Dispositif de détection (1) d’un rayonnement électromagnétique, comprenant au moins un pixel sensible comportant un détecteur thermique (10), et comportant : un substrat de lecture (20), comportant un circuit de lecture, lequel est formé d’un empilement de : une structure de lecture (23) contenant des éléments électroniques actifs (23.1) du circuit de lecture, dont au moins un premier élément électronique actif (23.1a) situé dans le pixel sensible et connecté au détecteur thermique (10) ; une structure d’interconnexion (22) contenant différents niveaux de métallisation connectés aux éléments électroniques actifs (23.1), dont un niveau de métallisation supérieur situé du côté d’une face supérieure du substrat de lecture (20) ; le détecteur thermique (10), comportant : une membrane absorbante (11), suspendue au-dessus d’une face supérieure du substrat de lecture (20) et thermiquement isolé de celui-ci ; des piliers d’ancrage (13), assurant la suspension de la membrane absorbante (11) et la connexion électrique de celle-ci au circuit de lecture ; caractérisé en ce que : la structure de lecture (23) est située sur et au contact de la structure d’interconnexion (22) ; le premier élément électronique actif (23.1a) est connecté directement au niveau de métallisation supérieur ; les piliers d’ancrage (13) s’étendent continûment dans le substrat de lecture (20) jusqu’à venir au contact du niveau de métallisation supérieur. Dispositif de détection (1) selon la revendication 1, dans lequel le niveau de métallisation supérieur comporte plusieurs portions conductrices coplanaires (22.1), dont une première portion conductrice (22.1a) à laquelle un premier pilier d’ancrage (13) du pixel sensible vient au contact, et à laquelle le premier élément électronique actif (23.1a) est connecté au moyen d’un premier via conducteur (23.2a). Dispositif de détection (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les éléments électroniques actifs (23.1) sont connectés directement à des portions conductrices coplanaires (22.1) du niveau de métallisation supérieur par des vias conducteurs (23.2), lesdits vias conducteurs (23.2) et les piliers d’ancrage (13) étant réalisés en les mêmes matériaux. Dispositif de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat de lecture (20) comporte une structure supérieure (24) située sur et au contact de la structure de lecture (23), la structure de lecture (23) comportant : une première couche isolante (23.3) dans laquelle sont situées les éléments électroniques actifs (23.1) et au travers laquelle s’étendent des vias conducteurs (23.2) entre les éléments électroniques actifs (23.1) et des portions conductrices (22.1) du niveau de métallisation supérieur ; une deuxième couche isolante (23.4) qui s’étend sur et au contact de la couche isolante et des éléments électroniques actifs (23.1) ; la structure supérieure (24) comportant : une troisième couche isolante (24.1), qui s’étend sur et au contact de la deuxième couche isolante (23.4) ; un réflecteur (24.3) reposant sur la troisième couche isolante (24.1). Dispositif de détection (1) selon la revendication 4, dans lequel la structure supérieure (24) comporte une couche mince de protection (24.2), réalisée en un matériau inerte à l’acide fluorhydrique, s’étendant au-dessus de la troisième couche isolante (24.1), les première, deuxième et troisième couches isolantes (23.3, 23.4, 24.1) étant réalisées en un matériau minéral. Dispositif de détection (1) selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le réflecteur (24.3) est un miroir de Bragg formé de plusieurs couches minces (33.1) espacées verticalement les unes des autres et maintenues par des vias conducteurs (24.5) traversant lesdites couches minces (33.1). Dispositif de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat de lecture (20) est un premier substrat de lecture auquel est assemblé et connecté électriquement un deuxième substrat de lecture (60) au niveau d’une face opposée à la face supérieure du premier substrat de lecture (20), le deuxième substrat de lecture (60) comportant un empilement d’une deuxième structure de lecture (62) et d’une deuxième structure d’interconnexion (63), dans lequel : des portions conductrices (63.3) d’un niveau de métallisation inférieur de la deuxième structure d’interconnexion (63) sont connectées à des éléments électroniques actifs de la deuxième structure de lecture (62) ; des portions conductrices (63.1) d’un niveau de métallisation supérieur de la deuxième structure d’interconnexion (63) sont au contact de portions conductrices (22.3) d’un niveau de métallisation inférieur de la structure d’interconnexion (22) du premier substrat de lecture (20). Dispositif de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, comportant un plot de connexion externe (2) destiné à être connecté électriquement à un système électronique externe, s’étendant au travers de la structure de lecture (23) pour venir au contact d’au moins une portion conductrice (22.1) du niveau de métallisation supérieur. Procédé de fabrication d’un dispositif de détection (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation d’un premier empilement comportant une poignée (31 ; 51) sur laquelle repose une couche sacrificielle (32) réalisée en un matériau minéral ; report et collage moléculaire, sur le premier empilement, d’un substrat SOI (40) formé d’un substrat de silicium (41), d’une couche d’oxyde (42) puis d’une couche mince de silicium (43), puis retrait du substrat de silicium (41) ; réalisation de la structure de lecture (23), les éléments électroniques actifs (23.1) étant réalisés à partir de la couche mince de silicium (43) sur substrat SOI (40), réalisation de la structure d’interconnexion (22) sur la structure de lecture (23), des portions conductrices du niveau de métallisation supérieur étant directement connectés aux éléments électroniques actifs (23.1) par des vias conducteurs (23.2) ; retournement de l’empilement obtenu, puis retrait de la poignée (31 ; 51) ; réalisation de la membrane absorbante (11) sur la couche sacrificielle (32) ; suppression de la couche sacrificielle (32) de manière à suspendre la membrane absorbante (11). Procédé de fabrication selon la revendication 9, dans lequel la réalisation de la structure de lecture (23) comporte les étapes suivantes : dépôt d’une première couche isolante (23.3) recouvrant les éléments électroniques actifs (23.1) ; réalisation de vias conducteurs (23.2), s’étendant au travers de la première couche isolante (23.3) pour venir au contact des éléments électroniques actifs (23.1) ; réalisation des piliers d’ancrage (13), s’étendant au travers de la première couche isolante (23.3) et de la couche sacrificielle (32) pour venir au contact de la poignée (31 ; 51). Procédé de fabrication selon la revendication 9 ou 10, comportant, avant l’étape de report et de collage moléculaire, une étape de réalisation d’une structure supérieure (24), reposant sur la couche sacrificielle (32 ; 52), comportant un réflecteur (24.3) et une couche mince de protection (24.2), lesquels sont recouverts par une troisième couche isolante (24.1). Procédé de fabrication selon la revendication 11, dans lequel, la couche mince de silicium (43) du substrat SOI (40) est recouverte d’une deuxième couche isolante (23.4), de sorte que, lors du report et du collage moléculaire, la deuxième couche isolante (23.4) est mise au contact de la troisième couche isolante (24.1). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel, lors de l’étape de réalisation de la membrane absorbante (11), un transducteur thermométrique (11.1), par exemple une thermistance, est réalisé. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel, lors de l’étape de réalisation du premier empilement, un transducteur thermométrique (11.1), par exemple une diode à jonction ou un transistor, est réalisé sur la poignée (31 ; 51), puis est recouvert par la couche sacrificielle (32).