INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
En particulier, lorsque le périphérique est un circuit de chiffrement-déchiffrement de type « AES-CCM », le périphérique requiert de recevoir le préfixe et les données de l’en-tête dans un format donné. Ce format est généralement différent de celui utilisé pour stocker ce préfixe et ces données d’en-tête dans la mémoire.
Plus particulièrement, le circuit de chiffrement-déchiffrement peut requérir de concaténer le préfixe avec les données de l’en-tête, alors que la mémoire peut être configurée pour stocker le préfixe et les données de l’en-tête séparément.
Le reste du procédé de préparation et des paramètres sont les mêmes que ceux de l'exemple 5.
Cet exemple comparatif diffère de l'exemple 5 en ce que le matériau de cathode à double revêtement ne présente pas de couche de revêtement de carbone, ce qui signifie que seule l'étape (1) est effectuée mais pas l’étape (2), et le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 98,9 %.
Cet exemple comparatif diffère de l'exemple 5 en ce que le matériau de cathode à double revêtement est du phosphate de lithium-manganèse-fer sans revêtement, ce qui signifie que l’étape (2) n'est pas effectuée et qu'aucun oxyde de bore n'est ajouté à l'étape (1).
Cet exemple comparatif diffère de l'exemple 5 en ce que le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer est d'abord revêtu de carbone, puis de bore.
Afin de vérifier les performances des matériaux de cathode à double revêtement préparés dans la présente demande, les matériaux de cathode à double revêtement fournis par les exemples 1 à 11 et les exemples comparatifs 1 à 4, l'agent conducteur de noir d'acétylène et le liant de fluorure de polyvinylidène (PVDF) ont été mélangés selon un rapport massique de 8:1:1,une certaine quantité de solvant organique de N-méthylpyrrolidone (NMP) y a été rajoutée, puis ils ont été agités et appliqués en revêtement sur des feuilles d'aluminium pour préparer des feuilles de cathode ; l'anode utilisait une feuille de lithium ; le séparateur était une membrane poreuse de polypropylène Celgard 2400 ; pour la solution électrolytique, le solvant était une solution constituée de EC, DMC et EMC selon un rapport massique de 1:1:1, et le soluté était LiPF6, et la concentration de LiPF6 était de 1,0 mol/L ; des piles bouton 2023 ont été assemblées dans une boîte à gants.
Le test de performance de cycle de charge-décharge a été effectué sur les piles décrites ci-dessus, et la capacité de décharge spécifique à 0,2 C et 1 C a été testée avec une tension de coupure de 2,2 à 4,3 V.
Les résultats du test sont présentés dans le tableau 1.
Capacité de décharge spécifique initiale à 0,1 C (mAh/g) Capacité de décharge spécifique initiale à 1 C (mAh/g) Exemple 1 156,3 147,4 Exemple 2 156,2 146,8 Exemple 3 157,1 149,5 Exemple 4 155,2 146,5 Exemple 5 152,8 141,3 Exemple 6 157,4 146,9 Exemple 7 156,1 147,5 Exemple 8 157,4 144,3 Exemple 9 145,4 135,7 Exemple 10 155,8 143,6 Exemple 11 150,2 143,1 Exemple comparatif 1 125,8 111,5 Exemple comparatif 2 156,0 129,4 Exemple comparatif 3 82,3 60,5 Exemple comparatif 4 141,6 134,1
Analyse : Comme le montrent les résultats de données des exemples 1 à 7, le matériau de cathode préparé au moyen du procédé fourni par la présente demande présente une meilleure capacité en grammes et une meilleure capacité de vitesse, la raison en étant qu'une couche de revêtement de carbone uniforme est obtenue en pré-appliquant en revêtement de l'acide de Lewis dans la présente solution, et ainsi une excellente capacité de vitesse peut être obtenue lorsque la fraction massique de la couche de revêtement de carbone est inférieure.
Selon l’invention, le procédé est sans solvant en ce qu’il ne met pas en œuvre de solvant organique ou aqueux, nécessitant une étape de séchage. En l’absence de solvant, les problèmes liés à la réactivité entre l’électrolyte solide sulfure et les résidus de solvant peuvent être évités.
Le terme « électrolyte solide sulfure » désigne les électrolytes solides à base de soufre typiquement utilisés pour des batteries tout solide.
A titre illustratif, ledit électrolyte sulfure peut être notamment choisi parmi : l'ensemble des phases [(Li 2 S) y (Li 2 O) t (P 2 S 5 ) 1-y-t ] (1-z) (LiX) z , avec X représentant un ou plusieurs éléments halogène ; 0≤y≤1; 0≤z≤1; 0≤t≤1 les composés ayant une structure argyrodite tels que Li 6 PS 5 X, avec X = Cl, Br, I, ou Li 7 P 3 S 11 ; les électrolytes sulfures ayant la structure cristallographique équivalente au composé Li 10 GeP 2 S 12 incluant par exemple des substitutions, dopages et/ou lacunes; Li 3 PS 4 .
De préférence, ledit électrolyte solide sulfure est un électrolyte de type Li 6 PS 5 X, avec X = Cl, Br, I.
Selon l’invention, l’atmosphère inerte désigne une atmosphère de gaz inerte vis-à-vis de l’électrolyte solide sulfure et vise par exemple une atmosphère d’azote (N 2 ) ou d’argon.
On entend par « élément électrochimique » une cellule électrochimique élémentaire constituée de l’assemblage électrode positive/couche d’électrolyte solide/électrode négative, permettant d’emmagasiner l’énergie électrique fournie par une réaction chimique et de la restituer sous forme de courant.
Les éléments chimiques selon l’invention peuvent être adaptés aux différentes technologies de batterie et types d’électrolytes.
L’élément électrochimique peut être de type tout solide, le terme « solide » fait référence à des éléments à électrolyte solide.
Le terme « fluoropolymère » tel qu’utilisé ici fait référence aux polymères fluorés dont le motif de répétition est un fluorocarbure, comprenant de multiples liaisons carbone-fluor. Parmi ces fluoropolymères, on peut notamment citer le polytétrafluoroéthylène (PTFE) et ses dérivés, notamment ses co-polymères tels que le chlorofluoroéthylène, le perfluoroalkoxy (PFA), le polychlorotrifluoroéthylène (PCTFE ou PTFCE), éthylène propylène fluoré (FEP), éthylène tétrafluoroéthylène ou poly(éthylène-co-tétrafluoroéthylène) (ETFE), tétrafluoroéthylène perfluoromethylvinyléther (MFA), plus particulièrement le PTFE. De préférence, lesdits fluoropolymères sont de type fibrillable.
On entend par « fibrillable » les types de fluoropolymères qui sont susceptibles de fibriller, c’est-à-dire qui peuvent former un réseau de fibres dans le mélange avec le pré-mélange, dans les conditions d’extrusion. Les types de fluoropolymères peuvent être de différentes formes et/ou grades.
On entend par « pré-mélange » une composition préliminaire préalablement préparée; en l’espèce le pré-mélange comprend le mélange de poudres de l’électrolyte solide sulfure et du fluoropolymère.
Le pré-mélange peut également comprendre en outre des ingrédients additionnels, tels que de la matière active, un élément conducteur, un co-liant notamment selon la nature et la destination de la formulation envisagée.
Ainsi, selon un mode de réalisation, la préparation du pré-mélange et/ou la fibrillation peut comprendre en outre l’ajout d’un co-liant.
On entend par «co-liant », un matériau permettant de conférer à l'électrode la cohésion des différents composants et sa tenue mécanique sur le collecteur de courant, et/ou de conférer une certaine flexibilité à l'électrode pour sa mise en œuvre en cellule. Plus particulièrement, le co-liant selon l’invention assure la cohésion entre les différents constituants. Le co-liant peut être amorphe ou semi-cristallin.
Selon un mode de réalisation, le co-liant est choisi parmi le polyuréthane thermoplastique (TPU), le poly(fluorure de vinylidène) (PVDF) ou ses copolymères, la cellulose et ses dérivés, poly(oxyéthylène) (POE), cellulose standard ou modifiée, le poly(styrène-butadiène-styrène) (SBS), le poly(styrène-éthylène-butadiène-styrène) (SEBS), les élastomères thermoplastiques (TPE), thermoplastiques vulcanisés (TPV), les polyamides, les copolyesters thermoplastiques (TPC), polystyrène-b-poly(éthylène-butylène)-b-polystyrène (SEBS), les copolymères de butadiène-acrylonitrile aussi appelés « caoutchoucs nitrile » (NBR), les copolymères de butadiène-acrylonitrile hydrogénés, aussi appelés « caoutchoucs nitrile hydrogénés » (HNBR), les élastomères, les thermoplastiques ou les terpolymères éthylène-acrylate.
Plus particulièrement, le co-liant est choisi parmi HNBR, POE, PVDF et ses copolymères, la cellulose et ses dérivés.
Selon une configuration préférentielle, les canaliseurs de flux 9 et 9’ sont des tôles magnétiques.
Il peut aussi être envisagé, comme représenté en , de positionner un aimant de biais 7 se trouvant dans le domaine de détection du premier interrupteur à lame souple 64, à savoir la première plage de détection 64’, ou dans le domaine de détection du deuxième interrupteur à lame souple 66, à savoir la deuxième plage de détection 66’. Autrement dit, l’aimant de biais 7 est positionné à proximité du premier interrupteur à lame souple 64 et/ou du deuxième interrupteur à lame souple 66. A titre d’exemple indicatif, l’aimant de biais 7 est aligné avec le premier interrupteur à lame souple 64 selon l’axe de rotation A1. La partie fixe 2 peut également comprendre plusieurs aimant de biais 7 disposés à proximité de chaque interrupteur à lame souple 64 et 66. En effet, l’aimant de biais 7 permet de générer un champ de biais qui diminue la sensibilité du premier interrupteur à lame souple 64 et/ou du deuxième interrupteur à lame souple 66. Dès lors, une détection de la part du premier interrupteur à lame souple 64 et du deuxième interrupteur à lame souple 66 nécessite un champ magnétique plus fort par rapport au champ magnétique de biais généré par l’aimant de biais 7, ce qui présente l’avantage de diminuer le risque de perturbations par des champs extérieurs.
La représente un graphique de l’état d’activation respectif du premier interrupteur à lame souple 64 et du deuxième interrupteur à lame souple 66 ainsi qu’un graphe représentant la position angulaire de la partie rotative 4 selon les deux états d’activation du premier et du deuxième interrupteur à lame souple 64 et 66.
Pour chacun des graphes l’abscisse représente la position angulaire de la partie rotative 4 selon le sens de rotation de la partie rotative 4 et l’ordonnée représente l’état d’activation du composant.
Deux états d’activation sont considérés : un état bas qui correspond à l’état ouvert de chaque interrupteur à lame souple et un état haut qui correspond à l’état fermé de chaque interrupteur à lame souple. Dès lors, lorsque le champ magnétique généré par l’aimant 62 entre en contact avec le premier interrupteur à lame souple 64, le premier interrupteur à lame souple 64 bascule de l’état bas ou ouvert à l’état haut, ou fermé, comme représenté en .
Et, de manière similaire, lorsque le champ magnétique généré par l’aimant 62 entre en contact avec le deuxième interrupteur à lame souple 66, le deuxième interrupteur à lame souple 66 bascule de l’état bas ou ouvert à l’état haut, ou fermé avec un retard par rapport au premier interrupteur à lame souple 64 dû à la position angulaire décalée de l’angle prédéfinie par rapport à la position angulaire du premier interrupteur à lame souple 64.
En outre, comme mentionné précédemment, il existe un retard entre le moment où le premier interrupteur à lame souple 64 est balayé par le flux magnétique et la bascule de l’état ouvert à l’état fermé du premier interrupteur à lame souple 64 nommé hystérésis magnétique. Dès lors, il est possible de dissocier une position angulaire électrique P1 d’une position angulaire mécanique P2. La position angulaire électrique P1 représente alors la position angulaire de la partie rotative 4 à laquelle le premier interrupteur à lame souple 64 est fermé. A titre d’exemple indicatif, la position angulaire électrique P1 peut être considérée comme la position centrée par rapport à la période pendant laquelle le premier interrupteur à lame souple 64 est dans l’état haut ou fermé, comme représenté en .
La position angulaire mécanique P2 représente alors la position angulaire de la partie rotative 4 pour laquelle le flux magnétique impacte le premier interrupteur à lame souple 64. Ainsi, en connaissant le délai lié à l’hystérésis magnétique, la position angulaire mécanique P2 de la partie rotative 4 peut être déterminée par rapport à la position angulaire électrique P1. La position angulaire mécanique P2 est alors en amont de la position angulaire électrique P1 selon le sens de rotation de la partie rotative 4.
De manière similaire, il est possible de détecter une position angulaire électrique P3 de la partie rotative 4 et une position angulaire mécanique P4 de la partie rotative par rapport au deuxième interrupteur à lame souple 66. La position angulaire électrique P3 représente alors la position angulaire de la partie rotative 4 à laquelle le deuxième interrupteur à lame souple 66 est fermé. A titre d’exemple indicatif, la position angulaire électrique P3 peut être considérée comme la position centrée par rapport à la période pendant laquelle le deuxième interrupteur à lame souple 66 est dans l’état haut ou fermé.
La position angulaire mécanique P4 représente alors la position angulaire de la partie rotative 4 pour laquelle le flux magnétique impacte le deuxième interrupteur à lame souple 66. Ainsi, en connaissant le délai lié à l’hystérésis magnétique, la position angulaire mécanique P4 de la partie rotative 4 peut être déterminée par rapport à la position angulaire électrique P3. La position angulaire mécanique P4 est alors en amont de la position angulaire électrique P3 selon le sens de rotation de la partie rotative 4.
En outre, il est possible de vérifier la distance angulaire entre le premier interrupteur à lame souple 64 et le deuxième interrupteur à lame souple 66 puisque la position angulaire électrique P1 doit alors être distante de la position angulaire électrique P3 d’un angle 2α et la position angulaire mécanique P2 doit également être distante de la position angulaire mécanique P4 de l’angle 2α.
Dès lors, il est possible de détecter la position angulaire de la partie rotative 4 à partir de la position angulaire électrique P1 mesurée à partir du premier interrupteur à lame souple 64 et de la position angulaire électrique P3 mesurée à partir du deuxième interrupteur à lame souple 66. A titre d’exemple indicatif, la position angulaire électrique P5 de la partie rotative 4 détectée à partir de la position angulaire électrique P1 et de la position angulaire électrique P3 est une position centrée entre la position angulaire électrique P1 du premier interrupteur à lame souple 64 et la position angulaire électrique P3 du deuxième interrupteur à lame souple 66, à équidistance de la position angulaire électrique P1 et de la position angulaire électrique P3. Cette détection à partir de la position angulaire électrique P1 et de la position angulaire électrique P3 peut être jugée comme acceptable bien qu’étant soumise à l’imprécision due à hystérésis magnétique.
En variante, la détection de la position angulaire mécanique P6 de la partie rotative 4 se fait à partir de la position angulaire mécanique P2 mesurée à partir du premier interrupteur à lame souple 64 et de la position angulaire mécanique P4 mesurée à partir du deuxième interrupteur à lame souple 66. A titre d’exemple indicatif, la position angulaire de la partie rotative 4 détectée à partir de la position angulaire mécanique P2 et de la position angulaire mécanique P4 est une position centrée entre la position angulaire mécanique P2 du premier interrupteur à lame souple 64 et la position angulaire mécanique P4 du deuxième interrupteur à lame souple 66, à équidistance de la position angulaire mécanique P2 et de la position angulaire mécanique P4.
Le dispositif de détection de position angulaire selon l’invention présente l’avantage de pouvoir émettre une impulsion ou un créneau qui indique la position de la partie rotative piloté par un signal de commande tout en étant robuste par rapport aux perturbations mécaniques lors de la détection. Le dispositif de détection de position angulaire selon l’invention comprend également une conception simple puisque constitué du minimum de composants électroniques passifs, permettant ainsi de minimiser la nécessité d’une électronique avancée de traitement couteuse et est compatible avec les exigences de qualité des normes européennes actuelles pour des systèmes destinés à des activités spatiales.
Le détecteur de position angulaire selon l’invention est basé sur l’utilisation d’une paire d’interrupteurs à lame souple connectés en série. La connexion en série permet d’isoler le recouvrement des zones de détection de chacun des interrupteurs à lame souple pour obtenir une zone réduite de détection.
Procédé de caractérisation de cible pour un dispositif de détection du type radar ou sonar multi-panneaux à balayage électronique L’invention se rapporte à un procédé de caractérisation de cible pour un dispositif de détection du type radar ou sonar multi-panneaux à balayage électronique. Elle est applicable à tout ensemble de réseaux d’antennes (chaque ensemble formant un « panneau ») dotés de la capacité de déphaser le signal appliqué à chacune des antennes ou chacun des sous-groupes d’antennes constituant le réseau, dans le but de modifier le diagramme d’antenne (« dépointage électronique »). Les systèmes concernés par l’invention sont notamment des radars et sonars comprenant des panneaux à commande de phase.
Selon un mode de réalisation préféré, la photodiode 200 est une photodiode de type SPAD.
La photodiode 200 présente une face supérieure 200A (première face) et une face inférieure 200B (deuxième face) opposée à la face supérieure, de préférence sensiblement parallèle à la face supérieure.
La photodiode 200 comporte une première région 211 semiconductrice épitaxiée d’un premier type de conductivité (dans l’exemple, de type N) et une deuxième région 212 semiconductrice d’un deuxième type de conductivité (dans l’exemple, de type P). La deuxième région 212 entoure, au moins partiellement, la première région 211, et comprend des surfaces en contact avec des surfaces de la première région 211. Par exemple, la première région 211 est comprise dans la deuxième région 212.
Ainsi, la photodiode 200 se distingue de la photodiode 100 principalement en ce que la première région 211 épitaxiée est de type N, au lieu d’être de type P.
La photodiode 200 comporte une région semiconductrice supérieure 213 (troisième région) affleurant au niveau de la face supérieure 200A de la photodiode 200. La troisième région 213 est une région épitaxiée de type N.
Par exemple, les première et troisième régions sont épitaxiées et dopées dans des conditions similaires, par exemple elles correspondent à des régions d’une même couche formée par croissance épitaxiale. Par exemple, la troisième région 213 peut correspondre à une portion supérieure (ou troisième portion) de la couche formée par croissance épitaxiale.
La photodiode 200 comprend en outre une quatrième région 214 semiconductrice fortement dopée de type N, de préférence plus fortement dopée que la première région 211, et affleurant la face supérieure 200A de la photodiode 200, et une cinquième région 215 semiconductrice fortement dopée de type P, de préférence plus fortement dopée que la deuxième région 212, sous, et en contact avec, la quatrième région 214.
Par exemple, la quatrième région 214 présente une forme cylindrique. En d’autres termes, la quatrième région 114 peut présenter, en vue de dessus, une forme ronde ou ovale. Similairement, la cinquième région 215 peut présenter une forme cylindrique. En variante, la quatrième région et/ou la cinquième région peut avoir d’autres formes, par exemple, en vue de dessus, une forme de quadrilatère ou de quadrilatère dont les angles sont arrondis, ou une forme sensiblement hémisphérique, ou peut comprendre une portion de forme sensiblement hémisphérique, comme représenté par exemple en décrite plus après.
La liaison entre la quatrième région et la cinquième région fournit une jonction PN supérieure 230, ou jonction PN principale. Pour un fonctionnement de photodiode SPAD, la jonction PN peut être polarisée en inverse au-delà de la tension de claquage, de sorte à former un champ électrique autour de la jonction PN suffisant pour qu'un porteur photogénéré atteignant la zone de multiplication, déclenche un phénomène d'avalanche.
La zone entourée en pointillés correspond sensiblement à une région de multiplication 231, c’est-à-dire une région où le champ électrique est suffisamment fort pour que le phénomène d'avalanche ait une forte probabilité de se produire.
Comme représenté en , une région d’anneau de garde 217 peut entourer la quatrième région 214. La région d’anneau de garde 217 est une région semiconductrice de type N, plus faiblement dopée que la quatrième région 214. La région d’anneau de garde 217 permet notamment d'éviter un déclenchement prématuré de la photodiode en périphérie de la jonction PN principale, et de réduire la probabilité de porteurs minoritaires provenant de la périphérie de la jonction. Par exemple, la région d’anneau de garde 217 présente une forme d'anneau rond ou ovale, une forme de cadre carré ou de cadre carré dont les angles sont arrondis.
La photodiode 200 comprend également une sixième région 216 semiconductrice fortement dopée de type P, de préférence plus fortement dopée que la deuxième région 212, affleurant la face supérieure 200A de la photodiode 200, et localisée latéralement autour et à distance de la région d’anneau de garde 217. Cette sixième région peut être une région de reprise de contact. Par exemple, la sixième région 216 présente, en vue de dessus, la forme d'un anneau rond ou ovale, la forme d'un cadre carré ou d'un cadre carré dont les angles sont arrondis, ou plus largement la forme d’un quadrilatère ou d’un quadrilatère dont les angles sont arrondis.
La quatrième région 214, la cinquième région 215, la sixième région 216 et la région d’anneau de garde 217 sont de préférence formées par implantation ionique, par exemple au moins partiellement dans la troisième région 213.
Les régions semiconductrices 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217 sont par exemple en silicium.
Les régions semiconductrices sont situées dans un caisson 210 délimité par une tranchée isolante profonde 220 (DTI, de l'anglais "Deep Trench Insolation"). Par exemple, la tranchée 220 entoure le caisson 210. Par exemple, la tranchée 220 présente, en vue de dessus, la forme d'un anneau rond ou ovale, la forme d'un cadre carré ou d'un cadre carré dont les angles sont arrondis, ou plus largement la forme d’un quadrilatère ou d’un quadrilatère dont les angles sont arrondis. En variante, la tranchée 220 présente une forme quelconque fermée.
Par exemple, la tranchée peut être remplie d’un élément conducteur ou semiconducteur, tel que du métal ou du polysilicium, isolé du reste de la photodiode par une couche d’isolant. La tranchée 220 peut ainsi former une isolation par tranchée profonde capacitive (en anglais "capacitive deep trench isolation", CDTI).
Quelle que soit la variante, le dispositif 5 d’échange thermique peut comporter au moins un élément 15A, 15B dissipateur thermique formé sur la paroi 7A qui canalise le flux d’air afin d’augmenter la surface d’échange thermique entre ladite paroi 7A et le flux d’air. Dans l’exemple illustré à la , deux types différents d’éléments 15A, 15B dissipateurs thermiques sont utilisés. Ainsi, des éléments 15A dissipateurs thermiques d’un premier type en forme de plots tronconiques s’étendent verticalement à partir d’un fond 16B formé sur la paroi 7A qui canalise le flux d’air et sont distribués entre deux rebords 16A, 16C verticaux de sorte à former un canal 16 de passage du flux d’air autour des éléments 15A dissipateurs thermiques entre une entrée E et une sortie S1.