INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les colorants anioniques plus particulièrement préférés sont les colorants désignés dans le Color Index sous le code C.I. 58005 (sel monosodique de l'acide 1,2-dihydroxy-9,10-anthraquinone-3-sulfonique), C.I. 60730 (sel monosodique de l'acide 2-[(9,10-dihydro-4-hydroxy-9,10-dioxo-1-anthracényl)-amino]-5-méthyl-benzène sulf-onique), C.I. 15510 (sel monosodique de l'acide 4-[(2-hydroxy-1-naphtalényl)-azo]-benzène sulfonique), C.I. 15985 (sel disodique de l'acide 6-hydroxy-5-[(4-sulfophényl)-azo]-2-naphtalène sulfonique), C.I. 17200 (sel disodique de l'acide 5-amino-4-hydroxy-3-(phénylazo)-2,7-naphtalène disulfonique), C.I. 20470 (sel disodique de l'acide 1-amino-2-(4'-nitrophénylazo)-7-phénylazo-8-hydroxy-3,6-naphtalène disulfonique), C.I. 42090 (sel disodique du N-éthyl-N-[4-[[4-[éthyl[3-sulfophényl)-méthyl]-amino]-phényl](2-sulfophényl)-méthylène]-2,5-cyclohexadien-1-ylidène]-3-sulfobenzenemethanaminium hydroxyde, sel interne), C.I. 61570 ( sel disodique de l'acide 2,2'-[(9,10-dihydro-9,10-dioxo-1,4-anthracènediyl)-diimino]-bis-[5-méthyl]-benzène sulfonique.
On peut également utiliser des composés correspondant aux formes mésomères, tautomères, des structures (A-II) à (A-IX).
Selon un mode de réalisation préféré, le ou les colorant(s) direct(s) acide(s) sont choisis parmi les colorants directs nitrés acides, les colorants directs azoïques acides, les colorants directs aziniques acides, les colorants directs triarylméthaniques acides, les colorants directs indoaminiques acides, les colorants directs anthraquinoniques acides, les colorants directs indigoïdes acides, les colorants directs naturels acides, et leurs mélanges.
Avantageusement, la teneur totale du ou des colorant(s) direct(s) acide(s) va de 0,001 à 20% en poids, de préférence de 0,005 à 15 % en poids, plus préférentiellement de 0,01 à 10% en poids, mieux de 0,05 à 5% en poids, encore mieux, de 0,1 à 3% en poids, par rapport au poids total de la composition.
Corps gras non siliconé Comme indiqué ci-dessus, la composition selon l’invention comprend au moins un corps gras non siliconé, la teneur totale en corps gras non siliconé étant supérieure ou égale à 2% en poids par rapport au poids total de la composition.
Les corps gras non siliconé utilisables dans la présente invention ne sont ni (poly)oxyalkylénés ni (poly)glycérolés.
De préférence, le ou les corps gras non siliconés selon l’invention sont différents des acides gras.
Les corps gras non siliconés utiles selon l’invention peuvent être des corps gras non siliconés liquides (ou huiles) et/ou des corps gras non siliconés solides. On entend par corps gras liquide, un corps gras ayant un point de fusion inférieur ou égal à 25°C et à pression atmosphérique (1,013.10 5 Pa) et on entend par corps gras solide, un corps gras ayant un point de fusion supérieur à 25°C à pression atmosphérique (1,013.10 5 Pa).
Plus particulièrement, le ou les corps gras liquides peuvent être choisis parmi les hydrocarbures liquides en C 6 à C 16 , les hydrocarbures liquides comprenant plus de 16 atomes de carbone, les huiles non siliconées d’origine animale, les huiles de type triglycéride d’origine végétale ou synthétique, les huiles fluorées, les alcools gras liquides, les esters liquides d'acide gras et/ou d’alcool gras différents des triglycérides et leurs mélanges.
La ou les allées de la zone climatique peuvent être d’une largeur inférieure à 4 m. La largeur des allées peut notamment être inférieure à 2 m, voire inférieure à 1m.
En effet, les allées ayant pour seule fonction d’assurer la circulation d’air dans la zone climatique, il n’est pas nécessaire de les dimensionner, par exemple, pour permettre la sortie des piles de caisses de la zone climatique, par exemple à l’aide d’un transstockeur (ou autre système adapté). Dans ce cas, le déplacement des piles de caisses, et par exemple leur sortie de la zone climatique, peut être réalisé à l’aide d’un dispositif passant sous les piles de caisses, et/ou un dispositif permettant la mise en place et le retrait de caisses dans les étagères sur plusieurs niveaux de profondeur.
La ou les allées peuvent être d’une hauteur comprise entre 2m et 30m
Cette plage de hauteur, donnée à titre indicatif, montre que l’invention est applicable notamment à des systèmes agricoles de grande hauteur. Elle permet d’y faire régner des conditions environnementales, notamment de température, relativement homogène et en tout état de cause compatibles avec l’activité agricole visée.
Le système agricole visé dans le cadre de la présente invention peut avantageusement être un système d’élevage d’insectes comportant une zone climatique telle de définie ci-dessus.
La représente un atelier d’élevage d’insectes, ici représenté sous la forme d’une vue schématique en trois dimensions.
L’élevage d’insectes peut notamment être envisagé comme un ensemble organisé permettant la ponte d’œufs par des insectes adultes pour la production de larves, certaines larves étant élevées jusqu’au stade adulte pour la ponte de nouveaux œufs, les adultes étant renouvelés régulièrement (par exemple suite à leur mort) par des adultes jeunes assurant de nouvelles pontes et ainsi de suite. Le produit final de la production peut être des œufs, et/ou des larves, et/ou des nymphes, et/ou des insectes adultes.
L’atelier représenté à titre d’exemple comporte une zone climatique Z1 organisée pour le stockage des insectes pendant leur croissance.
Dans cette zone climatique Z1, les insectes grandissent dans des conditions environnementales (définies par des paramètres environnementaux dont la température, l’hygrométrie…) contrôlées, dirigées, et optimisées.
Tel que précédemment mentionné, la notion d’élevage d’insectes comprend la croissance d’insectes adultes jusqu’à un stade désiré, mais peut également comprendre toutes les phases précédant l’obtention d’un insecte adulte (ou imago), depuis la ponte des œufs (ou oothèque) en passant par leur éclosion, le stade larvaire, l’éventuel stade de nymphe, de pupe (l’ensemble des stades intermédiaires), etc.
L’atelier ici représenté comporte également une deuxième zone Z2, organisée pour la réalisation d’une ou plusieurs séquences ou opérations d’élevage. La conduite de l’élevage comporte la mise en œuvre d’une succession de séquences ou d’opérations d’élevage. Une séquence ou « séquence opératoire » comporte une ou plusieurs opérations successives prédéfinies, et est réalisée entre deux phases de croissance (sauf lorsqu’il s’agit d’envoyer les insectes vers un autre procédé).
Les opérations d’élevage correspondent à des opérations devant être menées pour le maintien en vie, la bonne croissance et/ou l’optimisation des conditions d’élevage des insectes.
La deuxième zone Z2 comporte en particulier un ou plusieurs postes P1, P2 de travail spécialisés dans la réalisation d’une ou plusieurs opérations d’élevage.
Les insectes (œufs, larves, nymphes, ou adultes) sont élevés dans des caisses, pouvant être optionnellement groupées en ensembles appelés unités élémentaires d’élevage. Lors de phases de croissance, les caisses sont stockées dans la zone climatique Z1, par exemple dans des rayonnages à palettes (ou tout autre type d’étagères adaptée).
- R’, identiques ou différents, représentent un radical hydrocarboné monovalent ayant moins de 6 atomes de carbone, de préférence de 1 à 4 atomes de carbone, linéaire ou ramifié, saturé ou insaturé et substitué ou non substitué, de préférence, un radical méthyle.
- la brassicamidopropyl diméthylamine de formule R-C(O)-N(H)-(CH 2 ) 3 -N(CH 3 ) 2 ;
dans laquelle R-C(O) est un acide gras dérivé de l'huile de graines de brassica campestris (huile de colza), avec une majorité de groupe béhényle (C 22 ) ;
- la stéaramidopropyl diméthylamine de formule CH 3 -(CH 2 ) 16 -C(O)-N(H)-(CH 2 ) 3 -N(CH 3 ) 2 ;
- la béhenamidopropyl diméthylamine de formule CH 3 -(CH 2 ) 20 -C(O)-N(H)-(CH 2 ) 3 -N(CH 3 ) 2 ;
Le ou les tensioactifs cationiques peuvent être choisis parmi les sels d'ammonium quaternaire et leurs mélanges.
- ceux répondant à la formule générale (X) suivante : (X),
dans laquelle les groupes R 8 à R 11 , qui peuvent être identiques ou différents, représentent un groupe aliphatique, linéaire ou ramifié, comportant de 1 à 30 atomes de carbone, ou un groupe aromatique tel que aryle ou alkylaryle, au moins un des groupes R 8 à R 11 comportant de 8 à 30 atomes de carbone, de préférence de 12 à 24 atomes de carbone. Les groupes aliphatiques peuvent comporter des hétéroatomes tels que notamment l'oxygène, l'azote, le soufre et les halogènes.
Les groupes aliphatiques sont par exemple choisis parmi les groupes alkyle en C 1 -C 30 , alcoxy en C 1 -C 30 , polyoxyalkylène (C 2 -C 6 ), alkylamide en C 1 -C 30 , alkyl(C 12 -C 22 )amidoalkyle(C 2 -C 6 ), alkyl(C 12 -C 22 )acétate, et hydroxyalkyle en C 1 -C 30 , X - est un anion choisi dans le groupe des halogénures, phosphates, acétates, lactates, alkyl(C 1 -C 4 )sulfates, alkyl(C 1 -C 4 )- ou alkyl(C 1 -C 4 )aryl-sulfonates.
Parmi les sels d’ammonium quaternaire de formule (X), on préfère d’une part, les chlorures de tétraalkylammonium comme, par exemple, les chlorures de dialkyldiméthylammonium ou d’alkyltriméthylammonium dans lesquels le groupe alkyle comporte environ de 12 à 22 atomes de carbone, en particulier les chlorures de béhényltriméthylammonium, de distéaryldiméthylammonium, de cétyltriméthylammonium, de benzyldiméthylstéarylammonium ou encore, d’autre part le chlorure de palmitylamidopropyltriméthylammonium ou le chlorure de stéaramidopropyldiméthyl-(myristylacétate)-ammonium commercialisé sous la dénomination CERAPHYL® 70 par la société VAN DYK ;
- les sels d’ammonium quaternaire de l’imidazoline, comme par exemple ceux de formule (XI) suivante : (XI),
dans laquelle R 12 représente un groupe alcényle ou alkyle comportant de 8 à 30 atomes de carbone, par exemple dérivés des acides gras du suif, R 13 représente un atome d’hydrogène, un groupe alkyle en C 1 -C 4 ou un groupe alcényle ou alkyle comportant de 8 à 30 atomes de carbone, R 14 représente un groupe alkyle en C 1 -C 4 , R 15 représente un atome d’hydrogène, un groupe alkyle en C 1 -C 4 , X - est un anion choisi dans le groupe des halogénures, phosphates, acétates, lactates, alkyl(C 1 -C 4 )sulfates, alkyl(C 1 -C 4 )- ou alkyl(C 1 -C 4 )aryl-sulfonates.
Lors du développement de l’invention, il a en outre été mis en évidence que, de manière surprenante, l’implantation ionique induit une redistribution structurale de la couche chalcogénure (par le passage des ions et leur implantation), ce qui permet d’améliorer ses propriétés.
Les performances du dispositif PCM sont ainsi améliorées. La programmation de l’état SET et l’endurance du dispositif PCM peuvent notamment être améliorées.
Cette solution se démarque clairement des solutions mettant en œuvre un dépôt par co-pulvérisation, qui incitent au contraire à adapter les paramètres de dépôt par pulvérisation pour améliorer les propriétés d’un dispositif PCM dopé en carbone.
Les avantages décrits pour le procédé de fabrication du dispositif s’étendent au dispositif en lui-même, qui présente notamment une bonne qualité d’interface entre le point mémoire et la couche d’encapsulation.
La représente une vue en coupe transversale en microscopie électronique à balayage illustrant selon un exemple l’emplacement d’un dispositif PCM entre les niveaux métalliques en fin de ligne de fabrication (communément désigné en anglais par back-end of line, ou simplement back-end).
La représente un schéma en perspective d’un point mémoire selon un exemple de réalisation.
Les figures 3A à 3I représentent un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention. La illustre la fourniture d’un empilement comprenant une couche inférieure, une couche chalcogénure et une couche supérieure.
La illustre la formation d’un masque de gravure sur la face supérieure de l’empilement.
La représente la formation d’ouvertures dans le masque de gravure.
La illustre la gravure de structuration de l’empilement au travers du masque de gravure, permettant d’obtenir un point mémoire comprenant une électrode inférieure, un tronçon chalcogénure et une électrode supérieure.
La illustre le retrait du masque de gravure.
La représente une étape d’encapsulation du point mémoire par une couche d’encapsulation.
La illustre une étape d’implantation du point mémoire et tout particulièrement du tronçon chalcogénure au travers de la couche d’encapsulation.
La représente le dispositif mémoire après implantation.
La représente un détail de la , figurant notamment le tronçon chalcogénure dont sa portion dopée.
Les figures 4A à 4E représentent un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention. La illustre la fourniture d’un empilement comprenant une couche inférieure, une première couche chalcogénure, une couche intermédiaire, une deuxième couche chalcogénure et une couche supérieure.
La illustre le point mémoire obtenu après une gravure de structuration de l’empilement illustré à la . Le point mémoire comprend une électrode inférieure, un premier tronçon chalcogénure, une électrode intermédiaire, un deuxième tronçon chalcogénure et une électrode supérieure.
La illustre une étape d’implantation du point mémoire et tout particulièrement des tronçons chalcogénures au travers de la couche d’encapsulation.
Les figures 5A, 5B et 5C représentent des schémas, respectivement en perspective, en vue de face et en vue de dessus, d’un dispositif PCM selon un exemple de réalisation.
La est un graphique illustrant l’évolution de la concentration de différentes espèces dans une tranche du dispositif PCM comprenant une portion de la couche mémoire et de la couche d’encapsulation.
La est un graphique illustrant les profils d’implantation obtenus pour deux énergies d’implantation différentes dans une tranche du dispositif PCM comprenant une portion de la couche mémoire et de la couche d’encapsulation.
La est un graphique illustrant l’évolution de la résistivité de la couche mémoire du dispositif mémoire en fonction de la température, pour différentes valeurs d’énergie d’implantation et de dose implantée.
La est un graphique illustrant la densité au sein de la couche mémoire du dispositif mémoire et l’épaisseur de couche mémoire impactée pour différentes énergies d’implantation et doses implantées.
Avantageusement, 20≤θi mpl ≤60°.
Préférentiellement, la portion présente, selon toutes les directions d’un plan transversal perpendiculaire à la direction verticale, une dimension radiale l125 avec l125 ≤ 20 nm, de préférence l125 ≤ 10 nm. Cela permet d’éviter que les performances du matériau chalcogénure soient altérées, ou du moins altérées dans des proportions trop importantes.
Avantageusement, l 125 ≥ 2 nm, de préférence l 125 ≥ 5 nm.
Selon un mode de réalisation, l’au moins un tronçon chalcogénure comprend un premier tronçon chalcogénure et un deuxième tronçon chalcogénure : le premier tronçon chalcogénure est disposé sur l’électrode inférieure, et destiné à former une couche dite mémoire, et le deuxième tronçon chalcogénure est destiné à former une couche dite sélectrice, le deuxième tronçon chalcogénure étant séparé du premier tronçon chalcogénure par une électrode intermédiaire, et l’implantation ionique est configurée de sorte que la portion du tronçon chalcogénure s’étende dans le premier tronçon chalcogénure et le deuxième tronçon chalcogénure.
La première électrode 118’ s’étend à travers la première portion 111a de la première couche 111 poreuse et appartient au transducteur 11.
La deuxième électrode 138‘ s’étend à travers la troisième portion 111c de la première couche 111 poreuse et appartient au deuxième transducteur 13.
La troisième couche métallique 6 est reliée électriquement à la deuxième couche métallique 4 par un ou plusieurs via traversant le substrat receveur 5.
Un cinquième aspect de l'invention concerne un procédé 400 d'intégration du système optoélectronique 1 selon le premier aspect de l'invention avec un circuit de contrôle.
Le procédé 400 d'intégration du système optoélectronique 1 débute par la fabrication du système optoélectronique 1 comprenant le transducteur 11, le guide d’ondes 12 et le deuxième transducteur 13. Pour ce faire, les étapes 101 à 104 du procédé de fabrication 100 ou les étapes 201 à 205 du procédé de fabrication 200 sont avantageusement accomplies.
En référence à la , le procédé 400 comprend ensuite une étape 401 de formation d’un niveau de collage hybride (métal-diélectrique) sur l’empilement, et plus particulièrement le guide d’ondes 12 et la troisième couche 116. Le niveau de collage hybride comprend une première électrode 117’’ en contact électrique avec la première portion 116a de la troisième couche 116 et une deuxième électrode 137" en contact avec la troisième portion 116c de la troisième couche 116.
Le niveau de collage hybride comprend également une couche diélectrique 121 entourant la première électrode 117’’ et la deuxième électrode 137". La couche diélectrique 121 forme une surface plane avec la face supérieure des première et deuxième électrodes 117’’, 137’’.
En référence à la , le procédé 400 comprend ensuite une étape 402 de collage hybride de l'empilement avec un substrat récepteur 5 comprenant le circuit de contrôle 51.
En particulier, le subtrat récepteur 5 comporte une pluralité de plots de connexion 511 de connexion entourés d'une couche diélectrique 512. La première électrode 117’’ et la deuxième électrode 137’’ sont amenées en contact et collés avec les plots de connexion 511 du circuit de contrôle, et la couche de diélectrique 121 de l'empilement est disposée en contact et collée à la couche diélectrique 512 recouvrant le substrat receveur 5.
En référence à la , le procédé 400 comprend ensuite une étape 403 de retrait du substrat 14, par gravure ou CMP par exemple.
En référence à la , le procédé 400 comprend ensuite une étape 404 de gravure partielle de la première couche 111 poreuse, de sorte à obtenir une première ouverture qui débouche sur la première portion 112a de la deuxième couche 112 (donc dans le transducteur 11) et une deuxième ouverture qui débouche sur la troisième portion 112c de la deuxième couche 112 (donc dans le deuxième transducteur 13).
Enfin, la représente une étape 405 de formation d'une troisième électrode 138’’ dans les première et deuxième ouvertures et sur la première couche 111 poreuse, de préférence par dépôt d’un métal, l'électrode 138’’ étant ainsi commune au transducteur 11 et au deuxième transducteur 13.
La troisième électrode 138’’ est avantageusement connectée à un plot métallique 511 du circuit de contrôle 51. Cette connexion est avantageusement réalisée en formant une troisième ouverture qui s’étend à travers la première couche 111 poreuse et la couche diélectrique 121 enrobant le transducteur 11, le guide d’onde 12 et le deuxième transducteur 13, puis en remplissant cette troisième ouverture du métal.
Dispositif de studio vidéographique ou photographique miniaturisé et portable La présente invention est relative à un dispositif de studio vidéographique ou photographique, notamment de photographies 3D, portable et miniaturisé, préférentiellement connecté et permettant un montage ainsi qu’un partage instantané de vidéos à 360°, de produits divers.
Le dispositif de studio, miniaturisé, conforme à la présente invention trouvera son application, principalement, mais non limitativement, dans le domaine de la vidéographie et de la création de contenu culinaire.
Traditionnellement, lorsqu’un professionnel ou un commerçant, de la restauration ou de tout autre domaine, souhaite effectuer des vidéographies et/ou des photographies de ses produits, d’excellente qualité afin de mettre en valeur visuellement lesdits produits et de les présenter de la manière la plus esthétique possible aux consommateurs, celui-ci doit faire appel à un vidéographe ou à un photographe professionnel.
Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique comprend une capacité montée entre la première borne d’alimentation et la deuxième borne de référence et permettant à la tension variable de rester à une valeur supérieure à une tension de seuil du premier ensemble de diodes électroluminescentes monté entre la première borne d’alimentation et le premier composant de conduction. La capacité montée en entrée permet d’éviter les risques de périodes d’absence d’émission de la lumière et donc d’éviter tout effet stroboscopique inconfortable.
Selon un mode de réalisation, la troisième tension varie en fonction de la température.
La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation d’un circuit optoélectronique conforme à l’invention.
La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation du circuit de commande utilisé dans le circuit optoélectronique de la .
La représente un cas particulier du mode de réalisation de la où N est égal à 3.
La représente des chronogrammes de tension, de courants et de puissance au cours du fonctionnement du mode de réalisation du circuit optoélectronique conforme à l’invention de la .
Sauf précision contraire, l’expression « sensiblement » signifie à 10% près, de préférence à 5% près. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme « connecté » pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d’une piste conductrice, et le terme « relié », pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors « connecté ») soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.).
La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation d’un circuit optoélectronique 20 comprenant une première borne d’alimentation A 1 et une deuxième borne de référence A 2 , la première borne d’alimentation A 1 et la deuxième borne de référence A 2 étant destinées à être connectées à une source de tension délivrant au circuit optoélectronique 20 une tension variable V ALIM contenant une alternance de phases positives croissantes et de phases positives décroissantes.
Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 20 peut comprendre un circuit redresseur 12 recevant une tension d’alimentation V IN entre deux bornes IN 1 et IN 2 et fournissant la tension variable V ALIM redressée entre la première borne d’alimentation A 1 et la deuxième borne de référence A 2 . A titre de variante, le circuit optoélectronique 20 peut recevoir directement une tension redressée, le circuit redresseur 12 pouvant alors ne pas être présent.
Le potentiel à la deuxième borne de référence A 2 peut correspondre à un potentiel de référence bas Voff, par exemple 0V, par rapport auquel sont référencées les tensions du circuit optoélectronique 20. Sauf indication contraire, les potentiels sont référencés dans la suite de la description par rapport au potentiel de référence bas Voff. Un potentiel de référence haut, appelé Von, peut être fourni à partir de la tension variable V ALIM au niveau de la première borne d’alimentation A 1 .
Le circuit optoélectronique 20 comprend des ensembles de diodes électroluminescentes D i reliés entre eux dans un montage en série, lequel montage en série étant relié à la première borne d’alimentation A 1 . Le nombre i des ensembles de diodes électroluminescentes D i est un entier variant de 1 à N, où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chacun des ensembles de diodes électroluminescente D 1 à D N comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire. De préférence, chaque ensemble de diodes électroluminescentes D i est composé de la mise en série et/ou en parallèle d’au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires. Les ensembles de diodes électroluminescentes D i , i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires.