INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
La valeur de l’impédance, et plus particulièrement de l’impédance capacitive, qui sera mesurée par l’unité de contrôle 14 lorsque l’outil 5 entre au contact de câbles de renfort formant insert 4 pourra alors être comparée à ces seuils d’alerte Z_thresh, C_thresh, afin de déterminer de quel seuil franchi ladite valeur d’impédance mesurée est la plus proche, et donc à quelle structure de nappe de renfort appartiennent les câbles ainsi touchés par l’outil 5.
Avantageusement, on pourra donc utiliser le procédé de détection selon l’invention pour identifier le type de nappe de renfort avec lequel l’outil 5 est entré en contact.
Ceci pourra notamment permettre d’adapter le processus d’enlèvement de matière, par exemple en repositionnant l’outil 5 par rapport à l’objet 2, ici par rapport au bandage 30, ou bien en adaptant la vitesse du mouvement de coupe en fonction de la zone de l’objet 2, ici du bandage 30, qui fait l’objet de l’enlèvement de matière.
Guide de vissage pour la fixation d’un composant d’un véhicule automobile La présente invention concerne le domaine des outils d’assemblage utilisés notamment sur la chaîne d’assemblage d’un véhicule automobile, et porte plus particulièrement sur un guide permettant de faciliter les opérations de vissage d’un composant, par exemple d’un projecteur, du véhicule automobile.
De plus, le procédé comporte au moins une phase de modification PHAS. Chaque phase de modification PHAS comporte une détermination STP2 d’un ou de plusieurs volumes indrainables 82 délimités dans le boyau 81 et dans lesquels un liquide ne peut pas atteindre par gravité la section d’entrée 35 et la section de sortie 36 pour des angles de tangage et de roulis compris respectivement dans lesdites plages angulaires en tangage et en roulis prédéterminées.
Par exemple, pour une pluralité d’attitudes du conduit d’échappement 30, chaque attitude correspondant à un inclinaison du conduit d’échappement 30 selon un angle de roulis et un angle de tangage autorisées par les plages angulaires en roulis et en tangage prédéterminées, la phase de modification PHAS comporte une détermination STP2.1 d’au moins un volume intermédiaire dans lequel un liquide ne peut pas atteindre par gravité la section d’entrée 35 et la section de sortie 36, par exemple avec le système de conception assisté par ordinateur CAO. Chaque volume indrainable est alors égal à une somme des volumes intermédiaires correspondants.
Si aucun volume indrainable 82 n’est supérieur ou égal à un seuil de volume, le procédé comporte la fixation de la définition. En particulier, le procédé de conception comporte l’attribution STP5 de la géométrie finale du boyau, à savoir sa forme, au conduit d’échappement 30.
En référence à la , si au moins un volume indrainable est supérieur ou égal au seuil de volume, la phase de modification PHAS comporte un positionnement STP3 d’une forme prédéterminée 83 qui coupe le boyau 81, par exemple avec le système de conception assisté par ordinateur.
Par exemple, la forme prédéterminée 83 peut être un plan.
La forme prédéterminée 83 est positionnée afin que chaque volume indrainable soit présent entre le boyau 81 et cette forme prédéterminée 83. La forme prédéterminée 83 peut être tangente à au moins un volume indrainable. La forme prédéterminée peut s’étendre horizontalement dans le référentiel de l’aéronef.
En référence à la , la phase de modification PHAS comporte ensuite une modification STP4 du boyau 81. Le boyau 81 est déformé afin que la partie du boyau 81 située sous la forme prédéterminée 83 et comprenant le ou les volumes indrainables soit coupée et remplacée localement par la forme prédéterminée 83. Selon l’exemple illustré, un fond plat remplace alors toute la zone tronquée du boyau 81.
Dès lors, le procédé de conception comporte la réalisation d’une nouvelle phase de modification PHAS avec le boyau modifié, et ainsi de suite jusqu’à ce que chaque volume indrainable soit inférieur au seuil de volume imposé.
En référence à la , le procédé de conception comporte à l’issue de la ou des phases de modification PHAS, l’attribution STP5 de la géométrie finale du boyau au futur conduit d’échappement 30.
Par suite, le conduit d’échappement 30 est fabriqué. Par exemple, la fabrication STPF du conduit d’échappement 30 sur la base du boyau modifié comporte la fabrication de deux demi-coquilles, et l’emboutissage d’au moins une des demi-coquilles.
Agencement de casiers d’un container pour de la livraison de colis La présente invention concerne de manière générale le domaine de la livraison de colis et se rapporte plus particulièrement à un agencement de casiers d’un container pour de la livraison de colis à domicile.
La livraison à domicile est également désignée par livraison « du dernier kilomètre » chez ou à proximité de particuliers ayant passé une commande sur un site marchand généralement via internet.
Aujourd’hui, la livraison du dernier kilomètre se fait principalement en utilisant des VUL, acronyme pour Véhicules Utilitaires Légers, appelés parfois « vans » ou encore « fourgonnettes ». Ce type de véhicules est adapté pour pouvoir transporter de petits conteneurs, ou « containers » en vocable anglosaxon. Ces petits containers sont également désignés par « mini-containers ». Ils ont typiquement une forme générale d’un parallélépipède rectangle avec une surface au sol de 800mmx600mm ou 800mmx1200mm.
Il est également connu des containers qui sont acheminés sur une zone de dépôt, ou point de retrait, déterminés sur lequel ont été préalablement déposées des stations de déchargement ou « docks » en terminologie anglosaxonne. Ce type de container est agencé en casiers, également désigné par « locker » en terminologie anglosaxonne, contenant de petits paquets ou colis. L’ouverture de ces casiers est conditionnée par un code connu uniquement du client qui a préalablement passé une commande et qu’il doit saisir pour pouvoir récupérer son colis.
Selon un exemple de ce mode de réalisation : le canal est formé entre l'unité d'électrode, les ailettes en vis-à-vis de l’unité d'électrode et une partie de la surface du dissipateur située entre les ailettes, le canal formant un circuit d’écoulement de l’air de refroidissement circulant entre une ouverture d’entrée et une ouverture de sortie formée entre l’unité d’électrode et le dissipateur thermique ou dans l’unité d’électrode et/ou le dissipateur thermique, et la deuxième électrode comprend une surface électrique faisant face à la première et ou la deuxième ailette. On comprend que la deuxième électrode longe les ailettes du dissipateur thermique de sorte qu'un vent ionique s'établit entre ces électrodes.
Selon un exemple de ce mode de réalisation : la surface électrique de la deuxième électrode longitudinale fait face à une deuxième ailette, la première et la deuxième ailette forment des parois de bord longitudinales du canal, le support d'électrode diélectrique forme un couvercle du canal, une surface du dissipateur thermique entre les première et deuxième ailettes forme un fond du canal, et la surface électrique de la deuxième électrode est orientée le long des ailettes.
Cela permet d'utiliser la deuxième face pour former le canal et les ailettes comme partie principale de l'électrode formée par le dissipateur.
Selon un autre mode de réalisation qui est une variante de ce mode de réalisation, l’unité d'électrode comprend une pluralité d'ailettes s’étendant du support d’électrode diélectrique, formant entre elles avec le dissipateur thermique électriquement conducteur une pluralité de canaux parallèles les uns aux autres, formant différents circuits d'écoulement d'air frais, et dans lequel le module d'éclairage comprend une deuxième électrode par circuit d'écoulement d'air frais le long d'au moins un canal formant les circuits d'écoulement d'air frais. Cela permet au dispositif de refroidissement d'avoir une pluralité de circuits pour être plus efficace dans la même surface du dissipateur thermique.
Selon un exemple de ce mode de réalisation, les ailettes de l’unité d'électrode sont en contact physique ou au moins en contact thermique (par une pate ou couche thermique isolante électriquement par exemple) avec le dissipateur thermique électriquement conducteur.
Selon un exemple de ce mode de réalisation, les ailettes de l’unité d'électrode sont métalliques.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, les première et deuxième ailettes forment chacune une paroi de bord longitudinal du canal et le support d'électrode avec une surface du dissipateur thermique entre les première et deuxième ailettes, forment chacun respectivement un couvercle et un fond du canal, la surface électrique de la deuxième électrode longe les ailettes. Selon un exemple, la deuxième électrode est située plus près du fond que du couvercle. Selon une variante la deuxième électrode est située plus proche du couvercle que du fond, par exemple plus proche des extrémités des ailettes.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, l'unité d'électrode et/ou le dissipateur thermique forme une ouverture d’entrée et/ou une ouverture de sortie pour respectivement amener de l'air frais dans l'au moins un canal et expulser l'air chaud de l'au moins un canal, le mouvement d'écoulement d'air étant produit depuis ladite ouverture d'entrée vers l'ouverture de sortie.
Par air frais, on entend l’air destiné à venir refroidir le dissipateur thermique. Par air chaud, on entend l'air réchauffé car ayant servi à refroidir le dissipateur thermique.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, chaque première ailette et deuxième ailette, contribuent également à former un autre canal respectivement deuxième et troisième canal, et l'unité d'électrode comprend deux autres deuxièmes électrodes, chacune supportée par le support diélectrique dans respectivement le deuxième et le troisième canal. Cela permet d'utiliser la première et la deuxième ailette dans deux canaux, ce qui réduit le volume et le poids du dispositif de refroidissement.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, la deuxième électrode et le dissipateur thermique formant la première électrode sont à une distance minimale de 1 à 5 mm.
Selon une mise en œuvre de cet exemple, la deuxième électrode et la première ailette sont à une distance minimale de 1 à 5 mm et la deuxième électrode et les secondes ailettes sont à une distance minimale de 1 à 5 mm. Cela permet aux flux d'air d'être efficacement en mouvement dans le canal.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, la deuxième électrode est à une même distance minimale des deux ailettes. Cette disposition permet d'équilibrer le déplacement des ions afin de diminuer, voire d'éviter les perturbations du flux d'air dans le canal.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, le canal comprend une deuxième ouverture de sortie située à une deuxième extrémité longitudinale du canal. Cela permet de diviser le (ou chaque) canal en deux circuits de refroidissement ayant chacun des sens d’écoulement de flux d'air opposées. Ainsi, l’air circule dans deux sens opposés, ce qui permet de réduire la température de l'air à chacune des sorties, pour une longueur du canal donnée. Une telle réduction de la température en sortie de canal permet un meilleur transfert thermique tout au long du canal, et ainsi, un refroidissement plus efficace.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, l'ouverture d'entrée se trouve au milieu entre la première et la deuxième ouverture de sortie. Cela permet au canal d'avoir la même longueur de canaux entre l’entrée et les sorties.
Selon un exemple d’un de ces deux modes de réalisation, l'ouverture d'entrée du canal fait face à une zone du dissipateur thermique correspondant à une zone du substrat connectée à la ou les sources lumineuses. Cela permet à la partie la plus chaude du dissipateur d'être en contact avec l'air entrant dans le canal pour diminuer les zones du dissipateur avec les températures les plus élevées ; en effet, l'air entrant dans le canal est plus frais car il n'a pas encore été réchauffé et permet donc un refroidissement plus efficace. En particulier, l’ouverture d’entrée peut faire face à la zone du substrat immédiatement à l’arrière de la source lumineuse.
Le circuit de lecture peut comporter au moins un neurone artificiel, étant par exemple de type « Octopus » (comme décrit dans « Event-Based Neuromorphic Systems », Book, S-C Liu et al, Wiley 2015 ; .4, page 161), « Leaky Integrate and Fire » ou « Axon-Hillock ».
De préférence, le neurone artificiel génère des impulsions à une fréquence qui dépend de la puissance optique reçue par ladite au moins une photodiode, la fréquence des impulsions étant inversement proportionnelle à ladite puissance.
Dans un mode de réalisation, le transistor MOS est un transistor d’activation agencé pour charger la capacité d’intégration lorsque la photodiode reliée à sa grille est dans l’obscurité Le transistor d’activation est préférentiellement de type PMOS dont la grille est connectée à l’anode de la photodiode, le drain à la capacité d’intégration et la source à une tension d’alimentation du capteur. La cathode de la photodiode peut être connectée à la masse.
Cela permet un réglage fin de la dynamique, c’est-à-dire du contraste en fréquence (pour un contraste d’intensité lumineuse) d’impulsions électriques générées par un neurone artificiel compris dans le circuit de lecture, en ajustant la tension d’alimentation, comme il sera mis en évidence par les formules ci-après.
Alternativement, le transistor d’activation est de type NMOS dont la grille est connectée à la cathode de la photodiode, le drain à une tension d’alimentation du capteur et la source à la capacité d’intégration. L’anode peut être connectée au point chaud de l’alimentation.
Dans un autre mode de réalisation, le transistor MOS est un transistor de désactivation agencé pour décharger la capacité d’intégration lorsque la photodiode reliée à sa grille est dans l’obscurité.
Le transistor de désactivation est préférentiellement de type PMOS dont la grille est connectée à l’anode de la photodiode, le drain à un miroir de courant connecté à la capacité d’intégration et la source à une tension d’alimentation du capteur.
Alternativement, le transistor de désactivation est de type NMOS dont la grille est connectée à la cathode de la photodiode, le drain à une tension d’alimentation du capteur et la source à un miroir de courant connecté à la capacité d’intégration.
Le transistor MOS peut être de technologie standard sur substrat massif.
Le transistor MOS peut être à déplétion totale, dit MOS sur SOI (« Silicon On Insulator » en anglais, pour silicium sur isolant), constitué d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant.
Le transistor MOS peut être un type de transistor non-planaire (transistor 3D), notamment un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais « fin field-effect transistor » ou FinFET) qui est un dispositif multi-grille, un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille.
En particulier, le transistor MOS peut être de type GAAFET (gate all around field effect transistor), un dérivé du FinFET, permettant d’atteindre des nœuds technologiques à 5 ou 3 nm. D’autres structures sont encore possibles.
De préférence, le capteur comporte au moins une cellule photosensible est de type « OFF », la cellule comprenant : Une partie excitatrice comprenant : - au moins un transistor MOS d’activation, fonctionnant sous le seuil, dont le courant drain-source influe sur la charge de la capacité d’intégration, et - au moins une photodiode fonctionnant en mode photovoltaïque, reliée à la grille de ce transistor d’activation, de telle sorte que le courant drain-source du transistor MOS d’activation est inversement proportionnel au courant photovoltaïque généré par la photodiode, le transistor d’activation étant agencé pour charger la capacité d’intégration lorsque la photodiode est dans l’obscurité; et Une partie inhibitrice comprenant : - plusieurs transistors MOS de désactivation, fonctionnant sous le seuil, dont les courants drain-source influent sur la charge de la capacité d’intégration, et
- plusieurs photodiodes fonctionnant en mode photovoltaïque, chacune étant reliée à la grille d’un des transistors de désactivation, de telle sorte que le courant drain-source de ce transistor est inversement proportionnel au courant photovoltaïque généré par la photodiode associée, le transistor de désactivation étant agencé pour décharger la capacité d’intégration lorsque la photodiode associée est dans l’obscurité,
la photodiode associée au transistor d’activation étant entourée par les photodiodes associées aux transistors de désactivation.
Ainsi, le capteur est biomimétique, se comportant de la même façon qu’une cellule biologique de type « OFF » ganglion rétinienne. Une telle cellule permet d’extraire les bords orientés dans une image, ce qu’on appelle aussi exaltation des contrastes.
Selon l’invention, le condensateur 300 est configuré pour délimiter sur la face supérieure 101 du substrat 100, un contour 201 d’une portion inscrite 202.
Le contour 201 peut-être de formes diverses telles que par exemple circulaire, ovoïde, parallélépipédique, polygonale.
Avantageusement, selon l’invention la portion inscrite 202 comprend au moins un pilier 400. Préférentiellement, le pilier 400 est agencé dans la portion inscrite 202 définie par le condensateur 300.
Selon un mode de réalisation préféré, le pilier 400 est agencé au centre de la portion inscrite 202. Plus spécifiquement, le centre du pilier 400 correspond au centre de la portion inscrite 202.
Avantageusement, la structure tridimensionnelle 200 comprend une première couche conforme comprenant une première partie formant la première couche d’électrode 501 de l’empilement capacitif 500 et une deuxième partie 404 agencée dans le pilier 400 plus spécifiquement recouvrant les parois latérales 403 du pilier 400. La première couche d’électrode 501 et la deuxième partie 404 sont avantageusement identiques notamment puisqu’elles sont formées préférentiellement en même temps par un seul dépôt d’une première couche. Préférentiellement, la première partie formant la première couche d'électrode 501 et la deuxième partie 404 agencée dans le pilier 400 sont déconnectées électriquement l’une de l’autre. La déconnexion électrique de la première partie formant la première couche d'électrode 501 et de la deuxième partie 404 agencée dans le pilier 400 se fait avantageusement par retrait partiel 504 de la première couche, notamment sur la face supérieure 101 du substrat 100.
L’agencement du condensateur tridimensionnel 300 dans une structure tridimensionnelle 200 comprenant un pilier 400 permet un gain de place en utilisant une partie de substrat 100 classiquement utilisée tout en permettant une mutualisation des étapes notamment le dépôt de la première couche sans pour autant impliquer un lien fonctionnel entre le condensateur 300 et le pilier 400.
Selon un mode de réalisation préféré, la largeur 401 du pilier 400 est au moins 20 fois supérieure à la largeur 303 d’une cavité, préférentiellement 50 fois supérieure à la largeur 303 d’une cavité.
Selon un premier mode de réalisation, la cavité du condensateur 300 est une tranchée 301. On entend par tranchée 301, une cavité dans le substrat 100 présentant une longueur de dimension supérieure à sa largeur 303. La longueur étant comprise comme la direction transversale à l’épaisseur et à la largeur. Préférentiellement, le rapport entre la longueur et la largeur est supérieur ou égal à 2, préférentiellement supérieure ou égale à 20. A titre d’exemple, la tranchée 301 présente une profondeur, c’est-à-dire une dimension s’étendant suivant une direction parallèle à l’épaisseur 103 de l’ordre de 20µm.
Selon ce premier mode de réalisation, la tranchée 301 est rectiligne ou courbée. La tranchée 301 rectiligne peut être une droite s’étendant suivant une seule direction ou bien s’étendant suivant plusieurs directions et formant ainsi une ligne brisée. La tranchée 301 courbe peut-être une courbe continue suivant une seule direction ou bien s’étendant suivant plusieurs directions et formant ainsi une ligne courbée.
Selon une possibilité préférée de ce premier mode de réalisation, le condensateur 300 peut comprendre une tranchée 301 définissant à elle seule le contour 201 de la portion inscrite 202. La tranchée 301 est ainsi refermée sur elle-même, les extrémités de la tranchée 302 se rejoignent. Selon la forme de la tranchée 301, la portion inscrite 202 peut-être de forme variable et quelconque. Préférentiellement, la tranchée 301 est par exemple circulaire ou encore polygonale ou parallélépipédique.
Dans cette possibilité, le pilier 400 est au centre de la portion inscrite 202 et la tranchée 301 forme le contour 200 de la portion inscrite 202.
Le condensateur 300 peut comprendre plusieurs cavités et en particulier plusieurs tranchées 301. Selon la possibilité préférée, le condensateur 300 comprend plusieurs tranchées 301 refermées sur elle-même et concentriques. Préférentiellement, les tranchées 301 sont circulaires comme illustré aux figures 1 et 3. Les tranchées 301 comprennent avantageusement un même empilement capacitif 500 de sorte à augmenter la surface de la capacité du condensateur 300.
Selon un deuxième mode de réalisation, la cavité du condensateur 300 est une colonne 302. On entend par colonne une cavité dans le substrat 100 présentant une longueur de dimension sensiblement équivalente à sa largeur. Préférentiellement, le rapport entre la longueur et la largeur est de l’ordre de 1. A titre d’exemple, la longueur et la largeur sont de 10µm et la profondeur est de l’ordre de 20µm.
Chaque colonne 302 présente une section transversale à l’épaisseur circulaire, ovoïde, parallélépipédique, polygonale. Toutes les colonnes 302 peuvent ou non avoir une même forme de section transversale.
Avantageusement, dans ce deuxième mode de réalisation, le condensateur 300 comprend au moins trois colonnes 302. Les colonnes 302 sont ainsi avantageusement agencées de sorte à définir un contour 201 d’une portion inscrite 202.
Avantageusement, le contour 201 de la portion inscrite 202 est formalisé par l’ensemble des lignes 203 reliant des colonnes 302 successives l’une à l’autre. Préférentiellement, le contour 201 est formé par l’ensemble des lignes 203 reliant les colonnes 302 les plus proches du pilier 400.
avec z + x =3.
De préférence, R’ 2 représente un groupe alkyle linéaire ou ramifié, de préférence linéaire comprenant de 1 à 4 atomes de carbone, tel qu’éthyle.
De préférence, R’ 3 représente un groupe alkyle linéaire ou ramifié, de préférence linéaire, comprenant de 1 à 4 atomes de carbone, tel que méthyle ou éthyle.
De préférence, R’ 1 est une chaîne acyclique, en particulier R’ 1 est une chaîne hydrocarbonée en C 1 -C 6 , linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, de préférence saturée, substituée par un ou plusieurs groupes thiol, de préférence substituée par un groupe thiol.
De préférence, R’ 1 est une chaîne hydrocarbonée en C 1 -C 6 , linéaire saturée substituée par un groupe thiol, et R’ 2 représente un groupe alkyle comprenant de 1 à 4 atomes de carbone,
De préférence, R’ 3 représente un groupe alkyle comprenant de 1 à 4 atomes de carbone.
Selon un mode plus particulier de l’invention, les alcoxysiloxanes thiolés sont choisis parmi ceux de formule suivante (IX) :
- p vaut 0 ou 1 ;
- t est un entier compris entre 1 et 4, de préférence 2 ;
- R 1 représente un radical (C 1 -C 6 )alkyle ;
- R 2 et R 3 , identiques ou différents, de préférence identiques, sont choisis parmi un groupe (C 1 -C 6 )alkyle, en particulier en C 1 -C 4 , tel que méthyle, et un groupe (C 1 -C 6 )alcoxy, en particulier (C 1 -C 4 )alcoxy, tel que méthoxy ;
- R 4 et R’ 4 , identiques ou différents, représentent un atome d’hydrogène, ou un groupe (C 1 -C 6 )alkyle, tel que méthyle ;