INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé comprend alors une étape de réception en provenance du dispositif électronique d’un deuxième résultat d’authentification (étape E550), pendant laquelle le système 20 reçoit en provenance du dispositif électronique 10 le deuxième résultat d’authentification, typiquement en utilisant son bloc de communication 12.
Le procédé comprend alors une étape d’authentification du dispositif électronique 10 (étape E560), pendant laquelle le système 20 authentifie le dispositif électronique 10 avec le deuxième résultat d’authentification et la clé publique. Le système authentifie le dispositif électronique en utilisant le secret partagé (qui a été déterminé par le système 20 à partir de la clé publique au cours de l’étape de détermination d’une donnée d’authentification, c’est-à-dire de l’étape E500) et le deuxième résultat d’authentification.
Quand l’étape de calcul d’un deuxième résultat d’authentification (étape E530) est implémentée selon la première possibilité décrite ci-avant pour cette étape, l’étape d’authentification du dispositif électronique comprend l’obtention de la clé dérivée à partir du secret partagé, puis la comparaison d’une donnée candidate et d’une donnée attendue. Le dispositif électronique est authentifié si la donnée candidate et la donnée attendue sont identiques.
La donnée candidate est le deuxième résultat d’authentification et la donnée attendue est obtenue par chiffrement avec la clé dérivée de la donnée d’entrée, ou la donnée attendue est la donnée d’entrée et la donnée candidate est obtenue par déchiffrement avec la clé dérivée du deuxième résultat d’authentification.
La donnée d’entrée peut être toute donnée connue du système 20 et du dispositif électronique 10, par exemple le challenge d’authentification, la donnée d’authentification, le résultat d’une concaténation du challenge d’authentification et de la donnée d’authentification, ou une autre donnée reçue préalablement par le système 20 et le dispositif électronique 10, typiquement lors d’une phase de fonctionnement du dispositif électronique 10 et du système 20 antérieure au procédé décrit ici.
L’opération de chiffrement ou de déchiffrement exécutée ici par le système 20 est selon un algorithme cryptographique, par exemple AES, associé à l’opération de chiffrement exécutée par le dispositif électronique 10 pendant l’étape de calcul d’un deuxième résultat d’authentification (étape E530).
En outre, la clé dérivée est obtenue par le système 20 de façon similaire à son obtention par le dispositif électronique 10.
L’invention concerne aussi un système d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire commandé par des ondes radio, caractérisé en ce qu’il comporte un ensemble d’entraînement d’un dispositif d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire selon l’invention.
illustre schématiquement un exemple d’un système d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire dans lequel la présente invention est implémentée ;
illustre schématiquement un exemple d’un premier tube dans lequel un ensemble d’entraînement d’un dispositif d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire est compris, le premier tube étant compris dans un second tube ;
illustre schématiquement un exemple d’un élément de fixation de l’ensemble d’entraînement selon la présente invention ;
illustre schématiquement un exemple de l’élément de fixation de l’ensemble d’entraînement et d’un module électronique comportant un module radio.
La illustre schématiquement un exemple d’un système d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire dans lequel la présente invention est implémentée.
Le système d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire est monté sur un bâti Bat, par exemple un mur entourant une ouverture, fenêtre ou porte, équipée d'un tablier Tab appartenant au système de fermeture, d'occultation ou de protection solaire, en particulier un volet roulant, un store enroulable, un store plissé ou à lames. Le système d’occultation comprend un ensemble d’entraînement compris dans un premier tube Tum lui-même compris dans un second tube, appelé tube d’entraînement Tue.
L'écran ou tablier Tab est enroulé sur le tube d'enroulement Tue, lui-même entraîné par une roue d’entraînement. Ainsi, l'écran Tab est mobile entre une position haute enroulée et une position basse déroulée.
L’ensemble d’entraînement comporte un moteur Mot, un module électronique Car comportant un module radio pour recevoir ou émettre des ondes radio pour le pilotage du moteur et des moyens de commande de la rotation du moteur selon des ondes radio reçues.
L’ensemble d’entraînement comporte un réducteur Red comprenant une roue d’entraînement disposée à une première extrémité du premier tube et permettant la mise en rotation du second tube métallique.
L’ensemble d’entraînement comporte un élément de fixation Tet à une seconde extrémité du premier tube, l’élément de fixation est constitué d’un matériau perméable aux ondes radio. L’élément de fixation et permet de solidariser le premier tube à un support de châssis Suc.
Le système d’occultation d’une ouverture d’une pièce d’un bâtiment ou de protection solaire comprend, en outre, un caisson ou coffre Cof dans lequel sont logés le tube d'enroulement Tue et l’ensemble d’entraînement.
Le coffre est par exemple constitué d’éléments métalliques tels que des flasques Fla destinées à solidariser le premier tube au coffre Cof.
Le second tube comporte un pivot Piv l’associant d’un côté au coffre Cof et est associé de l’autre coté au coffre par l’intermédiaire du premier tube et de l’élément de fixation Tet à un support de châssis Suc.
Dans un mode de réalisation dans lequel le dispositif de fixation amovible 15 comprend au moins un mécanisme de verrouillage 21 apte à maintenir le récipient de cuisson 9 et le support 5 ensemble alors chaque extension latérale 27 inclut un mécanisme de verrouillage 21 correspondant. Chaque montant latéral 33 présente une surface d’appui agencée pour déplacer l’ergot 23 de la position de repos vers la position rétractée et un orifice 37 apte à accueillir l’ergot 23 en position de maintien de sorte à verrouiller le maintien.
Un retrait nécessite l’utilisation des boutons de déverrouillage 25. Les boutons de déverrouillage 25 sont ménagés sur ou à proximité des poignées de manipulation 31 de sorte à permettre la saisie des poignées de manipulation 31 et l’appui sur les boutons de déverrouillage 25 simultanément.
Alternativement, les montants latéraux 33 ne présentent pas de surfaces d’appui et le passage de la position de retrait à la position de maintien nécessite que l’utilisateur appuie sur les boutons de déverrouillage 25.
Comme illustré à la , le support 5 est configuré pour être amovible d’une glissière 39 de l’appareil de cuisson à air chaud 3 ou est configuré pour coopérer de manière amovible avec deux épaulements latéraux 41 de l’appareil de cuisson à air chaud 3.
Il apparait que le support 5 peut être amovible et selon les cas coopérer directement avec l’enceinte de cuisson 7 de l’appareil de cuisson à air chaud 3 ou avec une glissière 39 de l’appareil de cuisson à air chaud 3. La glissière 39 comprend un ou deux éléments fixes latéraux 43 rapportés sur ou ménagés dans l’enceinte de cuisson 7 de l’appareil de cuisson à air chaud 3 et un ou deux éléments mobiles 45 aptes à coopérer avec les éléments fixes latéraux 43 et le support 5.
Le support 5 présente une saillie frontale 47 pour insérer ou retirer le support 5 de l’appareil de cuisson à air chaud 3. Le support 5 présente un contour rectangulaire, les montants latéraux 33 étant à deux côtés opposés et la saillie frontale 47 à un côté transversal aux deux précédents.
Le support 5 est une plaque de cuisson adaptée pour recevoir un aliment à cuire dans l’appareil de cuisson à air chaud 3. La plaque de cuisson est de type gril pour aliment comme la viande. Le support 5 peut ainsi être utilisé sans récipient de cuisson 9 pour cuire certains aliments. Le support 5 a donc une double fonction.
Alternativement, le support 5 peut être une simple grille ou une plaque en forme de tiroir.
Comme illustré aux figures 3, 4 et 9, le récipient de cuisson 9 peut être pourvu d’une pale 49 et d’un rebord supérieur 51 rapporté sur la paroi latérale 13. Dans ce cas, le rebord supérieur 51 comprend une roue 53 mobile en rotation et solidaire en rotation avec la pale 49 par rapport au rebord supérieur 51, le rebord supérieur 51 présentant une ouverture périphérique conformée pour donner un accès à la roue 53 à un dispositif d’entrainement 55 de la pale 49 disposé dans l’appareil de cuisson à air chaud 3.
Cette disposition permet de mélanger les aliments lors de la cuisson dans l’appareil de cuisson à air chaud 3. Par ailleurs, le récipient de cuisson 9 n’est pas pourvu d’axe interne et centré par rapport au centre de rotation de la pale 49.
La roue 53 présente des engrenages aptes à coopérer avec des engrenages complémentaires du dispositif d’entrainement 55.
Le dispositif d’entrainement 55 comprend un pignon 57 et un moteur rotatif 59 configuré pour mettre en rotation le pignon 57. Le pignon 57 est en rotation selon un axe décalé par rapport à l’axe de rotation de la pale 49 et en dehors du récipient de cuisson 9.
Le moteur rotatif 59 et le pignon 57 sont compris dans l’appareil de cuisson à air chaud 3 et disposés de sorte à coopérer avec la roue 3. Le fait que le récipient de cuisson 9 soit dans la même position indexée permet cette coopération en faisant coïncider les positions de la roue 53 et du pignon 57.
L’appareil de cuisson à air chaud 3 comprend un bâti 61 engendrant l’enceinte de cuisson 7 et une porte 63 apte à fermer l’enceinte de cuisson 7. L’appareil de cuisson à air chaud 3 comprend également une source de chaleur telle qu’une résistance chauffante 65.
La porte 63 permet l’insertion du support 5 à l’intérieur de l’enceinte de cuisson 7, la porte 63 étant ensuite apte à être refermée.
Comme illustré aux figures 1 et 5, le bâti 61 est apte à être disposé sur un plan de travail, la porte 63 étant mobile en rotation selon un axe parallèle au plan de travail, la porte 63 présentant une barre de préhension externe 67 pour l’ouverture et la fermeture de la porte 63.
Le dispositif client peut identifier le caractère ‘DFS’ d’un canal par exemple dans un tableau de correspondance en fonction du numéro du canal. En effet, les numéros des canaux DFS sont prédéterminés.
La est un diagramme des états de l’interface de communication sans fil selon un mode de réalisation non limitatif. Ce diagramme présente ces états par rapport à la puissance d’émission de l’interface sans fil et de la consommation du dispositif client en mode veille.
Un premier état E1 est l’état actif – la puissance d’émission est située au-dessus du seuil de puissance S1, imposant la détection de radar. La consommation du dispositif client incluant l’interface de communication sans fil est supérieure au seuil de consommation S2.
Un second état E2 est un état transitoire entre l’état E1 et l’état E3, où l’interface de communication sans fil est contrôlée pour fonctionner à la puissance d’émission S3 inférieure au seuil de puissance S1, mais sans être en mode basse consommation et veille connectée et ne permettant pas au dispositif client de respecter le seuil de consommation en veille S2.
Un troisième état E3 est un état correspondant au mode de fonctionnement basse consommation– quand l’interface de communication sans fil est dans cet état, le dispositif client peut, une fois effectuée la mise en veille des composants du dispositif autres que l’interface de communication sans fil, respecter le seuil de consommation S2 en mode veille.
Un quatrième état E4 correspond à un fonctionnement de l’interface de communication sans fil avec une puissance à l’émission supérieure au seuil S1 (et par conséquent avec l’obligation de mettre en œuvre une détection de radars) et en mode basse consommation avec veille intermittente. Ces deux aspects étant incompatibles, il s’agit là d’un état interdit.
Dans l’état E3, l’interface de communication sans fil est en mode basse consommation. La puissance à l’émission, restant au seuil S3 dans ce mode, est plus faible et la portée des communications radio baisse en conséquence, par rapport à un fonctionnement à la puissance nominale. Cependant, lors des périodes hors veille du mode basse consommation, certains types de paquets peuvent toujours être reçus et/ou envoyés malgré la baisse de puissance. Il s’agit notamment des paquets avec une modulation faible (bas débit et longue portée). Un paquet de réveil peut alors déclencher un passage en mode actif du dispositif client.
En dehors des paquets de réveil, d’autres types de paquets reçus ou envoyés à la puissance d’émission réduite S3 peuvent, selon l’implémentation ou les contraintes standardisées, comprendre des paquets ‘nuls’ reçus du point d’accès pour vérifier que le dispositif client est encore présent, des paquets d’accusé réception (notamment des paquets ‘nuls’ précités) transmis par le dispositif client, ou encore des paquets reçus du point d’accès concernant une mise à jour de clés comme la clé de groupe dite ‘GTK’.
Selon une variante optionnelle, le dispositif client est configuré pour envoyer au point d’accès un message indiquant au point d’accès auquel il est associé qu’il procède à un abaissement de sa puissance d’émission, avant que cet abaissement ne devienne effectif.
En effet, si le point d’accès constate de lui-même une baisse de la puissance à l’émission du dispositif client, le point d’accès peut être amené à croire que le dispositif client s’est éloigné de lui et initier une procédure d’aiguillage (‘steering’ en langue anglaise) pour tenter d’amener le dispositif client vers un point d’accès offrant une connexion plus performante. En recevant le message du dispositif client que l’abaissement de la puissance à l’émission est volontaire, le point d’accès auquel le dispositif est associé saura que la procédure d’aiguillage est inutile. De plus, la procédure d’aiguillage voudrait que le dispositif client sorte de son mode veille pour gérer le changement de point d’accès, ce qui n’est pas optimal en termes d’économies d’énergie.
Selon un mode de réalisation, au moment de la sortie du mode veille pour passer dans le mode actif, le dispositif client envoie un message indiquant qu’il revient à sa puissance d’origine.
Selon un mode de réalisation non limitatif, le message est compris dans un paquet de type ‘trame d’action’ dont le contenu est spécifique au fournisseur du dispositif client, tel que décrite par le standard IEEE 802.11. Un exemple non limitatif du contenu d’un paquet portant l’un ou l’autre des deux messages mentionnés aux deux paragraphes précédents peut être défini comme suit : Une donnée indiquant la nouvelle puissance d’émission (en dBm).
Cette puissance d’émission est - par exemple - encodée comme un entier signé, sur deux octets. Une donnée indiquant la raison du changement de puissance.
Cette donnée est - par exemple – constituée d’une information pouvant avoir une valeur ‘passage en mode veille’ et une valeur ‘passage en mode actif’.
Un exemple de cette donnée est un octet dont : Le bit 7 (‘est_modifiée’) indique si la nouvelle puissance est la puissance en fonctionnement en mode actif (bit à zéro) ou une puissance modifiée (bit à 1). Les bits 6 à 0 contiennent un code sur 7 bits indiquant la raison du changement : 0x00 = ‘passage en mode actif’ ; 0x01 = ‘passage en mode veille’ ; Les autres valeurs sont réservées pour une utilisation future.
Selon le présent exemple de réalisation, le message contient au minimum l’information indiquant la nouvelle puissance d’émission. Les autres données sont optionnelles.
COURONNE POUR UN REDUCTEUR MECANIQUE D’AERONEF Domaine technique de l'invention La présente invention concerne une couronne pour un réducteur mécanique d’aéronef, et en particulier pour une turbomachine d’aéronef ou pour un système d’entraînement d’une roue d’un train d’atterrissage d’aéronef.
Arrière-plan technique L’état de l’art comprend notamment les documents FR-A1-3 025 780, FR-B1-3 066 792, FR-B1-3 071 023, FR-3 072 749, FR-B1-3 098 562 et FR-B1-3 101 129.
Un système d’entraînement d’une roue d’un train d’atterrissage peut en outre comprendre un réducteur mécanique, comme proposée par la Demanderesse dans le document EP-A1-3 882 136.
Un tel réducteur comprend un pignon central, appelé solaire, une couronne et des pignons appelés satellites, qui sont en prise entre le solaire et la couronne. Les satellites sont maintenus par un châssis appelé porte-satellites. Le solaire, la couronne et le porte-satellites sont des planétaires car leurs axes de révolution coïncident avec l’axe de la turbomachine ou de la roue d’un train d’atterrissage. Les satellites ont chacun un axe de révolution différents équirépartis sur le même diamètre de fonctionnement autour de l’axe des planétaires. Ces axes sont parallèles à l’axe longitudinal X.
Il existe plusieurs architectures de réducteur. Dans l’état de l’art, les réducteurs sont de type planétaire ou épicycloïdal. Il existe dans d’autres applications similaires, des architectures dites différentielles ou « compound ».
Il existe également une configuration, appelée Wolfrom, dans laquelle les satellites sont à double étage et comportent une première denture qui coopère avec le solaire et une couronne, et une seconde denture qui coopère avec une seconde couronne. Le réducteur comprend ainsi deux couronnes, dont une est fixe et l’autre mobile.
Afin d’ajouter de la souplesse dans un réducteur, une solution classique est de fixer la couronne fixe du réducteur par l’intermédiaire d’un porte-couronne ayant une forme en « soufflet », comme décrit par le brevet FR-B1-3 072 749. Cette solution est cependant difficile à intégrer dans un encombrement restreint.
Lors de la première phase de fusion, les atomes de germanium de la couche de SiGe 12 sont dispersés dans la portion fondue (on parle de « redistribution du germanium »).
Le gradient de concentration en germanium est le résultat d’un mécanisme de ségrégation des atomes en germanium lors de la deuxième phase de recristallisation. La recristallisation s’effectuant du substrat 11 vers la couche de protection 13 (autrement dit de bas en haut sur les figures), des atomes de germanium sont concentrés à l’interface ou à proximité immédiate de l’interface entre la couche de protection 13 et la portion 110B de la structure multicouches 10 (au lieu d’être repoussés vers le substrat 11 lors d’une condensation de germanium par oxydation thermique).
La couche semi-conductrice 110B’, 110B’’, correspondant à la portion modifiée par le recuit laser, est à base de SiGe. Elle comporte une première partie appauvrie en germanium et une deuxième partie enrichie en germanium disposée sur la partie appauvrie en germanium. Par « partie appauvrie en germanium », on désigne une portion dont la concentration en germanium est plus faible que la concentration en germanium initiale de la couche de SiGe 12. A l’inverse, on appelle « partie enrichie en germanium » une portion dont la concentration en germanium est plus forte que la concentration en germanium initiale de la couche de SiGe 12. La partie enrichie en germanium de la couche semi-conductrice 110B’, 110B’’, en contact avec la couche de protection 13, forme la deuxième zone semi-conductrice 100B (optimisée pour la conduction par trous).
De préférence, la concentration en germanium initiale de la couche de SiGe 12 et l’épaisseur de la portion 110B (en particulier dans la couche de SiGe 12) sont choisies de façon à obtenir une concentration maximale en germanium à l’interface avec la couche de protection 13 comprise entre 20 % et 60 %. La portion 110B peut ainsi s’étendre de la couche de protection 13 jusqu’au substrat 11 (et donc comprendre la couche de SiGe 12 dans toute son épaisseur).
La couche semi-conductrice 110B’, 110B’’ est sous contrainte en compression biaxiale dans le plan. Cette contrainte en compression, due à la différence des paramètres de maille entre le silicium et le silicium-germanium, est particulièrement forte dans la partie enrichie en germanium, autrement dit dans la portion supérieure de la couche semi-conductrice 110B’, 110B’’ (en contact avec la couche de protection 13). La contrainte en compression augmente la mobilité des trous par rapport à une couche relaxée (c.-à-d. sans contraintes dans le plan) du même matériau.
Le recuit laser est accompli en exposant la surface de la structure multicouches 10 à un rayonnement émis par une source laser. Une partie au moins du rayonnement laser traverse la couche de protection 13 dans la deuxième région 10B de la structure multicouches 10. La couche de protection 13 n’est toutefois pas fondue sous l’effet du rayonnement laser.
Le rayonnement laser présente avantageusement une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm et une densité d’énergie comprise entre 0,1 J/cm 2 et 10 J/cm 2 . La durée d’exposition au rayonnement laser (pour chaque unité de surface de la couche de protection 13) peut être comprise entre 10 ns et 1000 ns, préférentiellement entre 20 ns et 300 ns.
La couche de protection 13, aussi appelée couche de couverture (« capping layer » en anglais), améliore l’état de surface de la couche semi-conductrice 110B’, 110B’’. Plus particulièrement, la couche de protection 13 empêche la contamination de la surface de la couche semi-conductrice 110B’, 110B’’ et diminue sa rugosité. Cet état de surface amélioré s’avère particulièrement bénéfique pour les performances du transistor pFET.
Une façon préférentielle de localiser le recuit laser dans la deuxième région 10B de la structure multicouches 10 consiste à utiliser une couche de réflexion laser 14. Cette couche de réflexion laser 14 est configurée pour diminuer l’efficacité du recuit laser, en réfléchissant une grande partie du rayonnement laser. La couche de réflexion laser 14 est formée uniquement dans la première région 10A de la structure multicouches, de sorte que le rayonnement laser atteignant cette région soit réfléchi et n’affecte pas les couches sous-jacentes de la structure multicouches 10.
Ainsi, dans les modes de mise en œuvre des figures 1A-1D, 2A-2D, 3A-3D et 4A-4E, la structure multicouches 10 fournie à l’étape S1 comprend en outre la couche de réflexion laser 14 disposée sur la couche de protection 13 (ou sur la couche de SiGe 12 en l’absence de la couche de protection 13) et le procédé de fabrication comprend en outre, avant l’étape S4 de recuit laser, une étape S3 de retrait d’une portion de la couche de réflexion laser 14 située dans la deuxième région 10B de la structure multicouches 10 (cf. , , et ).
La couche de réflexion laser 14 peut être formée par une couche de nitrure de silicium (ex. Si 3 N 4 ) dont l’épaisseur est choisie pour obtenir un comportement réfléchissant à la longueur d’onde du rayonnement laser. L’épaisseur de la couche de nitrure de silicium est de préférence comprise entre 10 nm et 60 nm. Alternativement, la couche de réflexion laser 14 peut être formée par un empilement de plusieurs sous-couches, par exemple une première sous-couche en dioxyde de silicium (SiO 2 ) et une deuxième sous-couche en nitrure de silicium (Si 3 N 4 ) disposée sur la première sous-couche.
Une couche de réflexion laser 14 peut être facilement limitée à une région de la structure multicouches (par exemple par gravure au travers d’un masque dur ou en résine) même si cette région présente une faible superficie.
Les figures 1A à 1D illustrent un premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication.
En référence à la , la structure multicouches 10 fournie à l’étape S1 comprend successivement le substrat 11, la couche de SiGe 12, la couche de protection 13 et la couche de réflexion laser 14. La couche de SiGe 12 présente une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 %, par exemple égale à 5 %. Son épaisseur peut être comprise entre 5 nm et 100 nm.