INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une autre variante de l’invention, R 1 représente un radical polysaccharidique multivalent, linéaire ou cyclique, de préférence linéaire, constitué d’au moins 3 unités monosaccharidiques comprenant chacune au moins 5 atomes de carbone, de préférence au moins 6 atomes de carbone, particulièrement entre 6 et 8 atomes de carbone, et plus préférentiellement 6 atomes de carbone, et dont un ou plusieurs des groupes hydroxy (-OH), carbonyle (-C(O)), carboxy (-C(O)-OH) ou amino -NH 2 , de tout ou partie d’au moins une des unités monosaccharidiques, sont substitués par un ou plusieurs groupes R 3 avec R 3 , identique ou différent, représentant un groupe choisi parmi :
3) (C 1 -C 22 )alkylcarbonyle, linéaire ou ramifié.
Plus préférentiellement, R 1 comprend un ou plusieurs des groupes hydroxy (-OH), ou amino -NH 2 , de tout ou partie d’au moins une des unités monosaccharidiques, substitués par un ou plusieurs groupes R 3 tels que définis précédemment. En particulier, le groupe -OH est substitué par un groupe 1), 2) ou 3), plus particulièrement par un groupe 1) ou 3), de préférence par un groupe 3). En particulier, le groupe -NH 2 est substitué par un groupe 2) ou 3), plus particulièrement par un groupe 3).
Selon un mode de réalisation particulier, le ou les composés de formule (I) ainsi que leurs isomères optiques, géométriques, leurs sels d’acide ou de base organique ou minéral, et/ou solvates selon l’invention sont tels que le radical polysaccharidique représenté par R 1 , est choisie parmi les radicaux polysaccharidique issus de l’agarose, l’amidon et ses dérivés, l’amidon cationique, l’alginate et ses dérivés, l’acide hyaluronique, la cellulose et ses dérivés, en particulier choisis parmi la méthylcellulose, l’éthylcellulose, l’hydroxyméthylcellulose, hydroxypropylméthylcellulose et l’hydroxybutylcellulose, le carraghénane, le curdlan, le dextran, le glucane, la gomme de guar, le gellan, le konjac, l’inuline, la pectine, le pullulan, le scleroglucan, le xanthane et leurs dérivés, de préférence choisi parmi l’amidon et ses dérivés, la cellulose et ses dérivés et l’alginate et ses dérivés, et plus préférentiellement choisi parmi le pullulan et ses dérivés, tels que le myristoyl pullulane.
Par « dérivés », on entend les composés obtenus par modification chimique des composés cités. En particulier, il peut s’agir d’esters, d’amides, ou d’éthers desdits composés.
Les dérivés de polysaccharides/oligosaccharides peuvent par exemple être choisis parmi ceux décrits dans les articles « Natural and modified polysaccharides », Drug Targeting and Delivery (1997), 7, 275-289 et « Gums », Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology (2005), 13, 60-73.
Les radicaux polysaccharidiques R 1 peuvent également être choisis parmi les radicaux issus des dérivés polysaccharides à chaines grasses, en particulier ceux décrits dans la publication « Enzymatic synthesis of oligo- and polysaccharide fatty acid esters », Carbohydrate Polymers, (2013), 93(1), 65-72, « Chemical Modification of Polysaccharides », Hindawi, Orhanic Chemistry, Volume 2013, Article ID 417672, ou bien encore dans la demande de brevet CA2087488.
Selon un mode de réalisation particulier, les polysaccharides à chaine grasse à l’origine des radicaux R 1 sont choisis parmi le Myristoyl Pullulan, le Stearoyl Inulin, l’Undecylenoyl Inulin et le Palmitoyl Hydroxypropylcellulose, de préférence parmi les esters à chaine grasse, plus préférentiellement le myristoyl pullulane.
Les dérivés de polysaccharides/oligosaccharides peuvent également être choisis parmi les polysaccharides/oligosaccharides thiolés, en particulier ceux décrits dans la publication « Unsaturated and thiolated derivatives of polysaccharides as functional matrixes for tissue engineering and pharmacology: A review », Carbohydrate Polymers, 2021, Volume 259, 117735.
Selon un mode de réalisation particulier, les composés de formule (I) possédant des fonctions acétoacétates sont choisis parmi :
a) la cellulose, l’amidon, l’amylose et leurs dérivés, de formule (II) ainsi que leurs isomères optiques, leurs sels d’acide ou de base, organique ou minéral, et les solvates, tels que les hydrates :
La composition de caoutchouc peut contenir un plastifiant autre que la résine plastifiante hydrocarbonée. Cet autre plastifiant peut être un plastifiant liquide ou une résine hydrocarbonée différente d’une résine d’homopolymères de coupe C5, d’une résine de copolymères de coupe C5, d’une résine d’homopolymères de coupe C9 et d’une résine de copolymères de coupe C9. Une substance est qualifiée de liquide dès lors qu’à température ambiante (23°C), la substance, plus ou moins visqueuse, est liquide, c’est-à-dire, pour rappel, une substance ayant la capacité de prendre à terme la forme de son contenant, par opposition notamment aux résines plastifiantes hydrocarbonées qui sont par nature solides à température ambiante. A titre de plastifiant liquide, on peut citer par exemple les huiles communément utilisées dans les compositions de caoutchouc pour pneumatique telles que les huiles paraffiniques, les huiles MES (« Medium Extracted Solvates » ), les huiles TDAE (« Treated Distillate Aromatic Extracts » ), les huiles TRAE (« Treated Residual Aromatic Extract » ), les huiles SRAE (« Safety Residual Aromatic Extract oils » ), les huiles minérales et leurs mélanges.
Selon un mode de réalisation particulièrement préférentiel de l’invention, la composition de caoutchouc contient 0 à moins de 3 pce de plastifiant choisi parmi les plastifiants liquides et les résines plastifiantes différentes des résines d’homopolymères de coupe C5, des résines de copolymères de coupe C5, des résines d’homopolymères de coupe C9 et des résines de copolymères de coupe C9.
Selon un mode de réalisation tout particulièrement préférentiel de l’invention notamment pour l’utilisation de la composition de caoutchouc dans une bande de roulement d’un pneumatique pour un véhicule portant de lourdes charges, la composition de caoutchouc ne contient pas de plastifiant autre qu’une résine plastifiante hydrocarbonée choisie dans le groupe constitué par les résines d’homopolymères de coupe C5, les résines de copolymères de coupe C5, les résines d’homopolymères de coupe C9 et les résines de copolymères de coupe C9, en particulier autre qu’une résine d’un copolymère de coupe C5 et de coupe C9.
Les modes de réalisation selon lesquels le taux de plastifiant liquide est inférieur à 3 pce, sont préférés pour optimiser encore davantage la résistance à la déchirabilité et sont d’autant plus préférés que le taux de plastifiant liquide est égal à 0.
La composition de caoutchouc peut comporter également tout ou partie des additifs usuels habituellement utilisés dans les compositions d'élastomères destinées à constituer des bandes de roulement comme par exemple des agents de réticulation, des pigments, des agents de protection tels que cires anti-ozone, anti-ozonants chimiques, anti-oxydants.
La composition de caoutchouc contient préférentiellement un système de vulcanisation. Le système de vulcanisation comprend typiquement du soufre et un accélérateur de vulcanisation.
Le soufre est typiquement apporté sous forme de soufre moléculaire ou d'un agent donneur de soufre, de préférence sous forme moléculaire. Le soufre sous forme moléculaire est aussi désigné sous l’appellation de soufre moléculaire. On entend par donneur de soufre tout composé qui libère des atomes de soufre, combinés ou pas sous la forme d’une chaîne polysulfure, aptes à s’insérer dans les chaînes polysulfures formés au cours de la vulcanisation et pontant les chaînes élastomères. Le taux de soufre dans la composition de caoutchouc est préférentiellement inférieur à 2 pce, de préférence compris entre 0.3 et 1.5 pce.
On peut utiliser comme accélérateur de vulcanisation (primaire ou secondaire) tout composé susceptible d'agir comme accélérateur de vulcanisation des élastomères diéniques en présence de soufre, notamment des accélérateurs du type thiazoles ainsi que leurs dérivés, des accélérateurs de types sulfénamides pour ce qui est des accélérateurs primaires, du type guanidines, thiurames, dithiocarbamates, dithiophosphates, thiourées et xanthates pour ce qui est des accélérateurs secondaires. On entend par guanidine tout composé qui contient le radical divalent -HN-C(=NH)-NH-. La guanidine est de préférence la diphénylguanidine. L'accélérateur de vulcanisation est utilisé à un taux préférentiel compris entre 0.3 et 5 pce, plus préférentiellement entre 0.5 et 2.5 pce.
A titre d'exemples d’accélérateurs primaires, on peut citer notamment les composés sulfénamides tels que la N-cyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide ("CBS"), la N,N-dicyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide ("DCBS"), la N-ter-butyl-2-benzothiazyle sulfénamide ("TBBS"), et les mélanges de ces composés. L’accélérateur primaire est préférentiellement une sulfénamide, plus préférentiellement la N-cyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide.
A titre d'exemple d‘accélérateurs secondaires, on peut citer notamment les polysulfures de thiurame, préférentiellement les disulfures de thiurame tels que le disulfure de tétraéthylthiurame, le disulfure de tétrabutylthiurame ("TBTD"), le disulfure de tétrabenzylthiurame ("TBZTD") et les mélanges de ces composés. L’accélérateur secondaire est préférentiellement un disulfure de thiurame, plus préférentiellement le disulfure de tétrabenzylthiurame.
L’accélérateur primaire est de préférence une sulfénamide. Lorsque l’accélérateur primaire de vulcanisation est une sulfénamide, il est de préférence la N-cyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide.
L’accélérateur de vulcanisation est préférentiellement un mélange d’un accélérateur primaire et d’un accélérateur secondaire. La dénomination « un accélérateur primaire » désigne un seul accélérateur primaire ou un mélange d’accélérateurs primaires. De façon analogue, la dénomination « un accélérateur secondaire » désigne un seul accélérateur secondaire ou un mélange d’accélérateurs secondaires. Lorsque l’accélérateur de vulcanisation est un mélange d’un accélérateur primaire et d’un accélérateur secondaire, l’accélérateur de vulcanisation est de préférence un mélange d’une sulfénamide et d’un disufure de thiurame ou bien un mélange d’une sulfénamide, d’un disulfure de thiurame et d’une guanidine, la sulfénamide étant préférentiellement la N-cyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide, le disulfure de thiurame étant préférentiellement le disulfure de tétrabenzylthiurame, la guanidine étant préférentiellement la diphénylguanidine.
De manière bien connue, le système de vulcanisation peut comprendre aussi des activateurs de vulcanisation comme des oxydes métalliques tels que l’oxyde de zinc ou des acides gras tels que l’acide stéarique.
La composition de caoutchouc peut être fabriquée dans des mélangeurs appropriés, en utilisant deux phases de préparation successives selon une procédure générale bien connue de l'homme du métier : une première phase de travail ou malaxage thermo-mécanique (parfois qualifiée de phase "non-productive") à haute température, jusqu'à une température maximale comprise entre 110°C et 190°C, de préférence entre 130°C et 180°C, suivie d'une seconde phase de travail mécanique (parfois qualifiée de phase "productive") à plus basse température, typiquement inférieure à 110°C, par exemple entre 40°C et 100°C, phase de finition au cours de laquelle est incorporé le soufre ou le donneur de soufre et l’accélérateur de vulcanisation. A titre d'exemple, la première phase (non-productive) est conduite en une seule étape thermomécanique au cours de laquelle on introduit, dans un mélangeur approprié tel qu'un mélangeur interne usuel, tous les constituants nécessaires, les éventuels agents de mise en œuvre complémentaires et autres additifs divers, à l'exception du soufre et de l’accélérateur de vulcanisation. La durée totale du malaxage, dans cette phase non-productive, est de préférence comprise entre 1 et 15 min. Après refroidissement du mélange ainsi obtenu au cours de la première phase non-productive, on incorpore alors le soufre et l’accélérateur de vulcanisation à basse température, généralement dans un mélangeur externe tel qu'un mélangeur à cylindres, le tout est alors mélangé (phase productive) pendant quelques minutes, par exemple entre 2 et 15 min.
Lorsque le système de vulcanisation comprend un accélérateur primaire et un accélérateur secondaire, la composition de caoutchouc est fabriquée préférentiellement par un procédé qui comprend une première étape, étape a), au cours de laquelle sont mélangés par malaxage, notamment thermomécanique, les constituants de la composition de caoutchouc à l’exception du soufre et de l’accélérateur primaire, et une deuxième étape, étape b), au cours de laquelle sont incorporés le soufre et l’accélérateur primaire dans le mélange malaxé comprenant l’élastomère, la charge renforçante et l’accélérateur secondaire. Au cours de la l’étape a), l’élastomère, la charge renforçante et l’accélérateur secondaire sont malaxés ensemble, typiquement dans un mélangeur approprié tel qu’un mélangeur interne usuel. La température de malaxage à l’étape a) est supérieure à 110°C, préférentiellement comprise entre 110°C et 190°C, avantageusement supérieure à 130°C et inférieure à 180°C. Les plages de température entre 110°C et 190°C et entre 130°C et 180°C correspondent à des valeurs de températures maximales atteintes par le mélange malaxé dans le mélangeur pendant l’étape a). Typiquement, le malaxage au cours de l’étape a) est poursuivi jusqu’à ce que le mélange malaxé atteigne la température maximale de malaxage avant d’être extrait du mélangeur. La durée totale du malaxage à l’étape a) est de préférence comprise entre 1 et 15 minutes. Le mélange préparé à l’issue de l’étape a) est récupéré, puis refroidi pour pouvoir procéder à l’étape b) qui est réalisée à plus basse température, en l’espèce à une température inférieure à 110°C, préférentiellement comprise entre 40°C et 100°C. Au cours de l’étape b), l’incorporation du soufre et de l’accélérateur primaire dans la composition de caoutchouc est typiquement réalisée par malaxage dans un mélangeur externe tel qu’un mélangeur à cylindres, généralement pendant une durée comprise entre 2 et 15 minutes. Le malaxage à l’étape b) se fait à une température inférieure à 110°C, préférentiellement comprise entre 40°C et 100°C.
De préférence, la composition de caoutchouc est extrudée pour former tout ou partie d’un profil d’une bande de roulement d’un pneumatique. Puis au cours de l’assemblage d’un pneumatique comprenant usuellement, radialement de l’extérieur vers l’intérieur, une bande de roulement, une armature de sommet et une armature de carcasse, la bande de roulement est posée radialement à l’extérieur de l’armature de sommet. Radialement signifie de manière connue dans une direction radiale par rapport à l’axe de rotation du pneumatique.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE Un transistor à effet de champ (ou FET, pour « field effect transistor » en anglais) à canal N, communément appelé transistor nFET, est un transistor dont la conduction est assurée par des électrons. A l’inverse, un transistor à effet de champ à canal P, communément appelé transistor pFET, est un transistor dont la conduction est assurée par des trous.
Dans le but d'améliorer les performances des transistors à effet de champ, notamment en termes de rapidité, il est connu de former le canal de conduction des transistors nFET dans une première zone semi-conductrice en un matériau favorisant la conduction par électrons et le canal de conduction des transistors pFET dans une deuxième zone semi-conductrice en un matériau favorisant la conduction par trous.
Plus particulièrement, une architecture avancée en technologie CMOS (« complementary metal-oxide-semiconductor » en anglais) consiste à utiliser des canaux en silicium (Si) pour les transistors à effet de champ de type NMOS et des canaux en silicium-germanium (SiGe) pour les transistors à effet de champ de type PMOS. L'utilisation de canaux en SiGe pour les transistors PMOS est connue pour améliorer la mobilité des porteurs de charge (trous) et diminuer la tension de seuil des transistors par rapport au silicium seul. Une forte concentration en germanium (typiquement supérieure à 20 %) est généralement recherchée, étant donné que la mobilité des porteurs de charge augmente avec la concentration en germanium. Pour améliorer encore la mobilité des porteurs de charge, les canaux en Si peuvent être contraints en tension et les canaux en SiGe peuvent être contraints en compression.
La coexistence d’un transistor PMOS à canal SiGe et d’un transistor NMOS à canal Si sur un même substrat peut être rendue possible en transformant une portion d’une couche de silicium (typiquement la couche mince d’un substrat SOI) en une portion de silicium-germanium, au moyen d’une technique appelée condensation localisée de germanium. Cette technique comprend une étape de croissance par épitaxie d’une couche de SiGe sur la portion de couche de silicium à transformer et une étape d’oxydation de la couche de SiGe. Cette étape d’oxydation, dite « sélective » par rapport au silicium, a pour effet de repousser les atomes de germanium dans la couche de silicium sous-jacente tout en formant une couche d’oxyde de silicium (SiO 2 ) en surface. Après retrait de la couche d’oxyde de silicium, le canal du transistor PMOS est formé dans la portion transformée en SiGe tandis que le canal du transistor NMOS est formée dans une portion non modifiée de la couche de silicium.
La condensation de germanium est dite localisée, car elle se produit uniquement dans les régions où l’on souhaite former des transistors PMOS. L’empilement de couches initial est différent entre les régions accueillant les transistors NMOS (couche de Si seulement) et les régions accueillant les transistors PMOS (couche de Si + couche de SiGe). Or la croissance de SiGe sur certaines régions seulement de la couche de silicium peut s’avérer délicate.
Par ailleurs, le document [« Investigation of recrystallization and stress relaxation in nanosecond laser annealed Si 1−x Ge x /Si epilayers » ; L. Dagault et al. ; Applied Surface Science, Volume 527, 2020] décrit une couche de SiGe formée par épitaxie sur un substrat en silicium, puis soumise à un recuit laser nanoseconde (ou NLA, pour « nanosecond laser annealing » en anglais). Le recuit laser nanoseconde entraîne une fusion au moins partielle de la couche de SiGe. Une redistribution des atomes de germanium est observée lors de la recristallisation de la couche de SiGe. Les atomes de germanium sont concentrés vers la surface de la couche de SiGe , du fait d’un mécanisme de ségrégation. Il en résulte un gradient de concentration en germanium dans l’épaisseur de la couche de SiGe. Cette technique peut être utilisée pour diminuer la résistivité électrique des contacts de source et de drain dans les transistors PMOS (régions de source et de drain en SiGe).
L’invention a pour but de simplifier la fabrication d’un dispositif semi-conducteur comprenant une première zone semi-conductrice optimisée pour la conduction par électrons et une deuxième zone semi-conductrice optimisée pour la conduction par trous.
Selon un premier aspect de l’invention, on tend à atteindre ce but en prévoyant un procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : fournir une structure multicouches comprenant : un substrat ; et une couche de silicium-germanium disposée sur le substrat ; définir dans la structure multicouches une première région destinée à contenir la première zone semi-conductrice et une deuxième région destinée à contenir la deuxième zone semi-conductrice ; soumettre la structure multicouches à un recuit laser de manière à modifier une portion de la structure multicouches située dans la deuxième région, ladite portion comprenant avant le recuit laser une partie de la couche de silicium-germanium, ladite portion présentant après le recuit laser un gradient de concentration en germanium avec une concentration en germanium qui augmente en direction d’une face supérieure de ladite portion.
Ce procédé de fabrication permet d’obtenir, en partant d’un même empilement de départ, une première zone semi-conductrice optimisée pour la conduction par électrons et une deuxième zone semi-conductrice optimisée pour la conduction par trous. La deuxième zone semi-conductrice optimisée pour la conduction par trous est obtenue en concentrant les atomes de germanium de la couche de silicium-germanium dans une région de la structure multicouches. La première zone semi-conductrice est optimisée pour la conduction par électrons est formée par une portion non-modifiée de la structure multicouches, située dans la première région. Le recuit laser est en outre simple et rapide à mettre en œuvre.
Avantageusement, la structure multicouches comprend en outre une couche de protection disposée sur la couche de silicium-germanium, ladite portion s’étend avant le recuit laser jusqu’à la couche de protection et ladite portion présente après le recuit laser une concentration en germanium qui augmente en direction d’une interface avec la couche de protection.
De préférence, la structure multicouches comprend en outre une couche de réflexion laser disposée sur la couche de protection et configurée pour diminuer l’efficacité du recuit laser, le procédé comprenant en outre, avant le recuit laser, une étape de retrait d’une portion de la couche de réflexion laser située dans la deuxième région de la structure multicouches.
Le procédé peut comprendre en outre, après le recuit laser, une étape de retrait de la couche de protection dans la deuxième région de la structure multicouches et une étape de retrait de la couche de réflexion laser et de la couche de protection dans la première région de la structure multicouches.
L’étape de définition des première et deuxième régions de la structure multicouches peut être accomplie après l’étape de fourniture de la structure multicouches et comprendre les sous-étapes suivantes : graver une tranchée dans la structure multicouches, la tranchée s’étendant à travers la couche de réflexion laser, la couche de protection et la couche de silicium-germanium jusqu’au substrat ; et remplir la tranchée d’un matériau électriquement isolant sur au moins toute l’épaisseur de la couche de silicium-germanium.
Dans un premier mode de réalisation, la couche de silicium-germanium présente avant le recuit laser une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 %.
Dans un deuxième mode de réalisation : la couche de silicium-germanium présente avant le recuit laser une concentration en germanium supérieure ou égale à 10 % ; la structure multicouches comprend en outre une couche de silicium disposée sur la couche de silicium-germanium ; et ladite portion comprend en outre avant le recuit laser une partie de la couche de silicium.
Dans un troisième mode de réalisation : la couche de silicium-germanium présente avant le recuit laser une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 % ; la couche de silicium-germanium comprend une pluralité d’ailettes (121) réparties entre les première et deuxième régions de la structure multicouches ; et la structure multicouches comprend en outre des tranchées d’isolation électrique séparant les ailettes entre elles ; la structure multicouches est soumise au recuit laser de manière à modifier plusieurs portions de la structure multicouches situées dans la deuxième région, chaque portion comprenant avant le recuit laser une partie au moins d’une ailette.
TIMP4 ou TIMP1 sont les gènes respectifs codant pour l’inhibiteur de métalloprotéinases 4 ou 1. Les gènes humains ont pour numéro d’accession ID 7079 ou 7076 dans la banque NCBI.
PCOLCE est le gène codant pour le « procollagen C-endopeptidase enhancer-1 ». Le gène humain a pour numéro d’accession ID 5118 dans la banque NCBI.
POSTN est le gène codant pour la périostine. Le gène humain a pour numéro d’accession ID 10631 dans la banque NCBI.
DPT est le gène codant pour la dermatopontine. Le gène humain a pour numéro d’accession ID 1805 dans la banque NCBI.
TDGF1 est le gène codant pour le facteur de croissance 1 dérivé du tératocarcinome. Le gène humain a pour numéro d’accession ID 6997 dans la banque NCBI.
POU5F1 est le gène codant pour le facteur de transcription 1, classe 5, du domaine POU. Le gène humain a pour numéro d’accession ID 5460 dans la banque NCBI.