INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De plus, la clé publique 68, générée lors de la production logicielle de la vue 67 de la , associée au système de fichiers, est incluse dans le kernel 20 et l’ensemble forme le tout 80 cohérent. Hors, selon la présente invention, il est impossible de modifier un quelconque fichier du tout cohérent 80 sans posséder la clé privée 70, générée lors de la production logicielle de la vue 67 de la et du fait de sa durée de vie limitée, selon la présente invention, (i.e. clé volatile), qui n’existe avantageusement plus lors de l’exécution du système autonome à distance 10 correspondant à la vue 75 de la .
L’invention concerne encore un procédé de fabrication d’un échangeur de chaleur tel que susmentionné, le procédé comprenant une étape de réalisation d’un secteur de l’échangeur de chaleur ou l’échangeur de chaleur en une seule pièce par fabrication additive par fusion sélective sur lits de poudre.
- La représente une coupe axiale d’un exemple de turbomachine selon l’invention ;
- La est une vue en perspective et partielle d’un exemple d’échangeur de chaleur destiné à équiper une turbomachine d’aéronef selon l’invention ;
- La est une vue en perspective et partielle d’un exemple d’échangeur de chaleur selon l’invention ;
- La représente un exemple de motif d’agencement des ailettes d’un échangeur de chaleur selon l’invention ;
- La représente un exemple d’agencement d’une zone de retour dans les canaux de passage d’air d’un échangeur de chaleur selon l’invention ;
- La représente un exemple d’agencement de moyens de déflexion dans une zone de retour d’un échangeur de chaleur selon l’invention ;
- La représente les moyens de déflexion dans la zone de retour selon la ;
- La représente un mode de réalisation de deuxièmes ailettes selon l’invention ;
- La représente un autre mode de réalisation de deuxièmes ailettes selon l’invention ;
- La est encore un autre mode de réalisation de deuxièmes ailettes selon l’invention ; et
- La représente une vue de face d’un secteur angulaire d’un exemple d’échangeur de chaleur selon l’invention.
Description détaillée de l’invention La illustre un exemple de turbomachine 1 d’aéronef selon l’invention et qui s’étend suivant un axe longitudinal X. L’aéronef peut être un avion ou un hélicoptère.
La turbomachine 1 est un turbomoteur et de préférence pour un hélicoptère. Bien entendu, la turbomachine peut être un turboréacteur ou un turbopropulseur.
Avantageusement, le système comprend un portique mobile, de préférence mobile sur des rails, la tour étant portée par ce portique mobile.
De préférence, la grue est une grue à flèche relevable.
L’invention porte aussi sur un procédé de levage dans lequel un système selon l’invention est installé le long d’un quai et en ce que ce système est utilisé pour le chargement ou le déchargement d’un navire.
est une vue schématique en élévation d’un système de levage selon l’invention en cours de manipulation d’une pale d’une éolienne flottante ;
est une vue de dessus du système de levage dans la configuration de la ;
est une vue similaire à celle de la , à laquelle, le système est en cours de manipulation d’un alternateur de l’éolienne ; et,
est une vue en élévation du système de levage, en configuration de grue portuaire, en train de charger une barge.
Les figures illustrent un système de levage 1 selon l’invention. Dans l’exemple illustré, le système est disposé sur un quai 2 d’un port. De préférence à proximité du bord 3 du quai. Ainsi disposé, le système 1 permet la construction, l’entretien ou la déconstruction d’une éolienne flottante 4 accostée au quai 2, ce qui est illustré par les figures 1 à 3. Lorsqu’un tel système 1 n’est pas occupé par une éolienne, il peut aussi être utilisé pour l’activité courante du port, par exemple le chargement d’une barge, ce qui est illustré à la .
Le système de levage 1 comprend une tour télescopique 11 et une grue 12 montée au sommet de la tour 11. Dans l’exemple illustré, la tour est montée sur un portique 13. Le portique est disposé sur des rails 13R, visibles à la ; il permet de déplacer le système 1 parallèlement au bord 3 du quai 2. La grue 12 comprend une flèche levante 14, articulée autour d’un axe de basculement X14. La grue illustrée est du type PC400, fournie par société Favel-Favco-Berhad (Malaisie).
Dans l’exemple illustré, la tour 11 comprend quatre éléments 11A-11D conçus pour coulisser verticalement l’un par rapport à l’autre. Chaque élément a une section horizontale sensiblement carrée ; il est principalement constitué d’un treillis de poutrelles métalliques.
Un premier élément 11A est rigidement fixé sur le portique ; un deuxième élément 11B, de section réduite, est monté coulissant à l’intérieur du premier ; un troisième élément 11C, de section plus réduite, est monté coulissant à l’intérieur du deuxième ; le quatrième élément 11D, de section encore plus réduite, est monté coulissant à l’intérieur du troisième élément. Le quatrième élément 11D est l’élément supérieur et supporte, en son sommet, la grue 12. La grue est montée de sorte qu’elle puisse faire une rotation autour de l’axe X1 du système 1 relativement à l’élément supérieur 11D.
L’éolienne 4 illustrée aux figures 1 à 3 comprend un rotor 21, d’axe X1. Le rotor porte trois pales 22. Il est fixé à une nacelle 23 disposée au sommet d’un mât 24, d’axe vertical X4. Le mât est fixé à une plateforme flottante 26. La plateforme 26 comprend trois flotteurs 27 reliés entre eux par une structure de poutres 28.
Dans l’exemple des figures 1 et 2, les flotteurs 27 sont régulièrement répartis autour de l’axe X2 du mât.
Les figures 1 et 2 illustrent un procédé pour la manipulation d’une des pales 22 à l’aide du système de levage 1.
Afin d’atteindre la pale 22A, la tour 11 est en position déployée. L’éolienne est accostée au quai et la pale manipulée 22A est disposée sensiblement à l’horizontale. Comme particulièrement illustré à la , la nacelle 23 est orientée autour de l’axe X4 de l’éolienne de façon à limiter la distance horizontale DG entre le centre de gravité G et l’axe X1 du système 1. Un palonnier 31, porté par la grue 12, permet la prise de la pale 22A par la grue 12. La grue comprend un contrepoids 32, choisi de sorte que la charge exercée par la grue 12 et la pale 22A s’exerce sensiblement selon l’axe du système 1.
Cette relation peut également être de nature analytique, soit une formule de calcul, et implémentée dans une mémoire du BMS.
En reportant la valeur de l’acceptance de charge totale Q d -T ou Q c -T calculée précédemment, on peut ainsi déterminer la valeur du SOH.
L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation précédent décrits.
L’échantillonnage des mesures, c’est-à-dire la valeur du pas de temps t k , peut être réévalué en fonction de la précision attendue.
Les cartographies α et β peuvent être ajustées en fonction des critères de fin de charge et de fin de décharge définis par le BMS.
Dans le cas d’un module de batterie comprenant plusieurs éléments en série et plusieurs thermocouples, il est préférable de sélectionner la plus faible température, afin d’établir un diagnostic basé sur les conditions les plus limitantes.
Nomenclature Données d'entrée
U low end : Tension de fin de décharge
α : Coefficient permettant de prendre en compte l'impact au moins de la température sur la décharge
β : Coefficient permettant de prendre en compte l'impact au moins de la température sur la charge
C tot_ref (t 0 ) : Capacité de stockage initiale, fixée en phase d’initialisation et modifiée une fois par la valeur calculée lors du premier contrôle réussi, le contrôle étant une première pleine charge ou pleine décharge permettant de valider par la mesure que la valeur C tot_ref (t k ) et bien égale au démarrage à la valeur C tot_ref (t 0 ).
Valeurs mesurées
I : Courant aux bornes de la cellule
T : Température de peau de la cellule
U : Tension aux bornes de la cellule
Valeurs calculées
En référence à la , on assemble le substrat receveur 3 et le substrat temporaire 20, en mettant en regard les pavés P1, P2, P2 et les cavités C1, C2, C3 correspondantes.
L’adhésion des substrats 3 et 20 se fait par l’intermédiaire des pavés et du fond des cavités.
En référence à la , on retire le substrat intermédiaire. Dans le mode de réalisation illustré, les pavés présentent une zone de fragilisation 11. Par conséquent, le retrait du substrat intermédiaire et du reste des pavés est réalisé par détachement le long de la zone de fragilisation 11. Seules les portions de pavés P’1, P’2, P’3 sont ainsi transférées sur le substrat receveur.
Dans d’autres modes de réalisation (non illustrés), le retrait du substrat intermédiaire peut être réalisé par meulage du substrat par la face opposée au substrat receveur, jusqu’à atteindre la surface principale du substrat 3.
PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE COUCHE SEMICONDUCTRICE DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des procédés de transfert de couches semiconductrices.
La présente invention concerne plus particulièrement un procédé de transfert de couche semiconductrice par implantation ionique, assemblage et fracturation dans lequel la couche semiconductrice est réduite en défauts avant l’étape d’assemblage.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Pour augmenter la densité d’intégration des circuits intégrés, une nouvelle technique appelée intégration monolithique 3D consiste à empiler des couches de dispositifs électroniques les unes sur les autres.
Les dispositifs électroniques sont typiquement des transistors. Chaque couche ou niveau de transistors est formé dans une couche semiconductrice appelée couche active. Le premier niveau de transistors est formé à la surface d’un substrat initial, aussi appelé plaquette. Le deuxième niveau de transistors est fabriqué à partir d’une couche semiconductrice formée sur le premier niveau de transistors, autrement dit au-dessus de la surface du substrat initial.
Pour obtenir une telle couche semiconductrice, il est possible de transférer sur le substrat initial, dit substrat receveur, une couche semiconductrice d’un autre substrat, dit substrat donneur. Une technique connue de transfert appelée Smart Cut™ est fondée sur l’association d’une implantation d’ions légers dans le substrat donneur, d’un assemblage par adhésion moléculaire des substrats donneur et receveur et d’un recuit de fracturation du substrat donneur.
Ce procédé comprend 1) la fourniture d’un substrat donneur, généralement une plaquette de silicium, 2) l’implantation d’ions, le plus souvent d’ions légers comme l’hydrogène, à travers la surface du substrat donneur, pour créer des nano-cavités enterrées à l’intérieur du substrat donneur, à une profondeur déterminée par la profondeur d’implantation, et délimiter la couche semiconductrice à transférer, 3) l’assemblage du substrat donneur sur un substrat receveur, puis 4) un recuit (chauffage) final de l’assemblage qui active la formation de dihydrogène (H 2 ). Ce gaz alimente les nano-cavités et les fait croître. Du fait de la contrainte mécanique créée par l’interface entre les substrats donneur et receveur assemblés, les nano-cavités s’élargissent et se regroupent latéralement à la profondeur déterminée par l’implantation, créant des microfissures et une fracture finale qui s’étend rapidement à toute la plaquette. La séparation de la couche semiconductrice du substrat donneur et son transfert sur le substrat receveur est alors effectuée.
Ce procédé offre de nombreux avantages et est bien maîtrisé. Cependant, il reste certains problèmes, dont un problème particulier inhérent à l’étape d’implantation des ions légers. En effet, l’implantation des ions légers induit des défauts dans la couche semiconductrice qui altèrent ses performances électriques, et donc sa qualité. Ces défauts sont liés au fait que les ions induisent des défauts de différentes natures (lacunes, intersticiels, complexes hydrogénés, nano-cavités) non pas seulement autour de la profondeur d’implantation déterminée, mais aussi le long de leur trajet dans le substrat donneur. Ainsi, des défauts sont présents dans la couche semiconductrice, du fait de l’implantation des ions légers, avec une densité proportionnelle à la dose à laquelle l’implantation est accomplie. Elles y affectent la mobilité des porteurs de charge, et donc les caractéristiques électriques de la couche semiconductrice. Il convient de noter que le chauffage qui a lieu lors du recuit de fracturation ne permet pas de guérir efficacement les défauts formés par l’implantation et peut même conduire à la croissance /formation de nouveaux défauts ou cavités.
Il est primordial de réduire ce nombre de défauts dans la couche semiconductrice afin de garantir des performances électriques satisfaisantes pour les composants électroniques qui y seront fabriqués, et cela, en maintenant une dose d’implantation adaptée au transfert de ladite couche semiconductrice.
Pour cela, une solution classiquement utilisée consiste à réduire le nombre de défauts après l’étape de transfert, en soumettant le substrat receveur (qui comprend la couche semiconductrice transférée) à des hautes températures, c’est-à-dire des températures supérieures à 900°C ou 1000°C, appliquées pendant des temps longs, par exemple de plusieurs heures. Or de telles températures sont à proscrire lorsque la couche semiconductrice a été transférée sur un substrat receveur comprenant une couche de dispositifs électroniques préalablement formés. En effet, elles occasionnent une dégradation des performances, notamment électriques, des dispositifs électroniques de cette couche sous-jacente. Il est donc exclu de réduire de cette façon les défauts créés par l’implantation des ions légers.
Dans le contexte d’un procédé de transfert de couche semiconductrice basé sur l’implantation d’ions légers, il existe donc un besoin de réduire le nombre de défauts dans la couche semiconductrice autrement que par un recuit réalisé à haute température après la fracturation.
L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en prévoyant de remplacer l’unique étape d’implantation par deux étapes d’implantation et en réalisant une étape d’épitaxie de la couche semiconductrice entre les deux étapes d’implantation. Par ailleurs, les conditions d’implantation de chacune des étapes d’implantation, notamment les ions implantés et la ou les dose(s) d’implantation choisie(s), sont adaptées en fonction de l’épitaxie et du recuit de fracturation pour induire une fracturation uniquement lors du recuit de fracturation.
Un aspect de l’invention concerne ainsi un procédé de transfert d’une couche semi-conductrice d’un substrat donneur à un substrat receveur, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : première implantation de premiers ions légers dans le substrat donneur à une profondeur d’implantation prédéterminée de sorte à former un plan fragile enterré à la profondeur d’implantation prédéterminée, épitaxie sur le substrat donneur de la couche semi-conductrice à transférer, deuxième implantation de deuxièmes ions légers dans le substrat donneur à travers la couche semi-conductrice à transférer au niveau du plan fragile, assemblage par collage du substrat receveur et du substrat donneur recouvert de la couche semi-conductrice à transférer, la couche semi-conductrice à transférer étant disposée entre les substrats receveur et donneur, et fracturation par recuit, dit recuit de fracturation, du substrat donneur suivant le plan fragile enterré, procédé dans lequel : les premiers ions sont choisis et implantés à une première dose de sorte que, lors de l’épitaxie, il n’y a pas de fracturation à la profondeur d’implantation prédéterminée, les deuxièmes ions sont choisis et implantés à une deuxième dose de sorte que, lors du recuit de fracturation, la fracturation du substrat donneur s’opère.
La température de carburant peut être élevée à entre 135 et 150 °C, 135 et 160 °C, 135 et 170 °C, 135 et 180 °C, 135 et 190 °C, ou 135 et 200 °C à l’entrée de la chambre de combustion aux conditions de croisière. Le système d’échange de chaleur peut être commandé (par exemple, en contrôlant l’écoulement de carburant) de façon à élever la température de carburant à une moyenne d’au moins 140 °C, 150 °C, 160 °C, 170 °C, 180 °C, 190 °C ou 200 °C à l’entrée dans la chambre de combustion aux conditions de croisière.
L'échantillon biologique gazeux du patient est recueilli par un dispositif de recueil, par exemple un dispositif de recueil du souffle 110 tel que décrit au moyen de la , ou un dispositif de recueil 210 d’un échantillon liquide tel que décrit au moyen de la .
L’échantillon biologique gazeux est envoyé vers le dispositif de mesure 120 de spectroscopie dans le domaine temporel pour effectuer la mesure par spectroscopie THz, par exemple un dispositif tel que décrit au moyen des et . L'information mesurée est une trace temporelle, c’est-à-dire le champ électrique mesuré en fonction du temps.
En opération, une trace temporelle de référence peut être associée à chaque trace temporelle d’échantillon mesurée. La trace temporelle de référence est mesurée lorsqu’il n’y a pas d’échantillon dans la cellule. La trace temporelle de référence pourra être mesurée périodiquement (par exemple une fois par semaine, jour ou entre chaque patients).
Pour un même échantillon/référence, un ensemble de traces temporelles peuvent être collectées afin d’augmenter le rapport signal/bruit.
Les traces temporelles peuvent être corrigées au moyen d’un module de correction 510 afin d’augmenter d’avantage le rapport signal/bruit. Un exemple de correction est une rectification du décalage des traces les unes par rapport aux autres induit par le système de mesure. Une moyenne peut être faite sur l’ensemble des traces temporelles, après correction. Par exemple, entre environ 500 traces temporelles et environ 1500 traces temporelles, par exemple environ 1000 traces temporelles, sont récupérées par échantillon, et par référence.
En opération, les traces temporelles du patient et de référence peuvent ensuite être traitées par un module de prétraitement 520 afin de les mettre dans le format adapté pour une interprétation par un module de prédiction 530, également appelé module d’apprentissage automatique dans la présente description. On obtient alors un estimateur échantillon à partir duquel le module de prédiction 530 pourra prédire la classe d’appartenance du patient (par exemple patient malade ou patient sain, ou bien évaluation du risque de développer une pathologie en pourcentage, etc.). La classe d’appartenance est ensuite traitée par un professionnel de santé.
Un système d’analyse d’un échantillon biologique gazeux tel qu’illustré sur la , peut être ainsi mis à disposition d’un utilisateur pour une utilisation clinique.
La illustre un système 600 configuré pour le pré-entraînement du module de prédiction 530 de l’unité de traitement d’un système d’analyse selon la présente description.
Le système peut comprendre l’ensemble des éléments d’un système d’analyse selon la présente description ; seule l’unité de traitement 630 est configurée spécifiquement pour entrainer le module de prédiction 530.
Ainsi, le système 600 comprend un dispositif de recueil (non illustré sur la ) pour générer pour un patient donné un échantillon biologique gazeux et un dispositif de mesure 120 de spectroscopie dans le domaine temporel pour effectuer la mesure par spectroscopie THz, par exemple un dispositif tel que décrit au moyen des et . Une pluralité de traces temporelles sont générées, comme décrit précédemment, et peuvent être corrigées au moyen du module de correction 510.
En parallèle de ces mesures, le patient fait un test dépendamment de la pathologie étudiée afin d’avoir une information sur sa classe (par exemple patient malade ou patient sain, diabète type 1 ou 2 ; dans le cas d’un suivi au long cours sur cohorte, développement d’une pathologie visée, etc.). Ainsi pour chaque échantillon on a une classe connue associée.
Les mesures effectuées permettront de débuter la constitution de la base de données 540. Ce sera avantageusement une base de données enregistrée de façon dématérialisée, c’est-à-dire dans le Cloud. La base de données comprend par exemple et de façon non limitative, pour chaque patient, une identification unique, des données spécifiques (âge, genre, etc.), les traces temporelles de l’échantillon mesurées pour le patient, les traces temporelles de référence, la classe d'appartenance (patient malade ou patient sain, diabète type 1 ou 2, moment de la pathologie développée, etc.).
Une fois la base de données constituée, les données peuvent être envoyées vers un module de prétraitement 650. Son rôle est de préparer les données qui vont être entrées dans un module d’entraînement et d’évaluation 660. La préparation des données permet de concentrer l’information afin d’améliorer les prédictions [Réf. 6].
L’entrainement consiste à faire apprendre le modèle sur les données, c’est à trouver les paramètres permettant au modèle d'avoir de bons critères de performance de prédiction sur les données. Plusieurs modèles (Perceptron multicouches, réseau de neurones récurrents, ...) [Réf. 7][ Réf. 8] pourront ainsi être entrainés et ensuite évalués afin de retenir celui qui a la meilleure performance. Un modèle est une fonction mathématique avec des paramètres qui prend une donnée en entrée et renvoi une sortie. Plusieurs types de modèles existent dans la littérature [Réf. 8][ Réf. 9]. Un exemple de modèle qui pourra être testé est un réseau de neurone convolutif, par exemple réseau neuronal capable d'apprendre les dépendances sur de longues séquences ou séries temporelles ou « Long Short Term memory Neural Network » selon l’expression anglo-saxonne [Réf. 10].
Après l’entrainement, vient la phase d’évaluation ; les différents modèles peuvent être comparés à l’aide de métriques (précision, taux de faux positifs, taux de faux négatifs, ...) [Réf. 11], en fonction du risque de la pathologie étudiée. Un exemple de métrique est le rappel qui mesure le taux de cas positifs bien prédit parmi les cas positifs à la pathologie étudiée. En effet durant l’utilisation clinique, les résultats faussement positifs peuvent être éliminés aux étapes suivantes après le test de contrôle.
Enfin, le meilleur modèle entrainé sera mis en production et accessible via une interface finale entre le prototype et l’utilisateur pour constituer le module de prédiction 530 ( ). Via cette interface, l’utilisateur pourra analyser le souffle du patient et avoir sa classe d’appartenance.
Il existe donc un besoin d’exécution d’applications logicielles en lien avec des équipements embarqués dans un aéronef, qui allie l’augmentation des ressources calculatoires disponibles et la fiabilité.
A cet effet, l’invention propose, selon un aspect, un dispositif de calcul périphérique embarqué à bord d’un aéronef, comportant une première interface de communication configurée pour communiquer, selon un premier protocole de communication, avec un ou plusieurs dispositifs électroniques de bord à fonctionnement certifié, une deuxième interface de communication radio, configurée pour communiquer, selon un deuxième protocole de communication radio, avec au moins un système de calcul distant situé au sol, le dispositif de calcul périphérique comportant au moins une unité de mémoire électronique et au moins un processeur de calcul, configuré pour implémenter :
- un module de gestion d’une pluralité d’applications logicielles, lesdites applications logicielles étant stockées dans ladite mémoire électronique, chaque application logicielle étant adaptée pour fournir au moins un paramètre de commande et/ou recevoir au moins une donnée d’au moins un dispositif électronique de bord à fonctionnement certifié ;
- un module d’activation d’exécution d’au moins une desdites applications logicielles stockées, configuré pour recevoir au moins une requête d’exécution d’au moins une application logicielle d’un dispositif externe de commande et/ou pour valider une condition d’activation d’exécution d’au moins une application logicielle,