INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le faisceau objet est généré par un système optique de mise en forme objet 44 couplé à une optique de focalisation convergente 45. Cela permet de régler un angle d’incidence γ i et un angle de divergence β i du faisceau objet. L’enregistrement d’un hologramme, dans une zone élémentaire 14 i , est effectué en exposant simultanément ladite zone élémentaire au faisceau objet et au faisceau de référence. Les différents hologrammes, au niveau de chaque zone élémentaire, sont réalisés en déplaçant le film holographique 14 et en modifiant éventuellement les caractéristiques du faisceau objet, en particulier l’angle d’incidence γ i et l’angle de divergence β i . Ainsi, à chaque zone élémentaire 14 i est assigné un angle d’incidence γ i et un angle de divergence β i , qui correspondent aux angles d’incidence et de divergence du faisceau objet lors de l’enregistrement de l’hologramme.
Les figures 5A à 5D schématisent différentes couches précédemment évoquées. Sur la , on a représenté une couche structurée, définissant les guides de lumière 11, formée sur un substrat en verre 15. La montre une couche d’extraction, formée par les réseaux de diffraction 12, 16 précédemment décrits. La montre une couche holographique, comportant les zones élémentaires holographiques 14 i ainsi que l’absorbeur 17.
L’épaisseur de la couche de silicium poreux 42 est de préférence comprise entre 5 µm et 50 µm. L'épaisseur de la couche de silicium poreux 42, conjuguée à sa morphologie (diamètre des pores, taux de porosité), définit la tenue mécanique de la couche de silicium poreux 42.
En référence aux figures 3A, 4A, 5A, 6A, 7A, 8A et 9A, l’étape S1 de fourniture du substrat support 40 peut comprendre une sous-étape de porosification d’une portion superficielle d’un premier substrat en silicium. Par portion (ou couche) superficielle, on entend une portion (couche) qui s’étend depuis une face (principale) du premier substrat. La portion porosifiée du premier substrat constitue la couche de silicium poreux 42, tandis que la portion restante du premier substrat, non porosifiée, constitue la couche de support 41.
La sous-étape de porosification est généralement accomplie par voie électrochimique ou photoélectrochimique. Elle est basée sur un phénomène de dissolution anodique en milieu acide, à partir du silicium du premier substrat. Par exemple, le premier substrat est immergé dans une solution à base d'acide fluorhydrique (HF). Le premier substrat est en contact avec une anode et une cathode est placée en vis-à-vis de la face à porosifier du premier substrat.
Il existe différentes configurations d’équipement de porosification. Les configurations les plus courantes sont appelées « simple cellule » et « double cellule ». Dans le premier cas, seule une face du premier substrat est en contact avec le milieu acide. Dans le second, les deux faces du premier substrat sont en contact avec le milieu acide, ce milieu acide comprenant soit la même solution pour les deux faces, soit deux solutions différentes.
Dans une variante de mise en œuvre, seule la portion superficielle (à porosifier) du premier substrat est en silicium. La portion restante du premier substrat, destinée à former la couche de support 41, peut être constituée d’un autre matériau (semi-conducteur ou non).
Après la sous-étape de porosification, l’étape S1 de fourniture du substrat support 40 comprend avantageusement une sous-étape de recuit de la couche de silicium poreux 42 sous une atmosphère oxydante à une température comprise entre 300 °C et 400 °C, de manière à stabiliser la couche de silicium poreux 42. Préférentiellement, la durée du recuit sous atmosphère oxydante est comprise entre 5 min et 200 min.
Ce recuit permet de remplacer majoritairement des liaisons pendantes de type Si-Hx, en particulier présentes sur les parois internes des pores, par des liaisons Si-O-Si beaucoup plus stables.
Avantageusement, le recuit sous atmosphère oxydante est suivi d’un recuit sous atmosphère neutre, par exemple sous azote, à une température comprise entre 400 °C et 450 °C, par exemple à 420 °C. Le recuit sous atmosphère neutre a typiquement une durée comprise entre 2 et 16 heures, par exemple 10 heures.
Le recuit sous atmosphère neutre évite notamment un dégazage au cours de traitements thermiques appliqués ultérieurement à la structure multicouche 30, ce dégazage étant susceptible de dégrader la qualité de ladite structure. De plus, le recuit sous atmosphère neutre tend à stabiliser la courbure du substrat support 40 muni de la couche de silicium poreux 42, limitant le phénomène de courbure de la structure multicouche 30 après ces traitements thermiques.
Enfin, l’étape S1 de fourniture du substrat support 40 peut comprendre une sous-étape de formation d'une couche diélectrique 43 sur la couche de silicium poreux 42. La couche diélectrique 43 est une couche électriquement isolante. Elle peut être constituée d’un nitrure, par exemple le nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), ou d’un oxyde tel que le dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou l’oxyde d’aluminium (Al 2 O 3 ). Son épaisseur peut être comprise entre 200 nm et 2 µm.
La couche diélectrique 43 peut être formée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou encore dépôt chimique en phase vapeur par plasma haute densité (HDP-CVD).
Toujours en référence aux figures 3A, 4A, 5A, 6A, 7A, 8A et 9A, au moins une partie dite « active » de la couche superficielle 51 du substrat donneur 50 est formée d’un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les matériaux piézoélectriques (par exemple LiNbO 3 , LiTaO 3 ...) et les alliages binaires, ternaires ou quaternaires de matériaux semi-conducteurs de type IV-IV (ex. SiGe), III-V ou II-VI. La couche superficielle 51 est destinée à être transférée sur le substrat support 40 et sa partie active est destinée à recevoir des composants actifs, tels que des transistors, lors de la fabrication de composants microélectroniques à partir de la structure multicouche 30. L’épaisseur de la partie active est de préférence comprise entre 50 nm et 1,5 µm.
La couche superficielle 51 peut être formée par un film mince (50 nm - 1,5 µm) de matériau piézoélectrique ou de matériau semi-conducteur (silicium, germanium, carbure de silicium, alliages de type IV-IV, III-V ou II-VI…), intrinsèque ou dopé (cf. Figs. 3A, 4A, 5A, 6A et 9A). Elle est alors entièrement destinée à recevoir les composants actifs. On parle aussi dans ce cas de couche active.
Alternativement, la couche superficielle 51 peut être formée d’un empilement de plusieurs sous-couches (cf. Figs.7A et 8A), par exemple un empilement comprenant une sous-couche active 511 en matériau piézoélectrique ou semi-conducteur (dont l’épaisseur peut être comprise entre 50 nm et 1,5 µm) et une sous-couche diélectrique 512 disposée sur la sous-couche active 511 (et dont l’épaisseur peut être comprise entre 50 nm et 500 nm).
L’étape S2 de fourniture du substrat donneur 50 comprend de préférence une sous-étape de formation du plan fragile enterré 50B dans un deuxième substrat. De préférence, le deuxième substrat est constitué d’un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les matériaux piézoélectriques (par exemple LiNbO 3 , LiTaO 3 ...) et les alliages binaires, ternaires ou quaternaires de matériaux semi-conducteurs de type IV-IV (ex. SiGe), III-V ou II-VI.
Le plan fragile enterré 50B est avantageusement formé par implantation d’ions légers à travers une première face du deuxième substrat. Les ions sont implantés dans le deuxième substrat à une profondeur d’implantation donnée, mesurée depuis la première face du deuxième substrat. La profondeur d’implantation peut être comprise entre 50 nm et 1,5 µm, par exemple 400 nm. Les ions légers désignent ici les ions des espèces chimiques ayant un numéro atomique inférieur ou égal à 5. Les ions légers sont de préférence des ions hydrogène ou hélium, car ces ions sont favorables à la formation de microcavités autour de la profondeur d'implantation, donnant naissance au plan fragile enterré 50B, comme décrit dans le procédé de fabrication des substrats SOI connu sous le nom de Smart Cut™ (marque enregistrée).
Les étapes 101 à 105 du procédé, ou au moins une ou certaines d’entre elles, sont par exemple mises en œuvre par l’exécution d’instructions logicielles sur un processeur. Alternativement, elles sont mises en œuvre par un hardware dédié, typiquement un circuit intégré numérique, soit spécifique (ASIC) ou basé sur une logique programmable (par exemple FPGA/Field Programmable Gate Array)
Procédé de communication et système OMAMRC avec une sélection lors de retransmissions tenant compte du débit des sources et d’un unique échange de CSI Domaine de l’invention La présente invention se rapporte au domaine des communications numériques. Au sein de ce domaine, l'invention se rapporte plus particulièrement à la transmission de données codées au sein d’un système de télécommunication définit par au moins deux sources et une destination avec relayage par au moins un nœud pouvant être une des sources ou un relais dans le cas où un ou plusieurs relais complètent le système.
Art antérieur Le système de télécommunication OMAMRC considéré illustré par la figure 1 a nœuds et une destination avec une mise en œuvre d’un schéma d’accès multiple orthogonal en temps du canal de transmission qui s’applique entre les nœuds. Les nœuds comprennent sources et relais. Le nombre maximum d’intervalles de temps par trame transmise est de avec M intervalles alloués pendant une première phase à la transmission successive des M sources et intervalles pour une ou plusieurs transmissions coopératives alloués pendant une deuxième phase à un ou plusieurs nœuds sélectionnés par la destination selon une stratégie de sélection.
Où est un premier facteur de pondération et est un deuxième facteur de pondération. Dans cet exemple, 0≤k≤1. est un réel positif, correspondant à une distance de déplacement préalablement déterminée. Choisir = 1 revient à ne pas prendre en compte la position estimée de la cible, ce qui revient à un déplacement selon l’art antérieur. Choisir = 0 revient à ne prendre en compte que l’estimation de la cible dans la commande du déplacement.
Le premier facteur de pondération et le deuxième facteur de pondération permettent de doser les contributions : du déplacement prédit par le modèle prédictif de l’interface ; du déplacement vers la position estimée de la cible.
L’influence de ces facteurs de pondération est discutée en lien avec les figures 7A à 7D.
Le déplacement correspond à un déplacement corrigé, prenant en compte à la fois le déplacement prédit par le modèle prédictif, et le déplacement vers la position estimée de la cible. Il s’agit d’un aspect clef de l’invention.
Ainsi, le déplacement de l’effecteur est en partie défini par le modèle prédictif, comme dans l’art antérieur, et en partie défini en fonction de la position estimée de la cible . La prise en compte de la position estimée de la cible, dans la détermination du déplacement de l’effecteur, est un aspect important de l’invention.
Selon une variante, la densité de probabilité de cible est telle que :
où est un réel positif, correspondant à un facteur d’oubli. permet de doser la prise en compte des instants antérieurs par rapport à l’instant courant s. est généralement compris entre 0 et 1. permet de moduler l’impact des instants anciens dans la prise de décision.
Selon cette variante, la densité de probabilité de cible est établie à partir d’une combinaison linéaire : d’une première densité de probabilité conditionnelle , pondérée par le facteur d’oubli , et conditionnée par les positions de l’effecteur en des instants précédent l’instant de mesure , ainsi que par des déplacements prédits par le modèle prédictif en des instants précédent l’instant de mesure. d’une deuxième densité de probabilité conditionnelle , conditionnée par la position de l’effecteur à l’instant de mesure et le déplacement prédit par le modèle prédictif à l’instant de mesure.
Selon une autre variante, l’estimation de la position de la cible, à chaque instant de mesure, est effectuée selon l’expression :
Où et sont des scalaires positifs, qui correspondent à des facteurs de régularisation.
Il s’agit ici de maximiser une grandeur établie à partir de la densité de probabilité de cible, diminuée : d’une première distance, entre la position de la cible et chaque point de l’espace, ladite première distance étant pondérée par un premier facteur de régularisation . Cela permet d’éviter que deux positions successives estimées de la cible soient trop éloignées l’une de l’autre ; et/ou d’une deuxième distance entre la position de l’effecteur à l’instant de mesure et chaque point de l’espace, ladite deuxième distance étant pondérée par un deuxième facteur de régularisation . Cela permet d’éviter que la position estimée de la cible soit trop éloignée de la position de l’effecteur à l’instant de mesure. Cela permet de contenir la position de la cible dans un certain espace de travail, autour de la position courante.
L’expression (9) peut être mise en œuvre sans prendre en compte la première distance ( ) ou sans prendre en compte la deuxième distance ( ).
La schématise les principales étapes d’un procédé mis en œuvre par une interface neuronale directe selon l’invention.
Etape 100 : prise en compte de signaux électrophysiologiques, émis par l’utilisateur et détectés par les capteurs 2 à un instant s ;
Ce deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation essentiellement dans la conception des moyens de détection capacitive 15’. Le dispositif de transmission 14’ est notamment identique à celui de la (bras de transmission 141 et poutre transversale 144) et les articulations pivot 16 sont construites de la façon décrite en relation avec les figures 4A-4C (éléments d’isolation étanche et lames de torsion 162).
La structure de rigidification 152b de l’électrode mobile 152 comprend toujours des premières poutres 1521, mais en nombre supérieur au nombre d’articulations pivot 16 servant à l’ancrage de l’électrode mobile 152. Ainsi, des premières poutres 1521 ne sont pas fusionnées avec le dispositif de transmission 14’. Elles s’étendent sur les bords longitudinaux (dans le sens de la longueur, soit selon la première direction X) de l’électrode mobile 152 ou entre deux articulations pivot 16 successives.
Les deuxième poutres 1522 ne connectent plus les première poutres 1521 à leurs extrémités, mais plus près des articulations pivot 16, par exemple à mi-distance entre l’axe de rotation (passant par les lames de torsion 162) et le bord transversal de l’électrode mobile 152.
En plus d’augmenter la largeur des premières poutres 1521 au niveau des articulations pivot 16 (cf. ), ou alternativement, des poutres obliques 1533 sont ajoutées aux premières poutres 1521 fusionnées avec le dispositif de transmission 14’ pour dessiner des croisillons, ce qui augmente encore la rigidité de la structure de rigidification 152b au niveau des articulations pivot 16 (là où elle est le plus sollicitée).
L’espace 17 entre deux articulations 16 successives est occupé par une ou plusieurs premières poutres 1521 (non fusionnées avec le dispositif de transmission 14’), ce qui oblige à modifier la façon dont sont connectées les portions supérieure et inférieure des contre-électrodes 153-154.
En référence à la , les différents blocs de la portion supérieure 153a de la première contre-électrode 153 sont reliés électriquement entre eux par une première piste conductrice 153c’ qui s’étend à la périphérie de l’électrode mobile 152. Cette première piste conductrice 153c’, dite extérieure, contourne l’électrode mobile 152 jusqu’au premier via conducteur 153d pour se connecter à la portion inférieure de la première contre-électrode 153, située de l’autre côté des articulations pivot 16. De la même façon, les différents blocs de la portion supérieure 154a de la deuxième contre-électrode 154 sont reliés électriquement entre eux par une deuxième piste conductrice 154c’ qui s’étend à la périphérie de l’électrode mobile 152 jusqu’au deuxième via conducteur 154b.
D’une manière commune aux deux modes de réalisation (cf. Figs. 3 et 6), le système électromécanique 2 peut comprendre des moyens 18 pour stopper l’effondrement de la membrane 152a de l’électrode mobile 152, avant qu’elle ne se colle à l’une des contre-électrodes, lorsque la tension de polarisation de l’électrode mobile 152 est telle que la force électrostatique devient supérieure à la force élastique (autrement dit, en cas de « pull-in »). Ces moyens 18 sont situés à une extrémité ou aux extrémités d’une ou plusieurs premières poutres 1521, de préférence de toutes les premières poutres 1521, et comprennent par exemple des butées. Ils visent essentiellement à empêcher une dégradation de l’électrode mobile 152 due à un cas de court-circuit avec une contre électrode.
La représente un exemple de réalisation des moyens 18 pour empêcher l’effondrement de l’électrode mobile 152. La structure de rigidification 152b de l’électrode mobile 152 comprend à l’extrémité de la première poutre 1521 deux doigts 181 et une membrane 182 reliant les deux doigts 181 à l’une de leurs extrémités. Le bâti 10 comprend deux cavités 183, délimitées latéralement par deux doigts extérieurs 184a et un doigt intérieur 184b (disposé entre les doigts extérieurs 184a), et deux membranes 185 formant le fond des cavités 183. Les doigts 181 de la structure de rigidification 152b sont disposés à l’intérieur des cavités 183 du bâti 10.
Selon le sens du déplacement (rotation) de l’électrode mobile 152, soit les doigts 181 de la structure de rigidification 152b viennent en butée contre les membranes 185 du bâti 10, soit la membrane 182 de la structure de rigidification 152b vient en butée contre le doigt intérieur 184b du bâti 10.
Le substrat sert notamment à réaliser, par gravure, les premiers éléments du dispositif de transmission 14’ (bras de transmission 141 et poutre transversale 144), les portions inférieures 153b-154b des contre-électrodes 153-154 et une partie du bâti 10. Le substrat peut être en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium.
La première couche structurelle sert notamment à réaliser la membrane 131 du piston 13, la membrane 152a de l’électrode mobile 152, les éléments d’isolation étanches 161 (membranes d’étanchéité) et les membranes 182 et 185 des moyens 18 pour empêcher l’effondrement de l’électrode mobile 152. Elle présente une épaisseur inférieure à celle du substrat, de préférence comprise entre 100 nm et 10 µm, par exemple égale à 1 µm. Elle est de préférence constituée du même matériau que le substrat, par exemple le silicium.
La première couche sacrificielle a vocation à disparaître en partie lors de la fabrication du système électromécanique 2 pour libérer la membrane 131 du piston 13, la membrane 152a de l’électrode mobile 152 et les éléments d’isolation étanches 161. Son épaisseur définit notamment la distance entre la membrane 152a de l’électrode mobile 152 et les portions inférieures 153b-154b des contre-électrodes 153-154 (entrefer inférieur). Cette couche sert également de couche d’arrêt lors de la gravure du substrat, de la membrane 152a, et de la deuxième couche structurelle (couche dite « MEMS » décrite ultérieurement. Les parties restantes de la première couche sacrificielle forment les joints annulaires 103, 105 et les piliers 104 inférieurs. La première couche sacrificielle peut être constituée d’un matériau diélectrique, de préférence un nitrure de silicium ou un oxyde de silicium, par exemple le dioxyde de silicium (SiO 2 ). Son épaisseur est par exemple comprise entre 100 nm et 10 µm.
La deuxième couche structurelle est gravée pour délimiter la structure de rigidification 132 du piston 13, la structure de rigidification 152b de l’électrode mobile 152, les lames de torsion 162, les portions supérieures 153a-153b des contre-électrodes 153-154, les premières portions 101 et la deuxième portion annulaire 102 du bâti 10. Elle est avantageusement formée du même matériau que la première couche structurelle, par exemple de silicium. L’épaisseur de la deuxième couche structurelle est de préférence comprise entre 5 µm et 50 µm, par exemple égale à 20 µm.
La structure de rigidification 152b de l’électrode mobile 152 est fusionnée au dispositif de transmission 14’, en faisant croître la deuxième couche structurelle directement depuis le substrat, à l’emplacement des articulations pivot 16 (les première et deuxième couche sacrificielles ayant été ouvertes au préalable). Les deuxièmes éléments 145 du dispositif de transmission 14’ sont formés au cours de cette croissance par épitaxie.
Les portions inférieures 153b-154b des contre-électrodes 153-154 peuvent s’étendre sous les première poutres 1521 de la structure de rigidification 152b, de chaque côté des articulations pivot 16. En revanche, les portions supérieures 153a-154a des contre-électrodes 153-154 sont de préférence divisées chacune en plusieurs blocs (ou sous-portions) séparées par les première poutres 1521, comme cela est illustré par la . Les portions supérieures 153a-154a des contre-électrodes 153-154 étant inscrites dans la structure de rigidification 152b de l’électrode mobile 152, leur surface en regard de la membrane 152a est inférieure à celle des portions inférieures 153b-154b.
Les premier et deuxième connecteurs 153c-154c s’étendent avantageusement dans l’espace 17 situé entre deux articulations pivot 16. Ainsi, la connexion électrique des portions supérieure et inférieur d’une même contre-électrode est simplifiée et n’augmente pas l’encombrement des moyens de détection capacitive 15’.
Alternativement, les différents blocs d’une portion supérieure de contre-électrode peuvent être reliés directement entre eux, par exemple à la périphérie de l’électrode mobile 152.
En référence aux figures 4A et 4B, les portions inférieures 153b-154b des contre-électrodes 153-154 sont de préférence solidarisées à une portion annulaire 102 du bâti 10, située à la périphérie de l’électrode mobile 152, au moyen de joints annulaires 103, 105 en un matériau électriquement isolant (un joint annulaire par portion inférieure 153b, 154b). Ces joints annulaires 103, 105, par exemple en oxyde de silicium, assurent en outre l’étanchéité entre la première zone 11 et la deuxième zone 12.
En outre, chacun des blocs des portions supérieures 153a, 154a des contre-électrodes 153-154 peut être solidarisé à la portion inférieure 154b, 153b sous-jacente, grâce à (au moins) deux piliers 104 électriquement isolant, de préférence formés du même matériau que celui des joints annulaires 103, 105. Les piliers 104 peuvent être séparés deux à deux par une couche résiduelle 104’ formée du même matériau que celui de la membrane 152a de l’électrode mobile 152, par exemple du silicium. L’épaisseur des piliers 104 est alors égal à l’entrefer supérieur et à l’entrefer inférieur. Dans le cas contraire, il n’y a qu’un seul pilier « double », dont l’épaisseur est égale à la somme de l’entrefer supérieur, l’entrefer inférieur et l’épaisseur de la membrane 152a. Le(s) pilier(s) 104 et la couche résiduelle 104’ permettent de réduire les capacités parasites entre les portions supérieures 153a, 154a et les portions inférieures 153b-154b des contre-électrodes.
De façon alternative, les moyens de détection capacitive 15’ peuvent comprendre qu’une seule contre-électrode (inférieure ou supérieure), deux contre-électrodes supérieure et inférieure mais situées d’un seul côté des articulations pivot 16 (détection pseudo-différentielle) ou encore deux contre-électrodes inférieures ou supérieures disposées de part et d’autre des articulations pivot 16 (détection différentielle).
Comme indiqué précédemment, l’étanchéité entre les première et deuxième zones 11-12 du système électromécanique 2 peut être réalisée au niveau des articulations pivot 16. Comme illustré sur les figures 4A et 4C, chaque articulation pivot 16 comprend un élément d’isolation étanche 161, apte à se déformer élastiquement sous l’effet du déplacement en rotation du dispositif de transmission 14’. L’élément d’isolation étanche 161 se présente de préférence sous la forme d’une membrane d’étanchéité.