Procédé de transfert d’au moins un dispositif semiconducteur (100), depuis un premier substrat (1, 1b) dit donneur vers un deuxième substrat (2) dit récepteur, en utilisant un substrat de transfert (3) à base de silicium, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : fournir ledit substrat donneur (1, 1b) comprenant au moins une couche active (10) destinée à être intégrée audit dispositif semiconducteur (100), au niveau d’une première face (201, 200), fournir ledit substrat de transfert (3) à base de silicium, présentant une deuxième face (202), former une couche de scission (20) sur l’une au moins parmi ladite première face (201, 200) et ladite deuxième face (202), ladite couche de scission (20) étant inorganique, assembler ledit substrat donneur (1, 1b) avec ledit substrat de transfert (3), par l’intermédiaire de ladite couche de scission (20), retirer ledit substrat donneur (1, 1b), en conservant ladite au moins une couche active (10) sur le substrat de transfert (3), et former l’au moins un dispositif semiconducteur (100) à partir de ladite au moins une couche active (10), fournir ledit substrat récepteur (2), assembler ledit au moins un dispositif semiconducteur (100) avec ledit substrat récepteur (2), illuminer, par un rayonnement infrarouge (IR), la couche de scission (20) au travers dudit substrat de transfert (3), de sorte à éliminer au moins en partie ladite couche de scission (20), pour désolidariser ledit au moins un dispositif semiconducteur (100, 100a) dudit substrat de transfert (3), ledit procédé étant caractérisé en ce que la formation de ladite couche de scission (20) comprend une formation d’une couche de libération (21) métallique du côté de ladite couche active (10), et une formation d’une couche d’absorption (22) minérale du côté dudit substrat de transfert (3), de sorte que ladite couche de scission (20) comprenne ladite couche de libération (21) métallique et ladite couche d’absorption (22) minérale, ladite couche d’absorption (22) minérale étant configurée pour absorber au moins 20% dudit rayonnement infrarouge lors de l’illumination. Procédé selon la revendication précédente dans lequel ledit au moins un dispositif semiconducteur (100) comprend une pluralité de dispositifs semiconducteurs (100a, 100b) présentant chacun une dimension caractéristique inférieure ou égale à 10 µm, et dans lequel ladite illumination est configurée pour désolidariser uniquement certains dispositifs semiconducteurs (100a) de ladite pluralité. Procédé selon la revendication précédente dans lequel lesdits dispositifs semiconducteurs de ladite pluralité de dispositifs semiconducteurs (100a, 100b) sont séparés les uns des autres avant illumination, lesdits dispositifs semiconducteurs restant maintenus par ladite couche de scission (20) sur ledit substrat de transfert (3). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite illumination est effectuée par un laser IR pulsé produisant un rayonnement IR d’énergie comprise entre 1 µJ et 10 µJ, pendant une durée comprise entre 1 picoseconde (ps) et 20 ps. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche d’absorption (22) minérale présente une résistivité comprise entre 50 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre) et 1 m.ohm.cm (milli-ohm-centimètre). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche d’absorption (22) minérale est choisie en un matériau réfractaire présentant une température de fusion supérieure ou égale à 1500°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche d’absorption (22) minérale est choisie en un matériau réfractaire à base d’un métal de transition, de préférence à base de Ti, V, Zr, Ta, Hf, Nb, W. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche d’absorption (22) minérale est choisie parmi les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition tels que TiN, VN, ZrN, TaN, HfN, NbN, ou leurs alliages. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche de libération (21) métallique présente une réflectivité dans l’infrarouge supérieure ou égale à 97%. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche de libération (21) métallique présente une résistivité comprise entre 2,5 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre) et 50 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite couche de libération (21) métallique présente une température de fusion inférieure ou égale à 1100°C. Structure de transfert comprenant en empilement, dans l’ordre suivant : un premier substrat (1, 1b) dit donneur, au moins une couche active (10) destinée à être intégrée à au moins un dispositif semiconducteur (100), une couche de scission (20), un substrat de transfert (3) à base de silicium, ledit empilement étant configuré de sorte à ce que, sous une illumination par un rayonnement infrarouge (IR) au travers dudit substrat de transfert (3), ladite couche de scission (20) soit au moins en partie éliminée, de façon à désolidariser ledit substrat de transfert (3) dudit empilement, ladite couche de scission (20) comprenant : une couche de libération (21) métallique du côté de ladite couche semiconductrice (10), une couche d’absorption (22) minérale du côté dudit substrat de transfert (3), ladite couche d’absorption (22) minérale étant configurée pour absorber au moins 20% du rayonnement infrarouge lors de l’illumination. Structure selon la revendication précédente dans laquelle ladite couche d’absorption (22) minérale présente une résistivité comprise entre 50 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre) et 1 m.ohm.cm (milli-ohm-centimètre). Structure selon l’une quelconque des revendications 12 à 13 dans laquelle ladite couche d’absorption (22) minérale est en un matériau réfractaire présentant une température de fusion supérieure ou égale à 1500°C. Structure selon l’une quelconque des revendications 12 à 14 dans laquelle ladite couche d’absorption (22) minérale est choisie en un matériau réfractaire à base d’un métal de transition, de préférence à base de Ti, V, Zr, Ta, Hf, Nb, W. Structure selon l’une quelconque des revendications 12 à 15 dans laquelle ladite couche d’absorption (22) minérale est à base d’un nitrure réfractaire de transition pris parmi TiN, VN, ZrN, TaN, HfN, NbN, ou un alliage desdits nitrures réfractaires de transition. Structure selon l’une quelconque des revendications 12 à 16 dans laquelle ladite couche de libération (21) métallique présente une réflectivité dans l’infrarouge supérieure ou égale à 97%. Structure selon l’une quelconque des revendications 12 à 17 dans laquelle ladite couche de libération (21) métallique présente une résistivité comprise entre 2,5 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre) et 50 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre). Structure selon l’une quelconque des revendications 12 à 18 dans laquelle ladite couche de libération (21) métallique présente une température de fusion inférieure ou égale à 1100°C.