INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il est connu de réaliser un réservoir modulaire en assemblant une pluralité de bouteilles, sensiblement identiques, cylindriques, parallèlement, afin de former un réservoir sensiblement parallélépipédique.
Un tel mode de réalisation présente une compacité faible du fait des espaces perdus entre deux bouteilles. De plus, l’assemblage des bouteilles pose problème.
Aussi, il est recherché un mode de réalisation alternatif, améliorant ces inconvénients.
L’invention a pour objet un réservoir modulaire pour gaz sous pression, comprenant une pluralité de bouteilles, sensiblement identiques, cylindriques selon un axe, où les bouteilles sont assemblées deux à deux, leurs axes étant parallèles, une première bouteille de l’assemblage présentant, sur une première paroi externe, un premier profil, une deuxième bouteille de l’assemblage présentant, sur une deuxième paroi externe en regard de la première paroi externe, un deuxième profil, complémentaire du premier profil, afin que le premier profil et le deuxième profil s’interpénètrent.
- le premier profil comprend au moins une première mortaise et sensiblement autant de premier tenon, alternativement disposés et le deuxième profil comprend autant de deuxième tenon que de première mortaise et autant de deuxième mortaise que de premier tenon, alternativement disposés, chaque première mortaise étant apte à accueillir un deuxième tenon en regard et chaque deuxième mortaise étant apte à accueillir un premier tenon en regard,
- l’accueil d’un tenon par une mortaise se fait avec un ajustement serré,
Ceci permet d’améliorer la transparence du réseau d’interconnexion 23 aux rayonnements infrarouges en vis à vis des pixels P, et ainsi d’augmenter le flux reçu par le capteur infrarouge 13.
La , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un procédé de fabrication de la partie du dispositif d'acquisition d'image illustrée en selon un premier mode de mise en oeuvre.
La illustre une structure de départ du procédé. Plus particulièrement, la illustre de façon très schématique une partie seulement des éléments d'un pixel P.
La structure illustrée en comprend le substrat 25 dans et sur lequel la pluralité de photodétecteurs et de transistors de lecture sont formés. A titre d'exemple, la structure illustrée en comprend les grilles 27 de transistors de lecture formées sur le substrat 25 et, par exemple séparé du substrat 25 par une couche d'isolant de grille (non détaillée sur la figure).
Dans la structure de départ de la , le substrat 25 et les grilles 27 sont par exemple recouvertes par la couche 29. A titre d'exemple, la couche 29 est formée de façon conforme, c'est-à-dire qu'elle est déposée avec une épaisseur constante sur toute la surface de la structure.
A titre d'exemple, la couche 29 est recouverte par une couche isolante 61. A titre d'exemple, la couche 61 est constituée d'un oxyde, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ). A titre d'exemple, la couche 61 recouvre la couche 29 avec une épaisseur comprise entre 190 nm et 500 nm, par exemple entre 300 nm et 450 nm, par exemple de l'ordre de 380 nm.
La couche 61 est, par exemple recouverte par une couche diélectrique 63. La couche 63 est par exemple constituée d'un nitrure, par exemple de nitrure de silicium (Si x N y ) ou de carbonitrure de silicium (SiC x N y ). A titre d'exemple, la couche 63 a une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm, par exemple comprise entre 30 nm et 70 nm.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'ouvertures 65 dans la structure illustrée en .
Plus particulièrement, on vient lors de cette étape former les ouvertures 65 à partir de la face supérieure de la structure illustrée en , de sorte qu'elles débouchent sur la face supérieure du substrat 25 ou la face supérieure des grilles 27. Les ouvertures 65 traversent ainsi la couche 63, la couche 61 et la couche 29.
Lors de cette étape, on vient par exemple former plusieurs ouvertures 65. Une ouverture 65 est par exemple formée en vis-à-vis de chaque grille 27 et une ouverture 65 est par exemple formée en vis-à-vis de chaque nœud de lecture (non représentés) du substrat 25.
Les ouvertures 65 sont, par exemple, formées par gravure à travers une couche de masquage non représentée. A titre d'exemple, les ouvertures 65 ont une largeur comprise entre 50 nm et 150 nm, par exemple comprise entre 90 nm et 100 nm.
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'un film 67 en silicium sur la structure illustrée en . Plus particulièrement, le film 67 est déposé sur la face supérieure de la couche 63 et dans les ouvertures 65, plus particulièrement dans le fond et sur les flancs des ouvertures 65.
Lors de son dépôt, le film 67 est, par exemple, en silicium amorphe. A titre d'exemple, le film 67 est, par exemple, déposé de façon conforme c'est-à-dire qu'il est déposé sur toute la face supérieure de la structure illustrée en avec une épaisseur sensiblement constante. Le film 67 a, par exemple une épaisseur comprise entre 19 nm et 40 nm, par exemple comprise entre 30 nm et 35 nm. A titre d'exemple, le film 67 est formé par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression ou LPCVD (de l'anglais " Low Pressure Chemical Vapor Deposition").
A titre d'exemple, le matériau constituant le film 67 est dopé pendant son dépôt sur la face supérieure de la structure illustrée en , on parle de dopage in-situ. Le matériau constituant le film 67 est, par exemple, dopé d'un premier type de conductivité, par exemple du type N, par exemple dopé d'atomes d'arsenic ou de phosphore. A titre d'exemple, à l'issue de cette étape, le film 67 a un dopage de l'ordre de 3.10 19 at/cm 3 .
A titre d'exemple, le dépôt du film 67 est précédé d'une étape de traitement de la surface de la structure illustrée en .
La illustre une structure obtenue à l'issue d'une étape de dopage du film 67 de la structure illustrée en . Lors de cette étape, on vient par exemple doper la structure illustrée en par implantation d’éléments dopants par sa face supérieure, on parle ici de dopage ex-situ.
Selon un mode de réalisation, une fréquence d'acquisition des échantillons pendant la première période d'acquisition est au moins en partie déterminée par un rapport cyclique maximal du mode de commande en modulation de largeur d'impulsion et la période de la modulation en largeur d'impulsion, ce rapport cyclique maximal et cette période de la modulation en largeur d'impulsion étant constants et connus préalablement.
Selon un mode de réalisation, l'étape 4) comprend, suite à la détection du mode de commande en modulation de largeur d'impulsion, une détermination par le premier circuit et à partir desdits échantillons, d'une différence entre l'intensité de la lumière reçue par ledit au moins un canal quand le panneau d'affichage reçoit une impulsion et est allumé, et l'intensité de la lumière reçue par ledit au moins un canal quand le panneau d'affichage est éteint.
Selon un mode de réalisation, l'au moins un mode de commande comprend en outre un mode de commande continu comprenant, pour chaque période de commande en mode de commande continu, une durée d'initialisation où le panneau d'affichage est éteint, l'étape 3) comprend en outre détecter, par le premier circuit et sur la base desdits échantillons, si le panneau d'affichage est commandé selon le mode de commande continu, et l'étape 4) comprend, suite à la détection du mode de commande continu, une détermination par le premier circuit et à partir desdits échantillons, d'une différence entre l'intensité de la lumière reçue par ledit au moins un canal quand le panneau d'affichage est allumé, et l'intensité de la lumière reçue par ledit au moins un canal quand le panneau d'affichage est éteint.
Selon un mode de réalisation, à l'étape 3), la détection du mode de commande continu comprend une détection par le premier circuit et à partir desdits échantillons, de la durée d'initialisation.
Selon un mode de réalisation, la fréquence d'acquisition des échantillons pendant la première période d'acquisition est au moins en partie déterminée par la durée d'initialisation.
Selon un mode de réalisation, l'au moins un mode de commande comprend en outre un mode de commande éteint dans lequel l'écran d'affichage est maintenu éteint, et le procédé comprend en outre une étape consistant à détecter si le panneau d'affichage est commandé selon le mode de commande éteint.
Selon un mode de réalisation, aucun signal de synchronisation n'est émis dans le mode de commande éteint, et détecter que le mode de commande du panneau d'affichage est le mode de commande éteint comprend la détection qu'aucun signal de synchronisation n'est émis pendant une durée supérieure à une période du signal de synchronisation.
Selon un mode de réalisation, les étapes 1), 2), 3) et 4) sont mises en œuvre pour chaque canal du capteur de lumière ambiante.
Selon un mode de réalisation, le circuit de traitement fait partie du capteur de lumière ambiante.
Selon un mode de réalisation, l'étape 4) comprend en outre une détermination, par le circuit de traitement et à partir desdits échantillons d'un niveau de luminosité émis par ledit au moins un canal.
la représente, de façon schématique et sous forme de blocs, un exemple de mode de réalisation d'un dispositif électronique du type auquel s'appliquent les modes de réalisation décrits ;
la représente, par des chronogramme, un mode de commande d'un panneau d'affichage d'un écran et des étapes d'un mode de réalisation d'un procédé de détermination d'un état de l'écran ;
la représente, par un organigramme, un mode de réalisation du procédé de détermination d'un état de l'écran ;
la illustre, par des chronogrammes, des détails d'un mode de réalisation d'une étape du procédé ;
la représente, par des chronogramme, un autre mode de commande du panneau d'affichage de écran et des étapes d'un mode de réalisation du procédé de détermination d'un état de l'écran ; et
Grâce à l’invention, la barre peut être déplacée de manière automatisée selon un déplacement d’insertion et/ou d’extraction sur au moins une partie duquel la barre effectue un mouvement simultané de rotation autour d’un axe de rotation parallèle à la barre et en translation le long d’un chemin s’inscrivant dans un plan perpendiculaire à l’axe de rotation.
En particulier, le moyen d’accouplement suit le déplacement du pion le long du chemin de guidage et déplace la barre selon le déplacement d’insertion et/ou d’extraction. Lorsqu’il est entraîné en rotation par les moyens d’entrainement, le moyen d’accouplement permet également d’entrainer la barre en rotation autour d’un axe de rotation perpendiculaire au plan dans lequel s’inscrit le chemin définissant le déplacement d’insertion et/ou d’extraction.
La configuration des moyens d’entraînement permet ainsi au moyen d’accouplement – et donc à la barre lorsqu’elle est accouplée à ce moyen d’accouplement – d’effectuer, sur au moins une partie du déplacement pour l’insertion et/ou l’extraction de la barre, un mouvement simultané de translation et de rotation afin de pouvoir insérer ou extraire la barre.
Des caractéristiques préférées particulièrement simples, commodes et économiques du système selon l’invention sont présentées ci-dessous.
Le moyen d’accouplement peut être solidaire en rotation du pion. Par exemple, le moyen d’accouplement peut être d’un même tenant avec le pion.
Les moyens d’entraînement peuvent comporter un élément moteur configuré pour effectuer une rotation autour d’un axe de rotation fixe par rapport au support, un élément suiveur portant le pion et présentant une surface périphérique dont au moins une portion est configurée pour coopérer avec au moins une portion d’une surface périphérique de l’élément moteur de sorte que lorsque l’élément moteur tourne, l’élément suiveur est entraîné en rotation autour d’un autre axe de rotation par coopération de l’au moins une portion de sa surface périphérique avec l’au moins une portion de la surface périphérique de l’élément moteur, l’élément suiveur ou l’élément moteur étant configuré pour que, lorsque l’élément moteur tourne, la distance entre l’axe de rotation de l’élément moteur et l’axe de rotation de l’élément suiveur varie.
Par exemple, l’élément moteur peut présenter une distance constante entre son axe de rotation et l’au moins une portion de sa surface périphérique, l’élément suiveur présentant une distance variable entre son axe de rotation et l’au moins une portion de sa surface périphérique, l’au moins une portion de la surface périphérique de l’élément suiveur étant convexe. A l’inverse, l’élément suiveur peut présenter une distance constante entre son axe de rotation et l’au moins une portion de sa surface périphérique tandis que l’élément moteur présente une distance variable entre son axe de rotation et l’au moins une portion de sa surface périphérique, l’au moins une portion de la surface périphérique de l’élément suiveur étant convexe.
L’élément suiveur, ou l’élément moteur, peut présenter une forme globalement elliptique, le pion étant disposé en son centre.
L’élément moteur, ou l’élément suiveur, peut présenter une section de forme globalement circulaire.
L’élément moteur peut être entraîné en rotation par un moteur électrique.
Alternativement, l’ensemble d’entraînement peut comporter un premier élément moteur entrainant en rotation un élément suiveur par l’intermédiaire d’une courroie, le premier élément moteur et l’élément suiveur étant respectivement configurés pour effectuer une rotation autour d’un axe de rotation fixe par rapport au support, et un ensemble moteur solidaire de la courroie et configuré pour entraîner le pion en rotation.
Le premier élément moteur peut être entrainé en rotation par un premier moteur électrique, l’ensemble moteur comportant un deuxième moteur électrique configuré pour entrainer le pion en rotation.
L’ensemble moteur peut comporter un élément convoyeur fixé sur la courroie et un moteur électrique configuré pour entraîner le pion en rotation par l’intermédiaire d’un arbre de transmission du moteur électrique, le pion étant raccordé mécaniquement à l’arbre de transmission, l’arbre de transmission étant supporté par l’élément convoyeur et monté mobile en rotation par rapport à cet élément convoyeur.
Le chemin de guidage peut présenter une forme globalement curviligne.
Le moyen d’accouplement peut comporter un logement de forme non circulaire, destiné à recevoir un tenon de la barre de forme complémentaire au logement.
Le système d’insertion et/ou d’extraction peut comporter un bâti sur lequel sont montés mobiles en translation deux dispositifs d’entraînement d’une extrémité de la barre de sorte que les moyens d’accouplement des dispositifs d’entrainement sont en regard l’un de l’autre, et destinés à coopérer respectivement avec les deux extrémités opposées de la barre, les dispositifs d’entrainement étant aptes à se rapprocher ou à s’écarter l’un de l’autre selon une direction parallèle à l’axe de rotation des moyens d’accouplement.
Dans l’exemple représenté, la couche sacrificielle 105 est éliminée par électropolissage en lui appliquant une tension de polarisation par l’intermédiaire de l’empilement de diode 101. La structure précédemment décrite en relation avec la est par exemple plongée dans un électrolyte 141 et une tension de polarisation ou d’anodisation V_pol est par exemple appliquée, par un potensiostat, entre une première électrode, par exemple une électrode d’anode connectée à la couche conductrice 133, et une deuxième électrode, par exemple une électrode de cathode en platine plongée dans l’électrolyte 141. Afin de ne pas surcharger le dessin, le potentiostat et les première et deuxième électrodes d’application de la tension de polarisation V_pol n’ont pas été représentés en . La tension V_pol est par exemple sensiblement égale à la somme d’une tension V_LED, provenant d’une chute de tension causée par l’empilement de diode 101, et d’une tension E appliquée à, ou vue par, la couche sacrificielle 105 (V_pol = E + V_LED). À titre d’exemple, pour une densité de courant d’anodisation égale à environ 100 µA/cm 2 , la chute de tension V_LED est égale à environ 2 V et la tension E à laquelle est soumise la couche 105 est égale à environ 18 V, la tension d’anodisation V_pol appliquée par le potentiostat étant alors égale à environ 20 V.
À titre d’exemple, l’électrolyte 141 est une solution aqueuse d’acide oxalique présentant une concentration molaire comprise entre 0,3 et 0,9 M.
Dans l’exemple représenté, l’électropolissage conduit à une porosification de la couche sacrificielle 105. Dans l’exemple illustré en , le matériau de la partie de la couche sacrificielle 105 de chaque vignette 121 est progressivement éliminé depuis ses flancs vers une région centrale de la partie de la couche sacrificielle 105. À titre d’exemple, la vitesse d’électropolissage de la couche sacrificielle 105 est comprise entre 0,01 et 2 cm/h, par exemple entre 1 et 2 cm/h.
L’électropolissage est symbolisé, en , par le fait que la couche sacrificielle 105 présente des flancs en V. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les flancs de la couche sacrificielle 105 pouvant présenter, sous l’action de l’électropolissage, une forme quelconque, par exemple une forme sensiblement circulaire concave ou une forme plane, correspondant par exemple à la forme d’un front d’électropolissage se déplaçant latéralement vers le centre de la couche.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’étapes ultérieures de retrait du substrat 103 et de gravure de la couche 133.
Les parties du substrat 103 et de la couche tampon 107 de chaque vignette 121 sont par exemple retirées, c’est-à-dire désolidarisées de l’empilement de diode 101, après élimination par électropolissage de la couche sacrificielle 105 au cours de l’étape décrite ci-dessus en relation avec la . Dans l’exemple illustré en , la couche sacrificielle 105 est totalement éliminée.
Un avantage lié au fait d’appliquer la tension V_pol entre une électrode connectée à la couche 133 et une autre électrode plongée dans l’électrolyte 141 comme exposé ci-dessus en relation avec la est que cela permet un contrôle précis de la zone de détachement des parties du substrat 103 et de la couche tampon 107 de chaque vignette 121 par rapport à l’empilement de diode 101.
Dans l’exemple représenté, des parties de la couche 133 situées entre les vignettes 121 sont éliminées, par exemple par photolithographie puis gravure, tandis que d’autres parties de la couche 133 situées à l’aplomb des vignettes 121 sont conservées. Cela permet par exemple d’isoler électriquement chaque vignette 121 des autres vignettes 121.
La et la sont des vues en coupe, schématiques et partielles, illustrant des étapes successives d’une variante du procédé des figures 1A à 1E.
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’une étape de report des vignettes 121 sur le substrat 131 analogue à l’étape précédemment décrite en relation avec la .
L’étape illustrée en diffère de l’étape illustrée en en ce que, dans l’étape illustrée en , une couche électriquement isolante 201, par exemple en dioxyde de silicium, est interposée entre le substrat 131 et la couche électriquement conductrice 133. Dans l’exemple représenté, des éléments de reprise de contact 203, par exemple des plots électriquement conducteurs, sont formés dans la couche isolante 201 et affleurent la face de la couche isolante 201 revêtue de la couche 133 (la face supérieure de la couche isolante 201, dans l’orientation de la ). À titre d’exemple, la couche isolante 201 et les éléments de reprise de contact 203 font partie d’un empilement d’interconnexion non détaillé en . Les éléments de reprise de contact 203 sont par exemple destinés à connecter chaque vignette 121 à un circuit de commande (non représenté) formé dans et sur le substrat 131.
À titre d’exemple, le substrat 131 est dit « actif », c’est-à-dire que le substrat 131 comprend des composants électroniques actifs tels que des transistors. Le substrat 131 est par exemple de type CMOS (de l’anglais « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor » - métal-oxyde-semiconducteur complémentaire) ou de type TFT (de l’anglais « Thin-Film Transistor » - transistor en couches minces).
La illustre plus particulièrement une structure obtenue à l’issue d’étapes ultérieures de retrait du substrat 103 et de gravure de parties de la couche 133 situées entre les vignettes 121 analogues aux étapes précédemment décrites en relation avec la .
La couche sacrificielle 105 est éliminée par électropolissage, par exemple dans des conditions similaires à celles exposées précédemment en relation avec la , de sorte à retirer, ou éliminer, la couche tampon 107 et le substrat 103. À titre d’exemple, les parties de la couche 133 s’étendant latéralement entre les vignettes 121 sont ensuite éliminées par photolithographie puis gravure.
Dans l’exemple représenté, chaque vignette 121 est située à l’aplomb d’un élément de reprise de contact 203 différent des éléments de reprise de contact 203 à l’aplomb desquels sont situées les autres vignettes 121. Chaque élément de reprise de contact 203 permet par exemple de commander l’empilement de diode 101 de la vignette 121 sus-jacente indépendamment des empilements de diode 101 des autres vignettes 121 du dispositif électronique.
Alternativement, le signal acoustique de déploiement est émis directement par le modem acoustique 30 de l’unité de surveillance 10, lorsque la batterie de l’alimentation atteint un niveau critique.
Alternativement, le processeur 26 envoie directement des instructions de déploiement au système de maintien déployable 40, par exemple par une liaison filaire. Le processeur 26 envoie, par exemple, ces instructions lorsque la batterie de l’alimentation atteint un niveau critique.
Cela permet alors de récupérer aisément l’unité de surveillance, par exemple pour recharger ou changer la batterie.
A cette occasion, il est en outre possible de télécharger l’ensemble des données enregistrées dans la mémoire de l’unité de surveillance.
Tout autre intervention de maintenance est en outre susceptible d’être réalisée.
L’unité de surveillance est alors susceptible d’être de nouveau déployée, soit au même emplacement, soit à un autre emplacement.
Une unité de surveillance selon l’invention permet ainsi de réaliser plusieurs campagnes, par exemple pour surveiller l’évolution de la structure géophysique, sans nécessiter la récupération des unités de surveillance à la fin de chaque campagne et leur redéploiement au début de la campagne suivante. Cela est ainsi beaucoup plus simple à mettre en œuvre, moins coûteux en temps et en moyens. De plus, entre les campagnes, les unités de surveillance restent sur place, de sorte qu’il n’y a pas d’incertitude sur l’emplacement de leur redéploiement.
Procédé pour quantifier les déplacements dans un modèle analogique représentant l’évolution de la déformation d’une formation souterraine La présente invention concerne le domaine des géosciences, en particulier le domaine de la géologie structurale avec des applications dans le domaine de l'exploration et de l’exploitation des gisements pétroliers ou de sites de stockage géologique de gaz (H 2 , CO 2 , CH 4 , …).
Plus précisément, cette invention concerne le domaine de la modélisation analogique en géologie structurale.