INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En complément optionnel, les valeurs de résistances de chaque ensemble résistif ont été choisies afin que le courant soit trois fois inférieur à la valeur de courant maximale admissible par ladite carte de multiplexage, et ceci en adéquation avec les standards de fabrication de résistance.
En complément optionnel, la valeur R de chaque ensemble résistif est obtenue à partir de l’équation suivante : , avec Ue la tension globale dudit empilement, Imax la valeur de courant maximale admissible par les relais de la carte de multiplexage, et C un coefficient de sécurité.
Selon une mise en œuvre optionnelle, Imax = 0.5 A, Ue ≤ 300V, et C=3 si bien que le coefficient de sécurité permet bien d’assurer que le courant soit trois fois inférieur à la valeur de courant maximale admissible par ladite carte de multiplexage.
De manière préférentielle et optionnelle, ledit ensemble résistif ne comprend qu’une seule résistance.
De manière avantageuse et optionnelle, la valeur R dudit ensemble résistif est reconfigurable. Autrement dit, les valeurs de résistances de protection sont modifiables (i.e. ajustables) pour tout système de mesure et en fonction des contraintes de configuration des empilements à oxydes solides à tester. Une telle protection par des résistances de valeur variable (i.e. ajustable, reconfigurable) permet en effet l’ajustement en fonction de la nature de l’empilement à oxydes solides à analyser. De telles résistances de valeur variable correspondent par exemple à des potentiomètres.
Selon un premier exemple optionnel, la valeur dudit ensemble résistif est reconfigurable de sorte à être applicable à la mesure de tension en continu d’une cellule électrochimique appartenant à un empilement à oxydes solides, de type électrolyseur à oxyde solide SOEC.
Selon un deuxième exemple optionnel, la valeur dudit ensemble résistif est reconfigurable de sorte à être applicable à la mesure de tension en continu d’une cellule électrochimique appartenant à un empilement à oxydes solides, de type pile à combustibles à oxydes solides SOFC.
En choisissant judicieusement la valeur de résistance en fonction des contraintes des cartes de multiplexage utilisées et/ou de l’empilement à oxydes solides à tester, et/ou du multimètre numérique, on obtient ainsi de très faibles déviations de mesures dues aux résistances du dispositif de protection selon la présente invention, la déviation D de mesure dues au dispositif de protection étant obtenue selon l’équation suivante :
Par exemple, la déviation D de mesure est de l’ordre de la dizaine de microvolt lorsque la précision de mesure demandée pour un empilement à oxydes solides à tester est de l’ordre du millivolt.
- la structure peut comprendre un support temporaire attaché à la couche cristalline d’arséniure de bore ;
- le support temporaire peut être un ruban thermique adhésif ; et
- la structure peut comprendre une couche de matériau stressant entre le support temporaire et la couche cristalline d’arséniure de bore ;
L’invention s’étend à un dispositif électronique intégrant la structure. Selon des caractéristiques additionnelles non-limitative du dispositif électronique selon l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable :
- le dispositif électronique peut comprendre un substrat semiconducteur intégrant au moins un circuit électronique juxtaposé à la couche cristalline d’arséniure de bore ;
- la couche cristalline d’arséniure de bore peut être assemblée au substrat semiconducteur par collage direct ;
- le dispositif électronique peut comprendre un transistor configuré pour comprendre un canal se formant dans la couche cristalline d’arséniure de bore.
Un second aspect de l’invention porte sur la fabrication d’une structure comprenant une couche cristalline d’arséniure de bore, de manière à produire de manière pratique et économique des couches d’arséniure de bore de dimensions compatibles avec les besoins industriels de l’industrie des semi-conducteurs.
En vue de la réalisation de ce but, un premier aspect de l’invention est un procédé de fabrication d’une structure pour applications microélectroniques, comprenant les étapes de fournir une couche de carbure de silicium de polytype 3C présentant une surface plane et de faire croître une couche cristalline d’arséniure de bore sur la couche de carbure de silicium, la couche (3C-SiC lay ) de carbure de silicium et la couche cristalline d’arséniure de bore présentant deux dimensions chacune d’au moins 2 cm selon, respectivement, deux directions normales l’une à l’autre et comprises dans un plan d’extension parallèle à la surface plane de la couche de carbure de silicium
Le procédé selon l’invention est avantageux en ce qu’il permet d’obtenir des couches d’arséniure de bore de grandes dimensions, de l’ordre du centimètre ou de dizaines de centimètres, en employant des techniques bien maîtrisées dans l’industrie des semi-conducteurs. Ce procédé permet d’envisager une fabrication standardisée et en série de structures comprenant des couches d’arséniure de bore aptes à être intégrées dans un procédé de fabrication de circuits électroniques. Les dimensions des couches obtenues permettent d’envisager la fabrication collective d’une pluralité de circuits semiconducteurs sur une même couche d’arséniure de bore obtenue selon le procédé de l’invention.
Selon des caractéristiques additionnelles non-limitative du second aspect de l’invention, considérées individuellement ou selon toute combinaison techniquement réalisable :
- le procédé peut en outre comprendre la formation d’une couche de détachement et le détachement, au niveau de la couche de détachement, d’au moins une partie de la couche cristalline d’arséniure de bore vis-à-vis d’au moins une partie de la couche de carbure de silicium ;
- la formation de la couche de détachement peut comprendre une étape d’introduction d’une espèce légère dans la couche de carbure de silicium de manière à y définir un plan de fragilisation avant l’étape de croissance de la couche cristalline d’arséniure de bore, puis un traitement thermique de fracture de la couche de carbure de silicium en deux parties au niveau du plan de fragilisation ;
- l’étape de croissance de la couche cristalline d’arséniure de bore sur la couche de carbure de silicium peut être mise en œuvre à une température inférieure à 850°C ;
- on peut faire croître la couche cristalline d’arséniure de bore jusqu’à une épaisseur comprise entre 100 µm et 2000 µm ;
- la formation de la couche de détachement peut comprendre une étape d’introduction d’une espèce légère dans la couche cristalline d’arséniure de bore de manière à y définir un plan de fragilisation, puis un traitement thermique de fracture de la couche de d’arséniure de bore en deux parties au niveau de ce plan de fragilisation ;
A titre de solvant organique, on peut par exemple citer a) les alcanols en C 2 -C 6 , tels que l'éthanol et l'isopropanol ; b) les polyols miscibles à l'eau à la température ambiante (25 °C) notamment choisi parmi les polyols ayant notamment de 2 à 10 atomes de carbone, de préférence ayant de 2 à 6 atomes de carbone, tels que la glycérine, le propylène glycol, le 1,3-propanediol, le butylène glycol, le pentylène glycol, l’hexylène glycol, le dipropylène glycol, le diéthylène glycol, la diglycérine ; c) les éthers de polyols comme le 2-butoxyéthanol, le monométhyléther de propylèneglycol, le monoéthyléther et le monométhyléther du diéthylèneglycol, ainsi que d) les alcools aromatiques comme l'alcool benzylique ou le phénoxyéthanol, et leurs mélanges.
Les composants peuvent être continus selon toute la longueur de la partie de tranche supérieure du réflecteur 130.
Sur la , deux rayons provenant du hublot arrivent sur l’élément optique 140. Le premier rayon est réfléchi par une face d’un composant orientée à 45°, et redirigé vers le piège à lumière 151 (non représenté ici). Le deuxième rayon lumineux est réfléchi par une face d’un composant orientée à 45° vers une autre face d’un autre composant. Le rayon subit ensuite de multiples réflexions entre les deux faces et est ainsi piégé.
De manière alternative, les composants peuvent prendre des formes géométriques différentes et plus complexes. Par exemple, comme représenté sur la , les composants peuvent avoir une section dans le plan tangent à la largeur de la partie de tranche supérieure du réflecteur 130 ayant une forme similaire à un aileron de requin. La section est ici définie par une surface fermée composée de trois segments. Le premier segment est droit et est tangent à la partie de tranche supérieure du réflecteur 130. Les deux autres segments sont courbes et ont des rayons de courbure de même sens. Ils se rejoignent en un point.
Les deux angles entre chacun des segments courbes et du segment droit peuvent être compris entre 40° et 60°. Les valeurs des angles dépendent des contraintes mécaniques (forme et position des miroirs, position du parebrise, configuration du véhicule…) et sont données à titre indicatif.
Ce mode de réalisation va avantageusement piéger une partie de la lumière parasite dans la structure de l’élément optique 140.
Dans un autre mode de réalisation, un composant, représenté en coupe en et en perspective en , peut avoir une section dans le plan tangent à la largeur de la partie de tranche supérieure du réflecteur 130 définie par une surface fermée composée de quatre segments. Le premier segment est droit et est tangent à la partie de tranche supérieure du réflecteur 130. Deux segments sont courbes et ont des rayons de courbure de même sens. Ils se rejoignent en un point. Le quatrième segment est situé entre les segments courbes et le premier segment. Le quatrième segment est droit et permet de fermer la surface.
Comme vu précédemment et représenté en , les composants sont ici continus selon toute la longueur de la partie de tranche supérieure du réflecteur 130.
Les deux rayons courbes ont un angle d’inclinaison définie entre la tangente à la courbe et l’horizontale définie par la partie de tranche supérieure de l’élément optique 140 autour de 45°. Les valeurs des angles dépendent des contraintes mécaniques (forme et position des miroirs, position du parebrise, configuration du véhicule…) et sont données à titre indicatif.
Dispositif de génération d’image et afficheur tête-haute comprenant un tel dispositif La présente invention concerne le domaine technique de l’imagerie, et notamment le domaine de la projection d’informations ou d’images.
L’invention concerne plus particulièrement un dispositif de génération d’image comprenant : - une source de lumière produisant un faisceau lumineux, - un écran traversé par le faisceau lumineux et configuré pour modifier le faisceau lumineux de manière à former une image, et - un dispositif transparent traversé par le faisceau lumineux et comprenant un premier dioptre accolé à l’écran, un second dioptre et une tranche.
Arrière-plan technologique On connaît des véhicules équipés d’un afficheur tête-haute (« head-up display » ou HUD en anglais) destiné à afficher une image virtuelle à un individu.
Un afficheur tête-haute comprend classiquement un dispositif de génération d’image configuré pour générer une image et un système optique configuré pour transmettre l’image générée en direction d’une lame partiellement réfléchissante.
Cet afficheur tête-haute peut être aussi bien un afficheur tête-haute « sur pare-brise » qu’un afficheur tête-haute « à combineur ».
La durée du signal radio d’indice k-1 peut être calculée de la façon suivante :
Où : est un nombre de fois qu’un fragment est transmis (paramètre dépends de la configuration réseau) est la taille des données utiles transportées par le signal ratio d’indice k-1 (ce paramètre correspond à la taille Tt discutée précédemment), est la taille d’un paquet de couche basse (MAC), est un débit de transmission qui dépend de la qualité de signal, de la modulation etc. est un nombre de message de signalisations, est une valeur approximative récupérée du module radio, est le nombre de fragments à transmettre, est la durée de transmission moyenne d’un fragment.
Une puissance d’émission du signal d’indice k-1 est mesurée par l’émetteur 4.
L’unité de commande 12 peut estimer à l’étape 110 une intensité de courant consommée à partir de la puissance d’émission du signal radio d’indice k-1. Cette estimation peut être réalisée à partir d’une table de conversion mémorisée dans la mémoire 10, cette table associant des valeurs de puissance, par exemple exprimées en dBm, à des valeurs d’intensité de courant, par exemple exprimées en milliampères (mA).
La table 1 ci-dessous constitue un exemple de table de conversion utilisable :
Puissance (dBm) Courant 0 30 mA 1 32 mA 2 35 mA 3 40 mA 4 52 mA … 18 120 mA 19 140 mA 20 160 mA
Ensuite, l’unité de commande 12 peut estimer la quantité d’énergie consommée en multipliant l’intensité de courant déterminée par la durée d’émission du signal radio d’indice k-1. Dans ce cas, la quantité d’énergie consommée estimée peut s’exprimer en mAh.
Dans un deuxième mode de réalisation, l’estimation de l’étape 110 est réalisée à partir de mesures de courant réelles acquise par un appareil adéquat. L’estimée pourrait être plus précise qu’avec le premier mode de réalisation, mais l’incorporation de l’appareil représente un surcout de fabrication.
Dans une étape 112, l’unité de commande 12 obtient une quantité d’énergie de référence. Cette étape peut être réalisée de différences façons.
Dans un premier mode de réalisation, la quantité d’énergie de référence est une quantité déterminée à l’avance et mémorisée dans la mémoire 10. Cette quantité est déterminée en fonction d’une durée de vie désirée pour l’émetteur 4, et de la quantité d’énergie maximale pouvant être stockée dans la batterie 6.
Dans un deuxième mode de réalisation, la quantité d’énergie de référence est calculée par l’unité de commande 12, notamment à partir de la période mémorisée dans la mémoire 10. On va voir dans ce qui suit que, dans le mode de fonctionnement dynamique, la période mémorisée peut varier dans le temps ; ceci entraîne également une variation de la quantité d’énergie de référence dans le temps.
Plus précisément, la quantité d’énergie de référence peut être calculée comme suit
où : désigne une quantité d’énergie restante dans la batterie 6, est le nombre de jours restants durant lesquels l’émetteur 4 est censé fonctionner avant que la batterie 6 ne soit vide, est le nombre de signaux à émettre par jour (en appliquant la période mémorisée).
La quantité d’énergie de référence représente ainsi une quantité maximale allouable pour la transmission d’un signal pour que la batterie puisse fonctionner le nombre de jours indiqués.
Dans une étape 114, l’unité de commande 12 compare la quantité d’énergie consommée pour émettre le signal radio k-1, ayant été estimée à l’étape 110, et la quantité d’énergie de référence obtenue à l’étape 112. On va voir que l’unité de commande 12 va décider de mettre à jour ou non les paramètres Pt, Tt mémorisés dans la mémoire 10 (taille de trame et/ou période d’émission) en fonction de la comparaison.
L’unité de commande 12 calcule un écart entre ces deux quantités d’énergie. Le seuil est en valeur absolue. L’unité de commande 12 compare l’écart avec un seuil prédéfini. Ce seuil est de préférence strictement supérieur à zéro.
Ici le gaz de cycle est refroidi en utilisant un refroidisseur 50 qui est un groupe frigorifique à absorption. Ce refroidisseur 50 reçoit un gaz 21 réchauffé par le gaz shifté 9 comme source de chaleur. Il est également alimenté par de l’eau de refroidissement 31 à entre 20 et 60°C qui quitte le refroidisseur 50 comme fluide réchauffé 32. Ayant transmis sa chaleur, le gaz 22 revient à l’échangeur 41 de la pour refroidir le gaz de synthèse shifté 9. Le refroidisseur refroidit un fluide 27, par exemple de l’eau, venant d’un échangeur de chaleur 20 produisant un fluide refroidi 26 qui est renvoyé se réchauffer dans l’échangeur 20. L’échangeur 20 peut être un échangeur à tubes et à calandre, un échangeur à plaques ou un échangeur en aluminium brasé. Le débit de gaz de cycle 23 se refroidit dans l’échangeur de chaleur 20 jusqu’à une température inférieure à 20°C, voire inférieure à 15°C. La température est de préférence supérieure à 0°C pour éviter le risque de gel. Le gaz de cycle à cette température 24 est envoyé se refroidir dans l’échangeur de chaleur 30. Cette configuration permet de gagner 1.1 kWh/t CO2 par °C de réduction de température du débit 24, ce qui correspond à une réduction de consommation d’énergie d’1%.
En variante, le refroidisseur 50 peut être utilisé pour refroidir directement le débit 16 en amont de l’échangeur de chaleur 30. Dans ce cas, le débit 16 est à une pression subcritique et de préférence en dessous de 65 bar abs, typiquement en dessous de 50 bar abs, voire en dessous de 40 bar abs. Il est refroidi par le refroidisseur 50 jusqu’à une température inférieure à 20°C, voire inférieure à 20°C, par exemple en envoyant un fluide refroidi équivalent au fluide 26 à un échangeur de chaleur équivalent à l’échangeur 20 dans lequel le mélange à séparer circule pour être refroidi. La température du mélange 16 en sortant de cet échangeur est de préférence supérieure à 0°C pour éviter le risque de gel.
Il est évident que le refroidisseur 50 peut refroidir simultanément le gaz de cycle comprimé 23 et le mélange à séparer 15. L’eau froide 26 produite par le refroidisseur peut également servir à refroidir d’autres éléments du procédé.
En variante, la chaleur pour le refroidisseur peut provenir de la première étape de shift dans le réacteur 4 dans ce cas, ce sont les fluides 21A, 22A (gaz chaud, eau ou vapeur d’eau) qui transfèrent la chaleur vers le refroidisseur 50.
Les fluides 21 et 21A peuvent être mélangés pour apporter de la chaleur au refroidisseur.
En addition, les fluides 21B réchauffé par le gaz de synthèse 13 shifté et/ou 21C chauffé par le gaz de synthèse 1 destiné au réacteur 4 peut apporter de la chaleur au refroidisseur 50. Le fluide 21C est chauffé dans l’échangeur de chaleur 2 et le fluide 22C refroidi dans le refroidisseur 50 y revient pour refroidir le gaz de synthèse. Le fluide 21B est chauffé dans l’échangeur de chaleur 14 et le fluide 22C refroidi dans le refroidisseur 50 y revient pour refroidir le gaz de synthèse.
Dans la variante de la , le nouveau gaz de synthèse sec 16 (25°C, 18 à 30bar environ) est alors envoyé à l’unité 17 PSA H 2 pour être séparé par adsorption à bascule de pression (« pressure swing adsorption) pour produire de l’hydrogène 18 et un gaz résiduaire 15 appauvri en hydrogène et enrichi en CO2 par rapport au gaz 16. C’est ce gaz résiduaire 15 qui est envoyé à l’appareil de la pour être refroidi. Il contient de préférence entre 10 et 75% mol de CO2.
FOUR La présente invention concerne le domaine des fours et porte plus particulièrement sur un four à perte de charge réduite.
Les fours sont utilisés dans de nombreux domaines de la vie courante et dans l’industrie.
Lors de l’introduction d’une pièce à chauffer dans un four, l’ouverture des portes met en communication l’intérieur du four, à température élevée, avec l’extérieur, à une température inférieure, et provoque une perte de charge, faisant diminuer la température à l’intérieur du four. Il en résulte que la pièce à chauffer est introduite dans un four qui n’est pas à température optimale, et que de l’énergie a été consommée inutilement pour chauffer l’air chaud qui s’est échappé de l’intérieur du four au moment de l’ouverture des portes et que de l’énergie devra être consommée pour ramener le four à la bonne température une fois les portes refermées.
Ainsi, dans le domaine illustratif de la bagagerie, pour la mise en forme des bagages, le traitement thermique est réalisé dans des fours dans lesquels une montée en température est préalablement réalisée dans l’enceinte d’un four. Pour l’introduction de la pièce de bagagerie à chauffer montée sur support, les portes du four chaud sont ouvertes, ce qui conduit à une déperdition de la chaleur de l’enceinte. Il en résulte d’une part que la pièce n’est pas introduite à la température optimale et, d’autre part, qu’une consommation d’énergie additionnelle est nécessaire pour compenser la perte de chaleur.
Avec les préoccupations actuelles prégnantes relatives aux dépenses énergétiques qui conduisent à rechercher le maximum d’économies d’énergie, il existe donc un besoin pour un four qui permette le positionnement d’une pièce à traiter thermiquement dans l’enceinte du four, sans perte de chaleur liée à l’ouverture des portes du four.
Le Demandeur se propose donc de répondre à ces besoins par l’emploi d’un four dont le volume intérieur est divisé en deux chambres, une porte escamotable séparant les deux chambres de façon à pouvoir chauffer uniquement une première chambre alors qu’une seconde chambre demeure ouverte sur l’extérieur. Le four comprend en outre un écran mobile portant support pour pièce à traiter et configuré pour fermer la seconde chambre, la porte escamotable ne s’ouvrant qu’une fois la pièce à traiter reçue dans la seconde chambre de façon à pouvoir chauffer la seconde chambre sans avoir perdu la chaleur contenue dans la première chambre, avec l’écran qui ferme la seconde chambre.
La présente invention a donc pour objet un four comportant une enceinte, l’enceinte comprenant un volume intérieur de cuisson et une ouverture débouchant par une embouchure vers l’extérieur, l’ouverture étant configurée pour mettre en communication le volume intérieur de cuisson et l’extérieur, le volume intérieur définissant de l’intérieur vers l’extérieur une première chambre et une seconde chambre, la seconde chambre débouchant sur l’embouchure de l’ouverture ; une porte, mobile entre une position escamotée, dans laquelle la première chambre est en communication avec l’ouverture par l’intermédiaire de la seconde chambre, et une position de fermeture dans laquelle la porte bloque la circulation d’air entre la première chambre et la seconde chambre ; un écran, configuré pour fermer l’embouchure de l’ouverture depuis l’extérieur ; des moyens d’alimentation en puissance ; et des moyens de chauffage, connectés aux moyens d’alimentation en puissance et configurés pour chauffer le volume intérieur avec une circulation d’air chaud de la première chambre vers l’ouverture, et des moyens de commande commandant la porte, les moyens d’alimentation en puissance et les moyens de chauffage.
Ainsi, la seconde chambre constitue un sas qui permet l’introduction et le traitement thermique d’une pièce à mettre en forme, sans perte de chaleur. Ceci est particulièrement avantageux du point de vue économique ainsi que du point de vue du processus de traitement thermique qui s’effectue sans rupture. En outre, le fait que la chaleur soit confinée dans le volume intérieur du four garantit un confort notable pour l’utilisateur.
Les moyens de chauffage peuvent notamment être la RAdiation émise par des Résistances électriques (RAR).
Particulièrement la quantité en huile(s) dans au moins une des compositions C1, C2, C3, C4 ou C5 mises en œuvre dans le procédé est comprise entre 1 et 99% en poids par rapport au poids total de la composition, plus particulièrement entre 10 % et 90% en poids, préférentiellement entre 25 % et 75%, mieux entre 30% et70% en poids par rapport au poids total de la composition.
Selon un mode de réalisation, le procédé de traitement des matières kératiniques met en eouvre de l’eau et la ou les compositions C1 à C5 mises en œuvre dans le procédé de l’invention comprennent de l’eau.