INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Par « sel d’acide ou de base organique ou minéral », au sens de la présente invention, on entend désigner un sel obtenu entre une forme ionique d’un composé de formule (I) et un contre-ion correspondant. En particulier, un tel sel est obtenu par addition d’une base ou d’un acide, organique ou minéral(e), notamment cosmétiquement acceptable au composé de formule (I). Comme exemples de bases minérales peuvent être citée les hydroxydes ou les carbonates de métal alcalin, alcalino-terreux, tels que sodium, potassium, calcium, ammonium, magnésium, lithium ou sodium. Comme exemples de base organiques peuvent être citées les amines ou les alcanolamines. Comme exemples d’acides peuvent être cités l’acide chlorhydrique, l’acide bromhydrique, l’acide sulfurique, les acides alkylsulfoniques, les acides arylsulfoniques, l’acide citrique, l’acide succinique, l’acide tartrique, l’acide lactique, les acides alkoxysulfiniques, les acides aryloxysulfiniques, l’acide phosphorique, l’acide acétique.
la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d’un transistor HEMT selon un mode de réalisation ;
la , la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d’un procédé de fabrication du transistor HEMT illustré en .
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les applications que peuvent avoir les transistors HEMT décrits ne sont pas détaillées, les modes de réalisation étant compatibles avec les applications usuelles des transistors HEMT. On s’intéresse ici tout particulièrement au domaine des transistors HEMT dits de puissance, capables de tenir des tensions relativement élevées à l’état bloqué, par exemple des tensions de l’ordre de 100 à 650 volts.
La est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d’un transistor HEMT 11 selon un mode de réalisation.
Le transistor HEMT 11 comporte une première couche semiconductrice 13, disposée sur une deuxième couche conductrice 23. La couche semiconductrice 13 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche conductrice 23. A titre d’exemple, l’empilement comprenant la couche semiconductrice 13 et la couche semiconductrice 23 repose sur un substrat 21. La couche semiconductrice 23 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure du substrat 21. L'interface entre la première couche semiconductrice 13 et la deuxième couche semiconductrice 23 définit une hétérojonction à la surface de laquelle un gaz bidimensionnel d'électrons 2DEG aussi appelé canal d'électrons est formé.
Les couches semiconductrices 13 et 23 sont par exemple en des matériaux semiconducteurs de type III-V, par exemple à base de nitrure de gallium (GaN). La couche semiconductrice 13 est par exemple en nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN). La couche semiconductrice 23 est par exemple en nitrure de gallium.
A titre d'exemple, le substrat 21 est en un matériau semiconducteur. Le substrat 21 est par exemple en silicium, ou en carbure de silicium. En variante, le substrat 21 est en nitrure d'aluminium. Le substrat 21 comprend par exemple, du côté de sa face supérieure, une couche tampon ("buffer layer" en anglais), non détaillée sur les figures, par exemple en nitrure de gallium. La couche tampon est par exemple en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la couche semiconductrice 23.
Le transistor HEMT 11 comporte une grille 15 sur la face supérieure de la couche semiconductrice 13. La grille 15 est par exemple en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche semiconductrice 13.
La grille 15 est par exemple en un matériau semiconducteur, par exemple en un matériau semiconducteur de type III-V, par exemple en nitrure de gallium, par exemple dopé de type P.
A titre d'exemple, le transistor HEMT 11 comprend, en outre, une métallisation de contact de source 29 et une métallisation de contact de drain 31. A titre d'exemple, les métallisations de contact 29 et 31 sont à base de titane, de nitrure de titane et/ou d'un alliage d'aluminium et de cuivre. Les métallisations de contact de source 29 et de drain 31 définissent par exemple chacune un contact ohmique avec la couche semiconductrice 13. Les métallisations de contact 29 et 31 sont par exemple situées sur et en contact avec la couche semiconductrice 13, de part et d’autre de la grille 15.
Le transistor HEMT 11 comporte, de plus, une première couche de passivation 17 en un premier matériau recouvrant les flancs de la grille 15 et se prolongeant sur une partie de la face supérieure de la première couche semiconductrice 13. A titre d'exemple, la couche de passivation 17 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la couche semiconductrice 13. Dans le mode de réalisation de la , la couche de passivation 17 recouvre une partie seulement de la face supérieure de la couche semiconductrice 13, située à côté de la grille 15, par exemple à la périphérie de la grille 15. Plus particulièrement, dans cet exemple, la couche de passivation 17 s’étend latéralement depuis la grille 15 en direction de la métallisation de contact de drain 31, sur une partie seulement de la surface entre la grille 15 et la métallisation de contact de drain 31. Autrement dit, la couche de passivation 17 ne s’étend pas jusqu’à la métallisation de contact de drain 17. Dans cet exemple, la couche de passivation 17 s’étend en outre latéralement depuis la grille 15 jusqu’à la métallisation de contact de source 29.
A titre d'exemple, la couche de passivation 17 recouvre, en outre, une partie périphérique de la face supérieure de la grille 15.
Selon un deuxième exemple de réalisation illustré à la , le système endoscopique 1 comporte une première fibre optique multicoeurs 11 et une deuxième fibre optique multicœurs 12. L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte : - une source d’éclairage 16 configurée pour délivrer un faisceau lumineux à la première fibre optique multicoeurs 11, - un unique capteur d’imagerie 16 configuré pour présenter une première zone de réception d’un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la première fibre optique multicoeurs 11 et une deuxième zone de réception séparée de la première zone de réception, pour recevoir un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la deuxième fibre optique multicoeurs 12.
L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte un système optique de séparation 22 disposé sur le trajet optique entre l’extrémité proximale de la fibre optique multicœurs 11 et le capteur d’imagerie 18 et réfléchissant en direction de l’extrémité proximale de la fibre optique multicœurs 11, le faisceau lumineux provenant de la source d’éclairage 16.
Cet exemple de réalisation présente l’avantage de pouvoir obtenir deux images simultanément qui peuvent être traitées en même temps pour faire de la surrésolution comme cela sera décrit dans la suite de la description.
Selon un troisième exemple de réalisation illustré à la , le système endoscopique 1 comporte une première fibre optique multicoeurs 11 et une deuxième fibre optique multicœurs 12. L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte : - une première source d’éclairage 16 configurée pour délivrer un faisceau lumineux à la première fibre optique multicoeurs 11, - une deuxième source d’éclairage 17 configurée pour délivrer un faisceau lumineux à la deuxième fibre optique multicoeurs 12, - un unique capteur d’imagerie 18 configuré pour présenter une première zone de réception d’un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la première fibre optique multicoeurs 11 et une deuxième zone de réception séparée de la première zone de réception, pour recevoir un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la deuxième fibre optique multicoeurs 12.
L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte un système optique de séparation 22 disposé sur le trajet optique entre l’extrémité proximale de chaque fibre optique multicœur 11,12 et le capteur d’imagerie 18 et réfléchissant en direction de l’extrémité proximale de chaque fibre optique multicœur 11, 12, le faisceau lumineux provenant des sources d’éclairage 16.
Cet exemple de réalisation permet d’éclairer la cible avec des faisceaux lumineux présentant des spectres de longueurs d’ondes différentes afin d’obtenir une image de surrésolution spectrale. Cette solution offre l’avantage de pouvoir visualiser les tumeurs. En effet, en choisissant un spectre spécifique de longueurs d’ondes, la vascularisation des tissus peut être mise en évidence. Or, comme une tumeur correspond à une zone fortement vascularisée, une tumeur peut être plus facilement observée en mettant en œuvre cette technique.
Selon un quatrième exemple de réalisation illustré à la , le système endoscopique 1 comporte une première fibre optique multicoeurs 11 et une deuxième fibre optique multicœurs 12. L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte : - une source d’éclairage 16 configurée pour délivrer un faisceau lumineux à la première fibre optique multicoeurs 11, - un premier capteur d’imagerie 18 configuré pour recevoir un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la première fibre optique multicoeurs 11, - un deuxième capteur d’imagerie 19 configuré pour recevoir un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la deuxième fibre optique multicoeurs 12.
Cet exemple permet de faire de la surésolution dans la mesure où il est possible d’acquérir deux images sur deux capteurs d’imagerie. Il est aussi possible d’acquérir les images l’une après l’autre avec différentes longueurs d’ondes.
Selon un cinquième exemple de réalisation illustré à la , le système endoscopique 1 comporte une première fibre optique multicoeurs 11 et une deuxième fibre optique multicœurs 12. L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte : - une première source d’éclairage 16 configurée pour délivrer un faisceau lumineux à la première fibre optique multicoeurs 11, - une deuxième source d’éclairage 17 configurée pour délivrer un faisceau lumineux à la deuxième fibre optique multicoeurs 12, - un premier capteur d’imagerie 18 configuré pour recevoir un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la première fibre optique multicoeurs 11, - un deuxième capteur d’imagerie 19 configuré pour recevoir un faisceau lumineux en provenance de l’extrémité proximale de la deuxième fibre optique multicoeurs 12.
L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte un système optique de séparation 22 disposé sur le trajet optique entre l’extrémité proximale de chaque fibre optique multicœurs 11,12 et le capteur d’imagerie 18, 19 et réfléchissant en direction de l’extrémité proximale de chaque fibre optique multicœurs 11, 12, le faisceau lumineux provenant des sources d’éclairage 16, 17.
Selon cet exemple, il est possible d’obtenir des images avec deux fois plus de résolution. Un avantage de cette solution est de pouvoir visualiser les tumeurs.
Il est à noter que sur les figures 4 à 8, l’extrémité proximale de la ou des fibres optiques multicoeurs, pourvue du connecteur optique 13 est schématisée comme étant reliée directement à l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15. Bien entendu, l’extrémité proximale de la ou des fibres optiques multicoeurs 11, 12, pourvue du connecteur optique 13 peut être située à la partie proximale 2a de l’instrument d’insertion de sorte qu’un câble optique 21 assure la liaison optique entre le connecteur optique 13 fixé à la poignée de commande 4 et l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15.
Dans le même sens, il doit être considéré que l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 est configuré de manière à assurer l’acheminement de la lumière entre les capteurs d’imagerie 18, 19 et les connecteurs optiques 13, 13a fixés à l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15. De même, l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 est configuré de manière à assurer par tous moyens appropriés, l’acheminement de la lumière entre les sources d’éclairage 16, 17 et les connecteurs optiques 13, 13a fixés à l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15.
Il est à noter que selon les figures 4 à 8, les fibres optiques multicoeurs 11, 12 assurent notamment l’acheminement du flux lumineux des sources d’éclairage jusqu’à la tête distale 2b de l’instrument d’insertion. Il est à noter, comme illustré à la , qu’il peut être envisagé que le système endoscopique médical 1 comporte une fibre optique d’éclairage 28 permettant l’amenée d’un flux lumineux supplémentaire. Cette fibre optique d’éclairage 28 présente une extrémité distale 28a et une extrémité proximale 28b récupérant le flux lumineux d’une source de lumière 29. L’extrémité distale 28a de la fibre optique d’éclairage 28 est située à la tête distale 2b de l’instrument d’insertion tandis que l’extrémité proximale de la fibre optique d’éclairage est située à la partie proximale 2a de l’instrument d’insertion en étant pourvue d’un connecteur optique par lequel est acheminé un faisceau lumineux d’éclairage fourni par la source de lumière 29. Cette fibre optique d’éclairage 28 peut être mise en œuvre dans tous les exemples de réalisation décrits dans la présente demande.
L’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 comporte également comme illustré à la , un processeur d’imagerie 25 relié aux capteurs d’imagerie 18, 19 et configuré pour former des images de la cible C, à partir des signaux délivrés par les capteurs d’imagerie 18, 19. Le processeur d’imagerie 25 pilote les capteurs d’imagerie 18, 19 afin d’acquérir les images de la cible à des instants déterminés. Le processeur d’imagerie 25 pilote également les sources d’éclairage 16, 17 pour contrôler l’éclairage émis notamment lors de l’acquisition des images par les capteurs d’imagerie 18, 19 comme cela décrit dans la suite de la description. Le processeur d’imagerie 25 est connecté à un écran de visualisation 26 permettant d’afficher les images de la cible C. Cet écran de visualisation 26 peut faire partie de l’appareil d’acquisition et de traitement d’images 15 ou être déporté par rapport à cet appareil. Bien entendu, le processeur d’imagerie 25 peut être connecté à une mémoire pour l’enregistrement des images.
Le système est purgé entre 2 et 4 heures afin qu’un état stationnaire soit atteint des deux côtés du film. Les molécules d’oxygène perméant au travers du film sont entraînées de l’autre côté par le gaz vecteur sur la cellule coulométrique.
L’intensité du courant électrique relevée en sortie est proportionnelle à la concentration en oxygène, donc à la perméabilité du film.
Le domaine de mesure pour un film de 50 cm² de surface à 21 % d’O 2 et 45 °C est compris entre 40 cm 3 /m² / 24 h 2 3 /m² /24 h.
Mode de mesure sur un emballage, L’emballage est installé sur la platine au sein d’une étuve à 45 °C. Pour réaliser une mesure, on purge l’intérieur de l’emballage avec le gaz vecteur entre 1 H et 24 H (dépend du volume de l’emballage).
Lorsque l’état stationnaire est atteint des deux côtés de la paroi de l’emballage, on mesure la quantité de molécules d’oxygène de l’air qui passent à travers la paroi de l’emballage de l’extérieur vers l’intérieur et qui sont entraînées par le gaz vecteur au détecteur coulométrique.
L’intensité du courant électrique relevée en sortie est proportionnelle à la concentration en oxygène, donc à la perméabilité de l’emballage.
Les résultats sont exprimés en cm 3 / packaging / 24 heures.
Le domaine de mesure sur emballage à 21 % d’oxygène et 45 °C est comme suit : 0,2 cm 3 / pkg / 24 h 2 3 / pkg /24 h.
Exemple 1 Préparation d ’ un réceptacle conforme à l ’ invention
Des granulés de polycétone sont séchés à 80 °C pendant 4 heures (de sorte à avoir une teneur en humidité maximum de 0,2%) puis sont introduits dans une trémie.
La matière est ensuite chauffée à des températures de 200 °C à 250 °C grâce à l’action de la friction de la vis ayant une vitesse de rotation de 80 tr/min associée aux 5 colliers de chauffe, entourant l’unité d’injection et dont les températures de chauffe sont respectivement supérieures à 200 °C, 205 °C, 210 °C, 220 °C et 230 °C, tout en demeurant inférieures à 250 °C.
La matière à l’état liquide est ensuite poussée vers la buse pour ensuite être injectée dans un moule régulé thermiquement, par un vérin d’injection sous une pression de 1500 bar pendant 1,5 s. Le polycétone se répartit alors de façon homogène dans la cavité de l’outillage pour être figé à la forme de la pièce de moulage. Le réceptacle ainsi obtenu est refroidi ensuite en quelques secondes par des canaux de refroidissements entre 50 °C et 80 °C pour le passage de la phase liquide à solide. Après cela la presse ouvre l’outillage et le réceptacle est éjectée mécaniquement du moule.
Electrolyte polymère solide comprenant au moins un polymère comprenant au moins un motif obtenu à partir d’un monomère styrénique et d’un polymère particulier La présente invention concerne le domaine des électrolytes polymère solide ; Plus particulièrement, la présente invention concerne un électrolyte polymère solide comprenant a) au moins un sel électrolyte, et b) au moins un polymère comprenant au moins un motif obtenu à partir d’une réaction d’au moins un monomère styrénique avec au moins un polymère P particulier. L’invention porte également sur un procédé de préparation dudit électrolyte polymère solide. La présente invention concerne aussi une cellule de batterie tout solide comprenant ledit électrolyte polymère solide, ainsi qu’une batterie tout solide comprenant ladite cellule.
Techniques antérieures De manière classique, les batteries tout solide comprennent une ou plusieurs électrodes positives, une ou plusieurs électrodes négatives, un électrolyte solide formant un séparateur, un collecteur de courant anodique et un collecteur de courant cathodique.
Les performances d’une batterie sont tributaires des propriétés de transports ionique et électronique. Dans le cas d’une batterie tout solide, le transport ionique à l’échelle de l’électrode se fait à travers le réseau formé par l’électrolyte solide. Pour qu’une telle batterie soit en état de fonctionner, ce réseau est percolé, formant des chemins de conduction ionique à travers tout le volume de l’électrode, pour assurer le transport des ions vers ou depuis l’ensemble des particules de matériau actif.
Les batteries tout solide utilisent différents types de matériaux comme les électrolytes solides. En particulier, il existe deux grandes branches dans le domaine des électrolytes solides (ou à l'état solide) : les céramiques (ou électrolytes inorganiques) et les électrolytes polymère solides, pouvant être appelés EPS dans la suite.
Dans certains exemples, après la fin de la réaction solvothermique, la séparation solide-liquide, le lavage et le séchage sont effectués en séquence pour obtenir un produit intermédiaire solide. Le procédé de séparation solide-liquide n'est pas limité et peut être une centrifugation ; le lavage peut être effectué au moyen d'un lavage à l'eau combiné à un lavage à l'alcool, le nombre de fois étant illimité, de manière à éliminer les impuretés ioniques restant sur la surface ; et la température de séchage peut être, et n’est pas limitée à, d’environ 80ºC, et le temps de séchage peut être de 10 à 15 h, comme 10 h, 12 h, 14 h ou 15 h.
S2. Préparation du fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe
Le composé de lithium manganèse fer phosphate dopé au bore est mélangé avec une source de fer, une source de manganèse et une source de phosphore pour préparer le fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe. De même, cette étape peut être effectuée au moyen, sans y être limité, d'une réaction solvothermique.
Dans certains exemples, le procédé de préparation du fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe comprend les étapes consistant à mélanger le composé de lithium manganèse fer phosphate dopé au bore avec la source de fer, la source de manganèse, la source de phosphore et le second solvant, puis à soumettre le mélange à une réaction solvothermique ; et la température pour la réaction solvothermique est contrôlée pour être de 160-200ºC, et le temps pour la réaction solvothermique est de 2 à 6 h. Plus précisément, la température de la réaction solvothermique peut être de 160ºC, 170ºC, 180ºC, 190ºC, 200ºC, etc., et la durée de la réaction solvothermique peut être de 2 h, 3 h, 4 h, 5 h, 6 h, etc.
Il convient de noter que lors du processus de préparation du fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe, le rapport molaire de la source de fer à la source de manganèse à la source de phosphore est presque le même que celui de l'étape S1, de sorte que la composition chimique du produit de lithium manganèse fer phosphate finalement obtenu est uniforme. Pour les types de source de fer, de source de manganèse et de source de phosphore, il est également possible de se référer à l'étape S1, et aucune description répétée davantage ne sera donnée ici.
De même, après la réaction solvothermique, la séparation solide-liquide, le lavage et le séchage sont effectués en séquence pour obtenir un produit intermédiaire solide. Le procédé de séparation solide-liquide n'est pas limité et peut être une centrifugation ; le lavage peut être effectué au moyen d'un lavage à l'eau combiné à un lavage à l'alcool, le nombre de lavages étant illimité, de manière à éliminer les impuretés ioniques restant sur la surface ; et la température de séchage peut être, et n’est pas limitée à, d’environ 80ºC, et le temps de séchage peut être de 10 à 15 h, comme 10 h, 12 h, 14 h ou 15 h.
Dans certains exemples, le second solvant est l'eau, et tous les exemples ci-dessus conviennent à une utilisation en tant que solvant dans cette étape.
S3. Préparation du lithium manganèse fer phosphate dopé au bore en gradient
Le fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe est mélangé avec une source de lithium et fritté pour former le fer manganèse phosphate dans l’enveloppe de surface en lithium manganèse fer phosphate. L'oxyde de bore et le lithium forment un conducteur ionique rapide, le borate de lithium, qui accélère l'intercalation et la désintercalation d'ions lithium et améliore efficacement la conductivité du matériau de cathode. En raison du point de fusion plus bas des oxydes de bore, le bore migre de l'intérieur vers l'extérieur le long du noyau pendant la calcination à haute température, en formant ainsi du lithium manganèse fer phosphate dont la teneur en bore diminue progressivement de l'intérieur vers l'extérieur le long du noyau. Au moyen d'un dopage avec la source de bore, des trous conducteurs et des électrons à paire unique sont introduits, ce qui améliore efficacement la conductivité du matériau de cathode. Étant donné que la teneur en bore dans les particules diminue en gradient de l'intérieur vers l'extérieur, la conductivité du matériau de cathode diminue également en gradient de l'intérieur vers l'extérieur, de sorte que le courant ne change pas soudainement, la résistance est réduite et les performances électrochimiques du lithium manganèse fer phosphate sont améliorées efficacement.
Dans certains exemples, le fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe est mélangé avec la source de lithium et la source de carbone, puis est fritté à 550-650ºC. Un revêtement en carbone formé après le frittage de la source de carbone introduite est bénéfique pour améliorer davantage les performances électrochimiques du matériau. Plus précisément, la température de frittage peut être de 550ºC, 580ºC, 600ºC, 620ºC ou 650ºC, etc. Le rapport molaire de la quantité d'utilisation de la source de lithium à la couche de revêtement du fer manganèse phosphate à noyau-enveloppe formé à l'étape S2 est de 1: 1.
Dans certains exemples, pendant le processus de frittage, la vitesse de chauffage est commandée pour être de 8 à 12ºC/min (comme 8ºC/min, 10ºC/min ou 12ºC/min), et le temps de frittage est commandé pour être de 4 à 7 heures (comme 4 heures, 5 heures, 6 heures ou 7 heures) après avoir porté la température à la température de frittage.