Dispositif semi-conducteur comprenant: un substrat (100) comprenant au moins une cavité, et une structure tridimensionnelle (200) formée dans le substrat (100) comprenant : un condensateur tridimensionnel (300) comprenant un empilement capacitif (500), l’empilement capacitif (500) étant au moins partiellement logé dans l’au moins une cavité du substrat (100), un pilier (400) s’étendant suivant l’épaisseur (103) du substrat (100) à partir de la face supérieure (101) dudit substrat (100), Caractérisé en ce que la au moins une cavité s’étend suivant l’épaisseur (103) du substrat (100) à partir de la face supérieure (101) dudit substrat (100), et le condensateur tridimensionnel (300) est configuré pour délimiter, sur la face supérieure (101) du substrat (100), un contour (201) d’une portion inscrite (202), le pilier (400) étant agencé dans la portion inscrite (202) du substrat (100). Dispositif semi-conducteur selon la revendication précédente dans lequel le pilier (400) est agencé au centre de la portion inscrite (202). Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la structure tridimensionnelle (200) comprend une première couche conforme comprenant une première partie formant la première couche d’électrode (501) de l’empilement capacitif (500) et une deuxième partie (404) conforme agencée dans le pilier (400), la première partie (501) et la deuxième partie (404) étant déconnectées électriquement l’une de l’autre. Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la distance transversale (104) à l’épaisseur (103) du substrat (100) entre le centre d’une cavité et le centre du pilier (400) est inférieure ou égale à 100µm. Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la distance transversale (104) à l’épaisseur (103) du substrat (100) entre le centre d’une cavité et le centre du pilier (400) est inférieure ou égale à 5µm. Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins une cavité du condensateur (300) est une tranchée (301). Dispositif semi-conducteur selon la revendication précédente dans lequel la tranchée (301) est circulaire et agencée sous forme de cercle autour du pilier (400). Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le condensateur (300) comprend au moins deux tranchées (301) circulaires et concentriques. Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 5 dans lequel au moins une cavité du condensateur est une colonne (302). Dispositif semi-conducteur selon la revendication précédente le condensateur (300) comprend une pluralité de colonnes (302). Dispositif semi-conducteur selon la revendication précédente dans lequel la pluralité de colonnes (302) est disposée de manière circulaire autour du pilier (400). Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le pilier (400) comprend un matériau métallique de sorte à remplir le pilier (400) à niveau de la face supérieure (100) du substrat (100). Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel l’empilement capacitif (500) comprend une première couche d’électrode (501), une couche intermédiaire (502) et une deuxième couche d’électrode (503). Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la structure tridimensionnelle est destinée à être agencée en fin de ligne d’interconnexions (BEOL). Dispositif semi-conducteur selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la structure tridimensionnelle est située au niveau d’interconnexions couplées à un processeur, ou à l'arrière d'un processeur.