INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, dans une configuration de refroidissement entre un fluide caloporteur opérant une extraction directe de la chaleur des ailettes de l’échangeur thermique, une surface d’échange en contact avec l’échangeur thermique et avec le fluide caloporteur, au niveau des ailettes de refroidissement, peut être identifiée pour permettre cette extraction thermique.
Dans le but d’améliorer cet échange, des recherches sont actuellement mises en œuvre concernant la surface de contact de ces ailettes entre le fluide caloporteur sur lequel l’échange thermique est souhaité et l’élément solide servant à cet échange.
En outre, les principaux procédés de réalisation de telles ailettes sont l’emboutissage ou le pliage, ce qui limite les formes, et donc les performances des échanges thermiques.
Ainsi, il est actuellement difficile, voire impossible, pour des raisons techniques et de fabrication, d’améliorer cet échange thermique au niveau de la surface d’échange des ailettes de l’échangeur thermique.
L’invention vise à pallier tout ou partie des problèmes cités plus haut en proposant des formes d’ailettes permettant d’augmenter la surface d’échange entre la source thermique, à savoir l’élément solide, et un fluide caloporteur balayant l’échangeur thermique, permettant le transfert de l’énergie thermique. Cette évolution géométrique présente l’avantage d’augmenter la surface d’échange thermique, permettant d’améliorer l’échange thermique, tout en limitant une éventuelle perte de charge du flux ou fluide caloporteur traversant l’échangeur thermique, induisant à une diminution de l’échange thermique.
A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif de refroidissement comprenant au moins une ailette de refroidissement, le dispositif étant configuré pour permettre une circulation d’un fluide caloporteur le long de l’au moins une ailette de refroidissement selon une première direction, un échange de chaleur pouvant s’opérer par convection entre l’au moins une ailette de refroidissement et le flux caloporteur, l’ailette de refroidissement comprenant : - Une surface d’échange thermique configurée pour permettre l’échange de chaleur avec le fluide caloporteur, - Une première paroi et une deuxième paroi, la première paroi et la deuxième paroi s’étendant selon un plan sensiblement parallèle à la première direction et sensiblement perpendiculaire par rapport à la surface d’échange thermique, - Une cavité comprise entre la première paroi et la deuxième paroi, le fluide caloporteur circulant dans la cavité, - Un échangeur thermique compris dans la cavité et connecté à la surface d’échange thermique, l’échangeur thermique ayant une structure fractale selon un plan perpendiculaire à la première direction du fluide caloporteur.
Comme détaillé ultérieurement, la densité des microstructures 113 peut varier dans les zones d’extraction de lumière en fonction de leur distance à la tranche d’injection de lumière 114.
On entend par “motif” toute répartition ou distribution spatiale prédéfinie de l’intensité lumineuse émise par le module lumineux. En particulier, on fait ici référence à un motif bidimensionnel ou unidimensionnel. Un motif peut ainsi comprendre une répartition homogène de la lumière sur l’ensemble de la nappe de guidage, auquel cas une zone d’extraction de lumière s’étend sur l’ensemble de la nappe de guidage. Le motif peut également être une forme ou un symbole bidimensionnel obtenu par contraste entre les zones d’extraction de lumière et les zones sombres de la nappe de guidage 110. Le motif peut également comprendre plusieurs formes ou symboles. Alternativement, un motif recouvre une répartition spatiale prédéfinie de l’intensité lumineuse ne faisant pas apparaître de forme générale, telle qu’une répartition induisant un nuage de points lumineux.
La nappe de guidage flexible 110 peut comprendre en outre une ou deux couches de protection 112.1 et 112.2 optionnelles, qui permettent de protéger mécaniquement le film 111. En outre, l’une des couches de protection 112.1 et 112.2 au moins peut comprendre un traitement anti-UV, de préférence la couche de protection 112.1 au travers de laquelle sont émis les rayons lumineux renvoyés par les microstructures 113, permettant de protéger le film contre les rayons UV, une fois que les microstructures 113 ont été créées. Sans une telle protection UV, le motif projeté par la nappe de guidage 110 est susceptible de se dégrader avec le temps, notamment lorsqu’il est exposé aux rayons du soleil.
Le film 111 et les couches de protection 112.1 et 112.2 sont représentés de manière espacée sur la , à titre illustratif uniquement. On comprendra toutefois que les couches de protection 112.1 et 112.2 peuvent être accolées au film 111, par laminage notamment.
La propagation des rayons lumineux dans le film 111 est faite par la réflexion totale interne grâce à la différence entre l’indice de réfraction du film 111 et celui d’une couche de colle ou d’adhésif appliquée sur au moins une face du film flexible.
L’assemblage du film 111 avec les couches de protection 112.1 et 112.2 peut être fait par collage. Précisément, une couche de colle se trouve entre le film 111 et chaque couche de protection 112.1 et 112.2, et ce sur les deux côtés du film pour faire adhérer les couches de protection au film 111.
La colle choisie est transparente et présente un indice de réfraction différent de, notamment inférieure à, celui du film de façon à permettre une réflexion totale interne dans le film 111. Par exemple, la colle peut comprendre de la silicone ou de l’acrylique. Autrement dit, par la différence d’indices de réfraction, les rayons lumineux se propageant dans le film 111 subissent une réflexion totale lors de leur rencontre avec l’interface entre le film 111 et la couche de colle avec un angle d’incidence inférieur à l’incidence normale. Ainsi, la nappe de guidage est apte à guider de la lumière par réflexion interne totale de cette lumière, par exemple d’une zone d’entrée, ici de la tranche d’injection 114, à une zone de sortie.
La nappe de guidage 110 pouvant être flexible, elle n’est pas nécessairement comprise dans un plan mais peut être incurvée, selon la position dans laquelle elle est placée et les contraintes mécaniques qui lui sont appliquées
Le guide de lumière 105 illustré sur la comprend également un ensemble d’injection 120 comprenant plusieurs éléments d’injection de lumière, décrits en référence aux figures suivantes, l’ensemble 120 étant apte à distribuer la lumière dans la nappe de guidage 110 à différentes positions selon l’axe Y, le long de la tranche d’injection de lumière 114. La lumière est injectée, à chaque position selon l’axe Y, dans une direction sensiblement parallèle à l’axe X.
L’ensemble d’injection 120 comprend une surface d’entrée 121 de section rectangulaire ou carrée sur la . Toutefois, l’ensemble 120 peut avoir une surface d’entrée ayant une section de forme différente.
Sur la , l’ensemble d’injection 120 est représenté avec une surface de sortie 122 s’étendant selon la direction Y et placée en regard de la tranche d’injection de lumière 114. On comprendra à la lecture de la description des figures suivantes que la surface de sortie 122 et la tranche d’injection de lumière 114 sont confondues, le film flexible 111 et l’ensemble d’injection 120 formant une seule et même pièce.
L’ensemble d’injection 120 comprend en outre la surface d’entrée 121, à une extrémité de l’ensemble d’injection 120, apte à recevoir des rayons lumineux depuis une source de lumière extérieure au guide de lumière 105 et non représentée sur la , et l’ensemble d’injection 120 est apte à guider la lumière longitudinalement selon l’axe Y en la distribuant sur la surface de sortie 122. La distribution de lumière par la surface de sortie 122 sera mieux comprise à la lumière de la description des figures suivantes.
La présente des éléments d’un module lumineux 100 comprenant un guide de lumière 105 avec un ensemble 120 d’éléments d’injection et une nappe de guidage flexible 110, et une source de lumière 130.
Selon la distribution des microstructures 113, la nappe de guidage 110, ou plus précisément le film 111, peut comprendre une zone de mixage 111.2 et une zone d’émission lumineuse 111.1, la zone lumineuse comprenant au moins une zone d’extraction de lumière pourvue des microstructures 113, et optionnellement une ou plusieurs zones sombres, de manière à réaliser un motif lumineux dans la zone d’émission de lumière 111.1. La zone de mixage 111.2 est disposée en amont de la zone d’émission lumineuse selon le sens de propagation des rayons lumineux. La zone d’émission lumineuse 111.1 est intégrée dans une région 1110
La lumière injectée dans la nappe de guidage de lumière 110 via la tranche d’injection 114 est mélangée dans la zone de mixage 111.2 afin d’obtenir une meilleure homogénéité lumineuse. La lumière se propage ensuite dans la zone d’émission de lumière 111.1 par laquelle la lumière ressort de la nappe de guidage de lumière 110 selon la direction Z.
De manière plus générale, la zone de mixage 111.2 est une zone de la nappe de guidage flexible ne comprenant pas le motif lumineux émis par la nappe de guidage flexible 110, la fonction de mixage de la zone 111.2 étant optionnelle.
L’organe d’échange de chaleur 3 se présente ici sous la forme d’un tuyau métallique, par exemple en cuivre ou en inox annelé, qui s’étend depuis l’extrémité ouverte entrante 30 en boucles pour aboutir à l’extrémité ouverte sortante 31, comme illustré sur la ou la . Les boucles du tuyau sont portées par un même plan parallèle à un plan directeur principal du dispositif 1. Il est bien sûr aussi possible de prévoir deux rangées de boucles empilées verticalement et montés en parallèle de manière à augmenter la quantité de chaleur transmise.
Cela permet d’avoir un ratio encombrement/efficacité avantageux pour équiper une douche.
L’organe d’échange de chaleur 3, est placé dans le bac de collecte 2.
Le bac de collecte 2 peut comporter des ouvertures latérales 21, permettant de connecter des moyens de récupération des eaux usées 4.
Ces ouvertures latérales 21 peuvent être préformées dans les parois latérales du bac de collecte2. Des obturateurs peuvent être prévus pour venir boucher ces ouvertures latérales 21 si elles ne sont pas toutes connectées à des moyens de récupération des eaux usées 4.
Ces ouvertures latérales 21 peuvent alternativement ou complémentairement formées d’une partie de paroi latérale sécable qui a été retirée, ou d’une partie de paroi latérale découpée selon les besoins.
En fait des moyens de récupération des eaux usées 4 sont juxtaposés au bac de collecte 2 vers lequel ils renvoient les eaux usées par le biais de ces ouvertures latérales.
Ces moyens de récupération des eaux usées 4 peuvent être installés sur la surface du receveur pour que le dispositif 1 échangeur de chaleur recouvre une plus grande surface du receveur 1.
Avantageusement, le dispositif 1 peut comporter un bac de collecte 21 et des moyens de récupération des eaux usées 4 configurés pour recouvrir 15 à 25% de la surface du receveur, afin de permettre le transfert de chaleur des eaux usées tout en limitant l’encombrement du dispositif 1 sur le receveur Re.
Avantageusement encore, le dispositif 1 peut comporter un bac de collecte et moyens de récupération des eaux usées 4 configurés pour recouvrir plus de 90% de la surface du receveur, afin d’améliorer encore la collecte et la récupération des eaux usées chaudes.
Les moyens de récupération des eaux usées 4 peuvent être formés d’au moins une plaque 5 comportant des canaux 50 permettant l’écoulement des eaux usées jusqu’au bac de collecte 2. Ces canaux 50 peuvent comporter un fond ou non, dans ce dernier cas, le fond des canaux 50 étant formés par la surface de réception Su du receveur Re.
La au moins une plaque 5 des moyens récupération des eaux usées 4 peut comporter une paroi supérieure 51 comportant une ou une pluralité de trous, fentes ou lumières débouchant 52 dans les canaux 50 de ladite au moins une plaque, aptes à permettre l’écoulement des eaux usées dans les canaux 50, comme illustré sur la .
Ces moyens de récupération des eaux usées 4 peuvent se présenter sous la forme d’au moins deux plaques 5’,5’’ escamotables et coulissant au moins une dans une autre, aptes à être déployées pour s’adapter à la forme du receveur Re dans lequel elles sont installées, et permettre l’écoulement des eaux usées jusqu’au bac de collecte 2 placé dans ledit receveur Re.
Ces moyens de récupération des eaux usées 4 peuvent comporter aux moins deux plaques 5 de dimensions et de surfaces différentes, aptes à être installées pour s’adapter à la forme du receveur Re dans lequel elles sont installées, et permettre l’écoulement des eaux usées jusqu’au bac de collecte 2 placé dans ledit receveur Re.
Au moins une plaque 5 des moyens de récupération des eaux usées 4 peut être est en un matériau déformable, élastiquement ou plastiquement, pour se conformer à la forme du receveur Re dans lequel elle est installée, tout en continuant de permettre l’écoulement des eaux usées jusqu’au bac de collecte 2 placé dans ledit receveur Re. La au moins une plaque 5 peut être par exemple en un thermoplastique élastomère injectable tel que par exemple un polymère à base d’éthylène-propylène-diène monomère, appelé communément sous l’acronyme EPDM.
Au moins une plaque 5 des moyens de récupération des eaux usées 4 peut être en un matériau apte à être découpé pour s’adapter à la forme du receveur Re dans lequel il est installé, tout en continuant de permettre l’écoulement des eaux usées jusqu’au bac de collecte 2 placé dans ledit receveur Re. La au moins une plaque 5 peut être par exemple en un thermoplastique élastomère injectable tel que par exemple un polymère à base d’éthylène-propylène-diène monomère, appelé communément sous l’acronyme EPDM.
Similairement, pour le cas de la largeur (partie du bas de la ), la largeur est également modifiée est fonction des espérances de différences temporelles.
Plus précisément, ici, la largeur modifiée est la somme de la largeur actuelle additionnée de la moyenne arithmétique des espérances de différences temporelles.
En utilisant les notations correspondant à celles utilisées pour la description de la figure 4, la largeur correspondant à l’ensemble à l’instant t+1 s’écrit:
Dans cette équation, correspond à la valeur de la mise à jour de la largeur de la gaussienne correspondant à l’ensemble à l’instant t tandis que correspond à la valeur de la mise à jour de la largeur de la gaussienne correspondant à l’ensemble à l’instant t.
Avec une notation similaire, il vient également pour la largeur correspondant à l’ensemble :
Même si les corrections et ne sont pas les mêmes, à l’instant t+1, la largeur correspondant à l’ensemble est identique à la largeur correspondant à l’ensemble .
Selon un mode de réalisation alternatif, il est également proposé de prendre en compte la distinguabilité lors de la mise à jour en modulant les effets sur les centres et les largeurs par un coefficient.
Par exemple, la formule suivante peut être utilisée :
Dans ce cas, il est imposé que la distinguabilité des ensembles flous est au minimum de .
Il est ainsi obtenu l’ensemble des actions à effectuer pour obtenir l’objectif en fonction des ensembles flous.
Lors de l’étape de conversion, ce résultat de l’apprentissage par renforcement est converti en un ensemble de règles de commande formant la loi de commande.
Il s’agit ici d’une simple réécriture.
La phase de génération qui vient d’être décrite est relativement simple à mettre en œuvre dans la mesure où elle ne requiert pas une modélisation du système physique. Elle n’implique pas non plus d’utiliser des connaissances a priori, et a fortiori pas le savoir d’un expert.
Cette phase de génération permet d’obtenir une loi de commande présentant une meilleure fiabilité.
Ainsi, le circuit quantique est muni d’une pluralité de lignes de polarisation.
Le document US 10 635 990 B1 décrit un circuit électronique de pilotage d’un circuit quantique. Ce circuit électronique comporte : un convertisseur numérique analogique – DAC (« Digital to Analog Converter » en anglais) permettant de générer différents niveaux de potentiel statique ; une pluralité de cellules mémoire, chaque cellule mémoire étant dédiée à la mémorisation d’un niveau de potentiel statique qui lui est propre et qui est fourni en sortie du DAC ; et une matrice de commutation permettant, à un instant particulier du fonctionnement du circuit quantique, de porter à un niveau de potentiel statique requis une ligne de polarisation particulière, en connectant la sortie de la cellule mémoire mémorisant le niveau de potentiel statique requis, à la ligne de polarisation considérée.
L’intérêt de ce circuit électronique de l’état de la technique est de permettre le placement du DAC dans le domaine à température ambiante (300 K) ou intermédiaire (4 K) et les différentes cellules mémoire dans le domaine cryogénique (entre 10 et 100 mK) avec le circuit quantique, de manière à réduire le nombre de liaisons entre ces deux domaines de température.
Cependant, les lignes de polarisation du circuit quantique ont une forte densité, au moins à proximité des qubits, de sorte qu’il existe un couplage capacitif parasite entre deux lignes de polarisation voisines circulant parallèlement.
Les lignes étant trop proches (typiquement une centaine de nm), elles ne peuvent pas être isolées pour supprimer ce couplage capacitif parasite.
Or, ce couplage est de nature à modifier le potentiel électrostatique porté par une ligne de polarisation lorsque le potentiel électrostatique porté par la ligne de polarisation voisine est modifié.
Une telle modification du potentiel électrostatique sur une ligne de polarisation a de nombreux effets négatifs, notamment d’altérer la conformation du puits quantique, ce qui peut perturber la fréquence de résonance du qubit, et donc affecter sa manipulation sa configuration et sa lecture. Dans le pire des cas, on peut perdre le confinement du puits quantique et perdre la charge (ou faire entrer une deuxième charge dans le puits).
Or, le circuit électronique de pilotage de l’état de la technique ne permet pas de répondre à cette problématique du couplage capacitif parasite entre lignes de polarisation voisines.
Il est à noter que pour un circuit quantique constitué d’une matrice bidimensionnelle de qubits, il existe un couplage capacitif parasite entre une ligne de polarisation circulant « horizontalement » et une ligne de polarisation circulant « verticalement » à l’endroit où ces lignes se croisent. Cependant, le couplage capacitif parasite correspondant est alors de plusieurs ordres de grandeur inférieur au couplage capacitif parasite qui existe entre deux lignes de polarisation « horizontales » ou deux lignes de polarisation « verticales » voisines.
De manière similaire, il existe un couplage capacitif parasite entre deux lignes de polarisation circulant parallèlement, mais qui ne sont pas immédiatement voisines l’une de l’autre, une autre ligne de polarisation étant intercalée entre ces deux lignes. Non seulement la distance entre les deux lignes considérées, mais surtout l’écrantage dû à la ligne intercalée font que le couplage capacitif parasite correspondant est d’au moins un ordre de grandeur inférieur (typiquement 30 fois inférieur) au couplage capacitif parasite qui existe entre deux lignes de polarisation parallèle voisines.
L’invention a donc pour but de proposer un circuit électronique de pilotage d’un circuit quantique de qubits permettant de limiter les effets des couplages capacitifs perturbateurs entre les lignes de polarisation voisines circulant parallèlement, tout en conservant un nombre limité de connexions entre les différents domaines de température.
Pour cela l’invention a pour objet un circuit électronique de pilotage d’un circuit quantique, destiné à être positionné en interface entre une électronique haut-niveau et le circuit quantique, le circuit électronique étant relié au circuit quantique par une pluralité de lignes de polarisation, une ligne de polarisation étant portée à un potentiel de contrôle d’une configuration d’un qubit du circuit quantique, le circuit électronique comportant : au moins un convertisseur numérique analogique – DAC délivrant une tension analogique à partir d’un signal numérique de pilotage statique fourni par l’électronique haut-niveau ; une pluralité de cellules mémoire, connectées en parallèle en sortie du convertisseur numérique analogique, chaque cellule mémoire comportant, entre une entrée et un nœud intermédiaire, un interrupteur commandé, et, entre le nœud intermédiaire et un nœud porté à un potentiel de référence, une capacité dite statique, la sortie de la cellule mémoire étant reliée au nœud intermédiaire, la capacité statique étant capable de mémoriser un niveau de potentiel statique auquel maintenir une ligne de polarisation de la pluralité de lignes de polarisation qui est connectée en sortie de la cellule mémoire ; et, un moyen de génération de signaux de commande adapté pour générer, en synchronisation avec le DAC, à partir d’un signal d’adressage fourni par l’électronique haut-niveau, un signal de commande associé à chaque cellule mémoire, le signal de commande associé à une cellule mémoire étant adapté pour basculer l’interrupteur commandé de la cellule mémoire entre un état bloquant et un état passant, une valeur de la capacité statique d’une cellule mémoire étant sélectionnée pour rendre négligeable une capacité parasite affectant une section distale de la ligne de polarisation reliée à ladite cellule mémoire et qui circule parallèlement à une section distale d’une ligne de polarisation voisine.
Suivant des modes particuliers de réalisation, le circuit électronique comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles :
- la ligne de polarisation reliée à la cellule mémoire comporte une section proximale présentant une capacité de routage, la valeur de la capacité statique étant sélectionnée en tenant compte de la capacité de routage de la section proximale de la ligne de polarisation.
- la section distale de la ligne de polarisation reliée à la cellule mémoire ayant une longueur entre 10 et 100µm, la valeur de la capacité statique est sélectionnée entre 10 et 1000 fF, de préférence entre 50 et 200 fF, de préférence encore égale à 100 fF.
- au moins une cellule mémoire de la pluralité de cellules mémoire comporte, en outre, une capacité dite dynamique, connectée entre le nœud intermédiaire et une borne d’alimentation, en parallèle de la capacité statique, le circuit électronique comportant un bloc de génération d’une tension analogique alternative piloté par un signal numérique de pilotage dynamique fourni par l’électronique haut-niveau et adapté pour appliquer une tension analogique alternative à la borne d’alimentation pour porter à un potentiel dynamique, la ligne de polarisation reliée en sortie de ladite au moins une cellule mémoire.
étape 6 : agitation continue de la barbotine obtenue à 80 °C pendant 3 h ;
étape 7 : réalisation d’un pressage sur filtre de la barbotine obtenue pour obtenir un filtrat et un gâteau de filtre, lavage du gâteau de filtre avec de l’eau pure, et séchage à 110 °C pendant 1,5 h pour obtenir un matériau sec ; ajout de poudre de fer avec 1,3 fois une quantité molaire théorique de cuivre dans le filtrat pour réaction pendant 1,5 h, correction du pH à 5,0-5,5, réalisation d’une séparation solide-liquide pour obtenir une scorie de cuivre et d’aluminium et une solution de sel ferreux, ajout de peroxyde d’hydrogène à la solution de sel ferreux pour préparer à nouveau la solution de sel ferrique ;
étape 8 : mise du matériau sec dans du n-butanol anhydre selon un rapport solide/liquide de 1,0 g/mL, puis chauffage à 110 °C pendant 1,0 h ; et
étape 9 : réalisation d’une séparation solide-liquide, lavage à l’aide d’une solution alcoolique anhydre, et séchage à 110 °C pendant 1,5 h pour obtenir la masse noire de phosphate de lithium fer exempte d’aluminium. Dans la masse noire de phosphate de lithium fer, la teneur en phosphore est de 9,68 % en poids, la teneur en fer est de 17,6 % en poids et la teneur en lithium est de 2,28 % en poids.
étape 6 : agitation continue de la barbotine obtenue à 90 °C pour réaction pendant 2 h ;