Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comportant au moins une LED (L) et au moins une photodiode (P), comprenant les étapes suivantes : a) former un empilement semiconducteur (210) de support comprenant au moins une couche semiconductrice dopée (210b) ; b) former simultanément, lors d’une étape d’épitaxie commune, un empilement actif semiconducteur (103) d’émission de la LED (L) et un empilement actif semiconducteur (103) de réception de la photodiode (P) ; c) former des tranchées (220 ; 320)s’étendant verticalement à travers l’empilement de support (210) et délimitant latéralement au moins un premier plot de support (SL) et au moins un deuxième plots de support (SP), dans lequel, à l’issue des étapes b) et c), l’empilement actif semiconducteur (103) d’émission de la LED (L) recouvre le premier plot de support (SL) et l’empilement actif (103) de réception de la photodiode (P) recouvre le deuxième plot de support (SP), le procédé comprenant en outre, après l’étape c), une étape d) de porosification de ladite couche semiconductrice dopée (210b) dans le premier plot de support (SL) sans porosifier ladite couche semiconductrice dopée (210b) dans le deuxième plot de support (SP), ou une étape de porosification de ladite de ladite couche semiconductrice dopée (210b) dans le deuxième plot de support (SP) sans porosifier ladite couche semiconductrice dopée (210b) dans le premier plot de support (SL). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape c) de formation des tranchées (220) à travers l’empilement de support (210) et l’étape d) de porosification de la couche semiconductrice dopée (210b) sont mises en oeuvre avant l’étape b) d’épitaxie de l’empilement actif semiconducteur (103) d’émission de la LED (L) et de l’empilement actif semiconducteur (103) de réception de la photodiode (P), et dans lequel, lors de l’étape d), ladite couche semiconductrice dopée (220b) est porosifiée dans le deuxième plot de support (SP) et n’est pas porosifiée dans le premier plot de support (SL). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape c) de formation des tranchées (320) à travers l’empilement de support (210) est mise en oeuvre après l’étape b) d’épitaxie de l’empilement actif semiconducteur (103) d’émission de la LED (L) et de l’empilement actif semiconducteur (103) de réception de la photodiode (P), et dans lequel, lors de l’étape d), ladite couche semiconductrice dopée (220b) est porosifiée dans le premier plot de support (SL) et non dans le deuxième plot de support (SP). Procédé selon la revendication 2, dans lequel, à l’étape d), les flancs de la couche semiconductrice dopée (210b) dans le deuxième plot (SP) sont mis en contact avec un électrolyte, tandis que les flancs de la couche semiconductrice dopée (210b) dans le premier plot (SL) sont protégés du contact avec l’électrolyte par une couche de protection. Procédé selon la revendication 3, dans lequel, à l’étape d), les flancs de la couche semiconductrice dopée (210b) dans le premier plot (SL) sont mis en contact avec un électrolyte, tandis que les flancs de la couche semiconductrice dopée (210b) dans le deuxième plot (SP) sont protégés du contact avec l’électrolyte par une couche de protection. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, à l’étape d), un courant de polarisation est appliqué à travers ladite couche semiconductrice dopée (210b). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, après les étapes b) et d), une étape de report et de fixation de la LED (L) et de la photodiode (P) sur une face d’un circuit intégré de contrôle (110) préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur (101). Procédé selon la revendication 7, dans lequel lors de ladite étape de report et de fixation, la LED (L) et la photodiode (P) sont fixées sur ladite face du circuit intégré de contrôle (110) par collage moléculaire. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les tranchées (220 ; 320) sont agencées de façon que les dimensions latérales de la LED (L) soient inférieures aux dimensions latérales de la photodiode (P). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l’empilement actif semiconducteur (103) d’émission de la LED (L) et l’empilement actif semiconducteur (103) de réception de la photodiode (P) comprennent un ou plusieurs alliages semiconducteurs de type III-V ou II-VI. Dispositif optoélectronique comportant au moins une LED (L) comprenant un empilement actif semiconducteur (103) d’émission et au moins une photodiode (P) comprenant un empilement actif semiconducteur (103) de réception, le dispositif comprenant en outre une couche semiconductrice dopée (210b) en vis à vis de la LED (L) et de la photodiode (P), dans lequel la couche semiconductrice dopée (210b) est poreuse en vis à vis de la LED (L) et non poreuse en vis à vis de la photodiode (P), ou dans lequel la couche semiconductrice dopée (210b) est poreuse en vis à vis de la photodiode (P) et non poreuse en vis à vis de la LED (L). Dispositif selon la revendication 11, comprenant en outre un circuit intégré de contrôle (110) sur une face duquel sont fixées la LED (L) et la photodiode (P), le circuit intégré de contrôle (110) étant adapté à piloter la LED avec une densité de courant plus élevée que celle de la photodiode (P). Dispositif selon la revendication 12, dans lequel le circuit intégré de contrôle (110) est adapté à piloter la LED (L) avec une densité de courant au moins dix fois plus élevée que celle de la photodiode (P).