INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’organe d’espacement 33 comporte en outre deux alésages qui le traversent dans la direction d’épaisseur de la paroi de cuve et dans lesquels sont engagées deux vis de fixation 34 qui lient la platine inférieure 31 et la platine supérieure 32 à deux faces opposées de l’organe d’espacement 33. Plus précisément, l’extrémité inférieure 35 de chaque vis de fixation 34 est filetée et vissée dans un trou taraudé 38 de la platine inférieure 31.
A l’extrémité opposée, chaque vis de fixation 34 comporte une tête 36, par exemple conique ou plate, logée de manière coulissante dans un alésage 46 de la platine supérieure 32. Une position de butée de la tête 36 contre un fond de l’alésage 46, représentée sur les figures 2 et 3, définit une position d’espacement maximal des platines 32 et 31. La dimension de cet espacement maximal est définie par la longueur utile des vis de fixation 34 entre la platine inférieure 31 et la platine supérieure 32. Cette longueur peut être réglée finement lors de la fabrication, en réglant la longueur engagée par vissage dans les trous taraudée 38.
L’organe d’espacement comporte une pièce de butée présentant une face inférieure et une face supérieure parallèles aux platines 32 et 31. L’épaisseur du bloc d’espacement 33 entre la face inférieure et la face supérieure définit un espacement minimal entre la platine inférieure 31 et la platine supérieure 32. Cet espacement minimal est atteint dans une position de butée, représentée par exemple sur les figures 2 et 3, dans laquelle la platine inférieure 31 et la platine supérieure 32 sont en butée contre la face inférieure et la face supérieure 48 du bloc d’espacement 33.
L’organe d’espacement 33 comporte par exemple une première pièce rigide espacée et parallèle d’une deuxième pièce rigide. Selon une variante, l’organe d’espacement 33 comporte une pièce de butée ayant la forme d’un pont dont une portion passe entre la platine anti-rotation 63 et la platine supérieure 32. Dans cette variante, ladite portion présente un passage traversant 65 afin de permettre le passage du premier et deuxième outils de vissage jusqu’à respectivement l’empreinte 60 de la tige d’ancrage 22 et l’empreinte 62 de l’écrou 42.
Afin de mesurer si le réglage de l’écrou 42, notamment le serrage de l’écrou 42 convient avec les paramètres souhaités, la platine supérieure 32 peut présenter, comme c’est illustré sur la , un premier orifice de mesure 58 et un deuxième orifice de mesure 59.
Le premier orifice de mesure 58 est situé à proximité de l’orifice traversant 47 et débouche en vis-à-vis l’écrou 42 ou en vis-à-vis de la plaque anti-rotation 63. Le deuxième orifice de mesure 59 est située à une plus grande distance de l’orifice traversant 47 que le premier orifice de mesure 58 et débouche en vis-à-vis de la platine inférieure 31.
Pour réaliser la mesure, un instrument de mesure, par exemple une tige, est inséré dans le premier orifice de mesure 58 afin de déterminer la distance entre l’extrémité supérieure 52 de l’écrou 42 et la platine supérieure 32 puis, l’instrument de mesure, ou un autre instrument de mesure, est inséré dans le deuxième orifice de mesure 59 afin de déterminer la distance entre la platine supérieure 32 et la platine inférieure 31. Au regard de ces mesures, il est alors possible de déterminer la position de l’écrou 42 par rapport à la platine inférieure 31 et donc de régler de manière fiable ledit écrou 42.
En référence à la dans laquelle la platine anti-rotation a été volontairement omise, les éléments identiques ou similaires présentent la même référence incrémentée de 100, ils ne seront pas répétés. Dans cette variante de réalisation, l’organe d’espacement 133 comporte en outre un organe élastiquement compressible 166 tendant à maintenir la platine inférieure 131 et la platine supérieure 132 dans une position écartée. L’organe élastiquement compressible 166 étant située entre la platine inférieure 131 et la platine supérieure 132, dans les alésages de l’organe d’espacement 133, autour des vis de fixation 134. L’organe élastiquement compressible 166, ici représenté sous la forme d’un ressort hélicoïdal, est configuré pour se comprimer élastiquement jusqu’à ladite position de butée des platines inférieure 131 et supérieure 132 contre la pièce de butée 33 en réponse à un effort tendant à rapprocher la platine supérieure 132 de la platine inférieure 131. Pour davantage de détail concernant l’organe élastiquement compressible, on pourra se référer au document WO2021239712A1.
Il va être décrit ici un procédé de montage pour monter un dispositif d’ancrage 20 précité, en relation avec la . Le procédé décrit ci-après est par exemple réalisé par un technicien directement durant la fabrication d’une cuve étanche et thermiquement isolante.
Le procédé de montage comprend les étapes suivantes : - positionner le dispositif d’ancrage 20 comme expliqué précédemment en relation avec la , c’est à-dire entre quatre coins des blocs isolants secondaires 7 ; - insérer la tige d’ancrage 22 dans la douille 23 puis dans l’écrou 18 situé dans la douille 23 ; - insérer un premier outil de vissage, à travers l’orifice traversant 47 de la platine supérieure 32, l’orifice 53 de la platine d’ancrage et à travers le passage traversant 64 de la tête d’écrou 42 jusqu’à atteindre l’empreinte 60 de la tige d’ancrage 22 comme illustré par la flèche 55 sur la ; - visser la tige d’ancrage 22 dans l’écrou 18 qui est bloqué en rotation par la douille 23 puis retirer le premier outil de vissage de l’empreinte 60 ; - insérer un deuxième outil de vissage de manière analogue au premier outil de vissage jusqu’à atteindre l’empreinte 62 de l’écrou 42 comme illustré par la flèche 56 ; - visser l’écrou 42 afin de serrer les rondelles Belleville selon le réglage souhaité et afin d’ancrer la platine inférieure 31 contre les entretoises 50, en direction de la paroi porteuse 2 puis, retirer le deuxième outil de vissage de l’empreinte 62 ; - souder la platine anti-rotation 63 au niveau de la saillie circulaire 51, par exemple par la technique de soudage par points en utilisant une machine à souder par points directement à travers l’orifice traversant 47 de la platine supérieure 32.
Dans un mode de réalisation, la coiffe présente une face interne, destinée à être placée en regard de la base, et une face externe, la base présentant une surface d’appui à travers laquelle débouche l’orifice de distribution, la face interne de la coiffe étant appliquée sur la surface d’appui dans la configuration de repos.
Grâce à l’association intime entre la coiffe et la base, avec l’application de la face interne de la coiffe sur la base, la tête de distribution présente une apparence compacte et n’engendre pas un sur volume pour le dispositif de conditionnement et de distribution.
Dans un mode de réalisation, l’orifice de sortie est délimité entre la région déformable et l’autre de la coiffe et de la base dans la configuration de distribution.
Grâce à cette caractéristique, il est possible de créer un orifice de sortie transversal, de sorte à s’adapter à la géométrie particulière d’un poussoir.
Dans un mode de réalisation l’orifice de sortie est défini à travers la coiffe, dans la région déformable.
Lorsque l’orifice de sortie est ainsi défini, il est possible de faire sortir le produit cosmétique directement sur la face externe de la coiffe, ce qui permet d’utiliser la coiffe comme applicateur sur une surface corporelle de l’utilisateur.
Dans un mode de réalisation au moins une région fixée de la coiffe ou de la base s’étend en regard d’au moins une ligne périphérique interne de fixation définissant la périphérie du chemin de fuite, située autour et à l’écart de l’orifice de distribution, la région déformable étant définie à l’intérieur de la ligne périphérique interne de fixation.
La présence d’une ligne périphérique de fixation à la périphérie de la région déformable assure une fixation et une étanchéité robuste de la coiffe autour de la région déformable, ce qui garantit une déformation simple et reproductible de la région déformable.
Dans un mode de réalisation la ligne périphérique interne de fixation présente une forme de goutte.
La forme de goutte de la ligne périphérique de fixation définit à son tour une région déformable qui converge vers l’orifice de sortie, assurant un guidage reproductible du produit lors de sa distribution.
Dans un mode de réalisation la base ou la coiffe présente, au niveau de la ligne périphérique interne de fixation, une pluralité de trous traversant ménagés à travers la base ou à travers la coiffe, la région fixée de la coiffe ou de la base comportant des parties de la coiffe surmoulées à travers les trous traversant.
La réalisation d’une ligne de fixation interne au moyen de trous ménagés dans la base, dans laquelle sont placées des régions surmoulées de la coiffe rend la fabrication de la tête simple et réduit son coût de fabrication, tout en assurant une fixation extrêmement robuste de la coiffe sur la base.
- au moins une région fixée de la coiffe ou de la base s’étend en regard d’une ligne périphérique externe de fixation, située autour et à l’écart de la ligne périphérique interne de fixation ;
- la base ou la coiffe présente une surface d’appui sur laquelle la région déformable est appliquée, et un rebord en saillie par rapport à la surface d’appui, la ligne périphérique interne de fixation étant située sur la surface d’appui, la ligne périphérique externe de fixation étant située sur le rebord.
La présence d’une ligne périphérique externe, autour de la ligne périphérique interne, assure une coopération renforcée entre la coiffe et la base, ce qui améliore l’aspect esthétique de la tête et assure la concordance de forme entre la base et la coiffe, notamment lorsque la base présente un rebord externe en saillie.
Stérilité/non- pyrogénicité des magnétosomes formulés. Par rapport aux magnétosomes non formulés, les magnétosomes formulés doivent non seulement préserver leurs propriétés physicochimiques, mais aussi leur biocompatibilité. Pour étudier ce dernier aspect, nous avons d'abord examiné la stérilité des magnétosomes formulés en introduisant (M-CA) f et (M-CMD) f pendant 14 jours dans des solutions de bouillon tryptique de soja (TSB) et de milieu fluide de thioglycolate (FTM) à 30°c et 37°c, respectivement. En effet, ces conditions sont connues pour amplifier les contaminants bactériens lorsqu'ils sont initialement présents dans un échantillon testé, et donc pour permettre leur détection. Pour déterminer la présence (ou l'absence) de bactéries dans (M-CA) f et (M-CMD) f , la densité optique de ces NP en suspension a été mesurée à 600 nm (OD 600 ) à la fin du temps d'incubation. La valeur de la DO 600 reflète la turbidité de ces suspensions, qui est associée à la présence d'un contaminant bactérien potentiel. (M-CA) f et (M-CMD) f présentent une faible valeur de DO 600 600 f et (M-CMD) f . Ce résultat confirme également l'absence de colonies dans les boîtes de gélose inoculées avec (M-CA) f et (M-CMD) f . Pour compléter l'évaluation de la stérilité et de la non-pyrogénicité de (M-CA) f et (M-CMD) f , la concentration en endotoxine de ces NP a été mesurée. (M-CA) f et (M-CMD) f semblent contenir une très faible concentration d'endotoxine de 2-5 EU/mg de fer, comparable aux valeurs mesurées pour les M-non enrobées. Dans l'ensemble, ces résultats soulignent l'efficacité de l'étape de purification des magnétosomes pour éliminer les contaminants bactériens de M-gC, dont la présence initiale avant un traitement spécifique est révélée par la valeur élevée de la DO 600 de M-gC de 1-2,5 ainsi que par une grande concentration d'endotoxine de M-gC de 50 EU/mg en fer. Un tel comportement peut être attribué d'une part à un processus de dépyrogénation en deux étapes, c' est-à-dire d'abord en mélangeant le M-gC avec du KOH à 80 °c et ensuite en chauffant le M-gC au-dessus de 400°C, et d'autre part à des étapes de formulation réalisées dans des conditions ascétiques, c' est-à-dire l' enrobage des minéraux de magnétosomes avec du CA ou du CMD, l'addition de cryoprotecteur aux magnétosomes enrobés M-CA et M-CMD, la lyophilisation du mélange obtenu, sont réalisés sous hotte stérile.
Non-cytotoxicité des magnétosomes formulés. Pour examiner la cytotoxicité des magnétosomes formulés lyophilisés, 100 µl de suspensions (M-CA) f et (M-CMD) f de concentrations variant entre 0,001 et 1 mg de NP en fer par ml ont été mis en contact avec différentes lignées cellulaires de mammifères, à savoir les cellules 3T3, L929 et V-79, pendant 24 heures à 37°c. Après ce traitement, la viabilité des cellules a été évaluée en mesurant l'activité métabolique cellulaire par le test de la résazurine. Toutes les lignées cellulaires affichent une viabilité supérieure à 70 % pour toutes les concentrations testées de (M-CA) fw et (M-CMD) fw , ce qui révèle que ces NP ne sont pas cytotoxiques dans les conditions testées, et que la présence d'un cryoprotecteur et d'une étape de lyophilisation dans la formulation du magnétosome n'entraîne pas de cytotoxicité supplémentaire.
Procédé de désinfection pour une installation de stockage et de récupération automatisées d’articles La présente divulgation se rapporte au domaine des installations de stockage et de récupération automatisées d’articles dans des entrepôts, couramment désignés « Automated Storage and Retrieval Systems » en langue anglaise et abréviés ASRS.
Comme cela est connu, les installations de stockage et de récupération automatisées comprennent une flotte de véhicules autonomes contrôlés par ordinateur et destinés à placer et à récupérer automatiquement des articles dans une zone de stockage d’un entrepôt. La zone de stockage inclut notamment des rayons de stockage agencés de manière compacte.
En outre, les exigences des utilisateurs en termes sanitaires ont fortement augmenté avec la menace de pandémies. En particulier, les articles à expédier sont généralement manipulés par plusieurs acteurs successifs, augmentant ainsi les risques de porter des bactéries ou virus à leur surface. Il existe par conséquent un besoin de désinfecter les articles à expédier. Toutefois, une désinfection des articles peut être chronophage et inefficace.
Le présent document vise à résoudre au moins en partie les problèmes évoqués précédemment, en proposant un procédé optimisé de désinfection pour une installation de stockage et de récupération automatisée.
Il est proposé un procédé de désinfection dans une installation de stockage et de récupération automatisée d’articles. Ladite installation comprend des emplacements aptes à recevoir les articles, l’un au moins des emplacements formant un poste de désinfection. De plus, ladite installation comprend un processeur relié à une base de données sur laquelle un inventaire des articles est mémorisé. Le processeur est configuré pour piloter le déplacement des articles d’un emplacement à l’autre de l’installation et pour tenir à jour ledit inventaire. Le procédé mis en œuvre par le processeur comprend : a. obtenir, depuis ledit inventaire, au moins des informations de gabarit et de nature des articles inventoriés, ainsi que leur emplacement dans l’installation, b. déterminer des lots d’au moins un article à désinfecter en fonction desdites informations obtenues, c. planifier une séquence temporelle de désinfection de chacun desdits lots en fonction desdites informations obtenues, chacune desdites séquences incluant un regroupement des articles constituant le lot dans ledit au moins un des emplacements formant un poste de désinfection, d. piloter le déplacement des articles au sein de l’installation de manière à mettre en œuvre lesdites séquences temporelle de désinfection planifiées.
De plus, la présente divulgation offre l’avantage considérable d’utiliser les informations sur les articles, qui sont classiquement accessibles dans les installations de stockage et de récupération automatisée, afin de pouvoir optimiser la désinfection d’articles transitant par l’installation. En effet, la désinfection d’articles peut être une étape chronophage dans une telle installation. D’une part, la constitution de lots optimisés d’articles à désinfecter, notamment en fonction de leurs natures et dimensions, et d’autre part, la planification de la séquence temporelle de désinfection de chacun des lots, permettent avantageusement de réduire l’impact des opérations de désinfection sur la gestion de l’installation. En outre, la détermination des lots peut être prévue pour grouper les articles compatibles avec une désinfection de même nature (en fonction de la nature des articles) et/ou pour maximiser la compacité, c’est-à-dire minimiser le volume laissé libre par les articles d’un lot dans l’espace dédié à la désinfection (en fonction des informations de gabarit).
Avantageusement, la détermination des lots d’au moins un article à désinfecter et la planification de la séquence temporelle de désinfection pour chacun des lots sont réalisées en fonction d’informations relatives à une date d’expédition de chacun des articles.
Chaque séquence temporelle de désinfection peut de manière avantageuse comprendre une exposition du lot à un gaz désinfectant, par exemple de l’ozone. La planification de chaque séquence temporelle de désinfection comprend la détermination d’une durée d’exposition et d’une concentration de gaz. L’utilisation d’un gaz désinfectant, et en particulier de l’ozone, offre l’avantage de permettre l’infiltration du gaz dans de potentielles cavités des articles si ces derniers présentent une forme complexe. Toutefois, d’autres gaz peuvent être utilisés à des fins de désinfection des articles. En variante, une séquence temporelle de désinfection par gaz peut être remplacée ou complétée par une exposition à une température présélectionnée. La température peut être présélectionnée en fonction de la nature des articles du lot et/ou des germes ou organismes à éliminer.
Avantageusement, chaque séquence temporelle de désinfection comprend : - placer le lot dans un contenant fermé et sensiblement hermétique au gaz, - injecter du gaz dans le contenant sélectionné de manière à atteindre la concentration prédéterminée de gaz dans le contenant en fonction des informations de gabarit des articles du lot, - évacuer le gaz dudit contenant après une durée au moins égale à la durée d’exposition prédéterminée. La durée d’exposition peut être prédéterminée en fonction d’une dose d’exposition visée et correspondant à des germes ou organismes à éliminer. La période d’exposition peut se superposer à une période de stockage, y compris hors du poste de désinfection. Dans un tel cas, le processeur peut lire dans l’inventaire (ou déduire des données lues) un temps de stockage d’un lot d’articles, puis en déduire une concentration d’un agent désinfectant modulée en fonction du temps d’exposition pendant le stockage lors de la planification de la séquence temporelle. Cela permet, lorsque la durée d’exposition est importante, de réduire la quantité/concentration d’agent désinfectant mise en œuvre.
Dans cet exemple, la couche de libération 21 métallique est formée du côté du substrat donneur 1, par exemple directement sur la face 201. La couche d’absorption 22 minérale est formée sur la couche de libération 21 métallique, de sorte à ce que la couche de libération 21 métallique soit intercalée entre le substrat donneur 1 et la couche d’absorption 22 minérale.
Comme illustré à la , quelle que soit la face 201 ou 202 sur laquelle est formée la couche de scission 20, le substrat donneur 1 et le substrat de transfert 3 sont assemblés via la couche de scission 20, typiquement par collage moléculaire.
Comme illustré à la , le substrat donneur 1 est ensuite retiré, par exemple en partie par rognage et en partie par polissage mécano-chimique (CMP) ou par attaque chimique sélective vis-à-vis de la couche active 10. La couche active 10 et la couche d'oxyde 11 sont conservées sur le substrat de transfert 3.
Comme illustré à la , la couche active 10 et la couche d’oxyde 11 sont ensuite structurées de manière à former et individualiser des dispositifs semi-conducteurs 100, par exemple des LEDs. Cette structuration peut comprendre des étapes de recuit à des températures de quelques centaines de degrés Celsius. Avantageusement, les couches 21, 22 de la couche de scission 20 supportent ces températures. La structuration peut donc se faire après transfert des couches initiales 10, 11 sur le substrat de transfert 3. Le procédé de transfert est ainsi moins contraignant pour l’enchaînement des étapes de formation des dispositifs 100. Dans l’exemple illustré à la , les dispositifs semi-conducteurs 100 comprennent une partie 111 isolante et transparente, une partie active 110 typiquement configurée pour émettre de la lumière, et des plots de contact 112. La formation des dispositifs 100 individuels peut notamment comprendre une ou plusieurs gravures anisotropes selon z. La gravure de la couche d’oxyde 11 est typiquement sélective vis-à-vis de la couche de libération 21 métallique.
Comme illustré à la , après formation des dispositifs 100, le substrat de transfert 3 est amené en regard du substrat récepteur 2, par exemple un support d’écran, destiné à recevoir au moins certains des dispositifs 100. La face 205 du substrat récepteur 2 présente typiquement des plots de contact 211 aux emplacements prévus pour la réception des dispositifs 100. Après alignement des plots de contact 112 et 211, un collage est effectué, par exemple par thermo-compression ou par collage Cu-Cu entre les plots de contacts 112, 211. Une illumination de la couche de scission 20 est ensuite effectuée par un rayonnement IR au travers du substrat de transfert 3. Ce rayonnement IR est typiquement localisé uniquement au-dessus des dispositifs 100 à transférer. Au moins 20 %, de préférence au moins 30 % ou au moins 40 %, du rayonnement IR est typiquement absorbé par la couche 22. L’énergie du rayonnement IR ainsi absorbé est transmise sous forme de chaleur à la couche de libération 21 métallique.
Comme illustré à la , la couche de libération 21 métallique fond ou se vaporise sous l’effet de la chaleur induite par le rayonnement IR, libérant ainsi des dispositifs 100a assemblés sur le substrat récepteur 2. Le rayonnement IR étant localisé, d’autres dispositifs 100b peuvent être conservés sur le substrat de transfert 3, via des parties 21p de la couche de libération 21 métallique qui n’ont pas fondues. Le substrat de transfert 3 peut alors être amené à un autre emplacement pour effectuer un autre transfert, par exemple pour le ou les dispositifs 100b.
Le rayonnement IR présente typiquement une longueur d’onde comprise entre 1 µm et 2,5 µm, de préférence entre 1,5 µm et 2 µm. Il est de préférence produit sous forme d’impulsions par un laser pulsé. L’énergie d’une impulsion de rayonnement IR est de préférence comprise entre 0,1 µJ et 100 µJ, de préférence entre 1 µJ et 20 µJ, de préférence entre 5 µJ et 10 µJ, par exemple de l’ordre de 7 ou 8 µJ. La durée d’une impulsion de rayonnement IR est de préférence comprise entre 100 fs et 50 ps, de préférence entre1 ps et 20 ps. Une seule impulsion de rayonnement IR peut suffire à désolidariser le dispositif 100a du substrat de transfert 3.
Les figures 7 à 14 illustrent un autre mode de réalisation du procédé de transfert. Dans ce mode de réalisation, un premier transfert de la couche semi conductrice 10 est effectué depuis le substrat de croissance 1a vers un substrat intermédiaire 1b, par exemple à base de silicium. Après croissance de la couche active 10 sur le substrat 1a ( ), le substrat intermédiaire 1b est collé sur la couche active 10 par l’intermédiaire d’une ou plusieurs couches d’oxyde 11, par exemple à base d’oxyde de silicium ( ). Le substrat de croissance 1a est ensuite retiré, par exemple en partie par rognage et en partie par polissage mécano-chimique (CMP) ou par attaque chimique sélective vis-à-vis de la couche active 10, de façon à exposer une face 200 de la couche active 10 ( ).