INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
- les figures 2A à 2F représentent un mode de réalisation du procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs selon l’invention dans lequel, on réalise successivement le découpage de pavés dans un substrat donneur ( ), le placement desdits pavés sur un premier substrat support de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur ( ), le collage dudit premier pseudo-substrat donneur avec un deuxième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur de sorte à former un deuxième pseudo-substrat donneur ( ), le collage du premier pseudo-substrat donneur sur un troisième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une troisième et quatrième épaisseur de sorte à former un troisième pseudo-substrat donneur ( ),
- les figures 3A à 3G représentent un autre mode de réalisation du procédé selon l’invention dans lequel on réalise successivement le collage d’un premier substrat donneur avec un deuxième substrat donneur par l’intermédiaire d’une couche de collage de sorte à former un substrat donneur épais ( ), la découpe de pavés dans le substrat donneur épais ( ), le collage desdits pavés sur un premier substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur ( ), le collage dudit premier pseudo-substrat donneur avec un deuxième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur de sorte à former un deuxième pseudo-substrat donneur ( ), le collage du premier pseudo-substrat donneur sur un troisième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une troisième et quatrième épaisseur de sorte à former un troisième pseudo-substrat donneur ( ),
- les figures 4A à 4C représentent un procédé d’utilisation desdits pseudo-substrats donneurs comprenant successivement la formation d’une zone de fragilisation dans les pavés d’un desdits pseudo-substrats donneurs par implantations atomiques de sorte à délimiter une portion des pavés à transférer ( ), le collage du pseudo-substrat donneur avec un substrat receveur par l’intermédiaire des pavés implantés ( ) et la découpe du pseudo-substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la portion des pavés délimités par la zone de fragilisation ( ).
DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION L’invention concerne un procédé de fabrication d’au moins deux substrats dit pseudo-substrats donneurs.
Dans la présente description, on entend par pseudo-substrat donneur, un substrat comprenant des pavés placés sur un substrat support, ledit pseudo-substrat donneur pouvant être utilisé pour transférer des couches minces du matériau actif constituant les pavés sur un substrat receveur, par exemple par un procédé de type Smart Cut TM .
L’utilisation d’un tel pseudo-substrat donneur trouve un intérêt particulier lorsque le matériau actif n’est pas disponible sous la forme de substrats de grande taille.
Les figures 15A, 15B illustrent un deuxième mode de réalisation du système de projection dans lequel l’électrode inférieure 50 est positionnée entre le deuxième niveau n2 de projection p2 et le premier niveau n1 d’adressage a1. Cela permet de rapprocher l’électrode inférieure 50 de la surface du projecteur au voisinage de laquelle se trouve la contre-électrode. La tension d’extraction est ainsi diminuée. Pour limiter les pertes optiques par absorption dues à l’électrode inférieure 50, la distance de séparation ds entre les premier et deuxième niveaux n1, n2 est augmentée. Selon un exemple, ds ≥ 850 nm. La longueur de couplage de la portion de couplage 3 est augmentée en conséquence. Cela affecte la compacité du système. Le deuxième mode de réalisation du système de projection permet typiquement une consommation électrique modérée.
Les figures 16A, 16B illustrent un troisième mode de réalisation du système de projection dans lequel l’électrode inférieure 50 est positionnée au même niveau qu’un niveau n1 intermédiaire désigné ai. L’électrode inférieure 50 est positionnée au-dessus d’un niveau d’adressage a0, et en-dessous du niveau de projection p2. Dans ce mode de réalisation, le niveau d’adressage a0 comprend des guides d’onde 31 sans réflecteurs. Le niveau intermédiaire ai comprend des guides d’onde 11 débouchant sur des réflecteurs de Bragg 41a. Le niveau de projection p2 comprend des guides d’onde 12 accolés à des réflecteurs de Bragg 42a. Le rayonnement lumineux est ici injecté dans les guides d’onde 31 du niveau d’adressage a0, selon le sens S1. Il est ensuite injecté par couplage 13 dans les guides d’onde 11, selon le sens S1. Il est ensuite réfléchi et injecté par couplage dans les guides d’onde 21, selon le sens S2 comme précédemment. Il est ensuite extrait du niveau de projection en appliquant une tension entre les électrodes d’extraction.
Le niveau intermédiaire ai permet de faire un pont optique entre le niveau d’adressage a0 et le niveau de projection p2. La distance de séparation ds peut par exemple être réduite à 450 nm. Cela permet de réduire drastiquement la longueur des portions de couplage 13, 3. Une simulation par éléments finis des modes propres FDE (Finite Difference Eigenmode) indique qu’une longueur de couplage Lc pour la portion de couplage 3 de l’ordre de 20,6 µm convient. La compacité du système est préservée. Grâce au niveau intermédiaire ai, les guides 31 peuvent être éloignés de l’électrode inférieure 50. Cela permet de limiter ou supprimer les pertes optiques par absorption. Les guides 31 sont également relativement plus éloignés des guides 21. Cela permet de limiter ou supprimer les pertes optiques par croisements multiniveaux. Les pertes optiques pour ce troisième mode de réalisation sont comparables à celles induites dans le premier mode de réalisation. La tension d’extraction est en outre diminuée avec ce positionnement d’électrode 50, par rapport au premier mode de réalisation. Le troisième mode de réalisation du système de projection est un bon compromis permettant de combiner de faibles pertes optiques et une consommation électrique modérée. Sa mise en œuvre est plus coûteuse que les mises en œuvre des premier et deuxième modes de réalisation. Sur les figures 16A, 16B, les miroirs de Bragg 41a, 42a sont associés respectivement au niveau intermédiaire ai et au niveau de projection p2. D’autres associations ou configurations sont envisageables. Les miroirs de Bragg 41a, 42a peuvent notamment être associés respectivement au niveau d’adressage a0 et au niveau intermédiaire ai.
La illustre une architecture photonique de projecteur comprenant deux niveaux d’adressage ou de routage a1, a2, et un niveau de projection p3. Celle-ci permet, à partir de quelques sources lumineuses (S), d’adresser des points d’émission répartis arbitrairement sur la surface d’un projecteur rétinien dont les guides 21 ont des formes de « zigzag » pour donner aux points d’émission une distribution aléatoire.
La partie de routage comprend des guides d’ondes 11, 12 respectivement sur deux niveaux, pour éviter les croisements de guides. Cela permet de limiter les pertes optiques. La partie de projection est située sur un troisième niveau. Le dispositif de rétrocouplage 3, 4 permet avantageusement de superposer le niveau de projection p3 sur les niveaux d’adressage a1, a2.
La illustre un dispositif de rétrocouplage multiniveaux dit RGB (acronyme de « Red Green Blue »), comprenant des sous-niveaux dédiés à des rayonnements lumineux de différentes longueurs d’onde (par exemple le rouge, le vert, le bleu). Ce dispositif comprend typiquement des guides d’ondes 11R configurés pour guider une première longueur d’onde λ1 (par exemple λ1 = 633 nm), des guides d’ondes 11V configurés pour guider une deuxième longueur d’onde λ2 (par exemple λ2 = 532 nm), et des guides d’ondes 11B configurés pour guider une troisième longueur d’onde λ3 (par exemple λ3 = 450 nm). Les guides d’ondes 11R, 11V, 11B sont typiquement situés sur des niveaux différents. Le dispositif comprend en outre des guides d’ondes 21R, 21V, 21B respectivement configurés pour guider les première, deuxième et troisième longueurs d’onde λ1, λ2, λ3. Les guides d’ondes 21R, 21V, 21B sont typiquement situés sur le même niveau, par exemple un niveau de projection d’un projecteur RGB.
Les différents rayonnements lumineux guidés par les guides d’ondes 11R, 11V, 11B se propagent par rétrocouplage dans les guides d’ondes 21R, 21V, 21B. La zone Z0 illustrée à la correspond à cette zone de rétrocouplage.
Les figures 19A et 19B illustrent de façon plus détaillée cette zone de rétrocouplage. Les guides d’ondes 11R, 21R configurés pour guider la longueur d’onde λ1 sont typiquement dimensionnés différemment des guides d’ondes 11V, 21V configurés pour guider la longueur d’onde λ2, et différemment des guides d’ondes 11B, 21B configurés pour guider la longueur d’onde λ3. Les rétrocoupleurs sont ainsi spécifiques aux différentes longueurs d’onde λ1, λ2, λ3. Les guides 11R, 21R présentent une portion de couplage 3R et un réflecteur 41R, 42R. Les guides 11V, 21V présentent une portion de couplage 3V et un réflecteur 41V, 42V. Les guides 11B, 21B présentent une portion de couplage 3B et un réflecteur 41B, 42B.
Plus la longueur d’onde est petite, plus le mode de propagation du rayonnement lumineux correspondant est confiné au sein du guide. Ainsi, pour un couplage effectif, la distance de séparation selon z entre les guides 11B, 21B est relativement plus petite que la distance de séparation selon z entre les guides 11V, 21V, et la distance de séparation selon z entre les guides 11V, 21V est relativement plus petite que la distance de séparation selon z entre les guides 11R, 21R. Ainsi, le niveau d’adressage a30 comprenant les guides 11R est le plus profond vis-à-vis du niveau de projection p2 comprenant les guides 21R. Le niveau d’adressage a10 comprenant les guides 11B est le moins profond vis-à-vis du niveau de projection p2 comprenant les guides 21B. Les niveaux d’adressage a30, a20, a10 présentent respectivement des profondeurs dp3, dp2, dp1 vis-à-vis du niveau de projection p2, telles que dp3 > dp2 > dp1.
Selon une possibilité, les niveaux d’adressage a30, a20 les plus profonds peuvent recourir à des portions de guide de profondeurs intermédiaires pour acheminer le rayonnement lumineux jusqu’au niveau de projection p2.
Comme illustré à la , le guide 11V du niveau d’adressage a20 peut être d’abord couplé à une portion de guide 111V de profondeur intermédiaire dpm1. Un pont de couplage vertical 12V permet ainsi au rayonnement lumineux de longueur d’onde λ2 de passer du guide 11V à la portion de guide 111V, puis d’être injecté dans le guide 21V par rétrocouplage via la portion de couplage 3V et les réflecteurs 41V, 42V.
Le guide 11R du niveau d’adressage a30 peut être d’abord couplé à une portion de guide 111R de profondeur intermédiaire dpm2. Cette portion de guide 111R peut être également couplée à une portion de guide 112R de profondeur intermédiaire dpm3. Deux ponts de couplage vertical 12R, 13R permettent ainsi au rayonnement lumineux de longueur d’onde λ1 de passer du guide 11R à la portion de guide 112R, puis d’être injecté dans le guide 21R par rétrocouplage via la portion de couplage 3R et les réflecteurs 41R, 42R. Les différents niveaux de guides et de portions de guide peuvent ainsi former des escaliers pour optimiser le couplage et/ou limiter les pertes optiques. Selon une possibilité, dpm2 = dp2 et dpm3 = dpm1 = dp1. Les différents niveaux de guides et de portions de guide sont ainsi plus faciles à réaliser par dépôts et structurations de couches successives.
Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que le dispositif et le système proposés offrent une solution particulièrement efficace pour améliorer la compacité d’un système de photonique intégrée. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits.
Filtre polariseur et capteur d’images polarimétrique intégrant un tel filtre La présente description concerne de façon générale les capteurs d’images, et vise plus particulièrement des capteurs d’images dits polarimétriques, adaptés à enregistrer des informations relatives à la polarisation de la lumière captée.
L’installation électrique 100 comporte en outre une charge électrique 104 conçue pour recevoir une tension continue V. Par exemple, la charge électrique 104 comporte un étage 106 de lissage de la tension continue V, un convertisseur de tension continu/alternatif 108 pour convertir la tension continue V lissée en une tension alternative et une machine électrique 110 d’entraînement d’une soufflante 112 de l’aéronef (par exemple une hélice) à partir de la tension alternative.
L’installation électrique 100 comporte en outre un contacteur de puissance 118 situé sur l’une des lignes d’alimentation 114, 116. Le contacteur de puissance 118 comporte au moins un contact fixe et un contact mobile conçu pour venir au contact du contact fixe lorsque le contacteur de puissance 118 est fermé, et s’en éloigner lorsque le contacteur de puissance 118 est ouvert. Par exemple, comme dans l’exemple illustré, le contacteur de puissance 118 est à double coupure et comporte deux contacts fixes 118F et une palette mobile 118M servant de contact mobile conçu pour venir au contact des deux contact fixes 118F.
L’installation électrique 100 comporte en outre de préférence un dispositif de soufflage d’arc (non représenté) conçu pour déplacer et faire disparaître le ou les arcs électriques apparaissant entre le contact mobile 118M et chacun des contacts fixes 118F lors de l’ouverture du contacteur de puissance 118. Le déplacement du ou des arcs électriques est par exemple obtenu en appliquant un champ magnétique et la disparition du ou des arcs électriques par exemple en divisant l’arc électrique en plusieurs arcs électriques plus petits.
L’installation électrique 100 comporte en outre un dispositif 121 d’ouverture de l’une des lignes d’alimentation 114, 116, afin de clarifier un arc électrique série apparaissant entre le contact mobile 118M et un point B de la première ligne d’alimentation 114, situé par exemple du côté de la charge électrique 104 par rapport au contacteur de puissance 118.
Le dispositif d’ouverture 121 comporte par exemple un interrupteur pyrotechnique 122 (de l’anglais « pyroswitch ») situé sur l’une des lignes d’alimentation 114, 116. L’interrupteur pyrotechnique 122 comporte une guillotine 124, une résistance d’initialisation 126 et un élément pyrotechnique (non représenté) conçu pour être déclenché sous l’effet de la chaleur dégagée par la résistance d’initialisation 126.
Le déclenchement de l’élément pyrotechnique a pour but de propulser la guillotine 124 de sorte que cette dernière coupe mécaniquement la ligne d’alimentation (la première ligne d’alimentation 114 dans l’exemple illustré). La résistance d’initialisation 126 est ainsi conçue pour être traversée par un courant pour s’échauffer et fournir ainsi la chaleur nécessaire au déclenchement de l’élément pyrotechnique.
Le dispositif d’ouverture 121 comporte en outre un dispositif 128 de détection d’un arc électrique série et d’activation de l’interrupteur pyrotechnique 122.
Le dispositif de détection 128 comporte ainsi une branche 130 connectée entre le contact mobile 118M (connexion à un point A du contact mobile 118) et le point B de la première ligne d’alimentation 114. De préférence, le fusible 120 est situé entre le contacteur de puissance 118 et le point B. Ainsi, il est possible de détecter un arc électrique série apparaissant à l’ouverture ou à la fermeture du contacteur de puissance 118 ou bien un arc électrique série provoqué par un endommagement de la première ligne d’alimentation entre le contact mobile 118 et le point B, par exemple apparaissant à la suite d’une fonte du fusible 120. L’interrupteur pyrotechnique 122 peut être conçu pour couper la première ligne d’alimentation 114 en dehors du segment de la première ligne d’alimentation 114 s’étendant entre le contact mobile 118M et le point B, comme illustré sur la , mais cela n’est pas obligatoire.
Le dispositif de détection 128 comporte en outre, en série sur la branche 130 : une résistance de temporisation 136 et la résistance d’initialisation 126 du fusible pyrotechnique 122, la résistance d’initialisation 126 étant la dernière, c’est-à-dire la plus proche du point B.
La résistance de temporisation 136 vient limiter le courant passant dans la résistance d’initialisation 126 et ralentit donc l’échauffement de cette dernière. Cela permet d’éviter un déclenchement du fusible pyrotechnique pour un arc électrique série transitoire qui disparait spontanément ou bien grâce au dispositif de soufflage, très rapidement après son apparition. Dans certains cas, en particulier lorsque le retard inhérent à la résistance d’initialisation 126 est jugé suffisant, la résistance de temporisation 136 peut être omise.
A l’étape E931, le récepteur 150 détermine une première distance d 1 , une seconde distance d 2 et une troisième distance d 3 .
La première distance d 1 est la distance séparant le premier émetteur permettant de simuler la source d’émission d’un rayonnement ionisant et le récepteur. La première distance d 1 est déterminée à partir du temps d’arrivée du premier signal.
La seconde distance d 2 est la distance séparant la première balise 110a et le récepteur 150. La seconde distance d 2 est déterminée à partir du temps d’arrivée du troisième signal.
La troisième distance d 3 est la distance séparant la seconde balise 110b et le récepteur 150. La seconde distance d 2 est déterminée à partir du temps d’arrivée du deuxième signal.
A l’étape E932, le récepteur 150 reçoit le premier message émis par l’émetteur 150 et le second et le troisième messages émis par les balises.
A l’étape E933, le récepteur détermine un niveau d’exposition simulé au rayonnement ionisant en fonction de la première distance déterminée, de la présence ou pas du récepteur dans la zone 300 de la et de la valeur du paramètre compris dans le premier message.
Le coefficient est compris dans le premier message et est strictement inférieur à un.
Le niveau d’exposition peut être aussi déterminé en fonction d’un angle et d’une position angulaire du récepteur par rapport à l’émetteur et d’un angle correspondant à une directivité de la source ionisante unidirectionnelle simulée comprise dans le premier message.
Le récepteur détermine s’il est dans la zone dans laquelle la source émet un rayonnement ionisant directif comme décrit en référence à la .
A l’étape E1000, l’émetteur commande l’émission du premier signal prédéfini sur une première et une seconde antennes,
A l’étape E1001, l’émetteur reçoit un autre signal UWB émis par le récepteur 150.
A l’étape E1002, l’émetteur détermine une position angulaire du premier récepteur par rapport au premier émetteur,
A l’étape E1003, l’émetteur commande l’émission du premier message comprenant une valeur d’un paramètre correspondant à une puissance simulée d’émission de la source du rayonnement ionisant simulé d’une information représentative d’angle et de la position angulaire du premier récepteur par rapport au premier émetteur.
Ce mode de réalisation peut également permettre de former une protrusion présentant une hauteur E prot particulièrement importante. Le retrait du deuxième matériau formant la portion de retrait 500 sélectivement au troisième matériau formant le plot 100 peut en effet être réalisé sans difficulté sur une hauteur importante, typiquement de 50 à 200 nm.
Toutes les étapes décrites dans le cadre de ce deuxième mode de réalisation peuvent être mises en œuvre dans d’autres modes de réalisation du procédé selon l’invention. Les avantages que présentent ces étapes sont également transposables à d’autres modes de réalisation. Il est notamment possible d’utiliser le principe d’un dépôt de la deuxième couche 300 en deux temps (première sous-couche 310 et deuxième sous-couche 320) et de la formation du plot 100 entre la formation première sous-couche primaire 310a et la formation de la deuxième sous-couche primaire 320a au cours d’autres variantes du procédé selon l’invention.
Troisième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention
Un troisième exemple de mode de réalisation du procédé selon l’invention va être décrit en référence aux figures 4A à 4H.
Les étapes permettant d’obtenir le substrat 10 surmonté de la première couche primaire 200a comprenant des cavités 250 ( ) peuvent être similaires à celles décrites pour le premier mode de réalisation en référence aux figures 2A à 2C.
Une troisième couche primaire 100a est ensuite formée dans les cavités 250 et sur la face supérieure 201a de la deuxième couche primaire 200a. La troisième couche primaire 100a est de préférence conforme. Sa face supérieure 101a s’étend de préférence dans un plan parallèle au plan transversal XY.
Après la formation de la troisième couche primaire 100a, il est opéré un retrait des portions de la troisième couche primaire 100a surmontant la première couche primaire 200a. Cela permet de mettre à jour la face supérieure 201a de la première couche primaire 200a. Ce retrait permet également de singulariser la troisième couche primaire 100a en plots 100.
Ce retrait peut être effectué par amincissement, par exemple par CMP, de la première couche primaire 200a de la troisième couche primaire 100a. Un procédé de CMP peut en effet permettre d’amincir la première couche primaire 200a sélectivement à la troisième couche primaire 100a, moyennant un choix judicieux de la slurry (terme anglais signifiant « boue ») de CMP et du tampon (couramment désigné par le terme anglais de « pad ») de CMP.
Selon un autre exemple, ce retrait est effectué, par exemple par gravure humide, au travers d’un masque présentant des ouvertures surplombant la première couche primaire 200a (non représenté sur les figures).
Comme illustré à la , une deuxième couche primaire 300a est ensuite formée sur les plots 100 et la première couche primaire 200A. La deuxième couche primaire 300a est de préférence au contact du sommet 101 des plots 100 et de la face supérieure 201A de la première couche primaire 200A.
Des tranchées 400 sont ensuite formées dans la deuxième couche primaire 300a et la première couche primaire 200a ( ). Les tranchées 400 traversent la deuxième couche primaire 300a sur toute son épaisseur. Elles traversent de préférence également la première couche primaire 200a sur toute son épaisseur.
La formation des tranchées 400 permet de diviser la première couche primaire 200a en une pluralité de premières couches 200 et la deuxième couche primaire 300a en une pluralité de deuxième couches 300. Plus exactement, la première sous-couche primaire 310a est divisées en une pluralité de premières sous-couches 310 des deuxièmes couches 300, et la deuxième sous-couche primaire 320a est divisées en une pluralité de deuxièmes sous-couches 320 des deuxièmes couches 300.
On obtient ainsi l’empilement 1 comprenant le substrat 10 surmonté par les structures 1000, chaque structure 1000 comprenant un plot, une première couche 200 et une deuxième couche 300 ( ).
Comme décrit dans le cadre du premier mode de réalisation, les tranchées 400 peuvent être formées au travers d’ouvertures 65 d’un deuxième masque de gravure 60 déposé sur la deuxième couche primaire 300a (figures 4E et 4F). Ce deuxième masque de gravure 60 est avantageusement retiré après la formation des tranchées 400.
Dans le cadre du troisième mode de réalisation, la deuxième couche 300 recouvre une partie du flanc 103. Préalablement à l’étape de retrait, la première couche 200 s’étend sur une portion seulement du flanc 103 du plot 100 et ne s’étend pas jusqu’au sommet 101 du plot 100.
Ainsi, pour une structure 100, la portion de retrait 500 est au moins formée par une partie de la deuxième couche 300. Selon un exemple avantageux illustré à la , la portion de retrait 500 s’étend uniquement dans la deuxième couche 300. Il est cependant également envisageable de retirer une partie de la première couche 200 pour former la protrusion.