INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Le bus système SBS peut être l’un quelconque de plusieurs types de structures de bus qui peuvent en outre s’interconnecter à un bus mémoire (avec ou sans dispositif de commande de mémoire), un bus périphérique et/ou un bus local en utilisant l’une quelconque d’une variété d’architectures de bus. La mémoire MEM peut être un ou plusieurs dispositif(s) de stockage de données et/ou de code informatique pour mettre en œuvre ou faciliter des procédés décrits ici. La mémoire MEM peut comporter des composants de base de données, des composants de code objet, des composants de script ou d’autres types de structure d’informations pour soutenir les diverses activités ici. Tout dispositif de mémoire distribuée ou locale peut être utilisé avec les systèmes et procédés de cette description. La mémoire MEM peut être connectée en communication au dispositif processeur PRC (par exemple, via un circuit ou toute autre connexion filaire, sans fil ou réseau) et peut comporter un code informatique pour exécuter une ou plusieurs étape(s) décrite(s) ici. La mémoire MEM peut comporter une mémoire non volatile NVM (par exemple, une mémoire morte (ROM), une mémoire morte programmable effaçable (EPROM), une mémoire morte programmable effaçable électriquement (EEPROM), etc.), et une mémoire volatile VM (par exemple, une mémoire vive (RAM)), ou tout autre support qui peut être utilisé pour porter ou stocker un code de programme souhaité sous la forme de structures de données ou d’instructions exécutables par machine et qui est accessible par un ordinateur ou une autre machine avec un dispositif processeur. Un système de base d’entrée/sortie (BIOS) BSP peut être stocké dans la mémoire non volatile NVM et peut comporter les routines de base qui aident à transférer des informations entre des éléments dans le système informatique CP.
Le système informatique CP peut en outre comporter ou être couplé à un support de stockage lisible par ordinateur non transitoire tel que le dispositif de stockage STD, qui peut comprendre, par exemple, un lecteur de disque dur interne ou externe (HDD) pour le stockage, une mémoire flash, ou autres analogues. Le dispositif de stockage STD peut fournir un stockage non volatil de données, de structures de données, d’instructions exécutables par ordinateur, et autres analogues.
Par ailleurs, ces gains sont obtenus avec un compromis entre la performance de la résistance à la déchirabilité et de l’hystérèse qui est particulier. Dans le cas de l’élastomère fortement insaturé, l’utilisation de la résine plastifiante hydrocarbonée non seulement n’améliore pas la résistance à la déchirabilité, mais provoque une augmentation de l’hystérèse. Dans le cas de l’élastomère fortement saturé, l’addition de la résine plastifiante hydrocarbonée à 3 pce permet d’atteindre un compromis de performance entre la résistance à la déchirabilité et l’hystérèse comparable à celui obtenu avec une composition de caoutchouc contenant un noir de carbone plus renforçant (composition C4), et même ce compromis est amélioré dans le cas de l’ajout de 6 pce.
Composition T0 T1 C0 C1 C2 C3 C4 SBR (1) 80 80 BR (2) 20 20 EBR (3) 100 100 100 100 100 Noir de carbone (4) 58 58 40 Noir de carbone (5) 40 40 40 40 Cire antiozone (6) 1 1 1 1 1 1 1 Antioxydant (7) 2 2 2 2 2 2 2 Résine plastifiante hydrocarbonée (8) 6 3 6 9 Acide stéarique (9) 2 2 2 2 2 2 2 ZnO (10) 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 Accélérateur primaire (11) 1.1 1.1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 Accélérateur secondaire (12) 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 Soufre 1.1 1.1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 (1) SBR contenant 26.5% de motif styrène (% massique) et 24% de motif 1,2 de la partie butadiénique (Tg = - 48°C) (2) BR Néodyme contenant 98% de motif 1,4-cis butadiène (Tg = -108°C) (3) Elastomère E1 (4) Noir de carbone N134 (BET de 145 m 2 /g) (5) Noir de carbone N234 (BET de 120 m 2 /g) (6) Cire anti-ozone « VARAZON 4959 » de la société Sasol Wax (7) N-(1,3-diméthylbutyl)-N’-phényl-p-phénylènediamine « Santoflex 6PPD » de la société Flexys (8) Résine coupe C5/coupe C9 « THER 8644 » de Tg 44°C, commercialisée par la société Cray Valley (9) Stéarine « Pristerene 4931 » de la société Uniqema (10) Oxyde de zinc de grade industriel de la société Umicore (11) N-cyclohexyl-2-benzothiazyle sulfénamide « Santocure CBS » de la société Flexys (12) Disulfure de tétrabenzylthiurame (0.3 pce, « Perkacit TBZTD » de la société Flexsys) et diphénylguanidine (0.5 pce, « Perkacit DPG » de la société Flexsys)
Composition T0 T1 Déchirabilité 100 98 tanδ(max) 100 107
Composition C0 C1 C2 C3 C4 Déchirabilité 100 139 181 278 145 tanδ(max) 100 102 107 114 107
Des compositions de caoutchouc renforcées d’une silice et comprenant un élastomère diénique fortement saturé sont connues par exemple des documents WO 2014114607 A1 et WO 2018224776 A1. L’élastomère diénique fortement saturé est un copolymère d’éthylène et d’un 1,3-diène comme le 1,3-butadiène et a la particularité de contenir plus de 50% en mole d’unité éthylène. En raison de sa teneur élevée en éthylène et de son faible taux d’unité diénique inférieur à 50% en mole, il se distingue largement des élastomères diéniques qui sont traditionnellement utilisés dans les compositions de caoutchouc et qui contiennent généralement plus de 50% en mole d’unité diénique, comme les polybutadiènes, les polyisoprènes et les copolymères de 1,3-butadiène ou d’isoprène et de styrène. Il a notamment la particularité de conférer à une composition de caoutchouc un compromis de propriété entre la rigidité et l’hystérèse qui est différent de celui conféré par les élastomères diéniques traditionnellement utilisés.
Depuis que les économies de carburant et la nécessité de préserver l’environnement sont devenues une priorité, il est souhaitable de produire des mélanges possédant de bonnes propriétés de résistance à l’usure tout en ayant une hystérèse aussi faible que possible afin de pouvoir les mettre en œuvre sous forme de compositions de caoutchouc utilisables pour la fabrication de divers produits semi-finis entrant dans la composition de pneumatiques, tels que par exemple des bandes de roulement, ce afin d’obtenir des pneumatiques possédant une résistance à l’usure améliorée sans pénalisation de la résistance au roulement.
Pour améliorer la résistance à l'usure, on le sait, une certaine rigidité de la bande de roulement est souhaitable, cette rigidification de la bande de roulement pouvant être obtenue par exemple en augmentant le taux de charge renforçante dans les compositions de caoutchouc constitutives de ces bandes de roulement. Malheureusement, l'expérience montre qu'une telle rigidification de la bande de roulement pénalise de manière connue, le plus souvent de manière rédhibitoire, les propriétés de résistance au roulement, en s'accompagnant d'une augmentation importante des pertes hystérétiques de la composition de caoutchouc.
L’amélioration de la performance de rigidité en gardant une faible résistance au roulement est de ce fait une préoccupation permanente pour les concepteurs de pneumatique. Au vu de ce qui précède, il est un objectif général de fournir des compositions de caoutchouc pour pneumatique qui satisfassent un compromis amélioré de propriétés entre la rigidité et l’hystérèse pour un usage en pneumatique, notamment en bande de roulement, pour améliorer le compromis de performance entre l’usure et la résistance au roulement.
Les inventeurs ont découvert une composition de caoutchouc alliant à la fois un très haut niveau de rigidité et un très faible niveau d’hystérèse.
Ainsi, l’invention concerne une composition de caoutchouc qui comprend : - un élastomère diénique fortement saturé qui est un copolymère d’éthylène et d’un 1,3-diène qui comprend des unités éthylène qui représentent plus de 50% en moles des unités monomères du copolymère, - un système de vulcanisation, - une charge renforçante qui contient une silice, - et un agent de couplage silane de formule (1) (G 1 ) 3 -a (G 2 ) a Si-Z-NH-C(O)-N=N-G 4 (1) dans laquelle : - G 1 , identiques ou différents, représentent chacun un groupe alkyle en C 1 -C 8 , - G 2 , identiques ou différents, représentent chacun un groupe hydroxyle ou un groupe alkoxyle en C 1 -C 8 , - G 4 représente un groupe aromatique, - Z représente un groupe alkanediyle en C 1 -C 8 , - a est égal à 1, 2 ou 3.
Dans le présent exposé de l’invention, l’appellation un groupe en C n -C m est utilisée pour désigner un groupe ayant n à m atomes de carbone, n étant un nombre entier supérieur ou égal à 1, m étant un nombre entier supérieur à n. A titre d’exemple, un groupe alkyle en C 1 -C 8 désigne un radical alkyle ayant 1 à 8 atomes de carbone, un groupe alkoxyle en C 1 -C 8 un radical alcoxy ayant 1 à 8 atomes de carbone, un groupe alkanediyle en C 1 -C 8 un radical alcanediyle ayant 1 à 8 atomes de carbone, un groupe aryle en C 6 -C 12 un radical aryle ayant 6 à 12 atomes de carbone.
Selon une variante du deuxième mode de réalisation représentée en figures 6 et 7, le frein à tambour comporte une première et une seconde rondelles 29A, 29B formant chacune une masse additionnelle, et fixées chacune respectivement sur l’alésage 22A, 22B des premières extrémités 15A, 15B des âmes 12A, 12B.
On comprend que l’utilisation des alésages 22A, 22B permet de simplifier la fixation des masses additionnelles sur les âmes des segments et d’atténuer les vibrations au niveau de la liaison entre le segment 3 et le levier 21.
De manière à assurer un décalage suffisant des fréquences propres du segment, l’ensemble des masses additionnelles représente une masse comprise entre 15 et 40% de la masse du segment.
L’invention propose également des étapes qui s’incrémentent à la suite des étapes classiques de fabrication d’un frein à tambour.
Ainsi, il est prévu de procéder selon l’invention au moins à une étape de détermination des fréquences de résonance des modes propres des segments 3, 4, et de l’ensemble des autres pièces constituant le frein à tambour.
Puis, on détermine la valeur des masses additionnelles 29, 29A, 29B et/ou des amortisseurs de vibration ainsi que leur positionnement sur les âmes des segments 3, 4, de manière à éloigner les fréquences de résonances des segments, des fréquences de résonances de l’ensemble des autres pièces constituant le frein à tambour.
Puis, on définit l’endroit où doivent être fixées la ou les masses additionnelles 29, 29A, 29B.
Enfin, on fixe les masses additionnelles 29, 29A, 29B à l’endroit déterminé sur les âmes 12A, 12B.
De préférence, le rapport (R) entre la fréquence de résonance la plus élevée et la fréquence de résonance la plus faible est au moins égal à 1,12 et préférentiellement supérieur à 1,15.
1 - frein à tambour
2 - plateau fixe
3 - premier segment
4 - second segment
5 - câble de frein
L’étape S1 de fourniture de la structure multicouches et l’étape S2 de définition des première et deuxième régions 10A-10B ont été décrites précédemment.
L’étape S4’ de recuit laser diffère de l’étape S4 décrite précédemment en ce que la (ou les) portion(s) de la structure multicouches 10 modifiée par le recuit laser se situe dans la première région 10A au lieu de la deuxième région 10B. Après retrait de la partie enrichie en germanium 112, la partie appauvrie en germanium 111 forme la première zone semi-conductrice 100A (optimisée pour la conduction par électrons).
Ainsi, l’objectif final du procédé selon ces trois modes de mise en œuvre n’est pas de concentrer les atomes de germanium dans la deuxième région 10B pour former la deuxième zone semi-conductrice 100B (optimisée pour la conduction par trous), mais au contraire d’appauvrir (ou dépléter) en germanium la couche de SiGe 12 dans la première région 10A pour former la première zone semi-conductrice 100A.
A nouveau, une couche de réflexion laser 14 peut être utilisée pour localiser le recuit laser. Toutefois, la couche de réflexion laser 14 est ici formée uniquement dans la deuxième région 10B de la structure multicouches.
Ainsi, dans les modes de mise en œuvre des figures 5A-5D et 6A-6D, la structure multicouches 10 fournie à l’étape S1 comprend en outre la couche de réflexion laser 14 disposée sur la couche de protection 13 (ou sur la couche de SiGe 12) et le procédé de fabrication comprend en outre, avant l’étape S4’ de recuit laser, une étape S3’ de retrait d’une portion de la couche de réflexion laser 14 située dans la première région 10A de la structure multicouches 10 (cf. Figs.5C et 6B)
Les figures 5A à 5D illustrent un cinquième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication.
L’étape S1 de fourniture de la structure multicouches 10 et l’étape S2 de définition des première et deuxième régions 10A-10B (cf. et ) sont sensiblement identiques à celles décrites en relation avec les figures 1A-1B (premier mode de mise en œuvre). La seule différence est que la couche de SiGe 12 présente ici une concentration en germanium supérieure ou égale à 30 %.
Après retrait de la portion de la couche de réflexion laser 14 située dans la première région 10A (étape S3’), la structure multicouches 10 est soumise à l’étape S4’ de recuit laser afin d’obtenir dans la première région 10A la couche semi-conductrice 110A’ (à base de SiGe) comprenant la partie appauvrie en germanium 111 et la partie enrichie en germanium 112 (cf. ).
Puis, à l’étape S5’ représentée par la , la couche de protection 13 est retirée dans la première région 10, par gravure sélective par rapport à la couche semi-conductrice 110A’, puis la partie enrichie en germanium 112 de la couche semi-conductrice 110A’ est gravée entièrement, de manière à exposer la partie appauvrie en germanium 111. La partie appauvrie en germanium 111 peut être également gravée en partie (supérieure), en fonction de la concentration en germanium souhaitée dans la première région 10A. En effet, plus on se rapproche du substrat 11, plus la concentration en germanium de la couche semi-conductrice 110A’ diminue.
La partie enrichie en germanium de la couche semi-conductrice 110B’ peut être gravée au moyen d’une solution de gravure, par exemple un mélange d’acide acétique, d’acide fluorhydrique et de peroxyde d'hydrogène.
La partie appauvrie en germanium 111 forme la première zone semi-conductrice 100A, tandis que la portion non-modifiée de la couche de SiGe 12 forme la deuxième zone semi-conductrice 100B.
Les figures 6A à 6C illustrent un sixième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication.
Ce sixième mode de mise en œuvre diffère du cinquième mode de mise en œuvre essentiellement dans la manière dont sont définies les première et deuxième régions 10A-10B de la structure multicouches 10 (étape S2).
La couche de SiGe 12 est ici gravée après son dépôt sur le substrat 11 et avant le dépôt de la couche de protection 13, alors que dans le cinquième mode de mise en œuvre, elle est gravée après avoir complètement formé la structure multicouches 10 (tranchée 15). Autrement dit, les étapes S1 et S2 sont accomplies comme dans le troisième mode de mise en œuvre (cf. Figs.3A-3B), sauf que la couche de SiGe 12 n’est pas structurée sous forme d’ailettes.
Ainsi, l’étape S1 de fourniture de la structure multicouches ( ) comprend les sous-étapes suivantes : le dépôt de la couche de SiGe 12 sur le substrat 11, par exemple par épitaxie ; le gravure de la couche de SiGe 12 de manière à obtenir une première portion située dans la première région 10A et une deuxième portion située dans la deuxième région 10B ; la formation d’une tranchée d’isolation électrique 16’ entre les première et deuxième portions de la couche de SiGe 12 ; et de préférence le dépôt de la couche de protection 13 sur la couche de SiGe 12.
La couche de protection 13 peut être formée sur la couche de SiGe 12 en déposant le même matériau électriquement isolant que celui formant la tranchée d’isolation électrique 16’, comme décrit en relation avec la .
Afin de montrer les potentialités du capteur optique selon l’invention, une matrice de pixels 64*64 a été simulée. La illustre schématiquement cette simulation. Il est procédé à une lecture séquentielle pendant 50 µs de chaque pixel illuminé (50 / 100 / 250 / 500 / 1000 / 5000 lux), l’un après l’autre. Ainsi, lorsqu’un pixel illuminé est connecté au neurone artificiel 10, ce dernier encode l’intensité lumineuse sous la forme d’impulsions électriques - codage temporel et fréquentiel -, comme pour une rétine biologique. Il est à noter que les courants de fuite (inhibiteurs) associés aux pixels dans l’obscurité (pixels non éclairés -luminance de 0 lux - qui ne sont jamais sélectionnés dans les simulations données ci-après) ont été pris en compte dans la simulation.
La représente la réponse temporelle de différents pixels d’un capteur selon l’invention dans un environnement correspondant à un stade éclairé de nuit avec une intensité lumineuse maximale de 1500 lux. Il s’agit de la réponse en fonction du temps de six pixels, du moins au plus illuminé, embarqués dans une matrice de 64*64 pixels (les autres pixels étant dans l’obscurité, c’est-à-dire, une luminance de 0 lux), chaque pixel ayant une luminance différente.
La tension de membrane du neurone artificiel est tracée en fonction du temps. Le neurone réagit promptement à la variation d’intensité lumineuse observée lors d’un passage d’un pixel illuminé à un autre. Pour cet exemple, la tension d’alimentation Vdd a été ajustée de telle sorte que, lorsque l’intensité lumineuse varie de 50 à 5000 lux (2 ordres de grandeur entre le pixel le moins illuminé à celui qui l’est le plus), le ratio d’impulsions électriques délivrées par le neurone (et donc la fréquence) soit supérieur à 10 (ratio correspondant au nombre d’impulsions pour 50 lux divisé par le nombre d’impulsions pour 5000 lux).
La illustre schématiquement la réponse temporelle de différents pixels d’un capteur selon l’invention dans un environnement correspondant à un appartement bien éclairé avec une intensité lumineuse maximale de 400 lux. Il s’agit de la réponse en fonction du temps de six pixels, du moins au plus illuminé, embarqués dans une matrice de 64*64 pixels (les autres pixels étant dans l’obscurité), chaque pixel ayant une luminance différente.
La tension d’alimentation Vdd a été ajustée de façon à augmenter le ratio – supérieur à 10 - entre le nombre d’impulsions électriques, lorsque l’intensité lumineuse varie de 50 à 500 lux (pour le cas précédent, ce ratio pour cette variation d’intensité lumineuse était de 3, alors qu’il était de 10 lorsque l’intensité lumineuse variait de 50 à 5000 lux).
La représente schématiquement le résultat de la simulation d’une cellule « OFF » selon l’invention à différentes luminances. La cellule « OFF » de la a été utilisée pour la simulation illustrée sur la . On observe clairement que lorsque le pixel central est plus illuminé (1000 lux), la fréquence des impulsions électriques délivrée par le neurone artificiel diminue (par rapport à une illumination de seulement 100 lux), fonctionnement mimant parfaitement la biologie.
Afin de valider expérimentalement le concept du capteur optique à image négative, une puce 64*64 pixels a été conçue. Cette puce a pu être mesurée sous pointes, dans des conditions de faibles luminances comme celles présentées pour les simulations précédentes. Pour la caractérisation, la réponse du neurone artificiel a été mesurée pour un pixel, pour différentes conditions de luminances. Un premier résultat expérimental est illustré à la , avec un pixel observé pendant 50 µs, d’une situation correspondant à la pièce dans « l’obscurité » (1 lux, (a)) jusqu’à un éclairement sur la puce de 1300 lux ( (c)), la tension d’alimentation du pixel étant de 600 mV et celle du neurone 300 mV.
De la , plusieurs enseignements peuvent être tirés. En effet, conformément à la théorie :
(i) le pixel génère bien des spikes dans l’obscurité,
(ii) à lumière ambiante (intensité lumineuse ~ 1000 lux, correspondant à la (b)), la fréquence des impulsions électriques diminue,
(iii) si l’on accroît l’intensité lumineuse (~ 1300 lux, correspondant à la (c)), la fréquence continue à décroître. Il est à noter que si l’on continue à augmenter la luminance, le neurone ne générera plus d’impulsions électriques.
Pour vérifier la possibilité d’ajuster la dynamique d’intensité lumineuse (et/ou de fréquence d’impulsions générées par le neurone) par le réglage de la tension d’alimentation du pixel, cette dernière a été augmentée à 700 mV, la tension d’alimentation du neurone restant la même. Les résultats sont présentés à la . On observe clairement une augmentation de la dynamique d’intensité lumineuse du pixel : à 1000 lux et à 1300 lux, plus d’impulsions sont générées par rapport à la .
La résume les résultats des figures 11 et 12 en représentant schématiquement la fréquence des impulsions électriques en kHz générées en fonction de la luminosité en lux.
Cette figure illustre la possibilité de contrôler la dynamique d’intensité lumineuse du capteur optique via la tension d’alimentation du pixel, afin qu’il s’adapte aux conditions d’éclairement de son environnement. Ces résultats expérimentaux confortent les résultats montrés en simulation précédemment (figures 8 et 9).
La puce électronique intégrant le capteur avec le circuit de lecture peut être encapsulée de façon conventionnelle dans un boîtier. Alternativement, une colle d’enrobage polymérisable sous rayonnement UV ou sous l’effet de la chaleur fait office de résine d’encapsulation ou d’enrobage répondant aux contraintes mécaniques et d’humidité. Sans solvant et avec une grande pureté ionique, une telle colle protège de la corrosion et permet une grande fiabilité et durabilité de la puce.
La illustre schématiquement les impulsions générées par un neurone artificiel de type Octopus relié à un capteur selon l’invention tel que décrit à la . Ces impulsions ont une fréquence d’environ 386 kHz, et ont été obtenues avec une tension d’alimentation du pixel à 550 mV et une tension de la photodiode V co = 350 mV. Cet exemple corrobore la possibilité d’ajuster la fréquence d’impulsions générées par le neurone par le réglage de la tension d’alimentation du pixel.
Chaque réceptacle peut être adapté à recevoir au moins un article, le réceptacle et l’au moins un article ayant une masse comprise entre 1,5 kg et 30 kg. La géométrie du déflecteur est adaptée à repositionner de manière précise les réceptacles ayant une telle charge.
Selon encore un autre aspect, il est proposé un procédé de récupération d’un réceptacle mis en œuvre dans un système de stockage et de récupération d’articles: Associer le véhicule autonome à un réceptacle à récupérer dans l’aire de stockage ; Déplacer le véhicule autonome selon les deux directions horizontales jusqu’à ce que le véhicule autonome soit aligné avec des organes de grimpe verticaux d’un des racks de stockage recevant le réceptacle à récupérer; Coupler les moyens de grimpe du véhicule aux organes de grimpe du rack de stockage Déplacer le véhicule autonome selon la direction verticale jusqu’à ce que le véhicule autonome se situe verticalement au niveau du réceptacle à récupérer, et, pendant le déplacement du véhicule selon la direction verticale, repousser des réceptacles faisant saillie des alvéoles vers le fond des alvéoles par contact entre les réceptacles et le déflecteur du véhicule autonome.
Le véhicule autonome peut se déplacer selon la direction verticale à une vitesse comprise entre 0 m/s et 3 m/s. De telle vitesses permettent un repositionnement correct des réceptacles dans les alvéoles.
Fig. 1 est une vue schématique d’un système de stockage et de récupération d’articles.
Fig. 2 est une vue schématique d’un détail d’un rack de stockage du système de stockage et de récupération d’article de la .
Fig. 3 est une vue schématique en perspective d’un véhicule autonome pouvant être mis en œuvre dans le système de stockage et de récupération d’article de la .
Fig. 4 est une vue schématique en perspective d’une coque d’un capotage pouvant être mis en œuvre dans le véhicule autonome de la .
Fig. 5 est une section de la .
Fig. 6 représente un schéma fonctionnel d’un procédé de récupération d’un article mis en œuvre dans le système de stockage et de récupération d’articles de la .
Fig. 7 est une vue schématique d’un exemple de déplacement de véhicule autonome dans le système de stockage et de récupération d’articles de la , pour récupérer un article.