INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon une option, l’installation photovoltaïque comprend deux rangées de modules photovoltaïques ; - une première rangée de modules photovoltaïques comprend le premier module photovoltaïque et s’étend sensiblement perpendiculairement à l’axe d’orientation des premier et deuxième modules photovoltaïques ; - une deuxième rangée de modules photovoltaïques comprend le deuxième module photovoltaïque et s’étend sensiblement perpendiculairement à l’axe d’orientation des premier et deuxième modules photovoltaïques ; et les extrémités opposées du réflecteur étant assemblée de sorte que le réflecteur s’étend entre les deux rangées de modules photovoltaïques.
Selon une option, le réflecteur est configuré pour éviter un stockage de l’eau.
Les options d’installations photovoltaïques présentées par la présente divulgation permettent d’augmenter le productible photovoltaïque des installations selon l’art antérieur en disposant avec astuce les réflecteurs permettant de refléter le rayonnement solaire sur les panneaux photovoltaïques de l’installation entre deux modules alignés ou entre deux rangées de modules. Par ailleurs, dans certaines options, les caractéristiques de ces réflecteurs sont telles qu’ils sont adaptés pour supporter le poids d’une personne, permettant à ce titre d’utiliser ces réflecteurs comme chemin de circulation entre deux modules alignés et éventuellement entre deux rangées de modules, notamment pour permettre leur entretien et leur maintenance. Dans ces options, le réflecteur a donc une double fonction, sa fonction première qui est celle de réfléchir le rayonnement solaire pour permettre d’augmenter la génération de productible électrique par l’installation photovoltaïque et une deuxième fonction qui est celle de créer un chemin de circulation praticable pour permettre l’entretien et la maintenance de l’installation photovoltaïque par les opérateurs.
représente schématiquement un premier exemple d’installation photovoltaïque.
représente un deuxième exemple d’installation photovoltaïque.
représente un troisième exemple d’installation photovoltaïque.
représente un exemple de système d’assemblage d’une bâche réfléchissante sur une structure porteuse d’un module photovoltaïque.
représente un autre exemple de système d’assemblage d’une bâche réfléchissante sur une structure porteuse d’un module photovoltaïque.
représente encore un autre exemple de système d’assemblage d’une bâche réfléchissante sur une structure porteuse d’un module photovoltaïque.
Il est maintenant décrit en référence aux figures 1 à 3 une installation photovoltaïque 1 apte à flotter sur une surface aquatique. Cette surface peut par exemple être un lac, naturel ou artificiel, un étang, ou encore la surface de la mer, de préférence dans un endroit faiblement exposé aux vagues et aux courants, par exemple un port, une crique, un lagon, etc. L’installation photovoltaïque 1 de la présente divulgation permet de faciliter les opérations d’entretien et de maintenance des opérateurs sur l’installation tout en améliorant l’efficacité de production électrique des installations photovoltaïques flottantes connues.
L’installation photovoltaïque 1 comprend au moins deux modules photovoltaïques 2, un réflecteur 3 et un dispositif de flottaison 4 apte à faire flotter l’installation photovoltaïque 1 sur une surface aquatique. Un premier module photovoltaïque est référencé 2a et un deuxième module photovoltaïque est référencé 2b sur les figures 1 à 3. La représente un exemple d’installation photovoltaïque 1 comprenant deux rangées de modules photovoltaïques dans laquelle une première rangée de modules photovoltaïques comprend le premier module photovoltaïque 2a et une deuxième rangée de modules photovoltaïques comprend le deuxième module photovoltaïque 2b.
Les modules photovoltaïques 2 peuvent être des modules photovoltaïques présentant un panneau photovoltaïque 20 monofacial ou un panneau photovoltaïque 20 bifacial.
Un panneau photovoltaïque monofacial désigne un panneau photovoltaïque comportant une face supérieure adaptée pour générer de l’électricité par effet photovoltaïque et une face inférieure. La face supérieure d’un panneau photovoltaïque monofacial est ainsi équipée de cellules photovoltaïques adaptées pour convertir des photons en énergie électrique par effet photovoltaïque. La face inférieure est quant à elle dépourvue de cellules photovoltaïques. La face supérieure du panneau photovoltaïque correspond à la face du panneau destinée à être orientée vers le ciel. La face supérieure du panneau est donc destinée à recevoir un rayonnement solaire direct.
Un panneau photovoltaïque bifacial 20 désigne un panneau photovoltaïque comportant une face supérieure et une face inférieure adaptées pour générer de l’électricité par effet photovoltaïque. En d’autres termes, la face supérieure et la face inférieure d’un panneau photovoltaïque bifacial 20 sont équipées de cellules photovoltaïques adaptées pour convertir des photons en énergie électrique par effet photovoltaïque. La face supérieure du panneau photovoltaïque bifacial 20 correspond à la face du panneau destinée à être orientée vers le ciel et donc destinée à recevoir un rayonnement solaire direct. La face inférieure du panneau photovoltaïque bifacial correspond à la face du panneau destinée à être orientée vers la surface aquatique et donc destinée à recevoir un rayonnement solaire réfléchi, par exemple réfléchi par le réflecteur 3.
La est une représentation schématique, selon une vue en perspective, illustrant la connexion, par vissage, d’un dispositif de connexion sur l’organe de connexion ;
La est une représentation de l’insert de connexion selon une vue en perspective permettant d’observer les parois latérales et les parois terminales du corps principal.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention concerne un insert de connexion pour la connexion électrique d’un terminal de contact d’un bloc batterie 10 ( ).
A cet égard, et tel qu’illustré à la , le bloc batterie 10 comprend une pluralité de cellules élémentaires 11, 12, 13 en forme de parallélépipède rectangle. Notamment, chaque cellule élémentaire comprend deux faces principales, parallèles entre elles et reliées par quatre faces, parmi lesquelles on compte une face dite face contact 14, et sur laquelle sont disposées deux bornes de connexion 15, 16, par exemple une borne positive et une borne négative.
Les cellules élémentaires 11, 12, 13, au sein du bloc batterie, sont empilées selon une direction d’empilement perpendiculaire XX’ aux faces principales, et de sorte que les faces contact 14 soient essentiellement coplanaires et accessibles par une face, dite face de connexion 17.
Le bloc batterie 10 comprend également deux plaques terminales, dites respectivement, première plaque 18 et deuxième plaque 19, et entre lesquelles est disposé l’empilement de cellules élémentaires. Chaque plaque terminale 18, 19 comprend deux faces parallèles dites, respectivement, face interne et face externe.
Chaque plaque terminale est disposée en regard, par sa face interne, d’une face principale d’une cellule élémentaire disposée à l’une des extrémités de l’empilement.
Notamment, la première plaque 18 est disposée en regard, par sa face interne, d’une face principale d’une cellule élémentaire, dite première cellule 12, à l’une des extrémités de l’empilement.
De manière équivalente, la deuxième plaque 19 est disposée en regard, par sa face interne, d’une face principale d’une cellule élémentaire, dite deuxième cellule 13, à l’autre des extrémités de l’empilement.
La première plaque 18 et la deuxième plaque 19 peuvent être reliées entre elles par des parois additionnelles de sorte que lesdites première 18 et deuxième 19 plaques délimitent, avec les parois additionnelles, un espace logeant l’empilement de cellules élémentaires ( ).
La première plaque 18 comprend également une face, dit face d’insertion 20, dans le prolongement de la face de connexion 17 de l’empilement. Par ailleurs, et tel qu’illustré à la , la première plaque 18 comprend également un logement 21, voire deux logements 21, débouchant par une ouverture sur la face d’insertion 20, ladite ouverture étant délimité par un bord, dit bord d’insertion 22.
Le bloc batterie comprend également un support connecteur 23 en recouvrement de l’ensemble des faces contact 14 et de la face d’insertion 20 ( , ). Le support connecteur 23 a notamment la forme d’une plaque et comprend des moyens de connexion 25 agencés, sur une section principale 24 dudit support connecteur ( ), pour connecter, par exemple en série, les cellules élémentaires 11, 12, 13 de l’empilement de cellules élémentaires. Les moyens de connexion 25 peuvent notamment former une piste conductrice se terminant par deux terminaux de prise de contact 27 et 28.
Le support connecteur 23 comprend également une section secondaire 26 dans le prolongement de la section principale 24 selon la direction d’empilement. Plus particulièrement, la section secondaire 26 est à l’aplomb de la face d’insertion de la première plaque 18, et notamment à l’aplomb de l’un et l’autre des logements 21 de la première plaque et débouchant par la face d’insertion 20 ( ). A cet égard, la section secondaire 26 comprend un fond plat surmonté d’une paroi avant et de deux parois latérales, et sur lequel repose l’un et l’autre des deux terminaux de prise de contact 27 et 28.
Plus particulièrement, chaque terminal de prise de contact 27 et 28 est en correspondance, respectivement, de l’un et l’autre des logements 21.
Notamment, le terminal de prise de contact 27 est en correspondance avec l’un des deux logements 21, tandis que le terminal de prise de contact 28 est en correspondance avec l’autre des deux logements 21. Il est par ailleurs entendu que le fond plat de la section secondaire se trouve intercalé entre l’un et l’autre des terminaux de prise de contact et la face d’insertion.
Par ailleurs chaque terminal de prise de contact 27 et 28, de forme généralement plane, comprend un passage traversant, dit passage de connexion, également aligné avec un passage traversant, dit passage secondaire, et ménagé dans le fond plat de la section secondaire 26. Il est convenu, dans la suite de l’énoncé, qu’un passage de connexion et le passage secondaire avec lequel il est aligné forment une paire de connexion.
Ainsi, la valeur de la tension au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 est égale à la masse lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure au seuil S1 du mot numérique DIGW, et à la valeur de la tension du signal analogique SDAC générée en sortie du convertisseur numérique-analogique MDAC lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S1.
La valeur de la tension du signal Dyn_N est égale à VDD la valeur du mot numérique est inférieure au seuil S2 du mot numérique DIGW, et à la masse lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S2.
Ainsi, la valeur de la tension au nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2 est égale à la valeur de la tension du signal analogique SDAC générée en sortie du convertisseur numérique-analogique MDAC lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure au seuil S2, et à la tension VDD lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S2.
La illustre un deuxième mode de réalisation d’un circuit de contrôle de tensions VCU. Le circuit de contrôle de tensions VCU comporte le même circuit de commande DEC décrit précédemment. Ce circuit de commande DEC est donc utilisé pour générer les signaux Dyn_P et Dyn_N de la même manière que décrit précédemment.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend un premier commutateur M1b présentant une première borne connectée au nœud PN entre la source du transistor PMOS1 et le drain du transistor PMOS2, et une deuxième borne connectée à la masse GND. Ce commutateur M1b est contrôlé par un signal Dyn_P. De la sorte, le commutateur M1b est configuré pour être fermé lorsque le signal Dyn_P est dans un état haut, et ouvert lorsque le signal Dyn_P est dans un état bas.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend également un premier amplificateur opérationnel AOP1. Ce premier amplificateur opérationnel AOP1 présente une entrée non inverseuse connectée à la première borne du circuit de commutation SWDAC, une sortie connectée au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2, et à une entrée inverseuse de ce premier amplificateur opérationnel AOP1. Le premier amplificateur opérationnel AOP1 présente une entrée d’alimentation commandée par le signal Dyn_P. En particulier, le premier amplificateur opérationnel AOP1 est alimenté lorsque le signal Dyn_P est à l’état bas.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend également un deuxième commutateur M2b présentant une première borne connectée au nœud NN entre la source du transistor NMOS1 et le drain du transistor NMOS2, et une deuxième borne configurée pour recevoir la tension VDD. Ce commutateur M2b est contrôlé par l’inverse du signal Dyn_N. De la sorte, le commutateur M2b est configuré pour être ouvert lorsque le signal Dyn_N est dans un état haut, et fermé lorsque le signal Dyn_N est dans un état bas.
Le circuit de contrôle de tensions VCU comprend également un deuxième amplificateur opérationnel AOP2. Ce deuxième amplificateur opérationnel AOP2 présente une entrée non inverseuse connectée à la première borne du circuit de commutation SWDAC, une sortie connectée au nœud entre les transistors NMOS1 et NMOS2, et à une entrée inverseuse de ce deuxième amplificateur opérationnel AOP2. Le deuxième amplificateur opérationnel AOP2 présente une entrée d’alimentation EN commandée par le signal Dyn_N. En particulier, le deuxième amplificateur opérationnel AOP2 est alimenté lorsque le signal Dyn_N est à l’état haut.
Ainsi, la valeur de la tension au nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 est égale à la masse lorsque la valeur du mot numérique DIGW est inférieure au seuil S1, et à la valeur de la tension du signal analogique SDAC générée en sortie du convertisseur numérique-analogique MDAC lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S1.
La valeur de la tension du signal Dyn_N est égale à VDD lorsque la valeur du mot numérique est inférieure au seuil S2 du mot numérique DIGW, et à la masse lorsque la valeur du mot numérique DIGW est supérieure au seuil S2.
La illustre un troisième mode de réalisation d’un circuit de contrôle de tensions VCU. Dans ce mode de réalisation, le circuit de contrôle de tensions VCU comporte un convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC. Ce convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC est simplifié par rapport au convertisseur numérique-analogique MDAC car il comporte des éléments résistifs de plus faibles valeurs par rapport à des éléments résistifs du convertisseur numérique-analogique MDAC. En effet, le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC ne requiert pas d’être autant précis que le convertisseur numérique-analogique MDAC. Ainsi, le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC est moins contraint par rapport à sa précision et peut donc être simplifié.
En particulier, le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC présente une entrée configurée pour recevoir le mot numérique DIGW reçu entrée du circuit de conversion numérique-analogique DACC.
Le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC est configuré pour appliquer certaines tensions sur le nœud PN entre les transistors PMOS1 et PMOS2 et sur le nœud NN entre les transistors NMOS1 et NMOS2 en fonction de la valeur du mot numérique DIGW reçu entrée.
Le convertisseur numérique-analogique auxiliaire ADAC peut être réalisé selon différents modes de réalisation.
En outre, dans un mode de réalisation préféré, les éléments nickel et indium dans le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et l’élément lithium dans la source de lithium ont un rapport molaire de 1 : 1,05.
En outre, dans un mode de réalisation, la source de lithium comprend au moins l’un parmi l’hydroxyde de lithium, le nitrate de lithium, l’acétate de lithium et le carbonate de lithium.
La présente demande fournit également un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt qui est préparé par le procédé de préparation d’un matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt selon l’un des modes de réalisation ci-dessus. Pour le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt obtenu par ce procédé, on évite le phénomène selon lequel les particules fondues du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt entrent en contact les unes avec les autres et forment à leur tour des particules secondaires pendant la calcination à haute température, ce qui entraîne une diminution de la densité apparente du matériau d’électrode positive monocristallin à haute teneur en nickel. De plus, le degré de désordre de Li + /Ni 2+ dans le processus de frittage est réduit, améliorant ainsi les performances électrochimiques du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt. Pendant ce temps, l’In 3+ dopé, à l’entrée, peut agrandir le réseau cristallin du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, ce qui est propice au transport de Li + , stabilise la structure cristalline du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et améliore la réversibilité de la réaction électrochimique correspondante dans le cycle de charge et de décharge du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt. En outre, l’oxyde de graphène appliqué sur la surface du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt peut former des « canaux ioniques à grande vitesse » sur la surface du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, et réduit efficacement la zone de contact entre le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et la solution électrolytique, améliorant la stabilité de cyclage et la capacité de débit du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
La présente demande fournit également une batterie au lithium comprenant une électrode négative, une solution électrolytique, un séparateur et une électrode positive, où l’électrode positive comprend le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt selon l’un des modes de réalisation décrits ci-dessus. En appliquant le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt obtenu dans la présente demande à la batterie au lithium, la densité de compactage du matériau d’électrode positive de la batterie au lithium augmente, et la capacité spécifique de la batterie au lithium augmente également. En outre, l’In 3+ dopé est plus propice au transport de Li + , stabilise la structure cristalline du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et améliore la réversibilité de la réaction électrochimique correspondante dans le cycle de charge et de décharge du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt. De plus, le revêtement d’oxyde de graphène peut réduire efficacement la zone de contact entre le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et la solution électrolytique, ce qui améliore la stabilité de cyclage et la capacité de débit du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
Par rapport à l’art antérieur, la présente demande présente au moins les avantages ci-dessous.
1. Pour le procédé de préparation du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, étant donné que les particules du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt ont porté des charges positives après l’opération corona, les particules se repousseront pendant le processus de calcination secondaire, évitant le phénomène selon lequel les particules fondues du premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt entrent en contact les unes avec les autres et forment à leur tour des particules secondaires pendant la calcination à haute température, ce qui entraîne une diminution de la densité apparente du matériau d’électrode positive monocristallin à haute teneur en nickel. Par conséquent, la densité de compactage du matériau d’électrode positive de la batterie au lithium augmente, et la capacité spécifique de la batterie au lithium augmente également. De plus, l’ozone généré par le processus de décharge par effet corona oxydera à l’avance une partie du nickel divalent dans le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt en nickel trivalent, réduisant ainsi le degré de désordre de Li + /Ni 2+ dans le processus de frittage, et améliorant ainsi les performances électrochimiques du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt.
2. Pour le procédé de préparation du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, puisque l’oxyde de graphène ajouté forme des « canaux ioniques à grande vitesse » sur la surface du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt par attraction électrostatique, la zone de contact entre le matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt et la solution électrolytique est réduite, et la stabilité de cyclage et la capacité de débit du matériau monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt sont ainsi améliorées.
Quelques exemples spécifiques sont développés ci-après. Le symbole « % », s’il est mentionné, fait référence à un pourcentage en poids. Il convient de noter que les exemples suivants ne sont pas exhaustifs de tous les cas possibles ; et que les matériaux utilisés dans les exemples suivants sont tous disponibles dans le commerce, sauf indication contraire.
Exemple 1 Selon un rapport stœchiométrique des éléments Li, Ni et In dans la formule chimique Li 1,05 Ni 0,97 In 0,03 O 2 , 20,65 g d’acétate de lithium, 42,96 g d’acétate de nickel et 2,20 g de nitrate d’indium ont été pesés ; l’acétate de lithium et l’acétate de nickel ont été dissous dans 200 mL d’eau, puis ajoutés à 8 g d’acide citrique et agités pendant 1 h dans un bain-marie thermostatique à 50°C, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel pour une utilisation ultérieure ; 2,20 g de nitrate d’indium ont été dissous dans 10 mL d’eau, puis ajoutés à 1,6 g d’acide citrique et agités pendant 1 h dans un bain-marie thermostatique à 50°C, pour obtenir une solution complexante contenant de l’indium pour une utilisation ultérieure, où les éléments nickel et indium et l’acide citrique avaient un rapport molaire de 5 : 1 ; la solution complexante contenant de l’indium et la solution complexante contenant du lithium-nickel ont été mélangées et agitées pendant 30 min, pour obtenir une solution complexante contenant du lithium-nickel-indium ; le pH de la solution complexante contenant du lithium-nickel-indium a été ajusté à 7,5 avec de l’ammoniaque puis elle a été scellée, et la solution complexante scellée contenant du lithium-nickel-indium a été laissée réagir pendant 1,5 h dans un bain-marie à 50°C ; le scellement a été enlevé et le système a été chauffé à 90°C pour une évaporation à sec, pour obtenir un sol ; et le sol a été séché dans une étuve à 100°C pour obtenir un gel sec, et le gel sec a été soumis à un vieillissement pendant 12 h pour obtenir le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt.
50 g du précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et 6,41 g d’hydroxyde de lithium ont été entièrement broyés et mélangés, puis soumis à une calcination primaire à 400°C pendant 3 h dans une atmosphère d’oxygène, pour obtenir un premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt, où la calcination primaire avait une vitesse de chauffage de 10°C/min, et les éléments nickel et indium dans le précurseur monocristallin à haute teneur en nickel-indium et sans cobalt et l’élément lithium dans l’hydroxyde de lithium avaient un rapport molaire de 1 :1,05 ; puis le premier matériau calciné monocristallin à haute teneur en nickel et sans cobalt a été refroidi pendant 3 min.