INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’invention permet de garantir un haut niveau de sécurité notamment pour un pack batterie comportant des modules accumulateurs électrochimiques, eux-mêmes constitués d’un assemblage d’accumulateurs interconnectés. En effet, certains accumulateurs peuvent présenter des risques de surchauffe, voire des risques d’incendie, en cas d’avarie. C’est le cas notamment des accumulateurs de chimie lithium-ion, qui peuvent présenter des risques, d’autant plus conséquents que ces accumulateurs peuvent être agencés au sein de modules regroupés en batteries de forte puissance et de tensions de plusieurs centaines de volts, comme les batteries embarquées par les véhicules électriques. Une avarie au sein d’un accumulateur peut ainsi entrainer, par exemple dans un véhicule ou une application industrielle, d’importants risques notamment en matière de sécurité des personnes.
Des moyens existent déjà, notamment au sein des véhicules électriques, pour contenir un tel risque. L’invention ajoute un niveau supplémentaire de sécurité, grâce auquel un accumulateur défectueux, ou plusieurs accumulateurs au sein d’un module, sont déconnectés du circuit rapidement, avant que l’avarie ne se transmette aux accumulateurs voisins. Une avarie est ainsi circonscrite au plus près de son départ, et cette déconnexion est réalisée selon un mode de sécurité passive, c’est-à-dire sans aucun capteur, aucun traitement d’information, ni aucun apport d’énergie.
Si un accumulateur se dégrade et entraine une surchauffe, des projections, voire une explosion, cet accumulateur créera une fuite de fluide dans le connecteur coupe-circuit en perforant l’enceinte à volume variable au niveau de la portion frangible de son enveloppe, ce qui entrainera une diminution de la pression dans l’enceinte à volume variable. L’enceinte à volume variable, avec éventuellement d’autres enceintes à volume variable connectées ensemble, subira une diminution de volume et entrainera une déconnexion des accumulateurs concernés, sans utilisation de source d’énergie ou d’élément actif pour cette déconnexion.
Le niveau supplémentaire de sécurité ainsi obtenu, grâce à ces moyens de sécurité passive, agissent au plus près de l’avarie.
Dans ce cadre, l’architecture électrique peut être prévue pour que la sécurité passive entrainant une déconnexion localisée puisse permettre d’assurer une continuité de service, éventuellement dégradée, en plus de l’aspect sécuritaire. Cette fonction de continuité de service en cas de défaillance d’un ou plusieurs accumulateurs, peut également être pilotée par un capteur, de manière préventive.
L’invention offre une plus grande liberté et une plus grande sécurité dans les procédés d’assemblage de batteries, de montage et démontage des accumulateurs au sein des modules constituant ces batteries, notamment dans le cadre du démantèlement des batteries en vue de leur recyclage ou d’opérations de maintenance. De plus, une sécurité optimale peut être assurée durant les phases de démantèlement, car les accumulateurs seront déconnectés les uns des autres avant l’ouverture de la batterie, soit en cas d’avarie ayant eu lieu antérieurement, soit à la faveur d’une déconnexion déclenchée volontairement, ce qui peut limiter les risques d’électrisation mais aussi de court-circuit.
L’invention permet des connexions électriques avec une meilleure homogénéité des résistances de contact, ce qui procure des connexions électriques de meilleure qualité, avec une plus grande tenue dans le temps. L’utilisation d’un réseau fluidique mutualisé pour la connexion de plusieurs accumulateurs permet de maintenir une pression homogène au niveau des contacts électriques. Même si les tolérances mécaniques et dimensionnelles ont pour conséquence une disparité dans les dimensions des logements d’accumulateurs (ce qui est inévitable), tous les accumulateurs bénéficieront d’une connexion électrique de même résistance (car pression de contact identique), ce qui procure une longévité plus homogène entre les accumulateurs dans les cycles charge/décharge, à la différence de l’art antérieur qui souffre d’un potentiel vieillissement localisé de certains éléments, de manière hétérogène.
Ces connexions présentent par ailleurs une meilleure tenue aux chocs et aux vibrations, ce qui est primordial notamment pour des applications embarquées. Un rôle d’amortissement vis-à-vis des chocs peut être obtenu en réduisant les contraintes associées.
Il est par ailleurs possible d’associer différents connecteurs coupe-circuits en différents tronçons d’un réseau fluidique, ce qui permet de rendre indépendantes la connexion et la déconnexion de groupes prédéterminés d’accumulateurs au sein d’un module, permettant par exemple des opérations de maintenance telle que l’identification fine de problèmes d’équilibrage de charge, ou la mise en œuvre de mesure de rééquilibrage en chargeant ou déchargeant une portion seulement des accumulateurs d’un même module.
L’invention permet en outre une simplification de conception par rationalisation du nombre de pièces, en mutualisant la fonction de contention des accumulateurs et de connexion électrique, avec un gain potentiel en masse, volume et cout.
L’élément d’interconnexion selon l’invention peut comporter les caractéristiques additionnelles suivantes, seules ou en combinaison :
– l’enceinte à volume variable est formée par une enveloppe élastiquement déformable comportant ladite zone frangible ;
– l’enveloppe élastiquement déformable est formée par un prolongement de matière de la première paroi d’appui ;
- mesurer le champ généré dans l’autre bobine, dite bobine réceptrice, et estimer ou calculer la distance et/ou l'écartement entre les deux doigts du gant ou le premier doigt ou le premier compartiment et le deuxième doigt ou le deuxième compartiment.
BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES La représente un schéma d'interaction entre deux bobines ;
Les figures 2A et 2B représentent 2 implémentations d’un gant selon l’invention et d’un dispositif pour mesurer une distance ou un écartement entre les doigts d’une main introduite dans un gant selon l'invention ;
Les figures 3A et 3B représentent un procédé de mesure de l'écartement entre des doigts d'une main introduite dans un gant selon l'invention;
La représente des étapes de conditionnement les signaux émis par des bobines réceptrices d'un gant selon l'invention;
Les figures 5A et 5B représentent une autre implémentation d’un dispositif pour mettre en oeuvre une technique de mesure cyclique;
et représentent 2 techniques différentes de mesure de distance entre un émetteur et un récepteur UWB;
La représente le principe d'une mesure de distance par trilatération;
La représente des étapes pour le calcul d'une trajectoire;
Les figures 10A-10C représentent divers effets piézo-résistifs ( : effet géométrique ; : effet surfacique ; : effet volumique) ;
, et représentent divers capteurs piézo-résistifs;
La représente une implémentation ou architecture possible pour un gant selon l'invention;
Les figures 13A - 13D représentent, respectivement, un gant ( ) et une mitaine ( ) selon l'invention, une variante d’un gant selon l’invention ( ), et une moufle selon l’invention ( );
La représente des étapes de traitement de données mesurées par des capteurs d’un gant selon l'invention, en vue de la restitution d'un geste.
La représente un utilisateur muni d'un gant selon l'invention.
Alternativement, selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention peut comprendre en outre, après le dépôt de la couche métallique d’injection, création d’une électrode de contact sur la couche métallique à l’aide d’un deuxième masque photosensible, le masque ayant un évidement décalé latéralement par rapport à la région active pour l’emplacement de l’électrode de contact.
Il est en effet possible d’inverser l’ordre des étapes de dépôt de la couche métallique d’injection et de la création de l’électrode de contact.
L’ordre de ces étapes est notamment choisi en fonction du choix des métaux et de leur capacité d’adhérer l’un sur l’autre.
De préférence, la couche métallique d’injection, et donc la pastille, est en argent. L’électrode de contact est, de préférence, en or.
L’argent et l’or présentent en effet une conductivité très élevée, permettant de minimiser les pertes.
Bien entendu, d’autres métaux peuvent être utilisés pour la couche d’injection et l’électrode de contact, par exemple du platine ou de l’aluminium. Les métaux mis en œuvre et leurs configurations sont notamment choisis en fonction de la longueur d’onde d’émission (ou de détection) souhaitée.
Selon un mode de réalisation, la création de l’électrode de contact peut comprendre les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le deuxième masque ; dépôt directif d’une couche métallique, dite de contact, sur le deuxième masque ; et lift-off du deuxième masque,
la partie de la couche métallique, dite de contact, restante après le lift-off formant l’électrode de contact.
Grâce à la présence du deuxième masque, l’électrode de contact est créée à proximité de la région active tout en protégeant la surface semi-conductrice de cette dernière. En effet, la surface semi-conductrice de la région active n’est pas soumise à la gravure pour la création de l’électrode de contact.
Avantageusement, le procédé selon l’invention peut comprendre en outre la délimitation latérale de la couche métallique d’injection de sorte à ce qu’elle couvre essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact, à l’aide d’un troisième masque couvrant essentiellement les emplacements de la région active et de l’électrode de contact.
Cette délimitation latérale de la couche métallique d’injection permet de restreindre spatialement la couche métallique d’injection afin de former un pad métallique s’étendant au niveau de la région active et de l’électrode de contact. Ce pad métallique définit ainsi l’étendue de l’élément optoélectronique, par exemple sur une plaquette semi-conductrice comportant plusieurs de ces éléments optoélectroniques.
Selon un exemple de mise en œuvre, la délimitation latérale de la couche métallique d’injection peut comprendre les étapes suivantes : dépôt d’une résine photosensible sur l’ensemble obtenu à l’étape précédente, lithographie et gravure de la résine pour obtenir le troisième masque ; attaque chimique des parties de la couche métallique d’injection non couvertes par le troisième masque ; et lift-off du troisième masque.
Avantageusement, la couche d’isolant électrique peut être déposée par dépôt directif.
Le dépôt directif est un dépôt anisotrope de matériau qui permet notamment de ne déposer du matériau uniquement sur les surfaces directement exposées au faisceau du matériau à déposer. Les surfaces non exposées directement ne seront pas couvertes par le matériau déposé. Ceci permet par la suite de réaliser des opérations différentiées sur les surfaces couvertes par le matériau déposé et celles non couvertes, comme la gravure ou le lift-off.
Selon un mode de réalisation, le matériau semi-conducteur peut comprendre un empilement de couches semi-conductrices comprenant, selon une direction Z perpendiculaire à la surface du matériau semi-conducteur, une alternance de couches d’indice de réfraction élevé et faible pour former un miroir interférentiel.
Les miroirs interférentiels de ce type peuvent être mis en œuvre dans différents types d’éléments et dispositifs optoélectroniques.
Le signal comprend par exemple : Un identifiant du véhicule automobile 100, et/ou Une localisation géographique du véhicule automobile 100 reçu par exemple d’un module de localisation satellitaire 190 du véhicule 100 préalablement à l’étape S40, et/ou Un identifiant du conducteur 112 (numéro de téléphone enregistré par exemple dans les info-divertissement embarquées).
Préalablement à l’étape S00, le réseau de neurones 111 peut être entrainé à l’extérieur du véhicule à partir des étapes suivantes : Enregistrement des données dans une mémoire, durant la circulation du véhicule Gonflement de coussins gonflables du véhicule, suite à la détection. Saisie d’une troisème information selon laquelle une situation d’urgence est intervenue, par exemple chez le réparateur (autrement dit : garagiste) qui change les coussins gonflables, par exemple à partir des dires du propriétaire du véhicule (donc, réparation des coussins gonflables). Entrainement du réseau de neurones 111 à partir des données étiquetées par la troisième information (par modification des poids du réseau de neurones).
Bien entendu, l’accéléromètre 160, la jauge d’huile 170, le capteur de contrôle automatique de la pression 150, un capteur d’angle de carrossage 140, la radiobalise de localisation des sinistres 180, et le module de localisation satellitaire 190 sont connectés, par des bus de données, au dispositif électronique 110.
étiquette tissée Jacquard avec code 2D L’invention se rapporte au domaine technique du tissage Jacquard, et plus particulièrement au domaine du tissage Jacquard d’étiquettes telles que pour le prêt à porter ou d’accessoires textiles tels que des bracelets.
Art antérieur Il est connu de l'art antérieur des étiquettes tissées Jacquard présentant des codes en deux dimensions tels que des QR codes.
Un tel tissage de QR code peut être utilisé sur des vêtements, pour mettre des informations à disposition de l’utilisateur. Il peut être utilisé en traçabilité (logistique ou anti-contrefaçon). Il peut également être adapté pour la fabrication de bracelets d’identification pour l’accès à des campings ou à des festivals par exemple.
Le document JP3132067 décrit une telle étiquette tissée. Néanmoins les plages données pour la sélection des fils et la contexture de l'étiquette n'est ni assez précise, ni adaptée pour pouvoir réaliser de manière fiable et répétable des étiquettes tissées Jacquard. Par exemple, une difficulté du tissage d'étiquette présentant un code à deux dimensions réside dans le fait qu'un tissu est souple, et la déformation d'un code à deux dimensions pénalise sa lecture. De plus, le croisement des fils réalisés lors du tissage peut déformer le code et également pénaliser la lecture.
Le document WO2013/001380 décrit également une étiquette tissée Jacquard présentant un QR code. Les enseignements de ce document présentent les mêmes lacunes.
De plus, un code 2D présente un nombre de données (modules-carrés, ou pixels) corrélées à la quantité d'informations codées. Si le code codé par le code 2D est trop lourd (en volume de données), parce qu'il comprend trop de caractère, alors le code 2D comprend de nombreux pixels.
Lors de la mise en carte de ce code 2D, il convient alors de faire un choix entre : - la bonne lisibilité du code 2D, en imposant une dimension minimale des pixels, et par là, la dimension minimale du code 2D tissé ; et - l'encombrement maximal que l'on souhaite conférer à ce code 2D, notamment dans le cas d'une étiquette dont la largeur excède rarement 4 cm ou 5 cm.
Plus le code 2D tissé est de petite taille, plus les fils définissant les pixels doivent être croisés régulièrement afin de former lesdits pixels. Un nombre trop important de croisements de fils implique une déformation du tissu (et donc du code 2D), ce qui pénalise sa lisibilité. Dans les cas d'une densité d'information trop importante, ce nombre de croisements trop important peut même générer des bourrages sur le métier à tisser.
Il y a donc une difficulté à tisser des codes 2D de manière fiable et répétable.
Il est également connu le tissage d'étiquettes Jacquard présentant des données variables. C'est-à-dire que pour un lot de fabrication d'étiquettes : - elles partagent des données fixes telles que le logo d'une marque, et - elles présentent des données variables qui sont spécifiques à une ou plusieurs étiquettes, telles que des tailles de vêtements ou un numéro de série.
Les données variables peuvent être uniques (sérialisation) ou se répéter (plusieurs étiquettes présentent la même taille de vêtements par exemple). Un lot de fabrication d’étiquettes variables peut comprendre au moins 50 combinaisons différentes de données fixes et de données variables, ou au moins 100, 500 voire 1000 combinaisons différentes. Dans certaines applications de traçabilité où les données variables sont uniques, un lot de fabrication peut comprendre au moins 10000, voire 100000 combinaisons différentes, car chaque étiquette est unique.
Lorsque l'on souhaite fabriquer des étiquettes à données variables, une difficulté réside dans la mise en carte des étiquettes à tisser : d'un point de vue industriel, il n'est pas possible d'effectuer cette mise en carte manuellement, car les durées de travail seraient démultipliées par le nombre de données variables. Un logiciel de mise en carte automatique est utilisé.
Une mise en carte automatique présente l'avantage d'accélérer la mise en carte d'un grand nombre d'étiquettes, néanmoins elle présente l'inconvénient de ne pas être aussi qualitative et optimisée qu'une mise en carte manuelle. Par exemple, une mise en carte automatique peut conduire à un nombre de liages des fils de trame insuffisants ou au contraire trop important. Il s'ensuit des défauts lors du tissage (boucles de fils trop lâches, déformation du motif tissé). Ces défauts peuvent rendre un code 2D tissé illisible. Néanmoins la difficulté de lecture n’est pas constante et dépend du lisage et du tissage de chaque donnée variable : il existe un risque que la majorité des étiquettes soit lisibles, mais qu’une partie significative et non acceptable d’étiquettes soient illisibles.
Lorsqu’on fait référence à une "cellule de transistors", il est fait référence à un ensemble de plusieurs transistors formés dans et sur un même substrat semiconducteur.
Dans la description qui suit, une longueur (par exemple de cellule de transistors, de transistor, ou de zone active de transistor) correspond à une dimension dans une première direction, correspondant à la direction X repérée dans les figures, d’un plan principal XY. Le plan principal correspond généralement au plan principal d’un substrat semiconducteur dans et sur lequel le transistor est formé. La première direction est parallèle à la direction de conduction du transistor. Ainsi, une longueur de canal du transistor correspond sensiblement à la distance entre une région de source et une région de drain du transistor. Une largeur (par exemple de cellule de transistors, de transistor, ou de zone active de transistor) correspond à une dimension dans une deuxième direction du plan principal, orthogonale à la direction X, correspondant à la direction Y repérée dans les figures. Une épaisseur ou une profondeur correspond à une dimension dans la direction perpendiculaire au plan principal, par exemple une direction verticale, correspondant à la direction Z repérée dans les figures. Le terme "longitudinal" ou "latéral" fait référence à la direction de la longueur de transistor (direction X), et le terme "transversal" fait référence à la direction de la largeur de transistor (direction Y).
Dans la description qui suit, un MOSFET peut être désigné sous le terme de transistor MOS. Un transistor NMOS est un transistor MOS à canal N, c'est-à-dire un transistor dont les régions de source et de drain sont dopées de type N. Un transistor PMOS est un transistor MOS à canal P, c'est-à-dire un transistor dont les régions de source et de drain sont dopées de type P.
La est un schéma électrique simplifié représentant un détail d’un plan mémoire 10 d’une mémoire EEPROM.
La représente une intersection entre une colonne COL i et deux rangées RG j , RG j - 1 du plan mémoire 10. Dans la suite, les indices "i" dans les références indiqueront l’appartenance à la colonne respective COL i , et, les indices "j" dans les références indiqueront l’appartenance à la rangée respective RG j .
Un mot mémoire MW i,j , MW i,j - 1 est situé à l’intersection d’une colonne COL i et d’une rangée RG j , RG j - 1 .
Chaque mot mémoire MW i,j comporte plusieurs cellules mémoires 101 (CEL i,j,1 ,CEL i,j,1 … CEL i,j,k ), comportant chacune un transistor d’état 110 et un transistor de sélection 120.
Le transistor d’état 110 est adapté pour stocker une donnée binaire et comporte à cet égard une structure de grille comprenant une grille flottante 112 surmontée par une grille de commande 114, la structure de grille étant entre une région de source et une région de drain du transistor d’état. Le transistor d’état 120 comprend une structure de grille 122 entre une région de source et une région de drain.
Les transistors d’état et de sélection sont par exemple des transistors de type NMOS.
Chaque cellule mémoire CEL i,j,k est couplée à une ligne de bits BL k dédiée et individuelle. Par exemple, la ligne de bits s’étend dans la direction des colonnes du plan mémoire.
Chaque cellule mémoire CEL i,j,k est couplée à une ligne de mots WL j qui peut être commune pour toutes les cellules d’une même rangée RG j . Par exemple, la ligne de mots s’étend dans la direction des rangées du plan mémoire.
Les cellules mémoire CEL i,j,k d’un même mot mémoire MW i,j peuvent être couplées à une même ligne de source SL, qui peut être commune à d’autres mots mémoire.
Le transistor d’état 110 et le transistor de sélection 120 d’une cellule mémoire 101 sont connectés en série, la région de drain du transistor d’état 110 étant, par exemple, couplée à la région de source du transistor de sélection 120. Par exemple, la région de drain du transistor de sélection 120 est couplée à la ligne de bits BL k de la cellule mémoire CEL i,j,k , tandis que la région de source du transistor d’état 110 est couplée à la ligne de source SL, et la structure de grille 122 du transistor de sélection 120 est couplée à la ligne de mots WL j de sa rangée RG j .
Les cellules mémoires CEL i,j,k , CEL i,j -1 ,k d’un même mot mémoire MW i,j , MW i,j-1 sont couplées à une ligne de grille de commande CG i,j , CG i, j-1 commune, adaptée à envoyer un signal aux grilles de commande 114 des transistors d’état 110 de ces cellules mémoire. Par exemple, chaque ligne de grille de commande CG i,j est exclusivement dédiée à un mot mémoire MW i,j d’une colonne COL i et d’une rangée RG j .
L’accès à la ligne de grille de commande CG i,j dans le plan mémoire 10 est fait au moyen d’un circuit de commutation 102 (CGSW i,j ) de grille de commande situé dans une région CGSW du plan mémoire 10, de préférence à proximité du mot mémoire MW i,j associé. Par exemple, la ligne de grille de commande CG i,j achemine un signal issu du circuit de commutation 102 aux grilles de commande 114 des transistors d’état 110 des cellules mémoire 101 du mot mémoire MW i,j associé.
Chaque circuit de commutation 102 peut comporter un (ou plusieurs) circuit(s) inverseur(s) comportant chacun un transistor PMOS 130 en série avec un transistor NMOS 140, commandés par un signal de commande sur leurs grilles.
C’est la configuration optimale pour avoir de bonnes performances en RF car la mobilité et la vitesse de saturation des électrons sont supérieures à celles des trous.
La situation est modifiée lorsque l’on insère un matériau 2D entre la barrière et la couche tampon. Il apparait dans cette situation une densité surfacique de charge fixe σ2 positive à l’interface 13 barrière/matériau 2D et une densité surfacique de charge négative σ3 à l’interface 11 matériau 2D/couche tampon. La densité σ3 à l’interface matériau 2D/couche tampon a ainsi tendance à repousser les électrons ce qui peut empêcher la formation d’un canal conducteur d’électron si les matériaux (III-N et 2D) constitutifs de cette interface ne sont pas judicieusement sélectionnés. On doit avoir
|σ3|<|σ2|.
Ce choix des matériaux et des épaisseurs respectives doit être tel que :
1/ un canal bidimensionnel se forme très près de l’interface 11 matériau 2D/couche tampon.
2/ ce canal est localisé dans la couche tampon (dans le matériau III-N).
3/ ce canal est rempli par des électrons.
Les conditions 1/ et 2/ imposent une contrainte sur les affinités électroniques des matériaux constituant cette interface.
La condition 3/ impose une contrainte sur le choix de la barrière qui doit provoquer une densité surfacique de charge fixe σ2 à l’interface 13 qui soit positive.