INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Sur la , la première partie 4 et la deuxième partie 6 sont en position rapprochée, et le deuxième organe de verrouillage 12 est en position active.
Le système de verrouillage 8 maintient la première partie 4 et la deuxième partie 6 en position rapprochée.
Dans l’exemple illustré, le deuxième organe de verrouillage 12 est en prise avec la première portion de verrouillage 14 du premier organe de verrouillage 10 pour empêcher un écartement de la première partie 4 et de la deuxième partie 6.
En particulier, la portion de prise 38 du deuxième organe de verrouillage 12 est en prise avec la première surface de butée 18 située sur la première portion de verrouillage 14.
Le deuxième organe de verrouillage 12 est rappelé en position active par l’organe de rappel élastique 32 (Flèche R). Le dispositif de désactivation 34 est inactif.
Sur les Figures 5 et 6, le deuxième organe de verrouillage 12 est en position inactive.
La taille des voxels est notamment déterminée en fonction de la taille de la pièce.
La discrétisation en la pluralité de voxels peut avantageusement comprendre : - l’obtention d’un volume par intersection booléenne entre le faisceau virtuel émis et le modèle tridimensionnel de la pièce ; - la discrétisation dudit volume en une pluralité de voxels.
Ainsi, les simulations de diffraction sont uniquement menées sur les zones du modèle tridimensionnel de la pièce effectivement traversée par le faisceau virtuel émis.
Par exemple, la discrétisation dudit volume en une pluralité de voxels peut résulter de l’intersection entre ledit volume et une construction initiale de voxels.
La simulation de la réponse du détecteur virtuel peut avantageusement comprendre la détermination d’une valeur d’intensité du faisceau virtuel diffracté, ladite valeur d’intensité étant associée à chaque pixel de l’image numérique. Cette caractéristique technique permet de prendre en compte l’intensité du faisceau de rayonnement diffracté dans les simulations de diffraction. Ceci permet d’améliorer la performance du procédé selon le présent document.
L’obtention des valeurs d’intensité du faisceau virtuel diffracté peut notamment être réalisé en fonction de paramètres de positionnements de la source, du détecteur et de la pièce, et en fonction du spectre d’intensité des rayons électromagnétiques émis, ainsi que d’autres paramètres et facteurs physiques (absorption des éléments, …).
La détermination de l’état de validité du positionnement peut avantageusement comprendre la comparaison de la valeur d’intensité associée à chaque pixel de l’image numérique à une valeur prédéterminée. Plus précisément, si la valeur d’intensité excède la valeur prédéterminée, le positionnement peut être invalidé. A l’inverse, si la valeur d’intensité reste inférieure à la valeur prédéterminée, le positionnement peut être validé. D’autres indicateurs peuvent être envisagés pour la détermination de l’état de validité dudit positionnement, tel qu’une valeur d’intensité moyennée sur une zone formée d’une pluralité de pixels.
De manière avantageuse, le contrôle non destructif par radiographie de la pièce peut comprendre l’acquisition d’une image de radiographie pour un positionnement donné de la pièce par rapport au dispositif de radiographie et la détermination d’un état de conformité de la pièce en fonction de l’image de radiographie et de la réponse du détecteur virtuel pour le positionnement correspondant du modèle tridimensionnel de la pièce par rapport au modèle numérique du dispositif de radiographie.
Selon un autre aspect, la présente divulgation concerne le système de contrôle non destructif par radiographie comprenant un dispositif de radiographie comportant une source de rayons électromagnétiques et un détecteur configuré pour détecter les rayons électromagnétiques émis par la source. Le système comprend en outre une unité de traitement configurée pour mettre en œuvre le procédé tel que précédemment décrit.
Le dispositif de radiographie peut notamment consister en un dispositif de radiographie numérique, ou alternativement en un dispositif de radiographie analogique.
Selon un autre aspect, la présente divulgation concerne un programme informatique comportant des instructions pour la mise en œuvre du procédé tel que précédemment décrit lorsque ce programme est exécuté par l’unité de traitement.
Fig. 1 illustre schématiquement un exemple de dispositif de radiographie.
Fig. 2 illustre un exemple d’image de radiographie.
Fig. 3 illustre schématiquement sous forme d’un diagramme un système de contrôle non destructif par radiographie selon le présent document.
Fig. 4 illustre schématiquement sous forme d’un logigramme des étapes d’un procédé de contrôle non destructif par radiographie selon le présent document.
Plus préférentiellement, la composition selon l’invention comprend un agent réticulant R choisi parmi les chitosanes, les aminoalcoxysilanes et les polydialkylsiloxanes comprenant des groupes amines primaires en bout de chaine ou sur des chaines latérales, et encore plus préférentiellement choisi parmi la poly(D-Glucosamine), le 3-aminopropyltriéthoxysilane (APTES), le 3-aminoéthyltriéthoxysilane (AETES), le 3-aminopropylméthyldiéthoxysilane, le N -(2-aminoéthyl)-3-aminopropyltriéthoxysilane et les polydiméthylsiloxanes comprenant en bout de chaine des groupes terminaux aminopropyl, et encore plus préférentiellement est le 3-aminopropyl triéthoxysilane (APTES). Les composés (poly)thiolés
Selon un mode de réalisation préféré, l’agent réticulant R est choisi parmi les composés (poly)thiolés également appelés « ( poly)mercapto ».
A cet effet, la présente description a pour objet des jumelles de vision nocturne comprenant : un objectif ayant un axe optique, et un dispositif de réglage de la mise au point de l’objectif, le dispositif de réglage présentant un mode de réglage, dit mode progressif, dans lequel la mise au point est réalisée sur des plans objets non perpendiculaires à l’axe optique de l’objectif de sorte à permettre une mise au point en champ proche sur une partie du champ de vision et une mise au point en champ lointain sur une autre partie du champ de vision.
- le dispositif de réglage comprend une première unité de réglage de la distance de mise au point et une seconde unité de réglage de l’angle entre l’axe optique et la normale au plan objet ;
- le dispositif de réglage présente, en outre, un mode de réglage, dit mode classique, dans lequel la mise au point est réalisée sur des plans objets perpendiculaires à l’axe optique ;
- la seconde unité de réglage comprend deux composants optiques de formes complémentaires accolés l’un à l’autre, au moins un composant optique, dit premier composant, étant mobile en rotation par rapport à l’autre composant optique, dit second composant, de sorte à modifier l’angle entre la normale au plan objet et l’axe optique, permettant de modifier la différence de mise au point entre le haut du champ de vision et le bas du champ de vision en vertical, dite effet progressif ;
- la seconde unité de réglage présente au moins : une configuration, dite classique, correspondant au mode classique du dispositif de réglage, la configuration classique correspondant à un positionnement du premier composant par rapport au second composant tel que l’angle entre l’axe optique et la normale au plan objet est nul, permettant ainsi de réaliser la mise au point sur un plan perpendiculaire au plan objet, une configuration, dite progressive maximale, correspondant au mode progressif du dispositif de réglage, la configuration progressive maximale étant une rotation du premier composant de 180 degrés par rapport à la configuration classique de sorte que l’effet progressif est maximale ;
- la seconde unité de réglage présente au moins une configuration, dite progressive intermédiaire, correspondant à : une première rotation du premier composant d’un angle compris au sens strict entre 0° et 180° par rapport à la configuration classique de sorte à obtenir un effet progressif intermédiaire par rapport à la configuration classique et la configuration progressive maximale, et une deuxième rotation permettant d’entraîner en rotation conjointement le premier composant et le second composant, jusqu’à ce que la mise au point en champ lointain soit sur le haut du champ de vision et la mise au point en champ proche soit sur le bas du champ de vision ;
- les deux composants optiques sont choisis tels que l’effet progressif, induit par la rotation de l’un au moins des composants optiques, est linéaire sur l’étendue du champ vertical ;
- les deux composants optiques sont deux lames prismatiques ;
- les deux composants optiques sont choisis tels que l’effet progressif, induit par la rotation de l’un au moins des composants optiques, est non linéaire sur l’étendue du champ vertical ;
-les deux composants optiques sont deux lentilles, par exemple, sphériques, asphériques ou Freeform.
, , une représentation schématique d’un exemple de jumelles de vision nocturne comprenant un objectif et d’un dispositif de réglage de la mise au point de l’objectif,
, , une représentation schématique des distances de mise au point pour différentes zones du champ de vision,
, , une représentation schématique d’un exemple d’une unité de réglage de l’angle entre l’axe optique et la normale au plan objet, l’unité de réglage étant représentée dans trois configurations distinctes,
, , une représentation schématique d’un autre exemple d’une unité de réglage de l’angle entre l’axe optique et la normale au plan objet, l’unité de réglage étant représentée dans trois configurations distinctes,
Cependant, la demanderesse a réalisé qu’un matériau connu mais peu utilisé dans l’industrie des semiconducteurs possède des paramètres cristallins compatibles avec ceux de l’arséniure de bore et peut donc servir de base à sa croissance cristalline : il s’agit du polytype 3C du carbure de silicium, aussi appelé β-SiC ou 3C-SiC, de type sphalérite. On notera en particulier que le paramètre de maille du 3C-SiC est de 4,3596 Å, suffisamment proche du paramètre de maille de 4,777 Å du BAs pour lui servir de germe en vue d’une croissance cristalline.
Ce matériau peut, par exemple, être fabriqué par croissance sur un substrat de silicium Si monocristallin d’orientation cristalline (001), typiquement sous forme de plaquettes généralement circulaires, ou wafers en terminologie anglaise, dans des dimensions compatibles avec les procédés conventionnels de l’industrie des semiconducteurs, par exemple 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, ou encore 300 mm. En effet, grâce à la bonne compatibilité du 3C-SiC avec le Si, en particulier ce qui concerne leurs coefficients de dilatation thermiques, respectivement 3.8 10 -6 K -1 et 2.6 10 -6 K -1 , il est aisé d’augmenter les tailles des substrats des structures composites 3C-SiC/Si. Comme bien connu dans l’industrie du semiconducteur, des plaquettes peuvent être constituées de substrats isolants ou semiconducteurs en forme de disque, avec deux surfaces opposées sensiblement parallèles et planes, ainsi qu’une encoche ou un méplat en périphérie, servant de repère à l’orientation cristalline du substrat le cas échéant.
Un premier mode de réalisation de l’invention est illustré par la .
En (A), la représente une structure intermédiaire Struct inter obtenue par un procédé comprenant les étapes détaillées ci-dessous.
Sur un support Sprt, par exemple un substrat de silicium monocristallin d’orientation (001), on fait croître selon des méthodes conventionnelles d’hétéroépitaxie une couche 3C-SiC lay de 3C-SiC jusqu’à une épaisseur comprise entre 0,3 et 5 µm, préférablement entre 0,5 et 1,5 µm par exemple par CVD ou MOCVD, respectivement Chemical Vapor Deposition et Metalorganic Chemical Vapour Deposition en terminologie anglaise.
Sur la couche 3C-SiC lay , on fait croître une couche BAs lay cristalline de BAs par une méthode de MOCVD à pression atmosphérique en employant des gaz précurseurs de bore comme le diborane B 2 H 6 ou triethylboron B(C 2 H 5 ) 3 évaporé dans l’hydrogèneet d’arsine (AsH 3 ) ou TertiaryButylArsine (TBAs) ou TrimethylArsenic (TMAs), de l’hydrogène étant utilisé comme gaz porteur à pressionréduite et à une température de croissance comprise entre 450°C et 800°C, de préférence entre 500°C et 750°C.
Alternativement à la méthode de MOCVD ou MBE, il est possible de faire croître la couche BAs lay cristalline de BAs sur la couche 3C-SiC lay par une méthode de CVT (Chemical Vapour Transport) similaire à celle décrite par Tian et mentionnée dans la section « Arrière-plan technologique », une importante différence tenant dans le fait que la couche de 3C-SiC est utilisée en tant que germe. Pour ce faire, on peut utiliser comme sources d’arsenic et de bore de l’arsenic et du bore sous forme élémentaire ou de l’arséniure de bore BAs, éventuellement en combinaison et, en tant qu’agent transporteur, de l’iode I 2 capable de former de façon réversible du triode de bore BI 3 avec le bore sous forme élémentaire B comme avec l’arséniure de bore BAs, et de la même manière capable de forme du triode d’arsenic AsI 3 . Outre l’iode I 2 , de l’iodure d’ammonium NH 4 I et du tétraiodure de tellure TeI 4 peuvent être employés comme agent transporteur. Placer la couche de 3C-SiC, la source et l’agent transporteur dans un réacteur fermé présentant un gradient de température mène à la croissance de BAs sous forme cristalline sur la couche de 3C-SiC placée du côté froid du réacteur, et donc à une couche de BAs sous forme cristalline. On peut considérer des plages de températures telles que 613°C-850°C ou 613°C-900°C, ou encore 727°C-850°C ou 727°C-900°C.
Selon l’une ou l’autre de la méthode MOCVD et de la méthode CVT, on fait croître une couche cristalline, préférablement monocristalline, de BAs de 300 à 1000 µm d’épaisseur, préférablement 500 à 800 µm d’épaisseur. Une telle épaisseur permet d’obtenir une couche de BAs qui sera autoportante : elle ne nécessitera pas l’emploi d’un support temporaire pour sa manipulation.
Un avantage de ce procédé par rapport aux méthodes de l’art antérieur réside dans l'utilisation d’une couche de 3C-SiC épitaxiée sur un substrat en silicium en tant que germe, ce qui permet d’obtenir des couches de BAs cristallin et préférablement monocristallin de relativement grandes surfaces, par exemple en utilisant une plaquette de silicium de 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, soit 150 mm, 200 mm ou encore 300 mm de diamètre respectivement, comme surface de formation de la couche de 3C-SiC. On peut ainsi obtenir des couches cristallines d’arséniure de bore présentant une dimension d’au moins 2 cm selon une direction donnée, et plus, selon la taille du substrat utilisé, par exemple 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, 100 mm, 150 mm, 200 mm ou encore 300 mm respectivement si des plaquettes de ces diamètres sont utilisées, la forme de la couche de 3C-SiC ne se limitant en outre pas à la forme circulaire typique d’une plaquette de substrat semiconducteur. Les couches cristallines d’arséniure de bore selon l’invention peuvent encore présenter une surface plane présentant une aire supérieure à 1 cm 2 , préférablement supérieure à 10 cm 2 , encore préférablement supérieure à 100 cm 2 . Les couches cristallines d’arséniure de bore selon l’invention peuvent aussi présenter une surface plane dans laquelle un cercle d’un diamètre supérieur à 2 cm, préférablement supérieur à 5 cm, préférablement supérieur à 10 cm est inscrit.
A ce stade, il est souhaitable de pouvoir détacher la couche BAs lay du support Sprt, par exemple par mise en œuvre du procédé Smart Cut TM . A cette fin, préalablement à la croissance de la couche BAs lay , on a pu préparer la couche 3C-SiCl ay en y introduisant une ou des d’espèces légères telles que de l’hydrogène ou de l’hélium. Cette introduction peut correspondre à une implantation d’hydrogène, c’est-à-dire, un bombardement ionique d’hydrogène à travers une face plane de la couche 3C-SiCl ay . Cette face peut optionnellement être munie d’une couche de protection formée avant le bombardement ionique, qui peut éventuellement être retirée après celui-ci. De façon connue en soi, et comme cela est illustré en (A), les ions hydrogène H + implantés de forment une couche d’implantation Imp au sein de la couche 3C-SiCl ay et ont pour but de former un plan de fragilisation Frgl SiC défini par cette couche d’implantation et divisant la couche 3C-SiCl ay en deux parties, l’une du côté support, l’autre du côté de la couche BAsl ay qui sera séparée du support au niveau de ce plan de fragilisation à une étape ultérieure. On considère la couche d’implantation Imp comme une couche de détachement de la couche BAsl ay vis-à-vis de son support Sprt et d’une partie de la couche 3C-SiCl ay .
La nature, la dose des espèces implantées et l’énergie d’implantation sont choisies en fonction de l’épaisseur de la couche que l’on souhaite transférer. Dans le cas de la couche 3C-SiCl ay , on pourra choisir d’implanter une dose d’hydrogène comprise entre 10 16 et 5.10 17 at/cm² avec une énergie comprise entre 30 et 300 keV pour définir un plan de fragilisation à une profondeur de l’ordre de 200 à 2000 nm. Lorsqu’un tel procédé est mis en œuvre, incluant la formation d’un plan de fragilisation, il est préférable de maintenir la température de croissance de la couche de BAs inférieure à 850°C, par exemple entre 613°C et 850°C ou entre 727°C et 850°C, de manière à limiter les risques de clivage incontrôlé de la couche 3C-SiCl ay .
La illustre en (B) une structure Struct comprenant une couche BAs lay cristalline d’arséniure de bore obtenue suite au détachement du support Sprt, et se présentant sous la forme d’une plaquette.
L’étape de détachement du support Sprt est réalisée par fracture au niveau du plan de fragilisation Frgl SiC , qui peut être provoquée par application à la structure intermédiaire Struct inter d’un traitement thermique dans une gamme de température comprise entre 850°C à 920°C, préférablement entre 900°C et 920°C, pour permettre le détachement de la couche BAs lay tout en évitant un changement de phase de la couche BAs vers une couche B 12 As 6 . En outre, il est préférable d’opérer ce traitement thermique dans une atmosphère présentant une surpression en arsenic (AsH 3 , TBAs, TMAs) afin d’éviter une désorption de l’arsenic. En remplacement ou en complément du traitement thermique, cette étape peut comprendre l’application d’une lame ou un jet de fluide gazeux ou liquide, ou de tout autre effort de nature mécanique au niveau du plan de fragilisation Frgl SiC .
Alternativement à la mise en œuvre du procédé Smart Cut TM détaillé ci-dessus, l’étape de détachement d’une partie du substrat donneur peut être remplacée par une étape d’amincissement mécano-chimique du support Sprt et, éventuellement, de tout ou partie de la couche 3C-SiC lay .
Que l’élimination d’une partie de l’épaisseur du substrat donneur soit réalisée par amincissement ou par fracture, on peut appliquer à la structure Struct ainsi formée tout type de traitement de finition permettant de conformer la couche BAs lay à des spécifications d’épaisseur, d’uniformité d’épaisseur, de rugosité, de qualité cristalline ou à tout autre type de spécifications.
Le signal de démodulation numérique de fréquence 3.f0 est ici de la forme :
S3d = k3.sin(3.ω0t).
Le circuit d’asservissement d’excitation 25 comporte un premier multiplieur 27, un deuxième multiplieur 28, un intégrateur 29 et un premier amplificateur 30. Le premier amplificateur 30 est connecté à une sortie de l’intégrateur 29.
Le premier multiplieur 27 multiplie le signal de mesure numérique Sm par le signal de démodulation numérique de fréquence 3.f0. Le signal résultant est appliqué en entrée de l’intégrateur 29. On note que le premier multiplieur 27 et l’intégrateur 29 jouent le rôle d’un premier démodulateur synchrone.
Le premier amplificateur 30 produit alors un signal d’erreur numérique. Le deuxième multiplieur 28 multiplie le signal d’excitation numérique brut Sb par le signal d’erreur numérique pour obtenir un signal d’excitation numérique Se. Le signal d’excitation numérique est de la forme :
Se = k0.(k1.sin(ω0t) + k2.sin(3ω0t)).
Le capteur de courant à vanne de flux comprend de plus un circuit d’asservissement de démagnétisation 32. Le circuit d’asservissement de démagnétisation 32 est intégré dans le FPGA.
Le circuit d’asservissement de démagnétisation 32 est relié au générateur haute fréquence 22 pour recevoir le signal de référence numérique de fréquence 2.f0 et est agencé pour produire, à partir du signal de référence numérique de fréquence 2.f0, un signal de démodulation numérique de fréquence 2.f0.
Le signal de démodulation numérique de fréquence 2.f0 est ici de la forme :
S2d = k4.cos(2.ω0t).
Le circuit d’asservissement de démagnétisation 32 comporte un troisième multiplieur 33, un filtre passe-bas 34 et un deuxième amplificateur 35. Le deuxième amplificateur 35 est connecté à une sortie du filtre passe-bas 34.
Le troisième multiplieur 33 multiplie le signal de mesure numérique Sm par le signal de démodulation numérique de fréquence 2.f0. Le signal résultant est appliqué en entrée du filtre passe-bas 34. Le deuxième amplificateur 35 produit alors un signal image numérique du courant à mesurer Im, qui est aussi un signal de démagnétisation numérique Sdm. Le signal image numérique, ou signal de démagnétisation numérique Sdm, est de la forme
Sdm = k.Im.
On note que le troisième multiplieur 33 et le filtre passe-bas 34 jouent le rôle d’un deuxième démodulateur synchrone.
Le capteur de courant à vanne de flux comprend de plus un sommateur 36. Le sommateur 36 est implémenté dans le FPGA.
Le sommateur 36 somme le signal d’excitation numérique Se et le signal de démagnétisation numérique Sdm pour obtenir un signal d’injection numérique Si.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention R 1 (XH) n est choisi parmi les polyols acyclique R 1 (OH) n notamment choisis parmi le glycérol, triméthylolpropane, éthylène glycol, di éthylène glycol, tri éthylène glycol, tétra éthylène glycol, propylène glycol, dipropylène glycol, butylene glycol, trimethylolethane, pentamethylene glycol, trimethylpentanediol, pentyl glycol, isosorbide, pentaerythritol, dipentaerythritol, hexamethylene glycol, hexylene glycol, hexanediol, neopentyl glycol, 1,2-propanediol; 1,3-propanediol ; 1,2 butanediol, 1,3-butane diol, 2,3- butanediol, 1,4-butanediol ; 2,4-butanediol, 3,4-butanediol ; 1,4-Pentanediol ; 1,5-pentanediol, 2,2,4-Trimethyl-1,3-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,2 octanediol, 1,8 octane diol, 1,10-decanediol, 2-methyl-1,3-propane diol, hexyleneglycol, isoprene glycol.
Dans une variante, R 1 (XH) n est choisi parmi les polyols cyliques R 1 (OH) n notamment choisis parmi parmi les monosaccharides et disaccharides, tels que définis précédemment, seul ou en mélange.
Préférentiellement R 1 (XH) n est choisi parmi les polyols R 1 (OH) n seuls ou en mélange notamment parmi le trimethylolethane, le glycérol, le triméthylolpropane, le pentaerythritol, le glycérol, le glucose, le sucrose et le sorbitol.
Selon une autre variante avantageuse le ou les composés de formule (I) ou (Ia) sont obtenus par (poly)condensation(s) de n équivalent de réactif carbonylé propylènedioxy avec un réactif nucléophile polyamine R 1 (NH) n comportant n équivalents de fonctions nucléophiles -NH 2 suivant le schéma suivant :
ii) Agent réticulant Le procédé de l’invention met en œuvre ii) un ou plusieurs agents réticulants. Au sens de l’invention, le terme « agent réticulant », dit encore R, désigne un composé apte à établir avec au moins une fonction ACAC du composé de formule (I) ou (Ia) : au moins une liaison covalente, au moins une liaison de type donneur-accepteur (dative), et/ou au moins une liaison de coordination, et ainsi de réticuler le composé de formule (I) ou (Ia).
Le support comprend par exemple trois rebords décalés le long de l’axe du cylindre, de sorte que l’un des enroulements électriques est disposé entre le premier et le deuxième rebord et que l’autre des enroulements électriques est disposé entre le deuxième et le troisième rebord, le pion s’étendant axialement en éloignement du reste du support depuis le premier rebord.
Dans tout ce qui précède, le support peut être réalisé d’une seule pièce avec le système de maintien, étant par exemple réalisé en par exemple en plastique tel du polybutylène terephthalate (PBT), ou du polyamide (PA).