Dispositif comprenant des première (20, 20a, 20b) et deuxième (36, 36a) puces, la première puce (20, 20a, 20b) comprenant un circuit électronique et la deuxième puce (36, 36a) comprenant un condensateur (18) ayant une densité supérieure à 700 nF/mm^2, les première et deuxième puces étant fixées l'une à l'autre par collage moléculaire. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la première puce (20, 20a, 20b) comprend un réseau d'interconnexion (24) et un substrat semiconducteur (22) dans et sur lequel sont situés des composants (80) du circuit électronique. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le condensateur (18) comprend un empilement d'une première couche isolante entre deux deuxièmes couches conductrices, l'empilement étant situé dans une première région (50) de métal anodisé. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la deuxième puce (36, 36a) comprend une troisième couche isolante (38) ayant une première face (40) plane et une deuxième face, la deuxième face étant recouverte d'une quatrième couche (36) comprenant au moins la première région (50). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la première région (50) est entourée d'une quatrième région isolante (54) en métal anodisé. Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la quatrième couche (36) de la deuxième puce comprend des deuxièmes régions (48) isolantes en métal anodisé et des troisièmes régions (46) en métal, les troisièmes régions (46) étant séparées par des deuxièmes régions (48). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel les première (20, 20b) et deuxième (36) puces sont fixées par collage moléculaire hybride, la troisième couche isolante (38) et le réseau d'interconnexion (24) comprenant des premières pistes conductrices situées en contact les unes avec les autres. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la face du substrat opposée au réseau d'interconnexion est recouverte par une cinquième couche isolante (82) et des deuxièmes pistes conductrices, la cinquième couche et les deuxièmes pistes conductrices étant configurées pour être fixées à la troisième couche (38) et aux premières pistes (42) par collage moléculaire. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel les puces sont fixées par collage moléculaire oxyde/oxyde, le dispositif comprenant des vias (72) s'étendant dans les première (20a) et deuxième (36a) puces, traversant la troisième couche (38) et atteignant une piste conductrice (32a) enterrée dans le réseau d'interconnexion (24). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel chacune des bornes du condensateur (18) est reliée à une troisième région (46). Procédé comprenant la formation d'une première puce (20, 20a, 20b) comprenant un circuit électronique, et la formation d'une deuxième puce (36, 36a) comprenant un condensateur (18) ayant une densité supérieure à 700 nF/mm^2, le procédé comprenant en outre la fixation des première (20, 20a, 20b) et deuxième puces par collage moléculaire. Procédé selon la revendication 11 appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. Procédé selon la revendication 12 dans son rattachement à la revendication 4 ou 5, comprenant la formation, sur un support (60), de la troisième couche isolante (38) et d'une couche de métal anodisable. Procédé selon la revendication 13 dans son rattachement à la revendication 6, comprenant l'anodisation de la couche métallique aux emplacements des première (50) et deuxième régions (48). Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14 dans son rattachement à la revendication 4, comprenant la fixation de la première puce (20, 20a, 20b) à une poignée (66) et le retrait du support (60) de manière à découvrir la face plane de la troisième couche (38). Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 15 dans son rattachement à la revendication 9, dans lequel les vias (72) sont formés après la fixation des première et deuxième puces.