INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC comporte en outre plusieurs commutateurs M11, M12, M13, M14, M15 et M21, M22, M23, M24, M25 présentant chacun une première borne connectée au circuit diviseur de tension VDIV et une deuxième borne connectée au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 ou au nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2. En particulier, un premier groupe de commutateurs comporte les commutateurs M11, M12, M13, M14, M15 présentant leur deuxième borne connectée au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 et un deuxième groupe de commutateurs comporte les commutateurs M21, M22, M23, M24, M25 présentant leur deuxième borne connectée au nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2.
Plus particulièrement, le premier groupe de commutateurs comporte un commutateur M11 présentant une première borne connectée à la masse GND et des commutateurs M12, M13, M14, M15 présentant une première borne connectée à des nœuds de la partie haute tension HVP du circuit diviseur de tension VDIV. Le deuxième groupe de commutateurs comporte un commutateur M21 présentant une première borne configurée pour recevoir la tension VDD et des commutateurs M22, M23, M24, M25 présentant une première borne connectée à des nœuds de la partie basse tension LVP du circuit diviseur de tension VDIV.
Le premier groupe de commutateurs est commandé en fonction de la tension qui doit être appliquée sur le nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 et le deuxième groupe de commutateurs est commandé en fonction de la tension qui doit être appliquée sur le nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2.
En particulier, le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC comprend un circuit de commande DEC présentant une entrée configurée pour recevoir le mot numérique DIGW reçu en entrée du circuit de conversion numérique-analogique DACC. Le circuit de commande DEC est configuré pour commander les commutateurs du convertisseur-analogique auxiliaire ADAC selon la valeur du mot numérique DIGW qu’il reçoit de façon à appliquer des tensions souhaitées sur le nœud entre les transistors PMOS1 et PMOS2 et sur le nœud entre les transistors NMOS1 et NMOS2.
La illustre un graphique montrant les tensions appliquées sur le nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 et sur le nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2 par le convertisseur numérique analogique auxiliaire ADAC décrit en relation avec la en fonction de la valeur du mot numérique DIGW reçu en entrée du circuit de conversion numérique-analogique DACC.
La courbe SDAC illustre la tension du signal analogique SDAC en sortie du convertisseur numérique-analogique MDAC.
La courbe S_PMOS illustre la tension appliquée sur le nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 par le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC en fonction de la valeur du mot numérique DIGW reçu en entrée du circuit de conversion numérique-analogique DACC.
La courbe S_NMOS illustre la tension appliquée sur le nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2 par le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC en fonction de la valeur du mot numérique DIGW reçu en entrée du circuit de conversion numérique-analogique DACC.
En particulier, les commutateurs M11, M12, M13, M14, M15 du premier groupe de commutateurs sont commandés de sorte que la valeur de la tension au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 soit égale à la masse GND lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure au seuil S1, et à une valeur correspondant à la valeur de la tension du signal analogique SDAC généré en sortie du convertisseur numérique-analogique MDAC lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S1.
Les commutateurs M21, M22, M23, M24, M25 du deuxième groupe de commutateurs sont commandés de sorte que la valeur de la tension au nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2 soit égale à une valeur correspondant à la valeur de la tension du signal analogique SDAC généré en sortie du convertisseur numérique-analogique MDAC lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure au seuil S2, et à la tension VDD lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S2.
La illustre un deuxième mode de réalisation du convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC. Le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC comporte deux paires de commutateurs M11, M12 et M21, M22.
Une première paire de commutateurs comprend un premier commutateur M11 présentant une première borne connectée à la masse GND et une deuxième borne connectée au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2.
Comme illustré sur la , l’unité de mesure 130 comprend une série supérieure 132 de capteurs 131 qui sont ici montés sur la traverse supérieure 111 et qui sont agencés en regard de la face supérieure 211 lorsque l’élément à pôles magnétiques 200 est maintenu au sein de l’unité de mesure 130. La série supérieure 132 comprend par exemple trois capteurs 131 non-alignés, i.e. définissant un triangle dans un plan horizontal ? (les trois capteurs 131 sont cependant représentés en ligne sur la ). La série supérieure 132 permet ainsi, grâce à une mesure issue de chacun de ses capteurs 131, de déterminer la position et l’orientation de la face supérieure 211 dans le référentiel XYZ.
De façon correspondante, l’unité de mesure 130 comprend une série inférieure 133 de capteurs 131 qui sont ici montés sur la traverse inférieure 112 et qui sont agencés en regard de la face inférieure 212 lorsque l’élément à pôles magnétiques 200 est maintenu au sein de l’unité de mesure 130. La série inférieure 133 comprend par exemple trois capteurs 131 non-alignés, i.e. définissant un triangle (les trois capteurs 131 sont cependant représentés en ligne sur la ). La série inférieure 133 permet ainsi, grâce à une mesure issue de chacun de ses capteurs 131, de déterminer la position de la face inférieure 212 dans le référentiel XYZ.
Chaque capteur 131 est ici un capteur inductif. Chaque capteur 131 comprend par exemple une bobine dans laquelle circule un courant dont l’impédance dépend de la distance avec le bloc aimant 210. En variante, les capteurs peuvent être des capteurs magnétiques comprenant par exemple une cellule de Hall ou une magnétorésistance.
L’unité d’usinage 140 est aussi montée sur la structure 110, comme cela apparait sur la . L’élément à pôles magnétiques 200 est maintenu au sein de l’unité d’usinage 140 par le moyen de préhension 120, dont on rappelle qu’il laisse les faces supérieure et inférieure libres de façon à pouvoir être usinées.
Comme représenté en , l’unité d’usinage 140 comprend ici un premier organe d’enlèvement de matière 141, appelé par la suite organe supérieur 141, adapté à enlever une partie de l’enveloppe 220 recouvrant la face supérieure 211. L’unité d’usinage 140 comprend aussi un second organe d’enlèvement de matière 142, appelé par la suite organe inférieur 142, adapté à enlever une partie de l’enveloppe 220 recouvrant la face inférieure 212.
L’organe supérieur 141 est monté sur la traverse supérieure 111 et l’organe inférieur 142 est monté sur la traverse inférieure 112. L’organe supérieur 141 et l’organe inférieur 142 sont chacun mobiles par rapport à la structure 110, notamment selon la hauteur Y, dans le sens où leurs positions par rapport à la structure 110 peuvent être modifiées (ici indépendamment). L’organe supérieur 141 et l’organe inférieure 142 sont par exemple montés en translation sur des rails.
L’organe supérieur 141 et l’organe inférieur 142 comprennent chacun une meule rotative. Une section circulaire de chaque meule rotative est représentée sur la . L’axe de rotation R de chaque meule rotative est ici parallèle à la profondeur Z. Chaque meule rotative présente ici une surface de travail abrasive de forme cylindrique dont les génératrices sont parallèles à la profondeur Z. Chaque meule rotative comprend ici des particules abrasives réparties dans un liant. La taille des particules abrasives est déterminée en fonction du matériau de l’enveloppe 220 pour assurer un enlèvement efficace.
Comme schématisé en , l’organe supérieur 141 et l’organe inférieur 142 sont ainsi adaptés à enlever une partie de l’enveloppe 220 lorsque l’élément à pôles magnétiques 200 est déplacé selon l’axe principal X par le moyen de préhension 120.
Le fait que l’organe supérieur 141 soit mobile selon la hauteur Y signifie donc ici que la distance entre la traverse supérieure 111 et l’axe de rotation R de sa meule rotative est ajustable. De même, le fait que l’organe inférieur 142 soit mobile selon la hauteur Y signifie donc ici que la distance entre la traverse inférieure 112 et l’axe de rotation R de sa meule rotative est ajustable.
De préférence, chaque meule rotative présente une largeur supérieure à la largeur de l’élément à pôles magnétiques 200. La largeur est ici définie comme la dimension selon la profondeur Z. Ainsi, les meules rotatives sont suffisamment larges pour usiner l’ensemble de l’enveloppe 200 recouvrant les faces principales 211, 212 en une seule passe. A titre d’exemple, l’élément à pôles magnétiques 200 présente une largeur comprise entre 20 mm et 100 mm, et les meules rotatives présentent une largeur comprise entre 40 mm et 120 mm.
Le calculateur 150 est ici programmé pour commander le dispositif d’usinage 100 dans le sens où il permet de commander : - le moyen de préhension 120, en particulier le déplacement des tiges 121 ; - l’unité de mesure 130, en particulier les mesures de distance par les capteurs 131 ; - l’unité d’usinage 140, en particulier la position de l’organe supérieur 141 et de l’organe inférieur 142 ainsi que leur activation (i.e. ici leur rotation).
Le calculateur 150 comprend par exemple un processeur et une mémoire. La mémoire est un support de données lisibles par ordinateur qui comprend des instructions qui, quand elles sont exécutées par le processeur, permet de commander le dispositif d’usinage. Le calculateur 150 est donc connecté au moyen de préhension 120, à l’unité de mesure 130 et à l’unité d’usinage 140.
Le calculateur 150 est plus spécifiquement programmé pour implémenter un procédé d’usinage représenté en et comprenant les étapes principales suivantes : - installation de l’élément à pôles magnétiques 200 sur le dispositif d’usinage 100 ; - mesure d’une distance entre un point de référence du dispositif d’usinage 100 et la face supérieure 211 ; - positionnement, sur la base de ladite distance, de l’organe supérieur 141 ; - enlèvement d’une partie de l’enveloppe 220 recouvrant la face supérieure 211 au moyen de l’organe supérieur 141.
Le procédé d’usinage est ici mis en œuvre par le dispositif d’usinage 100.
Comme le montre la , le procédé débute par une étape E1 de fourniture de l’élément à pôles magnétiques 200. L’étape E1 comprend par exemple la découpe des aimants unitaires 240 et l’injection de l’enveloppe 220 sous forme liquide dans un moule contenant les aimants unitaires 240.
A la fin de l’étape E1, l’élément à pôles magnétiques 200 présente les surépaisseurs précitées au niveau de la face supérieure 211 et au niveau de la face inférieure 212. L’élément à pôles magnétiques 200 comprend aussi les reliefs en creux 224 qui sont directement moulés ou usinés sur la nervure 223 après moulage.
Selon certains modes de réalisation, l’autre face de la première lame quart d’onde est fixée à l’une des deux faces latérales du cube séparateur de polarisation.
Selon un autre mode de réalisation, le dispositif optique dispersif comprend un prisme à angle droit ayant une première face formant un angle de 90 degrés avec une deuxième face du prisme à angle droit, la première face prisme à angle droit étant fixée à l’une des deux faces latérales du cube séparateur de polarisation et la deuxième face du prisme à angle droit étant fixée à la première lame quart d’onde.
Selon un aspect particulier et avantageux, le dispositif optique dispersif comprend une deuxième lame quart d’onde et un composant optique réflecteur, la deuxième lame quart d’onde étant à faces planes et parallèles, la deuxième lame quart d’onde étant disposée entre le composant optique réflecteur et l’autre des deux faces latérales du cube séparateur de polarisation, une face de la deuxième lame quart d’onde étant fixée au composant optique réflecteur et une autre face de la deuxième lame quart d’onde étant fixée à l’autre des deux faces latérales au cube séparateur de polarisation.
Avantageusement, le composant optique réflecteur comprend un miroir ou un traitement réfléchissant appliqué directement sur ladite autre face de la deuxième lame quart d’onde.
De façon alternative, le composant optique réflecteur comprend un deuxième réseau de Bragg volumique à pas variable, la deuxième lame quart d’onde étant fixée à une face d’entrée-sortie du deuxième réseau de Bragg, le deuxième réseau de Bragg volumique à pas variable étant photoinscrit dans un matériau suivant des plans parallèles à la face d’entrée-sortie du deuxième réseau de Bragg.
Selon un autre aspect particulier et avantageux, le dispositif optique dispersif comprend un isolateur optique fixé à la face de sortie du cube séparateur de polarisation.
De façon optionnelle, le dispositif optique dispersif comprend des moyens d’inclinaison du dispositif optique dispersif par rotation autour d’un axe parallèle à l’intersection entre la face d’entrée et l’interface du cube séparateur de polarisation.
La présente divulgation concerne aussi un système laser à impulsions de durée comprise entre 10 femtosecondes et 1 nanoseconde et de puissance comprise entre 1 W et 1 kW, le système laser comprenant une source apte à générer des impulsions source polarisées linéairement, un système amplificateur optique, un étireur et/ou un compresseur comprenant au moins un dispositif optique dispersif selon l’un des modes de réalisation décrits.
La présente divulgation concerne aussi un système laser à impulsions de durée ajustable entre 10 femtoseconde et 10 picoseconde comprend un étireur et/ou un compresseur comprenant au moins un dispositif optique dispersif selon l’un des modes de réalisation décrits.
Le dispositif optique dispersif de la présente divulgation permet d’introduire une dérive de fréquence temporelle sur une impulsion laser sans modifier la direction du faisceau laser ou en la déviant de 90 degrés, selon le mode de réalisation.
Le dispositif optique dispersif permet de comprimer ou d’étirer une impulsion laser, de préférence sans modifier la direction du faisceau incident.
De façon particulièrement avantageuse, la dérive de fréquence temporelle introduite est ajustable au moyen d’une rotation du dispositif optique dispersif autour d’un seul axe de rotation, tout en conservant une direction du faisceau laser parallèle à la direction incidente ou, respectivement, à 90 degrés de la direction incidente.
est un schéma de principe d’un dispositif optique dispersif pour étirer temporellement une impulsion,
est un schéma de principe d’un dispositif optique dispersif pour comprimer temporellement une impulsion,
– la illustre, schématiquement et partiellement, en perspective, un connecteur électrique selon un exemple de mise en œuvre de l’invention ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en coupe, le connecteur électrique de la , avec le gel dans la cavité ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en coupe, le connecteur électrique de la , le gel dans la cavité n’étant pas représenté ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en vue de dessus, la cavité du connecteur électrique de la ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en perspective, les barreaux conducteurs avec leurs inserts respectifs appartenant au connecteur électrique de la ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en perspective, un seul des barreaux conducteurs avec son insert appartenant au connecteur électrique de la ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en perspective, l’insert appartenant au connecteur électrique de la ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en perspective, un barreau conducteur avec son insert appartenant à un connecteur électrique selon un autre exemple de réalisation de l’invention ;
– la illustre, schématiquement et partiellement, en perspective, un barreau conducteur avec son insert appartenant à un connecteur électrique selon encore un autre exemple de réalisation de l’invention.
On a représenté, sur les figures 1 à 3, un connecteur électrique 1, configuré pour assurer une connexion électrique entre une phase électrique d’une machine électrique tournante et un onduleur 100 sur lequel le connecteur électrique 1 est monté.
Ce connecteur électrique 1 comporte deux barreaux conducteurs 2, encore appelé « Busbar » en anglais, et un corps principal 3 en matière électriquement isolante, ici en matière plastique.
Les barreaux conducteurs 2 sont réalisés en métal, ici en cuivre.
Chaque barreau conducteur 2 comprend une portion en forme de plaque ajourée 5 qui est configurée pour le raccord d’un élément de connexion externe tel qu’une cosse.
La portion en forme de plaque ajourée 5 s’étend sur une façade 6 du corps principal 3, et est logée dans un renfoncement 7 de cette façade 6.
Le connecteur 1 comporte un écrou 11 en regard de chaque portion en forme de plaque ajourée 5, et configuré pour fixer une cosse venant de la machine électrique tournante à ce barreau conducteur 2.
Dans l’exemple représenté, la plaquette 221 comprend des marques d’alignement 229. Dans l’orientation de la , les marques d’alignement 229 s’étendent verticalement dans l’épaisseur de la plaquette 221 depuis sa face supérieure.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de planarisation de la structure précédemment décrite avec la du côté d’une face de la structure opposée à la plaquette 221 (la face supérieure de la structure, dans l’orientation de la ).
À titre d’exemple, les couches diélectriques 225 et 113 sont planarisées d’abord par meulage, puis par polissage mécano-chimique. À l’issue de ces opérations, la face de la couche diélectrique 225 opposée à la plaquette 211 (la face supérieure de la couche 225, dans l’orientation de la ) affleure la face de l’empilement d’interconnexion 105 opposée à la plaquette 211 (la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 105, dans l’orientation de la ).
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation d’un empilement d’interconnexion 235.
Dans l’exemple illustré en , l’empilement d’interconnexion 235 revêt les faces de l’empilement d’interconnexion 105 et de la couche diélectrique 225 opposées à la plaquette 221 (les faces supérieures de l’empilement d’interconnexion 105 et de la couche diélectrique 225 dans l’orientation de la ). L’empilement d’interconnexion 235 comprend par exemple des couches diélectriques, par exemple en dioxyde de silicium, et conductrices, par exemple en cuivre, alternées à l’intérieur desquelles sont formées des pistes et/ou bornes de connexion électrique symbolisées, en , par des rectangles disjoints.
À titre d’exemple, l’empilement d’interconnexion 235 est réalisé par la mise en œuvre d’étapes d’un procédé de type « damascène ». L’empilement d’interconnexion 235 est, dans l’exemple représenté, aligné par rapport aux marques d’alignement 229 préalablement formées dans la plaquette 221. Cela permet en particulier de faire en sorte que les pistes et/ou bornes de connexion électrique de l’empilement d’interconnexion 235 soient connectées aux pistes et/ou bornes de connexion de l’empilement d’interconnexion 105 sous-jacent.
Dans l’exemple représenté, des marques d’alignement 237 sont formées dans l’empilement d’interconnexion 235, du côté d’une face de l’empilement d’interconnexion 235 opposée à la plaquette 221. En , les marques d’alignement 237 ont été symbolisées par des étoiles, étant entendu que les marques d’alignement 237 peuvent, en pratique, présenter une forme quelconque.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report, sur la structure précédemment décrite en relation avec la , du substrat CMOS 157 précédemment décrit en relation avec la .
À titre d’exemple, le substrat CMOS 157 est mis en contact, par la face de l’empilement d’interconnexion 155 opposée à la plaquette 151 (la face inférieure de l’empilement d’interconnexion 155, dans l’orientation de la ), avec l’empilement d’interconnexion 235. Au cours de cette étape, le substrat CMOS 157 est fixé à la plaquette 221. À titre d’exemple, la fixation sur la plaquette 221 est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact.
Lors de l’étape de collage, le substrat CMOS 157 est par exemple aligné par rapport à la structure précédemment décrite en relation avec la . Pour cela, des marques d’alignement 247 sont par exemple préalablement formées dans l’empilement d’interconnexion 155 de sorte que, à l’issue de l’étape de report, les marques d’alignement 247 soient situées sensiblement en vis-à-vis des marques d’alignement 237. Le substrat CMOS 157 est par exemple, comme illustré en , dépourvu des marques d’alignement 159.
Le procédé exposé ci-dessus en relation avec les figures 2A à 2F présente des avantages analogues au procédé décrit précédemment en relation avec les figures 1A à 1G. Le procédé des figures 2A à 2F permet notamment de s’affranchir d’inconvénients liés au développement d’un procédé de formation d’un empilement de diode électroluminescente sur une plaquette présentant un diamètre strictement supérieur à 150 mm, par exemple de l’ordre de 200 ou 300 mm. Le procédé des figures 2A à 2F permet en outre de mettre en œuvre un collage moléculaire de l’empilement actif de diode électroluminescente 103 sur le substrat CMOS 157.
Des étapes ultérieures du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique peuvent ensuite être mises en œuvre à partir de la structure illustrée en , le substrat CMOS 157 étant par exemple destiné à être conservé à l’issue de ces étapes.
La et la sont des vues en coupe illustrant, de façon schématique et partielle, des structures obtenues à l’issue d’étapes successives d’une variante du procédé de réalisation d’un dispositif optoélectronique des figures 2A à 2F.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation, à partir d’une structure analogue à celle précédemment décrite en relation avec la , d’empilements d’interconnexion 301 situés respectivement à l’aplomb des vignettes 211.
À titre d’exemple, des ouvertures s’étendant depuis la face supérieure de la couche diélectrique 225 jusqu’à l’empilement d’interconnexion 105 de chaque vignette 211 sont d’abord réalisées à l’aplomb de chaque vignette 211. Les empilements d’interconnexion 301 sont par exemple ensuite réalisés à l’intérieur des ouvertures, à l’aplomb des vignettes 211. Les empilements d’interconnexion 301 sont, dans l’exemple représenté, alignés par rapport à des marques d’alignement 303 préalablement formées dans l’empilement d’interconnexion 105. Cela permet en particulier de faire en sorte que les pistes et/ou bornes de connexion électrique de l’empilement d’interconnexion 301 soient connectées aux pistes et/ou bornes de connexion de l’empilement d’interconnexion 105 sous-jacent.
Dans l’exemple représenté, la plaquette 221 est dépourvue des marques d’alignement 229 et des marques d’alignement 305 sont formées dans la couche diélectrique 225. En , les marques d’alignement 305 ont été symbolisées par des étoiles, étant entendu que les marques d’alignement 305 peuvent, en pratique, présenter une forme quelconque.
est un exemple de dispositif optique dispersif selon un premier mode de réalisation,
est un exemple de dispositif optique dispersif selon une variante du premier mode de réalisation,
est un exemple de dispositif optique dispersif selon une autre variante du premier mode de réalisation,
est un exemple de dispositif optique dispersif selon un deuxième mode de réalisation,
est un exemple de dispositif optique dispersif selon un troisième mode de réalisation,
illustre une méthode d’ajustement en dispersion de vitesse de groupe d’un dispositif optique dispersif selon le premier, deuxième ou troisième mode de réalisation,
est un exemple de dispositif optique dispersif selon un quatrième mode de réalisation,