INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Numériquement, avec une première valeur de tension de commande vtx1, une seconde valeur de tension de commande vtx2 et une tension de seuil du transistor de contrôle d’injection vtMct, la tension appliquée sur une borne de la capacité d’intégration correspond à la différence vtx1-vtMct dans la phase de précharge et à la différence vtx2-vtMct dans la phase de charge. Lors de la transition entre ces deux phases, la quantité de charges dans la capacité d’intégration est donc (vtx2-vtx1).Cinj, avec Cinj la valeur de la capacité d’injection. Ainsi, la quantité de charges transférée depuis la capacité d’injection à la capacité d’intégration lors de la transition entre ces deux phases est indépendante de la tension de seuil du transistor de contrôle d’injection vtMct.
Ce principe de fonctionnement n’est pas remis en cause si la tension de seuil du transistor de contrôle d’injection vtMct évolue légèrement, par effet bulk, avec la polarisation de la source du transistor de contrôle d’injection, car l’effet bulk ne dépend pas de la dispersion de la tension de seuil du transistor de contrôle d’injection vtMct.
Cet avantage est très important puisqu’il permet de mettre en œuvre des seuils du signal de sortie à des tensions de l’ordre de 0,015 à 0,025 Volt entre deux niveaux de tension, permettant d’obtenir un comptage dont la précision peut atteindre 7 à 8 bits.
Selon un mode de mise en œuvre, les données sont un code identifiant, ou code CHD, du compte associé à une carte de paiement et/ou un code d’authentification d’un titulaire d’un compte, par exemple les éléments d’un code PIN.
Selon un autre aspect, la présente invention concerne également un terminal mobile pour une transmission sécurisée de données avec un serveur d’acceptation, le terminal mobile comprenant un module de cryptage configuré pour crypter les données avec une première clé variable transmise par un serveur de transchiffrement, le terminal mobile comprenant en outre un module de transmission configuré pour recevoir, via un canal de communication, la première clé variable transmise par le serveur de transchiffrement et pour transmettre, via le canal de communication, au serveur de transchiffrement, les données cryptées avec la première clé, le module de transmission étant en outre configuré pour recevoir du serveur de transchiffrement, via le canal de communication, les données cryptées, avec une deuxième clé, par une boîte noire transactionnelle, puis pour transmettre au serveur d’acceptation, les données cryptées avec la deuxième clé, la deuxième clé étant partagée entre le serveur de transchiffrement et le serveur d’acceptation et n’étant pas transmise au terminal mobile.
Selon un mode de réalisation, le terminal mobile comprend en outre une mémoire volatile, la première clé étant manipulée dans la mémoire volatile du terminal mobile.
Selon encore un autre aspect, la présente invention concerne un serveur de transchiffrement pour une transmission sécurisée de données entre un terminal mobile et un serveur d’acceptation, le serveur de transchiffrement comprenant un module de génération configuré pour générer une première clé variable, et un module de transmission du serveur de transchiffrement configuré pour transmettre la première clé variable, via un canal de communication, au terminal mobile, le module de transmission du serveur de transchiffrement étant en outre configuré pour recevoir du terminal mobile, via le canal de communication, les données cryptées avec la première clé, le serveur de transchiffrement comprenant en outre une boîte noire transactionnelle configurée pour recevoir et décrypter les données cryptées avec la première clé variable, puis crypter les données avec une deuxième clé, puis pour transmettre, via le canal de communication, au terminal mobile, les données cryptées avec la deuxième clé, la deuxième clé étant partagée entre le serveur de transchiffrement et le serveur d’acceptation, et n’étant pas transmise au terminal mobile.
Selon un mode de réalisation, le module de génération et le module de transmission sont hébergés par un sous-serveur du serveur de transchiffrement, ledit sous-serveur étant distinct et disjoint de la boîte noire transactionnelle.
Selon encore un autre aspect, la présente invention concerne un système pour une transmission sécurisée de données entre un terminal mobile et un serveur d’acceptation, le système comprenant le terminal mobile selon le mode de réalisation décrit ci-dessus, et le serveur de transchiffrement selon le mode de réalisation décrit ci-dessus, le serveur d’acceptation étant configuré pour recevoir du terminal mobile les données chiffrées avec une clé partagée entre le serveur de transchiffrement et le serveur d’acceptation, ladite clé partagée n’étant pas transmise au terminal mobile.
est une représentation schématique du séquencement des étapes du procédé selon un mode de mise en œuvre de l’invention.
est une représentation schématique des composants d’un système selon un mode de réalisation de l’invention configuré pour la mise en œuvre de l’invention.
Un exemple de réalisation de l’invention est illustré schématiquement à la . Il comprend un terminal mobile TM et un serveur de transchiffrement S, le terminal mobile TM et le serveur de transchiffrement S étant configurés ensembles pour une transmission sécurisée de données entre le terminal mobile TM et un serveur d’acceptation SA.
Le terminal mobile TM est par exemple un équipement destiné au grand public, non spécialisé, comprenant, de manière standard, un module matériel de transmission de données. Le terminal mobile est de préférence un téléphone intelligent ; il peut aussi être une tablette, ou un ordinateur portable par exemple, qui peut comprendre également un module de mémoire persistante MP, et un module de mémoire volatile MV, comme cela est illustré schématiquement sur la .
Sur le terminal mobile TM est téléchargé un module logiciel de cryptage MC; ledit module logiciel de cryptage MC est configuré pour crypter les données avec une première clé variable transmise par le serveur de transchiffrement S ; sur le terminal mobile TM est également téléchargée une application logicielle qui forme, avec le module matériel standard de transmission de données du terminal mobile TM, un module matériel et logiciel de transmission de données MT1 ; le module matériel et logiciel de transmission de données MT1 permet ainsi de recevoir via un canal de communication CS, la première clé variable transmise par le serveur de transchiffrement S et pour transmettre au serveur de transchiffrement S les données cryptées avec la première clé ; le module de transmission MT1 est en outre configuré pour recevoir du serveur de transchiffrement S, via le canal de communication CS, les données cryptées avec une deuxième clé, par une boîte noire transactionnelle BNT du serveur de transchiffrement S, puis pour transmettre au serveur d’acceptation SA, les données cryptées avec la deuxième clé ; la deuxième clé est partagée entre le serveur de transchiffrement S et le serveur d’acceptation SA et n’est pas stockée sur le terminal mobile TM.
Le canal de communication CS est un canal de communication de données entre le terminal mobile TM et le serveur de transchiffrement S ; le canal de communication CS est par exemple sécurisé pour mettre en œuvre un premier niveau de protection des données échangées via ce canal. Le canal de communication est sécurisé lorsqu’il permet une communication de données entre deux points authentifiés mutuellement, la communication étant protégée en confidentialité. Ce premier niveau de protection des données peut être assuré par exemple par un premier cryptage des données échangées via ce canal sécurisé, le procédé selon l’invention assurant un niveau supplémentaire de protection des données transmises par le terminal mobile au serveur d’application. Ainsi, le canal de communication sécurisé permet de garantir l’authenticité et la provenance de la première clé, puis des données cryptées avec la première clé, et de se protéger ainsi contre une attaque du type attaque par «l’ homme du milieu» (MITM).
La première clé variable est, de préférence, une première clé à usage unique ; autrement dit, à chaque mise en oeuvre du procédé est utilisée une première clé différente de celle utilisée pour une mise en oeuvre précédente. Le niveau de protection est ainsi renforcé.
En particulier, la première clé est effacée immédiatement après l’étape de cryptage par le module de cryptage du terminal mobile, et de préférence avant l’étape de transmission qui suit l’étape de cryptage.
Plus particulièrement, la première clé est manipulée dans une mémoire volatile MV du terminal mobile TM; en tout état de cause, la première clé n’est jamais stockée dans un module de mémoire persistante MP du terminal mobile TM. Ainsi, le niveau de protection est encore renforcé.
Le dispositif électrique DE comprend en outre une diode zener Dz montée dans le sens inverse à partir de la cathode de la diode de redressement D1. La diode zener Dz est connectée entre la cathode de la diode de redressement D1 et la première électrode E1 du circuit cible R c L c C c . La branche série formée par l’élément résistif Rc et l’élément inductif Lc et la diode zener Dz est montée en parallèle avec la diode de court circuit D2.
Alternativement, la diode zener est montée en série entre l’élément inductif L c et l’élément résistif R c . La branche série formée par l’élément résistif Rc et l’élément inductif Lc et la diode zener Dz est montée en parallèle avec la diode de court circuit D2.
Avantageusement, la diode zener Dz est une diode de suppression de transitoire monodirectionnelle. La diode zener Dz a une tension de blocage (clamping en anglais) supérieure à la tension de coude de la diode de court circuit D2. De plus, la diode zener Dz a une capacité en tension inverse faible (autour de 10 pF) par rapport à la celle de l’élément capacitif C c (généralement supérieure à 100 pF).
L’intégration de la diode zener permet d’éviter un passage de courant dans l’élément inductif L c durant la première phase ϕ1 ce qui empêche la production d’une bruit par rayonnement de l’élément inductif L c .
D’une manière générale, l’utilisation de la diode de court-circuit D2, telle que détaillée précédemment, est compatible avec tous les modes de réalisation de l’invention. De plus, l’utilisation de la diode zener Dz, telle que détaillée précédemment, est compatible avec tous les modes de réalisation de l’invention.
La illustre le schéma électrique du dispositif électrique DE selon un cinquième mode de réalisation de l’invention. Le cinquième mode de réalisation diffère du second mode de réalisation par l’implémentation du circuit de déclenchement CD. Le circuit de déclenchement CD est un composant interrupteur à claquage ic1 comprenant : d’une part un premier fil conducteur connecté à la première électrode E1 de l’impédance de charge complexe Zc ; et d’autre part un second fil conducteur connecté à la seconde électrode E2 de l’impédance de charge complexe Zc et à la masse électrique GND. Les premier et second fils conducteurs sont séparés d’une distance d1 inférieure ou égale à 1mm. L’espace de séparation est occupé par un volume en un matériau ou un gaz diélectrique. Le composant interrupteur à claquage ic1 est passant uniquement lorsque la tension entre le premier fil conducteur et le second fil conducteur dépasse un premier seuil prédéterminé, dit tension de claquage. La tension de claquage dépend de la première distance d1. La tension de claquage est comprise entre 100V et 1000V et préférentiellement 10% à 30% de moins que la tension de sortie maximale d’un transformateur T1. Ainsi, pendant la première phase ϕ1, la tension au nœud E1 augmente progressivement suite à l’application de l’impulsion de tension d’entrée V in comme décrit précédemment. L’élément capacitif C c se charge progressivement pendant cette phase. Lorsque la tension au nœud E1 dépasse la tension de claquage, le composant interrupteur à claquage ic1 devient passant d’une manière brusque. Le circuit cible R c L c C c est ainsi court-circuité, et l’élément capacitif C c se décharge dans l’élément inductif cible L c . Le claquage engendre ainsi le déclenchement de la seconde phase ϕ2 d’une manière spontanée et sans aggraver la gigue par rapport aux modes de réalisation utilisant un transistor TN1.
La variation temporelle du courant à travers l’élément inductif L c au moment du déclenchement de la seconde phase ϕ2 s’exprime par la l’équation suivante: avec V0 le potentiel électrique au nœud E1 du circuit cible R c L c C c à l’instant du claquage. Il est ainsi possible de contrôler la pente de l’impulsion de test Imp1 en modifiant les deux paramètres suivant : l’impédance de l’élément inductif L c et la tension de claquage V0 du composant interrupteur à claquage ic1.
Le déclenchement par claquage permet de monter à des impulsions de courant et de tension ayant des amplitudes et des pentes de variations supérieures aux amplitudes et pentes des modes de réalisation utilisant un transistor TN1. Le composant interrupteur à claquage ic1 est une solution plus robuste qui absorbe le plus de puissance face à de fortes tensions et intensités de courant. Avec un seul transformateur, il est ainsi possible de générer des impulsions de test en tension dépassant 1000V d’amplitude avec une variation dépassant 10V/ns en temps de montée et 500V/ns en temps de descente. De plus, il est possible de générer des impulsions de test en courant dépassant 50A d’amplitude crête et/ou une variation de 50 A/ns.
Avantageusement, le composant interrupteur à claquage ic1 présente une tension de claquage modulable. Le composant interrupteur à claquage ic1 comprend en outre une micro-vis de réglage solidaire avec second fil conducteur connecté la masse électrique GND pour contrôler la distance d1. Le contrôle de la distance d1 permet de modifier la tension de claquage V0. La modification de la tension de claquage V0 permet de contrôler la pente de l’impulsion Imp1 obtenue suite au déclenchement de la décharge par claquage. La micro-vis de réglage comprend un filetage avec un pas métrique inférieur ou égal à de 0.35 mm. Un centième de tour de vis correspond ainsi à un avancement de 3.5 μm en direction du premier fil conducteur. Cela engendre selon la loi de Paschen, une diminution de 10 V de la tension de claquage V0 par centième de tour de la micro-vis de réglage. Cette variation peut être encore plus faible par insertion d’un élément ressort qui, pour une translation donnée de la vis de réglage, engendre une force opposée imposée par la raideur du ressort. La distance de séparation d1 peut varier de 0 à 1 mm avec un pas de réglage inférieur ou égal à 1µm. Cela permet de réaliser un contrôle plus précis de la tension de claquage V0 avec un pas de variation inférieur ou égal à 1V. Cela permet alors de moduler d’une manière précise la pente de l’impulsion de test en courant Imp1.
La illustre le schéma électrique du dispositif électrique DE selon un sixième mode de réalisation de l’invention. Le sixième mode de réalisation reprend l’ensemble des caractéristiques du cinquième mode de réalisation. Le circuit de déclenchement CD comprend en outre une couche métallique ML1 placée à une seconde distance d2 du volume en diélectrique du composant interrupteur à claquage ic1 ; et une diode électroluminescente LED apte à émettre des rayons ultraviolets. La seconde distance d2 est inférieure ou égale à 1mm. À titre d’exemple, la couche métallique ML1 est une feuille de zinc. La diode électroluminescente LED est connectée entre la sortie du générateur G1 et la masse électrique GND. Une résistance R LED est montée en série entre la diode électroluminescente LED et la sortie du générateur G1 afin de de limiter le courant traversant ladite diode électroluminescente à une intensité inférieure ou égale à 500mA.
La diode électroluminescente LED est placée de manière à émettre un rayon ultraviolet sur la couche métallique ML1. L’émission du rayon ultraviolet est activée alors par l’impulsion de tension d’entrée V in . On obtient ainsi une impulsion lumineuse synchronisée avec l’impulsion de tension d’entrée V in . Ainsi, la diode électroluminescente LED éclaire de façon impulsionnelle synchrone la surface de la couche métallique ML1. Cela induit un arrachement d’électrons par effet photo-électrique de la couche métallique ML1. L’éclairage impulsionnel UV favorise ainsi le claquage du volume diélectrique, en pratique un gaz, dans lequel baigne le premier fil électrique du composant interrupteur à claquage ic1 portée à une tension croissante très rapidement lors de la première phase ϕ1. Cela permet de réduire la gigue entre l’impulsion de tension d’entrée V in et le déclenchement de l’impulsion de test Imp1 par claquage à des valeurs inférieures ou égales à 1ns.
Alternativement selon une variante non représentée, la diode électroluminescente LED est commandée par un signal de contrôle externe appliqué entre l’instant de l’impulsion de tension d’entrée V in et l’instant pour lequel la tension de sortie du transformateur T1 se situe 10% au-dessous de la tension de claquage spontanée du circuit de déclenchement CD.
La illustre le schéma électrique du dispositif électrique DE selon un septième mode de réalisation de l’invention. Le septième mode de réalisation diffère du cinquième mode de réalisation par l’implémentation du circuit de déclenchement CD. Le circuit de déclenchement CD comprend un tube à gaz de décharge GDT monté en parallèle avec circuit cible R c L c C c . Le tube à gaz de décharge GDT est passant uniquement lorsque la tension à ces bornes est supérieure à un second seuil prédéterminé, dit tension de claquage du tube à gaz de décharge. La tension de claquage du tube à gaz de décharge est comprise entre 100V et 10kV. Le dispositif électrique DE fonctionne de la même manière que le cinquième mode de réalisation. Le tube à gaz de décharge GDT comprend un volume de gaz diélectrique encapsulé. L’encapsulation hermétique permet d’éviter les fluctuations de la tension de claquage en isolant le gaz diélectrique de l’humidité et les électrodes du tube à gaz de décharge GDT de l’oxydation. On obtient ainsi, un meilleur contrôle et une meilleure stabilité de la tension de claquage et donc de la pente de l’impulsion de test ainsi qu’un meilleur contrôle de la gigue. En effet, le temps de commutation du claquage par effet d’avalanche est de l’ordre de la nanoseconde. Le temps de commutation est stable et reproductible ce qui veut dire que la gigue est entièrement déterminée par la stabilité de la tension de claquage. Cela permet de minimiser la gigue de déclenchement de l’impulsion de test à des valeurs inférieures ou égales à 1ns. De plus, la durée de vie du tube à gaz GDT peut atteindre plusieurs centaines de milliers de claquages pour des tensions inférieures ou égales à 2000V et des durées de pulses réduites à quelques nanosecondes, ce qui est suffisant pour une campagne de test selon l’invention.
La illustre la tension de sortie (courbe C1) du dispositif électrique DE selon le septième mode de réalisation de l’invention comparé à la tension de sortie (courbe C0) d’un transformateur en l’absence d’un tube à gaz de décharge GDT. La courbe C0 présente un plateau de haute tension de l’ordre de 1300V. Cette amplitude correspond à une valeur de 30%(+/-5%) au-dessus de la tension de claquage du tube à gaz de décharge GDT. L’utilisation du claquage permet de générer un pic à une tension de l’ordre de 1000V limitée dans le temps et une faible gigue en limitant l’exposition aux risques pour l’intervenant.
La illustre le schéma électrique du dispositif électrique DE selon un huitième mode de réalisation de l’invention. Le circuit de déclenchement CD combine le tube à gaz GDT avec le transistor TN1 commandé par le circuit de contrôle CONT. Cela permet d’offrir une flexibilité entre un déclenchement par claquage spontané du tube à gaz GDT ou un déclenchement commandé via l’activation du transistor TN1.
Alternativement, le circuit de déclenchement CD comprend une pluralité de tubes à gaz GDT 1 à GDT n montés en parallèle. Les tubes à gaz GDT 1 à GDT n présentent des tensions de claquage V0 1 à V0 n selon un ordre croissant tel que V0 1 2 n-1 n ; n étant un entier naturel supérieur à 1. Ainsi, le premier tube à gaz GDT 1 commence pour un certain nombre d’impulsions à claquer tout seul car il présente la tension de claquage V0 1 la plus basse. Au bout d’un certain nombre de claquages, le premier tube à gaz GDT 1 vieillit ce qui engendre une augmentation progressive de tension de claquage V0 1 jusqu’à rejoindre la tension de claquage suivante V0 2 . les deux tubes GDT 1 et GDT 2 commutent en même temps et en parallèle, ce qui divise par deux le courant dans chaque tube. Ensuite, leur tension de claquage augmente avec l’érosion par le même mécanisme pour atteindre la tension de claquage du tube à gaz suivant et ainsi de suite. Cela permet de multiplier la durée de vie du dispositif électrique DE par le nombre de tubes à gaz montés en parallèle par rapport à un circuit de déclenchement comprenant un seul tube à gaz.
Une piste métallique conductrice 30 a été mise en place sur les embouchures des vias centrales 25 du côté de la surface supérieure 17. Elle peut résulter de la préservation le long de son emplacement, de la couche métallique qui était présent originellement sur la face supérieure 17 et qui a été gravée sur la plus grande partie de la surface, ou elle peut résulter aussi d’un dépôt métallique ultérieur à la suppression de la couche métallique par gravure. De préférence, les embouchures des vias centrales 25 sont bouchées par la couche métallique de la piste, et de préférence, la piste métallique 30 est en contact électrique avec les vias de la rangée centrale et donc le plan de masse. La piste métallique 30 étant très mince – c’est un simple dépôt, d’une épaisseur à nouveau de 17 à 35 µm - sa présence ne remet pas en cause le caractère essentiellement plan de la surface 17.
La piste métallique 30 est entourée de manière symétrique de deux rangées de via sur chacun de ses flancs.
Sur la surface supérieure 17 est placé un adhésif double-face qui permet de fixer le circuit imprimé monocouche 10 à un capot 50, de part et d’autre de la piste. L’adhésif double-face est une nappe de matériau diélectrique revêtue sur ses deux faces d’une résine collante, qui adhère à la surface contre laquelle la nappe est placée. Il a une épaisseur relativement faible vis-à-vis de l’épaisseur de la plaque de matériau diélectrique, mais qui est un peu plus élevée que l’épaisseur de la piste métallique 30. Cet adhésif double face peut être appliqué sous la forme d’une nappe continue et ensuite retiré de la surface de la piste, par découpe, par exemple découpe laser, et décollement, ou alors il peut être découpé préalablement, à nouveau par découpe laser, en deux morceaux, chacun des deux morceaux étant appliqué d’un côté de la piste métallique 30. A la place d’une découpe laser, l’ajourement de la nappe d’adhésif peut être effectué à l’aide d’un emporte-pièce. Dans les deux cas, une pièce 40 ou 41 d’adhésif longe un bord de la piste sur l’un ou l’autre de ses côtés et recouvre la plaque de matériau diélectrique 12 et les embouchures des deux rangées de vias. Les pièces d’adhésif 40 et 41 peuvent longer les bords de la piste en s’arrêtant très précisément contre ces bords, ou les longer à distance en laissant un espace entre le bord de la pièce d’adhésif et le bord de la piste métallique, ou à l’inverse, recouvrir légèrement la piste, tout en laissant une grande partie de celle-ci non recouverte par l’adhésif.
L’épaisseur des pièces 40 et 41 peut être de moins de 100 µm, et elle est supérieure à 50 µm, ou au moins 40 µm. Elle peut aussi être supérieure, mais il y a un intérêt à utiliser une épaisseur fine pour miniaturiser la structure. Elle est en tout cas bien supérieure à l’épaisseur des pastilles métalliques bouchant les vias latérales, et de la piste métallique conductrice 30.