INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Un tel empilement comprend enserrée entre deux plaques d’interconnexion, également appelées par la suite « interconnecteurs » 12, une première électrode correspondant à une cathode 14 (i.e. électrode à H 2 selon l’exemple de la ), un électrolyte 16 et une deuxième électrode 18 correspondant à une anode (i.e. électrode à 0 2 selon l’exemple de la ). L’assemblage 20 constitué de l’électrolyte 16 avec les deux électrodes 14 et 18, est appelé par la suite cellule électrochimique.
Plus précisément, la cellule électrochimique 20 ou assemblage électrolyte-électrodes est donc un ensemble multicouche céramique comportant à minima une couche 16 centrale conductrice d’ions qui est un électrolyte solide dense et étanche, enserrée entre deux couches 14 et 18 qui constituent des électrodes poreuses. Il est à noter que des couches supplémentaires, non représentées peuvent exister, mais ne servent qu'à améliorer l'une des couches déjà existante 14, 16 et 18.
Cette cellule électrochimique 20 est enserrée entre les deux interconnecteurs 12. Un électrolyseur complet 10 est alors un empilement 22 alterné de cellules électrochimiques 20 et d’interconnecteurs 12 propre à produire de l’hydrogène H 2 et de l’oxygène O 2 sous l’effet d’un courant électrique 24.
Les plaques d’interconnexion ou « interconnecteurs » 12 sont des conducteurs électroniques qui assurent le contact entre une face avec la cathode 14 d’une cellule et l'autre face avec l'anode 18 de la cellule suivante.
Le premier rôle des interconnecteurs 12, constitués généralement de plaques métalliques, est d’alimenter la cellule en courant électrique 24. De plus, ils servent aussi à distribuer les combustibles et à récupérer les gaz produits tout en séparant les compartiments anodiques et cathodiques de deux cellules électrochimiques 20 adjacentes.
Il est connu qu’en mode électrolyse SOEC, le compartiment cathodique contient la vapeur d'eau et l'hydrogène (et/ou CO si CO 2 en entrée), produit de la réaction électrochimique, tandis que le compartiment anodique contient un gaz drainant s’il existe et l'oxygène, autre produit de la réaction électrochimique à la fois dans le cas de l’électrolyse de l’eau ou du dioxyde de carbone.
Il est également connu qu’en mode pile à combustible SOFC, le compartiment anodique contient le carburant et le compartiment cathodique contient le comburant.
La mesure de tension de chaque cellule électrochimique 20 est importante car cette mesure individuelle permet d’évaluer l’état de santé de chaque cellule et de choisir le point de fonctionnement global de l’électrolyseur/pile à combustible en fonction de la réponse individuelle de chaque cellule électrochimique 20.
Chaque tension de cellule électrochimique 20 est mesurée individuellement en raccordant, par les interconnecteurs liés à ces cellules électrochimiques, un appareil de mesure de tension par le biais de fils électriques.
Chaque le fil de mesure de tension est raccordé in fine à un unique multimètre numérique 26, illustré par la , par l’intermédiaire d’une carte de multiplexage MUX. Le multimètre numérique 26 réalise des mesures de tension en continu, la sélection de la cellule électrochimique à mesurer est réalisée par des cartes de multiplexage MUX ayant pour rôle de sélectionner une seule cellule électrochimique à travers une multitude de cellules électrochimiques disponibles dans l’empilement 22 de cellules électrochimiques.
Sur la , le multimètre numérique 26 comprend par exemple quatre cartes de multiplexage MUX 1, MUX 2, MUX 3, MUX 4.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différentes couches et parties des structures de transfert et des LEDs ne sont pas forcément représentatives de la réalité.
Selon un exemple, l’au moins un dispositif semiconducteur comprend une pluralité de dispositifs semiconducteurs présentant chacun une dimension caractéristique inférieure ou égale à 10 µm, et de préférence inférieure ou égale à 5 µm.
Selon un exemple, l’illumination est configurée pour désolidariser uniquement certains dispositifs semiconducteurs de la pluralité de dispositifs semiconducteurs. Le procédé permet ainsi un transfert localisé de micro-composants.
Selon un exemple, les dispositifs semiconducteurs de la pluralité de dispositifs semiconducteurs sont séparés les uns des autres avant illumination, les dispositifs semiconducteurs restant maintenus par la couche de scission sur le substrat de transfert. Les dispositifs semiconducteurs sont typiquement individualisés avant la désolidarisation par illumination laser.
Selon un exemple, l’illumination est effectuée par un laser IR pulsé produisant un rayonnement IR d’énergie comprise entre 0,5 µJ et 10 µJ, de préférence entre 1 µJ et 10 µJ, pendant une durée comprise entre 1 picoseconde (ps) et 20 ps. Un tel laser émet avantageusement un rayonnement de « faible » énergie pouvant être mis en forme pour cibler des dispositifs semiconducteurs individuels.
Selon un exemple, le rayonnement IR présente une longueur d’onde inférieure ou égale à 2,5 µm. Selon un exemple, l’illumination est effectuée par un laser IR pulsé produisant un rayonnement IR sous forme d’impulsions, et l’énergie d’une impulsion est comprise entre 0,1 µJ et 100 µJ. Selon un exemple, la durée d’une impulsion est comprise entre 100 femtosecondes (fs) et 50 picosecondes (ps).
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale présente une résistivité comprise entre 50 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre) et 1 m.ohm.cm (milli-ohm-centimètre). Une telle couche d’absorption permet de conduire les porteurs de charge produits lors de l’absorption du rayonnement IR. Ces porteurs de charge sont avantageusement conduits vers la couche de libération métallique pour augmenter la chaleur transmise à la couche de libération métallique.
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale est choisie en un matériau réfractaire présentant une température de fusion supérieure ou égale à 1500°C. Cela autorise une mise en œuvre de la plupart voire la totalité des procédés thermiques de l’industrie microélectronique, sans que la couche d’absorption minérale soit dégradée. La dégradation thermique sous illumination IR est ainsi restreinte à la couche de libération métallique.
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale est choisie en un matériau réfractaire à base d’un métal de transition, de préférence à base de Ti, V, Zr, Ta, Hf, Nb, W.
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale est choisie parmi les métaux de transition tels que Ti, V, Zr, Ta, Hf, Nb, W.
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale est choisie parmi les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition tels que TiN, VN, ZrN, TaN, HfN, NbN, ou leurs alliages. Selon un autre exemple, la couche d’absorption minérale est choisie parmi les carbures réfractaires de transition à base d’un métal de transition. Selon un autre exemple, la couche d’absorption minérale est choisie parmi les borures réfractaires de transition à base d’un métal de transition.
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm.
Selon un exemple, la couche d’absorption minérale présente un coefficient d'extinction k > 1 pour une longueur d’onde d’illumination inférieure ou égale à 2,5 µm.
Selon un exemple, la couche de libération métallique présente une réflectivité dans l’infrarouge supérieure ou égale à 97%. Cela permet de protéger le dispositif semiconducteur du rayonnement IR, lors de l’illumination.
Selon un exemple, la couche de libération métallique présente une résistivité comprise entre 2,5 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre) et 50 µ.ohm.cm (micro-ohm-centimètre).
Le paramètre de qualité du système optronique peut être tout type de facteur de qualité autre que ceux déjà mentionnés.
Le procédé peut comprendre préalablement à l’étape (a), les étapes consistant à :
- afficher une séquence en codage binaire dans le plan objet,
- effectuer une association entre une zone de pixels du plan objet et une zone de pixels du plan image sur la base de la séquence en codage binaire.
Ces étapes préliminaires permettent de connaitre de manière plus grossière la zone de correspondance des pixels du plan objet vers les pixels du plan image, avant de faire le calcul précis des similarités à l’étape (c). Ceci permet de réduire les ressources de calcul nécessaire pour l’exécution du procédé.
La séquence en codage binaire peut être un code de Gray ou un code binaire prédéfini pour simplifier l’association entre des zones du plan objet et du plan image.
L’invention concerne encore un dispositif de contrôle d’un système optronique comprenant un écran d’affichage et un circuit de traitement configuré pour mettre en œuvre le procédé tel que précité.
L’écran d’affichage peut être agencé en regard du capteur du système optronique
Brève description des figures est une représentation schématique d’un premier exemple de réalisation d’un procédé selon l’invention,
représente un exemple de séquence de mires aléatoires utilisée dans le procédé de la ,
représente un exemple de réalisation de l’étape de mesure de la densité spectrale de puissance dans le procédé de la ,
représente un premier exemple de réalisation de l’étape de mesure de la fonction d’étalement du point dans le procédé de la ,
représente un deuxième exemple de réalisation de l’étape de mesure de la fonction d’étalement du point dans le procédé de la ,
représente un troisième exemple de réalisation de l’étape de mesure de la fonction d’étalement du point dans le procédé de la ,
représente un exemple de réalisation de l’étape de mesure de la distorsion dans le procédé de la .
est une représentation schématique d’un second exemple de réalisation d’un procédé selon l’invention,
Fig. 5 illustre schématiquement sous forme d’un logigramme des étapes du procédé de contrôle non destructif par radiographie selon le présent document.
Fig. 6 illustre schématiquement la préparation du modèle tridimensionnel de la pièce par une discrétisation en voxels.
Fig. 7 illustre schématiquement la préparation du modèle tridimensionnel de la pièce par une discrétisation en voxels suivi d’une réduction du nombre de voxels.
Il est maintenant fait référence à la représentant schématiquement sous forme de diagramme un système 1 de contrôle non destructif par radiographie selon la présente divulgation. Le système 1 comprend un dispositif de radiographie 10, tel que précédemment décrit en référence à la , comportant une source 3 de rayons électromagnétiques et un détecteur 4 configuré pour détecter les rayons électromagnétiques émis par la source 3. Le dispositif de radiographie 10 peut notamment consister en un dispositif de radiographie numérique, ou alternativement en un dispositif de radiographie analogique. Le système 1 comprend en outre une unité de traitement 20.
Le présent document concerne un procédé de contrôle non destructif d’une pièce 2 par radiographie, le procédé étant mis en œuvre par ledit système 1. On entend par pièce une pièce entière ou une partie de pièce. La pièce peut notamment être une pièce monocristalline, ou une pièce à solidification dirigée. La pièce est de préférence une pièce aéronautique, notamment une pièce de turbomachine, par exemple une aube. La pièce peut être réalisée dans un matériau de type superalliage à base nickel.
Le procédé comprend une étape de contrôle non destructif par radiographie de la pièce comportant l’acquisition d’au moins une image de radiographie de la pièce 2 au moyen du dispositif de radiographie 10, et le contrôle de la pièce 2 en fonction de ladite au moins une image de radiographie.
En référence à la , le procédé comprend, au préalable du contrôle non destructif par radiographie de la pièce 2 par le système 1, les étapes suivantes mises en œuvre par l’unité de traitement 20 : a. l’obtention E10 d’un modèle numérique MOD du dispositif de radiographie 10 comprenant une source virtuelle 3V et un détecteur virtuel 4V correspondant respectivement à la source 3 et au détecteur 4 du dispositif de radiographie 10 ; b. l’obtention E20 d’un modèle tridimensionnel M3D de la pièce 2 c. l’obtention E30 d’au moins une orientation cristalline de la pièce 2 ; d. la simulation E50, pour un positionnement donné du modèle tridimensionnel M3D de la pièce par rapport audit modèle numérique MOD du dispositif de radiographie, d’une réponse du détecteur virtuel 4V à un faisceau virtuel émis par la source virtuelle 3V et diffracté à travers le modèle tridimensionnel M3D de la pièce en fonction de ladite au moins une orientation cristalline.
Le procédé peut comprendre une pluralité de simulations E50 d’une réponse du détecteur virtuel 4V correspondant respectivement à une pluralité de positionnements du modèle tridimensionnel M3D de la pièce 2 par rapport audit modèle numérique MOD du dispositif de radiographie 10.
Le procédé peut comprendre la détermination E60 d’un état de validité du positionnement du modèle tridimensionnel M3D de la pièce 2 par rapport audit modèle numérique MOD du dispositif de radiographie 10 en fonction de la réponse du détecteur virtuel 4V. Cette caractéristique permet d’utiliser les résultats de la simulation E60 de la réponse du détecteur virtuel pour valider ou invalider au préalable un positionnement de la pièce par rapport au dispositif de radiographie 10, et ainsi gagner du temps sur le contrôle de la pièce. Par conséquent, l’influence des phénomènes de diffraction sur le procédé de contrôle non destructif par radiographie est avantageusement limitée voire totalement évitée. En effet, l’orientation cristalline obtenu dans le repère de la pièce permet d’anticiper les plans de la pièce risquant de générer un signal de diffraction.
En particulier, si le détecteur virtuel 4V détecte un faisceau virtuel diffracté correspondant à des rayons électromagnétiques diffractés pouvant nuire à la lecture d’une image de radiographie, le positionnement du modèle tridimensionnel M3D de la pièce par rapport audit modèle numérique MOD du dispositif de radiographie peut être invalidé. Le positionnement angulaire du modèle tridimensionnel de pièce par rapport audit modèle numérique du dispositif de radiographie pourra alors être adapté. En particulier, une rotation relative du modèle tridimensionnel de pièce par rapport audit modèle numérique du dispositif de radiographie peut être mise en œuvre, ladite rotation relative pouvant être réalisée par rapport à un positionnement angulaire initial, par exemple par rapport au positionnement angulaire correspondant à la dernière simulation effectuée. A l’inverse, si le détecteur virtuel 4V ne détecte pas de faisceau virtuel diffracté correspondant à des rayons électromagnétiques diffractés pouvant nuire à la lecture d’une image de radiographie, le positionnement du modèle tridimensionnel M3D de la pièce par rapport audit modèle numérique MOD du dispositif de radiographie peut être validé.
Le procédé peut comprendre la mise en œuvre du positionnement de la pièce 2 par rapport au dispositif de radiographie 10, correspondant au positionnement donné du modèle tridimensionnel M3D de la pièce par rapport au modèle numérique MOD du dispositif de radiographie, pour le contrôle non destructif par radiographie de la pièce en fonction de l’état de validité dudit positionnement donné. Cette caractéristique technique présente l’avantage que seuls les positionnements préalablement validés pourront être mis en œuvre lors du contrôle non destructif des pièces.
En outre, le procédé peut notamment comprendre la réalisation d’une série de contrôles non destructif par radiographie de la pièce pour une pluralité de positionnements de la pièce par rapport au dispositif de radiographie, ladite pluralité de positionnements ayant été préalablement validée lors de l’étape de détermination de l’état de validité du positionnement. Par exemple, une série peut comprendre entre dix et vingt positionnements différents de la pièce par rapport au dispositif de radiographie. Le dispositif de radiographie peut notamment comprendre un bras de robot portant la pièce, le bras de robot étant apte à assurer le positionnement de la pièce par rapport au dispositif de radiographie. La pluralité de positionnements peut alors être mise en œuvre par le bras de robot.
Pour rappel, l’étape de contrôle non destructif par radiographie de la pièce comporte l’acquisition d’au moins une image de radiographie de la pièce 2 au moyen du dispositif de radiographie 10. Le contrôle non destructif par radiographie de la pièce peut alors avantageusement comprendre le contrôle de la pièce 2 en fonction de ladite au moins une image de radiographie et de la réponse du détecteur virtuel pour le positionnement correspondant du modèle tridimensionnel de la pièce par rapport au modèle numérique du dispositif de radiographie. Cette caractéristique permet d’utiliser les simulations de diffraction pour améliorer l’interprétation des images de radiographie obtenues en utilisant le dispositif de radiographie.
Le monolithe poreux imprégné est ensuite disposé sur le substrat en PDMS. De part et d’autre des extrémités du monolithe poreux, du 1,8 octanediol est imprimé sous la forme d’une trace de deux canaux droits de diamètre inférieur à 0,7 mm de chaque côté du monolithe poreux imprégné et reliés à ce dernier à chacune de ses extrémités, l’encre étant au contact des extrémités du monolithe poreux imprégnée et pouvant se mélanger avec l’encre d’imprégnation. L’impression se fait à l’aide d’une micropipette de faible volume ou bien d’une imprimante.
A chaque extrémité libre des canaux, des trous cylindriques sont formés au travers du substrat de PDMS à l’aide d’un emporte-pièce pour PDMS de 0,5 mm. Ces trous constituent les entrées et sorties du futur dispositif. Les trous sont ensuite recouverts et liés aux extrémités du canal par l’encre précédente. Il est aussi possible de générer ces trous pendant ou après le recouvrement et en utilisant d’autres moyens qu’une encre protectrice (par exemple, ajout d'éléments en PDMS).
Un moule en PDMS rectangulaire ouvert sur les faces du dessus et du dessous et dont les dimensions sont inférieures ou égales à celles du substrat, est ensuite placé sur le substrat pour permettre l’ajout de la couche polymère de recouvrement liquide tout en évitant son étalement.
Du PDMS liquide contenant un réticulant est ensuite ajouté dans le moule de sorte à recouvrir totalement le monolithe et l’encre. Le PDMS est ensuite réticulé à 100°C pendant 2h.
Le dispositif formé est ensuite placé sous vide et chauffé à 100°C de manière à ce que le l’encre présent dans le matériau et formant les canaux de part et d’autre du monolithe poreux, puisse se sublimer et/ou s’évaporer. Pour finir, le dispositif est lavé avec un mélange d’eau/éthanol (50/50) puis avec de l’éthanol pur avant d’être séché dans une étuve à 40°C pendant 24h.
Le dispositif fluidique obtenu permet la circulation de fluide de l’entrée à la sortie en passant par le monolithe poreux.
Exemple 2 Dans cet exemple, le substrat est en verre et la couche de recouvrement est en PDMS, un monolithe poreux d’un diamètre de 5 mm obtenu par le même procédé sol-gel que décrit dans l’exemple 1, à l’exception de la taille du tube, est déposé sur deux éléments en PDMS formant des éléments de support, eux même posés sur le substrat en verre comme illustré sur la . L’ajout de PDMS liquide permet alors de former la couche polymère autour du monolithe poreux et assure une bonne étanchéité.
Le procédé est réalisé comme suit.
Le monolithe poreux d’un diamètre 5 mm, ayant des macropores d’environ 2 µm et des mésopores d’environ 15 nm, est protégé par immersion pendant environ 1 minute dans un liquide protecteur de 1,8 octanediol chauffé à 80°C. Préférentiellement, le monolithe cylindrique imprégné est placé et roulé sur un papier absorbant pour supprimer l’excès de liquide avant d’être placé dans une coupelle en verre jusqu’à solidification du liquide protecteur présent dans le matériau poreux.
Une lame de verre est utilisée. Deux carrés de PDMS sont placés sur la lame de verre de sorte que la distance entre les deux carrés soit inférieure à la longueur du monolithe poreux imprégné. Le monolithe poreux est disposé à cheval sur les carrés en PDMS. De part et d’autre des extrémités du matériau, sur les deux éléments en PDMS de support, du 1,8 octanediol est déposé de sorte à former un canal droit de diamètre inférieur à 0,7 mm et relié au monolithe poreux imprégné par contact à ses extrémités. Le dépôt se fait à l’aide d’une micropipette de faible volume ou bien d’une imprimante.
Un moule à base de PDMS rectangulaire ouvert sur les faces du dessus et du dessous et dont les dimensions sont inférieures ou égales à celles du substrat, est placé sur le substrat pour permettre la formation de la couche de recouvrement en polymère liquide tout en évitant son étalement. Du PDMS liquide contenant du réticulant est ensuite ajouté dans le moule de sorte à recouvrir totalement le canal et le monolithe poreux. Le PDMS est ensuite réticulé à 100°C pendant 2h.
Le dispositif contenant encore l’encre est ensuite placé sous vide et chauffé à 100°C de manière à ce que l’encre présent dans le matériau et formant le canal, puisse se sublimer et/ou s’évaporer. Pour finir, le dispositif est lavé avec un mélange d’eau/éthanol (50/50) puis avec de l’éthanol pur avant d’être séché dans une étuve à 40°C pendant 24h.
La lame de verre est retirée puis à l’aide d’un emporte-pièce pour PDMS de 0,5 mm, des trous cylindriques au travers de l’enveloppe de PDMS sont formés sur chaque extrémité du canal droit. Le retrait de la lame de verre peut se faire avant ou après extraction de l’encre.
Procédé d’hydrogénation d’un hydrocarbure insaturé par de l’hydrogène La présente invention concerne un procédé d’hydrogénation d’un hydrocarbure insaturé par de l’hydrogène, notamment en vue de stocker de façon réversible et transporter plus aisément de l’hydrogène, sous forme liquide et dans des conditions, notamment de température et de pression, raisonnables, le plus souvent à température ambiante et pression atmosphérique. Le stockage et le transport de l’hydrogène s’en trouvent facilités, si on les compare à ceux d’hydrogène à l’état liquide (à maintenir à très basse température) ou à l’état gazeux (à comprimer à des pressions élevées). Cette technique de stockage réversible d’hydrogène par association chimique avec un composé organique fait appel à des porteurs d’hydrogène, qu’on peut désigner sous leur acronyme LOHC pour l’expression anglo-saxonne « Liquid Organic Hydrogen Carrier». Une description sommaire de cette technique est décrite dans la publication « Panorama des solutions hydrogène » publiée par France Hydrogène en novembre 2021. Un couple de composé organique hydrogéné/déshydrogéné peut par exemple être le couple méthyl cyclohexane/toluène : L’hydrogène est stocké en réalisant l’hydrogénation du toluène en méthylcyclohexane. La réaction inverse de déshydrogénation du méthylcyclohexane en toluène permet de récupérer l’hydrogène.