INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Ces ailettes de refroidissement sont disposées au sein du dégagement formé dans le demi-cadre. Elles permettent d’augmenter la surface d’échange entre le fluide de refroidissement, ici de l’air, et le demi-cadre. En effet, l’air peut lécher les ailettes de refroidissement et aller au plus près des cellules électrochimiques, et ainsi abaisser leur température.
Par ailleurs, ces ailettes de refroidissement génèrent de la turbulence dans la circulation du fluide de refroidissement, ce qui augmente aussi l’échange thermique. Les ailettes permettent également de réduire la masse des cadres tout en les rigidifiant, ce qui permet de les renforcer tout en enlevant de la matière.
Selon une autre caractéristique de l’invention, le cadre comprend un système de centrage du premier demi-cadre avec le deuxième demi-cadre. De manière avantageuse, la cellule électrochimique est en prise avec le système de centrage.
Le système de centrage comprend au moins une nervure disposée le long d’une branche longitudinale du premier demi-cadre et sur une face de celle-ci qui est tournée vers le deuxième demi-cadre. Le système de centrage comprend aussi au moins une gorge disposée le long d’une branche longitudinale du deuxième demi-cadre et sur une face de celle-ci qui est tournée vers le premier demi-cadre.
De cette façon, la nervure du premier demi-cadre s’insère dans la gorge du deuxième demi-cadre adjacent au premier demi-cadre afin de former un ensemble solidaire, à savoir le cadre de maintien.
La complémentarité de forme entre nervure et gorge garantit un bon positionnement du premier demi-cadre par rapport au deuxième demi-cadre, ces deux éléments étant alors parfaitement superposés.
Selon une autre caractéristique de l’invention, au moins un des demi-cadres comprend au moins une oreille pourvue d’un orifice destiné à recevoir un organe de maintien d’une pluralité de cadres.
Un tel organe de maintien est par exemple un tirant dont le rôle est d’exercer une force sur un empilement de cadres de maintien. L’oreille, ou la pluralité d’oreilles, de chaque demi-cadre permet de transmettre l’effort de l’organe de maintien à l’ensemble du demi-cadre, et ainsi de garantir que chaque cellule électrochimique est prise en sandwich entre deux demi-cadres d’un cadre de maintien selon l’invention.
La est une représentation schématique du connecteur électrique du convertisseur de tension de la ; et
La est une vue en coupe du convertisseur de tension de la , rendant particulièrement visible un coussin thermique intercalé entre une portion de contact et le couvercle.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La illustre un convertisseur de tension 1, par exemple configuré pour être embarqué dans un véhicule. Il s’agit par exemple ici d’un onduleur. Le convertisseur 1 comporte un châssis 100 et un couvercle 200 amovible entre une position retirée dans laquelle un espace intérieur du châssis est accessible et une position fermée qui correspond à une position de fonctionnement du convertisseur de tension 1.
Le convertisseur de tension 1 comporte au moins un module électronique de puissance. Le module électronique de puissance comprend au moins un bras de commutation permettant de recevoir ou de fournir un signal électrique de puissance à des phases électrique d’un bobinage d’une machine électrique. Le module de puissance forme un pont redresseur de tension comportant au moins un interrupteur tel qu’un transistor pour transformer la tension alternative générée par les phases du stator en une tension continue et/ou, à l’inverse, pour transformer une tension continue en une tension alternative pour alimenter les phases du stator.
Les figures 2 à 6 illustrent le convertisseur de tension 1 en position retirée du châssis 100.
En particulier, tel que cela est visible sur la , le convertisseur de tension 1 comporte au moins un connecteur électrique 2. Le connecteur électrique 2 est configuré pour relier le module électronique de puissance à la machine électrique (non représentée).
Le connecteur électrique 2 comporte au moins une portion de contact 3.
En particulier, le connecteur électrique 2 comporte une pluralité de portions de contact 3.
Chaque portion de contact 3 s’étend entre une première portion d’extrémité du connecteur électrique 2, configurée pour être reliée à la machine électrique et une seconde portion d’extrémité du connecteur électrique 2, configurée pour être reliée au module électronique de puissance.
Le convertisseur de tension 1 comporte en outre un module de refroidissement configuré pour dissiper la chaleur générée par le module électronique de puissance. Le module de refroidissement comporte un boitier, notamment formé par le châssis, dans lequel est ménagé un canal configuré pour recevoir un liquide de refroidissement circulant dans le canal. Le canal est fermé par un couvercle 4.
Afin de rendre les figures plus lisibles, il n’a été représenté que le couvercle 4 du module de refroidissement. Le module de refroidissement d’un convertisseur de tension étant par ailleurs bien connu.
Le connecteur électrique 2 est plié en direction du couvercle 4 sur au moins un tronçon 20 entre sa première portion d’extrémité et sa seconde portion d’extrémité. Le tronçon 20 forme la portion de contact 3 du connecteur électrique 2.
Le connecteur électrique 2 peut être plié en direction du couvercle 4 sur une pluralité de tronçons 20 entre sa première extrémité et sa seconde extrémité, chaque tronçon 20 formant une portion de contact 3.
Le convertisseur de tension 1 comporte en outre au moins un coussin thermique 5.
Le coussin thermique 5 est intercalé entre et en contact avec la portion de contact 3 et le couvercle 4 du canal du module de refroidissement.
Facultativement, sur la base d'une masse du matériau de cathode à double revêtement de 100 %, le noyau du matériau de cathode contenant du manganèse présente une teneur massique de 91 % à 98,5 %, telle que 91 %, 92 %, 93 %, 94 %, 95 %, 96 %, 97 %, 98 % ou 98,5 %.
Facultativement, le matériau de cathode contenant du manganèse comprend l'un quelconque du phosphate de lithium-manganèse-fer, de l'oxyde de lithium-manganèse ou d’un matériau à base de manganèse riche en lithium, de préférence du phosphate de lithium-manganèse-fer.
Selon un deuxième aspect, la présente demande fournit un procédé de préparation du matériau de cathode à double revêtement selon le premier aspect, et le procédé de préparation comprend les étapes suivantes : (1) mélanger une matière première du matériau de cathode contenant du manganèse avec une source de bore, et effectuer une calcination primaire pour obtenir un produit intermédiaire ; et (2) mélanger le produit intermédiaire de l'étape (1) avec une source de carbone, et effectuer une calcination secondaire pour obtenir le matériau de cathode à double revêtement.
Dans la présente demande, le bore appliqué en revêtement sur la surface du matériau de cathode contenant du manganèse peut renforcer l'interaction entre la source de carbone et le matériau de cathode contenant du manganèse, de sorte que la source de carbone peut être appliquée en revêtement de manière uniforme sur la surface du produit intermédiaire et former une couche de revêtement de carbone uniforme, en augmentant ainsi de manière significative les performances de conduction du matériau de cathode à double revêtement et en améliorant les performances électrochimiques du matériau.
Facultativement, la source de bore est de l'acide de Lewis à base de bore.
Il convient de noter que l'acide de Lewis à base de bore peut attirer des groupes présentant des électrons isolés.
Facultativement, l'acide de Lewis à base de bore comprend un quelconque ou une combinaison d'au moins deux parmi l'acide borique, le borate ou l'oxyde de bore. A titre d'exemple, le borate peut être du borate de lithium, du borate de manganèse, du tétraborate de sodium ou du borate de fer.
Facultativement, sur la base de la matière première du matériau de cathode contenant du manganèse étant de 100 %, la source de bore présente une teneur massique de 1 % à 5 %, telle que 1 %, 2 %, 3 %, 4 % ou 5 %.
Facultativement, la source de carbone est une source de carbone organique.
Dans la présente demande, l'acide de Lewis à base de bore peut attirer la source de carbone organique avec des groupes présentant des électrons isolés, et en conséquence, l'interaction entre la source de carbone organique et le phosphate de lithium-manganèse-fer est renforcée, de sorte que la source de carbone organique peut être appliquée en revêtement de manière uniforme sur la surface de la couche de revêtement de bore, et les performances de conduction du matériau de cathode à double revêtement sont améliorées de manière efficace.
Facultativement, un groupe fonctionnel de la source de carbone organique comprend un quelconque ou une combinaison d'au moins deux parmi hydroxyle, imino ou amino. Par exemple, la source de carbone organique peut être du glucose ou du 2-mercaptoimidazole.
Facultativement, sur la base de la matière première du matériau de cathode contenant du manganèse étant de 100 %, la source de carbone présente une teneur massique de 1 % à 6 %, telle que 1 %, 1,5 %, 2 %, 2,5 %, 3 %, 3,5 %, 4 %, 4,5 %, 5 %, 5,5 % ou 6 %.
Dans la présente demande, si la teneur massique de la source de carbone est trop élevée, la couche de revêtement de carbone formée sera trop épaisse, et la capacité en grammes du matériau de cathode sera réduite ; et si la teneur massique de la source de carbone est trop basse, la capacité de vitesse du matériau de cathode sera réduite.
Dans un mode de réalisation préféré, la matière première du matériau de cathode contenant du manganèse comprend une source de manganèse, une source de lithium, une source de phosphore et une source de fer.
Facultativement, la source de manganèse comprend un quelconque ou une combinaison d'au moins deux parmi le carbonate manganeux, le dioxyde de manganèse, l'acétate de manganèse ou le nitrate de manganèse.
Facultativement, la source de lithium comprend un quelconque ou une combinaison d'au moins deux parmi le carbonate de lithium, l'hydroxyde de lithium, le nitrate de lithium ou l'acétate de lithium.
Pour le matériau de cathode à double revêtement, le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 98,5 %, la couche de revêtement de bore présente une fraction massique de 1,1 %, la couche de revêtement de carbone présente une fraction massique de 1,5 %, et la couche de revêtement de bore et la couche de revêtement de carbone présentent un rapport massique de 1,1:1,5.
Cet exemple fournit également un procédé de préparation du matériau de cathode à double revêtement, et le procédé de préparation comprend les étapes suivantes : (1) du sulfate de fer, de l'acétate de manganèse, de l'acide phosphorique, du nitrate de lithium et du tétraborate de sodium ont été mélangés selon un rapport molaire de 1,6:0,4:2:1:0,025, soumis à un broyage à billes dans un broyeur à billes à 300 tr/min pendant 8 h, puis mis en place dans un four à atmosphère avec de l'argon introduit dans celui-ci et soumis à une calcination primaire à une température de 550°C pendant 10 h, et refroidis pour obtenir du phosphate de lithium-manganèse-fer avec du bore appliqué en revêtement sur la surface, dans lequel le tétraborate de sodium présentait une teneur massique de 1,6 % ; et (2) le phosphate de lithium-manganèse-fer avec du bore appliqué en revêtement sur la surface à l'étape (1) a été transféré dans un broyeur à billes, du glucose y a été rajouté, puis il a été soumis à un broyage billes à 200 tr/min pendant 8 h, puis mis en place dans un four à atmosphère avec de l'argon introduit dans celui-ci et soumis à une calcination secondaire à 600°C pendant 7 h, et refroidi pour obtenir le matériau de cathode à double revêtement, dans lequel le glucose présentait une teneur massique de 5 %.
Cet exemple diffère de l'exemple 1 en ce que la couche de revêtement de bore présente une fraction massique de 0,8 %, la couche de revêtement de carbone présente une fraction massique de 1,45 %, et le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 97,75 %, et le rapport massique de la couche de revêtement de bore à la couche de revêtement de carbone est le même.
Le reste du procédé de préparation et des paramètres sont les mêmes que ceux de l'exemple 1.
Cet exemple diffère de l'exemple 1 en ce que la couche de revêtement de bore présente une fraction massique de 3,5 %, la couche de revêtement de carbone présente une fraction massique de 5,82 %, et le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 90,68 %, et le rapport massique de la couche de revêtement de bore à la couche de revêtement de carbone est le même.
Cet exemple diffère de l'exemple 1 en ce que la couche de revêtement de bore et la couche de revêtement de carbone présentent un rapport massique de 1: 0,3, la couche de revêtement de carbone présente une fraction massique de 0,33 %, la couche de revêtement de bore présente une fraction massique de 1,1 % et le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 98,57 %.
Cet exemple diffère de l'exemple 1 en ce que la couche de revêtement de bore et la couche de revêtement de carbone présentent un rapport massique de 1:3, la couche de revêtement de carbone présente une fraction massique de 3,3 %, la couche de revêtement de bore présente une fraction massique de 1,1 % et le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 95,6 %.
Cet exemple comparatif diffère de l'exemple 5 en ce que le matériau de cathode à double revêtement ne comporte pas de couche de revêtement de bore, ce qui signifie qu'aucun oxyde de bore n'est ajouté aux matières premières à l'étape (1), et le noyau de phosphate de lithium-manganèse-fer présente une teneur massique de 98 %.
Le flux thermique primaire est défini par l’équation suivante : dans laquelle : - est la puissance sur le plan de cisaillement primaire A1 tel que ; - est l’effort de cisaillement sur le plan de cisaillement primaire tel que ; - est la vitesse de cisaillement dans le plan de cisaillement primaire A1, telle que ; - est l’effort de coupe tangentiel tel que ; - est l’effort de coupe radial tel que ; et - est une épaisseur de copeau non coupé thermique.
L’épaisseur de copeau non coupé thermique , représentée sur la figure 4, correspond à la valeur de l’épaisseur de copeau non coupé telle que la dent de l’outil de fraisage 2, en train de couper ledit copeau, se situe dans un secteur angulaire thermique. Ce secteur angulaire thermique, d’angle thermique , correspond à la plage angulaire pour laquelle l’outil de fraisage 2 affecte thermiquement la surface usinée 5 de la pièce à usiner 4. Le secteur angulaire thermique concerne uniquement la dernière partie de la plage angulaire où la dent de l’outil de fraisage 2 usine la pièce à usiner 4.
L’épaisseur de copeau non coupé thermique est définie par l’équation suivante : dans laquelle : - est l’angle thermique tel que ; - est l’épaisseur de l’information thermique transmise au niveau de la surface usinée 5 telle que .
En outre, le flux thermique secondaire est défini par l’équation suivante : dans laquelle : - est la puissance de frottement sur la face de coupe 26 de l’outil de fraisage 2 telle que ; - est l’effort tangentiel sur la face de coupe 26 tel que ; - est l’effort de coupe tangentiel tel que ; - est l’effort de coupe radial tel que ; et - est la vitesse moyenne du copeau sur la face de coupe 26 telle que .
L’unité de traitement de données 28 est également configurée pour calculer la température totale en prenant en compte les contributions du flux thermique primaire et du flux thermique secondaire . Pour prendre en compte ces contributions, elle est apte à calculer la température, respectivement dans le plan de cisaillement primaire et dans le plan de cisaillement secondaire, et à appliquer, par addition, une portion de ces températures à la température finale , précédemment calculée par l’unité de traitement de données 22.
Par exemple, on peut calculer la température dans le plan de cisaillement primaire à l’aide de l’équation suivante : dans laquelle est une valeur connue représentant la proportion de puissance plastique transformée en chaleur.
Et on peut calculer la portion de cette chaleur s’exerçant sur la surface usinée 5B à l’aide de l’équation suivante : dans laquelle est la déformation moyenne dans le plan de cisaillement primaire A1, telle que .
Un raisonnement similaire est appliqué pour calculer la contribution du flux thermique secondaire .
En outre, l’unité de traitement de données 28 est configurée pour comparer la température totale à la température critique . Si la température totale est supérieure ou égale à la température critique , alors le jeu de paramètres opératoires 3 est rejeté. Si la température totale est inférieure à la température critique , alors le jeu de paramètres opératoires 3 est validé.
L’unité de traitement de données 22 et l’unité de traitement de données 28 sont configurées pour transmettre un ensemble de données de sortie 29 à un dispositif (non représenté) prévu pour le recevoir. Il peut s’agir simplement d’une valeur de type binaire indiquant si le jeu de paramètres opératoires 3 est validé ou rejeté, par exemple via un écran d’affichage pour un opérateur. Il peut également s’agir de données comprenant, par exemple, en plus de la valeur indiquant si le jeu de paramètres opératoires 3 est validé ou rejeté, le jeu de paramètres opératoires 3, la température finale et/ou la température totale . L’ensemble de données de sortie 29 peut ainsi être traité automatiquement par une unité de traitement prévue à cet effet, ou manuellement par un opérateur.
Dans un exemple d’application du dispositif 1, le procédé P est mis en œuvre de manière à déterminer un jeu de paramètres opératoires fonctionnel, à savoir un jeu de paramètres opératoires qui est validé par ledit procédé P. Toutefois, il peut également être mis en œuvre de manière à optimiser une opération d’usinage en trouvant le meilleur jeu de paramètres opératoires 3, à savoir celui qui maximise la santé matière de la pièce à usiner 4 et la productivité de ladite opération d’usinage. Cette optimisation peut être réalisée en mettant en œuvre le procédé P de manière itérative, en changeant au moins un paramètre du jeu de paramètres opératoires 3 à chaque itération, et ceci jusqu’à obtenir une opération d’usinage souhaitée. Cette itération peut être réalisée manuellement par un opérateur ou automatiquement par un algorithme prévu à cet effet.
Le procédé P, mis en œuvre par le dispositif 1 tel que décrit ci-dessus, présente de nombreux avantages. En particulier : - il permet d’estimer facilement et rapidement la température maximale générée sur la pièce à usiner 4 au niveau de la surface usinée 5 ; - il permet de déterminer facilement et rapidement si le jeu de paramètres opératoires 3 doit être validé ou rejeté en fonction d’un critère simple ; - il permet de savoir s’il faut adapter le jeu de paramètres opératoires 3 de manière à pouvoir maximiser la santé matière de la pièce à usiner 4 ; et - il permet de savoir s’il faut adapter le jeu de paramètres opératoire 3 de manière à pouvoir maximiser la productivité d’une opération de fraisage.
PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRÉVISION DE DÉRIVE D’UN MATÉRIEL DE RÉGULATION Domaine technique de l’invention La présente invention vise un procédé et un dispositif de prévision de dérive d’un matériel de régulation. Elle s’applique, en particulier, aux matériels de régulation (par exemple, de débit, de pression, de température ou de niveau) sujets à dérives (par exemple, des vannes, des détendeurs, des pompes, des compresseurs) et dont les mesures des grandeurs régulées sont disponibles « en continue » ou à intervalles de temps assez courts vis-à-vis de la dynamique de dérive du matériel. Plus particulièrement, la présente invention s’applique à un poste de détente de gaz.
Les algorithmes de détection d’anomalies fonctionnent avec une phase d’apprentissage qui nécessite une grande quantité de données, à la fois des mesures de grandeurs physiques (par exemple, une pression) et des anomalies (par exemple, de mauvaises régulations), pour ainsi établir un lien entre ces données. En pratique, le nombre d’anomalies collectées est cependant trop faible et les matériels considérés trop hétérogènes pour permettre un apprentissage suffisant de ce type d’algorithme.
Les algorithmes de prévision sur des séries temporelles sont notamment conçues pour prédire des phénomènes périodiques (par exemple, saisonniers). Cependant, les dérives observées sur des matériels industriels ne correspondent pas à de tels schémas. De plus, les interventions externes comme les actions de maintenance réalisées par les opérateurs créent des discontinuités dans les séries temporelles, qui limitent leurs potentiels d’apprentissage.
Dans le cas particulier des postes de détente de gaz, les opérateurs interviennent régulièrement sur ces postes, notamment pour corriger des dérives et/ou changer des réglages, ce qui a pour inconvénients : - des dérives trop importantes de matériels entre deux interventions ; - des interventions sur les matériels alors que ce n’est pas nécessaire et - des interventions en astreinte, par exemple les jours fériés, plus coûteuses.
Chaque diode à capacité variable 11 comprend, dans la région 15, une région 17 dopée du premier type de conductivité, par exemple dopée du type P. En figures 1A et 1B, deux régions 17 sont représentées. A titre d'exemple, les régions 17 s'étendent horizontalement dans un plan orthogonal au plan de la . En figures 1A et 1B, les diodes 11 sont dites alignées, c'est-à-dire que leurs régions 17 sont alignées et parallèles l'une par rapport à l'autre.
A titre d'exemple, la région 17 est plus fortement dopée que la région 15. Les régions 17 sont, par exemple très fortement dopées, par exemple de niveau de dopage supérieur à 3.10 19 atomes/cm 3 , par exemple supérieur à 5.10 19 atomes/cm 3 . A titre d'exemple, la face supérieure des régions 17 affleure la face supérieure du substrat semiconducteur 13. Les régions 17 ont, par exemple en vue de dessus, une forme rectangulaire, par exemple une forme rectangulaire dont les bords sont arrondis. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre d'exemple, les régions 17 s’étendent verticalement sur une profondeur inférieure à celle de la région 15.
A titre d'exemple, la région 15 comprend, en outre, sous et en contact avec chaque région 17, une région 27, aussi appelée caisson, dopée du deuxième type de conductivité, par exemple du type N. Chaque région 27, est par exemple en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de la région 17 associée.
Dans cet exemple, l'interface entre chaque région 17 avec une des régions 27, définit une jonction PN d'une diode à capacité variable 11. Les jonctions PN sont, par exemple, situées dans la partie épitaxiée du substrat 13, c'est-à-dire dans la partie supérieure 131 du substrat 13. Les régions 27 sont, par exemple, plus fortement dopée que la région 15. A titre d'exemple, les régions 27 sont moins fortement dopées que les régions 17. Les régions 27 présentent par exemple un niveau de dopage compris entre 1.10 16 atomes/cm 3 et 1.10 19 atomes/cm 3 , par exemple de l’ordre de 1.10 18 atomes/cm 3 . A titre d'exemple, les régions 27 s'étendent plus profondément que les régions 17.