INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans certains exemples, la source de carbone est au moins un choisi dans le groupe constitué du glucose et du saccharose, et peut être un ou plusieurs des éléments ci-dessus. Le rapport de la masse totale du fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe et de la source de lithium à la quantité de la source de carbone est de 100: (4-6), par ex. 100: 4, 100: 5, ou 100; 6.
Un exemple de la présente invention fournit un matériau de cathode de lithium manganèse fer phosphate, comprenant des particules de lithium manganèse fer phosphate, dans lequel les particules de lithium manganèse fer phosphate sont dopées avec du bore, et la quantité de dopage de bore dans les particules de lithium manganèse fer phosphate diminue progressivement de l'intérieur vers l'extérieur. Le matériau de cathode de lithium manganèse fer phosphate peut être obtenu au moyen du procédé de préparation mentionné ci-dessus.
En outre, le matériau de cathode de lithium manganèse fer phosphate a une formule chimique LiMn x Fe 1-x PO 4 , dans laquelle x est compris entre 0,2 et 0,7, et le rapport molaire de la quantité de dopage totale de bore à l'élément phosphore total est de (2-3): (97-98). Par exemple, il peut s'agir d'un composé anhydre de LiMn 0,3 Fe 0,7 PO 4 . Dans diverses régions des particules de lithium manganèse fer phosphate de l'intérieur vers l'extérieur, la quantité de dopage maximale de bore est de 1,5 % à 2,0 % (telle que 1,5 % ou 2,0 %, etc.), et la quantité de dopage minimale de bore est de 0,008 % à 0,02 % (telle que 0,008 %, 0,01 % ou 0,02 %, etc.).
Il convient de noter que la quantité de dopage maximale est la teneur en bore dans la partie la plus interne du matériau, désignée comme la fraction massique de bore ; et la quantité de dopage minimale fait référence à la teneur en bore dans la partie la plus externe du matériau, désignée comme la fraction massique de bore.
Dans certains exemples, le matériau de cathode préparé de lithium manganèse fer phosphate peut être préparé davantage en une batterie lithium-ion. En raison des performances améliorées du matériau de cathode, il est avantageux d'améliorer davantage les performances électrochimiques de la batterie lithium-ion.
Selon un troisième mode de réalisation, une onde ultrasonore est émise successivement en une pluralité de points de la surface supérieure d’une pièce à analyser, de sorte à décrire un parcours d’application de l’onde ultrasonore en tout point de la pièce mécanique, soit en d’autres termes en effectuant une analyse de type C-scan. Avantageusement, un gabarit de filtrage est alors déterminé pour chacun des points successifs d’application de l’onde ultrasonore, ou autrement dit pour chacun des points du parcours d’application de l’onde ultrasonore (par exemple le parcours d’application 18 illustré sur la ). Il est ainsi possible de créer une zone ou une limite d’exclusion d’informations (gabarit de filtrage) à trois dimensions et qui permet d’extraire toute information normalement attendue lors de l’analyse par onde ultrasonore d’une pièce mécanique, du fait de sa forme.
Avantageusement, cela permet, lorsqu’une pièce présente une forme complexe, par exemple avec une grande variabilité d’épaisseur, ou des nervures, des cavités, des reliefs, de renforts, par exemple, de déterminer quelles sont toutes les informations issues de signaux captés représentatifs de l’onde ultrasonore réfléchie dans la pièce et qui sont normalement en présence du fait de la forme de la pièce. Ainsi il est possible de s’affranchir avantageusement d’avoir à observer et analyser un très grand nombre d’informations qui ne sont pas représentatives de défaut d’intégrité d’une pièce mécanique en cours d’analyse. La vitesse d’analyse en est avantageusement grandement accrue.
Selon un mode de réalisation, les premières informations représentatives de l’onde ultrasonore réfléchie dans une pièce étalon ne sont pas captées par un capteur d’onde ultrasonore pendant une phase d’émission de cette onde, mais générées par un outil de simulation dédié configuré pour simuler la propagation et la réflexion d’une onde ultrasonore prédéfinie à partir de n’importe quel point d’une pièce mécanique définie selon un modèle de CAO, en trois dimensions, y compris de forme complexe, et caractérisée en termes de dimensions et de matériaux de fabrication. Ces premières informations sont alors utilisées dans le système d’analyse 1 après avoir été insérées dans le système au moyen d’une interface d’entrée dédiée à cet usage.
La représente de façon schématique une architecture de l’unité de traitement 100 configurée pour exécuter un procédé d’analyse de la qualité d’une pièce mécanique tel que par exemple le procédé précédemment décrit notamment en relation avec la .
Considérons à titre illustratif que la illustre un agencement interne de l’unité de traitement 100. On note que la pourrait aussi illustrer schématiquement un exemple d’architecture matérielle d’une unité de contrôle interne à l’unité de traitement 100.
Selon l’exemple d’architecture matérielle représenté sur la , l’unité de traitement 100 comprend alors, reliés par un bus de communication 110 : un processeur ou CPU (« Central Processing Unit » en anglais) 101 ; une mémoire vive RAM (« Random Access Memory » en anglais) 102 ; une mémoire morte ROM (« Read Only Memory » en anglais) 103 ; une unité de stockage telle qu’un disque dur (ou un lecteur de support de stockage, tel qu’un lecteur de cartes SD (« Secure Digital » en anglais) 104 ; au moins une interface de communication 105 offrant en outre des interfaces de type ports d’entrées / sorties, notamment de nature à recevoir et émettre des signaux simples ou composés et permettant à l’unité de traitement 100 de communiquer avec les dispositifs et circuits internes au transducteur 12, dont notamment l’émetteur d’onde ultrasonore 12e et le capteur d’onde ultrasonore 12r, via le lien 14, ainsi que divers éventuels émetteurs et capteurs d’onde ultrasonore additionnels. L’interface de communication 105 permet en outre la connexion à un dispositif d’affichage pourvu d’une interface utilisateur (par exemple un clavier, une souris, un stylet, un trackpad, etc.)
Le processeur 101 est capable d’exécuter des instructions chargées dans la RAM 102 à partir de la ROM 103, d’une mémoire externe (non représentée), d’un support de stockage (tel qu’une carte SD), ou attachée à un réseau de communication. Lorsque l’unité de traitement 100 est mise sous tension, le processeur 101 est capable de lire depuis la RAM 102 des instructions et de les exécuter. Ces instructions forment un programme d’ordinateur causant la mise en œuvre, par le processeur 101, d’une partie d’un procédé décrit en relation avec la ou un dérivé de celui-ci.
Tout ou partie du procédé implémenté par l’unité de traitement 100, ou ses variantes peut être implémenté sous forme logicielle par exécution d’un ensemble d’instructions par une machine programmable, par exemple un DSP (« Digital Signal Processor » en anglais) ou un microcontrôleur, ou être implémenté sous forme matérielle par une machine ou un composant dédié, par exemple un FPGA (« Field-Programmable Gate Array » en anglais) ou un ASIC (« Application-Specific Integrated Circuit » en anglais). En général, l’unité de traitement 100 comprend de la circuiterie électronique configurée pour mettre en œuvre le procédé décrit en relation avec lui-même ainsi qu’avec des dispositifs extérieurs d’émission et de capture d’onde ultrasonore. Bien évidemment, l’unité de traitement 100 comprend en outre tous les éléments usuellement présents dans un système comprenant une unité de contrôle et ses périphériques, tels que, un circuit d’alimentation, un circuit de supervision d’alimentation, un ou plusieurs circuits d’horloge, un circuit de remise à zéro, des ports d’entrées-sorties, des entrées d’interruptions, des drivers de bus, des convertisseurs numérique vers analogique et analogique vers numérique, idéalement rapides, cette liste étant non exhaustive.
Méthode d’analyse des propriétés à froid de coupes hydrocarbonées Le co-traitement des charges issues de matières renouvelables et lipidiques telles que les huiles végétales et/ou les graisses animales et/ou les huiles de poisson et/ou les huiles de cuisson usagées avec des charges pétrolières conventionnelles en hydrotraitement a pour but de produire des biocarburants tels que le biodiesel et le biokérosène. La conversion des triglycérides par hydrotraitement présents dans les huiles et les graisses conduit très majoritairement à la production de paraffines linéaires de point d’ébullition (Normal Boiling Point ou NBP selon la terminologie anglo-saxonne) correspondant aux coupes diesel fossiles : n-hexadécane (nC16, NBP = 287°C), et n-octadécane (nC18, NBP = 317°C).
Ces paraffines permettent d’améliorer la densité et l’indice de cétane mais dégradent fortement les propriétés à froid telles que le point de trouble du diesel et le point de disparition des cristaux du kérosène.
Sur des unités pilotes ou sur des unités industrielles, le raffineur est obligé de mesurer les propriétés à froid des fractions kérosène et diesel pour vérifier les spécifications des carburants. Afin d’obtenir les fractions kérosène et diesel, une opération de distillation est souvent nécessaire. Cette opération est longue, coûteuse et consommatrice d’un volume d’échantillon important. Par exemple dans des applications en Expérimentation à Haut Débit (EHD, ou High-Throughput Experimentation selon la terminologie anglo-saxonne), les quantités d’échantillons disponibles sont de l’ordre de quelques millilitres et une distillation préparative pour obtenir des fractions diesel et kérosène est impossible.
L’objet de la présente invention est d’estimer les propriétés à froid par une analyse de type distillation simulée (DS) selon la norme ASTM D2887, classiquement utilisée dans l’industrie pétrolière, appliquée à une coupe hydrocarbonée sortant d’un réacteur. L’objectif est de proposer une méthodologie qui soit valable quelle que soit la charge et le procédé utilisé et sans nécessité de distillation physique.
Dans le contexte de la diminution des émissions de gaz à effet de serre, les raffineurs sont contraints d’augmenter la proportion des composants d’origine biologique dans les carburants. Le pouvoir public vise à promouvoir l’utilisation de biocarburants dans les transports, non seulement les transports routiers (moteurs diesel) mais aussi le transport aérien. Par exemple, la feuille de route d’Ancre (Alliance Nationale de Coordination de la Recherche pour l’Energie), publiée en juin 2018, évalue le potentiel français des filières de production de biocarburants d’aviation, en tenant compte de la maturité et du temps de développement de ces filières industrielles, la trajectoire de déploiement suivante traduit donc l’ambition française à 2030 d’une incorporation de biocarburants d’aviation en France de 5%. En outre, la stratégie nationale bas-carbone (SNBC) révisée en 2018 fixe pour le transport aérien une orientation de long-terme à horizon 2050 visant à une substitution de 50% du carburant conventionnel d’origine fossile par des biocarburants. La production de biocarburant est donc promue ces dernières années et continuera à être renforcée dans les années à venir.
Il est bien connu que les biocarburants pourront être produits à partir des charges lipidiques, qui contiennent des composés triglycérides, des acides gras libres et des esters, telles que les huiles végétales (huile de colza, huile de tournesol, huile de palme), la graisse animale, l’huile de poisson et l’huile de cuisson usagée. Ces charges mentionnées ci-dessus sont traitées seules ou en co-traitement avec des charges pétrolières fossiles permettant d’incorporer la proportion « bio » dans les carburants finaux.
Les procédés d’hydrotraitement, d’hydrocraquage ou d’hydroconversion permettent de convertir lesdites charges biologiques ci-dessus en biocarburants. Dans lesdits procédés, grâce à une pression d’hydrogène allant de 20 à 200 bars et en présence de catalyseurs, les triglycérides et les acides gras libres dans les charges biologiques sont converties selon les différentes réactions présentées ci-dessous.
L’enceinte isolante permet quant à elle d’isoler la cartouche du fusible et de bloquer l’arc pour que celui-ci s’accroche sur l’extrémité du fusible.
De préférence, le contacteur électrique à dispositif électrique de coupure intégré comprend au moins deux contacts électriques fixes électriquement distincts, un pont mobile, et un dispositif de coupure d’arc pour chaque contact fixe, chaque dispositif de coupure d’arc comportant un premier guide d’arc, un second guide d’arc électriquement raccordé au contact fixe associé, et un module de coupure à ailettes s’étendant entre le premier guide d’arc et le second guide d’arc, à distance du pont mobile et du contact fixe associé, les premiers guides d’arc des différents dispositifs de coupure d’arc étant électriquement couplés ensemble, et le pont mobile étant mobile entre une première position en contact avec lesdits contacts fixes et à distance des premiers guides d’arc, et une seconde position en contact avec les premiers guides d’arc et à distance desdits contacts fixes.
Dans un premier mode de réalisation du contacteur électrique, chaque dispositif de coupure d’arc peut comprendre en outre une paroi interne électriquement isolante disposée entre le fusible et le module de coupure à ailettes.
La paroi interne isolante permet ainsi de protéger le fusible et d’éviter qu’un arc ne se forme entre une ailette du module de coupure à ailettes et le fusible.
Dans un autre mode de réalisation du contacteur électrique, chaque dispositif de coupure d’arc peut comprendre une première branche électrique comportant une première extrémité raccordée électriquement à une première des deux bornes du fusible et une seconde extrémité raccordée électriquement au second guide d’arc, et une seconde branche électrique comportant une première extrémité raccordée à une seconde des deux bornes du fusible et une seconde extrémité disposée en regard du premier guide d’arc tout en restant à distance dudit module à ailettes et du premier guide d’arc, la seconde extrémité de la seconde branche électrique étant séparée du premier guide d’arc par ledit espace physique.
Dans une mise en œuvre pratique du contacteur électrique, pour chaque dispositif de coupure d’arc, le module de coupure à ailettes peut comprendre des premières ailettes situées à proximité du second guide d’arc plus grandes que des secondes ailettes situées à proximité du premier guide d’arc.
Les ailettes rallongées en partie basse du module de coupure à ailettes permettent d’avoir une résistance de l’arc électrique obtenue plus importante que celle de la branche fusible, favorisant ainsi le passage du courant dans le fusible.
Avantageusement, pour chaque dispositif de coupure d’arc, au moins une partie du premier guide d’arc et au moins une partie du second guide d’arc peuvent être disposées à l’intérieure de l’enceinte isolante.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe d’un contacteur électrique 1 selon l’état de la technique dans une première position.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe du contacteur électrique 1 selon l’état de la technique dans une seconde position.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe du contacteur électrique 1 de l’état de la technique de la avec l’apparition d’arcs électriques.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe du contacteur électrique 1 de l’état de la technique de la avec le déplacement des arcs électriques vers l’extérieur.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe du contacteur électrique 1 de l’état de la technique de la avec les arcs électriques plus à l’extérieur.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe du contacteur électrique 1 de l’état de la technique de la avec les arcs électriques déplacés dans le module de coupure à ailettes.
La , déjà décrite, représente schématiquement une vue en coupe du contacteur électrique 1 de l’état de la technique de la avec la reformation des arcs électriques à l’extérieur du dispositif de coupure à ailettes.
Ce phénomène est notamment illustré par la .
La est un diagramme représentant l’évolution, en fonction de la longueur d’onde W (en abscisse), de l’efficacité quantique Q en réception (courbe 401) et en émission (courbe 403) d’un empilement actif de diode à base de nitrure de gallium (GaN), par exemple à base de nitrure d’indium-gallium (InGaN).
Selon un aspect d’un premier mode de réalisation, on prévoit de former, par épitaxie, un empilement actif semiconducteur commun à la LED et à la photodiode, puis de former des tranchées s’étendant verticalement à travers l’empilement actif et délimitant latéralement la LED et la photodiode. Selon le premier mode de réalisation, la LED présente des dimensions latérales inférieures à celles de la photodiode. Ceci permet de relâcher les contraintes mécaniques dans l’empilement actif de LED plus fortement que dans l’empilement actif de photodiode. Il en résulte une diminution du champ électrique interne dans l’empilement actif de LED par rapport au champ électrique interne dans l’empilement actif de photodiode. Cette diminution du champ électrique interne dans l’empilement actif de LED conduit à décaler vers le bas (on parle de décalage vers le bleu ou blue-shift en anglais) le pic d’émission de la LED. Ceci permet de compenser au moins partiellement le décalage de Stokes entre le pic d’émission et le pic d’absorption de l’empilement actif. Ainsi, le pic d’émission de la LED se rapproche du pic d’absorption de la photodiode, ce qui améliore l’efficacité du système.
Les figures 1A à 1D sont des vues en coupe illustrant schématiquement des étapes d’un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon le premier mode de réalisation.
La illustre une structure comportant un empilement actif semiconducteur d’émission et de réception 103 disposé sur la face supérieure d’un substrat de support 101.
L’empilement actif 103 comprend par exemple une couche semiconductrice 103a dopée d’un premier type de conductivité, par exemple de type N, revêtant la face supérieure du substrat 101, une couche active 103b revêtant la face de la couche 103a opposée au substrat 101, c’est à dire sa face supérieure dans l’orientation de la , et une couche semiconductrice 103c dopée d’un second type de conductivité, par exemple de type P, revêtant la face de la couche 103b opposée à la couche 103a, c’est à dire sa face supérieure dans l’orientation de la . A titre d’exemple, la couche 103b est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche 103a, et, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche 103c.
Les couches 103a, 103b et 103c de l’empilement actif 103 s’étendent par exemple chacune de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface du substrat 101.
Les couches 103a, 103b et 103c sont par exemple formées successivement par épitaxie sur la face supérieure du substrat de support 101.
A titre d’exemple, le substrat de support 101 est en saphir ou en silicium. Les couches semiconductrices 103a et 103c de l’empilement actif 103 sont par exemple en nitrure de gallium. La couche active 103b comprend par exemple un empilement de couches formant chacune un puits quantique, par exemple à base de nitrure d’indium-gallium (InGaN).
Une couche tampon, non représentée, peut faire interface entre la face supérieure du substrat 101 et la face inférieure de la couche inférieure 103a.
La illustre en outre une étape de dépôt, sur la face supérieure de l’empilement actif 103, d’une couche métallique 105. Dans l’exemple représenté, la couche 105 s’étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure de l’empilement actif 103. A titre d’exemple, la couche 105 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche supérieure 103c de l’empilement actif.
La représente de façon schématique un circuit intégré de contrôle 110, préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur 111, par exemple un substrat en silicium. Dans cet exemple, le circuit de contrôle 110 comprend, du côté de sa face supérieure, pour chacune des LED du dispositif, un plot métallique de connexion 113L destiné à être connecté à l'une des électrodes (anode ou cathode) de la LED, de façon à pouvoir commander un courant circulant dans la LED et/ou appliquer une tension aux bornes de la LED. Le circuit de contrôle 110 comprend en outre dans cet exemple, du côté de sa face supérieure, pour chacune des photodiodes du dispositif, un plot métallique de connexion 113P destiné à être connecté à l'une des électrodes (anode ou cathode) de la photodiode, de façon à pouvoir lire un signal électrique représentatif de l’intensité d’un rayonnement lumineux reçu par la photodiode dans sa gamme de longueurs d’ondes de sensibilité.
Le circuit de contrôle comprend par exemple, pour chaque LED, connectée au plot métallique 113L dédié à la LED, une cellule élémentaire de contrôle comportant un ou plusieurs transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la LED et/ou une tension appliquée aux bornes de la LED, et, pour chaque photodiode, connecté au plot métallique 113P dédié à la photodiode, une cellule élémentaire de lecture comportant un ou plusieurs transistors, permettant de lire un signal électrique représentatif de l’intensité d’un rayonnement lumineux reçu par la photodiode dans sa gamme de longueurs d’ondes de sensibilité. Le circuit de lecture comprend par exemple un amplificateur transimpédance utilisé pour amplifier le courant de la photodiode.
Le circuit de contrôle 110 est par exemple réalisé en technologie CMOS. Les plots métalliques 113L, 113P peuvent être latéralement entourés par un matériau isolant 114, par exemple de l'oxyde de silicium, de façon que le circuit de contrôle 110 présente une surface supérieure sensiblement plane comprenant une alternance de régions métalliques 113 et de régions isolantes 114. Le contact sur les électrodes des LED ou des photodiodes non connectées aux plots 113L, 113P, peut être pris de façon collective, par exemple dans une région périphérique du circuit de contrôle 110, par l'intermédiaire d'un ou plusieurs plots de connexion (non visibles sur la figure) du circuit de contrôle 110. A titre d’exemple, le circuit de contrôle 110 comprend, du côté de la face supérieure du substrat 111, un empilement de niveaux isolants et conducteurs formant un réseau d’interconnexion 112 comprenant notamment les plots de connexion 113L, 113P, la face supérieure du réseau d’interconnexion 112 définissant la face supérieure du circuit 110.
La illustre en outre une étape de dépôt, sur la face supérieure du circuit intégré de contrôle 110, d’une couche métallique 115. Dans l’exemple représenté, la couche 115 s’étend de façon continue et avec une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface supérieure du circuit 110. A titre d’exemple, la couche 115 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du réseau d’interconnexion 112 du circuit de contrôle 110.
La couche 115 est par exemple en le même matériau que la couche 105. A titre d’exemple, les couches 105 et 115 comprennent chacune une couche supérieure dite couche de collage. Les couches de collage des couches 105 et 115 sont de préférence en un même matériau, par exemple en titane.
Seules les différences entre l'exemple de la et celui de la sont ici mises en exergue, et, sauf indication contraire, tous ce qui a été décrit en relation avec la s'applique à la .
Ainsi, par rapport à la , les N pixels de la comprennent en outre un pixel Pix3 et un pixel Pix4.
De manière similaire aux pixels Pix1 et Pix2, le pixel Pix3, respectivement Pix4, comprend une photodiode PD3, respectivement PD4, un noeud de détection SN3, respectivement SN4, couplé à la photodiode PD3, respectivement PD4, dans cet exemple par une grille de transfert TG3, respectivement TG4, recevant un signal de commande VTG3, respectivement VTG4.
Les signaux VTG3 et VTG4 sont, par exemple, fournis par le circuit de commande des pixels du capteur, ce circuit n'étant pas représenté en .