Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule photovoltaïque initiale, comprenant : - un substrat (1), à base de silicium cristallin, et présentant : des premier et deuxième bords latéraux (10, 11) opposés, des troisième et quatrième bords latéraux (12, 13) opposés, reliant les premier et deuxième bords latéraux (10, 11) ; - un empilement (2) de couches actives (20), formé autour du substrat (1), et comprenant une couche de passivation initiale (P0) possédant une vitesse de recombinaison de surface effective, notée SRV 0 ; l’empilement (2) présentant : des première et deuxième parties latérales (2a, 2b), s’étendant respectivement sur les premier et deuxième bords latéraux (10, 11) du substrat (1), des troisième et quatrième parties latérales (2c, 2d), s’étendant respectivement sur les troisième et quatrième bords latéraux (12, 13) du substrat (1) ; b 1 ) retirer la première partie latérale (2a) de l’empilement (2) de couches actives (20) de manière à atteindre le premier bord latéral (10) du substrat (1) ; c 1 ) former une première couche de passivation (P1) sur le premier bord latéral (10) du substrat (1) atteint à l’issue de l’étape b 1 ), la première couche de passivation (P1) possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 . Procédé selon la revendication 1, comportant les étapes : b 2 ) retirer la deuxième partie latérale (2b) de l’empilement (2) de couches actives (20) de manière à atteindre le deuxième bord latéral (11) du substrat (1) ; c 2 ) former une deuxième couche de passivation (P2) sur le deuxième bord latéral (11) du substrat (1) atteint à l’issue de l’étape b 2 ), la deuxième couche de passivation (P2) possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 . Procédé selon la revendication 1 ou 2, comportant les étapes : b 3 ) retirer la troisième partie latérale (2c) de l’empilement (2) de couches actives (20) de manière à atteindre le troisième bord latéral (12) du substrat (1) ; c 3 ) former une troisième couche de passivation (P3) sur le troisième bord latéral (12) du substrat (1) atteint à l’issue de l’étape b 3 ), la troisième couche de passivation (P3) possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, comportant les étapes : b 4 ) retirer la quatrième partie latérale (2d) de l’empilement (2) de couches actives (20) de manière à atteindre le quatrième bord latéral (13) du substrat (1) ; c 4 ) former une quatrième couche de passivation (P4) sur le quatrième bord latéral (13) du substrat (1) atteint à l’issue de l’étape b 4 ), la quatrième couche de passivation (P4) possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : - l’étape a) est exécutée de sorte que l’empilement (2) de couches actives (20) comprend une couche d’oxyde transparent conducteur (200) superficielle présentant un décrochement initial, en retrait par rapport à chaque bord latéral (10, 11, 12, 13) du substrat (1), le décrochement initial étant de préférence obtenu par détourage ; - l’étape b 1 ) est exécutée par une première découpe (D1) du substrat (1) ajustée pour retirer la première partie latérale (2a) de l’empilement (2) de couches actives (20) et une première zone latérale (ZL1) du substrat (1), de sorte que le premier bord latéral (10) du substrat (1) atteint à l’issue de la première découpe (D1) fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur (200) superficielle. Procédé selon la revendication 5 en combinaison avec la revendication 2, dans lequel l’étape b 2 ) est exécutée par une deuxième découpe (D2) du substrat (1) ajustée pour retirer la deuxième partie latérale (2b) de l’empilement (2) de couches actives (20) et une deuxième zone latérale (ZL2) du substrat (1), de sorte que le deuxième bord latéral (11) du substrat (1) atteint à l’issue de la deuxième découpe (D2) fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur (200) superficielle. Procédé selon la revendication 5 ou 6 en combinaison avec la revendication 3, dans lequel l’étape b 3 ) est exécutée par une troisième découpe (D3) du substrat (1) ajustée pour retirer la troisième partie latérale (2c) de l’empilement (2) de couches actives (20) et une troisième zone latérale (ZL3) du substrat (1), de sorte que le troisième bord latéral (12) du substrat (1) atteint à l’issue de la troisième découpe (D3) fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur (200) superficielle. Procédé selon l’une des revendications 5 à 7 en combinaison avec la revendication 4, dans lequel l’étape b 4 ) est exécutée par une quatrième découpe (D4) du substrat (1) ajustée pour retirer la quatrième partie latérale (2d) de l’empilement (2) de couches actives (20) et une quatrième zone latérale (ZL4) du substrat (1), de sorte que le quatrième bord latéral (13) du substrat (1) atteint à l’issue de la quatrième découpe (D4) fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur (200) superficielle. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le substrat (1) de la cellule photovoltaïque initiale utilisée lors de l’étape a) présente : - une région centrale (Rc), - une région périphérique (Rp), s’étendant autour de la région centrale (Rp), comprenant les premier et deuxième bords latéraux (10, 11) ainsi que les troisième et quatrième bords latéraux (12, 13) ; le procédé comportant une étape d) consistant à découper le substrat (1) suivant au moins une ligne de découpe (L1, L2) s’étendant dans la région centrale (Rc) de manière à obtenir au moins deux sous-cellules (C) photovoltaïques. Procédé selon la revendication 9, dans lequel lesdites au moins deux sous-cellules (C) photovoltaïques présentent des bords découpés à l’issue de l’étape d) ; le procédé comportant une étape e) consistant à revêtir chaque bord découpé à l’issue de l’étape d) d’une couche de passivation (P’) possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que la couche de passivation initiale (P0) est réalisée dans un silicium amorphe hydrogéné ; et l’étape c 1 ) est exécutée de sorte que la première couche de passivation (P1) est réalisée dans un oxyde d’aluminium.