INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le but énoncé ci-dessus est atteint par un système d’occultation comportant un actionneur pour l'entraînement entre plusieurs d’un élément d’occultation, au moins une batterie pour alimenter l’actionneur, un dispositif d’alimentation électrique configuré pour recharger la batterie, ledit dispositif comportant au moins un panneau photovoltaïque. Le dispositif d’alimentation électrique comporte un premier connecteur connectant électriquement le dispositif d’alimentation électrique à la batterie pour la recharger via le panneau photovoltaïque, et un deuxième connecteur permettant la connexion d’un dispositif d’alimentation électrique externe à la batterie pour recharger la batterie à la place du panneau photovoltaïque ou simultanément.
Ce deuxième connecteur permet alors une connexion rapide et simplifiée d’un dispositif d’alimentation électrique externe à la batterie sans avoir à démonter le système, en particulier l’actionneur. En effet le dispositif d’alimentation électrique muni d’un panneau photovoltaïque est facilement accessible de l’extérieur du système, puisqu’il est disposé de sorte à être exposé au rayonnement lumineux.
Le dispositif d’alimentation électrique comporte un boîtier portant le panneau photovoltaïque et le deuxième connecteur qui est accessible de l’extérieur du boîtier. Le dispositif d’alimentation électrique forme un module facilement connectable au bloc batterie et facilement accessible pour une recharge rapide du bloc batterie. En outre ce dispositif d’alimentation électrique complet est aisément positionnable soit sur le coffre du système d’occultation, soit sur le vitrage.
De préférence, le dispositif d’alimentation électrique externe est un dispositif de recharge rapide type powerbank ou branché sur le secteur. Cette recharge peut alors être aisément réalisée par toute personne.
En outre, en disposant le deuxième connecteur sur le dispositif d’alimentation électrique, le deuxième connecteur est relié à l’unité d’interface d’alimentation électrique du dispositif d’alimentation électrique à énergie solaire et la recharge est commandée par cette interface. La mise en œuvre d’une unité d’interface dédiée à la recharge par un dispositif d’alimentation électrique externe est avantageusement éliminée.
De manière préférée, l’unité d’interface d’alimentation électrique comporte des moyens de protection du panneau photovoltaïque vis-à-vis de la tension/du courant délivrés par le dispositif d’alimentation externe, ces moyens comportant par exemple au moins une diode.
De manière particulièrement avantageuse, le deuxième connecteur est un connecteur de type USB, très avantageusement de type USB-C® et l’actionneur et les dispositifs d’alimentation supportent de manière préférée la technologie PD pour Power Delivery en terminologie anglo-saxonne ou Fourniture d’énergie, et de manière encore plus préférée la technologie PD et la technologie PPS pour Programmable Power Supply en terminologie anglo-saxonne ou Alimentation programmable, associées à la norme USB version 3.0 et suivante.
La zone 113 comprenant le ou les puits quantiques peut être également gravée, à la suite de la troisième couche 116 (selon la composition souhaitée du guide d’ondes 12).
Comme cela est représenté par la , l'étape de gravure partielle d’au moins la troisième couche 116 peut délimiter en outre une deuxième zone de motifs M2 non gravée, la première et la deuxième zone de motifs M1, M2 étant disposées de part et d'autre du guide d'ondes 12.
A l'issue de l'étape 103, la première portion 116a et la troisième portion 116c de la troisième couche 116 sont obtenues.
Une quatrième étape 104 du procédé 100 est une étape de gravure 104 partielle de l’empilement jusqu'à la deuxième couche 112, de manière à délimiter latéralement le transducteur 11 dans la première zone de motifs M1. De préférence, la première portion en retrait 112e de la deuxième couche 112 est formée simultanément.
Lorsque la zone de motifs M2 a été délimitée à la troisième étape 103, la gravure de l’empilement accomplie à la quatrième étape 104 peut délimiter en outre, latéralement, le deuxième transducteur 13 dans la deuxième zone de motifs M2. La deuxième portion en retrait 112f de la deuxième couche 112 est de préférence formée simultanément.
Une cinquième étape 105 du procédé, représentée à la , est une étape de formation de la première électrode 117 et la deuxième électrode 118 du transducteur 11 La troisième électrode 137 et la quatrième électrode 138 du deuxième transducteur 13 peuvent être également formées au cours de cette cinquième étape 105. Les électrodes 117-118, 137-138 sont telles que décrites en référence à la .
La deuxième étape 102 de porosification de la couche 111’ de matériau semi-conducteur fortement dopé peut être réalisée avant ou après les troisième 103 et quatrième 104 étapes du procédé 100. La porosification peut également être accomplie immédiatement après la croissance de la couche 111’ de matériau semi-conducteur fortement dopé, avant la croissance des autres couches de l’empilement.
Un troisième aspect de l'invention concerne un procédé 200 de fabrication du système optoélectronique 1 selon le premier aspect de l'invention.
Une première étape 201 du procédé 200, représentée à la , est une étape de formation d'un empilement, sur le substrat 14, en faisant croitre successivement par épitaxie une couche 111’ en matériau semi-conducteur dopée selon le premier type de dopage et la deuxième couche 112 de matériau semi-conducteur dopée selon le premier type de dopage et faiblement dopée par rapport à la première couche 111.
Une deuxième étape 202 du procédé 200, représentée à la , est une étape de gravure partielle de la deuxième couche 112, de manière à obtenir un ilot (aussi appelé « mesa »). La gravure sert notamment à définir la marque qui servira à former une électrode, mais également à la formation de la mésa qui passe au travers de la couche 111’ pour pouvoir la porosifier ensuite, sinon l’électrolyte permettant la porosification n'a pas accès à la couche 111'.
Une troisième étape 203 du procédé 200, représentée à la est une étape de porosification de la couche 111’ en matériau conducteur dopée selon le premier type de dopage pour obtenir la première couche 111 poreuse. En particulier, la troisième étape 203 du procédé est accomplie de manière identique à la deuxième étape 102 de porosification du procédé 100 selon le deuxième aspect de l'invention.
Une quatrième étape 204 du procédé 200, représentée à la , est une étape de formation par épitaxie sélective, de la zone 113 comprenant le ou les puits quantiques sur une première région R1 de l'ilot. En particulier, la quatrième étape 204 permet de former la première portion 113a de la zone 113.
Selon un mode de réalisation, la quatrième étape 204 est accomplie simultanément sur une deuxième région R2 de l'îlot, distincte de la première région R1. La troisième portion 113c de la zone 113 est ainsi formée.
En particulier, la région R1 et la région R2 ont été délimitées par un masque dur pour permettre la croissance par épitaxie sélective de la première portion 113a et de la troisième portion 113c de la zone 113.
Une cinquième étape 205 du procédé 200, représentée à la , est une étape de formation de la troisième couche 116 de matériau semi-conducteur sur la zone 113 comprenant le ou les puits quantiques dans la première région R1, de manière à former le transducteur 11 dans la première région R1. En particulier, la cinquième étape 205 permet de former la première portion 116a de la troisième couche 116.
Selon un mode de réalisation, la cinquième étape 205 de formation par épitaxie sélective de la troisième couche 116 de matériau semi-conducteur est accomplie simultanément dans la deuxième région R2 de l'ilot de manière à former la troisième portion 116c de la troisième couche 116 et ainsi former le deuxième transducteur 13 dans la deuxième région R2 de l'ilot.
Une structure 3D est dite active lorsqu’elle comprend une région active et qu’elle est connectée électriquement, lui permettant ainsi d’émettre un rayonnement lumineux.
On entend par fil ou par nanofil une structure 3D de forme allongée selon la direction longitudinale. La dimension longitudinale de la structure 3D, selon Z sur les figures, est supérieure, et de préférence très supérieure, aux dimensions transverses de la structure 3D, dans le plan XY sur les figures. La dimension longitudinale est par exemple au moins cinq fois, et de préférence au moins dix fois, supérieure aux dimensions transverses. Un nanofil est un fil présentant des dimensions transverses inférieures à 1 µm (1 µm = 10 -6 m).
Dans la présente demande de brevet, les termes « diode électroluminescente », « LED » ou simplement « diode » sont employés en synonymes. Une « LED » peut également s’entendre d’une « micro-LED ». Une « micro-LED » est une LED dont les dimensions n’excèdent pas 100 µm.
Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient, lorsqu’ils se rapportent à une valeur, « à 20% près » voire « à 10% près » de cette valeur ou, lorsqu'ils se rapportent à une orientation angulaire, « à 20° près » voire « à 10° près » de cette orientation. Ainsi, une direction sensiblement normale à un plan signifie une direction présentant un angle de 90±20° voire de 90±10° par rapport au plan.
Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté sur les figures annexées.
Le procédé selon un mode de réalisation de l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 1A à 1F.
Comme illustré en , une première étape consiste à fournir un empilement 1 comprenant au moins une première couche 100 et une deuxième couche 200. La première couche 100 est à base d’un premier matériau, et de préférence à base de silicium. La première couche 100 peut par exemple être à base de l’un parmi les matériaux suivants : Si, SiC, SiGe.
La première couche 100 présente une première face supérieure 101 et une première face inférieure 102 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. Elle présente, selon la direction Z, une épaisseur initiale e 100 , ini . L’épaisseur initiale est typiquement supérieure à 500 µm, par exemple sensiblement égale à 750 µm, valeur classique dans l’industrie microélectronique. La deuxième couche 200 présente elle aussi une face supérieure 201 et une face inférieure 202 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. La face supérieure 201 de la deuxième couche 200 et la face inférieure 102 de la première couche 100 se trouvent en regard l’une de l’autre. La deuxième couche 200 peut par exemple être à base de l’un parmi les matériaux suivants : Sa, GaN, du verre….
Notons que, si la méthode proposée montre essentiellement son intérêt lorsque les premier et deuxième matériaux ont des coefficients d’expansion thermique différents entre eux, et donc lorsque les premier et deuxième matériaux sont différents entre eux, elle peut néanmoins tout à fait être réalisée avec des première et deuxième couches à base d’un même matériau.
L’empilement peut également comprendre, comme illustré à la , une première couche active 150 et/ou une deuxième couche active 250. Ces deux couches actives 150, 250 sont typiquement des couches structurées.
Avantageusement, la première couche active 150 comprend une pluralité de LED. Chacune de ces LED peut être formée par une pluralité de photo-éléments 155 pouvant être des structures à trois dimensions (3D) tels que des nanofils. On entend par « photo-élément » un élément actif, c’est-à-dire apte à émettre un rayonnement, mais il est entendu que chacun de ces éléments peut être électriquement alimenté ou non et ainsi être « allumé » ou « éteint ». Un photo-élément actif ou nanofil actif comprend une région active et est typiquement connecté électriquement. Cette région active est le lieu de recombinaisons radiatives de paires électron-trou permettant d’obtenir un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale. La région active comprend typiquement une pluralité de puits quantiques, par exemple formés par des couches émissives à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGap, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlIlAs, ou d’une combinaison de plusieurs de ces matériaux.
Avantageusement, la deuxième couche active 250 comprend une électronique de pilotage 255 ou électronique de commande 255 des LED comprises dans la première couche active 150. Cette électronique de pilotage 255 est typiquement une électronique à base de transistors CMOS (transistors Complémentaires Métal-Oxyde-Semiconducteur) 256. Alternativement, il peut s’agir d’une électronique à base de transistors en couches minces TFT. On prévoit avantageusement, au sein de l’électronique de commande 255, la présence de plots de connexion en regard des photo-éléments 155 de la première couche active 150.
Une étape facultative (non illustrée sur les figures) consiste, préalablement à l’étape de fourniture de l’empilement, à réaliser un collage de la première couche 100 sur la deuxième couche 200. Il peut notamment s’agir d’un collage réalisé pleine plaque : la première couche 100 et la deuxième couche 200 peuvent présenter des dimensions de plaquettes microélectroniques (par exemple un diamètre de 200 ou 300 mm) et être collées l’une à l’autre chacune sur l’intégralité de l’une de ses deux faces.
Cette étape de collage est typiquement réalisée à une température de collage T collage inférieure à 100°C. On parlera par exemple de collage à température ambiante pour une température de collage T collage inférieure à 40°C. Si l’empilement 1 comprend la première couche active 150 et la deuxième couche active 250 préalablement décrites, on prévoit plutôt une étape de collage entre ces deux couches actives 150 et 250.
Le collage de ces deux couches – la première couche 100 et la deuxième couche 200 ou bien la première couche active 150 et la deuxième couche active 250 – peut être un collage direct (ou, en anglais, « direct bonding ») ou bien un collage indirect (ou, en anglais, « indirect bonding »). Dans le cas d’un collage direct, il est par exemple possible de mettre en œuvre un procédé de collage direct par fusion ou « fusion bonding ». Dans le cas particulier de deux couches présentant une surface à base de silicium, cette technique se base classiquement sur la présence de molécules d’eau à la surface des deux couches à coller. Lors de la mise en contact des deux couches, des liaisons hydrophiles se forment entre les deux surfaces mises en contact. On parle alors de collage direct hydrophile. Le collage par fusion peut également s’appliquer à un collage dit hybride entre deux couches présentant chacune en surface au moins deux matériaux distincts (par exemple du cuivre et du SiO2). Il est entendu que toute autre technique de collage se déroulant à basse température, c’est-à-dire typiquement à une température inférieure à 100°C, est également envisageable.
Une étape facultative représentée à la consiste à pré-amincir la première couche 100 à partir de sa face supérieure 101. Cette étape permet de réduire l’épaisseur de la première couche 100 d’une épaisseur initiale e 100,in i à une épaisseur intermédiaire e 100,inter . Ce pré-amincissement peut être réalisé par meulage ou polissage mécano-chimique de la première couche 100 à partir de sa face supérieure 101. Cette étape facultative de pré-amincissement est effectuée avant l’étape de formation de tranchées décrite ci-dessous. Elle permet une première relaxation des contraintes dues à la différence de CTE entre la première couche 100 et la deuxième couche 200. Elle apporte une certaine souplesse à la première couche 100. Elle facilite également la formation de tranchées dans la première couche 100 et en améliore la précision.
Selon un mode de réalisation, l’étape de collage comprend la mise en œuvre d’au moins une technique parmi le collage par fusion direct, le collage hydrophile direct et le collage eutectique.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’étape de fourniture de l’empilement et avant l’étape de formation du réseau de tranchées, l’étape suivante : Amincir la première couche à partir de la première face supérieure jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur intermédiaire e 100,inter .
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’étape de recuit, une étape d’amincissement de la première couche jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur finale e 100,finale . Cela permet d’atteindre des niveaux d’épaisseurs de l’empilement ne pouvant pas être atteints lorsque l’on l’amincit pleine plaque.
Selon un mode de réalisation, le premier matériau est à base de l’un au moins parmi le saphir et le GaN.
Selon un mode de réalisation, le réseau de tranchées comprend un ensemble de tranchées parallèles entre elles s’étendant selon une deuxième direction et présentant selon une première direction normale à la deuxième direction une dimension dite largeur de tranchée l 120,X , et dans lequel les tranchées s’étendant selon la deuxième direction sont séparées deux à deux par des îlots présentant chacun selon la première direction une dimension dite première dimension d’îlot l 1 1 0,X , le rapport l 1 1 0,X /l 120,X étant dit premier rapport de forme.
Selon un mode de réalisation, le premier rapport de forme est inférieur à 10, de préférence inférieur à 4.
Selon un mode de réalisation, le premier rapport de forme est supérieur à 0,1, de préférence supérieur à 0,25.
Selon un mode de réalisation, l’empilement comprend en outre une première couche active et une deuxième couche active au contact respectivement de la face inférieure de la première couche et de la face supérieure de la deuxième couche.
Selon un mode de réalisation, la première couche active comprend une pluralité de photo-éléments, chaque photo-élément étant configuré pour pouvoir émettre un faisceau lumineux.
Selon un mode de réalisation, la deuxième couche active comprend une électronique de commande des photo-éléments de la première couche active.
Selon un mode de réalisation, l’électronique de commande comprend des transistors CMOS.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement, l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche active sur la deuxième couche active à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C.
Selon un mode de réalisation, la première couche active comprend des zones métalliques de reprise de contact électrique et l’étape de formation du réseau d’îlots et de tranchées est configurée pour mettre à jour une partie au moins de certains au moins des zones de reprise de contact électrique.
Selon un mode de réalisation, la deuxième couche active comprend des zones métalliques de reprise de contact électrique et l’étape de formation du réseau d’îlots et de tranchées est configurée pour mettre à jour une partie au moins de certains au moins des zones de reprise de contact électrique.
On entend par photo-élément un élément apte à émettre ou à recevoir un faisceau lumineux. Un photo-élément peut par exemple être une structure 3D active, par exemple un fil ou nanofil actif.
Selon l’un des aspects de l’invention, la couronne externe comprend une jupe interne de forme cylindrique d’axe parallèle à l’axe de rotation.
Selon l’un des aspects de l’invention, les jupes interne et externe sont parallèles entre elles et se raccordent l’une à l’autre par une bande circonférentielle plane de sorte que la couronne externe présente une section transversale en U.
Selon l’un des aspects de l’invention, les conducteurs électriques du support multifonction auxquels les enroulements sont connectés sont placés entre les jupes interne et externe de la couronne externe.
Selon l’un des aspects de l’invention, les branches radiales se raccordent à la jupe interne de la couronne externe.
Ainsi les branches radiales s’étendent entre le moyeu central et cette jupe interne de la couronne externe.
Selon l’un des aspects de l’invention, le siège de chaque dent comporte au moins une zone d’appui sur laquelle s’appuie la dent, notamment une partie d'extrémité de la dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, la partie d'extrémité de la dent comprend un bord en appui sur cette zone d’appui du siège.
Selon l’un des aspects de l’invention, la zone d’appui du siège est formée sur le moyeu central ou la couronne externe ou l’une des branches radiales du support multifonction.
Selon l’un des aspects de l’invention, le siège de chaque dent comporte au moins deux zones d’appui sur lesquelles s’appuie la dent, notamment une partie d'extrémité de la dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, ces deux zones d’appui du siège sont écartées l’une de l’autre radialement, et la partie d'extrémité de la dent comporte un bord radialement interne et un bord radialement externe en appui chacun sur l’une des zones d’appui du siège.
Selon l’un des aspects de l’invention, la partie d'extrémité de la dent comporte deux bords latéraux espacés circonférentiellement qui forment avec les bords radialement interne et radialement externe, le pourtour de cette partie d'extrémité de la dent.
Selon l’un des aspects de l’invention, les deux bords latéraux de la partie d'extrémité de la dent sont en regard de l’espace circonférentiel entre deux branches radiales voisines du support multifonction.
Autrement dit, la dent ne s’appuie pas sur les branches radiales du support multifonction, mais seulement sur les deux zones d’appui.
Selon l’un des aspects de l’invention, les deux zones d’appui du siège sont formées respectivement sur le moyeu central et sur la couronne externe.
Selon l’un des aspects de l’invention, chaque zone d’appui est une bande circonférentielle qui s’étend de l’une des branches radiales à l’une des branches radiales voisines.
Selon l’un des aspects de l’invention, la dimension radiale de la zone d’appui est inférieure à 20%, notamment à 10%, de la dimension radiale de la branche radiale.
Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un module électronique de puissance comprenant : un substrat présentant une première face et une deuxième face opposée à la première face ; un premier composant électronique de puissance disposé sur la première face du substrat ; un premier capot disposé sur le premier composant électronique de puissance ; un deuxième composant électronique de puissance disposé sur la deuxième face du substrat ; un deuxième capot disposé sur le deuxième composant électronique de puissance ; et un matériau d’encapsulation électriquement isolant enrobant les premier et deuxième composants électroniques de puissance et s’étendant du substrat jusqu’au premier capot et du substrat jusqu’au deuxième capot.
Ainsi, le matériau d’encapsulation assure l’isolation électrique entre les composants électroniques de puissance, en même temps qu’il participe à la cohésion du module de puissance, en reliant mécaniquement les capots au substrat.
L’intégration du module électronique de puissance, par exemple dans un actionneur électromécanique, est en outre facilité, car celui-ci ne requiert aucune circulation de fluide.
Dans un premier mode de réalisation du module électronique de puissance, le premier capot comprend : un premier substrat formé d’un premier matériau céramique électriquement isolant ; et au moins un premier élément conducteur traversant le premier substrat et relié électriquement au premier composant électronique de puissance ; et le deuxième capot comprend : un deuxième substrat formé d’un deuxième matériau céramique électriquement isolant ; et au moins un deuxième élément conducteur traversant le deuxième substrat et relié électriquement au deuxième composant électronique de puissance.
Selon un développement de ce premier mode de réalisation, les premier et deuxième substrats sont en nitrure d’aluminium.
Dans un deuxième mode de réalisation, les premier et deuxième capots comprennent chacun une couche de métal et une couche électriquement isolante disposée sur une face extérieure de la couche de métal.