Procédé pour la réalisation d’un transistor comprenant les étapes suivantes : - prévoir sur un support (100, 100’) doté d’une couche semi-conductrice superficielle (12) et reposant sur une couche isolante (11) : au moins un bloc de grille (25) de transistor agencé sur la couche superficielle (12), des espaceurs isolants (33) entourant ce bloc (25) de grille, et des régions semi-conductrices (42) dites surélevées reposant sur la couche semi-conductrice superficielle (12) de part et d’autre de ce bloc (25) de grille et des espaceurs isolants (33), - rendre amorphe les régions semi-conductrices (42) surélevées et des portions (12a) de la couche semi-conductrice superficielle (12) situées sous ces régions semi-conductrices (42) surélevées sur toute leur épaisseur et de sorte à atteindre la couche isolante (11), - doper les régions semi-conductrices (42) surélevées et lesdites portions (12a), - effectuer au moins un recuit thermique laser au moyen d’une ou plusieurs impulsions laser (L) de sorte à réaliser une recristallisation desdites régions surélevées (42) et desdites portions (12a) tout en effectuant une activation de dopants dans lesdites régions et lesdites portions. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape consistant à rendre amorphe lesdites régions semi-conductrices (42) surélevées et lesdites portions (12a) est effectuée par implantation à l’aide d’un faisceau incliné par rapport à une normale (n) à un plan principal du support, de sorte à réaliser une amorphisation de zones (12c) de la couche superficielle (23) qui s’étendent sous les espaceurs (33). Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel l’étape consistant à doper lesdites régions semi-conductrices (42) surélevées et lesdites portions (12a) comprend une implantation à l’aide d’un faisceau incliné par rapport à une normale à un plan principal du support, de sorte à doper des zones (12c) de la couche superficielle (23) qui s’étendent sous les espaceurs (33). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, comprenant en outre des étapes de : - formation du bloc (25) de grille, - formation d’espaceurs (33) de part et d’autre du bloc (25) de grille, - formation desdites régions (42) semi-conductrices surélevées de part et d’autre des espaceurs (33), le procédé comprenant en outre après formation du bloc de grille et préalablement à la formation des espaceurs : - le dopage de zones (122) dites d’extension de la couche semi-conductrice superficielle situées de part et d’autre du bloc (25) de grille, les espaceurs étant formés en regard desdites zones d’extension (122). Procédé selon la revendication 4, dans lequel le dopage des zones d’extension (122) dans la couche semi-conductrice superficielle (12) de part et d’autre du bloc (25) de grille comprend des étapes consistant à : - rendre amorphe et doper une partie supérieure (123) de la couche superficielle (12) tout en conservant une zone inférieure (124) cristalline de la couche superficielle (12) en contact avec la couche isolante (11), - effectuer un recuit de sorte à recristalliser ladite partie supérieure (123) de la couche superficielle (12). Procédé selon la revendication 5, dans lequel après formation des espaceurs isolants (33) et préalablement à l’amorphisation desdites régions semi-conductrices (42) surélevées et portions (12a) de la couche semi-conductrice superficielle (12) situées sous ces régions semi-conductrices (42) : - former par épitaxie les régions semi-conductrices surélevées (42) sur ladite partie supérieure (123) recristallisée de ladite couche superficielle (12). Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel après recuit thermique laser on forme des régions (155) à base de composé de matériau métallique et de matériau semi-conducteur dans les régions semi-conductrices surélevées (42). Procédé selon la revendication 7, dans lequel préalablement audit recuit thermique laser on dépose au moins une couche de matériau métallique de sorte à recouvrir les régions semi-conductrices surélevées (42), le recuit thermique laser étant adapté pour former les régions (155) à base de composé de matériau métallique et de matériau semi-conducteur dans les régions semi-conductrices surélevées (42). Procédé selon la revendication 7, dans lequel après ledit recuit thermique laser, le procédé comprend des étapes consistant à : - rendre amorphe des parties supérieures (148) desdites régions semi-conductrices surélevées (42), puis - déposer au moins une couche de matériau métallique de sorte à recouvrir lesdites régions semi-conductrices surélevées (42) et effectuer un recuit pour former des régions (155) à base de composé de matériau métallique et de matériau semi-conducteur dans lesdites parties supérieures (148). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’étape de recuit thermique laser est effectuée à l’aide d’un laser par émission d’une ou de plusieurs impulsions laser successives, de durée d’impulsion inférieure à une microseconde et de préférence comprise entre 1 ns et1000 ns, avantageusement entre 20 ns et 300 ns, le laser ayant une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm et avantageusement entre 200 et 400nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le recuit thermique laser est effectué de sorte à recristalliser lesdites régions semi-conductrices surélevées (42) et lesdites portions (12a) de la couche semi-conductrice superficielle (12) rendues amorphes dans un régime de recristallisation dans lequel les régions semi-conductrices surélevées (42) et lesdites portions (12a) sont transformées en matériau polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le support (100) est un substrat de type semi-conducteur sur isolant tel qu’un substrat SOI ou un support doté d’un ou plusieurs composants d’un premier niveau (N1) de composants formés dans une couche semi-conductrice (2) sous-jacente.