Circuit intégré comprenant un capteur de température (TSENS) comportant : - deux transistors montés en diode et ayant des tailles différentes, - un circuit tampon (TAMPC), - un circuit de commutation (M1, M2) configuré pour pouvoir appliquer sélectivement en entrée du circuit tampon des tensions générées au travers des deux transistors, - une unité de contrôle (UC) configurée pour commander le circuit de commutation (M1, M2) de façon à appliquer successivement en entrée du circuit tampon les tensions générées au travers des deux transistors, - un convertisseur analogique-numérique (ADC) présentant une entrée connectée à la sortie du circuit tampon (TAMPC), le convertisseur analogique-numérique (ADC) étant configuré pour convertir successivement les tensions délivrées par le circuit tampon en des valeurs de tension numériques et pour calculer une valeur numérique (BNW) correspondant à une différence (ΔVBE) entre les valeurs numériques des tensions générées au travers des deux transistors, cette différence de tensions étant proportionnelle à la température absolue et indépendante des tensions de décalage du convertisseur analogique-numérique (ADC) et du circuit tampon (TAMPC). Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel le capteur de température comprend une unité de traitement (UT) configurée pour déterminer une température (TEMP) à partir de la valeur numérique (BNW) calculée par le convertisseur analogique-numérique (ADC). Circuit intégré selon la revendication 2, dans lequel l’unité de traitement est configurée pour déterminer une température (TEMP) à partir de la valeur numérique (BNW) calculée par le convertisseur analogique-numérique (ADC) à l’aide d’une table de conversion. Circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le circuit tampon (TAMPC) comprend un amplificateur opérationnel (AOP2) monté en suiveur et présentant une entrée connectée au circuit de commutation (M1, M2), le circuit de commutation (M1, M2) étant configuré pour pouvoir appliquer sélectivement sur cette entrée de cet amplificateur opérationnel (AOP2) les tensions proportionnelles à la température générées par les deux transistors montés en diode. Circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel les deux transistors montés en diode sont des transistors bipolaires, chaque transistor présentant un émetteur ainsi qu’une base et un collecteur connectés électriquement à une masse. Circuit intégré selon l’une des revendications 1 à 5, comprenant un circuit de génération de courant proportionnel à une température absolue (BDGP) configuré pour générer un courant proportionnel à la température absolue. Circuit intégré selon la revendication 6, dans lequel le circuit de génération de courant proportionnel à la température absolue (BDGP) comprend : - un premier transistor bipolaire (BPL1) et un deuxième transistor bipolaire (BPL2) montés en diode, - un amplificateur opérationnel (AOP1) présentant une entrée inverseuse connectée à un émetteur du premier transistor bipolaire (BPL1) et une entrée non inverseuse connectée à un émetteur du deuxième transistor bipolaire (BPL2) par l’intermédiaire d’une résistance (R1), - deux transistors (PMOS1, PMOS2) de type PMOS présentant chacun une grille connectée à une sortie de l’amplificateur opérationnel (AOP1) et une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD), un premier transistor (PMOS1) de type PMOS présentant un drain connecté à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel (AOP1) et à l’émetteur du premier transistor bipolaire (BPL1), et un deuxième transistor (PMOS2) de type PMOS présentant un drain connecté à l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel (AOP1) et à l’émetteur du deuxième transistor bipolaire (BPL2). Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel le capteur de température (TSENS) comprend en outre un circuit sensible à la température absolue (SENSC) comportant un troisième transistor (PMOS3) de type PMOS et un troisième transistor bipolaire (BPL3) monté en diode, le troisième transistor (PMOS3) de type PMOS présentant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel (AOP1) du circuit de génération de courant proportionnel à une température absolue, une source configurée pour recevoir la tension d’alimentation et un drain connecté à un émetteur du troisième transistor bipolaire (BPL3). Circuit intégré selon la revendication 8, dans lequel le circuit sensible à la température absolue (SENSC) comporte également un quatrième transistor (PMOS4) de type PMOS et un quatrième transistor bipolaire (BPL4) monté en diode, le quatrième transistor (PMOS4) de type PMOS présentant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel (AOP1) du circuit de génération de courant proportionnel à la température absolue, une source configurée pour recevoir la tension d’alimentation et un drain connecté à un émetteur du quatrième transistor bipolaire (BPL4). Circuit intégré selon la revendication 9, dans lequel le circuit de commutation (M1, M2) est configuré pour appliquer sur l’entrée du circuit tampon (TAMPC) soit une tension base-émetteur du troisième transistor bipolaire (BPL3) soit une tension base-émetteur du quatrième transistor bipolaire (BPL4). Circuit intégré selon la revendication 8, dans lequel le circuit de commutation (M1, M2) est configuré pour appliquer sur l’entrée du circuit tampon (TAMPC) soit une tension base-émetteur du premier transistor bipolaire (BPL1) soit une tension base-émetteur du troisième transistor bipolaire (BPL3). Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel le circuit de commutation (M1, M2) est configuré pour appliquer sur l’entrée du circuit tampon (TAMPC) soit une tension base-émetteur du premier transistor bipolaire (BPL1) soit une tension base-émetteur du deuxième transistor bipolaire (BPL2).