INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La couche intercalaire de séparation 13 repose sur la couche inférieure 12, et est ici en contact avec elle. Elle est destinée à être gravée, lors de l’étape ultérieure de gravure photoélectrochimique, pour assurer le retrait des portions supérieures 24 des seules mésas M2 et M3 (et non pas des mésas M1). Il s’agit donc d’une couche sacrificielle. Elle est réalisée à base d’In x Ga 1-x N, avec une proportion d’indium x non nulle supérieure à celles des couches inférieure 12 et supérieure 14, par exemple comprise entre 10 et 15%, pour être la seule à absorber le faisceau lumineux d’excitation lors de l’étape ultérieure de gravure photoélectrochimique. Autrement dit, son énergie de bande interdite est inférieure à celle des couches inférieure 12 et supérieure 14. Dans cet exemple, elle est réalisée en InGaN non intentionnellement dopé, avec une proportion d’indium x de 15% environ. Son épaisseur est de l’ordre de quelques nanomètres, par exemple de 3nm environ. Elle peut ainsi former un unique puits quantique ou plusieurs puits quantiques. Notons que l’InGaN se porosifie à une tension électrique V ECE plus faible que celle du GaN, à niveau de dopage équivalent. La proportion d’indium x et le niveau de dopage sont choisis ici pour que la portion intercalaire de séparation 23 ne soit pas porosifiée lors de l’étape de porosification de la .
La couche supérieure 14 repose sur la couche intercalaire de séparation 13, et est ici en contact avec elle. Elle est destinée à former les portions supérieures 24 des mésas, dont celle des mésas M3 sera supprimée (et ici également celle des mésas M2) lors de l’étape ultérieure de gravure photoélectrochimique, et celle des mésas M1 sera conservée. Elle est réalisée à base d’Al y Ga 1-y N, avec une proportion d’aluminium y non nulle, supérieure à celles des couches inférieure 12 et intercalaire 13. Le niveau de dopage est choisi pour que la portion supérieure 24 des mésas M1 ne soit pas porosifiée lors de l’étape ultérieure de porosification électrochimique. Le matériau peut donc être non intentionnellement dopé ou faiblement dopé. Dans cet exemple, elle est réalisée en AlGaN non intentionnellement dopé avec une proportion d’aluminium y de 10% environ. Son épaisseur est de l’ordre de la centaine de nanomètres, par exemple de 100nm environ. Notons que la couche supérieure 14 peut être recouverte d’une fine couche de protection (non représentée), par exemple en GaN ou en InGaN d’une épaisseur de l’ordre de 1 à 3nm, pour éviter l’oxydation de l’AlGaN.
Notons ici que les couches inférieure 12, intercalaire 13 et supérieure 14 présentent chacune une épaisseur inférieure à leur épaisseur critique à laquelle il y a une relaxation plastique des contraintes mécaniques. L’épaisseur totale de l’empilement cristallin 10 est également inférieure à une épaisseur critique prédéfinie. Ainsi, la couche tampon conductrice 11 génère, dans les couches inférieure 12, intercalaire 13 et supérieure 14, des contraintes mécaniques (orientées dans le plan XY) dont la valeur est telle que, avant porosification, le paramètre de maille effectif est proche ou sensiblement égal au paramètre de maille effectif de la couche tampon conductrice 11, ici sensiblement égal à celui du GaN relaxé (ou légèrement en compression s’il est réalisé à partir du saphir).
En référence à la , on réalise les mésas M1, M2 et M3 par structuration de l’empilement cristallin 10 par lithographie et gravure localisée. La gravure est effectuée ici jusqu’à déboucher sur la face supérieure de la couche tampon conductrice 11. La gravure peut être une gravure sèche, par exemple de type plasma ICP-RIE au gaz chloré, de sorte que les flancs des mésas sont sensiblement verticaux. Chaque mésa est formée d’un empilement, suivant la direction +Z, d’une portion inférieure 22 à base de GaN (issue de la couche inférieure 12), d’une portion intercalaire de séparation 23 à base d’InGaN (issue de la couche intercalaire 13), et d’une portion supérieure 24 à base d’AlGaN (issue de la couche supérieure 14). Dans la mesure où les mésas sont réalisées à partir du même empilement cristallin 10, chaque portion d’une mésa est coplanaire avec les portions correspondantes des autres mésas et présente la même épaisseur.
On dépose ensuite une électrode de polarisation 3 sur et au contact de la couche tampon conductrice 11, qui permettra d’appliquer un potentiel électrique aux mésas.
On peut notamment citer le béhénate de béhényle, le béhénate d'octyldodécyle, le béhénate d'isocétyle, le lactate de cétyle, l'octanoate de stéaryle, l'octanoate d'octyle, l'octanoate de cétyle, l'oléate de décyle, le stéarate d'hexyle, le stéarate d'octyle, le stéarate de myristyle, le stéarate de cétyle, le stéarate de stéaryle, le pélargonate d'octyle, le myristate de cétyle, le myristate de myristyle, le myristate de stéaryle, le sébaçate de diéthyle, le sébaçate de diisopropyle, l'adipate de diisopropyle, l'adipate de di n-propyle, l'adipate de dioctyle, le maléate de dioctyle, le palmitate d'octyle, le palmitate de myristyle, le palmitate de cétyle, le palmitate de stéaryle, la trihydroxystearine (triester de glycérine et d'acide hydroxystéarique) et leurs mélanges.
On peut également utiliser des carbonates de di-alkyle dans lesquels les deux groupes alkyle, identiques ou différents, sont chacun des groupes en C 6 -C 18 , et de préférence en C 8 -C 12 , tel que notamment le carbonate de dicaprylyle.
Par « beurre » (également appelé « corps gras pâteux ») au sens de la présente invention, on entend un composé gras lipophile à changement d’état solide/liquide réversible et comportant à la température de 25 °C une fraction liquide et une fraction solide, et à pression atmosphérique (760 mm Hg). De préférence, le ou les beurres selon l’invention présentent une température de fusion supérieure à 25°C et inférieure ou égale à 40°C.
De préférence, les polysaccharides cationiques susceptibles d’être employés dans le cadre de l’invention sont choisis parmi, seuls ou en mélange, les celluloses cationiques telles que le POLYQUATERNIUM-10 ; les gommes de galactomannanes cationiques, notamment les gommes de guar cationiques.
Préférentiellement, les polysaccharides cationiques sont choisis parmi les gommes de galactomannanes cationiques, plus préférentiellement parmi les gommes de guar cationiques.
Selon un mode de réalisation préféré, les polysaccharides sont choisis parmi les éthers de cellulose, tels que les (C1-C4)alkylcelluloses et les (poly)hydroxy(C1-C4)alkylcelluloses, et leurs mélanges, les gommes de galactomannanes cationiques, plus préférentiellement parmi les gommes de guar cationiques, et leurs mélanges.
Lorsque la composition comprend au moins un polysaccharide, la teneur totale du ou des polysaccharides va avantageusement va de 0,01 à 10% en poids, de préférence de 0,05 à 5% en poids, plus préférentiellement de 0,1 à 2% en poids par rapport au poids total de la composition.
Silicone La composition selon l’invention peut comprendre en outre au moins une silicone, pouvant être choisie parmi les silicones aminées, les silicones non aminées, et leurs mélanges.
Les figures 4A à 4E représentent schématiquement des étapes S1 à S5 d’un procédé de fabrication du module de puissance 1.
La première étape S1 de ce procédé de fabrication, illustrée par la , consiste à fournir le substrat 10 et les capots 15a-15b, en prévision du report des composants électroniques de puissance (étape S2 et S3 ; Figs.4B-4C) et de leur assemblage par frittage (étapes S4 et S5 ; Figs.4D-4E).
La fourniture du premier capot 15a ou du deuxième capot 15b peut comprendre, dans le cas du module de puissance 1 selon le premier mode de réalisation (cf. Figs.1 & 4A), les opérations suivantes : la fourniture d’un substrat céramique 151 ; et la formation d’un ou plusieurs éléments conducteurs 152 (ou inserts) dans le substrat céramique 151, par exemple en créant des cavités et en les remplissant de métal.
L’étape S2 de la comprend : la fixation du premier composant 11a sur la face intérieure du premier capot 15a, et plus particulièrement sur une piste conductrice 13 ; le dépôt d’un premier matériau de frittage sur le premier capot 15a de manière à former un premier cordon (ou ruban) annulaire 20a autour du premier composant 11a ou de son emplacement ; et le séchage du premier matériau de frittage, par exemple pendant 40 min à 150 °C.
Bien que représentées par la même figure, ces opérations sont réalisées successivement (la fixation du premier composant 11a pouvant être accomplie avant ou après la formation du premier cordon annulaire 20a).
Comme représenté sur la , le premier cordon annulaire 20a peut être formé sur un rebord périphérique du premier capot 15a.
La fixation du premier composant 11a comprend de préférence la formation d’une première couche 21a en un deuxième matériau de frittage sur le premier capot 15a, le dépôt du premier composant 11a sur la première couche 21a et le séchage du deuxième matériau de frittage de la première couche 21a. Le premier composant 11a sera ainsi être connecté au premier capot 15a par un joint de matériau fritté plutôt que par une soudure ou une brasure.
L’étape S2 peut également comprendre la formation d’une deuxième couche 22a constituée du deuxième matériau de frittage sur le premier composant 11a, pour connecter ultérieurement le premier composant 11a au substrat 10 par un joint de matériau fritté. Alternativement, la deuxième couche 22a en deuxième matériau de frittage est déposée sur le substrat 10.
Les matériaux de frittage se présentent sous la forme d’une pâte comprenant des particules métalliques, de préférence en argent, et un ou plusieurs éléments organiques ayant pour but de donner une cohésion à la pâte et permettre son application par sérigraphie (liant) et/ou de séparer les particules et les empêcher de fritter avant qu’on ne le veuille (dispersant). Ces éléments organiques sont éliminés en grande partie lors de l’opération de séchage. La pâte de frittage peut également comprendre des additifs pour accélérer le frittage (ultérieur) des particules.
Les éventuels autres composants électroniques de puissance appartenant au même étage de composants, tel que le troisième composant 11c, sont de préférence fixés au premier capot 15a de la même façon que le premier composant 11a.
La présente invention vise à l’amélioration des systèmes climatiques dans une structure agricole verticale.
À cet effet, l’invention vise une zone climatique d’un système agricole de culture ou d’élevage, ladite zone climatique comportant un ensemble de caisses empilées en plusieurs piles de caisses, chaque pile de caisses comportant au moins une première face sur laquelle les caisses forment des ouvertures et au moins une deuxième face sur laquelle les caisses forment des ouvertures, de sorte qu’un flux d’air peut traverser chaque pile de caisses entre sa première face et sa deuxième face. Les premières faces des piles de caisses sont orientées sensiblement selon une même direction et positionnées de sorte à définir entre elle une allée droite. En d’autres termes, au moins deux piles de caisses se font face et sont alignées pour définir entre elles l’allée qui est droite, rectiligne.
Le terme « allée » désigne dans l’ensemble du présent document un espace rectiligne essentiellement libre formé entre des piles de caisse. Une allée peut donc répondre à un besoin logistique (par exemple, y faire passer un transstockeur), on pourra dans ce cas parler d’une allée « logistique », ou être créée pour d’autres raisons. Une allée peut notamment être créée, dans le cadre de l’invention, pour permettre la circulation d’air. On pourra dans ce cas parler d’une allée « aéraulique ». Néanmoins, il est bien évident qu’une allée « logistique », ou créée pour d’autres raisons, peut être utilisée pour la circulation d’air, dans certaines configurations. Dans la mesure où la présente invention porte en particulier sur un système climatique, sauf lorsque qu’il est indiqué spécifiquement autre chose, une « allée » s’entend dans le présent document comme une allée aéraulique, permettant, de manière générale, un passage d’air.
La zone climatique comporte en outre un dispositif de diffusion d’air.
Le dispositif de diffusion d’air est configuré de sorte à diffuser de l’air dans l’allée seulement dans une ou plusieurs directions parallèles auxdites premières faces des piles de caisses.
En effet, la demanderesse a constaté que, de manière surprenante, ce n’est pas en diffusant l’air directement en direction des ouvertures des piles de caisses que l’on obtient les meilleurs résultats en termes de diffusion de l’air dans les caisses.
En soufflant l’air parallèlement aux piles de caisses, c’est-à-dire parallèlement aux faces ouvertes des caisses et piles de caisses, il a été constaté que les flux d’air induits dans les caisses permettent un renouvellement de l’air tout aussi efficace si ce n’est plus efficace, avec un flux régulier et homogène qui permet un renouvellement de l’air dans les caisses, sans zone morte ou avec de faibles zones mortes. Les pertes de vitesse dans le flux sont réduites. Ainsi, l’évacuation de la chaleur des piles de caisses est optimisée, grâce à la génération d’un flux d’air régulier et aux faibles pertes de vitesse dans ce flux.
Cela est expliqué par les mouvements tourbillonnaires et l’effet venturi qui se créent dans le flux d’air au passage devant les ouvertures des piles de caisses. Un flux d’air est ainsi créé dans les piles de caisses, l’air entrant ou sortant de la première face ouverte selon la position des caisses dans les piles.
La perte de charge étant faible pour le flux d’air diffusé dans la zone climatique et le flux dans les caisses s’établissant avec des vitesses relativement faibles et régulières, de sorte qu’il subit également une faible perte de charge, le système climatique est très efficace en termes énergétiques. La sortie des calories des piles de caisses est optimisée dans la présente invention, comparativement aux dispositif dans lesquels l’air est soufflé directement vers les caisses et qui entraînent des ralentissements importants dans les flux d’air.
On notera que la direction de diffusion de l’air correspond à la direction dans laquelle l’air est soufflé. Pour le cas où l’air se diffuse, à proximité de la buse par laquelle il est soufflé, sous la forme d’un cône, la direction de diffusion correspond à l’axe principal de ce cône. De manière générale, on tend à diffuser l’air de manière rectiligne ou selon un cône peu ouvert, par exemple un cône d’angle de moins de 30°, préférentiellement moins de 20°, encore plus préférentiellement moins de 10°.
Le fait que le dispositif de diffusion d’air est configuré de sorte à diffuser seulement dans une direction donnée désigne donc le fait que l’axe principal du cône de diffusion est orienté selon cette direction, ou que les axes principaux des cônes de diffusion du dispositif de diffusion d’air sont tous orientés selon cette direction.
Le dispositif de diffusion d’air peut comporter au moins une gaine de diffusion s’étendant verticalement et comportant des buses d’éjection d’air réparties verticalement. Il peut s’agir d’une ou plusieurs gaines textiles.
La gaine de diffusion peut être métallique ou textile. Les buses peuvent être formées par de simples orifices formés dans la gaine, en particulier lorsque la gaine est une gaine textile. Alternativement, les buses ont une forme adaptée à orienter et conformer précisément le flux d’air issu des buses.
Selon cette première configuration, l’air est diffusé de préférence horizontalement entre les piles de caisses, de préférence au niveau des ouvertures formées dans les caisses (mais parallèlement aux ouvertures, et non pas en direction de celles-ci). Par exemple, la gaine verticale peut comporter une buse de diffusion (qui dans ce type de gaine correspond essentiellement à un orifice de sortie) au niveau de chaque caisse ou des buses réparties de manière appropriée sur la hauteur de la gaine (par exemple une buse toutes les trois caisses, une buse toutes les cinq caisses, etc.).
Les gaines de diffusion placées dans l’allée peuvent bien évidemment être configurées pour diffuser de l’air dans deux directions opposées, vers chaque extrémité de l’allée.
Le dispositif de diffusion d’air peut comporter un boîtier de diffusion ou une gaine de diffusion disposé horizontalement au-dessus de l’allée ou en dessous de l’allée, ledit boîtier de diffusion ou ladite gaine de diffusion étant configuré pour diffuser de l’air verticalement dans ladite allée.
Le module de puissance 1 peut ainsi comprendre : un troisième composant 11c disposé sur la première face 10a du substrat 10 et logé dans la première cavité 17a ; un quatrième composant 11d disposé sur la deuxième face 10b du substrat 10 et logé dans la deuxième cavité 17b.
Dans cet exemple d’application, le module de puissance 1 est dans une configuration à quatre composants. Les composants 11a-11d sont reliés en eux de manière à former un bras de pont d’un montage onduleur. Le premier composant 11a est un transistor (de préférence un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, ou MOSFET, ou un transistor bipolaire à grille isolée, ou IGBT), le deuxième composant 11b est un transistor (de préférence un MOSFET ou IGBT), le troisième composant 11c est une diode et le quatrième composant 11d est une diode.
De manière similaire, un deuxième signal de commande G2 est acheminé jusqu’à l’électrode de grille du transistor 11b, ici par l’intermédiaire d’un via 152 (par exemple en tungstène) traversant le deuxième capot 15b et d’une piste conductrice 13 disposée sur la face intérieure du deuxième capot 15b (éventuellement recouverte d’une deuxième couche diélectrique 18 pour renforcer l’isolation électrique).
La couche de métal 153 du premier capot 15a et la couche de métal 153 du deuxième capot 15b portent respectivement la tension d’alimentation positive V+ et la tension d’alimentation négative V-. La couche isolante 154 recouvre entièrement la face extérieure de la couche de métal 153, à l’exception d’une portion nécessaire à la prise de contact électrique. Le signal de commande G1 du transistor 11a est ici acheminé par une piste conductrice 13 disposée sur le substrat 10 et séparée du substrat 10 par une première couche diélectrique 18. Le signal de commande G2 du transistor 11b est ici acheminé par une piste conductrice 13 déposée sur la face intérieure du deuxième capot 15b et séparée de la couche de métal 153 de ce même capot par une deuxième couche diélectrique 18.
Pour éviter des courts-circuits entre le substrat 10 (métallique) et les capots 15a-15b, les joints d’étanchéité annulaires 16a-16b sont séparées du substrat 10 et des capots 15a-15b par d’autres couches diélectriques 18.
Les couches de métal 153, le substrat 10 et les joints d’étanchéité annulaires 16a-16b forment ainsi une structure semblable à une cage de Faraday, qui protège les composants électroniques des champs électromagnétiques et des décharges électrostatiques.
Le module de puissance 1 n’est pas limité aux modes de réalisations décrits en relation avec les figures 1 et 2. En particulier, chaque étage de composants peut comporter plusieurs (deux ou plus) composants électroniques de puissance (de préférence de type transistor, diode ou thyristor) connectés en parallèle ou en série.
Le dispositif 1 de transmission de signaux radiofréquence est réalisé sur le substrat SUB. Le dispositif 1 comprend : une première microstructure 20 configurée pour propager un signal radiofréquence Vs , deux microstructures de masse électrique 30 et 30’ chacune étant connectée à la masse électrique globale du dispositif 1, et une pluralité de composants de connexion 10 selon l’invention. La première microstructure 20 constitue une piste de transmission et les deux microstructures 30 et 30’ constituent des pistes de masse. La piste de transmission 20 est disposée, entre les deux pistes de masse 30 et 30’. A titre illustratif et sans perte de généralité, le dispositif 1 comprend quatre composants de connexion 10. La piste de transmission 20 est connectée à la première piste de masse 30 adjacente à travers deux composants de connexion 10. La piste de transmission 20 est connectée à la seconde piste de masse 30’ adjacente à travers deux composants de connexion 10.
Avantageusement, le substrat est réalisé en saphir ou en MgO ou en SrTiO3 ou en silicium.
Le dispositif 1 comprend en outre des moyens de contrôle (non représentés ici) pour générer les signaux de contrôle (V c1 , V c2 V c3 V c4 ) associés respectivement à chaque composant de connexion 10. A titre d’exemple, les différents composants de connexion 10 permettent d’activer ou désactiver la transmission du signal Vs à travers la piste de transmission 20. Lorsque les composants de connexion 10 sont configurés par les signaux de contrôle à un état résistif isolant, la piste de transmission 20 est isolée électriquement des pistes de masse adjacentes 30 et 30’. La transmission est activée et le signal Vs est alors propagé à travers la piste de transmission 20 vers le point de réception. Lorsque les composants de connexion 10 sont configurés par les signaux de contrôle à un état résistif supraconducteur, la piste de transmission 20 est connectée électriquement aux pistes de masse adjacentes 30 et 30’. La transmission est désactivée et le signal Vs n’est pas propagé à travers la piste de transmission 20 vers le point de réception.
Alternativement, les différents composants de connexion 10 permettent d’atténuer le signal Vs transmis à travers la piste de transmission 20. Les composants de connexion 10 sont configurés par les signaux de contrôle à un état résistif intermédiaire. Ainsi, l’impédance des composants de connexion 10 est variable en continu dans la plage de valeurs définissant l’état résistif intermédiaire. Cela permet de contrôler l’atténuation de l’amplitude du signal transmis Vs.
La illustre une vue de dessus du premier mode de réalisation d’un dispositif de transmission de signaux RF comprenant une pluralité de composants de connexion 10. Nous nous limitons à présenter le dispositif de transmission 1 d’un seul côté selon le sens de propagation PROP par souci de simplification.
La piste de transmission 20 comprend une structure de guidage 20 réalisée en un matériau électriquement conducteur. La structure de guidage 20 sert à confiner et propager les ondes électromagnétiques du signal propagé Vs vers le point de réception selon la direction de propagation PROP.
La piste de transmission 20 comprend en outre une électrode d’alimentation 22 en un matériau électriquement conducteur déposée sur la structure de guidage 20. Dans le cas illustré, l’électrode d’alimentation 22 est déposée au niveau de l’extrémité de piste de transmission 20 du côté du point de réception. L’électrode d’alimentation 22 est configurée pour fournir le signal propagé Vs à un terminal de réception non représenté ici. Symétriquement, lorsque l'électrode d’alimentation 22 est déposée au niveau de l’extrémité de piste de transmission 20 du côté du point d’émission, elle est configurée pour recevoir le signal propagé Vs généré par un terminal d’émission.
La piste de masse 30 comprend une structure de guidage 31 en un matériau conducteur et une électrode d'alimentation 32 configurée pour recevoir la tension de masse électrique du dispositif. La piste de masse 30’ est identique à la piste de masse 30.
D’une manière générale, pour connecter une première structure 20 à une seconde structure 30 adjacente par l’intermédiaire d’un composant de connexion 10, ledit composant est agencé de la manière suivante : la première électrode de connexion EL1 est mise en contact avec la structure de guidage 21 de la première structure 20 et la seconde électrode de connexion EL2 est mise en contact avec la structure de guidage 31 de la première structure 30. La connexion entre la première structure 20 et la seconde structure 30’ adjacente de l’autre côté est réalisée de la même manière.