INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La représente un exemple de procédé de fabrication 200 d’un circuit électronique comprenant des transistors NMOS et PMOS formés dans, et sur, un même substrat semiconducteur, pouvant s’appliquer à la fabrication du circuit électronique 11 de la ou du circuit électronique 12 de la . Les éléments identiques à ceux décrits précédemment sont identifiés par les mêmes références numériques. Toutes les étapes de fabrication n’ont pas été détaillées, seules les étapes utiles à la compréhension de la problématique ont été représentées et seules certaines sont détaillées dans la description qui suit, les étapes non détaillées étant réalisables avec les procédés usuels de la microélectronique. Les masques d’implantation ne sont pas représentés, leur description suffisant à comprendre comment ils peuvent être positionnés.
Dans les figures 2, 4A et 4B, les étapes sont représentées sur un axe temporel.
Après une étape 201 (STI) de formation de régions d’isolation 140 (régions d’isolation initiales, non creusées) dans un substrat semiconducteur 120, par exemple de tranchées d’isolation, pour isoler les futurs transistors NMOS et PMOS, une étape 202 (N Well) de dopage de type N est réalisée afin de former le caisson 122 de type N pour le transistor PMOS, en utilisant un masque d’implantation adapté à cacher les régions qui ne doivent pas être dopées N lors de cette étape, puis une étape 203 (P Well) de dopage de type P est réalisée afin de former le caisson 121 de type P pour le transistor NMOS, en utilisant un masque d’implantation adapté à cacher les régions qui ne doivent pas être dopées P lors de cette étape. Chaque étape de dopage est typiquement réalisée par implantation ionique.
Ces étapes de dopage pour former les caissons sont réalisées généralement à travers une couche de diélectrique 210 du type ONO, pour "Oxyde Nitrure Oxyde". Une telle couche de diélectrique peut, par exemple, servir à isoler une couche de polysilicium destinée à former tout ou partie d’une région de grille d’un ou plusieurs autres transistors positionnés sur et dans une autre portion du substrat semiconducteur.
Sur les portions du substrat semiconducteur 120 délimitées par les régions d’isolation initiales 140, la couche de diélectrique 210 est supprimée, typiquement à l’aide d’une gravure sèche, suivie d’une étape de gravure humide 204 (BOE). L’étape de gravure humide 204 est généralement réalisée à l’aide d’une solution d’acide fluorhydrique (HF), de sorte à supprimer l’oxyde résiduel sur la face supérieure 120A du substrat semiconducteur 120, et ce, pour chacun des futurs transistors NMOS et PMOS. Cette étape de gravure humide peut être désignée par le terme BOE, pour "Buffered Oxyde Etch" en anglais.
Lors de l’étape de gravure humide 204, une portion d’isolant des régions d’isolation 140 initiales peut être supprimée sur une profondeur donnée, par exemple la profondeur P0, résultant en des régions d’isolation 141 en retrait par rapport à la face supérieure 120A du substrat 120. La profondeur de gravure d’isolant des régions d’isolation 141 peut être contrôlée lors de cette étape de gravure humide, notamment en contrôlant la durée de mise en contact avec la solution de gravure, par exemple selon que l’on vise plutôt à limiter le phénomène de dislocation, ou plutôt à réduire l’effet hump. Par exemple, la profondeur de gravure dans les régions d’isolation est choisie égale à environ 9 nm lorsqu’on souhaite privilégier la réduction de l’effet hump, ou est choisie égale à environ 23 nm lorsqu’on souhaite privilégier la réduction du phénomène de dislocation.
Ensuite, une étape 205 (GO3 Ox) d’oxydation d’une portion du substrat semiconducteur 120 à partir de sa face supérieure 120A est réalisée afin de former les couches d’oxyde de grille 133/134, sur lesquelles les régions de grille des futurs transistors NMOS et PMOS seront ensuite formées. Lors de cette étape d’oxydation, les implants déposés lors des étapes 202, 203 de dopage décrites précédemment vont diffuser dans le substrat semiconducteur 120.
Le troisième transducteur 14 est de préférence une diode électroluminescente, située sur le chemin optique des ondes guidées par le guide d'onde 12. Celle-ci a pour rôle de changer l’indice de propagation des ondes ou de moduler la puissance desdites ondes (fonction modulateur), en appliquant une polarisation (« bias » en anglais) qui permet d'absorber la lumière se propageant dans le guide d'ondes 12 et traversant le troisième transducteur 14.
La montre un arrangement possible des électrodes du système optoélectronique 1, compatible avec tous les modes de réalisations décrits précédemment.
Outre la première électrode 117 disposée sur la première portion 116a de la troisième couche 116, le transducteur 11 comprend une deuxième électrode 118 disposée sur une première portion en retrait 112e de la deuxième couche 112. La première portion en retrait 112e est adjacente à la première portion 112a.
Par ailleurs, outre la troisième électrode 137 disposée sur la troisième portion 116c de la troisième couche 116, le deuxième transducteur 13 peut comprendre une quatrième électrode 138 disposée sur une deuxième portion en retrait 112f de la deuxième couche 112. La deuxième portion en retrait 112f est adjacente à la troisième portion 112c.
La quatrième électrode 138 n’est pas obligatoire, étant donné que le contact électrique avec la deuxième couche 112 est déjà assuré par la deuxième électrode 118 et que la deuxième couche 112 s’étend de façon continue jusqu’au deuxième transducteur 13. Toutefois, elle améliore la distribution de courant dans la deuxième transducteur (on parle aussi d’injection électrique dans le cas d’une LED).
Les première et deuxième portions en retrait 112e-112f de la deuxième couche 112 sont de préférence formées par gravure partielle de la deuxième couche 112.
De préférence, aucune des électrodes ne s'étend au-delà du transducteur 11 ou au-delà du deuxième transducteur 13 dans le guide d'ondes 12.
Lorsque la deuxième couche 112 est dopée N et la troisième couche 116 est dopée P, la première électrode 117 est l'anode du transducteur 11, la deuxième électrode 118 est la cathode du transducteur 11, la troisième électrode 137 est la cathode du deuxième transducteur 13 et la quatrième électrode 138 est l'anode du deuxième transducteur 13.
Selon un autre arrangement, la deuxième électrode 118 et/ou la quatrième électrode 138 est disposée en contact avec une face inférieure de la deuxième couche 112 et s’étend par conséquent à travers la première couche 111 poreuse.
La représente en vue de dessus un autre mode de réalisation du système optoélectronique 1 dans lequel un second guide d’ondes 12' est couplé au premier guide d'ondes 12, de préférence par couplage évanescent. Le second guide d'ondes est de préférence en SiN, AlN ou Al 2 O 3 et permet, par exemple, de propager les ondes lumineuses émises par le transducteur 11 et se propageant dans le guide d'ondes 12. Le deuxième guide 12’, qui s’étend par exemple perpendiculairement au premier guide 12, propagent les ondes avec moins de pertes que le premier guide 12. Le couplage évanescent occasionne peu de pertes.
Un deuxième aspect de l'invention concerne un procédé 100 de fabrication du système optoélectronique 1 selon le premier aspect de l'invention.
Une première étape 101 du procédé 100, représentée à la , est une étape de formation d’un empilement, en faisant croitre successivement par épitaxie sur le substrat 14 une couche 111’ de matériau semi-conducteur fortement dopé selon le premier type de dopage, la deuxième couche 112 de matériau semi-conducteur, la zone 113 comprenant le ou les puits quantiques, et la troisième couche 116 de matériau semi-conducteur.
Une deuxième étape 102 du procédé 100, représentée à la , est une étape de porosification de la couche 111' pour obtenir la première couche 111 poreuse. La porosification est par exemple accomplie par un procédé électrochimique: la couche 111' est plongée dans une solution et une différence de potentiel est appliquée entre la couche 111' et la solution , ce qui aboutit à la formation de pores dans la couche 111'. Lors de la porosification, la couche 111' fortement dopée joue le rôle d'anode et un fil de platine peut jouer le rôle de cathode. La porosification, dite porosification électrochimique, est par exemple réalisée dans une solution d'acide oxalique (0,2M) en appliquant une tension de 15V pendant 30min,
Une troisième étape 103 du procédé 100, représentée à la , est une étape de gravure partielle d’au moins la troisième couche 116, pour délimiter le guide d'ondes 12, et obtenir une première zone de motifs M1 non gravée.
La troisième couche 116 peut être gravée de préférence, sur toute son épaisseur, donc jusqu’à la zone 113 comprenant le ou les puits quantiques pour former la première portion 116a et la troisième portion 116c de la troisième couche 116, la couche 116c n'étant pas formée dans ce cas. Ce mode de réalisation préférentiel permet d'isoler électriquement la première zone de motifs M1 et la deuxième zone de motifs M2 jusqu’au puit quantique de faible dimension. En particulier, l'épaisseur de la zone 13 comprenant un ou plusieurs puits quantiques est égale ou sensiblement égale à 100 nm.
La troisième couche 116 peut également être gravée sur une partie seulement de son épaisseur, pour former la première portion 116a, la deuxième portion 116b et la troisième portion 116c.
On fournit un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt, qui est préparé par le procédé de préparation d’un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt selon l’un quelconque des modes de réalisation ci-dessus.
Pour le procédé de préparation d’un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt de la présente demande, l’opération de formulation est réalisée sur la source de lithium, la source de nickel et la source de fer pour obtenir la solution de sel métallique, permettant au matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt d’avoir une capacité spécifique plus élevée, une surface spécifique plus élevée et de meilleures performances électrochimiques. Ensuite, la solution de sel métallique réagit pour générer le précipité sous l’action de la solution alcaline, assurant mieux l’homogénéité de mélange de l’élément lithium, de l’élément nickel, et de l’élément fer dans le précipité généré. Après filtration, un frittage à basse température est réalisé avec de l’hydroxyde de lithium ajouté, de sorte que le précurseur, qui a un certain degré de structure de pores frittés en raison du pré-frittage (frittage à basse température), soit soumis à un traitement de revêtement avec l’oxyde résistant aux hautes températures avant le frittage à haute température. Ainsi, l’oxyde résistant aux hautes températures appliqué extérieurement en revêtement sur la couche externe de particules de précurseur forme une structure de couche. Par la suite, le précurseur après le traitement de revêtement est soumis à une opération de frittage à haute température, atténuant efficacement le problème de fusion des grains pour former des particules secondaires lors du frittage à haute température des particules de précurseur, obtenant ainsi de manière satisfaisante le matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt avec de meilleures performances électrochimiques et une surface spécifique plus élevée.
Pour illustrer plus clairement les solutions techniques dans les exemples de la présente demande, les dessins utilisés dans les exemples sont brièvement décrits ci-dessous. Il faut comprendre que les dessins ci-dessous illustrent simplement quelques exemples de la présente demande et ne doivent pas être interprétés comme une limitation de la portée. L’homme du métier peut obtenir d’autres dessins pertinents basés sur ces dessins sans efforts créatifs.
est un organigramme montrant un procédé de préparation d’un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt dans un mode de réalisation de la présente demande ;
est une image au microscope électronique montrant un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt dans l’Exemple 1 ; et
est une image au microscope électronique montrant un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt dans l’Exemple Comparatif 2.
Pour faciliter la compréhension de la présente demande, une description plus complète de la présente demande est fournie ci-dessous en référence aux dessins. Des modes de réalisation préférés de la présente demande sont représentés dans les dessins. Cependant, la présente demande peut être mise en œuvre sous de nombreuses formes différentes et n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits ici. Ces modes de réalisation sont fournis pour une compréhension plus approfondie et plus complète du contenu divulgué dans la présente demande.
Il convient de noter que lorsqu’un composant est décrit comme étant « fixé à » un autre composant, il peut être directement fixé sur le composant particulier, ou fixé par un composant intermédiaire. Lorsqu’un composant est décrit comme étant « relié à » un autre composant, il peut être directement relié au composant particulier, ou relié par un composant intermédiaire. Les termes utilisés ici, tels que « vertical », « horizontal », « gauche » et « droite », ne sont utilisés qu’à titre illustratif et ne signifient pas qu’il n’existe qu’un seul mode de réalisation.
Sauf définition contraire, tous les termes techniques et scientifiques utilisés ici ont les mêmes significations que celles communément comprises par l’homme du métier. Ici, les termes utilisés dans la spécification de la présente demande ne sont utilisés que pour décrire les modes de réalisation et ne sont pas destinés à limiter la présente demande. Le terme « et/ou » utilisé ici inclut une ou toutes les combinaisons d’un ou de plusieurs éléments associés énumérés.
La présente demande fournit un procédé de préparation d’un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt. Afin de mieux comprendre le procédé de préparation d’un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt de la présente demande, le procédé de préparation d’un matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt de la présente demande est expliqué plus en détail ci-dessous.
Le procédé de préparation du matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt dans un mode de réalisation comprend les étapes suivantes.
S100 : l’obtention d’un oxyde résistant aux hautes températures et d’un sel métallique. Où, l’oxyde résistant aux hautes températures comprend du SiO 2 et du TiO 2 dopé au métal, et le sel métallique comprend une source de lithium, une source de nickel et une source de fer. On peut comprendre que le lithium est un élément indispensable du matériau d’électrode positive, du nickel est ajouté pour améliorer efficacement la capacité spécifique du matériau d’électrode positive, et le fer peut augmenter l’espacement du réseau, accélérer la diffusion de Li + dans le matériau d’électrode positive, et inhiber en même temps la migration du nickel vers la couche de lithium, ce qui à son tour réduit le désordre avec les cations de métaux de transition et empêche la structure cristalline en couches de se transformer en une structure de type spinelle qui entrave le transport de Li + . L’oxyde résistant aux hautes températures a une meilleure résistance aux hautes températures et est capable de former une structure de couche résistante aux hautes températures sur la surface des particules, ce qui réduit le contact des substances à l’intérieur de la structure de couche résistante aux hautes températures. Par conséquent, le matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt, préparé à partir de la source de lithium, de la source de nickel et de la source de fer, a une capacité spécifique plus élevée, une surface spécifique plus élevée et de meilleures performances électrochimiques.
S200 : la réalisation d’une opération de formulation sur le sel métallique pour obtenir une solution de sel métallique. On peut comprendre que l’opération de formulation réalisée sur le sel métallique, c’est-à-dire le mélange complet de la source de lithium, de la source de nickel et de la source de fer pour former une solution uniforme de sel métallique, assure mieux l’homogénéité de mélange de l’élément lithium, de l’élément nickel, et de l’élément fer dans le précipité généré, et assure ainsi les performances électrochimiques du matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt.
la réalisation d’opérations d’agitation et de mélange sur le liquide B avec le liquide A ajouté goutte à goutte pour obtenir une solution à vieillir ;
la réalisation d’un traitement de vieillissement sur la solution à vieillir ; et
la réalisation d’un séchage et d’une torréfaction sur la solution à vieillir après le traitement de vieillissement.
Dans un mode de réalisation, l’éthanol anhydre et le titanate de butyle dans le liquide A ont un rapport volumique de (7 à 8) : (2 à 3).
Dans un mode de réalisation, l’éthanol anhydre, l’acide acétique, l’eau désionisée et le nitrate métallique dans le liquide B ont un rapport volumique de (7 à 8) : 1 : (2 à 3) : (0,5 à 1).
Dans un mode de réalisation, l’étape de réalisation de l’agitation et du mélange sur le liquide B avec le liquide A ajouté goutte à goutte comprend spécifiquement l’ajout goutte à goutte du liquide A au liquide B, puis l’ajout d’une solution acide sous agitation jusqu’à ce que le pH soit inférieur ou égal à 2,0.
Dans un mode de réalisation, la solution acide est de l’acide nitrique. De plus, la solution acide est une solution d’acide nitrique à 10%.
Dans un mode de réalisation, le liquide A est ajouté goutte à goutte au liquide B avec une vitesse d’ajout de 0,3 mL/min à 0,7 mL/min. En outre, la vitesse d’ajout est de 0,5 mL/min et, de plus, le temps d’ajout est de 2 h à 2,2 h.
Dans un mode de réalisation, l’étape de réalisation d’un traitement de vieillissement sur la solution à vieillir comprend spécifiquement le vieillissement naturel de la solution à vieillir. De plus, le temps de vieillissement est de 2 h à 2,2 h.
Dans un mode de réalisation, l’étape de réalisation du séchage et de la torréfaction sur la solution après le traitement de vieillissement comprend les étapes suivantes :
la réalisation d’un traitement de séchage sur la solution après le traitement de vieillissement ; et
la réalisation d’un traitement de torréfaction sur la solution après le traitement de séchage.
Dans un mode de réalisation, la solution après le traitement de vieillissement est soumise à un traitement de séchage à une température de 75°C à 85°C. En outre, la solution après le traitement de vieillissement est soumise à un traitement de séchage dans une étuve. De plus, le temps de séchage est de 2,8 h à 3,2 h.
Dans un mode de réalisation, la solution après le traitement de séchage est soumise à un traitement de torréfaction à une température de 500°C à 520°C. En outre, la solution après le traitement de séchage est soumise à un traitement de torréfaction dans un four à moufle. De plus, le temps de torréfaction est de 2,8 h à 3,2 h.
Dans un mode de réalisation, la solution après le traitement de séchage est soumise à un traitement de torréfaction dans une atmosphère d’oxygène.
Dans un mode de réalisation, l’étape de réalisation d’une opération de formulation sur la source de lithium, la source de nickel et la source de fer comprend spécifiquement l’ajout de sels métalliques à de l’eau désionisée et leur mélange sous agitation.
Ainsi la zone d’appui présente une dimension radiale assez faible par rapport à celle des branches radiales.
Selon un autre des aspects de l’invention, ces deux zones d’appui sont écartées l’une de l’autre circonférentiellement, et la partie d'extrémité de la dent comporte deux bords latéraux espacés circonférentiellement l’un de l’autre en appui chacun sur l’une des zones d’appui du siège.
Selon l’un des aspects de l’invention, la partie d'extrémité de la dent comporte un bord radialement interne et un bord radialement externe qui forment avec les bords latéraux, le pourtour de cette partie d'extrémité de la dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, le bord radialement interne et le bord radialement externe de la partie d'extrémité de la dent sont en regard de l’espace circonférentiel entre deux branches radiales voisines du support multifonction.
Autrement dit, la dent ne s’appuie pas sur le moyeu central et la couronne externe du support multifonction, mais seulement sur les deux zones d’appui.
Selon l’un des aspects de l’invention, les deux zones d’appui du siège sont formées respectivement sur deux branches radiales voisines.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque zone d’appui est une bande radiale qui s’étend sur l’une des branches radiales, sensiblement du moyeu central jusqu’à la couronne externe.
Ainsi, sur chaque branche radiale, sont formées deux zones d’appui, respectivement pour deux dents voisines.
Selon l’un des aspects de l’invention, la branche radiale comporte une nervure de renfort qui est radiale et qui s’étend, notamment de manière rectiligne, entre les deux zones d’appui voisines de cette branche radiale.
Selon l’un des aspects de l’invention, cette branche radiale présente ainsi une section en T.
Selon l’un des aspects de l’invention, la partie d'extrémité de la dent comporte, le long de chaque bord latéral, un épaulement configuré pour venir en appui sur l’une des zones d’appui du siège, et entre ces épaulements, la partie d'extrémité de la dent s’étend dans l’espace circonférentiel entre deux branches radiales voisines du support multifonction.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque dent comporte une âme autour de laquelle est réalisé l’enroulement et s’étendant suivant l’axe de rotation et, à chacune de ses extrémités axiales, une partie d'extrémité s’étendant transversalement à l'âme, la partie d'extrémité présentant une face principale externe qui est orientée à l’opposé de l’âme et qui comprend une rainure dans une région centrale de cette face principale externe, région centrale qui est éloignée circonférentiellement de deux bords latéraux de la partie d'extrémité, cette rainure étant configurée pour réduire les ondulations de couple pouvant apparaitre lors du fonctionnement de la machine électrique à flux axial.
Selon l’un des aspects de l’invention, les deux parties d’extrémité de la dent sont symétriques l’une de l’autre par un plan de symétrie perpendiculaire à l‘axe de rotation.
Selon l’un des aspects de l’invention, le support multifonction comporte au moins un relief de positionnement faisant saillie dans l’espace circonférentiel entre deux branches radiales voisines du support multifonction, ce relief de positionnement étant agencé pour coopérer avec la dent, notamment la partie d’extrémité de la dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, le relief s’étend depuis l’une des branches radiales, notamment sensiblement au milieu de cette branche radiale.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque espace circonférentiel est associé à deux reliefs de positionnement en regard, appartenant respectivement aux deux branches de part et d’autre de cet espace circonférentiel.
La représente plus en détail une aube mobile 10 de la turbine basse pression 7. Cette aube 10 comprend un pied d’aube 11, une partie de pale 12 et une tête d’aube 13. Une plateforme interne 14 est prévue à l’interface entre le pied d’aube 11 et la partie de pale 12. La plateforme interne 14 se prolonge, de chaque côté, vers l’amont et vers l’aval, par des murets radiaux 15 munis chacun d’un becquet axial 16.
Comme cela est mieux visible sur la , le pied d’aube 11 comprend une partie en queue d’aronde 20, s’étendant axialement, présentant un col 21, des surfaces latérales divergentes 22, formant des surfaces de portée, et une surface inférieure 23.
La tête d’aube 13 comprend pour sa part une plateforme externe 17 et, de chaque côté dans la direction circonférentielle, des surfaces de talon 18 prévues pour s’emboîter avec les surfaces de talon des aubes adjacentes lorsque les aubes sont montées.