Procédé de réalisation d’un dispositif électronique comprenant les étapes successives suivantes : a) former une structure comprenant une première plaquette (101), un empilement actif (103) disposé sur la première plaquette, et un premier empilement d’interconnexion (105) revêtant une face de l’empilement actif opposée à la première plaquette ; et b) reporter la structure sur une deuxième plaquette (111) par collage moléculaire du côté d’une face du premier empilement d’interconnexion opposée à la première plaquette, la deuxième plaquette présentant un diamètre strictement supérieur à celui de la première plaquette. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre, postérieurement à l’étape b), une étape c) de découpe de l’empilement actif (103) et du premier empilement d’interconnexion (105) en vignettes (141 ; 211). Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), une étape d’élimination de la première plaquette (101). Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre, postérieurement à l’étape d’élimination de la première plaquette (101) et préalablement à l’étape c), des étapes de dépôt d’une couche diélectrique (115) revêtant le premier empilement d’interconnexion (105) et l’empilement actif (103) et de planarisation de ladite couche. Procédé selon la revendication 4, comprenant en outre, postérieurement à l’étape de planarisation de la couche diélectrique (115) et préalablement à l’étape c), une étape de report de la structure comprenant la deuxième plaquette (111), le premier empilement d’interconnexion (105), l’empilement actif (103) et la couche diélectrique (115) sur une troisième plaquette (131) par collage moléculaire du côté d’une face de la couche diélectrique opposée à la deuxième plaquette. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la troisième plaquette (131) présente un diamètre strictement supérieur à celui de la première plaquette (101). Procédé selon la revendication 5 ou 6, comprenant en outre, postérieurement à l’étape de collage sur la troisième plaquette (131) et préalablement à l’étape c), une étape d’élimination de la deuxième plaquette (111). Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre, postérieurement à l’étape d’élimination de la deuxième plaquette (111) et préalablement à l’étape c), une étape de formation d’un deuxième empilement d’interconnexion (135) du côté d’une face du premier empilement d’interconnexion (105) opposée à la troisième plaquette (131). Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre, postérieurement à l’étape c), une étape de report des vignettes (141) sur une quatrième plaquette (151) par collage moléculaire du côté d’une face du deuxième empilement d’interconnexion (135) opposée à la troisième plaquette (131). Procédé selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, comprenant en outre, postérieurement à l’étape c), une étape d) de report des vignettes (211) sur une cinquième plaquette (221) par collage moléculaire du côté d’une face de l’empilement actif (103) opposée à la deuxième plaquette (111). Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre, postérieurement à l’étape d), une étape d’élimination de la deuxième plaquette (111). Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre, postérieurement à l’étape d), une étape e) de formation d’un troisième empilement d’interconnexion (235 ; 301), revêtant une face du premier empilement d’interconnexion (105) opposée à la cinquième plaquette (221). Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre, postérieurement à l’étape e), une étape f) de report de la structure comprenant la cinquième plaquette (221), le premier empilement d’interconnexion (105), l’empilement actif (103) et le troisième empilement d’interconnexion (235 ; 301) sur une sixième plaquette (151) par collage moléculaire du côté d’une face du troisième empilement d’interconnexion opposée à la deuxième plaquette. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la première plaquette (101) présente un diamètre égal à environ 150 mm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel la deuxième plaquette (111) présente un diamètre égal à environ 200 ou 300 mm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel l’empilement actif (103) est un empilement actif de diode électroluminescente. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel la première plaquette (101) est en saphir ou en un matériau semiconducteur inorganique différent du silicium, de préférence en un matériau semiconducteur III-V.