Filtre polariseur (FP) destiné à être disposé en vis-à-vis d’un capteur d’images (100 ; 400 ; 600 ; 800 ; 900) comprenant une pluralité de pixels (P), le filtre comprenant, pour chaque pixel, une structure de polarisation (111) comportant une pluralité de barres métalliques parallèles (701), chaque barre étant revêtue d’un empilement absorbant (703) comprenant : – une couche de tungstène (705) ; – une couche de silicium (707), revêtant la couche de tungstène ; et – une couche diélectrique (709), revêtant la couche de silicium. Filtre selon la revendication 1, dans lequel les barres métalliques (701) sont en un matériau différent du tungstène, de préférence en aluminium. Filtre selon la revendication 2, dans lequel la couche de tungstène (705) présente une épaisseur supérieure à 40 nm, de préférence supérieure à 60 nm. Filtre selon la revendication 1, dans lequel les barres métalliques (701) sont en tungstène. Filtre selon la revendication 4, dans lequel les barres métalliques (701) et la couche de tungstène (705) présentent une épaisseur cumulée supérieure à 40 nm, de préférence supérieure à 60 nm. Filtre selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche de silicium (707) présente une épaisseur comprise entre 20 et 100 nm, de préférence entre 30 et 50 nm, par exemple égale à environ 39 nm. Filtre selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche diélectrique (709) est en oxyde de silicium. Filtre selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche diélectrique (709) est constituée d’un empilement de plusieurs couches en des matériaux diélectriques d’indices de réfraction inférieurs à celui du silicium. Capteur d’images polarimétrique (100 ; 400 ; 600) formé dans et sur un substrat semiconducteur (101), le capteur comprenant : – une pluralité de pixels (P) comprenant chacun un photodétecteur (107) formé dans le substrat semiconducteur ; et – un filtre polariseur (FP) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, le filtre étant disposé du côté d’une face d’éclairement des photodétecteurs. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 9, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend au moins des premier et deuxième pixels (P(1), P(2)) adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des première et deuxième polarisations distinctes, la structure de polarisation (111) du premier pixel (P(1)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la première polarisation et la structure de polarisation (111) du deuxième pixel (P(2)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la deuxième polarisation. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 10, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend en outre des troisième et quatrième pixels (P(3), P(4)) adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des troisième et quatrième polarisations distinctes, différentes des première et deuxième polarisations, la structure de polarisation (111) du troisième pixel (P(3)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la troisième polarisation et la structure de polarisation (111) du quatrième pixel (P(4)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la quatrième polarisation. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 11, dans lequel les première, deuxième, troisième et quatrième polarisations sont des polarisations linéaires selon des première, deuxième, troisième et quatrième directions formant respectivement des angles de 0°, 90°, 45° et 135° par rapport à une direction de référence. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 9 à 12, comportant en outre un routeur de polarisation comprenant une métasurface bidimensionnelle (MS) disposée du côté du filtre polariseur (FP) opposé aux photodétecteurs, la métasurface comprenant un réseau bidimensionnel de plots (117). Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 13, dans sa dépendance à la revendication 11 ou 12, dans lequel la métasurface bidimensionnelle (MS) comprend : – une première partie (MS(1)) située à l’aplomb des premier et deuxième pixels (P(1), P(2)) adaptée à transmettre majoritairement : des rayonnements selon la première polarisation vers le premier pixel (P(1)) ; et des rayonnements selon la deuxième polarisation vers le deuxième pixel (P(2)), et – une deuxième partie (MS(2)) située à l’aplomb des troisième et quatrième pixels (P(3), P(4)) adaptée à transmettre majoritairement : des rayonnements selon la troisième polarisation vers le troisième pixel (P(3)) ; et des rayonnements selon la quatrième polarisation vers le quatrième pixel (P(4)). Capteur (600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 9 à 14, comprenant en outre une pluralité de premières microlentilles (401) s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels (P(1), P(2)) adjacents du capteur. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 15, dans lequel les premières microlentilles (401) présentent chacune une forme allongée. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 15 ou 16, dans sa dépendance à la revendication 13 ou 14, dans lequel les premières microlentilles (401) sont : A) disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle (MS) opposée aux photodétecteurs (107) ; ou B) interposées entre les photodétecteurs et la métasurface bidimensionnelle. Capteur (900) selon la revendication 17, dans son option B), comprenant en outre une pluralité de deuxièmes microlentilles (901) distinctes des premières microlentilles (401) et disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle (MS) opposée aux photodétecteurs (107), chaque deuxième microlentille s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels (P(1), P(2)) adjacents du capteur. Capteur (900) selon la revendication 18, dans lequel chaque deuxième microlentille (901) présente une forme allongée.