INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans le mode de réalisation illustré aux figures 6 et 7, Le ressort 138 de rappel prend appui entre la surface 134 dite « inférieure » et la surface 123 dite « supérieure », celui-ci travaille en compression et à tendance à écarter ces deux surfaces. Ainsi, le verrou 120 est sollicité en permanence vers sa position de verrouillage. Pour passer à la position de libération, il faut déplacer le verrou 120 et, par conséquence, contraindre le ressort 138 en appuyant sur une surface d’appui. La surface d’appui est définie par l’épaulement 132 intermédiaire ou par une extrémité libre 142 de la bride.
Les figures 8 et 9 représentent un moyen de fixation 108 comprenant des mâchoires 144 solidarisant le mandrin au nez de tournette, l’une dans une position de verrouillage et l’autre dans une position de libération.
Le moyen de fixation 108 comprend une partie mâle 146 solidaire du nez de tournette et une partie femelle 148 solidaire du mandrin.
La partie mâle présente au moins un téton 150 à l’une de ces extrémités
La partie femelle 148 comprend au moins deux mâchoires 144 aptes à coopérer avec ledit téton 150.
Le moyen de fixation 108 comprend une cage 152 périphérique et un verrou 154 pour actionner les mâchoires.
La cage 152 périphérique se compose de trois cylindres alignés les uns par rapport aux autres suivant un axe H. Ces trois cylindres sont alésés en leur centre par rapport à l’axe H. Le diamètre externe du premier cylindre 156 est plus petit que le diamètre externe du deuxième cylindre et ce dernier a un diamètre externe plus petit que le diamètre externe du troisième cylindre 160. La jonction entre le premier cylindre et le deuxième cylindre forme un premier épaulement 162 et la jonction entre le deuxième cylindre et le troisième cylindre forme également un deuxième épaulement 164. Le troisième cylindre comprend sur sa paroi interne un logement 166 annulaire capable de recevoir une partie de chaque mâchoire.
Le verrou 154 est monté mobile suivant l’axe H autour de la cage 152 périphérique entre une position de verrouillage et une position de libération.
Le verrou 154 se compose d’une bride 168, d’un pion 170 et de mâchoires 144.
étant entendu que i) le ou lesdit(s) composé(s) de formule (I) étant présent dans une teneur supérieure à 10% en poids, par rapport au poids total de la composition,
La composition selon l’invention permet ainsi d’atteindre les objectifs tels que décrits ci-avant, c’est-à-dire que le composé de formule (I) est stable, notamment ne cristallise pas, à des températures susceptibles de varier de 15°C à 40°C et notamment de 20°C à 40°C, et ceci pendant une période pouvant aller de quelques jours à plusieurs mois.
En d’autres termes, la composition selon l’invention permet de stabiliser au moins un composé de formule (I), aussi bien à l’issue de sa préparation, en diminuant notamment les risques de recristallisation, que lors de son transport et/ou de son stockage, de son utilisation dans la production de produit commerciaux afin d’être employé en tant qu’agent antimicrobien dans diverses applications, notamment dans des applications cosmétiques.
La composition selon l’invention peut être ainsi avantageusement stockée, utilisée dans les usines de production et/ou transportée pendant une période relativement longue à des températures pouvant aller de 15 °C à 40°C et notamment de 20°C et 40°C, en diminuant les risques de cristallisation du composé de formule (I).
Avantageusement, la composition selon l’invention peut être stockée, utilisée dans des usines de production et/ou transportée pendant une période relativement longue à des températures pouvant aller de 15°C à 40°C, et notamment de 20 à 40°C sans que le composé de formule (I) cristallise.
Autrement dit, la composition selon l’invention permet de minimiser, ou de ralentir significativement, les risques de cristallisation d’un composé de formule (I) ou (I’) lui garantissant ainsi une utilisation efficace en tant qu’agent antimicrobien dans diverses applications, notamment dans des applications cosmétiques.
Encore en d’autres termes, la composition selon l’invention présente l’avantage de ralentir la cinétique de cristallisation d’au moins un composé de formule (I) ou (I’).
Ainsi l’invention a encore pour objet l’utilisation de la composition selon l’invention pour améliorer la stabilité du ou des composés de formule (I) ou (I’), en particulier à des températures allant de 15°C à 40°C, notamment à des températures allant de 20 à 40°C, de préférence pour ralentir la recristallisation du ou des composés de formule (I) ou (I’) à une température allant de 15°C et 40°C, et notamment allant de 20°C et 40°C.
L’invention a de même objet l’utilisation de ladite composition pour améliorer la conservation microbienne de compositions cosmétiques.
Un autre objet de l’invention est un procédé de fabrication de produits commerciaux ou industriels mettant en œuvre un ou plusieurs composés de formule (I) ou (I’), comprenant l’étape d’addition dans ledit procédé de fabrication de la composition de l’invention.
Il apparait que l’étape de recristallisation est ralentie de quelques minutes à plusieurs jours à même température et pression atmosphérique, dans le procédé de fabrication, et notamment dans l’étape d’addition dans le procédé, et évite la formation d’impureté du produit et différentes substances liquides notamment des solvants.
Selon un premier mode de réalisation, l’étape /c1/ de centrage peut être obtenue par déplacement de l’outil de saisiee et de l’arbre support par le système de manipulation et en particulier par pivotement de l’outil de saisie autour de l’axe de l’arbre support 80. Ainsi l’étape /c1/ de centrage peut être obtenue par rotation conjointe de l’arbre support 80, d’une part, et du premiers doigt 81 et du deuxième doigt 82, d’autre part, solidaires de l’arbre support 80, et en particulier selon un axe de pivot coaxial à l’arbre support 80. Un tel centrage peut être mis en œuvre en particulier pour un outil de saisie selon un premier mode de réalisation, illustré à titre indicatif à la , et qui est notable en ce que le premier doigt 81 et le deuxième doigt 82 sont toujours alignés, et coaxiaux, et même s’ils peuvent être écartés, ou rapprochés, respectivement dans la première position P1 et dans le deuxième position P2 de l’outil de saisie.
Selon un deuxième mode de réalisation, le deuxième doigt 82, au niveau de l’extrémité proximale de l’arbre support 80, qui est éventuellement déplaçable axialement à l’arbre support 80, est solidaire de l’arbre support, en une position angulaire fixe sur l’arbre support 80.
Au contraire le premier doigt 81 peut être déplaçable par rapport à l’arbre support 80, typiquement de manière motorisée, entre une position escamotée Pesc pour laquelle le premier doigt 81 et le deuxième doigt 82 sont désaxés, à savoir non alignés et jusqu’à une position de centrage Pce pour laquelle le premier doigt 81 et le deuxième doigt 82 sont alignés, typiquement parallèlement à l’axe de l’arbre support 80. A cet effet, le premier doigt 81 peut être solidaire d’un bras pivotant BP à une première extrémité du bras pivotant BP, et alors que le bras pivotant est articulé en pivot à l’extrémité distale de l’arbre support, à une seconde extrémité du bras pivotant, et selon un axe de rotation, typiquement parallèle à l’axe de l’arbre support 80.
Dans la position escamotée Pesc du premier doigt 81, celui-ci est désaxé et décalé par rapport au deuxième doigt 82, ce qui autorise l’insertion de l’outil de saisie dans une position de l’arbre support pour lequel le deuxième doigt 82 est aligné avec la deuxième cavité de centrage Cav 2, du côté de la fenêtre d’accès du laminoir, et sans risque d’accroche du cylindre de travail (et des rampes d’aspersion) par le premier doigt 81 alors désaxé/escamoté.
Ce second mode de réalisation est illustré à titre indicatif sur le mode de réalisation des figures 6a à 6f notamment. L’étape /c1/ de centrage selon le procédé selon le premier aspect est obtenue par déplacement du premier doigt 81 de la position escamotée Pesc jusqu’à la position de centrage Pce, avantageusement sans pivoter l’arbre support 80, l’arbre support de préférence statique.
Selon une variante avantageuse du deuxième mode de réalisation, l’outil de saisie qui comprend le premier doigt 81 et le deuxième doigt 82 formant un premier couple de doigts 81,82, assurant la saisie selon l’étape /d1/ du cylindre de travail dans la cage de laminoir et l’extraction selon l’étape /e1/, peut comprendre avantageusement un deuxième couple de doigts comprenant un troisième doigt 83 et un quatrième doigt 84. Ce deuxième couple de doigts permet de saisir un deuxième cylindre de travail, en parallèle du premier cylindre de travail saisi par le premier couple de doigts.
Le troisième doigt 83 et le quatrième doigt 84 sont déplaçables entre une troisième position d’écartement P3 entre le troisième doigt 83 et le quatrième doigt 84, supérieur à la distance entre le premier flanc 121 et le deuxième flanc 122 du cylindre de travail, et jusqu’à une quatrième position P4 pour laquelle le troisième doigt 83 et le quatrième doigt 84 sont rapprochés l’un de l’autre.
Le quatrième doigt 84 est agencé au niveau de l’extrémité proximale de l’arbre support destiné à être manipulée. Le quatrième doigt est éventuellement déplaçable axialement à l’arbre support 80 pour passer de la troisième position P3 à la quatrième position P4 de l’outil et inversement. Le quatrième doigt 84 est solidaire de l’arbre support 80, en une position angulaire fixe sur l’arbre support 80. La quatrième doigt 84 du deuxième couple de doigts et le deuxième doigt 82 du premier couple peuvent être typiquement en des positions décalées angulairement autour de l’arbre support 80.
Le troisième doigt 83 est déplaçable par rapport à l’arbre support 80 entre une position escamotée Pesc pour laquelle le troisième doigt 83 et le quatrième doigt 84 sont désaxés, jusqu’à une position de centrage Pce pour laquelle le troisième doigt 83 et le quatrième doigt sont alignés configurés pour pénétrer les cavités de centrage Cav1, Cav2 d’un cylindre de travail 12, neuf et maintenir un cylindre de travail neuf. A cet effet, A cet effet, le troisième doigt 83 peut être solidaire d’un bras pivotant BP à une première extrémité du bras pivotant BP, et alors que le bras pivotant est articulé en pivot à l’extrémité distale de l’arbre support, à une seconde extrémité du bras pivotant, et selon un axe de rotation, typiquement parallèle à l’axe de l’arbre support.
Selon une telle variante avantageuse, le première couple de doigts 81,82 et le deuxième couple de doigts 83,84, sont agencés sur l’arbre support 80, configurés avantageusement pour que le premier couple de doigts assure la saisie selon l’étape /d1/ du cylindre de travail et l’extraction selon l’étape /e1/ du cylindre de travail qui est un cylindre de travail usé, et alors que le deuxième couple de doigts 83,84 maintient un cylindre de travail 12, neuf, en parallèle du cylindre usé maintenu par le premier couple de doigts 81,82. Un tel mode de réalisation est illustrée aux figures 6a à 6f.
Ainsi la illustre l’outil de saisie, selon le second mode de réalisation avantageux, qui comprend : - un premier couple de doigts 81 ,82 , comprenant un premier doigt 81 et un deuxième doigt 82, respectivement agencés au niveau de l’extrémité distale et de l’extrémité proximale de l’arbre support 80, le premier doigt dans une position escamotée Pesc par un bras pivotant BP pour laquelle le premier doigt est désaxé du deuxième doigt, le premier couple de doigts dans une position libre en vue de la saisie d’un cylindre de travail, supérieur dans le laminoir, - un deuxième couple de doigts 83, 84, comprenant un troisième doigt 83 et un quatrième doigt 84 engagés respectivement dans des cavités de centrage d’un cylindre de travail neuf, assurant le maintien du cylindre de travail, neuf.
A la l’outil de saisie est position en regard de la fenêtre d’accès de la cage et de sorte que le deuxième doigt 82 soit sensiblement aligné avec la deuxième cavité de centrage Cav2 du cylindre de travail supérieur, le cylindre de travail supérieur alors maintenu et retenu par un couple de rampe d’aspersion.
La est vue consécutive de la , pour laquelle l’arbre support, ainsi que le cylindre de travail neuf maintenu par le deuxième couple de doigts est inséré dans la cage de laminoir, par déplacement de l’outil de saisie suivant l’axe de l’arbre support et dans une position où le deuxième doigt est centré avec la cavité de centrage du cylindre de travail du laminoir à saisir, et alors que le premier doigt est dans la position escamotée, désaxé par rapport au premier doigt, autorisant une telle insertion sans risque d’accroche du cylindre de travail supérieur par le premier doigt 81, et jusqu’à positionner le premier doigt 61, au-delà du premier flanc 121, et du couple de rampe d’aspersion. La illustre la position du premier doigt 81, en fin d’insertion, alors dans la position escamotée Pesc, vue du côté de la motorisation du laminoir, à savoir le côté opposé à une fenêtre d’insertion de l’outil de saisie. La illustre en détail le premier doigt 81 alors dans la position escamotée Pesc, désaxé par rapport à la cavité de centrage Cav1 du cylindre de travail à saisir, le premier doigt 81 positionné sous le cylindre de travail supérieur et du couple de rampes d’aspersion, la vue illustrant le cylindre de travail à saisir, soutenu dans un berceau formé par des appui du couple de rampes d’aspersion, positionnées au-dessus du plan de la bande métallique à laminer.
La est vue consécutive de la , pour laquelle le premier doigt 81 est passé de la position escamotée Pesc jusqu’à la position de centrage Pce, par pivotement du bras pivotant BP sur l’arbre support, le premier doigt 81 agencé à une première extrémité du bras pivotant opposée à l’extrémité articulé du bras pivotant, le bras pivotant sur l’arbre support, au niveau d’une deuxième extrémité du bras pivotant, le premier doigt 81 alors aligné à la première cavité de centrage Cav1 du flanc 121 du cylindre de travail à saisir, du côté de la motorisation du laminoir, opposé au côté de la fenêtre d’insertion de l’outil.
La est vue consécutive à la pour laquelle le premier doigt 81 et le deuxième doigt 82 sont rapprochés l’un de l’autre afin de pénétrer respectivement les cavités de centrage Cav 1, Cav2, et ainsi saisir le cylindre de travail 12, de la première position P1 jusqu’à la deuxième position P2 de l’outil de saisie, de préférence par déplacement du premier doigt 81 et/ou du deuxième doigt 82 par rapport à l’arbre support 80. Le bras pivotant BP et le premier doigt 81, peuvent à cet effet être déplaçables conjointement, par rapport à l’arbre support 80, suivant la direction de l’arbre support 80.
La est vue consécutive de la pour lequel le cylindre de travail saisi par le premier couple de doigts à la est extrait au moins partiellement de la cage du laminoir, conjointement avec le cylindre de travail maintenu par le deuxième couple de doigts 83, 84, jusqu’à une position où le cylindre de travail saisi par le premier couple de doigts 81,82 est dégagé du berceau formé par le couple de rampes d’aspersion, et comme visible à la .
En référence à la , on supprime les portions supérieures 24 d’au moins les mésas M3 (et ici également des mésas M2), et non pas des mésas M1. Dans ce mode de réalisation, cette suppression est obtenue par la gravure électrochimique photo-assistée de toute la portion intercalaire 23 des mésas M2 et M3. En revanche, les mésas M1 sont protégées par une couche d’encapsulation 4 empêchant la gravure de la portion intercalaire 23 des mésas M1.
Pour cela, on dépose tout d’abord la couche d’encapsulation 4 sur les mésas M1, de manière à les recouvrir entièrement. Les mésas M2 et M3 ne sont pas recouverte pas cette couche 4. Ce peut être une résine photosensible, voir une couche conforme d’un oxyde. La portion intercalaire 23 des mésas M1 ne sera donc pas en contact avec l’électrolyte liquide.
Ensuite, on effectue la gravure des portions intercalaires 23 des mésas M2 et M3. On plonge le substrat de croissance 20 dans un électrolyte liquide permettant de dissoudre l’InGaN oxydé formé par l’absorption du faisceau lumineux d’excitation. L’électrolyte liquide peut être acide ou basique, et peut être de l’acide oxalique. Il peut également s’agir de KOH, HF, HNO 3 , NaNO 3 , H 2 SO 4 ou de leur mélange. On peut ainsi utiliser également un mélange d’acide oxalique et de NaNO 3 . On soumet également le substrat de croissance 20 à un faisceau lumineux d’excitation dont le spectre permet de n’exciter que la portion intercalaire 23. Il peut s’agir d’une lampe de lumière blanche associée à un filtre, d’une LED, voire d’une source laser. Ainsi, un laser à 405nm peut être utilisé pour n’exciter que les portions intercalaires 23 en InGaN à 15% d’indium. Par ailleurs, une tension électrique V PECE peut être appliquée par un générateur électrique entre l’électrode de polarisation et une contre-électrode insérée dans l’électrolyte (par exemple, un fil ou une grille de platine). Elle peut être égale par exemple à 2V. Cette tension électrique V PECE permet d’améliorer la collection des électrons photogénérés.
En référence à la , à la suite de l’étape de suppression par gravure photoélectrochimique, on retire la couche d’encapsulation 4. Les mésas M2 et M3 ont donc perdu leur portion supérieure 24, du fait de la gravure totale des portions intercalaires 23. La face supérieure correspond donc à celle des portions inférieures 22. En revanche, la face supérieure des mésas M1 correspond toujours à la portion supérieure 24 (ou à la portion fine de protection).
En référence à la , on effectue une porosification électrochimique, non photo-assistée, des portions inférieures 22 des seules mésas M1 et M3, et non pas de celle des mésas M2. Pour cela, on dépose une couche d’encapsulation 5 sur les seules mésas M2, par exemple une résine photosensible ou une couche d’oxyde ou de nitrure de silicium (dépôt conforme). Ainsi, les mésas M2 ne seront pas au contact de l’électrolyte liquide. En revanche, les mésas M1 et M3 ne sont pas recouvertes par cette couche d’encapsulation 5.
Ensuite, on plonge à nouveau le substrat de croissance 20 dans un électrolyte liquide. L’électrode de polarisation 3 est alors connectée au générateur électrique de manière à appliquer une tension électrique de valeur V ECE , par exemple ici égale à 15V. Cela se traduit par une porosification des portions inférieures 22 des mésas M1 et M3, qui seules sont au contact de l’électrolyte liquide. La portion inférieure 22 de la mésa M2n’est donc pas porosifiée. La tension électrique peut être appliquée pendant une durée allant de quelques secondes à quelques heures. Une électrode de référence peut être utilisée pour contrôler précisément la tension électrique appliquée. Au cours de cette étape, il n’y a pas d’émission du faisceau lumineux d’excitation en direction des mésas. On retire ensuite le substrat de croissance 20 du bain électrolytique, et on retire la couche d’encapsulation 5.
Ainsi, on obtient un substrat de croissance 20, dont les mésas, qui présentent différentes déformabilités, ont été obtenues à partir d’un même empilement cristallin 10 initial. Il est donc adapté à la réalisation par épitaxie d’une matrice de diodes permettant d’émettre ou de recevoir un rayonnement lumineux à différentes longueurs d’onde de manière native, en particulier après avoir réalisé des portions de reprise d’épitaxie 27 à base d’InGaN.
Ainsi, les mésas M2 présentent une déformabilité d2 minimale, par le fait qu’elle n’est pas porosifiée. Dans cet exemple, elle ne comporte plus la portion supérieure 24 à base d’AlGaN. En variante, comme indiqué précédemment, elle pourrait l’avoir gardée, auquel cas la portion supérieure 24 serait non porosifiée (comme la portion inférieure 22). Quoi qu’il en soit, les mésas M2 présentent un paramètre de maille effectif qui est sensiblement égal à celui de la couche tampon conductrice 11, voire est sensiblement égal au paramètre de maille du matériau relaxé de la couche 11, du fait de la faible relaxation des mésas lors de leur réalisation ( ). Elles permettront la réalisation de diodes D2 émettant par exemple dans le vert.
Les mésas M1 présentent une déformabilité d1 supérieure à d2 du fait de la porosification de la portion inférieure 22. De plus, la portion inférieure 22 porosifiée permet aux mésas M1 de relaxer sous l’effet des contraintes mécaniques en compression générées par la portion supérieure 24 à base d’AlGaN non porosifié, de sorte que le paramètre de maille effectif est alors inférieur à celui des mésas M2. Cependant, après cette relaxation, la portion 24 va limiter la déformation de la mésa M1 lors de la réalisation des diodes, et donc limiter l’incorporation d’indium. Les mésas M1 permettront la réalisation de diodes D1 émettant par exemple dans le bleu.
Enfin, les mésas M3 présentent une déformabilité d3 supérieure à d2 et différente de d1, du fait de la porosification de la portion inférieure 22 et à l’absence de la portion supérieure 24 à base d’AlGaN. Les mésas M3 pourront présenter, lors de la réalisation de la portion de reprise d’épitaxie 27 à base d’InGaN, un paramètre de maille effectif supérieur à celui des mésas M2 du fait des contraintes mécaniques en tension générées par la portion 27. Les mésas M3 permettront la réalisation de diodes D3 émettant par exemple dans le rouge.
En référence à la , on réalise ensuite la matrice de diodes par reprise d’épitaxie à partir des mésas du substrat de croissance 20. On dépose tout d’abord un masque de croissance 6, réalisé en un matériau diélectrique, ici de manière conforme (par exemple par PECVD), de manière à recouvrir les flancs des mésas ainsi que la couche tampon conductrice 11. Le masque de croissance 6 peut être réalisé, par exemple, en un nitrure de silicium ou en un bicouche d’un nitrure et d’un oxyde de silicium d’une épaisseur de 80nm environ. Seule une surface des faces supérieures des mésas M1, M2, M3 est laissée libre par le masque de croissance 6, de manière à former une surface de germination. Ensuite, un recuit sous ammoniac et à haute température (par ex, entre 750 et 900°C) peut être effectué pour nettoyer les surfaces supérieures des mésas M1, M2, M3.
En référence à la , on dépose par épitaxie une fine couche 26 à base de GaN sur les surfaces supérieures des mésas, et en particulier sur celle des mésas M3, de manière à obturer les pores de la portion inférieure 22 porosifiée qui débouchent sur la surface supérieure. A titre d’exemple, cette couche d’obturation 26 peut être réalisée en InGaN avec une proportion d’indium de 1% environ et d’une épaisseur comprise entre 10 et 100nm environ.
Ensuite, on réalise des portions de reprise d’épitaxie 27 sur les mésas M1, M2 et M3 et en particulier sur celle des mésas M3. Ces portions 27 peuvent présenter une épaisseur de 200nm environ et peuvent être réalisées en InGaN avec une proportion d’indium de l’ordre de 8% environ. La portion de reprise d’épitaxie 27 provoque alors la déformation de la portion inférieure 22 porosifiée des mésas M3 (contraintes en tension), qui en retour permettent aux portions de reprise d’épitaxie 27 de relaxer. De plus, le paramètre de maille au niveau de la face supérieure des mésas M3 est différent de celui des mésas M1.