Dispositif électronique quantique comprenant : - un substrat (10) revêtu d’au moins un bloc semi-conducteur (14), ledit bloc semi-conducteur s’étendant principalement dans une première direction, le bloc semi-conducteur (14) comprenant une couche semi-conductrice (13) ; - des zones d’isolation (15A, 15B) agencées de part et d’autre de la couche semi-conductrice (13) dudit bloc semi-conducteur (14), - une pluralité de grilles (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) avant, chaque grille avant comprenant une partie s’étendant sur des régions (14A, 14B, 14C, 14D, 14E) de la couche semi-conductrice (13) dudit bloc semi-conducteur (14), chacune desdites régions formant un ilot quantique, chaque grille avant comprenant une autre partie s’étendant sur une des zones d’isolation (15A, 15B); - une ou plusieurs électrodes d’échange (67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 ,), caractérisé en ce que lesdites une ou plusieurs électrodes d’échange (67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 ,) sont agencée(s) entre deux grilles avant, en regard et au-dessus d’une desdites zones d’isolation et chaque électrode d’échange (67 1 , 67 2 , 67 3 , 67 4 , 67 5 , 67 6 , 67 7 , 67 8 ,) est dotée d’une extrémité inférieure en contact directement avec un matériau isolant de cette zone d’isolation ou disposé sur cette zone d’isolation. Dispositif électronique quantique selon la revendication 1, dans lequel au moins une première électrode d’échange (67 1 ) parmi lesdites électrodes d’échange s’étend au-dessus d’une première zone d’isolation (15A) parmi lesdites zones d’isolation (15A, 15B) et à distance d’une première région (14A) dudit bloc semi-conducteur (14) formant un premier ilot quantique, la première électrode d’échange (67 1 ) étant prévue à distance d’une deuxième région (14B) dudit bloc semi-conducteur (14) formant un deuxième ilot quantique et de sorte à permettre de moduler une barrière tunnel entre ledit premier ilot quantique et ledit deuxième ilot quantique. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ladite deuxième région (14B) dudit bloc semi-conducteur (14) forme un deuxième ilot quantique, la première électrode d’échange (67 1 ) étant juxtaposée à une partie (141) dudit bloc semi-conducteur (14) agencée entre ladite première région (14A) et ladite deuxième région (14B) dudit bloc semi-conducteur (14). Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première électrode d’échange est formée d’un premier plot conducteur et comprenant au moins une deuxième électrode d’échange (67 2 ) agencée au-dessus d’une deuxième zone d’isolation (15B) et à proximité de ladite première région (14A) formant un premier ilot quantique et d’une deuxième région (14B) formant un deuxième ilot quantique de sorte à permettre de moduler la barrière tunnel entre ledit premier ilot quantique et ledit deuxième ilot quantique, ladite deuxième électrode d’échange (67 2 ) étant formée d’un deuxième plot conducteur ayant une extrémité dite « inférieure » disposée en contact avec une deuxième zone d’isolation (15B) ou avec un matériau isolant formé sur ladite deuxième zone d’isolation. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la première électrode d’échange (67 1 ) est agencée entre un premier bloc (22e) de grille recouvrant ladite première région et un deuxième bloc (22d) de grille recouvrant ladite deuxième région, le premier bloc de grille et le deuxième bloc de grille s’étendant principalement dans une deuxième direction orthogonale à la première direction en regard de la première zone d’isolation (15A). Dispositif selon l’une des revendications 4 ou 5, comprenant en outre au moins une autre électrode d’échange (67 3 , 67 4 ) pour moduler la barrière tunnel entre ledit deuxième ilot quantique et un troisième ilot quantique formé dans une troisième région (14C) dudit bloc semi-conducteur (14), ladite autre électrode d’échange (67 3 , 67 4 ) étant formée d’un troisième plot conducteur, ledit troisième plot conducteur étant formé en regard et au-dessus de la première zone d’isolation (15A) ou la deuxième zone d’isolation (15B). Dispositif selon l’une des revendications 2 à 6, dans lequel la première électrode d’échange (67 1 ) est prévue pour contrôler la barrière tunnel entre ledit premier ilot quantique et ledit deuxième ilot quantique, le dispositif étant doté en outre d’au moins une électrode d’échange supplémentaire (81, 82, 83, 84) prévue pour moduler une barrière tunnel entre un desdits ilots quantique (14A, 14E) et un réservoir de dopants (33a, 33b) formé sur et/ou dans une portion d’extrémité (148, 149) du bloc semi-conducteur (14). Dispositif selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel ladite extrémité inférieure de chaque électrode d’échange est en contact avec une couche (51) d’arrêt de gravure ou une couche diélectrique (27) dans laquelle des espaceurs isolants des grilles avant sont formés. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel ledit bloc semi-conducteur (14) est formé dans une couche semi-conductrice superficielle (13) d’un substrat (10) de type semi-conducteur sur isolant, ou repose sur un substrat semi-conducteur massif. Dispositif selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant en outre des réservoirs de charge formés sur ou dans ledit bloc semi-conducteur (14). Dispositif selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre une pluralité d’électrodes de réservoir de charge, chacune contactant un réservoir de charge formé sur et/ou dans ledit bloc semi-conducteur (14). Procédé de fabrication d’un dispositif quantique selon l’une des revendications 1 à 11, le procédé comprenant, dans cet ordre, des étapes de : - formation sur ledit substrat (10) ledit bloc semi-conducteur (14), et des zones d’isolation (15A, 15B) de part et d’autre dudit bloc semi-conducteur (14), puis - formation des blocs (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) de grille sur le bloc semi-conducteur (14), lesdits blocs (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) de grille s’étendant principalement dans une direction orthogonale à une direction principale dans laquelle s’étend ledit bloc semi-conducteur (14), puis, - formation desdites une ou plusieurs électrodes d’échange par : dépôt d’une couche isolante (50) recouvrant ledit bloc semi-conducteur (14), lesdites zones d’isolation (15A, 15B) et les blocs (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) de grille, réalisation d’une ou plusieurs ouvertures (57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 , 58, 59) traversant ladite couche isolante (50), au moins une première ouverture (57 1 ) traversant ladite couche isolante (50) et étant réalisée de sorte à atteindre la première zone d’isolation (15A) ou un matériau isolant formé sur la première zone d’isolation, dépôt d’au moins un matériau conducteur dans lesdites ouvertures (57 1 , 57 2 , 57 3 , 57 4 , 57 5 , 57 6 , 57 7 , 57 8 , 58, 59). Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre, préalablement à la formation de la couche isolante (50), des étapes de : - dépôt d’au moins une couche diélectrique (27), - gravure de ladite couche diélectrique (27) sur des portions d’extrémité (148, 149) du bloc semi-conducteur (14) agencées de part et d’autre de l’ensemble des blocs (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) de grille et de sorte à conserver ladite couche diélectrique (27) sur une portion centrale (140) dudit bloc semi-conducteur et à former des espaceurs isolants contre les blocs (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) de grille. Procédé selon la revendication 13, comprenant en outre, après la gravure de ladite couche diélectrique (27) et préalablement à la formation de la couche isolante (50), la formation de régions dopées (33a, 33b) sur lesdites portions (148, 149) du bloc semi-conducteur (14) agencées de part et d’autre de l’ensemble des blocs (22a, 22b, 22c, 22d, 22e) de grille. Procédé selon l’une des revendications 11 à 14, dans lequel parmi lesdites ouvertures, au moins une autre ouverture (58, 59) dévoile une région dopée (33a, 33b) du bloc semi-conducteur (14) ou formée sur ledit bloc semi-conducteur (14).