INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
L’utilisation des zéolithes de type structural AFX pour les applications NH 3 -SCR est connue, mais peu de travaux évaluent l’efficacité de catalyseurs mettant en œuvre cette zéolithe.
Fickel et al. (Fickel, D. W., & Lobo, R. F. (2009), The Journal of Physical Chemistry C, 114 (3), 1633-1640) ont étudié l’utilisation d’une SSZ-16 (type structural AFX) échangée au cuivre pour l’élimination des NOx. Cette zéolithe est synthétisée conformément au brevet US 5,194,235, dans lequel le cuivre est introduit par échange en utilisant du sulfate de cuivre(II) à 80°C pendant 1h. Des résultats récents (Fickel, D. W., D’Addio, E., Lauterbach, J. A., & Lobo, R. F. (2011), 102(3), 441-448) montrent une excellente conversion et une bonne tenue hydrothermale pour un chargement à 3,78% poids en cuivre.
- une couche de polymère polycétone réalisée par moulage par injection.
Selon une variante de réalisation, ces couches sont disposées dans cet ordre, depuis la couche extérieure vers la couche intérieure :
- une couche extérieure composée de polyoléfine, de polyéthylène recyclé PCR le cas échéant contenant un ou plusieurs colorant ou pigment,
- le cas échéant une couche adhésive, notamment composée d’un dérivé d’éthylène, et
- une couche intérieure de polymère polycétone réalisée par moulage par injection.
Pour déterminer la nature des couches composant un réceptacle conforme à l’invention, on peut utiliser des méthodes d’identification par spectre infra-rouge et/ou par analyse thermique DSC (calorimétrie différentielle à balayage, en anglais « Differential Scanning Calorimetry » d’où le sigle DSC).
La méthode d’identification par spectre infrarouge consiste à choisir l’une des techniques d’échantillonnage connues, principalement par solubilisation, avec comme solvant du toluène ou de l’éthylène glycol, puis à faire un balayage des longueurs d’ondes de 4000 à 600 cm -1 . On recherche les bandes d’absorption caractéristiques des polymères.
Pour la méthode d’identification par DSC, on utilise une méthode classique d’identification des thermoplastiques par DSC avec la plage de températures balayée suivante : 50 °C à 250 °C. On détermine la température du pic de fusion.
Procédé de fabrication d ’ un réceptacle selon l ’ invention
L’invention a encore pour objet, en combinaison avec ce qui précède, un procédé de fabrication d’un réceptacle (1) tel que défini plus haut comportant au moins l’étape consistant à injecter à l’état fondu au moins du polymère polycétone dans un moule dédié à former le corps (1) dudit réceptacle.
Un mode de réalisation de ce procédé est notamment détaillé ci-après.
L’invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, en combinaison avec ce qui précède, un réceptacle (1) selon l’invention dont le système d’obturation se présente sous la forme d’un opercule à détacher au premier usage et le cas échéant, combiné à un couvercle de fermeture du corps (10) amovible.
Bien entendu, l’invention n’est pas limitée à un réceptacle de forme particulière, ni à une manière particulière de fermer celui-ci.
On peut donner au réceptacle une forme de pot différente, par exemple plus allongée ou aplatie, avec un fond arrondi ou plat, par exemple une forme de doigt de gant ou de coupelle.
Le réceptacle peut ainsi se présenter sous une autre forme qu’un pot, par exemple sous forme de flacon ou poche, et être fermé autrement qu’au moyen d’un opercule, par exemple à l’aide d’un couvercle, lequel peut être agencé pour se fixer sur le réceptacle directement ou indirectement, par exemple par vissage, encliquetage ou friction.
La contenance du réceptacle peut aller par exemple de 5 à 1 000 ml, mieux de 10 à 100 ml.
Un procédé de recyclage de manganèse et de fluor à partir d'une solution de sel de manganèse a été fourni, qui était différent de celui de l'Exemple 1 en ce sens que l'agent d'extraction BC196 a été remplacé par une quantité équivalente d'agent d'extraction C272, comprenant les étapes spécifiques suivantes.
(1) Un agent d'extraction C272, un co-extracteur de phosphate de trioctyle et un diluant Escaid110 ont été préparés dans une phase organique pour extraction selon un rapport volumique de 20%: 5%: 75 %.
(2) La phase organique pour une extraction préparée à l'étape (1) a été saponifiée avec une solution d'hydroxyde de sodium présentant une concentration de 10 moles/L et un degré de saponification de 40 %.
(3) Une valeur de pH d'une solution de lixiviation de sulfate de manganèse contenant du fluor et du sodium a été ajustée à 6,0, une extraction à contre-courant en quatre étapes a été effectuée selon un rapport volumique de la solution de lixiviation de sulfate de manganèse contenant du fluor et du sodium (fluor : 2,6 g/l, manganèse : 30 g/l, sodium : 25 g/l, et fer et aluminium : 0,004 g/l) à la phase organique pour une extraction après avoir été soumis à la saponification de 1: 3, et la solution extraite a été laissée au repos pendant 5 minutes, puis soumise à une séparation de phase pour séparer une phase organique supérieure d'une phase aqueuse inférieure (raffinat), de manière à obtenir une phase organique chargée.
(4) Un lavage à contre-courant en trois étapes a été effectué avec de l'eau pure comme liquide de lavage selon un rapport volumique du liquide de lavage à la phase organique chargée de 1: 20, de manière à obtenir une phase organique lavée.
(5) Une extraction inverse à contre-courant en trois étapes a été réalisée avec une solution d'acide sulfurique présentant une concentration de 2,0 moles/L selon un rapport volumique de la solution d'acide sulfurique à la phase organique lavée de 1: 20, et une solution de sulfate de manganèse de qualité batterie a été obtenue après enrichissement cyclique.
(6) Une extraction inverse à contre-courant en deux étapes a été réalisée avec une solution d'hydroxyde de sodium présentant une concentration de 1 mole/L selon un rapport volumique de la solution d'hydroxyde de sodium à la phase organique chargée après avoir été soumise à une extraction inverse de première étape au moyen de l'acide de 1: 20, et une solution de fluorure de sodium a été obtenue après enrichissement cyclique.
Un procédé de recyclage du manganèse et du fluor à partir d'une solution de sel de manganèse a été fourni, qui était différent de celui de l'exemple 1 en ce sens que le phosphate de trioctyle n'a pas été ajouté dans la phase organique pour une extraction, comprenant les étapes spécifiques suivantes.
(1) Un agent d'extraction BC196 et un diluant Escaid110 ont été préparés dans une phase organique pour une extraction selon un rapport volumique de 20%: 80 %.
Les teneurs des éléments principaux dans les solutions de lixiviation de sulfate de manganèse contenant du fluor et du sodium, les solutions de sulfate de manganèse de qualité batterie et les solutions de fluorure de sodium dans les exemples 1 à 3 et les exemples comparatifs 1 à 2 ont été détectées, et les résultats ont été présentés dans le tableau 1.
L'invention concerne également la composition selon l'invention, qui est lyophilisée ou desséchée ou déshydratée, dans laquelle le pourcentage en masse de cryoprotecteur est préférentiellement supérieur au pourcentage en masse d'enrobage dans la composition lyophilisée ou desséchée ou déshydratée, dans laquelle la composition lyophilisée ou desséchée ou déshydratée est préférentiellement plus stable que la composition non lyophilisée ou non desséchée ou non déshydratée.
L'invention concerne également la composition, où le pourcentage en masse du cryoprotecteur est compris entre 0,5 et 50%.
Dans certains cas, le pourcentage en masse d'une substance comprise dans la composition, par exemple le cryoprotecteur, le noyau nanoparticulaire, le revêtement nanoparticulaire, la chaîne, le liquide ou l'eau, est égal ou proportionnel à la masse de cette substance divisée par la masse de toutes les substances comprises dans la composition.
Dans certains cas, le pourcentage en masse du cryoprotecteur, du revêtement de nanoparticules, du cœur de nanoparticules, d'au moins une chaîne, d'un liquide ou d'eau, dans la composition est supérieur à 10-5 , 10-3 , 10-1 , 0, 1, 5, 10, 25, 50, 75, 90 ou 99%.
Dans certains autres cas, le pourcentage en masse de l'agent cryoprotecteur, de l'enrobage de nanoparticules, du noyau de nanoparticules, d'au moins une chaîne, d'un liquide ou d'eau, dans la composition est inférieur à 100, 75, 50, 25, 10, 5, 2, 1, 0, 10-3 ou 10-5 %.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage en masse de cryoprotecteur dans la composition selon l'invention est supérieur au pourcentage en masse de revêtement de nanoparticules, de cœur de nanoparticules, d'au moins une chaîne, de liquide et/ou d'eau, dans la composition.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le pourcentage en masse de cryoprotecteur dans la composition selon l'invention est inférieur au pourcentage en masse de revêtement de nanoparticules, de cœur de nanoparticules, d'au moins une chaîne, de liquide et/ou d'eau, dans la composition.
L'invention concerne également la composition selon l'invention, dans laquelle le cœur de la nanoparticule comprend un premier centre de production ou de capture de radicaux libres C 1 FRPC , où C 1FRPC est préférentiellement choisi dans le groupe constitué par : i) un autre métal que le fer, comme le zinc ou l'aluminium, et ii) un autre oxyde métallique que l'oxyde de fer, tel que l'oxyde de zinc ou l'oxyde d'aluminium.
Dans certains cas, C 1FRPC peut comprendre au moins un atome qui est lié préférentiellement à au moins un atome d'oxygène ou de fer du noyau par l'intermédiaire d'au moins une liaison métallique.
L'invention concerne également la composition selon l'invention, dans laquelle le revêtement comprend un second centre de production ou de capture de radicaux libres C 2 FRPC .
L'invention concerne également la composition selon l'invention, dans laquelle C 2FRPC est lié à au moins un atome du revêtement, préférentiellement par au moins une liaison covalente.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le centre de production ou de capture de radicaux libres est au moins un atome, une molécule, une fonction chimique, ionisée ou non, chargée ou non, qui produit ou capture au moins un radical libre.
Dans un mode de réalisation de l'invention, un radical libre est au moins un atome, une molécule, un ion ou une fonction chimique qui a : i) au moins un électron de valence non apparié, ii) une capacité à se dimériser, iii) une courte durée de vie, et/ou iv) deux électrons non appariés.
Dans un mode de réalisation de l'invention, un radical libre est au moins un atome, une molécule, un ion ou une fonction chimique qui est : i) une espèce chimiquement réactive, ii) un radical hydroxyle (HO-), iii) un oxygène triplet, iv) un carbène triplet, et/ou v) (꞉CH2).
Dans un mode de réalisation de l'invention, les radicaux sont générés ou produits lorsque la composition est excitée d'au moins une des manières suivantes : i) en étant exposée à des réactions d'oxydoréduction, ii) en étant soumise à un rayonnement, de préférence un rayonnement ionisant ou électromagnétique, iii) en étant chauffée, iv) en étant exposée à des décharges électriques, v) en subissant une électrolyse, vi) en étant exposée à une variation de pH.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le centre de production de radicaux libres est au moins un atome, une molécule, une fonction chimique, ionisée ou non, chargée ou non, qui produit au moins un radical libre, préférentiellement de telle sorte que la quantité ou la concentration de radicaux libres présents lorsque la composition comprend le centre de production de radicaux libres est plus importante que la quantité ou la concentration de radicaux libres présents lorsque la composition ne comprend pas le centre de production de radicaux libres, où la comparaison est effectuée de préférence en utilisant les mêmes conditions ou des conditions d'excitation similaires pour la composition comprenant le centre de production de radicaux libres que pour la composition ne comprenant pas le centre de production de radicaux libres.
Des étapes ultérieures peuvent ensuite être mises en oeuvre pour reprendre un contact électrique individuel ou commun sur la couche semiconductrice supérieure 103a de l’empilement actif 103 de chaque LED L et de chaque photodiode P. Par exemple, une couche d’un matériau électriquement conducteur transparent, par exemple un oxyde conducteur transparent, par exemple de l’oxyde d’indium-étain (ITO) est déposée sur et en contact avec la face supérieure de la structure de la . Ces étapes n’ont pas été détaillées et sont à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description.
De façon similaire à ce qui a été décrit précédemment, le circuit de contrôle peut optionnellement être configuré pour piloter les LED et les photodiodes avec des densités de porteur adaptées à réduire le décalage entre le pic d’émission des LED et le pic d’absorption des photodiodes.
Selon un aspect d’un troisième deuxième mode de réalisation, on prévoit de former des plots de support SP et SL de façon similaire à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec les figures 2A à 2F, mais de porosifier sélectivement la couche 210b des plots de support seulement après l’étape d’épitaxie commune au cours de laquelle sont formés simultanément les empilements actifs 103 des LED L et des photodiodes P. Dans ce troisième mode de réalisation, la couche 210b est rendu poreuse à l’aplomb des LED L et est conservée intacte (non poreuse) à l’aplomb des photodiodes P. Ceci conduit à relaxer au moins partiellement les contraintes mécaniques dans l’empilement actif des LED L sans appliquer cette relaxation dans les photodiodes P. Il en résulte une diminution du champ électrique interne dans l’empilement actif de LED par rapport au champ électrique interne dans l’empilement actif de photodiode. Cette diminution du champ électrique interne dans l’empilement actif de LED conduit à décaler vers le bas le pic d’émission de la LED. Là encore, ceci permet de compenser au moins partiellement le décalage de Stokes entre le pic d’émission et le pic d’absorption de l’empilement actif. Ainsi, le pic d’émission de la LED se rapproche du pic d’absorption de la photodiode, ce qui améliore l’efficacité du système.
Les figures 3A à 3E sont des vues en coupe illustrant schématiquement des étapes d’un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon le troisième mode de réalisation.
La illustre une structure comportant un empilement semiconducteur de support 210 sur une face d’un substrat de support 101. L’empilement de support 210 et le substrat de support 101 sont par exemple identique ou similaire à ce qui a été décrit précédemment en relation avec la .
La illustre en outre une étape de formation d’un empilement actif 103 de LED et de photodiode sur la face supérieure de l’empilement semiconducteur de support 210. L’empilement actif 103 est par exemple identique ou similaire à ce qui a été décrit précédemment, notamment en relation avec la . Les couches 103a, 103b et 103c sont par exemple formées successivement par épitaxie à partir de la face supérieure de l’empilement de support 210. A titre d’exemple, la couche semiconductrice inférieure 103a de l’empilement actif 103 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche 210c.
A ce stade, les couches de l’empilement de support 210 et les couches de l’empilement actif 103 s’étendent chacune de façon continue et avec une épaisseur uniforme sur toute la surface du substrat de support 101.
La illustre une étape de formation de tranchées 320 dans l’empilement actif 103 et dans l'empilement de support 210, depuis la face supérieure de l’empilement actif 103, par exemple par lithographie puis gravure, de façon à définir dans l’empilement 210 une pluralité de plots de support SL et SP en forme d’îlots ou mésas, chaque plot de support SL étant revêtu, sur sa face supérieure, par une portion de l’empilement actif 103 définissant une LED L du dispositif, et chaque plot de support SP étant revêtu, sur sa face supérieure, par une portion de l’empilement actif 103 définissant une photodiode P du dispositif.
Dans l’exemple représenté, les tranchées 320 s'étendent verticalement depuis la face supérieure de l’empilement actif 103, traversent entièrement les couches 103c, 103b, 103a, 210c et 210b, et débouchent dans la couche 210a sans la traverser entièrement. A titre de variante, les tranchées 220 traversent entièrement la couche 210.
Les tranchées 320 forment par exemple, en vue de dessus, une grille ou un quadrillage séparant latéralement les LED L et les photodiodes P et les plots de support SL et SP.
Les LED L et les photodiodes P, et les plots de support SP et SL sous-jacents, ont par exemple tous les mêmes dimensions latérales, par exemple comprises entre 1 µ et 25 µm, par exemple entre 2 et 8 µm. A titre d’exemple, les LED L et les photodiodes P et les plots de support SP et SL ont, en vue de dessus, une forme carrée ou rectangulaire. Plus généralement, les LED L et les photodiodes P peuvent avoir une forme quelconque, par exemple ronde ou hexagonale.
A ce stade, dans chaque plot de support SL et SP, les flancs de la couche semiconductrice dopée 210b de l’empilement de support sont exposés.
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de porosification sélective de la couche 210b, localisée uniquement dans les plots de support SL des LED L du dispositif. Cette étape est similaire à ce qui a été décrit précédemment en relation avec la , à la différence que, dans l’exemple de la , la couche 210b des plots de support SL est rendu poreuse, tandis que la couche 210b des plots de support SP reste intacte (non poreuse).
Pour cela, pendant l’étape d’électroporosification, les flancs des plots de support SP peuvent être protégés du contact avec l’électrolyte par une couche de protection (non visible sur la figure), les flancs des plots de support SL étant en revanche en contact avec l’électrolyte.
Dans l’exemple de la , la tension de polarisation permettant de faire circuler un courant dans la couche 210b est par exemple appliquée entre une première électrode (non visible sur la figure) connectée à la couche 210a et l’électrolyte (non visible sur la figure) connecté par la tranche à la couche 103c.
Du fait de la porosification de la couche 210b dans les plots de support SL, on obtient une relaxation mécanique plus importante dans l’empilement actif des LED L que dans l’empilement actif des photodiodes P. Ceci conduit à décaler le pic d’émission des LED vers le bas, et ainsi à le rapprocher du pic d’absorption des photodiodes P.
● R’ 2 et R’ 3 , identiques ou différents, de préférence identiques, sont choisis parmi :
- un groupe (C 1 -C 6 )alcoxy, en particulier en C 1 -C 4 ;
- un radical (C 1 -C 6 )alkyle ;
● R 5 représente un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle en C 1 -C 4 éventuellement substitué par un groupe amino, thiol ou hydroxy ;
● R 4 représente un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle en C 1 -C 4 en particulier méthyle ; ● L 2 représente un groupe divalent hydrocarboné, linéaire ou ramifié saturé en C 1 -C 20 , éventuellement interrompu par un hétéroatome tel que –N(H)-, et/ou éventuellement substitué par un ou plusieurs groupes hydroxy, thiol ou amino.
De préférence, le ou les alcoxysilanes thiolés sont choisis parmi le 4-(triméthoxysilyl)-1-butanol, le 3-(triméthoxysilyl)-1-propanol, le 3-(triéthoxysilyl)-1-propanol, le 11-(triméthoxysilyl)-1-undécanethiol, le 4-(triméthoxysilyl)-2-butanethiol, le 2-(triéthoxysilyl)-éthanethiol, le 3-(triéthoxysilyl)-1-propanethiol, le 2-(triméthoxysilyl)-éthanethiol, le 3-(triméthoxysilyl)-1-propanethiol et le 3-(diméthoxyméthylsilyl)-1-propanethiol.
Plus préférentiellement, le ou les alcoxysilanes thiolés sont choisis parmi le 2-(triéthoxysilyl)-éthanethiol (18236-15-2) et le 3-(triéthoxysilyl)-1-propanethiol (14814-09-6).
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention le ou les composés (poly)thiolé sont choisis parmi les composés (poly)thiolé polymériques.
Les composés (poly)thiolé polymériques peuvent être des homopolymères, copolymères, étoile, combe, brosse et dendritiques à motifs hydroxy et/ou thiols. Les polymères peuvent être d’origine naturelle tels que les polysaccharides, les polypeptides, ou synthétique tels que les acryliques, les polyesters, les polyglycols. Les motifs thiols peuvent être présents en tant que groupements terminaux ou pendants.
On peut citer comme exemple les polymères décrits dans les articles scientifiques suivants : Polymers containing groups of biological activity, CG Overberger et al, Polytechnic Institute of Brooklyn ,
http://pac.iupac.org/publications/pac/pdf/1962/pdf/0402x0521.pdf ; EP 1 247 515 A2 ; U.S. 3,676,440 ; et EP 1 572 778.
Les composés (poly)thiolé polymériques de l’invention sont de préférence organiques et/ou siliconés, plus préférentiellement de formule (X) : POLY(SH) q (X)
Formule (X) dans laquelle :
● q est supérieure ou égal à 2, de préférence supérieur ou égal à 3 ;
En effet, il a été mis en évidence que les compositions utilisées dans le cadre de l’invention permettaient de créer un film protecteur, à la surface des végétaux, empêchant le contact et la pénétration des différents pathogènes. Par ailleurs, ce film protecteur présente des propriétés abrasives qui provoquent un effet répulsif.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite zéolite est en solution aqueuse.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite solution aqueuse est une infusion d’écorce de saule dans de l’eau.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite zéolite est pulvérisé sur les feuilles desdits végétaux.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, lesdits végétaux sont choisies dans le groupe constitué de la vigne, le blé, l’orge, le colza, des arbres à fruits et la betterave sucrière.
Description détaillée de l’invention L’utilisation selon l’invention peut être mise en œuvre sur tout type de végétaux et plus particulièrement sur les vignes et les betteraves.
Dans le cadre de l’utilisation selon l’invention, la zéolite et préférentiellement la clinoptilolite sont avantageusement formulée sous forme de concentré ou de solutions prêtes à l’emploi.
Dans le cadre de la présente invention, le terme « formulation concentrée » fait référence à une composition destinée à produire, après dilution, une composition utilisable dans l’utilisation selon l’invention.
La présente invention concerne également une formulation concentrée de zéolite pour la préparation d’une solution prête à l’emploi pour utilisation pour la prévention ou le traitement des pathologies des végétaux.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite formulation concentrée est destinée à être diluée entre 100 et 1500 fois et encore plus préférentiellement entre 300 et 1000 fois avant utilisation.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite zéolite est à une concentration comprise entre 200 et 700 g/L, encore plus préférentiellement entre 250 et 600 g/L dans la formulation concentrée.
Selon un mode de réalisation encore plus préféré de l’invention, ladite zéolite est à une concentration comprise entre 250 et 350 g/L et encore plus préférentiellement entre 280 et 300 g/L dans la formulation concentrée.
Selon un autre mode de réalisation encore plus préféré de l’invention, ladite zéolite est à une concentration comprise entre 500 et 700 g/L et encore plus préférentiellement entre 560 et 600 g/L dans la formulation concentrée.
Selon un mode de réalisation préféré de l’invention, ladite infusion d’écorce de sauge est à une concentration comprise entre 50 et 200 g/L et encore plus préférentiellement entre 100 et 140 g/L de formulation concentrée.
Selon un mode de réalisation encore plus préféré de l’invention, ladite infusion d’écorce de saule est obtenue par infusion de 4 à 10g/L, encore plus préférentiellement 6 à 8g/L et tout à fait préférentiellement entre 6 à 7 g/L d’écorce de saule dans de l’eau.
La formulation (ou composition) comprenant la zéolite, pour utilisation selon l’invention, peut comprendre en outre des agents supplémentaires tels que des solvant, anti-gel, dispersant, anti-mousse, épaississant et/ou conservateur.