INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon les modes de réalisation, les modèles et les configurations des fonctions apprenantes peuvent être stockés directement sur le serveur hébergeant l’espace de travail collaboratif sur lequel le procédé de l’invention s’exécute. Toutefois dans un mode préférentiel, un serveur dédié à leur stockage et leur exécution est mis en œuvre.
Selon un mode de réalisation, un ou plusieurs fichiers de configuration peuvent comprendre des données complémentaires pour entrainer ou appliquer un modèle pouvant comprendre des paramètres, des résultats intermédiaires ou des annotations générées consécutivement à une action correctrice. La configuration ou le document utilisant la configuration peuvent être téléchargés à tout moment et mis en attente jusqu’à ce que l’ensemble des données et documents nécessaires à l’application ou au réentraînement des modèles soient associées, Selon un cas, les configurations sont associées aux documents si une ou plusieurs conditions sont validées. Une condition peut être l’exécution d’une fonction ou d’une commande.
Un intérêt est de permettre la collecte de documents et de données de configuration issus de plusieurs systèmes qui ne communiquent pas entre eux, et de n’appliquer les modèles sur les documents que lorsque suffisamment de documents et données sont disponibles.
Un intérêt est de permettre de prendre en considération de nouveaux documents à traiter de manière indépendante d’un réapprentissage qui serait réappliqué. La configuration permettant de réentraîner une ou plusieurs fonction(s) apprenante(s) peut être activée ou programmée consécutivement au traitement d’une pluralité de documents. Ainsi le réapprentissage peut prendre en considération une pluralité de documents en entrée.
Selon un mode de réalisation de l’invention, la première couche active 150 comprend des contacts électriques enterrés et connectés électriquement à des zones métalliques de reprise de contact électrique 160, telles qu’illustrées en . De manière avantageuse, on prévoit que l’étape de formation des tranchées 120 permette de mettre à jour ces zones de reprise 160. Il est à noter que la présence de ces zones de reprise 160 est particulièrement avantageuse lors de la formation des tranchées 120 dans la première couche 100. En effet, la présence de métal provoque un arrêt de la gravure ( ). La gravure est donc limitée de façon physique par les zones de reprise 160 et non par des calculs théoriques de temps de gravure, calculs dépendant de nombreux paramètres et pouvant être imprécis. On améliore ainsi la précision de la formation des tranchées 120.
Les contacts électriques enterrés et les zones de reprise 160 peuvent permettre la réalisation de tests électriques dans l’empilement 1. Ces zones de reprise 160 pourront ensuite être retirées. Plusieurs méthodes sont pour cela envisageables (laser, lame de découpe…).
Les zones de reprise 160 peuvent par exemple être des couches de redistribution d’un circuit intégré, couramment désignées par l’acronyme anglais « RDL » (pour « Redistribution Layers »).
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE POUR FORMER UN EMPILEMENT EPITAXIAL, EN PARTICULIER POUR UN TRANSISTOR La présente invention se situe dans le domaine des semiconducteurs et concerne plus particulièrement un procédé de croissance épitaxiale pour former un empilement épitaxial, un empilement épitaxial, un procédé de fabrication d’un transistor, un transistor, un convertisseur de puissance électrique, un dispositif de propulsion électrique et un engin de mobilité associés.
L’invention trouve une application privilégiée pour la fabrication des transistors à semiconducteurs à oxyde de métal et à haute mobilité d’électrons (de l’anglais « Metal Oxide Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors », également désignés par le sigle MOSHEMT) et plus particulièrement ceux à base de nitrure de gallium (GaN) également désignés par le sigle « GaN-HEMT » qui sont susceptibles de fonctionner à des fortes puissances et/ou à hautes fréquences (i.e. supérieures ou égales à 20 GHz) et avec des temps de commutation très réduits (i.e. bien inférieur à la nanoseconde).
Par la suite, tous les alliages métalliques seront désignés de manière générale, sans spécifier nécessairement les indices stœchiométriques définissant précisément la proportion de chaque élément chimique constitutif de l’alliage. On comprendra donc que toutes les proportions possibles sont couvertes par la désignation, sauf exception mentionnée. Par exemple, les alliages d’oxyde d’aluminium seront désignés de manière abrégée par AlO, où Al désigne l’élément aluminium et O l’élément oxygène, plutôt que d’utiliser la désignation « Al y O x », où x et y désignent les coefficients stœchiométriques associés respectivement à l’élément aluminium Al et à l’élément oxygène O.
De même, on désignera de manière abrégée les nitrures d’aluminium par AlN, les nitrures d’aluminium à base d’indium par InAlN et les nitrures de gallium par GaN.
Arrière-plan technologique Dans le cadre de la fabrication de transistors, des empilements de couches de matériaux semi-conducteurs sont formés pour produire des hétérostructures. Un tel empilement est qualifié d’« épitaxial », dans la mesure où il est obtenu par un procédé de croissance épitaxiale, tel que l’épitaxie par jets moléculaires (de l’anglais « Molecular Beam Epitaxy », également désignée par le sigle MBE) ou le dépôt chimique en phase vapeur à précurseurs métallo-organiques (de l’anglais « Metal-Organic Chemical Vapour Deposition », également désigné par le sigle MOCVP). Par la suite, les termes « hétérostructures » et « empilement épitaxial » seront utilisés de manière indifférente.
Pour obtenir un tel empilement épitaxial, il est connu d’utiliser un procédé de croissance épitaxiale comprenant : une obtention d’un empilement épitaxial avec une couche de canal en GaN et, dessus, une couche de barrière en AlN monocristallin ; et une croissance d’une couche chapeau (de l’anglais « cap layer ») en GaN ou SiN directement sur la couche de barrière.
Par la suite, la couche chapeau sera simplement appelée « couche cap », en référence à sa dénomination en anglais.
Dans l’empilement épitaxial final, il existe une polarisation entraînant la formation d’un plan d’électrons à proximité de l’interface entre la couche de canal et de couche de barrière. Ces électrons sont hautement mobiles et enfermés dans un puits quantique, de manière à former un gaz d’électrons à deux dimensions (de l’anglais « two-dimensional electron gas », également désigné par le sigle 2DEG).
Cette polarisation dans l’empilement épitaxial est due à la nature polaire des cristaux formant les couches de canal et de barrière, entraînant simultanément une polarisation piézoélectrique et une polarisation spontanée.
La polarisation piézoélectrique est due à un champ de polarisation résultant de la distorsion du réseau cristallin. En effet, les cristaux d’AlN de la couche de barrière et les cristaux de la couche de canal présentent généralement des différences de constantes de maille (de l’anglais « mesh parameter » ou « lattice constant »). Par exemple, les constantes de maille des cristaux d’AlN sont égales à a 1 =3.110 Angströms (Å) et c 1 =4.980 Å, tandis que celles des cristaux de GaN sont égales a 2 =3.189 Å et c 2 =5,185 Å, conduisant à des différences de constantes de maille égales à |a 2 -a 1 |=0.079 Å et |c 2 -c 1 |=0.205 Å respectivement.
Lors de la croissance des cristaux d’AlN de la couche de barrière sur ceux de la couche de canal, la couche de canal impose sa constante de maille sur la couche barrière en AlN, ce qui entraîne une contrainte de tension dans la couche de barrière. Cette contrainte de tension génère, par effet piézoélectrique, le plan d’électrons constituant le gaz d’électrons en deux dimensions. Plus la couche de barrière en AlN est mise en contrainte par la couche de canal, plus la densité d’électrons sera élevée dans le gaz d’électrons en deux dimensions.
La polarisation spontanée est due à un champ de polarisation présent dans un cristal qui n’est pas mécaniquement contraint. L’existence de ce champ de polarisation est due au fait que les cristaux de la couche de barrière en AlN n’ont pas de symétrie d’inversion et que les liaisons entre les atomes constituant chacun de ces cristaux ne sont pas purement covalentes. Ceci a pour effet de déplacer le nuage d’électrons de chaque liaison vers l’un des atomes de la liaison, le rendant asymétrique. Ainsi, dans la direction suivant laquelle le cristal n’a pas de symétrie d’inversion, les nuages d’électrons asymétriques conduisent à une charge positive nette sur l’une des faces du cristal et une charge négative nette sur la face opposée. Autrement dit, la nature non centro-symétrique du réseau cristallin de la couche de barrière conditionne l’effet de polarisation spontanée qui est particulièrement prononcé pour l’AlN.
Le circuit d’alimentation sans interruption selon l’invention peut ainsi être utilisé pour le stockage réseau, c’est-à-dire le stockage et la restitution d’énergie entre le premier réseau alternatif 110 et la source de tension continue 130, tout en fournissant une tension alternative de qualité et sans interruption au second réseau électrique alternatif 120.
Dans cette application, durant la phase de stockage, le circuit d’alimentation sans interruption fonctionne 100 de manière à assurer une alimentation sans interruption du deuxième réseau électrique alternatif 120. De l’énergie est prélevée sur le premier réseau électrique alternatif 110 pour assurer la charge de la source de tension continue 130, par exemple par une régulation basée sur une tension de consigne, et pour assurer les besoins du second réseau électrique alternatif 120. Le premier réseau 110 fournit alors le cumul de la puissance nécessaire à la charge de la source de tension continue 130 et de la puissance nécessaire au second réseau 120 (au travers de la source de tension continue).
La phase de déstockage d’énergie correspond à une injection, sur le premier réseau électrique alternatif 110, d’une partie de l’énergie stockée dans la source de tension continue 130. Le circuit d’alimentation sans interruption 100 se comporte alors comme un producteur d’énergie électrique vis-à-vis du premier réseau électrique alternatif 110. Ceci peut être souhaité par exemple pour effectuer des arbitrages de stockage/déstockage en fonction des variations de prix de l’électricité, ou comme un service de soutien à l’équilibre offre-demande d’électricité sur le premier réseau électrique alternatif 110. Ce service peut être par exemple un service d’aide à la régulation de la fréquence sur le premier réseau électrique alternatif 110. Un tel service d’aide à la régulation comprend notamment l’injection sur celui-ci d’une puissance électrique qui est fonction de la déviation de la fréquence du premier réseau électrique alternatif 110 par rapport à sa fréquence de référence, notamment en-dessous de celle-ci. Par exemple, la fréquence de référence est de 50Hz.
Dans la phase de déstockage d’énergie, la puissance à injecter sur le premier réseau électrique alternatif 110 peut être connue. Cette puissance est notamment déstockée à partir de la source de tension continue 130 qui fournit ainsi à la fois la puissance injectée sur le premier réseau électrique alternatif 110 ainsi que la puissance nécessaire au second réseau électrique alternatif 120.
Afin de gérer au mieux la phase de déstockage, le circuit d’alimentation sans interruption 100 peut comprendre une unité de commande 180 représentée schématiquement en .
Cette unité de commande 180 est similaire à l’unité de commande 170 illustrée en , si ce n’est que le premier bloc de contrôle 1 comprend un sous-bloc de contrôle 1’. Le sous-bloc de contrôle 1’ permet de sélectionner soit une première puissance déterminée en fonction de la différence entre une tension de consigne et une tension instantanée aux troisièmes bornes B3 du circuit 100, soit une deuxième puissance Pinj à injecter sur le premier réseau électrique alternatif 110. A cet effet, le sous-bloc 1’ peut comprendre une unité de sélection MUX qui connecte sélectivement le circuit délivrant la première puissance ou le circuit délivrant la deuxième puissance. Un circuit d’activation 16’ peut être utilisé pour activer le sous-bloc 1’ lorsque la source de tension continue 130 doit être utilisée pour le déstockage d’énergie par le circuit d’alimentation sans interruption 100. Le sous-bloc de contrôle 1’ délivre ensuite la puissance sélectionnée aux blocs de contrôle suivants, en tant que puissance de consigne. Les autres blocs de contrôle fonctionnent comme décrit précédemment.
La représente un exemple de courants et de tensions parcourant le circuit d’alimentation 100 lors d’un tel fonctionnement en stockage et déstockage vis-à-vis du premier réseau électrique 110, tout en assurant l’alimentation sans interruption du second réseau électrique 120. Le graphe a) représente la tension Ve du premier réseau électrique alternatif 110. Le graphe b) représente le courant Ie circulant dans les premières bornes B1 du circuit d’alimentation sans interruption 100. Le graphe c) représente la tension Vs délivrée au deuxième réseau électrique alternatif 120. Le graphe d) représente le courant I S circulant dans les deuxièmes bornes B2 du circuit d’alimentation sans interruption 100. Le graphe e) représente la puissance d’entrée Pe, c’est-à-dire la puissance échangée avec le premier réseau électrique alternatif 110.
Entre l’instant initial T0 et l’instant T3, le circuit sans alimentation 100 fonctionne de façon similaire au fonctionnement illustré en . Entre l’instant T0 et l’instant T1, le circuit d’alimentation 100 fonctionne de sorte que le premier réseau électrique 110 alimente à la fois la source de tension continue 130 - en la chargeant si besoin - et le second réseau électrique 120. La puissance d’entrée Pe est positive. Puis à l’instant T1, le circuit sans alimentation 100 passe dans un fonctionnement autonome dans lequel le second réseau électrique 120 est alimenté uniquement par la source de tension continue. La puissance d’entrée Pe est alors nulle, puisque le premier réseau électrique 110 est déconnecté. A l’instant T2, le premier réseau électrique 110 devient de nouveau disponible, et recommence à alimenter le second réseau électrique 120, ainsi que recharger la source de tension continue 130 qui a été partiellement déchargée durant la phase de fonctionnement autonome. Comme il est visible en , après l’instant T2, la puissance d’entrée Pe est supérieure à celle sur la période T0-T1, du fait que la source de tension continue 130 a été en partie déchargée et donc nécessite un rechargement.
Suite à un événement déclencheur à l’instant T3, le circuit sans alimentation 100 passe dans un mode dans lequel il injecte de la puissance électrique sur le premier réseau électrique 110. La puissance d’entrée devient négative et est par exemple régulée à -100W. A cet effet, la puissance de consigne délivrée par le premier bloc de contrôle est de -100W. Suite à la régulation, une puissance électrique de 100W est injectée sur le premier réseau, issue de la source de tension continue 130 ; tandis que le second réseau électrique 120 continue d’être alimenté sans interruption également à partir de de la source de tension continue 130. Cette injection de puissance sur le premier réseau électrique 110 s’effectue typiquement par une injection d’un courant Ie sur le premier réseau électrique 110 en opposition de phase avec la tension Ve du premier réseau électrique 110. La valeur de puissance injectée de 100W est purement illustrative. D’autres valeurs sont possibles en fonction du besoin du premier réseau électrique 110 et des capacités de stockage de la source de tension continue 130 et/ou du deuxième réseau électrique 120.
Le second réseau électrique 120 est correctement alimenté sans interruption durant l’ensemble des phases successives de fonctionnement. Ceci montre le bon fonctionnement du circuit d’alimentation sans interruption 100, notamment dans un contexte de stockage/déstockage réseau ou d’autres services au premier réseau 110 nécessitant d’injecter de l’électricité disponible depuis la source de tension continue 130 ou le deuxième réseau électrique 120.
Ainsi, dans le circuit d’alimentation sans interruption selon un mode de réalisation de l’invention, le premier bloc de contrôle 1 peut être configuré pour déterminer une puissance de consigne à délivrer aux troisièmes bornes B3 du circuit d’alimentation sans interruption 100 en fonction d’une différence entre une tension de consigne V bat0 et une tension instantanée V bat aux troisièmes bornes B3 du circuit d’alimentation sans interruption 100, comme par exemple illustré en figures 3 et 5. Le premier bloc de contrôle peut en outre être configuré pour déterminer la puissance de consigne en fonction d’une puissance Pinj à délivrer aux premières bornes B1 du circuit d’alimentation sans interruption 100, comme par exemple illustré en .
Appareil pour la production des noyaux de ferrite stratifiés pour moteurs électriques et son procédé de production Domaine technique de l’invention La présente invention concerne le domaine technique de la fabrication de noyaux de fer pour moteurs électriques, et plus particulièrement l’équipement pour la production de noyaux de fer stratifiés pour moteurs électriques et son procédé de production.
Arrière-plan technique Aujourd’hui, les noyaux de fer collés sur le marché, en particulier les noyaux de fer collés pour les moteurs d’entraînement des véhicules à énergie nouvelle, sont formés en utilisant un équipement pour la production pour former de multiples plaques de noyau de fer et en utilisant la colle appliquée à l’avance sur la surface des plaques de noyau de fer pour que les multiples plaques de noyau de fer se lient les unes aux autres et forment les noyaux de fer collés, la colle est généralement durcie par un chauffage auxiliaire à induction électromagnétique pendant la production. Cependant, dans le revêtement de colle, il est nécessaire d’utiliser un certain nombre de points de colle dispersés, et un certain nombre de l’orifice de pulvérisation de colle doivent être prévus, de sorte que chaque orifice de pulvérisation de colle est connecté au dispositif de commande de pulvérisation de colle à travers du tuyau, de sorte que le nombre de connexions de tuyau dans l’assemblage du moule est grand, les tuyaux doivent être installés un par un de manière manuelle, cela conduit à ce que la connexion entre le dispositif de commande de pulvérisation de colle et chaque orifice de pulvérisation de colle est assez difficile, ce qui rend l’efficacité de la connexion des tuyaux faible et l’entretien difficile, en plus le nettoyage et la maintenance ultérieurs sont également assez difficiles, et lorsque ce type de mécanisme de pulvérisation de colle est disposée à la partie des dents assez étroite pour la pulvérisation, la quantité de colle n’est pas facile à contrôler et la colle est susceptible de déborder ; en outre, le chauffage et le durcissement auxiliaires dans le moule nécessitent une grande consommation d’énergie électrique, et il est nécessaire d’attendre un certain temps avant que la colle puisse être durcie, ce qui entraîne une baisse de l’efficacité de la production et une grande consommation d’énergie électrique.
Contenu de l’invention Afin de résoudre au moins un des défauts techniques ci-dessus, la présente invention propose la solution technique suivante :
Un équipement pour la production de noyaux de fer stratifiés pour moteurs électriques tel que conçu dans ce document d’application, les noyaux de fer stratifiés pour moteurs électriques étant formés en stratifiant et en collant une pluralité de plaques de noyau de fer les unes avec les autres, chaque plaque de noyau de fer étant formée en poinçonnant une forme prédéterminée sur une bande de matériau métallique ; l’équipement pour la production comprenant : un ensemble de moule supérieure et un ensemble de moule inférieure, ledit ensemble de moule supérieure et ledit ensemble de moule inférieure agissant conjointement l’un avec l’autre afin de poinçonner la forme prédéterminée des plaques de noyau de fer à partir de ladite bande de matériau métallique transportée pas à pas et d’effectuer le découpage ; un dispositif de pulvérisation de colle, ledit dispositif de pulvérisation de colle étant prévu sur ledit ensemble de moule inférieure ; ledit dispositif de pulvérisation de colle comprend une plaque de pulvérisation de colle, un premier coffrage et un deuxième coffrage, ledit premier coffrage étant prévu entre ladite plaque de pulvérisation de colle et ledit deuxième coffrage, une première zone de pulvérisation de colle étant formée sur ladite plaque de pulvérisation de colle, et une deuxième zone de pulvérisation de colle située à la périphérie de ladite première zone de pulvérisation de colle, une pluralité de premiers orifices de pulvérisation de colle qui sont espacées les unes des autres étant formées à l’intérieure de ladite première zone de pulvérisation de colle, une pluralité de deuxièmes orifices de pulvérisation de colle qui sont espacées les unes des autres étant formées à l’intérieure de ladite deuxième zone de pulvérisation de colle, sont formés sur la face avant dudit premier coffrage une pluralité de premiers canaux de déviation respectivement communiqué avec chaque premier orifice de pulvérisation de colle, de premiers canaux d’alimentation de colle respectivement communiqués avec chaque premier canal de déviation, et une pluralité de canaux de passage respectivement communiqués avec chaque deuxième orifice de pulvérisation de colle, sont formés sur la face avant dudit deuxième coffrage une pluralité de deuxièmes canaux de déviation respectivement communiqués avec chaque canal de passage, et de deuxièmes canaux d’alimentation de colle respectivement communiqués avec chaque deuxième canal de déviation, lesdits premiers canaux d’alimentation de colle sont prévus de manière pénétrante sur ledit premier coffrage, lesdits deuxièmes canaux d’alimentation de colle sont prévus de manière pénétrante sur ledit deuxième coffrage.
Selon un mode de réalisation particulier, sont également formées sur la face avant dudit premier coffrage de premières cavités de déviation, lesdites premières cavités de déviation sont communiquées avec lesdits premiers canaux d’alimentation de colle, chaque premier canal de déviation est respectivement communiqué avec lesdites premières cavités de déviation.
Selon l’un des aspects de l’invention, l’un des d’orifices de projection de fluide de refroidissement est disposé à l’aplomb de l’une des branches du boîtier.
Ainsi le fluide de refroidissement est projeté dans l’espace entre deux dents voisines.
Selon l’un des aspects de l’invention, l’une au moins des branches comprend un déflecteur configuré pour scinder un flux de fluide de refroidissement provenant de l’orifice de projection en deux flux dirigés vers les deux enroulements qui sont de part et d’autre de la branche.
Selon l’un des aspects de l’invention, ce déflecteur est formé par une saillie, notamment en forme de nervure, de la branche.
Selon l’un des aspects de l’invention, la chambre de distribution comprend une entrée de fluide de refroidissement formée sur le carter, et qui comprend notamment un embout de raccord configuré pour le raccord d’un tuyau d’amené de fluide de refroidissement.
Selon l’un des aspects de l’invention, l’enceinte comprend une sortie de fluide de refroidissement formée sur le boîtier définissant l’enceinte du stator.
Selon l’un des aspects de l’invention, la sortie de fluide de refroidissement comporte une fente sur le boîtier.
L’invention a encore pour objet un ensemble comportant une machine électrique tournante à flux axial telle que précitée, et une boîte de vitesses pourvue d’un carter, la machine électrique tournante à flux axial étant logée dans un logement du carter.
est une vue schématique, en perspective, d’une machine électrique tournante à flux axial logée dans un carter de boîtier de vitesses, selon un exemple de réalisation de l’invention ;
est une vue schématique latérale, de la machine électrique tournante à flux axial de la ;
est une vue schématique, de face, de la machine électrique tournante à flux axial de la ;