INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De telles techniques consistent en l’écriture de codes informatiques correspondant à des fonctions de traitement élémentaire. Ainsi, chaque fonction de traitement élémentaire correspond à un bloc fonctionnel, par exemple un bloc « reconnaissance faciale », un bloc « redimensionnement de l’image », etc.
Une personne souhaitant générer une application spécifique, telle que par exemple une application de vision par ordinateur, sélectionne plusieurs blocs fonctionnels appartenant à une bibliothèque de fonctions de traitement élémentaire mise à sa disposition, et les assemble de manière ordonnée afin de générer l’application permettant d’obtenir le traitement escompté.
Les différentes fonctions de traitement élémentaire étant développées indépendamment les unes des autres, une modification impactant l’une d’elles n’a pas de répercussion sur les autres fonctions de traitement élémentaire constitutives de l’application ce qui réduit les besoins en réécriture du code de l’application.
Un inconvénient de ces solutions est que les différents blocs fonctionnels proposés par un fournisseur de service de génération d’applications « low code » ou « no code » sont instanciés sur un même nœud de calcul. Or, selon les traitements effectués par les différents blocs fonctionnels sur les images constitutives du flux multimédia, le nœud de calcul sur lequel ces blocs fonctionnels sont instanciés peut ne pas disposer des ressources nécessaires à la bonne exécution de certaines fonctions de traitement élémentaire. Dans un tel cas de figure, l’application de vision par ordinateur n’offre pas une qualité de service satisfaisante.
Il existe donc un besoin d'une technique de génération d’application de traitement d’un flux multimédia ne présentant pas tout ou partie des inconvénients précités.
L'invention répond à ce besoin en proposant un procédé de génération d’une application de traitement d’au moins un flux multimédia, ladite application comprenant un assemblage de fonctions de traitement élémentaire.
Un tel procédé est particulier en ce qu’il est mis en œuvre par un module de génération d’applications comprenant les étapes suivantes de : - sélection de fonctions de traitement élémentaire destinées à être assemblées pour générer ladite application de traitement, une fonction de traitement élémentaire étant instanciée sur un nœud de calcul exécutant ladite fonction élémentaire, - pour une fonction de traitement élémentaire sélectionnée donnée, association d’un fichier de configuration comprenant au moins un paramètre relatif à au moins une première fonction de traitement élémentaire générant des données destinées à être traitées par ladite fonction de traitement élémentaire donnée.
Une telle solution repose astucieusement sur la fourniture, dans un fichier de configuration, de paramètres permettant à une fonction de traitement élémentaire donnée d’identifier une ou plusieurs autres fonctions de traitement élémentaire auprès desquelles obtenir des données à traiter.
Dans l’exemple illustré, le dispositif 100 comporte un sous-ensemble 10 qui comprend une enceinte 11 contenant un électrolyte liquide 14.
Une première électrode 12 et une deuxième électrode 13 sont immergées dans l’électrolyte liquide 14.
La première électrode 12 est sous la forme d’un fil, c’est-à-dire un cylindre plein de faible diamètre.
La deuxième électrode 13 s'étend selon une surface et est agencée selon une configuration fil-surface avec la première électrode 12. La deuxième électrode 13 est de préférence une électrode plane. Mais elle peut être également courbe. De préférence, la surface de la deuxième électrode 13 est supérieure à 1 cm 2 , à 10 cm², à 50 cm² ou à 100 cm² et/ou inférieure à 1000 cm².
La première électrode et la deuxième électrode sont reliées à une alimentation électrique 16 configurée pour générer une tension électrique aux bornes des électrodes. L’alimentation électrique 16 peut notamment être un générateur ou peut provenir d’un réseau électrique.
Dans le mode de réalisation illustré, un interrupteur 17 permet de sélectivement relier l’alimentation électrique 16 à la deuxième électrode 13 et un condensateur 18 est disposé entre les bornes de l’alimentation électrique 16. Les électrodes 12, 13 sont également chacune reliées à une borne du condensateur 18.
Fonctionnement En fonctionnement, l’alimentation électrique charge le condensateur 18 jusqu’à qu’une tension définie soit atteinte, l’interrupteur 17 restant ouvert. Une fois le condensateur chargé, l’interrupteur 17 peut être fermé, ce qui provoque la décharge partielle du condensateur 18. Un courant pouvant atteindre plusieurs dizaines à plusieurs centaines d’ampères circule dans le circuit pendant un temps bref, typiquement entre quelques microsecondes et quelques millisecondes.
Cela génère un plasma 15 autour de la première électrode 12 dans l’électrolyte liquide. Le plasma 15 est obtenu par ionisation de la vapeur d’eau générée autour de la première électrode.
L’interrupteur 17 est ensuite ouvert et le condensateur 18 rechargé. Après recharge, une nouvelle décharge peut avoir lieu pour continuer à chauffer l’électrolyte.
De façon avantageuse, le condensateur peut être choisi de sorte que sa capacité soit suffisante pour qu’à chaque décharge, la charge électrique qu’il libère dans le circuit est faible par rapport à sa charge totale. Cela permet de maintenir une tension quasi-constante durant la décharge du condensateur.
Les inventeurs ont constaté que la génération du plasma 15 conduit à un excédent d’énergie, l’énergie thermique générée étant supérieure à l’énergie électrique fournie au dispositif.
La montre l’évolution typique de la tension aux bornes des électrodes et de l’intensité du courant parcourant le circuit au cours d’une décharge. On observe que la tension U est sensiblement constante à 900 V pendant sa durée d’application d’environ 200 µs. Le courant est intense dès le début de la décharge puis diminue jusqu’à devenir sensiblement nul. Le plasma est créé dès le début de la décharge.
En comparaison avec l’évolution typique de la tension et du courant représentée à la , on note que les profils de tension et de courant sont de nature très différente. Il n’y a en effet pas de création d’un canal de vapeur ionisée suivie de la création d’un plasma avec passage d’un courant intense sous une faible tension. Du fait de la conductivité de l’électrolyte 14, l’intensité du courant est importante dès le début de la décharge.
De manière avantageuse, les électrodes du dispositif selon l’invention ne sont donc pas soumises à un choc violent correspondant à la rupture diélectrique lorsque le canal de vapeur ionisée relie les deux électrodes dans le dispositif selon l’art antérieur : l’intégrité des électrodes est préservée et leur usure est beaucoup moins importante. Cela permet notamment d’utiliser une électrode 12 avec un fil de faible diamètre et d’améliorer la durée de vie du dispositif.
Dimensionnement La génération du plasma autour de la première électrode 12 peut être obtenue avec différentes configurations du dispositif. La conductivité de l’électrolyte liquide, le diamètre de la première électrode 12 et la tension appliquée aux bornes des électrodes 12, 13 sont en particulier choisis pour réaliser la génération du plasma souhaitée.
JP-A-2010-159254 ou EP-A-2198737 divulgue un nouveau processus de déformation permanente des fibres kératineuses qui est différent des traitements chimiques classiques ci-dessus nécessitant réduction et oxydation, caractérisé en ce que les fibres kératineuses sont placées dans un espace occlusif et chauffées. Le nouveau processus divulgué dans JP-A-2010-159254 ou EP-A-2198737 peut offrir une remodelage des fibres kératineuses telles que les cheveux qui ne nécessitent plus d’oxydation.
DIVULGATION DE L'INVENTION Le processus divulgué dans JP-A-2010-159254 ou EP-A-2198737 utilise un film de polychlorure de vinylidène pour former un espace occlusif.
L’utilisation de polychlorure de vinylidène n’est pas respectueuse de l’environnement car le polychlorure de vinylidène est difficile à recycler et peut créer des gaz toxiques tels que le gaz HCl lorsqu’il est soumis à une incinération.
De plus, il a été découvert qu’un film de polychlorure de vinylidène est collant, et par conséquent, la formation d’un espace occlusif avec un film de polychlorure de vinylidène à la main n’est pas facile.
Il existe toujours un besoin d’améliorer le processus de remodelage des fibres kératineuses en chauffant les fibres kératineuses dans un espace occlusif.
Un objectif de la présente invention est de proposer un processus amélioré pour remodeler les fibres kératineuses telles que les cheveux basé sur le chauffage des fibres kératineuses dans un espace occlusif, qui est respectueux de environnement et peut offrir une meilleure performance de remodelage des fibres kératineuses.
L’objectif ci-dessus de la présente invention peut être atteint par un processus de remodelage, de préférence de remodelage permanent et, plus préférentiellement, d’ondulation permanente, des fibres kératineuses telles que les cheveux, comprenant les étapes de :
La deuxième couche 22 en Si peut être également formée par épitaxie sur la première couche 21. Son épaisseur est de préférence comprise entre 0,2 nm et 15 nm, de préférence entre 0,8 nm à 6 nm.
A l’étape S12 de la , la couche d’oxyde de grille 15 du transistor est formée sur l’empilement 10, par exemple par oxydation thermique d’une portion au moins de la deuxième couche 22. L’oxydation thermique de la deuxième couche 22 en silicium permet d’obtenir facilement une couche d’oxyde de grille 15 constituée de dioxyde de silicium (SiO 2 ) et présentant une faible densité de défauts, autrement dit une couche d’oxyde de grille 15 de haute qualité. On peut considérer que la couche d’oxyde de grille 15 est de haute qualité lorsqu’elle présente une densité d’états d’interface D it inférieure à 2x10 11 /cm 2 /eV.
Une couche d’oxyde de grille de haute qualité empêche une dégradation de la mobilité des porteurs de charge dans la région de canal du transistor et donc à de meilleures performances en courant.
L’oxydation thermique est réalisée en introduisant l’empilement 20 dans la chambre d’un four (par exemple constituée par un tube en quartz), en injectant dans la chambre un gaz contenant de l’oxygène (par exemple de dioxygène) et éventuellement un gaz neutre (tel que le diazote, N 2 ), puis en chauffant l’empilement 20 à une température comprise entre 400 °C et 1200°C, de préférence entre 400 °C et 500 °C.
Alternativement, la couche d’oxyde de grille 15 du transistor est formée par exposition de la deuxième couche 22 à un plasma contenant de l’oxygène, par exemple un plasma H 2 O. Le plasma est de préférence formé (dans la chambre d’un réacteur) à une température inférieure ou égale à 500 °C.
Alternativement encore, la couche d’oxyde de grille 15 est formée par oxydation thermique à l’aide d’un recuit laser de type nanoseconde en présence d’oxygène (typiquement O 2 ).
Alternativement encore, la couche d’oxyde de grille 15 est formée par oxydation chimique, par exemple dans un bain HF + O 3 ou sous ammoniaque NH 4 OH + H 2 O 2 .
Ces méthodes alternatives permettent également d’obtenir une couche d’oxyde de grille 15 de haute qualité.
Une épaisseur importante de la deuxième couche 22 en Si permet de réaliser une oxydation partielle de la deuxième couche 22, alors qu’avec une épaisseur faible, la deuxième couche 22 sera oxydée entièrement.
Une fois la couche d’oxyde 15 formée, cette dernière peut être soumise à un post traitement de nitruration, par exemple par un recuit sous NH 3 à 650°C en four, ou par un traitement nitrurant plasma dans la chambre d’un réacteur à une température inférieure ou égale à 500°C.
Enfin, à l’étape S13 de la , l’empilement 20 est soumis à un recuit laser de manière à fondre une région de l’empilement 20, cette région comprenant une partie au moins de la deuxième couche 22 et une partie au moins de la première couche 21, et éventuellement une partie du substrat 11. Puis, en refroidissant, la région fondue de l’empilement 20 se recristallise pour former la couche active 23 comprenant un gradient de concentration en germanium.
Le gradient de concentration en germanium de la couche active 23 résulte d’une redistribution des atomes de germanium de la première couche 21 en SiGe, lors de la fusion et la recristallisation de la région de l’empilement 20. Les atomes de germanium sont concentrés dans la partie supérieure de l’empilement 20, à l’interface avec la couche d’oxyde de grille 15. Ainsi, les porteurs de charge électrique du transistor à effet de champ 10 bénéficieront d’une mobilité élevée dans la région de canal 12.
L’épaisseur de la région fondue peut varier en fonction de la concentration initiale en germanium de la première couche 21 et en fonction du gradient que l’on cherche à obtenir. Par exemple, si l’on souhaite obtenir une concentration d’environ 80 % à l’interface avec la couche d’oxyde de grille 15 et obtenir un gradient entre l’interface avec la couche d’oxyde de grille 15 et les dix premiers nanomètres de la première couche 21, alors que la première couche 21 présente une épaisseur de 30 nm avec une concentration de 40% en Ge, alors l’épaisseur de la région fondue sera d’environ 45 nm (correspondant à une densité d’énergie de 2,2 J/cm² pendant 160 ns et une longueur d’onde de 308 nm). L’épaisseur de la région fondue est avantageusement supérieure ou égale à 15 nm, afin de minimiser les défauts cristallins.
De préférence, la concentration initiale en germanium de la première couche 21 et l’épaisseur de la région fondue (en particulier dans la première couche 21) sont choisies de façon à obtenir une concentration maximale en germanium à l’interface avec la couche d’oxyde de grille 15 comprise entre 30 % et 80 %.
Le recuit laser est accompli en exposant la surface de la couche d’oxyde de grille 15 à un rayonnement émis par une source laser. Ainsi, le rayonnement laser traverse la couche d’oxyde de grille 15. Celle-ci n’est toutefois pas altérée par le rayonnement laser. Elle n’est ni fondue, ni endommagée.
Le rayonnement laser présente avantageusement une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm (par exemple égale à 248 nm, 308 nm ou 532 nm) et une densité d’énergie comprise entre 0,1 J/cm 2 et 10 J/cm 2 , de préférence entre 1,7 J/cm 2 et 2,5 J/cm 2 . La durée d’exposition au rayonnement laser (pour chaque unité de surface de la couche d’oxyde de grille 15) peut être comprise entre 10 ns et 1000 ns (largeur à mi-hauteur de l’impulsion). On parle aussi de recuit laser nanoseconde (ou NLA, pour Nanosecond Laser Annealing » en anglais).
Le procédé est exécuté durant un délai d’exécution prédéterminé, puis son exécution est répétée. Le procédé comporte une réception et mémorisation de paquets à transmettre (étape 50) à un nœud destinataire pour une application prédéterminée, qui s’exécute en parallèle des autres étapes décrites ci-après. Les paquets à transmettre sont par exemple des paquets formatés selon le protocole de communication choisi. L’arrivée des paquets est ordonnée dans le temps, chaque paquet ayant une estampille temporelle (ou « timestamp ») associée.
Il est à noter que le procédé décrit peut être utilisé pour une ou plusieurs applications. Pour une application donnée, un traitement des paquets dans l’ordre d’arrivée est envisagé.
Pour une pluralité d’applications, il est possible d’affecter une priorité à u flux ou un temps de vie à chaque paquet (ou TTL pour « Time-to-Live).
Le procédé comporte en outre une étape 52 de réception d’une première valeur cible d’indicateur de qualité de service attendue, obtenue d’un ou plusieurs nœuds du réseau de communication sans fil. La valeur cible d’indicateur de qualité de service est par exemple une valeur maximale de latence de bout-en-bout et/ou une valeur minimale de latence de bout-en-bout, et/ou une valeur de gigue (« jitter » en anglais), et/ou une valeur de fiabilité (taux de succès de la réception du paquet).
A l’étape 54, une stratégie initiale d’orchestration de mécanismes pour chaque nœud du réseau de communication sans fil, permettant d’atteindre la première valeur cible d’indicateur de qualité de service, est mise au point et appliquée. Cette étape 54 peut être mise en œuvre par tout procédé connu à cet effet, par exemple le procédé décrit dans la demande de brevet FR2103542.
Selon des modes de réalisation, un mécanisme est choisi parmi : des mécanismes de déploiement et de contrôle du réseau de communication sans fil, des mécanismes d’adaptation de la couche physique du réseau de communication et de ses configurations, des mécanismes d’agilité en fréquence, des mécanismes liés à l’accès et à la planification des ressources, des mécanismes de contrôle et de surveillance des ressources de communication, des mécanismes de routage et de gestion des connectivités, des mécanismes de redondance (e.g. la procédure de retransmission automatique HARQ), des mécanismes de sélection de trajets multiples, des mécanismes de gestion des ressources (par exemple, ajout de ressources comme l’ajout d’un relais, d’antennes de communication ou d’unités de calcul).
La sélection d’un ou plusieurs mécanismes est effectuée en fonction de la première valeur cible d’indicateur de qualité de service, en tenant compte de la durée d’exécution.
Une stratégie d’orchestration de mécanismes désigne la sélection d’un ensemble de mécanismes, les mécanismes étant exécutés par des nœuds du réseau, pour atteindre un niveau de qualité, i.e. une valeur cible d’indicateur de qualité.
Suite à l’application de l’étape 54 de mise en œuvre des mécanismes de la stratégie initiale d’orchestration, le procédé met en œuvre une étape 56 d’évaluation de la performance du réseau de communication. Par exemple une distribution statistique de la latence est estimée. Par exemple, la distribution statistique de la latence de bout en bout est calculée.
Ensuite, des informations relatives à une qualité de communication dans le réseau de communication sans fil, comprenant des données de latence de transmission, sont reçues à l’étape de réception de statistiques 58. Par exemple, des informations relatives à la latence sont reçues de tous les nœuds du réseau de communication.
De plus, à l’étape 58 sont reçues des informations relatives à un indicateur de performance applicatif. Dans des modes de réalisation, l’indicateur de performance applicatif est un coût de perte de paquets. Ainsi, lors de l’itération ultérieure des étapes, les performances seront améliorées pour une adaptation à l’application, i.e. par exemple permettant de privilégier la transmission de paquets qui minimise le coût de perte.
Le procédé comprend ensuite une étape 60 de détermination d’une deuxième valeur cible d’indicateur de qualité de service attendue, dépendante de l’application, et des informations reçues à l’étape 58.
Le procédé comporte ensuite une détermination d’une pluralité de fenêtres de transmission 62, comportant une étape 64 d’obtention d’un nombre K de fenêtres de transmission, K étant un entier supérieur à 1, une étape 66 de calcul pour chaque fenêtre de transmission, d’un instant temporel central associé et d’une largeur de fenêtre associée, et une étape 68 de classification des fenêtres de transmission, dans des classes de qualité de service, en fonction d’une distribution statistique de la latence et de l’indicateur de performance applicatif.
Selon un mode de réalisation, le nombre K de fenêtres obtenu à l’étape 64 est un nombre prédéterminé, par exemple K=3.
Selon une variante, le nombre K de fenêtres est calculé en fonction de la distribution statistique de la latence de bout-en-bout calculée précédemment.
Un exemple de calcul de fenêtres sera explicité ci-après en référence à la .
Après tissage, comme montré sur les figures 7 et 8, une préforme fibreuse 130 de l’aube à réaliser est formée à partir de l’ébauche 101. Plus précisément, la première partie 102 est mise en forme pour former une partie de préforme de pied 137, une partie de préforme d’échasse 138 et une partie de préforme de pale ou profil aérodynamique 139 comportant des premier et deuxième bords transversaux 139c et 139d destinés à former respectivement les bords d’attaque et de fuite de l’aube à réaliser. La partie de préforme de profil aérodynamique comporte également des première et deuxième faces 139e et 139f destinées à former respectivement une face intrados et une face extrados de l’aube à réaliser. Les parties 103 et 104 non liées aux parties 105 et 106 respectivement sont découpées pour former des segments 103d et 104d. De même, les parties 105 et 106 non liées à la partie 102 sont découpées pour former des segments 105d et 106d. Les segments 103d et 104d non liées aux parties 105 et 106 respectivement et les segments 105d et 106d non liées à la partie 102 sont dépliés ou déployés. Les dépliages sont réalisés au niveau des fonds de déliaison. Les segments 103d, 104d, sont tout d’abord mis en forme pour former des parties de préforme inférieure 133a et 134a tandis que les segments 105d et 106d sont tout d’abord mis en forme pour former des parties de préforme supérieure 135a et 136a.
Comme illustré sur la , les première et deuxième portions de tissu unidirectionnel 1051 et 1061 sont d’abord rabattues suivant la direction longitudinale DL sur la première partie 102 de l’ébauche mise en forme pour former la partie de préforme de pale 139.
Comme illustré sur les figures 10A et 10B, la mise en forme des segments dépliés 105d, 106d se poursuit pour former des parties de préforme d’un muret amont 135d, 136d, des parties de préforme d’un becquet amont 135b, 136b, et des parties de préformes d’un becquet aval 135c et 136c. La formation des parties de préforme de muret amont 135d, 136d et des parties de préforme de becquet amont 135b, 136b comprend le rabattage suivant la direction transversale DT d’une première partie 1051a, 1061a respectivement des première et deuxième portions de tissu unidirectionnel 1051, 1061 sur une deuxième partie 1051b, 1061b respectivement des première et deuxième portions de tissu unidirectionnel 1051, 1061 maintenue contre la partie de préforme de pale 139 suivant la direction longitudinale DL. On facilite ainsi grandement la mise en forme des parties de préforme de muret amont 135d, 136d et des parties de préforme de becquet amont 135b, 136b en réduisant les tensions et contraintes sur la texture de l’ébauche fibreuse en particulier au niveau des pliures de type coin de valise.
Comme illustré sur les figures 11A et 11B, la mise en forme des segments dépliés 103d, 104d se poursuit pour former des parties de préforme d’un muret aval 133d, 134d, et de parties de préforme d’un becquet aval 133c, 134c.La formation des parties de préforme de muret aval 133d, 134d et des parties de préforme de becquet aval 133c, 134c comprend le rabattage suivant la direction transversale DT d’une première partie 1031a, 1041a respectivement des troisième et quatrième portions de tissu unidirectionnel 1031, 1041 sur une deuxième partie 1031b, 1041b respectivement des troisième et quatrième portions de tissu unidirectionnel 1031, 1041 maintenue contre la partie de préforme d’échasse 138 suivant la direction longitudinale DL. On facilite ainsi grandement la mise en forme des parties de préforme de muret aval 133d et 134d et des parties de préforme de becquet aval 133d et 134d en réduisant les tensions et contraintes sur la texture de l’ébauche fibreuse en particulier au niveau des pliures de type coin de valise.
On procède ensuite à la densification de la préforme fibreuse 130. La densification de la préforme fibreuse destinée à former le renfort fibreux de l’aube à fabriquer consiste à combler la porosité de la préforme, dans tout ou partie du volume de celle-ci, par le matériau constitutif de la matrice. Cette densification peut être réalisée de façon connue en soi suivant le procédé par voie liquide (CVL) ou le procédé par voie gazeuse (CVI), ou le procédé d’injection de charge céramique (Slurry Cast) ou le procédé d’imprégnation d’un alliage de silicium (MI ou RMI) ou encore suivant un enchaînement d’un ou plusieurs de ces procédés.