INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La gravure (ou structuration) de la partie appauvrie en germanium 111 (étape S6) peut être accomplie immédiatement après l’étape S5’ de gravure de la partie enrichie en germanium 112. Les premières ailettes 111A sont ensuite recouvertes d’un masque, puis la couche de réflexion laser 14, la couche de masque dur 18 (le cas échéant) et la couche de protection 13 sont retirées successivement (par gravure à travers le masque), pour donner accès la couche de SiGe 12. Enfin, la couche de SiGe 12 est structurée pour former les deuxièmes ailettes 121B (étape S6’).
Les étapes de gravure pour former les premières ailettes 111A dans la première région 10A et les deuxièmes ailettes 121B dans la deuxième région 10B peuvent être également accomplies simultanément (après retrait de la couche de réflexion laser 14, de la couche de masque dur 18 et de la couche de protection 13.
Les figures 7A à 7C illustrent un septième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication, adapté à la formation de transistors FinFET.
L’étape S1 de fourniture de la structure multicouches 10 et l’étape S2 de définition des première et deuxième régions 10A-10B représentées par la sont accomplies d’une façon sensiblement identique à celle décrite en relation avec les figures 3A-3B (troisième mode de mise en œuvre). La couche de SiGe 12 est notamment structurée en une pluralité d’ailettes 121 réparties entre les première et deuxième régions 10A-10B et séparées entre elles par des tranchées d’isolation électrique 16’. Une différence est que la couche de SiGe 12 présente ici une concentration en germanium supérieure ou égale à 15 %.
Ensuite, à l’étape S4’ (cf. ), la structure multicouches 10 est soumise au recuit laser de manière à modifier des portions 110A de la structure multicouches 10 situées dans la première région 10A et des portions 110B de la structure multicouches 10 situées dans la deuxième région 10B, chaque portion 110A, 110B comprenant une partie au moins d’une ailette 121 et s’étendant jusqu’à la couche de protection 13.
Pour ce faire, la structure multicouches 10 est dépourvue de couche de réflexion laser 14. Le procédé de fabrication ne comprend donc pas de sous-étape de dépôt de la couche de réflexion laser 14 sur la couche de protection 13, ni d’étape de retrait S3’ d’une portion de la couche de réflexion laser 14 située dans la première région 10A. En revanche, la structure multicouches 10 peut comprendre une couche de masque dur (non représentée) disposée sur la couche de protection 13.
Le recuit laser affecte ainsi toutes les ailettes 121 de la couche de SiGe 12. Chaque ailette 121 est transformée (au moins en partie) en une portion de couche semi-conductrice 110’’ comprenant une partie appauvrie en germanium 111 et une partie enrichie en germanium 112 qui enveloppe la partie appauvrie en germanium 111.
A l’étape S5’ de la , la couche de protection 13 et la partie enrichie en germanium 112 des portions de couche semiconductrice 110’’ sont gravées successivement dans la première région 10A. Ces deux opérations de gravure sont accomplies après avoir formé un masque dur 18’ dans la deuxième région 10B, sur la couche de protection 13. Le masque dur 18’ est obtenu en gravant une portion d’une couche de masque dur déposée sur la couche de protection 13 avant le recuit laser, par exemple lors de la formation de la structure multicouches (étape S1), ou après le recuit laser (étape S4).
Chaque partie appauvrie en germanium 111 située dans la première région 10A forme une première zone semi-conductrice 100A optimisée pour la conduction par électrons et chaque partie enrichie en germanium 112 située dans la deuxième région 10B forme une deuxième zone semi-conductrice 100A optimisée pour la conduction par trous.
En outre, du fait qu’il est possible d’évaluer une impédance et les variations de celle-ci en mesurant des courants relativement faibles générés par une tension d’excitation particulièrement basse, et ce de surcroît en conservant une connexion de l’outil d’enlèvement de matière à la masse du dispositif, le système de détection selon l’invention ne présente absolument aucun danger électrique ni pour la machine, ni pour l’opérateur.
Par ailleurs, l’invention peut, de façon plus spécifique, comme on le verra par la suite, tirer profit de la structure d’un objet qui alterne matériau conducteur et matériau isolant pour créer un premier dipôle de type condensateur, qui maintient une isolation entre sa première armature et sa seconde armature, et donc entre la première électrode et la seconde électrode, y compris lorsque l’outil et donc la seconde électrode vient toucher l’insert conducteur. Ceci autorise notamment le raccordement de la seconde électrode à la masse du dispositif, ce qui simplifie la structure du système de détection et améliore la sécurité du dispositif.
Le système de détection selon l’invention présente par ailleurs une excellente sensibilité et un temps de réponse très court, notamment lorsqu’il repose sur une mesure d’impédance capacitive, ce qui permet de détecter quasi-instantanément l’apparition d’un contact entre l’outil d’enlèvement de matière et l’insert en matériau conducteur, et donc de stopper automatiquement et quasi-instantanément l’opération de creusage sitôt que l’outil d’enlèvement de matière atteint l’insert, et donc sans que l’outil d’enlèvement de matière n’ait le temps d’endommager l’insert.
La illustre, selon une vue d’ensemble de face, un exemple de dispositif selon l’invention, destiné à enlever de la gomme de bandages pneumatiques, et qui comprend à cet effet un support agencé pour maintenir le bandage par ses talons, ledit support présentant ici quatre mors dont au moins l’un contient une première électrode.
La est une vue de détail du dispositif de la , en coupe longitudinale, dans un plan de coupe radial contenant l’axe central du bandage et passant par l’un des mors du support.
La est une vue partielle agrandie de la , faisant apparaître la structure stratifiée du support, ici la structure stratifiée du mors, laquelle structure stratifiée permet de créer d’une part un premier condensateur avec le bandage, dans une première branche du circuit de détection correspondant au premier dipôle, et d’autre part un second condensateur formant une seconde branche du circuit de détection, parallèle à la première branche.
La représente un schéma électrique équivalent d’un dispositif mis en œuvre selon l’invention, lorsque l’outil d’enlèvement de matière se trouve à distance de l’insert électriquement conducteur, et que la première branche contenant la seconde borne du premier dipôle, ici la seconde armature du premier condensateur, d’une part et la seconde électrode associée à l’outil d’enlèvement de matière d’autre part, forme un circuit ouvert.
La est une vue du schéma électrique équivalent de la lorsque l’outil d’enlèvement de matière entre en contact avec l’insert électriquement conducteur et ferme ainsi le circuit de la première branche en reliant la seconde borne du premier dipôle, ici la seconde armature du premier condensateur, à la seconde électrode associée à l’outil d’enlèvement de matière.
La présente invention concerne un dispositif 1 d’enlèvement de matière destiné à travailler un objet 2 qui comprend un revêtement 3 électriquement isolant, tel qu’un revêtement 3 à base de caoutchouc, qui recouvre au moins un insert 4 électriquement conducteur, tel qu’un câble de renfort métallique.
L’objet 2 peut, selon une application préférentielle de l’invention, être un bandage 30 destiné à équiper une roue ou une chenille de véhicule, par exemple un bandage 30 pneumatique.
De façon connue en soi, et tel que cela est visible sur les figures 1 et 2, un tel bandage 30 pneumatique peut comprendre un premier talon 31A et un second talon 31B qui sont destinés à permettre la fixation du bandage 30 sur une jante et qui contiennent à cet effet des structures annulaires de renfort dites « tringles » 32A, 32B, un sommet 33 pourvu d’une bande de roulement 34, ainsi qu’un premier flanc 35A et un second flanc 35B qui relient le sommet 33 respectivement au premier talon 31A et au second talon 31B.
Un tel bandage 30 est renforcé par une armature, ou « carcasse », qui comprend généralement une pluralité de nappes 36, 37, 38 de renfort présentant chacune une pluralité de câbles de renfort qui sont noyés dans une couche de matériau à base de caoutchouc. Plus particulièrement, le bandage 30 comprend généralement au moins une nappe carcasse 36 qui joint la première tringle 32A à la seconde tringle 32B en passant successivement par le premier flanc 35A, le sommet 33 puis le second flanc 35B, ainsi que des nappes sommet 37, 38, dont les câbles de renfort s’entrecroisent avec ceux de la nappe carcasse 36.
Dans le cas où l’objet 2 considéré est un bandage 30, le revêtement 3 isolant au sens de l’invention peut correspondre à une ou plusieurs couches à base de caoutchouc qui recouvrent le sommet 33 et/ou les flancs 35A, 35B et/ou les câbles de renfort des nappes 36, 37, 38 dudit bandage 30. On notera à ce titre qu’une application particulièrement préférentielle de l’invention concerne l’enlèvement de matière constitutive de la bande de roulement 34 qui recouvre le sommet 33 du bandage 30.
Les inserts 4 électriquement conducteurs peuvent quant à eux correspondre aux câbles de renfort métalliques qui sont présents dans une ou plusieurs des nappes 36, 37, 38 de renfort, notamment dans la nappe carcasse 36.
Par convention préférentielle, on pourra qualifier de conducteur un matériau dont la résistivité est inférieure à 10 -4 Ohm.m à une température de 300 K. De même, on pourra de préférence qualifier d’isolant un matériau dont la résistivité est supérieure à 10 6 Ohm.m à une température de 300 K. Bien entendu, plus généralement, la résistivité du matériau dit « isolant » au sens de l’invention sera toujours, relativement à la résistivité du matériau dit « conducteur », strictement supérieure à la résistivité dudit matériau dit « conducteur », par exemple au moins 10 3 fois (mille fois) supérieure, au moins 10 5 fois (cent mille fois) supérieure, de préférence au moins 10 6 fois (un million de fois) supérieure, voire au moins 10 8 fois (cent millions de fois) supérieure, à la résistivité du matériau dit « conducteur ».
Ladite requête est alors détectée par une ou des condition(s) de déclenchement unimodale(s) ne relevant que d’une seule des entrées modales, c’est-à-dire ne portant que sur un changement d’état d’une seule des entrées modales.
Les conditions de déclenchement unimodales incluent par exemple une condition de déclenchement acoustique portant sur au moins un changement d’état discret de l’entrée modale audio. Par exemple, la condition de déclenchement acoustique porte sur une intention de l’utilisateur ou un élément désigné par l’utilisateur formant des données caractéristiques de l’état discret en cours attribué de l’entrée modale audio suite à un changement d’état de l’entrée modale audio.
En d’autres termes, le module de détection 32 est configuré pour détecter une requête de l’utilisateur à partir d’au moins un changement d’état discret de l’entrée modale audio générée par la modalité acoustique 30A.
Les conditions de déclenchement unimodales incluent aussi par exemple au moins une condition de déclenchement tactile, une condition de déclenchement optique et/ou une condition de déclenchement kinesthésique.
Au moins une requête est par exemple détectée de manière multimodale. Ladite requête est alors détectée par au moins deux conditions de déclenchement unimodales relevant respectivement de deux entrées modales distinctes, par exemple de deux entrées modales générées par deux modalités distinctes.
Le module de détection 32 est configuré pour envoyer chaque état discret en cours nouvellement attribué suite à un changement d’état détecté, et chaque requête détectée au module d’interprétation multimodale 34.
Le module de détection 32 est ainsi interposé entre le module d’interprétation multimodale 34 et chaque modalité, et n’envoie des éléments au module d’interprétation multimodale 34 que sur changement d’état des entrées modales.
Pour ce faire, dans un mode de réalisation préféré, le module de détection 32 est configuré pour convertir chaque état discret en cours nouvellement attribué suite à un changement d’état détecté et chaque requête détectée en un vecteur de transmission et pour envoyer ledit vecteur de transmission au module d’interprétation multimodale 34.
Avantageusement, chaque vecteur de transmission présente un même formatage commun à tous les vecteurs de transmission envoyés par le module de détection 32 au module d’interprétation multimodale 34.
Le formatage est en particulier le même que le vecteur de transmission soit associé à une requête détectée ou à un changement d’état détecté qui n’est associé à aucune requête.
En d’autres termes, toutes les entrées modales sont gérées sous un même formalisme. Il est possible d’avoir une architecture du système de commande 14 qui reste générique, sans dépendre de la nature des modalités considérées. En particulier, il est possible de facilement ajouter ou supprimer des modalités.
Le formatage commun est configurable par fichier externe.
Le formatage commun comporte alors au moins des champs de requête et de changement d’état.
Le module de détection 32 est configuré, pour chaque changement d’état détecté, pour remplir le contenu de chaque champ du vecteur de transmission associé en fonction desdites données caractéristiques associées à l’état discret en cours nouvellement attribué suite au changement d’état détecté.
De plus, le module de détection 32 est configuré, pour chaque requête détectée, pour remplir le contenu de chaque champ du vecteur de transmission associé en fonction des données caractéristiques associées à l’état discret en cours nouvellement attribué suite à chaque changement d’état détecté à partir duquel a été détecté la requête.
En particulier, dans chaque cas, le module de détection 32 est configuré pour déterminer, parmi ces données caractéristiques, les données relevant du contenu de chaque champ.
Une bande de protection peut être prévue sur la gaine pour la protéger quand elle est placée dans le logement.
Le dispositif est particulièrement bien adapté à un voussoir pour tunnel. Dans ce cas, le logement peut présenter une extension longitudinale et une extension transversale, l’extension longitudinale du fond du logement ayant une forme en arc de cercle concentrique à l’arc de cercle formant l’extrados du voussoir auquel il est destiné, et en ce que l’ouverture du logement, et un flasque entourant l’ouverture du logement quand il y en a un, a/ont la même forme que l’extrados du voussoir auquel le dispositif est destiné.
Le dispositif peut être placé dans l’extrados d’un voussoir, de préférence avec la face extérieure du fond de l’étui en contact avec l’armature du voussoir.
Le procédé de l’invention se caractérise par les étapes suivantes : - le dispositif préassemblé selon l’invention est préparé en munissant le dispositif préassemblé, s’il n’en est pas déjà muni, : - d’une conduite d’injection - dont une première extrémité débouche dans le perçage de l’étui et est en communication fluidique avec l’ouverture de la gaine, et - dont la deuxième extrémité est suffisamment éloignée de l’étui pour pouvoir déboucher sur la deuxième face de l’élément préfabriqué ; et - si cela est souhaité, d’un joint d’étanchéité placé sur la face extérieure de l’étui, en particulier dans une gorge circulaire réalisée autour de l’étui, le joint d’étanchéité étant de préférence un joint hydrogonflant ; - le dispositif est placé dans un moule de sorte que son logement et la deuxième extrémité de la conduite d’injection ne soient pas en contact avec l’intérieur du moule ; - le moule est fermé ; - le matériau composant l’élément préfabriqué est injecté ou coulé dans le moule ; - le moule est ouvert et l’élément préfabriqué muni du dispositif ancré dedans est sorti du moule.
La conduite d’injection peut être réalisée en fixant une douille de préhension sur une douille d’injection déjà incluse dans le dispositif préassemblé.
L’invention est décrite plus en détail à l’aide des figures suivantes qui montrent : : un étui selon un premier modèle, vu (a) en perspective, (b) de face, (c) de côté et (d) de dessus ; : un deuxième étui de l’invention semblable à l’étui de la , mais de plus grandes dimensions (a) vue avant assemblage et (b) vu assemblé ; : un exemple de voussoir muni d’un kit équipé de l’étui de la et dont on a retiré la gaine ; : un kit ancré dans un voussoir et comprenant l’étui de la et une gaine pliée à l’intérieur représentée schématiquement, (a) en coupe transversale selon le plan A de la et (b) en coupe longitudinale selon le plan B de la au niveau de l’extrémité de l’étui ; : une vue en coupe selon le plan B de l’étui de la ancré dans un voussoir et munie d’un dispositif d’injection, (a) en vue d’ensemble et (b) selon un agrandissement du dispositif pour l’injection ; : la gaine déployée vue (a) en coupe transversale selon le plan A, et (b) en coupe longitudinale selon le plan B ; : deux voussoirs de tailles différentes (a) selon des vues individuelles, et (b) assemblés pour former un anneau de tube de tunnel ; : une vue schématique d’une variante du voussoir de la figure 5a muni en outre d’un dispositif d’inspection et d’injection secondaire ; : un étui de l’invention selon un mode de réalisation plus simple.
Description détaillée L’invention concerne un kit (100) comprenant un étui (1, 1’, 1’’) dans lequel est logée une gaine d’étanchéité (2). Ce kit est destiné à être ancré sur l’extrados (91) d’un voussoir (9).
Plusieurs exemples d’étuis sont présentés dans les figures, à savoir un premier étui (1) décrit en détail, un deuxième étui (1’) se distinguant du premier essentiellement par son extension longitudinale plus importante, et un troisième étui (1’’) plus simple que les deux premiers. Les mêmes éléments portent les mêmes numéros et sont suivis d’un signe « ’ » ou « ’’ » quand ils se rapportent au deuxième ou au troisième étui respectivement.
Le kit (100) et les étuis (1, 1’, 1’’’) sont représentés dans les figures avec leur ouverture vers le haut. Les références spatiales comme « haut » / « bas » ou « supérieur » / « inférieur » n’ont qu’une valeur relative en rapport avec les représentations des figures ci-jointes. Il va de soi que selon la position du voussoir dans l’anneau formant le tube du tunnel, le kit et son étui peuvent prendre d’autres positions que celles représentées dans les figures, comme cela est bien visible sur la figure 7b par exemple. Par conséquent, ce qui est en haut dans la position représentée sur les figures ne le sera pas nécessairement lors de l’utilisation.
L’étui est constitué d’une paroi de fond (11) entourée du côté de sa face supérieure d’une ceinture (12) formée de deux parois longitudinales (121) et de deux parois latérales (122). La paroi de fond (11) et la ceinture (12) forment un logement (19) ouvert vers le haut, c'est-à-dire du côté opposé à la paroi de fond (11). Autrement dit, le logement forme une cavité ouverte d’un côté et délimitée par un bord ouvert. L’étui pourrait également avoir une forme en auge par exemple semi-cylindrique, où les parois longitudinales prolongent la paroi de fond, elle-même éventuellement incurvée, sans former d’angles de jonction. Il pourrait en être de même des parois latérales dans le prolongement de la paroi de fond.
La paroi de fond (11) est de préférence incurvée dans son extension longitudinale et droite dans son extension latérale comme cela est bien visible par exemple sur la figure 1b et 1c respectivement. Dans ce cas, le rayon de courbure de la paroi de fond (11) est de préférence adapté au rayon de courbure de l’extrados (91) du voussoir (9). Par conséquent, l’arc de cercle définissant la paroi de fond et l’arc de cercle définissant l’extrados du voussoir peuvent être sensiblement concentriques.
Il est préférable que les parois longitudinales (121) forment avec la paroi de fond un angle proche de l’angle droit, ou ne s’écartent que peu de l’angle droit, notamment vers l’extérieur. La gaine est ainsi bien retenue dans l’étui, même lors du passage des écailles du tunnelier. L’arête supérieure des parois longitudinales (121) est de préférence courbe et son rayon de courbure peut correspondre sensiblement à celui de l’extrados (91) du voussoir. L’arête inférieure des parois longitudinales (121) a le même rayon de courbure que la paroi de fond (11) qu’elle prolonge.
Les parois latérales (122) forment de préférence un angle obtus avec la paroi de fond (11), de sorte que vue en coupe longitudinale selon le plan (B) visible sur la , l’étui s’évase en s’éloignant de la paroi de fond (voir les figures 4b et 5a par exemple). L’angle est compris par exemple entre 135° et 140°.
Un flasque d’étui (13) dirigé vers l’extérieur de l’étui peut prolonger la ceinture (12) à l’opposé de la paroi de fond (11). Ce flasque d’étui a de préférence une forme lui permettant d’affleurer avec sa face supérieure l’extrados (91) du voussoir comme cela est bien visible sur les figures 4a et 5b par exemple.
Un perçage (111) traverse la paroi de fond (11), de préférence en son centre. Le perçage (111) peut se situer dans un renfoncement (112) de la paroi de fond qui est dirigé vers l’extérieur du logement. Dans ce cas, le perçage (111) se trouve en un point plus bas et plus éloigné du bord ouvert du logement que la partie de la paroi de fond qui entoure le renfoncement. Le renfoncement peut avoir une hauteur de 15 mm par exemple.
Pour rigidifier l’étui (1, 1’), on peut prévoir des moyens de rigidification. Dans les exemples présentés sur les figures, ces moyens de rigidification se présentent sous la forme de bossages (113) répartis régulièrement sur la paroi de fond (11). Ces bossages (113) sont réalisés par des nervures dirigées vers le bas, c'est-à-dire vers l’extérieur de l’étui, pour ne pas empiéter sur l’espace intérieur (19) disponible pour la gaine. Pour économiser de la matière, ces nervures sont creuses de sorte que l’épaisseur de la paroi de fond ne varie pas, ou que très peu, sur toute son extension. Les nervures s’étendent transversalement, c'est-à-dire parallèlement aux parois latérales (122). En plus, ou de façon alternative, on peut prévoir un ou plusieurs bossages longitudinaux, c'est-à-dire parallèles aux parois latérales. De façon plus générale, les moyens de rigidification peuvent prendre d’autres formes. Dans les exemples présentés sur les figures, les bossages sont disposés tous les 6°, par rapport au centre de l’arc de cercle définissant la courbure de la paroi de fond. Ils ont une hauteur de 15 mm par exemple.
Le pneumatique peut être à l’état cru (c’est à dire avant l’étape de cuisson du pneumatique) ou à l’état cuit (c’est-à-dire après l’étape de cuisson du pneumatique). Le pneumatique est préférentiellement un pneumatique pour un véhicule portant de lourdes charges, notamment un pneumatique pour véhicule poids lourd ou un pneumatique pour véhicule de génie civil, préférentiellement un pneumatique pour véhicule poids lourd.
En résumé, l’invention peut être mise en œuvre selon l’un quelconque des modes de réalisation suivants 1 à 29 :
Mode 1 : Composition de caoutchouc qui comprend plus de 90 pce d’un élastomère diénique fortement saturé qui est un copolymère d’éthylène et de 1,3-butadiène et qui contient plus de 50% en mole d’unités éthylène, entre 30 pce et 55 pce d’une charge renforçante qui contient plus de 50% en masse d’un noir de carbone, plus de 1 pce à moins de 15 pce d’une résine plastifiante hydrocarbonée qui est choisie dans le groupe constitué par les résines d’homopolymères de coupe C5, les résines de copolymères de coupe C5, les résines d’homopolymères de coupe C9 et les résines de copolymères de coupe C9.
Mode 2 Composition de caoutchouc selon le mode 1 dans laquelle l’élastomère diénique fortement saturé comprend au moins 60% molaire d’unité éthylène.
Mode 3 : Composition de caoutchouc selon le mode 1 ou 2 dans laquelle l’élastomère diénique fortement saturé comprend au moins 65% molaire d’unité éthylène.
Mode 4 : Composition de caoutchouc selon l’un quelconque des modes 1 à 3 dans laquelle l’élastomère diénique fortement saturé comprend au plus 80% molaire d’unité éthylène.