INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On a ainsi une étape (A) d’obtention depuis ledit système 1 de données représentatives d’un même objet graphique tridimensionnel attendu dessiné plusieurs fois par ledit utilisateur dans ledit espace immersif avec ledit dispositif virtuel de tracé, qui est le pendant de l’étape (a).
Ces exemples de procédé de fabrication montre qu’il est possible de réaliser des deuxièmes et/ou troisièmes régions d’isolation, par exemple des deuxièmes et/ou troisièmes tranchées d’isolation, à côté des premières régions d’isolation, par exemple à côté des premières tranchées d’isolation, dans un même substrat semiconducteur.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation ont été décrits en relation avec une mémoire EEPROM. Plus généralement, les modes de réalisation peuvent s’appliquer à des circuits électroniques, ou des circuits intégrés, comprenant des cellules de transistors. En particulier, les modes de réalisation peuvent s’appliquer à des cellules de transistors destinés à recevoir une haute tension, typiquement supérieure à 10 V, par exemple égale à environ 13 V, voire supérieure ou égale à 15 V, notamment lorsqu’il est recherché le rapprochement entre deux transistors adjacents destinés à fonctionner à ces hautes tensions. Par exemple, les modes de réalisation peuvent s’appliquer à une mémoire FLASH du type flash NOR et NAND, ou dans une mémoire du type split-gate.
SRAM AVEC MISE EN VEILLE DE SECTEUR DEDIE AU PUF La présente invention se rapporte au domaine des mémoires, et en particulier de type SRAM (SRAM pour « Static Random Access Memory » ou mémoire vive statique à accès aléatoire), et introduit des moyens de commande d’une mémoire pour placer au moins un secteur donné de cellules de cette mémoire dans un mode de fonctionnement particulier tandis que dans d’autres secteurs, les cellules sont librement accessibles en lecture.
Une cellule mémoire SRAM est communément dotée de deux inverseurs connectés de façon croisée tête-bêche, chacun étant formé notamment d’un premier transistor de type P et d’un deuxième transistor de type N.
La valeur mémorisée dans une cellule mémoire SRAM va influencer différemment les transistors PMOS d’une cellule mémoire et le ratio VTP1/VTP2 des tensions de seuil respectives des deux PMOS va évoluer dans le temps dans un sens ou dans l’autre en fonction de la valeur mémorisée.
Ainsi, le phénomène NBTI influence la probabilité d’une cellule SRAM à s’initialiser spontanément lors de sa mise sous tension au niveau logique ‘1’ ou à son niveau opposé ‘0’, étant donné que le niveau logique d’initialisation est lié au ratio VTP1/VTP2.
Or, des données mémoires issues de l’initialisation de cellules SRAM peuvent être utilisées pour générer des clés de chiffrement ou un identifiant matériel ou une empreinte numérique unique. Elles peuvent être utilisées pour constituer ainsi une fonction physique non clonable (PUF pour « Physical Unclonable Function »).
Certaines cellules présentant un fort ratio VTP1/VTP2 peuvent être en particulier identifiées comme cellules suffisamment stables pour être utilisées pour constituer une fonction PUF lors d’une phase dite d’enrôlement (« enrollment » selon la terminologie anglo-saxonne). Néanmoins, à cause des effets du phénomène NBTI précité, le ratio VTP1/VTP2 peut avec le temps être amené à être modifié, ce qui rend les cellules moins propices à leur utilisation pour constituer un PUF, dont un des prérequis est la stabilité temporelle sur long terme. Pour limiter une telle dégradation avec le temps des cellules SRAM, une technique consiste à inverser le contenu de rangées horizontales de cellules mémoire de manière régulière. Une telle technique induit une augmentation de la consommation et s’avère pénalisant en termes de temps auquel le système peut avoir accès aux cellules mémoires. Des techniques d’inversion de bit sont présentées dans le document " Impact of NBTI on SRAM Read Stability and Design for Reliability ", de S. Kumar et al., ISQED 2006 ou dans le document " A Secure Data- Toggling SRAM for Confidential Data Protection ", de W.-G. Ho et al., IEEE TCAS-I 2019. Dans ce dernier document, la solution proposée a pour inconvénient de modifier la structure de cellule en ajoutant des transistors supplémentaires. Dans tous les cas, l’inversion périodique des bits entraîne une perte de temps et d’énergie au circuit utilisateur de mémoire.
Une problématique liée aux effets du NBTI est l’effet dit « d’impression des données » (« data imprint effect »). Un tel effet est décrit dans le document : “ Challenging On-Chip SRAM Security with Boot-State Statistics ", de J. McMahan et al., HOST 2017. Lorsqu’une donnée stockée en mémoire y reste longtemps, et de surcroît en état de suralimentation électrique, la tension de seuil VTP du transistor PMOS passant évolue, dû au même effet physique qui cause le NBTI. Un effet de rémanence néfaste ou « d’impression des données » (« data imprint » en anglais) fait alors qu’il peut être possible de retrouver une donnée qui a été stockée préalablement même lorsque la mémoire est réinitialisée.
Un mode de réalisation de la présente invention prévoit un dispositif de mémoire statique à accès aléatoire comprenant une matrice mémoire dotée de cellules mémoires SRAM chacune desdites cellules dudit ensemble comprenant un premier nœud de stockage et un deuxième nœud de stockage, le dispositif étant doté en outre d’un circuit de commande desdites cellules configuré pour, après une mise sous tension de la matrice, mettre la matrice dans un premier mode de fonctionnement dans lequel un premier ensemble de cellules situé dans une première zone de la matrice est dans un état indéterminé dit « métastable » pour lequel leur premier nœud de stockage et leur deuxième nœud de stockage respectifs sont mis à des potentiels égaux ou sensiblement égaux tandis qu’un deuxième ensemble de cellules situé dans une deuxième zone de la matrice distincte de la première zone sont dans un état déterminé dans lequel, suite à une opération d’initialisation ou d’écriture, leurs premier nœud et deuxième nœud respectifs sont à des potentiels respectifs différents entre un état bas, correspondant en particulier à un état logique donné ‘0’, et un état haut, correspondant à un état logique complémentaire ‘1’, permettant en particulier la mémorisation d’une valeur par les cellules de cette deuxième zone.
En mettant les cellules en état métastable on se prémunit des effets néfastes du NBTI.
Un tel mode de fonctionnement est particulièrement avantageux lorsque le premier ensemble de cellules contient une fonction physique non clonable (PUF). En mettant les cellules dédiées aux PUF en état métastable on évite ainsi tout possible dérive dans leur état d’initialisation, évitant donc de fausser une clé ou signature numérique associée à ces cellules.
Avantageusement, consécutivement à la mise sous tension de la matrice au moins une grille ou ligne conductrice est mise à un potentiel d’alimentation.
La permet d’expliquer le principe d’une technique d’entrainement sensible à la quantification – QAT (« Quantification – Aware Training » - QAT), pour le cas d’une couche d’opération, comme la couche d’opération 100 d’un bloc intermédiaire du RN 1.
La couche d’opération 100 comporte un bloc de convolution 105 et un bloc de quantification des poids 110.
A l’époque de rang k de l’entrainement (k nombre entier entre 1 et K), pour la phase d’inférence, le bloc de convolution 105 effectue l’opération élémentaire de convolution sur la valeur entrée pour calculer la valeur intermédiaire , opération élémentaire pouvant par exemple prendre la forme générique :
où les sont les poids de la convolution à l’époque k. Ce sont les paramètres de la couche de convolution.
Les poids sont des poids quantifiés.
Ils sont déterminés au début de la phase d’inférence de l’époque k, à partir de poids non quantifiés .
C’est le bloc de quantification des poids 110 qui effectue cette opération de quantification des poids en appliquant une fonction de quantification des poids, .
La fonction de quantification des poids, , est une fonction en escalier, sur un intervalle, de préférence symétrique autour de la valeur nulle et borné par une valeur de poids maximale.
Le nombre de paliers est la précision de la fonction de quantification des poids, aussi dénommée précision de quantification.
L’espacement entre deux paliers successifs (ou pas de quantification) est de préférence uniforme mais pourrait ne pas l’être. Notamment, les paliers peuvent ne pas être uniformément répartis dans l’intervalle si une fonction de changement d’échelle permet de passer d’une répartition uniforme des paliers à une répartition non uniforme des paliers. Autrement dit, la fonction de quantification utilisée dans le procédé d’apprentissage selon la présente invention doit pouvoir être paramétrable pour fixer le nombre de paliers et éventuellement la position de ces paliers, afin de pouvoir faire varier ces deux paramètres au fur et à mesure des étapes du procédé d’apprentissage (d’une époque à l’autre) comme cela sera décrit en détail ci-après en relation avec la . Il est à noter que lorsque les paliers de la fonction de quantification ne suivent pas une répartition uniforme, une position de chacun des paliers constitue un paramètre du réseau de neurones, qui est appris soit en tant que telle, soit par ajustement des autres paramètres du réseau de neurones, la fonction permettant de passer d’une répartition non uniforme à une répartition uniforme étant absorbée par ajustement des paramètres des autres couches.
Le bloc 110 effectue une quantification avec une précision de quantification des poids . C’est-à-dire que les valeurs possibles d’un poids quantifié sont au nombre de .
La fonction de quantification appliquée par le bloc 110 peut éventuellement être paramétrée par un ou plusieurs paramètres de quantification des poids . Il s’agit de paramètres appris au cours de l’entrainement au même titre que les autres paramètres du RN 1, notamment les paramètres de poids non quantifiés .
Plus précisément, dans le cas par exemple de la technique d’entrainement à échelle ajustée - SAT, le bloc de quantification 110 effectue d’abord une première opération de calage (« clamping ») pour contraindre la valeur des poids non-quantifiés dans un intervalle entre 0 et 1.
Cette opération de « projection » des poids non-quantifiés permet d’obtenir des poids normalisés . Cette opération consiste à effectuer par exemple le calcul suivant :
Le bloc de quantification 110 effectue ensuite la quantification proprement dite pour déterminer les poids quantifiés.
Dans le cas de la technique SAT, cette opération consiste à effectuer par exemple le calcul suivant :
l’alimentation sélective de la chambre de combustion en hydrogène, en hydrocarbure ou en mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène en fonction du mode de fonctionnement de la turbine à gaz.
Avantageusement, le circuit de dérivation peut comprendre au moins un réservoir d’hydrocarbure, le procédé comprenant :
la détermination d’une quantité d’hydrocarbure dans le réservoir d’hydrocarbure,
la comparaison de la quantité d’hydrocarbure déterminée avec une valeur seuil d’hydrocarbure prédéterminée,
l’admission, lorsque la quantité d’hydrocarbure déterminée est inférieure à la valeur seuil d’hydrocarbure prédéterminée, de mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dans la ligne d’alimentation,
la séparation du mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dans le circuit de dérivation pour l’obtention d’hydrocarbure, lors du fonctionnement de la turbine à gaz ou lorsque la turbine à gaz est à l’arrêt, et
le stockage de l’hydrocarbure obtenu dans le réservoir d’hydrocarbure jusqu’à l’obtention d’une quantité d’hydrocarbure supérieure ou égale à la valeur seuil d’hydrocarbure prédéterminée.
De préférence, la valeur seuil prédéterminée est associée à une quantité d’hydrocarbure requise pour le fonctionnement de la turbine à gaz lors d’au moins une phase transitoire.
Avantageusement, la phase transitoire peut être une phase parmi : l’allumage, le démarrage, l’arrêt, et un changement de mode de combustion de la turbine à gaz, voire une augmentation ou diminution de la charge en réponse d’un évènement réseau auquel elle est raccordée.
Avantageusement, le procédé comprend l’alimentation par la ligne d’alimentation de l’au moins une chambre à combustion en hydrocarbure préalablement séparé du mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dans le circuit de dérivation, pour le fonctionnement de la turbine à gaz lors d’une phase transitoire.
De préférence, le procédé comprend la mesure du taux d’hydrogène dans l’hydrocarbure préalablement séparé du mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène par le circuit de dérivation.
Avantageusement, le procédé peut comprendre une étape de séparation supplémentaire lorsque le taux d’hydrogène mesuré est supérieur à une valeur seuil d’hydrogène prédéterminée, par exemple en cas d’encrassement d’une membrane.
De préférence, le circuit de dérivation comprend au moins un réservoir d’hydrogène, le procédé comprenant le stockage d’hydrogène obtenu après séparation du mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dans le réservoir d’hydrogène.
De préférence, le circuit de dérivation comprend au moins un réservoir d’hydrocarbure, le procédé comprenant :
le stockage d’hydrocarbure obtenu après séparation du mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dans le réservoir d’hydrocarbure ;
l’obtention d’un mélange d’hydrocarbure et d’hydrogène dont les fractions d’hydrocarbure et d’hydrogène sont contrôlées, à partir d’hydrocarbure stocké dans le réservoir d’hydrocarbure et d’hydrogène stocké dans le réservoir d’hydrogène ; et
-une couche tampon BUF déposée sur le substrat, comprenant un premier matériau semi-conducteur SC1 qui est un composé binaire ou ternaire ou quaternaire de nitrure,
-une couche barrière Bar comprenant un deuxième matériau semi-conducteur SC2 qui est un composé comprenant de l’azote (N) et de un à cinq éléments choisi parmi l’indium (In), l’aluminium (Al), le gallium (Ga), le bore (B), et le scandium (Sc).
Les différentes combinaisons possibles de matériaux sont déterminées par les lois de la physique du solide et les capacités technologiques des bâtis, susceptibles de progresser au cours du temps. Le matériau de la barrière est ainsi un composé binaire, ternaire, quaternaire, ou quinaire de nitrure.
La couche tampon présente une première bande interdite G1 et la couche barrière Bar présente une deuxième bande interdite G2.
L’empilement comprend également une couche L2D d’un matériau bidimensionnel Mat2D isolant disposée entre la couche barrière et la couche tampon. On dénomme 11 l’interface BUF/L2D et 13 l’interface L2D/Bar.
La couche barrière, la couche bidimensionnelle L2D et la couche tampon sont configurées pour former un gaz bidimensionnel d’électron 9 dans une zone dénommée canal, localisée dans la couche tampon ou la couche barrière et située au voisinage d’une interface avec la couche 2D.
Pour le cas d’une croissance selon [0001] illustré le gaz d’électron 9 est localisé dans la couche tampon et disposé au voisinage de la face supérieure 11 de la couche tampon (correspondant à l’interface 11 BUF/L2D).
Pour le cas d’une croissance selon le gaz d’électron 9 est localisé dans la couche barrière et disposé au voisinage de la face inférieure 13 de la couche barrière (correspondant à l’interface 13 Bar/L2D).
Le transistor 100 comprend également et de manière classique une source S, un drain D, et une grille G déposée sur la face supérieure 12 de la couche barrière entre la source et le drain.
L’insertion d’une couche de matériaux 2D dans une structure HEMT permet de relâcher les contraintes générées dans la couche barrière dues au fort désaccord de paramètre de maille entre les deux matériaux constituant respectivement la barrière et la couche tampon, et donc de potentiellement améliorer la robustesse de ces composants en prévenant l’apparition de défauts cristallins dans la barrière lors du fonctionnement du transistor.
L’épitaxie d’une couche de matériaux 2D sur un matériau III-V ou d’un matériau III-V sur un matériau 2D est dite de Quasi Van der Waals. Pour l’épitaxie d’un matériau III-V sur un matériau 2D voir par exemple la publication de Liang et al « Quasi Van der Waals epitaxy nitride materials and devices on two dimension materials » nano Energy 69, 104463 (2020)). Pour l’épitaxie d’un matériau 2D sur un matériau III-V voir par exemple la publication de Wan et al « Epitaxial Single Layer MoS2 on GaN with Enhanced Valley Helicity », Adv. Mater. 30, 1703888 (2018).
De même les liaisons entre la couche III-V et le matériau 2D sont dite Quasi Van der Waals
Au niveau de l’épitaxie du matériau 2D sur le matériau SC1 de la couche tampon, l’absence de liaison pendante du matériau 2D selon la direction de croissance permet lors de l’épitaxie d’aligner le matériau 2D selon l’orientation de la couche tampon, et exerce une faible contrainte dans le plan.
Au niveau de l’épitaxie de la couche barrière sur le matériau 2D, l’absence de liaisons pendantes à la surface de la couche L2D permet une croissance du matériau SC2 selon son paramètre de maille. Le matériau semiconducteur est libre de s’organiser selon sa propre structure sans contraintes issue de la couche L2D et il n’y a alors plus de contraintes d’épitaxies (dues à la différence des paramètres de mailles de la couche tampon et de la couche barrière), comme c’est le cas dans les épitaxies de l’état de l’art ou ce matériau 2D n’est pas inséré entre ces deux couches.
La diminution des contraintes et défauts dans la structure du HEMT, due à la présence de la couche de matériau 2D, permet d’améliorer la fiabilité du composant.
A cela s’ajoute un effet de filtrage des dislocations qui sont également des vecteurs importants des modes de défaillance.
En outre, selon une configuration où la première paroi 120 et/ou la deuxième paroi 122 est conductrice de chaleur, le fait de générer une rotation du fluide caloporteur permet d’orienter le fluide caloporteur à proximité de la surface d’échange thermique 10 et en direction de la première paroi 120 et/ou de la deuxième paroi 122.
Selon une variante, l’au moins un guide de brassage 14 peut également comprendre un guide additionnel s’étendant perpendiculairement à la première paroi 120 et à la deuxième paroi 122. Le guide additionnel comprend alors une première surface de guidage additionnelle en regard de la première paroi 120 et/ou une deuxième surface de guidage additionnelle en regard de la deuxième paroi 122. La première surface guidage additionnelle et la deuxième surface de guidage additionnelle peuvent alors présenter une forme convexe par rapport au premier segment S1 sensiblement parallèle à la première direction D1. Le guide additionnel présente ainsi la forme d’une excroissance de matière s’étendant de l’au moins un guide de brassage 14 en direction de la première paroi 120 ou de la deuxième paroi 122 et permet ainsi à une partie du fluide caloporteur 2 compris dans le premier volume v1 ou dans le deuxième volume v2 d’être respectivement dirigé vers la première paroi 120 ou vers la deuxième paroi 122 afin d’augmenter les contacts et l’échange thermique entre le fluide caloporteur 2 et la première paroi 120 et/ou la deuxième paroi 122. En variante, la première surface guidage additionnelle et la deuxième surface de guidage additionnelle peuvent alors présenter une forme convexe par rapport au premier segment S1.
Afin de générer ce mouvement de rotation du fluide caloporteur 2 dans le premier volume v1 et dans le deuxième volume v2, la première surface guide 140 dans la première zone d’inversion 150 et la deuxième surface guide 142 dans la deuxième zone d’inversion 152 peuvent être définies selon l’équation mathématique suivante :
Où D représente le déplacement du fluide caloporteur 2 par rapport à la première direction D1 entre une entrée 154 de l’interface d’inversion 15 et une sortie 155 de l’interface d’inversion 15 selon la première direction D1, X représente une position du fluide caloporteur 2 le long de la première direction D1 entre l’entrée 154 de l’interface d’inversion 15 et la sortie 155 de l’interface d’inversion 15, X étant défini à 0 arbitrairement à l’entrée 154 dans l’interface d’inversion 15, f x représentent des fonctions mathématiques quelconques.
Dès lors il est possible d’obtenir deux mouvements de rotation ou hélicoïdaux selon les axes de rotation A1 et A2, comme représenté en .
De plus, il peut également être envisagé d’ajouter une courbe d’oscillation au mouvement hélicoïdale du fluide caloporteur des premier et deuxième volumes v1 et v2.
Par exemple, en reprenant l’équation précédente, il est possible d’obtenir une porteuse comme représenté en selon la formule suivante :
Où t représente le temps et l’Amplitude représente l’Amplitude de la porteuse et donc du mouvement hélicoïdal.
Plus précisément, il est possible de définir le mouvement d’un premier fluide caloporteur, par exemple le fluide caloporteur du premier volume v1 redirigé en direction du deuxième volume v2, selon les équations suivantes :
Où représentent des coefficients réel, et x et y représentent les coordonnées cartésiennes du premier fluide caloporteur dans un plan perpendiculaire à la première direction D1 du fluide caloporteur dans l’ailette de refroidissement 12 et z représente la coordonnée cartésienne du premier fluide caloporteur parallèlement à la première direction D1.
Et, il est possible de définir le mouvement d’un deuxième fluide caloporteur, par exemple le fluide caloporteur du deuxième volume v2 redirigé en direction du premier volume v2, selon les équations suivantes :
Avec un décalage de entre la position du premier fluide caloporteur et du deuxième fluide caloporteur dans le plan perpendiculaire à la première direction D1 et où x’ et y’ représentent les coordonnées cartésiennes du deuxième fluide caloporteur dans un plan perpendiculaire à la première direction D1 du fluide caloporteur dans l’ailette de refroidissement 12 et z’ représente la coordonnée cartésienne du deuxième fluide caloporteur parallèlement à la première direction D1.
Et, en ajoutant une sur-modulation en fréquence, il est possible d’obtenir un mouvement hélicoïdal d’oscillation comme représenté en . A titre d’exemple indicatif, cette sur-modulation peut être obtenue en multipliant la précédente formule à un modulateur :
représente l’amplitude de la modulation appliquée à la porteuse, c’est-à-dire la variation d’amplitude dans l’hélicoïde et représente la fréquence de la modulation appliquée à l’hélicoïde.
Dès lors, le mouvement du premier fluide caloporteur peut être défini selon les équations suivantes :
Où représente l’amplitude du mouvement hélicoïdal du premier fluide caloporteur comme représenté en figure 12 et a représente l’amplitude de la modulation appliquée à la porteuse, représente la fréquence de la modulation appliquée à l’hélicoïde et représente la fréquence de la porteuse, c’est-à-dire du mouvement hélicoïdal du premier fluide caloporteur comme représenté en .
Le retrait de la première couche d’arrêt de gravure permet d’améliorer la préparation de la surface en obtenant une rugosité de surface plus faible.
Selon une alternative de réalisation du deuxième développement précédent, l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer est réalisée moins de 30 minutes après l’étape de retrait de la première couche d’arrêt.
De préférence, l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer est réalisée moins de 10 minutes après l’étape de retrait de la première couche d’arrêt.
Ce court délai permet de limiter le risque de contamination de la surface sur laquelle sera réalisée l’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer.
Selon une autre alternative de réalisation du deuxième développement, l’étape de retrait de la première couche d’arrêt de gravure et l’étape d’épitaxie de la couche semiconductrice à transférer sont réalisées dans un même équipement.
Ainsi, le risque de contamination de surface est réduit et le procédé est simplifié.