’, identiques ou différents, représentent un radical divalent hydrocarboné en C 2 -C 12 , linéaire ou ramifié, comportant éventuellement un ou plusieurs hétéroatomes tels que l'oxygène ; de préférence, R’, identiques ou différents, désignent un radical éthylène, un radical propylène linéaire ou ramifié, un radical butylène linéaire ou ramifié, ou un radical CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH(OH)CH 2 - ; préférentiellement R’ désignent -CH(CH 3 )-CH 2 -.
Les blocs siloxane représentent de préférence entre 50 et 95 % en moles du poids total de la silicone, plus particulièrement de 70 à 85 % en moles.
g) les silicones aminées de formules (XI) et (XII) : dans laquelle : - R, R’ et R’’, identiques ou différents, désignent un groupe alkyle en C 1 -C 4 ou un groupe hydroxyle, - A désigne un radical alkylène en C 3 ; et - m et n sont des nombres tels que la masse moléculaire moyenne en poids du composé est comprise entre 5000 et 500000. dans laquelle : - x et y sont des nombres allant de 1 à 5000 ; de préférence x va de 10 à 2000, et plus préférentiellement de 100 à 1000 ; de préférence y va de 1 à 100 ; - R 1 et R 2 , identiques ou différents, de préférence identiques, désignent un groupe alkyle, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé, comprenant de 6 à 30 atomes de carbone, de préférence de 8 à 24 atomes de carbone, et plus préférentiellement de 12 à 20 atomes de carbone ; et - A désigne un radical alkylène linéaire ou ramifié ayant de 2 à 8 atomes de carbone. De préférence, A comprend de 3 à 6 atomes de carbone, plus préférentiellement 4 atomes de carbone ; de préférence A est ramifié. On peut citer en particulier les groupes divalents suivants: -CH 2 CH 2 CH 2 - et -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après une étape de rupture mécanique du support 5 au niveau des zones fragilisées 24. Des dispositifs électroniques 34 séparés sont ainsi obtenus. Selon un mode de réalisation non illustré, l'étape de rupture comprend la fixation d'un film adhésif étirable mécaniquement au support 5, du côté du support 5 opposé aux dispositifs électroniques 34, l'extension du film adhésif dans le plan du film adhésif, les dispositif électroniques 34 étant alors séparés mais toujours fixés au film adhésif, et le détachement des dispositifs électroniques du film adhésif.
Le procédé peut comprendre des étapes ultérieures, notamment une étape de retrait des portions du support 5 et de la couche de colle 50 présente sous chaque dispositif électronique 34. Dans le cas où le support 5 est conservé pour l'utilisation future du dispositif électronique 34, le support 5 peut, de façon avantageuse, être transparent au rayonnement lumineux émis par le dispositif électronique 34.
Le mode de réalisation du procédé de fabrication permet de façon avantageuse que le traitement au laser du support 5 pour former les zones fragilisées 24 ne détériorent pas les composants électroniques 40, 42, 44 de la plaque 30 puisque le traitement au laser du support 5 est réalisé avant la fixation de la plaque 30 au support 5.
La est une vue en coupe d'un mode de réalisation du support 5. Selon un mode de réalisation, le support 5 a une structure multicouche et comprend une couche 56 du premier matériau recouvrant un substrat 58 en un deuxième matériau différent du premier matériau. Les zones fragilisées 24 sont formées dans la couche 56. Le substrat 58 peut être transparent au laser. Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau est un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium ou un mélange d'au moins deux de ces composés. De préférence, le substrat 58 est en silicium, plus préférentiellement en silicium monocristallin. A titre de variante, le substrat 58 peut être, au moins en partie, d'un matériau non semiconducteur, par exemple un matériau isolant électriquement ou un matériau conducteur électriquement. L'épaisseur de la couche 56 est comprise entre 50 µm et 200 µm. De façon avantageuse, le deuxième matériau composant le substrat 58 est choisi pour faciliter l'étape d'amincissement décrite précédemment en relation avec la . En particulier, la détermination de la fin de l'étape d'amincissement est facilitée puisqu'elle correspond au retrait complet du substrat 58.
Un mode de réalisation plus détaillé va maintenant être décrit dans le cas où le dispositif électronique 34 est un dispositif optoélectronique et les composants électroniques 40, 42, 44 comprennent des diodes électroluminescentes comportant des éléments tridimensionnels semiconducteurs de taille nanométrique ou micrométrique, notamment des microfils ou nanofils ou des structures de forme pyramidale recouvertes des couches actives. En effet, pour de tels dispositifs optoélectroniques 34, la réalisation de la séparation des dispositifs électroniques 34 en utilisant la formation de zones fragilisées dans un support par un traitement au laser alors que la plaque contenant les dispositifs électroniques 34 est fixée au support entraîne une détérioration importante des diodes électroluminescentes voisines des lignes de découpe souhaitées.
Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm, la troisième dimension, appelée dimension majeure ou hauteur, étant supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil".
La section droite des fils peut avoir différentes formes, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre moyen" utilisé en relation avec une section droite d'un fil désigne une quantité associée avec l'aire du fil dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil.
Dans la suite de la description, le terme pyramide désigne une structure tridimensionnelle dont une partie est de forme pyramidale ou conique allongée. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c’est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un carré dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 µm, préférentiellement entre 0,2 µm et 2 µm. Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 µm, préférentiellement entre 200 nm et 2 µm.
Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant des pyramides de taille micrométrique ou nanométrique.
Les fils comprennent en majorité, de préférence à plus de 60 % en masse, plus préférentiellement à plus de 80 % en masse, au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés.
La , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , et la sont chacune une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 34.
La , la , la , la , la , et la illustrent la fabrication de la plaque 30 sur le substrat 32 dans le cas où la plaque 30 comprend plusieurs exemplaires du dispositif optoélectronique 34 à nanofils ou microfils.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après les étapes suivantes : - formation, sur un substrat 60 comprenant des faces opposées 62 et 64, la face 62 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes, d'une couche de germination 66 en un matériau favorisant la croissance de fils et disposée sur la face 62 ; - formation d'un empilement de deux couches isolantes 68 et 70 recouvrant la couche de germination 66 et comprenant des ouvertures 72 exposant des portions de la couche de germination 66 ; et - croissance, pour chaque ouverture 72, d'une diode électroluminescente LED en contact avec la couche de germination 66 au travers de l'ouverture 72, six diodes électroluminescentes LED d'un seul dispositif optoélectronique 34 étant représentées à titre d'exemple en , les diodes électroluminescentes LED étant agencées en ensembles de diodes électroluminescentes LED.
La figure 3B est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après les étapes suivantes : - formation d'une couche isolante 74 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque diode électroluminescente LED et s'étendant sur la couche isolante 70 entre les diodes électroluminescentes LED ; - formation d'une couche 76 formant une électrode recouvrant chaque diode électroluminescente LED et s'étendant en outre sur la couche isolante 74 entre les diodes électroluminescentes LED ; - formation d'une couche diélectrique de protection 78 s'étendant sur la couche 76 ; et - formation d'une couche 80 de planarisation s'étendant sur la couche 78 et ayant une face libre 81 plane.
La figure 3C est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après les étapes suivantes : - fixation d'une poignée 82 à la face 81 ; et - retrait du substrat 60, et de la couche de germination 66,par tout moyen connu.
En variante, les premier et deuxième échangeurs de chaleur sont deux parties, notamment deux moitiés, d’un échangeur de chaleur unique.
En variante encore, les premier et deuxième échangeurs de chaleur sont formés par un même échangeurs de chaleur.
Selon l’un des aspects de l’invention, la vanne 6-voies comporte un boîtier et une roue placée de manière rotative dans le boîtier, et le boîtier comprend six ajours d’entrée/sortie de fluide caloporteur définissant les 6 voies de la vanne 6-voies.
Selon l’un des aspects de l’invention, la roue est rotative de sorte à pouvoir prendre les première, deuxième, troisième et quatrième positions angulaires.
Selon l’un des aspects de l’invention, les six ajours d’entrée/sortie de fluide caloporteur sont regroupés selon deux groupes, chaque groupe étant dédié à l’une des boucles.
Selon l’un des aspects de l’invention, les deux groupes sont disposés en symétrie miroir l’un de l’autre par un plan de symétrie qui contient l’axe de rotation de la vanne 6-voies.
Selon l’un des aspects de l’invention, dans chaque groupe, les trois ajours d’entrée/sortie sont disposés, deux à deux, avec un angle entre eux de 34°.
Cette valeur d’angle peut être différent, en fonction des besoins.
Selon l’un des aspects de l’invention, la roue de la vanne 6-voies comprend quatre chambres disposées autour de l’axe de rotation de la vanne 6-voies, ces chambres étant séparées deux à deux par une cloison, et étant agencées chacune pour faire se communiquer entre eux deux ajours d’entrée/sortie de fluide caloporteur, en fonction de la position angulaire.
Selon l’un des aspects de l’invention, ces cloisons sont séparées angulairement deux à deux, par des angles respectivement de 112°, 86°, 76° et 86°, lorsque l’on fait le tour de la roue.
Selon l’un des aspects de l’invention, ces cloisons sont formées par une âme centrale de la roue.
Selon l’un des aspects de l’invention, si l’on prend, comme position angulaire de référence, la première position angulaire de la vanne 6-voies, le système de gestion thermique est configuré pour faire tourner la roue d’un angle de +180° pour passer de la première position à la troisième position, d’un angle de +112° pour passer de la première position à la deuxième position et d’un angle de -112° pour passer de la première position à la quatrième position.
Les valeurs ci-dessus sont données à titre d’exemple et d’autres valeurs appropriées peuvent, bien entendu, être utilisées.
Selon l’un des aspects de l’invention, la première branche de chaque boucle communique avec un vase d’expansion.
Selon l’un des aspects de l’invention, les deux vases d’expansion sont réalisés sur un corps, notamment monobloc, notamment par deux réservoirs formés sur ce corps.
Les deux vases d’expansion permettent que du fluide caloporteur chargé de bulles d'air puisse être débarrassé des bulles d’air.
Le partitionnement utilisé mène à un regroupement des équipements utilisateurs, qui dans chaque groupe ont une forte similarité spectrale, spatiale, et en terme de classe de brouillage.
En , on montre l’étape E2 de définition de la stratégie de configuration de la station de base.
Le tableau montre 3 clusters, C1 à C3, qui font l’objet ou non (O/N) de formations de faisceau B entre la station de base et les équipements utilisateurs du cluster parce qu’ils sont en catégorie hautement ou moyennement brouillés (O) ou faiblement brouillés (N). Ceux des clusters qui font l’objet de telles formations de faisceaux font l’objet ou non (O/N), en complément et conformément à l’invention d’un repli fréquentiel R, s’ils sont en catégorie hautement brouillés. Ceux qui font l’objet d’un tel repli fréquentiel, parce qu’ils ont en catégorie hautement brouillés, ou brouillage persistant, voient leur bande de fréquence initiale Fi être remplacée par une bande finale Ff, différente de Fi. Elle peut être identique pour tous les équipements utilisateurs subissant un repli fréquentiel, et elle est notée F2.
Ainsi, pour les équipements utilisateurs du cluster C1, il n’y a ni formation de faisceaux ni repli fréquentiel. Pour les équipements du cluster C2, il y a formation de faisceaux, mais pas repli fréquentiel, et pour les équipements des clusters C3, C4 et C5, il y a formation de faisceaux et repli fréquentiels vers des bandes finales spécifiques pour chaque utilisateur.
La méthode d’identification d’une bande ou sous-bande de fréquences de repli pour les équipements utilisateurs identifiés comme à brouillage élevé, ou à brouillage persistant peut être fondée sur un scan fréquentiel ou une méthode d’apprentissage par intelligence artificielle, avec prédiction de la bande de repli à partir de mesure de densité spectrale de puissance à l’échelle de l’ensemble des équipements utilisateurs du cluster pour lequel un repli fréquentiel est organisé (le cluster C3).
En , on a représenté la mise en œuvre de la stratégie de lutte contre le brouillage, définie en . Il s’agit de l’étape E3 de mise en œuvre de la stratégie, dans un cas simplifié à deux clusters, un premier cluster 100 et un deuxième cluster 110, formés selon l’étape E1 autour d’une station de base 10 communiquant avec des équipements utilisateurs 25 et visée par un brouilleur 50 qui crée une zone de brouillage 60.