INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, au moins une fenêtre traversante est ménagée à travers chaque chambre intermédiaire, la ou chaque fenêtre assurant une communication fluidique entre la chambre intermédiaire et le volume interne correspondant.
Grâce aux fenêtres traversantes, le produit cosmétique peut communiquer facilement entre le réservoir et la chambre intermédiaire associée.
Selon un mode de réalisation, chaque réservoir délimite un goulot, la frette étant propre à être engagée hermétiquement sur chaque goulot.
Grâce à l’engagement hermétique, l’assemblage du dispositif de conditionnement et de distribution est simple et rapide.
Selon un mode de réalisation, la tête d’application ou/et de distribution comprend en outre une base enserrant hermétiquement une partie de la frette et délimitant les tubes plongeurs.
Grâce à la base, le risque de fuite d’air entre chaque chambre et le réservoir associé est réduit. La distribution des produits cosmétiques est donc améliorée lors de l’actionnement de l’organe de mise en pression.
Selon un mode de réalisation, la tête d’application ou/et de distribution comprend une coiffe définissant une face interne sur laquelle chaque tube plongeur débouche, et une face externe opposée à la face interne,
la coiffe comprenant pour chaque tube plongeur, un orifice de sortie la traversant de la face interne à la face externe.
Avec la coiffe, les tubes plongeurs ne sont pas apparents. Ils risquent donc moins d’être endommagés. En outre, l’apparence du dispositif de conditionnement et de distribution est améliorée puisque seule la coiffe est visible.
Selon un mode de réalisation, la coiffe est surmoulée sur la base.
Le transformateur triphasé 15 comprend dans l’exemple considéré un circuit magnétique 22, comprenant une première partie 23 et une deuxième partie 24. Chaque partie 23, 24 comprend : une base 26 de contour sensiblement triangulaire, et trois plots 27 s’étendant chacun en direction de la base 26 de l’autre partie du circuit magnétique 22. Chaque base 26 présente ici un contour définissant un triangle équilatéral.
Le transformateur 15 comprend encore trois supports 30 de conducteurs électriques 31, 32, chaque support 30 étant ici monté sur deux plots 27 en regard appartenant respectivement à l’une et à l’autre des parties 23, 24 du circuit magnétique. Deux conducteurs électriques 31, 32 associés à un même support 30 présentent respectivement une portion définissant un enroulement primaire 20 et une portion définissant un enroulement secondaire 21. Ces conducteurs électriques 31, 32 sont par exemple du fil de Litz.
Comme on peut le voir sur la , les trois supports 30 de conducteurs électriques 31, 32 sont positionnés de manière à définir un triangle équilatéral.
Le transformateur 15 comprend encore un boîtier 50 comprenant un corps 51 fermé par un couvercle 52, qui sont visibles sur les figures 4 et 6. Ce corps 51 et ce couvercle 52 sont par exemple réalisés en métal, par exemple en aluminium. Les supports 30 et le circuit magnétique 22 sont disposés à l’intérieur du boîtier 50. Le corps 51 est rempli d’une résine apte à être polymérisée pour durcir et immobiliser les composants disposés à l’intérieur du corps (« potting » en anglais).
Comme on peut le voir sur les figures 4 et 6, le boîtier 50 présente également un contour triangulaire, étant plus précisément ici un triangle équilatéral. Le boîtier est dans l’exemple considéré exclusivement formé par le corps 51 et le couvercle 52, mais l’invention n’est pas limitée à un boîtier 50 constitué de deux parties.
Comme on peut le voir sur la , chaque plot 27 définit un entrefer propre 28, par exemple via une zone du plot 27 remplie de matériau non magnétique tel qu’un composite de résine époxyde renforcé en fibre de verre (FR4) ou de la céramique. Cette zone occupée par ce matériau non magnétique définit par exemple toute une tranche du plot. Plusieurs tronçons sont par exemple assemblés avec cette zone du plot 27 pour constituer ce plot 27.Comme on peut le voir sur la , un entrefer additionnel 29 est présent entre les extrémités en regard de deux plots 27 appartenant respectivement à des parties différentes 23, 24 du circuit magnétique 22. Ainsi, dans l’exemple de circuit magnétique 22 considéré, chaque champ magnétique permettant le couplage inductif entre un enroulement primaire 20 et un enroulement secondaire 21 traverse exactement trois entrefers.
Selon un développement de ce troisième mode de réalisation, l’étape de fourniture de la structure multicouches comprend les sous-étapes suivantes : déposer la couche de silicium-germanium sur le substrat ; graver la couche de silicium-germanium de manière à former la pluralité d’ailettes ; former les tranchées d’isolation électrique entre les ailettes ; et déposer la couche de protection sur la couche de silicium-germanium.
Dans un quatrième mode de réalisation : la couche de silicium-germanium présente avant le recuit laser une concentration en germanium supérieure ou égale à 30 % ; la couche de silicium-germanium et une portion du substrat sont structurées sous la forme d’une pluralité d’ailettes ; et la structure multicouches est soumise au recuit laser de manière à modifier plusieurs portions de la structure multicouches situées dans la deuxième région, chaque portion comprenant avant le recuit laser une partie au moins d’une ailette ; le procédé comprend en outre, après le recuit laser, une étape de gravure de la couche de silicium-germanium dans la première région de la structure multicouches, la gravure de la couche de silicium-germanium étant sélective par rapport au substrat.
Selon un développement de ce quatrième mode de réalisation, l’étape de fourniture de la structure multicouches comprend les sous-étapes suivantes : déposer la couche de silicium-germanium sur le substrat ; graver la couche de silicium-germanium et la portion du substrat de manière à former la pluralité d’ailettes ; former les tranchées d’isolation électrique entre les ailettes ; et déposer la couche de protection sur la première couche de silicium-germanium.
La couche de protection et les tranchées d’isolation électrique sont de préférence formées d’un même matériau électriquement isolant.
Selon un deuxième aspect de l’invention, le procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur comprend les étapes suivantes : fournir une structure multicouche comprenant : un substrat ; et une couche de silicium-germanium disposée sur le substrat ; définir dans la structure multicouche une première région destinée à contenir la première zone semi-conductrice et une deuxième région destinée à contenir la deuxième zone semi-conductrice ; soumettre la structure multicouche à un recuit laser de manière à modifier une portion de la structure multicouche située dans la première région, ladite portion comprenant avant le recuit laser une partie de la couche de silicium-germanium, ladite portion comprenant après le recuit laser une partie appauvrie en germanium et une partie enrichie en germanium disposée sur la partie appauvrie en germanium ; graver la partie enrichie en germanium de manière à exposer la partie appauvrie en germanium.
De préférence, la couche de silicium-germanium présente avant le recuit laser une concentration en germanium supérieure ou égale à 30 %.
Avantageusement, la structure multicouches comprend en outre une couche de protection disposée sur la couche de silicium-germanium et ladite portion s’étend avant le recuit laser jusqu’à la couche de protection, le procédé comprenant en outre une étape de retrait de la couche de protection dans la première région de la structure multicouche avant l’étape de gravure de la partie enrichie en germanium.
De préférence, la structure multicouche comprend en outre une couche de réflexion laser disposée sur la couche de protection, le procédé comprenant en outre, avant le recuit laser, une étape de gravure d’une portion de la couche de réflexion laser située dans la première région de la structure multicouche.
Le procédé peut comprendre en outre, après l’étape de gravure de la partie enrichie en germanium, les étapes suivantes : structurer la partie appauvrie en germanium de manière à former une pluralité de premières ailettes dans la première région de la structure multicouche ; retirer la couche de réflexion laser et la couche de protection située dans la deuxième région de la structure multicouche ; structurer la couche de silicium-germanium de manière à former une pluralité de deuxièmes ailettes dans la deuxième région de la structure multicouche.
L’étape de définition des première et deuxième régions de la structure multicouche est accomplie après l’étape de fourniture de la structure multicouche et comprend les sous-étapes suivantes : graver une tranchée dans la structure multicouche, la tranchée s’étendant à travers la couche de réflexion laser, la couche de protection et la couche de silicium-germanium jusqu’au substrat ; et remplir la tranchée d’un matériau électriquement isolant sur au moins toute l’épaisseur de la couche de silicium-germanium.
Dans un mode de réalisation : la couche de silicium-germanium comprend une pluralité d’ailettes réparties entre les première et deuxième régions de la structure multicouche ; la structure multicouche comprend en outre des tranchées d’isolation électrique séparant les ailettes entre elles ; et la structure multicouche est soumise au recuit laser de manière à modifier plusieurs portions de la structure multicouche situées dans la première région et plusieurs portions de la structure multicouche situées dans la deuxième région, chaque portion comprenant avant le recuit laser une partie au moins d’une ailette.
Selon un développement de ce mode de réalisation, l’étape de fourniture de la structure multicouche comprend les opérations suivantes : déposer la couche de silicium-germanium sur le substrat ; graver la couche de silicium-germanium de manière à former la pluralité d’ailettes ; former les tranchées d’isolation électrique entre les ailettes ; et déposer la couche de protection sur la couche de silicium-germanium.
Le procédé de fabrication selon le premier aspect ou le deuxième aspect de l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : le recuit laser est accompli en exposant la structure multicouches à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm et une densité d’énergie comprise entre 0,1 J/cm 2 et 10 J/cm 2 pendant une durée comprise entre 10 ns et 1000 ns ; le procédé comprend en outre une étape de formation d’un transistor à effet de champ à canal N, dit transistor nFET, dans la première région de la structure multicouches et une étape de formation d’un transistor à effet de champ à canal P, dit transistor pFET, dans la deuxième région de la structure multicouches.
BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures suivantes. les figures 1A à 1D représentent un premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; les figures 2A à 2D représentent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; les figures 3A à 3D représentent un troisième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; les figures 4A à 4E représentent un quatrième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; les figures 5A à 5D représentent un cinquième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; les figures 6A à 6D représentent un sixième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; les figures 7A à 7C représentent un septième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon l’invention ; et la représente des étapes additionnelles du procédé de fabrication selon l’invention.
- une mémoire STO dans laquelle peuvent être stockés les éléments identifiés dans les environnements virtuels EV1, EV2, EV3, ainsi que le et/ou les types de personnalité modélisés graphiquement.
Dans l’exemple représenté, une telle mémoire STO est installée dans le dispositif de commande DC. Alternativement, la mémoire STO peut être rendue accessible par le dispositif de commande DC selon l’implémentation envisagée, par exemple s’il n’a pas les ressources matérielles et logicielles nécessaires pour stocker ces informations.
Ces informations sont stockées dans la mémoire STO pour chacun des environnements considérés EV1, EV2, EV3.
Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, les actions exécutées par le dispositif de commande DC sont mises en œuvre par des instructions d’un programme d'ordinateur PG. Pour cela, le dispositif DC a l'architecture classique d'un ordinateur et comprend notamment une mémoire MEM, une unité de traitement UTR, équipée par exemple d'un processeur PROC, et pilotée par le programme d'ordinateur PG stocké en mémoire MEM. Le programme d'ordinateur PG comprend des instructions pour effectuer les actions de : - communication avec le module d’intelligence artificielle MIA, - détermination d’absence d’intervention de l’utilisateur sur son avatar à l’aide d’un interface homme-machine, - identification d’éléments présents dans les environnements virtuels EV1, EV2, EV3, - sélection, à partir des éléments identifiés, d’au moins une action parmi une pluralité d’actions apprises par le module d’intelligence artificielle MIA, - commande automatique des avatars AV_UT1, AV_UT2, AV_UT3, - modélisation graphique d’un type de personnalité attribué à l’avatar AV_UT1 et/ou AV_UT2 et/ou AV_UT3, - stockage des éléments identifiés dans les environnements virtuels EV1, EV2, EV3, ainsi que le et/ou les types de personnalité modélisés graphiquement, dans le cadre du procédé de commande autonome d’un avatar qui va être décrit ci-dessous, lorsque le programme est exécuté par le processeur PROC, selon l'un quelconque des modes particuliers de réalisation de l'invention.
A l'initialisation, les instructions de code du programme d'ordinateur PG sont par exemple chargées dans une mémoire RAM (« Read Access Memory » en anglais) (non représentée) avant d'être exécutées par le processeur PROC. Le processeur PROC de l'unité de traitement UTR met notamment en œuvre les actions précitées, selon les instructions du programme d'ordinateur PG.
On va maintenant décrire, en référence à la , la structure simplifiée du dispositif de commande DC’ précité.
Un tel dispositif de commande DC’ comprend :
- une interface de communication MCO’ configurée pour communiquer, via un réseau de communication RC’ adapté, avec le module d’intelligence artificielle MIA’,
- un module IEP’ d’identification d’éléments présents dans les environnements virtuels EV1’, EV2’, EV3’,
- un module SEL’ de sélection, à partir des éléments identifiés, d’au moins une action parmi une pluralité d’actions apprises par le module d’intelligence artificielle MIA’, pendant une durée où un ou plusieurs utilisateurs ont utilisé le service de paiement par smartphone en situation réelle,
- un module MDG’ de modélisation graphique d’un type de personnalité attribué à l’avatar AV_UT1’ et/ou AV_UT2’ et/ou AV_UT3’,
- un module CMD’ de commande automatique des avatars AV_UT1’, AV_UT2’, AV_UT3’,
- une mémoire STO’ dans laquelle peuvent être stockés les éléments identifiés dans les environnements virtuels EV1’, EV2’, EV3’, ainsi que le et/ou les types de personnalité modélisés graphiquement.
Dans l’exemple représenté, une telle mémoire STO’ est installée dans le dispositif de commande DC’. Alternativement, la mémoire STO’ peut être rendue accessible par le dispositif de commande DC’ selon l’implémentation envisagée, par exemple s’il n’a pas les ressources matérielles et logicielles nécessaires pour stocker ces informations.
Ces informations sont stockées dans la mémoire STO’ pour chacun des environnements considérés EV1’, EV2’, EV3’.
Selon un mode particulier de réalisation de l'invention, les actions exécutées par le dispositif de commande DC’ sont mises en œuvre par des instructions d’un programme d'ordinateur PG’. Pour cela, le dispositif DC’ a l'architecture classique d'un ordinateur et comprend notamment une mémoire MEM’, une unité de traitement UTR’, équipée par exemple d'un processeur PROC’, et pilotée par le programme d'ordinateur PG’ stocké en mémoire MEM’. Le programme d'ordinateur PG’ comprend des instructions pour effectuer les actions de : - communication avec le module d’intelligence artificielle MIA’, - identification d’éléments présents dans les environnements virtuels EV1’, EV2’, EV3’, - sélection, à partir des éléments identifiés, d’au moins une action parmi une pluralité d’actions apprises par le module d’intelligence artificielle MIA’, - commande automatique des avatars AV_UT1’, AV_UT2’, AV_UT3’, - modélisation graphique d’un type de personnalité attribué à l’avatar AV_UT1’ et/ou AV_UT2’ et/ou AV_UT3’, - stockage des éléments identifiés dans les environnements virtuels EV1’, EV2’, EV3’, ainsi que le et/ou les types de personnalité modélisés graphiquement, dans le cadre du procédé de commande autonome d’un avatar qui va être décrit ci-dessous, lorsque le programme est exécuté par le processeur PROC’, selon l'un quelconque des modes particuliers de réalisation de l'invention.
Les travaux de la demanderesse montrent également que le PT du diesel est directement relié à la teneur en nC18 dans le diesel. Quels que soient les procédés d’hydroconversion, quelles que soient les charges et quelles que soient les conditions opératoires, la corrélation du PT du diesel avec la teneur en nC18 dans la coupe est unique tandis que la quantité de nC18 est majoritaire et le PT peut être calculé selon une équation particulière.
De manière inattendue, ces corrélations sont uniques pour différents types de procédé et différents types de charge à iso point de coupe.
Ceci permet aux raffineurs et/ou aux opérateurs de piloter les installations sans réaliser des mesures directes de FP ou de PT et sans réaliser la distillation des effluents.
La présente invention concerne une méthode analytique de détermination des propriétés à froid d’une coupe hydrocarbonée comprenant en partie des composés issus de matière renouvelable, et comprenant une fraction diesel et/ou kérosène, ladite méthode comprenant les étapes suivantes :
a) Mesure d’une Distillation Simulée (DS) de la coupe hydrocarbonée par la méthode ASTM D2887 ;
e) Calcul du point de trouble (PT) et/ou du point de disparition des cristaux (FP) à partir des équations suivantes :
Cette méthode analytique simplifiée, robuste et facilement accessible pour les raffineurs et les chercheurs scientifiques du domaine de raffinage et de biomasse, permet d’obtenir rapidement des analyses de propriétés d’écoulement à froid des fractions diesel et kérosène. Elle permet de suivre ces propriétés d’écoulement à froid sans nécessité de faire une distillation et sans nécessité de faire les mesures physiques du point de trouble et du point de disparition des cristaux.
Cette méthode analytique permet donc de piloter rapidement les paramètres des procédés de traitement de charges hydrocarbonées tout en veillant à contrôler les propriétés des carburants.
Cette invention peut être appliquée pour le pilotage des unités industrielles ou laboratoires, pour les procédés de raffinage (tels que l’hydrotraitement, l’hydrocraquage, l’hydroisomérisation, l’hydroconversion) utilisant des charges issues de matières renouvelables (telles que les huiles végétales et les graisses animales et les graisses de poisson) en mélange avec des charges pétrolières.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES : Corrélation du FP d’une coupe kérosène avec la teneur en nC16 dans la coupe.
: Corrélation du PT d’une coupe diesel avec la teneur en nC18 dans la coupe.
Préférentiellement, lorsque le dispositif de fermeture possède uniquement une première tige 6, l’agrafe recevant l’extrémité de la première partie et l’extrémité de la deuxième partie se trouve dans un tiers central selon une direction transversale YY.
Dans un mode de réalisation particulier, la première tige 6 et la deuxième tige 7 sont chacune formées en deux parties. Il est particulièrement avantageux que l’agrafe recevant l’extrémité de la première partie et l’extrémité de la deuxième partie de la première tige 6 soit différente de l’agrafe recevant l’extrémité de la première partie et l’extrémité de la deuxième partie de la deuxième tige 7. La différenciation des agrafes permet de mieux répartir les contraintes. Il est préférable que les deux agrafes recevant les extrémités de la première tige 6 et de la deuxième tige 7 soient espacées d’au moins 5% de préférence au moins 10% de la largeur du dispositif de fermeture selon la direction YY. Dans un mode de réalisation particulier, l’agrafe recevant l’extrémité de la première partie et l’extrémité de la deuxième partie de la première tige 6 se trouve dans un premier tiers selon la direction transversale YY et l’agrafe recevant l’extrémité de la première partie et l’extrémité de la deuxième partie de la deuxième tige 7 se trouve dans un troisième tiers selon la direction transversale YY.
De préférence, le bouchon est monté inamovible du reste de la tige.
Dans un autre mode de réalisation, la tige ou chaque partie de la tige est munie d’un bloqueur 9 qui est configuré pour bloquer la position de la tige selon la direction transversale YY lorsque la tige est soumise à un effort selon la direction transversale YY qui est inférieur à une valeur seuil. Lors de l’introduction de la tige dans le trou, la tige est insérée avec un effort qui est supérieur à la valeur seuil. Lorsque la bande de convoyeur 1 se déplace, les tiges sont soumises à des efforts dont une partie se traduit par une force selon la direction transversale YY. L’utilisation du bloqueur 9 permet de maintenir la tige en position lorsque la bande de convoyeur 1 tourne.
Dans un mode de réalisation particulier, le dispositif de fermeture définit une indentation à chacune de ses parois latérales selon la direction YY. L’indentation correspond à un rétrécissement de la largeur de l’agrafe terminale de sorte que le bouchon ne soit pas monté saillant par rapport au reste de la bande de convoyeur selon la direction YY.
Véhicule autonome pour système de stockage et de récupération d’articles comportant un déflecteur La présente divulgation relève du domaine des systèmes de stockage et de récupération automatisés ASRS (de l’anglais « Automated S torage and R etrieval S ystem s ») dans les entrepôts.
Les systèmes de stockage et de récupération automatisés (ASRS) sont couramment équipés de racks de stockage et d’une flotte véhicules autonomes, ou AGV (de l’anglais « Auto-Guided Vehicles »).
Les racks de stockage sont notamment des structures verticales disposées dans l’entrepôt. Les racks de stockage comprennent typiquement des montants verticaux sur lesquels sont solidarisés des couples d’équerres pour le soutien de réceptacles. Les deux équerres du couple agencées en porte-à-faux des montants, sont orientées l’une vers l’autre, configurées pour soutenir l’un des réceptacles. Les couples d’équerres définissent ainsi des alvéoles suivant la hauteur du rack, chaque alvéole étant adaptée à loger un des réceptacles contenant un ou plusieurs articles à stocker au sein de l’entrepôt.
Ledit réceptacle consiste en général en un bac ou un plateau typiquement en matière plastique, généralement de forme parallélépipédique à base rectangulaire, et à-même de stocker le ou lesdits articles en question. Ces réceptacles sont reçus dans les alvéoles en reposant sur les équerres des racks de stockage.
Chaque véhicule autonome peut parcourir l’entrepôt pour collecter des réceptacles logés dans les alvéoles des racks de stockage. Il est connu des véhicules autonomes se déplaçant au sol et adaptés pour grimper verticalement le long des montants verticaux des racks de stockage afin de collecter des réceptacles logés dans une alvéole en hauteur.