INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme indiqué précédemment, on remarque que le premier contact entre la carte 2 magnétique et la lame d’appui 11 se fait avec un angle α qui est suffisamment faible pour faciliter le déplacement de la lame d’appui 11 et éviter à l’utilisateur de ressentir un blocage lors du coulissement. La lame d’appui 11 est ainsi configurée pour que l’effort de contre-appui appliqué sur la carte 2 magnétique soit assez élevé pour déformer suffisamment la carte 2 magnétique de manière à établir un contact satisfaisant avec la tête 6 de lecture magnétique et assez bas pour éviter de créer pour l’utilisateur une sensation de butée ou de discontinuité dans le mouvement de coulissement de la carte 2 magnétique. Une telle discontinuité dans le mouvement de coulissement, au-delà d’être préjudiciable à l’expérience de l’utilisateur, nuirait également à la qualité de la lecture de la carte 2 magnétique.
Tout au long du coulissement de la carte 2 magnétique, la lame d’appui 11 presse successivement une partie des pistes 9 magnétiques en regard des entrefers de la tête 6 de lecture magnétique de sorte qu’à la fin du coulissement, les trois pistes 9 magnétiques ont chacune été lue sur toute leur longueur. Une fois que la lame d’appui 11 n’est plus déplacée par la carte 2 magnétique, elle est rappelée élastiquement en position de repos, prête à presser une autre carte 2 magnétique contre la tête 6 de lecture magnétique. Les données qui ont été lues par la tête 6 de lecture magnétique sont transmises directement à la carte 5 électronique qui pourra les traiter de manière connue.
Si une tentative d’introduction frauduleuse d’une tête de lecture magnétique dans la zone 7 de passage a lieu, par exemple en tentant d’introduire une tête de lecture dans la zone 7 de passage par le dessous par référence aux figures 1 à 4, on remarque que l’accès à la zone 7 de passage est bloqué par le support des moyens 23 de détection d’infraction. Ainsi, pour pouvoir introduire frauduleusement une tête de lecture magnétique, il est nécessaire d’endommager ou de retirer ces moyens 23 de détection d’infraction, déclenchant ainsi l’alarme. En outre, même si, pour une raison quelconque, l’alarme n’était pas déclenchée, l’écartement H est suffisamment petit pour empêcher l’introduction d’une deuxième tête de lecture dans la zone 7 de passage de sorte que l’introduction frauduleuse n’est pas possible.
Liste de références 1 : lecteur de carte magnétique 2 : carte magnétique 3 : terminal de paiement électronique 4 : lecteur de carte à puce 5 : carte électronique 6 : tête de lecture magnétique 7 : zone de passage d’une carte magnétique 8 : moyens de guidage d’une carte magnétique 9 : piste magnétique 10 : moyens élastiques de déformation 11 : lame d’appui 12 : première extrémité longitudinale de la lame d’appui 13 : deuxième extrémité longitudinale de la lame d’appui 14 : partie de liaison entre les extrémités longitudinales de la lame d’appui 15 : organe de guidage de la carte magnétique 16 : enfoncement 17 : vis de fixation 18 : moyens de guidage en translation de la lame d’appui 19 : évidement de guidage de la lame d’appui 20 : vis de guidage 21 : entretoise 22 : rabat latéral 23 : moyens de détection d’effraction α : angle entre le plan de la carte magnétique et la tangente au point de contact avec la lame d’appui t : tangente au point de contact entre la lame d’appui et la carte magnétique A : axe longitudinal de la lame d’appui F : direction d’introduction non souhaitée L : direction d’introduction H : écartement entre les moyens de détection d’effraction et la tête de lecture
Procédé de modification du microbiome intestinal DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui de la métagénomique.
La présente invention concerne un procédé de modification d’un microbiome intestinal d’un individu et en particulier un procédé personnalisé de modification d’un microbiome intestinal d’un individu.
De façon optionnelle également, la couche cap a une épaisseur inférieure à 5 nm, par exemple comprise entre 1 et 3 nm. Les inventeurs ont constaté qu’une telle épaisseur est suffisante pour stabiliser mécaniquement la couche en AlN monocristallin compte-tenu que l’oxydation permet d’oxyder complètement la couche intermédiaire.
De façon optionnelle également, la couche de barrière a une épaisseur comprise entre 1 et 3 nm.
En effet, plus la couche de barrière présente une épaisseur élevée, plus la densité d’électrons dans le gaz d’électrons à deux dimensions est élevée. Cependant, plus l’épaisseur est élevée, plus la stabilité de l’épaisseur de la couche de barrière diminue, jusqu’à un seuil critique de 5 nm, où il peut se produire des effets de délamination et l’apparition de défauts. Ainsi, une épaisseur comprise entre 1 et 3 nm constitue un compromis satisfaisant entre densité d’électrons et stabilité mécanique.
De façon optionnelle, l’empilement épitaxial comprend en outre une couche de canal en GaN, la couche de barrière s’étendant directement sur la couche de canal.
De façon optionnelle également, l’empilement épitaxial comprend en outre : une couche de substrat, de préférence constituée d’un des éléments suivants : Si, SiC, Sapphire, GaN et substrats composites, tel que SicOI; une couche de nucléation s’étendant directement sur la couche de substrat, la couche de nucléation étant constituée de préférence de AlGaN ; une couche de tampon s’étendant directement sur la couche de nucléation, la couche de tampon étant constituée de préférence de GaN et d’un élément sélectionné parmi : Fe, C et AlGaN, la couche de canal s’étendant sur la couche de tampon, soit directement, soit indirectement avec au moins une couche intercalaire.
Il est également proposé un transistor, par exemple un transistor MOSHEMT, comprenant un empilement épitaxial selon l’invention, ainsi qu’une grille, une source et un drain connectés à l’empilement épitaxial.
De façon optionnelle également, la couche cap s’étend entre la source et le drain, et la grille est fixée directement sur la couche cap en AlO polycristallin et/ou amorphe.
De façon optionnelle également, le transistor présente, sous la couche de barrière, un gaz d’électrons à deux dimensions avec une densité d’électrons telle que le transistor présente une fréquence de coupure supérieure à 200 GHz.
Il est également proposé un convertisseur de puissance électrique comprenant au moins un transistor selon l’invention.
Il est également proposé un dispositif d’entraînement électrique comportant : un convertisseur de puissance électrique selon l’invention, par exemple de type AC-DC; et une machine électrique connectée au convertisseur de puissance électrique.
Il est également proposé un engin de mobilité comprenant un convertisseur de puissance électrique selon l’invention ou un dispositif d’entraînement électrique selon l’invention.
Un engin de mobilité est par exemple un véhicule terrestre à moteur, un train, un robot, un aéronef ou bien un drone. Un véhicule terrestre à moteur est, par exemple, un véhicule automobile, une moto, un vélo motorisé ou bien un fauteuil roulant motorisé.
De façon optionnelle également, l’engin de mobilité comporte une batterie connectée au convertisseur de puissance électrique et un ou des roues motrices couplées à la machine électrique.
Il est également proposé un amplificateur de puissance hyperfréquence comportant au moins un transistor selon l’invention.
Il est également proposé un système de communication sans fil comportant un amplificateur selon l’invention.
Il est également proposé un système radar comportant un amplificateur selon l’invention.
Ainsi une amélioration de la robustesse, directement liée à l’état de contrainte de la barrière et à la densité de défauts émergents, est obtenue.
Le matériau 2D doit être de type isolant, comme le matériau SC2 de la barrière (semiconducteur dit grand gap, pas de dopage, pas ou très peu de porteurs) afin de maintenir le confinement des électrons dans le canal situé dans la couche tampon.
Selon un mode de réalisation préféré le premier matériau semi-conducteur SC1 de la couche tampon est le nitrure de gallium GaN. Selon un autre mode de réalisation le matériau SC1 est en AlGaN ou en AlN.
Selon un mode de réalisation le deuxième matériau semi-conducteur SC2 de la couche barrière comprend de l’aluminium et est choisi parmi : AlN; InAlN; AlGaN, ScAlN, InAlGaN. Ces matériaux sont classiques pour la technologie HEMT à base de nitrure.
Selon un mode de réalisation le deuxième matériau semiconducteur SC2 comprend du bore, tel que : BN, BGaN, BAlN, BInN, BGaAlN, BGaAlInN….
L’utilisation du Bore n’est pas possible dans la technologie HEMT à base de nitrure classique car le BN présente un désaccord de maille avec le matériau de la couche tampon GaN ou la AlGaN trop important. Cette contrainte étant levée grâce à la présence de la couche L2D, l’utilisation du Bore devient possible dans un transistor HEMT selon l’invention.
La présence de la couche 2D ne doit pas modifier la localisation du canal dans la couche tampon.
Selon un mode de réalisation préféré la couche 2D isolante présente une troisième bande interdite G3 supérieure ou égale à 4 eV. A titre illustratif une barrière en AlN présente une bande interdite égale à 6 eV à température ambiante
Selon un mode de réalisation le matériau 2D est le h-BN, qui présente une bande interdite G3 d’environ 6 eV.
La illustre un exemple des bandes de valence BV et de conduction BC d’une structure HEMT selon l’invention BUF/L2D/Bar pour les matériaux GaN / h-BN / AlN (énergie E en eV). On est ici dans le cas d’une croissance selon [0001] avec G2>G1.
Préférentiellement la couche de matériau 2D présente un nombre limité de monocouches L afin que la transconductance gm, qui est inversement proportionnelle à l’épaisseur de la barrière, reste suffisamment élevée. Typiquement la couche L2D présente 1 à 10 monocouches. Pour un fonctionnement haute fréquence du HEMT (20-40 GHz) on limite le nombre de couches à moins de 5, préférentiellement 1 à 3.
Les inventeurs ont montré par simulation que la couche de matériau 2D ne dégradait pas les performances électriques du transistor « équivalent » sans couche 2D. Ce résultat n’est pas évident compte tenu de la difficulté de design de composants présentant de bonnes performances en gain tout en fonctionnant à haute fréquence (10- 90 GHz). Il convient cependant de bien choisir le matériau de la couche barrière par simulation pour obtenir les performances souhaitées. En d’autres termes à partir d’une structure HEMT classique présentant de bonnes performances utilisées comme performances de référence, la structure du transistor HEMT selon l’invention présentera éventuellement un matériau de la barrière différent de celui du HEMT classique pour l’obtention de performances comparables aux performances de référence.
Dans les composants classiques à base de III-N pour lesquels la croissance s’effectue selon l’axe cristallographique [0001] le choix des matériaux de la barrière et de la couche tampon est fait de manière à ce que l’alignement des bandes de conduction et la densité surfacique de charge électrique fixe σ0 induite par les effets piézoélectriques, à l’interface couche barrière Bar0 /couche tampon BUF0, permettent la formation d’un canal bidimensionnel d’électrons localisé dans la couche tampon. Pour cela la charge fixe doit être positive et l’affinité électronique de la barrière Bar0, noté χ 02 doit être plus petite que celle de la couche tampon BUF0, notée χ 01 :
χ 02 01 (1)
Cette condition garantit que le canal est bien localisé dans la couche tampon et non dans la barrière.
Par exemple χ 01 χ GaN = 4eV , χ 02 χ AlN = 2eV et χ 02 -χ 01 = χ AlN -χ GaN = -2eV
Avantageusement, la troisième surface de réflexion 8 et le deuxième dioptre d’entrée 5 sont situés sur une même surface de préférence plane. La troisième surface de réflexion 8 est formée par une partie du deuxième dioptre d’entrée 5.
Selon une possibilité, la première rangée de sources lumineuses 2 peut avoir comme dioptre d’entrée dans la lentille primaire une zone comprenant une partie du deuxième dioptre d’entrée 5 et une partie de la deuxième surface de réflexion 7 (pour cela, la première rangée de sources lumineuses 2 pourra être translatée selon la direction verticale). Ainsi, cette zone pourra être interceptée par des rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses 1 et de la première rangée de sources lumineuses 2. Il en résultera une combinaison avantageuse entre le faisceau issus de l’ensemble de sources lumineuses 1 et celui issu de la première rangée de sources lumineuses 2 et notamment après le dioptre de sortie de la lentille de projection 13. De manière préférée, le deuxième dioptre d’entrée 5 et la deuxième surface de réflexion 7 peuvent être joints par une arrête.
Préférentiellement, le deuxième dioptre d’entrée 5 est orienté par rapport au premier plan p1 de manière à former avec lui un angle non nul.
Dans un mode de réalisation préféré, le deuxième dioptre d’entrée 5 est orienté par rapport au premier plan p1 de manière à former avec lui un angle compris entre 0 et 10° de sorte à diminuer la valeur de l’angle formé entre la première surface de réflexion 6 et le deuxième dioptre d’entrée 5.
Préférentiellement, la première surface de réflexion 6 comprend un ensemble de sous-surfaces de réflexion 6a. Chaque source lumineuse de l’ensemble de sources lumineuses 1 est associée à une sous-surface de réflexion 6a. Chaque sous-surface de réflexion 6a a un profil concave de manière à orienter des rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses 1 vers la deuxième surface de réflexion 7 et des rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses 1 vers la troisième surface de réflexion 8. Les sous-surfaces de réflexion 6a sont positionnées l’une à côté de l’autre et en partie contenues par un plan parallèle au plan p1.
Les sous-surfaces de réflexion 6a peuvent être positionnées de manière que l’ensemble des sous-surfaces de réflexion 6a décrivent une forment globale concave dans le plan parallèle au plan p1 dans lequel elles sont en partie contenues.
Les sous-surfaces de réflexion peuvent donc être échelonnées de part et d’autre de la sous-surface de réflexion positionnée centralement. Ce positionnement est avantageusement symétrique suivant un plan vertical passant par l’axe optique de la lentille.
Avantageusement, la deuxième surface de réflexion 7 présente un profil concave dans un plan défini de manière à orienter les rayons lumineux issus de l’ensemble de sources lumineuses 1 vers le dioptre de sortie 12.
Dans un mode de réalisation avantageux, le dispositif d’éclairage comprend un deuxième plan p2. Le deuxième plan p2 est défini de manière à contenir l’axe optique 9 et être perpendiculaire à la première direction d. La deuxième surface de réflexion 7 présente un profil concave dans le deuxième plan p2 de manière à limiter les aberrations géométriques.
Préférentiellement, le dispositif d’éclairage comprend une deuxième rangée de sources lumineuses 2a et une troisième rangée de sources lumineuses 2b. La deuxième rangée de sources lumineuses 2a comprend des sources lumineuses rangées sur une ligne droite selon une deuxième direction d1. La troisième rangée de sources lumineuses 2b comprend des sources lumineuses rangées sur une ligne droite selon une troisième direction d2. La deuxième direction d1 et la troisième direction d2 sont parallèles à la première direction d. La deuxième rangée de sources lumineuses 2a est positionnée au contact de la première rangée de sources lumineuses 2 et la troisième rangée de sources lumineuses 2b est positionnée au contact de la deuxième rangée de sources lumineuses 2a. La deuxième rangée de sources lumineuses 2a et la troisième rangée de sources lumineuses 2b sont positionnées de manière que les rayons lumineux issus de ces sources lumineuses se dirigent vers le deuxième dioptre d’entrée 5.
Selon un mode de réalisation préférée, la première rangée de sources lumineuses 2, la deuxième rangée de sources lumineuses 2a et la troisième rangée de sources lumineuses 2b sont configurées pour former ou participer à former un faisceau de complément route.
De manière avantageuse, l’ensemble de sources lumineuses 1 est configuré pour former un faisceau à coupure d’un feu de croisement.
Préférentiellement, le dispositif d’éclairage comprend des collimateurs 10. Chaque collimateur 10 est associé à une source lumineuse distincte de l’ensemble de sources lumineuses 1. Chaque collimateur 10 reçoit de la lumière depuis ladite source et l’envoie de manière collimatée vers le premier dioptre d’entrée 4.
De manière préférée, les collimateurs 10 sont orientés de manière à diriger les rayons lumineux collimatés vers la première surface de réflexion 6. Plus précisément, la face de sortie des collimateurs 10 est orientée vers la deuxième surface de réflexion 7. Préférentiellement, l’axe de symétrie longitudinal des collimateurs forme avec l’axe optique 9 un angle compris entre 0° et 30°.
L’unité de traitement de données 16 est connectée de manière filaire au dispositif d’affichage 15.
En variante, l’unité de traitement de données 16 est connectée de manière non-filaire au dispositif d’affichage 15, notamment par un protocole de communication sans fil de type Bluetooth ou WIFI.
Par exemple, l’unité de traitement de données 16 fait partie d’un ordinateur de bord du véhicule.
Il est aussi possible que l’unité de traitement de données 16 est intégrée au dispositif d’affichage 15. Ainsi, par exemple, le visiocasque 15 peut inclure l’unité de de traitement de données 16 qui communique avec les capteurs 7 et 8 et réalise les calculs pour déterminer les interactions entre par exemple les mains 4 du passager et la scène de réalité immersive.
Dans l’exemple décrit, la scène de réalité immersive est une reproduction virtuelle de l’habitacle H du véhicule. Ainsi le passager 6 peut être immergé dans l’environnement du véhicule, avec dans cette scène virtuelle des objets virtuels additionnels, par exemple dédiés à un divertissement (par exemple un crayon virtuel pour dessiner) ou à une session de relaxation (par exemple un ballon virtuel que le passager peut saisir).
Les capteurs 7 et 8 installés dans l’habitacle H permettent de détecter les mouvements de l’ensemble des passagers assis dans le véhicule.
Guide de lumière flexible et transparent pour un dispositif lumineux DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des dispositifs lumineux flexibles et en particulier celui des dispositifs lumineux flexibles pour l’automobile.
Un objet de l’invention porte sur un guide de lumière pour un dispositif lumineux. Un autre objet de l’invention porte sur un dispositif lumineux comprenant un guide de lumière selon l’invention.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Un exemple de dispositif lumineux comprenant un film transparent flexible adapté pour guider la lumière est décrit dans la demande WO 2011/130715 A2.
Un dispositif lumineux 100 selon l’état de la technique est illustré sur les figures 1a à 1e. Le dispositif lumineux 100 comprend un guide de lumière 105 et plusieurs sources de lumière 104. Le guide de lumière 105 comprend une nappe de guidage de lumière flexible et transparente 110, ci-après appelée nappe de guidage, apte à recevoir des rayons lumineux par une tranche d’injection de lumière 114 et à renvoyer les rayons lumineux dans une direction x sensiblement normale à une surface de la nappe de guidage qui s’étend ainsi dans un plan y-z sur la . Les directions x, y et z sont définies en relation au repère illustré à la .
On entend par nappe de guidage 110 un élément de guidage optique pour les rayons lumineux dont l’une des dimensions est très inférieure aux deux autres dimensions dans l’espace. On considère ici une nappe de guidage dont l’épaisseur selon l’axe x est inférieure d’au moins deux ordres de grandeur à ses dimensions selon le plan y-z dans lequel la nappe de guidage 110 s’étend. Par exemple, la nappe de guidage présente une épaisseur selon l’axe x comprise entre 200 et 1000 micromètres s’étend sur plusieurs cm selon les directions y et z.
La nappe de guidage 110 peut comprendre un film flexible 111 en son cœur comprenant la tranche d’injection de lumière 114. Le film flexible comprend en outre un ensemble d’éléments d’extraction de lumière 113 aptes à renvoyer les rayons lumineux guidés dans le film flexible 111 en dehors de la nappe de guidage flexible 110, notamment dans une ou plusieurs directions sensiblement selon l’axe x. A titre d’exemple, les éléments d’extraction de lumière 113 peuvent être des microstructures 113 gravées dans le film flexible 111. Dans la suite de la description, les microstructures 113 sont cités comme un exemple des éléments d’extraction de lumière 113.
Dans un exemple de réalisation, les rayons lumineux ressortent dans la direction +x selon l’orientation illustrée à la . Par exemple, les rayons lumineux sont émis vers l’extérieur de la face avant d’un véhicule.
La nappe de guidage flexible 110 peut comprendre en outre une ou deux couches de protection 112.1 et 112.2 optionnelles, qui permettent de protéger mécaniquement le film flexible 111.
Une mémoire EEPROM est typiquement composée d’un plan mémoire organisé en rangées et en colonnes de mots mémoire, chaque mot mémoire comportant des cellules mémoire.
Une mémoire EEPROM comprend en outre généralement des circuits de pilotage adaptés pour réaliser des opérations, par exemple en écriture et/ou lecture, dans les cellules mémoire du plan mémoire.
Une cellule mémoire EEPROM comprend typiquement une cellule de transistors incluant un transistor d’état comportant une grille flottante surmontée par une grille de commande, et un transistor de sélection connecté en série avec le transistor d'état pour pouvoir lui transmettre une tension, par exemple transmettre une tension à la région de drain dudit transistor d’état.
Une mémoire EEPROM comprend en outre généralement des circuits de commutation des grilles de commande des transistors d’état. Un circuit de commutation comporte généralement une ou plusieurs cellules de transistors de commutation. Un transistor de commutation est adapté à transmettre une tension à la grille de commande du transistor d’état d’une cellule mémoire, et peut être désigné par le terme "CG Switch", pour "control gate switch" en anglais. Par exemple, un circuit de commutation est prévu pour chaque mot mémoire. Les circuits de commutation peuvent être intégrés dans le plan mémoire, par exemple entre des mots mémoire.
Habituellement, une écriture de cellule mémoire comprend un effacement suivi d'une programmation. Au cours de l'effacement, une haute tension positive d'effacement est appliquée sur la grille de commande du transistor d'état et une tension sensiblement nulle est appliquée sur la région de drain du transistor d’état, de manière à injecter par effet Fowler-Nordheim une charge d'électrons de la région de drain vers la grille flottante. La région de source du transistor d’état est, par exemple, mise à la masse. Au cours de la programmation, une haute tension positive de programmation est appliquée sur la région de drain du transistor d'état, par exemple à travers le transistor de sélection, et une tension sensiblement nulle est appliquée est sur la grille de commande, de manière à extraire par effet Fowler-Nordheim la charge d'électrons potentiellement stockée dans la grille flottante.
La haute tension de programmation appliquée à la région de drain via le transistor de sélection, et/ou la haute tension d’effacement appliquée à la grille de commande via le transistor de commutation, est, par exemple, comprise entre environ 10 et 20 V, par exemple de l'ordre de 13 V, ou de l’ordre de 15 V. Ainsi, le transistor de commutation et le transistor de sélection doivent être suffisamment robustes pour transmettre cette haute tension, ce qui est peut être une cause de l'encombrement des cellules mémoire et/ou des circuits de commutation.
Or, un objectif dans le domaine des mémoires EEPROM peut être au contraire de réduire la surface des cellules mémoire. Cependant, il existe généralement une limite dans la réduction de la surface des cellules mémoire, en particulier dans la réduction des surfaces des transistors des cellules mémoire, surtout avec les hautes tensions appliquées.