Capteur d’images polarimétrique (100 ; 600 ; 800 ; 900) formé dans et sur un substrat semiconducteur (101), le capteur comprenant : – une pluralité de pixels (P) comprenant chacun un photodétecteur (107) formé dans le substrat semiconducteur ; – un filtre polariseur (FP) disposé du côté d’une face d’éclairement des photodétecteurs, le filtre comprenant, pour chaque pixel, une structure de polarisation (111) ; et – un routeur de polarisation comprenant une métasurface bidimensionnelle (MS) disposée du côté du filtre polariseur opposé aux photodétecteurs, la métasurface comprenant un réseau bidimensionnel de plots (117). Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 1, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend au moins des premier et deuxième pixels (P(1), P(2)) adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des première et deuxième polarisations distinctes, la structure de polarisation (111) du premier pixel (P(1)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la première polarisation et la structure de polarisation (111) du deuxième pixel (P(2)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la deuxième polarisation. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 2, dans lequel une première partie (MS(1)) de la métasurface bidimensionnelle (MS) située à l’aplomb des premier et deuxième pixels (P(1), P(2)) est adaptée à transmettre majoritairement : – des rayonnements selon la première polarisation vers la structure de polarisation (111) du premier pixel (P(1)) ; et – des rayonnements selon la deuxième polarisation vers la structure de polarisation (111) du deuxième pixel (P(2)). Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel les première et deuxième polarisations sont des polarisations linéaires selon des première et deuxième directions formant respectivement des angles de 0° et 90° par rapport à une direction de référence. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel ladite pluralité de pixels (P) comprend en outre des troisième et quatrième pixels (P(3), P(4)) adaptés à mesurer des rayonnements selon respectivement des troisième et quatrième polarisations distinctes, différentes des première et deuxième polarisations, la structure de polarisation (111) du troisième pixel (P(3)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la troisième polarisation et la structure de polarisation (111) du quatrième pixel (P(4)) étant adaptée à transmettre majoritairement des rayonnements selon la quatrième polarisation. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 5, dans lequel une deuxième partie (MS(2)) de la métasurface bidimensionnelle (MS), différente de la première partie (MS(1)) et située à l’aplomb des troisième et quatrième pixels (P(3), P(4)), est adaptée à transmettre majoritairement : – des rayonnements selon la troisième polarisation vers la structure de polarisation (111) du troisième pixel (P(3)) ; et – des rayonnements selon la quatrième polarisation vers la structure de polarisation (111) du quatrième pixel (P(4)). Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les troisième et quatrième polarisations sont des polarisations linéaires selon des troisième et quatrième directions formant respectivement des angles de 45° et 135° par rapport à la direction de référence. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque structure de polarisation (111) comprend une pluralité de barres parallèles métalliques (701). Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 8, dans lequel chaque barre métallique (701) est revêtue d’un empilement absorbant (703). Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon la revendication 9, dans lequel l’empilement absorbant (703) comprend : – une couche de tungstène (705) ; – une couche de silicium (707), revêtant la couche de tungstène ; et – une couche diélectrique (709), revêtant la couche de silicium. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les plots (117) de la métasurface bidimensionnelle (MS) sont en silicium amorphe. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les plots (117) de la métasurface bidimensionnelle (MS) sont entourés latéralement d’oxyde de silicium. Capteur (100 ; 600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les plots (117) de la métasurface bidimensionnelle (MS) présentent des dimensions latérales sub-longueur d’onde. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant en outre une pluralité de premières microlentilles (401) s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels (P(1), P(2)) adjacents du capteur. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 14, dans lequel les premières microlentilles (401) présentent chacune une forme allongée. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon la revendication 14 ou 15, dans lequel les premières microlentilles (401) sont : A) disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle (MS) opposée aux photodétecteurs (107) ; ou B) interposées entre les photodétecteurs et la métasurface bidimensionnelle. Capteur (900) selon la revendication 16, dans son option B), comprenant en outre une pluralité de deuxièmes microlentilles (901) distinctes des premières microlentilles (401) et disposées du côté d’une face de la métasurface bidimensionnelle (MS) opposée aux photodétecteurs (107), chaque deuxième microlentille s’étendant en vis-à-vis d’une paire de pixels (P(1), P(2)) adjacents du capteur. Capteur (900) selon la revendication 17, dans lequel chaque deuxième microlentille (901) présente une forme allongée. Capteur (600 ; 800 ; 900) selon l’une quelconque des revendications 14 à 18, dans leur dépendance à la revendication 6, dans lequel chaque première microlentille (401) s’étend en outre en vis-à-vis de la première partie (MS(1)) ou de la deuxième partie (MS(2)) de la métasurface (MS).