INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, le circuit de contrôle de tensions comprend : - un premier commutateur présentant une première borne connectée à la source du premier transistor et une deuxième borne connectée à la masse, ce commutateur étant contrôlé par un premier signal, - un deuxième commutateur présentant une première borne connectée à la première borne du circuit de commutation et une deuxième borne connectée à la source du premier transistor, ce commutateur étant contrôlé par le premier signal, - un troisième commutateur présentant une première borne connectée à la source du troisième transistor, et une deuxième borne configurée pour recevoir une tension correspondant à une tension maximale délivrée par le convertisseur numérique-analogique, ce commutateur étant contrôlé par un deuxième signal inversé, - un quatrième commutateur présentant une première borne connectée à la première borne du circuit de commutation et une deuxième borne connectée à la source du troisième transistor, ce commutateur étant contrôlé par le deuxième signal, - un circuit de commande configuré pour générer le premier signal et le deuxième signal en fonction de la valeur du mot numérique, de manière à limiter la tension drain-source du premier transistor et la tension drain-source du troisième transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique.
Dans un autre mode de réalisation, le circuit de contrôle de tension comprend : - un premier commutateur présentant une première borne connectée à la source du premier transistor et une deuxième borne connectée à la masse, ce commutateur étant contrôlé par un premier signal, - un premier amplificateur opérationnel présentant une entrée non inverseuse connectée à la première borne du circuit de commutation, une sortie connectée à la source du premier transistor et à une entrée inverseuse de ce premier amplificateur opérationnel, et une entrée d’alimentation commandée par le premier signal inversé, - un deuxième commutateur présentant une première borne connectée à la source du troisième transistor, et une deuxième borne configurée pour recevoir une tension correspondant à une tension maximale délivrée par le convertisseur numérique-analogique, ce deuxième commutateur étant contrôlé par un deuxième signal inversé, - un deuxième amplificateur opérationnel présentant une entrée non inverseuse connectée à la première borne du circuit de commutation, une sortie connectée à la source du troisième transistor et à une entrée inverseuse de ce deuxième amplificateur opérationnel, et une entrée d’alimentation commandée par le deuxième signal, - un circuit de commande configuré pour générer le premier signal et le deuxième signal en fonction de la valeur du mot numérique, de manière à limiter la tension drain-source du premier transistor et la tension drain-source du troisième transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique.
Dans un autre mode de réalisation, le circuit de contrôle de tension comprend un convertisseur numérique-analogique auxiliaire configuré pour appliquer des tensions sur la source du premier transistor et sur la source du troisième transistor en fonction de la valeur du mot numérique de manière à limiter la tension drain-source du premier transistor et la tension drain-source du troisième transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique.
En particulier, le convertisseur numérique-analogique auxiliaire peut comprendre : - un circuit diviseur de tension configuré pour générer des tensions proches de la tension correspondant à une tension maximale délivrée par le convertisseur numérique-analogique et des tensions proches de la masse, - un premier groupe de commutateurs configuré pour appliquer lesdites tensions proches de la masse ou la tension maximale sur la source du premier transistor, - un deuxième groupe de commutateurs configuré pour appliquer lesdites tensions proches de la tension maximale ou la tension de la masse sur la source du troisième transistor, - un circuit de commande pour commander les commutateurs du convertisseur-analogique auxiliaire selon la valeur du mot numérique de manière à limiter la tension drain-source du premier transistor et la tension drain-source du troisième transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique.
En variante, le convertisseur numérique-analogique auxiliaire comprend : - une première paire de commutateurs configurée pour appliquer une tension correspondant à une tension maximale délivrée par le convertisseur numérique-analogique ou une tension de masse sur la source du premier transistor, - une deuxième paire de commutateurs configurée pour appliquer une tension maximale ou une tension de masse sur la source du troisième transistor, - un circuit de commande pour commander les paires de commutateurs du convertisseur-analogique auxiliaire selon la valeur du mot numérique de manière à limiter la tension drain-source du premier transistor et la tension drain-source du troisième transistor quelle que soit la valeur dudit mot numérique.
La illustre un circuit intégré IC comprenant un circuit de conversion numérique-analogique DACC.
L’image Img1 est une représentation en deux dimensions, dans laquelle chaque pixel est associé à une valeur d’intensité. L’image Img1 peut être obtenu de différentes manières. Elle peut par exemple être obtenue en sortie d’un capteur, infra-rouge, radio, ultraviolet, ou de lumière visible, ou générée par un programme informatique.
L’image Img1 montre les différentes valeurs d’intensité des pixels. Dans l’exemple de la , l’image est une image obtenue par un capteur infrarouge, et l’intensité de chaque pixel diminue avec le niveau de gris, un pixel plus foncé correspondant à une intensité plus faible. On perçoit donc dans cet exemple quatre sources lumineuses distinctes Src1.1, Src2.1, Src3.1, et Src4.1. Il convient de noter que dans cet exemple une source est définie par ou des pixels de forte intensité, mais que selon les cas d’utilisation une source peut être définie par un ou des pixels de faible intensité.
Les algorithmes de partage des eaux sont utilisés pour séparer une image telle que Img1 en plusieurs régions correspondant à différents objets ou sources lumineuses. Dans l’exemple de la , une source lumineuse correspond à un maximum local d’intensité (« point chaud » de l’image), et l’algorithme de partage des eaux affectera donc des pixels voisins d’intensité plus faible à cette source. Cependant, les algorithmes de partage des eaux sont également applicables au cas inverse, c’est-à-dire à des cas où une source correspond à un minimum local d’intensité (« point froid » de l’image). Dans l’exemple de la , les sources sont donc des maxima locaux d’intensité de l’image obtenue par capteur infrarouge. Cependant, dans d’autres exemples d’application de l’invention, les sources peuvent former des minima locaux.
La montre un exemple de définition de sources lumineuses dans une image en vue de l’application d’une segmentation par partage des eaux.
L’image Img2 correspond à une définition de labels des pixels de l’image Img1. Ainsi, chacun des pixels de l’image Img2 correspond à un pixel de l’image Img1 de mêmes coordonnées, et définit un label pour ce pixel : Les pixels Src1, Src2, Src3 et Src4 correspondent aux pixels de 4 sources lumineuses respectivement ; Les pixels PixI correspondent à des pixels attribuables à une région, c’est-à-dire des pixels qui ne sont pas des pixels source, mais peuvent être associés à une source pour former une région ; Les pixels PixO correspondent à des pixels non attribuables à une région.
La différence entre les pixels PixI et PixO peut consister en leur intensité. Par exemple, dans le cas des figures 1 et 2 où les sources correspondent à des pixels de faible intensité, les pixels PixO peuvent être les pixels ayant une intensité supérieure à un seuil, considéré comme un seuil d’intensité pour l’appartenance possible à une région.
Dans un exemple de réalisation selon l’état de l’art, les algorithmes de partage des eaux fonctionnent sur le principe d’une File d’Attente Hiérarchique (FAH), c’est-à-dire que les pixels à segmenter sont successivement ajoutés à la FAH, puis traités et enlevés de la FAH. L’utilisation des FAH est par exemple décrite par le brevet américain publié sous le numéro US4809348.
Par exemple, un algorithme de partage des eaux de l’état de l’art peut être le suivant : Lors d’un premier parcours des pixels : Chaque pixel source : Est Empilé dans une pile correspondant à sa radiométrie Son étiquette est mise dans l’image Imtrait Chaque pixel détecté non source : est marqué comme à étiqueter Son niveau est mis dans l’image Imtrait Tant qu’il y a des pixels à étiqueter : Tant que la liste n’est pas vide : Dépilement d’un pixel (i, j) ( plus haut niveau ) Chacun de ces voisins à étiqueter (u,v) : Est ajouté à la FAH Prend la valeur du pixel (i,j) dans l’image Imtrait N’est plus déclaré à étiqueter Lorsque la pile est vide, on identifie un nouveau pixel à étiqueter et : : On lui assigne une nouvelle étiquette On l’ajoute à la FAH
Dit autrement, lors du traitement de chaque pixel de la FAH, la région du pixel est propagée à ses voisins à étiqueter, qui sont alors eux-mêmes ajoutés à la FAH.
La montre un exemple de segmentation d’une image en régions par une segmentation par partage des eaux.
L’image Img3 représente la segmentation des images Img1 et Img2 part un algorithme de partage des eaux tel que décrit ci-dessus.
Dans l’exemple de la , l’image a été segmentée en 4 régions Reg1.3, Reg2.3, Reg3.3 et Reg4.3, correspondant respectivement aux sources Src1, Src2, Src3 et Src4. Les pixels PixO ne sont de leur côté affectés à aucune zone.
L’exemple de la montre qu’un algorithme de partage des eaux selon l’état de l’art permet une segmentation efficace de l’image Img1 en régions associées à différentes sources. L’algorithme de segmentation par partage des eaux permet notamment une affectation précise des pixels à chacune des sources.
La segmentation en régions peut être utilisée dans le cadre de différentes applications de traitement d’images. Par exemple, elle peut être utilisée dans le cadre de la détection d’objets, une détection d’objet pouvant être effectuée sur chaque région séparément.
Si les techniques de segmentation par la méthode des files d’attente hiérarchique selon l’état de l’art fournissent une solution efficace pour la segmentation d’une image en régions, elles possèdent des caractéristiques limitant leur utilisation pour des applications temps réel, ou sur des calculateurs embarqués : le parcours des pixels dans l’image n’est pas connu à l’avance, et les pixels successivement traités peuvent appartenir à des zones totalement différentes de l’image. Le traitement de chaque pixel implique donc le chargement de nouvelles données image, un ralentissement du chargement des données image à partir d’une mémoire implique une latence pour chaque pixel ; le traitement de chaque pixel dépend du résultat du traitement du pixel précédent. Il n’est donc pas possible de paralléliser le traitement des pixels.
Ces limites sont encore exacerbées par l’augmentation de la taille des images, qui implique, dès que la taille d’une image excède les capacités de stockage d’une mémoire interne à une unité de calcul effectuant le traitement de l’image de stocker les images dans des mémoires externes au processeur effectuant le traitement de l’image, par exemple des mémoires de type DDR SDRAM (de l’anglais « Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory », ou en français « Mémoire vive dynamique synchrone à double débit de données »). En effet, les mémoires externes aux processeurs ont en général une latence élevée. Un chargement de données images pour chaque pixel à partir d’une mémoire externe implique donc souvent une latence élevée pour le traitement de chaque pixel, ce qui ralentit considérablement le temps de traitement global de l’image.
On peut comprendre que, puisque les particules du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt portent des charges positives, le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt peut être calciné de manière plus suffisante à une température élevée de 600°C à 1000°C, de manière à obtenir rapidement le second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt qui ne contient aucune particule secondaire et présente une taille de particules plus petite et une structure stable. Il convient de noter que l’opération corona ajoutée entre la calcination primaire et la calcination secondaire dans la présente demande, d’une part, permet de réduire considérablement la durée de calcination, optimisant ainsi le processus de production et améliorant encore le rendement de production ; et d’autre part, peut également éviter le phénomène selon lequel les particules fondues du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt entrent en contact les unes avec les autres et forment à leur tour des particules secondaires, ce qui entraîne une diminution de la densité apparente du matériau d’électrode positive monocristallin à haute teneur en nickel, garantissant ainsi la préparation d’un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt ayant une taille de particules plus petite et améliorant ensuite la capacité spécifique de décharge et la stabilité de cyclage du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt. Il convient de souligner qu’en raison de l’indium dopé dans le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt peut maintenir une structure plus stable pendant la calcination secondaire rapide et à haute température, et le réseau du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt évite efficacement d’être détruit pendant la calcination secondaire, de manière à garantir la préparation ultérieure du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt ayant une structure stable et de bonnes performances électriques.
Il convient de noter que pour la calcination secondaire, étant donné que la vitesse de chauffage est plus rapide par rapport aux vitesses classiques et que la température est plus élevée, dans la présente demande, le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt est envoyé à une boîte à haute température remplie d’oxygène gazeux pour la calcination secondaire, afin de garantir que le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt peut entrer entièrement en contact avec l’oxygène gazeux. Ainsi, en plus du rendement élevé de la calcination secondaire, le second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, qui ne contient aucune particule secondaire et présente une taille de particules plus petite et une structure stable, est également garanti.
Dans certains autres modes de réalisation, le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt est en outre dopé à l’indium, pour obtenir un précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
On peut comprendre qu’en dopant le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt à l’indium, le réseau du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt peut être agrandi, ce qui est plus propice au transport de Li + , stabilise la structure cristalline du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, et améliore la réversibilité de la réaction électrochimique correspondante dans le cycle de charge et de décharge du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
Dans un mode de réalisation, l’obtention du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt comprend les étapes suivantes : le pesage d’un sel de lithium soluble, d’un sel de nickel soluble et d’un sel d’indium soluble selon un rapport stœchiométrique des éléments Li, Ni, et In dans la formule chimique
[Chem1]
Li x Ni y In z O 2 , dans laquelle 0,9 ≤ x < 1,25, 0,95 ≤ y ≤ 1 et 0,02 ≤ z < 0,1, et x, y et z représentent des nombres molaires ; le mélange du sel de lithium soluble, du sel de nickel soluble et d’un agent complexant, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel ; le mélange du sel d’indium soluble et d’un agent complexant, pour obtenir une solution complexante contenant de l’indium ; le mélange de la solution complexante contenant du lithium-nickel et de la solution complexante contenant de l’indium, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel-indium ; l’ajustement du pH de la solution complexante contenant du lithium-nickel-indium à 7-8 puis le chauffage de celle-ci pour obtenir un sol ; et le séchage et le vieillissement du sol, pour obtenir le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
Dans ce mode de réalisation, tout d’abord, un sel de lithium soluble et un sel de nickel soluble sont dissous dans l’eau, puis ajoutés à un agent complexant et agités pendant 0,5 h à 2 h dans un bain-marie thermostatique entre 40°C et 60°C, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel pour une utilisation ultérieure.
Ensuite, un sel d’indium soluble est dissous dans l’eau, puis ajouté à un agent complexant et agité pendant 0,5 h à 2 h dans un bain-marie thermostatique entre 40°C et 60°C, pour obtenir une solution complexante contenant de l’indium pour une utilisation ultérieure, où le nickel-indium et l’agent complexant ont un rapport molaire de 5 : 1.
Par la suite, la solution complexante contenant de l’indium et la solution complexante contenant du lithium-nickel sont mélangées et agitées pendant 20 min à 40 min, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel-indium ; le pH de la solution complexante contenant du lithium-nickel-indium est ajusté à 7-8 avec de l’ammoniaque puis elle est scellée, et la solution complexante scellée contenant du lithium-nickel-indium est laissée réagir pendant 1 h à 3 h dans un bain-marie entre 40°C et 60°C ; le scellement est enlevé et le système est chauffé entre 80°C et 100°C pour une évaporation à sec, pour obtenir un sol.
Enfin, le sol est séché dans une étuve entre 90°C et 120°C, pour obtenir un gel sec, et le gel sec est soumis à un vieillissement pendant 10 h à 15 h, pour obtenir le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
Dans un mode de réalisation, le sel de lithium soluble comprend au moins l’un parmi le nitrate de lithium, l’acétate de lithium et le carbonate de lithium.
Dans un mode de réalisation, le sel de nickel soluble comprend au moins l’un parmi le nitrate de nickel, l’acétate de nickel, le sulfate de nickel et le chlorure de nickel.
Dans un mode de réalisation, le sel d’indium soluble comprend au moins l’un parmi le nitrate d’indium, l’acétate d’indium et le sulfate d’indium.
Dans un mode de réalisation, l’agent complexant comprend au moins l’un parmi l’acide citrique, l’EDTA et l’acide tartrique.
Dans un mode de réalisation, les éléments nickel et indium dans le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et l’élément lithium dans la source de lithium ont un rapport molaire de (0,8 à 1,1) : (1 à 1,25).
Le circuit de contrôle de tensions VCU est configuré pour appliquer une tension proche de la masse GND sur le nœud NN entre les transistors NMOS1, NMOS2 lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure à un deuxième seuil donné de façon à réduire la tension VDS du transistor NMOS1, et pour appliquer une tension VDD lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure à ce deuxième seuil. Ce deuxième seuil est inférieur au premier seuil. Ce deuxième seuil est choisi en fonction des performances souhaitées du circuit de conversion numérique-analogique DACC. En particulier, ce deuxième seuil est choisi afin de limiter les fuites de courant au travers du transistor NMOS1, lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure au deuxième seuil donné. En effet, un tel contrôle de la tension au nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2 permet de réduire la tension drain-source du transistor NMOS1 lorsque la tension du signal analogique SDAC généré par le convertisseur numérique-analogique MDAC est proche de GND (c’est-à-dire lorsque la valeur du mot numérique DIGW est proche de sa valeur minimale). La tension drain-source du transistor NMOS1 est donc toujours faible quelle que soit la tension du signal analogique SDAC généré par le convertisseur numérique-analogique MDAC. En outre, le fait de forcer le nœud NN à la tension VDD lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieur au deuxième seuil permet de bloquer correctement les transistors NMOS1 et NMOS2, de manière à isoler correctement la sortie OUTINT de la sortie OUTIO.
Un tel circuit de commutation SWDAC permet ainsi une bonne isolation par rapport à l’appareil électrique externe EXTD.
Un tel circuit de commutation SWDAC est également robuste sur une plage importante de températures, notamment entre -40°C et 140°C, du fait du contrôle des tensions aux nœuds NN et PN qui permet de limiter les fuites de courant.
Le circuit de contrôle de tensions VCU peut être réalisé selon différents modes de réalisation.
La illustre un premier mode de réalisation d’un circuit de contrôle de tensions VCU.
Ce circuit de contrôle de tensions VCU comprend un premier commutateur M1a présentant une première borne connectée au nœud PN entre la source S du transistor PMOS1 et le drain D du transistor PMOS2, et une deuxième borne connectée à la masse GND. Ce commutateur M1a est contrôlé par un signal Dyn_P. De la sorte, le commutateur M1a est configuré pour être fermé lorsque le signal Dyn_P est dans un état haut, et ouvert lorsque le signal Dyn_P est dans un état bas.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend également un deuxième commutateur M2a présentant une première borne connectée à la première borne du circuit de commutation SWDAC et une deuxième borne connectée au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2. Ce commutateur M2a est contrôlé par l’inverse du signal Dyn_P. De la sorte, le commutateur M2a est configuré pour être ouvert lorsque le signal Dyn_P est dans un état haut, et fermé lorsque le signal Dyn_P est dans un état bas.
Le circuit de contrôle de tension VCU comprend également un troisième commutateur M3a présentant une première borne connectée au nœud NN entre la source S du transistor NMOS1 et le drain D du transistor NMOS2, et une deuxième borne configurée pour recevoir la tension VDD. Ce commutateur M3a est contrôlé par l’inverse d’un signal Dyn_N. De la sorte, le commutateur M3a est configuré pour être ouvert lorsque le signal Dyn_N est dans un état haut, et fermé lorsque le signal Dyn_N est dans un état bas.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend également un quatrième commutateur M4a présentant une première borne connectée à la première borne du circuit de commutation SWDAC et une deuxième borne connectée au nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2. Ce commutateur M4a est contrôlé par le signal Dyn_N. De la sorte, le commutateur M4a est configuré pour être fermé lorsque le signal Dyn_N est dans un état haut, et ouvert lorsque le signal Dyn_N est dans un état bas.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend également un circuit de commande DEC configuré pour générer les signaux Dyn_P et Dyn_N en fonction de la valeur du mot numérique DIGW reçu en entrée du circuit de conversion numérique-analogique. Le circuit de commande DEC présente donc une entrée configurée pour recevoir le mot numérique DIGW, et deux sorties configurées pour délivrer respectivement les signaux Dyn_P et Dyn_N.
En particulier, le signal Dyn_P est mis à l’état haut lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure à un seuil S1. Le signal Dyn_P est mis à l’état bas lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S1. Le signal Dyn_N est mis à l’état haut lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure à un seuil S2. Le signal Dyn_N est mis à l’état bas lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S2.