Procédé de fabrication d’un transistor à effet de champ (10) comprenant une couche active (23) en silicium-germanium et une couche d’oxyde de grille (15) disposée sur la couche active (23), le procédé comprenant les étapes suivantes : fournir (S11, S21) un empilement (20, 20’) comprenant un substrat (11) et une première couche (21, 21’) en silicium-germanium disposée sur le substrat (11) ; former (S12, S22) la couche d’oxyde de grille (15) sur l’empilement (20, 20’) ; soumettre (S13, S23) l’empilement (20, 20’) à un recuit laser de manière à fondre une région de l’empilement, ladite région comprenant une partie au moins de la première couche (21, 21’), et recristalliser (S13, S23) la région fondue de l’empilement (20, 20’) pour obtenir la couche active (23) en silicium-germanium en contact avec la couche d’oxyde de grille (15), la couche active (23) présentant un gradient de concentration en germanium. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’empilement comprend en outre une deuxième couche (22) en silicium disposée sur la première couche (21) et dans lequel ladite région comprend en outre une partie au moins de la deuxième couche (22). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la couche d’oxyde de grille (15) est formée par oxydation thermique ou chimique d’une portion au moins de la deuxième couche (22) ou par exposition de la deuxième couche (22) à un plasma contenant de l’oxygène. Procédé selon l’une des revendications 2 et 3, dans lequel la deuxième couche (22) en silicium présente une épaisseur comprise entre 0,2 nm et 15 nm, de préférence entre 0,8 nm et 6 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel la couche d’oxyde de grille (15) est constituée de dioxyde de silicium et présente une épaisseur comprise entre 0,5 nm et 6 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la première couche (21, 21’) en silicium-germanium présente une concentration en germanium comprise entre 1 % et 80 %, préférentiellement entre 10 % et 60 %. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche (21’) en silicium-germanium présente une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 %. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la couche d’oxyde de grille (15) est formée par oxydation thermique ou chimique d’une portion au moins de la première couche (21’) ou par exposition de la première couche (21’) à un plasma contenant de l’oxygène. Procédé selon l’une des revendications 7 et 8, dans lequel la couche d’oxyde de grille (15) comprend du dioxyde de silicium et de l’oxyde de germanium (GeO x ), le pourcentage d’oxyde de germanium (GeO x ) étant inférieur ou égal à 10 %, et dans lequel la couche d’oxyde de grille (15) présente une épaisseur comprise entre 0,5 nm et 6 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre une étape de dépôt d’une couche de matériau diélectrique à constante diélectrique élevée sur la couche d’oxyde de grille (15). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche de matériau diélectrique à constante diélectrique élevée est formée avant l’étape (S13, S23) de recuit laser. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le recuit laser est accompli en exposant l’empilement à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm et une densité d’énergie comprise entre 0,1 J/cm 2 et 10 J/cm 2 pendant une durée comprise entre 10 ns et 1000 ns. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le recuit laser est accompli sous une atmosphère dépourvue d’oxygène. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le recuit laser est accompli sous une atmosphère contenant de l’oxygène pour former simultanément la couche d’oxyde de grille (15). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant en outre une étape de formation d’une électrode de grille sur la couche d’oxyde de grille et une étape de formation de régions de source et de drain.