INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
illustre une méthode d’ajustement en dispersion de vitesse de groupe d’un dispositif optique dispersif selon le quatrième mode de réalisation,
est un schéma d’une chaine d’amplification d’impulsion à dérive de fréquence utilisant deux dispositifs optiques dispersifs selon la présente divulgation, dans lequel l’étireur est accordable ;
est un schéma d’une chaine d’amplification d’impulsion à dérive de fréquence utilisant deux dispositifs optiques dispersifs selon la présente divulgation, dans lequel le compresseur est accordable ,
est une trace d’autocorrélation d’impulsion laser amplifiée et comprimée obtenue expérimentalement ;
est un schéma d’une chaine d’amplification d’impulsion à dérive de fréquence utilisant deux dispositifs optiques dispersifs selon la présente divulgation, dans lequel l’étireur et le compresseur sont accordables.
Description détaillée Dans le présent document on entend par dérive de fréquence, la modification d’une vitesse de groupe d’une impulsion laser, qui se traduit par une dispersion spectrale de l’impulsion.
Le dispositif optique dispersif est basé sur l’utilisation d’un ou plusieurs réseaux de Bragg volumiques à pas variable ayant pour particularité que la face physique du réseau est parfaitement parallèle au plan des franges du réseau inscrit dans le matériau. Ce réseau de Bragg volumique à pas variable est fixé par soudage ou collage ou adhésion optique à un ensemble de composants optiques pour former le dispositif optique dispersif. Un tel dispositif optique dispersif permet d’introduire une dispersion spectrale sur le signal incident, de préférence sans modifier sa direction. Le dispositif optique dispersif de la présente divulgation trouve des applications particulièrement intéressantes pour des systèmes laser de production d’impulsions ultra-brèves dans les domaines industriel, scientifiques et/ou médical.
La représente schématiquement un dispositif optique dispersif 50 utilisé pour étirer temporellement une impulsion laser, par exemple avant amplification. La source 1 produit des impulsions laser 2 de durée comprise entre 10 fs et 10 ns et présentant une dérive de fréquence négative, nulle ou positive. Cette impulsion laser 2 se propage suivant une direction de propagation. Une impulsion laser 2 est incidente sur le dispositif optique dispersif 50 qui modifie sa dérive de fréquence sans altérer la direction de propagation de l’impulsion. Dans le cas où l’impulsion laser 2 initiale présente une dérive de fréquence nulle ou très petite devant celle introduite par le dispositif optique dispersif 50, ou si la dérive de fréquence de l’impulsion laser 2 est de même signe que celle introduite par le dispositif optique dispersif 50, en sortie du le dispositif optique dispersif 50, l’impulsion 3 est étirée et sa durée généralement allongée comparée à l’impulsion laser 2 initiale.
Chaque barreau conducteur 2 comporte une portion d’extrémité 9 s’étendant en dehors du corps principal 3, sur un côté 10 du connecteur 1 opposé à la façade 6.
Entre la portion en forme de plaque ajourée 5 et la portion d’extrémité 9, chaque barreau conducteur 2 comporte des tronçons 12, illustrés sur les figures 3 et 5 par exemple, qui sont surmoulés par la matière électriquement isolante du corps principal 3.
Le corps principal 3 comprend une cavité 14 dans laquelle s’étend un tronçon intermédiaire 15 de chaque barreau conducteur 2, ce tronçon intermédiaire 15 étant en dehors de la matière électriquement isolante du corps principal 3.
Sur chaque barreau conducteur 2, est prévu un insert 16 solidaire du tronçon intermédiaire 15.
Chaque insert 16 s’étend dans la cavité 14 du corps principal 3 et entoure un pourtour du tronçon intermédiaire 15 du barreau conducteur 2.
L’insert 16 comporte en outre un évidement 19, visible par exemple sur la , adjacent au pourtour du tronçon intermédiaire 15 du barreau conducteur 2.
Comme représenté sur la , un matériau d’étanchéité 20, ici un gel, est déposé dans la cavité 14 du corps principal 3, ce gel 20 ayant flué dans l’évidement 19 de chaque insert 16 de sorte que ce gel 20 soit au contact du barreau conducteur 2.
Le gel 20 qui a flué au contact du barreau conducteur 2 permet de réaliser une étanchéité forte à l’interface entre le barreau conducteur 2 et gel 20, encore appelé « Potting » en anglais.
Dans l’exemple décrit, les tronçons intermédiaires 15 des deux barreaux conducteurs 2 sont logés dans la même cavité 14 du corps principal 3.
Dans la cavité commune 14, les tronçons intermédiaires 15 sont parallèles entre elles, comme visible sur la .
La cavité 14 comprend un fond hermétique 21 et une paroi latérale 22 se raccordant au fond hermétique 21.
L’insert 16 vient en appui sur ce fond 21.
Comme illustré sur la , la cavité 14 comprend une ouverture 23 bordée par la paroi latérale 22, à l’opposé du fond hermétique 21, par laquelle du matériau d’étanchéité 20 est déposé dans la cavité 14.
La cavité 14 comprend un axe longitudinal X qui passe par le fond hermétique 21 et l’ouverture 23, et le tronçon intermédiaire 15 du barreau conducteur 2 présente une section transversale de forme sensiblement rectangulaire dont le grand côté est parallèle à l’axe longitudinal X.
L’insert 16, encore appelé préforme, entoure le pourtour rectangulaire du barreau conducteur 2.
L’insert 16 est réalisé en matière électriquement isolante, par surmoulage sur le tronçon intermédiaire 15 du barreau conducteur 2. La matière électriquement isolante est ici une matière plastique.
est une image SEM d’un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt dans l’Exemple 1 de la présente demande ; et
est une image SEM d’un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt dans l’Exemple Comparatif 1 de la présente demande.
Pour faciliter la compréhension de la présente demande, une description plus complète de la présente demande est fournie ci-dessous en référence aux dessins. Des modes de réalisation préférés de la présente demande sont représentés dans les dessins. Cependant, la présente demande peut être mise en œuvre sous de nombreuses formes différentes et n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits ici. Au contraire, ces modes de réalisation sont fournis pour une compréhension plus approfondie et plus complète du contenu divulgué dans la présente demande.
Il convient de noter que lorsqu’un composant est décrit comme étant « fixé à » un autre composant, il peut être directement fixé sur le composant particulier, ou il peut y avoir un composant intermédiaire. Lorsqu’un composant est décrit comme étant « relié à » un autre composant, il peut être directement relié au composant particulier, ou il peut y avoir un composant intermédiaire simultanément. Les termes utilisés ici, tels que « vertical », « horizontal », « gauche » et « droite » ainsi que des expressions similaires, ne sont utilisés qu’à des fins d’illustration et ne signifient pas qu’ils ne constituent qu’un seul moyen de mise en œuvre.
Sauf définition contraire, tous les termes techniques et scientifiques utilisés ici ont les mêmes significations que celles communément comprises par l’homme du métier. Ici, les termes utilisés dans la spécification de la présente demande ne sont utilisés que pour décrire les modes de réalisation spécifiques et ne sont pas destinés à limiter la présente demande. Le terme « et/ou » utilisé ici inclut une ou toutes les combinaisons d’un ou de plusieurs éléments associés énumérés.
La présente demande fournit un procédé de préparation d’un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, comprenant les étapes suivantes : l’obtention d’un précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt ; le mélange du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt avec une source de lithium, pour obtenir un matériau mixte ; la réalisation d’une calcination primaire sur le matériau mixte, pour obtenir un premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt ; la réalisation d’une opération corona sur le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, permettant au premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt de porter des charges positives ; la réalisation d’une calcination secondaire sur le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt après l’opération corona, pour obtenir un second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt ; et la réalisation d’une opération de mélange sur le second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et une solution d’oxyde de graphène, pour obtenir le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
Pour le procédé de préparation du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt décrit ci-dessus, étant donné que les particules de premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt peuvent avoir porté des charges positives après l’opération corona, les particules se repousseront pendant le processus de calcination secondaire, évitant le phénomène selon lequel les particules fondues du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt entrent en contact les unes avec les autres et forment à leur tour des particules secondaires pendant la calcination à haute température, ce qui entraîne une diminution de la densité apparente du matériau d’électrode positive monocristallin à haute teneur en nickel. Par conséquent, la densité de compactage du matériau d’électrode positive de la batterie au lithium augmente, et la capacité spécifique de la batterie au lithium augmente également. De plus, l’ozone généré lors du processus de décharge par effet corona oxydera à l’avance une partie du nickel divalent dans le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt en nickel trivalent, réduisant ainsi le degré de désordre de Li + /Ni 2+ dans le processus de frittage, et améliorant ainsi les performances électrochimiques du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt. De plus, puisque l’oxyde de graphène ajouté forme des « canaux ioniques à grande vitesse » sur la surface du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt par attraction électrostatique, la zone de contact entre le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et la solution électrolytique est réduite, et la stabilité de cyclage et la capacité de débit du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt sont ainsi améliorées.
En référence à la , afin de mieux comprendre les solutions techniques et les effets bénéfiques de la présente demande, la présente demande est décrite plus en détail ci-dessous conjointement avec des exemples spécifiques. Dans un mode de réalisation, le procédé de préparation du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt comprend une partie ou l’ensemble des étapes suivantes :
S110 : l’obtention d’un précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
S120 : le mélange du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt avec une source de lithium, pour obtenir un matériau mixte, de manière à garantir que le matériau mixte est uniformément mélangé.
S130 : la réalisation d’une calcination primaire sur le matériau mixte, pour obtenir un premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
On peut comprendre qu’en réalisant la calcination primaire sur le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et la source de lithium qui sont mélangés uniformément, le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et la source de lithium sont calcinés par étapes. En conséquence, d’une part, cela peut être utile pour permettre au premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt de porter avec succès des charges positives par l’opération corona ultérieure ; et d’autre part, la capacité du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt peut être maintenue par lui-même, garantissant ainsi la préparation ultérieure d’un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt présentant de bonnes performances électrochimiques.
S140 : la réalisation d’une opération corona sur le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, permettant au premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt de porter des charges positives.
On peut comprendre que les particules du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt porteront des charges positives après l’opération corona, et pendant ce temps, l’ozone généré lors du processus de décharge par effet corona oxydera à l’avance une partie du nickel divalent dans le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt en nickel trivalent, réduisant ainsi le degré de désordre de Li + /Ni 2+ dans le processus de frittage, et améliorant ainsi les performances électrochimiques du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
S150 : la réalisation d’une calcination secondaire sur le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt après l’opération corona, pour obtenir un second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
Une deuxième variante est illustrée par la . Cette variante se distingue de la première variante en ce que différentes vues (ou projections) du tenseur de mesures radar, par exemple des trames RA, RD et AD au sens défini précédemment sont utilisées pour détecter les objets présents dans la scène. Cette variante exploite donc de manière séparée deux à deux les dimensions de distance, vitesse et azimuth/angle, en utilisant une pluralité de codeurs spatio-temporeles.
Le système de détection d’objets selon cette variante comprend autant de codeurs que de vues du tenseur de mesures, à savoir, dans l’exemple illustré trois codeurs , , ayant chacun la structure du premier mode de réalisation. Plus précisément, chacun de ces codeurs comporte le même nombre d’étages, chaque étage étant constitué d’un réseau CNN en série avec un réseau RNN. A chaque instant , les caractéristiques spatiales, , , issues des différents codeurs sont concaténées dans un espace de variables latentes multi-vue pour former une caractéristique spatiale composite , fournie à un ou plusieurs décodeurs, ici les décodeurs et . De manière similaire, les états internes des réseaux RNN des différents étages des codeurs , , , respectivement notés , , sont concaténés pour former un état interne composite transmis à l’étage correspondant de chacun des décodeurs, comme en Fig. 5. Ainsi, dans l’exemple représenté, chacun des décodeurs , peut bénéficier d’une information temporelle provenant non seulement du codeur correspondant ( , ) mais des trois codeurs ( , , ) associés aux 3 vues du tenseur de mesure. Les états internes composites , sont transmis aux décodeurs par une connexion temporelle saute-couche commune à l’ensemble des vues, désignée sur la figure par TMVSC ( Temporal Multi- View Skip Connection ).
Dans l’exemple représenté, le décodeur permet de prédire la position des objets dans la scène dans un espace RA (distance, azimut) alors que le décodeur permet de prédire les positions de ces objets, autrement de les représenter dans un espace RD (distance, vitesse).
La représente de manière plus détaillée l’opération de concaténation des états internes composites réalisée par la connexion TMVSC de la .
Les états internes , , des réseaux RNN faisant partie des étages de rang des codeurs respectifs , , sont concaténés, le cas échéant après une étape de sous-échantillonnage ou de sur-échantillonnage permettant d’harmoniser leurs dimensions à , d’où un résultat de concaténation de taille qui fait ensuite l’objet d’une convolution 2D ( channelwise pooling ) permettant de réduire le nombre de canaux de à et donc de les utiliser au sein des étages du décodeur comme dans le premier mode de réalisation, en tant qu’état interne composite.
Unité de traitement des données de conduite, dispositif de mesure des données de conduite, et unité de traitement et de mesure des données de conduite Cette invention concerne une unité de traitement des données de conduite, un dispositif de mesure des données de conduite, et une unité de traitement et de mesure des données de conduite. Technique antérieure
Nous connaissons jusqu’à maintenant des unités de traitement de données de conduite produisant des commentaires sur la technique de conduite du conducteur d’un véhicule. Le document de brevet 1 divulgue un système d’évaluation qui note la technique de conduite du conducteur pour chaque critère de notation en comparant le conducteur à la population du conducteur, sur la base des données de mesure telles que la position, la direction, l’accélération, ou les secousses du véhicule. Ledit système d’évaluation affiche sur un écran plusieurs catégories telles que le maniement, le freinage, la prise de virage, le changement de direction, les secousses, ou la vitesse pour chaque critère de notation, ainsi que les notes et les commentaires pour chaque catégorie.
Le document de brevet 2 divulgue un simulateur de conduite pouvant diagnostiquer avec précision le degré d’amélioration de la technique de conduite en comparant les résultats de conduite sur différents parcours. Ledit simulateur rédige pour chaque situation d’entraînement des conseils adaptés à l’élève en combinant différentes phrases préparées à l’avance par une unité de rédaction des conseils.
Le document de brevet 3 divulgue un système d’évaluation des résultats de formation à la conduite qui peut aider à améliorer la sûreté de la technique de conduite de l’élève, en produisant une fiche de résultats de formation sur laquelle est affiché le contenu des manœuvres de conduite de l’élève et qui mentionne les conseils appropriés. Ledit système d’évaluation des résultats de formation à la conduite rédige des conseils correspondant aux résultats d’évaluation de chaque situation de notation en combinant différentes phrases préparées à l’avance par une unité de rédaction des conseils. Documentation technique antérieure Documents de brevet
Document de brevet 1 : Description de la publication n°2019066535 de la demande de brevet américain Document de brevet 2 : Demande de brevet publiée examinée n°5328758 Document de brevet 3 : Demande de brevet publiée examinée n°3761484 Exposé de l’invention Problèmes que l’invention tente de résoudre
Dans le document de brevet 1, chaque commentaire est émis pour de nombreuses catégories pour encourager la progression de la technique de conduite du conducteur. Dans les documents de brevet 2 et 3, chaque commentaire est émis pour de nombreuses situations, afin d’encourager la progression de la technique de conduite du conducteur. En outre, les unités de traitement des données de conduite des documents de brevet 1 à 3 traitent de nombreuses données pour générer des commentaires, en se basant sur différentes informations de manœuvre de conduite et diverses informations de comportement du véhicule pour chaque situation. Autrement dit, les unités de traitement des données des documents de brevet 1 à 3 nécessitent des ressources matérielles à haute capacité telles que des processeurs à forte puissance de traitement et des mémoires de grande capacité. Par conséquent, le degré de liberté dans la conception des ressources matérielles des unités de traitement des données de conduite des documents de brevet 1 à 3 est faible.
On souhaite donc une unité de traitement des données de conduite de véhicule à inclinaison qui peut empêcher la baisse du degré de liberté de conception des ressources matérielles telles que les processeurs et les mémoires, même si elle produit des commentaires pour encourager la progression de la technique de conduite du conducteur d’un véhicule.
La présente invention a pour but de fournir une unité de traitement des données de conduite, un dispositif de mesure des données de conduite, et une unité de traitement et de mesure des données de conduite, qui peuvent empêcher la baisse du degré de liberté de conception des ressources matérielles telles que des processeurs et des mémoires, dans une configuration qui produit des commentaires encourageant la progression de la technique de conduite du conducteur d’un véhicule. Moyens pour résoudre les problèmes
Les présents inventeurs ont étudié en détail une unité de traitement des données de conduite, un dispositif de mesure des données de conduite, et une unité de traitement et de mesure des données de conduite, qui peuvent empêcher la baisse du degré de liberté de conception des ressources matérielles telles que des processeurs et des mémoires, dans une configuration qui produit des commentaires encourageant la progression de la technique de conduite du conducteur d’un véhicule.
Après un examen diligent, les inventeurs sont arrivés à la configuration suivante.
Un tel circuit intégré permet de limiter la tension drain-source du premier transistor de type P et celle du troisième transistor de type N quelle que soit la tension du signal analogique généré par le convertisseur numérique-analogique.
Un tel circuit intégré permet ainsi de limiter les fuites de courant au travers du premier transistor de type P et du troisième transistor de type N quelle que soit la tension du signal analogique généré par le convertisseur numérique-analogique.
Le circuit intégré permet donc d’obtenir une conversion numérique-analogique robuste sur une large plage de températures, comprises entre -40°C et 140°C.
De préférence, le deuxième transistor de type PMOS et le quatrième transistor de type NMOS présentent chacun une source configurée pour pouvoir être connectée à un appareil électrique externe au circuit intégré.
Avantageusement, le circuit intégré comprend en outre un commutateur présentant une première borne configurée pour recevoir le signal analogique généré par le convertisseur numérique-analogique et une deuxième borne connectée électriquement à un élément électronique interne du circuit intégré.
Dans un mode de réalisation avantageux, le circuit intégré comprend en outre une unité de contrôle configurée pour commander le circuit de commutation et le commutateur selon un mode de fonctionnement afin de transmettre le signal analogique généré par le convertisseur numérique-analogique soit vers l’appareil électrique externe soit vers l’élément électronique interne du circuit intégré.
Un tel circuit intégré est configuré pour limiter les fuites de courant au travers du circuit de commutation lorsque ce circuit de commutation est ouvert et le commutateur connecté à un élément électronique interne du circuit intégré est fermé.
Avantageusement, le circuit de contrôle de tensions est configuré pour : - appliquer une tension nulle sur la source du premier transistor de type PMOS lorsque la valeur du mot numérique est inférieure à un premier seuil, et une tension proche d’une tension du signal analogique sur la source du premier transistor lorsque la valeur du mot numérique est supérieure au premier seuil, de manière à limiter la tension drain-source du premier transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique, - appliquer une tension proche d’une tension du signal analogique sur la source du troisième transistor de type NMOS lorsque la valeur du mot numérique est inférieure à un deuxième seuil, et une tension correspondant à une tension maximale délivrée par le convertisseur numérique-analogique sur la source du troisième transistor lorsque la valeur du mot numérique est supérieure au deuxième seuil, le deuxième seuil étant inférieur au premier seuil, de manière à limiter la tension drain-source du troisième transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique.