INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En outre, l’homme du métier reconnaîtrait immédiatement l’un ou l’autre ou l’un et l’autre parmi une descente et une approche pour se référer à une phase de fonctionnement au sein d’un cycle de vol d’aéronef entre la croisière et l’atterrissage de l’aéronef. Pendant l’un ou l’autre ou l’un et l’autre parmi une descente et une approche, le moteur peut produire entre 20 % et 50 % de poussée disponible. Dans d’autres exemples non limitatifs, le moteur peut produire entre 25 % et 40 % de poussée disponible. Dans dʼautres exemples non limitatifs, le moteur peut produire entre 30 % et 35 % de poussée disponible. En complément ou alternativement, la descente peut se référer à un point nominal dans un cycle de vol d’aéronef entre le décollage et l’atterrissage, où une baisse relative de l’altitude est requise, ce qui peut nécessiter une demande de poussée réduite du moteur.
La structure photodétectrice Pxl 1 permet ainsi d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 destiné à la détection de rayonnements de type X et/ou γ. Cela est obtenu grâce à l’insertion de la couche d’interface 17 en CsPb 2 Br 5 entre l’électrode inférieure 13 (couche de collection des charges) et la couche d’absorption 15 (couche de génération des charges).
La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice Pxl 2 selon un deuxième mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. La structure photodétectrice Pxl 2 diffère de la structure photodétectrice Pxl 1 (1 er mode de réalisation) par l’intégration d’une seconde couche d’interface 18 en plus de la couche d’interface 17. La couche d’interface 18 en CsPb 2 Br 5 est confinée entre l’électrode supérieure 16 et la couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 . Ainsi, la structure photodétectrice Pxl 2 comprend une structure planaire d’absorption SPA 2 composé d’une couche d’absorption 15 confinée entre deux couches d’interfaces 17 et 18. La seconde couche d’interface 18 présente les mêmes caractéristiques et avantages techniques que la première couche d’interface 17 appliqués à l’interface entre la couche d’absorption 15 et l’électrode supérieure 16. Ce mode de réalisation permet d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 pour un rayon incident du coté de l’électrode inférieure 13 mais aussi du coté de l’électrode supérieure 16.
La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice Pxl 3 selon un troisième mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. La structure photodétectrice Pxl 3 diffère de la structure photodétectrice Pxl 1 (premier mode de réalisation) par le suivant : La structure planaire d’absorption SPA 3 comprend une couche d’interface 18 en CsPb 2 Br 5 est confinée entre l’électrode supérieure 16 et la couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 . Ainsi, la structure planaire d’absorption SPA 3 est composée d’une couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 sur laquelle repose la couche d’interface 18 en CsPb 2 Br 5 . La couche d’interface 18 présente les mêmes caractéristiques et avantages techniques que la couche d’interface 17 décrite précédemment. Ce mode de réalisation permet d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 pour un rayon incident du côté de l’électrode supérieure 16.
D’une manière générale, l’amélioration du temps de réponse du dispositif D1 est optimale lorsque la couche d’interface 17,18 est disposée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode placée du côté d’incidence des rayonnements. Avantageusement, l’insertion de la couche d’interface 17 entre la couche absorption 15 et électrode où la collection des charges photogénérées est réalisée permets d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique.
La illustre la réponse de la structure photodétectrice Pxl 1 selon le premier mode de réalisation par rapport à celle de la structure photodétectrice Pxl 0 selon l’état de l’art suite à l’exposition d’une impulsion de rayonnement de type rayon X.
La réponse des deux structures photodétectrices Pxl 0 et Pxl 1 est évaluée par la mesure de la densité du photocourant (en A.mm -2 ) dans les structures planaires d’absorption SPA 0 et SPA 1 . Chacune des structures photodétectrices Pxl 0 et Pxl 1 est exposée à une impulsion en rayon X pendant 100ms avec l’application d’une tension V 1 =5V. La première courbe C0 correspond à la réponse de la structure photodétectrice Pxl 0 selon l’état de l’art. La première courbe C0 présente un temps de réponse supérieur à 50ms en front montant (soit supérieur à la moitié de la durée de l’impulsion). La première courbe C0 présente un temps de réponse supérieur à 75ms en front descendant (soit supérieur à la moitié de la durée de l’impulsion). La seconde courbe C1 correspond à la réponse de la structure photodétectrice Pxl 1 selon le premier mode de réalisation de l’invention. La seconde courbe C1 présente un temps de réponse inférieur à 5ms en front montant. La seconde courbe C1 présente un temps de réponse inférieur à 5ms en front descendant. La structure photodétectrice Pxl 1 présente ainsi une amélioration considérable du temps de réponse. Plus spécifiquement, Cette amélioration est avantageuse dans le contexte des applications de détection en temps réel. Les structures photodétectrices Pxl 2 et Pxl 3 ont aussi présenté des résultats d’amélioration du temps de réponse par rapport à la structure Pxl 0 de l’état de l’art.
La structure photodétectrice selon l’invention est compatible aussi à des applications dans le domaine des générateurs photovoltaïques afin d’améliorer la collection des charges photogénérées et ainsi améliorer le rendement énergétique du générateur photovoltaïque. La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice PV d’un quatrième mode de réalisation de l’invention appartenant à une cellule photovoltaïque D2. Similairement aux modes de réalisation de l’invention, La cellule photovoltaïque D2 comprend une structure photodétectrice PV montée sur un support Sup. À titre d’exemple, le support est un substrat en un matériau semiconducteur, de préférence en silicium et la cellule solaire est une cellule solaire à hétérojonction de silicium.
La structure photodétectrice PV comprend une électrode supérieure 16, une électrode inférieure 13 et une structure planaire d’absorption SPA 4 confinée entre les deux électrodes 13 et 16. Les électrodes 13 et 16 sont des multicouches composées de semiconducteurs et de métaux, permettant d’injecter sélectivement des électrons ou des trous. À titre d’exemple, l’électrode inférieure 13 est composée d’ITO et l’électrode supérieure 16 est composée d’un empilement C 60 /PCB/Ag. La structure planaire d’absorption SPA 4 comprend une couche d’absorption 15 et une couche d’interface 17 placée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode inférieure 13. Alternativement, La structure planaire d’absorption SPA 4 comprend une couche d’absorption 15 et une couche d’interface 17 placée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode supérieure16. Alternativement, la structure planaire d’absorption SPA 4 comprend une couche d’absorption 15 confinée entre d’une part une première couche d’interface 17 placée du coté de l’électrode inférieure 13 et d’autre part une seconde couche d’interface 18 placée du coté de l’électrode supérieure 16.
Pour une compatibilité avec une application en photovoltaïque, la couche d’absorption 15 est réalisée en en CsPb(I 1-x Br x ) 3 et la couche d’interface 17, 18 est en CsPb 2 (I 1-x Br x ) 5 ; avec x compris entre 0 et 0,5. La couche d’absorption 15 présente une épaisseur comprise entre 0.1µm et 1µm, de préférence 0.3µm. Une couche d’interface 17,18 présente une épaisseur comprise entre 0.005µm et 0.1µm, de préférence 0.01µm.
D’une manière générale, dans une structure planaire d’absorption comprenant une couche d’absorption en ABX 3, l’insertion d’une couche d’interface en AB 2 X 5 disposée entre ladite couche d’absorption 15 et une électrode 13,16 permet d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique selon l’invention.
Nous rappelons que les matériaux utilisés pour implémenter l’invention sont définis de la manière suivante selon les applications visées : A est choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium Cs, le rubidium Rb, le potassium K ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B est choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb Pb, l’étain Sn, le germanium Ge , le silicium Si ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X est est choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome Br, l’iode I, le chlore Cl ou un alliage desdits éléments du groupe de cations.
L’invention propose en outre un procédé P1 de fabrication d’une matrice de structures photodétectrices selon l’invention. Les étapes de ce procédé sont illustrées à la .
La première étape i) consiste à déposer la couche de protection 14 sur la face supérieure du support Sup (circuit de lecture 12+ substrat 11 par exemple) comprenant une matrice de plusieurs électrodes inférieure 13 distinctes préalablement fabriqué. Le dépôt de la couche de protection 14 est réalisable par des techniques de dépôt usuelles dans le domaine des micro et nanotechnologies. Il s’agit d’une étape optionnelle permettant d’empêcher les réactions chimiques induisant une dégradation de l’électrode inférieure 13.
La deuxième étape ii) consiste à déposer une structure planaire d’absorption SPA selon l’un quelconque des différents modes de réalisation décrit précédemment. Cette étape est réalisée par la technique de sublimation dans l’espace rapproché CSS à partir d’une source S1 du premier matériau composé ABX 3 sur la couche de protection 14. La illustre un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché configuré pour la fabrication de la structure photodétectrice selon l’invention. D’une manière générale, le support Sup sur lequel au moins une couche en ABX 3 sera déposée, est placé au regard d’une source S1 en en ABX 3 à une distance comprise entre 1mm et 20mm de préférence égale à 5mm. La source S1 est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via le thermostat Th1. Le support Sup est préchauffé à une seconde température T2. L’ensemble est placé dans une chambre fermée à une pression comprise entre 10 -4 Pa et 10 Pa, de préférence égale à 1 Pa.
D’une manière générale, afin de déposer une couche en un matériau prédéterminé par la technique de sublimation dans l’espace rapproché CSS, on utilise une source S1 en phase pure dudit matériau prédéterminé. La source peut être obtenue par mécano-synthèse. Les deux températures T1 et T2 sont maintenues à des valeurs proches avec une différence comprise entre 50°C et 150°C. Ce paramétrage « standard » est bien maitrisé pour des couches en ABX 3 . Il s’agit d’un paramétrage dans lequel, le système est placé dans une configuration d’équilibre thermodynamique ou de quasi-équilibre thermodynamique. L’équilibre thermodynamique permet de réaliser un dépôt d’une couche en ABX 3 à partir d’une source en ABX 3 par sublimation. En effet, la différence de consigne de température ΔT entre la source S1 et le support sup est de l’ordre de 100°C (entre 50°C et 150°C). La distance entre la source S1 et le support sup étant faible, le matériau transporté en phase vapeur n’a pas le temps de refroidir et donc refroidit lentement sur la surface du support sup. On se situe donc proche de l’équilibre thermodynamique et un dépôt d’une couche en ABX 3 à partir d’une source en ABX 3 est réalisé. Cependant, Il a été démontré que le dépôt d’une couche en AB 2 X 5 par un paramétrage « standard » avec une source en AB 2 X 5 n’est pas possible. Dans ce contexte, l’invention propose une solution à travers plusieurs modes de réalisations de la troisième étape iii) afin de réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. Les différents sous-étapes pour l’exécution de la troisième étape iii) selon l’invention seront détaillées ultérieurement.
La troisième étape iii) consiste à déposer l’électrode supérieure 16 sur la face supérieure de la structure planaire d’absorption SPA préalablement fabriquée.
La partie C3 comprend deux bits permettant d'indiquer s'il est possible d'installer une configuration associée à une valeur plus élevée, ou s'il est possible d'installer une configuration associée à une valeur plus basse.
Par exemple, la partie C3 peut comprendre une première valeur binaire, par exemple la valeur 00, indiquant que toutes les configurations peuvent être installées, une deuxième valeur binaire, par exemple la valeur 11, indiquant qu'aucune des configurations ne peut être installée, une troisième valeur binaire, par exemple la valeur 01, indiquant que seules les configurations ayant une valeur plus élevée que la valeur actuelle, c’est-à-dire la valeur dans la partie C2, peuvent être installées, une quatrième valeur binaire, par exemple la valeur 10, indiquant que seules les configurations ayant une valeur plus basse que la valeur actuelle, c’est-à-dire la valeur dans la partie C2, peuvent être installées.
On aurait pu utiliser le mot 24 uniquement pour coder le numéro de la version de la configuration installée, comme cela est le cas dans des dispositifs courant. Cependant, il serait alors possible d'installer une version suivante d'une configuration différente. En effet, les configurations seraient cryptées par la même clé et le mot 24 ne servirait alors qu'à s'assurer qu'une version précédente n'est pas installée. Il serait alors possible d'installer une configuration non prévue en effectuant la mise à jour.
Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de s'assurer que seules certaines configurations peuvent être installées.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que dans les modes de réalisation décrits, les différentes parties des mots 24 soient dans un ordre particulier, c’est-à-dire la partie comprenant le numéro de version, la partie comprenant le numéro de configuration et éventuellement au moins une autre partie, ces parties peuvent être dans un ordre différent.
Sécurisation d’un système de fichiers d’un système autonome à distance La présente invention concerne un dispositif de sécurisation d’un système de fichiers d’un système autonome à distance, ledit système autonome à distance utilisant un système d’exploitation associé audit système de fichiers dudit système autonome à distance, le système autonome à distance utilisant en outre une double partition de système de fichiers permettant des mises à jour A/B, ledit système autonome à distance étant en outre propre à être mis à jour par mise à jour atomique, le système autonome à distance comprenant en outre un outil de démarrage sécurisé.
La présente invention concerne également un tel système autonome à distance, ledit système autonome à distance utilisant un système d’exploitation associé audit système de fichiers dudit système autonome à distance, le système autonome à distance utilisant en outre une double partition de système de fichiers permettant des mises à jour A/B, ledit système autonome à distance étant en outre propre à être mis à jour par mise à jour atomique, le système autonome à distance comprenant en outre un outil de démarrage sécurisé.
L’invention concerne également un procédé de sécurisation d’un système de fichiers d’un tel système autonome à distance.
L’invention se situe dans le domaine des systèmes autonomes utilisant au moins un système d’exploitation OS (de l’anglais Operating system ), par exemple le système d’exploitation Linux, et qui sont administrés à distance (de l’anglais Over The Air ).
Une telle administration à distance nécessite la capacité de gérer de manière atomique les mises à jour d’un tel système autonome à distance dont le système de fichiers, aussi appelé également rootfs, est, afin de maitriser les mises à jour, couramment de type A/B, c’est-à-dire comprenant deux systèmes de fichiers A et B, alternativement actifs. Plus précisément, si le système de fichiers A est actif alors la mise à jour se fera sur le système de fichiers B, et vice versa). Une fois la mise à jour effectuée, le système redémarre et bascule sur le système de fichiers B. Si la mise à jour est défectueuse, le système peut revenir sur l’ancienne version, à savoir le système de fichiers A, toujours disponible. Le système de fichiers actif est en lecture seule et aucune mise à jour partielle n’est possible afin de garantir le bon fonctionnement après une mise à jour. Les données persistantes, par exemple de configuration, les données, sont stockées sur une partition, dédiée si besoin, du média correspondant au support de stockage physique (e.g. disque dur, mémoire flash, eMMC (de l’anglais Embedded MultiMediaCard …)), le média étant formaté avec plusieurs partitions qui contiennent chacune un système de fichiers.
De plus, une telle mise à jour atomique consiste à mettre à jour en une seule fois, à la fois le noyau du système d’exploitation, appelé par la suite kernel, ainsi que conjointement le système de fichiers, et ce sur une même partition du média (i.e. du système autonome à distance). Ce couple, à savoir le kernel et le système de fichiers est donc lié, et il est difficile, voire impossible, de mettre à jour ces deux éléments de manière indépendante.
La vérification en intégrité et authenticité des fichiers d’un tel système autonome à distance, utilisant notamment un système d’exploitation Linux est un impératif pour ces systèmes dont il faut notamment s’assurer que les binaires qui s’exécutent proviennent bien du fournisseur de logiciel d’origine et n’ont pas été altérés.
En général, de tels systèmes autonomes à distance comprennent également un outil matériel (de l’anglais hardware ) de démarrage sécurisé (de l’anglais secure boot ), cependant un tel outil garantit l’intégrité et l’authenticité uniquement du kernel et du chargeur d’amorçage (de l’anglais bootloader ) propre à lancer le (ou chaque) système d’exploitation, sans permettre la vérification de l’intégrité et l’authenticité des éléments du système de fichiers.
Actuellement, la vérification de l’intégrité et l’authenticité des éléments du système de fichiers exploite la confiance acquise dans le kernel du système d’exploitation, notamment Linux, via l’outil matériel de démarrage sécurisé ( secure boot ) afin de pouvoir utiliser un mécanisme logiciel complémentaire qui repose généralement sur deux types de solutions.
L’épaisseur de la couche cap 19 en AlO polycristallin et/ou amorphe peut être réduite par un traitement à l’ammoniaque chimique appliqué à la surface de la couche cap 19. Ce traitement chimique permet d’optimiser la capacité de passivation de cette couche 19, en réduisant encore le nombre de pièges électrostatiques à la surface de la couche 19, plus particulièrement dans l’espace compris entre la source S et la grille G et dans l’espace compris entre la grille G et le drain D.
Le procédé E300 comprend en outre une étape optionnelle de passivation E36, lors de laquelle une couche de passivation P est déposée sur la couche cap 19, de préférence sur toute la surface de cette dernière, et en recouvrant intégralement la grille G. Cette couche de passivation P est par exemple formée en un matériau diélectrique, par exemple en SiN. La couche de passivation P a pour avantage d’améliorer encore la fiabilité et les performances du transistor.
Un avantage du procédé E300 tel que décrit ci-dessus est qu’il est totalement compatible avec des procédés standards de fabrication de transistors, y compris ceux utilisant une couche de passivation en SiN.
En référence à la , un engin de mobilité 400 dans lequel l’invention peut être mise en œuvre va à présent être décrit.
Par exemple, l’engin de mobilité 400 est un véhicule terrestre comprenant une ou des roues motrices 402 pour mettre l’engin de mobilité 400 en mouvement.
Pour entraîner la ou les roues motrices 402, l’engin de mobilité 400 comprend en outre un dispositif d’entraînement électrique 404 et une source de tension continue 406, également appelée source DC (de l’anglais « Direct Current »), telle qu’une batterie, pour alimenter électriquement le dispositif d’entraînement électrique 404. La source de tension continue 406 comprend une borne positive (+) et une borne négative (-) et est configurée pour fournir une tension continue U DC entre ses bornes (+), (-).
Le dispositif de commande électrique 404 comprend en outre une machine électrique 408 connectée aux roues motrices 402 et un convertisseur de puissance électrique 410. Le convertisseur de puissance électrique 410 est par exemple un convertisseur continu-alternatif (ou AC-DC pour Alternati ng Current – Direct Current en anglais) connecté à la source de tension continue 406 et à la machine électrique 408. Le convertisseur de puissance électrique 410 est configuré pour transférer la puissance électrique de la source de tension continue 406 à la machine électrique 408. Par exemple, le convertisseur continu-alternatif 410 est configuré pour transférer la puissance électrique de la source de tension continue 406 à la machine électrique 108 fonctionnant en tant que moteur électrique. La machine électrique 408 peut être une machine électrique rotative comprenant un rotor et un stator comprenant plusieurs phases de stator. Par exemple, la machine électrique 408 peut être une machine électrique triphasée comprenant trois phases de stator.
En référence à la , le convertisseur de puissance électrique 410 comprend un circuit de commutation 500 avec des interrupteurs Q, Q’. Les interrupteurs Q, Q’ sont des interrupteurs à semi-conducteurs et comprennent des transistors selon l’invention, par exemple comme illustré sur la . Chaque interrupteur Q, Q’ comprend deux bornes principales et une borne de commande pour commander un écoulement de courant électrique entre les bornes principales. Par exemple, les bornes principales sont la source et le drain tandis que la borne de commande est la grille du transistor MOSHEMT. Chaque interrupteur Q, Q’ est configuré pour être piloté de manière à commuter entre un état actif dans lequel un courant s’écoule entre les deux bornes principales et un état inactif dans lequel aucun courant ne s’écoule entre les deux bornes principales. Par exemple, chaque interrupteur Q, Q’ est configuré pour être piloté à travers sa grille, par exemple en appliquant une tension à la grille par rapport à l’une des deux bornes principales, par exemple la source d’un transistor MOSHEMT.
Les interrupteurs Q, Q’ peuvent être arrangés pour former au moins un bras de commutation 500 1 , 500 2 , 500 3 . Par exemple, le circuit de commutation 500 comprend autant de bras de commutation 500 1 , 500 2 , 500 3 que de phase de stator de la machine électrique 408. Chaque bras de commutation 500 1 , 500 2 , 500 3 , comprend un interrupteur de côté haut Q’ et un interrupteur de côté bas Q reliés l’un à l’autre par un point milieu. L’interrupteur de côté haut Q’ est connecté à une borne positive du convertisseur de puissance électrique 410 configuré pour être connecté à la borne positive (+) de la source de tension continue 406. L’interrupteur de côté bas Q est connecté à une borne négative du convertisseur de puissance électrique 410 configuré pour être connecté à la borne négative (-) de la source de tension continue 406. Le point milieu peut être connecté à une phase de stator respective de la machine électrique 408. Chaque bras de commutation 500 1 , 500 2 , 500 3 peut être configuré pour commuter entre deux configurations. Dans une première configuration dite HS, l’interrupteur de côté haut Q’ est fermé (i.e. actif) et l’interrupteur de côté bas Q est ouvert (i.e. inactif), de sorte que la tension continue U DC est appliquée essentiellement à la phase de stator associée. Dans une deuxième configuration dite LS, l’interrupteur de côté haut Q’ est ouvert (i.e. inactif) et l’interrupteur de côté bas Q est fermé (i.e. actif), de sorte que une tension nulle est appliquée essentiellement à la phase de stator associé.