Procédé de collage direct de puce (10) à plaque (20) comprenant au moins les étapes suivantes : Fournir au moins une puce (10) présentant une première face (100) plane, Fournir au moins une plaque (20) présentant une deuxième face (200) plane comprenant une zone (210) de réception de la puce (10), Manipuler la puce (10) de façon à positionner la première face (100) de la puce (10) en regard de la zone (210) de réception de la puce (10) sur la deuxième face (200) de la plaque (20), en alignant la puce vis-à-vis de la plaque, Mettre en contact la première face (100) de la puce (10) avec la zone (210) de réception de la puce (10), de façon à coller la puce (10) sur la deuxième face (200) de la plaque (20), le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend en outre les étapes suivantes : avant mise en contact, un dépôt d’au moins une goutte d’eau (30) dans la zone (210) de réception de la puce (10) sur la deuxième face (200) de la plaque (20) et/ou sur la première face (100) de la puce (10), et lors de la manipulation de la puce (10) et après dépôt de la goutte d’eau (30), une application d’une pression sur la puce (10) configurée pour former, à partir de la goutte d’eau (30) déposée, un film d’eau (31) entre la première face (100) et la zone (210) de réception de la puce (10). Procédé selon la revendication précédente dans lequel : la puce (10) comprend au moins un premier plot (11) à base d’un premier matériau et une première couche (12) à base d’un deuxième matériau, et la première face (100) plane est formée par des parties exposées du premier plot (11) et de la première couche (12), la plaque (20) comprend au moins un deuxième plot (21) à base du premier matériau et une deuxième couche (22) à base du deuxième matériau, et la zone (210) de réception de la puce (10) est formée par des parties exposées du deuxième plot (21) et de la deuxième couche (22), le procédé étant un procédé de collage hybride direct de puce (10) à plaque (20). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le premier matériau est choisi parmi le cuivre, le titane, le nickel, l’or, le tungstène, et dans lequel le deuxième matériau est choisi parmi SiO2, Si3N4, SICN, Al2O3, TiN, TaN, WN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première face (100) plane comprend des premières marques d’alignement et la deuxième face (200) plane comprend des deuxièmes marques d’alignement (40), et dans lequel l’alignement de la puce vis-à-vis de la plaque est effectué via lesdites premières et deuxièmes marques d’alignement. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les deuxièmes marques d’alignement (40) sont disposées dans la zone (210) de réception de la puce (10), et dans lequel le dépôt de l’au moins une goutte d’eau (30) est configuré de sorte à ce que l’au moins une goutte d’eau (30) ne couvre pas totalement lesdites deuxièmes marques d’alignement (40). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le film d’eau (31) s’étend sur la deuxième face (200), en dehors de la zone (210) de réception de la puce (10). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4 dans lequel le film d’eau (31) s’étend sur la deuxième face (200), en restant au sein de la zone (210) de réception de la puce (10). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la deuxième face (200) présente une zone (220) dite périphérique en pourtour de la zone (210) de réception de la puce (10), ladite zone périphérique (220) et la zone (210) de réception de la puce (10) étant toutes les deux hydrophiles. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le film d’eau (31) présente une épaisseur e 31 inférieure 5 µm, de préférence inférieure à 1µm et plus préférentiellement inférieure à 100 nm ou inférieure à 50 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la goutte d’eau (30) déposée occupe initialement, avant application de la pression, une surface S 30 sur la zone (210) de réception de la puce (10) très inférieure, c’est-à-dire au moins deux fois inférieure, à la surface S 210 correspondant à la zone (210) de réception de la puce (10), et l’application de la pression permet d’étaler ladite goutte d’eau (30) sur et en dehors de la zone (210) de réception de la puce (10), pour former le film d’eau (31) entre la première face (100) et la zone (210) de réception de la puce (10). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la goutte d’eau (30) déposée présente un volume inférieur ou égal à 100 µL. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la goutte d’eau (30) déposée présente un volume compris entre 8 nL et 10 µL. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la pression appliquée est maintenue pendant une durée comprise entre 100 ms et 10 s. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’humidité relative de l’atmosphère est contrôlée de sorte à être supérieure ou égale à 80% lors de la manipulation de la puce (10). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une étape de séchage après application de la pression, configurée pour supprimer le film d’eau (31).