INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de mise en œuvre de l'invention particulièrement avantageux, ledit manchon de raccordement réducteur présente une bordure amont cylindrique définissant ladite section d’entrée et une bordure aval cylindrique définissant ladite section de sortie. De la sorte, la première extrémité aval est emmanchée à l'intérieur de la bordure amont cylindrique, tandis que la deuxième extrémité amont est emmanchée à l'intérieur de la bordure aval cylindrique du caisson. De la sorte, on obtient un assemblage plus rigide que ne l'est un assemblage par les seuls flasques des caissons. Avantageusement, la première extrémité aval est soudée avec le bord de la bordure amont cylindrique, tandis que la deuxième extrémité amont est soudée avec le bord de la bordure aval cylindrique.
Selon une variante d’exécution, particulièrement avantageuse, le dispositif d’échappement des gaz comprend un troisième caisson cylindrique d’une troisième section droite, ladite troisième section droite présentant des dimensions inférieures aux dimensions de ladite deuxième section droite, ledit troisième caisson cylindrique présentant une troisième extrémité amont reliée à ladite deuxième extrémité aval dudit deuxième caisson cylindrique. De la sorte, on vient rallonger le dispositif en réduisant sa section, de manière à pouvoir bénéficier de tout l’espace libre sous le véhicule et pour pouvoir obtenir ainsi un maximum de volume permettant d’atténuer le bruit généré par la détente des gaz échappement.
Préférentiellement, afin d’opérer la liaison entre la troisième extrémité amont et la deuxième extrémité aval, le dispositif d’échappement comprend en outre un autre manchon de raccordement réducteur présentant une autre section d’entrée adaptée à recevoir ladite deuxième extrémité aval dudit deuxième caisson et une autre section de sortie adaptée à recevoir ladite troisième extrémité amont dudit troisième caisson. De la sorte, on obtient un dispositif rigide incluant trois caissons successifs lesquels caissons sont réalisés à un coût avantageux.
Avantageusement, lesdits premier et deuxième caissons présentent une forme générale de prisme droit à base sensiblement trapézoïdale isocèle. On entend ici par forme générale de prisme, un prisme droit dont les quatre arêtes parallèles sont arrondies.
En effet, lesdits premier et deuxième caissons comprennent respectivement une bande métallique en boucle formant deux bords opposés et deux flasques reliés respectivement par sertissage auxdits bords opposés. Compte tenu du mode d’obtention des caissons, leurs arêtes présentes une forme plus ou moins arrondies.
De même que dans l’étape 100, on effectue une mesure de la réflectance au niveau des distances de rétrodiffusion d2 et d3.
L’expression (17) permet d’obtenir , qui est une estimation au premier ordre du coefficient d’absorption dans la couche profonde à l’instant .
Selon la même approche que décrite dans l’étape 110, le recours à une fonction de calibration d’absorption, dite deuxième fonction de calibration d’absorption, prenant en compte la réponse instrument, est nécessaire de façon à déterminer . Un aspect important de l’invention est de prendre en compte que l’absorption dans la couche superficielle qui peut être différente de l’absorption dans la couche profonde (modèle bi-couche) pour établir la deuxième fonction de calibration d’absorption.
A l’instant t1, la fonction de calibration est linéaire, de type
(19) où et sont des scalaires.
Les paramètres et sont déterminés sur la base de modélisations et/ou de mesures réalisées sur des fantômes bicouches, comportant une couche superficielle, dont le coefficient d’absorption est et une couche profonde de la même épaisseur que l’objet analysé, et de préférence les mêmes propriétés de diffusion.
Or, d’après (12),
En combinant (19) et (20), on obtient :
L’expression (21) est une expression analytique, correspondant à une fonction de calibration d’absorption, à l’instant t1, permettant de déterminer à partir de ,selon un modèle bicouche. Si elle est établie à partir d’essais expérimentaux, elle prend en compte la réponse instrument. Sinon, il est préférable d’introduire la réponse instrument dans la modélisation
A l’instant , l’expression (21) doit être corrigée, de façon à prendre en compte l’évolution de entre les instants et .
A l’instant , la fonction de calibration d’absorption devient :
On a représenté sur la figure un schéma fonctionnel, autrement appelé « block diagram » en anglais, d’un terminal de paiement 1. Il inclut un écran 2, un module de communication sans fil 3, un clavier 4, et une unité de traitement 5 comprenant un contrôleur de sécurité et un processeur applicatif.
L’unité de traitement 5 comporte un module 6 de cryptographie et de stockage de clés de sécurité. Cette unité de traitement 5 est configurée pour mettre en œuvre les normes EMV, en particulier les normes EMV level 1, 2 et 3. Le sigle EMV, pour « Europay Mastercard Visa », désigne le standard international de sécurité des méthodes de paiements par carte bancaires. Cette unité de traitement 5 est connectée, par une interface SPI, à un module 13 d’interface et de traitement des protocoles radio, appartenant à un circuit intégré 7 de communication en champ proche.
L’unité de traitement 5 comporte également un support d'enregistrement lisible par ordinateur comprenant des instructions qui, lorsqu'elles sont exécutées par un ordinateur, ici par l’unité de traitement 5, conduisent celui-ci à mettre en œuvre les étapes du procédé 100 décrit plus bas. En d’autres termes, l’unité 5 comporte, sous forme enregistrée, un programme d'ordinateur 21 comprenant ainsi des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un ordinateur, ici par l’unité de traitement 5, conduisent celui-ci à mettre en œuvre les étapes du procédé 100. Ce programme est installé au préalable par le chargement d’une application dans le terminal 1.
Le circuit intégré 7 de communication en champ proche est le circuit mis dans le commerce sous la référence PN5190 par la société NX P Semiconductors N.V .
Conformément à la description fournie par son fabricant, ce circuit intégré 7 comporte les éléments décrits ci-après. Le circuit est muni de deux bornes de réception Rx1 et Rx2 pour y réceptionner deux pistes d’une antenne de communication en champ proche. Aux bornes Rx1 et Rx2 sont connectés un module 8 de contrôle automatique de gain 8. Ce module 8 est connecté à un filtre de bande de base 9. Ce filtre 9 est connecté à un convertisseur analogique-numérique 10. Ce convertisseur 10 est connecté à un processeur de signal numérique 11. Ce processeur 11 est connecté à un module de test 12 de communication sans contact. Ce module 12 est connecté au module d’interface 13 et de traitement des protocoles radio. Le circuit intégré 7 comporte également un convertisseur DC-DC 14, alimenté par une source d’alimentation en énergie électrique externe au circuit 7. Ce convertisseur 14 alimente, au sein du circuit 7, un transmetteur 16, par l’intermédiaire d’un régulateur de tension 15. Ce régulateur de tension 15, appelé « low -drop out voltage regulator » en anglais, appelé couramment « régulateur LDO » ou « LDO », régule la tension à fournir aux bornes du transmetteur 16. Le circuit 7 est également muni de deux bornes de transmission Tx1 et Tx2 pour y réceptionner deux pistes d’une antenne de communication en champ proche. Le transmetteur 16 est connecté à ces deux bornes. Un module 17 de contrôle de forme d’ondes est connecté au transmetteur 16.
Enfin, le circuit intégré 7 comporte une unité 18 de contrôle dynamique de puissance pour réguler une puissance d’un signal transmis par le transmetteur 16 à une antenne. En effet, un signal émis par l’antenne doit respecter certaines normes, en particulier de puissance. Ces normes sont des normes de sécurités, telles que les normes EMV. Pour veiller au respect de ces normes, l’unité 18 est configurée pour vérifier une tension, nommée VDDPA par le fabricant, d’alimentation aux bornes du transmetteur 16. En fonction de son résultat, l’unité de contrôle 18 modifie une valeur d’intensité, appelée ITVDD par le fabricant, traversant le transmetteur 16, pour que la puissance aux bornes du transmetteur 16 respecter les normes de sécurités établies. Les valeurs d’intensité de ITVDD et de tension de VDDPA sont stockées dans un registre de l’unité 18, ou associé à l’unité 18, et accessibles en lecture.
Le terminal de paiement 1 comprend également une antenne 19 de communication en champ proche. Elle dispose de deux pistes. Chacune de ces deux pistes est connectée à un circuit d’adaptation d’impédances 20. Le circuit d’adaptation d’impédances 20 connecte l’antenne 19 au circuit intégré 7 par les bornes d’émission Tx1 et Tx2 d’une part et par les bornes de réception Rx1 et Rx2 d’autre part.
En fonctionnement nominal, lorsqu’un dispositif de paiement, tel qu’une carte bancaire, est approché de l’antenne 20, les communications sans contact sont effectuées par le biais de la technologie NFC entre l’antenne et le dispositif. Et les signaux reçus et émis sont traités par le circuit intégré 7 de communication en champ proche.
On va maintenant décrire, en référence à la , le procédé 1000 de mise en œuvre de l’invention. Il est mis en œuvre par l’unité de traitement 5, en exécutant le programme d’ordinateur 21.
À l’étape 1010, on détermine la valeur de tension VDDPA . On y accède auprès de l’unité de contrôle 18.
À l’étape 1020, on détermine à la valeur d’intensité ITVDD . On y accède auprès de l’unité de contrôle 18.
À l’étape 1030, on déduit, à partir de la valeur de tension VDDPA et de la valeur d’intensité ITVDD , un état de fonctionnement ou de dysfonctionnement de l’antenne parmi les états suivants :
D’une façon générale, l’étape 140 revient à former un signal de fluorescence intégré, à partir de régions d’intérêt extraites d’images de fluorescence successives, et correspondant à une même particule. Le signal de fluorescence peut être l’image de fluorescence intégrée , correspondant au cumul des régions d’intérêt extraites sur plusieurs images de fluorescence successives. Il peut également s’agir d’un nombre correspondant à un cumul des intensités des images de fluorescence successives I m , dans les régions d’intérêt extraites de chacune d’entre elle, et correspondant à la même particule.
Selon une possibilité, on effectue une moyenne des régions d’intérêt, de même annotation, extraites d’images de fluorescence formées successivement. Le fait d’effectuer une moyenne permet de conserver une même dynamique pour chaque image de fluorescence.
Les figures 8A, 8B, 8C et 8D représentent respectivement, pour un même spermatozoïde p, les images de fluorescence intégrées , telles que définies selon (2), correspondant, respectivement obtenues après N = 1 itération ( ), N=13 itérations ( ), N=25 itérations ( ) et N=47 itérations ( ). On peut visuellement observer l’amélioration du rapport signal sur bruit en fonction du nombre d’itérations, c’est-à-dire du nombre d’images de fluorescence moyennées.
Les étapes 100 à 140 sont réitérées, les images de l’échantillon étant acquises selon une fréquence d’acquisition élevée, par exemple à 60 images par seconde. Sur la figure 5A, on a considéré que le l’image de fluorescence intégrée , pour chaque spermatozoïde p, est renouvelée au cours de chaque itération. Chaque itération comporte les étapes 100 à 140. Les itérations se poursuivent jusqu’à l’atteinte d’un critère d’arrêt : il peut s’agir d’un nombre d’itérations prédéterminé. Le critère d’arrêt peut être défini en fonction du rapport signal sur bruit obtenu sur l’image de fluorescence intégrée associée à chaque spermatozoïde : au-delà d’un seuil de rapport signal sur bruit prédéfini, les itérations cessent pour le spermatozoïde dont l’image de fluorescence intégrée qui lui est associée dépasse le seuil de rapport signal sur bruit. L’arrêt des itérations peut également être décidé par l’utilisateur, en fonction du rendu visuel de chaque image de fluorescence intégrée.
Selon une autre possibilité, les étapes 100 et 110 sont réitérées. Les étapes 120 à 140 sont effectuées en post-traitement, après une itération d’un nombre prédéterminé d’itérations des étapes 100 à 110. Cf. .
Il est préférable que les images de détection et les images de fluorescence soient formées à partir d’une même image, ou soient acquises simultanément si l’on utilise plusieurs capteurs élémentaires. Cependant, il peut être envisagé que les acquisitions respectives d’images, permettant la formation d’images de détection et d’images de fluorescence, soient alternées. Il est préférable de limiter l’intervalle de temps entre les acquisitions successives d’une image de détection et d’une image de fluorescence, compte tenu du déplacement des spermatozoïdes. La durée entre deux acquisitions successives peut être telle que le déplacement des spermatozoïdes, entre une image de fluorescence et une image de détection, soit considéré comme négligeable. Cela facilite la correspondance entre les régions d’intérêt ROI p déterminées sur les images de détection et les régions d’intérêt déterminées sur les images de fluorescence. De façon alternative, la position des spermatozoïdes entre deux images de détection successives, peut être estimée par interpolation, comme décrit par la suite
Le fait d’alterner des images de détection et des images de fluorescence permet d’utiliser un capteur d’image monochrome, ce qui est considéré comme plus usuel dans les applications de microscopie.
Selon une possibilité, illustrée sur les figures 5C, 9A et 9B, les acquisitions des images de détection et des images de fluorescence sont alternées. Ainsi, au cours d’une même itération, les étapes 100 et 110 sont temporellement décalées l’une par rapport à l’autre. Dans ce cas, le procédé peut comporter une étape d’interpolation 125. Les régions d’intérêt ROI’ p,n extraites d’une image de fluorescence, dans une itération de rang n, sont obtenues par interpolation de régions d’intérêt ROI p,n et ROI p,n +1 correspondant respectivement au spermatozoïde p et déterminées sur les images de détection de rang n et n+1.
Sur la , on a représenté les régions d’intérêt ROI p,n et ROI p,n +1 détectées sur des images de détection successives de rang n et n+1, et ainsi que la région d’intérêt interpolée ROI’ p,n , assignée à l’image de fluorescence acquise entre lesdites images de détection.
La représente une évolution du point central de régions d’intérêt ROIp,n détectées sur différentes images de détection successives. Chaque point, matérialisé par un cercle, correspond à une position du point central. Afin de tester l’algorithme d’interpolation, on a estimé la position de points centraux de régions d’intérêt ROIp,n+1 entre deux régions d’intérêt ROIp,n, ROIp,n+2. Les positions interpolées des points centraux des régions d’intérêt ROIp,n+1 sont matérialisées par des croix X. L’écart entre la position réelle (cercle) et la position interpolée (croix) est matérialisé par un segment linéaire. On observe que plus la trajectoire du spermatozoïde est droite, plus l’interpolation est correcte.
Les figures 10A à 10E et 11A à 11E illustrent la possibilité d’appliquer l’invention à deux mesures simultanées de fluorescence. Pour obtenir ces images, on a utilisé un dispositif tel que schématisé sur la . Les spermatozoïdes ont été marqués avec un kit de fluorophores (easy-kit viability – fournisseur IMV) permettant de déterminer si le spermatozoïde est mort ou vivant. Les fluorophores utilisés étaient SYBR green (Thermo fisher) et l’iodure de Propidium (Propidium Iodide PI). Ainsi, Les spermatozoïdes vivants émettent une lumière de fluorescence verte et les spermatozoïdes morts émettent une lumière de fluorescence rouge. La bande spectrale d’excitation était centrée sur 450 nm. La bande spectrale de détection Δλd était centrée sur la longueur d’onde 430 nm (Filtre Thorlab FB430-10).
Les figures 10A et 11A correspondent à deux parties d’une image de détection I d , s’étendant respectivement autour de spermatozoïdes référencés 13 et 40. Les figures 10B et 11B correspondent respectivement aux ROI’ p, avec p=13 et p = 40 extraites de l’image acquise par le capteur d’image dans la bande spectrale verte. Les figures 10D et 11D correspondent respectivement aux ROI’ p, avec p=13 et p = 40 extraites de l’image acquise par le capteur d’image dans la bande spectrale rouge. Les figures 10C et 11C correspondent respectivement aux images de fluorescence intégrées à partir de N = 10 régions d’intérêt annotées ROI’ p, avec p=13 et p = 40 extraites l’image acquise par le capteur d’image dans la bande spectrale verte. Les figures 10E et 11E correspondent respectivement aux images de fluorescence intégrées à partir de N = 10 régions d’intérêt annotées ROI’ p, avec p=13 et p = 40 extraites de l’image acquise par le capteur d’image dans la bande spectrale rouge.
Les images de fluorescence, prises isolément les unes des autres (cf. figures 10B, 10D, 11B, 11D) ne permettent pas de conclure sur l’état des spermatozoïdes référencés 13 et 40. Les images de fluorescence intégrées (cf. figures 10C, 10E, 11C, 11E) permettent de conclure que les spermatozoïdes référencés 13 et 40 sont respectivement vivant (cf. ) et mort (cf. ).
Bien que décrite en lien avec des spermatozoïdes, l’invention s’applique à d’autres particules, en particulier des particules biologiques. Il peut par exemple s’agir de cellules.
L’invention s’applique à la détection de particules fluorescentes, qu’il s’agisse d’une fluorescence exogène, i-e induite par le marquage avec un marqueur fluorescent, ou d’une fluorescence endogène, de type autofluorescence.
L’invention concerne également un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique FET, comprenant au moins : a) réalisation d’au moins une portion de matériau temporaire sur un substrat, puis b) réalisation, au moins sur la portion de matériau temporaire, d’au moins une grille de commande électrostatique et d’espaceurs diélectriques disposés contre des flancs de la grille de commande électrostatique, la grille de commande électrostatique recouvrant plusieurs faces distinctes de la portion de matériau temporaire, puis c) gravure de la portion de matériau temporaire, puis d) réalisation d’une couche de semi-conducteur comportant un matériau bidimensionnel ou tout autre matériau semi-conducteur déposé par MOCVD, CVD ou ALD, la couche de semi-conducteur comprenant au moins une première zone formant une portion semi-conductrice en forme d'ailette disposée sur le substrat et configurée pour servir de canal de conduction électrique du dispositif microélectronique FET, disposée sous la grille de commande électrostatique et les espaceurs diélectriques dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, et telle que la couche de semi-conducteur se prolonge, sans discontinuité avec la première zone, en formant des deuxièmes zones couvrant au moins une partie des flancs des espaceurs diélectriques et qui ne sont pas disposées directement contre la grille de commande électrostatique, puis e) réalisation, sur le substrat, de régions de source / drain en forme d’ailettes, couplées électriquement à la première zone de la couche de semi-conducteur par les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur, et telles que les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur s’étendent entre les régions de source / drain et les espaceurs diélectriques.
Dans une configuration avantageuse : - l’étape a) peut comporter la réalisation de plusieurs portions de matériau temporaires sur le substrat, et - l’étape b) peut être mise en œuvre telle que la grille de commande électrostatique recouvre plusieurs faces distinctes de chacune des portions de matériau temporaires, et - l’étape c) comporte la gravure de toutes les portions de matériau temporaires, et - l’étape d) peut être mise en œuvre telle que plusieurs premières zones de la couche de semi-conducteur soient disposées dans des emplacements formés par la gravure des portions de matériau temporaires, les premières zones de la couche de semi-conducteur formant plusieurs portions semi-conductrice disposées sur le substrat et telles que la grille de commande électrostatique recouvre plusieurs faces distinctes de chacune des premières zones de la couche de semi-conducteur.
Le procédé peut comporter en outre une étape de dépôt d’une couche de diélectrique de grille ou d’une couche mémoire ferroélectrique mise en œuvre : - entre les étapes a) et b), sur la portion de matériau temporaire, la grille de commande électrostatique étant réalisée ensuite sur la couche de diélectrique de grille ou la couche mémoire ferroélectrique, et/ou - entre les étapes c) et d), sous la grille de commande électrostatique et les espaceurs diélectriques, dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, la couche de semi-conducteur étant réalisée ensuite en recouvrant la couche de diélectrique de grille ou la couche mémoire ferroélectrique.
L’invention concerne également un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique FET, comprenant au moins : a) réalisation d’au moins une portion de matériau temporaire sur un substrat, puis b) réalisation, au moins sur la portion de matériau temporaire, d’au moins une grille temporaire et d’espaceurs diélectriques disposés contre des flancs de la grille temporaire, la grille temporaire recouvrant plusieurs faces distinctes de la portion de matériau temporaire, puis c) gravure de la portion de matériau temporaire, puis d) réalisation d’une couche de semi-conducteur comportant un matériau bidimensionnel ou tout autre matériau semi-conducteur déposé par MOCVD, CVD ou ALD, la couche de semi-conducteur comprenant au moins une première zone formant une portion semi-conductrice en forme d’ailette disposée sur le substrat et configurée pour servir de un canal de conduction électrique du dispositif microélectronique FET, disposée sous la grille temporaire et les espaceurs diélectriques dans au moins un emplacement formé par la gravure de la portion de matériau temporaire, et telle que la couche de semi-conducteur se prolonge, sans discontinuité avec la première zone, en formant des deuxièmes zones couvrant au moins une partie des flancs des espaceurs diélectriques et qui ne sont pas disposées directement contre la grille temporaire, puis e) gravure de la grille temporaire, et réalisation d’au moins une grille de commande électrostatique à la place de la grille temporaire, puis f) réalisation, sur le substrat, de régions de source / drain en forme d’ailettes, couplées électriquement à la première zone de la couche de semi-conducteur par les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur, et telles que des deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur s’étendent entre les régions de source / drain et les espaceurs diélectriques.
Dans ce cas, le procédé peut comporter en outre, avant la mise en œuvre de l’étape c), un dépôt d’un matériau diélectrique d’isolation autour des espaceurs diélectriques, puis une gravure de cavités dans le matériau diélectrique d’isolation telle que les cavités comprennent au moins une paroi latérale formée par l’un des espaceurs diélectriques, et dans lequel : - l’étape d) est mise en œuvre telle que les deuxièmes zones de la couche de semi-conducteur recouvrent au moins une partie des parois latérales des cavités ; - l’étape f) est mise en œuvre telle que chacune des régions de source / drain soit disposée dans une des cavités.
En outre, le procédé peut être tel que : - l’étape a) comporte la réalisation de plusieurs portions de matériau temporaires sur le substrat, et - l’étape b) est mise en œuvre telle que la grille temporaire recouvre plusieurs faces distinctes de chacune des portions de matériau temporaires, et - l’étape c) comporte la gravure de toutes les portions de matériau temporaires, et - l’étape d) est mise en œuvre telle que plusieurs premières zones de la couche de semi-conducteur soient disposées dans des emplacements formés par la gravure des portions de matériau temporaires, les premières zones de la couche de semi-conducteur formant plusieurs portions semi-conductrices disposées sur le substrat et telles que la grille temporaire recouvre plusieurs faces distinctes de chacune des premières zones de la couche de semi-conducteur.