INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Parmi celles-ci, on peut notamment citer, que lors de l’oxydation, des températures supérieures à 600°C sont susceptibles d’être atteintes, pouvant mener à l’agglomération et au frittage d’une partie de la matière, empêchant l’obtention d’une phase oxydée homogène.
Lorsque les températures en cours d’oxydation sont supérieures à 600-900°C, on observe la formation d’un oxyde mixte TRFeO 3 (TR = terres rares). Cet oxyde est plus réfractaire que les oxydes de terres rares et nécessite des conditions d’attaque plus sévères, engendrant une perte de rendement ou bien une perte de sélectivité lors de la dissolution. L’oxydation non contrôlée de la poudre d’aimants se traduit par des températures pouvant dépasser les 1000 °C, favorisant ainsi la formation des oxydes mixtes.
Par ailleurs, lors de l’oxydation hydrothermale, la cinétique d’oxydation dépend principalement de la pression totale des gaz au sein de l’enceinte de traitement (typiquement un autoclave). Typiquement, afin d’atteindre une cinétique acceptable pour la mise en œuvre d’un procédé à l’échelle industrielle, des pressions de l’ordre de 40 à 200 bars doivent être appliquées, complexifiant en conséquence l’installation de recyclage proprement dite
Il résulte des procédés mis en œuvre à ce jour une réelle difficulté née de l’exothermicité de la réaction d’oxydation, qui n’est pas contrôlée, et qui est susceptible d’engendrer des problématiques sérieuses lors de la mise en œuvre industrielle.
Dispositif semi-conducteur comprenant un empilement capacitif et un pilier et son procédé de fabrication La présente invention concerne le domaine de l'intégration de composants microélectroniques, plus particulièrement, pour les produits électroniques, les produits semi-conducteurs apparentés, et leurs procédés de fabrication. L’invention trouvera son application plus particulièrement dans le domaine des composants de stockage capacitifs, en particulier les super capacités solides intégrés.
ETAT DE LA TECHNIQUE Les condensateurs sont des éléments importants des circuits intégrés (IC) et des dispositifs semi-conducteurs, par exemple pour être utilisés comme cellules de stockage d'informations dans les dispositifs de mémoire, ou d'énergie. Ils sont présents dans de nombreuses fonctions électroniques, telles que le traitement de signaux analogiques et les convertisseurs d’énergie. Qu’ils soient intégrés sur la puce Silicium ou à l’extérieur par des composants discrets, ils contribuent de façon non négligeable à la taille du système. Comme la densité de capacité disponible sur des technologies silicium est limitée à quelques nF/mm2, les circuits électroniques utilisent souvent des composants externes à la puce pour implémenter les besoins de capacité dans la puce.
Les condensateurs sur puce Silicium peuvent avoir différentes architectures. Par exemple, les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal), largement utilisées dans les circuits intégrés, comprennent deux plaques métalliques avec un isolant entre les plaques. Actuellement, les condensateurs MIM sont normalement fabriqués dans le niveau de fin de ligne d’interconnexions, généralement dénommée en anglais « back-end-of-line » (BEOL). L'espace pour l’intégration des condensateurs notamment est souvent limité et superposé à la surface du circuit pour limiter l’empreinte supplémentaire de ces capacités. Étant donné que la capacité d'un condensateur est linéairement proportionnelle à la surface du condensateur, le manque d'espace d'implantation au niveau de la BEOL limite le nombre de condensateurs MIM classiques placés à cet endroit, ce qui entraîne une densité de puissance insuffisante lorsque les condensateurs sont utilisés comme dispositifs de stockage d'énergie.
Dans la recherche de solutions de stockage d'énergie intégrées sur puce à hautes performances, l'augmentation de la surface spécifique de la structure capacitive en utilisant une architecture tridimensionnelle (3D) s'est avérée être une excellente approche qui augmente significativement la densité de capacité tout en permettant la réduction de la surface de puce. L’intérêt technologique des capacités 3D réside dans le fait que les capacités sont empilables et comportent une surface développée dans le plan (x ;y) du substrat, mais également sur la hauteur/épaisseur z, permettant un gain de place important et une surface développée de la capacité plus grande qu’une capacité planaire.
Dans la poursuite de la loi de Moore, les processeurs actuels deviennent de plus en plus rapides et de plus en plus gourmands en énergie. Par exemple, avec l'avènement de la technologie 5G et de l'intégration en trois dimensions pour les processeurs d'intelligence artificielle et d'apprentissage automatique, la densité de puissance reste un défi majeur pour les condensateurs utilisés comme stockage d'énergie. Des défis similaires en termes de capacité existent lorsque les condensateurs sont utilisés comme dispositifs de stockage d'information.
On connait par exemple le document US 20210305358 A1 qui propose une nouvelle approche d’optimisation pour répondre aux spécifications des nouvelles applications de développement. Ce document divulgue de mettre à profit le niveau des interconnexions pour ajouter une fonctionnalité capacitive. Des interconnexions sont souvent perpendiculaires à la surface silicium utile et représentent effectivement une place non négligeable. Ce document propose d’utiliser la surface d’interconnexion comme l’une des électrodes de la capacité. À l’image d’un coaxial, la deuxième électrode de la capacité se trouve enroulée autour des interconnexions. Le bénéfice est donc de densifier la valeur de capacité par unité surfacique du Silicium utile (dans le plan horizontal) tout en bénéficiant de la réduction de coût, car certaines étapes de fabrication de la capacité peuvent être mutualisées avec la fabrication des interconnexions. Toutefois, cette solution présente des limitations et notamment le couplage électrique entre l’interconnexion et la première électrode de la capacité permettant certes d’améliorer son utilisation locale, en filtrage de stockage en lien avec le signal traversant les interconnexions, mais réduit les possibilités d’utilisation indépendante de la capacité et de l’interconnexion.
Il existe donc le besoin de proposer une solution d’intégration de capacité ionique solide permettant de répondre aux besoins nouveaux en densité de capacité élevée qui s’affranchit au moins en partie des limitations de l’état de la technique.
RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat comprenant au moins une cavité, et une structure tridimensionnelle formée dans le substrat comprenant : un condensateur tridimensionnel comprenant un empilement capacitif, l’empilement capacitif étant au moins partiellement logé dans l’au moins une cavité du substrat , un pilier s’étendant suivant l’épaisseur du substrat à partir de la face supérieure dudit substrat, Caractérisé en ce que la au moins une cavité s’étend suivant l’épaisseur du substrat à partir de la face supérieure dudit substrat, et le condensateur tridimensionnel est configuré pour délimiter, sur la face supérieure du substrat, un contour d’une portion inscrite, le pilier étant agencé dans la portion inscrite du substrat.
L’avantage du dispositif selon l’invention est de densifier la valeur de capacité par unité surfacique du Silicium utile (dans le plan horizontal) tout en bénéficiant de la réduction de coût, car certaines étapes de fabrication du condensateur tridimensionnel peuvent être mutualisées avec la fabrication du pilier tout en conservant les fonctionnalités indépendantes du condensateur et du pilier.
L’invention permet de bénéficier des surfaces autour des piliers pouvant jouer des rôles divers tels qu’électrique, thermique ou mécanique et en même temps s’affranchir des limitations des solutions proposées dans l’art antérieur.
L’absence de couplage électrique entre le condensateur tridimensionnel et le pilier tout en ayant des étapes de fabrication mutualisées permet de réduire les coûts de fabrication.
Le condensateur est dit tridimensionnel en ce qu’il présente une structuration tridimensionnelle permettant d’augmenter la surface développée sans augmenter la surface horizontale de silicium et par conséquent augmenter la capacité de stockage associé.
La représente une vue du dessus d’un dispositif semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de l’invention.
La représente une vue selon la coupe AA de la .
La représente une vue selon la coupe BB de la .
Si la couche hydrophile 3 possède une structure tridimensionnelle, comme par exemple du papier, le liquide L d’élution des particules P collectées va pénétrer l’intégralité de l’épaisseur de la couche hydrophile 3. Cette "capillarité en volume" est beaucoup plus efficace pour guider le liquide L dans tout le support. L’ensemble des particules P capturées est alors entrainé par le liquide L d’élution, augmentant le rendement d’élution. Le liquide portant les particules peut être récupéré dans un réceptacle dédié placé en aval.
Il se peut également que la couche 3 restante dispose d'une épaisseur trop élevée, venant ainsi limiter le rendement de collecte. Dans ce cas, de manière avantageuse, une étape de fabrication de la membrane M consiste à créer une ou plusieurs zones sur la membrane, par traitement de la couche hydrophile.
Etape E6 : La membrane M est obtenue avec par exemple plusieurs zones distinctes, ayant chacune une fonction différente. Certaines zones peuvent être obtenues par un traitement de surface particulier appliqué à la couche hydrophile.
Le traitement de surface peut consister en une gravure de la couche hydrophile 3 encore présente, par exemple par gravure laser, fraisage ou encore par création de zones à l'aide de barrières faites par exemple de paraffine. Les opérations de gravure peuvent être réalisées sur une épaisseur plus ou moins importante de l'épaisseur totale de la couche hydrophile, ceci afin de pouvoir définir différentes zones sur la membrane, avec des fonctions différentes.
Ces différentes zones obtenues sont par exemple représentées sur la : Une zone dite de collecte Z1 où la couche hydrophile 3 est avantageusement partiellement gravée ; Une zone dite de mouillage Z2 au niveau de laquelle la couche hydrophile 3 n'est pas gravée, ou gravée sur une épaisseur moindre que celle de la zone de collecte Z1 ; Une zone terminale Z5, par laquelle le liquide drainé quitte la membrane pour aller vers l'unité d'analyse U2. Sur cette zone Z5, la couche hydrophile 3 n'est avantageusement pas gravée.
De manière avantageuse, il est également possible de créer sur la membrane M : Une zone de reprise de contact Z3, dans laquelle la couche hydrophile 3 est retirée sur toute son épaisseur, de manière à créer un accès à la deuxième couche 4 située au-dessous ; Une ou plusieurs zones barrières Z4, agencées entre la zone de mouillage Z2 et la zone de reprise de contact Z3 pour guider le liquide d’élution L et empêcher celui-ci de migrer vers la zone de contact Z3 ;
Dans un mode de réalisation, le revêtement peut comprendre une couche d’alumine Al 2 O 3 et une couche de carbonitrure de titane TiCN, toutes deux déposées par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur.
Un dépôt chimique en phase vapeur permet d’assurer que le revêtement 13 recouvre l’intégralité du noyau 102 et cela quelle que soit sa géométrie.
Dans un mode de réalisation où la tige en matériau réfractaire 15 est creuse, l’étape S13 peut être réalisée en pendant le noyau 102 dans un four de dépôt chimique en phase vapeur au moyen d’un fil traversant la tige en matériau réfractaire 15.
Les paramètres spécifiques d’un dépôt chimique ou physique en phase vapeur permettant le dépôt d’un revêtement protecteur 13 sont connus de l’homme du métier. Il en est de même pour un procédé par électro-dépôt.
La décrit un procédé de fabrication d’une pièce creuse en matériau métallique par un procédé de fonderie à la cire perdue utilisant un noyau de fonderie tel que décrit plus haut.
Un tel procédé comprend une étape S21 de disposition d’un noyau de fonderie 101, 102 dans un moule de fonderie 16, de sorte que les protubérances 12 du noyau soient au contact du moule 16.
De préférence, et ainsi que cela est fréquemment réalisé dans les procédés classiques de fonderie à la cire perdue, le moule de fonderie 16 peut être obtenu via une carapace céramique formée autour d’un modèle en cire de la pièce, par exemple, par trempage du modèle de cire dans une barbotine suivi d’un traitement thermique.
Dans un mode de réalisation, les protubérances du noyau sont disposées dans des encastrements 22 du moule 16.
Le procédé comprend une étape S22 de coulage d’un matériau métallique fondu dans le moule comprenant le noyau 101, 102.
Au cours de cette étape, le métal fondu rempli la cavité de moulage 20 du moule 16, ou au moins sa partie utile 18.
La cavité de moulage 20 a la forme de la pièce à obtenir, et le métal fondu prend donc la forme souhaitée pour la pièce.
La présence du noyau de fonderie 101, 102 dans la cavité de moulage 20 empêche le métal fondu d’accéder à l’espace qu’il occupe et la pièce en matériau métallique se forme ainsi autour du noyau.
Au cours d’une étape ultérieure S23, le moule est décoché et le noyau retiré, au moyen de méthodes connues en tant que telles pour permettre d’obtenir finalement une pièce creuse en matériau métallique.
Dans un mode de réalisation, une fois l’alliage monocristallin coulé et refroidi, une partie des zones non utiles sont découpées ce qui permet de mettre à nu le noyau.
Ce dernier est alors exposé à un ou plusieurs bains chimiques et/ou un ou plusieurs traitement thermiques afin d’éliminer le noyau et les protubérances en matériau réfractaire.
Par exemple, le moule peut être détruit mécaniquement.
Ce dispositif de montage comprend, en outre, un organe de verrouillage 4 monté entre l’une des parois latérales, ici la paroi latérale intérieure 13, et le second élément de support, ici la cloison d’auvent 3.
Selon un mode de réalisation spécifique du dispositif de montage de l’invention et comme illustré par les figures 3 et 4, le premier élément de support 2 comporte une plaque longitudinale 21 légèrement cintrée et pourvue d’un orifice 20 pour l’encliquetage du pion 141 de l’élément de fixation 14 du déflecteur 1. Le second élément de support 3 comporte une plaque transversale 31 d’appui du créneau 15a et de coincement de la dent 15b de l’élément de calage15 du déflecteur 1.
Le montage du déflecteur est effectué comme illustré par la en le positionnant au préalable sur le côté intérieur de la grille 5 puis en le déplaçant latéralement pour le positionner autour de cette grille (dans le sens de la flèche). Conjointement, l’opérateur engage la plaque 21 entre les languettes principale 14a et secondaire 14b de la patte 14 de l’élément de fixation. La rampe 140 assure ensuite le guidage du pion 141 et son encliquetage dans l’orifice 20 tandis que la nervure 15 de l’élément de calage vient se positionner de façon à faire reposer le créneau 15a sur la plaque 31. Un léger appui sur le corps du déflecteur 1 permet à la dent 15b de se coincer sur la tranche de la plaque 31.
La nervure 15 assure ainsi l’interfaçage avec l’élément de support 3 pour assurer un positionnement correct et, en particulier, l’alignement coaxial des orifices respectifs de l’élément de support 3 et de la paroi latérale 13 en vue de la pose de l’organe de verrouillage 4 en fin de montage du déflecteur sur la structure ( ). Cet organe de verrouillage 4 rapporté permet de solidariser l’ensemble de façon éventuellement réversible.
Le déflecteur d’eau 1 n’est ainsi maintenu et calé sur la structure du véhicule que par deux éléments 14, 15 assurant, respectivement, un encliquetage sur l’organe de support 2 de l’essuie-vitre et un positionnement par coincement sur la cloison de l’auvent 3 ce qui permet de réduire les coûts de montage en limitant le nombre d’opération en ligne.
Dispositif de retenue d’un ouvrant coulissant La présente invention concerne le domaine des ouvrants coulissants pour véhicules automobiles, et plus particulièrement le domaine des systèmes de retenue de tels ouvrants coulissants.
Les ouvrants coulissants des véhicules sont soumis à des règlementations relatives à leur résistance aux efforts, un non-respect des prescriptions de ces règlementations empêchant une homologation des véhicules.
En particulier, la règlementation UNR11 impose aux ouvrants coulissants de résister à un effort de poussée réparti en deux points d’application de 900 daN, soit un effort de poussée d’une valeur cumulée de 1800 daN. Un tel effort de poussée est ici appliqué perpendiculairement à un plan dans lequel s’étend principalement l’ouvrant coulissant, cet effort de poussée étant exercé depuis un intérieur du véhicule.
Afin de répondre à cette règlementation, les ouvrants coulissants doivent être robustement liés aux caisses des véhicules qu’ils équipent, notamment lorsqu’ils sont dans un état fermé. Des éléments de rétention peuvent assurer une telle liaison, évitant ainsi à l’ouvrant coulissant d’être excessivement déformé voire même désolidarisé de la caisse du véhicule.
Pour certains types d’ouvrants coulissants, et plus spécifiquement pour les ouvrants coulissants présentant une cinématique de déplacement uniquement selon une direction parallèle à une direction principale d’allongement du véhicule, cette cinématique particulière empêche l’installation d’éléments de rétention fixes et solides qui risqueraient d’entraver le déplacement de l’ouvrant coulissant.
La présente invention vise à pallier cet inconvénient en proposant un dispositif de retenue qui permette de répondre aux prescriptions de la règlementation UNR11 sans pour autant entraver la cinématique de l’ouvrant coulissant.
La présente invention a ainsi pour principal objet un véhicule automobile comprenant un pied reliant un plancher à un pavillon du véhicule, un ouvrant coulissant et un dispositif de retenue de l’ouvrant coulissant selon une direction sensiblement perpendiculaire à un plan dans lequel s’étend principalement l’ouvrant coulissant, l’ouvrant coulissant présentant un dégagement au moins en partie délimité par une face de rétention de l’ouvrant coulissant, le dispositif de retenue étant solidaire du pied et comprenant un levier articulé, le dispositif de retenue étant configuré pour prendre une première position dans laquelle le levier articulé est au droit de la face de rétention et une deuxième position dans laquelle le levier articulé est au moins partiellement escamoté dans le pied.
Le véhicule automobile selon l’invention comprend une caisse dont un plancher et un pavillon sont reliés par un pied, par exemple un pied milieu du véhicule. Le véhicule comprend par ailleurs un ouvrant coulissant le long de la caisse, cet ouvrant coulissant pouvant alternativement être dans un état ouvert ou dans un état fermé. Le véhicule est équipé d’un dispositif de retenue qui relie l’ouvrant coulissant au pied, ce dispositif de retenue ayant pour rôle de retenir l’ouvrant coulissant lorsque des efforts de poussée sont exercés perpendiculairement à celui-ci. Le dispositif de retenue permet notamment d’empêcher une déformation de l’ouvrant coulissant au-delà des recommandations prescrites par la règlementation UNR11 sous l’exercice de tels efforts de poussée, et a fortiori d’empêcher sa désolidarisation de la caisse du véhicule.
Le dispositif de retenue est mobile entre une première position et une deuxième position, qui correspondent respectivement à un état fermé de l’ouvrant coulissant et à un état ouvert de celui-ci. Dans la première position, le levier articulé du dispositif de retenue est déplié de sorte à être au droit de la face articulée. C’est dans cette première position que la retenue de l’ouvrant coulissant s’effectue en cas d’exercice d’efforts de poussée perpendiculaires. Inversement, dans la deuxième position le levier articulé est au moins partiellement replié de sorte à être au moins partiellement escamoté dans le pied. On considère ici que le levier articulé est escamoté, au moins partiellement, dès lors qu’il n’est plus sensiblement perpendiculaire au plan dans lequel s’étend principalement l’ouvrant coulissant. Le pied présente, afin de faciliter le repliement du levier articulé, un logement au sein duquel il peut s’escamoter. Le caractère escamotable du dispositif de retenue répond à des problématiques de compacité, et permet par ailleurs un déplacement de l’ouvrant coulissant sans entrave. Le dispositif de retenue est solidaire du pied plutôt que de l’ouvrant coulissant de sorte à ne déstructurer cet ouvrant en occupant une saignée de celui-ci.
Selon une caractéristique de l’invention, dans la deuxième position le levier articulé est décalé par rapport à la face de rétention.
Celle-ci implique l’utilisation de deux réactifs : le réactif de Lowry qui consiste en un mélange de 100 µl de solution de tartrate double de potassium et sodium à 2% (m/v), 100 µl de solution de sulfate de cuivre à 1% (m/v) et 10 ml de solution de carbonate de sodium à 2% (m/v) dans NaOH 0,1 M ; et le réactif de Folin, correspondant à une dilution au 1/20 du réactif au phénol de Folin-Ciocalteu dans l’eau ultrapure.
Dans une microplaque 96 puits (NUNC 96 A/S, Danemark), 25 µl de solution à doser sont ajoutés à 75 µl de réactif de Lowry avant incubation durant 20 min à température ambiante et dans l’obscurité. Puis 125 µl de réactif de Folin sont ajoutés au mélange réactionnel. Une seconde incubation de 30 min, à température ambiante et à l’obscurité, est appliquée avant mesure de l’absorbance à 750 nm au moyen d’un spectrophotomètre microplaque FLUOstar Omega (BMG LABTECH). Une gamme étalon d’albumine de sérum bovin (ASB) de 50 à 600 µg.ml-1 est réalisée simultanément dans les mêmes conditions.
- Méthode de Smith, à l’acide bicinchoninique (BCA) :
Dans une microplaque 96 puits (NUNC 96 A/S, Danemark), sont ajoutés 200 µl de réactif BCA (acide bicinchoninique/sulfate de cuivre à 4% (m/v) (50:1, v/v)), et 10 µl de solution à doser. Après incubation à 37°C dans une étuve durant 30 min, l’absorbance à 562 nm est mesurée en utilisant un spectrophotomètre microplaque FLUOstar Omega (BMG LABTECH). Une gamme-étalon d’ASB allant de 50 à 600 mg/l est réalisée simultanément dans les mêmes conditions.
- Méthode de Kjeldahl :
Cette méthode implique deux étapes successives, une première de minéralisation et une seconde de distillation. Pour la minéralisation, 1 g d’échantillon est ajouté dans un matra, avec 2 comprimés de catalyseur. Un matra contenant uniquement les comprimés est utilisé à blanc et un autre matra contenant une quantité connue d'urée ainsi que les 2 comprimés de catalyseur est utilisé comme témoin. 10 ml d'acide sulfurique 96% sont ajoutés dans le matra. La solution est ensuite chauffée durant 2 h à environ 400°C. Après la minéralisation, la distillation est effectuée durant 6 min après addition de 50 ml de NaOH 30% (m/v) et de 50 ml d'eau ultrapure. Le liquide est ensuite recueilli dans une solution d'acide borique (4% (m/v), pH 4,65) et titré avec de l’HCl 1 M.
Teneur en sucres totaux
Le dosage des sucres totaux est effectué par la méthode au mélange phénol/acide sulfurique introduite par Dubois (Dubois M, Gilles K, Hamilton JK, Rebers PA, Smith F. A Colorimetric Method for the Determination of Sugars. Nature. 1951 Jul;168(4265):167–167). Dans des vials en verre, 40 µl de la solution à doser sont ajoutés à 40 µl de phénol 5% (m/v) et à 200 µl d’acide sulfurique 96%. Le mélange réactionnel est incubé durant 30 min, à 90°C et dans l’obscurité. Les échantillons sont par la suite refroidis dans la glace. L’absorbance est ensuite mesurée à 485 nm dans une microplaque 96 puits, au moyen d’un spectrophotomètre microplaque FLUOstar Omega (BMG LABTECH). Une gamme-étalon de rhamnose, monomère représentatif, allant de 0,025 à 0,6 mg/ml, est réalisée simultanément dans les mêmes conditions.
Teneur en composés phénoliques totaux
Le dosage des composés phénoliques totaux est effectué en utilisant la méthode de Singleton et Rossi (Singleton VL, Rossi JA. Colorimetry of total phenolics with phosphomolybdic-phosphotungstic acid reagents. Am J Enol Vitic. 1965 Jan 1;16(3):144), avec quelques modifications.