INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
A la date de l’invention, il n’était pas évident que le fait d’associer, dans une même couche, le transducteur électrochimique et les éléments sensibles au pH permettent d’obtenir des électrodes avec une sensibilité au pH comparable à celle obtenue lorsque ce transducteur et ces éléments se trouvent dans deux couches distinctes et préparées indépendamment l’une de l’autre.
Ainsi, la présente invention concerne une électrode sensible au pH 10 comprenant :
- une couche conductrice 12 disposée sur un support isolant 11 et
- une couche sensible au pH 13 disposée sur la couche conductrice 12 , ladite couche sensible au pH comprenant un transducteur électrochimique et des éléments sensibles au pH répartis dans cette couche sensible au pH,
lesdits éléments sensibles au pH étant choisis dans le groupe constitué par les oxydes de métaux de transition et les molécules redox sensibles au pH.
Une schématisation de l’électrode sensible au pH selon l’invention est donnée à la .
Dans ce qui suit et ce qui précède, les expressions « sensible au pH », « sensible aux ions H+ » et « sensible aux ions hydrogène » sont équivalentes et utilisables de façon interchangeable.
Comme précédemment expliqué, l’élément essentiel de l’invention est la combinaison, dans une même et unique couche de l’électrode, du transducteur électrochimique et des éléments sensibles au pH répartis dans tout le volume de la couche sensible au pH. En d’autres termes, les éléments sensibles au pH se présentent sous forme dispersée, enrobée et/ou incorporée dans le transducteur électrochimique. On peut également parler d’un transducteur électrochimique fonctionnalisé par les éléments sensibles au pH. Cette organisation est donc clairement différente de l’organisation en deux couches distinctes avec une couche de transduction et une couche sensible au pH ou d’une couche comprenant un transducteur électrochimique, seule la surface de cette couche étant fonctionnalisée par des éléments sensibles au pH.
Dans l’électrode selon l’invention, la couche conductrice est appliquée sur, supportée par un support (ou substrat) isolant i.e. la face inférieure de la couche conductrice est en contact direct avec la surface du support isolant. Par conséquent, aucun élément ou aucune autre couche ne se trouve entre la couche conductrice et le support isolant.
Le document [1] cité à la fin de la description propose un procédé permettant de courber un capteur d’image. Plus particulièrement, le procédé décrit dans le document [1] propose de positionner un capteur d’image plan, par une de ses faces dite face contact, sur une face concave d’une cale et d’imposer une déformation audit capteur d’image afin qu’il épouse de manière conforme la face concave. Notamment, et tel que décrit dans le document [1], la déformation implique la mise en œuvre d’un film reposant sur une face utile, opposée à la face contact, du capteur d’image et qui, par un jeu différences de pression, exerce une force permettant de déformer le capteur d’image selon une forme imposée par la face concave.
De manière équivalente, le document [2] cité à la fin de la description divulgue également un procédé qui permet de former des capteurs d’image courbés. Le procédé décrit dans le document [2] reprend pour l’essentiel les principes donnés dans le document [1].
Néanmoins, les procédés mis en œuvre dans les documents [1] et [2] cités à la fin de la description ne permettent pas de courber de manière conforme les capteurs d’images sur les cales. Plus particulièrement, l’effort exercé par la membrane génère des irrégularités de collage du capteur d’images sur la cale, notamment à proximité des bords du capteur d’images, qui sont susceptibles d’en affecter les performances et/ou le fonctionnement.
Un but de la présente invention est donc de proposer un dispositif de centrage pourvu d’au moins un site de centrage et permettant de limiter les irrégularités de collage lors de la mise en œuvre d’un procédé de centrage d’une puce sur une cale.
Un autre but de la présente invention est également de proposer un dispositif de centrage permettant de centrer une puce sur une cale en vue du collage de ladite puce sur ladite cale.
BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Les buts sont, au moins en partie, atteints par une plaque de centrage pour le centrage d’au moins un empilement présentant une base rectangulaire, la plaque de centrage comprenant au moins un logement, dit logement de centrage, débouchant par une face, dite face avant, de la plaque de centrage, chaque logement de centrage parmi l’au moins un logement de centrage comprenant :
Selon un mode de mise en œuvre, deux guides de centrage parmi les aux moins deux guides de centrage sont en correspondance avec deux coins, dits coin de centrage, opposés de la section centrale considérée.
Selon un mode de mise en œuvre, chaque guide de centrage comprend deux pans perpendiculaires entre eux et qui s’étendent à partir de la face avant, selon une direction, dite direction d’extension, perpendiculaire à ladite face avant, avantageusement, chaque pan présente, selon une direction perpendiculaire à la direction d’extension, un dimension inférieure à 0,5 mm.
Selon un mode de mise en œuvre, l’intersection entre les deux pans perpendiculaires de chaque guide de centrage est évidée sur toute la longueur d’extension du guide de centrage considéré.
Selon un mode de mise en œuvre, chaque logement de centrage parmi l’au moins un logement de centrage comprend quatre poches latérales, chaque poche latérale étant adjacente, à un côté qui lui est propre, dit côté central, de la section centrale.
Selon un mode de mise en œuvre, chaque poche latérale est délimitée par une paroi dite paroi latérale, essentiellement perpendiculaire à la face avant, la paroi latérale comprenant un bord, dit bord avant, en affleurement avec la face avant.
Selon un mode de mise en œuvre, la paroi latérale comprend également deux bords, dits bords de guidage, perpendiculaires à la face avant, et en affleurement avec le côté central propre à la poche latérale considérée.
Selon un mode de mise en œuvre, le bord avant comprend une portion linéaire et deux portions courbées, chaque portion courbée reliant la portion linéaire avec un bord de guidage, la portion linéaire étant parallèle au côté central.
Selon un mode de mise en œuvre, le bord avant de chaque poche latérale parmi l’au moins une poche latérale est chanfreinée ou forme un arrondi ou forme un congé.
Nous allons maintenant décrire plus en détail une variante de réalisation où l’étape de porosification est mise en œuvre avant l’étape de report (intégration dite de la puce retournée ou « flip chip »).
Selon cette autre variante de réalisation avantageuse, représentée sur les figures 4A à 4J, le procédé peut comprendre les étapes suivantes :
i) fournir un empilement comprenant une couche support 101, une couche de GaN non intentionnellement dopée 103, une couche de GaN fortement dopée n 104, une couche de GaN dopée n 105, des puits quantiques 106 et une couche de GaN dopée p 107, une première électrode 108 ( ),
iii) former des mésas dans l’empilement, en gravant la première électrode 108, la couche de GaN dopée p 107, les puits quantiques 106), la couche de GaN dopée n 105, la couche de GaN fortement dopée n 104 et une partie de la couche de GaN non intentionnellement dopée 103 ( ),
ii) porosifier sélectivement la couche de GaN fortement dopée n 104, moyennant quoi une couche de GaN porosifiée est obtenue 104’ ( ),
- de préférence déposer une couche diélectrique de passivation 401 ( ),
- graver et planariser la surface supérieure de l’empilement pour mettre en forme la première électrode 108, et de préférence, remplir l’espace inter-mésas avec un élément électriquement conducteur et thermiquement conducteur ( ),
- préparer des plots métalliques 402 pour le collage hybride ou le retournement de puces (« flip chip ») ( ),
- reporter l’empilement obtenu sur un substrat support 201, par exemple de type ASIC, comprenant également des plots métalliques ( ),
- retirer la couche support 101, la couche de GaN non intentionnellement dopée 103, par exemple par amincissement, moyennant quoi on obtient un substrat d’intérêt comprenant le substrat support 201, la première électrode 108, la couche de GaN dopée p 107, les puits quantiques GaN/InGaN 106, la couche de GaN dopée n 105 et la couche de GaN fortement dopée n porosifiée 104’ ( ),
iv) recouvrir la couche de GaN porosifiée 104’ par une deuxième électrode 301 formée d’une couche d’oxyde transparent conducteur, de préférence une couche d’oxyde d’indium étain, la deuxième électrode 301 étant en contact direct avec la couche de GaN porosifiée 104’ ( ),
- déposer une couche d’encapsulation 302 sur le deuxième électrode ( ).
Les caractéristiques des différentes couches, des différents éléments décrits pour cette variante de réalisation où l’étape de porosification est mise en œuvre avant l’étape de report peuvent être identiques aux caractéristiques des différentes couches, des différents éléments décrits pour la variante de réalisation où l’étape de porosification est mise en œuvre après l’étape de report.
La structure micro-LEDs obtenues comprend :
- un substrat d’intérêt dans lequel sont formés des mésas,
le substrat d’intérêt comprenant un substrat support 201, une électrode inférieure 202, une couche de GaN dopée p 107, des puits quantiques GaN/InGaN 106, une couche de GaN dopée n 105, une couche de GaN complètement ou partiellement porosifiée 104’,
L’invention concerne aussi un procédé utilisant un propulseur selon l’invention, le procédé comprenant : - la connexion électrique de la partie en matériau conducteur d’électricité au pôle négatif d’une alimentation électrique, - la connexion électrique du conducteur externe ou d’un autre élément du propulseur hormis l’écran au pôle positif de l’alimentation électrique, - la mise en marche de l’alimentation électrique et du propulseur.
Brève description des figures D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront encore de la description qui suit, laquelle est purement illustrative et non limitative, et doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels :
représente, partiellement et schématiquement, une vue longitudinale en coupe d’un propulseur selon l’invention ;
, , et représentent, partiellement et schématiquement, une vue longitudinale en section d’un conducteur coaxial ouvert d’un propulseur selon l’invention ;
et représentent, partiellement et schématiquement, une vue longitudinale en section d’un conducteur externe et d’un conducteur interne d’un propulseur selon l’invention ;
et représentent, partiellement et schématiquement, une vue longitudinale en section d’un propulseur selon l’invention ;
représente, partiellement et schématiquement, une vue longitudinale en section d’un propulseur selon l’invention ;
représente, partiellement et schématiquement, une vue longitudinale en section d’un propulseur selon l’invention.
On a représenté sur la , partiellement et schématiquement, un propulseur à résonance cyclotronique électronique selon l’invention. Ce propulseur 10 s’étend au moins partiellement suivant un axe longitudinal X, et comprend : un conducteur coaxial ouvert 2, une chambre d’ionisation 8, des moyens d’injection de gaz 3, un dispositif d’injection de la puissance micro-onde 4, une source de champ magnétique 1, un écran coaxial 6.
Le principe du propulseur de satellite à résonance cyclotronique électronique est brièvement rappelé. Les moyens d’injection de gaz 3 permettent d’introduire un gaz dans la chambre d’ionisation 8, dans laquelle le gaz est ionisé grâce à l’apport de micro-ondes. Les micro-ondes apportent la puissance électrique nécessaire à l’ionisation du gaz. Elles sont générées, véhiculées et déposées par le dispositif d’injection de la puissance micro-onde 4. La fréquence du signal de la puissance électrique déposée est comprise entre 600 MégaHertz et 50 GigaHertz. La puissance électrique est transmise au gaz propulsif selon une géométrie coaxiale décrite plus loin, ou bien grâce à un guide d’onde. La source de champ magnétique 1 permet d’appliquer un champ magnétique au plasma et donc aux électrons de ce dernier. Les électrons du plasma ont un mouvement de giration dans le plan perpendiculaire au champ magnétique, c’est-à-dire dans un plan quasi-transversal. La fréquence de ce mouvement de giration est fixée par la valeur du champ magnétique. La valeur du champ magnétique et la fréquence du signal micro-onde sont choisies telles que la fréquence de giration des électrons soit égale à la fréquence du signal micro-onde. La puissance apportée par le signal micro-onde va ainsi être efficacement déposée dans la population d’électrons du plasma par un phénomène de résonance. Le champ électrique alternatif du signal micro-onde va induire l’accélération des électrons au cours de leur mouvement de giration et l’augmentation de leur énergie cinétique dans le plan perpendiculaire au champ magnétique, quasi-transversal. Le plasma est alors entretenu avec un excellent rendement énergétique. Les électrons créés sont ensuite éjectés à hautes vitesses sous l’effet de la force magnétique et de la dilatation thermique. L’éjection des électrons engendre un champ électrique qui accélère les ions du plasma. Ces derniers sont éjectés à hautes vitesses, engendrant la force de poussée.
Pour la suite, on définit l’avant du propulseur comme étant l’extrémité longitudinale du propulseur par laquelle les gaz propulsifs s’échappent. Ainsi, dans le mode de réalisation de la , l’écran coaxial est positionné à l’avant du propulseur. De la même manière, on définit l’arrière du propulseur comme étant l’extrémité longitudinale opposée. Ainsi, le générateur de la puissance micro-onde 41 est situé à l’arrière du propulseur.
Le propulseur comprend un conducteur coaxial ouvert 2 comportant un conducteur externe 22 et un conducteur interne 21. Le conducteur externe 22 comporte une forme globale de cylindre creux, coaxial à l’axe longitudinal X et qui s’étend longitudinalement suivant cet axe. Le conducteur interne 21 comporte une géométrie cylindrique pleine, s’étendant longitudinalement suivant l’axe X, au sein du conducteur externe 22. Le propulseur comprend une plaque transversale 23 dite plaque arrière comportant globalement une géométrie de disque. La plaque arrière 23 est en contact avec l’extrémité longitudinale arrière du conducteur externe 22.
La chambre d’ionisation 8 est constituée du volume compris entre le conducteur externe 22, le conducteur interne 21 et la plaque arrière 23. Autrement dit, la chambre d’ionisation est délimitée transversalement par le conducteur externe 22 et elle est délimitée axialement à son extrémité longitudinale arrière par la plaque arrière 23. La chambre d’ionisation comporte une ouverture transversale 24 à son extrémité longitudinale avant. Cette ouverture transversale 24 permet aux gaz propulsifs de s’échapper. L’ouverture transversale 24 est circulaire et comporte un diamètre D.
Le conducteur externe 22 comporte une paroi interne 221. Comme illustré sur les et , la paroi interne comporte une géométrie cylindrique. Alternativement, la paroi interne 221 comporte une géométrie de cône tronqué comme illustré en . Alternativement, et comme illustré à la , la paroi interne 221 comporte une première partie 2211 de géométrie cylindrique à l’arrière de la chambre d’ionisation 8 et une deuxième partie 2212 de géométrie de cône tronqué, la deuxième partie étant située dans le prolongement de la première partie et les axes de révolution des première et deuxième parties étant confondus avec l’axe longitudinal X. Dans les modes de réalisation précédemment décrits, le conducteur externe est usiné dans un seul bloc de matière. Dans un mode de réalisation illustré à la , le conducteur externe est fabriqué à partir de deux pièces distinctes. Le conducteur externe comporte une deuxième partie de géométrie de cône tronqué 225 fixée à une première partie de géométrie globale cylindrique 224, laquelle se prolonge longitudinalement au-delà de l’extrémité longitudinale libre 213 du conducteur interne 21. Alternativement, la géométrie de la paroi interne est définie par toute surface de révolution. Le conducteur externe permet de contenir le gaz propulsif radialement, afin de contraindre son éjection à la direction axiale, par l’ouverture 24.
Le conducteur externe 22 est réalisé dans un matériau conducteur. Plus précisément, selon l’invention, le conducteur externe est réalisé entièrement en graphite. Alternativement, le conducteur externe est réalisé dans un matériau conducteur et comporte sur sa paroi interne 221 un dépôt de graphite. Le dépôt en graphite est réalisé par la technique PVD, acronyme anglais pour « physical vapor deposition ». Par exemple, le dépôt de graphite est réalisé par pulvérisation plasma ou magnétron d’une cible en graphite. Une épaisseur de 10 micromètres de graphite peut être obtenue par cette technique et permet d’améliorer significativement les performances du propulseur. Alternativement, un manchon en graphite est inséré dans le conducteur externe réalisé en matériau conducteur.
La plaque selon le deuxième aspect de l’invention permet d’obtenir un contraste de mouillabilité encore accru relativement à celui qu’offre une plaque supportant des plots prenant chacun la forme d’un pilier dont la section reste sensiblement constante depuis la base jusqu’au sommet.
Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé d’auto-assemblage de composants de la microélectronique mettant en œuvre une plaque selon le deuxième aspect de l’invention. Par exemple, une pluralité de composants de la microélectronique, tels que des puces microélectroniques, sont auto-assemblées sur la plaque par collage hybride de type puces à plaque.
Un quatrième aspect de l’invention concerne un assemblage comprenant une plaque selon le deuxième aspect de l’invention et une pluralité de composants de la microélectronique, tels que des puces microélectroniques, assemblées sur la plaque par collage hybride.
La représente schématiquement une vue en coupe d’une partie d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’art antérieur.
La représente schématiquement une vue en coupe d’une partie d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’invention et une puce microélectronique située en vis-à-vis de la surface de la plaque d’accueil via laquelle la puce microélectronique est destinée à être assemblée par collage hybride à la plaque d’accueil.
Les à 3E illustrent schématiquement les différentes étapes d’un mode de réalisation du procédé de fabrication de la plaque d’accueil illustrée sur la .
La illustre schématiquement une vue de dessus d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’invention.
La illustre un agrandissement sur quatre plots en un matériau diélectrique du mode de réalisation de la plaque d’accueil selon l’invention qui est illustrée sur la .
Les figures 5A et 5B représentent des photos en perspective de plots en un matériau diélectrique obtenus par mise en œuvre d’un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention, respectivement sans surgravure et avec surgravure.
La représente une photo en perspective d’une portion d’une plaque d’accueil selon l’invention comprenant des plots en un matériau diélectrique et recouverts d’une couche en un matériau hydrophobe qui ont été obtenus par mise en œuvre d’un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention.
La représente une photo en perspective d’une portion d’une plaque d’accueil selon l’invention comprenant une marche d’accueil obtenue par mise en œuvre d’un mode de réalisation du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention, la couche hydrophobe recouvrant les flancs de la marche et le fond de la surface principale du substrat, mais pas la surface supérieure de la marche.
La représente schématiquement une vue en coupe d’une partie d’un mode de réalisation d’une plaque d’accueil selon l’invention et d’une puce microélectronique située en vis-à-vis de la surface de la plaque d’accueil via laquelle la puce microélectronique est destinée à être assemblée par collage hybride à la plaque d’accueil. La correspond sensiblement à la , à ceci près qu’elle représente, en outre, les niveaux d’interconnexions électriques de la plaque d’accueil et de la puce microélectronique.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs des différentes couches illustrées sur les figures ne sont pas représentatives de la réalité.
Selon un exemple, le matériau diélectrique à base duquel est constitué le deuxième niveau du substrat fourni est un oxyde du matériau à base duquel est constitué le premier niveau du substrat.
Selon un huitième aspect, on fournit un moteur à turbine à gaz pour un aéronef. Le moteur à turbine à gaz comprend une chambre de combustion agencée pour brûler un carburant, et un système de gestion de carburant agencé pour fournir le carburant à la chambre de combustion. Le système de gestion de carburant comprend deux échangeurs de chaleur carburant-huile agencés pour que l’huile et le carburant s’écoulent à travers eux, les échangeurs de chaleur agencés pour transférer la chaleur entre lʼhuile et le carburant et comprenant un échangeur de chaleur carburant-huile primaire et un échangeur de chaleur carburant-huile secondaire. Le système de gestion de carburant comprend en outre une pompe à carburant agencée pour délivrer le carburant à la chambre de combustion. La pompe à carburant est située entre les deux échangeurs de chaleur carburant-huile. Le système de gestion de carburant est agencé de manière à transférer entre 200 et 600 kJ/m 3 de la chaleur au carburant à partir de l’huile dans l’échangeur de chaleur carburant-huile primaire dans des conditions de croisière.
L’invention concerne également un procédé de réalisation d’un transistor à effet de champ à haute mobilité.
Selon une première variante le procédé comprend les étapes consistant à :
disposer d’un ensemble comprenant une couche tampon déposée sur un substrat, la couche tampon comprenant un premier matériau semi-conducteur comprenant un composé binaire ou ternaire ou quaternaire de nitrure,
faire croître une couche de matériau bidimensionnel isolant sur une face supérieure de la dite couche tampon,
faire croître une couche barrière sur ladite couche de matériau bidimensionnel, la dite couche barrière comprenant un deuxième matériau semi-conducteur étant un composé comprenant de l’azote et de un à cinq éléments choisi parmi l’indium, l’aluminium, le gallium, le bore et le scandium,
la couche barrière et la couche tampon étant configurées pour former un gaz bidimensionnel d’électron dans une zone dénommée canal, localisée dans la couche tampon ou la couche barrière et située au voisinage d’une interface avec la couche 2D,
réaliser une source, un drain, et une grille déposée sur une face supérieure de la couche barrière entre la source et le drain.
Selon une deuxième variante le procédé comprend les étapes consistant à :
disposer d’une couche 2D d’un matériau bidimensionnel crû sur un substrat auxiliaire,
transférer ladite couche 2D sur une face supérieure de la dite couche tampon et enlever le substrat auxiliaire,
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION On peut constater depuis quelques années un intérêt grandissant pour la mise en œuvre de capteurs d’images courbés dans les téléphones portables, les ordinateurs portables ou tout simplement dans les appareils photographiques. En effet, l’intégration des capteurs courbés dans les systèmes optiques nécessite un nombre de lentilles relativement réduit, et permet ainsi d’envisager à la fois une conception simple et un agencement plus compact des systèmes optiques.
Il est par ailleurs des situations pour lesquelles, notamment lorsqu’il s’agit de courber de manière collective une pluralité de capteurs d’images, il faille considérer le positionnement des cales et des capteurs d’images dans des sites de centrage, et plus particulièrement des sites de centrage arrangés solidairement les uns aux autres et de manière périodique.