Diode à capacité variable (51) comprenant, dans un substrat semiconducteur (13) dopé d’un premier type de conductivité (P) : - une première région (25) dopée d'un deuxième type de conductivité (N) opposé au premier type de conductivité ; - dans une partie de la première région (25), une deuxième région (17) dopée du premier type de conductivité (P); - des troisièmes régions (27) situées dans la première région (25) en vis-à-vis des deuxièmes régions (17), les deuxièmes régions (17) étant formées dans les troisièmes régions (27) et les troisièmes régions (27) étant dopées du deuxième type de conductivité, l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode ; - des premières tranchées d’isolation (19) délimitant latéralement ladite jonction PN, les premières tranchées d’isolation (19) ayant une profondeur inférieure à celle de la première région (25); et - dans une autre partie de la première région (25), de part et d'autre des premières tranchées d'isolation (19), des zones de reprise de contact (21) sur la première région (25), dans lequel la première région (25) comprend, en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation (19), des zones (33) de niveau de dopage supérieur à celui de la première région (25). Diode à capacité variable selon la revendication 1, dans lequel la première région (25) a un dopage compris entre 1.10 17 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 . Diode à capacité variable selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première région (25) est délimitée par une deuxième tranchée d'isolation annulaire (23). Diode à capacité variable selon la revendication 3, dans lequel la deuxième tranchée d'isolation (23) a une profondeur supérieure à celle de la première région (25). Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les zones de reprise de contact (21) sont plus fortement dopées que la première région (15). Procédé de fabrication d'une diode à capacité variable (11) comprenant les étapes suivantes : a) formation d'une première région (25) dans un substrat semiconducteur (13) dopé d’un premier type de conductivité (P), la première région (25) étant dopée d'un deuxième type de conductivité (N) opposé au premier type de conductivité ; b) formation de premières tranchées d’isolation (19), les premières tranchées d’isolation (19) ayant une profondeur inférieure à celle de la première région (25); c) formation de zones (33) de niveau de dopage supérieur à celui de la première région (25), dans la première région (25) et en contact avec la face inférieure des premières tranchées d’isolation (19) ; d) formation de deuxièmes régions (17) dopées du premier type de conductivité (P) dans une partie de la première région (25) ; e) formation de troisièmes régions (27) dopées du deuxième type de conductivité (N) dans une partie de la première région (25) en vis-à-vis des deuxièmes régions (17), l’interface entre les deuxième et troisième régions définissant une jonction PN de la diode chaque interface entre les première et deuxième régions définissant une jonction PN de la diode et les premières tranchées d'isolation (19) délimitant latéralement lesdites jonctions PN ; et f) formation de zones de reprise de contact (21) dans une autre partie de la première région (25), de part et d'autre des premières tranchées d'isolation (19), sur la première région (25). Procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape c) est réalisée après l'étape b). Procédé selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la première tranchée d'isolation (19) et la zone (33) sont formées à travers une même couche de masquage.