INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La cellule 100 est une cellule de type CMOS contenant quatre transistors MOS : deux transistors PMOS P1, P2 dans une première région 110 et deux transistors NMOS N1, N2 dans une deuxième région 120. Un premier transistor PMOS P1 a une première grille de transistor 131 commune avec un premier transistor NMOS N1, et un deuxième transistor PMOS P2 a une deuxième grille de transistor 132 commune avec un deuxième transistor NMOS N2. Une première zone active 111 est formée dans la première région 110 où sont les transistors PMOS, et une deuxième zone active 121 est formée dans la deuxième région 120 où sont les transistors NMOS. La première zone active 111 est de type P, et est, par exemple, formée dans un substrat ou dans un caisson de type N (configuration du type "regular well"). La deuxième zone active 121 est de type N, et est, par exemple, formée dans un substrat ou dans un caisson de type P (regular well). En variante, la première zone active de type P peut être formée dans un substrat ou caisson de type P (configuration du type "flip well") et/ou la deuxième zone active de type N peut être formée dans un substrat ou caisson de type N (flip well).
Les transistors NMOS N1, N2 ont, par exemple, une région de canal en silicium (Si). Les transistors PMOS P1, P2 sont, par exemple, à région de canal contrainte, par exemple ont une région de canal en SiGe. En variante, les transistors PMOS P1, P2 peuvent avoir une région de canal en Si.
Les zones actives 111, 121 comprennent des régions de source S1, S2 et de drain D1, D2, D3, D4 formées au voisinage des grilles de transistor 131, 132.
Pour les transistors P1, P2, les régions de source S1 et de drain D1, D2 sont dopées P. Pour les transistors N1, N2, les régions de source S2 et de drain D3, D4 sont dopées N.
La région de source S1 dans la première zone active 111 est localisée entre les grilles de transistor 131, 132, et est commune aux transistors P1, P2. Un contact de source 112 est formé sur cette région de source S1 pour la relier à la tension d’alimentation (Vdd) via un premier rail de connexion 151 (rail d’alimentation).
La région de source S2 dans la deuxième zone active 121 est aussi localisée entre les grilles de transistor 131, 132, et est commune aux transistors N1, N2. Un contact de source 122 est formé sur cette région de source S2 pour la relier à la masse (Gnd) via un deuxième rail de connexion 152 (rail de mise à la masse).
La région de drain D1 du transistor P1 est localisée entre la première grille de transistor 131 et une première grille d’isolation 133 (décrite ci-après). La région de drain D2 du transistor P2 est localisée entre la deuxième grille de transistor 132 et une deuxième grille d’isolation 134 (décrite ci-après).
La région de drain D3 du transistor N1 est localisée de l’autre côté de la première grille de transistor 131 par rapport à la région de source S2. La région de drain D4 du transistor N2 est localisée de l’autre côté de la deuxième grille de transistor 132 par rapport à la région de source S2.
Un contact de drain 113, 114, 123, 124 est formé respectivement sur chaque région de drain D1, D2, D3, D4. Un troisième rail de connexion 153 vient relier les contacts de drain entre eux, et les relier pour former une connexion interne de la cellule.
Dans l’exemple représenté, la zone active 111 des transistors PMOS P1, P2 de la cellule 100 est isolée le long de la direction X d’autres zones actives 161 et/ou d’autres cellules (non représentées), par des première et deuxième grilles d’isolation 133, 134, ou grilles non actives ("gate tie" ou "tying gate" en anglais). Par exemple, les grilles d’isolation 133, 134 sont placées aux limites latérales de la cellule 100. Un contact de grille d’isolation 135, 136 est formé sur chaque grille d’isolation afin de la polariser à la tension d’alimentation Vdd, via le premier rail de connexion 151, ou rail d’alimentation, pour que la grille d’isolation puisse isoler la zone active 111. Chacune des grilles d’isolation 133, 134 est par exemple prolongée par une grille factice 139, telle une piste de polysilicium factice, de part et d'autre de la seconde zone active 121 des transistors NMOS N1, N2.
Deux autres contacts 137, 138 sont prévus sur une autre zone active 161 de l’autre côté de chaque grille d’isolation 133, 134, et sont reliés à la tension d’alimentation Vdd, via le premier rail de connexion 151. Ces autres contacts représentent des connexions de cellules adjacentes.
S1. décharge et démontage d’une batterie à l’oxyde de lithium cobalt usagée, puis broyage pour obtenir un matériau broyé dont la taille de particule est inférieure ou égale à 5 cm ;
S2. chauffage du matériau broyé à 190 °C et séchage pendant 1,5 h pour éliminer une solution électrolytique et obtenir un matériau séché ;
S3. mélange du matériau séché avec du nitrite de sodium dans un rapport massique de 1:1,8, chauffage à 300 °C et maintien de la température pendant 1,5 h ;
S4. ajout du mélange à de l’ammoniaque aqueuse à 7 mol/L dans un rapport solide/liquide de 1 g : 8 mL, et réalisation d’un tamisage à l’aide d’un tamis d’une taille de maille de 0,25 mm pour obtenir une feuille de cuivre et d’aluminium et de la bouillie ;
S5. ajout à la bouillie de nitrate de calcium représentant 4 % de la masse du matériau séché et chauffage à 50 °C pendant 10 h ;
S7. placement du lixiviat d’ammoniaque dans un évaporateur, chauffage à 80 °C, condensation d’un gaz résultant par un condenseur pour obtenir de l’ammoniaque aqueuse, et décharge du gaz non condensable généré jusqu’à ce que la concentration en ammoniaque dans le lixiviat d’ammoniaque soit inférieure à 10 mg/L ;
Exemple 3 Un procédé d’extraction du lithium d’une batterie au lithium usagée par lixiviation à l’ammoniaque comprend spécifiquement les étapes suivantes :
S4. ajout du mélange à de l’ammoniaque aqueuse 4 mol/L dans un rapport solide/liquide de 1 g :10 mL, et réalisation d’un tamisage à l’aide d’un tamis d’une taille de maille de 0,25 mm pour obtenir une feuille de cuivre et d’aluminium et de la bouillie ;
– la illustre schématiquement une cellule d’accumulateur électrochimique ;
– la illustre une première étape du procédé selon l’invention ;
– la illustre une deuxième étape du procédé selon l’invention ;
– la illustre une troisième étape du procédé selon l’invention ;
– la est un graphique illustrant l’inertage d’une cellule d’accumulateur ;
– la illustre l’application du procédé selon l’invention à une cellule d’accumulateur particulière ;
– la illustre un autre exemple de cellule d’accumulateur électrochimique adaptée à subir le procédé d’inertage selon l’invention ;
– la est une vue schématique en coupe de la cellule d’accumulateur électrochimique de la ;
– la illustre l’application du procédé d’inertage à la cellule d’accumulateur électrochimique des figures 7 et 8 ;
– la et la illustrent l’application du procédé d’inertage à un autre type de cellule d’accumulateur électrochimique ;
– la illustre un autre exemple de cellule d’accumulateur électrochimique adaptée à bénéficier du procédé d’inertage ;
– la illustre un support d’inertage ;
– la illustre la mise en œuvre du support d’inertage de la .
DESCRIPTION DÉTAILLÉE La illustre schématiquement en coupe une cellule 1 d’accumulateur électrochimique. Il s’agit dans cet exemple illustratif d’une cellule cylindrique d’accumulateur, de chimie lithium-ion.
La montre un exemple de cellule 200 à section carrée constituée de quatre murs métalliques d’épaisseur t et de largeur p. Chaque mur présente une fente en longueur ayant une largeur w x ou w y selon le coté de la cellule.
Dans une variante de réalisation, la cellule 200 peut présenter une section de forme différente, par exemple hexagonale.
En outre la cellule 200 comporte une interconnexion interne 300 en forme de croix permettant de réaliser un chargement réactif, tel qu’illustré à la . L’interconnexion interne 300 présente une symétrie de révolution. Elle est électriquement conductrice pour former une discontinuité électrique dans la cellule 200. La croix 300 est formée de deux tiges électriquement conductrices qui forment une charge inductive.
Autrement dit chaque cellule 200 comprend un cadre de support et une (ou plusieurs) interconnexion 300 interne au cadre de support. Le cadre de support est inscrit dans un prisme, ayant un axe Z’ donné. Dans l’exemple de la figure 2 et de la figure 3, le prisme a une section carrée. Le prisme comprend faces reliées entre elles par arêtes, orientées selon l’axe du prisme Z’, le cadre de support comprend éléments de coin, chaque élément de coin a un bord coïncidant avec une des arêtes du prisme, les éléments de coins étant agencés de sorte que le cadre de support présente, sur chaque face du prisme, une fente s’étendant selon l’axe du prisme Z’. Dans cet exemple, .
Chaque interconnexion interne comprend tiges inductives comprenant chacune deux extrémités, les tiges inductives ayant chacune une première extrémité reliée à l’un desdits bords du cadre de support, les deuxièmes extrémités des tiges inductives sont reliées entre elles au niveau d’un point de connexion de tiges, le point de connexion de tiges est positionné sensiblement au centre du cadre de support dans un plan orthogonal à l’axe du prisme Z’. Dans l’exemple l’interconnexion interne comprend quatre tiges et est en forme de croix.
Plus de détails sur la conception d’une cellule TEM selon la sont données dans la demande FR3095303.
La montre la structure de base du dispositif d’adaptation d’impédance de la . Cette structure est composée d’une cellule TEM 200 sur laquelle sont disposées des pointes métalliques 400 aux quatre coins de la cellule. Les pointes métalliques sont disposées orthogonalement au plan xOy qui est parallèle au plan transversal de la cellule et à l’ouverture rayonnante de l’antenne. Avantageusement les pointes métalliques sont des tiges de section constante circulaire ou carrée ayant des dimensions prédéterminées.
La montre une variante de réalisation de la structure de la pour laquelle une pointe métallique supplémentaire 500 est disposée au centre de la cellule en fixation avec l’interconnexion interne 300. Dans ce cas, la structure d’interconnexion interne 300 présente une forme pyramidale, c’est-à-dire que les tiges d’interconnexion qui forment les bras de la croix présentent un angle non nul par rapport au plan transversal xOy de la cellule. Cette forme est notamment choisie lorsque le dispositif est fabriqué par une technique de fabrication additive.
Les degrés de liberté utilisés pour optimiser le fonctionnement de la structure sont notamment : Son positionnement par rapport à l’ouverture rayonnante (distance d WAIM ) Les paramètres géométriques de la grille (longueur, espacement des plans conducteurs et, dans une moindre mesure, leur épaisseur) La géométrie du motif réactif lui-même et sa position au sein de la cellule, c’est-à-dire la géométrie de l’interconnexion 300 ainsi que sa position, La longueur des pointes métalliques et, dans une moindre mesure, leur diamètre.
Les contraintes à respecter lors de la mise au point de la structure sont : L’invariance par rotation de 90° de la géométrie, pour garantir un fonctionnement identique sur les deux polarisations linéaires horizontale H et verticale V, L’utilisation d’un motif réactif (structure d’interconnexion 300) dont la structure assure la cohésion mécanique de la grille en même temps qu’elle permet l’adaptation.
Selon une variante de réalisation de l’invention, il n’est pas indispensable que la périodicité de la grille des cellules TEM coïncide avec celle du réseau d’éléments rayonnants. Par exemple, une période de grille de cellules TEM correspondant à un sous-multiple de la période du réseau antennaire (c.à.d telle qu’une période du réseau coïncide avec un nombre entier de périodes de la grille) présente l’avantage de prévenir toute difficulté supplémentaire quant à l’évitement des lobes de réseau. Les capacités de la cellule TEM en termes de miniaturisation (dues à l’absence de fréquence de coupure pour les modes propagés au travers de la cellule) facilitent une telle option.
De façon générale, et comme illustré à la , les pointes métalliques sont disposées sur la grille de cellules TEM de sorte à être à l’intersection des plans d’antisymétrie respectifs du champ électrique rayonné par l’antenne pour un balayage dans le plan H, pour deux polarisations linéaires différentes horizontale et verticale. Ce point sera explicité plus en détail par la suite.
Le dispositif selon l’invention est dimensionné de sorte à dissocier l’adaptation d’impédance pour un balayage de l’antenne dans le plan H de celle pour un balayage de l’antenne dans le plan E et ce pour deux polarisations orthogonales linéaires.
Ainsi, le dispositif selon l’invention peut être conçu selon un procédé de conception en deux phases.
La première phase de conception consiste à dimensionner la grille de cellules TEM de sorte à optimiser l’adaptation d’impédance pour le balayage dans le plan H. L’optimisation consiste à ajuster au moins un paramètre parmi la position d WAIM de la grille par rapport à l’ouverture rayonnante, ses dimensions ainsi que le motif géométrique et les dimensions de la structure d’interconnexion qui réalise le chargement réactif de la cellule. L’optimisation est réalisée de façon à ce que la cellule TEM présente l’impédance d’entrée appropriée pour minimiser le coefficient de réflexion actif sur les ports de l’antenne, quel que soit l’angle de dépointage dans ce plan. La multiplicité des degrés de liberté disponibles offre de nombreuses possibilités pour réaliser cette adaptation.
Par exemple, cette première phase d’optimisation est réalisée au moyen d’un circuit électrique équivalent. Le dispositif d’adaptation d’impédance est modélisé comme une charge à une distance d WAIM de l’antenne. Un objectif de l’optimisation est de déterminer la charge pour laquelle le coefficient de réflexion actif de l’antenne est minimal pour l’intervalle d’angles de dépointage considéré et éventuellement pour une plage fréquentielle donnée. Une fois le chargement souhaité déterminé, il est synthétisé en un véritable composant.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est réalisé essentiellement dans un alliage à base Cobalt ou Nickel-Cobalt. En effet, lors de l’exposition à chaud, ces alliages forment des oxydes, notamment des oxydes de cobalt, qui jouent un rôle de lubrification sèche au niveau de la surface de contact.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est réalisé essentiellement dans un alliage à base Nickel.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est réalisé essentiellement dans un alliage comprenant au moins 3% en masse, et de préférence entre 3 et 30% en masse, de Molybdène. De préférence, lorsque l’alliage est à base Nickel ou Nickel-Cobalt, la teneur du Molybdène ne dépasse pas 5% en masse. L’ajout de molybdène dans la composition, tout particulièrement en combinaison avec du cobalt, permet de former des oxydes de molybdène qui viennent étendre la plage de température sur laquelle la lubrification sèche est efficace.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est réalisé essentiellement dans un alliage comprenant au moins 3% en masse, et de préférence entre 3 et 5% en masse, de Silicium. De manière analogue au molybdène, l’ajout de silicium dans la composition, tout particulièrement en combinaison avec du cobalt, permet de former des oxydes de silicium qui viennent étendre la plage de température sur laquelle la lubrification sèche est efficace.
Dans certains modes de réalisation, les particules comprises dans l’alliage du revêtement anti-usure sont des particules de carbure, de préférence de carbure de chrome. Les particules de carbure, en raison de leur dureté, permettent de limiter la consommation du revêtement anti-usure lors du frottement. Les particules de carbure de chrome sont particulièrement adaptées dans le cadre d’un alliage base nickel, comportant de préférence une teneur importante en chrome : en effet, de tels alliages présente une certaine ductilité formant une bonne matrice pour les particules de carbure.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est réalisé essentiellement dans l’un des alliages suivants Tribaloy T-800 (marque déposée), René 80 (marque déposée), Cr3C2-Ni20Cr ou Inconel 718 (marque déposée). Ces quatre alliages ont montré de très bons résultats lors des essais réalisés par les inventeurs.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure comprend une épaisseur comprise entre 0,1 et 1,5 mm, de préférence comprise entre 0,1 et 1,0 mm, de préférence encore entre 0,1 et 0,3 mm. De telles épaisseurs sont adaptées pour assurer une bonne interface avec l’alvéole du disque.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est présent uniquement sur l’ensemble des surfaces de portée de l’aube. Le revêtement est ainsi déposé uniquement aux endroits où il est utile, ce qui limite le coût de l’opération. De plus, le dépôt d’un revêtement peut ne pas être souhaité dans certaines zones pour des raisons de contraintes dimensionnelles ou de tenue mécanique de la pièce.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est dépourvu d’un vernis de protection. Autrement dit, le revêtement anti-usure est directement exposé à l’environnement extérieur de l’aube, et donc en contact avec les surfaces de retenue du disque lorsque l’aube est montée. En effet, les essais ont montré qu’il était possible d’obtenir d’aussi bons résultats, voire meilleurs, avec de tels revêtements anti-usure par rapport aux configurations mettant en œuvre un vernis lubrifiant. Il est donc possible de se passer d’une étape longue et fastidieuse d’application d’un tel vernis.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement anti-usure est déposé par projection thermique, de préférence par projection plasma.
Dans certains modes de réalisation, l’aube comprend en outre une tête d’aube comprenant au moins une surface de talon, ladite surface de talon étant munie d’un revêtement anti-usure de même nature que le revêtement anti-usure du pied d’aube. Ainsi, il est possible d’utiliser un même matériau pour protéger à la fois le pied d’aube et la tête d’aube : on simplifie ainsi le procédé de fabrication de l’aube.
Dans certains modes de réalisation, ladite aube est une aube mobile. En effet, les frottements, et donc le phénomène d’usure, sont plus importants lorsque l’aube tourne dans la turbomachine.
Dans certains modes de réalisation, ladite aube est une aube de turbine. En effet, le phénomène d’usure est plus important à haute température.
Le présent exposé concerne également un module de turbomachine, comprenant un disque, comprenant une pluralité d’alvéoles, et une pluralité d’aubes selon l’un quelconque des modes de réalisation précédents, le pied d’aube de chaque aube étant engagé dans une alvéole du disque de sorte que les surfaces de portée du pied d’aube soient en contact avec des surfaces de retenue de l’alvéole.
Dans certains modes de réalisation, le module de turbomachine est dépourvu de clinquant à l’interface entre les pieds d’aube et le disque.
Le présent exposé concerne également une turbomachine, comprenant une aube ou un module de turbomachine selon l’un quelconque des modes de réalisation précédents.
Un réseau de neurone constitue un modèle de calcul utilisant des neurones pour réaliser des opérations de calculs, les neurones étant interconnectés entre eux par des liaisons appelées « synapses », implémentées sous la forme de mémoires numériques. Un réseau de neurones peut comprendre une pluralité de couches successives de neurones, comprenant une couche d'entrée, une couche de sortie, et une ou plusieurs couches intermédiaires. La couche d'entrée porte des données d'entrée du réseau, correspondant à un ensemble de caractéristiques . Un réseau de neurones est associé à un ensemble de paramètres d’apprentissage . Par exemple et sans limitation, un ensemble de paramètres d’apprentissage peut être un ensemble de données, du modèle d’apprentissage, relatifs à des biais associés aux neurones du réseau et/ou à des poids synaptiques associés aux liaisons entre différents neurones du réseau. Un ensemble de paramètres d’apprentissage peut en outre être associé à des poids de filtres convolutifs.
Dans les modes de réalisation de l’invention où la méthode d’apprentissage utilisée repose sur un réseau de neurones convolutif à deux dimensions, le réseau de neurones peut comprendre une couche de sortie configurée pour appliquer une fonction d’adaptation de dimensionnalité des données, par exemple et sans limitations une fonction linéaire et/ou une fonction sigmoïde.
Par ailleurs, à chaque itération de l’algorithme d’apprentissage, l’algorithme du type « Algorithme de descente de gradient stochastique » comprend une phase d’inférence (ou phase de propagation vers l’avant dite forward ) et une phase de mise à jour des paramètres d’apprentissage du modèle (appelée également phase de rétropropagation par gradients dite backward ). La phase d’inférence propage les données caractéristiques d'entrée de la couche d'entrée au travers des couches successives du réseau de neurones. Chaque couche d'un réseau de neurones prend ses entrées sur les sorties de la couche précédente. Les données sont propagées jusqu’à la couche de sortie portant le résultat des calculs effectués par le réseau de neurones. Ce résultat peut permettre de déterminer une prédiction notée du réseau par rapport aux données d'entrée considérées. La phase de rétropropagation permet de corriger les erreurs entre les sorties obtenues dans la phase d’inférence et les sorties attendues (correspondant aux données d'entrée considérées).
En particulier, l’algorithme d’apprentissage permet de comparer une prédiction par rapport à une sortie attendue selon un critère d’erreur encore appelé ‘objectif’, et donc par rapport à l’ensemble de caractéristiques . L’algorithme d’apprentissage permet également, en fonction de cette comparaison, de mettre à jour à chaque itération les paramètres d’apprentissage pour améliorer le résultat final pouvant être délivré par le réseau de neurone.
La représente schématiquement des blocs fonctionnels associés à l’algorithme d’apprentissage de données appliqué, selon certains modes de réalisation de l’invention.
L’algorithme d’apprentissage comprend un bloc d’initialisation 142 configuré pour générer un ensemble d’entrainement de données issu de l’ensemble de données initial . En particulier, l’ensemble d’entrainement de données comprend une pluralité d’individus notés et appelés individus ‘d’entrainement’. Chaque individu d’entrainement est échantillonné parmi l’ensemble des individus initiaux . Chaque individu d’entrainement est alors associé à un ensemble de caractéristiques d’entrainement . L’ensemble d’entrainement de données peut être défini par l’expression (02) suivante :
Le bloc d’initialisation 142 est en outre configuré pour générer un ensemble de données de voisinage issu de l’ensemble de données initial . En particulier, l’ensemble de données de voisinage comprend une pluralité d’individus notés appelés individus ‘voisins’. Chaque individu voisin est alors associé à un ensemble de caractéristiques de voisinage . L’ensemble de données de voisinage peut être défini par l’expression (03) suivante :
Dans des modes de réalisation, l’application de la fonction de voisinage peut comprendre une détermination de mesures de distance entre individus d’entrainement et individus initiaux . Une mesure de distance, notée ou , s’effectue entre au moins une partie des données comprises dans l’ensemble de caractéristiques d’entrainement et au moins une partie une partie des données comprises dans l’ensemble initial de caractéristiques . Par exemple et sans limitation, la mesure de distance peut être effectuée en utilisant une méthode de calcul d’une distance euclidienne, entre les deux l’ensemble de caractéristiques d’entrainement et initial .