Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur à partir d’un substrat comportant une couche semi-conductrice, dite couche active, au niveau d’une première surface dudit substrat (c’est-à-dire sur une première surface dudit substrat ou proche de la première surface dudit substrat), le procédé comprenant : Une étape de dépôt d’une première couche diélectrique sur la première surface ; Une étape de dépôt d’une couche support dans un matériau conducteur ou diélectrique sur la première couche diélectrique ; Une étape de gravure de la couche support de sorte à former une matrice de premiers piliers formant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes, les premiers piliers formant les quatrièmes grilles lorsque la couche support est dans un matériau conducteur ; Une étape de dépôt conforme d’une deuxième couche diélectrique sur la matrice de premiers piliers, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier et ses plus proches voisins ; Une étape de gravure de la deuxième couche diélectrique de sorte à exposer la première couche diélectrique entre chaque premier pilier de la matrice de premiers piliers selon les diagonales de ladite matrice de premiers piliers ; Une étape de dépôt d’une première couche conductrice de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la deuxième couche diélectrique ; une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers conducteurs au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la deuxième couche diélectrique, l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support de sorte que les deuxièmes piliers conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape et forment les troisièmes grilles ; Une étape de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique que la matrice de premiers piliers et la matrice de deuxièmes piliers ; Une étape de dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique sur la matrice de premiers piliers et la matrice de deuxièmes piliers, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier et les deuxièmes piliers conducteurs plus proches voisins dudit premier pilier ; Une étape de gravure de la troisième couche diélectrique de sorte à exposer la première couche diélectrique entre chaque premier pilier de la matrice de premiers piliers selon les lignes et les colonnes de ladite matrice de premiers piliers ; Une étape de dépôt d’une deuxième couche conductrice de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la troisième couche diélectrique ; une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de troisièmes piliers conducteur au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la troisième couche diélectrique, l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support de sorte que les troisièmes piliers conducteurs ne sont en contact entre eux à l’issue de cette étape et forment les premières grilles et les deuxièmes grilles ; Lorsque le matériau de la couche support est un matériau diélectrique, une étape de retrait sélectif des premiers piliers de la pluralité de premiers piliers de sorte à exposer la première couche diélectrique au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers ; Lorsque le matériau de la couche support est un matériau diélectrique, une étape de dépôt d’une troisième couche conductrice dans l’espace laissé par les premiers piliers lors de l’étape de retrait sélectif précédente ; Lorsque le matériau de la couche support est un matériau diélectrique, une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de quatrièmes piliers conducteurs à l’emplacement des premiers piliers, l’arrêt du polissage se faisant de sorte que les quatrièmes piliers conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape.