INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été introduit dans un dispositif de décharge par effet corona par un flux d’oxygène et soumis à une opération corona pendant 40 min, permettant au premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt de porter des charges positives, où une vitesse d’écoulement du gaz était de 0,5 m/s ; ensuite, le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt portant des charges positives a été envoyé par un flux d’oxygène à une boîte à haute température remplie d’oxygène gazeux, et soumis à une calcination secondaire à 800°C, où une vitesse de chauffage était de 10°C/min et une durée de la calcination secondaire était de 5 h ; et le second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été introduit dans une solution d’oxyde de graphène à 0,5 mol/L, et agité magnétiquement pendant 30 min à température ambiante, puis séché à 80°C, pour obtenir le matériau monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
Exemple 2 Selon un rapport stœchiométrique des éléments Li, Ni et In dans la formule chimique Li 0,9 Ni 0,95 In 0,02 O 2 , 15,52 g de nitrate de lithium, 43,39 g de nitrate de nickel et 0,89 g d’acétate d’indium ont été pesés ; le nitrate de lithium et le nitrate de nickel ont été dissous dans 200 mL d’eau, puis ajoutés à 6,07 g d’acide tartrique et agités pendant 0,5 h dans un bain-marie thermostatique à 55°C, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel pour une utilisation ultérieure ; 0,89 g d’acétate d’indium ont été dissous dans 10 mL d’eau, puis ajoutés à 1,21 g d’acide tartrique et agités pendant 0,5 h dans un bain-marie thermostatique à 40°C, pour obtenir une solution complexante contenant de l’indium pour une utilisation ultérieure, où les éléments nickel et indium et l’acide tartrique avaient un rapport molaire de 5 : 1 ; la solution complexante contenant de l’indium et la solution complexante contenant du lithium-nickel ont été mélangées et agitées pendant 20 min, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel-indium ; le pH de la solution complexante contenant du lithium-nickel-indium a été ajusté à 7 avec de l’ammoniaque puis elle a été scellée, et la solution complexante scellée contenant du lithium-nickel-indium a été laissée réagir pendant 1 h dans un bain-marie à 40°C ; le scellement a été enlevé et le système a été chauffé à 80°C pour une évaporation à sec, pour obtenir un sol ; le sol a été séché dans une étuve à 90°C, pour obtenir un gel sec, et le gel sec a été soumis à un vieillissement pendant 10 h, pour obtenir le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
50 g du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et 5,32 g d’hydroxyde de lithium ont été entièrement broyés et mélangés, puis soumis à une calcination primaire à 300°C pendant 1 h dans une atmosphère d’oxygène, pour obtenir un premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, où la calcination primaire avait une vitesse de chauffage de 6°C/min, et les éléments nickel et indium dans le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et l’élément lithium dans l’hydroxyde de lithium avaient un rapport molaire de 0,8 : 1 ; puis le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été refroidi pendant 1 min.
Le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été introduit dans un dispositif de décharge par effet corona par un flux d’oxygène et soumis à une opération corona pendant 30 min, permettant au premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt de porter des charges positives, où une vitesse d’écoulement du gaz était de 0,7 m/s ; ensuite, le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt portant des charges positives a été envoyé par un flux d’oxygène à une boîte à haute température remplie d’oxygène gazeux, et soumis à une calcination secondaire à 600°C, où une vitesse de chauffage était de 6°C/min et une durée de la calcination secondaire était de 4 h ; et le second matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été introduit dans une solution d’oxyde de graphène à 0,3 g/L, et agité magnétiquement pendant 20 min à température ambiante, puis séché à 60°C, pour obtenir le matériau monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
Exemple 3 Selon un rapport stœchiométrique des éléments Li, Ni et In dans la formule chimique Li 1,25 Ni 1 In 0,1 O 2 , 23,09 g de carbonate de lithium, 38,65 g de sulfate de nickel et 12,94 g de sulfate d’indium ont été pesés ; le carbonate de lithium et le sulfate de nickel ont été dissous dans 200 mL d’eau, puis ajoutés à 13,39 g d’ETDA et agités pendant 2 h dans un bain-marie thermostatique à 60°C, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel pour une utilisation ultérieure ; 12,94 g de sulfate d’indium ont été dissous dans 10 mL d’eau, puis ajoutés à 2,68 g d’ETDA et agités pendant 2 h dans un bain-marie thermostatique à 60°C, pour obtenir une solution complexante contenant de l’indium pour une utilisation ultérieure, où les éléments nickel et indium et l’ETDA avaient un rapport molaire de 5 : 1 ; la solution complexante contenant de l’indium et la solution complexante contenant du lithium-nickel ont été mélangées et agitées pendant 40 min, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel-indium ; le pH de la solution complexante contenant du lithium-nickel-indium a été ajusté à 8 avec de l’ammoniaque puis elle a été scellée, et la solution complexante scellée contenant du lithium-nickel-indium a été laissée réagir pendant 3 h dans un bain-marie à 60°C ; le scellement a été enlevé et le système a été chauffé à 100°C pour une évaporation à sec, pour obtenir un sol ; et le sol a été séché dans une étuve à 120°C, pour obtenir un gel sec, et le gel sec a été soumis à un vieillissement pendant 15 h, pour obtenir le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
50 g du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et 8,38 g d’hydroxyde de lithium ont été entièrement broyés et mélangés, puis soumis à une calcination primaire à 380°C pendant 2,5 h dans une atmosphère d’oxygène, pour obtenir un premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, où la calcination primaire avait une vitesse de chauffage de 8°C/min, et les éléments nickel et indium dans le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et l’élément lithium dans l’hydroxyde de lithium avaient un rapport molaire de 1,1 : 1,25 ; puis le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été refroidi pendant 5 min.
Installation photovoltaïque flottante La présente divulgation concerne le domaine des installations photovoltaïques flottantes.
Les installations photovoltaïques sont aujourd’hui largement utilisées pour la production d’électricité. Il existe notamment des installations photovoltaïques flottantes permettant de produire de l’électricité sur l’eau.
Les installations photovoltaïques flottantes peuvent notamment comprendre des éléments réflecteurs disposés au-dessus ou en surface de l’eau permettant de réfléchir le rayonnement solaire et en particulier les photons captés par les panneaux photovoltaïques des installations, dans le but d’augmenter la génération d’électricité de ces installations. Le rayonnement réfléchi par ces éléments réflecteurs n’est toutefois pas toujours optimal.
Par ailleurs, les opérations d’entretien et de maintenance des installations photovoltaïques flottantes ne sont pas nécessairement aisées pour les opérateurs une fois ces installations déployées sur l’eau.
La présente divulgation vient améliorer au moins en partie les situations mentionnées ci-dessus.
Résumé A cet égard, il est proposé une installation photovoltaïque apte à flotter permettant la production d’électricité comprenant un premier module photovoltaïque, un deuxième module photovoltaïque, un réflecteur et un dispositif de flottaison apte à faire flotter l’installation photovoltaïque, dans laquelle : - chaque module photovoltaïque comprend un panneau photovoltaïque et une structure porteuse, distincte du dispositif de flottaison et adaptée pour porter le panneau photovoltaïque ; - les deux modules photovoltaïques sont orientés selon un même axe et sont alignés, selon cet axe, en étant séparés d’une distance déterminée, ladite distance étant adaptée pour permettre la circulation d’un individu entre les modules ; et - le réflecteur comprend deux extrémités opposées respectivement assemblées à la structure porteuse du premier module photovoltaïque et à la structure porteuse du deuxième module photovoltaïque.
Selon une option, le panneau photovoltaïque d’un module est un panneau photovoltaïque : - monofacial qui comporte une face supérieure adaptée pour générer de l’électricité par effet photovoltaïque, ou - bifacial qui comporte une face supérieure et une face inférieure adaptées pour générer de l’électricité par effet photovoltaïque.
Selon une option, le réflecteur est en outre adapté pour supporter le poids d’au moins une personne circulant sur le réflecteur entre les deux modules photovoltaïques.
Selon une option, le réflecteur est une bâche réfléchissante.
Selon une option, une extrémité du réflecteur assemblée à la structure porteuse d’un module photovoltaïque est disposée de sorte qu’une section du réflecteur s’étend sous le panneau photovoltaïque du module photovoltaïque sur au moins 10% de la longueur du panneau selon l’axe d’orientation.
Selon une option, la structure porteuse des modules photovoltaïques est adaptée pour surélever le panneau photovoltaïque par rapport au réflecteur.
Selon une option, les structures porteuses du premier et du deuxième modules photovoltaïques comprennent deux poutres porteuses s’étendant perpendiculairement à l’axe d’orientation des modules photovoltaïques ; et une extrémité du réflecteur est assemblée à une poutre porteuse du premier module la plus proche du deuxième module et l’autre extrémité du réflecteur est assemblée à la poutre porteuse du deuxième module la plus proche du premier module.
Selon une option, une poutre porteuse d’un module photovoltaïque sur laquelle est assemblée une extrémité d’un réflecteur est disposée en retrait par rapport à un bord du panneau photovoltaïque s’étendant perpendiculairement à l’axe d’orientation du module, de sorte qu’une section du réflecteur s’étende sous le panneau photovoltaïque selon cet axe d’orientation.
Selon une option, la structure porteuse d’un module photovoltaïque comprend deux pieds et un support de panneau ; chaque pied présentant une extrémité inférieure assemblée à une poutre porteuse respective et une extrémité supérieure assemblée au support de panneau ; et le panneau photovoltaïque est assemblé sur le support de panneau.
Selon une option, le réflecteur est une bâche réfléchissante ; une extrémité de la bâche réfléchissante comprend un jonc s’étirant sur la longueur de la bâche réfléchissante perpendiculaire à l’axe d’orientation des modules ; et un profilé conformé selon une forme complémentaire à celle du jonc s’étend sur une poutre porteuse spécifique d’un module sur laquelle est assemblée une extrémité de la bâche réfléchissante de façon à ce que le jonc soit reçu dans le profilé et que l’extrémité de la bâche réfléchissante soit maintenue assemblée à la poutre porteuse spécifique.
Selon une option, le profilé est formé sur la poutre porteuse spécifique et constitue donc une partie intégrante de la poutre porteuse spécifique ; ou le profilé est assemblé à la poutre porteuse spécifique par un système de fixation.
La solution proposée ne nécessite pas d’intervention sur place d’un opérateur muni d’un générateur diesel, puisque le circuit électrique utilise pour son alimentation uniquement l’énergie photovoltaïque.
La solution est très simple à mettre en œuvre, puisqu’il suffit de connecter le circuit électrique aux panneaux photovoltaïques, aux batteries et au régulateur de charge.
Le circuit électrique produit la tension d’alimentation de manière automatique. Il fonctionne de manière autonome : il n’a pas besoin d’être piloté ou alimenté par un autre circuit.
Le circuit électrique comprend très peu de composants, et ces composants sont des composants très simples (pas de microcontrôleur, processeur, etc.), de sorte que le circuit électrique est très peu coûteux.
L’invention facilite donc grandement l’introduction de batteries au lithium dans les applications telles que celle décrite plus haut.
On propose de plus un circuit électrique tel que précédemment décrit, le premier composant d’alimentation étant alimenté par une tension d’entrée produite par le au moins un panneau photovoltaïque, le premier composant d’alimentation étant agencé pour générer la première tension lorsque la tension d’entrée est supérieure à une tension de seuil minimum du premier composant d’alimentation.
On propose de plus un circuit électrique tel que précédemment décrit, dans lequel le module de commutation comporte :
- un deuxième composant d’alimentation agencé pour être alimenté par la première tension et pour produire une deuxième tension ;
- un relais temporisé comprenant un interrupteur et agencé pour être alimenté par la deuxième tension et pour, lorsque la deuxième tension passe d’une valeur nulle à une valeur non nulle, fermer l’interrupteur pendant la durée prédéfinie pour appliquer la tension d’alimentation aux bornes de la au moins une batterie principale et du régulateur de charge, puis rouvrir l’interrupteur suite à la durée prédéfinie.
On propose de plus un circuit électrique tel que précédemment décrit, la tension d’alimentation étant la première tension.
On propose de plus un circuit électrique tel que précédemment décrit, comportant en outre une batterie secondaire et un troisième composant d’alimentation, la batterie secondaire étant agencée pour être chargée par le premier composant d’alimentation et donc par l’énergie photovoltaïque, l’interrupteur du relais temporisé étant monté entre la batterie secondaire et le troisième composant d’alimentation, le troisième composant d’alimentation étant agencé pour être alimenté par une tension secondaire aux bornes de la batterie secondaire lorsque l’interrupteur est fermé, le troisième composant d’alimentation étant alors agencé pour produire une troisième tension qui est la tension d’alimentation.
On propose de plus un équipement comprenant un boîtier et un circuit électrique tel que précédemment décrit, le circuit électrique étant positionné dans le boîtier.
On propose de plus un dispositif d’alimentation comportant au moins une batterie principale, un régulateur de charge, et un circuit électrique tel que précédemment décrit.
On propose de plus un dispositif d’alimentation tel que précédemment décrit, la au moins une batterie principale étant une batterie au lithium.
On propose de plus un procédé de remplacement d’au moins une batterie d’origine positionnée dans une armoire, dans laquelle est positionné aussi un régulateur de charge et qui est connectée à au moins un panneau photovoltaïque, comprenant les étapes de :
- retirer de l’armoire la au moins une batterie d’origine ;
On aurait pu penser remplacer la plaquette 101, présentant des dimensions latérales inférieures à celles de la plaquette 111, par une plaquette en un matériau différent du silicium, par exemple le saphir ou un matériau semiconducteur III-V, et présentant des dimensions latérales sensiblement égales à celles de la plaquette 111. Cela nécessiterait toutefois des développements technologiques coûteux, longs et peu écologiques pour permettre la formation de l’empilement actif de diode électroluminescente 103 sur un tel substrat. Par ailleurs, on aurait pu penser réaliser le report de la structure de la sur une plaquette analogue à la plaquette 111 mais présentant des dimensions sensiblement égales à celles de la plaquette 101. Toutefois, les procédés existants de collage moléculaire requièrent la mise en œuvre d’étapes préalables de planarisation qui sont actuellement incompatibles avec des plaquettes présentant un diamètre inférieur ou égal à 150 mm.
Les , , , , et sont des vues en coupe illustrant, de façon schématique et partielle, des structures obtenues à l’issue d’étapes successives d’un exemple d’un procédé de réalisation d’un dispositif optoélectronique selon un autre mode de réalisation.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’étapes identiques ou analogues aux étapes précédemment décrites en relation avec les figures 1A à 1C. Bien que cela n’ait pas été représenté en afin de ne pas surcharger le dessin, la structure comporte par exemple les marques d’alignement 107 et 114 précédemment décrites en relation avec les figures 1A et 1B.
La structure illustrée en diffère de la structure illustrée en en ce que la structure illustrée en comprend en outre des marques d’alignement 207 formées dans la couche diélectrique 115.
Dans l’exemple représenté, les marques d’alignement 207 sont formées du côté d’une face de la couche diélectrique 115 opposée à la plaquette 111. Les marques d’alignement 207 sont par exemple placées et alignées en fonction de la position des pistes et/ou bornes de connexion électrique de l’empilement d’interconnexion 105. En , les marques d’alignement 207 ont été symbolisées par des triangles, étant entendu que les marques d’alignement 207 peuvent, en pratique, présenter une forme quelconque.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de découpe, sur toute son épaisseur, de la structure précédemment décrite en relation avec la de sorte à former des vignettes 211.
Dans l’exemple représenté, chaque vignette 211 comprend une partie de la plaquette 111 et un empilement comportant dans l’ordre, depuis la plaquette 111, une partie de la couche diélectrique 113, une partie de l’empilement d’interconnexion 105, une partie de l’empilement actif de diode électroluminescente 103 et une partie de la couche diélectrique 115.
À titre d’exemple, chaque vignette 211 présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement rectangulaire ou carrée, et une surface comprise entre quelques micromètres carrés et quelques millimètres carrés.
Bien que quatre vignettes 211 aient été représentées en , l’étape de découpe peut bien entendu conduire à la formation d’un nombre de vignettes 211 différent de quatre, par exemple plusieurs dizaines ou plusieurs centaines de vignettes 211. Chaque vignette 211 correspond par exemple à une diode électroluminescente élémentaire, c’est-à-dire une diode électroluminescente commandable indépendamment d’autres diodes électroluminescentes.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’étapes ultérieures : – de report des vignettes 211 sur une structure comprenant une plaquette 221 revêtue, sur l’une de ses faces (la face supérieure de la plaquette 221, dans l’orientation de la ), d’une couche diélectrique 223 ; – d’élimination de la plaquette 111 ; et – de dépôt d’une autre couche diélectrique 225.
La plaquette 221 et la couche diélectrique 223 sont par exemple analogues, respectivement, à la plaquette 111 et à la couche diélectrique 113 précédemment décrites en relation avec la . À titre d’exemple, la couche diélectrique 223 est en dioxyde de silicium.
À titre d’exemple, les vignettes 211 précédemment décrites en relation avec la sont retournées par rapport à l’orientation de la puis mises en contact, par la face de la couche diélectrique 115 opposée à la plaquette 111 (la face inférieure de la couche diélectrique 115, dans l’orientation de la ), avec la couche diélectrique 223. Au cours de cette étape, les vignettes 211 sont fixées à la plaquette 221. À titre d’exemple, la fixation sur la plaquette 221 est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact.
Lors de l’étape de collage, les vignettes 211 sont par exemple alignées par rapport à des marques d’alignement 227 préalablement formées dans la couche diélectrique 223 de sorte que les marques d’alignement 207 des vignettes 211 soient positionnées sensiblement en vis-à-vis des marques d’alignement 227. À titre d’exemple, la précision d’alignement des vignettes 211 par rapport à la plaquette 221 est comprise entre 2 et 50 µm.
À titre d’exemple, la plaquette 111 est éliminée par meulage, par attaque chimique humide ou par une technique de décollement au laser.
Une fois la plaquette 111 éliminée, la couche diélectrique 225 est par exemple déposée sur la structure du côté de la face de la couche diélectrique 223 opposée à la plaquette 221 (la face supérieure de la couche diélectrique 223, dans l’orientation de la ). La couche diélectrique 225 est par exemple ensuite planarisée, par exemple par polissage mécano-chimique, de sorte que sa face supérieure présente une topographie adaptée à la réalisation ultérieure d’un collage moléculaire. Dans l’exemple illustré, la couche diélectrique 225 revêt des parties de la couche diélectrique 223 non revêtues des vignettes 211, ainsi que les flancs et la face supérieure de chaque vignette 211. À titre d’exemple, la couche diélectrique 225 est en le même matériau que la couche diélectrique 223, par exemple le dioxyde de silicium.
A l’instant t4, le dispositif de commande 3 délivre le deuxième signal S42b égal à un état logique bas de manière à ouvrir le deuxième interrupteur 23 pour ne plus laisser passer un courant. Le premier signal S41b est toujours égal à l’état logique bas.
Le deuxième interrupteur 23 commence à commuter de l’état fermé à l’état ouvert.
La tension V44a croît et devient supérieure ou égale seuil de détection Ve/2 de sorte que le comparateur 44 détecte que la tension V44a franchit le seuil de détection.
On note T la période du signal de commande et D le rapport cyclique dudit signal.
Il est a noté que le rapport cyclique est inférieur ou égal à 50%, ce qui laisse le temps pour détecter le franchissement du seuil de détection par la tension V44a
En outre, le dispositif de commande 3 pilote les bras de commutation 29 et 30 du deuxième demi-pont de puissance 15 de sorte que la puissance électrique de la batterie de propulsion 4 recharge la batterie auxiliaire 5 ou inversement.
La illustre un exemple de mise en œuvre du dispositif 35 lorsque le premier interrupteur 22 est défaillant.
On retrouve l’instant t1 tel que décrit précédemment.
De l’instant t1 à un instant t21, le premier interrupteur 22 est à l’état fermé, le signal de commande S39 du premier interrupteur 22 reste à l’état logique haut et le signal de commande S40 du deuxième interrupteur 23 reste à l’état logique bas.
A l’instant t21, le dispositif de commande 3 délivre le premier signal S41b égal à un état logique bas de manière à ouvrir le premier interrupteur 22 pour ne plus laisser passer un courant. Le deuxième signal S42b est toujours égal à l’état logique bas.
Le premier interrupteur 22 défaillant reste à l’état ouvert.
La tension V44a reste supérieure au seuil de détection Ve/2 de sorte que le comparateur 44 ne détecte pas que la tension V44a franchit le seuil de détection.
Le premier signal de comparaison S44 bascule à l’état logique bas de sorte que la première entrée 42a de la deuxième porte 42 est à l’état logique bas, le signal S40 étant à l’état logique bas indépendamment de la valeur du deuxième signal de commande empêchant la commutation du deuxième interrupteur 23 de l’état ouvert à l’état fermé de sorte qu’un courant ne circule pas dans le deuxième interrupteur 23.
En outre, le convertisseur 2 est arrêté lors de la détection de la défaillance du premier interrupteur 22.
La illustre un exemple de mise en œuvre du dispositif 35 lorsque le deuxième interrupteur 23 est défaillant.