INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le système selon l’invention trouve également sa place dans les centres industriels, par exemple de fabrication additive ou de structuration de surface. Il permet de contrôler l’évolution in situ du matériau traité par le laser. Le système selon l’invention s’intègre en amont ou en aval d’un procédé pour vérifier la ou les conséquences de la modification d’un paramètre de fabrication sur l’évolution de la microstructure du matériau.
Le système pour traiter et caractériser un échantillon selon l’invention est ainsi extrêmement versatile et répond à un besoin d’équipement non satisfait à ce jour, comme expliqué plus haut.
Le système selon l’invention présente différents modes de réalisation combinables entre eux.
Selon un mode de réalisation illustré le dispositif de focalisation comprend une optique de focale fixe L et un dispositif 20 configuré pour modifier la valeur de la focale et disposé en amont du dispositif de balayage, lui-même disposé en amont de l’optique L. Le dispositif 20 est par exemple un varioScan R qui comprend une lentille divergente qui fait diverger le faisceau à la sortie du laser, et qui permet donc de modifier la taille du spot laser impactant l’échantillon.
Le dispositif de balayage et par exemple un miroir goniométrique.
Des accessoires également illustrés permettent une visualisation de la zone d’impact du faisceau sur l’échantillon.
Selon un mode de réalisation le système comprend également un séparateur de faisceau BS disposé en amont du dispositif de balayage et une caméra de visualisation CV disposée sur le trajet du faisceau optique FLR réfléchi par l’échantillon Ech et ensuite par le séparateur de faisceau BS. La caméra visible récupère ainsi la lumière réfléchie par l’échantillon, ce qui permet de le visualiser la surface de l’échantillon, la futur trajectoire du laser ainsi que l’endroit où est passé le spot laser.
Selon un autre mode de réalisation le système 10 selon l’invention comprend un capteur thermique CT pour mesurer la température d’une zone comprenant le spot de focalisation laser sur l’échantillon. Préférentiellement on utilise une caméra thermique 2D qui permet d’effectuer de la thermographie infrarouge, comme par exemple de visualiser la répartition du champ de température induit par le traitement laser.
Sur la le détecteur d’électrons représenté est un détecteur d’électrons couramment dénommés secondaires DES, classiquement utilisé en microscopie à balayage électronique fonctionnant en mode électrons secondaires ou « Secondary Electron Mode » SEM en anglais. Classiquement ce mode est installé par défaut dans les MEB du commerce, et permet d’obtenir une image de contraste topographie de la surface observée.
Sur la est également représenté un bouclier de protection BP amovible, qui protège la colonne MEB lors du tir laser.
La illustre un mode de réalisation du système selon l’invention dans lequel le MEB fonctionne en mode dit « BSE » pour BackScattered Electron en anglais. Ce mode réalise une image en contraste de numéro atomique permettant l’obtention d’informations sur la nature chimique des éléments observés. Dans ce mode le système comprend un deuxième détecteur d’électron qui est un détecteur d’électrons rétrodiffusés DER. Ce détecteur est préférentiellement amovible et n’est positionné dans la chambre que lorsque le MEB doit fonctionner dans ce mode.
Selon un mode de réalisation également illustré le système 10 comprend un dispositif d’injection d’un gaz DIG déterminé dans la chambre Ch, qui permet un contrôle de l’environnement lors du traitement laser.
La illustre un mode de réalisation du système selon l’invention dans lequel le MEB fonctionne en mode dit « EBSD » pour « Electron Back Scattered Diffraction » en anglais. Dans ce mode le système comprend une caméra cristallographique CC amovible configurée pour détecter des électrons rétrodiffusés/diffractant par l’échantillon. Ce mode permet de regarder le résultat du traitement laser afin de caractériser la microstructure d’un point de vue cristallographie (imagerie spécifique).
Dans un mode conventionnel, les bornes de puissance maximales Pmax et minimales Pmin représentent les limites de prélèvement sur le moteur. Ainsi, le réseau électrique n’est pas tenu de suivre un profil de prélèvement précis mais doit contenir la puissance prélevée au moteur entre ces bornes. Par ailleurs, il peut également être envisagé que, dans certains modes de réalisation, des contraintes supplémentaires spécifient une répartition du prélèvement entre les arbres haute pression et basse pression du moteur.
Dans un mode assistance, le module 10 fournit des informations au réseau électrique sur un horizon de temps [t+Δt, t+2Δt] afin de permettre une reconfiguration du réseau électrique. Le réseau électrique doit s’attendre à suivre ainsi un profil de puissance compris entre les deux bornes minimales Passist_min et maximales Passist_max.
Dans d’autres modes de réalisation, il peut être envisagé que le profil des actions à effectuer soit connu en avance de phase, par exemple, dans un aéronef, lorsque celui-ci est piloté en mode automatique. Dans ce cas, l’anticipation des besoins en puissance de la turbomachine ne nécessite plus de retarder l’action. Il s’agit d’évaluer en avance de phase les besoins futurs, donnés par le profil des actions à effectuer, dans un horizon de temps suffisant pour permettre, si besoin, la reconfiguration du réseau électrique pour permettre de satisfaire le besoin dans cet horizon de temps. Dans ces modes de réalisation, le module 20 de régulation décrit précédemment peut recevoir en entrée, et fournir en sortie, des données relatives à des variations de prélèvement, qui peuvent être déclinées pour l’arbre haute pression et pour l’arbre basse pression. Ces données supplémentaires peuvent permettre à des boucles de régulation de fonctionner avec une meilleure bande passante.
Selon certains modes de réalisation, l’invention concerne un procédé de contrôle de puissance d’une turbomachine connectée à un réseau électrique comprenant au moins une source de puissance externe ledit procédé comprenant - l’obtention d’au moins une commande pour la mise en œuvre d’une action, - l’obtention de données relatives à au moins une puissance disponible au niveau de la turbomachine, caractérisé en ce qu’il comprend - l’estimation d’une puissance nécessaire pour réaliser ladite action par la turbomachine, - la comparaison entre ladite puissance nécessaire et ladite puissance disponible au niveau de la turbomachine et lorsque ladite puissance nécessaire est supérieure à ladite puissance disponible au niveau de la turbomachine, - l’estimation d’une puissance disponible dans ladite au moins une source externe, - la comparaison entre la puissance nécessaire et ladite puissance disponible dans ladite source externe, et si la puissance disponible dans ladite au moins une source externe est inférieure à la puissance nécessaire - le décalage de l’action d’un pas de temps t, ledit pas de temps t permettant une reconfiguration de ladite au moins une source externe pour satisfaire ledit besoin en puissance pour la mise en œuvre de ladite action à l’issu du pas de temps t.
Selon certains modes de réalisation, lorsque, à l’issu dudit pas de temps t, ladite reconfiguration de ladite au moins une source externe ne permet pas de satisfaire ledit besoin, ladite action est réalisée dans un mode dégradé.
Selon certains modes de réalisation, ladite reconfiguration comprend une commutation d’une ou plusieurs sources de puissance externes sur ledit réseau électrique.
Selon certains modes de réalisation, l’estimation d’une puissance nécessaire pour réaliser ladite action par la turbomachine comprend - l’obtention de données relatives à la turbomachine, - l’obtention d’un régime de puissance instantanée et d’une variation de puissance souhaitée, - la détermination de cartes d’interpolation à partir desdites données relatives à la turbomachine, de ladite puissance instantanée et de ladite variation souhaitée.
Selon certains modes de réalisation, lorsque ladite turbomachine comprend un arbre haute pression et un arbre basse pression, l’estimation d’une puissance nécessaire pour réaliser ladite action par la turbomachine comprend l’estimation d’une puissance nécessaire pour l’arbre haute pression et pour l’arbre basse pression.
Selon certains modes de réalisation, les données relatives à la turbomachine comprennent - des données concernant le régime du moteur basse pression (Nbp), - des données concernant le régime du moteur haute pression (Nhp), - des données issues de capteurs de pression (P0), - des données issues de capteurs de température (T0), - des données représentatives de la vitesse de l’avion (M0).
Selon certains modes de réalisation, l’invention concerne également un système de contrôle de puissance d’une turbomachine connectée à un réseau électrique comprenant au moins une source de puissance externe, ledit système comprenant un ou plusieurs processeurs configurés ensemble ou séparément pour - obtenir au moins une commande pour la mise en œuvre d’une action, - obtenir des données relatives à au moins une puissance disponible au niveau de la turbomachine, caractérisé en ce qu’il est en outre configuré pour - estimer une puissance nécessaire pour réaliser ladite action par la turbomachine, - comparer ladite puissance nécessaire et ladite puissance disponible au niveau de la turbomachine et lorsque ladite puissance nécessaire est supérieure à ladite puissance disponible au niveau de la turbomachine, - estimer une puissance disponible dans ladite au moins une source externe, - comparer la puissance nécessaire et ladite puissance disponible dans ladite au moins une source externe, et si la puissance disponible dans ladite au moins une source externe est inférieure à la puissance nécessaire - décaler l’action d’un pas de temps t, ledit pas de temps t permettant une reconfiguration de ladite au moins une source externe pour satisfaire ledit besoin en puissance pour la mise en œuvre de ladite action à l’issu du pas de temps t.
L’invention concerne également un aéronef comprenant un système de contrôle de puissance selon l’un des modes de réalisation de l’invention.
INSTALLATION DE RÉCHAUFFEMENT POUR UN AÉRONEF COMPORTANT UN RÉSERVOIR DE DIHYDROGÈNE, UN MOTEUR ET DES SYSTÈMES DE RÉCHAUFFEMENT DU DIHYDROGÈNE La présente invention concerne une installation de réchauffement pour un aéronef comportant un réservoir de dihydrogène, un moteur consommant du dihydrogène et deux systèmes de réchauffement arrangés sur deux canalisations montées en parallèle pour réchauffer le dihydrogène sortant du réservoir avant son introduction dans le moteur. La présente invention concerne également un aéronef comportant une telle installation de réchauffement.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Un aéronef comporte classiquement des moteurs qui assurent le déplacement dudit aéronef. Ces moteurs sont classiquement alimentés avec un carburant afin de les faire fonctionner. Pour réduire l’empreinte carbone, il est connu d’utiliser du dihydrogène comme carburant pour faire fonctionner les moteurs.
Un aéronef comporte alors un réservoir dans lequel est stocké le dihydrogène en particulier liquide et un système de réchauffement qui assure en particulier le changement de phase du dihydrogène afin d’alimenter chaque moteur en dihydrogène gazeux.
Bien que de telles installations donnent satisfaction, il est nécessaire de trouver un arrangement où le réchauffement est redondant pour assurer en cas de besoin une plus grande disponibilité du dihydrogène au niveau du moteur.
Ce fluide interne caloporteur C est un métal liquide, stable chimiquement, de faible viscosité, bon conducteur et caloporteur thermique, compatible chimiquement avec toute la tuyauterie du circuit 4 et apte à fonctionner en convection naturelle ou forcée dans un intervalle de température entre 150-600 °C. Typiquement, le métal liquide du circuit 4, peut être choisi parmi un alliage NaK, Pb-Bi, le sodium ou un des alliages ternaires des métaux liquides, …
Comme montré en , les collecteurs froid 41 et chaud 42 ont une forme générale toroïdale centrée sur l’axe central (X) de la cuve primaire 10. Ces collecteurs 41, 42 sont en appui sur des pièces de support directement soudées à la dalle de fermeture 17.
Comme illustré en , le système d’EPuR selon l’invention 2 comprend également une source froide 5 configurée pour absorber la chaleur évacuée par le rayonnement de la cuve primaire 10 à travers la totalité du serpentin 40. Le dimensionnement de la source froide 5 dépend à la fois de la puissance du cœur 11 du réacteur qui détermine de fait la puissance résiduelle à évacuer, et de la durée du transitoire à tenir envisagée, qui nécessite donc une inertie thermique sensiblement proportionnelle.
La source froide 5 comprend au moins un réservoir 50, agencé à distance de la cuve primaire 10 et à un niveau supérieur par rapport à la dalle de fermeture 17. De préférence, le réservoir 50 est confiné dans un bâtiment de confinement 52.
Afin de mettre à distance optimale la source froide 5 de la cuve primaire 10, le circuit hydraulique 2 comprend une boucle de liaison 45 comprenant un ensemble de tuyauterie et le cas échéant de vannes entre les collecteurs froid 41 et chaud 42 et des échangeurs de la source froide 5.
Plus précisément, comme illustré en , la boucle de liaison 45 comprend une branche hydraulique 451 qui relie le premier collecteur froid 41 à l’extrémité froide d’un échangeur de la source froide 5 et une branche hydraulique 452 qui relie le premier collecteur chaud 42 à l’extrémité chaude de l’échangeur de la source froide 5.
Ainsi, le premier collecteur froid 41 distribue l’écoulement du métal liquide interne de la branche froide 451 vers chaque branche froide 401 du serpentin 40 et le premier collecteur chaud 42 collecte le métal liquide interne qui provient de chaque branche chaude 401 du serpentin 40 pour l’amener à la branche chaude 452.
Les branches froide 451 et chaude 452 sont de préférence dimensionnées pour qu’elles soient de longueur la plus réduite possible afin d’en réduire les pertes de charge et d’augmenter le débit de convection naturelle dans le circuit hydraulique fermé 4, dans le cas où l’écoulement est prévu d’être passif par la conception du système d’EPuR.
Ainsi, le circuit hydraulique fermé 4 qui vient d’être décrit est configuré pour que le métal liquide caloporteur reste à l’état liquide à la fois en fonctionnement nominal du réacteur nucléaire et en fonctionnement à l'arrêt du réacteur nucléaire dégageant la puissance résiduelle.
Selon l’invention, le système EPuR 2 de type RRC qui vient d’être décrit comprend un module 6 d’ailettes 60 thermiquement conductrices, à déclenchement passif, agencées dans la partie cylindrique de l’espace inter-cuves E, entre la cuve primaire 10 et la cuve secondaire 32.
Avantageusement, le module 6 est pendu à la dalle de fermeture 17 par une enveloppe 61, typiquement en acier, qui épouse la forme de la cuve secondaire 32, comme illustré en figures 5A, 5B.
Comme visible aux figures 4A et 4B, les ailettes 60 du module 6, typiquement en acier ou en aluminium, sont regroupées en colonnes 62 agencées à l’intérieur de l’espace inter-cuves (E) et distribuées de préférence de manière régulière autour de la cuve primaire 10. A titre d’exemple, chaque ailette 60 est un parallélépipède droit de dimensions (épaisseur, largeur, longueur) égales à 1*5*25 cm.
Dans chaque colonne 62, les ailettes 60 sont espacées les unes des autres sur la hauteur H de la partie cylindrique de la cuve secondaire 32 et sont montées pivotantes autour de pivots 64 le long de la cuve secondaire entre une position escamotée dans laquelle elles sont à la verticale contre la cuve secondaire 32 (figures 4A, 5A, 6A) et une position déployée dans laquelle elles sont chacune en contact avec la cuve primaire 10 selon une surface de contact SC (figures 4B, 5B, 6B).
Les pivots 64 sont soudés à l’enveloppe en acier qui se trouve en contact avec la CS.
Comme en détail sur la , des thermo-éléments 63 à effet Seebeck sont agencés à l’intérieur de l’enveloppe 61 agencés à l’intérieur de l’enveloppe et s’étendent le long de la cuve secondaire 32 avec leur côté chaud dans la partie basse de l’enveloppe 61 et leur côté froid dans la partie haute de l’enveloppe 61. Pour des thermo-éléments, on pourra se référer à [3]. La publication [4] mentionne PbTe en tant que matériau thermoélectrique pouvant être soudé, et donc avoir des dimensions potentiellement allongées.
En fonctionnement du réacteur nucléaire, ces thermo-éléments 63 à effet Seebeck génèrent de façon permanente un courant électrique grâce à la différence de température entre la dalle de fermeture 17 au niveau de laquelle est agencé leur côté froid et le bas de la cuve secondaire 32 au niveau de laquelle est agencé leur côté chaud. Ce courant I généré au sein des thermo-éléments 32 est aussi propagé au sein des pivots 64 électriquement conducteurs.
La couche tampon 107 est par exemple en le même matériau que la couche sacrificielle 105, par exemple en nitrure de gallium.
La couche sacrificielle 105 est par exemple fortement dopée d’un premier type de conductivité, par exemple le type N (dopage N ++ ), et présente par exemple un niveau de dopage compris entre 1 x 10 19 et 1 x 10 20 at./cm 3 , par exemple dans le cas d’un dopage à base de silicium, le niveau de dopage pouvant atteindre environ 1 x 10 2 2 at./cm 3 , par exemple dans le cas d’un dopage à base de germanium. À titre d’exemple, la couche sacrificielle 105 est formée par croissance épitaxiale depuis la face de la couche tampon 107 opposée au substrat 103 (la face supérieure de la couche tampon 107, dans l’orientation de la ).
Bien qu’une seule couche tampon 107 située entre le substrat 103 et la couche sacrificielle 105 ait été illustrée en , la structure peut alternativement comprendre un empilement d’au moins deux couches tampon interposées entre le substrat 103 et la couche sacrificielle 105, les épaisseurs et les matériaux respectifs de ces couches tampon étant par exemple choisis en fonction du ou des matériaux présents dans l’empilement de diode 101.
L’empilement de diode 101 revêt une face de la couche sacrificielle 105 opposée au substrat 103 (la face supérieure de la couche sacrificielle 105, dans l’orientation de la ). Dans l’exemple représenté, l’empilement de diode 101 comprend une couche 109 dopée du premier type de conductivité (le type N, dans cet exemple) revêtant la face supérieure de la couche sacrificielle 105, une couche active 111 revêtant la face supérieure de la couche 109, et une couche 113 dopée d’un deuxième type de conductivité (le type P, dans cet exemple), opposé au premier type de conductivité, revêtant la face supérieure de la couche active 111. La couche 109 de l’empilement de diode 101 présente par exemple un niveau de dopage strictement inférieur, par exemple au moins dix fois inférieur, de préférence au moins mille fois inférieur, à celui de la couche sacrificielle 105. À titre d’exemple, la couche 109 présente un niveau de dopage de l’ordre de 1 x 10 18 at./cm 3 . À titre d’exemple, les couches 109 et 113 sont en le même matériau que la couche sacrificielle 105, par exemple en nitrure de gallium.
Dans l’exemple illustré en où l’empilement de diode 101 est un empilement de type LED, les couches 109 et 113 sont par exemple respectivement une couche d’injection et/ou de transport d’électrons et une couche d’injection et/ou de transport de trous. La couche active 111 est, dans cet exemple, une couche émissive destinée à émettre de la lumière vers un milieu extérieur lorsqu’une différence de potentiel est appliquée entre les couches 109 et 113 disposées de part et d’autre de la couche active 111. Bien que cela n’ait pas été détaillé en , l’empilement de diode 101 peut en outre comprendre une ou plusieurs couches de blocage de trous, par exemple interposées entre la couche émissive 111 et la couche 109 d’injection et/ou de transport d’électrons, et/ou une ou plusieurs couches de blocage d’électrons, par exemple interposées entre la couche émissive 111 et la couche 113 d’injection et/ou de transport de trous.
À titre d’exemple, la couche active 111 comprend des puits quantiques multiples (« Multiple Quantum Wells » - MQW, en anglais).
Dans l’exemple illustré, une couche électriquement conductrice 115 revêt une face de l’empilement de diode 101 opposée au substrat 103 (la face supérieure de l’empilement de diode 101, dans l’orientation de la ). Dans cet exemple, la couche conductrice 115 revêt plus précisément la face supérieure de la couche 113. La couche conductrice 115 est par exemple une électrode d’anode connectée à l’empilement de diode 101 par la couche 113 d’injection et/ou de transport de trous. À titre d’exemple, la couche conductrice 115 est en un métal ou en un alliage métallique.
Dans l’exemple représenté, une autre couche électriquement conductrice 117 revêt une face de la couche conductrice 115 opposée au substrat 103 (la face supérieure de la couche conductrice 115, dans l’orientation de la ). À titre d’exemple, la couche conductrice 117 est en un métal, par exemple le titane, ou en un alliage métallique.
La illustre plus particulièrement une étape ultérieure de découpe (« dicing », en anglais) de la structure précédemment décrite en relation avec la .
Dans l’exemple représenté, la structure de la est découpée sur toute sa hauteur de sorte à former des vignettes 121. Chaque vignette 121 comprend une partie du substrat 103 et un empilement vertical comportant dans l’ordre, depuis le substrat 103, des parties de la couche tampon 107, de la couche sacrificielle 105, de l’empilement de diode 101, de la couche conductrice 115 et de la couche conductrice 117.
À titre d’exemple, chaque vignette 121 présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement rectangulaire, circulaire ou carrée, et une surface comprise entre quelques micromètres carrés et quelques centimètres carrés.
Bien que trois vignettes 121 aient été représentées en , l’étape de découpe peut bien entendu conduire à la formation d’un nombre de vignettes 121 différent de trois, par exemple plusieurs dizaines ou plusieurs centaines de vignettes 121.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report des vignettes 121 (de deux vignettes 121, dans l’exemple illustré) sur un substrat 131.
Les vignettes 121 sont par exemple d’abord retournées par rapport à l’orientation de la puis mises en contact, par la face de la couche 117 opposée au substrat 103 (la face inférieure de la couche 117, dans l’orientation de la ) avec une couche électriquement conductrice 133 revêtant une face du substrat 131 (la face supérieure du substrat 131, dans l’orientation de la ). Au cours de cette étape, les vignettes 121 sont fixées au substrat 131. À titre d’exemple, la fixation des vignettes 121 sur le substrat 131 est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Dans le cas où les couches 117 et 133 sont en un métal ou en un alliage métallique conducteur, le collage est qualifié de « métal/métal » ou de « conducteur ».
Le substrat 131 est par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. Bien que cela n’ait pas été détaillé en , une couche électriquement isolante, par exemple en dioxyde de silicium, peut être prévue entre le substrat 131 et la couche conductrice 133. À titre d’exemple, la couche conductrice 133 est en le même matériau que la couche 117, par exemple le titane.
La illustre plus particulièrement une étape ultérieure d’élimination de la couche sacrificielle 105.
Procédé d’authentification ou d’identification d’un individu sur la base d’un signal sonore de parole. DOMAINE TECHNIQUE GÉNÉRAL
La présente invention se rapporte au domaine de la reconnaissance biométrique, en particulier basée sur la voix. Plus précisément, elle concerne un procédé d’authentification ou d’identification d’un individu sur la base d’un signal sonore de parole.