INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par ailleurs, l’exemple 3 selon l’invention présente une structure moins poreuse dans sa couche frontale par rapport à l’exemple 1 comparatif.
Enfin, le produit consolidé obtenu à partir d’un DVC selon l’invention présente de bonnes propriétés mécaniques et une microstructure stable entre 500 et 1000°C, c'est-à-dire dans la gamme de températures à laquelle il est soumis au démarrage du four dans la couche intermédiaire.
UTILISATION DE COMPOSÉS ORGANIQUES ENCAPSULÉS À TITRE DE BIOSTIMULANTS DE MYCÉLIUMS ET DE CHAMPIGNONS La présente invention concerne l’utilisation de composés organiques particuliers à titre de biostimulants dans la production de mycéliums et la culture de champignons. Plus particulièrement, l’invention concerne l’utilisation de composés organiques particuliers encapsulés de manière particulière, dans la stimulation du développement et de la croissance de mycéliums et l’amélioration des rendements des cultures de champignons comestibles.
Les champignons comestibles sont utilisés depuis toujours par l’homme, notamment pour leurs qualités alimentaires ou leurs vertus médicinales. Il existe de nombreuses variétés de champignons mais les plus cultivées dans le monde sont le champignon de Paris (Agaricus bisporus), les pleurotes (Pleurotus ostreaus, Pleurotus eryngii, etc.) et le shiitake (Lentinula edodes). Le champignon de Paris représente à lui seul plus de 40 % du marché mondial, les pleurotes 25 % et le shiitake 15 %. Les principaux acteurs du marché à l’échelle mondiale sont la Chine avec 50 % de la production, les États-Unis et l’Europe.
À l’échelle industrielle, la méthode de production de champignons peut se décomposer en deux étapes : la première concerne l’obtention d’inoculum, de mycéliums, la seconde concerne la culture à proprement parler des champignons, à partir des mycéliums obtenus lors de la première étape. Ces deux étapes peuvent être réalisées indépendamment par des acteurs différents, la première par un producteur de mycéliums, la seconde par un champignonniste, ou par un seul et même acteur, le champignonniste.
L’obtention d’inoculum, de mycéliums, débute par l’inoculation d’un milieu de culture stérilisé à partir de spores ou d’un morceau d’inoculum. Le milieu de culture peut être de la gélose, telle que de la gélose dextrosée à la pomme de terre (PDA, Potato Dextrose Agar), un milieu liquide tel que du bouillon dextrosé à la pomme de terre (PDB, Potato Dextrose Broth), ou toute autre solution nutritive contenant un gélifiant ou non. Le développement et la croissance du mycélium sur son milieu de culture sont variables mais s’étendent généralement de 7 à 28 jours, en fonction de la souche de champignon. Une fois que le mycélium a totalement colonisé le milieu de culture, un morceau du milieu de culture est alors prélevé pour l’inoculation d’un substrat de colonisation. Un substrat de colonisation adapté peut être synthétique, ou le plus souvent composé de céréales, généralement de seigle, de millet, de sorgho, de blé, d’orge, de riz ou d’avoine, préalablement stérilisées et conditionnées dans des bocaux ou des sacs de culture micro-perforés.
L’inoculum de mycélium ainsi obtenu est ensuite utilisé dans la culture et la production des champignons. L’inoculum est donc utilisé pour ensemencer un substrat de fructification.
Dans le cas du champignon de Paris, le substrat de fructification est un compost généralement composé de pailles et de déjections animales, arrosé abondamment pour garantir sa maturation durant deux à trois semaines. Le substrat de fructification est ensuite pasteurisé durant quelques jours avec des températures décroissantes de 60 à 40°C. L’ensemencement du substrat de fructification se fait après pasteurisation, par exemple à l’aide d’une lardeuse, par mélange de l’inoculum contenu dans son substrat de colonisation et du substrat de fructification. Il s’ensuit une période d’incubation durant laquelle les substrats de fructification inoculés sont placés dans un local clos dont la température, l'humidité et l'oxygène sont contrôlés pendant deux semaines. La température est maintenue de 22 à 25°C. L’étape ultérieure est le gobetage, qui consiste à recouvrir le substrat de fructification d’une couche de terre adaptée. La terre de gobetage est, par exemple, un mélange de tuffeau broyé et désinfecté et de tourbe horticole. Après une baisse de température contrôlée, les premières têtes de champignons sortent du substrat de fructification, et la récolte peut alors commencer. La cueillette de champignon de Paris suit plusieurs cycles de fructification appelées volées, ou alternance de périodes de récoltes et de repos végétatif. Les deux premières volées sont de loin les plus productives avec 50% de la récolte totale attribuée à la 1ère volée et 35% à la 2ème. Le cycle de récolte se renouvelle environ chaque semaine. La récolte peut être conduite jusqu’en 3ème volée, mais les rendements déclinent rapidement. D'une manière générale, les champignonnistes cherchent à ne produire que sur deux volées pour des raisons de productivité mais également d'hygiène, car la 3ème volée est souvent une porte d’entrée au développement de maladies et à leur installation à plus long terme.
Ces méthodes d’obtention de l’inoculum et de production des champignons s’étendent ainsi sur plusieurs semaines, en particulier du fait du temps nécessaire aux différentes souches de mycéliums pour coloniser leurs substrats. Le développement et la croissance des mycéliums peuvent en outre être perturbés par différents facteurs, tels qu’une variation de paramètres des conditions de culture et sa capacité de colonisation. Les vitesses de croissance et la qualité du développement des mycéliums peuvent ainsi devenir un facteur limitant allongeant les délais de production des inocula pour les producteurs et impactant négativement les rendements de récolte des champignons pour les champignonnistes. Ainsi toute la chaîne de production des champignons peut se trouver directement impactée par la qualité du mycélium utilisé.
L’utilisation de biostimulants dans les méthodes de productions agricoles est en plein développement. Les biostimulants sont des substances capables de stimuler le métabolisme d’une plante, ou d’un champignon, et ses processus naturels d’absorption des nutriments. Plus précisément, le Règlement (UE) 2019/1009 du parlement européen et du conseil du 5 juin 2019 entrant en vigueur le 22 juillet 2022, définit un biostimulant comme « un produit qui stimule les processus de nutrition des végétaux indépendamment des éléments nutritifs qu’il contient, dans le but d’améliorer une ou plusieurs des caractéristiques suivantes des végétaux ou de leur rhizosphère :
Les deux valeurs minimales et maximales de ces vecteurs, respectivement Pmax (t0+ Δt, t0+2Δt) et Pmin (t0+ Δt, t0+2Δt) sont les valeurs retenues auxquelles il peut être rajouté une marge de sécurité pour pallier à l’approximation du modèle utilisé.
Ces deux valeurs sont transmises par le module 14 au module 30.
Un module 20 est configuré pour permettre la régulation en puissance du moteur, suite à la réception de commandes et de données de consigne du module 10.
A cet effet, le module 20 reçoit en entrée - des informations relatives à des données représentatives de l’état du moteur, - des informations relatives à l’état des puissances et des couples électriques sur les arbres haute pression, Trqhp(t0) et basse pression, Trqbp(t0).
Parmi les informations relatives à l’état du moteur, on peut citer de manière non limitative :
- des données concernant le régime du moteur de l’arbre basse pression Nbp (en tr/min) - des données concernant le régime du moteur de l’arbre haute pression Nhp (en tr/min) - des données issues de capteurs de pression (P0) - des données issues de capteurs de température (T0), par exemple température de turbine et d’échappement, - des données représentatives de la vitesse de l’avion (M0).
Le module 20 reçoit également des données de consigne et des commandes du module 10, à savoir : - des consignes de régime de l’arbre basse pression Nbp* et de l’arbre haute pression Nhp*, - le signal phase_moteur.
Les consignes de régime de l’arbre basse pression Nbp* peuvent être prises en compte pour des phases stabilisées ou qui varient lentement alors que les consignes de régime haute pression Nhp* peuvent être prises en compte pour des phases de variations importantes du régime moteur (soit en accélération, soit en décélération) ou des phases de régime constant, dit de croisière.
Le module 20 est un module de régulation de turbomachine multi-variable adapté à l’hybridation parallèle quel que soit la logique interne des lois de contrôle employées. A la différence d’une architecture de contrôle conventionnel, la décision sur la phase de fonctionnement moteur est déportée dans le sous-module 10 d’anticipation d’assistance moteur pour la prise en compte des retardements de consigne si nécessaire.
Le contrôle de la turbomachine s’adapte aux prélèvements et injections instantanées indépendamment des besoins d’injection et des capacités de prélèvement communiqués. Il assure le fonctionnement optimal de la turbomachine en assurant les limites de son opérabilité même dans les cas dégradés de panne ou d’une mauvaise coordination entre la turbomachine et le système avion de gestion de puissance.
Le module 20 produit en sortie : - une commande de débit carburant Wf(t0) - un actionneur à géométrie variable - le signal Flag_assist indiquant le mode conventionnel ou assistance, - des commandes de couple Trqbp(t0) et Trqhp(t0) respectivement pour les arbres basse pression et haute pression du moteur lors du fonctionnement en mode assistance , - une commande de partage entre les arbres haute pression et basse pression du moteur lors du fonctionnement en mode conventionnel, Split HP/BP(t0), - Une estimation des limites de prélèvement et d’injection instantanée que peut subir la turbomachine en fonctionnement conventionnel Pmax(t0), Pmin(t0).
Le module 20 commande le débit carburant Wf et les actionneurs à géométries variables par asservissement sur les mesures de régimes afin de permettre à la Turbomachine de suivre les consignes Nbp*/Nhp*. La Turbomachine étant hybridée, la coordination avec les composantes électriques se fait de la manière suivante :
En mode conventionnel, le module 20 calcul les limites de puissance de prélèvements instantanées et les communique au réseau électrique.
En mode assistance, la turbomachine prend la main sur la machine électrique pour assurer ses besoins d’actionnement des arbres, active le flag_assistance, et commande les couples des machines électriques.
Le module 30 de gestion du réseau électrique reçoit en entrée les contraintes de puissance électrique à satisfaire et précédemment calculées, sur un intervalle [t0+ Δt,t0+2 Δt] à partir des données obtenues ou calculées à l’instant t0. Ainsi, le réseau utilise le laps de temps Δt pour connecter les sources externes sur le bus si besoin.
La représente un mode de réalisation d’un procédé de régulation selon l’invention. Ce procédé peut être mis en œuvre dans un dispositif de type FADEC, sous la forme d’un programme exécuté par un ou plusieurs processeurs compris dans le FADEC. Ce procédé peut également être mis en œuvre par les modules décrits en .
Le procédé comprend également une étape E4 de dépôt conforme d’une deuxième couche diélectrique D2 sur la matrice de premiers piliers PI, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier PI et ses plus proches voisins. Dans un mode de réalisation, la couche diélectrique D2 est en SiO 2 . Dans un mode de réalisation, le deuxième couche diélectrique D2 comporte plusieurs sous-couches diélectriques.
Le procédé comprend ensuite une étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2 de sorte à exposer la première couche diélectrique D1 entre chaque premier pilier PI de la matrice de premiers piliers PI selon les diagonales de ladite matrice de premier piliers PI, la première couche diélectrique D1 servant de couche d’arrêt à la gravure. Dans un exemple de réalisation, la deuxième couche diélectrique D2 est une couche de SiO 2 et la première couche diélectrique D1 (servant de couche d’arrêt) est une couche de HfO 2 ou d’Al 2 O 3 . La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes E4, E5 est illustrée à la , les zones exposées de la première couche diélectrique D1 étant marquées par un cercle en pointillé dans la représentation de dessus en bas de la figure.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend également une étape E6 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E5 précédente. Bien que facultative, cette étape E6 permet d’aplanir la surface de la structure et ainsi d’améliorer la qualité du dépôt de la première couche conductrice décrit dans la suite. En outre, réaliser le polissage mécano-chimique en deux temps permet d’éviter tout problème de sélectivité avec le polissage mécano-chimique effectué à l’issue du dépôt de la première couche conductrice décrit dans la suite.
Le procédé selon l’invention comprend ensuite une étape E7 de dépôt d’une première couche conductrice de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2. Ainsi, au niveau de ces ouvertures, la couche conductrice est en contact direct avec la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la couche conductrice est choisi parmi le Ti, TiN ou bien encore W.
Le procédé selon l’invention comprend en outre une étape E8 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers PC1 conducteurs au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2. Lors de cette étape E8, l’arrêt du polissage se fait sur la couche support SP de sorte que les deuxième piliers PC1 ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape E8. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes ou trois étapes (lorsque l’étape E6 facultative de polissage mécano-chimique est mise en œuvre) est illustrée à la . Dans la structure finale obtenue à l’issue du procédé selon l’invention, les deuxièmes piliers PC1 conducteurs viendront former les troisième grille G3 de la permettant de contrôler le potentiel chimique des particules chargées au niveau des boites quantiques QD.
Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E9 de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique D2 de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique D1 que la matrice de premiers piliers PI et la matrice de deuxième piliers PC1. Lors de cette étape de retrait, la première couche diélectrique D1 est préservée et sert de couche d’arrêt.
Le procédé comprend ensuite une étape E10 de dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique D3 sur la matrice de premiers piliers PI et sur la matrice de deuxièmes piliers PC1, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier PI et les deuxièmes piliers PC2 plus proches voisins dudit premier pilier PI.
Le procédé comprend également une étape E11 de gravure de la troisième couche diélectrique D3 de sorte à exposer la première couche diélectrique D1 entre chaque premier pilier PI de la matrice de premiers piliers PI selon les lignes et les colonnes de ladite matrice de premiers piliers PI. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes est illustrée à la , les zones exposées de la première couche diélectrique D1 étant marquées par un cercle en pointillé.
Dans un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E11 précédente (non représentée sur les figures). Bien que facultative, cette étape permet d’aplanir la surface de la structure et ainsi d’améliorer la qualité du dépôt de la deuxième couche conductrice C2 décrit dans la suite. En outre, réaliser le polissage mécano-chimique en deux temps permet d’éviter tout problème de sélectivité avec le polissage mécano-chimique effectué à l’issue du dépôt de la deuxième couche conductrice C2 décrit dans la suite.
Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E12 de dépôt d’une deuxième couche conductrice C2 de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape E11 de gravure de la troisième couche diélectrique D3. Ainsi, au niveau de ces ouvertures, la deuxième couche conductrice C2 est en contact direct avec la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la deuxième couche conductrice C2 est choisi parmi le Ti, TiN ou bien encore W.
Le procédé comprend ensuite une étape E13 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de troisièmes piliers PC2 conducteurs, lesdits troisièmes piliers PC2 conducteurs étant en contact direct avec la première couche diélectrique D1 au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape E11 de gravure de la troisième couche diélectrique D3. Lors de cette étape E13, l’arrêt du polissage se fait sur la couche support SP de sorte que les troisième piliers PC2 ne sont plus connectés entre eux à l’issue de cette étape E13. Dans un mode de réalisation, afin de s’assurer de la bonne déconnexion des troisièmes piliers entre eux, une étape E14 de sur polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E13 précédente est mise en œuvre. On entend par « sur polissage » le fait de continuer le polissage alors que la couche d’arrêt a été atteinte. En effet, la détection de l’atteinte des couches d’arrêt par le polissage se fait de façon automatique par détection physique d’un signal de polissage de la couche d’arrêt. Or, s’il existe des non-uniformités d’épaisseur à l’échelle de la plaque, il se peut que le signal soit détecté alors que la couche d’arrêt n’a pas été atteinte sur l’ensemble de la plaque, mais seulement sur une partie. Le « sur polissage » permet donc de poursuivre le polissage suffisamment longtemps après que le signal a été détecté de sorte que toutes les zones de la plaque soient polies suffisamment. La structure obtenue à l’issue de cette étape E13 ou de ces deux étapes (lorsque l’étape E14 facultative de sur polissage est mise en œuvre) est illustrée à la . Dans la structure finale, les troisième piliers PC2 conducteurs viendront former les premières grilles G1 et les deuxièmes grilles G2 de la permettant de contrôler la barrière de potentiel entre deux boites quantiques QD adjacentes.
Dans la structure finale, lorsque le matériau support est un matériau conducteur alors, la première pluralité de piliers PI viendra former la pluralité de quatrièmes grilles G4 de la permettant de contrôler l’absence de charge entre les lignes LI et les colonnes CO. Lorsqu’en revanche, le matériau support est un matériau diélectrique, il est nécessaire de retirer la première pluralité de piliers PI existant pour les substituer par des piliers conducteurs.
Pour cela, comme illustré à la , le procédé comprend, lorsque le matériau de la couche support SP est un matériau diélectrique une étape E15 de retrait sélectif des premiers piliers PI de la pluralité de premiers pilier PI de sorte à exposer la première couche diélectrique D1 au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers PI. Cette étape de retrait peut être mise en œuvre par un procédé de gravure humide sélective, par exemple à base de H 3 PO 4 .
Le procédé comprend ensuite, lorsque le matériau de la couche support SP est un matériau diélectrique, une étape E16 de dépôt d’une troisième couche conductrice dans l’espace laissé par les premiers piliers PI lors de l’étape E15 de retrait sélectif précédente.
Le procédé comprend enfin, lorsque le matériau de la couche support SP est un matériau diélectrique, une étape E17 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de quatrièmes piliers PC3 conducteurs à l’emplacement des premiers piliers PI, l’arrêt du polissage se faisant de sorte que les quatrièmes piliers conducteurs ne sont plus connectés entre eux à l’issue de cette étape. La structure obtenue à l’issue de cette étape est illustrée à la . Dans cette structure finale, la matrice de quatrièmes piliers PC3 viendra former la pluralité de quatrièmes grilles G4 de la permettant de contrôler l’absence de charge entres les lignes LI et les colonnes CO.
Comme le montrent la et la , dans le dispositif ainsi obtenu, les troisièmes grilles G3 présentent de préférence une symétrie centrale et la répartition des premières grilles G1 et deuxièmes grilles G2 adjacentes à chaque troisième grille G3 se fait selon cette symétrie. De même, le premières, deuxièmes et troisièmes grilles G1,G2,G3 sont préférentiellement réparties de manière symétrique par rapport à l’axe associé à chaque ligne LI et l’axe associé à chaque colonne CO.
Aussi, il pourra être choisi que le contrôleur 14 ne sera démarré que lorsqu’une certaine puissance est disponible.
Dans l’exemple décrit, le seuil de puissance se décline selon une valeur limite de courant à délivrer et une valeur limite de tension.
Autrement formulé, il est utilisé un seuil de démarrage en tension et un seuil de démarrage en courant.
Pour obtenir ces valeurs, compte-tenu des valeurs typiques mentionnées précédemment (tension de 5 V pour un courant de 20 mA), il est utile de prendre une marge, cette marge dépendant du cas de figure.
Par exemple, il est ici choisi une valeur de tension de 10 V et un courant de 50 mA. Cela signifie que le circuit de contrôle 16 cherche ici à démarrer le contrôleur 14 uniquement lorsque la tension et le courant fournis par le module photovoltaïque 12 sont respectivement au seuil de démarrage en tension (10 V) et au seuil de démarrage en courant (50 mA).
Pour expliquer comment le circuit de contrôle 16 réalise cette fonction, il convient de rappeler que la tension de comparaison avec la tension V- sur la première entrée 26E1 du comparateur 26 est en permanence .
La tension appliquée aux bornes de la diode Zener est ici la tension de sortie du module photovoltaïque 12 mais la valeur V- de la tension sur la première entrée 26E1 du comparateur 26 va dépendre du régime de fonctionnement de la diode Zener.
Lorsque la tension aux bornes de la diode Zener est inférieure à la tension Zener V Zener , la diode Zener bloque le courant et la tension aux bornes de la diode Zener suit tension de sortie du module photovoltaïque 12 .
Cela signifie que dans ce régime.
De ce fait, dans ce régime, la tension aux bornes de la diode Zener est en permanence plus élevée que la tension de comparaison .
Ainsi, le comparateur 26 sort en sortie la première valeur (tension nulle) et le deuxième commutateur 20 est en position ouverte.
Lorsque la tension aux bornes de la diode Zener est supérieure à la tension Zener V Zener , la diode Zener laisse passer le courant et la tension aux bornes de la diode Zener ne suit alors plus la tension du module mais reste à la ttension Zener V Zener .
Cela implique que la valeur V- de la tension sur la première entrée 26E1 reste fixée à la tension Zener V Zener .
En parallèle, la tension de comparaison est toujours .
Ainsi, lorsque la tension du module dépasse la tension Zener V Zener , le comparateur 26 compare la valeur de la tension Zener V Zener à la valeur .
Lorsque la valeur est inférieure à V Zener , le comparateur 26 sort en sortie la première valeur (tension nulle) et le deuxième commutateur 20 est (ou se met) en position ouverte alors que, lorsque la valeur est supérieure à V Zener , le comparateur 26 sort en sortie la deuxième valeur (V mod ) et le deuxième commutateur 20 est (ou se met) en position fermée.
Selon une caractéristique avantageuse de l’invention, le procédé consiste corollairement à tenter le ré-accouplement du tambour de levage sur la chaine cinématique, et alternativement, lorsque la tentative d’arrêt de cette libre rotation n’est pas possible en raison, par exemple de la prise de l’extrémité du câble dans un point fixe, à octroyer à l’opérateur de l’organe de levage le temps suffisant pour éventuellement prendre la décision de provoquer le sectionnement dudit câble.