Procédé de fabrication d’au moins une structure de transistor, comprenant, dans cet ordre, les étapes suivantes : - prévoir sur un support (100) doté d’une couche isolante (11) et d’une couche semi-conductrice superficielle (12) reposant sur la couche isolante (11) : un bloc (25) de grille de transistor sur cette couche semi-conductrice superficielle (12) et des espaceurs isolants (33) de part et d’autre dudit bloc (25) de grille, - rendre amorphe des régions semi-conductrices (123) de ladite couche semi-conductrice superficielle (12) situées de part et d’autre du bloc (25) de grille, tout en conservant au moins une zone semi-conductrice cristalline (121) de la couche semi-conductrice superficielle (12) sous le bloc (25) de grille, - former, en particulier de manière sélective par rapport à ladite zone (121) cristalline de la couche semi-conductrice superficielle, des régions d’alliage de métal et de semi-conducteur (125) dans les régions semi-conductrices rendues amorphes de la couche semi-conductrice superficielle (12). Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre, préalablement à l’étape consistant à rendre amorphe ou concomitamment à l’étape consistant à rendre amorphe lesdites régions semi-conductrices (123) : le dopage de portions (122, 123) de la couche semi-conductrice superficielle (12) de part et d’autre de ladite zone (121) cristalline. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l’étape consistant à rendre amorphe lesdites régions semi-conductrices (123) est effectuée par implantation ionique et de sorte à doper concomitamment lesdites régions semi-conductrices (123) de la couche semi-conductrice superficielle (122). Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel, préalablement à l’étape consistant à rendre amorphe lesdites régions semi-conductrices (123), on effectue une implantation de sorte à doper des zones (122) dites d’extension de la couche semi-conductrice superficielle (12), les espaceurs isolants (33) étant agencés en regard desdites zones (122) d’extension. Procédé selon la revendication 4, dans lequel un dopage desdites zones d’extension (122) est effectué par implantation à l’aide d’un faisceau parallèle à une normale (n) à un plan principal du support (100) et préalablement à une étape consistant à former des espaceurs isolants (33) de part et d’autre dudit bloc (25) de grille, l’étape consistant à rendre amorphe les régions semi-conductrices (123) étant réalisée après formation desdits espaceurs isolants (33). Procédé selon la revendication 4, dans lequel un dopage desdites zones d’extension (122) est effectué après formation desdits espaceurs isolants (33) de part et d’autre dudit bloc (25) de grille, par implantation à faisceau incliné par rapport à une normale (n) à un plan principal du support (100). Procédé selon l’une des revendications 2 à 6, comprenant en outre, après dopage desdites portions (122, 123) de la couche semi-conductrice superficielle et l’étape consistant à rendre amorphe lesdites régions semi-conductrices (123) : - au moins un recuit d’activation de dopants prévu de sorte à ne pas recristalliser lesdites régions semi-conductrices (123) rendues amorphes. Procédé selon l’une des revendications 2 à 6, comprenant en outre, après dopage desdites portions (122, 123) de la couche semi-conductrice superficielle et l’étape consistant à former lesdites régions d’alliage de métal et de semi-conducteur (125), au moins un recuit d’activation de dopants. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans l’étape consistant à rendre amorphe lesdites régions semi-conductrices (123), comprend une implantation à faisceau incliné par rapport à une normale (n) à un plan principal du support (100). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le support (100) est doté d’un ou plusieurs composants d’un premier niveau (N 1 ) de composants formés dans une couche semi-conductrice (2) sous-jacente. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre des étapes consistant à : - former au moins une couche isolante sur les régions d’alliage de métal et de semi-conducteur (125) et la grille, - réaliser au moins une ouverture dévoilant au moins une région donnée parmi lesdites régions d’alliage de métal et de semi-conducteur (125), - formation d’un plot conducteur en contact avec ladite région donnée.