INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé peut comporter en outre, avant la mise en œuvre de l’étape c), un dépôt d’un matériau diélectrique d’isolation autour des espaceurs diélectriques, puis une gravure de cavités dans le matériau diélectrique d’isolation telle que les cavités comprennent au moins une paroi latérale formée par l’un des espaceurs diélectriques, et dans lequel : - l’étape d) est mise en œuvre telle que les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur recouvrent au moins une partie des parois latérales des cavités ; - l’étape e) est mise en œuvre telle que chacune des régions de source / drain soit disposée dans une des cavités.
Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d’une couche de diélectrique de grille mise en œuvre : - entre les étapes a) et b), sur la portion de matériau temporaire, les grilles de commande électrostatique étant réalisées ensuite sur la couche de diélectrique de grille, et/ou - entre les étapes c) et d), sous les grilles de commande électrostatique et les espaceurs diélectriques, dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, la couche de semi-conducteur étant réalisée ensuite en recouvrant la couche de diélectrique de grille.
L’invention concerne également un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique FET, comprenant au moins : a) réalisation d’au moins une portion de matériau temporaire sur un substrat, puis b) réalisation, au moins sur la portion de matériau temporaire, de plusieurs grilles temporaires distinctes et espacées les unes des autres et d’espaceurs diélectriques disposés contre des flancs de chacune des grilles temporaires, puis c) un dépôt d’un matériau diélectrique d’isolation autour des espaceurs diélectriques, puis d) gravure des grilles temporaires, et réalisation de plusieurs grilles de commande électrostatique à la place des grilles temporaires, les grilles de commande électrostatique étant distinctes et espacées les unes des autres, puis e) gravure de cavités dans le matériau diélectrique d’isolation telle que les cavités comprennent au moins une paroi latérale formée par l’un des espaceurs diélectriques, puis f) gravure de la portion de matériau temporaire, puis g) réalisation d’une couche de semi-conducteur comprenant au moins une première zone configurée pour servir de un canal de conduction électrique du dispositif microélectronique FET, disposée sous les grilles de commande électrostatique et les espaceurs diélectriques dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, et telle que la couche de semi-conducteur se prolonge, sans discontinuité avec la première zone, en formant des deuxièmes zones couvrant au moins une partie des flancs des espaceurs diélectriques et qui ne sont pas disposées directement contre les grilles temporaires, puis h) réalisation, sur le substrat, de régions de source / drain chacune disposée dans une des cavités et couplées électriquement à la première zone de la couche de semi-conducteur par les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur, et telles que des deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur s’étendent entre les régions de source / drain et les espaceurs diélectriques.
Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d’une couche de diélectrique de grille mise en œuvre : - lors de l’étape e), sur la première zone de la couche de semi-conducteur, les grilles de commande électrostatique étant réalisées ensuite sur la couche de diélectrique de grille, et/ou - entre les étapes c) et d), sous les grilles temporaires et les espaceurs diélectriques, dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, la couche de semi-conducteur étant réalisée ensuite en recouvrant la couche de diélectrique de grille.
Dans l’ensemble du document, les termes « sur » et « sous » sont utilisés sans distinction de l’orientation dans l’espace de l’élément auquel se rapporte ce terme. Par exemple, dans la caractéristique « sur une face du premier substrat », cette face du premier substrat n’est pas nécessairement orientée vers le haut mais peut correspondre à une face orientée selon n’importe quelle direction. En outre, la disposition d’un premier élément sur un deuxième élément doit être comprise comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément directement contre le deuxième élément, sans aucun élément intermédiaire entre les premier et deuxième éléments, ou bien comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément sur le deuxième élément avec un ou plusieurs éléments intermédiaires disposés entre les premier et deuxième éléments.
Dans l’ensemble du document, l’expression « coupler électriquement » est utilisée pour désigner une liaison électrique pouvant être directe ou pouvant être indirecte (c’est-à-dire réaliser à travers un ou plusieurs éléments électriques intermédiaires).
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les à représentent schématiquement les étapes d’un procédé de réalisation du dispositif microélectronique, objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; - la représente schématiquement un dispositif microélectronique, objet de la présente invention, selon une variante de réalisation.
A ce titre, le micronoyau 20 est adapté à mettre en œuvre un ensemble d’opérations.
Ainsi, dans la suite, les tâches ou les opérations que le micronoyau 20 est propre à mettre en œuvre sont associées au signe de référence 21.
Le micronoyau 20 est un élément conservant un petit nombre de fonctions fondamentales. L’ensemble des fonctionnalités habituellement proposées par les noyaux monolithiques est alors assuré par des éléments extérieurs au micronoyau 20.
Cela permet d’obtenir un noyau de petite taille présentant une meilleure sécurité, cette sécurité étant requise pour les applications embarquées.
Typiquement un micronoyau correspond à moins de 50 000 lignes de codes tandis qu’un noyau correspond à plusieurs millions de lignes de code.
Les composants matériels 22 sont des composants auquel le micronoyau 20 a accès pour mettre en œuvre l’ensemble d’opérations 21.
A titre purement illustratif, dans le cas de la , il est supposé que les composants matériels 22 sont une mémoire 28 et une unité de calcul 30.
Les fonctionnalités de la mémoire 28 et de l’unité de calcul 30 sont ici des fonctionnalités standard pour le domaine de l’embarqué, à savoir respectivement mémoriser des données et effectuer des opérations 21.
Le micronoyau 20 peut accéder à la mémoire 28 selon trois modalités : lecture seule (modalité plus souvent désignée par la dénomination anglaise correspondante de « read only »), ou lecture et écriture (modalité plus souvent désignée par la dénomination anglaise correspondante de « read/write »), ou exécution (modalité plus souvent désignée par la dénomination anglaise correspondante de « execute » et qui utilise la présence d’un registre donnant la position de la prochaine instruction à exécuter).
L’unité de gestion de mémoire 24 sert à contrôler les accès mémoire.
L’unité de gestion de mémoire 24 est plus souvent désignée par l’abréviation MMU renvoyant à la dénomination anglaise correspondante de « Memory Management U nit ».
L’unité de contrôle 26 est propre à contrôler les accès du micronoyau 20 aux composants matériels 22.
Comme cela sera décrit ultérieurement, dans l’exemple décrit, l’unité de contrôle 26 contrôle les accès par contrôle de l’unité de gestion de mémoire 24.
L’unité de contrôle 26 est isolée du micronoyau 20 et des tâches 21 que le micronoyau 20 accomplit.
Par isolation, il est entendu ici le fait que l’unité de contrôle 26 fonctionne totalement indépendamment du micronoyau 20.
En outre, l’unité de contrôle 26 dispose d’un niveau de privilège d’accès aux composants matériels 22 qui est strictement supérieure au niveau de privilège du micronoyau 20.
En variante, non représentée, l’unité de contrôle 15 comprend, en outre, un boîtier. En outre, la première carte électronique 15a est disposée à l’intérieur du boîtier, en particulier dans la configuration assemblée de l’unité de contrôle 15. Ainsi, le boîtier de l’unité de contrôle 15 permet de protéger la première carte électronique 15a, lors de l’assemblage de l’actionneur électromécanique 11 et suite à l’assemblage de ce dernier. De cette manière, le boîtier de l’unité de contrôle 15 permet d’isoler électriquement la première carte électronique 15a par rapport au carter 17. Avantageusement, le diamètre extérieur du boîtier de l’unité de contrôle 15 est inférieur au diamètre intérieur du carter 17, de sorte que le boîtier peut être inséré dans le carter 17, lors de l’assemblage de l’actionneur électromécanique 11. Dans un premier cas, le boîtier de l’unité de contrôle 15 peut comprendre deux demi-coques configurées pour coopérer ensemble, en particulier dans la configuration assemblée de l’unité de contrôle 15. Dans la configuration assemblée de l’actionneur électromécanique 11, les deux demi-coques sont assemblées entre elles, de sorte à définir un plan de jonction s’étendant suivant une direction parallèle à l’axe de rotation X. Avantageusement, au moins l’une des deux demi-coques formant le boîtier comprend des éléments de positionnement et de fixation de la première carte électronique 15a, en particulier dans la configuration assemblée de l’unité de contrôle 15. Dans un deuxième cas, le boîtier de l’unité de contrôle 15 peut comprendre un ou plusieurs tronçons, le ou chaque tronçon étant réalisé sous la forme d’un tube creux. Le ou chaque tronçon est configuré pour loger ou recevoir, autrement dit loge ou reçoit, la première carte électronique 15a, en particulier dans la configuration assemblée de l’unité de contrôle 15. Dans un tel cas, le ou chaque tronçon du boîtier comprend une première rainure et une deuxième rainure. En outre, les première et deuxième rainures sont configurées pour maintenir en position, autrement dit maintiennent en position, la première carte électronique 15a à l’intérieur du boîtier, en particulier dans la configuration assemblée de l’unité de contrôle 15.
ETAT DE LA TECHNIQUE Un système propulsif comporte généralement, d’amont en aval dans le sens de l’écoulement des gaz, une section de soufflante, une section de compresseur pouvant comprendre un compresseur basse pression et un compresseur haute pression, une chambre de combustion et une section de turbine pouvant comprendre notamment une turbine haute pression et une turbine basse pression. Le compresseur haute pression est entrainé en rotation par la turbine haute pression par l’intermédiaire d’un arbre haute pression. La soufflante et le cas échéant le compresseur basse pression sont entrainés en rotation par la turbine basse pression par l’intermédiaire d’un arbre basse pression.
Notamment pour des raisons de sécurité au sol, des systèmes de blocage du rotor de soufflante, par exemple par FR3075862. Toutefois, ces systèmes connus sont généralement complexes, encombrants, et lourds
EXPOSE Un but de la présente divulgation est de proposer un système de blocage du rotor de soufflante plus simple, plus léger et/ou plus compact que les systèmes de l’état de la technique.
Il est à cet effet proposé un système propulsif aéronautique comprenant : un rotor de soufflante comprenant des aubes à calage variable ; un système de commande configuré pour commander le calage des aubes, notamment une mise en drapeau des aubes ; et un frein configuré pour bloquer une rotation du rotor de soufflante en fonction de la commande de mise en drapeau des aubes.
Ainsi, le frein est actionné lorsque les aubes du rotor de soufflante sont mises en drapeau. Il n’est donc pas nécessaire de prévoir un système de commande dédié à la commande du frein, tandis que la polyvalence du système de commande est accrue : ceci permet un gain d’espace et de masse, une simplification du système. Le cas échéant, ceci permet en outre de s’affranchir d’un système de lubrification à basse vitesse d’un réducteur de vitesse disposé entre l’arbre basse pression et l’arbre fan, car le frein bloque les rotations et rend une telle lubrification inutile.
Optionnellement, le système propulsif aéronautique comprend un retardateur configuré pour retarder le blocage en rotation par le frein par rapport à la mise en drapeau des aubes par le système de commande.
Optionnellement, le frein est configuré pour débloquer la rotation du rotor de soufflante en fonction d’une commande de sortie de drapeau des aubes par le système de commande.
Optionnellement, le système propulsif aéronautique comprend un retardateur configuré pour retarder la sortie de drapeau des aubes par le système de commande par rapport au déblocage de la rotation du rotor de soufflante par le frein.
Optionnellement, le système propulsif aéronautique comprend un arbre d’entraînement, dans lequel le frein est configuré pour être débrayé lorsqu’une vitesse de rotation de l’arbre d’entraînement augmente et dépasse une vitesse seuil de débrayage, la vitesse seuil de débrayage étant comprise par exemple entre 50 tours par minute et 800 tours par minute, par exemple entre 50 tours par minute et 400 tours par minute, par exemple entre 100 tours par minute et 300 tours par minute.
Le mécanisme de réduction 19 peut comprendre un mécanisme de réduction 19, dans cet exemple un mécanisme de réduction à train d’engrenage épicycloïdal, par exemple de type « épicycloïdal » ou « planétaire » selon la terminologie parfois rencontrée de l’homme du métier, monoétage ou biétage. Selon une première variante, le mécanisme de réduction 19 peut être du type planétaire (« star » en anglais) ( ) et comprendre un pignon solaire 19a (entrée du mécanisme de réduction 19), centré sur un axe X de rotation du mécanisme de réduction 19 (généralement confondu avec l’axe longitudinal X) et configuré pour être entrainé en rotation par l’arbre basse pression 11, une couronne 19b (sortie du mécanisme de réduction 19) coaxiale avec le pignon solaire 19a et configurée pour entrainer en rotation l’arbre de soufflante 20 autour de l’axe X de rotation, et une série de satellites 19c répartis circonférentiellement autour de l’axe X de rotation entre le pignon solaire 19a et la couronne 19b, chaque satellite 19c étant engrené intérieurement avec le pignon solaire 19a et extérieurement avec la couronne 19b. La série de satellites 19c est montée sur un porte-satellites 19d qui est fixe par rapport à une partie stator 19e du système propulsif 1, par exemple par rapport à un carter de la section de compresseur 4, 5. Selon une deuxième variante, le mécanisme de réduction 19 peut être de type épicycloïdal (« planetary » en anglais) ( ), auquel cas la couronne 19b est montée fixement sur la partie stator 19e du système propulsif 1 et l’arbre de soufflante 20 est entrainé en rotation par le porte-satellites 19d qui est donc mobile en rotation par rapport à une partie stator 19 e du système propulsif 1, par exemple par rapport à un carter de la section de compresseur 4, 5).
Afin d’optimiser le système propulsif 1 tout en maîtrisant le comportement dynamique de l’arbre basse pression 11, le système propulsif 11 est dimensionné de sorte que le rayon moyen R m_a d’un alésage de la turbine haute pression 7 est au plus égal à : (1)
où : R m_a est exprimé en millimètres (mm) ;
Dans un mode de réalisation de l’invention, cette étape de validation est intégrée à l’algorithme de partitionnement 307 et consiste par exemple à valider l’identité d’un individu recommandé lorsque la différence entre sa signature et la signature de l’individu annoté correspondant à l’identité recommandée est inférieure à un seuil prédéterminé.
Dans un autre mode de réalisation de l’invention, l’étape de validation est réalisée via une interaction avec un utilisateur (étape 311). Dans ce mode, les pistes de suivi du groupe d’individus recommandés sont présentées à l’utilisateur via une interface graphique. Elles sont affichées à côté des images correspondantes de même identité de la base de données BDA puis l’utilisateur valide ou non, par évaluation visuelle, si l’identité estimée correspond bien ou non à l’identité réelle. Si c’est le cas, les pistes de suivi sont définitivement annotées avec cette identité et passent dans le groupe d’individus annotés 308. Dans ce cas, les pistes sont ensuite sauvegardées dans la base de données d’annotations BDA afin de l’enrichir.
La méthode fonctionne selon un processus itératif. A chaque itération i, un utilisateur peut à la fois réaliser l’étape de validation des identités des individus recommandés mais aussi fournir de nouvelles contraintes à l’algorithme de partitionnement, par exemple des contraintes d’association ou de non association entre différentes pistes de suivi. Dans le cas où une identité estimée d’un individu n’est pas validée par l’utilisateur, cette information est fournie à l’algorithme de partitionnement sous forme d’une contrainte de non association entre la piste de suivi et l’identité estimée pour la prochaine itération.
Ce fonctionnement itératif est représenté schématiquement sur la par une flèche qui reboucle de l’étape de validation 105 vers l’étape de partitionnement 104.
Dans le cas où aucune base de données annotées BDA n’est disponible initialement, dès la 2 ème itération de la méthode, les pistes de suivi d’individus du groupe d’individus annotés 308 (c’est-à-dire validées par l’utilisateur) peuvent être utilisées pour créer une base de données annotées BDA qui est prise en compte pour les itérations suivantes. La base de données BDA est ensuite enrichie à chaque itération. Ce fonctionnement itératif est représenté sur la par une flèche qui va de l’étape de validation 105 vers la base de données BDA.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention représenté à la , l'algorithme de ré-identification utilisé pour réaliser le calcul des signatures 103 est ré-entraîné à l’étape 106 sur les données mises à jour dans la base de données BDA après k’ itérations du mécanisme de partitionnement (iter=k’ itérations). Le fait de ré-entraîner le modèle de ré-identification permet de calculer des signatures qui sont plus adaptées au partitionnement des données dans un espace donné lié aux types d’individus à annoter. Dans ce mode de réalisation, une fois le réseau de ré-identification ré-entraîné (étape 106), on ré-exécute intégralement la méthode de partitionnement itérative selon l’invention telle que décrite à la .
La représente un exemple d’interface graphique homme machine IHM. Cette interface comporte une première sous-fenêtre pour visualiser le groupe d’individus annotés 308 sous forme de pistes de suivi associées à une identité ID.
Elle comporte une deuxième sous-fenêtre pour visualiser le groupe d’individus recommandés 309 avec des identités estimées EST. Les pistes de suivi d’individus du groupe 309 sont visualisées sur la même ligne que les pistes de suivi d’individus du groupe 308 correspondant aux mêmes identités. Ainsi, l’utilisateur peut plus aisément comparer les pistes deux à deux afin de valider les identités estimées.
L’interface graphique IHM comporte enfin une troisième sous-fenêtre 310 incluant les pistes de suivi du groupe d’individus sans identité 310.
A chaque itération, l’utilisateur peut également affecter une nouvelle identité ID aux pistes de suivi du groupe d’individus sans identité 310. Dans ce cas, ces pistes peuvent être transférées dans le groupe d’individus annotés 308.
Un avantage de la méthode proposée réside dans son fonctionnement itératif qui permet d’améliorer progressivement les annotations des pistes en introduisant des contraintes utilisateurs à chaque itération.
Les figures 5a à 5e illustrent le fonctionnement itératif de la méthode selon l’invention sur un exemple schématique non limitatif.
Sur la , on a représenté schématiquement un ensemble de symboles correspondant à des pistes de suivi fournies en entrée de l’étape 307 de partitionnement de l’algorithme de la . Sur l’exemple de la , toutes les pistes sont non annotées (issues de nouvelles acquisitions) sauf les pistes 501 et 502 qui sont déjà annotées et correspondent à deux identités différentes.
La illustre l’application de contraintes aux différentes pistes de suivi. Dans cet exemple, les pistes 501 et 502 sont liées par une contrainte de non association puisqu’elles correspondent à deux identités différentes. Les pistes 503 et 504 sont liées par une contrainte d’association.
Les contraintes proviennent d’informations issues de capteurs ou d’information a priori.
La montre le résultat d’une première itération de partitionnement qui conduit à l’établissement de quatre groupes G1,G2,G3,G4 qui prennent en compte les contraintes précitées.
Dans le cas présent, les deux valeurs prédéterminées de tensions de mesure sont de 3,2V et 3,25V, soit une plage de tension de mesure de 0,05V proche d’un équivalent de 50% du SOC d’une batterie LFP.
La détermination du SOH peut avantageusement prendre place lors d’un usage normal de la batterie, sans perturber ledit usage, lorsque la tension de celle-ci parcourt en charge et/ou en décharge la plage de tension de mesure. Dans le cas d’un système effectuant également un calcul du SOC, la détermination du SOH peut se faire en parallèle de la détermination du SOC.
La détermination du SOH s’effectue à l’occasion, et à l’issue, du parcours en charge ou en décharge entre la première valeur prédéterminée de tension de mesure et la deuxième valeur prédéterminée de tension de mesure.
Durant le parcours de la plage de tension de mesure, on calcule l’acceptance de charge, en charge ou en décharge, entre ces deux tensions prédéterminées. Pour cela, on calcule à chaque pas de temps t k la quantité d’Ah qui a transité, et on somme cette quantité sur l’ensemble des pas de temps t k entre les deux tensions prédéterminées, c’est-à-dire en l’espèce pendant 0,05V, entre 3,2V et 3,25V.
Acceptance de charge totale La détermination de l’acceptance de charge entre les deux tensions de mesure est effectuée selon la même approche que celle présentée précédemment pour le calcul du SOC, c’est-à-dire : en mesurant à chaque pas de temps t k l’intensité du courant chargé ou déchargé, ainsi que la température de la batterie, en calculant la quantité d’Ah qui a transité sur le pas de temps t k .
Les quantités d’Ah qui ont transitées sont sommées sur l’ensemble de la plage de tension de mesure afin d’obtenir l’acceptance de charge totale, en charge ou en décharge, sur celle-ci.
On notera ici Q d -T et Q c -T les acceptances de charge totales, en décharge ou en charge respectivement, issues de la sommes des Q d (t k ) et Q c (t k ) respectives, issues des différents pas de temps t k nécessaires au parcours de la plage de tension de mesure.
Lors du calcul de la quantité d’Ah qui a transité, le courant mesuré est corrigé en courant et température comme dans le calcul du SOC décrit précédemment. Connaissant le régime, par mesure du courant qui transite, et la température, grâce à la table de référence correspondant au mode de charge ou de décharge, il est possible de compenser en température et en intensité, c’est-à-dire d’appliquer à la mesure de l’intensité I, la valeur appropriée du coefficient α ou β.
Par exemple, la ou la peut aussi se présenter sous forme de tableau. Par exemple, la valeur de la température de référence est de 25 °C à un régime C/2. Dans ces conditions, α = 1.
Pour toute autre condition, la valeur du coefficient α est donnée par la température couplée au régime. De même pour le coefficient β.
Par exemple, si la température est de 10°C et au même régime C/2 alors α = 1.051. Si la température est de 30°C et le régime égal à 2C, alors α = 1.012 ; etc.
L'utilisation de coefficients de correction α et β permet de prendre en compte l’influence du régime de courant et les effets de la température, à la fois en décharge (α) et en charge (β). Grace à ces coefficients, chaque Ah chargé et déchargé est rapporté à une capacité de référence fixe.
Détermination du SOH L’étape précédente de parcours de la plage de tension de mesure en charge ou décharge a permis de déterminer l’acceptance de charge totale, en charge ou en décharge, sur la plage de tension de mesure : Q d -T ou Q c -T