INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un autre objet de l’invention concerne un procédé de traitement d’un substrat présentant une surface libre d’un matériau semiconducteur, notamment d’un matériau semiconducteur monocristallin, comprenant un procédé de stabilisation de ladite surface tel que décrit ci-dessus et un traitement thermique dudit substrat après la stabilisation de ladite surface.
Avantageusement, au moins une partie du traitement thermique est réalisée à une température supérieure à 1700°C.
Dans certains modes de réalisation, le dépôt de la couche de carbone et le traitement thermique sont réalisés dans le même four de recuit de substrats. De préférence, le traitement thermique comprend successivement une première phase mise en œuvre à une température comprise entre 1000 et 1200°C, comprenant la formation de la couche de carbone, et au moins une seconde phase mise en œuvre à une température supérieure à 1200°C, de préférence supérieure à 1700°C, dans laquelle la couche de carbone formée lors de la première phase limite la réorganisation de la surface en un matériau semiconducteur sous forme de terrasses. De manière avantageuse, le procédé comprend en outre, après le traitement thermique, une étape de retrait de la couche de carbone par gravure ionique réactive ou par gravure au plasma. Avantageusement, le procédé comprend une étape d’injection d’oxygène dans le four pour créer un plasma réactif lors de l’étape de retrait de la couche de carbone.
Cette décomposition permet d’exprimer la matrice M de la manière suivante :
M = P*T*R*H*S
où P est une matrice de projection, T est une matrice de translation, R est une matrice de rotation, H est une matrice de cisaillement et S est une matrice de mise à l’échelle.
Pour un point P1(x, y ,1) et P2(x’,y’,1) de coordonnées homogène, la matrice M s’écrit :
Les équations de (x’, y’) sont données par :
Si les coefficients : m 0 et m 4 valent 1 ; m 1 , m 2 , m 3 , m 6 et m 7 valent 0 ;
alors la matrice M est un matrice identité : aucun mouvement n’a donc été détecté.
Dans le cas contraire, où M n’est pas une matrice identité, un déplacement a été détecté.
Pour réaliser l’analyse de la matrice d’homographie planaire M, l’unité de traitement 22 compare donc ladite matrice d’homographie planaire M avec une matrice d’identité.
L’unité de traitement 22 ne détecte pas de changement de position ni d’orientation du boîtier décodeur 11 lorsqu’une valeur absolue d’une différence entre chaque élément de la matrice d’homographie planaire M et un élément correspondant de la matrice d’identité est inférieure à un premier seuil de détection prédéterminé. L’unité de traitement 22 détecte un changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur 11 dans le cas contraire.
En effet, des déplacements trop petits du boîtier décodeur 11, et/ou des objets dans l’environnement, n’auront pas d’impact réel sur la qualité de la restitution sonore. L’unité de traitement 22 ajoute donc une marge d’erreur sur la détection d’une matrice d’identité.
Ici, les premiers seuils de détection prédéterminés sont égaux pour tous les éléments de la matrice M et sont par exemple égaux à 1%.
L’unité de traitement 22 ne détecte donc pas de changement de position ni d’orientation du boîtier décodeur 11 lorsque :
En référence à la , la nouvelle position d’écoute optimale devient U’.
Appliquer un déplacement dans le référentiel de la scène, revient à déplacer la position audio optimale dans le référentiel de la caméra 18.
Dans le deuxième repère R 2 (X2, Y2, Z2), associé au boîtier décodeur 11 après son déplacement, le point U (u x , u y , u z ), c’est-à-dire la position d’écoute optimale initiale, a pour coordonnées celles du point U’ (u’ x , u’ y , u’ z ) transformées par la matrice M.
Selon d’autres modes de réalisation, le matériau semiconducteur monocristallin est choisi parmi : Le nitrure d’aluminium (AlN), le nitrure de gallium (GaN), des alliages de ces nitrures Al x Ga (1-x) N, x étant un nombre compris entre 0 et 1, le phosphure d’indium (InP) ou l’arséniure de gallium (GaAs).
Typiquement, la surface 200 de la portion 20 en un matériau semiconducteur monocristallin ou, le cas échéant, du substrat en un matériau semiconducteur monocristallin massif, est légèrement désaxée. Par exemple, si le matériau semiconducteur est du SiC, la surface peut être désaxée par rapport à la structure cristalline du SiC pour faciliter le contrôle du polytype 4H pendant la croissance.
Dans le cas d’un matériau semiconducteur polycristallin, certains des grains peuvent présenter un tel désaxage par rapport à la structure cristalline du SiC. Par exemple suite à la découpe ou au polissage du substrat 10 de manière à faire apparaître une face spécifique du substrat 10, des grains dont l’orientation est orientée aléatoirement par rapport à cette face présenteront un désaxage.
Formation de la couche protectrice On forme par la suite, en référence à la , une couche de carbone 30 sur la surface 200 de la portion 20 en un matériau semiconducteur monocristallin.
De préférence, la couche de carbone 30 est en carbone vitreux. De manière alternative, la couche de carbone 30 peut être sous une autre forme de carbone, par exemple en carbone amorphe, graphène ou diamant.
La couche de carbone est continue et couvre l’intégralité de la surface à protéger, c’est-à-dire la face avant du matériau monocristallin.
Ladite couche de carbone protège la surface du substrat contre la formation de terrasses lors d’un échauffement à une température élevée. Elle stabilise ainsi la structure cristalline de la surface. La couche de carbone est retirée après finalisation des traitements à haute température pour obtenir une surface du matériau semiconducteur monocristallin propre et de bonne qualité cristalline. L’épaisseur de la couche de carbone est de préférence inférieure à 200 nm pour permettre un retrait facile à la fin d’un procédé à haute température.
Dans le cas d’une couche de carbone vitreux, le caractère vitreux est obtenu à partir d’une épaisseur de carbone de quelques nanomètres ; pour une épaisseur inférieure, le carbone se présente sous la forme d’une ou deux monocouches de graphène. Lorsque l’épaisseur est suffisante pour obtenir du carbone vitreux, la couche protectrice présente une structure tridimensionnelle non organisée à longue échelle de distance, qui est stable dans toute la gamme de températures auxquelles la surface est exposée pendant le procédé, et qui permet une couverture totale de la surface du substrat. L’uniformité d’une couche de carbone vitreux est plus facile à contrôler sur l’étendue de la surface du substrat.
Avantageusement, l’épaisseur de la couche protectrice de carbone est comprise entre 50 nm et 150 nm.
Avantageusement, la formation de la couche de carbone est réalisée dans une chambre de dépôt qui sera décrite ultérieurement. La couche de carbone 30 est formée en phase gazeuse, c’est-à-dire que le carbone est présent dans la chambre de dépôt sous une forme gazeuse. Le substrat est chauffé dans la chambre de dépôt à une température de dépôt de la couche protectrice, et la phase gazeuse de carbone se transforme en carbone solide par une réaction avec la surface chaude du substrat.
La température et la pression de gaz dans la chambre de dépôt sont choisies pour ne pas causer de dégradation de la surface à protéger lors du dépôt de la couche de carbone.
Avantageusement, la source de carbone est un gaz carboné, par exemple du propane (C 3 H 8 ) ou de l’acétylène (C 2 H 4 ) gazeux mélangé avec un gaz porteur, par exemple de l’argon ou un mélange d’argon et d’hydrogène. Le débit d’une telle source de carbone peut être facilement contrôlé et ajusté aux conditions de dépôt de la couche de carbone. Le gaz porteur est un gaz neutre qui n'intervient pas dans la réaction chimique de formation de couche. L’utilisation d’un tel gaz permet d’augmenter la pression dans la chambre de dépôt à une valeur supérieure ou égale à 80 kPa (800 mbar), ce qui permet de limiter les recombinaisons de surface pendant le dépôt de la couche de carbone et ainsi éviter la formation de terrasses pendant le dépôt de la couche de carbone.
L’utilisation d’une pression élevée et d’un flux important de gaz porteur permet en outre une meilleure homogénéisation du carbone et une meilleure uniformisation de la température à l’intérieur de la chambre de dépôt, et de réaliser le dépôt de manière homogène sur une pluralité de substrats superposés dans une même chambre de dépôt. Pendant le dépôt de la couche de carbone, l’atmosphère dans la chambre de dépôt est exempte d’oxygène. Par ailleurs, contrairement à des procédés de dépôt connus, ce procédé n’utilise aucune étape sous vide primaire ou secondaire. Ce procédé est donc plus rapide et plus simple que les procédés qui requièrent de tels vides, puisqu’il n’est pas nécessaire de prévoir un temps de pompage de l’enceinte, que les échanges thermiques y sont facilités et qu’il n’est pas nécessaire de prévoir des équipements complexes.
Le mélange du gaz carboné avec le gaz porteur est réalisé à un pourcentage du gaz carboné de 0,01% à 10%, idéalement 0,1% à 1%. Par exemple, on peut utiliser du propane dilué dans un gaz porteur d’argon à 1%. Une telle concentration est relativement faible et permet d’éviter une saturation de l’atmosphère de la chambre de dépôt, ce qui permet un meilleur contrôle de l’épaisseur de la couche de carbone déposée. Ainsi, même s’il y a une source supplémentaire du gaz porteur afin d’obtenir la pression souhaitée, on utilise uniquement de faibles concentrations de gaz carbonés tels que le propane ou acétylène, ce qui implique un moindre risque de contamination et est moins nocif pour la chambre de dépôt et le substrat.
De manière alternative, on peut réaliser le dépôt de la couche de carbone à partir d’une autre source de carbone, par exemple une source solide placée dans la même enceinte que le substrat. Une telle source solide est par exemple une quantité de résine déposée sur un substrat en un matériau semiconducteur puis réticulée dans une étuve ou sur une plaque chauffante. Dans ce cas, l’évaporation, dans la chambre de dépôt, de gaz carboné(s) présent(s) dans la résine suffit à générer, dans l’atmosphère, une concentration suffisante pour faire apparaître une couche de carbone sur les surfaces en un matériau semiconducteur.
La couche de carbone peut être caractérisée par des techniques d’analyse de surfaces, par exemple par microscopie à force atomique (AFM pour « Atomic Force Microscope »), Réflectométrie des rayons X (XRR pour « X-ray reflectivity »), spectroscopie Raman ou Microscopie électronique à basse énergie (LEEM pour « Low Energy Electron Microscopy »).
La représente la formation d’une troisième couche primaire dans les cavités secondaires et sur la première sous-couche primaire.
La illustre l’amincissement de la troisième couche primaire de sorte à former des plots s’étendant dans les cavités secondaires et de niveau avec la première sous-couche primaire.
La illustre la formation d’une deuxième sous-couche primaire sur les plots et sur la première sous-couche primaire. La première sous-couche primaire et la deuxième sous-couche primaire forment une deuxième couche primaire.
La représente la formation d’un deuxième masque de gravure sur la deuxième couche primaire.
La illustre la formation au travers du deuxième masque de gravure de tranchées s’étendant dans la deuxième couche primaire et la première couche primaire. Sont ainsi formées une pluralité de deuxièmes couches à partie de la deuxième couche primaire et une pluralité de premières couches à partir de la première couche primaire.
La illustre le retrait du deuxième masque de gravure.
La illustre le retrait des deuxièmes couches, formant ainsi une protrusion.
Les figures 4A à 4H illustrent un troisième mode de réalisation du procédé selon l’invention. La représente la fourniture d’un empilement comprenant un substrat et une première couche primaire surmontant le substrat. La première couche primaire comprend des cavités.
La illustre la formation d’une troisième couche primaire dans les cavités et sur la première couche primaire.
La illustre l’amincissement de la troisième couche primaire de sorte à singulariser cette dernière en plot individuels se trouvant en saillie par rapport à la première couche primaire.
La représente la formation d’une deuxième couche primaire sur les plots et sur la première couche primaire.
Les figures 5A et 5B sont des vues de dessus des étapes représentées aux figures 2I, 3I et 4G. La illustre un mode de réalisation dans lequel les plots sont cylindriques à base carrée.
Le premier message peut en outre comprendre un coefficient d’atténuation.
Le premier message peut en outre comprendre un identifiant du type de rayonnement de la source du rayonnement ionisant simulé.
La illustre schématiquement un procédé de fonctionnement d’une première balise dans le système tel qu’illustré dans la .
L’algorithme de la est exécuté par la première balise 110a en parallèle avec l’algorithme de la exécuté par la seconde balise 110b.
A l’étape E920, la première balise 110a commande l’émission d’un second signal prédéfini ultra large bande.
A l’étape E921, la première balise 110a reçoit le premier signal prédéfini ultra large bande émis par l’émetteur 100 et un troisième signal prédéfini ultra large bande émis par la seconde balise 110b comme cela sera décrit en référence à la .
A l’étape E922, la première balise 110a détermine une quatrième distance d 4 et une sixième distance d 6 . La quatrième distance d 4 est la distance séparant le premier émetteur permettant de simuler la source d’émission d’un rayonnement ionisant et la première balise 110a. La sixième distance d 6 est la distance séparant les première et seconde balises 110a et 110b.
Les distances sont calculées à partir du temps d’arrivée du premier signal.
A l’étape E933, la première balise 110a commande l’émission d’un troisième message comprenant la mesure des quatrième et sixième distances.
La illustre schématiquement un procédé de fonctionnement d’une seconde balise dans le système tel qu’illustré dans la .
A l’étape E910, la seconde balise 110b commande l’émission d’un troisième signal prédéfini ultra large bande.
A l’étape E911, la seconde balise 110b reçoit le premier signal prédéfini ultra large bande émis par l’émetteur 100.
A l’étape E912, la seconde balise 110b détermine une cinquième distance d 5 séparant le premier émetteur permettant de simuler la source d’émission d’un rayonnement ionisant et la seconde balise 110b à partir du temps d’arrivée du premier signal.
A l’étape E913, la première balise 110a commande l’émission d’un second message comprenant la mesure de la cinquième distance d 5 .
La illustre schématiquement un premier procédé de fonctionnement d’un récepteur permettant de simuler la mesure d’un rayonnement ionisant pouvant être utilisé dans le système tel qu’illustré dans la .
A l’étape E930, le récepteur 150 reçoit le premier signal prédéfini ultra large bande émis par l’émetteur 100 et le second et le troisième signaux émis par les balises 110a et 110b.
- τ conv égal à 0,95 .
Autres tubes en U, tubes hélicoïdaux (à plaques) à condition d’avoir des entrées et sorties vers le haut et faibles pertes de charge.
[2]: Jiri Krepel et al. “ Self-Sustaining Breeding in Advanced Reactors: Characterization of Selected Reactors ”, Encyclopedia of Nuclear Energy 2021, Pages 801-819. https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/B9780128197257001239?via%3Dihub
[3]: Pierre-Emmanuel Angeli et al. “OVERVIEW OF THE TRIOCFD CODE: MAIN FEATURES, V&V PROCEDURES AND TYPICAL APPLICATIONS TO NUCLEAR ENGINEERING”. NURETH-16, Chicago, IL, August 30-September 4, 2015.
[4]: G.Rimpault, et al. “The ERANOS Code and data system for fast reactor neutronic analyses.” PHYSOR2002-International Conference on the New Frontiers of Nuclear Technology: Reactor Physics, Safety and High-Performance Computing, Oct 2002, Seoul, SouthKorea.
[5]: Marco Tiberga et al. “ Results from a multi-physics numerical benchmark for codes dedicated to molten salt fast reactors ”, Annals of Nuclear Energy 142 (2020) 107428.
[6]: A.R. Baker, R.W. Ross, “ Comparison of the value of plutonium and uranium isotopes in fast reactors .” In Proc. Conf. Breeding, Economics and Safety in Large Fast Breeder Reactors (Argonne National Laboratory, 1963), pp. 329–364, ANL-6792.
Réacteur nucléaire à sel(s) fondu(s), de type à neutrons rapides, à cuve remplie de sels liquide inerte autour de la cuve de réacteur en tant que système d’évacuation de la puissance résiduelle du réacteur (EPuR). La présente invention concerne le domaine des réacteurs nucléaires à sel(s) fondu(s) (acronyme RSF ou MSR acronyme anglais pour « Molten Salt Reactor »). Plus particulièrement, elle concerne le domaine des réacteurs MSR dits de petite ou moyenne puissance ou AMR en anglais (acronyme de « Advanced Modular Reactor »),
L’invention a ainsi pour objectif principal de trouver une solution d’amélioration de de tels réacteurs, plus particulièrement ceux à neutrons rapide, pour permettre une évacuation de la puissance résiduelle d’un réacteur de type AMR.
La détection des arcs électrique série dans une chaine d’alimentation électrique embarquée, en particulier au niveau d’un contacteur, nécessite souvent l’utilisation de composants dédiés à cette fonction, qui peuvent être complexes.
Il peut ainsi être souhaité de prévoir une installation électrique avec des moyens de clarification d’arc électrique série, qui permette de s’affranchir d’au moins une partie des problèmes et contraintes précités.
Il est donc proposé une installation électrique d’un aéronef, comportant : une source électrique ; une charge électrique ; des première et deuxième lignes d’alimentation connectant la charge électrique à la source électrique pour alimenter électriquement la charge électrique ; et un contacteur de puissance situé sur la première ligne d’alimentation, le contacteur de puissance comportant au moins un contact fixe et un contact mobile ; caractérisée en ce qu’elle comporte en outre : une branche en parallèle de la première ligne d’alimentation, connectée entre le contact mobile et un point de la première ligne d’alimentation ; et un dispositif d’ouverture, en fonction d’un courant circulant dans la branche, de l’une des lignes d’alimentation.
L’invention permet ainsi de détecter l’apparition d’un arc électrique série entre le contact mobile et le point de la première ligne d’alimentation, en particulier sur le contacteur de puissance. En effet, l’arc électrique série présente une chute de tension entraînant l’apparition d’un courant circulant dans la branche parallèle. En réponse à ce courant, le dispositif d’ouverture ouvre l’une des lignes d’alimentation, ce qui clarifie l’arc électrique série, c’est-à-dire l’arrête. En outre, lorsque le contacteur de puissance est ouvert, la branche est également ouverte, empêchant ainsi une circulation de courant qui pourrait entraîner de manière intempestive le déclenchement du dispositif d’ouverture.
De préférence, le dispositif d’ouverture comporte un interrupteur pyrotechnique situé sur l’une des lignes d’alimentation, l’interrupteur pyrotechnique comportant une résistance d’initialisation située sur la branche.
De préférence également, l’interrupteur pyrotechnique est conçu pour couper la première ligne d’alimentation en dehors du segment de la première ligne d’alimentation s’étendant entre le contacteur de puissance et le point.
De préférence également, le dispositif de détection comporte en outre une résistance de temporisation située sur la branche.
De préférence également, l’installation électrique comporte en outre : une deuxième branche connectée entre : un deuxième point de la première ligne d’alimentation, situé entre le contacteur de puissance et le premier point de la première ligne d’alimentation, et un point de la première branche, situé entre le contact mobile et au moins une partie du dispositif d’ouverture située sur la première branche ; et une résistance de temporisation sur au moins l’une de la deuxième branche et du segment de la première branche s’étendant du contact mobile au point de la première branche.
De préférence également, l’installation électrique comporte en outre un fusible sur la première ligne d’alimentation, situé entre les premier et deuxième points de la première ligne d’alimentation.
De préférence également, l’installation électrique comporte une résistance de temporisation sur au moins l’une de la deuxième branche et du segment de la première branche s’étendant du contact mobile au point de la première branche, ces deux résistances de temporisation ayant des valeurs différentes.
De préférence également, l’installation électrique comporte en outre un dispositif anti-retour de courant conçu pour empêcher un passage de courant dans la deuxième branche, lorsqu’un arc électrique série apparait entre le contact mobile et le deuxième point de la première ligne d’alimentation.
Brève description des figures L’invention sera mieux comprise à l’aide de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple et faite en se référant aux dessins annexés dans lesquels : la est un schéma électrique d’un exemple d’une installation électrique selon l’invention, la est un schéma-bloc d’un exemple de procédé de fonctionnement de l’installation de la , la reprend le schéma électrique de la dans le cas d’apparition d’un arc électrique série suite à la fonte d’un fusible de l’installation électrique, la est reprend le schéma électrique de la dans le cas d’apparition d’un arc électrique série dans un contacteur de puissance de l’installation électrique, la illustre des courbes de non-endommagement d’une ligne d’alimentation et de déclenchement du fusible, la est reprend le schéma électrique de la dans le cas d’apparition d’arcs électriques série dans un contacteur de puissance de l’installation électrique, lors de son ouverture, et la est un schéma électrique d’un autre exemple d’une installation électrique selon l’invention, et la est un schéma électrique d’un autre exemple d’une installation électrique selon l’invention.
Si , alors la géométrie est un convexe et le récepteur 150 applique une atténuation définie par un coefficient , avec pouvant varier de 0 à 1. Plus la valeur du coefficient est proche de 0, plus l’atténuation de l’écran simulé sera forte et inversement.
Dans le cas d’une mesure tridimensionnelle, la présente invention utilise la technique NLOS (non light of sight). Dans ce cas, la distance entre l’émetteur 100 et le récepteur 150, provient de la réflexion et de la diffraction du signal.
Finalement, le débit de dose ainsi mesuré par le récepteur 100 sera :
La illustre schématiquement une zone dans laquelle un émetteur d’ondes électromagnétiques permet de simuler une source d’un rayonnement ionisant directive. Dans ce cas, la source simule le rayonnement ionisant uniquement dans un cône et qui est nul en dehors du cône ou fortement atténué.
Dans la , la zone 400 est la zone simulée du rayonnement ionisant de l’antenne directionnelle de l’émetteur 100.
Selon un premier mode de réalisation, la mesure de la direction de rayonnement de la source est réalisée à l’aide de deux antennes Ant 41 et Ant 42 comprises dans l’émetteur 100 à partir de la différence de phase entre les signaux arrivant sur les deux antennes, communément appelée PDOA (phase difference of arrival).
La différence de phase entre les signaux arrivant sur les deux antennes est obtenue à partir d’un signal UWB émis par le récepteur 150.
Dans le cas où l’angle mesuré, , est inférieur à un angle limite, , correspondant à une directivité de la source ionisante unidirectionnelle simulée, le récepteur 150 sera considéré comme étant dans la zone dans laquelle la source émet un rayonnement ionisant directif. Le récepteur 150 sera alors soumis au débit de dose de la source simulée en fonction de la distance.
Dans la négative, le récepteur 150 n’est pas considéré comme étant dans la zone dans laquelle la source émet un rayonnement ionisant directif. Le récepteur 150 considère alors un débit de dose nul ou atténué, en suivant une règle mathématique d’atténuation prédéterminée, vis-à-vis du débit de dose de la source simulée.
L’angle mesuré, ainsi que l’angle limite, sont transmis par l’émetteur 100 au récepteur 150.