Procédé de transfert d’une couche semi-conductrice (40) d’un substrat donneur (10) à un substrat receveur (20), le procédé comprenant les étapes successives suivantes : première implantation (S120) de premiers ions légers (3a) dans le substrat donneur (10) à une profondeur d’implantation (30) prédéterminée de sorte à former un plan fragile enterré (300) à la profondeur d’implantation (30) prédéterminée, épitaxie (S130) sur le substrat donneur (10) de la couche semi-conductrice (40) à transférer, deuxième implantation (S140) de deuxièmes ions légers (3b) dans le substrat donneur (10) à travers la couche semi-conductrice (40) à transférer au niveau du plan fragile (300), assemblage (S150) par collage du substrat receveur (20) et du substrat donneur (10) recouvert de la couche semi-conductrice (40) à transférer, la couche semi-conductrice (40) à transférer étant disposée entre les substrats receveur (20) et donneur (10), et fracturation (S160) par recuit, dit recuit de fracturation (S160), du substrat donneur (10) suivant le plan fragile enterré (300), procédé dans lequel : les premiers ions (3a) sont choisis et implantés à une première dose (D1) de sorte que, lors de l’épitaxie (S130), il n’y a pas de fracturation à la profondeur d’implantation (30) prédéterminée, les deuxièmes ions (3b) sont choisis et implantés à une deuxième dose (D2) de sorte que, lors du recuit de fracturation (S160), la fracturation du substrat donneur (10) s’opère. Procédé selon la revendication 1 dans lequel : les premiers ions légers (3a) sont des ions hélium, des ions hydrogène, des ions Bore, un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène ou un mélange d’ions hydrogène et d’ions bore, et les deuxièmes ions légers (3b) sont des ions hélium, des ions hydrogène ou un mélange d’ions hélium et d’ions hydrogène. Procédé selon l’une des revendications 1 à 2 comprenant, entre la première implantation (S120) et l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semi-conductrice (40) à transférer, une étape supplémentaire de préparation (S122) de surface comprenant les sous-étapes successives suivantes : désoxydation (S122A) d’une surface libre (11) du substrat donneur (10), recuit (S122B) du substrat donneur (10) sous une atmosphère comprenant de l’hydrogène à une température supérieure ou égale à 400°C, pendant une durée comprise entre 5 secondes et 10 minutes. . Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, comprenant les étapes supplémentaires de : avant la première implantation (S120), une étape de dépôt (S115) d’une couche sacrificielle (50) sur une surface libre (11) du substrat donneur (10), après la première implantation (S120) et avant l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semi-conductrice (40) à transférer, une étape de retrait (S125) de la couche sacrificielle (50). Procédé selon la revendication 4 dans lequel la couche sacrificielle (50) est une couche (500) diélectrique. Procédé selon la revendication 4 dans lequel la couche sacrificielle (50) comprend un empilement d’une première sous-couche d’alliage de silicium et germanium (510), dite première couche d’arrêt de gravure (510), et d’une deuxième sous-couche (520) de matériau diélectrique disposée sur la première sous-couche (510), et l’étape de retrait (S125) de la couche sacrificielle (50) comprend le retrait (S125A) de la deuxième sous-couche (520) de matériau diélectrique puis le retrait (S125B) de la première couche d’arrêt de gravure (510). Procédé selon la revendication 6 dans lequel l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer est réalisée moins de 30 minutes après l’étape de retrait (S125B) de la première couche d’arrêt. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l’étape de retrait (S125B) de la première couche d’arrêt de gravure (510) et l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer sont réalisées dans un même équipement. Procédé selon la revendication 8 comprenant, après l’étape de retrait (S125B) de la première couche d’arrêt et avant l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer, une étape supplémentaire (S132) de recuit du substrat donneur (10) réalisée dans le même équipement que l’étape de retrait (S1225B) de la première couche d’arrêt de gravure (510) et l’étape d’épitaxie (S130) de la couche semiconductrice (40) à transférer. Procédé selon la revendication 9 dans lequel le recuit (S132) du substrat donneur (10) est réalisé aux conditions de température, de pression et de durée suivantes : 500°C, 2666 Pa, 2 minutes. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10 dans lequel la couche semiconductrice (40) à transférer est une couche (410) de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), ou un empilement d’une sous-couche de silicium et d’une sous-couche d’un alliage de silicium et de germanium (Si/SiGe). Procédé selon l’une des revendications 1 à 11 dans lequel la couche semiconductrice (40) à transférer comprend une première sous-couche dite active (430) de silicium (ou Si), de germanium (ou Ge), d’un alliage de silicium et germanium (ou SiGe), d’un alliage de silicium, de germanium et de carbone (ou SiGeC), d’un alliage de germanium et d’étain (ou GeSn) ou d’un alliage de silicium, de germanium et d’étain (SiGeSn), et une deuxième sous-couche dite d’arrêt de gravure (420) telle qu’une sous-couche d’arrêt de gravure en alliage de silicium et germanium, disposée sous la première sous-couche active (430), et le substrat receveur (20) présente, après l’étape de fracturation (S160), une couche résiduelle (10a) issue du substrat donneur (10), le procédé comprenant alors les étapes successives suivantes : Retrait (S170) de la couche résiduelle (10a) issue du substrat donneur (10) par gravure sélective de ladite couche résiduelle (10a) par rapport à la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure (420), avec une sélectivité supérieure à 10, Retrait (S180) de la deuxième sous-couche d’arrêt de gravure (420).