Procédé de fabrication d’une structure composite comprenant au moins deux pavés sur un substrat, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire (20) comprenant un substrat intermédiaire (2) et une pluralité de pavés (P1, P2, P3) d’un premier matériau disposés sur le substrat intermédiaire (2), (b) l’assemblage du substrat temporaire (20) avec un substrat receveur (3) en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdits pavés (P1, P2, P3), et (c) le retrait du substrat intermédiaire (2) de sorte à transférer au moins une portion (P’1, P’2, P’3) des pavés sur le substrat receveur (3) pour former la structure composite, ledit procédé étant caractérisé en ce que le substrat receveur (3) comprend une surface principale à partir de laquelle s’étendent des cavités (C1, C2, C3), le substrat receveur (3) étant assemblé au substrat temporaire (20) du côté de ladite surface principale de sorte que chaque pavé (P1, P2, P3) soit reçu dans une cavité (C1, C2, C3) respective et en ce que, après le retrait du substrat intermédiaire (2), la surface libre des portions de pavés (P’1, P’2, P’3) soit sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur (3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape (a) de formation du substrat temporaire (20) comprend la formation d’une zone de fragilisation (10) de chaque pavé (P1, P2, P3) délimitant une portion (P’1, P’2, P’3) de pavé respective à transférer, et l’étape (c) de retrait du substrat intermédiaire (2) comprend le détachement de chaque portion (P’1, P’2, P’3) de pavé le long de ladite zone de fragilisation (10). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de ladite zone de fragilisation (10) comprend une implantation d’espèces atomiques au sein de chaque pavé (P1, P2, P3). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la formation dudit substrat temporaire (20) comprend le prélèvement de chaque pavé (P1, P2, P3) à partir d’au moins un substrat donneur (1) du premier matériau et le placement de chaque pavé (P1, P2, P3) sur le substrat intermédiaire (2), chaque substrat donneur (1) présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire (2). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le second matériau est un matériau semi-conducteur, tel que du silicium ou du carbure de silicium, un matériau piézoélectrique, ou du verre. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le substrat receveur (3) est un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant successivement un substrat de base (30), une couche électriquement isolante (31), et une couche (32) du second matériau définissant la surface principale du substrat receveur, et les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans la couche (32) du second matériau jusqu’à la couche électriquement isolante (31). Procédé selon la revendication 5, dans lequel les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans une région superficielle du substrat receveur (3) constituée du second matériau. Procédé selon l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel au moins une partie des parois d’au moins une desdites cavités (C1, C2, C3) est recouverte d’un film électriquement isolant (33), de sorte à isoler électriquement la portion de pavé (P’1, P’2, P’3) respective du substrat receveur (3). Procédé selon la revendication 5, dans lequel le substrat receveur (3) comprend au moins une couche superficielle du second matériau recouverte d’une couche électriquement isolante (34) et les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans ladite couche électriquement isolante (34). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’assemblage du substrat temporaire (20) sur le substrat receveur (3) est réalisé par adhésion moléculaire. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel chaque pavé (P1, P2, P3) présente une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm, et la portion (P’1, P’2, P’3) transférée de chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chaque cavité (C1, C2, C3) présente une profondeur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel, à l’issue de l’étape (c) de retrait du substrat intermédiaire (2), la surface libre des portions de pavés (P'1, P’2, P’3) est en relief par rapport à la surface principale du substrat receveur (3), le procédé comprenant en outre une étape de polissage desdites surfaces. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le premier matériau est choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, comprenant, avant l’étape (b) d’assemblage du substrat temporaire (20) et du substrat receveur (3), la formation par épitaxie d’au moins une couche additionnelle (11) d’un troisième matériau sur chaque pavé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel les cavités (C1, C2, C3) sont formées par gravure chimique au travers d’un masque (4) présentant des ouvertures à l’emplacement desdites cavités. Procédé selon l’une des revendications 1 à 16, dans lequel chaque cavité (C1, C2, C3) est dimensionnée pour recevoir un unique pavé, ladite cavité présentant une forme identique à celle dudit pavé. Structure composite comprenant : - au moins deux pavés (P’1, P’2, P’3) d’un premier matériau, et - un substrat (3), dit substrat receveur, en un second matériau distinct du premier matériau, présentant une surface principale, ladite structure composite étant caractérisée en ce que lesdits pavés (P’1, P’2, P’3) sont agencés dans des cavités (C1, C2, C3) respectives s’étendant dans le substrat receveur (3) à partir de la surface principale, de sorte qu’une surface libre des pavés (P’1, P’2, P’3) soit sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur (3). Structure selon la revendication 18, dans laquelle le second matériau est un matériau semi-conducteur massif, tel que du silicium ou du carbure de silicium, un matériau piézoélectrique ou du verre, ou un empilement de plusieurs couches de matériaux semi-conducteurs différents. Structure selon la revendication 19, dans laquelle le substrat receveur (3) est un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant successivement un substrat de base (30), une couche électriquement isolante (31), et une couche (30) du second matériau définissant la surface principale du substrat receveur, et les cavités (C1, C2, C3) s’étendent dans la couche du second matériau jusqu’à la couche électriquement isolante. Structure selon la revendication 19, dans laquelle les cavités (C1, C2, C3) s’étendent dans une région superficielle du substrat receveur (3) constituée du second matériau. Structure selon l’une des revendications 20 ou 21, dans laquelle au moins une partie des parois d’au moins une desdites cavités (C1, C2, C3) est recouverte d’un film électriquement isolant (33). Structure selon la revendication 19, dans laquelle le substrat receveur (3) comprend au moins une couche superficielle du second matériau recouverte d’une couche électriquement isolante (34) et les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans ladite couche électriquement isolante (34). Structure selon l’une des revendications 18 à 23, dans laquelle le premier matériau est choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir.