INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans un mode de réalisation, le circuit de commutation est configuré pour appliquer sur l’entrée du circuit tampon soit une tension base-émetteur du troisième transistor bipolaire soit une tension base-émetteur du quatrième transistor bipolaire.
En variante, le circuit de commutation est configuré pour appliquer sur l’entrée du circuit tampon soit une tension base-émetteur du premier transistor bipolaire soit une tension base-émetteur du troisième transistor bipolaire.
En variante, le circuit de commutation est configuré pour appliquer sur l’entrée du circuit tampon soit une tension base-émetteur du premier transistor bipolaire soit une tension base-émetteur du deuxième transistor bipolaire.
La illustre un premier mode de réalisation d’un circuit intégré IC comprenant un capteur de température TSENS.
Le capteur de température TSENS comporte un circuit générateur de courant proportionnel à la température absolue BDGP (désigné également par l’expression anglosaxonne « bandgap »).
Le circuit générateur BDGP comprend deux transistors bipolaires BPL1, BPL2. Chaque transistor bipolaire BPL1, BPL2 est monté en diode.
Chaque transistor BPL1, BPL2 présente un émetteur, un collecteur et une base, la base étant connectée électriquement au collecteur et à une masse GND. Les transistors bipolaires BPL1, BPL2 ont des tailles différentes. La taille d’un transistor bipolaire BPL1, BPL2 correspond à la surface de l'émetteur de ce transistor bipolaire. En particulier, un rapport entre les tailles des transistors bipolaires BPL1, BPL2 est égal à N, où N peut être compris entre 4 et 32.
Selon un mode de réalisation, les plots de la métasurface bidimensionnelle sont entourés latéralement d’oxyde de silicium.
Selon un mode de réalisation, les plots de la métasurface bidimensionnelle présentent des dimensions latérales sub-longueur d’onde.
Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre une pluralité de premières microlentilles s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels adjacents du capteur.
Selon un mode de réalisation, les premières microlentilles présentent chacune une forme allongée.
Selon un mode de réalisation, les premières microlentilles sont : A) disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle opposée aux photodétecteurs ; ou B) interposées entre les photodétecteurs et la métasurface bidimensionnelle.
Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre une pluralité de deuxièmes microlentilles distinctes des premières microlentilles et disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle opposée aux photodétecteurs, chaque deuxième microlentille s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels adjacents du capteur.
Selon un mode de réalisation, chaque deuxième microlentille présente une forme allongée.
Selon un mode de réalisation, chaque première microlentille s’étend en outre en vis-à-vis de la première partie ou de la deuxième partie de la métasurface.
Par ailleurs, un mode de réalisation prévoit un capteur d’images polarimétrique formé dans et sur un substrat semiconducteur, le capteur comprenant : – une pluralité de pixels comprenant chacun un photodétecteur formé dans le substrat semiconducteur ; – un routeur de polarisation comprenant une métasurface bidimensionnelle disposée du côté d’une face d’éclairement des photodétecteurs, la métasurface comprenant un réseau bidimensionnel de plots ; et – une pluralité de premières microlentilles s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels adjacents du capteur.
Selon un mode de réalisation, les premières microlentilles sont disposées du côté du routeur de polarisation opposé aux photodétecteurs.
Selon un mode de réalisation, les premières microlentilles sont interposées entre les photodétecteurs et la métasurface bidimensionnelle.
Selon un mode de réalisation, ladite pluralité de pixels comprend, en vis-à-vis de l’une des premières microlentilles, des premier et deuxième pixels adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des première et deuxième polarisations distinctes, une première partie de la métasurface bidimensionnelle située à l’aplomb des premier et deuxième pixels étant adaptée à transmettre majoritairement : – des rayonnements selon la première polarisation vers le premier pixel ; et – des rayonnements selon la deuxième polarisation vers le deuxième pixel.
Selon un mode de réalisation, les rangées de plots de la première partie de la métasurface bidimensionnelle sont identiques entre elles.
Selon un mode de réalisation, la première partie de la métasurface bidimensionnelle est adaptée à focaliser les rayonnements incidents majoritairement le long d’une direction parallèle aux rangées de plots.
Selon un mode de réalisation, ladite pluralité de pixels comprend en outre des troisième et quatrième pixels adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des troisième et quatrième polarisations distinctes, différentes des première et deuxième polarisations, une deuxième partie de la métasurface bidimensionnelle située à l’aplomb des troisième et quatrième pixels étant adaptée à transmettre majoritairement : – des rayonnements selon la troisième polarisation vers le troisième pixel ; et – des rayonnements selon la quatrième polarisation vers le quatrième pixel.
Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre un filtre polariseur interposé entre ladite pluralité de pixels et la métasurface bidimensionnelle, le filtre comprenant, pour chaque pixel, une structure de polarisation.
Les moyens d’actionnement 36 comprennent avantageusement une motorisation entraînant une came rotative 361 ainsi qu’un logement 360, tandis que les moyens formant poussoir 35 comprennent un axe doté d’un premier point d’appui 351 praticable par un utilisateur et d’un second point d’appui 352 en contact avec la deuxième extrémité 332 de la tige de piston 331, ainsi qu’un ergot 350.
La came 361, qui est située au voisinage du logement 360 entraîne, lorsqu’elle est mise en rotation, le dégagement de l’ergot du logement et le retour en position haute PMH de la tige de piston 331 sous l’effet de la force de rappel des moyens formant ressort 34.
Toutefois, cette configuration nécessite d’utiliser des moyens formant ressort résistants à la corrosion, dans la mesure où les moyens formant ressort sont en contact avec l’eau circulant dans le réseau.
Selon un agencement particulier et avantageux, le piston 33 est enfermé dans un étui étanche 39, de sorte que l’ensemble des éléments constitutifs du piston sont protégés de l’eau circulant dans le réseau.
De manière également avantageuse, le dispositif de prélèvement comporte des moyens d’accroche 390, qui permettent de fixer ledit dispositif au voisinage du flux d’eau à prélever en laissant uniquement l’extrémité de la conduite immergée dans le flux d’eau.
Le système de prélèvement peut avantageusement comprendre des moyens aptes à maintenir dans une position opérationnelle les moyens d’évaluation des propriétés de l’eau et les moyens de prélèvement.
Ces moyens de maintien peuvent comprendre par exemple un filin en acier 5 permettant d’arrimer la sonde 2 à un point fixe du réseau d’assainissement.
Ces moyens de maintien peuvent comprendre aussi un limiteur de ballant 7 qui permet de contrôler les mouvements de balancier du dispositif de prélèvement 3 lorsqu’il est introduit dans un regard 10 d’un réseau d’assainissement 11.
la est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un exemple de réalisation du routeur de polarisation du capteur des figures 1A et 1B ;
la et la sont respectivement une vue en perspective éclatée et une vue en coupe d’un autre exemple d’un capteur d’images polarimétrique selon un mode de réalisation ;
la est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un exemple de réalisation du routeur de polarisation du capteur des figures 4A et 4B ;
la est une vue en coupe, schématique et partielle, du filtre polariseur du capteur des figures 6A et 6B ;
la est une vue en coupe d’un autre exemple d’un capteur d’images polarimétrique selon un mode de réalisation ; et
la une vue en coupe d’un autre exemple d’un capteur d’images polarimétrique selon un mode de réalisation.
Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près, ou, lorsqu’il s’agit de valeurs angulaires, à 10° près, de préférence à 5° près.
La et la sont respectivement une vue en perspective éclatée et une vue en coupe d’un exemple d’un capteur d’images polarimétrique 100 selon un mode de réalisation.
Le capteur 100 est formé dans et sur un substrat 101. Le substrat 101 est par exemple en un matériau semiconducteur monocristallin, par exemple en silicium monocristallin.
Le capteur 100 comprend en outre, du côté d’une première face du substrat 101, appelée face avant, correspondant à la face inférieure du substrat 101 dans l’orientation des figures 1A et 1B, un empilement 103 de couches isolantes et conductrices (par exemple métalliques), appelé empilement d’interconnexion, dans lequel sont formés des éléments d’interconnexion (par exemple des pistes et vias conducteurs d’interconnexion) des pixels P du capteur.
L’équation de la réaction de fermentation du glucose est C 6 H 12 O 6 → 2 C 2 H 5 OH + 2 CO 2 . De ce fait, 66,7 % du carbone d’une molécule de glucose est converti en éthanol et 33,3 % en CO 2 .
Pour une charge de 170 Kta de glucose, la fermentation permet théoriquement de produire 86,8 Kta d’éthanol et 83 Kta de CO 2 .
En faisant l’hypothèse que le rendement de la déshydratation de l’éthanol en éthylène est de 97 %, il est possible de produire 51,2 Kta d’éthylène, soit au mieux, 172,1 Kta d’acrylate de sodium. Sans CO 2 valorisé en acrylate de sodium, jusqu’à 64,7 % du carbone du glucose peut être valorisé en acrylate de sodium (cf. Tableau 1 ci-après).
2/ Cas de la synthèse d’acrylate de sodium à partir de glucose avec valorisation du CO 2 de l’étape de fermentation (conforme) :
En faisant l’hypothèse que le rendement de la déshydratation de l’éthanol en éthylène est de 97 %, il est possible de produire 51,2 Kta d’éthylène, soit au mieux, 172,1 Kta d’acrylate de sodium. Pour produire 172,1 Kta d’acrylate de sodium avec 51,2 Kta d’éthylène, il faut a minima 80,5 Kta de CO 2 . La fermentation produit donc assez de CO 2 pour que l’enchainement soit autosuffisant en CO 2 .
Avec le CO 2 valorisé en acrylate de sodium par l’enchainement décrit dans l’invention, jusqu’à 97 % du carbone du glucose peut être valorisé en acrylate de sodium (cf. Tableau 1 ci-après).
Produits de valorisation de la biomasse Production en Kt/a % de C valorisable en acrylate sans valorisation du CO2 (non conforme) % de C valorisable en acrylate avec valorisation du CO2 (conforme) Ethanol 86,8 64,7% 64,7% CO2 83,0 32,3% Total 64,7% 97,0%
Procédé de production de 5-HMF par conversion de sucre dans un solvant non aqueux avec extraction de l'eau pendant la synthèse La présente invention concerne la production de 5-HMF à partir d’une charge comprenant un sucre, plus particulièrement un hexose, par synthèse catalytique dans un solvant organique.
Pour des définitions spécifiques sur le système de prédiction de la température d’un four, on peut se référer aux définitions décrites ci-dessus sur le procédé de prédiction de la température d’un four, et les détails ne sont pas décrits ici. De multiples modules dans le système décrit ci-dessus peuvent être entièrement ou partiellement mis en œuvre par un logiciel, un matériel et une combinaison du logiciel et du matériel. Les multiples modules décrits ci-dessus peuvent être intégrés dans ou indépendants du processeur dans le dispositif informatique sous forme de matériel, et peuvent également être stockés dans la mémoire du dispositif informatique sous forme de logiciel, de sorte que le processeur puisse invoquer et exécuter des opérations correspondant aux multiples modules décrits ci- dessus.
La montre un schéma d’une structure interne d’un dispositif informatique dans un mode de réalisation, et le dispositif informatique peut être un terminal ou un serveur. Comme le montre la , le dispositif informatique comprend un processeur, une mémoire, une interface réseau, un afficheur et un appareil d’entrée connectés par un bus système. Le processeur du dispositif informatique est configuré pour fournir des capacités de calcul et de commande. La mémoire du dispositif informatique comprend un support de stockage non volatil et une mémoire interne. Le support de stockage non volatil stocke un système d’exploitation et un programme informatique. La mémoire interne fournit un environnement pour le fonctionnement du système d’exploitation et du programme informatique dans le support de stockage non volatil. L’interface réseau du dispositif informatique est configurée pour communiquer avec un terminal externe via une connexion réseau. L’écran d’affichage du dispositif informatique peut être un écran d’affichage à cristaux liquides ou un écran d’affichage à encre électronique, et l’appareil d’entrée du dispositif informatique peut être une couche tactile appliquée sur l’écran d’affichage, ou peut être une clé, une boule de commande ou un pavé tactile disposé(e) sur un boîtier du dispositif informatique, ou peut être un clavier externe, un pavé tactile ou une souris et autres analogues.
Il doit être compris par l’homme du métier que la structure représentée sur la est un schéma fonctionnel d’une partie seulement de la structure associée aux schémas de la présente demande, et ne constitue pas une définition du dispositif informatique auquel les schémas de la présente demande sont appliqués, et que le dispositif informatique peut inclure plus ou moins de composants que ceux montrés dans les dessins, ou peuvent combiner certains composants, ou avoir le même agencement de composants.
En résumé, la présente demande fournit un procédé de prédiction de la température d’un four, un système de prédiction de la température d’un four, un dispositif et un support. Le procédé comprend ce qui suit : un ensemble de données historiques est obtenu en utilisant des données surveillées du four, un premier ensemble d’entraînement et un premier ensemble de test sont acquis selon l’ensemble de données historiques, un modèle de prédiction est entraîné et testé initialement en utilisant le premier ensemble de données d’entraînement et le premier ensemble de test, respectivement, et le modèle de prédiction est filtré principalement selon une erreur de sortie du premier ensemble de test ; le modèle de prédiction est entraîné et testé à nouveau en utilisant un deuxième ensemble d’entraînement pré-acquis et un deuxième ensemble de test pré-acquis, respectivement, et un modèle de prédiction de température optimal est écarté selon une erreur de sortie du deuxième ensemble de test ; et une température de prédiction dans la région de température du four dans une période de temps de prédiction est obtenue selon des données du four pour une région de température du four dans une période de temps prédéfinie de stade précoce de prédiction et le modèle de prédiction de température optimal. Selon la présente demande, la température future de la région de température du four peut être prédite, non seulement la température future de la région de température du four peut être prédite avec plus de précision, mais également les tendances de variation de température de multiples régions de température peuvent être prédites à l’avance, et la quantité de calcul dans le processus de prédiction de la température future est réduite.
Les différents modes de réalisation dans cette spécification sont décrits de manière progressive, des références peuvent être faites parmi ces modes de réalisation par rapport à des parties identiques ou similaires, et la description de chacun des modes de réalisation est principalement axée sur les différences entre le mode de réalisation et les autres modes de réalisation. Pour le mode de réalisation du système, puisque le mode de réalisation du système est fondamentalement similaire au mode de réalisation du procédé, la description du mode de réalisation du système est relativement simple, et pour la corrélation entre le mode de réalisation du système et le mode de réalisation du procédé, on pourra se référer à la description partielle du mode de réalisation du procédé. Il convient de noter que diverses caractéristiques techniques des modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent être combinées dans n’importe quelle combinaison. Par souci de concision, toutes les combinaisons possibles des diverses caractéristiques techniques dans les modes de réalisation décrits ci-dessus ne sont pas décrites. Cependant, tant que les combinaisons de ces caractéristiques techniques ne sont pas incohérentes, elles doivent être considérées comme entrant dans la portée de cette spécification.
Les modes de réalisation ci-dessus n’expriment que plusieurs modes de réalisation préférés de la présente demande, et leurs descriptions sont plus spécifiques et détaillées, mais ne peuvent pas être comprises comme limitant la portée de la présente demande. Il convient de souligner que pour l’homme du métier, plusieurs améliorations et remplacements peuvent être apportés sans s’écarter des principes techniques de la présente demande, et ces améliorations et remplacements doivent également être considérés comme la portée de protection de cette demande. Par conséquent, la portée de protection de cette demande de brevet doit être basée sur la portée de protection des revendications annexées.
CIRCUIT INTÉGRÉ COMPRENANT UN CAPTEUR DE TEMPÉRATURE Des modes de réalisation concernent les circuits intégrés, notamment ceux comportant un capteur de température.
Un circuit intégré peut comprendre un capteur de température pour répondre à différentes applications. Un capteur de température peut être utilisé afin de connaître une température du silicium du circuit intégré afin de prévenir une augmentation de la température du silicium au-delà d’une température adéquate pour un fonctionnement normal du circuit intégré. En particulier, un circuit intégré peut être configuré pour réduire une fréquence de fonctionnement de ce circuit intégré ou bien pour arrêter d’alimenter électriquement ce circuit intégré lorsque la température atteint un seuil donné de température.
Un capteur de température peut également être utilisé pour mesurer une température ambiante lorsque le silicium du circuit intégré est à cette même température, notamment lorsque le circuit intégré comprend un boîtier permettant d’évacuer efficacement la chaleur générée lors du fonctionnement du circuit intégré.
Un capteur de température peut également être utilisé pour contrer des attaques malveillantes sur le circuit intégré. En effet, certaines attaques malveillantes peuvent être réalisées en faisant subir des conditions extrêmes au circuit intégré. Il est notamment possible de faire subir des températures extrêmes au circuit intégré de façon à modifier le fonctionnement de ce dernier. La mesure de la température du circuit intégré peut ainsi servir à contrer une attaque malveillante lorsque la température mesurée est en dehors d’une plage de températures prédéfinie. En particulier, lorsqu’une telle température en-dehors de la plage prédéfinie est mesurée, le circuit intégré peut être configuré pour effacer des clés de sécurité ou bien pour stopper son alimentation électrique.
Les capteurs de température connus comprennent généralement un nombre important de composants électroniques pouvant présenter des non-linéarités. Ces non-linéarités peuvent se cumuler et ainsi impacter la précision du capteur de température. Afin d’améliorer la précision d’un tel capteur de température, il est important de calibrer le capteur de température. La calibration requiert de réaliser plusieurs mesures de température à différentes températures. Cette calibration peut être chronophage et complexe et donc coûteuse.
Il existe donc un besoin de proposer un circuit intégré comprenant un capteur de température présentant un nombre réduit d’éléments électroniques pouvant introduire des non-linéarités de façon à améliorer une précision du capteur de température.
Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un capteur de température comportant : - deux transistors montés en diode et ayant des tailles différentes, - un circuit tampon, - un circuit de commutation configuré pour pouvoir appliquer sélectivement en entrée du circuit tampon des tensions générées au travers des deux transistors, - une unité de contrôle configurée pour commander le circuit de commutation de façon à appliquer successivement en entrée du circuit tampon les tensions générées au travers des deux transistors, - un convertisseur analogique-numérique présentant une entrée connectée à la sortie du circuit tampon, le convertisseur analogique-numérique étant configuré pour convertir successivement les tensions délivrées par le circuit tampon en des valeurs de tension numériques et pour calculer une valeur numérique correspondant à une différence entre les valeurs numériques des tensions générées au travers des deux transistors, cette différence de tensions étant proportionnelle à la température absolue et indépendante des tensions de décalage du convertisseur analogique-numérique et du circuit tampon.
Un tel capteur de température est donc configuré pour mesurer successivement les deux tensions générées par les transistors montés en diode pour calculer une différence de tensions. Une telle différence de tensions présente l’avantage de dépendre uniquement de la température.
Plus particulièrement, le circuit tampon et le convertisseur analogique-numérique peuvent présenter chacun une tension de décalage (en anglais « offset voltage ») qui s’additionne à chaque mesure de tension. Néanmoins, les tensions générées au travers des transistors sont acquises par le même circuit tampon et par le même convertisseur analogique-numérique. Ainsi, la différence de tensions calculée par le convertisseur analogique-numérique permet d’éliminer la tension de décalage du circuit tampon et la tension de décalage du convertisseur numérique analogique.
Avantageusement, le capteur de température comprend en outre : - un convertisseur analogique-numérique présentant une entrée connectée à la sortie du circuit tampon, ce convertisseur analogique-numérique étant configuré pour convertir la tension correspondant à une différence entre ces deux tensions proportionnelles à la température en une valeur numérique, - une unité de traitement configurée pour déterminer une température à partir de la valeur numérique calculée par le convertisseur analogique-numérique.
Le chiffrement/déchiffrement « AES-CCM » permet de chiffrer/déchiffrer un message numérique, et utilise une signature d’authentification (en anglais « authentication tag ») calculée à partir d’un préfixe et de données d’un en-tête associés audit message numérique. La signature d’authentification permet d’authentifier une intégrité du message chiffré auquel cette signature d’authentification est associée. Les données de l’en-tête comprennent des informations définies par l’utilisateur. Le préfixe comprend quant à lui une information sur la longueur de l’en-tête, notamment chiffrée selon la norme NIST Special Publication 800-38C. Le préfixe peut avoir une taille qui varie selon la longueur de l’en-tête. Par exemple, le préfixe peut être codé sur deux, six ou dix octets.
Le système informatique SYS comprend en outre un bus informatique BS qui est partagé entre l’unité centrale de traitement CPU, la mémoire MEM, et le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA.
Par ailleurs, le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est également connecté électriquement au périphérique PRPH.
Le contrôleur d’accès direct à la mémoire DMA est configuré pour permettre au périphérique PRPH de récupérer des données stockées dans la mémoire MEM, sans intervention de l’unité centrale de traitement CPU.