Système (6) comprenant : un substrat (2) s’étendant parallèlement à un plan (P), ledit substrat (2) présentant un indice optique ; une source (1) lumineuse configurée pour présenter au moins un mode stationnaire d’un champ électromagnétique, ledit mode étant parallèle au plan (P), la source (1) étant également configurée pour présenter, pour ledit au moins un mode stationnaire, un indice optique effectif tel que ; le système (6) étant caractérisé en ce qu’il comprend également un réflecteur (3) anti-résonant pour ledit au moins un mode stationnaire, ledit réflecteur s’étendant sur le substrat (2) et la source (1) s’étendant sur le réflecteur (3), le réflecteur (3) comprenant au moins une bicouche (31, 32, 33) semiconductrice s’étendant parallèlement au plan (P), ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) comprenant : une première sous-couche (301) semiconductrice et une deuxième sous-couche (302) semiconductrice s’étendant contre la première sous-couche (301), la première sous-couche (301) étant disposée entre la source (1) et la deuxième couche-couche (302), les première et deuxième sous-couches (301, 302) présentant respectivement des indices optiques et tels que et , la première sous-couche (301) présentant également une épaisseur configurée pour former une cavité anti-résonante pour ledit au moins un mode stationnaire. Système (6) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’épaisseur de la première sous-couche (301) de ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) est telle que où est une longueur d’onde dudit au moins un mode stationnaire, et . Système (6) selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que l’épaisseur de la première sous-couche (301) de ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) est avec , une longueur d’onde dudit au moins un mode stationnaire et une épaisseur du mode stationnaire. Système (6) selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que l’épaisseur de la première sous-couche (301) de ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) est avec . Système (6) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réflecteur anti-résonant (3) comprend une pluralité de bicouches (31, 32, 33), la deuxième sous-couche (302) d’une première bicouche (31) de la pluralité de bicouches (31, 32, 33) s’étendant contre la première sous-couche (301) d’une deuxième bicouche (32) de la pluralité de bicouches (31, 32, 33). Système (6) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la source (1) comprend une cavité (11) dans laquelle peut s’établir ledit au moins un mode stationnaire du champ électromagnétique, la cavité (11) comprenant une première couche (110) dite « région active » et une deuxième couche (111) dite « couche de cladding inférieure », la région active (110) s’étendant parallèlement au plan (P) et sur la couche de cladding inférieure (111), la couche de cladding inférieure (111) étant disposée entre la région active (110) et le réflecteur (3), la région active (110) étant également configurée pour émettre le champ électromagnétique. Système (6) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la couche de cladding inférieure (111) est en matériau III-V, tel que l’InP, la première sous-couche (301) de ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) étant en Ge et la deuxième sous-couche (302) de ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) étant en Si. Système (6) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend une couche de collage (5) séparant la source (1) et le réflecteur (3), la couche de collage (5) présentant un indice optique tel que . Système (6) selon la revendication précédente et l’une des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que la couche de collage (5) comprend une face, parallèle au plan (P) comprenant un réseau de diffraction (51), la couche de cladding inférieure (111) s’étendant contre ladite face de la couche de collage (5), contre le réseau de diffraction (51). Procédé (7) de fabrication d’un système (6) comprenant les étapes suivantes: former (71), à partir d’un substrat (2) s’étendant parallèlement à un plan (P) et présentant un indice optique inférieure à un indice effectif , un réflecteur (3) anti-résonant pour au moins un mode stationnaire parallèle au plan (P) d’un champ électromagnétique, ledit réflecteur s’étendant sur le substrat (2), le réflecteur (3) comprenant au moins une bicouche (31, 32, 33) semiconductrice s’étendant parallèlement au plan (P), ladite au moins une bicouche (31, 32, 33) comprenant : une première sous-couche (301) semiconductrice et une deuxième sous-couche (302) semiconductrice s’étendant contre la première sous-couche (301), la deuxième sous-couche (302) étant disposée entre la première sous-couche (301) et le substrat (2), les première et deuxième sous-couches (301, 302) présentant respectivement des indices optiques et tels que et , la première sous-couche (301) présentant également une épaisseur configurée pour former une cavité anti-résonante pour ledit au moins un mode stationnaire ; et former (72), sur le réflecteur (3), une source (1) lumineuse configurée pour présenter ledit au moins un mode stationnaire parallèle au plan (P) du champ électromagnétique, la source (1) étant également configurée pour présenter, pour ledit au moins un mode stationnaire, l’indice optique effectif tel que .