INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Les nouveaux paramètres audio peuvent comprendre un gain appliqué sur un volume courant, qui dépend de la position d’écoute optimale initiale U et de la nouvelle position et/ou de la nouvelle orientation du boîtier décodeur 11.
Cette solution est particulièrement adaptée dans le cas où le boîtier décodeur 11 ne comprend qu’un seul haut-parleur (système monocanal).
L’unité de traitement 22 ajuste le volume du haut-parleur en appliquant par exemple un gain sur le volume courant qui est proportionnel à l’éloignement de la position d’écoute optimale initiale U par rapport l’axe optique A o de la caméra 18 (cet éloignement est égal à la distance séparant U de son projeté orthogonal sur A o ) ou bien par rapport à l’abscisse du nouveau point d’écoute optimal U’.
On peut utiliser la matrice de translation T et/ou la matrice de rotation R pour calculer les distances [OU] et [OU’] (O étant l’origine du deuxième repère), et faire le rapport entre les deux distances pour obtenir un facteur à appliquer sur le volume courant du haut-parleur.
Optionnellement ce gain peut être limité, de sorte que le volume courant total (égal à la somme du volume courant actuel et du gain), ne dépasse pas un volume maximum autorisé. Ce plafond de volume peut être réglé par l’utilisateur ou bien être nivelé automatiquement selon le volume courant de la pièce capté par les microphones 20 du boîtier décodeur 11.
L’unité de traitement 22, pour produire les nouveaux paramètres audio, peut aussi ajuster une balance audio entre le premier haut-parleur 14a et le deuxième haut-parleur 14b. Cette solution nécessite donc au moins deux haut-parleurs (système stéréo).
De plus, le nombre de faisceaux laser incidents est fortement réduit comparé aux pièges 2D-MOT de l’art antérieur. Le ou les faisceaux laser incidents se propagent tous dans un seul plan, le plan médian relatif à la première face 41 et la deuxième face 42. Cette configuration simplifie les réglages opto-mécaniques et réduit l’encombrement du piège 2D-MOT. En effet, une source laser générant un seul faisceau laser incliné par rapport à la direction longitudinale du composant optique réflecteur 40 suffit pour confiner les atomes dans une zone à deux dimensions du pièce 2D-MOT et pour appliquer une poussée longitudinale sur les atomes piégés de façon à former un jet d’atomes 8. Le nombre de collimateurs et de fibres optiques entre la source laser et le piège 2D-MOT peut être réduit d'un facteur 3 par rapport à une configuration classique. Selon différentes variantes, le faisceau laser incident peut être étalé spatialement ou divisé spatialement suivant la direction longitudinale du composant optique réflecteur 40. En variante, le faisceau laser source est divisé en un ou plusieurs faisceaux perpendiculaires à la direction longitudinale du composant optique réflecteur 40 pour former le piège à deux dimensions et un faisceau laser pousseur 34 orienté suivant la direction longitudinale 17 du piège magnéto-optique à deux dimensions pour pousser les atomes.
Du fait du nombre limité de réglages et du nombre limité de faisceaux laser, le piège 2D-MOT 10 présente un encombrement réduit. Dans un exemple de réalisation, le piège 2D-MOT 10 a une longueur L comprise entre environ 40 mm et 20 cm suivant la direction longitudinale 17, et une largeur W d’environ 30mm à 10cm dans la direction transverse. Le volume de la zone de piégeage 2 est réduit d’environ un facteur 2 comparé aux pièges 2D-MOT de l’art antérieur. Le piège 2D-MOT de la présente divulgation a des avantages en termes de compacité, de proximité avec le MOT3D, et de robustesse opto-mécanique.
Le piège 2D-MOT de la présente divulgation trouve des applications pour injecter un jet d’atomes dans le piège 3D-MOT d’un système de manipulation d’atomes, par exemple un interféromètre à atomes froids. La compacité du piège 2D-MOT 10 permet d’installer le piège 2D-MOT 10 au plus près de la zone de piégeage du MOT3D et de la chambre à ultravide 29 du système de manipulation d’atomes. La compacité du piège 2D-MOT 10 permet aussi de limiter la perte d'atomes lors de leur trajet entre leur sortie du 2D-MOT et la zone de piégeage du MOT3D. La vapeur d’atomes est générée directement dans la chambre à vide 19 du piège 2D-MOT. Le débit du jet d’atomes 8 en sortie du piège 2D-MOT 10 est ici compris entre 10 7 et 10 11 atomes par seconde, par exemple entre 10 5 et 10 9 atomes par seconde.
Un piège à atomes 2D-MOT selon la présente divulgation trouve des applications dans un interféromètre atomique, qui peut être utilisé comme capteur inertiel. Ce capteur inertiel peut être utilisé dans des applications pour des mesures d’accélération suivant un axe de mesure. En particulier, un interféromètre atomique est utilisé dans un gradiomètre atomique ou dans un gravimètre.
La représente schématiquement un système interférométrique à atomes froids 50 comprenant un piège 2D-MOT 10 selon la présente divulgation, un dispositif 27 de raccordement et une chambre à ultravide 29 comprenant un piège 3D-MOT. Le dispositif de raccordement 27 est disposé suivant la direction longitudinale 17 du piège 2D-MOT 10. Le dispositif de raccordement 27 relie la chambre à vide 19 du piège magnéto-optique 10 à deux dimensions à la chambre à ultravide 29 du système interférométrique à atomes froids. Le piège 2D-MOT 10 permet de générer un jet d’atomes 8 collimaté suivant la direction longitudinale 17 vers le dispositif 27 de raccordement. Le dispositif 27 de raccordement permet d’injecter le jet d’atomes 8 dans la chambre à ultravide 29 vers la zone de piégeage 9 du piège magnéto-optique à trois dimensions. A titre d’exemple nullement limitatif, l’interféromètre comporte ici un réflecteur pyramidal 52 éclairé par un seul faisceau laser 51 pour permettre de piéger les atomes dans la zone 9 de piégeage en 3D. Le piège 2D-MOT permet de réduire ainsi la durée de chargement du piège 3D-MOT d’un facteur 10, par exemple pour passer d’une durée de chargement de 500ms à 50ms. On estime que la durée de chargement de la combinaison d'un piège 3D-MOT et d'un 2D-MOT selon la présente divulgation est environ 10 fois inférieur à celle de l’art antérieur. Or la durée de chargement limite la durée d’un cycle de mesure interférométrique. La réduction de durée du chargement du piège 3DMOT permet ainsi de réduire le temps de cycle de l’interféromètre à atomes froids ou d’augmenter la cadence de mesure.
Un système à atomes froids comprenant un piège 2D selon la présente divulgation trouve d’autres applications dans un interféromètre à atomes froids adapté à la mesure de rotations autour d’un ou plusieurs axes, par exemple dans un système de navigation inertielle embarqué pour une application mobile, ou encore dans des applications de géophysique ou de tests de physique fondamentale.
Un piège à atomes froids à 2D selon la présente divulgation trouve aussi des applications dans une horloge atomique pour générer un jet d’atomes.
Un piège à atomes froids à 2D selon la présente divulgation trouve aussi des applications dans le domaine de l’optique quantique par exemple dans un processeur quantique ou une mémoire quantique. Un processeur quantique utilise des algorithmes quantiques, qui sont des successions d'opérations logiques quantiques effectuées sur des qubits logiques et basées sur la manipulation d’atomes froids. En pratique, un algorithme quantique est implémenté physiquement dans le processeur quantique grâce à des interactions entre des entités physiques, tels que des atomes neutres agencés dans des registres quantiques. Le piège à atomes froids à 2D selon la présente divulgation peut permettre de charger plus rapidement des atomes dans les registres quantiques d’un ordinateur quantique ou d’une mémoire quantique.
Couches élastomères pour câbles présentant des propriétés mécaniques renforcées La présente invention a trait au domaine des câbles comprenant au moins une couche à base d’élastomère, notamment une couche d’isolation et/ou une gaine de protection à base d’un élastomère.
L’invention s’applique typiquement, mais non exclusivement, au domaine des câbles sujets à des contraintes mécaniques importantes, comme par exemple ceux employés pour le câblage interne des éoliennes ou bien encore les câbles industriels dits câbles souples.
Un câble d’énergie et/ou de télécommunication est un câble électrique et/ou optique, qui est destiné au transport d'énergie et/ou à la transmission de données. Il comprend classiquement un ou plusieurs éléments conducteurs électriques et/ou optiques allongés entourés par au moins une couche isolante. Cette couche isolante peut typiquement être une couche polymère électriquement isolante entourant un seul conducteur, électrique ou optique, ou alternativement plusieurs conducteurs électriques et/ou optiques. Par ailleurs, les éléments conducteurs isolés par une ou plusieurs couches isolantes sont classiquement protégés par une gaine extérieure de protection qui entoure les conducteurs isolés.
Dans le cas de câble soumis à des contraintes mécaniques élevées, il est bien connu, d’employer des élastomères pour la constitution de tout ou partie des couches isolantes et/ou de la gaine de protection. L’élasticité des élastomères permet notamment d’augmenter les performances de résistance mécanique du câble ainsi que sa facilité d’utilisation (souplesse).
Un but de la présente invention est de fournir des compositions élastomères particulièrement bien adaptées à ce type d’application, et présentant des propriétés élevées de résistance mécanique.
A cet effet, la présente invention propose d’ajouter un additif spécifique aux élastomères employés dans les câbles, à savoir un mélange de polyvinylbutyral (PVB) et de particules minérales.
Plus précisément, la présente invention a pour objet un câble (typiquement un câble d’énergie) comprenant au moins un élément conducteur allongé entouré par au moins une couche polymère, et caractérisé en ce que ladite couche polymère comprend : (a) au moins un élastomère ; (b) du polyvinylbutyral ; et (c) des particules minérales.
II.1-2 Mesure des propriétés dynamiques : Les propriétés dynamiques G*(25%) et tanδ max (25%) à 60°C sont mesurées sur un viscoanalyseur (Metravib VA4000), selon la norme ASTM D 5992-96. On enregistre la réponse d'un échantillon de composition réticulée (éprouvette cylindrique de 4 mm d'épaisseur et de 400 mm2 de section), soumis à une sollicitation sinusoïdale en cisaillement simple alterné, à la fréquence de 10Hz, dans les conditions définies de température par exemple à 60°C selon la norme ASTM D 1349-99. On effectue un balayage en amplitude de déformation de 0,1 à 100% (cycle aller), puis de 100% à 1% (cycle retour). Les résultats exploités sont le module complexe de cisaillement dynamique G* et le facteur de perte tan(δ). Pour le cycle retour, on indique la valeur de tan(δ) à 25% de déformation observée à 60°C, noté tanδ max (25%), ainsi que le module complexe de cisaillement dynamique G* à 25% de déformation, à 60°C.
La mesure tanδ max (25%) est un descripteur de l'hystérèse et donc une indication de la propriété de résistance au roulement du pneu. La valeur en base 100 est calculée selon l’opération : (valeur de tanδ max (25%) à 60°C du témoin / valeur de tanδ max (25%) à 60°C de l’échantillon) * 100. De cette façon, une valeur plus basse représente une diminution de la performance en hystérèse (c’est-à-dire une augmentation de l’hystérèse) tandis qu’une valeur plus élevée représente une meilleure performance en hystérèse (c’est-à-dire une hystérèse plus faible).
La mesure G* (25%) est un descripteur de rigidité et donc une indication de la propriété de résistance à l'usure du pneu. La valeur en base 100 est calculée selon l’opération : (valeur de G* (25%) à 60°C de l’échantillon / valeur de G* (25%) à 60°C du témoin) * 100. De cette façon, une valeur plus basse représente une diminution de la rigidité, tandis qu’une valeur plus élevée représente une meilleure rigidité.
T1 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 Elastomère E1 (1) 100 100 100 100 100 100 100 100 Silice (2) 38 38 38 38 38 38 31 31 Noir de Carbone (3) 2 2 2 2 2 2 2 2 Agent de couplage (4) 3.1 3.1 3.1 3.1 3.1 3.1 2.5 2.5 LBR-307 (5) 10 LBR-352 (6) 10 LBR-361 (7) 10 X-12-1267B-ES (8) 5 10 5 DPG (9) 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1 1 Cire Ozone (10) 1 1 1 1 1 1 1 1 Antioxydant 6PPD (11) 2 2 2 2 2 2 2 2 Acide stéarique (12) 2 2 2 2 2 2 2 2 ZNO (13) 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 Soufre 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 CBS (14) 1 1 1 1 1 1 1 1 G*25% à 60°C (Base 100) 100 83 76 71 132 136 76 102 Tanδmax 25% à 60°C (Base 100) 100 79 84 82 109 115 108 121 Copolymère d’éthylène et de 1,3-butadiène contenant 74% en mole de d’unité éthylène, 19% d’unité butadiène sous la forme de motifs 1,2 et 1,4 et 7% en mole de motif 1,2-cyclohexanediyle, de Tg -44°C "Zeosil 1165 MP" de Solvay-Rhodia sous forme de microperles Noir de carbone de grade N234 selon la norme ASTM D-1765, de la société Cabot Silane Mercapto - Thiocarboxylate Oligomer (« NXT-Z45 ») – CAS 922519-17-3 – société Momentive LBR-307, société Kuraray, BR liquide non fonctionnel de Tg -95°C et Mn 8000 g/mol LBR-352, société Kuraray, BR liquide non fonctionnel de Tg -60°C et Mn 9000 g/mol LBR-361, société Kuraray, BR liquide non fonctionnel de Tg -49°C et Mn 5500 g/mol X-12-1267B-ES, société Shin-Etsu, BR liquide fonctionnel le long de la chaîne de Tg -90°C et Mn 4700 g/mol, de formule Diphénylguanidine « Perkacit DPG » de la société Flexsys Cire anti-ozone « VARAZON 4959 » de la société Sasol Wax N-(1,3-diméthylbutyl)-N’-phényl-p-phenylènediamine « Santoflex 6PPD » de la société Flexsys Acide stéarique « Pristerene 4931 » de la société Uniqema Oxyde de Zinc de grade industriel de la société Umicore N-cyclohexyl-2-benzothiazol-sulfénamide « Santocure CBS » de la société Flexsys
3- Résultats : La composition T1 est le témoin sans polymère liquide de butadiène pour évaluer l'effet de la nature du polymère liquide de butadiène utilisé dans les compositions C1 à C5. Les compositions C4 et C5 sont conformes à l'invention.
Les résultats montrent que les compositions conformes à l’invention, avec une matrice élastomère est à base d’un EBR et un polybutadiène liquide fonctionnalisé le long de la chaîne par des fonctions alcoxysilyles, permet d'améliorer significativement et la performance d’hystérèse (résistance au roulement) et la rigidité par comparaison avec des compositions comprenant un autre polybutadiène liquide, fonctionnalisé ou non.
Cet effet est observé contre toute attente avec un plus faible taux de polybutadiène liquide fonctionnalisé le long de la chaîne par des fonctions alcoxysilyles (C4).
Les résultats montrent également contre toute attente que lorsque lorsqu'on diminue la fraction volumique de charge, on maintient la rigidité en améliorant les performances en hystérèse (comparatif T1 et C7 (conforme à l'invention) au vu de C6). Ainsi, l'utilisation conjointe d'un élastomère diénique fortement saturé et d'un polymère liquide de butadiène fonctionnalisé le long de la chaîne par des fonctions alcoxysilyles pendantes permet de diminuer la fraction volumique de charge de la composition tout en maintenant la rigidité souhaitée.
/ (2)
θ sont les paramètres du premier réseau RFO,
θ c sont les paramètres du second réseau RDI,
désigne l’opérateur produit terme à terme entre deux matrices encore appelé produit de Hadamard,
est une fonction d’erreur, par exemple une erreur quadratique moyenne ou plus avantageusement une erreur permettant de mesurer une divergence entre deux images. Par exemple, cette fonction d’erreur peut être définie par la relation suivante :
A et B sont deux images de même dimensions, p désigne la coordonnée d’un pixel, N(p) est l’ensemble des pixels voisins du pixel p.
la distance de Hamming souple
sont des paramètres, par exemple égaux respectivement à
désigne la norme L1 ou erreur quadratique
En utilisant la fonction d’erreur photométrique de l’équation (2), la carte de corrections de changements d’intensité C 1 est utilisée pour minimiser cette fonction d’erreur L ph1 . Cependant, comme les images I 1 et sont fournies en entrée du second réseau RDI, celui-ci a simplement besoin d’estimer la différence entre ces deux images. Au final, cette optimisation n’est pas satisfaisante et peut conduire à une mauvaise estimation du flux optique F 1 .
Pour améliorer ce point, il est proposé de modifier l’équation (2) en l’équation (4) :
/ (4)
est une version reconstruite de l’image I 1 qui est obtenue par l’opération suivante :
w est la fonction de déformation DEF qui consiste en l’opération suivante :
si est à l’intérieur des dimensions de I 2 et vaut (0,0,0) sinon.
Ainsi, l’équation (4) nécessite d’estimer à la fois le flux optique et la carte de changements d’intensité dans le sens temporel direct mais aussi dans le sens indirect.
Cela est illustré à la qui montre le principe du calcul de la fonction d’erreur photométrique dans le sens temporel direct L ph1 et inverse L ph2 .
Sur la , le réseau conjoint RC est représenté deux fois mais il correspond à un seul et même réseau, qui est celui décrit à la , mais qui est entrainé respectivement pour estimer F 1 ,C 1 d’une part et F 2 ,C 2 d’autre part.
Dans l’équation de calcul de la fonction d’erreur photométrique, I 2 est remplacé par I 2 +C 2 donc le calcul requière à la fois l’estimation du flux optique dans le sens temporel direct et dans le sens inverse.
Dans un mode de réalisation de l’invention, la fonction d’erreur photométrique L ph est égale à la somme des deux fonctions L ph = L ph1 + L ph2 mais elle peut aussi être égale à l’une ou l’autre des deux fonctions L ph = L ph1 ou L ph = L ph2 .
La fonction d’erreur globale de l’équation (1) est utilisée pour estimer les paramètres des deux réseaux RFO, RDI conjointement lors d’une phase de rétro-propagation de l’erreur calculée au moyen de l’équation (1) afin de mettre à jour les poids des réseaux.
Ce processus d’entrainement n’est pas décrit ici car il fait partie des connaissances générales de l’Homme de l’art. Ce processus consiste à calculer les paramètres d’un réseau de neurones à l’aide d’un algorithme d’optimisation comprenant une phase d’inférence au cours de laquelle les données d’entrée sont propagées dans le réseau pour calculer la fonction d’erreur puis, dans une phase de rétro-propagation, l’erreur est rétropropagée afin de calculer les poids de chaque couche du réseau de neurones au moyen d’un algorithme de descente du gradient.
La solution proposée par l’invention permet d’améliorer la prédiction du flux optique car l’estimation est détachée du graphe de calcul du modèle dans les entrées du second réseau RDI. Ainsi, l’optimisation du modèle n’impacte pas celle du modèle de flux optique .
Plus précisément, dépend de F 1 donc par construction, est rattaché au graphe de calcul de . Cela implique que les erreurs de la fonction de cout photométrique liée à C 2 seront rétro-propagées dans les estimations de et . Autrement dit pour améliorer les prédictions du second réseau RDI, les paramètres du premier réseau RFO pourront être modifiés. Ce n’est pas le comportement souhaité puisque le second réseau RDI a pour objectif de prendre en compte les erreurs de reconstruction qui ne sont pas prises en compte par l’estimation du flux optique (c’est à dire les changements d’intensité lumineuse). L’hypothèse sous-jacente est que les corrections sont estimées à partir d’un flux correctement estimé. Les erreurs du correcteur ne doivent pas être rétro-propagées dans le premier réseau RFO (car ses prédictions sont bonnes par hypothèse). Afin d’empêcher cette rétro-propagation, doit être détachée du graphe de calcul du modèle
L’erreur photométrique calculée est rétro-propagée à partir des estimées du flux optique F 1 et des corrections C 2 mais pas du flux optique F 2 . Elle s’applique pour chaque prédiction du premier réseau de calcul du flux optique RFO. Les changements d’intensité sont par contre estimés par le second réseau RDI à partir de la dernière prédiction de flux optique fournie par le premier réseau RFO.
Dans une variante de réalisation de l’invention, on propose une variante de calcul de la fonction d’erreur photométrique permettant encore d’améliorer les estimations.
Dans le cas d’une erreur d’estimation du flux optique F 2 , reconstruire l’image I 2 en appliquant le flux optique F 2 à l’image I 1 peut engendrer des erreurs de reconstruction, même dans les parties non occultées de l’image. Ainsi dans une telle situation, des pixels qui ne correspondent pas aux mêmes points d’intérêts peuvent avoir les mêmes coordonnées dans I 2 et . Ces erreurs de reconstruction peuvent ensuite impacter l’estimation de la carte de correction d’intensités C 2 .
Afin de minimiser l’impact de telles erreurs dans la fonction d’erreur photométrique, il est proposé une modification à cette dernière.
Selon cette variante proposée, seuls les pixels qui minimisent une erreur de reconstruction ρ’ sont conservés. Plus précisément la fonction d’erreur photométrique est séparée en deux fonctions respectivement spécifiquement dédiées à l’optimisation des paramètres du premier réseau RFO et du second réseau RDI.
Par ailleurs, dans chaque boite quantique QD, le ou les particules chargées présentes sont associées à un potentiel chimique. Or, chaque troisième grille G3 étant au-dessus de la partie de la couche active CA dans laquelle est formée une boite quantique (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des troisièmes grilles G3 et la couche active CA), chaque troisième grille G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier le potentiel chimique des particules chargées présentes dans boite quantique QD associée à la troisième grille G3 considérée.
Dans un mode de réalisation, l’oxyde des premières G1, deuxièmes G2 et/ou troisièmes grilles G3 est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de l’oxyde des premières grilles G1, deuxièmes grilles G2 et/ou troisièmes grilles G3 est comprise entre 5 nm et 10 nm. Dans un mode de réalisation, les électrodes des premières grilles G1, deuxièmes grilles G2 et/ou troisièmes grilles G3 sont réalisées dans un matériau conducteur choisi parmi le Ti, le TiN ou bien encore le W.
Dans un mode de réalisation, le dispositif selon l’invention est réalisé dans un substrat de type SOI et la couche active est une couche de silicium. Dans ce mode de réalisation, les premières, deuxièmes et troisièmes grilles G1, G2, G3 sont au contact direct de la couche active CA.
Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’un substrat de silicium massif. Avantageusement, le substrat comprend une couche de silicium épitaxiée (notée 28 Si sur la figure) recouverte par un oxyde thermique (noté SiO 2 sur la figure), cette couche de silicium épitaxiée étant déposée sur la couche de silicium intrinsèque (noté i Si sur la figure) du substrat de silicium massif. Un tel substrat est illustré à la . Dans ce mode de réalisation, la couche active CA est réalisée dans la couche de silicium, avantageusement la couche de silicium epitaxiée. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif.
Un deuxième aspect de l’invention illustré aux à concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur selon l’invention à partir d’un substrat SB comportant une couche semi-conductrice, dite couche active CA, sur une première surface dudit substrat SB ou proche de la première surface. On entend par proche de la première surface que la distance séparant la couche active de la première surface est inférieure à la distance séparant la couche active de la deuxième surface du substrat opposée à la première surface. De préférence la distance séparant la couche active CA de la première surface du substrat SB est inférieure à 500 nm, de préférence inférieure à 200 nm, voire inférieure à 100 nm. Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de la couche active CA est comprise entre 5 et 20 nm, par exemple égale à 10 nm.
Le procédé comprend ensuite une étape E2 de dépôt d’une couche support SP sur la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la couche support SP est un matériau diélectrique, par exemple du nitrure de silicium.