Capteur optique (1) comportant : une capacité d’intégration (C m ), un circuit de lecture (10) de la charge de la capacité d’intégration (C m ), au moins un transistor MOS (31 ; 32) fonctionnant sous le seuil, dont le courant drain-source influe sur la charge de la capacité d’intégration (C m ), au moins une photodiode (21 ; 22) fonctionnant en mode photovoltaïque, reliée à la grille de ce transistor, de telle sorte que le courant drain-source (I d ) du transistor MOS augmente quand le courant généré par la photodiode diminue et inversement. Capteur (1) selon la revendication précédente, le transistor MOS (31) étant un transistor d’activation agencé pour charger la capacité d’intégration (C m ) lorsque la photodiode (21) reliée à sa grille est dans l’obscurité. Capteur (1) selon la revendication précédente, le transistor d’activation (31) étant de type PMOS dont la grille est connectée à l’anode de la photodiode (21), le drain à la capacité d’intégration (C m ) et la source à une tension d’alimentation (Vdd, Vdd ex ) du capteur. Capteur (1) selon la revendication 2, le transistor d’activation (31) étant de type NMOS dont la grille est connectée à la cathode de la photodiode (21), le drain à une tension d’alimentation (Vdd, Vdd ex ) du capteur et la source à la capacité d’intégration (C m ). Capteur (1) selon la revendication 1, le transistor MOS (32) étant un transistor de désactivation agencé pour décharger la capacité d’intégration (C m ) lorsque la photodiode (22) reliée à sa grille est dans l’obscurité. Capteur (1) selon la revendication précédente, le transistor de désactivation (32) étant de type PMOS dont la grille est connectée à l’anode de la photodiode (22), le drain à un miroir de courant (34) connecté à la capacité d’intégration (C m ) et la source à une tension d’alimentation (Vdd, Vdd inh ) du capteur. Capteur (1) selon la revendication 5, le transistor de désactivation (32) étant de type NMOS dont la grille est connectée à la cathode de la photodiode (22), le drain à une tension d’alimentation (Vdd, Vdd inh ) du capteur et la source à un miroir de courant (34) connecté à la capacité d’intégration (C m ). Capteur (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant au moins une cellule photosensible de type « OFF » (101), la cellule comprenant : Une partie excitatrice (102) comprenant : - au moins un transistor MOS d’activation (31), fonctionnant sous le seuil, dont le courant drain-source (I d ) influe sur la charge de la capacité d’intégration (C m ), et - au moins une photodiode (21) fonctionnant en mode photovoltaïque, reliée à la grille de ce transistor d’activation (31), de telle sorte que le courant drain-source (I d ) du transistor MOS d’activation (31) est inversement proportionnel au courant photovoltaïque généré par la photodiode (21), le transistor d’activation (31) étant agencé pour charger la capacité d’intégration (C m ) lorsque la photodiode (21) est dans l’obscurité ; et Une partie inhibitrice (103) comprenant : - plusieurs transistors MOS de désactivation (32), fonctionnant sous le seuil, dont les courants drain-source influent sur la charge de la capacité d’intégration (C m ), et - plusieurs photodiodes (22) fonctionnant en mode photovoltaïque, chacune étant reliée à la grille d’un des transistors de désactivation (32), de telle sorte que le courant drain-source (I d ) de ce transistor est inversement proportionnel au courant photovoltaïque généré par la photodiode (22) associée, le transistor de désactivation (32) étant agencé pour décharger la capacité d’intégration (C m ) lorsque la photodiode associée (22) est dans l’obscurité, la photodiode (21) associée au transistor d’activation (31) étant entourée par les photodiodes (22) associées aux transistors de désactivation (32). Capteur (1) selon la revendication précédente, le transistor d’activation (31) étant de type PMOS dont la grille est connectée à l’anode de la photodiode associée (21), le drain à la capacité d’intégration (C m ) et la source à une tension d’alimentation Vdd ex du capteur. Capteur (1) selon la revendication précédente, le transistor de désactivation (32) étant de type PMOS dont la grille est connectée à l’anode de la photodiode (22), le drain à un miroir de courant (34) connecté à la capacité d’intégration (C m ) et la source à une tension d’alimentation Vdd inh du capteur. Capteur (1) selon la revendication 8, le transistor d’activation (31) étant de type NMOS dont la grille est connectée à la cathode de la photodiode (21), le drain à une tension d’alimentation Vdd ex du capteur et la source à la capacité d’intégration (Cm). Capteur (1) selon la revendication précédente, le transistor de désactivation (32) étant de type NMOS dont la grille est connectée à la cathode de la photodiode (22), le drain à une tension d’alimentation Vdd inh du capteur et la source à un miroir de courant (34) connecté à la capacité d’intégration (C m ), la tension d’alimentation Vdd inh étant préférentiellement égale à Vdd ex . Capteur (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes 8 à 12, comportant un ensemble de pixels organisés en matrice comprenant une pluralité de cellules de type « OFF » (101). Capteur (1) selon la revendication précédente, chaque cellule « OFF » (101) comportant un pixel central (PC) correspondant à la partie excitatrice (102) et plusieurs pixels périphériques (N, E, S, O) correspondant à la partie inhibitrice (103), les pixels périphériques (N, E, S, O) étant notamment au nombre de quatre et les pixels de la cellule « OFF » étant alors préférentiellement agencés sur la matrice sous forme de croix. Capteur (1) selon l’une des deux revendications précédentes, chaque pixel (100) comportant une seule photodiode (21 ; 22) connectée à plusieurs transistors différents (31 ; 32) de sorte à servir plusieurs cellules « OFF » (101), la photodiode (21 ; 22) étant notamment connectée à cinq transistors différents (31 ; 32) dont un transistor d’activation (31) d’un pixel central (PC) et quatre transistors de désactivation (32) de pixels périphériques (N, E, S, O). Procédé d’acquisition d’une image ou d’une vidéo, notamment sous un éclairage inférieur ou égal à 3000 lux, en utilisant le capteur selon l'une quelconque des revendications précédentes.