Procédé de collage d’une couche à base d’un premier matériau et d’une couche à base d’un deuxième matériau comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement (1) comprenant une couche à base d’un premier matériau, de préférence à base de silicium, dite première couche (100), et une couche à base d’un deuxième matériau, dite deuxième couche (200), le premier matériau étant de préférence différent du deuxième matériau, la première couche (100) présentant une épaisseur initiale e 100,in i , la première couche (100) présentant une première face inférieure (102) en regard d’une face de la deuxième couche (200), dite deuxième face supérieure (201), et une première face supérieure (101) opposée à la première face inférieure (102), Former dans la première couche (100), à partir de la première face supérieure (101) de la première couche (100) et sur toute son épaisseur, un réseau de tranchées (120), et Soumettre l’empilement (1) à un recuit de consolidation. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le premier matériau présente un coefficient de dilatation thermique α 1 et le deuxième matériau présente un coefficient de dilatation thermique α 2 , α 1 et α 2 étant distincts, de préférence avec │(α 1 -α 2 )/α 1 │≥k*α 1 , avec k≥1,7. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de formation du réseau de tranchées (120), l’étape suivante : Remplir les tranchées (120) avec une couche de remplissage (300). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape de remplissage des tranchées (120) est réalisée après l’étape de recuit. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la couche de remplissage (300) est à base d’un matériau diélectrique, par exemple un polymère. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le recuit de consolidation est réalisé à une température de recuit T recuit supérieure à 100°C. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température de recuit T recuit est supérieure à 200°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement (1), l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche (100) sur la deuxième couche (200) à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température de recuit T recuit est supérieure à la température de collage T collage . Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l’étape de collage comprend la mise en œuvre d’au moins une technique parmi le collage par fusion direct, le collage hydrophile direct et le collage eutectique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de fourniture de l’empilement et avant l’étape de formation du réseau de tranchées (120), l’étape suivante : Amincir la première couche (100) à partir de la première face supérieure (101) jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur intermédiaire e 100,inter . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de recuit, l’étape suivante : Amincir la première couche (100) jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur finale e 100, final e . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau est à base de l’un au moins parmi le saphir et le GaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le réseau de tranchées (120) comprend un ensemble de tranchées parallèles entre elles s’étendant selon une deuxième direction (Y) et présentant selon une première direction (X) normale à la deuxième direction (Y) une dimension dite largeur de tranchée l 120,X , et dans lequel les tranchées s’étendant selon la deuxième direction (Y) sont séparées deux à deux par des îlots (110) présentant chacun selon la première direction (X) une dimension dite première dimension d’îlot l 1 1 0,X , le rapport l 1 1 0,X /l 120,X étant dit premier rapport de forme. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le premier rapport de forme est inférieur à 10, de préférence inférieur à 4. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le premier rapport de forme est supérieur à 0,1, de préférence supérieur à 0,25. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 et 11 à 16, dans lequel l’empilement (1) comprend en outre une première couche active (150) et une deuxième couche active (250) au contact respectivement de la face inférieure (102) de la première couche (100) et de la face supérieure (201) de la deuxième couche (200). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première couche active (150) comprend une pluralité de photo-éléments (155), chaque photo-élément (155) étant configuré pour pouvoir émettre un faisceau lumineux. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la deuxième couche active (250) comprend une électronique de commande (255) des photo-éléments de la première couche active (150). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’électronique de commande comprend des transistors CMOS (256). Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes comprenant en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement (1), l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche active (150) sur la deuxième couche active (250) à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la première couche active (150) comprend des zones métalliques de reprise de contact électrique (160) et dans lequel l’étape de formation du réseau d’îlots (110) et de tranchées (120) est configurée pour mettre à jour une partie au moins de certains au moins des zones de reprise de contact électrique (160).