INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ainsi, lors de cette étape, seule la couche 93 est dopée et plus particulièrement les parties de la couche 93 situées dans les ouvertures 65 sont, entre autres, dopées. Cette étape de dopage consiste en l'implantation dans la couche susmentionnée d'atomes d'arsenic ou de phosphore. A titre d'exemple, le dopage de la couche 93 correspond à un dopage en profondeur, c'est-à-dire que les parties de la couche 93 situées au fond des ouvertures 65 seront plus dopées que les parties de la couche 93 situées à la surface des ouvertures 65. Le dopage est, par exemple réalisé avec une dose comprise entre 2.10 14 at/cm² et 1.10 16 at/cm², par exemple comprise entre 5.10 14 at/cm² et 1.10 16 at/cm².
A l'issue de cette étape, la couche 93 a, par exemple, un dopage, au voisinage du substrat 25 et des grilles 27, compris entre 4.10 19 at/cm 3 et 4.10 2 2 at/cm 3 , par exemple de l'ordre de 1.10 2 1 at/cm 3 .
De façon optionnelle, à l'issue de cette étape, on peut prévoir une étape supplémentaire de dopage et plus particulièrement une étape de dopage localisé du deuxième type de conductivité, par exemple du type P similairement à ce qui a été décrit en relation avec la .
A l'issue de cette étape, le deuxième mode de réalisation est identique au premier mode de réalisation, l'étape de dopage est alors suivie des étapes illustrées en figures 3F à 3O.
L'étape décrite en relation avec la de polissage et de recuit de la structure, permet de former les vias 39 à partir de la couche 93. Lors de cette étape, le matériau des vias 39 passe d'un état amorphe à un état polycristallin. Les vias 39 sont, à l'issue de cette étape en un silicium polycristallin dopé avec un gradient de dopage décroissant en partant de la face supérieure du substrat 25.
La est une vue en coupe illustrant une étape d'un procédé de fabrication de la partie du dispositif d'acquisition d'image illustrée en selon un troisième mode de mise en oeuvre.
Le troisième mode de réalisation est similaire au premier mode de réalisation à la différence près qu'il comprend une étape de traitement de la face supérieure de la structure illustrée en .
Lors de cette étape, on vient par exemple amorphiser la face supérieure de la structure illustrée en et plus particulièrement, les parties de la surface des grilles 27 et du substrat 25 situées en vis-à-vis des ouvertures 65. Cette étape permet un réarrangement cristallographique des parties mentionnées ci-avant et ainsi un meilleur contact électrique avec le via 39 formé à posteriori dans les ouvertures 65.
A titre d'exemple cette étape consiste en l'implantation d'ions neutres 27i, par exemple d'argon, d'azote, de fluor, de silicium ou de germanium.
A titre d'exemple, à l'issue de cette étape, le troisième mode de réalisation est identique au premier mode de réalisation.
En variante, l'étape illustrée en est suivie d'une étape de formation de contacts en silicium polycristallin ne présentant pas de gradient de dopage. Dans ce cas, le contact ohmique entre les vias 39 et le substrat 25 ou les grilles 27 reste amélioré du fait du réarrangement cristallographique résultant de l’étape d’amorphisation surfacique du silicium au fond des ouvertures 65.
Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils permettent de former des vias 39 en silicium polycristallin dans un niveau inférieur du réseau d'interconnexion avec un gradient de dopage, améliorant ainsi le contact ohmique avec les grilles 27 ou le substrat 25.
En particulier, les deuxième et troisième modes de réalisation peuvent être combinés.
De plus, les modes de réalisation décrits peuvent s'appliquer dans le cadre d'un dispositif comportant un unique capteur éclairé par sa face supérieure. Le réseau d'interconnexion est alors rendu transparent aux rayonnements captés par les détecteurs du même capteur.
Encore, les modes de réalisation ne se limitent pas aux exemples de valeurs numériques ni aux exemples de matériaux mentionnés dans la présente description.
Diode à capacité variable La présente description concerne de façon générale le domaine des composants électroniques semiconducteurs et, plus particulièrement, le domaine des diodes à capacité variable.
Une diode à capacité variable appelée également varactor ou varicap a la particularité d'avoir une capacité ajustable en fonction de la tension appliquée à ses bornes, à la différence d'une diode classique pour laquelle la variation de la capacité en fonction de la tension est généralement minimisée. Les diodes à capacité variables reposent sur une jonction de deux couches de types de conductivité différents et ayant des concentrations en dopants différentes, polarisée en inverse.
Dans une diode à capacité variable, plus la tension de polarisation inverse appliquée entre la cathode et l’anode de la diode est élevée, plus l’épaisseur de la zone de déplétion se formant autour de la jonction PN de la diode est grande, et plus la capacité est faible. La capacité de la diode varie ainsi inversement proportionnellement à la tension appliquée à ses bornes.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des diodes à capacité variable connues et de leurs procédés de fabrication.
Un mode de réalisation prévoit une diode à capacité variable comprenant, dans un substrat semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité : - une première région dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité ; - dans une partie de la première région, une deuxième région dopée du premier type de conductivité; - des troisièmes régions situées dans la première région en vis-à-vis des deuxièmes régions, les deuxièmes régions étant formées dans les troisièmes régions et les troisièmes régions étant dopées du deuxième type de conductivité, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode ; - des premières tranchées d’isolation délimitant latéralement ladite jonction PN, les premières tranchées d’isolation ayant une profondeur inférieure à celle de la première région; et - dans une autre partie de la première région, de part et d'autre des premières tranchées d'isolation, des zones de reprise de contact sur la première région, dans lequel la première région comprend, en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation, des zones de niveau de dopage supérieur à celui de la première région.
Selon un mode de réalisation, la première région a un dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 .
Selon un mode de réalisation, les zones ont un dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 20 atomes/cm 3 .
Selon un mode de réalisation, la première région est délimitée par une deuxième tranchée d'isolation annulaire.
Selon un mode de réalisation, la deuxième tranchée d'isolation a une profondeur supérieure à celle de la première région.
Selon un mode de réalisation, les zones de reprise de contact sont plus fortement dopées que la première région.
Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une diode à capacité variable comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une première région dans un substrat semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, la première région étant dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité ; b) formation de premières tranchées d’isolation, les premières tranchées d’isolation ayant une profondeur inférieure à celle de la première région ; c) formation de zones de niveau de dopage supérieur à celui de la première région, dans la première région et en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation ; d) formation de deuxièmes régions dopées du premier type de conductivité dans une partie de la première région ; e) formation de troisièmes régions dopées du deuxième type de conductivité dans une partie de la première région en vis-à-vis des deuxièmes régions, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode chaque interface entre les première et deuxième régions définissant une jonction PN de la diode et les premières tranchées d'isolation délimitant latéralement lesdites jonctions PN ; et f) formation de zones de reprise de contact dans une autre partie de la première région, de part et d'autre des premières tranchées d'isolation, sur la première région.
Selon un mode de réalisation, le procédé selon l’invention comprend une ou plusieurs étapes ultérieures. Ainsi, ledit procédé peut comprendre en outre une ou plusieurs étapes de mise en forme de la formulation sous forme de film, et/ou de dépôt du film ainsi obtenu.
La mise en forme peut être typiquement réalisée par calandrage au moyen d’une calandre à rouleaux chauffés, ayant typiquement une vitesse de rouleau différente, ou un mélangeur à rouleaux externes.
Le film ainsi obtenu peut ensuite être déposé soit sur un collecteur de courant pour former une électrode ou sur un liner en vue de faire ensuite adhésion sur une SEL dans le cas d’une formulation d’électrode, soit dans le cas d’une formulation de SEL déposée sur liner pour être ensuite transféré sur une électrode.
Selon un autre objet, la présente invention concerne également une formulation susceptible d’être obtenue par le procédé selon l’invention.
Il peut s’agit d’une formulation d’électrode, positive ou négative ou d’une couche d’électrolyte solide (SEL).
Ainsi, selon un mode de réalisation, lorsqu’il s’agit d’une formulation de couche d’électrolyte solide, ladite formulation comprend généralement outre l’électrolyte solide sulfure et le liant, un co-liant éventuel. Typiquement, une telle formulation peut comprendre à titre illustratif (en poids) : De 70 à 99,8 % d’électrolyte solide sulfure ; De 0,1 à 30 % de PTFE ; De 0,1 à 14,9 % de co-liant.
Selon un autre objet, la présente invention vise encore une couche d’électrolyte solide sulfure comprenant ladite formulation.
Selon un mode de réalisation alternatif, lorsque la formulation est une formulation d’électrode, ladite formulation comprend généralement outre l’électrolyte solide sulfure et le liant, un co-liant éventuel, de la matière active et éventuellement du matériau conducteur électronique. Ainsi, typiquement, une telle formulation peut comprendre à titre illustratif (en poids) : De 50 à 95 % de matière active ; De 4,9 à 49,9% d’électrolyte solide sulfure ; De 0,1 à 15 % de PTFE ; De 0 à 14,9 % de co-liant ; De 0 à 10% de conducteur électronique.
Typiquement, la teneur en liant peut être ajustée pour améliorer l’homogénéité du mélange et/ou la tenue mécanique, notamment en l’absence de co-liant.
La formulation peut ainsi être une formulation d’électrode positive (catholyte). Alternativement, la formulation peut aussi être une formulation d’électrode négative (anolythe) notamment lorsque l’électrode négative est à base de silicium.
La matière active de l’électrode positive n’est pas particulièrement limitée. Elle peut être choisie dans les groupes suivants ou leurs mélanges :
- les composés de type nickel-manganèse-cobalt (NMC), notamment les oxydes lamellaires à fort taux de nickel, c’est-à-dire typiquement ceux pour lesquels le rapport molaire du nickel, rapporté au total des éléments nickel, manganèse et cobalt, est supérieur ou égal à 0,6, notamment supérieur ou égal à 0,8;
- les composés de type lithium-fer-phosphate (LFP) ;
- les composés lithium vanadium fluorophosphates (LVPF) notamment ceux de formule Li x VPO 4 F avec 0,8≤x≤1,2, ou l’un de ses dérivés de formule Li x V 1 - y M y PO 4 F z où 0,8≤x≤1,2 ; 0<y≤0,5 ; 0,8≤z≤1,2 et M est choisi dans le groupe consistant en Ti, Al, Y, Cr, Cu, Mg, Mn, Fe, Co, Ni, et Zr ;
- les composés de type lithium-fer-métal-phosphate (LFMP), notamment de formule Li x Fe 1-y M y PO 4 (LFMP) où M est choisi dans le groupe consistant en B, Mg, Al, Si, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb et Mo; et 0,8≤x≤1,2 ; 0≤y≤0,6 ;
- les composés de type Lithium-métal-polymère (LMP), notamment de formule Li x Mn 1-y-z M’ y M’’ z PO 4 (LMP), où M’ et M’’ sont différents l’un de l’autre et sont choisis dans le groupe consistant en B, Mg, Al, Si, Ca, Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb et Mo, avec 0,8≤x≤1,2 ; 0≤y≤0,6 ; 0≤z≤0,2 ;
Le co-liant peut être ajouté à l’étape de préparation du pré-mélange et/ou à l’étape de fibrillation.
Selon un autre mode de réalisation, la préparation du pré-mélange peut comprendre en outre le mélange de matière active et éventuellement de matériau conducteur électronique, au mélange de l’électrolyte solide sulfure, du liant et du co-liant éventuel.
La préparation du pré-mélange peut être réalisée par simple mélange des constituants, typiquement sous forme de poudres, sous agitation. Elle peut notamment être réalisée avec un mélangeur de type planétaire.
Selon un mode de réalisation, l’étape de préparation du pré-mélange peut être avantageusement conduite à une température inférieure à 40°C.
La matière active d’électrode peut être choisie parmi les matériaux électrochimiquement actifs. Elle dépend notamment du type d’électrode (positive ou négative), de la nature de l’électrolyte solide sulfure et/ou du type de batterie considérée.
On entend par fibrillation, un mélange sous contrainte mécanique, visant à fibriller le liant fluoropolymère.
Cette fibrillation peut typiquement être conduite par extrusion avec une extrudeuse, ou par mélange avec un mélangeur interne.
On entend par « extrusion » un procédé thermomécanique selon lequel la formulation est contrainte de traverser un fourreau, sous l’action de la pression et de la chaleur.
L’étape d’extrusion peut être adaptée en fonction de plusieurs paramètres, tels que la température de mélange, le type de profil de vis de l’extrudeuse, le type de filière de l’extrudeuse, la vitesse de rotation et/ou la longueur des vis.
Selon un mode de réalisation, la fibrillation peut être réalisée avec une extrudeuse de type mono- ou bi-vis, de préférence bivis corotative.
Selon un mode de réalisation, le profil de vis utilisé dans l’extrudeuse est de type cisaillant afin de faire fibriller le fluoropolymère dans l’extrudeuse. Le profil de vis peut contenir une ou plusieurs zones de mélange. Le nombre de zones de mélange dépend typiquement du nombre de zones d’introduction. La position des zones de mélange dans l’extrudeuse dépend généralement du nombre de zones d’introduction de matière. Après chaque zone d’introduction de matière, une zone de mélange peut être ajoutée.
Typiquement, le type d’élément de vis permettant de cisailler la matière peut être adapté au type de matière active contenue dans le pré-mélange. Si la matière active est sensible au cisaillement, il est préférable de privilégier des éléments peu ou moyennement cisaillants. Si la matière active est peu sensible au cisaillement, il est possible d’utiliser des éléments peu, moyennement ou fortement cisaillants.
La vitesse de rotation de la vis est généralement la même sur toute la vis. Il est généralement recommandé de la faire tourner entre 100rpm et 1000rpm, notamment entre 100 et 750 rpm. La vitesse de rotation de la vis est généralement adaptée en fonction du débit de matière désiré en sortie d’extrudeuse. Plus la vitesse de rotation de la vis est faible, plus les débits de sortie seront faibles. A noter que les vitesses de rotation faibles entrainent des temps de résidence dans l’extrudeuse plus longs. Dans tel cas, si le débit d’entrée de matière est important un risque de boucher l’extrudeuse peut apparaitre. Dans le cas d’une vitesse de rotation de vis importante, les débits de sortie peuvent être fluctuants si les débits de matière entrant sont trop faibles.
L’étape de fibrillation peut être avantageusement réalisée à température comprise entre 40°C et la température de dégradation du fluoropolymère, plus particulièrement lorsqu’un co-liant est présent entre la température de fusion du co-liant et la température de fusion du fluoropolymère dans les conditions de l’extrusion, étant entendu que les températures de dégradation et/ou fusion du fluoropolymère dans les conditions de l’extrusion peuvent être diminuées en raison des contraintes mécaniques exercées. A titre illustratif, pour le PTFE, la température de dégradation est d’environ 350°C (sous cisaillement) et la température de fusion est d’environ 330°C (cette valeur peut varier en fonction du grade de PTFE), étant entendu que du fait des contraintes exercées, la température d’extrusion est de préférence inférieure ou égale à 260°C.
Dans le cas où la fibrillation est réalisée par un mélangeur interne, les mêmes conditions que pour l’extrudeuse peuvent être mises en oeuvre.
La formulation obtenue à l’issue de l’étape de fibrillation se présente typiquement sous la forme de granulés ou poudre agglomérée.
Selon un cinquième et un sixième aspects, l’invention concerne un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions de code pour l’exécution (en particulier sur les moyens de traitement de données 11, 21a, 21b) d’un procédé selon le premier aspect de l’invention d’authentification ou d’identification d’un individu ou selon le deuxième aspect d’enrôlement de données pour authentification ou identification d’un individu de référence, ainsi que des moyens de stockage lisibles par un équipement informatique (une mémoire 12, 22a, 22b) sur lequel on trouve ce produit programme d’ordinateur.
Procédés de communication et de traitement de données pour la mise en œuvre d’un réseau collaboratif, dispositifs et système associés La présente demande appartient au domaine général des systèmes de communication. Elle concerne plus particulièrement un procédé de communication mis en œuvre dans un réseau de communication auquel appartiennent des objets communicants, un procédé de traitement de données obtenues lors de la mise en œuvre dudit procédé de communication, ainsi que des dispositifs de communication et de centralisation respectivement configurés pour mettre en œuvre lesdits procédés de communication et de traitement de données. L’invention trouve une application particulièrement avantageuse, bien que nullement limitative, dans le domaine de l’« Internet des objets » (« Internet of Things » ou « IoT » dans la littérature anglo-saxonne).
De façon connue, les objets communicants (encore couramment appelés « objets connectés) sont des dispositifs matériels et/ou logiciels connectés à un réseau de communication, tel que par exemple au réseau public Internet dans le cadre de l’IoT, et peuvent par ce biais communiquer avec d’autres systèmes pour obtenir et/ou fournir de l’information.
De manière générale, chaque objet apte à réaliser une fonction (exemple : un capteur de température réalise la fonction de mesure d’une température), et donc potentiellement chaque objet de la vie courante, est susceptible de devenir un objet communicant dès lors qu’il est équipé des moyens matériels et/ou logiciels lui permettant de communiquer, au sein d’un réseau de communication, des données d’information qui lui sont propres (i.e. données contenant au moins des informations relatives à la fonction réalisée par l’objet en question).
A titre d’exemple, il peut s’agir d’un téléphone, plus particulièrement d’un téléphone intelligent (smartphone), d’une imprimante, d’un écran, d’un capteur, d’un microphone, d’une application logicielle, etc. En outre, aucune limitation n’est attachée à l’interface de communication (filaire ou non) ainsi qu’au protocole de communication (Wi-Fi, Bluetooth, 3G, 4G, 5G, Ethernet, etc.) utilisés par ces objets.
La représente schématiquement un exemple de réalisation, conforme à l’état de la technique, d’un système IoT configuré pour réaliser des communications entre des objets communicants et un dispositif de centralisation. Plus particulièrement, dans cet exemple, et à des fins illustratives seulement, le système comporte trois objets communicants OBJ1_0, OBJ2_0, OBJ3_0. Ces objets OBJ1_0, OBJ2_0, OBJ3_0 sont déployés dans une zone géographique donnée, comme par exemple une usine, une exploitation agricole, un quartier d’une ville, une habitation personnelle, etc. Ils sont en outre connectés au réseau Internet ainsi que configurés pour communiquer, via ledit réseau Internet (plus particulièrement, d’un point de vue matérielle, via une passerelle Internet, encore appelée « Gateway » en anglais), avec un dispositif de centralisation CPU_0 intégré audit système de communication. Ledit dispositif de centralisation CPU appartient typiquement à un système informatique en nuage (« Cloud » en anglais).
Les échanges de données entre les objets OBJ1_0, OBJ2_0, OBJ3_0 et le dispositif de centralisation CPU_0 s’effectuent classiquement dans les deux sens, i.e. suivant une voie montante UL (objet communicant vers dispositif de centralisation) ainsi qu’une voie descendante DL (dispositif de centralisation vers objet communicant), comme représenté à titre illustratif sur la . En particulier, suivant la voie montante UP, les objets OBJ1_0, OBJ2_0, OBJ3_0 transmettent au dispositif de centralisation CPU_0 des données d’information telles que mentionnées ci-avant.
Actuellement, le déploiement massif d’objets communicants, pour offrir toujours davantage de services et/ou procéder à des analyses sur la base des données d’information remontées par ces objets communicants, pose un certain nombre de problèmes.
En particulier, un objet communicant peut rencontrer des difficultés pour communiquer avec un dispositif de centralisation. Cela peut être due, par exemple, à une localisation contraignante (exemple : objet communicant éloigné et/ou situé dans un endroit). Un autre problème susceptible de se poser est celui de la surcharge du réseau du fait de la quantité très importante de données d’information communiquées (cette quantité tendant à augmenter avec le temps étant donné l’utilisation d’un nombre toujours plus important d’objets communicants).
Des solutions ont dès lors été proposées pour essayer de pallier ces types de problèmes, dont notamment la mise en œuvre d’un réseau d’un type particulier appelé réseau collaboratif de proximité. En pratique, il s’agit de faire appel à la contribution d’utilisateurs en possession de dispositifs de communication, comme par exemple des smartphones, afin de jouer le rôle d’intermédiaire entre les objets communicants et le dispositif de centralisation, et ainsi contribuer à la remontée des données d’information vers cette dernière.
Ces solutions sont toutefois loin d’être satisfaisantes dans la mesure où elles se basent sur le volontariat des utilisateurs en possession desdits dispositifs de communication.
La présente invention a pour objectif de remédier à tout ou partie des inconvénients de l’art antérieur, notamment ceux exposés ci-avant, en proposant une solution qui permette de favoriser et faciliter la mise en œuvre d’un réseau collaboratif de proximité entre des objets communicants et un dispositif de centralisation.
A cet effet, et selon un premier aspect, l’invention concerne un procédé de communication mis en œuvre par un dispositif de communication mobile et comportant, pour au moins un objet communicant positionné dans une zone géographique donnée et lorsque le dispositif de communication est localisé dans un voisinage dudit au moins un objet communicant, des étapes de : - réception, en provenance dudit au moins un objet communicant, d’une donnée d’information propre audit au moins un objet communicant, - détermination d’une donnée d’interaction comportant une date et une localisation de réception de la donnée d’information ainsi qu’un identifiant dudit au moins un objet communicant, - transmission de ladite donnée d’interaction vers un dispositif de centralisation.
Le procédé de communication selon l’invention permet donc à un dispositif de communication de déterminer des données d’interaction représentatives du travail effectué pour obtenir (collecter, récupérer) une ou plusieurs données d’information auprès d’un ou plusieurs objets communicants.
Plus particulièrement, la spécificité des données d’interaction déterminées par le dispositif de communication, via la mise en œuvre du procédé de communication, offre la possibilité de vérifier/attester/certifier le travail effectué par le dispositif de communication pour collecter lesdites données d’information, comme cela est détaillé ci-après. Il en résulte la possibilité de créer une preuve du travail effectué par le dispositif de communication.