INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ce but est atteint dans le cadre de la présente invention grâce à une aube mobile de turbine destinée à être montée autour d’un d’axe longitudinal dans une alvéole qui débouche à la périphérie externe d’un disque de rotor d’une roue mobile d’une turbine basse pression d’un système propulsif aéronautique, le disque de rotor étant destiné à être centré sur l’axe longitudinal et à comprendre une pluralité d’aubes mobiles réparties circonférentiellement à la périphérie externe du disque de rotor, le système propulsif aéronautique étant destiné à comprendre un arbre d’entrainement et la roue mobile étant configurée pour entrainer l’arbre d’entrainement en rotation autour de l’axe longitudinal, l’aube mobile de turbine s’étendant radialement vis-à-vis de l’axe longitudinal et comprenant un pied configuré pour être monté dans l’alvéole du disque de rotor, un talon, et une pale à profil aérodynamique s’étendant radialement depuis le pied jusqu’au talon, la pale à profil aérodynamique présentant un bord d’attaque et un bord de fuite, dans laquelle le talon comprend une plateforme qui présente une surface radialement interne destinée à délimiter une veine de circulation de gaz, dans laquelle le pied comprend une plateforme qui présente une surface radialement externe également destinée à délimiter la veine de circulation de gaz, et dans laquelle le talon est formé en un matériau, et présente une difficulté définie comme : où : est une masse volumique du matériau en kilogrammes par mètres cubes, est un rayon externe de veine, le rayon externe de veine étant défini comme une moyenne d’une première distance radiale et d’une deuxième distance radiale, la première distance étant une distance entre l’axe longitudinal et un point de jonction entre la surface radialement interne de la plateforme du talon et le bord d’attaque, et la deuxième distance étant une distance entre l’axe longitudinal et un point de jonction entre la surface radialement interne de la plateforme du talon et le bord de fuite, en mètres, est le nombre de la pluralité d’aubes mobiles destinées à être montées à la périphérie externe du disque de rotor, est une vitesse de rotation limite destinée à être atteinte par l’arbre d’entraînement en fonctionnement lorsque le système propulsif aéronautique fonctionne à puissance maximale constante, en nombre de tours par minute, l’aube mobile de turbine étant destinée à être soumise à une température lorsque l’arbre d’entrainement tourne à la vitesse de rotation limite , et dans laquelle et sont choisis de telle sorte que : - si la température est inférieure à 759°C : , - si la température est dans la plage allant de 759°C à 1083°C : , où , , étant en degrés Celsius, - si la température est dans la plage allant de 1083°C à 1117°C : , où , , et étant en degrés Celsius, et - si la température est supérieure à 1117°C : , et dans laquelle la masse volumique du matériau est comprise dans une plage allant de 2 à 10 kilogrammes par mètres cubes et le rayon externe de veine est compris dans une plage allant de 0,15 à 1,0 mètre.
Dans un mode de réalisation, un paramètre est défini comme : , où : est un rayon interne de veine, le rayon interne de veine étant défini comme une moyenne d’une troisième distance radiale et d’une quatrième distance radiale, la troisième distance radiale étant une distance entre l’axe longitudinal et un point de jonction entre la surface radialement externe de la plateforme du pied et le bord d’attaque, et le quatrième distance radiale étant une distance entre l’axe longitudinal et un point de jonction entre la surface radialement externe de la plateforme du pied et le bord de fuite, en mètres, le rayon externe et le rayon interne sont choisis de telle sorte que : - si la température est inférieure ou égale à 700°C : rpm².m², - si la température est supérieure à 700°C : , où et , étant en degrés Celsius, et le rayon interne de veine est compris dans une plage allant de 0,1 à 0,8 mètre.
Dans un mode de réalisation, le disque mobile de turbine est destiné à présenter une surface amont, une surface avale, et chaque alvéole du disque étant destinée à être délimitée par une surface de fond d’alvéole, un paramètre est défini comme : avec : et : où : est un rayon interne de veine, le rayon interne de veine étant défini comme une moyenne d’une troisième distance radiale et d’une quatrième distance radiale, la troisième distance radiale étant une distance entre l’axe longitudinal et un point de jonction de la plateforme du pied et le bord d’attaque, et la quatrième distance radiale étant une distance entre l’axe longitudinal et un point de jonction de la plateforme du pied et le bord de fuite, en mètres, est une hauteur de veine, la hauteur de veine étant définie comme une différence entre le rayon externe de veine et le rayon interne de veine , en mètres, est un rayon de jante, le rayon de jante étant défini comme la plus petite distance radiale entre l’axe longitudinal et la surface de fond d’alvéole, en mètres, est une épaisseur de jante, l’épaisseur de jante étant définie comme une distance axiale entre un point de jonction de la surface amont du disque mobile de turbine et de la surface de fond d’alvéole, et un point de jonction de la surface avale du disque mobile de turbine et de la surface de fond d’alvéole, en mètres, le rayon externe et le rayon interne sont choisis de telle sorte que : où et , étant en degrés Celsius, et le rayon interne de veine est compris dans une gamme allant de 0,1 à 0,8 mètre.
Dans le procédé selon l’invention, un premier pseudo-substrat donneur est fabriqué par le placement d’au moins deux pavés sur un substrat support. Les autres pseudo-substrats donneurs sont fabriqués à partir de ce premier substrat pseudo-donneur, en collant le premier pseudo-substrat donneur sur d’autres substrats supports par l’intermédiaire des pavés et en séparant les pavés dudit premier substrat donneur de sorte à en transférer une portion sur chacun des autres substrats supports. Ceci permet avantageusement de s’affranchir d’étapes supplémentaires de placement de pavés.
Par la suite, on décrit plus en détails deux modes de réalisation du procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs selon l’invention. L’invention s’étendant à un procédé de transfert de couche active utilisant l’un de ces pseudo-substrats donneurs, on décrit en outre un mode de réalisation d’un tel procédé de transfert.
Premier mode de réalisation de fabrication de pseudo-substrats donneurs
Les figures 2A à 2F illustrent de manière schématique un premier mode de réalisation particulier du procédé selon l’invention comprenant le placement des pavés P1, P2, P3 sur un premier substrat support 3 de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur 1, le transfert d’une première portion des pavés P1, P2, P3 du premier pseudo-substrat donneur 1 sur un second substrat support 4 de sorte à former un deuxième pseudo-substrat donneur 2, et enfin le transfert d’une deuxième portion desdits pavés sur un troisième substrat support 6 pour former un troisième pseudo-substrat donneur 7.
Selon ce premier mode de réalisation, on découpe des pavés P1-P3 dans un substrat donneur 5 tel que représenté sur la . La découpe des pavés P1-P3 peut être réalisée par toute technique connue de l’homme de l’art. Elle peut notamment être réalisée par sciage et/ou clivage, ou encore par découpe laser. Elle peut aussi par exemple être combinée avec une étape de gravure partielle par plasma des traits de découpe, technique connue sous le terme anglais de « plasma dicing ».
La découpe des pavés P1-P3 dans le substrat donneur 5 est de préférence réalisée sur toute l’épaisseur dudit substrat donneur 5, de sorte que chaque pavé P1-P3 présente une épaisseur égale à l’épaisseur du substrat donneur 5 dans lequel ils ont été découpés.
De manière avantageuse, les pavés P1-P3 sont issus d’un matériau qui n’est pas disponible commercialement sous forme de substrat donneur de grandes dimensions. Ainsi, le substrat donneur 5 peut présenter un diamètre inférieur à 30 cm, par exemple de l’ordre de 10 ou 15 cm. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Ceci est le cas aussi pour des composés semi-conducteurs IV ou IV-IV, comme par exemple le germanium et le carbure de silicium.
Les pavés P1-P3 peuvent également être en un matériau piézoélectrique, par exemple le tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou encore le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN) (liste non limitative).
Les pavés P1-P3 peuvent également être en un matériau électriquement isolant, tel que par exemple le diamant, le titanate de strontium (SrTiO3), la zircone yttriée (YSZ), ou encore le saphir.
Chaque pavé P1-P3 présente une épaisseur initiale minimale de 100 µm, de préférence une épaisseur initiale comprise entre 300 µm et 600 µm, de préférence encore une épaisseur initiale comprise entre 400 µm et 600 µm, cette épaisseur initiale étant en outre avantageusement égale à l’épaisseur du substrat donneur 5.
La illustre le placement des pavés P1-P3 sur le premier substrat support 3 pour former un premier pseudo-substrat donneur 1 comprenant les pavés P1-P3 et le premier substrat support 3.
Le premier substrat support 3 présente avantageusement un diamètre supérieur au substrat donneur 5. Le premier substrat support 3 comprend par exemple tout matériau disponible en taille de substrat supérieur au matériau donneur tel que silicium, verre, SiC polycristallin, saphir (Al 2 O 3 ), ou tout autre matériau semi-conducteur disponible en grand diamètre (c’est-à-dire un diamètre supérieur ou égal à 200 ou 300 mm). Compte tenu de la différence de taille entre le substrat donneur 5 et le premier substrat support 3, plusieurs substrats donneurs 5 peuvent être nécessaires pour paver l’ensemble de la surface du premier substrat support 3 selon la densité de pavage souhaitée.
Le placement de chaque pavé P1-P3 peut être mis en œuvre par la technique de « Pick and Place », par laquelle un robot saisit un pavé préalablement découpé dans le substrat donneur 5 et le place à un emplacement prédéterminé sur le premier substrat support 3. Les pavés P1-P3 sont donc placés successivement sur le premier substrat support 3.
Dans certains modes de réalisation, chaque pavé P1-P3 adhère au premier substrat support 3 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés P1-P3 et/ou du premier substrat support 3 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation par plasma avant collage et un recuit.
Dans d’autres modes de réalisation, le collage des pavés P1-P3 au premier substrat support 3 peut faire intervenir une couche de collage intermédiaire, par exemple une couche de collage polymère, une couche de collage eutectique ou une couche de colle céramique.
La illustre le collage du premier pseudo-substrat donneur de la sur un deuxième substrat support 5 par l’intermédiaire des pavés P1-P3.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, comprenant en outre les étapes de :
- calculer un indice de confiance qui dépend du premier nombre et du deuxième nombre ;
- comparer l’indice de confiance avec un seuil de confiance prédéterminé ;
- décider, en fonction d’un résultat de ladite comparaison, de valider ou non un résultat de l’étape de détection du changement de position et/ou d’orientation.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel l’action corrective comprend les étapes de :
- déterminer une nouvelle position et/ou une nouvelle orientation du boîtier décodeur ;
- produire de nouveaux paramètres audio pour optimiser la restitution sonore alors que le boîtier décodeur se trouve dans la nouvelle position et/ou la nouvelle orientation.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, comprenant les étapes de :
- déterminer, dans un repère lié à l’image courante, des coordonnées d’une position d’écoute optimale initiale dans laquelle la restitution sonore était optimisée alors que le boîtier décodeur se trouvait dans la position initiale et l’orientation initiale ;
- produire les nouveaux paramètres audio de sorte que la restitution sonore est à nouveau optimisée dans la position d’écoute optimale initiale.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel les nouveaux paramètres audio comprennent un gain appliqué sur un volume courant, qui dépend de la position d’écoute optimale initiale et de la nouvelle position et/ou de la nouvelle orientation du boîtier décodeur.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel le boîtier décodeur comprend au moins deux haut-parleurs, la production des nouveaux paramètres audio comprenant l’étape d’ajuster une balance audio entre lesdits au moins deux haut-parleurs.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel le boîtier décodeur comprend un premier haut-parleur et un deuxième haut-parleur, le procédé d’optimisation comprenant les étapes de :
- déterminer, en utilisant la matrice d’homographie planaire, un premier angle entre un axe de référence de l’image initiale passant par la position d’écoute optimale initiale, et un premier axe courant passant par la position d’écoute optimale initiale et le premier haut-parleur dans l’image courante, et un deuxième angle entre l’axe de référence et un deuxième axe courant passant par la position d’écoute optimale initiale et le deuxième haut-parleur dans l’image courante ;
- déterminer, en utilisant la matrice d’homographie planaire, une première distance entre la position d’écoute optimale initiale et le premier haut-parleur, et une deuxième distance entre la position d’écoute optimale initiale et le deuxième haut-parleur ;
- utiliser une méthode d’ambisonie pour placer des sources sonores virtuelles autour de la position d’écoute optimale initiale en calculant des gains qui dépendent du premier angle, du deuxième angle, de la première distance et de la deuxième distance, les nouveaux paramètres audio comprenant lesdits gains.
- puis, acquérir au moins une image courante produite par la caméra ;
- analyser l’image courante et l’image initiale pour détecter un changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur ;
- effectuer au moins une action corrective permettant d’optimiser la restitution sonore suite au changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur.
L’unité de traitement utilise donc l’image initiale et l’image courante pour détecter un changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur. Une action corrective peut alors être effectuée pour corriger les effets de ce déplacement sur le rendu acoustique du boîtier décodeur. L’utilisateur peut donc profiter au mieux des qualités du boîtier décodeur même si celui-ci a été déplacé volontairement ou par inadvertance.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel l’analyse de l’image courante et de l’image initiale comprend les étapes de :
- déterminer une matrice d’homographie planaire permettant de passer de l’image courante à l’image initiale ;
- analyser ladite matrice d’homographie planaire pour détecter le changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur.
On propose de plus un procédé d’optimisation tel que précédemment décrit, dans lequel l’analyse de la matrice d’homographie planaire comprend les étapes de :
- comparer ladite matrice d’homographie planaire avec une matrice d’identité ;
- ne pas détecter de changement de position ni d’orientation du boîtier décodeur lorsqu’une valeur absolue d’une différence entre chaque élément de la matrice d’homographie planaire et un élément correspondant de la matrice d’identité est inférieure à un premier seuil de détection prédéterminé ;
- détecter un changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur dans le cas contraire.
- détecter dans l’image initiale, en utilisant une transformée de Hough, un premier nombre de premières lignes ayant chacune des premières coordonnées polaires ;
- détecter dans l’image courante, en utilisant la transformée de Hough, un deuxième nombre de deuxièmes lignes ayant chacune des deuxièmes coordonnées polaires ;
- évaluer un nombre de lignes communes à l’image initiale et à l’image courante ;
- détecter un changement de position et/ou d’orientation du boîtier décodeur si le nombre de lignes communes est inférieur à un deuxième seuil de détection prédéterminé.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de remplissage des ouvertures 81 de la structure illustrée en , de façon à former les vias 45.
Lors de cette étape, on vient dans un premier temps remplir les ouvertures 81 et recouvrir la face supérieure de la structure illustrée en avec un matériau métallique. A titre d'exemple, le matériau métallique est en cuivre, en tungstène ou en cobalt.
A titre d'exemple, le remplissage des ouvertures 81 est réalisé alors que les parties de la couche 82 qui n'ont pas réagit avec le silicium des contacts 41, lors de l'étape de formation du siliciure 83, sont conservées sur les flancs des ouvertures 81. La couche 82 a ainsi une fonction barrière à la diffusion du matériau des vias 45 dans la couche 79.
Dans un deuxième temps, on vient retirer l'excès de matériau métallique déposé sur la face supérieure de la structure de façon à dévoiler la face supérieure de la couche 79. A titre d'exemple, cette étape est réalisée par polissage. L'étape de polissage est, par exemple réalisée par un procédé mécanique, par exemple un procédé mécano-chimique ou CMP (de l'anglais "Chemical Mechanical Polishing"). Ce qui subsiste de matériau métallique dans les ouvertures 81 forme ainsi les pistes 45. A l'issue de cette étape, la face supérieure des pistes 45 affleurent la face supérieure de la couche 79.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une couche 87 sur la face supérieure de la structure illustrée en suivie d'une étape de formation d'ouvertures 89 dans la couche 87.
A titre d'exemple, l'étape de formation de la couche 87 est similaire à l'étape de formation de la couche 73 décrite en relation avec la et l'étape de formation des ouvertures 89 est similaire à l'étape de formation des ouvertures 41 décrite en relation avec la .
A titre d'exemple, chaque via 45 est surmonté d'une ouverture 89.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de remplissage des ouvertures 89 de la structure illustrée en , de façon à former les pistes 47.
Lors de cette étape, on vient, dans un premier temps déposer une couche barrière, non représentée, pleine plaque sur la face supérieure de la structure illustrée en , et plus précisément dans le fond et sur les flancs des ouvertures 89. Cette couche barrière permet, par exemple d'éviter la diffusion des atomes de cuivre dans la couche 87. A titre d'exemple, la couche barrière est en tantale et/ou en nitrure de tantale (TaN). A titre d'exemple, la couche barrière comprend une première sous-couche en nitrure de tantale. A titre d'exemple, la couche barrière comprend une deuxième sous-couche en tantale.
Dans un deuxième temps, on vient former les contacts 47, dans les ouvertures 89, sur et en contact avec la couche barrière. A titre d'exemple, les contacts 47 sont en un matériau métallique, par exemple en cuivre.
A titre d'exemple, les contacts 47 sont formés par dépôt d'une couche de cuivre, par exemple pleine plaque. Le dépôt de la couche de cuivre est, par exemple suivie d'une croissance électrolytique de cette couche.
A titre d'exemple, à l'issue de l'étape de croissance électrolytique, une étape de polissage, par exemple mécanochimique est réalisée de façon à découvrir la face supérieure de la couche 87. A l'issue de cette étape, la face supérieure des contacts 47 affleurent la face supérieure de la couche 87.
Bien que cela ne soit pas représentée, la formation du niveau 33 du réseau d'interconnexion 23 est, par exemple, complétée par la formation d'une couche en un diélectrique, par exemple en un nitrure, par exemple en nitrure de silicium (Si x N y ) ou en carbonitrure de silicium (SiC x N y ).
Un avantage du premier mode de réalisation est qu'il permet le dopage de la partie du film 67 située sur les flancs des ouvertures 65, créant ainsi une zone plus conductrice sur le flanc des vias 39 et abaissant la résistance de ceux-ci.
La et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un procédé de fabrication de la partie du dispositif d'acquisition d'image illustrée en selon un deuxième mode de mise en oeuvre.
Le deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation en ce que, à l'issue de l'étape décrite en relation avec la , les ouvertures 65 sont remplies d'une couche 93 en silicium sans formation préalable du film 67 (comme cela a été décrit en relation avec la ) et en ce que la couche 93 subit une implantation à la suite de son dépôt.
La illustre, schématiquement et de manière non limitative, l’élévation de surface libre reconstruite REC (selon le procédé selon l’art antérieur avec une fonction de transfert de modulation moyenne) et de référence REF. On constate que la reconstruction selon le procédé de l’art antérieur n’est pas totalement précise.
Sur cette figure, on identifie trois séries de points PM, pour lesquels on détermine la fonction de transfert de modulation. Ces points sont référencés dans le repère (x, y) en fonction de la distance au centre C (x=0 et y=0) et d’un angle par rapport à la droite y=0.
La illustre le module M et la phase P de la fonction de transfert de modulation en fonction de la fréquence f en Hz, pour ces points PM de la . Les courbes de gauche correspondent à un angle θ1 de 60° par rapport à la droite y=0, les courbes du centre correspondent à un angle θ2 de 30° par rapport à la droite y=0 et les courbes de droite correspondent à un angle θ3 de 0° par rapport à la droite y=0. Les références R1 à R4 désignent la distance par rapport au centre du repère C avec R1=600m, R2=1000m, R3=1400m et R4=1800m.
On remarque que les courbes varient fortement d’un point à un autre. Par conséquent, l’application d’un procédé selon l’art antérieur avec une fonction de transfert de modulation moyenne ne permet pas d’obtenir précisément le spectre de la houle, ni, a fortiori, une reconstruction précise de l’élévation de surface libre « vague à vague » de la zone d’intérêt.
De plus, on peut remarquer que la fonction de transfert de modulation présente des variations qui relativement régulières en fonction de la distance et de l’azimut (ici par exemple, la pente et l’amplitude de la fonction de transfert diminuent avec la distance).
Avec le procédé selon l’invention, en faisant voler le drone à quelques distances et azimuts bien choisis, et ce quelques minutes à chaque emplacement, il est possible de calibrer les paramètres d’un modèle simple des variations spatiales de la fonction de transfert de modulation, et ainsi exploiter de manière précise les images radar sur de grandes surfaces.
Pour le deuxième exemple, on réalise une reconstruction de l’élévation de surface libre à l’aide de fonctions de transferts locales obtenues en moyennant la fonction de transfert dans un rayon de 100m autour de chaque point PM et on la compare à la reconstruction obtenue à l’aide d’une fonction de transfert moyenne.