INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Chaque hélice comprend au moins un tour, de préférence au moins deux tours. Le bobinage formant émetteur 8 effectue par conséquent un tour autour de l’axe X d’au moins 360° entre la première et la deuxième extrémité 10 du support, de préférence d’au moins 720°, ce qui permet de minimiser l’influence et les interférences avec les équipements placés à proximité du détecteur de métaux 1. Par exemple, sur les figures 1a, 2a, 3a et 4a, les hélices font exactement deux tours autour de l’axe X.
Dans la première forme de réalisation (figures 1 et 1b), le bobinage forme à la fois l’élément émetteur et l’élément récepteur. Le capteur inductif 5 comprend donc un unique bobinage émetteur.
Dans la deuxième forme de réalisation (figures 2a à 4b), le capteur inductif 5 comprend le premier bobinage 8 (bobinage émetteur) formant l’élément émetteur et le deuxième bobinage 11 (bobinage récepteur) formant l’élément récepteur, qui est distinct du bobinage émetteur 8. Le bobinage récepteur 11 est alors enroulé hélicoïdalement autour du support cylindrique 7 entre la première extrémité 9 et la deuxième extrémité 10 du support cylindrique 7 de sorte à former une deuxième hélice, ou « hélice réceptrice». De plus, le pas de l’hélice réceptrice est strictement supérieur au diamètre D du support cylindrique 7.
De préférence, le pas P de l’hélice émettrice et le pas de l’hélice réceptrice sont identiques et les deux hélices sont centrées sur l’axe X du détecteur 1.
Le bobinage récepteur 11 peut notamment être enroulé de la première à la deuxième extrémité 10 du support cylindrique 7. Le bobinage émetteur 8 et le bobinage récepteur 11 s’étendent alors tous les deux le long du support cylindrique 7, sur une distance égale à la longueur axiale L du support cylindrique 7.
Le bobinage émetteur 8 et le bobinage récepteur 11 peuvent être enroulés autour du support cylindrique 7 de sorte que l’hélice réceptrice et l’hélice émettrice sont décalées angulairement de 90° entre la première extrémité 9 et la deuxième extrémité 10 du support cylindrique 7. En d’autres termes, au niveau de la première extrémité 9 du support cylindrique 7, le plan passant les points de départ 8a, 8b de l’hélice émettrice (bornes du bobinage émetteur 8, au croisement des hélices) forme un angle de 90° avec le plan passant par l’axe X et les points de départ 11a, 11b de l’extrémité de l’hélice réceptrice (bornes du bobinage récepteur 11, au croisement des hélices). Cet écart angulaire entre les bobinages émetteur et récepteur 8, 11 permet de diminuer l’inductance mutuelle entre le bobinage émetteur 8 et le bobinage récepteur 11 de sorte que la tension induite par le bobinage émetteur 8 sur le bobinage récepteur 11 est nulle, ce qui permet d’amplifier le signal de réception sans pour autant saturer l’étage d’amplification des moyens de traitement 6. Le détecteur de métaux 1 peut ainsi détecter des corps métalliques plus éloignés. Par ailleurs, l’intensité du champ magnétique généré est plus grande à encombrement égal.
L’hélice émettrice et l’hélice réceptrice peuvent tourner dans le même sens autour de l’axe X du détecteur 1 entre la première extrémité 9 et la deuxième extrémité 10. Lorsque le pas P des hélices est identique, l’écart angulaire entre l’hélice émettrice et l’hélice réceptrice est donc maintenu sur toute la longueur axiale L du support cylindrique 7 de sorte que le bobinage émetteur 8 et le bobinage récepteur 11 se suivent parallèlement d’une extrémité à l’autre du support cylindrique 7. Dans cet exemple, l’hélice émettrice et l’hélice réceptrice sont donc toutes deux dextres ou toutes deux sénestres.
En variante, l’hélice émettrice et l’hélice réceptrice peuvent tourner dans des sens opposés autour de l’axe X du détecteur 1 entre la première extrémité 9 et la deuxième extrémité 10 de sorte que le bobinage émetteur 8 et le bobinage récepteur 11 se croisent. Par exemple, l’hélice émettrice est dextre et l’hélice réceptrice est senestre (ou inversement). Cette forme de réalisation permet de minimiser le couplage et l’inductance mutuelle entre les bobinages émetteur 8 et récepteur 11 dans la mesure où les bobinages émetteur et récepteur 8 , 11 ne se suivent pas parallèlement le long du support cylindrique 7 mais se croisent perpendiculairement.
Dans une variante de réalisation illustrée à titre d’exemple en figures 4a et 4b, le capteur inductif 5 comprend en outre un bobinage émetteur supplémentaire 12 et un bobinage récepteur supplémentaire 13, qui sont distincts du bobinage émetteur 8 et du bobinage récepteur 11, respectivement, et qui sont enroulés hélicoïdalement autour du support cylindrique 7 entre la première extrémité 9 et la deuxième extrémité 10 du support cylindrique 7 de sorte à former une troisième hélice, ou « hélice émettrice supplémentaire» et une quatrième hélice, ou « hélice réceptrice supplémentaire ». Chaque bobinage 12, 13 est formé d’un fil métallique présentant deux extrémités 12a, 12b et 13a, 13b. Cette variante de réalisation permet d’améliorer encore l’uniformité de la réponse des objets métalliques, quelle que soit leur forme. En revanche, les moyens de traitement 6 sont plus complexes, comme cela ressort par exemple de la .
Le pas de l’hélice émettrice supplémentaire et le pas de l’hélice réceptrice supplémentaire sont strictement supérieurs au diamètre D du support cylindrique 7.
Le bobinage émetteur supplémentaire 12 est alimenté par un courant électrique alternatif et est configuré pour générer un champ magnétique. Le cas échéant, le bobinage émetteur 8 et le bobinage émetteur supplémentaire 12 peuvent être alimentés par des sources de courant ayant des fréquences différentes ou par des sources de courant ayant une même fréquence mais qui sont décalées en phase, typiquement décalées de 90°.
Le bobinage récepteur supplémentaire 13 est configuré pour recevoir le champ magnétique généré par le ou les bobinages émetteurs 8, 12 et détecter, grâce aux moyens de traitement 6, des perturbations du champ magnétique dues à la présence d’un corps métallique.
De préférence, le pas P de l’hélice émettrice et le pas de l’hélice émettrice supplémentaire sont identiques. L’hélice émettrice supplémentaire est en outre également centrée sur l’axe X du détecteur 1. De même, le pas P de l’hélice réceptrice et le pas de l’hélice réceptrice supplémentaire sont identiques. L’hélice réceptrice supplémentaire est en outre également centrée sur l’axe X du détecteur 1.
Enfin, en référence à la , l’étape de recuit laser S4 est accomplie de manière à obtenir la couche semi-conductrice 110B’ présentant le gradient de concentration en germanium. Comme indiqué précédemment, la partie enrichie en germanium obtenue dans la deuxième région 10B (en contact avec la couche de protection 13) forme la deuxième zone semi-conductrice 100B (optimisée pour la conduction par trous). La première zone semi-conductrice 100A (optimisée pour la conduction par électrons) est, dans ce premier mode de mise en œuvre, formée par une portion non-modifiée (par le recuit laser) de la couche de SiGe 12.
Les figures 2A à 2D illustrent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication.
Ce deuxième mode de mise en œuvre diffère du premier mode de mise en œuvre principalement dans la constitution de la structure multicouches 10 (aussi appelée empilement de départ).
En référence à la , la structure multicouches 10 fournie à l’étape S1 comprend, outre le substrat 11, la couche de SiGe 12, la couche de protection 13 et la couche de réflexion laser 14, une couche de silicium 17 disposée entre la couche de SiGe 12 et la couche de protection 13. La couche de SiGe 12 présente ici une concentration en germanium supérieure ou égale à 10 %. Son épaisseur peut être comprise entre 5 nm et 100 nm. L’épaisseur de la couche de silicium 17 est de préférence comprise entre 5 nm et 30 nm.
Les première et deuxième régions 10A-10B de la structure multicouches 10 sont définies à l’étape S2 de la sensiblement de la même façon que décrite en relation avec la . La tranchée 15 s’étendant de la couche de réflexion laser 14 au substrat 11, elle traverse également la couche de silicium 17. Le matériau électriquement isolant déposé à l’intérieur pour former la tranchée d’isolation électrique 16 s’étend au moins sur toute l’épaisseur de la couche de SiGe 12 et de la couche de silicium 17.
La portion 110B de la structure multicouches modifiée (fondue et recristallisée) lors de l’étape S4 de recuit laser comprend une partie de la couche de silicium 17, en plus d’une partie de la couche de SiGe 12 (cf. avant recuit et après recuit). Les portions fondues de la couche de silicium 17 et de la couche de SiGe 12 forment donc une seule phase liquide (un alliage de SiGe). Lors du refroidissement, les atomes de germanium se concentrent dans la phase liquide restante qui diminue peu à peu. La couche de silicium 17 initiale est ainsi transformée (localement) en alliage de silicium-germanium.
A nouveau, la couche semi-conductrice 110B’ obtenue à l’issue du recuit laser dans la deuxième région 10B de la structure multicouches 10 comprend une partie appauvrie en germanium et une partie enrichie en germanium. La partie enrichie en germanium forme la deuxième zone semi-conductrice 100B. La première zone semi-conductrice 100A est, dans ce deuxième mode de mise en œuvre, formée par la couche de silicium 17 (désormais limitée à la première région 10A).
Les figures 3A à 3D illustrent un troisième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication, adapté à la formation de transistors à effet de champ à ailettes (ou FinFET, pour « fin field-effect transistor » en anglais) dans les première et deuxième régions 10A-10B de la structure multicouches.
Dans ce troisième mode de mise en œuvre, la couche de SiGe 12 de la structure multicouches 10 fournie à l’étape S1 est structurée sous la forme d’une pluralité d’ailettes 121 distinctes et la structure multicouches 10 comprend en outre des tranchées d’isolation électrique 16’ séparant les ailettes 12 entre elles. En outre, comme dans le premier mode de mise en œuvre (Figs.1A-1D), la couche de SiGe 12 présente (avant recuit laser) une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 %.
Les ailettes désignent des portions de couche de forme allongée ayant une longueur (mesurée perpendiculairement au plan de coupe des figures) bien supérieure à leur largeur (mesurée dans le plan de coupe des figures, parallèlement à la face du substrat 11 sur laquelle est disposée la couche de SiGe 12).
L’étape S1 de fourniture de la structure multicouches 10 comprend de préférence les sous-étapes suivantes : le dépôt de la couche de SiGe 12 sur le substrat 11, par exemple par épitaxie ; le gravure de la couche de SiGe 12 de manière à former la pluralité d’ailettes 121 ; la formation des tranchées d’isolation électrique 16’ entre les ailettes 121 ; et de préférence le dépôt de la couche de protection 13 sur la couche de SiGe 12.
La sous-étape b) de gravure de la couche de SiGe 12 est illustrée par la , tandis que la sous-étape c) de formation des tranchées d’isolation électrique 16’ et la sous-étape d) de dépôt de la couche de protection 13 sont illustrées par la .
La gravure de la couche SiGe 12 peut être réalisée au travers d’un masque en résine ou d’un masque dur (non représenté sur la ), formé préalablement sur la couche de SiGe 12.
La couche de SiGe 12 est ici gravée de manière à former deux groupes d’ailettes 121, l’un situé dans la première région 10A de la structure multicouches 10 et l’autre situé dans la deuxième région 10B de la structure multicouches 10. La distance d1 entre deux ailettes 121 consécutives dans chaque groupe est de préférence inférieure à la distance d2 séparant les deux groupes d’ailettes. Ainsi, plusieurs transistors FinFET pourront être formés dans chacune des première et deuxième régions 10A-10B.
Dans ce troisième mode de mise en œuvre, il peut être considéré que les première et deuxième régions 10A-10B sont définies (ou délimitées) lors de la formation de la structure multicouches 10. Autrement dit, l’étape S2 de définition des première et deuxième régions 10A-10B est accomplie lors de l’étape S1 de formation de la structure multicouches 10. La tranchée d’isolation électrique 16’ disposée entre les deux groupes d’ailettes correspond à la tranchée d’isolation électrique 16 des figures 1B et 2B.
Afin de simplifier la formation de la structure multicouches 10, la couche de protection 13 et les tranchées d’isolation électrique 16’ peuvent être formées d’un même matériau électriquement isolant, par exemple du SiO 2 . Le matériau électriquement isolant est avantageusement déposé de manière à remplir entièrement les tranchées entre les ailettes 121 et à former une couche de surépaisseur (i.e. la couche de protection 13) sur ces mêmes ailettes 121. La sous-étape d) de dépôt de la couche de protection 13 est alors immédiatement consécutive à la sous-étape c) de formation des tranchées d’isolation électrique 16’ et peut être accomplie dans le même équipement de dépôt.
30 - pièce du montage libre en rotation de la première extrémité du levier avec la première extrémité de l’âme.
Patte de fixation amortissante et boitier équipé d’une telle patte L’invention concerne une patte de fixation apte à amortir des vibrations, un boîtier mécatronique équipé d’une telle patte, et un véhicule équipé d’un tel boîtier mécatronique.
Il est connu de fixer un dispositif générant des vibrations à l’aide de pattes de fixation comportant une ouverture dans laquelle est insérée une bague élastique comportant un fût accueillant une vis de fixation. La vis de fixation sert le fût contre le support, réalisant la fixation. La bague élastique, disposée entre le fût et la partie de la patte de fixation autour de l’ouverture, permet d’absorber au moins une partie des vibrations produites par le dispositif. Le dispositif est par exemple un boîtier mécatronique, c’est-à-dire un boîtier comportant un système mécatronique. Une telle patte de fixation est par exemple décrite dans le document US4711135.
L’inconvénient d’une telle solution est qu’elle nécessite d’ajouter une bague élastique pour amortir les vibrations. L’ajout de cette bague nécessite de produite séparément ladite bague et de prévoir une étape de montage de la bague sur la patte de fixation, complexifiant le montage, et augmente le coût du dispositif à fixer comportant la patte.
L’objectif de l’invention est de remédier à ces inconvénients. En particulier, un des buts de l’invention est de proposer une patte de fixation réduisant la propagation des vibrations générées par la pièce à fixer, qui soit simple à réaliser et à faible coût.
Ce but est atteint selon l’invention grâce à une patte de fixation comportant une structure entourant une ouverture, un fût disposé dans l’ouverture et agencé de sorte à recevoir une vis de fixation, remarquable en ce que la patte de fixation comporte au moins un bras s’étendant entre la structure et le fût, conformée de sorte à relier de manière élastique ledit fût à ladite structure.
C’est-à-dire que le bras s’étend dans l’ouverture entre la structure et le fût. Ainsi avantageusement, le bras a lui seul permet de créer une liaison élastique sans recourir à un matériau spécifique, notamment en lui donnant les formes adéquates. Les vibrations produites par un boîtier comportant une telle patte de fixation sont alors absorbées par le bras élastique. De plus, le bras peut être réalisé de matière avec la structure et le fût, c’est-à-dire que la patte peut être ainsi réalisée d’une seule pièce, ne nécessitant pas le montage d’une pièce complémentaire.
Dans un mode de réalisation préféré de l’invention, la structure comporte une face inférieure s’étendant sensiblement dans un plan d’extension, le fût s’étendant au moins depuis la face inférieure jusqu’à une face supérieure de la structure opposée à la face inférieure, de préférence suivant une direction verticale perpendiculaire au dudit plan d’extension.
Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le fût comporte une extrémité en saillie de la face inférieure formant une surface d’appui.
Ainsi avantageusement, seule la surface d’appui est au contact d’un support sur lequel est fixé le boîtier comportant la patte de fixation. En disposant plusieurs pattes de fixation de ce type sur le boîtier, le boîtier est au contact du support uniquement au niveau du fût de chaque patte de fixation, plus précisément au niveau de chaque surface d’appui, et donc le support est assuré d’être isolé des vibrations provenant du boîtier.
Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le bras forme une paroi s’étendant entre le fût et la structure suivant une direction d’extension, la section dudit bras suivant un plan perpendiculaire à la direction d’extension du bras et au plan d’extension comportant sa plus grande dimension, dite hauteur, suivant une première direction et sa plus petite dimension, dite largeur, suivant une deuxième direction perpendiculaire à la première direction.
Ainsi avantageusement, le bras est plus souple suivant sa largeur que sa hauteur, permettant un maintien rigide suivant une direction correspondant à la hauteur de la section, et une souplesse suivant la direction de la largeur de la section du bras.
Dans un autre mode de réalisation de l’invention, la hauteur de la section est la dimension de ladite section dans une direction verticale perpendiculaire au plan d’extension, et la largeur de la section est la dimension de ladite section dans une direction perpendiculaire au bras et parallèle au plan d’extension.
Ainsi avantageusement, la patte de fixation offre un maintien rigide dans une direction perpendiculaire au plan d’extension, permettant par exemple un maintien à distance du boîtier par rapport au support sur lequel il est fixé lorsque le fût est en saillie de la face inférieure, tout en absorbant les vibrations grâce à la souplesse du bras dans le plan d’extension.
Dans un autre mode de réalisation de l’invention, la patte de fixation comporte plusieurs bras entre la structure et le fût, de préférence répartis symétriquement autour du fût.
La présence de plusieurs bras permet avantageusement de renforcer le maintien tout en conservant la capacité d’absorption des vibrations. De plus, en cas de rupture accidentelle d’un des bras, la fixation est sécuriséegrâce à la présence du ou des bras restants.
Plateforme mobile sur un mât L’invention concerne une installation de plateforme mobile sur un mât fixé au sol.
On connaît récemment un engouement pour le tourisme en forêt, avec notamment une offre de séjours sur des plateformes construites dans des arbres. L’accès à la plateforme est dans ce cas réalisé en général par une échelle.
De telles réalisations ne sont possibles que dans de rares lieux combinant la présence d’arbre de hauteur et de robustesse suffisantes, de disposition des branches adaptée et d’emplacement accessible. L’aménagement de la plateforme peut générer des dommages à l’arbre et doit être adapté à chaque configuration, ce qui ne permet pas de garantir de manière suffisamment fiable la sécurité et la fiabilité de l’installation. Par ailleurs, l’accès peut être difficile et ainsi réservé aux personnes les plus valides et sportives.
C’est donc un objectif de l’invention de proposer une installation permettant de proposer des séjours en forêt accessibles au plus grand nombre et en sécurité.
Avec ces objectifs en vue, l’invention a pour objet une installation de plateforme mobile, caractérisée en ce qu’elle comporte au moins un mât monté verticalement, une plateforme montée coulissante sur le mât, des moyens de manœuvre pour faire monter et descendre la plateforme le long du mât entre une position basse et une position haute, le mât étant surmonté d’un auvent de mât protégeant le mât et au moins partiellement la plateforme.
On peut ainsi installer la plateforme en tout lieu, sans dépendre de la présence d’un arbre de dimensions et de configuration particulières. Le fait de prévoir que la plateforme soit mobile permet de rendre l’installation accessible au plus grand nombre, sans imposer de passage réservé aux personnes disposant de capacités physique particulières. L’auvent de mât permet de protéger les occupants contre les intempéries ou le soleil. L’installation peut ne comporter qu’un seul mât ou plusieurs mâts, la plateforme étant guidée sur chacun des mâts.
Selon un perfectionnement, en outre un auvent de plateforme est fixé sur la plateforme, l’auvent de mât étant en recouvrement de l’auvent de plateforme en position haute. Ainsi, l’auvent de plateforme est mobile avec celle-ci et reste au plus près afin de protéger au mieux les occupants, y compris lorsque la plateforme est en position basse.
Selon un mode de réalisation, les moyens de manœuvre sont motorisés. La plateforme est ainsi encore plus accessible.
Selon un mode de réalisation, les moyens de manœuvre sont manuels. Ceci permet d’avoir une installation qui ne dépend pas de la disponibilité d’énergie.
Selon un perfectionnement, au moins l’un des auvents comporte au moins un panneau photovoltaïque. L’installation dispose ainsi d’une source d’énergie électrique autonome permettant d’alimenter différentes fonctions comme de l’éclairage, une alimentation en eau ou des appareils de communication. Le panneau participe à la fonction de l’auvent et peut être monté incliné, ce qui optimise son rendement.
Selon un perfectionnement, le panneau photovoltaïque alimente une batterie pour alimenter les moyens de manœuvre motorisés. Ainsi, les moyens de manœuvre sont disponibles à tout moment, y compris la nuit, indépendamment de l’ensoleillement du moment.
Selon une disposition constructive, la plateforme comporte un coulisseau entourant le mât pour guider la plateforme. On assure un guidage stable de la plateforme sur le mât. Le mât peut avoir par exemple une section circulaire ou polygonale et le coulisseau une section complémentaire creuse. Le guidage peut être fait par contact direct, par l’intermédiaire de patins ou celui de galets. Dans le cas d’un auvent de plateforme, celui-ci peut être fixé sur le haut du coulisseau.
Selon une disposition constructive, les moyens de manœuvre comportent un treuil fixé sur le coulisseau et enroulant un câble prenant appui au sommet du mât. L’enroulement du câble sur le treuil permet ainsi d’élever la plateforme pour passe de la position basse à la position haute.
Selon un perfectionnement, le câble réalise une boucle au sommet du mât et comporte un brin fixé au coulisseau. Le câble est par exemple guidé sur une ou deux poulies au sommet du mât. On réalise ainsi une démultiplication, ce qui permet d’utiliser un treuil moins démultiplié que dans le cas d’un câble directement fixé au sommet du mât.
Selon un perfectionnement, l’auvent de mât est monté pivotant autour d’un axe sensiblement vertical. Le pivotement peut être limité angulairement ou complet sans limitation sur plus d’un tour. L’entraînement peut être manuel ou motorisé, de manière automatique ou non. Ainsi, on peut adapter la position de l’auvent à la poursuite de la course du soleil, pour faire de l’ombre si l’auvent n’est pas de révolution, ou pour optimiser le fonctionnement des capteurs solaires lorsque l’auvent en est équipé.
Brève description des figures L’invention sera mieux comprise et d’autres particularités et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, la description faisant référence aux dessins annexés parmi lesquels : la est une vue de côté d’une installation selon un premier mode de réalisation de l’invention, avec une plateforme représentée en position haute et en position basse ; la est une vue en coupe selon la ligne A-A de la ; la est une vue de dessus de l’auvent de mât de l’installation de la ; la est une vue de côté d’une installation selon un deuxième mode de réalisation de l’invention, avec une plateforme représentée en position basse ; la est une vue similaire à la avec la plateforme représentée en position haute.
Selon l’invention, le volet présente des dimensions nettement inférieures à celles d’un volet de l’art antérieur lorsque l’aérofrein est à l’état désactivé. Par conséquent, l’aérofrein est compact et peu encombrant à l’état désactivé, augmentant ainsi le volume disponible pour les autres équipements.
Selon un autre avantage, cette solution permet de réduire les perturbations aérodynamiques lorsque l’aérofrein n’est pas activé.