Procédé de préparation d’une couche mince monodomaine (4) en matériau ferroélectrique comprenant du lithium, le procédé comprenant : une étape d’implantation d’espèces légères dans une première face (6) d’un substrat donneur (5) ferroélectrique comprenant du lithium pour former un plan de fragilisation (7) et définir une première couche (8) entre le plan de fragilisation (7) et la première face (6) du substrat donneur (5) ; une étape d’assemblage de la première face (6) du substrat donneur (5) au support (2), de préférence par l’intermédiaire d’une couche diélectrique intercalaire (3) pour former un assemblage intermédiaire ; une étape de fracture de l’assemblage intermédiaire, comprenant un premier traitement thermique, cette étape conduisant à la fracture du substrat donneur (5) au niveau du plan de fragilisation (7) et à la formation d’une face libre (9) de la première couche (8) ; une séquence de finition de la première couche (8) comprenant une étape de recuit comportant un deuxième traitement thermique et, après l’étape de recuit, une étape d’amincissement de la première couche (8) pour former la couche mince monodomaine (4) ; le procédé de préparation étant caractérisé en ce qu’il comprend : un traitement de surface exposant la face libre (9) de la première couche (8) à une atmosphère de traitement comprenant au moins 0,02% de dioxyde de carbone pour former une couche de passivation riche en lithium ; un traitement d’élimination de la couche de passivation riche en lithium. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’atmosphère de traitement présente une température comprise entre 100°C et la température de Curie du matériau ferroélectrique composant la première couche (8). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le traitement d’élimination est réalisé par nettoyage de la face libre (9) de la première couche (8) par voie humide. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel le nettoyage comprend le brossage de la face libre (9) de la première couche (8). Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel le brossage est conduit tout en dispensant de l’eau désionisée sur la face libre (9) de la première couche (8). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le traitement de surface et le traitement d’élimination sont réalisés au cours d’une étape intermédiaire disposée entre l’étape de fracture et la séquence de finition. Procédé de préparation selon l’une des revendications 1 à 5 dans lequel le traitement de surface est réalisé pendant l’étape de fracture, l’exposition de la face libre (9) de la première couche (8) à l’atmosphère de traitement étant conduit pendant le premier traitement thermique ou directement à l’issue de celui-ci. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’atmosphère de traitement comprend au moins 0,02% de dioxyde de carbone dans un gaz neutre, tel que de l’argon ou de l’azote, le premier traitement thermique étant conduit à une température comprise entre 100°C et 700°C. Procédé de préparation selon l’une des revendications 1 à 5 dans lequel le traitement de surface est réalisé pendant l’étape de recuit de la séquence de finition, l’exposition de la face libre (9) de la première couche (8) à l’atmosphère de traitement étant conduit pendant le deuxième traitement thermique. Procédé de préparation selon la revendication précédente dans lequel l’atmosphère de traitement comprend au moins 0,02% de dioxyde de carbone dans de l’oxygène ou dans un gaz neutre, tel que de l’argon ou de l’azote, le deuxième traitement thermique étant conduit à une température comprise entre et 300°C et la température de Curie du matériau ferroélectrique composant la première couche (8). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel l’atmosphère de traitement comprend plus de 0,05% de dioxyde de carbone. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le support (2) est formé d’un substrat massif électriquement conducteur ou semi-conducteur. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel le support (2) comprend un substrat de base (2a) et une couche de piégeage (2b), la couche de piégeage (2b) étant disposée entre la couche diélectrique intercalaire (3) et le substrat de base (2a). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la première couche (8) et la couche mince (4) sont constituées d’un matériau piézoélectrique monocristallin, tel que du tantalate de lithium ou du niobate de lithium. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique intercalaire (3) comprend au moins une couche d’oxyde de silicium, d’oxynitrure de silicium ou de nitrure de silicium.