INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les efforts centrifuges, les efforts des gaz, voire le montage en prétorsion des aubes, ont une influence d’autant plus importante sur les portions de la pièce se trouvant en porte-à-faux, ce qui peut générer des concentrations locales de contraintes. Par exemple, le becquet amont du talon est en porte-à-faux et génère une concentration locale de contraintes en bord d’attaque haut de pale sous l’effet de la force centrifuge. Ces contraintes locales peuvent conduire à des apparitions de criques en zone critique ou même une rupture par fluage en sommet de pale du bord d’attaque vers le bord de fuite, le long du talon. Cette déformation géométrique due au fluage est observée au niveau du becquet amont du talon qui présente une déflection vers le haut. Une fois corrélée avec l’état de fluage dans la pale, c’est la mesure de la déflection du becquet qui permet d’établir un paramètre de contrôle de la pièce.
Les figures 6a à 6c montrent par exemple trois niveaux distincts de fluage du becquet 42 d’une plateforme externe 26, 36 d’une aube 12, 16. Dans la figure 6a, le becquet 42 n’a pas subi de fluage. Dans la figure 6b, le becquet 42 a commencé à se déformer par fluage en se déformant vers l’extérieur, c’est-à-dire du côté opposé à la pale 22. Dans la figure 6c, cette déformation est encore plus importante et l’aube risque de criquer voire de se rompre.
On constate dans ces figures 6a-6c que l’angle α que forme le becquet 42 avec le reste de la plateforme 26, 36, et en particulier avec un plan P passant par le reste de la plateforme 26, 36, varie et en particulier augmente avec le fluage.
L’angle α peut ainsi être un paramètre de contrôle au sens de l’invention.
Au lieu de l’angle α, une distance H entre le plan P et l’extrémité du becquet 42 pourrait être utilisé comme paramètre de contrôle ( ).
La montre l’évolution de l’angle α du becquet 42 en fonction du nombre de cycles de la turbomachine. Cette figure est un abaque tel que décrit dans ce qui précède. L’angle initial du becquet visible à la figure 6a est noté α0. Le seuil de conformité de cet angle est noté αs. Dans le cas où l’angle α1 du becquet est inférieur au seuil αs, l’aube peut continuer à être utilisée car le fluage de l’aube n’est pas encore trop important. Dans le cas où l’angle α2 du becquet est supérieur au seuil αs, l’aube doit être mise au rebut et remplacée car elle risque de fissurer à tout instant.
Selon un mode de réalisation de l’invention ( ), l’étape c) comprend les sous-étapes consistant à :
i) mesurer une valeur du ou de chaque paramètre, tel que l’angle α ou la distance H, directement sur l’aube, et
ii) comparer la ou chaque valeur mesurée audit seuil correspondant.
La sous étape de mesure i) peut être réalisée au moyen d’un outil approprié quelconque, tel qu’un rapporteur, un comparateur, une règle, une jauge, etc.
La sous étape de comparaison peut être faite par un ordinateur ou simplement par l’opérateur effectuant la mesure de la valeur. Cet opérateur n’aura pas de difficulté à déterminer si la valeur mesurée à la sous étape i) est inférieure ou supérieure à la valeur seuil.
Selon une variante de réalisation de l’invention ( ), l’étape c) comprend les sous-étapes consistant à :
j) monter au moins un gabarit 44 de contrôle directement sur l’aube, ce gabarit ayant une forme complémentaire d’une partie de l’aube comportant le paramètre à contrôler, et
jj) contrôler le positionnement du gabarit 44 sur la partie de l’aube et détecter la présence éventuelle d’un ou de jeu(x) J entre le gabarit et cette partie.
Dans un aspect selon l’invention, les fils textiles sont en coton, laine ou matière synthétique.
Dans un aspect selon l’invention, le dispositif comprend une face fonctionnelle vers laquelle de la chaleur produite par la structure chauffante et la lumière produite par la structure lumineuse peuvent être envoyées, cette face fonctionnelle étant configurée pour diffuser la chaleur et la lumière ainsi reçues vers l’extérieur du dispositif de chauffage et d’éclairage, en direction par exemple d’une zone d’un habitacle de véhicule.
Dans un aspect selon l’invention, la structure lumineuse présente au moins une région, notamment la totalité de la structure lumineuse, qui est placée entre la face fonctionnelle et la structure chauffante de sorte que de la lumière issue de cette structure lumineuse atteigne la face fonctionnelle sans traverser la couche résistive de la structure chauffante.
Ainsi, cet ordre dans la disposition de la structure chauffante et de la structure lumineuse par rapport à la face fonctionnelle permet d’éviter que la structure chauffante ne soit un obstacle à la lumière émise par la structure lumineuse. L’efficacité lumineuse peut être préservée de manière relativement simple.
Dans un aspect selon l’invention, la zone latérale d’émission lumineuse est orientée vers la face fonctionnelle.
Dans un aspect selon l’invention, les structures chauffante et lumineuse forment des couches empilées.
Dans un aspect selon l’invention, la couche résistive et/ou les électrodes de la structure chauffante sont portées par la structure lumineuse.
Ainsi les structures chauffante et lumineuse sont liées entre elles, la structure lumineuse servant de support à la structure chauffante. Les matériaux de la structure chauffante sont déposés sur par exemple sur une nappe textile de la structure lumineuse. Dans ce cas, la structure chauffante peut être dépourvue de substrat qui est propre, la structure lumineuse servant alors de substrat pour la couche résistive de la structure chauffante. L’invention peut ainsi permettre de réduire le nombre de composants nécessaires pour le dispositif de chauffage et d’éclairage. Les coûts de fabrication peuvent ainsi être diminués.
Dans un aspect selon l’invention, la structure lumineuse comprend une source de lumière, notamment sous la forme d’une ou plusieurs LED (diode électroluminescente).
Dans un aspect selon l’invention, la structure lumineuse comprend une nappe textile.
Dans un aspect selon l’invention, la nappe textile comprend des fils textiles et des fibres optiques entrelacés.
Dans un aspect selon l’invention, les électrodes et la couche résistive de la structure chauffante sont portées sur un substrat dédié, distinct de la structure lumineuse.
Dans un aspect selon l’invention, ce substrat est réalisé dans un matériau tissé ou non-tissé.
Dans un aspect selon l’invention, les électrodes et/ou la couche résistive sont déposées sur le substrat par impression, sérigraphie ou lamination de plusieurs matériaux.
Dans un autre aspect selon l’invention, en variante, les électrodes et la couche résistive de la structure chauffante sont formées sur une face latérale de la structure lumineuse, face latérale qui est opposée à la face fonctionnelle.
Le substrat 109 est ensuite découpé afin de singulariser les différents systèmes optiques 1000 réalisés.
Dans l’exemple de réalisation décrit ci-dessus, le substrat 109 comporte un matériau optiquement transparent afin qu’il puisse être traversé par le faisceau lumineux émis par l’élément 138 lors de la réalisation des structures de diffraction holographiques 108. En variante, il est possible d’utiliser un substrat 109 qui ne soit pas complètement transparent tel que celui représenté par exemple sur la qui comporte une couche de semi-conducteur non transparent 172, par exemple à base de silicium, sur laquelle est disposée une couche de matériau transparent 174, par exemple une couche d’oxyde enterré (par exemple à base de SiO 2 ). Des trous borgnes 176 sont réalisés à travers la couche 172 afin que les faisceaux lumineux émis par l’élément 138 lors de la réalisation des structures de diffraction holographiques 108 atteignent le matériau de la couche 106.
Un exemple de réalisation d’un système optique 1000 comprenant un dispositif de couplage optique 100 selon un troisième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec la .
Comme dans le deuxième mode de réalisation précédemment décrit, le dispositif de couplage optique 100 selon le troisième mode de réalisation propose un couplage entre les dispositifs de guidage optique 102 et 104 qui soit réalisé en quatre points : un premier point formé par l’entrée-sortie 114, un deuxième point formé par la première région 130 de la structure de diffraction 108, un troisième point formé par la deuxième région 132 de la structure de diffraction 108, et un quatrième point formé par l’entrée-sortie 122. Toutefois, contrairement au deuxième mode de réalisation dans lequel la structure de diffraction holographique 108 est réalisée dans une seule portion de matériau de la couche 106, chacune des régions 130, 132 de la structure de diffraction holographique 108 est réalisée dans une portion distincte de la couche 106, permettant une réalisation modulaire du système optique 1000, c’est-à-dire une réalisation de différentes parties du système optique 1000 indépendamment les unes des autres, puis l’assemblage de ces différentes parties.
Dans l’exemple de réalisation décrit, le système optique 1000 comporte une première partie 178 comprenant notamment le premier dispositif de guidage optique 102 et la première région 130 de la structure de diffraction holographique 108, et une deuxième partie 180 comprenant notamment le deuxième dispositif de guidage optique 104 et la deuxième région 132 de la structure de diffraction holographique 108.
La première partie 178 du système optique 1000 est par exemple réalisée en reportant le premier dispositif de guidage optique 102 sur un substrat transparent 182. Une couche de matériau 106.1, similaire à la couche 106 précédemment décrite, est ensuite déposée sur le substrat transparent 182 et le premier dispositif de guidage optique 102. Une couche de protection 126.1, similaire à la couche 126 précédemment décrite, est déposée sur la couche 106.1.
La première partie 178 du système optique 1000 est représentée seule sur la , pendant la réalisation de la première région 130 de la structure de diffraction holographique 108. La première région 130 selon ce troisième mode de réalisation est réalisée de manière analogue à la première région 130 précédemment décrite pour le deuxième mode de réalisation.
Parallèlement à la réalisation de la première partie 178 du système optique 1000, la deuxième partie 180 du système optique 1000 est réalisée. Comme dans l’exemple de réalisation précédemment décrit en lien avec le deuxième mode de réalisation, le deuxième dispositif de guidage optique 104 comporte par exemple au moins un guide optique 118 intégré à un substrat 109. Une gravure du substrat 109 est mise en œuvre pour former une cavité. Une couche de matériau 106.2, similaire à la couche 106 précédemment décrite, est ensuite déposée sur le substrat 109, et en particulier dans la cavité gravée dans le substrat 109. Une couche de protection 126.2, similaire à la couche 126 précédemment décrite, est déposée sur la couche 106.2.
La deuxième partie 180 du système optique 1000 est représentée seule sur la , pendant la réalisation de la deuxième région 132 de la structure de diffraction holographique 108. La deuxième région 132 selon ce troisième mode de réalisation est réalisée de manière analogue à la deuxième région 132 précédemment décrite pour le deuxième mode de réalisation. Le substrat 109 est donc, comme dans le deuxième mode de réalisation, au moins partiellement transparent ou comporte des trous borgnes 176 comme dans l’exemple précédemment décrit en lien avec la .
Au terme de ces étapes, les deux parties 178, 180 du système optique 1000 sont obtenues sous la forme de deux modules pouvant être couplés par un faisceau lumineux de référence identique. Ces deux modules sont assemblés via une étape d’alignement peu contrainte entre ces modules, et une solidarisation des deux modules l’une au-dessus de l’autre, par exemple par une couche de collage 184.
Un avantage que présente ce troisième mode de réalisation est que les deux parties 178, 180 du système optique 1000 peuvent être réalisées séparément, ce qui peut simplifier la réalisation de la structure de diffraction holographique 108, notamment la gestion des couplages des signaux lumineux utilisés pour la réalisation de la structure 108. Cela permet également d’éviter une double insolation du matériau holographique lorsque la structure de diffraction holographique 108 comporte deux régions distinctes formées dans la même couche 106 comme précédemment décrit dans le deuxième mode de réalisation.
Plusieurs systèmes optiques 1000 selon ce troisième mode de réalisation sont avantageusement réalisés collectivement en utilisant un premier substrat pour la réalisation des premières parties 178 et un deuxième substrat pour la réalisation des deuxièmes parties 180 de ces différents systèmes optiques 100. Lors de la réalisation des structures de diffraction holographique 108 des systèmes optiques 1000, chacun des premier et deuxième substrats 109, 182 est déplacé afin de positionner, pour la réalisation de la région de la structure de diffraction holographique 108 correspondante de chacun des systèmes optiques 1000, le matériau de la couche 106.1 ou 106.2 en regard des éléments d’émission lumineuse utilisés pour la réalisation des régions 130, 132 de la structure de diffraction holographique 108. Un ensemble de structures de diffraction holographiques 108 peuvent ainsi être réalisées, avec une bonne répétabilité de position de ces structures qui est garantie par le maintien en position des faisceaux lumineux d’écriture utilisés.
Au terme de ces étapes, les premier et deuxième substrats sont réunis par exemple grâce à l’usage de croix d’alignement ou d’un repère mécanique en bord de plaque, présentes sur les deux substrats 109, 182. L’assemblage final obtenu est ensuite découpé en puces pour obtenir les systèmes optiques 1000.
Dans les différents exemples précédemment décrit, la structure de diffraction holographique 108 est avantageusement réalisée dans du photopolymère qui est transformé par des faisceaux lumineux, ce qui permet la réalisation de la structure 108 par auto-enregistrement dans le photopolymère. En variante, il est toutefois possible de réaliser la structure de diffraction holographique 108 d’une autre manière, en utilisant par exemple un autre type de matériau tel que de l’halogénure d’argent ou du DCG (« DiChromated Gelatin » en anglais, ou gélatine bichromatée). Dans ce cas, l’enregistrement de la structure de diffraction se fera en utilisant des bains de développement successifs de ce matériau.
Dans tous les modes de réalisation, la ou les couches de matériau étanche à l’oxygène recouvrant la ou les portions de matériau incluant la structure de diffraction holographique peuvent être retirées après la réalisation de la structure de diffraction holographique.
Circuit de contrôle d’un microcontrôleur d’un système photovoltaïque sans batterie, dispositifs et procédé associés La présente invention concerne un circuit de contrôle d’un microcontrôleur d’un système photovoltaïque comprenant un module photovoltaïque. La présente invention se rapporte également à un ensemble comprenant un tel circuit de contrôle et un microcontrôleur et à un système photovoltaïque comprenant ces éléments. La présente invention concerne aussi un procédé de contrôle d’un microcontrôleur utilisant un tel circuit de contrôle.
Avantageusement, une intégration cohérente est effectuée sur les impulsions d’une même direction et d’une même fréquence d’émission. L’intégration est effectuée sur une période d’intégration définie par la relation suivante :
correspond au nombre d’impulsions sur lequel la transformée de Fourier est calculée.
Dans l’exemple de la figure 4, .
A l’issue d’une période d’intégration , on obtient ainsi un ensemble de cartes de détection de largeur spectrale , réparties sur 360°, construites quasi-simultanément, et séparées angulairement de .
A raison de cartes de détection indépendantes dans chaque direction de pointage, ces cartes de détection peuvent être combinées afin de caractériser les cibles dans le domaine de couverture.
Afin de combler les zones aveugles entre deux cartes de détection successives, le motif d’entrelacement, de durée , est répété, en appliquant, à chaque répétition, un décalage angulaire égal ou sensiblement égal à la largeur du lobe principal . On obtient ainsi, au terme du motif d’entrelacement complet de la figure 4, cartes de détection dans chaque direction, sans aucun trou d’observation, avec un balayage monotone en gisement, c’est-à-dire sans aucun retour en arrière.
Lors de la conception du mode Doppler, il est possible de jouer sur la durée des trous d’observation de largeur pour balayer l’intégralité du domaine gisement sur la seule durée , tout en respectant les consignes liées à la fréquence de répétition et .
Selon un autre mode de réalisation, illustré par la , le motif d’entrelacement comprend une émission séquentielle d’impulsions ayant différentes fréquence d’émission dans une même direction (Fe1 et Fe2 sur la , généralisable à plus de deux fréquences d’émission), puis un balayage de façon à émettre les impulsions ayant différentes fréquences d’émission dans une autre direction.
Ainsi, le mode de réalisation illustré par la prévoit de changer de direction de pointage une fois que toutes les impulsions sur fréquences d’émission ont été émises, alors que d’après le premier mode de réalisation, la fréquence d’émission change une fois que tous les pointages ont été effectués avec la même fréquence.
Dans le mode de réalisation illustré par la figure 5, deux impulsions successives de fréquences différentes sont espacées d’une période de répétition (difficilement visible sur la figure 5 car très petite), et les impulsions d’une même fréquence, dans une même direction définie par le lobe principal du panneau, sont espacées d’une période ambigüe . Les impulsions sont émises dans la même direction avec la même fréquence d’émission après balayage complet du domaine gisement.
Les modes de réalisation illustrés par les figures 3 et 4 permettent de bien décorréler les observations, et donc de mieux les moyenner en post-intégration. En effet, en considérant une direction de pointage, le délai entre deux impulsions de fréquences différentes est plus élevé dans les modes de réalisation illustrés par les figures 3 et 4 que dans le mode de réalisation illustré par la . En effet, dans le mode de réalisation illustré par la , les cartes de détection qui sont décalées en fréquence (émission sur Fe1 et Fe2), mais ne sont très peu décalées temporellement. Or, lorsque les observations sont très rapprochées temporellement, les observations sont fortement corrélées donc porteuses de très peu d’information.
Le procédé décrit selon l’un ou l’autre des modes de réalisation permet de concevoir une nouvelle classe de modes Doppler à très faible fréquence ambigüe , avec une fréquence de récurrence élevée , et exploitant l’agilité de balayage électronique pour produire très rapidement des cartes de détection sur tout le domaine gisement (360°). Ainsi, les cartes de détection peuvent être produites au bout d’un délai (environ 100 ms) si l’on tolère un espacement angulaire des cartes de détection égal à , ou à l’issue d’un délai (environ 1 s) si l’on supprime les trous angulaires.
Un exemple de conception du mode Doppler illustré par la est décrit ci-après.
Le concepteur du mode définit en premier lieu : - Une distance maximale instrumentée , avec la vitesse de propagation de l’impulsion émise ; - Une largeur spectrale de consigne ; - Le nombre d’impulsions intégrées pour former chaque carte (carte de détection ou encore carte Distance Ambigüe Vitesse Ambigüe) ; - Le temps de rafraichissement , avec : --- le nombre de carte souhaité dans chaque direction, à des fins de post-intégration ou tout autre traitement ; --- le domaine gisement à couvrir ; --- un scalaire fixant l’espacement angulaire entre les différentes directions d’observation ; --- : Pas de directions aveugles ; --- : Directions aveugles tolérées de façon à diminuer .
Ces paramètres étant fixés, les paramètres secondaires peuvent être obtenus :
, avec l’opérateur d’arrondi
Plus particulièrement, le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA présente une entrée configurée pour recevoir des données IDAT de la mémoire MEM via le bus informatique BS.
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est notamment configuré pour recevoir en entrée des données IDAT dans le format de données de la mémoire MEM. Le contrôleur d’accès direct à la mémoire est par exemple configuré pour recevoir en entrée des mots numériques de deux octets (16 bits) depuis la mémoire MEM.
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est configuré pour modifier le format de ces données qu’il reçoit en entrée pour le rendre conforme au format requis par le périphérique PRPH.
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA comprend également une sortie configurée pour délivrer au périphérique PRPH des données reformatées RDAT selon le format requis par le périphérique PRPH. Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est notamment configuré pour délivrer en sortie des mots numériques sur deux octets (32 bits) résultant de l’assemblage de deux mots numériques de deux octets (16 bits) reçus en entrée.
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA comprend notamment un circuit (non représenté) ayant une structure de type file (connu également sous l’acronyme « FIFO », de l’anglais « First In, First Out »). Ce circuit est configuré pour recevoir des mots numériques de deux octets et pour les réordonner et les assemblés de manière à délivrer des mots numériques de quatre octets en sortie du contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA.
En particulier, le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est configuré pour accéder à des mots numériques à assembler situés à deux adresses différentes de la mémoire, en connaissant l’espacement entre ces deux adresses. Un tel contrôleur d’accès direct à la mémoire utilise alors un adressage à deux dimensions (« 2D DMA ») bien connu de l’homme du métier.
Plus particulièrement, lorsque le périphérique PRPH est un circuit de chiffrement/déchiffrement de type « AES-CCM », le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est configuré pour concaténer un préfixe aux données d’en-tête associés à un message à chiffre, de manière à obtenir un en-tête reformaté selon le format requis par le périphérique. Cet en-tête reformaté est ensuite délivré au périphérique PRPH.
Par exemple, la illustre un en-tête reformaté MHDR par le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA. Cet en-tête reformaté MHRDR présente le préfixe PRFX « 0020 » concaténé aux données d’en-tête HDR stockées dans la mémoire MEM.
Les mots numériques de deux octets stockés dans la mémoire MEM ont été réorganisés et assemblées de manière à obtenir des mots numériques de quatre octets dans l’en-tête reformaté MHDR. Par exemple, le mot numérique « cbc8 » et le mot numérique « 1124 » des données d’en-tête HDR ont été assemblés par le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA de manière à obtenir le mot numérique « cbc81124 ».
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA peut également ajouter des octets de remplissage (en anglais « padding bytes ») à la fin de l’en-tête reformaté MHDR. Par exemple, à la , l’en-tête reformaté comprend deux octets de remplissage PAD de valeur « 0000 ».
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA peut être programmé par l’unité centrale de traitement CPU via le bus informatique BS.
La programmation du contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA permet de lui indiquer comment modifier le format des données stockées en mémoire MEM et destinées au périphérique PRPH. En particulier, le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est programmé pour lui permettre de savoir dans quel ordre lire les données en mémoire MEM de manière à les réordonner en sortie.
Un tel contrôleur d’accès direct à la mémoire permet de modifier directement le format des données stockées en mémoire, sans intervention de l’unité centrale de traitement. En particulier, le contrôleur d’accès direct à la mémoire permet de modifier le format de l’en-tête en y ajoutant le préfixe avant de le transmettre au périphérique.