INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ce but est atteint dans le cadre de la présente invention grâce à un propulseur aéronautique comprenant une partie fixe et une partie tournante propre à être entrainée en rotation par rapport à la partie fixe autour d’un axe principal du propulseur aéronautique, l’une de la partie fixe et de la partie tournante comprenant une pièce centrale et une aube, l’aube comprenant une partie profilée présentant un profil aérodynamique s’étendant radialement à partir de la pièce centrale, la partie profilée ayant un bord d’attaque, un bord de fuite, une surface d’intrados et une surface d’extrados, dans lequel la surface d’intrados ou la surface d’extrados comprend une portion de surface texturée présentant une série de saillies et/ou de creux, la portion de surface texturée étant définie de telle sorte que tout point considéré de la portion de surface texturée est situé à une distance radiale de l’axe principal du propulseur aéronautique égale à la somme d’un rayon minimal et entre 20% et 95% d’une envergure de la partie profilée, et est situé à une distance du bord d’attaque comprise entre 2% et 50% de la longueur de corde locale, dans lequel l’envergure de la partie profilée est définie comme une différence entre un rayon maximal de la partie profilée et un rayon minimal de la partie profilée, le rayon maximal étant défini comme une distance entre un point de la partie profilée le plus éloigné de l’axe principal du propulseur aéronautique, et l’axe principal du propulseur aéronautique, et le rayon minimal étant défini comme une distance entre un point du bord d’attaque de la partie profilée le plus proche de l’axe principal du propulseur aéronautique, et l’axe principal du propulseur aéronautique, ou dans le cas où l’aube est à calage variable, le rayon minimal étant défini comme une distance entre un point du bord d’attaque de la partie profilée le plus proche de l’axe principal du propulseur aéronautique, et l’axe principal du propulseur aéronautique, lorsque l’aube est positionnée avec un angle de calage dans lequel l’aube est en drapeau, et dans lequel la longueur de corde locale est définie comme une distance entre un point du bord d’attaque et un point du bord de fuite, le point du bord d’attaque et le point du bord de fuite étant situés à la même distance radiale de l’axe principal que le point considéré.
La portion de surface texturée ainsi définie se trouve dans une zone dans laquelle une bulle de recirculation et/ou un écoulement partiellement détaché est susceptible d’apparaître.
La présence d’une série de saillies et/ou de creux dans cette zone permet de recréer un écoulement turbulent à cet endroit, à la place d’une bulle de recirculation en régime partiel (i.e. lors des phases de décollage et d’atterrissage de l’aéronef) et de réduire le frottement pariétal et les pertes aérodynamiques en régime nominal (i.e. en régime de croisière). Cela permet ainsi de limiter le bruit généré par la soufflante au décollage et à l’atterrissage, sans impact sur les performances du propulseur aéronautique en régime de croisière.
Le propulseur aéronautique peut en outre présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
- la portion de surface texturée est une portion de la surface d’extrados et la série de saillies et/ou de creux consiste en une alternance de saillies et de creux,
- la portion de surface texturée est définie de telle sorte que tout point considéré de la portion de surface texturée est situé à une distance radiale de l’axe principal du propulseur aéronautique égale à la somme d’un rayon minimal et entre 50% et 90% d’une envergure de la partie profilée,
- la portion de surface texturée est définie de telle sorte que tout point considéré de la portion de surface texturée est situé à une distance radiale de l’axe principal du propulseur aéronautique supérieur à une distance radiale d’un point du bord d’attaque de la partie profilée situé la plus en amont, en considérant que l’axe principal du propulseur s’étend d’amont en aval dans le sens d’écoulement des gaz à travers le propulseur aéronautique, lorsque le propulseur aéronautique est en fonctionnement normal,
- la portion de surface texturée est définie de telle sorte que tout point considéré de la portion de surface texturée est situé à une distance axiale du bord d’attaque comprise entre 5% et 40% de la longueur de corde locale, de préférence comprise entre 10% et 30% de la longueur de la corde locale,
- pour tout point considéré de la portion de surface texturée, l’épaisseur de la partie profilée au point considéré est inférieure à 12% de la corde locale, de préférence inférieure ou égale à 10% de la corde locale, ou encore de préférence inférieure ou égale à 7% de la corde locale,
- l’épaisseur de la partie profilée au point considéré est supérieure à 0,1% de la corde locale, de préférence supérieure à 0,25% de la corde locale, ou encore de préférence supérieur à 1% de la corde locale,
- pour une distance radiale donnée, la partie profilée présente une épaisseur maximale en un point donné de la surface d’intrados ou de la surface d’extrados, et tout point considéré de la portion de surface texturée est situé en amont du point où l’épaisseur de la partie profilée est maximale,
- pour une distance radiale donnée, la partie profilée présente une épaisseur maximale en un point donné de la surface d’intrados ou de la surface d’extrados, le point donné étant situé à une distance du bord d’attaque comprise entre 10% et 45% de la corde locale, de préférence entre 15% et 30% de la corde locale,
- la partie profilée comprend une âme en matériau composite et une pièce rapportée fixée à l’âme et formant le bord d’attaque de la partie profilée, et les saillies et les creux sont formés uniquement sur la pièce rapportée,
Selon un aspect d’un deuxième mode de réalisation, on prévoit, avant l’étape d’épitaxie commune au cours de laquelle sont formés simultanément les empilements actifs d’émission et de réception, de porosifier localement, en vis à vis des photodiodes du dispositif, une couche support en un matériau semiconducteur, sur laquelle est destiné à être épitaxié l’empilement actif. Il en résulte une relaxation des contraintes mécaniques dans l’empilement actif des photodiodes pendant l’épitaxie, notamment lors de la formation de la couche active 103b de l’empilement. Cette relaxation conduit à une différence de proportions des espèces de l’alliage semiconducteur formant la couche active 103b entre les photodiodes et les LED. En particulier, dans le cas où la couche active comprend des puits quantiques en InGaN, il en résulte une incorporation d’indium plus importante dans les puits quantiques des photodiodes que dans les puits quantiques des LED. Ceci conduit à un décalage vers le rouge, c’est à dire vers le haut, du pic d’absorption des photodiodes, et donc à compenser au moins partiellement le décalage de Stokes entre le pic d’émission et le pic d’absorption de l’empilement actif.
Les figures 2A à 2F sont des vues en coupe illustrant schématiquement des étapes d’un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon le deuxième mode de réalisation.
La illustre une structure comportant un empilement semiconducteur de support 210 sur une face d’un substrat de support 101. Le substrat de support 101 est par exemple identique ou similaire à ce qui a été décrit précédemment. L’empilement semiconducteur de support 210 est par exemple en un matériau semiconducteur de type III-V, par exemple en nitrure de gallium. L’empilement semiconducteur de support 210 comprend au moins une couche semiconductrice dopée 210b, de niveau de dopage choisi pour permettre de rendre poreuse la couche 210b lors d’une étape ultérieure de porosification électrolytique. A titre d’exemple, la couche 210b est dopée de type N. A titre d’exemple, la couche 210b est en nitrure de gallium dopé de type N de niveau de dopage compris entre 1019 et 1,5*1019 atomes/cm3.
Dans l’exemple représenté, l’empilement de support 210 comprend en outre, du côté de la face inférieure de la couche 210b, par exemple en contact avec la face inférieure de la couche 210b, une couche semiconductrice 210a. La couche 210a est par exemple en le même matériau que la couche 210b mais de niveau de dopage inférieur à celui de la couche 210b, par exemple de niveau de dopage au moins dix fois inférieur, à celui de la couche 210b. A titre de variante, la couche 210a est en un matériau différent du matériau de la couche 210b.
Dans l’exemple représenté, l’empilement de support 210 comprend en outre, du côté de la face supérieure de la couche 210b, par exemple en contact avec la face supérieure de la couche 210b, une couche semiconductrice 210c. La couche 210c est par exemple en le même matériau que la couche 210b mais de niveau de dopage inférieur à celui de la couche 210b, par exemple de niveau de dopage au moins dix fois inférieur, de préférence au moins 100 fois inférieur, à celui de la couche 210b. A titre de variante, la couche 210c est en un matériau différent du matériau de la couche 210b.
Les couches 210a, 210b et 210c de l’empilement de support 210 s’étendent par exemple chacune de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface du substrat 101.
Les couches 210a, 210b et 210c sont par exemple formées successivement par épitaxie sur la face supérieure du substrat de support 101.
A titre d’exemple, le substrat de support 101 est en saphir ou en silicium. Un couche tampon, non représentée, peut éventuellement faire interface entre la face supérieure du substrat 101 et la face inférieure de la couche inférieure 210a de l’empilement de support 210.
La illustre une étape de formation de tranchées 220 dans l'empilement de support 210, depuis sa face supérieure, par exemple par lithographie puis gravure, de façon à définir dans l’empilement 210 une pluralité de plots de support SL et SP en forme d’îlots ou mésas. Chaque plot de support SL est destiné à recevoir, sur sa face supérieure, une LED L du dispositif, et chaque plot de support SP est destiné à recevoir, sur sa face supérieure, une photodiode P du dispositif.
Dans l’exemple représenté, les tranchées 220 s'étendent verticalement depuis la face supérieure de l’empilement, traversent entièrement les couches 210c et 210b, et débouchent dans la couche 210a sans la traverser entièrement. A titre de variante, les tranchées 220 traversent entièrement la couche 210.
Les tranchées 220 forment par exemple, en vue de dessus, une grille ou un quadrillage séparant latéralement les uns des autres les plots de support SL et SP destinés à recevoir les LED L et les photodiodes P du dispositif.
Les plots de support SP et SL ont par exemple tous les mêmes dimensions latérales, par exemple comprises entre 1 µ et 25 µm, par exemple entre 2 et 8 µm. A titre d’exemple, les plots de support SP et SL ont, en vue de dessus, une forme carrée ou rectangulaire.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de porosification sélective de la couche 210b, localisée uniquement dans les plots de support SP des photodiodes P du dispositif. Lors de cette étape, la couche 210b des plots de support SP est rendu poreuse par gravure électrolytique ou électroporosification. La couche 210b des plots de support SL reste en revanche non poreuse.
Pour cela, les flancs des plots de support peuvent être préalablement revêtus d’une couche de protection (non visible sur la figure), par exemple en un matériau isolant, par exemple en oxyde ou en nitrure de silicium. La couche de protection est par exemple initialement déposée sur toute la face supérieure, puis retirée localement, par exemple par photolithographie et gravure, de manière à exposer les flancs des plots de support SP sans exposer les flancs des plots de support SL.
La structure peut ensuite être plongée dans un bain électrolytique (non visible sur la figure), par exemple une solution à base d’acide oxalique, par exemple une solution aqueuse d’acide oxalique.
Il convient de noter que l’élément d’assemblage, à titre d’exemple un écrou, peut être préassemblé sur le composant ou bien être rapporté en même temps que le moyen de vissage. Par ailleurs, on comprend que la première étape permet de positionner le guide de vissage de telle sorte qu’une extrémité de l’élément de guidage vienne en regard du composant.
Selon une caractéristique de l’invention, au cours de la première étape la face de contact est plaquée contre la caisse du véhicule automobile de sorte qu’une extrémité libre de l’élément de guidage vienne au voisinage du composant sur lequel l’élément d’assemblage est destiné à être vissé, la distance entre l’extrémité libre de l’élément de guidage et le composant étant inférieure à la distance entre deux extrémités opposées de l’élément d’assemblage. A titre d’exemple, l’élément d’assemblage étant un écrou, la distance entre deux extrémités opposées de l’élément d’assemblage est l’épaisseur de l’écrou, mesuré le long de son axe de révolution. De la sorte on s’assure que, une fois l’élément de guidage positionné, l’élément d’assemblage destiné à être vissé sur le composant ne puisse pas s’échapper entre l’élément de guidage et ledit composant et ne puisse pas tomber dans la caisse du véhicule. L’élément de guidage a alors pour fonction additionnelle de retenir l’élément d’assemblage et de s’assurer qu’il reste en prise sur le moyen de vissage.
Selon une caractéristique de l’invention, le procédé met en œuvre au moins une quatrième étape dans laquelle le guide de vissage est retiré de la caisse du véhicule automobile. Plus précisément, le guide de vissage est retiré de la caisse du véhicule automobile au moyen de la poignée, la poignée étant ménagée sur la face opposée à l’élément de guidage.
représente une vue d’une première face d’un guide de vissage selon un mode de réalisation de l’invention ;
représente une vue d’une deuxième face du guide de vissage représenté par la ;
représente une vue en perspective, coupée, du guide de vissage représenté par les figures 1 et 2, le guide de vissage étant utilisé pour guider un moyen de vissage jusqu’à un composant d’un véhicule automobile ;
représente une autre vue de coupe du guide de vissage représenté par les figures 1 et 2 ;
représente une vue éclatée du guide de vissage, d’une caisse d’un véhicule automobile et d’un moyen de vissage selon la représentation visible sur la .
Dans la description qui va suivre, on se référera à une orientation fonction des axes Longitudinaux, Verticaux et Transversaux tels qu’ils sont définis arbitrairement par le trièdre L, V, T représenté par les figures 1 à 5. Le choix des appellations de ces axes n’est pas limitatif de l’orientation que peut prendre le guide de vissage dans son application à un véhicule automobile.
La représente une vue schématique d’une première face 11 d’un guide de vissage 1 selon un mode de réalisation de l’invention. Le guide de vissage est positionné par l’opérateur préalablement au vissage de telle sorte que la première face 11 soit en regard du composant 10, 101 à fixer sur la caisse, une deuxième face 12 opposée à la première face 11 étant tournée à l’opposé de l’opérateur.
Le guide de vissage 1 comporte un élément de guidage 3 configuré pour servir de guide à un outil de vissage illustré notamment sur les figures 3 et 4 et il est destiné à être positionné contre une caisse d’un véhicule automobile, c'est-à-dire la structure rigide du véhicule automobile, via un moyen de positionnement 5 formé par une partie du guide de vissage. Ce guide de vissage 1 peut ainsi être positionné avec précision contre la caisse, quelle que soit l’accessibilité et la visibilité pour l’opérateur, et permettre le vissage à l’aveugle d’un élément d’assemblage 93 sur un composant 10, 101 de véhicule automobile.
Plus particulièrement, l’élément de guidage 3 est configuré pour guider le moyen de vissage, et plus particulièrement une tige du moyen de vissage portant l’embout de vissage adéquat, en regard d’un composant 10, 101 du véhicule automobile nécessitant une opération de vissage. Dans l’exemple illustré, le guide de vissage est utilisé pour permettre le vissage à l’aveugle d’un écrou 93 sur un goujon 101 formant saillie d’un projecteur 10 arrière devant être monté sur la caisse d’un véhicule automobile, via l’ouverture du coffre. Le projecteur présente une configuration telle, ici essentiellement horizontale, qui empêche de positionner le goujon classiquement, selon une composante d’allongement principale transversale, et qui impose au contraire de rendre accessible le goujon, via une ouverture dans la caisse, à l’opposé de l’ouverture du coffre. Il convient de noter que le guide de vissage 1 faisant l’objet de l’invention pourrait être utilisé dans d’autres cas d’application sans sortir du contexte de l’invention.
Tel que visible sur la , le guide de vissage 1 comprend une portion centrale 2 depuis laquelle l’élément de guidage 3 fait saillie et une portion périphérique 4 formant au moins en partie le moyen de positionnement 5 du guide de vissage 1.
Le câble 100 est soumis à un échauffement thermique lorsqu’un courant électrique le traverse, du fait de la résistance électrique du câble. L’échauffement est en particulier croissant avec l’intensité et la fréquence du signal électrique qui le traverse. Les courants sont par exemple de quelques ampères voire quelques dizaines d’ampères. L’échauffement par la résistance électrique du câble est alors particulièrement problématique pour des fréquences dépassant 100 kHz. L’invention pourrait également s’appliquer pour des courants de l’ordre de quelques milliampères pour des câbles de petits diamètres permettant par exemple une réduction de masse.
Afin d’évacuer la chaleur produite à l’intérieur du câble 100, l’arrangement 300 de câble comprend en outre au moins un organe de pincement 200 du câble 100.
L’organe de pincement 200 permet ainsi d’évacuer efficacement la chaleur depuis l’intérieur du câble 100 vers sa surface externe, voire même via l’organe de pincement 200. L’évacuation de la chaleur depuis l’intérieur du câble 100 vers son environnement est ainsi grandement améliorée en comparaison avec un câble 100 dépourvu d’organe de pincement 200.
La montre une vue en coupe du câble 100, dépourvu d’organe de pincement 200, et la montre une vue en coupe du câble 100 muni d’un organe de pincement 200.
Ici, le câble 100 représenté sur les figures 3 et 4 comprend deux gaines internes 130 et 131, disposée entre la gaine extérieure 110 et les conducteurs 120.
Tel que représenté sur la , dans le câble 100 dépourvu d’organe de pincement 200, on peut voir la gaine extérieure 110 entourant la première gaine interne 130 elle-même entourant la deuxième gaine interne 131, cette dernière étant disposée autour des conducteurs 120. Les conducteurs comprennent chacun une âme conductrice entourée par une gaine électriquement isolante 121. Comme illustré les points de contacts 140 internes sont répartis aléatoirement au niveau des surfaces internes et externes des gaines.
Ainsi, de la chaleur produite au niveau des conducteurs 120 ne peut être évacuée par conduction vers l’extérieur du câble qu’en empruntant le chemin thermique, passant par ces points de contacts 140 internes, qui suit des portions significatives à l’intérieur des différentes gaines intérieures pour joindre deux points de contact successifs.
Comme représenté à la , dans la portion du câble 100 munie d’un organe de pincement 200, la gaine extérieure 110, les gaines internes 130 et 131, ainsi que les conducteurs 120, sont en contact les uns avec les autres au niveau de points de contact 141 internes situés en vis-à-vis les uns des autres. Ainsi chaque pont thermique, utilisant la conduction thermique, ne fait que traverser l’épaisseur de chaque gaine. On peut aussi envisager que l’âme conductrice de chaque conducteur 120 vienne contre sa gaine diélectrique 121.
Ainsi, le chemin thermique où la câble est pincé, représenté sur la en chemin fléché en pointillés, est considérablement raccourci et direct en comparaison avec le chemin thermique de la , où le câble n’est pas pincé. En d’autres termes, le chemin thermique passant par les points de contacts 141 internes est beaucoup plus court lorsque le câble 100 est muni de l’organe de pincement 200.
Dans certaines configurations, le chemin thermique peut être par exemple orienté selon une direction radiale du câble 100.
On précise ici qu’en particulier dans un arrangement 300 de câble utilisé dans un engin spatial, la chaleur générée par la résistance électrique du câble, dans l’âme des conducteurs, est évacuée par conduction. En effet, en l’absence d’air dans le câble, lorsque l’engin spatial quitte l’atmosphère, l’évacuation par convection est alors sensiblement nulle, et l’évacuation par radiation est alors faible à l’intérieur du câble 100.
L’organe de pincement 200 est par exemple configuré pour exercer, de manière permanente, une force de pincement F sur le câble 100, en au moins deux zones de pincement 150 du câble 100.
La illustre par exemple la position de deux zones de pincement 150 sur le câble 100, qui sont situées à des positions transversalement opposées. Dans le cas d’un câble présentant une section circulaire, les deux zones de pincement sont par exemple radialement opposées.
De cette manière, l’organe de pincement 200 serre et déforme par exemple transversalement les conducteurs 120, la gaine extérieure 110 et les gaines intérieures 130 et 131.
La force de pincement F est par exemple exercée de manière permanente sur le câble 100, c’est-à-dire qu’au cours de l’utilisation de l’arrangement 300 de câble, l’organe de pincement 200 exerce la force de pincement F sans discontinuer.
Par exemple, dans le cadre d’une utilisation dans un engin spatial, l’organe de pincement 200 est configuré de sorte qu’il exerce la force de pincement F lors du décollage du lanceur de l’engin spatial, lors du trajet dans l’atmosphère puis dans l’espace, jusqu’à sa fin de vie.
Le secret partagé permet au système d’introduire un aléa à chaque itération du procédé dans le calcul de la clé dérivée.
Le challenge d’authentification permet au dispositif électronique d’introduire aussi un aléa dans le calcul de la clé dérivée.
Selon une deuxième possibilité, le calcul du deuxième résultat d’authentification comprend le calcul du secret partagé par application à la clé privée et à la donnée d’authentification, d’une fonction de désencapsulation du mécanisme d’encapsulation de clé, puis l’obtention d’une clé dérivée à partir du secret partagé, puis le calcul d’un code d’authentification d’une donnée d’entrée avec la clé dérivée, par exemple un code d’authentification basé sur le hachage tel que proposé dans la publication FIPS PUB198-1 «The Keyed-Hash Message Authentication Code » du NIST et datée de Juillet 2008 , ou un code d’authentification basé sur le chiffrement tel que proposé dans la publication NIST.SP.800-38B « Recommendation for Block Cipher Modes of Operation: The CMAC Mode for Authentication » du NIST et datée de Mai 2005 , ou un code d’authentification de Galois tel que proposé dans la publication NIST.SP.800-38D « Recommendation for Block Cipher Modes of Operation: Galois/Counter Mode (GCM) and GMAC » du NIST et datée de Novembre 2007 . Le deuxième résultat d’authentification est alors le code d’authentification calculé.
Comme pour la première possibilité, la clé dérivée peut être obtenue par application d’une fonction de dérivation de clé de l’état de l’art, au secret partagé ou au résultat d’une concaténation du secret partagé et du challenge d’authentification. Toujours comme pour la première possibilité, la clé dérivée peut, selon un autre exemple, être le secret partagé.
Le procédé mis en œuvre par le dispositif électronique invoque ainsi une fonction de désencapsulation d’un mécanisme d’encapsulation de clé plutôt qu’une fonction de signature cryptographique pour l’authentification du dispositif électronique.
Le procédé limite ainsi la sollicitation des ressources du dispositif électronique.
Le procédé comprend alors une étape d’envoi au système du deuxième résultat d’authentification (étape E540), pendant laquelle le dispositif électronique 10 envoie au système 20 le deuxième résultat d’authentification, typiquement en utilisant son bloc de communication 2.