Démodulateur photonique (1) assisté par courant, adapté à détecter un rayonnement lumineux d’intérêt, comportant : une portion de détection (10), présentant une première face (F1) et une deuxième face (F2) opposées l’une à l’autre et parallèles à un plan principal, et comportant une zone centrale (Zc) de détection du rayonnement lumineux incident, réalisée en un premier matériau semiconducteur cristallin à base de germanium, comportant des régions dopées, dont : au moins deux régions dopées de modulation, dopées de type p, et destinées à générer et à moduler un courant de dérive dans la portion de détection (10) ; au moins une région dopée de collection, dopée de type n, et destinée à collecter les porteurs de charge minoritaires photogénérés lors de l’absorption du rayonnement lumineux d’intérêt ; une couche diélectrique de passivation (4), réalisée à base d’un matériau électriquement isolant, et recouvrant la première face (F1) ; des électrodes (M1, M2, C1, C2), situées au niveau de la première face (F1) et traversant la couche diélectrique de passivation (4), dont des électrodes de modulation (M1, M2) en contact électrique avec les régions dopées de modulation ; et au moins une électrode de collection (C1, C2) en contact électrique avec au moins la région dopée de collection ; caractérisé en ce qu’il comporte une portion latérale périphérique (2), entourant la portion de détection (10) dans le plan principal, réalisée à base d’un deuxième matériau présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du premier matériau, la portion de détection (10) présentant alors des contraintes mécaniques en tension dans le plan principal et des contraintes mécaniques en compression suivant un axe vertical orthogonal au plan principal ; et en ce que, lesdites régions dopées sont disposées selon un agencement vertical tel que : au moins une région dopée selon un premier type de conductivité, dite région dopée supérieure (11), affleure la première face (F1) et est située à proximité de la zone centrale (Zc) ; au moins deux régions dopées selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type, dites régions dopées inférieures (12), sont situées à distance suivant l’axe vertical de la région dopée supérieure (11). Démodulateur photonique (1) selon la revendication 1, dans lequel chaque région dopée inférieure (12) s’étend parallèlement au plan principal en direction de la zone centrale (Zc) et de la région dopée supérieure (11), et présente une extrémité distale (12d) éloignée de la zone centrale (Zc) et une extrémité proximale (12p) orientée vers la zone centrale (Zc). Démodulateur photonique (1) selon la revendication 1 ou 2, comportant des vias conducteurs (3) s’étendant suivant l’axe vertical de la première face (F1) et en contact électrique avec les régions dopées inférieures (12). Démodulateur photonique (1) selon la revendication 3, dans lequel les vias conducteurs (3) sont distincts de la portion latérale périphérique (2). Démodulateur photonique (1) selon la revendication 3, dans lequel les vias conducteurs (3) sont des parties, distinctes entre elles, de la portion latérale périphérique (2), celle-ci étant alors réalisée en un matériau électriquement conducteur. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel le ou les électrodes au contact de la ou des régions dopées supérieures (11) sont plus proches de la zone centrale (Zc) que les électrodes au contact des vias conducteurs (3). Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comportant deux régions dopées inférieures (12) de modulation, et comportant une seule région dopée supérieure (11) de collection, située dans la zone centrale (Zc) et à distance, dans le plan principal, des régions dopées inférieures (12) de modulation. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comportant deux régions dopées supérieures (11), chacune étant située à la perpendiculaire de l’une des régions dopées inférieures (12). Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, pour une région dopée supérieure (11) et une région dopée inférieure (12) verticalement adjacente, une distance verticale, suivant l’axe vertical, entre lesdites régions dopées (11, 12) est inférieure à une distance horizontale, dans le plan principal, entre l’électrode connectée à la région dopée supérieure (11) et l’électrode connectée au via conducteur (3) de la région dopée inférieure (12) adjacente. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la ou les régions dopées supérieures (11) sont des régions de collection, et les régions dopées inférieures (12) sont des régions de modulation. Démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la portion latérale périphérique (2) est réalisée à base de silicium, et dans lequel la portion de détection (10) comporte une zone latérale (14) réalisée à base de SiGe, située à l’interface avec la portion latérale périphérique (2). Procédé de fabrication d’un démodulateur photonique (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation, par épitaxie à partir d’un couche support (5), d’une première couche (22) à base de germanium dopé ; réalisation des régions dopées inférieures (12) par gravure localisée de la première couche (22) à base de germanium dopé ; réalisation par épitaxie d’une couche principale (23) à base de germanium non intentionnellement dopé, sur et au contact des régions dopées inférieures (12) ; réalisation d’une tranchée (25) au travers de la couche principale (23) entourant la portion de détection (10) ; réalisation de la portion latérale périphérique (2) dans la tranchée (25), à une température supérieure à la température ambiante, de sorte que, après retour à la température ambiante, la portion de détection (10) est en tension dans le plan principal et en compression suivant l’axe vertical ; réalisation d’une ou des régions dopées supérieures (11) dans la portion de détection (10) ; dépôt d’une couche diélectrique de passivation (4) sur la portion de détection (10) ; réalisation des électrodes de modulation et des électrodes de collection. Procédé de fabrication selon la revendication 12, comportant, avant la réalisation de la tranchée (25), une étape de réalisation de deux premières échancrures (24) débouchant sur les régions dopées inférieures (12), suivie d’une étape de réalisation de vias conducteurs (3) dans les premières échancrures (24). Procédé de fabrication selon la revendication 12, tel que, lors de la réalisation de la tranchée (25), celle-ci débouche sur les régions dopées inférieures (12), de sorte que la portion latérale périphérique (2) est alors au contact de celles-ci. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel la ou les régions dopées supérieures (11) sont réalisées par implantation ionique localisée.