Procédé de fabrication d’un substrat de croissance (20) adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes (D1, D2, D3) à base d’InGaN, comportant les étapes suivantes : réalisation d’un empilement cristallin (10) à base de GaN, comportant, à partir d’une couche tampon conductrice (11) réalisée à base de GaN dopé : une couche inférieure (12) à base de GaN dopé ; puis une couche intercalaire de séparation (13), à base d’InGaN ; puis une couche supérieure (14) à base d’AlGaN ; réalisation de mésas de trois catégories M1, M2, M3, par gravure localisée de l’empilement cristallin (10), chaque mésa étant alors formée d’un empilement d’une portion inférieure (22), d’une portion intercalaire de séparation (23), et d’une portion supérieure (24), issues respectivement de la couche inférieure (12), de la couche intercalaire de séparation (13) et de la couche supérieure (14) ; suppression, par gravure, de la portion supérieure (24) d’au moins les mésas M3, la portion supérieure (24) des mésas M1 étant préservées ; puis porosification électrochimique non photo-assistée des portions inférieures (22) des seules mésas M1 et M3, la portion inférieure (22) des mésas M2 étant non porosifiée. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l’étape de suppression est réalisée par gravure photoélectrochimique de la portion intercalaire de séparation (23) d’au moins les mésas M3, les mésas M1 étant recouvertes par une couche d’encapsulation (4). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l’étape de suppression est réalisée par gravure sèche de la portion supérieure (24) d’au moins les mésas M3, avec arrêt de gravure sur la portion intercalaire de séparation (23), les mésas M1 étant recouvertes par un masque de gravure (7). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à la suite de l’étape de réalisation des mésas, la portion intercalaire de séparation (23) est, dans chaque mésa, sur et au contact de la portion inférieure (22), le procédé comportant une étape de réalisation de portions de reprise d’épitaxie (27) réalisée à base d’InGaN, effectuée après l’étape de porosification électrochimique, reposant sur la portion supérieure (24) dans les mésas M1, et reposant sur la portion inférieure (22) dans les mésas M3. Procédé de fabrication selon la revendication 4, comportant, à la suite des étapes de suppression et de porosification et avant l’étape de réalisation de la portion de reprise d’épitaxie (27), une étape de réalisation d’une portion d’obturation (26) déposée au moins sur et au contact de la portion inférieure (22) des mesas M3 alors porosifiée. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, lors de l’étape de réalisation de l’empilement cristallin (10), une couche de reprise d’épitaxie (15) est située sur et au contact de la couche inférieure (12), de sorte que, à la suite des étapes de suppression et de porosification, les mésas M3 présentent une face supérieure formée par une portion de reprise d’épitaxie (25) issue de la couche de reprise d’épitaxie (15). Procédé de fabrication d’une matrice de diodes de catégories D1, D2, D3 à partir d’un substrat de croissance (20), comportant les étapes suivantes : fabrication du substrat de croissance (20) par le procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes ; puis dépôt d’un masque de croissance (6), laissant libre une surface supérieure des mésas M1, M2, M3 ; puis réalisation de la matrice de diodes D1, D2, D3, respectivement à partir des mésas M1, M2, M3. Substrat de croissance (20) adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes à base d’InGaN, comportant : une couche tampon conductrice (11), réalisée à base de GaN dopé ; des mésas de trois catégories M1, M2, M3, reposant sur la couche tampon conductrice (11), comportant chacune une portion inférieure (22) réalisée à base de GaN dopé, et les mésas M1 comportant en outre une portion intercalaire de séparation (23) non poreuse et réalisée à base d’InGaN, reposant sur la portion inférieure (22) ; puis une portion supérieure (24) non poreuse et réalisée à base d’AlGaN ; les mésas M2 étant formés de la portion inférieure (22) non poreuse ; les mésas M3 étant formés de la portion inférieure (22) poreuse, et ne comportant pas de portion supérieure (24) non poreuse réalisée à base d’AlGaN reposant sur la portion inférieure (22). Substrat de croissance selon la revendication 8, dans lequel chaque mésa M1, M2, M3 comporte une portion de reprise d’épitaxie (27) non poreuse réalisée à base d’InGaN dopé, reposant, dans les mésas M1, sur la portion supérieure (24), et, dans les mésas M3, sur la portion inférieure (22). Substrat de croissance selon la revendication 9, dans lequel chaque mésa M1, M2, M3 comporte une portion d’obturation (26) non poreuse réalisée à base de GaN, située, dans les mésas M1, entre et au contact de la portion supérieure (24) et de la portion de reprise d’épitaxie (27), et dans les mésas M3, entre et au contact de la portion inférieure (22) et de la portion de reprise d’épitaxie (27). Substrat de croissance selon la revendication 8, dans lequel chaque mésa M1, M2, M3 comporte une portion intercalaire de reprise d’épitaxie (25) réalisée à base d’InGaN et située, dans les mésas M1, entre la portion inférieure (22) et la portion intercalaire de séparation (23), dans les mésas M3, sur la portion inférieure (22). Substrat de croissance selon la revendication 11, dans lequel la portion intercalaire de reprise d’épitaxie (25) de chaque mésa M1, M2, M3 est non poreuse. Substrat de croissance selon la revendication 11, dans lequel la portion intercalaire de reprise d’épitaxie (25) est poreuse dans les mésas M1, et non poreuse dans les mésas M2 et M3.