Procédé de préparation d’un empilement (1) comprenant les étapes suivantes : fournir un empilement (1) comprenant un substrat (10) surmonté d’une pluralité de structures (1000) séparées par des tranchées (400), chaque structure comprenant : un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une première couche (200) à base d’un premier matériau et surmontant le substrat (10), la première couche (200) recouvrant une partie au moins du flanc (103) du plot (100), une deuxième couche (300) à base d’un deuxième matériau et recouvrant au moins le sommet (101) du plot (100), une portion de retrait (500), recouvrant une partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100), la partie supérieure (104) du flanc (103) s’étendant depuis le sommet (101) du plot (100), la portion de retrait (500) étant formée par au moins l’une parmi la première couche (200) et la deuxième couche (300), une portion de recouvrement (600), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc (103) du plot (100) et s’étendant depuis la portion de retrait (500), la portion de recouvrement (600) étant formée par la première couche, retirer la deuxième couche (300), retirer la portion de retrait (500) en laissant en place la portion de recouvrement (600) de sorte à mettre à découvert la partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100), la partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100) formant une protrusion au-delà de la portion de recouvrement (600). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le substrat (10) présente une face inférieure (12) s’étendant principalement selon un plan transversal (XY) défini par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), la protrusion présentant une hauteur E prot selon une troisième direction (Z) perpendiculaire audit plan transversal (XY), telle que E prot ≤ 0.5*E flanc , de préférence E prot ≤ 0.3*E flanc et de préférence E prot ≤ 0.1*E flanc , E flanc étant la hauteur du flanc (103) du plot (100) prise selon la troisième direction (Z). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel E prot ≥ 5 nm, de préférence E prot ≥ 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait de la deuxième couche (300) et le retrait de la portion de retrait (500) s’effectuent lors d’une unique étape de gravure. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la portion de retrait (500) est formée uniquement par la première couche (200). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel, préalablement à l’étape de retrait, la première couche (200) s’étend jusqu’au sommet (101) du plot (100). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le retrait de la portion de retrait (500) s‘effectue par contrôle du temps. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la portion de retrait (500) est formée en partie au moins par la deuxième couche (300). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la portion de retrait (500) est formée uniquement par la deuxième couche (300). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le retrait de la portion de retrait (500) comprend la gravure de la deuxième couche (300) sélectivement à la première couche (200). Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10 dans lequel la fourniture de l’empilement (1) comprend les étapes suivantes : Former la première couche (200), Former le plot (100), Former la deuxième couche (300), et dans lequel la formation de la deuxième couche (300) comprend les sous-étapes suivantes : Après la formation d’une première couche primaire (200a) destinée à former la première couche (200) et préalablement à la formation du plot (100), former une première sous-couche primaire (310a) d’une deuxième couche primaire (300a) destinée à former la deuxième couche (300), la première sous-couche primaire (310a) surmontant la première couche primaire (200a), la première sous-couche primaire (310a) étant conformée de sorte à ce qu’après une formation des tranchées (400) séparant les structures (1000) elle forme une première sous-couche (310) de la deuxième couche (300) recouvrant une partie du flanc (103) du plot (100) et formant la portion de retrait (500), Après la formation du plot (100), former une deuxième sous-couche primaire (320a) de la deuxième couche primaire (300a), la deuxième sous-couche primaire (320a) recouvrant la première sous-couche primaire (310a), la deuxième sous-couche primaire (320a) étant conformée de sorte à ce qu’après la formation des tranchées (400) séparant les structures (1000) elle forme une deuxième sous-couche (320) de la deuxième couche (300) surmontant au moins le plot (100). Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10 dans lequel la fourniture de l’empilement (1) comprend les étapes suivantes : Former la première couche (200), Former le plot (100), Former la deuxième couche (300), et dans lequel une deuxième couche primaire (300a), conformée de sorte à former la deuxième couche (300) après une formation des tranchées (400) séparant les structures (1000), est déposée : sur le plot (100) et sur une première couche primaire (200a) conformée de sorte à former la première couche (200) après la formation des tranchées (400) après la formation du plot (100). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les plots (100) sont formés d’un troisième matériau, le troisième matériau étant à base de l’un parmi du cuivre, de l’aluminium, du tungstène et du titane. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau est à base de l’un parmi : le SiO 2 , le SiN et le Si. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau est à base de l’un parmi le SiN, le SiO 2 et le Si. Empilement (1) comprenant un substrat (10) surmonté d’une pluralité de structures (1000) séparées par des tranchées (400), chaque structure comprenant : un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une portion de recouvrement (600) formée par une première couche (200) à base d’un premier matériau et surmontant le substrat (10), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc (103) du plot (100) et laissant à découvert une partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100), la partie supérieure (104) du plot (100) formant une protrusion par rapport à la première couche (200). Empilement (1) selon la revendication précédente dans lequel la protrusion présente une hauteur E prot supérieure à 5 nm, de préférence supérieure à 10 nm, la hauteur E prot étant prise selon une troisième dimension (Z) perpendiculaire à un plan transversal (XY) dans lequel s’étend principalement une face inférieure (12) du substrat (10). Procédé de collage ou de report d’au moins un plot (100) compris dans un empilement (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes sur un empilement de réception (20) : Fournir un empilement (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, Fournir un empilement de réception (20) présentant une face supérieure (21), Réaliser un collage direct du sommet (101) de l’au moins un plot (100) de l’empilement (1) sur la face supérieure (21) de l’empilement de réception (20).