Procédé de porosification de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant les étapes suivantes : a) fournir une structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N (115), une première couche de GaN non dopée (111), une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) ayant une première face principale et une deuxième face principale, la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) étant fortement dopée ou la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones (125), la deuxième partie ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique, une partie de la deuxième couche de GaN dopée 112 pouvant se prolonger dans les mésas 120, b) relier électriquement la structure (100) et une contre-électrode à un générateur de tension ou de courant, c) plonger la structure (100) et la contre-électrode dans une solution électrolytique, d) appliquer une tension ou un courant entre la structure (100) et la contre-électrode de manière à porosifier partiellement la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) des mésas (120) ou de manière à porosifier la première partie fortement dopée de la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) des mésas, moyennant quoi on obtient une couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie porosifiée (123’) et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones non porosifiées (125), chaque zone non porosifiée (125) allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) pour former un canal de conduction électrique. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée disposée entre la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112). Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que, lors de l’étape a), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124) recouvre la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) ou en ce que, après l’étape d), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124) est déposée sur la troisième couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’). Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la quatrième couche (124) de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée est une couche de GaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l’étape d) est réalisée en arrêtant la tension ou le courant avant la porosification complète de la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123), moyennant quoi la zone non porosifiée (125) correspond à la partie centrale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la ou les zones (125) de la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) forment des couronnes (125), chaque couronne délimitant un cœur (127) ayant de préférence une conductivité électrique au moins dix fois supérieure à la deuxième conductivité électrique, moyennant quoi lors de l’étape d), les cœurs (127) ne sont pas porosifiés et forment des canaux de conduction électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, après l’étape d), le procédé comprend une étape au cours de laquelle un traitement thermique est réalisé, moyennant quoi la deuxième conductivité électrique est augmentée et des zones (125’) ayant une troisième conductivité électrique supérieure à la deuxième conductivité électrique sont obtenues. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) de l’étape a) est obtenue selon les étapes suivantes : - fournir une couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée ayant une première conductivité électrique, - diminuer localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, moyennant quoi on forme une couche de (Al,In,Ga)N (123) comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones (125), ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) de l’étape a) est obtenue selon les étapes suivantes : - fournir une couche de (Al,In,Ga)N ayant une deuxième conductivité électrique, - augmenter localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, moyennant quoi on forme une couche de (Al,In,Ga)N (123) comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones (125), ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que trois groupes de mésas sont formés, chaque groupe de mésas étant destiné à former une micro-LED rouge, vert ou bleu, chaque groupe mésas ayant un taux de porosification ou un pourcentage de surface porosifiée différent. Procédé de fabrication de micro-LED, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : i) mise en œuvre du procédé de porosification de mésas selon l’une quelconque des revendications précédentes, ii) mise en œuvre des étapes e) à g) suivantes : e) sur la structure obtenue à l’étape i), réaliser une reprise d’épitaxie pour former des LED ré-épitaxiées comprenant des couches des couches n-InGaN (130) et une couche d’InGaN dopée p (131), puis former une électrode de contact (210), une couche de passivation (122) pouvant être positionnée entre l’électrode de contact (210) et la couche d’InGaN dopée p (131), la couche de passivation (122) recouvrant localement la couche d’InGaN dopée p (131), f) reporter la structure obtenue à l’étape e) sur un substrat (200), g) retirer la couche support (114), le cas échéant la couche tampon en (Al,Ga)N (115), la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112), h) réaliser une reprise de contact (150) sur la zone non porosifiée (125) ou au moins sur une des zones non porosifiées (125) de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’). Structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N (115), une première couche de GaN non dopée (111) et une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N (123’) partiellement porosifiée ayant une première face principale et une deuxième face principale, et, de préférence, une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124), la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) comprenant une ou plusieurs zones (125, 125’) non porosifiées, chaque zone non porosifiée (125, 125’) allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) pour former un canal de conduction électrique. Structure selon la revendication 12, caractérisé en ce que la structure (100) comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée disposée entre la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112). Dispositif optoélectronique comprend successivement : - un substrat support (200), - une électrode inférieure (210), - une LED ré-épitaxiée comprenant des couches des couches n-InGaN (130) et une couche d’InGaN dopée p (131), - une couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124), - une couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’), ayant une première face principale et une deuxième face principale, la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) comprenant une ou plusieurs zones non porosifiées (125, 125’) allant de la première face principale à la deuxième face principale pour former un canal de conduction électrique, - une reprise de contact (150) sur la zone non porosifiée (125) ou au moins sur une des zones non porosifiées (125, 125’) de la couche de (Al,In,Ga)N (123’) partiellement porosifiée.