Dispositif quantique (DQ) configuré pour former une matrice de boites quantiques (QD), le dispositif (DQ) comprenant: Une couche active (CA) réalisée dans un matériau semi-conducteur ; Une pluralité de premières grilles (G1) disposées selon une pluralité de lignes (LI) ; Une pluralité de deuxièmes grilles (G2) disposées selon une pluralité de colonnes (CO) perpendiculaires aux lignes (LI) de la pluralité de lignes (LI) ; Une pluralité de troisièmes grilles (G3), chaque troisième grille (G3) de la pluralité de troisièmes grilles (G3) étant disposée à l’intersection d’une ligne de la pluralité de lignes (LI) et d’une colonne de la pluralité de colonnes (CO), chaque troisième grille (G3) étant séparée des troisièmes grilles (G3) les plus proches, sur une ligne (LI) par une première grille (G1) et sur une colonne (CO) par une deuxième grille (G2) ; Une pluralité de quatrièmes grilles (G4), chaque quatrième grille (G4) étant disposée entre deux deuxièmes grilles (G2) selon deux lignes (LI) adjacentes et entre deux premières grille (G1) selon deux colonnes (CO) adjacentes. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans une couche de silicium d’un substrat (SB) de type « silicium sur isolant ». Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans le silicium d’un substrat de silicium massif. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans la couche Si d’une hétérostructure Si/SiGe. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans la couche Ge d’une hétérostructure Ge/SiGe. Dispositif selon l’une des revendications précédentes comprenant des espaceurs séparant chaque première grille (G1), deuxième grille (G2) et troisième grille (G3) des premières grilles (G1), deuxièmes grilles (G2), troisièmes grilles (G3) et quatrièmes grilles (G4) adjacentes. Dispositif selon l’une des revendications précédentes dans lequel chaque première grille (G1), deuxième grille (G2), troisième grille (G3) et quatrième grille (G4) comprend une électrode de grille et un oxyde de grille, et le matériau de l’électrode des premières grilles (G1), des deuxièmes grilles (G2), des troisièmes grilles (G3) et des quatrièmes grilles (G4) est identique et l’oxyde de grille des premières grilles (G1), des deuxièmes grilles (G2), des troisièmes grilles (G3) et des quatrièmes grilles (G4) est identique. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel l’oxyde de grille est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou l’Al 2 O 3 Procédé de fabrication d’un dispositif quantique (DQ) selon l’une des revendications précédentes à partir d’un substrat (SB) comportant une couche semi-conductrice, dite couche active (CA), au niveau d’une première surface dudit substrat (SB), le procédé comprenant : Une étape (E1) de dépôt d’une première couche diélectrique (D1) sur la première surface ; Une étape (E2) de dépôt d’une couche support (SP) dans un matériau conducteur ou diélectrique sur la première couche diélectrique (D1) ; Une étape (E3) de gravure de la couche support (SP) de sorte à former une matrice de premiers piliers (PI) formant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes, les premiers piliers formant les quatrièmes grilles (G4) lorsque la couche support (SP) est dans un matériau conducteur ; Une étape (E4) de dépôt conforme d’une deuxième couche diélectrique (D2) sur la matrice de premiers piliers (PI), l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier (PI) et ses plus proches voisins ; Une étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2) de sorte à exposer la première couche diélectrique (D1) entre chaque premier pilier (PI) de la matrice de premiers piliers (PI) selon les diagonales de ladite matrice de premiers piliers (PI) ; Une étape (E7) de dépôt d’une première couche conductrice de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2) ; une étape (E8) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers (PC1) conducteurs (PC1) au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2), l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support (SP) de sorte que les deuxièmes piliers (PC1) conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape (E8) et forment les troisièmes grilles (G3) ; Une étape (E9) de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique (D2) de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique (D1) que la matrice de premiers piliers (PI) et la matrice de deuxièmes piliers (PC1) conducteurs ; Une étape (E10) de dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique (D3) sur la matrice de premiers piliers (PI) et la matrice de deuxièmes piliers (PC1) conducteurs, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier (PI) et les deuxièmes piliers (PC2) conducteurs plus proches voisins dudit premier pilier (PI) ; Une étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3) de sorte à exposer la première couche diélectrique (D1) entre chaque premier pilier (PI) de la matrice de premiers piliers (PI) selon les lignes et les colonnes de ladite matrice de premiers piliers (PI) ; Une étape (E12) de dépôt d’une deuxième couche conductrice (C2) de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3) ; une étape (E13) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de troisièmes piliers (PC2) conducteurs au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3), l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support (SP) de sorte que les troisièmes piliers (PC2) conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape (E13) et forment les premières grilles (G1) et les deuxièmes grilles (G2) ; Lorsque le matériau de la couche support (SP) est un matériau diélectrique, une étape (E15) de retrait sélectif des premiers piliers (PI) de la pluralité de premiers pilier (PI) de sorte à exposer la première couche diélectrique (D1) au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers (PI) ; Lorsque le matériau de la couche support est un matériau diélectrique, une étape (E16) de dépôt d’une troisième couche conductrice dans l’espace laissé par les premiers piliers (PI) lors de l’étape de retrait sélectif précédente ; Lorsque le matériau de la couche support est un matériau diélectrique, une étape (E17) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de quatrièmes piliers (PC3) conducteurs à l’emplacement des premiers piliers (PI), l’arrêt du polissage se faisant de sorte que les quatrièmes piliers conducteurs ne sont plus connectés entre eux à l’issue de cette étape et forment quatrièmes grilles (G4). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le substrat (SB) est un substrat de type SOI et la couche active (CA) est réalisé dans la couche de silicium du substrat (SB). Procédé selon la revendication 9 ou 10 dans lequel le matériau de la première couche diélectrique (D1) est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou l’Al 2 O 3 . Procédé selon l’une des revendications 9 à 11 dans lequel la distance d séparant deux premiers piliers (PI) voisins et la hauteur h des premiers piliers (PI) à l’issue de l’étape (E3) de gravure de la couche support (SP) de sorte à former une matrice de premiers piliers (PI) sont choisis de sorte que h> d/2. Procédé selon l’une des revendications 9 à 12 comprenant, à l’issue de l’étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2), une étape (E6) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E5) précédente. Procédé selon l’une des revendications 9 à 13 comprenant, avant l’étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3), une étape (E12) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E11) précédente. Procédé selon l’une des revendications 9 à 14 comprenant, après l’étape (E13) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E12) de dépôt d’une deuxième couche conductrice (C2), une étape (E14) de sur polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E13) de polissage mécano-chimique précédente.