Procédé de transformation d’un support comprenant les étapes suivantes : Fournir un support (10) présentant une face supérieure (11) s’étendant principalement selon un plan formé par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), dit plan transversal (XY), Réaliser un revêtement de protection (100) surmontant au moins partiellement une zone périphérique (14) de la face supérieure (11) formant un contour fermé autour d’une zone centrale (15) de la face supérieure (11), la zone périphérique (14) et la zone centrale (15) formant ensemble l’intégralité de la face supérieure (11), et caractérisé en ce que la réalisation du revêtement de protection (100) comprend les étapes suivantes : Former une première couche (20) d’une résine photosensible surmontant la face supérieure (11) du support (10), la résine photosensible étant telle que : lorsque la résine est exposée à une dose d’insolation D lorsque la résine est exposée à une dose d’insolation D≥Dinversion, elle présente un comportement de résine négative et ne se dissout pas lorsqu’elle est mise en contact avec le développeur, Exposer une première portion (24) de la première couche (20) de résine photosensible avec une première dose d’insolation D1≥ Dinversion, la première portion (24) couvrant strictement la même surface de la face supérieure (11) que le revêtement de protection (100), de sorte à former le revêtement de protection (100), Exposer une deuxième portion (25) de la première couche (20) avec une deuxième dose d’insolation D2 Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le support (10) présente un premier flanc latéral (13) et le revêtement de protection (100) présente un deuxième flanc latéral (103), le premier flanc latéral (13) et le deuxième flanc latéral (103) étant séparés, dans le plan transversal (XY), d’une distance radiale d103 inférieure ou égale à 0,5 cm, de préférence inférieure ou égale à 0,2 cm. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel d103 est sensiblement égale à 0 cm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre les étapes suivantes : Exposer une pluralité de zones de la zone centrale (15) du support (10), dites zones à traiter (13), Traiter le support (10) à partir des zones à traiter (13). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel les zones à traiter (13) comprennent des zones à graver (13) et dans lequel l’étape de traitement comprend une étape de gravure du support (10) à partir des zones à graver (13). Procédé selon la revendication 4 ou la revendication 5, dans lequel les zones à traiter (13) comprennent des zones à implanter (13) et dans lequel l’étape de traitement comprend une étape d’implantation du support (10) à partir des zones à implanter (13). Procédé selon l’une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel l’étape d’exposition des zones à traiter (13) comprend les étapes suivantes : Exposer la première couche (20) avec une troisième dose D3 telle que 12 mJ/cm² Effectuer une étape de développement en mettant en contact la résine photosensible avec le développeur de sorte à faire se dissoudre les parties exposées avec D3. Procédé selon l’une quelconque des revendications 4 à 6 comprenant en outre, après l’étape d’exposition de la première portion (24), les étapes suivantes : Retirer la deuxième portion (25), Former une deuxième couche (30) de résine photosensible surmontant le support (10), et dans lequel l’étape d’exposition des zones à traiter (13) comprend les étapes suivantes : Exposer la deuxième couche (30) avec une troisième dose D3 telle que 12 mJ/cm² Effectuer une étape de développement en mettant en contact la résine photosensible avec le développeur de sorte à faire se dissoudre les parties exposées avec D3. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première portion (24) s’étend dans le plan transversal (XY) sur une dimension radiale l24, avec 3mm ≤ l24, de préférence 5mm ≤ l24. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la résine photosensible est composée à au moins 5% d’un dérivé de polyhydroxystyrène, au moins 55% de lactate d’éthyle et au moins 20% d’acétate d’éther méthylique de propylène glycol (PGMEA). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le support (10) est à base d’au moins un matériau parmi les matériaux suivants : Si, SiC, GaN, SiGe, Ge, saphir, verre, InP et AsGa. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le revêtement de protection (100) présente dans une troisième direction (Z) perpendiculaire au plan transversal (XY) une épaisseur e100 supérieure à 250 nm, de préférence supérieure à 500 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel D1≥90mJ/cm². Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, dans le plan transversal (XY), la zone centrale présente la forme d’un disque et la zone périphérique présente la forme d’une couronne circulaire. Dispositif microélectronique comprenant : un support (10) présentant une face supérieure (11) s’étendant principalement selon un plan formé par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), dit plan transversal (XY), un revêtement de protection (100), surmontant au moins partiellement une zone périphérique (14) de la face supérieure (11) formant un contour fermé autour d’une zone centrale (15) de la face supérieure (11), la zone périphérique (14) et la zone centrale (15) formant ensemble l’intégralité de la face supérieure (11), caractérisé en ce que le revêtement de protection (100) est à base d’une résine photosensible négative.