INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le diagramme 300 comprend des symboles graphiques 306, 308, 310, 312, 314 et 316 reliés aux barres d’alimentation 302 ou 304 par des arcs de lien 318. Chaque arc de lien vertical représente une opération OU LOGIQUE. Chaque arc de lien prend un état booléen TRUE ou FALSE, l’état booléen étant le même sur tous les arcs de lien directement connectés ensembles. Les arcs de liens 318 reliés à la barre d’alimentation 302 sont à l’état TRUE.
A titre d’exemple, le symbole 306 représente un contact dit direct permettant une opération booléenne entre l’état des arcs de liens 318 qui lui sont connectés et la variable booléenne INPUT1. L’état de l’arc de lien à droite du contact 306 est un ET LOGIQUE entre l’état du lien à gauche et la valeur de la variable INPUT1.
A titre d’exemple, le symbole 312 est celui d’une bobine directe associée à une sortie, par exemple OUTPUT1.
Un certain nombre de mélanges de carburant d’aviation durable ont été approuvés pour être utilisés. Par exemple, certaines mélanges approuvés comprennent des rapports de mélange allant jusqu’à 10 % de carburant d’aviation durable, tandis que d’autres mélanges approuvés comprennent des rapports de mélange compris entre 10 % et 50 % de carburant d’aviation durable (le reste comprenant un ou plusieurs combustibles hydrocarbonés à base fossile, tels que le kérosène), avec des compositions supplémentaires en attente d’approbation. Cependant, il existe une prévision dans l’industrie aéronautique selon laquelle des mélanges de carburant d’aviation durable, comprenant jusqu’à (et comportant) 100 % de carburant d’aviation durable (SAF) seront finalement approuvés pour une utilisation.
Un procédé de réalisation d’un dispositif 100 de type « Reconfigurable FET » selon un mode de réalisation particulier est décrit ci-dessous en lien avec les figures 1 à 5.
Une gravure d’une couche semi-conductrice, correspondant par exemple à la couche superficielle d’un substrat 102 de type SOI, est mise en œuvre de manière à former, sur le substrat 102 (sur la couche diélectrique enterrée 130 dans l’exemple décrit), une portion de matériau temporaire 160. En variante, le substrat 102 peut être de type bulk.
Une couche 112 de diélectrique et plusieurs grilles de commande électrostatique 110 sont réalisées sur la portion temporaire 160 et espacées les unes des autres (voir ). Dans l’exemple décrit ici, le dispositif 100 comporte deux grilles : une grille de contrôle et une grille de polarité.
Les grilles 110 réalisées sont distinctes et espacées les unes des autres.
La couche 112 comporte par exemple un matériau diélectrique high-K (à forte permittivité diélectrique) tel que du HfO 2 . En variante, cette couche 112 peut comporter du SiO 2 ou de l’Al 2 O 3 ou tout autre matériau ou combinaison de matériaux adaptés.
Les grilles de commande 110 sont par exemple réalisées par dépôt d’un ou plusieurs matériaux conducteurs sur la couche 112, par exemple un premier dépôt d’une fine couche de TiN (épaisseur par exemple égale à 3 nm) sur laquelle est empilée une couche de tungstène d’épaisseur par exemple égale à 200 nm. En variante, les grilles 110 peuvent comporter un ou plusieurs matériaux différents du TiN et du W, comme par exemple du polysilicium dopé ou tout autre métal (Mo, etc.).
Des espaceurs diélectriques 114 sont réalisés contre les flancs des grilles 110. Un matériau adapté à la réalisation des espaceurs diélectriques 114 correspond par exemple à du SiN, du SiCO ou du SiBCN. L’épaisseur de la couche déposée pour réaliser les espaceurs diélectriques 114 est par exemple comprise entre 5 nm et 15 nm.
Après la formation des espaceurs 114, un matériau diélectrique d’isolation 128, par exemple du SiO 2 , est ensuite déposé puis planarisé avec arrêt sur le masque dur présent sur les grilles 110 (non visible sur les figures). Le matériau diélectrique d’isolation 128 est déposé avec une forte épaisseur, puis une planarisation est mise en œuvre jusqu’à atteindre le masque dur. Le masque dur est ensuite retiré par exemple par gravure humide, par exemple à l’aide d’une solution de H 3 PO 4 diluée et utilisée à une température de 110°C.
Des cavités 150 sont ensuite gravées dans le matériau diélectrique d’isolation 128 (voir ). Ces cavités 150 comprennent des parois latérales formées par les espaceurs diélectriques 114 et des portions restantes du matériau diélectrique d’isolation 128. Ces cavités 150 forment des emplacements pour la réalisation des régions de source et de drain du dispositif 100. Les parties de la portion temporaire 160 non recouvertes par les grilles 110, la couche de diélectrique de grille 112 et les espaceurs diélectriques 114 et se trouvant au fond des cavités sont gravées.
La partie restante de la portion temporaire 160 recouverte par les grilles 110, la couche de diélectrique de grille 112 et les espaceurs diélectriques 114 est gravée, puis une couche de semi-conducteur 120 est déposée telle qu’une première zone 122 de la couche de semi-conducteur 120 forme une portion de matériau semi-conducteur disposée sur le substrat 102 et que les grilles 110 et la couche 112 de diélectrique de grille soient disposées sur cette première zone 122 de la couche de semi-conducteur 120. En outre, dans l’exemple visible sur la , une couche diélectrique 152 est déposée préalablement à la couche de semi-conducteur 120.
Des deuxièmes zones 124 de la couche de semi-conducteur 120 recouvrent les parois des cavités 150. Ces deuxièmes zones 124 forment, avec la première zone 122, une couche 120 continue.
De manière avantageuse, la couche de semi-conducteur 120 comporte au moins un matériau semi-conducteur 2D, par exemple un dichalcogénure de métaux de transition tel que du MoS 2 , ou du WSe 2 , ou du WS 2 , ou du MoTe 2 . Il est également possible que le matériau de la couche de semi-conducteur 120 corresponde à de l’IGZO, de l’In 2 O 3 , de l’IWO, de l’ITO, ou un oxyde de semi-conducteur amorphe, ou tout autre matériau semi-conducteur adapté.
Le circuit de commande peut être doté d’au moins un élément interrupteur apte, alternativement, à connecter ou déconnecter une ligne d’alimentation de cellules dudit premier ensemble à ladite grille ou ligne conductrice, et les cellules sont mises dans l’état métastable en déconnectant la ligne d’alimentation de ladite grille ou ligne conductrice.
Ainsi, outre le fait de ne pas pouvoir lire leur donnée logique on évite ici que les cellules mises dans un état métastable ne consomment de manière inopportune.
Avantageusement, les cellules du premier ensemble peuvent être mises dans ledit état « métastable » par mise en connexion l’un à l’autre de leur premier nœud de stockage et deuxième nœud de stockage respectifs.
Selon une possibilité de mise en œuvre, chaque cellule dudit premier ensemble peut être dotée :
- d’un premier inverseur et d’un deuxième inverseur connectés de façon croisée entre ledit premier nœud de stockage et ledit deuxième nœud de stockage, le premier inverseur et/ou le deuxième inverseur étant connectés à une ligne d’alimentation dite « haute » pouvant être mise à un potentiel d’alimentation,
- d’un premier transistors d’accès au premier nœud de stockage et d’un deuxième transistor d’accès au deuxième nœud de stockage, le premier transistor d’accès et le deuxième transistor d’accès étant respectivement connectés à une première ligne de bit et à une deuxième ligne,
le circuit de commande est doté d’au moins un élément commutateur apte, alternativement à connecter entre elles ou déconnecter l’une de l’autre la première ligne de bit et la deuxième ligne de bit, les cellules du premier ensemble étant mises dans ledit état métastable par ledit circuit de commande en activant les transistors d’accès et en connectant l’une à l’autre la première ligne de bit avec la deuxième ligne de bit.
Selon un mode de réalisation le dispositif peut comprendre en outre un module destiné à produire une signature numérique et/ou une clef d’encryptage à partir de données mémorisées dans des cellules dudit premier ensemble de cellules, ledit module étant apte à produire un signal de demande d’accès au premier ensemble de cellules, le circuit de commande étant configuré pour consécutivement à la réception dudit signal de demande d’accès, mettre les cellules dudit premier ensemble de cellules dans un état d’accessibilité en lecture ou dans un état permettant une opération de mémorisation d’une valeur après une opération d’initialisation et dans un état d’accessibilité en lecture, en :
- déconnectant ou isolant l’un de l’autre le premier nœud du deuxième nœud de chaque cellule du deuxième ensemble ou,
- appliquant un potentiel d’alimentation aux cellules du premier ensemble, ou
- isolant le premier nœud du deuxième nœud de chaque cellule du premier ensemble tout en appliquant un potentiel d’alimentation aux cellules du premier ensemble.
Avantageusement, pour mettre les cellules dudit premier ensemble de cellules dans un état d’accessibilité en lecture les cellules du premier ensemble peuvent être initialisées préalablement en désactivant leur premier transistor d’accès et deuxième transistor d’accès tout en mettant la ligne d’alimentation haute au potentiel d’alimentation afin d’alimenter leur premier inverseur et leur deuxième inverseur.
Selon une mise en œuvre possible, le circuit de commande peut être configuré pour que lorsque les cellules dudit premier ensemble de cellules sont dans un état d’accessibilité en lecture, consécutivement à une détection d’un signal d’accès frauduleux, mettre le premier ensemble de cellules situé dans une première zone de la matrice dans ledit état « métastable ».
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels:
sert à illustrer un plan mémoire SRAM doté d’une zone formée d’un ensemble de cellules susceptibles d’être mises en veille par placement dans un état métastable pendant que d’autres zones de la mémoire sont librement accessibles en lecture ;
sert à illustrer une structure particulière de cellule SRAM pour la mettre dans un état métastable par égalisation de ses nœuds internes ;
- réception d’une commande d’ajout/suppression d’application logicielle, en provenance d’un dispositif externe de commande, ou d’un système de calcul au sol ou d’un des dispositifs de bord ;
-mise à jour d’un stockage des applications logicielles en fonction de ladite commande reçue ;
- activation d’exécution d’une ou plusieurs des applications logicielles mémorisées, basée soit sur la réception d’une requête d’exécution d’au moins une application logicielle d’un dispositif externe, soit sur la validation d’une condition d’activation d’exécution et/ou mise en pause ou arrêt d’exécution d’une ou plusieurs applications logicielles sur réception d’une commande ou validation automatique d’une condition d’arrêt .
Selon une caractéristique particulière, le procédé comprend en outre une étape de gestion de pile d’applications, mettant en œuvre, pour chaque application logicielle à exécuter, une allocation de ressources calculatoires locales pour exécuter une première partie de l’application logicielle, et, dans le cas où ladite première partie est inférieure à 100%, une étape de transmission de commande d’exécution d’une deuxième partie de ladite application logicielle, complémentaire à la première partie, au système de calcul distant.
Selon un autre aspect, l’invention concerne un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu’elles sont exécutées par un dispositif électronique programmable, mettent en œuvre un procédé d’exécution d’applications logicielles tel que brièvement décrit ci-dessus.
la illustre un système électronique d’exécution d’applications logicielles selon un mode de réalisation ;
la illustre un procédé d’exécution d’applications logicielles selon un premier mode de réalisation ;
la illustre un procédé d’exécution d’applications logicielles selon un deuxième mode de réalisation.
Le système électronique d’exécution d’applications logicielles, embarqués à bord d’un aéronef, trouve des applications dans tout type d’aéronef, et plus particulièrement pour des aéronefs allégés tels que des drones, embarquant des équipements tels que des capteurs images, de type caméra optique, caméra thermique, radar imageur, des capteurs de positionnement (GNSS, centrales inertielles, capteurs anémo-barométriques, balises de radionavigation, triangulation), des systèmes de mesure comme des télémètres, des capteurs et systèmes de surveillance météo, trafic ou terrain, des systèmes de communication radio ou numériques, des antennes radiofréquence (RF) etc.
La illustre schématiquement un système 2 qui est un système électronique d’exécution logicielles embarquées.
Le système 2 est un système permettant une coopération bord-sol.
Le système 2 comporte d’une part un système de calcul embarqué 4, comportant des dispositifs embarqués à bord d’un aéronef 6, et d’autre part, un ou plusieurs systèmes de calcul au sol 8.
Le système de calcul embarqué 4 comporte un ensemble 10 de dispositifs électroniques de bord à fonctionnement certifié selon une norme de certification avionique, comprenant au moins un ordinateur de bord 12, et des équipements embarqués 14, e.g. des capteurs, par exemple caméras, radars, actionneur, système de navigation, système de pilotage automatique, commandes de vol, système de géolocalisation, des systèmes de surveillance certifiés (Trafic terrain, météo), des systèmes de communication certifiés (e.g. Radios).
Par exemple, les dispositifs de bord à fonctionnement certifié respectent une ou plusieurs des normes suivantes : RTCA DO178B pour le niveau de certification logicielle et RTCA DO160 pour la partie certification matérielle, AEEC Arinc 702A pour le système de gestion de vol (Flight Management System), etc.
Dans un mode de réalisation, l’ordinateur de bord 12 est configuré pour mettre en œuvre des applications logicielles certifiées, par exemple des applications d’aide à la navigation, de commande de fonctionnement des capteurs 14 et de réception et de traitement de données issues des capteurs 14.
Lorsqu’une sinusoïde unique ou un signal modulé unique existe dans le spectre, on s’attend à ce qu’un élément caractéristique de signe de fréquence soit robuste et une constante 0 ou 1 en fonction du signe de la fréquence. Toutefois, lorsque de multiples signaux existent sur un côté opposé du spectre, un élément caractéristique de signe de fréquence fluctuera entre 0 et 1 en fonction des fréquences centrales de signal et des puissances de signal. Par conséquent, l’existence d’un signal unique et multiple peut être distinguée par observation de l’activité sur la sortie de l’élément caractéristique de signe de fréquence. Cette information additionnelle peut être utilisée pour analyser la complexité (encombrement) du spectre.
Un dispositif de surveillance de spectre RF et de détection de signal 100 selon un troisième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec la .
Pour faire la distinction entre l’existence d’un signal unique et multiple, le dispositif 100 selon le troisième mode de réalisation comprend en outre : - un calculateur de valeur moyenne 124 comprenant une entrée couplée à la sortie du circuit de détection de signe de fréquence 120, et configuré pour délivrer en sortie un signal analogique dont la valeur correspond à la moyenne du signal de signe de fréquence Freq . Sign ; - un circuit de comparateur 126 configuré pour comparer le signal délivré en sortie par le comparateur de valeur moyenne 124 à une valeur seuil haute et/ou une valeur seuil basse ;
Dans ce troisième mode de réalisation, la moyenne du signal de signe de fréquence Freq . Sign dépendra du contenu du signal sur le contenu du spectre côté positif et négatif. L’existence d’un signal unique et multiple est alors détectée par comparaison de cette valeur moyenne aux valeurs seuils hautes et/ou basses déterminées. Ainsi le dispositif 100 selon le troisième mode de réalisation peut être utilisé pour identifier l’existence d’un signal multiple et peut être configuré dans un mode de traitement plus puissant pour résoudre les détections erronées en cas d’existence de signal multiple.
La montre un exemple de mise en œuvre du calculateur de valeur moyenne 124 et du circuit de comparateur 126. Dans cet exemple, le calculateur de valeur moyenne 124 comprend un intégrateur, et le circuit de comparateur 126 comprend : - un premier comparateur de tension 128 comprenant une première entrée (entrée inverseuse sur la ) couplée à la sortie du calculateur de valeur moyenne 124 et une deuxième entrée (entrée non inverseuse sur la ) sur laquelle une valeur seuil haute V th,H est appliquée, et - un deuxième comparateur de tension 130 comprenant une première entrée (entrée non inverseuse sur la ) couplée à la sortie du calculateur de valeur moyenne 124 et une deuxième entrée (entrée inverseuse sur la ) sur laquelle une valeur seuil basse V th,L est appliquée, et - une porte OU exclusif 132 ayant deux entrées couplées aux sorties des premier et deuxième comparateurs de tension 128, 130.
Dans cette configuration, l’intégrateur calcule la moyenne du signal de signe de fréquence Freq . Sign , appelée avg ( f.sign ) sur la . Lorsque des signaux existent sur un seul côté du spectre surveillé, ce signal moyen avg ( f.sign ) est en dessous de V th,L ou au-dessus de V th,H et la valeur de sortie délivrée par la porte OU exclusif 132 sera 1. Lorsque des signaux existent sur les deux côtés du spectre surveillé, le signal moyen avg ( f.sign ) sera entre les seuils et la valeur de sortie délivrée par la porte OU exclusif 132 sera 0.
Les différentes mises en œuvre des premier et deuxième circuits de détection de signe d’amplitude 114, 118 et du circuit de détection de signe de fréquence 120 décrit précédemment peuvent être appliquées pour le dispositif 100 selon le troisième mode de réalisation. De plus, le dispositif 100 selon le troisième mode de réalisation peut comprendre le compteur 122 tel que divulgué précédemment dans le deuxième mode de réalisation.
La montre un exemple du dispositif 100 selon le deuxième mode de réalisation, dans une configuration comprenant plusieurs éléments optionnels additionnels.
Un premier élément optionnel additionnel du dispositif 100 est une antenne 134 à travers laquelle le signal RF est reçu.
Le dispositif 100 comprend également un filtre passe-bande RF 136 dont une entrée est couplée à l’antenne 134. Le filtre 136 filtre le signal RF reçu au niveau de la bande d’intérêt.
Un autre élément optionnel du dispositif 100 est un LNA (amplificateur de bruit faible) 138 ayant une entrée couplée à une sortie du filtre 136 et une sortie couplée aux premières entrées des premier et deuxième multiplicateurs 106, 108.
Dans la configuration montrée sur la , le dispositif 100 comprend le filtre passe-bande RF 136 et le LNA 138, l’entrée du filtre passe-bande 136 étant couplée à l’antenne 134, la sortie du filtre passe bande 136 étant couplée à l’entrée du LNA 138, et la sortie du LNA 138 étant couplée aux premières entrées des premier et deuxième multiplicateurs 106, 108.
Dans une variante, le dispositif 100 peut comprendre le filtre passe-bande RF 136 sans le LNA 138 (à savoir avec la sortie du filtre 136 directement couplée aux premières entrées des premier et deuxième multiplicateurs 106, 108). Dans une autre variante, le dispositif 100 peut comprendre le LNA 138 sans le filtre passe-bande RF 136 (à savoir avec l’entrée du LNA 138 directement couplée à l’antenne 134). Dans une autre variante, le dispositif 100 peut comprendre le LNA 138 ayant son entrée couplée à l’antenne 134 et sa sortie couplée à l’entrée du filtre passe-bande RF 136. Dans une autre variante, le dispositif 100 peut ne comprendre ni le filtre passe-bande RF 136 ni le LNA 138 (l’antenne 134 étant directement couplée aux premières entrées des premier et deuxième multiplicateurs 106, 108).
Le dispositif 100 montré sur la comprend une première unité de filtrage comportant, outre le premier filtre passe-bas 112, un premier filtre passe-bande complexe de bande de base 140 dont une entrée est couplée à la sortie du premier filtre passe-bas 112. Le signal délivré en sortie par le premier filtre passe-bas est appelé signal BB I . La sortie du premier filtre passe-bande complexe de bande de base 140 est couplée à l’entrée du premier circuit de détection de signe d’amplitude 114. Le dispositif 100 comprend également une deuxième unité de filtrage comportant, outre le deuxième filtre passe-bas 116, un deuxième filtre passe-bande complexe de bande de base 142 dont une entrée est couplée à la sortie du deuxième filtre passe-bas 116. Le signal délivré en sortie par le deuxième filtre passe-bas est appelé signal BB Q . La sortie du deuxième filtre passe-bande complexe de bande de base 142 est couplée à l’entrée du deuxième circuit de détection de signe d’amplitude 118. Les premier et deuxièmes filtres passe-bande complexes de bande de base 140, 142 permettent au traitement de se concentrer sur une petite partie du signal de bande de base avant les opérations réalisées par le premier et le deuxième circuit de détection de signe d’amplitude 114, 118.
La montre un exemple du dispositif 100 selon un quatrième mode de réalisation. Comparativement aux modes de réalisation précédents, le dispositif 100 selon ce quatrième mode de réalisation comprend plusieurs éléments additionnels afin de déterminer plusieurs autres informations concernant le signal RF reçu par le dispositif 100.
Tel que divulgué précédemment, le dispositif 100 comprend les éléments 134, 136, 138, 106, 108, 110, 112 et 118. Toutefois, dans des variantes de modes de réalisation, le dispositif 100 peut comprendre seulement une partie des éléments. Les signaux obtenus au niveau des sorties des filtres passe-bas 112, 116 sont appliqués sur les entrées d’un premier bloc 200 qui comprend au moins les circuits 114, 118 et 120 correspondant à ceux décrits précédemment pour les autres modes de réalisation. Dans l’exemple montré sur la , le premier bloc 200 comprend également le compteur 122. Le premier bloc 200 peut également comprendre les circuits 124, 126 décrits précédemment.
La montre un exemple de réalisation d’un portefeuille matériel HW permettant la mise en œuvre du procédé. Le dispositif HW comprend un élément sécurisé SE1, un microcontrôleur MCU1 et un écran tactile TS1 ("Touch Screen"). L’écran tactile TS1 comprend un afficheur à encre électronique EID ("E-Ink Display") et un module tactile TM ("Touch Module"). L’écran tactile TS1 est sous le contrôle de l’élément sécurisé SE1. A cet effet, les ressources en termes d’entrées/sorties de l’élément sécurisé SE1 sont réparties en trois groupes d’entrées/sorties IOGA, IOGB, IOGC. Le groupe d’entrées/sorties IOGA est affecté à la mise en œuvre d’un bus BS1 reliant l’élément sécurisé SE1 au microcontrôleur MCU1. Le groupe d’entrées/sorties IOGB est affecté à la mise en œuvre d’un bus BS2 reliant l’élément sécurisé SE1 à l’afficheur EID, et le groupe d’entrées/sorties IOGC est affecté à la mise en œuvre d’un bus BS3 reliant l’élément sécurisé SE1 au module tactile TM. Le bus BS1 est par exemple un bus IEC/ISO 7816, le bus BS2 est par exemple un bus SPI et le bus BS3 un bus I2C. L’élément sécurisé est par exemple une puce STMicroelectronics® de la série ST33K. Le dispositif HW comporte par ailleurs divers périphériques contrôlés par le microcontrôleur MCU1, par exemple :
- un circuit intégré PMIC de gestion d’alimentation reçoit une tension Vbat de la batterie lorsque celle-ci est chargée, fournit la tension Vbat à la batterie lorsque celle-ci doit être chargée, et fournit une tension d’alimentation régulée Vcc au microcontrôleur MCU1, à l’élément sécurisé SE1 et à l’écran tactile TS1 ;
- une antenne QiA pour la charge de la batterie par induction conformément à la technologie Qi. L’antenne QiA est reliée à un circuit intégré de charge sans fil WCIC (“Wireless Charging Integrated Circuit") . Le circuit WCIC fournit une tension Vqi au circuit PMIC pour la charge de la batterie ;