INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le procédé mis en œuvre par le système invoque ainsi une fonction d’encapsulation d’un mécanisme d’encapsulation de clé plutôt qu’une fonction de vérification de signature cryptographique pour l’authentification du dispositif électronique.
Le procédé comprend alors une étape d’envoi au dispositif électronique de la donnée d’authentification (étape E510) pendant laquelle le système 20 envoie au dispositif électronique 10 la donnée d’authentification, typiquement en utilisant son bloc de communication 12.
Le procédé comprend alors une étape de réception de la donnée d’authentification (étape E520), pendant laquelle le dispositif électronique 10 reçoit en provenance du système 20 la donnée d’authentification, typiquement en utilisant son bloc de communication 2.
Le procédé comprend alors une étape de calcul d’un deuxième résultat d’authentification (étape E530) pendant laquelle le dispositif électronique 10 calcule un deuxième résultat d’authentification en fonction de la donnée d’authentification et de la clé privée. Le dispositif électronique 10 calcul le deuxième résultat d’authentification en utilisant un secret partagé obtenu par application à la clé privée et à la donnée d’authentification, d’une fonction de désencapsulation du mécanisme d’encapsulation de clé.
Des exemples de fonctions de désencapsulation de mécanisme d’encapsulation sont décrits dans les références citées ci-avant pour les exemples de la clé privée et de la clé publique. Typiquement, si la clé privée et la clé publique sont des clés RSA-KEM telles que décrites dans le document RFC 5990: Use of the RSA-KEM Key Transport Algorithm in the Cryptographic Message Syntax (CMS), par Randall & al., daté de septembre 2010, https://www.rfc-editor.org/rfc/rfc5990.html#appendix-A , la fonction de désencapsulation du mécanisme d’encapsulation est telle que décrite dans ce document.
Selon une première possibilité, le calcul du deuxième résultat d’authentification comprend le calcul du secret partagé par application à la clé privée et à la donnée d’authentification, d’une fonction de désencapsulation du mécanisme d’encapsulation de clé, puis l’obtention d’une clé dérivée à partir du secret partagé, puis le chiffrement avec la clé dérivée d’une donnée d’entrée, le deuxième résultat d’authentification étant le résultat dudit chiffrement.
La clé dérivée peut être obtenue par application d’une fonction de dérivation de clé de l’état de l’art, au secret partagé ou au résultat d’une concaténation du secret partagé et du challenge d’authentification.
Selon un autre exemple, la clé dérivée est le secret partagé.
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux de l’invention, la chambre de combustion et son système d’alimentation sont situés à l’arrière du compresseur haute pression. Un tel mode de réalisation permet de réduire encore les risques d’explosion dans la turbomachine et/ou l’aéronef.
En effet, selon ce mode, le système d’alimentation en gaz combustible est situé en dehors de la zone d’éclatement du disque de compresseur. En cas d’éclatement d’un tel disque, le risque d’endommager le système d’alimentation en gaz combustible de la chambre de combustion est limité. Le risque de fuite du gaz combustible est donc fortement réduit.
- la chambre de combustion comprend une enceinte annulaire située au moins en partie radialement à l’extérieur du compresseur haute pression et un fond de chambre dans lequel est ménagé au moins un port d’injection de gaz combustible, ce port d’injection débouchant dans l’enceinte annulaire et étant relié au système d’alimentation,
- le fond de chambre est situé à une extrémité arrière de la chambre de combustion,
- la chambre de combustion comprend une enceinte annulaire située à l’arrière du compresseur haute pression et un fond de chambre dans lequel est ménagé au moins un port d’injection de gaz combustible, ce port d’injection débouchant dans l’enceinte annulaire et étant relié au système d’alimentation,
- un premier circuit d’écoulement d’un flux d’air primaire de l’avant vers l’arrière dans les compresseurs basse pression et haute pression jusqu’à la chambre de combustion,
- un second circuit d’écoulement des gaz issus de la chambre de combustion de l’arrière vers l’avant dans la turbine haute pression et la turbine basse pression,
- un carter basse pression agencé axialement entre le compresseur basse pression et la turbine basse pression, ce carter basse pression comportant une virole externe, une virole interne et des première et seconde viroles intermédiaires agencées radialement entre les viroles interne et externe, les viroles externe, interne et intermédiaires étant annulaires et centrées sur l’axe longitudinal, la virole externe et la seconde virole intermédiaire délimitant une portion de la veine secondaire, les première et seconde viroles intermédiaires délimitant une portion du premier circuit d’écoulement du flux d’air primaire,
- le carter basse pression comprend des premières ailettes agencées entre la virole externe et la seconde virole intermédiaire, les premières ailettes étant configurées pour rediriger les gaz issus de la turbine basse pression dans la veine secondaire,
- un carter haute pression agencé axialement entre la turbine haute pression et le compresseur haute pression, ce carter haute pression comportant des premiers conduits longitudinaux d’écoulement du flux d’air primaire et des seconds conduits longitudinaux d’écoulement des gaz issus de la chambre de combustion, les premier et second conduits étant enchevêtrés de sorte que le flux d’air primaire et les gaz se croisent suivant deux directions différentes,
- les premier conduits sont régulièrement réparties autour de l’axe longitudinal et séparés par des premières lumières et les seconds conduits sont régulièrement réparties autour de l’axe longitudinal et séparés par des secondes lumières, les premiers conduits traversant les secondes lumières et les seconds conduits traversant les premières lumières,
- le compresseur basse pression est relié à la turbine basse pression par un arbre basse pression, et au moins un palier avant est agencé radialement entre cet arbre basse pression et le carter basse pression,
- la turbine haute pression est reliée au compresseur haute pression par un arbre haute pression, et au moins un palier arrière est agencé radialement entre l’arbre haute pression et le carter haute pression,
- une soufflante agencée à l’avant du compresseur basse pression et optionnellement un carter de soufflante agencé autour de la soufflante.
Les deux régions dopées supérieures 11 sont disposées dans le plan XY de part et d’autre de la zone centrale Zc, et à proximité de celle-ci. Ainsi, les électrodes de collection C1 et C2 sont situées à proximité de la zone centrale Zc, alors que les électrodes de modulation M1 et M2 en sont éloignées. Plus généralement, les électrodes des régions dopées supérieures 11 sont situées à proximité de la zone centrale Zc, alors que les électrodes des régions dopées inférieures 12 sont éloignées de la zone centrale Zc.
Notons que les régions dopées supérieures 11 sont ici réalisées par implantation ionique localisée dans la portion de détection 10 à partir de la face supérieure F1. En variante, elles peuvent être réalisées par dopage à la croissance lors d’une reprise d’épitaxie dans des échancrures formées à partir de la face supérieure F1 de la portion de détection 10.
Les régions dopées inférieures 12 sont ici des régions dopées de type p, de préférence dopées p+. Elles sont adaptées à générer et à moduler le courant de dérive via le potentiel électrique qui leur est imposé par les électrodes de modulation M1 et M2. Elles sont ici dopées p+, et présentent par exemple un dopage compris entre 10 18 et 10 20 at/cm 3 environ, de préférence de 10 19 at/cm 3 .
Les régions dopées inférieures 12 sont situées à distance suivant l’axe vertical Z des régions dopées supérieures 11. Autrement dit, les régions dopées supérieures 11 sont situées au-dessus suivant l’axe vertical Z des régions dopées inférieures 12 (avec ou non recouvrement de celles-ci). Les régions dopées inférieures 12 sont donc espacées des régions dopées supérieures 11 par une zone de la région intermédiaire 13 en compression verticale. Par ailleurs, les régions dopées inférieures 12 sont ici espacées de la face inférieure F2 d’une distance non nulle, mais en variante, elles pourraient affleurer la face inférieure F2 (cf. variantes des et 2B).
Les régions dopées inférieures 12 sont situées dans le plan XY de part et d’autre de la zone centrale Zc de la portion de détection 10. Aussi, les électrodes (ici M1 et M2) des régions dopées inférieures 12 sont davantage éloignées de la zone centrale Zc que celles des régions dopées supérieures 11.
Les régions dopées inférieures 12 s’étendent parallèlement au plan XY en direction de la zone centrale Zc et des régions dopées supérieures 11, entre une extrémité distale 12d (i.e. éloignée de la zone centrale) et une extrémité proximale 12p (i.e. proche de la zone centrale). Les termes ‘distale’ et ‘proximale’ sont définis vis-à-vis de la zone centrale Zc. L’extrémité distale 12d est la zone de la connexion électrique à une électrode de modulation, ici au moyen d’un via conducteur 3 dédié, alors que l’extrémité proximale 12p est la zone principale de génération du courant de dérive.
Dans cet exemple, les régions dopées inférieures 12 s’étendent dans le plan XY en direction de la zone centrale Zc jusqu’à venir à la perpendiculaire des régions dopées supérieures 11. Autrement dit, en projection dans le plan XY, il y a recouvrement d’au moins une partie de la région dopée inférieure 12 par la région dopée supérieure adjacente 11. En variante, comme l’illustre la , les régions dopées inférieures 12 peuvent ne pas être à la perpendiculaire des régions dopées supérieures 11.
Notons que les régions dopées inférieures 12 sont réalisées par dopage à la croissance lors d’une reprise d’épitaxie ayant lieu lors de la réalisation de la portion de détection 10. Chaque région dopée inférieure 12 présente une même épaisseur prédéfinie suivant l’axe vertical Z, et sensiblement constante dans le plan XY, par exemple égale à quelques dizaines ou centaines de nanomètres. L’épaisseur est ici égale à 200nm environ, mais elle peut être comprise entre 100 et 500nm.
Les régions dopées inférieures 12 (ici de modulation) sont connectées électriquement aux électrodes (ici M1, M2) au moyen de vias conducteurs 3 qui s’étendent suivant l’axe vertical Z entre les électrodes concernées et l’extrémité distale 12d des régions dopées inférieures 12. Dans cet exemple, les vias conducteurs 3 sont distincts de la portion latérale périphérique 2. Ils sont réalisés en au moins un matériau électriquement conducteur, ici en un matériau à base de germanium dopé de type p, déposé dans des échancrures 24 pratiquées dans la couche semiconductrice principale 23 (cf. ) à partir de la face supérieure F1 et débouchant sur les régions dopées inférieures 12.
La portion de détection 10 est délimitée latéralement, dans le plan XY, par une portion latérale périphérique 2, réalisée à base d’un matériau qui présente un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau à base de germanium de la portion de détection 10. Le matériau est de préférence à base de silicium, et est de préférence du polysilicium. Il peut s’agir également de silicium monocristallin, de silicium amorphe, voire du silicium germanium. Le matériau peut éventuellement être dopé. La portion latérale périphérique 2 entoure la portion de détection 10 dans le plan XY, soit de manière continue (cf. ), soit de manière discontinue (cf. ).
Du fait du différentiel de dilatation thermique, à la suite de la réalisation de la portion latérale périphérique 2 par dépôt à une température supérieure à la température ambiante, par exemple par épitaxie à une température comprise entre 500°C et 700°C, la portion de détection 10 présente des contraintes mécaniques en tension horizontale, et par effet Poisson, des contraintes mécaniques en compression verticale.
La portion latérale périphérique 2 assure en outre une isolation optique latérale des démodulateurs 1 dans le plan XY. Elle s’étend ici de préférence sur toute l’épaisseur de la portion de détection 10 pour déboucher sur la couche support 5.
Lorsque le matériau de la portion latérale périphérique 2 est réalisé à base de silicium, une zone latérale 14 réalisée à base de silicium germanium peut être présente entre et au contact de la portion de détection 10 et la portion latérale périphérique 2. La zone latérale 14 présente une énergie de bande interdite (gap) supérieure à celle de la portion de détection 10 réalisée en germanium. Cette « ouverture de gap » latérale permet de diminuer la sensibilité du démodulateur 1 aux défauts présents à proximité de la tranchée latérale périphérique. On améliore ainsi également les performances du démodulateur 1.
Par ailleurs, la portion de détection 10 repose une couche support 5. Celle-ci peut être réalisée en un matériau cristallin semiconducteur adapté à l’épitaxie du germanium de la portion de détection 10. Ce matériau peut être dopé ou non. Cette couche support 5 peut être une couche supérieure d’un substrat SiGeOi ou d’un substrat GeOi. Elle est ici réalisée en silicium.
Dans le cas ici où les régions dopées inférieures 12 ne sont pas au contact de la couche support 5 (cf. ), le matériau de la couche support 5 peut être dopé et être porté à un potentiel électrique, par exemple via la portion latérale périphérique 2. Dans le cas contraire où les régions dopées inférieures 12 sont au contact de la couche support 5 ( ), le matériau de celle-ci est non intentionnellement dopé. En variante, la portion de détection 10 peut reposer sur une couche support 5 réalisée en un matériau isolant.
Le démodulateur 1 comporte une couche diélectrique de passivation 4, réalisée en au moins un matériau électriquement non conducteur, comme un isolant ou un semiconducteur intrinsèque. Elle recouvre la face supérieure F1 et permet de passiver la portion de détection 10 et d’isoler électriquement les électrodes M1, M2, C1, C2. Elle est ainsi au contact de la région intermédiaire 13, des régions dopées supérieures 11, des vias conducteurs 3, et de la portion latérale périphérique 2. Elle est de préférence réalisée en un oxyde, tel qu’un oxyde de silicium, d’aluminium, de germanium, d’hafnium, etc… voire en silicium intrinsèque. Elle présente une épaisseur par exemple comprise entre 2nm et 500nm.
De préférence, le mécanisme d’ajustement 28 est configuré pour ajuster la hauteur H de chacun des logements de chariot 24.
Le mécanisme d’ajustement 28 en hauteur des logements du chariot 24 comprend par exemple un rail vertical le long duquel les séparateurs horizontaux 26 sont déplaçable.
De préférence, le mécanisme d’ajustement 28 comprend un système de blocage configuré pour le blocage de chaque séparateur horizontal 26 dans une pluralité de positions le long du rail vertical.
En outre, le chariot 18 comprend avantageusement un mécanisme d’ajustement 34 de la position du chariot 18.
Le mécanisme d’ajustement 34 de la position du chariot 18 est par exemple constitué d’un système à ciseaux ou d’un système télescopique .
De préférence, le chariot 18 comprend des roues 36, et avantageusement quatre roues 36, configurées pour faciliter le déplacement du chariot 18.
Par ailleurs, le chariot 18 comprend avantageusement un dispositif de suspension 38 des roues 36.
Le dispositif de suspension 38 des roues 36 comprend par exemple, pour chaque roue 36, un ressort 40 agencé entre la roue 36 et le châssis du chariot 18.
De préférence, le chariot 18 comprend également au moins un espace de stockage 50 configuré pour recevoir une documentation des cartes électroniques 12 reçues dans les logements de chariot 24.
En particulier, l’espace de stockage 50 comprend par exemple une corbeille destinée à recevoir la documentation, telle que les fiches techniques, des cartes électroniques 12 reçues dans les logements de chariot 24.
Avantageusement, le chariot 18 comprend un dispositif stabilisation 52 rétractable apte à être déployer pour bloquer le chariot 18 dans une position fixe et rétracté pour permettre le déplacement du chariot 18.
Le dispositif stabilisation 52 comprend par exemple un ou plusieurs pieds 54 rétractables, et de préférence un pied 54 respectif par roue 36.
Chaque pied 54 est avantageusement monté mobile sur un châssis du chariot 18 entre une position rentrée illustrée sur la et une position déployée illustrée sur la .
Dans la position rentrée, chaque pied 54 s’étend à distance du sol 55.
Dans la position déployée, chaque pied 54 s’étend en contact du sol 55, de sorte à bloquer une translation horizontale du chariot 18, et donc le mouvement des roues 56.
Par ailleurs, en position déployée comme illustré sur la , chaque pied 54 s’étend entre le châssis du chariot 18 et le sol 55, de sorte à bloquer une translation verticale du chariot 18, et donc le mouvement du dispositif de suspension 38 des roues 36.
Une quantification de niveau d’expression de miARN peut être déterminée par le logiciel miRDeep2. Ensuite, des tests d’expression différentielle des échantillons utilisant le logiciel DESeq2 sont menés uniquement pour un miARN avec des comptages de lectures supérieurs ou égaux à 1. Le logiciel DESeq2 intègre des processus avec plusieurs caractéristiques pour faciliter une analyse plus quantitative des données d’ARN-seq comparatives en utilisant des estimateurs de rétrécissement pour la dispersion et un changement de pli. Le logiciel DESeq2 fournit une matrice qui est filtrée pour les miARN exprimés. Les miARN ont été considérés comme exprimés de manière différentielle si la valeur absolue du changement de pli log2 était > 1,5 (haut) et < 0,5 (bas) et la valeur P ajustée pour de multiples tests était < 0,05.
Selon la banque miRBase21, chaque échantillon peut comprendre 2561 miARN différents appelés « caractéristiques » qui nécessitent deux ajustements pour éviter les biais expérimentaux avec la préparation de banque suivie d’une amplification par PCR (normalisation DESeq2) et une normalisation pour éviter les biais d’importance de caractéristique dans des modèles d’apprentissage automatique pendant la phase d’entraînement. La normalisation DESeq2 réalise une normalisation interne où une moyenne géométrique est calculée pour chaque miARN dans tous les échantillons. Les occurrences de chaque miARN sont comptées dans chaque échantillon et chaque comptage de miARN est divisé par la moyenne géométrique correspondante calculée pour l’échantillon. Un facteur de taille est défini pour chaque échantillon comme la médiane de ces ratios. Cette normalisation corrige les biais de taille de banque et de composition d’ARN qui peuvent survenir par exemple lorsque seul un petit nombre de miARN est très fortement exprimé dans une condition d’expérience mais pas dans d’autres.
La montre un échantillon prétraité SMp, selon un mode de réalisation. L’échantillon SMp est une liste d’un nombre de r étiquettes de miARN R1, R2, …, Rr, chaque miARN étant associé à un nombre RC1, RC2, …, RCr représentant un nombre d’occurrences du miARN détecté dans l’échantillon de fluide corporel original correspondant. Les miARN R1, R2, …, Rr sont par exemple les 2561 miARN répertoriés dans la banque miRBase21. Par exemple, les étiquettes de miARN R1, R2, …, Rr peuvent avoir la forme « hsa-let-7a-2-3p », …, « hsa-let-7i-5p », « hsa-miR-1-3p », …, « hsa-miR-99b-5p ».
À l’étape S1, les échantillons prétraités PSPS sont standardisés en appliquant une technique de standardisation de caractéristiques. À l’étape S2, les caractéristiques sont sélectionnées en utilisant des modèles d’apprentissage automatique qui sont entraînés sur des parties des échantillons standardisés et évalués sur d’autres parties des échantillons standardisés. À l’étape S3, des modèles de classificateurs sont entraînés sur des parties des échantillons standardisés en utilisant les caractéristiques sélectionnées à l’étape S2. À l’étape S4, les classificateurs entraînés sont évalués sur une autre partie des échantillons standardisés en utilisant les caractéristiques sélectionnées à l’étape S2. Ainsi l’étape S4 fournit un classificateur entraîné TCL et un ensemble de caractéristiques (miARN) formant une signature S et qui sont sélectionnées pour être analysées en utilisant le classificateur entraîné sélectionné pour fournir un diagnostic de la pathologie cible.
Selon un mode de réalisation, les échantillons prétraités PSPS sont répartis en groupes d’échantillons SG1, SG2, … SGn d’un ou de plusieurs échantillon(s) prétraité(s), chaque groupe d’échantillons SGi (i = 1, 2, … n) comprenant un même nombre d’échantillons.
À l’étape S1, la technique de standardisation de caractéristiques fait que les ratios résultant de la normalisation d’échantillons ont une moyenne nulle et un écart-type de 1. Une telle standardisation permet de comparer des mesures qui peuvent avoir des unités différentes et permet d’éviter les biais d’importance de caractéristique. La standardisation peut être réalisée en utilisant l’algorithme Z-Score (ou Score Standard). Selon un mode de réalisation, cet algorithme est appliqué un nombre d’itérations égal au nombre n de groupes d’échantillons SGi. À chaque itération, un groupe d’échantillons respectif SGi est sélectionné, une moyenne et un écart-type sont calculés à partir de tous les échantillons appartenant aux n-1 groupes d’échantillons non sélectionnés, et tous les échantillons sont standardisés en utilisant la moyenne et l’écart-type calculés. Ainsi, l’étape S1 produit n ensembles d’échantillons de n groupes d’échantillons des échantillons standardisés, chaque ensemble d’échantillons étant associé à un groupe d’échantillons respectif SGi sélectionné à une itération correspondante. Dans chaque ensemble d’échantillons des échantillons standardisés, chacune des caractéristiques sélectionnées S dans chaque échantillon est associée à une valeur respective ayant une moyenne égale à zéro et un écart-type égal à un par rapport à un ensemble d’échantillons respectif comportant tous les groupes d’échantillons SG1-SGn à l’exception du groupe d’échantillons sélectionné à l’itération correspondante.
Les échantillons de fluides corporels comprennent dans des proportions sensiblement identiques des cas positifs, négatifs et complexes concernant la pathologie ciblée. Selon un exemple, 200 échantillons sont répartis en 5 groupes d’échantillons SG1-SG5 de 40 échantillons. Ainsi, le Z-Score (ou Score Standard) est appliqué 5 fois pour standardiser tous les échantillons à chaque itération en utilisant une moyenne et un écart-type calculés sur 160 échantillons (n-1 groupes d’échantillons). Selon un autre exemple, les groupes d’échantillons comprennent un seul échantillon respectif. Par conséquent, lorsque 200 échantillons sont disponibles, il y a 200 groupes d’échantillons et la standardisation Z-score est appliquée 200 fois pour produire 200 x 200 échantillons standardisés.
La montre les étapes S11 à S15 réalisées lors de l’exécution de l’étape S1, selon un exemple. À l’étape S11, un indice j est initialisé à un. À l’étape S12, une moyenne MNr et un écart-type SDr sont calculés pour chaque miARN r, sur toutes les valeurs du miARN r des échantillons de tous les groupes d’échantillons SG1-SGn (n = 5 dans l’exemple de la ), à l’exception du groupe d’échantillons SGj sélectionné par l’indice j. À l’étape S13, les valeurs de miARN de chaque miARN r des échantillons de tous les groupes d’échantillons SG1-SGn sont standardisées en utilisant la moyenne MNr et l’écart-type SDr calculés qui sont calculés pour le miARN r, selon l’algorithme Z-score. L’étape S13 fournit des échantillons standardisés répartis en groupes SSGi,j. Aux étapes S14 et S15, l’indice j est incrémenté de un et comparé au nombre n de groupes d’échantillons SGi. À l’étape S15, si l’indice j n’est pas supérieur au nombre n, une nouvelle itération comportant les étapes S12 à S15 est exécutée, sinon l’exécution de l’étape S1 se termine.
Ainsi, l’étape S1 fournit un tableau TSSG comprenant n x n groupes d’échantillons standardisés SSGi,j obtenus avec différents ensembles d’une moyenne MNr et d’un écart-type SDr par miARN r.