Procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs (1, 2) comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - le placement, sur un premier substrat support (3), d’au moins deux pavés (P1, P2), chaque pavé présentant une épaisseur initiale supérieure ou égale à 100 µm, de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur (1) comprenant les au moins deux pavés, - le collage dudit premier pseudo-substrat donneur (1) sur un second substrat support (4) par l’intermédiaire des pavés (P1, P2), - la séparation des pavés en deux portions (P’1, P’2, P’’1, P’’2) d’une première (e1) et d’une seconde (e2) épaisseur de sorte à conserver une première portion (P’1, P’2) desdits pavés présentant la première épaisseur (e1) sur le premier pseudo-substrat donneur et à transférer une seconde portion (P’’1, P’’2) des pavés présentant la seconde épaisseur (e2) sur le second substrat support (4) pour former un deuxième pseudo-substrat donneur (2), la seconde épaisseur (e2) étant comprise entre 20 % et 80 % de l’épaisseur initiale des pavés du premier substrat pseudo-donneur. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la découpe des au moins deux pavés (P1, P2) dans un substrat donneur (5), sur toute l’épaisseur dudit substrat donneur, de sorte que les au moins deux pavés présentent une épaisseur égale à l’épaisseur du substrat donneur dans lequel ils ont été découpés. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le substrat donneur (5) présente un diamètre inférieur aux diamètres du premier substrat support (3) et du deuxième substrat support (4). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la séparation des pavés (P1, P2) est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame ou par découpe laser. Procédé selon la revendication 1, comprenant préalablement au placement des au moins deux pavés (P1, P2) sur le premier substrat support (3) : - le collage d’un premier substrat donneur (18) sur un deuxième substrat donneur (19) de même diamètre que le premier substrat donneur par l’intermédiaire d’une couche de collage (20), de sorte à former un substrat donneur épais (15), - la découpe des au moins deux pavés (P1, P2) dans le substrat donneur épais (15), de sorte que l’épaisseur initiale de chacun desdits pavés est égale à l’épaisseur du substrat épais. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le premier substrat donneur (18) et le deuxième substrat donneur (19) présentent un diamètre inférieur aux diamètres du premier substrat support (3) et du deuxième substrat support (4). Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel la séparation des au moins deux pavés (P1, P2) comprend une attaque sélective de la couche de collage (20). Procédé selon la revendication 7, dans lequel la séparation des pavés par attaque sélective de la couche de collage est mise en œuvre par laser, par découpe mécanique assistée par une lame, et/ou assistée par traitement chimique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel les au moins deux pavés sont placés successivement sur le premier substrat support à l’aide d’un robot. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le premier substrat support présente le même diamètre que le deuxième substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le premier substrat support comprend le même matériau que le deuxième substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le premier substrat support et/ou le deuxième substrat support comprend du silicium, du verre, du saphir et/ou du SiC polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel chaque pavé (P1, P2) comprend : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d’indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d’indium (InA), l’arsénure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d’indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-X NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxyde de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, comprenant en outre : - le collage du premier pseudo-substrat donneur (1), respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur (2), sur un troisième substrat support (6), par l’intermédiaire des pavés (P’1, P’2, P’’1, P’’2) du premier pseudo-substrat donneur, respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur, - la séparation des pavés en deux portions d’une troisième (e3) et d’une quatrième (e4) épaisseur de sorte à conserver une première portion desdits pavés présentant la troisième épaisseur (e3) sur le premier pseudo-substrat donneur (1), respectivement sur le deuxième pseudo-substrat donneur, et à transférer une deuxième portion des pavés présentant la quatrième épaisseur (e4) sur le troisième substrat support (6) pour former un troisième pseudo-substrat donneur (7). Procédé selon la revendication 14, dans lequel la quatrième épaisseur (e4) de la deuxième portion de pavés est comprise entre 20 % et 80 % de la première épaisseur (e1), respectivement de la deuxième épaisseur (e2). Procédé selon l’une des revendications 14 ou 15, dans lequel la séparation des pavés en les deux portions des troisième (e3) et quatrième (e4) épaisseurs est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame ou par découpe laser. Procédé de transfert de pavés d’un substrat dit pseudo-substrat donneur vers un substrat receveur comprenant : - la formation d’un pseudo-substrat donneur (1) selon l’une des revendications 1 à 16, - la formation d’une zone de fragilisation (101) par implantation d’espèces atomiques dans chaque pavé (P1, P2) du pseudo-substrat donneur pour définir une portion (C1, C2) à transférer - le collage du pseudo-substrat donneur (1) sur un substrat receveur (102), - le transfert d’une portion (C1, C2) des pavés du pseudo-substrat donneur (1) sur le substrat receveur (102) par détachement de chaque pavé (P1, P2) le long de la zone de fragilisation (101). Procédé selon la revendication 17, dans lequel la portion (C1, C2) transférée de chaque pavé du pseudo-substrat donneur présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 17 ou 18, dans lequel le substrat receveur (102) comprend du silicium, du verre, du saphir, du SiC, ou de l’AlN.