INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Il convient de comprendre ici que les étapes de calcul des premiers seuils et de caractérisation des erreurs d’estimation du vecteur de paramètre sont des étapes réalisées sans utilisation de données réelles. Elles peuvent donc être réalisées hors-ligne, ce qui est un avantage important du procédé. Le gain en fiabilité est ici obtenu sans avoir recours à une utilisation prolongée du système de détection pour que celui-ci croise un ensemble représentatif de cas d’utilisation.
Selon des modes de réalisation particuliers, le procédé de détermination de seuils de détection présente une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles :
- l’étape de correction comporte, pour chaque configuration possible du vecteur de paramètres, les opérations de :
- détermination du premier seuil de détection et des premiers seuils de détection que le dispositif de taux de fausse alarme constant est susceptible d’utiliser compte-tenu des erreurs d’estimations de l’estimateur, et
- modification des valeurs des premiers seuils de détection que le dispositif de taux de fausse alarme constant est susceptible d’utiliser compte-tenu des erreurs d’estimations en fonction des différentes valeurs des premiers seuils de détection déterminés.
Si le résultat de l’étape 50 est positif, c’est-à-dire si la valeur extrapolée future franchit l’une des valeurs limites dans l’horizon (intervalle de temps futur prédéterminé), au cours d’une étape 51, on déclenche une alerte à distance, et éventuellement localement et on retourne à l’étape 46. Parallèlement, au cours d’une étape 52, on effectue à distance une analyse de l’alerte. Par exemple on détermine si des conditions météorologiques peuvent expliquer cette alerte et si les prévisions météorologiques font prévoir un retour à des conditions normales. Enfin, au cours d’une étape 53, on prend une décision d’intervention, par exemple un ordre entre des interventions sur plusieurs matériels de régulation, en fonction du chemin le plus court pour réaliser les interventions. Puis, on retourne à l’étape 41, dès que cette intervention est effectuée.
Dans le mode de réalisation illustré en , au cours de la première étape d’analyse statistique 44, on calcule une moyenne et un écart-type des valeurs de la grandeur physique et, au cours de l’étape de calibrage 45, au moins une valeur limite est égale à la moyenne calculée additionnée au produit de l’écart-type mesuré par un nombre prédéterminé.
Dans le mode de réalisation illustré en , au cours de la deuxième étape d’analyse statistique 47, on effectue une régression, par exemple linéaire, des valeurs de la grandeur physique.
Dans le mode de réalisation illustré en , au cours de l’étape d’extrapolation 48, on extrapole une valeur future pour un horizon, soit une troisième durée consécutive à la deuxième durée. Préférentiellement, l’horizon dépend du jour et/ou de l’heure de la fenêtre glissante. En variante, au cours de l’étape d’extrapolation 48, on mesure une durée consécutive à la fenêtre glissante avant le franchissement d’une valeur limite.
Comme illustré en , une interface 60 de visualisation des alertes peut prendre la forme d’une carte 61 sur laquelle sont représentées les positions des matériels de régulation 62 à 66. À la représentation, par un cercle extérieur, de chacun de ces matériels, est associée une représentation en couleur de la durée avant le franchissement d’une valeur limite obtenue par le calibrage de ce matériel. En , plus le cercle central est sombre, plus cette durée est courte. Une représentation numérique 67 de cette durée est aussi affichée en dessous de la représentation de chaque matériel de régulation. Cette double représentation de l’urgence d’une intervention permet à un opérateur de préparer une tournée d’intervention sur les matériels de régulation 62 à 66 représentés sur la carte 61, par exemple en fonction des urgences et des routes d’accès à ces matériels.
On observe, en , un mode de réalisation 70 particulier d’un procédé objet de l’invention, plus généralement appliqué à une grandeur physique régulée par un matériel de régulation objet d’une étape 71 d’intervention sur ce matériel provoquant une variation de la valeur de cette grandeur physique.
Au cours d’une étape 72, on réalise une mesure régulière de cette grandeur physique fournissant un ensemble de valeurs de cette grandeur physique.
Au cours d’une étape 73, on réalise une première analyse statistique des valeurs de cette grandeur physique pendant une première durée prédéterminée consécutive à l’étape d’intervention.
Au cours d’une étape 74, on réalise un calibrage fournissant au moins une valeur limite de cette grandeur physique, en fonction du résultat de cette première analyse statistique.
Au cours d’une étape 75, on poursuit la mesure régulière de la valeur de la grandeur physique.
Au cours d’une étape 76, on réalise une deuxième étape d’analyse statistique des valeurs de cette grandeur physique pendant une deuxième durée glissante postérieure à l’étape d’intervention.
Au cours d’une étape 77, on réalise une extrapolation d’une valeur future de cette grandeur physique, en fonction du résultat de cette deuxième analyse statistique.
Au cours d’une étape 78, on compare les valeurs futures avec les valeurs limites.
Au cours d’une étape 79, on détermine si une l’une des valeurs limites est franchie.
Si le résultat de l’étape 79 est positif, c’est-à-dire si la valeur extrapolée future franchit l’une des valeurs limites dans l’horizon (intervalle de temps futur prédéterminé), au cours d’une étape 80, on déclenche une alerte et on retourne à l’étape 75. Parallèlement, au cours d’une étape 81, on effectue à distance une analyse de l’alerte. Enfin, au cours d’une étape 82, on prend une décision d’intervention. Puis, on retourne à l’étape 71, dès que cette intervention est effectuée.
Bien entendu, toutes les caractéristiques techniques, les modes de réalisation et les variantes exposées en regard des figures 1 à 6 s’appliquent au procédé 60 illustré en .
Les régions 123 amorphes dans lesquelles on forme les régions d’alliage de métal et de semi-conducteur sont typiquement formées à l’aide d’une ou plusieurs implantations d’amorphisation.
Dans l’exemple illustré sur la , la ou les implantations d’amorphisation est ou sont réalisée(s) parallèlement à une normale n à un plan principal du support 100 (i.e. un plan du support parallèle au plan [O ; x ;y] d’un repère orthogonal [O ;x ;y ;z] donné sur la ). On réalise ici de préférence la ou les implantations d’amorphisation après avoir formé des espaceurs isolants 33 de part et d’autre d’un bloc 25 de grille. Cela peut permettre ensuite d’éviter que la siliciuration soit trop proche de la zone de canal et n’empiète sur cette zone.
Dans la mesure où l’on peut ici réaliser des régions de source et de drain réalisées entièrement siliciurées avec des résistances réduites, la ou les implantations d’amorphisation peuvent être ici effectuées sans que l’on ait à contrôler une épaisseur cristalline à préserver dans la couche semi-conductrice superficielle 12.
L’amorphisation peut être avantageusement effectuée sur toute l’épaisseur de la couche semi-conductrice 12 jusqu’à atteindre la couche isolante 11 et être en contact avec cette dernière. Une implantation ionique, par exemple des ions Si+, avec des conditions de dose, d’énergie déterminées par simulation et vérifications expérimentales par imagerie TEM (microscopie électronique en transmission) peut être mise en œuvre pour rendre amorphe une épaisseur donnée d’une couche de silicium. Des outils de simulations reposant sur une méthode de Monte-Carlo, en particulier de type TRIM (TRIM pour « Transport of Ions in Matter », i.e. Transport d’ions dans la matière, et/ou KMC (pour « kinetic Monte Carlo », i.e. méthode de Monte-Carlo cinétique). Par exemple, une implantation d’ions Ge+ avec une dose (ou fluence) de 5.0 x 10 14 ions*cm -2 et avec une énergie de 7 keV peut permettre d’obtenir une épaisseur amorphe de l’ordre de 11 nm.
Dans le cas où, le dopage est prévu lors de la même implantation ionique, on peut utiliser des ions d’éléments dopant pour le silicium comme par exemple phosphore ou arsenic pour un dopage de type n ou bore pour un dopage de type p.
En variante de l’exemple de réalisation décrit précédemment, pour réaliser les régions semi-conductrices amorphes 123, on peut effectuer, comme illustré sur la , au moins une implantation d’amorphisation à faisceau incliné, c’est-à-dire avec un angle α du faisceau d’espèces implantées non-nul par rapport à une normale n à un plan principal du support. Dans ce cas, les régions semi-conductrices amorphes 123 peuvent s’étendre en partie en regard des espaceurs isolants 33.
L’implantation d’amorphisation et en particulier l’angle du faisceau peut être prévu de sorte à préserver une zone cristalline 121 en regard des espaceurs 33.
Cela permet ensuite, comme sur la , de réaliser des régions 125 d’alliage de métal et de semi-conducteur qui s’étendent partiellement sous les espaceurs 33 tout en préservant une zone 121a non siliciurée en regard des espaceurs.
Selon une autre variante de réalisation, on peut prévoir de mettre en œuvre un procédé tel que décrit précédemment sur un support différent. En particulier, la structure de départ du procédé peut être telle que dans l’exemple de réalisation particulier de la . La couche semi-conductrice superficielle 12 et la couche isolante 11 reposent ici sur un support comportant déjà un premier niveau N 1 de composants, par exemple de transistors.
Ainsi, un ou plusieurs transistors T 1 d’un premier niveau N 1 de composants sont dans l’exemple de réalisation illustré formés en partie dans une couche semi-conductrice 2 sous-jacente. Les transistors T 1 du premier niveau N 1 sont ici recouverts d’un ou plusieurs étages d’interconnexions métalliques formés dans une ou plusieurs couches isolantes, typiquement un empilement 5 de couches isolantes, par exemple en SiO 2 . L’empilement 5 de couches isolantes est doté ou revêtu de la couche isolante 11 de BOX, cette couche isolante 11 étant elle-même revêtue de la couche semi-conductrice superficielle 12.
Le procédé décrit précédemment peut alors être appliqué afin de réaliser un ou plusieurs transistors d’un deuxième niveau et en particulier pour former des régions d’alliage de métal et de semi-conducteur pour les zones de source et drain de transistor(s) du deuxième niveau.
Préalablement à la réalisation des régions 125 d’alliage de métal et de semi-conducteur décrite précédemment, on peut prévoir de réaliser un dopage de zones de la couche semi-conductrice 12 de part et d’autre du bloc 25 de grille et en particulier un dopage de zones d’extension 122 situées de part et d’autre de la grille en regard des espaceurs isolants 33.
Ainsi, dans l’exemple de réalisation illustré sur la , on effectue au moins une implantation dopante à l’aide d’un faisceau incliné par rapport à une normale n à un plan principal du support 100 afin de réaliser un dopage sous les espaceurs isolants 33. Les conditions d’implantation dépendent de l’espèce dopante utilisée et de l’inclinaison prévue. Par exemple, pour un dopage n avec du phosphore si l’on fait une implantation avec une inclinaison de 7° une dose critique de l’ordre de 1*10 14 at/cm² peut être utilisée. On peut Par exemple réaliser une implantation avec de doses, typiquement inférieures à 2*10 14 at/cm² et avantageusement inférieure à 1*10 14 at/cm². Une autre option pour ne pas rendre amorphe la couche implantée est de faire une implantation à chaud, typiquement à une température supérieure à 400°C. Dans ce cas, la limite de dose d’implantation est moins contraignante. Cette implantation dopante peut être prévue à faible dose, sans rendre amorphe la couche semi-conductrice 12 superficielle.
Le procédé comprend alors typiquement en outre une étape de recuit d’activation des dopants. Ce recuit peut être un recuit conventionnel par exemple un recuit thermique rapide (communément appelé RTA pour « Rapid Thermal Annealing ») ou bien peut être éventuellement effectué à l’aide d’un laser. Si l’on n’est pas dans le cadre d’une intégration 3D avec la mise en œuvre d’un dispositif comportant plusieurs couches semi-conductrices superposées, le recuit peut être fait à une température de l’ordre de 1000°C à 1100°C pendant plusieurs secondes. Dans le cadre d’une intégration 3D, où l’on a plusieurs niveaux de composants et/ou de couches semi-conductrices superposé€s, on peut privilégier un recuit laser dit « milliseconde » pour porter la structure aux températures indiquées de 1000°C à 1100°C mais pour une durée de plusieurs dizaines de millisecondes.
On peut ensuite réaliser l’amorphisation et la siliciuration tel que cela a été décrit précédemment.
En variante ou en combinaison de l’exemple de réalisation donné précédemment, on peut réaliser concomitamment par implantation un dopage et une amorphisation de régions de part et d’autre du bloc 25 de grille.
Le processeur exécute, par exemple, un logiciel ou une brique logiciel, c’est-à-dire sous forme d’un ou de programmes d’ordinateur. Alors, il est, par exemple, en outre apte à être enregistré sur un support, non représenté, lisible par ordinateur. Le support lisible par ordinateur est, par exemple, un médium apte à mémoriser les instructions électroniques et à être couplé à un bus d’un système informatique. A titre d’exemple, le support lisible est un disque optique, un disque magnéto-optique, une mémoire ROM, une mémoire RAM, tout type de mémoire non-volatile (par exemple EPROM, EEPROM, FLASH, NVRAM), une carte magnétique ou une carte optique. Sur le support lisible est alors mémorisé un programme d’ordinateur comportant des instructions logicielles.
Alternativement, le processeur comprend, par exemple, des modules réalisés chacun sous forme d’un composant logique programmable, tel qu’un FPGA (de l’anglais Field Programmable Gate Array), ou encore sous forme d’un circuit intégré dédié, tel qu’un ASIC (de l’anglais Application Specific Integrated Circuit).
L’alimentation 28 comprend, par exemple, au moins une batterie.
L’alimentation 28 alimente ici, directement et en permanence, le modem 30, chacun des capteurs 18, 20 et le processeur 26.
Cela permet notamment que tout dépassement de seuil soit détecté et/ou tout message susceptible d’être reçu par le modem soit réceptionné.
L’alimentation 28 est adaptée pour alimenter l’unité de surveillance pendant au moins un an.
L’unité de surveillance 10 comprend en outre au moins une, ici une, bouée 38 reliée au reste de l’unité de surveillance 10 par un système de maintien déployable 40.
Le reste de l’unité de surveillance 10 forme ici le corps principal de l’unité de surveillance 10.
La bouée 38 comprend un récepteur acoustique, et ici en outre une batterie séparée.
Le récepteur acoustique est indépendant et propre à la bouée.
Le système de maintien déployable 40 est adapté pour être déployé après la réception par l’unité de surveillance 10, ici plus particulièrement par le récepteur acoustique indépendant, d’un signal acoustique de déploiement.
Le système de maintien déployable 40 comprend, par exemple, au moins un câble ou une corde fixé à une extrémité libre à la bouée 38 et à une autre extrémité liée au reste de l’unité de surveillance 10.
Le câble ou la corde est, par exemple, enroulé ou replié dans un compartiment 42.
Le câble ou la corde est maintenu ainsi replié ou enroulé.
En cas de réception d’un signal acoustique de déploiement, le câble ou la corde est libéré, de sorte qu’il se déploie par la force de flottaison appliquée par la bouée à l’extrémité libre. Il est maintenu à son extrémité lié par le reste de l’unité de surveillance 10.
La bouée 38 flotte alors au-dessus du reste de l’unité de surveillance 10. Plus particulièrement ici, le câble ou la corde est ici de dimension telle que la bouée flotte à la surface, y compris lorsque le reste de l’unité de surveillance 10 est sur le sol marin. Le câble ou la corde présente, par exemple, une longueur comprise entre 100 m et 1 000m.
L’inventeur a déterminé que l’invention s’applique particulièrement bien à la prévision de ces grandeurs physiques et/ou la régulation de ce matériel.
Selon un troisième aspect, la présente invention vise un poste de détente d’un gaz comportant un dispositif objet de l’invention, dans lequel le matériel de régulation régule la pression en sortie d’une vanne de régulation.
L’inventeur a constaté l’efficacité de la mise en œuvre de l’invention pour un tel poste de détente.
Brève description des figures D’autres avantages, buts et caractéristiques particulières de l’invention ressortiront de la description non limitative qui suit d’au moins un mode de réalisation particulier du procédé et du dispositif objets de l’invention, en regard des dessins annexés, dans lesquels :
représente, schématiquement, un mode de réalisation particulier d’un dispositif objet de l’invention implanté dans un poste de détente et/ou de livraison de gaz,
représente une évolution de pression de gaz en sortie d’un poste de détente et/ou de livraison de gaz et une détermination de valeurs limites d’évolution de pression de gaz en sortie d’un poste de détente et/ou de livraison de gaz,
représente une première prévision d’évolution de pression de gaz en sortie d’un poste de détente et/ou de livraison de gaz,
représente une deuxième prévision d’évolution de pression de gaz en sortie d’un poste de détente et/ou de livraison de gaz,
représente une troisième prévision d’évolution de pression de gaz en sortie d’un poste de détente et/ou de livraison de gaz,
représente, sous forme d’un logigramme, des étapes d’un mode de réalisation particulier de l’invention appliqué à la régulation de pression en sortie d’un poste de détente,
représente une interface de supervision d’un réseau de postes de détentes et/ou de livraison de gaz, et
Le transport de gaz naturel étant effectué à haute pression (par exemple 70 bar) et la distribution en ville à basse pression (par exemple 5 bar), un poste de détente a pour but de détendre le gaz de la haute pression à la basse pression. À chaque point d'approvisionnement du réseau ainsi qu'à chaque point de livraison, des systèmes de comptage permettent de mesurer les quantités de gaz naturel qui transitent en ces points.
On observe, en , une installation 10 comportant un poste de détente 13. Ce poste de détente 13 est un matériel ayant pour fonction d'abaisser la pression du gaz distribué par un réseau général 11 à des niveaux de pression utilisables par les différents types de clientèles, par exemple domestique, tertiaire ou industriel, connecté à un réseau de distribution 12. Le poste de détente et de comptage (« PDC ») est une installation servant à contrôler la pression et le comptage du gaz naturel. Outre les conduites de gaz amont 11 et aval 12, ce poste 13 comprend différents organes : régulateur de pression 14, capteur 15 de mesure de pression en aval du régulateur 14, compteur (non représenté), correcteur de volume (non représenté), soupapes de sécurité (non représenté), vannes (non représentées), filtre (non représenté), dispositif de traitement des données 16 et dispositif de transmission des données 17.
Le régulateur de pression 14 est soumis à une dérive qui a pour effet de faire varier la pression aval dans la conduite de gaz aval 12. Or, cette pression aval doit rester dans un intervalle de valeurs, entre une valeur minimale assurant le fonctionnement des installations de la clientèle et une valeur maximale évitant les risques de fuite au niveau de ces installations ou de rupture de la conduite 12. Une opération de maintenance permet de corriger cette dérive en modifiant des valeurs de paramètres de fonctionnement du régulateur de pression 14. La présente invention permet d’anticiper le besoin de telles opérations de maintenance.
sert à illustrer un exemple de réalisation particulier dans lequel on effectue en outre un dopage de zones d’accès sous les espaceurs ;
sert à illustrer un autre exemple de réalisation dans lequel l’amorphisation est réalisée après dopage de zones d’accès et formation d’espaceurs de part et d’autre du bloc de grille ;
servent à illustrer un exemple de réalisation dans lequel l’activation de dopants est réalisée après formation de régions d’alliage de métal et de semi-conducteur ;
sert à illustrer une activation de dopants implanté dans des régions semi-conductrice amorphe, l’activation étant effectuée sans recristallisation de ces régions ;
servent à illustrer la réalisation de plots de contact directement sur les régions d’alliage de métal et de semi-conducteur formées dans la même couche semi-conductrice superficielle que celle dans laquelle la région de de canal de transistors est formée ;
En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l’orientation d’une structure tels que « avant », « supérieure », « arrière », « inférieure », « latérale », s’appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures.
Une structure de départ possible pour la mise en œuvre de régions de source et de drain de transistor à base d’alliage de métal et de semi-conducteur est donnée sur la .
Cette structure comprend un support 100 doté d’une couche isolante 11, par exemple en SiO 2 , et communément appelée de BOX (« buried-oxide » ou oxyde enterré), la couche isolante 11 étant elle-même revêtue d’une couche semi-conductrice 12 superficielle dans laquelle un ou plusieurs transistors sont destinés à être formés.
La couche semi-conductrice 12 superficielle, par exemple en silicium, est prévue avec une épaisseur qui peut être comprise par exemple entre 5 nm et 100 nm, avantageusement entre 5 et 20 nm.
Le support 100 sur lequel repose la couche isolante 11 peut être par exemple une couche semi-conductrice, la structure étant dans ce cas réalisée à partir d’un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple de type SOI (SOI pour « Silicon On Insulator » ou « Silicium sur isolant »). Le ou les transistors formés peuvent être alors prévus en technologie FDSOI (pour “Fully Depleted Silicon On Insulator” ou « silicium sur isolant totalement déplété »).
Dans l’exemple de réalisation illustré, la structure est dotée également d’un bloc 25 de grille. Ce bloc 25 est formé ici d’une région 21 de diélectrique de grille, par exemple en SiO 2 ou en HfO 2 surmontée d’une région 22 de grille formé d’une ou plusieurs couches de matériau de grille par exemple à base de polysilicium ou de TiN ou de W ou d’un empilement d’au moins plusieurs de ces matériaux. Des espaceurs 33 sont formés de part et d’autre du bloc 25 de grille. Ces espaceurs 33 peuvent être par exemple à base de SiN ou de SiBCN ou de SiOCN.
La couche semi-conductrice superficielle 12 est ici pourvue de régions 123 en matériau semi-conducteur amorphe, par exemple en silicium amorphe tandis qu’une zone 121 en matériau semi-conducteur cristallin, par exemple silicium cristallin, est préservée en regard du bloc 25 de grille. Dans cet exemple, cette zone de matériau semi-conducteur cristallin s’étend en regard d’au moins une partie des espaceurs isolants 33. Une zone cristalline de la couche semi-conductrice 12 dans laquelle le canal du transistor et au moins une partie des zones d’extensions est ici ainsi préservée.
Les régions amorphes 123 peuvent s’étendre comme sur la sur toute l’épaisseur e 0 de la couche semi-conductrice 12.