INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La partie A3 comprend par exemple des informations supplémentaires concernant les configurations pouvant être installées. Par exemple, la partie A3 comprend un bit par configuration possible, le bit ayant une première valeur binaire, par exemple la valeur 0, si la configuration correspondante peut être installée, ou la valeur 1, si la configuration correspondante ne peut pas être installée.
Le mot 24B de la vue 4B comprend, comme le mot 24A, au moins deux parties : une première partie B1 et une deuxième partie B2. La partie B1 est par exemple identique à la partie A1. La partie B2 est par exemple identique à la partie A2. Le mot 24B comprend par exemple une troisième partie B3 et une quatrième partie B4.
Dans le mode de réalisation correspondant à la vue 4B, chaque configuration est associée à une valeur binaire, par exemple de telle manière que la croissance des valeurs binaires correspondant aux configurations correspondent à la croissance ou décroissance d'une caractéristique, par exemple le niveau d'autorisation. Ainsi, par exemple, plus la valeur correspondant à la configuration est élevée (ou faible selon un autre mode de réalisation), plus le niveau de sécurité est élevé, et plus le niveau d'autorisation nécessaire pour effectuer certaines actions est important. Alternativement, plus la valeur correspondant à la configuration est élevée (ou faible selon un autre mode de réalisation), plus d'élément 16 sont accessible par le dispositif, autrement dit sont commandable par le microcontrôleur.
La partie B3 correspond par exemple à une valeur binaire correspondant à une valeur minimale de configuration pouvant être installée. Ainsi, les configurations étant associés à une valeur binaire inférieure à la valeur comprise dans la partie B3 ne peuvent être installées. Similairement, la partie B4 correspond par exemple à une valeur binaire correspondant à une valeur maximale de configuration pouvant être installée. Ainsi, les configurations étant associés à une valeur binaire supérieure à la valeur comprise dans la partie B4 ne peuvent pas être installées. Ainsi, uniquement les configurations associées à une valeur comprise entre la valeur de la partie B3 et la valeur de la partie B4 peuvent être installées.
Alternativement, la partie B3 correspond par exemple à une valeur binaire correspondant à une valeur minimale de configuration ne pouvant pas être installée. Ainsi, les configurations étant associés à une valeur binaire inférieure à la valeur comprise dans la partie B3 peuvent installées. Similairement, la partie B4 correspond par exemple à une valeur binaire correspondant à une valeur maximale de configuration ne pouvant pas être installée. Ainsi, les configurations étant associés à une valeur binaire supérieure à la valeur comprise dans la partie B4 peuvent être installées. Ainsi, uniquement les configurations associées à une valeur comprise entre la valeur de la partie B3 et la valeur de la partie B4 ne peuvent pas être installées.
Le mot 24C de la vue 4C comprend, comme le mot 24A, au moins deux parties : une première partie C1 et une deuxième partie C2. La partie C1 est par exemple identique à la partie A1. La partie C2 est par exemple identique à la partie A2. Le mot 24B comprend par exemple une troisième partie C3.
Comme dans le mode de réalisation correspondant à la vue 4B, chaque configuration est associée à une valeur binaire, par exemple de telle manière que la croissance des valeurs binaires correspondant aux configurations correspondent à la croissance ou décroissance d'une caractéristique, par exemple le niveau d'autorisation. Ainsi, par exemple, plus la valeur correspondant à la configuration est élevée (ou faible selon un autre mode de réalisation), plus le niveau de sécurité est élevé, et plus le niveau d'autorisation nécessaire pour effectuer certaines actions est important. Alternativement, plus la valeur correspondant à la configuration est élevée (ou faible selon un autre mode de réalisation), plus d'élément 16 sont accessible par le dispositif, autrement dit sont commandable par le microcontrôleur.
Dans un exemple de réalisation, non représenté, la première extrémité de l’écran 2 est fixée sur la surface extérieure 4b du tube d’enroulement 4 au moyen d’un adhésif, non représenté, pouvant être, par exemple, double face.
Ainsi, l’écran 2 est maintenu en position contre la surface extérieure 4b du tube d’enroulement 4 au moyen de l’adhésif, sur une partie ou toute la longueur du tube d’enroulement 4, de sorte à solidariser l’écran 2 avec le tube d’enroulement 4 et à pouvoir enrouler et dérouler l’écran 2 autour du tube d’enroulement 4.
Le mode de fixation de l’écran 2 sur le tube d’enroulement 4 n’est pas limitatif et peut être différent. Il peut être mis en œuvre, par exemple, au moyen d’une ou plusieurs articulations fixées, notamment par vissage ou par rivetage, au tube d’enroulement 4.
On décrit à présent, plus en détail et en référence aux figures 2 à 4, le dispositif d’entraînement motorisé 5, y compris l’actionneur électromécanique 11, appartenant à l’installation 6 et, plus particulièrement, au dispositif d’occultation 3 illustré aux figures 1 et 2.
Ces étapes sont les suivantes : implantation S710 des premiers ions légers 3a sur une première zone de test Q11 du substrat test 6, à l’énergie d’implantation des premiers ions légers 3a, et avec une première dose de test DT1 1 basse, par exemple de 1 e 16/cm². traitement thermique S720 du substrat test 6 à la température de l’épitaxie T ep pendant la durée d’épitaxie d ep , contrôle S730 de la surface libre 66 du substrat test 6, de préférence contrôle visuel sur des images de la zone de test acquise par microscopie optique, Si la surface libre 66 est détériorée (sortie « D » de l’étape S730), le premier seuil S1 est égal à la première dose de test DT1 1 , Si la surface libre n’est pas détériorée (sortie « ND » de l’étape S730), la première dose DT1 2 de test est augmentée (DT1 2 > DT1 1 ) et les étapes d’implantation S710, de traitement thermique S720 et de contrôle S730 sont répétées sur la zone de test suivante Q1 2 , cela en appliquant à l’étape d’implantation S710 la dose de test D1 2 augmentée.
Par « surface libre détériorée », on entend la présence de cloques ou d’exfoliations sur la surface libre 66. Ces dommages correspondent à des points sombres sur les images en microscopie optiques et sont aisément détectables (cf. points P dans l’image IMG1 de la ).
Par « surface libre 66 non détériorée », on entend l’absence de cloques ou d’exfoliation sur la surface libre 66. Sur les images acquises en microscopie optique, aucun point sombre n’est détecté (cf. IMG2 de la ).
On pourra également pour cette première implantation S120 combiner plusieurs ions 3a et notamment de l’hélium et/ou du Bore avec de l’hydrogène. Plus les espèces implantées seront nombreuses lors de cette première implantation, moins il en sera nécessaire lors de la deuxième implantation et donc moins la couche épitaxiée sera endommagée.
Après l’étape d’épitaxie S130 décrite précédemment, une deuxième étape d’implantation d’ions légers, dite étape d’implantation S140 de deuxièmes ions légers 3b est effectuée. Cette étape S140 est illustrée et est associée à l’étape ultérieure S160, illustrée , consistant en une étape de recuit de fracturation S150 effectuée à une température de recuit de fracturation T RF et pendant une durée de recuit de fracturation d RF .
Les deuxièmes ions 3b sont des espèces légères telles que l’hélium He, l’hydrogène H ou un mélange d’hélium et d’hydrogène (« H+He »). Les deuxièmes ions 3b peuvent être les mêmes que les premiers ions 3a.
De préférence, les deuxièmes ions 3b légers comprennent ou sont des ions d’hydrogène.
La profondeur de cette deuxième implantation S140 est la profondeur d’implantation 30 déterminée lors de la première implantation S120 des premiers ions 3a à laquelle s’ajoute l’épaisseur de la couche semiconductrice 40 épitaxiée. L’énergie à laquelle est accomplie la deuxième implantation S140 est telle que le maximum du profil d’implantation est superposé à celui de la première implantation S120.
En référence à la , la deuxième implantation S140 est effectuée dans le substrat donneur 10, à travers la couche semi-conductrice 40 à transférer, de sorte que les deuxièmes ions 3b atteignent le plan fragile enterré 300..
Le plan fragile 300 est alors un plan dans lequel la densité de nano-cavités et la teneur globale en ions légers, c’est-à-dire la teneur cumulée en premiers ions 3a légers et en deuxième ions 3b légers, permettent, lors de l’étape S160 de recuit de fracturation, d’y déclencher la formation de complexes gazeux entraînant la fracturation du substrat donneur 10.
Pour cela, la deuxième implantation S140 est accomplie avec des ions 3b implantés à une ou plusieurs doses telles que, lors du recuit de fracturation S160, le cumul des premiers ions 3a et les deuxièmes ions 3b induit une fracturation du substrat donneur 10, suivant le plan fragile enterré 300.
Si la deuxième implantation S140 comprend des ions hydrogène implantés à une deuxième doseD2, cette dose est préférentiellement prédéterminée expérimentalement, en se basant, de façon similaire à la détermination du premier seuil S1, sur la présence/absence d’exfoliations en surface d’un deuxième substrat test tel que le deuxième substrat test 8 illustré .
De façon analogue au premier substrat 6 test, le deuxième substrat 8 test peut être divisé en plusieurs zones de tests, par exemple quatre zones Q21, Q22, Q23 et Q24.
Les étapes S910 à S950 (cf. ) y sont réalisées. Elles consistent en : l’implantation S910 des premiers ions 3a sur une première zone Q21, à l’énergie d’implantation des premiers ions. On implante par exemple des ions Hélium avec une énergie de 35 keV (de sorte à créer un plan fragile à une profondeur de 300 nm par rapport à la surface) et une dose D1 de 2 e 16/cm²), l’épitaxie S920 du deuxième substrat 8 de test à la température d’épitaxie T ep et pendant la durée d’épitaxie d ep , pour créer une couche épitaxiée par exemple de 30 nm l’implantation S930 des deuxièmes ions 3b avec une énergie d’implantation de sorte que ces ions atteignent le plan fragile enterré . Si les ions implantés sont de l’hydrogène, ils seront pour cela implantés avec une énergie 24 keV pour atteindre le plan fragile situé à 330 nm de la surface. Ces ions seront implantés avec une deuxième dose de test DT2 1 basse, par exemple égale à 1E16/cm², traitement thermique S940 du deuxième substrat 8 test à la température de recuit de fracturation T RF et pendant la durée du recuit de fracturation d RF , contrôle S950 de la qualité de la surface libre 88 du deuxième substrat 8 de test, si la qualité de surface est détériorée (sortie « D » de l’étape de contrôle S950), la deuxième dose D2 est égale ou supérieure à la deuxième dose de test DT21, si la qualité de surface n’est pas détériorée (sortie « ND » de l’étape de contrôle S950), la dose de test DT2 1 est augmentée et les étapes S910 à S930 de test sont répétées sur une autre zone de test Q22, l’étape d’implantation S930 des deuxièmes ions 3b étant accomplie avec la deuxième dose de test augmentée DT2 2 .
En appliquant ces étapes, on obtient, par exemple, les conditions de fracturation données dans le tableau 1 ou les conditions de fracturation données dans le tableau 2. Par « conditions de fracturation », on entend l’ensemble des paramètres liés à l’implantation S120 des premiers ions, à l’épitaxie S130, à l’implantation S140 des deuxièmes ions, et au recuit S160 de fracturation.
Implantation des premiers ions légers S120 Epitaxie S130 30 nm Si Implantation des deuxièmes ions légers S140 Recuit de fracturation S160 Ions légers He H Energie (keV) 36 2 Dose (/cm²) 1,3 e 16 1 E 16 Température (°C) 400 500 Durée (min) 15 1 h
La illustre l’ensemble d’injection 120 pour un module lumineux selon des modes de réalisation de l’invention.
Sur la , les éléments d’injection 120.1 sont en position pliés et sont composés : d’une partie principale 120.12 qui s’étend le long de l’axe X correspondant à une direction d’injection de lumière, perpendiculaire à la tranche d’injection 114; et d’une partie terminale 120.13 qui s’étend le long de l’axe Y, de manière sensiblement parallèle à la tranche d’injection 114.
Pour chaque élément d’injection 120.1, les deux parties 120.12 et 120.13 sont reliées par un pli 120.14 positionné sur la position de pli 300 illustrée précédemment. La partie terminale 120.13 s’étend après le pli 120.14. Dans un mode de réalisation non limitatif, le pli 120.14 est un pli en angle droit.
La longueur Lh d’un élément d’injection 120 est ainsi la somme de la longueur de la partie principale 120.12 et de la partie terminale 120.13.
Tel qu’illustré sur la , les éléments d’injection 120.1 d’un ensemble 120 sont pliés de sorte que leurs parties terminales 120.13 forment un empilement 123 d’épaisseur E, adaptée à une surface d’émission de la source de lumière 130.
Les rayons lumineux R de la source de lumière 130 entrent par la surface d’entrée 121 et se propagent dans les différents éléments d’injection 120.1. Les rayons lumineux R sont totalement réfléchis à l’intérieur des éléments d’injection de lumière 120.1 et sont redirigés via les plis 120.14 vers la nappe de guidage 110.
La illustre un guide de lumière 105 d’un module lumineux selon un mode de réalisation de l’invention.
Comme évoqué précédemment, afin d’augmenter la luminosité du motif projeté dans la zone d’émission lumineuse 111.1, deux ensembles d’injection 120a et 120b peuvent être prévus, de manière à injecter des rayons lumineux dans deux tranches distinctes 114a et 114b de la nappe de guidage 110. Selon l’invention, les tranches d’injection 114a et 114b sont de part et d’autre de la nappe de guidage 110.
La description de l’ensemble d’injection 120 présenté en référence aux figures 1 à 5, s’applique au premier ensemble d’injection 120a et au deuxième ensemble d’injection 120b. Le premier ensemble d’injection 120a peut comprendre N1 éléments d’injection 120.1 et le deuxième ensemble d’injection 120b peut comprendre N2 éléments d’injection 120.1, N1 et N2 étant deux entiers supérieurs ou égaux à 2. De manière préférentielle, N1 et N2 sont égaux.
Dans l’exemple donné à titre illustratif de la , N1 et N2 sont égaux à 10.
La présente les ensembles d’injection 120a et 120b avant qu’ils ne soient pliés de manière à réaliser l’empilement 123 décrit précédemment et à former la surface d’entrée 121 précédemment décrite.
Selon l’invention, les longueurs Lh des éléments d’injection du premier ensemble d’injection 120a sont telles qu’elles permettent un pliage du premier ensemble dans un premier sens de pliage, et les longueurs Lh des éléments d’injection du deuxième ensemble d’injection 120a sont telles qu’elles permettent un pliage du deuxième ensemble dans un deuxième sens de pliage, opposé au premier sens de pliage.
Afin de permettre un tel pliage, et conformément à la description donnée précédemment de l’ensemble d’injection 120: le premier ensemble d’injection 120a peut comprendre un élément d’injection 120.1a1 dont la longueur Lh est la plus grande du premier ensemble 120a et un élément d’injection 120.1a10 dont la longueur Lh est la plus petite du premier ensemble 120a, la longueur Lh des éléments d’injection 120.1a étant décroissante entre l’élément d’injection 120.1a1 et l’élément d’injection 120.1a10; et le deuxième ensemble d’injection 120bpeut comprendre un élément d’injection 120.1b1 dont la longueur Lh est la plus petite du deuxième ensemble 120b et un élément d’injection 120.1b10 dont la longueur Lh est la plus grande du deuxième ensemble 120b, la longueur Lh des éléments d’injection 120.1b étant croissante entre l’élément d’injection 120.1b1 et l’élément d’injection 120.1b10.
De manière préférentielle, l’élément d’injection 120.1a10 le plus court du premier ensemble 120a est en regard de l’élément d’injection 120.1b10 le plus long du deuxième ensemble 120b.
Autrement dit, l’élément d’injection 120.1a10 correspond à un ensemble de positions d’injection en Y correspondant au moins partiellement à un ensemble de positions d’injection en Y de l’élément d’injection 120.1b10.
De même, l’élément d’injection 120.1a1 le plus long du premier ensemble 120a est en regard de l’élément d’injection 120.1b1 le plus court du deuxième ensemble 120b.
Dans l’exemple représenté, lorsque le moteur 10 fonctionne à faible puissance (en dessous d’un point d’étape), par exemple pendant ou peu après le démarrage, le carburant est amené uniquement aux injecteurs primaires des tuyères de projection de carburant duplex 403 pour une distribution à la chambre de combustion 401. Un débit de carburant supérieur est donc fourni aux tuyères duplex 403 par comparaison avec les tuyères à flux unique 404 en dessous du point d’étape. À mesure que la puissance de sortie du moteur 10 et le débit massique d’air à travers le moteur 10 augmente, le point d’étape est atteint au niveau duquel du carburant est en complément amené aux injecteurs de carburant principaux d’une ou plusieurs des tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403 et aux injecteurs de carburant principaux d’une ou plusieurs des tuyères de pulvérisation de carburant à flux unique 404 pour une distribution à la chambre de combustion 401. Dans le présent exemple, à des niveaux de puissance plus élevés, du carburant est injecté par tous les injecteurs de carburant principaux à la fois des tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403 et des tuyères de pulvérisation de carburant à flux unique 404, en plus du carburant injecté par les injecteurs primaires des tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403. Dans cet exemple, le débit de carburant amené aux injecteurs principaux des tuyères de pulvérisation de carburant à flux unique 404 est inférieur ou égal au débit de carburant amené aux injecteurs principaux des tuyères de projection de carburant duplex 403. Ainsi, parce que l’un et l’autre parmi les injecteurs primaire et principal des tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403 reçoivent du carburant, les tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403 reçoivent plus de carburant que les tuyères de pulvérisation de carburant à flux unique 404 au niveau et au-dessus du point d’étape. Dans un exemple alternatif, du carburant est amené uniquement aux injecteurs de carburant principaux d’une ou plusieurs de l’une ou plusieurs tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403 et aux injecteurs de carburant principaux d’une ou plusieurs des tuyères de pulvérisation de carburant à flux unique 404 au niveau et au-dessus du point d’étape, c’est-à-dire, du carburant n’est pas amené aux injecteurs primaires des tuyères de pulvérisation de carburant duplex 403.
Dans d’autres exemples, le débit de flux de carburant à chaque tuyère de pulvérisation de carburant fournie dans le dispositif combustor peut être le même et il peut y avoir aucune orientation du flux de carburant vers un sous-ensemble des tuyères. Dans un tel exemple, toutes les tuyères de flux de carburant peuvent être des tuyères à flux unique ou elles peuvent être toutes des tuyères duplex. Dans encore d’autres exemples, d’autres agencements de tuyères de pulvérisation de carburant peuvent être fournis dans lesquels du carburant est orienté vers celles adjacentes, ou plus près, aux allumeurs. Par exemple, deux sous-ensembles (qui sont indépendamment contrôlables) de tuyères duplex ou deux sous-ensembles de tuyères à flux unique peuvent être fournis qui peuvent être orientés tel que décrit précédemment.
Le dispositif combustor 16 fonctionne comme un dispositif combustor à brûlage riche, refroidissement rapide, brûlage pauvre (RQL). Dans d’autres exemples, le dispositif combustor 16 peut être un type alternatif de dispositif combustor, tel qu’un dispositif combustor à brûlage riche standard (sans orientation de flux de carburant). En référence à la , la chambre de combustion 401 du dispositif combustor 16 RQL est divisée en trois zones le long de la longueur du dispositif combustor 16 : une zone riche 801, une zone de refroidissement rapide 802, et une zone pauvre 803. En fonctionnement, un mélange air-carburant riche est introduit dans la zone riche 801 depuis la tuyère de projection de carburant 403 où il est enflammé par l’allumeur 405. Au sein de la zone riche 801 du carburant est brûlé à un rapport carburant/air supérieur à la stœchiométrie (par exemple, à un rapport d’équivalence d’environ 1,8). De l’air est ensuite introduit dans les produits de combustion, par l’intermédiaire d’orifices primaires 804 agencés dans la chemise 402 du dispositif combustor 16, avant que les produits de combustion atteignent la zone de refroidissement rapide 802. De l’air supplémentaire est ajouté au carburant toujours brûlant par l’intermédiaire des orifices primaires 804 (qui peuvent être désignés comme orifices de refroidissement). De l’air est ajouté par les orifices primaires 804 à un taux plus élevé (par exemple plus élevé qu’au sein de la zone riche), refroidissant ainsi la combustion à un rapport carburant/air significativement plus faible que le rapport carburant/air stœchiométrique (par exemple, à un rapport d’équivalence entre 0,5 et 0,7), tout en continuant à permettre le brûlage du carburant. Par conséquent, très peu du processus de combustion peut être réalisé à près des rapports carburant/air stœchiométriques, et donc relativement peu d’oxydes d’azote (NOx) est produit. De l’air est alors à nouveau introduit dans les produits de combustion, par l’intermédiaire d’orifices secondaires 805 agencés dans la chemise 402 du dispositif combustor 16, tandis que les produits de combustion sont dans la zone pauvre 803 (ou juste avant qu’ils atteignent la zone pauvre 803). Au sein de la zone pauvre 803 du carburant est brûlé à un rapport carburant/air inférieur à la stœchiométrie (par exemple, à un rapport d’équivalence d’environ 0,5 et 0,7). Après être passés dans la zone pauvre 803, les produits de combustion sortent du dispositif combustor 16. Les orifices secondaires 805 peuvent être désignés comme orifices de dilution, et peuvent être agencés pour introduire progressivement l’air de dilution dans la zone pauvre 803. Du carburant ajouté par la tuyère de pulvérisation de carburant est brûlé sensiblement complètement au moment où l’air sort au niveau d’une sortie du dispositif combustor, avant de s’écouler à la turbine.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la première pièce de verrouillage ou la seconde pièce de verrouillage est une pièce mâle présentant une partie en saillie, tandis que respectivement la seconde pièce de verrouillage ou la première pièce de verrouillage est une pièce femelle présentant un logement, la partie en saillie étant insérée dans le logement de la pièce femelle lorsque la première pièce de verrouillage et la seconde pièce de verrouillage sont engagées en verrouillage mutuel.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, la pièce femelle présente une lame flexible et élastique sous la forme d’une couronne de forme annulaire.
Selon un mode de réalisation supplémentaire de l’invention, la pièce femelle comprend plusieurs lames flexibles et élastiques disposées en couronne.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la force d’immobilisation exercée par le dispositif mécanique antirebond est supérieure à 5 Newton.
Selon un autre mode de réalisation de l’invention, le contacteur de puissance normalement fermé est tel que : l’actionneur comprend une partie fixe, le contacteur de puissance comprend un ressort de retour situé entre la partie fixe et la partie mobile de l’actionneur, ledit ressort de retour poussant la partie mobile dans sa première position avec une force de poussée, et la force de déplacement fournie par l’actionneur lorsqu’il est alimenté est supérieure à la somme de la force de déformation élastique du verrouillage mutuel des pièces de verrouillage, de la force de poussée du ressort de pression de contact et de la force de poussée du ressort de retour.