INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
On réalise ensuite ( ) des régions 125 d’alliage de métal et de semi-conducteur dans les régions semi-conductrices amorphes 123 de part et d’autre de la zone semi-conductrice 121. Les régions 125 sont en particulier des zones à base de siliciure lorsque la couche semi-conductrice superficielle 12 est en silicium. On réalise les régions 125 d’alliage de métal et de semi-conducteur, de préférence à une température inférieure à 600°C et avantageusement inférieure à 500°C. Pour cela, on peut utiliser par exemple un procédé de pulvérisation (« sputtering » selon la terminologie anglo-saxonne) pour déposer un matériau métallique. Un tel procédé utilise une ou plusieurs cibles dont est ou sont extrait(s) l’élément ou les éléments à déposer. Un exemple particulier de procédé consiste à réaliser une siliciuration. La siliciuration comprend un dépôt métallique que l’on vient chauffer pour qu’il réagisse avec la couche semi-conductrice pour former un siliciure. Un retrait de métal sélectivement par rapport à l’alliage créé peut être ensuite effectué. On peut former par exemple par siliciuration des zones de NiPtSi dans des régions de silicium amorphe à une température par exemple de l’ordre de 400°C.
Du fait de l’amorphisation préalable de certaines régions 123 de la couche semi-conductrice superficielle 12, la frontière des régions 125 d’alliage de métal et de semi-conducteur formée dans ces régions amorphes est mieux définie et la disposition de ces régions 125 d’alliage de métal et de semi-conducteur est mieux contrôlée par rapport à la zone de canal du transistor.
La présente un exemple de positionnement dans les tubes des sachets non biodégradables équipés du lit fixe avec mode de liaison 100 et d’extraction des sachets équipés. Elle présente également la section hydraulique 110, équipés du lit fixe ensaché 90, 901 ainsi que la section d’oxygénation des tubes 70.
La présente de manière non exhaustive une variante avantageuse de différents modèles de filets tubulaires non biodégradables 902 pouvant être utilisés
La présente en variante le positionnement dans les tubes des sachets/filets tubulaires non biodégradables 902 équipés du lit fixe, avec mode de liaison 100 et d’extraction. Elle présente également la section hydraulique 110, équipés du lit fixe ensaché 90, 902 ainsi que la section d’oxygénation des tubes 70.
La et la présentent en variante le positionnement du lit fixe en segments monoblocs dans les tubes. Elle présente également la section hydraulique 110 ainsi que la section d’oxygénation des tubes 70.
La et la présentent des vues en coupe transversale du lit fixe en segments monoblocs positionné dans les tubes. Elle présente également la section hydraulique 110 ainsi que la section d’oxygénation des tubes 70.
La présente à titre d’exemple le positionnement des chambres de visites intermédiaires 120 dans un positionnement compact du dispositif.
10 chambre de visite amont (équipée ou non d’un filtre)
20 fosse toutes eaux
30 réacteur biologique aérobie
40 tubes et série de tubes
50 chambre de prélèvement (équipée ou non d’un filtre)
60 cheminées d’aération
70 section d’oxygénation
80 poste de relevage
90 lit fixe
Le support de la couche superficielle semi-conductrice peut être un substrat de type semi-conducteur sur isolant tel qu’un substrat SOI (pour « Silicon On Insulator » ou « Silicium sur isolant ») ou un support doté d’un ou plusieurs composants d’un premier niveau de composants formés dans une couche semi-conductrice sous-jacente.
Ainsi, le procédé se prête tout particulièrement à la réalisation de dispositifs ou circuits 3D dotés de plusieurs couches semi-conductrices superposées et de plusieurs niveaux de composants réalisés dans ces couches. En particulier, le fait de pouvoir utiliser un budget thermique réduit pour former des régions de source et de drain surélevées le rend particulièrement compatible à la mise en œuvre de circuits ou dispositifs 3D, c’est-à-dire réalisés sur plusieurs niveaux de composants formés dans des couches semi-conductrices distinctes.
servent à illustrer un procédé de réalisation d’un transistor avec des régions semi-conductrices de source et de drain dopées sur toute leur épaisseur ;
sert à illustrer une variante de réalisation dans laquelle on forme en outre des régions d’alliage de métal et de semi-conducteur dans les régions semi-conductrices dopées.
sert à illustrer une variante de réalisation dans laquelle un recuit laser est effectué après le dopage des régions semi-conductrices puis une étape de dépôt de matériau métallique afin de mutualiser une activation de dopants avec une siliciuration des régions semi-conductrices de source et de drain ;
servent à illustrer un autre exemple de réalisation particulier pour lequel on réalise un dopage de zones d’extensions avant de former et doper les parties surélevées de régions de source et drain.
servent à illustrer un autre exemple de réalisation particulier pour lequel on réalise un dopage de zones d’une couche semi-conductrice superficielle avant de former des parties surélevées des régions de source et drain et de rendre amorphe sur toute leur épaisseur ces zones et ces parties surélevées.
sert à illustrer un exemple de réalisation particulier dans lequel le support à partir duquel on réalise le procédé est déjà doté d’un niveau de composants formés dans une couche semi-conductrice sous-jacente.
En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation d’une structure tels que « avant », « supérieure », « arrière », « inférieure », « latérale », s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures.
Une structure de départ possible pour la réalisation d’un procédé suivant l’invention et mis en œuvre pour la fabrication d’au moins un transistor est donnée sur la .
La couche semi-conductrice 12 superficielle, par exemple en silicium, est prévue avec une épaisseur qui peut être comprise par exemple entre 5 nm et 100 nm, avantageusement entre 5 et 30 nm.
La couche isolante 11 peut être prévue quant à elle avec une épaisseur comprise par exemple entre 15 nm et 200 nm.
Un exemple de réalisation particulier prévoit une couche isolante 11 d’oxyde de silicium de 145 nm et une couche superficielle 12 et une couche de silicium de l’ordre de 23 nm ou 30 nm d’épaisseur.
On observe, en , un graphe temporel 20 de pression en aval d’un régulateur de pression. Les valeurs successives de la pression sont représentées par la courbe 21. Ces valeurs successives sont obtenues soit par une mesure continue de la pression aval, soit par des mesures régulières de cette pression. À un instant 23, une intervention est réalisée sur le régulateur, ce qui provoque une discontinuité de la courbe 21. Dans le cas représenté en , il s’agit d’une hausse de la pression aval.
Pendant une première durée prédéterminée consécutive à l’instant 23 de l’intervention, s’étendant jusqu’à l’instant 24, une première analyse statistique des valeurs mesurées de la pression est réalisée. Cette première durée est aussi appelée « fenêtre de calibrage ». Cette première analyse statistique permet de déterminer une valeur moyenne 25 et, préférentiellement, un écart-type des variations de cette pression et une amplitude de ces variations.
On fixe ensuite une valeur limite inférieure 26 et une valeur limite supérieure 27, en fonction du résultat de la première analyse statistique. Selon un premier exemple, la valeur limite inférieure 26 est égale à la valeur moyenne diminuée d’un pourcentage prédéterminé, par exemple cinq pour cent. Selon un deuxième exemple, la valeur limite inférieure 26 est égale à la valeur moyenne diminuée d’un nombre prédéterminé de fois l’écart-type, par exemple trois fois. Selon un troisième exemple, la valeur limite inférieure 26 est égale à la valeur moyenne diminuée d’une proportion prédéterminée de l’amplitude, par exemple une demi-amplitude et d’un pourcentage prédéterminé de la valeur moyenne ou d’un nombre prédéterminé de fois l’écart-type. Bien entendu, toute autre combinaison des résultats de la première analyse statistique peut être utilisée pour fixer la valeur limite inférieure 26. Similairement, la valeur limite supérieure 27 est déterminée de l’une de ces manières en remplaçant la diminution par une augmentation.
Une fois ces valeurs limites 26 et 27 fixées, comme illustré en figures 3 et 4, on réalise, pendant une deuxième durée glissante, 28 en et 31 en , postérieure à l’étape d’intervention, une deuxième analyse statistique des valeurs de la pression. Cette deuxième analyse statistique fournit une fonction temporelle, 29 en et 32 en , pouvant s’étendre postérieurement à la fin de la deuxième durée glissante. Cette deuxième durée glissante 28 ou 31 est aussi appelée « fenêtre glissante ». Elle s’achève à l’instant courant. Les valeurs de pression postérieures à cette fenêtre glissante ne sont donc pas connues lors du traitement des valeurs de pression dans cette fenêtre glissante. Cette fonction temporelle de modélisation de l’évolution de la pression permet donc une extrapolation dans le futur de la valeur de la pression. Par exemple, la deuxième analyse statistique est une régression, par exemple linéaire, comme dans le mode de réalisation illustré en figures 3 et 4. La fonction temporelle de modélisation est donc une fonction linéaire, dont la courbe 29 ou 32 est une droite.
Sur la base de cette fonction temporelle, on extrapole une valeur future, 30 en et 33 en , de la pression. Dans le mode de réalisation illustré en figures 3 et 4, la valeur future 30 ou 33 est la valeur de la fonction temporelle 29 ou 32 après une troisième durée prédéterminée 36 commençant à la fin de la fenêtre glissante. Cette troisième durée prédéterminée est aussi appelée « horizon ». Dans d’autres modes de réalisation, cette valeur future est égale à l’une des valeurs limites 26 et 27 et on détermine la durée 37 entre la fin de la fenêtre glissante et l’instant où la fonction temporelle 29 ou 32 est égale à l’une des valeurs limites 26 et 27.
Si la valeur extrapolée future franchit l’une des valeurs limites 26 ou 27 dans un intervalle de temps futur prédéterminé, le dispositif 13 déclenche une alerte, locale ou à distance. Dans le cas de l’utilisation d’un horizon 36, cette condition est remplie si la valeur future 30 ou 33 est supérieure à la valeur limite supérieure 27 ou inférieure à la valeur limite inférieure 26. Dans le cas de la détermination de la durée 37 avant le franchissement d’une valeur limite 26 ou 27, cette condition est remplie si cette durée est inférieure à la durée de l’intervalle de temps future prédéterminée.
Dans la variante illustrée en , à la place ou en complément de la fonction temporelle 32, on réalise le même traitement sur au moins l’une de : - la fonction temporelle 34, de même pente que la fonction 32 mais décalée pour que toutes les valeurs de pression dans la fenêtre glissante soient supérieures à la valeur de la fonction 34, - la fonction temporelle 35, de même pente que la fonction 32 mais décalée pour que toutes les valeurs de pression dans la fenêtre glissante soient inférieures à la valeur de la fonction 35.
Cette variante permet de prendre en compte l’amplitude de variation de la pression constatée dans la fenêtre glissante 31. Dans des variantes, on applique des fonctions temporelles décalées de la fonction 32 par ajout et soustraction d’une demi-amplitude de variation de la pression dans la fenêtre glissante. D’autres variantes sont basées sur un nombre de fois prédéterminé de l’écart-type des valeurs de la pression dans la fenêtre glissante 31, et/ou une amplitude ou un écart-type calculé sur une autre durée que celle de la fenêtre glissante 31.
Comme illustré en , un mode de réalisation 40 du procédé de prévision de dérive d’une grandeur physique régulée par un matériel de régulation comporte différentes étapes commençant à la fin d’une intervention 41 sur le matériel de régulation. Au cours d’une étape 42, on détermine un horizon. Dans des modes de réalisation, cet horizon est fixe, par exemple égal à un ou plusieurs jours. Dans des modes de réalisation, cet horizon varie en fonction du délai d’intervention d’un opérateur, fonction de son lieu de travail ou de résidence ou de position géographique instantanée et de la durée de trajet nécessaire qu’il atteigne le matériel de régulation. Dans des modes de réalisation, cet horizon varie dans le temps, par exemple, il dépend du jour et/ou de l’heure de la fenêtre glissante, de manière à ce que cet horizon, supérieur à une valeur minimale, par exemple d’une journée, ne se finisse pas en dehors de plages horaires d’intervention (par exemple entre huit heures et dix-huit heures), ni un samedi ou un dimanche, ni un jour férié.
Au cours d’une étape 43, on effectue une mesure régulière de la pression en aval de l’appareil de régulation. Cette mesure régulière fournit un ensemble de valeurs de cette pression.
Au cours d’une étape 44, on effectue une première étape d’analyse statistique des valeurs de cette pression pendant une première durée prédéterminée consécutive à l’intervention, c’est-à-dire la fenêtre de calibrage.
Au cours d’une étape 45, on effectue un calibrage fournissant au moins une valeur limite de cette pression, en fonction du résultat de la première analyse statistique.
Au cours d’une étape 46, on poursuit la mesure régulière de la pression en aval de l’appareil de régulation.
Au cours d’une étape 47, on effectue une deuxième analyse statistique des valeurs de la pression pendant une fenêtre glissante postérieure à l’étape d’intervention.
Au cours d’une étape 48, on effectue une extrapolation de la valeur future de la pression à l’horizon, en fonction du résultat de cette deuxième analyse statistique.
Au cours d’une étape 49, on compare la valeur future à l’horizon avec chaque valeur limite. Au cours d’une étape 50, on détermine si l’une des valeurs limites est franchie par l’extrapolation à l’horizon. Si le résultat de l’étape 50 est négatif, on retourne à l’étape 46.
Avantageusement, le procédé peut comprendre en outre des étapes de :
- formation du bloc de grille,
- formation d’espaceurs de part et d’autre du bloc de grille,
- formation des régions semi-conductrices surélevées de part et d’autre des espaceurs.
Le procédé peut alors comprendre en outre après formation du bloc de grille et préalablement à la formation des espaceurs :
- le dopage de zones dites d’extension de la couche semi-conductrice superficielle situées de part et d’autre du bloc de grille, les espaceurs étant formés en regard des zones d’extension.
Avantageusement, le dopage des zones d’extension dans la couche semi-conductrice superficielle de part et d’autre du bloc de grille comprend des étapes consistant à :
- rendre amorphe et doper une partie supérieure de la couche superficielle tout en conservant une zone inférieure cristalline de la couche superficielle en contact avec la couche isolante,
- effectuer un recuit de sorte à recristalliser la partie supérieure de la couche superficielle.
Selon une possibilité de mise en œuvre, après formation des espaceurs isolants et préalablement à l’amorphisation des régions semi-conductrices surélevées et portions de la couche semi-conductrice superficielle situées sous ces régions semi-conductrices :
- former par épitaxie les régions semi-conductrices surélevées sur la partie supérieure recristallisée de la couche superficielle.
Selon une mise en œuvre avantageuse, après le recuit thermique laser, le procédé peut comprendre une étape de formation de régions à base de composé de matériau métallique et de matériau semi-conducteur dans les régions semi-conductrices surélevées.
Selon une première possibilité, préalablement au recuit thermique laser on peut déposer au moins une couche de matériau métallique de sorte à recouvrir les régions semi-conductrices surélevées, le recuit thermique laser étant alors adapté pour former les régions à base de composé de matériau métallique et de matériau semi-conducteur dans les régions semi-conductrices surélevées.
Selon une deuxième possibilité, après le recuit thermique laser, le procédé peut comprendre des étapes consistant à :
- rendre amorphe des parties supérieures des régions semi-conductrices surélevées, puis
- déposer au moins une couche de matériau métallique de sorte à recouvrir les régions semi-conductrices surélevées, et effectuer un recuit pour former des régions à base de composé de matériau métallique et de matériau semi-conducteur dans les parties supérieures.
- une pluralité de grilles avant, chaque grille avant comprenant une partie s’étendant sur des régions de la couche semi-conductrice dudit bloc semi-conducteur, chacune desdites régions formant un ilot quantique,
- une ou plusieurs électrodes d’échange, lesdites une ou plusieurs électrodes d’échange étant agencée(s) en regard et au-dessus d’une desdites zones d’isolation et chaque électrode d’échange est dotée d’une extrémité inférieure en contact directement avec un matériau isolant de cette zone d’isolation ou disposé sur cette zone d’isolation.
Un tel agencement de l’électrode d’échange permet de se rapprocher de la zone active et par conséquent des ilots adjacents ou de l’ilot quantique et du réservoir de dopants sans subir un effet d’écrantage des grilles avant. Un contrôle amélioré de la barrière tunnel entre ilots adjacents ou entre ilot quantique et réservoir de dopants peut être alors obtenu.
La réalisation de telles électrodes d’échange peut être également effectuée sans venir risquer de prendre contact sur le bloc semi-conducteur.
Avantageusement, au moins une grille avant ou chaque grille avant comprend une autre partie s’étendant sur une des zones d’isolation.
Avantageusement, au moins une électrode d’échange ou chaque électrode d’échange est disposée entre deux desdites grilles avant.
Le dispositif peut être muni d’au moins une première électrode d’échange parmi lesdites électrodes d’échange s’étend au-dessus de la première zone d’isolation et à distance d’une première région dudit bloc semi-conducteur formant un premier ilot quantique, la première électrode d’échange étant prévue à distance d’une deuxième région dudit bloc semi-conducteur formant un deuxième ilot quantique et de sorte à permettre de moduler une barrière tunnel entre ledit premier ilot quantique et ledit deuxième ilot quantique.
La première électrode d’échange peut être formée d’un plot conducteur, ledit deuxième plot conducteur ayant une extrémité dite « inférieure » disposée en contact avec la deuxième zone d’isolation ou avec un matériau isolant formé sur ladite deuxième zone d’isolation. Le plot conducteur traverse typiquement une couche isolante recouvrant ledit bloc semi-conducteur et les desdites zones d’isolation.
Selon une possibilité de mise en œuvre, ladite deuxième région dudit bloc semi-conducteur forme un deuxième ilot quantique, la première électrode d’échange étant juxtaposée à une partie dudit bloc semi-conducteur agencée entre ladite première région et ladite deuxième région dudit bloc semi-conducteur.
Selon une mise en œuvre possible une deuxième électrode d’échange agencée au-dessus d’une deuxième zone d’isolation et à distance de ladite première région forme un premier ilot quantique et de la deuxième région formant un deuxième ilot quantique de sorte à permettre de moduler la barrière tunnel entre ledit premier ilot quantique et ledit deuxième ilot quantique, ladite deuxième électrode d’échange étant formée d’un deuxième plot conducteur, ledit deuxième plot conducteur ayant une extrémité dite « inférieure » disposée en contact avec la deuxième zone d’isolation ou avec un matériau isolant formé sur ladite deuxième zone d’isolation.
Selon une possibilité de mise en œuvre, la première électrode d’échange est agencée entre un premier bloc de grille et un deuxième bloc de grille, le premier bloc de grille et le deuxième bloc de grille s’étendant principalement dans une deuxième direction orthogonale à la première direction.
Selon une mise en œuvre possible, le dispositif peut comprendre en outre au moins une autre électrode d’échange pour moduler la barrière tunnel entre le deuxième ilot quantique et un troisième ilot quantique formé dans une troisième région du bloc semi-conducteur, l’autre électrode d’échange étant formée d’un troisième plot conducteur, le troisième plot conducteur pouvant être traversant ayant une extrémité inférieure en contact avec la première zone d’isolation ou la deuxième zone d’isolation ou un matériau isolant disposé sur la première zone d’isolation ou la deuxième zone d’isolation.
Selon une possibilité de mise en œuvre pour laquelle le troisième plot conducteur peut être disposé au-dessus et en regard de la première zone d’isolation et former une troisième électrode d’échange, le dispositif comprend en outre une quatrième électrode d’échange pour moduler la barrière tunnel entre le deuxième ilot quantique et un troisième ilot quantique, la quatrième électrode d’échange étant formée d’un quatrième plot conducteur au-dessus et en regard de ladite deuxième zone d’isolation.
Selon une possibilité de mise en œuvre pour laquelle la première électrode d’échange est prévue pour contrôler la barrière tunnel entre le premier ilot quantique et le deuxième ilot quantique, le dispositif peut être doté en outre d’au moins une électrode d’échange supplémentaire prévue pour moduler une barrière tunnel entre un desdits ilots quantiques et un réservoir de charges.
Avantageusement, le dispositif peut être doté électrode d’échange supplémentaire prévue pour moduler une barrière tunnel entre un desdits ilots quantique et un réservoir de dopants formé sur et/ou dans une portion d’extrémité du bloc semi-conducteur.
Selon une possibilité de mise en œuvre, ladite extrémité inférieure de chaque électrode d’échange peut être en contact avec une couche d’arrêt de gravure ou une couche diélectrique dans laquelle des espaceurs isolants des grilles avant sont formés.
DISPOSITIF DE COUPLAGE OPTIQUE À STRUCTURE DE DIFFRACTION HOLOGRAPHIQUE L’invention concerne le domaine de la photonique, en particulier la photonique intégrée, et s’applique avantageusement pour réaliser un couplage optique entre des circuits photoniques provenant de technologies différentes, par exemple entre un premier circuit photonique à base de nitrure de silicium et un deuxième circuit photonique à base de matériaux III-V. L’invention peut servir lors de l’assemblage de puces photoniques sur wafer ou de puces photoniques entre elles, pour réaliser un couplage optique entre ces éléments. A titre d’exemple, l’invention peut s’appliquer pour au moins l’une des applications suivantes : Lidar, photonique quantique, capteurs, photonique neuromorphique.
État de la technique antérieure Le couplage optique en deux circuits photoniques (appelés « Photonic Integrated Circuit » en anglais, ou PIC) est nécessaire lorsque les deux PIC ne peuvent pas être fabriqués conjointement sur le même wafer, ou lorsqu’une intégration des deux PIC sur un même wafer est trop complexe. C’est par exemple le cas entre un PIC composé de matériaux III-V (avec par exemple un substrat et un guide optique à base d’InP ou d’AsGa) et un PIC composé de silicium (avec par exemple un substrat de silicium et un guide optique en silicium ou en SiN). Un tel couplage optique peut par exemple intervenir lors d’une réalisation de systèmes optiques intégrés avec des composants actifs tels que des lasers, des amplificateurs ou des photodétecteurs. Ce couplage optique peut être de type puce à puce, wafer à wafer ou puce à wafer.
Un tel couplage optique est aussi nécessaire pour relier un PIC à une fibre optique dont les modes ont des dimensions différentes. A titre d’exemple, le diamètre du mode d’un guide d’onde monomode en silicium à λ = 1550 nm est d’environ 0,5 µm alors que celui d’une fibre monomode en verre à λ = 1550 nm est d’environ 10 µm. Un élément de couplage optique réalisant une adaptation optique entre le guide d’onde et la fibre est dans ce cas nécessaire. Il est également courant que les modes optiques des guides issus de deux PIC diffèrent de par leur taille, leur géométrie et leur indice effectif. Afin que la lumière passe d’un PIC à l’autre en minimisant les pertes de couplage, il est nécessaire d’adapter, ou modifier, au moins l’un des deux modes. Cela peut se faire via :