Photodiode (200 ; 500) à avalanche comprenant : - une jonction PN principale (230 ; 530) adaptée à être polarisée en inverse ; et - une pluralité de régions semiconductrices dont au moins : - une première région (211 ; 511) semiconductrice épitaxiée d’un premier type de conductivité ; et - une deuxième région (212 ; 512) semiconductrice du deuxième type de conductivité, ladite deuxième région étant agencée pour entourer au moins partiellement la première région, et comprenant des surfaces en contact avec des surfaces de ladite première région. Photodiode (200 ; 500) selon la revendication 1, dans laquelle la jonction PN principale (230 ; 530) est formée par des quatrième (214 ; 514) et cinquième (215 ; 515) régions de la pluralité de régions semiconductrices ; la quatrième région étant fortement dopée du premier type de conductivité, par exemple plus fortement dopée que la première région, et étant formée à partir d’une première face (200A ; 500A) de la photodiode ; et la cinquième région étant fortement dopée du deuxième type de conductivité, par exemple plus fortement dopée que la deuxième région, et étant formée sous, et en contact avec, la quatrième région ; les quatrième et cinquième régions étant par exemple localisées au centre de la photodiode dans un plan parallèle à la première face. Photodiode (200 ; 500) selon la revendication 2, dans laquelle une sixième région (216 ; 516) de la pluralité de régions semiconductrices est formée latéralement autour, et à distance de, la quatrième région (214 ; 514) à partir de la première face (200A ; 500A) de la photodiode, la sixième région étant fortement dopée du deuxième type de conductivité, par exemple plus fortement dopée que la deuxième région. Photodiode (200) selon la revendication 3, dans laquelle une troisième région (213) semiconductrice de la pluralité de régions semiconductrices est formée entre la première face (200A) de la photodiode et la première région (211), la troisième région étant une région épitaxiée du premier type de conductivité, et les quatrième, cinquième et sixième régions (214, 215, 216) étant formées par dopage, par exemple par implantation ionique, dans ladite troisième région. Photodiode (200) selon la revendication 4, dans laquelle les première et troisième régions sont épitaxiées et dopées dans des conditions similaires, par exemple correspondant à des régions d’une même couche épitaxiée. Photodiode (200) selon l’une quelconque des revendications 2 à 5, dans laquelle une région d’anneau de garde (217) de la pluralité de régions semiconductrices est formée autour de la quatrième région (214), la région d’anneau de garde étant du premier type de conductivité et étant plus faiblement dopée que la quatrième région (214). Photodiode (200 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 2 à 6, dans laquelle les régions semiconductrices sont formées dans un caisson (210 ; 510) délimité par une tranchée isolante profonde (220 ; 520) s’étendant dans une direction (Z) perpendiculaire à la première face (200A ; 500A) de la photodiode. Photodiode (200 ; 500) selon la revendication 7, dans laquelle la deuxième région (212 ; 512) comporte une portion latérale (212B ; 512B) localisée entre la première région (211 ; 511) et la tranchée isolante profonde (220 ; 520). Photodiode (200 ; 500) selon l’une quelconque des revendications 2 à 8, dans laquelle la deuxième région (212 ; 512) comporte une portion enterrée (212C ; 512C) localisée entre la première région (211 ; 511) et une deuxième face (200B ; 500B) de la photodiode opposée à la première face. Photodiode (200) selon l’une quelconque des revendications 2 à 9, dans laquelle la première région (211) est dopée de manière sensiblement constante dans une direction (Z) perpendiculaire à la première face (200A) de la photodiode. Photodiode (500) selon l’une quelconque des revendications 2 à 9, dans laquelle la première région (511) est dopée graduellement dans une direction (Z) perpendiculaire à la première face (500A), par exemple de manière décroissante entre ladite première face et une deuxième face (500B) de la photodiode opposée à la première face. Photodiode (200) selon l’une quelconque des revendications 2 à 11, dans laquelle la première région (211) comporte une première portion (211A) et une deuxième portion (211B) moins large, dans un plan parallèle à la première face (200A), que la première portion, et localisée entre la première portion (211A) et la jonction PN principale (230). Photodiode (500) selon l’une quelconque des revendications 2 à 11, dans laquelle la première région (511) entoure la jonction PN principale (530), par exemple comporte une première portion (511A) localisée sous la jonction PN principale (530), et une deuxième portion (511B) s’étendant jusqu’à la première face (500A) de la photodiode (500). Photodiode selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans laquelle la première région est à l’intérieur de la deuxième région. Photodiode selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans laquelle chaque dimension de la photodiode, dans un plan parallèle à une première face (200A) de la photodiode, est inférieure à 6 µm et/ou la hauteur de la photodiode est comprise entre 3 et 15 µm, par exemple comprise entre 6 et 10 µm. Méthode de fabrication d'une photodiode (600) à avalanche, comprenant une jonction PN principale (630) adaptée à être polarisée en inverse, la méthode comprenant la formation d’une pluralité de régions semiconductrices dont au moins : - une première région semiconductrice épitaxiée d’un premier type de conductivité ; et - une deuxième région semiconductrice du deuxième type de conductivité, ladite deuxième région étant agencée pour entourer au moins partiellement la première région, et comprenant des surfaces en contact avec des surfaces de ladite première région. Méthode selon la revendication 16, dans laquelle la formation de la pluralité de régions semiconductrices comprend : - la formation par croissance épitaxiale d’une couche épitaxiée (601) du premier type de conductivité destinée à former la première région semiconductrice ; puis - la formation, par dopage partiel de la couche épitaxiée, par exemple par implantation ionique, d’au moins une première portion (602A) de la deuxième région ; et la quatrième région et la cinquième région sont formées par dopage partiel de la couche épitaxiée, par exemple par implantation ionique, à partir de la première face (600A) de la photodiode. Méthode selon la revendication 17, dans laquelle la deuxième région comporte une portion latérale localisée entre la première région et la tranchée isolante profonde, et la portion latérale (602B) de la deuxième région est formée par dopage partiel de la couche épitaxiée, par exemple par implantation ionique, par changement partiel de conductivité de la couche épitaxiée, par diffusion à partir de la tranchée isolante profonde, ou par un matériau à inversion de charge dans la tranchée isolante profonde. Méthode selon la revendication 17 ou 18, dans laquelle la deuxième région comporte une portion enterrée localisée entre la première région et une deuxième face de la photodiode opposée à la première face, et la portion enterrée (602C) de la deuxième région est formée par croissance épitaxiale, ou par dopage partiel de la couche épitaxiée, par exemple par implantation ionique, à partir de la deuxième face (600B) de la photodiode.