Dispositif optoélectronique (5 ; 50) comprenant : - une première diode électroluminescente (GLED) comprenant des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21), correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active (23) recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, la première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement (RL) avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; et - un filtre optique passe bande (F_LED) recouvrant la première diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED) est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 2, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED) est comprise entre 3 % et 25 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les longueurs d'ondes centrales des rayonnements émis par les zones actives (23) de la première diode électroluminescente (GLED) sont comprises entre 400 nm à 480 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (21) a un diamètre équivalent compris entre 0,05 µm et 2 µm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a une bande passante à mi-hauteur inférieure à 50 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant une deuxième diode électroluminescente (GLED) ayant la même structure que la première diode électroluminescente, , et un bloc (32) d'un premier matériau photoluminescent recouvrant la deuxième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 8, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) ne recouvre pas la deuxième diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l'anode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec l'anode de la deuxième diode électroluminescente et/ou la cathode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec la cathode de la deuxième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm, et dans lequel le bloc (32) du premier matériau photoluminescent est configuré pour absorber le rayonnement émis par la deuxième diode électroluminescente et le convertir en un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 510 nm à 570 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, comprenant une troisième diode électroluminescente (GLED) ayant la même structure que la première diode électroluminescente, et un bloc (33) d'un deuxième matériau photoluminescent, différent du premier matériau photoluminescent, recouvrant la troisième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) ne recouvre pas la troisième diode électroluminescente (GLED). Dispositif optoélectronique selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'anode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec l'anode de la troisième diode électroluminescente et/ou la cathode de la première diode électroluminescente n'est pas commune avec la cathode de la troisième diode électroluminescente. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel le filtre optique passe bande (F_LED) a un maximum de transmission à une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm, et dans lequel le bloc (33) du deuxième matériau photoluminescent est configuré pour absorber le rayonnement émis par la troisième diode électroluminescente et le convertir en un rayonnement à une longueur d'onde comprise entre 600 nm à 720 nm. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel les éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED) sont à base d'un composé III-V ou II-VI. Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques (5 ; 50) comprenant les étapes suivantes : - former sur une plaque des premières diodes électroluminescentes (GLED) comprenant chacune des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21), correspondant chacun à un microfil, un nanofil, ou un élément conique ou tronconique de taille micrométrique ou nanométrique, et une zone active (23) recouvrant chaque élément semiconducteur tridimensionnel, chaque première diode électroluminescente étant configurée pour émettre un rayonnement (RL) avec un spectre d'émission pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 80 % de l'intensité lumineuse maximale du spectre sur une première plage de longueurs d'ondes supérieure à 30 nm et pour lequel l'intensité lumineuse est supérieure à 50 % de l'intensité lumineuse maximale sur une deuxième plage de longueurs d'ondes inférieure à la première plage augmentée de 30 nm ; - former un filtre optique passe bande (F_LED) recouvrant la première diode électroluminescente pour chaque dispositif optoélectronique ; et - découper la plaque pour séparer les premières diodes électroluminescentes. Procédé selon la revendication 17, dans lequel les premières diodes électroluminescentes (GLED) sont formées par croissance épitaxiale. Procédé selon la revendication 17 ou 18, comprenant une étape de formation sur la plaque d'un masque (18) comprenant des ouvertures (20), et une étape de croissance des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) dans les ouvertures, dans lequel la dispersion globale des diamètres équivalents des ouvertures est comprise entre 2 % et 100 % du diamètre équivalent moyen des éléments semiconducteurs tridimensionnels (21) de la première diode électroluminescente (GLED).