Procédé de fabrication de micro-LED comprenant au moins les étapes suivantes : i) fournir un empilement comprenant au moins une couche de GaN fortement dopée n (104), une couche de GaN dopée n (105), des puits quantiques (106) et une couche de GaN dopée p (107) et une première électrode (108), ii) porosifier la couche de GaN fortement dopée n (104), moyennant quoi une couche de GaN porosifiée est obtenue (104’), iii) former des mésas dans l’empilement, iv) recouvrir la couche de GaN porosifiée (104’) par une deuxième électrode (301) formée d’une couche d’oxyde transparent conducteur, la deuxième électrode (301) étant en contact direct avec la couche de GaN porosifiée (104’), puis, de préférence, recouvrir la deuxième électrode (301) par une couche d’encapsulation (302), ou déposer une deuxième électrode (301) sur une face latérale de la couche de GaN porosifiée (104’) ou sur une face latérale de la couche de GaN dopée n (105) et recouvrir la couche de GaN porosifiée (104’) par une couche d’encapsulation (302), la couche d’encapsulation (302) étant en contact direct avec la couche de GaN porosifiée (104’), les étapes ii) et iii) pouvant être réalisées dans l’ordre ii) et iii) ou dans l’ordre iii) et ii), l’étape ii) étant réalisée de manière à ce que l’indice optique de la couche de GaN porosifiée (104’) ne varie pas de plus de 10% par rapport à l’indice optique de la deuxième électrode (301) et/ou par rapport à l’indice optique de la couche d’encapsulation (302). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d’oxyde transparent conducteur est une couche d’oxyde d’indium étain et/ou en ce que la couche d’encapsulation (302) est en SiN, SiO 2 ou SiON. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que la concentration volumique de pores dans la couche de GaN porosifiée (104’) est déterminée à partir de la formule suivante : avec p la concentration volumique de pores, n GaN l’indice optique du GaN et n air l’indice optique de l’air. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l’étape i) est réalisée selon les étapes a) à c) suivantes : a) fournir un empilement initial (100) comprenant une couche support (101), éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N (102), une couche de GaN non intentionnellement dopée (103), une couche de GaN fortement dopée n (104), une couche de GaN dopée n (105), des puits quantiques (106), une couche de GaN dopée p (107) et une première électrode (108), b) reporter le premier empilement sur un substrat support (201) recouvert par une couche métallique (202), c) retirer la couche support (101), le cas échéant la couche tampon en (Al,Ga)N (102), la couche de GaN non intentionnellement dopée (103), par exemple par amincissement, moyennant quoi on obtient un substrat d’intérêt comprenant le substrat support (201), la première électrode (108), la couche de GaN dopée p (107), les puits quantiques GaN/InGaN (106), la couche de GaN dopée n (105) et la couche de GaN fortement dopée n (104). Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que, avant l’étape ii), le procédé comprend une étape au cours de laquelle le taux de dopage de la couche de GaN fortement dopée n (104) est diminué localement, par exemple par implantation d’ions hélium ou hydrogène, de manière à avoir une première partie de la couche de GaN fortement dopée n (104) ayant une première conductivité et une deuxième partie (110) ayant une deuxième conductivité, la première conductivité électrique étant supérieure d’au moins un facteur dix à la deuxième conductivité électrique, moyennant quoi : - la deuxième partie (110) n’est pas porosifiée lors de l’étape ii), - la couche de GaN porosifiée (104’) des mésas obtenues à l’étape iii) comprend une partie non porosifiée (110) et une partie porosifiée, la partie non porosifiée (110) étant de préférence au centre de la partie non porosifiée. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que : - le procédé comprend une étape additionnelle entre l’étape i) et l’étape ii) au cours de laquelle la couche de GaN fortement dopée n (104) et une partie de la couche de GaN dopée n (105) sont gravées pour former une pré-structure de mésas, - lors de l’étape ii), la partie centrale (111) de la couche de GaN fortement dopée n (104) n’est pas porosifiée, par exemple en arrêtant l’étape de porosification avant la porosification totale de la couche de GaN fortement dopée (104), moyennant quoi la couche de GaN (104’) des mésas obtenues à l’étape iii) comprend une partie centrale non porosifiée (111) et un pourtour porosifié, - l’étape iii) est réalisée en gravant l’autre partie de la couche de GaN dopée n (105), les puits quantiques (106), la couche de GaN dopée p (107), la première électrode (108) et une partie du substrat support (201). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes successives suivantes : i) fournir un empilement comprenant une couche support (101), une couche de GaN non intentionnellement dopée (103), une couche de GaN fortement dopée n (104), une couche de GaN dopée n (105), des puits quantiques (106) et une couche de GaN dopée p (107) et une première électrode (108), iii) former des mésas dans l’empilement, en gravant la première électrode (108), la couche de GaN dopée p (107), les puits quantiques (106), la couche de GaN dopée n (105), la couche de GaN fortement dopée n (104) et une partie de la couche de GaN non intentionnellement dopée (103), - mettre en œuvre l’étape ii), moyennant quoi une couche de GaN porosifiée (104’) est obtenue, - reporter l’empilement obtenu sur un substrat support (201) recouvert par une couche métallique (202), - retirer la couche support (101), la couche de GaN non intentionnellement dopée (103), par exemple par amincissement, moyennant quoi on obtient un substrat d’intérêt comprenant le substrat support (201), la première électrode (108), la couche de GaN dopée p (107), les puits quantiques GaN/InGaN (106), la couche de GaN dopée n (105) et la couche de GaN fortement dopée n (104), - mettre en œuvre l’étape iv). Structure de micro-LEDs comprenant un empilement, l’empilement comprenant au moins une couche de GaN fortement dopée n porosifiée (104’), une couche de GaN dopée n (105), des puits quantiques (106) et une couche de GaN dopée p (107), une première électrode (108), des mésas étant formées dans l’empilement, la couche de GaN porosifiée (104’) étant recouverte et en contact direct avec une deuxième électrode (301) formée d’une couche d’oxyde transparent conducteur, la deuxième électrode (301) étant de préférence recouverte par une couche d’encapsulation (302), ou une deuxième électrode (301) étant disposée sur une face latérale de la couche de GaN porosifiée (104’) ou sur une face latérale de la couche de GaN dopée n (105), la couche de GaN porosifiée (104’) étant recouverte et en contact direct avec une couche d’encapsulation (302), l’indice optique de la couche de GaN porosifiée (104’) ne variant pas de plus de 10% par rapport à l’indice optique de la deuxième électrode (301) et/ou par rapport à l’indice optique de la couche d’encapsulation (302). Structure selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche de GaN porosifiée (104’) des mésas comprend une partie centrale non porosifiée (110, 111) et un pourtour porosifié. Structure selon la revendication 9, caractérisé en ce que la partie centrale (110) est faiblement dopée. Structure selon la revendication 9, caractérisé en ce que la partie centrale (111) est fortement dopée. Structure selon l’une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que la couche de GaN porosifiée (104’) a une épaisseur comprise entre 100 et 500nm, de préférence entre 300 et 500 nm.