INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En référence à la , chaque rainure d’accrochage 404 présente un fond 602, c’est-à-dire partie de la rainure d’accrochage 404 la plus éloignée de la face supérieure 304. Chaque rainure d’accrochage 404 présente en outre deux parois latérales 604A, 604B s’étendant du fond 602 jusqu’à la face supérieure 304.
En outre, chaque rainure d’accrochage 404 est présente une profondeur Pr (distance entre le fond 602 et la face supérieure 304) sensiblement égale à sa largeur La. Par exemple, la largeur La est comprise entre 90% et 110% de la profondeur Pr.
Par exemple, les deux parois latérales 604A, 604B sont perpendiculaires à la face supérieure 304.
Selon un modèle simple de forces s’appliquant à la partie du surmoulage 310 présent dans la rainure d’accrochage 404 (cette partie étant repérée par des traits pointillés), cette partie du surmoulage 310 subit deux forces latérales FA, FB de la part des parois latérales 604A, 604B et une force de décollement FU en haut de la rainure d’accrochage 404. En considérant ce modèle simple, un décollement se produit lorsque la force de décollement FU devient supérieure à la somme des deux forces de frottement contre les deux parois latérales 604A, 604B, soit lorsque la force de décollement FU devient supérieure à : f x FA + f x FB = f x FC, avec FC = FA + FB et f le coefficient de friction entre le surmoulage 310 et les parois latérales 604A, 604B supposé identique pour les deux parois 604A, 604B. Ainsi, le seuil de décollement est de f x FC.
En référence à la , alternativement, les deux parois latérales 604A, 604B sont obliques par rapport à la face supérieure 304. De préférence, chacune des parois latérales 604A, 604B fait, avec la face supérieure 304, un angle A2, respectivement A3, compris entre 30° et 60° avec la face supérieure (FS). Les deux angles A2, A3 sont par exemple égaux. Ces angles A2, A3 sont mesurés dans la rainure d’accrochage 404, comme illustré.
En considérant le même modèle simple qu’à la , le seuil de décollement avec les deux parois latérales 604A, 604B obliques avec un même angle A = A2 = A3 est de f x cos 2 (A) x FC.
En référence à la , alternativement, l’une 604A des parois latérales 604A, 604B est perpendiculaire à la face supérieure 304 et l’autre 604B est oblique par rapport à la face supérieure 304.
De préférence, la paroi latérale oblique 604B fait, avec la face supérieure 304, un angle A4 compris entre 30° et 60° avec la face supérieure (FS). L’angle A4 est pris dans la rainure d’accrochage 404, comme illustré.
En considérant le même modèle simple qu’à la , le seuil de décollement avec une paroi latérale 604A perpendiculaire et l’autre 604B oblique, est de 0,5 x f x (1 + cos²(A4) x FC.
Ainsi, le seuil de décollement peut être plus élevé pour le mode de réalisation de la , par rapport aux modes de réalisation des figures 6 et 7.
En référence à la , deux rainures d’accrochage 404 parallèles sont de préférence séparées l’une de l’autre d’une distance D supérieure à cinq fois la profondeur Pr et/ou la largeur La de chacune des deux.
En référence à la , un exemple d’un procédé 1000 selon l’invention, de fabrication du module de puissance 300 des figures précédentes, va à présent être décrit.
Au cours d’une étape 1002, une plaque initiale est obtenue. La plaque est par exemple en cuivre et présente par exemple une épaisseur supérieure à 1 mm.
Au cours d’une étape 1004, il est procédé à une évaluation, dans le module de puissance 300 à fabriquer, d’une contrainte mécanique T exercée par le surmoulage 310 en chacun de plusieurs points P d’au moins une des faces supérieures 304 des conducteurs 302. Cette évaluation est par exemple réalisée par une simulation numérique ou bien par mesures sur un module de puissance test, identique à celui à fabriquer, dans les deux cas en l’absence de rainures d’accrochage. En effet, la présence de rainures d’accrochage ne change pas substantiellement les contraintes exercées par le surmoulage 310 sur les surfaces 314.
Par exemple, des lignes iso-contrainte sont déterminées et les contraintes mécaniques T en plusieurs points P de chacune d’elles sont évaluées.
L’au moins un dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100 permet notamment ici de choisir et de localiser avec précision un visage, ou les yeux d’un individu.
L’au moins un dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100 est fixé audit support 21.
En l’occurrence, le système d’acquisition d’image 20 comporte ici un premier et un deuxième dispositifs d’acquisition d’image contextuelle 100.
Le premier et le deuxième dispositifs d’acquisition d’image contextuelle 100 permettent notamment ici de réaliser une localisation des yeux d’un individu par stéréoscopie.
Le premier et le deuxième dispositifs d’acquisition d’image contextuelle 100 sont notamment agencés pour être suffisamment écartés l’un de l’autre pour obtenir une précision de localisation suffisante des yeux d’un individu dans trois dimensions.
Le sous-système 30 est ici disposé entre le premier dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100 et le deuxième dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100.
Les premier et deuxième dispositifs d’acquisition d’image contextuelle 100 sont ici centrés sur l’axe de visée D1 dudit dispositif d’acquisition d’image 40.
En l’occurrence, les premier et deuxième dispositifs d’acquisition d’image contextuelle 100 sont assujettis au support 21 par l’intermédiaire du cadre 105.
Le cadre 105 encadre ici entièrement le sous-système 30.
Dans d’autres termes, le premier dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100 est situé au-dessus du sous-système 30, alors que le deuxième dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100 est situé en dessous du sous-système 30.
En l’occurrence, le cadre 105 comporte ici en outre une signalétique lumineuse configurée pour guider un regard d’un individu vers le premier dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100.
Cette signalétique lumineuse permet notamment ici de garantir un centrage du regard de l’individu sur une photo de son visage et que les iris de l’individu soient orientés vers le dispositif d’acquisition d’image 40.
En l’occurrence, l’interface électrique du support 21 est ici assimilable à une plateforme de traitement principale configurée au moins pour traiter l’au moins une image fournie par le dispositif d’acquisition d’image 40, l’au moins une image fournie par l’au moins un dispositif d’acquisition d’image contextuelle 100 et gérer la signalétique lumineuse.
Tel qu’illustré sur la , le dispositif d’image 40 a un champ de capture vertical qui dépend du mouvement de rotation de l’élément réfléchissant 60 selon l’axe de rotation D2.
L’élément réfléchissant 60 est configuré ici pour avoir une plage de débattement d’environ 70° selon l’axe de rotation D2, et avoir notamment un débattement de plus ou moins 35° par rapport à une position de centrage nominal à 45° selon un plan nominal incluant l’axe D2 et orthogonal à l’axe de visée D1.
Tel qu’illustré sur la , le dispositif d’image 40 a un champ de capture horizontal qui dépend du mouvement de rotation du sous-système 30 selon l’axe de rotation D3.
– au moins une partie de la portion frangible est en vis-à-vis d’un évent de l’accumulateur, préférentiellement sur un chemin d’éventage des gaz.
PRÉSENTATION DES FIGURES – la illustre un module d’accumulateur électrochimique selon l’invention ;
– la illustre le boitier du module d’accumulateur électrochimique de la ;
– la illustre le boitier de la , avec son réseau de conduits fluidiques visible ;
– la et la sont des vues schématiques d’un module accumulateur électrochimique selon l’invention, avec son connecteur coupe-circuit en position activée, pour deux modes de réalisation différents ;
– la et la sont des vues similaires respectivement aux figures 4A et 4B, avec le connecteur coupe-circuit en position désactivée ;
– la est une variante de la ;
– la est une vue similaire à la , pour un module accumulateur électrochimique selon un autre mode de réalisation de l’invention ;
– la est une vue en perspective d’un module accumulateur électrochimique selon un autre mode de réalisation de l’invention ;
– la est une vue éclatée partielle de module accumulateur électrochimique de la ;
– la est une vue de dessous de la première paroi d'appui du boitier du module accumulateur électrochimique de la ;
– la est une vue de détail de la coopération des connecteurs coupe-circuit avec les accumulateurs du module accumulateur électrochimique de la ;
– la est une vue éclatée d’un module accumulateur électrochimique selon un autre mode de réalisation de l’invention ;
– la est une vue en perspective de la première paroi d'appui du boitier du module accumulateur électrochimique de la ;
– la est une vue de dessus du support d’actionneurs de la première paroi d'appui de la ;
– la est une vue de dessous du support d’actionneur de la , les connecteurs coupe-circuit étant en position désactivée ;
De plus, grâce à la plaque de décharge, et bien que l’écran ne soit pas blindé, il n’est pas nécessaire de prévoir une distance minimum entre l’écran et l’ouverture dans le but d’isoler l’écran par rapport aux décharges électrostatiques. Un tel terminal est donc dépourvu de blindage d’écran sans pour autant être encombrant.
Par ailleurs, dans le cadre de terminaux de paiement sans contact, équipés d’une antenne de communication, il est connu que le blindage de l’écran peut produire des interférences importantes au niveau de l’antenne lorsque celle-ci est utilisée. Le fait de pouvoir utiliser un terminal de paiement sans requérir de blindage de l’écran est donc très intéressant dans un contexte sans contact et permet d’améliorer la fonction sans contact. Cette configuration ne nécessitant pas un blindage évite également de perturber d’autres composants électroniques.
On entend généralement par « ouverture susceptible de générer des décharges électrostatiques » une ouverture susceptible d’être en contact avec la peau de l’utilisateur, telle que par exemple une ouverture de réception d’un bouton disposé à côté de l’écran.
Suivant d’autres caractéristiques optionnelles du terminal de paiement électronique prises seules ou en combinaison :
- L’écran d’affichage est dépourvu de blindage. On entend par « blindage » une enveloppe de décharge, métallique, qui fait tout le tour de l’écran.
- Le logement de réception de l’écran est délimité notamment par une paroi en matière plastique et la plaque de décharge est rapportée sur cette paroi en matière plastique. On utilise ainsi un support de l’écran préexistant, qui sert également de support à la plaque de décharge.
La paroi en matière plastique est avantageusement disposée de façon perpendiculaire à une surface principale du support d’écran, dans une zone disposée entre l’écran et un clavier de saisie muni d’au moins un bouton traversant l’ouverture disposée sur le boîtier extérieur. La paroi en matière plastique comprend une surface située du côté de l’écran et une surface opposée à cette surface du côté de l’écran. Avantageusement, la plaque de décharge est agencée sur la surface opposée. Ainsi, il n’est pas nécessaire de modifier le logement pour pouvoir y insérer la plaque de décharge.
- L’écran d’affichage est situé à une distance de l’ouverture inférieure ou égale à 15 mm. Grâce à l’invention, le terminal de paiement électronique peut être utilisé quand l’air est très sec. En effet, pour protéger l’écran quand l’air est très sec, il convient de supporter des décharges électrostatiques jusqu’à 15kV. Ceci correspond à une distance entre l’ouverture et l’écran de 15 mm.
- L’écran d’affichage est situé à une distance de l’ouverture inférieure ou égale à 8 mm. Grâce à l’invention, le terminal de paiement électronique est conforme à la norme IEC-61004-2 (Technique d'essai et de mesures - Essais d'immunité aux décharges électrostatiques), qui prévoit que les composants électroniques ne doivent pas être soumis à une décharge électrostatique supérieure à 8 kV, ce qui correspond à une distance de 8 mm entre la génération d’une décharge électrostatique et le composant électronique.
- La plaque de décharge est une pièce en métal, reliée à la masse. La plaque de décharge déroute les décharges électrostatiques, évitant ainsi que celles-ci passent dans l’écran. La plaque de décharge est par exemple une plaque pleine. Elle peut aussi être ajourée. On comprend que la plaque de décharge est dans un métal conducteur. De façon avantageuse, elle est en acier inoxydable. L’acier inoxydable ½ H présente une dureté particulièrement adaptée, car elle doit être suffisamment souple et déformable pour mettre en place la liaison avec la masse.
- La plaque de décharge reliée à la masse est reliée à un blindage de la carte électronique. Le blindage de la carte électronique est relié à la masse, assurant ainsi la liaison entre la plaque de décharge et la masse. Cette configuration est simple puisque le blindage de la carte électronique est situé dans le support d’écran, entre la carte électronique et l’écran. Ainsi, on relie la plaque de décharge à un élément relié à la masse, et situé à proximité de la plaque de décharge. Alternativement, la plaque de décharge peut être reliée à la carte électronique, ce qui présente le même avantage.
- La plaque de décharge comprend une languette destinée à établir le contact avec la masse. Le contact avec la masse est établi par l’intermédiaire de la languette. La languette s’étend à partir de la plaque de décharge de manière à établir le contact. Il est ainsi possible d’établir une liaison à la masse en un site déporté par rapport à la plaque. Avantageusement, la languette est mobile par rapport à la plaque de décharge et est déformable. De préférence, la languette présente une élasticité de sorte que la force de rappel élastique tend à établir le contact. Ainsi, le contact est assuré, quelles que soient les tolérances de fabrication et d’assemblage des pièces. De façon avantageuse, la languette part d’un bord inférieur de la plaque de décharge, lorsque celle-ci est positionnée dans le terminal de paiement électronique, et occupe une position centrale par rapport au bord inférieur de la plaque de décharge. Ainsi, la languette permet la liaison avec un élément relié à la masse, situé en direction de la carte électronique.
- La paroi en matière plastique comprend une surface située du côté de l’écran et une surface opposée à cette surface du côté de l’écran, et la plaque de décharge est agencée sur la surface opposée, et la paroi en matière plastique comprend un passage pour la languette. Ainsi, la languette peut passer au travers de la paroi en matière plastique pour assurer le contact à la masse de la plaque de décharge. Cette configuration permet d’effectuer la liaison à la masse de l’autre côté de la paroi en matière plastique, du côté de l’écran. On peut ainsi par exemple relier la plaque de décharge à un blindage de la carte électronique.
- La plaque de décharge présente une épaisseur allant de 0.05 à 0.5 mm, de préférence voisine de 0.1 mm. Une telle épaisseur est compatible avec la fonction de la plaque de décharge, et permet à la languette d’avoir une souplesse suffisante pour établir le contact avec la masse. Il est avantageux que la plaque ait une épaisseur proche de 0,1 mm pour réduire la quantité de métal.
- La plaque de décharge est fixée sur la paroi en matière plastique par bouterollage. Ce mode de fixation est particulièrement adapté pour la fixation d’une pièce métallique sur une pièce en matière plastique. Il est utilisé pour fixer d’autres composants au support d’écran, comme par exemple une antenne lorsque le terminal de paiement peut être utilisé sans contact. Il est donc avantageux d’utiliser la même technique de fixation pour la plaque de décharge. Alternativement, la plaque de décharge pourrait être fixée par collage, clippage, ou vissage ou tout autre mode de fixation connu de l’homme du métier.
- Le terminal de paiement est équipé d’une antenne de communication pour une utilisation sans contact.
Grâce à la sous-couche d’arrêt de gravure et l’étape de gravure sélective de la couche résiduelle après le transfert, aucun polissage mécano-chimique n’est nécessaire pour retirer la couche résiduelle issue du substrat donneur. De plus, la rugosité de la surface de la couche transférée est réduite et son épaisseur contrôlée pour atteindre des épaisseurs plus fines. La qualité de la couche transférée est ainsi encore améliorée.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. Les figures 1A à 1G représentent schématiquement des étapes du procédé de transfert selon l’invention, La représente plusieurs variantes de réalisation de l’étape d’épitaxie du procédé de transfert des à 1G, La présente la structure multicouche finale obtenue avec le procédé de transfert des figures 1A à 1G, Les figures 4A à 4K représentent schématiquement un premier mode de réalisation particulier du procédé des figures 1A à 1G, permettant d’améliorer la qualité de la couche semiconductrice, Les figures 5A à 5M représentent schématiquement un deuxième mode de réalisation particulier du procédé des figures 1A à 1G, permettant également d’améliorer la qualité de la couche semiconductrice, La représente schématiquement un premier substrat test permettant de déterminer la première dose d’implantation, La est un schéma synoptique représentant l’enchainement des étapes permettant de déterminer la première dose maximale de la première étape d’implantation de la , La représente schématiquement un deuxième substrat test permettant déterminer la deuxième dose d’implantation, La est un schéma synoptique représentant l’enchainement des étapes permettant déterminer la deuxième dose minimale de la deuxième étape d’implantation de la , La représente la densité de défauts générés dans un substrat en silicium par une implantation d’ions hydrogène, et par une implantation d’un mélange d’ions d’hélium et d’hydrogène, La représente la vitesse de gravure d’une couche de SiGe, en fonction de la pression partielle de gravure et en fonction du pourcentage de Ge dans l’alliage SiGe, La est un schéma synoptique représentant l’enchainement des étapes permettant de mettre en œuvre une étape supplémentaire de préparation de surface, cette étape étant comprise entre la deuxième étape et la troisième étape du procédé représenté sur les figures 1A à 1G.
DESCRIPTION DETAILLEE Les figures 1A à 1G représentent une vue de coupe schématique des étapes S110 à S160 d’un procédé de transfert d’une couche semiconductrice 40 d’un substrat donneur 10 vers un substrat receveur 20, qui permet d’obtenir une couche semiconductrice 40 réduite en défauts.
On entend par « défauts », des nano-cavités, lacunes, interstitiels, complexes hydrogénés, bulles, exfoliations présentes dans la couche semiconductrice ou à sa surface, et engendrant une dégradation de ses performances électriques.
Ce procédé de transfert comprend, comme le procédé Smart Cut™ de l’art antérieur, l’implantation d’ions légers, l’assemblage de deux substrats par collage et un recuit de fracturation.
Le procédé de transfert selon l’invention est remarquable en ce qu’il comprend, avant le transfert proprement dit réalisé par les étapes de collage S150 et de fracturation S160 ( et ), deux étapes d’implantation S120 et S140 ( et ) d’ions légers et une étape d’épitaxie S130 ( ) intercalée entre ces deux étapes d’implantation S120 et S140.
En référence à la , le procédé de transfert débute à la première étape S110 avec la fourniture d’un substrat donneur 10. Le substrat donneur 10 désigne un substrat support, de préférence un substrat semiconducteur par exemple en silicium. De façon générale, on désigne par « substrat » une plaquette ou tranche.
Le substrat donneur 10 présente une face supérieure 11, dite surface libre, qui est sensiblement plane.
En référence à la , la première étape S110 est suivie d’une étape S120 d’implantation de premiers ions légers 3a dans le substrat donneur 10, à travers la surface libre 11, à une profondeur 30 prédéterminée, dite profondeur d’implantation. Cette première implantation S120 permet de créer des défauts dans le substrat donneur 10 dans un plan dit fragile 300 situé à la profondeur 30 d’implantation. Le plan 300 est dit fragile car les défauts créés fragilisent le substrat donneur 10.
La profondeur d’implantation 30 est par exemple comprise entre100 nm et 1000 nm. Elle est mesurée à partir de la surface libre 11 et perpendiculairement à cette même surface. Par exemple, l’implantation S120 des premiers ions est accomplie à une énergie telle que le maximum du profil des ions implantés se retrouve à environ 300 nm de profondeur.
Cette énergie d’implantation dépend de l’espèce d’ion ou des espèces d’ions choisie(s). Si la première espèce implantée est de l’hélium, elle est de l’ordre de 35 keV pour obtenir une profondeur d’implantation de 300 nm.
Les ions légers sont des espèces définies par une masse atomique inférieure ou égale à 11. Les premiers ions 3a sont préférentiellement choisis parmi l’hydrogène (ou H), l’hélium (ou He), le bore (ou B), un mélange d’hélium et d’hydrogène (ou « He+H ») ou un mélange d’hydrogène et de bore (ou « H+B »). Il est en effet connu que ces espèces permettent de créer un plan fragile enterré susceptible de conduire à un transfert par Smart Cut™.
Dans le procédé Smart Cut™, l’étape d’implantation des ions légers est classiquement associée à une étape de recuit effectuée à une température de recuit généralement comprise entre 350°C et 600°C pour fracturer le substrat donneur et transférer la couche semiconductrice.
Dans le procédé selon l’invention, l’étape S120 d’implantation des premiers ions 3a n’est pas suivie par une étape « classique » de recuit, mais est suivie d’une étape S130 d’épitaxie, illustrée , visant à former la couche semiconductrice 40.
Le faisceau M sortant de la pastille 7 représente le couplage du mode de Tamm avec des ondes laser lorsque l’élément optoélectronique est mis en œuvre en tant que diode laser.
Par les dimensions latérales réduites de l’interface électrode – couche supérieure de l’empilement, le mode de Tamm est également confiné dans la direction latérale, orthogonalement à la direction d’empilement. La pastille métallique 7 permet à la fois le confinement et/ou la manipulation du mode de Tamm et d’amener des porteurs pour réaliser l’injection électrique (illustrée par les flèches e - ). La pastille métallique 7 peut être également appelée électrode d’injection.
Les couches de l’empilement 2 sont par exemple en arséniure de gallium (GaAs) et en alliage d’arséniure de gallium et d’arséniure d’aluminium (GaAlAs), avec la couche supérieure en GaAs. Bien entendu, d’autres combinaisons de matériaux peuvent être utilisées pour les couches afin de former un miroir interférentiel.
La pastille métallique 7 est de préférence en argent, et la couche d’isolant en oxyde d'yttrium(III) (Y 2 O 3 ) ou en silice (SiO 2 ). Le substrat peut également être en GaAs.
Le procédé 10, représenté sur la , comprend une phase 12 de création d’une couche d’isolant électrique 4 avec une ouverture 5 sur un miroir de Bragg 2, faisant partie d’un élément optoélectronique (non représenté) comme décrit ci-dessus.
La couche supérieure du miroir de Bragg 2 est de préférence en GaAs.
La phase 12 de création de l’isolant électrique comprend une étape 22 de dépôt d’une couche protectrice 13 sur le miroir de Bragg 2. La couche protectrice 13 peut notamment être une résine photosensible. La résine peut être déposée par enduction centrifuge ( spin coating ).
Ensuite, lors d’une étape 23 de photolithographie, la résine photosensible est exposée à une irradiation lumineuse à l’aide d’un masque pour définir l’emplacement futur de la pastille métallique. La résine 13’ en dehors de cet emplacement est soluble dans un développeur. Lors du développement, la partie soluble de la résine 13’ ainsi que la couche supérieure 2’ sont gravées. La partie non soluble de la résine, en forme de plot 14, protège le futur emplacement de la pastille métallique du développeur.