INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le processeur unique 50 possède la fonction de l’unité d’acquisition des données de conduite 11 (unité d’acquisition des données de conduite 41), la fonction de l’unité de segmentation des données 12, la fonction d’unité d’évaluation simple 13, la fonction d’unité d’évaluation détaillée 14, et la fonction d’unité de sortie 15 que le processeur de traitement des données de conduite 10 possède (voir ). Le processeur unique 50 est logé dans le terminal portable Y, qui est installé sur le véhicule à inclinaison X. De plus, le processeur unique 50 possède la fonction de l’unité d’acquisition des données de conduite 41 que possède le processeur de mesure des données de conduite 40. Autrement dit, le processeur unique 50 est un processeur unique qui possède les fonctions du processeur de traitement des données de conduite 10 et du processeur de mesure des données de conduite 40. Le processeur unique 50 est connecté électriquement à la mémoire 20 et au capteur 30.
la est une vue schématique en coupe partielle d’un réacteur nucléaire refroidi au sodium liquide (SFR) avec un système d’EPuR de type RRC destiné à mettre en œuvre l’invention.
la est une vue en coupe longitudinale partielle montrant la cuve primaire et une partie des assemblages combustibles d’un réacteur nucléaire SFR ainsi qu’une partie de la nappe de tuyaux d’un système d’EPuR selon l’invention.
la est une vue schématique d’un RNR intégré en coupe longitudinale partielle montrant les cuves primaire et secondaire, le cœur du réacteur et une partie d’une nappe de tuyaux d’un système d’EPuR autour de la cuve secondaire d’un réacteur nucléaire SFR de type intégré conforme à l’invention.
, , les figures 4A, 5A et 6A sont des vues respectivement de dessus, de côté et de face d’un module dont une colonne d’ailettes d’un système d’EPuR selon l’invention, les ailettes étant dans leur position escamotées à la verticale contre la cuve secondaire qui correspond à un fonctionnement normal de réacteur nucléaire SFR.
, , les figures 4B, 5B et 6B sont des vues respectivement de dessus, de côté et de face d’un module dont une colonne d’ailettes d’un système d’EPuR selon l’invention, les ailettes étant dans leur position déployée en contact contre la cuve primaire qui correspond à un fonctionnement accidentel de réacteur nucléaire SFR.
, les figures 7A et 7B illustrent la figure de mérite de différents matériaux thermoélectriques de type p, connue sous le nom de z, qui conviennent dans le cadre de l’invention, et la gamme des températures concernées respectivement en fonctionnement normal et en fonctionnement accidentel du réacteur nucléaire SFR ou RNR.
la illustre sous forme de courbe l’évolution du ratio de la résistance thermique entre cuves primaire et secondaire en fonction du coefficient de distribution annulaire des ailettes selon l’invention, d’épaisseur égale à 1 cm.
la est un agrandissement de la .
la illustre sous forme de courbe l’évolution du ratio de la résistance thermique entre cuves primaire et secondaire en fonction de l’augmentation d’épaisseur des ailettes selon l’invention.
la illustre sous forme de courbe l’évolution du ratio de la résistance thermique entre cuves primaire et secondaire en fonction du coefficient de distribution annulaire des ailettes selon l’invention, d’épaisseur égale à 10 cm.
la est une vue de côté d’un module à d’ailettes d’un système d’EPuR selon une variante de l’invention, les ailettes à surface de contact incurvée étant dans leur position déployée en contact contre la cuve primaire qui correspond à un fonctionnement accidentel de réacteur nucléaire SFR.
Description détaillée Dans l’ensemble de la présente demande, les termes « vertical », « inférieur », « supérieur», « bas », « haut », « dessous » et « dessus » sont à comprendre par référence par rapport à une cuve primaire remplie de sodium liquide d’un RNR intégré, telle qu’elle est en configuration verticale de fonctionnement.
On a représenté en figures 1 à 3, un réacteur nucléaire 1 refroidi au sodium liquide (SFR), avec une architecture de type intégrée, avec un système 2 d’évacuation de la puissance résiduelle (EPuR) du réacteur à la fois conforme à l’invention.
La cuve primaire 10 soutient le poids du sodium du circuit primaire ainsi que des composants internes.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, le procédé d’optimisation utilisant, pour définir les nouveaux paramètres audio, une table de correspondance prédéfinie qui associe des paramètres audio précalculés à des indications de distance et/ou d’angle représentatifs du changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, comprenant les étapes, pour déterminer la nouvelle position du boîtier décodeur, de :
- détecter un angle particulier qui est le plus présent dans l’ensemble de coordonnées polaires comprenant les premières coordonnées polaires des premières lignes et les deuxièmes coordonnées polaires des deuxièmes lignes ;
- si un nombre de fois où ledit angle particulier est présent dans l’ensemble de coordonnées polaires est supérieur à un seuil d’angle prédéterminé, en déduire que le boîtier décodeur a possiblement subi un déplacement latéral perpendiculairement à un axe optique de la caméra ;
- estimer ledit déplacement latéral en fonction des distances des premières coordonnées polaires des premiers lignes et des deuxièmes coordonnées polaires deuxièmes lignes ayant pour angle l’angle particulier.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel l’action corrective consiste à définir une nouvelle position d’écoute optimale associée à la nouvelle position et/ou à la nouvelle orientation du boîtier décodeur, et à indiquer à l’utilisateur la nouvelle position d’écoute optimale pour que celui-ci l’utilise.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel l’action corrective consiste à émettre un message à destination d’un utilisateur du boîtier décodeur invitant celui-ci à repositionner le boîtier décodeur dans la position initiale et/ou dans l’orientation initiale.
On propose de plus un boîtier décodeur comprenant au moins un haut-parleur et auquel au moins une caméra est solidarisée, le boîtier décodeur comprenant en outre une unité de traitement dans laquelle est mise en œuvre le procédé d’optimisation tel que précédemment décrit.
On propose de plus un programme d’ordinateur comprenant des instructions qui conduisent l’unité de traitement du boîtier décodeur tel que précédemment décrit à exécuter les étapes du procédé d’optimisation tel que précédemment décrit.
la est une vue schématique et de dessus représentant un boîtier décodeur et un téléviseur de l’art antérieur, ainsi qu’un utilisateur assis sur un canapé ;
la représente un téléviseur et un boîtier décodeur dans lequel est mise en œuvre l’invention ;
la représente des étapes du procédé d’optimisation ;
la représente une image initiale ;
les , , , et sont des vues en coupe, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d’un exemple d’un procédé de réalisation d’un dispositif électronique selon un mode de réalisation ;
la et la sont des vues en coupe, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d’une variante du procédé des figures 1A à 1E ;
les , et sont des vues en coupe, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d’un exemple d’un procédé de réalisation d’un dispositif électronique selon un mode de réalisation ;
la est une vue en coupe, schématique et partielle, illustrant une étape d’une variante du procédé des figures 4A à 4C ; et
la est un graphique représentant des variations de taille et de densité de pores à l’intérieur d’une couche en nitrure de gallium en fonction d’un niveau de dopage et d’une tension de polarisation appliqué à ladite couche.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des diodes et de leurs circuits de commande n’a pas été détaillée, la réalisation de telles diodes et de tels circuits étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
Les , , , et sont des vues en coupe, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d’un exemple d’un procédé de réalisation d’un dispositif électronique selon un mode de réalisation.
La illustre plus particulièrement une étape de formation d’une structure comprenant un empilement de diode 101, par exemple un empilement de diode électroluminescente (LED) inorganique, disposé sur un substrat 103, et une couche sacrificielle 105 en un matériau semiconducteur interposée entre le substrat 103 et l’empilement de diode 101.
Le substrat 103 est par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium, en saphir, en nitrure de gallium ou en tout autre matériau sur lequel un empilement de diode peut être formé. À titre d’exemple, le substrat 103 est un substrat autoporteur (« free-standing », en anglais) en nitrure de gallium. Dans l’exemple du procédé exposé en relation avec les figures 1A à 1E, le substrat 103 est un substrat de support temporaire destiné à être retiré, ou éliminé, lors de la fabrication du dispositif.
Dans l’exemple représenté, le substrat 103 est revêtu, sur l’une de ses faces tournée vers l’empilement de diode 101 (la face supérieure du substrat 103, dans l’orientation de la ), d’une couche tampon 107. La couche tampon 107 est par exemple destinée à former une interface entre le substrat 103 et l’empilement de diode 101, par exemple afin d’améliorer la qualité cristalline des matériaux de l’empilement de diode 101. À titre d’exemple, la couche tampon 107 est formée par croissance épitaxiale depuis la face supérieure du substrat 103.
Dans l’exemple illustré, une face de la couche tampon 107 opposée au substrat 103 (la face supérieure de la couche tampon 107, dans l’orientation de la ) est revêtue de la couche sacrificielle 105. La couche sacrificielle 105 est par exemple en un matériau semiconducteur inorganique, par exemple un composé III-V comprenant au moins un premier élément du groupe III, un deuxième élément du groupe V et, éventuellement, un troisième élément, par exemple un élément du groupe III autre que le premier élément. À titre d’exemple, le matériau de la couche sacrificielle 105 est choisi parmi le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’indium (InN), le nitrure d’indium-gallium (InGaN), le nitrure d’aluminium (AlN), le nitrure d’aluminium-gallium (AlGaN) et le nitrure d’indium-gallium-aluminium (InGaAlN).
Le niveau de risque associé à un point affiché de la représentation 50 peut être élevé lorsque ce point affiché représente un obstacle 100 présent dans une deuxième bande BAND2 de la carte 45 horizontale dans le référentiel terrestre et accolée à la première bande BAND1, en étant en dessous de la première bande BAND1. Tels que décrient précédemment, les points d’une deuxième bande BAND2 peuvent avoir une couleur orange.
Le niveau de risque associé à un point affiché de la représentation 50 peut être moyen lorsque ce point affiché représente un obstacle 100 présent dans une troisième bande BAND3 de la carte 45 horizontale dans le référentiel terrestre et accolée à la deuxième bande BAND2, en étant en dessous de la deuxième bande BAND2. Tels que décrient précédemment, les points d’une troisième bande BAND3 peuvent avoir une couleur jaune.
Le niveau de risque associé à un point affiché de la représentation 50 peut être faible lorsque ce point affiché représente un obstacle 100 présent dans une quatrième bande BAND4 de la carte 45 horizontale dans le référentiel terrestre et accolée à la troisième bande BAND3, en étant en dessous de la troisième bande BAND3. Tels que décrient précédemment, les points d’une quatrième bande BAND4 peuvent avoir une couleur verte.
Les figures 5 à 8 illustrent le procédé de signalisation. La illustre une carte 45. Cette carte 45 contient deux obstacles 100, à savoir une montagne 61 et un pylône 62 cylindrique. La carte 45 peut être virtuellement segmentée selon la convention précédente à l’aide d’un demi-espace et de 3 types bandes de bandes. En particulier, le pylône 62 contient un secteur 621-624 par bande, et notamment un secteur 621 présent dans la première bande à risque maximal.
En référence à la , la représentation 50 affichée sur l’afficheur 25 peut comprendre une vue 51 de dessus selon un plan d’affichage horizontal 600 dans le référentiel terrestre. Le contrôleur 15 peut être configuré pour projeter chaque point de la carte 45 sur ce plan d’affichage horizontal 600 afin d‘obtenir une image affichée sur l’afficheur 25.
En outre et quelle que soit la vue, un point affiché de la représentation 50 peut correspondre à au moins deux points d’obstacles différents associés respectivement à deux niveaux de risque différents. Vu de dessus, un point de la représentation 50 relatif au pylône 62 correspond à tous les points d’obstacle du pylône 62 présents sur un segment vertical. Dès lors, le contrôleur 15 affiche ce point affiché selon le code graphique du niveau de risque le plus élevé parmi les niveaux de risque des points d’obstacles associés. Autrement dit, la représentation 50 comporte un cercle rouge 500 pour illustrer le pylône 62 de la . La représentation comporte en outre un cercle 501 et des anneaux 502, 503 ,504 pour illustrer la montagne 61.
Selon les figures 7 et 8, la représentation 50 est une vue 52, 53 selon un plan d’affichage vertical 701, 702 dans le référentiel terrestre illustrant chaque point d’obstacle présent dans une tranche 520, 530 de la carte 45 de la contenant l’aéronef 1, d’une largeur prédéterminée 521, 531 entre deux plans verticaux 705-706, 703-704 et restreinte à l’afficheur 25. Le contrôleur 15 peut être configuré pour projeter chaque point de la tranche concernée de la carte 45, y compris l’aéronef, sur ce plan d’affichage vertical 701, 702 afin d‘obtenir une image affichée sur l’afficheur 25.
Selon la , le contrôleur 15 peut être configuré pour obtenir une vue d’arrière de l’aéronef 1. La tranche 520 permettant d’obtenir cette vue ne contenant pas le pylône 62, la représentation ne contient pas une illustration de ce pylône 62.
Selon la , le contrôleur 15 peut être configuré pour obtenir une vue de côté de l’aéronef 1. La tranche 530 permettant d’obtenir cette vue contenant qu’une partie de la montagne 61, la représentation ne représente qu’une partie 600 de cette montagne 61.
Eventuellement, le pilote peut manœuvrer le cas échéant l’interface homme-machine de réglage 43 pour choisir la vue à afficher, parmi un catalogue de vues comprenant une vue de dessus, un vue de face ou arrière selon la et une vue de côté gauche ou droite selon la .
Quelle que soit la vue, le procédé peut comporter la génération STP3.1 d’un ordre d’inhibition de chaque point affiché associé à un niveau de risque choisi, et une inhibition STP3.2 d’un affichage des points affichés associés au niveau de risque choisi, à l’aide de l’interface homme machine d’inhibition 42. Ainsi, un pilote peut enlever de la représentation de tous les obstacles associés à un ou des niveaux de risque choisis. A minima, les obstacles associés au niveau de risque maximal peuvent être en permanence affichés.
Selon un autre aspect et une option possible, le procédé de signalisation peut comprendre à chaque cycle de fonctionnement la détermination d’un indice de confiance relatif au traitement de localisation et cartographie simultanées. Le contrôleur peut être configuré pour déterminer cet indice de confiance et le comparer à un critère prédéterminé. Dès lors, le contrôleur 15 peut piloter un alerteur 27 pour générer une alerte lorsque cet indice de confiance n’est pas conforme à un critère prédéterminé. L’alerteur peut être un alerteur, dédié ou non à cette application, apte à générer une alerte sonore, visuelle et/ou tactile. L’afficheur 25 peut éventuellement générer une dite alerte.
La illustre un procédé d’approche 90 pour diriger un aéronef 1 vers une zone particulière 95 de l’espace aérien, une aire d’atterrissage ou de travail par exemple. Ce procédé d’approche 90 comporte une phase préliminaire 91 de vol au dessus de la zone particulière 95 durant laquelle le procédé de signalisation 50 est mis en œuvre. Ainsi, le contrôleur 15 construit la carte 45 de l’environnement de la zone particulière 95.Ensuite, le procédé d’approche 90 comporte une phase de descente 92 vers la zone particulière 95 et une application du procédé de signalisation 50. Le pilote peut ainsi visualiser sur l’afficheur 25 les obstacles 100 détectés en vol de la carte 45 de l’environnement, par rapport à l’aéronef 1, en fonction de leur niveau de risque.
Procédé de mesure de la performance d’un dispositif de taux de fausse alarme constant d’un capteur, procédé et dispositifs associés La présente invention concerne un procédé de mesure de la performance d’un dispositif de taux de fausse alarme constant d’un capteur. La présente invention se rapporte également à un procédé d’observation mettant en œuvre les étapes du procédé de détermination. L’invention se rapporte enfin à des dispositifs, à savoir un calculateur, un système de détection et un véhicule.
Dans le domaine de la détection, les systèmes de détection utilisent usuellement des procédés de traitement de signaux. Ces procédés ont pour tâche d’extraire dans un signal reçu une ou plusieurs portions correspondant à une information utile sur la partie d’environnement faisant l’objet de la détection.
La illustre un exemple d’implémentation du système selon l’invention dans lequel le MEB fonctionne en mode « BSE » et comprenant un dispositif d’injection d’un gaz déterminé.
La illustre un exemple d’implémentation du système selon l’invention dans lequel le MEB fonctionne en mode « EBSD » et comprenant une caméra cristallographique.
La illustre un premier exemple d’utilisation du système selon l’invention avec une caractérisation en mode SEM.
La illustre un deuxième exemple d’utilisation du système selon l’invention avec une caractérisation en mode EBSD, l’image MEB A étant prise avant le traitement et l’image MEB B étant prise après traitement.
La illustre un troisième exemple d’utilisation du système selon l’invention avec une caractérisation en mode BSE.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION Le système 10 pour traiter et caractériser un échantillon Ech selon l’invention est illustré . Il comprend un microscope électronique à balayage MEB comprenant une chambre Ch est sous vide ou sous pression partiel de gaz, dans laquelle est disposé l’échantillon à traiter/caractériser. Une des parois du MEB contient un hublot H. De manière connue le MEB comprend un dispositif COL (dénommé communément colonne) configuré pour générer un faisceau d’électron FE et pour focaliser ce faisceau d’électron sur l’échantillon, et au moins un détecteur Det configuré pour détecter des électrons issu de l’échantillon.
Le système 10 selon l’invention comprend également une source laser LAS configurée pour générer un faisceau laser FL à onde continue, un dispositif de focalisation DFOC configuré pour focaliser le faisceau laser sur l’échantillon au travers du hublot H et pour modifier la valeur de la focale de manière contrôlée, et un dispositif de balayage bidimensionnel DS configuré pour déplacer le faisceau laser sur ledit échantillon avec une vitesse déterminée v.
La source laser LAS et le dispositif de focalisation DFOC sont configurés pour que le spot de focalisation sur l’échantillon présente une puissance P et un diamètre D déterminés. Pour faire varier P on joue sur la puissance du laser qui est réglable, et pour faire varier D on joue sur la valeur de la focale. Le faisceau FL pénètre dans la chambre Ch via un hublot d’interface H, préférentiellement traité qualité laser (traitement de surface spécifique). Le hublot est transparent à longueur d’onde du laser et assure également l’étanchéité de la chambre. Le hublot assure l’étanchéité de la chambre et permet au faisceau laser FL de pénétrer dans la chambre Ch et d’accéder à l’échantillon.
Typiquement une image MEB de l’échantillon est prise après le traitement laser, et optionnellement également avant le traitement pour une comparaison.
L’invention permet ainsi de traiter et caractériser un échantillon de matière dans un même instrument, avec un faisceau laser à onde continue dont on peut modifier les paramètres (P, D, v).
Avec l’utilisation d’un laser à onde continue l’apport d’énergie est constant dans le temps, et selon un gradient thermique totalement maitrisé. Cela permet l’étude et la mise en œuvre de procédés physique et chimique : de modification de la matière, tels que changement d’état, de phase, changement de microstructure, d’état de surface, évolution de rugosité, assemblage… de restauration ou réparation (solidification ou resolidification).
Avec le système selon l’invention les paramètres du spot P (puissance) et D (taille) sont réglables, ce qui permet d’adapter la densité d’énergie surfacique incidente sur l’échantillon et le gradient de température auquel il est soumis, pouvant atteindre le million de degré/cm.
En outre le traitement de l’échantillon s’effectue dans l’atmosphère contrôlée (vide, humidité, gaz neutre ou réducteur…) de la chambre Ch du MEB. Par exemple le traitement par laser sous vide préserve l’échantillon des dommages de l’humidité et de l’oxydation.
Le réglage de la vitesse de balayage v du dispositif DS apporte un caractère multi-échelle, avec une amplitude de balayage accessible allant typiquement du micron au millimètre, et il est également possible de complexifier la forme du balayage (stratégie de balayage).
On maîtrise ainsi les facteurs temps, température, atmosphère.
Grâce au système selon l’invention intégrant la maîtrise des paramètres précités, on peut augmenter la qualité de surface et les propriétés mécaniques du matériau de l’échantillon. On peut également obtenir de nouvelles propriétés du matériau traité par laser par le changement de sa microstructure locale et caractériser les changements produits par le traitement du laser.
Avantageusement, lors de l’étape b), on laisse reposer la seconde solution aqueuse, afin que le squelette de géopolymère puisse se former par polycondensation dans la seconde suspension aqueuse, et on la façonne et on la met en forme pour obtenir une taille et une forme choisies.
Ce procédé de préparation est très simple car le matériau solide mésoporeux est préparé par simple addition des particules solides actives au cours de la synthèse du géopolymère.
Ce procédé de préparation est considérablement plus simple et donc plus reproductible, moins long et moins coûteux que les procédés qui nécessitent la préparation d’une émulsion huile dans l’eau.
Ce procédé de préparation permet la synthèse du matériau mis en œuvre dans le procédé selon l’invention, c’est-à-dire d’un matériau avec une mésoporosité, mécaniquement robuste et intégrant des particules actives avec une accessibilité améliorée des particules actives au milieu liquide, tel qu’un effluent à traiter.
L’expression « source aluminosilicatée » et l’expression « matériau réactif contenant essentiellement de la silice et de l’aluminium » sont, dans la présente invention, similaires et utilisables de façon interchangeable.
Le matériau réactif contenant essentiellement de la silice et de l’aluminium utilisable pour préparer le squelette en géopolymère du matériau solide mésoporeux est avantageusement une source solide contenant des aluminosilicates amorphes, connus de l’art antérieur pour la préparation de géopolymère, tels que de la kaolinite ou du métakaolin.
Par « solution d’activation », on entend la solution saline de fort pH bien connue dans le domaine de la géopolymérisation. Cette dernière est une solution aqueuse fortement alcaline pouvant éventuellement contenir des composants silicatés notamment choisis dans le groupe constitué par la silice, la silice colloïdale et la silice vitreuse.
Les expressions « solution d’activation », « solution saline de fort pH » et « solution fortement alcaline » sont, dans la présente, similaires et utilisables de façon interchangeable.