INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, il en découle que le flux d’air primaire F1 et les gaz G s’écoulent suivant deux directions différentes. Les gaz G et le flux primaire F1 se croisent dans chacun des carters basse pression et haute pression 14, 15.
Le flux d’air secondaire F2 s’écoule dans la veine secondaire v2.
Les gaz G se mélangent au flux secondaire F2 dans la veine secondaire v2. Ce mélange Me du flux d’air secondaire F2 et des gaz G permet d’une part de diminuer le bruit dans la turbomachine 4 et d’autre part de refroidir les gaz G pour limiter la formation de trainées de condensation. Le mélange Me s’échappe enfin au travers de la tuyère E pour générer de la propulsion.
Selon l’invention, les modules basse pression 6 et haute pression 7 sont agencés en série, de l’avant vers l’arrière et la chambre de combustion 23 est située en arrière du compresseur haute pression 12. Ainsi, le système d’alimentation 24 de la chambre de combustion 23 est situé en arrière du compresseur haute pression 12 et donc en dehors de la zone d’éclatement Z2 du disque de compresseurs 8, 12. En cas d’éclatement d’un disque de compresseur 8, 12, le risque d’endommager le système d’alimentation 24 est limité et le risque de fuite du gaz combustible est par conséquent également limité.
Grâce à ce mode de réalisation de la turbomachine 4, les risques d’explosion dans la turbomachine 4 et/ou l’aéronef 1 sont donc fortement réduits.
Le carter haute pression 15 selon l’invention permet la circulation et le croisement de deux flux résultant d’un la configuration de la turbomachine 4 selon l’invention.
Grâce à un tel carter haute pression 15, il est possible de mettre en œuvre la chambre de combustion 23 à l’arrière de la turbomachine 4, et donc en dehors de la zone d’éclatement des disques.
Par ailleurs, la configuration modulaire des corps basse pression et haute pression 6, 7 permet de réduire la longueur axiale des arbres basse pression et haute pression 10, 13. La masse totale de la turbomachine 4 est donc plus faible et l’intégration mécanique des arbres basse pression et haute pression 10, 13 est simplifiée.
TURBOMACHINE POUR AERONEF Domaine technique de l'invention L’invention concerne le domaine des turbomachines pour aéronef.
L’invention concerne tout particulièrement le domaine des turboréacteurs à double corps comprenant une chambre de combustion destinée à être alimentée en gaz combustible, en particulier en dihydrogène.
Arrière-plan technique Une turbomachine d’aéronef, tel qu’un turboréacteur à double corps et à double flux, comprend typiquement, d’amont en aval dans le sens d’écoulement des gaz le long d’un axe longitudinal, une soufflante mobile en rotation autour d’un axe longitudinal, un compresseur basse pression, un compresseur haute pression, une chambre de combustion, une turbine haute pression, une turbine basse pression et une tuyère d’échappement des gaz.
La turbomachine comprend en outre un système d’alimentation de la chambre de combustion en carburant, en particulier du kérosène. Le système d’alimentation comprend une canalisation permettant de conduire le carburant à partir d’une source de carburant jusqu’à la chambre de combustion.
La soufflante permet l’aspiration d’un flux d’air se divisant par exemple en un flux primaire et un flux secondaire. Le flux primaire traverse une veine primaire de la turbomachine délimitée par un carter interne tandis que le flux secondaire est dirigé vers une veine secondaire entourant la veine primaire.
Le flux primaire est comprimé au sein des compresseurs. Chaque compresseur comprend au moins un disque mobile en rotation autour de l’axe longitudinal. Chaque compresseur comprend en outre des aubes régulièrement réparties autour de chaque disque et qui permettent de comprimer le flux primaire.
L’air comprimé est alors mélangé au carburant et brulé dans la chambre de combustion. Les gaz issus de la combustion traversent les turbines. Chaque turbine présente au moins un disque centré sur l’axe longitudinal et des aubes régulièrement réparties autour de chaque disque qui permettent d’exercer un effort sur les gaz issus de la chambre de combustion. Les gaz s’échappent enfin au travers de la tuyère dont la section permet l’accélération de ces gaz pour générer de la propulsion.
De manière similaire pour le pixel Pix3, comme cela est illustré en : - pendant chaque phase INITSN3, les transistors RST1, RTS2 et RST3 qui couplent le noeud SN3 au noeud 100 sont maintenus simultanément à l'état passant ; - pendant chaque phase INITPD3, alors qu'une phase INITSN3 est mise en œuvre, la grille TG3 est mise à l'état passant ; - pendant chaque phase TR3, les transistors RST3 et RST4 sont maintenus bloqués ; - dans cet exemple, pendant chaque phase TR3, un seul transfert de charges est mis en œuvre au moyen d'une unique mise à l'état passant de la grille TG3 ; - pendant chaque phase RD3, les transistors RST3 et RST4 sont maintenus bloqués ; - entre chaque phase TR3 et la phase RD3 suivante où le niveau de signal SN3 est lu, les transistors RST3 et RST4 sont maintenus bloqués ; - de la fin de chaque phase INITSN3 précédant une phase RD3 correspondante de lecture d'un niveau d'initialisation du noeud SN3, jusqu’au début de cette phase RD3, les transistors RST3 et RST4 sont maintenus bloqués ; et - dans cet exemple, entre chaque phase RD3 de lecture d'un niveau d'initialisation du noeud SN3 et la phase TR3 suivante, les transistors RST3 et RST4 sont maintenus bloqués.
De manière similaire pour le pixel Pix2, comme cela est illustré en : - pendant chaque phase INITSN2, les transistors RST1 et RTS2 qui couplent le noeud SN2 au noeud 100 sont maintenus simultanément à l'état passant ; - pendant chaque phase INITPD2, alors qu'une phase INITSN2 est mise en œuvre, la grille TG2 est mise à l'état passant ; - pendant chaque phase TR2, les transistors RST2 et RST3 dans sont maintenus bloqués ; - dans cet exemple, pendant chaque phase TR2, un seul transfert de charges est mis en œuvre au moyen d'une unique mise à l'état passant de la grille TG2 ; - pendant chaque phase RD2 les transistors RST2 et RST3 sont maintenus bloqués ; - entre chaque phase TR2 et la phase RD2 suivante où le niveau de signal SN2 est lu, les transistors RST2 et RST3 sont maintenus bloqués ; - de la fin de chaque phase INITSN2 précédant une phase RD2 correspondante de lecture d'un niveau d'initialisation du noeud SN2, jusqu'au début de cette phase RD2, les transistors RST2 et RST3 sont maintenus bloqués ; et - dans cet exemple, entre chaque phase RD2 de lecture d'un niveau d'initialisation du noeud SN2 et la phase TR2 suivante, les transistors RST2 et RST3 sont maintenus bloqués.
De manière similaire pour le pixel Pix1, comme cela est illustré en : - pendant chaque phase INITSN1, le transistor RST1 qui couple le noeud SN1 au noeud 100 est maintenu à l'état passant ; - pendant chaque phase INITPD1, alors qu'une phase INITSN1 est mise en œuvre, la grille TG1 est mise à l'état passant ; - pendant chaque phase TR1, les transistors RST1 et RST2 dans sont maintenus bloqués ; - dans cet exemple, pendant chaque phase TR1, un seul transfert de charges est mis en œuvre au moyen d'une unique mise à l'état passant de la grille TG1 ; - pendant chaque phase RD1, les transistors RST1 et RST2 sont maintenus bloqués ; - entre chaque phase TR1 et la phase RD1 suivante où le niveau de signal SN1 est lu, les transistors RST1 et RST2 sont maintenus bloqués ; - de la fin de chaque phase INITSN1 précédant une phase RD1 correspondante de lecture d'un niveau d'initialisation du noeud SN1, jusqu'au début de cette phase RD1, les transistors RST1 et RST2 sont maintenus bloqués ; et - dans cet exemple, entre chaque phase RD1 de lecture d'un niveau d'initialisation du noeud SN1 et la phase TR1 suivante les transistors RST1 et RST2 dans cet exemple, sont maintenus bloqués.
La représente des chronogrammes illustrant un exemple d'un autre mode de fonctionnement des pixels Pix1, Pix2, Pix3 et Pix4 de la .
Plus particulièrement, la illustre, comme la , un exemple de fonctionnement en obturation déroulante et en dynamique augmentée, à la différence que, en , N est égal à 4, K est égal à 2 et M est donc égal à 2. Dit autrement, la illustre ce qui a été décrit pour N égal 2 en relation avec la , lorsque cela est adapté au cas N égal 4 avec deux groupes G1 et G2 de 2 pixels. Ainsi, sauf indication contraire, tous ce qui a été décrit en relation avec la s'applique à la .
Dans cet exemple, le groupe G1 comprend les pixels Pix1 et Pix2 successifs, et le groupe G2 comprend les pixels Pix3 et Pix4 successifs. Ainsi, en reprenant ce qui a déjà été indiqué en relation avec la , à savoir que, dans chaque groupe Gj, chaque transistor RSTi connectant les noeuds SNi de deux pixels Pixi du groupe est maintenu passant, et en l'appliquant à l'exemple de la , alors les transistors RST2 et RST4 sont maintenus passant.
Dans cet exemple, pour chaque groupe Gj, le capteur met en œuvre successivement : une phase bINITPDj d'initialisation des photodiodes PDi des pixels Pixi de ce groupe, pendant une phase bINITSNj des noeuds SNi des pixels Pixi de ce groupe ; une phase d'intégration bINTj débutant à la fin de la phase bINITPDj ; une phase de transfert bTRj des charges photogénérées dans les photodiodes PDi des pixels Pixi du groupe Gj vers les noeuds SNi de ces pixels mise en œuvre à la fin de l'intégration bINTj ; une première phase de lecture bRDj des noeuds SNi des pixels Pixi du groupe Gj mise en œuvre après cette phase de transfert bTRj, de sorte à lire un niveau de signal de ces noeuds SNj ; et après cette phase de lecture RDj du niveau de signal des noeuds SNi des pixels du groupes Gj, une répétition des phases ci-dessus.
Dans cet exemple, chaque lecture d'un niveau de signal d'un groupe Gj comprend la succession d'une phase de transfert bTRj et d'une phase de lecture RDj, et le circuit de commande est configuré pour maintenir bloqué chaque transistor d'initialisation connecté entre le noeud SNi d'un pixel Pixi dudit groupe Gj et soit le noeud SNi d'un pixel Pixi d'un autre groupe Gj, soit le noeud 100, de la fin de cette phase bTRj jusqu'au début de cette phase bRDj.
En outre, dans cet exemple, un double échantillonnage corrélé est mis en œuvre. Ainsi, pour chaque phase d'intégration bINTj de chaque groupe Gj, il y a une deuxième phase de lecture bRDj pour lire un niveau d'initialisation des noeuds SNi des pixels Pixi du groupe. Cette deuxième phase bRDj est mise en œuvre après une phase d'initialisation bINITSNj correspondante, et, dans l'exemple de la , avant la phase de transfert bTRj marquant la fin de la phase d'intégration bINTj.
Dans cet exemple, chaque lecture d'un niveau d'initialisation d'un groupe Gj comprend la succession d'une phase bINITSNj et d'une phase de lecture RDj, et le circuit de commande est configuré pour maintenir bloqué chaque transistor d'initialisation connecté entre le noeud SNi d'un pixel Pixi dudit groupe Gj et soit le noeud SNi d'un pixel Pixi d'un autre groupe Gj, soit le noeud 100, de la fin de cette phase bNIITSNj jusqu'au début de cette phase bRDj.
Dans l'exemple de la , chaque phase d'intégration bINT2 commence avant une phase bINT1.
Dans l'exemple de la , pour le groupe G2 : - pendant chaque phase bINITSN2, les transistors RST1, RTS2, RST3 et RST4 qui couplent les noeuds SN3 et SN4 au noeud 100 sont maintenus simultanément à l'état passant ; - pendant chaque phase bINITPD2, alors qu'une phase bINITSN2 est mise en œuvre, les grilles TG3 et TG4 sont mises à l'état passant ; - pendant chaque phase bTR2, le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN3 du pixel Pix3 du groupe G2 et le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 est maintenu bloqué ; - dans cet exemple, pendant chaque phase bTR2, un seul transfert de charges est mis en œuvre au moyen d'une unique mise à l'état passant, de préférence simultanée, de chacune des grilles TG3 et TG4 des pixels Pix3 et Pix4 du groupe G2 ; - pendant chaque phase bRD2, le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN3 du pixel Pix3 du groupe G2 et le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 est maintenu bloqué ; - entre chaque phase bTR2 et la phase bRD2 suivante où le niveau de signal des noeuds SN3 et SN4 est lu, le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN3 du pixel Pix3 du groupe G2 et le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 est maintenu bloqué ; - de la fin de chaque phase bINITSN2 précédant une phase bRD2 correspondante de lecture d'un niveau d'initialisation des noeuds SN3 et SN4 des pixels Pix3 et Pix4 du groupe, jusqu'au début de cette phase bRD2, le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN3 du pixel Pix3 du groupe G2 et le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 est maintenu bloqué ; et - dans cet exemple, entre chaque phase bRD2 de lecture d'un niveau d'initialisation des noeud SN3 et SN4 et la phase bTR2 suivante, le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN3 du pixel Pix3 du groupe G2 et le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 est maintenu bloqué.
De manière similaire, comme cela est illustré en pour le groupe G1 : - pendant chaque phase bINITSN1, les transistors RST1 et RTS2, qui couplent les noeuds SN2 et SN1 au noeud 100 sont maintenus simultanément à l'état passant ; - pendant chaque phase bINITPD1, alors qu'une phase bINITSN1 est mise en œuvre, les grilles TG1 et TG2 sont mises à l'état passant, de préférence simultanément ; - pendant chaque phase bTR1, le transistor RST1 qui est connecté entre le noeud SN1 du pixel Pix1 du groupe G1 et le noeud 100, et le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 et le noeud SN3 du pixel Pix3 de l'autre groupe G2 sont maintenus bloqués ; - dans cet exemple, pendant chaque phase bTR1, un seul transfert de charges est mis en œuvre au moyen d'une unique mise à l'état passant, de préférence simultanée, de chacune des grilles TG2 et TG1 des pixels Pix2 et Pix1 du groupe G1 ; - pendant chaque phase bRD1, le transistor RST1 qui est connecté entre le noeud SN1 du pixel Pix1 du groupe G1 et le noeud 100, et le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 et le noeud SN3 du pixel Pix3 de l'autre groupe G2 sont maintenus bloqués ; - entre chaque phase bTR2 et la phase bRD2 suivante où le niveau de signal des noeuds SN3 et SN4 est lu, le transistor RST1 qui est connecté entre le noeud SN1 du pixel Pix1 du groupe G1 et le noeud 100, et le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 et le noeud SN3 du pixel Pix3 de l'autre groupe G2 sont maintenus bloqués ; - de la fin de chaque phase bINITSN1 précédant une phase bRD1 correspondante de lecture d'un niveau d'initialisation des noeuds SN2 et SN1 des pixels Pix2 et Pix1 du groupe G1, jusqu'au début de cette phase bRD1, le transistor RST1 qui est connecté entre le noeud SN1 du pixel Pix1 du groupe G1 et le noeud 100, et le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 et le noeud SN3 du pixel Pix3 de l'autre groupe G2 sont maintenus bloqués ; et - dans cet exemple, entre chaque phase bRD1 de lecture d'un niveau d'initialisation des noeud SN1 et SN2 et la phase bTR1 suivante, le transistor RST1 qui est connecté entre le noeud SN1 du pixel Pix1 du groupe G1 et le noeud 100, et le transistor RST3 qui est connecté entre le noeud SN2 du pixel Pix2 du groupe G1 et le noeud SN3 du pixel Pix3 de l'autre groupe G2 sont maintenus bloqués.
La représente des chronogrammes illustrant un autre exemple du mode de fonctionnement décrit en relation avec la .
Plus particulièrement, la illustre, comme la , un exemple de fonctionnement en obturation déroulante et en dynamique augmentée, à la différence que, en , N est égal à 4, K est égal à 1 et M est donc égal à 4. Dit autrement, la illustre ce qui a été décrit pour N égal 4 en relation avec la , lorsque cela est adapté au cas d'un seul groupe G1 de 4 pixels. Ainsi, sauf indication contraire, tous ce qui a été décrit en relation avec la s'applique à la .
Nr = Ni x α
où α est le coefficient d’absorption du matériau du mur (compris entre 0 et 1).
Par exemple, dans le cas de la moquette, à 1 kHz, on a α = 0,5. Le niveau de l’onde sonore réfléchie est alors égal au niveau de l’onde sonore incidente divisé par 2 (soit une atténuation de 6 dB).
On voit sur la un rayon sonore direct (sans réflexion sur les murs 26) entre une source sonore 29 et une position de référence 30.
On voit sur la les rayons sonores avec une réflexion sur les murs 26.
On voit sur la les rayons sonores avec deux réflexions sur les murs 26.
On voit sur la les rayons sonores avec trois réflexions sur les murs 26.
Ces simulations sont réalisées pour chaque source sonore de la pièce, pour chaque positon de référence, et pour une pluralité de fréquences.
Le calcul du lancer de rayons équivaut au positionnement d’un microphone d’ambiance via sa mesure physique. Toutes les données nécessaires sont calculées, comme pour une calibration du microphone. Toutes les données d’atténuation du point d’écoute par rapport aux différentes enceintes sont ainsi calculées. Les données pour le traitement du son immersif sont calculées pour compenser les distances et les réflexions.
A partir des résultats de la simulation, l’unité de traitement 7 produit, pour chaque position de référence de la pluralité de positions de référence, et pour chaque source sonore, des paramètres audio de référence permettant d’optimiser une restitution audio de ladite source sonore dans ladite position de référence.
Les paramètres audio de référence comprennent, pour chaque position de référence et pour chaque source sonore, des valeurs de gain et de déphasage pour différentes fréquences, associées à ladite source sonore.
Les positions de référence de la pluralité de positions de référence sont ici des nœuds d’un maillage ayant une maille de longueur prédéfinie.
En référence à la , une carte 31 a été réalisée par le boîtier décodeur 1. Le boîtier décodeur 1 et les enceintes 3a, 3b (enceintes omnidirectionnelles) sont situés dans une salle de séjour parallélépipédique de 6 m x 10 m.
On voit donc sur cette carte 31 la position des sources sonores 1, 3a, 3b et des murs 26.
Le maillage 32 est défini sur cette carte 31. La maille est par exemple égale à 1m.
On voit aussi sur la un auditeur virtuel 33 qui, bien sûr, ne figure pas en réalité sur la carte 31. L’auditeur virtuel est positionné sur un des nœuds 34 du maillage 32.
Pour les émulsions E/H, on peut citer par exemple comme émulsionnants les dimethicone copolyols tels que le mélange de cyclomethicone et de dimethicone copolyol, vendu sous la dénomination "DC 5225 C" par la société Dow Corning, et les alkyldimethicone copolyols tels que le Laurylmethicone copolyol vendu sous la dénomination "Dow Corning 5200 Formulation Aid" par la société Dow Corning et le Cetyl dimethicone copolyol vendu sous la dénomination Abil EM 90R par la société Goldschmidt. On peut aussi utiliser comme tensioactif d'émulsions E/H, un organopolysiloxane solide élastomère réticulé comportant au moins un groupement oxyalkyléné, tel que ceux obtenus selon le mode opératoire des exemples 3, 4 et 8 du document US-A-5,412,004 et des exemples du document US-A-5,811,487, notamment le produit de l'exemple 3 (exemple de synthèse) du brevet US-A-5,412,004, et tel que celui commercialisé sous la référence KSG 21 par la société Shin Etsu.
Pour les émulsions H/E, on peut citer par exemple comme émulsionnants, les émulsionnants non ioniques tels que les esters d'acides gras et de glycérol oxyalkylénés (plus particulièrement polyoxyéthylénés) ; les esters d'acides gras et de sorbitan oxyalkylénés ; les esters d'acides gras oxyalkylénés (oxyéthylénés et/ou oxypropylénés) ; les éthers d'alcools gras oxyalkylénés (oxyéthylénés et/ou oxypropylénés) ; les esters de sucres comme le stéarate de sucrose ; et leurs mélanges tels que le mélange de stéarate de glycéryle et de stéarate de PEG-40.
La composition selon l'invention peut contenir également des adjuvants habituels dans le domaine cosmétique, tels que les gélifiants hydrophiles ou lipophiles, les conservateurs, l’eau, les solvants, les parfums, les charges, cires, corps gras pâteux, les filtres UV, les absorbeurs d'odeur, les matières colorantes, les agents basiques, les acides, les tensioactifs non ioniques, anioniques, cationiques.
Les compositions selon l’invention peuvent comprendre en plus au moins une phase aqueuse.
La phase aqueuse contient de l'eau, et éventuellement d'autres solvants organiques miscibles à l'eau.
Parmi les solvants organiques miscibles à l’eau on peut citer les monoalcools, linéaires ou ramifiés, en C1-C6 tels que l'éthanol, l'isopropanol, le tertio-butanol; les polyols tels que le glycérol, le propylèneglycol, l’hexylène glycol (ou 2-méthyl-2,4-pentanediol), et les polyéthylèneglycols; les éthers de polyols comme le monométhyléther de dipropylèneglycol; et leurs mélanges.
Une phase aqueuse convenant à l’invention peut comprendre, par exemple, une eau choisie parmi une eau de source naturelle, telle que l’eau de La Roche-Posay, l’eau de Vittel, ou les eaux de Vichy, ou une eau florale.
Bien entendu, l’homme du métier veillera à choisir ce ou ces éventuels ingrédients et/ou actifs complémentaires, et/ou leur quantité, de manière telle que les propriétés avantageuses de ladite association selon l’invention, ne soient pas, ou substantiellement pas, altérées par l’adjonction envisagée.
La composition selon la présente invention comprendra selon un mode de réalisation particulier, outre ladite association telle que définie plus haut, au moins un actif additionnel pour le soin des peaux grasses ou à tendance grasse.
Par l'expression « actif additionnel de soin des peaux grasses », on entend, dans le cadre de la présente invention, un composé qui a par lui-même, c'est-à-dire ne nécessitant pas l'intervention d'un agent extérieur pour l'activer, une activité biologique qui peut être en particulier : - une activité desquamante (qui permet l'ouverture des comédons), et/ou - une activité anti-microbienne (notamment sur C. acnes), et/ou - une activité apaisante ou anti-inflammatoire, et/ou - une activité sébo-régulatrice, et/ou - une activité anti-oxydante (qui empêche l'oxydation du squalène et la formation des comédons) - une activité cicatrisante ; - une activité astringente.
L’actif additionnel pour le soin des peaux grasses utilisable dans les compositions de l'invention est préférentiellement choisi parmi les agents desquamants, les agents antimicrobiens, les agents apaisants, les agents anti-inflammatoires, les agents séborégulateurs, les agents antioxydants, les agents cicatrisants, les agents astringents, et leurs mélanges.
L’actif additionnel pour le soin des peaux grasses utilisé dans la composition selon l'invention peut représenter de 0,0001 % à 20 %, de préférence de 0,01 % à 10 % et mieux encore, de 0,01 % à 5 % en poids par rapport au poids total de la composition.
La composition cosmétique peut être rincée ou non après avoir été appliquée sur la peau.
la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d’un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon un premier mode de réalisation ;
la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d’un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon un deuxième mode de réalisation ;
la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d’un exemple de mise en oeuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon un troisième mode de réalisation ; et
la est un diagramme illustrant la réponse d’un empilement actif d’émission de LED et d’un empilement actif de réception de photodiode réalisés au moyen d’une étape d’épitaxie commune.