Transistor HEMT comportant : - une première couche semiconductrice (13) ; - une grille (15) disposée sur une première face de la première couche semiconductrice (13) ; - une première couche de passivation (17) en un premier matériau sur les flancs de la grille, la première couche de passivation se prolongeant en outre sur une première partie de ladite face de la première couche semiconductrice ; et - une deuxième couche de passivation (19) en un deuxième matériau différent du premier matériau sur une deuxième partie de ladite face de la première couche semiconductrice à côté de la première couche de passivation. Transistor selon la revendication 1, dans lequel la première couche semiconductrice (13) est à base de nitrure de gallium. Transistor selon la revendication 2, dans lequel la première couche semiconductrice (13) est en nitrure d'aluminium-gallium. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche de passivation (17) est en alumine. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième couche de passivation (19) est en nitrure d'aluminium. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comportant une deuxième couche semiconductrice (23) en contact avec une deuxième face de la première couche semiconductrice (13), opposée à la première face. Transistor selon la revendication 6, dans lequel la deuxième couche semiconductrice (23) est en nitrure de gallium. Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comportant une métallisation de contact de source (29) et une métallisation de contact de drain (31), disposées respectivement de part et d’autre de la grille (15). Transistor selon la revendication 8, dans lequel la couche de passivation (17) s’étend latéralement depuis la grille (15) en direction de la métallisation de contact de drain (31), sur une partie seulement de la surface entre la grille (15) et la métallisation de contact de drain (31). Transistor selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la couche de passivation (17) s’étend latéralement depuis la grille (15) jusqu’à la métallisation de contact de source (29). Transistor selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel la deuxième couche de passivation (19) s’étend latéralement depuis un bord de la première couche de passivation (17) situé entre la grille (15) et la métallisation de contact de drain (31), jusqu’à la métallisation de contact de drain (31). Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la première couche de passivation (17) est recouverte d'une couche d'isolation (33). Transistor selon la revendication 12, dans lequel la deuxième couche de passivation (19) recouvre le flanc de la couche isolante (33) situé entre la grille (15) et la métallisation de contact de drain (31) et se prolonge sur une partie de la couche d'isolation (33) en direction de la grille (15). Procédé de formation d'un transistor HEMT comportant les étapes successives suivantes : a) former une première couche semiconductrice (13) ; b) former une grille (15) sur une première face de la première couche semiconductrice (13) ; c) former une première couche de passivation (17) en un premier matériau sur les flancs de la grille, la première couche de passivation se prolongeant en outre sur une première partie de ladite face de la première couche semiconductrice ; et d) former une deuxième couche de passivation (19) en un deuxième matériau différent du premier matériau sur une deuxième partie de ladite face de la première couche semiconductrice à côté de la première couche de passivation.