INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Soit χ 1 et χ 2 les affinités électroniques respectivement des couches tampon BUF et barrière Bar dans la structure selon l’invention, et χ 3 l’affinité électronique du matériau 2D.
Préférentiellement pour un fonctionnement optimal l’affinité χ 3 doit vérifier une condition proche vis-à-vis du buffer de celle vérifiée par la barrière dans un HEMT classique (condition (1) ) soit :
χ 3 -χ 1 <0 (2)
Après de nombreuses simulations il a été établi une condition affinée de la condition (2) comme suit:
χ 3 -χ 1 ≤ -0.5 eV (3)
Cette condition est nécessaire si l’on ne veut pas qu’un gaz d’électrons se forme dans le matériau 2D.
Par exemple χ 3 = χ h-BN = 2.5eV vérifie bien la condition (3) vis-à-vis de χ GaN :
La représente, par une vue de dessus, un détail d’un plan mémoire 20 d’une mémoire EEPROM.
Par exemple, la direction X représentée correspond à la direction des rangées du plan mémoire, et la direction Y représentée correspond à la direction des colonnes du plan mémoire.
La représente un détail du plan mémoire 20, ce détail permettant de visualiser schématiquement un mot mémoire 21, comportant quatre cellules mémoire 201, associé avec un circuit de commutation 202 de grilles de commande. Chaque cellule mémoire 201 comprend un transistor d’état 210 dont la zone active 216 peut être continue avec les zones actives d’autres transistors d’état dans la direction X, en série avec un transistor de sélection 220 dont la zone active 226 peut être continue avec les zones actives d’autres transistors de sélection dans la direction X.
On a représenté dans le circuit de commutation 202 plusieurs transistors de commutation 230 organisés en colonnes, chaque colonne comportant plusieurs transistors de commutation, par exemple des transistors de type PMOS, c'est-à-dire des transistors MOSFET dont les régions de source et de drain sont dopées de type P. Chaque colonne du circuit de commutation 202 comprend une structure de grille comportant une première grille 232 surmontée par une deuxième grille 234, par exemple plus longue (dans la direction X) et moins large (dans la direction Y) que la première grille 232. Les première et deuxième grilles sont de préférence connectées entre elles. La structure de grille 232, 234 est commune aux transistors d’une même colonne, et délimite une région de drain D et une région de source S dans une zone active 236 de chaque transistor 230 de la colonne.
Un transistor de commutation 230 est isolé des autres transistors de commutation et de la cellule mémoire 201 par des régions d’isolation 240 peu profondes, par exemple des tranchées d’isolation peu profondes, ou "STI" de l’anglais "Shallow Trench Isolation".
Bien que cela ne soit pas représenté, le circuit de commutation peut comprendre des transistors de type NMOS en série avec des transistors de type PMOS, afin de former des circuits inverseurs.
Un transistor de commutation 230 (ou un circuit inverseur) est, par exemple, dédié à une ou plusieurs cellules 201 du plan mémoire 21, ou à une ou plusieurs cellules d’autres plans mémoire (non représentés dans la ). Le mot mémoire 21 pourrait comporter moins, ou plus, de quatre cellules mémoire 201, par exemple six ou huit cellules mémoire 201.
La représente par une vue de dessus, un circuit électronique 30 comprenant une cellule de transistors de commutation couplés avec des cellules mémoire, correspondant à une portion d’un plan mémoire d’une mémoire EEPROM. La représente, par une vue en coupe selon le plan AA, le circuit électronique de la .
Le plan mémoire des figures 3A et 3B est par exemple similaire au plan mémoire 20 de la , en plus détaillé. On a représenté trois cellules mémoire, un transistor de commutation et partiellement un autre transistor de commutation, bien que le circuit de commutation comporte plus de deux transistors de commutation, et le plan mémoire comporte plus de trois cellules mémoire.
Chaque cellule mémoire 301 comporte un transistor d’état 310 et un transistor de sélection 320 en série avec le transistor d’état. Les transistors d’état et de sélection sont, par exemple, des transistors de type NMOS, c'est-à-dire des transistors MOS dont les régions de source et de drain sont dopées de type N. Les transistors d’état 310 et de sélection 320 sont formés dans et sur un substrat semiconducteur 304, par exemple du type P, avec un caisson 306 profond, par exemple du type N, formé dans le substrat semiconducteur, sous chaque cellule mémoire 301 et entre chaque cellule mémoire 301 et le transistor de commutation 330 décrit ci-après.
Le transistor d’état 310 comporte une zone active 316 formée dans le substrat semiconducteur 304 ainsi qu’une structure de grille surmontant la zone active 316 et comprenant une grille flottante 312 surmontée par une grille de commande 314, la structure de grille 312, 314 étant entre une première région de source S1 et une première région de drain D1 de la zone active 316. Cette structure de grille est commune à plusieurs transistors d’état dans la direction Y.
La grille flottante 312 est, par exemple, électriquement isolée de la grille de commande 314 par une couche diélectrique inter-grilles 313, et du substrat semiconducteur 304 par une couche diélectrique 311, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ). La grille de commande 314 est, par exemple, couplée avec le transistor de commutation 330 décrit ci-après.
Le transistor de sélection 320 comporte une zone active 326 formée dans le substrat semiconducteur 304, ainsi qu’une structure de grille 322, 324 surmontant la zone active 326, la structure de grille 322, 324 étant entre une deuxième région de source S2 et une deuxième région de drain D2 de la zone active 326. Cette structure de grille est commune à plusieurs transistors de sélection dans la direction Y.
Par exemple pour des raisons de simplification du procédé de fabrication de la cellule mémoire, la structure de grille du transistor de sélection peut être du type à double grille, comme représenté en , les deux grilles étant connectées entre elles de sorte à ne former qu'une seule grille.
La première région de drain D1 du transistor d’état 310 est couplée à la deuxième région de source S2 du transistor de sélection 320.
Dans l’exemple représenté en figures 3A et 3B, chaque transistor de commutation 330 est positionné sur le même substrat semiconducteur 304 que le transistor d’état 310 et le transistor de sélection 320 de chaque cellule mémoire 301. A l’inverse de la cellule mémoire 301, il n’y a pas de caisson profond formé dans le substrat semiconducteur sous le transistor de commutation 330.
Suivant différentes possibilités, le procédé de fabrication des dispositifs microélectroniques à partir du substrat peut comprendre les caractéristiques suivantes de manière cumulative ou alternative selon toute combinaison :
préalablement à l’amincissement, est compris un report du substrat 3 sur un support 41 depuis la face opposée à la face arrière 3b ; le support 41 peut être un substrat à base de semi-conducteur ou une couche de support notamment en polymère potentiellement avec une surface adhésive pour ce report ;
après l’amincissement, est comprise une formation d’un revêtement 35 métallique couvrant au moins la paroi supérieure 322 et la paroi latérale 320 des tranchées 32.
Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec les moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques, ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques. Il peut s’agir d’un dispositif destiné à assurer une fonction électronique, optique, mécanique etc. Il peut aussi s’agir d’un produit intermédiaire, uniquement destiné à la réalisation d’un autre dispositif microélectronique. Il peut aussi s’agir d’une structure d’interconnexions électriques passives.
Selon un mode de réalisation, le collage direct de deux substrats signifie que le collage est obtenu par les liens chimiques qui s’établissent entre les deux surfaces mises en contact. Ces liens chimiques peuvent être par exemple des liaisons de Van der Waals et/ou des liaisons chimiques fortes, covalentes, notamment lorsque le collage est assisté par une activation plasma ou suivi d’un traitement thermique de renforcement (typiquement 200°C à 1200°C pendant une heure).
Le substrat 3 est maintenant décrit selon plusieurs exemples de réalisation en référence aux figures 1A et 1B.
En fonction de la nature du moteur utilisé, la source d’énergie du moteur, dans le caisson 8, peut être un réservoir de carburant pour moteur thermique et/ou une batterie pour alimenter un moteur électrique ou un moteur hydraulique.
En sus, tel que schématisé sur la , le caisson 8 présente une forme parallélépipédique avec quatre faces longitudinales et deux faces transversales 10.
Dans le mode de réalisation de l’invention présenté ici, le barrage mobile 1 comprend aussi deux bras télescopiques 12. Chaque bras télescopique 12 présente une première extrémité 14 fixée au caisson 8, ici à une face transversale 10 du caisson 8. La première extrémité 14 est fixée en liaison pivot au caisson 8, l’axe 24 de la liaison pivot étant perpendiculaire au plan de la face transversale 10 du caisson 8 ainsi la position de chaque bras télescopique 12 peut être adaptée en fonction de la profondeur du chenal I. Chaque bras télescopique 12 comprend aussi une deuxième extrémité 16 à laquelle est fixée une roue 4.
Chaque bras télescopique 12 est mobile entre une position rétractée ( ) dans laquelle les roues 4 sont rapprochées de l’élément flottant 2, et une position déployée ( ) dans laquelle les roues 4 sont éloignées de l’élément flottant 2.
Selon le mode de réalisation ici présenté, pour chaque bras télescopique 12, le barrage mobile 1 comprend un vérin 26 qui est monté entre l’élément flottant 2 et le bras télescopique 12 pour déplacer ce dernier en rotation autour de l’axe 24 de liaison pivot, en particulier pour ranger le bras télescopique 12 lorsqu’il est en position rétractée. Selon une disposition particulière, les vérins 26 sont actionnés par le moteur qui entraine aussi les roues 4.
En outre, tel que cela sera décrit ci-après, la membrane 6 est fixée aux et entre les bras télescopiques 12.
Une roue 4 est fixée à la deuxième extrémité 16 de chaque bras télescopique 12. Un mode de réalisation particulier d’une roue 4 est schématisé sur la .
Chaque roue 4 est adaptée pour rouler au fond III du chenal I.
Les roues 4 peuvent être en métal et/ou en matériau polymère. Selon le mode de réalisation ici présenté, chaque roue 4 comprend une pluralité de pales 18. Selon le mode de réalisation ici présenté, la roue 4 comprend deux bandes de roulement 24 encadrant les pales 18.
Les pales 18 permettent la translation de la roue 4 dans l’eau du chenal I et au fond III du chenal, lorsque la roue 4 est entrainée en rotation. En d’autres termes, les pales 18 permettent le déplacement de la roue 4 lorsque celle-ci est uniquement dans l’eau (c’est-à-dire, lorsque la roue 4 n’est pas en contact avec le fond III). De plus, les pales 18 ont aussi une fonction de crampons facilitant le déplacement de la roue 4 sur le fond III.
En sus, selon le mode de réalisation ici présenté, les roues 4 sont reliées par un arbre 20. L’arbre 20 relie les roues 4 au niveau de leurs moyeux. Typiquement, l’arbre 20 peut être un arbre métallique.
En outre, le barrage mobile 1 comprend des moyens adaptés pour faire couler la roue 4. Les moyens adaptés pour faire couler la roue 4 peuvent être l’arbre 20 et/ou des éléments lestant la structure de la roue 4 (par exemple une structure métallique ou des lestes intégrés dans la structure) ou les bras télescopiques 12 qui par leur poids assurent la plongée des roues 4.
Comme indiqué précédemment, le barrage mobile 1 comprend une membrane 6 adaptée pour former un barrage pour dévier un flux d’eau circulant dans le chenal I.
Selon le mode de réalisation ici présenté, la membrane 6 est fixée aux bras télescopiques 12. Plus précisément, selon le mode de réalisation ici présenté, la membrane 6 présente une forme de quadrilatère avec quatre coins. Deux coins de la membrane 6 sont fixés à un même bras télescopique 12. L’un des deux coins est fixé à proximité de la première extrémité 14 et l’autre coin est fixé à proximité de la deuxième extrémité 16. Ainsi, tel que schématisé sur la , lorsque les bras télescopiques 12 sont déployés, la membrane 6 forme un barrage déviant le flux d’eau.
Ce mode de réalisation permet de détecter de manière fiable si un sous-système ou une pièce présente un défaut par analyse comparative d’un indicateur dit de santé correspondant à sa contribution vibratoire estimée. En effet, si une pièce ou un sous-système est défectueux, le défaut entrainera une vibration plus importante.
Selon un mode de réalisation , le procédé de surveillance comprend une étape de rééchantillonage angulaire du signal vibratoire par interpolation du signal vibratoire par rapport à un signal de référence représentatif de la rotation d’un arbre de référence de la machine tournante. En particulier, il est à noter que les rotations des pièces dudit sous-système sont liées à la rotation de l’arbre de référence.
La périodicité du signal vibratoire de la machine tournante est intrinsèquement liée à la rotation de la machine tournante. En régime stationnaire, la rotation de la machine tournante est régulière et la périodicité du signal vibratoire est constante dans le temps. Toutefois, en pratique, le régime de rotation de la machine tournante subit des fluctuations. Aussi, si ces fluctuations ne sont pas prises en compte lors de l'analyse du signal vibratoire, il peut en résulter des erreurs dans l'estimation de la contribution vibratoire d'un sous-système ou d'une pièce.
Pour cette raison, il est proposé dans ce mode de réalisation de rééchantillonner le signal vibratoire en l’interpolant par rapport au signal représentatif de la rotation d’un arbre de référence. Ce mode de réalisation permet de prendre en compte les fluctuations du régime de rotation de la machine tournante lors de l'estimation d'une contribution vibratoire d'un sous-système ou d’une pièce.
Ce mode de réalisation permet d'améliorer la précision de l'estimation d'une contribution vibratoire d'un sous-système ou d’une pièce depuis le signal vibratoire de la machine tournante.
Selon un mode de réalisation , le procédé de surveillance comprend, si un défaut d’un sous-système est détecté, une étape consistant à fournir un signal d’alarme comprenant au moins un identifiant et la contribution vibratoire estimée du sous-système défectueux.
Le signal d’alarme peut en outre comprendre : un identifiant et la contribution vibratoire estimée d’une pièce défectueuse dudit sous-système.
Ce mode de réalisation permet de signaler la présence d’un défaut de la machine tournante et d’identifier le sous-système défectueux, et notamment la pièce défectueuse. De plus, en fournissant la contribution vibratoire associée au défaut détecté, ce mode de réalisation permet de faciliter la caractérisation de celui-ci.
Par exemple, le signal d’alarme peut être fourni à un dispositif de restitution comprenant un écran, ce qui permet de faciliter la caractérisation d’un défaut affectant le sous-système ou la pièce. En effet, la contribution vibratoire d'une pièce endommagée peut être représentative de chocs répétitifs, lesquels peuvent être facilement identifiables sur un écran.
En variante, il pourrait également être envisagé de fournir le signal d’alarme à un dispositif de contrôle de la machine tournante.
Selon un aspect de l’invention , il est proposé un dispositif de surveillance d’une machine tournante à partir d’un signal vibratoire, le dispositif comprenant : un module d’estimation configuré pour estimer la contribution vibratoire d’un sous-système de la machine tournante d’un ensemble de moyennes synchrones du signal vibratoire comprenant : des premières moyennes synchrones (du signal vibratoire) associées à des fréquences de rotation des pièces dudit sous-système ; et une ou plusieurs deuxièmes moyennes synchrones (du signal vibratoire) associées à des multiples des fréquences de rotation des pièces dudit sous-système, ces multiples étant communs à au moins deux pièces dudit sous-système ; et un module de détection de défaut configuré pour déterminer si un dit sous-système est défectueux par analyse comparative d’un indicateur dit de santé correspondant à la contribution estimée dudit sous-système.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de surveillance met en œuvre tout ou partie des étapes du procédé de surveillance proposé.
Selon un aspect de l’invention , il est proposé un système de surveillance comprenant : un dispositif d’acquisition configuré pour acquérir un signal vibratoire ; et un dispositif de surveillance conforme à l’invention.
Le système de surveillance peut comprend en outre un dispositif de restitution comprenant : un écran ; et/ou un haut-parleur. Un tel dispositif de restitution est configuré pour restituer un signal d’alarme fourni par le dispositif de surveillance si un défaut est détecté.
Selon un mode de réalisation , le dispositif d’acquisition comprend : un accéléromètre ; et/ou un microphone. Par exemple, l’accéléromètre peut être monté sur une partie fixe de la machine tournante surveillée, ou le microphone peut être placé à proximité de celle-ci.
Le dispositif d’acquisition peut comprendre en outre un tachymètre permettant de mesurer la fréquence de rotation d’un arbre de référence de la machine tournante.
Le guide de lumière 105 illustré sur la comprend également un ensemble d’injection 120 comprenant plusieurs éléments d’injection de lumière, comprenant plusieurs éléments d’injection décrits en référence aux figures suivantes, l’ensemble 120 étant apte à distribuer la lumière dans la nappe de guidage flexible 110 à différentes positions selon l’axe Y, le long de la tranche d’injection de lumière 114. La lumière est injectée, à chaque position selon l’axe Y, dans une direction sensiblement parallèle à l’axe X.
Selon la distribution des microstructures 113, la nappe de guidage flexible 110, ou plus précisément le film flexible 111, peut comprendre une zone de mixage 111.2 et une zone d’émission lumineuse 111.1 pourvue des microstructures 113. La zone de mixage 111.2 est disposée en amont de la zone d’émission lumineuse selon le sens de propagation des rayons lumineux. La zone d’émission lumineuse 111.1 est intégrée dans une région 1110.
L’ensemble 120 d’éléments d’injection 120.1 est apte à injecter des rayons lumineux issus de la source 130 dans la tranche d’injection 114 vers la zone de mixage 111.2. Sur la , un unique ensemble d’injection 120 est représenté. Toutefois, selon l’invention, le module lumineux 100 selon l’invention comprend au moins un ensemble d’injection 120 de part et d’autre de la nappe de guidage flexible, de manière à augmenter l’intensité lumineuse du motif gravé dans la zone d’émission lumineuse 111.1. Ainsi, en référence à la , le module lumineux 100 selon l’invention comprend également au moins un ensemble d’injection 120 à droite de la nappe de guidage flexible 110, non représenté sur la mais illustré et décrit ultérieurement.
A noter que le guide de lumière 105 peut comprendre plusieurs ensembles d’injection 120 par tranche d’injection 114, chaque ensemble étant agencé à un ensemble de positions en Y donné de la tranche d’injection 114. Chaque ensemble d’injection 120 est ainsi configuré pour illuminer une région 1110 différente dans la nappe de guidage de lumière. Dans ce qui suit, un unique ensemble d’injection 120 par tranche d’injection 114 est considéré, à titre illustratif.
Etant donné que les éléments d’injection de lumière 121 sont obtenus par découpage d’un même matériau que le film flexible 111, les rayons lumineux R vont se propager par réflexion totale interne dans les éléments d’injection de lumière 120.1 de sorte à amener de la lumière jusqu’à la nappe de guidage de lumière qui est adjacente et solidaire des éléments d’injection de lumière 120.1, et la lumière va ainsi illuminer la ou les régions 1110 de la nappe de guidage de lumière 110.
représente un organigramme détaillant les phases de mise en œuvre d’une étape de partitionnement de la méthode d’annotation de pistes, selon un mode de réalisation de l’invention,
représente une interface graphique illustrant un exemple de résultats intermédiaires obtenus par la méthode selon l’invention,
représente un exemple de mise en œuvre de la méthode de partitionnement selon l’invention,
La schématise, sur un organigramme, les étapes principales de mise en œuvre d’une d’annotation de pistes de suivi d’individus selon un mode de réalisation de l’invention.
La méthode vise à annoter des pistes de suivi d’individus, par exemple des animaux, avec une identité. Autrement dit, un objectif de l’invention est d’identifier et annoter en conséquence chaque individu dans une séquence vidéo donnée. Une application de l’invention consiste, par exemple, à identifier chaque individu d’un troupeau d’animaux.
La méthode débute à l’étape 101 avec la réception d’une ou plusieurs séquences d’images acquises par une ou plusieurs caméras. Lorsque plusieurs caméras sont utilisées, elles peuvent être à champs joints ou à champs disjoints. Le suivi peut être réalisé en 2D ou en 3D. A cet effet, tout dispositif d’acquisition de séquences vidéo permettant de fournir un suivi en 2D ou 3D est compatible avec l’invention.
A l’étape 102, on réalise ensuite une extraction de pistes de suivi d’individus à partir des séquences d’images capturées. Un exemple de piste de suivi d’un individu est représenté à la . Une piste de suivi est constituée d’informations consécutives de position et de temps ainsi que de plusieurs imagettes centrées sur l’individu à suivre. Chaque imagette est associée à un instant temporel. L’étape 102 peut être réalisée au moyen de tout algorithme de génération de pistes de suivi, par exemple un algorithme de suivi de type « Multi Object Tracking » ou MOT en anglais tel que décrit par exemple dans les références [1],[2] ou [3].
Dans le cas d’un suivi 3D, la génération de pistes de suivi peut s’appuyer, par exemple, sur une première étape de génération de pistes 2D dans des caméras calibrées, puis une seconde étape d’estimation en 3D à partir d’une hypothèse de hauteur sur l’observation 2D. Dans le cas de caméras à champs joints, la mise en correspondance de deux projections 3D provenant de deux caméras différentes observant la même région peut être réalisée par l’algorithme Hongrois par exemple.
L’étape 102 peut être réalisée avec un suivi 2D ou 3D et pour des séquences capturées par des caméras à champs joints ou disjoints.
Un objectif de l’étape 102 est de fournir en sortie autant de pistes de suivi que d’individus présents dans la scène filmée. Chaque piste de suivi étant associée à un seul individu. Chaque piste de suivi est une séquence temporelle localisée qui identifie la trajectoire d’un individu dans le temps et l’espace. Plusieurs pistes de suivi peuvent être associées au même individu, par exemple, dans des intervalles temporels différents.
Un objectif de l’invention est d’annoter chaque piste de suivi en lui attribuant une identité, par exemple un numéro.
Dans un mode de réalisation de l’invention, la méthode reçoit aussi en entrée une base de données annotées BDA constituée de pistes de suivi d’individus déjà annotées. L’annotation des données de la base BDA peut être réalisée manuellement, par un utilisateur, ou de façon automatique en utilisant la méthode selon l’invention. Plus généralement, un objectif de l’invention est aussi de compléter la base de données BDA avec de nouvelles pistes de suivi annotées. Une piste de suivi annotée est une piste du type décrit à la à laquelle on associe une identité, par exemple ID 447 sur l’exemple de la .
Un dispositif selon l'invention peut en outre comporter des moyens, par exemple un vibreur, pour recevoir une information de confirmation destinée à l’utilisateur indiquant qu’un de ses gestes a bien été pris en compte.