Système optoélectronique (1) comportant un transducteur (11) photoélectrique configuré pour émettre ou recevoir des ondes optiques et un guide d’ondes (12) configuré pour guider les ondes émises par le transducteur (11) ou guider les ondes jusqu’au transducteur (11), ledit système optoélectronique (1) comportant un empilement comprenant successivement : une première couche (111) poreuse de matériau semi-conducteur dopé selon un premier type de dopage, une deuxième couche (112) de matériau semi-conducteur dopé selon le premier type de dopage et faiblement dopé par rapport au matériau semi-conducteur de la première couche (111), une zone (113) comprenant un ou plusieurs puits quantiques, une troisième couche (116) de matériau semi-conducteur dopé selon un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage, le transducteur (11) photoélectrique comprenant une première portion (111a) de la première couche (111) poreuse, une première portion (112a) de la deuxième couche (112), au moins une première portion (113a) de la zone comprenant le ou les puits quantiques et au moins une première portion (116a) de la troisième couche (116) ; le guide d’ondes (12) comprenant une deuxième portion (112b) de la deuxième couche (112) adjacente à la première portion (112a) et disposée sur une deuxième portion (111b) de la première couche (111) poreuse. Système optoélectronique (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la première couche (111) poreuse présente un taux de porosité compris entre 1% et 80%. Système optoélectronique (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le guide d'ondes (12) comprend en outre une deuxième portion (113b) de la zone (113) comprenant le ou les puits quantiques. Système optoélectronique (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le guide d'ondes (12) comprend en outre une deuxième portion (116b) de la troisième couche (116). Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le guide d'ondes (12) a une hauteur (h) comprise entre 200 nm et 300 nm et une largeur (L) comprise entre 200 nm et 300 nm. Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la première couche (11), la deuxième couche (112) et la troisième couche (116) sont formées du même matériau semi-conducteur, par exemple un matériau III-V, par exemple le nitrure de gallium. Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le transducteur (11) photoélectrique est de type diode électroluminescente ou photodiode. Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche diélectrique (121) enrobant le transducteur (11) photoélectrique et le guide d'ondes (12). Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend un miroir (128a) disposé sur au moins une surface périphérique du transducteur (11) photoélectrique. Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend un miroir de Bragg (141) agencé sous le transducteur (11) et sous le guide d’ondes (12), ledit miroir (141) comprenant une ou plusieurs couches poreuses (1411) de matériau semi- conducteur empilées en alternance avec une ou plusieurs couches (1412) de matériau semi-conducteur non poreuses. Système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend un deuxième transducteur (13) photoélectrique, le transducteur (11) et le deuxième transducteur (13) étant disposés de part et d'autre du guide d'ondes (12), et en ce que le deuxième transducteur (13) photoélectrique comporte : une troisième portion (111c) de la première couche (111) poreuse, une troisième portion (112c) de la deuxième couche (112), une troisième portion (113c) de la zone (113) comprenant le ou les puits quantiques, une troisième portion (116c) de la troisième couche (116). Système optoélectronique (1) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le deuxième transducteur photoélectrique est de type diode électroluminescente ou photodiode et de type distinct du premier transducteur photoélectrique. Procédé (100) de fabrication du système optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce qu'il comprend : la formation (101) d’un empilement en faisant croitre successivement par épitaxie, sur un substrat (14), une couche (111’) de matériau semi-conducteur dopé selon le premier type de dopage, la deuxième couche (112) de matériau semi-conducteur la zone (113) comprenant le ou les puits quantiques, et la troisième couche (116) de matériau semi-conducteur, la porosification (102) de la couche (111’) de matériau semi-conducteur dopé selon le premier type de dopage, pour obtenir la première couche (111) de semi-conducteur poreuse, la gravure (103) partielle d’au moins la troisième couche (116) de matériau semi-conducteur, pour délimiter le guide d'ondes (12), et obtenir une première zone de motifs (M1) non gravée, la gravure (104) partielle de l’empilement jusqu'à la deuxième couche (112) de matériau semi-conducteur, de manière à délimiter latéralement le transducteur (11) dans la première zone de motifs (M1), Procédé (100) selon la revendication précédente, permettant de fabriquer le système optoélectronique (1) selon l'une des revendications 11 et 12 caractérisé en ce que : l'étape de gravure (103) partielle d’au moins la troisième couche (116) de matériau semi-conducteur est accomplie de manière à délimiter en outre une deuxième zone de motifs (M2) non gravée, la première (M1) et la deuxième (M2) zones de motifs étant disposées de part et d'autre du guide d'onde, l'étape de gravure (104) partielle de l’empilement jusqu'à la deuxième couche (112) de matériau semi-conducteur est accomplie de manière à délimiter en outre latéralement le deuxième transducteur (13) dans la deuxième zone de motifs (M2). Procédé (100) selon l’une des revendications 13 et 14 caractérisé en ce qu'il comprend la formation (105) : d'une première électrode (117) en contact électrique avec la première portion (116a) de la troisième couche (116), d'une deuxième électrode (118) en contact électrique avec la première portion (112a) de la deuxième couche (112) , d'une troisième électrode (137) en contact électrique avec la troisième portion (116c) de la troisième couche (116), et de préférence, d'une quatrième électrode (138) en contact électrique avec la troisième portion (112c) de la deuxième couche (112). Procédé (200) de fabrication d'un système optoélectronique, le système optoélectronique étant selon l'une des revendications 1 à 12, le procédé comprenant : la formation (201) d'un empilement en faisant croitre successivement par épitaxie, sur un substrat (14), une couche (111’) en matériau semi-conducteur dopé selon le premier type de dopage et la deuxième couche (112) de matériau semi-conducteur dopée selon le premier type de dopage et faiblement dopée par rapport à la première couche (111), la gravure (202) partielle de la deuxième couche (112) de matériau semi-conducteur, de manière à obtenir un ilot, la porosification (203) de la couche (111’) en matériau semi-conducteur dopé selon le premier type de dopage, pour obtenir la première couche (111) de matériau semi-conducteur poreuse, la formation (204), par épitaxie sélective, de la zone (113) comprenant le ou les puits quantiques sur une première région de l'ilot, la formation (205) par épitaxie sélective de la troisième couche (116) de matériau semi-conducteur sur la zone (113) comprenant le ou les puits quantiques dans la première région, de manière à former le transducteur (11) dans la première région (R1). Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce que : l'étape de formation (204) par épitaxie sélective de la zone (13) comprenant le ou les puits quantiques est accomplie simultanément sur une deuxième région (R2) de l'ilot, distincte de la première région (R1), l'étape de formation (205) par épitaxie sélective de la troisième couche (116) de matériau semi-conducteur est accomplie simultanément dans la deuxième région (R2) de l'ilot de manière à former le deuxième transducteur (13) dans la deuxième région de l'ilot. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comprend la formation (206) : d'une première électrode (117) en contact électrique avec la première portion (116a) de la troisième couche (116) et appartenant au transducteur (11), d'une deuxième électrode (118) en contact électrique avec la deuxième couche (112), la deuxième électrode (118) étant de préférence commune au transducteur (11) et au deuxième transducteur (13) ; d'une troisième électrode (137) en contact avec la troisième portion (116c) de la troisième couche (116) et appartenant au deuxième transducteur (13). Procédé (300) d’intégration d'un système optoélectronique (1) selon l'une des revendications 11 à 12 avec un circuit de contrôle (51), le procédé comprenant : la formation (301) d’un empilement en faisant croitre successivement par épitaxie, sur un substrat (14), une couche (111’) de matériau semi-conducteur dopé selon le premier type de dopage, la deuxième couche (112), la zone (113) comprenant le ou les puits quantiques, et la troisième couche (116) de matériau semi-conducteur, la porosification (302) de la couche (111’) de matériau semi-conducteur dopée selon le premier type de dopage, pour obtenir la première couche (111) de matériau semi-conducteur poreuse, la gravure (303) partielle d’au moins la troisième couche (116), pour délimiter le guide d'ondes (12), et obtenir une première zone de motifs (M1) et une deuxième zone de motifs (M2), la première zone de motifs (M1) et la deuxième zone de motifs (M2) étant disposées de part et d'autre du guide d'ondes (12), le dépôt (304) d’une couche diélectrique (121) sur le guide d'ondes (12) ; le dépôt (305) d'une première couche métallique (3) sur la couche diélectrique et la troisième couche (116) dans la première zone de motifs (M1) et la deuxième zone de motifs (M2), le dépôt (306) d'une deuxième couche métallique (4) sur une première face d’un substrat receveur (5), le substrat receveur (5) comprenant le circuit de contrôle (51) , le collage (307) de la première couche métallique (3) et de la seconde couche métallique (4), le retrait (308) du substrat (14), la gravure (309) partielle de la première zone de motifs (M1) de manière à délimiter le transducteur (11) et de la deuxième zone de motifs (M2) de manière à délimiter le deuxième transducteur (12), la formation (310) : d'une première électrode (118’) sur la première portion (112a) de la deuxième couche (112), d'une deuxième électrode (138’) sur la troisième portion (112c) de la deuxième couche (112), d'une troisième couche métallique (6) sur une deuxième face opposée du substrat receveur (5), la troisième couche métallique (6) étant reliée à la deuxième couche métallique (4) formant une troisième électrode commune au transducteur (11) et au deuxième transducteur (13). Procédé (400) d’intégration d’un système optoélectronique (1) avec un circuit de contrôle, le procédé comprenant : la fabrication du système optoélectronique (1) selon la revendication 11, en accomplissant les étapes (101-104 ; 201-205) du procédé de fabrication selon la revendication 14 ou 17 ; la formation (401) sur l’empilement d'un niveau de collage hybride comprenant une première électrode (117’’) en contact électrique avec première portion (116a) de la troisième couche (116), la première électrode (117’’) appartenant au transducteur (11), et une deuxième électrode (118’’) en contact électrique avec la troisième portion (116c) de la troisième couche (116), la deuxième électrode (118’’) appartenant au deuxième transducteur (13), les première et deuxième électrodes étant entourées d’une couche diélectrique (121), de manière à obtenir une surface plane avec les première (117’’) et deuxième (118’’) électrodes ; le collage (402) hybride de l'empilement avec un substrat récepteur (5) comprenant le circuit de contrôle (51), le circuit de contrôle comportant une pluralité de plots de connexion (511) entourés d'une couche diélectrique (52), de sorte que la première électrode et la deuxième électrode soient collées aux plots de connexion (511) du circuit de contrôle, et de sorte que la couche diélectrique de l'empilement soit collée à la couche diélectrique (52) du circuit de contrôle (51), le retrait (403) du substrat (14), la gravure (404) partielle: Au sein du transducteur (11) : de la première portion (111a) de la première couche (111) poreuse jusqu'à la deuxième couche (112), pour obtenir une première ouverture, Au sein du deuxième transducteur (13) : de la troisième portion (111c) de la première couche (111) poreuse jusqu'à la deuxième couche (112), pour obtenir une deuxième ouverture ; La formation (405) d'une troisième électrode (138’’) dans les première et deuxième ouvertures, la troisième électrode étant commune au transducteur (11) et au deuxième transducteur (12), et connexion de la troisième électrode (138’’) à l’un des plots de connexion du circuit de contrôle (51).