Procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur comprenant une première zone semi-conductrice (100A) optimisée pour la conduction par électrons et une deuxième zone semi-conductrice (100B) optimisée pour la conduction par trous, le procédé comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) une structure multicouches (10) comprenant : un substrat (11) ; et une couche de silicium-germanium (12) disposée sur le substrat (11) ; définir (S2) dans la structure multicouches (10) une première région (10A) destinée à contenir la première zone semi-conductrice (100A) et une deuxième région (10B) destinée à contenir la deuxième zone semi-conductrice (100B) ; soumettre (S4) la structure multicouches (10) à un recuit laser de manière à modifier une portion (110B) de la structure multicouches située dans la deuxième région (10B), ladite portion (110B) comprenant avant le recuit laser une partie de la couche de silicium-germanium (12), ladite portion présentant après le recuit laser un gradient de concentration en germanium avec une concentration en germanium qui augmente en direction d’une face supérieure de ladite portion. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la structure multicouches (10) comprend en outre une couche de protection (13) disposée sur la couche de silicium-germanium (12), dans lequel ladite portion (110B) s’étend avant le recuit laser jusqu’à la couche de protection (13) et dans lequel ladite portion présente après le recuit laser une concentration en germanium qui augmente en direction d’une interface avec la couche de protection (13). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la structure multicouches (10) comprend en outre une couche de réflexion laser (14) disposée sur la couche de protection (13) et configurée pour diminuer l’efficacité du recuit laser, le procédé comprenant en outre, avant le recuit laser, une étape (S3) de retrait d’une portion de la couche de réflexion laser (14) située dans la deuxième région (10B) de la structure multicouches (10). Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre, après le recuit laser, une étape de retrait de la couche de protection (13) dans la deuxième région (10B) de la structure multicouches (10) et une étape de retrait de la couche de réflexion laser (14) et de la couche de protection (13) dans la première région (10A) de la structure multicouches (10). Procédé selon l’une des revendications 3 et 4, dans lequel l’étape (S1) de définition des première et deuxième régions (10A-10B) de la structure multicouches (10) est accomplie après l’étape (S1) de fourniture de la structure multicouches (10) et comprend les sous-étapes suivantes : graver une tranchée (15) dans la structure multicouches (10), la tranchée (15) s’étendant à travers la couche de réflexion laser (14), la couche de protection (13) et la couche de silicium-germanium (12) jusqu’au substrat (11) ; et remplir la tranchée (15) d’un matériau électriquement isolant sur au moins toute l’épaisseur de la couche de silicium-germanium (12). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel : la couche de silicium-germanium (12) présente avant le recuit laser une concentration en germanium supérieure ou égale à 10 % ; la structure multicouches (10) comprend en outre une couche de silicium (17) disposée sur la couche de silicium-germanium (12) ; et ladite portion comprend en outre avant le recuit laser une partie de la couche de silicium (17). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche de silicium-germanium (12) présente avant le recuit laser une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 %. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : la couche de silicium-germanium (12) présente avant le recuit laser une concentration en germanium comprise entre 5 % et 10 % ; la couche de silicium-germanium (12) comprend une pluralité d’ailettes (121) réparties entre les première et deuxième régions (10A-10B) de la structure multicouches (10) ; et la structure multicouches comprend en outre des tranchées d’isolation électrique (16’) séparant les ailettes (121) entre elles ; la structure multicouches (10) est soumise au recuit laser de manière à modifier plusieurs portions de la structure multicouches (10) situées dans la deuxième région (10B), chaque portion comprenant avant le recuit laser une partie au moins d’une ailette (121). Procédé selon la revendication 8 en dépendance de la revendication 2, dans lequel l’étape de fourniture de la structure multicouches comprend les sous-étapes suivantes : déposer la couche de silicium-germanium (12) sur le substrat (11) ; graver la couche de silicium-germanium (12) de manière à former la pluralité d’ailettes (121) ; former les tranchées d’isolation électrique (16’) entre les ailettes (121) ; et déposer la couche de protection (13) sur la couche de silicium-germanium (12). Procédé selon la revendication 9, dans lequel la couche de protection (13) et les tranchées d’isolation électrique (16’) sont formées d’un même matériau électriquement isolant. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : la couche de silicium-germanium (12) présente avant le recuit laser une concentration en germanium supérieure ou égale à 30 % ; la couche de silicium-germanium (12) et une portion du substrat (11) sont structurées sous la forme d’une pluralité d’ailettes (122) ; et la structure multicouches (10) est soumise au recuit laser de manière à modifier plusieurs portions de la structure multicouches situées dans la deuxième région (10B), chaque portion comprenant avant le recuit laser une partie au moins d’une ailette (122) ; le procédé comprend en outre, après le recuit laser, une étape (S5) de gravure de la couche de silicium-germanium (12) dans la première région (10A) de la structure multicouches (10), la gravure de la couche de silicium-germanium (12) étant sélective par rapport au substrat (11). Procédé selon la revendication 11 en dépendance de la revendication 2, dans lequel l’étape (S1) de fourniture de la structure multicouches (10) comprend les sous-étapes suivantes : déposer la couche de silicium-germanium (12) sur le substrat (11) ; graver la couche de silicium-germanium (12) et la portion du substrat (11) de manière à former la pluralité d’ailettes (122) ; former les tranchées d’isolation électrique (16’) entre les ailettes (122) ; et déposer la couche de protection (13) sur la première couche de silicium-germanium (12). Procédé selon la revendication 12, dans lequel la couche de protection (13) et les tranchées d’isolation électrique (16’) sont formées d’un même matériau électriquement isolant. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le recuit laser est accompli en exposant la structure multicouches (10) à un rayonnement laser présentant une longueur d’onde comprise entre 200 nm et 600 nm et une densité d’énergie comprise entre 0,1 J/cm 2 et 10 J/cm 2 pendant une durée comprise entre 10 ns et 1000 ns. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant en outre une étape (S7) de formation d’un transistor à effet de champ à canal N (80A), dit transistor nFET, dans la première région (10A) de la structure multicouches (10) et une étape (S7’) de formation d’un transistor à effet de champ à canal P (80A), dit transistor pFET, dans la deuxième région (10B) de la structure multicouches (10).