Procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur comprenant une première zone semi-conductrice (100A) optimisée pour la conduction par électrons et une deuxième zone semi-conductrice (100B) optimisée pour la conduction par trous, le procédé comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) une structure multicouche (10) comprenant : un substrat (11) ; et une couche de silicium-germanium (12) disposée sur le substrat (11) ; définir (S2) dans la structure multicouche (10) une première région (10A) destinée à contenir la première zone semi-conductrice (100A) et une deuxième région (10B) destinée à contenir la deuxième zone semi-conductrice (100B) ; soumettre (S4’) la structure multicouche (10) à un recuit laser de manière à modifier une portion (110A) de la structure multicouche située dans la première région (10A), ladite portion (110A) comprenant avant le recuit laser une partie de la couche de silicium-germanium (12), ladite portion comprenant après le recuit laser une partie appauvrie en germanium (111) et une partie enrichie en germanium (112) disposée sur la partie appauvrie en germanium (111) ; graver (S5’) la partie enrichie en germanium (112) de manière à exposer la partie appauvrie en germanium (111). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de silicium-germanium (12) présente avant le recuit laser une concentration en germanium supérieure ou égale à 30 %. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la structure multicouches (10) comprend en outre une couche de protection (13) disposée sur la couche de silicium-germanium (12) et dans lequel ladite portion s’étend avant le recuit laser jusqu’à la couche de protection (13), le procédé comprenant en outre une étape (S5’) de retrait de la couche de protection (13) dans la première région (10A) de la structure multicouche (10) avant l’étape de gravure de la partie enrichie en germanium (112). Procédé selon la revendication 3, dans lequel la structure multicouche (10) comprend en outre une couche de réflexion laser (14) disposée sur la couche de protection (13), le procédé comprenant en outre, avant le recuit laser, une étape (S3’) de gravure d’une portion de la couche de réflexion laser (14) située dans la première région (10A) de la structure multicouche (10). Procédé selon la revendication 4, comprenant en outre, après l’étape (S5’) de gravure de la partie enrichie en germanium (112), les étapes suivantes : structurer (S6) la partie appauvrie en germanium (111) de manière à former une pluralité de premières ailettes (111A) dans la première région (10A) de la structure multicouche (10) ; retirer (S6’) la couche de réflexion laser (14) et la couche de protection (13) située dans la deuxième région (10B) de la structure multicouche (10) ; structurer (S6’) la couche de silicium-germanium (12) de manière à former une pluralité de deuxièmes ailettes (121B) dans la deuxième région (10B) de la structure multicouche (10). Procédé selon l’une des revendications 4 et 5, dans lequel l’étape (S2) de définition des première et deuxième régions (10A-10B) de la structure multicouche (10) est accomplie après l’étape (S1) de fourniture de la structure multicouche et comprend les sous-étapes suivantes : graver une tranchée (15) dans la structure multicouche (10), la tranchée (15) s’étendant à travers la couche de réflexion laser (14), la couche de protection (13) et la couche de silicium-germanium (12) jusqu’au substrat (11) ; et remplir la tranchée (15) d’un matériau électriquement isolant sur au moins toute l’épaisseur de la couche de silicium-germanium (12). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : la couche de silicium-germanium (12) comprend une pluralité d’ailettes (121) réparties entre les première et deuxième régions (10A-10B) de la structure multicouche (10) ; la structure multicouche (10) comprend en outre des tranchées d’isolation électrique (16’) séparant les ailettes (121) entre elles ; et la structure multicouche (10) est soumise au recuit laser de manière à modifier plusieurs portions de la structure multicouche situées dans la première région (10A) et plusieurs portions de la structure multicouche situées dans la deuxième région (10B), chaque portion comprenant avant le recuit laser une partie au moins d’une ailette (121). Procédé selon la revendication 7 en dépendance de la revendication 3, dans lequel l’étape (S1) de fourniture de la structure multicouche (10) comprend les opérations suivantes : déposer la couche de silicium-germanium (12) sur le substrat (11) ; graver la couche de silicium-germanium (12) de manière à former la pluralité d’ailettes (121) ; former les tranchées d’isolation électrique (16’) entre les ailettes (121) ; et déposer la couche de protection (13) sur la couche de silicium-germanium (12). Procédé selon la revendication 8, dans lequel la couche de protection (13) et les tranchées d’isolation électrique (16’) sont formées d’un même matériau électriquement isolant. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le recuit laser est accompli en exposant la structure multicouche (10) à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm et une densité d’énergie comprise entre 0,1 J/cm 2 et 10 J/cm 2 pendant une durée comprise entre 10 ns et 1000 ns. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre une étape (S7) de formation d’un transistor à effet de champ à canal N (80A), dit transistor nFET, dans la première région (10A) de la structure multicouche (10) et une étape (S7’) de formation d’un transistor à effet de champ à canal P (80A), dit transistor pFET, dans la deuxième région (10B) de la structure multicouche (10).