INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Selon un mode de réalisation, l'électrode formée par le dissipateur thermique électriquement conducteur est une électrode négative et la deuxième électrode est une électrode positive. Cela permet au circuit électronique d'être connecté au dissipateur thermique car l'électrode négative peut être utilisée comme borne de masse du circuit électronique. De plus, cela permet d’éviter des arcs électriques entre le dissipateur thermique et d'autres composants du module d'éclairage ou de son environnement, ou envers un outil ou une partie du corps d'une personne, en particulier un outil ou une partie du corps d'un usager introduit dans l'enceinte du véhicule dans laquelle est monté le module d'éclairage. Une alternative moins avantageuse serait d’isoler électriquement le dissipateur thermique, mais cela engendre des surcoûts et de la complexité en matière, en procédé de fabrication, en conception et en validation, tandis que l'efficacité d'une telle isolation pourrait restreindre le flux d'air et ainsi nuire à l'efficacité de dissipation thermique de l'ensemble. En effet, il est plus simple d’isoler électriquement de la masse l’électrode que le dissipateur thermique. Ainsi, l’air frais entraîné par les ions se déplace jusqu’au dissipateur, où l'air frais est réchauffé par un transfert thermique avec le dissipateur, ledit transfert étant favorisé par la réduction de la couche limite, et s’évacue par l’orifice de sortie. Enfin cela permet d’utiliser le dissipateur comme connecteur de masse au substrat. Cela permet aussi au dissipateur thermique et éventuellement le substrat d’être connecté et mis à la terre pour la protection contre les décharges électrostatiques.
Selon un exemple de ce mode de réalisation, le dissipateur thermique est connecté à une borne de masse du substrat et l'électrode à une borne positive.
Selon une variante du mode de réalisation précédent, l'électrode formée par le dissipateur thermique électriquement conducteur est une électrode positive et la deuxième électrode est une électrode négative.
Selon un mode de réalisation, l'air est à la pression atmosphérique et soit la première soit la deuxième électrode dite électrode positive est alimentée électriquement par une tension continue avec une valeur comprise entre 500 volts et 7000 volts. Cela fournit une puissance suffisante pour assurer l'ionisation et empêcher la génération d'arcs électriques.
Selon un exemple de ce mode de réalisation, la valeur de la tension à l'électrode positive est comprise entre 500 volts à 2000 volts. Cette plage de variation est plus simple à concevoir dans le domaine automobile qu'une tension allant jusqu'à 7000 volts.
Selon un mode de réalisation, le support d'électrode est en plastique, tel que le polycarbonate ou le thermoplastique.
Selon un mode de réalisation, le module d'éclairage comprend un dispositif de commande haute tension comprenant une borne positive connectée à la deuxième électrode pour l’alimenter électriquement et dans lequel le dissipateur thermique formant l’électrode négative est connecté à une borne masse du véhicule.
Selon un exemple, le dispositif de commande haute tension comprend une entrée d’information d’une température d’un composant électronique, le dispositif de commande haute tension élevant ou réduisant la haute tension d’alimentation de l’électrode en fonction de la valeur reçue à l’entrée d’information d’une température. Ainsi un capteur de température ou un estimateur de température, relié au dispositif de commande haute tension permet d’influencer sur le débit d’air de refroidissement. Par exemple, le module comprend un capteur de température sur le substrat mesurant la température de la source lumineuse. De préférence, le capteur de température est monté sur la même face du substrat que la source lumineuse (dans la chambre d’éclairage).
Selon un exemple de ce mode de réalisation, le module d'éclairage comprend un dispositif de commande d'éclairage fixé dans le boitier dans la chambre arrière, le dispositif de commande d'éclairage comprenant un connecteur d'entrée à connecter électriquement à une alimentation électrique et un connecteur de sortie connecté électriquement au substrat, par exemple par un faisceau de câbles.
Dans le cas de ces deux derniers exemples ci-dessus, le dispositif de commande d'éclairage comprend un second connecteur de sortie connecté au second substrat à la puissance du dispositif de commande haute tension.
Selon un mode de réalisation, la première face du dissipateur électriquement conducteur comprend une surface plane et le substrat est une carte de type circuit électronique imprimé sur lequel est monté des composants électroniques, ayant une face en contact avec la surface plane par de la pâte thermique. Cela permet au dissipateur thermique d'absorber l'énergie thermique des composants électronique montés sur le substrat.
Selon une variante de ce mode de réalisation, la première face du dissipateur électriquement conducteur comprend une surface plane et le substrat est une carte de type circuit imprimé ayant une surface en contact physique avec la surface plane.
Un deuxième aspect de l’invention concerne un dispositif d’éclairage comprenant : un module d'éclairage selon le premier aspect de l'invention, qui peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques précédentes, considérées individuellement, ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, un boîtier définissant un espace intérieur et un espace extérieur, comprenant une paroi transparente adaptée pour transmettre les rayons lumineux émis par les sources lumineuses vers l'extérieur du boîtier, le boitier supportant le module d'éclairage dans l’espace intérieur, dans lequel le dispositif de refroidissement comprend un dispositif de commande haute tension pour alimenter l'électrode positive, le dispositif de commande haute tension est monté dans le boîtier.
En montant le dispositif de commande haute tension du dispositif de refroidissement dans le boîtier, on simplifie le montage du module d'éclairage dans le véhicule automobile. Le dispositif de commande délivre donc une haute tension au dispositif de refroidissement qu'il alimente, par exemple au moyen d'un harnais de câbles, ce qui implique usuellement des perturbations électromagnétiques inacceptables pour les composants du projecteur et du reste d'un véhicule automobile dans lequel le projecteur est assemblé. Pour éviter de telles perturbations, des protections électromagnétiques sont connues, par exemple un blindage du câble, entraînant des surcoûts et une surconsommation de matière. Cependant, dans le cas d'un dispositif de commande haute tension adapté pour alimenter le dispositif de refroidissement à vent ionique, la tension délivrée est suffisamment stable pour que les perturbations électromagnétiques soient négligeables ; ainsi, le dispositif de commande peut être intégré dans le boîtier sans surcoûts.
Selon un mode de réalisation, le dispositif d'éclairage comprend un dispositif d’articulation, pouvant être mécanique ou électromécanique, pour déplacer l’au moins un module d'éclairage qui est de forte puissance pour réaliser des fonctions d'éclairage frontal telles qu'un faisceau bas (un faisceau d'éclairage avec une coupure horizontale) ou un faisceau haut (un faisceau large), ou un faisceau pixellisé avec des lignes verticales et éventuellement horizontales. Le dispositif de refroidissement à vent ionique est particulièrement adapté à un tel module d'éclairage de forte puissance dissipant beaucoup de chaleur.
Dans un mode de réalisation, le substrat 100 semi-conducteur peut être un substrat cristallin formé en utilisant un silicium massif ou une sous-structure silicium sur isolant.
Dans d'autres mises en œuvre, le substrat 100 semi-conducteur peut être formé en utilisant des matériaux alternatifs, qui peuvent être combinés ou non avec du silicium, qui comprennent, mais sans s'y limiter, le germanium, l'antimoniure d'indium, le tellurure de plomb, l'arséniure d'indium, le phosphure d'indium, l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium et de gallium, l'antimoniure de gallium, ou d'autres combinaisons de matériaux du groupe III-V ou du groupe IV.
Bien que quelques exemples de matériaux à partir desquels le substrat 100 peut être formé soient décrits ici, tout matériau qui peut servir de fondation sur laquelle un dispositif semi-conducteur peut être construit tombe dans l'esprit et la portée de la présente divulgation.
La structure tridimensionnelle 200 est formée dans le substrat 100 plus particulièrement dans une partie du substrat. Il est défini pour la suite de la description que le substrat comprend une face supérieure 101 opposée à une face inférieure 102.
La structure tridimensionnelle 200 comprend au moins un pilier 400. Préférentiellement, la structure tridimensionnelle comprend un pilier 400, mais peut comprendre plusieurs piliers 400. Le pilier 400 s’étend suivant l’épaisseur 103 du substrat 100. Le pilier 400 est débouchant au niveau de la face supérieure 101 du substrat 100. Le pilier 400 peut être ou non débouchant au niveau de la face inférieure 102 du substrat 100.
Selon des modes de réalisation différents, le pilier 400 est une structure verticale pouvant avoir différentes fonctions que ce soit électrique, thermique ou de packaging. À titre d’exemple, le pilier 400 peut-être une interconnexion, un via ou via traversant (TSV pour « Through Silicon Via » c’est-à-dire via au travers de silicium ; on peut aussi rencontrer des via au travers de verre dit « TGV »), une structure verticale de dissipation thermique, une structure verticale d’encapsulation.
Un exemple de mise en œuvre est illustré à la où l’on retrouve un assemblage tridimensionnel 600 comprenant deux puces électroniques, par exemple deux processeurs 610, et un interposeur passif 620 qui permet leur interconnexion, et leur connexion vers un autre niveau à travers des piliers en cuivre 630, réalisant ainsi un niveau de redistribution des signaux. Avantageusement, la structure tridimensionnelle 200 selon l’invention est agencée au niveau de l’interposeur passif 620.
Le pilier 400 présentant une profondeur 402 s’étendant suivant l’épaisseur 103 du substrat 100 et une largeur 401 s’étendant transversalement à l’épaisseur 103 du substrat 100. À titre d’exemple, la largeur 401 du pilier 400 est supérieure ou égale à 2µm.
Le pilier 400 présente des parois latérales 403 possédant une composante principale verticale. Préférentiellement, les parois latérales 403 du pilier 400 sont verticales, c’est-à-dire s’étendant suivant l’épaisseur 103 du substrat 100.
Selon un mode de réalisation préféré, le pilier 400 présente une section transversale à l’épaisseur du substrat de forme circulaire. D’autres formes de pilier 400 peuvent être envisagées telles que par exemple polygonale, parallélépipédique, ovale.
Le pilier 400 est débouchant en face supérieure 101 du substrat 100 et peut être débouchant ou non en face inférieure 102 du substrat 100. Selon les modes de réalisation illustrés sur les figures, les piliers 400 ne sont pas débouchants en face inférieure 102 du substrat 100. Des étapes ultérieures de fabrication du dispositif semi-conducteur peuvent toutefois comprendre l’ajout d’une couche sous-jacente en face inférieure 102 du substrat 100 impliquant que le pilier 400 soit débouchant en face inférieure 102 du substrat 100.
Le dispositif semi-conducteur selon l’invention comprend une structure tridimensionnelle 200.
La structure tridimensionnelle 200 est formée dans une partie du substrat 100 et comprend un condensateur tridimensionnel 300. Le condensateur tridimensionnel 300 comprend un empilement capacitif 500 au moins partiellement logé dans une cavité formée dans le substrat 100. Le condensateur tridimensionnel 300 présente ainsi une structuration tridimensionnelle permettant d’augmenter la surface développée et la capacité de stockage associée.
Avantageusement, selon l’invention, le substrat 100 comprend au moins une cavité. Le substrat 100, plus spécifiquement la structure tridimensionnelle 200, peut comprendre jusqu’à 20 cavités, plus spécifiquement de 2 à 10 cavités. Avantageusement, dans le cas où le substrat comprend plusieurs cavités, les cavités comprennent un même empilement capacitif 500 de sorte à optimiser la capacité du condenseur 300. La description qui suit est faite en référence à une cavité, mais s’applique à l’ensemble des cavités lorsque la structure tridimensionnelle 200 comprend plus d’une cavité. La cavité s’étend suivant l’épaisseur 103 du substrat 100 à partir de la face supérieure 101 dudit substrat 100. La cavité pénètre ainsi dans le substrat 100. Avantageusement, la cavité et le pilier 400 s’étendent suivant une même direction principale parallèle à l’épaisseur 103 du substrat 100.
La cavité est débouchante en face supérieure 101 du substrat 100 et avantageusement non débouchante en face inférieure 102 du substrat 100 de sorte à permettre l’agencement de l’empilement capacitif 500 sur une surface de substrat la plus importante possible.
Dans la suite de la description, le condensateur tridimensionnel 300 peut être simplement appelé condensateur 300.
Le catalyseur coké ainsi que la deuxième charge hydrocarbonée non convertie usuellement dénommée « char » sont avantageusement soutirés du réacteur de pyrolyse et envoyés de préférence dans un stripper de manière à éliminer les hydrocarbures potentiellement adsorbés et ainsi éviter leur combustion dans le régénérateur et ce par mise en contact avec au moins un gaz choisi parmi la vapeur d’eau, un gaz inerte tel que par exemple de l’azote, et une partie du gaz de pyrolyse 11.
Ledit catalyseur coké et la deuxième charge hydrocarbonée non convertie, éventuellement strippés, sont avantageusement envoyés dans un régénérateur où coke et char sont brûlés par ajout d’air ou d’oxygène, produisant ainsi du catalyseur régénéré et un gaz de combustion riche en CO 2 .
Avantageusement, l’étape de pyrolyse du procédé selon l’invention permet la production d’au moins 10% en poids et de préférence d’au moins 15 % en poids d’aromatique par rapport à la masse totale des produits de réaction obtenus, avec une sélectivité d’au moins 65% et de préférence d’au moins 70% en BTX.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, au moins une partie 42 du gaz de pyrolyse 11 est recyclée, de préférence via un compresseur (non présenté dans la ), dans le réacteur de pyrolyse. Avantageusement, le gaz de pyrolyse recyclé peut servir de fluide d’entrainement de la charge dans le réacteur de pyrolyse. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, une purge dudit gaz de pyrolyse recyclé est réalisée, soit en amont, soit en aval dudit compresseur.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de pyrolyse 11 produit par l’unité de pyrolyse 8 comprend un mélange contenant majoritairement (e.g. comprenant au moins 50% en poids) de l'hydrogène, du CO et du CO 2 . Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de pyrolyse 11 comprend au moins 20% en poids de CO, préférablement au moins 30% en poids de CO, très préférablement au moins 40% en poids de CO (e.g. au moins 50% en poids de CO). Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de pyrolyse 11 comprend au moins 0,2% en poids de H 2 , préférablement au moins 0,5% en poids de H 2 , très préférablement au moins 0,8% en poids de H 2 . Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de pyrolyse 11 en sortie de l’unité de pyrolyse 8 contient au moins 20% en poids de CO 2 . Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de pyrolyse 11 en sortie de l’unité de pyrolyse 8 contient environ 30% (e.g. ± 10% en poids) poids de CO 2 . Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le gaz de pyrolyse 11 contient du méthane, de l’éthylène et du propylène (e.g. moins de 10% en poids) ainsi que de l’éthane, propane et de l’eau (e.g. moins de 3% en poids).
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la fraction liquide 12 comprend les composés à 9 atomes de carbone ou plus, pouvant comprendre par exemple (e.g. au moins 50% en poids) de di et tri aromatiques optionnellement alkylés. Cette coupe peut être valorisée directement en fuel de soute par exemple ou subir un hydrotraitement et ou hydrocraquage pour améliorer ses propriétés et la valorisée en Kérosène ou en diesel.
L’unité réactionnelle d’alkylation L’unité réactionnelle d’alkylation 13 est adaptée pour alkyler le toluène de la coupe comprenant du toluène 23 issue de la colonne de toluène 5, par le CO présent dans le gaz de pyrolyse 11, pour produire un effluent enrichi en para-tolualdéhyde 14 et un effluent gazeux 15 comprenant des gaz de pyrolyse n’ayant pas été converti dans l’unité réactionnelle d’alkylation 13.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, l’effluent enrichi en para-tolualdéhyde 14 comprend au moins 80% en poids, préférablement au moins 90% en poids, et très préférablement d’au moins 95% en poids, de para-tolualdéhyde.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, l’unité réactionnelle d’alkylation 13 est adaptée pour séparer une coupe de sous-produits 28 comprenant des composés à 9 atomes de carbone ou plus (C9+) de l’effluent enrichi en para-tolualdéhyde 14.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, au moins une partie 41 de l’effluent gazeux 15 est recyclée, de préférence via un compresseur (non représenté dans la ), dans l’unité de pyrolyse 8. L’effluent gazeux recyclé peut servir alors de fluide d’entrainement de la deuxième charge hydrocarbonée 9 dans l’unité de pyrolyse 8. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, une purge dudit effluent gazeux recyclé est réalisée, soit en amont, soit en aval dudit compresseur.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, l’unité réactionnelle d’alkylation 13 comprend au moins un réacteur d’alkylation adapté pour être utilisé dans au moins une des conditions opératoires suivantes : - température comprise entre 20°C et 100°C ; - pression comprise entre 2 MPa et 15 MPa, préférablement entre 5 MPa et 10 MPa ; - PPH comprise entre 0,5 h -1 et 50 h -1 .
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la réaction d’alkylation du toluène par le CO est réalisée en présence d’un catalyseur acide, tel qu’un catalyseur adapté pour conduire à une attaque électrophile du noyau toluène par du CO. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le catalyseur acide est un catalyseur superacide (i.e., composé chimique plus acide que l’acide sulfurique pur à 100 %), tel qu’un catalyseur comprenant de l’acide trifluoromethanesulfonique, du HF-SbF5, une zircone sulfatée, et/ou un liquide ionique à base de chloroaluminates comprenant par exemple de la N-méthyl imidazole. Avantageusement, la réaction d’alkylation du toluène par le CO est très sélective en isomère para (>99%), par exemple à 25°C et à une pression partielle de CO égale à 7,5 MPa.
L'invention permet ainsi au filet de retenue de pouvoir être aisément installé et désinstallé sur tout type de siège. L'invention présente également l'avantage de pouvoir s'adapter à tout type de sac ou de cage pour animaux ayant des dimensions variables.
Selon une réalisation de l'invention, le siège comporte au moins un point d'ancrage constitué par un point d'attache de ceinture de sécurité disposé à l'arrière de l'assise.
Selon une réalisation de l'invention, le siège comporte au moins un point d'ancrage disposé sous l'assise d'un côté d'un bord avant de l'assise.
Selon une réalisation de l'invention, le filet de retenue comporte au moins une sangle ajustable.
Selon une réalisation de l'invention, le filet de retenue comporte un premier ensemble de deux sangles et un deuxième ensemble de deux sangles ajustables.
Selon une réalisation de l'invention, le premier ensemble de deux sangles et le deuxième ensemble de deux sangles présentent une configuration croisée.
Selon une réalisation de l'invention, l'organe de fixation amovible est disposé sur une sangle.
Selon une réalisation de l'invention, la sangle est reliée à un coin de la base.
Selon une réalisation de l'invention, le filet de retenue comporte un pan additionnel de retenue s'étendant dans un prolongement d'une face avant du filet de retenue, ledit pan additionnel de retenue recouvrant au moins une face avant d'un coussin disposé sur l'assise.
Selon une réalisation de l'invention, ledit ensemble comporte des parois latérales disposées de part et d'autre de l'assise de façon à assurer une retenue de l'objet suivant une direction transversale.
Selon une réalisation de l'invention, le filet de retenue est réalisé dans un matériau anti-inflammable.
La est une vue en perspective d'un siège sur lequel est posé un objet autour duquel est destiné à être disposé un filet de retenue selon l'invention;
La est une vue en perspective d'un filet de retenue selon l'invention installé autour d'un objet disposé sur un siège d'avion;
La est une vue en perspective de dessous d'un siège muni de points d'ancrage pour le filet de retenue selon l'invention situés sous l'assise;
La montre une vue de face d'un organe de fixation amovible du filet de retenue selon l'invention prenant la forme d'un mousqueton;
Les segments 3 et 4 sont mobiles radialement pour être pressés contre une face interne du tambour rotatif de façon à générer un couple de freinage.
Le cylindre de roue 6 comprend une chambre fermée par deux pistons qui s'écartent sur augmentation de la pression hydraulique, pour écarter les extrémités des segments 3, 4. Complémentairement, une biellette de rattrapage d'usure 17 longe le cylindre de roue 6 et comporte une première extrémité 18 en appui sur un levier 21 porté par le premier segment 3 et une seconde extrémité 19 en appui sur l'âme du second segment lorsque le frein est au repos. Cette biellette 17 intègre un mécanisme qui accroît sa longueur au fil de l'usure des garnitures, pour que la course de la commande du frein reste inchangée au cours de la vie du frein.
Tel que représenté en figures 2, 3 et 4, le levier 21 porté par l'âme 12 du segment 3 est actionné par un actionneur qui commande le frein de stationnement. Ce levier 21 comporte une première extrémité 24 liée en rotation par une liaison 22 à une première extrémité 15A de l'âme 12A, et une seconde extrémité libre 23 à laquelle est solidarisée une tête de câble 5 de frein. Le câble 5 est logé pour partie dans des moyens de guidage tel qu’un ressort hélicoïdal 26 porté par le plateau 2 du côté de sa face interne.
Ce levier 21 est en appui au voisinage de la liaison 22 sur l'extrémité 18 de la biellette 17. Lorsque le câble est mis sous tension, il tire l'extrémité libre 23 du levier 21 qui s'écarte alors de la jante 13, pour appuyer sur la biellette 17 afin d'écarter les segments 3 et 4 de manière à les presser contre le tambour.
Le levier d’actionnement 21 est formé par une plaque s’étendant longitudinalement, et plus particulièrement destiné à s’étendre, une fois monté dans le frein à tambour, dans un plan parallèle au plateau 2.
Tel que représenté en figures 5 et 6 et conformément à l’invention, le frein à tambour comporte des moyens pour réduire ou annuler les vibrations et bruits non désirés, typiquement des moyens d’amortissement par friction, cisaillement de matières élastomère, viscoélasticité ou analogue et/ou une ou plusieurs masses additionnelles 29, 29A, 29B fixées sur au moins une des âmes des segments 3, 4.
La présence de ces masses additionnelles induit une augmentation de la masse du ou des segments 3, 4, ce qui a pour conséquence de décaler les fréquences propres du ou des segments munis des masses additionnelles.
Ainsi, il est possible d’ajuster la valeur de la masse additionnelle de manière à décaler plus ou moins les fréquences propres du segment.
Avantageusement, la ou les masses additionnelles 29, 29A, 29B sont en acier de manière à augmenter de manière conséquente la masse du segment et assurer ainsi un décalage suffisant des fréquences propres du segment.
Avantageusement, ces masses additionnelles peuvent comporter des propriétés permettant d’amortir les vibrations lorsque le frein à tambour est en service.
Ainsi, il est possible d’ajuster la composition de la masse additionnelle de manière à ajuster ses propriétés d’amortissement.
Avantageusement, la ou les masses additionnelles 29, 29A, 29B sont constituées d’un matériau amortissant pour atténuer les vibrations, tel qu’un élastomère.