INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le ferrofluide lui-même est utilisé comme substance transportant la chaleur. Afin d'entraver ou de bloquer l'écoulement, un champ magnétique localisé est appliqué au ferrofluide, ce qui provoque l'agrégation permanente des particules magnétiques présentes dans le ferrofluide dans la région du champ magnétique localisé. Cependant, afin de revenir à un fonctionnement normal, les particules magnétiques agrégées doivent se disperser, ce qui n'est pas garanti et/ou peut prendre du temps.
- La est un chronogramme représentant l’évolution temporelle des signaux du circuit de la pour l’application de polarisations dynamiques.
La représente schématiquement un circuit électronique 100 selon un premier mode de réalisation de l’invention.
Le circuit électronique 100 permet de piloter un circuit quantique 10. Le circuit électronique 100 est placé en interface entre une électronique haut-niveau 6 et le circuit quantique 10. L’électronique haut-niveau 6, le circuit 100 et le circuit quantique 10 appartiennent par exemple à un calculateur quantique 1. Ce dernier comporte bien d’autres composants qui ne sont pas représentés sur la .
Le circuit quantique 10 est un dispositif à qubits, en particulier à qubits de spin. Il comporte par exemple une pluralité de 1024 qubits disposés selon une colonne (matrice unidimensionnelle – 1D). Sur la , seuls les quatre premier qubits 1, 2, 3 et 4 ont été représentés schématiquement à des fins d’illustration.
Le circuit électronique 100 est connecté à une pluralité de lignes de polarisation du circuit quantique 10. Sur la , seules quatre lignes de polarisation 11, 12, 13 et 14 ont été représentées.
Dans le mode de réalisation représenté sur les figures, chaque ligne de polarisation est associée à un qubit du circuit quantique 10. Plus précisément, l’extrémité proximale d’une ligne de polarisation est connectée au circuit électronique 100, tandis que l’extrémité distale de cette ligne de polarisation est située à proximité du qubit associé. La polarisation de la ligne de polarisation à un potentiel statique donné permet la conformation du puits quantique du qubit associé.
En pratique, chaque ligne de polarisation peut ne pas être associée à un unique qubit, mais à plusieurs qubits, par exemple une rangée de qubits dans une disposition matricielle bidimensionnelle – 2D des qubits. De même, aussi bien dans une disposition matricielle 1D que 2D, il peut y avoir plusieurs lignes de polarisation pour un qubit, ou une ligne de polarisation pour plusieurs qubits (par exemple entre deux qubits voisins afin de délimiter le « bord » de deux puits quantiques mitoyens).
Les lignes de polarisations circulent en parallèle les unes des autres. Compte tenu de la proximité de deux qubits voisins, la distance entre deux lignes de polarisation voisines est faible, de sorte qu’un couplage capacitif parasite s’établit entre ces deux lignes voisines. Typiquement, la distance entre deux qubits est typiquement de 100 nm, et l’espacement entre deux lignes de polarisation voisines peut être de moins de 50 nm.
Le circuit 100 comporte un convertisseur numérique analogique - DAC 102, un bloc de génération de signaux de commande 104 et une pluralité de cellules mémoire analogiques.
Le nombre de cellules est égal au nombre de lignes de polarisation. Sur la , seules les quatre premières cellules mémoire analogiques ont été représentées. Elles sont référencées respectivement 110, 120, 130, 140.
Dans le présent mode de réalisation, les différentes cellules de la pluralité de cellules mémoire analogique ont une structure identique.
Cette structure va maintenant être détaillée pour la première cellule 110.
La cellule 110 comporte une entrée e et une sortie s, ainsi qu’une borne de commande b.
La cellule 110 comporte, entre son entrée e et un nœud intermédiaire n, un interrupteur commandé I1. L’interrupteur I1 est commandé en ouverture ou en fermeture par un signal de commande binaire φ1, appliqué en sortie du bloc 104 sur une liaison 111 reliant la borne b de la cellule 110.
La cellule 110 comporte en outre, entre le nœud intermédiaire n et un nœud de référence m (porté à un potentiel de référence comme le potentiel de masse du circuit 100) une capacité C1.
La sortie s de la cellule est connectée directement au nœud intermédiaire n.
Étape 11200 : Contrôler du système de gestion de carburant 1500 de manière à élever la température de carburant à au moins 135 °C à l’entrée de la chambre de combustion 16 aux conditions de croisière.
Le contrôle 11200 du système de gestion de carburant 1500 peut comprendre le contrôle d’un écoulement de carburant à travers les échangeurs de chaleur – par exemple la remise en circulation d’une proportion variable du carburant à travers l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004, et/ou le fait de permettre à une proportion variable du carburant de contourner l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004. Alors que la montre un mise en œuvre avec une conduite de contournement 1005 mais aucune remise en circulation, et les Figures 6A à 6C montrent des mises en œuvre sans conduite de contournement (au moins pas pour l’échangeur de chaleur primaire - les Figures 6A et 6C fournissent un itinéraire pour une partie du carburant atteignant la chambre de combustion 16 pour contourner l’échangeur de chaleur secondaire alors que le reste du carburant le traverse) mais avec une conduite de remise en circulation 6011, on aura à l’esprit qu’une ou plusieurs conduites de contournement et/ou une ou plusieurs conduites de remise en circulation peuvent être fournies ensemble dans divers mises en œuvre. En outre, dans certains systèmes, la direction d’écoulement au sein d’une même conduite peut être réversible de telle sorte qu’elle peut être utilisée comme une conduite de contournement 1005 ou une conduite de remise en circulation 6011. On aura à l’esprit que les figures ne sont données qu’à titre d’exemple et ne sont pas destinées à être limitatives.
Le contrôle 11200 du système de gestion de carburant 1500 peut comprendre le contrôle d’un écoulement de carburant à travers les échangeurs de chaleur – par exemple permettant à une proportion variable du carburant de contourner l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004 ou l’échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1006. Une ou plusieurs soupapes ou pompes contrôlables, et éventuellement un ou plusieurs capteurs, peuvent être fournis en conséquence pour faciliter le contrôle de l’écoulement de carburant.
En complément ou alternativement, comme pour l’écoulement de carburant, l’écoulement d’huile peut être contrôlé en utilisant une ou plusieurs conduites de contournement, lorsqu’elles sont présentes, permettant à l’huile de contourner un ou plusieurs échangeurs de chaleur 1004, 1006 au lieu de s’écouler à travers ceux-ci. L’huile peut également être remise en circulation dans certaines mises en œuvre, et/ou l’écoulement d’huile peut être ajusté en contrôlant une ou plusieurs pompes à huile. Une ou plusieurs soupapes et/ou pompes contrôlables, et éventuellement un ou plusieurs capteurs, peuvent être fournis en conséquence pour faciliter le contrôle de l’écoulement de l’huile.
Le système d’échange de chaleur peut comprendre un contrôleur agencé pour mettre en œuvre ce contrôle (de l’écoulement de carburant et/ou de l’écoulement d’huile). Le contrôleur peut recevoir des entrées d’un ou plusieurs capteurs de température, et peut contrôler une ou plusieurs soupapes (par exemple la soupape de remise en circulation 6010), et/ou la pompe 1003, en fonction des données reçues. Une ou plusieurs pompes d’alimentation en huile et/ou pompes de récupération peuvent également être contrôlées par le contrôleur.
L’écoulement du carburant peut être contrôlé à l’aide d’une soupape de remise en circulation 6010 telle que décrite ci-dessus. En variante ou en complément, l’écoulement de carburant peut être contrôlé en utilisant une ou plusieurs conduites de contournement 1005 (comme illustré sur la ) agencées pour permettre à une proportion du carburant d’éviter de passer à travers l’un ou les deux échangeurs de chaleur, et/ou en ajustant la division en % de carburant qui s’écoule directement à la chambre de combustion 16 depuis l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004 par opposition au % de carburant qui s’écoule de l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire dans l’échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1006 (et éventuellement ensuite en retour pour rejoindre le carburant s’écoulant dans la chambre de combustion 16, en fonction de la mise en œuvre).
Le chauffage du carburant à des températures plus élevées que précédemment utilisées peut améliorer le refroidissement de l’huile avant qu’elle soit renvoyée au reste du moteur à turbine, et/ou peut améliorer l’efficacité de la combustion du carburant. Le positionnement de l’échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1006 après la pompe à carburant moteur 1003 peut faciliter l’obtention de températures de carburant plus élevées sans compromettre la longévité de la pompe à carburant.
Les inventeurs étaient conscients que, notamment avec l’utilisation de carburants différents des carburants à base de kérosène traditionnels, tels que des carburants d’aviation durable, des propriétés de carburant aux conditions de croisière peuvent être contrôlées par gestion soigneuse des moteurs afin d’améliorer les performances. Dans ce cas, une viscosité plus faible peut être obtenue, ce qui peut affecter l’efficacité de la combustion, notamment par rapport à la performance de pulvérisation de la tuyère de carburant au sein de la chambre de combustion 16. La performance de pulvérisation de tuyère de carburant affecte l’efficacité de combustion du carburant. Une viscosité plus faible du carburant aux conditions de croisière peut être plus propice à un moteur plus efficace. Le débit de carburant peut être optimisé pour améliorer le rendement du moteur à turbine, auquel la plus faible viscosité dudit carburant peut contribuer.
Étape 12100 : Fourniture d’un carburant à la chambre de combustion 16 du moteur à turbine à gaz 10 par l’intermédiaire d’un système de gestion de carburant 1500.
Comme abordé par rapport à la , le système de gestion de carburant 1500 comprend un échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004 et un échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1006 agencés pour transférer de la chaleur vers le carburant. Une pompe à carburant moteur 1003 est positionnée en aval de l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004 et en amont de l’échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1006. Le système de gestion de carburant 1500 est agencé de sorte que le carburant atteint l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004 avant l’échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1006.
Étape 12200 : Contrôle du système de gestion de carburant 1500 de manière à ajuster la viscosité de carburant à moins de 0,58 mm 2 /s à l’entrée de la chambre de combustion 16 dans des conditions de croisière.
Une gestion des moteurs soigneuse pour obtenir une viscosité inférieure de carburant à l’entrée de la chambre de combustion 16 peut améliorer l’efficacité de la combustion, en particulier par rapport à la performance de pulvérisation de tuyère de carburant au sein de la chambre de combustion. Des propriétés d’écoulement de carburant, d’écoulement d’huile et/ou une ou plusieurs autres propriétés d’échange de chaleur peuvent être ajustées pour fournir cette différence de viscosité.
Le contrôle 12200 du système de gestion de carburant 1500 peut donc comprendre le contrôle d’un écoulement de carburant et/ou d’un écoulement d’huile à travers les échangeurs de chaleur comme décrit ci-dessus – par exemple la remise en circulation d’une proportion variable du carburant à travers l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire 1004, et/ou le fait de permettre à une proportion variable du carburant de contourner l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire et/ou secondaire 1004, 1006, comme décrit ci-dessus par rapport à la .
Par exemple, l’écoulement de carburant peut être contrôlé à l’aide de la soupape de remise en circulation 6010, de manière similaire au système de gestion de carburant 6000, et/ou en ajustant la proportion de carburant envoyée par l’intermédiaire de l’échangeur de chaleur carburant-huile secondaire 1004 ou par l’intermédiaire d’une conduite de contournement 1005.
En référence à la , on dépose une couche sacrificielle 32, réalisée en un matériau minéral tel qu’un oxyde ou un nitrure de silicium, sur une poignée 31. La couche sacrificielle 32 est destinée à permettre la réalisation ultérieure de la membrane absorbante 11. Son épaisseur définira la distance de la cavité optique quart d’onde entre la membrane absorbante 11 et le réflecteur 24.3.
En référence à la , on réalise ensuite le réflecteur 24.3 puis la couche mince de protection 24.2. Pour cela, on dépose une couche continue 33 de silicium surdopé sur et au contact de la couche sacrificielle 32. Puis, on réalise le réflecteur 24.3 par lithographie et gravure localisée de la couche de silicium 33. Des ouvertures 34 sont formées dans la couche de silicium 33 de manière à permettre ultérieurement la réalisation des piliers d’ancrage 13. Puis, la couche mince de protection 24.2 est déposée de manière conforme, de manière à recouvrir continûment le réflecteur 24.3 et à descendre dans les ouvertures 34 pour venir au contact de la couche sacrificielle 32. Enfin, la couche isolante 24.1, réalisée en un oxyde, est déposée de manière à recouvrir la couche mince de protection. Une planarisation est ensuite effectuée. Cet empilement du réflecteur 24.3, de la couche mince de protection 24.2 et de la couche isolante 24.1 forme la structure supérieure 24 du substrat de lecture 20.
En référence à la , on assure un collage d’un substrat SOI 40 (substrat de silicium 41, couche d’oxyde enterré 42, puis couche mince de silicium 43 de préférence monocristallin) sur la couche isolante 24.1. Le collage est ici un collage moléculaire oxyde/oxyde. Pour cela, une couche isolante 23.4, réalisée en un oxyde, est déposée au préalable sur la couche mince de silicium 43. Les couches isolantes 23.4 et 24.1 sont alors mises en contact pour assurer le collage moléculaire.
En référence à la , on effectue le retrait du substrat de silicium 41 (la couche d’oxyde enterré 42 peut être gardée au moins en partie), puis on réalise les éléments électroniques actifs 23.1 et 23.1a (lithographie, gravure, dépôt, dopage…). Lors de ces étapes, une température élevée peut être appliquée, de l’ordre de 1000°C. Cependant, le réflecteur 24.3 est réalisé ici en un matériau supportant ces hautes températures. On dépose ensuite une couche isolante 23.3 réalisée en un matériau diélectrique, ici en un oxyde, de manière à recouvrir les éléments électroniques actifs 23.1, 23.1a. Puis, on réalise les piliers d’ancrage 13 ainsi que les vias conducteurs 23.2. Ils sont alors préférentiellement réalisés en les mêmes matériaux. Les piliers d’ancrage 13 s’étendent ici continûment, i.e. avec continuité des matériaux qui les constituent, de la face supérieure de la couche isolante 23.3 jusqu’à la poignée 31. Ils traversent donc la couche isolante 23.3, la couche isolante 23.4, la couche isolante 24.1, la couche mince de protection 24.2, et enfin la couche sacrificielle 32. Les vias conducteurs 23.2 traversent la couche isolante 23.3 et viennent au contact des éléments électroniques actifs 23.1, 23.1a. Une planarisation est ensuite réalisée.
En référence à la , on réalise ensuite la structure d’interconnexion 22, en commençant par ce qui sera le niveau de métallisation supérieur, puis les niveaux de métallisation intermédiaires, et enfin le niveau de métallisation inférieur. En particulier, les portions conductrices 22.1 du niveau de métallisation supérieur sont au contact des vias conducteurs 23.2 des éléments électroniques actifs 23.1. Ces derniers sont ainsi directement connectés au niveau de métallisation supérieur. De plus, une même portion conductrice 22.1a du niveau de métallisation supérieur est au contact d’un pilier d’ancrage 13 et d’un via conducteur 23.2a qui assure la connexion avec l’élément électronique actif 23.1a, ici un transistor MOS d’injection. Enfin, un substrat support 21 est assemblé à la structure d’interconnexion 22.
En référence à la , on retourne l’empilement réalisé, et on retire la poignée 31, de manière à rendre libre une face de la couche sacrificielle 32. Ensuite, on réalise les bras d’isolation thermique 12 et la membrane absorbante 11 sur la couche sacrificielle 32. Les bras d’isolation thermique 12 sont au contact d’une extrémité des piliers d’ancrage 13 qui ont été réalisés au préalable.
En référence à la , on réalise le plot de connexion externe 2 au travers de la couche sacrificielle 32, de manière à venir au contact d’au moins une portion conductrice 22.1 du niveau de métallisation supérieur. Le plot de connexion externe 2 est réalisé en au moins une couche métallique, déposée dans une échancrure formée au travers de la couche sacrificielle 32, de la couche mince de protection 24.2, et des couches isolantes sous-jacentes.
En référence à la , on libère la membrane absorbante 11 en supprimant la couche sacrificielle 32, ici par attaque chimique par HF en phase vapeur. Le plot de connexion externe 2 peut comporter une partie supérieure périphérique 2b qui s’étend latéralement de préférence sur au moins 5µm à partir de la partie verticale 2a. Ainsi, lors de l’attaque à l’HF vapeur, une portion non gravée de la couche sacrificielle 32 peut être située sous la partie supérieure périphérique 2b, ce qui permet de renforcer la tenue mécanique du plot de connexion externe 2.
Ainsi, le procédé de fabrication permet de réaliser un dispositif de détection 1 dont les performances électriques, ainsi que la tenue mécanique des piliers d’ancrage 13, sont améliorées. Dans ce procédé, la thermistance 11.1 est sensible aux températures élevées générées lors de la réalisation des éléments électroniques actifs 23.1, ce qui explique qu’elle est réalisée après ces derniers.
Les figures 3A à 3I illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif de détection 1 identique ou similaire à celui de la . Ce procédé diffère de celui des à 2H essentiellement en ce que le transducteur thermométrique 11.1 est une diode à jonction pn réalisée avant la structure de lecture 23. Plusieurs étapes sont identiques ou similaires à celles du procédé des à 2H et ne sont donc décrites que brièvement.
En référence à la , on fournit un substrat SOI 50, formé d’un substrat de silicium 51, d’une couche d’oxyde enterré 52, puis d’une couche mince de silicium 53 de préférence monocristallin.
En référence à la , on réalise le transducteur thermométrique 11.1, ici une diode à jonction pn, à partir de la couche mince de silicium 53. Pour cela, on structure la couche mince de silicium 53 par lithographie et gravure localisée, et on réalise les portions dopées de type p et de type n par implantation ionique localisée. Des plots semiconducteurs latéraux 13.1, issus de la couche mince de silicium 53 et de préférence dopés, peuvent être réalisés et sont destinés à être situés en tête des piliers d’ancrage 13. Par ailleurs, une couche mince de passivation 11.3 peut être déposée de manière à ne recouvrir que le transducteur 11.1.
En référence à la , on dépose une couche sacrificielle 32 réalisée en un matériau minéral, par exemple en un oxyde de silicium, de manière à recouvrir le transducteur 11.1, les plots semiconducteurs latéraux 13.1, et la couche d’oxyde enterré 52. Cette couche sacrificielle 32 présente une épaisseur qui définira la dimension de la cavité optique quart d’onde entre la membrane absorbante 11 et le réflecteur 24.3. On réalise ensuite le réflecteur 24.3 puis la couche mince de protection 24.2, et enfin la couche isolante 24.1, de manière identique ou similaire à ce qui a été décrit en référence à la .
En référence à la , on reporte et colle un substrat SOI 40 (substrat de silicium 41, couche d’oxyde enterré 42, couche mince de silicium 43 de préférence monocristallin), recouvert par la couche isolante 23.4 réalisée en un oxyde, à la couche isolante 24.1. Le collage est ici un collage moléculaire oxyde/oxyde.
En référence à la , on retire le substrat 41. Puis on réalise la structure de lecture 23 et ses éléments électroniques actifs 23.1, 23.1a. Au cours de ces étapes, l’empilement peut être soumis à des températures élevées, de l’ordre de 1000°C, ce qui toutefois n’altère pas les propriétés du transducteur 11.1 ni celle du réflecteur 24.3.
Enfin, on réalise les piliers d’ancrage 13 et les vias conducteurs 23.2. Les piliers d’ancrage 13 s’étendent continûment de la face supérieure de la couche isolante 23.3 jusqu’au substrat de silicium 51. Ils traversent donc la couche isolante 23.3, la couche isolante 23.4, la couche isolante 24.1, la couche mince de protection 24.2, et enfin la couche sacrificielle 32, pour venir au contact des plots semiconducteurs latéraux 13.1. Les vias conducteurs 23.2 traversent la couche isolante 23.3 et viennent au contact des éléments électroniques actifs 23.1, 23.1a. Une planarisation est ensuite réalisée.
S1 = Fseed(S1) Kseed
S2 = Fseed(S2) Kseed
Si = Fseed(Si) Kseed
Sm = Fseed(Sm) Kseed
Dans un souci de simplicité, on utilisera, pour la description des étapes qui suivent, la même notation « Si » pour designer les parts, que celles-ci soient générées à partir de la graine non chiffrée ou de la graine chiffrée au moyen de la clé de chiffrement de graine, ou encore que celles-ci aient été chiffrées après avoir été générées.
D’autres variantes de l’étape B9 peuvent être prévues, notamment une combinaison des deux variantes B9’ et B9’’ qui viennent d’être décrites, ou une variante dans laquelle seulement une partie des parts Si fait l’objet de l’étape de chiffrement au moyen de la clé Kseed.
Dans un mode de réalisation, la clé de chiffrement de graine Kseed est enregistrée dans une mémoire non volatile du portefeuille matériel HW, par exemple celle qui contient le système d’exploitation du dispositif. Cet enregistrement peut être fait lors de la personnalisation du dispositif, avant sa commercialisation, ou au cours d’une mise à jour de son firmware.
Dans un mode de réalisation, la clé de chiffrement de graine Kseed est commune à une pluralité de portefeuilles matériels HW. La clé peut n’être connue que du fabricant des portefeuilles matériels HW, de sorte qu’il n’est pas nécessaire que l’utilisateur la conserve quelque part.
Dans un autre mode de réalisation, la clé de chiffrement de graine est dérivée d’un secret connu de l’utilisateur. Par exemple, la clé de chiffrement dérivée d’un secret connu de l’utilisateur et d’une clé de chiffrement stockée dans le portefeuille matériel.
B10. Chiffrement des parts Si par le dispositif
{Si}kBi
A titre d’exemple, un transducteur fini minimal est généré à partir de la logique automate d’un seul automate programmable. Un transducteur fini minimal global est ensuite obtenu, par l’unité de traitement 502, en effectuant le produit cartésien de l’ensemble transducteurs finis minimaux. Il est, en effet, moins couteux en temps de minimiser individuellement plusieurs transducteurs finis, chacun associé à un unique automate programmable, plutôt que de minimiser un transducteur décrivant l’ensemble de la logique automate de tout une partie opérationnelle. La décomposition en un transducteur fini pour un automate programmable est présentée à titre d’exemple et n’est bien sûr pas limitative.
A titre d’exemple, un transducteur fini minimal est généré, à partir d’une logique automate, grâce à un outil informatique connu sous le nom « Teloco » (le nom « Teloco » peut être protégé par une ou plusieurs marques). Un exemple d’utilisation de l’outil « Teloco » est par exemple donné dans la publication « Translating Grafcet specifications into Mealy machines for conformance test purposes » publiée dans la revue Control Engineering Practice, vol. 19, no 9, p. 947-957, sept. 2011 par les auteurs J. Provost, J.-M. Roussel, et J.-M. Faure. La minimisation du transducteur est par exemple réalisée par l’exécution de l’algorithme de Quine-McCluskey. L’algorithme de Quine-McCluskey permet, par exemple, de minimiser un ensemble d’expressions booléennes en une expression minimale.