INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les faisceaux 90 sont formés pour tous les équipements utilisateurs – un faisceau par équipement utilisateur, et on optimise la direction et l’ouverture du faisceau - qu’ils soient dans le cluster 100 ou le cluster 110, car le cluster 100 a été évalué comme faiblement brouillé, et le cluster 110 fortement brouillé.
Et simultanément ou rapidement après, on modifie la bande de fréquences associée aux équipements utilisateurs 25 du cluster 110, en l’occurrence on passe de la bande de fréquences F1 à la bande de fréquence F2. Par contre, les équipements utilisateurs 25 du cluster 100 communiquent tous avec la station de base 10 sur la bande de fréquence F1 comme avant la mise en place du processus de lutte contre le brouillage.
Les trois moyens techniques suivants peuvent être mise en œuvre isolément ou de manière combinée.
1) On active les parties de bande passante BWPs (BandWitdh Parts en communication cellulaire 5G) sur la bande de repli, par signalisation RRC (contrôle des ressources radio).
2) On notifie le contrôleur d’ordonnancement (ordonnanceur ou scheduler) en charge de la station de base pour brider certains blocs de ressources physiques, qui ont été identifiés comme brouillés.
3) On agrège une onde porteuse par activation des bandes de fréquences sélectionnées pour le repli, attribuées à un même utilisateur.
Puis on optimise les paramètres de la formation de faisceaux, à savoir la direction des faisceaux et leur ouverture ou l’angle de pointage, pour maximiser le gain en transmission et en réception par des faisceaux directifs vers la zone de l’équipement utilisateur concerné, pour contrer le brouilleur. Cette optimisation est menée par Intelligence Artificielle, par exemple par Optimisation Bayésienne.
De plus, on rejette l’interférence du brouilleur par envoi de zéros dans sa direction à partir de la station de base.
Dans un exemple de mise en œuvre, 400 équipements utilisateurs sont répartis autour de 3 stations de base comportant chacune trois secteurs avec des directions de pointage à configurer. Un brouilleur omnidirectionnel est présent : certains utilisateurs sont insatisfaits de la qualité de la communication, mais d’autres sont satisfaits. Initialement, 52,5% des utilisateurs sont satisfaits, puis on configure les orientations des trois secteurs d’antenne, et 73,5% des utilisateurs sont satisfaits. Puis, on engage les principes de l’invention, et en premier lieu on effectue une reconfiguration de faisceaux pour chacun des trois secteurs de l’antenne, et 85% des utilisateurs sont satisfaits, et enfin, on effectue le repli fréquentiel, et 92.5% des utilisateurs sont satisfaits.
En , on a représenté l’étape E4 d’allocation des éléments d’antenne de l’antenne relai 10 confrontée au brouilleur 50, créant une zone de brouillage 60.
En référence à la , la détermination de la direction désirée de transmission du message peut comprendre la détermination d’un vecteur de destination VecDest en fonction de la localisation géographique LocNode du nœud courant et de la destination géographique LocDest. Le vecteur de destination VecDest est notamment déterminé de sorte à être colinéaire à la direction reliant la localisation géographique LocNode du nœud courant et la destination géographique LocDest.
La direction prise par le message entre le nœud émetteur et le nœud courant est notamment déterminée en fonction de la localisation géographique LocSender du nœud émetteur et de la localisation géographique LocNode du nœud courant. Plus précisément, la détermination de la direction prise par le message peut comprendre l’obtention d’un vecteur d’arrivée VecArr colinéaire à la direction reliant la localisation géographique LocNode du nœud courant et la localisation géographique LocSender du nœud émetteur.
A cette fin, le message peut porter la localisation géographique LocSender du nœud émetteur. Ledit vecteur d’arrivée VecArr peut être calculé à chaque fois qu’un message est transmis au nœud courant par un nœud émetteur.
Alternativement, en référence aux figures 4A et 4B, le message peut comprendre une adresse du nœud émetteur et le nœud courant peut comprendre une table listant des nœuds voisins au nœud courant, dite table des voisins ListNdDist. On entend par « nœud voisin » les nœuds pouvant entrer directement en communication avec le nœud courant. Chacun des nœuds de la table des voisins peut être identifié par une adresse NdDist. A chaque nœud voisin est associée une donnée relative à la localisation géographique du nœud voisin respectif. Si l’adresse du nœud émetteur est présente dans la table des voisins, alors le vecteur d’arrivée VecArr est obtenu en fonction de la table des voisins ListNdDist. Plus précisément, le vecteur d’arrivée VecArr est obtenu en fonction de la donnée relative à la localisation géographique du nœud voisin correspondant au nœud émetteur.
La table des voisins permet ainsi de construire une topologie de routage des messages par un nœud courant en fonction des nœuds voisins à ce nœud courant. On entend notamment par topologie de routage, l’ensemble des directions admissibles de retransmission d’un message par le nœud courant en fonction de la position géographique des nœuds voisins au nœud courant.
Les parties A et B de la représentent deux exemples de parties d’un réseau comprenant des nœuds 2 dont un nœud courant et des nœuds voisins, à savoir trois nœuds voisins pour la -A et deux nœuds voisins pour la -B. Sont représentées en zones hachurées 4 ledit ensemble des directions admissibles. En référence à la -A, la direction désirée de transmission du message est compatible avec la topologie de routage du nœud courant, le message peut être transmis au nœud voisin concerné. En référence à la -B, la direction désirée de transmission du message est incompatible avec la topologie de routage du nœud courant, le message n’est pas retransmis.
De plus, la donnée relative à la localisation géographique du nœud voisin respectif peut consister en une localisation géographique du nœud voisin LocDist ou peut correspondre à un vecteur VecToDist colinéaire à la direction reliant la localisation géographique LocNode du nœud courant et la localisation géographique du nœud voisin.
Le stockage dudit vecteur VecToDist associé au nœud voisin est préféré car cette solution permet d’éviter de calculer le vecteur entre le nœud émetteur et le nœud courant à chaque nouvelle transmission d’un message. En effet, si l’adresse du nœud émetteur est présente dans la table des voisins, alors le vecteur d’arrivée VecArr est pris égal au vecteur VecToDist associé au nœud voisin correspondant au nœud émetteur.
La table des voisins peut être construite et mise à jour progressivement, au fur et à mesure de la réception de messages par le nœud courant provenant de nœuds voisins.
La table des voisins peut être directement utilisée, ou n’être utilisée qu’après qu’un certain nombre de nœuds voisins sont répertoriés dans la table des voisins du nœud courant.
Par ailleurs, la représente un exemple d’étapes pour la mise en œuvre de l’étape de décision E4. Le nœud courant détermine à l’étape E41 un angle de réémission AngleVec en fonction du vecteur d’arrivée VecArr et du vecteur de destination VecDest. A l’étape E42, le nœud courant compare ensuite cet angle de réémission AngleVec avec un angle de routage AngleRouting, et en fonction de cette comparaison, il est décidé de transmettre ou de ne pas transmettre le message (en particulier si l’angle de réémission est supérieur à l’angle de routage comme détaillé plus loin).
Le vecteur d’arrivée VecArr peut être obtenu par le nœud courant en fonction de la localisation géographique LocNode du nœud courant et la localisation géographique LocSender du nœud émetteur, lorsque le message porte la localisation géographique LocSender du nœud émetteur.
Lorsque le nœud courant comprend la table des voisins ListNdDist et que le message porte l’adresse NdDist du nœud émetteur, le vecteur d’arrivée VecArr est obtenu en fonction de la donnée relative à la localisation géographique du nœud voisin NdDist correspondant. Pour rappel, cette donnée peut correspondre à la localisation géographique du nœud voisin LocDist ou peut correspondre au vecteur VecToDist colinéaire à la direction reliant la localisation géographique LocNode du nœud courant et la localisation géographique du nœud voisin LocDist.
L’angle de réémission AngleVec peut en particulier consister en un angle entre le vecteur d’arrivée VecArr et le vecteur de destination VecDest, le vecteur d’arrivée VecArr étant obtenu selon l’un des moyens décrits précédemment. La détermination de l’angle de réémission AngleVec peut être réalisée par un produit scalaire qui est une opération simple est peu coûteuse à réaliser.
En particulier, si l’angle de réémission AngleVec est supérieur ou égal à l’angle de routage AngleRouting, le message est retransmis par le nœud courant. A l’inverse, si l’angle de réémission AngleVec est inférieur à l’angle de routage AngleRouting, le message n’est pas retransmis par le nœud courant. Ceci permet d’éviter de transmettre le message vers des nœuds qui ne sont pas localisés dans la direction de la destination par rapport au nœud courant et donc de limiter voire de ne pas du tout saturer le réseau. De plus, cette solution offre l’avantage de permettre des économies énergétiques et d’assure une disponibilité du réseau.
Lorsque le nœud courant comprend la table des voisins ListNdDist, l’angle de réémission AngleVec peut être déterminé pour chaque nœud voisin NdDist listé dans la table des voisins ListNdDist. Lorsque, pour l’un des nœuds voisins NdDist, le nœud courant décide de transmettre le message suite à la comparaison de l’angle de réémission AngleVec avec l’angle de routage AngleRouting, ledit nœud voisin NdDist est ajouté à une liste de nœuds sélectionnés ListNdSel. Plus précisément, lorsque l’angle de réémission AngleVec est supérieur ou égal à l’angle de routage AngleRouting pour le nœud voisin respectif, ce nœud voisin NdDist est ajouté à une liste de nœuds sélectionnés ListNdSel.
Par dispositifs optoélectroniques, on entend des dispositifs adaptés pour effectuer la conversion d’un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure où l’émission d’un rayonnement électromagnétique.
La transmittance d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche par une face de sortie et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche par une face d'entrée opposée à la face de sortie. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %.
Selon la présente invention, l'étape de traitement au laser du support pour former des zones fragilisées dans le support est réalisée avant l'étape de fixation au support de la plaque comprenant plusieurs exemplaires du dispositif électronique. Ceci permet de façon avantageuse d'éviter que le traitement au laser ne détériore des composants électroniques des dispositifs électroniques de la plaque.
La , la , la , la , la , la , et la sont chacune une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, illustrant une étape de fragilisation locale d'un support 5 par un système de traitement au laser 10.
Le système de traitement 10 comprend une source laser 12 et un dispositif optique de focalisation 14 ayant un axe optique D. La source 12 est adaptée à fournir un faisceau laser incident 16 au dispositif optique de focalisation 14 qui fournit un faisceau laser 18 convergent. Le dispositif optique de focalisation 14 peut comprendre un composant optique, deux composants optiques ou plus de deux composants optiques, un composant optique correspondant par exemple à une lentille. De préférence, le faisceau laser incident 16 est sensiblement collimaté selon l'axe optique D du dispositif optique de focalisation 14.
Le support 5 comprend deux faces 20, 22 opposées, le faisceau laser 18 pénétrant dans le support 5 par la face 20. Selon un mode de réalisation, les faces 20 et 22 sont parallèles. Selon un mode de réalisation, les faces 20 et 22 sont planes. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du support 5 est comprise entre 50 µm et 3 mm. Selon un mode de réalisation, le support 5 a une structure monocouche et est composé d'un seul premier matériau, par exemple du verre, du quartz, du silicium, ou du saphir. Le support 5 est alors transparent au laser. Selon un autre mode de réalisation, le support 5 a une structure multicouche dont une couche supérieure est du premier matériau. Au moins la couche supérieure est alors transparente au laser.
Le traitement au laser consiste à fragiliser des zones 24 du support 5, selon un procédé de découpe furtive au laser (en anglais laser stealth dicing), notamment mettant en oeuvre un laser à faible énergie, à titre d'exemple trois zones fragilisées 24 étant représentées en traits pointillés en . Selon un mode de réalisation, les zones fragilisées 24 s'étendent dans le support 5 depuis la face 20 du support 5, sur une épaisseur comprise entre 5 µm et 100 µm. Selon un mode de réalisation, chaque zone fragilisée 24 a une largeur comprise entre 0,5 µm et 5 µm. Chaque zone fragilisée 24 correspond à une fonte locale du support 5 sans retrait de matière.
Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde du faisceau laser 18 fourni par le système de traitement 10 est comprise entre 100 nm et 3000 nm en fonction du matériau à fragiliser. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 18 est émis par le système de traitement 10 sous la forme d'une impulsion, de deux impulsions ou plus de deux impulsions, chaque impulsion ayant une durée comprise entre 0,1 ps et 1000 ps. L'énergie du faisceau laser pour chaque impulsion est comprise entre 1 µJ et 100 µJ.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après la fabrication d'une plaque 30 sur un substrat 32, la plaque 30 comprenant plusieurs exemplaires d'un dispositif électronique 34, deux exemplaires du dispositif électronique 34 étant représentés à titre d'exemple en . La plaque 30 comprend une face supérieure 36 et une face inférieure 38, opposée à la face supérieure 36. La face inférieure 38 est en contact avec le substrat 32. La face supérieure 38 est de préférence plane. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la plaque 30 est comprise entre 1 µm et 100 µm . Le dispositif électronique 34 comprend des composants électroniques 40, 42, 44, trois composants électroniques 40, 42, 44 étant représentés à titre d'exemple pour chaque dispositif électronique 34 en . Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique 34 est un dispositif optoélectronique. Les composants électroniques 40, 42, 44 peuvent alors comprendre des sources de lumière, notamment des diodes électroluminescentes.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après une étape de fixation de la structure représentée sur la à la face 20 du support 5 représenté sur la . La plaque 30 est fixée au support 5 du côté de la face 36. Selon un mode de réalisation, la fixation de la plaque 30 au support 5 est réalisée par collage par l'intermédiaire d'une couche de colle 50. Selon un autre mode de réalisation non illustré, la fixation de la plaque 30 au support 5 est réalisée par collage moléculaire. La face 36 de la plaque 30 est alors directement au contact physique de la face 20 du support 5.
Les zones fragilisées 24 sont situées dans le prolongement des lignes de séparation souhaitées entre les dispositifs électroniques 34. Les lignes de séparation correspondent aux parties de la plaque 30 à retirer pour obtenir la séparation des dispositifs électroniques 34. Les lignes de séparation souhaitées entre les dispositifs électroniques et les zones fragilisées 24 sont superposées, les lignes de séparation souhaitées recouvrant les zones fragilisées 24. Le positionnement correct de la plaque 30 par rapport au support 5 est obtenu en utilisant par exemple des marques sur la plaque 30 et des marques sur le support 5 (les marques étant non illustrées).
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après une étape de retrait du substrat 32, par exemple par gravure sèche, notamment une gravure plasma, ou par une gravure humide, ou par polissage mécano-chimique, appelée également CMP (sigle anglais pour Chemical-Mechanical Polishing). Des étapes supplémentaires peuvent être alors prévues pour poursuivre la fabrication des dispositifs électroniques 34 de la plaque 30, notamment la formation de plots conducteurs.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après une étape de gravure de tranchées 52 dans la plaque 30 au niveau des lignes de séparation souhaitées des dispositifs électroniques 34. La gravure est par exemple par gravure sèche, notamment une gravure plasma. Les tranchées 52 peuvent se prolonger dans la couche de colle 50 jusqu'à atteindre la face 20 du support 5 au niveau des zones fragilisées 24. Selon un mode de réalisation, les tranchées 52 ne s'étendent pas dans le support 5. Les tranchées 52 peuvent être obtenues par gravure chimique. Selon un mode de réalisation, la largeur de chaque tranchée 52 est comprise entre 1 µm et 20 µm.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue après une étape d'amincissement du support 5 depuis la face 22. Selon la nature du matériau ou des matériaux composant le support 5, l'étape d'amincissement peut être réalisée par meulage et/ou par CMP. L'étape de CMP peut comprendre, simultanément ou successivement, des étapes de polissage mécanique et des étapes de gravure chimique. A la fin de l'étape d'amincissement, l'épaisseur du support 5 est comprise entre 50 µm et 200 µm. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la plaque 10 est inférieure, notamment d'au moins un facteur 2, à l'épaisseur du support 5 après amincissement.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, comprenant la fabrication d'une plaque comprenant plusieurs exemplaires du dispositif électronique, la formation de zones fragilisées dans un support au moyen d'un laser, la fixation de la plaque sur le support après la formation des zones fragilisées, la gravure de la plaque dans le prolongement des zones fragilisées, et la rupture du support au niveau de zones fragilisées pour séparer les dispositifs électroniques. Comme l'étape de traitement au laser du support pour former les zones fragilisées dans le support est réalisée avant l'étape de fixation du support à la plaque comprenant les dispositifs électroniques, ceci permet de façon avantageuse d'éviter que le traitement au laser ne détériore des composants électroniques des dispositifs électroniques de la plaque.
Selon un mode de réalisation, la fixation de la plaque au support est réalisée par collage. Il peut s'agir d'un collage par une couche de colle, qui peut, de façon avantageuse, être mis en oeuvre de façon simple et à coût réduit. Il peut s'agir d'un collage moléculaire, qui permet, de façon avantageuse, d'éviter la présence d'une couche de colle entre le support et la plaque.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après la fixation de la plaque sur le support, et avant la rupture du support au niveau de zones fragilisées, une étape d'amincissement du support. Ceci permet de façon avantageuse de faciliter la réalisation de la rupture du support au niveau de zones fragilisées.
Selon un mode de réalisation, la gravure de la plaque dans le prolongement des zones fragilisées est une gravure sèche ou une gravure humide. Ceci permet de façon avantageuse de réaliser des tranchées d'épaisseur réduite dans la plaque.
Selon un mode de réalisation, le support est transparent au laser au moins au niveau de zones fragilisées. Ceci permet, de façon avantageuse, la réalisation de zones fragilisées localisées.
Selon un mode de réalisation, l'étape de la fixation de la plaque sur le support après la formation des zones fragilisées comprend une étape de positionnement de premières marques du support par rapport à des deuxièmes marques de la plaque, de sorte que chaque dispositif électronique à séparer est positionné entre deux zones fragilisées parmi les zones fragilisées.
Selon un mode de réalisation, le support est au moins en partie en verre, en quartz, ou en saphir. Ceci permet, de façon avantageuse, l'utilisation de supports qui sont utilisés de façon habituelle dans les traitements au laser.
Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique comprend des diodes électroluminescentes. La formation des zones fragilisées n'entraîne pas, de façon avantageuse, une détérioration des diodes électroluminescentes voisines des lignes de découpe souhaitées. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente comprend un élément tridimensionnel semiconducteur de taille nanométrique ou micrométrique, correspondant à un microfil, un nanofil ou une structure de taille nanométrique ou micrométrique de forme pyramidale, et une couche active recouvrant l'élément tridimensionnel semiconducteur.
la , la , la , la , la , la , et la sont chacune une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ;
la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un support ;
la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , et la sont chacune une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; et
la , la , et la sont chacune une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'une diode électroluminescente.
- Ro. Robot, - Ra1. Rail suivant la direction Y, -2. Premier châssis, - 20. Roues, - M1. Premiers moyens moteurs (déplacement du chariot suivant la direction Y), - 3. Deuxième châssis, - G1. Premier système de glissière selon la direction X (entre le deuxième et le premier châssis), - M2. Deuxièmes moyens moteurs (déplacement du chariot suivant la direction X), - 4. Troisième châssis, - G2. Deuxième système de glissière selon la direction Z, - M3. Troisièmes moyens moteurs (déplacement du troisième châssis le long du deuxième système de glissière selon la direction Z), - 5. Quatrième châssis, - Av. Axe de rotation vertical (entre le cinquième et quatrième châssis), dit premier axe de rotation, - M4. Quatrième moyens moteurs (pivotement du quatrième châssis par rapport au troisième châssis autour de l’axe de rotation vertical), - Ah. Axe de rotation horizontal entre le système de saisie et le quatrième châssis, - M5. Cinquième moyens moteurs (pivotement du système de saisie autour de l’axe de rotation horizontal permettant le réglage de l’inclinaison du cylindre saisie par le système de saisi, - 6. Système de saisie, - 60. Châssis tubulaire, - 7. Dispositif de verrouillage/déverrouillage, - M6. Sixième moyens moteurs (pivotement du cylindre saisi par le système de saisi autour de son axe, ou encore un axe parallèle.
Outil de saisie - OT. Outil de saisie,
- TB. Tambour,
- VR. Vérin,
- PE. Partie mobile d’entrainement, - E1, E2, E3, E4. Premier emplacement, deuxième emplacement, troisième emplacement et quatrième emplacement, - SP. Systèmes de préhension,
- SP1, SP2, SP3, SP. Premier, deuxième, troisième quatrième système de préhension,
- MR1, MR2. Premier mors et deuxième mors (pince), - Extrémités distales (emplacement), - OL. Ouvertures latérales (emplacement), - SCH. Système de chargement/déchargement,
- B1, B2. Premier bras et deuxième bras (Couple de bras du système de chargement/déchargement),
- PE. Partie mobile d’entraînement (Vérin), - NZ. Pièce de nez, - OR. Organe de roulement,
- Ed Extrémités distales (emplacements), - Ep. Extrémité proximale (outil de saisie).