INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Avantageusement, le procédé selon l’invention comprend aussi l’étape suivante : - g) on refroidit le matériau régénéré à l’étape e) jusqu’à une température inférieure à sa température de désorption, notamment par mise en contact dudit matériau régénéré avec la première portion d’effluent gazeux qui n’est plus chauffée/qui est refroidie ou/puis par mise en contact dudit matériau régénéré avec une portion de la phase liquide riche en hydrocarbure hydrogéné obtenue dans l’étape f) de séparation.
Dans cette opération, on vise donc à refroidir le matériau adsorbant régénéré : en effet, il est préférable qu’il retombe au plus vite à sa température d’utilisation, pour reprendre sa fonction de purification de l’hydrogène. Pour ce faire, on peut ainsi, selon l’invention, continuer à le mettre en contact avec la portion d’effluent, mais en arrêtant de la chauffer préalablement : ladite portion d’effluent continue à être prélevée selon l’étape c) mais ne passe plus par l’étape d), elle est alors par exemple sous forme gazeuse, mais à une température inférieure à la température de désorption, et peut donc avoir un effet d’accélération du refroidissement du matériau d’adsorption.
Alternativement, ou après ce premier refroidissement, on peut refroidir/accélérer le refroidissement du matériau d’adsorption en le mettant en contact, cette fois, avec une portion de la phase liquide issue de la section de séparation et qui présente une température bien moindre que l’effluent issu de la section réactionnelle. Cette phase liquide riche en hydrocarbure hydrogéné peut ensuite être récupérée dans le procédé, puisqu’elle constitue de fait le produit visé par l’invention.
Avantageusement, le procédé selon l’invention comprend aussi l’étape suivante : - h) on sépare, dans une section de séparation, notamment par refroidissement, la première portion d’effluent chargée en impureté(s) obtenue à l’étape e), afin d’obtenir un premier flux gazeux riche en hydrogène, un premier flux liquide riche en hydrocarbure hydrogéné, et éventuellement un premier flux liquide aqueux lorsque l’impureté à éliminer est l’eau.
Dans le cadre de la présente invention, en fonction de la nature de l’impureté, celle-ci peut rester présente dans le premier flux liquide riche en hydrocarbure hydrogéné après l’étape h) de séparation.
La présente invention est particulièrement adaptée quand l’impureté que l’on cherche à éliminer de l’hydrogène est de l’eau en proposant donc de récupérer et de traiter la première portion d’effluent chargée en impuretés par séparation et éventuelle décantation (comme le reste de l’effluent n’ayant pas servi à régénérer le matériau adsorbant) de manière à fournir un flux liquide aqueux séparé.
La section de séparation traitant le reste de l’effluent gazeux selon l’étape f) et la section de séparation traitant la première portion d’effluent chargée en impureté(s) selon l’étape h) peuvent être distinctes ou être une seule et même section de séparation, qui est donc commune aux étapes f) et h). En effet, l’invention propose deux options : soit on utilise deux sections de séparation différentes, dont les dimensions respectives sont adaptées en fonction du volume des flux à traiter, soit on utilise une seule section de séparation, qui va donc être mutualisée pour traiter les deux flux.
Avantageusement, le procédé selon l’invention comprend aussi l’étape suivante : - i) on mélange le premier flux liquide riche en hydrocarbure hydrogéné et le deuxième flux liquide riche en hydrocarbure hydrogéné obtenus dans deux sections de séparation distinctes, pour constituer un flux commun d’hydrocarbure hydrogéné. On est ici dans la configuration où on a eu recours à deux sections de séparation différentes.
Avantageusement, le procédé selon l’invention comprend aussi les étapes suivantes : - j) on mélange la première portion d’effluent chargée en impureté(s) obtenue à l’étape g) de régénération avec le reste de l’effluent issu de la section réactionnelle pour obtenir un effluent commun, puis - k) on traite dans une section de séparation, notamment par refroidissement puis décantation, ledit effluent commun, afin d’obtenir un troisième flux gazeux riche en hydrogène, un troisième flux liquide riche en hydrocarbure hydrogéné et éventuellement un troisième flux liquide aqueux. On est ici dans la configuration où on a eu recours à une section de séparation commune/mutualisée, avec mélange des deux flux en entrée de ladite section de séparation commune.
De préférence, on peut recycler au moins un des flux gazeux enrichi en hydrogène obtenus dans la ou les sections de séparation vers la section réactionnelle ou vers la section de traitement. Le choix se fera, notamment, en prenant en compte la teneur en impuretés des flux considérés.
En référence à la , on réalise des échancrures non traversantes 26 dans la couche diélectrique de passivation 4, laissant une partie non gravée par exemple de 20nm. On dépose ensuite une résine 27 (masque d’implantation), laissant libres les zones d’implantation définies par les échancrures 26. Ensuite, on réalise les régions dopées supérieures 11, ici dopées n+, par implantation ionique de phosphore (ou même avec de l’arsénique ou antimoine) dans la portion de détection 10. Le niveau de dopage peut être de l’ordre de 5×10 18 à 10 20 cm -3 . Les régions dopées supérieures 11 affleurent donc la face supérieure F1 et sont situées au-dessus des régions dopées inférieures 12. Ici, elles sont situées à la perpendiculaire des extrémités proximales 12p des régions dopées inférieures 12. On retire ensuite la résine 27, et on effectue un recuit d’activation du phosphore.
Notons que les régions dopées supérieures 11 peuvent également être réalisées par reprise d’épitaxie de germanium dans des échancrures pratiquées dans la portion de détection 10 à partir de la face F1, avec dopage de type n à la croissance. Cependant, l’implantation ionique est préférée de manière à préserver les contraintes mécaniques présentes dans la portion de détection 10.
En référence à la , on dépose une nouvelle couche diélectrique sur la couche diélectrique 4 sous-jacente, de manière à recouvrir la portion de détection 10, les vias conducteurs 3 et la portion latérale périphérique 2.
En référence à la , on réalise les électrodes de modulation M1 et M2 qui s’étendent au travers de la couche diélectrique de passivation 4 et viennent au contact des vias conducteurs 3, ainsi que les électrodes de collection C1 et C2 qui s’étendent au travers de la couche diélectrique de passivation 4 et viennent au contact des régions dopées supérieures 11.
On obtient ainsi une matrice de démodulateurs photoniques 1 assistés par courant, ici en configuration planaire, qui est adaptée à détecter dans le proche infrarouge avec une longueur d’onde de coupure supérieure à 1.55µm, et qui présente un courant d’obscurité entre la région dopée de modulation et la région dopée de collection adjacente, du fait de leur agencement vertical et des contraintes mécaniques en compression verticale.
Capteur de lumière La présente description concerne de façon générale les circuits intégrés, et, plus particulièrement, les capteurs de lumière.
Des capteurs de lumière comprenant une matrice de pixels arrangés en lignes ("row" en anglais) et en colonnes ("column" en anglais) sont connus.
Dans ces capteurs de lumière connus, chaque pixel comprend une photodiode pour convertir la lumière reçue en charges photogénérées, un noeud de détection ("sens node" en anglais) couplé à la photodiode et vers lequel sont transférés des charges photogénérées afin d'y être lues lors d'une phase de lecture du noeud de détection, un transistor d'initialisation connecté entre le noeud de détection et un noeud d'application d'un potentiel d'initialisation. En particulier, dans chaque pixel, chaque initialisation du potentiel sur le noeud de détection du pixel, ou, dit autrement, chaque initialisation du noeud de détection, comprend une mise à l'état passant du transistor d'initialisation du pixel.
Dans certain de ces capteurs connus, des ensembles de pixels sont définis, chaque ensemble comprenant par exemple plusieurs pixels successifs d'une même ligne ou d'une même colonne. Dans chaque ensemble de pixels, les noeuds de détection des pixels sont couplés deux à deux par des transistors de moyennage de charges ("binning" en anglais). Dit autrement, dans un ensemble donné de pixels, chaque pixel a son noeud de détection couplé au noeud de détection de chacun des ses pixels voisins de l'ensemble par un transistor de moyennage de charges respectif. De cette manière, ces capteurs permettent sélectivement deux modes de fonctionnement.
Dans un mode de fonctionnement, par exemple appelé fonctionnement à pleine résolution, les transistors de moyennage de charges sont à l'état bloqué. Ainsi, dans chaque pixel d'un ensemble donné, les charges photogénérées par la photodiode du pixel et transférées sur le noeud de détection du pixel ne s'ajoutent pas, ou ne se moyennent pas, à des charges photogénérées par la photodiode d'un pixel voisin de l'ensemble et transférées vers le noeud de détection de ce pixel voisin.
Dans un autre mode de fonctionnement, par exemple appelé fonctionnement en dynamique augmentée, le transistor de moyennage de charges connecté entre deux pixels voisins d'un ensemble donné de pixels est mis à l'état passant, par exemple pendant une phase de lecture des noeuds de détection de ces deux pixels. De cette façon, les charges photogénérées par la photodiode d'un premier de ces deux pixels voisins et transférées vers le noeud de détection de ce premier pixel s'ajoutent, ou se moyennent avec les charges photogénérées par la photodiode d'un deuxième de ces deux pixels voisins et transférées vers le noeud de détection de ce deuxième pixel, du fait du couplage entre les ces deux noeuds de détection par l'état passant du transistor de moyennage.
Toutefois, ces capteurs de lumière connus permettant les deux modes de fonctionnement décrits ci-dessus présentent divers inconvénients. Par exemple, ces pixels sont encombrants.
Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des capteurs de lumière connus permettant les deux modes de fonctionnement décrits ci-dessus.
Par exemple, il existe un besoin de réduire l'encombrement de ces capteurs connus, par exemple de chaque pixel de ces capteurs connus.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs de lumière connus, par exemple des capteurs connus permettant les deux modes de fonctionnement décrits ci-dessus.
Dans le cadre de la présente description, des qualificatifs « premier », « deuxième » ne sont qu’à titre indicatif pour distinguer des éléments qu’ils qualifient, mais n’impliquent pas d’ordre entre eux.
La représente schématiquement les éléments principaux d’un dispositif électronique 10 et d’un système 20 au sein desquels est mise en œuvre l’invention. Le dispositif électronique 10 et le système 20 sont aptes à coopérer, notamment pour mettre en œuvre un procédé d’authentification mutuelle entre le dispositif électronique 10 et le système 20.
Le dispositif électronique 10 dispose d’une clé privée associée à une clé publique (non représentées).
Selon un premier exemple, la clé privée et la clé publique sont des clés RSA-KEM telles que décrites dans le document RFC 5990: Use of the RSA-KEM Key Transport Algorithm in the Cryptographic Message Syntax (CMS), par Randall & al., daté de septembre 2010, https://www.rfc-editor.org/rfc/rfc5990.html#appendix-A.
Selon un deuxième exemple, la clé privée et la clé publique sont des clés ECIES telles que décrites dans le document BSI TR-02102-1 : BSI – Technical Guideline - Cryptographic Mechanisms: Recommendations and Key Lengths , version 2022-01, daté du 28 Janvier 2022, https://www.bsi.bund.de/SharedDocs/Downloads/EN/BSI/Publications/TechGuidelines/TG02102/BSI-TR-02102-1.pdf?__blob=publicationFile.
Selon un troisième exemple, la clé privée et la clé publique sont des clés Crystals-Kyber telles que décrites sur le site Crystals – Cryptographic Suite for Algebraic Lattices, https://pq-crystals.org/kyber/index.shtml.
Selon un quatrième exemple, la clé privée et la clé publique sont des clés NTRU telles que décrites sur le site NTRU – a submission to the NIST post-quantum standardization effort, https://ntru.org/ .
Le système 20 dispose d’une autre clé privée associée à une autre clé publique (non représentées).
Selon un premier exemple, l’autre clé privée et l’autre clé publique sont des clés RSA ou ECDSA telles que décrites dans le document FIPS PUB 186-4, Digital Signature Standard, de Information Technology Laboratory National Institute of Standards and Technology, et daté de Juillet 2013, https://nvlpubs.nist.gov/nistpubs/FIPS/NIST.FIPS.186-4.pdf.
Selon un deuxième exemple, l’autre clé privée et l’autre clé publique sont des clés Crystals-Dilithium telles que décrites sur le site Crystals – Cryptographic Suite for Algebraic Lattices, https://pq-crystals.org/dilithium/.
Selon un troisième exemple, l’autre clé privée et l’autre clé publique sont des clés Falcon telles que décrites sur le site Falcon – Fast-Fourier Lattice-based Compact Signatures over NTRU, https://falcon-sign.info/.
Selon un quatrième exemple l’autre clé privée et l’autre clé publique sont des clés Sphincs+ telles que décrites sur le site Sphincs+ Stateless hash-based signatures, https://sphincs.org/.
Selon un cinquième exemple, l’autre clé privée et l’autre clé publique sont des clés LMS ou XMSS telles que décrites dans le document NIST SP 800-208, Recommendation for stateful Hash-Based signature Schemes, de National Institute of Standards and Technology , et datée d’octobre 2020, https://nvlpubs.nist.gov/nistpubs/SpecialPublications/NIST.SP.800-208.pdf .
On notera que la clé privée et la clé publique peuvent être d’un type différent de l’autre clé privée et de l’autre clé publique.
Par exemple, la clé privée et la clé publique peuvent être des clés NTRU tandis que l’autre clé privée et l’autre clé publique sont des clés Crystals-Kyber.
Dans le cas d’un applicateur avec une grande dimension radiale, par exemple supérieure à 4 mmm, il est nécessaire d’augmenter le diamètre de la tige en conséquence, notamment afin que l’essoreur soit en mesure de nettoyer la tige de manière satisfaisante sans essorer l’applicateur de manière excessive.
Cependant, la taille du porte-tige est contrainte par la taille du récipient qui est généralement définie de manière standard et ne peut donc pas être augmentée en fonction du diamètre de la tige.
La réalisation en une pièce monobloc de l’organe d’application pose donc des problèmes de moulage et de démoulage, notamment en raison des grandes variations d’épaisseurs au niveau de la connexion entre la tige et le porte-tige.
Afin de pallier ces inconvénients, il est connu de fabriquer la tige et le porte-tige en deux pièces et de les assembler.
Cependant, cette solution est peu satisfaisante, notamment en ce que la jupe d’étanchéité peut être abimée au moment de l’assemblage de la tige dans le porte-tige, ce qui altère la fonction d’étanchéité de la jupe.
Un but de l’invention est de fournir un organe d’application de produit cosmétique simple et économique à fabriquer, apte à garantir une étanchéité satisfaisante et respectant les spécifications dimensionnelles désirées.
A cet effet, l’invention a pour objet un organe d’application de produit cosmétique du type précité, caractérisé en ce que le porte-tige comprend une portion fermée de fixation de la première extrémité de la tige centrée sur un axe de porte-tige et une jupe d’étanchéité centrée sur l’axe de porte-tige et située axialement à l’écart de la portion de fixation et définissant une ouverture d’insertion de la première extrémité de la tige.
Une fabrication en deux pièces de l’organe d’application offre l’avantage de pallier le problème de moulage et de démoulage, en particulier dans le cas où la tige présente un grand diamètre. Cette fabrication en deux pièces permet une fabrication simple et économique. Par ailleurs, le déport axial de la portion de fixation et de la jupe d’étanchéité, autrement dit le fait de prévoir la portion de fixation dans une portion axiale distincte, sans chevauchement axial, avec la jupe d’étanchéité, permet d’éviter d’abimer et/ou d’altérer la géométrie de la jupe d’étanchéité lors de la fixation de la tige dans le porte-tige et d’ainsi conserver une étanchéité satisfaisante. En outre, ce déport axial autorise la fixation dans le porte-tige d’une tige présentant un diamètre proche du diamètre intérieur de la jupe d’étanchéité.
Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, le porte-tige comprend une paroi transversale séparant la portion de fixation et la jupe d’étanchéité, la jupe faisant saillie de la paroi transversale à l’opposé de la portion de fixation.
Une telle paroi transversale garantit une séparation satisfaisante de la portion de fixation et de la jupe d’étanchéité.
Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, la jupe est déformable radialement.
La déformabilité radiale de la jupe d’étanchéité améliore l’étanchéité et offre une sensation douce de fermeture du récipient, c’est-à-dire présentant peu de résistance s’opposant à la fermeture.
Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, la longueur de la jupe d’étanchéité représente plus de 20% de la somme des longueurs de la portion de fixation et de la jupe d’étanchéité .
Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, le diamètre intérieur de la portion de fixation est inférieur au diamètre intérieur de la jupe d’étanchéité.
De telles dimensions de la jupe d’étanchéité permettent de garantir des dimensions satisfaisantes à la réalisation de sa fonction d’étanchéité.
Dans un mode de réalisation particulier de l’invention, le porte-tige comprend une bague centrée sur l’axe de porte-tige et définissant un filetage interne, la jupe d’étanchéité s’étendant à l’intérieur de la bague.
Le document CN107673763 A donne un exemple d’un procédé pour fabriquer une structure céramique à partir d’un précurseur de céramique thermoplastique mis en forme par FDM, et qui est caractérisé par l’utilisation d’une composition précéramique thermoplastique comprenant un précurseur céramique, une résine thermoplastique, une charge, un agent de durcissement par réticulation, un plastifiant et d'autres modificateurs entièrement mélangés et sous forme des particules de poudre qui peuvent être chauffées, fondues, refroidies et solidifiées de manière répétée.
Toutefois, la matière organique issue du plastifiant ou de la résine thermoplastique, comme dans le cas des procédés conventionnels, doit être éliminée thermiquement (déliantage). De manière générale cette étape est indispensable et très longue, ainsi que pouvant être génératrice de nombreux défauts tels que des fissures ou pores et peut, dans le pire des cas, conduire à l’effondrement de l’objet. De plus, les taux de charge (quantité de poudre minérale) observés en présence des additifs organiques sont relativement faibles dans le cas de matières non oxydes.
La température de consolidation et de frittage de ces matériaux est un autre problème à résoudre lorsqu’il est souhaité de diminuer la température de frittage, généralement supérieure à 2000°C. L’infiltration de silicium de prototypes est une de solutions le plus répandues, mais tel qu’il a été déjà mentionné cette technique est très contraignante en pratique. Une autre solution consiste à effectuer des ajouts de frittage tels que du Bore, B 4 C, Carbone, Al 2 O 3 ou SiO 2 pouvant être introduits généralement par métallurgie des poudres ou mélange par voie solide ou liquide. Des soucis d’homogénéité stœchiométrique sont toutefois courants du fait d’un mélange de poudre non homogène.
La présente invention a pour but de palier les différents inconvénients de l’état de la technique cités ci-avant. En particulier, la présente invention propose une nouvelle composition précéramique thermoplastique et hautement chargée pour la fabrication d’objets céramiques tridimensionnels de types non oxydes, et ne requérant pas d’additifs organiques.
L’invention concerne également la mise en forme de la nouvelle composition par fabrication additive, notamment par FDM, ou tout procédé de mise en forme à l’état fondu requérant une matière thermoplastique hautement chargée ainsi que la consolidation de ces objets à des températures inférieures à 2000°C.
Plus particulièrement l’invention concerne une composition précéramique thermoplastique, caractérisée en ce qu’elle comprend :
- une matière thermoplastique choisie parmi un polymère précéramique partiellement réticulé, thermofusible et sous forme solide à température ambiante ; - des charges inorganiques choisies parmi le groupe comprenant des céramiques sous forme de poudres, de whiskers ou de fibres et comportant optionnellement des particules de métalloïdes ou de métaux ou des mélanges de ces dernières.
Cette composition est très avantageuse en ce qu’elle met en œuvre une matière thermoplastique composée exclusivement d’un polymère précéramique mélangé à des charges inorganiques, et permet donc des rendements céramiques maximisés tout en conservant des propriétés rhéologiques optimales pour sa mise en forme à l’état fondu, y compris par le procédé de fabrication additive FDM.
Avantageusement, la composition de l’invention est exempte d’additifs organiques ou de résines organiques. Elle permet donc de s’affranchir d’une étape de déliantage lors du procédé de transformation céramique, ainsi que d’une étape de frittage puisque le polymère précéramique vient jouer le rôle de liant.
La composition de l’invention est dite aussi « hautement chargée » car elle incorpore jusqu’à 50 % de volume en charges inorganiques. Plus particulièrement, la composition de l’invention se présente sous forme de granules solides et comprenant les fractions volumiques suivantes : - 50 à 65 % de matière thermoplastique ; - 35 à 50 % de charges inorganiques comprenant des céramiques sous forme de poudres, de whiskers ou de fibres, et optionnellement des particules de métalloïdes ou de métaux ou des mélanges de ces dernières. Par whiskers (appelés aussi « trichites » en français), on entend des monocristaux fins et allongés.
Cette formulation optimale de la composition de l’invention est possible en raison de l’ajustement de ses propriétés rhéologiques au moyen du polymère précéramique choisi comme matière thermoplastique.
Bien entendu, ce polymère précéramique est tout d’abord thermofusible car la composition est destinée à sa mise en forme à son état fondu. Toutefois, afin d’optimiser sa mise en forme par FDM, ce polymère précéramique doit être également sous forme solide à température ambiante (c’est-à-dire autour de 25°C, de préférence 20°C), pour que la structure obtenue avec la composition de l’invention soit suffisamment rigide pour conserver sa forme après son impression 3D. Le polymère précéramique choisi comme matière thermoplastique dans la composition de l’invention est donc thermofusible et solide à température ambiante.
Toutefois, à l’heure actuelle il existe peu des polymères précéramiques thermofusibles se présentant sous forme solide à température ambiante et ayant des rendements céramiques optimaux. Dans un mode de réalisation préféré, l’invention propose de mettre en œuvre un polymère précéramique à haut rendement et aux propriétés rhéologiques ajustées pour être solide à température ambiante et/ou optimiser sa température de transition vitreuse et d’extrusion.