Structure photodétectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 , PV) comprenant : une structure planaire d’absorption (SPA 1 ) pour convertir un rayon incident en des porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode inférieure (13) pour collecter les porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode supérieure (16) ; ladite structure planaire d’absorption (SPA) étant confinée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure et comprenant : une couche d’absorption (15) en un premier matériau composé ABX 3 ; une couche d’interface (17,18) en un second matériau composé AB 2 X 5 disposée entre d’une part la couche d’absorption (15) et d’autre part l’électrode supérieure (16) ou l’électrode inférieure (13) ; A étant choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium (Cs), le rubidium (Rb), le potassium (K) ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B étant choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb (Pb), l’étain (Sn), le germanium (Ge) , le silicium (Si) ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X étant choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome (Br), l’iode (I), le chlore (Cl) ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. Structure photo détectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 , PV) selon la revendication 1 comprenant en outre une couche de protection (14) en un matériau inerte chimiquement par rapport à la structure planaire d’absorption (SPA) et isolant électriquement ; ladite couche de protection étant confinée entre la structure planaire d’absorption (SPA) et l’électrode inférieure (13). Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ comprenant au moins un pixel (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ), l’au moins pixel (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ) comprenant la structure photo-détectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon la revendication 3 comprenant en outre un circuit de lecture (12) disposé sur un substrat (11) configuré pour générer un signal de lecture à partir des porteurs de charges électriques collectés par l’électrode inférieure (13) ; ledit circuit de lecture (12) étant assemblé à la structure photo détectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ) par un couplage direct ou indirect. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon la revendication 4 destiné à recevoir le rayon incident du coté du substrat (11) dans lequel le substrat (11), le circuit de lecture (12) et l’électrode inférieure (13) sont transparents à la longueur d’onde du rayon incident. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon l’une quelconque des revendications 3 à 5 dans lequel la couche d’absorption (15) présente une épaisseur comprise entre 50µm et 2000µm. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon l’une quelconque des revendications 3 à 6 dans lequel la couche d’interface (17, 18) présente une épaisseur comprise entre 10nm et 50µm. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon l’une quelconque des revendications 3 à 7 dans lequel la couche d’absorption (15) est en CsPbBr 3 et la couche d’interface (17, 18) est en CsPb 2 Br 5 . Cellule photovoltaïque (D2) comprenant la structure photo-détectrice (PV) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2. Cellule photovoltaïque (D2) selon la revendication 9 dans laquelle la couche d’absorption (15) présente une épaisseur comprise entre 0.1µm et 1µm. Cellule photovoltaïque (D2) selon l’une quelconque des revendications 9 ou 10 dans laquelle la couche d’interface (17) présente une épaisseur comprise entre 5nm et 0.1µm. Cellule photovoltaïque (D2) selon la revendication 9 dans laquelle la couche d’absorption (15) est en CsPb(I 1-x Br x ) 3 et la couche d’interface (17, 18) est en CsPb 2 (I 1-x Br x ) 5 ; avec x compris entre 0 et 0,5. Procédé de fabrication (P1) d’une structure photo-détectrice (Pxl, PV) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 comprenant les étapes suivantes : ii) réaliser une structure planaire d’absorption (SPA) par la technique de sublimation dans l’espace rapproché (CSS) à partir d’une source (S1) du premier matériau composé ABX 3 sur la face supérieure d’un support (Sup); la source (S1) étant préchauffée à une première température (T1) comprise entre 350°C et 500°C ; le support (sup) étant préchauffé à une seconde température (T2) inférieure ou égale à la première température (T1) ; iii) déposer une électrode supérieure (16) sur la structure planaire d’absorption (SPA). Procédé de fabrication (P1) selon la revendication 13 dans lequel l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption (SPA) comprenant les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface (17) disposée en dessous de la couche d’absorption (15) : ii.a) monter le support (sup) en face de la source (S1) d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.b) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface (17) en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source (S1) pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min ; ii.c) déposer la couche d’absorption (17) constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source (S1) pendant un régime permanent correspondant à un équilibre thermodynamique. Procédé de fabrication (P1) selon la revendication 13 dans lequel l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption (SPA) comprend les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface (17) disposée en dessous de la couche d’absorption (15) : ii.a’) monter le support (sup) en face de la source (S1) d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.b’) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface (17) en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source (S1) pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min ; ii.c’) augmenter la seconde température (T2) pour obtenir une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption (17) composée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source (S1). Procédé de fabrication (P1) selon la revendication 13 dans lequel l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption (SPA) comprend les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface (18) disposée au dessus de la couche d’absorption (15) : ii.a’’) monter le support (sup) en face de la source (S1) d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.b’’) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption (17) constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source (S1) ; ii.c’’) désactiver le dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) et démonter le support (sup) ; ii.d’’) suite au refroidissement de la source (S1), remonter le support (sup) en face de la source (S1) dudit dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.e’’) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface (17) en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source (S1) pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min.