INPI-France/Brevets-Francais-2024-Chunked huggingface dataset:
Dans la présente description, les données de conduite en séries temporelles désignent des données de conduite émises de façon chronologique. Les données de conduite en séries temporelles incluent les informations combinant les données de conduite et l’heure à laquelle lesdites données de conduite ont été émises.
Données de conduite en ligne droite
Dans la présente description, les données de conduite en ligne droite sont des données de conduite concernant la conduite en ligne droite d’un véhicule. Lesdites données de conduite en ligne droite sont des données sur une période de temps déterminée ou plus. Lesdites données de conduite en ligne droite sont des données segmentées en données sur les grandeurs physiques associées à la conduite en ligne droite du véhicule à partir des données de conduite, sur une section ou période où ledit véhicule est conduit en ligne droite.
Données de conduite en virage
Dans la présente description, les données de conduite en virage sont des données de conduite concernant la conduite en virage d’un véhicule. Lesdites données de conduite en virage sont des données sur une période de temps déterminée ou plus. Lesdites données de conduite en virage sont des données segmentées en données sur les grandeurs physiques associées à la conduite en virage du véhicule à partir des données de conduite, sur une section ou période où ledit véhicule effectue un virage.
Conduite en virage
Dans la présente invention, la conduite en virage est un mouvement de conduite du véhicule qui décrit une courbe tout en changeant le sens de la marche. Dans la présente invention, la conduite en virage peut être un mouvement de virage de changement de direction, ou un mouvement de virage d’un virage circulaire régulier.
Situation Dans la présente description, une situation désigne une état de conduite comme un arrêt, un démarrage, une accélération, un ralentissement, un ralentissement d’urgence, ou un évitement d'urgence, entre autres, lorsque le véhicule est conduit en ligne droite ; et un état de conduite comme une courbe, un virage droite/gauche au démarrage, un virage droite/gauche après un ralentissement, un demi-tour au démarrage, une entrée en virage, un virage circulaire, une sortie de virage, un braquage et un contre-braquage dans une succession de virages, ou un ralentissement d’urgence pendant un virage, entre autres, lorsque le véhicule effectue un virage.
Critère d’évaluation simple de conduite en ligne droite
Dans la présente invention, un critère d'évaluation simple de conduite en ligne droite désigne un critère d’évaluation prédéterminé concernant la technique de conduite pour laquelle le conducteur souhaite connaître l’évaluation lorsqu’il conduit le véhicule en ligne droite. Ledit critère d'évaluation simple de conduite en ligne droite est un critère d’évaluation qui évalue une grandeur physique prédéterminée, incluse dans les données de conduite dudit véhicule lors d’une conduite en ligne droite, sur la base d’un indice d'évaluation prédéterminé, afin d’évaluer la technique de conduite du conducteur lorsqu’il conduit en ligne droite. Ledit critère d'évaluation simple de conduite en ligne droite contient au moins un critère d'évaluation. Une information d’évaluation simple de conduite en ligne droite sur la technique de conduite dudit conducteur est affectée audit critère d'évaluation simple de conduite en ligne droite sur la base d’un indice d'évaluation prédéterminé. Ledit critère d'évaluation simple de conduite en ligne droite peut être défini, par exemple, par au moins une combinaison, ou par au moins deux combinaisons parmi plusieurs plages de vitesse dudit véhicule, plusieurs situations de conduite dudit véhicule, et plusieurs manœuvres dudit véhicule lors d’une conduite en ligne droite dudit véhicule.
Critère d’évaluation simple de conduite en virage
Dans la présente invention, un critère d'évaluation simple de conduite en virage désigne un critère d’évaluation déterminé servant à évaluer la technique de conduite que le conducteur souhaite connaître lorsqu’il conduit le véhicule en virage. Ledit critère d'évaluation simple de conduite en virage est un critère d’évaluation qui évalue une grandeur physique prédéterminée, incluse dans les données de conduite dudit véhicule lors d’une conduite en virage, sur la base d’un indice d'évaluation prédéterminé, afin d’évaluer la technique de conduite du conducteur lorsqu’il conduit en virage. Ledit critère d'évaluation simple de conduite en virage contient au moins un critère d'évaluation. Une information d’évaluation simple de conduite en virage sur la technique de conduite dudit conducteur est affectée audit critère d'évaluation simple de conduite en virage sur la base d’un indice d'évaluation prédéterminé. Ledit critère d'évaluation simple de conduite en virage peut être défini, par exemple, par au moins une combinaison, ou par au moins deux combinaisons parmi plusieurs plages de vitesse dudit véhicule, plusieurs situations de conduite dudit véhicule, et plusieurs manœuvres dudit véhicule lors d’une conduite en virage dudit véhicule.
Informations d’évaluation simple de conduite en ligne droite
Dans la présente invention, les informations d’évaluation simple de conduite en ligne droite sont des informations concernant la technique de conduite du conducteur établies sur la base d’un indice d'évaluation prédéterminé, pour chaque résultat d’évaluation de critère d’évaluation simple de conduite en ligne droite. Lesdites informations d’évaluation simple de conduite en ligne droite incluent plusieurs commentaires sur la technique de conduite du conducteur lorsqu'il conduit en ligne droite avec un indice d'évaluation prédéterminé. De plus, lesdites informations d’évaluation simple de conduite en ligne droite peuvent inclure les informations d’évaluation simple de conduite en ligne droite ayant une note élevée et celles ayant une note faible selon un indice d'évaluation prédéterminé, pour chaque critère d'évaluation simple de conduite en ligne droite. Les informations d’évaluation simple de conduite en ligne droite peuvent inclure les informations relatives aux plages de vitesses, aux situations, et aux manœuvres du véhicule.
Informations d’évaluation simple de conduite en virage
D’autres ont vocation à être modifiées lors des itérations successives, et peuvent être initialisées à des valeurs initiales. Par exemple, l’indicatif de source associée au pixel des pixels non source peut être initialisé à une valeur indiquant l’absence de source, puis cette valeur pourra être mise à jour dès que le pixel est associé à une source. De même, l’extremum d’intensité de pixel d’un deuxième type sur un chemin entre la source associée au pixel et le pixel peut être initialisé à une valeur de base, par exemple l’extremum d’intensité du premier type parmi toutes les valeurs d’intensités possibles de pixels.
L’indication des pixels sources, et des indicatifs associés à chaque source, est obtenue en entrée du procédé. Cette indication peut être obtenue de différentes manières. En effet, de nombreuses méthodes de sélection de sources dans une image existent, comme par exemple l’extracteur morphologique par H-maxima.
Il convient de noter qu’une source peut comprendre un ou plusieurs pixels, et que seuls certains pixels sont des pixels source.
La représente pour simplifier un signal variable en fonction d’une seule dimension spatiale Img5 illustrant le principe de fonctionnement d’un procédé de segmentation par partage des eaux selon l’invention. La représente volontairement un exemple très simple, afin d’illustrer de manière schématique le fonctionnement d’un procédé selon l’invention.
Si l’image Img5 est une image en fonction d’une seule dimension spatiale, le procédé trouvera à s’appliquer à des images de dimensions plus élevées, notamment des images en 2 ou 3 dimensions spatiales.
Dans l’exemple de la , l’intensité des pixels est représentée par l’altitude de la courbe Courb5. Deux sources Src1.5 et Src2.5 ont été identifiées sur l’image. Dans l’exemple de la , les sources comprennent des minima locaux. Tous les minima locaux ne sont cependant pas nécessairement dans des sources. Par exemple, l’image Img5 comprend une cuvette Cuv5 comprenant un minimum local qui n’est pas dans une source. L’image Img5 comprend également des maxima locaux, représentés sur l’image Img5 par des « cols » Col1.5 et Col2.5.
Le principe de l’algorithme de segmentation par partage des eaux selon l’invention consiste à affecter les pixels à chaque source de manière à ce que, pour chaque pixel, le « plus haut col franchi » soit le plus bas possible. Par exemple, dans l’exemple de la , les pixels PixSrc1.5 seront affectés à la source Src1.5, et les pixels PixSrc2.5 à la source Src2.5. En particulier, les pixels appartenant à la cuvette Cuv5 doivent être affectés à la source Src2.5, car le « plus haut col franchi » Col2.5 est plus bas que le col Col1.5 qui devrait être franchi sur le chemin entre la cuvette Cuv5 et la source Src1.5.
A cet effet, l’affectation d’une source à chaque pixel est faite par une propagation, de pixel en pixel, des informations suivantes : la source à laquelle appartient le pixel ; la hauteur maximale du « plus haut col » sur le chemin menant de la source au pixel, c’est-à-dire l’intensité maximale des pixels sur le chemin entre la source et le pixel courant.
Lorsqu’un pixel est déjà affecté à une première source, ces informations peuvent être écrasées par des informations associées à une deuxième source, si et seulement si la hauteur maximale du « plus haut col » sur le chemin menant de cette 2 e source au pixel est plus basse que la hauteur maximale du « plus haut col » sur le chemin de la 1 e source au pixel.
Dans l’exemple de la figure, les sources sont des minima locaux. Les extrema du 1 e type sont donc des minima, et les extrema du 2 e type des maxima, représentés notamment par les cols. L’invention n’est bien entendu pas limitée à cet exemple, et les sources peuvent être des maxima locaux (extrema du 1 e type), alors que les extrema du 2 e type sont des minima.
Nous allons maintenant revenir à la pour présenter les étapes d’un procédé selon un ensemble de modes de réalisation de l’invention, avant d’illustrer concrètement le fonctionnement de l’invention sur 3 pixels Pix1.5, Pix2.5, Pix3.5 de la .
Dans un ensemble de modes de réalisation de l’invention, le procédé P400 comprend une deuxième étape S420 d’initialisation.
L’étape S420 d’initialisation peut comprendre l’affectation, à la valeur d’extremum d’intensité de pixel du deuxième type sur le chemin entre la source associée au pixel et le pixel : l’intensité du pixel si le pixel est un pixel source ; une valeur prédéfinie sinon.
La valeur prédéfinie peut être un extremum global. Par exemple, dans l’exemple de la , la valeur prédéfinie peut être un maximum global d’intensité sur l’image, ou une valeur maximale d’intensité possible compte tenu du codage de l’intensité des pixels. De manière plus générale, cette valeur prédéfinie peut être égale à une valeur comprise entre un extremum du deuxième type parmi les valeurs d’intensité de pixels sur l’image, et un extremum du deuxième type des valeurs d’intensités de pixels possibles.
L’étape S420 d’initialisation peut également comprendre l’affectation, à tous les pixels qui ne sont pas des pixels sources, d’un indicatif prédéfini indiquant que le pixel n’est associé à aucune source.
Selon un exemple, le deuxième matériau est à base de l’un parmi le SiN, le SiO2, et le Si .
La rugosité d’une surface est un paramètre caractérisant l’état de cette surface. Elle est le plus souvent associée en tribologie à la profondeur caractéristique des stries sillonnant la surface. La rugosité d’une surface est notée Ra et s’exprime typiquement en µm (1 µm = 10 -6 m) ou nm (1 nm = 10 -9 m).
Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté en figures 1A, 2A, 3A, 4A, 5A et 5B. Ce repère est applicable par extension aux autres figures.
Une première étape du procédé selon l’invention consiste en la fourniture d’un empilement 1 comprenant un substrat 10 et une pluralité de structures 1000 surmontant le substrat 10 et séparées par les tranchées 400.
Le substrat 10 présente une face inférieure 12 s’étendant principalement dans un plan transversal XY défini par une première direction X et une deuxième direction Y. Le substrat 10 peut également comprendre une couche émettrice 15 comprenant une pluralité d’éléments photoémetteurs. Les éléments photoémetteurs peuvent par exemple être des nanofils ou microfils actifs formant des LED ou micro-LED. Il peut par exemple s’agir de LED standards à deux dimensions (LEDS 2D). Les éléments photoémetteurs présentent typiquement une forme allongée selon une troisième direction Z perpendiculaire au plan transversal XY.
Les structures 1000 présentent une forme cylindrique, de préférence celle d’un cylindre droit dont les droites génératrices s’étendent selon la troisième direction Z. Les structures 1000 ont typiquement une section rectangulaire, de préférence carrée, dans un plan parallèle au plan transversal XY, comme représenté sur les figures 5A et 5B.
Les structures 1000 sont séparées les unes des autres par des tranchées 400. Ces tranchées sont typiquement rectilignes. Les tranchées 400 peuvent par exemple comprendre une première série de tranchées 400a et une deuxième série de tranchées 400b, les tranchées 400b de la deuxième série étant perpendiculaires aux tranchées 400a de la première série. Les tranchées 400a de la première série s’étendent par exemple selon la première direction X et celles de la deuxième série selon la deuxième direction Y, comme représenté sur les figures 5A et 5B.
Chacune des structures 1000 surmontant le substrat 10 comprend un plot 100 présentant un sommet 101 et au moins un flanc 103 présentant une hauteur E flanc selon la troisième direction Z. E flanc est avantageusement supérieure à 500 nm, typiquement sensiblement égale à 1 µm.
Le sommet 101 du plot 100 s’étend avantageusement dans un plan dit supérieur 501, de préférence parallèle au plan transversal XY.
Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comporte les étapes : b 4 ) retirer la quatrième partie latérale de l’empilement de couches actives de manière à atteindre le quatrième bord latéral du substrat ; c 4 ) former une quatrième couche de passivation sur le quatrième bord latéral du substrat atteint à l’issue de l’étape b 4 ), la quatrième couche de passivation possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 .
Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer la qualité de passivation des sous-cellules photovoltaïques qui seront obtenues après l’étape c 4 ), et ce grâce aux étapes b 4 ) et c 4 ) permettant de remplacer le bord natif de la cellule photovoltaïque initiale, formé par le quatrième bord latéral du substrat et la quatrième partie latérale de l’empilement de couches actives. Les inventeurs ont constaté, par simulation, une augmentation potentielle de 0,1 % du rendement de la cellule photovoltaïque initiale (avant la formation de sous-cellules photovoltaïques) par bord natif remplacé.
Selon une caractéristique de l’invention : - l’étape a) est exécutée de sorte que l’empilement de couches actives comprend une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle présentant un décrochement initial, en retrait par rapport à chaque bord latéral du substrat, le décrochement initial étant de préférence obtenu par détourage ; - l’étape b 1 ) est exécutée par une première découpe du substrat ajustée pour retirer la première partie latérale de l’empilement de couches actives et une première zone latérale du substrat, de sorte que le premier bord latéral du substrat atteint à l’issue de la première découpe fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur superficielle.
Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer les performances de la cellule photovoltaïque initiale en supprimant totalement le décrochement initial (classiquement une zone de détourage) qui est une source de pertes électriques (ombrage électrique), en particulier pour une architecture de type silicium à hétérojonction.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b 2 ) est exécutée par une deuxième découpe du substrat ajustée pour retirer la deuxième partie latérale de l’empilement de couches actives et une deuxième zone latérale du substrat, de sorte que le deuxième bord latéral du substrat atteint à l’issue de la deuxième découpe fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur superficielle.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b 3 ) est exécutée par une troisième découpe du substrat ajustée pour retirer la troisième partie latérale de l’empilement de couches actives et une troisième zone latérale du substrat, de sorte que le troisième bord latéral du substrat atteint à l’issue de la troisième découpe fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur superficielle.
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b 4 ) est exécutée par une quatrième découpe du substrat ajustée pour retirer la quatrième partie latérale de l’empilement de couches actives et une quatrième zone latérale du substrat, de sorte que le quatrième bord latéral du substrat atteint à l’issue de la quatrième découpe fait face au décrochement initial de la couche d’oxyde transparent conducteur superficielle.
Selon une caractéristique de l’invention, le substrat de la cellule photovoltaïque initiale utilisée lors de l’étape a) présente : - une région centrale, - une région périphérique, s’étendant autour de la région centrale, comprenant les premier et deuxième bords latéraux ainsi que les troisième et quatrième bords latéraux ; le procédé comporte une étape d) consistant à découper le substrat suivant au moins une ligne de découpe s’étendant dans la région centrale de manière à obtenir au moins deux sous-cellules photovoltaïques.
Selon une caractéristique de l’invention, lesdites au moins deux sous-cellules photovoltaïques présentent des bords découpés à l’issue de l’étape d) ; le procédé comportant une étape e) consistant à revêtir chaque bord découpé à l’issue de l’étape d) d’une couche de passivation possédant une vitesse de recombinaison de surface effective strictement inférieure à SRV 0 .
Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que la couche de passivation initiale est réalisée dans un silicium amorphe hydrogéné ; et l’étape c 1 ) est exécutée de sorte que la première couche de passivation est réalisée dans un oxyde d’aluminium.
Ainsi, bien que le silicium amorphe hydrogéné possède un potentiel de passivation généralement supérieur à celui de l’oxyde d’aluminium, la présence du silicium amorphe hydrogéné sur un bord latéral du substrat conduit à une moins bonne qualité de passivation intrinsèque (e.g. limitations en termes de dépôt et d’uniformité) et à une plus grande sensibilité aux chocs, dégradations, et contaminations. L’utilisation de l’oxyde d’aluminium permet donc de réduire la vitesse de recombinaison de surface effective par rapport au silicium amorphe hydrogéné présent sur un bord latéral. De plus, l’utilisation de l’oxyde d’aluminium, transparent optiquement, est avantageuse d’un point de vue intégration car l’oxyde d’aluminium peut être déposé sans incidence sur toute la surface latérale de la cellule photovoltaïque, au contraire du silicium amorphe. Par ailleurs, il est également possible d’envisager des dépôts localisés pour l’oxyde d’aluminium, ce qui est beaucoup plus complexe à mettre en œuvre pour le silicium amorphe en nécessitant un masquage extérieur.
L’installation telle que prévue avec son réacteur calogène est destinée à alimenter des réseaux de chaleur urbaine, alimenter des procédés industriels de type désalinisation, dessiccation, transformation de produits alimentaires.
la est une vue schématique en perspective schématique en perspective d’un réacteur SMR à vocation calogène selon l’invention.
les figures 7 et 8 sont des vues de détail en perspective montrant la vanne de régulation du débit d’eau du circuit respectivement dans une position intermédiaire et la position complètement ouverte.
les , 10B et 10C sont des vues en perspective montrant un exemple de vanne de régulation du débit d’eau du circuit secondaire et son intégration dans un collecteur de sortie d’échangeur, la vanne étant respectivement dans la position complètement ouverte, une position intermédiaire et la position complètement fermée.
la est une vue schématique en coupe longitudinale et en transparence d’une installation nucléaire selon l’invention avec un réacteur calogène selon les figures 5 et 6 dans un puits de cuve étanche agencé en-dessous du fond d’une fosse de stockage thermique de type PTES remplie d’eau qui constitue l’eau du circuit tertiaire.
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes b 1 ) et b 2 ).
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes b 1 ) et b 2 ), en présence d’une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle détourée.
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes c 1 ) et c 2 ).
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes c 1 ) et c 2 ), en présence d’une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle détourée.
est une vue schématique en coupe, illustrant un premier mode de mise en œuvre de l’étape d) en conjugaison avec les étapes b 1 ), b 2 ), c 1 ), c 2 ).
est une vue schématique en coupe, illustrant une sous-cellule photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape d) illustrée à la , le bord découpé étant recouvert d’une couche de passivation.
est une vue schématique en coupe (de manière à montrer les troisième et quatrième bords latéraux du substrat), illustrant un empilement de couches actives formé autour d’un substrat d’une cellule photovoltaïque initiale utilisée lors de l’étape a). Certaines parties de l’empilement (en particulier les parties supérieure et inférieure) peuvent comporter des couches actives supplémentaires qui ne sont pas représentées par souci de simplicité.
est une vue schématique en coupe, analogue à la , illustrant l’étape b 3 ).
est une vue schématique en coupe, analogue à la , illustrant la présence d’une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle détourée, appartenant à la partie inférieure de l’empilement.
est une vue schématique en coupe, illustrant l’étape c 3 ).
est une vue schématique en coupe, illustrant l’étape c 3 ) en présence d’une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle détourée.
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes b 3 ) et b 4 ).
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes b 3 ) et b 4 ), en présence d’une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle détourée.
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes c 3 ) et c 4 ).
est une vue schématique en coupe, illustrant les étapes c 3 ) et c 4 ), en présence d’une couche d’oxyde transparent conducteur superficielle détourée.
est une vue schématique en coupe, illustrant un mode de mise en œuvre de l’étape d) en conjugaison avec les étapes b 3 ), b 4 ), c 3 ), c 4 )
Chaque formulation aqueuse contenant en ratio sec 70% massique de PVDF et 30% de polymère acrylique est disposée dans un cristallisoir et séché 24h dans une étuve à 110°C. On obtient dans chaque cas des poudres homogènes qui sont broyées à l’aide d’un broyeur électrique à couteaux de type moulin à café dans un premier temps, puis cryobroyée à l’aide d’un broyeur à boulet dans un second temps. Les poudres obtenues sont particulièrement homogènes et permettent d’être très facilement compressée afin d’obtenir des couches polymériques sur des surfaces métalliques, ceci à l’aide par exemple de presse ou de machines à calandrer. Ce procédé original permet donc de réaliser un couchage à sec sur des supports de type aluminium ce qui permet de produire des cathodes sans la présence de solvant toxique tels que de la NMP voire d’éviter des procédés aqueux qui nécessitent des séchages particulièrement onéreux et des formulations complexes demandant une maîtrise difficile de la rhéologie. Le même type de procédé sans solvant peut être utilisé pour la fabrication d’anode.