Structure pour dispositif quantique à jonction Josephson comprenant : - un substrat (10, 10’) doté d’une couche superficielle (102) en un matériau semi-conducteur cristallin, en particulier du silicium cristallin, - au moins une jonction Josephson (170), formée d’au moins une première portion métallique (132), en matériau supraconducteur (134), revêtue d’une zone isolante (145), ladite zone isolante étant elle-même revêtue d’une deuxième portion métallique (152) en matériau supraconducteur (134) et la deuxième portion métallique (152) recouvrant ladite zone isolante (145) et ladite première portion métallique (132), la première portion métallique (132) et la deuxième portion métallique (152) étant disposées sur et en contact d’une couche (116, 16’) dite « de protection » agencée sur le substrat (10) ou appartenant au substrat (10’), ladite couche (116, 16’) de protection étant une couche de piégeage de charges. Structure selon la revendication 1, dans lequel la couche (116) de piégeage de charges est en silicium amorphe hydrogéné (aSi :H) ou en polysilicium. Structure selon la revendication 1, dans lequel la couche (116) de piégeage de charges est à base de nitrure de silicium. Structure selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche superficielle (102) du substrat (10) est en matériau semi-conducteur cristallin de résistivité faible et comprise entre 10 Ω.cm et 20 Ω.cm. Structure selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche (116) de protection s’étend entièrement en contact de la couche superficielle (102) du substrat (10). Structure selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la première portion métallique (132) et la deuxième portion métallique (152) sont en un matériau supraconducteur (134) donné, en particulier de l’aluminium et dans lequel la première portion métallique est agencée sur et en contact d’une première piste métallique (122A), la deuxième portion métallique étant agencée sur et en contact d’une deuxième piste métallique (122B), la première piste métallique et la deuxième piste métallique étant en un matériau supraconducteur (124), différent dudit matériau supraconducteur donné (134). Structure selon l’une des revendications 1 à 6, la couche de piégeage de charges étant disposée sur ladite couche superficielle (102), la couche de piégeage de charges étant en matériau semi-conducteur amorphe (112) ou en matériau polycristallin ou une couche de matériau diélectrique (115) telle que du nitrure de silicium. Structure selon l’une des revendications 1 à 6, la couche (16’) de piégeage de charges étant prévue dans un socle semi-conducteur (100) du substrat, le substrat étant un substrat semi-conducteur sur isolant doté d’une couche isolante (101) agencée entre le socle semi-conducteur (10) et la couche superficielle (102) en matériau semi-conducteur cristallin, la couche isolante (101) et la couche superficielle (102) en matériau semi-conducteur cristallin ne s’étendant pas en regard de ladite jonction Josephson (170). Dispositif quantique comprenant une structure selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel un résonateur est couplé à une première piste métallique (122A) ou à une deuxième piste métallique (122B), le résonateur, la première piste métallique (122A) et la deuxième piste métallique (122B) étant disposées en regard de ladite couche (116) de protection. Procédé de fabrication d’une structure selon l’une des revendications 1 à 7, comprenant, dans cet ordre, les étapes suivantes : - prévoir le substrat (10) doté de la couche superficielle (102) en matériau semi-conducteur cristallin, puis - déposer la couche (116) de protection sur ladite couche superficielle (102), puis - réaliser sur ladite couche (116) de protection, la première portion métallique (132), puis la zone isolante (145) sur la première portion métallique (132), puis la deuxième portion métallique (152) sur la zone isolante (145). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la zone isolante (145) est formée par oxydation de la première portion métallique (132). Procédé selon l’une des revendications 10 ou 11, comprenant, dans cet ordre, après le dépôt de la couche (116) de protection et préalablement à la formation de la première portion métallique (132), la formation d’une première piste métallique (122A) et d’une deuxième piste métallique (122B) sur ladite couche (116) de protection par dépôt puis gravure d’une première couche métallique (121) en un matériau supraconducteur (124) donné. Procédé de fabrication d’une structure selon la revendication 8, dans lequel le substrat (10) est un semi-conducteur sur isolant doté d’un socle semi-conducteur muni d’une couche (16’) de piégeage de charges, d’une couche isolante (101) agencée sur la couche (16’) de piégeage de charges et disposée entre le socle semi-conducteur (10) et la couche superficielle (102) en matériau semi-conducteur cristallin, le procédé comprenant des étapes de : - retrait de la couche la couche superficielle (102) et de la couche isolante (101) dans une zone localisée du substrat (10’), de sorte à dévoiler la couche (16’) de piégeage de charges, puis - réaliser dans ladite zone localisée (Z1) du substrat, la première portion métallique (132) sur la couche (16’) de piégeage de charges, puis la zone isolante (145) sur la première portion métallique (132), puis la deuxième portion métallique (152) sur la zone isolante (145).