INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- détermination de la dispersion de l’état de charge au sein de la pluralité à un instant d’évaluation comme la différence entre l’état de charge de l’élément électrochimique de la pluralité qui est le plus élevé et l’état de charge de l’élément électrochimique de la pluralité qui est le moins élevé, l’étape de détermination comprenant l’application d’une fonction d’évaluation sur des valeurs utilisées ou obtenues lors de l’étape de mise en œuvre.
Selon des modes de réalisation particuliers, le procédé d’évaluation de la dispersion de l’état de charge présente une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- la batterie est pourvue d’un circuit d’équilibrage permettant d’appliquer un courant d’équilibrage respectif dans chaque élément électrochimique de la pluralité d’éléments électrochimiques, le circuit d’équilibrage présentant deux états, un état actif et un état inactif,
la fonction d’évaluation appliquée étant choisie entre plusieurs sous-fonctions selon au moins un critère prédéfini, l’au moins un critère prédéfini étant de préférence que l’instant d’évaluation corresponde au deuxième instant d’estimation et l’état du circuit d’équilibrage à l’instant d’évaluation.
- les sous-fonctions sont choisies parmi :
- une sous-fonction de calcul calculant le maximum de la différence des états de charge à l’instant d’évaluation.
- une fonction d’estimation appliquée aux valeurs obtenues à l’issue de l’étape de mise en œuvre, la fonction d’estimation calculant deux contributions à la dispersion, une première contribution liée à l’autodécharge propre à chaque élément électrochimique et une deuxième contribution liée à l’autodécharge maximale de l’ensemble des éléments électrochimiques de la pluralité, et
- une sous-fonction est une fonction d’estimation appliquée aux valeurs obtenues à l’issue de l’étape de mise en œuvre, la fonction d’estimation calculant trois contributions à la dispersion, une première contribution liée à l’autodécharge propre à chaque élément électrochimique, une deuxième contribution liée à l’autodécharge maximale de l’ensemble des éléments électrochimiques de la pluralité et une troisième contribution liée aux courants d’équilibrage appliqués sur les éléments électrochimiques de la pluralité d’éléments électrochimiques.
- lorsqu’un critère selon lequel l’instant d’évaluation correspond au deuxième instant d’estimation est vérifié, la fonction d’évaluation choisie est la sous-fonction de calcul, et lorsque le circuit d’équilibrage est dans l’état actif, la fonction d’évaluation choisie étant la sous-fonction d’estimation calculant trois contributions, la fonction d’évaluation choisie est la sous-fonction d’estimation calculant deux contributions sinon.
La description se rapporte également à un procédé de contrôle de l’équilibrage en courant des éléments électrochimiques d’une batterie, la batterie étant pourvue d’un circuit d’équilibrage permettant d’appliquer un courant d’équilibrage respectif dans chaque élément électrochimique de la pluralité d’éléments électrochimiques, le circuit d’équilibrage présentant deux états, un état actif et un état inactif, le procédé de contrôle étant mis en œuvre par un calculateur, le procédé de contrôle comportant les étapes de :
- contrôle de l’état du circuit d’équilibrage en fonction du résultat de la comparaison par mise dans l’état actif du circuit d’équilibrage si la dispersion évaluée est supérieure ou égale au seuil de dispersion éventuellement diminué d’un seuil d’hystérésis et la mise dans l’état inactif du circuit d’équilibrage sinon.
Dispositif quantique destiné à former une matrice de boites quantiques
Un premier aspect de l’invention illustré à la concerne un dispositif quantique DQ configuré pour former une matrice de boites quantiques QD. Pour cela, le dispositif DQ comprend une couche active CA réalisée dans un matériau semi-conducteur. De préférence, cette couche CA est une couche de silicium (Si) ou de germanium (Ge), mais d’autres matériaux semi-conducteurs peuvent être envisagés. C’est dans cette couche active CA que seront formées les boites quantiques QD. Pour mémoire, une boite quantique QD est formée par un puits de potentiel électrostatique dans lequel il est possible de piéger une ou plusieurs particules chargées, par exemple un ou plusieurs trous ou un ou plusieurs électrons.
Le dispositif QD selon l’invention comprend également une pluralité de premières grilles G1 disposées selon une pluralité de lignes LI, au-dessus de la couche active CA. Le dispositif selon l’invention comprend également une pluralité de deuxièmes grilles G2 disposées selon une pluralité de colonnes CO perpendiculaires aux lignes LI de la pluralité de lignes LI, au-dessus de la couche active CA. Le dispositif DQ selon l’invention comprend en outre une pluralité de troisièmes grilles G3, chaque troisième grille G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 étant disposée à l’intersection d’une ligne LI de la pluralité de lignes LI et d’une colonne CO de la pluralité de colonnes CO, au-dessus de la couche active CA, chaque troisième grille G3 étant séparée des troisièmes grilles G3 les plus proches, sur une ligne LI par une première grille G1 et sur une colonne CO par une deuxième grille G2. Enfin, le dispositif DQ selon l’invention comprend une pluralité de quatrièmes grilles G4, chaque quatrième grille G4 étant disposée entre deux deuxièmes grilles G2 selon les lignes LI et entre deux première grille G1 selon les colonnes CO, au-dessus de la couche active CA.
Ainsi, dans le dispositif DQ selon l’invention, une boite quantique QD pourra être formée au-dessous de chaque troisième grille G3 de sorte à former une matrice de boites quantiques QD. En effet, chaque première grille G1 de la pluralité de premières grilles G1 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier la barrière de potentiel séparant deux parties de la couche active CA situées sous deux troisièmes grilles G3 adjacentes selon les lignes. De même, chaque deuxième grille G2 de la pluralité de deuxièmes grilles G2 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier la barrière de potentiel séparant deux parties de la couche active CA situées sous deux troisièmes grilles G3 adjacentes selon les colonnes CO. De plus, chaque quatrième grille G4 de la pluralité de quatrièmes grilles G4 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de former une barrière de potentiel garantissant l’absence de particule chargé au-dessous de ladite grilles G4, c’est-à-dire en dire entre les lignes et les colonnes de la matrice. En outre, les première grilles G1, deuxièmes grilles G2 et les quatrièmes grilles G4 permettent d’effectuer cette modification de manière locale, ces dernières G1, G2, G4 étant en au-dessus de la couche active CA (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des première grilles G1, des deuxièmes grilles G3 et des quatrièmes grilles G4 et la couche active CA). Aussi, grâce au contrôle des barrières de potentiel exercé par les première grilles G1, les deuxièmes grilles G2 et les quatrièmes grilles G4, il est possible de réaliser un confinement électrostatique des particules chargées au-dessous des troisièmes grilles G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 pour former une boite quantique QD sous chaque troisième grille G3.
Par ailleurs, dans chaque boite quantique QD, le ou les particules chargées présentes sont associées à un potentiel chimique. Or, chaque troisième grille G3 étant au-dessus de la partie de la couche active CA dans laquelle est formée une boite quantique (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des troisièmes grilles G3 et la couche active CA), chaque troisième grille G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier le potentiel chimique des particules chargées présentes dans boite quantique QD associé à la troisième grille G3 considérée.
Dans un mode de réalisation, l’oxyde des premières G1, deuxièmes G2, troisièmes G3 et/ou quatrièmes grilles G4 est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de l’oxyde des premières grilles G1, deuxièmes grilles G2, troisièmes grilles G3 et/ou troisièmes grilles G4 est comprise entre 5 nm et 10 nm. Dans un mode de réalisation, les électrodes des premières grilles G1, deuxièmes grilles G2, troisièmes grilles G3 et/ou quatrièmes grilles G3 sont réalisées dans un matériau conducteur choisi parmi le Ti, le TiN ou bien encore le W. Dans un mode de réalisation, le dispositif selon l’invention est réalisé dans un substrat de type SOI et la couche active est une couche de silicium. Dans ce mode de réalisation, les premières, deuxièmes, troisièmes et quatrièmes grilles G1, G2, G3, G4 sont au contact direct de la couche active CA.
Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’un substrat de silicium massif. Avantageusement, le substrat comprend une couche de silicium épitaxiée (notée 28 Si sur la figure) recouverte d’un oxyde thermique (noté SiO 2 sur la figure), cette couche de silicium épitaxiée étant déposée sur la couche de silicium intrinsèque (noté i Si sur la figure) du substrat de silicium massif. Un tel substrat est illustré à la . Dans ce mode de réalisation, la couche active CA est réalisée dans la couche de silicium, avantageusement la couche de silicium epitaxiée. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif.
Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’une hétérostructure Si/SiGe. Un substrat comprenant une telle hétérostructure est illustré à la . Cette dernière comprend une couche dont la concentration en Ge évolue de manière linéaire (notée Si 1-x Ge x sur la figure) sur laquelle repose une couche de SiGe (notée Si 0.7 Ge 0.3 ), un puit quantique destiné aux électrons formé dans une couche de Si (notée 28 Si sur la figure), un espaceur en SiGe (noté Si 0.7 Ge 0.3 sur la figure) situé sur la couche de Si et une couche de silicium (notée Si Cap sur la figure). Dans ce mode de réalisation, la couche active est réalisée dans la couche Si. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif.
Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’une hétérostructure Ge/SiGe. Un substrat comprenant une telle hétérostructure est illustré à la . Cette dernière comprend une couche dont la concentration en Si évolue de manière linéaire (notée Si 1-x Ge x sur la figure) sur laquelle repose une couche de SiGe (notée Si 0.2 Ge 0.8 ), un puit quantique destiné aux trous formé dans une couche de Ge (notée Ge sur la figure), un espaceur en SiGe (noté Si 0.2 Ge 0.8 sur la figure) situé sur la couche de Ge et une couche de silicium (noté Si Cap sur la figure). Dans ce mode de réalisation, la couche active est réalisée dans la couche Ge. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif.
Procédé de fabrication d’un dispositif quantique comportant une matrice d’îlots
Un deuxième aspect de l’invention illustré au à concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur selon l’invention à partir d’un substrat SB comportant une couche semi-conductrice, dite couche active CA, sur une première surface dudit substrat SB ou proche de la première surface. On entend par proche de la première surface que la distance séparant la couche active de la première surface est inférieure à la distance séparant la couche active de la deuxième surface du substrat opposée à la première surface. De préférence la distance séparant la couche active CA de la première surface du substrat SB est inférieure à 500 nm, de préférence inférieure à 200 nm, voire inférieure à 100 nm. Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de la couche active CA est comprise entre 5 et 20 nm, par exemple égale à 10 nm.
Dans un mode de réalisation, la couche active CA est en silicium, le substrat étant de préférence un substrat de type SOI (pour Silicon-On-Insulator en anglais). Dans un mode de réalisation alternatif, le substrat est un substrat de type SiMOS tel que décrit précédemment. Dans un mode de réalisation alternatif, le substrat comprend une hétérostructure Si/SiGe tel que décrite précédemment au niveau de sa première surface. Dans un mode de réalisation alternatif, le substrat comprend une hétérostructure Ge/SiGe tel que décrite précédemment au niveau de sa première surface.
Le procédé selon l’invention comprend une étape E1 de dépôt d’une première couche diélectrique D1 sur la première surface. Lorsque la couche active CA est au niveau de cette première surface (comme illustré aux à , alors ce dépôt est effectué sur la couche active CA. Dans un mode de réalisation, le matériau de la première couche diélectrique D1 est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien encore l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, la première couche diélectrique D1 est réalisée dans un matériau diélectrique à haute permittivité. Dans un mode de réalisation, le première couche diélectrique D1 comporte plusieurs sous-couches diélectriques. Par exemple, elle comporte une première sous-couche de SiO 2 assurant une bonne qualité d’interface avec la couche sur laquelle elle est déposée (par exemple la couche active de Si), puis une deuxième sous-couche de HfO 2 ou d’Al 2 O 3 . Il ne s’agit bien entendu que d’un exemple et d’autres combinaisons peuvent être envisagées.
Le procédé comprend ensuite une étape E2 de dépôt d’une couche support SP sur la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la couche support SP est un matériau diélectrique, par exemple du nitrure de silicium. Dans un mode de réalisation alternatif, le matériau de la couche support SP est un matériau conducteur, par exemple un métal. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes est illustrée à la .
Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E3 de gravure de la couche support de sorte à former une matrice de premiers piliers PI formant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes. De préférence, la distance d séparant deux premiers piliers PI voisins et la hauteur h des premiers piliers PI sont choisis de sorte que h > d/2. De préférence, la hauteur h des premiers piliers est comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple égale à 200 nm.
Dans un mode de réalisation particulier, la construction des entités sémantiques comprend, outre la prise en compte de relations de synonymie, la prise en compte de relations de dérivation et de relations de correction orthographique entre les mots présents au sein des motifs communs.
Plus particulièrement, la prise en compte de relations de dérivation permet de rapprocher des mots dérivés lors de la mise en œuvre de l’étape 13. Par exemple, si un motif commun comprend le mot « résoudre », le mot dérivé « résolution » est également considéré pour la création des entités sémantiques même s’il n’a pas été identifié en tant que tel au sein des motifs communs obtenus à l’issue de l’étape 12.
De manière analogue, la prise en compte de relations de correction orthographique permet de rapprocher un mot incorrectement orthographié de son équivalent correctement orthographié lors de la mise en œuvre de l’étape 13. Par exemple, des approximations orthographiques liées à l’oubli d’accent ou à la présence d’accents incorrect, ou à la substitution de certains caractères associés au même son (e.g. ‘ i ’ et ‘ y ’, ‘ c ’ et ‘ q ’, ‘ x ’ et ‘ c ’, etc.), sont également considérées pour la création des entités sémantiques : ainsi les mots ‘ probleme ’ et ‘ problème’ sont par exemple considéré comme équivalents, et regroupés dans une même entité sémantique.
On présente ci-après, à titre purement illustratif, deux exemples d’entités sémantiques susceptibles d’être obtenue à l’étape 13.
Dans un premier exemple, on suppose par exemple que l’étape 12 d’identification de motifs communs a permis la mise en évidence, parmi d’autres, des concepts (ou groupes de mots) suivants : { ' affaire_question ', 'question', ' difficulté_problème ', ' interrogation_question ', ' problème_question ', 'souci', ' probleme_souci ', 'problème', 'interrogation' }. Sur la base des relations précédemment présentées (synonymie, dérivation, correction orthographique), l’étape 13 permet de construire une entité sémantique de type « nom » EN dans laquelle les différents noms suivants sont regroupés, car identifiés comme étant synonymes :
EN : ‘ difficulté_interrogation_problème_probleme _ souci_question _affaire ’
Dans un deuxième exemple, on suppose par exemple que l’étape 12 d’identification de motifs communs a permis la mise en évidence, parmi d’autres, des concepts (ou groupes de mots) suivants : { ' agréable_aimable ', 'sympathique', ' agréable_aimable_sympathique ', 'gentil', 'agréable', ' aimable_sympathique ', ' avenant_sympathique ', ' aimable_avenant_cordial_gentil ', ' bienveillant_sympathique ' }. Sur la base des relations précédemment présentées (synonymie, dérivation, correction orthographique), l’étape 13 permet de construire une entité sémantique de type « adjectif » ED dans laquelle les différents adjectifs suivants sont regroupés, car identifiés comme étant synonymes :
ED : 'agréable_ aimable_bienveillant_cordial_gentil_ avenant _sympathique '
Ainsi, plusieurs entités sémantiques de différents types sont obtenues à l’issue de l’étape 13.
Dans une étape 14, les entités sémantiques construites à l’étape 13 sont utilisées pour déterminer des actions types représentatives de contextes similaires d’opérations (ou d’utilisation) identifiables dans l’ensemble EV des verbatims analysés.
Selon une caractéristique particulière, une action type comprend une entité sémantique de type verbe et au moins une entité sémantique de type nom ou adjectif.
- l’entité sémantique de type verbe (ou entité d’action) définit le type d’opération associé à l’action (e.g. une installation, une modification, une annulation, etc.) ;
- l’entité sémantique de type nom (ou entité nominale) définit l’objet qui subit l’effet du type d’opération réalisé (e.g. la fibre, un rendez-vous, etc.) ;
- l’entité sémantique de type adjectif (ou entité de description) définit la manière selon laquelle le type d’opération a été réalisé (e.g. tardive, incorrecte, etc.).
Plusieurs modes de regroupements peuvent être opérés pour déterminer des actions types.
- un piston, qui est relié à l’enveloppe en étant centré sur l’axe et qui est partiellement reçu dans le corps de manière déplaçable suivant l’axe sous l’action de la matière thermodilatable lors d’une dilatation de la matière thermodilatable, le piston étant monté coulissant suivant l’axe dans un guide du corps, duquel le piston émerge à l’extérieur du corps, et
- une manchette d’étanchéité, qui est rapportée coaxialement autour du guide et du piston de manière à étancher le montage coulissant du piston dans le guide, laquelle manchette d’étanchéité inclut une première partie, qui est liée fixement au guide suivant l’axe, et une seconde partie qui est appliquée contre le piston tout autour de l’axe en contact glissant suivant l’axe.
Une des idées à la base de l’invention est de remplacer le soufflet d’étanchéité évoqué plus haut par une manchette d’étanchéité, qui est rapportée coaxialement autour du guide de manière fixe suivant l’axe et qui est rapportée coaxialement autour du piston non pas de manière fixe mais en étant en contact glissant suivant l’axe avec le piston. Cette manchette d’étanchéité est ainsi appliquée de manière racleuse contre le piston tout autour de l’axe, ce qui assure l’étanchéité du contact entre elle et le piston, y compris lors des déplacements axiaux du piston par rapport au corps. La manchette d’étanchéité est avantageusement souple, en présentant notamment une résilience élastique qui est mise à profit pour assurer une application sensiblement radiale de la manchette d’étanchéité contre le piston. Dans tous les cas, la manchette d’étanchéité présente l’avantage de pouvoir être dimensionnée suivant l’axe de manière particulièrement réduite, notamment comparativement au soufflet d’étanchéité évoqué plus haut : grâce à cette compacité axiale de la manchette d’étanchéité, l’écoulement des fluides dans la chambre est moins, voire pas perturbé autour du piston, ce qui n’altère pas les performances de l’ensemble thermostatique conforme à l’invention en termes de débit maximal admissible. L’assemblage entre le corps de l’élément thermostatique et le tiroir est avantageusement facilité par la manchette d’étanchéité, dans le sens où cette dernière peut être dimensionnée de manière suffisamment compacte pour, tout en restant en place sur le corps et vis-à-vis du piston mobile, ne pas entrer en interférence avec le tiroir lors de cet assemblage, comme expliqué plus en détail par la suite. Plus généralement, la manchette d’étanchéité de l’ensemble thermostatique conforme à l’invention permet d’améliorer les performances de cet ensemble thermostatique, en lien avec, entre autres, son assemblage, ses capacités de régulation thermostatique, son coût, etc., également comme détaillé par la suite.
Suivant des caractéristiques additionnelles avantageuses de l’ensemble thermostatique conforme à l’invention, prises isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- Le tiroir est pourvu d’un passage, qui traverse le tiroir axialement de part en part, en étant centré sur l’axe, et qui reçoit le guide de manière complémentaire, le diamètre extérieur maximal de la manchette d’étanchéité étant inférieur au diamètre intérieur minimal du passage.
- Le guide et le passage coopèrent par complémentarité de formes pour lier en déplacement suivant l’axe le corps et le tiroir.
- La seconde partie de la manchette d’étanchéité est axialement juxtaposée au guide.
- La dimension axiale maximale de la manchette d’étanchéité est inférieure au diamètre extérieur maximal de la région du guide, par laquelle la première partie de la manchette d’étanchéité est fixée suivant l’axe au guide.
- Lorsque le piston est escamoté au maximum dans le corps, le piston émerge axialement de la manchette d’étanchéité sur une étendue axiale qui est inférieure ou égale à un millimètre.
- La seconde partie de la manchette d’étanchéité est appliquée contre le piston de manière sensiblement radiale à l’axe par effet de résilience élastique de la membrane d’étanchéité.
- Le piston est extérieurement lisse sur au moins toute sa partie qui émerge du guide lorsque le piston est déployé au maximum vis-à-vis du corps.
- L’ensemble thermostatique comporte en outre un mécanisme de commande de la température du fluide mitigé, ce mécanisme étant porté par l’enveloppe et reliant le piston à l’enveloppe de manière à régler la position du piston suivant l’axe.
- L’ensemble thermostatique forme une cartouche thermostatique adaptée pour être rapportée d’un seul tenant dans un corps de robinet.
L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple et faite en se référant aux dessins sur lesquels : La est une coupe longitudinale d’un ensemble thermostatique conforme à l’invention, réalisé sous forme d’une cartouche thermostatique ; La est une vue à plus grande échelle du détail encadré II sur la ; La est une vue en élévation d’un élément thermostatique appartenant à l’ensemble thermostatique des figures 1 et 2, montré seul ; et La est une coupe longitudinale du détail cerclé IV sur la .
Sur les figures 1 et 2 est représentée une cartouche thermostatique 1 agencée autour et le long d’un axe X-X. Cette cartouche thermostatique 1 est adaptée pour équiper un robinet mitigeur à alimenter en eau chaude et en eau froide, non représenté en tant que tel sur les figures, ou, plus généralement, pour équiper une installation alimentée en un fluide chaud et en un fluide froid à mélanger.