INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La structure 110 assure un rôle de support pour les autres parties du dispositif d’usinage 100. Comme représenté en , la structure 110 ici est longiligne. Cela signifie que la structure 110 s’étend selon un axe principal X, notamment dans le sens où l’unité de mesure 130 et l’unité d’usinage 140 sont alignées selon l’axe principal X. La structure 110 comprend en particulier une traverse supérieure 111 et une traverse inférieure 112, s’étendant parallèlement à l’axe principal X.
Ici, comme le montre la , le dispositif d’usinage 100 présente aussi une hauteur Y orthogonale à l’axe principal X et une profondeur Z orthogonale à l’axe principal X et à la hauteur Y. La hauteur Y correspond par exemple à la direction verticale alors que l’axe principal X et la profondeur Z s’étendent horizontalement.
Le moyen de préhension 120 est adapté à saisir l’élément à pôles magnétiques 200.
Le moyen de préhension 120 (dont une partie est représentée seulement en ) est monté sur la structure 110. Le moyen de préhension 120 est solidaire et mobile par rapport à la structure 110 afin de déplacer l’élément à pôles magnétiques 200 par rapport à la structure 110, en particulier selon l’axe principal X.
Le moyen de préhension 120 est plus spécifiquement adapté à acheminer l’élément à pôles magnétiques 200 de l’unité de mesure 130 à l’unité d’usinage 140.
De préférence, le moyen de préhension 120 est adapté à orienter la face supérieure 211, et donc la face inférieure 212, par rapport à l’axe principal X. Cela signifie que le moyen de préhension 120 est adapté à modifier un angle entre la face supérieure 211 et l’axe principal X.
Ici, le moyen de préhension 120 est aussi adapté à orienter la face supérieure 211, et donc la face inférieure 212, par rapport à la profondeur Z. Cela signifie que le moyen de préhension 120 est aussi adapté à modifier un angle entre la face supérieure 211 et la profondeur Z. En d’autres termes, le moyen de préhension 120 est alors adapté à orienter la face supérieure 211, et donc la face inférieure 212, dans un référentiel tridimensionnel lié au dispositif d’usinage 100, par exemple dans le référentiel XYZ défini par l’axe principal X, la hauteur Y et la profondeur Z.
Pour cela, l’élément à pôles magnétiques 200 est saisi au niveau de la surface périphérique 213 du bloc aimant 210, plus spécifiquement au niveau de l’enveloppe 220 recouvrant la surface périphérique 213. Avantageusement, la face supérieure 211 et la face inférieure 212 sont aussi libres, i.e. dégagées par rapport aux moyens de préhension, ce qui permet l’usinage de l’enveloppe 220 les recouvrant.
Comme le montre la , le moyen de préhension 120 comprend plus particulièrement des tiges 121, ici au nombre de quatre, venant au contact de la nervure 223. La nervure 223 présente des reliefs en creux 224, ici au nombre de quatre, conçus pour recevoir, chacun, une extrémité 122 d’une tige 121. Les extrémités 122 des tiges 121 et les reliefs en creux 224 sont ici conçus pour s’emboiter, à un jeu près, de manière à former des liaisons rotules. L’emboitement signifie donc ici une insertion laissant plusieurs degrés de liberté en rotation. Les reliefs en creux 224 et les extrémités 122 des tiges 121 s’étendent par exemple selon des surfaces hémisphériques.
Les nervures 223 étant formées par l’enveloppe 220, il est avantageux d’y situer les reliefs en creux 224 puisque la quantité de matériau d’enveloppe est importante. Les reliefs en creux 224 sont situés sur des bords latéraux 201 rectilignes de l’élément à pôles magnétiques 200. Ces bords latéraux 201 sont destinés à être en vis-à-vis des branches du corps de rotor. Une fois l’élément à pôles magnétiques 200 inséré dans l’encoche du corps, les contraintes sur la nervure 223 sont plus faibles sur les bords latéraux 201 que sur un bord central 202 et un bord périphérique 203. Ainsi, de façon remarquable, situer les reliefs en creux 224 sur des bords latéraux 201 limite les risques de cassure de la nervure 223.
Les tiges 121 sont mobiles selon plusieurs directions. Chaque tige 121 est mobile en direction de l’élément à pôles magnétiques 200, ce qui permet d’emboiter ou de désemboiter les extrémités 122 dans les reliefs en creux 224. Cette direction correspond ici à la profondeur Z.
Chaque tige 121 est aussi mobile, indépendamment des autres, selon la hauteur Y pour permettre l’orientation de l’élément à pôles magnétiques 200. Enfin, les tiges 121 sont aussi mobiles, par exemple de façon coordonnées, selon l’axe principal X pour permettre l’acheminement de l’élément à pôles magnétiques 200 de l’unité de mesure 130 à l’unité d’usinage 140. Les tiges 121 sont par exemples montées sur des rails.
Comme le montre la , l’unité de mesure 130 est aussi montée sur la structure 110, ici de façon fixe.
L’unité de mesure 130 comprend de préférence une pluralité de capteurs 131. Chaque capteur 131 est adapté à mesurer une distance entre ledit capteur 131 et un matériau magnétique, ici le bloc aimant 210. La distance entre ledit capteur 131 et le bloc aimant 210 est ici mesurée selon un axe de mesure M dudit capteur 131 qui est parallèle à la hauteur Y.
La position de chaque capteur 131 est prédéterminée par rapport à la structure 110. En d’autres termes, la position de chaque capteur 131 dans le référentiel XYZ est connue. Les capteurs 131 permettent ainsi de déterminer la position de la face supérieure 211 et de la face inférieure 212. Ils permettent donc notamment de déterminer l’orientation de la face supérieure 211 et la face inférieure 212 par rapport à l’axe principal X.
Chaque électrode de mesure fait partie d’une ou de deux paires d’électrodes de mesure adjacentes. Sur l’exemple de la , l’une des électrodes de mesure de la paire d’électrodes 108.4 fait également partie de la paire d’électrodes de mesure 108.1, et l’autre des électrodes de mesure de la paire d’électrodes 108.4 fait également partie de la paire d’électrodes de mesure 108.2. Par contre, aucune des électrodes de mesure de la paire d’électrodes 108.3 ne fait partie d’une autre paire d’électrodes de mesure.
Sur l’exemple de la , en considérant la distance inter-électrodes d 1 de la paire d’électrodes 108.1, la distance inter-électrodes d 2 de la paire d’électrodes 108.2, la distance inter-électrodes d 3 de la paire d’électrodes 108.3, la distance inter-électrodes d 4 de la paire d’électrodes 108.4, ces distances sont indicées telles que d 1 d 2 d 3 d 4 , c’est-à-dire telles que d i d i+1 avec i nombre entier compris entre 1 et N -1.
Entre deux électrodes adjacentes d’une paire d’électrodes 108.i espacées de la distance d i , la résistance électrique R paire (d i ) mesurée aux bornes de ces deux électrodes a pour expression :
avec R paire (d i ) : résistance, en Ω, mesurée entre les deux électrodes de la paire d’électrodes de mesure 108.i adjacentes espacées l’une de l’autre de la distance d i ;
R c : résistance de contact, en Ω, entre une électrode de la paire d’électrodes 108.i et la couche de matériau absorbeur 112 ;
R Sh : résistance de couche, en Ω/□.
En considérant l’exemple de la , l’hypothèse est faite que les couches de silicium amorphe 114, 116, 118, 126 présentent une très forte résistivité électrique transverse qui peut être considérée comme infinie. En considérant en outre que les électrodes de mesure sont des empilements de couches amorphes a-Si:H(i) 114, a-Si:H(n) 118, de TCO 120 et de métal 122 (par exemple de l’argent) et que le courant passe dans la structure uniquement dans le silicium cristallin de la couche 112, il est possible de considérer que :
- la résistance de contact R c inclut la contribution résistive des différentes couches de a-Si:H(i) 114, a-Si:H(n) 118 , TCO 120 et métal 122 (argent dans l’exemple décrit ci-dessus) ainsi que la contribution des résistances de contact c-Si 112 / a-Si:H(i) 114 (résistance de contact entre la couche 112 et la couche 114 disposée du côté de la face avant de la couche 112), a-Si:H(i) / a-Si:H(n) (résistance de contact entre la couche 114 disposée du côté de la face avant de la couche 112 et la couche 118), a-Si:H(n) / TCO (résistance de contact entre la couche 118 et le TCO 120 des électrodes de mesure) et TCO / métal (résistance de contact entre le TCO 120 et le métal 122 des électrodes de mesure ), et
- la résistance de couche R Sh correspond à celle de la couche 112.
Un procédé de caractérisation électrique de l’échantillon photovoltaïque 100 est décrit ci-dessous. Les étapes de ce procédé sont représentées symboliquement sur la .
Tout d’abord, au cours d’une étape a) désignée par la référence 10 sur la figure 2, une valeur cible de résistance de couche de la couche de matériau absorbeur (correspondant à la couche 112 dans l’exemple d’échantillon 100 précédemment décrit) est calculée ou choisie.
Selon un premier exemple, la valeur est obtenue par méthode TLM en illuminant la première face 106 de l’échantillon 100 avec une lumière dont les caractéristiques spectrales et l’intensité sont prédéterminées (par exemple une intensité et un spectre normalisés tel que AM 1,5, aussi appelé 1 soleil ou 1 sun). Les caractéristiques spectrales et l’intensité prédéterminées peuvent correspondre aux valeurs souhaitées pour lesquelles l’utilisateur souhaite caractériser le plus précisément possible l’échantillon 100. Le spectre de la lumière utilisée est choisi tel qu’il soit compatible avec une absorption lumineuse par la couche de matériau absorbeur 112. Une partie de ce spectre lumineux peut être absorbée par l’une ou plusieurs des couches situées entre la source lumineuse et la couche de matériau absorbeur 112.
Pour la mise en œuvre de la méthode TLM, il est par exemple possible de choisir les 2 paires d’électrodes de mesure adjacentes dont les caractéristiques se rapprochent le plus des électrodes de l’objet étudié (par exemple une cellule photovoltaïque) et dont l’échantillon 100 est représentatif, et/ou ayant les distances inter-électrodes les plus proches de celles des électrodes de l’objet étudié, et de mesurer les valeurs de résistance R paire (d i ) obtenues pour ces paires d’électrodes de mesure adjacentes. Une interpolation linéaire est réalisée ensuite à partir de la courbe définie par les valeurs de résistance R paire (d i ) mesurées. La valeur est alors calculée à partir de la pente f de la droite obtenue à l’issue de l’interpolation linéaire réalisée, la pente de cette droite ayant pour expression .
Selon un deuxième exemple, la valeur est obtenue en fonction d’une valeur prédéterminée du taux d’injection de porteurs de charge dans la couche de matériau absorbeur. En effet, à partir de cette valeur prédéterminée , il est possible de déterminer la valeur qui est associée au taux d’injection de porteur de charge par les deux équations suivantes :
avec correspondant à la résistivité électrique, en Ω.cm, de la couche de matériau absorbeur ;
Dans une variante de réalisation, la méthode comprend une étape de prétraitement des premiers vecteurs de caractéristiques mesurées consistant au moins en une normalisation des valeurs et/ou un encodage catégoriel des valeurs.
Dans une variante de réalisation, la méthode comprend en outre une étape de calcul, pour chaque arête du graphe, d’un score de similarité entre les premiers vecteurs de caractéristiques des deux flux associés aux deux nœuds connectés par l’arête.
Dans une variante de réalisation, le score de similarité est calculé au moyen d’une mesure de similarité en cosinus.
Dans une variante de réalisation, l’au moins un réseau neuronal de graphes est un réseau neuronal convolutionnel de graphes.
Dans une variante de réalisation, le réseau neuronal convolutionnel de graphes comporte plusieurs couches configurées pour mettre en œuvre un calcul de convolution du type : , sont les sorties respectives des couches d’indices l, l+1 avec A une matrice d’adjacence dont les entrées (i,j) valent 0 si les nœuds i et j du graphe ne sont pas connectés et valent le score de similarité si les nœuds i et j sont connectés, est une matrice diagonale dont les valeurs sont égales aux degrés de chaque nœud, correspond aux paramètres de la couche d’indice l qui sont appris, est une fonction d’activation, par exemple une fonction ReLu
Selon un aspect particulier de l’invention, l’au moins un réseau neuronal de graphes est un réseau d’attention de graphes.
Selon un aspect particulier de l’invention, le réseau d’attention de graphes comporte un réseau neuronal de graphes et une couche d’attention entrainée au moyen d’un modèle d’attention configuré pour apprendre des valeurs d’attention pour chaque arête du graphe et calculer une caractéristique pour chaque nœud à l’aide d’une pondération des caractéristiques des nœuds voisins en fonction des valeurs d’attention.
Selon un aspect particulier de l’invention, plusieurs réseaux neuronaux de graphe sont exécutés en parallèle et la méthode comporte une étape de concaténation des seconds vecteurs de caractéristiques générés par chaque réseau neuronal de graphe pour fournir un vecteur concaténé au réseau de neurones artificiel classifieur.
Selon un aspect particulier de l’invention, le réseau de neurones artificiel classifieur est un perceptron multi-couches.
Selon un aspect particulier de l’invention, le premier vecteur de caractéristiques mesurées contient des informations caractéristiques des flux parmi : les adresses sources et destination, les protocoles utilisés, des statistiques relatives aux paquets transmis via ce flux.
Selon un aspect particulier de l’invention, le moteur d’intelligence artificielle est entrainé de manière supervisée ou non supervisée.
L’invention a aussi pour objet un système de détection de flux malveillants dans un réseau de télécommunications comprenant au moins une sonde apte à acquérir un flux réseau ou un ensemble de trames réseau transitant dans ledit réseau et au moins un dispositif de détection de flux malveillants configuré pour mettre en œuvre les étapes de la méthode de détection flux malveillants selon l’invention, à partir du flux réseau ou de l’ensemble de trames réseau.
représente un schéma général d’un dispositif de détection d’intrusions dans un réseau informatique,
représente un schéma d’une structure de graphe modélisant un ensemble de flux réseaux selon un mode de réalisation de l’invention,
représente un schéma de plusieurs structures de graphes modélisant une intrusion dans un réseau,
La déformation ε peut s’exprimer selon l’équation 2 suivante :
(équation 2) où : - Rnom est la valeur nominale de la jauge de contrainte 7 (en Ohm) ; - k est le facteur de jauge donné par le constructeur (en m/µm), généralement k = 2.
La valeur nominale Rnom de la résistance Rx correspond à la limite supérieure de la plage de mesure de la jauge de contrainte 7. En d’autres termes, la résistance Rx de la jauge de contrainte 7 peut varier de 0 à Rnom.
Dans le cas où le seuil de tension de référence Vref est égal à 0 V, et lorsque la tension de sortie Vout est égale au seuil de tension de référence Vref, c’est-à-dire égal à 0 V, alors d’après l’équation 1, on obtient l’équation 3 suivante :
(équation 3) Avantageusement, on peut choisir R1 = R2, et l’on obtient l’équation 4 suivante :
(équation 4)
Ainsi, lorsque l’emballage 2 est dans un état non déformé, c’est-à-dire que ε = 0 µm/m, alors d’après l’équation 2, on obtient Rx = Rnom.
Ainsi, lorsqu’on modifie la valeur de la résistance variable R3, de manière à obtenir une tension de sortie Vout égale à 0 V, alors, d’après l’équation 1 on obtient la relation Rx = R3 (équation 4). Si l’emballage 2 est dans l’état non déformé, alors la valeur de la résistance variable R3 qui a permis d’obtenir la tension de sortie Vout = 0 V caractérise l’état non déformé de l’emballage 2. De manière générale, lorsque la cellule 3 est dans l’état de fonctionnement normal, la valeur de la résistance variable R3 qui a permis d’obtenir la tension de sortie Vout = Vref caractérise l’état de fonctionnement normal de la cellule 3. On notera que lorsque la cellule 3 est dans l’état de fonctionnement normal, et selon la valeur de la température de l’emballage 2, l’emballage 2 peut être dans un état déformé du fait d’une dilatation mécanique.
En outre, lorsque la tension de sortie Vout est égale au seuil de tension de référence Vref, les valeurs de la résistance variable R3 et de la résistance Rx sont égales. Ainsi, lorsque la cellule 3 est dans l’état de fonctionnement normal, et que les valeurs de la résistance variable R3 et de la résistance Rx sont égales, la tension de sortie Vout est égale au seuil de tension de référence Vref. Par ailleurs, lorsque l’emballage 2 est dans un état déformé, la valeur de la résistance Rx change, et si la résistance variable R3 ne change pas, la tension de sortie Vout change également, c’est-à-dire que la tension Vout est différente du seuil de tension de référence Vref. Lorsque la tension Vout est différente du seuil de tension de référence Vref, on détecte une déformation de l’emballage 2. Le seuil de tension de référence Vref peut être égal, par exemple à 0 V, ou par exemple à Vexc/2 (où Vexc correspond à la tension d’excitation du pont de Wheatstone 6). Lorsque le seuil de tension de référence Vref est égal à Vexc/2, il est possible de mesurer des déformations dans les deux sens (étirements et compressions). Par exemple, la tension d’excitation Vexc peut être fixée à 2,048 V et le seuil de tension de référence Vref fixé à 1,024 V, notamment pour pouvoir détecter une déformation de l’emballage 2 en compression et en étirement.
Puisque la cellule 3 peut subir des températures comprises entre -20°C à 60°C, et puisque la jauge de contrainte 7 est sensible à la température, il est utile de prendre en compte la température pour la détection de la déformation de l’emballage 2.
Ainsi, le dispositif 1 comprend un capteur de température 10 et une mémoire 11. Le capteur de température 10 est configuré pour mesurer une température courante Tc de l’emballage 2. En outre, le capteur 10 est couplé à l’unité de commande électronique 5, par une connexion 12, pour fournir à l’unité 5 une information de température de l’emballage 2. Le capteur de température 10 peut être un capteur du type CTN (c’est-à-dire à coefficient de température négatif, ou NTC, Negative Temperature Coefficient en langue anglaise).
La mémoire 11 est couplée à l’unité de commande électronique 5, par une connexion 13, de manière à échanger des données numériques avec l’unité 5. La mémoire 11 peut être imprimée sur la carte 100. Plus particulièrement, la mémoire 11 est configurée pour stocker une table de correspondance 14 comprenant des valeurs de la résistance variable R3 associées respectivement à des températures Ti, notamment à des températures Ti de l’emballage 2. Les températures Ti correspondent à différentes températures courantes Tc de l’emballage 2 lorsque l’emballage 2 est placé dans des conditions distinctes de température. En particulier, les valeurs de la résistance variable R3, dans la table de correspondance 14, correspondent à des températures Ti pour lesquelles la cellule 3 de batterie 30 est dans l’état de fonctionnement normal. Par exemple, les températures Ti de la table de correspondance 14 sont comprises entre -20°C et +60°C. Selon un autre exemple, les températures Ti de la table de correspondance 14 sont distinctes deux à deux de 5°C.
L’unité de commande électronique 5 est en outre configurée pour déterminer la température courante Tc de l’emballage 2 à partir du capteur de température 10, et pour placer la valeur de la résistance variable R3 à la valeur associée à la température courante Tc dans la table de correspondance 14. Ainsi, pour une température courante Tc, si la tension de sortie Vout mesurée est égale au seuil de référence Vref, la cellule 3 est dans l’état de fonctionnement normal. Si, au contraire, la tension de sortie Vout est différente du seuil de tension de référence Vref, alors on détecte une déformation de l’emballage 2. Dans ce cas, la cellule 3 est dans l’état de fonctionnement anormal. Ainsi, le dispositif 1 peut détecter une déformation de l’emballage 2 provoqué par un fonctionnement anormal de la cellule 3.
Ainsi, le dispositif 1 permet de détecter une déformation d’un emballage 2 d’une cellule 3 de batterie 30 en s’affranchissant de l’influence de la température sur les appareils de mesure, notamment sur la jauge de contrainte 7. Par ailleurs, puisque la déformation ε peut être calculée à partir de la valeur de la résistance Rx de la jauge de contrainte 7, selon l’équation 2, et puisque la résistance Rx de la jauge de contrainte 7 peut être calculée à partir de la valeur de la tension de sortie Vout, selon l’équation 1, l’unité de commande électronique 5 est configurée pour calculer la déformation ε à partir de la tension de sortie Vout. En d’autres termes, l’unité de commande électronique 5 est configurée pour mesurer une déformation de l’emballage 2 à partir de la tension de sortie Vout mesurée.
Avantageusement, les résistances additionnelles R1, R2 sont réalisées sur un même substrat de semi-conducteur et la résistance variable R3 est réalisée sur le même substrat de semi-conducteur.
Par exemple, la résistance Rx de la jauge de contrainte 7 peut avoir une valeur nominale Rnom égale à 350 Ohms. D’autres jauges de contrainte 7 peuvent avoir une valeur nominale Rnom égale à 120 Ohms ou égale à 1000 Ohms. En général, les variations de la résistance Rx de la jauge de contrainte 7 sont de quelques milliohms. Dans ce cas, la résistance variable R3 est, de préférence, un potentiomètre numérique ayant une valeur nominale égale à celle de la jauge de contrainte 7, et dont la sensibilité correspond à quelques milliohms.
Le procédé selon l’invention comprend en outre une étape E8 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E7 précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers PC1 conducteurs au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2. Lors de cette étape E8, l’arrêt du polissage se fait sur la couche support SP de sorte que les deuxième piliers PC1 ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape E8. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes ou trois étapes (lorsque l’étape E6 facultative de polissage mécano-chimique est mise en œuvre) est illustrée à la . Dans la structure finale obtenue à l’issue du procédé selon l’invention, les deuxièmes piliers PC1 conducteurs viendront former les troisièmes grilles G3 de la permettant de contrôler le potentiel chimique des particules chargées au niveau des boites quantiques QD.
Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E9 de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique D2 de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique (D1) que la matrice de premiers piliers PI et la matrice de deuxièmes piliers PC1. Lors de cette étape de retrait, la première couche diélectrique D1 est préservée et sert de couche d’arrêt.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E11 précédente (non représentée sur les figures). Bien que facultative, cette étape permet d’aplanir la surface de la structure et ainsi d’améliorer la qualité du dépôt de la couche conductrice C2 décrit dans la suite. En outre, réaliser le polissage mécano-chimique en deux temps permet d’éviter tout problème de sélectivité avec le polissage mécano-chimique effectué à l’issue du dépôt de la couche conductrice C2 décrit dans la suite.