INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Tout d'abord, 7,50 g d'hydroxyde de lithium heptahydraté (LiOH 7H 2 O) ont été ajoutés dans 80 mL d'éthylène glycol de manière stœchiométrique sous agitation pendant 20 min. Ensuite, 4,90 g d'acide phosphorique (H 3 PO 4 ) et 0,06 g d'acide borique (H 3 BO 3 ) (rapport molaire de P : B = 98 : 2) ont été dissous dans la solution décrite ci-dessus de manière stœchiométrique sous agitation magnétique. Ensuite, 9,73 g de sulfate ferreux et 2,27 g de sulfate de manganèse (Mn : Fe = 0,3: 0,7) ont été ajoutés dans la solution pour former une suspension vert foncé. Enfin, le mélange obtenu a été transféré dans un autoclave pour une réaction solvothermique à 180ºC pendant 4 heures. Après une centrifugation à 80ºC, un lavage et un séchage pendant 12 h, du LiMn 0.3 Fe 0.7 PO 4 dopé au bore pur a été produit.
Les étapes spécifiques étaient les mêmes que dans l'exemple 1. À ce stade, dans diverses régions des particules de lithium manganèse fer phosphate de l'intérieur vers l'extérieur, la quantité maximale de dopage du bore était de 1 % et la quantité minimale de dopage était de 0,01 %.
La seule différence par rapport à l'exemple 1 réside en ce que le rapport molaire P : B à l'étape (1) était de 98: 2, et le rapport molaire de la quantité de dopage totale de bore à l'élément phosphore total dans le matériau de cathode finalement obtenu était de 1: 99.
Dans cet exemple, le démodulateur 1 se distingue de celui de la en ce que la portion de détection 10 a été réalisée par épitaxie à partir d’un substrat SOI. La portion de détection 10 est alors au contact d’une couche support 5 réalisée en silicium, de préférence monocristallin. Cette couche support 5 est une couche de nucléation pour le germanium de la portion de détection. Elle repose sur une couche isolante 20 en un oxyde de silicium (BOX). Une couche épaisse en silicium (non représentée) peut être présente au contact de la couche d’oxyde 20. Ici, les régions dopées inférieures 12 sont au contact de la couche support 5. Aussi, celle-ci est en silicium non intentionnellement dopée, de manière à éviter tout court-circuit entre les régions dopées inférieures.
Les figures 2B et 2C sont des vues schématiques et partielles, en coupe transversale ( ) et en vue de dessus ( ), d’un démodulateur photonique 1 assisté par courant selon une variante de réalisation.
Dans cet exemple, le démodulateur 1 se distingue de ceux des et 2A notamment en ce qu’il ne comporte qu’une seule région dopée de collection, qui est alors une région dopée supérieure 11 située au centre de la zone centrale Zc. Les régions dopées de modulation sont alors des régions dopées inférieures 12.
Par ailleurs, les vias conducteurs 3 qui assurent la polarisation électrique des régions dopées inférieures 12 ne sont pas des vias distincts de la portion latérale périphérique 2, mais sont des parties (distinctes entre elles) de la portion latérale périphérique 2. Celle-ci est ici formée d’une pluralité de parties distinctes dans le plan XY (sans continuité de matière entre elles). La portion latérale périphérique 2 est réalisée en un matériau conducteur dopé du même type de conductivité que les régions dopées inférieures 12, ici de type p. Dans cet exemple, elle est réalisée en silicium polycristallin dopé p+ avec une concentration en bore de 10 20 cm -3 environ. Les électrodes sont alors au contact des parties de la portion latérale périphérique 2.
Une zone latérale 15 dopée de type p peut être présente dans la portion de détection 10, le long de la portion latérale périphérique 2, lorsque celle-ci est dopée de type p comme ici. Cette région latérale 15 dopée p+ permet d’éviter que la zone de charge d’espace du démodulateur 1 ne s’étende jusqu’à la bordure latérale de la portion de détection 10. Ainsi, on limite la contribution de cette zone (potentiellement non exempte de défauts liés à la réalisation des tranchées) au courant d’obscurité.
Les figures 3A à 3L illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une matrice de démodulateurs photoniques 1 assistés par courant similaires à celui illustré sur la . Les démodulateurs 1 présentent ici une configuration planaire. Ils sont réalisés à base de germanium, et sont donc adaptés à détecter un rayonnement infrarouge dans le proche infrarouge. Les portions de détection 10 sont réalisées en germanium. Dans cet exemple, ils sont réalisés à partir d’un substrat SOI de croissance.
En référence à la , on fournit un substrat SOI de croissance, dont la couche supérieure 5 est une couche de silicium monocristallin de 10 à 100nm d’épaisseur. On réalise ensuite par épitaxie une couche 21 de germanium non intentionnellement dopé (nid) de quelques dizaines de nanomètres, par exemple 50nm. La température de croissance peut être de 400°C. Puis, on réalise par épitaxie une couche 22 de germanium dopé de type p avec une concentration de 10 19 cm -3 environ, d’une épaisseur de 200nm environ, à une température de 400°C.
En référence à la , on réalise ensuite les régions dopées inférieures 12, par lithographie et gravure localisée de la couche 22 dopée p++, avec arrêt de gravure sur la couche inférieure 21 en germanium nid. Chaque région dopée inférieure 12 s’étend entre une extrémité proximale 12p et une extrémité distante 12e dans le plan XY. Les extrémités proximales 12p délimitent suivant l’axe X la fenêtre optique. La dimension suivant l’axe X de la fenêtre optique dépend du pas pixel, et peut ainsi aller de 1.5µm à plusieurs dizaines de microns.
En référence à la , on réalise la couche semiconducteur principale 23 par épitaxie à partir de la couche 21 de germanium nid et des régions dopées inférieures 12. La couche semiconductrice principale 23 est en germanium non intentionnellement dopé et présente une épaisseur comprise entre 700 et 800nm environ. Elle peut être réalisée comme décrit notamment dans la publication de Hartmann & Aubin intitulé Assessment of the growth/etch back technique for the production of Ge strain-relaxed buffers on Si, Journal of Crystal Growth, 488 (2018), 43. La couche semiconductrice principale 23 présente alors une très faible densité de dislocations émergentes (par exemple de l’ordre de 10 7 dislocations/cm 2 ), ce qui contribue à réduire le courant d’obscurité dans la portion de détection 10 du démodulateur 1.
Puis, on effectue une étape de planarisation mécano-chimique (CMP), pour planariser la face supérieure F1, et pour réduire l’épaisseur de la couche semiconducteur principale 23 à une valeur optimale ayant été déterminée (par exemple égale à 480 nm environ). L’épaisseur de ce qui sera la portion de détection est définie entre la face inférieure F2 (interface entre la couche 21 de germanium nid et la couche support 5 de nucléation) et la face supérieure F1.
En référence à la , on dépose une couche diélectrique de passivation 4 sur la face supérieure F1 de la couche semiconductrice principale 23 (la couche 21 est intégrée à la couche 23). Cette couche diélectrique de passivation 4 peut être formée d’une première sous-couche de passivation réalisée par exemple en un oxyde d’aluminium déposé par un dépôt en couche atomique (ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais) d’une épaisseur de l’ordre de 10 à 50nm, par exemple 10nm, ou même par une fine couche de silicium non intentionnellement dopé avec une épaisseur allant de 1 à 4nm, déposée par épitaxie sur le germanium de la portion de détection 10. Ensuite, une deuxième sous-couche réalisée par exemple en un oxyde de silicium tel que du SiO 2 TEOS (orthosilicate de tétraéthyle) d’une épaisseur de l’ordre de 100 à 500nm, est déposée sur la première sous-couche sous-jacente.
En référence à la , on réalise ensuite des échancrures 24 dans la couche principale 23, s’étendant suivant l’axe Z à partir de la face supérieure F1 jusqu’à déboucher sur les régions dopées inférieures 12, au niveau des extrémités distales 12d. Ces échancrures 24 sont réalisées par lithographie et gravure localisée, avec arrêt de gravure sur le germanium dopé p++ des régions dopées inférieures 12. Les dimensions transversales de ces échancrures 24 peuvent être de l’ordre de 0.5 à 1µm environ.
En référence à la , on réalise ensuite les vias conducteurs 3, par dépôt d’un matériau électriquement conducteur dans les échancrures 24. Ici, on remplit les échancrures 24 par épitaxie à une température de 600°C environ par du germanium dopé de type p au bore avec une concentration de 10 19 cm -3 environ. Une étape de planarisation CMP est ensuite effectuée pour éliminer le germanium dopé p+ reposant sur la couche diélectrique de passivation 4.
En référence à la , on réalise ensuite une tranchée périphérique 25 dans la couche principale 23, permettant de pixelliser les démodulateurs 1 par les portions latérales périphériques 2. On réalise ainsi une gravure localisée de la couche principale 23 pour déboucher ici sur la couche 20 d’oxyde BOX. Chaque tranchée 25 s’étend ici continûment dans le plan XY autour d’une portion de détection 10. On obtient ainsi une pluralité de portions de détection 10 séparées les unes des autres par une tranchée continue 25. Elles sont obtenues de préférence par une technique de gravure anisotrope, de manière à obtenir une bordure latérale sensiblement verticale suivant l’axe Z. Les tranchées 25 présentent une dimension transversale (largeur) dans le plan XY pouvant être comprise entre 0.5µm et 2µm, par exemple égale à 1µm. Les portions de détection 10 peuvent ainsi présenter une forme dans le plan XY par exemple circulaire, ovale, polygonale, par exemple carrée, ou toute autre forme.
En référence à la , on réalise la portion latérale périphérique 2, par épitaxie dans les tranchées 25 d’un matériau semiconducteur cristallin ici à base de silicium, à une température comprise entre 500°C et 700°C. Il s’agit ici de silicium polycristallin. Il peut être dopé de type p, par exemple au bore avec un niveau de dopage de l’ordre de 4×10 19 cm -3 . Ce matériau présente un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du germanium de la portion de détection 10, de sorte qu’au retour à la température ambiante (après l’épitaxie du polysilicium dans la tranchée périphérique 25), la portion de détection 10 présente des contraintes mécaniques en tension horizontale et en compression verticale.
En référence à la , un recuit d’interdiffusion est effectué pour former la zone latérale 14 à base de SiGe. Enfin, une étape de polissage mécanochimique (CMP) est ensuite effectuée, avec arrêt sur la face supérieure de la couche diélectrique de passivation 4, pour éliminer le matériau à base de silicium en excès et planariser la face supérieure de l’empilement.
Ainsi, le déflecteur peut repousser automatiquement les réceptacles déplacés lors de la montée du véhicule autonome pour récupérer un réceptacle, et également lors de la descente du véhicule autonome, sans arrêt ou action particulière de la part du véhicule autonome.
Il peut exister un risque que le réceptacle soit de nouveau déplacé suite à son repositionnement pendant l’ascension du véhicule autonome. Le déplacement peut être provoqué par un rebond contre le fond des alvéoles, engendré par une poussée exagérée sur le réceptacle par la (première) section de guidage du déflecteur lors de l’ascension, mais encore plus par les vibrations provoquées par le déplacement d’un autre véhicule autonome se trouvant au voisinage du réceptacle. Le déplacement peut conduire à ce que le réceptacle soit malencontreusement de nouveau en saillie, alors que le véhicule autonome se déplace verticalement selon la direction verticale au-dessus du réceptacle. La deuxième section de guidage du déflecteur permet alors d’éviter une collision lors de la descente, en repoussant de nouveau le réceptacle vers le fond de l’alvéole, lors de la descente du véhicule.
La deuxième section de guidage inclinée peut s’étendre entre un troisième point, éventuellement confondu avec le deuxième point, et un quatrième point disposé à l’extrémité inférieure du déflecteur, la droite reliant les troisième et quatrième points formant avec la direction verticale un angle compris entre 5° et 20°.
Grâce à l’angle spécifique sur la partie inférieure de la section de guidage, on évite un mauvais repositionnement des réceptacles et, plus encore, on permet de repousser le réceptacle en saillie déplacé par les vibrations liées au déplacement d’un véhicule autonome circulant au voisinage du réceptacle ou un rebond contre une butée prévue au fond des alvéoles.
Une distance mesurée selon la direction verticale entre le troisième point et le quatrième point est comprise entre 60 mm et 100 mm.
La hauteur cumulée de la première et de la deuxième section de guidage correspond à la hauteur d’un capotage standard, sans sections de guidage. Il est ainsi possible de monter la coque au châssis sans modification du châssis, en utilisant des moyens de fixations déjà existants.
La coque peut être une structure plastique à paroi mince, de préférence la coque est en polycarbonate. Alternativement, la coque peut être une structure métallique à paroi mince, par exemple en aluminium.
Ainsi, la coque est facilement réalisable à faible coût. Pour autant, la coque possède des caractéristiques mécaniques, notamment une rigidité, adaptée à repousser des réceptacles ayant une masse comprise entre 1,5 kg et 30 kg sans casser.
Le véhicule autonome peut comprendre deux déflecteurs montés sur deux flancs opposés du châssis.
Le véhicule autonome peut effectuer une ascension en s’engageant avec des organes de grimpe prévus sur deux racks de stockage se faisant face. En prévoyant des déflecteurs en vis-à-vis de chacun des deux racks de stockage, il est possible de repousser les réceptacles déplacés des alvéoles de ces deux racks de stockage.
Les moyens de grimpe peuvent comporter : - au moins une roue dentée motorisée, de préférence deux roues dentées, agencée latéralement sur le châssis, du même côté que le déflecteur, ladite au moins une roue dentée étant configurée pour s’engrener avec un organe de grimpe comprenant une crémaillère ou une chaine à maillon s’étendant suivant la direction verticale, - un mécanisme de déploiement configuré pour déployer et rétracter ladite au moins une roue dentée par rapport au châssis, ladite au moins une roue dentée passant d’une position rétractée, destinée à découpler la roue de la crémaillère à l’organe de grimpe jusqu’à une position déployée configurée pour coupler ladite roue dentée audit organe de grimpe, et dans lequel ledit mécanisme de déploiement est configuré pour déployer et rétracter le déflecteur, conjointement au déploiement et à la rétractation de ladite au moins une roue dentée.
La largeur du véhicule autonome dans la position rétractée est inférieure à l’espace entre les racks de stockage formant des allées, de sorte que le véhicule autonome puisse circuler librement entre les racks. Le déploiement du déflecteur et de la roue dentée permet de rapprocher les moyens de grimpe et le déflecteur des racks de stockage pour grimper et repousser les bacs, respectivement.
Les moyens de roulage peuvent comprendre au moins une roue adaptée au déplacement du châssis et des moyens de changement de direction adapté à changer l’orientation de la roue.
Le véhicule autonome peut se déplacer au sol sans nécessiter des moyens de guidage tels que des rails (déplacement en champs libre). Le véhicule autonome peut ainsi facilement naviguer dans l’entrepôt, et circuler même si l’agencement des racks de stockage est modifié. Le véhicule autonome est polyvalent. Les véhicules sont flexibles et il est possible de remanier les racks de stockage aisément et sans interrompre la production pour s’adapter aux besoins (en cas décroissance de l’activité par exemple).
Selon un autre aspect, il est proposé un système de stockage et de récupération d’articles comprenant : une pluralité de racks de stockage disposés dans une aire de stockage suivant deux directions horizontales, chaque rack s’étendant selon une direction verticale, les racks de stockage comportant : des alvéoles suivant la direction verticale, les alvéoles présentant des ouvertures de chargement ou déchargement de réceptacles suivant une direction de chargement de déchargement horizontale, et des organes de grimpe, verticaux, une pluralité de réceptacles disposés dans les alvéoles de chaque rack de stockage, au moins un véhicule autonome, comportant les moyens de grimpe configurés pour être couplés aux organes de grimpe pour assurer le déplacement vertical du châssis, et dans lequel ledit au moins déflecteur fait face aux ouvertures de chargement ou déchargement des alvéoles du rack de stockage lorsque le châssis se déplace le long de la direction verticale, ledit au moins un déflecteur interposé entre les ouvertures de chargement du rack de stockage et le châssis du véhicule.
Dans une position nominale du réceptacle dans l’alvéole, une distance entre une extrémité arrière du réceptacle et le fond de l’alvéole peut être comprise entre 8 et 12 mm, et le véhicule autonome peut être configuré pour replacer le réceptacle dans la position nominale à partir d’un déplacement de 10 mm du réceptacle depuis la position nominale.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, la formulation (ou composition) comprenant la zéolite, pour utilisation selon l’invention, comprend en outre un solvant, un anti-gel, un dispersant, un anti-mousse, un épaississant et un conservateur à l’exclusion de tout autre composant.
Selon un autre mode de réalisation préféré de l’invention, la formulation (ou composition) comprenant la zéolite, pour utilisation selon l’invention, comprend en outre de l’infusion d’écorce de saule, un solvant, un anti-gel, un dispersant, un anti-mousse, un épaississant et un conservateur à l’exclusion de tout autre composant.
Dans le cadre de la présente invention, le terme « anti-gel » fait référence au composant apte à faire diminuer la température de solidification de la composition utilisée dans l’invention.
Selon un mode de réalisation préféré, ledit anti-gel est choisi dans le groupe constitué par l'éthylèneglycol, le monopropylèneglycol, le glycérol, l'hexylèneglycol, le l-methoxy-2-propanol et le cyclo- hexanol et leurs mélanges.
Encore plus préférentiellement ledit anti-gel est le monopropyleneglycol.
La quantité d‘anti-gel utilisée est généralement de 1 à 5% en masse, de préférence d'environ 2 à 4% en masse, par rapport à la quantité totale de la formulation concentrée.
Dans le cadre de la présente invention, le terme « dispersant » fait référence à un composant apte à améliorer la diffusion des composants de la composition utilisée dans l’invention.
Selon un mode de réalisation préféré, ledit dispersant est une substance tensioactive.
Selon un mode de réalisation encore plus préféré, ledit dispersant est choisi dans le groupe constitué par le Soprophor FL®, le Amesurf H77®, le Tensiofix CGA 213®, le Tensiofix 96DB10®, le Tensiofix LB 350® et leurs mélanges
La quantité de dispersant utilisée est généralement de 1 à 10% en masse, de préférence d'environ 4 à 10% en masse, par rapport à la quantité totale de la formulation concentrée.
Dans le cadre de la présente invention, le terme « anti-mousse » fait référence à un composant apte à éviter la formation de mousse ou supprimer la mousse déjà formée dans la composition utilisée dans l’invention.
Selon un mode de réalisation préféré, ledit anti-mousse est le silimod40D®.
La quantité d’anti-mousse utilisée est généralement de 0.1 à 0.5% en masse, de préférence d'environ 0.2 à 0.3% en masse, par rapport à la quantité totale de la formulation concentrée.
Dans le cadre de la présente invention, le terme « épaississant » fait référence à un composant apte à augmenter la viscosité de la composition dans lequel il est intégré.
Selon un mode de réalisation encore plus préféré, ledit épaississant est choisi dans le groupe constitué par des polymères polysaccharides choisis parmi la cellulose, les alkylcelluloses, les alcoxycelluloses, les hydroxyalkylcelluloses, les alkylhydroxyalkylcelluloses, les carboxyalkylcelluloses, les carboxyalkyl hydroxyalkylcelluloses, les polymères polysaccharidiques naturels tels que la gomme de xanthane, la gomme de guar, la gomme de caroube, la gomme adragante ou leurs dérivés, les polymères polycarboxylates, les polyacrylamides, les argiles et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation préféré, ledit épaississant est la gomme de xanthane.
La sécurisation au niveau du message est assurée par la comparaison du code tournant d’un message reçu au code tournant du message précédent. Si le code tournant est différent, le message est un nouveau message, même si les valeurs portées par les autres bits du message sont inchangées par rapport à celles du message précédent. C’est le cas lorsque l’interface homme-machine n’est pas sollicitée par l’opérateur. Si le code tournant est identique, le message est identique au message précédent du fait d’un blocage de moyens de transmission compris dans le concentrateur de données. Un disfonctionnement est alors détecté.
On comprend ainsi que la structure même des messages émis sur un bus de données est protégée contre les erreurs à différents niveaux de la chaine de transmission, grâce aux bits de validité, aux bits de parité, et aux codes tournants.
Procédé de traitement de données vidéo provenant d’une source vidéo non certifiée La présente invention concerne le domaine de l’aéronautique, et plus particulièrement le domaine des interactions homme-machine au sein d’un cockpit d’un aéronef.
Les logiciels développés pour le domaine de l’avionique adressent des fonctions critiques et nécessitent un niveau de contrôle exigeant pour assurer les conditions de sureté exigées. Leurs évolutions sont maitrisées et limitées.
La digitalisation des supports techniques a été permise au travers des sacoches de vol électronique, dites EFB (pour « Electronic Flight Bag » en anglais). L’EFB est ainsi un dispositif électronique de gestion de l’information qui aide le pilote de l’aéronef à effectuer des tâches de gestion de vol plus facilement et plus efficacement avec moins de papier. Il s’agit d’une plate-forme informatique d’usage général destinée à réduire ou remplacer le matériel de référence à base de papier comme le manuel de l’avion, le manuel d’exploitation et les cartes de navigation.
L’émergence d’un réseau connecté, auquel est rattaché l’EFB, de plus en plus développé permet d’envisager dans un monde ouvert des applications de plus en plus évoluées qui complètent les fonctionnalités du cockpit certifié. La non criticité de ces applications, non soumises au processus de certification DO178, permet une évolution rapide, régulière et à moindre coût.
Pour faciliter la continuité des opérations entre les applications du domaine avionique affichées dans le cockpit et les applications du monde ouvert, affichée nativement sur l’EFB, il est intéressant de pouvoir afficher le contenu des applications du monde ouvert en utilisant un ou plusieurs écran(s) d’affichage du cockpit. Ceci permet de réduire l’encombrement du cockpit en évitant l’utilisation d’un écran d’affichage supplémentaire. En effet, l’utilisation d’un écran d’affichage supplémentaire peut limiter la visibilité externe et nécessiter une installation complexe pour être à portée de main du pilote. En outre, les écrans d’affichage avioniques permettent d’atteindre des performances d’affichage en termes de luminance et de réduction des reflets, que n’offrent pas un écran de tablette.
Pour intégrer au mieux les applications du monde ouvert et faciliter les missions du pilote, il est connu de l’art antérieur d’utiliser un dispositif pour afficher un contenu issu de ce monde ouvert sur un écran d’affichage d’un cockpit par une connexion vidéo. Par « monde ouvert », on entend des données accessibles au grand public. Ces données sont dites non certifiées au sens de la sécurité. Le monde « cockpit » certifié est soumis à une validation des autorités (EASA).
Un tel dispositif de l’art antérieur est notamment illustré à la . Ce dispositif 1 comprend une tablette 10, un adapteur 11 universel pour tablette (dit « TUA » pour « Tablet Universal Adapter ») et un écran d’affichage 120 d’un cockpit 12. La tablette est ici une tablette tactile grand public, adaptée pour délivrer des données vidéo suite à une requête émanant du cockpit.