INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un module 306 reçoit également l’estimation de la position de la zone d’intérêt. Ce module est chargé de calculer un facteur de mise au point qui est ajouté à la position en Z, c’est-à-dire à la distance entre la caméra de capture et la zone d’intérêt. Ce facteur de mise au point évolue, par exemple, de manière linéaire entre un minimum négatif et un maximum positif. La distance entre la caméra de capture et l’estimation de la position de la zone d’intérêt, corrigée du facteur de mise au point, permet la commande du module 307 qui contrôle le moteur de mise au point de la caméra de capture.
La Figure 4 illustre le principe de l’estimation de position dans un exemple de réalisation de l’invention. L’axe vertical représente la position de la zone d’intérêt, tandis que l’axe horizontal représente le temps. La position est représentée schématiquement par une valeur sur l’axe vertical, elle est en réalité composée des trois composantes donnant la position en trois dimensions de la zone d’intérêt. Les positions dans la zone 401 représentent les positions calculées de la zone d’intérêt à partir des images de contexte aux temps , ces positions connues sont utilisées pour calculer l’estimée de la position 403 au temps . Cette estimation est typiquement obtenue par modélisation linéaire de la trajectoire à partir des positions connues 401. Pour obtenir une estimation de trajectoire fiable, il est nécessaire d’échantillonner le calcul des positions à une fréquence suffisante. Cette fréquence va dépendre de la vitesse d’évolution du sujet et donc dépendre de l’application envisagée. Par exemple, dans le cas de la reconnaissance des iris d’une personne se déplaçant en marchant, une fréquence de 15 images de contexte et donc de 15 estimées de positions calculées par seconde s’est révélée suffisante.
La illustre la capture des images de la zone d’intérêt à partir des positions estimées dans un mode de réalisation de l’invention. Sur cette figure, l’axe vertical représente la composante Z de la position, c’est-à-dire la distance entre la caméra de capture et la zone d’intérêt. L’axe horizontal représente toujours le temps. La courbe 504 représente la trajectoire estimée de la zone d’intérêt. Les points 501 sur cette courbe 504 représentent les différentes valeurs de la composante en Z des estimations de position correspondant donc aux points 403 de la .
Comme déjà décrit, ces positions 501 ne sont que des estimations et sont donc sujettes à une certaine imprécision. Cette imprécision et le besoin d’obtenir une image nette en haute résolution de la zone d’intérêt, image qui possède une faible profondeur de champ, font que les images obtenues directement à partir des estimations de position sont souvent floues. Pour contrer cette imprécision, il est proposé d’ajouter le facteur de mise au point à la composante en Z de la position estimée de la zone d’intérêt. Ce facteur de mise au point est variable d’une prise de vue à la suivante. Par exemple, on fait varier le facteur de mise au point dans un intervalle centré sur la valeur nulle, ce qui permet de compenser des erreurs qui ont statistiquement une valeur moyenne nulle. La valeur maximum du facteur de mise au point dépend de l’imprécision du système comprenant les caméras de contexte et le calcul de l’estimation de la position. Le pas de variation du facteur de mise au point doit être inférieur à la profondeur de champ des images capturées par la caméra de capture. Plus l’estimation est précise et plus la valeur maximum du facteur de mise au point peut être faible. Dans un exemple de réalisation, le pas de variation du facteur de mise au point est de l’ordre du centimètre, tandis que la valeur maximum du facteur de mise au point est comprise entre sept et dix centimètres. Statistiquement, sur l’ensemble des prises de vue de la caméra de capture, pour certaines de ces images, le facteur de mise au point compense l’imprécision de l’estimation de la distance de la caméra à la zone d’intérêt, et permet d’obtenir une image nette.
Selon les modes de réalisation, plusieurs manières de faire varier le facteur de mise au point dans l’intervalle peuvent être utilisées. Une première alternative consiste à faire varier le facteur de mise au point linéairement entre et , selon un profil en dent de scie. Une seconde alternative prévoie une évolution sinusoïdale du facteur de mise au point dans l’intervalle. Selon une troisième alternative, le facteur de mise au point est choisi aléatoirement dans l’intervalle à chaque prise de vue. Selon une quatrième alternative, le facteur de mise au point varie de telle sorte que deux facteurs consécutifs sont espacés d’une valeur correspondant à la profondeur de champ de la caméra.
La courbe 503 représente les prises de vue de la caméra de capture. La hauteur des points représente la distance de mise au point utilisée lors de la prise de vue, c’est-à-dire, l’estimation en Z de la position corrigée du facteur de mise au point. La fréquence des prises de vue de la caméra de capture n’est pas nécessairement identique à la fréquence des calculs de position, et donc de prise de vue par les caméras de contexte. En effet, la trajectoire estimée permet de calculer une estimation de position à tout instant et donc de choisir arbitrairement l’instant de prise de vue. Plus la fréquence de prise de vue est élevée et plus rapidement une image nette et exploitable de la zone d’intérêt est obtenue. La limite de la fréquence de prise de vue est déterminée par le temps nécessaire pour régler la mise au point de la caméra de capture à la nouvelle valeur et par le temps nécessaire pour capturer l’image. Dans la pratique, pour l’application de capture des images d’iris, une fréquence de prise de vue de 30 images par seconde donne de bons résultats.
La est un bloc-diagramme schématique d'un dispositif de traitement de l’information 600 pour la mise en œuvre d'un ou plusieurs modes de réalisation de l'invention. Ce dispositif correspond typiquement au dispositif 160 de la . Le dispositif 600 de traitement de l’information peut être un périphérique tel qu'un micro-ordinateur, un poste de travail ou un terminal mobile de télécommunication. Le dispositif 600 comporte un bus de communication connecté à:
Par exemple une première extrémité de la troisième partie d’antenne ANT2c est connectée via une première connexion avec le composant capacitif CP1 et une deuxième extrémité de la troisième partie d’antenne ANT2c est connectée via une deuxième connexion avec une première extrémité de la première partie d’antenne ANT2a. Par ailleurs, le composant capacitif CP1 est connecté via une troisième connexion avec une deuxième extrémité de la première partie d’antenne ANT2a.
Les exemples de fentes F2 représentées aux figures 8 ne sont que des exemples non limitatifs. Toute fente débouchant soit dans la cavité 14 soit sur un bord de la carte et se terminant par une extrémité fermée dans la deuxième région R2, de préférence dans une zone ZC privilégiée d’exploitabilité des courants de Foucault peut être utilisée dans le contexte de l’invention.
La illustre le fonctionnement de la carte à puce de la lorsque celle-ci est centrée par rapport à l’antenne du lecteur NFC, autrement dit lorsque la surface de la carte est exposée à un champ magnétique uniforme FL1 généré pat le lecteur.
Sous l’effet du champ magnétique FL1, des courants de Foucault – notés généralement I1 – sont générés dans la couche métallique 8. Ces courants de Foucault I1 circulent sous forme de boucles fermées de courant en surface de la couche métallique 8. Ces courants de Foucault se forment sur la couche métallique 8 en boucles fermées dans une direction telle qu'ils créent un champ magnétique opposé au champ magnétique incident.
Dans l’exemple de la , les courants de Foucault circulent dans le sens des aiguilles d’une montre.
En supposant que toute la surface de la carte est exposée à un champ magnétique uniforme et comme dans le cas illustré à la , la boucle dominante B1 des courants de Foucault suit le contour périphérique de la couche métallique 8. A titre simplement illustratif, deux autres boucles secondaires B2 et B3 sont représentées.
De façon connue de l’homme du métier, les courants de Foucault, circulant dans le sens des aiguilles d’une montre, induisent un courant image I2a qui circule dans la première partie d’antenne ANT2 dans le sens inverse des aiguilles d'une montre.
Comme représenté en , on note I1a des courants de Foucault – dits premiers courants de Foucault – correspondant à des boucles dominantes circulant en surface de la couche métallique 8 au voisinage du contour périphérique de ladite couche métalliques 8. On note I1b des courants de Foucault – dits deuxièmes courants de Foucault – correspondant à des boucles secondaires circulant en surface de la couche métallique 8 au voisinage du contour périphérique de la zone d’évidemment 14.
Puisque les courants de Foucault circulent en boucles fermées, les courants de Foucault I1b sont en réalité la continuité des courants de Foucault I1a au voisinage du contour périphérique de la zone d’évidement 14. Comme cela apparaît de la , les deuxièmes courants de Foucault I1b circulent, au voisinage de la deuxième partie d’antenne ANT2b, dans un sens de rotation (ou sens de circulation) opposé à celui des premiers courants de Foucault I1a circulant au voisinage du contour périphérique de la couche métallique 8. A titre d’exemple, on considère dans cet exemple que les premiers et deuxièmes courants de Foucault I1a, I1b circulent selon respectivement les sens horaire et antihoraire, une configuration inverse étant toutefois possible selon l’orientation du champ magnétique FL1 considéré. La circulation en sens opposé des courants de Foucault I1a et I1b résulte en particulier de la continuité des courants de Foucault mentionnée ci-avant, ainsi que de la présence de la zone d’évidemment 14 qui est reliée dans cet exemple par la fente de raccordement F1 au contour périphérique 8a de la couche métallique 8.
Par conséquent, le courant I2 circulant dans la deuxième antenne RF ANT2 est un courant induit résultant de deux composantes, à savoir : un courant image I2a induit par les premiers courants de Foucault I1 circulant en surface de la couche métallique 8 au voisinage de la première partie d’antenne ANT2a ; et un courant I2b qui est induit directement dans la troisième partie d’antenne ANT2c par le champ magnétique incident FL1 au travers de la zone d’évidemment 14 (I2 = I2a + I2b). La structure même de la carte à puce CD1 est conçue pour conduire à cette double contribution des courants induits I2a et I2b pour collecter dans la deuxième antenne RF un courant induit global I2 le plus important possible.
Plus précisément, la première partie d’antenne ANT2a s’étendant en regard de la couche métallique 8 collecte un courant image I2a induit par les premiers courants de Foucault I1a circulant en surface de la couche métallique 8 sous l’effet du champ magnétique FL1 lorsque la carte à puce CD1 est centrée avec l’antenne du lecteur NFC.
Ces premiers courants de Foucault I1a correspondent à des boucles dominantes circulant en surface de la couche métallique 8 au voisinage des spires de la première partie d’antenne ANT2a. Comme déjà indiqué, la première partie d’antenne ANT2a peut s’étendre de préférence en regard d’une zone (ou bande) périphérique de la couche métallique 8 pour collecter un maximum d’énergie généré par les boucles dominantes des courants de Foucault. Les premiers courants de Foucault I1a circulant dans le voisinage de la première partie d’antenne ANT1a (dans cet exemple en périphérie de la couche métallique 8) produisent un effet qui s’oppose au champ magnétique incident FL1. Le courant induit I2a collecté dans les spires de la première partie d’antenne ANT2a est lui-même un effet de réaction aux premiers courants de Foucault I1a.
Ainsi, le courant image I2a induit par les premiers courants de Foucault I1a est acheminé par conduction électrique jusqu’à la troisième partie d’antenne ANT2c, du fait de la continuité électrique entre les première, deuxième et troisième parties d’antenne ANT2a, ANT2b, ANT2c qui sont connectées ensemble.
Le courant image I2a circule ainsi dans les spires de la troisième partie d’antenne ANT2c positionnée en regard de la zone d’évidemment 14.
Comme illustré en , le courant image I2a circule selon le même sens de rotation (ou même sens de circulation) dans les spires des première, deuxième et troisième parties d’antenne ANT2a, ANT2b et ANT2c, à savoir selon le sens antihoraire dans cet exemple. Cependant, du fait de la présence dans la couche métallique 8 de la zone d’évidemment 14 connectée via la fente de raccordement F1 au bord périphérique 8a, les deuxièmes courants de Foucault I1b (boucles secondaires) circulent au voisinage de la zone d’évidemment 14, en surface de la couche métallique 8, selon un sens de rotation (ou sens de circulation) opposé à celui des premiers courants de Foucault I2a circulant en périphérie de la couche métallique 8. A titre d’exemple, les deuxièmes courants de Foucault I1b circulent ici dans le sens antihoraire tandis que les premiers courants de Foucault I1a circulent suivant le sens horaire. Aussi, les deuxièmes courants de Foucault I1b circulant en périphérie de la zone d’évidemment 14 ne s’opposent pas au champ magnétique traversant la fente et contribuent à amplifier le courant image I1a circulant dans les spires de la troisième partie d’antenne ANT2c.
Par ailleurs, l’effet de la deuxième fente F2 est de pousser la boucle dominante de courant de Foucault vers la deuxième partie ANT2b de la deuxième antenne ANT2, ce qui augmente le couplage d’énergie entre les courants de Foucault de la couche métallique 8 et la deuxième partie d’antenne ANT2b au voisinage de la deuxième fente F2.
Avantageusement, le dispositif 5 de connexion comprend une face 12 supérieure sur laquelle est fixée la platine 11. Le dispositif 5 de connexion comprend une face 13 inférieure opposée à la face 12 supérieure.
Avantageusement le dispositif 5 de connexion comprend deux parois 14 faisant saillie de la face 12 supérieure selon l’axe Z. Les parois 14 définissent un orifice 15 d’accueil.
A titre d’exemple non limitatif, les parois 14 sont de formes sensiblement circulaires mais pourraient tout à fait être carrés ou rectangulaires.
Le dispositif 5 de connexion comprend deux pions 16 faisant saillie de la face 13 inférieure selon l’axe Z. Chaque pion 16 est agencé dans le prolongement, selon l’axe Z, de la paroi 14.
Chaque pion 16 d’un dispositif 5 de connexion donné est apte à être inséré dans l’orifice 14 d’accueil d’un dispositif 5 de connexion voisin.
Les pions 16 et les parois 14 forment ensemble le système de guidage et de fixation du dispositif 5 de connexion.
Chaque pion 16 comporte deux parois 17 rectilignes formant ensemble une croix. Une longueur L1 de l’une au moins des parois 17 rectilignes est sensiblement égale au diamètre D1 de l’orifice 15 d’accueil. De la sorte, les pions 16 sont insérés en force dans les orifices 15 d’accueil de façon à solidariser deux dispositifs 5 de connexion ensemble.
Avantageusement, le socle 10 du dispositif 5 de connexion comprend une paroi 18 latérale. La paroi 18 latérale forme une assise du dispositif 5 de connexion. La paroi 18 latérale comporte une face 19 d’assise destinée à venir en contact de la face 12 supérieure d’un dispositif 5 de connexion voisin.
Avantageusement, le socle 10 comprend deux ouvertures 20 pratiquées dans la paroi 14. Les ouvertures 20 sont aptes et destinées à permettre le passage d’un terminal 7, 8 positif ou négatif d’une paire 6 voisine de cellules 4.
Ainsi qu’on peut le voir sur les dessins, les orifices 15 d’accueil et les pions 16 sont agencés de part et d’autre de la platine 11 selon l’axe Y. Cet agencement permet de convenablement solidariser ensemble les dispositifs 5 de connexion.
Avantageusement, le module 2 comprend un premier dispositif de connexion 21 d’extrémité et un deuxième dispositif de connexion 22 d’extrémité.
Les premier et deuxième dispositifs de connexion 21, 22 d’extrémité sont assemblés aux autre dispositifs 5 de connexion mais se situent à des extrémités 23 transversales du module 2.
Les dispositifs de connexion 21, 22 d’extrémité diffèrent des dispositifs 5 de connexion en ce qu’ils comprennent des bornes 24, 25 métalliques faisant saillie du socle selon l’axe Y. Les bornes 24, 25 métalliques présentent une forme générale de L.
Ainsi le premier dispositif de connexion 21 d’extrémité comprend une première borne 24 métallique polarisée positivement. Le deuxième dispositif de connexion 22 d’extrémité comprend une deuxième borne 25 métallique polarisée négativement.
Les première et deuxième bornes 24, 25 métalliques sont respectivement la borne positive et la borne négative du module 2.
Dans une variante de réalisation du dispositif 5 de connexion représenté sur la , la platine 11 comprend une portion 26 métallique faisant saillie du socle 10. La portion 26 métallique faisant saillie s’étend selon l’axe Z. Cette portion 26 métallique est apte et destinée à venir en contact avec un système de refroidissement (non représenté sur les dessins). Ainsi, il est possible de refroidir par conduction thermique, à la fois la platine 11 et les terminaux 7, 8 des cellules 4. La portion 26 métallique fait saillie du côté opposé de celui des bornes 24, 25. En d’autres termes, la portion 26 métallique fait saillie selon l’axe Y mais dans un sens opposé à celui selon lequel font saillies les bornes 24, 25.
La conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N peut être augmentée, par exemple, par implantation ionique de Si. Un recuit de guérison peut être également réalisé.
Avantageusement, le premier empilement comprend trois groupes de mésas, chaque groupe de mésas étant destiné à former une micro-LED rouge, vert ou bleu, chaque groupe mésas ayant un taux de porosification ou un pourcentage de surface porosifiée différent.
L’invention concerne également un procédé de fabrication de micro-LED comprenant les étapes successives suivantes :
i) mise en œuvre du procédé de fabrication de mésas tel que défini précédemment,
ii) mise en œuvre des étapes e) à g) suivantes :
e) sur la structure obtenue à l’étape i), réaliser une reprise d’épitaxie pour former des LED ré-épitaxiées comprenant des couches des couches n-InGaN et une couche d’InGaN dopée p, puis former une électrode de contact (l’électrode de contact étant une électrode dite supérieure avant report et cette même électrode étant dite inférieure après report), une couche de passivation pouvant être positionnée entre l’électrode de contact (anode) et la couche d’InGaN dopée p, la couche de passivation recouvrant localement la couche d’InGaN dopée p, par exemple au niveau des flancs de la couche de la couche d’InGaN dopée p,
f) reporter la structure sur un substrat, par exemple par collage métal-métal,
g) retirer la couche support, le cas échéant la couche tampon en (Al,Ga)N, la première couche de GaN non dopée et une partie ou la totalité de la deuxième couche de GaN dopée (il est possible d’arrêter la gravure dans cette couche pour que la partie restante fasse partie de la mésa),
h) réaliser une reprise de contact sur la zone non porosifiée ou au moins sur une des zones non porosifiées de la couche de (Al,In,Ga)N porosifiée
Un tel procédé est particulièrement avantageux car il est possible de :
- générer des mésas avec des relaxations différentes pour permettre la coépitaxie en préservant la conduction
- utiliser l’implantation ionique à l’échelle mésa ou intra mésa pour faire varier la relaxation (canal monolithique)
- utiliser l’implantation ionique à l’échelle mésa ou intra mésa pour faire varier la relaxation (canal cœur-coquille)
- choisir la zone implantée pour avoir une uniformité de relaxation et/ou une optimisation pour la circulation de l’électrolyte
- diminuer la conductivité sur toute la surface du canal par implantation à partir de n++ (et éventuellement de réaliser un recuit de guérison)
- moduler les conditions d’implantation pour diminuer à souhait la conductivité du canal ou de la coquille.
La configuration définie à l’aide des commutateurs INT1, INT2, INT3 est choisie en fonction du mode de fonctionnement actif du microcontrôleur MCU.
En particulier, l’unité de contrôle UC est configurée pour recevoir le mode de fonctionnement actif OPM du microcontrôleur MCU et pour générer une première commande CMD pour commander les commutateurs INT1, INT2, INT3 et une deuxième commande RV pour adapter la valeur résistive des résistances R1 et R2.
En particulier, un processeur du microcontrôleur peut être configuré pour générer un signal indiquant le mode de fonctionnement actif OPM sur demande de l’utilisateur du microcontrôleur et pour transmettre ce signal à l’unité de contrôle UC.
Afin d’améliorer cette précision dans le mode de fonctionnement normal, l’unité de contrôle UC est configurée pour commander les commutateurs INT1, INT2, INT3 de façon à augmenter le nombre M de branches de recopie de courant connectées au transistor Q2 pour injecter plus de courant au travers du transistor Q2 pour réduire l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP sur la tension de référence VREF. Par exemple, l’unité de contrôle UC peut être configurée pour fermer les commutateurs INT1, INT2 et INT3 afin d’utiliser l’ensemble des branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 pour injecter du courant au travers du transistor Q2. L’unité de contrôle UC adapte alors la valeur résistive des résistances R1 et R2 en fonction du nombre M de branches de recopie de courant utilisées pour injecter plus de courant au travers du transistor Q2 de façon à maintenir la tension de référence VREF indépendante de la température.
Afin de réduire la consommation du circuit générateur de tension de référence dans le mode de basse consommation, l’unité de contrôle UC est configurée pour commander les commutateurs INT1, INT2, INT3 pour réduire le courant injecté au travers du transistor Q2 en déconnectant au moins une partie des branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3. Par exemple, l’unité de contrôle UC peut être configurée pour ouvrir l’ensemble des commutateurs INT1, INT2 et INT3 afin de déconnecter l’ensemble des branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 pour réduire le courant injecté au travers du transistor bipolaire Q2. L’unité de contrôle UC adapte alors la valeur résistive RV des résistances R1 et R2 pour maintenir la tension de référence VREF indépendante de la température.
Les valeurs résistives des résistances R1 et R2 adaptées pour les différentes configurations pouvant être définies à l’aide des commutateurs INT1, INT2 et INT3 sont déterminées par simulation par exemple. En particulier, plus le nombre M de branches de recopie de courant utilisées pour injecter du courant dans le transistor bipolaire Q2 est grand, plus il convient de réduire la valeur du rapport .
Le circuit générateur de tension de référence BDGP est donc configuré pour réduire l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP pour améliorer la précision de la tension de référence. Il est donc possible d’utiliser un amplificateur opérationnel AOP de taille réduite et présentant une plus grande tension de décalage Vos. De la sorte, il est possible de réduire la taille du circuit générateur de tension de référence. Un tel circuit générateur de tension de référence occupe alors moins d’espace dans le microcontrôleur.
Un tel circuit générateur de tension de référence BDGP permet également d’adapter sa consommation électrique en fonction du mode de fonctionnement du microcontrôleur.
En outre, un tel circuit générateur de tension de référence BDGP présente l’avantage de présenter une structure simple.