Dispositif de protection (1) de surtension rapide et de surtension lente disposé en parallèle d’un canal de génération d’un courant alternatif (L1-L2), le dispositif de protection (1) comprenant : Une première source de courant (S1) comprenant une entrée (S11) et une sortie (S12), l’entrée (S11) de la première source de courant (S1) étant reliée à une première borne (L1) du canal de génération, Une deuxième source de courant (S2) comprenant une entrée (S21) et une sortie (S22), l’entrée (S21) de la deuxième source de courant (S2) étant reliée à une deuxième borne (L2) du canal de génération, la sortie (S22) de la deuxième source de courant (S2) étant reliée à la sortie (S12) de la première source de courant (S1). Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 1, dans lequel la première source de courant (S1) et/ou la deuxième source de courant (S2) sont configurées pour générer un courant proportionnel à une tension mesurable à la première source de courant (S1) ou à la deuxième source de courant (S2). Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 1 ou 2, comprenant un détecteur de surtension (21-22) configuré pour détecter un niveau de surtension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), le niveau de surtension étant une valeur de tension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2) supérieure à une première valeur de tension seuil prédéfinie. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 3, dans lequel la première source de courant (S1) comprend : un premier transistor (T1), le premier transistor (T1) comprenant : une première borne (T11) reliée à la première borne (L1) du canal de génération (L1-L2), une deuxième borne (T12) reliée à la première borne (L1) du canal de génération (L1-L2), une troisième borne (T13) reliée à la deuxième source de courant (S2), une première diode (31) comprenant une cathode (311) reliée à la première borne (T11) du premier transistor (T1) et une anode (312) reliée à la troisième borne (T13) du premier transistor (T1), une première résistance (R1) disposée entre la première borne (L1) du canal de génération (L1-L2) et la deuxième borne (T12) du premier transistor (T1) et reliée au détecteur de surtension (21-22), un premier dispositif de régulation (41) du courant relié au détecteur de surtension (21-22), disposé entre la première résistance (R1) et la deuxième borne (T12) du premier transistor (T1) et configuré pour limiter le courant traversant le premier transistor (T1) à une valeur de courant prédéfinie. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 4, dans lequel la première source de courant (S1) comprend un premier dispositif d’activation (51) du premier dispositif de régulation (41) relié au détecteur de surtension (21-22) configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le premier dispositif de régulation (41) est inactif, à un état activé, dans lequel le premier dispositif de régulation (41) est actif, lorsque le détecteur de surtension (21-22) détecte le niveau de surtension, le premier dispositif d’activation (51) comprenant : Un premier détecteur de tension auxiliaire (61) configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), Un premier détecteur de courant (71) disposé entre la troisième borne (T13) du premier transistor (T1) et la deuxième source de courant (S2) configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne (T13) du premier transistor (T1), le premier dispositif d’activation (51) étant configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le premier détecteur de tension auxiliaire (61) est inférieure à une deuxième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminer par le premier détecteur de courant (71) est nulle. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 3, dans lequel la deuxième source de courant (S2) comprend : un deuxième transistor (T2), le deuxième transistor (T2) comprenant : une première borne (T21) reliée à la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), une deuxième borne (T22) reliée à la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), une troisième borne (T23) reliée à la première source de courant (S1), une deuxième diode (32) comprenant une cathode (321) reliée à la première borne (T21) du deuxième transistor (T2) et une anode (322) reliée à la troisième borne (T23) du deuxième transistor (T2), une deuxième résistance (R2) disposée entre la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2) et la deuxième borne (T22) du deuxième transistor (T2) et reliée au détecteur de surtension (21-22), un deuxième dispositif de régulation (42) du courant relié au détecteur de surtension (2), disposé entre la deuxième résistance (R2) et la deuxième borne (T22) du deuxième transistor (T2) et configuré pour limiter le courant traversant le deuxième transistor (T2) à une valeur de courant prédéfinie. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 6, dans lequel la deuxième source de courant (S2) comprend un deuxième dispositif d’activation (52) du deuxième dispositif de régulation (42) relié au détecteur de surtension (21-22) configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation (42) est inactif, à un état activé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation (42) est actif, lorsque le détecteur de surtension (21-22) détecte le niveau de surtension, le deuxième dispositif d’activation (52) comprenant : Un deuxième détecteur de tension auxiliaire (62) configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), Un deuxième détecteur de courant (72) disposé entre la troisième borne (T32) du deuxième transistor (T2) et la première source de courant (S1) configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne (T32) du deuxième transistor (T2), le deuxième dispositif d’activation (52) étant configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le deuxième détecteur de tension auxiliaire (62) est inférieure à une troisième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminer par le deuxième détecteur de courant (72) est nulle. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications 4 ou 5, dans lequel le premier transistor (T1) est un transistor bipolaire. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel le deuxième transistor (T2) est un transistor bipolaire. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications précédentes, comprenant un dispositif d’ouverture (8) du dispositif de protection. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une première unité de protection, la première unité de protection comprenant la première source de courant (S1) et la deuxième source de courant (S2), le dispositif de protection (1) comprenant au moins une unité de protection additionnelle comprenant une première source de courant additionnelle (S3) identique à la première source de courant (S1) et une deuxième source de courant additionnelle (S4) identique à la deuxième source de courant (S2), l’au moins une unité de protection additionnelle étant disposée en dérivation de la première unité de protection.