Procédé de réalisation d’un dispositif électronique comprenant les étapes successives suivantes : a) former une structure comprenant un empilement de diode (101) disposé sur un premier substrat (103) et une couche sacrificielle (105) en un matériau semiconducteur interposée entre le premier substrat (103) et l’empilement de diode (101) ; b) reporter la structure sur un deuxième substrat (131) ; et c) retirer le premier substrat (103) par électropolissage de la couche sacrificielle (105) en appliquant une tension de polarisation (E) à la couche sacrificielle (105) par l’intermédiaire de l’empilement de diode (101). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l’étape b), le report est effectué par collage moléculaire conducteur du côté d’une première face de l’empilement de diode (101) opposée au premier substrat (103). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, à l’étape c), la structure est plongée dans un électrolyte (141). Procédé selon la revendication 3, dans lequel, à l’étape c), la tension de polarisation est appliquée entre une première électrode connectée à une couche conductrice (133) disposée sur le deuxième substrat (131) et une deuxième électrode plongée dans l’électrolyte (141). Procédé selon la revendication 4, dans lequel la couche conductrice (133) revêt le deuxième substrat (131). Procédé selon la revendication 4, dans lequel une couche isolante (201) dans laquelle sont formés des éléments de reprise de contact (203) est interposée entre le deuxième substrat (131) et la couche conductrice (133). Procédé selon la revendication 6, comprenant en outre, postérieurement à l’étape c), une étape de gravure de l’empilement de diode (101) de sorte à former une diode élémentaire (301) à l’aplomb de chaque élément de reprise de contact (203). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, à l’étape a), le premier substrat (103) est une plaquette entière présentant une dimension latérale maximale strictement inférieure à celle du deuxième substrat (131). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation de vias creux (501) s’étendant depuis une face du premier substrat (103) opposée à l’empilement de diode (101) jusqu’à l’empilement de diode (101) et traversant la couche sacrificielle (105). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l’empilement de diode (101) comprend : – une première couche (109) dopée d’un premier type de conductivité revêtant la couche sacrificielle (105) ; – une couche active (111) revêtant la première couche ; et – une deuxième couche (113) dopée d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, revêtant la couche active (111). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche sacrificielle (105) est dopée du premier type de conductivité. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la première couche (109) présente un niveau de dopage strictement inférieur, par exemple au moins dix fois inférieur, de préférence au moins mille fois inférieur, à celui de la couche sacrificielle (105). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la couche sacrificielle (105) est en un matériau semiconducteur III-V. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la couche sacrificielle (105) est en nitrure de gallium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel l’empilement de diode (101) est un empilement de diode électroluminescente inorganique.