Transistor à effet de champ à haute mobilité (100) comprenant : un empilement (10) selon un axe Z comprenant : un substrat (SUB), une couche tampon (BUF) déposée sur le substrat, comprenant un premier matériau semi-conducteur (SC1) étant un composé binaire ou ternaire ou quaternaire de nitrure, une couche barrière (Bar) comprenant un deuxième matériau semi-conducteur (SC2) étant un composé comprenant de l’azote (N) et de un à cinq éléments choisi parmi l’indium (In), l’aluminium (Al), le gallium (Ga), le bore (B) et le scandium (Sc), une couche (L2D) d’un matériau bidimensionnel (Mat2D) isolant disposée entre la couche barrière et la couche tampon, dite couche 2D, la couche barrière et la couche tampon étant configurées pour former un gaz bidimensionnel d’électron (9) dans une zone, dénommée canal, localisée dans la couche tampon ou la couche barrière et située au voisinage d’une interface avec la couche 2D, une source (S), un drain (D), et une grille (G) déposée sur une face supérieure (12) de la couche barrière, entre la source et le drain. Transistor selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche 2D présente une bande interdite (G3) supérieure ou égale à 4 eV. Transistor selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche tampon présente une affinité électronique χ 1 , la couche barrière présente une affinité électronique χ 2 , la couche 2D présente une affinité électronique χ 3 et dans lequel les affinités électroniques vérifient la relation: χ 3 -χ i ≤ -0.5 eV avec i = 1 ou 2 correspondant à la couche dans laquelle est localisé ledit canal. Transistor selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche 2D comprend 1 à 10 monocouches dudit matériau bidimensionnel. Transistor selon l’une des revendications précédentes dans lequel le premier matériau semi-conducteur (SC1) est le nitrure de galium (GaN) ou le nitrure d’aluminium (AlN) ou l’AlGaN. Transistor selon l’une des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau semi-conducteur (SC2) est choisi parmi : AlN ; InAlN ; AlGaN ; InAlGaN ; ScAlN ; ScGaN. Transistor selon l’une des revendications 1 à 5 dans lequel le deuxième matériau semi-conducteur (SC2) est choisi parmi : BN ; BGaAlN ; BAlN ; BGaAlInN. Transistor selon l’une des revendications précédentes dans lequel le matériau bidimensionnel est le h-BN. Procédé de réalisation d’un transistor à effet de champ à haute mobilité comprenant les étapes consistant à : disposer d’un ensemble comprenant une couche tampon (BUF) déposée sur un substrat (SUB), la couche tampon comprenant un premier matériau semi-conducteur comprenant un composé binaire ou ternaire ou quaternaire de nitrure, faire croître une couche (L2D) de matériau bidimensionnel (Mat2D) isolant sur une face supérieure (11) de la dite couche tampon, faire croître une couche barrière (Bar) sur ladite couche de matériau bidimensionnel, la dite couche barrière comprenant un deuxième matériau semi-conducteur étant un composé comprenant de l’azote (N) et de un à cinq éléments choisi parmi l’indium (In), l’aluminium (Al), le gallium (Ga), le bore (B) et le scandium (Sc), la couche barrière et la couche tampon étant configurées pour former un gaz bidimensionnel d’électron (9) dans une zone dénommée canal, localisée dans la couche tampon ou la couche barrière et située au voisinage d’une interface avec la couche 2D, réaliser une source (S), un drain (D), et une grille (G) déposée sur une face supérieure (12) de la couche barrière entre la source et le drain. Procédé de réalisation d’un transistor à effet de champ à haute mobilité comprenant les étapes consistant à : disposer d’un ensemble comprenant une couche tampon (BUF) déposée sur un substrat (SUB), la couche tampon comprenant un premier matériau semi-conducteur comprenant un composé binaire ou ternaire ou quaternaire de nitrure, disposer d’une couche 2D d’un matériau bidimensionnel (Mat2D) crû sur un substrat auxiliaire (SUB’), transférer ladite couche 2D sur une face supérieure (11) de la dite couche tampon et enlever le substrat auxiliaire, faire croître une couche barrière (Bar) sur ladite couche de matériau bidimensionnel, la dite couche barrière comprenant un deuxième matériau semi-conducteur étant un composé comprenant de l’azote (N) et de un à cinq éléments choisi parmi l’indium (In), l’aluminium (Al), le gallium (Ga), le bore (B) et le scandium (Sc), la couche barrière et la couche tampon étant configurées pour former un gaz bidimensionnel d’électron (9) dans une zone dénommée canal, localisée dans la couche tampon ou la couche barrière et située au voisinage d’une interface avec la couche 2D, réaliser une source (S), un drain (D), et une grille (G) déposée sur une face supérieure (12) de la couche barrière entre la source et le drain.