Pont en H monolithique (100) intégré comprenant, dans et sur un même substrat (200) : - une première branche (B1) comprenant un premier transistor (Q1) MOS vertical et un deuxième transistor (Q2) MOS latéral en série ; - une deuxième branche (B2) comprenant un troisième transistor (Q3) MOS vertical et un quatrième transistor (Q4) MOS latéral en série ; les premières et deuxièmes branches étant associées en parallèle. Pont en H selon la revendication 1, dans lequel les points milieux (NM1, NM2) des premières et deuxièmes branches définissent des bornes de sortie du pont en H. Pont en H selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel la source du premier transistor (Q1) est reliée au point milieu (NM1) entre les transistors en série de la première branche (B1) et la source du troisième transistor (Q3) est reliée au point milieu (MN2) entre les transistors en série de la deuxième branche. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les drains des premier (Q1) et troisième (Q3) transistors sont communs en face arrière (219) du substrat. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les premier (Q1) et troisième transistors (Q3) constituent les transistors côté haut du pont, leurs drains étant destinés à se voir appliquer le potentiel le plus haut d’une tension continue (VBAT) appliquée au pont. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les grilles et sources des premier (Q1) et troisième (Q3) transistors sont formées depuis une face avant du substrat. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le drain du deuxième transistor (Q2) est relié au point milieu (NM1) entre les transistors en série de la première branche (B1) et le drain du quatrième transistor (Q4) est relié au point milieu (NM2) entre les transistors en série de la deuxième branche (B2). Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les sources des deuxième (Q2) et quatrième (Q4) transistors sont communes. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les deuxième (Q2) et quatrième transistors (Q4) constituent les transistors côté bas du pont, leurs sources étant destinées à se voir appliquer le potentiel le plus bas (VREF) d’une tension continue (VBAT) appliquée au pont. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les deuxième (Q2) et quatrième (Q4) transistors sont formés depuis une face avant du substrat. Pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les transistors latéraux sont formés dans des caissons d’un type de conductivité opposé à celui du substrat. Système de commande de moteur à courant continu comportant : un moteur à courant continu ; et un pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel un des transistors verticaux est rendu passant pendant toute une phase de rotation du moteur dans un sens tandis que le transistor latéral de l’autre branche est commandé en modulation de largeur d’impulsions pour faire varier la vitesse de rotation du moteur. Système de commande de moteur à courant continu comportant : un moteur à courant continu ; et un pont en H selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel un des transistors latéraux est rendu passant pendant toute une phase de rotation du moteur dans un sens tandis que le transistor vertical de l’autre branche est commandé en modulation de largeur d’impulsions pour faire varier la vitesse de rotation du moteur.