INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
constitués de préférence de copolymères de monomères éthyléniques a1) et a3), ou a2) et a3), plus préférablement a1) et a3).
Selon un mode de réalisation particulier de la présente divulgation, les particules de noyau polymère éthylénique de la dispersion peuvent contenir des particules A'1 constituées de copolymères de monomères éthyléniques a'1) (C 1 -C 4 )alkyl (C 1 -C 4 )(alkyl)acrylate et a3) monomères éthyléniques comprenant un ou plusieurs carboxy, anhydride, acide phosphorique, acide sulfonique.
Selon un autre mode de réalisation particulier de la présente divulgation, les particules de noyau polymère éthylénique de la dispersion peuvent contenir des particules A'2 constituées de copolymères de monomères éthyléniques a''1) (C 1 -C 4 ) (alkyl) (C 1 -C 4 ) alkyl acrylate substitués par un ou plusieurs groupes choisis parmi hydroxy, (di) (alkyle en C 1 -C 4 ) amino, de préférence substitués par un groupe hydroxy tel que 2-hydroxyéthylacrylate (HEA) et de a3) monomères éthyléniques comprenant un ou plusieurs carboxy, anhydride, acide phosphorique, acide sulfonique.
Selon un mode de réalisation préféré, les particules de noyau polymère éthylénique de la dispersion peuvent contenir des particules A'1 et des particules A'2 telles que décrites plus haut et plus préférablement les particules de noyau polymère éthylénique de la dispersion sont un mélange de particules A'1 et A'2 , en particulier dans un rapport de masse (masse de particules A'1 /masse de particules A'2 ) compris entre 0,3 et 3, plus particulièrement entre 0,5 et 2,8, encore plus préférablement entre 0,6 et 2.
Selon un autre mode de réalisation particulier de la présente divulgation, les particules de noyau polymère éthylénique de la dispersion peuvent être constituées d’un mélange de b1) au moins un copolymère de monomères éthyléniques de a1) et/ou a2) et a3) tel que décrit plus haut et de b2) au moins un polymère de monomères éthyléniques comprenant un ou plusieurs groupes carboxy, anhydride, acide phosphorique ou acide sulfonique.
En S10, l’action pertinente ACp et le/les type(s) de personnalité modélisés TPm sont stockés éventuellement dans la mémoire STO du dispositif de commande DC. L’étape S10 étant facultative, elle est représentée en pointillé sur la .
En S11, le module de commande CMD du dispositif de commande DC applique alors à l’avatar AV_UT1 (respectivement AV_UT2, AV_UT3) l’action pertinente ACp, le cas échéant conformément au/aux type(s) de personnalité modélisé(s) TPm.
Bien entendu, l’utilisateur des avatars AV_UT1, AV_UT2, AV_UT3 peut à tout moment reprendre la commande de ces derniers à l’aide de l’interface homme machine. Dans ce cas, les étapes S1 à S11 ne sont pas mises en œuvre et une nouvelle phase P0 de configuration d’apprentissage est mise en œuvre de manière à poursuivre l’enrichissement de la base de connaissance BC des nouvelles actions appliquées aux avatars AV_UT1, AV_UT2, AV_UT3 par l’utilisateur à l’aide de l’interface homme machine.
La reprise de la commande des avatars par l’utilisateur peut prendre différentes formes.
Dans un mode de réalisation particulier, une telle reprise peut être exécutée à un instant particulier qui a été paramétré par l’utilisateur de l’avatar, soit directement dans le dispositif de commande DC, soit sur un serveur dédié. L’utilisateur peut par exemple décider qu’à huit heures du matin, son avatar sera commandé par l’utilisateur et indiquer cette heure au dispositif de commande DC ou au serveur dédié.
Dans un autre mode de réalisation particulier, une telle reprise peut être exécutée suite à la réception par le dispositif de commande DC d’une instruction explicite de l’utilisateur de commander son avatar à l’aide d’une interface homme machine. Une telle instruction comprend par exemple l’appui sur une touche particulière du dispositif de commande, l’envoi d’une commande vocale, l’écriture d’un message particulier, etc.
Dans encore un autre mode de réalisation particulier, une telle reprise peut être exécutée suite à une détection de l’actionnement de l’interface homme machine pour commander l’avatar.
On décrit maintenant, en relation avec la , ensemble les figures 1B, 2B et 3B, le déroulement d’un procédé de commande d’un avatar, selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention.
Dans ce mode de réalisation, le procédé de commande d’avatar est mis en œuvre par le système de commande représenté sur la , impliquant le dispositif de commande DC’ illustré en et le module d’intelligence artificielle MIA’ illustré en .
Au cours d’une phase préalable de configuration d’apprentissage P0’, le module MIA’ réalise en P10’, via son module DAP’, un apprentissage de la pluralité d’actions précitée ACT1’ (respectivement ACT2’, ACT3’) mise en œuvre par un ou plusieurs utilisateurs différents en situation réelle, dans un même environnement réel ER’ ou dans plusieurs environnements réels respectifs ER1’, ER2’, ER3’, lorsque l’utilisateur ou les différents utilisateurs utilisent un service de communication de données, tel que par exemple le service de paiement par smartphone précité.
Cet apprentissage est par exemple mis en œuvre pour une durée donnée, par exemple un jour donné, une semaine donnée, un semestre donné, etc.
Au cours de cet apprentissage P10’, le dispositif DAP’ apprend la composition/structure réelle de l’environnement réel ER’ ou des environnements réels ER1’, ER2’, ER3’, ainsi que le type d’actions/activités que l’utilisateur ou les utilisateurs ont réalisés lors de l’utilisation du service, telles que par exemple :
- une action particulière d’un utilisateur donné, telle que par exemple un mouvement particulier (ex : bouger les doigts pour taper un code, se pencher pour saisir l’objet à acheter, froncer les sourcils, etc.),
- une interaction d’un utilisateur donné avec un objet réel, par exemple un smartphone ou un produit ou service que l’utilisateur a l’intention d’acheter,
- une interaction d’un utilisateur donné avec au moins un autre utilisateur, tel que par exemple un vendeur, un client, un vigile de la boutique dans lequel se trouve un objet réel, etc.,
Dans le premier cas, la lame partiellement réfléchissante est formée par le pare-brise du véhicule, et la projection de l’image virtuelle à l’occupant du véhicule est donc réalisée de manière ultime par réflexion optique sur le pare-brise.
Dans le deuxième cas, la lame partiellement réfléchissante est un élément indépendant (appelé parfois combineur) de l’afficheur tête-haute.
La plupart des dispositifs de génération d’images utilisés aujourd’hui comprennent une source de lumière rétroéclairant un écran adapté à générer les images. Cet écran absorbe une partie de la lumière qui le rétroéclaire, ce qui provoque son échauffement thermique.
Afin de refroidir l’écran et éviter son endommagement, il est connu de placer une lame en céramique transparente sur l’écran. La céramique étant un bon conducteur thermique, elle permet d’évacuer la chaleur.
On propose selon l’invention un dispositif de génération d’image tel que défini en introduction, dans lequel le dispositif transparent comprend un élément optique positionné sur la tranche et configuré pour empêcher une lumière incidente ayant été réfléchie par le second dioptre vers l’intérieur du dispositif transparent, d’être réfléchie par la tranche du dispositif transparent.
L’utilisation d’un dispositif transparent accolé à l’écran est particulièrement avantageux notamment pour évacuer la chaleur de l’écran. Toutefois, en l’absence de mesure spécifique (c’est-à-dire par exemple sans l’élément optique précité), cette configuration génère des images parasites visibles par l’utilisateur.
En effet, en l’absence de mesure particulière, une partie des rayons lumineux provenant de l’écran et traversant le dispositif transparent, subissent des réflexions internes au dispositif transparent. Lorsque les rayons ressortent après plusieurs réflexions, ils suivent le chemin optique de l’afficheur tête-haute et créent ainsi des images parasites.
L’élément optique, ici configuré pour empêcher une de ces réflexions parasites, permet de supprimer les images parasites.
Le dispositif transparent peut être réalisé en céramique transparente.
Par ailleurs, la tranche du dispositif transparent peut comprendre quatre côtés, et le dispositif transparent peut alors comprendre quatre éléments optiques, un élément optique étant positionné sur chaque côté.
Dans un mode de réalisation, l’élément optique est configuré pour transmettre la lumière incidente vers l’extérieur du dispositif transparent.
L’invention propose que l’élément optique puisse comprendre au moins une face comprenant un traitement antireflet.
Par ailleurs, ledit élément optique peut être formé par une extrémité en biseau d’une partie de la tranche du dispositif transparent.
Dans un autre mode de réalisation, l’élément optique est configuré pour piéger la lumière incidente.
L’invention propose que l’élément optique puisse être une pièce additionnelle montée sur la tranche.
En particulier, ledit élément optique peut comprendre au moins deux composants agencés de manière à ce que les composants sont juxtaposés selon l’épaisseur du dispositif transparent.
L’homme du métier comprend que le kit pourrait être constitué d’un étui (1’’) très simple constitué seulement d’une paroi de fond (11’’) et d’une ceinture (12’’), sans bossage et/ou sans flasque d’étui (13’’). De même, il serait possible de renoncer au joint hydrogonflant et au joint d’étanchéité de moulage. Il serait également possible de renoncer aux gorges (123, 131) pour les joints et de les placer sur leur paroi respective sans mesure particulière.
L’étui peut être réalisé en plastique thermoformé. Généralement, une épaisseur d’environ 5 mm est suffisante. D’autres matériaux sont cependant envisageables, notamment du carton hydrofuge, du métal comme par exemple des tôles galvanisées ou des profilés métalliques, du bois, du contre-plaqué ou de l’aggloméré, par impression 3D, etc. Pour un tube de 2 450 mm de rayon, on peut prévoir deux types d’étuis, l’un ayant une extension longitudinale angulaire de 36,8° et l’autre une extension longitudinale angulaire de 80,8°, et deux types de voussoirs correspondants. Quand l’extension longitudinale de l’étui est assez importante, il peut être utile que l’étui (1’) soit en deux pièces (1’a, 1’b) assemblées ensemble. C’est par exemple le cas de l’étui (1’) représenté à la .
L’invention est présentée ici à l’exemple d’un tunnel. Le kit pourrait cependant être utilisé pour d’autres applications qui nécessitent la formation d’une barrière dans un espace situé entre deux parois adjacentes au moyen d’une gaine à remplir depuis l’extérieur avec un produit à injecter. Il pourrait s’agir par exemple de deux parois de bâtiments. Le produit à injecter n’est pas nécessairement du coulis de ciment ou du béton. Il peut s’agir d’une matière plastique ou d’une mousse expansive par exemple. Plutôt que la formation d’une barrière, la gaine déployée et injectée peut servir à caler une pièce dans l’autre par exemple (gaine de matage).
L’avantage de l’invention réside dans le fait que la gaine soit préinstallée en usine et que le kit est prêt à l'emploi. Sa pose dans le moule de voussoir n’impacte pas la cadence de fabrication, bien au contraire, car la pose délicate de la gaine dans l’engravure est supprimée. La préinstallation en atelier permet de définir les procédures de mise en œuvre, de façon industrielle et suivie. Les personnels sont formés à ces opérations.
Liste des références 100 Dispositif pour réaliser une barrière / Kit 1, 1’, 1’’ Étui de logement 11 Paroi de fond 111 Perçage 112 Renfoncement 113 Bossages 12 Ceinture 121 Parois longitudinales 122 Parois latérales 123 Gorge pour joint hydrogonflant 123a Joint hydrogonflant 13 Flasque d’étui 131 Gorge pour joint de moulage 131a Joint de moulage 19 Logement 2 Gaine 21 Bords latéraux plissés en soufflet 22 Moyens de retenue / Fils à casser) 23 Moyens de fixation / Bande autoagrippante 231 Première bande autoagrippante / Bande à crochets) 232 Deuxième bande autoagrippante / Bande velours) 24 Face inférieure de la gaine pliée en accordéon 25 Face supérieure de la gaine pliée en accordéon 26 Bande de protection 27 Bords latéraux de la gaine pliée en accordéon 29 Coulis de ciment injecté 3 Dispositif d’injection 31 Douille d’injection 311 Partie supérieure de la douille d’injection 312 Partie inférieure de la douille d’injection 313 Épaulement 32 Bague-écrou 321 Flasque de bague 33 Clapet antiretour 34 Douille de préhension 35 Gaine-pompier 4 Dispositif d’inspection et d’injection secondaire 41 Conduites secondaires 8 Paroi de la galerie 9 Voussoir 91 Extrados du voussoir 92 Intrados du voussoir 93 Évidemment laissé par l’étui 94 Armature
CARTER HAUTE PRESSION POUR UNE TURBOMACHINE D’AERONEF Domaine technique de l'invention L’invention concerne le domaine des carters pour les turbomachines d’aéronef.
dans lesquelles formules (4b) et (4b) , R a , R b et R c , qui peuvent être identiques ou différents, représentent un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle en C 1 -C 4 ; de préférence, R a , R b et R c représentent un atome d’hydrogène. De préférence, le monomère anhydride éthyléniquement insaturé est de formule (4b) et est plus préférentiellement un anhydride maléique.
Plus particulièrement, dans certains modes de réalisation, le monomère éthylénique a 3 ) comprenant un ou plusieurs groupes carboxy, anhydride, acide phosphorique ou acide sulfonique est choisi parmi (1) et (4) , en particulier (5) et plus particulièrement (5) et encore plus préférablement un acide acrylique.
Selon un autre mode de réalisation particulier de la présente divulgation, le polymère constituant les particules de noyau polymère éthylénique et notamment A'1 et/ou b1) est un copolymère d’acrylate éthylénique issu de la polymérisation :
d'au moins un monomère a1) de formule (I) telle que définie précédemment, de préférence un acrylate d’alkyle en C 1 - C 4 tel que l’acrylate de méthyle ou l’acrylate d’éthyle ; et
d'au moins un monomère a3) de formule (5) ainsi que des sels organiques ou minéraux de base de celui-ci tels que les sels de métal alcalin ou de métal alcalino-terreux tels que Na ou K :
Dans certains modes de réalisation, la quantité d’acide acrylique va de 0,01 % à 30 % en poids par rapport au poids total du copolymère A'1 ou b1, de préférence entre 0,1 % et 20 % en poids par rapport au poids du ou des polymère(s) des particules de noyau éthylénique. Plus particulièrement A'1 ou b1), est en particulier un copolymère résultant de la copolymérisation d’acide acrylique avec un ou plusieurs monomères de méth(acrylate) d’alkyle en C 1 -C 4, choisis notamment parmi (méth)’acrylate de méthyle et (méth)acrylate d’éthyle.
Selon un autre mode de réalisation, le polymère constituant les particules de noyau polymère éthylénique et notamment A'1 ) et/ou b1) est un copolymère d'acrylate éthylénique issu de la polymérisation :
d’au moins deux monomères différents a 1) : de formule (I) telle que définie précédemment, de préférence d'un (méth)acrylate d’alkyle en C 1 - C 4 tel que (méth)acrylate de méthyle ou (méth)acrylate d’éthyle, et
d’un monomère a 3 ) de formule (5) telle que définie précédemment, ainsi que des sels de bases organiques ou inorganiques de celui-ci tels que des alcalis ou métaux alcalino-terreux tels que Na ou K, de préférence un acide acrylique. Encore plus préférablement, A'1 et/ou b1) résultent de la polymérisation d’acrylate de méthyle, d’acrylate d’éthyle et d’acide acrylique. Selon un mode de réalisation, le monomère éthylénique a 3 ) comprenant un ou plusieurs groupes carboxy, anhydride, acide phosphorique, acide sulfonique est choisi parmi acide crotonique, anhydride maléique, acide itaconique, acide fumarique, acide maléique, acide styrènesulfonique, acide vinylique, acide vinylphosphorique, acide acrylique, acide méthacrylique, acide acrylamidopropanesulfonique, acide acrylamidoglycolique, et leurs sels, encore plus préférablement le monomère éthylénique comprenant un ou plusieurs groupes carboxy, anhydride, acide phosphorique, acide sulfonique représente l’acide acrylique et ses sels.
Selon un mode de réalisation, la dispersion inclut au moins un type de particule. Dans certains modes de réalisation, la dispersion inclut au moins deux types de particules différentes. Dans certains modes de réalisation, la dispersion comprend 2 à 5 types de particules. Dans certains modes de réalisation, la dispersion comprend deux types de particules différentes.
Dans certains modes de réalisation, la dispersion comprend au moins 2 types de particules de noyau différentes, de préférence deux types de particules de noyau qui sont des copolymères de structure chimique différente issus de monomères a 1 ) et/ou a 2 ) et a 3 ), en particulier qui sont des copolymères de structure chimique différente obtenus par polymérisation ds monomères a 1 ) et a 3 ).
Dans certains modes de réalisation, les différentes particules de noyau comprennent de préférence des copolymères éthyléniques (IA) de :
a''1) (C 1 -C 4 )alkyl (C 1 -C 4 )(alkyl)acrylate dans lequel le(s) groupe(s) alkyle en C 1 -C 4 est (sont) éventuellement substitué(s) par un ou plusieurs groupe(s) choisi(s) parmi hydroxy et (di) (alkyle en C 1 -C 4 ) amino, de préférence hydroxy et/ou
a 2 ) oly[oxy(C 1 -C 4 )alkylène] (C 1 -C 4 )(alkyl)acrylate, et
a 3 ) monomères éthyléniques comprenant un ou plusieurs groupes carboxy, anhydride, acide phosphorique, acide sulfonique, de préférence des groupes carboxy ; de préférence des copolymères éthyléniques de a' 1 ) et a 3 ).
L'un des N pixels Pixi disposé à une extrémité de l'association des N pixels Pixi successifs de la colonne a son transistor RSTi qui est connecté entre le noeud SNi du pixel et un noeud 100 d'application d'un potentiel d'initialisation Vrst. Dans l'exemple, de la , le pixel Pix1 a son transistor RST1 connecté entre le noeud SN1 et le noeud 100. Plus particulièrement, le transistor RST1 a sa deuxième borne de conduction connectée au noeud 100.
Les autres des N pixels Pixi, c'est à dire tous les pixels Pixi à l'exception de celui qui a son transistor RSTi connecté au noeud 100, ont chacun leur transistor RSTi qui est connecté entre le noeud SNi du pixel et le noeud SNi-1 du pixel Pixi-1 voisin, ou, dit autrement, ont chacun la deuxième borne de conduction de leur transistor RSTi qui est connectée au noeud SNi-1 du pixel voisin. Dans l'exemple de la , cela signifie que le pixel Pix2 a son transistor RST2 connecté entre les noeuds SN2 et SN1.
Dit autrement, pour chaque deux pixels Pixi successifs parmi les N pixels celui des deux pixels qui est le plus éloigné de l'extrémité de l'association des N pixels successifs où est disposé le pixel Pixi ayant son transistor RSTi connecté au noeud 100, c'est à dire celui des deux pixels Pixi successifs qui est le plus éloigné du noeud 100, a son transistor RSTi connecté entre les noeuds SNi de ces deux pixels. Dans l'exemple de la , parmi les deux pixels successifs Pix1 et Pix2, le pixel Pix2 est le plus éloigné du noeud 100 et a donc son transistor RST2 connecté entre les noeuds SN1 et SN2 des deux pixels respectifs Pix1 et Pix2.
A titre d'exemple, le potentiel Vrst référencé à la masse GND est positif, et chaque transistor RSTi est à canal N, a sa première borne qui correspond à sa source et a sa deuxième borne qui correspond à son drain.
La représente des chronogrammes illustrant un exemple d'un mode de fonctionnement des pixels Pix1 et Pix2 de la . Dans cet exemple, le capteur comprenant les pixels Pix1 et Pix2 fonctionne en obturation déroulante. En outre, le mode de fonctionnement de la correspond à un mode de fonctionnement appelé, par exemple, mode de fonctionnement à pleine résolution. Ainsi, dans ce mode de fonctionnement, les transistors RST1 et RST2 des N pixels respectifs Pix1 et Pix2 ne sont pas utilisés pour moyenner ou sommer des charges du noeud SN1 avec celle du noeud SN2, mais au contraire pour isoler électriquement les noeuds SN1 et SN2 lorsque des charges sont transférées vers ces noeuds et lorsque ces noeuds sont lus.
Dans l'exemple de la , et, plus généralement dans un fonctionnement en obturation déroulante et en pleine résolution, pour chacun des N pixels Pixi, à chaque phase d'initialisation INITSNi du noeud SNi du pixel Pixi, le circuit de commande des pixels est configuré pour que tous les transistors RSTi qui couplent le noeud SNi du pixel Pixi au noeud 100 soient maintenus à l'état passant simultanément.
Dans l'exemple de la , et, plus généralement dans un fonctionnement en obturation déroulante, selon un mode de réalisation le mode de fonctionnement à pleine résolution comprend des phases TRi de transfert de charges photogénérées vers les noeuds SNi des pixels N pixels Pixi. Le circuit de commande des pixels est alors configuré, pour chacun des N pixels Pixi, pour maintenir à l'état bloqué chaque transistor RSTi connecté au noeud SNi du pixel Pixi pendant chaque phase TRi de transfert de charges photogénérées dans la photodiode PDi du pixel Pixi vers le noeud SNi de ce pixel Pixi.
Dans l'exemple de la , et, plus généralement dans un fonctionnement en obturation déroulante et à pleine résolution, selon un mode de réalisation, chaque phase TRi de transfert de charges photogénérées dans la photodiode PDi du pixel Pixi vers le noeud SNi de ce pixel Pixi comprend un unique transfert de charge. Selon un mode de réalisation, lorsque, dans chacun des N pixels Pixi, le noeud SNi et la photodiode PDi sont couplés par une grille TGi comme décrit en relation avec la et que chaque phase TRi comprend un unique transfert de charges, le circuit de commande des pixels est configuré, pour chacun des N pixels Pixi, pour commander une seule mise à l'état passant de la grille TGi du pixel par phase TRi mise en œuvre pour ce pixel Pixi, comme cela est illustré par l'exemple de la .
Dans l'exemple de la , et, plus généralement dans un fonctionnement en obturation déroulante et à pleine résolution, selon un mode de réalisation le mode de fonctionnement à pleine résolution comprend des phases de lecture RDi des noeuds SNi des N pixels. Le circuit de commande des pixels est alors configuré, pour chacun des N pixels Pixi, pour maintenir à l'état bloqué chaque transistor RSTi connecté au noeud SNi du pixel Pixi pendant chaque phase RDi de lecture du noeud SNi de ce pixel Pixi. Lorsque le capteur fonctionne en obturation déroulante et à pleine résolution, et que, dans chacun des pixels Pixi, le noeud SNi et la photodiode PDi sont couplés par une grille TGi comme décrit en relation avec la , la grille TGi est, de préférence, maintenue bloquée pendant chaque phase de lecture RDi du pixel Pixi.
A un instant t0, une phase d'initialisation INITPD2 de la photodiode PD2 du pixel Pix2 est mise en œuvre pour vider la photodiode PD2 des charges photogénérées qui s'y trouvent.
Pour cela, dans cet exemple où chaque pixel Pixi ( ) ne comprend pas de transistor d'initialisation de photodiode couplant sa photodiode PDi à un potentiel d'initialisation de photodiode, la phase INITPD2 comprend la une mise à l'état passant de la grille TG2 au moyen d'une impulsion du signal VTG2, pendant une phase d'initialisation INITSN2 du noeud SN2.
Pendant cette phase INITSN2, les transistors RST2 et RST1 qui couplent le noeud SN2 au noeud 100 sont simultanément maintenus à l'état passant, dans cet exemple par l'état haut des signaux VRST1 et VRST2. La mise à l'état passant de la grille TG2 pendant cette phase INITSN2 permet d'initialiser la photodiode PD2.
La fin de la phase INITPD2, c'est à dire la fin de l'impulsion correspondante du signal VTG2 dans cet exemple, marque le début d'une phase d'intégration INT2 par le pixel Pix2.
A un instant t1 suivant, une phase d'initialisation INITPD1 de la photodiode PD1 du pixel Pix1 est mise en œuvre.
Pour cela, dans cet exemple où chaque pixel Pixi ( ) ne comprend pas de transistor d'initialisation de photodiode couplant sa photodiode PDi à un potentiel d'initialisation de photodiode, la phase INITPD1 comprend la une mise à l'état passant de la grille TG1 au moyen d'une impulsion du signal VTG1, pendant une phase d'initialisation INITSN1 du noeud SN1.