Procédé de fabrication d’un dispositif (100) d’acquisition d’une image 2D et d’une image de profondeur, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, sur une première face (101F) d’un premier substrat semiconducteur de support (101), un premier capteur (C1) comprenant une pluralité de pixels de profondeur (P1) ; b) former, dans le premier substrat de support (101), du côté d’une deuxième face (101R) du premier substrat opposée à la première face (101F), au moins un concentrateur optique (103) ; c) former, dans et sur un deuxième substrat semiconducteur (123), un deuxième capteur (C2) comprenant une pluralité de pixels d’image 2D (P2) ; et d) accoler le deuxième capteur (C2) au premier substrat de support (101) du côté de la deuxième face (101R) du premier substrat de support (101). Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l’étape a), des photodiodes (105) des pixels de profondeur (P1) du premier capteur (C1) sont formées dans une région (107) en un matériau semiconducteur. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le matériau de ladite région (107) est un semiconducteur III-V ou II-VI. Procédé selon la revendication 3, dans lequel ladite région (107) est en arséniure d’indium-gallium. Procédé selon la revendication 2, 3 ou 4, dans lequel ladite région (107) est accolée au premier substrat de support (101), du côté de la première face (101F) du premier substrat de support, préalablement à la formation des photodiodes (105) des pixels de profondeur (P1). Procédé selon la revendication 5, dans lequel ladite région (107) est accolée au premier substrat de support (101) par l’intermédiaire d’une couche d’oxyde (113). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre, entre les étapes a) et b), une étape de collage du premier capteur (C1), du côté de la première face (101F) du premier substrat de support (101), sur un empilement d’interconnexion (109) faisant partie d’un troisième substrat CMOS (108). Dispositif (100) d’acquisition d’une image 2D et d’une image de profondeur, comprenant : – un premier capteur (C1) formé sur une première face (101F) d’un premier substrat semiconducteur de support (101), le premier capteur (C1) comprenant une pluralité de pixels de profondeur (P1), et au moins un concentrateur optique (103) formé dans le premier substrat de support (101), du côté d’une deuxième face (101R) du premier substrat de support (101) opposée à la première face (101F) ; et – accolé au premier substrat de support (101), du côté de la deuxième face (101R) du premier substrat de support (101), un deuxième capteur (C2) formé dans et sur un deuxième substrat semiconducteur (123) et comprenant une pluralité de pixels d’image 2D (P2). Dispositif selon la revendication 8, dans lequel chaque concentrateur optique (103) est une microlentille réfractive, une microlentille diffractive, une microlentille de Fresnel ou une métasurface. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, dans lequel le deuxième capteur (C2) est un capteur d’image couleur, chaque pixel d’image 2D (P2) comprenant un filtre couleur (129) transmettant préférentiellement de la lumière rouge, verte ou bleue. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel les premier et deuxième substrats (101, 123) sont en silicium monocristallin. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel les pixels de profondeur (P1) du premier capteur (C1) présentent un pas supérieur à celui des pixels d’image 2D (P2) du deuxième capteur (C2).