Capteur d’images polarimétrique (400 ; 600 ; 800 ; 900) formé dans et sur un substrat semiconducteur (101), le capteur comprenant : – une pluralité de pixels (P) comprenant chacun un photodétecteur (107) formé dans le substrat semiconducteur ; – un routeur de polarisation comprenant une métasurface bidimensionnelle (MS) disposée du côté d’une face d’éclairement des photodétecteurs, la métasurface comprenant un réseau bidimensionnel de plots (117) ; et – une pluralité de premières microlentilles (401) s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels (P(1), P(2)) adjacents du capteur. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 1, dans lequel les premières microlentilles (401) présentent chacune une forme allongée. Capteur (400 ; 600) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premières microlentilles (401) sont disposées du côté du routeur de polarisation opposé aux photodétecteurs (107). Capteur (800 ; 900) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premières microlentilles (401) sont interposées entre les photodétecteurs (107) et la métasurface bidimensionnelle (MS). Capteur (900) selon la revendication 4, comprenant en outre une pluralité de deuxièmes microlentilles (901) distinctes des premières microlentilles (401) et disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle (MS) opposée aux photodétecteurs (107), chaque deuxième microlentille s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels (P(1), P(2)) adjacents du capteur. Capteur (900) selon la revendication 5, dans lequel chaque deuxième microlentille (901) présente une forme allongée. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend, en vis-à-vis de l’une des premières microlentilles (401), des premier et deuxième pixels (P(1), P(2)) adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des première et deuxième polarisations distinctes, une première partie (MS(1)) de la métasurface bidimensionnelle (MS) située à l’aplomb des premier et deuxième pixels étant adaptée à transmettre majoritairement : – des rayonnements selon la première polarisation vers le premier pixel (P(1)) ; et – des rayonnements selon la deuxième polarisation vers le deuxième pixel (P(2)). Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 7, dans lequel les rangées de plots (117) de la première partie (MS(1)) de la métasurface bidimensionnelle (MS) sont identiques entre elles. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la première partie (MS(1)) de la métasurface bidimensionnelle (MS) est adaptée à focaliser les rayonnements incidents majoritairement le long d’une direction (Ox) parallèle aux rangées de plots (117). Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel les première et deuxième polarisations sont des polarisations linéaires selon des première et deuxième directions formant respectivement des angles de 0° et 90° par rapport à une direction de référence. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend en outre des troisième et quatrième pixels (P(3), P(4)) adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des troisième et quatrième polarisations distinctes, différentes des première et deuxième polarisations, une deuxième partie (MS(2)) de la métasurface bidimensionnelle (MS) située à l’aplomb des troisième et quatrième pixels étant adaptée à transmettre majoritairement : – des rayonnements selon la troisième polarisation vers le troisième pixel (P(3)) ; et – des rayonnements selon la quatrième polarisation vers le quatrième pixel (P(4)). Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 11, dans lequel les troisième et quatrième polarisations sont des polarisations linéaires selon des troisième et quatrième directions formant respectivement des angles de 45° et 135° par rapport à la direction de référence. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les plots (117) de la métasurface bidimensionnelle (MS) sont en silicium amorphe. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel les plots (117) de la métasurface bidimensionnelle (MS) sont entourés latéralement d’oxyde de silicium. Capteur (400 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel les plots (117) de la métasurface bidimensionnelle (MS) présentent des dimensions latérales sub-longueur d’onde. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, comprenant en outre un filtre polariseur (FP) interposé entre ladite pluralité de pixels (P) et la métasurface bidimensionnelle (MS), le filtre comprenant, pour chaque pixel (P), une structure de polarisation (111). Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 16, dans sa dépendance à l’une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel la structure de polarisation (111) du premier pixel (P(1)) est adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la première polarisation et la structure de polarisation (111) du deuxième pixel (P(2)) est adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la deuxième polarisation. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 16 ou 17, dans lequel chaque structure de polarisation (111) comprend une pluralité de barres parallèles métalliques (701). Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 18, dans lequel chaque barre métallique (701) est revêtue d’un empilement absorbant (703). Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 19, dans lequel l’empilement absorbant (703) comprend : – une couche de tungstène (705) ; – une couche de silicium (707), revêtant la couche de tungstène ; et – une couche diélectrique (709), revêtant la couche de silicium.