La permet d’illustrer un cas plus spécifique, et pour autant non exclu des considérations qui précèdent, dans lequel le deuxième niveau 112 du substrat 11 comprend au moins un niveau d’interconnexions électriques 110 s’étendant d’une zone pleine 101 à une zone structurée 102. Plus particulièrement, les interconnexions électriques sont enterrées, ou équivalemment encapsulées, dans le matériau diélectrique à base duquel le deuxième niveau 112 du substrat 11 est constitué. Les interconnexions électriques affleurent du deuxième niveau 112 du substrat 11 depuis la surface exposée 1000 de chaque zone pleine 101, pour permettre une reprise de contact électrique avec un composant micro-électronique 2 destiné à être emporté sur la zone pleine 101. Au contraire, les interconnexions électriques sont enterrées, ou équivalemment encapsulées, dans le matériau diélectrique à base duquel le deuxième niveau 112 du substrat 11 est constitué, au niveau de chaque zone structurée 102. La profondeur à laquelle ces interconnexions sont enterrées détermine l’épaisseur du deuxième niveau 112 du substrat 11 qui peut être dédiée à la formation des plots diélectriques 131, si l’on souhaite que la gravure n’altère pas l’intégrité des interconnexions enterrées. Il est ainsi montré que le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention est compatible avec un procédé d’auto-assemblage aboutissant au report de composants de la microélectronique connectés électriquement entre eux de façon fonctionnelle via la plaque d’accueil 1, le niveau d’interconnexions électriques s’étendant d’une zone pleine 101 à une zone structurée 102 adjacente, voire au-delà. La préservation de l’intégrité des interconnexions électriques suppose en effet que la gravure soit arrêtée avant que les interconnexions électriques ne soient atteintes par celle-ci. Il est donc possible, de prévoir, lors de la fabrication du substrat 11 tel que fourni, que le niveau d’interconnexions électriques au niveau de ce qui est destiné à former une zone structurée 102 soit recouvert d’une couche suffisamment épaisse de matériau diélectrique pour que les plots diélectriques 131 de la géométrie souhaitée puissent être gravés dans cette couche, et ne nécessite pas de graver les interconnexions électriques. Par ailleurs, on notera que la hauteur des plots diélectriques 131 obtenus par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention est sensiblement égale à la hauteur de la marche 15 obtenue par cette même mise en œuvre. Relativement aux plaques d’accueil connues de l’art antérieur, et par exemple relativement à une plaque conforme à l’exemple donné à la , la marche 15 obtenue par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention est avantageusement réduite, et si cette réduction n’augmente pas le contraste de mouillabilité entre la zone pleine 100 et la zone structurée 102 qui l’entoure : elle facilite intégration industrielle du procédé selon le premier aspect de l’invention, et la microrugosité que confère, à la zone structurée 102, la micro-structuration obtenue par mise en œuvre du procédé selon le premier aspect de l’invention permet de compenser largement l’éventuelle diminution de performance en termes d’auto-alignement qui en résulterait.