Substrat (3) comprenant : une première couche (30) à base d’un matériau semi-conducteur et comprenant une face avant et une face arrière, un ensemble (36) d’au moins une couche, surmontant la première couche (30) par la face avant, et comprenant une pluralité de zones individuelles (331) de formation de composants microélectroniques (40), caractérisé en ce qu’il comprend une pluralité de tranchées (32) creuses s’étendant, suivant une dimension en épaisseur du substrat (3), au moins sur une portion de la première couche (30) allant jusqu’à la face avant de la première couche (30), les tranchées (32) étant délimitées au moins par une paroi latérale (320) et une paroi de fond (321) enterrée dans la première couche (30), les tranchées (32) formant un contour fermé autour d’au moins une zone individuelle (331). Substrat selon la revendication précédente, comprenant au moins un composant microélectronique (40) dans l’au moins une zone individuelle (311). Substrat selon la revendication précédente, comprenant des tranchées complémentaires (42) s’étendant suivant la dimension en épaisseur depuis une face exposée du composant (40) jusqu’à l’embouchure des tranchées (32). Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque tranchée (32) s’étend dans la première couche (30) sur au moins 10%, et de préférence sur moins de 50%, de la dimension en épaisseur de la première couche (30). Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’ensemble (36) comprend une deuxième couche (31) au contact de la face avant de la première couche (30) et qui est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau choisi parmi un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Substrat selon la revendication précédente, dans lequel l’ensemble (36) comprend une troisième couche (33) surmontant la deuxième couche (31) et qui est à base d’un matériau choisi parmi un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins la paroi de fond (321) et la paroi latérale (320) sont en matériau diélectrique. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins la paroi de fond (321) et la paroi latérale (320) comprennent une couche en un matériau diélectrique intégralement recouverte par un revêtement métallique. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque tranchée (32) présente au moins une plus petite dimension transversale inférieure à 10 µm. Substrat selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une partie des tranchées (32), et de préférence chaque tranchée (32), présente un rapport de forme, de la dimension de tranchée (32) selon la dimension en épaisseur sur la plus petite dimension transversale à la dimension en épaisseur, supérieur ou égal à 10. Procédé de fabrication du substrat (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : une fourniture d’un sous-substrat support (1) comprenant au moins une première couche (10) à base d’un matériau semi-conducteur, le sous-substrat support (1) présentant une surface exposée (1a), une gravure d’une pluralité de tranchées (32) de sorte que les tranchées (32) s’étendent suivant une dimension en épaisseur du substrat (3) depuis la surface exposée (1a) sur une portion de la première couche (10), chaque tranchée (32) étant délimitée par une paroi latérale (320) et une paroi de fond (321) enterrée dans le première couche (10), les tranchées (32) formant un contour fermé autour d’au moins une zone individuelle (331) de formation de composants microélectroniques (40), une fourniture d’un sous-substrat donneur (2) comprenant une couche superficielle (20, 21) présentant une surface exposée (2a), un assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2) par leurs surfaces exposées (1a, 2a), de façon à recouvrir les tranchées (32), chaque tranchée (32) étant alors délimitée par la paroi latérale (320), la paroi de fond (321), et une paroi supérieure (322) opposée à la paroi de fond (321). Procédé selon la revendication précédente, comprenant une formation d’au moins un composant microélectronique (40) dans l’au moins une zone individuelle (331) après assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2). Procédé selon la revendication précédente, comprenant, après la formation d’au moins un composant microélectronique (40), une formation de tranchées complémentaires (42) s’étendant suivant la dimension en épaisseur depuis une face exposée du au moins un composant (40) jusqu’à l’embouchure des tranchées (32). Procédé selon l’une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel suite à la gravure de la pluralité de tranchées (32) et de préférence avant l’assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2), le procédé comprend, pour chaque tranchée (32), une formation d’un matériau diélectrique au niveau au moins de la paroi de fond (321) et de la paroi latérale (320). Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel la couche superficielle (20, 21) du sous-substrat donneur est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau choisi parmi un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Procédé selon l’une quelconque des cinq revendications précédentes, dans lequel : le sous-substrat support (1) comprend en outre une couche superficielle (11) à base, et de préférence faite, d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, surmontant la première couche (10), la couche superficielle présentant la surface exposée (1a), et/ou la couche superficielle (21) du sous-substrat donneur est une couche à base, et de préférence faite, d’un matériau diélectrique, par exemple un oxyde, surmontant une couche (20) à base d’un matériau choisi parmi un matériau semi-conducteur ou un matériau piézoélectrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 11 à 16, comprenant, après l’assemblage du sous-substrat support (1) et du sous-substrat donneur (2), un amincissement du sous-substrat donneur (2) configuré pour exposer la couche superficielle (20, 21). Procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique (4) comprenant : une fourniture d’un substrat (3) selon la revendication 2 seule ou en combinaison avec l’une quelconque des revendications 3 à 10 ou d’un substrat (3) fabriqué par le procédé selon la revendication 12 seule ou en combinaison avec l’une quelconque des revendications 13 à 17, présentant une surface exposée avant (3a) et une surface exposée arrière (3b), un amincissement de la première couche (30) depuis la face arrière (3b) jusqu’à ouvrir les tranchées (32). Procédé selon la revendication précédente, comprenant, préalablement à l’amincissement, un report du substrat (3) sur un support (41) depuis la face opposée à la face arrière (3b). Procédé selon la revendication précédente, après le report du substrat (3) sur le support (41), une application d’un effort transversale à la dimension en épaisseur du substrat (3) sur le support (41) de sorte à diviser le substrat (3) en autant de dispositifs microélectroniques (4) que de contours fermés formés par les tranchées (32). Procédé selon l’une quelconque des revendications 18 à 20, comprenant, après l’amincissement, une formation d’un revêtement (35) métallique couvrant au moins la paroi supérieure (322) et la paroi latérale (320) des tranchées (32).