INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
De préférence, chaque bloc 30 comprend un mécanisme d’ajustement 35 de la hauteur du logement de bloc 33, en particulier en fonction de la hauteur h du sous-ensemble 16 correspondant de cartes électroniques. Le mécanisme d’ajustement 35 en hauteur du logement de bloc 33 comprend par exemple un rail vertical le long duquel l’élément de maintien 31 est déplaçable.
En variante de l’invention, les cartes électroniques 12 sont livrées directement par sous-ensembles 16 de cartes électroniques 12.
Pendant l’étape a), chaque sous-ensemble 16 de cartes électroniques 12 livré est par exemple directement agencé dans le logement de chariot 24 correspondant selon l’arrangement prédéterminé.
Alternativement, dans le mode de réalisation où des blocs amovibles 30 sont mis à disposition, chaque sous-ensemble 16 livré est préalablement agencé selon l’arrangement prédéterminé dans un des blocs 30, puis le bloc 30 est agencé dans le logement de chariot 24 correspondant.
L’invention n’est pas limitée aux exemples de réalisation et aux variantes décrits auparavant et illustrés sur les dessins.
En particulier, on décrit ci-dessous un procédé selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. Le deuxième mode de réalisation est analogue au procédé 100 représenté sur les figures 1 à 3. Les éléments similaires portent les mêmes références numériques et ne seront pas décrits à nouveau. Seules les différences seront décrites en détail ci-après.
Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre, suite au calcul des estimateurs, la reconstruction d’une image en faisant : - pour chaque pixel de chaque fenêtre, le calcul d’une valeur du pixel en ajoutant la moyenne estimée de l’au moins un canal, parmi le deuxième ensemble de canaux, à l’estimation de la valeur de l’au moins un canal.
Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre, pour chaque pixel couvert par au moins deux fenêtres distinctes, le calcul de la moyenne des valeurs du pixel.
Selon un mode de réalisation, l’au moins un canal, parmi le deuxième ensemble de canaux, est spectralement corrélé à l’au moins un canal mesuré, parmi le premier ensemble de canaux.
Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième ensembles de canaux comprennent les canaux couleur rouge, vert, bleu.
Selon un mode de réalisation, le premier ensemble de canaux comprend en outre un canal de profondeur.
Un mode de réalisation prévoit, un dispositif électronique comprenant : - une mémoire non volatile configurée pour stocker un ensemble de matrice de covariance et un ensemble de banc de filtres, chaque banc de filtres étant associé à une matrice de covariance ; et - un processeur configuré pour : déterminer une matrice de covariance pour des fenêtres couvrant une image brute en faisant : pour chaque matrice de covariance, une opération de convolution à décalage, à partir d’un ensemble de mesures associées aux fenêtres du banc de filtres associé à la matrice de covariance ; et pour chaque fenêtre, le calcul d’un estimateur, sur la base de la matrice de covariance déterminée, l’estimateur comprenant des estimation de valeurs d’au moins un canal, parmi un deuxième ensemble de canaux, pour chaque pixel de la fenêtre, l’estimateur comprenant en outre une estimation d’une valeur moyenne de l’au moins un canal sur l’ensemble de la fenêtre ; et générer une nouvelle image sur la base l’estimateur de chaque fenêtre.
Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend en outre des ensembles de paramètres, chaque ensemble étant dépendant de l’ensemble de matrices de covariance, et dans lequel le processeur est configuré pour calculer l’estimateur sur la base des ensembles de paramètres dépendant de la matrice de covariance déterminée.
la illustre un exemple de dématriçage de plusieurs fenêtres acquises sur la base d’un motif de matriçage ;
la est un schéma par blocs représentant un dispositif de traitement selon un mode de réalisation de la présente description ;
la est un exemple d’une matrice de matriçage associée à un motif de matriçage ;
la est un exemple d’une autre matrice de matriçage associée à un autre motif de matriçage ;
la illustre des opérations d’estimation d’une matrice de covariance adaptée à une fenêtre ;
la illustre une opération de reconstruction d’une image à partir des matrices de covariance estimées ; et
la est un organigramme représentant différentes étapes de traitement d’une image.
destination de la composition Une composition selon l’invention peut se présenter sous la forme d’une composition cosmétique de soin des matières kératiniques, en particulier du corps ou du visage, de préférence du visage.
Ainsi, une composition selon l’invention peut être utilisée comme produit de soin pour le visage et/ou le corps.
Selon un autre mode de réalisation, une composition de l’invention peut se présenter sous la forme d’une base de maquillage des matières kératiniques, en particulier du visage.
Ainsi, l’invention concerne également l’utilisation d’une composition selon l’invention pour le soin des matières kératiniques, de préférence pour le soin, en particulier de la peau du corps et/ou du visage.
Ainsi, la présente invention concerne encore l’utilisation d’une composition selon l’invention afin de lutter contre les signes du vieillissement cutané.
Exemples Méthodes de mesure et évaluation Mesure de stabilité La stabilité des compositions est évaluée à différents intervalles de temps et aux températures comme suit : à température ambiante (25°C) au terme de T = 24 heures ; à 55°C au terme de T = 15 jours ; à 4°C et à température ambiante (25°C) au terme de T = 1 mois et T = 2 mois ; et à 37°C et à 45°C, au terme de à T = 1 mois et T = 2 mois.
Si un déphasage, un relargage ou une modification d’aspect est constaté au terme d’un délai inférieur à 2 mois, il est conclu à un défaut de stabilité.
Test d’évaluation sensorielle : Cette évaluation est réalisée sur un panel de 13 femmes, consommatrices régulières de compositions cosmétiques, en particulier de maquillage et/ou de soin.
Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la composition est exempte de filtres inorganiques.
L’unité de traitement 7 détermine la position en temps réel de l’utilisateur 20 lorsque celui-ci effectue ledit parcours (il s’agit plus précisément de la position du smartphone 21), et détermine ainsi la position des murs 26 dans la pièce à partir de cette position en temps réel. L’unité de traitement 7 assimile donc le tracé du parcours réalisé par l’utilisateur 20 à la base des murs 26.
La détermination de la position en temps réel de l’utilisateur 20 est réalisée par une technique de géolocalisation UWB en utilisant le premier module UWB 10 (du boîtier décodeur 1) et le deuxième module UWB 22 (du smartphone 21). Comme on l’a vu plus tôt, le premier module UWB 10 localise précisément le smartphone 21 à partir de signaux UWB émis par celui-ci.
Pour déterminer la position de chaque source sonore, l’unité de traitement 7 émet un deuxième message à destination de l’utilisateur 20 pour demander à celui-ci de positionner le smartphone 21 à proximité immédiate de la source sonore. Par exemple, l’utilisateur place le smartphone 21 sur ou contre la source sonore, ou bien se positionne lui-même juste à côté de la source sonore. La position de ladite source sonore est alors assimilée à la position du smartphone 21, qui est déterminée par une technique de géolocalisation UWB en utilisant le premier module UWB 10 et le deuxième module UWB 22.
Bien sûr, ici, cela ne concerne que les enceintes 3a, 3b car la position du boîtier décodeur 1 (en tant que source sonore) est connue.
L’unité de traitement 7 acquiert ensuite des caractéristiques acoustiques des murs 26.
Les caractéristiques acoustiques des murs 26 comprennent, pour chaque mur 26, des valeurs pour différentes fréquences d’un coefficient d’absorption d’un matériau du mur 26. Par « un matériau du mur », on entend soit un matériau avec lequel est fabriqué le mur, soit un matériau d’un revêtement recouvrant la paroi interne (côté pièce) du mur, soit un matériau d’un élément quelconque positionné sur ou contre le mur (une tenture par exemple).
L’utilisateur utilise par exemple une application chargée dans son smartphone 21 pour renseigner le type de matériau des murs 26 de la pièce (béton, vitre, rideau, parquet, moquette, etc.). Ces informations sont transmises à l’unité de traitement 7 via un canal de communication quelconque entre le smartphone 21 et le boîtier décodeur 1 (par exemple en Wi-Fi, Bluetooth, etc.).
L’unité de traitement 7 utilise une table 27 stockée dans l’une des mémoires 9 (non volatile). La table 27 associe à chaque matériau un coefficient d’absorption pour chaque fréquence.
Alternativement, il est possible de prévoir plusieurs catégories générales, qui chacune regroupe une pluralité de matériaux. Puis, pour un mur 26 donné, soit l’utilisateur 20 renseigne le matériau et l’unité de traitement 7 en déduit une catégorie générale à laquelle appartient ledit matériau, soit l’utilisateur 20 renseigne directement la catégorie générale à laquelle appartient ledit matériau.
Un exemple de table 27 est donné ci-dessous. Cette table 27 associe, pour chaque catégorie générale de matériaux et pour plusieurs fréquences, un coefficient d’absorption associé à ladite catégorie générale et à ladite fréquence. coefficient d’absorption acoustique du matériau Catégorie générale de matériaux 125Hz 250Hz 500Hz 1kHz 2kHz 4kHz Vitres – sol/mur non traités 0,10 0,10 0,10 0,10 0,10 0,10 Tentures – rideaux - moquette 0,10 0,20 0,40 0,50 0,65 0,60 Traitement absorbant 0,20 0,55 0,60 0,70 0,80 0,90
On a donc ici trois catégories générales de matériaux : vitres – sol/mur non traités ; tentures – rideaux – moquette ; traitement absorbant.
L’unité de traitement 7 réalise alors une simulation, en utilisant la carte et les caractéristiques acoustiques des murs 26, pour simuler une propagation dans la pièce de sons émis par les sources sonores
La simulation utilise une technique de lancer de rayons (ou ray tracing ). Cette technique permet de définir l’impact acoustique de la pièce sur la propagation acoustique des ondes sonores générés par les sources sonores : boîtier décodeur 1 et enceintes 3a, 3b.
On décrit tout d’abord le principe de la technique de lancer de rayons. Cette technique consiste à tirer des rayons à partir d’une source sonore vers le point de mesure en prenant en compte les chemins avec les réflexions sur les murs, et en faisant la somme des contributions de chaque rayon.
Cette simulation reproduit donc, pour chaque position de référence d’une pluralité de positions de référence, le parcours des rayons sonores entre chaque source sonore et ladite position de référence, en tenant compte des réflexions sur les murs et le plafond.
La simulation tient compte de chaque réflexion sur les murs 26 en évaluant le niveau Nr de l’onde sonore réfléchie, en fonction du niveau Ni de l’onde sonore incidente et du coefficient d’absorption du mur 26 contre lequel l’onde est réfléchie, de la manière suivante :
Le transistor HEMT 11 comporte, de plus, une deuxième couche de passivation 19 en un deuxième matériau différent du matériau de la couche 17. La deuxième couche de passivation 19 est disposée sur une autre partie de la face supérieure de la couche semiconductrice 13. A titre d'exemple, la couche de passivation 19 est en contact avec la face supérieure de la première couche semiconductrice 13. Plus précisément, la couche de passivation 19 est formée à côté de la couche de passivation 17 et recouvre une partie de la couche semiconductrice 13 non recouverte par la couche de passivation 17. Les couches de passivation 17 et 19 sont par exemple en contact par leurs flancs. Dans l’exemple représenté, la couche de passivation 19 s’étend latéralement depuis le bord de la couche de passivation 17 situé entre la grille 15 et la métallisation de contact de drain 31, jusqu’à la métallisation de contact de drain 31.
Les couches de passivation 17 et 19 ont par exemple chacune une épaisseur comprise entre 2 nm et 20 nm, par exemple comprise entre 5 nm et 10 nm. Les couches de passivation 17 et 19 ont par exemple sensiblement la même épaisseur.
La couche de passivation 17 est par exemple en un matériau diélectrique, par exemple en alumine (Al 2 O 3 ) ou en difluorooxonium (Hf 2 O). La couche de passivation 19 est par exemple en un autre matériau diélectrique, par exemple en nitrure d'aluminium (AlN) ou en nitrure de silicium (SiN).
A titre d'exemple, la grille 15 est surmontée d'une couche 25, optionnelle, en un matériau métallique, par exemple à base de nitrure de titane. La couche 25 est par exemple en contact avec la grille 15. La couche métallique 25 recouvre par exemple toute la surface de la face supérieure de la grille 15. En variante, la couche métallique 25 s'étend sur une partie centrale seulement de la surface supérieure de la grille 15, de sorte qu’une partie périphérique de la face supérieure de la grille 15 ne soit pas recouverte par la couche métallique 25. La couche de passivation 17 s’étend par exemple latéralement jusqu’à la couche métallique 25.
La couche 25 est par exemple surmontée par une métallisation de contact de grille 27 et est, par exemple, en contact avec celle-ci. A titre d'exemple, la métallisation de contact de grille 27 est à base de nitrure de titane et/ou d'un alliage d'aluminium et de cuivre.
Le transistor HEMT 11 comprend par exemple plusieurs niveaux de couches isolantes dans, et par exemple sur, lesquelles sont formées des métallisations.
A titre d'exemple, le transistor HEMT 11 comprend une première couche isolante 33 sur et en contact avec la face supérieure de la couche de passivation 17. A titre d'exemple, la couche isolante 33 recouvre l'ensemble de la surface de la couche de passivation 17, et ne recouvre pas la couche de passivation 19. La couche isolante 33 est par exemple ouverte en vis-à-vis d'une partie centrale de la face supérieure de la grille 15 de façon à être traversée par la métallisation de contact de grille 27. La couche isolante 33 est par exemple en un matériau diélectrique, par exemple en un oxyde, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ).
A titre d'exemple, la couche de passivation 19 recouvre le flanc de la couche isolante 33 situé entre la grille 15 et la métallisation de contact de drain 31, et se prolonge sur une partie de la couche d'isolation 33 en direction de la grille 15. Ainsi, en partant de la métallisation de contact de drain 31, la couche de passivation 19 recouvre la partie de la face supérieure de la couche semiconductrice 13 située entre la métallisation de contact de drain 31 et la couche de passivation 17, puis se prolonge au-dessus de la couche isolante 33, de sorte qu'une partie de la couche de passivation 19 soit située en vis-à-vis de la couche de passivation 17 et séparée par celle-ci par la couche isolante 33.
A titre d'exemple, le transistor HEMT 11 comprend une deuxième couche isolante 35 sur et en contact avec la face supérieure de la couche de passivation 19. A titre d'exemple, la couche isolante 35 a un flanc en contact avec la métallisation de contact de drain 31 et s'étend en direction de la métallisation de contact de source 29. A titre d'exemple, la couche isolante 35 recouvre, par exemple exclusivement, l'ensemble de la surface de la couche de passivation 19. La couche isolante 35 s'étend ainsi par exemple sur la partie de la face supérieure de la couche semiconductrice 13 non recouverte par la couche isolante 33 et sur la partie périphérique de la couche isolante 33. La couche isolante 35 est par exemple en un matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium (SiN) ou en un oxyde, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ).
A titre d'exemple, le transistor HEMT 11 comprend une région 37 s'étendant simultanément sur une partie de la surface de la première couche isolante 33 et sur une partie de la surface de la deuxième couche isolante 35. La région métallique 37 est donc disposé sur deux niveaux différents de couches isolantes. A titre d'exemple, la région métallique 37 est à base de nitrure de titane et/ou d'un alliage d'aluminium et de cuivre. La région métallique 37 est par exemple en le même matériau que la métallisation de contact de grille 27.
Le transistor HEMT 11 peut comprendre une troisième couche isolante 39 recouvrant l'ensemble de la structure à l'exception des métallisations de contact de source 29 et drain 31. La troisième couche isolante 39 est, par exemple en le même matériau que les couches isolantes 33 et 35. Le transistor HEMT 11 illustré en comprend une région métallique 41 formée sur la couche isolante 39. A titre d'exemple, la région métallique 41 est en le même matériau que la région métallique 37.
Les régions métalliques 37 et 41 ont par exemple pour fonction de modifier le profil de la distribution du champ électrique du bord de la grille, situé du côté du drain (le bord droit de la grille en ), et de réduire le pic du champ électrique critique, augmentant ainsi la tension d'avalanche. Les régions métalliques 37 et 41 sont par exemple appelées "field plates".
Dans le transistor de la , le canal 2DEG est par exemple normalement fermé ("normally-off" en anglais), c'est-à-dire qu'il est interrompu sous la grille 15 ce qui empêche la circulation d’un courant entre la source et le drain du transistor. On dit alors que le transistor est à l’état bloqué. Le canal peut être rétabli (c’est à dire rendu passant) par la polarisation de la grille 15. Dans ce cas, un courant peut s’établir entre la source et le drain du transistor. On dit alors que le transistor est à l’état fermé ou passant. Les modes de réalisation décrits peuvent également s’appliquer à des transistors normalement ouverts ("normally-on" en anglais).
La présence des couches de passivation 17 et 19 permet la protection de la surface supérieure de la couche semiconductrice 13 sur laquelle des liaisons pendantes peuvent être présentes et susceptibles de générer des courants de fuite et/ou une diminution de la tenue en tension du transistor. Les couches de passivation 17 et 19 comblent ces liaisons afin de rendre la surface de la couche semiconductrice 13 électriquement inactive.
Les couches de passivation 17 et 19 permettent également de protéger la couche semiconductrice 13 contre l'oxydation et d'améliorer son état de surface auquel le canal 2DEG est sensible.
Dans le mode de réalisation de la , la prévision de deux couches de passivation 17 et 19 de natures distinctes entre la grille et le drain du transistor permet avantageusement d’améliorer le compromis entre la résistance à l’état passant du transistor et les courants de fuite à l’état bloqué.
Dans cette variante de réalisation, le support 104 comprend au moins une ouverture traversante, et, plus particulièrement, deux ouvertures traversantes dans l'exemple de la .
Cela permet, par exemple, à des particules d'atteindre la partie mobile 128, de sorte à détecter ces impacts de particules sur la partie mobile 128 grâce aux déplacements de la partie mobile 128 résultant de ces impacts. La personne du métier sera en mesure de dimensionner l'ouverture dans le support 104 pour que des particules atteignent la partie mobile 128, même lorsque ces particules arrivent sur le dispositif avec un angle non nul par rapport à une direction orthogonale au substrat 100.
La prévision d'une ou de plusieurs ouvertures traversantes peut également permettre d'adapter la masse du support 104, et donc de la structure 102, de sorte à obtenir une fréquence de coupure donnée dans la transmission de perturbations mécaniques (déformation du substrat et/ou vibration) vers le support 104.
Toutefois, bien que le support 104 comprenne des ouvertures traversantes, le support 104 conserve une région périphérique pleine, par exemple ici de forme rectangulaire ou en forme de U dans d'autres exemples non illustrés. Cette partie périphérique est rigide par rapport aux éléments souples du dispositif 1 comme par exemple les liaisons souples 114 ou les bras de maintien 120.
Dans l'exemple de la , la structure 102 est reliée au substrat 100 par l'intermédiaire des liaisons souples 114, mais le dispositif 1 est dépourvu de plot d'ancrage 110 ou d'une liaison rigide ou semi-rigide 114. Dans d'autres exemples non illustrés, le dispositif 1 comprend les liaisons 114 qui sont toutes souples et le plot d'ancrage 110. Dans encore d'autres exemples non illustrés, le dispositif 1 est dépourvu de liaison 114 mais comprend un unique plot d'ancrage 110. Dans encore d'autres exemples non illustrés, le dispositif 1 est dépourvu de plot 110 et comprend soit une unique liaison 114 qui est rigide ou semi-rigide, soit plusieurs liaisons 114 qui sont toutes souples à l'exception d'une qui est rigide ou semi-rigide.
La représente, par une vue de dessus schématique, un exemple d'une autre variante de réalisation du circuit 1, la étant une vue en coupe schématique prise dans le plan de coupe AA de la . En , pour ne pas surcharger la figure, seules la structure 102 et une partie des liaisons 114 sont représentées. Bien que dans l'exemple des figures 6 et 7 le dispositif 1 soit dépourvu de plot d'ancrage 110 et ne comprenne que des liaisons souples 114, les autres configurations (plot 110 plus liaisons souples 114, ou plot 110 uniquement, ou uniquement une liaison 114 rigide ou semi-rigide, ou uniquement des liaisons 114 souples sauf une qui est rigide ou semi-rigide) permettant de coupler la structure 102 au substrat 100 s'appliquent également au dispositif 1 des figures 6 et 7.
Dans cette variante de réalisation, le circuit 1 diffère de celui du mode de réalisation décrit en relation avec les figures 1 à 4 et de celui de la variante de réalisation décrite en relation avec la par la mise en œuvre de la partie mobile de la structure 102.
En effet, dans les exemples de modes de réalisation et de variantes de réalisation décrits précédemment, la partie mobile de la structure 102 configurée pour former l'espace mécanique avec le résonateur 124 comprend uniquement une portion de la couche 126. Dans cette variante de réalisation, la partie mobile de la structure 102, référencée 600 en figures 6 et 7, comprend non seulement une portion 604 de la couche 126, mais aussi une partie 602 du support 104, ou, dit autrement, une partie 602 de la couche 106, la partie 602 du support 104 étant mobile par rapport à la périphérie rigide du support 104. Dit autrement, la partie mobile 600 de la structure 102 comprend ici un empilement de couches comprenant la portion 604 de la couche 126 et la partie 602 du support 104.
Par rapport au cas où la masse mobile ne comprend qu'une portion de couche 126, le cas où la masse mobile comprend une portion de couche 106 permet, pour un encombrement comparable dans un plan parallèle au substrat 100, d'avoir une masse mobile plus lourde et mieux adaptée à un capteur inertiel alors qu'une masse mobile plus légère ne comprenant qu'une portion de la couche 126 est mieux adaptée à un capteur gravimétrique.
La portion 604 de la couche 126 est fixée à la partie mobile 602 du support 104 de sorte que, quand la partie mobile 602 du support 104 se déplace par rapport à la partie périphérique rigide du support 104, la portion 604 de la couche 126 se déplace avec elle.
Dans l'exemple des figures 6 et 7, la portion 604 de la couche 126 est connectée à la partie mobile 602 du support 104. Toutefois, dans d'autres exemples non illustrés, une portion de la couche sacrificielle 132 peut être laissée en place entre la portion 602 et la partie 604.
Dans une direction parallèle au substrat 100, la partie mobile 600 de la structure 102, et, plus particulièrement, la portion 604 de la couche 126, est séparée du résonateur 124 par l'espace mécanique. L'espace mécanique, ou, dit autrement, la partie mobile 600 et le résonateur 124, sont configurés pour qu'un déplacement de la partie mobile 600 dans une direction parallèle au substrat 100, de préférence dans la direction dans laquelle l'espace mécanique est le plus faible, entraîne une variation correspondante de l'espace mécanique, et donc de l'indice optique effectif du résonateur 124.