Dispositif (1) mémoire à changement de phase comprenant un empilement (100) comprenant un point mémoire (200), le point mémoire (200) comprenant, empilés selon une direction dite verticale (Z) : une électrode inférieure (110) formée dans une couche inférieure (110a), au moins un tronçon dit chalcogénure (120) formé dans au moins une couche chalcogénure (120a), disposé sur l’électrode inférieure (110), une électrode supérieure (130) formée dans une couche supérieure (130a) et disposée sur l’au moins un tronçon chalcogénure (120), le point mémoire (200) présentant une surface latérale (203) et une face supérieure (201), le point mémoire comprenant en outre : une couche d’encapsulation (300) encapsulant le point mémoire (200) et disposée au contact de la surface latérale (203) et de la face supérieure (201), au moins une portion (125), dite dopée, s’étendant depuis la surface latérale (203) et à l’intérieur du tronçon chalcogénure (120), et présentant un dopage à base d’au moins une espèce, dite espèce dopante, choisie parmi les espèces suivantes : le carbone, le fluor, l’azote, l’indium, l’arsenic l’aluminium, le germanium, le silicium, le chlore et le bore, la portion dopée (125) s’étendant, selon la direction verticale (Z), le long de toute la hauteur du tronçon chalcogénure (120), le tronçon chalcogénure (120) présentant une portion non dopée (126) présentant un dopage nul ou inférieur au dopage de la portion dopée (125) en l’espèce dopante, la portion non dopée (126) s’étendant depuis la portion dopée (125) et jusqu’à un centre du tronçon chalcogénure (120). Dispositif (1) selon la revendication précédente, dans lequel l’espèce dopante de l’au moins une portion dopée (125) présente un pourcentage atomique supérieur à 0,5%. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion dopée (125) présente selon toutes les directions d’un plan transversal (XY) perpendiculaire à la direction verticale (Z) une dimension radiale l 125 avec l 125 ≤ 20 nm, de préférence l 125 ≤ 10 nm. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion dopée (125) présente selon toutes les directions d’un plan transversal (XY) perpendiculaire à la direction verticale (Z) une dimension radiale l 125 avec l 125 ≥ 2 nm, de préférence l 125 ≥ 5 nm. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le point mémoire (200) présente une hauteur H 200 selon la direction d’empilement (Z), la portion dopée (125) s’étendant selon la direction d’empilement (Z) sur au moins 50%, de préférence au moins 75%, de la hauteur H 200 du point mémoire (200). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche d’encapsulation (300) présente une épaisseur e 300 comprise entre 10 nm et 30 nm. Procédé de fabrication d’un dispositif (1) mémoire à changement de phase comprenant les étapes suivantes : une fourniture d’un empilement (100) présentant une face supérieure (101), l’empilement (100) comprenant, empilées selon une direction dite verticale (Z) : une couche inférieure (110a), au moins une couche dite chalcogénure (120a) à base d’au moins un élément chimique de la famille des chalcogènes, une couche supérieure (130a), une gravure de structuration de l’empilement (100) à partir de sa face supérieure (101), la gravure de structuration s’étendant jusque dans une partie au moins de la couche inférieure (110a) et permettant de former un point mémoire (200) comprenant : une électrode inférieure (110) formée dans la couche inférieure (110a), au moins un tronçon dit chalcogénure (120) formé dans l’au moins une couche chalcogénure (120a), disposé sur l’électrode inférieure (110), une électrode supérieure (130) formée dans la couche supérieure (130a) et disposée sur l’au moins un tronçon chalcogénure (120), le point mémoire (200) présentant une surface latérale (203) et une face supérieure (201), une formation d’une couche d’encapsulation (300) encapsulant le point mémoire (200) et disposée au contact de la surface latérale (203) et de la face supérieure (201) du point mémoire (200), une implantation ionique d’une espèce dite dopante, choisie parmi les espèces suivantes : le carbone, le fluor, l’azote, l’indium, l’arsenic l’aluminium, le germanium, le silicium, le chlore et le bore, dans l’au moins un tronçon chalcogénure (120) au travers de la couche d’encapsulation (300), l’implantation ionique étant réalisée selon une direction d’implantation (10) formant un angle dit d’implantation θ impl avec la direction verticale (Z), avec θ impl ≥25°, l’implantation ionique étant configurée de façon à doper au moins une portion (125) dite dopée du tronçon chalcogénure (120), la portion dopée (125) s’étendant depuis la surface latérale (203), et à ne pas doper ou à doper à un dopage inférieur au dopage de la portion dopée (125) une portion (126) dite non dopée s’étendant depuis la portion dopée (125) et jusqu’à un centre du tronçon chalcogénure (120). Procédé selon la revendication précédente dans lequel 20≤θ impl ≤60°. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 et 8 dans lequel l’au moins un tronçon chalcogénure (120) comprend un premier tronçon chalcogénure (120’) et un deuxième tronçon chalcogénure (120’’) : le premier tronçon chalcogénure (120’) est disposé sur l’électrode inférieure (100), et destiné à former une couche dite mémoire, et le deuxième tronçon chalcogénure (120’’) est destiné à former une couche dite sélectrice, le deuxième tronçon chalcogénure (120’’) étant séparé du premier tronçon chalcogénure (120’) par une électrode intermédiaire (140), et l’implantation ionique est configurée de sorte que la portion (125) du tronçon chalcogénure (120) s’étende dans le premier tronçon chalcogénure (120’) et le deuxième tronçon chalcogénure (120’’). Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 9 dans lequel lors de l’implantation ionique, l’énergie d’implantation est supérieure ou égale à 1 keV, de préférence supérieure ou égale à 4 keV, de préférence supérieure ou égale à 10 keV, par exemple supérieure ou égale à 30 keV. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 10 dans lequel lors de l’implantation ionique, une dose d’espèce dopante D imp supérieure à 10 15 atomes/cm² est implantée. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 11 dans lequel la couche d’encapsulation est à base d’au moins un matériau pris parmi : le SiN, le SiC et le SiCN. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 12, dans lequel le tronçon chalcogénure (120) comprend au moins un élément chimique parmi le germanium, l’antimoine et le tellure. Procédé selon l’une quelconque des revendications 7 à 13 en combinaison avec la revendication 9 dans lequel le deuxième tronçon chalcogénure (120’’) comprend au moins un élément chimique parmi le sélénium, l’arsenic, le soufre, le silicium et l’aluminium.