Capteur d’images (15) comprenant : - une pluralité de pixels de photo-détection (19) formés dans et sur un substrat semiconducteur (25) ; et - un réseau d’interconnexion (23) revêtant une face du substrat semiconducteur, le réseau d’interconnexion comprenant un niveau (31) de vias conducteurs (39) en contact, par leur face inférieure, avec les pixels de photo-détection, dans lequel lesdits vias conducteurs sont en silicium polycristallin dopé et présentent un dopage plus important du côté de leur face inférieure que du côté de leur face supérieure. Capteur selon la revendication 1, dans lequel lesdits vias conducteurs (39) présentent un gradient de dopage décroissant en partant de la face supérieure du substrat (25). Capteur d'image selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les vias conducteurs (39) sont dopés d'atomes de phosphore ou d'arsenic. Procédé de fabrication d'un capteur d'images (15) comprenant : - la formation d'une pluralité de pixels de photo-détection (19) dans et sur un substrat semiconducteur (25) ; et - la formation d'un niveau (31) de vias conducteurs (39) d'un réseau d’interconnexion (23), les vias (39) étant en contact par leur face inférieure avec les pixels de photo-détection, les vias conducteurs (39) étant en silicium polycristallin dopé et présentant un dopage plus important du côté de leur face inférieure que du côté de leur face supérieure. Procédé selon la revendication 4, dans lequel lesdits vias (39) présentent un gradient de dopage décroissant en partant de la face supérieure du substrat. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la formation des vias conducteurs (39) comprend une étape de formation d'ouvertures (65) dans une couche isolante (61), en contact avec les pixels de photo-détection (19). Procédé selon la revendication 6, dans lequel la formation des vias conducteurs (39) comprend, après l'étape de formation des ouvertures (65), les étapes successives suivantes : - formation d'un film (67) en silicium amorphe sur et dans les ouvertures (65) ; - dopage ex-situ dudit film (67) par l'implantation de dopants ; et - remplissage des ouvertures (65) par une couche (69) en silicium amorphe. Procédé selon la revendication 7, dans lequel à l'issue de l'étape de dopage du film (67), ledit film a un dopage de l'ordre de 1.10 21 at/cm 3 . Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le silicium amorphe du film (67) est en outre dopé in-situ pendant son dépôt. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel le silicium de ladite couche (69) est dopé in-situ pendant son dépôt. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la formation des vias conducteurs (39) comprend, après l'étape de formation des ouvertures (65) les étapes successives suivantes : - remplissage des ouvertures (65) par une couche (93) en silicium amorphe ; et - dopage ex-situ de ladite couche (93), au voisinage du substrat semiconducteur (25), par l'implantation de dopants. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le silicium de ladite couche (93) est en outre dopé in-situ pendant son dépôt. Procédé selon la revendication 11 ou 12, dans lequel à l'issue de l'étape de dopage de la couche (93), ladite couche a un dopage, au voisinage du substrat (25) de l'ordre de 1.10 21 at/cm 3 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 6 à 13, comprenant, après la formation des ouvertures (65) dans la couche isolante (61) en contact avec les pixels de photo-détection, une étape d’amorphisation de la surface du substrat (25) et de la surface de grilles conductrices (27) en silicium polycristallin au fond des ouvertures d'ouvertures (65). Dispositif d'acquisition d'images (11) comportant un premier capteur d'images (13) et un deuxième capteur d'images (15) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, le premier capteur d'mages et le deuxième capteur d'images étant empilés.