Procédé de stabilisation d’une surface d’un matériau semiconducteur, notamment un matériau semiconducteur monocristallin, ledit procédé comprenant la formation, sur ladite surface, d’une couche de carbone (30) en phase gazeuse à une pression supérieure ou égale à 80 kPa (800 mbar). Procédé de stabilisation selon la revendication 1, dans lequel la couche de carbone est une couche de carbone vitreux. Procédé de stabilisation selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel le matériau semiconducteur est du carbure de silicium. Procédé de stabilisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la formation de la couche de carbone est réalisée à une température de formation de couche de carbone comprise entre 1000 °C et 1200 °C. Procédé de stabilisation selon la revendication 4, comprenant en outre une étape d’épaississement de la couche de carbone (30) à une température supérieure à la température de formation de couche de carbone (T1). Procédé de stabilisation selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche de carbone (30) présente une épaisseur comprise entre 5 nm et 500 nm, de préférence comprise entre 50 nm et 150 nm. Procédé de stabilisation selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de la couche de carbone est réalisé dans un flux de gaz comprenant un gaz carboné et un gaz porteur, le gaz porteur étant de préférence de l’argon ou un mélange d’argon et d’hydrogène. Procédé de stabilisation selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le dépôt de la couche de carbone est réalisé à partir d’une source de carbone solide. Procédé de stabilisation selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel la formation de la couche de carbone (30) est mise en œuvre dans un four de recuit (70) de substrats. Procédé de stabilisation selon la revendication 9, dans lequel le four de recuit (70) comprend des parois intérieures (75) et des éléments de support configurés pour maintenir au moins un substrat (10), lesdits parois intérieures (75), lesdits supports et le gaz à l’intérieur du four de recuit (70) présentant une même température. Procédé de stabilisation selon la revendication 9 ou la revendication 10, dans lequel le four de recuit (70) contient une pluralité de substrats comprenant une surface dudit matériau semiconducteur, lesdits substrats étant superposés verticalement, un espace vertical étant ménagé entre deux substrats adjacents, une couche de carbone (30) étant formée sur la surface du matériau semiconducteur de chacun desdits substrats. Procédé de stabilisation selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le dépôt de la couche de carbone (30) est mis en œuvre dans une enceinte de dépôt chimique en phase vapeur. Procédé de traitement d’un substrat présentant une surface libre d’un matériau semiconducteur, notamment d’un matériau semiconducteur monocristallin, comprenant un procédé de stabilisation de ladite surface selon l’une des revendications 1 à 12 et un traitement thermique dudit substrat après la stabilisation de ladite surface. Procédé de traitement selon la revendication 13, dans lequel au moins une partie du traitement thermique est réalisée à une température supérieure à 1700°C. Procédé de traitement selon l’une des revendications 13 à 14 en combinaison avec la revendication 6, dans lequel le dépôt de la couche de carbone (30) et le traitement thermique sont réalisés dans le même four de recuit de substrats. Procédé de traitement selon la revendication 15, dans lequel le traitement thermique comprend successivement une première phase mise en œuvre à une température comprise entre 1000 et 1200°C, comprenant la formation de la couche de carbone (30), et au moins une seconde phase mise en œuvre à une température supérieure à 1200°C, de préférence supérieure à 1700°C, dans laquelle la couche de carbone vitreux (30) formée lors de la première phase limite la réorganisation de la surface en un matériau semiconducteur sous forme de terrasses. Procédé de traitement selon l’une quelconque des revendications 15 à 16, comprenant en outre, après le traitement thermique, une étape de retrait de la couche de carbone (30) par gravure ionique réactive ou par gravure au plasma. Procédé de traitement selon la revendication 17, comprenant une étape d’injection d’oxygène dans le four pour créer un plasma réactif lors de l’étape de retrait de la couche de carbone (30). Procédé de traitement selon l’une quelconque des revendications 13 à 18, comprenant en outre une étape de polissage mécano-chimique adapté pour retirer la couche de carbone (30). Procédé de fabrication d’une structure semiconductrice, comprenant les étapes suivantes : la formation d’une zone de fragilisation (21) par implantation d’espèces ioniques dans un substrat donneur (220) en un matériau semiconducteur, notamment en un matériau semiconducteur monocristallin, le collage dudit substrat donneur (220) sur un substrat support (11), le détachement du substrat donneur (220) le long de la zone de fragilisation (21) de sorte à transférer une couche (20) du matériau semiconducteur sur le substrat support (11), un procédé de traitement selon l’une des revendications 12 à 16 de sorte à guérir les défauts créés dans la couche du matériau semiconducteur (20) lors de l’implantation des espèces ioniques, dans lequel la couche de carbone (30) est formée sur la surface libre (200) de la couche (20) du matériau semiconducteur transférée sur le substrat support. Procédé de fabrication d’une structure semiconductrice selon la revendication 20, dans laquelle le substrat donneur (220) est en carbure de silicium.