INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
est une vue en perspective d’un module de réparation illustrant un mode de réalisation de l’invention,
est une représentation schématique d’une partie d’un circuit électronique illustrant un premier agencement de l’invention, et
est une représentation schématique d’une partie d’un circuit électronique illustrant un autre agencement de l’invention.
Selon un mode de réalisation visible sur les figures 3 et 4, une pièce 30 comprend un corps 32 présentant une surface S32 ainsi qu’un film 34, rapporté sur la surface S32 du corps 32, intégrant au moins un circuit électronique 36.
Selon une configuration, le corps 32 est en matériau composite ou en matière plastique. La surface S32 peut être plane, comme illustré sur la , ou courbe.
Le film 34 comprend une couche support 38 fixée sur la surface S32 du corps 32, le circuit électronique 36 rapporté sur la couche support 38 ainsi qu’une couche de protection 40 recouvrant au moins partiellement la couche support 38 et le circuit électronique 36.
Selon un aspect particulier de l’invention, l’étage de détection de stabilité est configuré pour, en outre, désactiver l’opération d’acquisition lorsque la pointe conductrice est écartée de la surface supérieure.
Selon un aspect particulier de l’invention, le signal de mesure comprend une première composante spectrale associée à la première fréquence, une deuxième composante spectrale associée à la deuxième fréquence et une troisième composante spectrale associée à la troisième fréquence ; et dans lequel le circuit de commande comprend un premier filtre destiné à extraire la deuxième composante spectrale et un second filtre destiné à extraire la troisième composante spectrale.
Selon un aspect particulier de l’invention, le circuit de commande comprend un régulateur pour générer le signal de commande de manière à maintenir une égalité entre l’amplitude de la deuxième composante spectrale (et celle de la troisième composante spectrale) pendant le régime permanent suite au régime transitoire.
Selon un aspect particulier de l’invention, l’étage de détection de stabilité comprend un circuit diviseur configuré pour calculer la valeur absolue de la différence relative entre : d’une part l’amplitude de la deuxième composante spectrale ; et d’autre part l’amplitude de la seconde composante spectrale.
Selon un aspect particulier de l’invention, l’étage de détection de stabilité comprend en outre un circuit d’activation d’acquisition configuré pour : comparer la valeur absolue de la différence relative à un second seuil prédéterminé ; générer le signal d’activation d’acquisition vers le calculateur lorsque la valeur absolue de la différence relative est inférieure au second seuil prédéterminé.
La illustre un premier mode de réalisation du dispositif expérimental selon l’invention.
La illustre un premier mode de réalisation de la variation de la première composante continue du signal de caractérisation selon l’invention.
La illustre un zoom partiel sur le signal de caractérisation pendant une itération caractérisation selon l’invention.
La illustre un schéma d’un étage de détection de stabilité du dispositif expérimental selon l’invention.
La illustre un premier exemple de la phase de stabilisation suite à une transition montante ou descendante de la tension appliquée entre la pointe et l’électrode inférieure de l’échantillon selon l’invention.
La illustre le traitement réalisé par l’étage de détection de stabilité selon un premier mode de réalisation de l’invention.
La illustre un deuxième mode de réalisation du dispositif expérimental selon l’invention.
La coiffe 95 est par exemple réalisée en une matière plastique déformable élastiquement telle que du polyéthylène (PE), du poly(styrène- éthyle-butyle-styrène) (SEBS), du polyéthylène-acétate de vinyle) (EVA) ou autre..
Préférentiellement, l’extrémité proximale 105 de chaque tube plongeur 85 débouche sur la face interne 115. La coiffe 95 comprend pour chaque tube plongeur 85, un orifice de sortie 125 la traversant de la face interne 115 à la face externe 120.
La face externe 120 est propre à être appliquée directement sur une partie du corps de l’utilisateur, telle que ses aisselles. Lorsque les produits cosmétiques sortent par les orifices de sortie 125, ils sont propres à se mélanger sur la face externe 120.
La coiffe 95 est déformable élastiquement entre une configuration de repos et une configuration de distribution.
Dans la configuration de repos, la région déformable 123 de la coiffe 95 est en appui étanche sur la surface d’appui 106. Elle couvre l’extrémité proximale 105 de chaque tube plongeur 85, en regard de l’orifice de passage 104, par sa face interne 115, pour empêcher la distribution de produit hors du tube plongeur 85.
Dans la configuration de distribution, la région déformable 123 de la coiffe 95 est déformée élastiquement par le produit cosmétique sortant de l’extrémité proximale 105 et passant par l’orifice de distribution 104.
La région déformable 123 s’écarte localement de la surface d’appui 106. Elle forme ainsi un chemin de fuite 130 entre la base 90 et la coiffe 95.
Le chemin de fuite 130 est délimité entre la surface d’appui 106 de la base 90 et la face interne 115 de la coiffe 95. Le chemin de fuite est délimité à sa périphérie par la ligne de fixation interne 108 définie par les trous 110 de la base 90 surmoulés par la coiffe 95.
Chaque chemin de fuite 130 est configuré pour conduire le produit cosmétique de l’orifice de distribution 104 à l’orifice de sortie 125 associé.
Les lignes de fixation internes 108 étant sans recouvrement, chaque chemin de fuite 130 est hermétiquement séparé de l’autre.
Par exemple chaque chemin de fuite 130 prend la forme d’une goutte dans lequel l’orifice de sortie 125 associé est localisé au niveau d’un sommet de la goute.
Le couvercle 37 est monté sur la coiffe 95 de manière amovible. Le couvercle 37 évite que les orifices de sortie 125 soient apparents lorsque le dispositif de conditionnement et de distribution n’est pas utilisé.
Un procédé de distribution de produits cosmétiques stockés dans le dispositif de conditionnement et de distribution 10 va maintenant être décrit.
Initialement, le dispositif de conditionnement et de distribution 10 stocke deux produits cosmétiques dans les volumes internes 50. Les chambres intermédiaires 20 sont au moins partiellement vides. La frette 30 est en position de repos et chaque région déformable 123 de la coiffe 95 est en configuration de repos, appliquée de manière complémentaire contre la surface d’appui de la base 90.
Les produits cosmétiques sont ainsi conservés de manière étanche et séparés l’un de l’autre dans chaque réservoir 15.
Pour utiliser le dispositif de conditionnement et de distribution 10, l’utilisateur retire le couvercle 37.
Une succession de tirs est réalisée. A chaque tir, une ligne d’impact est générée. Chaque ligne d’impact forme une bulle de gaz oblongue selon l’axe optique de propagation du faisceau laser modulé. Le scanner optique de balayage 40 permet de déplacer la ligne d’impact au-dessus/en-dessous du plan focal entre chaque tir. Lorsque tout le deuxième chemin de déplacement est recouvert de bulles de gaz, le plan de découpe vertical V1 est terminé.
Si la profondeur de la ligne d’impact est inférieure à la profondeur souhaitée pour le plan de découpe vertical, alors l’unité de commande 60 peut contrôler le scanner optique de balayage 40 et le système optique de focalisation 50 pour déplacer la ligne d’impact le long du deuxième chemin optique en faisant varier la profondeur du plan focal de l’appareil de découpe entre l’aller et le retour.
On obtient ainsi plusieurs plans de découpe verticaux V1 au-dessus du plan de découpe horizontal H1 initial. Ces plans de découpe V1 sont répartis en 2 sous-groupes (un premier sous-groupe de plans 107’ et un deuxième sous-groupe de plans 107’’ sur la ) formant des plans parallèles au sein d’un même sous-groupe mais perpendiculaires pour 2 sous-groupes différents permettant ainsi d’obtenir des plans de découpe verticaux formant un quadrillage, chaque carré élémentaire représentant les parois latérales des cubes ainsi découpés.
Dans une troisième étape (E330, F330), un plan horizontal H2 intermédiaire est réalisé pour coiffer les plans de découpe verticaux V1. Ce plan de découpe horizontal H2 est réalisé selon la même méthode que celle décrite en référence à la première étape. On obtient ainsi des cubes de cristallin définis entre les plans horizontaux et verticaux réalisés aux première, deuxième et troisième étapes.
Dans une quatrième étape (E340, F340), un deuxième ensemble de plans de découpe verticaux adjacents V2 est réalisé avec l’appareil de découpe. Ce deuxième ensemble de plans de découpe verticaux V2 est décalé latéralement relativement au premier ensemble de plan de découpe verticaux V1. Pour ce faire, l’unité de commande 60 pilote le déplacement du scanner optique de balayage 40 le long d’un troisième chemin de déplacement différent – en particulier décalé latéralement – par rapport au deuxième chemin optique. Ainsi, aucun des plans de découpe verticaux V2 du deuxième ensemble n’est coplanaire avec un plan de découpe vertical V1 du premier ensemble.
Dans une cinquième étape (E350, F350), un plan horizontal H3 supérieur est réalisé selon la même méthode que celle décrite en référence à la première étape. On obtient ainsi un empilement de deux étages de cubes de cristallin, les cubes de cristallin du deuxième étage étant décalés latéralement par rapport aux cubes de cristallin du premier étage.
Les étapes précédentes peuvent être réitérées pour réaliser un empilement de plus de deux étages de cubes de cristallin, les cubes d’un étage étant décalé latéralement des cubes de cristallin situé à l’étage inférieur sur lequel ils reposent.
3. Conclusions
Le décalage latéral des plans de découpe verticaux situés au-dessus d’un plan de découpe horizontal relativement aux plans de découpe verticaux situés en dessous dudit plan de découpe horizontal permet de limiter la propagation des bulles de gaz jusqu’à la surface du tissu à traiter.
Comme indiqué précédemment, dans le cas d’une découpe de tissu oculaire, une telle propagation peut induire l’accumulation de gaz au-dessus du plan de découpe dans le cristallin, voir au-dessus du cristallin dans la chambre antérieure de l’œil et masquer le faisceau laser, empêchant ainsi la réalisation de la découpe dans la partie antérieure du cristallin.
Ainsi, l’invention permet de disposer d’un outil de découpe tridimensionnelle efficace permettant de réaliser des découpes en portions élémentaires de même taille et de faibles dimensions.
Extrait d’algue du genre Ulva pour le traitement de l’inflammation et des troubles cognitifs et/ou émotionnels induits par un syndrome métabolique La présente invention a pour objet un extrait d’algue du genre Ulva et son utilisation en nutrition humaine et animale, pour le traitement de l’inflammation, préférentiellement l’inflammation associée à un syndrome métabolique, ainsi que pour le traitement de troubles cognitifs et/ou émotionnels induits par un syndrome métabolique. La présente invention a également pour objet des compléments alimentaires et des compositions alimentaires comprenant un extrait d’algue du genre Ulva .
La prédisposition génétique, la sédentarité, les habitudes alimentaires, les facteurs environnementaux et l'altération du métabolisme sont les facteurs principaux et convergents de l'apparition de l'obésité, une pathologie complexe et multifactorielle bien connue qui a atteint des proportions pandémiques. L'incidence de l'obésité a augmenté très rapidement au cours des 30 dernières années, ce qui suggère que des facteurs comportementaux et environnementaux, en particulier une plus grande disponibilité et une plus grande consommation d'aliments à forte teneur en graisses (régime HFD de l’anglais « High Fat Diet »), ont fortement alimenté cette affection. L'obésité induite par un régime riche en graisses est liée à plusieurs conditions pathologiques telles que le diabète, les maladies cardiovasculaires, l'hypertension, les maladies du foie, certaines formes de cancer (côlon, vésicule biliaire, sein, etc.).
La caractéristique commune de toutes les maladies métaboliques induites par l'obésité est une inflammation, en particulier une inflammation chronique de bas grade qui est étroitement liée à la physiopathologie du tissu adipeux.
En effet, l'obésité induite par un régime riche en graisses se caractérise par une inflammation de bas grade, et également une résistance à l’insuline, un stress oxydatif et des dysfonctionnements mitochondriaux.
-le deuxième passage comprend une membrane de fermeture perméable au fluide.
L’organe de fermeture peut être configuré pour ouvrir le premier passage quand une première pression présente dans le premier passage dépasse un premier seuil ; de préférence la membrane est configurée pour rompre quand une deuxième pression présente dans le deuxième passage dépasse un deuxième seuil, le premier seuil étant inférieur au deuxième seuil.
Un tel élément, par exemple une telle vanne, d’évacuation et de respiration peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
- un élément élastique, de préférence un ressort, configuré pour exercer une pression sur le piston pour fermer le premier passage ;
- et/ou la membrane dispose d'une perméabilité à l'air laissant passer, sous une différence de pression de ∆p 70 mbar, entre 1 et 500 litres d'air par heure et par cm² de surface de membrane ;
- et/ou un filtre, de préférence un maillage métallique, à une sortie du premier passage ;
- et/ou un capteur configuré pour indiquer un état d'ouverture de l'organe de fermeture ;
- et/ou un actionneur, configuré pour déplacer le piston pour ouvrir ou fermer le premier passage.
Dans un dispositif ou un procédé selon l’invention, au moins un élément, par exemple une vanne, de respiration peut comporter des moyens, par exemple un piston, formant clapet d'ouverture et de fermeture dudit élément de respiration.
Par exemple, cet élément, par exemple cette vanne, comporte en outre:
- un corps, par exemple un corps de vanne ;
- et/ou un support de membrane pour supporter une membrane permettant une circulation entre une atmosphère extérieure et l'atmosphère intérieure à l’élément de respiration ;
- et/ou des moyens d’activation pour activer les moyens formant clapet entre une première position, dite d'ouverture, de l’élément de respiration et une deuxième position, dite de fermeture de l’élément de respiration, ces moyens d‘activation autorisant, dans ladite première position, la circulation entre l'atmosphère intérieure et l'atmosphère extérieure à l’élément de respiration, et fermant, dans ladite deuxième position, ladite circulation.
Selon une réalisation, les moyens d‘activation permettent, dans ladite première position, la circulation entre l'atmosphère intérieure et l'atmosphère extérieure à l’élément de respiration, lorsqu’au moins un paramètre thermodynamique de l’atmosphère intérieure ou la différence d'un paramètre thermodynamique entre l'atmosphère intérieure et l'atmosphère extérieure, ou une variation de ce paramètre thermodynamique, est inférieur(e) à une valeur limite et fermant, dans ladite deuxième position, ladite circulation, par exemple lorsque ledit paramètre thermodynamique, ou sa différence entre l'atmosphère intérieure et l'atmosphère extérieure, ou sa variation, est supérieur(e) à la valeur limite.
Ledit au moins un paramètre thermodynamique, ou sa différence entre l'atmosphère intérieure et l'atmosphère extérieure, ou sa variation, peut comporter au moins la pression et/ou la température, ou la différence de la pression et/ou de la température entre l'atmosphère intérieure et l'atmosphère extérieure et/ou une variation de pression et/ou de température de l'atmosphère intérieure et/ou de l'atmosphère extérieure.
Les moyens formant clapet peuvent comporter un ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
La illustre la structure obtenue à l’issue d’une étape de report de l'empilement actif de LED et de photodiode 103 sur la face supérieure du circuit de contrôle 110. Pour cela, la structure de la peut être retournée, puis rapportée sur la structure de la de façon à mettre en contact la face de la couche métallique 105 opposée au substrat 101 (c’est à dire sa face inférieure dans l’orientation de la , correspondant à sa face supérieure dans l’orientation de la ) avec la face de la couche métallique 115 opposée au substrat 111 (c’est à dire sa face supérieure dans l’orientation des figures 1B et 1C). Au cours de cette étape, l'empilement actif 103 est fixé (bonded) au circuit de contrôle 110. A titre d'exemple, la fixation de l'empilement actif 103 sur le circuit de contrôle 110 peut être obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. A titre de variante, la fixation des deux surfaces peut être réalisée par thermocompression, collage eutectique, ou par toute autre méthode de fixation adaptée.
Une fois le collage réalisé, le substrat de support 101 est retiré de façon à découvrir la face supérieure (dans l’orientation de la ) de la couche semiconductrice 103c de l’empilement actif 103. Le substrat 101 est par exemple retiré par meulage et/ou gravure à partir de sa face opposée à l'empilement actif 103. A titre de variante, dans le cas d'un substrat 101 transparent, par exemple un substrat en saphir, le substrat 101 peut être détaché de l'empilement actif 103 au moyen d'un faisceau laser projeté à travers le substrat 101 depuis sa face opposée à l'empilement actif 103 (procédé de type laser lift-off). Plus généralement, toute autre méthode permettant de retirer le substrat 101 peut être utilisée. Après le retrait du substrat, une étape supplémentaire de gravure peut être prévue pour retirer d'éventuelles couches tampon subsistant du côté de la face supérieure de la couche semiconductrice 103c. En outre, une partie de l'épaisseur de la couche 103c peut être retirée, par exemple par gravure. A l'issue de cette étape, l'empilement actif 103 revêt sensiblement toute la surface du circuit de contrôle 110, sans discontinuité. A titre d'exemple, l'épaisseur de l'empilement actif 103 à l'issue de l'étape de la est comprise entre 0,5 et 2 µm.
A l’issue de cette étape, les contraintes mécaniques de l’empilement actif épitaxié 103 sont partiellement transférées dans le substrat 111 du circuit de commande 110.
La illustre une étape postérieure à l'étape de la , au cours de laquelle des tranchées 120 sont formées dans l'empilement actif 103, depuis sa face supérieure, par exemple par lithographie puis gravure, de façon à délimiter une ou plusieurs LED L et une ou plusieurs photodiodes P, correspondant chacune à une portion de l’empilement actif 103 en forme d’îlot ou mésa. Dans l’exemple représenté, les tranchées 120 s'étendent verticalement sur toute la hauteur de l'empilement actif 103 et débouchent sur la face supérieure de la couche métallique 105. Les tranchées 120 peuvent être alignées sur des repères préalablement formés sur le circuit de contrôle 110. Dans l'exemple représenté, chaque LED L est située, en projection verticale, en regard d'un unique plot métallique 113L du circuit de contrôle 110, et chaque photodiode P est située, en projection verticale, en regard d'un unique plot métallique 113P du circuit de contrôle 110. A titre d’exemple, chaque LED L et chaque photodiode P a, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée ou rectangulaire. Les tranchées 120 forment par exemple, en vue de dessus, une grille ou un quadrillage séparant latéralement les unes des autres les LED L et les photodiodes P du dispositif.
Les tranchées peuvent ensuite être prolongées à travers les couches métalliques 105 et 115 pour individualiser les connexions électriques sur la couche semiconductrice inférieure 103c de l’empilent actif 103 de chaque LED L et de chaque photodiode P. Des étapes ultérieures peuvent ensuite être mises en oeuvre pour reprendre un contact électrique individuel ou commun sur la couche semiconductrice supérieure 103a de l’empilement actif 103 de chaque LED L et de chaque photodiode P. Ces étapes n’ont pas été détaillées et sont à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. A titre d’exemple, ces étapes sont similaires à ce qui a été décrit dans la demande de brevet WO2017194845 ou dans la demande de brevet WO2019092357 précédemment déposées par le demandeur.
Lors de l’étape de la de gravure de l’empilement actif 103, une relaxation additionnelle des contraintes mécaniques présentes dans l’empilement actif épitaxié 103 se produit par les bords des îlots ou mésas gravés. Cette relaxation dépend de la taille des îlots ou mésas. En particulier, des îlots ou mésas de petites dimensions présentent une relaxation importante des contraintes, tandis que des îlots ou mésas de dimensions plus importantes conservent une contrainte mécanique relativement élevée. La relaxation peut en outre dépendre de la nature du substrat, qui peut par exemple comprendre un empilement d’une couche de nitrure de gallium sur une couche de silicium, ou un empilement d’une couche de nitrure de gallium sur une couche de saphir, ou un empilement d’une couche de nitrure de gallium poreux sur une couche de silicium.
Selon un aspect du premier mode de réalisation, on prévoit de définir : - des LED L de dimensions latérales relativement faibles de façon à obtenir une relaxation importante des contraintes mécaniques dans l’empilement actif 103 et par conséquent un décalage vers le bas du pic d’émission relativement important, et - des photodiodes P de dimensions latérales relativement élevées de façon à obtenir une relaxation moins importante des contraintes mécaniques dans l’empilement actif 103 et par conséquent un décalage vers le bas du pic d’absorption relativement faible.
Ceci permet de compenser au moins partiellement le décalage de Stokes naturellement présent entre le pic d’émission et le pic d’absorption de l’empilement actif 103.
A titre d’exemple, les îlots ou mésa formant les LED L présentent des dimensions latérales inférieures ou égales à 5 µm, par exemple inférieures ou égales à 4 µm, par exemple inférieures ou égales à 2 µm. Ceci permet d’obtenir une relaxation quasi-totale de l’empilement actif lors de la gravure de la LED. Les îlots ou mésa formant les photodiodes P présentent quant à eux des dimensions latérales supérieures à celles des LED, par exemple au moins deux fois supérieures à celles des LED, par exemple au moins quatre fois supérieures à celles de LED, de façon à conserver des contraintes mécaniques relativement élevées dans l’empilement actif 103 des photodiodes P.
A titre d’exemple, non limitatif, pour un empilement actif à base de GaN et pour des LED L carrées d’environ 1 µm de côté et des photodiodes P de 8 10 µm de côté, on observe un alignement du pic d’émission des LED L sur le pic d’absorption des photodiodes P.
Les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l’exemple d’agencement des LED L et des photodiodes P représenté sur la . A titre d’exemple, le dispositif peut comprendre, sur une première partie de la surface du circuit intégré de contrôle 110, une pluralité de LED L, par exemple identiques (aux dispersions de fabrication près), par exemple agencées en matrice selon des rangées et des colonnes, par exemple avec un pas inter-LED constant. Le dispositif peut en outre comprendre, sur une deuxième partie de la surface du circuit intégré de contrôle 110, une pluralité de photodiodes P, par exemple identiques (aux dispersions de fabrication près), par exemple agencées en matrice selon des rangées et des colonnes, par exemple avec un pas inter-photodiodes constant. Le pas inter-LED dans la première région est par exemple identique au pas inter-photodiodes dans la deuxième région. Les dimensions latérales des LED de la première région sont en revanche inférieures aux dimensions latérales des photodiodes de la deuxième région.