Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le système optoélectronique selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : la première couche poreuse présente un taux de porosité compris entre 1% et 80%. L'indice effectif de la première couche poreuse dépend du taux de porosification. Ainsi, il est possible d’ajuster l'indice de la première couche en fonction de taux de porosification et de changer le contraste d’indice entre la première couche et la deuxième couche. En particulier, un contraste d’indice plus fort minimise les pertes par radiation dans les courbures. le guide d'ondes comprend en outre une deuxième portion de la zone comprenant le ou les puits quantiques. Avoir une partie du guide d’ondes alignée avec les puits quantiques du transducteur permet de minimiser les pertes de couplage entre le transducteur et le guide d'ondes en maximisant le recouvrement modal entre les deux parties. le guide d'ondes comprend en outre une deuxième portion de la troisième couche. le premier type de dopage est un dopage N et le second type de dopage est un dopage P ou le premier type de dopage est un dopage P et le second type de dopage est un dopage N. le guide d'ondes présente une hauteur comprise entre 200 nm et 300 nm et une largeur comprise entre 200 nm et 300 nm. De telles hauteur et largeur du guide sont adaptées pour obtenir une propagation monomode dans le domaine visible pour les indices optiques considérés. La propagation monomode n’est pas indispensable, mais est souhaitable afin de réaliser des composants photoniques passifs ou actifs, par exemple un diviseur (ou splitter) de puissance ou un coupleur à réseau et de pouvoir propager la lumière dans les guide d'ondes courbés. la première couche, la deuxième couche et la troisième couche sont formées du même matériau semi-conducteur, par exemple un matériau III-V, par exemple le nitrure de gallium. le transducteur photoélectrique comprend une première électrode en contact électrique avec la deuxième couche et une deuxième électrode en contact électrique avec la troisième couche. Ainsi, le transducteur se distingue du guide d'ondes notamment en ce qu'il comprend des électrodes. Les première et deuxième électrodes ne s'étendent pas dans le guide d'ondes. le transducteur photoélectrique est de type diode électroluminescente ou photodiode. le système optoélectronique comprend une couche diélectrique enrobant le transducteur photoélectrique et le guide d'ondes. le système optoélectronique comprend un miroir disposé sur au moins une surface périphérique du transducteur photoélectrique. L'ajout d'un miroir et/ou d'une couche diélectrique sur au moins une surface périphérique du transducteur, permet de minimiser les pertes vers le substrat. le système optoélectronique comprend un miroir de Bragg agencé sous le transducteur et sous le guide d’ondes, ledit miroir comprenant une ou plusieurs couches poreuses de matériau semi-conducteur empilées en alternance avec une ou plusieurs couches de matériau semi-conducteur non poreuses. Le miroir de Bragg minimise les pertes optiques vers le substrat sans avoir d'incidence/effet sur la propagation horizontale des ondes. le système optoélectronique comprend un deuxième transducteur photoélectrique, le transducteur et le deuxième transducteur étant disposés de part et d'autre du guide d'ondes, et le deuxième transducteur photoélectrique comporte : une troisième portion de la première couche poreuse, une troisième portion de la deuxième couche, une troisième portion de la zone comprenant le ou les puits quantiques, une troisième portion de la troisième couche. le deuxième transducteur photoélectrique est de type diode électroluminescente ou photodiode et de type distinct du transducteur photoélectrique.