INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Plus précisément, chaque rainure de connexion 324 sur ledit deuxième coffrage 32 est située entre une pluralité de deuxièmes canaux de dérivation 321, de sorte qu’une pluralité de deuxièmes canaux de dérivation 321 sont communiqués à travers ladite rainure de connexion 324, la position de chaque rainure de connexion 324 sur ledit deuxième coffrage 32 est prévue en correspondance avec la position de ladite deuxième zone de pulvérisation de colle 37, lesdits deuxièmes orifices de pulvérisation de colle 302 sont communiqués avec lesdits deuxièmes canaux de dérivation 321 à travers desdits canaux de passage 311 et desdites rainures de connexion 324 sur ledit deuxième coffrage 32 ; lorsque ledit deuxième canal d’alimentation de colle 322 est alimenté en colle, la colle entre par lesdits deuxièmes canaux de déviation 321, ladite deuxième cavité de dérivation 325, lesdites rainures de connexion 324 et lesdits canaux de passage 311 auxdits deuxièmes orifices de pulvérisation de colle 302, est ensuite pulvérisée vers l’extérieur à travers ledit canal à section droite 306 desdits deuxièmes orifices de pulvérisation de colle 302, et la colle est directement appliquée sur la partie de formage des plaques de noyau de fer sur ladite bande de matériau métallique 10.
Dans ce qui précède, la face avant dudit premier coffrage 31 donne face à un coté de ladite plaque de pulvérisation de colle 30 et la face avant dudit deuxième coffrage 32 donne face à un coté dudit premier coffrage 31.
Dans ce mode de réalisation, l’équipement comprend en outre une structure de positionnement pour guider et limiter la bande de matériau métallique 10 pendant le transport par la transportation pas à pas, il est possible de prévoir deux structures de positionnement, et lesdites deux structures de positionnement sont respectivement prévues à deux côtés, soit à gauche et à droite, dudit ensemble de moule inférieur 2, dans lequel ladite structure de positionnement comprend une plaque de guidage latérale 7 et un aimant 72, une rainure de positionnement 71 est formée sur ladite plaque de guidage latéral 7, ledit aimant 72 est encastré dans la paroi intérieure supérieure de ladite rainure de positionnement 71, le bord latéral de ladite bande de matériau métallique 10 est situé dans la rainure de positionnement 71, ledit aimant 72 sépare ladite bande de matériau métallique 10 de la surface supérieure dudit ensemble de moule inférieure 2 par son action magnétique, de manière à ce que ladite bande de matériau métallique puisse être attirée par ledit aimant 72 pour empêcher les vacillements de ladite ladite bande de matériau métallique 10, et empêcher ainsi les vacillements desdits points de colle sur ladite bande de matériau métallique 10, tout en évitant le changement des formes desdits points de colle sur ladite bande de matériau métallique 10, ainsi l’installation de ladite plaque de guidage latérale 7 et dudit aimant 72 peut mieux soulever le matériau et alimenter le matériau plus doucement, car pour l’alimentation pas à pas, un alimentateur à rouleaux 9 est prévu à chaque extrémité dudit équipement pour la production, et ladite bande de matériau métallique 10 est transportée au moyen d’une poussée à l’avant et d’une traction à l’arrière, de sorte que ladite bande de matériau métallique 10 est attirée par ledit aimant 72 et joue un rôle dans le soulèvement du matériau, il est possible d’effectuer la transportation pas à pas de ladite bande de matériau métallique 10 lors de fixation, parce que ladite bande de matériau métallique 10 est une plaque d’acier au silicium, elle est peut être attirée par ledit aimant 72.
Dans ce mode de réalisation, un canal de transport de bande de matériau métallique est formé entre ledit ensemble de moule supérieur 1 et ledit ensemble de moule inférieur 2, et une buse 8 est prévue devant l’extrémité d’alimentation dudit canal de transport de bande de matériau métallique, ladite buse 8 pulvérise la surface de la bande de matériau métallique 10 avec un liquide mélangé d’huile d’estampage et d’accélérateur, ledit liquide mélangé se mélange respectivement avec de la colle pulvérisée auxdits premiers orifices de pulvérisation de colle 301 et auxdits deuxièmes orifices de pulvérisation de colle 302, de sorte qu’une pluralité de plaque de noyau de fer sont stratifiées et collées les unes avec les autres pour former de noyaux de fer stratifiés pour moteurs électriques, ce liquide mélangé a une fonction de colle catalytique, et la colle est un adhésif anaérobie de type acrylate, de sorte qu’après la composition mutuelle, il est possible d’être durci à température ambiante pour réaliser la colle et la liaison entre les multiples plaques de noyau de fer.
La section droite des ouvertures 20 peut correspondre à la section droite souhaitée des fils 21 ou peut être différente de la section droite des fils qui sera obtenue. Le diamètre équivalent des fils 21 peut être égal ou supérieur au diamètre équivalent des ouvertures 20.
La couche de germination 16 est en un matériau favorisant la croissance des fils. A titre d'exemple, le matériau composant la couche de germination 16 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, la couche de germination 16 peut être en nitrure d'aluminium (AlN), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB 2 ), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), en nitrure de magnésium sous la forme Mg x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg 3 N 2 ou du nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstène (WN) ou en une combinaison de ceux-ci. La couche de germination 16 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches, chaque couche étant par exemple dans l'un des matériaux décrits précédemment.
Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 16 peut ne pas être présente. Selon un autre mode de réalisation, la couche de germination 16 peut être remplacée par des plots de germination, par exemple formés au fond des ouvertures 20.
Chaque couche isolante 18, 24 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO 2 ), en nitrure de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), en oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), en oxyde d'hafnium (HfO 2 ), en dioxyde de titane (TiO 2 ) ou en diamant. La couche isolante 18, 24 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. Lorsque la couche isolante 18 correspond à un empilement d'au moins deux couches, la couche supérieure de l'empilement est de type isolante, par exemple en un matériau diélectrique.
Les fils 21 comprennent en majorité, de préférence à plus de 60 % en masse, plus préférentiellement à plus de 80 % en masse, au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés.
Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO, CdZnMgO, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Le matériau semiconducteur des fils peut comporter un dopant, par exemple du silicium assurant un dopage de type N d’un composé III-N, ou du magnésium assurant un dopage de type P d’un composé III-N.
La couche conductrice 28 correspond, de préférence à une couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, en or ou en zinc. L'épaisseur de la couche conductrice 28 peut être comprise entre 0,01 µm et 1000 µm.
La couche d'électrode 26 peut être une couche en un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. La couche d'électrode 26 peut être une couche métallique, notamment en argent, en aluminium, ou en titane, suffisamment mince pour être transparente au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED. L'épaisseur de la couche d'électrode 26 peut être comprise entre 0,01 µm et 10 µm.
La couche d'encapsulation 34 peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires LED. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium, du type SiO x où x est un nombre réel qui varie de 1 à 2, les nitrures de silicium (Si x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si 3 N 4 ), les oxynitrures de silicium (notamment de formule générale SiO x N y , par exemple du Si 2 ON 2 ), l'oxyde de titane, les oxydes d'aluminium, par exemple Al 2 O 3 , et les mélanges de ces composés. La couche d'encapsulation 34 peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation 34 est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 34 peut avoir une structure monocouche ou multicouches, et comprendre par exemple un empilement de couches organiques et/ou inorganiques.
Le filtrage du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la de la diode électroluminescente GLED peut être réalisé par tout moyen. Selon un mode de réalisation, le filtrage est obtenu en recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED d'une couche d'un matériau coloré. Selon un autre mode de réalisation, le filtrage est obtenu en recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED de la diode électroluminescente GLED d'un filtre interférentiel. De préférence, le filtre optique F_LED comprend une couche de résine colorée. Le filtre optique F_LED peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 200 µm.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 50 à nanofils ou microfils. Le dispositif optoélectronique 50 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 5 représenté en , trois diodes électroluminescente GLED étant représentées à titre d'exemple en , et comprend en outre de bas en haut en : - une couche 30 de protection diélectrique s'étendant sur les couches 26 et 28 ; - des blocs photoluminescents 32, 33 recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires LED de certaines des diodes électroluminescentes GLED (à titre d'exemple les deux diodes électroluminescentes GLED à gauche en ), la couche d'encapsulation 34 correspondant à des blocs d'encapsulation 34 recouvrant les diodes électroluminescentes élémentaires d'autres diodes électroluminescentes GLED (à titre d'exemple la diode électroluminescente GLED à droite en ) ; - une couche isolante 36 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 32, 33, 34, ou seulement de certains des blocs 32, 33, 34, la couche isolante 36 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 37 recouvrant les couches isolantes 36, les faces latérales des blocs 32, 33, 34 et la couche d'électrode 26 entre les blocs 32, 34 ; - des murs 38 entre les blocs 32, 34, chaque mur 38 comprenant un coeur 40 entouré d'un revêtement 42 réfléchissant ; - le filtre optiques F_LED recouvrant les blocs 34, et éventuellement d'autres filtres optiques 43, 44 recouvrant les blocs photoluminescents 32 et 33, par exemple deux filtres 43, 44, le premier étant un filtre vert et le deuxième étant un filtre rouge ; et - une couche de protection 46 recouvrant l'ensemble de la structure, la couche de protection 46 pouvant ne pas être présente.
Dans le présent mode de réalisation, la couche d'électrode 26 est commune aux diodes électroluminescentes GLED. Les diodes électroluminescentes GLED peuvent être commandées séparément par des connections spécifiques, non représentées, prévues dans le substrat 10. De façon générale, les anodes des diodes électroluminescentes et/ou les cathodes des diodes électroluminescentes ne sont pas communes pour pouvoir commander séparément les diodes électroluminescentes GLED.
Selon un mode de réalisation, le rayonnement émis par l'un des blocs photoluminescents 33, 34, après avoir traversé le filtre optique 43, 44 recouvrant le bloc photoluminescent lorsque ce filtre optique est présent, correspond à de la lumière verte, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, le rayonnement émis par un autre des blocs photoluminescents 33, 34, après avoir traversé le filtre optique 43, 44 recouvrant le bloc photoluminescent lorsque ce filtre optique est présent, correspond à de la lumière rouge, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 600 nm à 720 nm.
Selon un mode de réalisation, les diamètres des fils 21 de toutes les diodes électroluminescentes élémentaires LED des diodes électroluminescentes GLED du dispositif optoélectronique 50 sont différents comme cela a été décrit pour le dispositif optoélectronique 5. Comme cela est représenté en , pour les diodes électroluminescentes élémentaires LED recouvertes des blocs photoluminescents 32, 33, le filtre optique F_LED peut ne pas être présent entre les diodes électroluminescentes élémentaires LED et les blocs photoluminescents 32, 33. La dispersion des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED qui sont recouvertes des blocs photoluminescents 32, 33 n'a sensiblement pas d'incidence sur le spectre du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 32, 33. En effet, les blocs photoluminescents 32, 33 sont adaptés à absorber les rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED sur une plage de longueurs d'ondes suffisamment large pour contenir les longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED malgré la dispersion des longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les diodes électroluminescentes élémentaires LED.
Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 50 correspond à un pixel d'affichage dans lequel chaque diode électroluminescente GLED émet un rayonnement RL de couleur bleue. Le filtre F_LED qui recouvre l'une des diodes électroluminescentes GLED est un filtre passe bande centrée sur une longueur d'onde dans le bleu et les blocs photoluminescents 32, 33 qui recouvrent les autres diodes électroluminescentes GLED permettent par exemple l'obtention des couleurs verte et rouge. De façon avantageuse, pour chaque diode électroluminescente GLED recouverte d'un bloc photoluminescent 32, 33, il n'y a pas de perte d'efficacité d'émission car l'ensemble du rayonnement à spectre large des diodes électroluminescentes GLED est converti par les blocs photoluminescents 32, 33. Comme pour l'obtention d'une lumière blanche, la proportion de lumière bleue est d'environ seulement 5 %, la perte d'efficacité d'émission due au filtre F_LED est réduite par rapport à l'ensemble du pixel d'affichage.
Chaque couche isolante 30, 36, 37, 46 peut avoir la même composition que celle décrite précédemment pour les couches isolantes 18, 24. Le revêtement 42 peut avoir la même composition que celle décrite précédemment pour la couche conductrice 28.
Figure 8A : Une illustration de la mise en œuvre de la première commande utilisateur.
Figure 8B : Une illustration de la mise en œuvre de la deuxième commande utilisateur.
Figure 8C : Une illustration de la mise en œuvre de la troisième commande utilisateur.
Figure 8D : Une illustration de la mise en œuvre de la quatrième commande utilisateur.
: Une illustration de la mise en œuvre d’une étape de mise à jour automatique, par le calculateur, d’une pluralité de listes de premiers objets en réponse à la mise en œuvre de la première commande utilisateur sur un premier objet.
: Une illustration de l’afficheur après la mise en œuvre d’une étape d’affichage d’une pluralité de listes de premiers objets, dans un mode de réalisation dans lequel une liste de premiers objets est positionnée sur un cercle.
: Une illustration de la mise en œuvre, par le calculateur, d’une étape de mise à jour automatique d’une liste de premiers objets en réponse à l’actionnement d’un premier objet au moyen de la quatrième commande utilisateur
: Une illustration de la mise en œuvre d’une étape de mise à jour automatique, par le calculateur, de l’ensemble des listes de premiers objets en réponse à la mise en œuvre de la première commande utilisateur sur un deuxième objet.
: Un schéma d’une configuration matérielle configurée pour mettre en œuvre, en interaction avec un utilisateur, les étapes du procédé de l’invention.
Description de l’invention Selon un premier aspect, l’invention concerne un procédé mis en œuvre par ordinateur de génération d’une requête de recherche. L’invention permet avantageusement de générer une requête complexe multicritère par un utilisateur grâce à une organisation optimisée des données et une navigation facilitée au travers de ces données. Les données, dans le cadre de l’invention peuvent être issues de sources diverses, telles que des sites web ou des bases de données. D’autres exemples seront donnés dans la présente description. L’invention s’applique dans des cas variés, tels que la génération d’une requête de recherche dans un but éducatif ou ludique, ou dans le but d’achat de biens, ou de services tels que la réservation d’un voyage ou la réservation d’un rendez-vous médical chez un spécialiste. L’invention s’applique également dans le cadre de la génération d’une requête de recherche à partir de données personnelles, par exemple des données horodatées (contacts, fichiers divers) et enregistrés dans une mémoire d’un appareil (par exemple un smartphone, une tablette ou un ordinateur).
Dans la suite de la description, on entend par « à partir de » a une signification équivalente à « en utilisant ». Ainsi, lorsque dans un mode de réalisation, il est décrit qu’une requête de recherche est générée « à partir de » paramètres de requête, cela signifie que la requête de recherche est générée en utilisant les paramètres de requête. Lorsque dans un autre mode de réalisation, il est décrit qu’une liste ou sous-liste est mise à jour « à partir de » données stockées dans une mémoire, cela signifie que la liste ou sous-liste est mise à jour en utilisant les données stockées dans la mémoire.
Premiers objets En référence aux figures 1 à 6, le procédé comprend une première étape de d’affichage AFF 1 d’une pluralité de listes L 1 , …, L x de premiers objets A 1 , …, A x . Les listes L 1 , …, L x de premiers objets A 1 , …, A x sont affichés sur un afficheur E 1 au moyen d’un calculateur CLC 1 .
Les premiers objets A 1 , …, A x comprennent par exemple des éléments graphiques tels que des icones ou des pictogrammes. Les premiers objets A 1 , …, A x sont par exemple des représentations graphiques d’éléments relatifs à une catégorie donnée. Des exemples de catégories sont, à titre non limitatif : l’apprentissage, la santé, la mobilité/les transports, les loisirs, le travail, la consommation (ex : relatif à l’alimentation), les communautés (ex : relatif aux réseaux sociaux ou de manière plus générale à la communication entre plusieurs utilisateurs), etc.
Selon un exemple illustratif, les premiers objets A 1 , …, A x sont relatifs à la catégorie « apprentissage ». Une première liste L 1 , …, L x de premiers objets A 1 , …, A x comprends alors différents pictogrammes représentatifs de divers domaines d’apprentissage, comme la musique, l’histoire, les langues, ou encore les sciences.
Les listes L 1 , … , L x de premiers objets A 1 , …, A x sont positionnées sur des premières lignes Lin 1 , …, Lin x sur l’afficheur E 1 . Les premiers objets A 1, …, A x de chaque liste L 1 , …, L x sont répartis le long d’une première ligne L 1 , …, L x .
Optionnellement, au moins deux premières lignes L 1 , …, L x sont non-sécantes sur l’écran E 1 . Par exemple, au moins deux premières lignes L 1 , …, L x sont parallèles entre elles sur l’afficheur E 1 . Selon un autre exemple, l’ensemble des premières lignes L 1 , …, L x sont parallèles entre elles sur l’afficheur E 1 . Selon un autre exemple, au moins deux premières lignes L 1 , …, L x sont des cercles concentriques sur l’afficheur E 1 .
La , représentent en vue de dessus, les mésas des figures 8A, 8B et 8C respectivement, selon la ligne de coupe représentée en pointillé sur les figures 8A, 8B et 8C.
La est un cliché obtenu au microscope électronique à balayage d’une mésa obtenue selon le premier mode de réalisation de l’invention.
Nous allons maintenant décrire plus en détail le procédé de porosification de (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N en faisant référence aux figures 4A à 4D, 5A à 5D, 6A à 6H, 7A à 7H et 8A à 8F.
a) fournir une structure 100 comprenant un substrat de base 110 recouvert de mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N (figures 5A, 6A-6B, 7A-7B, 8A-8B),
- éventuellement une couche tampon 115 en (Al,Ga)N, notamment dans le cas d’une couche support 114 en silicium,
S300 : l’ajout d’une solution alcaline dans la solution de sel métallique, et la réalisation d’opérations de mélange et de filtration et séchage par réaction, pour obtenir un précipité. On peut comprendre que le précipité est suffisamment généré à partir de la solution de sel métallique sous l’action de la solution alcaline, c’est-à-dire que le taux de rendement du matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt est assuré.
S400 : l’ajout d’hydroxyde de lithium au précipité et la réalisation d’une opération de frittage à basse température pour obtenir un précurseur. L’élément lithium, l’élément nickel et l’élément fer sont uniformément répartis dans le précurseur obtenu.
S500 : la réalisation d’un traitement de revêtement sur le précurseur avec l’oxyde résistant aux hautes températures. On peut comprendre qu’après l’étape d’ajout d’hydroxyde de lithium au précipité et de réalisation d’une opération de frittage à basse température, le précurseur obtenu est ensuite soumis à un traitement de revêtement avec l’oxyde résistant aux hautes températures, de sorte que le précurseur, qui a obtenu un certain degré de structure de pores frittés en raison du pré-frittage soit soumis à un traitement de revêtement avec l’oxyde résistant aux hautes températures avant le frittage à haute température, et ainsi l’oxyde résistant aux hautes températures appliqué extérieurement en revêtement sur les particules de précurseur forme une structure de couche, empêchant efficacement le problème de fusion des grains pour former des particules secondaires lors du frittage à haute température des particules de précurseur, garantissant ainsi la surface spécifique et les performances électrochimiques du matériau à haute teneur en nickel et sans cobalt.