INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Comme cela est visible à la , dans ce trou 31 est monté un fourreau métallique 32. Le fourreau 32 comprend également monté de manière coaxiale des moyens favorisant le glissement en rotation dudit outil de coupe rotatif autour du câble C. Ces moyens de glissement 33 sont constitués d’un fourreau à base de diamant.
Comme on peut le voir à la et à la , le câble C avec sa gaine G, son isolant minéral IM et son fil conducteur FC est ainsi monté dans le trou 31.
Un tel câble C est constitué d’un ou plusieurs conducteurs thermoélectriques métallique par exemple en nickel-chrome, en nickel-aluminium, en cuivre, en fer, en platine, un alliage métallique constitué principalement de cuivre et de nickel connu sous la dénomination commerciale constantan, un alliage de nickel, chrome et silicium tel que celui connu sous la dénomination commerciale Nicrosil.un alliage de nickel et de silicium connu sous la dénomination commerciale Nisil. Il peut comporter une ou plusieurs gaines métalliques creuses cylindriques entre lesquels est introduit un isolant réfractaire en poudre tel que minéral de type magnésie, alumine, silice ou tout autre isolant minéral approprié, la gaine externe étant métallique telle qu’en acier inoxydable, en cuivre, en nickel, en nickel-chrome, un alliage de NiCr15Fe connu sous la dénomination commerciale inconel 600, en platine, en tantale ou en tout autre matériau métallique approprié.
Les moyens de support 3 comportent des moyens de coupe comprenant de préférence une lame 4 fixée aux moyens de support 3. La lame 4 comprend une extrémité biseautée formant une arête d’extrémité 42. La lame 4 est fixée sur les moyens de support 3 de manière à s’étendre transversalement à la trajectoire du câble définie par le trou 31, et son arête d’extrémité 42 est positionnée en saillie dans ladite trajectoire, pour s’étendre radialement par rapport à l’axe de rotation, mais décalée par rapport audit axe de rotation.
Ce décalage correspond au rayon d’une zone Z dans laquelle sont logés le ou les fils conducteurs FC du câble à dénuder, ladite zone entourant les fils conducteurs étant de section circulaire, de sorte que l’arête d’extrémité 42 de la lame de coupe 4 s’étend entre la périphérie de la zone Z et la gaine extérieure G de sorte que, lorsqu’elle entre en contact avec l’extrémité du câble C, la lame 4 découpe la gaine extérieure G du câble sous forme d’un copeau et racle la couche d’isolant minéral IM autour de la zone Z dans laquelle se trouvent le ou les fils conducteurs FC sous l’effet de l’entraînement en rotation et en translation de l’outil de coupe. On peut prévoir également que l’arête 42 soit non droite et s’étend alors inclinée (non radialement) dans le trou débouchant 31.
Ainsi, dans le cas d’un câble à dénuder à un fil conducteur FC la zone Z correspond au fil conducteur FC lui-même de section circulaire et l’arête d’extrémité 42 de la lame 4 est positionnée de manière à s’étendre radialement entre le fil conducteur FC du câble C et la gaine extérieure G lorsque l’extrémité à dénuder de celui-ci est à l’extrémité du trou 31 débouchant à l’intérieur du bloc support 11. La lame 4 peut s’étendre au-delà de la gaine extérieure G.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend : Acquisition d’un graphe de dépendance entre une pluralité de fonctions apprenantes choisies parmi un ensemble de fonction apprenantes comprenant la première fonction apprenante, la seconde fonction apprenante et troisième fonction apprenante ; Ajout dans au moins un ensemble de valeurs d’intérêt produites lors de la création d’une annotation d’une prédiction modifiée d’une fonction apprenante donnée de manière à : Modifier un domaine d’entraînement d’une autre fonction apprenante que la fonction apprenante donnée ; Générer un réentraînement du modèle d’apprentissage machine.
Selon un mode de réalisation, consécutivement à une action automatique réalisée par une fonction apprenante, une première notification est émise via un réseau de données, ladite première notification comportant un accès à une interface utilisateur permettant de modifier les annotations associées à cette action.
Selon un mode de réalisation, le premier modèle d’apprentissage machine est généré à partir de la définition d’un modèle de premier document numérique comportant l’identification d’une pluralité de données caractéristiques et de zones d’intérêt dudit modèle de premier document et à partir d’une interface utilisateur.
Selon un mode de réalisation, consécutivement à une action correctrice générée par un utilisateur, le modèle de premier document numérique est utilisé pour extraire des données de contexte de la prédiction modifiée pour enrichir l’annotation qui est créée.
Selon un mode de réalisation, la définition d’un modèle de premier document numérique comprend la génération d’un formulaire comportant un ensemble de choix définissant des annotations dudit modèle, lesdites annotations permettant de mettre à jour le premier modèle d’entraînement.
Selon un mode de réalisation, une pluralité de premiers documents sont reçus d’une même classe, et qu’une pluralité de modèles d’apprentissage machine sont appliqués, le procédé comprenant la génération d’une pluralité de prédictions, le procédé comportant la sélection d’une prédiction, ladite sélection de ladite prédiction permettant de mettre à jour le premier domaine d’entraînement.
Selon un autre aspect l’invention concerne un système comportant un terminal électronique d’un utilisateur comportant au moins un calculateur, une mémoire, un afficheur et une interface de communication pour transmettre des messages sur un réseau de données auprès d’au moins un premier serveur comportant des ressources matérielles pour exécuter la première fonction apprenante, la seconde fonction apprenante, la troisième fonction apprenante et une mémoire pour enregistrer les modèles appris afin d’exécuter les étapes du procédé de l’invention, le terminal comportant une interface utilisateur pour acquérir une annotation comportant une modification d’une prédiction, ladite modification entrainant le réentraînement d’au moins un modèle d’apprentissage machine.
Selon un autre aspect de l’invention concerne un procédé pour améliorer la classification d’un document numérique à partir d’une pluralité de modèles d’apprentissage machine caractérisé en ce qu’il comprend : Réception d’un document numérique ; Exécution d’une première fonction apprenante générée à partir d’un premier modèle d’apprentissage machine entrainé à partir d’un premier domaine d’entraînement et permettant de classifier un premier type de document et générer une première prédiction d’une première action automatique à réaliser sur le document numérique, Exécution d’une seconde fonction apprenante générée à partir d’un second modèle d’apprentissage machine entrainé à partir d’un second domaine d’entraînement pour générer une seconde prédiction permettant d’extraire et classifier une donnée caractéristique du premier document ; Générer une représentation à partir d’une interface utilisateur de la première prédiction associée à la classification et à l’action réalisée, de la seconde prédiction comportant la date extraite du premier document numérique et de la classe de la date extraite du premier document numérique ; Acquérir une première action correctrice d’un utilisateur se rapportant à la modification d’au moins une prédiction ; Générer une première annotation comportant d’une part la valeur modifiée de la au moins une prédiction relative à la première action correctrice et d’autre part un ensemble de valeurs d’intérêt extraites ou générées à partir du premier document numérique ; Acquisition d’un graphe de dépendance entre au moins la première fonction apprenante et la seconde fonction apprenante ; Modification du premier domaine d’entraînement et/ou du second domaine d’entraînement en fonction de l’annotation et du graph de dépendance par l’ajout de la première annotation ; Générer un réentraînement du premier modèle d’apprentissage machine et/ou du second modèle d’apprentissage.
Selon un mode de réalisation, le réentraînement des modèles d’apprentissage machine est généré en fonction du graph de dépendance représentant les liens entre fonctions apprenantes entre elles.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une application du premier modèle d’apprentissage machine et/ou du second modèle d’apprentissage machine au premier document numérique ou à un autre document reçu ultérieurement au premier document numérique.
Selon un mode de réalisation, les valeurs d’intérêt comprennent une position d’une donnée dans le document ou dans une page du document. Selon un autre exemple, une valeur d’intérêt comprend une séquence de symboles discrets en langage naturel qui précède et/ou suit la prédiction corrigée dans le document. Selon un exemple, une valeur d’intérêt est une prédiction intermédiaire d’une fonction apprenante qui est dans une même séquence qu’une fonction apprenante exécutée pour produire le document numérique qui a été l’objet d’une action correctrice.
: une architecture de fonction apprenante permettant d’illustrer le réentraînement d’un modèle d’apprentissage d’une machine d’une fonction à partir d’une correction opérée sur le résultat produit d’une autre fonction apprenante selon le procédé de l’invention ;
: des zones d’intérêt d’une page d’un document numérique de laquelle un ensemble de données sont extraites par une ou des fonction(s) apprenante(s) selon le procédé de l’invention ;
: un système de l’invention comportant différentes ressources pour mettre en œuvre le procédé de l’invention,
: un exemple de génération d’un nouveau modèle de documents suite à une annotation produite par le procédé de l’invention.
h) réaliser une reprise de contact 150 sur la zone non porosifiée 125 ou au moins sur une des zones non porosifiées 125 de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée 123’ ( ).
Avantageusement, une couche électriquement isolante 140 protège la couche porosifiée et/ou évite les court-circuits.
Lors de l’étape e), l’électrode de contact 210 réflecteur sur p-InGaN est positionnée sur la structure. L’électrode de contact 210 est une électrode dite supérieure avant report et cette même électrode est dite inférieure après report.
Une couche de passivation 122 peut être positionnée entre l’électrode de contact 210 (anode) et la couche d’InGaN dopée p 131. La couche de passivation 122 recouvre localement la couche d’InGaN dopée p 131, notamment sur les flancs inclinés de la couche de la couche d’InGaN dopée p 131.
Au cours de l’étape e), une épitaxie est réalisée sur les mésas 120, moyennant quoi on obtient une couche épitaxiée au moins partiellement relaxée, et de préférence totalement relaxée.
Par exemple, une structure LED tout InGaN peut comprendre :
- une couche d’InGaN dopée n de 350nm, formée de 15 x In 0,03 Ga 0,97 N / GaN (épaisseurs 20nm / 1,8nm),
- des puits quantiques multiples (MQWs), formés de 5 x In 0,40 Ga 0,60 N / In 0,03 Ga 0,097 N (épaisseurs 2,3nm / 5, 7, 11 nm),
- une couche de In 0,03 Ga 0,97 N nid (10nm),
- une couche Al 0,1 Ga 0,9 N :Mg (20nm),
- une couche de In 0,03 Ga 0,97 N dopée Mg (125nm),
- une couche de In 0,03 Ga 0,97 N dopée p+++ (25nm).
a c 2 le paramètre de maille de la couche relaxée,
Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 32, 33 est situé en vis-à-vis d'un ensemble de diodes électroluminescentes élémentaires LED. Chaque bloc photoluminescent 32, 33 comprend des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par les diodes électroluminescentes élémentaires LED associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes élémentaires LED associées. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins deux types de blocs photoluminescents 32, 33. Chaque bloc photoluminescent 32 du premier type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes élémentaires qu'il recouvre en un premier rayonnement à une première longueur d’onde et chaque bloc photoluminescent 33 du deuxième type est adapté à convertir le rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes élémentaires qu'il recouvre en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d’onde. Le rapport d'aspect des blocs 32, 33, c'est-à-dire le rapport entre la hauteur et la largeur maximale du bloc, peut être compris entre 0,01 et 10, de préférence entre 0,05 et 2.
Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 32, 33 comprend des particules d'au moins un matériau photoluminescent, par exemple dans une matrice transparente. Un exemple d'un matériau photoluminescent est le grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG) activé par l'ion cérium trivalent, également appelé YAG:Ce ou YAG:Ce 3+ . La taille moyenne des particules des matériaux photoluminescents classiques est généralement supérieure à 5 µm.
Selon un mode de réalisation, chaque bloc photoluminescent 32, 33 comprend une matrice dans laquelle sont dispersées des particules monocristallines de taille nanométrique d'un matériau semiconducteur, également appelées nanocristaux semiconducteurs ou particules de nanoluminophores par la suite. Le rendement quantique interne QY int d'un matériau photoluminescent est égal au rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de photons absorbés par la substance photoluminescente. Le rendement quantique interne QY int des nanocristaux semiconducteurs est supérieur à 5 %, de préférence supérieur à 10 %, plus préférentiellement supérieur à 20 %.
Selon un mode de réalisation, la taille moyenne des nanocristaux est dans la plage de 0,5 nm et 1000 nm, de préférence de 0,5 nm à 500 nm, encore plus préférentiellement de 1 nm à 100 nm, notamment de 2 nm à 30 nm. Pour des dimensions inférieures à 50 nm, les propriétés de photoconversion des nanocristaux semiconducteurs dépendent essentiellement de phénomènes de confinement quantique. Les nanocristaux semiconducteurs correspondent alors à des boîtes quantiques.
Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi le groupe comprenant le séléniure de cadmium (CdSe), le phosphure d'indium (InP), le sulfure de cadmium (CdS), le sulfure de zinc (ZnS), le séléniure de zinc (ZnSe), le tellurure de cadmium (CdTe), le tellurure de zinc (ZnTe), l'oxyde de cadmium (CdO), l'oxyde de zinc et de cadmium (ZnCdO), le sulfure de zinc et de cadmium (CdZnS), le séléniure de zinc et de cadmium (CdZnSe), le sulfure d'argent et d'indium (AgInS 2 ), les pérovskites du type PbScX 3 , où X est un atome d'halogène, notamment l'iode (I), le brome (Br) ou le chlore (Cl), et un mélange d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, le matériau semiconducteur des nanocristaux semiconducteurs est choisi parmi les matériaux cités dans la publication au nom de Le Blevenec et al. de Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters Volume 8, No. 4, pages 349–352, avril 2014.
La matrice est au moins en partie transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires DEL, de préférence à plus de 80 %. La matrice est, par exemple, en silice. La matrice est, par exemple, en n'importe quel polymère au moins en partie transparent, notamment en silicone, en époxy, en résine acrylique du type poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), ou en acide polyacétique (PLA). La matrice peut notamment être en un polymère au moins en partie transparent utilisé avec les imprimantes tridimensionnelles. La matrice peut correspondre à un verre déposé par centrifugation (SOG, sigle anglais pour Spin On Glass), photosensible ou non photosensible. Selon un mode de réalisation, la matrice contient de 2 % à 90 %, de préférence de 10 % à 60 %, en poids de nanocristaux, par exemple environ 30 % en poids de nanocristaux.
L'épaisseur des blocs photoluminescents 32, 33 dépend de la concentration de nanocristaux et du type de nanocristaux utilisé. La hauteur des blocs photoluminescents 32, 33 est de préférence supérieure à la hauteur des fils 21 et inférieure ou égale à la hauteur des murs 38. En vue de dessus, chaque bloc photoluminescent 32, 33 peut correspondre à un carré, un rectangle, un polygone en forme de "L", etc., dont l'aire peut être égale à l'aire d'un carré ayant un côté mesurant de 1 µm à 100 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm.
Les murs 38 sont au moins en partie en un matériau réfléchissant. Le matériau réfléchissant peut être un matériau métallique notamment le fer, le cuivre, l'aluminium, le tungstène, l'argent, le titane, l'hafnium, le zirconium ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. De préférence, les murs 38 sont formés en un matériau compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. De préférence, les murs 38 sont formés en aluminium ou en argent.
La hauteur des murs 38, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 12, est dans la plage de 300 nm à 200 µm, de préférence de 3 µm à 15 µm. L'épaisseur des murs 38, mesurée selon une direction parallèle à la face 12, est dans la plage de 100 nm à 50 µm, de préférence de 0,5 µm à 10 µm.
Selon un mode de réalisation, les murs 38 peuvent être formés d'un matériau réfléchissant ou recouverts d'un revêtement réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 32, 33 et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires.
De préférence, les murs 38 entourent les blocs photoluminescents 32, 33. Les murs 38 réduisent alors la diaphonie entre blocs photoluminescents 32, 33 adjacents.
La couche de protection 46 est au moins partiellement transparente au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires DEL. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les particules photoluminescentes et/ou les diodes électroluminescentes élémentaires DEL. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium, du type SiO x où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiO y N z où y et z sont des nombres réels compris entre 0 et 1, l'oxyde de titane, les oxydes d'aluminium, par exemple Al 2 O 3 , et les mélanges de ces composés. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation est un polymère silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 46 peut avoir une structure monocouche ou multicouches, et comprendre par exemple un empilement de couches organiques et/ou inorganiques.
La , la , la , la , et la sont des vues en coupe de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 5 de la .
La représente la structure obtenue après la formation de la couche de germination 16 sur un substrat 10, qui correspond, à cette étape du procédé, à une plaque ayant un diamètre par exemple supérieur à 100 mm.
La représente la structure obtenue après la dépôt de la couche isolante 18 sur la couche de germination 16 et formation des ouvertures 20 dans la couche isolante, par exemple par gravure anisotrope, pour exposer les portions de la couche de germination. Selon un mode de réalisation, les diamètres équivalents des ouvertures 20 sont différents pour obtenir des fils 21 de diamètres équivalents différents à l'étape suivante du procédé.
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les connexions électriques des diodes électroluminescentes d'un dispositif optoélectronique ne sont pas décrites.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. En outre, sauf indication contraire, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement".
Dans la suite de la description, la transmittance interne d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. L'absorption de la couche est égale à la différence entre 1 et la transmittance interne. Dans la suite de la description, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque l’absorption du rayonnement au travers de la couche est inférieure à 60 %. Dans la suite de la description, une couche est dite absorbante à un rayonnement lorsque l'absorption du rayonnement dans la couche est supérieure à 60 %. Lorsqu'un rayonnement présente un spectre de forme générale "en cloche", par exemple de forme gaussienne, ayant un maximum, on appelle longueur d'onde du rayonnement, ou longueur d'onde centrale ou principale du rayonnement, la longueur d'onde à laquelle le maximum du spectre est atteint. Dans la suite de la description, l'indice de réfraction d'un matériau correspond à l'indice de réfraction du matériau pour la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Sauf indication contraire, l'indice de réfraction est considéré sensiblement constant sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement utile, par exemple égal à la moyenne de l'indice de réfraction sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique.
La présente invention concerne la fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant au moins une diode électroluminescente formée à partir d'éléments semiconducteurs tridimensionnels de taille nanométrique ou micrométrique, en particulier des microfils, des nanofils, ou des éléments coniques ou tronconiques de taille micrométrique ou nanométrique, notamment des pyramides.
Par élément semiconducteur tridimensionnel de taille nanométrique ou micrométrique, on désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée, par exemple cylindrique, selon une direction privilégiée, dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 µm, de préférence entre 50 nm et 2,5 µm. La troisième dimension, appelée dimension majeure, est supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 µm, de préférence comprises entre 100 nm et 1 µm, plus préférentiellement entre 100 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de l'élément semiconducteur tridimensionnel peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Le terme "microfil" ou "nanofil" concerne un élément semiconducteur tridimensionnel de forme cylindrique ou sensiblement cylindrique. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil".
La section droite des fils peut avoir différentes formes, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre équivalent" utilisé en relation avec une section droite d'un fil désigne une quantité associée avec l'aire du fil dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil.