INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 82, 83 est situé en vis-à-vis de l'une des diodes électroluminescentes ou d'un ensemble de diodes électroluminescentes. Chaque bloc photoluminescent 82, 83 comprend des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par la diode électroluminescente DEL associée, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente DEL associée. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins deux types de blocs photoluminescents 82, 83. Chaque bloc photoluminescent 82 du premier type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes qu'il recouvre en un premier rayonnement à une première longueur d’onde et chaque bloc photoluminescent 83 du deuxième type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes qu'il recouvre en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d’onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins trois types de blocs photoluminescents 82, 83, chaque bloc photoluminescent du troisième type étant adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes qu'il recouvre en un troisième rayonnement à une troisième longueur d’onde. Les première, deuxième et troisième longueurs d’onde peuvent être différentes.
Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont adaptées à émettre de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 480 nm. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm.
Selon un mode de réalisation, le procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale du rayonnement émis par des diodes électroluminescentes n'est mis en oeuvre que pour les diodes électroluminescentes qui ne sont pas recouvertes par les blocs photoluminescents 82, 83. En effet, pour les diodes électroluminescentes qui sont recouvertes par les blocs photoluminescents 82, 83, il n'est pas nécessaire que la longueur d'onde centrale de ces diodes électroluminescentes soient ajustée de façon précise dans la mesure où un matériau photoluminescent reste excitable par la lumière émise par les diodes électroluminescentes même si la longueur d'onde centrale de cette lumière n'est pas exactement égale à une longueur d'onde centrale cible.
Le rapport d'aspect des blocs 82, 83, c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du bloc, peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2.
Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 82, 83 comprend des particules d'au moins un matériau photoluminescent, par exemple dans une matrice transparente. Un exemple d'un matériau photoluminescent est le grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) activé par l'ion cérium trivalent, également appelé YAG:Ce ou YAG:Ce 3+ . La taille moyenne des particules des matériaux photoluminescents classiques est généralement supérieure à 5 µm.
Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 82, 83 comprend une matrice dans laquelle sont dispersées des particules monocristallines de taille nanométrique d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux semiconducteurs ou particules de nanoluminophores par la suite. Le rendement quantique interne QY int d'un matériau photoluminescent est égal au rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés par la substance photoluminescente. Le rendement quantique interne QY int des nanocristaux semiconducteurs est supérieur à 5 %, de préférence supérieur à 10 %, plus préférentiellement supérieur à 20 %.
La matrice est au moins en partie transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes DEL, de préférence à plus de 80 %. La matrice est, par exemple, en silice. La matrice est, par exemple, en n'importe quel polymère au moins en partie transparent, notamment en silicone, en époxy, en résine acrylique du type poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), ou en acide polyacétique (PLA). La matrice peut notamment être en un polymère au moins en partie transparent utilisé avec les imprimantes tridimensionnelles. La matrice peut correspondre à un verre déposé par centrifugation (SOG, sigle anglais pour Spin On Glass), photosensible ou non photosensible. Selon un mode de réalisation, la matrice contient de 2 % à 90 %, de préférence de 10 % à 60 %, en poids de nanocristaux, par exemple environ 30 % en poids de nanocristaux.
Le flux moyen de rayonnement émis par le sous-pixel d'affichage Pix_B est alors obtenu en faisant varier le rapport cyclique de la commande PWM des diodes électroluminescentes qui restent disponibles après la mise en oeuvre du procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend au moins deux itérations, chaque itération comprenant le cycle des étapes 4, 5, et 6 décrit précédemment. Toutefois, à la deuxième itération de l'étape 4, et éventuellement aux itérations suivantes de l'étape 4, le nombre restant de diodes électroluminescentes qui sont activées est réduit du nombre de diodes électroluminescentes qui ont été éteintes à l'étape 6 de l'itération précédente.
Dans le mode de réalisation décrit précédemment, toutes les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont activées à l'étape 4 et des diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique sont éteintes à l'étape 6. Selon un autre mode de réalisation, le nombre de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui sont activées à l'étape 4 est inférieur strictement au nombre total de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique. A l'étape 5, la variation ΔJ de la densité de courant à appliquer peut entraîner la déconnexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient activées ou la connexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient éteintes.
Selon un autre mode de réalisation, le procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage 12 i,j , peut comprendre la combinaison du mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec la et du mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec la . En effet, à l'étape 3 du mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec la , l'étape d'ajustement de la densité de courant J peut être réalisée en combinant une modification de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable CS et la connexion/déconnexion de diodes électroluminescentes comme à l'étape 6 décrite précédemment.
Selon un autre mode de réalisation, le procédé d'ajustement de la longueur d'onde centrale λc du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique, notamment un pixel d'affichage 12 i,j , comprend les étapes suivantes : a) mise en oeuvre du procédé décrit précédemment en relation avec la , dans lequel l'étape d'ajustement de la densité de courant J est réalisée par modification de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable CS ; b) ajustement du flux moyen de rayonnement émis par le pixel d'affichage 12 i,j par déconnexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient activées ou la connexion d'un nombre déterminé de diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique qui étaient éteintes, ce qui entraîne une modification de la densité de courant vue par les diodes électroluminescentes ; et c) modification de l'intensité du courant fourni par la source de courant commandable CS pour retrouver la densité de courant déterminée à l'étape a). Si la surface émettrice a été divisée par un facteur x il faut multiplier le courant par le même facteur x pour garder le même flux moyen de rayonnement du pixel.
Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes et la connexion/déconnexion d'un groupe de diodes électroluminescentes n'entraîne pas de modification de la densité de courant dans les autres groupes de diodes électroluminescentes. Dans ce but, Selon un mode de réalisation, chaque groupe de de diodes électroluminescentes peut être alimenté par une source de courant distincte.
Un mode de réalisation d'un pixel d'affichage 12 i,j va maintenant être décrit dans le cas de diodes électroluminescentes 3D, c'est-à-dire de diodes électroluminescentes formées à partir d'éléments tridimensionnels de taille nanométrique ou micrométrique, en particulier des microfils, des nanofils ou des pyramides.
La 5 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation du circuit d'affichage 32 d'un pixel d'affichage 12 i,j à diodes électroluminescentes LED à nanofils ou microfils. Le circuit d'affichage 32 du pixel d'affichage 12 i,j comprend de bas en haut en 5 : - un substrat 60 comprenant des faces opposées 62 et 64, la face supérieure 62 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes ; - une couche de germination 66 en un matériau favorisant la croissance de fils et disposée sur la face 62 ; - une couche isolante 68 recouvrant la couche de germination 66 et comprenant des ouvertures 70 exposant des portions de la couche de germination 66 ; - des diodes électroluminescentes LED (six diodes électroluminescentes étant représentées), chaque diode électroluminescente LED étant en contact avec la couche de germination 66 au travers de l'une des ouvertures 70 ; - une couche isolante 74 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque diode électroluminescente DEL et s'étendant sur la couche isolante 68 entre les diodes électroluminescentes DEL ; - une couche 76 formant une électrode recouvrant chaque diode électroluminescente DEL et s'étendant en outre sur la couche isolante 74 entre les diodes électroluminescentes DEL ; - une couche conductrice 78 et réfléchissante, s'étendant sur la couche 76 entre les diodes électroluminescentes DEL, la couche conductrice 78 pouvant, à titre de variante, être interposée entre la couche d'électrode 76 et la couche isolante 74 entre les diodes électroluminescentes DEL ; - une couche 80 de protection diélectrique s'étendant sur les couches 76 et 78 ; - des blocs photoluminescents 82, 83 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes et des blocs 84 transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes et recouvrant les autres ensembles de diodes électroluminescentes, les blocs transparents 84 pouvant ne pas être présents ; - une couche isolante 86 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 82, 83, 84, ou seulement de certains des blocs 82, 83, 84, la couche isolante 86 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 87 recouvrant les couches isolantes 86, les faces latérales des blocs 82, 83, 84 et la couche d'électrode 76 entre les blocs 82, 84 ; - des murs 88 entre les blocs 82, 84, chaque mur 88 comprenant un coeur 90 entouré d'un revêtement 92 réfléchissant ; - une couche de protection 96 recouvrant l'ensemble de la structure.
La représente un mode de réalisation des diodes électroluminescentes DEL. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente DEL comprend un fil 71 en contact avec la couche de germination 66 au travers de l'une des ouvertures 70 et une coque 72 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant les parois latérales et le sommet du fil 71. L'ensemble formé par chaque fil 71 et la coque 72 associée constitue une diode électroluminescente DEL.
La coque 72 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment une couche active 73 et une couche de liaison 75. La couche active 73 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente DEL. Selon un exemple, la couche active 73 peut comporter des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples. La couche de liaison 75 peut comprendre un empilement de couches semiconductrices du même matériau III-V que le fil 71 mais du type de conductivité opposé au fil 71.
Le substrat 60 peut correspondre à une structure monobloc ou correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 60 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO. De préférence, le substrat 60 est un substrat de silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. Le substrat 60 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator).
La section droite des ouvertures 70 peut correspondre à la section droite souhaitée des fils 71 ou peut être différente de la section droite des fils qui sera obtenue. Le diamètre moyen des fils 71 peut être égal ou supérieur au diamètre moyen des ouvertures 70.
a) composition La composition A selon l’invention a été préparée à partir des ingrédients indiqués dans le tableau suivant :
Composition A Cire d’abeille 2 Stearalkonium hectorite 1,9 Propylène carbonate 0,6 Myristate d’isopropyle 17,5 Caprylyl glycol 0,3 Phénoxyéthanol 0,5 Gomme de xanthane 1 Polyglyceryl-2 oleate (5,5 1,5 Eau Qsp 100
La composition 1 selon l’invention se présente sous forme d’une émulsion eau-dans-huile de type HIPE, c’est-à-dire avec une haute teneur en phase interne aqueuse.
b) protocole Les performances de la composition A selon l’invention ont été évaluées par rapport à une composition comparative commerciale préconisée pour réduire les frisottis (sérum frizz-ease extrafort de John Frieda).
Des mèches de cheveux caucasiens à niveau de frisure élevée (TYPE IV) naturels ont été préalablement lavées avec un shampoing DOP. Les compositions ont ensuite été appliquées sur cheveux humides à raison de 0,03g de composition par g de cheveux. Les mèches ont ensuite été laissées séchées à l’air libre.
Cinq experts ont évalué les propriétés cosmétiques suivantes sur cheveux secs : - Effet anti-frisottis : évalué visuellement – plus la mèche présente des cheveux isolés plus l’effet est faible, - Souplesse : évalué par une manipulation de la main visant à relever la mèche suspendue, plus la mèche est facile à relever plus elle est souple, - Lisse toucher : évalué par une pression continue des doigts (entre pouce et majeur) le long de la fibre – plus le toucher est homogène plus le « lisse toucher » est fort, - Discipline après passage des doigts : évaluation réalisée après le lisse toucher. Plus le dessin de la boucle est régulier et esthétique, plus la discipline est forte.
Composition Comparatif A Anti-frisottis 2,6 ± 0,42 4 ± 0,00 Souplesse 3 ± 0,00 3,8 ± 0,27 Toucher lisse 2,8 ± 0,27 3,5 ± 0,35 Discipline 2 ± 0,00 3,3 ± 0,27
Composition cosmétique comprenant une argile, une cire et une huile hydrocarbonée éther La présente invention concerne une composition cosmétique comprenant au moins une argile, au moins une cire et au moins 15% en poids, par rapport au poids total de la composition, d’au moins une huile hydrocarbonée éther.
La description qui précède explique clairement comment l'invention permet d'atteindre les objectifs qu'elle s'est fixée, à savoir la réduction du risque d’arrachage involontaire du surmatelas reposant sur le matelas, mais aussi d’en faciliter l’usage.
PROCÉDÉ ET SYSTÈME CLIENT-SERVEUR ANTI-COLLUSION POUR DONNÉES CHIFFRÉES EN HOMOMORPHE La présente invention concerne le domaine du chiffrement homomorphe. Elle trouve notamment application dans le domaine du calcul confidentiel ( Confidential Computing ) et dans celui de la création/ l’interrogation confidentielle d’une base de données hébergée par un serveur distant.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Le développement de l’informatique en nuage ( Cloud Computing ) conjugué avec les contraintes de confidentialité de certaines données ont conduit à l’essor de la cryptographie homomorphe. Dans un contexte d’application classique, un client souhaitant faire exécuter une opération sur des données confidentielles, chiffre ces données au moyen de la clé publique du cryptosystème homomorphe d’un destinataire, et les transmet à un serveur de calcul (CS) distant. Ce serveur de calcul effectue l’opération dans le domaine homomorphe sur les données chiffrées et transmet le résultat obtenu au destinataire. Celui-ci n’a alors plus qu’à déchiffrer le résultat au moyen de la clé privée de son cryptosystème homomorphe pour obtenir le résultat en clair. On entend ici par cryptosystème homomorphe un couple de clé publique-clé privée permettant de réaliser un chiffrement homomorphe et son déchiffrement.
Cette configuration de délégation de calcul du client à un serveur de calcul CS présente toutefois des risques de collusion entre les différentes entités en jeu.
Un premier cas de collusion est illustré en dans lequel on a représenté de manière schématique un client CL, un serveur de calcul CS et un destinataire du résultat, ici un fournisseur de service SP. On suppose que le serveur de calcul CS et le fournisseur de service SP sont honnêtes mais curieux.
Le client CL souhaitant effectuer une opération sur des données confidentielles les chiffre en 110 au moyen de la clé publique du cryptosystème homomorphe du destinataire SP, et les transmet au serveur de calcul CS. Celui-ci effectue l’opération en 120 dans le domaine homomorphe sur les données chiffrées, à savoir sur . Le résultat est transmis en 130 au destinataire SP qui les déchiffre en 140 à l’aide de sa clé privée pour obtenir le résultat en clair .
Un premier type de collusion est susceptible d’intervenir entre le serveur de calcul CS et le destinataire SP : le serveur de calcul peut en effet transmettre directement les données chiffrées au destinataire, auquel cas ce dernier peut accéder aux données en clair en les déchiffrant avec la clé privée . Or ces données sont confidentielles et ne doivent en aucun cas être transmises au destinataire du résultat (fournisseur de service).
Un second type de collusion est illustré en , les entités intervenant dans la configuration représentée étant identiques à celles de la . On suppose ici que le client CL et le serveur de calcul CS sont honnêtes mais curieux.
Dans cette configuration, le destinataire du résultat n’est autre que le client CL, le fournisseur de service SP fournissant au serveur de calcul CS l’opération (par exemple une opération d’inférence ou une opération de recherche dans une base de données confidentielles de SP) à effectuer dans le domaine homomorphe. L’opération est confidentielle vis-à-vis du serveur de calcul CS et le cryptosystème homomorphe est celui du client CL.
Le fournisseur de service, SP, transmet en 210, au serveur de calcul CS, l’expression de l’opération en question dans le domaine homomorphe, soit . Lorsque le client CL transmet au serveur de calcul en 220 des données confidentielles chiffrées au moyen de la clé publique , ce dernier effectue en 230 l’opération dans le domaine homomorphe sur les données chiffrées, à savoir . Le résultat est retourné au client CL en 240 qui les déchiffre en 250 à l’aide de sa clé privée pour obtenir le résultat en clair .
Une collusion peut intervenir entre le client CL et le serveur de calcul CS en ce que le second transmette au premier l’opération chiffrée, , le client CL pouvant alors découvrir l’opération qui est déléguée au serveur CS par le fournisseur de service SP. Ainsi, dans le cas d’une opération de recherche dans une base de données confidentielles, par exemple une base de données biométriques chiffrées par , le client peut avoir accès au contenu en clair de la base en question.
Différentes mesures ont été envisagées dans l’état de la technique pour se prémunir contre les risques de collusion entre entités d’un système client-serveur opérant sur des données chiffrées en homomorphe.
Ainsi l’article de J. Li et al. intitulé « A lattice-based homomorphic proxy re-encryption scheme with strong anti-collusion for cloud computing » publié dans Sensors, 2021, vol. 21, no 1, 288, pp. 1-20 propose une technique de rechiffrement par un serveur proxy, chaque entité disposant d’une clé publique de chiffrement, d’une clé publique d’évaluation et d’une clé secrète de déchiffrement. Cette solution présente toutefois l’inconvénient d’être complexe à mettre en œuvre.
L’article de D. Natarajan et al. intitulé « CHEX-MIX: Combining homomorphic encryption with trusted execution environments for two-party oblivious inference in the Cloud » publié dans Cryptology ePrint Archive (2021), pp. 1-21 décrit une méthode d’inférence bipartite dans le Cloud, le fournisseur de service SP transmettant à une enclave SGX du serveur de calcul CS les paramètres du modèle d’inférence dans le domaine homomorphe et le client CL transmettant de son côté au serveur de calcul CS les données confidentielles chiffrées en homomorphe pour traitement à l’intérieur de l’enclave. Le client CL déchiffre le résultat avec sa clé privée. La présence de l’enclave au sein du serveur de calcul CS permet d’éviter les collusions du second type décrites plus haut. Cette solution n’est toutefois pas immune à des attaques par canal auxiliaire ou l’insertion de portes dérobées dans le code de l’enclave.
L’objet de la présente invention est par conséquent de proposer un système client-serveur permettant d’éviter les risques de collusion entre les différentes entités de ce système tout en remédiant aux inconvénients de l’état de la technique, autrement dit qui soit simple et robuste aux attaques précitées.
La viscosité n'étant pas constante quelle que soit la valeur du gradient de vitesse, les compositions des exemples 1 à 4 sont fluides non Newtonien (non idéaux). Une modélisation rhéologique Herschel – Bulkley d'équation :
[Math 1] τ = τ 0 + k(γ) n a été appliquée aux courbes rhéologiques des formules1 à 4 étudiées : il en a résulté une corrélation r² > 0,995.
Pour les fluides non idéaux, certains paramètres ont été identifiée : - l’allure de la courbe a montré un caractère plus ou moins rhéofluidifiant (caractérisé par l’indice n obtenu par modélisation) - le seuil d’écoulement τ0 (point à partir duquel la formulation s’est écoulée et sa viscosité a diminué) - le facteur de consistance k - la viscosité en fonction du gradient de vitesse.
Les valeurs du seuil d'écoulement τ 0 , du facteur de consistance k ainsi que les valeurs de viscosité obtenues avec l’exemple 1 de l’invention comprenant le dodecamethylpentasiloxane sont significativement inférieures à celles obtenues avec l’exemple 2 hors invention sans huile siliconée volatile, l’exemple 3 hors invention comprenant l’huile siliconée cyclique cyclopentasiloxane et l’exemple 4 comprenant une dimethicone à 6 cst. Ces résultats ont montré que l’exemple 1 de l’invention présente une texture plus fluide permettant d’être facilement prélevée et étalée sur la peau.
Composition cosmétique comprenant une cire, un tensioactif non ionique de type (alkyl C 14 -C 24 )(poly)glycoside, une huile hydrocarbonée éther et de l’eau La présente invention concerne une composition cosmétique comprenant au moins une cire, au moins un tensioactif non ionique de type (alkyl C 14 -C 24 )(poly)glycoside, au moins une huile hydrocarbonée éther et de l’eau.