INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La Fig. 4A représente une étape de la phase d’entrainement d’un exemple de système de détection d’objets selon la Fig. 3. Dans l’exemple représenté, le codeur spatio-temporel comprend étages en cascade, chaque étage comprenant un réseau CNN (réseau IR) et un réseau RNN, arrangés en série. L’état du codeur spatio-temporel à l’instant , après mise à jour, est par conséquent donné par . Un réseau convolutionnel par blocs est prévu en amont étages CNN-RNN, et un réseau IR est disposé en aval de la cascade d’étages CNN-RNN. Le codeur spatio-temporel reçoit séquentiellement en entrée des trames de données radar et le décodeur effectue une prédiction sur la base des dernières trames reçues, cette prédiction étant confrontée à une cartographie des objets existants dans la scène. Les paramètres des différents réseaux de neurones IR et RNN sont mis à jour après calcul de la fonction de perte et une rétropropagation du gradient visant minimiser l’erreur de prédiction.
Dans l’exemple de réalisation illustré sur la (donnant une vue en couple selon l’axe B), les ouvertures 57 5 , 57 7 ont un fond situé au niveau d’une face supérieure, respectivement de la première zone d’isolation 15A et de la deuxième zone d’isolation 15B.
Selon une variante de réalisation (non représentée), on peut prévoir de prolonger ces ouvertures dans les zones d’isolation 15A, 15B. Le fond de ces ouvertures 57 5 , 57 7 peut être alors situé dans l’épaisseur des zones d’isolation 15A, 15B.
Selon une autre possibilité, les ouvertures 57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 peuvent avoir un fond situé au niveau d’un matériau isolant disposé sur les zones d’isolation 15A, 15B, par exemple au niveau de la couche diélectrique 27 de masquage ou d’une couche de type.
Dans l’un ou l’autre cas, le fait de réaliser les ouvertures 57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 en regard d’une zone d’isolation 15A ou 15B plutôt qu’au-dessus de la zone active permet notamment de se rapprocher de la zone active sans devoir contrôler très précisément la hauteur à laquelle se trouve leur fond.
Dans l’exemple de réalisation particulier illustré sur les figures 9A et 9D, des premières ouvertures 57 1 , 57 3 , 57 5 , 57 7 , sont formées d’un premier côté et à distance du bloc semi-conducteur 14 et ont un fond dévoilant la première zone d’isolation 15A, tandis que des deuxièmes ouvertures 57 2 , 57 4 , 57 6 , 57 8 sont formées d’un deuxième côté et à distance du bloc semi-conducteur 14 et ont un fond dévoilant la deuxième zone d’isolation 15B. Chaque ouverture 57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 est dans cet exemple de réalisation particulier disposée entre une paire de blocs 22e et 22d, (resp. 22d et 22c, 22c et 22b, 22b et 22a) de blocs de grilles.
De manière avantageuse, concomitamment à la réalisation des ouvertures 57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 d’accueil des électrodes d’échange, on peut prévoir de réaliser une ou plusieurs autres ouvertures à travers la couche isolante 50 et en particulier des ouvertures 58, 59 pour réaliser des prises de contact sur les réservoirs 33a, 33b de dopants. Ces ouvertures 58, 59 ont ainsi un fond atteignant les réservoirs 33a, 33b de dopants ou les zones siliciurées formées sur ces réservoirs.
Des plots conducteurs 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 , 68, 69 sont ensuite formés par remplissage des ouvertures 57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 , 58, 59 à l’aide d’un ou plusieurs matériaux conducteurs (figures 10A, 10B, 10C, 10D). Un exemple de réalisation particulier prévoit un remplissage à l’aide d’un empilement de Ti, TiN et W.
Les plots conducteurs 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 forment ainsi chacun une électrode d’échange. Les plots conducteurs 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 , ont une extrémité inférieure 681 en contact avec une des zones d’isolation 15A, 15B.
Les électrodes d’échange 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8, sont prévues pour moduler les barrières de potentiel et par conséquent une barrière tunnel entre deux ilots quantiques adjacents ou voisins à proximité desquels ces électrodes d’échange sont disposées.
La fonction des électrodes d’échange 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8, est distincte de celle des grilles avant, ces électrodes d’échange 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8, ne sont donc pas connectées aux grilles 22a, …, 22e avant. Les électrodes d’échange 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 , ne sont pas en contact avec le bloc semi-conducteur 14 dans lequel les ilots sont formés.
En fonction des niveaux de tensions qui leurs sont appliqués, elles modulent donc le couplage quantique entre les ilots quantiques et permettent ainsi de réaliser un contrôle de l’énergie d’échange entre ilots quantiques voisins.
Les plots conducteurs 68, 69 servent quant à eux de prises de contact sur les réservoirs 33a, 33b de dopants. On peut ainsi avantageusement réaliser de manière concomitante des prises de contacts sur les réservoirs de charges ainsi que les électrodes d’échange, et ce sans introduire d’étape supplémentaire spécifique pour réaliser ces électrodes d’échange, et en particulier sans étape de lithographie supplémentaire.
La donne, par souci de simplification, une vue en coupe du dispositif sans une partie supérieure de la couche isolante 50 traversée par les électrodes d’échange 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 .
Comme illustré sur la , le dispositif quantique à qubits de spin réalisé comporte une première électrode d’échange 67 1 prévue à proximité d’une première région 14A du bloc semi-conducteur 14 formant un premier ilot quantique et d’une deuxième région 14B du bloc semi-conducteur 14 formant un deuxième ilot quantique. La première électrode d’échange 67 1 permet de moduler la barrière tunnel entre la première région 14A formant le premier ilot quantique et la deuxième région 14B formant le deuxième ilot quantique. Pour disposer l’électrode d’échange on vise à s'approcher latéralement au maximum de la zone active autrement dit du bloc semi-conducteur 14, sans pour autant entrer en contact avec ce bloc, ni créer un courant de fuite entre l'électrode et la zone active. La distance séparant l'électrode et la zone active doit typiquement garantir que le courant de fuite mesuré entre ces deux éléments soit inférieur à 10 pA, pour des différences de potentiels entre ces deux éléments pouvant atteindre jusqu'à 5 Volts.
Par « à proximité », on entend ici à une distance non-nulle et de préférence inférieure à 20 nm et typiquement comprise entre 3 nm et 20 nm, de préférence 3 nm et 10 nm, avantageusement entre 3 nm et 5 nm.
Chaque électrode d'échange 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 est également positionnée à une distance minimale Δmin non nulle du bloc semi-conducteur de préférence suffisante pour éviter qu’un courant tunnel ne passe entre cette électrode d’échange et le bloc semi-conducteur 14. Une distance Δmin d’au moins 3 nm est de préférence prévue pour cela.
Ainsi, une communauté d’énergie, également appelé système énergétique ou réseau d’énergie, peut comprendre une pluralité de composants choisis parmi un système producteur d’énergie, un système consommateur d’énergie, un moyen de stockage d’énergie et une connexion à un réseau de distribution électrique. De préférence, la communauté d’énergie peut comprendre au moins un système producteur, un système consommateur et une connexion à un réseau de distribution électrique. Avantageusement, la communauté d’énergie peut comprendre au moins un système producteur, un système consommateur, une connexion à un réseau de distribution électrique et un moyen de stockage d’énergie.
Le système producteur d’énergie peut notamment comprendre au moins un système producteur d’énergie renouvelable (tel qu’au moins un panneau photovoltaïque, au moins une éolienne, une centrale hydraulique, une centrale biomasse), ou tout autre centrale électrique, par exemple une centrale nucléaire, une centrale au gaz, etc.
Le système consommateur d’énergie peut notamment comprendre au moins un bâtiment (par exemple un bâtiment à usage d’habitation, un bâtiment industriel, ou un bâtiment à usage professionnel) et l’ensemble des équipements électriques intégrés au bâtiment (par exemple pour du chauffage, des outils industriels, de la cuisine, de l’informatique, etc.), ou un équipement partagé (par exemple de l’éclairage public, une borne de charge de véhicule), etc.
Un moyen de stockage d’énergie peut notamment être une batterie, un système de stockage de gaz comprimé, une pile à combustible, ou tout moyen analogue.
La communauté d’énergie est caractérisée par une topologie, qui définit des nœuds pour chaque composant et des connexions entre lesdits nœuds. En d’autres termes, la communauté d’énergie est représentée par un réseau comprenant des nœuds et des liaisons entre les nœuds, les nœuds représentant les composants de la communauté d’énergie et les liaisons représentant les connexions entre les composants. Avantageusement, la topologie peut comprendre pour chaque nœud le type de composant parmi système producteur d’énergie, système consommateur d’énergie, moyen de stockage d’énergie et connexion avec le réseau de distribution d’énergie.
De plus, la communauté d’énergie comprend au moins un moyen de mesure de flux électrique d’un composant, et éventuellement un moyen de reconstruction d’un flux électrique d’un composant à partir des mesures. En d’autres termes, un moyen de mesure capte un flux électrique sortant et/ou entrant d’un composant de la communauté d’énergie. Ce moyen de mesure est généralement appelé compteur. Ce moyen de mesure peut être certifié (officiel, certifié MID pour la facturation) ou non certifié. Un moyen de mesure certifié est un moyen de mesure dont la mesure est correcte, et qui peut servir notamment au fournisseur d’énergie électrique pour la facturation. Il peut s’agir par exemple d’un compteur Linky tel que déployé en France. Un moyen de mesure non certifié est un moyen de mesure dont la mesure peut être soumise à des imprécisions de mesure. Il peut s’agir d’un compteur informel placé sur un panneau photovoltaïque ou tout autre composant.
1) Construction d’un modèle de conservation du flux
2) Attribution d’un niveau de priorité
3) Mesure de flux électriques
4) Détermination de flux électriques du premier niveau de priorité
5) Détermination de flux électriques des autres niveaux de priorité
Les étapes peuvent être mises en œuvre par des moyens informatiques, notamment un ordinateur, un serveur ou un calculateur. Les étapes 1 et 2 peuvent être mises en œuvre une seule fois hors ligne, puis les étapes 3 à 5 peuvent être mises en œuvre en temps réel ou pour une période passée. Les étapes 1 et 2 peuvent être réalisées dans cet ordre, en ordre inverse ou simultanément. Les étapes seront détaillées dans la suite de la description.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, les étapes du procédé selon un mode de réalisation de l’invention. A partir de la topologie TOP de la communauté d’énergie, on construit un modèle de conservation de flux MCF et on attribue un niveau de priorité NIP à chaque flux électrique de la topologie. On mesure des flux électriques MES par les moyens de mesure. On applique alors une première fois une méthode d’optimisation OPT1 pour le premier niveau de priorité, pour déterminer des flux électriques Fe1 en fonction des mesures MES et du modèle de conservation du flux MCF. Puis, on répète, pour chaque niveau de priorité, une méthode d’optimisation OPTN pour déterminer les flux électriques FeN, en fonction des mesures MES et du modèle de conservation du flux MCF. La répétition (itération) est indiquée par la flèche de rétroaction N=N+1. Cette répétition de la méthode d’optimisation prenant en compte les flux électriques déterminés pour les niveaux de priorité antérieurs.
Lors de cette étape, on construit un modèle de conservation du flux électrique pour chaque nœud de la communauté d’énergie en fonction de la topologie de la communauté d’énergie. En d’autres termes, pour chaque composant de la communauté d’énergie, on applique un modèle de conservation du flux qui impose que la somme de tous les flux en ce nœud (sortant ou respectivement entrant) est égale à l’énergie du composant (produite ou respectivement consommée). Ce modèle, qui traduit l’équilibre énergétique de chaque composant, permet une bonne représentativité des échanges électriques au sein de la communauté d’énergie, assurant la détermination précise de flux électriques au sein de la communauté d’énergie.
La première électrode d’échange 67 1 est ici juxtaposée à une partie 141 de la portion centrale 140 dudit bloc semi-conducteur 14, de préférence non dopée, qui est agencée entre la première région 14A formant le premier ilot et la deuxième région 14B formant le deuxième ilot. Dans cette configuration particulière où les blocs 22e, 22d de grille dépassent respectivement des régions 14A, 14B, la première électrode d’échange 67 1 est agencée entre un premier bloc 22e de grille et un deuxième bloc 22d de grille, ces blocs 22e, 22d de grille s’étendant principalement dans une direction orthogonale à celle dans laquelle le bloc semi-conducteur 14 s’étend principalement. Un tel agencement permet également d’avoir des plots conducteurs proches de la zone active tout en évitant un effet d’écrantage des grilles.
On peut se servir avantageusement d’une paire d’électrodes 67 1 , 67 2 pour mieux moduler les barrières tunnel entre une paire d’ilots voisins ou adjacents.
Ainsi, dans l’exemple de réalisation particulier illustré, une deuxième électrode d’échange 67 2 prévue d’un autre côté du bloc semi-conducteur 14 est également disposée à proximité de ladite première région 14A formant le premier ilot quantique et de la deuxième région 14B formant un deuxième ilot quantique. La deuxième électrode d’échange 67 2 agencée au-dessus de la deuxième zone d’isolation 15B est également disposée à une distance donnée des ilots 15A, 15B choisie pour permettre de pouvoir moduler la barrière de potentiel entre ledit premier ilot quantique et ledit deuxième ilot quantique. L'électrode d'échange 67 2 est positionnée à distance Δmin suffisante du bloc semi-conducteur pour permettre de préférence qu'aucun courant tunnel ne passe entre cette électrode 67 2 et le bloc semiconducteur 14.
Les électrodes 67 1 , 67 2 d’échange peuvent être dans ce cas pilotées indépendamment l’une de l’autre, de sorte que la première électrode 67 1 peut être mise à un premier potentiel tandis que la deuxième électrode 67 2 est mise à un deuxième potentiel différent du premier potentiel.
Une troisième électrode 67 3 d’échange et une quatrième électrode 67 4 d’échange sont ici disposées de part et d’autre d’une partie 142 du bloc semi-conducteur 14 située entre le deuxième ilot quantique, et un troisième ilot formé dans une troisième région 14C de ce bloc semi-conducteur 14. La troisième électrode 67 3 d’échange et la quatrième électrode 67 4 disposées respectivement sur la première zone d’isolation 15A et sur la deuxième zone d’isolation 15B, sont prévues, en fonction des potentiels respectifs qui leurs sont appliqués, pour permettre de pouvoir moduler la barrière tunnel entre le deuxième ilot quantique formé dans la région 14B et le troisième ilot quantique formé dans la région 14C.
Dans l’exemple de réalisation illustré, les électrodes 67 5 , 67 6 disposées entre la région 14C et la région 14D, sont prévues pour moduler la barrière tunnel entre le les ilots quantiques voisins formés respectivement dans ces région 14C, 14D. De même, les électrodes 67 7 , 67 8 permettent de moduler la barrière tunnel entre un ilot quantique formé dans une région 14D et un ilot quantique adjacent, ici un ilot quantique d’extrémité de la succession ou série d’ilots formés dans la portion centrale du bloc semi-conducteur 14.
Outre une ou plusieurs électrodes d’échanges entre ilots, le dispositif quantique peut être également doté d’une ou plusieurs électrodes d’échanges supplémentaires cette fois entre au moins un ilot quantique 14A ou 14E situé à une extrémité de la succession d’ilots 14A, 14B, 14C, 14D, 14E et un des réservoirs R1, R2 de dopants situés de part et d’autre de cette succession d’ilots et formé dans et/ou à partir du bloc semi-conducteur 14.
Dans un exemple de réalisation illustré sur les figures 12A, 12B (donnant respectivement une vue de dessus et une vue en coupe selon un axe C) on prévoit ici une paire d’électrodes d’échanges 81, 82, supplémentaire pour moduler la barrière de potentiel entre le premier ilot quantique 14A et un premier réservoir R1 de dopants formé dans ou sur une portion d’extrémité 148 du bloc semi-conducteur 14. Une autre paire supplémentaire d’électrodes d’échanges 83, 84, peut être également prévue pour moduler la barrière de potentiel entre cette fois un autre ilot quantique 14E d’extrémité et un deuxième réservoir R2 de dopants située à l’opposé du premier réservoir R1 dans l’autre portion 149 d’extrémité du bloc semi-conducteur 14.
Les électrodes d’échanges 81, 82, 83, 84 supplémentaires sont typiquement formées lors des mêmes étapes de procédé que les électrodes d’échanges 67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 , telles que décrites précédemment en liaison avec les figures 9A-9D et 10A-10D.
Pour réaliser ces électrodes d’échanges 81, 82, 83, 84, on forme en particulier des ouvertures dans la couche isolante 50 atteignant chacune la zone d’isolation 15A ou la zone d’isolation 15B, puis l’on remplit ces ouvertures d’au moins un matériau conducteur pour former des plots conducteurs dans ces ouvertures.
Les électrodes d’échanges 81, 82, 83, 84 sont disposées sur une zone d’isolation 15A ou 15B et suffisamment proche du réservoir de dopant R1 ou R2, pour en fonction du niveau de potentiel qui leur est appliqué, permettre de moduler le couplage entre ce réservoir de dopants R1, R2 et l’ilot quantique 15A, 15E d’extrémité juxtaposé à ce réservoir R1, R2.
Une variante de réalisation est donnée sur les figures 13A-13B. Le bloc semi-conducteur 14 a ici une portion centrale 140’ de configuration différente de celle décrite précédemment et formée d’un premier barreau semi-conducteur 1410 dans lequel une rangée d’ilots quantiques 14A, 14B, 14C, 14D, 14E est prévue et un deuxième barreau semi-conducteur 1420, dans lequel une autre rangée d’ilots 14A’, 14B’, 14C’, 14D’, 14E’
Les barreaux semi-conducteurs 1410, 1420 ont une forme oblongue par exemple parallélépipédique et sont séparés entre eux par l’intermédiaire d’une région 1450 typiquement en matériau isolant.
Cette configuration de la portion centrale 140 du bloc semi-conducteur peut être obtenue en réalisant une tranchée dans ce dernier, cette tranchée pouvant être alors remplie de matériau isolant.
Les ilots du premier barreau 1410 peuvent être prévus pour former une première rangée de qubits de donnée, tandis que les ilots du deuxième barreau 1420 peuvent former une deuxième rangée d’éléments de détection pour la lecture de valeur codée des qubits de donnée de la première rangée.
De manière optionnelle, selon un mode de réalisation, le dispositif 1 comprend en outre un ou plusieurs circuits d'alarme configuré pour détecter un ou plusieurs disfonctionnements du dispositif 1. Chaque étape de détection d'un disfonctionnement est, par exemple, mise en œuvre dans le procédé décrit en relation avec la , par exemple à la suite de l'étape 202.
La représente un mode de réalisation d'un circuit d'alarme 500 mis en oeuvre dans le circuit 1 de la .
Dans ce mode de réalisation, le circuit 500 (bloc "N ≥ TH" en ) est configuré pour détecter un blocage du signal S3, c'est à dire lorsque le signal S3 ne varie plus avec le temps de manière périodique avec une période moyenne Tm comme cela a été décrit précédemment. Cette situation résulte par exemple du fait que l'un des deux oscillateurs RO1 et RO2 se verrouille sur l'autre des deux oscillateurs RO1 et RO2, ce qui conduit à un signal S3 dont l'état est constant (haut ou bas). Cette situation peut également être le résultat d'une attaque du dispositif 1 par un pirate.
Pour détecter un tel blocage du signal S3, le circuit 500 est configuré pour recevoir les valeurs N de sortie du circuit COUNTER, et pour comparer chaque valeur N reçue à un seuil TH. Le seuil est supérieur à la valeur Nm, par exemple au moins deux fois supérieure à la valeur Nm. Dit autrement, le seuil TH est déterminé par l'écart cible utilisé à l'étape 200 ( ).
Si l'une des valeurs N reçue dépasse le seuil TH, cela signifie que le signal S3 est dans une situation de blocage, et le circuit 500 est alors configuré pour fournir un signal d'alarme ALARM1.
A titre d'exemple, lorsqu'un signal ALARM1 est émis par le circuit 500, le circuit 1 est configuré pour réinitialiser les oscillateurs RO1 et RO2, par exemple en bloquant avec un signal de commande la propagation d'oscillations dans ces oscillateurs avant de permettre à nouveau cette propagation. Après une telle étape de réinitialisation des oscillateurs RO1 et RO2, au moins l'étape 200 du procédé de caractérisation de la source d'entropie 100 est mise en œuvre.
La représente un mode de réalisation d'un autre circuit d'alarme 600 mis en oeuvre dans le circuit 1 de la .
Dans ce mode de réalisation, le circuit 600 (bloc "ALLAN VAR IN RANGE?" en ) est configuré pour détecter une modification du fonctionnement des oscillateurs RO1 et RO2 résultant, par exemple, de variation de température de fonctionnement, du vieillissement du circuit.
Pour cela, le circuit 600 reçoit les valeurs N successives de sortie du circuit COUNTER, et est configuré pour calculer des sommes SUM3 de K3 valeurs successives, et pour calculer une valeur v4 de variance d'Allan sur les valeurs successives SUM3. Le circuit 600 est en outre configuré pour comparer la valeur v4 à une valeur V4 de variance calculée à partir des coefficient b0, b1 et b2 déterminés à l'étape 200 et d'une valeur Q d'accumulation égale à K3.Nm. Si l'écart entre les valeurs v4 et V4 est supérieur à un seuil, cela signifie que le fonctionnement des oscillateurs RO1 et RO2 a été modifié depuis la mise en œuvre de l'étape 200 et que les coefficients b0, b1 et b2 déterminés lors de cette étape ne sont plus valable.
Selon un mode de réalisation, la valeur K3 est choisie égale à la valeur K utilisée pour générer le bit RN. Cela permet de réutiliser le circuit ACC K du circuit PROCESS, qui fournit alors directement les valeurs SUM. Dans des variantes de réalisation, le valeur K3 est différente de la valeur K, mais est de préférence choisie pour correspondre à une valeur Q d'accumulation pour laquelle la variance d'Allan déterminée à l'étape 200 est dans la région dominée par le bruit thermique.
Procédé et système pour la lecture d’un code d’identification dans une scène La présente invention concerne le domaine de la lecture d’un code d’identification dans une scène, par exemple, pour identifier des produits dans un entrepôt.
Dans le domaine de la logistique et du commerce, il est connu de disposer sur un produit une étiquette comportant un code d’identification afin de permettre l’identification du produit de manière informatique afin notamment de connaître sa nature, son prix et autre.
Le code d’identification se présente généralement sous la forme d’un code-barres et peut comprendre des barres noires et blanches parallèles (code-barres de catégorie « une dimension » ou 1D) ou une matrice de carrés noirs et blancs (code-barres de catégorie « deux dimensions » ou 2D).
Dans un entrepôt comportant un grand nombre de produits, il est connu de réaliser un inventaire des produits au moyen d’un robot mobile équipé d’un dispositif d’acquisition, par exemple une caméra, pour acquérir une image d’une scène susceptible de comprendre un ou plusieurs code-barres. L’image subit un procédé de traitement comprenant des étapes consistant, d’une part, à détecter un ou plusieurs code-barres et, d’autre part, à lire le ou lesdits code-barres détectés.
- à mesurer la réponse spectrale du réseau de Bragg, puis
- à déterminer la valeur de la longueur d’onde λ du réseau de Bragg à partir de la réponse spectrale mesurée, puis